(57)【要約】【課題】体格の小型化を図るとともに、より確実に半導体チップ間の電位干渉を抑制しつつ製造工程を簡素化することのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】各ダイパッド（２１，３１）の一面上に、対応する半導体チップ（２３，３３）を搭載してなる構造体（１１，１２）の準備工程と、ダイパッド（２１，３１）が対向するようにリードフレーム（２０，３０）を保持した状態で、金型（１００，１０１）内に樹脂を注入するモールド成形工程と、モールド成形工程後、タイバー（２５，３５）を除去する除去工程を備える。モールド成形工程では、対向方向において、第１半導体チップ（２３）と第２半導体チップ（３３）の間に電位干渉を生じない間隔を確保すべく所定厚さを有するスペーサ（１４）を介して、第１リードフレーム（２０）及び第２リードフレーム（３０）を積層配置する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１リードフレーム（２０）の第１ダイパッド（２１）の一面上に、第１半導体チップ（２３）を搭載し、前記第１リードフレーム（２０）の第１リード（２２）と前記第１半導体チップ（２３）とをワイヤ（２４）により電気的に接続してなる第１構造体（１１）、第２リードフレーム（３０）の第２ダイパッド（３１）の一面上に、前記第１半導体チップ（２３）とは動作するための基準電位が異なる第２半導体チップ（３３）を搭載し、前記第２リードフレーム（３０）の第２リード（３２）と前記第２半導体チップ（３３）とをワイヤ（３４）により電気的に接続してなる第２構造体（１２）をそれぞれ準備する準備工程と、
前記準備工程後、前記第１ダイパッド（２１）と前記第２ダイパッド（３１）が対向するように前記第１リードフレーム（２０）及び前記第２リードフレーム（３０）を保持した状態で、金型（１００，１０１）内に樹脂を注入し、各半導体チップ（２３，３３）、各ダイパッド（２１，３１）、各ワイヤ（２４，３４）、及び各リード（２２，３２）における前記ワイヤ（２４，３４）との接続部分を含む一部を一体的に封止するように、モールド樹脂体（１３）を形成するモールド成形工程と、
前記モールド成形工程後、前記第１リード（２２）を結束する第１タイバー（２５）と、前記第２リード（３２）を結束する第２タイバー（３５）をそれぞれ除去する除去工程と、を備える半導体装置の製造方法であって、
前記モールド成形工程では、
前記金型（１００，１０１）として、前記第１ダイパッド（２１）と前記第２ダイパッド（３１）の対向方向に開閉するものを用い、
前記対向方向において、前記第１半導体チップ（２３）と前記第２半導体チップ（３３）の間に電位干渉を生じない間隔を確保すべく所定厚さを有するスペーサ（１４）を介して、前記第１リードフレーム（２０）及び前記第２リードフレーム（３０）を積層配置し、この積層状態で、前記金型（１００，１０１）内に樹脂を注入して前記モールド樹脂体（１３）を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記モールド成形工程では、前記スペーサ（１４）を、前記第１リードフレーム（２０）と前記第２リードフレーム（３０）の間に介在させつつ各リードフレーム（２０，３０）と嵌合させた状態で、前記金型（１００，１０１）内に樹脂を注入することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記モールド成形工程では、
前記第１リードフレーム（２０）及び前記第２リードフレーム（３０）を、前記モールド樹脂体（１３）の外部において互いに重ならないように配置し、
電気絶縁材料からなる前記スペーサ（１４）を、前記第１リードフレーム（２０）及び前記第２リードフレーム（３０）の前記モールド樹脂体（１３）内となる対向部位間に介在させることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記モールド成形工程では、
前記第１タイバー（２５）及び前記第２タイバー（３５）の少なくとも一部が互いに重なるとともに、前記リード（２２，３２）のモールド樹脂体（１３）の外部に位置する部分が重ならないように、前記第１リードフレーム（２０）及び前記第２リードフレーム（３０）を配置し、
互いに重なる位置関係にある前記タイバー（２５，３５）及び該タイバー（２５，３５）により結束された前記リード（２２，３２）に対応して、少なくとも前記モールド樹脂体（１３）の側面（１３ａ）から互いに重なる位置関係にある前記タイバー（２５，３５）に接する範囲に、前記スペーサ（１４）を配置し、
前記第１リードフレーム（２０）及び前記第２リードフレーム（３０）により前記スペーサ（１４）を挟持した状態で、前記金型（１００，１０１）内に樹脂を注入することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記モールド成形工程後、前記スペーサ（１４）を除去するスペーサ除去工程を備えることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記モールド成形工程では、
前記モールド樹脂体（１３）の側面（１３ａ）に沿うように、環状の前記スペーサ（１４）を配置することを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記モールド成形工程では、
前記スペーサ（１４）が前記モールド樹脂体（１３）の側面（１３ａ）に沿う環状をなすように、複数のスペーサ構成部材（５０，５１）を連続的に配置することを特徴とする請求項４又は請求項５に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
第１リードフレーム（２０）を構成する第１ダイパッド（２１）の一面上に第１半導体チップ（２３）が搭載され、前記第１リードフレーム（２０）を構成する複数本の第１リード（２２）が前記第１半導体チップ（２３）とワイヤ（２４）により電気的に接続された第１構造体（１１）と、
第２リードフレーム（３０）を構成する第２ダイパッド（３１）の一面上に、前記第１半導体チップ（２３）とは動作するための基準電位が異なる第２半導体チップ（３３）が搭載され、前記第２リードフレーム（３０）を構成する複数本の第２リード（３２）が前記第２半導体チップ（３３）とワイヤ（３４）により電気的に接続された第２構造体（１２）と、
各半導体チップ（２３，３３）、各ダイパッド（２１，３１）、各ワイヤ（２４，３４）、及び各リード（２２，３２）における前記ワイヤ（２４，３４）との接続部分を含む一部を一体的に封止するモールド樹脂体（１３）と、を備え、
前記第１ダイパッド（２１）と前記第２ダイパッド（３１）が対向するように配置された半導体装置であって、
電気絶縁材料からなり、前記第１ダイパッド（２１）及び前記第２ダイパッド（３１）の対向方向において、前記第１半導体チップ（２３）と前記第２半導体チップ（３３）の間に電位干渉を生じない間隔を確保すべく所定厚さを有するスペーサ（１４）が、前記第１リードフレーム（２０）と前記第２リードフレーム（３０）の間に介在され、前記スペーサ（１４）の一面に前記第１リードフレーム（２０）が接触し、前記一面と反対の面に前記第２リードフレーム（３０）が接触していることを特徴とする半導体装置。
【請求項９】
前記スペーサ（１４）及び前記第１リードフレーム（２０）の一方に、嵌合用の第１凹部（２６）が設けられ、他方が前記第１凹部（２６）に嵌まっており、
前記スペーサ（１４）及び前記第２リードフレーム（３０）の一方に、嵌合用の第２凹部（３６）が設けられ、他方が前記第２凹部（３６）に嵌まっていることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記モールド樹脂体（１３）における各リード（２２，３２）が延出される側面（１３ａ）の周方向において、複数の前記第１リード（２２）が連続して配置されてなる第１リード群（２２ｂ）と、複数の前記第２リード（３２）が連続して配置されてなる第２リード群（３２ｂ）とが、重ならないように配置され、
前記スペーサ（１４）は、少なくとも一部が前記モールド樹脂体（１３）内に配置され、前記モールド樹脂体（１３）内において、前記第１リードフレーム（２０）と前記第２リードフレーム（３０）の間に介在されていることを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記モールド樹脂体（１３）における各リード（２２，３２）が延出される側面（１３ａ）の周方向において、前記第１リード（２２）と前記第２リード（３２）は交互に設けられ、
前記スペーサ（１４）は、前記モールド樹脂体（１３）の側面（１３ａ）から延出される各リード（２２，３２）の延出方向において、少なくとも前記側面（１３ａ）から各リード（２２，３２）におけるタイバー（２５，３５）の除去位置まで延設されるとともに、前記モールド樹脂体（１３）を取り囲んで配置されていることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、２つの半導体チップをモールド樹脂体にて封止してなる半導体装置及びその製造方法に関し、特に動作するための基準電位が２つの半導体チップにおいて互いに異なるものに関する。
【背景技術】
【０００２】
２つの半導体チップをモールド樹脂体にて封止してなる半導体装置として、例えば特許文献１に示される構成のものが知られている。
【０００３】
特許文献１の半導体装置では、２つのリードフレームにそれぞれ半導体チップが１つずつ搭載されており、半導体チップが搭載されたダイパッドは、半導体チップの搭載面と反対の面が互いに対向するように配置された状態で、電気絶縁性の接着剤により接着されている。そして、この状態で、樹脂封止されている。
【０００４】
このように、各ダイパッドが対向配置されているため、１つのダイパッド（アイランド）に２つの半導体チップを搭載する構成に較べて、半導体チップの厚さ方向に垂直な方向において、半導体装置の体格を小型化することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１−２５７３６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、半導体装置を構成する２つの半導体チップとして、動作するための基準電圧が異なる２つの半導体チップを採用することも考えられる。このような２つの半導体チップとしては、例えばインバータ回路のハイサイド側スイッチング素子を駆動する高電位基準ゲート駆動回路が構成された半導体チップと、ローサイド側スイッチング素子を駆動する低電位基準ゲート駆動回路が構成された半導体チップの組み合わせがある。
【０００７】
しかしながら、動作するための基準電圧が異なる２つの半導体チップを、上記した特許文献１の構成に用いた場合、以下に示す問題が生じる虞がある。特許文献１では、ダイパッド同士を接着固定するため、接着層の厚さばらつきが大きい。このため、ダイパッド、ひいては半導体チップの対向距離のばらつきも大きい。したがって、ばらつきによっては、半導体チップ間に電位干渉が生じる虞がある。また、接着固定する必要があるため、製造工程数が多いという問題もある。
【０００８】
そこで、本発明は上記問題点に鑑み、体格の小型化を図るとともに、より確実に半導体チップ間の電位干渉を抑制しつつ製造工程を簡素化することのできる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成する為に請求項１に記載の半導体装置の製造方法は、
第１リードフレーム（２０）の第１ダイパッド（２１）の一面上に、第１半導体チップ（２３）を搭載し、第１リードフレーム（２０）の第１リード（２２）と第１半導体チップ（２３）とをワイヤ（２４）により電気的に接続してなる第１構造体（１１）、第２リードフレーム（３０）の第２ダイパッド（３１）の一面上に、第１半導体チップ（２３）とは動作するための基準電位が異なる第２半導体チップ（３３）を搭載し、第２リードフレーム（３０）の第２リード（３２）と第２半導体チップ（３３）とをワイヤ（３４）により電気的に接続してなる第２構造体（１２）をそれぞれ準備する準備工程と、
準備工程後、第１ダイパッド（２１）と第２ダイパッド（３１）が対向するように第１リードフレーム（２０）及び第２リードフレーム（３０）を保持した状態で、金型（１００，１０１）内に樹脂を注入し、各半導体チップ（２３，３３）、各ダイパッド（２１，３１）、各ワイヤ（２４，３４）、及び各リード（２２，３２）におけるワイヤ（２４，３４）との接続部分を含む一部を一体的に封止するように、モールド樹脂体（１３）を形成するモールド成形工程と、
モールド成形工程後、第１リード（２２）を結束する第１タイバー（２５）と、第２リード（３２）を結束する第２タイバー（３５）をそれぞれ除去する除去工程と、を備える。
【００１０】
そして、モールド成形工程では、
金型（１００，１０１）として、第１ダイパッド（２１）と第２ダイパッド（３１）の対向方向に開閉するものを用い、
対向方向において、第１半導体チップ（２３）と第２半導体チップ（３３）の間に電位干渉を生じない間隔を確保すべく所定厚さを有するスペーサ（１４）を介して、第１リードフレーム（２０）及び第２リードフレーム（３０）を積層配置し、この積層状態で、金型（１００，１０１）内に樹脂を注入してモールド樹脂体（１３）を形成することを特徴とする。
【００１１】
これによれば、第１ダイパッド（２１）と第２ダイパッド（３１）を対向配置させるので、これらダイパッド（２１，３１）の対向方向、換言すれば両半導体チップ（２３，３３）の厚さ方向に垂直な方向において、半導体装置（１０）の体格を小型化することができる。
【００１２】
また、スペーサ（１４）を介して第１リードフレーム（２０）及び第２リードフレーム（３０）を積層配置するため、半導体装置（１０）において、ダイパッド（２１，３１）の対向距離は、スペーサ（１４）の厚さに応じた距離となる。これにより、ダイパッド（２１，３１）の対向距離のばらつきを、従来に較べて非常に小さいものとすることができる。また、スペーサ（１４）の厚さは、第１半導体チップ（２３）と第２半導体チップ（３３）の間に電位干渉を生じない間隔を確保すべく設定される。したがって、より確実に電位干渉を抑制することができる。
【００１３】
また、スペーサ（１４）を介して両リードフレーム（２０，３０）を積層するだけで、両半導体チップ（２３，３３）の間に電位干渉を生じない間隔を確実に確保することができる。このため、従来の接着固定に較べて、製造工程を簡素化することができる。
【００１４】
以上から、本発明によれば、体格の小型化を図るとともに、より確実に半導体チップ（２３，３３）間の電位干渉を抑制しつつ製造工程を簡素化することができる。
【００１５】
なお、特許文献１の構成では、上記したようにダイパッド同士を接着固定するため、対向方向において、接着層の厚さばらつき、ひいては、２つのリードフレームにおいて、リードの相対的な位置関係のばらつきが大きい。このため、接続対象（例えばプリント基板）との接続信頼性を確保できないことも考えられる。これに対し、本発明によれば、スペーサによって、２つのリードフレームの対向方向の位置が決定する。したがって、従来に較べて接続信頼性を向上することもできる。
【００１６】
請求項２に記載のように、
モールド成形工程では、スペーサ（１４）を、第１リードフレーム（２０）と第２リードフレーム（３０）の間に介在させつつ各リードフレーム（２０，３０）と嵌合させた状態で、金型（１００，１０１）内に樹脂を注入することが好ましい。
【００１７】
これによれば、嵌合によってスペーサ（１４）が所定位置に保持されるため、半導体チップ（２３，３３）間の対向距離を、より確実に確保することができる。また、スペーサ（１４）、第１リードフレーム（２０）、第２リードフレーム（３０）を、容易に位置決めして積層することができる。さらには、対向方向だけでなく、対向方向に垂直な方向においても、第１リードフレーム（２０）と第２リードフレーム（３０）との位置精度を向上することができる。
【００１８】
請求項３に記載のように、モールド成形工程では、
第１リードフレーム（２０）及び第２リードフレーム（３０）を、モールド樹脂体（１３）の外部において互いに重ならないように配置し、
電気絶縁材料からなるスペーサ（１４）を、第１リードフレーム（２０）及び第２リードフレーム（３０）のモールド樹脂体（１３）内となる対向部位間に介在させると良い。
【００１９】
これによれば、モールド樹脂体（１３）の外部において、第１リードフレーム（２０）と第２リードフレーム（３０）が重ならないため、除去工程において、第１タイバー（２５）及び第２タイバー（３５）を除去する手法の自由度が向上する。例えば、カット型を用いた除去や、レーザ光照射による除去などを採用することができる。
【００２０】
なお、本発明において「重なる」とは、対象となる２つの部材（請求項３ではリードフレーム）において、対向方向に沿う光による一方の投影が、他方に少なからず重なるような位置関係を指す。
【００２１】
請求項４に記載のように、モールド成形工程では、
第１タイバー（２５）及び第２タイバー（３５）の少なくとも一部が互いに重なるとともに、リード（２２，３２）のモールド樹脂体（１３）の外部に位置する部分が重ならないように、第１リードフレーム（２０）及び第２リードフレーム（３０）を配置し、
互いに重なる位置関係にあるタイバー（２５，３５）及び該タイバー（２５，３５）により結束されたリード（２２，３２）に対応して、少なくともモールド樹脂体（１３）の側面（１３ａ）から互いに重なる位置関係にあるタイバー（２５，３５）に接する範囲に、スペーサ（１４）を配置し、
第１リードフレーム（２０）及び第２リードフレーム（３０）によりスペーサ（１４）を挟持した状態で、金型（１００，１０１）内に樹脂を注入しても良い。
【００２２】
この場合、リードフレーム（２０，３０）のうち、少なくともモールド樹脂体（１３）の外部となる部分に、スペーサ（１４）を配置する。したがって、型締めの力を効率よく利用して、スペーサ（１４）を所定位置に保持することができる。
【００２３】
請求項５に記載のように、モールド成形工程後、スペーサ（１４）を除去するスペーサ除去工程を備えても良い。これによれば、スペーサ（１４）の材料選択の自由度を向上することができる。
【００２４】
請求項６に記載のように、モールド成形工程では、モールド樹脂体（１３）の側面（１３ａ）に沿うように、環状のスペーサ（１４）を配置しても良い。また、請求項７に記載のように、モールド成形工程では、スペーサ（１４）がモールド樹脂体（１３）の側面（１３ａ）に沿う環状をなすように、複数のスペーサ構成部材（５０，５１）を連続的に配置しても良い。
【００２５】
請求項６のほうが、モールド樹脂体（１３）の表面の成形品質を向上することができる。また、スペーサ（１４）を位置決め配置しやすい。一方、請求項７のほうが、スペーサ除去工程を行う場合に、スペーサ（１４）を除去しやすい。
【００２６】
次に、請求項８に記載の半導体装置は、
第１リードフレーム（２０）を構成する第１ダイパッド（２１）の一面上に第１半導体チップ（２３）が搭載され、第１リードフレーム（２０）を構成する複数本の第１リード（２２）が第１半導体チップ（２３）とワイヤ（２４）により電気的に接続された第１構造体（１１）と、
第２リードフレーム（３０）を構成する第２ダイパッド（３１）の一面上に、第１半導体チップ（２３）とは動作するための基準電位が異なる第２半導体チップ（３３）が搭載され、第２リードフレーム（３０）を構成する複数本の第２リード（３２）が第２半導体チップ（３３）とワイヤ（３４）により電気的に接続された第２構造体（１２）と、
各半導体チップ（２３，３３）、各ダイパッド（２１，３１）、各ワイヤ（２４，３４）、及び各リード（２２，３２）におけるワイヤ（２４，３４）との接続部分を含む一部を一体的に封止するモールド樹脂体（１３）と、を備え、
第１ダイパッド（２１）と第２ダイパッド（３１）が対向するように配置されている。
【００２７】
そして、電気絶縁材料からなり、第１ダイパッド（２１）と第２ダイパッド（３１）の対向方向において、第１半導体チップ（２３）と第２半導体チップ（３３）の間に電位干渉を生じない間隔を確保すべく所定厚さを有するスペーサ（１４）が、第１リードフレーム（２０）と第２リードフレーム（３０）の間に介在され、スペーサ（１４）の一面に第１リードフレーム（２０）が接触し、一面と反対の面に第２リードフレーム（３０）が接触していることを特徴とする。
【００２８】
本発明の作用効果は、請求項１に記載の発明の作用効果と同じであるので、その記載を省略する。
【００２９】
請求項９に記載のように、
スペーサ（１４）及び第１リードフレーム（２０）の一方に、嵌合用の第１凹部（２６）が設けられ、他方が第１凹部（２６）に嵌まっており、
スペーサ（１４）及び第２リードフレーム（３０）の一方に、嵌合用の第２凹部（３６）が設けられ、他方が第２凹部（３６）に嵌まっている構成を採用することが好ましい。
【００３０】
本発明の作用効果は、請求項２に記載の発明の作用効果と同じであるので、その記載を省略する。
【００３１】
請求項１０に記載のように、
モールド樹脂体（１３）における各リード（２２，３２）が延出される側面（１３ａ）の周方向において、複数の第１リード（２２）が連続して配置されてなる第１リード群（２２ｂ）と、複数の第２リード（３２）が連続して配置されてなる第２リード群（３２ｂ）とが、重ならないように配置され、
スペーサ（１４）は、少なくとも一部がモールド樹脂体（１３）内に配置され、モールド樹脂体（１３）内において、第１リードフレーム（２０）と第２リードフレーム（３０）の間に介在された構成とすると良い。
【００３２】
本発明の作用効果は、請求項３に記載の発明の作用効果と同じであるので、その記載を省略する。
【００３３】
請求項１１に記載のように、
モールド樹脂体（１３）における各リード（２２，３２）が延出される側面（１３ａ）の周方向において、第１リード（２２）と第２リード（３２）は交互に設けられ、
スペーサ（１４）は、モールド樹脂体（１３）の側面（１３ａ）から延出される各リード（２２，３２）の延出方向において、少なくとも側面（１３ａ）から各リード（２２，３２）におけるタイバー（２５，３５）の除去位置まで延設されるとともに、モールド樹脂体（１３）を取り囲んで配置された構成としても良い。
【００３４】
本発明の作用効果は、請求項４に記載の発明の作用効果と同じであるので、その記載を省略する。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】第１実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。なお、図１は、図３に示すＡ−Ａ線の断面に相当する。
【図２】図１に示す半導体装置の製造方法を示す断面図であり、（ａ）は準備工程、（ｂ）はモールド成形工程において型締めした状態、（ｃ）はモールド成形工程において樹脂の注入が完了した状態を示す。なお、図２に示す断面図は、図３のＡ−Ａ線の断面に相当する。
【図３】モールド成形工程後（除去工程前）の状態を示す平面図である。なお、便宜上、モールド樹脂体にハッチングを施している。
【図４】変形例を示す断面図である。
【図５】変形例を示す断面図である。
【図６】変形例を示す断面図である。
【図７】変形例を示す断面図である。
【図８】変形例を示す断面図である。
【図９】変形例を示す断面図である。
【図１０】第２実施形態に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。なお、図１０は、図１２に示すＢ−Ｂ線の断面に相当する。
【図１１】図１０に示す半導体装置の製造方法を示す断面図であり、（ａ）はモールド成形工程において型締めした状態、（ｂ）はモールド成形工程において樹脂の注入が完了した状態を示す。なお、図１１は、図１２に示すＢ−Ｂ線の断面に相当する。
【図１２】モールド成形工程後（除去工程前）の状態を示す平面図である。なお、便宜上、モールド樹脂体にハッチングを施している。
【図１３】変形例を示す断面図である。
【図１４】変形例を示す平面図である。
【図１５】変形例を示す断面図である。
【図１６】変形例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。なお、以下に示す各実施形態において、共通乃至関連する要素には同一の符号を付与するものとする。また、２つのダイパッド（アイランドとも言う）の対向方向、換言すれば各半導体チップの厚さ方向を、単に対向方向と示す。また、該対向方向に垂直な方向を単に垂直方向と示す。なお、以下の実施形態において、例えば対向方向において「重なる」又は「対向する」とは、対象となる２つの部材において、対向方向に沿う光による一方の部材の投影が、他方の部材に少なからず重なることを指す。
【００３７】
（第１実施形態）
図１に示すように、本実施形態に係る半導体装置１０は、要部として、第１構造体１１、第２構造体１２、モールド樹脂体１３、及びスペーサ１４を備える。
【００３８】
第１構造体１１は、第１リードフレーム２０と第１半導体チップ２３を有する。そして、第１リードフレーム２０を構成する第１ダイパッド２１の一面上に第１半導体チップ２３が搭載され、第１半導体チップ２３は、第１リードフレーム２０を構成する複数本の第１リード２２とワイヤ２４により電気的に接続されている。
【００３９】
第２構造体１２は、第１リードフレーム２０とは別の第２リードフレーム３０と、第１半導体チップ２３とは動作するための基準電位が異なる第２半導体チップ３３を有する。そして、第２リードフレーム３０を構成する第２ダイパッド３１の一面上に第２半導体チップ３３が搭載され、第２半導体チップ３３は、第２リードフレーム３０を構成する複数本の第２リード３２とワイヤ３４により電気的に接続されている。
【００４０】
これらリードフレーム２０，３０において、モールド樹脂体１３の外部に延出されたリード２２，３２の部分、所謂アウターリード部分は、図１に示すように、モールド樹脂体１３の側面１３ａから離れた位置で屈曲され、その先端部分が垂直方向に平行となるようにさらに屈曲されている。そして、この先端部分が、表面実装構造の実装部２２ａ，３２ａとなっている。これら実装部２２ａ，３２ａは、対向方向において、ほぼ同じ位置関係、所謂面一の位置関係となっている。
【００４１】
また、２つのリードフレーム２０，３０において、各リード２２，３２のアウターリード部分の一部（側面１３ａに近い屈曲部までの部分）とモールド樹脂体１３の内部に配置された部分は、対向方向において所定の間隔を有しつつ略平行となっている。さらに、第１ダイパッド２１と第２ダイパッド３１は、半導体チップ２３，３３の搭載面と反対の面を向かい合わせて対向配置されている。
【００４２】
モールド樹脂体１３は、２つの半導体チップ２３，３３、２つのダイパッド２１，３１、各ワイヤ２４，３４、及び各リード２２，３２におけるワイヤ２４，３４との接続部分を含む一部を、一体的に封止するものである。このモールド樹脂体１３の構成材料としては、エポキシ樹脂などの周知の樹脂材料を採用することができる。
【００４３】
また、本実施形態では、モールド樹脂体１３の垂直方向に沿う平面形状が、図３に示すように略矩形状となっており、モールド樹脂体１３の各側面１３ａから、リード２２，３２がそれぞれ、モールド樹脂体１３の外部に延出されている。また、各側面１３ａでは、側面１３ａの周方向において、第１リード２２と第２リード３２が交互に設けられている。
【００４４】
スペーサ１４は、電気絶縁材料からなり、リードフレーム２０，３０に対して接着性を有さない固体状のもの、さらには、対向方向において、２つの半導体チップ２３，３３の間に電位干渉を生じない間隔を確保すべく所定厚さを有するものを採用することができる。なお、モールド樹脂体１３と線膨張係数が近い材料、より好ましくは同一材料を選択すると、熱応力の点でより優れたものとなる。
【００４５】
このスペーサ１４は、２つのリードフレーム２０，３０の間に介在されており、一面に第１リードフレーム２０が接触し、一面と反対の面に第２リードフレーム３０が接触している。すなわち、スペーサ１４を介して２つのリードフレーム２０，３０が積層されている。このように、スペーサ１４は、２つのリードフレーム２０，３０の略平行配置部分、特に２つのダイパッド２１，３１の対向方向の間隔を、２つの半導体チップ２３，３３の間に電位干渉を生じない間隔に保持する機能を果たす。
【００４６】
また、スペーサ１４は、図３に示すように、垂直方向（特に各リード２２，３２の延出方向）において、モールド樹脂体１３の側面１３ａから各リード２２，３２におけるタイバー２５，３５の除去位置（タイバー２５,３５の除去前の状態で、タイバー２５，３５にて結束されていた位置）まで延設されている。すなわち、モールド樹脂体１３（後述する本体部４０）の側面１３ａに接しつつモールド樹脂体１３の外部に配置されている。また、スペーサ１４は、平面矩形状のモールド樹脂体１３の４つの側面１３ａに沿って配置されている。本実施形態では、環状のスペーサ１４により、モールド樹脂体１３を取り囲んでいる。なお、図３では、スペーサ１４を破線で示している。
【００４７】
次に、上記構成の半導体装置１０の製造方法について説明する。
【００４８】
先ず、第１構造体１１及び第２構造体１２を準備する。ただし、この時点での各構造体１１，１２は、半導体装置１０における構造体１１，１２とは異なり、リードフレーム２０，３０が、第１リード２２同士を結束する第１タイバー２５、第２リード３２同士を結束する第２タイバー３５を有している。また、ダイパッド２１，３１は、リードフレーム２０，３０の図示しないフレームを介して、リード２２，３２と一体化されている。
【００４９】
この準備工程では、図２（ａ）に示すように、第１リードフレーム２０の第１ダイパッド２１の一面上に、第１半導体チップ２３を搭載する。そして、搭載した半導体チップ２３と第１リードフレーム２０の第１リード２２とをワイヤ２４により電気的に接続する。これにより、第１構造体１２が形成される。また、図示しないが、第１構造体１１と同様の手順で、第２構造体１２を形成する。すなわち、第２リードフレーム３０の第２ダイパッド３１の一面上に、第２半導体チップ３３を搭載する。そして、搭載した半導体チップ３３と第２リードフレーム３０の第２リード３２とをワイヤ３４により電気的に接続する。
【００５０】
次に、準備工程後、２つの構造体１１，１２を金型１００，１０１に配置する。このとき、２つのダイパッド２１，３１が対向するように２つのリードフレーム２０，３０を保持する。そして、モールド樹脂体１３を形成する。
【００５１】
このモールド成形工程では、金型１００，１０１として、対向方向に開閉するものを用いる。そして、図２（ｂ）に示すように、上記スペーサ１４を介して、２つのリードフレーム２０，３０を積層配置する。例えば、金型１００（例えば下型）に第１リードフレーム２０を配置し、第１リードフレーム２０上にスペーサ１４を配置した後、スペーサ１４上に第２リードフレーム３０を配置する。また、予め積層状態としておき、この積層体を金型１００に配置しても良い。
【００５２】
このとき、ダイパッド２１,３１を、互いに対向するとともに、半導体チップ２３，３３の搭載面と反対の面同士が向かい合うように配置する。また、第１タイバー２５及び第２タイバー３５の少なくとも一部が互いに重なるとともに、２つのリード２２，３２におけるアウターリード部分が互いに重ならないように配置する。本実施形態では、図２（ｂ）及び図３に示すように、全てのタイバー２５，３５が互いに重なるように配置する。また、リード２２，３２が交互に位置するように配置する。
【００５３】
さらには、互いに重なる位置関係にあるタイバー２５，３５及び該タイバー２５，３５により結束されたリード２２，３２に対応して、少なくともモールド樹脂体１３の側面１３ａから互いに重なる位置関係にあるタイバー２５，３５に接する範囲に、スペーサ１４を配置する。すなわち、リード２２，３２のアウターリード部分及びタイバー２５，３５に接しつつ、金型１００（例えば下型）の凹部壁面１０２及び金型１０１（例えば上型）の凹部壁面１０３とともに樹脂が注入されるキャビティＣ１構成するように、スペーサ１４が配置される。
【００５４】
次いで、この積層状態において、図２（ｂ）に示すように金型１００，１０１を型締めする。すると、第１リード２２のアウターリード部分及び第１タイバー２５が金型１００から紙面上方の力を受け、第２リード３２のアウターリード部分及び第２タイバー３５が金型１０１から紙面下方の力を受ける。これにより、スペーサ１４は、リードフレーム２０，３０によって挟持される。
【００５５】
そして、この挟持状態で、金型１００，１０１のキャビティＣ１内に樹脂を注入してモールド樹脂体１３を形成する。
【００５６】
このとき、上記したように、金型１００（例えば下型）の凹部壁面１０２、金型１０１（例えば上型）の凹部壁面１０３、スペーサ１４により構成されるキャビティＣ１の部分が、モールド樹脂体１３の本体部４０となる。この本体部４０が、半導体装置１０におけるモールド樹脂体１３に相当する。すなわち、側面１３ａは、本体部４０の側面である。
【００５７】
また、本実施形態では、金型１００，１０１として、リードフレーム２０，３０の押さえ面が平坦なものを採用する。このため、側面１３ａの周方向において隣り合う第１リード２２間の隙間に樹脂が流れ込む。しかしながら、上記したように、スペーサ１４を、モールド樹脂体１３（本体部４０）の側面１３ａからタイバー２５まで延設している。このため、隣り合う第１リード２２、該第１リード２２間を結束する第１タイバー２５、金型１０１の押さえ面、スペーサ１４により、樹脂が流れ込む空間を制限することができる。同様に、隣り合う第２リード３２、該第２リード３２間を結束する第２タイバー３５、金型１０１の押さえ面、スペーサ１４により、樹脂が流れ込む空間を制限することができる。
【００５８】
これら空間に流れ込む樹脂により、図３に示すように、本体部４０から突出する突出部４１が形成される。この突出部４１は、特に必要なものではないので、見栄え向上などの必要に応じて除去しても良い。
【００５９】
モールド成形工程後、金型１００，１０１から取り外し、樹脂のアフターキュアを行う。次いで、第１リード２２を結束する第１タイバー２５と、第２リード３２を結束する第２タイバー３５をそれぞれ除去する。
【００６０】
そして、リード２２,３２の折曲を行うなどして、図１に示す半導体装置１０を得ることができる。
【００６１】
次に、上記した半導体装置１０及びその製造方法について、特徴部分の作用と効果を説明する。
【００６２】
本実施形態では、半導体チップ２３,３３が搭載されたダイパッド２１，３１を対向配置させるので、１つのダイパッド（アイランド）に２つの半導体チップが搭載される構成に較べて、半導体装置１０の垂直方向の体格を小型化することができる。
【００６３】
また、スペーサ１４を介して２つのリードフレーム２０，３０を積層配置するため、半導体装置１０において、２つのダイパッド２１，３１の対向距離は、スペーサ１４の厚さに応じた距離となる。これにより、ダイパッド２１，３１の対向距離のばらつきを、従来に較べて非常に小さいものとすることができる。また、スペーサ１４の厚さは、２つの半導体チップ２３，３３の間に電位干渉を生じない間隔を確保すべく設定される。したがって、より確実に電位干渉を抑制することができる。２つの半導体チップ２３，３３として、例えばインバータ回路のハイサイド側スイッチング素子を駆動する高電位基準ゲート駆動回路が構成された半導体チップと、ローサイド側スイッチング素子を駆動する低電位基準ゲート駆動回路が構成された半導体チップの組み合わせにも好適である。
【００６４】
また、スペーサ１４を介して２つのリードフレーム２０，３０を積層するだけで、半導体チップ２３，３３の間に電位干渉を生じない間隔を確実に確保することができる。このため、従来の接着固定に較べて、製造工程を簡素化することができる。
【００６５】
以上から、本実施形態によれば、体格の小型化を図るとともに、より確実に半導体チップ２３，３３間の電位干渉を抑制しつつ製造工程を簡素化することができる。
【００６６】
また、本実施形態では、上記したように、スペーサ１４の厚さによって、２つのリードフレーム２０，３０（ダイパッド２１，３１）の対向方向の位置が決定する。このため、対向方向において、実装部２２ａ，３２ａの位置ばらつきも低減することができ、ひいては回路基板などの接続対象との接続信頼性を従来に較べて向上することができる。
【００６７】
また、リードフレーム２０，３０のうち、モールド樹脂体１３の外部となる部分に、スペーサ１４を配置するため、型締めの力を効率よく利用して、スペーサ１４を所定位置に保持することができる。
【００６８】
（変形例）
本実施形態では、挟持により、リードフレーム２０，３０間にスペーサ１４を保持する例を示した。これに対し、スペーサ１４を、２つのリードフレーム２０，３０の間に介在させつつ各リードフレーム２０，３０と嵌合させた状態で、金型１００，１０１を型締めし、モールド樹脂体１３を形成するようにしても良い。これによれば、嵌合によってスペーサ１４が所定位置に保持されるため、半導体チップ２３，３３間の対向距離を、より確実に確保することができる。また、スペーサ１４、第１リードフレーム２０、第２リードフレーム３０を、容易に位置決めして積層することができる。さらには、対向方向だけでなく、垂直方向においても、２つのリードフレーム２０，３０の位置精度を向上することができる。その一例を図４に示す。
【００６９】
図４において、第１リードフレーム２０は、モールド樹脂体１３の外部となる部分であってスペーサ１４を配置する部分に、嵌合用の第１凹部２６を有する。この第１凹部２６は、スペーサ１４に対応して環状に設けられており、第１リード２２の部分は溝、第１タイバー２５の部分は、モールド樹脂体１３側の端面に開口する切り欠きとなっている。また、第２リードフレーム３０も、モールド樹脂体１３の外部となる部分であってスペーサ１４を配置する部分に、嵌合用の第２凹部３６を有する。この第２凹部３６は、スペーサ１４に対応して環状に設けられており、第２リード３２の部分は溝、第２タイバー３５の部分は、モールド樹脂体１３側の端面に開口する切り欠きとなっている。そして、リードフレーム２０，３０の凹部２６,３６に対し、スペーサ１４が嵌まっている。なお、スペーサ１４に凹部を設け、リードフレーム２０，３０に、凹部に嵌合する突起部を設けても良い。
【００７０】
本実施形態では、図１に示すように、半導体チップ２３，３３の搭載面と反対の面が向き合うように、ダイパッド２１，３１を対向配置させる例を示した。しかしながら、図５に示すように、第１ダイパッド２１における半導体チップ２３の搭載面と、第２ダイパッド３１における半導体チップ３３の搭載面と反対の面とが向き合うように、ダイパッド２１，３１を対向配置させても良い。また、図示しないが、第２ダイパッド３１における半導体チップ３３の搭載面と、第１ダイパッド２１における半導体チップ２３の搭載面と反対の面とが向き合うように、ダイパッド２１，３１を対向配置させても良い。
【００７１】
さらには、図６に示すように、第１ダイパッド２１における半導体チップ２３の搭載面と、第２ダイパッド３１における半導体チップ３３の搭載面とが向き合うように、ダイパッド２１，３１を対向配置させても良い。
【００７２】
本実施形態では、スペーサ１４が、モールド樹脂体１３における本体部４０の側面１３ａに接しつつ本体部４０の外部に配置される例を示した。しかしながら、例えば図７に示すように、スペーサ１４の一部が、本体部４０内に入り込んだ構成とすることもできる。スペーサ１４の配置としては、垂直方向において、モールド樹脂体１３における本体部４０の側面１３ａから、タイバー２５，３５の除去位置（各リード２２，３２において、タイバー２５,３５の除去前の状態で、タイバー２５，３５にて結束されていた位置）まで延設されれば良い。
【００７３】
本実施形態では、半導体装置１０がスペーサ１４を有する例を示した。しかしながら、モールド樹脂体１３の本体部４０の外部にスペーサ１４を配置する場合、モールド成形工程後、スペーサ１４を除去するスペーサ除去工程を実施することで、図８に示すように、スペーサ１４を有さない半導体装置１０とすることもできる。このように、スペーサ１４を除去する場合、スペーサ１４の構成材料は電気絶縁材料に限定されないため、スペーサ１４の材料選択の自由度を向上することができる。例えば、金属材料からなるスペーサ１４を採用することもできる。また、スペーサ１４の除去は、例えば、タイバー２５,３５を除去した後で、レーザ加工やパンチなどで環状のスペーサ１４を複数片の分断し、垂直方向に抜き出す方法や、タイバー２５,３５の除去とともに、スペーサ１４を複数片に分断し、垂直方向に抜き出す方法を採用することができる。
【００７４】
本実施形態では、環状のスペーサ１４を採用する例を示した。しかしながら、モールド樹脂体１３の本体部４０の側面に沿う環状をなすように、複数のスペーサ構成部材を連続的に配置して、スペーサ１４としても良い。一例として示す図９では、平面コの字状をなす２つのスペーサ構成部材５０,５１を連結することで、スペーサ１４としている。このように、複数のスペーサ構成部材５０，５１からなるスペーサ１４を採用すると、スペーサ１４を有さない半導体装置１０とする場合に、スペーサ１４を除去しやすい。特に本実施形態では、金型１００，１０１の型締めの力を受けて、リードフレーム２０，３０により、スペーサ１４が挟持される。したがって、モールド樹脂体１３の形成後、型開きすると、スペーサ１４の挟持状態が弱まるため、複数のスペーサ構成部材５０，５１を容易に引き抜くことができる。
【００７５】
（第２実施形態）
第１実施形態では、リード２２，３２が、モールド樹脂体１３の各側面１３ａにおいて交互に設けられ、スペーサ１４が、垂直方向において、モールド樹脂体１３（本体部４０）の側面１３ａから、タイバー２５，３５の除去位置まで延設される例を示した。
【００７６】
これに対し、本実施形態では、図１２に示すように、モールド樹脂体１３の側面１３ａの周方向において、複数本の第１リード２２が連続配置されてなる第１リード群２２ｂと、複数本の第２リード３２が連続配置されてなる第２リード群３２ｂとが、重ならないように（対向しないように）配置される。そして、スペーサ１４は、少なくとも一部がモールド樹脂体１３内に配置され、モールド樹脂体１３内において、２つのリードフレーム２０，３０の間に介在されることを特徴とする。なお、第１実施形態に示した半導体装置１０及びその製造方法と同じ部分についての説明は割愛する。
【００７７】
図１０に示す半導体装置１０では、図１２に示すように、平面矩形状のモールド樹脂体１３（本体部４０）の各側面１３ａに、リード２２，３２のいずれか一方のみが配置されている。より詳しくは、相対する２つの側面１３ａに、複数本の第１リード２２がそれぞれ設けられ、第１リード群２２ｂをなしている。また、残りの２つの側面１３ａに、複数本の第２リード３２がそれぞれ設けられ、第２リード群３２ｂをなしている。
【００７８】
また、図１０に示すように、第１リードフレーム２０は、第１半導体チップ２３が搭載された第１ダイパッド２１、その一部が側面１３ａからモールド樹脂体１３の外部に延出された第１リード２２だけでなく、スペーサ１４を支持する支持部２７を有する。この支持部２７は、側面１３ａから外部に突出しないように、モールド樹脂体１３の内部に配置されている。
【００７９】
本実施形態では、一例として、支持部２７における第１ダイパッド２１と反対の端面が、モールド樹脂体１３の側面１３ａと面一となっている。また、支持部２７における第２リードフレーム３０との対向面に、嵌合用の第１凹部２６が設けられている。なお、嵌合用の第１凹部２６は、支持部２７だけでなく、第１リード２２におけるモールド樹脂体１３内部の部分、所謂インナーリード部分や、図示しないフレーム部分にも設けられている。
【００８０】
また、第２リードフレーム３０も、第１リードフレーム２０同様の構成となっている。すなわち、図１０に示すように、第２リードフレーム３０は、第２半導体チップ３３が搭載された第２ダイパッド３１、その一部が側面１３ａからモールド樹脂体１３の外部に延出された第２リード３２だけでなく、スペーサ１４を支持する支持部３７を有する。この支持部３７は、側面１３ａから外部に突出しないように、モールド樹脂体１３の内部に配置されている。
【００８１】
本実施形態では、一例として、支持部３７における第２ダイパッド３１と反対の端面が、モールド樹脂体１３の側面１３ａと面一となっている。また、支持部３７における第１リードフレーム２０との対向面に、嵌合用の第２凹部３６が設けられている。なお、嵌合用の第２凹部３６は、支持部３７だけでなく、第２リード３２におけるモールド樹脂体１３内部の部分、所謂インナーリード部分や、図示しないフレーム部分にも設けられている。
【００８２】
スペーサ１４は、電気絶縁材料からなり、モールド樹脂体１３の内部において、一面が第１リードフレーム２０に接触し、該一面と反対の面が第２リードフレーム３０と接触している。本実施形態では、ダイパッド２１,３１を取り囲むように環状に設けられており、第１リード２２のインナーリード部分及び支持部３７に接触するとともに、これらに設けられた凹部２６，３６に嵌まっている。また、第２リード３２のインナーリード部分及び支持部２７に接触するとともに、これらに設けられた凹部２６，３６に嵌まっている。さらには、スペーサ１４全体が、モールド樹脂体１３の内部に位置する。
【００８３】
次に、上記した半導体装置１０の製造方法について説明する。
【００８４】
第１実施形態同様、先ず第１構造体１１及び第２構造体１２を準備する。次に、モールド樹脂体１３を形成するモールド成形工程を実施する。
【００８５】
このモールド成形工程では、第１実施形態同様、金型１００，１０１として、対向方向に開閉するものを用いる。そして、図１１（ａ）に示すように、スペーサ１４を介して、２つのリードフレーム２０，３０を積層配置する。例えば、金型１００（例えば下型）に第１リードフレーム２０を配置し、第１リードフレーム２０上にスペーサ１４を配置した後、スペーサ１４上に第２リードフレーム３０を配置する。また、予め積層状態としておき、この積層体を金型１００に配置しても良い。
【００８６】
このとき、ダイパッド２１,３１を、互いに対向するとともに、半導体チップ２３，３３の搭載面と反対の面同士が向かい合うように配置する。また、２つリードフレーム２０，３０を、モールド樹脂体１３の外部に位置する部分が互いに重ならない（対向しない）ように配置する。具体的には、第１タイバー２５を含む第１リード群２２ｂと、第２タイバー３５を含む第２リード群３２ｂが互いに重ならないように配置する。より詳しくは、垂直方向において、２つの第１リード群２２ｂが相対し、２つの第２リード群３２ｂが相対するように配置する。また、本実施形態では、支持部２７，３７におけるダイパッド２１,３１と反対の端面がモールド樹脂体１３の側面１３ａと面一となるように配置する。
【００８７】
さらには、モールド樹脂体１３の内部となる位置にスペーサ１４を配置する。本実施形態では、第１リード２２のインナーリード部分及び支持部３７に接触するとともに、第２リード３２のインナーリード部分及び支持部２７に接触するように配置する。また、リード２２，３２のインナーリード部分や支持部２７，３７などに設けた凹部２６，３６に嵌まるように、スペーサ１４を配置する。
【００８８】
次いで、この積層状態において、図１１（ａ）に示すように金型１００，１０１を型締めする。そして、この型締め状態で、金型１００，１０１のキャビティＣ１内に樹脂を注入してモールド樹脂体１３を形成する。
【００８９】
このとき、金型１００（例えば下型）の凹部壁面１０２、金型１０１（例えば上型）の凹部壁面１０３により構成されるキャビティＣ１の部分が、モールド樹脂体１３の本体部４０となる。なお、モールド樹脂体１３の側面１３ａとは、本体部４０の側面である。
【００９０】
また、本実施形態では、金型１００，１０１として、リードフレーム２０，３０の押さえ面が平坦なものを採用する。このため、側面１３ａの周方向において隣り合う第１リード２２間の隙間に樹脂が流れ込む。しかしながら、第１リードフレーム２０において、モールド樹脂体１３の外部となる部分を、金型１００，１０１にて挟持する。また、第２リードフレーム３０において、モールド樹脂体１３の外部となる部分を、金型１００，１０１にて挟持する。このため、隣り合う第１リード２２、該第１リード２２間を結束する第１タイバー２５、金型１００，１０１の押さえ面により、樹脂が流れ込む空間を制限することができる。同様に、隣り合う第２リード３２、該第２リード３２間を結束する第２タイバー３５、金型１００，１０１の押さえ面により、樹脂が流れ込む空間を制限することができる。これら空間に流れ込む樹脂により、図１２に示すように、本体部４０から突出する突出部４１が形成される。この突出部４１は、特に必要なものではないので、見栄え向上などの必要に応じて除去しても良い。
【００９１】
モールド樹脂体１３が形成されると、金型１００，１０１から取り外し、樹脂のアフターキュアを行う。次いで、第１リード２２を結束する第１タイバー２５と、第２リード３２を結束する第２タイバー３５をそれぞれ除去する。本実施形態では、図１２に示すように、モールド樹脂体１３の外部において、第１リードフレーム２０と第２リードフレーム３０が重ならない（対向しない）ため、第１実施形態と較べて、タイバー２５，３５の除去方法の採用自由度を向上することができる。例えば、本実施形態では、レーザ光を照射してタイバー２５,３５を除去することもできるし、カット型により、タイバー２５,３５を除去することもできる。
【００９２】
そして、リード２２，３２の折曲などを行うことで、図１０に示す半導体装置１０を得ることができる。
【００９３】
次に、上記した半導体装置１０及びその製造方法について、特徴部分の作用と効果を説明する。
【００９４】
本実施形態においても、第１実施形態同様、半導体チップ２３,３３が搭載されたダイパッド２１，３１を対向配置させるので、１つのダイパッド（アイランド）に２つの半導体チップが搭載される構成に較べて、半導体装置１０の垂直方向の体格を小型化することができる。
【００９５】
また、スペーサ１４を介して２つのリードフレーム２０，３０を積層配置するため、半導体装置１０において、２つのダイパッド２１，３１の対向距離は、スペーサ１４の厚さに応じた距離となる。これにより、ダイパッド２１，３１の対向距離のばらつきを、従来に較べて非常に小さいものとすることができる。また、スペーサ１４の厚さは、２つの半導体チップ２３，３３の間に電位干渉を生じない間隔を確保すべく設定される。したがって、より確実に電位干渉を抑制することができる。２つの半導体チップ２３，３３として、例えばインバータ回路のハイサイド側スイッチング素子を駆動する高電位基準ゲート駆動回路が構成された半導体チップと、ローサイド側スイッチング素子を駆動する低電位基準ゲート駆動回路が構成された半導体チップの組み合わせにも好適である。
【００９６】
また、スペーサ１４を介して２つのリードフレーム２０，３０を積層するだけで、半導体チップ２３，３３の間に電位干渉を生じない間隔を確実に確保することができる。このため、従来の接着固定に較べて、製造工程を簡素化することができる。
【００９７】
以上から、本実施形態においても、体格の小型化を図るとともに、より確実に半導体チップ２３，３３間の電位干渉を抑制しつつ製造工程を簡素化することができる。
【００９８】
また、本実施形態においても、スペーサ１４の厚さによって、２つのリードフレーム２０，３０（ダイパッド２１，３１）の対向方向の位置が決定する。このため、対向方向において、実装部２２ａ，３２ａの位置ばらつきも低減することができ、ひいては回路基板などの接続対象との接続信頼性を従来に較べて向上することができる。
【００９９】
さらに、本実施形態では、モールド樹脂体１３の外部において、第１リードフレーム２０と第２リードフレーム３０が重ならないため、除去工程において、第１タイバー２５及び第２タイバー３５を除去する手法の選択自由度を向上することができる。例えば、カット型を用いて除去することもできる。
【０１００】
（変形例）
本実施形態においても、第１実施形態の変形例（図６及び図７）に示したダイパッド２１，３１の配置を採用することができる。
【０１０１】
また、スペーサ１４とリードフレーム２０，３０を嵌合させる例を示したが、嵌合させずに、スペーサ１４を介して２つのリードフレーム２０，３０を積層配置しても良い。
【０１０２】
本実施形態では、スペーサ１４全体が、モールド樹脂体１３の内部に位置する例を示した。しかしながら、スペーサ１４は、モールド樹脂体１３の内部においてリードフレーム２０，３０の間に介在されれば、その一部がモールド樹脂体１３の外部に露出する構成としても良い。図１３及び図１４に示す例では、スペーサ１４における半導体チップ２３，３３と反対側の端面が、モールド樹脂体１３（本体部４０）の側面１３ａをなす（換言すれば側面１３ａと面一）となっている。このように、支持部２７，３７だけでなく、スペーサ１４もモールド樹脂体１３から突出しない構成とすると、金型１００，１０１の押さえ面を平坦とする、すなわち構成を簡素化することができる。
【０１０３】
本実施形態では、スペーサ１４を、支持部２７，３７とリード２２，３２のインナーリード部分の間に介在させる例を示した。しかしながら、スペーサ１４の配置は上記例に限定されるものではない。例えば図１５に示すように、ダイパッド２１,３１の間に、スペーサ１４を介在させても良い。また、第１ダイパッド２１が支持部２７も兼ねるように延設され、第１ダイパッド２１と第２リード３２のインナーリード部分との間にスペーサ１４を介在させても良い。同様に、第２ダイパッド３１が支持部３７も兼ねるように延設され、第２ダイパッド３１と第１リード２２のインナーリード部分との間にスペーサ１４を介在させても良い。
【０１０４】
本実施形態では、平面矩形状のモールド樹脂体１３（本体部４０）における４つの側面１３ａのうち、相対する２つの側面１３ａに第１リード群２２ｂが設けられ、残りの２つの側面１３ａに第２リード群３２ｂが設けられる例を示した。すなわち、１つの側面１３ａに第１リード２２及び第２リード３２のいずれか一方のみが配置される例を示した。しかしながら、例えば図１６に示すように、同一側面１３ａ（図１６において紙面上方及び下方の側面１３ａ）に第１リード２２及び第２リード３２がともに設けられるとともに、側面１３ａの周方向において、第１タイバー２５を含む第１リード群２２ｂ、第２タイバー３５を含む第２リード群３２ｂが重ならないように配置された構成としても良い。なお、図１６に示す例では、紙面右方の側面１３ａを中心として、連続する３つの側面１３ａにわたり第１リード群２２ｂが構成されている。また、紙面左方の側面１３ａを中心として、連続する３つの側面１３ａにわたり第２リード群３２ｂが構成されている。
【０１０５】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
【０１０６】
複数のスペーサ１４が、互いに離れて設けられても良い。例えば第１実施形態では、スペーサ１４が、モールド樹脂体１３（本体部４０）の外部のみに位置する例を示した。しかしながら、外部に位置するスペーサ１４とともに、モールド樹脂体１３の内部に位置するスペーサ１４を有する構成としても良い。また、第２実施形態では、環状のスペーサ１４の例を示したが、離間して配置される複数のスペーサ１４を採用することもできる。
【符号の説明】
【０１０７】
１０・・・半導体装置
１３・・・モールド樹脂体
１３ａ・・・側面
１４・・・スペーサ
２０・・・第１リードフレーム
２１・・・第１ダイパッド
２２・・・第１リード
２３・・・第１半導体チップ
２５・・・第１タイバー
３０・・・第２リードフレーム
３１・・・第２ダイパッド
３２・・・第２リード
３３・・・第２半導体チップ
３５・・・第２タイバー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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