(57)【要約】      （修正有）【課題】配線幅や配線間隔に余裕を持たせ、配線パターンの形成を容易にすることが可能な半導体装置用配線基板及び半導体装置用配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基板１０と、絶縁基板１０を貫通する複数のハンダボール搭載用孔１１と、絶縁基板１０上に形成され、ハンダボール搭載用孔１１の一方の開口部１１ａを覆う複数の配線３１ａ,３１ｂを備える配線パターン３０ｐと、を有し、ハンダボール搭載用孔１１の一方の開口部１１ａの直径Ｄ１は、一方の開口部１１ａを覆う配線３１ａ,３１ｂの配線幅Ｗ１，Ｗ２以下に設定され、ハンダボール搭載用孔１１の他方の開口部１１ｂの直径Ｄ２は、一方の開口部１１ａの直径Ｄ１よりも大きくなるように設定されている。【選択図】図１
2012190925.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板を貫通する複数のハンダボール搭載用孔と、
前記絶縁基板上に形成され、前記ハンダボール搭載用孔の一方の開口部を覆う複数の配線を備える配線パターンと、を有し、
前記ハンダボール搭載用孔の前記一方の開口部の直径は、前記一方の開口部を覆う前記配線の配線幅以下に設定され、
前記ハンダボール搭載用孔の他方の開口部の直径は、前記一方の開口部の直径よりも大きくなるように設定されている
ことを特徴とする半導体装置用配線基板。
【請求項２】
前記配線パターンは、
互いに隣り合う一部の前記ハンダボール搭載用孔上に位置する前記配線の間を通る配線を少なくとも１つ備える
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置用配線基板。
【請求項３】
前記ハンダボール搭載用孔内の前記一方の開口部側には、メッキが施されている
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置用配線基板。
【請求項４】
絶縁基板に、前記絶縁基板を貫通する複数のハンダボール搭載用孔を形成するハンダボール搭載用孔形成工程と、
前記ハンダボール搭載用孔の一方の開口部を覆う複数の配線を備える配線パターンを前記絶縁基板上に形成する配線パターン形成工程と、を有し、
前記ハンダボール搭載用孔形成工程では、
前記ハンダボール搭載用孔の前記一方の開口部の直径が、前記一方の開口部を覆う前記配線の配線幅以下となり、
前記ハンダボール搭載用孔の他方の開口部の直径が、前記一方の開口部の直径よりも大きくなるように、前記ハンダボール搭載用孔を形成する
ことを特徴とする半導体装置用配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基板を貫通する複数のハンダボール搭載用孔を有する半導体装置用配線基板及び半導体装置用配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置等に用いられる配線基板には、可撓性を有する絶縁基板に銅層等により配線パターンを形成した、ＴＡＢ（Tape Automated Bonding）方式やＴＣＰ（Tape Carrier Package）方式等の半導体装置用配線基板（以降、これらを代表してＴＡＢテープと記す）がある。現在、ＴＡＢテープはＩＣパッケージ等の一部用途で活用され、量産されている。
【０００３】
上述のＴＡＢテープは、図３（ａ）,（ｂ）に示すように、絶縁基板５１０を貫通する
よう例えばプレス加工された複数のハンダボール搭載用孔５１１と、接着材層５２０を介して絶縁基板５１０上に形成された配線パターン５３０ｐと、を有していた。配線パターン５３０ｐは、例えばハンダボール搭載用孔５１１の開口部を覆う複数のランド５３２と、ランド５３２に接続される配線５３１と、を有していた。複数のランド５３２の直径は、絶縁基板５１０と充分な密着強度が得られるよう、例えばハンダボール搭載用孔５１１の直径よりも０．１ｍｍ以上大きく設定されていた。このように構成されたハンダボール搭載用孔５１１には、図３（ｃ）に示すように、ハンダボール５００が搭載され、例えば図示しないプリント基板等に接続されていた。
【０００４】
なお、本発明の関連技術として、例えば特許文献１及び２には、絶縁基板にレーザ光でテーパ付きビアホール（貫通孔）を形成する技術について開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２１７５５１号公報
【特許文献２】特開２００４−１９３５２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述のランド５３２を備えるＴＡＢテープにおいては、大きな直径を有するランド５３２のために、配線パターン５３０ｐの形成が困難になっていた。特に、互いに隣り合うランド５３２の間を通る配線５３１を形成する場合には、配線５３１の配線幅や、ランド５３２との間隔が小さくなり、高度な配線形成技術が必要となってしまう。図３（ｂ）を参照して具体例を挙げると、ハンダボール搭載用孔５１１の直径Ｄ５１を０．３ｍｍ、ハンダボール搭載用孔５１１間のピッチＰ５を０．５ｍｍ、ランド５３２の直径Ｄ５２を０．４ｍｍとすると、ランド５３２，５３２間の距離は０．１ｍｍとなってしまい、間を通る配線５３１は、例えば配線幅Ｗ５を０．０３ｍｍに、配線間隔Ｓ５を０．０３５ｍｍに、形成する必要がある。
【０００７】
本発明の目的は、配線幅や配線間隔に余裕を持たせ、配線パターンの形成を容易にすることが可能な半導体装置用配線基板及び半導体装置用配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の態様によれば、絶縁基板と、前記絶縁基板を貫通する複数のハンダボー
ル搭載用孔と、前記絶縁基板上に形成され、前記ハンダボール搭載用孔の一方の開口部を覆う複数の配線を備える配線パターンと、を有し、前記ハンダボール搭載用孔の前記一方の開口部の直径は、前記一方の開口部を覆う前記配線の配線幅以下に設定され、前記ハンダボール搭載用孔の他方の開口部の直径は、前記一方の開口部の直径よりも大きくなるように設定されている半導体装置用配線基板が提供される。
【０００９】
本発明の第２の態様によれば、前記配線パターンは、互いに隣り合う一部の前記ハンダボール搭載用孔上に位置する前記配線の間を通る配線を少なくとも１つ備える第１の態様に記載の半導体装置用配線基板が提供される。
【００１０】
本発明の第３の態様によれば、前記ハンダボール搭載用孔内の前記一方の開口部側には、メッキが施されている第１又は第２の態様に記載の半導体装置用配線基板が提供される。
【００１１】
本発明の第４の態様によれば、絶縁基板に、前記絶縁基板を貫通する複数のハンダボール搭載用孔を形成するハンダボール搭載用孔形成工程と、前記ハンダボール搭載用孔の一方の開口部を覆う複数の配線を備える配線パターンを前記絶縁基板上に形成する配線パターン形成工程と、を有し、前記ハンダボール搭載用孔形成工程では、前記ハンダボール搭載用孔の前記一方の開口部の直径が、前記一方の開口部を覆う前記配線の配線幅以下となり、前記ハンダボール搭載用孔の他方の開口部の直径が、前記一方の開口部の直径よりも大きくなるように、前記ハンダボール搭載用孔を形成する半導体装置用配線基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、配線幅や配線間隔に余裕を持たせ、配線パターンの形成を容易にすることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置用配線基板の一部を示す図であって、（ａ）は半導体装置用配線基板の上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図であり、（ｃ）はハンダボールが搭載された半導体装置用配線基板を表す（ａ）のＡ−Ａ断面と同方向側の断面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る半導体装置用配線基板の製造方法の各工程を、図１（ａ）のＡ−Ａ断面と同方向側の断面図で示す工程図である。
【図３】従来例に係る半導体装置用配線基板の一部を示す図であって、（ａ）は半導体装置用配線基板の上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図であり、（ｃ）はハンダボールが搭載された半導体装置用配線基板を表す（ａ）のＡ−Ａ断面と同方向側の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
＜本発明の一実施形態＞
以下に、本発明の一実施形態に係る半導体装置用配線基板について説明する。
【００１５】
（１）半導体装置用配線基板の構造
まずは、本発明の一実施形態に係る半導体装置用配線基板としてのＴＡＢテープの構造について、図１を用いて説明する。図１は、本実施形態に係るＴＡＢテープの一部を示す図であって、（ａ）は半導体装置用配線基板の上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図であり、（ｃ）はハンダボールが搭載された半導体装置用配線基板を表す（ａ）のＡ−Ａ断面と同方向側の断面図である。
【００１６】
図１（ａ），（ｂ）に示すように、ＴＡＢテープは、絶縁基板１０と、絶縁基板１０を貫通する複数のハンダボール搭載用孔１１と、絶縁基板１０上に形成され、ハンダボール搭載用孔１１の一方の開口部１１ａを覆う複数の配線３１ａ，３１ｂを備える配線パターン３０ｐと、を有する。
【００１７】
絶縁基板１０は、例えば可撓性を有するポリイミド（ＰＩ）等の樹脂から構成される。また、絶縁基板１０には、絶縁基板１０を貫通する複数のハンダボール搭載用孔１１が形成されている。
【００１８】
ハンダボール搭載用孔１１は、配線パターン３０ｐが形成された側の絶縁基板１０の表面に開口する一方の開口部１１ａと、配線パターン３０ｐが形成された側とは反対側の絶縁基板１０の表面に開口する他方の開口部１１ｂとを有する。ハンダボール搭載用孔１１の開口部１１ａの直径Ｄ１は、開口部１１ａを覆う配線３１ａ，３１ｂの配線幅Ｗ１，Ｗ２以下に設定されている。また、ハンダボール搭載用孔１１の開口部１１ｂの直径Ｄ２は、後にハンダボール搭載用孔１１へと搭載されるハンダボール１００（図１（ｃ）を参照）の直径に合わせて、開口部１１ａの直径Ｄ１よりも大きくなるように設定されている。つまり、ハンダボール搭載用孔１１は、例えば開口部１１ａから開口部１１ｂに向かって内径が大きくなるテーパ形状となっている。
【００１９】
また、互いに隣り合うハンダボール搭載用孔１１は、後に搭載されるハンダボール１００同士が接触しないよう、所定のピッチＰ（各ハンダボール搭載用孔１１の中心を通る線間の距離）で形成されている。
【００２０】
また、ハンダボール搭載用孔１１の一方の開口部１１ａ側の、少なくとも開口部１１ａから露出した配線３１ａ，３１ｂの底部には、例えば銅（Ｃｕ）などによるメッキ５０が施されている。これにより、後に搭載されるハンダボール１００と配線３１ａ，３１ｂとの電気的な接続をより確実なものとし、機械強度を向上させることができる。よって、ハンダボール１００と配線３１ａ，３１ｂとの接続信頼性が向上する。
【００２１】
ハンダボール搭載用孔１１の一方の開口部１１ａ側の絶縁基板１０上には、例えば銅層等がパターニングされた配線パターン３０ｐが形成されている。配線パターン３０ｐの表面には、例えば金（Ａｕ）又は金（Ａｕ）／ニッケル（Ｎｉ）等のメッキ４０が施され、例えば配線パターン３０ｐ上に実装される図示しない半導体装置等と、Ａｕワイヤ等によるワイヤボンディング接続が可能なように構成されている。
【００２２】
配線パターン３０ｐは、ハンダボール搭載用孔１１の開口部１１ａ上を通る位置に、開口部１１ａを覆う複数の配線３１ａ，３１ｂを有している。各配線３１ａ，３１ｂは、例えば各配線３１ａ，３１ｂの端部近傍の位置で開口部１１ａを覆うよう配置される。
【００２３】
また、配線パターン３０ｐが備えるパターンによっては、図１（ｂ）に示すように、互いに隣り合う一部のハンダボール搭載用孔１１上に位置する配線３１ａ，３１ａの間を、これとは異なる配線３１ｂが少なくとも１つ通る配置となる。この場合、配線３１ｂの配線幅Ｗ２及び配線３１ａ，３１ｂ間の配線間隔Ｓは、配線３１ｂの両側の２つの配線３１ａ，３１ａ間の距離に応じて決定される。
【００２４】
上述の図３に示す従来例においては、互いに隣り合うランド５３２の間を通る配線５３１の配線幅Ｗ５及びランド５３２と配線５３１との配線間隔Ｓ５は、配線５３１の両側の２つのランド５３２，５３２間の距離に応じて決定されていた。直径の大きいランド５３２，５３２間の距離はとても狭く、配線幅Ｗ５及び配線間隔Ｓ５も非常に小さくする必要があった。このような微細で狭ピッチの配線５３１を形成するには高度な配線形成技術が
要求され、歩留まりが低下してしまったり、或いは、係る配線形成技術を適用可能な高価な生産装置を用いることで、ＴＡＢテープの製造コストが増大してしまったりしていた。
【００２５】
そこで、本実施の形態においては、ハンダボール搭載用孔１１の開口部１１ａの直径Ｄ１を配線３１ａ，３１ｂの配線幅Ｗ１，Ｗ２以下とし、配線パターン３０ｐからランドを廃したので、配線３１ａ，３１ａ間の比較的広い距離に応じて配線３１ｂを設定することができる。これにより、配線幅Ｗ２や配線間隔Ｓに余裕を持たせることができ、高価な配線形成技術を適用しなくとも、配線パターン３０ｐを容易に形成することができる。よって、ＴＡＢテープの歩留まりが向上し、また、製造コストを低減することが可能となる。本実施形態の構成は、設計上、配線パターン３０ｐの配置に充分なスペースを確保することが困難な２層以下の多層配線基板において、特に有用性が高い。
【００２６】
なお、各配線３１ａ，３１ｂがそれぞれ有する配線幅Ｗ１，Ｗ２は、絶縁基板１０との密着強度が充分得られる幅となっており、例えば配線３１ａ，３１ｂの全長を通して略一定とすることができる。配線幅Ｗ１，Ｗ２及び配線間隔Ｓをすべて同一の値に設定してもよい。或いは、配線幅Ｗ１，Ｗ２を長さ方向で異ならせる場合には、開口部１１ａの直径Ｄ１を基準として、ハンダボール搭載用穴１１の一方の開口部１１ａ付近に位置する配線３１ａ，３１ｂの配線幅Ｗ１，Ｗ２を設定する。
【００２７】
以下に、ＴＡＢテープの設計に係る数値を例示する。例えば、絶縁基板１０の厚さが０．０１２５ｍｍ以上０．０７５ｍｍ以下、配線パターン３０ｐの高さが０．００４ｍｍ以上０．０７５ｍｍ以下のとき、ハンダボール搭載用孔１１間のピッチＰを０．２ｍｍ以上０．４ｍｍ以下とすると、ハンダボール搭載用孔１１の一方の開口部１１ａの直径Ｄ１を０．０１ｍｍ以上０．０２ｍｍ以下、他方の開口部１１ｂの直径Ｄ２を０．１５ｍｍ以上０．３０ｍｍ以下、配線幅Ｗ１，Ｗ２及び配線間隔Ｓを全て等しい値、例えばピッチＰの値を略４等分した０．０５ｍｍ以上０．１ｍｍ以下の値などとすることができる。
【００２８】
以上により、ハンダボール１００が搭載されるＴＡＢテープが構成される。すなわち、所定の直径を有するハンダボール１００がハンダボール搭載用孔１１内に挿入され、リフロー等の加熱処理によって、開口部１１ａから露出した配線３１ａ，３１ｂの底部と接合されるように構成される。ＴＡＢテープにハンダボール１００が搭載された様子を図１（ｃ）に示す。
【００２９】
（２）半導体装置用配線基板の製造方法
次に、本発明の一実施形態に係る半導体装置用配線基板としてのＴＡＢテープの製造方法について、図２を用いて説明する。図２は、本実施形態に係るＴＡＢテープの製造方法の各工程を、図１（ａ）のＡ−Ａ断面と同方向側の断面図で示す工程図である。
【００３０】
（配線パターン形成工程）
まずは、図２（ａ）に示すように、絶縁基板１０に設けられた銅層３０等の上に、例えばフォトレジストパターン３５ｐを形成する。
【００３１】
続いて、図２（ｂ）に示すように、フォトレジストパターン３５ｐをマスクとして、例えばエッチング液により銅層３０の露出した部分をウェットエッチングして、後に形成されるハンダボール搭載用孔１１の、一方の開口部１１ａ上を通る位置に複数の配線３１ａ，３１ｂを備える配線パターン３０ｐを形成する。すなわち、ハンダボール搭載用孔１１の開口部１１ａを覆う複数の配線３１ａ，３１ｂを備える配線パターン３０ｐを形成する。配線パターン３０ｐの形成後、フォトレジストパターン３５ｐを剥離する。
【００３２】
（ハンダボール搭載用孔形成工程）
次に、図２（ｃ）に示すように、絶縁基板１０の、配線パターン３０ｐが形成された側とは反対側の面に、例えばフォトレジストパターン３６ｐを形成する。
【００３３】
続いて、図２（ｄ）に示すように、フォトレジストパターン３６ｐをマスクとして、例えばエッチング液により絶縁基板１０の露出した部分をウェットエッチングして、絶縁基板１０を貫通する複数のハンダボール搭載用孔１１を形成する。このとき、ウェットエッチングが等方的に進むとともに、エッチング液に曝される時間の長いフォトレジストパターン３６ｐ近傍の絶縁基板１０に、徐々にアンダーカットが入っていく。これにより、例えば開口部１１ａから開口部１１ｂに向かって内径が大きくなるテーパ形状のハンダボール搭載用孔１１が形成される。
【００３４】
形成されるハンダボール搭載用孔１１のテーパ形状の度合いは、例えばウェットエッチング時間の長い開口部１１ｂ付近のエッチング量と、ウェットエッチング時間の短い開口部１１ａ付近のエッチング量と、を規定した以下の式、
エッチング率Ｒ＝２ｔ／（Ｄ２−Ｄ１）・・・（式１）
により算出することができる。ここで、ｔは絶縁基板１０の厚さ、Ｄ１は開口部１１ａの直径、Ｄ２は開口部１１ｂの直径である。ハンダボール搭載用孔１１の形状は、エッチング率Ｒが小さいほど、テーパ形状が顕著となり、エッチング率Ｒが大きいほど、垂直に近づく。所定のエッチング率Ｒとなるよう、エッチング液の種類や濃度、エッチング時間、エッチング温度等のエッチング条件を調整することで、所定の寸法を有するハンダボール搭載用孔１１が得られる。
【００３５】
すなわち、ハンダボール搭載用孔１１の一方の開口部１１ａの直径Ｄ１が、開口部１１ａを覆うように形成される配線３１ａ，３１ｂの配線幅Ｗ１，Ｗ２（図１（ｂ）を参照）以下となり、他方の開口部１１ｂの直径Ｄ２が、開口部１１ａの直径Ｄ１よりも大きくなったハンダボール搭載用孔１１が形成される。ハンダボール搭載用孔１１を形成した後、フォトレジストパターン３６ｐを剥離する。
【００３６】
（メッキ工程）
次に、図２（ｅ）に示すように、ハンダボール搭載用孔１１内の開口部１１ａ側の、少なくとも開口部１１ａから露出した配線３１ａ，３１ｂの底部に、例えば銅（Ｃｕ）などのメッキ５０を施す。また、配線パターン３０ｐの表面に、例えばＡｕ又はＡｕ／Ｎｉ等のメッキ４０を施す。
【００３７】
以上により、本実施形態に係るＴＡＢテープが製造される。
【００３８】
この後、所定の直径を有するハンダボール１００をハンダボール搭載用孔１１に挿入し、リフロー等の加熱処理を行う。これにより、ハンダボール１００が一部溶解し、ハンダボール搭載用孔１１内がハンダボール１００で充填されるとともに、ハンダボール搭載用孔１１内に形成されたメッキ５０を介して、ハンダボール１００と配線３１ａ，３１ｂの底部とが電気的に接合される。このようにして、ＴＡＢテープにハンダボール１００が搭載された様子を図２（ｆ）に示す。
【００３９】
なお、ＴＡＢテープへのハンダボール１００の搭載は、上記ＴＡＢテープの製造工程に引き続いて行われてもよく、或いは、上記ＴＡＢテープの出荷後、半導体装置の実装メーカー等において行われてもよい。半導体装置の実装メーカーでは、絶縁基板１０の、ハンダボール１００が搭載された側とは反対の面から、配線パターン３０ｐ上に、図示しない半導体装置を例えばＡｕワイヤ等により接続する。これにより、半導体装置がＴＡＢテープ上に実装される。また、ハンダボール１００には、例えば図示しないプリント基板等を接続し、ＩＣパッケージ等となる。
【００４０】
＜他の実施形態＞
以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【００４１】
例えば、上述の実施形態においては、配線３１ａ，３１ｂの配線幅Ｗ１，Ｗ２は、配線３１ａ，３１ｂの全長を通して略一定としたが、配線内や配線間において、異なる配線幅を有していてもよい。例えば、ハンダボール搭載用孔上に位置する配線の配線幅を他の部分より太くし、そこへ半導体装置の接続パッド等を接合することで、半導体装置のＴＡＢテープへの実装が容易となる。
【００４２】
また、上述の実施形態においては、ハンダボール搭載用孔１１はテーパ形状を有することとしたが、他方の開口部が一方の開口部よりも大きくなるように設定されていれば、ハンダボール搭載用孔の形状は、等方的なエッチングによる樽型形状や、段階的な加工による階段状の段差を有する形状等であってもよい。
【００４３】
また、上述の実施形態においては、ハンダボール搭載用孔１１をウェットエッチングにより形成することとしたが、ドライエッチングやレーザ光等により形成してもよい。エッチング法を用いる場合、上述の実施形態のフォトレジストパターン３６ｐに代えて、ドライフィルム等を用いることもできる。
【００４４】
また、レーザ光を用いる場合、絶縁基板が貫通し、レーザ光が銅層の底面に到達した直後にレーザ光の照射を停止する等、レーザ光の照射時間を調整することで、例えばテーパ形状等の所定の形状を有するハンダボール搭載用孔を形成することができる。レーザ光としては、例えばＹＡＧレーザや炭酸ガスレーザ等を用いることができる。
【００４５】
また、上述の実施形態においては、ハンダボール搭載用孔形成工程を、配線パターン形成工程の後に実施することとしたが、配線パターン形成工程の前に実施してもかまわない。この場合、ハンダボール搭載用孔１１内のメッキ５０を、配線パターン形成工程の前に施してもよい。
【００４６】
また、上述の実施形態においては、銅層３０が設けられた絶縁基板１０を用いている。このような絶縁基板１０としては、例えば銅箔の上に絶縁材料を一定厚で塗布して硬化させた、所謂キャスティング材や、絶縁材の上に種層として金属層をスパッタリングにより薄く形成した後、メッキ等により銅層を形成した、所謂メタライジング材を用いることができる。なお、接着材を介して銅箔を貼り合わせた絶縁基板を用いてもよい。
【００４７】
また、上述の実施形態においては、絶縁基板１０はポリイミド（ＰＩ）から構成されるとしたが、これに限られず、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、液晶ポリマ（ＬＣＰ）、アラミド、ガラスエポキシ樹脂等の有機樹脂により、絶縁基板が構成されていてもかまわない。
【符号の説明】
【００４８】
１０  絶縁基板
１１  ハンダボール搭載用孔
１１ａ，１１ｂ  開口部
３０ｐ  配線パターン
３１ａ，３１ｂ  配線
５０  メッキ
Ｄ１，Ｄ２  開口部の直径
Ｓ  配線間隔
Ｐ  ハンダボール搭載用孔間のピッチ
Ｗ１，Ｗ２  配線幅
【図１】
2012190925.tif 000003
【図２】
2012190925.tif 000004
【図３】
2012190925.tif 000005