(57)【要約】【課題】パッケージに封止された後においても発振周波数を調整できる発振器を提供すること。【解決手段】それぞれ第１端子及び第２端子を有し、それぞれ共振周波数が異なる複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４と、入力端子２１及び出力端子２２を有する増幅回路２０と、複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４のうちの１つの第１端子と入力端子２１とを接続し、第２端子と出力端子２２とを接続することによって、複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４のうちの１つと増幅回路２０とを接続する接続回路３０と、接続回路３０の状態を切り替えるための切替信号を受け付ける信号受付端子４０と、接続回路３０に対して、増幅回路２０と接続されるＭＥＭＳ振動子を切替信号に基づいて切り替えさせる切替回路５０とを含む。また、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４は、空洞の内部に収容されており、信号受付端子４０は、空洞の外部に設けられている。【選択図】図１
2012222718.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれ第１端子及び第２端子を有し、それぞれ共振周波数が異なる複数のＭＥＭＳ振動子と、
入力端子及び出力端子を有する増幅回路と、
前記複数のＭＥＭＳ振動子のうちの１つの前記第１端子と前記入力端子とを接続し、前記第２端子と前記出力端子とを接続することによって、前記複数のＭＥＭＳ振動子のうちの１つと前記増幅回路とを接続する接続回路と、
前記接続回路の状態を切り替えるための切替信号を受け付ける信号受付端子と、
前記接続回路に対して、前記増幅回路と接続される前記ＭＥＭＳ振動子を前記切替信号に基づいて切り替えさせる切替回路と、
を含み、
前記ＭＥＭＳ振動子は、空洞の内部に収容されており、
前記信号受付端子は、前記空洞の外部に設けられている、発振器。
【請求項２】
請求項１に記載の発振器において、
前記接続回路は、
前記ＭＥＭＳ振動子の前記第１端子と前記入力端子との間の接続状態を切り換える第１スイッチと、前記ＭＥＭＳ振動子の前記第２端子と前記出力端子との間の接続状態を切り換える第２スイッチのうち少なくとも一方を含む、発振器。
【請求項３】
請求項２に記載の発振器において、
前記接続回路は、
前記第１スイッチと、前記第２スイッチと、を含む、発振器。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発振器において、
前記接続回路は、前記増幅回路と接続されなかった前記ＭＥＭＳ振動子の前記第１端子及び前記第２端子を、第１基準電位と接続する、発振器。
【請求項５】
請求項４に記載の発振器において、
前記接続回路は、
前記増幅回路と接続されなかった前記ＭＥＭＳ振動子の前記第１端子と前記第１基準電位との接続状態を切り換える第３スイッチと、
前記増幅回路と接続されなかった前記ＭＥＭＳ振動子の前記第２端子と前記第１基準電位との接続状態を切り換える第４スイッチと、を含む、発振器。
【請求項６】
請求項１ないし５のいずれか１項に記載の発振器において、
前記入力端子と第２基準電位との間に接続された第１キャパシターと、
前記出力端子と前記第２基準電位との間に接続された第２キャパシターと、を含む、発振器。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれか１項に記載の発振器において、
前記空洞の内部は、減圧状態である、発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発振器に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）は、微小構造体形成技術の一つで、例えば、ミクロンオーダーの微細な電子機械システムを作る技術やその製品のことをいう。ＭＥＭＳ技術を用いて作成された振動素子（ＭＥＭＳ振動子）が開発されている。また、ＭＥＭＳ振動子を用いた発振器が開発されている。
【０００３】
発振器において重要な特性の１つは周波数精度である。しかしながら、高い周波数精度を得るためにＭＥＭＳ振動子そのものの製造上の加工精度を上げることには限界がある。そこで、高い周波数精度を得るためには、ＭＥＭＳ振動子そのものにトリミングを行うことによって周波数を微調整する方法が知られている。
【０００４】
また、特許文献１には、外部から制御用の直流電圧の供給を受けることによって、共振周波数を調整できるＭＥＭＳ振動子が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−５６７６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ＭＥＭＳ振動子そのものにトリミングを行うには、トリミング専用の加工機や、トリミングを行うための時間が必要になる。このため、製造コストの面では不利である。また、ＭＥＭＳ振動子がパッケージに封止された後にはトリミングは行えないので、パッケージの寄生成分の影響を加味した正確なトリミングを行うことは困難である。
【０００７】
また、特許文献１に開示されているＭＥＭＳ振動子では、外部から制御用の直流電圧を適切な値で与え続けなければならないので、発振器としては使いにくいものとなる。
【０００８】
本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、パッケージに封止された後においても発振周波数を調整できる発振器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る発振器は、
それぞれ第１端子及び第２端子を有し、それぞれ共振周波数が異なる複数のＭＥＭＳ振動子と、
入力端子及び出力端子を有する増幅回路と、
前記複数のＭＥＭＳ振動子のうちの１つの前記第１端子と前記入力端子とを接続し、前記第２端子と前記出力端子とを接続することによって、前記複数のＭＥＭＳ振動子のうちの１つと前記増幅回路とを接続する接続回路と、
前記接続回路の状態を切り替えるための切替信号を受け付ける信号受付端子と、
前記接続回路に対して、前記増幅回路と接続される前記ＭＥＭＳ振動子を前記切替信号に基づいて切り替えさせる切替回路と、
を含み、
前記ＭＥＭＳ振動子は、空洞の内部に収容されており、
前記信号受付端子は、前記空洞の外部に設けられている。
【００１０】
「接続する」とは、電気的に接続することであり、直流的に接続する場合のみならず、交流的に接続する場合をも含む。
【００１１】
このような発振器によれば、共振周波数の異なる複数のＭＥＭＳ振動子のうちの１つと増幅回路とを接続する接続回路を用いて、発振器で用いるＭＥＭＳ振動子を選択することができる。また、信号受付端子はＭＥＭＳ振動子が収容されている空洞の外部に設けられているので、ＭＥＭＳ振動子が空洞に収容された後においてもＭＥＭＳ振動子を選択することができる。これにより、パッケージに封止された後においても発振周波数を調整できる発振器を実現できる。
【００１２】
本発明に係る発振器において、
前記接続回路は、
前記ＭＥＭＳ振動子の前記第１端子と前記入力端子との間の接続状態を切り換える第１スイッチと、前記ＭＥＭＳ振動子の前記第２端子と前記出力端子との間の接続状態を切り換える第２スイッチのうち少なくとも一方を含むことができる。
【００１３】
第１スイッチ及び第２スイッチは、少なくとも交流的な接続状態を１回以上切り換えられる構成であり、例えば、接続状態を何度も切り換えられるアナログスイッチなどで構成されていてもよいし、接続状態を１度のみ切り換えられるヒューズなどで構成されていてもよい。
【００１４】
このような発振器によれば、第１スイッチ及び第２スイッチのうち少なくとも一方を含むことによって、複数のＭＥＭＳ振動子のうちの１つと増幅回路とを接続する接続回路を容易に実現できる。例えば、第１スイッチ及び第２スイッチのうち少なくとも一方の状態を、少なくとも交流的に接続しない状態とすることによって、発振器で用いるＭＥＭＳ振動子として選択されない状態とすることができる。
【００１５】
本発明に係る発振器において、
前記接続回路は、
前記第１スイッチと、前記第２スイッチと、を含むことができる。
【００１６】
このような発振器によれば、接続回路によって増幅回路と接続されたＭＥＭＳ振動子以外のＭＥＭＳ振動子を、増幅回路の入力端子及び出力端子の両方から電気的に切り離すことができる。これにより、接続回路によって増幅回路と接続されたＭＥＭＳ振動子以外のＭＥＭＳ振動子が、発振器にとって不要な負荷となることを防げる。
【００１７】
本発明に係る発振器において、
前記接続回路は、前記増幅回路と接続されなかった前記ＭＥＭＳ振動子の前記第１端子及び前記第２端子を、第１基準電位と接続することができる。
【００１８】
このような発振器によれば、接続回路によって増幅回路と接続されなかったＭＥＭＳ振動子の第１端子及び第２端子を第１基準電位と接続することにより、接続回路によって増幅回路と接続されなかったＭＥＭＳ振動子を、増幅回路の入力端子及び出力端子の両方から、より確実に電気的に切り離すことができる。これにより、接続回路によって増幅回路と接続されなかったＭＥＭＳ振動子が、発振器の発振を阻害する信号の発信源となることを抑制できる。
【００１９】
本発明に係る発振器において、
前記接続回路は、
前記増幅回路と接続されなかった前記ＭＥＭＳ振動子の前記第１端子と前記第１基準電位との接続状態を切り換える第３スイッチと、
前記増幅回路と接続されなかった前記ＭＥＭＳ振動子の前記第２端子と前記第１基準電位との接続状態を切り換える第４スイッチと、を含むことができる。
【００２０】
第３スイッチ及び第４スイッチは、少なくとも交流的な接続状態を１回以上切り換えられる構成であり、例えば、接続状態を何度も切り換えられるアナログスイッチなどで構成されていてもよいし、接続状態を１度のみ切り換えられるヒューズなどで構成されていてもよい。
【００２１】
このような発振器によれば、第３スイッチ及び第４スイッチを接続状態とすることによって、接続回路によって増幅回路と接続されなかったＭＥＭＳ振動子を、増幅回路の入力端子及び出力端子の両方から、より確実に電気的に切り離すことができる。
【００２２】
本発明に係る発振器において、
前記入力端子と第２基準電位との間に接続された第１キャパシターと、
前記出力端子と前記第２基準電位との間に接続された第２キャパシターと、を含むことができる。
【００２３】
このような発振器によれば、選択されたＭＥＭＳ振動子、第１キャパシター及び第２キャパシターとで共振回路を構成する発振器とすることができる。
【００２４】
本発明に係る発振器において、
前記空洞の内部は、減圧状態であることができる。
【００２５】
空洞の内部が減圧状態であることによって、大気圧状態である場合に比べてＭＥＭＳ振動子が振動しやすくなる。本発明に係る発振器によれば、ＭＥＭＳ振動子が減圧状態である空洞の内部に収容された後においても発振周波数を調整できる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】第１実施形態に係る発振器１を示す回路図。
【図２】アナログスイッチの構成例を示す回路図。
【図３】第２実施形態に係る発振器２を示す回路図。
【図４】第３実施形態に係る発振器３を示す回路図。
【図５】発振器２及び発振器３に適用できる発振回路の第１変形例に係る発振回路２０００ａを示す回路図。
【図６】発振器２及び発振器３に適用できる発振回路の第２変形例に係る発振回路２０００ｂを示す回路図。
【図７】発振器２及び発振器３に適用できる発振回路の第３変形例に係る発振回路２０００ｃを示す回路図。
【図８】ＭＥＭＳ振動子の選択方法の一例を説明するための機能ブロック図。
【図９】ＭＥＭＳ振動子の選択方法の一例を示すフローチャート。
【図１０】ＭＥＭＳ振動子１１〜１４の構成例を模式的に示す平面図。
【図１１】ＭＥＭＳ振動子１１の構成例を模式的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【００２８】
１．第１実施形態に係る発振器
図１は、第１実施形態に係る発振器１を示す回路図である。以下においては、第２基準電位が接地電位ＧＮＤである場合を例にとり説明する。また、増幅回路としては非反転増幅回路と反転増幅回路があるが、安定性の面からは反転増幅回路を用いることが望ましい。以下の説明においては、増幅回路として反転増幅回路を用いる場合を例にとり説明する。
【００２９】
第１実施形態に係る発振器１は、それぞれ第１端子及び第２端子を有し、それぞれ共振周波数が異なる複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４と、入力端子２１及び出力端子２２を有する増幅回路２０と、複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４のうちの１つの第１端子と入力端子２１とを接続し、第２端子と出力端子２２とを接続することによって、複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４のうちの１つと増幅回路２０とを接続する接続回路３０と、接続回路３０の状態を切り替えるための切替信号を受け付ける信号受付端子４０と、接続回路３０に対して、増幅回路２０と接続されるＭＥＭＳ振動子を切替信号に基づいて切り替えさせる切替回路５０とを含む。また、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４は、空洞の内部に収容されており、信号受付端子４０は、空洞の外部に設けられている。
【００３０】
図１に示される例では、発振器１は発振回路１０００を含んで構成されている。発振回路１０００は、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４、増幅回路２０及び接続回路３０を含んで構成されている。
【００３１】
ＭＥＭＳ振動子１１〜１４は、例えば、静電型のＭＥＭＳ振動子や圧電型のＭＥＭＳ振動子であってもよい。また、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４は、同一基板上に形成されていてもよい。この場合には、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４は、同一の製造プロセスで製造されてもよい。ＭＥＭＳ振動子１１〜１４の構成例及び空洞との関係については、「６．ＭＥＭＳ振動子の構成例」の項で詳述される。
【００３２】
発振器１に含まれるＭＥＭＳ振動子の数は、２以上の自然数で任意に設計できる。図１に示される例では、発振器１は、４個のＭＥＭＳ振動子１１〜１４を含んで構成されている。ＭＥＭＳ振動子１１は、第１端子１１１及び第２端子１１２を有している。ＭＥＭＳ振動子１２は、第１端子１２１及び第２端子１２２を有している。ＭＥＭＳ振動子１３は、第１端子１３１及び第２端子１３２を有している。ＭＥＭＳ振動子１４は、第１端子１４１及び第２端子１４２を有している。
【００３３】
ＭＥＭＳ振動子１１〜１４は、それぞれ共振周波数が異なっている。例えば、ＭＥＭＳ振動子１１の共振周波数をｆ１、ＭＥＭＳ振動子１２の共振周波数をｆ２、ＭＥＭＳ振動子１３の共振周波数をｆ３、ＭＥＭＳ振動子１４の共振周波数をｆ４とした場合に、共振周波数ｆ１〜ｆ４の大小関係がｆ２＜ｆ１＜ｆ３＜ｆ４となるようにＭＥＭＳ振動子１１〜１４が構成されていてもよい。周波数ｆ１〜ｆ４の値は、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４の製造ばらつきによる周波数のばらつき範囲などを考慮して、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４のいずれかを選択することにより発振器として要求される目標周波数に対する精度が満たされる程度に近い値に設定しておくことが好ましい。
【００３４】
増幅回路２０は、入力端子２１及び出力端子２２を有している。増幅回路２０は、所望の発振条件が満たされるように、複数のインバーター（反転回路）や増幅回路を組み合わせて構成されていてもよい。図１に示される例では、増幅回路２０は、入力端子２１から出力端子２２に向かって順に、インバーター２０１、インバーター２０２、インバーター２０３が直列に接続されて構成されている。
【００３５】
発振器１は、増幅回路２０に対する帰還抵抗を含んで構成されていてもよい。図１に示される例では、インバーター２０１の入力端子と出力端子とが抵抗７１を介して接続され、インバーター２０２の入力端子と出力端子とが抵抗７２を介して接続され、インバーター２０３の入力端子と出力端子とが抵抗７３を介して接続されている。
【００３６】
接続回路３０は、複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４のうちの１つの第１端子と入力端子２１とを接続し、第２端子と出力端子２２とを接続することによって、複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４のうちの１つと増幅回路２０とを接続する。図１には、接続回路３０が、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４のうちＭＥＭＳ振動子１１と増幅回路２０とを接続する状態が示されている。以下においては、接続回路３０が、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４のうちＭＥＭＳ振動子１１と増幅回路２０とを接続する場合を例にとり説明する。
【００３７】
接続回路３０によって増幅回路２０と接続されたＭＥＭＳ振動子１１の第１端子１１１は、増幅回路２０の入力端子２１と少なくとも交流的に接続する。図１に示される例では、ＭＥＭＳ振動子１１の第１端子１１１は、増幅回路２０の入力端子２１と交流的にも直流的にも接続している。
【００３８】
接続回路３０によって増幅回路２０と接続されたＭＥＭＳ振動子１１の第２端子１１２は、増幅回路２０の出力端子２２と少なくとも交流的に接続する。図１に示される例では、ＭＥＭＳ振動子１１の第２端子１１２は、増幅回路２０の出力端子２２と交流的にも直流的にも接続している。
【００３９】
図１に示される例では、接続回路３０によって増幅回路２０と接続されなかったＭＥＭＳ振動子１２の第１端子１２１は、増幅回路２０の入力端子２１とは交流的にも直流的にも接続していない。接続回路３０によって増幅回路２０と接続されなかったＭＥＭＳ振動子１２の第２端子１２２は、増幅回路２０の出力端子２２とは交流的にも直流的にも接続していない。
【００４０】
また、図１に示される例では、接続回路３０によって増幅回路２０と接続されなかったＭＥＭＳ振動子１３の第１端子１３１は、増幅回路２０の入力端子２１とは交流的にも直流的にも接続していない。接続回路３０によって増幅回路２０と接続されなかったＭＥＭＳ振動子１３の第２端子１３２は、増幅回路２０の出力端子２２とは交流的にも直流的にも接続していない。
【００４１】
さらに、図１に示される例では、接続回路３０によって増幅回路２０と接続されなかったＭＥＭＳ振動子１４の第１端子１４１は、増幅回路２０の入力端子２１とは交流的にも直流的にも接続していない。接続回路３０によって増幅回路２０と接続されなかったＭＥＭＳ振動子１４の第２端子１４２は、増幅回路２０の出力端子２２とは交流的にも直流的にも接続していない。
【００４２】
接続回路３０は、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４の第１端子と増幅回路２０の入力端子２１との間の、接続状態を切り換える第１スイッチ３１１、３２１、３３１及び３４１と、ＭＥＭＳ振動子の第２端子と増幅回路２０出力端子２２との間の、接続状態を切り換える第２スイッチ３１２、３２２、３３２及び３４２のうち少なくとも一方を含むことができる。
【００４３】
図１に示される例では、発振器１は、ＭＥＭＳ振動子１１の第１端子１１１と増幅回路２０の入力端子２１との間の、少なくとも交流的な接続状態を切り換える第１スイッチ３１１、ＭＥＭＳ振動子１２の第１端子１２１と増幅回路２０の入力端子２１との間の、少なくとも交流的な接続状態を切り換える第１スイッチ３２１、ＭＥＭＳ振動子１３の第１端子１３１と増幅回路２０の入力端子２１との間の、少なくとも交流的な接続状態を切り換える第１スイッチ３３１、ＭＥＭＳ振動子１４の第１端子１４１と増幅回路２０の入力端子２１との間の、少なくとも交流的な接続状態を切り換える第１スイッチ３４１を含んで構成されている。
【００４４】
また、図１に示される例では、発振器１は、ＭＥＭＳ振動子１１の第２端子１１２と増幅回路２０の出力端子２２との間の、少なくとも交流的な接続状態を切り換える第２スイッチ３１２、ＭＥＭＳ振動子１２の第２端子１２２と増幅回路２０の出力端子２２との間の、少なくとも交流的な接続状態を切り換える第２スイッチ３２２、ＭＥＭＳ振動子１３の第２端子１３２と増幅回路２０の出力端子２２との間の、少なくとも交流的な接続状態を切り換える第２スイッチ３３２、ＭＥＭＳ振動子１４の第２端子１４２と増幅回路２０の出力端子２２との間の、少なくとも交流的な接続状態を切り換える第２スイッチ３４２を含んで構成されている。
【００４５】
すなわち、図１に示される例では、接続回路３０は、複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４のそれぞれに対応する第１スイッチ及び第２スイッチを含んで構成されている。
【００４６】
第１スイッチ３１１、３２１、３３１及び３４１並びに第２スイッチ３１２、３２２、３３２及び３４２は、少なくとも交流的な接続状態を１回以上切り換えられる構成であり、例えば、接続状態を何度も切り換えられるアナログスイッチなどで構成されていてもよいし、接続状態を１度のみ切り換えられるヒューズなどで構成されていてもよい。
【００４７】
図２は、アナログスイッチの構成例を示す回路図である。アナログスイッチ３００は、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとの間に並列に接続されたＮＭＯＳトランジスターＴＮ及びＰＭＯＳトランジスターＴＰを含んで構成されている。ＮＭＯＳトランジスターＴＮのバックゲートは接地電位ＧＮＤに、ＰＭＯＳトランジスターＴＰのバックゲートは正電位である電源電位ＶＤＤに接続されている。制御端子ＣＴＬから入力される制御信号は、ＰＭＯＳトランジスターのゲートに入力されるとともに、インバーターＩＮＶで反転されてＮＭＯＳトランジスターＴＮのゲートに入力される。したがって、アナログスイッチ３００は、制御端子ＣＴＬに制御信号として接地電位ＧＮＤを入力することによって、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとの間が低抵抗状態（すなわち、スイッチのＯＮ状態）となり、制御端子ＣＴＬに制御信号として電源電位ＶＤＤを入力することによって、入力端子ＩＮと出力端子ＯＵＴとの間が高抵抗状態（すなわち、スイッチのＯＦＦ状態）となる。なお、発振器１に採用できるスイッチはこれに限らず、種々の公知のスイッチを採用できる。
【００４８】
信号受付端子４０は、接続回路３０の状態を切り替えるための切替信号を受け付ける。図１に示される例では、信号受付端子４０は、端子４１１、端子４１２、端子４２１、端子４２２、端子４３１、端子４３２、端子４４１及び端子４４２を含んで構成されている。
【００４９】
切替回路５０は、接続回路３０に対して、増幅回路２０と接続されるＭＥＭＳ振動子を、信号受付端子４０で受け付けられた切替信号に基づいて切り替えさせる。図１に示される例では、切替回路５０は、切替処理回路５１とヒューズＦ１〜Ｆ４を含んで構成されている。
【００５０】
図１に示される例では、切替処理回路５１は、制御信号Ｃ１〜Ｃ４を出力することによって、接続回路３０の接続状態を切り替えさせる。すなわち、切替処理回路５１は、制御信号Ｃ１〜Ｃ４を出力することによって、接続回路３０の接続状態を制御する。図１における矢印は、各スイッチに対する制御信号Ｃ１〜Ｃ４を表す。
【００５１】
制御信号Ｃ１は、ＭＥＭＳ振動子１１に関連する制御を行うための信号である。図１に示される例では、制御信号Ｃ１は、第１スイッチ３１１と第２スイッチ３１２の制御端子に入力される。
【００５２】
制御信号Ｃ２は、ＭＥＭＳ振動子１２に関連する制御を行うための信号である。図１に示される例では、制御信号Ｃ２は、第１スイッチ３２１と第２スイッチ３２２の制御端子に入力される。
【００５３】
制御信号Ｃ３は、ＭＥＭＳ振動子１３に関連する制御を行うための信号である。図１に示される例では、制御信号Ｃ３は、第１スイッチ３３１と第２スイッチ３３２の制御端子に入力される。
【００５４】
制御信号Ｃ４は、ＭＥＭＳ振動子１４に関連する制御を行うための信号である。図１に示される例では、制御信号Ｃ４は、第１スイッチ３４１と第２スイッチ３４２の制御端子に入力される。
【００５５】
図１に示される例では、切替処理回路５１は、ヒューズＦ１〜Ｆ４を介して正電位である電源電位ＶＤＤに接続されている。また、切替処理回路５１は、ヒューズＦ１〜Ｆ４の切断状態に基づいて、制御信号Ｃ１〜Ｃ４を出力するように構成されている。切替処理回路５１は、例えば、ヒューズＦ１の切断状態に基づいて制御信号Ｃ１を出力し、ヒューズＦ２の切断状態に基づいて制御信号Ｃ２を出力し、ヒューズＦ３の切断状態に基づいて制御信号Ｃ３を出力し、ヒューズＦ４の切断状態に基づいて制御信号Ｃ４を出力してもよい。
【００５６】
ヒューズＦ１の一端は端子４１１と接続され、他端は端子４１２と接続されている。したがって、切替信号として端子４１１と端子４１２との間に所定の電流を印加することによってヒューズＦ１を切断することができる。
【００５７】
ヒューズＦ２の一端は端子４２１と接続され、他端は端子４２２と接続されている。したがって、切替信号として端子４２１と端子４２２との間に所定の電流を印加することによってヒューズＦ２を切断することができる。
【００５８】
ヒューズＦ３の一端は端子４３１と接続され、他端は端子４３２と接続されている。したがって、切替信号として端子４３１と端子４３２との間に所定の電流を印加することによってヒューズＦ３を切断することができる。
【００５９】
ヒューズＦ４の一端は端子４４１と接続され、他端は端子４４２と接続されている。したがって、切替信号として端子４４１と端子４４２との間に所定の電流を印加することによってヒューズＦ４を切断することができる。
【００６０】
第１実施形態に係る発振器１によれば、共振周波数の異なる複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４のうちの１つと増幅回路２０とを接続する接続回路３０を用いて、発振器１で用いるＭＥＭＳ振動子を選択することができる。また、信号受付端子４０はＭＥＭＳ振動子１１〜１４が収容されている空洞の外部に設けられているので、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４が空洞に収容された後においてもＭＥＭＳ振動子を選択することができる。これにより、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４がパッケージに封止された後においても発振周波数を調整できる発振器を実現できる。
【００６１】
ＭＥＭＳ振動子１１〜１４がパッケージに封止される前と後とでは、パッケージの寄生成分の影響によって、発振回路１０００から出力される周波数が異なる場合がある。第１実施形態に係る発振器１によれば、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４がパッケージに封止された後においてＭＥＭＳ振動子１１〜１４を選択することができるので、より適切なＭＥＭＳ振動子を選択することができる。
【００６２】
また、第１実施形態に係る発振器１によれば、共振周波数の異なる複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４のうちの１つと増幅回路２０とを接続する接続回路３０を用いて、発振器１で用いるＭＥＭＳ振動子（図１に示される例では、ＭＥＭＳ振動子１１）を選択することができる。これにより、製造プロセスのばらつきによってＭＥＭＳ振動子の共振周波数がばらついたとしても、目的とする発振周波数により近いＭＥＭＳ振動子を選択することができる。したがって、発振周波数のばらつきを抑制した発振器を実現できる。
【００６３】
また、第１実施形態に係る発振器１は、ヒューズＦ１〜Ｆ４を適宜選択して切断することによって、発振器１で使用するＭＥＭＳ振動子を簡単に選択できる。
【００６４】
また、第１実施形態に係る発振器１によれば、第１スイッチ３１１、３２１、３３１及び３４１並びに第２スイッチ３１２、３２２、３３２及び３４２のうち少なくとも一方を含むことによって、複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４のうちの１つと増幅回路２０とを接続する接続回路３０を容易に実現できる。例えば、第１スイッチ３１２及び第２スイッチ３１２のうち少なくとも一方の状態を、少なくとも交流的に接続しない状態とすることによって、ＭＥＭＳ振動子１１を発振器１で用いるＭＥＭＳ振動子として選択されない状態とすることができる。
【００６５】
また、図１に示されるように、接続回路３０は、第１スイッチ３１１、３２１、３３１及び３４１と、第２スイッチ３１２、３２２、３３２及び３４２と、を含むことができる。
【００６６】
このような発振器１によれば、接続回路３０によって増幅回路２０と接続されたＭＥＭＳ振動子（図１に示される例では、ＭＥＭＳ振動子１１）以外のＭＥＭＳ振動子（図１に示される例では、ＭＥＭＳ振動子１２〜１４）を、増幅回路２０の入力端子２１及び出力端子２２の両方から電気的に切り離すことができる。これにより、接続回路３０によって増幅回路２０と接続されたＭＥＭＳ振動子以外のＭＥＭＳ振動子が、発振器１にとって不要な負荷となることを防げる。
【００６７】
発振器１は、増幅回路２０の入力端子２１と第２基準電位（接地電位ＧＮＤ）との間に接続された第１キャパシター６１と、増幅回路２０の出力端子２２と第２基準電位（接地電位ＧＮＤ）との間に接続された第２キャパシター６２と、を含んで構成されていてもよい。
【００６８】
このような発振器１によれば、接続回路３０によって増幅回路２０と接続されたＭＥＭＳ振動子（図１に示される例では、ＭＥＭＳ振動子１１）と、第１キャパシター６１及び第２キャパシター６２とで共振回路を構成する発振器とすることができる。
【００６９】
２．第２実施形態に係る発振器
図３は、第２実施形態に係る発振器２を示す回路図である。以下においては第１実施形態に係る発振器１とは異なる構成について詳述し、第１実施形態に係る発振器１と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。また、以下においては、第１基準電位が接地電位ＧＮＤである場合を例にとり説明する。
【００７０】
図３に示される例では、発振器２は、発振回路２０００を含んで構成されている。発振回路２０００は、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４、増幅回路２０及び接続回路３０ａを含んで構成されている。
【００７１】
また、図３に示される例では、発振器２は、切替回路５０ａを含んで構成されている。切替回路５０ａは、切替処理回路５１ａとヒューズＦ１〜Ｆ４を含んで構成されている。
【００７２】
第２実施形態に係る発振器２において、接続回路３０ａは、増幅回路２０と接続されなかったＭＥＭＳ振動子（図３に示される例では、ＭＥＭＳ振動子１２〜１４）の第１端子及び第２端子を、第１基準電位（接地電位ＧＮＤ）と接続するように構成されている。
【００７３】
また、図３に示される例では、接続回路３０ａによって増幅回路２０と接続されたＭＥＭＳ振動子１１の第１端子１１１及び第２端子１１２は、第１基準電位（接地電位ＧＮＤ）とは接続しないように構成されている。
【００７４】
図３に示される例では、ＭＥＭＳ振動子１２〜１４は、第１スイッチ３２１、３３１、３４１及び第２スイッチ３２２、３３２、３４２が理想的なスイッチである場合には増幅回路２０から電気的に切り離されている。しかし、現実のスイッチにおいては、特に交流信号を完全にカットオフすることは極めて困難である。
【００７５】
第２実施形態に係る発振器２によれば、接続回路３０ａによって増幅回路２０と接続されなかったＭＥＭＳ振動子（図３に示される例では、ＭＥＭＳ振動子１２〜１４）の第１端子及び第２端子を第１基準電位（接地電位ＧＮＤ）と接続することにより、接続回路３０ａによって増幅回路２０と接続されなかったＭＥＭＳ振動子１２〜１４を、増幅回路２０の入力端子２１及び出力端子２２の両方から、より確実に電気的に切り離すことができる。これにより、接続回路３０ａによって増幅回路２０と接続されなかったＭＥＭＳ振動子が、発振器の発振を阻害する信号の発信源となることを抑制できる。
【００７６】
図３に示されるように、接続回路３０ａは、増幅回路２０と接続されなかったＭＥＭＳ振動子の第１端子と第１基準電位（接地電位ＧＮＤ）との接続状態を切り換える第３スイッチ３１３、３２３、３３３及び３４３と、増幅回路２０と接続されなかったＭＥＭＳ振動子の第２端子と第１基準電位（接地電位ＧＮＤ）との接続状態を切り換える第４スイッチ３１４、３２４、３３４及び３４４と、を含んで構成されていてもよい。
【００７７】
図３に示される例では、発振器２は、ＭＥＭＳ振動子１１の第１端子１１１と接地電位ＧＮＤとの間の接続状態を切り換える第３スイッチ３１３、ＭＥＭＳ振動子１２の第１端子１２１と接地電位ＧＮＤとの間の接続状態を切り換える第３スイッチ３２３、ＭＥＭＳ振動子１３の第１端子１３１と接地電位ＧＮＤとの間の接続状態を切り換える第３スイッチ３３３、ＭＥＭＳ振動子１４の第１端子１４１と接地電位ＧＮＤとの間の接続状態を切り換える第３スイッチ３４３を含んで構成されている。
【００７８】
また、図３に示される例では、発振器２は、ＭＥＭＳ振動子１１の第２端子１１２と接地電位ＧＮＤとの間の接続状態を切り換える第４スイッチ３１４、ＭＥＭＳ振動子１２の第２端子１２２と接地電位ＧＮＤとの間の接続状態を切り換える第４スイッチ３２４、ＭＥＭＳ振動子１３の第２端子１３２と接地電位ＧＮＤとの間の接続状態を切り換える第４スイッチ３３４、ＭＥＭＳ振動子１４の第２端子１４２と接地電位ＧＮＤとの間の接続状態を切り換える第４スイッチ３４４を含んで構成されている。
【００７９】
すなわち、図３に示される例では、接続回路３０ａは、複数のＭＥＭＳ振動子１１〜１４のそれぞれに対応する第３スイッチ及び第４スイッチを含んで構成されている。
【００８０】
第３スイッチ３１３、３２３、３３３及び３４３並びに第４スイッチ３１４、３２４、３３４及び３４４は、接続状態を１回以上切り換えられる構成であり、例えば、接続状態を何度も切り換えられるアナログスイッチなどで構成されていてもよいし、接続状態を１度のみ切り換えられるヒューズなどで構成されていてもよい。アナログスイッチとしては、例えば、図２に示されるアナログスイッチ３００を採用してもよい。なお、発振器２に採用できるスイッチはこれに限らず、種々の公知のスイッチを採用できる。
【００８１】
図３に示される例では、切替処理回路５１は、制御信号Ｃ１〜Ｃ４及び制御信号Ｃ１−〜Ｃ４−を出力することによって、接続回路３０ａの接続状態を切り替えさせる。すなわち、切替処理回路５１は、制御信号Ｃ１〜Ｃ４及び制御信号Ｃ１−〜Ｃ４−を出力することによって、接続回路３０ａの接続状態を制御する。図３における矢印は、各スイッチに対する制御信号Ｃ１〜Ｃ４及び制御信号Ｃ１−〜Ｃ４−を表す。制御信号Ｃ１〜Ｃ４は、図１を用いて説明した発振器１と同様である。
【００８２】
制御信号Ｃ１−は、ＭＥＭＳ振動子１１に関連する制御を行うための信号である。図３に示される例では、制御信号Ｃ１−は、第３スイッチ３１３と第４スイッチ３１４の制御端子に入力される。また、制御信号Ｃ１−は、制御信号Ｃ１と逆相の信号となっている。すなわち、第１スイッチ３１１及び第２スイッチ３１２と、第３スイッチ３１３及び第４スイッチ３１４とは、互いに逆の接続状態となるよう構成されている。
【００８３】
制御信号Ｃ２−は、ＭＥＭＳ振動子１２に関連する制御を行うための信号である。図３に示される例では、制御信号Ｃ２−は、第３スイッチ３２３と第４スイッチ３２４の制御端子に入力される。また、制御信号Ｃ２−は、制御信号Ｃ２と逆相の信号となっている。すなわち、第１スイッチ３２１及び第２スイッチ３２２と、第３スイッチ３２３及び第４スイッチ３２４とは、互いに逆の接続状態となるよう構成されている。
【００８４】
制御信号Ｃ３−は、ＭＥＭＳ振動子１３に関連する制御を行うための信号である。図３に示される例では、制御信号Ｃ３−は、第３スイッチ３３３と第４スイッチ３３４の制御端子に入力される。また、制御信号Ｃ３−は、制御信号Ｃ３と逆相の信号となっている。すなわち、第１スイッチ３３１及び第２スイッチ３３２と、第３スイッチ３３３及び第４スイッチ３３４とは、互いに逆の接続状態となるよう構成されている。
【００８５】
制御信号Ｃ４−は、ＭＥＭＳ振動子１４に関連する制御を行うための信号である。図３に示される例では、制御信号Ｃ４−は、第３スイッチ３４３と第４スイッチ３４４の制御端子に入力される。また、制御信号Ｃ４−は、制御信号Ｃ４と逆相の信号となっている。すなわち、第１スイッチ３４１及び第２スイッチ３４２と、第３スイッチ３４３及び第４スイッチ３４４とは、互いに逆の接続状態となるよう構成されている。
【００８６】
このような発振器２によれば、第３スイッチ及び第４スイッチを接続状態とすることによって、接続回路３０ａによって増幅回路２０と接続されなかったＭＥＭＳ振動子（図３に示される例では、ＭＥＭＳ振動子１２〜１４）を、増幅回路２０の入力端子２１及び出力端子２２の両方から、より確実に電気的に切り離すことができる。
【００８７】
さらに、第２実施形態に係る発振器２は、上述された効果に加えて、第１実施形態に係る発振器１と同様の効果も奏する。
【００８８】
３．第３実施形態に係る発振器
図４は、第３実施形態に係る発振器３を示す回路図である。以下においては第１実施形態に係る発振器１及び第２実施形態に係る発振器２とは異なる構成について詳述し、第１実施形態に係る発振器又は第２実施形態に係る発振器２と同様の構成については同一の符号を付して説明を省略する。
【００８９】
第３実施形態に係る発振器３は、接続回路３０ａの状態を切り替えるための切替信号を受け付ける信号受付端子４０ａと、接続回路３０ａに対して、増幅回路２０と接続されるＭＥＭＳ振動子を切替信号に基づいて切り替えさせる切替回路５０ｂとを含んで構成されている。切替回路５０ｂは、切替処理回路５１ｂと記憶装置５２とを含んで構成されている。
【００９０】
切替処理回路５１ｂは、制御信号Ｃ１〜Ｃ４及び制御信号Ｃ１−〜Ｃ４−を出力することによって、接続回路３０ａの接続状態を切り替えさせる。すなわち、切替処理回路５１ｂは、制御信号Ｃ１〜Ｃ４及び制御信号Ｃ１−〜Ｃ４−を出力することによって、接続回路３０ａの接続状態を制御する。図４における矢印は、各スイッチに対する制御信号Ｃ１〜Ｃ４及び制御信号Ｃ１−〜Ｃ４−を表す。制御信号Ｃ１〜Ｃ４及び制御信号Ｃ１−〜Ｃ４−は、図３を用いて説明した発振器２と同様である。
【００９１】
記憶装置５２は、「増幅回路２０と接続されるＭＥＭＳ振動子に関する情報」を記憶する。「増幅回路２０と接続されるＭＥＭＳ振動子に関する情報」は、例えば、増幅回路２０と接続されるＭＥＭＳ振動子に対応する識別コードであったり、制御信号Ｃ１〜Ｃ４及び制御信号Ｃ１−〜Ｃ４−の値の組み合わせであったりしてもよい。記憶装置５２は、ＥＥＰＲＯＭなどの不揮発性メモリーで構成されていてもよい。「増幅回路２０と接続されるＭＥＭＳ振動子に関する情報」は、信号受付端子４０ａから記憶装置５２に入力される。
【００９２】
切替処理回路５１ｂは、記憶装置５２に記憶された「増幅回路２０と接続されるＭＥＭＳ振動子に関する情報」に基づいて制御信号Ｃ１〜Ｃ４及び制御信号Ｃ１−〜Ｃ４−を出力するように構成されている。
【００９３】
第３実施形態に係る発振器３は、記憶装置５２に「増幅回路２０と接続されるＭＥＭＳ振動子に関する情報」を記憶させることによって、発振器３で使用するＭＥＭＳ振動子を簡単に選択できる。
【００９４】
また、第３実施形態に係る発振器３においても、第２実施形態に係る発振器２と同様の効果を奏する。
【００９５】
４．発振回路の変形例
４−１．発振回路の第１変形例
図５は、発振器２及び発振器３に適用できる発振回路の第１変形例に係る発振回路２０００ａを示す回路図である。発振回路２０００ａは、発振回路２０００と比較して、第１基準電位が参照電位Ｖｒである点で相違する。参照電位Ｖｒとしては、例えば、発振回路２０００ａに供給される電源電位ＶＤＤや、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４を動作させるために供給されるバイアス電位など、任意の電位を採用できる。
【００９６】
発振回路として発振回路２０００ａを適用した場合においても、第２実施形態に係る発振器２と同様の理由により、同様の効果を奏する。
【００９７】
なお、参照電位Ｖｒは、設計的に特定された電位ではなくてもよい。例えば、接続回路３０ｂによって増幅回路２０と接続されなかったＭＥＭＳ振動子（図５に示される例では、ＭＥＭＳ振動子１２〜１４）の第１端子及び第２端子を、１つ以上のスイッチを介して電気的に接続してもよい。図５に示される例では、接続回路３０ｂによって増幅回路２０と接続されなかったＭＥＭＳ振動子の第１端子及び第２端子が２つのスイッチを介して電気的に接続されている場合と等価な構成である。すなわち、第２実施形態に係る発振器２は、接続回路３０ｂによって増幅回路２０と接続されなかったＭＥＭＳ振動子の第１端子及び第２端子を同電位とできるような種々の変形が可能である。
【００９８】
４−２．発振回路の第２変形例
図６は、発振器２及び発振器３に適用できる発振回路の第２変形例に係る発振回路２０００ｂを示す回路図である。発振回路２０００ｂは、発振回路２０００と比較して、第１基準電位を選択するための第５スイッチ３１５、３２５、３３５及び３４５、並びに、第６スイッチ３１６、３２６、３３６及び３４６を有している点で相違する。
【００９９】
図６に示される例では、第５スイッチ３１５、３２５、３３５及び３４５の一端は、それぞれ順に、第３スイッチ３１３、３２３、３３３及び３４３の一端と電気的に接続し、第５スイッチ３１５、３２５、３３５及び３４５の他端は、第１基準電位として、接地電位ＧＮＤ及び参照電位Ｖｒのうちいずれか一方を選択するための切換スイッチとして構成されている。
【０１００】
また、図６に示される例では、第６スイッチ３１６、３２６、３３６及び３４６の一端は、それぞれ順に、第４スイッチ３１４、３２４、３３４及び３４４の一端と電気的に接続し、第６スイッチ３１６、３２６、３３６及び３４６の他端は、第１基準電位として、接地電位ＧＮＤ及び参照電位Ｖｒのうちいずれか一方を選択するための切換スイッチとして構成されている。
【０１０１】
第５スイッチ３１５、３２５、３３５及び３４５、並びに、第６スイッチ３１６、３２６、３３６及び３４６は、例えば、図２に示されるアナログスイッチを組み合わせて構成することが可能である。
【０１０２】
第５スイッチ３１５、３２５、３３５及び３４５、並びに、第６スイッチ３１６、３２６、３３６及び３４６の接続状態は、少なくとも、接続回路３０ｃによって増幅回路２０と接続されなかったＭＥＭＳ振動子の第１端子及び第２端子を同電位とする接続状態である。図６に示される例では、第５スイッチ３１５、３２５、３３５及び３４５によって第１基準電位として参照電位Ｖｒが選択されている場合には、第６スイッチ３１６、３２６、３３６及び３４６によっても第１基準電位として参照電位Ｖｒが選択される。同様に、第５スイッチ３１５、３２５、３３５及び３４５によって第１基準電位として接地電位ＧＮＤが選択されている場合には、第６スイッチ３１６、３２６、３３６及び３４６によっても第１基準電位として接地電位ＧＮＤが選択される。
【０１０３】
発振回路として発振回路２０００ｂを適用した場合においても、第２実施形態に係る発振器２と同様の理由により、同様の効果を奏する。
【０１０４】
４−３．発振回路の第３変形例
図７は、発振器２及び発振器３に適用できる発振回路の第３変形例に係る発振回路２０００ｃを示す回路図である。発振回路２０００ｃは、発振回路２０００と比較して、接続回路３０ｄによって増幅回路２０と接続されるＭＥＭＳ振動子の第１端子は、キャパシターを介して増幅回路２０の入力端子２１と接続され、接続回路３０ｄによって増幅回路２０と接続されるＭＥＭＳ振動子の第２端子は、キャパシターを介して増幅回路２０の出力端子２２と接続される点で相違する。
【０１０５】
図７に示される例では、接続回路３０ｄによってＭＥＭＳ振動子１１が増幅回路２０と接続される場合には、ＭＥＭＳ振動子１１の第１端子１１１は、キャパシター６１１を介して増幅回路２０の入力端子２１と接続され、ＭＥＭＳ振動子１１の第２端子１１２は、キャパシター６１２を介して増幅回路２０の出力端子２１と接続される。同様に、接続回路３０ｄによってＭＥＭＳ振動子１２が増幅回路２０と接続される場合には、ＭＥＭＳ振動子１２の第１端子１２１は、キャパシター６２１を介して増幅回路２０の入力端子２１と接続され、ＭＥＭＳ振動子１２の第２端子１２２は、キャパシター６２２を介して増幅回路２０の出力端子２１と接続される。また、接続回路３０ｄによってＭＥＭＳ振動子１３が増幅回路２０と接続される場合には、ＭＥＭＳ振動子１３の第１端子１３１は、キャパシター６３１を介して増幅回路２０の入力端子２１と接続され、ＭＥＭＳ振動子１３の第２端子１３２は、キャパシター６３２を介して増幅回路２０の出力端子２１と接続される。さらに、接続回路３０ｄによってＭＥＭＳ振動子１４が増幅回路２０と接続される場合には、ＭＥＭＳ振動子１４の第１端子１４１は、キャパシター６４１を介して増幅回路２０の入力端子２１と接続され、ＭＥＭＳ振動子１４の第２端子１４２は、キャパシター６４２を介して増幅回路２０の出力端子２１と接続される。
【０１０６】
すなわち、図７に示される例では、接続回路３０ｄによって増幅回路２０と接続されたＭＥＭＳ振動子１１の第１端子１１１は、増幅回路２０の入力端子２１と交流的に接続される。また、図７に示される例では、接続回路３０ｄによって増幅回路２０と接続されたＭＥＭＳ振動子１１の第２端子１１２は、増幅回路２０の出力端子２２と交流的に接続される。
【０１０７】
また、図７に示される例では、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４の第１端子は、それぞれ抵抗７１１、７２１、７３１又は７４１を介して接地電位ＧＮＤに接続されている。さらに、図７に示される例では、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４の第２端子は、それぞれ抵抗７１２、７２２、７３２又は７４２を介して正電位である電源電位ＶＤＤに接続されている。
【０１０８】
ＭＥＭＳ振動子１１〜１４として静電型のＭＥＭＳ振動子を用いた場合には、ＭＥＭＳ振動子を構成する電極間に電位差を与える必要がある。図７に示される例では、抵抗７１１、７２１、７３１又は７４１を介して相対的に低い電位を第１端子に、抵抗７１２、７２２、７３２又は７４２を介して相対的に高い電位を第２端子に供給することにより、ＭＥＭＳ振動子を構成する電極間に電位差を与えることができる。また、接続回路３０ｄによって増幅回路２０と接続されたＭＥＭＳ振動子は、キャパシターを介して増幅回路２０と接続されるため、増幅回路２０の入力端子２１と出力端子２２との間に不要な電位差を与えることがない。
【０１０９】
発振回路として発振回路２０００ｃを適用した場合においても、第２実施形態に係る発振器２と同様の理由により、同様の効果を奏する。また、発振回路２０００ｃは、発振回路２０００に、キャパシター６１１、６１２、６２１、６２２、６３１、６３２、６４１及び６４２を含む構成や、さらに抵抗７１１、７１２、７２１、７２２、７３１、７３２、７４１及び７４２を含む構成を適用した発振回路であるが、これらの構成を発振回路１０００に適用することも可能である。
【０１１０】
５．ＭＥＭＳ振動子の選択方法
図８は、ＭＥＭＳ振動子の選択方法の一例を説明するための機能ブロック図である。本項においては、第２実施形態に係る発振器２を例にとり説明する。また、発振器２において、ヒューズＦ１〜Ｆ４のいずれも切断されていない状態を初期状態とし、初期状態では接続回路３０によってＭＥＭＳ振動子１１が増幅回路２０と接続されているものとする。さらに、ＭＥＭＳ振動子１１の共振周波数の設計値をｆ１、ＭＥＭＳ振動子１２の共振周波数の設計値をｆ２、ＭＥＭＳ振動子１３の共振周波数の設計値をｆ３、ＭＥＭＳ振動子１４の共振周波数の設計値をｆ４とし、ｆ２＜ｆ１＜ｆ３＜ｆ４の大小関係が成立しているものとする。なお、本実施形態においては、発振器としての目標周波数は、ＭＥＭＳ振動子１１の共振周波数の設計値であるｆ１に等しい値とする。周波数ｆ１〜ｆ４の値は、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４の製造ばらつきによる周波数のばらつき範囲などを考慮して、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４のいずれかを選択することにより発振器として要求される目標周波数に対する精度が満たされる程度に近い値に設定しておくことが好ましい。
【０１１１】
ＭＥＭＳ振動子選択装置５００は、発振器２で発振動作に用いるＭＥＭＳ振動子を決定し、信号受付端子４０を介して切替回路５０ａを制御することによって、ＭＥＭＳ振動子を選択するための装置である。図８に示される例では、ＭＥＭＳ振動子選択装置５００は、周波数測定部５１０、判定部５２０及び切替信号出力部５３０を含んで構成されている。
【０１１２】
周波数測定部５１０は、発振器２の増幅回路２０の出力端子２２から出力される出力信号Ｖｏの入力を受け付け、出力信号Ｖｏの周波数ｆｏを測定する。また、周波数測定部５１０は、測定した周波数ｆｏの値に関する情報である周波数情報Ｉｆを判定部５２０に出力する。
【０１１３】
判定部５２０は、周波数測定部５１０が出力した周波数情報Ｉｆの入力を受け付け、選択すべきＭＥＭＳ振動子がどれであるかを、周波数情報Ｉｆに基づいて判定する。また、判定部５２０は、判定結果に関する情報である判定結果情報Ｉｒを切替信号出力部５３０に出力する。
【０１１４】
切替信号出力部５３０は、判定部５２０が出力する判定結果情報Ｉｒの入力を受け付け、判定結果情報Ｉｒに基づいて、必要に応じて発振器２の信号受付端子４０に対して切替信号Ｓを出力する。
【０１１５】
図９は、ＭＥＭＳ振動子の選択方法の一例を示すフローチャートである。図９に示されるＭＥＭＳ振動子の選択方法は、発振器２の出力信号Ｖｏの周波数ｆｏを測定する測定工程と、測定工程で測定した周波数ｆｏに基づいて選択すべきＭＥＭＳ振動子を判定する判定工程と、判定工程で判定した結果に基づいて発振器２の切替回路５０ａを制御してＭＥＭＳ振動子を選択する選択工程と、を含んでいる。
【０１１６】
図９に示される例では、閾値周波数をｆｔ１、ｆｔ２及びｆｔ３とし、ｆｔ１＜ｆｔ２＜ｆｔ３の大小関係が成立しているものとする。なお、閾値周波数をｆｔ１、ｆｔ２及びｆｔ３は、例えば、ｆｔ１＜ｆ２＜ｆｔ２＜ｆ１＜ｆｔ３の大小関係となるように設定することができる。
【０１１７】
図９に示される例では、ｆｔ２＜ｆｏ≦ｆｔ３の大小関係となる場合には、ＭＥＭＳ振動子選択装置５００は、切替回路５０ａを制御してＭＥＭＳ振動子１１を選択する。また、ｆｔ３＜ｆｏの大小関係となる場合には、ＭＥＭＳ振動子選択装置５００は、切替回路５０ａを制御してＭＥＭＳ振動子１２を選択する。また、ｆｔ１＜ｆｏ≦ｆｔ２の大小関係となる場合には、ＭＥＭＳ振動子選択装置５００は、切替回路５０ａを制御してＭＥＭＳ振動子１３を選択する。また、ｆｏ≦ｆｔ１の大小関係となる場合には、ＭＥＭＳ振動子選択装置５００は、切替回路５０ａを制御してＭＥＭＳ振動子１４を選択する。
【０１１８】
図９に示されるＭＥＭＳ振動子の選択方法において、まず、ＭＥＭＳ振動子選択装置５００の周波数測定部５１０が、発振器２の増幅回路２０の出力端子２２から出力される出力信号Ｖｏを受け付け、出力信号Ｖｏの周波数ｆｏを測定する（ステップＳ１００；測定工程）。本実施形態においては、周波数ｆｏを測定した後に、周波数測定部５１０は、周波数情報Ｉｆを判定部５２０に出力する。
【０１１９】
測定工程（ステップＳ１００）の後に、ステップＳ１００で測定した周波数ｆｏに基づいて、ＭＥＭＳ振動子選択装置５００の判定部５２０が、選択すべきＭＥＭＳ振動子がどれであるかを判定する（ステップＳ１０２〜Ｓ１０６；判定工程）。本実施形態においては、判定部５２０は、測定した周波数ｆｏの値に関する情報である周波数情報Ｉｆに基づいて、選択すべきＭＥＭＳ振動子がどれであるかを判定する。また、判定部５２０は、判定結果情報Ｉｒを切替信号出力部５３０に出力する。
【０１２０】
判定工程（ステップＳ１０２〜Ｓ１０６）の後に、ＭＥＭＳ振動子選択装置５００の切替信号出力部５３０が、判定工程で判定した結果に基づいて切替信号Ｓを出力することによって、発振器２の切替回路５０ａを制御してＭＥＭＳ振動子を選択する（ステップＳ１１２〜１１８；選択工程）。本実施形態においては、切替信号出力部５３０は、判定部５２０が出力した判定結果情報Ｉｒに基づいて、発振器２の信号受付端子４０を介して切替回路５０ａを制御してＭＥＭＳ振動子を選択する。
【０１２１】
図９に示される例では、ステップＳ１００の後に、判定部５２０が、ｆｔ２＜ｆｏ≦ｆｔ３の大小関係となるか否かを判定する（ステップＳ１０２）。判定部５２０が、ｆｔ２＜ｆｏ≦ｆｔ３の大小関係となるものと判定した場合（ステップＳ１０２でＹＥＳの場合）には、切替信号出力部５３０が、切替回路５０ａを制御してＭＥＭＳ振動子１１を選択する（ステップＳ１１２）。
【０１２２】
より具体的には、切替信号出力部５３０は切替信号Ｓ出力しない。これによって、発振器２は初期状態を維持し、接続回路３０によってＭＥＭＳ振動子１１が増幅回路２０と接続されている状態（すなわち、ＭＥＭＳ振動子１１を選択した状態）となる。
【０１２３】
ステップＳ１０２において、判定部５２０が、ｆｔ２＜ｆｏ≦ｆｔ３の大小関係とならないものと判定した場合（ステップＳ１０２でＮＯの場合）には、判定部５２０が、ｆｔ３＜ｆｏの大小関係となるか否かを判定する（ステップＳ１０４）。判定部５２０が、ｆｔ３＜ｆｏの大小関係となるものと判定した場合（ステップＳ１０４でＹＥＳの場合）には、切替信号出力部５３０が、切替回路５０ａを制御してＭＥＭＳ振動子１２を選択させる（ステップＳ１１４）。
【０１２４】
より具体的には、切替信号出力部５３０は、制御信号Ｓとして端子４１１と端子４１２との間に電流を印加することによってヒューズＦ１を切断するとともに、制御信号Ｓとして端子４２１と端子４２２との間に電流を印加することによってヒューズＦ２を切断する。これによって、第１スイッチ３１１及び３２１、第２スイッチ３１２及び３２２、第３スイッチ３１３及び３２３、並びに、第４スイッチ３１４及び３２４の接続状態が切り換わり、接続回路３０によってＭＥＭＳ振動子１２が増幅回路２０と接続されている状態（すなわち、ＭＥＭＳ振動子１２を選択した状態）となる。
【０１２５】
ステップＳ１０４において、判定部５２０が、ｆｔ３＜ｆｏの大小関係とならないものと判定した場合（ステップＳ１０４でＮＯの場合）には、判定部５２０が、ｆｔ１＜ｆｏ≦ｆｔ２の大小関係となるか否かを判定する（ステップＳ１０６）。判定部５２０が、ｆｔ１＜ｆｏ≦ｆｔ２の大小関係となるものと判定した場合（ステップＳ１０６でＹＥＳの場合）には、切替信号出力部５３０が、切替回路５０ａを制御してＭＥＭＳ振動子１３を選択させる（ステップＳ１１６）。
【０１２６】
より具体的には、切替信号出力部５３０は、制御信号Ｓとして端子４１１と端子４１２との間に電流を印加することによってヒューズＦ１を切断するとともに、制御信号Ｓとして端子４３１と端子４３２との間に電流を印加することによってヒューズＦ３を切断する。これによって、第１スイッチ３１１及び３３１、第２スイッチ３１２及び３３２、第３スイッチ３１３及び３３３、並びに、第４スイッチ３１４及び３３４の接続状態が切り換わり、接続回路３０によってＭＥＭＳ振動子１３が増幅回路２０と接続されている状態（すなわち、ＭＥＭＳ振動子１３を選択した状態）となる。
【０１２７】
ステップＳ１０６において、判定部５２０が、ｆｔ１＜ｆｏ≦ｆｔ２の大小関係とならないものと判定した場合（ステップＳ１０６でＮＯの場合）には、切替信号出力部５３０が、切替回路５０ａを制御してＭＥＭＳ振動子１４を選択させる（ステップＳ１１８）。
【０１２８】
より具体的には、切替信号出力部５３０は、制御信号Ｓとして端子４１１と端子４１２との間に電流を印加することによってヒューズＦ１を切断するとともに、制御信号Ｓとして端子４４１と端子４４２との間に電流を印加することによってヒューズＦ４を切断する。これによって、第１スイッチ３１１及び３４１、第２スイッチ３１２及び３４２、第３スイッチ３１３及び３４３、並びに、第４スイッチ３１４及び３４４の接続状態が切り換わり、接続回路３０によってＭＥＭＳ振動子１４が増幅回路２０と接続されている状態（すなわち、ＭＥＭＳ振動子１４を選択した状態）となる。
【０１２９】
選択工程（ステップＳ１１２〜Ｓ１１８）のいずれかが終了した後、ＭＥＭＳ振動子の選択方法の全工程が終了する。
【０１３０】
このように、初期状態にある発振器２の出力信号Ｖｏの周波数ｆｏに基づいて選択すべきＭＥＭＳ振動子を決定して、信号受付端子４０を介して切替回路５０ａを制御することによってＭＥＭＳ振動子を選択することで、複数のＭＥＭＳ振動子のうち、出力信号Ｖｏが所望の周波数に近くなるＭＥＭＳ振動子を容易に選択できる。したがって、パッケージに封止された後においても発振周波数を調整できる発振器を実現できる。また、発振周波数のばらつきを抑制した発振器を実現できる。
【０１３１】
６．ＭＥＭＳ振動子の構成例
図１０は、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４の構成例を模式的に示す平面図である。図１１は、ＭＥＭＳ振動子１１の構成例を模式的に示す断面図である。なお、図１０においては、便宜上、層間絶縁層１０１６ａ、１０１６ｂ、１０１６ｃ、保護膜１０１８、第１包囲壁１０２０ａ、第２包囲壁１０２０ｂ、第３包囲壁１０２０ｃ、第１被覆層１０２２及び第２被覆層１０２６の図示を省略している。
【０１３２】
なお、本実施形態に係る記載では、「上方」という文言を、例えば、「特定のもの（以下、「Ａ」という）の「上方」に他の特定のもの（以下、「Ｂ」という）を形成する」などと用いる場合に、Ａ上に直接Ｂを形成するような場合と、Ａ上に他のものを介してＢを形成するような場合とが含まれるものとして、「上方」という文言を用いている。
【０１３３】
図１０に示されるように、ＭＥＭＳ振動子１１は、基板１０１０の上方に設けられた第１電極１１２０及び第２電極１１３０を含んで構成されている。ＭＥＭＳ振動子１２は、基板１０１０の上方に設けられた第１電極１２２０及び第２電極１２３０を含んで構成されている。ＭＥＭＳ振動子１３は、基板１０１０の上方に設けられた第１電極１３２０及び第２電極１３３０を含んで構成されている。ＭＥＭＳ振動子１４は、基板１０１０の上方に設けられた第１電極１４２０及び第２電極１４３０を含んで構成されている。
【０１３４】
図１１に示されるように、基板１０１０は、支持基板１０１２と、絶縁層１０１４とを有することができる。
【０１３５】
支持基板１０１２としては、例えば、シリコン基板等の半導体基板を用いることができる。支持基板１０１２として、セラミックス基板、ガラス基板、サファイア基板、ダイヤモンド基板、合成樹脂基板などの各種の基板を用いてもよい。
【０１３６】
絶縁層１０１４は、支持基板１０１２の上方に（より具体的には支持基板１０１２上に）形成されている。絶縁層１０１４としては、例えば、トレンチ絶縁層、ＬＯＣＯＳ（local oxidation of silicon）絶縁層、セミリセスＬＯＣＯＳ絶縁層を用いることができる。また、絶縁層１０１４としては、支持基板１０１２側から酸化シリコン層、窒化シリコン層をこの順に積層した積層構造を有していてもよい。絶縁層１０１４は、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４と、支持基板１０１２に形成された他の素子（図示せず）とを電気的に分離することができる。
【０１３７】
層間絶縁層１０１６ａ、１０１６ｂ、１０１６ｃは、絶縁層１０１４上に形成されている。層間絶縁層１０１６ａ、１０１６ｂ、１０１６ｃは、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４が収容される空洞９００を有している。図１１に示される例では、空洞９００は、層間絶縁層１０１６ａ、１０１６ｂ、１０１６ｃ、絶縁層１０１４で区画される領域である。図１１に示される例では、空洞９００には、ＭＥＭＳ振動子１１が収容されている。
【０１３８】
空洞９００には、包囲壁（第１包囲壁１０２０ａ、第２包囲壁１０２０ｂ、第３包囲壁１０２０ｃ）が形成されている。第１包囲壁１０２０ａ、第２包囲壁１０２０ｂ及び第３包囲壁１０２０ｃは、ＭＥＭＳ振動子１１を囲む平面形状を有する。第１包囲壁１０２０ａ、第２包囲壁１０２０ｂ及び第３包囲壁１０２０ｃの平面形状は、ＭＥＭＳ振動子１１を囲む形状であれば特に限定されず、例えば、円形状、多角形状などの任意の形状である。第１包囲壁１０２０ａ、第２包囲壁１０２０ｂ及び第３包囲壁１０２０ｃは、導電接続されており、ＭＥＭＳ振動子１１を囲む一体的な側壁を構成している。第１包囲壁１０２０ａ、第２包囲壁１０２０ｂ及び第３包囲壁１０２０ｃの材質としては、例えば、多結晶シリコンや、アルミニウム、銅、タングステン、チタンなどの金属やその合金が挙げられる。
【０１３９】
第１被覆層１０２２は、空洞９００の上方に形成されている。第１被覆層１０２２には、貫通孔１０２４が形成されている。貫通孔１０２４の数は、特に限定されない。第１被覆層１０２２は、図示の例では、第３包囲壁１０２０ｃと一体的に形成されている。第１被覆層１０２２は、空洞９００の上方を覆っている。第１被覆層１０２２は、例えば、チタン層、窒化チタン層、アルミ−銅合金層、窒化チタン層がこの順で積層された積層構造を有する。第１被覆層１０２２の膜厚は、例えば、数百ｎｍ程度である。
【０１４０】
第１包囲壁１０２０ａ、第２包囲壁１０２０ｂ、第３包囲壁１０２０ｃ及び第１被覆層１０２２には、一定の電位（例えば、接地電位）が与えられることが望ましい。これにより、第１包囲壁１０２０ａ、第２包囲壁１０２０ｂ、第３包囲壁１０２０ｃ及び第１被覆層１０２２を電磁シールドとして機能させることができる。すなわち、ＭＥＭＳ振動子１１を外部に対して電磁的にある程度遮蔽することができる。
【０１４１】
第２被覆層１０２６は、第１被覆層１０２２上に形成されている。第２被覆層１０２６は、第１被覆層１０２２の貫通孔１０２４を塞いでいる。第２被覆層１０２６の材質としては、例えば、アルミ、チタン、タングステン等の金属を挙げることができる。第２被覆層１０２６の膜厚は、例えば、３μｍ程度である。第１被覆層１０２２及び第２被覆層１０２６は、空洞９００を上方から覆って空洞９００を封止する封止部材として機能することができる。
【０１４２】
ＭＥＭＳ振動子１１〜１４は、空洞９００の内部に収容されている。また、信号受付端子４０（図１０及び図１１においては不図示）は、空洞９００の外部に設けられている。
【０１４３】
ＭＥＭＳ振動子１１〜１４の基本的な構成は同様であるので、以下の説明においては、ＭＥＭＳ振動子１１の構成を中心に説明し、ＭＥＭＳ振動子１２〜１４の構成に対応する符号を順に括弧内に記載する。
【０１４４】
ＭＥＭＳ振動子１１（１２、１３、１４）の第１電極１１２０（１２２０、１３２０、１４２０）は、基板１０１０上に形成されている。第１電極１１２０（１２２０、１３２０、１４２０）の形状は、例えば、層状又は薄膜状である。
【０１４５】
ＭＥＭＳ振動子１１（１２、１３、１４）の第２電極１１３０（１２３０、１３３０、１４３０）は、第１電極１１２０（１２２０、１３２０、１４２０）と間隔を空けて形成されている。第２電極１１３０（１２３０、１３３０、１４３０）は、基板１０上に形成された支持部１１３２（１２３２、１３３２、１４３２）と、支持部１１３２（１２３２、１３３２、１４３２）に支持されており第１電極１１２０（１２２０、１３２０、１４２０）の上方に配置された梁部１１３４（１２３４、１３３４、１４３４）と、を有する。支持部１１３２（１２３２、１３３２、１４３２）は、例えば、第１電極１１２０（１２２０、１３２０、１４２０）と空間をあけて対向配置されている。第２電極１１３０（１２３０、１３３０、１４３０）は、片持ち梁状に形成されている。
【０１４６】
第１電極１１２０（１２２０、１３２０、１４２０）及び第２電極１１３０（１２３０、１３３０、１４３０）の間に電圧が印加されると、梁部１１３４（１２３４、１３３４、１４３４）は、電極１１２０（１２２０、１３２０、１４２０）と１１３０（１２３０、１３３０、１４３０）との間に発生する静電力により振動することができる。すなわち、図１０及び図１１に示されるＭＥＭＳ振動子１１〜１４は、静電型のＭＥＭＳ振動子である。
【０１４７】
第１電極１１２０（１２２０、１３２０、１４２０）及び第２電極１１３０（１２３０、１３３０、１４３０）の材質としては、例えば、所定の不純物をドーピングすることにより導電性が付与された多結晶シリコンが挙げられる。
【０１４８】
ＭＥＭＳ振動子１１〜１４は、梁部１１３４、１２３４、１３３４及び１４３４の厚さＤが同一に構成されていてもよい。また、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４は、梁部１１３４、１２３４、１３３４及び１４３４の幅Ｗが同一に構成されていてもよい。これらにより、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４の共振周波数を、梁部１１３４、１２３４、１３３４及び１４３４の長さＬ１１、Ｌ１２、Ｌ１３及びＬ１４で制御することができる。
【０１４９】
梁部１１３４、１２３４、１３３４及び１４３４の長さＬ１１、Ｌ１２、Ｌ１３及びＬ１４が長いほどＭＥＭＳ振動子１１〜１４の共振周波数は低くなり、梁部１１３４、１２３４、１３３４及び１４３４の長さＬ１１、Ｌ１２、Ｌ１３及びＬ１４が短いほどＭＥＭＳ振動子１１〜１４の共振周波数は高くなる。図１０に示されるように、本実施形態においては、梁部１１３４、１２３４、１３３４及び１４３４は、Ｌ１４＜Ｌ１３＜Ｌ１１＜Ｌ１２の大小関係が成立するように構成されている。したがって、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４の共振周波数ｆ１〜ｆ４は、ｆ２＜ｆ１＜ｆ３＜ｆ４の大小関係が成立する。
【０１５０】
図１０に示されるように、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４は、同一の基板１０１０上に形成されている。また、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４は、同一の基板１０１０上に同一の製造プロセスで形成されていてもよい。これによって、製造ばらつきに起因するＭＥＭＳ振動子１１〜１４の共振周波数がずれる方向（設計値よりも大きくなる又は小さくなる傾向）が、通常は同一となるので、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４の共振周波数の大小関係が崩れない。したがって、発振回路として目的とする周波数に近いＭＥＭＳ振動子を、より確実に選択することができる。
【０１５１】
空洞９００の内部は、減圧状態であってもよい。空洞９００の内部が減圧状態であることによって、大気圧状態である場合に比べてＭＥＭＳ振動子１１〜１４が振動しやすくなる。これによって、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４が減圧状態に置かれた場合と、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４が大気圧状態に置かれた場合とでは、発振回路から出力される周波数が異なる場合がある。本実施形態に係る発振器１〜３によれば、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４が減圧状態である空洞９００の内部に収容された後においても発振周波数を調整できる。したがって、より適切なＭＥＭＳ振動子を選択することができる。
【０１５２】
なお、ＭＥＭＳ振動子１１〜１４としては、上述された構成に限らず、種々の公知のＭＥＭＳ振動子を採用できる。
【０１５３】
なお、上述した実施形態及び変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば各実施形態及び各変形例は、複数を適宜組み合わせることが可能である。
【０１５４】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、さらに種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【符号の説明】
【０１５５】
１，２，３  発振器、１１〜１４  ＭＥＭＳ振動子、２０  反転増幅回路、２１  入力端子、２２  出力端子、３０，３０ａ，３０ｂ，３０ｃ，３０ｄ  接続回路、４０，４０ａ  信号受付端子、５０，５０ａ，５０ｂ  切替回路、５１，５１ａ，５１ｂ  切替処理回路、５２  記憶装置、６１  第１キャパシター、６２  第２キャパシター、７１〜７３  抵抗、１１１，１２１，１３１，１４１  第１端子、１１２，１２２，１３２，１４２  第２端子、２０１〜２０３  インバーター、３００  アナログスイッチ、３１１，３２１，３３１，３４１  第１スイッチ、３１２，３２２，３３２，３４２  第２スイッチ、３１３，３２３，３３３，３４３  第３スイッチ、３１４，３２４，３３４，３４４  第４スイッチ、３１５，３２５，３３５，３４５  第５スイッチ、３１６，３２６，３３６，３４６  第６スイッチ、４１１，４１２，４２１，４２２，４３１，４３２，４４１，４４２  端子、５００  ＭＥＭＳ振動子選択装置、５１０  周波数測定部、５２０  判定部、５３０  切替信号出力部、６１１，６１２，６２１，６２２，６３１，６３２，６４１，６４２  キャパシター、７１１，７１２，７２１，７２２，７３１，７３２，７４１，７４２  抵抗、１０００，２０００，２０００ａ，２０００ｂ，２０００ｃ  発振回路、１０１０  基板、１０１２  支持基板、１０１４  絶縁層、１０１６ａ，１０１６ｂ，１０１６ｃ  層間絶縁層、１０１８  保護膜、１０２０ａ  第１包囲壁、１０２０ｂ  第２包囲壁、１０２０ｃ  第３包囲壁、１０２２  第１被覆層、１０２４  貫通孔、１０２６  第２被覆層、Ｃ１〜Ｃ４，Ｃ１−〜Ｃ４−  制御信号、ＣＴＬ  制御端子、Ｆ１〜Ｆ４  ヒューズ、ＧＮＤ  接地電位、Ｉｆ  周波数情報、ＩＮ  入力端子、ＩＮＶ  インバーター、Ｉｒ  判定結果情報、ＯＵＴ  出力端子、Ｓ  切替信号、ＴＮ  ＮＭＯＳトランジスター、ＴＰ  ＰＭＯＳトランジスター、ＶＤＤ  電源電位、Ｖｏ  出力信号、Ｖｒ  参照電位
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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