(57)【要約】【課題】  劈開面が損傷を受けることを抑制可能な半導体レーザ素子を作製する方法を提供する。【解決手段】  基板生産物１を準備し、粘着フィルム４０の第２の部分４２に基板生産物１を貼着し、粘着フィルム４０にブレード５２を押し当てることにより粘着フィルム４０に張力Ｔを与え、粘着フィルム４０に張力Ｔを与えた状態を維持しつつ、粘着フィルム４０を加熱しながら、粘着フィルム４０及びブレード５２の一方を他方に対して相対的に移動させることにより、スクライブ溝３０を用いて基板生産物１を劈開して半導体レーザバー６０と基板生産物１Ａとを作製し、粘着フィルム４０及びブレード５２の一方を他方に対して相対的に移動させることにより、別のスクライブ溝３０を用いて基板生産物１Ａを劈開して、半導体レーザバー６１と基板生産物１Ｂとを作製する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ素子を作製する方法であって、
所定の方向に配列された複数のスクライブ溝を有する主面を含む基板生産物を準備する工程と、
前記所定の方向に配列された第１及び第２の部分を含む粘着フィルムの前記第２の部分に前記基板生産物を貼着する工程と、
前記粘着フィルムの前記第２の部分に前記基板生産物を貼着した後に、前記粘着フィルムにブレードを押し当てることにより前記粘着フィルムに張力を与える工程と、
前記粘着フィルムに前記張力を与えた状態を維持しつつ、前記粘着フィルムを加熱しながら前記基板生産物から第１及び第２の半導体レーザバーを作製する工程と、
を備え、
前記第１及び第２の半導体レーザバーを作製する工程は、
前記粘着フィルムに前記張力を与えた後に、前記粘着フィルム及び前記ブレードの一方を他方に対して相対的に前記所定の方向に移動させることにより、前記複数のスクライブ溝のうちの第１のスクライブ溝を用いて前記基板生産物を劈開して、前記第１の半導体レーザバーと別の基板生産物とを作製する工程と、
前記第１の半導体レーザバーと前記別の基板生産物とを作製した後に、前記粘着フィルム及び前記ブレードの一方を他方に対して相対的に前記所定の方向に移動させることにより、前記複数のスクライブ溝のうちの第２のスクライブ溝を用いて前記別の基板生産物を劈開して、前記第２の半導体レーザバーとさらに別の基板生産物とを作製する工程と、
を含む半導体レーザ素子を作製する方法。
【請求項２】
前記粘着フィルムに前記張力を与える工程においては、前記第１の部分に前記ブレードを押し当てる請求項１に記載の半導体レーザ素子を作製する方法。
【請求項３】
前記粘着フィルムに前記張力を与える工程においては、前記粘着フィルムの前記第１の部分が塑性変形するような張力を前記粘着フィルムに与える請求項１又は２に記載の半導体レーザ素子を作製する方法。
【請求項４】
前記粘着フィルムは、前記ブレードに内蔵されたヒータを用いて加熱される請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子を作製する方法。
【請求項５】
前記粘着フィルムに前記張力を与える工程と、前記第１及び第２の半導体レーザバーを作製する工程との間において、前記粘着フィルムを前記ブレードに真空吸着する工程をさらに備える請求項４に記載の半導体レーザ素子を作製する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ素子を作製する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、半導体レーザウエハを劈開する方法が記載されている。この方法では、半導体レーザウエハを紫外線硬化型テープと透明カバーテープとにより挟み込んだ後に、当該半導体レーザウエハの劈開を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５−２１７９６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の方法においては、紫外線硬化型テープと透明カバーテープとで挟まれた半導体レーザウエハの劈開部分にブレードを押し当てることにより、当該半導体レーザウエハに力を加えて劈開を行う。これにより、紫外線硬化型テープと透明カバーテープとの間に第１の半導体レーザバーが作製される。そして、半導体レーザウエハの別の劈開部分に改めてブレードを押し当てることにより半導体レーザウエハをさらに劈開する。これにより、紫外線硬化型テープと透明カバーテープとの間に第２の半導体レーザバーが作製される。このような方法においては、第２の半導体レーザバーが半導体レーザウエハから分離されたときに、ブレードから受ける力によって紫外線硬化型テープ及び透明カバーテープが撓む。このため、２つの半導体レーザバーが、紫外線硬化型テープと透明カバーテープとに挟まれた状態において、向きを変える。その結果、２つの半導体レーザバー同士が接触し、劈開面が損傷を受ける場合がある。
【０００５】
そこで、本発明は、劈開面が損傷を受けることを抑制可能な半導体レーザ素子を作製する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の半導体レーザ素子を作製する方法は、（ａ）所定の方向に配列された複数のスクライブ溝を有する主面を含む基板生産物を準備する工程と、（ｂ）所定の方向に配列された第１及び第２の部分を含む粘着フィルムの第２の部分に基板生産物を貼着する工程と、（ｃ）粘着フィルムの第２の部分に基板生産物を貼着した後に、粘着フィルムにブレードを押し当てることにより粘着フィルムに張力を与える工程と、（ｄ）粘着フィルムに張力を与えた状態を維持しつつ、粘着フィルムを加熱しながら基板生産物から第１及び第２の半導体レーザバーを作製する工程と、を備え、第１及び第２の半導体レーザバーを作製する工程は、粘着フィルムに張力を与えた後に、粘着フィルム及びブレードの一方を他方に対して相対的に所定の方向に移動させることにより、複数のスクライブ溝のうちの第１のスクライブ溝を用いて基板生産物を劈開して、第１の半導体レーザバーと別の基板生産物とを作製する工程と、第１の半導体レーザバーと別の基板生産物とを作製した後に、粘着フィルム及びブレードの一方を他方に対して相対的に所定の方向に移動させることにより、複数のスクライブ溝のうちの第２のスクライブ溝を用いて別の基板生産物を劈開して、第２の半導体レーザバーとさらに別の基板生産物とを作製する工程と、を含むことを特徴とする。
【０００７】
この方法においては、まず、基板生産物を貼着した粘着フィルムにブレードを押し当てることにより、粘着フィルムに張力を与える。そして、この張力を与えた状態を維持しつつ、連続的に基板生産物の劈開を行って第１及び第２の半導体レーザバーを作製する。このため、第１の半導体レーザバーが基板生産物から分離されたときに、粘着フィルムに与えられている張力によって、第１の半導体レーザバーと別の基板生産物との間において粘着フィルムが部分的に伸長する。このとき、粘着フィルムは、加熱されて温度が上昇し、伸びやすい状態となっている。このため、粘着フィルムのこの部分的な伸長が比較的大きいものとなる。これにより、第１の半導体レーザバーと別の基板生産物とが、比較的大きい距離をもって互いに離間される。したがって、別の基板生産物から第２の半導体レーザバーが分離された際には、第１の半導体レーザバーと第２の半導体レーザバーとが、比較的大きい距離をもって互いに離間されることとなる。よって、半導体レーザバー同士が互いに接触することを避けられて、劈開面の損傷が抑制される。
【０００８】
本発明の半導体レーザ素子を作製する方法においては、粘着フィルムに張力を与える工程においては、第１の部分にブレードを押し当てることができる。この場合、所定の方向に沿って順に劈開を行うことができる。
【０００９】
また、本発明の半導体レーザ素子を作製する方法においては、粘着フィルムに張力を与える工程においては、粘着フィルムの第１の部分が塑性変形するような張力を粘着フィルムに与えることができる。この場合、第１の半導体レーザバーが基板生産物から分離されたときに、第１の半導体レーザバーと別の基板生産物との間において粘着フィルムが塑性的に伸長する。このため、第２の半導体レーザバーを作製した後に粘着フィルムからブレードを離しても、第１の半導体レーザバーと第２の半導体レーザバーとの距離が比較的大きいままに保たれる。よって、半導体レーザバー同士が互いに接触することが確実に避けられる。
【００１０】
また、本発明の半導体レーザ素子を作製する方法においては、粘着フィルムは、ブレードに内蔵されたヒータを用いて加熱されてもよい。この場合、粘着フィルムにおけるブレードとの接触面から粘着フィルムを加熱できる。
【００１１】
さらに、本発明の半導体レーザ素子を作製する方法においては、粘着フィルムに張力を与える工程と、第１及び第２の半導体レーザバーを作製する工程との間において、粘着フィルムをブレードに真空吸着することができる。この場合、粘着フィルムとブレードとの密着度が増すので、ブレードに内蔵されたヒータによって粘着フィルムを効果的に加熱することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、劈開面が損傷を受けることを抑制可能な半導体レーザ素子を作製する方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体レーザ素子を作製する方法の主要な工程を示す図である。
【図２】図１に示された粘着フィルムを伸長させるために必要な応力と粘着フィルムの温度との関係を示すグラフである。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体レーザ素子を作製する方法の主要な工程を示す図である。
【図４】図３に示されたブレードの構成を示す斜視図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る半導体レーザ素子を作製する方法の主要な工程を示す図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る半導体レーザ素子を作製する方法の主要な工程を示す図である。
【図７】図６に示された領域Ａの拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
図１、図３、図５及び図６は、本発明の第１実施形態に係る半導体レーザ素子を作製する方法の主要な工程を示す図である。図１の（ａ）部に示されるように、工程Ｓ１０１では、半導体レーザ素子のための基板生産物１を準備する。基板生産物１は、劈開可能な半導体材料からなる基板１０と、基板１０上に設けられた半導体積層構造２０とを有する。半導体積層構造２０は、半導体レーザ素子のための活性層を含む。
【００１５】
基板生産物１は、例えば以下のように作製することができる。即ち、半導体メサ２４を所定の半導体基板上に形成すると共に、半導体メサ２４の側面上に埋込層２５を形成する。半導体メサ２４は、ｎ型クラッド層２１、活性層２２及びｐ型クラッド層２３を含む。そして、必要に応じて、半導体メサ２４及び埋込層２５上にｐ型クラッド層２６及びｐ型コンタクト層２７を成長する。これにより半導体積層構造２０が作製される。各半導体層の成長には、例えば有機金属気相成長法を用いることができる。半導体基板の厚さは、例えば３００μｍ程度とすることができる。また、半導体基板の材料は、例えばＧａＡｓとすることができる。
【００１６】
半導体積層構造２０を作製した後に、開口を有する絶縁体層２８によって半導体積層構造２０の表面を被覆する。その後、絶縁体層２８の開口に電極（例えばアノード電極）２９ａを形成する。そして、半導体基板を裏面研削し、半導体基板を所望の厚さまで薄くして基板１０を作製する。その後、基板１０の裏面に別の電極（例えばカソード電極）２９ｂを形成する。このようにして作製した作製物を所望の直方体状に切り出すことによって、基板生産物１を作製する。基板１０の厚さは、例えば１００μｍ程度とすることができる。
【００１７】
基板生産物１は、主面１ａと主面１ａの反対側の裏面１ｂとを有している。半導体積層構造２０は、基板１０に接する第１の面と、該第１の面に対向する第２の面とを有している。基板生産物１の主面１ａは、半導体積層構造２０の第２の面である。図１の（ｂ）部に示されるように、基板生産物１の主面１ａに複数のスクライブ溝３０を形成する。スクライブ溝３０は、例えばダイヤモンドカッタ等のスクライブ溝形成装置を用いて形成することができる。スクライブ溝３０のそれぞれは、互いに略平行である。また、スクライブ溝３０のそれぞれは、主面１ａの端部から半導体メサ２４等の光導波路の延在方向に交差する方向に沿って延在している。さらに、スクライブ溝３０のそれぞれは、半導体メサ２４等の光導波路の延在方向に沿って間隔Ｄ１で配列されている。間隔Ｄ１は、例えばファブリペロー型半導体レーザのキャビティ長を規定する。間隔Ｄ１は、例えば２５０μｍ程度とすることができる。
【００１８】
続いて、工程Ｓ１０２では、図１の（ｂ）部に示されるように、基板生産物１を粘着フィルム４０に貼着する。このとき、基板生産物１の裏面１ｂが粘着フィルム４０の粘着面４０ａに貼着される。粘着フィルム４０は、第１の部分４１、第２の部分４２及び第３の部分４３を有している。この工程Ｓ１０２では、基板生産物１は、第２の部分４２に貼着される。第１の部分４１、第２の部分４２及び第３の部分４３は、スクライブ溝３０の配列方向に沿って順に配置される。なお、粘着フィルム４０の粘着力は、紫外線を照射することにより弱まる。また、粘着フィルム４０の厚さは、例えば８０μｍ程度とすることができる。また、粘着フィルム４０の材料は、例えば塩化ビニルとすることができる。
【００１９】
粘着フィルム４０を所定の長さ伸長させるために必要な応力は、温度に関して単調に減少する関数となっている。例えば、図２は、塩化ビニル製の粘着フィルム４０を２００％伸長させるために必要な応力Ｓと、粘着フィルム４０の温度との関係を示すグラフである。図２に示されるように、応力Ｓは、粘着フィルム４０の温度が５０℃程度であるときには１．０ｋｇ程度であるのに対して、粘着フィルム４０の温度が１００℃程度であるときには０．１ｋｇ程度となる。このように、塩化ビニル製の粘着フィルム４０は、加熱されて温度が上昇するにしたがって、伸長させるために必要な応力が単調に減少する性質を有する。このような性質を有する他の材料としては、例えばポリレフィン等を粘着フィルム４０の材料として用いることができる。
【００２０】
続いて、工程Ｓ１０３では、図３の（ａ）部に示されるように、粘着フィルム４０を劈開装置５０に設置する。劈開装置５０はフレーム５１を備えており、粘着フィルム４０はこのフレーム５１に固定される。ここで、図３の（ａ）部に示された直交座標系Ｓを参照すると、ｘ軸は、スクライブ溝３０の配列方向を示しており、ｙ軸は、基板生産物１の主面１ａに直交する方向を示しており、ｚ軸は、スクライブ溝３０の延在方向を示している。
【００２１】
劈開装置５０は、ブレード５２をさらに備えている。ブレード５２は、粘着フィルム４０の裏面４０ｂに対向して配置されている。図４に示されるように、ブレード５２は、所定の方向に沿って延びる２つの斜面５２ａ，５２ｂと、斜面５２ａと斜面５２ｂとの接続部で規定されるエッジ５２ｃと、を有している。斜面５２ａと斜面５２ｂとのなす角θは、例えば９０度程度とすることができる。斜面５２ａ，５２ｂのそれぞれの面積は、基板生産物１の主面１ａ及び裏面１ｂの面積よりも大きい。より具体的には、斜面５２ａ，５２ｂの幅Ｗ１は５０ｍｍ程度とすることができ、長さＷ２は１５０ｍｍ程度とすることができる。
【００２２】
このような斜面５２ａ，５２ｂには、ブレード５２を貫通する複数の貫通孔５２ｄの一方の開口が設けられている。斜面５２ａ，５２ｂにおいて、貫通孔５２ｄの一方の開口は２次元アレイ状に配列されている。貫通孔５２ｄの他方の開口は、ブレード５２の底面５２ｅに設けられている。したがって、貫通孔５２ｄは、ブレード５２の斜面５２ａ，５２ｂと底面５２ｅとを連通している。
【００２３】
劈開装置５０は、図３に示されるように、真空排気装置５３をさらに備えている。真空排気装置５３は、粘着フィルム４０の貫通孔５２ｄの他方の開口のそれぞれに接続されている。したがって、劈開装置５０は、真空排気装置５３を適宜制御して貫通孔５２ｄ内を真空引きすることにより、粘着フィルム４０の斜面５２ａ，５２ｂに近接して配置された対象物を斜面５２ａ，５２ｂに吸着可能に構成されている。
【００２４】
続いて、工程Ｓ１０４では、図３の（ｂ）部に示されるように、粘着フィルム４０の第１の部分４１にブレード５２を押し当てることにより、粘着フィルム４０に張力Ｔを与える。このとき、ブレード５２のエッジ５２ｃが、粘着フィルム４０の裏面４０ｂに押し当てられる。ブレード５２のエッジ５２ｃは、スクライブ溝３０の延在方向に沿って延在している。したがって、エッジ５２ｃと粘着フィルム４０との接触箇所Ｃも、スクライブ溝３０の延在方向に沿って延在している。なお、粘着フィルム４０に与える張力Ｔは、粘着フィルム４０の第１の部分４１が塑性変形する力以上であることが好ましい。
【００２５】
続いて、工程Ｓ１０５では、真空排気装置を適当に制御することにより、貫通孔５２ｄを用いて、粘着フィルム４０をブレード５２の斜面５２ａ，５２ｂに部分的に真空吸着する。この真空吸着の吸着力は、粘着フィルム４０と斜面５２ａ，５２ｂとが摺動可能な程度に制御される。この真空吸着により、粘着フィルム４０とブレード５２の斜面５２ａ，５２ｂとの密着度が大きくなる（即ち、粘着フィルム４０とブレード５２の斜面５２ａ，５２ｂとの接触面積が増大する）。
【００２６】
続いて、工程Ｓ１０６では、ブレード５２に内蔵されたヒータを用いて、粘着フィルム４０を加熱する。これにより、粘着フィルム４０は、ブレード５２の斜面５２ａ，５２ｂと接触する裏面４０ｂから加熱される。なお、ここでは、粘着フィルム４０の温度が、例えば５０℃以上となるように粘着フィルム４０を加熱することが好ましい。粘着フィルム４０の温度が５０℃以下では、半導体レーザバー同士を十分に離すための張力を与えると、粘着フィルム４０の伸びが悪いため、粘着フィルムが破れてしまい易くなる。また、ここでは、粘着フィルム４０の温度が、例えば１００℃以下となるように粘着フィルム４０を加熱することが好ましい。粘着フィルム４０の温度が１００℃以上では、粘着フィルム４０の粘着力が低下して、基板生産物１が粘着フィルム４０より剥がれやすくなってしまう。そして、以降の工程の間においても、粘着フィルム４０の温度が上記の好適な温度範囲内となるように、粘着フィルム４０の加熱を維持する。
【００２７】
続いて、粘着フィルム４０に張力Ｔを与えた状態を維持しつつ（即ち、粘着フィルム４０にブレード５２を押し当てたままで）、粘着フィルム４０を加熱しながら、基板生産物から連続的に複数の半導体レーザバーを作製する。以下では、この工程について、より具体的に説明する。工程Ｓ１０７では、図５の（ａ）部、（ｂ）部及び（ｃ）部に示されるように、粘着フィルム４０に張力Ｔを与えた状態を維持しつつ、粘着フィルム４０を加熱しながら、粘着フィルム４０及びブレード５２の一方を他方に対して相対的に、基板生産物１の主面１ａに交差する方向（例えばｘ軸の方向）に移動する。そして、その移動量を、例えば間隔Ｄ１よりも大きくすることにより、複数のスクライブ溝３０のうちの最も基板生産物１の端部側に位置するスクライブ溝３０（即ち、最も第１の部分４１側に位置するスクライブ溝３０）を用いて基板生産物１を劈開する。これにより、半導体レーザバー６０と基板生産物１Ａとを作製する。この工程Ｓ１０７においては、接触箇所Ｃを基板生産物１に対して相対的に、基板生産物１の主面１ａに交差する方向に移動させていき、接触箇所Ｃが当該スクライブ溝３０を横切ったときに、粘着フィルム４０の粘着力によって、当該スクライブ溝３０を基点として基板生産物１が劈開される。
【００２８】
続いて、工程Ｓ１０８では、図６の（ａ）部、（ｂ）部及び（ｃ）部に示されるように、粘着フィルム４０に張力Ｔを与えた状態を維持しつつ、粘着フィルム４０を加熱しながら、粘着フィルム４０及びブレード５２の一方を他方に対して相対的に、基板生産物１の主面１ａに交差する方向（例えばｘ軸の方向）にさらに移動する。そして、その移動量を間隔Ｄ１よりも大きくすることにより、複数のスクライブ溝３０のうちの最も基板生産物１Ａの端部側に位置するスクライブ溝３０を用いて基板生産物１Ａを劈開する。これにより、半導体レーザバー６１と基板生産物１Ｂとを作製する。この工程Ｓ１０８においても、接触箇所Ｃを基板生産物１に対して相対的に、基板生産物１の主面１ａに交差する方向に移動させていき、接触箇所Ｃが当該スクライブ溝３０を横切ったときに、粘着フィルム４０の粘着力によって、当該スクライブ溝３０を基点として基板生産物１Ａが劈開される。
【００２９】
このようにして複数の半導体レーザバーを作製した後に、粘着フィルム４０を劈開装置５０から取り外す。これにより、ブレード５２に内蔵されたヒータによる粘着フィルム４０の加熱が終了する。その後、半導体レーザバーのそれぞれを粘着フィルム４０から取り外す。そして、取り外した半導体レーザバーのそれぞれを素子区画ごとに切り出すことにより、半導体レーザ素子が作製される。
【００３０】
以上説明したように、本実施形態に係る方法においては、まず、基板生産物１を貼着した粘着フィルム４０にブレード５２を押し当てることにより、粘着フィルム４０に張力Ｔを与える。そして、この張力Ｔを与えた状態を維持しつつ、粘着フィルム４０を加熱しながら連続的に基板生産物１の劈開を行って複数の半導体レーザバーを作製する。
【００３１】
このため、例えば半導体レーザバー６０が基板生産物１から分離されたときに、粘着フィルム４０に与えられている張力Ｔによって、半導体レーザバー６０と基板生産物１Ａとの間において粘着フィルム４０が部分的に伸長する。このとき、図７に示されるように、ブレード５２に内蔵されたヒータＨによって粘着フィルム４０が加熱されているので、粘着フィルム４０の温度が上昇しており、粘着フィルム４０が伸びやすい状態となっている。このため、粘着フィルム４０のこの部分的な伸長が比較的大きいものとなる。これにより、半導体レーザバー６０と基板生産物１Ａとが、比較的大きい距離をもって互いに離間される。したがって、基板生産物１Ａから半導体レーザバー６１が分離された際には、図７に示されるように、半導体レーザバー６０と半導体レーザバー６１とが、比較的大きい距離Ｄ２をもって互いに離間されることとなる。よって、半導体レーザバー同士が互いに接触することを避けられて、劈開面の損傷が抑制される。また、粘着フィルム４０が伸長しやすい状態となるため、粘着フィルム４０が破断することが抑制される。
【００３２】
また、本実施形態に係る方法においては、粘着フィルム４０をブレード５２に真空吸着する。これにより、粘着フィルム４０とブレード５２の斜面５２ａ，５２ｂとの密着度（或いは接触面積）が増大する。このため、ブレード５２に内蔵されたヒータＨによって、粘着フィルム４０を効果的に加熱することができる。また、ブレード５２は、基板生産物１の主面１ａの面積よりも大きい面積の斜面５２ａ，５２ｂを有している。このため、粘着フィルム４０における基板生産物１が貼着された領域よりも広い領域を一様に加熱することができる。
【００３３】
さらに、粘着フィルム４０に与える張力Ｔが、粘着フィルム４０を塑性変形させるために十分な力である場合には（例えば、粘着フィルム４０の第１の部分４１を塑性変形させる力以上である場合には）、半導体レーザバー６０が基板生産物１から分離されたとき、半導体レーザバー６０と基板生産物１Ａとの間において、粘着フィルム４０が塑性的に伸長する。したがって、半導体レーザバー６１を作製した後に粘着フィルム４０からブレード５２を離しても、半導体レーザバー６０と半導体レーザバー６１との距離が距離Ｄ２に保たれるので、半導体レーザバー６０と半導体レーザバー６１とが接触することが確実に避けられる。
【００３４】
なお、粘着フィルム４０に与えられた張力Ｔは、各半導体レーザバーが基板生産物から分離されたときに、粘着フィルム４０が伸長することによって減少する。したがって、工程Ｓ１０４においては、その後の工程で半導体レーザバーの作製を続け、基板生産物が２つの半導体レーザバーに分割されるときに（即ち、最後の劈開が行われるときに）、それらの半導体レーザバー同士が十分に大きな距離をもって離間するような張力Ｔを粘着フィルム４０に与えることが好ましい。
【００３５】
また、粘着フィルム４０の加熱の態様は上述したものに限定されない。例えば、ブレード５２に内蔵されたヒータＨで予めブレード５２を加熱しておいて、工程Ｓ１０４で粘着フィルム４０にブレード５２を押し当てると同時に粘着フィルム４０の加熱を行ってもよい。また、粘着フィルム４０の加熱に用いられる加熱源は、ブレード５２に内蔵されたヒータＨに限らず、例えば粘着フィルム４０の主面４０ａ側から粘着フィルム４０を加熱する他の加熱源であってもよい。
【００３６】
以上、好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【符号の説明】
【００３７】
１…基板生産物、１Ａ…基板生産物（別の基板生産物）、１Ｂ…基板生産物（さらに別の基板生産物）、１ａ…主面、３０…スクライブ溝、４０…粘着フィルム、４１…第１の部分、４２…第２の部分、５２…ブレード、６０…半導体レーザバー（第１の半導体レーザバー），６１…半導体レーザバー（第２の半導体レーザバー）。
【図１】
2012060009.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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