(57)【要約】【課題】放射線画像撮影装置内の劣化を検知する。【解決手段】放射線画像撮影装置（２０、２０Ａ〜２０Ｃ）は、放射線を可視光に変換するシンチレータ（７４）と、可視光を電気信号に変換する光検出基板（７２）と、ピーク波長が互いに異なる少なくとも２つの光を光検出基板（７２）に選択的に照射可能な光源（７８）とを有する。この場合、光源（７８）は、少なくとも２つの光のうち、一方の光をリセット光として光検出基板（７２）に照射し、他方の光を放射線画像撮影装置（２０、２０Ａ〜２０Ｃ）内の劣化を検知するための劣化検知用光として光検出基板（７２）に照射することが可能である。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線を可視光に変換するシンチレータと、前記可視光を電気信号に変換する光検出基板とを有する放射線画像撮影装置であって、
ピーク波長が互いに異なる少なくとも２つの光を前記光検出基板に選択的に照射可能な光源をさらに有し、
前記光源は、前記少なくとも２つの光のうち、一方の光をリセット光として前記光検出基板に照射し、他方の光を前記放射線画像撮影装置内の劣化を検知するための劣化検知用光として前記光検出基板に照射することが可能であることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項２】
請求項１記載の装置において、
前記光検出基板と前記シンチレータとを接着する接着層、又は、前記光検出基板と前記シンチレータとを粘着する粘着層をさらに有し、
前記光源は、前記接着層又は前記粘着層を介して前記光検出基板に前記リセット光又は前記劣化検知用光を照射可能であり、
前記劣化検知用光は、前記放射線により劣化した前記接着層又は前記粘着層が吸収可能で且つ前記リセット光の波長域とは異なる波長域の光であることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の装置において、
前記シンチレータを封止する防湿保護材をさらに有し、
前記光源は、前記防湿保護材及び前記シンチレータを介して前記光検出基板に前記リセット光又は前記劣化検知用光を照射可能であり、
前記劣化検知用光は、前記放射線により劣化した前記防湿保護材が吸収可能で且つ前記リセット光の波長域とは異なる波長域の光であることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の装置において、
前記光検出基板は、前記可視光を前記電気信号に変換する少なくとも１つの光検出素子を備え、
前記光検出素子は、前記光源が該光検出素子に前記劣化検知用光を照射した場合に、前記劣化検知用光を光検出信号として検出し、
前記放射線画像撮影装置は、前記光検出素子が実際に検出した前記光検出信号の信号レベルと、前記放射線画像撮影装置内での劣化が発生していない状態での光検出信号の信号レベルとに基づいて、前記放射線画像撮影装置内での劣化の有無を判定する劣化判定部をさらに有することを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項５】
請求項４記載の装置において、
前記光検出素子は、前記可視光から変換した前記電気信号を放射線検出信号として前記劣化判定部に出力し、
前記劣化判定部は、前記光検出素子が実際に検出した前記放射線検出信号の信号レベル及び前記光検出信号の信号レベルと、前記放射線画像撮影装置内での劣化が発生していない状態での放射線検出信号の信号レベル及び光検出信号の信号レベルとに基づいて、前記放射線画像撮影装置内での劣化の有無の判定を行うことを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項６】
請求項４又は５記載の装置において、
前記劣化判定部の判定結果を外部に報知する報知部をさらに有することを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の装置において、
前記放射線の照射方向に沿って、前記光検出基板と、前記シンチレータと、前記光源とが順に配置されることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項８】
請求項７記載の装置において、
前記光源は、前記シンチレータを介して前記光検出基板と対向するように配置された発光素子のアレイ、バックライト、又は、エレクトロルミネッセンス光源であることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項９】
請求項８記載の装置において、
前記発光素子のアレイは、第１のピーク波長を含む波長域の光を出力する第１の発光素子と、該第１のピーク波長とは異なる第２のピーク波長を含む波長域の光を出力する第２の発光素子とから少なくとも構成されていることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項１０】
請求項８記載の装置において、
前記バックライトは、前記シンチレータにおける前記光検出基板の反対側に配置された導光板と、該導光板の側部に配置され且つ互いに異なるピーク波長の光を出力可能な少なくとも２つの光源と、前記導光板及び前記少なくとも２つの光源を囲繞するように配置された反射シートと、前記導光板における前記シンチレータ側の表面に配置された拡散シートとから構成され、
前記少なくとも２つの光源は、前記導光板に光を入射し、
前記導光板に入射した前記光は、該導光板内で前記反射シート及び前記拡散シートとの間で表面反射を繰り返した後に、前記拡散シートから前記シンチレータに出射することを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項１１】
請求項１０記載の装置において、
前記少なくとも２つの光源は、発光ダイオード又は冷陰極管であることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項１２】
請求項８記載の装置において、
前記エレクトロルミネッセンス光源は、前記放射線の照射方向に沿って積層され、且つ、互いに異なるピーク波長の光を出力可能な少なくとも２つの光源から構成されていることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項１３】
請求項１２記載の装置において、
前記エレクトロルミネッセンス光源は、有機エレクトロルミネッセンス光源であることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項１４】
請求項７〜１３のいずれか１項に記載の装置において、
蒸着基板に前記シンチレータを成膜した後に、該シンチレータの先端部分と前記光検出基板とを接着層を介して接着するか、又は、粘着層を介して粘着することを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項１５】
請求項１４記載の装置において、
前記蒸着基板が前記光源からの光に対して非透過である場合、前記蒸着基板に剥離層を介して前記シンチレータを成膜した後に、該シンチレータの先端部分と前記光検出基板とを前記接着層を介して接着するか、あるいは、前記粘着層を介して粘着し、その後、前記シンチレータから前記剥離層及び前記蒸着基板を剥離して、前記シンチレータの剥離面に前記光源を配置することを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項１６】
請求項１４記載の装置において、
前記蒸着基板が前記光源からの光を透過可能である場合、該蒸着基板を介して前記光源を配置可能であることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項１７】
請求項７〜１６のいずれか１項に記載の装置において、
前記光検出基板と前記シンチレータとの間には、前記放射線の照射方向に対して斜め方向に進行する前記可視光又は前記光源からの光をカットする斜入光カット層が介挿されていることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項１８】
請求項７〜１７のいずれか１項に記載の装置において、
前記シンチレータと前記光源との間にハーフミラーが介挿されていることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線を可視光に変換するシンチレータと、前記可視光を電気信号に変換する光検出基板とを有する放射線画像撮影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
医療分野において、放射線源から被写体に放射線を照射し、該被写体を透過した前記放射線を放射線画像撮影装置で検出することにより、前記被写体の放射線画像を取得することが広汎に行われている。この場合、前記放射線画像撮影装置は、例えば、前記被写体を透過した前記放射線を可視光に変換するシンチレータと、該可視光を電気信号に変換する光検出基板とを有し、該光検出基板は、前記可視光を検出可能なフォトダイオード等の光検出素子を備えている。
【０００３】
ところで、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等からなるフォトダイオードを用いて光検出基板を構成した場合、可視光から変換された電荷（電子）の一部がａ−Ｓｉの不純物準位（欠陥）に一旦捕捉され、その後、動画撮影のような長時間の撮影による前記フォトダイオードの温度上昇等に起因して前記電荷が再放出されると、暗電流等の不要な電流が発生し、放射線画像のノイズの原因となる場合がある。そこで、放射線の非照射時（非撮影時）に前記フォトダイオードにリセット光を照射して、前記不純物準位に電荷を予め埋めておき、その後、放射線の照射時（撮影時）に可視光から変換された電荷が前記不純物準位に捕捉されないようにすることで、前記ノイズの低減を図る光リセット法が特許文献１及び２に提案されている。
【０００４】
特許文献１では、複数の細孔が設けられた反射層、シンチレータ及び光検出基板の順に配置され、リセット光は、前記各細孔及び前記シンチレータを介して前記光検出基板の光検出素子に照射される。また、特許文献２では、反射層、リセット光源、シンチレータ及び光検出基板の順に配置され、前記リセット光源から出力されたリセット光は、前記シンチレータを介して前記光検出基板の光検出素子に照射される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２０１０−５２５３５９号公報
【特許文献２】特開２００７−２２５５９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、放射線画像撮影装置を使用し続けると、該放射線画像撮影装置の内部が劣化する場合がある。
【０００７】
例えば、シンチレータと光検出基板とが接着層で接着されているか、あるいは、粘着層で粘着されている場合に、放射線の照射によって前記接着層又は前記粘着層が劣化すれば、劣化した前記接着層又は前記粘着層が前記シンチレータで前記放射線から変換された可視光を吸収して、前記光検出基板に入射する前記可視光の光量を低下させるおそれがある。
【０００８】
より詳しく説明すると、前記シンチレータがＣｓＩ：Ｔｌ（タリウムが添加されたヨウ化セシウム）から構成され、該シンチレータが前記放射線を青色波長領域の可視光に変換する場合、前記青色波長領域に対して比較的高い透過性を有する前記接着層又は前記粘着層が前記放射線の照射で劣化（酸化）して着色（黄変）すれば、着色した前記接着層又は前記粘着層が前記青色波長領域の可視光を吸収して、前記光検出基板における前記可視光の感度を低下させてしまう。
【０００９】
しかしながら、特許文献１及び２には、放射線画像撮影装置内の劣化への対応について、何ら提案されていない。
【００１０】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであり、放射線画像撮影装置内の劣化を検知することが可能となる放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するために、本発明は、放射線を可視光に変換するシンチレータと、前記可視光を電気信号に変換する光検出基板とを有する放射線画像撮影装置であって、ピーク波長が互いに異なる少なくとも２つの光を前記光検出基板に選択的に照射可能な光源をさらに有し、前記光源は、前記少なくとも２つの光のうち、一方の光をリセット光として前記光検出基板に照射し、他方の光を前記放射線画像撮影装置内の劣化を検知するための劣化検知用光として前記光検出基板に照射することが可能であることを特徴としている。
【００１２】
この構成によれば、前記光源から出力される光を前記光検出基板に対する光リセット以外の用途に利用することで、前記放射線画像撮影装置内部の劣化を検知することが可能になる。すなわち、前記他方の光が前記放射線画像撮影装置内の劣化を検知するための劣化検知用光であれば、該放射線画像撮影装置内の劣化検知を確実に実施することができる。
【００１３】
具体的に、前記放射線画像撮影装置では、下記（１）及び／又は（２）により劣化検知を行えばよい。
【００１４】
（１）前記放射線画像撮影装置は、前記光検出基板と前記シンチレータとを接着する接着層、又は、前記光検出基板と前記シンチレータとを粘着する粘着層をさらに有し、前記光源は、前記接着層又は前記粘着層を介して前記光検出基板に前記リセット光又は前記劣化検知用光を照射可能であり、前記劣化検知用光は、前記放射線により劣化した前記接着層又は前記粘着層が吸収可能で且つ前記リセット光の波長域とは異なる波長域の光である。
【００１５】
前記放射線の照射に起因して前記接着層又は前記粘着層が劣化していれば、劣化した前記接着層又は前記粘着層は、特定のピーク波長を含む波長域の光（例えば、青色波長領域の光）を吸収するため、劣化した前記接着層又は前記粘着層を介して前記光検出基板に前記光を照射すれば、前記接着層又は前記粘着層での前記光の吸収により、前記光検出基板に入射する前記光の光量が減少するはずである。
【００１６】
そこで、（１）においては、前記光源から前記接着層又は前記粘着層を介して前記光検出基板に前記リセット光又は前記劣化検知用光（前記特定のピーク波長を含む波長域の光）を選択的に照射する。これにより、前記光検出基板で検出される前記劣化検知用光の信号レベルが、劣化前の信号レベルよりも低下していれば、前記放射線の照射に起因して前記接着層又は前記粘着層が劣化していることを直ちに検知することができる。また、前記光源は、前記リセット光を出力するリセット光源と、前記劣化検知用光を出力する検査用光源との機能を兼ね備えているので、前記リセット光源と前記検査用光源とを個別に用意する必要もなくなる。
【００１７】
（２）前記放射線画像撮影装置は、前記シンチレータを封止する防湿保護材をさらに有し、前記光源は、前記防湿保護材及び前記シンチレータを介して前記光検出基板に前記リセット光又は前記劣化検知用光を照射可能であり、前記劣化検知用光は、前記放射線により劣化した前記防湿保護材が吸収可能で且つ前記リセット光の波長域とは異なる波長域の光である。
【００１８】
前記放射線の照射に起因して前記防湿保護材が劣化していれば、劣化した前記防湿保護材も特定のピーク波長を含む波長域の光を吸収する可能性があるため、劣化した前記防湿保護材及び前記シンチレータを介して前記光検出基板に前記光を照射すれば、前記防湿保護材での前記光の吸収により、前記光検出基板に入射する前記光の光量が減少するはずである。
【００１９】
そこで、（２）においては、前記光源から前記防湿保護材及び前記シンチレータを介して前記光検出基板に前記リセット光又は前記劣化検知用光（前記特定のピーク波長を含む波長域の光）を選択的に照射する。この場合でも、前記光検出基板で検出される前記劣化検知用光の信号レベルが、劣化前の信号レベルよりも低下していれば、前記放射線の照射に起因して前記防湿保護材が劣化していることを直ちに検知することができる。また、（２）においても、前記光源がリセット光源と検査用光源との機能を兼ね備えているので、これらの光源を個別に用意する必要がない。
【００２０】
ここで、前記光検出基板は、前記可視光を前記電気信号に変換する少なくとも１つの光検出素子を備え、前記光検出素子は、前記光源が該光検出素子に前記劣化検知用光を照射した場合に、前記劣化検知用光を光検出信号として検出し、前記放射線画像撮影装置は、前記光検出素子が実際に検出した前記光検出信号の信号レベルと、前記放射線画像撮影装置内での劣化が発生していない状態での光検出信号の信号レベルとに基づいて、前記放射線画像撮影装置内での劣化の有無を判定する劣化判定部をさらに有する。
【００２１】
これにより、前記放射線画像撮影装置内の劣化（例えば、前記放射線による前記接着層、前記粘着層又は前記防湿保護材の劣化）の有無を確実に且つ効率よく検知することができる。
【００２２】
また、前記光検出素子は、前記可視光から変換した前記電気信号を放射線検出信号として前記劣化判定部に出力し、前記劣化判定部は、前記光検出素子が実際に検出した前記放射線検出信号の信号レベル及び前記光検出信号の信号レベルと、前記放射線画像撮影装置内での劣化が発生していない状態での放射線検出信号の信号レベル及び光検出信号の信号レベルとに基づいて、前記放射線画像撮影装置内での劣化の有無の判定を行ってもよい。
【００２３】
これにより、前記放射線画像撮影装置の構成要素のうち、前記光検出素子で検出した前記電気信号のレベルの低下の原因となっている構成要素（例えば、前記接着層、前記粘着層、前記防湿保護材又は前記シンチレータ）を確実に特定することができる。
【００２４】
また、前記放射線画像撮影装置は、前記劣化判定部の判定結果を外部に報知する報知部をさらに有してもよい。これにより、医師又は放射線技師は、前記放射線画像撮影装置の内部で劣化が発生しているか否か、さらには、劣化が発生している場合には、どの構成要素が劣化しているのかを把握して、適切な処置（例えば、放射線画像撮影装置の修理又は交換の依頼）を速やかに遂行することができる。
【００２５】
上述した放射線画像撮影装置では、前記放射線の照射方向に沿って、前記光検出基板と、前記シンチレータと、前記光源とが順に配置されている。
【００２６】
この場合、前記光源は、前記シンチレータを介して前記光検出基板と対向するように配置された発光素子のアレイ、バックライト、又は、エレクトロルミネッセンス光源であればよい。
【００２７】
ここで、前記発光素子のアレイは、第１のピーク波長を含む波長域の光を出力する第１の発光素子と、該第１のピーク波長とは異なる第２のピーク波長を含む波長域の光を出力する第２の発光素子とから少なくとも構成されていればよい。例えば、前記第１の発光素子を光リセット用の発光素子とし、前記第２の発光素子を劣化検知用の発光素子とすればよい。
【００２８】
また、前記バックライトは、前記シンチレータにおける前記光検出基板の反対側に配置された導光板と、該導光板の側部に配置され且つ互いに異なるピーク波長の光を出力可能な少なくとも２つの光源と、前記導光板及び前記少なくとも２つの光源を囲繞するように配置された反射シートと、前記導光板における前記シンチレータ側の表面に配置された拡散シートとから構成され、
前記少なくとも２つの光源は、前記導光板に光を入射し、
前記導光板に入射した前記光は、該導光板内で前記反射シート及び前記拡散シートとの間で表面反射を繰り返した後に、前記拡散シートから前記シンチレータに出射すればよい。
【００２９】
このように前記バックライトを構成すれば、前記少なくとも２つの光源を前記放射線の非照射領域に配置することが可能となり、前記放射線による前記少なくとも２つの光源の劣化を回避することができる。なお、前記少なくとも２つの光源は、発光ダイオード又は冷陰極管であればよい。
【００３０】
前記エレクトロルミネッセンス光源は、前記放射線の照射方向に沿って積層され、且つ、互いに異なるピーク波長の光を出力可能な少なくとも２つの光源から構成されていればよい。特に、前記エレクトロルミネッセンス光源が有機エレクトロルミネッセンス光源であれば、該エレクトロルミネッセンス光源の薄型化を実現することができる。
【００３１】
また、上記の放射線画像撮影装置において、蒸着基板に前記シンチレータを成膜した後に、該シンチレータの先端部分と前記光検出基板とを接着層を介して接着するか、又は、粘着層を介して粘着してもよい。
【００３２】
ここで、前記蒸着基板が前記光源からの光に対して非透過である場合、前記蒸着基板に剥離層を介して前記シンチレータを成膜した後に、該シンチレータの先端部分と前記光検出基板とを前記接着層を介して接着するか、あるいは、前記粘着層を介して粘着し、その後、前記シンチレータから前記剥離層及び前記蒸着基板を剥離して、前記シンチレータの剥離面に前記光源を配置してもよい。
【００３３】
一方、前記蒸着基板が前記光源からの光を透過可能である場合、該蒸着基板を介して前記光源を配置可能であってもよい。
【００３４】
また、前記光検出基板と前記シンチレータとの間に、前記放射線の照射方向に対して斜め方向に進行する前記可視光又は前記光源からの光をカットする斜入光カット層を介挿してもよい。これにより、前記可視光に対する前記光検出基板の感度の向上と、前記放射線画像の画像ボケの抑制とを共に実現することができる。
【００３５】
さらに、前記シンチレータと前記光源との間にハーフミラーを介挿してもよい。
【発明の効果】
【００３６】
本発明によれば、光源から出力される光を光検出基板に対する光リセット以外の用途に利用することで、放射線画像撮影装置内部の劣化を検知することが可能になる。すなわち、光リセット以外の用途の光が前記放射線画像撮影装置内の劣化を検知するための劣化検知用光であれば、該放射線画像撮影装置内の劣化検知を確実に実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本実施形態に係る電子カセッテ（放射線画像撮影装置）を用いた放射線画像撮影システムの構成図である。
【図２】図１に示す電子カセッテの斜視図である。
【図３】図２の電子カセッテのＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。
【図４】図４Ａ〜図４Ｃは、図３の電子カセッテ（第１〜第３実施例に係る電子カセッテ）における放射線検出器近傍の要部断面図である。
【図５】図５Ａは、放射線検出器近傍の要部断面図であり、図５Ｂは、光検出基板近傍の要部断面図である。
【図６】図６Ａ及び図６Ｂは、光検出基板近傍の要部断面図である。
【図７】光検出基板近傍の要部断面図である。
【図８】図８Ａ及び図８Ｂは、シンチレータ及びリセット光源近傍の要部断面図である。
【図９】図９Ａ及び図９Ｂは、シンチレータ及びリセット光源近傍の要部断面図である。
【図１０】放射線の照射に起因した接着層又は粘着層の劣化によるフォトダイオードの検出量の低下を示すグラフである。
【図１１】図１１Ａは、シンチレータ及びリセット光源近傍の要部断面図であり、図１１Ｂは、リセット光源の要部平面図である。
【図１２】図１２Ａ及び図１２Ｂは、シンチレータ及びリセット光源近傍の要部断面図である。
【図１３】図１３Ａは、蒸着基板へのシンチレータの成膜を示す断面図であり、図１３Ｂは、防湿保護材の形成を示す断面図であり、図１３Ｃは、光検出基板へのシンチレータの接着又は粘着を示す断面図である。
【図１４】シンチレータから蒸着基板及び剥離層を剥離させた状態を示す断面図である。
【図１５】図１の電子カセッテの電気的な概略構成図である。
【図１６】図１の放射線撮影システムの基本的な動作を示すフローチャートである。
【図１７】図１の放射線撮影システムの基本的な動作を示すフローチャートである。
【図１８】接着層又は粘着層の劣化検知とシンチレータの劣化検知とを示すフローチャートである。
【図１９】接着層又は粘着層の劣化検知とシンチレータの劣化検知とを示すフローチャートである。
【図２０】シンチレータとリセット光源との間にハーフミラーを介挿させた状態を示す要部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
本発明に係る放射線画像撮影装置の好適な実施形態について、図１〜図２０を参照しながら、詳細に説明する。
【００３９】
図１は、本実施形態に係る電子カセッテ２０（放射線画像撮影装置）を有する放射線画像撮影システム１０の構成図である。
【００４０】
放射線画像撮影システム１０は、ベッド等の撮影台１２に横臥した患者等の被写体１４に対して放射線１６を照射する放射線出力装置１８と、被写体１４を透過した放射線１６を検出して放射線画像に変換する電子カセッテ２０と、放射線画像撮影システム１０全体を制御すると共に、医師又は放射線技師（以下、医師ともいう。）の入力操作を受け付けるコンソール２２と、撮影した放射線画像等を表示する表示装置２４とを備える。
【００４１】
放射線出力装置１８、電子カセッテ２０、コンソール２２及び表示装置２４間では、例えば、ＵＷＢ（Ｕｌｔｒａ  Ｗｉｄｅ  Ｂａｎｄ）、ＩＥＥＥ８０２．１１．ａ／ｂ／ｇ／ｎ等の無線ＬＡＮ、又は、ミリ波等を用いた無線通信により信号の送受信が行われる。なお、ケーブルを用いた有線通信により信号の送受信を行ってもよいことは勿論である。
【００４２】
コンソール２２には、病院内の放射線科において取り扱われる放射線画像やその他の情報を統括的に管理する放射線科情報システム（ＲＩＳ）２６が接続され、ＲＩＳ２６には、病院内の医事情報を統括的に管理する医事情報システム（ＨＩＳ）２８が接続されている。
【００４３】
放射線出力装置１８は、放射線１６を照射する放射線源３０と、放射線源３０を制御する放射線制御装置３２と、放射線スイッチ３４とを備える。放射線源３０は、電子カセッテ２０に対して放射線１６を照射する。放射線源３０が照射する放射線１６は、Ｘ線、α線、β線、γ線、電子線等であってもよい。放射線スイッチ３４は、２段階のストロークを持つように構成され、放射線制御装置３２は、放射線スイッチ３４が医師によって半押されると放射線１６の照射準備を行い、全押されると放射線源３０から放射線１６を照射させる。
【００４４】
なお、前述のように、放射線出力装置１８、電子カセッテ２０、コンソール２２及び表示装置２４間では、信号の送受信が可能であるため、放射線出力装置１８は、放射線スイッチ３４が半押状態となったときに照射準備を示す信号をコンソール２２等に送信し、その後、放射線スイッチ３４が全押状態となったときに放射線１６の照射開始を示す信号をコンソール２２等に送信してもよい。
【００４５】
図２は、図１に示す電子カセッテ２０の斜視図であり、図３は、図２に示す電子カセッテ２０のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿った断面図である。
【００４６】
電子カセッテ２０は、パネル部４０と、該パネル部４０上に配置された制御部４２とを備える。なお、パネル部４０の厚みは、制御部４２の厚みよりも薄く設定されている。
【００４７】
パネル部４０は、放射線１６（図１参照）に対して透過可能な材料からなる略矩形状の筐体４４を有し、パネル部４０の表面（上面）である照射面４６に放射線１６が照射される。照射面４６の略中央部には、被写体１４の撮影領域及び撮影位置を示すガイド線４８が形成されている。ガイド線４８の外枠が、放射線１６の照射野を示す撮影可能領域５０になる。また、ガイド線４８の中心位置（ガイド線４８が十字状に交差する交点）は、撮影可能領域５０の中心位置である。
【００４８】
筐体４４の制御部４２側の側面には、医師が把持可能な取手５２が配設されている。医師は、取手５２を把持することにより電子カセッテ２０を所望の場所（例えば、撮影台１２）に搬送することが可能となる。従って、電子カセッテ２０は、可搬型の放射線画像撮影装置である。
【００４９】
制御部４２は、放射線１６に対して非透過性の材料からなる略矩形状の筐体５４を有する。該筐体５４は、照射面４６の一端に沿って延在しており、照射面４６における撮影可能領域５０の外に制御部４２が配設される。この場合、筐体５４の上面には、撮影された放射線画像等を表示可能である一方で、医師が種々の情報を入力可能なタッチパネル方式の表示操作部（報知部）５６と、医師に対する各種の通知を音として出力するスピーカ（報知部）５８とが配設されている。また、筐体５４の側面には、外部から充電を行うためのＡＣアダプタの入力端子６０と、外部機器（例えば、コンソール２２等）との間で情報を送受信可能なインターフェース手段としてのＵＳＢ端子６２とが設けられている。
【００５０】
そして、図３に示すように、筐体４４の内部には、放射線１６を放射線画像に変換する放射線検出器７０が収容されている。
【００５１】
放射線検出器７０は、被写体１４を透過した放射線１６を可視光領域に含まれる蛍光（図８Ｂに示す可視光１３０）に変換するシンチレータ７４と、該可視光１３０を電気信号に変換する光検出基板７２と、該光検出基板７２にリセット光１３２（図８Ａ及び図９Ｂ参照）を照射することにより光検出基板７２を構成する光検出素子９４（図５Ａ〜図７参照）に対する光リセットを行うリセット光源７８とを有する。従って、放射線検出器７０は、間接変換型の放射線検出器である。
【００５２】
また、放射線検出器７０は、放射線１６の照射方向に沿って、光検出基板７２、シンチレータ７４及びリセット光源７８が順に配置された、表面読取方式としてのＩＳＳ（Ｉｒｒａｄｉａｔｉｏｎ  Ｓｉｄｅ  Ｓａｍｐｌｉｎｇ）方式の放射線検出器である。従って、本実施形態に係る電子カセッテ２０は、ＩＳＳ方式の放射線検出器７０を備えた間接変換型の放射線画像撮影装置である。
【００５３】
さらに、放射線検出器７０では、図４Ａ〜図４Ｃに示すように、シンチレータ７４と光検出基板７２とを、可視光１３０及びリセット光１３２を透過可能な接着層８８ａ又は粘着層８８ｂを介して密着させている。
【００５４】
ここで、本実施形態に係る電子カセッテ２０は、シンチレータ７４の構成によって、下記の３つの実施例（第１〜第３実施例に係る電子カセッテ２０Ａ〜２０Ｃ）に分類することができる。
【００５５】
図４Ａに示す第１実施例に係る電子カセッテ２０Ａにおいて、シンチレータ７４は、リセット光１３２に対して非透過な蒸着基板２４０（図１３Ａ参照）に剥離層２４２を介して、例えば、ＣｓＩ：Ｔｌ（タリウムが添加されたヨウ化セシウム）を真空蒸着法により短冊状の柱状結晶構造８４として形成したものであり、蒸着基板２４０及び剥離層２４２を剥離した後に、該シンチレータ７４の基端部分である非柱状結晶部分８２をリセット光源７８側に配置し、一方で、柱状結晶構造８４の先端部分を接着層８８ａ又は粘着層８８ｂを介して光検出基板７２に密着することにより放射線検出器７０に組み込まれる。
【００５６】
この場合、柱状結晶構造８４を構成する各柱は、光検出基板７２と略直交する方向（図４Ａの上下方向であって放射線１６の照射方向）に沿ってそれぞれ形成され、隣接する各柱の間には、ある程度の隙間が確保されている。また、ＣｓＩ（ＣｓＩ：Ｔｌ）のシンチレータ７４は、柱状結晶構造８４が湿度に弱く、非柱状結晶部分８２が湿度に特に弱いという特性を有するので、ポリパラキシリレン樹脂（パリレン（登録商標））からなる光透過性の防湿保護材８６で封止されている。なお、図４Ａ以降の各図面では、説明の容易化のために、柱状結晶構造８４における各柱間の隙間を誇張して図示する。
【００５７】
また、シンチレータ７４が発する可視光１３０（図８Ｂ及び図９Ａ参照）の波長域は、波長３６０ｎｍ〜８３０ｎｍの可視光領域であることが好ましく、放射線検出器７０によるモノクロ撮像を可能とするためには、緑色の波長域を含んでいることがより好ましい。特に、ＣｓＩ：Ｔｌでは、放射線１６の照射時における発光スペクトルが４２０ｎｍ〜６００ｎｍであると共に、可視光領域における発光ピーク波長が５６５ｎｍである。
【００５８】
また、図４Ｂに示す第２実施例に係る電子カセッテ２０Ｂは、シンチレータ７４の基端部分である非柱状結晶部分８２側が除去された状態で、該シンチレータ７４がリセット光源７８と接着層８８ａ又は粘着層８８ｂとの間に配置されている点で、第１実施例に係る電子カセッテ２０Ａ（図４Ａ参照）とは異なる。
【００５９】
この場合、例えば、後述する蒸着基板２４０（図１３Ａ参照）にシンチレータ７４を蒸着形成した後に該シンチレータ７４を防湿保護材８６で封止し、次に、該蒸着基板２４０からシンチレータ７４を分離し、柱状結晶構造８４の先端部分側と光検出基板７２とを接着層８８ａ又は粘着層８８ｂを介して密着させた後に、非柱状結晶部分８２側を除去することで、図４Ｂのシンチレータ７４を構成すればよい。なお、シンチレータ７４を形成する際には、非柱状結晶部分８２が形成されないような蒸着条件を決定した後に、該蒸着条件に従って蒸着基板２４０にシンチレータ７４を蒸着形成してもよい。
【００６０】
このように、第２実施例では、非柱状結晶部分８２が存在しないシンチレータ７４を形成することで、該非柱状結晶部分８２での光散乱の発生を回避するようにしている。
【００６１】
さらに、図４Ｃに示す第３実施例に係る電子カセッテ２０Ｃは、リセット光１３２に対して透過性を有する蒸着基板１０８にシンチレータ７４が形成され、蒸着基板１０８をリセット光源７８側に配置し、且つ、防湿保護材８６で封止されたシンチレータ７４における柱状結晶構造８４の先端部分を接着層８８ａ又は粘着層８８ｂを介して光検出基板７２に密着させた点で、第１及び第２実施例に係る電子カセッテ２０Ａ、２０Ｂ（図４Ａ及び図４Ｂ参照）とは異なる。また、第３実施例では、蒸着基板１０８とシンチレータ７４との密着性を向上させるために、非柱状結晶部分８２を積極的に形成している。
【００６２】
なお、第１〜第３実施例に係る電子カセッテ２０Ａ〜２０Ｃの具体的な製造方法については、後述する。
【００６３】
ここで、柱状結晶構造８４の先端部分側と光検出基板７２との密着性を高めて、電子カセッテ２０Ａ〜２０Ｃの使用中でのシンチレータ７４と光検出基板７２との離間を回避したい場合には、接着層８８ａを用いて柱状結晶構造８４の先端部分側と光検出基板７２とを強固に接着すればよい。また、シンチレータ７４又は光検出基板７２の故障による少なくともいずれか一方の交換を考慮する場合には、接着層８８ａ程度の接着性を必要としない粘着層８８ｂを用いて柱状結晶構造８４の先端部分側と光検出基板７２とを粘着すればよい。
【００６４】
なお、第１〜第３実施例に係る電子カセッテ２０Ａ〜２０Ｃにおいて、筐体４４内部での光検出基板７２及びリセット光源７８の固定方法は、接着剤による接着、粘着剤による粘着、あるいは、固定手段による固定等、公知の固定方法により筐体４４内に固定可能であることは勿論である。また、図４Ａ〜図４Ｃでは、ＣｓＩ：Ｔｌからなるシンチレータ７４を図示しているが、ＧＯＳ（ガドリニウムオキサイドサルファ）からなるシンチレータ７４であってもよい。この場合、例えば、光検出基板７２又はリセット光源７８にＧＯＳを塗布することでシンチレータ７４を形成すればよい。さらに付言すれば、電子カセッテ２０Ａ〜２０Ｃに用いられるシンチレータ７４としては、放射線１６の照射に起因して接着層８８ａ又は粘着層８８ｂの着色（例えば、黄変）が発生する場合に、着色した接着層８８ａ又は粘着層８８ｂに吸収されて、光検出素子９４から出力される電気信号の信号レベルが低下するような可視光１３０を発光するシンチレータ７４であればよい。
【００６５】
次に、光検出基板７２の具体的な構成について、図５Ａ〜図７を参照しながら説明する。なお、図５Ａ〜図７では、代表的に、第１実施例に係る電子カセッテ２０Ａにおける光検出基板７２の具体的な構成について説明するが、第２及び第３実施例に係る電子カセッテ２０Ｂ、２０Ｃについても、図５Ａ〜図７の構成を適宜変更して適用可能であることは勿論である。また、図５Ａ〜図７では、説明の容易化のために、一部の構成要素を模式化して図示し、あるいは、誇張して図示する。
【００６６】
図５Ａにおいて、光検出基板７２は、基材９０における底板８０側の表面にスイッチング素子としてのＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）９２のアレイを形成し、該ＴＦＴ９２のアレイ上にａ−Ｓｉ等からなるフォトダイオードを用いた複数の光検出素子９４を配置した構造を有する。光検出素子９４がａ−Ｓｉを含めば、幅広い吸収スペクトルを持つことになり、シンチレータ７４からの可視光１３０を効率よく吸収することができる。
【００６７】
この場合、光検出基板７２の底板８０側は、ＴＦＴ９２のアレイ上に複数の光検出素子９４が配置されて凹凸状となるので、例えば、四フッ化エチレン樹脂膜による平坦化処理により平坦化膜９６を形成しておくことが望ましい。従って、ＣｓＩ：Ｔｌのシンチレータ７４は、防湿保護材８６が施された後に、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂを介して平坦化膜９６に密着する。このように、図５Ａの構成では、放射線１６の照射方向（図５Ａの上方から下方に向かう方向）に沿って、基材９０、ＴＦＴ９２、光検出素子９４、平坦化膜９６、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂ、及び、シンチレータ７４が順に積層される。
【００６８】
基材９０は、シンチレータ７４を蒸着形成する際の熱に耐えられる程度の耐熱性を有する薄肉の基板であればよい。この場合、基材９０として、通常は、ガラス基板を採用すればよいが、他の材料を用いてもよい。
【００６９】
すなわち、有機光電変換材料又はアモルファス酸化物半導体（例えば、ａ−Ｓｉ）から光検出素子９４を構成すると共に、有機半導体材料（例えば、フタロシアニン化合物、ペンタセン又はバナジルフタロシアニン）、アモルファス酸化物半導体（例えば、ａ−ＩＧＺＯ（ＩｎＧａＺｎＯ４））、又は、カーボンナノチューブからＴＦＴ９２を構成する場合には、ＴＦＴ９２及び光検出素子９４を低温成膜により形成することが可能であるため、ポリイミドフイルム、ポリアリレートフイルム、二軸延伸ポリスチレンフイルム、アラミドフイルム又はバイオナノファイバのような可撓性を有するプラスチックフイルムを、基材９０として採用することができる。
【００７０】
ここで、基材９０として採用され得るプラスチックフイルムについてさらに具体的に説明すると、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の可撓性基板を基材９０として採用することが好ましい。このようなプラスチック製の可撓性基板を用いれば、軽量化を図ることができ、例えば、電子カセッテ２０（２０Ａ）の持ち運び等に有利となる。
【００７１】
なお、基材９０には、絶縁性を確保するための絶縁層、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、平坦性あるいは電極等との密着性を向上するためのアンダーコート層等を設けてもよい。
【００７２】
また、アラミドフイルムを用いて基材９０を構成する場合、アラミドは、２００℃以上の高温プロセスが適用可能であるため、透明電極材料を高温硬化させて低抵抗化することができ、ハンダのリフロー工程を含むドライバＩＣの自動実装にも対応することができる。また、アラミドは、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）やガラス基板と熱膨張係数が近いため、製造後の反りが少なく、割れにくい。さらに、アラミドは、ガラス基板等と比べて基材９０を薄く形成することができる。なお、超薄型のガラス基板とアラミドとを積層して基材９０を形成してもよい。
【００７３】
一方、バイオナノファイバは、バクテリア(酢酸菌、Ａｃｅｔｏｂａｃｔｅｒ  Ｘｙｌｉｎｕｍ)が産出するセルロースミクロフィブリル束（バクテリアセルロース）と透明樹脂とを複合したものである。この場合、セルロースミクロフィブリル束は、幅５０ｎｍと可視光１３０の波長に対して１／１０のサイズであり、且つ、高強度、高弾性、低熱膨である。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸・硬化させることにより、繊維を６０％〜７０％も含有しながら、波長５００ｎｍで約９０％の光透過率を示すバイオナノファイバが得られる。また、バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数（３ｐｐｍ−７ｐｐｍ）を有し、鋼鉄並の強度(４６０ＭＰa)、高弾性(３０ＧＰａ)で、且つ、フレキシブルであることから、ガラス基板等と比べて基材９０を薄く形成することができる。
【００７４】
一方、光検出素子９４については、有機光電変換材料を含むことにより、可視光１３０の領域にシャープな吸収スペクトルを持つことになり、可視光１３０以外の電磁波が光検出素子９４に吸収されることがほとんどなく、放射線１６が光検出素子９４に吸収されることで発生するノイズを効果的に抑制することができる。
【００７５】
また、有機光電変換材料は、可視光１３０を最も効率良く吸収するために、その吸収ピーク波長が、シンチレータ７４の発光ピーク波長に近いほど好ましい。有機光電変換材料の吸収ピーク波長と可視光１３０の発光ピーク波長とが一致することが理想的であるが、双方の差が小さければ、可視光１３０を十分に吸収することが可能である。具体的に、有機光電変換材料の吸収ピーク波長と、可視光１３０との差が、１０ｎｍ以内であることが好ましく、５ｎｍ以内であることがより好ましい。
【００７６】
このような条件を満たすことが可能な有機光電変換材料としては、例えば、キナクリドン系有機化合物及びフタロシアニン系有機化合物が挙げられる。例えば、キナクリドンの可視光領域における吸収ピーク波長は５６０ｎｍであるため、有機光電変換材料としてキナクリドンを用い、シンチレータ７４の材料としてＣｓＩ：Ｔｌを用いれば、上記ピーク波長の差を５ｎｍ以内にすることが可能となり、光検出素子９４で発生する電荷量を略最大にすることができる。
【００７７】
また、ＴＦＴ９２を有機半導体材料、アモルファス酸化物半導体又はカーボンナノチューブから構成すれば、放射線１６を吸収せず、あるいは、吸収しても極めて微量に留まるため、ノイズの発生を効果的に抑制することができる。特に、ＴＦＴ９２をカーボンナノチューブで構成すれば、ＴＦＴ９２のスイッチング速度を高速化することができると共に、可視光１３０及びリセット光１３２に対する吸収度合の低いＴＦＴ９２を形成することができる。なお、カーボンナノチューブでＴＦＴ９２を構成する場合、極微量の金属性不純物を混入するだけで、ＴＦＴ９２の性能が著しく低下するため、遠心分離等により極めて高純度のカーボンナノチューブを分離・抽出して形成する必要がある。
【００７８】
そして、図５Ａの構成において、被写体１４を透過した放射線１６が筐体４４の照射面４６（天板）と、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂと、光検出基板７２とを透過してシンチレータ７４に至ると、該シンチレータ７４の柱状結晶構造８４では、放射線１６を可視光領域の蛍光（可視光１３０）に変換し、変換された可視光１３０は、柱状結晶構造８４の柱状部分を進行し、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂ、及び、平坦化膜９６を介して各光検出素子９４に至る（図８Ｂ参照）。従って、各光検出素子９４は、可視光１３０を電気信号（アナログ信号）に変換し、電荷としてそれぞれ蓄積する。ＴＦＴ９２は、各光検出素子９４に蓄積された電荷を画像信号として読み出す。
【００７９】
図５Ｂの構成は、基材９０にＴＦＴ９２と光検出素子９４とが交互に形成されている点で図５Ａの構成とは異なる。この場合、隣接する１つのＴＦＴ９２と１つの光検出素子９４とによって１画素分の領域が構成される。図５Ｂの構成でも、光検出基板７２のＴＦＴ９２及び光検出素子９４側は、凹凸状である可能性もあるので、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂを介したシンチレータ７４と光検出基板７２との密着性を高めるために、平坦化膜９６を形成することが好ましい。
【００８０】
図６Ａの構成は、基材９０にａ−ＳｉからなるＴＦＴ９２のアレイと、アルミニウム等からなる金属の反射層９８と、複数の光検出素子９４とを順に積層し、光検出基板７２の光検出素子９４側に平坦化膜９６を形成する点で、図５Ａ及び図５Ｂの構成とは異なる。この場合、各光検出素子９４は、可視光１３０を電気信号に変換するフォトダイオードの光検出部９４ａを２つの電極９４ｂ、９４ｃで上下方向にそれぞれ挟み込んだ構造とされている。
【００８１】
そして、図６Ａの構成では、ＴＦＴ９２のアレイに反射層９８を設けることにより、シンチレータ７４からの可視光１３０又はリセット光源７８からのリセット光１３２が光検出基板７２に入射した場合には、これらの光は、反射層９８で光検出素子９４側に全て反射されるので、可視光１３０又はリセット光１３２の入射に起因したＴＦＴ９２でのスイッチングノイズの発生を回避することができる。また、反射層９８が可視光１３０又はリセット光１３２を反射することにより、これらの反射光が光検出素子９４の光検出部９４ａに入射されるので、光検出部９４ａに入射される可視光１３０又はリセット光１３２の光量が増加する。この結果、可視光１３０に対する光検出部９４ａの感度が向上すると共に、リセット光１３２による光検出素子９４の光リセットを効率よく行うことができる。
【００８２】
なお、図６Ａでは、ＴＦＴ９２のアレイに反射層９８を積層した場合を図示しているが、この構成に代替して、各光検出素子９４と重なるように、該各光検出素子９４とＴＦＴ９２のアレイとの間に反射層９８を形成してもよい。この場合、１つの光検出素子９４を１画素とする画素単位で、該光検出素子９４と略同じ面積の反射層９８を形成することになるので、該反射層９８での可視光１３０又はリセット光１３２の反射に起因した各画素間でのクロストークの発生を回避することができる。
【００８３】
図６Ｂの構成は、基材９０にａ−ＳｉからなるＴＦＴ９２とａ−Ｓｉからなるフォトダイオードを用いた光検出素子９４とが交互に形成されると共に、各ＴＦＴ９２の底板８０側に遮光層１００が形成され、さらに、光検出基板７２の遮光層１００及び光検出素子９４側に平坦化膜９６が形成される点で、図５Ａ〜図６Ａの構成とは異なる。
【００８４】
この場合、ＴＦＴ９２に遮光層１００を形成することにより、シンチレータ７４からの可視光１３０やリセット光源７８からのリセット光１３２が光検出基板７２に入射しても、光検出素子９４に向かって進行する光は、該光検出素子９４に入射される一方で、ＴＦＴ９２に向かって進行する光は、遮光層１００で全て吸収される。従って、図６Ｂの構成では、可視光１３０又はリセット光１３２を効率よく光検出素子９４に入射させると共に、可視光１３０又はリセット光１３２の入射によるＴＦＴ９２でのスイッチングノイズの発生を確実に回避することができる。
【００８５】
図７の構成は、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂと平坦化膜９６との間に、放射線１６の照射方向に対して斜め方向に進行する可視光１３０やリセット光１３２をカットする斜入光カット層１０２が介挿されている点で、図５Ａ〜図６Ｂの構成とは異なる。斜入光カット層１０２は、可視光１３０又はリセット光１３２を透過する物質（例えば、シリコン樹脂、オレフィン樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、セルロース樹脂、ポリエステル樹脂又はポリカーボネート樹脂）からなる光透過部１０４と、可視光１３０又はリセット光１３２に対する吸収率の高い物質（例えば、暗色の金属酸化物、顔料又は染料）からなる遮光部１０６とを、平坦化膜９６の表面（水平方向）に沿って交互に配列することにより構成される。
【００８６】
この場合、放射線１６の照射方向に対して所定角度以内で進行してきた可視光１３０又はリセット光１３２は、光透過部１０４を透過して光検出基板７２に入射する。一方、前記所定角度を越えて斜め方向に傾いて進行してきた可視光１３０又はリセット光１３２は、遮光部１０６で全て吸収され、光検出基板７２への入射が阻止される。この結果、可視光１３０に対する光検出素子９４の感度が向上すると共に、リセット光１３２による光検出素子９４の光リセットを確実に且つ効率よく行うことができ、さらには、斜め方向に入射した光に起因した放射線画像の画像ボケの発生を抑制することができる。
【００８７】
なお、図５Ａ〜図７の構成は、一例であり、これらの構成を適宜組み合わせて光検出基板７２等を構成してもよい。例えば、図５Ｂ〜図６Ｂの各構成において、平坦化膜９６の表面と接着層８８ａ又は粘着層８８ｂとの間に斜入光カット層１０２を介挿してもよい。
【００８８】
次に、リセット光源７８の具体的な構成と、該リセット光源７８を使用した本実施形態に係る電子カセッテ２０（第１〜第３実施例に係る電子カセッテ２０Ａ〜２０Ｃ）の特徴的な機能とについて、図８Ａ〜図１２Ｂとを参照しながら説明する。なお、図８Ａ〜図１２Ｂでは、代表的に、第１実施例に係る電子カセッテ２０Ａにおける図５Ａの構成を採用した場合について説明するが、該電子カセッテ２０Ａの他の構成（図５Ｂ〜図７の構成）であっても、あるいは、第２及び第３実施例に係る電子カセッテ２０Ｂ、２０Ｃであっても、図示された構成を適宜変更して適用可能であることは勿論である。また、図８Ａ〜図１２Ｂにおいても、説明の容易化のために、一部の構成要素を模式化して図示し、あるいは、誇張して図示する。
【００８９】
被写体１４に対する放射線１６の非照射時（非撮影時）に、リセット光源７８がシンチレータ７４に向けてリセット光１３２を出力すると、該リセット光１３２は、シンチレータ７４と、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂと、平坦化膜９６とを介して光検出素子９４に入射する。このように、ａ−Ｓｉ等からなるフォトダイオードを用いた光検出素子９４にリセット光１３２が照射されることにより、該フォトダイオードの不純物準位に電荷を予め埋めておいて、放射線１６の照射時（撮影時）に光検出素子９４で可視光１３０から変換される電荷が前記不純物準位に捕捉されないようにする光リセットを行うことができる。
【００９０】
なお、本実施形態のようなＩＳＳ方式の電子カセッテ２０（２０Ａ〜２０Ｃ）の場合、筐体４４内部では、放射線１６の照射方向に沿って、光検出基板７２と、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂと、シンチレータ７４と、リセット光源７８との順に配置されているため、ほとんどの放射線１６は、シンチレータ７４において可視光１３０に変換され、該シンチレータ７４を透過してリセット光源７８に到達する放射線１６は極めて少ないものと考えられる。従って、ＩＳＳ方式の場合には、撮影時に、リセット光源７８への放射線１６の照射に起因してリセット光１３２が発生するという問題は発生しないか、あるいは、そのような問題が発生しても、光検出素子９４に入射するリセット光１３２の光量が低いために、該リセット光１３２の照射に起因して発生するノイズは、医師による放射線画像の読影診断に影響を及ぼさない低レベルのノイズになるものと予想される。
【００９１】
次に、リセット光源７８を使用した本実施形態に係る電子カセッテ２０（２０Ａ）の特徴的な機能について、図８Ａ〜図１０を参照しながら説明する。
【００９２】
前述したように、シンチレータ７４と光検出基板７２とは、可視光１３０及びリセット光１３２に対して透過性を有する接着層８８ａ又は粘着層８８ｂを介して密着されている（図４Ａ〜図７参照）。この場合、電子カセッテ２０（２０Ａ）を使用し続けると、放射線１６の照射に起因して接着層８８ａ又は粘着層８８ｂが劣化し、劣化した接着層８８ａ又は粘着層８８ｂが可視光１３０を吸収して、光検出素子９４に入射する可視光１３０の光量を低下させてしまう。
【００９３】
例えば、ＣｓＩ：Ｔｌのシンチレータ７４が放射線１６を青色波長領域の可視光１３０に変換する場合、該青色波長領域に対して比較的高い透過性を有する接着層８８ａ又は粘着層８８ｂが放射線１６の照射により劣化して着色すれば、より具体的には、無色透明な接着層８８ａ又は粘着層８８ｂが放射線１６の照射により酸化して黄変すれば、着色した接着層８８ａ又は粘着層８８ｂが青色波長領域の可視光１３０を吸収し、この結果、可視光１３０が光検出素子９４に到達しないか、あるいは、光検出素子９４に到達する可視光１３０の光量が減少する。なお、図９Ａ及び図９Ｂでは、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂでの黄変の発生を網掛けのハッチングで図示している。
【００９４】
そして、同一線量の放射線１６を照射する毎に、光検出素子９４が可視光１３０を検出して、該可視光１３０の光量に応じた信号レベル（検出量）の電気信号を出力する場合に、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂの劣化前（例えば、電子カセッテ２０の使用開始時）と、劣化後とで、光検出素子９４から出力される電気信号の信号レベル（検出量）を比較すれば、図１０に示すように、劣化前の検出量Ａ０に対して、劣化後の検出量は、着色後の接着層８８ａ又は粘着層８８ｂでの可視光１３０の吸収に起因して、Ａ１にまで低下する。従って、放射線１６の照射に起因した接着層８８ａ又は粘着層８８ｂの劣化は、可視光１３０に対する光検出素子９４の感度も低下させてしまう。
【００９５】
なお、ＣｓＩ：Ｔｌの場合、可視光１３０のピーク波長は、緑色光の波長であるが、該緑色光の波長も含む青色波長領域の光は、放射線画像の画像ボケにつながりにくい。そのため、上述のように、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂにおける青色波長領域の光の吸収によって、光検出素子９４に入射される前記青色波長領域の光量が低下すると、放射線画像の画質が相対的に低下して画像ボケが発生しやすくなる。
【００９６】
このように、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂが着色（黄変）しているのに、電子カセッテ２０を使用し続けると、医師の読影診断に適した高画質且つ高感度の放射線画像を取得することが困難になる。従って、放射線１６の照射による接着層８８ａ又は粘着層８８ｂの劣化を確実に検知し、その検知結果を医師等に報知して、劣化した接着層８８ａ又は粘着層８８ｂを有する電子カセッテ２０を速やかに修理又は交換（新しい接着層８８ａ又は粘着層８８ｂによる密着等）できることが望ましい。
【００９７】
特に、ＩＳＳ方式の電子カセッテ２０では、放射線１６の照射方向に沿って、光検出基板７２と、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂと、シンチレータ７４と、リセット光源７８との順に配置され、該放射線１６は、シンチレータ７４に到達する前に、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂを必ず透過する。従って、被写体１４に対する放射線撮影に当該電子カセッテ２０を使用し続けると、撮影毎に、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂに放射線１６が照射されるので、放射線１６の照射による接着層８８ａ又は粘着層８８ｂの劣化（酸化による黄変）が促進されやすく、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂの劣化に起因した光検出素子９４における可視光１３０の感度の低下が顕著である。
【００９８】
そこで、本実施形態に係る電子カセッテ２０（２０Ａ）では、リセット光源７８が、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂを介して光検出素子９４にリセット光１３２を照射する光リセット用の光源としての機能と、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂの劣化検知用光を接着層８８ａ又は粘着層８８ｂに照射する検査用光源との機能とを兼ね備えている。
【００９９】
具体的に、リセット光源７８は、筐体４４の底板８０に配置された基板１４０上に、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂ及び光検出素子９４と対向するように、発光ダイオード（ＬＥＤ）等の３種類の発光素子１４２ａ〜１４２ｃを交互に配置することにより構成される。
【０１００】
発光素子１４２ａは、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂに向けて赤色光１３２ａを発光する赤色光源であり、発光素子１４２ｂは、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂに向けて緑色光１３２ｂを発光する緑色光源であり、発光素子１４２ｃは、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂに向けて青色光１３２ｃを発光する青色光源である。
【０１０１】
そして、リセット光源７８は、光検出素子９４に対する光リセットを行う場合には、３種類の発光素子１４２ａ〜１４２ｃを一斉に駆動させて、３色の光（赤色光１３２ａ、緑色光１３２ｂ及び青色光１３２ｃ）を同時に発光させることにより、これらの３色の光を合成したリセット光１３２（光リセット用の白色光（一方の光）、第１の波長の光）として出力する（図８Ａ参照）。従って、赤色光１３２ａ、緑色光１３２ｂ及び青色光１３２ｃを合成して得られる白色光がリセット光１３２としてシンチレータ７４と、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂと、平坦化膜９６とを介して光検出素子９４に入射することにより、該光検出素子９４に対する光リセットが行われる。
【０１０２】
一方、リセット光源７８が接着層８８ａ又は粘着層８８ｂの劣化（黄変）を検知するための検知用光源として機能する場合、該リセット光源７８は、少なくとも発光素子１４２ｃを駆動させて青色光１３２ｃ（光リセット以外の用途に利用される他方の光、第２の波長の光）を発光させることにより、該青色光１３２ｃを劣化検知用光としてシンチレータ７４を介し接着層８８ａ又は粘着層８８ｂに照射させる。この場合、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂが劣化して黄変が発生していれば（図９Ａ及び図９Ｂ参照）、青色光１３２ｃは、黄変した接着層８８ａ又は粘着層８８ｂに吸収されて、光検出素子９４に到達しないか、あるいは、光量が減少した状態で光検出素子９４に入射する。
【０１０３】
光検出素子９４は、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂを通過した青色光１３２ｃを検出し、該青色光１３２ｃの光量に応じた電気信号（光検出信号）を出力する。従って、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂの劣化が発生していないときの光検出信号のレベル（電子カセッテ２０Ａの使用開始時の光検出信号のレベルであって光検出量Ａ０）と、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂに実際に青色光１３２ｃを照射させたときの光検出信号のレベル（例えば、現時点での光検出信号のレベルとしての光検出量Ａ１）とを比較することで、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂの劣化が発生しているか否かを把握（検知）することが可能となる。
【０１０４】
このような劣化検知動作は、例えば、電子カセッテ２０の定期的なメンテナンス、又は、毎日の撮影前における電子カセッテ２０のキャリブレーションに追加する形で行われることが望ましい。
【０１０５】
なお、上記の説明では、青色光１３２ｃのみを劣化検知用光として接着層８８ａ又は粘着層８８ｂに照射することにより、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂに対する劣化検知を実施する場合について説明した。
【０１０６】
本実施形態に係る電子カセッテ２０では、劣化検知動作に用いられる劣化検知用光は、光リセット時にリセット光源７８から出力されるリセット光１３２のピーク波長（白色光の波長）とは異なるピーク波長を含む波長域の光であって、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂが吸収可能なピーク波長を含む波長域の光であればよい。
【０１０７】
従って、劣化検知動作では、上述した動作を含め、例えば、下記（１）〜（４）のいずれかの動作を採用することによって、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂの劣化検知を実施することが可能である。
【０１０８】
（１）青色光１３２ｃを劣化検知用光として接着層８８ａ又は粘着層８８ｂに照射する場合。
【０１０９】
（２）緑色光１３２ｂを劣化検知用光として接着層８８ａ又は粘着層８８ｂに照射する場合。
【０１１０】
（３）緑色光１３２ｂと青色光１３２ｃとを劣化検知用光として一斉に接着層８８ａ又は粘着層８８ｂに照射する場合。
【０１１１】
（４）赤色光１３２ａと緑色光１３２ｂと青色光１３２ｃとを時間をずらして順次照射する場合。
【０１１２】
なお、赤色光１３２ａと緑色光１３２ｂと青色光１３２ｃとを時間をずらして順次照射する場合、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂが劣化（黄変）していれば、例えば、赤色光１３２ａは、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂに吸収されず、そのまま光検出素子９４に入射され、緑色光１３２ｂは、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂに光量の一部が吸収されて光検出素子９４に入射され、青色光１３２ｃは、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂに吸収されて光検出素子９４に到達しないことになる（図９Ｂ参照）。
【０１１３】
この結果、（４）において、光検出素子９４では、赤色光１３２ａについては、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂの劣化の有無に関わらず光検出信号の検出量が変化せず（検出量Ａ０を維持し）、緑色光１３２ｂについては、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂの劣化によって光検出信号の検出量が減少し（検出量がＡ０からＡ１に変化し）、青色光１３２ｃについては、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂの劣化によって光検出信号の検出量が略ゼロレベルになる。従って、（４）の場合には、異なる時点での各検出量を比較することで、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂの劣化の有無を判定することが可能となる。
【０１１４】
また、リセット光源７８は、図８Ａ〜図９Ｂの発光素子１４２ａ〜１４２ｃのアレイに代えて、図１１Ａ〜図１２Ｂの構成としてもよい。
【０１１５】
図１１Ａ及び図１１Ｂのリセット光源７８は、シンチレータ７４と接着層８８ａ又は粘着層８８ｂとを介して光検出基板７２と対向するように配置されたエッジライト式のバックライトである。
【０１１６】
この場合、バックライトのリセット光源７８では、筐体４４の底板８０とシンチレータ７４との間に導光板１５０が配置されると共に、該導光板１５０の側部には、３種類の発光素子１６２ａ〜１６２ｃが一列に（アレイ状に）配列された基板１６０が配置されている。この場合、発光素子１６２ａ〜１６２ｃ及び基板１６０の配置箇所は、放射線１６の非照射領域とされている。また、導光板１５０とシンチレータ７４との間には拡散シート１５４が介挿されると共に、導光板１５０、３種類の発光素子１６２ａ〜１６２ｃ及び基板１６０を囲繞するように反射シート１５６が配置されている。
【０１１７】
ここで、３種類の発光素子１６２ａ〜１６２ｃから導光板１５０に赤色光１３２ａ、緑色光１３２ｂ及び青色光１３２ｃがそれぞれ入射すると、導光板１５０に入射した赤色光１３２ａ、緑色光１３２ｂ及び青色光１３２ｃは、該導光板１５０内で反射シート１５６及び拡散シート１５４との間で表面反射を繰り返して導光板１５０全体に広がった後に、拡散シート１５４からシンチレータ７４に面発光のリセット光１３２（白色光）として出射される。これにより、リセット光源７８は、シンチレータ７４と、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂと、平坦化膜９６とを介して各光検出素子９４に均一にリセット光１３２を照射して光リセットを行うことができる。なお、図１１Ａでは、１本のリセット光１３２のみ図示している。
【０１１８】
一方、バックライトのリセット光源７８を劣化検知用光源として機能させる場合には、上述した（１）〜（４）のいずれかの方法により、発光素子１６２ａ〜１６２ｃを発光させれば、導光板１５０から拡散シート１５４を介してシンチレータ７４に面発光の劣化検知用光（前記白色光のピーク波長とは異なるピーク波長を含む波長域の光）を出力することができる。
【０１１９】
図１２Ａのリセット光源７８もエッジライト式のバックライトであるが、発光素子１６２ａ〜１６２ｃ及び基板１６０に代替して、３種類の冷陰極管１５２ａ〜１５２ｃを配置している点で、図１１Ｂの構成とは異なる。従って、この場合でも、各冷陰極管１５２ａ〜１５２ｃの配置箇所は、放射線１６の非照射領域である。
【０１２０】
この場合も、３種類の冷陰極管１５２ａ〜１５２ｃから導光板１５０に赤色光１３２ａ、緑色光１３２ｂ及び青色光１３２ｃがそれぞれ入射すると、導光板１５０に入射した赤色光１３２ａ、緑色光１３２ｂ及び青色光１３２ｃは、該導光板１５０内で反射シート１５６及び拡散シート１５４との間で表面反射を繰り返して導光板１５０全体に広がった後に、拡散シート１５４からシンチレータ７４に面発光のリセット光１３２（白色光）として出射される。また、該リセット光源７８を劣化検知用光源として機能させる場合には、上述した（１）〜（４）のいずれかの方法に基づいて、冷陰極管１５２ａ〜１５２ｃを駆動させることにより、導光板１５０から拡散シート１５４を介してシンチレータ７４に面発光の劣化検知用光（前記白色光のピーク波長とは異なるピーク波長を含む波長域の光）を出力することができる。なお、図１１Ｂでは、１本の緑色光１３２ｂのみ図示している。
【０１２１】
図１２Ｂのリセット光源７８は、３つのエレクトロルミネッセンス光源７８ａ〜７８ｃを放射線１６の照射方向に積層して構成したものである。この場合、各エレクトロルミネッセンス光源７８ａ〜７８ｃは、有機エレクトロルミネッセンス（有機ＥＬ）光源又は無機エレクトロルミネッセンス（無機ＥＬ）光源である。
【０１２２】
すなわち、リセット光源７８では、赤色光１３２ａを発光する最下層のエレクトロルミネッセンス光源７８ａに電気絶縁層１６６を介して緑色光１３２ｂを発光する中間層のエレクトロルミネッセンス光源７８ｂが積層され、該エレクトロルミネッセンス光源７８ｂに電気絶縁層１６８を介して青色光１３２ｃを発光する最上層のエレクトロルミネッセンス光源７８ｃが積層されている。
【０１２３】
この場合、エレクトロルミネッセンス光源７８ａは、有機ＥＬ材料又は無機ＥＬ材料からなる発光層１７０ａを、リセット光１３２を透過可能なＩＴＯからなる透明電極１７２ａと、該リセット光１３２に対して非透過な金属電極１７４ａとで狭持した構造を有する。また、エレクトロルミネッセンス光源７８ｂは、有機ＥＬ材料又は無機ＥＬ材料からなる発光層１７０ｂを、リセット光１３２を透過可能なＩＴＯからなる２つの透明電極１７２ｂ、１７４ｂで狭持した構造を有する。さらに、エレクトロルミネッセンス光源７８ｃは、有機ＥＬ材料又は無機ＥＬ材料からなる発光層１７０ｃを、リセット光１３２を透過可能なＩＴＯからなる２つの透明電極１７２ｃ、１７４ｃで狭持した構造を有する。
【０１２４】
そして、図示しない電源から透明電極１７２ａと金属電極１７４ａとの間に電圧（例えば、透明電極１７２ａが正極性になると共に金属電極１７４ａが負極性になる電圧）を印加すれば、発光層１７０ａから透明電極１７２ａを介して面発光の赤色光１３２ａを出力することができる。また、前記電源から２つの透明電極１７２ｂ、１７４ｂ間に電圧（例えば、透明電極１７２ｂが正極性になると共に透明電極１７４ｂが負極性になる電圧）を印加すれば、発光層１７０ｂから透明電極１７２ｂを介して面発光の緑色光１３２ｂを出力することができる。さらに、前記電源から２つの透明電極１７２ｃ、１７４ｃ間に電圧（例えば、透明電極１７２ｃが正極性になると共に透明電極１７４ｃが負極性になる電圧）を印加すれば、発光層１７０ｃから透明電極１７２ｃを介して面発光の青色光１３２ｃを出力することができる。
【０１２５】
このように、３種類のエレクトロルミネッセンス光源７８ａ〜７８ｃを積層して構成されたリセット光源７８においても、シンチレータ７４と接着層８８ａ又は粘着層８８ｂと平坦化膜９６とを介して各光検出素子９４に均一にリセット光１３２を照射して光リセットを行い、あるいは、上記（１）〜（４）のいずれかの方法に従って、劣化検知用光をシンチレータ７４を介して接着層８８ａ又は粘着層８８ｂに均一に照射することができる。
【０１２６】
図１３Ａ〜図１４は、第１実施例に係る電子カセッテ２０Ａの製造工程を図示したものである。
【０１２７】
先ず、図１３Ａに示すように、蒸着基板２４０に剥離層２４２を介してシンチレータ７４を成膜する。次に、図１３Ｂに示すように、ＣＶＤ法（化学気相成長法）によって、柱状結晶構造８４における各柱をポリパラキシリレン樹脂で被覆するように、シンチレータ７４を防湿保護材８６で封止する。次に、図１３Ｃに示すように、光検出基板７２を転写体として、シンチレータ７４の先端部分と光検出基板７２とを接着層８８ａにより接着させるか、あるいは、粘着層８８ｂにより粘着させる。なお、転写体としての光検出基板７２に対するシンチレータ７４等の接着又は粘着（転写）は、公知の転写技術を利用して行えばよい。
【０１２８】
次に、剥離層２４２に図示しないレーザ光を照射することにより、図１４に示すように、シンチレータ７４に対して蒸着基板２４０及び剥離層２４２を剥離させる。その後、図４Ａに示す順に、筐体４４内部に光検出基板７２、シンチレータ７４及びリセット光源７８を組み込むことにより、筐体４４内に放射線検出器７０が収容される。
【０１２９】
なお、第２実施例に係る電子カセッテ２０Ｂを製造する場合には、図１４の工程の後、シンチレータ７４の非柱状結晶部分８２側を除去し、最後に、図４Ｂに示す順に、筐体４４内部に光検出基板７２、シンチレータ７４及びリセット光源７８を組み込めばよい。また、第２実施例の場合、非柱状結晶部分８２が形成されないような蒸着条件を決定した後に、該蒸着条件に従って蒸着基板２４０にシンチレータ７４を蒸着形成してもよい。このようにすれば、該非柱状結晶部分８２での光散乱の発生を回避することができる。
【０１３０】
また、第３実施例に係る電子カセッテ２０Ｃを製造する場合には、リセット光１３２に対して透過性を有する蒸着基板１０８にシンチレータ７４を直接成膜し、その後、図４Ｃに示す順に、筐体４４内部に光検出基板７２、シンチレータ７４及びリセット光源７８を組み込めばよい。なお、リセット光１３２に対して透過性を有する蒸着基板１０８としては、ガラス基板の他にも、光透過性を有するポリイミドフイルム、ポリアリレートフイルム、二軸延伸ポリスチレンフイルム、アラミドフイルム又はバイオナノファイバのような可撓性を有するプラスチックフイルムであればよい。
【０１３１】
図１５は、図１に示す電子カセッテ２０（２０Ａ〜２０Ｃ）の電気的な概略構成図である。
【０１３２】
電子カセッテ２０（２０Ａ〜２０Ｃ）の光検出基板７２は、基材９０（図５Ａ〜図７参照）にアレイ状（行列状）に光検出素子９４及びＴＦＴ９２を配置した構造を有する。なお、以下の説明では、光検出素子９４を画素１９０ともいう。
【０１３３】
行列状に配置された各画素１９０は、駆動回路部１８０のバイアス電源１９２からバイアス電圧が供給されることにより駆動し、シンチレータ７４において放射線１６から変換された可視光１３０を光電変換することで発生した電荷を蓄積する。各画素１９０に蓄積された電荷は、各列毎にＴＦＴ９２を順次オンすることにより、各信号線１９６を介してアナログ信号の画素値（電荷信号、電気信号）として読み出すことができる。なお、図１５では便宜上、画素１９０及びＴＦＴ９２を、縦４個×横４個の配列としているが、所望の個数の配列としてもよいことは勿論である。
【０１３４】
各画素１９０に接続されるＴＦＴ９２には、行方向に延びるゲート線１９４と、列方向に延びる信号線１９６とが接続されている。各ゲート線１９４は、駆動回路部１８０を構成するゲート駆動部１９８に接続され、各信号線１９６は、チャージアンプ２００を介して、駆動回路部１８０を構成するマルチプレクサ部２０２に接続される。マルチプレクサ部２０２には、アナログ信号の電気信号をデジタル信号の電気信号に変換するＡＤ変換部２０４が接続されている。ＡＤ変換部２０４は、デジタル信号に変換した電気信号（デジタル信号の画素値、以下、デジタル値という場合もある）をカセッテ制御部１８２に出力する。なお、駆動回路部１８０は、パネル部４０又は制御部４２（図２参照）に配置されている。また、カセッテ制御部１８２は、制御部４２に配置されている。
【０１３５】
カセッテ制御部１８２は、電子カセッテ２０（２０Ａ〜２０Ｃ）全体の制御を行う。この場合、コンピュータ等の情報処理装置に所定のプログラムを読み込ませることによって、コンピュータをカセッテ制御部１８２として機能させることができる。
【０１３６】
カセッテ制御部１８２には、メモリ１８４及び通信部（報知部）１８６が接続されている。メモリ１８４は、デジタル信号の画素値を記憶し、通信部１８６は、コンソール２２との間で信号の送受信を行う。この場合、通信部１８６は、複数の画素値が行列状に配置されて構成される１枚の画像（１フレームの画像）をコンソール２２にパケット送信する。電源部１８８は、カセッテ制御部１８２、メモリ１８４及び通信部１８６等に電力を供給すると共に、バイアス電源１９２にも供給する。なお、メモリ１８４、通信部１８６及び電源部１８８も制御部４２に収容されている。
【０１３７】
カセッテ制御部１８２は、撮影オーダ判定部２１０、光リセット動作判定部２１４、光源制御部２１８、着色検知動作判定部２２０及び劣化判定部２２２を有する。
【０１３８】
撮影オーダ判定部２１０は、被写体１４に対する放射線１６の照射（放射線画像の撮影）に関わるオーダ情報（撮影オーダ）をコンソール２２から受信した際に、撮影オーダに含まれる撮影方法を特定（判定）する。なお、オーダ情報（撮影オーダ）とは、ＲＩＳ２６又はＨＩＳ２８において、医師により作成されるものであり、被写体１４の氏名、年齢、性別等、被写体１４を特定するための被写体情報に加えて、撮影に使用する放射線出力装置１８及び電子カセッテ２０の情報や、被写体１４の撮影部位や撮影での手技、撮影方法（静止画撮影、動画撮影）等が含まれる。
【０１３９】
光リセット動作判定部２１４は、撮影オーダ判定部２１０において特定された撮影方法に基づいて、各光検出素子９４に対して光リセットを行うべきか否かを判定する。光源制御部２１８は、光リセット動作におけるリセット光源７８からのリセット光１３２の出力を制御し、あるいは、劣化検知動作時におけるリセット光源７８からの赤色光１３２ａ、緑色光１３２ｂ及び／又は青色光１３２ｃの出力を制御する。
【０１４０】
着色検知動作判定部２２０は、定期的なメンテナンス時、又は、毎日の撮影開始前に、光源制御部２１８に対して、リセット光源７８からの劣化検知用光の出力を指示する。
【０１４１】
また、着色検知動作判定部２２０からの指示に従って、光源制御部２１８がリセット光源７８を制御し、該リセット光源７８からシンチレータ７４を介して接着層８８ａ又は粘着層８８ｂに劣化検知用光（例えば、青色光１３２ｃ）が照射された場合、光検出素子９４は、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂを介して入射された前記劣化検知用光に応じた電気信号（光検出信号）を検出し、電荷として蓄積する。
【０１４２】
そこで、劣化判定部２２２は、ＴＦＴ９２を順次オンすることにより、各信号線１９６を介して読み出された光検出信号の信号レベル（出力レベル）等に基づいて、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂが放射線１６の照射により劣化しているか否かを判定する。
【０１４３】
なお、撮影オーダ判定部２１０での撮影方法の特定結果（判定結果）、光リセット動作判定部２１４での判定結果、光源制御部２１８によるリセット光源７８の制御の状況、着色検知動作判定部２２０から光源制御部２１８への指示の状況、及び、劣化判定部２２２による接着層８８ａ又は粘着層８８ｂの劣化の判定結果は、表示操作部５６で画面表示され、スピーカ５８を介して音として出力され、さらには、通信部１８６から無線通信によりコンソール２２に送信（通知）される。
【０１４４】
本実施形態に係る電子カセッテ２０（２０Ａ〜２０Ｃ）を有する放射線画像撮影システム１０は、基本的には以上のように構成されるものであり、次にその動作について、図１６〜図１９を参照しながら説明する。
【０１４５】
図１６〜図１９の説明では、第１実施例に係る電子カセッテ２０Ａを使用した場合の放射線画像撮影システム１０の動作について説明するが、第２及び第３実施例に係る電子カセッテ２０Ｂ、２０Ｃを使用した場合でも、同様に適用可能であることは勿論である。
【０１４６】
ここでは、最初に、放射線画像撮影システム１０の基本動作としての被写体１４に対する放射線撮影について、図１６及び図１７を参照しながら説明し、次に、定期的なメンテナンス時又は毎日の撮影前に行われる接着層８８ａ又は粘着層８８ｂの劣化検知動作について、図１８及び図１９を参照しながら説明する。
【０１４７】
先ず、図１６のステップＳ１において、コンソール２２（図１参照）は、医師がＲＩＳ２６又はＨＩＳ２８において作成したオーダ情報（撮影オーダ）を取得する。ステップＳ２において、医師は、コンソール２２が取得したオーダ情報に基づき、被写体１４の撮影条件を設定する。なお、撮影条件とは、例えば、放射線源３０の管電圧や管電流、放射線１６の曝射時間等、被写体１４の撮影部位に対して放射線１６を照射させるために必要な各種の条件である。
【０１４８】
ステップＳ３において、医師は、所定の保管場所に保管されている電子カセッテ２０（２０Ａ）の取手５２（図２及び図３参照）を把持して該電子カセッテ２０Ａを搬送し、撮影台１２上に設置する。次のステップＳ４において、医師は、被写体１４の撮影部位が撮影可能領域５０に納まるように該被写体１４を撮影台１２及び電子カセッテ２０Ａ上に横臥させて、撮影可能領域５０に対する前記撮影部位のポジショニングを行う。
【０１４９】
この場合、電源部１８８（図１５参照）は、カセッテ制御部１８２、通信部１８６及び表示操作部５６に対しては、電力を常時供給している。そして、被写体１４のポジショニングが完了した後に、医師が表示操作部５６を操作して、電子カセッテ２０Ａの起動を指示すると、カセッテ制御部１８２は、電源部１８８から駆動回路部１８０及びスピーカ５８への電力供給を開始させる。これにより、バイアス電源１９２は、各画素１９０（光検出素子９４）に対するバイアス電圧の供給を開始するので、該各画素１９０は、電荷蓄積が可能な状態となる。また、スピーカ５８は、カセッテ制御部１８２からの信号を音として外部に出力することが可能な状態に至る。この結果、電子カセッテ２０Ａは、スリープ状態から起動状態に切り替わる。
【０１５０】
そして、カセッテ制御部１８２は、通信部１８６を介して無線によりコンソール２２に撮影オーダや撮影条件の送信を要求する送信要求信号を送信する。コンソール２２は、前記送信要求信号を受信すると、電子カセッテ２０Ａに対して前記撮影オーダ及び前記撮影条件を無線により送信すると共に、放射線出力装置１８に対して前記撮影条件を無線により送信する。これにより、放射線出力装置１８では、受信された前記撮影条件が放射線制御装置３２に登録される。また、電子カセッテ２０Ａでは、受信された前記撮影オーダ及び前記撮影条件がカセッテ制御部１８２に登録される。なお、カセッテ制御部１８２は、前記オーダ情報及び前記撮影条件を受信すると、これらの情報を表示操作部５６に表示させてもよい。
【０１５１】
ステップＳ５において、カセッテ制御部１８２の撮影オーダ判定部２１０は、撮影オーダに含まれる撮影方法（少なくとも１枚の静止画撮影、動画撮影）を判定し、その判定結果を光リセット動作判定部２１４に通知すると共に、表示操作部５６にも表示させる。
【０１５２】
光リセット動作判定部２１４は、撮影オーダ判定部２１０から通知された判定結果に基づいて、各画素１９０（各光検出素子９４）に対する光リセットを行うべきか否かを判定する。例えば、静止画撮影や、比較的低いフレームレートでの動画撮影を示す判定結果の場合、光リセット動作判定部２１４は、各画素１９０に対する光リセット動作は不要と判定し（ステップＳ６：ＮＯ）、光リセット動作不要の判定結果を、光源制御部２１８に通知すると共に、表示操作部５６にも表示させる。さらには、スピーカ５８から前記判定結果を示す音を出力してもよい。一方、比較的高いフレームレートでの動画撮影を示す判定結果の場合、光リセット動作判定部２１４は、各画素１９０に対する光リセット動作が必要と判定し（ステップＳ６：ＹＥＳ）、光リセット動作の実行を指示する旨の判定結果を、光源制御部２１８に通知すると共に、表示操作部５６にも表示させ、さらには、スピーカ５８から前記判定結果を示す音として出力させる。
【０１５３】
ステップＳ６で肯定的な判定結果であった場合に、光源制御部２１８は、ステップＳ７において、前記判定結果に基づいて、リセット光源７８（図３、図４Ａ、図５Ａ、図８Ａ〜図９Ｂ及び図１１Ａ〜図１２Ｂ参照）を駆動してリセット光１３２の出力を開始させる。この場合、リセット光源７８は、赤色光１３２ａ、緑色光１３２ｂ及び青色光１３２ｃを一斉に発光させて、これらの光を合成した白色光をリセット光１３２として出力する。これにより、リセット光１３２は、シンチレータ７４と、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂとを介して光検出基板７２に入射する。この結果、各画素１９０（各光検出素子９４）に対する光リセットが行われる。その後、光源制御部２１８は、リセット光源７８からのリセット光１３２の出力を停止させることにより、光リセット動作を終了させる。
【０１５４】
なお、ステップＳ５、Ｓ６の各判定結果が表示操作部５６に表示されるので、医師は、該表示操作部５６の表示内容を視認することにより、撮影方法や、各画素１９０に対する光リセット動作の実行の有無を把握することができる。また、ステップＳ５、Ｓ６の各判定結果を示す音をスピーカ５８から出力すれば、医師は、前記音を聞くことにより、撮影方法や、各画素１９０に対する光リセット動作の有無を理解することができる。さらに、前記各判定結果を通信部１８６から無線通信によりコンソール２２に送信してもよい。この場合、コンソール２２は、受信した前記各判定結果を無線通信により表示装置２４に転送して、該表示装置２４に表示させることができるので、医師は、撮影方法や、各画素１９０に対する光リセット動作の有無を確実に把握することができる。
【０１５５】
このようにして、ステップＳ７の光リセット動作が終了した後、あるいは、ステップＳ６における光リセット不要の判定処理の後、図１７のステップＳ８において、医師が放射線スイッチ３４を半押すると、放射線制御装置３２は、放射線１６の照射準備を行うと共に、照射準備を通知する通知信号をコンソール２２に無線により送信する。コンソール２２は、放射線源３０からの放射線１６の照射と同期させるための同期制御信号を無線により電子カセッテ２０Ａに送信する。電子カセッテ２０Ａのカセッテ制御部１８２は、前記同期制御信号を受信すると、照射準備に入ったことを示す情報を表示操作部５６に表示させると共に、スピーカ５８を介して外部に音として通知してもよい。
【０１５６】
その後、医師が放射線スイッチ３４を全押すると、放射線制御装置３２は、放射線源３０から放射線１６を前記撮影条件で設定された所定時間だけ被写体１４の撮影部位に照射する（ステップＳ９）。この場合、放射線制御装置３２は、放射線１６の照射開始と同時に、照射開始を通知する通知信号を無線によりコンソール２２に送信してもよい。コンソール２２は、受信した前記通知信号を電子カセッテ２０Ａに転送し、該電子カセッテ２０Ａのカセッテ制御部１８２は、前記通知信号を受信すると、照射中であることを情報を表示操作部５６に表示させると共に、スピーカ５８を介して外部に音として通知してもよい。
【０１５７】
そして、放射線１６が被写体１４の撮影部位を透過して電子カセッテ２０Ａの放射線検出器７０に至ったステップＳ１０において、該放射線検出器７０は、図３及び図４Ａに示すＩＳＳ方式の放射線検出器であるため、放射線１６は、光検出基板７２と接着層８８ａ又は粘着層８８ｂとを介してシンチレータ７４の柱状結晶構造８４に至る。
【０１５８】
柱状結晶構造８４は、放射線１６の強度に応じた強度の可視光１３０（図８Ｂ参照）を発光し、可視光１３０は、柱状結晶構造８４の柱状部分から接着層８８ａ又は粘着層８８ｂを介して光検出基板７２に入射する。各画素１９０は、平坦化膜９６を介して入射された可視光１３０を電気信号に変換し、電荷として蓄積する。次いで、各画素１９０に保持された被写体１４の撮影部位の放射線画像である電荷情報は、カセッテ制御部１８２からゲート駆動部１９８に供給される駆動信号に従って読み出される。
【０１５９】
すなわち、ゲート駆動部１９８は、ゲート線１９４を０行目から順次選択し、選択したゲート線１９４にゲート信号を供給して、該ゲート信号が供給されたＴＦＴ９２をオンにすることで、各画素１９０に蓄積された電荷を０行目から行単位で順次読み出す。各画素１９０から行単位で順次読み出された電荷は、各信号線１９６を介して各列のチャージアンプ２００に入力され、その後、マルチプレクサ部２０２及びＡＤ変換部２０４を介して、デジタル信号の電気信号としてメモリ１８４に記憶される（ステップＳ１１）。つまり、メモリ１８４には、行単位で得られた１行分の画像データが順次記憶される。
【０１６０】
メモリ１８４に記憶された放射線画像は、電子カセッテ２０Ａを識別するためのカセッテＩＤ情報と共に、通信部１８６を介して無線によりコンソール２２に送信される。コンソール２２は、受信された放射線画像及びカセッテＩＤ情報を表示装置２４に表示させる（ステップＳ１２）。また、カセッテ制御部１８２は、放射線画像及びカセッテＩＤ情報を共に表示操作部５６に表示させてもよい。
【０１６１】
医師は、表示装置２４又は表示操作部５６の表示内容を視認して放射線画像が得られたことを確認した後に、撮影オーダに登録された全ての撮影が完了したのであれば（ステップＳ１３：ＹＥＳ）、被写体１４をポジショニング状態から解放する（ステップＳ１４）。
【０１６２】
次に、医師は、表示操作部５６を操作して、電子カセッテ２０Ａの停止を指示すると、カセッテ制御部１８２は、電源部１８８から駆動回路部１８０及びスピーカ５８への電力供給を停止させる。これにより、バイアス電源１９２から各画素１９０へのバイアス電圧の供給も停止する。この結果、電子カセッテ２０Ａは、起動状態からスリープ状態に移行する。
【０１６３】
ステップＳ１５において、医師は、表示操作部５６の表示が消えて電子カセッテ２０Ａがスリープ状態に移行したことを確認した後に、該電子カセッテ２０Ａの取手５２を把持して、電子カセッテ２０Ａを所定の保管場所にまで搬送する。
【０１６４】
なお、ステップＳ１３において、全ての撮影が完了していない場合には（ステップＳ１３：ＮＯ）、次の撮影に先立って、ステップＳ６の判定処理が再度行われる。この場合、次の撮影が静止画撮影であれば、ステップＳ６（及びステップＳ７）の処理後、ステップＳ８の処理が再度行われる。また、次の撮影が動画撮影における次のフレームでの撮影であれば、ステップＳ６（及びステップＳ７）の処理後、ステップＳ８の処理が省略され、ステップＳ９の処理が行われる。
【０１６５】
放射線画像撮影システム１０の基本動作（被写体１４に対する放射線撮影）は、以上の通りである。
【０１６６】
次に、定期的なメンテナンス時又は毎日の撮影前に行われる接着層８８ａ又は粘着層８８ｂ（図４Ａ、図５Ａ〜図９Ｂ、図１１Ａ、図１２Ａ及び図１２Ｂ参照）の劣化検知動作について、図１８及び図１９を参照しながら説明する。
【０１６７】
先ず、定期的なメンテナンス時又は毎日の撮影前に、医師は、所定の保管場所に保管されている電子カセッテ２０（２０Ａ）の取手５２（図２及び図３参照）を把持して該電子カセッテ２０Ａを搬送し、撮影台１２（図１参照）上に設置する。次に、医師は、表示操作部５６（図２及び図５参照）を操作して、電子カセッテ２０Ａを起動させる。これにより、カセッテ制御部１８２は、電源部１８８から駆動回路部１８０及びスピーカ５８への電力供給を開始させ、バイアス電源１９２は、各画素１９０に対するバイアス電圧の供給を開始して、該各画素１９０を電荷蓄積が可能な状態とさせる。
【０１６８】
また、医師は、例えば、表示操作部５６を操作して、電子カセッテ２０Ａのメンテナンスや撮影前のキャリブレーションの実行を指示する。これにより、着色検知動作判定部２２０及び劣化判定部２２２は、電子カセッテ２０Ａのメンテナンス又はキャリブレーションが実行されることを把握することができる。
【０１６９】
そして、図１８のステップＳ２１〜Ｓ２３において、被写体１４がいない状態で図１７のステップＳ８〜Ｓ１０と同様の放射線撮影を行う。これにより、各画素１９０は、可視光１３０を電気信号に変換し、電荷（放射線検出量）として蓄積する。従って、各画素１９０に蓄積された電荷は、被写体１４がいない状態で撮影された放射線画像に応じた電荷情報となる。
【０１７０】
そして、各画素１９０に保持された、被写体１４がいない状態での電荷情報は、前述したステップＳ１０の処理と同様に、カセッテ制御部１８２からゲート駆動部１９８に供給される駆動信号に従って読み出され、デジタル信号の電気信号としてメモリ１８４に記憶される（ステップＳ２４）。この場合、メモリ１８４には、各画素１９０の信号レベル（出力レベル）としての前記電荷情報に応じたデジタル信号の画素値（放射線検出量）Ａ２が記憶される。
【０１７１】
その後、電子カセッテ２０Ａでは、必要に応じて、ステップＳ７と同様の光リセット動作を行ってもよい（ステップＳ２５）。
【０１７２】
次のステップＳ２６において、着色検知動作判定部２２０は、メモリ１８４に各画素１９０毎の画素値Ａ２が記憶され、必要に応じて光リセット動作が行われたことを確認した後に、光源制御部２１８に対してリセット光源７８からの劣化検知用光の出力を指示する。光源制御部２１８は、着色検知動作判定部２２０からの指示に従って、リセット光源７８からシンチレータ７４を介して接着層８８ａ又は粘着層８８ｂに劣化検知用光（例えば、青色光１３２ｃ）を照射する。
【０１７３】
接着層８８ａ又は粘着層８８ｂを通過した前記劣化検知用光は、光検出素子９４に入射し、光検出素子９４は、入射した前記劣化検知用光を電気信号（光検出信号）に変換し、電荷（光検出量）として蓄積する（ステップＳ２７）。
【０１７４】
次のステップＳ２８において、ゲート駆動部１９８は、ステップＳ１０、Ｓ２３と同様に、カセッテ制御部１８２から供給される駆動信号に従って、各画素１９０に保持された、前記劣化検知用光に応じた前記電荷情報を読み出し、デジタル信号の電気信号としてメモリ１８４に記憶させる。この場合、メモリ１８４には、各画素１９０の信号レベル（出力レベル）としての前記電荷情報に応じたデジタル信号の画素値（光検出量）Ａ３が記憶される。
【０１７５】
この結果、メモリ１８４には、メンテナンス時又はキャリブレーション時に、被写体１４がいない状態での放射線撮影と劣化検知動作とが行われることにより、前記メンテナンス時又は前記キャリブレーション時における放射線検出量としての画素値Ａ２と、光検出量としての画素値Ａ３とが各画素１９０（光検出素子９４）毎に記憶される。なお、メモリ１８４には、電子カセッテ２０Ａの使用開始時における各画素１９０毎の放射線検出量の画素値（初期値）Ａ２０及び光検出量の画素値（初期値）Ａ３０も記憶されている。
【０１７６】
そこで、劣化判定部２２２は、次のステップＳ２９において、メモリ１８４から各画素１９０毎の画素値Ａ２と初期値Ａ２０とを全て読み出し、画素値Ａ２と初期値Ａ２０との比Ｒ（Ｒ＝Ａ２／Ａ２０）を各光検出素子９４毎に算出する。
【０１７７】
ここで、比Ｒは、使用開始時（初期状態）の電子カセッテ２０Ａでの放射線検出量の初期値Ａ２０に対する、現時点での放射線検出量の画素値Ａ２の低下の割合、すなわち、各画素１９０における放射線１６から変換された可視光１３０の検出能力の低下率を示している。例えば、初期値Ａ２０に対して、現時点での画素値Ａ２が０．９×Ａ２０であれば、Ｒ＝Ａ２／Ａ２０＝０．９（９０％）であり、前記検出能力が１０％低下していることを示している。
【０１７８】
そして、次のステップＳ３０において、劣化判定部２２２は、上記のようにして求めた比Ｒが所定の閾値Ｒｔｈよりも低下しているか否かを各画素１９０毎に判定する。
【０１７９】
Ｒ＜Ｒｔｈとなった画素１９０の総数が所定数を超えた場合（ステップＳ３０：ＹＥＳ）、劣化判定部２２２は、電子カセッテ２０Ａ内部に何らかの故障が発生しているものと判断し、次に、メモリ１８４から各画素１９０の画素値Ａ３と初期値Ａ３０とを全て読み出す。そして、劣化判定部２２２は、各画素１９０毎に、初期値Ａ３０に比Ｒを乗じて、現時点での各画素１９０で検出され得る光検出量に応じた画素値の閾値Ａ３ｔｈ（Ａ３ｔｈ＝Ｒ×Ａ３０）を算出する（ステップＳ３１）。
【０１８０】
この閾値Ａ３ｔｈは、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂの劣化の有無を判定するための閾値であり、劣化検知動作によって実際に得られた画素値Ａ３が閾値Ａ３ｔｈよりも低レベルであれば、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂの劣化が発生しているものと判定される。なお、上述のように、各画素１９０における前記検出能力が低下していれば、各画素１９０毎の画素値Ａ３も該検出能力の低下の影響を受けているものと想定される。従って、本実施形態では、電子カセッテ２０Ａの使用開始時の初期値Ａ３０ではなく、前記検出能力の低下率を示す比Ｒを考慮した閾値Ａ３ｔｈを用いて、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂの劣化の有無を判定する。
【０１８１】
すなわち、ステップＳ３２において、劣化判定部２２２は、各光検出素子９４毎に、画素値Ａ３と閾値Ａ３ｔｈと比較し、Ａ３＜＜Ａ３ｔｈ（又は、Ａ３＜Ａ３ｔｈ）であるか否かを判定する。
【０１８２】
そして、Ａ３＜＜Ａ３ｔｈ（又は、Ａ３＜Ａ３ｔｈ）となった画素１９０の総数が所定数を超えた場合（ステップＳ３２：ＹＥＳ）、劣化判定部２２２は、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂの劣化が発生したと判定し（ステップＳ３３）、その判定結果を表示操作部５６で画面表示し、スピーカ５８を介して音として出力する（ステップＳ３４）。また、劣化判定部２２２は、通信部１８６から無線通信によりコンソール２２に送信（通知）し、コンソール２２は、受信した前記判定結果を無線通信により表示装置２４に転送して、該表示装置２４に表示させる（ステップＳ３４）。
【０１８３】
これにより、医師は、表示操作部５６又は表示装置２４の表示内容を視認することにより、あるいは、スピーカ５８からの音を聞くことにより、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂの劣化が発生したことを把握し、電子カセッテ２０Ａの修理又は交換の依頼等、必要な対策を取ることができる。また、電子カセッテ２０Ａからコンソール２２に前記判定結果が送信され、あるいは、コンソール２２からＲＩＳ２６やＨＩＳ２８にも前記判定結果が転送されれば、電子カセッテ２０Ａの製造業者に対して、具体的な故障内容（接着層８８ａ又は粘着層８８ｂの劣化）を含めた該電子カセッテ２０Ａの修理又は交換の依頼も速やかに行うことができる。
【０１８４】
一方、ステップＳ３２が肯定的な判定結果ではない場合、すなわち、多数の画素１９０（光検出素子９４）においてＡ３≧Ａ３ｔｈの結果である場合には、劣化判定部２２２は、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂが劣化しているのではなく、シンチレータ７４の劣化が発生しているものと判定し（ステップＳ３５）、その判定結果を表示操作部５６で画面表示し、スピーカ５８を介して音として出力し、さらには、通信部１８６から無線通信によりコンソール２２に送信（通知）する（ステップＳ３４）。また、この場合でも、劣化判定部２２２は、通信部１８６から無線通信によりコンソール２２に送信（通知）し、コンソール２２は、受信した前記判定結果を無線通信により表示装置２４に転送して、該表示装置２４に表示させる（ステップＳ３４）。
【０１８５】
これにより、医師は、表示操作部５６又は表示装置２４の表示内容を視認することにより、あるいは、スピーカ５８からの音を聞くことにより、シンチレータ７４の劣化が発生したことを把握し、電子カセッテ２０Ａの修理又は交換の依頼等、必要な対策を取ることができる。また、電子カセッテ２０Ａからコンソール２２に前記判定結果が送信され、あるいは、コンソール２２からＲＩＳ２６やＨＩＳ２８にも前記判定結果が転送されれば、電子カセッテ２０Ａの製造業者に対して、具体的な故障内容（シンチレータ７４の劣化）を含めた該電子カセッテ２０Ａの修理又は交換の依頼も速やかに行うことができる。
【０１８６】
さらに、ステップＳ３０が肯定的な判定結果ではない場合、すなわち、多数の画素１９０（光検出素子９４）においてＲ≧Ｒｔｈの結果である場合には、劣化判定部２２２は、電子カセッテ２０Ａが正常に機能しているものと判定し（ステップＳ３６）、その判定結果を表示操作部５６で画面表示し、スピーカ５８を介して音として出力し、さらには、通信部１８６から無線通信によりコンソール２２に送信（通知）する（ステップＳ３４）。コンソール２２は、受信した前記判定結果を無線通信により表示装置２４に転送して、該表示装置２４に表示させる（ステップＳ３４）。
【０１８７】
この場合、医師は、表示操作部５６又はコンソール２２の表示内容を視認することにより、あるいは、スピーカ５８からの音を聞くことにより、電子カセッテ２０Ａが正常に機能することを把握し、当該電子カセッテ２０Ａを被写体１４に対する放射線撮影に使用することが可能となる。また、電子カセッテ２０Ａからコンソール２２に前記判定結果が送信され、あるいは、コンソール２２からＲＩＳ２６やＨＩＳ２８にも前記判定結果が転送されれば、当該医師のみならず、病院内の他の医師や放射線技師に対しても、当該電子カセッテ２０Ａが使用可能な電子カセッテであることを通知することができる。
【０１８８】
本実施形態に係る電子カセッテ２０を有する放射線画像撮影システム１０の動作は、以上説明した通りである。
【０１８９】
次に、電子カセッテ２０の変形例について、図２０を参照しながら説明する。
【０１９０】
図２０は、シンチレータ７４とリセット光源７８との間にハーフミラー２５０を介挿させたものである。
【０１９１】
すなわち、ハーフミラー２５０は、リセット光源７８からの光（リセット光１３２、あるいは、劣化検知用光としての赤色光１３２ａ、緑色光１３２ｂ及び／又は青色光１３２ｃ）をシンチレータ７４の方向に透過させ、一方で、シンチレータ７４で放射線１６から変換され且つリセット光源７８の方向に進行する可視光１３０を光検出基板７２の方向に反射させる。このように、リセット光源７８とシンチレータ７４との間にハーフミラー２５０を介挿させて、光に対する部分反射及び部分透過の機能を発揮させることにより、リセット光源７８への可視光１３０の入射を確実に阻止させて、光検出素子９４に入射する可視光１３０の光量を増加させることができる。一方、リセット光源７８からの光をシンチレータ７４の方向に確実に透過させることにより、光検出素子９４に対する光リセット動作や劣化検知動作を効率よく行うことができる。
【０１９２】
以上説明したように、本実施形態に係る電子カセッテ２０（２０Ａ〜２０Ｃ）によれば、リセット光源７８から出力される光を光検出基板７２に対する光リセット以外の用途に利用することで、電子カセッテ２０内部の劣化を検知することが可能となる。すなわち、ピーク波長が互いに異なる少なくとも２つの光のうち、一方の光（例えば、赤色光１３２ａ、緑色光１３２ｂ及び青色光１３２ｃを合成した白色光）をリセット光として光検出基板７２に照射し、他方の光（例えば、青色光１３２ｃ）を電子カセッテ２０内部の劣化を検出するための劣化検知用光として光検出基板７２に照射すれば、電子カセッテ２０内部の劣化（故障）を確実に実施することができる。
【０１９３】
具体的に、放射線１６の照射に起因して接着層８８ａ又は粘着層８８ｂが劣化していれば、劣化した接着層８８ａ又は粘着層８８ｂは、特定のピーク波長を含む波長域の光（例えば、青色波長領域の光）を吸収するため、劣化した接着層８８ａ又は粘着層８８ｂを介して光検出基板７２に前記光を照射すれば、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂでの前記光の吸収により、光検出基板７２に入射する前記光の光量が減少するはずである。
【０１９４】
そこで、本実施形態では、リセット光源７８から接着層８８ａ又は粘着層８８ｂを介して光検出基板７２にリセット光（白色光）又は劣化検知用光（青色光１３２ｃ）を選択的に照射する。これにより、光検出基板７２で検出される劣化検知用光の信号レベルが、劣化前の信号レベルよりも低下していれば、放射線１６の照射に起因して接着層８８ａ又は粘着層８８ｂが劣化していることを直ちに検知することができる。また、リセット光源７８は、リセット光１３２を出力する機能と、劣化検知用光（赤色光１３２ａ、緑色光１３２ｂ及び／又は青色光１３２ｃ）を出力する検査用光源としての機能とを兼ね備えているので、リセット光源７８と検査用光源とを個別に用意する必要もなくなる。
【０１９５】
また、リセット光源７８が接着層８８ａ又は粘着層８８ｂを介して光検出素子９４に劣化検知用光を照射した場合に、劣化検知用光を光検出信号として検出し、その後、劣化判定部２２２は、光検出素子９４が実際に検出した光検出信号の信号レベル（画素値Ａ３）と、放射線１６による接着層８８ａ又は粘着層８８ｂの劣化が発生していない状態での光検出信号の信号レベル（初期値Ａ３０）とに基づいて、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂの劣化の有無を判定するので、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂの劣化の有無を確実に且つ効率よく検知することができる。
【０１９６】
より具体的に説明すれば、劣化判定部２２２は、光検出素子９４が実際に検出した放射線検出信号の信号レベル（画素値Ａ２）及び光検出信号の信号レベル（画素値Ａ３）と、放射線１６による接着層８８ａ又は粘着層８８ｂの劣化が発生していない状態での放射線検出信号の信号レベル（初期値Ａ２０）及び光検出信号の信号レベル（初期値Ａ３０）とに基づいて、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂとシンチレータ７４との劣化の有無を判定することにより、光検出素子９４で検出した電気信号のレベルの低下が接着層８８ａ又は粘着層８８ｂの劣化に起因するものか、あるいは、シンチレータ７４の劣化によるものかを、確実に特定することができる。
【０１９７】
なお、上記の説明では、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂの劣化を検知する場合について説明したが、本実施形態では、シンチレータ７４を封止する防湿保護材８６の劣化を検知することも可能である。この場合、リセット光源７８から防湿保護材８６及びシンチレータ７４と、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂとを介して光検出基板７２に照射される劣化検知用光は、放射線１６により劣化した防湿保護材８６が吸収可能で且つリセット光（白色光）とは異なるピーク波長を含む波長域の光であればよい。
【０１９８】
放射線１６の照射に起因して防湿保護材８６が劣化していれば、劣化した防湿保護材８６も劣化検知用光を吸収する可能性があるため、劣化した防湿保護材８６及びシンチレータ７４を介して光検出基板７２に劣化検知用光を照射すれば、該防湿保護材８６での劣化検知用光の吸収により、光検出基板７２に入射する劣化検知用光の光量が減少するはずである。
【０１９９】
従って、この場合でも、リセット光源７８から防湿保護材８６及びシンチレータ７４と、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂとを介して光検出基板７２にリセット光又は劣化検知用光を選択的に照射し、光検出基板７２の光検出素子９４で検出される劣化検知用光の信号レベルが、劣化前の信号レベルよりも低下していれば、放射線１６の照射に起因して防湿保護材８６が劣化していることを直ちに検知することができる。また、この場合でも、リセット光源７８が検査用光源の機能を兼ね備えているので、検査用光源を個別に用意する必要がない。
【０２００】
このように、リセット光源７８から防湿保護材８６及びシンチレータ７４と、接着層８８ａ又は粘着層８８ｂとを介して光検出基板７２にリセット光又は劣化検知用光を選択的に照射可能とすることで、放射線１６による電子カセッテ２０内部の劣化（接着層８８ａ、粘着層８８ｂ又は防湿保護材８６の劣化）の有無を確実に且つ効率よく検知すると共に、光検出素子９４で検出した電気信号のレベルの低下の原因となっている構成要素（接着層８８ａ、粘着層８８ｂ、防湿保護材８６又はシンチレータ７４）を確実に特定することができる。
【０２０１】
劣化判定部２２２での判定結果は、表示操作部５６に表示され、スピーカ５８から音として出力され、さらには、通信部１８６からコンソール２２を介して無線により送信されることで、表示装置２４にも表示されるので、医師は、接着層８８ａ、粘着層８８ｂ又は防湿保護材８６が劣化しているか否か、あるいは、シンチレータ７４が劣化しているか否かを的確に把握して、適切な処置（例えば、電子カセッテ２０の修理又は交換の依頼）を速やかに遂行することができる。
【０２０２】
また、リセット光源７８は、シンチレータ７４を介して光検出基板７２と対向するように配置された発光素子１４２ａ〜１４２ｃのアレイ、バックライト、又は、エレクトロルミネッセンス光源７８ａ〜７８ｃである。
【０２０３】
この場合、バックライト式のリセット光源７８では、冷陰極管１５２や発光素子１６２ａ〜１６２ｃを放射線１６の非照射領域に配置することが可能であるため、放射線１６による冷陰極管１５２や発光素子１６２ａ〜１６２ｃの劣化を回避することができる。また、リセット光源７８が有機エレクトロルミネッセンス光源であれば、リセット光源７８の薄型化を実現することができる。
【０２０４】
また、光検出基板７２を構成する光検出素子９４を有機光電変換材料又はアモルファス酸化物半導体から構成し、一方で、ＴＦＴ９２を有機半導体材料、アモルファス酸化物半導体又はカーボンナノチューブから構成すれば、光検出素子９４及びＴＦＴ９２を低温成膜により形成することが可能となる。
【０２０５】
さらに、光検出基板７２とシンチレータ７４との間に斜入光カット層１０２を介挿することにより、可視光１３０に対する光検出基板７２の感度の向上と、放射線画像の画像ボケの抑制とを共に実現することができる。
【０２０６】
また、上記の説明では、一例として、リセット光が白色光のリセット光であると共に、劣化検知用光が青色光１３２ｃ等である場合について説明したが、本実施形態では、赤外光、より好ましくは、９５０ｎｍ付近のピーク波長を含む波長域の赤外光をリセット光に用いてもよい。これにより、短波長の光と比較して、光リセットに起因したａ−Ｓｉの光劣化を回避することができる。
【０２０７】
なお、本発明は、上述の実施の形態に限らず、本発明の要旨を逸脱することなく、種々の構成を採り得ることは勿論である。
【符号の説明】
【０２０８】
１０…放射線画像撮影システム
１４…被写体
１６…放射線
２０、２０Ａ〜２０Ｃ…電子カセッテ
７０…放射線検出器
７２…光検出基板
７４…シンチレータ
７８…リセット光源
８８ａ…接着層
８８ｂ…粘着層
９２…ＴＦＴ
９４…光検出素子
１０２…斜入光カット層
１０８、２４０…蒸着基板
１３０…可視光
１３２…リセット光
１３２ａ…赤色光
１３２ｂ…緑色光
１３２ｃ…青色光
１４２ａ〜１４２ｃ、１６２ａ〜１６２ｃ…発光素子
１５０…導光板
１５２、１５２ａ〜１５２ｃ…冷陰極管
１５４…拡散シート
１５６…反射シート
１８０…駆動回路部
１８２…カセッテ制御部
１９０…画素
２１０…撮影オーダ判定部
２１４…光リセット動作判定部
２１８…光源制御部
２２０…着色検知動作判定部
２２２…劣化判定部
２４２…剥離層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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