(57)【要約】【課題】基板上に設ける放射線検出素子の数が増加しても、走査線や信号線の本数が増加することを防止して、ゲートＩＣや読み出しＩＣが増加することを的確に防止することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。【解決手段】放射線画像撮影装置１は、走査線５と信号線６により区画された各領域ｒごとにｍ×ｎ個ずつ設けられた放射線検出素子７１１〜７２２を備え、制御手段２２は、画像データＤの読み出し処理の際には、ｍ×ｎ−１本の選択線１０のうちのいずれの選択線１０にもオン電圧を印加しない状態で、または、ｍ×ｎ−１本の選択線１０のうちオン電圧を印加する選択線１０を順次切り替えて、走査駆動手段１５から走査線５を介して１個の放射線検出素子７１１のスイッチ手段８のゲート電極８ｇにオン電圧を順次印加させて、各領域ｒごとのｍ×ｎ個の放射線検出素子７１１〜７２２から画像データＤ１１〜Ｄ２２を順次読み出させる。【選択図】図９
2012100081.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、
前記走査線と前記信号線により区画された各領域ごとにｍ×ｎ（ｍ、ｎはともに１以上の整数。ただしともに１である場合を除く。）個ずつ設けられた放射線検出素子と、
前記各放射線検出素子ごとに設けられ、前記各放射線検出素子にソース電極がそれぞれ接続された薄膜トランジスタからなるスイッチ手段と、
を備える検出部と、
前記各領域ごとのｍ×ｎ個の前記放射線検出素子のうち、ｍ×ｎ−１個の前記放射線検出素子の前記各スイッチ手段のゲート電極にそれぞれ接続されたｍ×ｎ−１本の選択線と、
前記各領域のｍ×ｎ個の前記放射線検出素子のうちの残りの１個の前記放射線検出素子の前記スイッチ手段のゲート電極が接続された前記走査線にオン電圧を印加するゲートＩＣを備える走査駆動手段と、
前記各放射線検出素子から前記信号線に放出された前記電荷を画像データに変換して読み出す読み出し回路が内蔵された読み出しＩＣと、
少なくとも前記走査駆動手段および前記読み出し回路を制御して前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を行わせる制御手段と、
を備え、
前記ｍ×ｎ−１個の前記放射線検出素子の前記スイッチ手段のドレイン電極は、それぞれ前記残りの１個の放射線検出素子の前記スイッチ手段のソース電極に接続されており、かつ、前記残りの１個の放射線検出素子の前記スイッチ手段のドレイン電極が前記信号線に接続されており、
前記制御手段は、前記画像データの読み出し処理の際には、前記ｍ×ｎ−１本の選択線のうちのいずれの前記選択線にもオン電圧を印加しない状態で、または、前記ｍ×ｎ−１本の選択線のうちオン電圧を印加する前記選択線を順次切り替えて、前記走査駆動手段から前記走査線を介して前記残りの１個の放射線検出素子の前記スイッチ手段のゲート電極にオン電圧を順次印加させて、前記各領域ごとのｍ×ｎ個の前記放射線検出素子から前記画像データを順次読み出させることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記画像データの読み出し処理の際には、前記ｍ×ｎ−１本の選択線のうちのいずれの前記選択線にもオン電圧を印加しない状態で、前記各領域ごとのｍ×ｎ個の前記放射線検出素子のうちの前記残りの１個の放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を行わせた後、前記ｍ×ｎ−１本の選択線のうちオン電圧を印加する前記選択線を順次切り替えながら、前記ｍ×ｎ−１個の放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を順次行わせることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記画像データの読み出し処理の際に、最初に、前記ｍ×ｎ−１本の選択線のうちのいずれの前記選択線にもオン電圧を印加しない状態で前記残りの１個の放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を行わせる際に、前記残りの１個の放射線検出素子の前記スイッチ手段の前記ゲート電極に対して前記走査線を介してオン電圧を印加させる時間を、その後、前記ｍ×ｎ−１本の選択線のうちオン電圧を印加する前記選択線を順次切り替えながら前記ｍ×ｎ−１個の放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を順次行わせる際に前記各放射線検出素子の前記スイッチ手段の前記ゲート電極に対して前記選択線からそれぞれオン電圧を印加する時間よりも長い時間とすることを特徴とする請求項２に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項４】
前記画像データの読み出し処理の際に、
前記ｍ×ｎ−１本の選択線のうちのいずれの前記選択線にもオン電圧を印加しない状態で、または、前記ｍ×ｎ−１本の選択線のうちオン電圧を印加する前記選択線を順次切り替えて、前記走査駆動手段から前記走査線を介して前記残りの１個の放射線検出素子の前記スイッチ手段のゲート電極にオン電圧を順次印加させて、前記各領域ごとのｍ×ｎ個の前記放射線検出素子から前記画像データを順次読み出させる高精細モードと、
前記ｍ×ｎ−１本の全ての選択線にオン電圧を印加した状態で、前記走査駆動手段から前記走査線を介して前記残りの１個の放射線検出素子の前記スイッチ手段のゲート電極にオン電圧を１回だけ印加させて、前記各領域ごとのｍ×ｎ個の前記放射線検出素子から前記画像データの合計値を読み出させる高速読み出しモードと
の間でモード切り替えを行うことが可能とされていることを特徴とする請求項１から請求個３のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項５】
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、
前記走査線と前記信号線により区画された各領域ごとにｍ×ｎ（ｍ、ｎはともに１以上の整数。ただしともに１である場合を除く。）個ずつ設けられた放射線検出素子と、
前記各放射線検出素子ごとに設けられ、前記各放射線検出素子にソース電極がそれぞれ接続された薄膜トランジスタからなるスイッチ手段と、
前記各スイッチ手段のドレイン電極がソース電極に接続された薄膜トランジスタからなる読み出し用スイッチ手段と、
を備える検出部と、
前記各領域ごとのｍ×ｎ個の前記放射線検出素子の前記各スイッチ手段のゲート電極にそれぞれ接続されたｍ×ｎ本の選択線と、
前記読み出し用スイッチ手段のゲート電極が接続された前記走査線にオン電圧を印加するゲートＩＣを備える走査駆動手段と、
前記各放射線検出素子から前記信号線に放出された前記電荷を画像データに変換して読み出す読み出し回路が内蔵された読み出しＩＣと、
少なくとも前記走査駆動手段および前記読み出し回路を制御して前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を行わせる制御手段と、
を備え、
前記読み出し用スイッチ手段のドレイン電極が前記信号線に接続されており、
前記制御手段は、前記画像データの読み出し処理の際には、前記ｍ×ｎ本の選択線のうちオン電圧を印加する前記選択線を順次切り替えながら、前記走査駆動手段から前記走査線を介して前記読み出し用スイッチ手段のゲート電極にオン電圧を順次印加させて、前記各領域ごとのｍ×ｎ個の前記放射線検出素子から前記画像データを順次読み出させることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項６】
前記画像データの読み出し処理の際に、
前記ｍ×ｎ本の選択線のうちオン電圧を印加する前記選択線を順次切り替えながら、前記走査駆動手段から前記走査線を介して前記読み出し用スイッチ手段のゲート電極にオン電圧を順次印加させて、前記各領域ごとのｍ×ｎ個の前記放射線検出素子から前記画像データを順次読み出させる高精細モードと、
前記ｍ×ｎ本の全ての選択線にオン電圧を印加した状態で、前記走査駆動手段から前記走査線を介して前記読み出し用スイッチ手段のゲート電極にオン電圧を１回だけ印加させて、前記各領域ごとのｍ×ｎ個の前記放射線検出素子から前記画像データの合計値を読み出させる高速読み出しモードと
の間でモード切り替えを行うことが可能とされていることを特徴とする請求項５に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項７】
前記制御手段は、前記各領域ごとのｍ×ｎ個の前記放射線検出素子の前記スイッチ手段の前記ゲート電極にオン電圧を印加する際に、前記各スイッチ手段に同じ時間だけオン電圧を印加させることを特徴とする請求項１、請求項２、請求項４から請求項６のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項８】
前記選択線は、前記検出部の外側に、前記信号線の延在方向に平行に設けられていることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項９】
前記選択線は、前記検出部の外側に、前記走査線の延在方向に平行に設けられていることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画像撮影装置に係り、特に、交差するように配設された走査線と信号線で区画された各領域に放射線検出素子が設けられた放射線画像撮影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
照射されたＸ線等の放射線の線量に応じて検出素子で電荷を発生させて電気信号に変換するいわゆる直接型の放射線画像撮影装置や、照射された放射線をシンチレータ等で可視光等の他の波長の電磁波に変換した後、変換され照射された電磁波のエネルギーに応じてフォトダイオード等の光電変換素子で電荷を発生させて電気信号（すなわち画像データ）に変換するいわゆる間接型の放射線画像撮影装置が種々開発されている。なお、本発明では、直接型の放射線画像撮影装置における検出素子や、間接型の放射線画像撮影装置における光電変換素子を、あわせて放射線検出素子という。
【０００３】
このタイプの放射線画像撮影装置はＦＰＤ（Flat Panel Detector）として知られており、従来は支持台（或いはブッキー装置）と一体的に形成されていたが（例えば特許文献１参照）、近年、放射線検出素子等をハウジングに収納し、持ち運び可能とした可搬型の放射線画像撮影装置が開発され、実用化されている（例えば特許文献２、３参照）。
【０００４】
このような放射線画像撮影装置では、例えば特許文献４に記載されているように、通常、基板上に複数の走査線（ゲート線等ともいう。）と複数の信号線（シグナル線等ともいう。）とが互いに交差するように設けられ、走査線と信号線で区画された各領域に１個ずつ放射線検出素子が設けられてセンサパネルが形成されている。
【０００５】
そして、各走査線は、基板上に設けられた各接続端子を介して、走査駆動手段のゲートドライバを構成する各ゲートＩＣにそれぞれ接続され、また、各信号線は、基板上に設けられた各接続端子を介して、増幅回路等で構成される各読み出し回路が内蔵された複数の読み出しＩＣにそれぞれ接続されるように構成されることが多い。
【０００６】
ところで、例えば、上記のような放射線画像撮影装置を、医療における診断用等の放射線画像を撮影するために用いるような場合、患者の身体内の病変部を適切に撮影することを可能とするために、放射線画像を高精細に撮影可能であることが放射線画像撮影装置に求められる。そして、高精細化を可能とするために、放射線画像撮影装置の画素（すなわち放射線検出素子）を小さくして、画素数を多くするための開発が鋭意進められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平９−７３１４４号公報
【特許文献２】特開２００６−０５８１２４号公報
【特許文献３】特開平６−３４２０９９号公報
【特許文献４】特開２００７−２９４９００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記のようにして放射線画像撮影装置の高精細化を図ると、走査線や信号線の本数が増大する分だけゲートＩＣや読み出しＩＣの数が増えるため、装置の製造コストが増加するといった問題が発生する。
【０００９】
また、実際上の問題として、走査線や信号線の本数が増えるため、基板上に形成する接続端子の数が増大するが、各接続端子には、フレキシブル回路基板の各端子と接続するためにある程度の大きさ（面積）が要求されるため、接続端子の増加に伴い、全ての接続端子がセンサパネルの基板上に収めることが困難になってしまうといった問題も生じる。
【００１０】
本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、基板上に設ける放射線検出素子の数が増加しても、走査線や信号線の本数が増加することを防止して、ゲートＩＣや読み出しＩＣが増加することを的確に防止することが可能な放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。
【００１１】
一方、放射線画像撮影装置で、例えば動画を撮影するような場合には、高精細であることよりも、高速に画像データを読み出すことが可能であることが要請される。そして、本発明者らが今回発明した上記の高精細化を図るための構成と全く同じ構成を用いて、信号の入力の仕方を変えるだけで、高精細の場合よりも解像度は落ちるが、高速に画像データを読み出すことが可能となる構成を見出すことができた。
【００１２】
なお、以下、高精細に画像データを読み出すことを可能とするモードを高精細モードといい、高精細ではないが画像データの読み出しを高速に行うことを可能とするモードを高速読み出しモードという。
【００１３】
そして、本発明は、上記のように、高精細モードでの撮影が可能とあると同時に、信号の入力を変えるだけで高速読み出しモードに切り替え可能で、画像データの読み出しを高速に行うことも可能な放射線画像撮影装置を提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
前記の問題を解決するために、本発明の放射線画像撮影装置は、
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、
前記走査線と前記信号線により区画された各領域ごとにｍ×ｎ（ｍ、ｎはともに１以上の整数。ただしともに１である場合を除く。）個ずつ設けられた放射線検出素子と、
前記各放射線検出素子ごとに設けられ、前記各放射線検出素子にソース電極がそれぞれ接続された薄膜トランジスタからなるスイッチ手段と、
を備える検出部と、
前記各領域ごとのｍ×ｎ個の前記放射線検出素子のうち、ｍ×ｎ−１個の前記放射線検出素子の前記各スイッチ手段のゲート電極にそれぞれ接続されたｍ×ｎ−１本の選択線と、
前記各領域のｍ×ｎ個の前記放射線検出素子のうちの残りの１個の前記放射線検出素子の前記スイッチ手段のゲート電極が接続された前記走査線にオン電圧を印加するゲートＩＣを備える走査駆動手段と、
前記各放射線検出素子から前記信号線に放出された前記電荷を画像データに変換して読み出す読み出し回路が内蔵された読み出しＩＣと、
少なくとも前記走査駆動手段および前記読み出し回路を制御して前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を行わせる制御手段と、
を備え、
前記ｍ×ｎ−１個の前記放射線検出素子の前記スイッチ手段のドレイン電極は、それぞれ前記残りの１個の放射線検出素子の前記スイッチ手段のソース電極に接続されており、かつ、前記残りの１個の放射線検出素子の前記スイッチ手段のドレイン電極が前記信号線に接続されており、
前記制御手段は、前記画像データの読み出し処理の際には、前記ｍ×ｎ−１本の選択線のうちのいずれの前記選択線にもオン電圧を印加しない状態で、または、前記ｍ×ｎ−１本の選択線のうちオン電圧を印加する前記選択線を順次切り替えて、前記走査駆動手段から前記走査線を介して前記残りの１個の放射線検出素子の前記スイッチ手段のゲート電極にオン電圧を順次印加させて、前記各領域ごとのｍ×ｎ個の前記放射線検出素子から前記画像データを順次読み出させることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の放射線画像撮影装置は、
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、
前記走査線と前記信号線により区画された各領域ごとにｍ×ｎ（ｍ、ｎはともに１以上の整数。ただしともに１である場合を除く。）個ずつ設けられた放射線検出素子と、
前記各放射線検出素子ごとに設けられ、前記各放射線検出素子にソース電極がそれぞれ接続された薄膜トランジスタからなるスイッチ手段と、
前記各スイッチ手段のドレイン電極がソース電極に接続された薄膜トランジスタからなる読み出し用スイッチ手段と、
を備える検出部と、
前記各領域ごとのｍ×ｎ個の前記放射線検出素子の前記各スイッチ手段のゲート電極にそれぞれ接続されたｍ×ｎ本の選択線と、
前記読み出し用スイッチ手段のゲート電極が接続された前記走査線にオン電圧を印加するゲートＩＣを備える走査駆動手段と、
前記各放射線検出素子から前記信号線に放出された前記電荷を画像データに変換して読み出す読み出し回路が内蔵された読み出しＩＣと、
少なくとも前記走査駆動手段および前記読み出し回路を制御して前記各放射線検出素子からの前記画像データの読み出し処理を行わせる制御手段と、
を備え、
前記読み出し用スイッチ手段のドレイン電極が前記信号線に接続されており、
前記制御手段は、前記画像データの読み出し処理の際には、前記ｍ×ｎ本の選択線のうちオン電圧を印加する前記選択線を順次切り替えながら、前記走査駆動手段から前記走査線を介して前記読み出し用スイッチ手段のゲート電極にオン電圧を順次印加させて、前記各領域ごとのｍ×ｎ個の前記放射線検出素子から前記画像データを順次読み出させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のような方式の放射線画像撮影装置によれば、走査線と信号線により区画された各領域ごとにｍ×ｎ（ｍ、ｎはともに１以上の整数。ただしともに１である場合を除く。）個ずつ放射線検出素子を設け、そのうちの１個の放射線検出素子のスイッチ手段を読み出し用のスイッチ手段として用い、他のｍ×ｎ−１個の放射線検出素子のスイッチ手段にｍ×ｎ−１本の各選択線からオン電圧をそれぞれ印加して、各放射線検出素子から画像データを読み出すように構成した。
【００１７】
また、１個の放射線検出素子のスイッチ手段を読み出し用のスイッチ手段として用いる代わりに、新たに読み出し用スイッチ手段を設け、ｍ×ｎ本の各選択線からｍ×ｎ個の各放射線検出素子のスイッチ手段にオン電圧をそれぞれ印加して、各放射線検出素子から画像データを読み出すように構成した。
【００１８】
このように構成したことで、走査線や信号線を１個の放射線検出素子ごとにそれぞれ１本の割合で設けるように構成する従来の場合に比べて、走査線の本数は１／ｍ、信号線の本数は１／ｎになるため、走査線や信号線の本数を少なくすることが可能となる。
【００１９】
そのため、放射線画像撮影装置の高精細化を図るために、各放射線検出素子をより小さくして放射線検出素子の数を増やしても、走査線や信号線の本数が増加することを防止することが可能となり、各走査線が接続されるゲートＩＣや、各信号線が接続される読み出しＩＣの数が増加することを的確に防止することが可能となる。
【００２０】
また、本発明のような方式の放射線画像撮影装置によれば、上記のように、放射線画像撮影装置の高精細化を図って放射線検出素子の数を増やしても走査線や信号線の本数が増加することを防止することが可能となるため、基板上で各走査線や各信号線に接続する接続端子（後述する図４等参照）の数が増大することを防止することが可能となる。そのため、全ての接続端子を的確に基板上に収めることが可能となる。
【００２１】
また、上記のように構成したことで、例えば、ｍ×ｎ−１本或いはｍ×ｎ本の全ての選択線にオン電圧を印加した状態で、走査駆動手段から各走査線にオン電圧を１回だけ印加させるだけで、各領域ごとのｍ×ｎ個の放射線検出素子からそれぞれ画像データを同時に読み出して、各画像データの合計値を一度に読み出させる高速読み出しモードを実現することが可能となる。
【００２２】
そのため、上記のような高精細化を図るための構成を用いて高速読み出しモードをも実現することが可能となり、高精細モードと高速読み出しモードとを切り替えて放射線画像撮影を行うことが可能となるとともに、高速読み出しモードでは、画像データを高速に読み出すことが可能となる。
【００２３】
そのため、上記の各実施形態の構成の放射線画像撮影装置を用いて動画を撮影するような場合でも、各画素（すなわち各領域）から的確かつ高速に画像データを読み出して、的確に動画を撮影することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】各実施形態に係る放射線画像撮影装置の外観斜視図である。
【図２】図１の放射線画像撮影装置を反対側から見た外観斜視図である。
【図３】図１におけるＸ−Ｘ線に沿う断面図である。
【図４】放射線画像撮影装置の基板の構成を示す平面図である。
【図５】図４の基板上の各領域に形成された放射線検出素子とＴＦＴ等の構成を示す拡大図である。
【図６】放射線画像撮影装置の検出部を構成する１画素分についての等価回路を表すブロック図である。
【図７】フレキシブル回路基板やＰＣＢ基板等が取り付けられた基板を説明する側面図である。
【図８】各放射線検出素子のリセット処理、電荷蓄積状態および画像データの読み出し処理において各走査線にオン電圧やオフ電圧を印加するタイミングを表すタイミングチャートである。
【図９】第１の実施形態における各放射線検出素子や走査線、信号線、選択線等の構成を表す等価回路である。
【図１０】第１の実施形態における高精細モードでの画像データの読み出し処理において各走査線や各選択線にオン電圧やオフ電圧を印加するタイミングを表すタイミングチャートである。
【図１１】第１の実施形態における高速読み出しモードでの画像データの読み出し処理において各走査線や各選択線にオン電圧やオフ電圧を印加するタイミングを表すタイミングチャートである。
【図１２】第２の実施形態における各放射線検出素子や走査線、信号線、選択線等の構成を表す等価回路である。
【図１３】第２の実施形態における高精細モードでの画像データの読み出し処理において各走査線や各選択線にオン電圧やオフ電圧を印加するタイミングを表すタイミングチャートである。
【図１４】第３の実施形態における各放射線検出素子や走査線、信号線、選択線等の構成を表す等価回路である。
【図１５】第４の実施形態における各放射線検出素子や走査線、信号線、選択線等の構成を表す等価回路である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明に係る放射線画像撮影装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００２６】
なお、以下では、放射線画像撮影装置として、シンチレータ等を備え、放射された放射線を可視光等の他の波長の電磁波に変換して電気信号を得るいわゆる間接型の放射線画像撮影装置について説明するが、本発明は、シンチレータ等を介さずに放射線を放射線検出素子で直接検出する、いわゆる直接型の放射線画像撮影装置に対しても適用することができる。また、放射線画像撮影装置がいわゆる可搬型である場合について説明するが、支持台等と一体的に形成された、いわゆる専用機型の放射線画像撮影装置に対しても適用される。
【００２７】
［各実施の形態における共通の構成について］
図１は、本発明の各実施形態に係る放射線画像撮影装置の外観斜視図であり、図２は、放射線画像撮影装置を反対側から見た外観斜視図である。また、図３は、図１のＸ−Ｘ線に沿う断面図である。放射線画像撮影装置１は、図１〜図３に示すように、筐体状のハウジング２内にシンチレータ３や基板４等で構成されるセンサパネルＳＰが収納されている。
【００２８】
図１や図２に示すように、本実施形態では、筐体２のうち、放射線入射面Ｒを有する中空の角筒状のハウジング本体部２Ａは、放射線を透過するカーボン板やプラスチック等の材料で形成されており、ハウジング本体部２Ａの両側の開口部を蓋部材２Ｂ、２Ｃで閉塞することで筐体２が形成されている。なお、筐体２をこのようないわゆるモノコック型として形成する代わりに、例えば、フロント板とバック板とで形成された、いわゆる弁当箱型とすることも可能である。
【００２９】
図１に示すように、筐体２の一方側の蓋部材２Ｂには、電源スイッチ３７や切替スイッチ３８、コネクタ３９、バッテリ状態や放射線画像撮影装置１の稼働状態等を表示するＬＥＤ等で構成されたインジケータ４０等が配置されている。
【００３０】
また、図２に示すように、放射線画像撮影装置１が例えばコンソール等の図示しない外部装置との情報や信号等の送受信を無線方式で行うための通信手段としてのアンテナ装置４１が、例えば筐体２の反対側の蓋部材２Ｃ等に設けられている。アンテナ装置４１は、例えば蓋部材２Ｃに埋め込む等して設けることが可能である。なお、アンテナ装置４１の設置位置は蓋部材２Ｃに限定されず、放射線画像撮影装置１の任意の位置にアンテナ装置４１を設置することが可能である。また、設置するアンテナ装置４１は１個に限らず、複数設けることも可能である。
【００３１】
図示を省略するが、コネクタ３９に例えばケーブル等が接続されることにより、外部装置との情報や信号等の送受信を有線方式で行うように構成することも可能である。この場合、コネクタ３９が通信手段として機能する。なお、アンテナ装置４１やコネクタ３９を介して図示しない放射線発生装置と信号等の送受信を行うことができるように構成することは可能であるが、少なくとも、本実施形態のように、放射線画像撮影装置１を用いて非連携方式で放射線画像撮影を行う場合には、コネクタ３９等を介しての放射線発生装置との通信は行わない。
【００３２】
図３に示すように、筐体２の内部には、基板４の下方側に図示しない鉛の薄板等を介して基台３１が配置され、基台３１には、電子部品３２等が配設されたＰＣＢ基板３３や緩衝部材３４等が取り付けられている。また、基板４やシンチレータ３の放射線入射面Ｒには、それらを保護するためのガラス基板３５が配設されている。また、本実施形態では、センサパネルＳＰと筐体２の側面との間に、それらがぶつかり合うことを防止するための緩衝材３６が設けられている。
【００３３】
シンチレータ３は、基板４の後述する検出部Ｐに対向する位置に設けられるようになっている。本実施形態では、シンチレータ３は、例えば、蛍光体を主成分とし、放射線の入射を受けると３００〜８００ｎｍの波長の電磁波、すなわち可視光を中心とした電磁波に変換して出力するものが用いられる。
【００３４】
基板４は、本実施形態では、ガラス基板で構成されており、図４に示すように、基板４のシンチレータ３に対向する側の面４ａ上には、複数の走査線５と複数の信号線６とが互いに交差するように配設されている。
【００３５】
また、図４では図示が省略されているが、基板４の面４ａ上の複数の走査線５と複数の信号線６により区画された各領域ｒごとに、例えば２×２個等のｍ×ｎ（ｍ、ｎはともに２以上の整数）個ずつ、放射線検出素子７がそれぞれ設けられている。本実施形態では、放射線検出素子７としてフォトダイオードが用いられているが、この他にも例えばフォトトランジスタ等を用いることも可能である。
【００３６】
また、放射線検出素子７は、放射線画像撮影装置１の筐体２の放射線入射面Ｒ（図１等参照）から放射線が入射し、シンチレータ３で放射線から変換された可視光等の電磁波が照射されると、その内部で電子正孔対を発生させる。放射線検出素子７は、このようにして、照射された放射線（シンチレータ３から照射された電磁波）を電荷に変換するようになっている。なお、この領域ｒにおけるｍ×ｎ個の放射線検出素子７の配置や接続等については、後述する各実施形態で詳しく説明する。
【００３７】
このように、走査線５と信号線６で区画された各領域ｒごとに複数の放射線検出素子７が設けられた領域ｒ全体、すなわち図４に一点鎖線で示される領域が検出部Ｐとされている。
【００３８】
そして、図４では図示が省略されているが、本実施形態では、図５に示すように、二次元状に配列された複数の放射線検出素子７の、１列の各放射線検出素子７に１本の割合でバイアス線９がそれぞれ接続されており、各バイアス線９はそれぞれ各信号線６に平行に配設されている。
【００３９】
また、図５に示すように、各放射線検出素子７は、スイッチ手段である薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor。以下、ＴＦＴという。）８のソース電極８ｓに接続されている。ＴＦＴ８は、よく知られているように、ゲート電極８ｇにオン電圧が印加されるとオン状態となり、放射線検出素子７内に蓄積されている電荷をソース電極８ｓ側からドレイン電極８ｄ側に放出させるようになっている。また、ＴＦＴ８は、ゲート電極８ｇにオフ電圧が印加されるとオフ状態となり、ソース電極８ｓ側からドレイン電極８ｄ側への電荷の放出を停止して、放射線検出素子７内に電荷を蓄積させるようになっている。
【００４０】
なお、各ＴＦＴ８の配置や接続等についても、後述する各実施形態で詳しく説明する。また、図４に示すように、基板４の面４ａ上には、各選択線１０が設けられているが、これらについても後述する各実施形態で詳しく説明する。
【００４１】
ここで、放射線画像撮影装置１における基本的な回路構成について説明する。図６は、検出部Ｐを構成する１画素分についての等価回路を表すブロック図である。なお、図６や後述する図９等では、ＴＦＴ８のゲート電極８ｇがｇ、ソース電極８ｓがｓ、ドレイン電極８ｄがｄとそれぞれ略して記載されている。
【００４２】
前述したように、基板４の検出部Ｐの各放射線検出素子７は、その第２電極７ｂにそれぞれバイアス線９が接続されており、各バイアス線９はバイアス電源１４に接続されている。バイアス電源１４は、各バイアス線９を介して各放射線検出素子７の第２電極７ｂにそれぞれバイアス電圧を印加するようになっている。また、バイアス電源１４は、後述する制御手段２２に接続されており、制御手段２２により、バイアス電源１４から各放射線検出素子７に印加するバイアス電圧が制御されるようになっている。
【００４３】
図６に示すように、本実施形態では、バイアス電源１４からは、放射線検出素子７の第２電極７ｂにバイアス線９を介してバイアス電圧として放射線検出素子７の第１電極７ａ側にかかる電圧以下の電圧（すなわちいわゆる逆バイアス電圧）が印加されるようになっている。また、走査駆動手段１５は、ゲートドライバ１５ｂにオン電圧とオフ電圧を供給する電源回路１５ａと、各走査線５に印加する電圧をオン電圧とオフ電圧の間で切り替えるゲートドライバ１５ｂとを備えている。
【００４４】
図６に示すように、各信号線６は、読み出しＩＣ１６内に形成された各読み出し回路１７にそれぞれ接続されている。読み出し回路１７は、増幅回路１８と、サンプリング回路としての相関二重サンプリング回路１９等で構成されている。読み出しＩＣ１６内には、さらに、図示しないアナログマルチプレクサと、Ａ／Ｄ変換器２０とが設けられている。なお、図６中では、相関二重サンプリング回路１９はＣＤＳと表記されている。
【００４５】
本実施形態では、増幅回路１８は、オペアンプ１８ａと、オペアンプ１８ａにそれぞれ並列にコンデンサ１８ｂおよび電荷リセット用スイッチ１８ｃが接続され、オペアンプ１８ａ等に電力を供給する電源供給部１８ｄを備えたチャージアンプ回路で構成されている。そして、増幅回路１８は、各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理の際に、ＴＦＴ８を介して放射線検出素子７から流出した電荷がコンデンサ１８ｂに蓄積されると、コンデンサ１８ｂに蓄積された電荷に応じた電圧値を出力するようになっている。
【００４６】
また、増幅回路１８のオペアンプ１８ａの入力側の反転入力端子には信号線６が接続されており、増幅回路１８の入力側の非反転入力端子には基準電位Ｖ０が印加されるようになっている。なお、基準電位Ｖ０は適宜の値に設定され、本実施形態では、例えば０［Ｖ］が印加されるようになっている。
【００４７】
相関二重サンプリング回路（ＣＤＳ）１９は、各放射線検出素子７から電荷が流出する前に制御手段２２から１回目のパルス信号が送信されると、その時点で増幅回路１８から出力されている電圧値Ｖinを保持し、上記のように各放射線検出素子７から流出した電荷が増幅回路１８のコンデンサ１８ｂに蓄積された後に制御手段２２から２回目のパルス信号が送信されると、その時点で増幅回路１８から出力されている電圧値Ｖfiを保持する。
【００４８】
そして、相関二重サンプリング回路１９は、２回目のパルス信号Ｓｐ２で電圧値Ｖfiを保持すると、電圧値の差分Ｖfi−Ｖinを算出し、算出した差分Ｖfi−Ｖinをアナログ値の画像データＤとして下流側に出力するようになっている。そして、相関二重サンプリング回路１９から出力された各放射線検出素子７の画像データＤは、アナログマルチプレクサを介して順次Ａ／Ｄ変換器２０に送信され、Ａ／Ｄ変換器２０で順次デジタル値の画像データＤに変換されて記憶手段２３に出力されて順次保存されるようになっている。
【００４９】
制御手段２２は、図示しないＣＰＵ（Central Processing Unit）やＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力インターフェース等がバスに接続されたコンピュータや、ＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等により構成されている。専用の制御回路で構成されていてもよい。そして、制御手段２２は、放射線画像撮影装置１の各部材の動作等を制御するようになっている。また、図６に示すように、制御手段２２には、ＤＲＡＭ（Dynamic ＲＡＭ）等で構成される記憶手段２３が接続されている。
【００５０】
また、図６では図示を省略するが、本実施形態では、制御手段２２には、前述したアンテナ装置４１が接続されており、さらに、検出部Ｐや走査駆動手段１５、読み出し回路１７、記憶手段２３、バイアス電源１４等の各部材に電力を供給するためのバッテリが接続されている。そして、制御手段２２は、上記のように走査駆動手段１５や読み出し回路１７等を制御して各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理を行わせるなど、放射線画像撮影装置１の各機能部の動作を制御するようになっている。
【００５１】
本実施形態では、図４に示したように、各走査線５や各信号線６、各選択線１０は、それぞれ基板４の端縁部付近に設けられた接続端子（パッドともいう。）１１に接続されている。なお、図４では、各走査線５に接続する各接続端子１１を、各選択線１０が設けられた基板４上の位置とは反対側の端部に設けるように構成する場合を示したが、各選択線１０が設けられた側の端部に設けるように構成することも可能である。この場合、各選択線１０と各走査線５とが交差する状態になる。
【００５２】
そして、図７に示すように、各接続端子１１には、前述したゲートドライバ１５ｂを構成するゲートＩＣ１５ｃ等のチップがフィルム上に組み込まれたフレキシブル回路基板（Chip On Film）１２、が異方性導電接着フィルム（Anisotropic Conductive Film）や異方性導電ペースト（Anisotropic Conductive Paste）等の異方性導電性接着材料１３を介して接続されている。
【００５３】
そして、フレキシブル回路基板１２は、基板４の裏面４ｂ側に引き回され、裏面４ｂ側で前述したＰＣＢ基板３３に接続されるようになっている。このようにして、放射線画像撮影装置１のセンサパネルＳＰが形成されている。なお、図７では、電子部品３２等の図示が省略されている。
【００５４】
なお、上記のような構成の放射線画像撮影装置１を用いて放射線画像撮影を行う場合、図８に示すように、通常、放射線画像撮影装置１に放射線を照射する前に、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂ（図６参照）から走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加して各放射線検出素子７のリセット処理が行われる。
【００５５】
そして、リセット処理後、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオフ電圧を印加し、各放射線検出素子７のＴＦＴ８をオフ状態として、各放射線検出素子７内に電荷を蓄積することができる状態である電荷蓄積状態に移行させる。そして、放射線画像撮影装置１に放射線が照射されると（図８中の斜線参照）、その後、ゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加して、各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理が行われるようになっている。
【００５６】
［第１の実施の形態］
本発明の第１の実施形態では、図９に示すように、放射線画像撮影装置１の基板４上に設けられた複数の走査線５と複数の信号線６により区画された各領域ｒごとに、ｍ×ｎ（ｍ、ｎはともに２以上の整数）個ずつ、放射線検出素子７がそれぞれ設けられている。すなわち、各領域ｒごとにｍ行ｎ列の計ｍ×ｎ個の放射線検出素子７が設けられている。
【００５７】
なお、本実施形態では、図９に示すように、領域ｒに、２×２個の放射線検出素子７が設けられた場合について説明するが、例えば、領域ｒに３×３個や４×２個等の放射線検出素子７を設けるように構成することも可能であり、それらの場合も同様に説明される。
【００５８】
本実施形態では、領域ｒにｍ×ｎ個の放射線検出素子７が設けられている場合には、選択線１０は、ｍ×ｎ−１本設けられるようになっている。すなわち、例えば、領域ｒに２×２個ずつすなわち４個ずつ放射線検出素子７１１〜７２２が設けられている場合には、図４や図９に示すように、選択線１０ａ〜１０ｃの計３本の選択線１０が設けられるようになっている。
【００５９】
なお、各選択線１０を、各放射線検出素子７や走査線５、信号線６等が設けられた検出部Ｐ（図４参照）の内側に配置すると、検出部Ｐ内の構造が複雑になり、各選択線１０にオン電圧を印加した際のノイズが各放射線検出素子７に伝達されてしまう等の問題が生じ得るが、図４に示したように、各選択線１０を検出部Ｐの外側に設けることで、このような問題が生じることを防止することが可能となる。また、各選択線１０を検出部Ｐの外側に設けるように構成すれば、各選択線１０を基板４上で自由にレイアウトすることが可能となる。
【００６０】
図９に示すように、各領域ｒの４個の放射線検出素子７１１〜７２２の各ＴＦＴ８のソース電極８ｓは、各放射線検出素子７１１〜７２２にそれぞれ接続されている。
【００６１】
また、放射線検出素子７１１を除く３個の放射線検出素子７２１、７１２、７２２の各ＴＦＴ８のうち、放射線検出素子７２１のＴＦＴ８のゲート電極８ｇは選択線１０ａに、放射線検出素子７１２のＴＦＴ８のゲート電極８ｇは選択線１０ｂに、また、放射線検出素子７２２のＴＦＴ８のゲート電極８ｇは選択線１０ｃにそれぞれ接続されており、３個の放射線検出素子７２１、７１２、７２２の各ＴＦＴ８のドレイン電極８ｄは、残りの１個の放射線検出素子７１１のソース電極８ｓにそれぞれ接続されている。
【００６２】
また、当該残りの１個の放射線検出素子７１１のＴＦＴ８のゲート電極８ｇは、走査線５に接続されており、当該残りの１個の放射線検出素子７１１のＴＦＴ８のドレイン電極８ｄは、信号線６に接続されている。
【００６３】
このように構成すると、各放射線検出素子７１１〜７２２からの画像データＤ１１〜Ｄ２２の読み出し処理の際に、選択線１０ａ〜１０ｃのいずれにもオン電圧を印加しない状態でゲートドライバ１５ｂ（図６参照）から走査線５にオン電圧を印加すれば、放射線検出素子７１１のＴＦＴ８のみがオン状態になる。
【００６４】
そして、３個の各放射線検出素子７２１、７１２、７２２の各ＴＦＴ８はそれぞれオフ状態になっているため、それらの各放射線検出素子７からは、放射線の照射により発生した電荷が放出されない。そのため、放射線検出素子７１１内で放射線の照射により発生した電荷のみが、放射線検出素子７１１からオン状態になったＴＦＴ８を介して信号線６に放出されるため、画像データＤ１１を読み出すことができる。
【００６５】
また、選択線１０ａにオン電圧を印加した状態でゲートドライバ１５ｂから走査線５にオン電圧を印加すると、放射線検出素子７１１と放射線検出素子７２１の各ＴＦＴ８がオン状態になる。その際、放射線検出素子７１１から画像データＤ１１が読み出された後であれば、放射線検出素子７１１には電荷がほとんど残っておらず、放射線検出素子７１１からは電荷がほとんど流出しない。
【００６６】
また、選択線１０ｂ、１０ｃにはオン電圧が印加されていないため、すなわちオフ電圧が印加されているため、２個の各放射線検出素子７１２、７２２の各ＴＦＴ８はそれぞれオフ状態になっているため、それらの各放射線検出素子７からは、放射線の照射により発生した電荷が放出されない。
【００６７】
そのため、上記のように、放射線検出素子７１１からの画像データＤ１１の読み出し後、選択線１０ａにオン電圧を印加した状態で走査線５にオン電圧を印加すれば、放射線検出素子７２１から画像データＤ２１を読み出すことができる。
【００６８】
同様に、放射線検出素子７１１から画像データＤ１１が読み出された後であれば、選択線１０ｂにオン電圧を印加した状態で走査線５にオン電圧を印加すれば、放射線検出素子７１２から画像データＤ１２を読み出すことができ、選択線１０ｃにオン電圧を印加した状態で走査線５にオン電圧を印加すれば、放射線検出素子７２２から画像データＤ２２を読み出すことができる。
【００６９】
つまり、本実施形態では、放射線検出素子７１１に接続されているＴＦＴ８が、放射線検出素子７１１から画像データＤ１１を読み出す際のスイッチ手段として機能するが、それと同時に、他のｍ×ｎ−１個の放射線検出素子７からそれぞれ画像データＤを読み出す際の読み出し用のスイッチ手段としても機能するようになっている。
【００７０】
また、ｍ×ｎ−１本の選択線１０は、それぞれ放射線検出素子７１１以外のｍ×ｎ−１個の放射線検出素子７のＴＦＴ８にオン電圧を印加して、ｍ×ｎ−１個の放射線検出素子７のいずれかを選択するための配線として機能するようになっている。
【００７１】
そして、上記のようにして、各選択線１０のいずれにもオン電圧を印加せず、或いは各選択線１０のいずれかにオン電圧を印加した状態で、放射線検出素子７１１に接続されているＴＦＴ８をオン／オフ動作させることで、各放射線検出素子７１１を含む各放射線検出素子７からそれぞれ画像データＤを読み出すことが可能となり、高精細に画像データＤを読み出すことが可能となる。すなわち、前述した高精細モードを実現することが可能となる。
【００７２】
一方、上記のような構成を用いると、前述した高速読み出しモードを実現することが可能であることが分かる。
【００７３】
すなわち、図９に示した例で言えば、全ての選択線１０ａ〜１０ｃにオン電圧を印加すると、放射線検出素子７２１、７１２、７２２からそれぞれ電荷が流出して、放射線検出素子７１１のＴＦＴ８のソース電極８ｓ側に蓄積される。また、放射線検出素子７１１のＴＦＴ８のソース電極８ｓには、放射線検出素子７１１からの電荷も蓄積されている。
【００７４】
そして、その状態で、ゲートドライバ１５ｂから走査線５にオン電圧を印加すると、オン状態となった放射線検出素子７１１のＴＦＴ８を介して、各放射線検出素子７１１〜７２２から流出した電荷が当該ＴＦＴ８を介して一気に信号線６に流れ込み、結局、各放射線検出素子７１１〜７２２からの画像データＤ１１〜Ｄ２２の合計値が読み出されるようになる。
【００７５】
このように、ｍ×ｎ−１本の選択線１０の全てにオン電圧を印加した状態で、走査線５にオン電圧を１回印加することで、すなわち１回の読み出し動作で、領域ｒ内のｍ×ｎ個の全ての放射線検出素子７からの各画像データＤの合計値が読み出される。そのため、領域ｒ内の各放射線検出素子７からの画像データＤの合計値を速やかに（すなわち１回の読み出し動作で）読み出すことが可能となる。すなわち、この場合は、前述した高速読み出しモードを実現することが可能となる。
【００７６】
以下、図９に示した例に基づいて、各モードにおいて各走査線５や各選択線１０ａ〜１０ｃにオン電圧を印加するタイミング等について説明するとともに、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の作用について説明する。
【００７７】
［高精細モード］
高精細モードでは、制御手段２２は、図１０に示すように、まず、選択線１０ａ〜１０ｃのいずれにもオン電圧を印加せずに、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加させて、４個の放射線検出素子７１１〜７２２のうちの放射線検出素子７１１からの画像データＤ１１の読み出し処理を行わせる。
【００７８】
次に、制御手段２２は、選択線１０ａにオン電圧を印加した状態で、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加させて、放射線検出素子７２１からの画像データＤ２１の読み出し処理を行わせる。
【００７９】
制御手段２２は、続いて、選択線１０ｂにオン電圧を印加した状態で走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加させて、放射線検出素子７１２からの画像データＤ１２の読み出し処理を行わせ、続いて、選択線１０ｃにオン電圧を印加した状態で走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加させて、放射線検出素子７２２からの画像データＤ２２の読み出し処理を行わせる。
【００８０】
このようにして、制御手段２２は、ゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を計４回順次印加させて、各放射線検出素子７１１〜７２２から画像データＤ１１〜Ｄ２２を読み出させて、全ての放射線検出素子７から画像データＤを読み出すようになっている。
【００８１】
このように構成すれば、各放射線検出素子７１１〜７２２からそれぞれ画像データＤ１１〜Ｄ２２を読み出すことが可能となる。そのため、放射線画像撮影装置１の画素（すなわち放射線検出素子７）をより小さくして画素数（すなわち放射線検出素子７の数）を多くすれば、多数の細かな画素（すなわち放射線検出素子７）から画像データＤを高精細に読み出すことが可能となる。
【００８２】
また、本実施形態では、従来の放射線画像撮影装置のように互いに交差する走査線５と信号線６により区画された各領域ｒごとに１個の放射線検出素子が設けられる構成ではなく、図９に示したように、各領域ｒにｍ×ｎ個の放射線検出素子７が設けられる構成であるため、上記のように放射線画像撮影装置１の高精細化を図って放射線検出素子７の数を増やしても、走査線５の本数は、放射線検出素子７の列方向（すなわち信号線６の延在方向）の数の半分（或いは１／３以下）で済む。また、信号線６の本数は、放射線検出素子７の行方向（すなわち走査線５の延在方向）の数の半分（或いは１／３以下）で済む。
【００８３】
そのため、放射線画像撮影装置１の高精細化を図って放射線検出素子７の数を増やしても、走査線５や信号線６の本数が増加することを防止することが可能となり、各走査線５が接続されるゲートＩＣ１５ｃや、各信号線６が接続される読み出しＩＣ１６の数が増加することを的確に防止することが可能となる。
【００８４】
また、上記のように、放射線画像撮影装置１の高精細化を図って放射線検出素子７の数を増やしても走査線５や信号線６の本数が増加することを防止することが可能となるため、基板４上で各走査線５や各信号線６に接続する接続端子１１（図４等参照）の数が増大することを防止することが可能となる。そのため、全ての接続端子１１を的確に基板４上に収めることが可能となる。
【００８５】
なお、上記では、放射線検出素子７１１から画像データＤ１１を読み出す際に、放射線検出素子７１１から画像データＤ１１がほぼ１００％読み出されることを前提に説明した。しかし、放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し効率がほぼ１００％でなく、画像データＤ１１の読み出し処理で読み出し切れなかった電荷が放射線検出素子７１１内に僅かに残存する場合がある。
【００８６】
この場合、放射線検出素子７１１の読み残しの電荷は、次の放射線検出素子７２１からの画像データＤ２１の読み出し処理の際に、画像データＤ２１に重畳した状態で読み出されることになるため、画像データＤ２１の値が本来の値より僅かに大きな値として読み出されることになる。
【００８７】
しかし、この画像データＤ２１の値の増加が無視できる程度であれば、図１０に示したように処理を行って、各放射線検出素子７１１〜７２２から画像データＤ１１〜Ｄ２２をそれぞれ読み出すように構成することができる。
【００８８】
また、この画像データＤ２１の値の増加が無視できない場合には、例えば、最初に、選択線１０ａ〜１０ｃのいずれにもオン電圧を印加しない状態で行う放射線検出素子７１１からの画像データＤ１１の読み出し処理において、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにそれぞれオン電圧を印加する時間（すなわち走査線５にオン電圧を印加してからオフ電圧に切り替えるまでの時間。以下、オン時間という。）を、放射線検出素子７２１、７１２、７２２からの画像データＤ２１、Ｄ１２、Ｄ２２の読み出し処理におけるオン時間よりも長い時間とすることが可能である。
【００８９】
このように構成すれば、放射線検出素子７１１からの画像データＤ１１の読み出し処理において、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘに十分に長い時間オン電圧が印加されるようになるため、放射線検出素子７１１から電荷が十分に放出され、放射線検出素子７１１内に残存する電荷を、無視できる程度まで低減することが可能となる。そして、放射線検出素子７２１から読み出される画像データＤ２１の値を本来の値にほぼ等しい値とすることが可能となる。
【００９０】
また、放射線検出素子７１１内に残存した電荷が画像データＤ２１に重畳される程度が無視できる程度であれば、上記のように放射線検出素子７１１からの画像データＤ１１の読み出し処理におけるオン時間を長くする必要はなく、放射線検出素子７１１〜７２２からの画像データＤ１１〜Ｄ２２の各読み出し処理において、オン時間を同じ時間とすることが可能となる。
【００９１】
そして、この場合、上記のように放射線検出素子７１１からの画像データＤ１１の読み出し処理におけるオン時間を長くする場合に比べて、オン時間を長くしない分だけ放射線検出素子７１１からの画像データＤ１１の読み出し処理に要する時間を短くすることが可能となり、結局、放射線検出素子７１１〜７２２からの画像データＤ１１〜Ｄ２２の読み出し処理全体に要する時間を短縮することが可能となる。
【００９２】
［高速読み出しモード］
また、本実施形態では、制御手段２２は、放射線技師等の指示に従って、画像データＤの読み出しモードを、上記の高精細モードから高速読み出しモードに切り替えるモード切替を行うことができるようになっている。
【００９３】
そして、高速読み出しモードでは、制御手段２２は、図１１に示すように、全ての選択線１０ａ〜１０ｃにオン電圧を印加した状態で、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加させて、４個の放射線検出素子７１１〜７２２から同時に電荷を信号線６に放出させて、各放射線検出素子７１１〜７２２からの画像データＤ１１〜Ｄ２２の合計値を読み出させる。
【００９４】
従って、この高速読み出しモードでは、４個の放射線検出素子７１１〜７２２、すなわち一般的に言えば、領域ｒ内のｍ×ｎ個の放射線検出素子７が、１つの画素として扱われ、ｍ×ｎ個の放射線検出素子７から読み出された各画像データＤの合計値が、領域ｒ内の１つの画素から読み出された画像データＤとして処理される。
【００９５】
このようにして、制御手段２２は、図１１に示すように、ゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を１回だけ順次印加させて、各領域ｒのｍ×ｎ個の各放射線検出素子７（すなわち１画素）から各放射線検出素子７の画像データＤの合計値（すなわち当該画素の画像データＤ）を読み出させるようになっている。
【００９６】
このように構成すれば、上記のような高精細化を図るための構成（図９参照）を用いて、画像データＤを高速に読み出すことが可能となる。そのため、例えば上記の構成の放射線画像撮影装置１を用いて動画を撮影するような場合でも、各画素から的確かつ高速に画像データＤを読み出して、的確に動画を撮影することが可能となる。
【００９７】
また、この場合、４個の放射線検出素子７１１〜７２２から流出した電荷の合計値が１回の読み出し動作で読み出されるため、高精細モードの場合のように放射線検出素子７２１等から画像データＤ２１等を読み出す場合における放射線検出素子７１１からの電荷の読み残しの問題は発生しない。
【００９８】
そのため、読み出し動作において走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加する際のオン時間を長くする必要がなく、適宜の時間に設定された短いオン時間で各画素ごとの画像データＤ（すなわち各領域ｒの４個の放射線検出素子７１１〜７２２からの画像データＤ１１〜Ｄ２２の合計値）を読み出すことが可能となり、この点でも、各画素から画像データＤの読み出し処理を高速に行うことが可能となる。
【００９９】
［第２の実施の形態］
上記の第１の実施形態では、図９に示したように、放射線検出素子７１１に接続されているＴＦＴ８を、放射線検出素子７１１から画像データＤ１１を読み出す際のスイッチ手段として機能させると同時に、領域ｒ内の他のｍ×ｎ−１個の放射線検出素子７からそれぞれ画像データＤを読み出す際の読み出し用のスイッチ手段としても機能させるように構成した場合について説明した。
【０１００】
しかし、領域ｒ内の各放射線検出素子７からそれぞれ画像データＤを読み出す際の読み出し用のスイッチ手段を、放射線検出素子７１１に接続されているＴＦＴ８とは別に設けるように構成することが可能である。
【０１０１】
すなわち、第２の実施形態では、図１２に示すように、放射線画像撮影装置１の基板４上に設けられた複数の走査線５と複数の信号線６により区画された各領域ｒごとに、ｍ×ｎ（ｍ、ｎはともに２以上の整数）個ずつ、放射線検出素子７がそれぞれ設けられている点では上記の第１の実施形態の場合と同様であるが、本実施形態では、領域ｒ内に読み出し用スイッチ手段としてのＴＦＴ８ａが設けられている。
【０１０２】
また、本実施形態では、選択線１０は、第１の実施形態のようにｍ×ｎ−１本ではなく、ｍ×ｎ本設けられており、ｍ×ｎ本の選択線１０がそれぞれｍ×ｎ個の各放射線検出素子７のＴＦＴ８にオン電圧を印加して、ｍ×ｎ個の放射線検出素子７のいずれかを選択するための配線として機能するようになっている。
【０１０３】
なお、本実施形態においても、図１２に示すように、以下、領域ｒに、２×２個の放射線検出素子７が設けられた場合について説明するが、例えば、領域ｒに３×３個や４×２個等の放射線検出素子７を設けるように構成することも可能であり、それらの場合も同様に説明される。
【０１０４】
本実施形態においても、各領域ｒの４個の放射線検出素子７１１〜７２２の各ＴＦＴ８のソース電極８ｓは、各放射線検出素子７１１〜７２２にそれぞれ接続されている。
【０１０５】
また、放射線検出素子７１１のＴＦＴ８のゲート電極８ｇは選択線１０ａに、放射線検出素子７２１のＴＦＴ８のゲート電極８ｇは選択線１０ｂに、放射線検出素子７１２のＴＦＴ８のゲート電極８ｇは選択線１０ｃに、また、放射線検出素子７２２のＴＦＴ８のゲート電極８ｇは選択線１０ｄにそれぞれ接続されており、４個の放射線検出素子７１１〜７２２の各ＴＦＴ８のドレイン電極８ｄは、読み出し用スイッチ手段としてのＴＦＴ８ａのソース電極８ｓにそれぞれ接続されている。
【０１０６】
また、読み出し用スイッチ手段としてのＴＦＴ８ａのゲート電極８ｇは、走査線５に接続されており、ＴＦＴ８ａのドレイン電極８ｄは、信号線６に接続されている。
【０１０７】
このように構成すると、各放射線検出素子７１１〜７２２からの画像データＤ１１〜Ｄ２２の読み出し処理の際に、選択線１０ａ〜１０ｄのいずれかオン電圧を印加すると、オン電圧を印加した選択線１０に対応するＴＦＴ８がオン状態になり、当該ＴＦＴ８が接続されている放射線検出素子７から放出された電荷が、読み出し用スイッチ手段としてのＴＦＴ８ａのソース電極８ｓに蓄積される。
【０１０８】
そして、その状態で走査線５にオン電圧が印加されて、読み出し用スイッチ手段としてのＴＦＴ８ａがオン状態とされると、当該電荷がＴＦＴ８ａを介して信号線６に放出されるため、当該電荷を画像データＤとして読み出すことができる。
【０１０９】
以下、図１２に示した例に基づいて、各モードにおいて各走査線５や各選択線１０ａ〜１０ｃにオン電圧を印加するタイミング等について説明するとともに、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の作用について説明する。
【０１１０】
［高精細モード］
高精細モードでは、制御手段２２は、図１３に示すように、まず、選択線１０ａにオン電圧を印加した状態で、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加させて、４個の放射線検出素子７１１〜７２２のうちの放射線検出素子７１１からの画像データＤ１１の読み出し処理を行わせる。
【０１１１】
この場合、選択線１０ａにオン電圧が印加されると、放射線検出素子７１１のＴＦＴ８がオン状態になるが、他の３個の放射線検出素子７２１、７１２、７２２の各ＴＦＴ８はオフ状態のままであるため、放射線検出素子７１１内で放射線の照射により発生した電荷のみが、放射線検出素子７１１からオン状態になったＴＦＴ８を介して放出されて、読み出し用スイッチ手段としてのＴＦＴ８ａのソース電極８ｓに蓄積される。
【０１１２】
そして、その状態で走査線５にオン電圧が印加されて、読み出し用スイッチ手段としてのＴＦＴ８ａがオン状態とされると、当該電荷がＴＦＴ８ａを介して信号線６に放出されるため、画像データＤ１１を読み出すことができる。
【０１１３】
次に、制御手段２２は、選択線１０ａに印加したオン電圧をオフ電圧に切り替えた後、選択線１０ｂにオン電圧を印加した状態で、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加させて、放射線検出素子７２１からの画像データＤ２１の読み出し処理を行わせる。
【０１１４】
この場合は、選択線１０ｂにオン電圧が印加されると、放射線検出素子７２１のＴＦＴ８のみがオン状態になるため、電荷が放射線検出素子７２１からＴＦＴ８を介して放出されて、読み出し用スイッチ手段としてのＴＦＴ８ａのソース電極８ｓに蓄積される。そして、その状態で走査線５にオン電圧が印加されると、当該電荷がＴＦＴ８ａを介して信号線６に放出されるため、画像データＤ２１として読み出される。
【０１１５】
制御手段２２は、以下、同様にして、選択線１０ｃにオン電圧を印加した状態で走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加させて、放射線検出素子７１２からの画像データＤ１２の読み出し処理を行わせ、続いて、選択線１０ｄにオン電圧を印加した状態で走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加させて、放射線検出素子７２２からの画像データＤ２２の読み出し処理を行わせる。
【０１１６】
このようにして、制御手段２２は、ゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を計４回順次印加させて、各放射線検出素子７１１〜７２２から画像データＤ１１〜Ｄ２２を読み出させて、全ての放射線検出素子７から画像データＤを読み出すようになっている。
【０１１７】
このように構成すれば、各放射線検出素子７１１〜７２２からそれぞれ画像データＤ１１〜Ｄ２２を読み出すことが可能となる。そのため、放射線画像撮影装置１の画素（すなわち放射線検出素子７）をより小さくして画素数（すなわち放射線検出素子７の数）を多くすれば、多数の細かな画素（すなわち放射線検出素子７）から画像データＤを高精細に読み出すことが可能となり、第１の実施形態の場合と同様の有益な効果を得ることが可能となる。
【０１１８】
なお、本実施形態では、４個の放射線検出素子７１１〜７２２の各ＴＦＴ８がそれぞれ独立に読み出し用スイッチ手段であるＴＦＴ８ａに接続されているため、前述した第１の実施形態の場合のように、例えば放射線検出素子７２１からの画像データＤ２１の読み出し動作の際に、放射線検出素子７１１での読み残しの電荷が画像データＤ２１に重畳されるといった問題が生じることがない。
【０１１９】
そのため、各放射線検出素子７から画像データＤの読み出し効率がどのような効率であっても、すなわち、読み出し効率が仮に低い場合であっても、各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し動作におけるオン時間を長くする必要がなく、適宜の時間に設定された短いオン時間で各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理を行うことが可能となる。
【０１２０】
このように、本実施形態では、各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理におけるオン時間を長くする必要がない分だけ各放射線検出素子７からの画像データＤの読み出し処理に要する時間を短くすることが可能となり、放射線検出素子７１１〜７２２からの画像データＤ１１〜Ｄ２２の読み出し処理全体に要する時間を短縮することが可能となる。
【０１２１】
［高速読み出しモード］
また、本実施形態においても、制御手段２２は、放射線技師等の指示に従って、画像データＤの読み出しモードを、上記の高精細モードから高速読み出しモードに切り替えるモード切替を行うことができるようになっている。
【０１２２】
そして、図示を省略するが、高速読み出しモードでは、制御手段２２は、図１１に示した第１の実施形態の場合と同様に、全ての選択線１０ａ〜１０ｄにオン電圧を印加して４個の放射線検出素子７１１〜７２２から電荷が放出させて読み出し用スイッチ手段であるＴＦＴ８ａのソース電極８ｓに蓄積させ、その状態で、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加させて、４個の放射線検出素子７１１〜７２２からの画像データＤ１１〜Ｄ２２の合計値を読み出させる。
【０１２３】
従って、この高速読み出しモードでは、４個の放射線検出素子７１１〜７２２、すなわち一般的に言えば、領域ｒ内のｍ×ｎ個の放射線検出素子７が１つの画素として扱われ、ｍ×ｎ個の放射線検出素子７から読み出された各画像データＤの合計値が、領域ｒ内の１つの画素から読み出された画像データＤとして処理される。
【０１２４】
このようにして、制御手段２２は、図１１に示すように、ゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を１回だけ順次印加させて、各領域ｒのｍ×ｎ個の各放射線検出素子７（すなわち１画素）から各放射線検出素子７の画像データＤの合計値（すなわち当該画素の画像データＤ）を読み出させるようになっている。
【０１２５】
このように構成することで、第１の実施形態の場合と同様に、上記のような高精細化を図るための構成（図１２参照）を用いて、画像データＤを高速に読み出すことが可能となり、例えば上記の構成の放射線画像撮影装置１を用いて動画を撮影するような場合でも、各画素から的確かつ高速に画像データＤを読み出して、的確に動画を撮影することが可能となる。
【０１２６】
［第３の実施の形態］
上記の第１の実施形態や第２の実施形態では、走査線５と信号線６により区画された各領域ｒごとにｍ×ｎ個ずつ放射線検出素子７が設けられた場合について説明した。そして、その場合、ｍ、ｎはともに２以上の整数であった。
【０１２７】
しかし、例えば放射線画像撮影装置１の高精細化を図って放射線検出素子７の数を増やした場合に、走査線５や信号線６の本数が増加して、基板４上で各走査線５や各信号線６に接続する接続端子１１（図４等参照）の数が増大しても、例えば、各信号線６に接続される各接続端子１１については基板４上に収めることができなくなるが、各走査線５に接続される各接続端子１１については基板４上に収めることができる場合がある。
【０１２８】
そして、このような場合には、例えば図１４に示すように、走査線５と信号線６により区画された各領域ｒごとに１×ｎ（ｎは２以上の整数）個ずつ放射線検出素子７を設けるように構成することが可能である。なお、図１４では、ｎ＝２の場合が示されており、以下では、この場合を例に挙げて説明する。
【０１２９】
この場合、１本の選択線１０が走査線５の延在方向に平行に設けられており、選択線１０は、放射線検出素子７１２のＴＦＴ８のゲート電極８ｇに接続されている。また、当該ＴＦＴ８のソース電極８ｓが放射線検出素子７１２に接続されており、当該ＴＦＴ８のドレイン電極８ｄが、放射線検出素子７１１のＴＦＴ８のソース電極８ｓに接続されている。
【０１３０】
放射線検出素子７１１のＴＦＴ８のソース電極８ｓには、放射線検出素子７１１も接続されており、放射線検出素子７１１のＴＦＴ８のゲート電極８ｇは走査線５に、ドレイン電極８ｄは信号線６にそれぞれ接続されている。すなわち、図１４では、上記の第１の実施形態の場合のように、放射線検出素子７１１のＴＦＴ８が読み出し用のスイッチ手段としての機能も兼ねるように構成されている。
【０１３１】
なお、図示を省略するが、上記の第２の実施形態の場合のように、放射線検出素子７１１、７１２の各ＴＦＴ８とは別体の読み出し用スイッチ手段としてのＴＦＴ８ａを領域ｒ内に設けるように構成することも可能である。なお、その場合、選択線１０は２本設けられ、各放射線検出素子７１１、７１２の各ＴＦＴ８のゲート電極８ｇにそれぞれ接続されるように構成される。
【０１３２】
図１４に示したように構成した場合、図示を省略するが、図１０に示した第１の実施形態の場合と同様に、制御手段２２は、まず、選択線１０にオン電圧を印加しない状態で、走査駆動手段１５のゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加させて、２個の放射線検出素子７１１、７１２のうちの放射線検出素子７１１からの画像データＤ１１の読み出し処理を行わせる。
【０１３３】
制御手段２２は、続いて、選択線１０にオン電圧を印加した状態で、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加させて、放射線検出素子７１２からの画像データＤ１２の読み出し処理を行わせる。
【０１３４】
このようにして、制御手段２２は、ゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を計２回順次印加させて、各放射線検出素子７１１、７１２から画像データＤ１１、Ｄ１２をそれぞれ読み出させて、全ての放射線検出素子７から画像データＤを読み出すように構成される。
【０１３５】
なお、上記のように、放射線検出素子７１１、７１２の各ＴＦＴ８とは別体の読み出し用スイッチ手段としてのＴＦＴ８ａを領域ｒ内に設ける場合には、図１３に示した第２の実施形態の場合と同様に、２本の選択線１０の一方の選択線１０にオン電圧を印加した状態で放射線検出素子７１１からの画像データＤ１１の読み出し処理を行わせ、続いて、他方の選択線１０にオン電圧を印加した状態で放射線検出素子７１２からの画像データＤ１２の読み出し処理を行わせるように構成される。
【０１３６】
以上のように構成すれば、各領域ｒに１×ｎ（ｎは２以上の整数）個ずつ設けられた各放射線検出素子７からそれぞれ画像データＤを読み出すことが可能となり、高精細モードで画像データＤの読み出し処理を行うことが可能となり、上記の第１、第２の実施形態における高精細モードの場合と同様の有益な効果を得ることが可能となる。
【０１３７】
一方、本実施形態においても、制御手段２２は、放射線技師等の指示に従って、画像データＤの読み出しモードを、上記の高精細モードから高速読み出しモードに切り替えるモード切替を行うことができるようになっており、図示を省略するが、高速読み出しモードでは、制御手段２２は、図１１に示した第１の実施形態の場合と同様に、選択線１０にオン電圧を印加した状態で、ゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加して２個の放射線検出素子７１１、７１２から画像データＤ１１、Ｄ１２の合計値を読み出させるように構成することが可能である。
【０１３８】
そして、このように構成すれば、図１１に示した第１の実施形態の場合と同様に、１回の読み出し動作で２個の放射線検出素子７１１、７１２から画像データＤ１１、Ｄ１２の合計値を読み出すことが可能となるため、上記のように読み出し動作が２回必要となる高精細モードの場合に比べて、１画素（すなわち領域ｒの１×ｎ個の放射線検出素子７）から画像データＤ（すなわち１×ｎ個の画像データＤの合計値）を高速に読み出すことが可能となる。
【０１３９】
また、その際、ゲートドライバ１５ｂから、走査線５の隣接する２ラインに同時にオン電圧を印加して読み出し動作を行わせるように構成すれば、互いに隣接する４個の放射線検出素子７１１、７１１、７１２、７１２からの画像データＤ１１、Ｄ１１、Ｄ１２、Ｄ１２の合計値を読み出させるように構成することが可能となり、上記の第１、第２の実施形態の場合と同様に、２×２個の放射線検出素子７から同時に計４個の画像データＤの合計値を読み出す状態とすることが可能となる。
【０１４０】
また、上記の構成を一般化して、各領域ｒに１×ｎ（ｎは２以上の整数）個ずつ各放射線検出素子７が設けられた状態で、ゲートドライバ１５ｂから走査線５の隣接するｍラインに同時にオン電圧を印加して読み出し動作を行わせるように構成すれば、互いに隣接するｍ×ｎ個の各放射線検出素子７からの各画像データの合計値を読み出させるように構成することが可能となり、上記の第１、第２の実施形態の場合と同様に、ｍ×ｎ個の放射線検出素子７から同時に計ｍ×ｎ個の画像データＤの合計値を読み出す状態とすることが可能となる。
【０１４１】
このように構成すれば、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘのオン電圧を順次印加して画像データＤを読み出す場合に比べて、読み出し時間が１／ｍに短縮される。そのため、画像データＤ（すなわちｍ×ｎ個の画像データＤの合計値）をより高速に読み出すことが可能となる。
【０１４２】
そして、以上のように構成することで、第１、第２の実施形態の場合と同様に、上記のような高精細化を図るための構成（図１４参照）を用いて、画像データＤ（すなわち１×ｎ個の画像データＤの合計値或いはｍ×ｎ個の画像データＤの合計値）を高速に読み出すことが可能となる。そして、例えば上記の構成の放射線画像撮影装置１を用いて動画を撮影するような場合でも、各画素から的確かつ高速に画像データＤを読み出して、的確に動画を撮影することが可能となる。
【０１４３】
［第４の実施の形態］
また、例えば放射線画像撮影装置１の高精細化を図って放射線検出素子７の数を増やした場合に、走査線５や信号線６の本数が増加して、基板４上で各走査線５や各信号線６に接続する接続端子１１（図４等参照）の数が増大しても、例えば、各走査線５に接続される各接続端子１１については基板４上に収めることができなくなるが、各信号線６に接続される各接続端子１１については基板４上に収めることができる場合がある。
【０１４４】
このような場合には、例えば図１５に示すように、走査線５と信号線６により区画された各領域ｒごとにｍ×１（ｍは２以上の整数）個ずつ放射線検出素子７を設けるように構成することが可能である。なお、図１５では、ｍ＝２の場合が示されている。
【０１４５】
この場合、１本の選択線１０が信号線６の延在方向に平行に設けられており、選択線１０は、放射線検出素子７２１のＴＦＴ８のゲート電極８ｇに接続されている。また、当該ＴＦＴ８のソース電極８ｓが放射線検出素子７２１に接続されており、当該ＴＦＴ８のドレイン電極８ｄが、放射線検出素子７１１のＴＦＴ８のソース電極８ｓに接続されている。
【０１４６】
放射線検出素子７１１のＴＦＴ８のソース電極８ｓには、放射線検出素子７１１も接続されており、放射線検出素子７１１のＴＦＴ８のゲート電極８ｇは走査線５に、ドレイン電極８ｄは信号線６にそれぞれ接続されている。
【０１４７】
すなわち、図１５においても、上記の第１の実施形態の場合のように、放射線検出素子７１１のＴＦＴ８が読み出し用のスイッチ手段としての機能も兼ねるように構成されているが、上記の第２の実施形態の場合のように、放射線検出素子７１１、７２１の各ＴＦＴ８とは別体の読み出し用スイッチ手段としてのＴＦＴ８ａを領域ｒ内に設けるように構成することも可能である。
【０１４８】
図１５に示したように構成した場合、図示を省略するが、図１０に示した第１の実施形態の場合と同様に、まず、選択線１０にオン電圧を印加しない状態で、ゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加させると、放射線検出素子７１１から画像データＤ１１が読み出される。続いて、選択線１０にオン電圧を印加した状態で、走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加させると、放射線検出素子７２１から画像データＤ２１が読み出される。
【０１４９】
このようにして、制御手段２２は、ゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を計２回順次印加させて、各放射線検出素子７１１、７２１から画像データＤ１１、Ｄ２１をそれぞれ読み出させて、全ての放射線検出素子７から画像データＤを読み出すように構成される。
【０１５０】
なお、上記のように、放射線検出素子７１１、７２１の各ＴＦＴ８とは別体の読み出し用スイッチ手段としてのＴＦＴ８ａを領域ｒ内に設ける場合には、図１３に示した第２の実施形態の場合と同様に、２本の選択線１０の一方の選択線１０にオン電圧を印加した状態で放射線検出素子７１１からの画像データＤ１１の読み出し処理を行わせ、続いて、他方の選択線１０にオン電圧を印加した状態で放射線検出素子７２１からの画像データＤ２１の読み出し処理を行わせるように構成される。
【０１５１】
以上のように構成すれば、各領域ｒにｍ×１（ｍは２以上の整数）個ずつ設けられた各放射線検出素子７からそれぞれ画像データＤを読み出すことが可能となり、高精細モードで画像データＤの読み出し処理を行うことが可能となり、上記の第１、第２の実施形態における高精細モードの場合と同様の有益な効果を得ることが可能となる。
【０１５２】
一方、本実施形態においても、制御手段２２は、放射線技師等の指示に従って、画像データＤの読み出しモードを、上記の高精細モードから高速読み出しモードに切り替えるモード切替を行うことができるようになっており、図示を省略するが、高速読み出しモードでは、制御手段２２は、図１１に示した第１の実施形態の場合と同様に、選択線１０にオン電圧を印加した状態で、ゲートドライバ１５ｂから走査線５の各ラインＬ１〜Ｌｘにオン電圧を順次印加して２個の放射線検出素子７１１、７２１から画像データＤ１１、Ｄ２１の合計値を読み出させるように構成することが可能である。
【０１５３】
そして、このように構成すれば、図１１に示した第１の実施形態の場合と同様に、１回の読み出し動作で２個の放射線検出素子７１１、７２１から画像データＤ１１、Ｄ２１の合計値を読み出すことが可能となるため、上記のように読み出し動作が２回必要となる高精細モードの場合に比べて、１画素（すなわち領域ｒのｍ×１個の放射線検出素子７）から画像データＤ（すなわちｍ×１個の画像データＤの合計値）を高速に読み出すことが可能となる。
【０１５４】
そして、以上のように構成することで、第１、第２の実施形態の場合と同様に、上記のような高精細化を図るための構成（図１５参照）を用いて、画像データＤ（すなわちｍ×１個の画像データＤの合計値）を高速に読み出すことが可能となるため、例えば上記の構成の放射線画像撮影装置１を用いて動画を撮影するような場合でも、各画素から的確かつ高速に画像データＤを読み出して、的確に動画を撮影することが可能となる。
【０１５５】
なお、本実施形態では、前述したようにｍ×ｎ個の放射線検出素子７からの画像データＤの合計値を１つの画像データＤにまとめる場合、例えばビニングモードを有する読み出しＩＣ１６を用いない限り、１回の読み出し動作で自動的にｍ×ｎ個の画像データＤの合計値を読み出すように構成することができない。
【０１５６】
すなわち、例えば、ゲートドライバ１５ｂから走査線５の隣接する２ラインに同時にオン電圧を印加して読み出し動作を行っても、信号線６の延在方向に隣接する４個の放射線検出素子７（すなわち４×１個の放射線検出素子７）からの画像データＤの合計値が読み出されるだけであり、２×２個の放射線検出素子７からの画像データＤの合計値を読み出すことはできない。
【０１５７】
そこで、ｍ×ｎ（ｍ、ｎはともに２以上の整数）個の放射線検出素子７からの画像データＤの合計値を得るためには、例えば、上記のようにして各信号線６ごとにｍ×１個の放射線検出素子７からの画像データＤの合計値を読み出した後、隣接するｎ本の信号線６ごとに加算するように構成することで、ｍ×ｎ個の放射線検出素子７からの画像データＤの合計値を得ることが可能となる。
【０１５８】
［まとめ］
以上のように、上記の各実施形態に係る放射線画像撮影装置１によれば、走査線５と信号線６により区画された各領域ｒごとにｍ×ｎ（ｍ、ｎはともに１以上の整数。ただしともに１である場合を除く。）個ずつ放射線検出素子７を設け、そのうちの１個の放射線検出素子７のＴＦＴ８を読み出し用のスイッチ手段として用い、他のｍ×ｎ−１個の放射線検出素子７のＴＦＴ８にｍ×ｎ−１本の各選択線１０からオン電圧をそれぞれ印加して、各放射線検出素子７から画像データＤを読み出すように構成した。
【０１５９】
また、１個の放射線検出素子７のＴＦＴ８を読み出し用のスイッチ手段として用いる代わりに、読み出し用スイッチ手段としてのＴＦＴ８ａを新たに設け、ｍ×ｎ本の各選択線１０からｍ×ｎ個の各放射線検出素子７のＴＦＴ８にオン電圧をそれぞれ印加して、各放射線検出素子７から画像データＤを読み出すように構成した。
【０１６０】
このように構成したことで、走査線５や信号線６を１個の放射線検出素子７ごとにそれぞれ１本の割合で設けるように構成する場合に比べて、走査線５の本数は１／ｍ、信号線６の本数は１／ｎになるため、走査線５や信号線６の本数を少なくすることが可能となる。
【０１６１】
そのため、放射線画像撮影装置１の高精細化を図るために、各放射線検出素子７をより小さくして放射線検出素子７の数を増やしても、走査線５や信号線６の本数が増加することを防止することが可能となり、各走査線５が接続されるゲートＩＣ１５ｃや、各信号線６が接続される読み出しＩＣ１６の数が増加することを的確に防止することが可能となる。
【０１６２】
また、上記の各実施形態に係る放射線画像撮影装置１によれば、上記のように、放射線画像撮影装置１の高精細化を図って放射線検出素子７の数を増やしても走査線５や信号線６の本数が増加することを防止することが可能となるため、基板４上で各走査線５や各信号線６に接続する接続端子１１（図４等参照）の数が増大することを防止することが可能となる。そのため、全ての接続端子１１を的確に基板４上に収めることが可能となる。
【０１６３】
また、上記のように構成したことで、例えば、ｍ×ｎ−１本或いはｍ×ｎ本の全ての選択線１０にオン電圧を印加した状態で、ゲートドライバ１５ｂから各走査線６にオン電圧を１回だけ印加させるだけで、各領域ｒごとのｍ×ｎ個の放射線検出素子７から各画像データＤを同時に読み出して、各画像データＤの合計値を一度に読み出させる高速読み出しモードを実現することが可能となる。
【０１６４】
そのため、上記のような高精細化を図るための構成を用いて高速読み出しモードをも実現することが可能となり、高精細モードと高速読み出しモードとを切り替えて放射線画像撮影を行うことが可能となるとともに、高速読み出しモードでは、画像データＤを高速に読み出すことが可能となる。
【０１６５】
そのため、上記の各実施形態の構成の放射線画像撮影装置１を用いて動画を撮影するような場合でも、各画素（すなわち各領域ｒ）から的確かつ高速に画像データＤを読み出して、的確に動画を撮影することが可能となる。
【０１６６】
なお、上記の第１、第３、第４の実施形態の構成例を表す図９、図１４、図１５では、放射線検出素子７１１に接続されているＴＦＴ８が読み出し用のスイッチ手段を兼ねる場合を示したが、他の放射線検出素子７に接続されているＴＦＴ８が読み出し用のスイッチ手段を兼ねるように構成することも可能である。
【０１６７】
また、上記の第１の実施形態では、放射線検出素子７１１からの画像データＤ１１の読み出し後、選択線１０ａ〜１０ｃに順にオン電圧を印加して画像データＤ２１、Ｄ１２、Ｄ２２の順に画像データＤを読み出す場合について説明したが、画像データＤ１１の読み出し後の各画像データＤの読み出しの順番は適宜の順番に設定することができる。
【０１６８】
さらに、第２の実施形態においても、選択線１０ａ〜１０ｄにオン電圧を印加する順番を適宜変更して、画像データＤ１１〜Ｄ２２を読み出す順番を適宜の順番に設定することが可能である。
【０１６９】
また、第２の実施形態の構成例を表す図１２では、読み出し用スイッチ手段としてのＴＦＴ８ａを領域ｒの周縁部に設けるように記載されているが、ＴＦＴ８ａを設ける位置は任意であり、例えば領域ｒの中央部に設けるように構成することも可能である。
【符号の説明】
【０１７０】
１  放射線画像撮影装置
５  走査線
６  信号線
７、７１１〜７２２  放射線検出素子
８  ＴＦＴ（スイッチ手段）
８ａ  ＴＦＴ（読み出し用スイッチ手段）
８ｄ  ドレイン電極
８ｇ  ゲート電極
８ｓ  ソース電極
１０、１０ａ〜１０ｄ  選択線
１５  走査駆動手段
１５ｃ  ゲートＩＣ
１６  読み出しＩＣ
１７  読み出し回路
２２  制御手段
Ｄ、Ｄ１１〜Ｄ２２  画像データ
Ｐ  検出部
ｒ  領域
【図１】
2012100081.tif 000003
【図２】
2012100081.tif 000004
【図３】
2012100081.tif 000005
【図４】
2012100081.tif 000006
【図５】
2012100081.tif 000007
【図６】
2012100081.tif 000008
【図７】
2012100081.tif 000009
【図８】
2012100081.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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