(57)【要約】【課題】  多層光ディスクの層間が狭くなったとき、フォーカスエラー信号の分離が難しくなると同時に、トラッキングエラー信号の変動も発生する。【解決手段】  層間クロストークを除去するピンホールの大きさをフォーカスエラー信号に関係するものとトラッキングエラー信号に関係するものとで異なる構成とする（110、111）。これにより正確な層間ジャンプとトラッキングエラー信号の変動の除去が可能となる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
前記光源からの光を多層光情報記憶媒体の一つの記録層に集光する集光光学系と、
前記記録層からの反射光を第１および第２のビームに分割する分割素子と、
前記第１及び第２のビームをそれぞれ絞り込む第１および第２の集光レンズと、
前記第１のビームの光を検出する第1の光検出器と、
前記第１の集光レンズと前記第１の光検出器との間に設けられた第１のピンホール素子と、
前記第２のビームの光を検出する第２の光検出器と、
前記第２の集光レンズと前記第２の光検出器との間に設けられた第２のピンホール素子と、
前記第１の光検出器の検出信号からフォーカス制御信号を生成し、前記第２の光検出器の検出信号から少なくともトラッキング制御信号を生成する、信号処理部と
を有することを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項２】
請求項１記載の光ピックアップ装置において、前記第１と第２のピンホール素子のピンホールの大きさが異なることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項３】
請求項１記載の光ピックアップ装置において、前記第１と第２の集光レンズの焦点距離が等しい場合、前記第１のピンホール素子のピンホールの方が前記第２のピンホール素子のピンホールより大きいことを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項４】
光源と、
前記光源からの光を多層光情報記憶媒体の一つの記録層に集光する集光光学系と、
前記記録層からの反射光を絞り込む集光レンズと、
前記反射光を検出する光検出器と、
前記集光レンズと前記光検出器との間に設けられ、中心領域と、前記中心領域を取り囲む領域とからなるピンホールを有し、前記中心領域を透過した光と前記取り囲む領域を透過した光の偏光状態が異なるように形成されたピンホール素子と、
前記ピンホール素子と前記光検出器との間に設けられ、前記異なる偏光状態のうちの一方を選択的に透過させる領域を有する回折格子と
を有することを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項５】
請求項４記載の光ピックアップ装置において、前記回折格子の中心領域は前記異なる偏光状態の両方を透過させ、前記回折格子の中心領域を取り囲む領域は前記偏光状態の一方を選択的に透過させることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項６】
請求項５記載の光ピックアップ装置において、更に、
前記回折格子の中心領域を取り囲む領域を透過した光を検出する前記光検出器の検出信号から、少なくともトラッキング制御信号を生成する、信号処理部とを有することを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項７】
請求項４記載の光ピックアップ装置において、前記光源からの光を、前記集光光学系と前記集光レンズとに、分岐する分岐素子は、前記光源からの発散光学系中に配置されていることを特徴とする光ピックアップ装置。
【請求項８】
光源と、
前記光源からの光を多層光情報記憶媒体の一つの記録層に集光する集光光学系と、
前記記録層からの反射光を第１および第２のビームに分割する分割素子と、
前記第１及び第２のビームをそれぞれ絞り込む第１および第２の集光レンズと、
前記第１のビームの光を検出する第1の光検出器と、
前記第１の集光レンズと前記第１の光検出器との間に設けられた第１のピンホール素子と、
前記第２のビームの光を検出する第２の光検出器と、
前記第２の集光レンズと前記第２の光検出器との間に設けられた第２のピンホール素子と、
前記第１の光検出器の検出信号からフォーカス制御信号を生成し、前記第２の光検出器の検出信号から少なくともトラッキング制御信号を生成する、信号処理部と、
PLL回路と、
前記第１及び第２の光検出器の検出信号から、前記PLL回路にて生成されるクロックを用いて、AD変換するAD変換器と、
前記AD変換器にて変換されたデジタル信号を復号する複号化回路とを
有することを特徴とする光ディスクドライブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光ピックアップ装置及び光ディスクドライブに関し、特に光ピックアップ装置の読出し光学系に関する。
【背景技術】
【０００２】
１枚の光ディスクの容量を増加させる方式として、記録層の多層化が進んできている。
レーザ光を多層光ディスクに照射した場合、同時に複数の層を照射することになるので、層間のクロストークが問題となる。
【０００３】
図３を用いて、光ピックアップ装置の検出光学系における多層光ディスクによるクロストークを説明する。単純化のために、５０１は２層の光ディスクとする。５１１および５１２は情報記録層である。対物レンズ４０１からの照射光の最小ビームスポット位置は光線８０で示すように情報記録層５１１上にあり、情報記録層５１１からの情報を読み出そうとしている。光ディスク５０１は回転しており、情報記録層５１１上には図４に示すようなトラッキングのための案内溝すなわちトラックが形成されている。図４は情報記録層の一部を示したものであり、回転軸は紙面の左遠方にあるものとする。この案内溝をレーザ光線が光スポット９４として照射する。光軸の垂直方向の定義を回転軸に基づき行うと、矢印５２１の方向がラジアル方向、矢印５２２の方向がタンジェンシャル方向となる。照射光の焦点は記録層５１１に合っているので、その反射光は入射光と同じ光路を逆方向に辿って図３の対物レンズ４０１に戻る。次に、検出レンズ４０２を透過し、光ビーム８１となって光検出器５１に入射する。
【０００４】
多層ディスクにレーザ光を照射したとき、それぞれの層からの反射光量はほぼ同量になるように設計されている。このために対物レンズに近い層の透過率が大きくなっており、対物レンズから遠い層にもレーザ光が到達できるようになっている。このような条件下では、図３に示したように情報読出し対象層である５１１にレーザ光の焦点を合わせると、一部のレーザ光は光ビーム８２として当該層５１１を透過し、隣接層５１２で反射され、層間迷光である反射光ビーム８３となる。この反射光ビーム８３は対物レンズ４０１に戻り、検出レンズ４０２に入射した後、光検出器５１の手前で一旦集光され、光ビーム８４で示したように広がりながら光検出器５１に入射する。光ビーム８４は、光検出器面上では広がった光スポットになり、読み出し当該層からの反射光８１と重なってしまい、干渉することになる。光ビーム８４の位相は層間隔に影響されるので、層間隔が変化するとこの干渉状態も変化する。このため、多層ディスクに層間変動があると、これによる干渉状態の変化が生じ、検出光量に変動が発生する。この検出光量の変動はデータ信号（ＲＦ信号）、トラッキングエラー信号、フォーカスエラー信号に悪影響を与えることになる。
【０００５】
このような多層迷光の影響を少なくすることのできるピックアップ光学系の一例は、特許文献２に記載されている。この基本原理に基づいた迷光除去光学系を図５に示す。半導体レーザ１０１から出射したレーザ光は、偏光ビームスプリッタ１０４を透過したのち、コリメートレンズ４０７で平行光になる。次に、λ／４板１０５により円偏光に変換され、回転機構により回転する多層ディスク５０１に対物レンズ４０４で絞り込まれる。ここでは２層ディスクを図示しているが、２層に限定されるものではなく、３層以上の多層ディスクにも適用可能である。読出し対象情報記録層（当該層）は５１１であるとし、５１１上のレーザ光の最小スポットの位置から反射光が発生する。対象層５１１を透過した一部のレーザ光は隣接層５１２で反射され、反射光８３となり、クロストークの原因である迷光となる。多層の場合、層のディスク表面からの距離によって球面収差が異なるが、その補償はコリメートレンズ４０７を光軸方向に変位させることで行う。
【０００６】
多層ディスクからの反射光は迷光も含めて、対物レンズ４０４を逆に戻り、λ／４板１０５により、元の偏光方向に対して偏光方向が直交する直線偏光に変換される。このため偏光ビームスプリッタ１０４で反射され、複数領域回折格子１０６を透過後、半導体検出器５２上に回折・集光される。半導体検出器からの信号は信号処理回路５３で処理され、光スポットのフォーカス位置を制御するＡＦ信号及びトラッキング位置を制御するＴR信号、データ信号であるＲＦ信号が形成される。
【０００７】
図６に、図５に示した光学系の中で使用した複数領域回折格子１０６の分割状態を示す。複数領域回折格子１０６は複数の領域に分割されており、それぞれの領域をＡからＧまでのアルファベット記号で示す。図７に当該層からの反射光の複数領域回折格子１０６上への照射状態を示す。照射状態にはディスクのトラックで発生するボールパターンを表示している。ボールパターンの強度が変化する領域はＥとＦであり、トラック方向は紙面の上下方向である。複数領域回折格子１０６のそれぞれの領域からの回折光は、図８で示した半導体検出器の検出領域５５１〜５６１を光スポットで照射する。スポット位置と照射光量を所望のものにするために、それぞれの回折格子の溝の方向と形状は適切に設計されているものとする。
【０００８】
図８において検出領域の近くに示したそれぞれの記号は、複数領域回折格子の関係する領域名と回折光の次数を示している。たとえば、検出領域５５１に照射する光は、図７の複数領域回折格子のＣの領域で回折されるマイナス１次光であることを意味している。本例の複数領域回折格子１０６のそれぞれの回折格子はブレーズド格子や鋸刃格子が使用されており、Ｅ、Ｆ、Ｇの領域は＋１次光のみ発生させ、Ａ、Ｂ、Ｄ、Ｃの領域は＋１次光と−１次光の両方を発生させる。
【０００９】
多層ディスクでは、他層から迷光が当該層からの反射光と同時に半導体検出器上を照射する。図９に対物レンズ寄りの隣接層からの迷光の分布を示す。８５１から８５４までと、８５７から８６０までの迷光は、複数領域回折格子１０６のＡからＤまでの領域を透過したものである。また、迷光８５５と８５６は、それぞれ領域Ｅ、Ｆを透過したものである。中心部の領域Ｇは適切な大きさになっており、これらの迷光８５１〜８５６は中心領域Ｇを透過していないので検出領域５５１〜５６０を照射しない。したがって、迷光は検出領域５５１〜５５４から形成されるフォーカスエラー信号や検出領域８５５〜８６０から形成されるトラッキングエラー信号に影響を与えない。
【００１０】
ところで、前述の層間クロストークを低減するために、特許文献１には、ピンホールを使用する方法が示されている。この方法では、多層光ディスクからの反射光を集光レンズで絞り込み、読み出し当該層からの反射光の焦点位置にピンホールを配置する。当該層からの反射光はピンホールを透過できるが、他層からの迷光はデフォーカスのためにピンホールを透過できない。これを利用して、光検出器に迷光を入射させないことで、層間クロストークを抑制する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開平８−１８５６４０号
【特許文献２】特開２００９−１７００６０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし、さらなるディスク容量の増加のためには、層数を増やす必要があり、層間隔が狭くなると予想される。この場合、図１０に示すように他層からの迷光が検出領域に重なってしまう。このため、フォーカスエラー信号を層間ごとに検出することが困難となる問題とトラッキングエラー信号が変動する問題が起こる。このような状態では、たとえ、特許文献１のように一つのピンホールを使用しても、この問題を解決できない。
【００１３】
本発明の目的は、多層ディスクの層間隔が狭くなったときにフォーカスエラー信号を層ごとに分離し、トラッキングエラー信号に変動を発生させない光ピックアップ装置及びそれを用いた光ディスクドライブを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上述の課題を解決するために、少なくとも２種類のピンホールを使用する。ピンホールにより他層からの迷光が除去できることは前述した。しかしながら、特に層間隔が１０μm以下の狭層間の多層ディスクを対象としたとき、フォーカスエラー信号を層ごとに分離できるようにするためのピンホールの大きさと，トラッキングエラー信号の変動を減少させるためのピンホールの最適な大きさは異なることが判明した。フォーカスエラー信号用のピンホールは光ディスクの記録面にフォーカスを引き込むために，引き込み範囲をカバーする大きさのピンホールが必要となる。一方、トラッキングエラー信号の変動は少しの迷光でも発生するため、より小さいピンホールが必要となる。トラッキングエラー信号用のピンホールをフォーカスエラー信号用に使用したと仮定すると、多層の中の所望の記録層に層間ジャンプをするのが困難となる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によると、多層ディスクの層間隔が狭くなったときに、他層からの迷光を２種類の大きさのピンホールを使用することで、トラッキングエラー信号の各層ごとの分離が可能となると同時に、トラッキングエラー信号の変動を減少させることが可能となる。これにより、多層光ディスクからデータを読み出すとき必要となる層間ジャンプが確実にできるようになる。また、光スポットがトラックをはずれることがなくなり、読み出したデータの信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明による光ピックアップ装置の光学系の一例を示す図。
【図２】本発明による光ピックアップ装置の光学系の一例を示す図。
【図３】隣接層からの反射光の影響を示す図。
【図４】対物レンズからの出射光が溝付き記録面を照射している状態を示す図。
【図５】ピックアップ光学系の一例を示す図。
【図６】複数領域回折格子の一例を示す図。
【図７】複数領域回折格子の一例を示す図。
【図８】半導体検出器の検出領域の形状を示す図。
【図９】半導体検出器上での隣接層からの迷光分布の一例を示す図。
【図１０】層間隔が狭くなったときの迷光分布を示す図。
【図１１】複数領域回折格子の一例を示す図。
【図１２】複数領域回折格子の一例を示す図。
【図１３】半導体検出器の検出領域の形状の一例を示す図。
【図１４】半導体検出器の検出領域の形状の一例を示す図。
【図１５】ピンホール素子の形状を示す図。
【図１６】複数領域回折格子の一例を示す図。
【図１７】半導体検出器の検出領域の形状の一例を示す図。
【図１８】本発明による光ピックアップ装置の光学系の一例を示す図。
【図１９】本発明による光ピックアップ装置を用いた光ディスクドライブ装置の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の光ディスクドライブ装置を実施するための最良の形態を、図を用いて説明する。
【実施例１】
【００１８】
図１に、光ディスクドライブ装置の光ピックアップ部分を示す。半導体レーザ１０１から出射したレーザ光は、コリメータレンズ４０３によりコリメートされた光ビームに変換される。その後、偏光ビームスプリッタ１０４と球面収差補償素子１０２を透過し、λ／４板１０５により円偏光に変換され、回転機構により回転する多層ディスク５０１に対物レンズ４０４で絞り込まれる。ここでは２層ディスクを図示しているが、２層に限定されるものではなく、３層以上の多層ディスクにも実施可能である。２層ディスクより層数が多いディスクにおいては、隣接層より遠くの層は層間隔の大きい層と考えられ、本実施例は層間隔が広くても適用可能であり、その効果に変わりない。対物レンズはアクチュエータ５４によりラジアル方向と光軸方向の位置制御がなされる。当該層は５１１であり、レーザ光の最小スポットの位置が５１１上にある。当該層を透過した光の隣接層５１２による反射光８３も発生し、クロストークの原因である迷光となる。
【００１９】
多層ディスクからの反射光は迷光も含めて、対物レンズ４０４を戻り、λ／４板１０５により、元の偏光方向に対して直交する方向の直線偏光に変換される。このため偏光ビームスプリッタ１０４で反射され、ハーフビームスプリッター１０７に向かう。ハーフビームスプリッターを透過した第１のビームは第１の集光レンズ４０５で第１のピンホール素子１１１上に集光される。第１のピンホール素子１１１は当該層からの反射光のスポットが最少となる光軸位置に設置され、そのピンホールの大きさは、光ディスクが光軸方向に引き込み範囲内で変位したとき発生する光スポットの広がりをカバーする程度の大きさとする。復路倍率を２０倍として、光スポットサイズ径が９μm程度になっているとすると、ＤＰＰの変動を小さくするためには、直径１０μmのピンホールが必要となる。ピンホール素子は、ガラス板に蒸着したクロム薄膜をエッチングすることで得られる。ピンホール素子１１１を透過した光は第３の集光レンズ４０６を透過し、第１の複数領域回折格子１０８に入射し、第１の半導体検出器４４上に回折される。図１１に第１の複数領域回折格子１０８の分割形状の一例を示す。上下二つに分割されており、横方向がラジアル方向に一致する。ＥおよびＦの領域の当該層からの反射光は＋１次のみの回折光として、図１３に示す半導体検出器４４の検出領域を照射する。検出領域５５１はＥ領域からの光が、検出領域５５２はＦ領域からの光が入射するように、それぞれの回折光格子の溝形状と溝方向が設計されている。検出領域５５１および５５２は通常の検出領域が暗線領域を挟む構造を有している。通常の検出領域からの信号光をＡＥ１、およびＡＥ２、ＡＦ１、ＡＦ２としたとき、フォーカスエラー信号ＡＦはＡＦ＝ＡＥ１−ＡＥ２−（ＡＦ１−ＡＦ２）となる。図１において、ハーフビームスプリッターで反射された第２のビームは第２の集光レンズ４０８により第２のピンホール素子１１０上に集光される。ここでは、第１と第２の集光レンズ４０５、４０８の焦点距離がほぼ等しいため、第２のピンホール素子のピンホールの大きさは第１のピンホール径より小さく設定されており、トラッキングエラー信号の変動を小さくする効果を有する。復路倍率２０倍の光学系としたときには、第２のピンホールの径は４０μｍにする必要がある。第２のピンホール素子を透過した光は第４の集光レンズと第2の複数領域回折格子１０９を透過する。図１２に第２の複数領域回折格子の分割形状を示す。横方向がラジアル方向となっており、照射光のボールパターンも同時に示す。それぞれの６領域の回折格子は、＋1次光のみを発生する。第２の複数領域回折格子からの回折光を検出する第２の半導体検出器４５の検出領域の一例を図１４に示す。検出領域５５７、５５８、５５９、５６０、５６１、５６２にそれぞれの回折格子の領域Ｄ、Ｂ、Ａ、Ｃ、Ｇ、Ｈからの回折光が入射する。このとき、トラッキングエラー信号ＴＲはＴＲ＝ＴＧ−ＴＨ−ｋ・（ＴＢ＋ＴＣ−ＴＡ−ＴＤ）のように表わされる。ｋはトラッキングエラー信号のレンズシフトによるＤＣオフセットを取り除くために使用する調整用定数である。また、データ信号ＲＦはすべての信号を加えたものであり、ＲＦ＝ＴＧ＋ＴＨ＋ＴＢ＋ＴＣ＋ＴＡ＋ＴＤとなる。生成されたＡＦおよびＴＲ信号でアクチュエータ５４にフィードバックがかけられ、光軸方向とラジアル方向の対物レンズの位置制御が行われる。
【００２０】
以上のように、本発明によると、各層ごとに分離したフォーカスエラー信号を得ることが出来ると同時に、層間隔の変動に伴ってトラッキングエラー信号が変動する現象を小さくすることができる。これにより、それぞれの層へのフォーカス位置の移動と精度の高いレーザ光照射位置の制御が可能となり、読出しおよび書込みのときのレーザ照射位置を正確に決められるので信号の品質が向上する。また、データ信号自体も隣接層からの反射光の混入が小さくなるので、エラーの少ないデータ信号を得ることができる。
【実施例２】
【００２１】
実施例１ではハーフビームスプリッターによりビームを２分割し、それぞれにピンホールを用いて信号を検出した。本実施例ではビームを２分割しない。図２に光学系の概略を示す。光ディスク５０１からの反射光は偏光ビームスプリッタ１０４で反射され、第１の集光レンズ４０５に入射し、ピンホール素子１１２上に集光される。ピンホール素子１１２の形状を図１５に示す。１１４の領域は光を透過しない。１１５は円環状の部分を、１１６はその内部の円状の部分を指し示す。１１５と１１６の領域は光を透過するが、透過光の偏光状態は互いに直交するようになっている。ここで、横方向の直線偏光がピンホール素子１１２に入射するものとする。内部領域１１６の透過光の偏光状態に変化はないものとし、一方、円環部分１１５はλ／２板からなり、透過光の偏光状態は縦方向の直線偏光に変わるものとする。円環部分１１５はホトニック結晶を使用することで作製可能である。これらの透過光は図１６に示す複数領域回折格子１１３に入射するが、複数領域回折格子の領域Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｅ，Ｆは横方向の直線偏光を透過する偏光板が設置され、領域Ｇ、Ｈは偏光方向に関係なく入射光が透過するようになっている。複数領域回折格子の透過光はそれぞれの領域に形成された周期的な溝により回折され、図１７に示す半導体検出器４６上の所定の検出領域に入射する。複数領域回折格子１１３のＡからＦまでの領域の回折光は＋1次光のみであり、検出領域５５９、５５８、５６０、５５７、６５１、５６２に入射する。中心領域のＧとＨは＋１次光と−1次光を出射する。＋１次光は検出領域５５６、５５５に入射し、−1次光は検出領域５５１、５５２に入射する。トラッキングエラー信号ＴＲはＴＲ＝ＴＦ−ＴＥ−ｋ・（ＴＢ＋ＴＣ−ＴＡ−ＴＤ）のように表わされる。フォーカスエラー信号ＡＦはＡＦ＝ＡＧ１−ＡＧ２−（ＡＨ１−ＡＨ２）となる。また、データ信号であるＲＦ信号はＲＦ＝ＴＦ＋ＴＥ＋ＴＢ＋ＴＣ＋ＴＡ＋ＴＤ＋ＲＨ＋ＲＧとなる。トラッキングエラー信号には図１５の円環部分１１５からの透過光が入射しないので、信号の変動を防ぐことが可能である。フォーカスエラー信号には図１５の円環部分と内部１１６からの透過光が入射するので、フォーカスの引き込み範囲が狭くなることはないので層間ジャンプを正確に出来る。データ信号には円環部分の透過光が使用されるので、層間クロストークである他層からの迷光が入ることになるが、ハイパスフィルターを使用することで迷光成分を除去できるので、信号品質の劣化を防ぐことが出来る。
【実施例３】
【００２２】
図１８に示した実施例３では、偏光ビームスプリッタ１０４がコリメータレンズ４０３より半導体レーザ１０１側に設置されている。従って、半導体レーザ１０１から出射したレーザ光は発散光の状態で偏光ビームスプリッタ１０４を透過し、その後コリメータレンズ４０３でコリメートされた光ビームに変換されてλ／４板１０５に入射する。実施例２では偏光ビームスプリッタ１０４がコリメータレンズ４０３と対物レンズ４０４の間に設置されていたため、集光レンズ４０５が必要であったが、実施例３では図１８に示すように、多層ディスク５０１の読出し対象層５１１から反射された光ビームはコリメータレンズ４０３を戻ると収束光になるため、集光レンズ４０５を必要としない。また、同様に図２における球面収差補正素子１０２は除去され、コリメータレンズ４０３を光軸方向に移動することで球面収差補償を行う。実施例３では、光学部品の点数を削減できる効果がある。
【実施例４】
【００２３】
層間クロストークの影響を抑制することが可能な光ディスクドライブ装置の実施例を図１９に示す。７１１から７１４までの回路はデータを多層光ディスク５０１に記録するためのものである。７１１は誤り訂正用符号化回路であり、データに誤り訂正符号が付加される。７１２は記録符号化回路であり、１−７ＰＰ方式でデータを変調する。７１３は記録補償回路であり、マーク長に適した書込みのためのパルスを発生する。発生したパルス列に基づき、半導体レーザ駆動回路７１４により、光ピックアップ６０内の半導体レーザを駆動し、対物レンズから出射したレーザ光８０を変調する。モータ５０２によって回転駆動される光ディスク５０１上にはレーザ光により反射率が異なるマーク形成される。書き込み状態では、レーザ光のコヒーレンシーを低下させる高周波重畳を行わないため、隣接層からの反射光と当該層からの反射光は干渉しやすい状態になっている。このため、TR信号の変動を低減するための対策を行わない場合は、トラッキングがはずれたり、隣接トラックのデータを消したりする不具合が生じる。本実施例の光ピックアップ６０には実施例１から３で示された光ピックアップのいずれかが採用されており、多層ディスクにおいてもトラッキングの不具合は生じない。
【００２４】
７２１から７２６の回路はデータの読み出しのためのものである。７２１はイコライザーであり、最短マーク長付近の信号雑音比を改善する。この信号は７２２のＰＬＬ回路に入力され、クロックが抽出される。また、イコライザーで処理されたデータ信号は抽出されたクロックのタイミングで７２３のＡ−Ｄ変換器でデジタル化される。７２４はＰＲＭＬ（Partial Response Maximum Likelihood）信号処理回路であり、ビタビ復号を行う。記録復号化回路７２５では１−７ＰＰ方式の変調規則に基づき復号化し、誤り訂正回路７２６でデータを復元する。
【産業上の利用可能性】
【００２５】
本発明によれば、多層迷光の影響を抑制することができるので、多層光ディスクを読み出す光ピックアップに適用可能である。
【符号の説明】
【００２６】
４４、４５、４６：半導体検出器、５３：信号処理回路、１０１：半導体レーザ、１０２：球面収差補償素子、１０４：偏光ビームスプリッタ、１０５：λ／４板、１０７：ハーフビームスプリッター、１０６、１０８、１０９、１１３：複数領域回折格子、１１０、１１１、１１２：ピンホール素子、４０４：対物レンズ、４０５、４０６、４０８、４０９：集光レンズ、４０７：コリメータレンズ、５０１：多層ディスク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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