(57)【要約】【課題】マスクパターンの重ね合わせずれを低減する。【解決手段】反射型マスクの製造方法は、基板１２と、基板１２の表面に設けられかつ露光光を反射する反射層１３と、反射層１３上に設けられかつ露光光を吸収する吸収層１６と、基板１２の裏面に設けられかつ露光装置の静電チャックに保持される導電層１１とを具備する反射型マスクを作製する工程と、反射型マスクのマスクパターンをウエハに転写する工程と、ウエハの下地パターンと、ウエハに転写された転写パターンとの重ね合わせずれを計測する工程と、重ね合わせずれが小さくなるように、導電層１１を膜厚未満の範囲で凹凸加工する工程とを含む。【選択図】      図２
2012124214.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の表面に設けられかつ露光光を反射する反射層と、前記反射層上に設けられかつ露光光を吸収する吸収層と、前記基板の裏面に設けられかつ露光装置の静電チャックに保持される導電層とを具備する反射型マスクを作製する工程と、
前記反射型マスクのマスクパターンをウエハに転写する工程と、
前記ウエハの下地パターンと、前記ウエハに転写された転写パターンとの重ね合わせずれを計測する工程と、
前記重ね合わせずれが小さくなるように、前記導電層を膜厚未満の範囲で凹凸加工する工程と、
を具備することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
【請求項２】
前記凹凸加工する工程は、
前記重ね合わせずれが所定範囲内になるように、前記導電層の加工領域を算出する工程と、
前記算出された加工領域を部分的にエッチングする工程と、
を含むことを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクの製造方法。
【請求項３】
基板と、前記基板の表面に設けられかつ露光光を反射する反射層と、前記反射層上に設けられかつ露光光を吸収する吸収層と、前記基板の裏面に設けられかつ露光装置の静電チャックに保持される導電層とを具備する反射型マスクを作製する工程と、
前記反射型マスクを前記静電チャックに保持する工程と、
前記静電チャックに保持された反射型マスクの平坦度を計測する工程と、
前記平坦度が高くなるように、前記導電層を膜厚未満の範囲で凹凸加工する工程と、
を具備することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
【請求項４】
前記凹凸加工する工程は、
前記平坦度の計測値が所定範囲内になるように、前記導電層の加工領域を算出する工程と、
前記算出された加工領域を部分的にエッチングする工程と、
を含むことを特徴とする請求項３に記載の反射型マスクの製造方法。
【請求項５】
基板と、前記基板の表面に設けられかつ露光光を反射する反射層と、前記反射層上に設けられかつ露光光を吸収する吸収層と、前記基板の裏面に設けられかつ露光装置の静電チャックに保持される導電層とを具備する反射型マスクを作製する工程と、
前記静電チャックの平坦度を計測する工程と、
前記静電チャックに保持された反射型マスクの平坦度が高くなるように、前記導電層を膜厚未満の範囲で凹凸加工する工程と、
を具備することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
【請求項６】
前記凹凸加工する工程は、
前記反射型マスクが前記静電チャックに保持された場合に、前記平坦度の計測値が所定範囲を超えた領域に対応する前記導電層の加工領域を算出する工程と、
前記算出された加工領域を部分的にエッチングする工程と、
を含むことを特徴とする請求項５に記載の反射型マスクの製造方法。
【請求項７】
前記導電層を除去する工程と、
前記基板の裏面に導電層を再度形成する工程と、
前記再形成された導電層を凹凸加工する工程と、
をさらに具備することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の反射型マスクの製造方法。
【請求項８】
前記請求項１乃至７のいずれかに記載の製造方法によって製造された反射型マスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、反射型マスク及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの微細化に伴い、ＥＵＶ（極端紫外線）光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィが有望視されている。ＥＵＶリソグラフィに用いられる反射型マスクは、露光装置の静電チャックに保持され、露光光を反射することで、ウエハにマスクパターンを転写する。
【０００３】
マスクパターンをウエハに転写する露光工程の際、反射型マスクに入射する露光光は、反射型マスクの法線に対して所定の角度を持って斜めに入射される。このため、反射型マスクの平坦度や膜厚分布により、転写位置ずれが発生する。
【０００４】
この転写位置ずれを抑えるために、マスク描画段階でパターンの位置補正を行う手法が提案されている。しかしながら、マスク描画時の位置補正により反射型マスクを作製しても、ランダムな残差成分以外にシステマティックな残差成分が現れる場合がある。システマティックな残差成分に対してさらに位置補正を行うことにより、再度、マスク描画及びマスク作製を行うことは可能であるが、マスクの製造コストが上昇し、納期の長期化が予想される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１２２３０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
実施形態は、マスクパターンの重ね合わせずれを低減することが可能な反射型マスク及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態に係る反射型マスクの製造方法は、基板と、前記基板の表面に設けられかつ露光光を反射する反射層と、前記反射層上に設けられかつ露光光を吸収する吸収層と、前記基板の裏面に設けられかつ露光装置の静電チャックに保持される導電層とを具備する反射型マスクを作製する工程と、前記反射型マスクのマスクパターンをウエハに転写する工程と、前記ウエハの下地パターンと、前記ウエハに転写された転写パターンとの重ね合わせずれを計測する工程と、前記重ね合わせずれが小さくなるように、前記導電層を膜厚未満の範囲で凹凸加工する工程とを具備する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】反射型マスク１０の構成を示す断面図。
【図２】第１の実施形態に係る反射型マスク１０の製造方法を説明するフローチャート。
【図３】反射型マスク１０に用いられる基板１２の平坦度の一例を説明する斜視図。
【図４】マスクパターンの位置ずれを説明する概略図。
【図５】重ね合わせずれの残差成分マップの一例。
【図６】導電層１１の加工領域を説明する図。
【図７】反射型マスク１０の平坦度とマスクパターンの位置ずれとを説明する図。
【図８】反射型マスク１０の膜厚分布と転写位置ずれとの関係を説明する図。
【図９】導電層１１の加工領域２０の形状を説明する断面図。
【図１０】導電層１１の加工工程を示す断面図。
【図１１】反射型マスク１０を静電チャックに保持させた様子を説明する図。
【図１２】反射型マスク１０を静電チャックに保持させた様子を説明する図。
【図１３】実施例１に係る反射型マスク１０の製造方法を説明するフローチャート。
【図１４】実施例２に係る反射型マスク１０の製造方法を説明するフローチャート。
【図１５】第２の実施形態に係る反射型マスク１０の製造方法を説明するフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、実施形態について図面を参照して説明する。ただし、図面は模式的または概念的なものであり、各図面の寸法および比率などは必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、図面の相互間で同じ部分を表す場合においても、互いの寸法の関係や比率が異なって表される場合もある。特に、以下に示す幾つかの実施形態は、本発明の技術思想を具体化するための装置および方法を例示したものであって、構成部品の形状、構造、配置などによって、本発明の技術思想が特定されるものではない。なお、以下の説明において、同一の機能及び構成を有する要素については、同一符号を付し、重複説明は必要な場合にのみ行う。
【００１０】
［第１の実施形態］
図１は、第１の実施形態に係る反射型マスク１０の構成を示す断面図である。基板１２としては、例えば、６インチ角のサイズを有し、かつ熱膨張係数が極めて小さいガラス基板が用いられる。基板１２の表面（主面）上には、露光光（ＥＵＶ光）を反射するための反射層１３が設けられている。すなわち、反射層１３は、露光光に対する反射率が高い。反射層１３は、例えば、シリコン（Ｓｉ）及びモリブデン（Ｍｏ）が交互に４０対程度積層された積層膜により構成されている。
【００１１】
反射層１３上には、反射層１３を構成するＭｏ膜を酸化から保護するための保護膜１４が設けられている。保護膜１４としては、例えば、シリコン（Ｓｉ）が用いられる。保護膜１４上には、吸収層１６を形成する際のエッチングストッパとして、或いは吸収層１６の欠陥除去時のダメージを回避する目的で、バッファ膜１５が設けられている。バッファ膜１５としては、例えば、窒化クロム（ＣｒＮ）が用いられる。
【００１２】
バッファ膜１５上には、露光光を吸収するための吸収層１６が設けられている。すなわち、吸収層１６は、露光光に対する反射率が低い。吸収層１６としては、例えば、タンタルとホウ素を含む窒化物（ＴａＢＮ）が用いられる。
【００１３】
吸収層１６上には、吸収層１６のパターン検査に用いられる波長２５０ｎｍ近傍の検査光が反射するのを防ぐために、反射防止層１７が設けられている。反射防止層１７としては、検査光に対して十分低い反射率を有する材料が用いられる。
【００１４】
反射型マスク１０が所望のマスクパターンを有するためには、リソグラフィ工程及びエッチング工程により、吸収層１６を所望の回路パターンに対応する形状に加工すればよい。これにより、所望の回路パターンを露光転写するためのマスクパターンを有した反射型マスク１０が得られる。
【００１５】
基板１２の裏面には、露光装置の静電チャックに反射型マスク１０を固定するために導電層１１が設けられている。導電層１１としては、例えば、窒化クロム（ＣｒＮ）が用いられる。
【００１６】
次に、反射型マスク１０の製造方法について説明する。図２は、反射型マスク１０の製造方法を説明するフローチャートである。
【００１７】
まず、反射型マスク１０作製時に使用する基板１２を準備する。そして、この基板１２の平坦度を計測する（ステップＳ１００）。図３は、反射型マスク１０に用いられる基板１２の平坦度の一例を説明する斜視図である。図３（ａ）は、基板１２の表面を示す図であり、図３（ｂ）は、基板１２の裏面を示す図である。基板１２の表面では、最大高さと最小高さとの差（平坦度データ）が概略７９ｎｍとなっている。基板１２の裏面では、平坦度データが概略８２ｎｍとなっている。
【００１８】
反射型マスク１０は、露光装置の静電チャックに導電層１１が吸着されることで、静電チャックに固定される。このため、基板１２の平坦度が低いと、反射型マスク１０裏面の凹凸に起因するマスクパターンの位置ずれや、反射型マスク１０の膜厚分布に起因するマスクパターンの転写位置ずれが発生する。なお、本実施形態では、平坦度が高いとは、より平坦に近いことを意味し、すなわち、平坦度データが小さい場合に対応する。平坦度が低いとは、より平坦性が劣化していることを意味し、すなわち、平坦度データが大きい場合に対応する。
【００１９】
図４（ａ）は、反射型マスク裏面の凹凸に起因するマスクパターンの位置ずれを説明する概略図である。反射型マスクは、その裏面に凹凸を有しており、この反射型マスクが静電チャックに吸着されると、反射型マスク表面のマスクパターンは、反射型マスク裏面の凹凸に起因して本来の位置から大きくシフトする。
【００２０】
図４（ｂ）は、反射型マスクの膜厚分布に起因する転写位置ずれを説明する概略図である。露光工程の際、反射型マスクには、反射型マスク表面の法線に対して所定の角度θを持って斜めに露光光が入射する。反射型マスクの膜厚に差ΔＺがあると、反射型マスクのマスクパターンは、図４（ｂ）の破線で示すマスクパターンのようにシフトした状態でウエハに転写される。
【００２１】
続いて、基板１２の平坦度及び膜厚分布に起因する重ね合わせずれを低減するように、平坦度計測値に基づいて位置補正描画を施した反射型マスク１０（図１を参照）を作製する（ステップＳ１０１）。すなわち、ステップＳ１０１で作製された反射型マスク１０は、基板１２の平坦度及び膜厚分布に起因する重ね合わせずれに対して補正が施されている。
【００２２】
続いて、露光装置（例えば、ＡｒＦスキャン露光装置）を用いて既に下地パターンが形成されたウエハを準備する。続いて、ＥＵＶ露光装置の静電チャックに反射型マスク１０を保持し、反射型マスク１０のマスクパターンをウエハに転写する（ステップＳ１０２）。具体的には、ウエハの下地パターン上には加工されるべき被加工膜が形成されており、このウエハ上にレジストを塗布し、反射型マスク１０を用いてレジストを露光及び現像し、現像されたレジストパターンをマスクとして被加工膜をエッチングする。これにより、ウエハの被加工膜には、反射型マスク１０のマスクパターンが転写される。
【００２３】
続いて、ウエハに転写された転写パターンとウエハに予め形成されていた下地パターンとを用いて、重ね合わせずれを計測する（ステップＳ１０３）。図５は、重ね合わせずれの残差成分マップの一例である。図５では、残差の大きさ及び方向をベクトルで表しており、重ね合わせずれが大きくなるほど、ベクトルの長さが長くなる。図５において、Ｘ方向及びＹ方向における残差の平均値はゼロ、Ｘ方向の３σ（３σＸ）＝１７．４ｎｍ、Ｙ方向の３σ（３σＹ）＝１９．７ｎｍである。図５の外枠は、露光領域に対応する。
【００２４】
ステップＳ１０１において反射型マスク１０を作製した際に、基板１２の平坦度及び膜厚分布に起因する転写位置ずれを考慮しているので、本来であれば、重ね合わせずれは最小限に抑えられるべきである。しかしながら、実際には、図５から、システマティックな残差成分に起因して、大きく重ね合わせずれが発生している箇所があることが判る。なお、システマティックな残差成分は、露光装置に起因して発生する重ね合わせずれであり、具体的には、静電チャックの経時的汚れや摩耗による静電チャック表面の平坦度の変化が含まれる。図５では、例えば１５ｎｍ以上の重ね合わせずれが発生している領域として、丸で囲んだ２つの領域が抽出される。
【００２５】
続いて、ステップＳ１０３によって得られた重ね合わせずれがある一定以下の値（所定の許容範囲内）になるように、基板１２裏面の導電層１１を凹凸加工する領域及び加工形状を算出する（ステップＳ１０４）。本実施形態では、所定の許容範囲は、例えば１５ｎｍである。図６は、導電層１１の加工領域を説明する図である。図６は、反射型マスク１０裏面を上に向けた状態を示している。導電層１１の加工領域２０，２１の位置及びサイズは、図５から算出される。加工領域２０，２１は、１５ｎｍを超える重ね合わせずれが発生している領域である。
【００２６】
図７は、導電層１１を平坦な静電チャックへ吸着された場合のマスクパターンの位置ずれを説明する図である。導電層１１が静電チャックへ吸着された場合に、導電層１１の平坦度に応じて反射型マスク１０のマスクパターン（吸収層１６のパターン）がシフトする量ΔＭａｓｋは、反射型マスク１０の膜厚をｔ、反射型マスク１０表面の法線方向をＺ方向とすると、以下の式で表される。
【００２７】
ΔＭａｓｋ＝（ｄｚ／ｄｘ，ｄｚ／ｄｙ）・ｔ／２
また、ウエハに転写された転写パターンがシフトする量ΔＷａｆｅｒは、縮小投影光学系の縮小倍率をｍａｇとすると、以下の式で表される。
【００２８】
ΔＷａｆｅｒ＝ΔＭａｓｋ・ｍａｇ
図７では、導電層１１が静電チャックへ吸着された場合に、導電層１１の平坦度に応じて反射型マスク１０のマスクパターンがベクトルの方向及び大きさだけシフトする。
【００２９】
図８は、反射型マスク１０の膜厚分布と転写位置ずれとの関係を説明する図である。ＥＵＶ露光装置の場合、反射型マスク１０に対して円弧状に露光光（ＥＵＶ光）が照射されるため、反射型マスク１０表面に凹凸があると円弧状の露光光が照射される角度に依存した転写位置ずれが発生する。図８では、露光光は、反射型マスク１０表面の法線に対して図の上側に角度θ（例えば６度）だけ傾いている。図８の複数の円弧状の破線は、露光光がスキャンされる様子を示している。
【００３０】
導電層１１が静電チャックへ吸着された場合に、反射型マスク１０表面の平坦度に応じて反射型マスク１０のマスクパターン（吸収層１６のパターン）がシフトする量ΔＭａｓｋは、反射型マスク１０の凹凸に起因する膜厚の変化量をΔＺ、円弧の曲率半径ｒ、ｓｉｎφ＝ｘ／ｒとすると、以下の式で表される。
【００３１】
ΔＭａｓｋ＝（ｓｉｎφ，ｃｏｓφ）・ΔＺ・ｔａｎθ
ΔＷａｆｅｒの式は、図７の場合と同じである。
【００３２】
図８では、導電層１１が静電チャックへ吸着された場合に、導電層１１の平坦度に応じて反射型マスク１０のマスクパターンがベクトルの方向及び大きさだけシフトして、ウエハに転写される。
【００３３】
図７及び図８それぞれに示されたベクトル和が導電層１１加工による位置ずれ補正量になる。よって、図５で得られている重ね合わせずれと、導電層１１加工による位置ずれ補正量との和が最小になるように、最適な導電層１１の加工形状（サイズ及び深さ）が決定される。図９は、導電層１１の加工領域２０の形状を説明する断面図である。
【００３４】
続いて、ステップＳ１０４の算出結果に基づいて導電層１１を凹凸加工する（ステップＳ１０５）。以下に、ステップＳ１０５の製造工程を図面を参照しながら説明する。先ず、図１０（ａ）に示すように、ステップＳ１０１において基板１２の平坦度及び膜厚分布に起因する重ね合わせずれに対して補正が施された反射型マスク１０を準備する。
【００３５】
続いて、図１０（ｂ）に示すように、洗浄が施された導電層１１上にレジスト２２を塗布する。続いて、ステップＳ１０４で算出された凹凸加工を行う加工領域の描画データを作成し、この描画データを元に、レジスト２２をレーザー描画、及び現像する。これにより、導電層１１上に、加工領域を露出するレジスト２２が形成される。
【００３６】
続いて、図１０（ｃ）に示すように、塩素と酸素とを含む混合ガスを用いたＲＩＥ（Reactive Ion Etching）法により、導電層１１を膜厚の範囲内で部分的にエッチングする。ここで、既に算出されている加工領域の深さで導電層１１の加工を止める。図１０（ｃ）では、図６で示した加工領域２０を図示している。続いて、図１０（ｄ）に示すように、レジスト２２を剥離する。このようにして、導電層１１の凹凸加工が完了する。
【００３７】
その後、導電層１１が凹凸加工された反射型マスク１０を用いて、リソグラフィが行われる。図１１は、導電層１１が凹凸加工された反射型マスク１０を、ＥＵＶ露光装置の静電チャックに保持させた場合の様子を説明する図である。図１１では、静電チャックの表面（反射型マスク１０が保持される面）は、例えば平坦である。また、図１１では、基板１２の一部、及び導電層１１を膜厚方向に拡大して示している。
【００３８】
導電層１１の加工領域２０が平坦な静電チャック表面に吸着されることにより、加工領域２０の反射型マスク１０反対側のマスクパターンが、反射型マスク１０の法線に向けてシフトする。よって、導電層１１を加工する前の重ね合わせずれの残差成分が打ち消される方向にマスクパターンの位置をシフトすることができる。
【００３９】
また、静電チャック表面に凸異物が付着している場合には、図１２に示すように、凸異物に相当する領域の導電層１１が凹加工される。この導電層１１を有する反射型マスク１０が静電チャックに吸着された場合、反射型マスク１０が変形するのを抑制できる。このため、重ね合わせずれを低減することができる。
【００４０】
なお、１回目の導電層１１の凹凸加工工程において所望の重ね合わせ精度が得られなかった場合には、導電層１１全体を除去し、基板１２の裏面を洗浄する。続いて、基板１２の裏面に新たな導電層１１を成膜する。そして、この導電層１１を再度凹凸加工してもよい。
【００４１】
（実施例１）
なお、上記説明では、導電層１１を凹凸加工する領域及び加工形状を算出する工程（ステップＳ１０４）において、ウエハに反射型マスク１０のマスクパターンを転写した際の重ね合わせずれの残差成分マップを用いている。他の実施例として、ＥＵＶ露光装置内で反射型マスク１０を静電チャックに保持させた後に、反射型マスク１０の平坦度を計測する。そして、得られた平坦度計測値を用いて、静電チャック保持後の反射型マスク１０の平坦度が高くなるように、導電層１１を凹凸加工する領域及び加工形状を算出してもよい。
【００４２】
図１３は、実施例１に係る反射型マスク１０の製造方法を説明するフローチャートである。ステップＳ２００〜Ｓ２０１は、図２のステップＳ１００〜Ｓ１０１と同じである。
【００４３】
続いて、ステップＳ２０１で作製された反射型マスク１０をＥＵＶ露光装置の静電チャックに保持する（ステップＳ２０２）。すなわち、反射型マスク１０の導電層１１が静電チャックに吸着される。
【００４４】
続いて、反射型マスク１０が静電チャックに保持された状態で、反射型マスク１０表面（導電層１１と反対側の面）の平坦度を計測する（ステップＳ２０３）。この計測工程では、例えば、ＥＵＶ露光装置に備わっている計測装置を使用する。
【００４５】
続いて、ステップＳ２０３で得られた平坦度計測値を用いて、静電チャック保持後の反射型マスク１０の平坦度が高くなるように、導電層１１を凹凸加工する領域及び加工形状を算出する（ステップＳ２０４）。ステップＳ２０４では、平坦度計測値が所定の許容範囲を超えた領域を加工領域として算出する。加工領域及び加工形状の算出方法は、ステップＳ１０４と同じである。その後、ステップＳ１０５と同じように、導電層１１を凹凸加工する（ステップＳ２０５）。
【００４６】
実施例１では、静電チャックに保持された状態での反射型マスク１０の平坦度を高くすることができる。これにより、反射型マスク１０の平坦度に起因する重ね合わせずれを低減することができる。
【００４７】
（実施例２）
実施例２では、予め計測されている静電チャックの平坦度計測値を用いて、静電チャック保持後の反射型マスク１０の平坦度が高くなるように、導電層１１を凹凸加工する領域及び加工形状を算出するようにしている。
【００４８】
図１４は、実施例２に係る反射型マスク１０の製造方法を説明するフローチャートである。ステップＳ３００〜Ｓ３０１は、図２のステップＳ１００〜Ｓ１０１と同じである。
【００４９】
続いて、ＥＵＶ露光装置の静電チャックの平坦度を計測する（ステップＳ３０３）。なお、既に静電チャックの平坦度計測値を所有している場合には、そのデータを使用することができる。
【００５０】
続いて、ステップＳ３０３で得られた平坦度計測値を用いて、静電チャックの平坦度に起因する重ね合わせずれが低減するように、導電層１１を凹凸加工する領域及び加工形状を算出する（ステップＳ３０４）。ステップＳ３０４では、静電チャックの平坦度計測値が所定の許容範囲を超える領域と接触する反射型マスク１０の領域を加工領域として算出する。加工領域及び加工形状の算出方法は、ステップＳ１０４と同じである。その後、ステップＳ１０５と同じように、導電層１１を凹凸加工する（ステップＳ３０５）。
【００５１】
実施例２では、静電チャックに保持された状態での反射型マスク１０の平坦度を高くすることができる。これにより、反射型マスク１０の平坦度に起因する重ね合わせずれを低減することができる。
【００５２】
（効果）
以上詳述したように第１の実施形態では、所望のマスクパターンを有する反射型マスク１０を作製し、反射型マスク１０及び露光装置を用いてマスクパターンをウエハに転写する。続いて、ウエハに転写された転写パターンとウエハの下地パターンとから重ね合わせずれを計測する。そして、重ね合わせずれが小さくなるように、反射型マスク１０裏面の導電層１１を凹凸加工するようにしている。
【００５３】
従って第１の実施形態によれば、露光装置に起因する重ね合わせずれを低減することができる。さらに、反射型マスク１０を作製した時点で反射型マスク１０の平坦度に起因する重ね合わせずれの残差成分が残っていたとしても、導電層１１の凹凸加工によってこの残差成分を低減することができる。これにより、所望の回路パターンを有するウエハを製造することができる。また、反射型マスク１０を再度作製する必要がないため、反射型マスク１０の製造コストを低減することができる。
【００５４】
また、実施例１のように、反射型マスク１０静電チャックに保持された状態で反射型マスク１０の平坦度を計測し、得られた平坦度計測値を用いて、導電層１１を凹凸加工してもよい。この実施例１でも、リソグラフィ工程において、反射型マスクの重ね合わせずれを低減することが可能となる。
【００５５】
また、実施例２のように、予め計測されている静電チャックの平坦度計測値を用いて、導電層１１を凹凸加工してもよい。この実施例２でも、リソグラフィ工程において、反射型マスク１０の重ね合わせずれを低減することが可能となる。
【００５６】
［第２の実施形態］
半導体装置の製造工程では、１個の反射型マスクを複数号機のＥＵＶ露光装置で使用する場合がある。この際、複数号機のＥＵＶ露光装置間では重ね合わせずれに起因するデータ（静電チャックの平坦度など）が異なるため、１個の反射型マスクを複数号機のＥＵＶ露光装置で使用する場合には、ある露光装置で重ね合わせずれが発生してしまう。第２の実施形態は、露光装置Ａ用に位置補正が施された反射型マスクを露光装置Ｂで使用した場合でも、反射型マスクの導電層を凹凸加工することで、重ね合わせずれを低減するようにしている。
【００５７】
図１５は、第２の実施形態に係る反射型マスク１０の製造方法を説明するフローチャートである。まず、第１の実施形態のステップＳ１００と同様に、反射型マスク１０作製時に使用する基板１２の平坦度を計測する（ステップＳ４００）。
【００５８】
続いて、ステップＳ４００で得られた平坦度計測値、及び露光装置Ａの重ね合わせずれに起因するデータに基づいて位置補正描画を施した反射型マスク１０を作製する（ステップＳ４０１）。具体的には、ステップＳ４０１で作製される反射型マスク１０は、基板１２の平坦度及び膜厚分布に起因する重ね合わせずれを低減するようマスクパターンの位置補正描画が施され、かつ露光装置Ａの静電チャックの平坦度に起因する重ね合わせずれを低減するようマスクパターンの位置補正描画が施される。これにより、反射型マスク１０を露光装置Ａで使用する場合に、重ね合わせずれが低減できる。
【００５９】
続いて、露光装置（例えば、ＡｒＦスキャン露光装置）を用いて既に下地パターンが形成されたウエハを準備する。続いて、露光装置Ａとは異なる露光装置Ｂの静電チャックに反射型マスク１０を保持し、反射型マスク１０のマスクパターンをウエハに転写する（ステップＳ４０２）。具体的には、ウエハの下地パターン上には加工されるべき被加工膜が形成されており、このウエハ上にレジストを塗布し、反射型マスク１０を用いてレジストを露光及び現像し、現像されたレジストパターンをマスクとして被加工膜をエッチングする。これにより、ウエハの被加工膜には、反射型マスク１０のマスクパターンが転写される。
【００６０】
続いて、ステップＳ１０３と同様に、ウエハに転写された転写パターンとウエハに予め形成されていた下地パターンとを用いて、重ね合わせずれを計測する（ステップＳ４０３）。その後のステップＳ４０４〜Ｓ４０５は、第１の実施形態のステップＳ１０４〜Ｓ１０５と同じである。これにより、露光装置Ｂにおいて重ね合わせずれが低減できる反射型マスク１０を作製することができる。
【００６１】
また、実施例１のように、露光装置Ｂ内で反射型マスク１０を静電チャックに保持させた後に、反射型マスク１０の平坦度を計測する。そして、得られた平坦度計測値を用いて、静電チャック保持後の反射型マスク１０の平坦度が高くなるように、導電層１１を凹凸加工する領域及び加工形状を算出してもよい。
【００６２】
また、実施例２のように、予め計測されている露光装置Ｂの静電チャックの平坦度計測値を用いて、静電チャック保持後の反射型マスク１０の平坦度が高くなるように、導電層１１を凹凸加工する領域及び加工形状を算出するようにしてもよい。
【００６３】
以上詳述したように第２の実施形態によれば、複数号機の露光装置間で反射型マスク１０を使用することにより重ね合わせ精度の面内分布傾向が変化した場合であっても、導電層１１を凹凸加工することにより、任意の露光装置を用いた場合でも重ね合わせずれを低減することが可能となる。その他の効果は、第１の実施形態と同じである。
【００６４】
なお、上記各実施形態では、保護膜１４としてシリコン（Ｓｉ）、バッファ膜１５として窒化クロム（ＣｒＮ）を採用したが、これら２層に代えて、例えば保護膜とバッファ膜とを兼ねたルテニウム（Ｒｕ）を主成分とする材料を採用することも可能である。また、吸収層１６上にＤＵＶ（Deep Ultraviolet）光を用いたマスク欠陥検査用の反射防止層１７を有する反射型マスクを採用したが、マスク欠陥検査装置として電子ビーム（ＥＢ）を用いた検査装置を使用する場合には、反射防止層１７は必ずしも必要ではない。
【００６５】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６６】
１０…反射型マスク、１１…導電層、１２…基板、１３…反射層、１４…保護膜、１５…バッファ膜、１６…吸収層、１７…反射防止層、２０，２１…加工領域、２２…レジスト。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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