(57)【要約】【課題】加工品位を十分に確保しつつ、生産性を向上できる切断ブレードを提供する。【解決手段】円形薄板状をなす基材２と、前記基材２の外周縁部に形成された切れ刃３と、前記基材２内に分散された砥粒４と、を備える切断ブレード１であって、前記基材２の厚さ方向の外側には、該基材２より静摩擦係数が小さい滑り層６が形成されていることを特徴とする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
円形薄板状をなす基材と、
前記基材の外周縁部に形成された切れ刃と、
前記基材内に分散された砥粒と、を備える切断ブレードであって、
前記基材の厚さ方向の外側には、該基材より静摩擦係数が小さい滑り層が形成されていることを特徴とする切断ブレード。
【請求項２】
請求項１に記載の切断ブレードであって、
前記滑り層が、前記基材の厚さ方向を向く外面を被覆する被覆率が、５０％以上であることを特徴とする切断ブレード。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の切断ブレードであって、
前記滑り層の厚さが、０．５μｍ〜１０μｍであることを特徴とする切断ブレード。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の切断ブレードであって、
前記滑り層の静摩擦係数が、０．３以下であることを特徴とする切断ブレード。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の切断ブレードであって、
前記基材が、レジンボンドからなることを特徴とする切断ブレード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスの切断加工に用いられる切断ブレードに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体製品などに用いられるＳｉＣ、水晶及び石英等の硬脆材料やＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）などの被切断材を切断して個片化したり、溝加工を施したりする加工には、高精度が要求されており、このような切断加工や溝加工等（以下「切断加工」と省略）には、切断ブレードが使用されている。
この種の切断ブレードとしては、例えば下記特許文献１〜３に示されるように、円形薄板状をなす基材と、基材の外周縁部に形成された切れ刃と、基材内に分散され、ダイヤモンドやｃＢＮ（立方晶窒化ホウ素）からなる砥粒とを備えたものが知られている。
【０００３】
切断ブレードには、基材を構成する材料によって、レジンボンドブレード、メタルボンドブレード、電鋳ブレード等の種類がある。詳しくは、工具寿命を重視する場合には、耐摩耗性の高いメタルボンドブレードや電鋳ブレードが用いられ、加工品位を重視する場合には、被切断材のチッピングや電極バリを効果的に抑制できるレジンボンドブレードが用いられる。また、加工品位を重視する目的で、基材がガラス結合剤からなるビトリファイドボンドブレードが用いられることもある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−４９４１２号公報
【特許文献２】特開２００３−３００１６６号公報
【特許文献３】特開平９−１１７８６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前述した従来の切断ブレードでは、下記の課題があった。
すなわち、メタルボンドブレードや電鋳ブレードを用いた場合は、被切断材の切断面にチッピングや電極バリが生じやすくなり、加工品位を確保できなかった。
また、加工品位を重視してレジンボンドブレードやビトリファイドボンドブレードを用いた場合であっても、生産性を向上させる目的で切断速度を上げると、チッピングや電極バリが生じることがあった。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、加工品位を十分に確保しつつ、生産性を向上できる切断ブレードを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような課題を解決して、前記目的を達成するために、本発明は以下の手段を提案している。
すなわち、本発明は、円形薄板状をなす基材と、前記基材の外周縁部に形成された切れ刃と、前記基材内に分散された砥粒と、を備える切断ブレードであって、前記基材の厚さ方向の外側には、該基材より静摩擦係数が小さい滑り層が形成されていることを特徴とする。
【０００８】
この切断ブレードを用いて被切断材を切断加工する際には、基材をその中心軸回りに回転させつつ、基材の外周縁部をなす切れ刃を被切断材に接触させる。
本発明の切断ブレードによれば、基材の厚さ方向の外側に、該基材よりも静摩擦係数の小さな滑り層が形成されており、切れ刃が被切断材を切断する際、該被切断材の切断面に対して、滑り層が接触するようになっている。これにより、回転する切断ブレードから被切断材に伝わる衝撃や摩擦抵抗が抑制されて、チッピングや電極バリの発生が防止される。また、このようにチッピングや電極バリの発生が防止されるので、基材の回転速度を上げて、切断速度を高めることができる。
よって、この切断ブレードによれば、被切断材を切断加工してなる切断片等の加工品位を十分に確保しつつ、生産性を向上することができる。
【０００９】
また、本発明の切断ブレードにおいて、前記滑り層が、前記基材の厚さ方向を向く外面を被覆する被覆率が、５０％以上であることとしてもよい。
【００１０】
この場合、被切断材の切断面に対して滑り層が確実に接触して、切断ブレードから被切断材へ伝わる衝撃や摩擦抵抗が小さくなる。
【００１１】
また、本発明の切断ブレードにおいて、前記滑り層の厚さが、０．５μｍ〜１０μｍであることとしてもよい。
【００１２】
この場合、滑り層の厚さが十分に確保されて前述の効果を確実に奏しつつ、該滑り層の厚さが全体に均一に形成されて、被切断材の加工品位が確保される。
詳しくは、滑り層の厚さが０．５μｍ未満である場合は、被切断材の切断面に対して該滑り層の摩擦抵抗を低減させる効果が十分に得られずに、チッピングや電極バリが生じるおそれがある。また、滑り層の厚さが１０μｍを超えた場合は、該滑り層の厚さが全体に不均一となり、使用に適さなくなることがある。
【００１３】
また、本発明の切断ブレードにおいて、前記滑り層の静摩擦係数が、０．３以下であることとしてもよい。
【００１４】
この場合、被切断材の切断面に対する滑り層の摩擦抵抗が十分に小さくなり、前述の効果が確実に得られる。すなわち、滑り層の静摩擦係数が０．３を超えた場合は、前記切断面に対する摩擦抵抗が十分に低められているとは言えず、チッピングや電極バリが生じるおそれがある。
【００１５】
また、本発明の切断ブレードにおいて、前記基材が、レジンボンドからなることとしてもよい。
【００１６】
この場合、基材が弾性のあるレジンボンドからなるので、切断時に切断ブレードから被切断材に及ぼされる加工負荷の衝撃が十分に緩和されて、加工品位がより高められる。すなわち、被切断材として、例えば水晶等のようにチッピングの生じやすい硬脆材料を精密切断加工するような場合であっても、切断面のチッピングが防止されて、高品質の切断片が得られる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の切断ブレードによれば、加工品位を十分に確保しつつ、生産性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一実施形態に係る切断ブレードを示す正面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面を示す側断面図である。
【図３】図２のＢ部の拡大図であり、本発明の要部を説明する図である。
【図４】本発明の実施例におけるチッピング量を説明する図である。
【図５】本発明の実施例における横方向バリ量、縦方向バリ量を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の一実施形態に係る切断ブレード１について、図１〜図３を参照して説明する。
本実施形態の切断ブレード１は、半導体デバイスの切断加工に用いられるものであり、具体的には、ＳｉＣ、水晶及び石英等の硬脆材料やＱＦＮなどの被切断材を精密切断加工するものである。
【００２０】
図１〜図３に示されるように、切断ブレード１は、円形薄板状をなす基材２と、基材２の外周縁部に形成された切れ刃３と、基材２内に分散された砥粒４と、を備えている。また、基材２の中央には、円形状の取付孔５が形成されている。
【００２１】
切断ブレード１は、取付孔５を用いて不図示の切断加工装置の主軸に装着され、その中心軸（以下「軸」）Ｏ回りに回転されつつ軸Ｏに垂直な方向に送り出されることにより、基材２外周の環状をなす切れ刃３を被切断材に切り込んで被切断材を切断加工し、例えば矩形状の切断片（チップ）を複数形成する。
本実施形態の切断ブレード１は、外径が５８ｍｍ程度、取付孔５の内径が４０ｍｍ程度となっている。
【００２２】
基材２は、レジンボンド（樹脂結合剤）からなる。すなわち、基材２は、弾性のある樹脂相からなり、この樹脂相としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂或いはポリ尿素樹脂等が用いられる。尚、基材２をエポキシ樹脂で作製した場合は、硬化収縮が小さいことから製造時における反りや割れ等が生じにくくなり、寸法精度に優れた切断ブレード１を得ることができる。また、フェノール樹脂で作製した場合は、他の樹脂に比べて耐摩耗性が高められる。
【００２３】
本実施形態の切断ブレード１は、基材２がフェノール樹脂からなり、該フェノール樹脂の静摩擦係数は、０．７〜０．９となっている。尚、前記静摩擦係数は、例えばＪＩＳ  Ｋ７１２５に準拠して求められるものである。
【００２４】
図３において、基材２の厚さ（軸Ｏ方向に沿う大きさ）Ｔ１は、切断する被切断材の種類によって種々に設定される。具体的に、この切断ブレード１が、硬脆材料の切断加工に用いられる場合は、基材２の厚さＴ１は８０μｍ〜３００μｍの範囲内に設定される。また、切断ブレード１が、ＱＦＮの切断加工に用いられる場合は、基材２の厚さＴ１は２００μｍ〜５００μｍの範囲内に設定される。
【００２５】
砥粒４は、ダイヤモンド砥粒やｃＢＮ砥粒等からなり、本実施形態においては、ダイヤモンド砥粒が用いられている。
尚、基材２内には、前記砥粒４以外に、フィラーが分散配置されていてもよい。
【００２６】
そして、この切断ブレード１には、基材２の厚さ方向（図３における左右方向）の外側に、該基材２より静摩擦係数が小さい滑り層６が形成されている。詳しくは、本実施形態では、滑り層６が、基材２の厚さ方向の両外側にそれぞれ形成されている。滑り層６は、フッ素樹脂（ＰＴＦＥ）やグラファイト等からなり、本実施形態においては、フッ素樹脂が用いられている。
【００２７】
滑り層６の静摩擦係数は、０．３以下である。本実施形態のように、滑り層６がフッ素樹脂からなる場合、該滑り層６の静摩擦係数は、０．０２〜０．１である。また、滑り層６がグラファイトからなる場合、該滑り層６の静摩擦係数は、０．２〜０．３である。
また、滑り層６の厚さＴ２は、０．５μｍ〜１０μｍである。
【００２８】
また、滑り層６が、基材２の厚さ方向を向く外面２ａを被覆する被覆率は、５０％以上である。図３に示す例では、前記被覆率が１００％となっている。尚、前記被覆率を１００％未満に設定する場合は、滑り層６を、例えば基材２の外面２ａの外周端縁（後述する切り込み領域である切れ刃３近傍）において周方向に短い間隔をあけて分散配置したり、基材２の外面２ａ上に軸Ｏを中心とした放射状に形成したりして、滑り層６が外面２ａ上に周方向に大きく間隔をあけることなく形成されることが好ましい。
【００２９】
また、滑り層６は、基材２の外面２ａのうち、少なくとも切れ刃３から径方向内方へ向かって被切断材に切り込まれる領域（切り込み領域）に形成されていればよく、被切断材に接触しない領域（例えば取付孔５回り）には形成されていなくてもよい。
詳しくは、滑り層６は、基材２の半径Ｒに対して、基材２の外周縁部（切れ刃３）から径方向内方に向かって１／３×Ｒの切り込み領域に形成されていればよく、この領域における前記被覆率が５０％以上となっている。
【００３０】
具体的に、このような滑り層６は、まずドクターブレード法により成形、焼結してなる基材２を用意し、この基材２の外面２ａに、粉状又は液状のフッ素樹脂材料やグラファイト材料をスプレー塗布し、１５０℃〜２００℃程度にて低温加熱硬化させることで形成できる。尚、基材２を焼結する前に、外面２ａに滑り層６を塗付した後、これら基材２及び滑り層６をともに焼結しても構わない。
【００３１】
滑り層６のスプレー塗布には、例えば、フッ素樹脂材料の場合は、商品名：ファイン・耐熱ＴＦＥコート（ファインケミカルジャパン株式会社製）等を用いることができる。また、グラファイト材料の場合は、商品名：ファイン・スプレーブラッセン（ファインケミカルジャパン株式会社製）等を用いることができる。
【００３２】
また、滑り層６をパターン形成する場合には、基材２の外面２ａにマスキング等を施して、スプレー塗布すればよい。また、それ以外の公知のエッチング等を用いてパターン形成しても構わない。
【００３３】
以上説明した本実施形態の切断ブレード１を用いて被切断材を切断加工する際には、基材２をその中心軸Ｏ回りに回転させつつ、基材２の外周縁部をなす切れ刃３を被切断材に接触させる。
本実施形態の切断ブレード１によれば、基材２の厚さ方向の外側に、該基材２よりも静摩擦係数の小さな滑り層６が形成されており、切れ刃３が被切断材を切断する際、該被切断材の切断面に対して、滑り層６が接触するようになっている。これにより、回転する切断ブレード１から被切断材に伝わる衝撃や摩擦抵抗が抑制されて、チッピングや電極バリの発生が防止される。また、このようにチッピングや電極バリの発生が防止されるので、基材２の回転速度を上げて、切断速度を高めることができる。
よって、この切断ブレード１によれば、被切断材を切断加工してなる切断片等の加工品位を十分に確保しつつ、生産性を向上することができる。
【００３４】
また、滑り層６が、基材２の厚さ方向を向く外面２ａを被覆する被覆率が、５０％以上であるので、被切断材の切断面に対して滑り層６が確実に接触して、切断ブレード１から被切断材へ伝わる衝撃や摩擦抵抗が小さくなる。
【００３５】
また、滑り層６の厚さＴ２が、０．５μｍ〜１０μｍであるので、滑り層６の厚さＴ２が十分に確保されて前述の効果を確実に奏しつつ、該滑り層６が全体に均一厚さに形成されて、被切断材の加工品位が確保される。
詳しくは、滑り層６の厚さＴ２が０．５μｍ未満である場合は、被切断材の切断面に対して該滑り層６の摩擦抵抗を低減させる効果が十分に得られずに、チッピングや電極バリが生じるおそれがある。また、滑り層６の厚さＴ２が１０μｍを超えた場合は、該滑り層６の厚さＴ２が全体に不均一となり、使用に適さなくなることがある。
【００３６】
また、滑り層６の静摩擦係数が、０．３以下であるので、被切断材の切断面に対する滑り層６の摩擦抵抗が十分に小さくなり、前述の効果が確実に得られる。すなわち、滑り層６の静摩擦係数が０．３を超えた場合は、前記切断面に対する摩擦抵抗が十分に低められているとは言えず、チッピングや電極バリが生じるおそれがある。
特に、本実施形態のように、滑り層６がフッ素樹脂からなる場合には、静摩擦係数が０．１以下と十分に低められて、大きな効果を得ることができる。
【００３７】
また、本実施形態の切断ブレード１は、基材２が弾性のあるレジンボンドからなるので、切断時に切断ブレード１から被切断材に及ぼされる加工負荷の衝撃が十分に緩和されて、加工品位がより高められる。すなわち、被切断材として、例えば水晶等のようにチッピングの生じやすい硬脆材料を精密切断加工するような場合であっても、切断面のチッピングが防止されて、高品質の切断片が得られる。
【００３８】
尚、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、例えば下記に示すように、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることができる。
【００３９】
前述の実施形態では、切断ブレード１は、基材２がレジンボンドからなるとしたが、これに限定されるものではなく、それ以外のメタルボンド（金属結合剤）やビトリファイドボンド（ガラス結合剤）からなることとしてもよい。
また、切断ブレード１は、基材２が無電解めっき等により形成された電鋳ブレードであってもよい。
【００４０】
前述の実施形態では、滑り層６が、基材２の厚さ方向の両外側にそれぞれ形成されているとしたが、これに限定されるものではなく、滑り層６は、基材２の厚さ方向の両外側のうち少なくとも一方に形成されていても構わない。
【００４１】
前述の実施形態では、砥粒４及びフィラーが、基材２内に分散されているとしたが、これら砥粒４及びフィラーは、基材４以外に、滑り層６内に分散されていても構わない。
【００４２】
その他、本発明の前述の実施形態で説明した構成要素を、適宜組み合わせても構わない。また、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、前述の構成要素を周知の構成要素に置き換えることも可能である。
【実施例】
【００４３】
以下、本発明を実施例により具体的に説明する。ただし本発明はこの実施例に限定されるものではない。
【００４４】
[チッピング量確認試験Ａ]
[実施例１]
本発明の実施例１として、フェノール樹脂からなる基材２内に、ダイヤモンド砥粒（砥粒４）及びＷＣからなるフィラーを含み、基材２の外面２ａにグラファイトからなる滑り層６を被覆した切断ブレード１を用意した。この切断ブレード１の組成（基材２内の組成）は、体積比で、フェノール樹脂：６１．２５％、ダイヤモンド砥粒：１２．５％、ＷＣフィラー：２６．２５％とした。
【００４５】
切断ブレード１は、ドクターブレード法により作製して、その仕様をＳＤＣ６００−５０、５８Ｄ／ＸＴ／４０Ｈ（Ｘ＝０．０８）とした。すなわち、基材２の寸法を、外径：５８ｍｍ、内径（取付孔５の直径）：４０ｍｍ、厚さＴ１：８０μｍとした。また、ダイヤモンド砥粒４には、合成ダイヤモンド粒子にＮｉコーティングしてなり、粒度が＃６００であるものを用いた。また、砥粒４は、基材２内の集中度が５０となるように分散配置した。
【００４６】
そして、滑り層６を次のように設定した。すなわち、滑り層６が基材２の外面２ａを被覆する被覆率については、被覆率：４０％、５０％、８０％、１００％とし、また滑り層６の厚さＴ２については、Ｔ２：０．２μｍ、０．５μｍ、１μｍ、５μｍ、１０μｍ、１５μｍとして、これら被覆率と厚さＴ２とを組み合わせてなるすべての切断ブレード１を用意した。
【００４７】
尚、滑り層６は、基材２の外面２ａに、商品名：ファイン・スプレーブラッセン（ファインケミカルジャパン株式会社製）をスプレー塗布し、１時間ほど放置・乾燥させ、低温（１５０〜２００℃、５〜１０分）で加熱硬化させることにより形成した。また、滑り層６の被覆率が１００％未満のものについては、マスキングを用い、滑り層６が、基材２の外面２ａの外周端縁（切り込み領域である切れ刃３近傍）において周方向に短い間隔をあけて分散配置されるようにパターン形成した。詳しくは、前記切り込み領域において、周方向に隣り合う滑り層６部分同士の間隔、すなわち滑り層６の形成されていない部位の周方向に沿う長さが、１ｍｍ以下となるように、滑り層６を形成した。
【００４８】
次いで、この切断ブレード１を切断加工装置に装着し、被切断材としてアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）９６％からなる硬脆材料を用いて切断加工を行い、作製されたチップ（切断片）のチッピング量を測定した。尚、試験の条件は、主軸回転数：２１０００ｍｉｎ−１、送り速度：６ｍｍ／ｓ、切り込み量：０．０５５ｍｍ、ワーク厚さ：０．５ｍｍとし、図４に示されるように、切断加工によって、チップＣ内へ向けて意図せずカーフ端面から切り欠かれたチッピング深さＤを前記チッピング量とした。
試験の結果を、表１に示す。
【００４９】
[比較例１]
一方、比較例１として、基材２の外面２ａに滑り層６を形成しない以外は、実施例１と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った（すなわち、比較例１における被覆率は０％である）。結果を表１に示す。
【００５０】
【表１】
2012192487.tif 000003
【００５１】
[実施例２]
また、実施例２として、切断ブレード１の仕様を、ＳＤＣ６００−５０、５８Ｄ／ＸＴ／４０Ｈ（Ｘ＝０．１）とした。すなわち、基材２の厚さＴ１を、Ｔ１：１００μｍとし、それ以外は実施例１と同じ条件として、試験を行った。結果を表２に示す。
【００５２】
[比較例２]
一方、比較例２として、基材２の外面２ａに滑り層６を形成しない以外は、実施例２と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表２に示す。
【００５３】
【表２】
2012192487.tif 000004
【００５４】
[実施例３]
また、実施例３として、切断ブレード１の仕様を、ＳＤＣ６００−５０、５８Ｄ／ＸＴ／４０Ｈ（Ｘ＝０．３）とした。すなわち、基材２の厚さＴ１を、Ｔ１：３００μｍとし、それ以外は実施例１と同じ条件として、試験を行った。結果を表３に示す。
【００５５】
[比較例３]
一方、比較例３として、基材２の外面２ａに滑り層６を形成しない以外は、実施例３と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表３に示す。
【００５６】
【表３】
2012192487.tif 000005
【００５７】
[実施例４]
また、実施例４として、切断ブレード１の仕様を、ＳＤＣ６００−５０、５８Ｄ／ＸＴ／４０Ｈ（Ｘ＝０．３５）とした。すなわち、基材２の厚さＴ１を、Ｔ１：３５０μｍとし、それ以外は実施例１と同じ条件として、試験を行った。結果を表４に示す。
【００５８】
[比較例４]
一方、比較例４として、基材２の外面２ａに滑り層６を形成しない以外は、実施例４と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表４に示す。
【００５９】
【表４】
2012192487.tif 000006
【００６０】
[評価]
表１〜表４に示す通り、基材２の外面２ａに滑り層６が形成された実施例１〜４については、チッピング量Ｄがすべて３９μｍ以下となり、チッピングが抑制されることが確認された。
また、実施例１〜４のうち、滑り層６の被覆率が５０％以上であるものは、チッピング量Ｄがすべて３０μｍ以下となり、そのうちさらに、滑り層６の厚さＴ２が０．５μｍ〜１０μｍであるものは、チッピング量Ｄが２３μｍ以下となっていた。
また、実施例１〜４のうち、滑り層６の被覆率が５０％以上であり、滑り層６の厚さＴ２が０．５μｍ〜１０μｍであり、かつ、基材２の厚さＴ１が８０μｍ〜３００μｍであるものは、チッピング量Ｄが２０μｍとなり、優れたチッピング抑制効果が得られることがわかった。
【００６１】
尚、実施例１〜４のうち、滑り層６の厚さＴ２：１５μｍ（１０μｍを超えるもの）については、被覆厚さにバラつきが生じて、使用に適さなかった。
一方、比較例１〜４においては、それぞれが対応する実施例１〜４に比較して、チッピング量Ｄが大きくなり、チッピングを抑制する効果は得られなかった。
【００６２】
尚、表には示していないが、切断ブレード１の仕様を、ＳＤＣ６００−５０、５８Ｄ／ＸＴ／４０Ｈ（Ｘ＝０．０７）としたもの（すなわち基材２の厚さＴ１を、Ｔ１：７０μｍとしたもの）を作製し試験したところ、滑り層６の有無に関わらず、基材２の剛性が確保できず切断加工時に蛇行が生じて、使用には適さなかった。
【００６３】
[チッピング量確認試験Ｂ]
[実施例５]
本発明の実施例５として、基材２の外面２ａにフッ素樹脂からなる滑り層６を被覆した切断ブレード１を用意した。滑り層６は、基材２の外面２ａに、商品名：ファイン・耐熱ＴＦＥコート（ファインケミカルジャパン株式会社製）をスプレー塗布し、１時間ほど放置・乾燥させ、低温（２００℃、２０分）で加熱硬化させることにより形成した。それ以外は実施例１と同じ条件として、切断ブレード１を作製し試験を行った。結果を表５に示す。
【００６４】
[比較例５]
一方、比較例５として、基材２の外面２ａに滑り層６を形成しない以外は、実施例５と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表５に示す。
【００６５】
【表５】
2012192487.tif 000007
【００６６】
[実施例６]
また、実施例６として、切断ブレード１の基材２の厚さＴ１を、Ｔ１：１００μｍとしたものを用意した。それ以外は実施例５と同じ条件として、試験を行った。結果を表６に示す。
【００６７】
[比較例６]
一方、比較例６として、基材２の外面２ａに滑り層６を形成しない以外は、実施例６と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表６に示す。
【００６８】
【表６】
2012192487.tif 000008
【００６９】
[実施例７]
また、実施例７として、切断ブレード１の基材２の厚さＴ１を、Ｔ１：３００μｍとしたものを用意した。それ以外は実施例５と同じ条件として、試験を行った。結果を表７に示す。
【００７０】
[比較例７]
一方、比較例７として、基材２の外面２ａに滑り層６を形成しない以外は、実施例７と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表７に示す。
【００７１】
【表７】
2012192487.tif 000009
【００７２】
[実施例８]
また、実施例８として、切断ブレード１の基材２の厚さＴ１を、Ｔ１：３５０μｍとしたものを用意した。それ以外は実施例５と同じ条件として、試験を行った。結果を表８に示す。
【００７３】
[比較例８]
一方、比較例８として、基材２の外面２ａに滑り層６を形成しない以外は、実施例８と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表８に示す。
【００７４】
【表８】
2012192487.tif 000010
【００７５】
[評価]
表５〜表８に示す通り、基材２の外面２ａに滑り層６が形成された実施例５〜８については、チッピング量Ｄがすべて３７μｍ以下となり、チッピングが抑制されることが確認された。
また、実施例５〜８のうち、滑り層６の被覆率が５０％以上であるものは、チッピング量Ｄがすべて３２μｍ以下となり、そのうちさらに、滑り層６の厚さＴ２が０．５μｍ〜１０μｍであるものは、チッピング量Ｄが２３μｍ以下となっていた。
また、実施例５〜８のうち、滑り層６の被覆率が５０％以上であり、滑り層６の厚さＴ２が０．５μｍ〜１０μｍであり、かつ、基材２の厚さＴ１が８０μｍ〜３００μｍであるものは、チッピング量Ｄが２０μｍとなり、優れたチッピング抑制効果が得られることがわかった。
【００７６】
尚、実施例５〜８のうち、滑り層６の厚さＴ２：１５μｍ（１０μｍを超えるもの）については、被覆厚さにバラつきが生じて、使用に適さなかった。
一方、比較例５〜８においては、それぞれが対応する実施例５〜８に比較して、チッピング量Ｄが大きくなり、チッピングを抑制する効果は得られなかった。
【００７７】
尚、表には示していないが、切断ブレード１の基材２の厚さＴ１を、Ｔ１：７０μｍとしたものを用意し試験したところ、滑り層６の有無に関わらず、基材２の剛性が確保できず切断加工時に蛇行が生じて、使用には適さなかった。
【００７８】
[横方向バリ量確認試験Ａ]
[実施例９]
本発明の実施例９として、基材２の外面２ａにグラファイトからなる滑り層６を被覆した切断ブレード１を用意した。滑り層６の形成には、前述した商品名：ファイン・スプレーブラッセン（ファインケミカルジャパン株式会社製）を用いた。
また、切断ブレード１の仕様は、ＳＤＣ２３０−７５、５８Ｄ／ＸＴ／４０Ｈ（Ｘ＝０．２）とした。すなわち、基材２の寸法を、外径：５８ｍｍ、内径（取付孔５の直径）：４０ｍｍ、厚さＴ１：２００μｍとした。また、ダイヤモンド砥粒４には、合成ダイヤモンド粒子にＮｉコーティングしてなり、粒度が＃２３０であるものを用いた。また、砥粒４は、基材２内の集中度が７５となるように分散配置した。それ以外は実施例１と同じ条件として、切断ブレード１を作製した。
【００７９】
次いで、この切断ブレード１を切断加工装置に装着し、被切断材として銅電極が配列されたＱＦＮ基板を用いて切断加工を行い、横方向バリ量を測定した。尚、試験の条件は、主軸回転数：３００００ｍｉｎ−１、送り速度：６０ｍｍ／ｓ、切り込み量：１．１ｍｍ、ワーク厚さ：１．０ｍｍとした。また、図５に示されるように、切断加工によって、ＱＦＮ基板Ｐにおいて電極Ｅから隣り合う他の電極Ｅに向けて意図せず突出して形成された横方向バリの突出長さ（大きさ）Ｌ１を前記横方向バリ量とした。
【００８０】
詳しくは、前記横方向バリ量とは、ＱＦＮ基板Ｐの厚さ方向に垂直な電極間方向（横方向）に向けて延びる電極バリの大きさであり、互いに隣り合う電極Ｅ同士の間において、一方又は両方の電極Ｅから突出する横方向バリの突出長さの和Ｌ１を言う。試験の結果を、表９に示す。
【００８１】
[比較例９]
一方、比較例９として、基材２の外面２ａに滑り層６を形成しない以外は、実施例９と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表９に示す。
【００８２】
【表９】
2012192487.tif 000011
【００８３】
[実施例１０]
また、実施例１０として、切断ブレード１の仕様を、ＳＤＣ２３０−７５、５８Ｄ／ＸＴ／４０Ｈ（Ｘ＝０．３）とした。すなわち、基材２の厚さＴ１を、Ｔ１：３００μｍとし、それ以外は実施例９と同じ条件として、試験を行った。結果を表１０に示す。
【００８４】
[比較例１０]
一方、比較例１０として、基材２の外面２ａに滑り層６を形成しない以外は、実施例１０と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表１０に示す。
【００８５】
【表１０】
2012192487.tif 000012
【００８６】
[実施例１１]
また、実施例１１として、切断ブレード１の仕様を、ＳＤＣ２３０−７５、５８Ｄ／ＸＴ／４０Ｈ（Ｘ＝０．４）とした。すなわち、基材２の厚さＴ１を、Ｔ１：４００μｍとし、それ以外は実施例９と同じ条件として、試験を行った。結果を表１１に示す。
【００８７】
[比較例１１]
一方、比較例１１として、基材２の外面２ａに滑り層６を形成しない以外は、実施例１１と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表１１に示す。
【００８８】
【表１１】
2012192487.tif 000013
【００８９】
[実施例１２]
また、実施例１２として、切断ブレード１の仕様を、ＳＤＣ２３０−７５、５８Ｄ／ＸＴ／４０Ｈ（Ｘ＝０．５）とした。すなわち、基材２の厚さＴ１を、Ｔ１：５００μｍとし、それ以外は実施例９と同じ条件として、試験を行った。結果を表１２に示す。
【００９０】
[比較例１２]
一方、比較例１２として、基材２の外面２ａに滑り層６を形成しない以外は、実施例１２と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表１２に示す。
【００９１】
【表１２】
2012192487.tif 000014
【００９２】
[評価]
表９〜表１２に示す通り、基材２の外面２ａに滑り層６が形成された実施例９〜１２については、横方向バリ量Ｌ１がすべて６６μｍ以下となり、横方向への電極バリが抑制されることが確認された。
また、実施例９〜１２のうち、滑り層６の被覆率が５０％以上であるものは、横方向バリ量Ｌ１がすべて６１μｍ以下となり、そのうちさらに、滑り層６の厚さＴ２が０．５μｍ〜１０μｍであるものは、横方向バリ量Ｌ１が３８μｍ以下となり、優れた横方向バリ抑制効果が得られることがわかった。
【００９３】
尚、実施例９〜１２のうち、滑り層６の厚さＴ２：１５μｍ（１０μｍを超えるもの）については、被覆厚さにバラつきが生じて、使用に適さなかった。
一方、比較例９〜１２においては、それぞれが対応する実施例９〜１２に比較して、横方向バリ量Ｌ１が大きくなり、電極バリを抑制する効果は得られなかった。
【００９４】
尚、表には示していないが、切断ブレード１の基材２の厚さＴ１を、Ｔ１：５５０μｍとしたものについて作製を試みたが、前述したドクターブレード法によっては、滑り層６の有無に関わらず製作不可であった。
【００９５】
[横方向バリ量確認試験Ｂ]
[実施例１３]
本発明の実施例１３として、基材２の外面２ａにフッ素樹脂からなる滑り層６を被覆した切断ブレード１を用意した。滑り層６の形成には、前述した商品名：ファイン・耐熱ＴＦＥコート（ファインケミカルジャパン株式会社製）を用いた。それ以外は実施例９と同じ条件として、切断ブレード１を作製し試験を行った。結果を表１３に示す。
【００９６】
[比較例１３]
一方、比較例１３として、基材２の外面２ａに滑り層６を形成しない以外は、実施例１３と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表１３に示す。
【００９７】
【表１３】
2012192487.tif 000015
【００９８】
[実施例１４]
また、実施例１４として、切断ブレード１の基材２の厚さＴ１を、Ｔ１：３００μｍとし、それ以外は実施例１３と同じ条件として、試験を行った。結果を表１４に示す。
【００９９】
[比較例１４]
一方、比較例１４として、基材２の外面２ａに滑り層６を形成しない以外は、実施例１４と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表１４に示す。
【０１００】
【表１４】
2012192487.tif 000016
【０１０１】
[実施例１５]
また、実施例１５として、切断ブレード１の基材２の厚さＴ１を、Ｔ１：４００μｍとし、それ以外は実施例１３と同じ条件として、試験を行った。結果を表１５に示す。
【０１０２】
[比較例１５]
一方、比較例１５として、基材２の外面２ａに滑り層６を形成しない以外は、実施例１５と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表１５に示す。
【０１０３】
【表１５】
2012192487.tif 000017
【０１０４】
[実施例１６]
また、実施例１６として、切断ブレード１の基材２の厚さＴ１を、Ｔ１：５００μｍとし、それ以外は実施例１３と同じ条件として、試験を行った。結果を表１６に示す。
【０１０５】
[比較例１６]
一方、比較例１６として、基材２の外面２ａに滑り層６を形成しない以外は、実施例１６と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表１６に示す。
【０１０６】
【表１６】
2012192487.tif 000018
【０１０７】
[評価]
表１３〜表１６に示す通り、基材２の外面２ａに滑り層６が形成された実施例１３〜１６については、横方向バリ量Ｌ１がすべて６７μｍ以下となり、横方向への電極バリが抑制されることが確認された。
また、実施例１３〜１６のうち、滑り層６の被覆率が５０％以上であるものは、横方向バリ量Ｌ１がすべて６６μｍ以下となり、そのうちさらに、滑り層６の厚さＴ２が０．５μｍ〜１０μｍであるものは、横方向バリ量Ｌ１が３９μｍ以下となり、優れた横方向バリ抑制効果が得られることがわかった。
【０１０８】
尚、実施例１３〜１６のうち、滑り層６の厚さＴ２：１５μｍ（１０μｍを超えるもの）については、被覆厚さにバラつきが生じて、使用に適さなかった。
一方、比較例１３〜１６においては、それぞれが対応する実施例１３〜１６に比較して、横方向バリ量Ｌ１が大きくなり、電極バリを抑制する効果は得られなかった。
【０１０９】
尚、表には示していないが、切断ブレード１の基材２の厚さＴ１を、Ｔ１：５５０μｍとしたものについて作製を試みたが、前述したドクターブレード法によっては、滑り層６の有無に関わらず製作不可であった。
【０１１０】
[縦方向バリ量確認試験Ａ]
[実施例１７]
本発明の実施例１７として、実施例９で説明した切断ブレード１（基材２の外面２ａにグラファイトからなる滑り層６を被覆したもの）を用意した。
【０１１１】
次いで、この切断ブレード１を切断加工装置に装着し、被切断材として銅電極が配列されたＱＦＮ基板を用いて切断加工を行い、縦方向バリ量を測定した。詳しくは、図５に示されるように、切断加工によって、ＱＦＮ基板Ｐの外面から厚さ方向（縦方向）に向けて意図せず突出して形成された電極バリの突出長さ（大きさ）Ｌ２を前記縦方向バリ量とした。試験の結果を、表１７に示す。
【０１１２】
[比較例１７]
一方、比較例１７として、基材２の外面２ａに滑り層６を形成しない以外は、実施例１７と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表１７に示す。
【０１１３】
【表１７】
2012192487.tif 000019
【０１１４】
[実施例１８]
また、実施例１８として、切断ブレード１の基材２の厚さＴ１を、Ｔ１：３００μｍとし、それ以外は実施例１７と同じ条件として、試験を行った。結果を表１８に示す。
【０１１５】
[比較例１８]
一方、比較例１８として、基材２の外面２ａに滑り層６を形成しない以外は、実施例１８と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表１８に示す。
【０１１６】
【表１８】
2012192487.tif 000020
【０１１７】
[実施例１９]
また、実施例１９として、切断ブレード１の基材２の厚さＴ１を、Ｔ１：４００μｍとし、それ以外は実施例１７と同じ条件として、試験を行った。結果を表１９に示す。
【０１１８】
[比較例１９]
一方、比較例１９として、基材２の外面２ａに滑り層６を形成しない以外は、実施例１９と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表１９に示す。
【０１１９】
【表１９】
2012192487.tif 000021
【０１２０】
[実施例２０]
また、実施例２０として、切断ブレード１の基材２の厚さＴ１を、Ｔ１：５００μｍとし、それ以外は実施例１７と同じ条件として、試験を行った。結果を表２０に示す。
【０１２１】
[比較例２０]
一方、比較例２０として、基材２の外面２ａに滑り層６を形成しない以外は、実施例２０と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表２０に示す。
【０１２２】
【表２０】
2012192487.tif 000022
【０１２３】
[評価]
表１７〜表２０に示す通り、基材２の外面２ａに滑り層６が形成された実施例１７〜２０については、縦方向バリ量Ｌ２がすべて４４μｍ以下となり、縦方向への電極バリが抑制されることが確認された。
また、実施例１７〜２０のうち、滑り層６の被覆率が５０％以上であるものは、縦方向バリ量Ｌ２がすべて４２μｍ以下となり、そのうちさらに、滑り層６の厚さＴ２が０．５μｍ〜１０μｍであるものは、縦方向バリ量Ｌ２が２９μｍ以下となり、優れた縦方向バリ抑制効果が得られることがわかった。
【０１２４】
尚、実施例１７〜２０のうち、滑り層６の厚さＴ２：１５μｍ（１０μｍを超えるもの）については、被覆厚さにバラつきが生じて、使用に適さなかった。
一方、比較例１７〜２０においては、それぞれが対応する実施例１７〜２０に比較して、縦方向バリ量Ｌ２が大きくなり、電極バリを抑制する効果は得られなかった。
【０１２５】
尚、表には示していないが、切断ブレード１の基材２の厚さＴ１を、Ｔ１：５５０μｍとしたものについて作製を試みたが、前述したドクターブレード法によっては、滑り層６の有無に関わらず製作不可であった。
【０１２６】
[縦方向バリ量確認試験Ｂ]
[実施例２１]
本発明の実施例２１として、実施例１３で説明した切断ブレード１（基材２の外面２ａにフッ素樹脂からなる滑り層６を被覆したもの）を用意し、実施例１７と同じ条件として試験を行った。結果を表２１に示す。
【０１２７】
[比較例２１]
一方、比較例２１として、基材２の外面２ａに滑り層６を形成しない以外は、実施例２１と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表２１に示す。
【０１２８】
【表２１】
2012192487.tif 000023
【０１２９】
[実施例２２]
また、実施例２２として、切断ブレード１の基材２の厚さＴ１を、Ｔ１：３００μｍとし、それ以外は実施例２１と同じ条件として、試験を行った。結果を表２２に示す。
【０１３０】
[比較例２２]
一方、比較例２２として、基材２の外面２ａに滑り層６を形成しない以外は、実施例２２と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表２２に示す。
【０１３１】
【表２２】
2012192487.tif 000024
【０１３２】
[実施例２３]
また、実施例２３として、切断ブレード１の基材２の厚さＴ１を、Ｔ１：４００μｍとし、それ以外は実施例２１と同じ条件として、試験を行った。結果を表２３に示す。
【０１３３】
[比較例２３]
一方、比較例２３として、基材２の外面２ａに滑り層６を形成しない以外は、実施例２３と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表２３に示す。
【０１３４】
【表２３】
2012192487.tif 000025
【０１３５】
[実施例２４]
また、実施例２４として、切断ブレード１の基材２の厚さＴ１を、Ｔ１：５００μｍとし、それ以外は実施例２１と同じ条件として、試験を行った。結果を表２４に示す。
【０１３６】
[比較例２４]
一方、比較例２４として、基材２の外面２ａに滑り層６を形成しない以外は、実施例２４と同じ条件として、切断ブレードを作製し試験を行った。結果を表２４に示す。
【０１３７】
【表２４】
2012192487.tif 000026
【０１３８】
[評価]
表２１〜表２４に示す通り、基材２の外面２ａに滑り層６が形成された実施例２１〜２４については、縦方向バリ量Ｌ２がすべて４５μｍ以下となり、縦方向への電極バリが抑制されることが確認された。
また、実施例２１〜２４のうち、滑り層６の被覆率が５０％以上であるものは、縦方向バリ量Ｌ２がすべて４３μｍ以下となり、そのうちさらに、滑り層６の厚さＴ２が０．５μｍ〜１０μｍであるものは、縦方向バリ量Ｌ２が２９μｍ以下となり、優れた縦方向バリ抑制効果が得られることがわかった。
【０１３９】
尚、実施例２１〜２４のうち、滑り層６の厚さＴ２：１５μｍ（１０μｍを超えるもの）については、被覆厚さにバラつきが生じて、使用に適さなかった。
一方、比較例２１〜２４においては、それぞれが対応する実施例２１〜２４に比較して、縦方向バリ量Ｌ２が大きくなり、電極バリを抑制する効果は得られなかった。
【０１４０】
尚、表には示していないが、切断ブレード１の基材２の厚さＴ１を、Ｔ１：５５０μｍとしたものについて作製を試みたが、前述したドクターブレード法によっては、滑り層６の有無に関わらず製作不可であった。
【符号の説明】
【０１４１】
１  切断ブレード
２  基材
２ａ  基材の厚さ方向を向く外面
３  切れ刃
４  砥粒
６  滑り層
Ｔ２  滑り層の厚さ
【図１】
2012192487.tif 000027
【図２】
2012192487.tif 000028
【図３】
2012192487.tif 000029
【図４】
2012192487.tif 000030
【図５】
2012192487.tif 000031