(57)【要約】      （修正有）【課題】絶縁膜の剥がれを抑制することが可能な発光素子を提供する。【解決手段】基板２上に、ｎ型層３ａ、発光層３ｂ、およびｐ型層３ｃを有する光半導体層３を形成する第１工程と、ｎ型層上の露出領域Ｓｐ内に第１電極４を形成する第２工程と、ｐ型層上に、発光層で発光した光を反射する第１金属層５ａ、および第１金属層を覆うとともに金を含む第２金属層５ｂを順次積層して第２電極５を形成する第３工程と、第２電極上に、チタンおよびシリコンの少なくとも一方を含む密着層６を形成する第４工程と、密着層を酸素雰囲気中で加熱して、密着層の表面を酸化させる第５工程と、表面を酸化させた密着層、第２電極、ｐ型層および発光層を被覆するようにシリコンを含む絶縁膜７を形成する第６工程と、第２電極と重なる領域の一部に位置する、絶縁膜および密着層をエッチングして、第２電極の一部を露出させる第７工程とを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、ｎ型層、該ｎ型層の上面に該上面の一部が露出している露出領域を残して設けられた発光層、および該発光層上に設けられたｐ型層を有する光半導体層を形成する第１工程と、
前記ｎ型層上の前記露出領域内に第１電極を形成する第２工程と、
前記ｐ型層上に、前記発光層で発光した光を反射する第１金属層、および該第１金属層を覆うとともに金を含む第２金属層を順次積層して第２電極を形成する第３工程と、
該第２電極上に、チタンおよびシリコンの少なくとも一方を含む密着層を形成する第４工程と、
該密着層を酸素雰囲気中で加熱して、前記密着層の表面を酸化させる第５工程と、
表面を酸化させた前記密着層、前記第２電極、前記ｐ型層および前記発光層を被覆するようにシリコンを含む絶縁膜を形成する第６工程と、
前記第２電極と重なる領域の一部に位置する、前記絶縁膜および前記密着層をエッチングして、前記第２電極の一部を露出させる第７工程とを有する
発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記第７工程において、フッ化アンモニウムを含む溶液を用いてエッチングする請求項１に記載の発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記第４工程において、前記密着層を形成する途中で前記密着層よりも酸化されにくい金属材料からなる酸化抑制層を形成して、前記密着層中に介在させる工程を含む請求項１または２に記載の発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記第４工程は、前記密着層を形成するにつれて、前記密着層を形成する雰囲気内の酸素濃度を高くすることを含む請求項１−３のいずれかに記載の発光素子の製造方法。
【請求項５】
基板上に形成された、ｎ型層、該ｎ型層の上面に該上面の一部が露出している露出領域を残して設けられた発光層、および該発光層上に設けられたｐ型層を有する光半導体層と、
前記ｎ型層上の前記露出領域内に形成された第１電極と、
前記ｐ型層上に形成された、前記発光層で発光した光を反射する第１金属層、および該第１金属層を覆うとともに金を含む第２金属層が順次積層された第２電極と、
該第２電極上に該第２電極の上面の一部が露出するように積層された、酸化チタンおよび酸化シリコンの少なくとも一方からなる酸化物を含むとともに、該酸化物の存在割合が上面から前記第２電極に向かって深さ方向に進むにつれて低くなっている密着層と、
前記第２電極の前記上面の一部を露出させるとともに、前記密着層、前記第２電極、前記ｐ型層および前記発光層を被覆した、シリコンを含む絶縁膜とを有する
発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体を複数積層させた発光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、紫外光、青色光あるいは緑色光等を発光する発光素子として、単結晶基板上に光半導体層が積層されたものが種々提案されている。特に、光半導体層を構成する光半導体として窒化物半導体を用いた発光素子の開発において、発光素子の外部への光取り出し効率を向上させることが必要となっている。
【０００３】
発光素子の光取り出し効率を向上させる技術として、光半導体層の一方主面に、高い反射率を持つ銀からなる反射電極を設けた発光素子を実装基板にフリップチップ方式で実装する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平11−220171号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載された発光素子によれば、発光素子の電気特性を向上させるため、反射電極上に形成したパッド電極の一部を残して絶縁膜（パッシベーション膜）を設ける際に、パッド電極と絶縁膜との剥がれが生じやすいという問題があった。そのため、発光素子を製造する際に歩留まりが低下しやすく、信頼性を低下しやすかった。
【０００６】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、パッド電極上の絶縁膜がはがれにくくすることが可能な発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の発光素子の製造方法は、基板上に、ｎ型層、該ｎ型層の上面に該上面の一部が露出している露出領域を残して設けられた発光層、および該発光層上に設けられたｐ型層を有する光半導体層を形成する第１工程と、前記ｎ型層上の前記露出領域内に第１電極を形成する第２工程と、前記ｐ型層上に、前記発光層で発光した光を反射する第１金属層、および該第１金属層を覆うとともに金を含む第２金属層を順次積層して第２電極を形成する第３工程と、該第２電極上に、チタンおよびシリコンの少なくとも一方を含む密着層を形成する第４工程と、該密着層を酸素雰囲気中で加熱して、前記密着層の表面を酸化させる第５工程と、表面を酸化させた前記密着層、前記第２電極、前記ｐ型層および前記発光層を被覆するようにシリコンを含む絶縁膜を形成する第６工程と、前記第２電極と重なる領域の一部に位置する、前記絶縁膜および前記密着層をエッチングして、前記第２電極の一部を露出させる第７工程とを有する。
【０００８】
また、本発明の発光素子は、基板上に形成された、ｎ型層、該ｎ型層の上面に該上面の一部が露出している露出領域を残して設けられた発光層、および該発光層上に設けられたｐ型層を有する光半導体層と、前記ｎ型層上の前記露出領域内に形成された第１電極と、前記ｐ型層上に形成された、前記発光層で発光した光を反射する第１金属層、および該第１金属層を覆うとともに金を含む第２金属層が順次積層された第２電極と、該第２電極上に該第２電極の上面の一部が露出するように積層された、酸化チタンおよび酸化シリコンの少なくとも一方からなる酸化物を含むとともに、該酸化物の存在割合が上面から前記第２電極に向かって深さ方向に進むにつれて低くなっている密着層と、前記第２電極の前記上面の一部を露出させるとともに、前記密着層、前記第２電極、前記ｐ型層および前記発光層を被覆した、シリコンを含む絶縁膜とを有する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の発光素子の製造方法によれば、第２電極上に形成した、チタンおよびシリコンの少なくとも一方を含む密着層の表面を酸化させることにより、その後、密着層上に形成する絶縁膜との密着性を向上させることができる。そのため、密着層および絶縁膜の一部を除去する際に、第２電極と密着層との剥がれ、および密着層と絶縁膜との剥がれを抑制することができる。
【００１０】
また、本発明の発光素子によれば、第２電極上に、酸化物の存在割合が上面から第２電極に向かって深さ方向に進むにつれて低くなっている密着層を有していることから、密着層上に形成する絶縁膜の接着信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の発光素子の実施形態の断面図である。
【図２】図１に示す発光素子の製造方法の実施形態の一工程を示す断面図である。
【図３】図１に示す発光素子の製造方法の実施形態の一工程を示す断面図である。
【図４】図１に示す発光素子の製造方法の実施形態の一工程を示す断面図である。
【図５】図１に示す発光素子の製造方法の実施形態の一工程を示す断面図である。
【図６】図１に示す発光素子の製造方法の実施形態の一工程を示す断面図である。
【図７】図１に示す発光素子の製造方法の実施形態の一工程を示す断面図である。
【図８】図１に示す発光素子の製造方法の実施形態の一工程を示す断面図である。
【図９】図１に示す発光素子の製造方法の実施形態の変形例の一工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施の形態の例について図を参照しながら説明する。なお、本発明は以下の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことができる。
【００１３】
＜発光素子＞
図１に、本発明の実施の形態の一例である発光素子１の断面図を示す。発光素子１は、図１に示すように、基板２、光半導体層３、第１電極４、第２電極５、密着層６および絶縁膜７から構成されている。
【００１４】
基板２は、光半導体層３を結晶成長させることが可能な材料を用いることができ、例えばサファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、ホウ化ジルコニウムまたは酸化亜鉛などの結晶性材料を用いることができる。基板２は、平面視形状が四角形状となるように形成されている。基板２の厚みは、例えば10μｍ以上1000μｍ以下に設定されている。なお、基板２の平面視形状としては、例えば四角形状もしくは五角形状などの多角形状または円形状などに設定することができる。
【００１５】
基板２は、後述する光半導体層３を成長させた後、エッチングなどを用いて除去してもよい。これにより、光半導体層３で発光した光が基板２で吸収されにくくなるため、光取り出し効率を向上させることができる。また、基板２が除去された光半導体層３の主面に凹凸構造を設けることにより、基板２が除去された光半導体層３の主面で全反射されにくくすることができ、光取り出し効率を向上させることができる。
【００１６】
光半導体層３は、図２に示すように、基板２上に複数の半導体層を積層させることによって構成されている。光半導体層３の平面視形状は、基板２の平面視形状と同様に、例えば四角形状もしくは五角形状などの多角形状または円形状などとすることができる。光半導体層３は、全体の厚みが例えば100ｎｍ以上20μｍ以下で形成される。また、光半導体層３の各層の屈折率は、窒化ガリウムを用いた場合には、例えば1.80以上2.70以下に設定される。
【００１７】
光半導体層３としては、III−Ｖ族半導体を用いることができる。このIII−Ｖ族半導体としては、III族窒化物半導体、ガリウム燐またはガリウムヒ素などを例示することができる。さらに、III族窒化物半導体としては、ボロン、アルミニウム、ガリウムおよびインジウムのうち少なくとも１種の窒化物からなる混晶を用いることができ、例えば窒化ガリウムを用いることができる。
【００１８】
光半導体層３は、複数の半導体層として、ｎ型層３ａ、発光層３ｂおよびｐ型層３ｃが積層されることによって構成されている。
【００１９】
ｎ型層３ａは、基板２上に設けられる。ｎ型層３ａは、窒化ガリウムからなり、厚みが例えば50ｎｍ以上10μｍ以下に設定されている。ｎ型層３ａは、例えば不純物としてシリコンを含ませることにより、電子を多数キャリアとするｎ型の導電型が半導体に付与されている。
【００２０】
発光層３ｂは、ｎ型層３ａの上面３ａ’に、上面３ａ’の一部が露出している露出領域Ｓｐを残して、ｎ型層３ａ上に設けられる。発光層３ｂには、禁制帯幅の広い障壁層と禁制帯幅の狭い井戸層とからなる量子井戸構造が複数回繰り返し規則的に積層された多層量子井戸構造（ＭＱＷ）を用いることができる。障壁層および井戸層としては、インジウムとガリウムとの窒化物からなる混晶においてインジウムとガリウムとの組成比を調整したものを用いることができる。このように構成された発光層３ｂは、例えば350ｎｍ以上600ｎｍ以下の波長で発光強度がピークとなる光を発光することができる。
【００２１】
ｐ型層３ｃは、発光層３ｂ上に設けられる。ｐ型層３ｃは、例えば不純物としてマグネシウムを含ませることによって、正孔を多数キャリアとするｐ型の導電型が半導体に付与されている。なお、ｎ型層３ａとｐ型層３ｃとは、互いに逆に配置されていてもよい。
【００２２】
光半導体層３には、電圧を印加して発光させるために、第１電極４と第２電極５とが設けられている。第１電極４はｎ型層３ａに電気的に接続されており、第２電極５はｐ型層３ｃに電気的に接続されている。
【００２３】
第１電極４は、ｎ型層３ａの露出した露出領域Ｓｐ内に設けられている。第１電極４は、発光層３ｂおよびｐ型層３ｃと電気的に絶縁させるために、発光層３ｂおよびｐ型層３ｃと間を開けて設けられている。第１電極４と、発光層３ｂおよびｐ型層３ｃとの間隔は、例えば500ｎｍ以上２μｍ以下に設定することができる。
【００２４】
第１電極４は、例えば、アルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、インジウム、錫、モリブデン、銀、金、タンタルまたは白金などの金属や、それらの金属を含む合金膜や、酸化錫、酸化インジウムまたは酸化インジウム錫などの酸化物などを用いることができる。
【００２５】
第２電極５は、光半導体層３のｐ型層３ｃ上に形成されている。第２電極５は、第１金属層６ａ、および第１金属層５ａを覆うとともに金を含む第２金属層５ｂが順次積層されている。第２電極５は、厚みが、例えば１μｍ以上５μｍ以下となるように設定されている。
【００２６】
第１金属層５ａは、ｐ型層３ｃ上に形成されている。第１金属層５ａは、ｐ型層３ｃの上面３ｃ’よりも小さい面積で設けられている。第１金属層５ａがｐ型層３ｃの上面３ｃ’の面積に占める面積割合は、例えば80％以上95％以下となるように設けられる。第１金属層５ａをｐ型層３ｃの上面３ｃ’よりも小さい面積とすることによって、第２金属層５ｂで第１金属層５ａを覆いやすくすることができる。なお、第１金属層５ａから露出するｐ型層３ｃの上面３ｃ’は、第１金属層５ａによって覆われているｐ型層３ｃの上面３ｃ’を環状に囲むように配置すればよい。
【００２７】
また、第１金属層５ａは、発光層３ｂで発光した光を反射する材料で構成されている。具体的に、第１金属層５ａの材料としては、発光層３ｂで発光した光の波長に対する反射率が高い材料であって、ｐ型層３ｃとの接触抵抗の低い材料を選択することができる。第１金属層５ａの材料としては、例えば、アルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、インジウム、錫、モリブデン、銀、亜鉛などを用いることができる。第１金属層５ａは、厚みが、例えば0.5μｍ以上５μｍ以下となるように設定することができる。
【００２８】
第２金属層５ｂは、第１金属層５ａを覆うように形成されている。具体的には、第１金属層５ａから露出しているｐ型層３ｃ上および第１金属層５ａの表面を覆うように第２金属層５ｂが形成されている。第２金属層５ｂは、第１金属層５ａからの厚みが、例えば0.5μｍ以上５μｍ以下となるように設けられている。第２金属層５ｂは、第１金属層５ａよりも酸化されにくい材料を用いることができ、一般的に酸化されにくい材料である金を含んでいる。
【００２９】
密着層６は、第２電極５上に設けられており、第２電極５の上面５’の一部が露出するように積層されている。密着層６から露出している第２電極５の上面５’は、第２電極５の上面５’全体の面積に対して、例えば85％以上95％以下となるように設定されている。密着層６は、第２電極層５ｂからの厚みが、例えば0.5μｍ以上３μｍ以下となるように形成されている。密着層６は、チタン、シリコンなどの金属材料からなっている。
【００３０】
密着層６は、酸化チタンおよび酸化シリコンの少なくとも一方からなる酸化物を含んでおり、該酸化物の存在割合が、密着層６の上面６’から第２電極５に向かって深さ方向に進むにつれて低くなっている。すなわち、密着層６の表面付近に酸化チタンおよび酸化シリコンの少なくとも一方からなる酸化物を有していれば良く、密着層６と第２電極５（第２金属層５ｂ）との接触界面付近には含まれていなくてもよい。密着層６内の酸化物の存在割合を調べる方法としては、例えばダイナミック二次イオン質量分析（D-SIMS）法などを用いることができる。
【００３１】
絶縁膜７は、第２電極５の上面５’の一部を露出させるとともに、密着層６、第２電極５、ｐ型層３ｃおよび発光層３ｂを被覆するように形成されている。絶縁膜７は、シリコンを含む酸化物から構成されており、例えば酸化シリコンおよび酸化チタンの少なくとも一方を含んでいる。絶縁膜７は、密着層６からの厚みが、例えば１μｍ以上10μｍ以下となるように設けられている。
【００３２】
本実施形態の発光素子１は、第２電極５と絶縁膜７との間に配置された密着層６の表面付近には、酸化チタンおよび酸化シリコンの少なくとも一方からなる酸化物を含んでいる。このように密着層６の表面付近に酸化物を含んでいることから、当該密着層６上に形成される絶縁膜７と密着層６とが酸化物同士で接着されることとなるため、密着層６と絶縁膜７との密着性を向上させることができる。その結果、密着層６と絶縁膜７との間で剥がれにくくすることができる。
【００３３】
さらに発光素子１は、密着層６の酸化物の存在割合が、上面６’から第２電極５に向かって深さ方向に進むにつれて低くなっている。すなわち、第２電極５との接着界面付近において密着層６は、構成される金属材料の割合が多くなっている。これにより、密着層６と第２電極５との接着界面付近で、密着層６と第２電極とが金属材料同士で接着されることとなるため、密着層６と第２電極５との密着性を維持することができる。
【００３４】
上述のように、密着層６の酸化物の存在割合が、上面６’から第２電極５に向かって深さ方向に進むにつれて低くなっていることから、当該密着層６は、絶縁膜７との間で密着性を向上させることができるとともに、第２電極５との間で密着性の低下を招きにくくすることができる。
【００３５】
一方、密着層として、仮に、全体が酸化された酸化物を用いた場合、絶縁膜との接着強度を高めることができたとしても、第２電極との接着強度が劣化してしまい、密着層と第２電極との間で剥がれてしまうこととなる。
【００３６】
＜発光素子の製造方法＞
次に、本発明の発光素子の製造方法の実施の形態の一例を説明する。図２から図８は、発光素子１の製造方法を説明するための断面図である。本実施形態の発光素子の製造方法は、主に、光半導体層を形成する第１工程、第１電極を形成する工程、第２電極を形成する工程、密着層を形成する工程、密着層の表面を酸化させる第５工程、絶縁膜を形成する第６工程、および第２電極の一部を露出させる第７工程を有している。以下、各工程について説明する。
【００３７】
（第１工程）
まず、図２に示すように、基板２上に光半導体層３を形成する。光半導体層３は、ｎ型層３ａ、発光層３ｂおよびｐ型層３ｃを順次積層した積層構造体で構成する。光半導体層３は、基板２上に例えば有機金属気相成長法によって成長させる。光半導体層３を成長させる他の方法として、例えば分子線エピタキシー法、ハイドライド気相成長法またはパルス・レーザ・デポジション法などを用いることができる。なお、光半導体層３としてはIII−Ｖ族半導体を用いることができ、ｐ型またはｎ型の導電型を半導体に付与する際には、光半導体層３を結晶成長させながら添加物を混ぜればよい。
【００３８】
発光層３ｂおよびｐ型層３ｃは、ｎ型層３ａの上面３ａ’に、上面３ａ’の一部を露出している露出領域Ｓｐを残して積層されている。露出領域Ｓｐは、面積が、例えば0.2μｍ２以上３μｍ２以下となるように設定することができる。ｎ型層３ａに上面３ａ’の一部を露出領域Ｓｐとして残すように発光層３ｂおよびｐ型層３ｃを積層させる方法としては、露出領域Ｓｐにマスクを形成した後、ｎ型層３ａの上面３ａ’に発光層３ｂおよびｐ型層３ｃを結晶成長させて、マスクを除去する方法を用いることができる。
【００３９】
露出領域Ｓｐを形成する他の方法としては、基板２上に光半導体層３を成長させた後、エッチングなどでｐ型層３ｃおよび発光層３ｂの一部を除去することにより、ｎ型層３ａの上面３ａ’を露出させる方法を用いることができる。なお、露出領域Ｓｐは、ｎ型層３ａの上面３ａ’の一部だけでなく、ｎ型層３ａの一部がエッチングで削れることによって露出した表面であってもよい。
【００４０】
（第２工程）
次に、図３に示すように、ｎ型層３ａの露出領域Ｓｐに、発光層３ｂおよびｐ型層３ｃと間をあけて第１電極４を形成する。第１電極４は、例えば、アルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、インジウム、錫、モリブデン、銀、金、タンタルまたは白金などの金属や、それらの金属を含む合金膜や、酸化錫、酸化インジウムまたは酸化インジウム錫などの酸化物などを用いることができる。
【００４１】
第１電極４を設ける方法としては、例えば金属を用いる場合は、スパッタリング法または蒸着法などを用いることができる。
【００４２】
（第３工程）
また、図４および図５に示すように、ｐ型層３ｃ上に、第１金属層５ａおよび第２金属層５ｂを積層してなる第２電極５を形成する。第１金属層５ａは銀が主成分となるように設定されている。また、第２金属層５ｂは、銅、ニッケル、亜鉛、金およびパラジウムのうち少なくとも１種の金属材料が主成分となるように設定されている。本例において、第２金属層５ｂは、銅が主成分となるように設定されている。
【００４３】
第２電極５を設ける方法は、例えば金属材料をスパッタリング法または蒸着法を用いることができる。第２電極５は、第１金属層５ａおよび第２金属層５ｂが、ｐ型層３ｃ上に順次積層されている。
【００４４】
第１金属層５ａは、図４に示すように、ｐ型層３ｃ上に、ｐ型層３ｃの上面３ｃ’よりも小さい面積となるように設けられる。ｐ型層３ｃの上面３ｃ’が第１金属層５ａから露出する領域は、第１金属層５ａによって覆われているｐ型層３ｃの上面３ｃ’を環状に取り囲むように配置されている。このように第１金属層５ａをｐ型層３ｃ上に設ける方法としては、例えばフォトリソグラフィ法およびリフトオフ法などを用いることができる。
【００４５】
リフトオフ法を用いて第１金属層５ａを形成する方法としては、マスクパターンをｐ型層３ｃ上に、第１金属層５ａの上面５ａ’が第１金属層５ａから露出する領域に形成する。その後、第１金属層５ａとなる金属材料を、ｐ型層３ｃ上およびｐ型層３ｃ上に形成したマスクパターン上に積層する。この際に、第１金属層５ａとなる金属材料を、マスクパターンの膜厚よりも薄くｐ型層３ｃ上に積層させることにより、マスクパターンの端面で段切れさせることができる。そして、マスクパターンおよびマスクパターン上に積層した金属材料を除去することにより、ｐ型層３ｃの上面３ｃ’に、第１金属層５ａと第１金属層５ａから露出した領域を設けることができる。
【００４６】
その後、第２金属層５ｂが、図５に示すように、第１金属層５ａの表面を覆うように形成される。このように第２金属層５ｂを形成する方法としては、例えばフォトリソグラフィ法およびリフトオフ法を応用して行なうことができる。具体的には、第２金属層５ｂは、第１金属層５ａの表面が露出するとともに、他の部分をマスクによって被覆した状態で、第２金属層５ｂとなる金を含む金属材料を積層させる。その後、マスクおよびマスク上に積層された第２金属層５ｂとなる金属材料を除去することによって、第１金属層５ａの表面を被覆する第２金属層５ｂを形成することができる。
【００４７】
（第４工程）
第３工程の後、図６に示すように、第２電極５上に、チタンおよびシリコンの少なくとも一方を含む密着層６となる金属膜６’を形成する。金属膜６’は、第２電極５の上面５’を覆うように形成する。金属膜６’を形成する方法としては、例えばフォトリソグラフィ法およびリフトオフ法などを応用して行なうことができる。なお、金属膜６’には、チタンおよびシリコンの両方が含まれていてもよいし、例えば、亜鉛、クロムおよびマグネシウムなどの金属がさらに含まれていてもよい。
【００４８】
（第５工程）
そして、第４工程の後、このように形成された金属膜６’を酸素雰囲気中で加熱することによって、当該金属膜６’の表面を酸化させて密着層６を形成する。加熱温度は、例えば40℃以上100℃以下となるように設定することができる。なお、加熱温度および加熱温度は、金属膜６’を構成する金属材料によって、適宜設定すればよい。金属膜６’を加熱する際に、酸素雰囲気内の圧力を大気圧よりも高く設定してもよい。これにより、金属膜６’の表面に酸素が触れやすくすることができ、金属膜６’の表面を酸化されやすくすることができる。
【００４９】
（第６工程）
第５工程の後、図７に示すように、表面を酸化させた密着層６、第２電極５、ｐ型層３ｃおよび発光層３ｂを被覆するようにシリコンを含む絶縁膜７を形成する。絶縁膜７は、シリコンを含む溶剤を、密着層６、第２電極５、ｐ型層３ｃおよび発光層３ｂを被覆するように、それぞれが露出している表面に塗布する。絶縁膜７は、例えば酸化シリコン、酸化チタンを含む材料を用いることができる。
【００５０】
（第７工程）
その後、第６工程の後、図８に示すように、第２電極５と重なる領域の一部に位置する、絶縁膜７および密着層６をエッチングする。第２電極５と重なる領域の一部以外の領域には、エッチングされないように保護層などを設けた状態で、第２電極５と重なる領域の一部を除去する。このように第２電極５と重なる領域の一部に位置する、絶縁膜７および密着層６を除去することにより、第２電極５の上面５’の一部を露出させることができる。
【００５１】
このように、密着層６の表面を酸化させた後、当該密着層６の表面が覆われるように絶縁層７を形成することから、密着層６と絶縁層７との密着性を向上させるとともに、密着層６と第２電極５との密着性を維持することができる。そのため、第７工程でエッチングによって絶縁層７および密着層６の一部を除去する際に、絶縁層７と密着層６とを剥がれにくくすることができる。
【００５２】
さらに、密着層６として、チタンおよびシリコンの少なくともいずれかを含む材料によって構成されているとともに、絶縁膜７はシリコンを含む材料によって構成されている。そのため、第７工程において、絶縁膜７および密着層６を除去する際に、同じエッチング液で除去することができる。これにより密着層６を設けた場合であっても、絶縁膜７および密着層６を除去する工程の数を増えるのを抑制することができる。
【００５３】
一方、密着層を設けずに第２電極上に絶縁膜を形成した場合、第２電極と重なる領域の一部に位置する絶縁膜を除去する際に、第２電極と絶縁膜との密着性が低いため、絶縁膜が第２電極から剥がれてしまい、良好な絶縁膜を形成することは困難だった。
【００５４】
（発光素子の製造方法の変形例１）
第７工程において、フッ化アンモニウムを含む溶液を用いてエッチングしてもよい。これにより、シリコンを含む絶縁膜７とチタンおよびシリコンの少なくともいずれかを含む密着層６がフッ化アンモニウムに溶けやすいことから、第７工程の工程時間を短縮することができる。その結果、第７工程の生産性を向上させることができる。
【００５５】
（発光素子の製造方法の変形例２）
第４工程において、図９に示すように、密着層６を形成すると中で密着層６よりも酸化されにくい金属材料からなる酸化抑制層８を形成して、密着層６中に介在させる工程を有していてもよい。図９は、酸化抑制層８を密着層６中に介在させる工程を説明する図であり、第２金属層５ｂおよび密着層６の一部を拡大した断面図である。酸化抑制層８は、密着層６よりも酸化されにくい金属材料であればよく、例えば金および白金などの金属材料、または酸化シリコンおよび酸化チタンなどの酸化物材料などを用いることができる。
【００５６】
このように、密着層６の中に酸化抑制層８を介在させることにより、第５工程において、密着層６の表面を酸化させる際に、密着層６と第２金属層５ｂとの界面付近が酸化されるのを抑制することができる。これによって、密着層６と第２金属層５ｂとの界面付近の密着性が劣化するのを抑制することができる。
【００５７】
（発光素子の製造方法の変形例３）
第４工程は、密着層６を形成するにつれて、密着層６を形成する雰囲気内の酸素濃度を高くしてもよい。密着層６を積層しながら雰囲気内の酸素濃度を高くすることにより、密着層６を表面に向かうにつれて酸化されやすくすることができる。これにより、密着層６の表面が酸化されている場合には、第５工程を行なう必要がなくなり、工程を短縮することができる。なお、密着層６の表面が酸化されるのを確実に行なうために、第５工程を行なって、密着層６の表面を酸化させてもよい。
【符号の説明】
【００５８】
１  発光素子
２  基板
３  光半導体層
３ａ  ｎ型層
３ｂ  発光層
３ｃ  ｐ型層
３ｃ’  上面
４  第１電極
５  第２電極
５’  上面
５ａ  第１金属層
５ｂ  第２金属層
６  密着層
７  絶縁膜
８  酸化抑制層
Ｓｐ  露出領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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