(57)【要約】【課題】無機配向膜が基板間導通用電極部の表面を覆っている場合でも、簡素な構成で、基板間導通用電極部と導電粒子とを導通させることのできる液晶装置、液晶装置の製造方法、および当該液晶装置をライトバルブとして用いた投射型表示装置を提供すること。【解決手段】液晶装置１００において、素子基板１０および対向基板２０からなる一対の基板のうち、対向基板２０では、配向膜２６が基板間導通用電極部２５ｔの表面を覆う無機配向膜である。但し、基板間導通用電極部２５ｔが導電粒子２０９ｂより低硬度のアルミニウム合金膜により形成されていることから、導電粒子１０９ｂが配向膜２６を突き破って基板間導通用電極部２５ｔに食い込み、基板間導通用電極部２５ｔと導通している。このため、対向基板２０では、全面に配向膜２６を形成することができ、マスク蒸着を行う必要がない。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶駆動用電極、基板間導通用電極部、および前記液晶駆動用電極を覆う配向膜を、対向するそれぞれの基板面に備える一対の基板と、
前記一対の基板の間に介在して前記基板間導通用電極部同士を導通させるとともに前記基板間導通用電極部の１箇所に対して１個の球形状の導電粒子と、
を有する液晶装置において、
前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板では、
前記基板間導通用電極部が前記球形状の導電粒子より低硬度の金属膜層から形成され、
無機配向膜よりなる前記配向膜が、前記基板間導通用電極部を覆って形成され、
前記球形状の導電粒子が前記無機配向膜を突き破って前記金属膜層に接触していることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記一対の基板は、
前記液晶駆動用電極としての画素電極、前記配向膜としての素子基板側配向膜、および前記基板間導通用電極部としての素子基板側基板間導通用電極部が形成された素子基板と、
前記液晶駆動用電極としての共通電極、前記配向膜としての対向基板側配向膜、および前記基板間導通用電極部としての対向基板側基板間導通用電極部が形成された対向基板と
からなり、
少なくとも前記対向基板において、前記対向基板側配向膜が前記対向基板側基板間導通用電極部を覆う無機配向膜であって、当該対向基板側基板間導通用電極部が前記球形状の導電粒子より低硬度の金属膜層から形成され、前記球形状の導電粒子が前記無機配向膜を突き破って前記金属膜層と導通していることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記対向基板では、全面に前記無機配向膜が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記素子基板において、前記素子基板側配向膜が前記素子基板側基板間導通用電極部の表面を覆う無機配向膜であって、当該素子基板側基板間導通用電極部が前記球形状の導電粒子より低硬度の金属膜層から形成され、前記球形状の導電粒子が前記無機配向膜を突き破って前記金属膜層と導通していることを特徴とする請求項２または３に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記対向基板では、前記共通電極に対して前記素子基板が位置する側とは反対側に、前記金属膜層からなる遮光層が形成されており、
前記対向基板側基板間導通用電極部は、前記共通電極の非形成領域になっていることを特徴とする請求項２乃至４の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記金属膜層はアルミニウム系金属膜であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記金属膜層では、前記アルミニウム系金属膜の表面にバリア層が積層されていることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記球形状の導電粒子は、球形状のグラスファイバーの表面に金属を被覆してなることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記無機配向膜は、シリコン酸化物の斜方蒸着膜であることを特徴とする請求項１乃至８の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項１０】
液晶駆動用電極、基板間導通用電極部、および前記液晶駆動用電極の表面に積層された配向膜が形成されている一方の基板面同士が対向する一対の基板と、該一対の基板間に保持された液晶層と、前記一対の基板の間に介在して前記基板間導通用電極部同士を導通させるとともに前記基板間導通用電極部の１箇所に対して１個の球形状の導電粒子と、を有する液晶装置の製造方法において、
前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板を形成する基板形成工程では、前記基板間導通用電極部を覆う無機配向膜によって前記配向膜を形成するとともに、当該基板間導通用電極部に前記球形状の導電粒子より低硬度の金属膜層を設けておき、
前記一対の基板の間に前記球形状の導電粒子を配置した状態で当該一対の基板を貼り合わせる貼り合わせ工程において、前記球形状の導電粒子が前記無機配向膜を突き破って前記金属膜層と導通している状態とすることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１乃至９の何れか一項に記載の液晶装置を備えた投射型表示装置であって、
前記液晶装置に供給される光を出射する光源部と、
前記液晶装置によって変調された光を投射する投射光学系と、
を有していることを特徴とする投射型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶を保持する一対の基板が導電粒子によって導通する液晶装置、液晶装置の製造方法、および当該液晶装置をライトバルブとして用いた投射型表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、一方面側に画素電極が配列する素子基板と、共通電位が印加される共通電極が設けられた対向基板とがシール材によって貼り合わされ、素子基板と対向基板との間においてシール材で囲まれた領域内には液晶層が保持されている。かかる液晶装置において、共通電極に素子基板から共通電位を供給するにあたっては、いわゆる基板間導通が行われる。基板間導通では、素子基板および対向基板の各々に基板間導通用電極部を設けておき、素子基板と対向基板との間に介在させた導電粒子によって、素子基板および対向基板の基板間導通用電極部同士を導通させる。ここで、素子基板や対向基板にはシリコン酸化膜等の無機配向膜が形成されており、かかる無機配向膜が基板間導通用電極部の表面を覆っていると、基板間導通の妨げとなる。
【０００３】
一方、基板表面の一部をマスクで覆った状態で蒸着を行うマスク蒸着法により、無機配向膜を形成する方法が提案されており、かかる方法によれば、無機配向膜を基板表面の任意の領域に選択的に形成することができる（特許文献１参照）。
【０００４】
また、基板間導通用電極部において無機配向膜の下層側に多孔層を設けておき、導電粒子によって多孔層を変形させて、基板間導通を行う方法が提案されている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−６５４３９号公報
【特許文献２】特開２００９−２５１００３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載の技術では、蒸着マスクの管理や、基板への蒸着マスクの位置合わせ等に多大な手間がかかる。また、マスク精度の影響で基板間導通用電極部の表面にも配向膜が形成されてしまうことがあり、その場合、基板間導通部分の信頼性が低下するという問題点がある。また、特許文献２に記載の技術では、多孔層の形成に多大な工程数が必要となるという問題点がある。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、無機配向膜が基板間導通用電極部の表面を覆っている場合でも、簡素な構成で、基板間導通用電極部と導電粒子とを導通させることのできる液晶装置、液晶装置の製造方法、および当該液晶装置をライトバルブとして用いた投射型表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は、液晶駆動用電極、基板間導通用電極部、および前記液晶駆動用電極を覆う配向膜を、対向するそれぞれの基板面に備える一対の基板と、前記一対の基板の間に介在して前記基板間導通用電極部同士を導通させるとともに前記基板間導通用電極部の１箇所に対して１個の球形状の導電粒子と、を有する液晶装置において、前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板では、前記基板間導通用電極が前記球形状の導電粒子より低硬度の金属膜層から形成され、無機配向膜よりなる前記配向膜が、前記基板間導通用電極部を覆って形成され、前記球形状の導電粒子が前記無機配向膜を突き破って前記金属膜層に接触していることを特徴とする。本発明において、「基板間導通用電極部が導電粒子より低硬度の金属膜層から形成され」とは、基板間導通用電極部が導電粒子より低硬度の金属膜層からなる場合の他、基板間導通用電極部が導電粒子より低硬度の金属膜層と他の層との多層である場合を含む意味である。
【０００９】
また、本発明は、液晶駆動用電極、基板間導通用電極部、および前記液晶駆動用電極の表面に積層された配向膜が形成されている一方の基板面同士が対向する一対の基板と、該一対の基板間に保持された液晶層と、前記一対の基板の間に介在して前記基板間導通用電極部同士を導通させるとともに前記基板間導通用電極部の１箇所に対して１個の球形状の導電粒子と、を有する液晶装置の製造方法において、前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板を形成する基板形成工程では、前記基板間導通用電極部を覆う無機配向膜によって前記配向膜を形成するとともに、当該基板間導通用電極部に前記球形状の導電粒子より低硬度の金属膜層を設けておき、前記一対の基板の間に前記球形状の導電粒子を配置した状態で当該一対の基板を貼り合わせる貼り合わせ工程において、前記球形状の導電粒子が前記無機配向膜を突き破って前記金属膜層と導通している状態とすることを特徴とする。
【００１０】
本発明では、一対の基板の少なくとも一方の基板において、表面が無機配向膜で覆われた基板間導通用電極部には、球形状の導電粒子より低硬度の金属膜が無機配向膜の下層側に設けられているので、一対の基板を貼り合せた際、無機配向膜は球形状の導電粒子に押されて破られる。従って、球形状の導電粒子は、無機配向膜を突き破って金属膜層に食い込み、金属膜層と導通することになる。従って、本発明によれば、基板間導通用電極部に、球形状の導電粒子より低硬度の金属膜層を設けるという簡素な構成を採用するだけで、無機配向膜が基板間導通用電極部の表面を覆っている場合でも、基板間導通用電極部と導電粒子とを導通させることができる。
【００１１】
本発明において、前記一対の基板は、前記液晶駆動用電極としての画素電極、前記配向膜としての素子基板側配向膜、および前記基板間導通用電極部としての素子基板側基板間導通用電極部が形成された素子基板と、前記液晶駆動用電極としての共通電極、前記配向膜としての対向基板側配向膜、および前記基板間導通用電極部としての対向基板側基板間導通用電極部が形成された対向基板とからなり、少なくとも前記対向基板において、前記対向基板側配向膜が前記対向基板側基板間導通用電極部を覆う無機配向膜であって、当該対向基板側基板間導通用電極部が前記球形状の導電粒子より低硬度の金属膜層から形成され、前記球形状の導電粒子が前記無機配向膜を突き破って前記金属膜層と導通している構成を採用することができる。
【００１２】
この場合、前記対向基板では、全面に前記配向膜が形成されていることが好ましい。素子基板および対向基板のうち、対向基板側には端子等が形成されていないので、本発明によれば、無機配向膜を対向基板の全面に形成することができ、マスク蒸着を行う必要がない。
【００１３】
本発明において、さらに前記素子基板において、前記素子基板側配向膜が前記素子基板側基板間導通用電極部の表面を覆う無機配向膜であって、当該素子基板側基板間導通用電極部が前記球形状の導電粒子より低硬度の金属膜層から形成され、前記球形状の導電粒子が前記無機配向膜を突き破って前記金属膜層と導通していることが好ましい。かかる構成によれば、無機配向膜をマスク蒸着により形成する際、素子基板側基板間導通用電極部についてはマスクで覆っておく必要がない。それ故、素子基板側配向膜を蒸着する際に用いるマスクは、端子のみを覆っておけばよいので、マスクの構成を簡素化することができる。
【００１４】
本発明において、前記対向基板では、前記共通電極に対して前記素子基板が位置する側とは反対側に、前記金属膜層からなる遮光層が形成されており、前記対向基板側基板間導通用電極部は、前記共通電極の非形成領域になっていることが好ましい。かかる構成によれば、遮光層の形成工程を利用して、対向基板側基板間導通用電極部に金属膜層を設けることができる。
【００１５】
本発明において、前記金属膜層はアルミニウム系金属膜であることが好ましい。アルミニウム系金属膜は、モース硬度が２．９程度と柔らかいので、導電粒子が食い込みやすい。
【００１６】
本発明において、前記金属膜層では、前記アルミニウム系金属膜の表面にバリア層が積層されている構成を採用することができる。本発明におけるアルミニウム系金属膜とは、アルミニウム単体膜およびアルミニウム合金膜を含む意味である。かかる構成によれば、フォトリソグラフィ技術を用いて遮光層をパターニング形成するにあたって、レジストマスクを剥離する際、アルミニウム系金属層が腐食する等の問題の発生を回避することができる。また、アルミニウム系金属膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術を用いて共通電極等をパターニング形成する際、アルミニウム系金属層が腐食しないという効果を有する。
【００１７】
本発明において、前記球形状の導電粒子は、球形状のグラスファイバー（ガラスビーズ）の表面に金属を被覆してなることが好ましい。ガラスのモース硬度は約５であり、高いので、導電粒子の硬度が高いことになる。このため、導電粒子は、無機配向膜を突き破りやすくなる。また、導電粒子の硬度を高くすると、金属膜として利用可能な金属の種類を広げることができる。
【００１８】
本発明において、前記無機配向膜は、例えば、シリコン酸化物の斜方蒸着膜である。
【００１９】
本発明に係る液晶装置は、例えば、投射型表示装置のライトバルブや直視型表示装置として用いられる。本発明に係る液晶装置を投射型表示装置に用いる場合、投射型表示装置には、前記液晶装置に供給される光を出射する光源部と、前記液晶装置によって変調された光を投射する投射光学系と、が設けられる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施の形態１に係る液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る液晶装置の液晶パネルの説明図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る液晶装置に用いた液晶パネルの電極等の構成を示す説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る液晶装置の画素の説明図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る液晶装置を、基板間導通用電極部を通る位置で切断したときの断面図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る液晶装置の製造工程を示す説明図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係る液晶装置の基板形成工程を示す工程断面図である。
【図８】本発明の実施の形態１に係る液晶装置の貼り合わせ工程を示す工程断面図である。
【図９】本発明の実施の形態２に係る液晶装置を、基板間導通用電極部を通る位置で切断したときの断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態３に係る液晶装置を、基板間導通用電極部を通る位置で切断したときの断面図である。
【図１１】本発明を適用した液晶装置を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、電界効果型トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。また、対向基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは対向基板の基板本体が位置する側とは反対側（素子基板が位置する側）を意味し、下層側とは対向基板の基板本体が位置する側を意味する。
【００２２】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。図１において、液晶装置１００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを有しており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画像表示領域１０ａ（有効画素領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する素子基板１０（図２等を参照）では、画像表示領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａ（画像信号線）および複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交差部分に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００２３】
素子基板１０において、画像表示領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００２４】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板２０（図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量５５が付加されている。本形態では、保持容量５５を構成するために、複数の画素１００ａに跨って走査線３ａと並行して延びた容量線５ｂが形成されている。本形態において、容量線５ｂは、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線６ｔに導通している。
【００２５】
（液晶パネル１００ｐおよび素子基板１０の構成）
図２は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００の液晶パネル１００ｐの説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。図３は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００に用いた液晶パネル１００ｐの電極等の構成を示す説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は、電極等の全体的なレイアウトを示す説明図、および液晶パネル１００ｐの角部分の一つを拡大して示す説明図である。なお、図３において画素電極９ａやダミー画素電極９ｂの数等については少なく示してある。
【００２６】
図２および図３に示すように、液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。
【００２７】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した画像表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、画像表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。
【００２８】
素子基板１０において、外周領域１０ｃでは、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００２９】
詳しくは後述するが、素子基板１０において対向基板２０と対向する一方側の基板面において、画像表示領域１０ａには、図１を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａ（液晶駆動用電極）がマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には、素子基板側配向膜としての配向膜１６が形成されている。
【００３０】
素子基板１０の一方側の基板面において、外周領域１０ｃのうち、画像表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。ダミー画素電極９ｂは、隣り合うダミー画素電極９ｂ同士が細幅の連結部９ｆ（図３（ｂ）参照）で繋がっている。また、ダミー画素電極９ｂは、共通電位Ｖcomが印加されており、画像表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。また、ダミー画素電極９ｂは、素子基板１０において配向膜１６が形成される面を研磨により平坦化する際、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。なお、ダミー画素電極９ｂに電位を印加せず、ダミー画素電極９ｂを電位的にフロート状態とする場合もあり、この場合でも、ダミー画素電極９ｂは、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。
【００３１】
図２（ｂ）に示すように、対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面側には共通電極２１（液晶駆動用電極）が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。
【００３２】
また、対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面側には、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され、共通電極２１の表面には対向基板側配向膜としての配向膜２６が積層されている。本形態において、遮光層２９は、画像表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａと、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに重なるブラックマトリクス部２９ｂとからなる。ここで、額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと重なる位置に形成されており、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分２９ａとシール材１０７とは重なっていない。
【００３３】
図２（ａ）、および図３（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１０７より外側には、対向基板２０の一方面側（素子基板１０と対向する面側）の４つの角部分に、対向基板側基板間導通用電極部としての基板間導通用電極部２５ｔが形成されており、素子基板１０の一方面側（対向基板２０と対向する面側）には、対向基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極部２５ｔ）と対向する位置に素子基板側基板間導通用電極部としての基板間導通用電極部８ｔが形成されている。基板間導通用電極部８ｔは、共通電位Ｖcomが印加された定電位配線６ｔに導通しており、定電位配線６ｔは、端子１０２のうち、共通電位印加用の端子１０２ａに導通している。
【００３４】
基板間導通用電極部８ｔと基板間導通用電極部２５ｔとの間には、後述する球形状の導電粒子を含んだ基板間導通材１０９が配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極部８ｔ、基板間導通材１０９および基板間導通用電極部２５ｔを介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。
【００３５】
シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極部８ｔ、２５ｔを避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。
【００３６】
かかる構成の液晶装置１００において、画素電極９ａおよび共通電極２１を透光性導電膜により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。これに対して、画素電極９ａおよび共通電極２１のうち、例えば、共通電極２１を透光性導電膜により形成し、画素電極９ａ反射性導電膜により形成すると、反射型の液晶装置を構成することができる。液晶装置１００が反射型である場合、素子基板１０および対向基板２０のうち、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。液晶装置１００が透過型である場合、素子基板１０および対向基板２０のうち、例えば、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００３７】
液晶装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０あるいは素子基板１０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、液晶装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、液晶装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各液晶装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００３８】
本形態において、液晶装置１００が、後述する投射型表示装置においてＲＧＢ用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置であって、対向基板２０から入射した光が素子基板１０を透過して出射される場合を中心に説明する。また、本形態において、液晶装置１００は、液晶層５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えている場合を中心に説明する。
【００３９】
（画素の具体的構成）
図４は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００の画素の説明図であり、図４（ａ）、（ｂ）は各々、液晶装置１００に用いた素子基板１０において隣り合う複数の画素の平面図、およびＦ−Ｆ′線に相当する位置で液晶装置１００を切断したときの断面図である。なお、図４（ａ）では、半導体層１ａは細くて短い点線で示し、走査線３ａは太い実線で示し、データ線６ａおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、容量線５ｂは二点鎖線で示し、画素電極９ａは長い破線で示し、下電極層４ａは細い実線で示してある。なお、素子基板１０では、誘電体層４２ａが形成されているが、誘電体層４２ａは容量線５ｂと重なる領域に形成されているため、図４（ａ）には図示を省略してある。また、下電極層４ａの外周縁に沿ってエッチングストッパー層４０ａの開口縁が存在するが、図４（ａ）では、かかる開口縁の図示は省略してある。
【００４０】
図４（ａ）に示すように、素子基板１０において対向基板２０と対向する一方側の基板面には、複数の画素１００ａの各々に矩形状の画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた領域と重なる画素間領域１０ｆに沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。本形態において、画素間領域１０ｆは縦横に延在しており、走査線３ａおよびデータ線６ａは画素間領域１０ｆと重なるように直線的に形成されている。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素トランジスター３０が形成されており、本形態において、画素トランジスター３０は、データ線６ａと走査線３ａとが交差する領域に形成されている。素子基板１０には、走査線３ａと重なるように容量線５ｂが形成されており、かかる容量線５ｂには共通電位Ｖcomが印加されている。本形態において、容量線５ｂは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。
【００４１】
図４（ｂ）に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの液晶層５０側の基板面（対向基板２０と対向する一方面側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、および配向膜１６を主体として構成されている。対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（素子基板１０と対向する一方面側）に形成された遮光層２９、共通電極２１、および配向膜２６を主体として構成されている。
【００４２】
素子基板１０において、複数の画素１００ａの各々には、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。半導体層１ａは、走査線３ａの一部からなるゲート電極３ｃに対して透光性のゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇと、ソース領域１ｂと、ドレイン領域１ｃとを備えており、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、低濃度領域および高濃度領域を備えている。半導体層１ａは、例えば、基板本体１０ｗ上に、シリコン酸化膜等からなる透光性の下地絶縁膜１２上に形成された多結晶シリコン膜等によって構成され、ゲート絶縁層２は、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる。また、ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化してなるシリコン酸化膜と、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜との２層構造を有する場合もある。走査線３ａには、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜が用いられる。なお、基板本体１０ｗと下地絶縁膜１２の層間、あるいは２層にした下地絶縁膜１２の層間に、走査線３ａと重なる遮光層を形成する場合や、かかる遮光層を走査線３ａとし、遮光層とゲート電極３ｃとを導通させた構造を採用することもある。
【００４３】
走査線３ａの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の第１層間絶縁膜４１が形成されており、第１層間絶縁膜４１の上層には下電極層４ａが形成されている。下電極層４ａは、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する位置を基点として走査線３ａおよびデータ線６ａに沿って延出する略Ｌ字型に形成されている。下電極層４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなり、コンタクトホール７ｃを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続されている。
【００４４】
下電極層４ａの上層側には、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率絶縁膜からなる誘電体層４２ａが形成されている。誘電体層４２ａの上層側には、誘電体層４２ａを介して下電極層４ａと対向するように容量線５ｂが形成され、かかる容量線５ｂ、誘電体層４２ａおよび下電極層４ａによって、保持容量５５が形成されている。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなる。ここで、下電極層４ａ、誘電体層４２ａおよび容量線５ｂは、画素トランジスター３０の上層側に形成され、保持容量５５は、画素トランジスター３０の上層側のうち、少なくとも画素トランジスター３０に対して平面視で重なる領域に形成されている。
【００４５】
本形態において、誘電体層４２ａは、容量線５ｂと略同一形状をもって同一の領域に形成されている。また、誘電体層４２ａの端縁４２ｅおよび容量線５ｂの端縁５ｅは、下電極層４ａと重なる位置にある。下電極層４ａと誘電体層４２ａとの層間にはシリコン酸化膜等からなるエッチングストッパー層４０ａが形成されており、かかるエッチングストッパー層４０ａには、下電極層４ａに対して部分的に重なる領域に開口部４０ｂが形成されている。このため、下電極層４ａと容量線５ｂとは、開口部４０ｂにおいて誘電体層４２ａを介して対向し、保持容量５５を構成している。また、エッチングストッパー層４０ａは、少なくとも誘電体層４２ａの端縁４２ｅおよび容量線５ｂの端縁５ｅと重なる領域に形成されている。
【００４６】
容量線５ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の第２層間絶縁膜４３が形成され、第２層間絶縁膜４３の上層にはデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂが形成されている。データ線６ａはコンタクトホール７ａを介してソース領域１ｂに電気的に接続している。ドレイン電極６ｂはコンタクトホール７ｂを介して下電極層４ａに電気的に接続し、下電極層４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなる。
【００４７】
データ線６ａおよびドレイン電極６ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の第３層間絶縁膜４４が形成されている。第３層間絶縁膜４４には、ドレイン電極６ｂへ通じるコンタクトホール７ｄが形成されている。第３層間絶縁膜４４の上層には、金属酸化物層としてのＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透光性導電膜からなる画素電極９ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール７ｄを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続されている。本形態において、第３層間絶縁膜４４の表面は平坦面になっている。第３層間絶縁膜４４の表面には、図２（ｂ）等を参照して説明したダミー画素電極９ｂ（図４（ａ）には図示せず）が形成されており、かかるダミー画素電極９ｂは、画素電極９ａと同時形成された透光性導電膜からなる。
【００４８】
画素電極９ａの表面には配向膜１６が形成されている。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）であり、配向膜１６と画素電極９ａとの層間にはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の透光性の保護膜１７が形成されている。本形態において、配向膜１６は、シリコン酸化膜の斜方蒸着膜からなる。保護膜１７は、表面が平坦面になっており、隣り合う画素電極９ａの間に形成された凹部を埋めている。従って、配向膜１６は、保護膜１７の平坦な表面に形成されている。
【００４９】
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗの液晶層５０側の表面（素子基板１０に対向する側の面）に、アルミニウム、チタン、モリブデン、タングステン、クロムやそれらの化合物や合金等からなる導電性の遮光層２９が形成されており、かかる遮光層２９のうち、画像表示領域１０ａに形成されているブラックマトリクス部２９ｂは、画素間領域１０ｆ（図３等を参照）と重なる位置で縦横に延在している。
【００５０】
本形態において、遮光層２９にアルミニウム合金層（アルミニウム系金属層）が用いられている。また、遮光層２９の上層（素子基板１０に対向する側の面）には共通電極２１が形成されており、共通電極２１はＩＴＯ膜からなる。遮光層２９の上層（素子基板１０に対向する側の面）には配向膜２６が形成されており、配向膜２６は、配向膜１６と同様、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）である。本形態において、配向膜２６は、シリコン酸化膜の斜方蒸着膜からなる。
【００５１】
このように構成した液晶装置１００において、液晶材料として誘電異方性が負のネマチック液晶化合物が用いられており、配向膜１６、２６は、液晶材料を垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作させる。
【００５２】
なお、図１等を参照して説明したデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４には、Ｎチャネル型の駆動用トランジスターとＰチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、画素トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、素子基板１０においてデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されている領域も、図４（ｂ）に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。
【００５３】
（基板間導通用電極部８ｔ、２５ｔ等の構成）
図５は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００を、基板間導通用電極部８ｔ、２５ｔを通る位置で切断したときの断面図である。本形態では、図５を参照して以下に説明するように、素子基板１０および対向基板２０からなる一対の基板のうち、少なくとも一方の基板では、配向膜が基板間導通用電極部の表面を覆う無機配向膜である。また、かかる基板において、基板間導通用電極部は、球形状の導電粒子２０９ｂより低硬度の金属膜層で形成されており、前記基板間導通用電極部の１箇所毎にそれぞれ１個ずつ配置された球形状の導電粒子１０９ｂが無機配向膜を突き破って金属膜層と導通している。このように、基板間導通用電極部を球形状の導電粒子２０９ｂより低硬度の金属膜層で形成しているので、通常、基板間導通用として基板間導通用電極部の１箇所に１個ずつ用いられる球形状の導電部材（所謂、銀点と呼ばれている導通部材）でも無機配向膜を突き破って金属膜層に接触して電気的な導通を取ることができる。
【００５４】
より具体的には、図５に示すように、素子基板１０において、図２等を参照して説明した端子１０２は、第３層間絶縁膜４４の表面に形成されたアルミニウム合金膜等からなり、端子１０２のうち、共通電位供給用の端子１０２ａは、第２層間絶縁膜４３の表面等で延在する定電位配線６ｔに対して、第３層間絶縁膜４４に形成されたコンタクトホール７ｔを介して導通している。また、定電位配線６ｔの一部は、第３層間絶縁膜４４に形成された開口部７ｓで開口しており、かかる定電位配線６ｔの開口部分によって、基板間導通用電極部８ｔが形成されている。本形態において、定電位配線６ｔおよび基板間導通用電極部８ｔは、データ線６ａ等と同時形成されたアルミニウム合金膜（アルミニウム系金属膜）からなる。
【００５５】
かかる素子基板１０の最表面には配向膜１６が形成されており、本形態において、配向膜１６は、端子１０２や基板間導通用電極部８ｔをマスクで覆った状態でのマスク蒸着により形成されたシリコン酸化膜の斜方蒸着膜である。このため、配向膜１６は、端子１０２の表面や基板間導通用電極部８ｔの表面には形成されていない。
【００５６】
対向基板２０において、角部分では、共通電極２１が除去されているとともに、遮光層２９を構成するアルミニウム合金膜（アルミニウム系金属膜）が基板間導通用電極部２５ｔとして形成されている。ここで、基板間導通用電極部２５ｔは、他の遮光層２９（額縁部分２９ａやブラックマトリクス部２９ｂ）と繋がっておらず、遮光層２９はシール材１０７と重なる領域には形成されていない。このため、シール材１０７として光硬化性樹脂が用い、対向基板２０の側からＵＶ照射を行った際、遮光層２９は、シール材１０７の光硬化を妨げない。但し、基板間導通用電極部２５ｔの端部は、共通電極２１と重なっているため、基板間導通用電極部２５ｔと共通電極２１とは導通している。
【００５７】
かかる対向基板２０の最表面には配向膜２６が形成されている。本形態において、配向膜２６は、マスクを用いずに形成したシリコン酸化膜の斜方蒸着膜であり、対向基板２０の表面全体に形成されている。このため、配向膜２６は、基板間導通用電極部２５ｔの表面も覆っている。
【００５８】
このように構成した液晶装置１００においては、後述するように、素子基板１０と対向基板２０との間に、球形状の導電粒子１０９ｂを含む基板間導通材１０９を配置した状態で素子基板１０と対向基板２０とを貼り合せ、その際、球形状の導電粒子１０９ｂが基板間導通用電極部８ｔ、２５ｔに接する状態とする。より具体的には、基板間導通材１０９は、球形状のグラスファイバー等の粒子の表面に金等の金属膜が被覆された導電粒子１０９ｂと、導電ペースト１０９ｄとからなり、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合せた際、球形状の導電粒子１０９ｂが１つ、基板間導通用電極部８ｔに接する状態となる。その際、アルミニウム合金膜（モース硬度＝２．９程度）からなる基板間導通用電極部８ｔは、球形状の導電粒子１０９ｂに用いたグラスファイバー（モース硬度＝５程度）より柔らかいため、球形状の導電粒子１０９ｂは、基板間導通用電極部８ｔに食い込み、基板間導通用電極部８ｔと導通することになる。
【００５９】
また、対向基板２０側において、基板間導通用電極部２５ｔの表面は配向膜２６で覆われているが、アルミニウム合金膜（モース硬度＝２．９程度）からなる基板間導通用電極部２５ｔは、球形状の導電粒子１０９ｂに用いた球形状のグラスファイバー（ガラスビーズ／モース硬度＝５程度）より柔らかい。このため、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合せた際、配向膜２６は球形状の導電粒子２０９ｂにより押される。ここで、配向膜２６の下層には、球形状の導電粒子１０９ｂに用いたグラスファイバーより柔らかい基板間導通用電極部２５ｔが位置する。このため、配向膜２６は、球形状の導電粒子１０９ｂの押圧力によって一部が破れる。従って、球形状の導電粒子１０９ｂは、配向膜２６を突き破って基板間導通用電極部２５ｔに食い込み、基板間導通用電極部２５ｔと導通することになる。それ故、導電粒子１０９ｂは、端子１０２ａおよび共通電極２１の双方に導通することになる。よって、端子１０２ａから供給された共通電位Ｖcomは、定電位配線６ｔ、基板間導通用電極部８ｔ、導電粒子１０９ｂ、および基板間導通用電極部８ｔを介して共通電極２１に印加される。
【００６０】
（液晶装置１の製造方法）
図６は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１の製造工程を示す説明図である。図７は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１の基板形成工程を示す工程断面図であり、図７（ａ）、（ｂ）は、画素電極９ａや共通電極２１を形成し終えた状態の説明図、および配向膜１６、２６を形成し終えた状態の説明図である。図８は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１の貼り合わせ工程を示す工程断面図であり、図８（ａ）、（ｂ）は、シール材１０７および基板間導通材１０９を塗布し終えた状態の説明図、および素子基板１０と対向基板２０とを重ね合わせた状態の説明図である。なお、以下の説明では、素子基板１０および対向基板２０を多数取りできる大型基板を用いて大型パネルを構成した後、単品サイズに切断する。但し、以下の説明では、素子基板１０の形成に用いられる大型基板も素子基板１０として説明し、対向基板２０の形成に用いられる大型基板も対向基板２０として説明する。
【００６１】
本形態の液晶装置１を製造するには、図６等に示すように、まず、基板形成工程で素子基板１０および対向基板２０を形成する。それには、図７（ａ）に示すように、素子基板１０に対して画素電極９ａ等の形成工程Ｓ１を行った後、図７（ｂ）に示すように、斜方蒸着法により配向膜１６を形成する配向膜形成工程Ｓ２を行う。その際、素子基板１０の端子１０２や基板間導通用電極部８ｔをマスクで覆った状態でのマスク蒸着によりシリコン酸化膜の斜方蒸着膜（配向膜１６）を形成する。このため、配向膜１６は、端子１０２の表面や基板間導通用電極部８ｔの表面には形成されない。また、対向基板２０に対しては、図７（ａ）に示すように、共通電極２１等の形成工程Ｓ１１を行った後、図７（ｂ）に示すように、斜方蒸着法により配向膜２６を形成する配向膜形成工程Ｓ１２を行う。その際、マスクを用いずに、シリコン酸化膜の斜方蒸着膜（配向膜２６）を形成する。このため、配向膜２６は、対向基板２０の全面に形成され、基板間導通用電極部２５ｔの表面も覆うことになる。
【００６２】
次に、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる貼り合わせ工程を行う。それには、まず、図８（ａ）に示すように、素子基板１０にシール材１０７および基板間導通材１０９を塗布するシール材・基板間導通材塗布工程Ｓ３を行う。シール材１０７の塗布は、ノズルからシール材１０７を吐出しながら、ノズルと素子基板１０とを相対移動させて、シール材１０７を矩形枠状に描画する。基板間導通材１０９の塗布は、ノズルから基板間導通材１０９を吐出しながら、ノズルと素子基板１０とを相対移動させて、基板間導通材１０９を基板間導通用電極８ｔ上に点状に配置する。なお、シール材１０７および基板間導通材１０９の塗布は、対向基板２０の側に行ってもよい。次に、図８（ｂ）に示すように、シール材１０７および基板間導通材１０９を間に挟んで素子基板１０と対向基板２０とを重ね合わせる。次に、素子基板１０と対向基板２０とを押圧して、図４に示すように、素子基板１０および対向基板２０の双方にシール材１０７のギャップ材１０７ａが当接するまで、素子基板１０と対向基板２０との隙間を狭め、しかる後に、シール材・基板間導通材硬化工程Ｓ２２を行う。
【００６３】
シール材・基板間導通材硬化工程Ｓ２２では、対向基板２０側からＵＶ光等を照射してシール材１０７を硬化させる。また、適度の加熱により、基板間導通材１０９を硬化させる。その際、導電粒子１０９ｂは、ギャップ材１０７ａより大径であるため、素子基板１０および対向基板２０の双方にシール材１０７のギャップ材１０７ａが当接するまで、素子基板１０と対向基板２０との隙間を狭めると、素子基板１０側では、導電粒子１０９ｂが基板間導通用電極部８ｔに食い込み、基板間導通用電極部８ｔと導通することになる。また、素子基板１０側では、導電粒子１０９ｂは、配向膜２６を突き破って基板間導通用電極部２５ｔに食い込み、基板間導通用電極部２５ｔと導通することになる。
【００６４】
しかる後には、大型の素子基板１０および大型の対向基板２０とを貼り合せたパネルを単品サイズに切断するパネル切断工程Ｓ２３を行い、その後、液晶封入工程Ｓ２４を行う。液晶封入工程Ｓ２４では、減圧雰囲気中でシール材１０７の途切れ部分に液晶を供給した後、減圧状態を解除する。その結果、シール材１０７の内側に液晶が注入される。かかる液晶の注入を終えた後は、シール材１０７の途切れ部分を封止材１０７ｃ（図２（ａ）参照）で封止する。
【００６５】
なお、シール・基板間導通材塗布工程Ｓ３において、図１に示すシール材１０７を、途切れ部分を設けずに形成した後、シール材１０７で囲まれた領域内に液晶を滴下し、その後、貼り合わせ工程Ｓ２０において、対向基板２０を重ね、シール材１０７で貼り合わせることもある。かかる方法の場合、貼り合わせ工程Ｓ２０と液晶封入工程Ｓ２４が同時に行われるので、液晶封入工程Ｓ２４の後にパネル切断工程Ｓ２３が行われることになる。
【００６６】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の液晶装置１００において、素子基板１０および対向基板２０からなる一対の基板のうち、対向基板２０では、配向膜２６が基板間導通用電極部２５ｔの表面を覆う無機配向膜であって、基板間導通用電極部２５ｔが導電粒子２０９ｂより低硬度のアルミニウム合金膜により形成されている。このため、導電粒子１０９ｂは、配向膜２６を突き破って基板間導通用電極部２５ｔに食い込み、基板間導通用電極部２５ｔと導通する。従って、対向基板２０では、全面に配向膜２６を形成することができ、マスク蒸着を行う必要がない。
【００６７】
また、本形態において、対向基板２０では、共通電極２１に対して素子基板１０が位置する側とは反対側（下層側）に、アルミニウム合金膜からなる遮光層２９が形成されており、基板間導通用電極部２５ｔは、共通電極２１の非形成領域になっている。このため、遮光層２９に用いるアルミニウム合金膜の形成工程を利用して、基板間導通用電極部２５ｔにアルミニウム合金膜を設けることができる。
【００６８】
また、本形態では、素子基板１０の基板間導通用電極部８ｔの表面は配向膜１６で覆われていないが、基板間導通用電極部２５ｔが導電粒子２０９ｂより低硬度のアルミニウム合金膜により形成されていることから、導電粒子１０９ｂが基板間導通用電極部８ｔに食い込み、基板間導通用電極部８ｔと導通している。このため、配向膜１６をマスク蒸着する際の蒸着マスクの精度が低くいこと等が原因で、基板間導通用電極部８ｔの表面に配向膜１６が形成された場合でも、導電粒子１０９ｂは基板間導通用電極部８ｔと確実に導通する。このため、基板間導通部分の信頼性が高い。
【００６９】
また、本形態では、基板間導通用電極部８ｔ、２５ｔに金属膜としてアルミニウム合金膜を用いたため、基板間導通部分の信頼性が高い。すなわち、アルミニウム合金膜は、モース硬度が２．９程度と柔らかいため、導電粒子１０９ｂが食い込みやすいので、導電粒子１０９ｂは基板間導通用電極部８ｔ、２５ｔと確実に導通する。一方、導電粒子１０９ｂ、グラスファイバーの表面に金属を被覆してなるため、基板間導通部分の信頼性が高い。すなわち、グラスファイバーは、モース硬度が５程度と硬いため、基板間導通用電極部８ｔ、２５ｔに食い込みやすいので、導電粒子１０９ｂは基板間導通用電極部８ｔ、２５ｔと確実に導通する。
【００７０】
［実施の形態２］
図９は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置１００を、基板間導通用電極部８ｔ、２５ｔを通る位置で切断したときの断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００７１】
上記実施の形態１では、対向基板２０の一方面側に遮光層２９、共通電極２１、および配向膜２６がこの順に形成されていたが、本形態では、図９に示すように、対向基板２０の一方面側に遮光層２９、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜２７、共通電極２１、および配向膜２６がこの順に形成されている。ここで、絶縁膜２７は、共通電極２１と重なる領域のみに形成され、基板間導通用電極部２５ｔが形成されている領域には形成されていない。その他の構成は実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。
【００７２】
かかる構成によれば、遮光層２９のブラックマトリクス部２９ｂ（図４（ｂ）等を参照）に起因する段差が絶縁膜２７によって緩和されている。従って、共通電極２１の段差切れを防止することができるとともに、斜方蒸着膜からなる配向膜２６を比較的、平坦な領域に形成できることになる。
【００７３】
［実施の形態３］
図１０は、本発明の実施の形態３に係る液晶装置１００を、基板間導通用電極部８ｔ、２５ｔを通る位置で切断したときの断面図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。
【００７４】
上記実施の形態１では、対向基板２０の側のみで、導電粒子１０９ｂが配向膜２６を突き破って基板間導通用電極部２５ｔに食い込み、基板間導通用電極部２５ｔと導通している構成になっていた。これに対して、本形態では、図１０に示すように、素子基板１０の側でも、対向基板２０と同様、配向膜１６が基板間導通用電極部８ｔの表面を覆う無機配向膜であって、基板間導通用電極部８ｔが導電粒子１０９ｂより低硬度のアルミニウム合金膜により形成されている。このため、導電粒子１０９ｂが配向膜１６を突き破って基板間導通用電極部８ｔに食い込み、基板間導通用電極部８ｔと導通している。その他の構成は実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。
【００７５】
かかる構成によれば、配向膜１６を蒸着する際、基板間導通用電極部８ｔについてはマスクで覆っておく必要がない。それ故、配向膜１６を蒸着する際に用いるマスクは、端子１０２のみを覆っておけばよいので、マスクの構成を簡素化することができる。なお、図１０に示す形態は、実施の形態１を基本としたが、実施の形態２のように、遮光層２９と共通電極２１との間に絶縁膜２７が形成されている構成において、実施の形態３で説明した構成を適用してもよい。
【００７６】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、遮光層２９として、アルミニウム合金層（アルミニウム系金属層）の単層の膜が用いられていたが、遮光層２９では、アルミニウム合金層に対して上層側（表面側）にチタン窒化膜等のバリア層が形成されている構成を採用してもよい。かかる構成によれば、フォトリソグラフィ技術により遮光層２９をパターニング形成するにあたって、レジストマスクを剥離する際、アルミニウム系金属層が腐食する等の問題の発生を回避することができる。また、フォトリソグラフィ技術により共通電極２１等をパターニング形成する際、アルミニウム系金属層からなる遮光層２９が腐食しないという効果を有する。なお、遮光層２９としては、チタン窒化膜、アルミニウム合金層、チタン窒化膜からなる三層構造が採用される場合もある。かかる構成の場合、遮光層２９での反射を防止することができるので、迷光の発生を防止することができる。
【００７７】
上記実施の形態では、導電粒子１０９ｂより柔らかい金属層として、アルミニウム合金層（アルミニウム系金属層）を例示したが、導電粒子１０９ｂより柔らかい金属層として、銅系金属層（モース硬度＝３程度）や、銀系金属層（モース硬度＝２．７程度）を用いてもよい。
【００７８】
また、上記実施の形態では、透過型の液晶装置１００を例示したが、反射型の液晶装置１００に本発明を適用してもよい。
【００７９】
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る液晶装置１００を適用した電子機器について説明する。図１１は、本発明を適用した液晶装置を用いた投射型表示装置の概略構成図であり、図１１（ａ）、（ｂ）は各々、透過型の液晶装置１００を用いた投射型表示装置の説明図、および反射型の液晶装置１００を用いた投射型表示装置の説明図である。
【００８０】
（投射型表示装置の第１例）
図１１（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７（液晶装置１００）と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９と、リレー系１２０とを備えている。
【００８１】
光源１１２は、赤色光、緑色光及び青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光を透過させると共に緑色光及び青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光及び青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。
【００８２】
ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２１及び偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
【００８３】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、液晶パネル１１５ｃ及び第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【００８４】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１５ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する構成となっている。
【００８５】
なお、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【００８６】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、液晶パネル１１６ｃ及び第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、液晶パネル１１６ｃは、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する構成となっている。
【００８７】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、液晶パネル１１７ｃ及び第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光は、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
【００８８】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１７ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ及び第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【００８９】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光をリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光を液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。
【００９０】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。したがって、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系１１８に向けて射出するように構成されている。
【００９１】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を有効に合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光及び青色光をｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光をｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
【００９２】
（投射型表示装置の第２例）
図１１（ｂ）に示す投射型表示装置１０００において、光源部８９０は、システム光軸Ｌに沿って光源８１０、インテグレーターレンズ８２０および偏光変換素子８３０が配置された偏光照明装置８００を有している。また、投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って、偏光照明装置８００から出射されたＳ偏光光束をＳ偏光光束反射面８４１により反射させる偏光ビームスプリッター８４０と、偏光ビームスプリッター８４０のＳ偏光光束反射面８４１から反射された光のうち、青色光（Ｂ）の成分を分離するダイクロイックミラー８４２と、青色光が分離された後の光束のうち、赤色光（Ｒ）の成分を反射させて分離するダイクロイックミラー８４３とを有している。
【００９３】
また、投射型表示装置１０００は、各色光が入射する３つの反射型の液晶装置１００（液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ）を備えており、光源部８９０は、３つの液晶装置１００（液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ）に所定の色光を供給する。
【００９４】
かかる投射型表示装置１０００においては、３つの液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにて変調された光をダイクロイックミラー８４２、８４３、および偏光ビームスプリッター８４０にて合成した後、この合成光を投射光学系８５０によってスクリーン８６０等の被投射部材に投射する。
【００９５】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【００９６】
（他の電子機器）
本発明を適用した液晶装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【００９７】
９ａ・・画素電極（液晶駆動用電極）、８ｔ・・基板間導通用電極（素子基板側基板間導通用電極）、１０・・素子基板、１０ａ・・画像表示領域、１６・・配向膜（素子基板側配向膜）、２０・・対向基板、２１・・共通電極（液晶駆動用電極）、２５ｔ・・基板間導通用電極（対向基板側基板間導通用電極）、２６・・配向膜（対向基板側配向膜）、２７・・絶縁層、２９・・遮光層、２９ａ・・額縁部分、２９ｂ・・ブラックマトリクス部分、５０・・液晶層、１０９・・基板間導通材、１０９ｂ・・球形状の導電粒子、１１０、１０００・・投射型表示装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2012185422.tif 000009
【図８】
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【図９】
2012185422.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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