(57)【要約】【課題】切断面のエッジ部におけるバリの発生を防止できる半導体ウェハの切断方法を提供する。【解決手段】ワイヤ放電加工による半導体ウェハ３の切断において、ワイヤ２を半導体ウェハ３内へ入れる過程では、ワイヤ２から半導体ウェハ３に与える単位面積当たりの放電エネルギーを次第に小さくして、放電ギャップＧを大きくする。ワイヤ２を半導体ウェハ３の外へ出す過程では、ワイヤ２から半導体ウェハ３に与える単位面積当たりの放電エネルギーを次第に大きくして、放電ギャップＧを次第に小さくする。これにより半導体ウェハ３の切断面のエッジ部をＲ形状にする。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１および第２主面を有する半導体ウェハの前記第１主面側にワイヤを張る工程と、
前記ワイヤに放電パルスを印加しつつ、前記ワイヤが前記半導体ウェハを前記第１主面側から前記第２主面側へと通過するように、前記ワイヤおよび前記半導体ウェハを相対的に移動させて、前記半導体ウェハを切断する工程とを備える
ことを特徴とする半導体ウェハの切断方法。
【請求項２】
前記半導体ウェハを切断する工程において、
前記ワイヤを前記第１主面から前記半導体ウェハ内へ入れる過程では、前記ワイヤから前記ウェハに与える単位面積当たりの放電エネルギーを次第に小さくし、
前記ワイヤを前記第２主面から前記半導体ウェハの外へ出す過程では、前記ワイヤから前記ウェハに与える単位面積当たりの放電エネルギーを次第に大きくする
請求項１記載の半導体ウェハの切断方法。
【請求項３】
前記ワイヤから前記ウェハに与える単位面積当たりの放電エネルギーを、前記ワイヤと前記半導体ウェハとの相対速度によって制御する
請求項２記載の半導体ウェハの切断方法。
【請求項４】
前記ワイヤから前記ウェハに与える単位面積当たりの放電エネルギーを、前記放電パルスの電圧値によって制御する
請求項２記載の半導体ウェハの切断方法。
【請求項５】
前記ワイヤから前記ウェハに与える単位面積当たりの放電エネルギーを、前記放電パルスの電流値によって制御する
請求項２記載の半導体ウェハの切断方法。
【請求項６】
前記ワイヤから前記ウェハに与える単位面積当たりの放電エネルギーを、前記放電パルスの周波数によって制御する
請求項２記載の半導体ウェハの切断方法。
【請求項７】
前記半導体ウェハを切断する工程に先立って、前記半導体ウェハの前記第２主面側を導電性のカーボン板に固定する工程をさらに備える
請求項１から請求項６のいずれか一項記載の半導体ウェハの切断方法。
【請求項８】
前記カーボン板における前記半導体ウェハの搭載面には、前記ワイヤの位置に対応する溝が形成されている
請求項７記載の半導体ウェハの切断方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ワイヤ放電加工技術を用いた半導体ウェハの切断方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
デバイスが形成された半導体ウェハを、デバイスチップに分離切断する技術として、ワイヤ放電加工が知られている（例えば下記の特許文献１）。ワイヤ放電加工では、金属製のワイヤに放電パルスを印加しながら、当該ワイヤに被加工物を横切らせることによって、被加工物の切断が行われる。ワイヤからの放電によって被加工物の溶解および除去が行われるため、ワイヤ放電加工は、ワイヤが被加工物に接触しない非接触式の加工法である。特許文献１におけるウェハの切断は、ウェハの表面に対して垂直に張られたワイヤに電圧パルスを印加し、ウェハを横方向に一定速度で移送して、ワイヤにウェハを横切らせることによって行われる。
【０００３】
また近年、高耐電圧、低損失および高耐熱を実現できる次世代のスイッチング素子として、炭化珪素（ＳｉＣ）を用いた半導体素子が有望視されており、インバータなどのパワー半導体装置への適用が期待されている。しかしＳｉＣ半導体装置には、多くの解決すべき課題が残されている。例えばＳｉＣはシリコン（Ｓｉ）よりも高硬度であるため、ＳｉＣの半導体ウェハからチップを効率的に切り出すことを可能とするブレイクスルー技術の確立がその一つとして挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平８−３２１００９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のように、特許文献１で、ウェハの切断に用いられるワイヤは、ウェハの表面に対して垂直に張られていた。またウェハをワイヤに対して一定の速度で送ることにより、ウェハの切断時におけるウェハの切断面とワイヤとの間隔（以下「放電ギャップ」）を常に一定にしていた。
【０００６】
一方、従来のワイヤ放電加工でウェハから切り出されたチップの切断面には、そのエッジ部分に除去し切れなかったウェハ材料による尖った出っ張り（いわゆる「バリ」）が形成されていた。チップのエッジ部にバリが生じていると、後の工程でチップが破損してチッピング（欠け）が生じ易く、チップのエッジ近傍に形成されたデバイス素子が破損する恐れがある。またチップの抗折強度（曲げに対する強度）を低下させる要因ともなり得る。よってチップエッジ部のバリは、デバイスチップの品質および歩留まりの低下を招く原因となる。
【０００７】
本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、切断面のエッジ部にバリが発生することを防止できる半導体ウェハの切断方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係る半導体ウェハの切断方法は、第１および第２主面を有する半導体ウェハの前記第１主面側にワイヤを張る工程と、前記ワイヤに放電パルスを印加しつつ、前記ワイヤが前記半導体ウェハを前記第１主面側から前記第２主面側へと通過するように、前記ワイヤおよび前記半導体ウェハを相対的に移動させて、前記半導体ウェハを切断する工程とを備えるものである。
【０００９】
望ましくは、前記半導体ウェハを切断する工程において、前記ワイヤを前記第１主面から前記半導体ウェハ内へ入れる過程では、前記ワイヤから前記ウェハに与える単位面積当たりの放電エネルギーを次第に小さくし、前記ワイヤを前記第２主面から前記半導体ウェハの外へ出す過程では、前記ワイヤから前記ウェハに与える単位面積当たりの放電エネルギーを次第に大きくする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、半導体ウェハの厚さ方向にワイヤを通過させて、半導体ウェハを切断するため切断時間を短くでき、例えばＳｉＣのような高硬度な半導体ウェハへの適用が期待される。またワイヤからウェハに与える単位面積当たりの放電エネルギーを、ワイヤが半導体ウェハに入るときと半導体ウェハから出るときに大きくすると、そのときの放電ギャップが特に大きくなるので、半導体ウェハの切断面の上側および下側エッジ部がＲ形状になり、バリの発生が防止される。その結果、半導体ウェハから切り出したデバイスチップにおいて、チッピングの発生や抗折強度の低下を防止でき、デバイスチップの品質および歩留まりを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明に係るワイヤ放電加工装置の構成を示す斜視図である。
【図２】実施の形態１に係る半導体チップの切断方法において、ワイヤが半導体ウェハ内に入る過程を示す工程図である。
【図３】実施の形態１に係る半導体チップの切断方法において、ワイヤが半導体ウェハの外に出る過程を示す工程図である。
【図４】実施の形態１に係る半導体チップの切断方法における、単位面積当たりの放電エネルギーの制御手法を示す図である。
【図５】実施の形態２に係る半導体チップの切断方法における、単位面積当たりの放電エネルギーの制御手法を示す図である。
【図６】実施の形態３に係る半導体チップの切断方法における、単位面積当たりの放電エネルギーの制御手法を示す図である。
【図７】実施の形態４に係る半導体チップの切断方法における、単位面積当たりの放電エネルギーの制御手法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
＜実施の形態１＞
図１は、本発明に係るワイヤ放電加工装置の構造を示す斜視図である。被加工物としての半導体ウェハ３は、ワークステージ４に固定された導電性のカーボン板４１上に導電性接着剤等を用いて固定される。ワークステージ４は、上下の送り機構だけでなく、横方向（Ｘ，Ｙ方向）および回転方向（θ方向）への送り機構をも備えている。ワークステージ４の位置制御は、ステージ制御ユニット４２が各方向のパラメータを設定することによって行われる。
【００１３】
半導体ウェハ３を切断するためのワイヤ２は、送り側リール２１から送出され、等間隔にワイヤ保持用溝１１が形成された３つのガイドローラー１を経て、巻き取り側リール２２に巻き取られる。３つのガイドローラー１のうち２つは、ワークステージ４の上面に平行な同一平面に配設されており、その間に張られたワイヤ２は、ワークステージ４の上面およびその上に固定される半導体ウェハ３の上面に対して平行に走行することになる。ワイヤ２の張力及び走行速度は、ワイヤリール制御ユニット２３が送り側リール２１および巻き取り側リール２２を制御することによって調整できる。
【００１４】
印加パルス制御用電源５２は、ワイヤ２に印加する放電パルスを生成するものであり、印加パルス制御用電源５２が生成した放電パルスは、給電用配線５１および給電子５を通してワイヤ２へと供給される。放電エネルギー制御ユニット９は、印加パルス制御用電源５２が生成する放電パルスの電圧、電流および周波数の各パラメータを制御することにより、ワイヤ２から半導体ウェハ３に与える放電エネルギー（加工エネルギー）を制御するものである。
【００１５】
図１のワイヤ放電加工装置では、半導体ウェハ３の上面側に張られたワイヤ２に放電パルスを印加しつつ、ワイヤ２が半導体ウェハ３を通過するようにワークステージ４を上昇させることにより、半導体ウェハ３の切断が行われる。
【００１６】
なお図１では、半導体ウェハ３（ワークステージ４）が上下移動し、ワイヤ２（ガイドローラー１）は上下移動しない構成を示しているが、ワイヤ２と半導体ウェハ３は相対的に移動できればよい。よって半導体ウェハ３が動かずにワイヤ２が動く構成であってもよいし、ワイヤ２および半導体ウェハ３の両方が動く構成であってもよい。
【００１７】
ここで、半導体ウェハ３の切断時における、半導体ウェハ３の切断面とワイヤ２との間隔（放電ギャップ）は、ワイヤ２から半導体ウェハ３に与えられる単位面積当たりの放電エネルギーに依存する。単位面積当たりの放電エネルギーは、放電パルスの電圧、電流、周波数に依存する他、放電エネルギーが与えられる時間すなわちワイヤ２が半導体ウェハ３を通過する速度（ワイヤ２と半導体ウェハ３との相対速度）にも依存する。従って、単位面積当たりの放電エネルギー（放電ギャップ）の制御は、放電パルスの電圧、電流、周波数を制御可能な放電エネルギー制御ユニット９だけでなく、半導体ウェハ３の上昇速度（加工速度）を制御可能なステージ制御ユニット４２でも行うことができる。
【００１８】
以下、実施の形態１に係る半導体ウェハの切断方法を説明する。図２および図３はその工程図であり、上面にデバイス素子６を有する半導体ウェハ３が、ワイヤ２により切断される部分の拡大断面を示している。また半導体ウェハ３が貼り付けられるカーボン板４１には、ワイヤ２に対応する位置に逃げ溝４３が設けられている。なお、本実施の形態では、ワイヤ２に印加する放電パルスの電圧値、電流値、周波数は一定に維持されるものとする。
【００１９】
まず半導体ウェハ３をワークステージ４上のカーボン板４１に固定する。ワイヤ２はワークステージ４の上面に平行に張られているため、半導体ウェハ３がワークステージ４に固定すれば、半導体ウェハ３の上面（第１主面）側にワイヤ２が張られることになる。
【００２０】
続いて、ワイヤ２に放電パルスを印加しながら、ワークステージ４を上昇させることで、半導体ウェハ３の上面に近づける。このときワイヤ２は半導体ウェハ３の上面に対して平行に維持される。この段階では、半導体ウェハ３の上昇速度を極低速にして、ワイヤ２から半導体ウェハ３に与えられる単位面積当たりの放電エネルギーを充分大きくする。この場合、図２（ａ）のように放電ギャップＧは大きくなり、加工幅が広がる。そのため半導体ウェハ３の表面部分は比較的広い範囲で除去される。
【００２１】
そしてワークステージ４を上昇させ続け、ワイヤ２を半導体ウェハ３の上面に対して平行に維持したまま当該上面から半導体ウェハ３内に侵入させる。この段階では、半導体ウェハ３の上昇速度（加工速度）を徐々に上げることで、ワイヤ２から半導体ウェハ３に与えられる単位面積当たりの放電エネルギーを徐々に小さくする。すると、ワイヤ２が半導体ウェハ３内に入っていくに従って放電ギャップＧが小さくなるので、図２（ｂ）および図２（ｃ）に示すように、半導体ウェハ３の切断面の上側エッジ部はＲ（round）形状になり、バリは形成されない。
【００２２】
図２（ｃ）のようにワイヤ２が完全に半導体ウェハ３内に入り込むと、加工速度を上げたまま一定に維持して半導体ウェハ３を上昇させ続け、ワイヤ２を半導体ウェハ３の下面（第２主面）に到達させる。加工速度が一定の場合、ワイヤ２から半導体ウェハ３に与えられる単位面積当たりの放電エネルギーは一定なので、放電ギャップＧは一定に維持される。よって図３（ａ）に示すように、ワイヤ２が通過してできた溝の幅は一定になる。すなわち半導体ウェハ３の切断面は平坦になる。
【００２３】
その後さらにワークステージ４を上昇させ続け、ワイヤ２を半導体ウェハ３の下面から外へ出すことにより、半導体ウェハ３を切断する。このときワイヤ２は、半導体ウェハ３の下面に対して平行に維持される。この段階では、半導体ウェハ３の上昇速度（加工速度）を徐々に下げることで、ワイヤ２から半導体ウェハ３に与えられる単位面積当たりの放電エネルギーを徐々に大きくする。すると、ワイヤ２が半導体ウェハ３の内部から外へ出るに従って放電ギャップＧが大きくなるので、図３（ｂ）および図３（ｃ）に示すように、半導体ウェハ３の切断面の下側エッジ部もＲ形状になり、バリは形成されない。
【００２４】
以上の工程により、半導体ウェハ３の切断が完了する。なお、半導体ウェハ３の下面を通過したワイヤ２は、カーボン板４１の逃げ溝４３に入る。この逃げ溝４３は、ワイヤ２が半導体ウェハ３の切断面の下側エッジ部をＲ形状に加工することが妨げられないようにする目的で設けられている。
【００２５】
図４は、上で説明した半導体ウェハ３の切断方法における、ワイヤ２から半導体ウェハ３に与える単位面積当たりの放電エネルギーの変化を示す図である。図４の如く、ワイヤ２による半導体ウェハ３の加工位置が、半導体ウェハ３の上面付近である期間は、加工位置が深くなるにつれて加工速度（半導体ウェハ３の上昇速度）を徐々に上げる。それにより単位面積当たりの放電エネルギーは徐々に低くなり、放電ギャップＧが徐々に小さくなる。
【００２６】
加工速度を上昇させる期間は、少なくとも、ワイヤ２の最下部と半導体ウェハ３の上面とが同じ高さになるときから、ワイヤ２の最上部と半導体ウェハ３の上面とが同じ高さになるときまで（ワイヤ３が半導体ウェハ３の内部に完全に入るまで）の期間を含むとよい。そうすることで、半導体ウェハ３の断面の上側エッジ部を滑らかなＲ形状にでき、より確実にバリの発生を防止できる。
【００２７】
一方、加工位置が半導体ウェハ３の上面付近を過ぎてから下面付近に近づくまでの期間は、加工速度を高くしたまま一定に保つ。その間、ワイヤ２から半導体ウェハ３に与えられる単位面積当たりの放電エネルギーは一定になり、放電ギャップＧが一定に維持される。それにより、ワイヤ２が通過してできた溝の幅は一定になる。
【００２８】
また、加工位置が半導体ウェハ３の下面付近である期間は、加工位置が深くなるにつれて（ワイヤ２が半導体ウェハ３から出ていくにつれて）加工速度を徐々に下げる。それにより単位面積当たりの放電エネルギーは徐々に高くなり、放電ギャップＧが徐々に大きくなる。
【００２９】
加工速度を下降させる期間は、少なくとも、ワイヤ２の最下部と半導体ウェハ３の下面とが同じ高さになるときから、ワイヤ２の最上部と半導体ウェハ３の下面とが同じ高さになるときまで（ワイヤ３が半導体ウェハ３から外へ完全に入るまで）の期間を含むとよい。そうすることで、半導体ウェハ３の断面の下側エッジ部を滑らかなＲ形状にでき、より確実にバリの発生を防止できる。
【００３０】
本発明では、半導体ウェハ３の厚さ方向（上面から下面への方向）にワイヤ２を通過させて、半導体ウェハ３の切断を行っている。そのため上記の特許文献１のように、半導体ウェハを横方向に移送して行う切断よりも、切断に要する時間を短くできる。そのため例えばＳｉＣのような高硬度な半導体ウェハへの適用が期待される。
【００３１】
また本実施の形態では、ワイヤ２が半導体ウェハ３に入るときと、半導体ウェハ３から出るときに、放電ギャップＧを特に大きくしている。それにより、半導体ウェハ３の切断面の上側および下側エッジ部がＲ形状になり、バリの発生が防止される。その結果、チッピングに起因するデバイス素子６の破損やデバイスチップの抗折強度の低下を防止でき、デバイスチップの品質および歩留まりを向上させることができる。
【００３２】
＜実施の形態２＞
実施の形態１では、半導体ウェハ３の加工速度（ワイヤ２と半導体ウェハ３との相対速度）によって、ワイヤ２から半導体ウェハ３に与えられる単位面積当たりの放電エネルギーの制御を行ったが、単位面積当たりの放電エネルギーは、放電パルスの電圧、電流あるいは周波数によっても制御可能である。
【００３３】
実施の形態２では、その制御を放電パルスの電圧値によって行う例を示す。図５は、実施の形態２に係る半導体ウェハ３の切断方法を説明するための図であり、ワイヤ２から半導体ウェハ３に与える単位面積当たりの放電エネルギーの変化を示している。
【００３４】
以下の各実施の形態でも、半導体ウェハ３の切断に使用するワイヤ放電加工装置の構造は、図１と同様であり、半導体ウェハ３の切断は、ワイヤ２が半導体ウェハ３の上面側から下面側へと通過するように、半導体ウェハ３を上昇させることによって行われるものとする。但し本実施の形態では、半導体ウェハ３の加工速度（半導体ウェハ３の上昇速度）、ワイヤ２に印加する放電パルスの電流値および周波数は一定に維持されるものとする。
【００３５】
図５の如く、ワイヤ２による半導体ウェハ３の加工位置が、半導体ウェハ３の上面付近である期間は、放電パルスの電圧（パルス電圧）をはじめは大きくしておき、加工位置が深くなるにつれて放電パルスの電圧を徐々に小さくする。それにより単位面積当たりの放電エネルギーは徐々に低くなり、放電ギャップＧが徐々に小さくなる。その結果、半導体ウェハ３の切断面の上側エッジがＲ形状になる。
【００３６】
パルス電圧を下降させる期間は、少なくとも、ワイヤ２の最下部と半導体ウェハ３の上面とが同じ高さになったときから、ワイヤ３が半導体ウェハ３の内部に完全に入るまでの期間を含むとよい。そうすることで、半導体ウェハ３の断面の上側エッジ部を滑らかなＲ形状にでき、より確実にバリの発生を防止できる。
【００３７】
一方、加工位置が半導体ウェハ３の上面付近を過ぎてから下面付近に近づくまでの期間は、パルス電圧を低くしたまま一定に保つ。その間はワイヤ２から半導体ウェハ３に与えられる単位面積当たりの放電エネルギーは一定になり、放電ギャップＧが一定に維持される。それにより、ワイヤ２が通過してできた溝の幅は一定になる。
【００３８】
また、加工位置が半導体ウェハ３の下面付近である期間は、加工位置が深くなるにつれてパルス電圧を徐々に上げる。それにより単位面積当たりの放電エネルギーは徐々に高くなり、放電ギャップＧが徐々に大きくなる。その結果、半導体ウェハ３の切断面の下側エッジがＲ形状になる。
【００３９】
パルス電圧を上昇させる期間は、少なくとも、ワイヤ２の最下部と半導体ウェハ３の下面とが同じ高さになったときから、ワイヤ３が半導体ウェハ３から外へ完全に入るまでの期間を含むとよい。そうすることで、半導体ウェハ３の断面の下側エッジ部を滑らかなＲ形状にでき、より確実にバリの発生を防止できる。
【００４０】
このように本実施の形態でも、実施の形態１と同様に、ワイヤ２が半導体ウェハ３に入るときと、半導体ウェハ３から出るときの放電ギャップＧが特に大きくなる。それにより、半導体ウェハ３の切断面の上側および下側エッジ部がＲ形状になり、バリの発生が防止され、実施の形態１と同様の効果が得られる。
【００４１】
＜実施の形態３＞
実施の形態３では、ワイヤ２から半導体ウェハ３に与えられる単位面積当たりの放電エネルギーの制御を、放電パルスの電流値によって行う例を示す。図６は、その制御方法を説明するための図である。本実施の形態では、半導体ウェハ３の加工速度（半導体ウェハ３の上昇速度）、ワイヤ２に印加する放電パルスの電圧値および周波数は一定に維持されるものとする。
【００４２】
図６の如く、ワイヤ２による半導体ウェハ３の加工位置が、半導体ウェハ３の上面付近である期間は、放電パルスの電流（パルス電流）をはじめは大きくしておき、加工位置が深くなるにつれて徐々に小さくする。それにより単位面積当たりの放電エネルギーは徐々に低くなり、放電ギャップＧが徐々に小さくなる。その結果、半導体ウェハ３の切断面の上側エッジがＲ形状になる。パルス電流を下降させる期間は、少なくとも、ワイヤ２の最下部と半導体ウェハ３の上面とが同じ高さになったときから、ワイヤ３が半導体ウェハ３の内部に完全に入るまでの期間を含むとよい。
【００４３】
一方、加工位置が半導体ウェハ３の上面付近を過ぎてから下面付近に近づくまでの期間は、パルス電流を低くしたまま一定に保つ。その間はワイヤ２から半導体ウェハ３に与えられる単位面積当たりの放電エネルギーは一定になり、放電ギャップＧが一定に維持される。それにより、ワイヤ２が通過してできた溝の幅は一定になる。
【００４４】
また、加工位置が半導体ウェハ３の下面付近である期間は、加工位置が深くなるにつれてパルス電流を徐々に大きくする。それにより単位面積当たりの放電エネルギーは徐々に高くなり、放電ギャップＧが徐々に大きくなる。その結果、半導体ウェハ３の切断面の下側エッジがＲ形状になる。パルス電流を上昇させる期間は、少なくとも、ワイヤ２の最下部と半導体ウェハ３の下面とが同じ高さになったときから、ワイヤ３が半導体ウェハ３から外へ完全に入るまでの期間を含むとよい。
【００４５】
本実施の形態でも、実施の形態１と同様の効果が得られる。
【００４６】
＜実施の形態４＞
実施の形態４では、ワイヤ２から半導体ウェハ３に与えられる単位面積当たりの放電エネルギーの制御を、放電パルスの周波数値によって行う例を示す。図７は、その制御方法を説明するための図である。本実施の形態では、半導体ウェハ３の加工速度（半導体ウェハ３の上昇速度）、ワイヤ２に印加する放電パルスの電圧値および電流値は一定に維持されるものとする。
【００４７】
図７の如く、ワイヤ２による半導体ウェハ３の加工位置が、半導体ウェハ３の上面付近である期間は、放電パルスの周波数（パルス周波数）をはじめは高くしておき、加工位置が深くなるにつれて放電パルスの周波数（パルス周波数）を徐々に低くする。それにより単位面積当たりの放電エネルギーは徐々に低くなり、放電ギャップＧが徐々に小さくなる。その結果、半導体ウェハ３の切断面の上側エッジがＲ形状になる。パルス周波数を下降させる期間は、少なくとも、ワイヤ２の最下部と半導体ウェハ３の上面とが同じ高さになったときから、ワイヤ３が半導体ウェハ３の内部に完全に入るまでの期間を含むとよい。
【００４８】
一方、加工位置が半導体ウェハ３の上面付近を過ぎてから下面付近に近づくまでの期間は、パルス周波数を低くしたまま一定に保つ。その間はワイヤ２から半導体ウェハ３に与えられる単位面積当たりの放電エネルギーは一定になり、放電ギャップＧが一定に維持される。それにより、ワイヤ２が通過してできた溝の幅は一定になる。
【００４９】
また、加工位置が半導体ウェハ３の下面付近である期間は、加工位置が深くなるにつれてパルス周波数を徐々に高くする。それにより単位面積当たりの放電エネルギーは徐々に高くなり、放電ギャップＧが徐々に大きくなる。その結果、半導体ウェハ３の切断面の下側エッジがＲ形状になる。パルス周波数を上昇させる期間は、少なくとも、ワイヤ２の最下部と半導体ウェハ３の下面とが同じ高さになったときから、ワイヤ３が半導体ウェハ３から外へ完全に入るまでの期間を含むとよい。
【００５０】
本実施の形態でも、実施の形態１と同様の効果が得られる。
【符号の説明】
【００５１】
１  ガイドローラー、２  ワイヤ、３  半導体ウェハ、４  ワークステージ、５  給電子、６  デバイス素子、９  放電エネルギー制御ユニット、１１  ワイヤ保持用溝、２１  送り側リール、２２  巻き取り側リール、２３  ワイヤリール制御ユニット、４１  カーボン板、４２  ステージ制御ユニット、４３  逃げ溝、５１  給電用配線、５２  印加パルス制御用電源。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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