(57)【要約】【課題】第一及び第二のマザー基板１，２間に、所定の領域を囲む枠状の接合材４を複数箇所配置し、この接合材４を局部加熱により順次加熱軟化させて第一及び第二のマザー基板１，２を接合し、第一及び第二のマザー基板１，２を接合材４間で切断して気密容器１１を多面取り製造するに際し、第一及び第二のマザー基板１，２の合わせ位置ずれを防止できるようにする。【解決手段】接合材４をＭ行×Ｎ列（但し、Ｍ及びＮは３以上の整数）設け、この接合材４を局部加熱により順次加熱軟化させるに際し、最初に加熱軟化させる接合材４を、行方向の両隣と列方向の両隣にそれぞれ隣接する他の接合材４が存在する接合材４とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一のマザー基板又は第二のマザー基板の表面に、所定の領域を囲む枠状の接合材を複数箇所配置し、該接合材を挟んで前記第一のマザー基板と第二のマザー基板とを対向配置した後、前記接合材を局部加熱により順次加熱軟化させることで、前記第一のマザー基板と第二のマザー基板とを前記接合材で接合する工程を有する気密容器の製造方法において、
前記接合材をＭ行×Ｎ列（但し、Ｍ及びＮは３以上の整数）設け、前記接合材を局部加熱により順次加熱軟化させるに際し、最初に加熱軟化させる接合材を、行方向の両隣と列方向の両隣にそれぞれ隣接する接合材が存在する接合材とすることを特徴とする気密容器の製造方法。
【請求項２】
最初に加熱軟化させる接合材を中央部に位置する接合材とし、中央部の接合材から順次外側の接合材を加熱軟化させることを特徴とする請求項１に記載の気密容器の製造方法。
【請求項３】
局部加熱を、レーザー光の照射で行うことを特徴とする請求項１又は２に記載の気密容器の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項の気密容器の製造方法で製造された気密容器を外囲器として構成することを特徴とする画像表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第一の基板と第二の基板を、両者間の隙間の周囲を囲んで内側に密閉空間を規定する接合材で接合した気密容器及びこの気密容器を外囲器とする画像表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機ＬＥＤディスプレイ（ＯＬＥＤ）、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）、プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）等のフラットパネル型の画像表示装置が知られている。これらの画像表示装置は、互いに対向するガラス板等の二枚の基板を気密接合することで製造される、内部空間が外部空間に対して仕切られた外囲器を備えている。フラットパネル型の画像表示装置の外囲器等の気密容器を製造するには、互いに対向する基板の間に、必要に応じて間隔規定部材及びそれを接合するための局所的な接合材を配置し、周辺部に連続した枠状に接合材を配置して、加熱接合を行う。接合材の加熱方法としては、基板全体を加熱炉によってベークする方法や、局所加熱により接合材周辺を選択的に加熱する方法が知られている。局所加熱は、加熱冷却時間、加熱に要するエネルギー、生産性、容器の熱変形防止、容器内部に配置された機能デバイスの熱劣化防止等の観点から、全体加熱より有利である。特に、局所加熱の手段としてレーザ光が知られている。局所加熱手段による気密容器の製造方法は、内部に機能デバイスを具備しない真空断熱ガラスの製造方法として適用可能であることも知られている。
【０００３】
特許文献１には、気密封止された画像表示装置を多面取りする製造方法として、局所加熱光にレーザー光を使用し、複数箇所に設けたガラス接合材料を溶融して、マザーガラスを接合する方法が開示されている。即ち、隣接する接合材料に対して順番にレーザー光を照射することで、画像表示装置の生産性を向上させられることが開示されている。また、特許文献２にも局所加熱光にレーザー光を使用し、複数箇所に設けたガラス接合材料を溶融してマザーガラスを接合させる方法が開示されている。即ち、マザーガラスを加圧する方法として井桁形状の加圧装置を使用することにより、画像表示装置の生産性を向上させられることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００７／０１２８９６５号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２００９／０２３３５１４号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、第一の基板と第二の基板を、両者間の隙間の周囲を囲んで内側に密閉空間を規定する接合材で接合した気密容器の製造に際しては、第一のマザー基板と第二のマザー基板を用い、多面取りすることで製造効率を向上させることが行われている。この多面取りにおいては、第一又は第二のマザー基板の表面に、所定の領域を囲む枠状の接合材を複数箇所配置し、この接合材を挟んで両マザー基板を対向配置し、接合材を局部加熱により順次加熱軟化させて両マザー基板を接合することが行われる。
【０００６】
上記気密容器の製造に際し、単に前記特許文献１又は２の方法を適用したのでは、接合材を加熱軟化させて両マザー基板を接合する際に、第一又は第二のマザー基板の撓み等により両マザー基板の合わせ位置にずれを生じて製造品質上の問題を生じる場合があった。
【０００７】
本発明は、第一及び第二のマザー基板間に複数箇所配置した接合材を局部加熱により順次加熱軟化させて両マザー基板を接合して気密容器を多面取り製造するに際し、第一及び第二のマザー基板の合わせ位置ずれを防止できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記目的のために、第一のマザー基板又は第二のマザー基板の表面に、所定の領域を囲む枠状の接合材を複数箇所配置し、該接合材を挟んで前記第一のマザー基板と第二のマザー基板とを対向配置した後、前記接合材を局部加熱により順次加熱軟化させることで、前記第一のマザー基板と第二のマザー基板とを前記接合材で接合する工程を有する気密容器の製造方法において、
前記接合材をＭ行×Ｎ列（但し、Ｍ及びＮは３以上の整数）設け、前記接合材を局部加熱により順次加熱軟化させるに際し、最初に加熱軟化させる接合材を、行方向の両隣と列方向の両隣にそれぞれ隣接する接合材が存在する接合材とすることを特徴とする気密容器の製造方法を提供するものである。
【０００９】
また、本発明は、上記気密容器の製造方法で製造された気密容器を外囲器として構成することを特徴とする画像表示装置の製造方法を提供するものでもある。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の気密容器の製造方法によれば、最初に加熱軟化させる接合材の縦方向両隣及び横方向両隣における第一のマザー基板と第二のマザー基板の接触状態はほぼ均一になる。従って、加熱軟化させた接合材を第一のマザー基板と第二のマザー基板で挟み込んである程度圧縮接触させるために第一のマザー基板又は第二のマザー基板が多少撓んでも、この撓みによる位置ずれを生じにくい。その後の他の接合材の加熱軟化時には、最初の接合材の加熱軟化による接合で第一のマザー基板と第二のマザー基板の位置が固定されているので、大きな合わせ位置ずれを生じることなく接合をい行うことができる。
【００１１】
以上のことから、本発明の気密容器の製造方法によれば、第一のマザー基板と第二のマザー基板を接合する際に発生するアライメントずれを低減した品質の高い気密容器を製造することができる。
【００１２】
また、本発明の画像表示装置の製造方法によれば、リアプレートとフェースプレート間のアライメント誤差のない高品質な画像表示装置を容易に製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明のプロセスフローの一例を示す模式図である。
【図２】発光部の模式的拡大断面図である。
【図３】レーザー光による局所加熱を示す透視状態の斜視図である。
【図４】本発明の作用効果の説明図である。
【図５】加熱軟化させる接合材の順番を示す図である。
【図６】第一のマザー基板と第二のマザー基板を井桁形状の加圧装置を用いて圧接させる場合の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について説明する。本発明の気密容器は、内部空間が外部雰囲気から気密遮断されることが必要なデバイスを有するＦＥＤ、ＯＬＥＤ、ＰＤＰ等の画像表示装置の外囲器として適用することができる。また、本発明の気密容器の製造方法は、この外囲器の製造方法として適用することができる。更に、本発明の気密容器及びその製造方法は、画像表示装置の外囲器及びその製造方法だけでなく、対向するガラス等の基板の周縁部に、気密性が要求される接合部を有する気密容器に広く適用することができる。例えば、本発明の気密容器及びその製造方法は、真空断熱ガラス及びその製造方法に適用することができる。
【００１５】
以下、ＯＬＥＤの外囲器を構成する気密容器を製造する場合を例に本発明を説明する。なお、以下の説明において、特に図示又は記載されていない部分に関しては、当該技術分野における周知技術又は公知技術を適用することができる。また、以下に説明する事項は、あくまでも本発明の実施形態の一例であり、本発明はこれらに限定されるものではない。更に、以下の説明で参照する図面において、同じ符号は同様の構成要素を示す。
【００１６】
図１（ｅ）に示される気密容器１１は、ＯＬＥＤの外囲器を構成するもので、第一の基板１’には、図２に示されるように、ＴＦＴ回路１２、平坦化膜１３及びコンタクトホール１４と、発光部３を構成する下部電極３１、有機ＥＬ層３２、上部電極３３及び保護層３４が設けられている。第一の基板１’の発光部３等の設置面側を内側にして、第一の基板１’と第二の基板２’が、両者間に隙間を開けて対向配置されれている。第一の基板１’と第二の基板２’の間には、両者間の隙間の周囲を囲んで内側に発光部３を収容した密閉空間を規定する枠状に設けられた接合材４が挟み込まれている。
【００１７】
上記気密容器１１の製造は、図１（ａ）に示される第一のマザー基板１と第二のマザー基板２を用いて行われる。第一のマザー基板１及び第二のマザー基板２としては、透明で透光性を有する材料が用いられる。また、局所加熱用の光に対する接合材４の吸収波長域において、これらの部材が良好な波長透過性を有していることが望ましい。具体的には、ソーダライムガラス、高歪点ガラス、無アルカリガラス等が使用可能である。第一のマザー基板１と第二のマザー基板２はそれぞれ複数の第一の基板１’と第二の基板２’を切り出せる大きさのもので、本例においては９枚の第一の基板１’と第二の基板２’を切り出せる大きさとなっている。第一のマザー基板１と第二のマザー基板２の大きさは、一度に製造する気密容器１１の個数や大きさに応じて選択することができる。
【００１８】
第一のマザー基板１には、発光部３が複数箇所は位置されており、第二のマザー基板２には所定の領域を囲む枠状の接合材が複数箇所配置されている。具体的には、発光部３はＭ行×Ｎ列（但し、Ｍ及びＮは３以上の整数）設けられており、接合材４は、第一のマザー基板１の発光部３の形成面と対向させた時に各発光部３の周囲を囲む位置にやはりＭ行×Ｎ列設けられている。本例においては、発光部３及び接合材４は９行×９列で設けられている。
【００１９】
本例の気密容器１１は、ＯＬＥＤ用の外囲器として利用するものであることから、接合材４は、発光部３の形状に応じた略長方形の枠状に設けられている。しかし、接合材４の設置形状は、気密容器１１の用途に応じて、閉じた環状形状であれば、例えば正方形、長円形等、任意の形状とすることができる。
【００２０】
接合材４としては、加熱軟化又は加熱溶融させて冷却することで接合力を発揮するもので、ガラスフリット、シートフリット、低融点金属等を用いることができる。接合材４は、粘度が負の温度係数（温度依存性）を有し、高温で軟化し、第一のマザー基材１及び第二のマザー基材２よりも軟化点が低いことが好ましい。また、接合材４は、後述するレーザー光６の波長に対して高い吸収性を示すことが好ましい。
【００２１】
接合材４としてガラスフリットを用いる場合、まず、ガラスフリットに適当な液体物質を混合してフリットペーストを調製する。次に、調製したフリットペーストを第二のマザー基板２上に塗布して枠状の薄膜を形成する。フリットペーストの薄膜形成位置は、第一のマザー基板１と対向させた時に発光部３を取り囲む位置である。フリットペーストの塗布方法としては、ディスペンス法、スクリーン印刷法等が挙げられる。次に、フリットペーストからなる薄膜を前焼成し、接合材４とする。ここで接合材４の高さは、好ましくは、前焼成の段階で５μｍ〜３００μｍとなるようにすることが好ましい。なお、本例では前焼成時の熱から発光部３を保護するために接合材４を第二のマザー基板２上に設けている。しかし、例えば軟化した低融点金属をディスペンサーで付設して接合材４とし、接合材４の付設時に発光部３を高温に晒さないようにすれば、第一のマザー基板１に接合材を設けることもできる。
【００２２】
次に、図１（ｂ）に示されるように、第一のマザー基板１と第二のマザー基板２とを、発光部３の設置面と接合材４の設置面とを向き合わせて対向設置する。具体的には、第一のマザー基板１に設けられている複数の発光部３が、第二のマザー基板２上の接合材４で取り囲まれるように、第一のマザー基板１と第二のマザー基板２との位置合わせを行い、第一のマザー基板１と接合材４とを接触させる。この際、接合材４による接合を確実なものとするために、第二のマザー基板２に圧力を印加して、接合材４を第一のマザー基板１と第二のマザー基板２で挟圧する。挟圧させる方法としては、例えば定盤５の上に第一のマザー基板１を置き、第二のマザー基板２上の全面を柔軟性を有する手段で加圧する方法が知られている。
【００２３】
図１（ｃ）に示されるように、上記の加圧状態で、接合材４にレーザー光６を局部的に照射する。この局部加熱で接合材４を順次加熱軟化させることで、第一のマザー基板１と第二のマザー基板２とが接合材４により接合される。図３に示されるように、レーザー照射装置７を走査することで、レーザー光６を接合材４の長さ方向に沿って移動させながら接合材４に照射する。レーザー光６は、接合材４及びその近傍を局所的に加熱可能であればよく、光源としては半導体レーザが好適に用いられる。接合材４を局所的に加熱する性能や、第一のマザー基板１や第二のマザー基板２の透過性等の観点から、赤外域に波長を有する加工用半導体レーザが好ましい。本例では第二のマザー基板２側からレーザー光６を照射しているが、第一のマザー基板１が上になるよう定盤５上に置き、第一のマザー基板１側から照射することもできる。
【００２４】
上記局部加熱により、第一のマザー基板１と第二のマザー基板２で挟圧されている接合材４は軟化し、第一のマザー基板１との対向方向への第二のマザー基板２の撓みと共に押し潰される。第一のマザー基板１と第二のマザー基板２は、接合材４を介して加圧されているため、平面方向に拘束力（摩擦）が生じている。この状態で、最初に第二のマザー基板２の端にある接合材４にレーザー光６を照射し接合すると、第二のマザー基板２は図４（ｂ−１）のように片寄った位置で撓む。そして、拘束されていない端部が第一のマザー基板１の端部より内側へＸだけ入り込むような変形を生じる。その後、隣接する接合材４に順次レーザー光６を照射して加熱軟化させると、第二のマザー基板２の撓み位置が順次移動し、図４（ｂ−２）に示されるように、第二のマザー基板２の反対側の端部が第一のマザー基板１の端部より外側へＸだけ突出する。即ち、第一のマザー基板１と第二のマザー基板２の間にＸの位置ずれを生じる。
【００２５】
一方、最初に加熱軟化させる接合材４を、行方向の両隣と列方向の両隣にそれぞれ隣接する接合材４が存在する接合材４、即ち四方が等しく拘束された領域の接合材４とする。この接合材４の加熱軟化に伴う第二のマザー基板２の撓みによる変形は、図４（ａ−１）に示されるように、四方に均等に生じる。つまり、第二のマザー基板２の周縁が第一のマザー基板１の周縁より内側へＹだけ入り込むような変形を生じるが、四方に均等であることで、第一のマザー基板１と第二のマザー基板２の水平方向の相対的な位置ずれは生じない。そして、総ての接合材４の加熱軟化が完了して第二のマザー基板２の撓みが解消されると、図４（ａ−２）に示されるようにＹも解消される。即ち、接合材４がレーザー光６により軟化し、第二のマザー基板２が撓んでも、第一のマザー基板１と第二のマザー基板２との間には平面方向に位置ずれが生じ難く、得られる気密容器１１の品質低下を回避できる。
【００２６】
最初に加熱軟化させる接合材４は、それを設けた第一又は第二のマザー基板１，２の中央部に位置する接合材４が好ましい。中央部に位置する接合材４とは、Ｍ行×Ｎ列で配置された接合材４が奇数行奇数列の場合は、（Ｍ＋１）÷２行目かつ（Ｎ＋１）÷２列目の接合材４をいう。偶数行偶数列の場合は、Ｍ÷２行又はＭ÷２＋１行目かつＮ÷２列又はＮ÷２＋１列目の接合材４をいう。奇数行偶数列の場合は、（Ｍ＋１）÷２行目かつＮ÷２列又はＮ÷２＋１列目の接合材４をいい、偶数数行奇数列Ｍ÷２行又はＭ÷２＋１行目かつ（Ｎ＋１）÷２列目の接合材４をいう。また、最初に接合する接合材４から、第一又は第二のマザー基板１，２の端部側に配置した順次外側の接合材４に向けて加熱軟化させて接合していくことで、第一のマザー基板１と第二のマザー基板２間の位置ずれをより防止しやすくなる。その順番は、図５（ａ）に示されるような内側から外側への放射方向順でも、図５（ｂ）に示されるような内側から外側への渦巻方向順でもよい。
【００２７】
総ての接合材４の加熱軟化による接合が完了すると、図１（ｄ）に示されるように、第一のマザー基板１と第二のマザー基板２と接合材４によって、複数の気密容器１１の集合体が構成される。第一のマザー基板１と第二のマザー基板２を接合材４間で切り離すことによって、図１（ｅ）に示される気密容器１１が得られる。本例の気密容器１１はＯＬＥＤ用の外囲器を構成しており、以上の手順によってＯＬＥＤを製造することができる。
【００２８】
なお、第一のマザー基板１と第二のマザー基板２を圧接する際に、図６に示されるような井桁形状の加圧装置１５を用いることができる。井桁形状の加圧装置１５によれば、レーザー光６の照射を妨げることなく加圧しやすい。
【実施例】
【００２９】
以下、具体的な実施例を挙げて本発明を詳しく説明する。
【００３０】
＜実施例１＞
図１に示されるように、第一のマザー基板１と第二のマザー基板２の気密接合を行い、３行×３列の個別の気密容器１１毎に切断することによって、アクティブマトリックス型のＯＬＥＤを製造した。
【００３１】
第一のマザー基板１、第二のマザー基板２として０．７ｍｍ厚の旭硝子株式会社製「ＡＮ１００」を用意し、外形５７０ｍｍ×４４０ｍｍ×０．７ｍｍに切り出した。次に、有機溶媒洗浄、純水リンス及びＵＶ−オゾン洗浄によって、第一のマザー基板１及び第二のマザー基板２の表面を脱脂した。
【００３２】
第一のマザー基板１には図２に示されるＴＦＴ回路１２、平坦化膜１３及びコンタクトホール１４を設けた。次に、発光部３を形成した。
【００３３】
本実施例では、接合材４としてガラスフリットを用いた。ガラスフリットとしては、熱膨張係数α＝４５×１０-7／℃、軟化点３４８℃のＰ2Ｏ5系鉛非含有ガラスフリットを母材とし、バインダーとして有機物を分散混合したペーストを用いた。このガラスフリットは、粘度が負の温度係数（温度依存性）を有している。
【００３４】
上記ペーストを、第二のマザー基板２上にスクリーン印刷で枠形状に付設した。ペーストで形成した枠の大きさは、幅１ｍｍ、厚さ１００μｍ、１５０ｍｍ×１１０ｍｍの寸法で、第二のマザー基板２上に３行×３列の９箇所形成した。ペーストで形成した各枠間の間隔は４０ｍｍとした。その後、有機物をバーンアウトするため４６０℃で加熱、焼成した。
【００３５】
次に、接合材４が形成された第二のマザー基板２を第一のマザー基板１に対してアライメントしながら、接合材４が第一のマザー基板１の発光部３を備えた面と接触するように、これらの部材を仮組みした。その後、接合材４への加圧力を均一化するために、定盤５上に第一のマザー基板１を設置し、第二のマザー基板２上から、不図示の加圧装置によって第二のマザー基板２の全面を加圧６した。このようにして、第一のマザー基板１と第二のマザー基板２とを接合材４を介して接触させた〔図１（ｂ）〕。
【００３６】
上記第一のマザー基板１と第二のマザー基板２と接合材４とを備えた仮組み構造物に、局所加熱光としてレーザー光６を照射した。本実施例においては、加工用半導体レーザ装置を１個用意した。レーザー光６はいずれも、第二のマザー基板２に対して垂直方向に光軸を設定した。レーザー照射装置７は、レーザ出射口と第二のマザー基板２との距離が８ｃｍとなるように配置した。
【００３７】
本実施例におけるレーザー光６の照射において、最初に、図３に示されるように、第二のマザー基板２中央に配置されている枠状の接合材４に照射した。レーザー光６の照射条件は、波長９８０ｎｍ、レーザパワー４０Ｗ、有効ビーム径２．０ｍｍとし、図３に示される走査方向Ｄに１０ｍｍ／ｓの速度で走査した。レーザー光６は、接合材４を含む被照射物は固定とし、レーザー照射装置７を接合材４の長さ方向に移動させて照射した。なお、レーザパワーは、レーザー照射装置７から出射した全光束を積分した強度値として規定し、有効ビーム径は、レーザー光６の強度がピーク強度のｅ−２倍以上となる範囲として規定した。
【００３８】
第一のマザー基板１と第二のマザー基板２で挟圧されている接合材４は、粘度が負の温度係数（温度依存性）を有しているため、レーザー光６により加熱されると軟化し、第二のマザー基板２の撓みと共に厚み８０μｍまで２０μｍ程押し潰された。この時の第二のマザー基板２の撓みにより、第一のマザー基板１と第二のマザー基板２間に平面方向の位置ずれが発生した。しかし、レーザー光６の照射により軟化した枠状の接合材４は、接合材４が設けられた第二のマザー基板２の中央部にある。このため、第二のマザー基板２の撓みは、図４（ａ−１）に示すように、中央部の接合材４を中心にした均等なものであった。続いて、最初に接合した接合材４の周辺にある未接合の接合材４にレーザー光６を照射して接合させた。接合完了時には第一のマザー基板１と第二のマザー基板２間の位置ずれは極めて小さいものであった。
【００３９】
次に、形成した気密容器１１を破損しないように、第一のマザー基板１及び第二のマザー基板２を接合材４の間で切断し、９セットの気密容器１１に切り分けた。切断は、第一のマザー基板１及び第二のマザー基板２の所定位置をガラス切りで加傷した後、外力を加え、第一のマザー基板１及び第二のマザー基板２を加傷部から割ることで行った。
【００４０】
以上のようにして気密容器１１を製造し、更に通常の方法に従って駆動回路等を実装し、気密容器１１を外囲器として備えたＯＬＥＤを製造した。得られたＯＬＥＤを動作させたところ、画質異常のない良好な表示が長時間安定して維持された。また、接合部がＯＬＥＤに適用可能な程度の強度と安定した気密性とを確保していることが確認された。
【００４１】
＜実施例２＞
実施例１と同様に、第一のマザー基板１、第二のマザー基板２を準備した。本実施例では、第一のマザー基板１上に発光部３を５行×５列の２５箇所形成し、第二のマザー基板２上に枠状の接合材４を５行×５列の２５箇所形成した。接合材４の幅、高さは、実施例１と同じである。
【００４２】
実施例１と同様に、第一のマザー基板１と第二のマザー基板２を対向配置して全面を加圧した。この状態で、３行かつ３列目の枠状の接合材４にレーザー光６を照射して第一のマザー基板１と第二のマザー基板２を接合した。３行かつ３列目の枠状の接合材４は、実施例１と同様に、厚み８０μｍまで２０μｍ程押し潰された。第二のマザー基板２は、３行目かつ３列目の接合材４を中心に撓んだが、第一のマザー基板１と第二のマザー基板２の水平方向の相対的な位置ずれは生じなかった。その後、図５（ａ）の矢印番号の順番で接合材４にレーザー光６を照射して、残りの接合材４による第一のマザー基板１と第二のマザー基板２の接合を行った。その結果、第一のマザー基板１と第二のマザー基板２のアライメントずれは、最大で２μｍに抑えることができた。以上のように、接合材４をバランス良く接合していくことで、５列×５行の多面取りやそれ以上の多面取りにおいてもアライメントずれの無いＯＬＥＤを製作することができることが分かった。
【００４３】
＜実施例３＞
実施例２と同様に、第一のマザー基板１、第二のマザー基板２を準備した後に、対向配置して加圧した。この状態で、３列目かつ３行目の接合材４にレーザー光６を照射して、第一のマザー基板１と第二のマザー基板２を接合した。次に、図５（ｂ）の矢印番号の順番で接合材４にレーザー光６を照射して、残りの接合材４による第一のマザー基板１と第二のマザー基板２の接合を行った。その結果、第一のマザー基板１と第二のマザー基板２のアライメントずれは、最大で３μｍと実施例２に比べると悪化したが、ＯＬＥＤの品質上においては何ら問題の無い精度とすることができた。また、本実施例のように内側から外側への渦巻方向順に接合材４による接合を進めることで、レーザー光６の照射工程のタクトを短縮することができた。
【００４４】
＜実施例４＞
実施例２と同様に、第一のマザー基板１、第二のマザー基板２を準備した。次に、第一のマザー基板１と第二のマザー基板２を対向配置させて、図６に示されるような井桁形状の加圧装置１５を使い、第一のマザー基板１と第二のマザー基板２を加圧した。次に、井桁状の加圧装置１５の隙間に位置する３行目かつ３列目の接合材４にレーザー光６を照射して第一のマザー基板１と第二のマザー基板２を接合した。その後、井桁状の加圧装置１５を移動させた後に、隣の接合材４（３行目かつ２列目）にレーザー光６を照射した。この様に井桁状の加圧装置１５を移動させながらレーザー光６の照射を行うことで、井桁状の加圧装置１５を使用した場合でもアライメントずれの無い高品質なＯＬＥＤを製作することができた。
【符号の説明】
【００４５】
１：第一のマザー基板、２：第二のマザー基板、１’：第一の基板、２’：第二の基板、３：発光部、４：接合材、５：定盤、６：レーザー光、７：レーザ照射装置、１１：気密容器、１２：ＴＦＴ回路、１３：平坦化膜、１４：コンタクトホール、１５：井桁形状の加圧装置、３１：下部電極、３２：有機ＥＬ層、３３：上部電極、３４：保護層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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