(57)【要約】【課題】マウントフレームに干渉せずに、ウェーハを短時間でかつ正確に破断する。【解決手段】破断装置は、表面保護フィルム（３）をウェーハの表面に貼付ける表面保護フィルム貼付部（２００）と、ウェーハの内部に集光点を合わせてレーザを照射することにより、ウェーハの内部に帯状の改質領域（８６）を形成するレーザ処理部（１５０）と、改質領域に到達するまでウェーハの裏面を研削する研削部（３５０）と、ウェーハの裏面にダイシングフィルム（３３）を貼付けてウェーハをマウントフレームに結合させる、ダイシングフィルム貼付部（４００）と、ウェーハの表面が上方を向くようにマウントフレームを把持する把持部材（１３）と、ウェーハの裏面をダイシングフィルムを介して押圧する押圧部材（１７）と、を具備し、押圧部材をウェーハの裏面において少なくとも一方向に移動させ、それにより、ウェーハを改質領域に沿って破断する。【選択図】図５
2012124300.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハを破断する破断方法において、
表面保護フィルムを前記ウェーハの表面に貼付け、
前記ウェーハの内部に集光点を合わせてレーザを照射することにより、前記ウェーハの内部に帯状の改質領域を形成し、
前記改質領域または該改質領域近傍に到達するまで前記ウェーハの裏面を研削し、
前記ウェーハの裏面にダイシングフィルムを貼付けて前記ウェーハをマウントフレームに結合させ、
前記ウェーハの表面が上方を向くように前記マウントフレームを把持部材により把持し、
前記把持部材により把持された前記ウェーハの裏面を前記ダイシングフィルムを介して押圧部材により押圧し、
前記押圧部材を前記ウェーハの裏面において少なくとも一方向に移動させ、それにより、前記ウェーハを前記改質領域に沿って破断する、破断方法。
【請求項２】
前記押圧部材を前記ウェーハの裏面において互いに垂直な二方向に移動させるようにした請求項１に記載の破断方法。
【請求項３】
前記押圧部材により前記ウェーハの裏面を押圧する前に、前記表面保護フィルムを前記ウェーハの表面から剥離することをさらに含む、請求項１または２に記載の破断方法。
【請求項４】
前記押圧部材が球面を含むか、または前記押圧部材が、前記ウェーハの半径よりも短い長さを有する円筒部材の一部である請求項１から３のいずれか一項に記載の破断方法。
【請求項５】
ウェーハを破断する破断装置において、
表面保護フィルムを前記ウェーハの表面に貼付ける表面保護フィルム貼付部と、
前記ウェーハの内部に集光点を合わせてレーザを照射することにより、前記ウェーハの内部に帯状の改質領域を形成するレーザ処理部と、
前記改質領域または該改質領域近傍に到達するまで前記ウェーハの裏面を研削する研削部と、
前記ウェーハの裏面にダイシングフィルムを貼付けて前記ウェーハをマウントフレームに結合させる、ダイシングフィルム貼付部と、
前記ウェーハの表面が上方を向くように前記マウントフレームを把持する把持部材と、
前記把持部材により把持された前記ウェーハの裏面を前記ダイシングフィルムを介して押圧する押圧部材と、を具備し、
前記押圧部材を前記ウェーハの裏面において少なくとも一方向に移動させ、それにより、前記ウェーハを前記改質領域に沿って破断する、破断装置。
【請求項６】
前記押圧部材を前記ウェーハの裏面において互いに垂直な二方向に移動させるようにした請求項５に記載の破断装置。
【請求項７】
前記押圧部材により前記ウェーハの裏面を押圧する前に、前記表面保護フィルムを前記ウェーハの表面から剥離する表面保護フィルム剥離手段をさらに具備する、請求項５または６に記載の破断装置。
【請求項８】
前記押圧部材が球面を含むか、または前記押圧部材が、前記ウェーハの半径よりも短い長さを有する円筒部材の一部である請求項５から７のいずれか一項に記載の破断装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハを破断するウェーハ破断方法およびそのような方法を実施するウェーハ破断装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造分野においてはウェーハが年々大型化する傾向にあり、また、実装密度を高めるためにウェーハの薄葉化が進んでいる。ウェーハを薄葉化するためにウェーハの裏面を研削するバックグラインド（裏面研削）が行われる。バックグラインドを行う前には、ウェーハの表面に形成された回路パターンを保護するために、表面保護フィルムがウェーハの表面に貼付られる。
【０００３】
ところで、近年では、ウェーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線の集光点をウェーハの厚さ部分に合わせてウェーハの内部に帯状の改質領域を形成する、レーザダイシングが行われている（特許文献１を参照されたい）。改質領域はウェーハの表面付近に形成されるので、ウェーハは改質領域から表面に向かって厚さ方向に自然に割れるようになる。従って、レーザダイシングにより回路パターンに応じた改質領域を予め形成しておけば、裏面研削によりウェーハは複数のチップに自然に分割するようになる。
【０００４】
ところで、レーザダイシングにおいて形成される改質領域の寸法には数マイクロメートル単位の誤差が発生する。このため、改質領域までウェーハを研削した場合であっても、図８に示されるように、ウェーハの裏面に、改質領域が部分的に露出しない事態が生じうる。改質領域が露出しない箇所では、隣接するチップは互いに分離していない。このため、分離していないチップが存在する状態で、エキスパンド処理を実施すると、そのようなチップには多大な応力がかかり、半導体素子が破損する原因となる。
【０００５】
このような問題に対処するために、特許文献２では、ウェーハの裏面側から、断面が三角形状の外力付与部材の稜線を改質領域に沿って位置決めして押圧し、ウェーハを改質領域から適切に破断させている。そして、このような破断処理を全ての改質領域について行うことにより、ウェーハを複数のチップに確実に分離している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−６４９２号公報
【特許文献２】特開２０１０−０４５１１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献２のように、外力付与部材による破断処理を全ての改質領域について行うと、破断処理全体に要する時間は膨大になる。さらに、外力付与部材を改質領域に正確に位置決めするのは困難であり、誤った箇所に外力付与部材を位置決めすると、チップに多大なダメージを与えかねない。
【０００８】
さらに、ダイシングフィルムによりウェーハをマウントフレームに一体化させた後においては、外力付与部材の長さは、マウントフレームの寸法に限定される。つまり、外力付与部材が長い場合には、外力付与部材がマウントフレームに部分的に干渉し、従って、ウェーハに外力を適切に付与するのが困難となる。特に、ウェーハの縁部近傍に位置する改質領域に沿って外力を付与する場合には、外力付与部材の両端がマウントフレームに干渉するので、外力を付与することは不可能である。
【０００９】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、マウントフレームに一体化されたウェーハであっても、マウントフレームに干渉することなしに、ウェーハを短時間でかつ正確に破断することのできるウェーハ破断方法およびそのような方法を実施するウェーハ破断装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前述した目的を達成するために１番目の発明によれば、ウェーハを破断する破断方法において、表面保護フィルムを前記ウェーハの表面に貼付け、前記ウェーハの内部に集光点を合わせてレーザを照射することにより、前記ウェーハの内部に帯状の改質領域を形成し、前記改質領域または該改質領域近傍に到達するまで前記ウェーハの裏面を研削し、前記ウェーハの裏面にダイシングフィルムを貼付けて前記ウェーハをマウントフレームに結合させ、前記ウェーハの表面が上方を向くように前記マウントフレームを把持部材により把持し、前記把持部材により把持された前記ウェーハの裏面を前記ダイシングフィルムを介して押圧部材により押圧し、前記押圧部材を前記ウェーハの裏面において少なくとも一方向に移動させ、それにより、前記ウェーハを前記改質領域に沿って破断する、破断方法が提供される。
【００１１】
２番目の発明によれば、１番目の発明において、前記押圧部材を前記ウェーハの裏面において互いに垂直な二方向に移動させるようにした。
【００１２】
３番目の発明によれば、１番目または２番目の発明において、前記押圧部材により前記ウェーハの裏面を押圧する前に、前記表面保護フィルムを前記ウェーハの表面から剥離することをさらに含む。
【００１３】
４番目の発明によれば、１番目から３番目のいずれかの発明において、前記押圧部材が球面を含むか、または前記押圧部材が、前記ウェーハの半径よりも短い長さを有する円筒部材の一部である。
【００１４】
５番目の発明によれば、ウェーハを破断する破断装置において、表面保護フィルムを前記ウェーハの表面に貼付ける表面保護フィルム貼付部と、前記ウェーハの内部に集光点を合わせてレーザを照射することにより、前記ウェーハの内部に帯状の改質領域を形成するレーザ処理部と、前記改質領域または該改質領域近傍に到達するまで前記ウェーハの裏面を研削する研削部と、前記ウェーハの裏面にダイシングフィルムを貼付けて前記ウェーハをマウントフレームに結合させる、ダイシングフィルム貼付部と、前記ウェーハの表面が上方を向くように前記マウントフレームを把持する把持部材と、前記把持部材により把持された前記ウェーハの裏面を前記ダイシングフィルムを介して押圧する押圧部材と、を具備し、前記押圧部材を前記ウェーハの裏面において少なくとも一方向に移動させ、それにより、前記ウェーハを前記改質領域に沿って破断する、破断装置が提供される。
【００１５】
６番目の発明によれば、５番目の発明において、前記押圧部材を前記ウェーハの裏面において互いに垂直な二方向に移動させるようにした。
【００１６】
７番目の発明によれば、５番目または６番目の発明において、前記押圧部材により前記ウェーハの裏面を押圧する前に、前記表面保護フィルムを前記ウェーハの表面から剥離する表面保護フィルム剥離手段をさらに具備する。
【００１７】
８番目の発明によれば、５番目から７番目のいずれかの発明において、前記押圧部材が球面を含むか、または前記押圧部材が、前記ウェーハの半径よりも短い長さを有する円筒部材の一部である。
【発明の効果】
【００１８】
１番目および５番目の発明においては、押圧部材をマウントフレームよりも十分に小さくすることにより、マウントフレームに干渉することなしに押圧部材を移動させられる。従って、マウントフレームに一体化されたウェーハであっても、ウェーハを正確に破断することができる。また、研削後のウェーハの裏面において改質領域が露出しない箇所についてはレーザ処理部および／または研削部に応じて定まる概ね同様な傾向がある。このため、改質領域が露出しない箇所のみを押圧することにより、ウェーハを短時間で破断することができる。
【００１９】
２番目および６番目の発明においては、ウェーハを複数のチップに確実に分離することができる。
【００２０】
３番目および７番目の発明においては、表面保護フィルムが剥離された場合であっても、ウェーハを破断することができる。なお、表面保護フィルムが存在する場合には、押圧部材からの力がウェーハに直接的に伝達し難いので、押圧部材による押圧時には、表面保護フィルムが存在しないのが好ましい。
【００２１】
４番目および８番目の発明においては、押圧部材がマウントフレームよりも十分に小さいので、マウントフレームに干渉することなしに押圧部材を移動させてウェーハを破断できる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明に基づく破断装置を含むウェーハ処理装置を示す略図である。
【図２】ウェーハを示す図である。
【図３】レーザダイシングを説明するための側断面図である。
【図４】（ａ）裏面研削ユニットにおける裏面研削の第一の状態を示す略側面図である。（ｂ）裏面研削ユニットにおける裏面研削の第二の状態を示す略側面図である。
【図５】本発明に基づく破断装置の側面図である。
【図６】図５に示される破断装置の底面図である。
【図７】（ａ）破断装置の押圧部材の動作を示す図である。（ｂ）破断装置の押圧部材の動作を示す他の図である。
【図８】裏面研削後におけるウェーハの頂面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明する。以下の図面において同様の部材には同様の参照符号が付けられている。理解を容易にするために、これら図面は縮尺を適宜変更している。
図１は本発明に基づく破断装置を含んだウェーハ処理装置を示す略図である。さらに、図２は、ウェーハを示す図である。図２に示されるように、ウェーハ２０の表面２１には、前工程において複数の回路パターンＣが格子状に形成されている。なお、ウェーハ２０の裏面２２には、このような回路パターンＣは形成されていない。図１に示されるウェーハ処理装置１００には、このようなウェーハ２０が、供給されるものとする。
【００２４】
図１に示されるように、ウェーハ処理装置１００は、レーザ・ダイシングにより改質領域８６をウェーハ２０の厚さ部分に形成するレーザ処理ユニット１５０と、ウェーハ２０の表面２１に表面保護フィルム３を貼付るための表面保護フィルム貼付ユニット２００と、ウェーハ２０を上下反転させる反転ユニット３００と、ウェーハ２０の裏面２２を研削する裏面研削ユニット３５０と、ウェーハ２０の裏面２２にダイシングフィルム３３を貼付けてウェーハ２０をマウントフレーム１５に結合させるダイシングフィルム貼付ユニット４００と、表面保護フィルム３をウェーハ２０の表面２１から剥離する表面保護フィルム剥離ユニット４５０と、ウェーハ２０をローラにより押圧してウェーハ２０を改質領域８６に沿って破断する破断ユニット５００とを主に含んでいる。ウェーハ処理装置１００の各ユニット間においては、ウェーハ２０を移動させるために移動装置、例えばロボットアーム等が使用されるが、これらは一般的な装置であるので図示および説明を省略する。
【００２５】
ウェーハ２０はウェーハ処理装置１００のレーザ処理ユニット１５０に最初に供給される。図３は、レーザ処理ユニット１５０にて実施されるレーザ・ダイシングを説明するための側断面図である。図３においては、多光子吸収が生じる条件で、図示しないレーザ源からレーザＶが集光レンズ８５を介してウェーハ２０の表面２１側に照射される。このとき、集光点８４はウェーハ２０内部の表面２１にいくぶん近い側に合わせられている。これにより、集光点８４周りには改質領域８６が形成される。次いで、レーザＶおよび集光レンズ８５を矢印Ｘ３に沿って移動させると、帯状の改質領域８６がウェーハ２０内部に形成されるようになる。
【００２６】
レーザ・ダイシングにおいては、ウェーハ２０にレーザＶを透過させウェーハ２０の内部に多光子吸収を発生させて改質領域８６を形成している。従って、ウェーハ２０の表面２１においてはウェーハ２０にレーザＶはほとんど吸収されず、その結果、ウェーハ２０の表面２１が溶融することはなく、また、ウェーハの表面に切断予定線から外れた割れ等が生じることもない。
【００２７】
改質領域８６は表面２１にいくぶん近い側に形成されているので、改質領域８６が表面２１に向かって厚さ方向に自然に割れると、レーザＶの幅に応じた溝が形成されるようになる。このような改質領域８６は回路パターンＣに沿って格子状に形成されるものとする。
【００２８】
次いで、ウェーハ２０はレーザ処理ユニット１５０から表面保護フィルム貼付ユニット２００まで移送される。表面保護フィルム３は後工程であるバックグラインド工程において、ウェーハ２０の表面２１に形成された回路パターンＣを保護する役目を果たす。なお、表面保護フィルム３が予め貼付けられたウェーハ２０をウェーハ処理装置１００に供給するようにして、レーザ処理ユニット１５０による処理を行ってもよい。
【００２９】
表面保護フィルム３の貼付後、ウェーハ２０は貼付ユニット２００から反転ユニット３００に移送される。反転ユニット３００は、ウェーハ２０を反転させる役目を果たす。貼付ユニット２００において表面２１に表面保護フィルム３が貼付けられたウェーハ２０は、その表面２１が上方を向いている。従って、反転ユニット３００においてはこのようなウェーハ２０が上下反転され、表面保護フィルム３が貼付られたウェーハ２０の表面２１が下方を向くようになる。
【００３０】
反転ユニット３００において反転されたウェーハ２０は、図１に示される裏面研削ユニット３５０に供給される。ウェーハ２０は裏面２２が上方を向いた状態で裏面研削ユニット３５０に供給される。図４（ａ）は、裏面研削ユニットにおける裏面研削の状態を示す略側面図である。図４（ａ）に示されるように、裏面研削ユニット３５０においてはウェーハ２０の表面２１が図示しない吸着部により吸着される。前述したように、貼付ユニット２００においてウェーハ２０の表面２１には表面保護フィルム３が貼付られているので、ウェーハ２０の表面２１が吸着されている場合であっても、表面２１に形成された回路パターンＣは損傷を受けない。
【００３１】
次いで、ウェーハ２０の裏面２２には研削部８１が配置され、図４（ａ）に示されるように研削部８１がウェーハ２０の裏面２２上を矢印方向に往復運動する。そして、ウェーハ２０の裏面２２は改質領域８６に到達するまで、或いは改質領域８６を越えて研削される（図４（ｂ）を参照されたい）。これにより、ウェーハ２０は、表面保護フィルム３に保持された状態で、複数のチップに分割されるようになる。
【００３２】
ただし、改質領域８６が形成される場所はウェーハ２０の厚さ方向にバラつく可能性がある。このような場合には、改質領域８６を越えて研削したとしても、或るチップは、隣接する他のチップまたはウェーハ２０の外周部分に連結したままである。このような不具合は後述する破断ユニット５００において解消される。
【００３３】
次いで、ウェーハ２０はダイシングフィルム貼付ユニット４００に供給される。ダイシングフィルム貼付ユニット４００においては、公知の手法でウェーハ２０にダイシングフィルム３３を貼付ける。これにより、ウェーハ２０はマウントフレーム１５と一体化され、従って、裏面研削されたウェーハ２０のハンドリングが容易となる。
【００３４】
次いで、ウェーハ２０は表面保護フィルム剥離ユニット４５０に供給される。表面保護フィルム剥離ユニット４５０においては、はじめに剥離テープ４をウェーハ２０の表面保護フィルム１１０に貼付け、次いで、剥離テープ４を巻取る。剥離テープ４と表面保護フィルム１１０との間の接着力は表面保護フィルムと１１０とウェーハ２０との間の接着力よりも高いので、剥離テープ４の巻取時に表面保護フィルム１１０はウェーハ２０から剥離され、それにより、ウェーハ２０の表面２１が露出するようになる。
【００３５】
その後、ウェーハ２０は破断ユニット５００に供給される。図５は破断ユニット５００内に配置された破断装置の側面図であり、図６は図５に示される破断装置の底面図である。これら図面に示されるように、破断装置は、環状のマウントフレーム１５の両端を把持する把持部材１３を有している。さらに、把持装置は、Ｘ方向に延びるＸ方向レール１１と、Ｘ方向レール１１に対して垂直なＹ方向レール１２とを含んでいる。
【００３６】
図５に示されるように、Ｘ方向レール１１の上面には、その長手方向に延びる凹溝１１ａが形成されている。また、Ｙ方向レール１２の下面中央部には、凹溝１１ａに係合する凸部１２ａが設けられている。従って、Ｙ方向レール１２はＸ方向レール１１上を摺動可能である。
【００３７】
さらに、図５に示されるように、破断装置は、Ｙ方向レール１２上を摺動するスライダ１６を含んでいる。スライダ１６には、バネ付勢された押圧部材１７が組み込まれている。この押圧部材１７は、ウェーハ２０に対して点接触する湾曲面を有しており、スライダ１６の頂面から上方に突出している。あるいは、図示しない駆動部を用いて、スライダ１６内の押圧部材１７を昇降させるようにしてもよい。
【００３８】
図５および図６に示される実施形態においては、押圧部材１７は球面の一部を含んでいる。ただし、図示しない実施形態においては、押圧部材１７が筒型部材の周面の一部を含んでいてもよい。また、押圧部材１７はウェーハ２０に対して十分に小さいのが好ましく、それにより、ウェーハ２０の領域内でマウントフレーム１５に干渉することなしに、押圧部材１７を備えたスライダ１６がウェーハ２０内で摺動するようになる。好ましい実施形態においては、ウェーハ２０に対して平行な方向における押圧部材１７の寸法はウェーハ２０の半径よりも小さい。
【００３９】
破断ユニット５００において、把持部材１３により把持されたマウントフレーム１５は所定位置に固定され、それにより、ウェーハ２０の裏面２２側にＸ方向レール１１およびＹ方向レール１２が位置するようになる。このような配置においては、押圧部材１７の先端は、ウェーハ２０の改質領域８６に対応した位置にある。また、高さ方向においては押圧部材１７の先端は、ダイシングフィルム３３を介してウェーハ２０を押圧するのに十分な位置にある。その結果、押圧部材１７に対応した位置に在る改質領域８６が押圧され、ウェーハ２０はこの改質領域８６から表面２１に向かって上方に割れるようになる。
【００４０】
図７（ａ）および図７（ｂ）は破断装置の押圧部材の動作を示す図である。図６および図７（ａ）から分かるように、スライダ１６は改質領域８６に対応した位置でウェーハ２０を押圧しつつ、Ｙ方向レール１２上をＹ方向に沿って摺動する。これにより、一部の改質領域８６がウェーハ２０に残っている場合であっても、スライダ１６が改質領域８６の下方を通過するときに、スライダ１６からの力が改質領域８６に掛かる。これにより、ウェーハ２０は改質領域８６から表面２１に向かって上方に割れるようになる。
【００４１】
スライダ１６がウェーハ２０の縁部近傍に到達すると、スライダ１６はその位置で停止し、Ｙ方向レール１２自体がＸ方向レール１１上をマイナスＸ方向に摺動する。Ｙ方向レール１２の移動距離は、隣接する改質領域８６の間の距離、つまり回路パターンＣの寸法に等しい。そして、Ｙ方向レール１２を停止させた状態で、スライダ１６をＹ方向レール１２上にマイナスＹ方向に摺動させる。
【００４２】
これにより、前述した改質領域８６に隣接する改質領域８６からウェーハ２０が同様に割れるようになる。このようなＹ方向における動作を図７（ａ）に示されるようにウェーハ２０全体に亙って繰返すと、Ｙ方向に延びる全ての改質領域８６に対応した位置においてウェーハ２０が同様に割れるようになる。
【００４３】
その後、図６および図７（ｂ）から分かるように、スライダ１６をＹ方向レール１２上で停止させつつ、Ｙ方向レール１２をＸ方向レール１１に沿ってＸ方向に移動させる。Ｙ方向レール１２がウェーハ２０の縁部近傍に到達すると、Ｙ方向レール１２はその位置で停止し、スライダ１６がＹ方向レール１２上をマイナスＹ方向に摺動する。前述したのと同様にスライダ１６の移動距離は、隣接する改質領域８６の間の距離に等しい。そして、スライダ１６を停止させた状態で、Ｙ方向レール１２をＸ方向レール１１上にマイナスＸ方向に摺動させる。
【００４４】
このようなＸ方向における動作を図７（ｂ）に示されるようにウェーハ２０全体に亙って繰返すと、Ｘ方向に延びる全ての改質領域８６に対応した位置においてウェーハ２０が同様に割れるようになる。
【００４５】
このように、本発明においては、押圧部材１７を備えたスライダ１６をＸ方向およびＹ方向に移動させられ、その結果、格子状の改質領域８６に沿ってウェーハ２０を複数のチップに確実に分離することが可能となる。
【００４６】
把持部材１３を解除した後で、ウェーハ２０は図１に示されるエキスパンド部６００に供給され、所定のエキスパンド処理を受ける。本発明においては、ウェーハ２０は破断ユニット５００において全ての回路パターンＣが個片化している。従って、ウェーハ２０をエキスパンド処理すると、回路パターンＣに横方向の応力が掛かることなしに、全ての回路パターンＣが互いに離間するようになる。
【００４７】
なお、破断ユニット５００においてウェーハ２０を破断した後で、表面保護フィルム剥離ユニット４５０において表面保護フィルム３を剥離してもよい。ただし、表面保護フィルム３が存在している状態では、力がウェーハ２０に直接的に作用し難い。このため、表面保護フィルム３を剥離した後で、破断ユニット５００における破断処理を行うのが好ましく、それにより、ウェーハ２０を適切に破断できるようになる。
【００４８】
さらに、図７（ａ）および図７（ｂ）に示される実施形態においては、全ての改質領域８６においてウェーハ２０を押圧しているが、ウェーハ２０の一部分における改質領域８６についてのみ、破断処理を行うようにしてもよい。裏面研削後に改質領域８６が部分的に露出しないウェーハ２０内の領域は、使用されるレーザ処理ユニット１５０および／または裏面研削ユニット３５０に応じて定まる（図８を参照されたい）。従って、改質領域８６が部分的に露出しない領域を予め把握し、その領域についてのみスライダ１６を動作させて、破断処理を行えばよい。この場合には、スライダ１６の移動が最小限で済むので、従来技術よりも短時間でウェーハ２０を破断できるのが分かるであろう。
【符号の説明】
【００４９】
３    表面保護フィルム
１１    Ｘ方向レール
１２    Ｙ方向レール
１３    把持部材
１５    マウントフレーム
１６    スライダ
１７    押圧部材
２０    ウェーハ
２１    表面
２２    裏面
３３    ダイシングフィルム
８６    改質領域
１００    ウェーハ処理装置
１５０    レーザ処理ユニット
２００    表面保護フィルム貼付ユニット
３００    反転ユニット
３５０    裏面研削ユニット
４００    ダイシングフィルム貼付ユニット
４５０    表面保護フィルム剥離ユニット
５００    破断ユニット
【図１】
2012124300.tif 000003
【図２】
2012124300.tif 000004
【図３】
2012124300.tif 000005
【図４】
2012124300.tif 000006
【図５】
2012124300.tif 000007
【図６】
2012124300.tif 000008
【図７】
2012124300.tif 000009
【図８】
2012124300.tif 000010