(57)【要約】【課題】  アノードベインの位置精度を安定にでき、品質を向上できるマグネトロンおよびマイクロ波利用機器を提供する。【解決手段】  マイクロ波利用機器に用いられるマグネトロン１０は、内壁面に複数のアノードベイン２９が放射状に配設された陽極筒体２３と、陽極筒体２３に連結され、アノードベイン２９に接続されたアンテナ３０を収容するトップシェル３１と、陽極筒体２３におけるトップシェル３１とは反対側に連結される陰極筒体２５と、陽極筒体２３の内面に設けられて各アノードベイン２９を位置決めする位置決め部５１とを備える。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内壁面に複数のアノードベインが放射状に配設された陽極筒体と、
前記陽極筒体に連結され、前記アノードベインに接続されたアンテナを収容するトップシェルと、
前記陽極筒体における前記トップシェルとは反対側に連結される陰極筒体と、
前記陽極筒体の内面に設けられて前記各アノードベインを陽極筒体の軸線に対し、位置決めする位置決め部とを備えるマグネトロン。
【請求項２】
請求項１に記載のマグネトロンにおいて、
前記位置決め部が段差であるマグネトロン。
【請求項３】
請求項２に記載のマグネトロンにおいて、
前記陽極筒体における内面の周方向に連続する突部を備え、
前記段差が、前記突部における前記陽極筒体の軸線に対して直交する面であるマグネトロン。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のうちのいずれか１項に記載のマグネトロンが搭載されたマイクロ波利用機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マグネトロンおよびマイクロ波利用機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、陽極筒体の内壁および各アノードベインの被接合個所上にろう材を配置し、高温加熱して陽極筒体内のアノードベインをろう付けする工程により作成されたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１は、陽極筒体の内面に形成した多数の突部により位置決められ、突部は陽極筒体の外面にプレス加工を施す半抜きにより形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第２５３８８６４号公報（図１０、請求項２）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１は、陽極筒体のろう付けする時に位置決め用治具を使用することなくアノードベインの相互位置関係の精度を高く維持できる。
しかし、特許文献１は、引き抜き工程により陽極筒体の基になる部材を作成し、次いで、陽極用部材の内面に形成した多数の位置決め目的の半抜き突部をプレス加工し、その後に筒体状に成形し、内面にアノードベインがろう付けされる。
従って、特許文献１は、陽極筒体の内面にアノードベインをろう付けするまでの工程が煩雑であり、かつ、ろう付けが完了するまでの間においてアノードベインの姿勢が不安定である。
また、特許文献１は、アノードベインの位置が揃わなくなることがありうる。
従って、特許文献１は、発振効率のばらつきが大きくなることがありうるとともに、ノイズが発生することがありうる。
【０００５】
本発明は、前述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、アノードベインの位置精度を安定にでき、品質を向上できるマグネトロンおよびマイクロ波利用機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るマグネトロンは、内壁面に複数のアノードベインが放射状に配設された陽極筒体と、前記陽極筒体に連結され、前記アノードベインに接続されたアンテナを収容するトップシェルと、前記陽極筒体における前記トップシェルとは反対側に連結される陰極筒体と、前記陽極筒体の内面に設けられて前記各アノードベインを位置決めする位置決め部とを備える。
【０００７】
本発明に係るマグネトロンは、前記位置決め部が段差である。
【０００８】
本発明に係るマグネトロンは、前記陽極筒体における内面の周方向に連続する突部を備え、前記段差が、前記突部における前記陽極筒体の軸線に対して直交する面である。
【０００９】
また、本発明に係るマイクロ波利用機器は、前述したマグネトロンが搭載されている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係るマグネトロンおよびマイクロ波利用機器によれば、アノードベインの位置精度を安定にでき、品質を向上できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明に係る一実施形態のマイクロ波利用機器のマグネトロンの断面図
【図２】本発明に係る一実施形態のマイクロ波利用機器のマグネトロンのコアチューブの断面図
【図３】本発明に係る一実施形態のマイクロ波利用機器のマグネトロンのアノードベインの取付部分の断面図
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明に係る一実施形態のマグネトロンおよびマイクロ波利用機器について図面を参照して説明する。
図１に示すように、本発明に係る一実施形態のマグネトロン１０は、マイクロ波利用機器に用いられるものであり、継鉄１２と継鉄１２内に配置されるＡ側磁石１３およびＢ側磁石１４とから形成される磁気回路１１と、継鉄１２内に配置されるラジエター１６から形成される冷却回路１５とを備える。
また、マグネトロン１０は、チョークコイル１８とコンデンサ１９とから形成されるＬＣフィルター回路１７と、コアチューブ２０とを備える。
マグネトロン１０は、２４５０ＭＨｚの発振周波数を有する連続波マグネトロンである。
【００１３】
磁気回路１１は、上下に配置されたＡ側磁石１３とＢ側磁石１４とにより作られる磁束を、Ａ側磁石１３のＡ側磁極（図２参照）２１とＢ側磁石１４のＢ側磁極（図２参照）２２とにより集束し、作用空間に有効に導く直交静電磁界を形成している。
Ａ側磁石１３およびＢ側磁石１４は、フェライト磁石による永久磁石方式であり、内磁回路方式になっている。
【００１４】
冷却回路１５は、マグネトロン１０の陽極損失としての発熱を防止する機能を有し、マグネトロン１０を安定的に動作させる。
冷却回路１５は、ラジエター１６が、コアチューブ２０に有する陽極筒体であるアノード（図２参照）２３の外周に取り付けてられており、不図示のファンにより送られる風により強制冷却される。
【００１５】
ＬＣフィルター回路１７は、フィルターケース２４内にチョークコイル１８とコンデンサ１９とが収容される。
ＬＣフィルター回路１７では、コアチューブ２０に有する陰極筒体であるカソード（図２参照）２５が管内の作用空間にあるために、高周波エネルギーの一部がカソード２５に有する第１リード線２６および第２リード線２７を伝わって漏洩することがありうる。
そのため、ＬＣフィルター回路１７は、不要な電波の漏洩を防ぐ。
【００１６】
図２に示すように、コアチューブ２０は、アノード２３のアノード本体２８の内壁面に複数のアノードベイン２９が放射状に配設されている。
また、コアチューブ２０は、アノードベイン２９に接続されたアンテナ３０を収容するトップシェル３１と、アノード２３におけるトップシェル３１とは反対側に連結されるカソード２５とを備える。
【００１７】
そして、コアチューブ２０は、カソード２５に支持されて各アノードベイン２９の中央にフィラメントコイル３２を保持する第１リード線２６と、カソード２５に支持されてアノード２３に接続される第２リード線２７とを備える。
さらに、コアチューブ２０は、カソード２５におけるアノード２３とは反対側を封止する絶縁部材３３と、絶縁部材３３を貫通するとともに、第１リード線２６に接続される第１接続端子３４および第２リード線２７に接続される第２接続端子３５とを備える。
さらにまた、コアチューブ２０は、絶縁部材３３を貫通する導通性を有する排気管３６を備える。
【００１８】
トップシェル３１は、Ａ側の側管３７と、絶縁リング３８と、排気管３９と、第１Ａチョーク４０と、第２Ａチョーク４１とから構成される。
トップシェル３１は、アノード２３と組み合わされることにより、アンテナ３０を通じて高周波エネルギーを外部へ放出する。また、第１Ａチョーク４０および第２Ａチョーク４１より高周波ノイズを抑制する。
トップシェル３１は、封止切りにより排気（ガスだし）されてチップオフ後にアンテナ筒４２が被せられる。
【００１９】
アノード２３は、アノードベイン２９を等間隔で放射状に配列させることによりＬＣ回路を形成している。
アノード２３は、大均圧リング４３および小均圧リング４４により、１枚おきにアノードベイン２９をつないで上部にＡ側磁極２１を取り付けているとともに、下部にＢ側磁極２２を取り付けている。
アノード２３は、マグネトロン１０が安定して発振するために、アノードベイン２９が同じ電位を保たなければならない。
アノード２３は、直流的に同電位であり、一体であるが、高周波的には１０分割された空洞共振器になっている。
そして、１枚のアノードベイン２９に高周波エネルギーを外部へ導き出すためのアンテナ３０がろう付けにより接合されている。
Ａ側磁極２１およびＢ側磁極２２は、磁界を、アノードベイン２９の内面とカソード２５のフィラメントコイル３２の外径との間の空間である作用空間内へ有効に磁束を導く機能を有する。
【００２０】
カソード２５は、アノード２３に接続されるＫ側の側管４５内に、第１リード線２６および第２リード線２７が支持板４６を介して収容されている。
第１リード線２６には、フィラメントコイル３２の上端部を支えるＡ側エンドハット４７と、フィラメントコイル３２の下端部を支えるＫ側エンドハット４８とが取り付けられている。
第１リード線２６は、絶縁部材３３に有する一方のリード線挿通孔４９を通じて絶縁部材３３の下方へ挿入され、第２リード線２７は、絶縁部材３３に有する他方のリード線挿通孔５０を通じて絶縁部材３３の下方へ挿入される。
【００２１】
図３に示すように、アノード２３は、アノード本体２８の内壁面に、複数のアノードベイン２９を位置決めするための位置決め部である段差５１が形成されている。
アノード本体２８は、その内壁面の周方向に連続する突部５２を備え、段差５１が、突部５２におけるアノード２３のアノード本体２８の軸線に対して直交する面である。そして、突部５２を挟んで、アノード２３の上下の内径寸法は等しくされており、Ａ側磁極２１およびＢ側磁極２２の部品共用化ができるように構成されている。
【００２２】
アノードベイン２９の取り付けにあたり、アノードベイン２９がアノード本体２８の軸線の下方から突部５２に向けて押圧されて進行される。
そして、アノードベイン２９がアノード本体２８の段差５１により位置決めされてアノード本体２８にろう付けされる。
【００２３】
そのため、アノードベイン２９は、ろう付けの前に仮固定されているために、従来のもののように、アノードベインのろう付けが完了するまでの間においてアノードベインの姿勢が不安定にならない。
従って、アノードベイン２９の位置精度を安定にできる。
【００２４】
また、アノードベイン２９が、アノード本体２８の軸線の下方から突部５２に向けて押圧されて進行されることにより、段差５１に機械的に固定されるために、アノードベイン２９の位置が揃わなくなることがない。
従って、発振効率のばらつきが大きくなることがなく、ノイズが発生しない。
【００２５】
以上、説明したように一実施形態のマグネトロン１０およびマイクロ波利用機器によれば、位置決め部によりアノードベイン２９が所定の位置に位置決めされる。
そのため、一実施形態のマグネトロン１０およびマイクロ波利用機器によれば、従来のもののように、煩雑なろう付けする工程を行う必要がないとともに、ろう付けが完了するまでの間においてアノードベイン２９の姿勢が不安定にならない。
従って、一実施形態のマグネトロン１０およびマイクロ波利用機器によれば、アノードベイン２９の位置精度を安定にできる。
【００２６】
また、一実施形態のマグネトロン１０およびマイクロ波利用機器によれば、位置決め部が段差５１であるために、アノード本体２８の成形を、従来のアノード本体２８への最低限の変更により簡単に実施できる。
【００２７】
そして、一実施形態のマグネトロン１０およびマイクロ波利用機器によれば、アノードベイン２９が、アノード本体２８の軸線の下方から突部５２に向けて押圧されて進行されることにより、アノード本体２８の段差５１に機械的に固定される。
従って、一実施形態のマグネトロン１０およびマイクロ波利用機器によれば、アノードベイン２９の位置が揃わなくなることがないために、発振効率のばらつきが大きくなることがなく、ノイズの発生がないので、品質を向上できる。
【００２８】
なお、本発明のマグネトロンおよびマイクロ波利用機器において継鉄，ラジエター，ＬＣフィルター回路等は、前述した一実施形態に限定されるものでなく、適宜な変形や改良等が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００２９】
以上述べたように、本発明のマグネトロンおよびマイクロ波利用機器によれば、アノードベインの位置精度を安定にでき、品質を向上できるものである。
以上の結果として、高出力工業用のマグネトロンおよびマイクロ波利用機器の品質を向上でき、市場に対して高品質な製品を安定的に供給でき、本発明の産業上の利用可能性は大といえる。
【符号の説明】
【００３０】
１０  マグネトロン
２３  アノード（陽極筒体）
２５  カソード（陰極筒体）
２９  アノードベイン
３０  アンテナ
３１  トップシェル
５１  段差（位置決め部）
５２  突部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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