(57)【要約】【課題】省電力かつ低コストにて、広い温度範囲で安定して動作する光伝送モジュールを提供すること。【解決手段】光ファイバにて伝搬される所定の光信号を出射し、自身が高温状態よりも低温状態で特性が劣化する性質を有する光源素子と、この光源素子を駆動制御するドライバ回路と、を備えると共に、上記光源素子と上記ドライバ回路とにそれぞれ接続されることで、相互間の熱伝達を行う熱伝達部材を備える。【選択図】図２
2012124245.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ファイバにて伝搬される所定の光信号を出射し、自身が高温状態よりも低温状態で特性が劣化する性質を有する光源素子と、この光源素子を駆動制御するドライバ回路と、を備えると共に、
前記光源素子と前記ドライバ回路とにそれぞれ接続されることで、相互間の熱伝達を行う熱伝達部材を備えた、
光伝送モジュール。
【請求項２】
請求項１に記載の光伝送モジュールであって、
前記熱伝達部材は、前記光源素子に接続される第一部材と、前記ドライバ回路に接続される第二部材と、を備えており、前記第一部材と前記第二部材とは相互に接触及び離間が可能なよう装備されている、
光伝送モジュール。
【請求項３】
請求項２に記載の光伝送モジュールであって、
前記熱伝達部材は、前記第一部材と前記第二部材との接触及び離間を切り替える切替手段を備え、
前記切替手段は、前記光源素子自体の温度が予め設定された温度より低いときに、前記第一部材と前記第二部材とを接触させるよう切り替え、前記光源素子自体の温度が予め設定された温度より高いときには、前記第一部材と前記第二部材とを離間させるよう切り替える、
光伝送モジュール。
【請求項４】
請求項３に記載の光伝送モジュールであって、
前記切替手段は、前記ドライバ回路自体あるいは前記光源素子自体の温度に応じて、前記第一部材と前記第二部材との接触及び離間を切り替えるよう作動する、
光伝送モジュール。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載の光伝送モジュールであって、
前記熱伝達部材は、前記光源素子を搭載した光パッケージ部品を介して当該光源素子と接続する、
光伝送モジュール。
【請求項６】
光ファイバにて伝搬される所定の光信号を出射し、自身が高温状態よりも低温状態で特性が劣化する性質を有する光源素子と、この光源素子を駆動制御するドライバ回路と、にそれぞれ接続されることで、相互間の熱伝達を行う熱伝達部材を備えた光伝送モジュールにて、
前記熱伝達部材が、前記光源素子に接続される第一部材と、前記ドライバ回路に接続される第二部材と、を備えている場合に、前記第一部材と前記第二部材とを相互に接触、あるいは、離間させるよう切り替える、
光伝送モジュールの温度調節方法。
【請求項７】
請求項６に記載の光伝送モジュールの温度調節方法であって、
前記光源素子自体の温度が予め設定された温度より低いときに、前記第一部材と前記第二部材とを接触させるよう切り替え、前記光源素子自体の温度が予め設定された温度より高いときには、前記第一部材と前記第二部材とを離間させるよう切り替える、
光伝送モジュールの温度調節方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光伝送モジュールにかかり、特に、温度調節機能を備えた光伝送モジュールに関する。また、光伝送モジュールの温度調節方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光インターコネクション用途の光伝送モジュールでは、光源素子の温度要求として、例えば、−４０℃から８０℃まで広い温度範囲で動作することが要求されている。かかる要求に応えるべく、特許文献１では、レーザダイオードが一定の温度となるよう、ペルチェ素子やヒータといった温度調節部材を備えた光伝送モジュールが開示されている。
【０００３】
しかしながら、上記光伝送モジュールでは、ペルチェ素子やヒータを備えているため、当該ペルチェ素子やヒータを駆動するための余分な電力や部品を搭載する必要があり、省電力化やモジュール自体の小型化、低コスト化が困難である、という問題がある。また、ペルチェ素子やヒータ自体の価格が高いこともあり、民生用途として利用されにくい状況にある。
【０００４】
一方、ＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting LASER：垂直共振器面発光レーザ）やＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）レーザ、ＤＦＢ（Distributed Feedback）レーザのような半導体レーザは、半導体レーザ素子内部に集積（形成）された共振器や反射鏡により出射するレーザ光の波長（λｃ）が決められる。このため、活性層の利得スペクトルのピーク波長（λｐ）とλｃを一致させることで、半導体レーザは最適な特性（光出力が高い、電力−光変換効率が高い等）を示し、λｐとλｃの差が大きくなればなるほど、半導体レーザの特性は劣化してしまうという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−２３５８６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、λｃやλｐは、それぞれ異なる温度依存性があることがわかっている。例えば、発光波長が８５０ｎｍ帯のGaAs系のＶＣＳＥＬでは、λｃはΔλｃ／ΔＴ＝０．０５ｎｍ／Ｋ、λｐはΔλｐ／ΔＴ＝１ｎｍ／Ｋ程度の値である（Δ：デルタ）。このため、高温にて半導体レーザの特性が最適になるように共振器や反射鏡を設計、つまり、高温にてλｐとλｃが一致するようにすると、低温ではλｐとλｃの差が大きくなってしまうため、ＬＤの特性が劣化してしまい、逆に、低温にて半導体レーザの特性が最適になるように設計すると、高温ではＬＤの特性が劣化してしまう。つまり、特許文献１に記載のものとは異なり、余分な電力を消費せず、かつ、低コストで、広い温度範囲にて安定して動作させる光伝送モジュールの実現が困難である、という問題があった。
【０００７】
このため、本発明の目的は、上述した課題である、省電力かつ低コストにて、広い温度範囲で安定して動作する光伝送モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成すべく、本発明の一形態である光伝送モジュールは、
光ファイバにて伝搬される所定の光信号を出射し、自身が高温状態よりも低温状態で特性が劣化する性質を有する光源素子と、この光源素子を駆動制御するドライバ回路と、を備えると共に、
上記光源素子と上記ドライバ回路とにそれぞれ接続されることで、相互間の熱伝達を行う熱伝達部材を備えた、
という構成をとる。
【０００９】
なお、上記熱伝達部材は、直接、上記光源素子や上記ドライバ回路とに接触して接続していることに限定されず、他の部材を介して上記光源素子や上記ドライバ回路に熱伝達が可能なよう接続していてもよい。例えば、上記熱伝達部材は、上記光源素子を搭載した光パッケージ部品を介して当該光源素子と接続していてもよい。
【００１０】
上記発明によると、ドライバ回路と光源素子とが熱伝達部材にて接続されているため、ドライバ回路によって発せられた熱を光源素子に伝達させることができ、当該光源素子自体の温度が上昇し、低温状態となることを抑制することができる。従って、別途電力や高価な部品を使用しないため、省電力化、低コスト化を図りつつ、光源素子の特性の劣化を抑制でき、広い温度範囲にて安定して作動させることができる光伝送モジュールを提供することができる。
【００１１】
また、上記光伝送モジュールでは、
上記熱伝達部材は、上記光源素子に接続される第一部材と、上記ドライバ回路に接続される第二部材と、を備えており、上記第一部材と上記第二部材とは相互に接触及び離間が可能なよう装備されている、
という構成をとる。
【００１２】
また、上記光伝送モジュールでは、
上記熱伝達部材は、上記第一部材と上記第二部材との接触及び離間を切り替える切替手段を備え、
上記切替手段は、上記光源素子自体の温度が予め設定された温度より低いときに、上記第一部材と上記第二部材とを接触させるよう切り替え、上記光源素子自体の温度が予め設定された温度より高いときには、上記第一部材と前記第二部材とを離間させるよう切り替える、
という構成をとる。
【００１３】
また、上記光伝送モジュールでは、
上記切替手段は、上記ドライバ回路自体あるいは上記光源素子自体の温度に応じて、上記第一部材と上記第二部材との接触及び離間を切り替えるよう作動する、
という構成をとる。
【００１４】
ここで、上記第一部材と上記第二部材とが接触している状態とは、当該第一部材と第二部材とが相互間で熱伝達可能なよう接触している場合をいうが、直接、接触している場合に限らず、これら各部材の間に他の素材や物体を介して接触している場合も含む。
【００１５】
上述したように、第一部材と第二部材との接触と離間とを切り替える構成をとることで、光源素子の温度調節を容易に行うことができる。また、ドライバ回路自体あるいは光源素子自体の温度に応じて、第一部材と第二部材との接触及び離間を切り替える構成の切替手段を用いることで、自動的に光源素子の温度を適切な温度に設定することができる。
【００１６】
また、本発明の他の形態である、光伝送モジュールの温度調節方法は、
光ファイバにて伝搬される所定の光信号を出射し、自身が高温状態よりも低温状態で特性が劣化する性質を有する光源素子と、この光源素子を駆動制御するドライバ回路と、にそれぞれ接続されることで、相互間の熱伝達を行う熱伝達部材を備えた光伝送モジュールにて、
上記熱伝達部材が、上記光源素子に接続される第一部材と、上記ドライバ回路に接続される第二部材と、を備えており、上記第一部材と前記第二部材とを相互に接触、あるいは、離間させるよう切り替える、
という構成をとる。
【００１７】
そして、上記光伝送モジュールの温度調節方法では、
上記光源素子自体の温度が予め設定された温度より低いときに、上記第一部材と上記第二部材とを接触させるよう切り替え、上記光源素子自体の温度が予め設定された温度より高いときには、上記第一部材と上記第二部材とを離間させるよう切り替える、
という構成をとる。
【００１８】
上述した光伝送モジュールの温度調節方法の発明であっても、上記構成の光伝送モジュールと同様に、省電力化、低コスト化を図りつつ、光源素子の特性の劣化を抑制でき、広い温度範囲にて安定して作動させることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明は、以上のように構成され機能するので、これによると、省電力化、低コスト化を図りつつ、光源素子の特性の劣化を抑制でき、広い温度範囲にて安定して作動させることができる光伝送モジュールを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の光伝送モジュールに搭載される光源素子の特性を説明するための図である。
【図２】本発明の光伝送モジュールの構成を示す図である。
【図３】本発明の光伝送モジュールの構成を示す図である。
【図４】本発明の光伝送モジュールの構成を示す図である。
【図５】本発明の光伝送モジュールによる熱伝達部材の接触・離間の切替時の動作を説明するフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
＜実施形態１＞
本発明の第１の実施形態を、図１乃至図５を参照して説明する。図１は、光伝送モジュールに搭載される光源素子の特性を説明するための図である。図２乃至図４は、光伝送モジュールの構成を示す図である。図５は、光伝送モジュールの動作を説明する図である。
【００２２】
本発明における光伝送モジュール１は、光インターコネクション用途の光伝送モジュールであり、光源素子として半導体レーザ２を搭載している。特に、本実施形態における半導体レーザは、ＶＣＳＥＬである。但し、半導体レーザ２は、ＶＣＳＥＬであることに限定されず、ＤＢＲレーザ、ＤＦＢレーザなど、他の半導体レーザであってもよく、光源素子は半導体レーザであることにも限定されない。
【００２３】
ここで、本実施形態における半導体レーザ２であるＶＣＳＥＬは、半導体レーザ素子内部に集積（形成）された共振器や反射鏡により出射するレーザ光の波長（λｃ）が決められる。このため、活性層の利得スペクトルのピーク波長（λｐ）とλｃを一致させることで、半導体レーザは最適な特性、例えば、光出力が高く、電力−光変換効率が高いなどの特性を示す。逆に、λｐとλｃの差が大きくなればなるほど、半導体レーザの特性は劣化してしまう。
【００２４】
しかしながら、λｃやλｐは、それぞれ異なる温度依存性がある。例えば、発光波長が８５０ｎｍ帯のGaAs系のＶＣＳＥＬでは、λｃはΔλｃ／ΔＴ＝０．０５ｎｍ／Ｋ、λｐはΔλｐ／ΔＴ＝１ｎｍ／Ｋ程度の値である。このため、高温にてＬＤの特性が最適になるように共振器や反射鏡を設計、つまり、高温にてλｐとλｃが一致するようにすると、低温ではλｐとλｃの差が大きくなってしまうため、ＬＤの特性が劣化してしまう。逆に、低温にて半導体レーザの特性が最適になるように設計すると、高温では半導体レーザの特性が劣化してしまう、という特性を有している。
【００２５】
具体的に、図１は、上述したλｐとλｃの差（｜λｐ−λｃ｜）と環境温度（Ｔ）との関係に関する計算結果を示したものである。λｐとλｃの温度依存性はそれぞれ上述同様に、Δλｃ／ΔＴ＝０．０５ｎｍ／Ｋ、Δλｐ／ΔＴ＝１ｎｍ／Ｋとし、λｐとλｃが一致（｜λｐ−λｃ｜＝０ｎｍ）となる温度が、それぞれ２℃（［Ｌｏｗ］）、２０℃（［Ｍｉｄｄｌｅ］）、３８℃（［Ｈｉｇｈ］）となる場合についてプロットしており、｜λｐ−λｃ｜の値が大きくなればなるほど、半導体レーザの特性は劣化するというものである。このとき、例えば、｜λｐ−λｃ｜＜４０ｎｍであれば、光伝送モジュールの特性が通信機能を保つことができることとする。
【００２６】
すると、［Ｌｏｗ］、［Ｍｉｄｄｌｅ］、［Ｈｉｇｈ］のそれぞれに設計された半導体レーザの使用可能な許容温度範囲は、図１に示すように、それぞれ−４０℃〜４４℃、−２２℃〜６２℃、−２℃〜８０℃、とそれぞれ求められる。このことから、［Ｌｏｗ］に設計された半導体レーザは、「比較的低温時に最適化された半導体レーザ」であり、［Ｈｉｇｈ］に設計された半導体レーザは、「比較的高温時に最適化された半導体レーザ」であると言える。また、［Ｍｉｄｄｌｅ］に設計された半導体レーザは、「中間の温度に最適化された半導体レーザ」であると言える。
【００２７】
そして、本実施形態で用いる半導体レーザ２は、特に、上述した［Ｈｉｇｈ］や［Ｍｉｄｄｌｅ］に設計された半導体レーザであり、比較的高温状態で特性が最適となり、かかる高温状態よりも低温状態では特性が劣化する性質を有するものであることとする。なお、例えば［Ｈｉｇｈ］に設計された半導体レーザにおける高温状態とは、上述したようにλｐとλｃが一致（｜λｐ−λｃ｜＝０ｎｍ）となる温度である３８℃を中心とした所定範囲（例えば、−２℃〜８０℃）の予め設定された温度状態といい、また、低温状態とは、λｐとλｃが一致となる温度である３８℃を中心とした所定範囲（例えば、−２℃〜８０℃）の下限温度（−２℃）よりも低い予め設定された温度状態のことをいうこととする。
【００２８】
以上より、本発明における半導体レーザ２は、予め設定された低温状態では特性が劣化する性質を有するため、特性が最適となる予め設定された高温状態に維持する必要がある。このため、本発明における光伝送モジュール１は、さらに以下の構成を有する。
【００２９】
具体的に、光伝送モジュール１は、図２に示すように、プリント基板１０を備えており、このプリント基板１０上に、上述した半導体レーザ２を搭載した光パッケージ部品２０を備えている。この光パッケージ部品２０は、搭載している半導体レーザ２から出射された光を集光するレンズや光信号を伝搬する光ファイバに接続される光ファイバコネクタ２１を備えており、図２の矢印Ｌに示すように、半導体レーザ２から光信号を出射する。
【００３０】
また、光伝送モジュール１は、プリント基板１０上に、上記半導体レーザ２を駆動制御するドライバ回路であるドライバＩＣ３を搭載している。なお、図２等では、半導体レーザ２とドライバＩＣ３とをそれぞれ斜線にて図示しているが、各部品の位置関係をわかりやすくするために説明の都合上、そのように図示しているだけである。
【００３１】
そして、本発明における光伝送モジュール１は、さらに、上述した半導体レーザ２とドライバＩＣ３との相互間で熱伝達が可能なよう、当該半導体レーザ２とドライバＩＣ３とを相互に接続する熱伝達部材４１，４２ａ，４２ｂを備えている。具体的に、熱伝達部材４１，４２ａ，４２ｂは、半導体レーザ２に接続される半導体レーザ側熱伝達部材４１（第一部材）と、ドライバＩＣ３に接続されるドライバＩＣ側熱伝達部材４２ａ，４２ｂ（第二部材）と、により構成されている。半導体レーザ側熱伝達部材４１は、上述した光パッケージ部品２０を介して半導体レーザ２と接続されており、当該半導体レーザ２と熱伝達が可能である。また、ドライバＩＣ側熱伝達部材４２ａ，４２ｂは、ドライバＩＣ３と直接接触しているドライバＩＣ側第一熱伝達部材４２ｂと、この部材４２ｂを介してドライバＩＣ３と接続されたドライバＩＣ側第二熱伝達部材４２ａと、を備えている。
【００３２】
さらに、上記半導体レーザ側熱伝達部材４１と、ドライバＩＣ側第二熱伝達部材４２ａとは、相互に接触状態と離間状態とが切替可能なよう構成されている。具体的に、半導体レーザ側熱伝達部材４１と、ドライバＩＣ側第二熱伝達部材４２ａとは、それぞれの接触面５０（図３あるいは図４の符号５１，５２）が斜めにカットされて構成されている。そして、ドライバＩＣ側第二熱伝達部材４２ａには、半導体レーザ側熱伝達部材４１とドライバＩＣ側第二熱伝達部材４２ａとの接触及び離間を切り替えるよう可動する切替スイッチ４３（切替手段）を備えている。
【００３３】
この切替スイッチ４３は、図２の矢印Ｙに示すように、半導体レーザ側熱伝達部材４１側とドライバＩＣ側第二熱伝達部材４２ａ側とに向かって往復移動可能である。そして、図３の矢印Ｙ１に示すように、切替スイッチ４３が半導体レーザ側伝熱部材４１側に移動されると、当該切替スイッチ４３が半導体レーザ側熱伝達部材４１の接触面５１を押圧し、当該接触面５１を形成している部分が矢印Ｙ２に示すように下方に下がるようたわむ。これにより、半導体レーザ側熱伝達部材４１の接触面５１と、ドライバＩＣ側第二熱伝達部材４２ａの接触面５２とが、相互に離間することとなる。そして、切替スイッチ４３の位置が、図２に示すように元に戻ると、半導体レーザ側熱伝達部材４１とドライバＩＣ側第二熱伝達部材４２ａとは、相互に各接触面５１，５２で接触した状態となる。
【００３４】
なお、半導体レーザ側熱伝達部材４１は、例えば、光パッケージ部品２０に対してスライド可能に搭載されていてもよい。かかる場合には、図４の矢印Ｙ３に示すように切替スイッチ４３が移動すると、半導体レーザ側熱伝達部材４１が押圧されて矢印Ｙ４に示す方向に移動し、これにより、半導体レーザ側熱伝達部材４１とドライバＩＣ側第二熱伝達部材４２ａとが離間する。
【００３５】
但し、半導体レーザ側熱伝達部材４１とドライバＩＣ側第二熱伝達部材４２ａとを接触させたり離間させるよう切り替えるための構造は、上述した構造であることに限定されない。例えば、切替スイッチ４３にて、あるいは、他の手段にて、ドライバＩＣ側第二熱伝達部材４２ａを可動して、半導体レーザ側熱伝達部材４１と接触や離間するよう切り替えてもよい。
【００３６】
そして、上述したように、半導体レーザ側熱伝達部材４１とドライバＩＣ側第二熱伝達部材４２ａとが接触した状態では（図５のステップＳ１）、ドライバＩＣ３が作動することにより発生した熱が、ドライバＩＣ側第一熱伝達部材４２ｂを介してドライバＩＣ側第二熱伝達部材４２ａに伝達し、さらに、半導体レーザ側熱伝達部材４１に伝達される。すると、半導体レーザ側熱伝達部材４１に伝達されたドライバＩＣ３からの熱は、光パッケージ部品２０を介して半導体レーザ２に伝達され、当該半導体レーザ２は温められることとなる。
【００３７】
その後、半導体レーザ２が所定の温度まで温められて、それ以上加熱が不要となった場合には（図５のステップＳ２でＹｅｓ）、図３に示すように、切替スイッチ４３を移動させることにより、半導体レーザ側熱伝達部材４１とドライバＩＣ側第二熱伝達部材４２ａとが相互に離間した状態では（図５のステップＳ３）、ドライバＩＣ３から発生した熱は、半導体レーザ２には伝達されないこととなる。
【００３８】
なお、その後、半導体レーザ２の温度が下がり、加熱が必要となると（図５のステップＳ４でＹｅｓ）、図２に示すように、切替スイッチ４３を移動させて元の位置にもどらせることにより、半導体レーザ側熱伝達部材４１とドライバＩＣ側第二熱伝達部材４２ａとが相互に接触した状態となる（図５のステップＳ１）。これにより、半導体レーザ２は、再度、ドライバＩＣ３からの熱で加熱されることとなる。
【００３９】
以上のように、上記切替スイッチ４３は、半導体レーザ２の特性が低下する低温状態とならないよう、当該半導体レーザ２の温度に応じて、半導体レーザ側熱伝達部材４１とドライバＩＣ側第二熱伝達部材４２ａとが接触、あるいは、離間状態となるよう切り替えるよう作動する。具体的には、半導体レーザ２自体の温度が予め設定された温度より低いとき、つまり、環境温度が低く、半導体レーザ２を温めたいときには、半導体レーザ側熱伝達部材４１とドライバＩＣ側第二熱伝達部材４２ａとが接触するよう切り替える。一方、半導体レーザ２自体の温度が予め設定された温度より高いとき、つまり、環境温度が高く、半導体レーザを温めたくないときには、半導体レーザ側熱伝達部材４１とドライバＩＣ側第二熱伝達部材４２ａとが離間するよう切り替える。
【００４０】
なお、切替スイッチ４３の切替動作は、操作者による操作にて行われたり、あるいは、半導体レーザ２の温度に応じて自動的に切替制御されて行われるなど、いかなる方法にて実行されてもよい。自動的に切替動作を制御する場合は、例えば、半導体レーザ２の温度を計測するセンサを設けると共に、切替スイッチ４３を可動する可動機構を設ける。そして、センサにて計測された半導体レーザ２の温度に応じて、半導体レーザ側熱伝達部材４１とドライバＩＣ側第二熱伝達部材４２ａとを接触、あるいは、離間させるよう、可動機構にて切替スイッチ４３を可動させる。あるいは、切替スイッチ４３自体が、半導体レーザ２やドライバＩＣ３の温度に応じて変形して、上述したように、半導体レーザ側熱伝達部材４１とドライバＩＣ側第二熱伝達部材４２ａとを接触、あるいは、離間させるよう切り替えるよう作動してもよい。この場合には、例えば切替スイッチ４３をバイメタルで構成することで、上述した動作を実現できる。
【００４１】
以上のように、本発明における光伝送モジュールによると、光源素子である半導体レーザ２とドライバＩＣ３とが、熱伝達部材４１，４２ａ，４２ｂを介して接続されているため、ドライバＩＣ３によって発せられた熱を半導体レーザ２に伝達させることができる。これにより、半導体レーザ２自体の温度を上昇させることができ、低温状態で特性が低下することを抑制することができる。従って、別途電力や高価な部品を使用せずに半導体レーザ２の温度調節が可能であるため、省電力化、低コスト化を図りつつ、半導体レーザ２の特性の劣化を抑制でき、広い温度範囲にて安定して作動させることができる光伝送モジュールを提供することができる。
【００４２】
また、熱伝達部材４１，４２ａ，４２ｂの接触と離間を切り替える切替スイッチ４３を設けることで、半導体レーザ２の温度調節を容易に行うことができる。さらに、切替スイッチ４３による切替動作を、半導体レーザ２の温度に応じて自動的に行うことで、光伝送モジュールの品質のさらなる向上を図ることができる。
【符号の説明】
【００４３】
１  光伝送モジュール
１０  プリント基板
２  半導体レーザ
２０  光パッケージ部品
２１  光ファイバコネクタ
３  ドライバＩＣ
４１  半導体レーザ側熱伝達部材
４２ａ  ドライバＩＣ側第一熱伝達部材
４２ｂ  ドライバＩＣ側第二熱伝達部材
４３  切替スイッチ
５１，５２  接触面
【図１】
2012124245.tif 000003
【図２】
2012124245.tif 000004
【図３】
2012124245.tif 000005
【図４】
2012124245.tif 000006
【図５】
2012124245.tif 000007