(57)【要約】【課題】所望の描画パターンにおける対角線方向に隣接する１対のエレメントについての電子ビーム描画を行った後の現像後パターンをより鮮鋭なものとする。【解決手段】１対のエレメントＡ1、Ａ2の少なくとも一方のエレメントＡ1について、一方のエレメントＡ1についての半径方向Ｙへの偏向走査Ｄ1の他方のエレメントＡ2側の一端位置を、一方のエレメントＡ1の設計上の配置における半径方向端部位置ｙよりも他方のエレメントＡ2から離間した位置に設定し、半径方向Ｙへの偏向走査長さＬ1が、一方のエレメントＡ1の半径方向Ｙの設計上の長さＬよりも短くなるように描画する。【選択図】図３
2012185286.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジストが塗布され回転ステージ上に載置された基板を前記回転ステージを回転させることにより回転させつつ、該基板上において、電子ビームを該回転の半径方向と直交する方向に微小往復振動させると共に該半径方向に偏向走査して、略平行四辺形状のエレメントを描画することにより、多数のエレメントからなるディスク状記録媒体用の微細パターンを描画する電子ビーム描画方法であって、
前記微細パターンにおいて、対角線方向に隣接する１対のエレメントがあり、該１対のエレメントの両者に同時に隣接するエレメントが存在していない場合、該１対のエレメントの少なくとも一方のエレメントについて、該一方のエレメントについての前記半径方向への偏向走査の他方のエレメント側の一端位置を、該一方のエレメントの設計上の配置における半径方向端部位置よりも前記他方のエレメントから離間した位置に設定し、前記半径方向への偏向走査長さが、該一方のエレメントの前記半径方向の設計上の長さよりも短くなるように描画することを特徴とする電子ビーム描画方法。
【請求項２】
前記各エレメントの描画時間は、所定の描画クロック信号におけるクロック数で定めるものとし、
前記一方のエレメントについての描画クロック数Ｍ（Ｍは整数）を、該一方のエレメントを前記半径方向に前記半径方向の設計上の長さ偏向走査する場合の基準クロック数Ｎ（Ｎは整数）に対し、
Ｍ≒（Ｔｐ’／Ｔｐ）・Ｎ
（ここで、Ｔｐは前記設計上の長さ、Ｔｐ’は前記偏向走査長さである。）
とすることを特徴とする請求項１記載の電子ビーム描画方法。
【請求項３】
基板を回転させる回転ステージと、前記基板上に電子ビームを走査する電子ビーム照射部とを備えた電子ビーム描画装置と、
前記基板に描画する、複数の平行四辺形状のエレメントからなるディスク状記録媒体用の微細パターンに応じた描画データ信号を、前記電子ビーム描画装置に送出する信号送出装置とを備え、
該信号送出装置が、前記描画データ信号として、前記回転ステージを回転させつつ、電子ビームを該回転の半径方向と直交する方向に微小往復振動させると共に該半径方向に偏向走査して、前記平行四辺形状のエレメントを描画するため制御信号を前記電子ビーム描画装置に送出するものであり、
前記微細パターンにおいて、対角線方向に隣接する１対のエレメントがあり、該１対のエレメントの両者に同時に隣接するエレメントが存在していない場合の、該１対のエレメントの少なくとも一方のエレメントについての前記制御信号は、該一方のエレメントについての前記半径方向への偏向走査の他方のエレメント側の一端を、該一方のエレメントの設計上の配置における半径方向端部位置よりも前記他方のエレメントから離間した位置に設定し、前記半径方向への偏向走査長さが、該一方のエレメントの前記半径方向の設計上の長さよりも短くなるように描画を制御する信号であることを特徴とする電子ビーム描画システム。
【請求項４】
前記信号送出装置が、所定の描画クロック信号を生成するクロック生成部を備え、前記各エレメントの描画時間を前記描画クロック信号のクロック数で定め、前記制御信号を該クロック信号に同期させて、かつ、前記一方のエレメントについての描画クロック数Ｍ（Ｍは整数）を、該一方のエレメントを前記半径方向に前記半径方向の設計上の長さ偏向走査する場合の基準クロック数Ｎ（Ｎは整数）に対し、
Ｍ≒（Ｔｐ’／Ｔｐ）・Ｎ
（ここで、Ｔｐは前記設計上の長さ、Ｔｐ’は前記偏向走査長さである。）
として、該描画クロック数Ｍで前記描画対象のエレメントを描画するように前記一方のエレメントについての制御信号を前記電子ビーム露光装置に送出するものであることを特徴とする請求項３記載の電子ビーム描画システム。
【請求項５】
請求項１または２記載の電子ビーム描画方法により、ディスク状記録媒体用の微細パターンをレジストが塗布された基板に描画し、該微細パターンが描画された基板を用いて、前記微細パターンに応じた凹凸パターンを形成する工程を含むことを特徴とする凹凸パターン担持体の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の製造方法により製造された凹凸パターン担持体としてのインプリントモールドを用い、該モールドの表面に設けられた前記凹凸パターンに応じた凹凸パターンを転写する工程を含むことを特徴とするディスク状記録媒体の製造方法。
【請求項７】
請求項５記載の製造方法により製造された凹凸パターン担持体としての磁気転写用マスター担体を用い、該マスター担体の表面に設けられた前記凹凸パターンに応じた磁化パターンを磁気転写する工程を含むことを特徴とするディスク状記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスク状磁気記録媒体用の原盤を作製する際に、所望の微細パターンを描画するための電子ビーム描画方法および電子ビーム描画システムに関するものである。
【０００２】
また、本発明は、電子ビーム描画方法を用いた描画を行う工程を有する凹凸パターン表面を有する凹凸パターン担持体の製造方法、さらには該凹凸パターン担持体を用いて凹凸パターンを転写する工程を有するディスク状磁気記録媒体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００３】
現状の磁気ディスク媒体では、一般にサーボパターンなどの情報パターンが予め形成されている。また、記録密度のさらなる高密度化の要請から、隣接するデータトラックを溝（グルーブ）で分離し、隣接トラック間の磁気的干渉を低減するようにしたディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）が注目されている。さらには、単磁区を構成する磁性体（単磁区微粒子）が物理的に孤立して規則的に配列されてなり、微粒子１個に１ビットを記録するビットパターンメディア（ＢＰＭ）も提案されている。
【０００４】
従来、上記サーボパターン等の微細パターンは、磁気ディスク媒体に凹凸パターンまたは磁化パターンなどとして形成されており、高密度の磁気ディスク媒体を製造するための磁気転写用マスター担体の原盤作製のために、レジストが塗布された基板上に所定の微細パターンをパターニングするための電子ビーム描画方法が提案されている。例えば、本出願人は、特許文献１において、レジストを備えた基板を回転ステージ上に載置し、該回転ステージを回転させることにより基板を回転させながら、基板上において電子ビームを周方向に高速に往復振動させると共に、半径方向に送る偏向走査させることにより、平行四辺形状のエレメントを描画することにより、多数のエレメントからなるパターンの描画を行う方法を提案している。
【０００５】
また、特許文献２には、１トラック幅に、配置される第１のエレメントと、トラック幅の半分に配置される第２のエレメントを含む描画パターンを高精度にかつ高速に描画する方法として、第２のエレメントの描画時には、トラック幅に相当する偏向分のうち、半トラック分電子ビームの照射を遮断する描画方法が提案されている。
【０００６】
電子ビームによるパターン描画においては、微細パターンのエレメント配置における疎密程度に応じ近接効果の影響によって、電子ビームを走査して基板上に描画したパターン形状に対して、実際にレジストに感光される形状が異なり、エレメントの密配置部では描画した形状に対して感光形状が大きくなることから、ドーズ量（照射線量）を変更する近接効果補正を行う必要があることが知られている（特許文献３、４など）。
【０００７】
電子ビーム描画における近接効果は、照射された電子ビームの散乱による近接描画領域への感光影響のことであり、その描画パターンにおけるエレメント配置の疎密程度によって受ける影響が異なっている。つまり、電子ビームがレジストに入射されると、レジスト内より基板に向けて進むにしたがって前方散乱によりビームに広がりが起こる。さらに、基板に入射したビームが散乱し、その底部より大きな散乱角をもって跳ね返ってくる後方散乱が生じる。近接効果はこれらの散乱電子によりレジストが照射範囲より広く感光することにより生じる。
【０００８】
そして、上記微細パターンは、各記録信号に対応するエレメントの集合体よりなり、このエレメント配置の集合における中央部分のようにエレメントが近接して連続配置された密配置部位では、周囲のエレメント描画に伴う多くの散乱電子により近接効果が大きくなり、ドーズ量オーバーとなりやすい傾向にある。一方、エレメント配置の集合における輪郭部分のように、周囲に描画されるエレメントが少ない疎配置部位では、影響を受ける散乱電子が少なく近接効果が小さくなり、ドーズ量不足となりやすい傾向にある。
【０００９】
上記のような疎密程度に応じたドーズ量変動が生じると、描画露光後のレジストを現像したときに、描画範囲と除去される感光レジスト範囲とが異なって、エレメント形状に誤差が発生し、所望の微細パターンの形成精度に影響を与える。
【００１０】
本出願人は、周方向への高速振動を伴う描画方法において、パターンの疎密（エレメント配置の疎密）に応じた描画方法として、特許文献５においてエレメント配置の疎密程度に応じ、密配置部におけるエレメント描画では、電子ビームの照射時間を、疎配置部における同一エレメント描画での照射時間より短く設定してドーズ量を調整する方法を提案している。
【００１１】
特許文献５の方法によれば、１つのトラックに周方向に配置されたエレメントの疎密に応じ、エレメントの周方向幅の調整に効果があり、エレメントの周方向の幅を設計パターンに応じて精度良く描画することが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００４―１５８２８７号公報
【特許文献２】特開２００６−１７７８３号公報
【特許文献３】特開２００９−２６６２８８号公報
【特許文献４】特開２００９−４８１１９号公報
【特許文献５】特開２００９−２３７００１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
一方で、特許文献５は、半径方向のパターン配置に対しては十分に考慮がされていなかった。
図１１（Ａ）に示すように、設計パターンとして対角線方向に隣接した１対のエレメント１０１、１０２があり、この両者に同時に隣接するエレメントがない場合（エレメント１０１、１０２が１つの頂角（角部）Ｃで点対称に配置され、頂角Ｃを共有するエレメントがそれらのみである場合）に、同図に描画軌跡１０４およびＹ方向偏向走査域１０５を模式的に示す特許文献５に記載の方法を用いて描画すると、レジスト現像後のパターンにおけるエレメント１０１’、１０２’は図１１（Ｂ）に模式的に示すようなものとなる。すなわち、図１１（Ｂ）に示すように、現像後のパターンにおいて、エレメント１０１’、１０２’は近接効果により角部Ｃ’が鈍り繋がってしまっている。
【００１４】
１つの描画単位であるエレメントのトラックピッチが１５０ｎｍ超であった従来のパターンであれば、図１１（Ｂ）に示すような角部Ｃ’の鈍りもそれほど問題とならなかった。
【００１５】
一方で、ハードディスクの記録密度は、年率３０−４０％で増加しており、磁気ディスク媒体用の描画パターンとしても、最小線幅が数１０ｎｍレベルと非常に微細なパターンの形成が要求されるようになってきている。そして、微細化に伴い、パターン寸法、形状の僅かな差が、最終製品である記録媒体としての信号特性に大きな影響を及ぼすようになってきている。
【００１６】
このような記録密度の顕著な増加に伴い、最終製品である磁気記録媒体の信号品質（ＳＮ比、読み込みエラー低減）向上のためには、サーボ信号におけるアドレスビットパターンの半径方向、トラック方向の寸法は１ｎｍ単位で最適化する必要があることが本発明者らの研究では明らかになってきた。
【００１７】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであって、対角線方向に隣接する１対のエレメントを描画し現像した後の現像パターンにおける形状をより鮮鋭なものとすることが可能な電子ビーム描画方法および電子ビーム描画を行うための電子ビーム描画システムを提供することを目的とするものである。
【００１８】
また、本発明は、電子ビームにより精度よく描画された微細パターンを有する、インプリントモールドや磁気転写用マスター担体などの凹凸パターン担持体の製造方法を提供すること、および、その凹凸パターン担持体を用いて凹凸パターンもしくは磁気パターンが転写されてなる磁気ディスク媒体の製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明の電子ビーム描画方法は、レジストが塗布され回転ステージ上に載置された基板を、前記回転ステージを回転させることにより回転させつつ、該基板上において、電子ビームを該回転の半径方向と直交する方向に微小往復振動させると共に該半径方向に偏向走査して、略平行四辺形状のエレメントを描画することにより、多数のエレメントからなるディスク状記録媒体用の微細パターンを描画する電子ビーム描画方法であって、
前記微細パターンにおいて、対角線方向に隣接する１対のエレメントがあり、該１対のエレメントの両者に同時に隣接するエレメントが存在していない場合、該１対のエレメントの少なくとも一方のエレメントについて、該一方のエレメントについての前記半径方向への偏向走査の他方のエレメント側の一端位置を、該一方のエレメントの設計上の配置における半径方向端部位置よりも前記他方のエレメントから離間した位置に設定し、前記半径方向への偏向走査長さが、該一方のエレメントの前記半径方向の設計上の長さよりも短くなるように描画することを特徴とするものである。
【００２０】
本発明の電子ビーム描画方法においては、前記各エレメントの描画時間は、所定の描画クロック信号におけるクロック数で定めるものとし、
前記一方のエレメントについての描画クロック数Ｍ（Ｍは整数）を、該一方のエレメントを前記半径方向に前記半径方向の設計上の長さ偏向走査する場合の基準クロック数Ｎ（Ｎは整数）に対し、
Ｍ≒（Ｔｐ’／Ｔｐ）・Ｎ
（ここで、Ｔｐは前記設計上の長さ、Ｔｐ’は前記偏向走査長さである。）
とすることが好ましい。
【００２１】
本発明の電子ビーム描画システムは、基板を回転させる回転ステージと、前記基板上に電子ビームを走査する電子ビーム照射部とを備えた電子ビーム描画装置と、
前記基板に描画する、複数の平行四辺形状のエレメントからなるディスク状記録媒体用の微細パターンに応じた描画データ信号を、前記電子ビーム描画装置に送出する信号送出装置とを備え、
該信号送出装置が、前記描画データ信号として、前記回転ステージを回転させつつ、電子ビームを該回転の半径方向と直交する方向に微小往復振動させると共に該半径方向に偏向走査して、前記平行四辺形状のエレメントを描画するため制御信号を前記電子ビーム描画装置に送出するものであり、
前記微細パターンにおいて、対角線方向に隣接する１対のエレメントがあり、該１対のエレメントの両者に同時に隣接するエレメントが存在していない場合の、該１対のエレメントの少なくとも一方のエレメントについての前記制御信号は、該一方のエレメントについての前記半径方向への偏向走査の他方のエレメント側の一端を、該一方のエレメントの設計上の配置における半径方向端部位置よりも前記他方のエレメントから離間した位置に設定し、前記半径方向への偏向走査長さが、該一方のエレメントの前記半径方向の設計上の長さよりも短くなるように描画を制御する信号であることを特徴とするものである。
【００２２】
本発明の電子ビーム描画システムにおいては、前記信号送出装置が、所定の描画クロック信号を生成するクロック生成部を備え、前記各エレメントの描画時間を前記描画クロック信号のクロック数で定め、前記制御信号を該クロック信号に同期させて、かつ、前記一方のエレメントについての描画クロック数Ｍ（Ｍは整数）を、該一方のエレメントを前記半径方向に前記半径方向の設計上の長さ偏向走査する場合の基準クロック数Ｎ（Ｎは整数）に対し、
Ｍ≒（Ｔｐ’／Ｔｐ）・Ｎ
（ここで、Ｔｐは前記設計上の長さ、Ｔｐ’は前記偏向走査長さである。）
として、該描画クロック数Ｍで前記描画対象のエレメントを描画するように前記一方のエレメントについての制御信号を前記電子ビーム露光装置に送出するものとすることが好ましい。
【００２３】
本発明の凹凸パターン担持体の製造方法は、本発明の電子ビーム描画方法により、ディスク状記録媒体用の微細パターンをレジストが塗布された基板に描画し、該微細パターンが描画された基板を用いて、前記微細パターンに応じた凹凸パターンを形成する工程を含むことを特徴とする。
【００２４】
ここで、凹凸パターン担持体とは、表面に所望の凹凸パターン形状を有する担体であり、その凹凸パターンの形状をディスク状記録媒体に転写するためのインプリントモールド、凹凸パターンの形状に応じた磁化パターンをディスク状記録媒体に転写するための磁気転写用マスター担体などである。
【００２５】
本発明のディスク状記録媒体の製造方法は、本発明の製造方法により製造された凹凸パターン担持体としてのインプリントモールドを用い、該モールドの表面に設けられた前記凹凸パターンに応じた凹凸パターンを転写する工程を含むことを特徴とする。
【００２６】
本発明の別のディスク状記録媒体の製造方法は、本発明の製造方法により製造された凹凸パターン担持体としての磁気転写用マスター担体を用い、該マスター担体の表面に設けられた前記凹凸パターンに応じた磁化パターンを磁気転写する工程を含むことを特徴とするディスク状記録媒体の製造方法。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の電子ビーム描画方法および電子ビーム描画システムによれば、微細パターンにおいて、対角線方向に隣接する１対のエレメントがあり、該１対のエレメントの両者に同時に隣接するエレメントが存在していない場合、該１対のエレメントの少なくとも一方のエレメントについて、該一方のエレメントについての半径方向への偏向走査の他方のエレメント側の一端位置を、該一方のエレメントの設計上の配置における半径方向端部位置よりも前記他方のエレメントから離間した位置に設定し、前記半径方向への偏向走査長さが、該一方のエレメントの前記半径方向の設計上の長さよりも短くなるように描画することにより、現像後のパターンにおいてこのような配置の１対のエレメントの隣接箇所が電子ビーム描画における近接効果により鈍り繋がってしまうのを抑制し、現像後のエレメントの形状の鮮鋭化を向上させることができる。
【００２８】
さらに、本発明の凹凸パターン担持体の製造方法によれば、上記の電子ビーム描画方法により、レジストが塗布された基板に、ディスク状記録媒体用の微細パターンを描画し、該微細パターンに応じた凹凸パターンを形成する工程を経て凹凸パターン担持体を製造するので、表面に高精度の凹凸パターン形状を有する担体を得ることができる。
【００２９】
また、本発明のディスク状記録媒体の製造方法によれば、上記の製造方法により製造された凹凸パターン担持体としてのインプリントモールドを用い、このモールドの表面に設けられた凹凸パターンに応じた凹凸パターンを転写して作製することにより、すなわち、インプリント技術を用いて形状パターニングを行う際に、このモールドを磁気ディスク媒体の形成過程でのマスクとなる樹脂層表面に圧接することにより、媒体表面に一括して形状転写し、特性の優れたディスクリートトラックメディアやビットパターンメディアなどの磁気ディスク媒体を作製することができる。
【００３０】
また、本発明の他のディスク状記録媒体の製造方法によれば、上記の製造方法により製造された凹凸パターン担持体としての磁気転写用マスター担体を用い、このマスター担体の表面に設けられた凹凸パターンに応じた磁化パターンを磁気転写して作製することにより、すなわち、このマスター担体を磁気ディスク媒体と重ねて磁気転写技術を用いて磁界を印加することにより、磁気ディスク媒体に微細パターンに対応した磁化パターンを転写形成し、特性の優れた磁気ディスク媒体を作製することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の電子ビーム描画方法により基板に描画する微細パターン例を示す平面図
【図２】微細パターンの一部の拡大図
【図３】微細パターンを構成する１対のエレメントの描画方法を本発明の電子ビーム描画方法を説明するための図
【図４】微細パターンを構成する１対のエレメントの描画方法を本発明の電子ビーム描画方法の別の例を説明するための図
【図５】図２に示す微細パターンを本発明の描画方法により描画する際の各エレメントについての半径方向への偏向走査長を模式的に示す図
【図６】設計パターンにおけるエレメント形状（Ａ）、描画方式（Ｂ）およびその描画方式における偏向信号等の各種信号（Ｃ）〜(Ｇ)を示す図
【図７】本発明の電子ビーム描画方法を実施する一実施形態の電子ビーム描画ステムの要部側面図(Ａ)および部分平面図(Ｂ)
【図８】電子ビーム描画方法によって描画された微細パターンを備えたインプリントモールドを用いて磁気ディスク媒体に微細パターンを転写形成している過程を示す概略断面図
【図９】電子ビーム描画方法によって描画された微細パターンを備えた磁気転写用マスターを用いて磁気ディスク媒体に磁化パターンを転写形成している過程を示す断面模式図
【図１０】本発明の製造方法により製造された磁気ディスク媒体の実施例および比較例のアドレスエラーレートを示すグラフ
【図１１】近接効果を説明するための電子ビームによる描画パターン図(Ａ)およびレジストの感光パターン図（Ｂ）
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明の実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。
図１は本発明の電子ビーム描画方法により基板に描画するべきディスク状記録媒体、特にここでは、磁気ディスク媒体用の微細パターンを示す全体平面図であり、図２はこの微細パターンの一部の拡大図を示す図である。
【００３３】
図１に示すように、磁気ディスク媒体用の微細パターンは、周方向に交互に配置されたサーボ領域１２とデータ領域１５とで構成され、円盤状の基板１０に、外周部および内周部を除く円環状領域に形成される。
【００３４】
サーボ領域１２は、基板１０の同心円状トラックに等間隔で、各セクターに中心部から湾曲放射状の細幅の領域である。サーボ領域１２に形成されるサーボパターンＳは、プリアンブルＰ、アドレスＡ、バースト信号Ｂ等に対応するパターンを含む。
【００３５】
一部拡大した図２に示すように、サーボ領域１２においては、同心円状のトラック（シリンダ）Ｔ1〜Ｔ6に、例えば、プリアンブルＰ、アドレスＡ、バースト信号Ｂに対応して平行四辺形状（ここでは、斜線で示す矩形状）の微細なエレメント１３が配置される。エレメント１３は、パターン描画の際に電子ビームで露光走査すべき描画領域である。
【００３６】
なお、バースト信号Ｂとしては、ここでは、サーボエレメント１３が市松模様に配置されたヌル（Null）バースト信号を例に挙げているが、所望の仕様により、フォーバースト、位相バーストパターンなど種々のパターンの信号がある。
【００３７】
図２に示すパターンは、設計上の微細パターン（設計パターン）である。設計パターンにおいて、各エレメント１３の半径方向Ｙの長さは、１トラック幅に相当する。本発明において、エレメントの半径方向の設計上の長さは、パターン描画後、レジストを現像した現像パターンにおいて形成されているトラック幅に相当する。
【００３８】
図２において、丸（○）を付しているのが本発明の電子ビーム描画方法において、近接効果補正の対象となる箇所である。すなわち、設計パターンにおいて、対角線方向に隣接する１対のエレメントであって、その１対のエレメントの両者に同時に隣接するエレメントが存在していないような１対のエレメントの隣接頂角（隣接角部）に印を付している。この角部は既述の通り、従来の描画方式で描画すると、図１１において示したように、レジスト現像後のパターンにおいて角部が鈍り、矩形性が低下してしまう。
【００３９】
そこで、本発明の電子ビーム描画方法では、このような１対のエレメントの少なくとも一方のエレメントについて、この一方のエレメントについての半径方向Ｙへの偏向走査の他方のエレメント側の一端位置を、この一方のエレメントの設計上の配置における半径方向端部位置（トラック境界位置）よりも他方のエレメントから離間した位置に設定し、半径方向への偏向走査長さが、この一方のエレメントの半径方向の設計上の長さ（トラック幅）よりも短くなるように描画する。
【００４０】
図３、４を参照して本発明の電子ビーム描画方法の詳細を説明する。図３には、図２のトラックＴ1、Ｔ2のアドレス部Ａの一部パターンおよび本発明の描画方法の一実施形態Ｉを模式的に示している。
【００４１】
１対のエレメントＡ1、Ａ2は角部Ｃを挟み対角線方向に隣接している。両エレメントＡ1、Ａ2は角部Ｃの頂点を共有するようにして、この頂点を中心とする点対称な位置に配置されている。そしてその両者を同時に共有する他のエレメントは存在していない。
【００４２】
本発明の電子ビーム描画方法の一実施形態Ｉによれば、エレメントＡ1、Ａ2を描画する際に、エレメントＡ1について、半径方向Ｙへの偏向走査Ｄ1のエレメントＡ2側の一端位置（Ｙ方向偏向走査の終端位置）を、エレメントＡ1の設計上の配置における半径方向端部位置ｙ（トラックＴ1とトラックＴ2との境界位置）よりもエレメントＡ2から離間した位置ｙ＋Δｙ1に設定し、半径方向Ｙへの偏向走査長さＬ1が、エレメントＡ1の半径方向Ｙの設計上の長さＬよりも短くなるように描画する。同様に、エレメントＡ2について、半径方向Ｙへの偏向走査Ｄ1のエレメントＡ1側の一端位置（Ｙ方向偏向走査の開始位置）を、エレメントＡ1の設計上の配置における半径方向端部位置ｙよりもエレメントＡ1から離間した位置ｙ−Δｙ1に設定し、半径方向への偏向走査長さＬ1が、エレメントＡ2の半径方向の設計上の長さＬよりも短くなるように描画する。
【００４３】
ここでは、エレメントＡ1、Ａ2についての半径方向端部位置ｙからの端部位置のいずれも離間距離Δｙ1であり、偏向走査長さがＬ1と同一となるものとしているが、両者エレメントの半径方向端部位置ｙからの離間距離は必ずしも同一でなくてもよい。
【００４４】
図４には、パターンＡについての本発明の描画方法の別の形態II，IIIを示している。
描画方法の形態IIに示すように、２つのエレメントのうちトラックＴ1のエレメントＡ1について、半径方向Ｙへの偏向走査Ｄ2のエレメントＡ2側の一端位置（Ｙ方向偏向走査の終端位置）を、エレメントＡ1の設計上の配置における半径方向端部位置ｙよりもエレメントＡ2から離間した位置ｙ＋Δｙ2に設定し、半径方向への偏向走査長さＬ2が、エレメントＡ1の半径方向の設計上の長さＬよりも短くなるように描画し、トラックＴ2のエレメントＡ2については、設計パターンの設計長Ｌと同等の長さ偏向走査Ｄして描画するようにしてもよい。
【００４５】
あるいは、描画方法の形態IIIに示すように、２つのエレメントのうちのトラックＴ2のエレメントＡ2について、半径方向Ｙへの偏向走査Ｄ3のエレメントＡ1側の一端位置（Ｙ方向偏向走査の開始位置）を、エレメントＡ2の設計上の配置における半径方向端部位置ｙよりもエレメントＡ1から離間した位置ｙ−Δｙ3に設定し、半径方向への偏向走査長さＬ3が、エレメントＡ2の半径方向の設計上の長さＬよりも短くなるように描画し、他方のエレメントＡ1については、設計パターンの設計長Ｌと同等の長さ偏向走査Ｄして描画するようにしてもよい。
【００４６】
隣接する１対のエレメントに対する上記の近接効果補正において、偏向走査一端のトラック境界位置からのずらし量は、使用するレジストの感度、電子ビームの加速電圧・ビーム径、そして現像プロセス等に依存するが、一般的な化学増幅型レジストを使用する場合は、ずらし量を酸の拡散長と同程度の５〜２０ｎｍとすることが好ましい。また、パターンの両端を短くする場合についても同様である。
【００４７】
上記のように、設計パターンの微細パターンにおいて対角線方向に隣接する１対のエレメントＡ1、Ａ2があり、この１対のエレメントの両者に同時に隣接するエレメントが存在していない場合、少なくとも一方のエレメントについて、その半径方向Ｙへの偏向走査の他方のエレメント側の一端位置を、一方のエレメントの設計上の配置における半径方向端部位置よりも他方のエレメントから離間した位置に設定し、半径方向への偏向走査長さが、一方のエレメントの半径方向の設計上の長さよりも短くなるように描画することにより、レジスト現像後のパターンにおいて、１対のエレメントの隣接する角部Ｃが鈍るのを抑制し、矩形性を向上させることができる。
【００４８】
図５は、図２に示す設計パターンを本発明の電子ビーム描画方法の一実施形態で描画する場合の各エレメントについてのＹ方向への偏向走査の長さを示す模式図である。
【００４９】
図５においては、図２に丸で示した部分を共有する各エレメントについては斜線を付している。斜線で示したエレメントについては、いずも偏向走査の一端の位置をトラック境界となる位置からトラック内方向へずらし、偏向走査長さが設計パターンの偏向走査長さ（トラック幅）よりも短くなるように描画する。図２で丸が付されていないエレメントについては、設計パターンの偏向走査長さと同じだけＹ方向へ偏向走査する。また、ヌルバースト部のエレメントは、市松模様の配置になっており、各エレメントは２つもしくは４つの頂点を挟んで複数の対角線方向に隣接エレメントを有している。このように、あるエレメントが半径方向Ｙの正負両方向に１対のエレメントの他のエレメントを有する場合、偏向走査の両端の位置を変更すればよい。
【００５０】
なお、図５においては、頂点を共有する１対のエレメントの両者について、偏向走査の位置を変更するものとしているが、図３、４で説明したように、１対のエレメントの少なくとも一方の偏向走査の一端位置を変更すればよい。たとえば、１対のエレメントのうち偶数トラックＴ2nに配置されているエレメントについてのみ、あるいは奇数トラックＴ2n+1に配置されているエレメントについてのみ偏向走査の一端位置をトラック境界位置から変更するようにしてもよい。
【００５１】
図５に記載のように、一部のエレメントについて、近接効果補正のためにＹ方向への走査距離を偏向するが、このように描画露光したレジストを現像すると、角部の鈍りによる隣接エレメントが繋がりは抑制され、Ｙ方向への走査距離をトラック幅よりも短く描画したエレメントについても、近接効果の影響によりほぼトラック幅程度の領域が露光され現像され、従来の描画方法で描画した場合の現像後のパターンよりも、設計パターンに近いパターンを現像後に得ることができる。
【００５２】
各エレメントの描画は、表面にレジスト１１が塗布された基板１０を、後述の回転ステージ３１（図７参照）に設置して回転させつつ、例えば、内周側のトラックより外周側トラックへ順に、またはその反対方向へ、１トラックずつ描画するものである、つまり、基板１０を一方向Ａに回転させつつ、微視的にみれば直線状に延びる同心円状の各トラックの所定移位相位置に、設計パターンのエレメント配置に応じて、平行四辺形状の領域を塗りつぶすように微小径の電子ビームＥＢで走査して各エレメントの描画露光を行うものである。なお、近年注目されているディスクリートトラックメディアでは、上記のようなサーボパターンに加え、データ領域１５における各データトラック間のガードバンド部分に、隣接する各トラックを溝状に分離するようトラック方向に延びるグルーブパターンが同心円状に形成されるものであり、このグルーブパターンも基板の１回転中にサーボパターンの描画と連続して描画される。
【００５３】
一般的な磁気ディスク媒体は、角速度一定（ＣＡＶ）方式で信号の記録再生が行われる。したがって、最終的な磁気ディスク媒体として回転駆動された際に、ディスク全域においてサーボエレメントから読み出される信号が同じとなるように、磁気ディスク媒体用のパターンにおいては、同心円状のトラックの各トラック幅（トラックピッチ）は一定であるが、内周から外周にかけて、円周が大きくなるに伴ってエレメントのトラック方向の長さ（物理ビット長）は大きくなっている。
【００５４】
一方で、上記のような磁気ディスク媒体用の微細パターンを描画する際には、基板１０の描画領域における、描画部位の半径方向位置の移動つまりトラック移動に対し、基板１０の外周側部位でも内周側部位でも全描画域で同一の線速度となるように、回転ステージ３１の回転数を外周トラック描画時には遅く、内周トラック描画時には速くなるように調整する。これにより、電子ビームＥＢの描画における近接効果補正を含む均等なドーズ量を得る点、および描画位置精度を確保する点で有利となる。
【００５５】
図６は、設計パターンにおけるエレメント形状と、その形状を描画するための電子ビームＥＢの描画動作およびその描画動作を行うための偏向信号等の各種信号のタイミングチャートの一例を示す図である。また、図７は本発明の電子ビーム描画方法を実施する一実施形態の電子ビーム描画システムの要部側面図(Ａ)および部分平面図(Ｂ)である。
【００５６】
図６において、(Ａ)は設計パターンにおけるエレメント形状を示し、（Ｂ）は電子ビームＥＢの半径方向Ｙおよび周方向Ｘ（回転方向Ａ）の描画動作を模式的に示し、(Ｃ)は半径方向Ｙの偏向信号Ｄef(Y)を、(Ｄ)は周方向Ｘの偏向信号Ｄef(X)を、(Ｅ)は周方向Ｘの振動信号Ｍod(X)を、(Ｆ)は電子ビームＥＢ照射のオン・オフ動作を、(Ｇ）は描画クロック信号をそれぞれ示している。なお、(Ａ)、（Ｂ）の横軸は基板１０の位相を、(Ｃ)〜(Ｇ)の横軸は時間を示している。
【００５７】
図６（Ａ）の設計パターンにおけるエレメントが、本発明の描画方法における近接効果補正の対象となる対角線方向に隣接する１対のエレメントの一方を構成するものである場合、そのエレメントの他方のエレメント（図示せず。）との隣接する頂角に丸印を付している。ここでは、エレメント１３ａは、本発明の描画方法における近接効果補正の対象とならず、エレメント１３ａ〜１３が近接効果補正の対象となるものである。エレメント１３ｂは下端右角部方向に他方のエレメントと隣接し、エレメント１３ｃは上端右角部方向に他方のエレメントと隣接し、エレメント１３ｄは上端左角部方向および下端右角部方向に他方のエレメントと隣接している。
【００５８】
電子ビームＥＢの走査は、基板１０（回転ステージ３１）を回転させつつ、エレメント１３ａ〜１３ｄの最小トラック方向長さより小さいビーム径の電子ビームＥＢを、後述のブランキング手段２４の描画部位に応じたオン・オフ制御により照射を断続し、周方向Ｘへ一定の振幅で高速に往復振動させつつ、半径方向Ｙおよび周方向Ｘに偏向させることにより平行四辺形状を塗りつぶすように走査し、描画する。
【００５９】
各エレメントの描画時間は、図６（Ｇ）の描画クロック信号におけるクロック数で定める。
図６の(Ｇ)の描画クロック信号は、後述の信号送出装置内で生成される、状況に応じて変化することのない一定のクロック信号（基本クロック信号）に基づき生成される信号である。描画クロック信号は、内周トラック描画時と外周トラック描画時とで回転ステージ３１の回転数が変化しても、１回転（１周）でのクロック数が同一となるように、回転数の変更に応じてクロック幅（クロック長さ）が調整される。つまり、クロック幅は半径ｒに応じて所定トラックごとに、内周トラックで狭く、外周側トラックで広くなるように、変化するものである。
【００６０】
そして、周方向（回転方向Ａ）の寸法的および時間的幅を、描画クロック信号のクロック数で規定し、内周トラックおよび外周トラックで同じ描画クロック数で微細パターンを描画することを基本としている。これにより、内周側と外周側とでの、同一角度（位相）における描画クロック数を同じにして、相似形のパターンを簡易に描画できる。
【００６１】
また、上記近接効果補正に応じて各エレメントの描画時間は、整数個のクロック数を増減するもので、本発明の電子ビーム描画方法において近接効果補正の対象となる、一対のエレメントの少なくとも一方のエレメントについての描画クロック数Ｍ（Ｍは整数）を、その一方のエレメントを半径方向Ｙに半径方向の設計上の長さ偏向走査する場合の基準クロック数Ｎ（Ｎは整数）に対し、
Ｍ≒（Ｔｐ’／Ｔｐ）・Ｎ
（ここで、Ｔｐは前記設計上の長さ、Ｔｐ’は前記偏向走査長さである。）
とする。
【００６２】
例えば、図３において、エレメントＡ１の設計上の長さＬに対して、描画方法Ｉでの偏向走査長Ｌ１＝０．９Ｌとするとき、エレメントＡ１の描画方法Ｉでの描画クロック数Ｍ＝（０．９／１）・Ｎである。基準クロック数Ｎが５０クロックであるとき、Ｍは４０クロックとなる。
【００６３】
なお、クロック数Ｎ、Ｍは整数であり、クロック数の増減は整数で行うため、上記式の右辺（Ｔｐ’／Ｔｐ）・Ｎが整数でない場合、Ｍは右辺の少数点以下を、切り上げ、切捨て、もしくは四捨五入等により得られる（Ｔｐ’／Ｔｐ）・Ｎ―１＜Ｍ＜（Ｔｐ’／Ｔｐ）・Ｎ＋１の範囲の整数値である。
【００６４】
ＥＢ照射のオン、オフは、後述のブランキング手段のオフ、オンで制御する。後述の電子銃からの電子ビーム出力自体をオン／オフするのは電子ビームの安定性上好ましくなく、一般に電子ビームＥＢの照射のオン、オフは、電子ビームをブランキング手段のオフ、オンで行う。以下において、電子ビームＥＢの照射のオンはブランキング手段のオフ、電子ビームＥＢの照射のオフはブランキング手段のオンを意味する。
【００６５】
図６により本発明の電子ビーム描画方法を具体的に説明する。
まず、各エレメント１３ａ〜１３ｄの基本的な描画動作は、それぞれａ，ｃ，ｅ，ｇ点で(Ｆ)電子ビームＥＢの照射をオンとし、エレメント１３ａ〜１３ｄの描画を開始するものであり、描画開始位置にある電子ビームＥＢを（Ｅ）の振動信号Ｍod(X)により周方向Ｘに往復振動させつつ、（Ｃ）の偏向信号Ｄef(Y)により半径方向（−Ｙ）に偏向させて送るとともに、Ａ方向への基板１０の回転に伴う電子ビームＥＢの照射位置のずれを補償するために、（Ｄ）の偏向信号Ｄef(X)によりＡ方向と同方向の周方向Ｘに偏向させて送ることにより、矩形状のエレメント１３ａ〜１３ｄを塗りつぶすように走査し、ｂ，ｄ，ｆ、ｈ点でのブランキング信号ＢＬＫのオンにより電子ビームＥＢの照射を停止し、各サーボエレメント１３ａ〜１３ｄの描画を終了する。描画後に、半径方向Ｙおよび周方向Ｘの偏向を基準位置に戻す。各サーボエレメント１３ａ〜１３ｄの周方向Ｘの長さは同じであり、電子ビームＥＢの周方向往復振動の振幅によって規定している。
【００６６】
電子ビーム描画方法は、図６に示すように、半径方向Ｙおよび周方向Ｘに三角波信号の偏向信号を出力して電子ビームの偏向走査を行っている。偏向信号は図６（Ｃ）および（Ｄ）に示すような三角波信号であるが、実際の電子ビームＥＢの偏向走査は、電気的および電子的な回路要素に起因する全体的な遅れを持って作動し、その遅れに加えて偏向開始点では起動遅れが生じる。また、三角波形状の斜辺部分にしたがって略直線的に偏向した後、三角波形の頂点において、時間経過では三角波信号の頂点に到達して鋭角に折り返すはずであるが、実際の電子ビームの偏向移動はこれに追従できず、頂点に到達する前にＲ形状に折り返して描画する偏向動作となってしまう。
【００６７】
そのため、エレメント１３ａ〜１３ｄの描画においては、三角波信号の起点および終点を含まない斜辺部で電子ビームの描画のオン、オフを行うことにより、電子ビーム偏向動作の動作開始部の近傍および動作終了部の近傍を除去して、略直線的に偏向動作する期間に描画を行うようにしている。
【００６８】
さらに、エレメント１３ｂ〜１３ｄについては、それぞれ図６（Ｂ）に示すように、それぞれの偏向走査の一端位置が仮想的に示されているトラック境界位置からトラック内部側に位置するように描画される。
【００６９】
Ｙ方向およびＸ方向への偏向信号はエレメント１３ａ〜１３ｄについて共通とし、エレメント１３ｂ〜１３ｄのＥＢ照射の時間をエレメント１３ａの描画時間（クロック数Ｎ）よりも短くすることにより近接効果補正を含む図６（Ｂ）に示されるような描画を行うことができる。
【００７０】
具体的には、エレメント１３ｂは、下端右角方向に他方のエレメントが隣接配置されているため、このエレメント１３ｂについての描画形状における、偏向走査の下端位置（偏向走査終端）を＋Ｙ方向にずれた位置とする。エレメント１３ｂについての描画形状は、同様のＸ、Ｙ方向への偏向走査信号に対し、電子ビーム照射オンのタイミングをエレメント１３ａの照射オンのタイミングと同じとして描画を開始し、電子ビーム照射オフのタイミングはエレメント１３ａの照射オフのタイミングより早い時刻として描画を終了することにより走査露光できる。
【００７１】
エレメント１３ｃは、上端右角方向に他方のエレメントが隣接配置されているため、このエレメント１３ｃについての描画形状における、偏向走査の上端位置（偏向走査開始端）を−Ｙ方向にずれた位置とする。エレメント１３ｃについての描画形状は、同様のＸ，Ｙ方向への偏向走査信号に対し、電子ビーム照射オンのタイミングをエレメント１３ａの照射オンのタイミングよりも遅い時刻として描画を開始し、電子ビーム照射オフのタイミングはエレメント１３ａの照射オフのタイミングと同じとして描画を終了することにより走査露光できる。
【００７２】
エレメント１３ｄは、上端左角方向および下端右角方向にそれぞれ他方のエレメントが隣接配置されているため、このエレメント１３ｄについての描画形状における、偏向走査の上端位置および下端位置をそれぞれ−Ｙ方向および＋Ｙ方向にずれた位置とする。エレメント１３ｄについての描画形状は、同様のＸ，Ｙ方向への偏向走査信号に対し、電子ビーム照射オンのタイミングをエレメント１３ａの照射オンのタイミングよりも遅い時刻として描画を開始し、電子ビーム照射オフのタイミングはエレメント１３ａの照射オフのタイミングより早い時刻として描画を終了することにより走査露光できる。
【００７３】
例えば、各エレメント１３ａ〜１３ｄの描画時間は、エレメント１３ａを描画する際の電子ビーム照射のオンからオフまでの描画時間が２０クロックとし、偏向走査の一端位置のズレ量をトラック幅の１０％した場合、エレメント１３ｂ、１３ｃの描画時間を１８クロック、エレメント１３ｄの描画時間を１６クロックとすればよい。
【００７４】
このように、Ｘ方向、Ｙ方向への偏向走査信号は各エレメントで同一とし、電子ビーム照射のオン、オフ制御により描画時間を変化させることにより、描画形状におけるエレメントの半径方向長さ（偏向走査長さ）を容易に変化させることができる。Ｘ方向、Ｙ方向への偏向走査信号が同一であることから、照射領域毎のドーズ量を常に一定とすることができる。
【００７５】
１つのトラックを１周描画した後、次のトラックに移動し同様に描画して、基板１０の全領域に所望の微細パターンを描画する。この電子ビームＥＢのトラック移動は、後述の回転ステージ３１を半径方向Ｙに直線移動させて行う。その移動は前述のように、電子ビームＥＢの半径方向Ｙの偏向可能範囲に応じて複数トラック（例えば、８トラック、１６トラックなど）の描画毎に行うか、１トラックの描画毎に行ってもよい。
【００７６】
図６が内周トラック描画時とすると、外周トラック描画時には、（Ｃ），(Ｄ)，(Ｆ），（Ｇ）の各信号が、トラック方向の長さが所定倍率で長くなるように設定される。また、(Ｅ)の信号は内周側振幅に対し、外周側振幅がエレメント１３の幅の増大に対応した所定倍率で大きく設定される。そして、周方向Ｘおよび半径方向Ｙの偏向送りの基準速度は、外周側トラックの描画で送りが遅く、内周側トラックの描画で送りが速くなる。一方、基本クロック信号は時間的に同じ間隔で一定に生起し、これに基づき（Ｇ）の描画クロック信号が半径に応じて１周で同じクロック数となるようにクロック幅が調整される。つまり、（Ｃ）〜（Ｆ）の倍率と同様の倍率でクロック幅が大きくなる。そして、上記描画クロック信号の信号数を数えて、各種制御信号のオン・オフタイミング、信号形状を設定する。例えば、１つのエレメントの描画における描画クロック数は、数十クロック程度で行うのが好適である。なお、エレメント１３の描画面積が大きくなると、近接効果の影響が小さくなる傾向にあることより、内周側描画とは近接効果補正の係数が異なっている。
【００７７】
上記のように（Ｇ）の描画クロック信号は、クロック幅が外周トラックで広く内周トラックで狭くなり、回転ステージ３１の回転数は前述のように外周トラックで遅く内周トラックで速くなり、両者は同期させて同時に変更する。そして、同じ回転数の時は描画トラック位置すなわち半径位置ｒを若干変更しても、１周のクロック数が同一であるので同じ描画クロック数による制御で同じ位相位置に略同じ形態のエレメントが描画できる。そのとき、電子ビームＥＢに対するレジスト１１の相対移動速度は、半径位置で異なり、外周で若干速くなり、単位面積のドーズ量が変化する。しかし、描画されたエレメントの信号幅は(Ｅ)の振動信号の振幅に依存するので略同じとなり、回転数および描画クロック信号幅を変更せずに、描画トラック位置の若干の変動はレジストの感度、信号精度等で補償され、実際の記録情報としては問題なく使用できるものであり、１トラック移動ごとに回転数および描画クロック幅を変更する必要はなく、前述のように例えば８トラック描画毎に変更調整する。
電子ビームＥＢのビーム強度は、上記サーボエレメント１３の高速振動描画でレジスト１１の露光が十分に行える程度に設定されている。
【００７８】
上記のような本発明の電子ビーム描画方法を実施するための本発明の電子ビーム描画システムの実施形態について図７を参照して説明する。図７に示す本実施形態の電子ビーム描画システム１００は、電子ビーム描画装置４０および信号送出装置５０を備え、電子ビーム描画装置４０は、基板に対して電子ビームを照射する電子ビーム照射部２０と、基板を回転および直線移動させる機械駆動部３０とを備えている。
【００７９】
電子ビーム照射部２０は、鏡筒１８内に電子ビームＥＢを出射する電子銃２１、電子ビームＥＢを半径方向Ｙおよび円周方向Ｘへ偏向させるとともに円周方向Ｘに一定の振幅で微小往復振動させる偏向手段２２，２３、電子ビームＥＢの照射をオン・オフするためのブランキング手段２４としてアパーチャ２５およびブランキング２６（偏向器）を備えており、電子銃２１から出射された電子ビームＥＢは偏向手段２２、２３および図示しない電磁レンズ等を経て、レジスト１１が塗布された基板１０上に照射される。
【００８０】
ブランキング手段２４における上記アパーチャ２５は、中心部に電子ビームＥＢが通過する透孔を備え、ブランキング２６はＥＢ照射のオン・オフ信号の入力に伴って、オン信号時には電子ビームＥＢを偏向させることなくアパーチャ２５の透孔を通過させて照射させ、一方、オフ信号時には電子ビームＥＢを偏向させてアパーチャ２５の透孔を通過させることなくアパーチャ２５で遮断して、電子ビームＥＢの照射を行わないように作動する。
【００８１】
機械駆動部３０は、鏡筒１８が上面に配置された筐体１９内に原盤を支持する回転ステージ３１および該ステージ３１の中心軸と一致するように設けられたモータ軸を有するスピンドルモータ３２と備えた回転ステージユニット３３と、回転ステージユニット３３を回転ステージ３１の一半径方向に直線移動させるための直線移動手段３４とを備えている。直線移動手段３４は、回転ステージユニット３３の一部に螺合された精密なネジきりが施されたロッド３５と、このロッド３５を正逆回転駆動させるパルスモータ３６とを備えている。また、ステージユニット３３には、回転ステージ３１の回転角に応じたエンコーダ信号を出力する図示しないエンコーダが設置されている。エンコーダは、スピンドルモータ３２のモータ軸に取り付けられる、多数の放射状のスリットが形成された回転板と、そのスリットを光学的に読み取る光学素子とを備え、エンコーダスリットの読み取りによって所定回転位相で等間隔に生じるエンコーダ信号を信号送出装置５０に送出する。
【００８２】
上記スピンドルモータ４４の駆動すなわち回転ステージ３１の回転速度、パルスモータ４８の駆動すなわち直線移動手段４９による直線移動、電子ビームＥＢの変調、偏向手段２２、２３の制御、ブランキング手段２４のブランキング２６のオン・オフ制御等は信号送出装置５０から送出される制御信号に基づいて行われる。
【００８３】
信号送出装置５０は、所望のディスク媒体用の微細パターン（設計パターン）に基づく描画データを記憶し、電子ビーム描画装置４０に描画データ信号に基づく各種制御信号を送出するものである。
【００８４】
信号送出装置５０は、描画データを蓄積する描画データ蓄積部５２と、描画タイミングを計るための描画クロックを生成する描画クロック生成部５１と、描画データに基づく各種制御信号を生成し、描画データ信号として電子ビーム描画装置４０に送出する信号送出部５３とを備えている。信号送出装置５０は所謂フォーマッタにより構成することができる。
【００８５】
描画すべきパターンに関する設計パターンに基づく描画データは、電子ビーム描画を開始する前に、予め図示しない外部の設計データ処理装置から信号送出装置５０に送られ、描画データ蓄積部５２に蓄積される。
【００８６】
描画クロック生成部５１は、不変の基準クロックを発生する基準クロック発生部を内包し、この基準クロックおよび電子ビーム描画装置４０からのエンコーダ信号や半径位置信号に基づいて、各半径位置に応じたクロック幅の描画クロック信号を生成するものである。
【００８７】
本電子ビーム描画システム１００においては、信号送出装置５０が、ブランキングのオン・オフ制御、電子ビームＥＢのＸ−Ｙ偏向制御、回転ステージ３１の回転速度制御等の制御信号からなる描画データ信号を、各アンプおよびドライバに振り分けるものであり、それぞれのデータ信号はエンコーダ３７から入力されたエンコーダパルスと描画クロックに基づいて所定のタイミングで送出される。
【００８８】
そして、電子ビーム描画装置４０において、スピンドルモータ３２の駆動すなわち回転ステージ３１の回転速度、パルスモータ３６の駆動すなわち直線移動手段３４による直線移動、電子ビームＥＢの変調、偏向手段２２および２３の制御、ブランキング手段２４のブランキング２６のオン・オフ制御（すなわち電子ビームのオフ・オン制御）等は信号送出装置５０から送出された描画データ信号に基づいて行われる。
【００８９】
この描画データ信号には、既述の本発明の電子ビーム描画方法における近接補正のための信号が盛り込まれている。すなわち、微細パターンにおいて、対角線方向に隣接する１対のエレメントがあり、該１対のエレメントの両者に同時に隣接するエレメントが存在していない場合の、該１対のエレメントの少なくとも一方のエレメントについての制御信号として、一方のエレメントについての前記半径方向への偏向走査の他方のエレメント側の一端を、この一方のエレメントの設計上の配置における半径方向端部位置よりも他方のエレメントから離間した位置に設定し、半径方向Ｙへの偏向走査長さが、この一方のエレメントの半径方向の設計上の長さよりも短くなるように描画を制御する信号が盛り込まれている。
【００９０】
＜凹凸パターン担持体の製造方法および磁気ディスク媒体の製造方法＞
次に、上記のような電子ビーム描画システム１００により、前述の電子ビーム描画方法によって微細パターンを描画する工程を経て製造する凹凸パターン担持体の製造方法およびその凹凸パターン担持体を用いた磁気ディスク媒体の製造方法を説明する。図８は、凹凸パターン担持体の一形態であるインプリントモールドを用いて微細凹凸パターンを転写形成している過程を示す概略断面図である。
【００９１】
インプリントモールド７０は、透光性材料による基板７１の表面にレジスト１１が塗布され、磁気ディスク用の微細パターンが描画される。その後、現像処理して、レジストによる凹凸パターンを基板７１に形成する。このパターン状のレジストをマスクとして基板７１をエッチングし、その後レジストを除去し、表面に形成された微細凹凸パターン７２を備えるインプリントモールド７０を得る。一例としては、上記微細凹凸パターン７２は、ディスクリートトラックメディア用のサーボパターンとグルーブパターンとを備えたものである。
【００９２】
このインプリントモールド７０を用いて、インプリント法によって磁気ディスク媒体８０を作製する。磁気ディスク媒体８０は、基板８１上に磁性層８２を備え、その上にマスク層を形成するためのレジスト樹脂層８３が被覆されている。そして、このレジスト樹脂層８３に、前記インプリントモールド７０の微細凹凸パターン７２が押し当てられて、紫外線照射によって上記レジスト樹脂層８３を硬化させ、微細凹凸パターン７２の凹凸形状を転写形成してなる。その後、レジスト樹脂層８３の凹凸形状に基づき磁性層８２をエッチングし、磁性層８２による微細凹凸パターンが形成されたディスクリートトラックメディア用の磁気ディスク媒体８０を作製するものである。
【００９３】
また、上記ではディスクリートトラックメディアの製造について説明したが、ビットパターンメディアも同様の工程で製造することができる。
【００９４】
図９は、同様に、電子ビーム描画システム１００を用い前述の電子ビーム描画方法によって描画された微細パターンを備えた凹凸パターン担持体の他の一形態である磁気転写マスター担体を用いて微細凹凸パターンに応じた磁気パターンを転写形成する過程を示す概略断面図である。
【００９５】
磁気転写用マスター担体９０の作製工程はインプリントモールド７０の作製方法とほぼ同様である。回転ステージ３１に設置する基板１０は、例えばシリコン、ガラスあるいは石英からなる円板の表面に電子ビーム描画用レジスト１１が塗設され、このレジスト１１上に、電子ビームを走査させて所望のパターンを描画する。その後、レジスト１１を現像処理して、レジストによる微細凹凸パターンを有する基板１０を得る。これが磁気転写用マスター担体９０の原盤となる。
【００９６】
次に、この原盤の表面の凹凸パターン表面に薄い導電層を成膜し、その上に、電鋳を施し、金属の型をとった凹凸パターンを有する基板９１を得る。その後、原盤から所定厚みとなった基板９１を剥離する。基板９１の表面の凹凸パターンは、原盤の凹凸形状が反転されたものである。
【００９７】
基板９１の裏面を研磨した後、その凹凸パターン上に磁性層９２（軟磁性層）を被覆して磁気転写用マスター担体９０を得る。基板９１の凹凸パターンの凸部あるいは凹部形状は、原盤のレジストの凹凸パターンに依存した形状となる。
【００９８】
上記のようにして作製された磁気転写用マスター担体９０を用いた磁気転写方法を説明する。情報が転写される被転写媒体である磁気ディスク媒体８５は、例えば、基板８６の両面または片面に磁気記録層８７が形成されたハードディスク、フレキシブルディスク等であり、ここでは、磁気記録層８７の磁化容易方向が記録面に対して垂直な方向に形成されている垂直磁気記録媒体とする。
【００９９】
図９（Ａ）に示すように、予め磁気ディスク媒体８５に初期直流磁界Ｈinをトラック面に垂直な一方向に印加して磁気記録層８７の磁化を初期直流磁化させておく。その後、図９（Ｂ）に示すように、この磁気ディスク媒体８５の記録層８７側の面とマスター担体９０の磁性層９２の面とを密着させ、磁気ディスク媒体８５のトラック面に垂直な方向に初期直流磁界Ｈinとは逆方向の転写用磁界Ｈduを印加して磁気転写を行う。その結果、転写用磁界がマスター担体９０の磁性層９２に吸い込まれ、凸部に対応する部分の磁気ディスク媒体８５の磁性層８７の磁化が反転し、その他の部分の磁化は反転しない結果、磁気ディスク媒体８５の磁気記録層８７にはマスター担体９０の凹凸パターンに応じた情報（例えばサーボ信号）が磁気的に転写記録される。なお、磁気ディスク媒体８５の上側記録層についても磁気転写を行う場合には、上側記録層に上側用のマスター担体を密着させて下側記録層と同時に磁気転写を行う。
【０１００】
なお、面内磁気記録媒体への磁気転写の場合にも、上記垂直磁気記録媒体用とほぼ同様のマスター担体９０が使用される。この面内記録の場合には、磁気ディスク媒体の磁化を、予めトラック方向に沿った一方向に初期直流磁化しておき、マスター担体と密着させてその初期直流磁化方向と略逆向きの転写用磁界を印加して磁気転写を行うものであり、この転写用磁界がマスター担体９０の凸部磁性層に吸い込まれ、凸部に対応する部分の磁気ディスク媒体の磁性層の磁化は反転せず、その他の部分の磁化が反転する結果、凹凸パターンに対応した磁化パターンを磁気ディスク媒体に記録することができる。
【０１０１】
以上説明した、本発明の電子ビーム描画方法を用いた、インプリントモールド、磁気転写用マスター担体の上述の製造方法は一例であり、本発明の電子ビーム描画方法を用いて微細パターンの描画を行い、凹凸パターンを形成する工程を経るものであれば上述の作製方法に限るものではない。
【実施例１】
【０１０２】
本発明の電子ビーム描画方法の実施例および比較例について説明する。
本発明の電子ビーム描画方法によりパターン描画を行い作製した原盤を用いて磁気転写用マスター担体を作製し、この磁気転写用マスター担体を用いて磁気転写を行って磁気ディスク媒体を作製した。
【０１０３】
描画の際、本発明の描画方法において、近接効果の補償対象となるエレメントについては、描画時の半径方向への電子ビームの偏向走査の一端位置の設計位置からのずらし量を、１０ｎｍ、２０ｎｍとした場合をそれぞれ実施例１〜２とした。このとき、設計パターンにおけるエレメントの半径方向長さ（トラック幅）は１１５ｎｍであった。
【０１０４】
なお、比較例として、全てのエレメントについて、半径方向への電子ビームの偏向走査長さを設計パターンにおけるエレメントの長さ（トラック幅）と同一の長さとして描画して作製した原盤を用いて磁気転写用マスター担体を作製し、この磁気転写用マスター担体を用いて磁気転写を行って磁気ディスク媒体を作製した。
【０１０５】
実施例１〜４および比較例の磁気ディスク媒体について、アドレスエラーレートの測定を行った結果を図１０に示す。
＜アドレスエラーレートの測定方法＞
磁気転写後の磁気記録媒体について、スピンスタンドを用いてＧＭＲヘッドでサーボ信号の再生波形を取得し、デコードプログラムを利用して解析した。これによって求められた全測定フレーム数に対するアドレスエラー（０/1反転、信号識別不能、信号ズレ等）の数よりアドレスエラーレートを算出した。
【０１０６】
図１０は、各例についてのアドレスエラーレートを比較例１についての値で規格化したものである。図１０に示すように、本発明の実施例１〜２は、比較例１に比べ、格段にエラーレートが低減した。これは、本発明の描画方法により描画されて作製された原盤におけるパターンの矩形性の向上により、この原盤を元に作製した磁気転写用マスター担体における凹凸パターンの凸部、凹部の平面形状の矩形性が向上し、さらには、磁気転写用マスター担体を用いて磁気転写により磁化パターンが形成された磁気ディスク媒体の該磁化パターンの鮮鋭化が図られた効果であると考えられる。
【符号の説明】
【０１０７】
１０   基板
１１   レジスト
１２   サーボ領域
１５   データ領域
１８   鏡筒
１９   筐体
２０   電子ビーム照射部
２１   電子銃
２２，２３    偏向手段
２４   ブランキング手段
２５   アパーチャ
２６   ブランキング
３０   機械駆動部
３１   回転ステージ
３２   スピンドルモータ
３３   回転ステージユニット
３３   ステージユニット
３４   直線移動手段
３５   ロッド
３６   パルスモータ
３７   エンコーダ
４０   電子ビーム描画装置
４４   スピンドルモータ
４８   パルスモータ
４９   直線移動手段
５０   信号送出装置
５１   描画クロック生成部
５２   描画データ蓄積部
５３   信号送出部
７０   インプリントモールド
７１   基板
７２   微細凹凸パターン
８０   磁気ディスク媒体
８１   基板
８２   磁性層
８３   レジスト樹脂層
８５   磁気ディスク媒体
８６   基板
８７   磁気記録層
９０   磁気転写用マスター担体
９０   マスター担体
９１   基板
９２   磁性層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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