(57)【要約】【課題】コア層に空洞（ｃａｖｉｔｙ）を形成し、形成された空洞に半導体チップを内装して、厚さを減らすことができるようにした埋め込みボールグリッドアレイ基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁物質で形成されて内部に空洞１１０ａａを備えているコア層１１０；コア層１１０の空洞１１０ａａに実装されて内装される半導体素子１２０；コア層１１０の一面に形成されていて、ワイヤボンディングパッド１４０ａａを含んだ回路パターンが形成されている第１回路層１４０ａ；コア層１１０の他面に形成されていて、半田ボールパッド１４０ｂａを含んだ回路パターンが形成されている第２回路層１４０ｂ；及び半導体素子１２０とワイヤボンディングパッド１４０ａａを電気的に連結するワイヤ１６０を含むものである。【選択図】図２
2012060096.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁物質で形成されて内部に空洞を備えているコア層；
コア層の空洞に実装されて内装される半導体素子；
コア層の一面に形成されていて、ワイヤボンディングパッドを含んだ回路パターンが形成されている第１回路層；
コア層の他面に形成されていて、半田ボールパッドを含んだ回路パターンが形成されている第２回路層；及び
半導体素子とワイヤボンディングパッドを電気的に連結するワイヤを含む埋め込みボールグリッドアレイ基板。
【請求項２】
絶縁物質で形成されて、半導体素子を囲むように形成されて半導体素子が固定されるように支持する支持層をさらに含む請求項１に記載の埋め込みボールグリッドアレイ基板。
【請求項３】
前記コア層は、
一面が前記第１回路層と接していて、内部に空洞を備え、備えられた空洞に半導体素子が実装されて内装された第１絶縁層；及び
絶縁物質で形成されて、一面が第１絶縁層と接していて他面は第２回路層と接している第２絶縁層を含む請求項１に記載の埋め込みボールグリッドアレイ基板。
【請求項４】
前記コア層を貫通して、第１回路層と第２回路層の電気的接続を提供するビアホールをさらに含む請求項１に記載の埋め込みボールグリッドアレイ基板。
【請求項５】
第１回路層の一面に積層された第１半田レジスト；
第２回路層の一面に積層された第２半田レジスト；及び
第１半田レジスト層を覆っているモールディング層をさらに含む請求項１に記載の埋め込みボールグリッドアレイ基板。
【請求項６】
（Ａ）第１絶縁層の両面に銅箔が形成された銅箔積層板を準備して空洞を形成した後、一面の銅箔を除去する段階；
（Ｂ）前記銅箔積層板の銅箔が除去された面の反対面に耐熱テープを付着する段階；
（Ｃ）前記銅箔積層板の空洞に半導体素子を実装して、銅箔が除去された面に第２絶縁層と銅箔を積層する段階；
（Ｄ）前記第１絶縁層に接する銅箔にワイヤボンディングパッドを含んだ回路パターンが形成された第１回路層を、そして第２絶縁層に接する銅箔に半田ボールパッドが含まれた回路パターンを形成する段階；及び
（Ｅ）前記半導体素子とワイヤボンディングパッドをワイヤでボンディングして電気的接続を提供する段階を含む埋め込みボールグリッドアレイ基板の製造方法。
【請求項７】
前記（Ｃ）段階の後に、
（Ｆ）前記第１絶縁層と第２絶縁層を貫通してビアホールを形成する段階をさらに含む請求項６に記載の埋め込みボールグリッドアレイ基板の製造方法。
【請求項８】
前記（Ｄ）段階の後に、
（Ｇ）第１回路層に第１半田レジストを積層し、第２回路層に第２半田レジストを積層する段階；
（Ｈ）前記第１半田レジストに第１回路層のワイヤボンディングパッドに対応される位置にホールを形成する段階；及び
（Ｉ）前記第２半田レジストに第２回路層の半田ボールパッドに対応される位置にホールを形成する段階をさらに含む請求項６に記載の埋め込みボールグリッドアレイ基板の製造方法。
【請求項９】
前記（Ｂ）段階の耐熱テープは、ポリイミドフィルムであることを特徴とする請求項６に記載の埋め込みボールグリッドアレイ基板の製造方法。
【請求項１０】
前記（Ｃ）段階は、
（Ｃ−１）前記銅箔積層板の空洞に半導体素子を実装する段階；
（Ｃ−２）前記銅箔が除去された面に第２絶縁層を積層する段階；
（Ｃ−３）前記第２絶縁層に銅箔をキャリアを用いて積層する段階；及び
（Ｃ−４）前記キャリアを除去する段階を含む請求項６に記載の埋め込みボールグリッドアレイ基板の製造方法。
【請求項１１】
前記（Ｄ）段階は、
（Ｄ−１）前記第１絶縁層に接する銅箔と第２絶縁層に接する銅箔にドライフィルムを積層する段階；
（Ｄ−２）第１絶縁層に接する銅箔に積層された第１ドライフィルムにワイヤボンディングパッドを含んだ第１回路層の回路パターンに対応されるパターンを形成し、第２絶縁層に接する銅箔に積層された第２ドライフィルムに半田ボールパッドが含まれた第２回路層の回路パターンに対応されるパターンを形成する段階；及び
（Ｄ−３）前記第１ドライフィルムと第２ドライフィルムのパターンによって銅箔をエッチングして、ワイヤボンディングパッドと半田ボールパッドを含む回路パターンが形成された第１回路層と第２回路層を完成する段階を含む請求項６に記載の埋め込みボールグリッドアレイ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、埋め込みボールグリッドアレイ基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子産業が発展するにつれて半導体集積回路（ＩＣ）の集積度が急激に増加するようになった。移動通信分野の携帯用端末機は、初期には音声通話、ショートメッセージ送信等のサービスに限定されていたが、最近はゲーム、データ送信、デジタルカメラ、音楽／動画ファイルの再生など、基本的な通信機能からマルチメディアサービス領域へと徐々に拡大されている。
【０００３】
一方、移動通信の機能を遂行する携帯用端末機の携帯性を考慮して端末機の小型化、軽量化は必須的に求められている。
【０００４】
回路装置の集積度の向上のために、ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ：ｂａｌｌ  ｇｒｉｄ  ａｒｒａｙ）方式のパッケージング技術とランドグリッドアレイ（ＬＧＡ：ｌａｎｄ  ｇｒｉｄ  ａｒｒａｙ）方式のパッケージング技術がある。
【０００５】
ＢＧＡ方式のパッケージング技術は、半田ボール（ｓｏｌｄｅｒ  ｂａｌｌ）を融着させて半導体集積回路がモールディングされたチップを基板に結合させる技術であり、融着された半田ボールは半導体集積回路の入出力端子として用いられる。この際、半田ボールを融着せずに基板上に提供される半田パッドで半導体集積回路の入出力端子を構成する技術がＬＧＡ方式のパッケージング技術である。
【０００６】
図１は、従来技術によるパッケージング方式を示す。
【０００７】
図１は、基板上に樹脂モールディングし、ボールグリッドアレイ方式でパッケージングした構造の断面図である。
【０００８】
ここでは、基板１１上に集積回路及び受動素子１２を実装し、前記受動素子を覆うモールディング部１５を形成した。前記モールディング部１５は、外部環境や影響から実装素子１２を保護する機能をして、また、実装素子１２を基板１１上に堅固に固定させることができる。
【０００９】
このような場合、基板の一面に集積回路及び受動素子が実装されるため、体積の減少に限界がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上述のような従来技術の問題点を解決するために導き出されたものであり、コア層に空洞（ｃａｖｉｔｙ）を形成し、形成された空洞に半導体チップを内装して、厚さを減らすことができるようにした埋め込みボールグリッドアレイ基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述のような目的を果たすための本発明は、絶縁物質で形成されて内部に空洞を備えているコア層；コア層の空洞に実装されて内装される半導体素子；コア層の一面に形成されていて、ワイヤボンディングパッドを含んだ回路パターンが形成されている第１回路層；コア層の他面に形成されていて、半田ボールパッドを含んだ回路パターンが形成されている第２回路層；及び半導体素子とワイヤボンディングパッドを電気的に連結するワイヤを含むことを特徴とする。
【００１２】
また、本発明は、絶縁物質で形成されて、半導体素子を囲むように形成されて半導体素子が固定されるように支持する支持層をさらに含むことを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の前記コア層は、一面が前記第１回路層と接していて、内部に空洞を備え、備えられた空洞に半導体素子が実装されて内装された第１絶縁層；及び絶縁物質で形成されて、一面が第１絶縁層と接していて他面は第２回路層と接している第２絶縁層を含むことを特徴とする。
【００１４】
また、本発明は、前記コア層を貫通して、第１回路層と第２回路層の電気的接続を提供するビアホールをさらに含むことを特徴とする。
【００１５】
また、本発明は、第１回路層の一面に積層された第１半田レジスト；第２回路層の一面に積層された第２半田レジスト；及び第１半田レジスト層を覆っているモールディング層をさらに含むことを特徴とする。
【００１６】
また、本発明は、（Ａ）第１絶縁層の両面に銅箔が形成された銅箔積層板を準備して空洞を形成した後、一面の銅箔を除去する段階；（Ｂ）前記銅箔積層板の銅箔が除去された面の反対面に耐熱テープを付着する段階；（Ｃ）前記銅箔積層板の空洞に半導体素子を実装して、銅箔が除去された面に第２絶縁層と銅箔を積層する段階；（Ｄ）前記第１絶縁層に接する銅箔にワイヤボンディングパッドを含んだ回路パターンが形成された第１回路層を、そして第２絶縁層に接する銅箔に半田ボールパッドが含まれた回路パターンを形成する段階；及び（Ｅ）前記半導体素子とワイヤボンディングパッドをワイヤでボンディングして電気的接続を提供する段階を含むことを特徴とする。
【００１７】
また、本発明は、前記（Ｃ）段階の後に、（Ｆ）前記第１絶縁層と第２絶縁層を貫通してビアホールを形成する段階をさらに含むことを特徴とする。
【００１８】
また、本発明は、前記（Ｄ）段階の後に、（Ｇ）第１回路層に第１半田レジストを積層し、第２回路層に第２半田レジストを積層する段階；（Ｈ）前記第１半田レジストに第１回路層のワイヤボンディングパッドに対応される位置にホールを形成する段階；及び（Ｉ）前記第２半田レジストに第２回路層の半田ボールパッドに対応される位置にホールを形成する段階をさらに含むことを特徴とする。
【００１９】
また、本発明の前記（Ｂ）段階の耐熱テープは、ポリイミドフィルムであることを特徴とする。
【００２０】
また、本発明の前記（Ｃ）段階は、（Ｃ−１）前記銅箔積層板の空洞に半導体素子を実装する段階；（Ｃ−２）前記銅箔が除去された面に第２絶縁層を積層する段階；（Ｃ−３）前記第２絶縁層に銅箔をキャリアを用いて積層する段階；及び（Ｃ−４）前記キャリアを除去する段階を含むことを特徴とする。
【００２１】
また、本発明の前記（Ｄ）段階は、（Ｄ−１）前記第１絶縁層に接する銅箔と第２絶縁層に接する銅箔にドライフィルムを積層する段階；（Ｄ−２）第１絶縁層に接する銅箔に積層された第１ドライフィルムにワイヤボンディングパッドを含んだ第１回路層の回路パターンに対応されるパターンを形成し、第２絶縁層に接する銅箔に積層された第２ドライフィルムに半田ボールパッドが含まれた第２回路層の回路パターンに対応されるパターンを形成する段階；及び（Ｄ−３）前記第１ドライフィルムと第２ドライフィルムのパターンによって銅箔をエッチングして、ワイヤボンディングパッドと半田ボールパッドを含む回路パターンが形成された第１回路層と第２回路層を完成する段階を含むことを特徴とする。
【００２２】
本発明の特徴及び利点は、添付図面に基づいた以下の詳細な説明によってさらに明らかになるであろう。
【００２３】
本発明の詳細な説明に先立ち、本明細書及び請求範囲に用いられた用語や単語は、通常的かつ辞書的な意味に解釈されてはならず、発明者が自らの発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則にしたがって本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されるべきである。
【発明の効果】
【００２４】
上述のような本発明によると、半導体素子とワイヤボンディングパッド間をワイヤで連結することにより、内臓部品の連結状態を肉眼で検査可能であるため、連結信頼性を高めることができる。
【００２５】
また、本発明によると、半導体素子とボンディングパッドをワイヤで連結して微細回路パターンの形成を可能にする効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】従来技術によるパッケージング方式を示した図面である。
【図２】本発明の第１実施例による埋め込みボールグリッドアレイ基板の構造図である。
【図３】本発明の第１実施例による埋め込みボールグリッドアレイ基板の製造方法を示した断面図（１）である。
【図４】本発明の第１実施例による埋め込みボールグリッドアレイ基板の製造方法を示した断面図（２）である。
【図５】本発明の第１実施例による埋め込みボールグリッドアレイ基板の製造方法を示した断面図（３）である。
【図６】本発明の第１実施例による埋め込みボールグリッドアレイ基板の製造方法を示した断面図（４）である。
【図７】本発明の第１実施例による埋め込みボールグリッドアレイ基板の製造方法を示した断面図（５）である。
【図８】本発明の第１実施例による埋め込みボールグリッドアレイ基板の製造方法を示した断面図（６）である。
【図９】本発明の第１実施例による埋め込みボールグリッドアレイ基板の製造方法を示した断面図（７）である。
【図１０】本発明の第１実施例による埋め込みボールグリッドアレイ基板の製造方法を示した断面図（８）である。
【図１１】本発明の第１実施例による埋め込みボールグリッドアレイ基板の製造方法を示した断面図（９）である。
【図１２】本発明の第１実施例による埋め込みボールグリッドアレイ基板の製造方法を示した断面図（１０）である。
【図１３】本発明の第１実施例による埋め込みボールグリッドアレイ基板の製造方法を示した断面図（１１）である。
【図１４】本発明の第１実施例による埋め込みボールグリッドアレイ基板の製造方法を示した断面図（１２）である。
【図１５】本発明の第１実施例による埋め込みボールグリッドアレイ基板の製造方法を示した断面図（１３）である。
【図１６】本発明の第１実施例による埋め込みボールグリッドアレイ基板の製造方法を示した断面図（１４）である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
本発明の目的、特定の長所及び新規の特徴は、添付図面に係る以下の詳細な説明および好ましい実施例によってさらに明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際し、同一の構成要素に限っては、たとえ異なる図面に示されても、できるだけ同一の番号を付けるようにしていることに留意しなければならない。また、本発明の説明において、係わる公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要にぼかす可能性があると判断される場合は、その詳細な説明を省略する。
【００２８】
以下、添付の図面を参照して、本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。
【００２９】
図２は、本発明の第１実施例による埋め込みボールグリッドアレイ基板の構造図である。
【００３０】
図２を参照すると、本発明の第１実施例による埋め込みボールグリッドアレイ基板は、絶縁物質で形成され、内部に空洞１１０ａａを備えているコア層１１０と、コア層１１０の空洞１１０ａａに実装されて内装される半導体素子１２０と、絶縁物質で形成され、半導体素子１２０を囲むように形成されて半導体素子１２０が固定されるように支持する支持層１３０と、コア層１１０の上部に形成されていてワイヤボンディングパッド１４０ａａを含んだ回路パターンが形成されている第１回路層１４０ａと、コア層１１０の下部に形成されていて半田ボールパッド１４０ｂａを含んだ回路パターンが形成されている第２回路層１４０ｂと、コア層１１０の上下部面を電気的に連結するビアホール１５０と、半導体素子１２０とワイヤボンディングパッド１４０ａａを電気的に連結するワイヤ１６０と、第１回路層１４０ａの上部に積層された第１半田レジスト層１７０ａと、第２回路層１４０ｂの下部に積層された第２半田レジスト層１７０ｂ、及び第１半田レジスト層１７０ａを覆っているモールディング層１８０を備えている。
【００３１】
ここで、コア層１１０は、絶縁物質で形成された２個の絶縁層１１０ａ、１１０ｂからなっている。
【００３２】
前記第１絶縁層１１０ａは、一面が第１回路層１４０ａと接していて内部に空洞１１０ａａを備え、備えられた空洞１１０ａａに半導体素子１２０が実装されて内装される。
【００３３】
そして、第２絶縁層１１０ｂは、絶縁物質で形成され、一面が第１絶縁層１１０ａと接していて他面は、第２回路層１４０ｂと接している。
【００３４】
このような第１絶縁層１１０ａと第２絶縁層１１０ｂは、互いに同一の物質で形成することもでき、異なる物質で形成することもできる。
【００３５】
一方、このようなコア層１１０の一面には、半田ボールパッド１４０ｂａに接続された半田ボール１９０がアレイ形状に配列されていて、このような半田ボール１９０を通じて母基板（未図示）に実装される。
【００３６】
前記半田ボール１９０が半田ボールパッド１４０ｂａに接続される時、Ｎｉ／Ａｕめっき層１４０ｂｂを間に置いて接続することができる。
【００３７】
次に、コア層１１０に実装される半導体素子１２０は、例えば、トランジスター、ダイオード、ＩＣチップなどである。
【００３８】
このような半導体素子１２０は、コア層１１０の上部に形成された第１回路層１４０ａのワイヤボンディングパッド１４０ａａにワイヤ１６０を通じて接続される。
【００３９】
このような半導体素子１２０を囲むように支持層１３０が形成されていて、このような支持層１３０は、前記第２絶縁層１１０ｂの絶縁物質と同一の物質であることが好ましい。
【００４０】
そして、前記半田レジスト層１７０ａ、１７０ｂは、第１回路層１４０ａまたは第２回路層１４０ｂに積層され、ワイヤボンディングパッド１４０ａａや半田ボールパッド１４０ｂａのためにウィンドウが形成されている。
【００４１】
次に、モールディング層１８０は、上部の半田レジスト層１７０ａに形成されて外部環境や影響から半導体素子１２０を保護する機能をし、また半導体素子１２０をコア層１１０上に堅固に固定されるようにする。
【００４２】
このようなモールディング層１８０は、加熱することによって軟化する材料であれば、どのものでも用いることができる。一例として、モールディング層１８０の材料には、エポキシ樹脂、ＢＴレジンなどのメラミン誘導体、液晶ポリマー、ＰＰＥ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、ポリアミドビスマレイミドなどを用いることができる。また、モールディング層１８０は、フィラーまたは繊維などの充填剤を含むことができる。
【００４３】
一方、本発明の第１実施例によるボールグリッドアレイ基板は、コア層１１０の上部に一つの回路層１４０ａのみが形成されているが、その上に絶縁層と回路層を連続的に積層して、複数の回路層を備えた基板を形成することができる。
【００４４】
図３から図１６は、本発明の第１実施例による埋め込みボールグリッドアレイ基板の製造方法の工程図である。
【００４５】
図３を参照すると、本発明の第１実施例による埋め込みボールグリッドアレイ基板の製造方法は、まず第１絶縁層２００に銅箔２１０ａ、２１０ｂが積層された銅箔積層原板（ＣＣＬ：ｃｏｐｐｅｒ  ｃｌａｄｄｅｄ  ｌａｍｉｎａｔｅ）を準備する。
【００４６】
ここで、銅箔積層板の種類には、その用途によって、ガラス／エポキシ銅箔積層板、耐熱樹脂銅箔積層板、紙／フェノール銅箔積層板、高周波用銅箔積層板、フレキシブル銅箔積層板（ポリイミドフィルム）及び複合銅箔積層板など、様々銅箔積層板があるが、両面印刷回路基板及び多層印刷回路基板の製作には、ガラス／エポキシ銅箔積層板が主に用いられる。
【００４７】
そして、図４に図示されたように、第１絶縁層２００の内部に空洞２２０を形成し、何れか一方の銅箔（ここでは上部銅箔２１０ａ）を除去する。ここで、空洞２２０を形成する方法としては、パンチングまたはドリルビットで形成することができる。
【００４８】
その後、図５に図示されたように、空洞２２０が形成された第１絶縁層２００の一面に耐熱テープ２３０を積層する。ここで、耐熱テープ２３０は、熱に対して鈍感な様々な素材が用いられることができるが、好ましくはポリイミドフィルムが用いられることができる。
【００４９】
次に、図６に図示されたように、空洞２２０に半導体素子２４０を実装する。この際、半導体素子２４０が後の工程で第１絶縁層２００の耐熱テープ２３０と接する面に形成されるワイヤボンディングパッドとワイヤによって電気的接続が可能であるように、半導体素子２４０のワイヤボンディングパッドが耐熱テープ２３０に向けるようにして実装する。
【００５０】
そして、図７に図示されたように、半導体素子２４０を覆うように第２絶縁層２５０ｂを積層し、その上に銅箔２６０を積層した後、図８に図示されたように圧着する。
【００５１】
ここで、第２絶縁層２５０ｂは、プリプレグであることが好ましく、第２絶縁層２５０ｂが半導体素子２４０を覆うように積層される時、図８から分かるように、半導体素子２４０と空洞２２０の間のギャップには、第２絶縁層２５０ｂが充填されて支持層２８０を形成する。
【００５２】
前記銅箔２６０は、第２絶縁層２５０ｂに積層される時、キャリア２７０を用いて容易に第２絶縁層２５０ｂに積層されることができる。この際、キャリア２７０は、銅箔２６０が第２絶縁層２５０ｂに積層された後、除去される。ここで、二つの絶縁層、図面符号２００と２５０ｂの絶縁層は、本発明でコア層を形成する。
【００５３】
その後、耐熱テープ２３０を除去して、耐熱テープ２３０が除去された面に銅箔２１０ｂが露出される。
【００５４】
次に、図９のように、絶縁層２００、２５０ｂの上部及び下部面を電気的に連結するためのビアホールを形成するために、貫通ホール２９０を加工して形成する。
【００５５】
ここで、貫通ホールを形成する過程は、ＣＮＣドリル（Ｃｏｍｐｕｔｅｒ  Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｄｒｉｌｌ）またはレーザードリルを用いて、予め設定された位置によって貫通ホールを形成する方式を用いることが好ましい。
【００５６】
一方、貫通ホール２９０を形成した後、形成時に発生する熱によって絶縁層２００、２５０ｂなどが溶けて貫通ホール２９０の側壁に発生するスミア（ｓｍｅａｒ）を除去するデスミア（ｄｅｓｍｅａｒ）工程を遂行することが好ましい。
【００５７】
その後、図１０のように、絶縁層２００、２５０ｂの表面と貫通ホール２９０の内壁に、無電解めっき及び電解めっきをして電気的に導通させる銅めっき層３００ａ、３００ｂを形成する。
【００５８】
ここで、絶縁層２００、２５０ｂの貫通ホール２９０の側壁が絶縁物質からなっているため、貫通ホール２９０を形成した後、直ちに電解銅めっきを遂行することができない。
【００５９】
従って、形成された貫通ホール２９０の電気的連結及び電解銅めっきを遂行するために、無電解銅めっきを遂行して無電解銅めっき層３００ａを形成する。無電解銅めっきが完了された後、絶縁層２００、２５０ｂを銅めっき作業槽に浸漬させた後、直流整流器を用いて電解銅めっきを遂行して電解銅めっき層３００ｂを形成する。
【００６０】
このような電解銅めっきは、めっきされる面積を計算して直流整流器に適宜の電流で銅を析出する方式を用いることが好ましい。
【００６１】
電解銅めっきは、銅めっき層の物理的特性が無電解銅めっき層より優れて、厚い銅めっき層を容易に形成することができる長所がある。
【００６２】
次に、図１１のように、絶縁層２００、２５０ｂの上下銅めっき層３００ａ、３００ｂに、ドライフィルム３１０ａ、３１０ｂを夫々塗布する。
【００６３】
ここで、ドライフィルム３１０ａ、３１０ｂは、カバーフィルム（ｃｏｖｅｒ  ｆｉｌｍ）、フォトレジストフィルム（ｐｈｏｔｏ−ｒｅｓｉｓｔ  ｆｉｌｍ）及びマイラーフィルム（ｍｙｌａｒｆｉｌｍ）の３層で構成されて、実質的にレジストの役割をする層はフォトレジストフィルムである。
【００６４】
次に、図１２のように、所定のパターンが印刷されたドライフィルム３１０ａ、３１０ｂを露光及び現像することにより、ドライフィルム３１０ａ、３１０ｂに所定のパターンを形成する。ここで、所定のパターンは、回路パターン、ビアホール（Ｅ）のランド（ｌａｎｄ）、ワイヤボンディングパッドパターン（ｗｉｒｅ  ｂｏｎｄｉｎｇ  ｐａｄ  ｐａｔｔｅｒｎ）、半田ボールパッドパターン（ｓｏｌｄｅｒ  ｂａｌｌ  ｐａｄ  ｐａｔｔｅｒｎ）を含む。
【００６５】
前記ドライフィルム３１０ａ、３１０ｂの露光及び現像工程は、所定のパターンが印刷されたアートワークフィルムをドライフィルム３１０ａ、３１０ｂ上に密着させた後、紫外線を照射する。この際、アートワークフィルムのパターンが印刷された黒い部分は、紫外線が透過することができず、印刷されていない部分は紫外線が透過してアートワークフィルムの下のドライフィルムを硬化させるようになる。このように、ドライフィルム３１０ａ、３１０ｂが硬化された絶縁層２００、２５０ｂを現像液に浸すと、硬化されていないドライフィルム３１０ａ、３１０ｂの部分が現像液によって除去され、硬化されたドライフィルム３１０ａ、３１０ｂの部分のみが残り、エッチングレジストパターンを形成する。
【００６６】
そして、図１３のように、所定のパターンが形成されたドライフィルム３１０ａ、３１０ｂをエッチングレジスト（ｅｔｃｈｉｎｇ  ｒｅｓｉｓｔ）として用いて、絶縁層２００、２５０ｂにエッチング液を噴霧させることにより、ドライフィルム３１０ａ、３１０ｂの所定のパターンに対応する部分を除いた残りの部分の上下銅箔２１０ｂ、２６０及び銅めっき層３００ａ、３００ｂをエッチングして除去する。
【００６７】
その後、図１４のように、絶縁層２００、２５０ｂの上下両面に塗布されたドライフィルム３１０ａ、３１０ｂを剥離して除去し、半田レジスト３２０ａ、３２０ｂを塗布した後、仮乾燥させる。
【００６８】
ここで、ドライフィルム３１０ａ、３１０ｂは、水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）または水酸化カリウム（ＫＯＨ）などが含まれた剥離液を用いて除去する。
【００６９】
上述の図１１から図１４の過程で、エッチングレジストとしてドライフィルム３１０ａ、３１０ｂを用いたが、液体状態の感光材をエッチングレジストとして用いることができる。
【００７０】
この場合、紫外線に感光される液体状態の感光材を絶縁層２００、２５０ｂの銅めっき層３００ａ、３００ｂに塗布した後、乾燥させる。次に、所定のパターンが形成されたアートワークフィルムを用いて感光材を露光及び現像することにより、感光材に所定のパターンを形成する。
【００７１】
その後、所定のパターンが形成された感光材をエッチングレジストとして用いて、絶縁層２００、２５０ｂにエッチング液を噴霧させることにより、感光材の所定のパターンに対応する部分を除いた残りの部分の上下銅箔２１０ｂ、２６０及び銅めっき層３００ａ、３００ｂをエッチングして除去する。その後、感光材を除去する。ここで、液体状態の感光材をコーティングする方式は、ディップコーティング（ｄｉｐ  ｃｏａｔｉｎｇ）方式、ロールコーティング（ｒｏｌｌ  ｃｏａｔｉｎｇ）方式、電気蒸着（ｅｌｅｃｔｒｏ−ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）方式などがある。
【００７２】
このような液体状態の感光材を用いる方式は、ドライフィルム３１０ａ、３１０ｂより薄く塗布することができるため、より微細な回路パターンを形成することができる長所がある。また、絶縁層２００、２５０ｂの表面に凹凸がある場合、これを満たして均一な表面を形成することができる長所もある。
【００７３】
一方、半田レジスト３２０ａ、３２０ｂと銅めっき層３００ｂが完全に密着されない問題が発生する可能性がある。
【００７４】
従って、半田レジスト３２０ａ、３２０ｂを塗布する前に、半田レジスト３２０ａ、３２０ｂと銅めっき層３００ｂとの密着力を向上させるために、基板表面を洗浄して基板表面に粗さを付与する前処理を遂行することが好ましい。
【００７５】
前記半田レジスト３２０ａ、３２０ｂを塗布する方式は、スクリーン印刷（ｓｃｒｅｅｎ  ｐｒｉｎｔｉｎｇ）方式、ローラーコーティング（ｒｏｌｌｅｒ  ｃｏａｔｉｎｇ）方式、カーテンコーティング（ｃｕｒｔａｉｎ  ｃｏａｔｉｎｇ）方式、スプレーコーティング（ｓｐｒａｙ  ｃｏａｔｉｎｇ）方式などを用いることができる。
【００７６】
ここで、スクリーン印刷方式は、半田レジストパターンを直接印刷する方式であり、ローラーコーティング方式は、スクリーン印刷法に用いられるものより粘度が低い半田レジストインクをゴムからなったローラーに薄く塗って基板にコーティングする方式である。
【００７７】
また、前記カーテンコーティング方式は、ローラーコーティングに用いられるものより、もっと粘度が低い半田レジストインクを用いる方式であり、スプレーコーティング方式は、レジストインクを噴霧してコーティングする方式である。
【００７８】
次に、上下半田レジスト３２０ａ、３２０ｂに半田レジストパターンが印刷されたアートワークフィルムを密着させた後、半田レジスト３２０ａ、３２０ｂを露光及び現像することにより、半田レジストパターンに対応する半田レジスト３２０ａ、３２０ｂを硬化させる。
【００７９】
ここで、アートワークフィルムの半田レジストパターンが印刷された黒い部分は、露光工程で紫外線が透過することができず、印刷されていない部分は、紫外線が透過して半田レジスト３２０ａ、３２０ｂを硬化させるようになる。
【００８０】
その後、アートワークフィルムを除去した後、硬化されていない部分の半田レジスト３２０ａ、３２０ｂを現象工程で除去して、半田レジストパターンを形成する。
【００８１】
次に、紫外線を照射して紫外線硬化させ、乾燥器（未図示）を用いて半田レジスト３２０ａ、３２０ｂを完全に硬化させる。
【００８２】
ここで、半田レジスト３２０ａ、３２０ｂが除去された部分に残存する半田レジスト３２０ａ、３２０ｂの残渣、異物等をプラズマなどを用いて除去する工程をさらに遂行することが好ましい。
【００８３】
次に、図１６のように、半田ボールパッドパターンにＮｉ／Ａｕめっき層３３０を形成する。
【００８４】
次に、ワイヤ３４０を用いて半導体素子２４０とワイヤボンディングパッドをボンディングして電気的に連結し、半田ボール３５０を形成した後、モールディング３６０を形成すると、ボールグリッドアレイ基板が形成される。
【００８５】
以上、本発明に対して説明したが、これは一実施例に過ぎず、本発明の技術的思想を外れない範囲内で多様な変化及び変形が可能であることは、本技術分野にて通常的に熟練された当業者には明らかであろう。しかし、このような変化及び変形が本発明の範囲内に属することは、添付の特許請求範囲を通じて確認されるであろう。
【産業上の利用可能性】
【００８６】
本発明は、コア層に空洞（ｃａｖｉｔｙ）を形成し、形成された空洞に半導体チップを内装して、厚さを減らすことができるようにした埋め込みボールグリッドアレイ基板及びその製造方法に適用可能である。
【符号の説明】
【００８７】
１１０  コア層
１１０ａ、１１０ｂ  絶縁層
１１０ａａ  空洞
１２０  半導体素子
１３０  支持層
１４０ａ、１４０ｂ  回路層
１４０ａａ  ワイヤボンディングパッド
１４０ｂａ  半田ボールパッド
１４０ｂｂ  Ｎｉ／Ａｕめっき層
１５０  ビアホール
１６０  ワイヤ
１７０ａ、１７０ｂ  半田レジスト
１８０  モールディング層
１９０  半田ボール
２００、２５０ｂ  絶縁層
２２０  空洞
２３０  耐熱テープ
２４０  半導体素子
２６０  銅箔
２７０  キャリア
２８０  支持層
２９０  貫通ホール
３００ａ、３００ｂ  銅めっき層
３１０ａ、３１０ｂ  ドライフィルム
３２０ａ、３２０ｂ  半田レジスト
３３０  Ｎｉ／Ａｕめっき層
３４０  ワイヤ
３５０  半田ボール
３６０  モールディング
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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