(57)【要約】【課題】端子接続部においては摺動摩耗に起因する接触抵抗の増大を回避し、基板接続部においてはスルーホールへの圧入抵抗の増大を回避する。【解決手段】端子金具１０は、回路基板３５に接続される基板接続部１２と、相手側端子３４に接続される端子接続部１１とを有する。基板接続部１２は、母材１６の表面に形成されたニッケル下地メッキ層１９と、ニッケル下地メッキ層１９の表面側に形成された錫メッキ層２１とを備えて構成される。端子接続部１１は、母材１６の表面に形成された銅下地メッキ層１７と、銅下地メッキ層１７の表面に形成された錫メッキ層１８とを備えて構成されている。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板に接続される基板接続部と、相手側端子に接続される端子接続部とを有する端子金具であって、
前記基板接続部は、母材の表面に形成されたニッケル下地メッキ層と、前記ニッケル下地メッキ層の表面側に形成された錫メッキ層とを備えて構成され、
前記端子接続部は、前記母材の表面に形成された銅下地メッキ層と、前記銅下地メッキ層の表面に形成された錫メッキ層とを備えて構成されていることを特徴とする端子金具。
【請求項２】
前記基板接続部は、前記ニッケル下地メッキ層と前記錫メッキ層との間に銅中間メッキ層を備えていることを特徴とする請求項１記載の端子金具。
【請求項３】
前記基板接続部は、前記錫メッキ層が前記ニッケル下地メッキ層よりも薄く形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の端子金具。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、端子金具に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、基板用コネクタを構成する端子金具が開示されている。この端子金具は、回路基板に接続される基板接続部と、相手側端子に接続される端子接続部とを有し、母材の表面にニッケル下地メッキ層が形成され、このニッケル下地メッキ層の表面には錫メッキ層が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４２９２１２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
この種の端子金具では、端子接続部が振動等によって相手側端子と摺動するため、錫メッキ層が薄くなり、錫と下地のニッケルとが合金化し、端子接続部と相手側端子との接触抵抗が増大することが懸念される。
この対策としては、下地メッキ層を、ニッケルに替えて銅にすることが考えられる。しかし、端子金具がプレスフィット端子として用いられる場合には、基板接続部をスルーホールに圧入するときに、圧入抵抗が大きくなってしまうため、銅の下地メッキ層は好ましくない。
本発明は上記のような事情に基づいて完成されたものであって、端子接続部においては摺動摩耗に起因する接触抵抗の増大を回避し、基板接続部においてはスルーホールへの圧入抵抗の増大を回避することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の目的を達成するための手段として、請求項１の発明は、回路基板に接続される基板接続部と、相手側端子に接続される端子接続部とを有する端子金具であって、前記基板接続部は、母材の表面に形成されたニッケル下地メッキ層と、前記ニッケル下地メッキ層の表面側に形成された錫メッキ層とを備えて構成され、前記端子接続部は、前記母材の表面に形成された銅下地メッキ層と、前記銅下地メッキ層の表面に形成された錫メッキ層とを備えて構成されているところに特徴を有する。
【０００６】
請求項２の発明は、請求項１に記載のものにおいて、前記基板接続部は、前記ニッケル下地メッキ層と前記錫メッキ層との間に銅中間メッキ層を備えているところに特徴を有する。
【０００７】
請求項３の発明は、請求項１または請求項２に記載のものにおいて、前記基板接続部は、前記錫メッキ層が前記ニッケル下地メッキ層よりも薄く形成されているところに特徴を有する。
【発明の効果】
【０００８】
＜請求項１の発明＞
端子接続部は、表面の錫メッキ層の下に銅下地メッキ層が形成されているので、錫メッキ層が摩耗しても、相手側端子との接触抵抗の増大が回避される。一方、基板接続部に関しては、錫メッキ層よりも硬度の高いニッケル下地メッキ層が形成されているので、本発明をプレスフィット端子に適用した場合は、回路基板のスルーホールに基板接続部を圧入する際の抵抗が低減される。また、本発明を基板接続部が回路基板に半田付けされる端子に適用した場合は、半田付け工程において熱による母材の拡散をニッケル下地メッキ層により抑えて、母材の折損防止を図ることができる。
【０００９】
＜請求項２の発明＞
基板接続部は、ニッケル下地メッキ層と錫メッキ層との間に銅中間メッキ層を形成しているので、銅中間メッキ層と錫メッキ層が合金化して硬度が増す。これにより、本発明をプレスフィット端子に適用した場合には、スルーホールに基板接続部を圧入するときの抵抗が更に低減される。
【００１０】
＜請求項３の発明＞
基板接続部は、硬度の低い錫メッキ層を、硬度の高いニッケル下地メッキ層よりも薄くしたので、全体としての硬さが増している。これにより、本発明をプレスフィット端子に適用した場合には、スルーホールに基板接続部を圧入するときの抵抗が更に低減される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態１において端子金具を回路基板とハウジングに取り付けた状態をあらわす背面図
【図２】端子金具を回路基板とハウジングに取り付けた状態をあらわす断面図
【図３】端子金具の曲げ加工前の状態をあらわす平面図
【図４】端子金具の曲げ加工前の状態をあらわす側面図
【図５】端子金具のメッキ層を模式的にあらわす断面図
【発明を実施するための形態】
【００１２】
＜実施形態１＞
以下、本発明を具体化した実施形態１を図１〜図５を参照して説明する。本実施形態の端子金具１０は、図１，２に示すように、ハウジング３１に取り付けられて基板用コネクタ３０を構成している。端子金具１０は、全体として細長く、略Ｌ字形に屈曲されている。図２〜５に示すように、端子金具１０の一方の端部は、雌形の相手側端子３４に接続される端子接続部１１となっており、他方の端部は、回路基板３５のスルーホール３６に圧入される基板接続部１２となっている。端子接続部１１と基板接続部１２はＬ字形をなす屈曲部１３を介して連なっている。
【００１３】
図２に示すように、端子金具１０は、屈曲部１３のうちの水平部をハウジング３１の後壁部３２に貫通させた形態で圧入により組み付けられている。組付け状態では、端子接続部１１が、後壁部３２から水平方向前方へ突出してハウジング３１のフード部３３内に収容され、基板接続部１２は、ハウジング３１の後方外部において屈曲部１３から下向きに突出している。図３に示すように、基板接続部１２は、上下両端同士が連なった形態の一対の弾性接触片１４を有し、両弾性接触片１４の間には、弾性接触片１４がスルーホール３６に圧入されるときに弾性撓みするのを許容するためのスリット１５が形成されている。
【００１４】
端子金具１０の母材１６は、黄銅等の銅合金からなり、図５に示すように、母材１６の表面にはメッキ層１７〜２２が形成されている。端子接続部１１においては、母材１６の表面に銅下地メッキ層１７が形成され、この銅下地メッキ層１７の表面には、錫メッキ層１８が形成されている。
【００１５】
一方、基板接続部１２においては、母材１６の表面にニッケル下地メッキ層１９が形成され、このニッケル下地メッキ層１９の表面に銅中間メッキ層２０が形成され、この銅中間メッキ層２０の表面に錫メッキ層２１が形成されている。各メッキ層１９，２０，２１の硬度については、ニッケル下地メッキ層１９の硬度が最も高く、次いで、銅中間メッキ層２０が硬く、錫メッキ層２１の硬度が最も低い。
【００１６】
また、屈曲部１３においては、母材１６の表面に、下地メッキ層を形成せずに、直接、錫メッキ層２２が形成されている。この屈曲部１３の錫メッキ層２２は、端子接続部１１の錫メッキ層１８及び基板接続部１２の錫メッキ層２１と繋がっている。尚、屈曲部１３には、端子接続部１１に形成した銅下地メッキ層１７に連なる銅下地メッキ層（図示省略）を形成してもよい。
【００１７】
上記のように、端子接続部１１は、表面の錫メッキ層１８の下に銅下地メッキ層１７が形成されているので、錫メッキ層１８が摩耗しても、相手側端子３４との接触抵抗の増大が回避される。一方、基板接続部１２に関しては、錫メッキ層２１よりも硬度の高いニッケル下地メッキ層１９が形成されているので、スルーホール３６に基板接続部１２を圧入する際の抵抗が低減される。
【００１８】
また、基板接続部１２は、ニッケル下地メッキ層１９と錫メッキ層２１との間に銅中間メッキ層２０を形成している。この構成によれば、銅中間メッキ層２０と錫メッキ層２１が合金化して硬度が増すので、スルーホール３６に基板接続部１２を圧入するときの抵抗が更に低減される。また、ニッケル下地メッキ層１９と銅中間メッキ層２０の硬さの影響により、基板接続部１２をスルーホール３６に圧入するときの錫メッキ層２１の削れが抑えられる。
【００１９】
しかも、基板接続部１２は、硬度の低い錫メッキ層２１を、硬度の高いニッケル下地メッキ層１９よりも薄くしたので、全体としての硬さが増している。これにより、スルーホール３６に基板接続部１２を圧入するときの抵抗が更に低減される。また、基板接続部１２をスルーホール３６に圧入するときの錫メッキ層２１の削れが、抑えられる。
【００２０】
＜他の実施形態＞
本発明は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も本発明の技術的範囲に含まれる。
（１）上記実施形態では、基板接続部が、ニッケル下地メッキ層と錫メッキ層との間に銅中間メッキ層を形成した形態であったが、基板接続部は、銅中間メッキ層を形成せず、ニッケル下地メッキ層の表面に錫メッキ層を直接形成した形態であってもよい。
（２）上記実施形態では、基板接続部がスルーホールに圧入状態で挿入されるプレスフィット端子について説明したが、本発明は、スルーホールに挿入した基板接続部を半田付けによって接続する端子金具にも適用できる。この場合、基板接続部の下地メッキとして、錫メッキ層よりも硬度の高いニッケル下地メッキ層を形成したことにより、半田付け工程において熱による母材の拡散をニッケル下地メッキ層により抑えて、母材の折損防止を図ることができる。
（３）上記実施形態では、基板接続部の錫メッキ層をニッケル下地メッキ層よりも薄く形成したが、基板接続部の錫メッキ層は、ニッケル下地メッキ層より厚くてもよく、ニッケル下地メッキ層と同じ厚さでもよい。
【符号の説明】
【００２１】
１０…端子金具
１１…端子接続部
１２…基板接続部
１６…母材
１７…端子接続部の銅下地メッキ層
１８…端子接続部の錫メッキ層
１９…基板接続部のニッケル下地メッキ層
２０…基板接続部の銅中間メッキ層
２１…基板接続部の錫メッキ層
３５…回路基板
３４…相手側端子
【図１】
2012190603.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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