(57)【要約】      （修正有）【課題】光電変換層内において材料同士が集合（凝集）しやすい条件を整えることで、光電変換効率に優れる有機薄膜太陽電池を提供する。【解決手段】基板と、前記基板上に形成された第１電極層と、前記第１電極層上に形成され、電子受容性材料および電子供与性材料を含有する光電変換層と、前記光電変換層上に形成された第２電極層とを有する有機薄膜太陽電池であって、前記電子受容性材料は、３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミドのＮ，Ｎ’位が、炭素数６以上のアルキル基が水素結合性会合基を介して修飾されている。【選択図】図１
2012190818.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に形成された第１電極層と、前記第１電極層上に形成され、電子受容性材料および電子供与性材料を含有する光電変換層と、前記光電変換層上に形成された第２電極層とを有する有機薄膜太陽電池であって、
電子受容性材料は、３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミドのＮ，Ｎ’位が、炭素数６以上のアルキル基が水素結合性会合基を介して修飾されているものであることを特徴とする有機薄膜太陽電池。
【請求項２】
前記電子供与性材料がポリチオフェンであることを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜太陽電池。
【請求項３】
前記第１電極層と前記光電変換層との間に正孔取出層が形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の有機薄膜太陽電池。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換層に有機半導体を用いる有機薄膜太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
光電変換層にシリコンなどの無機材料のｐ型半導体及びｎ型半導体を用いる無機太陽電池は、製造コストはかかるが、エネルギー変換効率が高いので、太陽電池の主流となっている。無機半導体の代わりにｐ型有機半導体及びｎ型有機半導体を用いる有機太陽電池の研究開発が続いているが、有機太陽電池のエネルギー変換効率は数％である。
有機材料を用いる有機太陽電池には、色素増感型太陽電池（グレッツェルセル）や、有機薄膜太陽電池などが知られている。
【０００３】
有機薄膜太陽電池においては、使用している有機材料の電荷輸送能力が低いため、光電変換層の膜厚をさらに薄くする必要がある。これは、厚膜にしてしまうと電荷輸送能力が低いため、電荷が光電変換層を移動中に再結合などで失われてしまい光電変換効率が低下してしまうためである。一方、光電変換層が薄いと入射光を十分に吸収することができないので、有機薄膜太陽電池においてはエネルギー変換効率を高めることが難しい。
最近では、有機薄膜太陽電池の光電変換効率を向上させるために、有機薄膜に用いられる有機材料の特徴を生かした工夫が試みられている（たとえば特許文献１参照）。
【０００４】
また例えば、ｐｎ接合部分を拡張させ光電変換効率を向上させるために、電子供与性を有するｐ型有機半導体と電子受容性を有するｎ型有機半導体とを混合するという方法の発明が知られている。ｐ型有機半導体とｎ型有機半導体とを混合することにより、分子レベルでのｐｎ接合が膜中に広く形成されるため、光電変換に寄与できる体積が増す。
【０００５】
このように、光電変換効率の高効率化についての改良が望まれている（非特許文献１参照）。
光電変換効率をさらに向上させるには、光電変換層の構成を最適化する必要がある。特に、電気伝導性との相関が強い有機材料の膜中での分散状態の制御は、光電変換効率を向上させるために重要である。
【０００６】
膜中での電子受容性材料の分散状態は電子伝導性へ影響を与えることが知られており、複数の分子が集合（凝集あるいは会合）している領域では導電性が高くなり、分子同士の距離が離れている領域では導電性が低くなる傾向がある。このため、光電変換層内において材料同士が集合（凝集あるいは会合）しやすい条件を整えることが重要である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、光電変換層内において材料同士が集合（凝集）しやすい条件を整えることで、光電変換効率に優れる有機薄膜太陽電池を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明は、以下のような解決手段を講じた。
（１）  基板と、前記基板上に形成された第１電極層と、前記第１電極層上に形成され電子受容性材料および電子供与性材料を含有する光電変換層と、前記光電変換層上に形成された第２電極層とを有する有機薄膜太陽電池であって、
前記電子受容性材料は、３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミドのＮ，Ｎ’位が、炭素数６以上のアルキル基が水素結合性会合基を介して修飾されているものである有機薄膜太陽電池を特徴とする。
（２）  前記（１）に記載の有機薄膜太陽電池において、前記電子供与性材料がポリチオフェンであることを特徴とする。
（３）  前記（１）または（２）に記載の有機薄膜太陽電池において、前記第１電極層と前記光電変換層との間に正孔取出層が形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明は、電子受容性材料のＮ，Ｎ’位が、炭素数６以上のアルキル基が水素結合性会合基を介して修飾された３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミドであることにより、凝集性をもつことにより、光電変換効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施形態に係る有機薄膜太陽電池の一例を示す概略断面図である。
【図２】実施形態に係る有機薄膜太陽電池の他の例を示す概略断面図である。
【図３】実施形態に係る有機薄膜太陽電池の製造方法の一例を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミドのＮ，Ｎ’位が、炭素数６以上のアルキル基が水素結合性会合基を介して修飾された電子受容性材料は、凝集しやすい性質を有している。
さらに、本発明の電子受容性材料と電子供与性材料とを含有する光電変換層では、層内での本発明の電子受容性材料の分散状態が、電子伝導性へ影響を与えると考えられる。
本発明者は、Ｎ，Ｎ’位が炭素数６以上のアルキル基が水素結合性会合基で修飾された３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミドであることにより、光電変換効率が高くなることを見出し本発明に至った。
【００１２】
３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミドのＮ，Ｎ’位が炭素数６以上のアルキル基が水素結合性会合基で修飾されることにより、実施形態の材料が凝集する傾向があり、光電変換層の導電性が高まるためであると考えられる。
これにより、光電変換層内で発生した電荷を高効率で外部へ取り出すことができるようになったものと考えられる。
以下、実施形態の有機薄膜太陽電池について、図面を参照しながら説明する。
【００１３】
Ａ．有機薄膜太陽電池
図１は、有機薄膜太陽電池の一例を示す概略断面図である。図１に示す例において、有機薄膜太陽電池１０は、基板１上に第１電極層２、光電変換層３および第２電極層４が順次積層されている。この光電変換層３は３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミドのＮ，Ｎ’位が炭素数６以上のアルキル基が水素結合性会合基を介して修飾された電子受容性材料および電子供与性材料を含有している。
本実施形態の発明によれば、光電変換層に含有されるＮ，Ｎ’位が炭素数６以上のアルキル基が水素結合性会合基を介して修飾された３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミドである電子受容性材料同士の凝集が促進されると考えられる。それにより、導電性が高くなり、光電変換層内で発生した電荷を効率良く外部へ取り出すことができ、光電変換効率を向上させることができる。
以下、このような有機薄膜太陽電池を構成する各層について説明する。
【００１４】
１．光電変換層３
実施形態に用いられる光電変換層３は、３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミドのＮ，Ｎ’位が炭素数６以上のアルキル基が水素結合性会合基を介して修飾された電子受容性材料と、電子供与性材料とを含有するものである。光電変換層３は、炭素数６以上のアルキル基が水素結合性会合基を介して修飾された電子受容性材料と、電子供与性材料とを含有しており、光電変換層３は、電子受容性および電子供与性の両方の機能を有する層であり、光電変換層３内で形成されるｐｎ接合を利用して電荷分離が生じる。
【００１５】
実施形態に用いられる電子受容性材料は、３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミドのＮ，Ｎ’位が炭素数６以上のアルキル基が水素結合性会合基を介して修飾されているものである。
上記炭素数６以上のアルキル基は、好ましくは直鎖状のものであり、より好ましくは炭素数１２以上の直鎖状のアルキル基である。本発明者は、電子受容性材料に水素結合性会合基を導入することにより、変換効率が高く成ることを見出した。これは、電子受容性材料の分子間を水素結合により、凝集または会合状態を形成することにより、分離した電荷の分子間輸送が円滑に進んでいるためと推測している。また、直鎖状のアルキル基は、電子受容性材料の分子間の凝集力あるいは会合力が直鎖アルキル基間のファンデルワールス力により高まったためと推測している。炭素数１２以上の直鎖状のアルキル基であることにより、より変換効率が高まることから、ファンデルワールス力がより高まり、結果的に電子受容性材料の分子間力が高まっているものと推測される。
【００１６】
本実施形態に含まれる水素結合性会合基としては、アミド（−ＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯ−）、尿素（−ＮＨＣＯＮＨ−）、ウレタン（−ＮＨＣＯＯ−、−ＯＣＯＮＨ−）、ジアシルアミン（−ＣＯＮＨＣＯ−）、ジアシルヒドラジン（−ＣＯＮＨＮＨＣＯ−）、しゅう酸ジアミド（−ＮＨＣＯＣＯＮＨ−）、アシル尿素（−ＣＯＮＨＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯＮＨＣＯ−）、セミカルバジド（−ＮＨＣＯＮＨＮＨ−、−ＮＨＮＨＣＯＮＨ−）、アシルセミカルバジド（−ＣＯＮＨＮＨＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯＮＨＮＨＣＯ−）、ジアシルアミノメタン（−ＣＯＮＨＣＨ２ＮＨＣＯ−）、１−アシルアミノ−１−ウレイドメタン（−ＣＯＮＨＣＨ２ＮＨＣＯＮＨ−、−ＮＨＣＯＮＨＣＨ２ＮＨＣＯ−）、マロンアミド（−ＮＨＣＯＣＨ２ＣＯＮＨ−）等の基が挙げられる。
【００１７】
また、これら水素結合性会合基が、３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミドのＮ，Ｎ’位にアルキレン基を介して修飾されていても良い。これらアルキレン基は、炭素数１から１２が好ましく、具体的には、−ＣＨ２−、−（ＣＨ２）２−、−（ＣＨ２）３−、−ＣＨ２ＣＨＣＨ３−、−ＣＨＣＨ３ＣＨ２−、−（ＣＨ２）４−、−（ＣＨ２）５−、−（ＣＨ２）６−、−（ＣＨ２）７−、−（ＣＨ２）８−、−（ＣＨ２）９−、−（ＣＨ２）１０−、−（ＣＨ２）１１−、−（ＣＨ２）１２−などである。
【００１８】
３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミドのＮ，Ｎ’位が炭素数６以上のアルキル基が水素結合性会合基を介して修飾される電子受容性材料の例を以下に記載する。
【００１９】
水素結合性会合基が−ＮＨＣＯ−である具体例としては、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｎ−ヘキシルアミノカルボニルメチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｎ−ヘプチルアミノカルボニルメチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｎ−オクチルアミノカルボニルメチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｎ−ノニルアミノカルボニルメチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｎ−デシルアミノカルボニルメチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｎ−ウンデシルアミノカルボニルメチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｎ−ドデシルアミノカルボニルメチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｎ−トリデシルアミノカルボニルメチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｎ−テトラデシルアミノカルボニルメチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｎ−ペンタデシルアミノカルボニルメチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｎ−ヘキサデシルアミノカルボニルメチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（ｎ−オクタデシルアミノカルボニルメチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−ｎ−ヘキシルアミノカルボニルエチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−ｎ−ヘプチルアミノカルボニルエチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−ｎ−オクチルアミノカルボニルエチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−ｎ−ノニルアミノカルボニルエチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−ｎ−デシルアミノカルボニルエチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−ｎ−ウンデシルアミノカルボニルエチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−ｎ−ドデシルアミノカルボニルエチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−ｎ−トリデシルアミノカルボニルエチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−ｎ−テトラデシルアミノカルボニルエチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−ｎ−ペンタデシルアミノカルボニルエチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−ｎ−ヘキサデシルアミノカルボニルエチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−ｎ−オクタデシルアミノカルボニルエチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−ｎ−ヘキシルアミノカルボニルプロピル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−ｎ−ヘプチルアミノカルボニルプロピル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−ｎ−オクチルアミノカルボニルプロピル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−ｎ−ノニルアミノカルボニルプロピル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−ｎ−デシルアミノカルボニルプロピル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−ｎ−ウンデシルアミノカルボニルプロピル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−ｎ−ドデシルアミノカルボニルプロピル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−ｎ−トリデシルアミノカルボニルプロピル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−ｎ−テトラデシルアミノカルボニルプロピル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−ｎ−ペンタデシルアミノカルボニルプロピル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−ｎ−ヘキサデシルアミノカルボニルプロピル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−ｎ−オクタデシルアミノカルボニルプロピル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（４−ｎ−ヘキシルアミノカルボニルブチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（４−ｎ−ヘプチルアミノカルボニルブチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（４−ｎ−オクチルアミノカルボニルブチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（４−ｎ−ノニルアミノカルボニルブチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（４−ｎ−デシルアミノカルボニルブチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（４−ｎ−ウンデシルアミノカルボニルブチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（４−ｎ−ドデシルアミノカルボニルブチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（４−ｎ−トリデシルアミノカルボニルブチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（４−ｎ−テトラデシルアミノカルボニルブチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（４−ｎ−ペンタデシルアミノカルボニルブチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（４−ｎ−ヘキサデシルアミノカルボニルブチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（４−ｎ−オクタデシルアミノカルボニルブチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（６−ｎ−ヘキシルアミノカルボニルヘキシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（６−ｎ−ヘプチルアミノカルボニルヘキシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（６−ｎ−オクチルアミノカルボニルヘキシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（６−ｎ−ノニルアミノカルボニルヘキシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（６−ｎ−デシルアミノカルボニルヘキシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（６−ｎ−ウンデシルアミノカルボニルヘキシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（６−ｎ−ドデシルアミノカルボニルヘキシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（６−ｎ−トリデシルアミノカルボニルヘキシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（６−ｎ−テトラデシルアミノカルボニルヘキシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（６−ｎ−ペンタデシルアミノカルボニルヘキシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（６−ｎ−ヘキサデシルアミノカルボニルヘキシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（６−ｎ−オクタデシルアミノカルボニルヘキシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（８−ｎ−ヘキシルアミノカルボニルオクチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（８−ｎ−ヘプチルアミノカルボニルオクチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（８−ｎ−オクチルアミノカルボニルオクチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（８−ｎ−ノニルアミノカルボニルオクチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（８−ｎ−デシルアミノカルボニルオクチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（８−ｎ−ウンデシルアミノカルボニルオクチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（８−ｎ−ドデシルアミノカルボニルオクチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（８−ｎ−トリデシルアミノカルボニルオクチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（８−ｎ−テトラデシルアミノカルボニルオクチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（８−ｎ−ペンタデシルアミノカルボニルオクチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（８−ｎ−ヘキサデシルアミノカルボニルオクチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（８−ｎ−オクタデシルアミノカルボニルオクチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１０−ｎ−ヘキシルアミノカルボニルデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１０−ｎ−ヘプチルアミノカルボニルデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１０−ｎ−オクチルアミノカルボニルデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１０−ｎ−ノニルアミノカルボニルデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１０−ｎ−デシルアミノカルボニルデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１０−ｎ−ウンデシルアミノカルボニルデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１０−ｎ−ドデシルアミノカルボニルデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１０−ｎ−トリデシルアミノカルボニルデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１０−ｎ−テトラデシルアミノカルボニルデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１０−ｎ−ペンタデシルアミノカルボニルデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１０−ｎ−ヘキサデシルアミノカルボニルデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１０−ｎ−オクタデシルアミノカルボニルデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１２−ｎ−ヘキシルアミノカルボニルドデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１２−ｎ−ヘプチルアミノカルボニルドデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１２−ｎ−オクチルアミノカルボニルドデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１２−ｎ−ノニルアミノカルボニルドデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１２−ｎ−デシルアミノカルボニルドデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１２−ｎ−ウンデシルアミノカルボニルドデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１２−ｎ−ドデシルアミノカルボニルドデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１２−ｎ−トリデシルアミノカルボニルドデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１２−ｎ−テトラデシルアミノカルボニルドデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１２−ｎ−ペンタデシルアミノカルボニルドデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１２−ｎ−ヘキサデシルアミノカルボニルドデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１２−ｎ−オクタデシルアミノカルボニルドデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１６−ｎ−ヘキシルアミノカルボニルヘキサデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１６−ｎ−ヘプチルアミノカルボニルヘキサデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１６−ｎ−オクチルアミノカルボニルヘキサデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１６−ｎ−ノニルアミノカル
ボニルヘキサデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１６−ｎ−デシルアミノカルボニルヘキサデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１６−ｎ−ウンデシルアミノカルボニルヘキサデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１６−ｎ−ドデシルアミノカルボニルヘキサデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１６−ｎ−トリデシルアミノカルボニルヘキサデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１６−ｎ−テトラデシルアミノカルボニルヘキサデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１６−ｎ−ペンタデシルアミノカルボニルヘキサデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１６−ｎ−ヘキサデシルアミノカルボニルヘキサデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１６−ｎ−オクタデシルアミノカルボニルヘキサデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１８−ｎ−ヘキシルアミノカルボニルオクタデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１８−ｎ−ヘプチルアミノカルボニルオクタデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１８−ｎ−オクチルアミノカルボニルオクタデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１８−ｎ−ノニルアミノカルボニルオクタデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１８−ｎ−デシルアミノカルボニルオクタデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１８−ｎ−ウンデシルアミノカルボニルオクタデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１８−ｎ−ドデシルアミノカルボニルオクタデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１８−ｎ−トリデシルアミノカルボニルオクタデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１８−ｎ−テトラデシルアミノカルボニルオクタデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１８−ｎ−ペンタデシルアミノカルボニルオクタデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１８−ｎ−ヘキサデシルアミノカルボニルオクタデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１８−ｎ−オクタデシルアミノカルボニルオクタデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド等が挙げられる。
【００２０】
また、水素結合性会合基が−ＮＨＣＯＮＨ−である具体例としては、Ｎ，Ｎ’−ジ（Ｎ’−ｎ−ヘキシルウレイドメチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（Ｎ’−ｎ−ヘプチルウレイドメチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（Ｎ’−ｎ−オクチルウレイドメチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（Ｎ’−ｎ−ノニルウレイドメチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（Ｎ’−ｎ−デシルウレイドメチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（Ｎ’−ｎ−ウンデシルウレイドメチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（Ｎ’−ｎ−ドデシルウレイドメチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（Ｎ’−ｎ−トリデシルウレイドメチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（Ｎ’−ｎ−テトラデシルウレイドメチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（Ｎ’−ｎ−ペンタデシルウレイドメチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（Ｎ’−ｎ−ヘキサデシルウレイドメチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（Ｎ’−ｎ−オクタデシルウレイドメチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−（Ｎ’−ｎ−ヘキシルウレイド）エチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−（Ｎ’−ｎ−ヘプチルウレイド）エチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−（Ｎ’−ｎ−オクチルウレイド）エチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−（Ｎ’−ｎ−ノニルウレイド）エチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−（Ｎ’−ｎ−デシルウレイド）エチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−（Ｎ’−ｎ−ウンデシルウレイド）エチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−（Ｎ’−ｎ−ドデシルウレイド）エチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−（Ｎ’−ｎ−トリデシルウレイド）エチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−（Ｎ’−ｎ−テトラデシルウレイド）エチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−（Ｎ’−ｎ−ペンタデシルウレイド）エチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−（Ｎ’−ｎ−ヘキサデシルウレイド）エチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−（Ｎ’−ｎ−オクタデシルウレイド）エチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−（Ｎ’−ｎ−ヘキシルウレイド）プロピル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−（Ｎ’−ｎ−ヘプチルウレイド）プロピル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−（Ｎ’−ｎ−オクチルウレイド）プロピル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−（Ｎ’−ｎ−ノニルウレイド）プロピル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−（Ｎ’−ｎ−デシルウレイド）プロピル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−（Ｎ’−ｎ−ウンデシルウレイド）プロピル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−（Ｎ’−ｎ−ドデシルウレイド）プロピル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−（Ｎ’−ｎ−トリデシルウレイド）プロピル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−（Ｎ’−ｎ−テトラデシルウレイド）プロピル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−（Ｎ’−ｎ−ペンタデシルウレイド）プロピル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−（Ｎ’−ｎ−ヘキサデシルウレイド）プロピル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−（Ｎ’−ｎ−オクタデシルウレイド）プロピル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（４−（Ｎ’−ｎ−ヘキシルウレイド）ブチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（４−（Ｎ’−ｎ−ヘプチルウレイド）ブチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（４−（Ｎ’−ｎ−オクチルウレイド）ブチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（４−（Ｎ’−ｎ−ノニルウレイド）ブチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（４−（Ｎ’−ｎ−デシルウレイド）ブチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（４−（Ｎ’−ｎ−ウンデシルウレイド）ブチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（４−（Ｎ’−ｎ−ドデシルウレイド）ブチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（４−（Ｎ’−ｎ−トリデシルウレイド）ブチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（４−（Ｎ’−ｎ−テトラデシルウレイド）ブチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（４−（Ｎ’−ｎ−ペンタデシルウレイド）ブチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（４−（Ｎ’−ｎ−ヘキサデシルウレイド）ブチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（４−（Ｎ’−ｎ−オクタデシルウレイド）ブチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（６−（Ｎ’−ｎ−ヘキシルウレイド）ヘキシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（６−（Ｎ’−ｎ−ヘプチルウレイド）ヘキシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（６−（Ｎ’−ｎ−オクチルウレイド）ヘキシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（６−（Ｎ’−ｎ−ノニルウレイド）ヘキシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（６−（Ｎ’−ｎ−デシルウレイド）ヘキシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（６−（Ｎ’−ｎ−ウンデシルウレイド）ヘキシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（６−（Ｎ’−ｎ−ドデシルウレイド）ヘキシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（６−（Ｎ’−ｎ−トリデシルウレイド）ヘキシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（６−（Ｎ’−ｎ−テトラデシルウレイド）ヘキシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（６−（Ｎ’−ｎ−ペンタデシルウレイド）ヘキシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（６−（Ｎ’−ｎ−ヘキサデシルウレイド）ヘキシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（６−（Ｎ’−ｎ−オクタデシルウレイド）ヘキシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（８−（Ｎ’−ｎ−ヘキシルウレイド）オクチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（８−（Ｎ’−ｎ−ヘプチルウレイド）オクチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（８−（Ｎ’−ｎ−オクチルウレイド）オクチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（８−（Ｎ’−ｎ−ノニルウレイド）オクチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（８−（Ｎ’−ｎ−デシルウレイド）オクチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（８−（Ｎ’−ｎ−ウンデシルウレイド）オクチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（８−（Ｎ’−ｎ−ドデシルウレイド）オクチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（８−（Ｎ’−ｎ−トリデシルウレイド）オクチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（８−（Ｎ’−ｎ−テトラデシルウレイド）オクチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（８−（Ｎ’−ｎ−ペンタデシルウレイド）オクチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（８−（Ｎ’−ｎ−ヘキサデシルウレイド）オクチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（８−（Ｎ’−ｎ−オクタデシルウレイド）オクチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１０−（Ｎ’−ｎ−ヘキシルウレイド）デシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１０−（Ｎ’−ｎ−ヘプチルウレイド）デシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１０−（Ｎ’−ｎ−オクチルウレイド）デシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１０−（Ｎ’−ｎ−ノニルウレイド）デシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１０−（Ｎ’−ｎ−デシルウレイド）デシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１０−（Ｎ’−ｎ−ウンデシルウレイド）デシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１０−（Ｎ’−ｎ−ドデシルウレイド）デシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１０−（Ｎ’−ｎ−トリデシルウレイド）デシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１０−（Ｎ’−ｎ−テトラデシルウレイド）デシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１０−（Ｎ’−ｎ−ペンタデシルウレイド）デシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１０−（Ｎ’−ｎ−ヘキサデシルウレイド）デシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１０−（Ｎ’−ｎ−オクタデシルウレイド）デシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１２−（Ｎ’−ｎ−ヘキシルウレイド）ドデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１２−（Ｎ’−ｎ−ヘプチルウレイド）ドデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１２−（Ｎ’−ｎ−オクチルウレイド）ドデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１２−（Ｎ’−ｎ−ノニルウレイド）ドデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１２−（Ｎ’−ｎ−デシルウレイド）ドデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１２−（Ｎ’−ｎ−ウンデシルウレイド）ドデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１２−（Ｎ’−ｎ−ドデシルウレイド）ドデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１２−（Ｎ’−ｎ−トリデシルウレイド）ドデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１２−（Ｎ’−ｎ−テトラデシルウレイド）ドデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１２−（Ｎ’−ｎ−ペンタデシルウレイド）ドデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１２−（Ｎ’−ｎ−ヘキサデシルウレイド）ドデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１２−（Ｎ’−ｎ−オクタデシルウレイド）ドデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１６−（Ｎ’−ｎ−ヘキシルウレイド）ヘキサデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１６−（Ｎ’−ｎ−ヘプチルウレイド）ヘキサデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボ
キシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１６−（Ｎ’−ｎ−オクチルウレイド）ヘキサデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１６−（Ｎ’−ｎ−ノニルウレイド）ヘキサデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１６−（Ｎ’−ｎ−デシルウレイド）ヘキサデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１６−（Ｎ’−ｎ−ウンデシルウレイド）ヘキサデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１６−（Ｎ’−ｎ−ドデシルウレイド）ヘキサデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１６−（Ｎ’−ｎ−トリデシルウレイド）ヘキサデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１６−（Ｎ’−ｎ−テトラデシルウレイド）ヘキサデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１６−（Ｎ’−ｎ−ペンタデシルウレイド）ヘキサデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１６−（Ｎ’−ｎ−ヘキサデシルウレイド）ヘキサデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１６−（Ｎ’−ｎ−オクタデシルウレイド）ヘキサデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１８−（Ｎ’−ｎ−ヘキシルウレイド）オクタデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１８−（Ｎ’−ｎ−ヘプチルウレイド）オクタデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１８−（Ｎ’−ｎ−オクチルウレイド）オクタデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１８−（Ｎ’−ｎ−ノニルウレイド）オクタデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１８−（Ｎ’−ｎ−デシルウレイド）オクタデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１８−（Ｎ’−ｎ−ウンデシルウレイド）オクタデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１８−（Ｎ’−ｎ−ドデシルウレイド）オクタデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１８−（Ｎ’−ｎ−トリデシルウレイド）オクタデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１８−（Ｎ’−ｎ−テトラデシルウレイド）オクタデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１８−（Ｎ’−ｎ−ペンタデシルウレイド）オクタデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１８−（Ｎ’−ｎ−ヘキサデシルウレイド）オクタデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド、Ｎ，Ｎ’−ジ（１８−（Ｎ’−ｎ−オクタデシルウレイド）オクタデシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド等が挙げられる。
【００２１】
さらに、上記化合物の水素結合性会合基−ＮＨＣＯ−、−ＮＨＣＯＮＨ−の代わりに、上述したその他の水素結合性会合基を有する３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミド誘導体が挙げられる。
【００２２】
さらに、実施形態に用いられる電子供与性材料としては、電子供与体としての機能を有するものであれば特に限定されるものではないが、塗布法により成膜可能なものであることが好ましく、中でも電子供与性の導電性高分子材料であることが、より好ましい。
【００２３】
導電性高分子材料はいわゆるπ共役高分子であり、炭素−炭素またはヘテロ原子を含む二重結合または三重結合が、単結合と交互に連なったπ共役系から成り立っており、半導体的性質を示すものである。導電性高分子材料は、高分子主鎖内にπ共役が発達しているため主鎖方向への電荷輸送が基本的に有利である。また、導電性高分子材料は、導電性高分子材料を溶媒に溶解もしくは分散させた塗工液を用いて塗布法により容易に成膜可能である。これから、大面積の有機薄膜太陽電池を高価な設備を必要とせず、低コストで製造できるという利点を有する。
【００２４】
電子供与性の導電性高分子材料としては、例えば、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリシラン、ポリチオフェン、ポリカルバゾール、ポリビニルカルバゾール、ポルフィリン、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリフルオレン、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、およびこれらの誘導体、ならびにこれらの共重合体、あるいは、フタロシアニン含有ポリマー、カルバゾール含有ポリマー、有機金属ポリマー等を挙げることができる。
【００２５】
中でも、チオフェン−フルオレン共重合体、ポリアルキルチオフェン、フェニレンエチニレン−フェニレンビニレン共重合体、フェニレンエチニレン−チオフェン共重合体、フェニレンエチニレン−フルオレン共重合体、フルオレン−フェニレンビニレン共重合体、チオフェン−フェニレンビニレン共重合体等が好ましく用いられる。
【００２６】
特に、ポリアルキルチオフェン等のポリチオフェンが好ましい。ポリチオフェンには、結晶性を示すものが知られている。このような結晶性を示すポリチオフェンを含有する光電変換層では、ポリチオフェンの自己組織化により、光電変換層内の構造が制御されると考えられる。具体的には、ポリチオフェンの自己組織化により、炭素数６以上のアルキル基が水素結合性会合基を介して修飾された電子受容性材料が凝集しやすくなり、ポリチオフェンおよび電子受容性材料がミクロ相分離構造をとり得ると思料される。これにより、導電性が高まるものと考えられる。
【００２７】
光電変換層に含有される電子受容性材料と電子供与性材料との質量比は、使用する電子供与性材料の種類により最適な比に適宜調整される。具体的には、電子供与性材料に対する電子受容性材料の質量比が０．１〜２．０の範囲内であることが好ましく、なかでも０．２〜１．０の範囲内が好ましい。質量比が上記０．１〜２．０の範囲外であると、実施形態に係る有機薄膜太陽電池の電子受容性材料と電子供与性材料とのバランスが悪く、十分な光電変換効率が得られない可能性がある。
【００２８】
光電変換層の膜厚としては、一般的にバルクヘテロ接合型有機薄膜太陽電池において採用されている膜厚を採用することができる。具体的には、光電変換層の膜厚は、所望の光電変換効率とすることができるものであれば特に限定されるものではなく、０．２ｎｍ〜３０００ｎｍの範囲内とすることができ、中でも１０ｎｍ〜６００ｎｍの範囲内であることが好ましい。膜厚が上記０．２ｎｍ〜３０００ｎｍの範囲より厚い場合には、膜抵抗が高くなる可能性があり、一方、膜厚が上記範囲より薄い場合には、第１電極層および第２電極層間で短絡が生じる可能性がある。
【００２９】
２．第１電極層
実施形態に用いられる第１電極層の形成材料としては、導電性を有するものであれば特に限定されないが、光の照射方向や、後述する第２電極層の形成材料の仕事関数等を考慮して適宜選択することが好ましい。
例えば第２電極層の形成材料を仕事関数の低い材料とした場合には、第１電極層の形成材料は仕事関数の高い材料であることが好ましい。仕事関数の高い材料としては、例えばＡｕ、Ａｇ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｃ、ＩＴＯ、ＳｎＯ２、フッ素をドープしたＳｎＯ２、ＺｎＯ等を挙げることができる。
【００３０】
また、基板側を受光面とした場合には、第１電極層を透明電極とすることが好ましい。
この場合、一般的に透明電極として使用されているものを用いることができる。具体的には、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ（ＩＺＯ）、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｏ（ＩＴＯ）、ＺｎＯ−Ａｌ、Ｚｎ−Ｓｎ−Ｏ等を挙げることができる。
【００３１】
実施形態おいては、第１電極層の全光線透過率が８５％以上、中でも９０％以上、特に９２％以上であることが好ましい。基板側を受光面とした場合、第１電極層の全光線透過率が上記範囲であることにより、第１電極層にて光を十分に透過することができ、光電変換層にて光を効率的に吸収することができる。なお、上記全光線透過率は、可視光領域において、スガ試験機株式会社製  ＳＭカラーコンピュータ（型番：ＳＭ−Ｃ）を用いて測定した値である。
【００３２】
また、実施形態においては、第１電極層のシート抵抗が２０Ω／□以下、中でも１０Ω／□以下、特に５Ω／□以下であることが好ましい。シート抵抗が上記２０Ω／□以下の範囲より大きい場合、発生した電荷を十分に外部回路へ伝達できない可能性がある。
なお、上記シート抵抗は、三菱化学株式会社製  表面抵抗計（ロレスタＭＣＰ：四端子プローブ）を用い、ＪＩＳ  Ｒ１６３７（ファインセラミックス薄膜の低効率試験方法：４探針法による測定方法）に基づき、測定した値である。
上記第１電極層は、単層であってもよく、また異なる仕事関数の材料を複数用いて積層されたものであってもよい。
【００３３】
この第１電極層の膜厚としては、単層である場合はその膜厚が、複数層からなる場合は総膜厚が、０．１〜５００ｎｍの範囲内、中でも１ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内であることが好ましい。膜厚が上記０．１〜５００ｎｍの範囲より薄い場合は、第１電極層のシート抵抗が大きくなりすぎ、発生した電荷を十分に外部回路へ伝達できない可能性がある。一方、膜厚が上記範囲より厚い場合には、全光線透過率が低下し、光電変換効率を低下させる可能性がある。
【００３４】
また、上記第１電極層２は、基板上に全面に形成されていてもよく、パターン状に形成されていてもよい。
【００３５】
さらに、上記第１電極層２の形状としては、フラットな形状であってもよく、テクスチャー構造、ピラミッド構造、波型構造、くし型構造、ナノピロー構造等の凹凸状であってもよい。例えば第１電極層の形状が凹凸状である場合は、入射光が第１電極層の凹凸形状により散乱されるため、後述する光電変換層は光を多く取り込むことができる。これにより、光を有効に利用することができるため、エネルギー変換効率を向上させることができる。
【００３６】
３．第２電極層４
実施形態に用いられる第２電極層４は、上記第１電極層２と対向して設けられる電極である。第２電極層４の形成材料としては、導電性を有するものであれば特に限定されない。光の照射方向や、上記第１電極層２の形成材料の仕事関数等を考慮して、第２電極層４の形成材料を適宜選択することが好ましい。
【００３７】
例えば基板１側を受光面とした場合には、上記第１電極層２が透明電極となり、このような場合には、第２電極層２は、透明でなくともよい。
また、第１電極層２を仕事関数の高い材料を用いて形成した場合には、第２電極層２は仕事関数の低い材料を用いて形成することが好ましい。具体的に仕事関数の低い材料としては、Ｌｉ、Ｉｎ、Ａｌ、Ｃａ、Ｍｇ、Ｓｍ、Ｔｂ、Ｙｂ、Ｚｒ、ＬｉＦ等を挙げることができる。
【００３８】
第２電極層４は、単層であってもよく、また、異なる仕事関数の材料を用いて積層されたものであってもよい。
上記第２電極層４の膜厚は、単層である場合にはその膜厚が、複数層からなる場合には各層を合わせた総膜厚が、０．１ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内、中でも１ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内であることが好ましい。膜厚が上記０．１ｎｍ〜５００ｎｍの範囲より薄い場合は、第２電極層のシート抵抗が大きくなりすぎ、発生した電荷を十分に外部回路へ伝達できない可能性がある。一方、膜厚が上記範囲より厚い場合には全光線透過率が低下し、光電変換効率を低下させる可能性がある。
また、上記第２電極層４は、光電変換層上に全面に形成されていてもよく、パターン状に形成されていてもよい。
【００３９】
４．基板１
実施形態に用いられる基板１は、透明なものであっても不透明なものであっても特に限定されるものではない。例えば基板１側が光の受光面となる場合には、透明基板であることが好ましい。この透明基板１としては、特に限定されるものではない。例えば石英ガラス、パイレックス（登録商標）、合成石英板等の可撓性のない透明なリジット材、あるいは透明樹脂フィルム、光学用樹脂板等の可撓性を有する透明なフレキシブル材を挙げることができる。
【００４０】
実施形態において、上記の中でも基板１が透明樹脂フィルム等のフレキシブル材であることが好ましい。透明樹脂フィルムは、加工性に優れており、製造コスト低減や軽量化、割れにくい有機薄膜太陽電池の実現において有用であり、曲面への適用等の種々のアプリケーションへの適用可能性が広がる。
【００４１】
５．正孔取出層５
実施形態において、光電変換層３と正孔取出電極との間に正孔取出層５が形成されていることが好ましい。第１電極層２が正孔取出電極である場合は、例えば図２に示すように、第１電極層２と光電変換層３との間に正孔取出層５が形成される。一般に、正孔取出電極側から積層するほうが安定して有機薄膜太陽電池を作製できる。これから、通常は第１電極層２が正孔取出電極とされ、第１電極層２と光電変換層３との間に正孔取出層５が形成される。
【００４２】
正孔取出層５は、光電変換層３から正孔取出電極への正孔の取出しが容易に行われるように設けられる層である。これにより、光電変換層３から正孔取出電極への正孔取出効率が高められるため、光電変換効率を向上させることが可能となる。
【００４３】
このような正孔取出層５に用いられる材料としては、光電変換層３から正孔取出電極への正孔の取出しを安定化させる材料であれば特に限定されるものではない。具体的には、ドープされたポリアニリン、ポリフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリパラフェニレン、ポリアセチレン、トリフェニルジアミン（ＴＰＤ）等の導電性有機化合物、またはテトラチオフルバレン、テトラメチルフェニレンジアミン等の電子供与性化合物と、テトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン等の電子受容性化合物とからなる電荷移動錯体を形成する有機材料等を挙げることができる。また、Ａｕ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｐｄ等の金属等の薄膜も使用することができる。さらに、金属等の薄膜は、単独で形成してもよく、上記の有機材料と組み合わせて用いてもよい。
これらの中でも、特にポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）、トリフェニルジアミン（ＴＰＤ）が好ましく用いられる。
【００４４】
上記正孔取出層の膜厚としては、上記有機材料を用いた場合、１０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内であることが好ましく、上記金属薄膜である場合は、０．１ｎｍ〜５ｎｍの範囲内であることが好ましい。
【００４５】
６．電子取出し層
実施形態において、光電変換層３と電子取出し電極との間に電子取出層が形成されていてもよい。第２電極層４が電子取出電極である場合は、光電変換層３と第２電極層４との間に電子取出層が形成される。
電子取出層は、光電変換層から電子取出し電極への電子の取出しが容易に行われるように設けられる層である。これにより、光電変換層から電子取出電極への電子取出効率が高められるため、光電変換効率を向上させることが可能となる。
【００４６】
このような電子取出層に用いられる材料としては、光電変換層から電子取出電極への電子の取出しを安定化させる材料であれば特に限定されない。具体的には、ドープされたポリアニリン、ポリフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリピロール、ポリパラフェニレン、ポリアセチレン、トリフェニルジアミン（ＴＰＤ）等の導電性有機化合物、またはテトラチオフルバレン、テトラメチルフェニレンジアミン等の電子供与性化合物と、テトラシアノキノジメタン、テトラシアノエチレン等の電子受容性化合物とからなる電荷移動錯体を形成する有機材料等を挙げることができる。また、アルカリ金属あるいはアルカリ土類金属との金属ドープ層が挙げられる。好適な材料としては、バソキュプロイン（ＢＣＰ）または、バソフェナントロン（Ｂｐｈｅｎ）と、Ｌｉ、Ｃｓ、Ｂａ、Ｓｒなどの金属ドープ層が挙げられる。
【００４７】
７．その他の構成部材
実施形態の有機薄膜太陽電池は、上述した構成部材の他にも、必要に応じて後述する構成部材を有していてもよい。例えば、実施形態の有機薄膜太陽電池は、保護シート、充填材層、バリア層、保護ハードコート層、強度支持層、防汚層、高光反射層、光封じ込め層、紫外線・赤外線遮断層、封止材層等の機能層を有していてもよい。また、層構成に応じて、各機能層間に接着層が形成されていてもよい。
【００４８】
Ｂ．有機薄膜太陽電池の製造方法
次に、実施形態の有機薄膜太陽電池の製造方法について説明する。
図３に、実施形態の有機薄膜太陽電池の製造方法の一例を示す。図３に示すように、実施形態の有機薄膜太陽電池の製造方法は、所定の電子受容性材料と電子供与性材料を用いて光電変換層３を形成する光電変換層形成工程を含んでいればよい。例えば、基板１上に第１電極層２を形成する第１電極層形成工程（図３（ａ））と、この第１電極層２上に所定の電子受容性材料と電子供与性材料を用いて光電変換層３を形成する光電変換層形成工程（図３（ｂ））と、この光電変換層３上に第２電極層４を形成する第２電極層形成工程（図３（ｃ））とを有する。
【００４９】
このように実施形態の有機薄膜太陽電池の製造方法は、少なくとも光電変換層形成工程を有していればよく、さらに、上述したような第１電極層形成工程、第２電極層形成工程等を有していてもよい。
【実施例】
【００５０】
以下、実施例および比較例により、本発明をさらに具体的に説明する。
（実施例１）
厚み１２５μｍのＰＥＮ（Ｐｏｌｙ  Ｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｎａｐｈｔａｌａｔｅ）フィルム基板の表面に、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によりＳｉＯ２の薄膜を形成した。次いで、ＳｉＯ２、薄膜の上面に、圧力勾配型プラズマガンを用いた反応性イオンプレーティング法（パワー：３．７ｋＷ、酸素分圧：７３％、製膜圧力：０．３Ｐａ、成膜レート：１５０ｎｍ／ｍｉｎ、基板温度：２０℃）により透明電極であるＩＴＯ膜（膜厚：１５０ｎｍ、シート抵抗：２０Ω／□）を成膜した。その後、エッチングによりパターニングして、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ（ｓ））パターンが形成された基板を作製した。次いで、上記ＩＴＯパターンが形成された基板を、アセトン、基板洗浄液、ＩＰＡ（Ｉｓｏ−Ｐｒｏｐｙｌ  Ａｌｃｏｈｏｌ）を用いて洗浄した。
【００５１】
次に、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−ｎ−ヘキシルアミノカルボニルエチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミドを電子受容性材料として準備した。この電子受容性材料と、ポリチオフェン（Ｐ３ＨＴ：ｐｏｌｙ（３−ｈｅｘｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎｅ−２，５−ｄｉｙｌ））とをクロロベンゼンに溶解させ、固形分濃度１．４ｗｔ％の光電変換層用塗工液を準備した。次いで、この光電変換層用塗工液を、上記正孔取出層上にスピンコート法にて回転数６００ｒｐｍの条件で塗布して、光電変換層を形成した。続いて、温度１５０℃のホットプレート上で、上記光電変換層が形成された基板を加熱乾燥した。
【００５２】
次に、上記基板上に、Ｃａ膜（３０ｎｍ）、Ａｌ膜（８０ｎｍ）を順に真空蒸着法にて形成し、金属電極とした。最後に、封止用ガラス材および接着性封止材により金属電極の上から封止して有機薄膜太陽電池とした。
【００５３】
（実施例２）
実施例１のＮ，Ｎ’−ジ（２−ｎ−ヘキシルアミノカルボニルエチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミドの代わりに、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−（Ｎ’−ｎ−デシルウレイド）プロピル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミドを用いた以外は、実施例１と同様にして、有機薄膜太陽電池を作製した。
【００５４】
（実施例３）
実施例１のＮ，Ｎ’−ジ（２−ｎ−ヘキシルアミノカルボニルエチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミドの代わりに、Ｎ，Ｎ’−ジ（４−ｎ−ドデシルアミノカルボニルブチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミドを用いた以外は、実施例１と同様にして、有機薄膜太陽電池を作製した。
【００５５】
（実施例４）
実施例１のＮ，Ｎ’−ジ（２−ｎ−ヘキシルアミノカルボニルエチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミドの代わりに、Ｎ，Ｎ’−ジ（６−（Ｎ’−ｎ−オクタデシルウレイド）ヘキシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミドを用いた以外は、実施例１と同様にして、有機薄膜太陽電池を作製した。
【００５６】
（実施例５）
実施例１と同様に、厚み１２５μｍのＰＥＮ（Ｐｏｌｙ  Ｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｎａｐｈｔａｌａｔｅ）フィルム基板の表面に、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によりＳｉＯ２の薄膜を形成した。次いで、ＳｉＯ２薄膜の上面に、圧力勾配型プラズマガンを用いた反応性イオンプレーティング法（パワー：３．７ｋＷ、酸素分圧：７３％、製膜圧力：０．３Ｐａ、成膜レート：１５０ｎｍ／ｍｉｎ、基板温度：２０℃）により透明電極であるＩＴＯ膜（膜厚：１５０ｎｍ、シート抵抗：２０Ω／□）を成膜した。その後、エッチングによりパターニングして、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ（ｓ））パターンが形成された基板を作製した。次いで、上記ＩＴＯパターンが形成された基板を、アセトン、基板洗浄液、ＩＰＡ（Ｉｓｏ−Ｐｒｏｐｙｌ  Ａｌｃｏｈｏｌ）を用いて洗浄した。
【００５７】
次に、導電性高分子ペースト（ポリ−（３，４−エチレンジオキシチオフェン）分散品）を、スピンコート法にて上記ＩＴＯパターンが形成された基板上に成膜した後、１５０℃で３０分間乾燥させ、正孔取出層（膜厚１００ｎｍ）を形成した。
次に、Ｎ，Ｎ’−ジ（２−ｎ−ヘキシルアミノカルボニルエチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミドを電子受容性材料として準備した。この電子受容性材料と、ポリチオフェン（Ｐ３ＨＴ：ｐｏｌｙ（３−ｈｅｘｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎｅ−２，５−ｄｉｙｌ））とをクロロベンゼンに溶解させ、固形分濃度１．４ｗｔ％の光電変換層用塗工液を準備した。次いで、この光電変換層用塗工液を、上記正孔取出層上にスピンコート法にて回転数６００ｒｐｍの条件で塗布して、光電変換層を形成した。続いて、温度１５０℃のホットプレート上で、上記光電変換層が形成された基板を加熱乾燥した。
次に、上記基板上に、Ｃａ膜（３０ｎｍ）、Ａｌ膜（８０ｎｍ）を順に真空蒸着法にて形成し、金属電極とした。最後に、封止用ガラス材および接着性封止材により金属電極の上から封止して有機薄膜太陽電池とした。
【００５８】
（実施例６）
実施例２のＮ，Ｎ’−ジ（２−ｎ−ヘキシルアミノカルボニルエチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミドの代わりに、Ｎ，Ｎ’−ジ（３−（Ｎ’−ｎ−デシルウレイド）プロピル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミドを用いた以外は、実施例１と同様にして、有機薄膜太陽電池を作製した。
【００５９】
（実施例７）
実施例２のＮ，Ｎ’−ジ（２−ｎ−ヘキシルアミノカルボニルエチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミドの代わりに、Ｎ，Ｎ’−ジ（４−ｎ−ドデシルアミノカルボニルブチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミドを用いた以外は、実施例１と同様にして、有機薄膜太陽電池を作製した。
【００６０】
（実施例８）
実施例２のＮ，Ｎ’−ジ（２−ｎ−ヘキシルアミノカルボニルエチル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミドの代わりに、Ｎ，Ｎ’−ジ（６−（Ｎ’−ｎ−オクタデシルウレイド）ヘキシル）−３，４，９，１０−ペリレンジカルボキシミドを用いた以外は、実施例１と同様にして、有機薄膜太陽電池を作製した。
【００６１】
（比較例１）
光電変換層の形成の際に、電子受容性材料としてＮ，Ｎ’−ジペンチル−３，４．９．１０−ペリレンジカルボキシミドを利用した以外は、実施例と同様にして有機薄膜太陽電池を作製した。
【００６２】
（評価）
太陽電池特性に関しては、Ａ．Ｍ（Ａｉｒ  Ｍａｓｓ：太陽光が大気を通過する路程の長さ）１．５、擬似太陽光（１００ｍＷ／ｃｍ２）を照射光源とし、ソースメジャーユニット（ＨＰ社製、ＨＰ４１００）で電圧印加により電流電圧特性の評価を行った。
実施例１〜４の有機薄膜太陽電池の光電変換効率は、それぞれ、約２．８％，約２．９％，約３．０％，約３．２％であり、また、実施例５〜８の有機薄膜太陽電池の光電変換効率は、約３．１％，約３．２％，約３．３％，約３．５％，であり、比較例１の有機薄膜太陽電池の光電変換効率は約２．０％であった。実施例は、比較例に比べて約五割あるいはそれ以上も光電変換効率が高かった。
【符号の説明】
【００６３】
１  基板
２  第１電極層
３  光電変換層
４  第２電極層
５  正孔取出層
１０  有機薄膜太陽電池
【先行技術文献】
【特許文献】
【００６４】
【特許文献１】特開２０１０−２１９４４８号公報
【非特許文献】
【００６５】
【非特許文献１】応用物理  第７７巻  第５号（２００８）ｐ．５３９−５４４  平本昌宏著「有機太陽電池」
【図１】
2012190818.tif 000003
【図２】
2012190818.tif 000004
【図３】
2012190818.tif 000005