(57)【要約】【課題】リードフレーム型の半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】半導体チップ２を封止する封止体５は平面視において、四辺形を成し、四辺のそれぞれに沿ってそれぞれ複数のリード１０が配置される。また、タブ（チップ搭載部）３は、タブ３と一体に形成される複数の吊りリード６に支持される。複数の吊りリード６のそれぞれは、四辺形を成す封止体５の第１対角線（仮想線）ＤＬ１に沿って延び、第１対角線ＤＬ１とは異なる第２対角線（仮想線）ＤＬ２側には、複数の吊りリード６は配置されない。ここで、複数のリード１０のタブ３側の先端部に位置するボンディング領域は、それぞれ第２対角線ＤＬ２側に寄せて配置する。【選択図】図４
2012190956.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チップ搭載部と、
前記チップ搭載部と一体に形成された第１吊りリードと、
前記チップ搭載部と一体に形成された第２吊りリードと、
前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリードと、
表面、前記表面に形成された複数のボンディングパッド、および前記表面とは反対側の裏面を有し、前記チップ搭載部上に搭載された半導体チップと、
前記半導体チップの前記複数のボンディングパッドと前記複数のリードとを、それぞれ電気的に接続する複数のワイヤと、
前記半導体チップおよび前記複数のワイヤを封止する封止体と、
を含み、
前記封止体の平面形状は、第１角部、前記第１角部と前記チップ搭載部を介して対向する第２角部、前記第２角部の隣に位置する第３角部、前記第３角部と前記チップ搭載部を介して対向する第４角部、前記第１角部と前記第４角部の間に位置する第１辺、前記第２角部と前記第３角部の間に位置する第２辺、前記第２角部と前記第４角部の間に位置する第３辺、および前記第１角部と前記第３角部の間に位置する第４辺を有する四角形から成り、
前記第１角部と前記第２角部を結ぶ仮想線を第１対角線、前記第３角部と前記第４角部を結ぶ仮想線を第２対角線とすると、
前記第１吊りリードは、平面視において、前記チップ搭載部から前記封止体の前記第１角部に向かって、かつ前記第１対角線に沿って延び、
前記第２吊りリードは、平面視において、前記チップ搭載部から前記封止体の前記第２角部に向かって、かつ前記第１対角線に沿って延び、
複数のリードは、前記第１乃至第４辺のそれぞれに沿って配置され、前記複数のリードのそれぞれにおいて、前記チップ搭載部側に位置する先端部には、前記複数のワイヤを接合するボンディング領域を備え、
前記複数のリードには、平面視において前記第１対角線を挟んで隣り合って配置される二対の第１角部リード対と、平面視において前記第２対角線を挟んで隣り合って配置される二対の第２角部リード対と、が含まれ、
前記二対の第１角部リード対の間には、それぞれ前記第１または第２吊りリードが配置され、
前記二対の第２角部リード対の間には吊りリードが配置されず、
前記二対の第２角部リード対の前記チップ搭載部側の先端部の配置間隔は、前記二対の第１角部リード対の前記チップ搭載部側の先端部の配置間隔よりも狭いことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記複数のワイヤのうち、前記二対の第２角部リード対にそれぞれ接続される第２ワイヤ間の間隔は、前記二対の第１角部リードにそれぞれ接続される第１ワイヤ間の間隔よりも狭いことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記第１吊りリードは、前記チップ搭載部と前記封止体の第１角部の間に、第１傾斜部を備え、
前記第２吊りリードは、前記チップ搭載部と前記封止体の第２角部の間に、第２傾斜部を備え、
前記第１および第２傾斜部は、平面視において、それぞれ前記複数のリードの間に配置されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１において、
前記複数のリードには、前記第１辺に沿って配置される第１リード群を構成する複数の第１リード、前記第２辺に沿って配置される第２リード群を構成する複数の第２リード、前記第３辺に沿って配置される第３リード群を構成する複数の第３リード、および前記第４辺に沿って配置される第４リード群を構成する複数の第４リードが含まれ、
前記第１辺と前記第２辺の中心を結ぶ仮想線を第１中心線、前記第３辺と前記第４辺を結ぶ仮想線を第２中心線とすると、
前記複数の第１リードの前記チップ搭載部側の先端部は、前記第１中心線と前記第２対角線の間の領域に配置される数の方が、前記第１中心線と前記第１対角線の間の領域に配置される数よりも多く、
前記複数の第２リードの前記チップ搭載部側の先端部は、前記第１中心線と前記第２対角線の間の領域に配置される数の方が、前記第１中心線と前記第１対角線の間の領域に配置される数よりも多く、
前記複数の第３リードの前記チップ搭載部側の先端部は、前記第２中心線と前記第２対角線の間の領域に配置される数の方が、前記第１中心線と前記第１対角線の間の領域に配置される数よりも多く、
前記複数の第４リードの前記チップ搭載部側の先端部は、前記第２中心線と前記第２対角線の間の領域に配置される数の方が、前記第１中心線と前記第１対角線の間の領域に配置される数よりも多いことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記複数のリードは、前記封止体から露出する複数のアウタリード部と、前記複数のアウタリード部と一体に形成され、かつ、前記封止体に封止される複数のインナリード部から構成され、
前記複数のアウタリード部には、前記第１辺に沿って配置される第１リード群を構成する複数の第１アウタリード部、前記第２辺に沿って配置される第２リード群を構成する複数の第２アウタリード部、前記第３辺に沿って配置される第３リード群を構成する複数の第３アウタリード部、および前記第４辺に沿って配置される第４リード群を構成する複数の第４アウタリード部が含まれ、
前記複数の第１アウタリード部は、前記第１中心線から一方の端部までの間に配置される数と、前記第１中心線から他方の端部までの間に配置される数と同数であり、
前記複数の第２アウタリード部は、前記第１中心線から一方の端部までの間に配置される数と、前記第１中心線から他方の端部までの間に配置される数と同数であり、
前記複数の第３アウタリード部は、前記第２中心線から一方の端部までの間に配置される数と、前記第２中心線から他方の端部までの間に配置される数と同数であり、
前記複数の第４アウタリード部は、前記第２中心線から一方の端部までの間に配置される数と、前記第２中心線から他方の端部までの間に配置される数と同数であることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）チップ搭載部、前記チップ搭載部と一体に形成された第１吊りリード、前記チップ搭載部と一体に形成された第２吊りリード、および前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリードを備えるリードフレームを準備する工程；
（ｂ）表面、前記表面に形成された複数のボンディングパッド、および前記表面とは反対側の裏面を有する半導体チップを前記チップ搭載部上に搭載する工程；
（ｃ）前記半導体チップの前記複数のボンディングパッドと前記複数のリードとを、複数のワイヤを介して、それぞれ電気的に接続する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、成形金型のキャビティ内に前記半導体チップおよび前記複数のワイヤを配置した状態で封止用樹脂を供給し、前記半導体チップおよび前記複数のワイヤを封止する工程；
ここで、
前記複数のリードのそれぞれにおいて、前記チップ搭載部側に位置する先端部には、前記（ｃ）工程で前記複数のワイヤを接合するボンディング領域が配置され、
前記キャビティの平面形状は、第１角部、前記第１角部と前記チップ搭載部を介して対向する第２角部、前記第２角部の隣に位置する第３角部、前記第３角部と前記チップ搭載部を介して対向する第４角部、前記第１角部と前記第４角部の間に位置する第１辺、前記第２角部と前記第３角部の間に位置する第２辺、前記第２角部と前記第４角部の間に位置する第３辺、および前記第１角部と前記第３角部の間に位置する第４辺を有する四角形から成り、
前記第１角部と前記第２角部を結ぶ仮想線を第１対角線、前記第３角部と前記第４角部を結ぶ仮想線を第２対角線とすると、
前記（ｄ）工程では、
前記第１吊りリードは、平面視において、前記チップ搭載部から前記キャビティの前記第１角部に向かって、かつ、前記第１対角線に沿って延びるように配置され、
前記第２吊りリードは、平面視において、前記チップ搭載部から前記キャビティの前記第２角部に向かって、かつ、前記第１対角線に沿って延びるように配置され、
前記第１乃至第４辺のそれぞれに沿って前記複数のリードが配置され、
前記複数のリードには、平面視において前記第１対角線を挟んで隣り合って配置される二対の第１角部リード対と、平面視において前記第２対角線を挟んで隣り合って配置される二対の第２角部リード対と、が含まれ、
前記二対の第１角部リード対の間には、それぞれ前記第１または第２吊りリードが配置され、
前記二対の第２角部リード対の間には吊りリードが配置されず、
前記二対の第２角部リード対の前記チップ搭載部側の先端部の配置間隔は、前記二対の第１角部リード対の前記チップ搭載部側の先端部の配置間隔よりも狭い。
【請求項７】
請求項６において、
前記成形金型は前記キャビティの側面に前記封止用樹脂の供給部および排出部を備え、
前記供給部は、前記キャビティの前記第１角部に配置され、前記排出部は、前記第２角部に配置されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記複数のワイヤのうち、前記二対の第２角部リード対にそれぞれ接続される第２ワイヤ間の間隔は、前記二対の第１角部リードにそれぞれ接続される第１ワイヤ間の間隔よりも狭いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７において、
前記第１吊りリードは、前記チップ搭載部と前記キャビティの第１角部の間に、第１傾斜部を備え、
前記第２吊りリードは、前記チップ搭載部と前記キャビティの第２角部の間に、第２傾斜部を備え、
前記第１および第２傾斜部は、平面視において、それぞれ前記複数のリードの間に配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項７において、
前記複数のリードには、前記第１辺に沿って配置される第１リード群を構成する複数の第１リード、前記第２辺に沿って配置される第２リード群を構成する複数の第２リード、前記第３辺に沿って配置される第３リード群を構成する複数の第３リード、および前記第４辺に沿って配置される第４リード群を構成する複数の第４リードが含まれ、
前記第１辺と前記第２辺の中心を結ぶ仮想線を第１中心線、前記第３辺と前記第４辺を結ぶ仮想線を第２中心線とすると、
前記複数の第１リードの前記チップ搭載部側の先端部は、前記第１中心線と前記第２対角線の間の領域に配置される数の方が、前記第１中心線と前記第１対角線の間の領域に配置される数よりも多く、
前記複数の第２リードの前記チップ搭載部側の先端部は、前記第１中心線と前記第２対角線の間の領域に配置される数の方が、前記第１中心線と前記第１対角線の間の領域に配置される数よりも多く、
前記複数の第３リードの前記チップ搭載部側の先端部は、前記第２中心線と前記第２対角線の間の領域に配置される数の方が、前記第１中心線と前記第１対角線の間の領域に配置される数よりも多く、
前記複数の第４リードの前記チップ搭載部側の先端部は、前記第２中心線と前記第２対角線の間の領域に配置される数の方が、前記第１中心線と前記第１対角線の間の領域に配置される数よりも多いことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項７において、
前記（ｄ）工程では、前記複数のリードを構成する複数のインナリード部を前記キャビティ内に配置し、前記複数のインナリード部と一体に形成される複数のアウタリード部は、前記キャビティ外に配置され、
前記複数のアウタリード部には、前記第１辺に沿って配置される第１リード群を構成する複数の第１アウタリード部、前記第２辺に沿って配置される第２リード群を構成する複数の第２アウタリード部、前記第３辺に沿って配置される第３リード群を構成する複数の第３アウタリード部、および前記第４辺に沿って配置される第４リード群を構成する複数の第４アウタリード部が含まれ、
前記複数の第１アウタリード部は、前記第１中心線から一方の端部までの間に配置される数と、前記第１中心線から他方の端部までの間に配置される数と同数であり、
前記複数の第２アウタリード部は、前記第１中心線から一方の端部までの間に配置される数と、前記第１中心線から他方の端部までの間に配置される数と同数であり、
前記複数の第３アウタリード部は、前記第２中心線から一方の端部までの間に配置される数と、前記第２中心線から他方の端部までの間に配置される数と同数であり、
前記複数の第４アウタリード部は、前記第２中心線から一方の端部までの間に配置される数と、前記第２中心線から他方の端部までの間に配置される数と同数であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造技術に関し、特に、四辺形を成す封止体の四辺のそれぞれに沿って複数の外部端子が配置されたリードフレーム型の半導体装置に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特開２００５−３５４１１５号公報（特許文献１）には、半導体チップよりも外形寸法が小さいダイパッド上に半導体チップを搭載したＱＦＰ（Quad Flat Package）型の半導体装置が記載されている。また特許文献１には、ダイパッドと一体に形成された複数の吊りリードのそれぞれにダウンセット加工が施されたリードフレームが記載されている。
【０００３】
特開２００４-５６１３６号公報（特許文献２）には、樹脂封止体の第一の角部からその反対側の第二の角部に向かって延在する支持リード上に半導体チップを搭載したＱＦＰ型の半導体装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−３５４１１５号公報
【特許文献２】特開２００４-５６１３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体装置のパッケージ態様を、半導体チップを搭載する基材の種類毎に大別すると、
リードフレームを基材とするリードフレーム型の半導体装置と、配線基板（インタポーザ基板）を基材とする配線基板型の半導体装置がある。リードフレーム型の半導体装置は、このリードフレーム型の半導体装置において基材となるリードフレームが、配線基板型の半導体装置において基材となる配線基板に比べて安価であるため、配線基板型の半導体装置よりも製造コストを低減することができる。
【０００６】
また、リードフレーム型の半導体装置のうち、ＱＦＰ型の半導体装置やＱＦＮ（Quad Flat Non-Leaded Package）型の半導体装置は、四辺形を成す半導体装置の四辺のそれぞれに沿って複数の外部端子が配置されるので、外部端子数が増加しても実装面積の増大を抑制しつつ、かつ、製造コストを低減できる半導体装置である。
【０００７】
本願発明者は、上記したＱＦＰ型あるいはＱＦＮ型の半導体装置についてさらに検討を行い以下の課題を見出した。近年の半導体装置に対する小型化の要求に伴い、リードフレームに搭載する半導体チップの平面サイズの小型化が進められている。ところが、半導体チップの周囲に配置される複数の外部端子である複数のリードの微細加工には限界があり、半導体チップの小型化技術が進むと、それに対応してリードを微細化することが困難になっている。このため、小型化した半導体チップに、複数のリードを近づけることが困難となり、半導体チップに形成されたボンディングパッドとリードの距離が長くなる傾向がある。つまり、半導体チップのボンディングパッドとリードを電気的に接続するワイヤの長さが長くなる傾向がある。
【０００８】
ここで、ワイヤの長さは、半導体装置の信頼性に影響を及ぼす重要な要素である。例えば、ワイヤの長さが長くなると製造工程中に変形し易くなり、隣り合うワイヤ同士の短絡不良などの原因となる。また、ワイヤの長さが長くなれば、ワイヤのインピーダンス成分が増加するので、所定の電気的特性が得られない場合がある。また、ワイヤの長さが長くなると、ワイヤを構成する材料（金属）の使用量も増加するため、製造コストの増大を招くこととなる。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、リードフレーム型の半導体装置の信頼性を向上させる技術を提供することにある。
【００１０】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１２】
すなわち、本願発明の一態様である半導体装置は、半導体チップを搭載するチップ搭載部の周囲に前記半導体チップと複数のワイヤを介して電気的に接続された複数のリードが配置され、前記半導体チップ、前記複数のワイヤ、および前記複数のリードのボンディング領域は封止体により封止される。また、前記封止体は平面視において、四辺形を成し、四辺のそれぞれに沿ってそれぞれ前記複数のリードが配置される。また、前記チップ搭載部は、前記チップ搭載部と一体に形成される複数の吊りリードに支持される。また、前記複数の吊りリードのそれぞれは、四辺形を成す前記封止体の第１対角線（仮想線）に沿って延び、前記第１対角線とは異なる第２対角線（仮想線）側には、前記複数の吊りリードは配置されない。ここで、前記複数のリードのボンディング領域は、それぞれ前記第２対角線側に寄せて配置するものである。
【発明の効果】
【００１３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下の通りである。
【００１４】
すなわち、本願発明の一態様によれば、リードフレーム型の半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置の上面側を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図３】図１のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図４】図１に示す半導体装置の封止体内部における平面構造を示す透視平面図である。
【図５】図４に示す半導体チップ周辺を拡大して示す拡大平面図である。
【図６】図５のＤ部の拡大平面図である。
【図７】図５のＥ部の拡大平面図である。
【図８】図５のＦ部の拡大平面図である。
【図９】図５のＧ部の拡大平面図である。
【図１０】本発明の一実施の形態である半導体装置の組み立てフローを示す説明図である。
【図１１】図１０に示すリードフレーム準備工程で準備するリードフレームの全体構造を示す平面図である。
【図１２】図１１に示す複数の製品形成領域のうち、１つの製品形成領域周辺の拡大平面図である。
【図１３】図１２に示す吊りリードの傾斜部を形成するオフセット工程を模式的に示す拡大断面図である。
【図１４】図１２に示す吊りリードの傾斜部を形成するオフセット工程を模式的に示す拡大断面図である。
【図１５】図１２に示す吊りリードの傾斜部を形成するオフセット工程を模式的に示す拡大断面図である。
【図１６】図１２に示す吊りリードの傾斜部を形成するオフセット工程を模式的に示す拡大断面図である。
【図１７】図１３〜図１６に示す上金型の押圧部と図１２に示すリードフレームの平面的位置関係を示す拡大平面図である。
【図１８】図１２に示すタブ上に、ボンディング材を介して半導体チップを搭載した状態を示す拡大平面図である。
【図１９】図１８のＨ−Ｈ線に沿った拡大断面図である。
【図２０】図１８のＫ−Ｋ線に沿った拡大断面図である。
【図２１】図１８に示す半導体チップの電極パッドとリードをワイヤを介して電気的に接続した状態を示す拡大平面図である。
【図２２】図２１のＨ−Ｈ線に沿った拡大断面図である。
【図２３】図２１に示すリードフレームの製品形成領域に、封止体を形成した状態を示す拡大平面図である。
【図２４】図２３のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【図２５】図２３に示すＡ−Ａ線に沿った断面において、成形金型のキャビティ内に、封止用樹脂を供給する状態を示す拡大断面図である。
【図２６】図２３に示すＢ−Ｂ線に沿った断面において、成形金型のキャビティ内に、封止用樹脂を供給する状態を示す拡大断面図である。
【図２７】図１０に示す封止工程においてワイヤが配置された領域に封止用樹脂を供給する様子を模式的に示す説明図である。
【図２８】図２７のＬ−Ｌ線に沿った断面を模式的に示す説明図である。
【図２９】図２７のＭ−Ｍ線に沿った断面を模式的に示す説明図である。
【図３０】図２３に示すダム部を切断した状態を示す拡大平面図である。
【図３１】図３０に示すＡ−Ａ線に沿った断面において、封止体から露出する複数のリードの露出面に外装めっき膜を形成した状態を示す拡大断面図である。
【図３２】図３１に示すアウタリード部を切断し、成形した状態を示す拡大平面図である。
【図３３】図３２に示す製品形成領域をリードフレームの枠部から切り離し、個片化した状態を示す拡大平面図である。
【図３４】図１に示す半導体装置に対する変形例である半導体装置の下面（実装面）側を示す平面図である。
【図３５】図３４に示す半導体装置において、図２に対応する断面図である。
【図３６】図３４に示す半導体装置において、図４に対応する透視平面図である。
【図３７】図４に対する別の変形例である半導体装置を示す透視平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
（本願における記載形式・基本的用語・用法の説明）
本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクション等に分けて記載するが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、記載の前後を問わず、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しの説明を省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
【００１７】
同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、Ａ以外の要素を含むものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。たとえば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、ＳｉＧｅ（シリコン・ゲルマニウム）合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。また、金めっき、Ｃｕ層、ニッケル・めっき等といっても、そうでない旨、特に明示した場合を除き、純粋なものだけでなく、それぞれ金、Ｃｕ、ニッケル等を主要な成分とする部材を含むものとする。
【００１８】
さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。
【００１９】
また、実施の形態の各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
【００２０】
また、添付図面においては、却って、煩雑になる場合または空隙との区別が明確である場合には、断面であってもハッチング等を省略する場合がある。これに関連して、説明等から明らかである場合等には、平面的に閉じた孔であっても、背景の輪郭線を省略する場合がある。更に、断面でなくとも、空隙でないことを明示するため、あるいは領域の境界を明示するために、ハッチングやドットパターンを付すことがある。
【００２１】
本実施の形態では、四辺形を成す封止体の四辺のそれぞれに沿って複数の外部端子が配置されたリードフレーム型の半導体装置の一例として、ＱＦＰ型の半導体装置に適用した実施態様を取り上げて説明する。
【００２２】
＜半導体装置の外観構造＞
まず、本実施の形態の半導体装置の外観構造について説明する。図１は本実施の形態の半導体装置の上面側を示す平面図である。また、図２は、図１のＡ−Ａ線に沿った断面図、図３は図１のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。また、図４は、図１に示す半導体装置の封止体内部における平面構造を示す透視平面図、図５は、図４に示す半導体チップ周辺を拡大して示す拡大平面図である。なお、図４および図５は、半導体装置の内部構造を示す透視平面図であるため、図１に示す封止体５を透過して内部構造を示す平面図としている。
【００２３】
本実施の形態の半導体装置１は、半導体チップ２（図２〜図４参照）を封止する封止体（樹脂体）５と、封止体５から露出する外部端子である複数のリード１０を有している。封止体５は、図２および図３に示すように、上面５ａ、上面５ａの反対側に位置する下面５ｂ、および上面５ａと下面５ｂの周縁部を取り囲む側面５ｃを有している。また、図１に示すように、封止体５の平面形状は、四辺形（四角形）から成る。詳しくは、封止体５は、第１角部Ｃ１、第１角部Ｃ１と半導体チップ２を搭載するチップ搭載部を介して対向する第２角部Ｃ２、第１角部Ｃ１の隣に位置する第３角部Ｃ３、第３角部とチップ搭載部を介して対向する第４角部Ｃ４を有している。また、封止体５は、第１角部Ｃ１と第４角部Ｃ４の間に位置する第１辺Ｓ１、第２角部Ｃ２と第３角部Ｃ３の間に位置する第２辺Ｓ２、第２角部Ｃ２と第４角部Ｃ４の間に位置する第３辺Ｓ３、および第１角部Ｃ１と第３角部Ｃ３の間に位置する第４辺Ｓ４を有する。また、封止体５は、第１角部Ｃ１と第２角部Ｃ２を結ぶ第１対角線（仮想線）ＤＬ１と、第３角部Ｃ３と第４角部Ｃ４を結ぶ第２対角線（仮想線）ＤＬ２を有している。なお、厳密には、図１に示すように封止体５の各角部は封止体５のチッピングなどの損傷を防止ないしは抑制するための面取り加工が施されているが、第１辺Ｓ１〜第４辺Ｓ４の各辺（各辺）は、面取り加工部を構成する辺と比較して十分に長く、四辺形（または四角形）と見做すことができるので、本実施の形態では、面取り加工部の辺を除く四つの主辺を有する四辺形として説明する。
【００２４】
半導体装置１の外部端子である複数のリード１０は、第１辺Ｓ１〜第４辺Ｓ４の各辺に沿ってそれぞれ複数のリード１０が配置されている。つまり、半導体装置１は、四辺形を成す半導体装置１の四辺のそれぞれに沿って複数のリード１０が配置される、ＱＦＰ型の半導体装置１である。半導体装置１は、四辺のそれぞれに複数のリード１０を配置することにより外部端子数を増加させた、所謂多ピンタイプの半導体装置である。例えば、図１に示す例では、多ピンタイプの例として、各辺に沿って、それぞれ３６本、合計１４４本のリード１０が配置されている。ただし、リード１０の数は、図１に示す態様に限定されず、要求される外部端子数に応じてさらに増やすこともできる。例えば、図１に対する変形例として、各辺に沿って、６４本、合計２５６本のリード１０が配置された半導体装置とすることができる。
【００２５】
また、図２に示すように、複数のリード１０のそれぞれは、一部（インナリード部１２）が封止体５に封止され他部（アウタリード部１１）が封止体５から露出している。アウタリード部１１は、半導体装置１を図示しない実装基板に実装する際に、実装基板側の端子と電気的に接続するための端子であって、本実施の形態では、封止体５の側面５ｃから外側に向かって突出するように露出し、封止体５の外側においてガルウィング状に成形されている。また、アウタリード部１１の表面（上面、下面および側面）には、実装基板の端子と電気的に接続する際に、接合材料となる半田の濡れ性を向上させるため、例えば半田からなる外装めっき膜１３が形成されている。
【００２６】
また、図１に示すように封止体の各辺（第１辺Ｓ１〜第４辺Ｓ４）に沿って配置される複数のアウタリード部１１は、それぞれ各辺の中心からの配置本数が均等（同数）になるように、等間隔で配置されている。詳しくは、複数のアウタリード部１１のうち、第１辺Ｓ１に沿って配置される複数の第１アウタリード部ＯＬ１は、第１辺Ｓ１の中心から一方の端部までの間の配置本数が他方の端部までの間の配置本数と均等（図１では各１８本）となるように等間隔で配置されている。同様に、複数のアウタリード部１１のうち、第２辺Ｓ２に沿って配置される複数の第２アウタリード部ＯＬ２は、第２辺Ｓ２の中心から一方の端部までの間の配置本数が他方の端部までの間の配置本数と均等（図１では各１８本）となるように等間隔で配置されている。また、複数のアウタリード部１１のうち、第３辺Ｓ３に沿って配置される複数の第３アウタリード部ＯＬ３は、第３辺Ｓ３の中心から一方の端部までの間の配置本数が他方の端部までの間の配置本数と均等（図１では各１８本）となるように等間隔で配置されている。また、複数のアウタリード部１１のうち、第４辺Ｓ４に沿って配置される複数の第４アウタリード部ＯＬ４は、第４辺Ｓ４の中心から一方の端部までの間の配置本数が他方の端部までの間の配置本数と均等（図１では各１８本）となるように等間隔で配置されている。言い換えれば、複数のアウタリード部１１は、各辺の中心に対してそれぞれ対称となるように配置されている。また、アウタリード部１１の配置は、前記した第１対角線ＤＬ１、第２対角線ＤＬ２のそれぞれに対して、対称になるように配置されている。このようなアウタリード部１１のレイアウトは、一般的に行われているため、本実施の形態では一般的なレイアウトでアウタリード部１１を配置することで、実装基板に対して特殊な端子配置を要求しない構成となっている。つまり、半導体装置１の汎用性を向上させることができる。
【００２７】
＜半導体装置の内部構造＞
次に、半導体装置１の内部構造について説明する。
【００２８】
図２に示すように、半導体装置１は、半導体チップ２と、半導体チップ２を搭載するタブ（チップ搭載部、ダイパッド）３と、タブ３の周囲に配置された複数のリード１０と、半導体チップ２と複数のリード１０を電気的に接続する複数のワイヤ４と、半導体チップ２および複数のワイヤ４を封止する封止体５と、を備えている。また、図３に示すように、半導体装置１は、タブ３と一体に形成される二本の吊りリード６を有している。以下、各構成部材の詳細について説明する。
【００２９】
封止体５内に配置される半導体チップ２は、表面（主面）２ａ、表面２ａとは反対側に位置する裏面（主面）２ｂ、および表面２ａと裏面２ｂとの間に位置し、表面２ａと裏面２ｂの周囲を取り囲む側面２ｃを有している。図５に示すように半導体チップ２の平面形状（表面２ａ、裏面２ｂの形状）は四角形からなる。また、表面２ａには半導体チップ２の外部接続端子である複数のパッド（ボンディングパッド、チップ電極、電極パッド）２ｄが形成されている。複数のパッド２ｄは、半導体チップ２の各辺に沿って表面２ａ上の周縁部側にそれぞれ配置されている。
【００３０】
また、半導体チップ２は、例えばシリコンから成る半導体基板と、半導体基板上に積層される複数の配線層を備えている。半導体チップ２の表面２ａ側（詳しくは半導体基板の素子形成面（主面））には、それぞれダイオードやトランジスタなどの複数の半導体素子（回路素子）が形成され、半導体素子上に形成された図示しない配線（配線層）を介して、複数のパッド２ｄとそれぞれ電気的に接続されている。このように半導体チップ２は、表面２ａに形成された複数の半導体素子とこれら複数の半導体素子を電気的に接続する配線により集積回路を構成している。なお、半導体チップ２の半導体素子形成面である表面２ａを持つ基材（半導体基板）は、例えば、シリコン（Ｓｉ）からなる。また、表面２ａには絶縁膜であるパッシベーション膜（図示は省略）が形成されており、複数のパッド２ｄのそれぞれの表面は、このパッシベーション膜に形成された開口部において、絶縁膜から露出している。また、パッド２ｄは金属からなり、本実施の形態では、例えばアルミニウム（Ａｌ）からなる。さらに、このパッド２ｄの表面には、めっき膜が形成されており、本実施の形態では、例えばニッケル（Ｎｉ）膜を介して、金（Ａｕ）膜が形成された多層構造の積層めっき膜が形成されている。
【００３１】
また、半導体チップ２は、チップ搭載部であるタブ３上に接着材（ダイボンド材）７を介して搭載されている。本実施の形態では、半導体チップ２は、裏面２ｂをタブ３の上面３ａと対向させた状態で、タブ３上に搭載する、所謂フェイスアップ実装方式により搭載されている。接着材７は、タブ３上に半導体チップ２をしっかりと固定できるものであれば、特に限定されないが、本実施の形態では、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂を用いている。
【００３２】
また、タブ３は、図２および図３に示すように、上面３ａおよび上面３ａの反対側に位置する下面３ｂを有している。タブ３は、金属材料からなり、本実施の形態では、例えば銅（Ｃｕ）から成る。詳しくは、銅（Ｃｕ）からなる基材の表面に、例えばニッケル（Ｎｉ）からなる薄いめっき導体膜（図示は省略）が形成されている。また、タブ３の平面形状は、例えば図５に示すように円形を成し、半導体チップ２の裏面２ｂ（図２参照）よりも面積が小さい。このため、タブ３の上面３ａ全体が、半導体チップ２に覆われている。なお、図５では、タブ３の平面形状の一例として、種々の平面サイズの半導体チップ２を搭載することができる円形の形状を示しているが、搭載する半導体チップ２の形状や平面サイズに応じて、種々の変形例を適用することができる。
【００３３】
また、図３および図５に示すように、タブ３は、吊りリード６により支持されている。吊りリード６は、上面６ａ、および上面６ａの反対側に位置する下面６ｂを有している。吊りリード６はタブ３と同じ金属材料からなり、本実施の形態では、例えば銅（Ｃｕ）から成る。詳しくは、銅（Ｃｕ）からなる基材の表面に、例えばニッケル（Ｎｉ）からなる薄いめっき導体膜（図示は省略）が形成されている。本実施の形態では、タブ３には、二本の吊りリード６が接続され、それぞれタブ３と一体に形成されている。図３に示すように、二本の吊りリード６のうち、第１吊りリードＳＬ１は、タブ３から封止体５の第１角部Ｃ１に向かって、図１に示す第１対角線ＤＬ１に沿って延びる。また、二本の吊りリード６のうち、第２吊りリードＳＬ２は、タブ３から封止体５の第２角部Ｃ２に向かって、図１に示す第１対角線ＤＬ１に沿って延びる。一方、図４に示すように、第２対角線ＤＬ２に沿った方向には、吊りリード６は配置されていない。つまり、本実施の形態のタブ３の支持構造は、第１対角線ＤＬ１に沿って延びる二本の吊りリード６（第１吊りリードＳＬ１および第２吊りリードＳＬ２）によりタブ３を支持する、２点吊り構造となっている。
【００３４】
また、図３に示すように、二本の吊りリード６のそれぞれは、タブ３と封止体５の角部（第１角部Ｃ１または第２角部Ｃ２）の間に、傾斜部（オフセット部、曲げ加工部）６ｃを備えている。本実施の形態の吊りリード６は、傾斜部６ｃのタブ３側の端部の高さが、反対側の端部よりも低くなるように形成する、所謂ダウンセット加工が施されている。複数の吊りリード６にダウンセット加工を施すことにより、図２に示すようにタブ３の高さはリード１０の高さよりも低い位置に配置されることとなる。この結果、半導体チップ２に接続される複数のワイヤ４を封止し、かつ、封止体５全体の厚さを薄くすることができる。つまり、半導体装置１を薄型化することができる。また、図５に示すように、傾斜部６ｃは、平面視において、リード１０の間に配置されている。傾斜部６ｃをリード１０の間に配置することにより、リード１０の内側の領域における吊りリード６の上面６ａ（図３参照）の高さはタブ３の上面３ａ（図３参照）と同じ高さにすることができる。この結果、リード１０の内側に収まる範囲で、任意の大きさの半導体チップ２をタブ３上に安定的に搭載することができる。
【００３５】
また、図２および図５に示すように、タブ３の周囲（言い換えれば半導体チップ２の周囲）には、複数のリード１０が配置されている。複数のリード１０は、図２に示すように、上面１０ａおよび上面１０ａの反対側に位置する下面１０ｂを有している。また、リード１０はタブ３および吊りリード６と同じ金属材料からなり、本実施の形態では、例えば銅（Ｃｕ）から成る。詳しくは、銅（Ｃｕ）からなる基材の表面に、例えばニッケル（Ｎｉ）からなる薄いめっき導体膜（図示は省略）が形成されている。また、リード１０のインナリード部１２は、封止体５の側面５ｃからタブ３（半導体チップ２）に向かって延び、タブ３（半導体チップ２）の先端部にワイヤ４を接合するためのボンディング領域１２ａを備えている。また、本実施の形態では、複数のリード１０の特に先端部は、狭い領域内に狭ピッチで配置されているため、複数のリード１０には絶縁性の接着材（接着テープ）８が貼り付けられ、隣り合うリード１０同士の接触を抑制している。半導体装置１の製造工程において、特に、リード１０の先端部において、リード１０の位置ずれに起因する接触が発生し易いので、接着材８は、リード１０の先端部近傍に接着することが好ましい。また、図５に示すように、リード１０と吊りリード６が接触することを抑制する観点から、タブ３の周囲を取り囲むように接着材８を配置することで、複数のリード１０および吊りリード６の平面位置を固定することが好ましい。また、詳細は後述するが、ワイヤ４をリード１０に接合するワイヤボンディング工程において、ボンディング領域１２ａを下面１０ｂ側から支持するため、接着材８はリード１０の上面１０ａ側に接着することが好ましい。リード１０のその他の構造的特徴は、後で詳細に説明する。
【００３６】
また、半導体チップ２と複数のリード１０は、複数のワイヤ４を介して電気的に接続されている。詳しくは、複数のワイヤ４の一方の端部は、半導体チップの複数のパッド２ｄに接合され、複数のワイヤ４の他方の端部は、複数のリード１０のボンディング領域１２ａに接合され、これにより、パッド２ｄとリード１０を電気的に接続している。ワイヤ４は、金属材料からなり、本実施の形態では、電気伝導度が高く、かつ容易に加工することができる金（Ａｕ）からなる。なお、ワイヤを構成する材料としては、これに限らず、例えば銅（Ｃｕ）を用いてもよい。また、本実施の形態では、ワイヤ４とパッド２ｄの接合部を第１ボンド側、ワイヤ４とリード１０のボンディング領域１２ａの接合部を第２ボンド側とする、所謂、正ボンディング方式により接合する例を示している。ただし、ワイヤ４の接合方式は、正ボンディング方式には限定されず、変形例として、ワイヤ４とリード１０のボンディング領域１２ａの接合部を第１ボンド側、ワイヤ４とパッド２ｄの接合部を第２ボンド側とする、所謂逆ボンディング方式とすることもできる。
【００３７】
また、上記した半導体チップ２、複数のワイヤ４および複数のリード１０のインナリード部１２は、樹脂からなる封止体５により封止されている。このため、複数のワイヤ４および複数のリード１０のインナリード部１２は封止体５内で固定され、保護される。
【００３８】
＜リードの詳細構造＞
次に、図１〜図５に示す複数のリード１０および吊りリード６の詳細な構造について、特に平面配置を中心に説明する。図６〜図９は、それぞれ図５のＤ部、Ｅ部、Ｆ部、Ｇ部の拡大平面図である。
【００３９】
本実施の形態のように多ピンタイプの半導体装置１の場合、封止体５の周縁部では、図１に示すアウタリード部１１のように、複数のリード１０間の配置ピッチを広くとることができる。一方、図５に示すように、複数のリード１０のタブ３側の先端部では、各リード１０が密集して配置されるため、隣り合うリード１０間の間隔は、周縁部における間隔よりも狭くなる。リード１０の配置間隔が狭くなると、隣り合うリード１０同士が接触する虞が生じる。この隣り合うリード１０同士の接触を防止する方法としては、各リード１０の長さを短くし、リード１０の先端部の位置を封止体５（図４参照）の周縁部側に近づけて配置することで、リード１０の配置スペースを確保する態様が考えられる。
【００４０】
ところが、リード１０の先端部の位置を封止体５（図４参照）の周縁部側に近づけて配置すると、リード１０に接続されるワイヤ４の長さが長くなってしまう。特に近年、半導体チップの小型化が進んでおり、リード１０の先端部を半導体チップ２側に近づけることができなければ、ワイヤ４の長さがさらに長くなる。ワイヤ４の長さは、半導体装置１の信頼性に影響を及ぼす重要な要素である。例えば、ワイヤ４の長さが長くなると製造工程中に変形し易くなり、隣り合うワイヤ４同士の短絡不良などの原因となる。また、ワイヤ４の長さが長くなれば、ワイヤ４のインピーダンス成分が増加するので、所定の電気的特性が得られない場合がある。また、ワイヤ４のインピーダンス成分を低減するため、金など、高価な材料でワイヤ４を形成する場合には、ワイヤ４の長さが長くなれば、製造コストの増大を招くこととなる。そこで、本願発明者は、ワイヤ４の長さが長くなることを抑制する技術について検討を行い、本実施の形態の構成を見出した。
【００４１】
すなわち、本実施の形態では、図５に示すタブ３を、第１対角線ＤＬ１（図４参照）に沿って延びる二本の吊りリード６（第１吊りリードＳＬ１および第２吊りリードＳＬ２）で支持するので、図１に示す第２対角線ＤＬ２に沿った吊りリードは配置されていない。そして、複数のリード１０の先端部を第２対角線ＤＬ２側に寄せて配置している。詳しくは、本実施の形態では、図４に示す第１辺Ｓ１に沿って配置される第１リード群、第２辺Ｓ２に沿って配置される第２リード群、第３辺Ｓ３に沿って配置される第３リード群、および第４辺Ｓ４に沿って配置される第４リード群は、それぞれ複数のリード１０を備えている。各リード群を構成する複数のリード１０の先端部は、一定の幅を有し、一定の間隔で配置されている。例えば、図５に示す複数のリード１０の先端部の幅（平面視における幅）は、それぞれ９０μｍであり、隣り合うリード１０の先端部間の距離は、それぞれ６０μｍである。なお、一定という用語には、厳密に一定であるものが含まれるが、例えば、加工精度などの問題により、僅かにずれたものを排除するものではない。以下一定という表現を用いる場合には、同様の意味で用いる。
【００４２】
一方、各リード群の端に配置されるリード１０間の先端部の間隔は、一定ではない。すなわち、吊りリード６を挟んで隣り合うリード１０の先端部の間隔（図６に示す角部リード対ＣＬＤ１の間隔Ｗ３、および図７に示す角部リード対ＣＬＤ２の間隔Ｗ３）は、吊りリード６を挟まずに隣り合うリード１０の先端部の間隔（図８に示す角部リード対ＣＬＤ３の間隔Ｗ４、および図９に示す角部リード対ＣＬＤ４の間隔Ｗ４）よりも広くなっている。詳しくは、第１リード群を構成する複数のリード１０のうち、最も第１角部Ｃ１側に配置されるリード１０と、第４リード群を構成する複数のリード１０のうち、最も第１角部Ｃ１側に配置されるリード１０は、図６に示す角部リード対ＣＬＤ１を構成する。また、第２リード群を構成する複数のリード１０のうち、最も第２角部Ｃ２側に配置されるリード１０と、第３リード群を構成する複数のリード１０のうち、最も第２角部Ｃ２側に配置されるリード１０は、図７に示す角部リード対ＣＬＤ２を構成する。また、第２リード群を構成する複数のリード１０のうち、最も第３角部Ｃ３側に配置されるリード１０と、第４リード群を構成する複数のリード１０のうち、最も第３角部Ｃ３側に配置されるリード１０は、図８に示す角部リード対ＣＬＤ３を構成する。また、第１リード群を構成する複数のリード１０のうち、最も第４角部Ｃ４側に配置されるリード１０と、第３リード群を構成する複数のリード１０のうち、最も第４角部Ｃ４側に配置されるリード１０は、図９に示す角部リード対ＣＬＤ４を構成する。ここで、図６に示す角部リード対ＣＬＤ１、および図７に示す角部リード対ＣＬＤ２のタブ３側の先端部の間隔は、間に吊りリード６が配置されているため広くなっている。例えば、本実施の形態では、吊りリード６の幅（平面視における幅）Ｗ１は、３００μｍである。また、吊りリード６と吊りリード６の隣に配置されるリード１０の先端部間の間隔Ｗ２は、２５０μｍである。このため、図６に示す角部リード対ＣＬＤ１と図７に示す角部リード対ＣＬＤ２のタブ３側の先端部の間隔Ｗ３は、それぞれ８００μｍとなっている。一方、図８に示す角部リード対ＣＬＤ３、および図９に示す角部リード対ＣＬＤ４のタブ３側の先端部の間隔（先端部間の距離）Ｗ４は、間に吊りリードが配置されないので、角部リード対ＣＬＤ１、ＣＬＤ２よりも狭くすることができる。例えば、本実施の形態では、１００μｍとなっている。
【００４３】
ここで、図６および図７に示すように間に吊りリード６が配置された角部リード対ＣＬＤ１、ＣＬＤ２の間は、吊りリード６の幅Ｗ１の３００μｍに加えて、その両隣にそれぞれ２５０μｍの隙間を開けている。これは、吊りリード６の傾斜部６ｃを、例えば成形金型を用いたプレス加工により形成する際に、吊りリード６の隣に配置されるリード１０と成形金型が接触することを防止するためのクリアランスである。吊りリード６に傾斜部６ｃを形成しない場合には、吊りリード６の両隣の隙間（間隔Ｗ２）は、例えば１００μｍ程度とすることができる。また、図８および図９に示すように間に吊りリードが配置されない角部リード対ＣＬＤ３、ＣＬＤ４の間は、各リード群を構成するリード１０間の距離（例えば６０μｍ）よりも広い隙間（間隔Ｗ４；例えば１００μｍ）が空いているが、これは、以下の理由による。すなわち、複数のリード１０の先端部を、例えば、打ち抜き金型を用いたプレス加工により形成する際に、各リード１０の先端部が、角部を結ぶ対角線に向かって位置ズレする傾向がある。打ち抜き金型を用いたプレス加工では、各リード群の中央のリードから両端部に向かって順次プレス加工を施すからである。そして、各リード群の端に位置するリード１０の先端部が接触することを防止するため、本実施の形態では、１００μｍの隙間を開けている。ただし、変形例として、複数のリード１０の先端部を、例えばエッチング加工により形成する場合には、各リード群の配置間隔と同様に６０μｍとすることができる。
【００４４】
また、本実施の形態では、第２対角線ＤＬ２（図４参照）に沿った吊りリードを配置しないので、対角線周辺のスペースに、リード１０のタブ３側の先端部を配置することができる。そして、各リード群を構成する複数のリード１０の先端部は、略一定の間隔で、第２対角線ＤＬ２側から第１対角線ＤＬ１（図４参照）に向かって並んでいる。したがって、各リード群を構成する複数のリード１０の先端部の平面配置は、以下のように表現することができる。すなわち、図４に示す第１辺Ｓ１の中心と第２辺Ｓ２の中心を結ぶ線を第１中心線（仮想線）ＣＬ１（図４参照）とした場合、第１リード群を構成する複数のリード（第１リード）１０の先端部は、第１中心線ＣＬ１と第２対角線ＤＬ２の間の領域に配置される数の方が、第１中心線ＣＬ１と第１対角線ＤＬ１の間の領域に配置される数よりも多い。また、第２リード群を構成する複数のリード（第２リード）１０の先端部は、第１中心線ＣＬ１と第２対角線ＤＬ２の間の領域に配置される数の方が、第１中心線ＣＬ１と第１対角線ＤＬ１の間の領域に配置される数よりも多い。また、図４に示す第３辺Ｓ３の中心と第４辺Ｓ４の中心を結ぶ線を第２中心線（仮想線）ＣＬ２（図４参照）とした場合、第３リード群を構成する複数のリード（第３リード）１０の先端部は、第２中心線ＣＬ２と第２対角線ＤＬ２の間領域に配置される数の方が、第２中心線ＣＬ２と第１対角線ＤＬ１の間の領域に配置される数よりも多い。また、第４リード群を構成する複数のリード（第４リード）１０の先端部は、第２中心線ＣＬ２と第２対角線ＤＬ２の間の領域に配置される数の方が、第２中心線ＣＬ２と第１対角線ＤＬ１の間の領域に配置される数よりも多い。つまり、本実施の形態では、複数のリード１０の先端部を図１に示す第２対角線ＤＬ２側に寄せて配置するものである。
【００４５】
このため、リード１０の先端部の位置を半導体チップ２に近づけても、隣り合うリード１０の先端部同士が接触することを抑制可能な配置間隔で配置することができる。また、各リード１０において、ワイヤ４を接続するためのボンディング領域１２ａは、リード１０のタブ３側の先端部にあるので、リード１０の先端部の位置を半導体チップ２に近づければ、ワイヤ４の長さを短くすることができる。このため、本実施の形態の半導体装置１では、ワイヤ４が製造工程中に変形することによる隣り合うワイヤ４同士の短絡不良などを抑制することができる。また、ワイヤ４のインピーダンス成分を最小限に留めることができるので、所定の電気的特性が容易に得られる。また、本実施の形態では、ワイヤ４は金からなるが、ワイヤ４の長さを短くできるので、製造コストを低減することができる。特に、本実施の形態のように吊りリード６が傾斜部６ｃ（図３参照）を備えた、オフセット構造の半導体装置１の場合、第２対角線ＤＬ２（図４参照）に沿った吊りリードを取り除くことにより、リード１０の先端部の配置スペースを広く確保できる。例えば、上記した例では、７００μｍ（８００μｍ−１００μｍ）の幅が確保できる。したがって、吊りリードを取り除き、かつ吊りリードを取り除いた対角線側に複数のリード１０の先端部を寄せて配置することで、リード１０の先端部と半導体チップ２の距離を、近づけることができる効果が大きい。
【００４６】
また、本実施の形態では、図４に示すように、封止体の各辺（第１辺Ｓ１〜第４辺Ｓ４）に沿って配置される複数のアウタリード部１１は、それぞれ各辺の中心からの配置本数が均等（同数）になるように、等間隔で配置されている。詳しくは、複数のアウタリード部１１のうち、第１辺Ｓ１に沿って配置される複数の第１アウタリード部ＯＬ１は、第１中心線ＣＬ１から一方の端部までの間の配置本数が他方の端部までの間の配置本数と同数（図４では各１８本）となるように等間隔で配置されている。同様に、複数のアウタリード部１１のうち、第２辺Ｓ２に沿って配置される複数の第２アウタリード部ＯＬ２は、第１中心線ＣＬ１から一方の端部までの間の配置本数が他方の端部までの間の配置本数と同数（図４では各１８本）となるように等間隔で配置されている。また、複数のアウタリード部１１のうち、第３辺Ｓ３に沿って配置される複数の第３アウタリード部ＯＬ３は、第２中心線ＣＬ２から一方の端部までの間の配置本数が他方の端部までの間の配置本数と同数（図４では各１８本）となるように等間隔で配置されている。また、複数のアウタリード部１１のうち、第４辺Ｓ４に沿って配置される複数の第４アウタリード部ＯＬ４は、第２中心線ＣＬ２から一方の端部までの間の配置本数が他方の端部までの間の配置本数と同数（図４では各１８本）となるように等間隔で配置されている。このため、前記したように本実施の形態では一般的なレイアウトでアウタリード部１１を配置することで、実装基板に対して特殊な端子配置を要求しない構成となっている。つまり、半導体装置１の汎用性を向上させることができる。
【００４７】
また、本実施の形態では、複数のリード１０の先端部を図１に示す第２対角線ＤＬ２側に寄せて配置するので、第２対角線ＤＬ２を挟んで隣り合う角部リード対ＣＬＤ３（図８参照）、ＣＬＤ４（図９参照）にそれぞれ接続されるワイヤ４の間隔は、第１対角線ＤＬ１を挟んで隣り合う角部リード対ＣＬＤ１（図６参照）、ＣＬＤ２（図７参照）にそれぞれ接続されるワイヤ４の間隔よりも狭い。このため、後述する半導体装置の製造工程において、特に、封止工程におけるワイヤ４の変形を抑制することができる。封止工程において、ワイヤ４の変形を抑制する詳細な理由については後述する。
【００４８】
＜半導体装置の製造工程＞
次に図１〜図９に示す半導体装置１の製造工程について説明する。半導体装置１は、図１０に示す組み立てフローに沿って製造される。図１０は、本実施の形態の半導体装置の組み立てフローを示す説明図である。各工程の詳細については、図１１〜図３２を用いて、以下に説明する。
【００４９】
１．リードフレーム準備工程；
図１１は、図１０に示すリードフレーム準備工程で準備するリードフレームの全体構造を示す平面図、図１２は、図１１に示す複数の製品形成領域のうち、１つの製品形成領域周辺の拡大平面図である。
【００５０】
まず、図１０に示すリードフレーム準備工程として、図１１に示すようなリードフレーム２０を準備する。リードフレーム２０は、例えば銅（Ｃｕ）から成る。詳しくは、銅（Ｃｕ）からなる基材の表面に、例えばニッケル（Ｎｉ）からなる薄いめっき導体膜（図示は省略）が形成されている。また、リードフレーム２０の構成部材の厚さは、例えば１２５μｍである。また、リードフレーム２０は、例えば行列状に配置される複数の製品形成領域２０ａを備えている。複数の製品形成領域２０ａは、それぞれ枠部（枠体）２０ｂに囲まれ、支持されている。図１１の部分拡大図である図１２に示すように、各製品形成領域２０ａには、図１〜図９を用いて説明したタブ３、タブ３を支持する複数の吊りリード６、およびタブ３の周囲に配置される複数のリード１０が形成されている。タブ３、複数の吊りリード６、および複数のリード１０は、一体に形成され、枠部２０ｂに連結されている。また、製品形成領域２０ａは、第１辺Ｓ１、第２辺Ｓ２、第３辺Ｓ３、および第４辺Ｓ４を備えている。また、製品形成領域２０ａは、第１辺Ｓ１と第４辺Ｓ４の間の第１角部Ｃ１、第２辺Ｓ２と第３辺Ｓ３の間に位置し、タブ３を介して第１角部Ｃ１と対向する第２角部Ｃ２、第２辺Ｓ２と第４辺Ｓ４の間の第３角部Ｃ３、および第１辺Ｓ１と第３辺Ｓ３の間に位置し、タブ３を介して第３角部Ｃ３と対向する第４角部Ｃ４を備えている。
【００５１】
半導体チップを搭載するためのチップ搭載部であるタブ３は、製品形成領域２０ａの中央部に配置されている。また、タブ３は、図１〜図９を用いて説明した複数の吊りリード６に連結され、吊りリード６を介して枠部２０ｂに支持されている。複数の吊りリード６は、それぞれ第１対角線ＤＬ１に沿って配置され、第２対角線ＤＬ２に沿った吊りリードは配置されていない。また、各吊りリード６には、傾斜部６ｃが形成されている。つまり、本工程で準備するリードフレーム２０は、予めオフセット加工（ダウンセット加工）が施されている。なお、図１２では、吊りリードが第１角部Ｃ１あるいは第２角部Ｃ２において二又に分岐して枠部２０ｂに連結されている。これは図１０に示す封止工程において、封止用樹脂の流路を広くするためである。ただし、各吊りリード６の形状は、図１２に示す態様に限定されず、例えば変形例として、第１角部Ｃ１あるいは第２角部Ｃ２まで分岐せずに延ばし、枠部２０ｂと連結する形状とすることができる。
【００５２】
また、タブ３の周囲には、複数のリード１０が配置されている。詳しくは、製品形成領域２０ａの第１辺Ｓ１、第２辺Ｓ２、第３辺Ｓ３、および第４辺Ｓ４に沿って、それぞれ複数のリード１０が配置されている。これらの複数のリード１０の間には、複数のリード１０と交差（直交）するように延びるダム部（ダムバー、タイバー）２１が配置され、複数のリード１０は、ダム部２１を介してリードフレーム２０と一体に形成されている。ダム部２１は、タブ３の周囲を取り囲むように配置されている。後述する封止工程（図１０参照）では、このダム部２１で囲まれた領域の内側に封止用樹脂を供給し、図１に示す封止体５を形成する。また、複数のリード１０のタブ３側の先端部には、それぞれボンディング領域１２ａが設けられている。ボンディング領域１２ａは後述するワイヤボンディング工程（図１０参照）においてワイヤの一方の端部を接合する領域である。また、複数のリード１０にはタブ３の周囲を取り囲むように配置された絶縁性の接着材（接着テープ）８が貼り付けられている。接着材８は、リード１０の中間よりも先端部側に配置されている。これにより、複数のリード１０が狭いピッチで配置される領域において、隣り合うリード１０同士が接触することを抑制できる。また、接着材８は、ボンディング領域１２ａよりも外周側に配置されている。言い換えれば、接着材８は、複数のリード１０の先端部に設けられたボンディング領域１２ａが露出するようにリード１０の先端部側に配置されている。また、複数のリード１０のそれぞれの先端部は、吊りリード６が配置される第１対角線ＤＬ１よりも、吊りリード６が配置されない第２対角線ＤＬ２側に寄せて配置されている。
【００５３】
図１１および図１２に示すリードフレーム２０は、例えば以下のように形成される。まず、金属板（例えば、銅板にニッケル膜がめっき形成されたもの）を準備して、プレス加工、あるいはエッチングにより例えば図１１や図１２に示すパターンを形成する。この時、加工中にリード１０の先端部が変形することを抑制するため、リード１０の先端部が連結された状態で、パターニングを行い、パターンが形成された後で、複数のリード１０の先端部を例えばプレス加工、あるいはエッチングにより切り離すことが好ましい。
【００５４】
次に、オフセット工程として、吊りリード６にオフセット加工を施して、傾斜部６ｃを形成する。このオフセット工程では、図１３〜図１６に示すように上型２５と下型２６からなる成形金型２７を用いてプレス加工を施すことにより、吊りリード６に傾斜部６ｃを形成する。図１３〜図１６は、図１２に示す吊りリードの傾斜部を形成するオフセット工程を模式的に示す拡大断面図である。また、図１７は、図１３〜図１６に示す上金型の押圧部と図１２に示すリードフレームの平面的位置関係を示す拡大平面図である。オフセット工程で用いる成形金型２７は、例えば図１３〜図１６に示すように上型２５と、下型２６から成る。上型２５は下面側に下型２６に向かって突出する押圧部２５ａを備えている。一方、下型２６は、上型２５の押圧部２５ａと対向する位置に窪み部２６ａを備えている。そして、上型２５の下面と下型２６の上面を近づけて、押圧部２５ａと窪み部２６ａの間に配置された吊りリード６をプレスすると、図１５および図１６に示すように、吊りリード６に押圧部２５ａと窪み部２６ａの形状に倣って傾斜部６ｃが形成される。このようにプレス加工により傾斜部６ｃを形成する場合、成形金型２７とリードフレーム２０の位置合わせ精度を考慮して、図１７に示すように、成形金型２７の押圧部２５ａの幅は、吊りリード６の幅よりも太くすることが好ましい。しかし、押圧部２５ａの幅を太くすると、吊りリード６の近傍に配置されるリード１０と押圧部２５ａが接触することを防止する必要がある。このため、本実施の形態では、吊りリード６と、吊りリード６の隣に配置されるリード１０の先端部の間隔Ｗ２を２５０μｍとしている。これにより、プレス加工時に、押圧部２５ａとリード１０が接触してリード１０が変形してしまうことを抑制できる。
【００５５】
次に、リード先端部固定工程として、図１２に示すように、リード１０のタブ３側の先端部の近傍に接着材８を塗布し、硬化させることで、リード１０の先端部を固定する。本実施の形態では、オフセット工程で、接着材８が図１３〜図１６に示す成形金型２７の間に挟み込まれないように、オフセット工程の後で、接着材８を塗布する。ただし、リード１０の先端部を固定するタイミングは上記に限定されず、例えば、オフセット工程の前にリード先端部固定工程を行うことができる。この場合、成形金型２７の間に接着材８が配置されるため、傾斜部６ｃの形状や成形性に与える影響を低減する観点から接着材８と成形金型２７が接触しない態様とすることが好ましい。ただし、各吊りリード６の形状は、図１６に示す態様に限定されず、例えば変形例として、プレス加工を施さなくてもよい。この場合、吊りリードと、この吊りリードに隣接するリードとの間隔をさらに近づけることができる。
【００５６】
２．ダイボンディング工程；
図１８は、図１２に示すタブ上に、ボンディング材を介して半導体チップを搭載した状態を示す拡大平面図、図１９は、図１８のＨ−Ｈ線に沿った拡大断面図、図２０は図１８のＫ−Ｋ線に沿った拡大断面図である。
【００５７】
次に、図１０に示すダイボンディング工程として、図１８〜図２０に示すように半導体チップ２を、タブ３上に接着材７を介して搭載する。本実施の形態では、図１９および図２０に示すように、半導体チップ２の裏面２ｂをタブ３の上面３ａと対向させた状態で搭載する、所謂フェイスアップ実装方式で搭載する。本実施の形態では、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂である接着材７を介して半導体チップ２を搭載するが、接着材７は、硬化（熱硬化）させる前には流動性を有するペースト材である。このようにペースト材を接着材７として用いる場合には、まず、タブ３上に、接着材７を塗布し、その後、半導体チップ２の裏面２ｂをタブ３の上面３ａに接着する。そして、接着後に、接着材７を硬化させる（例えば熱処理を施す）と、図１９および図２０に示すように、半導体チップ２は接着材７を介してタブ３上に固定される。なお、本実施の形態では、接着材７に、熱硬化性樹脂からなるペースト材を用いる実施態様について説明したが、種々の変形例を適用することができる。例えば、ペースト材ではなく、両面に接着層を備えるテープ材（フィルム材）である接着材を、予め半導体チップ２の裏面２ｂに貼り付けておき、テープ材を介して半導体チップ２をタブ３上に搭載しても良い。
【００５８】
また、本実施の形態では、吊りリード６の傾斜部６ｃをリード１０の間に配置することで、リード１０のタブ３側の先端部よりも内側の領域は同じ高さになっている。このため、リード１０のタブ３側の先端部よりも内側に収まる平面サイズであれば、任意の大きさの半導体チップ２を搭載することができる。つまり、リードフレーム２０の汎用性を向上させることができる。
【００５９】
３．ワイヤボンディング工程；
図２１は、図１８に示す半導体チップの電極パッドとリードをワイヤを介して電気的に接続した状態を示す拡大平面図、図２２は、図２１のＨ−Ｈ線に沿った拡大断面図である。
【００６０】
次に図１０に示すワイヤボンディング工程として、図２１および図２２に示すように、半導体チップ２の複数のパッド２ｄと複数のリード１０を複数のワイヤ４を介してそれぞれ電気的に接続する。本工程では、例えば図２２に示すように、凹部３０ａが形成されたヒートステージ３０を準備し、タブ３が凹部３０ａ内に位置するように、半導体チップ２が搭載されたリードフレーム２０をヒートステージ３０上に配置する。そして、半導体チップ２のパッド２ｄとリード１０とを、ワイヤ４を介して電気的に接続する。ここで、本実施の形態では、キャピラリ３１を介してワイヤ３２を供給し、超音波と熱圧着を併用する、所謂、ネイルヘッドボンディング方式によりワイヤ４を接合している。また、本実施の形態では、半導体チップ２のパッド２ｄにワイヤ４の一方の端部を接続した後、ワイヤ４の他方の端部をリード１０（インナリード部１２）のボンディング領域１２ａに接続する、所謂、正ボンディング方式によりワイヤ４を接合している。本工程では、ヒートステージ３０を介してリード１０を加熱するが、リード１０に接着される接着材８が、ヒートステージ３０とリード１０の密着性を阻害することを抑制する観点から、接着材８はリード１０の上面１０ａ側に配置して、下面１０ｂ側は接着材８から露出させることが好ましい。
【００６１】
また、ワイヤ４は、パッド２ｄとリード１０を接続するので、隣り合うワイヤ４の間隔は、パッド２ｄおよびリード１０の配置により規定される。このため、本実施の形態では、角部リード対ＣＬＤ１、ＣＬＤ２、ＣＬＤ３、ＣＬＤ４に接続されるワイヤ４間の間隔は、角部リード対ＣＬＤ１、ＣＬＤ２、ＣＬＤ３、ＣＬＤ４以外のリード１０に接続されるワイヤ４間の間隔よりも広い。また、角部リード対ＣＬＤ３に接続されるワイヤ４ｃ間の間隔および角部リード対ＣＬＤ４に接続されるワイヤ４ｄ間の間隔は、角部リード対ＣＬＤ１に接続されるワイヤ４ａ間の間隔および角部リード対ＣＬＤ２に接続されるワイヤ４ｂ間の間隔よりも狭くなる。言い換えれば、第２対角線ＤＬ２（図１２参照）を挟んで隣り合って配置されるワイヤ４ｃ、４ｄの配置間隔は、第１対角線ＤＬ１（図１２参照）を挟んで隣り合って配置されるワイヤ４ａ、４ｂの配置間隔よりも狭くなる。
【００６２】
４．封止工程；
図２３は、図２１に示すリードフレームの製品形成領域に、封止体を形成した状態を示す拡大平面図、図２４は図２３のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。また、図２５は、図２３に示すＡ−Ａ線に沿った断面において、成形金型のキャビティ内に、封止用樹脂を供給する状態を示す拡大断面図である。また、図２６は、図２３に示すＢ−Ｂ線に沿った断面において、成形金型のキャビティ内に、封止用樹脂を供給する状態を示す拡大断面図である。
【００６３】
次に、図１０に示す封止工程として、図２３および図２４に示すように、封止体５を形成し、半導体チップ２および複数のワイヤ４、および複数のリード１０の一部（インナリード部１２）を封止する。封止体５が形成されると、封止体５内の複数のワイヤ４および複数のリード１０はそれぞれ固定され、隣り合うワイヤ４同士、あるいはリード１０同士の接触を防止することができる。
【００６４】
本実施の形態では、図２５および図２６に示すように成形金型４０の上金型４１と下金型４２のキャビティ４３、４４内に、リードフレーム２０に搭載された半導体チップ２を固定した状態で、軟化（可塑化）させた熱硬化性樹脂（封止用樹脂５ｄ）を、キャビティ４３、４４内に圧入して成形し、その後加熱硬化させる、所謂トランスファモールド方式を用いている。トランスファモールド方式は、複数の製品形成領域２０ａに一括して封止体５を形成できるので、製造を効率的に行うことができる点で好ましい。
【００６５】
本工程では、まず、図２５および図２６に示す成形金型４０を準備する。成形金型４０は、リードフレーム２０の上面（半導体チップを搭載した面）側を覆う上金型（第１金型）４１、およびリードフレーム２０の下面（半導体チップを搭載した面の反対面）側を覆う下金型（第１金型）４２を備えている。上金型４１はキャビティ（凹部）４３を、下金型４２はキャビティ（凹部）４４をそれぞれ有し、キャビティ４３、４４を対向させて重ね合わせることで、図２６に示す封止体５を形成するための空間を形成する。また、図２５に示すように上金型４１のキャビティ４３の周囲には、金型面（クランプ面）４１ａが配置される。また、下金型４２のキャビティ４４の周囲には、金型面（クランプ面）４２ａが配置され、金型面４１ａと対向配置されている。成形金型４０は、対向配置される金型面４１ａ、４２ａでリードフレーム２０を挟んで押さえることにより、リードフレーム２０を上金型４１と下金型４２の間に固定する。また、金型面４１ａ、４２ａは、図２５に示すダム部２１の内側（タブ３に近い側）まで延びている。言い換えれば、キャビティ４３、４４は、それぞれ図２５に示すダム部２１の内側に配置される。これにより、図２５および図２６に示す封止用樹脂５ｄはダム部２１（図２５参照）の外側には広がらず、図２５および図２６に示す形状の封止体５が形成される。
【００６６】
また、図２６に示すように、成形金型４０は、封止用樹脂５ｄの供給部であるゲート部４５、およびキャビティ４３、４４内の気体（空気）および余剰な封止用樹脂５ｄの排出部であるベント部４６を有している。本実施の形態では、キャビティ４３、４４は、四つの角部（図２３に示す第１角部Ｃ１、第２角部Ｃ２、第３角部Ｃ３、および第４角部Ｃ４）を有するが、第１角部Ｃ１にゲート部４５を、残りの三つの角部にベント部４６を配置している。図２６に示すように、キャビティ４３の側面４３ｂにゲート部４５を配置する方式は、サイドゲート方式と呼ばれる。サイドゲート方式は、封止用樹脂５ｄをキャビティ４３の上方から供給する、所謂トップゲート方式と比較して、金型の構造を単純化できる点で有利である。
【００６７】
次に、封止用樹脂５ｄの流れ方向について説明する。封止用樹脂５ｄは、ゲート部４５からキャビティ４３、４４内に供給され、キャビティ４３、４４内の気体（空気）および余剰な封止用樹脂５ｄは、封止用樹脂５ｄの供給圧力により押し出され、ベント部４６から排出される。本実施の形態では、図２６に示すように第１角部Ｃ１と第２角部Ｃ２を結ぶ第１対角線ＤＬ１（図２３参照）に沿った２本の吊りリード６でタブ３を支持する。このため、吊りリード６の延在方向に沿った方向からの外力に対しては、変形し難いが、吊りリード６の延在方向に対して直交方向（図２３に示す第２対角線ＤＬ２に沿った方向）からの外力に対しては、変形し易い。つまり、図２３に示す第２対角線ＤＬ２に沿って封止用樹脂５ｄの供給圧力が加わると、該圧力によりタブ３およびタブ３に搭載された半導体チップ２が変形し易い。そこで、本実施の形態では、封止体形成領域の４つの角部のうち、吊りリード６が配置される第１角部Ｃ１にゲート部４５を配置している。また、タブ３を介して第１角部Ｃ１の反対側に位置する第２角部Ｃ２にベント部４６を配置している。これにより、封止用樹脂５ｄの供給圧力は、吊りリード６の延在方向に沿って印加されることになる。その結果、封止工程において、タブ３およびタブ３に搭載される半導体チップ２が変形することを防止ないしは抑制することができる。つまり、本実施の形態では、吊りリード６が配置される第１対角線ＤＬ１（図２３参照）に沿ってゲート部４５とベント部４６を配置することで、タブ３を二本の吊りリード６で支持する構造の半導体装置の製造工程において、タブ３および半導体チップ２の変形を抑制し、該変形に伴う半導体装置の信頼性低下を抑制することができる。なお、本実施の形態では、角部に気体が滞留してボイドが形成されることを抑制する観点から、図２３に示す第３角部Ｃ３および第４角部Ｃ４にもベント部４６を形成している。この場合であっても、第２角部Ｃ２にベント部４６を配置すれば、封止用樹脂５ｄの供給圧力は、吊りリード６の延在方向に沿って印加される。
【００６８】
また、本実施の形態では、前記したワイヤボンディング工程において、図２１に示すように角部リード対ＣＬＤ３に接続されるワイヤ４ｃ間の間隔および角部リード対ＣＬＤ４に接続されるワイヤ４ｄ間の間隔を狭くすることにより、封止用樹脂５ｄの供給圧力によりワイヤ４が変形する、所謂、ワイヤ流れ現象を抑制することができる。以下、その理由について説明する。図２７は、図１０に示す封止工程においてワイヤが配置された領域に封止用樹脂を供給する様子を模式的に示す説明図である。また、図２８は図２７のＬ−Ｌ線、図２９は図２７のＭ−Ｍ線に沿った断面を模式的に示す説明図である。なお、図２７では封止用樹脂５ｄの供給方向を模式的に示している。
【００６９】
ワイヤ流れ現象とは、封止工程において、封止用樹脂の供給圧力によりワイヤ４が変形する現象である。詳しくは、ワイヤ４の延在方向に対して交差（直交）する方向から封止用樹脂の供給圧力が印加されることにより、ワイヤ４が隣のワイヤ４に向かって倒れるように変形する現象である。このため、ワイヤ流れ現象による変形の程度によっては、隣り合うワイヤ４同士が接触して、半導体装置の信頼性を低下させる原因となる。本願発明者は、ワイヤ流れ現象について検討を行い、以下の知見を得た。すなわち、図２７に示すように狭ピッチで密集して配置される複数のワイヤ４からなるワイヤ群に対して封止用樹脂を供給する場合、複数のワイヤ４のうち、封止用樹脂５ｄの供給側に最も近い位置に配置されるワイヤ４ｅにおいてワイヤ流れ現象が発生し易く、その他のワイヤ４ｆおよびワイヤ４ｇにおいては、ワイヤ流れ現象は殆ど発生しない。また、図２７に示すワイヤ４ｈのように封止用樹脂５ｄの供給側に配置されるワイヤ４ｇとの配置ピッチが広い場合には、ワイヤ流れ現象が発生し易くなる。
【００７０】
図２８に示すように、ワイヤ４が狭ピッチで配置された領域では、封止用樹脂５ｄは、ワイヤ４により上部と下部に分断され、その後、隣り合うワイヤ４の間の隙間に埋め込まれる。このため、封止用樹脂５ｄの供給圧力は分散され、ワイヤ流れ現象の原因となる封止用樹脂５ｄの進行方向の力成分は小さくなる。一方、図２９に示すように、ワイヤ４ｇとの配置ピッチが広いワイヤ４ｈを封止する際には、上部と下部に分断された封止用樹脂５ｄが再び一体化した状態でワイヤ４ｈに接触する。このため、ワイヤ４ｈに印加される封止用樹脂５ｄの供給圧力は分散されず、ワイヤ流れ現象の原因となる封止用樹脂５ｄの進行方向の力成分が大きくなる。この結果、ワイヤ４ｈでは、ワイヤ流れ現象が発生し易いと考えられる。
【００７１】
次に、上記したワイヤ流れ現象の原理を本実施の形態に当てはめて説明する。本実施の形態では、サイドゲート方式で封止するので、例えば図２３に矢印を付して示すように、封止用樹脂５ｄの一部は、ゲート部４５（図２６参照）が配置された第１角部Ｃ１からタブ３（図２６参照）および半導体チップ２（図２６参照）の周囲を囲むように廻り込んで第２角部Ｃ２に向かって進む。なお、封止用樹脂５ｄの他部は、半導体チップ２上およびタブ３の下にも供給されるが、半導体チップ２およびタブ３が配置された領域は、封止用樹脂５ｄの流れに対する抵抗が大きいので、タブ３および半導体チップ２の周囲に廻り込む封止用樹脂５ｄの方が多い。このタブ３および半導体チップ２の周囲に廻り込む封止用樹脂５ｄは、図２１に示す複数のワイヤ４の延在方向と交差する方向に進行する。このため、複数のワイヤ４の配置ピッチが広くなるとワイヤ流れ現象が発生し易くなる。
【００７２】
そこで本実施の形態では、図２１に示すように角部リード対ＣＬＤ３に接続されるワイヤ４ｃ間の間隔および角部リード対ＣＬＤ４に接続されるワイヤ４ｄ間の間隔を狭くしている。このため、ワイヤ流れ現象を抑制することができる。また、本実施の形態では、複数のリード１０と半導体チップ２の距離を近づけることによりワイヤ４の長さを短くすることができる。この構成によってもワイヤ流れ現象を抑制することができる。ところで、図２１に示す角部リード対ＣＬＤ１に接続されるワイヤ４ａ間の間隔および角部リード対ＣＬＤ２に接続されるワイヤ４ｂ間の間隔はワイヤ４ｃ間およびワイヤ４ｄ間の間隔よりも広くなっている。しかし、ワイヤ４ａは、複数のワイヤ４のうち、ゲート部４５（図２６参照）が配置される第１角部Ｃ１に最も近い位置に配置されるワイヤ４である。このため、ワイヤ４ａを封止する際には、キャビティ４３、４４（図２６参照）内には封止用樹脂５ｄ（図２６参照）が未充填の広い空間が残っているので、ワイヤ４ａに印加される封止用樹脂５ｄの供給圧力を緩和することができる。このため、ワイヤ４ａにおいてワイヤ流れ現象の発生を抑制することができる。また、ワイヤ４ｂは、封止用樹脂５ｄの供給側である第１角部Ｃ１から最も離れた位置に配置されるワイヤ４である。また、ワイヤ４ｂを封止する際に封止用樹脂５ｄの供給側の隣には他のワイヤ４が狭ピッチで配置されているため、封止用樹脂５ｄの供給圧力が高くなってもワイヤ流れ現象は発生し難い。
【００７３】
上記の通り、本実施の形態によれば、ワイヤ流れ現象が最も発生し易いワイヤ４ｃ間、ワイヤ４ｄ間の間隔を狭くすることによりワイヤ流れ現象を抑制することができる。この結果、隣り合うワイヤ４同士の接触を抑制し、図１〜図９に示す半導体装置１の信頼性低下を抑制することができる。
【００７４】
上記のように、キャビティ４３、４４内に封止用樹脂５ｄで満たし、気泡（ボイド）を除去した後、封止用樹脂５ｄを加熱することにより硬化させて図２５および図２６に示す封止体５を形成する。この加熱工程（ベーク工程）は、例えば成形金型４０（図２５参照）内で封止用樹脂５ｄを仮硬化（封止用樹脂５ｄ全体が硬化した訳ではないが、成形金型４０から取り出しても形状を保持できる状態）させる。その後、リードフレーム２０を成形金型４０から取り出し、図示しない加熱炉に移送して封止用樹脂５ｄを本硬化（封止用樹脂５ｄ全体が硬化した状態）させる。この加熱工程が完了すれば、図２５および図２６に示す封止体５が形成される。
【００７５】
５．ダムカット工程；
図３０は、図２３に示すダム部を切断した状態を示す拡大平面図である。次に、図１０に示すダムカット工程として、図３０に示すように、複数のリード１０（アウタリード部１１）の間に形成され、複数のリード１０を連結するダム部２１を取り除く。本工程では、例えば、図示しないパンチ（切断刃）とダイ（支持治具）を用いてプレス加工を施すことにより、ダム部２１を取り除く。この時、ダム部２１の内側に形成された樹脂体（ダム内樹脂）の一部も、ダム部２１と共に取り除かれる。なお、本工程では、複数のリード１０のアウタリード部１１の端部は、リードフレームの枠部２０ｂに連結されている。言い換えれば、ダム部２１を取り除いた後も複数のリード１０は、リードフレーム２０の枠部２０ｂを介して一体に形成されている。
【００７６】
６．めっき工程；
図３１は、図３０に示すＡ−Ａ線に沿った断面において、封止体から露出する複数のリードの露出面に外装めっき膜を形成した状態を示す拡大断面図である。
【００７７】
次に、図１０に示すめっき工程として、図３１に示すように封止体５から露出する複数のリード１０（アウタリード部１１）に外装めっき膜１３を形成する。外装めっき膜１３は、例えば半田からなり、外部端子であるリード１０に外装めっき膜１３を形成することにより、図２に示す半導体装置１を図示しない実装基板に実装する際の接合部材である半田材の濡れ性を向上させることができる。本工程では、被めっき加工物であるリードフレーム２０を、めっき液（図示は省略）が入っためっき槽（図示は省略）内に配置して、例えば、電解めっき法により外装めっき膜１３を形成する。この電解めっき法によれば、封止体５から露出している領域に一括して外装めっき膜１３を形成することができる。したがって、外装めっき膜１３は、複数のアウタリード部１１の上面、下面、側面に形成される。
【００７８】
７．リード成形
図３２は、図３１に示すアウタリード部を切断し、成形した状態を示す拡大平面図である。なお、図３２に示すＡ−Ａ線に沿った拡大断面図は、図２と同様なので図示を省略し、図２を用いて説明する。
【００７９】
次に、図１０に示すリード成形工程として、図３２に示すようにリード１０のアウタリード部１１を切断し、枠部２０ｂから切り離す。その後、図２に示すように複数のリード１０のアウタリード部１１のそれぞれをガルウィング状に成形する。複数のリード１０のアウタリード部１１の切断方法は、例えば、リードフレーム２０の上面側に図示しないパンチ（切断刃）を、下面側には図示しないダイ（支持治具）をそれぞれ配置してプレスすることで切断する。また、リード１０のアウタリード部１１を成形する方法は、成形用のパンチとダイを用いてプレスすることで成形することができる。本工程により、複数のリード１０はそれぞれ分離され、別体となる。また、本工程により複数のリード１０はリードフレーム２０から切り離される。このため、製品形成領域２０ａ内の各部材をリードフレーム２０の枠部２０ｂにより支持しなければ、成形し難い。そこで、本実施の形態では、図１２に示すように、複数のリード１０が配置されない領域に吊りリード６を配置し、例えば図３１に示すように吊りリード６を封止体５により封止している。これにより、後述する個片化工程が完了するまでは、製品形成領域２０ａは、吊りリード６（図１２参照）を介してリードフレーム２０の枠部２０ｂに連結され、支持される。
【００８０】
８．個片化工程
図３３は、図３２に示す製品形成領域をリードフレームの枠部から切り離し、個片化した状態を示す拡大平面図である。
【００８１】
次に、図１０に示す個片化工程として、図３３に示すように、製品形成領域２０ａをリードフレーム２０の枠部２０ｂから切り離し、個片化する。本工程では、製品形成領域２０ａと枠部２０ｂの連結部である吊りリード６（図１２参照）を例えば、図示しないパンチ（切断刃）とダイ（支持治具）を用いてプレス加工を施すことにより、切断する。この時、図２６に示すゲート部４５に形成されたゲート樹脂およびベント部４６に形成されたベント樹脂は、それぞれパンチにより取り除かれる。
【００８２】
以上の各工程により、図１〜図９に示す半導体装置１を取得する。なお、図示は省略したが、上記の各工程に加え、半導体装置１の製品識別記号などを形成する、マーク工程を行う。また、本実施の形態のリードフレーム２０は、図１１に示すように複数の製品形成領域２０ａを有するリードフレーム２０を用いているので、１枚のリードフレーム２０から複数個の半導体装置１を取得することができる。その後、外観検査や電気的試験など、必要な検査、試験を行い、出荷、あるいは図示しない実装基板に実装する。
【００８３】
＜変形例＞
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００８４】
例えば、前記実施の形態ではＱＦＰ型の半導体装置１およびその製造方法に適用した実施態様について説明したが、変形例として、図３４〜図３６に示すように、ＱＦＮ型の半導体装置５０に適用することができる。図３４は、図１に示す半導体装置に対する変形例である半導体装置の下面（実装面）側を示す平面図、図３５は、図３４に示す半導体装置において、図２に対応する断面図、図３６は、図３４に示す半導体装置において、図４に対応する透視平面図である。図３４〜図３６に示す半導体装置５０は、ＱＦＮ型の半導体装置である点で、図１に示す半導体装置１と相違する。
【００８５】
ＱＦＮ型の半導体装置５０は、半導体装置１を図示しない実装基板に実装する際に、実装基板側の端子と電気的に接続するための端子であるアウタリード部１１が、封止体５の下面（実装面）５ｂにおいて露出している。言い換えれば、封止体５は、複数のリード１０のアウタリード部１１が封止体５の下面５ｂから露出するように形成されている。半導体装置５０は、このアウタリード部１１が図示しない実装基板側の端子と対向するように配置して電気的に接続する。このため、図３５に示すように封止体５の側面５ｃからリード１０を突出させない、または、突出長さを短くすることができるので、前記実施の形態１で説明した半導体装置１よりも、さらに実装面積を低減することができる。アウタリード部１１の露出面積は、実装時に実装基板側の端子との電気的接続信頼性が確保できる範囲内で出来るだけ小さくすることが好ましい。露出面積を低減することで、リード１０の脱落や酸化を防止ないしは抑制することができる。このため、半導体装置５０は、リード１０のインナリード部１２の下面１０ｂ側からエッチング加工（ハーフエッチング加工）を施し、インナリード部１２を封止体５で封止している。このため、図３５に示すようにワイヤ４を接合するボンディング領域１２ａの下面１０ｂ側も封止される。したがって、ワイヤ４とリード１０の接合部を確実に保護することができる。
【００８６】
半導体装置５０は、上記の点で前記実施の形態で説明した半導体装置１と相違するが、平面視において四辺形を成す封止体５を有し、四辺のそれぞれに沿ってそれぞれ複数のリード１０が配置される点では、半導体装置１と同様である。したがって、前記実施の形態で説明した技術を適用することにより、信頼性を向上させることができる。なお、半導体装置５０は、上記した相違点を除き、半導体装置１と同様なので、重複する説明は省略する。
【００８７】
また、例えば、前記実施の形態では、ワイヤ４の長さを短くする観点から、第２対角線ＤＬ２に沿った吊りリード６を取り除いたスペースを利用してリード１０のタブ３側の先端部を半導体チップ２に近づける態様について説明したが、変形例として、図３７に示すように、外部端子数を増やした半導体装置５５に適用することができる。図３７は、図４に対する別の変形例である半導体装置を示す透視平面図である。なお、図３７では、前記実施の形態で説明した半導体装置１に対する変形例について説明するが、以下に説明する技術を図３４〜図３６に示すＱＦＮ型の半導体装置５０と組み合わせて適用することもできる。
【００８８】
図３７に示す半導体装置５５は、第２対角線ＤＬ２に沿って第３角部Ｃ３と第４角部Ｃ４側にそれぞれ２本ずつ、合計４本のリード１０を追加している点で前記実施の形態で説明した半導体装置１と異なる。つまり、図１〜図９に示す半導体装置１は、各辺に沿って配置される複数のリード１０の先端部は、吊りリード６の配置されない第２対角線ＤＬ２側に寄せて配置しているが、アウタリード部１１は、一方の対角線側に寄せず、各辺（第１辺Ｓ１、第２辺Ｓ２、第３辺Ｓ３、第４辺Ｓ４）の中心に対して、それぞれ対称に配置している。一方、図３７に示す半導体装置５５は、各辺に沿って配置される複数のリード１０の先端部を吊りリード６の配置されない第２対角線ＤＬ２側に寄せて配置する点では、半導体装置１と同様である。半導体装置５５はこれに加え、アウタリード部１１も、各辺の中心に対してそれぞれ第２対角線ＤＬ２側に寄せて配置している。言い換えれば、半導体装置５５は、平面視において四辺形を成し、各辺（第１辺Ｓ１、第２辺Ｓ２、第３辺Ｓ３、第４辺Ｓ４）に沿ってそれぞれ複数のリード１０が配置される。そして、封止体５の各辺（第１辺Ｓ１〜第４辺Ｓ４）に沿って配置される複数のアウタリード部１１は、それぞれ各辺の中心からの配置本数が、各辺の中心から第１対角線ＤＬ１側の配置本数よりも、各辺の中心から第１対角線ＤＬ１側の配置本数の方が多くなるように、等間隔で配置されている。詳しくは、複数のアウタリード部１１のうち、第１辺Ｓ１に沿って配置される複数の第１アウタリード部ＯＬ１は、第１辺Ｓ１の中心（第１中心線ＣＬ１）から第２対角線ＤＬ２の端部までの間の配置本数（図３７では１９本）が、第１対角線ＤＬ１側の端部までの間の配置本数（図３７では各１８本）よりも多くなるように等間隔で配置されている。同様に、複数のアウタリード部１１のうち、第２辺Ｓ２に沿って配置される複数の第２アウタリード部ＯＬ２は、第２辺Ｓ２の中心（第１中心線ＣＬ１）から第２対角線ＤＬ２の端部までの間の配置本数（図３７では１９本）が、第１対角線ＤＬ１側の端部までの間の配置本数（図３７では各１８本）よりも多くなるように等間隔で配置されている。また、複数のアウタリード部１１のうち、第３辺Ｓ３に沿って配置される複数の第３アウタリード部ＯＬ３は、第３辺Ｓ３の中心（第２中心線ＣＬ２）から第２対角線ＤＬ２の端部までの間の配置本数（図３７では１９本）が、第１対角線ＤＬ１側の端部までの間の配置本数（図３７では各１８本）よりも多くなるように等間隔で配置されている。また、複数のアウタリード部１１のうち、第４辺Ｓ４に沿って配置される複数の第４アウタリード部ＯＬ４は、第４辺Ｓ４の中心（第２中心線ＣＬ２）から第２対角線ＤＬ２の端部までの間の配置本数（図３７では１９本）が、第１対角線ＤＬ１側の端部までの間の配置本数（図３７では各１８本）よりも多くなるように等間隔で配置されている。このように、吊りリード６が配置されない第２対角線ＤＬ２に沿って、リード１０を追加することで、半導体装置５５は半導体装置１よりも外部端子数を増加させることができる。図３７に示す例では、第２対角線ＤＬ２に沿って、角部リード対ＣＬＤ３、ＣＬＤ４を追加しており、合計１４８本のリード１０を有している。
【００８９】
また、半導体装置５５のように、第２対角線ＤＬ２に沿ってリード１０を追加すると、図４と図３７を比較すると判るように、第２対角線ＤＬ２の周辺のリード１０の配置ピッチが、半導体装置１よりも狭くなる。言い換えれば、半導体チップ２の周囲にリード１０（インナリード部）が敷き詰められる。このため、前記実施の形態で説明した封止工程において、封止用樹脂を供給する際に、供給圧力を安定化させることができるので、キャビティ内の気体の滞留を抑制することができる。この結果、封止体５内にボイド（気泡）が残留することを抑制できる。また、半導体装置５５の複数のリード１０のタブ３側の先端部は、半導体装置１と同様に第２対角線ＤＬ２側に寄せて配置するので、角部リード対ＣＬＤ３、ＣＬＤ４に接続されるワイヤ４のワイヤ流れ現象を抑制することができる。
【００９０】
ただし、半導体装置５５は、吊りリード６を取り除いたスペースを利用してリード１０を追加するので、半導体装置１と比較してリード１０の先端部を半導体チップ２に近づけることができない。言い換えれば、半導体装置５５は、半導体装置１よりもリード１０の長さが短く、リード１０の先端部と半導体チップ２の距離が半導体装置１よりも遠くなっている。このため、半導体装置５５の複数のワイヤ４それぞれの長さは、半導体装置１のワイヤ４の長さよりも長い。したがって、ワイヤ４の長さを短くすることによる効果（例えば、ワイヤ４のインピーダンス成分の低減、ワイヤ４の製造工程中での変形、あるいは製造コストの低減）を得る観点からは、前記実施の形態で説明した半導体装置１、あるいは変形例で説明した半導体装置５０の方が好ましい。また、半導体装置５５は外部端子のレイアウトが、特殊なレイアウトとなるため、実装基板に対する汎用性の点でも半導体装置１、５０の方が好ましい。
【００９１】
その他の相違点としては、半導体装置５５では、リード１０の長さが短くなるため、図５に示す接着材８は配置していない。ただし、接着材８の有無に関しては、リード１０の（特に先端部周辺の）変形し易さに応じて決定することができるので、半導体装置５５においても、リード１０のボンディング領域とアウタリード部１１の間に図４に示すような接着材８を配置することもできる。上記した相違点を除き半導体装置５５は前記実施の形態で説明した半導体装置１と同様なので、重複する説明は省略する。
【００９２】
また、前記実施の形態では、半導体チップ２を搭載するチップ搭載部として、半導体チップ２の裏面２ｂよりも平面積が小さく、円形の平面形状を成すタブ３を例として説明したが、チップ搭載部の形状は、上記に限定されず、種々の大きさ、形状のものを適用することができる。また、吊りリード６よりも幅の広いチップ搭載部を形成せず、単に吊りリード６上に半導体チップ２を搭載する態様を適用することができる。この場合、吊りリード６の半導体チップ２を搭載する領域を、チップ搭載部として考えることができる。
【００９３】
また、前記実施の形態では、タブ３の下面３ｂが封止体５に封止される例について説明したが、変形例としてタブ３が封止体５の下面５ｂ側から露出する構造とすることができる。
【産業上の利用可能性】
【００９４】
本発明は、ＱＦＰやＱＦＮなどの半導体装置に利用可能である。
【符号の説明】
【００９５】
１、５０、５５  半導体装置
２  半導体チップ
２ａ  表面（主面）
２ｂ  裏面（主面）
２ｃ  側面
２ｄ  パッド（ボンディングパッド、チップ電極、電極パッド）
３  タブ（チップ搭載部、ダイパッド）
３ａ  上面
３ｂ  下面
４、４ａ、４ｂ、４ｃ、４ｄ、４ｅ、４ｆ、４ｇ、４ｈ  ワイヤ
５  封止体
５ａ  上面
５ｂ  下面
５ｃ  側面
５ｄ  封止用樹脂
６  吊りリード
６ａ  上面
６ｂ  下面
６ｃ  傾斜部
７  接着材
８  接着材
１０  リード
１０ａ  上面
１０ｂ  下面
１１  アウタリード部
１２  インナリード部
１２ａ  ボンディング領域
１３  外装めっき膜
２０  リードフレーム
２０ａ  製品形成領域
２０ｂ  枠部
２１  ダム部
２５  上型
２５ａ  押圧部
２６  下型
２６ａ  窪み部
２７  成形金型
３０  ヒートステージ
３０ａ  凹部
３１  キャピラリ
３２  ワイヤ
４０  成形金型
４１  上金型
４１ａ、４２ａ  金型面（クランプ面）
４２  下金型
４３、４４  キャビティ
４３ｂ  側面
４５  ゲート部（供給部）
４６  ベント部（排出部）
Ｃ１  第１角部
Ｃ２  第２角部
Ｃ３  第３角部
Ｃ４  第４角部
ＣＬ１  第１中心線（仮想線）
ＣＬ２  第２中心線（仮想線）
ＣＬＤ１、ＣＬＤ２  角部リード対（第１角部リード対）
ＣＬＤ３、ＣＬＤ４  角部リード対（第２角部リード対）
ＤＬ１  第１対角線（仮想線）
ＤＬ２  第２対角線（仮想線）
ＯＬ１  第１アウタリード部
ＯＬ２  第２アウタリード部
ＯＬ３  第３アウタリード部
ＯＬ４  第４アウタリード部
Ｓ１  第１辺
Ｓ２  第２辺
Ｓ３  第３辺
Ｓ４  第４辺
ＳＬ１  第１吊りリード
ＳＬ２  第２吊りリード
Ｗ１  幅
Ｗ２、Ｗ３、Ｗ４  間隔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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