(57)【要約】      （修正有）【課題】書き換え保証回数内で書き換え頻度を変更し、不揮発性メモリでのデータ記憶の信頼性を向上することができる不揮発性メモリへの保存方法を提供する。【解決手段】複数のデータを保存し、電気的に上記データの書き換えが可能で、各データの書き込み範囲より大きい所定範囲の単一ブロックを一括でしか消去できない不揮発性メモリ４へのデータの書き換えを行う制御装置１００は、複数のデータが、書き換え頻度の高いデータと、書き換え頻度の低いデータとからなり、不揮発性メモリ４の書き換え回数をカウントするカウント部１０と、カウント部１０にてカウントされた書き換え回数が所定値以上であるか否かを判断する判断部１１と、判断部１１にて所定値以上と判断されると書き換え頻度の高いデータの書き換え頻度を変更する設定部１２とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のデータを保存し、
電気的に上記データの書き換えが可能で、上記各データの書き込み範囲より大きい所定範囲を一括でしか消去できない不揮発性メモリへのデータ保存方法において、
上記複数のデータは、書き換え頻度の高いデータと、書き換え頻度の低いデータとを有し、
上記不揮発性メモリの書き換えの回数が所定値以上になると上記書き換え頻度の高いデータの書き換え頻度を変更することを特徴とする不揮発性メモリへのデータ保存方法。
【請求項２】
上記書き換え頻度の変更は、変更前より変更後の方が上記書き換え頻度が低くなるように変更することを特徴とする請求項１に記載の不揮発性メモリへのデータ保存方法。
【請求項３】
上記所定値を、複数の段階所定値に設定し、上記段階所定値毎に上記書き換え頻度の高いデータの書き換え頻度を設定することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の不揮発性メモリへのデータ保存方法。
【請求項４】
上記複数の段階所定値の内、最終の最終段階所定値による上記書き換え頻度の高いデータの書き換え頻度は、上記書き換え頻度の高いデータを書き換えることができない程度の書き換え頻度を設定することを特徴とする請求項３に記載の不揮発性メモリへのデータ保存方法。
【請求項５】
上記書き換え頻度の高いデータは、設定された上記書き換え頻度に到達すると書き換えを行うことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の不揮発性メモリへのデータ保存方法。
【請求項６】
上記書き換え頻度の低いデータは、上記不揮発性メモリの書き換えの回数に関係なく書き換えを行うことを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の不揮発性メモリへのデータ保存方法。
【請求項７】
上記書き換え頻度の低いデータは、上記複数のデータの内、異常または特定事象の少なくともいずれか一方に関するものが設定されていることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の不揮発性メモリへのデータ保存方法。
【請求項８】
複数のデータを保存し、
電気的に上記データの書き換えが可能で、上記各データの書き込み範囲より大きい所定範囲を一括でしか消去できない不揮発性メモリへの上記データの書き換えを行う制御装置は、
上記複数のデータが、書き換え頻度の高いデータと、書き換え頻度の低いデータとからなり、
上記不揮発性メモリの書き換え回数をカウントするカウント部と、
上記カウント部にてカウントされた書き換え回数が所定値以上であるか否かを判断する判断部と、
上記判断部にて上記所定値以上と判断されると上記書き換え頻度の高いデータの書き換え頻度を変更する設定部とを備えたことを特徴とする制御装置。
【請求項９】
上記設定部は、上記書き換え頻度の変更を、変更前より変更後の方が上記書き換え頻度が低くなるように変更して設定すること特徴とする請求項８に記載の制御装置。
【請求項１０】
上記判断部は、上記所定値を、複数の段階所定値に設定し、
上記設定部は、上記段階所定値毎に上記書き換え頻度の高いデータの書き換え頻度を設定することを特徴とする請求項８または請求項９に記載の制御装置。
【請求項１１】
上記設定部は、上記複数の段階所定値の内、最終の最終段階所定値による上記書き換え頻度の高いデータの書き換え頻度を上記書き換え頻度の高いデータを書き換えることができない程度の書き換え頻度を設定することを特徴とする請求項１０に記載の制御装置。
【請求項１２】
上記書き換え頻度の高いデータの書き換え要求回数をカウントする第２カウント部と、
上記第２カウント部のカウント数が上記設定部に設定された書き換え頻度に到達すると書き換えを行う書き換え部とを備えたことを特徴とする請求項８ないし請求項１１のいずれか１項に記載の制御装置。
【請求項１３】
上記書き換え部は、上記書き換え頻度の低いデータは、上記不揮発性メモリの書き換えの回数に関係なく書き換えを行うことを特徴とする請求項１２に記載の制御装置。
【請求項１４】
上記不揮発性メモリの消去を行う前に上記不揮発性メモリに保存されている上記各データを保存する保存部を備え、
上記書き換え部は、上記書き換えを行うデータ以外のデータを上記保存部からのデータにて書き換えることを特徴とする請求項１２または請求項１３に記載の制御装置。
【請求項１５】
上記書き換え頻度の低いデータは、上記制御装置が制御を行う被制御部の異常または特定事象の少なくともいずれか一方に関するものが設定されていることを特徴とする請求項８ないし請求項１４のいずれか１項に記載の制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、電気的にデータの書き換えが可能な不揮発性メモリの書き換え保証回数内で書き換え頻度を変更し、不揮発性メモリでのデータ記憶の信頼性の向上することができる不揮発性メモリへのデータ保存方法および制御装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の制御装置は、経年変化を補正する学習値の記憶を行い制御に利用している。また、登録情報、ダイアグコード、故障発生前後の運転状態データ（フリーズフレームデータ）、総始動回数の運転履歴データ等の記憶を行い、障害発生時の原因解析等に利用している。よって、制御装置に電源が供給されていない状態でもこれらの情報を記憶保持しておく必要がある。その方法の一つとして、不揮発性メモリを搭載して記憶しておく方法がある。しかし、不揮発性メモリには、書き換え保証回数に制限があり、高い頻度で書き換えが実施されると、制御装置の製品ライフサイクル内で書き換え保証回数を超過してしまう恐れがあるため、書き換え回数を低減する必要がある。
【０００３】
そこで従来の不揮発性メモリへのデータ保存方法は、書き換え条件成立が設定回数以上になった時に、書き換えを実施することで、書き換え回数の低減を行っている（例えば、特許文献１参照）。また、他の従来の不揮発性メモリへのデータ保存方法は、書き換え頻度の高いデータと書き換え頻度の低いデータとを異なる不揮発性メモリのブロックに記憶し、書き換え頻度の高いデータの書き換え回数が設定値以上になった時に、書き換え頻度が高いデータを記憶しているブロックと低いデータを記憶しているブロックとの切り換えを行うことで保証回数までの到達を遅らせている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−２５２５４６号公報
【特許文献２】特開２００４−１５１９４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来、不揮発性メモリには、書き込み範囲より大きい所定のメモリ範囲毎でしか消去が行えないデバイス上の特性を持つものがある。この消去単位をブロックと定義する。単一ブロックしか持たない不揮発性メモリを搭載した制御装置、もしくは複数ブロックを持つ不揮発性メモリを搭載するが、各ブロックにはそれぞれ別々の用途が割り付けられており、単一ブロックしか使用できない制御装置において、書き換え頻度の高いデータの書き換えで不揮発性メモリの書き換え保証回数の上限に到達してしまう。
【０００６】
そこで先の従来のように書き換え条件成立が設定回数以上になった時に書き換えを実施する書き換え頻度低減手法をとった場合、設定回数を低くすると製品ライフサイクルに達する前に不揮発性メモリの書き換え保証回数に到達してしまうという問題点がある。また、設定回数を高くすると、製品ライフサイクル内で不揮発性メモリの書き換え保証回数に到達することはないが、製品ライフサイクルの初期において必要となる書き換え頻度の高いデータの取りこぼしが発生する問題点がある。
【０００７】
また、他の従来のように複数ブロックを使用する手法は、単一ブロックしか持たない不揮発性メモリを搭載した制御装置、もしくは複数ブロックを持つ不揮発性メモリを搭載するが、各ブロックにはそれぞれ別々の用途が割り付けられており、単一ブロックしか使用できない制御装置には適用することができないという問題点があった。
【０００８】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、書き換え保証回数内で書き換え頻度を変更し、不揮発性メモリでのデータ記憶の信頼性の向上することができる不揮発性メモリへのデータ保存方法および制御装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
この発明は、不揮発性メモリへのデータ保存方法は、
複数のデータを保存し、
電気的に上記データの書き換えが可能で、上記各データの書き込み範囲より大きい所定範囲を一括でしか消去できない不揮発性メモリへのデータ保存方法において、
上記複数のデータは、書き換え頻度の高いデータと、書き換え頻度の低いデータとを有し、
上記不揮発性メモリの書き換えの回数が所定値以上になると上記書き換え頻度の高いデータの書き換え頻度を変更するものである。
【００１０】
また、この発明は、制御装置は、
複数のデータを保存し、
電気的に上記データの書き換えが可能で、上記各データの書き込み範囲より大きい所定範囲を一括でしか消去できない不揮発性メモリへの上記データの書き換えを行う制御装置は、
上記複数のデータが、書き換え頻度の高いデータと、書き換え頻度の低いデータとからなり、
上記不揮発性メモリの書き換え回数をカウントするカウント部と、
上記カウント部にてカウントされた書き換え回数が所定値以上であるか否かを判断する判断部と、
上記判断部にて上記所定値以上と判断されると上記書き換え頻度の高いデータの書き換え頻度を変更する設定部とを備えたものである。
【発明の効果】
【００１１】
この発明の不揮発性メモリへのデータ保存方法は、
複数のデータを保存し、
電気的に上記データの書き換えが可能で、上記各データの書き込み範囲より大きい所定範囲を一括でしか消去できない不揮発性メモリへのデータ保存方法において、
上記複数のデータは、書き換え頻度の高いデータと、書き換え頻度の低いデータとを有し、
上記不揮発性メモリの書き換えの回数が所定値以上になると上記書き換え頻度の高いデータの書き換え頻度を変更するので、
書き換え頻度を変更し、不揮発性メモリでのデータ記憶の信頼性の向上することができる。
【００１２】
また、この発明の制御装置は、
複数のデータを保存し、
電気的に上記データの書き換えが可能で、上記各データの書き込み範囲より大きい所定範囲を一括でしか消去できない不揮発性メモリへの上記データの書き換えを行う制御装置は、
上記複数のデータが、書き換え頻度の高いデータと、書き換え頻度の低いデータとからなり、
上記不揮発性メモリの書き換え回数をカウントするカウント部と、
上記カウント部にてカウントされた書き換え回数が所定値以上であるか否かを判断する判断部と、
上記判断部にて上記所定値以上と判断されると上記書き換え頻度の高いデータの書き換え頻度を変更する設定部とを備えたので、
書き換え頻度を変更し、不揮発性メモリでのデータ記憶の信頼性の向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】この発明の実施の形態１の不揮発性メモリへのデータ保存方法を行う制御装置の構成を示すブロック図である。
【図２】図１に示した制御装置の不揮発性メモリの構成を示す図である。
【図３】図１に示した制御装置の不揮発性メモリへのデータ保存方法のフローチャートである。
【図４】図１に示した制御装置の不揮発性メモリへのデータ保存方法の書き換えのタイミングチャートを示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
実施の形態１．
以下、本願発明の実施の形態について説明する。図１はこの発明の実施の形態１における不揮発性メモリへのデータ保存方法を行うための制御装置の構成を示したブロック図、図２は図１に示した制御装置の不揮発性メモリの構成を示す図、図３は図１に示した制御装置の不揮発性メモリへのデータ保存方法のフローチャート、図４は図１に示した制御装置の不揮発性メモリへのデータ保存方法の書き換えのタイミングチャートを示した図である。
【００１５】
図１において、制御装置１００は、制御を処理、実行するＣＰＵ１と、ＣＰＵ１により実行されるプログラムを格納するＲＯＭ２と、ＣＰＵ１の処理結果および不揮発性メモリ４に保存されているデータを一時的に保存する保存部としてのＲＡＭ３と、書き換え頻度の高いデータＸと書き換え頻度の低いデータＹの複数のデータを保存し、電気的にデータの書き換えが可能で、各データの書き込み範囲より大きい所定範囲（単一ブロックＺ）を一括でしか消去できない不揮発性メモリ４とを備える。そして、制御装置１００には制御装置１００へのデータの入力が行う第１入力装置５および第２入力装置６と、制御装置１００からのデータの出力が行われる第１出力装置７および第２出力装置８とがそれぞれ接続されている。
【００１６】
そして、ＣＰＵ１は、不揮発性メモリ４の書き換え回数をカウントするカウント部１０と、カウント部１０にてカウントされた書き換え回数が所定値以上であるか否かを判断する判断部１１と、判断部１１にて所定値以上と判断されると書き換え頻度の高いデータＸの書き換え頻度を変更する設定部１２と、書き換え頻度の高いデータＸの書き換え要求回数をカウントする第２カウント部１３と、第２カウント部１３のカウント数が設定部１２に設定された書き換え頻度Ｂに到達すると書き換えを行うとともに、書き換え頻度の低いデータＹは、不揮発性メモリ４の書き換えの回数に関係なく書き換えを行い、その書き換えは、不揮発性メモリ４の消去を行う前に不揮発性メモリ４に保存されている各データを保存しているＲＡＭ３から、書き換えを行うデータ以外のデータを用いて書き換える書き換え部１４とを備える。
【００１７】
そして、判断部１１は、所定値を、複数の段階所定値Ａ１、Ａ２に設定し、設定部１２は、段階所定値Ａ１、Ａ２毎に書き換え頻度の高いデータＸの書き換え頻度Ｂ（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３）を設定し、さらに、複数の段階所定値Ａ１、Ａ２の内、最終の最終段階所定値Ａ２による書き換え頻度の高いデータＸの書き換え頻度Ｃ３を書き換え頻度の高いデータＸを書き換えることができない程度の書き換え頻度に設定する。尚、書き換え頻度の高いデータＸとは、書き換え要求が多く発生するデータを指し、書き換え頻度の低いデータＹとは、書き換え要求があまり発生しないデータを指すものである。また、書き換え頻度を低く設定とは、書き換え頻度が多くならないように、書き換え要求の回数がある程度の回数に成らないと実際の書き換えを行わないことを指すものである。
【００１８】
そして、各段階所定値Ａ１、Ａ２および、書き換え頻度Ｂ（Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３）の具体例について説明する。例えば、不揮発性メモリ４の書き換え回数の保証回数が例えば、３００００回であるとする。そして、書き換え頻度の高いデータＸの書き換え要求は１日、１００回程度あり、被制御部（製品）のライフサイクルが１０年間であると、書き換え頻度の高いデータＸの書き換え要求は３６５０００回に達することとなり、このまま書き換えを行ったのでは、被制御部のライフサイクル（以下、製品ライフサイクル期間とする）に不揮発性メモリ４の保証回数に達成し信頼性がなくなる。また、ただ単にライフサイクルにおいて保証回数以内に収めようとすると、例えば書き換え頻度の高いデータＸの書き換え頻度を低く設定する必要がある。
【００１９】
製品ライフサイクル期間の前半では、一般的に書き換え頻度の高いデータＸにおいても多くのデータを実質的に必要としている。このため、製品ライフサイクル期間の前半では、書き換え頻度の高いデータＸは書き換え頻度を高く設定し、必要なデータを保存することができるように設定し、製品ライフサイクル期間の後半では、書き換え頻度の高いデータＸは書き換え頻度を低く設定し、実質的に問題の生じない程度のデータの保存を行うことができるように設定している。
【００２０】
そこで、製造から所定期間経過を製品ライフサイクル期間の前半の５年とし、その５年に相当するまでの書き換え頻度の高いデータＸの書き換え頻度Ｃ１を１０回、製品ライフサイクル期間の後半の５年以降の書き換え頻度Ｃ２を３５回として書き換え頻度を低くなるように設定する。そして、書き換え頻度を切り換える不揮発性メモリ４の書き換え回数の段階所定値Ａ１は２００００回とし、この段階所定値Ａ１の回数未満の書き換え頻度Ｃ１は１０回、この段階所定値Ａ１の回数以上の書き換え頻度Ｃ２は３５回にそれぞれ設定する。さらに、不揮発性メモリ４の書き換え回数が最終段階所定値Ａ２の２５０００回以上では、書き換え頻度の高いデータＸの書き換えを禁止となり、書き換え頻度の低いデータＹが書き換えられるように、書き換え頻度Ｃ３は書き換え頻度が高い値（すなわち、データカウントがとりえない値）に設定する。
【００２１】
図２において、不揮発性メモリ４は、書き込み範囲より大きい所定のメモリ範囲毎でしか消去が行えないデバイス上の特性を持つものである。この消去単位をブロックと定義する。そして単一ブロックＺの記憶領域の構成は、書き換え頻度の高いデータＸ（総始動回数、始動状態等）と、書き換え頻度の低いデータＹ（ダイアグコード、フリーズフレームデータ等）とを記憶するものである。例えば、書き換え頻度の高いデータＸの内、総始動回数とは、カウント部１０にてカウントされた不揮発性メモリ４の書き換え回数が書き換え毎に保存されているものである。また、書き換え頻度の低いデータＹは制御装置１００が制御を行う被制御部の異常（フリーズフレーム）または特定事象（ダイアグコード）の少なくともいずれか一方に関するものが設定されている。不揮発性メモリ４を書き換えを行う場合は、始めに単一ブロックＺ内のデータを全て消去してから、データの書き換えを実施する。尚、書き換え頻度の高いデータＸを書き換える場合、そして、書き換え頻度の低いデータＹを書き換える場合は、共に単一ブロックＺの不揮発性メモリ４の書き換え回数としてカウントされる。
【００２２】
上記のように構成された実施の形態１の制御装置の不揮発性メモリへのデータ保存方法について図３および図４に基づいて説明する。まず、不揮発性メモリ４に書き換え要求が発生すると、カウント部１０にてカウントされている不揮発性メモリ４の書き換え回数が書き換え頻度Ｂを切り換える回数である段階所定値Ａ１の２００００回以上か否かを判断する（図３のステップＳ１）。そして、切り換え回数Ａ１の２００００回未満の場合（ＮＯ）は、不揮発性メモリ４の書き換え回数が書き換え頻度の高いデータＸの切り換え頻度Ｂを書き換え頻度Ｃ１の１０回として設定する（図３のステップＳ２）。
【００２３】
一方、ステップＳ１にて切り換え回数Ａ１の２００００回以上の場合（ＹＥＳ）は、不揮発性メモリ４の書き換え回数が書き換え頻度Ｂを切り換える回数、最終段階所定値Ａ２の２５０００回以上か否かを判断する（図３のステップＳ３）。そして、切り換え回数Ａ２の２５０００回未満の場合（ＮＯ）は、不揮発性メモリ４の書き換え回数が書き換え頻度の高いデータＸの切り換え頻度Ｂを書き換え頻度Ｃ２の３５回として設定する（図３のステップＳ４）。一方、ステップＳ３にて切り換え回数Ａ２の２５０００回以上の場合（ＹＥＳ）は、不揮発性メモリ４の書き換え回数が書き換え頻度の高いデータＸの切り換え頻度Ｂを書き換え頻度の高いデータＸを書き換えることができない程度の書き換え頻度Ｃ３として設定する（図３のステップＳ５）。
【００２４】
次に、書き換え要求の発生しているデータが、書き換え頻度の高いデータＸか否かを判断する（図３のステップＳ６）。そして、書き換え頻度の高いデータＸであると判断する（ＹＥＳ）と、書き換え頻度の高いデータＸの書き換え要求回数をカウントする第２カウント部１３にてカウントをインクリメントする（図３のステップＳ７）。次に、第２カウント部１３にてカウントされた、書き換え頻度の高いデータＸのカウントが先に設定された書き換え頻度の高いデータＸの書き換え頻度Ｂ以上か否かを判定する。そして、書き換え頻度Ｂ以上の場合（ＹＥＳ）は、書き換え頻度の高いデータＸの書き換え要求回数をカウントする第２カウント部１３のカウントをクリア（０）にする（図３のステップＳ９）。一方、ステップＳ８にて書き換え頻度Ｂ未満の場合（ＮＯ）は、書き換え要求の発生しているデータが、書き換え頻度の低いデータＹか否かを判断する（図３のステップＳ１０）。
【００２５】
そして、書き換え頻度の低いデータＹであると判断する（ＹＥＳ）と、不揮発性メモリ４の書き換え回数をカウントするカウント部１０にてカウントをインクリメントする（図３のステップＳ１１）。
一方、ステップＳ１０にて、書き換え頻度の低いデータＹでないと判断すると処理を終了する。次に、書き換え部１４により、不揮発性メモリ４の各データをＲＡＭ３に一旦保存し、その後の単一ブロックＺ内のデータを一括消去する。そして、単一ブロックＺに書き換えを行うデータおよびそれ以外のデータをＲＡＭ３からのデータにて書き換え、不揮発性メモリ４のデータの書き換え処理を行い処理を終了する。
【００２６】
以上のような処理を行うことにより、書き換え頻度の高いデータＸは不揮発性メモリ４の書き換え回数が２００００回に達するまでは、書き換え頻度の高いデータＸの書き換え要求が１０回毎に書き換えられ（図４のタイミング４１）、不揮発性メモリ４の書き換え回数にインクリメントされる。また、不揮発性メモリ４の書き換え回数が２００００回以上２５０００回未満までは、書き換え頻度の高いデータＸの書き換え要求が３５回毎に書き換えられ（図４のタイミング４３）、不揮発性メモリ４の書き換え回数にインクリメントされる。また、不揮発性メモリ４の書き換え回数が２５０００回以上となると、書き換え頻度の高いデータＸは書き換えられることはない。一方、書き換え頻度の低いデータＹは書き換え要求により、不揮発性メモリ４の書き換え回数に関係なく書き換えられ（図４のタイミング４２）、不揮発性メモリ４の書き換え回数にインクリメントされる。よって、書き換え頻度の低いデータＹは、不揮発性メモリ４の書き換え回数が２５０００回以上となっても、不揮発性メモリ４の書き換えが実施される。
【００２７】
尚、ステップＳ６において、書き換え頻度の高いデータＸでないと判断されると、次のステップＳ８およびステップＳ９に処理を行う例を示したが、例えば、ステップＳ６において、書き換え頻度の高いデータＸでないと判断されると、書き換え要求の発生しているデータが、書き換え頻度の低いデータＹであると判断して、ステップＳ１１からの処理を行うようにしてもよい。また、書き換え要求の発生しているデータが、書き換え頻度の高いデータＸか書き換え頻度の低いデータＹであるかをステップＳ１より以前に行って処理する場合など、上記実施の形態１に示した場合と最終的に同様な処理となる様々なフローが考えられる。
【００２８】
上記のように実施の形態１によれば、単一ブロックしか持たない不揮発性メモリを搭載した制御装置、もしくは複数ブロックを持つ不揮発性メモリを搭載するが、各ブロックにはそれぞれ別の用途が割り付けられており、単一ブロックしか使用できない制御装置において、不揮発性メモリの書き換え回数によって書き換え頻度の高いデータの書き換え頻度を変更することができるので、不揮発性メモリの書き換え保証回数への到達を所望の方法にて遅らせることができ、高寿命化となるとともに信頼性が向上する。
【００２９】
さらに、書き換え頻度の高いデータの書き換え頻度を低減方向に変更することで、製品ライフサイクル期間の前半においては、書き換え頻度を高く設定し、書き換えデータの取りこぼし発生を防止でき、 製品ライフサイクル期間に応じてデータを保存することができる。
【００３０】
さらに、所定値を、複数の段階所定値として設定しているため、不揮発性メモリの書き換え保証回数への到達を遅らせるために、きめ細やかに対応することができる。
さらに、その各段階処置値の内、最終段階所定値の書き換え頻度の高いデータの書き換え頻度を書き換え頻度の高いデータを書き換えることができない程度の書き換え頻度を設定しているため、必要最小限のデータのみの書き換えにて対応し、かつ、不揮発性メモリの書き換え保証回数への到達を防止することができる。
【００３１】
さらに、書き換え頻度の高いデータは、設定された書き換え頻度に到達すると書き換えを行うため、所望の書き換えを行うことができるため、データの信頼性を確保することができる。
さらに、書き換え頻度の低いデータは、不揮発性メモリの書き換えの回数に関係なく書き換えを行うため、所望の書き換えを行うことができるため、データの信頼性を確保することができる。
さらに、書き換え頻度の低いデータは、異常または特定事象の少なくともいずれか一方に関するものであり、必要となるデータを確実に保存することができる。
【００３２】
尚、上記実施の形態１においては、書き換え頻度の変更は、変更前より変更後の方が書き換え頻度が低くなるように変更する例を示したが、これに限られることはなく、通常の製品ライフサイクルと異なるような場合、また、必要となる期間があらかじめ設定されている場合などは、その期間に応じて書き換え頻度を変更すれば、所望のデータを保存することができ、上記実施の形態１と同様の効果を奏することができる。
【００３３】
また、不揮発性メモリ４は制御装置１００の一部として備える例を示したが、これに限られることはなく、制御装置１００内でＣＰＵ，不揮発性メモリ，ＲＡＭ，ＲＯＭのいずれかもしくは複数が同一のパッケージで備えるようにしても、同様の効果を奏することができる。
【００３４】
また、書き換え頻度の高いデータＸの書き換え頻度ＢをＣ１→Ｃ２、Ｃ２→Ｃ３と２回変更する例を示したがこれに限られることはなく、書き換え頻度を２回以上に設定し、上記実施の形態１と同様に変更すれば、さらに、書き換えにおいてきめ細やかな対応ができ、さらに、長寿命化またはデータの信頼性に優れている。尚、書き換え頻度を最初０回に、その後に、書き換え頻度を所定の回数に１回変更するような場合も考えられる。
【符号の説明】
【００３５】
１  ＣＰＵ、３  ＲＡＭ、４  不揮発性メモリ、１０  カウント部、１１  判断部、
１２  設定部、１３  第２カウント部、１４  書き換え部、
４１，４２，４３  タイミング、１００  制御装置、Ａ１  段階所定値、
Ａ２  最終段階所定値、Ｂ，Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３  書き換え頻度。
【図１】
2012226575.tif 000003
【図２】
2012226575.tif 000004
【図３】
2012226575.tif 000005
【図４】
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