(57)【要約】【課題】維持放電電圧を低減可能なプラズマディスプレイパネルを提供する。【解決手段】プラズマディスプレイパネルは、前面板と、前面板と対向配置された背面板と、を備える。前面板は、表示電極と表示電極を覆う誘電体層９と誘電体層９を覆う保護層１０とを含む。保護層１０は、母材９４としてＭｇＯと、金属酸化物９５としてＶ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＭｏおよびＷからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素とＣａとＯとの化合物とを有する。【選択図】図３
2012185916.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面板と、
前記前面板と対向配置された背面板と、を備え、
前記前面板は、表示電極と前記表示電極を覆う誘電体層と前記誘電体層を覆う保護層とを含み、
前記保護層は、ＭｇＯと、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＭｏおよびＷからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素とＣａとＯとの化合物とを有する、
プラズマディスプレイパネル。
【請求項２】
前記保護層は、さらにＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯからなる群より選ばれた少なくとも一種の酸化物を有する、
請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
ここに開示された技術は、表示デバイスなどに用いられるプラズマディスプレイパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと称する）の保護層の一つの機能は、放電を発生させるための電子を放出することである。
【０００３】
保護層に２次電子放出能力が高い材料を用いることにより、駆動電圧を下げることが可能である。このため、保護層に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）と、より２次電子放出能力が高い酸化カルシウム（ＣａＯ）などを用いることが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−０８０３８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＣａＯは、ＭｇＯに比べて化学的に不安定であり、空気中の水分や炭酸ガスと容易に反応して、水酸化物や炭酸化物を形成する。水酸化物や炭酸化物が形成されると、２次電子放出能力が低下する。つまり、ＰＤＰの駆動電圧を下げることができないといった課題がある。
【０００６】
ここに開示された技術は、上記課題を解決するためになされたものである。すなわち、保護層における２次電子放出能力の低下を抑制することにより、駆動電圧を下げることが可能なＰＤＰを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的は、以下のＰＤＰによって達成される。前面板と、前面板と対向配置された背面板と、を備える。前面板は、表示電極と表示電極を覆う誘電体層と誘電体層を覆う保護層とを含む。保護層は、ＭｇＯと、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＭｏおよびＷからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素とＣａとＯとの化合物とを有する。
【発明の効果】
【０００８】
上記の構成によれば、保護層における２次電子放出能力の低下を抑制できる。よって、駆動電圧を下げることが可能なＰＤＰを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本実施の形態にかかるＰＤＰの概略構造を示す斜視図である。
【図２】同前面板における電極配置を示す図である。
【図３】同前面板を示す図である。
【図４】同ＰＤＰを背面板側から見た図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（実施の形態）
［１．ＰＤＰ１の構成］
本実施の形態のＰＤＰ１は、交流面放電型ＰＤＰである。図１に示すように、ＰＤＰ１は、前面ガラス基板５などを含む前面板２と、背面ガラス基板１１などを含む背面板３とが対向した構造である。前面板２と背面板３の外周部は、ガラスフリットなどからなる封着材によって気密封着されている。封着されたＰＤＰ１内部の放電空間１５には、Ｎｅ（ネオン）およびＸｅ（キセノン）などの放電ガスが５５ｋＰａ〜８０ｋＰａの圧力で封入されている。
【００１１】
前面板２は、前面ガラス基板５上に形成された走査電極６と維持電極７とを含む表示電極８を有する。さらに、前面板２は、表示電極８を被覆する誘電体層９と、誘電体層９を被覆する保護層１０とを有する。また、走査電極６と維持電極７は、一例として、透明電極６ａ、７ａにバス電極６ｂ、７ｂを積層した構造である。なお、前面板２は、ブラックストライプを備えてもよい。また、走査電極６および維持電極７は、透明電極６ａ、７ａが省略されていてもよい。
【００１２】
背面板３は、背面ガラス基板１１上に形成された複数のアドレス電極１２を有する。アドレス電極１２は、表示電極８と直交する方向に配置されている。さらに、背面板３は、アドレス電極１２を被覆する下地誘電体層１３と、下地誘電体層１３上のアドレス電極１２の間に相当する位置に形成された隔壁４とを有する。さらに、背面板３は、隣接する隔壁４の間に形成された蛍光体層１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂと、を有する。
【００１３】
表示電極８とアドレス電極１２とが交差する位置に放電セルが形成されている。放電セルは、赤色に発光する蛍光体層１４Ｒと、緑色に発光する蛍光体層１４Ｇと、青色に発光する蛍光体層１４Ｂとによりカラー表示をする。
【００１４】
［２．ＰＤＰ１の製造方法］
［２−１．前面板２の製造方法］
フォトリソグラフィ法によって、前面ガラス基板５上に、走査電極６および維持電極７が形成される。具体的には、まず、前面ガラス基板５上に透明電極６ａ、７ａが形成される。透明電極６ａ、７ａは、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜がパターニングされたものである。バス電極６ｂ、７ｂは、導電性を確保するための銀（Ａｇ）を含む。なお、バス電極６ｂ、７ｂは、画像表示面のコントラストを向上するため黒色顔料を含む黒色電極と、導電性を確保するための金属電極との積層構造でもよい。
【００１５】
バス電極６ｂ、７ｂの材料には、銀（Ａｇ）と銀を結着させるためのガラスフリットと感光性樹脂と溶剤などを含む電極ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、電極ペーストが、前面ガラス基板５に塗布される。次に、乾燥炉によって、電極ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、電極ペーストが露光される。
【００１６】
次に、電極ペーストが現像され、バス電極パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、バス電極パターンが所定の温度で焼成される。つまり、電極パターン中の感光性樹脂が除去される。また、電極パターン中のガラスフリットが溶融する。溶融していたガラスフリットは焼成後に再びガラス化する。以上の工程によって、バス電極６ｂ、７ｂが形成される。電極ペーストをスクリーン印刷する方法以外にも、スパッタ法、蒸着法などを用いることができる。
【００１７】
透明電極６ａと透明電極７ａとの間の相対的に狭い領域にメインギャップが形成される。メインギャップは、ＰＤＰ１において維持放電が発生する領域である。透明電極６ａと透明電極７ａとの間の相対的に広い領域にインターピクセルギャップが形成される。維持放電は、インターピクセルギャップまでは広がらない。すなわち、放電領域は、メインギャップを挟んで、概ねバス電極６ｂとバス電極７ｂとの間の領域である。
【００１８】
次に、誘電体層９が形成される。誘電体層９の材料には、誘電体ガラスフリットと樹脂と溶剤などを含む誘電体ペーストが用いられる。まずダイコート法などによって、誘電体ペーストが所定の厚みで表示電極８を覆うように前面ガラス基板５上に塗布される。次に、乾燥炉によって、誘電体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、誘電体ペーストが所定の温度で焼成される。つまり、誘電体ペースト中の樹脂が除去される。また、誘電体ガラスフリットが溶融する。溶融していた誘電体ガラスフリットは、焼成後に再びガラス化する。以上の工程によって、誘電体層９が形成される。ここで、誘電体ペーストをダイコートする方法以外にも、スクリーン印刷法、スピンコート法などを用いることができる。また、誘電体ペーストを用いずに、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などによって、誘電体層９となる膜を形成することもできる。
【００１９】
次に、誘電体層９上に保護層１０が形成される。保護層１０の詳細は、後述される。
【００２０】
以上の工程により、前面板２が完成する。
【００２１】
［２−２．背面板３の製造方法］
フォトリソグラフィ法によって、背面ガラス基板１１上に、アドレス電極１２が形成される。アドレス電極の材料には、導電性を確保するための銀（Ａｇ）と銀を結着させるためのガラスフリットと感光性樹脂と溶剤などを含むアドレス電極ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、アドレス電極ペーストが所定の厚みで背面ガラス基板１１上に塗布される。次に、乾燥炉によって、アドレス電極ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、アドレス電極ペーストが露光される。次に、アドレス電極ペーストが現像され、アドレス電極パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、アドレス電極パターンが所定の温度で焼成される。つまり、アドレス電極パターン中の感光性樹脂が除去される。また、アドレス電極パターン中のガラスフリットが溶融する。溶融していたガラスフリットは、焼成後に再びガラス化する。以上の工程によって、アドレス電極１２が形成される。ここで、アドレス電極ペーストをスクリーン印刷する方法以外にも、スパッタ法、蒸着法などを用いることができる。
【００２２】
次に、下地誘電体層１３が形成される。下地誘電体層１３の材料には、誘電体ガラスフリットと樹脂と溶剤などを含む下地誘電体ペーストが用いられる。まず、スクリーン印刷法などによって、下地誘電体ペーストが所定の厚みでアドレス電極１２が形成された背面ガラス基板１１上にアドレス電極１２を覆うように塗布される。次に、乾燥炉によって、下地誘電体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、下地誘電体ペーストが所定の温度で焼成される。つまり、下地誘電体ペースト中の樹脂が除去される。また、誘電体ガラスフリットが溶融する。溶融していた誘電体ガラスフリットは、焼成後に再びガラス化する。以上の工程によって、下地誘電体層１３が形成される。ここで、下地誘電体ペーストをスクリーン印刷する方法以外にも、ダイコート法、スピンコート法などを用いることができる。また、下地誘電体ペーストを用いずに、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などによって、下地誘電体層１３となる膜を形成することもできる。
【００２３】
次に、フォトリソグラフィ法によって、隔壁４が形成される。隔壁４の材料には、フィラーと、フィラーを結着させるためのガラスフリットと、感光性樹脂と、溶剤などを含む隔壁ペーストが用いられる。まず、ダイコート法などによって、隔壁ペーストが所定の厚みで下地誘電体層１３上に塗布される。次に、乾燥炉によって、隔壁ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、隔壁ペーストが露光される。次に、隔壁ペーストが現像され、隔壁パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、隔壁パターンが所定の温度で焼成される。つまり、隔壁パターン中の感光性樹脂が除去される。また、隔壁パターン中のガラスフリットが溶融する。溶融していたガラスフリットは、焼成後に再びガラス化する。以上の工程によって、隔壁４が形成される。ここで、フォトリソグラフィ法以外にも、サンドブラスト法などを用いることができる。
【００２４】
次に、蛍光体層１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂが形成される。蛍光体層１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂの材料には、蛍光体粒子とバインダと溶剤などとを含む蛍光体ペーストが用いられる。まず、ディスペンス法などによって、蛍光体ペーストが所定の厚みで隣接する隔壁４間の下地誘電体層１３上および隔壁４の側面に塗布される。次に、乾燥炉によって、蛍光体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、蛍光体ペーストが所定の温度で焼成される。つまり、蛍光体ペースト中の樹脂が除去される。以上の工程によって、蛍光体層１４Ｒ、１４Ｇ、１４Ｂが形成される。ここで、ディスペンス法以外にも、スクリーン印刷法などを用いることができる。
【００２５】
以上の工程により、背面板３が完成する。
【００２６】
［２−３．前面板２と背面板３との組立方法］
まず、ディスペンス法によって、背面板３の周囲に封着材（図示せず）が形成される。封着材（図示せず）の材料には、ガラスフリットとバインダと溶剤などを含む封着ペーストが用いられる。次に乾燥炉によって、封着ペースト中の溶剤が除去される。次に、表示電極８とアドレス電極１２とが直交するように、前面板２と背面板３とが対向配置される。次に、前面板２と背面板３の周囲がガラスフリットで封着される。最後に、放電空間１５にＮｅ、Ｘｅなどを含む放電ガスが封入される。
【００２７】
［３．保護層１０の詳細］
［３−１．第１の形態］
図２に示すように、第１の形態の保護層１０は、誘電体層９上に形成された下地層９１の上に、金属酸化物粒子９２が付着している。下地層９１は、一例として、ＭｇＯとＣａＯとの混合膜である。金属酸化物粒子９２は、一例として、ＣａＭｏＯ4粒子である。
【００２８】
［３−１−１．下地層９１の形成方法］
下地層９１は、一例として、ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂｅａｍ）蒸着装置により形成される。材料は、単結晶のＭｇＯと単結晶のＣａＯとが焼結したペレットである。ペレットには、さらに不純物としてＡｌ、Ｓｉなどが添加されていてもよい。まず、ＥＢ蒸着装置の成膜室に配置されたペレットに電子ビームが照射される。電子ビームのエネルギーを受けたペレットは蒸発する。蒸発したＭｇＯとＣａＯとは、成膜室内に配置された前面ガラス基板５の誘電体層９上に付着する。誘電体層９上に付着したＭｇＯとＣａＯとは、ＭｇＯとＣａＯとの混合膜を形成する。ＭｇＯとＣａＯとの混合膜は、誘電体層９を被覆する。ＭｇＯとＣａＯとの混合膜の膜厚は、電子ビームの強度、成膜室の圧力などによって、所定の範囲に収まるように調整される。
【００２９】
なお、下地層９１におけるＣａＯの濃度は、５ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下の範囲で適宜設定される。
【００３０】
さらに、下地層９１は、ＭｇＯとＣａＯとの混合膜の他にも、酸化ストロンチウム（ＳｒＯ）、酸化バリウム（ＢａＯ）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）などの金属酸化物を含む膜を用いることができる。また、複数の種類の金属酸化物を含む膜を用いることもできる。
【００３１】
［３−１−２．金属酸化物粒子９２の付着方法］
金属酸化物粒子９２は、一例として、スリットコータおよび乾燥装置により付着される。
【００３２】
スリットコータは、テーブル、塗布ヘッド、テーブル駆動系、レーザ変位計などを備える。材料は、平均粒径が０．７〜１．５μｍのＣａＭｏＯ4粒子を、５体積％の濃度で希釈溶剤中に分散させた溶液である。なお平均粒径とは、体積累積平均径（Ｄ５０）のことである。また、平均粒径の測定には、レーザ回折式粒度分布測定装置ＭＴ−３３００（日機装株式会社製）が用いられた。
【００３３】
希釈溶剤は、例えば、３メチルー３メトキシブタノール９５体積％、αターピネオール５．０体積％の混合溶剤である。溶液の粘度は１０ｍＰａｓに調整された。まず、スリットコータのテーブル上に、前面ガラス基板５が設置される。前面ガラス基板５は、テーブル上に真空チャックされ、固定される。レーザ変位計などによりスリットコータの塗布ヘッドと前面ガラス基板５間の距離（ギャップ）が測定される。例えば、１００μｍの距離を保つように、塗布ヘッドの高さが調節される。さらに塗布ヘッドは、例えば、５０ｍｍ／ｓの等速度で移動する。溶液タンクから塗布ヘッド送られた溶液は、１５μｍの膜厚になるように前面ガラス基板５上に均一に塗布される。ＬａＯ粒子が希釈溶剤に分散した塗膜が下地層９１上に形成される。ＣａＭｏＯ4粒子は沈降し、下地層９１に付着する。
【００３４】
次に、前面ガラス基板５は、乾燥装置へ移送される。一例として、乾燥装置は真空チャンバー、加熱ヒータ、テーブル、真空ポンプ、圧力計などを備える。加熱ヒータにより予め所定の温度に保持されている大気圧の真空チャンバー内のテーブル上に前面ガラス基板５が設置される。その後、真空ポンプが、真空チャンバー内部を所定の圧力まで排気する。真空チャンバー内部の圧力が降下することにより、塗膜から希釈溶剤が脱離する。
【００３５】
一例として、本実施例においては、真空チャンバー温度：７０℃〜１００℃、圧力：０．１Ｐａ〜１０Ｐａ、処理時間：５ｍｉｎであった。上記工程によって、ＣａＭｏＯ4粒子は下地層９１との面積比で０．１以上１０％以下の被覆率になっている。
【００３６】
被覆率とは、１個の放電セルの領域において、金属酸化物粒子９２が付着している面積ａを１個の放電セルの面積ｂの比率で表したものである。つまり、被覆率（％）＝ａ／ｂ×１００の式により計算されたものである。測定方法としては、例えば、隔壁４により区切られた１個の放電セルに相当する領域がカメラにより撮像される。次に、撮像された画像が、ｘ×ｙの１セルの大きさにトリミングされる。次に、トリミング後の画像が白黒データに２値化される。次に、２値化されたデータに基づき金属酸化物粒子９２による黒エリアの面積ａを求める。最後に、被覆率が、ａ／ｂ×１００の式により計算される。
【００３７】
なお、本乾燥条件は、用いられる希釈溶剤の種類、塗膜の膜厚などによっても変動するため、適宜変更し得る。
【００３８】
なお、金属酸化物粒子９２の付着には、スリットコータの他にも、スクリーン印刷法、スプレー法、スピンコート法、ダイコート法なども用いることができる。また、希釈溶剤に、有機樹脂などが添加されてもよい。有機樹脂の添加により、溶液の粘度を上げることができる。有機樹脂が添加された場合には、有機樹脂を除去するために焼成工程を付加することが好ましい。
【００３９】
［３−１−３．金属酸化物粒子９２の製造方法］
一例として、ＣａＭｏＯ4粒子の製造方法が説明される。まず、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ3）の粉末と酸化モリブデン（ＭｏＯ3）の粉末とが混合される。混合粉末におけるＭｏＯ3粉末の濃度は、０．５ｍｏｌ％以上、１０ｍｏｌ％以下の範囲で適宜調整される。次に、混合粉末が焼成される。焼成温度は、９００℃以上１２００℃以下が好ましい。焼成時の雰囲気は、窒素などの不活性ガスが好ましい。焼成時のトップキープ時間は、１時間程度が好ましい。
【００４０】
なお、ＣａＯの代わりに、ＳｒＯ、ＢａＯからなる群より選ばれた少なくとも一種の酸化物を用いることができる。さらに、ＭｏＯ3の代わりに、バナジウム（Ｖ）、マンガン（Ｍｎ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）およびタングステン（Ｗ）からなる群より選ばれた少なくとも一種の元素の酸化物を用いることができる。
【００４１】
つまり、ＣａＭｏＯ4におけるＭｏの代わりに、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕおよびＷからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素を用いることができる。
【００４２】
［３−２．第２の形態］
図３に示すように、第２の形態の保護層１０は、誘電体層９上に形成された母材９４の中に、金属酸化物９５が点在している。母材９４は、一例として、ＭｇＯとＣａＯとの混合膜である。金属酸化物９５は、一例として、ＣａＭｏＯ4である。
【００４３】
［３−２−１．母材９４および金属酸化物９５の形成方法］
母材９４および金属酸化物９５は、一例として、ＥＢ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｂｅａｍ）蒸着装置により形成される。母材９４の材料は、単結晶のＭｇＯと単結晶のＣａＯとが焼結した混合ペレットである。金属酸化物９５の材料は、一例として、ＣａＭｏＯ4ペレットである。混合ペレットおよびＣａＭｏＯ4ペレットにおけるＣａＯの濃度は、５ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下の範囲で適宜調整される。混合ペレットおよびＣａＭｏＯ4ペレットにおけるＣａＭｏＯ4の濃度は、０．５ｍｏｌ％以上、１０ｍｏｌ％以下の範囲で適宜調整される。混合ペレットには、さらに不純物としてＡｌ、Ｓｉなどが添加されていてもよい。
【００４４】
なお、ＣａＭｏＯ4ペレットは、上述方法によって製造されたＣａＭｏＯ4粒子を焼結することによって、製造される。
【００４５】
まず、ＥＢ蒸着装置の成膜室に配置された混合ペレットおよびＣａＭｏＯ4ペレットに電子ビームが照射される。電子ビームのエネルギーを受けた混合ペレットおよびＣａＭｏＯ4ペレットは蒸発する。蒸発したＭｇＯ、ＣａＯおよびＣａＭｏＯ4は、成膜室内に配置された前面ガラス基板５の誘電体層９上に付着する。誘電体層９上に付着したＭｇＯとＣａＯは、母材９４であるＭｇＯとＣａＯとの混合膜を形成する。金属酸化物９５であるＣａＭｏＯ4は、は母材９４中に入り込む。つまり、ＣａＭｏＯ4は、母材９４中に点在する。ＣａＭｏＯ4が点在したＭｇＯとＣａＯとの混合膜の膜厚は、電子ビームの強度、成膜室の圧力などによって、所定の範囲に収まるように調整される。
【００４６】
なお、母材９４は、ＭｇＯとＣａＯとの混合膜の他にも、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ａｌ2Ｏ3などの金属酸化物を含む膜を用いることができる。また、複数の種類の金属酸化物を含む膜を用いることもできる。
【００４７】
さらに、ＣａＭｏＯ4におけるＭｏの代わりに、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕおよびＷからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素を用いることができる。
【００４８】
［３−３．第３の形態］
図４に示すように、第３の形態の保護層１０は、第１粒子９７、第２粒子９８および第３粒子９９が混在している。第１粒子９７は、一例として、ＭｇＯ粒子である。第２粒子９８は、一例として、ＣａＯ粒子である。第３粒子９９は、一例として、ＣａＭｏＯ4粒子である。
【００４９】
［３−３−１．第１粒子９７、第２粒子９８および第３粒子９９の形成方法］
第１粒子９７、第２粒子９８および第３粒子９９から構成される保護層１０は、一例として塗布法により誘電体層９上に形成される。第１粒子９７には、平均粒径が１０ｎｍ〜１００ｎｍの単結晶ＭｇＯ粒子（以降、ナノＭｇＯ粒子と称する）が用いられる。第２粒子９８には、平均粒径が１０ｎｍ〜１００ｎｍの単結晶ＣａＯ粒子（以降、ナノＣａＯ粒子と称する）が用いられる。第３粒子９９には、平均粒径が１０ｎｍ〜１００ｎｍのＣａＭｏＯ4粒子（以降、ナノＣａＭｏＯ4粒子と称する）が用いられる。
【００５０】
ナノＭｇＯ粒子は、気相生成法によって作製される。具体的には、マグネシウムがプラズマや電子ビームなどの高エネルギー下で気化されることにより、マグネシウム蒸気が生成される。次に、マグネシウム蒸気が、酸素ガスを含む冷却ガス（例えばアルゴンガス）によって短時間に冷却されることにより、ナノＭｇＯ粒子が作製される。
【００５１】
ナノＣａＯ粒子およびナノＣａＭｏＯ4粒子も同様の方法で作製される。
【００５２】
塗布材料であるナノ粒子ペーストは、ナノＭｇＯ粒子、ナノＣａＯ粒子およびナノＣａＭｏＯ4粒子が混合されたナノ混合粒子と、ナノ混合粒子と同等の重量のビヒクルとが混錬されることにより製造される。ビヒクルは、一例として、ターピネオールを６０重量％、プチルカルビトールアセテートを３０重量％およびアクリル樹脂を１０重量％混合されたものである。
【００５３】
次に、ナノ粒子ペーストがスクリーン印刷法などにより誘電体層９上に塗布される。誘電体層９上に塗布されたナノ粒子ペーストは、乾燥、焼成されることにより、ビヒクルが除去される。上記の工程によって、ナノＭｇＯ粒子、ナノＣａＯ粒子およびナノＣａＭｏＯ4粒子から構成された保護層１０が形成される。
【００５４】
なお保護層１０におけるナノＣａＯ粒子の濃度は、５ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下の範囲で適宜調整される。保護層１０におけるＣａＭｏＯ4の濃度は、０．５ｍｏｌ％以上、１０ｍｏｌ％以下の範囲で適宜調整される。
【００５５】
なお、第１粒子９７および第２粒子９８は、ＭｇＯの他にも、ＳｒＯ、ＢａＯ、Ａｌ2Ｏ3などの金属酸化物を用いることができる。また、複数の種類の金属酸化物を用いることもできる。
【００５６】
さらに、第３粒子９９は、ＣａＭｏＯ4におけるＭｏの代わりに、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、ＣｕおよびＷからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素を用いることができる。
【００５７】
［４．まとめ］
本実施の形態におけるＰＤＰ１は、前面板２と、前面板２と対向配置された背面板３と、を備える。前面板２は、表示電極８と表示電極８を覆う誘電体層９と誘電体層９を覆う保護層１０とを含む。
【００５８】
第１の形態の保護層１０は、下地層９１と下地層９１上に分散配置された金属酸化物粒子９２とを有する。金属酸化物粒子９２は、Ｖ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＭｏおよびＷからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素とＣａとＯとの化合物である。
【００５９】
さらに、下地層９１は、ＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯからなる群より選ばれた少なくとも一種の酸化物を有することが好ましい。
【００６０】
第２の形態の保護層１０は、母材９４としてＭｇＯと、金属酸化物９５としてＶ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＭｏおよびＷからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素とＣａとＯとの化合物とを有する。
【００６１】
さらに、保護層１０は、母材９４にＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯからなる群より選ばれた少なくとも一種の酸化物を有することが好ましい。
【００６２】
第３の形態の保護層１０は、第１粒子９７としてＭｇＯ粒子と、第３粒子としてＶ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、ＭｏおよびＷからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素とＣａとＯとの化合物粒子とを有する。
【００６３】
さらに、保護層１０は、第２粒子９８としてＣａＯ、ＳｒＯおよびＢａＯからなる群より選ばれた少なくとも一種の酸化物粒子を有することが好ましい。
【００６４】
Ｘ線回折分析によると、ＭｇＯとＣａＯとの混合膜からなる従来の保護層と比較して、本実施の形態に係る保護層１０では、ＣａＣｏ３や水酸化カルシウム（Ｃａ（ＯＨ）2）のピーク強度が小さいことが確認された。つまり、本実施の形態に係る保護層１０は、従来の保護層と比較して、変質が抑制された。さらに、本実施の形態に係る保護層１０を有するＰＤＰ１は、従来の保護層を有するＰＤＰと比較して維持電圧を低下させることができた。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
ここに開示された技術は、維持電圧を低減可能なＰＤＰを実現できる。よって、大画面の表示デバイスなどに有用である。
【符号の説明】
【００６６】
１    ＰＤＰ
２    前面板
３    背面板
４    隔壁
５    前面ガラス基板
６    走査電極
６ａ，７ａ    透明電極
６ｂ，７ｂ    バス電極
７    維持電極
８    表示電極
９    誘電体層
１０    保護層
１１    背面ガラス基板
１２    アドレス電極
１３    下地誘電体層
１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂ    蛍光体層
１５    放電空間
９１    下地層
９２    金属酸化物粒子
９４    母材
９５    金属酸化物
９７    第１粒子
９８    第２粒子
９９    第３粒子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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