(57)【要約】【課題】安価な発光素子搭載用セラミック基板、及び発光素子搭載モジュールを提供する。【解決手段】セラミック部２と、 セラミック部２の少なくとも１面に、酸化チタン（ＴｉＯ２）もしくは酸化カルシウム（ＣａＯ）が拡散された反射改善層３と、から構成される発光素子搭載用セラミック基板１としたので、反射金属膜を形成する高価な工法（湿式めっき法、乾式めっき法、エッチング等）を使用する必要がなく、その結果として、安価な発光素子搭載用セラミック基板１、及び発光素子搭載モジュール６を提供することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック部と、 
前記セラミック部の少なくとも１面に、酸化チタン（ＴｉＯ２）もしくは酸化カルシウム（ＣａＯ）が拡散された反射改善層と、
から構成される発光素子搭載用セラミック基板。
【請求項２】
前記反射改善層の膜厚は、１ｕｍ以上３０ｕｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の発光素子搭載用セラミック基板。
【請求項３】
請求項１乃至２に記載の発光素子搭載用セラミック基板上に、発光素子が実装されたことを特徴とする発光素子搭載モジュール。
【請求項４】
セラミック部を形成するための複数枚のセラミック部形成用グリーンシートを準備するセラミック部形成用グリーンシート準備工程と、
複数枚の前記セラミック部形成用グリーンシートを積層し、その少なくとも１面に酸化チタン（ＴｉＯ２）もしくは酸化カルシウム（ＣａＯ）を含有する第２の拘束層を積層し、その後、加圧加熱し、第１のグリーンシート積層体を形成する第１のグリーンシート積層体形成工程と、
前記第１のグリーンシート積層体を過熱することによって、前記グリーンシート積層体内のバインダー成分を除去する脱バインダー工程と、
バインダー成分が除去された第１のグリーンシート積層体を加熱することによって、第１のグリーンシート積層体を焼成する焼成工程と、
前記第１のグリーンシート積層体の上下面に配置されている酸化チタン（ＴｉＯ２）もしくは酸化カルシウム（ＣａＯ）を含有する第２の拘束層を除去する拘束層除去工程と、
からなるから構成される発光素子搭載用セラミック基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子搭載用セラミック基板、その発光素子搭載用セラミック基板の製造方法、及び、発光素子搭載用セラミック基板を用いた発光素子搭載モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
セラミック基板は、耐熱性・耐湿性に優れ、また、高周波回路において良好な周波数特性を有することから、モバイル機器のＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）モジュール、放熱性を利用した発光素子、（例えば、ＬＥＤ＝Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ＝発光ダイオード）用の発光素子搭載用セラミック基板や液晶のバックライト向けＬＥＤ用の発光素子搭載用セラミック基板として用いられている。
現在、これら発光素子搭載用セラミック基板としては、セラミック部と、セラミック部の上面の底面上の発光素子を搭載するための搭載部と、搭載部の周辺に、銀と金との全率固溶の合金から構成される反射膜と、とから構成されていた（例えば、これに類似する技術は下記特許文献１に記載されている）。
【０００３】
すなわち、従来の発光素子搭載用セラミック基板は、発光素子周辺に配置した金属膜を反射金属膜として配置し、発光素子が発行した際の光を、反射することによって、効率よく光を出力していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１３５７２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した発光素子搭載用セラミック基板では、湿式めっき法（無電界めっき法や電界めっき法等）や乾式めっき法（真空蒸着法、スパッタ法など）を用いて、その反射金属膜を、セラミック部表面全体に成膜し、さらに、必要な領域のみにその反射金属膜を残すため、フォトレジスト、エッチング等を行う必要があった。
【０００６】
すなわち、従来の発光素子搭載用セラミック基板では、非常に高価な工法を用いて反射金属膜を形成する必要があるため、その製造コストが非常に高くなってしまうという課題を有していた。
【０００７】
そこで、本発明は、その製造コストを低く抑えることによって、安価な発光素子搭載用セラミック基板、及び発光素子搭載モジュールを提供すること目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
そしてこの目的を達成するために本発明は、セラミック部と、 前記セラミック部の少なくとも１面に、酸化チタン（ＴｉＯ２）もしくは酸化カルシウム（ＣａＯ）が拡散された反射改善層と、から構成される発光素子搭載用セラミック基板、とした。
【０００９】
また、本発明は、セラミック部を形成するための複数枚のセラミック部形成用グリーンシートを準備するセラミック部形成用グリーンシート準備工程と、複数枚の前記セラミック部形成用グリーンシートを積層し、その少なくとも１面に酸化チタン（ＴｉＯ２）もしくは酸化カルシウム（ＣａＯ）を含有する第２の拘束層を積層し、その後、加圧加熱し、第１のグリーンシート積層体を形成する第１のグリーンシート積層体形成工程と、前記第１のグリーンシート積層体を過熱することによって、前記グリーンシート積層体内のバインダー成分を除去する脱バインダー工程と、バインダー成分が除去された第１のグリーンシート積層体を加熱することによって、第１のグリーンシート積層体を焼成する焼成工程と、前記第１のグリーンシート積層体の上下面に配置されている酸化チタン（ＴｉＯ２）もしくは酸化カルシウム（ＣａＯ）を含有する第２の拘束層を除去する拘束層除去工程と、からなるから構成される発光素子搭載用セラミック基板の製造方法、とした。
【００１０】
これにより所期の目的を達成するものである。
【発明の効果】
【００１１】
以上のように本発明は、セラミック部と、 前記セラミック部の少なくとも１面に、酸化チタン（ＴｉＯ２）もしくは酸化カルシウム（ＣａＯ）が拡散された反射改善層と、
から構成される発光素子搭載用セラミック基板、としたので、安価な発光素子搭載用セラミック基板、及び発光素子搭載モジュールを提供することができる。
【００１２】
すなわち、本発明においては、前記セラミック部を焼成する際に、酸化チタン（ＴｉＯ２）成分、もしくは酸化カルシウム（ＣａＯ）成分を前記セラミック部表面に拡散させることによって、酸化チタン（ＴｉＯ２）成分、もしくは酸化カルシウム（ＣａＯ）成分を含有する反射改善層を形成することができるので、反射金属膜を形成する高価な工法（湿式めっき法、乾式めっき法、エッチング等）を使用する必要がなく、その結果として、安価な発光素子搭載用セラミック基板、及び発光素子搭載モジュールを提供することができるのである。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施の形態１における発光素子搭載用セラミック基板の構成を示す断面図
【図２】本発明の実施の形態１における発光素子搭載モジュールの構成を示す断面図
【図３】本発明の実施の形態１における発光素子搭載モジュールの製造方法を示すフローチャート
【図４】本発明の実施の形態１における発光素子搭載用セラミック基板製造工程を示すフローチャート
【図５】本発明の実施の形態１におけるグリーンシートの断面図を示すものであり、図５（ａ）はグリーンシート１１Ａの断面図、図５（ｂ）はグリーンシート１１Ｂの断面図、図５（ｃ）はグリーンシート１１Ｃの断面図
【図６】本発明の実施の形態１の積層工程における積層手順を示す断面図
【図７】本発明の実施の形態１の積層工程における第１のグリーンシート積層体の断面図
【図８】本発明の実施の形態１の積層工程における加圧加熱方法を説明する断面図
【図９】本発明の実施の形態１の脱バインダー工程を説明する断面図
【図１０】本発明の実施の形態１の焼成工程における加圧加熱方法を説明する断面図
【図１１】本発明の実施の形態１の焼成工程後におけるグリーンシート積層体の断面図
【図１２】本発明の実施の形態１の拘束層除去工程後における第１のグリーンシート積層体の断面図
【図１３】本発明の実施の形態１の金属層形成工程後における発光素子搭載用セラミック基板の断面図
【図１４】発明の実施の形態１の金属層加工工程後における発光素子搭載用セラミック基板の断面図
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に、本発明の一実施形態を図面とともに詳細に説明するが、これら実施形態は、本発明を限定するものではない。
（実施の形態１）
［１］発光素子搭載用セラミック基板の構成
まずはじめに、本実施形態における発光素子搭載用セラミック基板の構成に関して説明する。
【００１５】
図１は本発明の実施の形態１における発光素子搭載用セラミック基板の構成を示す断面図である。図１に示すように、セラミック基板１は、セラミック部２と、そのセラミック部２の少なくとも１面（図１中では、上面）に形成された酸化チタン（ＴｉＯ２）が拡散された反射改善層３とから構成されている。
【００１６】
また、本実施形態において、セラミック部２、反射改善層３の厚さは、それぞれ、セラミック部２は０．４０［ｍｍ］、反射改善層３は２．９［ｕｍ］としている。
【００１７】
また、本実施形態におけるセラミック部２は、主成分がセラミックの成分から構成されている。本実施形態におけるセラミック部２は、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）粉末を５５［ｗｔ％］、ガラス粉末を４５［ｗｔ％］の割合で配合したガラス・セラミックの固体成分と、有機溶剤等からなる有機バインダーを、固体成分と有機バインダーとの割合が、固体成分８４：有機バインダー１６の重量比の割合で混合された組成物からなる、シート状の形状のグリーンシートと呼ばれるものを、複数枚（少なくとも２枚以上）積層し、加圧し、その後、９００［℃］にて焼成することによって形成されたものである。さらに、図１に示すように、セラミック部２内部には、内部配線部４、ビア５が形成されている。
【００１８】
また、本実施形態における表面処理層３は、セラミック部２を焼成する際に、酸化チタン（ＴｉＯ２）成分をセラミック部２表面に拡散して形成している。この酸化チタン（ＴｉＯ２）成分をセラミック部２表面に拡散する方法は、後述で詳しく説明する。
なお、本実施形態においては、酸化チタン（ＴｉＯ２）をセラミック部２表面に拡散させることによって、反射改善層３を形成したが、酸化チタン（ＴｉＯ２）の代わりに、酸化カルシウム（ＣａＯ）を拡散させることによって、酸化チタン（ＴｉＯ２）を拡散させた場合と同等の効果を得ることができる。
【００１９】
この発光素子搭載用セラミック基板１上に形成された反射改善層３の少なくとも１面に、発光素子（例えば、ＬＥＤ＝Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ＝発光ダイオード）実装されるのである。
【００２０】
以上が、本実施形態における発光素子搭載用セラミック基板１の構成に関する説明である。
【００２１】
［２］発光素子搭載モジュールの構成
次に、本実施形態における発光素子搭載用セラミック基板１を用いた発光素子搭載モジュールの構成に関して説明する。
【００２２】
図２は、本発明の実施の形態１における発光素子搭載モジュールの構成を示す断面図である。図２に示すように、本実施形態における発光素子搭載モジュール６は、前述の発光素子搭載用セラミック基板１（図１に図示）を用い、その反射改善層３の少なくとも１面（その一例として、図２中では、上面）に、湿式めっき法によって形成された導電性金属からなる第１の金属層７と、その第１の金属層７の表面に、湿式めっき法によって形成された第２の導電性金属からなる第２の金属層８とから構成される外部電極９を有している。この外部電極９上には、発光素子１０が実装されているのである。
【００２３】
また、本実施形態においては、第１の金属層４は、湿式めっき法の一種である無電界めっき法によって銅（Ｃｕ）を形成し、その膜厚は０．５［ｕｍ］（＝５００［ｎｍ］）とした。本実施形態においては、第１の金属層４は、無電界めっき法によって形成された銅（Ｃｕ）を用いたが、その他に、無電界めっき法によって形成されたニッケル−リン（Ｎｉ−Ｐ）や、乾式めっき法の一種であるＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）スパッタ法によって形成されたチタン（Ｔｉ）やニッケル（Ｎｉ）を用いることもできる。
また、本実施形態においては、第２の金属層５は、湿式めっき法の一種である電界めっき法によって銅（Ｃｕ）を形成し、その膜厚は、５０［ｕｍ］としたが、この第２の金属層５は、５［ｕｍ］から１００［ｕｍ］の間の膜厚で、適宜決定を行うことができるが、本実施形態において、第２の金属層５の膜厚は２５［ｕｍ］形成した。また、本実施形態においては、第２の金属層５は、電界めっき法によって形成された銅（Ｃｕ）を用いたが、その他に、無電界めっき法によって形成された金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）を用いることもできる。
【００２４】
以上が、本実施形態における発光素子搭載モジュール６の構成の構成に関する説明である。
【００２５】
［３］発光素子搭載用セラミック基板の製造方法
次に、本実施形態における発光素子搭載モジュールの製造方法に関して説明する。
【００２６】
図３は、本発明の実施の形態１における発光素子搭載モジュールの製造方法を示すフローチャートである。図３に示すように、本実施形態におけるセラミック基板の製造方法は、
Ｓ１：発光素子搭載用セラミック基板製造工程と、
Ｓ２：金属層形成工程と、
Ｓ３：金属層加工工程と、
Ｓ４：発光素子実装工程と、
という４つの工程から構成されるものである。
【００２７】
以下に、Ｓ１〜Ｓ４の製造工程の詳細を説明する。
【００２８】
［２］−（１）： セラミック部準備工程Ｓ１
図４は、本発明の実施の形態１における発光素子搭載用セラミック基板製造工程を示すフローチャートである。図４に示すように、本実施形態における発光素子搭載用セラミック基板製造工程Ｓ１は、
Ｓ１００：セラミック部形成用グリーンシート準備工程と、
Ｓ２００：第１のグリーンシート積層体形成工程と、 
Ｓ３００：脱バインダー工程と、
Ｓ４００：焼成工程と、
Ｓ５００：拘束層除去工程と、
いう５つの工程から構成されるもので、この５つの工程によって、セラミック部２を形成し、さらに、そのセラミック部２の少なくとも片面（セラミック部２の表面、裏面両方でも良い）に、酸化チタン（ＴｉＯ２）が拡散された反射改善層３を形成するのである。
【００２９】
それでは、以下に、この５つの工程の順次説明を行う。
【００３０】
［２］−（１）−（ｉ）：セラミック部形成用グリーンシート準備工程
まずはじめに、図５を用いて、セラミック部２の材料となるグリーンシート１１を準備するセラミック部形成用グリーンシート準備工程Ｓ１００に関して説明する。
【００３１】
図５は、本発明の実施の形態１におけるグリーンシートの断面図を示すものであり、図４（ａ）はグリーンシート９Ａの断面図、図４（ｂ）はグリーンシート９Ｂの断面図、図４（ｃ）はグリーンシート９Ｃの断面図を示すものである。
【００３２】
本実施形態におけるグリーンシート１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃは、アルミナ粉末を５５［ｗｔ％］、ガラス粉末を４５［ｗｔ％］の割合で配合したガラス・セラミックの固体成分と、有機溶剤等からなる有機バインダーを、固体成分と有機バインダーとの割合が、固体成分８４：有機バインダー１６の重量比の割合で混合された組成物をシート状に形成し、その後、乾燥させたものから、図５（ａ）〜図５（ｃ）に示すように、グリーンシート１１Ａ（図５（ａ））、グリーンシート１１Ｂ（図５（ｂ））、グリーンシート１１Ｃ（図５（ｃ））を作成する。
【００３３】
まず、はじめに、図５（ａ）に示すグリーンシート１１Ａに関して説明する。グリーンシート１１Ａには、例えば、レーザー光による加工によってスルーホール（一般には穴とも呼ばれる）を形成し、その後、そのスルーホーに導体ペーストを充填することによって、ビア５を形成する。これにて、グリーンシート１１Ａが完成する。
【００３４】
次に、図５（ｂ）に示すグリーンシート１１Ｂに関して説明する。グリーンシート１１Ｂは、はじめに、グリーンシート１１Ａと同様に、スルーホールを形成し、その後、スルーホールに導体ペーストを充填することによって、ビア５を形成する。次に、グリーンシート１１Ｂ上面に導体ペーストを、スクリーン印刷法を用いて所望のパターンに印刷して内部配線部４を形成する。これにて、グリーンシート１１Ｂが完成する。
【００３５】
次に、図５（ｃ）に示すグリーンシート９Ｃに関して説明する。グリーンシート１１Ｃは、はじめに、グリーンシート１１Ａと同様に、ビア５を形成する。これにて、グリーンシート１１Ｃが完成する。
【００３６】
［２］−（１）−（ｉｉ）：積層工程Ｓ２００
次に、図６、図７、図８を用いて、積層工程Ｓ２００について説明する。
【００３７】
図６は、本発明の実施の形態１の積層工程における積層手順を示す断面図である。また、図７は、本発明の実施の形態１の積層工程における第１のグリーンシート積層体の断面図を示すものである。また、図８は、本発明の実施の形態１の積層工程における加圧加熱方法を説明する断面図を示すものである。
【００３８】
まず、はじめに、図６、図７に示している第１の拘束層１２、第２の拘束層１３に関して説明する。
【００３９】
一般に、アルミナ粉末とガラス粉末を配合したガラス・セラミックの組成物で、シート状の形状のグリーンシートを、高温を印加すると、アルミナ粉末とガラス粉末が焼成することによって、そのグリーンシートの体積（平面方向、および厚さ方向）に収縮する。
【００４０】
本実施形態においても、本工程である積層工程Ｓ２００、次の工程である脱バインダー工程Ｓ３００、次々工程である焼成工程Ｓ４００にて、第１のグリーンシート積層体１４を、熱を印加するのであるが、その際、図６に示すように、それらグリーンシート１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃを挟み込むように、印加する温度では焼成しない成分のセラミックからなる第１の拘束層１２、第２の拘束層１３を上下面に配置しておく。こうすることによって、グリーンシー１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃは、図６中に示す、Ｘ方  向、およびＹ方向（すなわち、第１のグリーンシート積層体１４の平面方向）には収縮せず、Ｚ方向（すなわち、第１のグリーンシート積層体１４の厚さ方向）にのみ収縮する。このＸ方向、Ｙ方向に収縮させないために、この第１の拘束層１２、第２の拘束層１３を使用するのである。
【００４１】
ここで、第１の拘束層１２と第２の拘束層１３の違いに関して説明する。
【００４２】
本実施形態においては、第１の拘束層１２は、アルミナ粉末の固体成分と、有機溶剤等からなる有機バインダーを、固体成分と有機バインダーとの割合が、固体成分８４：有機バインダー１６の重量比の割合で混合された組成物をシート状に形成し、その後、乾燥させたものを用いた。
【００４３】
また、本実施形態においては、第２の拘束層１３は、アルミナ粉末を９５［ｗｔ％］、酸化チタン（ＴｉＯ２）を５［ｗｔ％］の割合で配合したガラス・セラミックの固体成分と、有機溶剤等からなる有機バインダーを、固体成分と有機バインダーとの割合が、固体成分８４：有機バインダー１６の重量比の割合で混合された組成物をシート状に形成したものを用いた。
【００４４】
即ち、第１の拘束層１２はアルミナ製シートであり、第２の拘束層１３は、微量のチタンを含有させたアルミナ製シートである。
【００４５】
この第１の拘束層１２は発光素子搭載用セラミック基板１の発光素子１０を実装しない側の最外面（図６、図７では、下面）に配置し、第２の拘束層１３は発光素子搭載用セラミック基板１の発光素子１０を実装する側の最外面（図６、図７では、上面）に配置する。
【００４６】
即ち、図６、図７に示すように、第１のグリーンシート積層体１４において、微量のチタンを含有させたアルミナ製シート（第２の拘束層１３）を、発光素子搭載用セラミック基板１の発光素子１０を実装する面側の最外面に配置するのである。こうすることによって、この後工程の焼成工程Ｓ４００にて、発光素子搭載用セラミック基板１の発光素子１０を実装する面上に酸化チタン（ＴｉＯ２）が拡散される、即ち、酸化チタン（ＴｉＯ２）が拡散された反射改善層３を形成することができるのである。
なお、本実施形態においては、発光素子１０を実装する面は、図２に示すように、上面であるので、第２の拘束層１３（＝チタンを含有させたアルミナ製シート）は、図６、図７における上面のみに配置したが、たとえば、発光素子１０を発光素子搭載用セラミック基板の両面に実装する場合は、この第２の拘束層１３（＝チタンを含有させたアルミナ製シート）を両面に配置すればよい。
【００４７】
次に、図６を用いて、グリーンシート１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃを積層し、その最も下の面に第１の拘束層１２を配置し、その最も上の面に第２の拘束層１３を配置した、第１のグリーンシート積層体１４を準備する方法を説明する。
【００４８】
まず、第１の拘束層１２上に、グリーンシート１１Ｃを積層する。次に、グリーンシート１１Ｃ上にグリーンシート１１Ｂを、グリーンシート１１Ａに形成されているビア５と、グリーンシート１１Ｂに形成されているビア５の位置が合うように位置合わせを実施しながら積層する。
【００４９】
次に、グリーンシート１１Ｂ上のグリーンシート１１Ａを積層する。最後に、グリーンシート１１Ａ上に、第２の拘束層１３を配置する。
【００５０】
このようにして、図７に示すような、第１のグリーンシート積層体１４が準備されるのである。
【００５１】
次に、図８に示すように、第１のグリーンシート積層体１４の上下面にステンレス板１５を配置し、それを台座１６上に配置し、その上面から加圧加熱をすることによって、第１のグリーンシート積層体１４中のグリーンシート１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ同士を仮接着する。
【００５２】
ここで、図８中の第１のグリーンシート積層体１４は、図７中の第１のグリーンシート積層体１４と同一のものであるが、図８中の第１のグリーンシート積層体１４は簡略化して図示している。
【００５３】
また、本実施形態において、第１のグリーンシート積層体１４上のステンレス板１５上から加圧した圧力は１５．２［ＭＰａ］とし、加熱温度は８５［℃］を用いた。このようにして、第１のグリーンシート積層体１４中のグリーンシート１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ同士を仮接着する。
【００５４】
なお、第１のグリーンシート積層体１４と、第１のグリーンシート積層体１４の上下面に配置したステンレス板１５とは、ステンレス板１５の材質がニッケルクロム合金（ＮｉＣｒ）であるため接着されることはない。
【００５５】
［２］−（１）−（ｉｉｉ）：脱バインダー工程Ｓ３００
次に、図９を用いて、脱バインダー工程Ｓ３００について説明する。
【００５６】
図９は、本発明の実施の形態１の脱バインダー工程を説明する断面図を示すものである。
【００５７】
この工程では、図９に示すように、第１のグリーンシート積層体１４を台座１７上に配置し、加熱をすることによって、第１のグリーンシート積層体１４中のグリーンシート１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ内部の有機バインダーを除去する。
【００５８】
本実施形態において、第１のグリーンシート積層体１４は、加熱温度は６５０［℃］にて加熱を行った。このようにして、第１のグリーンシート積層体１４中のグリーンシート１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃ内部の有機バインダーを除去する。
【００５９】
［２］−（１）−（ｉｖ）：焼成工程Ｓ４００
次に、図１０を用いて、焼成工程Ｓ４００について説明する。
【００６０】
図１０は、本発明の実施の形態１の焼成工程における加圧加熱方法を説明する断面図を示すものである。また、図１１は、本発明の実施の形態１の焼成工程後におけるグリーンシート積層体の断面図を示すものである。
【００６１】
第１のグリーンシート積層体１４を台座１５上に配置し、加熱をすることによって、第１のグリーンシート積層体１４を焼成する。
本実施形態において、この加熱温度は９００［℃］を用いた。
【００６２】
このようにして、この焼成工程後、図１１に示すように、第１のグリーンシート積層体１４は、その厚さ方向に収縮するのである。
【００６３】
また、この焼成工程Ｓ４００を実施することによって、グリーンシート１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃがセラミック部２となるのである。
【００６４】
更に、この焼成工程Ｓ４００を実施することによって、第２の拘束層１３とグリーンシート１１Ａとの界面Ｅでは、第２の拘束層１３の成分である酸化タンタル（ＴｉＯ２）のタンタル（Ｔａ）成分が拡散し、この界面Ｅに反射改善層３が形成されるのである。
【００６５】
［２］−（１）−（ｖ）：拘束層除去工程Ｓ５００
次に、サンドブラスター工程Ｓ５００について説明する。
【００６６】
この工程では、サンドブラスター法（例えば、特許文献である国際公開第１９９９／５６５１０号を参照）を用いて、第１のグリーンシート積層体１４の上面と下面の第１の拘束層１２、第２の拘束層１３を除去する。
【００６７】
本実施形態においては、水９６ｇと平均粒径０．１〜１０ｕｍのアルミナ粉末４ｇの割合の混合物を、圧力０．４［ＭＰａ］の圧縮空気にて、第１のグリーンシート積層体１４の上下面の第１の拘束層１２上、及び第２の拘束層１３上から吹き付ける。
図１２は、本発明の実施の形態１の拘束層除去工程後における第１のグリーンシート積層体１４の断面図を示すものである。
【００６８】
このように、水９６ｇと平均粒径０．１〜１０ｕｍのアルミナ粉末４ｇの割合の混合物を、圧力０．４［ＭＰａ］の圧縮空気にて、グリーンシート積層体１１の上下面の拘束層２３上から吹き付ける作業を行うことによって、アルミナ部２上に、０．１ｕｍ以上（アルミナ粉末の最小の平均粒径）、３０ｕｍ以下（アルミナ粉末の最大の平均粒径）の反射改善層３を形成することができる。この反射改善層３の厚さは、この吹き付ける作業（吹き付け時間）を調整することによって調整可能である。本実施形態においては、前述の［１］で説明したように、反射改善層３が２．９ｕｍになるように、吹き付け時間を調整した。
【００６９】
以上のように、本実施形態における発光素子搭載用セラミック基板製造工程Ｓ１は、図４に示す、セラミック部形成用グリーンシート準備工程Ｓ１００、第１のグリーンシート積層体形成工程Ｓ２００、脱バインダー工程Ｓ３００、焼成工程Ｓ４００、拘束層除去工程Ｓ５００という５つの工程を実施することによって、セラミック部２を準備するとともに、このセラミック部２上に、酸化チタン（ＴｉＯ２）もしくは酸化カルシウム（ＣａＯ）が拡散された反射改善層３を形成する、即ち、本実施形態における発光素子搭載用セラミック基板１を形成することができるのである。
【００７０】
［２］−（２）：金属層形成工程Ｓ２
次に、図３中の金属層形成工程Ｓ２に関して説明する。
【００７１】
図１３は、本発明の実施の形態１の金属層形成工程後における発光素子搭載用セラミック基板の断面図を示すものである。
金属層形成工程Ｓ２においては、前述の発光素子搭載用セラミック基板１の反射改善層３上に、第１の金属層７と第２の金属層を形成する。
【００７２】
まずはじめに、前処理として、セラミック部２上のアルミナ点在層３の表面に付着している異物及び油分などを除去する。この前処理は、本発明に必須の工程ではなく、ポセラミック部２上の反射改善層３の表面がきれいな状態であれば不要である。次に、セセラミック部２上の反射改善層３の表面を、金属触媒を含む水溶液に接触させる。この金属触媒としては、第１の金属層４を形成するための触媒となり得るもの、例えばパラジウム（Ｐｄ）触媒、銅（Ｃｕ）触媒等を用いることができる。本実施形態においては、銅（Ｃｕ）触媒を用いた。また、触媒付与工程における触媒の濃度、処理時間、温度等の諸条件は、適宜変更可能である。こうして、反射改善層３の表面に、これら金属触媒（本実施形態においては銅（Ｃｕ）触媒）が結合する。
【００７３】
次に、無電界めっき法によって第１の金属層７を形成するが、このとき無電解めっき液に含まれる還元成分により、反射改善層３の表面の金属触媒が還元されるため、触媒作用が働き、触媒金属を核として、無電解めっき膜が形成される。本実施形態においては、前述のように、無電界めっき法によって、銅（Ｃｕ）を形成した。また、この第１の金属層７の膜厚は、前述のように、０．５［ｕｍ］（５００［ｎｍ］）を用いた。
【００７４】
次に、この第１の金属層７の表面に、電界めっき法によって、第２の金属層８を形成する。本実施形態においては、上述したように、第２の金属層として銅（Ｃｕ）を用いた。また、この第２の金属層７の膜厚は、前述のように、２５［ｕｍ］を用いた。
このようにして、図１３に示すように、発光素子搭載用セラミック基板１の反射改善層３上に、第１の金属層７と第２の金属層８を形成することができるのである。
【００７５】
［２］−（３）：金属層加工工程Ｓ３
次に、図３中の金属層加工工程Ｓ３に関して説明する。
【００７６】
図１４は、本発明の実施の形態１の金属層加工工程後における発光素子搭載用セラミック基板の断面図を示すものである。
【００７７】
金属層加工工程Ｓ３においては、第１の金属層７、及び第２の金属層８を加工し、図１に示すような、外部電極９を形成する。本実施形態においては、必要な第１の金属層７、及び第２の金属層８上にレジストを塗布し、その後、エッチングを行うことによって、外部電極９を形成した。
【００７８】
このようにして、図１４に示すように、第１の金属層７、及び第２の金属層８を加工し、発光素子搭載用セラミック基板上に外部電極９を形成することができるのである。
【００７９】
［２］−（４）：発光素子実装工程Ｓ４
次に、図３中の発光素子実装工程Ｓ４に関して説明する。
【００８０】
金属層加工工程Ｓ３においては、発光素子搭載用セラミック基板１上の外部電極９上に発光素子１０を実装（電気的に接続）する。
【００８１】
この発光素子実装工程Ｓ４を実施し、発光素子搭載用セラミック基板１上の外部電極９上に発光素子１０を実装（電気的に接続）することによって、図２に示すような、本実施形態における発光素子搭載モジュール６を製造することができるのである。
以上のように、本実施形態においては、発光素子搭載用セラミック基板製造工程Ｓ１と、金属層形成工程Ｓ２と、金属層加工工程Ｓ３と、発光素子実装工程Ｓ４と、いう４つの工程を実施することによって、図２に示すような、発光素子搭載モジュール６を製造することができるのである。
【００８２】
［３］本発明の一実施形態における発明の効果
次に、本発明の一実施形態の発明の効果に関して説明する。
従来の発光素子搭載用セラミック基板（セラミック部２上に反射改善層３が形成されていないもの）の表面の反射率：７４．９［％］であった。
【００８３】
一方、本実施形態における発光素子搭載用セラミック基板（セラミック部２上に酸化チタン（ＴｉＯ２）が拡散された反射改善層３を形成しているもの）の表面の反射率は、９０.３［％］であった。
【００８４】
以上のように、セラミック部２上に酸化チタン（ＴｉＯ２）が拡散された反射改善層３を形成することによって、発光素子搭載用セラミック基板の表面の反射率が向上していることが確認できた。
【００８５】
また、セラミック部２上に、酸化チタン（ＴｉＯ２）の代わりに酸化カルシウム（ＣａＯ）を拡散された反射改善層３が形成された発光素子搭載用セラミック基板の場合も、表面の反射率は９０．８［％］と、酸化チタン（ＴｉＯ２）が拡散された反射改善層３を形成したものと同様に、発光素子搭載用セラミック基板の表面の反射率が向上していることを確認している。
【００８６】
以上のように、この発光素子搭載用セラミック基板の表面の反射率の向上は、酸化チタン（ＴｉＯ２）成分、もしくは酸化カルシウム（ＣａＯ）成分を前記セラミック部表面に拡散させることによって、酸化チタン（ＴｉＯ２）成分、もしくは酸化カルシウム（ＣａＯ）成分が、この表面の反射率の向上に寄与していると考えられる。
［４］まとめ
以上のように、本実施形態においては、セラミック部２と、 セラミック部２の少なくとも１面に、酸化チタン（ＴｉＯ２）もしくは酸化カルシウム（ＣａＯ）が拡散された反射改善層３と、から構成される発光素子搭載用セラミック基板１としたので、安価な発光素子搭載用セラミック基板１、及び発光素子搭載モジュール６を提供することができる。
【００８７】
すなわち、本発明においては、セラミック部２を焼成する際に、酸化チタン（ＴｉＯ２）成分、もしくは酸化カルシウム（ＣａＯ）成分を、セラミック部２表面に拡散させることによって、酸化チタン（ＴｉＯ２）成分、もしくは酸化カルシウム（ＣａＯ）成分を含有する反射改善層３を形成することができるので、先行技術文献に示すような反射金属膜を形成する高価な工法（湿式めっき法、乾式めっき法、エッチング等）を使用する必要がなく、その結果として、安価な発光素子搭載用セラミック基板１、及び発光素子搭載モジュール６を提供することができるのである。
【産業上の利用可能性】
【００８８】
本発明にかかるセラミック基板は、安価な発光素子搭載用セラミック基板、及び発光素子搭載モジュールを提供することができるので、特に、最近普及の進んでいる液晶テレビや携帯電話の液晶画面用のバックライト向けＬＥＤ用基板として用いられるセラミック多層基板として用いられることが大いに期待されるものとなる。
【符号の説明】
【００８９】
１  セラミック基板
２  セラミック部
３  反射改善層
４  内部配線部
５  ビア
６  発光素子搭載モジュール
７  第１の金属層
８  第２の金属層
９  外部電極
１０  発光素子
１１Ａ、１１Ｂ、１１Ｃグリーンシート
１２  第１の拘束層
１３  第２の拘束層
１４  第１のグリーンシート積層体
１５  ステンレス板
１６、１７、１８  台座
Ｓ１  発光素子搭載用セラミック基板製造工程
Ｓ２  金属層形成工程
Ｓ３  金属層加工工程
Ｓ４  発光素子実装工程
Ｓ１００  セラミック部形成用グリーンシート準備工程
Ｓ２００  第１のグリーンシート積層体形成工程
Ｓ３００  脱バインダー工程
Ｓ４００  焼成工程
Ｓ５００  拘束層除去工程
Ｅ  第２の拘束層とグリーンシートとの界面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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