(57)【要約】【課題】本発明の実施形態は、高出力で経時劣化を抑制することが可能な半導体発光装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、ピーク波長が４９３ｎｍよりも短波長の発光光を放射する発光素子と、前記発光素子を収容し、前記発光素子の電極に電気的に接続された端子を含むパッケージと、を備える。前記端子は、前記発光光を反射する部分に、９９．８９パーセント以上の純度のアルミニウムを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ピーク波長が４９３ｎｍよりも短波長の発光光を放射する発光素子と、
前記発光素子を収容し、前記発光素子の電極に電気的に接続された端子を含むパッケージと、
を備え、
前記端子は、前記発光光を反射する部分に、９９．８９パーセント以上の純度のアルミニウムを含むことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項２】
ピーク波長が３９１ｎｍよりも短波長の発光光を放射する発光素子と、
前記発光素子を収容し、前記発光素子の電極に電気的に接続された端子を含むパッケージと、
を備え、
前記端子は、前記発光光を反射する部分に、９９．６３パーセント以上の純度のアルミニウムを含むことを特徴とする半導体発光装置。
【請求項３】
前記端子は、純度が９９．６３パーセント以上のアルミニウムを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光装置。
【請求項４】
前記端子は、純度が９９．６３パーセント以上のアルミニウムと、銅もしくは銅合金と、が積層された材料を含むことを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記端子は、純度９９．６３パーセント以上のアルミニウムと、前記アルミニウムとは純度が異なるアルミニウム材もしくはアルミニウム合金、が積層された材料を含むことを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
低消費電力の光源として、半導体発光装置に対する期待が高まっている。例えば、ＧａＮ系窒化物半導体を材料とする発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）と蛍光体を組み合わせた白色ＬＥＤは、電球や蛍光灯などバルブタイプの光源を置き換えるものとして注目されている。そして、これらの半導体発光装置を高出力化するための技術開発が進められている。
【０００３】
例えば、発光素子を収納したパッケージから外部に発光光を取り出す効率を向上させることにより、直接的に半導体発光装置の出力を向上させることができる。このため、半導体パッケージの素材として発光光に対する反射率の高い材料が使用される。中でも、半導体パッケージの内部において発光素子と電気的に接続される端子もしくはリードには、可視光に対する反射率の高い銀（Ａｇ）メッキが施される。
【０００４】
しかしながら、Ａｇメッキは、初期の反射率が高い反面、環境劣化し易いという性質を有する。そして、Ａｇメッキを用いた半導体発光装置では、取り出し効率の経時劣化による光出力の低下が生じる場合がある。そこで、高出力で経時劣化を抑制することが可能な半導体発光装置が必要とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１３４６９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の実施形態は、高出力で経時劣化を抑制することが可能な半導体発光装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態に係る半導体発光装置は、ピーク波長が４９３ｎｍよりも短波長の発光光を放射する発光素子と、前記発光素子を収容し、前記発光素子の電極に電気的に接続された端子を含むパッケージと、を備える。前記端子は、前記発光光を反射する部分に、９９．８９パーセント以上の純度のアルミニウムを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】一実施形態に係る半導体発光装置の構造を模式的に示す断面図である。
【図２】光波長と、純度の異なるアルミニウムの反射率と、の関係を示すグラフである。
【図３】アルミニウムに含まれるシリコンおよび鉄の濃度と、反射率と、の関係を示すグラフである。
【図４】Ａｇメッキの反射率の環境耐性を示すグラフである。
【図５】アルミニウムの反射率の環境耐性を示すグラフである。
【図６】アルミニウムおよびＡｇを含む電極層の反射率の変化を、処理ステップ順に示したグラフである。
【図７】図６とは光波長が異なる場合のアルミニウムおよびＡｇを含む電極層の反射率の変化を示したグラフである。
【図８】一実施形態の変形例に係る半導体発光装置の構造を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態では、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について適宜説明する。
【００１０】
図１は、本実施形態に係る半導体発光装置１００の構造を模式的に示す断面図である。図１（ａ）は、半導体発光装置１００の断面を示し、図１（ｂ）は、発光素子１０の断面構造を示している。
【００１１】
図１（ａ）に示すように、半導体発光装置１００は、発光素子１０と、発光素子１０を収容したパッケージ９０と、を備える。パッケージ９０は、発光素子１０の電極９および１３に電気的に接続された２つの端子であるリード３０および４０を含む。具体的には、パッケージ９０は、例えば、２つのリード３０および４０の一部を埋め込んだ樹脂のベース２０と、ベース２０から外部に延在するリード３０および４０と、を有する。ベース２０は、その一方の主面２０ａから他方の主面２０ｂの方向に設けられたカップ状の凹部２０ｃを有している。そして、凹部２０ｃの底面上に発光素子１０がボンディングされる。例えば、発光素子１０は、透明樹脂を用いて凹部２０ｃの底面に接着される。
ベース２０は、樹脂に限られる訳ではなく、例えば、セラミック材を用いても良い。
【００１２】
凹部２０ｃの底部には、リード３０および４０の一方の端部が露出している。図１（ａ）に示すように、発光素子１０は、例えば、リード４０の端部の上にボンディングすることができる。また、リード３０および４０の端部と離間した位置に、発光素子１０をボンディングしても良い。そして、発光素子１０のｐ電極９とリード４０、ｎ電極１３とリード３０が、それぞれ金属ワイヤ１５で電気的に接続される。
【００１３】
図１（ａ）に示す例では、ベース２０の主面２０ｂの側に露出したリード３０および４０の表面、さらに、ベース２０から外部に延在したリード３０および４０の表面に、ニッケル（Ｎｉ）層３３およびスズ（Ｓｎ）層３５が設けられる。Ｎｉ層３３およびＳｎ層３５は、例えば、メッキ法を用いて形成することができる。これらの金属層は、半導体発光装置１００を回路基板などにハンダ付けするために設けられる。例えば、Ｎｉ層３３のみでも良く、また、Ｎｉに限らずハンダに対する濡れ性の良い金属を用いることもできる。
また、半導体発光装置１００をハンダ付け以外の方法、例えば、抵抗溶接、レーザ溶接などを用いて、回路基板などに取り付ける場合には、リード３０および４０の表面にＮｉおよびＳｎ層を設けなくても良い。
【００１４】
図１（ｂ）は、発光素子１０の断面構造を模式的に示している。発光素子１０は、例えば、ＧａＮ系窒化物半導体を材料とするＬＥＤ（Light Emitting Diode）である。
【００１５】
発光素子１０では、サファイア基板２の上に、例えば、ｎ形ＧａＮ層３と、発光層５と、ｐ形ＧａＮ層７とが順に設けられる。ｐ形ＧａＮ層７の表面には、ｐ電極９が設けられ、ｐ形ＧａＮ層７および発光層５を選択的にエッチングして露出させたｎ形ＧａＮ層３の表面にｎ電極１３が設けられる。
【００１６】
発光層５は、例えば、ＩｎＧａＮ井戸層とＧａＮ障壁層とで構成される量子井戸を含む。そして、ｐ電極９とｎ電極１３との間に駆動電流を流すことにより、例えば、波長４４０ｎｍ〜４８５ｎｍの青色の発光光を放射する。サファイア基板２およびｎ形ＧａＮ層３、ｐ形ＧａＮ層７は、発光層５から放射される発光光に対して透明である。したがって、図１（ｂ）に示すように、発光層５から放射される発光光は、発光素子１０の上下の面および側面の全面から外部に放出される。
【００１７】
ここで、発光光の波長は、発光層５から放射される発光光の分光スペクトルの強度ピークに対応するピーク波長を意味する。以下の説明においても同じである。
【００１８】
半導体発光装置１００では、ベース２０に設けられた凹部２０ｃの内部に透明樹脂２５が充填される。透明樹脂２５は、例えば、発光素子１０から放射される発光光により励起され黄色の蛍光を発する蛍光体を含む。これにより、半導体発光装置１００は、青色の発光光と黄色の蛍光とが混合された白色光を放射することができる。
【００１９】
例えば、ベース２０が、酸化チタンなどの反射材を含む白色樹脂で形成されていれば、発光素子１０の側面から放出された発光光は、凹部２０ｃの側壁で反射され上方に放出される。そして、発光素子１０の下面から放出さる発光光は、リード４０の端部で上方に反射される。すなわち、発光素子１０から放出される発光光は、凹部２０ｃの内面で反射され、透明樹脂２５を通過して主面２０ａの側から放出される。したがって、半導体発光装置１００の光出力を向上させるためには、凹部２０ｃの底面に露出するリード３０および４０の表面における反射率を高くすることが望ましい。
【００２０】
さらに、ベース２０が発光光を透過する透明樹脂で成形されたパッケージを用いることもできる。すなわち、透明樹脂２５とベース２０とが一体に設けられ、発光素子１０と、リード３０および４０と、をモールドした構成でも良い。その場合には、ベース２０と一体に成形されるリード３０および４０の表面全体の反射率を高くすることにより、光出力を向上させることができる。
【００２１】
そこで、本実施形態に係るリード３０および４０は、発光光を反射する部分に、９９．８９パーセント以上の純度のアルミニウム（Ａｌ）を含む。例えば、リード３０および４０を構成する芯材に、純度が９９．８９パーセント以上のＡｌを用いる。これにより、凹部２０ｃの底部に露出するリード端部における発光光の反射率を向上させる。さらに、ベース２０に含まれる樹脂が発光光に対して透明な場合には、発光素子１０に向き合うリード３０および４０のＡｌ表面全体の反射が光出力に寄与する。これにより、半導体発光装置１００の光出力を向上させることができる。
【００２２】
図２は、発光光の光波長と純度の異なるＡｌの光反射率の関係を示すグラフである。横軸に光波長、縦軸に反射率を示している。グラフＡおよびＢは、それぞれ純度が９９．８９％（Ａ）および９９．６３％（Ｂ）Ａｌの反射率を示している。グラフＣ〜Ｄは、比較例として示したＡｇの反射率である。グラフＣは、無光沢のＡｇメッキの反射率、グラフＤは、半光沢Ａｇメッキの反射率、グラフＥは、光沢Ａｇメッキの反射率をそれぞれ示している。
【００２３】
グラフＡに示すＡｌの反射率は、短波長側で高く、長波長側で低くなる。これに対し、グラフＣ〜Ｅに示すＡｇメッキの反射率は、短波長側で低下する。そして、純度９９．８９％のＡｌの反射率は、波長４３０ｎｍよりも短波長側で、グラフＣに示す無光沢のＡｇメッキよりも高くなる。グラフＤに示す半光沢Ａｇメッキに対しては、４６６ｎｍよりも短波長側で高い反射率を有する。さらに、グラフＥに示す光沢Ａｇメッキに対しては、４９３ｎｍよりも短波長側で高い反射率を有する。
【００２４】
一方、グラフＢに示す純度９９．６３％のＡｌの反射率は、グラフＡに示す純度９９．８９％のＡｌの反射率よりも低く、短波長側でもフラットな波長依存性を示している。そして、純度９９．６３％のＡｌの場合、３６９ｎｍよりも短波長側で無光沢のＡｇメッキよりも高い反射率を有し、３７７ｎｍよりも短波長側で半光沢Ａｇメッキ、３９１ｎｍよりも短波長側で光沢Ａｇメッキを上回る反射率を有する。
【００２５】
図３は、Ａｌに含まれる不純物の含有量と光反射率の関係を示すグラフである。横軸に不純物の含有量、縦軸に、光波長４６０ｎｍにおける反射率を示している。同図中にプロットしたデータが示すように、シリコン（Ｓｉ）および鉄（Ｆｅ）、チタン（Tｉ）の含有量と反射率との間に相関が見られ、それぞれの含有量が少なくなると反射率が高くなる。その他の不純物については、含有量と反射率の関係に明確な相関は見られない。結果として、同図中に黒い四角で示す不純物の全体の含有量と反射率との関係によれば、不純物の含有量を低減しＡｌを高純度化することにより、反射率を向上させることができる。
【００２６】
図２および図３に示すＡｌの反射率特性によれば、純度が９９．８９％以上の高純度のＡｌの反射率は、例えば、４９３ｎｍよりも短波長側において、少なくとも光沢Ａｇメッキを施したリード（電極）よりも高い。したがって、純度９９．８９％以上の高純度のＡｌを用いることにより、半導体発光装置の光出力を向上させることができる。
【００２７】
さらに、発光波長が３９１ｎｍよりも短波長の光を放出する発光素子、所謂紫外発光素子の場合には、リードの材料として、純度９９．６３％以上のＡｌを用いることにより光出力を向上させることができる。
【００２８】
紫外発光素子としては、例えば、ＡｌＧａＮを材料とするＬＥＤを挙げることができる。具体的には、図１（ｂ）に示す発光素子１０において、発光層５は、ＡｌｘＧａ１−ｘＮ井戸層（０＜ｘ≦１）と、ＡｌｙＧａ１−ｙＮ障壁層（０＜ｘ≦１、ｘ＜ｙ）とで構成される量子井戸を含む。さらに、ｎ形ＧａＮ層３に代えてｎ形ＡｌｙＧａ１−ｙＮ層、ｐ形ＧａＮ層７に代えてｐ形ＡｌｙＧａ１−ｙＮ層を用いる。
【００２９】
次に、図４〜図７を参照して、ＡｌおよびＡｇの環境耐性について説明する。図４〜図７は、半光沢ＡｇメッキおよびＡｌの耐環境試験の結果を示すグラフである。環境試験は、硫化水素Ｈ２Ｓ（濃度３ｐｐｍ）を含む雰囲気において、４０℃、湿度８０％の加速条件下で実施した。
【００３０】
図４は、Ａｇメッキの反射率の経時変化、図５は、Ａｌの反射率の経時変化を示すグラフである。横軸に光波長、縦軸に反射率を示している。
【００３１】
図４に示すグラフＤは、初期の半光沢Ａｇメッキの反射率を示すグラフであり、図２に示すデータと共通する。そして、グラフＧは、８時間経過後のＡｇメッキの反射率、グラフＨは、２４時間経過後の反射率である。グラフＤ〜Ｈに示すように、Ａｇの反射率は、Ｈ２Ｓを含む雰囲気中で大幅な劣化を示した。
【００３２】
例えば、Ａｇメッキは、長期間の使用により大気中の硫黄成分と反応しＡｇ２Ｓを生成する。そして、その表面が黒色に変色することが知られている。図４に示す反射率の劣化は、この反応に起因するものと考えられ、半導体発光装置の光取り出し効率を低下させる。これに対し、図５に示すＡｌの反射率では、初期の反射率Ａからの変動は見られず、Ａｌの環境耐性がＡｇメッキよりも安定であることがわかる。
【００３３】
図６および図７は、耐環境試験における処理ステップごとの反射率の変化を示している。図６は、光波長５７０ｎｍにおける反射率の変化を示している。この光波長は、例えば、青色ＬＥＤ光で励起されるサイアロン蛍光体が発する蛍光の波長である。図７は、青色ＬＥＤの発光波長である光波長４６０ｎｍにおける反射率の変化を示している。
【００３４】
横軸に示す処理ステップにおいて、Ｓ１は、発光素子１０をリードにボンディングする際の熱履歴（１７０℃、２時間）と同じ処理、Ｓ２は、ベース２０の凹部２０ｃにシリコーン樹脂を充填する際の熱履歴（１５０℃、３時間）と同じ処理を示す。そして、Ｓ３は、８時間の環境加速試験、Ｓ４は、２４時間の環境加速試験を示している。
【００３５】
図６に示すグラフＪは、半光沢Ａｇメッキの反射率の変化を示している。Ａｇの反射率は、環境加速試験の時間の経過とともに低下する。
【００３６】
これに対し、グラフＫは、Ｎｉ／パラジウム（Ｐｄ）の積層構造の表面に０．０５μｍの厚さのＡｌ膜を形成したサンプルの反射率を示している。グラフＪに示すＡｇメッキに比べて、初期の反射率は劣るが、Ｓ１〜Ｓ４の処理に対して安定であることがわかる。
【００３７】
グラフＫに示すサンプルのＡｌ膜は、スパッタ法により形成されたものであり高純度である。
【００３８】
グラフＬは、Ａｇメッキの表面にＡｌ膜を形成したサンプルの反射率の変化を示す。Ａｌ膜は、スパッタ法を用いて０．０５μｍの厚さに形成されており、初期の反射率はグラフＫの値に近い。そして、最初の処理Ｓ１において反射率が劣化し、その後の処理に対して安定な特性を示している。すなわち、最初の熱履歴（Ｓ１）において、ＡｌとＡｇが反応し反射率が低下したものと考えられる。一方、表面にＡｌ膜が形成されているため、Ｈ２Ｓを含む雰囲気での加速試験に対して安定であることを示している。
【００３９】
図７に示す光波長４６０ｎｍにおける反射率の変化も、図６と同じ傾向を示している。すなわち、グラフＫに示すＮｉ／Ｐｄを下地としたＡｌ膜の反射率は安定である。一方、グラフＪのＡｇメッキ、および、グラフＬのＡｇメッキを下地としたＡｌ膜の反射率は、環境加速試験および熱処理により低下する。
【００４０】
上記の通り、Ａｌの反射率は、Ｈ２Ｓを含む環境に対して安定であり、変化が見られない。これに対し、Ａｇメッキは、時間の経過と共に反射率が低下し、環境耐性がＡｌよりも低い。そして、例えば、Ａｌ膜をＡｇメッキの表面に形成した場合には、熱処理による反射率の低下が生じるが、Ｈ２Ｓを含む環境に対して安定である。
【００４１】
このように、Ａｇメッキに代えて、Ａｌを用いることにより、リード３０および４０の反射率の経時劣化を抑制することができる。そして、半導体発光装置１００の環境耐性を向上させ長寿命化することができる。
【００４２】
図８（ａ）および（ｂ）は、それぞれ本実施形態の変形例に係る半導体発光装置２００および３００の構造を模式的に示す断面図である。
【００４３】
図８（ａ）に示す半導体発光装置２００のパッケージ９１は、リード５０および５５を含み、その表面にＡｌ層５３および５７が選択的に設けられている。そして、Ａｌ層５３および５７は、ベース２０の凹部２０ｃの底部に露出する。リード５０および５５には、例えば、銅（Ｃｕ）もしくはＣｕ合金からなる芯材を用いることができる。
【００４４】
例えば、発光素子１０の発光波長が４９３ｎｍよりも短波長であれば、Ａｌ層５３および５７には、純度９９．８９％以上のＡｌを用いる。純度９９．８９％以上のＡｌ層は、例えば、スパッタ法において、純度９９．８９％以上のＡｌターゲットを用いることにより形成できる。また、純度９９．８９％以上のＡｌ層とＣｕとを積層したクラッド材のＡｌを選択的に除去する方法により形成できる。一方、発光素子１０の発光波長が３９１ｎｍよりも短波長であれば、純度９９．６３％以上のＡｌ層５３および５７を用いる。
【００４５】
芯材となるＣｕ合金には、例えば、Ｃｕ−Ｆｅ合金、Ｃｕ−Ｚｒ合金などを用いることができる。さらに、リード５０および５５のベース２０から外部に延在する部分、および、ベース２０の主面２０ｂ側に露出する部分において、ＣｕもしくはＣｕ合金からなる芯材の表面にＮｉ等をメッキする。これにより、ハンダの濡れ性を向上させても良い。また、リード５０および５５の芯材として、Ａｌ層５３および５７と純度が異なるアルミニウム材を用いても良い。
【００４６】
半導体発光装置２００では、ベース２０の材料として、例えば、発光光を反射す白色樹脂を用いる。そして、凹部２０ｃの底面にボンディングされた発光素子１０から放射される発光光は、凹部２０ｃの内面で反射され、主面２０ａから上方に放射される。したがって、例えば、発光波長が４９３ｎｍよりも短波長の発光素子１０に対して、凹部２０ｃの底部に露出するリード５０および５５の表面を、純度９９．８９％以上のＡｌとし、発光波長が３９１ｎｍよりも短波長の発光素子１０に対して、リード５０および５５の表面を、純度９９．６３％以上のＡｌとすることにより反射率を高め光出力を向上させることができる。
【００４７】
一方、図８（ｂ）に示す半導体発光装置３００のパッケージ９２は、２種類の金属が積層されたリード６０および７０を含んでいる。例えば、純度９９．６３％以上のＡｌ層６３および７３と、支持材６５および７５を積層したクラッド材を用いることができる。すなわち、発光波長が４９３ｎｍよりも短波長の発光素子１０に対しては、純度９９．８９％以上のＡｌ層６３および７３を用い、発光波長が３９１ｎｍよりも短波長の発光素子１０に対しては、純度９９．６３％以上のＡｌ層６３および７３を用いる。Ａｌ層６３および７３は、発光素子１０がボンディングされる側に設けられ、発光素子１０から放射される発光光を反射する。
【００４８】
この場合、ベース２０は、例えば、白色樹脂でも良いし、発光素子１０が放射する発光光に対して透明な樹脂でも良い。発光素子１０の側に設けられたＡｌ層が発光光を反射し光出力を向上させる。
【００４９】
支持材６５および７５には、例えば、ＣｕもしくはＣｕ合金を用いる。これにより、Ａｌ層６３および７３の厚さが薄い場合でも、リード６０および７０の剛性を保持することができる。また、Ｃｕを含む材料を用いることにより、リード６０および７０の電気抵抗を下げることができる。
【００５０】
支持材６５および７５には、例えば、Ａｌ合金を用いても良い。Ａｌ合金は、高純度Ａｌよりも強度が高く、Ａｌ層６３および７３の厚さが薄い場合でもリード６０および７０の剛性を確保することができる。さらに、支持材６５および７５として、Ａｌ層６３および７３とは純度が異なるアルミニウム材を用いても良い。例えば、Ａｌ層６３およびＡｌ層７３として、純度９９．８９％以上のアルミニウムを用い、支持材６５および７５として純度９９．６３％以上のアルミニウム材を用いることができる。また、Ａｌ層６３およびＡｌ層７３として、純度９９．６３％以上のアルミニウムを用い、支持材６５および７５として純度９９．８９％以上のアルミニウム材を用いても良い。
【００５１】
さらに、半導体発光装置２００と同じように、リード５０および５５のベース２０から外部に延在する部分、および、ベース２０の主面２０ｂ側に露出する部分において、芯材の表面にＮｉメッキ等を施し、ハンダの濡れ性を改善することもできる。
【００５２】
上記の実施形態では、高純度アルミニウムを含むリードを樹脂モールドしたパッケージを例示したが、これらに限られる訳ではない。すなわち、本実施形態は、樹脂に代わる材料を用いたパッケージを用いる場合も含む。例えば、セラミックの基体にアルミニウム端子を付設したパッケージでも良い。
【００５３】
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【００５４】
なお、本願明細書において、「窒化物半導体」とは、ＢｘＩｎｙＡｌｚＧａ１−ｘ−ｙ−ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）のIII−Ｖ族化合物半導体を含み、さらに、Ｖ族元素としては、Ｎ（窒素）に加えてリン（Ｐ）や砒素（Ａｓ）などを含有する混晶も含むものとする。またさらに、導電型などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、「窒化物半導体」に含まれるものとする。
【符号の説明】
【００５５】
２・・・サファイア基板、  ３・・・ｎ形ＧａＮ層、  ５・・・発光層、  ７・・・ｐ形ＧａＮ層、  ９・・・ｐ電極、  １０・・・発光素子、  １３・・・ｎ電極、  １５・・・金属ワイヤ、  ２０・・・ベース、  ２０ａ、２０ｂ・・・主面、  ２０ｃ・・・凹部、  ２５・・・透明樹脂、  ３０、４０、５０、５５、６０、７０・・・リード、  ３３・・・Ｎｉ層、  ３５・・・Ｓｎ層、  ５３、５７、６３、７３・・・Ａｌ層、  ６５・・・支持材、  ９０、９１、９２・・・パッケージ、  １００〜３００・・・半導体発光装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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