(57)【要約】【課題】インク供給口の開口サイズが製造工程によって変動し難く、且つ、エッチングストップ層の除去にドライエッチングが不要なインク吐出ヘッドの製造方法を提供すること。【解決手段】基板１１の一方の面から、基板１１の途中部分まで伸びる凹部１１ａを形成する。凹部１１ａには、基板１１のエッチング液に対して不溶な埋め込み材料１３が埋め込まれる。ヒータ１２及び凹部１１ａを含むインク室が、基板１１の一方の面に形成される。基板１１の他方の面から凹部１１ａに向かってエッチングされ、インク供給口Ｂが形成される。埋め込み材料１３を可溶であって、基板１１に対してエッチング性を有さない溶媒を用いて、埋め込み材料１３が除去される。【選択図】図３
2012192713.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インクを吐出するためのエネルギーをインクに与えるエネルギー発生素子を一方の面に備えたシリコン製の基板の前記一方の面から、前記基板の途中部分まで伸びる凹部を形成する凹部形成工程と、
前記基板をエッチングする際に用いられる第１溶媒に対して不溶な埋め込み材料を、前記凹部に埋め込む埋め込み工程と、
前記エネルギー発生素子及び前記凹部を含み、前記インクを収容するインク室を、前記一方の面に形成するインク室形成工程と、
前記基板の他方の面から前記凹部に向かって前記基板をエッチングし、前記基板を貫通するインク供給口を形成するエッチング工程と、
前記埋め込み材料を可溶であって、前記基板に対してエッチング性を有さない第２溶媒を用いて、前記埋め込み材料を除去する埋め込み材料除去工程と、
を備えることを特徴とするインク吐出ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記インク室形成工程は、
前記エネルギー発生素子を囲む流路壁を、前記一方の面に形成する流路壁形成工程と、
前記流路壁によって区画される領域に対して、犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、
前記流路壁及び前記犠牲層を覆うようにインク吐出するノズル孔を有するノズル層を形成するノズル層形成工程とを含み、
前記犠牲層を可溶な第３溶媒を用いて、前記犠牲層を除去する犠牲層除去工程をさらに備える、
請求項１に記載のインク吐出ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記埋め込み材料と前記犠牲層は、同一種類の溶媒に対して可溶な材料によって構成され、
前記第２溶媒と前記第３溶媒とは、前記同一種類の溶媒である、
請求項２に記載のインク吐出ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記埋め込み材料と前記犠牲層は、同一種類の材料によって構成され、
前記流路壁形成工程は、前記埋め込み工程の前に実行され、
前記埋め込み工程及び前記犠牲層形成工程は、同一の工程として実行される、請求項３に記載のインク吐出ヘッドの製造方法。
【請求項５】
前記犠牲層は、前記埋め込み材料と別種の材料であって、前記ノズル層に対して相溶性を示さない材料によって構成される、
請求項２に記載のインク吐出ヘッドの製造方法。
【請求項６】
前記犠牲層形成工程の後に、前記犠牲層と前記流路壁とが同一平面上に位置するように、前記犠牲層及び前記流路壁の表面を平坦化する平坦化工程をさらに備え、
前記ノズル層形成工程は、前記平坦化工程の後に実行される、
請求項２〜５の何れかに記載のインク吐出ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インクジェットプリンター等に用いられるインク吐出ヘッドを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インクジェットプリンター等に用いられる熱源駆動方式のインク吐出ヘッドは、熱源を用いてインクに気泡を発生させ、その気泡の膨張力によりインク液滴を吐出させるものである。このような熱源駆動方式のインク吐出ヘッドの製造方法の一例が、特許文献１に示されている。以下に図８を用いて、従来のインク吐出ヘッドであるインク吐出ヘッド５の製造方法を説明する。
【０００３】
まず、シリコン基板５１の両面に、ＬＰＣＶＤ（Ｌｏｗ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏｕｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によって窒化シリコン膜５２が形成される。表側の窒化シリコン膜５２の一部がＣＦ４ガスを用いた反応性イオンエッチングによって選択的に除去されることで、一部が開口した窒化シリコン膜５２が形成される（図８（Ａ））。次に、フッ化水素酸溶液を用いて、窒化シリコン膜５２の開口部に存在するシリコンが多孔質シリコン層５３に変性される。その後、窒化シリコン膜５２が除去される（図８（Ｂ））。そして、多孔質シリコン層５３上に、ＬＰＣＶＤにて窒化シリコンが成膜されることで、パッシベイション層５４が形成される。シリコン基板５１の裏側には、一部が選択的に除去された窒化シリコン層によって、マスク層５５が形成される（図８（Ｃ））。水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液を用いた結晶軸異方性エッチングによって、シリコンの（１１１）結晶面からなる面で囲まれたピラミッド状の溝がシリコン基板５１に形成される（図８（Ｄ））。この状態から、さらにエッチングを進めることにより、埋め込み材料として機能する多孔質シリコン層５３がＫＯＨ水溶液を用いた等方性エッチングによって除去され、パッシベイション層５４によるメンブレンが形成される（図８（Ｅ））。このとき、パッシベイション層５４はエッチングストップ層として機能している。この後、シリコン基板５１の開口部分に存在するパッシベイション層５４に対して、ＣＦ４ガスを用いた反応性イオンエッチングを基板裏面から行うことで、インク供給口Ｅが形成される（図８（Ｆ））。その後、シリコン基板５１上に、吐出孔を有し、その内部にエネルギー発生素子としてのヒータを含むインク室が形成される。多孔質シリコン層５３が除去されることで凹部が形成されるので、シリコン基板の個体差などに関らず、インク供給口Ｅの開口サイズを、精度よく調整できる、とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−１８１０３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１に示される製造方法では、埋め込み材料として機能する多孔質シリコン層５３が、ＫＯＨ水溶液を用いた等方性エッチングにより除去される。ＫＯＨ水溶液は、シリコン基板５１に対してもエッチング性を有する。そのため、多孔質シリコン層５３の除去の際に、シリコン基板５１に対してもエッチングが進行することで、凹部の開口サイズが、所望のサイズよりも大きくなる可能性がある。また、凹部上に、パッシベイション層５４が形成されるので、インク供給口Ｅを形成するために、パッシベイション層５４に対して、ＣＦ４ガスを用いた反応性イオンエッチングを行う工程が必要となる。反応性イオンエッチングなどのドライエッチングは、一般的に、ウェットエッチングなどと比較してエッチング速度が遅い。そのため、特許文献１に示される製造方法では、パッシベイション層５４の除去に時間がかかる。
【０００６】
本発明は、上記問題を解決し、インク供給口の開口サイズが製造工程によって変動し難く、且つ、エッチングストップ層の除去にドライエッチングが不要なインク吐出ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明の一側面は、インクを吐出するためのエネルギーをインクに与えるエネルギー発生素子を一方の面に備えたシリコン製の基板の前記一方の面から、前記基板の途中部分まで伸びる凹部を形成する凹部形成工程と、前記基板をエッチングする際に用いられる第１溶媒に対して不溶な埋め込み材料を、前記凹部に埋め込む埋め込み工程と、前記エネルギー発生素子及び前記凹部を含み、前記インクを収容するインク室を、前記一方の面に形成するインク室形成工程と、前記基板の他方の面から前記凹部に向かって前記基板をエッチングし、前記基板を貫通するインク供給口を形成するエッチング工程と、前記埋め込み材料を可溶であって、前記基板に対してエッチング性を有さない第２溶媒を用いて、前記埋め込み材料を除去する埋め込み材料除去工程と、を備えることを特徴とするインク吐出ヘッドの製造方法である。
【０００８】
これによれば、基板の一方の面に形成された凹部に埋め込み材料が埋め込まれる。この埋め込み材料は、基板をエッチングする際に用いられる第１溶媒に対して不溶である。そのため、基板の他方の面からエッチングを行う際に、埋め込み材料がエッチングストップ層として働きエッチングが止められるため、凹部はエッチングの影響を受けない。また、埋め込み材料の除去は、シリコン製の基板に対してエッチング性を有さない第２溶媒によって行われる。そのため、埋め込み材料の除去によっても、凹部はエッチングされない。従って、インク供給口の開口となる凹部のサイズが、製造工程によって変動し難い。従って、インク供給口の開口サイズを精度よく決定することが可能となる。また、埋め込み材料の除去が第２溶媒によって行われる（＝ウェットエッチング）ため、エッチングストップ層の除去にドライエッチングが不要であり、製造時間の短縮に繋がる。
【０００９】
さらに、前記インク室形成工程は、前記エネルギー発生素子を囲む流路壁を、前記一方の面に形成する流路壁形成工程と、前記流路壁によって区画される領域に対して、犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、前記流路壁及び前記犠牲層を覆うようにインク吐出するノズル孔を有するノズル層を形成するノズル層形成工程とを含み、前記犠牲層を可溶な第３溶媒を用いて、前記犠牲層を除去する犠牲層除去工程をさらに備えてもよい。
【００１０】
これによれば、インク室の形成に必要な犠牲層を除去する際にも、凹部のサイズが変動しない。従って、インク供給口の開口サイズをさらに精度よく決定することが可能となる。
【００１１】
さらに、前記埋め込み材料と前記犠牲層は、同一種類の溶媒に対して可溶な材料によって構成され、前記第２溶媒と前記第３溶媒とは、前記同一種類の溶媒であってよい。
【００１２】
これによれば、同一種類の溶媒によって、埋め込み材料と犠牲層とが除去される。したがって、吐出ヘッドを製造するための工程数を減らすことが可能となる。
【００１３】
さらに、前記埋め込み材料と前記犠牲層は、同一種類の材料によって構成され、前記流路壁形成工程は、前記埋め込み工程の前に実行され、前記埋め込み工程及び前記犠牲層形成工程は、同一の工程として実行されてもよい。
【００１４】
これによれば、埋め込み材料と犠牲層を同一材料で構成するとともに、埋め込み工程と犠牲層形成工程が同一の工程で行われる。従って、吐出ヘッドを製造するための工程数をさらに減らすことが可能となる。
【００１５】
さらに、前記犠牲層は、前記埋め込み材料と別種の材料であって、前記ノズル層に対して相溶性を示さないとともにアルカリに対して可溶な材料によって構成されてもよい。
【００１６】
これによれば、犠牲層がノズル層に対して相溶性を示さない。従って、犠牲層の上にノズル層を形成する際に、ノズル層の接触部分が荒れない。従って、ノズル層のインク室側の面を精度よく形成できるとともに、インク室の高さも精度よく決定することが可能となる。
【００１７】
また、前記犠牲層形成工程の後に、前記犠牲層と前記流路壁とが同一平面上に位置するように、前記犠牲層及び前記流路壁の表面を平坦化する平坦化工程をさらに備え、前記ノズル層形成工程は、前記平坦化工程の後に実行されてもよい。
【００１８】
これによれば、犠牲層と流路壁とが同一平面上の位置まで平坦化が行われ、その上にノズル層が形成される。従って、ノズル層のインク室側の面を精度よく形成できるとともに、インク室の高さも精度よく決定することが可能となる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、インク供給口の開口サイズが製造工程によって変動し難く、且つ、エッチングストップ層の除去にドライエッチングが不要なインク吐出ヘッドの製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】第１実施形態に係る、インク吐出ヘッド１の概要を示す斜視図。
【図２】第１実施形態に係る、インク吐出ヘッド１の構成を示す断面図。
【図３】第１実施形態に係る、インク吐出ヘッド１の製造方法の説明図。
【図４】第２実施形態に係る、インク吐出ヘッド２の構成を示す断面図。
【図５】第２実施形態に係る、インク吐出ヘッド２の製造方法の説明図。
【図６】第２実施形態に係る、インク吐出ヘッド２の製造方法の説明図（図５の続き）。
【図７】第３実施形態に係る、インク吐出ヘッド３の製造方法の説明図。
【図８】従来例に係る、インク吐出ヘッド５の製造方法の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
＜第１実施形態＞
以下に図面を参照しつつ、本発明に係る第１実施形態を示す。まず、図１及び図２を用いて、インク吐出ヘッド１の構成について説明する。
【００２２】
［インク吐出ヘッド１の構成］
図１に示されるように、インク吐出ヘッド１は、一方向に整列した複数の吐出孔Ａを有する。この吐出孔Ａのそれぞれは、個別に設けられたインク室ＣＨ（図２参照）にそれぞれ連通する。インク室ＣＨ内には、インクを吐出するためのエネルギー発生素子として機能するヒータ１２（図２参照）が、それぞれ設けられる。インク吐出ヘッド１の下面からインク室ＣＨへとつながるインク供給口Ｂによって、インク室ＣＨへとインクが供給される。インク室ＣＨに供給されたインクは、ヒータ１２の加熱によりその一部が気泡となる。この気泡によって押し出されたインク室ＣＨ内のインクは、吐出孔Ａから吐出する。
【００２３】
図２は、インク吐出ヘッド１を、複数の吐出孔Ａの整列方向と直交する方向に切断した断面（即ち、図１のａ―ａ断面）の図である。インク吐出ヘッド１の層構造は、基板１１とインク室壁部１５とから主に構成される。基板１１には、インク供給口Ｂが開口する。インク供給口Ｂは、基板１１の一方の面（例えば、上面）側に形成された凹部１１ａと、基板１１の他方の面（例えば、下面）側に形成された孔部１１ｂとで区画される。なお、凹部１１ａは、本実施形態では、断面形状が台形である。しかし、これに限定されず、任意の断面形状であって差し支えない。基板１１の上面であって、インク室ＣＨの内部には、ヒータ１２が形成される。インク室壁部１５は、基板１１から上方に立設される流路壁部１５ｂと、その流路壁部の上端から横方向に延出するノズル層部１５ａとで構成される。流路壁部１５ｂは、ヒータ１２及びインク供給口Ｂを囲う。なお、流路壁部１５ｂは、ヒータ１２及びインク供給口Ｂを全周に渡って囲う様態であっても、一部や一辺が開口した状態で囲う様態であっても、どちらでも差し支えない。ノズル層部１５ａのヒータ１２に対向する位置には、吐出孔Ａが形成される。
【００２４】
［インク吐出ヘッド１の製造方法］
以下、図３を用いて、インク吐出ヘッド１の製造工程を説明する。
【００２５】
図３（Ａ）に示されるように、まず、シリコン製の基板１１上に、ヒータ１２が形成される。ヒータ１２は、例えば、ＴａＮやＴａＡｌなどの抵抗発熱体を、２００〜１０００Å程度の厚みになるように、反応性スパッタリング法によってヒータ１２の形成位置に堆積することで形成される。
【００２６】
次に、図３（Ｂ）に示されるように、基板１１の上面に凹部１１aが形成される。凹部１１ａの形成は、例えば基板１１の表面に酸化シリコンの薄膜層が形成されている場合、エッチングなどによって行われる。具体的には、先ず、凹部１１ａに対応する位置に開口を有するフォトレジストが、フォトリソグラフィプロセスにより形成される。そして、このフォトレジストをマスクとして、フッ化水素酸溶液を用いて酸化シリコンが基板１１の上面側からエッチングによって除去される。即ち、酸化シリコンで構成される薄膜層の、エッチングによって除去された部分が、凹部１１ａに対応する。あるいは、機械的カットなどによって、凹部１１ａが形成されてもよい。
【００２７】
次に、図３（Ｃ）に示されるように、凹部１１ａに対して、埋め込み材料１３が埋め込まれる。埋め込み材料１３は、基板１１をエッチングする際に用いられる第１溶媒（例えば、ＫＯＨ水溶液、水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＨ）水溶液）に対して不溶な材料である。具体的な例としては、ＫＯＨ水溶液やＴＭＡＨ水溶液などのアルカリに対して不溶で、キシレン、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、シクロヘキサンなどの有機溶剤に可溶なプロテクトワックスなどが、埋め込み材料１３として利用可能である。埋め込み材料１３は、凹部１１ａの形成後、スピンコートなどで塗布される。埋め込み材料１３の塗布後に、凹部１１ａの形成時のマスクとしてのフォトレジストと、フォトレジスト上の埋め込み材料とを除去するリストオフ法により、凹部１１ａにのみ埋め込み材料が残される。または、凹部１１ａの形成後、フォトレジストを除去し、凹部１１ａにインクジェット法を用いて、埋め込み材料を充填してもよい。
【００２８】
次に、図３（Ｄ）に示されるように、ヒータ１２及び凹部１１ａを覆うようにして、感光性ポジ型レジストを載置し乾燥させることで、基板１１の上面に犠牲層１４が形成される。犠牲層１４は、インク吐出ヘッド１の完成時にインク室ＣＨとなる領域に対応して形成される。本実施形態では、感光性ポジ型レジストとして、東京応化工業（株）のＰＭＥＲ、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ（株）のＡＺが使用される。感光性ポジ型レジストは、埋め込み材料１３と異なり、アルカリ溶液には可溶だが、後述のインク室壁部１５を可溶な有機溶媒には不溶である。
【００２９】
次に、図３（Ｅ）に示されるように、犠牲層１４を覆うようにして、インク室壁部１５が形成される。インク室壁部１５の犠牲層１４上に形成された領域が、ノズル層部１５ａとなる。犠牲層１４から左右にはみ出し、犠牲層１４の横に位置するインク室壁部１５の領域は、流路壁部１５ｂとなる。本実施形態では、例えば、紫外線硬化性イミド、紫外線硬化性シリコン樹脂、紫外線硬化性エポキシ等の紫外線硬化性樹脂が、犠牲層１４を覆うようにスピンコート法などで塗布される。具体的には、例えば、日本化薬（株）の光硬化エポキシ樹脂ＳＵ−８などである。この樹脂の溶剤はシクロヘキサンなどの有機溶剤であるが、犠牲層１４は有機溶剤に可溶しないため、犠牲層５４の上に塗布しても材料同士で溶け合うクロスミキシングは生じない。吐出孔Ａの形成は、例えば、フォトリソグラフィーによって行われる。具体的には、犠牲層１４上に塗布された紫外線硬化性樹脂上の、吐出孔Ａに対応する位置にフォトマスクが載置される。その後、紫外線が照射され、吐出孔Ａ以外の位置の紫外線硬化性樹脂が硬化する。そして、現像液（例えば、キシレンなど）にインク吐出ヘッド１が浸される。紫外線硬化性樹脂の硬化した部分と、犠牲層１４とは、現像液に対して不溶である。そのため、フォトマスクによって紫外線に晒されていない吐出孔Ａに対応する位置の紫外線硬化性樹脂のみが溶解する。これによって、吐出孔Ａが形成される。
【００３０】
次に、図３（Ｆ）に示されるように、基板１１の下面から凹部１１ａに向かって、基板１１がエッチングされる。具体的には、先ず、開口を有するマスク層が、基板１１の下面に形成される。基板１１の下面に予め酸化シリコン膜が形成されている場合、フォトリソグラフィプロセスにより形成したフォトレジストをマスクとして、フッ化水素酸溶液を用いて酸化シリコン膜がエッチングによって除去される。その後、フォトレジストが溶解される。これにより、酸化シリコンによってマスク層が形成される。マスク層の開口サイズは、基板１１を異方性エッチングすることで形成される孔部１１ｂが凹部１１ａの下面に到達した際に、凹部１１ａの下面の面積よりも孔部１１ｂの上面の面積が小さくなるように設定される。マスク層の形成後に、ＴＭＡＨ溶液を用いて基板１１の下面からウェットエッチングを行う。基板１１の下面から上面に向かってエッチングが進むが、埋め込み材料１３はアルカリに対して不溶なため、埋め込み材料１３がエッチングストップ層として機能し、エッチングは凹部１１ａの下面で止まる。これにより、孔部１１ｂが形成される。凹部１１ａと孔部１１ｂによって、基板１１を貫通するインク供給口Ｂが形成される。なお、基板１１の下面に酸化シリコン膜が形成されない場合、ＬＰＣＶＤによって窒化シリコン膜によるエッチングマスクが基板１１の下面に作成されても差し支えない。
【００３１】
次に、図３（Ｇ）に示されるように、埋め込み材料１３が除去される。埋め込み材料１３の除去は、埋め込み材料１３を可溶であって、基板１１に対してエッチング性を有さない第２溶媒に対して、基板１１を浸すことで行われる。第２溶媒としては、例えば、キシレンなどの有機溶剤が用いられる。ここで、インク孔Ａを形成する際にも、インク吐出ヘッド１は有機溶剤に浸されている（図３（Ｅ）参照）。しかし、インク孔Ａの形成段階では、犠牲層１４と基板１１によって、埋め込み材料１３にまで有機溶剤は到達しない。今、孔部１１ｂが形成されているため、有機溶剤が埋め込み材料１３に到達し、埋め込み材料１３は除去される。
【００３２】
最後に、図３（Ｈ）に示されるように、犠牲層１４が除去される。犠牲層１４の除去は、基板１１を不溶な犠牲層溶解溶液（ＰＧＭＥＡなど）に浸すことで行われる。以上で、インク吐出ヘッド１の製造が完了する。
【００３３】
＜第２実施形態＞
図４を用いて、本発明の第２実施形態に係るインク吐出ヘッド２の構成について説明する。なお、インク吐出ヘッド２の概観は、図１に示されるインク吐出ヘッド１と同じである。インク吐出ヘッド２は、その断面構造において、インク吐出ヘッド１と相違する。
【００３４】
［インク吐出ヘッド２の構成］
図４に示されるように、インク吐出ヘッド２の層構造は、基板２１、流路壁２３及びノズル層２６から主に構成される。基板２１の上面であって、インク室ＣＨの内部には、には、ヒータ２２が形成される。なお、基板２１の形状は、インク供給口Ｄの形状などにおいて、図２に示される基板１１と同じであるため、詳細な説明は省略される。流路壁２３は、基板２１から上方に立設される。ノズル層２６は、流路壁２３の上端から横方向に延出する。ノズル層２６のヒータ２２に対向する位置には、吐出孔Ｃが形成される。インク吐出ヘッド２は、流路壁２３とノズル層２６とが異なる層である点において、前記した実施形態における吐出ヘッド１と相違する。
【００３５】
［インク吐出ヘッド２の製造方法］
以下、図５及び図６を用いて、インク吐出ヘッド２の製造工程を説明する。
【００３６】
先ず、図５（Ａ）に示されるように、シリコン製の基板２１上に、ヒータ２２が形成される。この工程は、図３（Ａ）に示される工程と同様であるため、説明は省略される。
【００３７】
次に、図５（Ｂ）に示されるように、基板２１の上面に凹部２１aが形成される。凹部１１ａは、図３（Ｂ）に示される凹部１１ａと同様の方法によって形成される。
【００３８】
次に、図５（Ｃ）に示されるように、基板２１上のヒータ２２及び凹部２１ａを囲むように、流路壁２３が、基板２１の上面に形成される。本実施形態では、流路壁２３は、完全に硬化したエポキシ樹脂で形成される。なお、流路壁２３は、ヒータ２２及び凹部２１ａを全周に渡って囲う様態であっても、一部や一辺が開口した状態で囲う様態であっても、どちらでも差し支えない。また、流路壁２３の膜厚は、例えば１０−３０μｍ程度になるように調整されてよい。
【００３９】
次に、図５（Ｄ）に示されるように、埋め込み材料２４が、流路壁２３、ヒータ２２及び凹部２１ａを覆うようにして、基板２１の上面に塗布される。本実施形態では、埋め込み材料２４は、図３（Ｃ）における埋め込み材料１３とは異なり、凹部２１ａに完全には埋め込まれない。埋め込み材料２４は、図３（Ｃ）に示される埋め込み材料１３と同様の材料で構成される。そのため、埋め込み材料２４も、ＴＭＡＨ水溶液などの基板２１をエッチングする第１溶媒に対して不溶である。従って、凹部２１ａの下面さえ覆われていれば、基板２１をエッチングする際に、埋め込み材料２４がエッチストップ層として機能する。即ち、埋め込まれるとは、完全に埋め込まれた状態はもちろんのこと、下面が覆われる程度に一部だけ埋め込まれた状態も含む。
【００４０】
次に、図５（Ｅ）に示されるように、流路壁２３によって区画され、ヒータ２２及び凹部２１ａ含む領域に、犠牲層２５が形成される。犠牲層２５は、流路壁２３の上面も覆う領域にも形成される。即ち、犠牲層２５は、埋め込み材料２４の全面を覆うように形成される。犠牲層２５の形成は、例えば、流路壁２３によって形成された空間に、半硬化樹脂を注入し乾燥させることで行われる。本実施形態では、半硬化樹脂として、東レ(株)のポリイミド材、フォトニースが半硬化状態で使用される。フォトニースは、アルカリ溶液には可溶であるが、有機溶剤には不溶である。また、犠牲層２５として、ノボラック樹脂が利用されても良い。具体例としては、旭有機材工業（株）製のＥＰ４０８０Ｇ、ＥＰ４０５０ＧなどをＰＧＭＥＡなどの有機溶媒に溶解させたものが利用される。ノボラック樹脂は、キシレンやトルエンなどには溶解性が極めて低いが、アルカリ水溶液やアセトンなどには溶解する。
【００４１】
形成された犠牲層２５の上面は、図５（Ｅ）に示されるように凸凹している。具体的には、流路壁２３の上に形成された半硬化樹脂は、流路壁２３に囲まれた部分よりも凸になる。そこで、図５（Ｆ）に示されるように、犠牲層２５の上面が平坦になるように、犠牲層２５が上面から削除される。ここで、犠牲層２５及び埋め込み材料２４が流路壁２３の上に残っていると、隣接するインク室の間が連通する可能性がある。そのため、犠牲層２５と流路壁２３とが同一平面上に位置するまで、換言すれば、流路壁２３の上面が露出するまで、犠牲層２５が平坦化されるのが望ましい。このとき、流路壁２３の上面も僅かながら削除されてよい。なお、犠牲層２５の平坦化は、例えば、研磨、研削、切削などの機械加工によって行われる。あるいは、機械加工による粗平坦化の後で、インクヘッド２を犠牲層溶解溶液に浸すことで、犠牲層２５を上面から溶解させるなどの微細平坦化が行われてもよい。
【００４２】
次に、図５（Ｇ）に示されるように、流路壁２３及び犠牲層２５を覆うように、ノズル層２６が形成される。ノズル層２６には、ヒータ２２に対向する位置に、インク吐出するノズル孔Ｃが設けられる。ノズル層２６は、図３（Ｅ）に示されるインク室壁部１５と同様の材料、同様の形成方法によって形成される。犠牲層２５が平坦化されているため、ノズル層２６を精度良く形成することができ、後記するインク室ＣＨの体積を精度良く決定できる。
【００４３】
次に、図５（Ｈ）に示されるように、基板２１の下面から凹部２１ａに向かって、基板２１がエッチングされる。この工程は、図３（Ｆ）に示される工程と同様である。基板２１の下面から上面に向かって進んだエッチングは、埋め込み材料２４によって凹部２１ａの下面で止まり、孔部２１ｂが形成される。凹部２１ａと孔部２１ｂによって、基板２１を貫通するインク供給口Ｄが形成される。
【００４４】
次に、図６（Ａ）に示されるように、埋め込み材料２４が除去される。埋め込み材料２４の除去は、図３（Ｇ）に示される工程と同様の方法によって行われる。
【００４５】
最後に、図６（Ｂ）に示されるように、犠牲層２５が除去される。犠牲層２５の除去は、図３（Ｈ）に示される工程と同一の方法で行われる。以上のようにして、インク吐出ヘッド２が形成される。
【００４６】
＜第３実施形態＞
図７を用いて、第３実施形態に係るインク吐出ヘッド３の製造方法を説明する。なお、インク吐出ヘッド３は、図２に示されるインク吐出ヘッド１と同様の構成であるが、その製造方法において相違する。
【００４７】
図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示される工程は、図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示される工程と同一であるため、説明は省略される。
【００４８】
図７（Ｃ）に示される工程では、犠牲層３３が、ヒータ３２及び凹部３１ａを覆うようにして、基板３１の上面に塗布される。このとき、犠牲層３３は、凹部３１ａにも浸入し、凹部３１ａの下面を覆う。ここで、犠牲層３３は、基板３１をエッチングする際に用いられる第１溶媒（例えば、ＫＯＨ水溶液）に対して不溶な材料で構成される。即ち、本実施形態では、犠牲層３３は、前記した実施形態における埋め込み材料を兼ねる。
【００４９】
次に、図３（Ｅ）と同様の工程にて、図７（Ｄ）に示されるように、インク室壁部３４が形成される。
【００５０】
次に、図３（Ｆ）と同様の工程にて、図７（Ｅ）に示されるように、基板３１が下面からエッチングされる。犠牲層３３は第１溶媒に不溶なので、基板３１の下面から上面に向かって進んだエッチングは、凹部３１ａの下面で止まる。これにより、孔部３１ｂが形成される。凹部３１ａと孔部３１ｂによって、基板３１を貫通するインク供給口Ｆが形成される。
【００５１】
最後に、図７（Ｆ）に示されるように、犠牲層３３が除去される。犠牲層３３の除去は、図３（Ｇ）や図６（Ａ）などに示される、埋め込み材料を溶解可能な溶媒を用いて行われる。
【００５２】
本発明は、今までに述べた実施形態に限定されることは無く、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の変形・変更が可能である。以下にその一例を述べる。
【００５３】
前記した実施形態では、ノズル層は、溶媒に溶解させた樹脂を塗布・乾燥させて形成された。しかし、フィルム状の光硬化性樹脂やノズル孔が形成されたフィルム状の樹脂を載置して、ノズル層が形成されても差し支えない。
【００５４】
前記した実施形態では、埋め込み材料と犠牲層が別種の材料で構成される場合は、それぞれ別種の溶剤によって除去された。しかし、埋め込み材料と犠牲層が別種の材料であっても、同一の溶剤に可溶であれば、両者を同一工程にて除去することが可能になる。
【００５５】
以上、現時点において、もっとも、実践的であり、かつ好ましいと思われる実施形態に関連して本発明を説明したが、本発明は、本願明細書中に開示された実施形態に限定されるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴うインク吐出ヘッドの製造方法もまた技術的範囲に包含されるものとして理解されなければならない。 
【符号の説明】
【００５６】
１，２，３，５  インク吐出ヘッド
１１，２１，３１，５１      基板
１１ａ，２１ａ，３１ａ  凹部
１１ｂ，２１ｂ，３１ｂ  孔部
１２，２２，３２      ヒータ
１３，２４  埋め込み材料
１４，２５，３３  犠牲層
１５，３４  インク室壁部
２３  流路壁
２６  ノズル層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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