(57)【要約】【課題】ワークにおける浸炭むらや、スーティングの発生を抑制する真空浸炭装置及び浸炭ガスの温度調節方法を提供する。【解決手段】真空浸炭装置１は、液体炭化水素を気化して真空浸炭炉３０内に供給される浸炭ガスを予熱する予熱部４０と、予熱部４０により予熱された浸炭ガスの温度を測定する温度センサ５０と、温度センサ５０により測定された温度に基づいて予熱部４０を制御して、浸炭ガスの温度を所定範囲に保持する制御部６０とを備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体炭化水素を気化して生成された浸炭ガスが真空浸炭炉内に供給される真空浸炭装置であって、
前記真空浸炭炉内に供給される浸炭ガスを予熱する予熱部と、
前記予熱部により予熱された浸炭ガスの温度を測定する温度測定部と、
前記温度測定部により測定された温度に基づいて前記予熱部を制御して、浸炭ガスの温度を所定範囲に保持する制御部と、を備えていることを特徴とする真空浸炭装置。
【請求項２】
前記予熱部は、前記真空浸炭炉内に配設されているとともに浸炭ガスを導入して前記真空浸炭炉内の熱により当該浸炭ガスを予熱する複数の予熱流路を有し、
前記各予熱流路は、浸炭ガスをそれぞれ異なる温度に予熱すべく流路長がそれぞれ異なる長さに形成されており、
前記制御部は、前記温度測定部により測定された温度に基づいて前記各予熱流路を個別に開閉制御する請求項１に記載の真空浸炭装置。
【請求項３】
前記各予熱流路は、前記真空浸炭炉内に配設された所定長さを有する単一の予熱配管において、その管軸方向にそれぞれ異なる長さに形成されている請求項２に記載の真空浸炭装置。
【請求項４】
前記予熱部は、前記真空浸炭炉内に浸炭ガスを導入する導入管と、この導入管内に設けられたヒータとを有し、
前記制御部は、前記温度測定部により測定された温度に基づいて前記ヒータを制御する請求項１に記載の真空浸炭装置。
【請求項５】
液体炭化水素を気化して生成された浸炭ガスが真空浸炭炉内に供給される真空浸炭装置における浸炭ガスの温度調節方法であって、
前記真空浸炭炉内に供給される浸炭ガスを予熱部により予熱する工程と、
予熱された浸炭ガスの温度を測定する工程と、
測定された温度に基づいて前記予熱部を制御して、浸炭ガスの温度を所定範囲に保持する工程とを含むことを特徴とする浸炭ガスの温度調節方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体炭化水素を気化して生成された浸炭ガスが真空浸炭炉内に供給される真空浸炭装置及び浸炭ガスの温度調節方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
自動車部品、建設機械部品などの製造に用いられる鋼材には、所定の表面硬さを確保するために、浸炭処理が施されている。かかる浸炭処理を行なう方法としては、例えば、浸炭ガス雰囲気中において、減圧条件下でワーク（処理品）に浸炭処理を施す真空浸炭法が挙げられる。
【０００３】
前記真空浸炭法は、複雑な形状のワークに対しても高温で短時間の処理が可能であるという利点がある。このような真空浸炭法として、シクロヘキサンなどの液体炭化水素を気化した気化ガスを浸炭ガスとして用いる真空浸炭装置が提案されている（例えば、特許文献１及び２を参照）。これらの装置では、液体炭化水素をパルス供給する際のパルス幅や時間を調節することによって、真空浸炭炉内に供給される浸炭ガスの量を制御するようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第６９９１６８７号明細書
【特許文献２】米国特許第７２０４９５２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の前記真空浸炭装置にあっては、真空浸炭炉内に供給する浸炭ガスの量を制御していても、ワークにおいて浸炭むらが生じたり、スーティング（炉内及びワークにススが折出する現象）が発生するという問題があった。
【０００６】
本発明は、前記問題点に鑑みてなされたものであり、ワークにおける浸炭むらや、スーティングの発生を抑制する真空浸炭装置及び浸炭ガスの温度調節方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するための本発明の真空浸炭装置は、液体炭化水素を気化して生成された浸炭ガスが真空浸炭炉内に供給される真空浸炭装置であって、前記真空浸炭炉内に供給される浸炭ガスを予熱する予熱部と、前記予熱部により予熱された浸炭ガスの温度を測定する温度測定部と、前記温度測定部により測定された温度に基づいて前記予熱部を制御して、浸炭ガスの温度を所定範囲に保持する制御部と、を備えていることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の浸炭ガスの温度調節方法は、液体炭化水素を気化して生成された浸炭ガスが真空浸炭炉内に供給される真空浸炭装置における浸炭ガスの温度調節方法であって、前記真空浸炭炉内に供給される浸炭ガスを予熱部により予熱する工程と、予熱された浸炭ガスの温度を測定する工程と、測定された温度に基づいて前記予熱部を制御して、浸炭ガスの温度を所定範囲に保持する工程とを含むことを特徴とする。
【０００９】
このような構成の真空浸炭装置及び浸炭ガスの温度調節方法によれば、真空浸炭炉内に供給される浸炭ガスを予熱部によって予熱するとともに、その予熱された浸炭ガスの測定温度に基づいて予熱部を制御することにより、浸炭ガスの温度を所定範囲に保持するようにした。これにより、ワークにおける浸炭むらや、スーティングの発生を抑制することができる。すなわち、本願発明者は、鋭意研究の結果、真空浸炭炉内に供給された浸炭ガスの温度が低下したときに浸炭むらが生じ、前記浸炭ガスの温度が過剰に上昇したときにスーティングが発生することを見い出し、かかる知見に基づいて本願発明を完成させたものである。
【００１０】
また、本発明の真空浸炭装置によれば、前記予熱部は、前記真空浸炭炉内に配設されているとともに浸炭ガスを導入して前記真空浸炭炉内の熱により当該浸炭ガスを予熱する複数の予熱流路を有し、前記各予熱流路は、浸炭ガスをそれぞれ異なる温度に予熱すべく流路長がそれぞれ異なる長さに形成されており、前記制御部は、前記温度測定部により測定された温度に基づいて前記各予熱流路を個別に開閉制御することが好ましい。
【００１１】
この場合、複数の予熱流路に導入された浸炭ガスを真空浸炭炉内の熱により予熱するため、予熱専用の加熱手段を設ける必要がない。したがって、真空浸炭装置の製造コストを低減することができる。また、各予熱流路の流路長をそれぞれ異なる長さに形成し、各予熱流路を制御部により開閉制御することにより、浸炭ガスの温度を調整することができるため、簡単な構成で浸炭ガスの温度を所定範囲に保持することができる。
【００１２】
前記各予熱流路は、前記真空浸炭炉内に配設された所定長さを有する単一の予熱配管において、その管軸方向にそれぞれ異なる長さに形成されていることが好ましい。
この場合は、単一の予熱配管によって複数の予熱流路が形成されるため、真空浸炭装置の製造コストをさらに低減することができる。
【００１３】
前記予熱部は、前記真空浸炭炉内に浸炭ガスを導入する導入管と、この導入管内に設けられたヒータとを有し、前記制御部は、前記温度測定部により測定された温度に基づいて前記ヒータを制御することが好ましい。
この場合は、浸炭ガスを予熱するヒータを制御部により直接制御することができるため、真空浸炭炉に供給される浸炭ガスの温度を効果的に所定範囲に保持することができる。その結果、ワークにおける浸炭むらや、スーティングの発生を効果的に抑制することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の真空浸炭装置及び浸炭ガスの温度調節方法によれば、浸炭ガスの温度が所定範囲に保持することにより、ワークにおける浸炭むらや、スーティングの発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る真空浸炭装置の概略説明図である。
【図２】真空浸炭装置の要部を示す概略説明図である。
【図３】真空浸炭装置の予熱部の第１の予熱流路を示す概略説明図である。
【図４】真空浸炭装置の予熱部の第２の予熱流路を示す概略説明図である。
【図５】真空浸炭装置の予熱部の第３の予熱流路を示す概略説明図である。
【図６】制御部において実行される処理を示すフロー図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る真空浸炭装置の予熱部の概略説明図である。
【図８】真空浸炭装置における浸炭ガスの噴出温度の変動を示すグラフである。
【図９】真空浸炭装置により浸炭処理を行った場合の浸炭深さの平均及びばらつきを示すグラフである。
【図１０】真空浸炭装置により浸炭処理を行った場合のスーティング状況を示す表である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
次に、本発明の好ましい実施形態について添付図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る真空浸炭装置の概略説明図である。図１に示されるように、真空浸炭装置１は、液体炭化水素流路部１０と、浸炭ガス流路部２０と、真空浸炭炉３０とを備えている。
【００１７】
液体炭化水素流路部１０は、タンク１１と、このタンク１１の下流側に設けられている流量計１２と、この流量計１２の下流側に設けられているバルブ１３とを有している。
タンク１１には、例えば、シクロヘキサン、ベンゼンなどの液体炭化水素が貯蔵されている。タンク１１から排出された液体炭化水素の流量は、流量計１２によって逐次計量される。そして、バルブ１３の開閉動作によって、所定量の液体炭化水素が浸炭ガス流路部２０に搬送される。これにより、浸炭ガス流路部２０に搬送される液体炭化水素の量を所定量に制御することができる。
【００１８】
浸炭ガス流路部２０は、液体炭化水素流路部１０により搬送された液体炭化水素を気化させて浸炭ガスを生成する気化室２１と、この気化室２１から真空浸炭炉３０内に浸炭ガスを供給するための第１の供給管２２、第２の供給管２３及び第３の供給管２４と、第１〜第３の供給管２２〜２４をそれぞれ個別に開閉する開閉部である第１のバルブ２５、第２のバルブ２６及び第３のバルブ２７とを有している。第１〜第３のバルブ２５〜２７は、それぞれ第１〜第３の供給管２２〜２４の管路途中に設けられている。
【００１９】
図１において、真空浸炭炉３０は、ワークを加熱手段（図示省略）により加熱する炉本体３１と、この炉本体３１に接続された真空ポンプ３２とからなる。炉本体３１内は、真空ポンプ３２によって所定の真空度に減圧される。また、炉本体３１内には、第１〜第３の供給管２２〜２４から後述する予熱部４０を介して浸炭ガスが噴出される噴出部３３が設けられている。これにより、炉本体３１内では浸炭ガス雰囲気が形成される。
【００２０】
図２は、真空浸炭装置１の要部を示す概略説明図である。真空浸炭装置１は、炉本体３１内に供給される浸炭ガスを予熱する予熱部４０と、この予熱部４０により予熱された浸炭ガスの温度を測定する温度センサ（温度測定部）５０と、この温度センサ５０により測定された温度に基づいて予熱部４０を制御して、浸炭ガスの温度を所定範囲に保持する制御部６０とをさらに備えている。
【００２１】
予熱部４０は、炉本体３１内に配設された単一の予熱配管４１を有している。この予熱配管４１は、炉本体３１内の周壁に沿って配置された配管本体部４１ａと、この配管本体部４１ａの一端部（図２の左端部）と前記噴出部３３の中央部とを連通する連通部４１ｂとを有している。
【００２２】
配管本体部４１ａには、その管軸方向に所定間隔をあけて前記第１〜第３の供給管２２〜２４が接続されている。具体的には、配管本体部４１ａの一端部に第１の供給管２２の端部が、中央部に第２の供給管２３の端部が、他端部（図２の右端部）に第３の供給管２４の端部がそれぞれ接続されている。
【００２３】
予熱配管４１には、図３に示すように、第１の供給管２２から浸炭ガスが導入される第１の予熱流路４２が形成されている。この第１の予熱流路４２の流路長は、第１の供給管２２と配管本体部４１ａとの接続部から、連通部４１ｂと噴出部３３との接続部までの長さに設定されている。
【００２４】
また、予熱配管４１には、図４に示すように、第２の供給管２３から浸炭ガスが導入される第２の予熱流路４３が形成されている。この第２の予熱流路４３の流路長は、第２の供給管２３と配管本体部４１ａとの接続部から、連通部４１ｂと噴出部３３との接続部までの長さに設定されている。これにより、第２の予熱流路４３の流路長は、第１の予熱流路４２の流路長よりも長く設定されている。
【００２５】
さらに、予熱配管４１には、図５に示すように、第３の供給管２４から浸炭ガスが導入される第３の予熱流路４４が形成されている。この第３の予熱流路４４の流路長は、第３の供給管２４と配管本体部４１ａの接続部から、連通部４１ｂと噴出部３３との接続部までの長さに設定されている。これにより、第３の予熱流路４４の流路長は、第２の予熱流路４３の流路長よりも長く設定されている。
【００２６】
第１〜第３の予熱流路４２〜４４にそれぞれ導入された浸炭ガスは、炉本体３１内の熱によって予熱されるようになっている。その際、第１〜第３の予熱流路４２〜４４は、それぞれ流路長が異なるため、この流路長の差によって、第１〜第３の予熱流路４２〜４４に導入された浸炭ガスは、それぞれ異なる温度に予熱されるようになっている。
【００２７】
より具体的には、第１の予熱流路４２の流路長は、第２及び第３の予熱流路４３，４４の流路長よりも短いため、第１の予熱流路４２に導入された浸炭ガスは、最も低い温度（以下、低温度という）に予熱される。また、第３の予熱流路４４の流路長は、第１及び第２の予熱流路４２，４３の流路長よりも長いため、第３の予熱流路４４に導入された浸炭ガスは、最も高い温度（以下、高温度という）に予熱される。さらに、第２の予熱流路４３の流路長は、第１の予熱流路４２の流路長よりも長く，第３の予熱流路４４の流路長よりも短いため、第２の予熱流路４３に導入された浸炭ガスは、前記低温度よりも高く前記高温度よりも低い温度（以下、中温度という）に予熱される。
【００２８】
図２において、温度センサ５０は、予熱配管４１の連通部４１ｂにおける噴出部３３側の接続端部において浸炭ガスの温度を測定するように設けられている。なお、温度センサ５０は、連通部４１ｂから噴出部３３までの任意の箇所に設けられていればよい。これにより、第１〜第３の予熱流路４２〜４４にそれぞれ導入された浸炭ガスの予熱された温度を測定することができる。
【００２９】
図２において、制御部６０は、温度センサ５０により測定された温度に基づいて、前記第１〜第３のバルブ２５〜２７をそれぞれ開閉制御することにより、第１〜第３の予熱流路４２〜４４を個別に開閉制御するものである。その際、制御部６０は、噴出部３３から噴出される浸炭ガスの温度が所定範囲となる低設定温度Ｔ１と高設定温度Ｔ２との間に保持されるように制御する。本実施形態では、炉本体３１内の浸炭温度は例えば９８０℃に設定されており、低設定温度Ｔ１及び高設定温度Ｔ２は、例えば９７０℃及び９７５℃にそれぞれ設定されている。
【００３０】
図６は、制御部６０において実行される処理を示すフロー図である。以下、図３〜図６を参照しながら、制御部６０による具体的な制御方法について説明する。まず、真空浸炭装置１を停止状態から稼働させたとき、制御部６０は、第１のバルブ２５を開くとともに他の第２及び第３のバルブ２６，２７を閉じる（ステップＳ１）。これにより、気化室２１で生成された浸炭ガスは、図３に示すように、第１の供給管２２を介して第１の予熱流路４２に導入され、低温度に予熱された状態で噴出部３３に形成された複数の噴出孔３３ａから炉本体３１内に噴出される。なお、図３〜図５では、開いているバルブは白抜きで表示し、閉じているバルブは黒塗りで表示している。
【００３１】
真空浸炭装置１の稼働直後は、温度センサ５０は前記浸炭温度（９８０℃）と略同一の温度を測定するが、浸炭ガスの流量や炉外温度などによって、測定温度が徐々に低下する。このため、制御部６０は、温度センサ５０による測定温度が高設定温度Ｔ２よりも低くなったか否かをモニタリングする（ステップＳ２）。
【００３２】
そして、温度センサ５０による測定温度が高設定温度Ｔ２よりも低くなると、制御部６０は、図４に示すように、第１のバルブ２５を閉じるとともに第２のバルブ２６を開く（ステップＳ３）。これにより、気化室２１で生成された浸炭ガスは、第２の供給管２３を介して第２の予熱流路４３に導入され、中温度に予熱された状態で炉本体３１内に噴出される。
【００３３】
浸炭ガスを中温度で予熱しているとき、制御部６０は、温度センサ５０による測定温度が低設定温度Ｔ１よりも低くなったか否かをモニタリングする（ステップＳ４）。そして、前記測定温度が低設定温度Ｔ１よりも低くなると、制御部６０は、図５に示すように、第２のバルブ２６を閉じるとともに第３のバルブ２７を開く（ステップＳ５）。これにより、気化室２１で生成された浸炭ガスは、第３の供給管２４を介して第３の予熱流路４４に導入され、高温度に予熱された状態で炉本体３１内に噴出される。
【００３４】
浸炭ガスを高温度で予熱しているとき、制御部６０は、温度センサ５０による測定温度が低設定温度Ｔ１より高くなったか否かをモニタリングする（ステップＳ６）。そして、前記測定温度が低設定温度Ｔ１よりも高くなると、制御部６０は、ステップＳ３に戻り、図４に示すように、第３のバルブ２７を閉じるとともに第２のバルブ２６を開く。これにより、気化室２１で生成された浸炭ガスは、第２の供給管２３を介して第２の予熱流路４３に導入され、中温度に予熱された状態で炉本体３１内に噴出される。
【００３５】
一方、ステップＳ４において、浸炭ガスを中温度で予熱しているときに、温度センサ５０による測定温度が低設定温度Ｔ１よりも高い場合には、制御部６０は、前記測定温度が高設定温度Ｔ２より高くなったか否かをモニタリングする（ステップＳ７）。そして、前記測定温度が高設定温度Ｔ２よりも高くなると、制御部６０は、ステップＳ１に戻り、図３に示すように、第２のバルブ２６を閉じるとともに第１のバルブ２５を開く。これにより、気化室２１で生成された浸炭ガスは、第１の供給管２２を介して第１の予熱流路４２に導入され、低温度に予熱された状態で炉本体３１内に噴出される。このように、制御部６０が、前記ステップＳ１〜Ｓ７を繰り返し行うことにより、炉本体３１内に噴出される浸炭ガスは、低設定温度Ｔ１と高設定温度Ｔ２との間の所定範囲に保持される。
【００３６】
以上のように構成された本実施形態の真空浸炭装置１及び浸炭ガスの温度調節方法によれば、真空浸炭炉３０の炉本体３１内に供給される浸炭ガスを予熱部４０によって予熱するとともに、温度センサ５０により測定された浸炭ガスの予熱温度に基づいて制御部６０が予熱部４０を制御することにより、浸炭ガスの温度を所定範囲に保持することができる。これにより、ワークにおける浸炭むらや、スーティングの発生を抑制することができる。
【００３７】
また、本発明の真空浸炭装置１によれば、複数の予熱流路４２〜４４に導入された浸炭ガスを炉本体３１内の熱により予熱するため、予熱専用の加熱手段を設ける必要がない。したがって、真空浸炭装置１の製造コストを低減することができる。さらに、各予熱流路４２〜４４をそれぞれ流路長が異なる長さに形成し、各予熱流路４２〜４４を制御部６０により開閉制御することにより、浸炭ガスの温度を調整することができるため、簡単な構成で浸炭ガスの温度を所定範囲に保持することができる。
【００３８】
また、単一の予熱配管４１によって複数の予熱流路４２〜４４が形成されるため、真空浸炭装置１の製造コストをさらに低減することができる。
【００３９】
図７は、本発明の第２の実施形態に係る真空浸炭装置の予熱部の概略説明図である。本実施形態の予熱部４０は、炉本体３１内に浸炭ガスを導入する導入管４５と、この導入管４５内に設けられたヒータ４６とを有している。導入管４５は、炉本体３１内においてワークＷの左右両側方に立設された第１の断熱材３４及び第２の断熱材３５と、第１及び第２の断熱材３４，３５の上方に配置された水平方向に延びる第３の断熱材３６との間に配置されている。導入管４５には、管軸方向に所定間隔をあけて複数の噴出口４５ａが形成されており、導入管４５の一端から、図７の矢印Ａ方向に導入された浸炭ガスは、噴出口４５ａから炉本体３１内に噴出されるようになっている。
【００４０】
ヒータ４６は、導入管４５の内部に設置されており、導入管４５内に導入された浸炭ガスを予熱するようになっている。予熱された浸炭ガスは、噴出口４５ａ付近で温度センサ５０により測定され、この測定温度に基づいて、制御部６０がヒータ４６を制御するようになっている。具体的には、制御部６０は、温度センサ５０による測定温度が低設定温度Ｔ１よりも低くなると、ヒータ４６により浸炭ガスを高温で予熱し、前記測定温度が高設定温度Ｔ２よりも高くなると、ヒータ４６により浸炭ガスを低温で予熱する。これにより、炉本体３１内に噴出される浸炭ガスは、低設定温度Ｔ１と高設定温度Ｔ２との間の所定範囲に保持される。
【００４１】
本実施形態の真空浸炭装置１によれば、浸炭ガスをヒータ４６により予熱し、温度センサ５０により測定された浸炭ガスの予熱温度に基づいて制御部６０がヒータ４６を制御することにより、浸炭ガスの温度を所定範囲に保持するようにした。これにより、ワークＷにおける浸炭むらや、スーティングの発生を抑制することができる。
また、浸炭ガスを予熱するヒータ４６を制御部６０により直接制御することができるため、炉本体３１内に供給される浸炭ガスの温度を効果的に所定範囲に保持することができる。その結果、ワークＷにおける浸炭むらや、スーティングの発生を効果的に抑制することができる。
【００４２】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、第１の実施形態における複数の予熱流路、単一の配管に形成されているが、それぞれ個別の配管によって形成されていてもよい。また、予熱流路の数は、必要に応じて任意に設定することができる。
【００４３】
さらに、気化室における浸炭ガスの生成量を調節するために、気化室内の液体炭化水素を加熱する加熱手段を設けるようにしてもよい。この場合には、気化室内の気化熱を、浸炭ガスを予熱する熱源として利用することができるため、予熱部をコンパクトにすることができ、真空浸炭装置の製造コストをさらに低減することができる。
【００４４】
図８は、所定の試験条件下において、真空浸炭装置における浸炭ガスの噴出温度の変動を示すグラフである。なお、試験条件は、浸炭温度を９８０℃、浸炭ガスの流量を１０〜２０Ｌ／ｍｉｎの範囲で「小」・「中」・「大」の三種類を設定し、それぞれ浸炭ガスを予熱制御しながら７分間供給した。浸炭ガスが予熱されていない場合は、図８の破線で示すように、浸炭ガスの噴出温度が大きく低下しているのが分かる。これに対して、図８の実線、一点鎖線及び二点鎖線で示すように、浸炭ガスが予熱制御されている場合は、浸炭ガスの流量が「小」・「中」・「大」のいずれの場合であっても、予熱された浸炭ガスの噴出温度は、９７０℃〜９８０℃の所定範囲に保持されているのが分かる。
【００４５】
図９は、図８の試験条件下において、真空浸炭装置により浸炭処理を行った場合におけるトレイ内の１０測点における浸炭深さ（０．４％Ｃ）の平均及びばらつきを示すグラフである。図９において、浸炭ガスが予熱されていない場合は、浸炭深さが浅くなり、浸炭品質が低下していることが分かる。これに対して、浸炭ガスが予熱制御されている場合は、浸炭ガスの流量が「小」・「中」・「大」のいずれの場合においても、浸炭深さは深くなっており、浸炭品質は安定している。これにより、浸炭むらの発生が抑制されていることが分かる。
【００４６】
図１０は、図８の試験条件下において、真空浸炭装置により２０チャージ浸炭処理した場合のスーティング状況を示す表である。図１０において、浸炭ガスが予熱制御されている場合は、浸炭ガスの流量が「小」・「中」・「大」のいずれの場合においても、炉本体の内部及び浸炭ガスの排気ラインにスーティングは発生しなかった。
【符号の説明】
【００４７】
１    真空浸炭装置
２１    気化室
３０    真空浸炭炉
４０    予熱部
４２    第１の予熱流路
４３    第２の予熱流路
４４    第３の予熱流路
４５    導入管
４６    ヒータ
５０    温度センサ（温度測定部）
６０    制御部
【図１】
2012126962.tif 000003
【図２】
2012126962.tif 000004
【図３】
2012126962.tif 000005
【図４】
2012126962.tif 000006
【図５】
2012126962.tif 000007
【図６】
2012126962.tif 000008
【図７】
2012126962.tif 000009
【図８】
2012126962.tif 000010
【図９】
2012126962.tif 000011
【図１０】
2012126962.tif 000012