(57)【要約】【課題】放電開始電圧を低下させることができるＰＤＰ用の前面板を提供する。【解決手段】放電電極を被覆する誘電体層と、該誘電体層の上に形成された誘電体保護層とを含むプラズマディスプレイパネル用の前面板であって、誘電体保護層の上に、ＭｇとＣａ及び／又はＳｒとをモル比で９９．５：０．５〜４０：６０の範囲にて含むアルカリ土類金属酸化物粉末が点在していることを特徴とするプラズマディスプレイパネル用の前面板。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放電電極を被覆する誘電体層と、該誘電体層の上に形成された誘電体保護層とを含むプラズマディスプレイパネル用の前面板であって、誘電体保護層の上に、ＭｇとＣａ及び／又はＳｒとをモル比で９９．５：０．５〜４０：６０の範囲にて含むアルカリ土類金属酸化物粉末が点在していることを特徴とするプラズマディスプレイパネル用の前面板。
【請求項２】
アルカリ土類金属酸化物粉末の表面に、アルカリ土類金属のフッ化物領域が形成されている請求項１に記載の前面板。
【請求項３】
フッ化物領域が、アルカリ土類金属酸化物粉末の質量を１００質量部としたときに、フッ素量として０．０１〜８．０質量部の範囲となるように形成されている請求項２に記載の前面板。
【請求項４】
ＭｇとＣａ及び／又はＳｒとをモル比で、９９．５：０．５〜４０：６０の範囲にて含むアルカリ土類金属酸化物粉末からなる、プラズマディスプレイパネル用の電子放出材料。
【請求項５】
表面に、アルカリ土類金属のフッ化物領域が形成されている請求項４に記載の電子放出材料。
【請求項６】
フッ化物領域が、アルカリ土類金属酸化物粉末の質量を１００質量部としたときに、フッ素量として０．０１〜８．０質量部の範囲となるように形成されている請求項５に記載の電子放出材料。
【請求項７】
Ｃａ及び／又はＳｒを含むアルカリ土類金属酸化物粉末であって、表面にアルカリ土類金属のフッ化物領域が形成されている、プラズマディスプレイパネル用の電子放出材料。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマディスプレイパネル用の前面板に関する。本発明はまた、上記前面板の誘電体保護層の上に点在させて、プラズマディスプレイパネルの放電開始電圧の低下を実現するのに有効な電子放出材料にも関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマディスプレイパネル（以下ＰＤＰという）は、一般に、画像表示面となる前面板と、放電ガスが充填された放電空間を挟んで対向配置された背面板とからなる。前面板は、前面透明基板、前面透明基板の上に形成された一対の放電電極、放電電極を被覆する誘電体層、そして誘電体層の表面に形成された誘電体保護層からなる。背面板は、背面透明基板、背面透明基板の上に形成されたアドレス電極、背面透明基板とアドレス電極とを被覆し、かつ放電空間を区画する隔壁、そして隔壁の表面に配置された赤、緑、青の蛍光体で形成された蛍光体層からなる。ＰＤＰの特性を改善させる方法として、前面板の誘電体保護層の上に、金属酸化物の粉末を配置する方法が知られている。
【０００３】
特許文献１には、高精細で高輝度の表示性能を備え、かつ低消費電力のＰＤＰを実現する方法として、前面板の誘電体保護層の上に、Ａｌを含有するＭｇＯからなる下地膜を設け、その下地膜の上に、金属酸化物からならなる複数個の結晶粒子が凝集した凝集粒子を付着させる方法が記載されている。この特許文献１には、結晶粒子の例としてＭｇ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ａｌ等の金属の酸化物粒子が記載されている。
【０００４】
特許文献２には、ＰＤＰの駆動電圧を低下させる方法として、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａより選ばれた一種類以上とＳｂとＯを含む化合物を電子放出材料として、前面板の誘電体保護層の上に配置する方法が記載されている。この特許文献２によれば、二次電子放出効率は高いが化学的に不安定なＣａＯ、ＳｒＯ、ＢａＯに、Ｓｂ2Ｏ3またはＳｂ2Ｏ5あるいはその両者を反応させ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのいずれか一種類以上とＳｂとＯを含む化合物とすることにより、二次電子放出効率を低下させずに化学的な安定を高めることができるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１２９６１７号公報
【特許文献２】特開２０１０−３３８０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、ＰＤＰの放電電圧、特に放電開始電圧を低下させるのに有用なＰＤＰ用の前面板を提供することにある。本発明の目的はまた、二次電子放出効率が高いＣａＯあるいはＳｒＯを含有しながらも化学的に安定で、ＰＤＰの前面板の誘電体保護層の上に点在させることによって、放電開始電圧を低下させることができる電子放出材料を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、ＭｇとＣａ及び／又はＳｒとをモル比で９９．５：０．５〜４０：６０の範囲にて含有するアルカリ土類金属酸化物粉末は、ＣａＯやＳｒＯを含有しながらも、ＰＤＰの電子放出材料として用いるには実用上問題とならないレベルで化学的に安定し、かつＭｇＯ単体と比較して、ＰＤＰの放電開始電圧を低下させる効果が大きいことを見出した。そして、更に研究を進めた結果、上記のアルカリ土類金属酸化物粉末の表面にフッ化物領域を形成することによって、化学的な安定性が更に向上することを見出して、本発明を完成させた。
【０００８】
従って、本発明は、放電電極を被覆する誘電体層と、該誘電体層の上に形成された誘電体保護層とを含むプラズマディスプレイパネル用の前面板であって、誘電体保護層の上に、ＭｇとＣａ及び／又はＳｒとをモル比で９９．５：０．５〜４０：６０の範囲にて含むアルカリ土類金属酸化物粉末が点在していることを特徴とするプラズマディスプレイパネル用の前面板にある。
【０００９】
本発明のプラズマディスプレイパネル用前面板の好ましい態様は次の通りである。
（１）アルカリ土類金属酸化物粉末の表面に、アルカリ土類金属のフッ化物領域が形成されている。
（２）上記フッ化物領域が、アルカリ土類金属酸化物粉末の質量を１００質量部としたときに、フッ素量として０．０１〜８．０質量部の範囲となるように形成されている。
【００１０】
本発明はまた、ＭｇとＣａ及び／又はＳｒとをモル比で、９９．５：０．５〜４０：６０の範囲にて含むアルカリ土類金属酸化物粉末からなる、プラズマディスプレイパネル用の電子放出材料にもある。
【００１１】
本発明の電子放出材料の好ましい態様は次の通りである。
（１）表面に、アルカリ土類金属のフッ化物領域が形成されている。
（２）上記フッ化物領域が、アルカリ土類金属酸化物粉末の質量を１００質量部としたときに、フッ素量として０．０１〜８．０質量部の範囲となるように形成されている。
【００１２】
本発明者はさらに、表面にフッ化物領域を形成したアルカリ土類金属酸化物粉末は、ＣａＯやＳｒＯを含有しながらも、ＰＤＰの電子放出材料として用いるには実用上問題とならないレベルで化学的に安定し、かつＭｇＯ単体と比較して、ＰＤＰの放電開始電圧を低下させる効果が大きいことを見出した。従って、本発明は、Ｃａ及び／又はＳｒを含むアルカリ土類金属酸化物粉末であって、表面にアルカリ土類金属のフッ化物領域が形成されている、プラズマディスプレイパネル用の電子放出材料にもある。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のＰＤＰ用前面板を用いることによってＰＤＰの放電開始電圧が低下する。また、本発明のＰＤＰ用電子放出材料をＰＤＰの放電空間に接する部位（例：誘電体保護層の上）に配置するＰＤＰの放電開始電圧が低下する。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明に従う前面板を備えたＰＤＰの断面図の一例である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明において、ＰＤＰの電子放出材料として用いるアルカリ土類金属酸化物粉末は、ＭｇＯとＣａＯ及び／又はＳｒＯを含有する。アルカリ土類金属酸化物粉末のＭｇとＣａ及び／又はＳｒの含有量はモル比（Ｍｇ：Ｃａ及び／又はＳｒ）で９９．５：０．５〜４０：６０の範囲、好ましくは９９．５：０．５〜６０：４０の範囲、特に好ましくは９９．５：０．５〜８０：２０の範囲である。
【００１６】
上記アルカリ土類金属酸化物粉末は、平均粒子径が１０〜１０００ｎｍの範囲にあることが好ましく、１００〜８００ｎｍの範囲にあることがより好ましい。
【００１７】
上記アルカリ土類金属酸化物粉末は、表面にフッ化物領域が形成されていることが好ましい。フッ化物領域は、ＣａＦ2及び／又はＳｒＦ2により形成されていることが好ましい。フッ化物領域は、アルカリ土類金属酸化物粉末の質量を１００質量部としたときに、フッ素量が０．０１〜８．０質量部（より好ましくは０．１〜８．０質量部）の範囲となるように形成されていることが好ましい。フッ化物領域は、アルカリ土類金属酸化物粉末とフッ化アンモニウム粉末とを混合し、得られた粉末混合物を３００〜６００℃の温度で加熱してフッ化アンモニウム粉末を熱分解させ、フッ化アンモニウム粉末の熱分解により生成した熱分解ガスをアルカリ土類金属酸化物粉末の表面に接触させることによって形成することができる。フッ化物領域は、アルカリ土類金属酸化物粉末の表面全体に形成されていることが好ましい。アルカリ土類金属酸化物粉末の表面にフッ化物領域が形成されていることは、アルカリ土類金属酸化物粉末のＸ線回折パターン及びＴＥＭ（透過型電子顕微鏡）による観察により確認することができる。
【００１８】
上記アルカリ土類金属酸化物粉末は、ＭｇＯ源とＣａＯ源及び／又はＳｒＯ源とを混合し、得られた混合物を１０００〜１５００℃の温度で加熱することによって製造することができる。ＭｇＯ源、ＣａＯ源及びＳｒＯ源には、酸化物、水酸化物、炭酸塩（塩基性炭酸塩を含む）、硝酸塩、シュウ酸塩及び酢酸塩を用いることができる。
【００１９】
次に、本発明のＰＤＰ用前面板について、添付図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明に従うＰＤＰ用前面板を備えたＰＤＰの断面図である。図１において、ＰＤＰ（交流型ＰＤＰ）は、前面板１０と放電ガスが充填された放電空間２０を挟んで対向配置された背面板３０とからなる。
【００２０】
前面板１０は、透明基板１１と、透明基板の上に形成された一対の放電電極１４ａ、１４ｂ（それぞれ、透明電極１２ａ、１２ｂとバス電極１３ａ、１３ｂとからなる）と、放電電極１４ａ、１４ｂを被覆する誘電体層１５と、誘電体層の上に形成された誘電体保護層１６と、誘電体保護層１６の表面に点在している前記アルカリ土類金属酸化物粉末１７とからなる。
【００２１】
透明基板１１の例としてはガラス基板が挙げられる。透明電極１２ａ、１２ｂの材料の例としては、ＩＴＯ、ＺｎＯ及びＳｎＯ2を挙げることができる。バス電極１３ａ、１３ｂの材料の例としては、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層金属材料を挙げることができる。
【００２２】
誘電体層１５は、一般に低融点ガラス組成物から形成されている。低融点ガラス組成物の例としては、酸化亜鉛、三酸化二ホウ素及び酸化ケイ素の混合物（ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2）を主成分とするガラス組成物、酸化鉛、三酸化二ホウ素及び酸化ケイ素の混合物（ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2）を主成分とするガラス組成物、酸化鉛、三酸化二ホウ素、酸化ケイ素及び酸化アルミニウムの混合物（ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2−Ａｌ2Ｏ3）を主成分とするガラス組成物、酸化鉛、酸化亜鉛、三酸化二ホウ素及び酸化ケイ素の混合物（ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2）を主成分とする低融点ガラス組成物が挙げられる。誘電体層１５の厚さは、１０〜５０μｍの範囲にあることが好ましい。
【００２３】
誘電体保護層１６は、酸化マグネシウムから形成されていることが好ましい。酸化マグネシウムからなる誘電体保護層は、電子ビーム蒸着法により成形することが好ましい。誘電体保護層１６の厚さは、０．０１〜５０μｍの範囲にあることが好ましく、０．１〜１０μｍの範囲にあることが特に好ましい。
【００２４】
アルカリ土類金属酸化物粉末１７は、誘電体保護層１６の表面に一次粒子の形で点在していてもよいし、凝集粒子（二次粒子）として点在していてもよい。凝集粒子として存在する場合は、凝集粒子の平均サイズは、０．５〜１０μｍの範囲にあることが好ましい。誘電体保護層１６の表面に点在するアルカリ土類金属酸化物粉末の量は、誘電体保護層の表面をアルカリ土類金属酸化物粉末が占める占有面積が、誘電体保護層全体の面積に対して１〜３０％の範囲となる量であることが好ましく、５〜１５％の範囲となる量であることがより好ましい。アルカリ土類金属酸化物粉末の占有面積は、走査型電子顕微鏡により得られる誘電体保護層の拡大写真から測定することができる。
【００２５】
アルカリ土類金属酸化物粉末１７を誘電体保護層１６の表面に点在させる方法としては、アルカリ土類金属酸化物粉末の分散液を、誘電体保護層の上に塗布した後、乾燥する方法を用いることができる。分散液の溶媒の例としては、エチルアルコール、プロピルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール、イソブチルアルコール、ｓ−ブチルアルコール、ｔ−ブチルアルコールなどのアルコール類、アセトン、エチルメチルケトン、メチルプロピルケトンなどのケトン類を挙げることができる。
【００２６】
放電空間２０には、放電ガスが充填される。放電ガスとしては、一般にＸｅとＮｅの混合ガスが用いられる。
【００２７】
背面板３０は、透明基板３１と、透明基板３１の上に形成されたアドレス電極３２と、アドレス電極３２を被覆する誘電体層３３と、放電空間２０を区画する隔壁３４と、誘電体層３３と隔壁３４の表面に形成された蛍光体層３５とからなる。
【００２８】
透明基板３１の例としてはガラス基板が挙げられる。アドレス電極３２の材料の例としては、Ａｇ、Ａｌ、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒの積層金属材料を挙げることができる。誘電体層３３及び隔壁３４は、一般に低融点ガラス組成物からなる。低融点ガラス組成物の例は上記と同様である。蛍光体層３５は、一般に赤色発光蛍光体、緑色発光蛍光体及び青色発光蛍光体のうちのいずれかの蛍光体から形成される。
【００２９】
なお、ＭｇとＣａ及び／又はＳｒとを含むアルカリ土類金属酸化物粉末の代わりに、表面にフッ化物領域が形成されている、ＣａＯ粉末、ＳｒＯ粉末もしくはＣａＯとＳｒＯの複合体の粉末を用いることもできる。
【実施例】
【００３０】
［実施例１］
純水２００ｇに、酢酸ストロンチウム粉末（純度：９９質量％）２．６９ｇを投入し、撹拌して溶解させて酢酸ストロンチウム水溶液を調製した。得られた酢酸ストロンチウム水溶液に、酸化マグネシウム粉末（純度：９９．９８質量％）５０ｇを投入し、１５分間撹拌混合してスラリーを得た。得られたスラリーをスプレードライヤーを用いて、１４５℃の温度で噴霧乾燥して乾燥粉を得た。得られた乾燥粉をアルミナるつぼに投入し、蓋をして、１２００℃の温度で３時間焼成してＭｇとＳｒとをモル比で９９：１の割合で含む（Ｍｇ0.99，Ｓｒ0.01）Ｏ粉末を得た。得られた（Ｍｇ0.99，Ｓｒ0.01）Ｏ粉末について平均粒子径と恒温恒湿雰囲気下での質量増加率を測定した。また、該粉末を誘電体保護層の上に点在させたＰＤＰ用前面板を作製し、その放電開始電圧を測定した。その結果を表１に示す。なお、恒温恒湿雰囲気下での質量増加率とＰＤＰ用前面板の放電開始電圧は、次のようにして測定した。
【００３１】
［平均粒子径の測定方法］
試料粉末のＢＥＴ法により比表面積を測定し、得られた比表面積から比表面積径を算出して、これを平均粒子径とする。比表面積径の算出方法は、「粉体−理論と応用−」（丸善株式会社、昭和５４年５月１２日発行）のｐ．４５３−４５４に記載されている。
【００３２】
［恒温恒湿雰囲気下での質量増加率の測定方法］
（１）試料粉末（質量：Ｗ1）を、１０００℃の温度で１時間加熱し、加熱後の質量（Ｗ2）を測定する。
（２）別に用意した試料粉末を、温度が３０℃、相対湿度が８０％に調整された恒温恒湿槽に１４時間静置し、静置後の質量（Ｗ3）を測定する。次いで、恒温恒湿槽に静置した後の試料粉末を１０００℃の温度で１時間加熱し、加熱後の質量（Ｗ4）を測定する。
（３）恒温恒湿雰囲気下での質量増加率を下記の式により算出する。
質量増加率（質量％）＝１００×（Ｗ3−Ｗ4）／Ｗ3−１００×（Ｗ1−Ｗ2）／Ｗ1
【００３３】
［ＰＤＰ用前面板の放電開始電圧の測定方法］
（１）試料粉末分散液の調製
試料粉末を温度が３０℃、相対湿度が８０％に調整された恒温恒湿槽に１４時間静置する。静置後の試料粉末をイソプロピルアルコールに試料粉末を分散させ、濃度１質量％のアルカリ土類金属酸化物分散液を調製する。
（２）ＰＤＰ用前面板の作製
ホウ珪酸ガラス基板（縦横の長さ５０ｍｍ、厚さ０．５５ｍｍ）の上に互いに０．１ｍｍ間隔で平行に配置された一対の放電電極を１０組形成し、次いで、該放電電極の表面に低融点ガラス組成物を塗布して誘電体層（厚み：１０μｍ）を形成した後、誘電体層の上に電子ビーム蒸着法により酸化マグネシウム製誘電体保護層（厚さ：１μｍ）を形成して、ガラス基板、ガラス基板の上に形成された一対の放電電極、放電電極を被覆する誘電体層、そして誘電体層の表面に形成された誘電体保護層からなる積層体を作製する。次に、積層体の誘電体保護層の上に、上記（１）で調製した試料粉末分散液をエアーブラシで噴霧した後、箱形電気炉に入れて５００℃の温度で３０分間焼成することによって、誘電体保護層の上に試料粉末を点在させて、ＰＤＰ用前面板を作製する。
【００３４】
（３）放電開始電圧の測定
上記（２）で作製したＰＤＰ用前面板を、ステンレス製真空チャンバーに設置し、真空チャンバー内を１０Ｐａ以下にまで減圧したのち、Ｎｅガス９５体積％＋Ｘｅガス５体積％の混合ガスを６０ｋＰａの圧力となるように封入する。次いで、ＰＤＰ用前面板の電極に電圧を印加し、その印加電圧を上昇させ、放電部が全点灯したときの電圧値をオシロスコープで読み取り、これを放電開始電圧とする。
【００３５】
［実施例２］
実施例１で得た（Ｍｇ0.99，Ｓｒ0.01）Ｏ粉末１０ｇとフッ化アンモニウム粉末（純度：９９．９９質量％）０．０５ｇとを混合し、得られた粉末混合物をアルミナるつぼに投入し、蓋をして、５００℃の温度で３時間加熱処理した。加熱処理後の（Ｍｇ0.99，Ｓｒ0.01）Ｏ粉末について、Ｘ線回折パターンを測定したところ、ＳｒＦ2の回折ピークが検出されるとともにＴＥＭによる観察により、該粉末の表面にＳｒＦ2領域が形成されていることが確認された。加熱処理後の（Ｍｇ0.99，Ｓｒ0.01）Ｏ粉末について、平均粒子径と恒温恒湿雰囲気下での質量増加率、そして該粉末を誘電体保護層の上に点在させたＰＤＰ用前面板の放電開始電圧を上記の方法により測定した。その結果を表１に示す。また、該粉末について、下記の方法によりフッ素含有量を測定した。その結果を表１に示す。
【００３６】
［フッ素含有量の測定方法］
ランタン−アリザリコンプレキソン吸光光度法により測定する。
【００３７】
［実施例３］
フッ化アンモニウム粉末の量を０．１ｇとしたこと以外は、実施例２と同様にして（Ｍｇ0.99，Ｓｒ0.01）Ｏ粉末を加熱処理した。加熱処理後の（Ｍｇ0.99，Ｓｒ0.01）Ｏ粉末について、Ｘ線回折パターンを測定したところ、ＳｒＦ2の回折ピークが検出されるとともにＴＥＭによる観察により、該粉末の表面にＳｒＦ2領域が形成されていることが確認された。加熱処理後の（Ｍｇ0.99，Ｓｒ0.01）Ｏ粉末について、平均粒子径とフッ素含有量と恒温恒湿雰囲気下での質量増加率、そして該粉末を誘電体保護層の上に点在させたＰＤＰ用前面板の放電開始電圧を上記の方法により測定した。その結果を表１に示す。
【００３８】
［実施例４］
酢酸ストロンチウム粉末の量を１４．０２ｇとしたこと以外は、実施例１と同様にして、ＭｇとＳｒとをモル比で９５：５の割合で含む（Ｍｇ0.95，Ｓｒ0.05）Ｏ粉末を得た。得られた（Ｍｇ0.95，Ｓｒ0.05）Ｏ粉末について、平均粒子径と恒温恒湿雰囲気下での質量増加率、そして該粉末を誘電体保護層の上に点在させたＰＤＰ用前面板の放電開始電圧を上記の方法により測定した。その結果を表１に示す。
【００３９】
［実施例５］
実施例４で得た（Ｍｇ0.95，Ｓｒ0.05）Ｏ粉末１０ｇとフッ化アンモニウム粉末０．４４ｇとを混合し、得られた粉末混合物をアルミナるつぼに投入し、蓋をして、５００℃の温度で３時間加熱処理した。加熱処理後の（Ｍｇ0.95，Ｓｒ0.05）Ｏ粉末について、Ｘ線回折パターンを測定したところ、ＳｒＦ2の回折ピークが検出されるとともにＴＥＭによる観察により、該粉末の表面にＳｒＦ2領域が形成されていることが確認された。加熱処理後の（Ｍ0.95，Ｓｒ0.05）Ｏ粉末について、平均粒子径とフッ素含有量と恒温恒湿雰囲気下での質量増加率、そして該粉末を誘電体保護層の上に点在させたＰＤＰ用前面板の放電開始電圧を上記の方法により測定した。その結果を表１に示す。
【００４０】
［実施例６］
純水２００ｇに、酢酸カルシウム粉末（純度：９９質量％）６．９８ｇと酢酸ストロンチウム粉末（純度：９９質量％）８．５０ｇを投入し、撹拌して溶解させて酢酸カルシウムと酢酸ストロンチウムの混合水溶液を調製した。得られた混合水溶液に、酸化マグネシウム粉末（純度：９９．９８質量％）５０ｇを投入し、１５分間撹拌して、スラリーを得た。得られたスラリーをスプレードライヤーを用いて、１４５℃の温度で噴霧乾燥して、乾燥粉を得た。得られた乾燥粉を焼成容器に投入し、蓋をして、１２００℃の温度で３時間焼成して、ＭｇとＣａとＳｒをモル比で９４：３：３の割合で含む（Ｍｇ0.94，Ｃａ0.03，Ｓｒ0.03）Ｏ粉末を得た。得られた（Ｍｇ0.94，Ｃａ0.03，Ｓｒ0.03）Ｏ粉末について、平均粒子径と恒温恒湿雰囲気下での質量増加率、そして該粉末を誘電体保護層の上に点在させたＰＤＰ用前面板の放電開始電圧を上記の方法により測定した。その結果を表１に示す。
【００４１】
［実施例７］
実施例６で得た（Ｍｇ0.94，Ｃａ0.03，Ｓｒ0.03）Ｏ粉末１０ｇとフッ化アンモニウム粉末０．５ｇとを混合し、得られた粉末混合物をアルミナるつぼに投入し、蓋をして、５００℃の温度で３時間加熱処理した。加熱処理後の（Ｍｇ0.94，Ｃａ0.03，Ｓｒ0.03）Ｏ粉末について、Ｘ線回折パターンを測定したところ、ＣａＦ2とＳｒＦ2の回折ピークが検出されるとともにＴＥＭによる観察により、該粉末の表面にＣａＦ2領域とＳｒＦ2領域とが形成されていることが確認された。加熱処理後の（Ｍｇ0.94，Ｃａ0.03，Ｓｒ0.03）Ｏ粉末について、平均粒子径と、フッ素含有量と、恒温恒湿雰囲気下での質量増加率と、該粉末を誘電体保護層の上に点在させたＰＤＰ用前面板の放電開始電圧とを、上記の方法により測定した。その結果を表１に示す。
【００４２】
［実施例８］
フッ化アンモニウム粉末の量を１．０ｇとしたこと以外は、実施例７と同様にして加熱処理を行なった。加熱処理後の（Ｍｇ0.94，Ｃａ0.03，Ｓｒ0.03）Ｏ粉末について、Ｘ線回折パターンを測定したところ、ＣａＦ2とＳｒＦ2の回折ピークが検出されるとともにＴＥＭによる観察により、該粉末の表面にＣａＦ2領域とＳｒＦ2領域とが形成されていることが確認された。加熱処理後の（Ｍｇ0.94，Ｃａ0.03，Ｓｒ0.03）Ｏ粉末について、平均粒子径と、フッ素含有量と、恒温恒湿雰囲気下での質量増加率と、該粉末を誘電体保護層の上に点在させたＰＤＰ用前面板の放電開始電圧とを、上記の方法により測定した。その結果を表１に示す。
【００４３】
［実施例９］
純水２００ｇに、酢酸カルシウム粉末（純度：９９質量％）２．２１ｇを投入し、撹拌して溶解させて酢酸カルシウム水溶液を調製した。得られた酢酸カルシウム水溶液に、酸化マグネシウム粉末（純度：９９．９８質量％）５０ｇを投入し、１５分間撹拌して、スラリーを得た。得られたスラリーをスプレードライヤーを用いて、１４５℃の温度で噴霧乾燥して乾燥粉を得た。得られた乾燥粉をアルミナるつぼに投入し、蓋をして、１２００℃の温度で３時間焼成してＭｇとＣａとをモル比で９９：１の割合で含む（Ｍｇ0.99，Ｃａ0.01）Ｏ粉末を得た。得られた（Ｍｇ0.99，Ｃａ0.01）Ｏ粉末１０ｇとフッ化アンモニウム粉末０．１０ｇとを混合し、得られた粉末混合物をアルミナるつぼに投入し、蓋をして、５００℃の温度で３時間加熱処理した。加熱処理後の（Ｍｇ0.99，Ｃａ0.01）Ｏ粉末について、Ｘ線回折パターンを測定したところ、ＣａＦ2の回折ピークが検出されるとともにＴＥＭによる観察により、該粉末の表面にＣａＦ2領域が形成されていることが確認された。加熱処理後の（Ｍ0.99，Ｃａ0.01）Ｏ粉末について、平均粒子径と、フッ素含有量と、恒温恒湿雰囲気下での質量増加率と、該粉末を誘電体保護層の上に点在させたＰＤＰ用前面板の放電開始電圧とを、上記の方法により測定した。その結果を表１に示す。
【００４４】
［比較例１］
酸化マグネシウム粉末（平均粒子径：１９０ｎｍ）を誘電体保護層の上に点在させたＰＤＰ用前面板を作製し、その放電開始電圧を、上記の方法により測定した。その結果を表１に示す。
【００４５】
表１
────────────────────────────────────────
Ｍｇ：Ｃａ：Ｓｒ  平均粒子径  Ｆ含有量    質量増加率  放電開始電圧
（モル比）      （ｎｍ）    （質量％）  （質量％）    （Ｖ）
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実施例１  ９９：  ０：  １    ６９０        −      １．６０      ２５６
実施例２  ９９：  ０：  １    ６８０    ０．２５    ０．５６      ２４８
実施例３  ９９：  ０：  １    ６１０    ０．５０    ０．４５      ２４４
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実施例４  ９５：  ０：  ５    ４５０        −      ７．２４      ２５７
実施例５  ９５：  ０：  ５    ４６０    ２．２      ０．４９      ２４６
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実施例６  ９４：  ３：  ３    ３５０        −      ８．１３      ２５７
実施例７  ９４：  ３：  ３    ３７０    ２．５      １．００      ２４８
実施例８  ９４：  ３：  ３    ４１０    ７．５      ０．３１      ２４８
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実施例９  ９９：  １：  ０    ５００    ０．５０    ０．１５      ２４４
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比較例１  １００：０：  ０    １９０      −        １．３０      ２６０
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【００４６】
表１の結果から明らかなように、本発明に従うアルカリ土類金属酸化物粉末を誘電体保護層の上に点在させたＰＤＰ用前面板（実施例１〜９）は放電開始電圧が、ＭｇＯ粉末を誘電体保護層の上に点在させたＰＤＰ用前面板（比較例１）と比較して低い値を示す。
【符号の説明】
【００４７】
１０  前面板
１１  透明基板
１２ａ、１２ｂ  透明電極
１３ａ、１３ｂ  バス電極
１４ａ、１４ｂ  放電電極
１５  誘電体層
１６  誘電体保護層
１７  アルカリ土類金属酸化物粉末
２０  放電空間
３０  背面板
３１  透明基板
３２  アドレス電極
３３  誘電体層
３４  隔壁
３５  蛍光体層
【図１】
2012185994.tif 000003