(57)【要約】【課題】多層プリント配線板の上面側に設けられた凹部内にＣＳＰと呼ばれる半導体構成体を搭載した半導体装置において、凹部の底面に半導体構成体搭載用の半田を特殊な設備を用いることなく供給する。【解決手段】多層プリント配線板１の凹部４内に、複数の円孔１２を有し、且つ、前記円孔１２内およびその上下に突出して設けられた半田ボール１３ａを有する半田支持シート１１を配置する。次に、その上に半導体構成体２１をフェースダウン方式で配置する。次に、リフローを行うことにより、多層プリント配線板１の凹部４内において半田支持シート１１上に半導体構成体２１をフェースダウン方式で搭載する。【選択図】図３
2012190871.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の面に凹部が設けられ、複数の配線を有する多層基板と、
複数の孔を有する半田支持シートと、
半導体基板および外部接続用電極を有する半導体構成体と、
を備え、
前記凹部内の前記多層基板上に露出された前記配線と、前記半導体構成体の前記外部接続用電極とが、前記前記孔に形成された半田部を介して接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記多層基板は、複数の絶縁基板と前記複数の絶縁基板の枚数よりも１つ多い数の配線とが交互に積層され、
前記半田支持シート及び前記半導体構成体は前記凹部内に設けられており、
前記半田部は、前記孔内およびその上下に突出して設けられており、
前記孔の下側に突出された前記半田部が前記多層基板のうち前記凹部内に露出された配線のランドに接合され、
前記外部接続用電極は、前記半田支持シートの上側に突出された前記半田部に接合された状態で接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の発明において、前記半田支持シートの孔の周囲に切り込み線が設けられており、前記半田支持シートの孔は円孔であることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れか一項に記載の発明において、前記多層基板のうち前記凹部内に露出された配線を含む絶縁基板上にオーバーコート膜が設けられ、前記半田支持シートの下側に突出された前記半田部は前記オーバーコート膜に設けられた開口部を介して前記オーバーコート膜下に設けられた前記配線のランドに接合されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか一項に記載の発明において、前記多層基板の凹部以外の上面に上層オーバーコート膜が設けられ、前記半導体構成体の上面は前記上層オーバーコート膜の上面よりも下側に位置していることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか一項に記載の発明において、前記多層基板の下面に下層オーバーコート膜が設けられ、前記多層基板の最下層の配線のランドは前記下層オーバーコート膜に設けられた開口部を介して露出されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
複数の孔が設けられた半田支持シートの前記孔に半田部を形成し、
一方の面に凹部を有する多層基板の前記凹部内に、前記半田支持シートを配置し、
半導体基板および外部接続用電極を有する半導体構成体を、前記半田支持シート上に配置し、
前記半導体構成体の前記外部接続用電極が前記半田部に接合されると共に、前記半田部が前記凹部内の前記多層基板上に露出された配線に接合されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の発明において、前記多層基板は、複数の絶縁基板と前記負数の絶縁基板の枚数よりも１つ多い数の配線とが交互に積層され、
前記半田部は、前記孔内およびその上下に突出して設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７または８に記載の発明において、前記半田支持シートの孔の周囲に切り込み線が設けられており、前記半田支持シートの孔は円孔であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の発明において、前記半田部は当初球状であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項７乃至１０の何れか一項に記載の発明において、前記半田部を有する前記半田支持シートは、半田載置台の上面側に設けられた複数の凹部内に前記半田部を前記半田載置台の上面側に突出させて載置し、前記半田載置台の上面にその上側から前記半田支持シートを押し付けて、前記半田支持シートの孔内に前記半田部が前記半田支持シートの上下に突出されて嵌め込まれることにより、得たものであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項７乃至１１の何れか一項に記載の発明において、前記多層プリント配線板のうち前記凹部内に露出された配線を含む絶縁基板上にオーバーコート膜が設けられ、前記半田支持シートの下側に突出された前記半田部は前記オーバーコート膜に設けられた開口部を介して前記オーバーコート膜下に設けられた前記配線のランドに接合されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項７乃至１２の何れか一項に記載の発明において、前記半田支持シートの上側に突出された前記半田部は、前記半導体構成体の外部接続用電極下に当初設けられた半田突起を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項７乃至１３の何れか一項に記載の発明において、前記多層プリント配線板の凹部内に前記半田部を有する前記半田支持シートを配置した後に、前記半田部を含む前記半田支持シートの上面にフラックスを膜状に塗布することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、デジタルカメラ、携帯電話等の電子機器では、高機能化、小型化が求められている。そのため、半導体チップやコンデンサ等の各種素子を電気的に接続するための基板であり、配線層を３層以上積層することで高密度配線とした多層プリント配線板が、デジタルカメラ、携帯電話等の電子機器に組み込まれている。
【０００３】
従来の半導体装置には、多層プリント配線板の上面側中央部に設けられた凹部内にＩＣチップがフェースアップ方式で搭載されたものがある（例えば、特許文献１参照）。この場合、多層プリント配線板およびＩＣチップの上面には上層絶縁膜が設けられている。上層絶縁膜の上面には上層配線が設けられている。上層配線は、上層絶縁膜に設けられた開口部を介して、ＩＣチップの上面に設けられた接続パッドに接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１６８５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記従来の半導体装置では、多層プリント配線板の凹部内にＩＣチップをフェースアップ方式で搭載しているが、フェースダウン方式で搭載することが考えられる。すなわち、多層プリント配線板のうち凹部内に露出された配線のランド上に半田を供給し、この供給された半田を介して、ＩＣチップをフェースダウン方式で搭載することが考えられる。この場合、半田を供給する方法としては印刷法やディスペンサを用いた方法が知られている。しかしながら、このような方法では、平坦な面ではなく、多層プリント配線板のうち凹部内に露出された配線のランド上に半田を供給するには、それ専用の特殊な設備が必要になるという問題がある。
【０００６】
そこで、この発明は、特殊な設備を用いることなく、多層プリント配線板の凹部内に半導体構成体をフェースダウン方式で搭載することができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明に係る半導体装置は、一方の面に凹部が設けられ、複数の配線を有する多層基板と、複数の孔を有する半田支持シートと、半導体基板および外部接続用電極を有する半導体構成体と、を備え、前記凹部内の前記多層基板上に露出された前記配線と、前記半導体構成体の前記外部接続用電極とが、前記前記孔に形成された半田部を介して接続されていることを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、複数の孔が設けられた半田支持シートの前記孔に半田部を形成し、一方の面に凹部を有する多層基板の前記凹部内に、前記半田支持シートを配置し、半導体基板および外部接続用電極を有する半導体構成体を、前記半田支持シート上に配置し、前記半導体構成体の前記外部接続用電極が前記半田部に接合されると共に、前記半田部が前記凹部内の前記多層基板上に露出された配線に接合されることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、多層基板の凹部内に、複数の孔を有し、且つ、前記孔に形成された半田部を有する半田支持シートを配置し、半田支持シート上に半導体構成体を配置し、半導体構成体の外部接続用電極が前記半田部に接合されると共に、半田部が凹部内の多層基板上に露出された配線に接合されることにより、特殊な設備を用いることなく、多層基板の凹部内に半導体構成体をフェースダウン方式で搭載することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】この発明の一実施形態としての半導体装置の平面図。
【図２】図１のII−II線にほぼ沿う部分の断面図。
【図３】図１および図２に示す半導体装置の製造方法の一例において、当初準備したものの断面図。
【図４】図３に示す半田支持シートの平面図。
【図５】（Ａ）〜（Ｃ）は半田支持シートへの半田ボールの支持方法の一例を説明するために示す断面図。
【図６】図３に続く工程の断面図。
【図７】図６に続く工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図１はこの発明の一実施形態としての半導体装置の平面図を示し、図２は図１のII−II線にほぼ沿う部分の断面図を示す。この半導体装置は平面方形状の多層プリント配線板１を備えている。多層プリント配線板（多層基板）１は複数例えば７枚の絶縁基板２と絶縁基板２の枚数よりも１つ多い数の配線３とが交互に積層された構造となっている。この場合、絶縁基板２は、プリント配線板用として用いられている材料からなり、一例を挙げれば、ガラス布、ガラス繊維、アラミド繊維等からなる基材にエポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等からなる熱硬化性樹脂を含浸させたものからなっている。配線３は銅等によって形成されている。
【００１１】
多層プリント配線板１の上面側中央部には平面方形状の凹部４が設けられている。この場合、凹部４は上側の４層の絶縁基板２に設けられているので、上から５層目の絶縁基板２の上面中央部および前記上面中央部に設けられた配線３は凹部４を介して露出されている。この露出された配線３を含む上から５層目の絶縁基板２の上面にはソルダーレジスト等からなるオーバーコート膜５が設けられている。当該露出された配線３のランドに対応する部分におけるオーバーコート膜５には開口部６が設けられている。
【００１２】
多層プリント配線板１において、最下層の配線３を含む最下層の絶縁基板２の下面にはソルダーレジスト等からなる下層オーバーコート膜７が設けられている。最下層の配線３のランドに対応する部分における下層オーバーコート膜７には開口部８が設けられている。
【００１３】
多層プリント配線板１の凹部４以外の部分において、最上層の配線３を含む最上層の絶縁基板２の上面全体にはソルダーレジスト等からなる上層オーバーコート膜９が設けられている。ここで、凹部４に対応する部分における上層オーバーコート膜９には、凹部４の上部を実質的に構成する開口部が設けられている。すなわち、凹部４は、実質的には、上側の４層の絶縁基板２および上層オーバーコート膜９に設けられている。
【００１４】
凹部４内においてオーバーコート膜５上には半田支持シート１１が配置され、その上には半導体構成体２１が配置されている。まず、半導体構成体２１について説明する。半導体構成体２１は、一般的にはＣＳＰ(chip size package)と呼ばれるものであり、平面方形状のシリコンまたはＧａＡｓ等からなる半導体基板２２を備えている。
【００１５】
半導体基板２２の下面には、図示していないが、所定の機能の集積回路を構成する素子、例えば、トランジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサ等の素子が形成されている。半導体基板２２の下面周辺部には、上記集積回路の各素子に接続されたアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド２３が設けられている。
【００１６】
接続パッド２３の中央部を除く半導体基板２２の下面には、詳細には図示していないが、パッシベーション膜および樹脂保護膜の２層からなる絶縁膜２４が設けられている。絶縁膜２４の下面には銅等からなる複数の配線２５が設けられている。配線２５の一端部は、絶縁膜２４に設けられた開口部を介して接続パッド２３に接続されており、他端部はランドとなっている。
【００１７】
配線２５のランド下面には銅からなる柱状の外部接続用電極２６が設けられている。配線２５を含む絶縁膜１４の下面において外部接続用電極２６の周囲にはシリカフィラーを含むエポキシ系樹脂等からなる封止膜２７が設けられている。ここで、外部接続用電極２６は、半導体基板２２の下面側に平面的に見てマトリクス状に配置されている。
【００１８】
次に、半田支持シート１１について説明する。半田支持シート１１は、ポリイミド系樹脂等の耐熱性樹脂によって平面方形状に形成されている。半田支持シート１１の平面サイズは、凹部４の平面サイズよりもやや小さく、半導体構成体２１の平面サイズよりもやや大きくなっている。半導体構成体２１の外部接続用電極２６に対応する部分における半田支持シート１１には円孔（孔）１２がマトリクス状に設けられている（図４参照）。半田支持シート１１の円孔１２内には半田部１３が半田支持シート１１の上下に突出されて設けられている。
【００１９】
そして、半導体構成体２１は、その外部接続用電極２６が半田支持シート１１の上側に突出された半田部１３に接合され、且つ、半田支持シート１１の下側に突出された半田部１３がオーバーコート膜５の開口部６を介して前記オーバーコート膜５下の配線３のランドに接合されていることにより、凹部４内においてオーバーコート膜５上に配置された半田支持シート１１上にフェースダウン方式で搭載されている。この状態では、半導体構成体２１の上面は上層オーバーコート膜９の上面よりも下側に位置している。
【００２０】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。ます、図３に示すように、多層プリント配線板１、半田支持シート１１および半導体構成体２１を準備する。この場合、多層プリント配線板１の上面側中央部には凹部４が設けられている。凹部４の底面には開口部６を有するオーバーコート膜５が設けられている。
【００２１】
多層プリント配線板１の下面には開口部８を有する下層オーバーコート膜７が設けられている。凹部４の周囲における多層プリント配線板１の上面全体には上層オーバーコート膜９が設けられている。この場合も、凹部４は、実質的には、上側の４層の絶縁基板２および上層オーバーコート膜９に設けられている。
【００２２】
半田支持シート１１には、図４の平面図にも示すように、複数の円孔１２がマトリクス状に設けられている。半田支持シート１１の円孔１２の周囲には複数例えば４つの切り込み線１４が設けられている。円孔１２および切り込み線１４はパンチングにより同時に形成される。円孔１２内には、直径が円孔１２の直径よりもやや大きい球状の半田ボール（半田部）１３ａが嵌め込まれている。この場合、切り込み線１４は半田ボール１３ａの円孔１２内への嵌め込みを容易とするためのものである。この状態では、半田ボール１３ａは半田支持シート１１の上下にほぼ均等に突出されている。
【００２３】
ここで、半田支持シート１１への半田ボール１３ａの支持方法の一例について説明する。まず、図５（Ａ）に示すように、半田ボール載置台３１を準備する。この半田ボール載置台３１の上面には、半球形状よりもある程度小さい形状の複数の凹部３２がマトリクス状に設けられている。次に、図５（Ｂ）に示すように、半田ボール載置台３１の凹部３２上に球状の半田ボール１３ａを載置する。この状態では、半田ボール１３ａの上半分よりもある程度多い部分は半田ボール載置台３１上に突出されている。
【００２４】
次に、図５（Ｃ）に示すように、半田ボール載置台３１の上面にその上側から半田支持シート１１を位置合わせして押し付けると、半田支持シート１１の円孔１２内に半田ボール１３ａが半田支持シート１１の上下にほぼ均等に突出されて嵌め込まれる。この場合、半田ボール１３ａの直径が円孔１２の直径よりもやや大きくても、切り込み線１４の存在により、半田ボール１３ａの円孔１２内への嵌め込みを容易とすることができる。また、半田ボール１３ａの直径が円孔１２の直径よりもやや大きいので、円孔１２内に嵌め込まれた半田ボール１３ａが抜けにくいようにすることができる。
【００２５】
さて、図３に示すものを準備したら、次に、図６に示すように、凹部４内におけるオーバーコート膜５上に半田支持シート１１を位置合わせして配置する。この配置方法は手動であってもよく、また吸着ロボットを用いたものであってもよい。この状態では、半田ボール１３ａの下部はオーバーコート膜５の開口部６内に配置されている。ここで、半田ボール１３ａの直径はオーバーコート膜５の開口部６の直径よりもある程度大きくなっている。
【００２６】
次に、図７に示すように、半田支持シート１１の周辺部以外の上面および半田支持シート１１の上側に突出された半田ボール１３ａの表面に、スプレーやディスペンサ等を用いて、フラックス３３を膜状に塗布する。
【００２７】
次に、図８に示すように、半田ボール１３ａの表面に塗布されたフラックス３３上に半導体構成体２１の外部接続用電極２６を位置合わせして載置する。この状態では、フラックス３３がある程度の粘着性を有するので、半導体構成体２１は半田ボール１３ａの表面に塗布されたフラックス３３上に仮固定される。
【００２８】
次に、リフロー炉による加熱を行うと、図２に示すように、フラックス３３が蒸発し、半導体構成体２１の外部接続用電極２６が半田支持シート１１の上側に突出された半田部１３に接合され、且つ、半田支持シート１１の下側に突出された半田部１３がオーバーコート膜５の開口部６を介して前記オーバーコート膜５下の配線３のランドに接合されることにより、凹部４内においてオーバーコート膜５上に配置された半田支持シート１１上に半導体構成体２１がフェースダウン方式で搭載される。この場合、半田支持シート１１はポリイミド系樹脂等の耐熱性樹脂によって形成されているので、リフロー炉による加熱を行っても別に問題はない。かくして、図１および図２に示す半導体装置が得られる。
【００２９】
以上のように、この半導体装置の製造方法では、多層プリント配線板１の凹部４内に、複数の円孔１２を有し、且つ、前記円孔１２内およびその上下に突出して設けられた半田ボール１３ａを有する半田支持シート１１を配置し、その上に半導体構成体２１をフェースダウン方式で配置し、リフローを行うことにより、多層プリント配線板１の凹部４内において半田支持シート１１上に半導体構成体２１をフェースダウン方式で搭載しているので、特殊な設備を用いることなく、多層プリント配線板１の凹部４内に半導体構成体２１をフェースダウン方式で搭載することができる。
【００３０】
また、この半導体装置の製造方法では、多層プリント配線板１の凹部４内に、複数の円孔１２に半田ボール１３ａを埋め込んだ半田支持シート１１を配置し、半導体構成体２１をフェースダウン方式で配置した後、リフローを行うことにより、凹部４内の多層プリント配線板１上に露出された配線３と、半導体構成体２１の外部接続用電極２６とが、円孔１２内の半田部１３を介して接続される。
【００３１】
したがって、半田ボール１３ａは半田支持シート１１に嵌め込まれた状態でリフローされるので、半田ボール１３ａが不必要に潰れて聞く広がることはない。そのため、高温や昇温が繰り返されても半田層にクラックが発生しにくく、実装信頼性の向上を図れる。また、半田部１３の中央付近の周囲は半田支持シート１１の円孔１２によって囲まれているため、各半田部１３間のピッチが狭い場合でも、ショートすることはない。
【００３２】
なお、半導体構成体２１の外部接続用電極２６の下面に半田突起を設け、この半田突起を半田支持シート１１の上側に突出された半田部１３に接合するようにしてもよい。この場合、半導体構成体２１の外部接続用電極２６の下面に設けられた半田突起は、リフロー後に、半田支持シート１１の上側に突出された半田部１３と一体化される。すなわち、半田支持シート１１の上側に突出された半田部１３は、半導体構成体２１の外部接続用電極２６の下面に設けられた半田突起を含むことになる。
【００３３】
また、半田支持シート１１の円孔１２に当初嵌め込む半田は球状の半田ボール１３ａではなく、円柱形状の半田部であってもよい。また、例えば、半田支持シートに方形孔を設け、この方形孔に角柱形状の半田部を嵌め込むようにしてもよい。この場合も、半田支持シートの方形孔の周囲に複数の切り込み線を設ける方が望ましい。
【００３４】
また、半田支持シートの孔に嵌め込む半田部が円柱形状または角柱形状である場合には、図５に示すような半田載置台の凹部を円柱形状または角柱形状とし、その深さを任意に設定し、且つ、円柱形状または角柱形状の半田部の長さを任意に設定し、半田支持シートの孔に嵌め込まれた円柱形状または角柱形状の半田部の半田支持シートの上下に突出する突出長をそれぞれ任意に設定するようにしてもよい。
【００３５】
さらに、半導体構成体は上記構成の半導体構成体に限らず、例えば、半導体基板の下面に接続パッド（外部接続用電極）が設けられ、接続パッドの中央部を除く半導体基板の下面に絶縁膜が設けられたものであってもよい。また、多層プリント配線板１の最下層の配線３のランド下面に半田突起を設けるようにしてもよい。また、最上層の配線３のランドに対応する部分における上層オーバーコート膜８に開口部を設け、上層オーバーコート膜８上にコンデンサや抵抗等からなるチップ部品を最上層の配線３のランドに半田を介して接続させて搭載するようにしてもよい。
【００３６】
以上、この発明の実施形態について説明したが、この発明は、これに限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲を含むものである。以下に、本願出願の当初の特許請求の範囲に記載された発明を付記する。
【００３７】
（付記）
請求項１に記載の発明は、一方の面に凹部が設けられ、複数の配線を有する多層基板と、
複数の孔を有する半田支持シートと、
半導体基板および外部接続用電極を有する半導体構成体と、
を備え、
前記凹部内の前記多層基板上に露出された前記配線と、前記半導体構成体の前記外部接続用電極とが、前記前記孔に形成された半田部を介して接続されていることを特徴とする半導体装置である。
【００３８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記多層基板は、複数の絶縁基板と前記複数の絶縁基板の枚数よりも１つ多い数の配線とが交互に積層され、
前記半田支持シート及び前記半導体構成体は前記凹部内に設けられており、
前記半田部は、前記孔内およびその上下に突出して設けられており、
前記孔の下側に突出された前記半田部が前記多層基板のうち前記凹部内に露出された配線のランドに接合され、
前記外部接続用電極は、前記半田支持シートの上側に突出された前記半田部に接合された状態で接続されていることを特徴とする半導体装置である。
【００３９】
請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の発明において、前記半田支持シートの孔の周囲に切り込み線が設けられており、前記半田支持シートの孔は円孔であることを特徴とする半導体装置である。
【００４０】
請求項４に記載の発明は、請求項１乃至３の何れか一項に記載の発明において、前記多層基板のうち前記凹部内に露出された配線を含む絶縁基板上にオーバーコート膜が設けられ、前記半田支持シートの下側に突出された前記半田部は前記オーバーコート膜に設けられた開口部を介して前記オーバーコート膜下に設けられた前記配線のランドに接合されていることを特徴とする半導体装置である。
【００４１】
請求項５に記載の発明は、請求項１乃至４の何れか一項に記載の発明において、前記多層基板の凹部以外の上面に上層オーバーコート膜が設けられ、前記半導体構成体の上面は前記上層オーバーコート膜の上面よりも下側に位置していることを特徴とする半導体装置である。
【００４２】
請求項６に記載の発明は、請求項１乃至５の何れか一項に記載の発明において、前記多層基板の下面に下層オーバーコート膜が設けられ、前記多層基板の最下層の配線のランドは前記下層オーバーコート膜に設けられた開口部を介して露出されていることを特徴とする半導体装置である。
【００４３】
請求項７に記載の発明は、複数の孔が設けられた半田支持シートの前記孔に半田部を形成し、
一方の面に凹部を有する多層基板の前記凹部内に、前記半田支持シートを配置し、
半導体基板および外部接続用電極を有する半導体構成体を、前記半田支持シート上に配置し、
前記半導体構成体の前記外部接続用電極が前記半田部に接合されると共に、前記半田部が前記凹部内の前記多層基板上に露出された配線に接合されることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００４４】
請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、前記多層基板は、複数の絶縁基板と前記負数の絶縁基板の枚数よりも１つ多い数の配線とが交互に積層され、
前記半田部は、前記孔内およびその上下に突出して設けられていることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００４５】
請求項９に記載の発明は、請求項７または８に記載の発明において、前記半田支持シートの孔の周囲に切り込み線が設けられており、前記半田支持シートの孔は円孔であることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００４６】
請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載の発明において、前記半田部は当初球状であることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００４７】
請求項１１に記載の発明は、請求項７乃至１０の何れか一項に記載の発明において、前記半田部を有する前記半田支持シートは、半田載置台の上面側に設けられた複数の凹部内に前記半田部を前記半田載置台の上面側に突出させて載置し、前記半田載置台の上面にその上側から前記半田支持シートを押し付けて、前記半田支持シートの孔内に前記半田部が前記半田支持シートの上下に突出されて嵌め込まれることにより、得たものであることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００４８】
請求項１２に記載の発明は、請求項７乃至１１の何れか一項に記載の発明において、前記多層プリント配線板のうち前記凹部内に露出された配線を含む絶縁基板上にオーバーコート膜が設けられ、前記半田支持シートの下側に突出された前記半田部は前記オーバーコート膜に設けられた開口部を介して前記オーバーコート膜下に設けられた前記配線のランドに接合されることを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００４９】
請求項１３に記載の発明は、請求項７乃至１２の何れか一項に記載の発明において、前記半田支持シートの上側に突出された前記半田部は、前記半導体構成体の外部接続用電極下に当初設けられた半田突起を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【００５０】
請求項１４に記載の発明は、請求項７乃至１３の何れか一項に記載の発明において、前記多層プリント配線板の凹部内に前記半田部を有する前記半田支持シートを配置した後に、前記半田部を含む前記半田支持シートの上面にフラックスを膜状に塗布することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【符号の説明】
【００５１】
１  多層プリント配線板（多層基板）
２  絶縁基板
３  配線
４  凹部
５  オーバーコート膜
１１  半田支持シート
１２  円孔（孔）
１３  半田部
１４  切り込み線
２１  半導体構成体
２２  半導体基板
２６  外部接続用電極
【図１】
2012190871.tif 000003
【図２】
2012190871.tif 000004
【図３】
2012190871.tif 000005
【図４】
2012190871.tif 000006
【図５】
2012190871.tif 000007
【図６】
2012190871.tif 000008
【図７】
2012190871.tif 000009
【図８】
2012190871.tif 000010