(57)【要約】【課題】露光工程におけるフォーカス精度を向上させ、半導体チップの良品率を向上させる。【解決手段】まず、ウエハ上における有効な半導体チップ数の最大値を決定し、ウエハ１００を有効な半導体チップ数が最大値となるように複数のショット領域２０に分割する（Ｓ１１０）。次いで、ショット領域のうち、ウエハ上の露光面積が最小である最小ショット領域を決定する（Ｓ１２０）。次いで、Ｘ方向（第１方向）に、所定距離だけ全ショット領域を平行移動させる（Ｓ１３０）。次いで、当該移動位置において、最小ショット領域が平行移動の前後で変化しているか、または有効な半導体チップ数が減少しているか（第１判定条件）を判定する（Ｓ１４０）。この第１判定条件に基づいて、最小ショット領域の露光面積が最大となるように位置調整する（Ｓ１３０〜Ｓ１８０）。次いで、当該最小ショット領域の露光面積が最大となる位置を実際の露光位置として決定する（Ｓ１９０）。【選択図】図２
2012222003.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハ上に、複数の半導体チップのパターンを含むショット領域を逐次露光する露光工程を備える半導体装置の製造方法であって、
当該露光工程は、
前記ウエハ上における有効な半導体チップ数の最大値を決定し、前記ウエハを前記有効な半導体チップ数が前記最大値となるように複数の前記ショット領域に分割する工程と、
前記ショット領域のうち、有効な前記半導体チップを一つ以上含み、かつ、前記ウエハ上の露光面積が最小である最小ショット領域を決定する工程と、
第１方向に、所定距離だけ全ショット領域を平行移動させる第１方向移動工程と、
当該移動位置において、前記最小ショット領域として選択されている前記ショット領域が前記平行移動の前後で変化しているか、または前記有効な半導体チップ数が減少しているかを判定する第１判定条件に基づいて、前記第１判定条件を満足しない場合は、さらに前記第１方向移動工程を行い、前記第１判定条件を満足する場合は、当該位置から所定距離だけ前記第１方向の逆方向に戻した位置を前記第１方向の露光位置として決定する第１方向決定工程と、
前記第１方向と垂直の第２方向に、所定距離だけ前記全ショット領域を平行移動させる第２方向移動工程と、
当該移動位置において、前記第１判定条件を満足しない場合は、さらに前記第２方向移動工程を行い、前記第１判定条件を満足する場合は、当該位置から所定距離だけ前記第２方向の逆方向に戻した位置を前記第２方向の露光位置として決定する第２方向決定工程と、
前記第１方向決定工程と前記第２方向決定工程の後、実際の露光位置として決定する露光位置決定工程と、
を備え、
前記実際の露光位置に基づいて前記露光工程を行う半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１方向または前記第２方向に移動させる距離は、前記半導体チップの一辺よりも小さい半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１方向は、前記ウエハのオリエンテーションフラットと平行である半導体装置の製造方法。
【請求項４】
ウエハ上における有効な半導体チップ数の最大値を決定し、前記ウエハを前記有効な半導体チップ数が前記最大値となるように複数のショット領域に分割する工程と、
前記ショット領域のうち、有効な前記半導体チップを一つ以上含み、かつ、前記ウエハ上の露光面積が最小である最小ショット領域を決定する工程と、
第１方向に、所定距離だけ全ショット領域を平行移動させる第１方向移動工程と、
当該移動位置において、前記最小ショット領域として選択されている前記ショット領域が前記平行移動の前後で変化しているか、または前記有効な半導体チップ数が減少しているかを判定する第１判定条件に基づいて、前記第１判定条件を満足しない場合は、さらに前記第１方向移動工程を行い、前記第１判定条件を満足する場合は、当該位置から所定距離だけ前記第１方向の逆方向に戻した位置を前記第１方向の露光位置として決定する第１方向決定工程と、
前記第１方向と垂直の第２方向に、所定距離だけ前記全ショット領域を平行移動させる第２方向移動工程と、
当該移動位置において、前記第１判定条件を満足しない場合は、さらに前記第２方向移動工程を行い、前記第１判定条件を満足する場合は、当該位置から所定距離だけ前記第２方向の逆方向に戻した位置を前記第２方向の露光位置として決定する第２方向決定工程と、
前記第１方向決定工程と前記第２方向決定工程の後、実際の露光位置として決定する露光位置決定工程と、
を備える逐次露光のショットレイアウト方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法および逐次露光のショットレイアウト方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程のフォトリソグラフィー工程において、逐次露光によるパターニングを行う場合、そのショット位置は、出来る限り多くの半導体チップを取ることができるように決められる。
【０００３】
特許文献１（特開２００１−１５４５５号公報）には、ウエハ内に一定幅を有する複数の危険エリアを想定し、その危険エリアに重みをつけ、有効チップ形成領域をウエハの表面に配置する。このとき、有効チップに重なって形成される危険エリアを検出し、その危険エリアの重みの和を算出する。この各々のチップについての重みの和が最小となり、かつ、有効チップの数が最大となるように、ウエハの位置を変更することにより該ウエハに面付けを行う方法が記載されている。これにより、製造装置においてウエハをツメにより固定した際、そのツメの位置がウエハ上の有効エリア境界線内に入っても不良チップの発生を抑制できるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１５４５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、発明者らは、逐次露光によるパターニングを行う場合、下記のような新たな問題が生じることを見出した。ウエハの外周部には、特許文献１のようなウエハを固定するツメの影響だけでなく、ウエハ自体の反りや、回路形成時の積層された多層配線膜の面内バラつき等により、ウエハ外周の露光時のフォーカス精度が低くなる。したがって、特許文献１のような方法を採用しても、フォーカス不良による不良チップの発生を抑制することはできなかった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、
ウエハ上に、複数の半導体チップのパターンを含むショット領域を逐次露光する露光工程を備える半導体装置の製造方法であって、
当該露光工程は、
前記ウエハ上における有効な半導体チップ数の最大値を決定し、前記ウエハを前記有効な半導体チップ数が前記最大値となるように複数の前記ショット領域に分割する工程と、
前記ショット領域のうち、有効な前記半導体チップを一つ以上含み、かつ、前記ウエハ上の露光面積が最小である最小ショット領域を決定する工程と、
第１方向に、所定距離だけ全ショット領域を平行移動させる第１方向移動工程と、
当該移動位置において、前記最小ショット領域として選択されている前記ショット領域が前記平行移動の前後で変化しているか、または前記有効な半導体チップ数が減少しているかを判定する第１判定条件に基づいて、前記第１判定条件を満足しない場合は、さらに前記第１方向移動工程を行い、前記第１判定条件を満足する場合は、当該位置から所定距離だけ前記第１方向の逆方向に戻した位置を前記第１方向の露光位置として決定する第１方向決定工程と、
前記第１方向と垂直の第２方向に、所定距離だけ前記全ショット領域を平行移動させる第２方向移動工程と、
当該移動位置において、前記第１判定条件を満足しない場合は、さらに前記第２方向移動工程を行い、前記第１判定条件を満足する場合は、当該位置から所定距離だけ前記第２方向の逆方向に戻した位置を前記第２方向の露光位置として決定する第２方向決定工程と、
前記第１方向決定工程と前記第２方向決定工程の後、実際の露光位置として決定する露光位置決定工程と、
を備え、
前記実際の露光位置に基づいて前記露光工程を行う半導体装置の製造方法が提供される。
【０００７】
本発明によれば、
ウエハ上における有効な半導体チップ数の最大値を決定し、前記ウエハを前記有効な半導体チップ数が前記最大値となるように複数のショット領域に分割する工程と、
前記ショット領域のうち、有効な前記半導体チップを一つ以上含み、かつ、前記ウエハ上の露光面積が最小である最小ショット領域を決定する工程と、
第１方向に、所定距離だけ全ショット領域を平行移動させる第１方向移動工程と、
当該移動位置において、前記最小ショット領域として選択されている前記ショット領域が前記平行移動の前後で変化しているか、または前記有効な半導体チップ数が減少しているかを判定する第１判定条件に基づいて、前記第１判定条件を満足しない場合は、さらに前記第１方向移動工程を行い、前記第１判定条件を満足する場合は、当該位置から所定距離だけ前記第１方向の逆方向に戻した位置を前記第１方向の露光位置として決定する第１方向決定工程と、
前記第１方向と垂直の第２方向に、所定距離だけ前記全ショット領域を平行移動させる第２方向移動工程と、
当該移動位置において、前記第１判定条件を満足しない場合は、さらに前記第２方向移動工程を行い、前記第１判定条件を満足する場合は、当該位置から所定距離だけ前記第２方向の逆方向に戻した位置を前記第２方向の露光位置として決定する第２方向決定工程と、
前記第１方向決定工程と前記第２方向決定工程の後、実際の露光位置として決定する露光位置決定工程と、
を備える逐次露光のショットレイアウト方法が提供される。
【０００８】
本発明によれば、まず、有効な半導体チップ数が最大値となるように、複数のショット領域を分割する。次いで、最小ショット領域として選択されているショット領域を平行移動の前後で変化させず、かつ、有効な半導体チップ数を減少させないようにして、Ｘ方向、Ｙ方向それぞれについて、最小ショット領域Ａの露光面積が最大となるように露光位置を決定する。この露光位置では、最小ショット領域Ａにおいて、フォーカスセンサーを可能な限り多く使用することができる。これにより、露光工程におけるフォーカス精度を向上させ、半導体チップの良品率を向上させることができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、露光工程におけるフォーカス精度を向上させ、半導体チップの良品率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施形態に係るショットレイアウトを示す平面図である。
【図２】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図３】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための平面図である。
【図４】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１２】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係るショットレイアウトを示す平面図である。この図１は、半導体装置の製造方法において、逐次露光により行われる露光工程のショットレイアウトのうち、第１の実施形態における最適な一例を示している。このショットレイアウトは、有効な半導体チップ数が最大値となるように配置されている。そのうち、最小ショット領域Ａ（「最小ショット領域」の定義は後述する）は、ウエハ１００上の露光面積が最大となるように配置されている。以下詳細を説明する。
【００１３】
図１のように、ウエハ１００には、結晶面方位を示すオリエンテーションフラット１０２が備えられている。第１の実施形態では、ショットレイアウトにおいて、オリエンテーションフラット１０２と平行な方向をＸ方向（第１方向）とし、垂直な方向をＹ方向（第２方向）とする。
【００１４】
ここで、ショット領域２０とは、逐次露光において、所定数の半導体チップ１０を露光するための領域のことである。露光工程では、このショット領域２０を逐次露光して、ウエハ１００上を移動させていく。これにより、ウエハ１００上に複数の半導体チップ１０のパターンを形成することができる。
【００１５】
また、ショット領域２０は、たとえば、半導体チップ１０がＸ方向、Ｙ方向にそれぞれ平行になるように配置されている。
【００１６】
図１中の斜線部分は、有効な半導体チップ１０の占める領域（有効半導体チップ領域１２０）である。ここで、「有効な半導体チップ１０」とは、パターンが欠けることがなく露光され、良品となる半導体チップ１０をいう。ウエハ１００自体の反りや、回路形成時の積層された多層配線膜（不図示）の面内バラつき等により、不良チップとなることが予想される半導体チップ１０は、この「有効な半導体チップ１０」には含まれない。
【００１７】
図１のレイアウトは、有効な半導体チップ数が最大値となるように配置されている。すなわち、ショット領域２０を、ウエハ１００上に有効な半導体チップが最も多く製造できるように配置されている。したがって、あらかじめ不良チップとなる範囲を過去の製造履歴等から予測して、有効な半導体チップ１０が得られる領域を把握しておき、後述のようにショットレイアウトを行う。
【００１８】
また、「最小ショット領域」とは、有効な半導体チップ１０を一つ以上含み、かつ、ウエハ１００上の露光面積が最小となるショット領域のことである。すなわち、有効な半導体チップ１０を一つ以上含み、かつ、ウエハ１００上で焦点が合う範囲が最も小さいショット領域のことである。図１のショットレイアウトの場合では、たとえば、Ａ領域である。
【００１９】
図１のＡ領域内において、有効な半導体チップ１０は一つのみである。一方、Ａ領域内のその他の領域では、有効な半導体チップ１０を得ることができない。この有効な半導体チップ１０を得ることができない領域は、二つの領域が考えられる。一つは、ウエハ１００上に露光はされるが、良品の半導体チップ１０を得ることができない領域である。たとえば、ウエハ１００の外に外れる部分が生じて、半導体チップ１０にパターン欠けが生じる領域である。また、ウエハ１００の反りの影響や、後工程にて積層された多層配線膜の面内バラつきの影響などにより良品の半導体チップ１０を得ることができない領域も含む。もう一方は、たとえば、ショット領域２０内にウエハ１００が無く、物理的に半導体チップ１０を得ることができない領域である。
【００２０】
ここで、最小ショット領域Ａは、後述するように、ウエハ１００上の露光面積が最大となるように配置されている。この「露光面積」とは、ウエハ１００上で露光されうる面積のことである。一般に、露光装置のフォーカス調整は、フォーカスセンサーを用い、オートフォーカスにより行われる。ウエハ１００が存在する領域であれば、フォーカスセンサーは機能する。先述のように、ウエハ１００上に露光はされるが、良品の半導体チップ１０を得ることができない領域に対しても、フォーカスセンサーは使用される。したがって、有効な半導体チップ１０を得ることができない領域も、フォーカスの際にウエハ１００位置を認識するために利用することができる。このようにして、露光面積を広くすることにより、フォーカスセンサーを可能な限り多く使用することができ、フォーカス精度を向上させることができる。なお、最小ショット領域Ａの露光面積が最大となるように調整する方法は、詳細を後述する。
【００２１】
以上のように、図１のレイアウトは、有効な半導体チップ数が最大値となるように配置されている。また、最小ショット領域Ａは、ウエハ１００上の露光面積が最大となるように最適化されている。これにより、最小ショット領域Ａにおいても、フォーカス不良がなく、良品率を向上させることができる。
【００２２】
次に、図１〜図４を用いて、第１の実施形態における半導体装置の製造方法を説明する。図２は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。図３、４は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための平面図である。ウエハ１００上に、複数の半導体チップ１０のパターンを含むショット領域２０を逐次露光する露光工程を備える半導体装置の製造方法のうち、当該露光工程は、以下の工程を備える。まず、ウエハ１００上における有効な半導体チップ数の最大値を決定し、ウエハ１００を有効な半導体チップ数が最大値となるように複数のショット領域２０に分割する（Ｓ１１０）。次いで、ショット領域２０のうち、有効な半導体チップ１０を一つ以上含み、かつ、ウエハ１００上の露光面積が最小である最小ショット領域（Ａ）を決定する（Ｓ１２０）。次いで、Ｘ方向（第１方向）に、所定距離だけ全ショット領域を平行移動させる（Ｓ１３０：第１方向移動工程）。次いで、当該移動位置において、最小ショット領域として選択されているショット領域２０が平行移動の前後で変化しているか、または有効な半導体チップ数が減少しているか（以上、第１判定条件）を判定する（Ｓ１４０）。この第１判定条件に基づいて、第１判定条件を満足しない場合は（Ｓ１４０ＮＯ）、さらに第１方向移動工程（Ｓ１３０）を行う。一方、第１判定条件を満足する場合は（Ｓ１４０ＹＥＳ）、当該位置から所定距離だけＸ方向の逆方向に戻した位置をＸ方向の露光位置として決定する（Ｓ１５０：第１方向決定工程）。次いで、Ｘ方向と垂直のＹ方向（第２方向）に、所定距離だけ全ショット領域を平行移動させる（Ｓ１６０：第２方向移動工程）。当該移動位置において、第１判定条件を満足しない場合は（Ｓ１７０ＮＯ）、さらに第２方向移動工程（Ｓ１６０）を行う。一方、第１判定条件を満足する場合は（Ｓ１７０ＹＥＳ）、当該位置から所定距離だけＹ方向の逆方向に戻した位置をＹ方向の露光位置として決定する（Ｓ１８０：第２方向決定工程）。第１方向決定工程（Ｓ１５０）と第２方向決定工程（Ｓ１８０）の後、当該位置を実際の露光位置として決定する（Ｓ１９０：露光位置決定工程）。次いで、上記した実際の露光位置に基づいて露光工程を行う。以下、詳細を説明する。
【００２３】
なお、図２〜４では、オリエンテーションフラット１０２を省略している。図２〜図４においても、図１の同一のオリエンテーションフラット１０２があるものとし、Ｘ方向、Ｙ方向も同一であるとする。
【００２４】
以下では、露光工程におけるショットレイアウト工程を説明する。ショットレイアウトは、実際の露光の前に予め作成しておく。
【００２５】
まず、図３（ａ）のように、ウエハ１００上における有効な半導体チップ数の最大値を決定する。また、「有効な半導体チップ数の最大値」とは、有効な半導体チップが製造可能である最大値のことである。このとき、「有効な半導体チップ数の最大値」を得るレイアウトは、ウエハ１００の端部に半導体チップ１０の端部が接するような状態でなくてもよい。また、ウエハ１００の不良発生が予想される領域を予め把握しておき、その領域を含まない範囲内においてウエハ１００内の有効エリア（不図示）を設定しておき、取りうる最大値を決定してもよい。
【００２６】
ここで、ウエハ１００を有効な半導体チップ数が最大値となるように、複数のショット領域２０に分割する（以上、Ｓ１１０）。
【００２７】
図３（ａ）は、このようにして決められた有効な半導体チップ数の最大値を得る状態において、任意に配置した初期状態である。このとき、有効な半導体チップが占める領域（以降、有効半導体チップ領域１２０）の最外周１４０と、ウエハ１００との間のＸ方向、Ｙ方向の距離は、半導体チップ１０の一辺よりも小さい。なお、ここでいう「最外周１４０」とは、この初期状態における有効半導体チップ領域１２０の最外周１４０のことをいう。したがって、後述する露光位置を決定するために、ショット領域を移動させる工程（たとえば、後述するＳ１３０、Ｓ１５０、Ｓ１６０またはＳ１８０）において、この最外周１４０は変化しない。
【００２８】
ここで、図３（ａ）のレイアウトにおいて、最小ショット領域はＡ領域（右上コーナーのショット領域）である。このように、任意に配置した初期状態における最小ショット領域を決定する（Ｓ１２０）。
【００２９】
次いで、Ｘ方向（第１方向）に、最小ショット領域の露光面積を増加させるように、所定距離だけ全ショット領域を平行移動させる（Ｓ１３０：第１方向移動工程）。ここで、「所定距離」とは、露光装置のステージまたは光学系において、ショット領域２０を移動させることが可能な一定距離のことである。
【００３０】
なお、上述のように、平行移動させるＸ方向（第１方向）は、ウエハ１００のオリエンテーションフラット１０２と平行である。これにより、最終的な露光位置が決定された後に必ず劈開しやすい配置とすることができる。
【００３１】
ここでは、すべてのショット領域２０を、Ｘ方向として、たとえば、図３（ａ）の左の方向に移動させる。Ｘ方向に移動させる距離は、半導体チップ１０の一辺よりも小さい。予め、有効な半導体チップ数が最大となるようにしているため、移動可能な距離は半導体チップ１０の一辺よりも小さくなる。なお、後述するＹ方向においても同様である。
【００３２】
次いで、当該移動位置において、最小ショット領域として選択されているショット領域２０が平行移動の前後で変化しているか、または有効な半導体チップ数が減少しているか（第１判定条件）を判定する（Ｓ１４０）。「最小ショット領域として選択されているショット領域２０が平行移動の前後で変化している」状態とは、たとえば、最小ショット領域Ａが別のショット領域２０に変わった状態のことをいう。また、「有効な半導体チップ数が減少している」状態とは、最初に決定した有効な半導体チップ数が最大値となる状態から、有効な半導体チップ数が減少している状態をいう。具体的には、初期状態において有効な半導体チップ１０であった半導体チップ１０がウエハ１００の外に外れ、パターン欠けを起こす状態などである。なお、ウエハ１００内の有効エリアを設定している場合は、その有効エリアから、上記半導体チップ１０が外れる場合などを含む。
【００３３】
次いで、第１判定条件に基づいて、第１判定条件を満足しない場合は（Ｓ１４０ＮＯ）、さらに第１方向移動工程（Ｓ１３０）を行う。なお、再度、所定距離を移動させた際には、その都度、第１判定条件を判定する。
【００３４】
図３（ｂ）は、図３（ａ）からＸ方向に移動することにより、Ａ領域が最小ショット領域であった状態がＢ領域（左下コーナーのショット領域）に変わった状態を示している。すなわち、第１判定条件を満足している状態である（Ｓ１４０ＹＥＳ）。このように、第１判定条件を満足する場合は（Ｓ１４０ＹＥＳ）、当該位置から所定距離だけＸ方向の逆方向に戻す。
【００３５】
図４（ａ）は、図３（ｂ）から所定距離だけＸ方向の逆方向に戻した位置である。当該位置は、最小ショット領域Ａの露光面積がＸ方向に最も広くなった状態である。したがって、当該位置をＸ方向の露光位置として決定する（Ｓ１５０：第１方向決定工程）。
【００３６】
次いで、Ｘ方向と垂直のＹ方向（第２方向）に、最小ショット領域の露光面積を増加させるように、所定距離だけ全ショット領域を平行移動させる（Ｓ１６０：第２方向移動工程）。
【００３７】
次いで、当該移動位置において、第１判定条件を満足しない場合は（Ｓ１７０ＮＯ）、さらに第２方向移動工程（Ｓ１６０）を行う。なお、再度、所定距離を移動させた際には、その都度、第１判定条件を判定する。
【００３８】
図４（ｂ）は、図４（ａ）からＹ方向に移動することにより、Ａ領域が最小ショット領域であった状態がＢ領域に変わった状態を示している。すなわち、第１判定条件を満足している状態である（Ｓ１４０ＹＥＳ）。このように、第１判定条件を満足する場合は（Ｓ１７０ＹＥＳ）、当該位置から所定距離だけＹ方向の逆方向に戻す。
【００３９】
図１は、図４（ｂ）から所定距離だけＸ方向の逆方向に戻した位置である。当該位置は、最小ショット領域Ａの露光面積がＹ方向に最も広くなった状態である。したがって、当該位置をＹ方向の露光位置として決定する（Ｓ１８０：第２方向決定工程）。
【００４０】
以上の第１方向決定工程（Ｓ１５０）と第２方向決定工程（Ｓ１８０）の後、当該位置を実際の露光位置として決定する（Ｓ１９０：露光位置決定工程）。このように決定された露光位置では、最小ショット領域Ａは、最も露光面積が広い状態となっている。これにより、最小ショット領域Ａにおいて、フォーカスセンサーを可能な限り多く利用することができ、フォーカス精度を向上させることができる。
【００４１】
以上のように、露光位置（ショットレイアウト）を決定し、露光工程を行う。このとき、各々のショット領域２０において、フォーカス調整を行って露光を行う。
【００４２】
次に、第１の実施形態の効果について、比較例と対比しながら説明する。
【００４３】
比較例として、図２（ａ）のまま、最小ショット領域Ａの露光面積が最大となるような最適化を行わない場合と比較する。この比較例では、第１の実施形態の図１の最適な状態よりも、ショット領域２０内にウエハ１００が無い領域が広い。したがって、比較例は、最小ショット領域Ａに使用するフォーカスセンサーが少ない。このため、フォーカス精度が低下して、パターンが正確に形成できない可能性がある。
【００４４】
比較例における改善方法として、最小ショット領域Ａにおけるフォーカス位置を、ウエハ１００の中心におけるショット領域２０のフォーカス位置を引用することが考えられる。しかし、平面視でのウエハ１００の位置によって、フォーカス位置（ウエハ１００のＺ方向の位置）が異なる場合がある。たとえば、ウエハ１００の反りの影響や、後工程にて積層された多層配線膜の面内バラつきの影響などが挙げられる。この場合、平面視でのウエハ１００の位置によって、フォーカス調整用のアライメントマークが、ウエハ１００上の積層方向（Ｚ方向）において異なっていることが考えられる。このため、最小ショット領域Ａにおける最適なフォーカス位置が、ウエハ１００の中心におけるショット領域２０の最適なフォーカス位置と異なる可能性がある。したがって、この場合も、パターンが正確に形成できない可能性がある。
【００４５】
一方、第１の実施形態によれば、まず、有効な半導体チップ数が最大値となるように、複数のショット領域２０に分割する。次いで、最小ショット領域として選択されているショット領域２０を平行移動の前後で変化させず、かつ、有効な半導体チップ数を減少させないようにして、Ｘ方向、Ｙ方向それぞれについて、最小ショット領域Ａの露光面積が最大となるように露光位置を決定する。この露光位置では、最小ショット領域Ａにおいて、フォーカスセンサーを可能な限り多く使用することができる。これにより、露光工程におけるフォーカス精度を向上させることができる。
【００４６】
また、このとき、最小ショット領域Ａの露光時には、最小ショット領域Ａにおいて調整したフォーカス位置において露光する。これにより、ウエハ１００位置に応じて、最適なフォーカス位置に調整することができる。
【００４７】
以上のように、第１の実施形態によれば、露光工程におけるフォーカス精度を向上させ、半導体チップ１０の良品率を向上させることができる。
【００４８】
以上、第１の実施形態では、第１方向がウエハ１００のオリエンテーションフラット１０２と平行である場合を説明したが、半導体チップ１０のパターンに応じて任意に方向を選択することができる。
【００４９】
以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。
【符号の説明】
【００５０】
１０  半導体チップ
２０  ショット領域
１００  ウエハ
１０２  オリエンテーションフラット
１２０  有効半導体チップ領域
１４０  最外周
【図１】
2012222003.tif 000003
【図２】
2012222003.tif 000004
【図３】
2012222003.tif 000005
【図４】
2012222003.tif 000006