(57)【要約】【課題】  ＣＭＰにおける被研磨面の平坦性の向上と研磨欠陥（スクラッチ）の低減とを両立させることができる化学機械研磨パッド、および該化学機械研磨パッドを用いた化学機械研磨方法を提供する。【解決手段】  本発明に係る化学機械研磨パッドは、研磨層を備えた化学機械研磨パッドであって、前記研磨層の引張時における残留歪が１０％以下であり、前記研磨層の引張時における破断伸びが５０％以下であることを特徴とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨層を備えた化学機械研磨パッドであって、
前記研磨層の引張時における残留歪が１０％以下であり、
前記研磨層の引張時における破断伸びが５０％以下であることを特徴とする、化学機械研磨パッド。
【請求項２】
前記研磨層の引張時における破断強度が７ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下である、請求項１に記載の化学機械研磨パッド。
【請求項３】
前記研磨層の比重が０．９０以上１．３０以下である、請求項１または請求項２に記載の化学機械研磨パッド。
【請求項４】
前記研磨層のデュロＤ硬度が４０Ｄ以上６０Ｄ以下である、請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の化学機械研磨パッド。
【請求項５】
前記研磨層は、ジエン系（共）重合体と有機過酸化物とを含有する組成物から形成される、請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の化学機械研磨パッド。
【請求項６】
前記ジエン系（共）重合体は、１，３−ブタジエンおよびイソプレンから選択される少なくとも１種に由来する繰り返し単位を含む、請求項５に記載の化学機械研磨パッド。
【請求項７】
請求項１ないし請求項６のいずれか一項に記載の化学機械研磨パッドを用いて化学機械研磨することを特徴とする、化学機械研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化学機械研磨パッドおよび該化学機械研磨パッドを用いた化学機械研磨方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ガラスや半導体素子を研磨するための研磨パッドとしては、不織布にポリウレタン溶液を含浸させて得られる多孔質不織布、ポリウレタン成型物、架橋ゴム成型物等が使用されてきた。特に、半導体基板表面を平坦化する化学機械研磨（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、以下「ＣＭＰ」ともいう）に好適な化学機械研磨パッドとしては、ポリウレタンにフィラー状の成分を分散させた研磨パッド（例えば、特許文献１参照）、発泡ポリウレタンを使用した研磨パッド（例えば、特許文献２参照）、ポリオールやイソシアネートの使用量を調整してウレタンの架橋度を調節することにより物性値を制御した研磨パッド（例えば、特許文献３および特許文献４参照）、架橋ゴムを含有する非水溶性マトリックス材中に水溶性粒子を分散させた研磨パッド（例えば、特許文献５参照）等が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表平８−５００６２２号公報
【特許文献２】特許第３９５６３６４号公報
【特許文献３】特開２００７−２８４６２５号公報
【特許文献４】特開２００８−１８８７５７号公報
【特許文献５】特開２００１−３３４４５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、これらの従来の材料を用いた化学機械研磨パッドは、ＣＭＰにおける被研磨面の平坦性を向上させることを目的としているため、特に研磨層の高弾性率化に着目することが多く、研磨層の摩耗により発生する研磨層表面の毛羽立ちやパッド屑の発生を低減することについては、研磨欠陥（スクラッチ）の抑制に影響を与えるにもかかわらず十分な議論がなされてこなかった。
【０００５】
一般的に、研磨層表面には微細孔および／または凹部を設けており、そこに研磨屑やパッド屑が徐々に蓄積されることで目詰まりを起こし研磨特性が劣化してしまう。そこで、ダイヤモンドの砥石でドレッシングすること（以下、「ダイヤモンドコンディショニング」ともいう）により、目詰まり状態となった研磨層表面を削り取り、表面から下の初期状態と同様の面を露出して使用する。このダイヤモンドコンディショニングの際に、研磨層表面の毛羽立ちやパッド屑が発生することがある。
【０００６】
例えば特許文献３に記載されている研磨パッドは、研磨層を多孔質構造とすることにより高弾性率化を図っている。ところが、該研磨層は多孔質構造であるために、ダイヤモンドコンディショニングにより研磨層表面の毛羽立ちやパッド屑が発生しやすい傾向がある。また、特許文献５に記載されている架橋重合体を含有する研磨パッドでは、ダイヤモンドコンディショニングにより、粗大なパッド屑が発生すると共に、過剰な毛羽立ちが発生する場合がある。
【０００７】
このような研磨層表面の毛羽立ちやパッド屑は、ＣＭＰ中において研磨欠陥（スクラッチ）の発生を引き起こすことがしばしばあった。その結果、これらの研磨パッドでは、ＣＭＰにおける被研磨面の平坦性の向上と研磨欠陥（スクラッチ）の低減とを両立させることが困難な場合があった。
【０００８】
そこで、本発明に係る幾つかの態様は、研磨層の引張時における残留歪や破断伸び等の物性値を制御することにより、研磨層表面の毛羽立ちや粗大なパッド屑の発生を低減し、ひいてはＣＭＰにおける被研磨面の平坦性の向上と研磨欠陥（スクラッチ）の低減とを両立させることができる化学機械研磨パッド、および該化学機械研磨パッドを用いた化学機械研磨方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することができる。
【００１０】
［適用例１］
本発明に係る化学機械研磨パッドの一態様は、
研磨層を備えた化学機械研磨パッドであって、
前記研磨層の引張時における残留歪が１０％以下であり、
前記研磨層の引張時における破断伸びが５０％以下であることを特徴とする。
【００１１】
［適用例２］
適用例１の化学機械研磨パッドにおいて、
前記研磨層の引張時における破断強度が７ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下であることができる。
【００１２】
［適用例３］
適用例１または適用例２の化学機械研磨パッドにおいて、
前記研磨層の比重が０．９０以上１．３０以下であることができる。
【００１３】
［適用例４］
適用例１ないし適用例３のいずれか一例の化学機械研磨パッドにおいて、
前記研磨層のデュロＤ硬度が４０Ｄ以上６０Ｄ以下であることができる。
【００１４】
［適用例５］
適用例１ないし適用例４のいずれか一例の化学機械研磨パッドにおいて、
前記研磨層は、ジエン系（共）重合体と有機過酸化物とを含有する組成物から形成されることができる。
【００１５】
［適用例６］
適用例５の化学機械研磨パッドにおいて、
前記ジエン系（共）重合体は、１，３−ブタジエンおよびイソプレンから選択される少なくとも１種に由来する繰り返し単位を含むことができる。
【００１６】
［適用例７］
本発明に係る化学機械研磨方法の一態様は、
適用例１ないし適用例６のいずれか一例に記載の化学機械研磨パッドを用いて化学機械研磨することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係る化学機械研磨パッドは、引張時における残留歪や破断伸びが特定の範囲にある研磨層を備えることにより、ダイヤモンドコンディショニングによる研磨層表面の毛羽立ちやパッド屑の発生を低減させることができ、ひいてはＣＭＰにおける被研磨面の平坦性の向上と研磨欠陥（スクラッチ）の低減とを両立させることができる。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。本明細書中において、単に「硬度」というときはデュロＤ硬度のことを指す。
【００１９】
１．化学機械研磨パッド
本実施の形態に係る化学機械研磨パッドの構成としては、少なくとも一方の面に研磨層を備えていれば特に限定されない。前記研磨層の引張時における残留歪は１０％以下であり、引張時における破断伸びは５０％以下である。また、前記研磨層の比重は０．９０以上１．３０以下であることが好ましく、デュロＤ硬度は４０Ｄ以上６０Ｄ以下であることが好ましい。以下、本実施の形態に係る化学機械研磨パッドについて、詳細に説明する。
【００２０】
１．１．研磨層
本実施の形態に係る化学機械研磨パッドを構成する研磨層は、熱可塑性ポリウレタンおよびジエン系（共）重合体から選択される少なくとも１種を含有する組成物（以下、単に「組成物」ともいう）から後述する製造方法により形成される。
【００２１】
一般的に、化学機械研磨パッドを構成する研磨層は、（１）発泡タイプと（２）非発泡タイプに分類される。非発泡タイプの研磨層の場合、その構造から比重や硬度が大きくなり、これに伴って被研磨面（ウエハ等の表面）の凹凸に対する研磨層の弾性変形が小さくなる。その結果、被研磨面の平坦性が良好になる傾向がある。その反面、研磨層の硬度が大きくなると、被研磨面と研磨層の間に入り込んだ研磨屑やパッド屑により研磨欠陥（スクラッチ）の発生が増大する傾向がある。なお、本明細書において「研磨屑」とは、被研磨面（ウエハ等の表面）を研磨することにより発生する被研磨面由来の屑のことをいい、「パッド屑」とは、研磨層表面をダイヤモンドコンディショニングする際に発生する研磨層由来の屑および研磨過程において研磨層が摩耗することにより発生する研磨層由来の屑のことをいう。
【００２２】
一方、発泡タイプの研磨層の場合、その構造から比重や硬度が小さくなる傾向がある。これにより、被研磨面（ウエハ等の表面）と研磨層の間に入り込んだ研磨屑やパッド屑を柔軟な研磨層の表面で捕捉し、被研磨面に対して強い押し付け圧で接触することを回避させることができるので、研磨欠陥（スクラッチ）の発生を低減させることができる。その反面、被研磨面の凹凸に追随して研磨層の弾性変形が大きくなるため、被研磨面の平坦性が悪化する傾向がある。以上のことから、被研磨面（ウエハ等の表面）の平坦性の向上と研磨欠陥（スクラッチ）の低減とは、相反する特性であると考えられてきた。
【００２３】
しかしながら、本発明者らは、熱可塑性ポリウレタンおよびジエン系（共）重合体から選択される少なくとも１種を含有する組成物を用いて研磨層を作製し、該研磨層の引張時における残留歪や破断伸びをコントロールすることにより、従来の技術では困難とされてきた研磨層表面の毛羽立ちや粗大なパッド屑の発生を低減させ、ひいては被研磨面（ウエハ等の表面）の平坦性の向上と研磨欠陥（スクラッチ）の低減とを両立できることを見出したのである。
【００２４】
１．１．１．引張時における残留歪
研磨層の引張時における残留歪は、研磨時に行われるダイヤモンドコンディショニングによる研磨層表面の毛羽立ちの発生しやすさを表す指標となる。
【００２５】
本実施の形態に係る化学機械研磨パッドが備える研磨層において、引張時における残留歪は１０％以下であり、１％以上１０％以下であることが好ましく、１％以上５％以下であることがより好ましい。引張時における残留歪が前記範囲内にあると、研磨時に行われるダイヤモンドコンディショニングによる研磨層表面の毛羽立ちの発生が低減される。これにより、被研磨面の平坦性を向上させることができる。引張時における残留歪が１０％を超えると、研磨層の表面をダイヤモンドコンディショニングした場合、研磨層表面の毛羽立ちが増加し、被研磨面の凹凸に対する研磨層表面の変形が大きくなることで、被研磨面の平坦性が悪化する傾向があるため好ましくない。
【００２６】
なお、本発明において、研磨層の引張時における残留歪は、「ＪＩＳ  Ｋ６２７０」に準拠した方法で測定することができる。また、測定時の温度および湿度は、「ＪＩＳ  Ｋ６２５０」の「６．１  試験室の標準温度」および「６．２  試験室の標準湿度」に準ずる。すなわち、試験室の標準温度は２３℃とし、許容差は±２℃とする。試験室の標準湿度は相対湿度で５０％とし、許容差は±１０％とする。
【００２７】
１．１．２．引張時における破断伸び
研磨層の引張時における破断伸びは、研磨時に行われるダイヤモンドコンディショニングにより発生するパッド屑のサイズを表す指標となる。
【００２８】
本実施の形態に係る化学機械研磨パッドが備える研磨層において、引張時における破断伸びは５０％以下であり、２０％以上５０％以下であることが好ましい。研磨層の引張時における破断伸びが前記範囲内にあると、研磨時に行われるダイヤモンドコンディショニングにより発生するパッド屑が研磨欠陥（スクラッチ）を引き起こさない程度の微小なサイズとなる。すなわち、ダイヤモンドコンディショニングにより研磨層表面の毛羽立ちを生じた場合であっても、切断時伸びが小さいために研磨層表面の毛羽立ちが微小なサイズに切断される。その結果、パッド屑による研磨欠陥の発生を低減させることができる。研磨層の引張時における破断伸びが５０％を超えると、パッド屑のサイズが大きくなる傾向があり、このパッド屑による研磨欠陥の発生を低減させることができない。なお、破断伸びが５０％を大きく超えて過大になると、被研磨面の凹凸に追随して研磨層の弾性変形が大きくなるため、研磨欠陥の発生が低減する場合があるが、この場合には被研磨面の平坦性が損なわれるため好ましくない。
【００２９】
なお、本発明において、研磨層の引張時における破断伸びは、「ＪＩＳ  Ｋ６２５１」の切断時伸びに準拠した方法で測定することができる。また、測定時の温度および湿度は、「ＪＩＳ  Ｋ６２５０」の「６．１  試験室の標準温度」および「６．２  試験室の標準湿度」に準ずる。すなわち、試験室の標準温度は２３℃とし、許容差は±２℃とする。試験室の標準湿度は相対湿度で５０％とし、許容差は±１０％とする。
【００３０】
１．１．３．引張時における破断強度
研磨層の引張時における破断強度は、研磨時における研磨層の摩耗や変形のしやすさを表す指標となる。
【００３１】
本実施の形態に係る化学機械研磨パッドが備える研磨層において、引張時における破断強度は７ＭＰａ以上２０ＭＰａ以下であることが好ましい。引張時における破断強度が前記範囲内にあると、研磨時において研磨層が適度に摩耗または変形することにより、被研磨面の平坦性を向上できると共に、研磨欠陥（スクラッチ）の発生を低減させることができる。研磨層の引張時における破断強度が７ＭＰａ未満であると、研磨時において研磨層が摩耗または変形しやすい傾向があり、被研磨面の平坦性が損なわれやすい。一方、研磨層の引張時における破断強度が２０ＭＰａを超えると、研磨層の摩耗や変形は起こりにくくなるが、研磨時において研磨層がほとんど変形しないため、被研磨面と研磨層の間に入り込んだ研磨屑やパッド屑により研磨欠陥（スクラッチ）の発生が増大する傾向がある。
【００３２】
なお、本発明において、研磨層の引張時における破断強度は、「ＪＩＳ  Ｋ６２５１」の切断時引張応力に準拠した方法で測定することができる。また、測定時の温度および湿度は、「ＪＩＳ  Ｋ６２５０」の「６．１  試験室の標準温度」および「６．２  試験室の標準湿度」に準ずる。すなわち、試験室の標準温度は２３℃とし、許容差は±２℃とする。試験室の標準湿度は相対湿度で５０％とし、許容差は±１０％とする。
【００３３】
１．１．４．比重
本実施の形態に係る化学機械研磨パッドが備える研磨層の比重は、０．９０以上１．３０以下であることが好ましく、０．９５以上１．２０以下であることがより好ましい。研磨層の比重が前記範囲内であると、研磨層の硬度が適度となるため被研磨面の平坦性が良好になると共に、被研磨面の凹凸に対する研磨層の弾性変形（追随性）が適度となるため研磨欠陥（スクラッチ）を低減させることができる。研磨層の比重が前記範囲未満である場合、被研磨面の凹凸に対する研磨層の弾性変形が損なわれ、被研磨面の平坦性が悪化するため好ましくない。また、研磨層の比重が前記範囲を超える場合、研磨層の硬度が高くなりすぎて、研磨欠陥（スクラッチ）が増大するため好ましくない。なお、本発明において、研磨層の比重は、「ＪＩＳ  Ｚ８８０７」に準拠した方法で測定することができる。
【００３４】
なお、本実施の形態に係る化学機械研磨パッドが備える研磨層は、前記範囲の比重とする観点から、非発泡タイプであることが好ましい。なお、本発明において、非発泡タイプとは、実質的に気泡を含んでいない研磨層であることをいう。参考までに、現在市販されている発泡タイプの研磨層を備えるウレタンパッド、例えばＲＯＨＭ＆ＨＡＡＳ社製の「ＩＣ１０００」等の一般的な市販研磨パッドの比重は０．４０〜０．９０程度である。
【００３５】
１．１．５．デュロＤ硬度
研磨層のデュロＤ硬度は、研磨層全体のマクロな硬さ（変形の程度）を表す指標となる。本実施の形態に係る化学機械研磨パッドが備えるデュロＤ硬度は、４０Ｄ以上６０Ｄ以下であることが好ましく、４５Ｄ以上５５Ｄ以下であることがより好ましい。研磨層のデュロＤ硬度が前記範囲内であると、研磨層のデュロＤ硬度が適度であるため被研磨面の平坦性が良好になると共に、被研磨面の凹凸に対する研磨層の弾性変形（追随性）が適度となるため研磨欠陥（スクラッチ）を低減させることができる。研磨層のデュロＤ硬度が前記範囲未満であると、被研磨面の平坦性が悪化するため好ましくない。また、研磨層のデュロＤ硬度が前記範囲を超えると、研磨欠陥（スクラッチ）が増大するため好ましくない。なお、本発明において、研磨層のデュロＤ硬度は、「ＪＩＳ  Ｋ６２５３」に準拠した方法で測定することができる。
【００３６】
１．１．６．材料
本実施の形態に係る化学機械研磨パッドを構成する研磨層は、熱可塑性ポリウレタンおよびジエン系（共）重合体から選択される少なくとも１種を含有する組成物（以下、単に「組成物」ともいう）から後述する製造方法により形成される。前記組成物は、引張時における残留歪や破断伸びを特定の範囲に制御する観点から、ジエン系（共）重合体と有機過酸化物とを含有する組成物であることが好ましい。
【００３７】
１．１．６．１．ジエン系（共）重合体
前記組成物に用いることができるジエン系（共）重合体は、２個以上の重合性不飽和基を有するモノマーに由来する繰り返し単位を含むことが好ましいが、１，３−ブタジエンおよびイソプレンから選択される少なくとも１種に由来する繰り返し単位を含むことがより好ましい。このような化学構造を有するジエン系（共）重合体は、ゴム状弾性を示すために研磨層に柔軟性を付与しやすい。その結果、被研磨面と研磨層との間に入り込んだ研磨屑やパッド屑を柔軟な研磨層の表面で捕捉し、被研磨面へ強い押し付け圧で接触することを回避させることができるので、研磨欠陥の発生を低減できると考えられる。
【００３８】
前記ジエン系（共）重合体としては、特開２００１−３３４４５５号公報等に記載されている材料を好適に用いることができる。このようなジエン系（共）重合体としては、例えば、１，３−ブタジエン系（共）重合体、イソプレン系（共）重合体等が挙げられるが、１，３−ブタジエン系（共）重合体であることが好ましく、１，２−ポリブタジエンであることがより好ましい。なお、１，２−ポリブタジエン中の１，２−結合含量は、適宜の値のものを使用することができるが、研磨層を製造する際の加工性や研磨層に適切な硬度を付与する観点から、好ましくは８０％以上であり、より好ましくは８５％以上であり、特に好ましくは９０〜９５％である。
【００３９】
なお、前記組成物は、２種以上のジエン系（共）重合体を混合して使用してもよい。
【００４０】
１，３−ブタジエン系（共）重合体の中には、１，３−ブタジエン単独重合体と１，３−ブタジエン共重合体とが含まれる。なお、１，３−ブタジエン共重合体とは、１，３−ブタジエンと、１，３−ブタジエンと共重合可能な他のモノマーと、の共重合体を意味する。１，３−ブタジエンと共重合可能な他のモノマーとしては、例えば不飽和カルボン酸エステル化合物、シアン化ビニル化合物、芳香族系ビニル化合物、２個以上の重合性不飽和基を有する化合物、その他の重合性不飽和単量体等が挙げられる。
【００４１】
不飽和カルボン酸エステル化合物としては、例えば（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、ｉｓｏ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、ｉｓｏ−ブチル（メタ）アクリレート、ｓｅｃ−ブチル（メタ）アクリレート、ｔｅｒｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ｎ−アミル（メタ）アクリレート、ｎ−ヘキシル（メタ）アクリレート、２−エチルヘキシル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、２−メトキシエチル（メタ）アクリレート、メトキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００４２】
シアン化ビニル化合物としては、例えば（メタ）アクリロニトリル、α−クロロアクリロニトリル、シアン化ビニリデン等が挙げられる。
【００４３】
芳香族系ビニル化合物としては、例えばスチレン、２−メチルスチレン、３−メチルスチレン、４−メチルスチレン、α−メチルスチレン、２，４−ジメチルスチレン、２，４−ジイソプロピルスチレン、４−ｔｅｒｔ−ブチルスチレン、ｔｅｒｔ−ブトキシスチレン等が挙げられる。
【００４４】
２個以上の重合性不飽和基を有する化合物としては、エチレングリコール−ジ（メタ）アクリレート、プロピレングリコール−ジ（メタ）アクリレート、１，４−ブタンジオール−ジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオール−ジ（メタ）アクリレート、トリメチロールプロパン−ジ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトール−トリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトール−テトラ（メタ）アクリレート、ジビニルベンゼン、ジイソプロペニルベンゼン、トリビニルベンゼン、ヘキサメチレン−ジ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００４５】
その他の重合性不飽和単量体としては、共重合し得る不飽和基を１個以上有する化合物であればよく、その種類は特に限定されない。具体的には、（メタ）アクリル酸、マレイン酸、フマル酸、イタコン酸、テトラコン酸およびケイ皮酸等の不飽和カルボン酸類；塩化ビニル、塩化ビニリデン、（メタ）アクリルアミド、マレイミド等が挙げられる。
【００４６】
これらの１，３−ブタジエンと共重合可能な他のモノマーは、１種単独または２種以上を混合して、１，３−ブタジエンと共重合させることができる。
【００４７】
また、前記組成物がジエン系（共）重合体を含有する場合には、前記組成物中に有機過酸化物を添加して成型時にジエン系（共）重合体を架橋させることが好ましい。有機過酸化物の添加量や加熱条件を適宜調整することにより、研磨層の引張時における残留歪や破断伸びを本願発明の範囲に容易にコントロールすることができる。
【００４８】
有機過酸化物としては、例えば、１，１−ジ−ｔ−ブチルペルオキシ−３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、ｔ−ブチルクミルペルオキシド、ジクミルペルオキシド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）ヘキサン、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）ヘキシン、１，３−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ−ｉｓｏ−プロピル）ベンゼン、ｔ−ブチルペルオキシ−ｉｓｏ−プロピルカーボネート等が挙げられる。
【００４９】
１．１．６．２．熱可塑性ポリウレタン
前記組成物に用いることができる熱可塑性ポリウレタンは、脂環式イソシアネートおよび芳香族イソシアネートから選択される少なくとも１種に由来する繰り返し単位を含むことが好ましい。かかる化学構造を有する熱可塑性ポリウレタンは、その化学構造の自由度から、熱架橋性ポリウレタンよりも結晶性を低くすることができる。これにより、前記熱可塑性ポリウレタンは、熱架橋性ポリウレタンよりも柔軟性が大きくなる。その結果、研磨層の硬度を大きくして平滑性を向上させると共に、被研磨面と研磨層との間に入り込んだ研磨屑やパッド屑を柔軟な研磨層の表面で捕捉し、被研磨面へ強い押し付け圧で接触することを回避させることができるので、研磨欠陥の発生を抑制できると考えられる。
【００５０】
なお、前記組成物に含まれる熱可塑性ポリウレタンは、脂環式イソシアネートに由来する繰り返し単位を含むことがより好ましい。脂環式イソシアネートに由来する繰り返し単位を含むことにより、前記熱可塑性ポリウレタンが研磨層において適切な引張時の残留歪や破断伸びを発現すると共に、適切な硬度を発現し、かつ柔軟性がより大きくなるため、本発明の実施に好適となる。
【００５１】
前記脂環式イソシアネートとしては、例えば、イソホロンジイソシアネート（ＩＰＤＩ）、ノルボルネンジイソシアネート、水添４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート（水添ＭＤＩ）等が挙げられる。これらの脂環式イソシアネートは１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００５２】
前記芳香族イソシアネートとしては、例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、２，２’−ジフェニルメタンジイソシアネート、２，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、ｍ−フェニレンジイソシアネート、ｐ−キシレンジイソシアネート等の芳香族ジイソシアネート類が挙げられる。これらの中でも、水酸基との反応制御が容易な点から、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネートが好ましい。これらの芳香族イソシアネートは１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００５３】
前記組成物に含まれる熱可塑性ポリウレタンは、脂環式イソシアネートおよび芳香族イソシアネートを併用してもよいし、これら以外の他のイソシアネートを併用してもよい。他のイソシアネートとしては、例えば、エチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、１，６−ヘキサメチレンジイソシアネート等の脂肪族ジイソシアネート類が挙げられる。
【００５４】
また、前記組成物に含まれる熱可塑性ポリウレタンは、ポリエーテルポリオール、ポリエステルポリオール、ポリカーボネートポリオールおよびポリオレフィンポリオールから選択される少なくとも１種に由来する繰り返し単位をさらに含むことが好ましい。前記例示したポリオール類に由来する繰り返し単位を含むことで、熱可塑性ポリウレタンの耐水性がさらに向上する傾向がある。
【００５５】
また、前記組成物に含まれる熱可塑性ポリウレタンは、鎖延長剤に由来する繰り返し単位を含んでもよい。前記鎖延長剤としては、例えば、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，３−プロパンジオール、１，３−ブチレングリコール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオール、ネオペンチルグリコール、１，４−シクロヘキサンジメタノール、３−メチル−１，５−ペンタンジオール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、１，４−ビス（２−ヒドロキシエトキシ）ベンゼン等の低分子量二価アルコールが挙げられる。これらの中でも、イソシアネート基との反応制御が容易な点から、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，３−プロパンジオール、１，３−ブチレングリコール、１，４−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、１，６−ヘキサンジオールが好ましく、１，４−ブタンジオールがより好ましい。
【００５６】
前記組成物に含まれる熱可塑性ポリウレタンは、熱可塑性ポリウレタン１００質量部に対して、脂環式イソシアネートおよび芳香族イソシアネートから選択される少なくとも１種に由来する繰り返し単位を２〜６０質量部含有することが好ましく、３〜５５質量部含有することがより好ましい。脂環式イソシアネートおよび芳香族イソシアネートから選択される少なくとも１種に由来する繰り返し単位を前記範囲で含むことにより、熱可塑性ポリウレタンが研磨層において適切な引張時の残留歪や破断伸びを発現すると共に、適切な硬度を発現し、かつ柔軟性が大きくなるため、本発明の実施に好適となる。
【００５７】
前記組成物に含まれる熱可塑性ポリウレタンの製造方法は、特に限定されず、一般的なポリウレタンの製造方法（例えば、従来公知の一括法またはプレポリマー法等）に準じて製造することができる。
【００５８】
１．１．６．３．その他の成分
前記組成物は、水溶性粒子をさらに含んでもよい。かかる水溶性粒子は、組成物中に均一に分散された状態で存在していることが好ましい。このような組成物を用いることで、水溶性粒子が均一に分散された状態の研磨層が得られる。
【００５９】
前記水溶性粒子は、砥粒および薬液からなるスラリーと接触することにより、研磨層表面から水溶性粒子が遊離して、該スラリーを保持することのできる空孔（ポア）を形成する目的で用いられる。このため、気泡構造を有するポリウレタン発泡体を用いることなく、水溶性粒子を用いることで研磨層の表面に空孔が形成され、スラリーの保持がより良好となる。
【００６０】
前記組成物が水溶性粒子を含有する場合、前記研磨層は、（１）スラリーを保持する空孔を形成できることから被研磨面の研磨速度を向上させることができ、（２）非発泡タイプであるため機械的強度に優れ、さらに（３）発泡セル構造を均一に制御するという精緻な技術を用いる必要がないことから生産性に優れる点でより好ましい。
【００６１】
前記水溶性粒子としては、特に限定されないが、有機水溶性粒子および無機水溶性粒子が挙げられる。具体的には、水溶性高分子のように水に溶解する物質の他、吸水性樹脂のように水との接触により膨潤またはゲル化して研磨層表面から遊離することができる物質が挙げられる。
【００６２】
前記有機水溶性粒子を構成する材料としては、例えば、糖類（澱粉、デキストリンおよびシクロデキストリン等の多糖類、乳糖、マンニット等）、セルロース類（ヒドロキシプロピルセルロース、メチルセルロース等）、蛋白質、ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン、ポリアクリル酸、ポリエチレンオキサイド、スルホン化ポリイソプレン、スルホン化イソプレン共重合体等が挙げられる。
【００６３】
前記無機水溶性粒子を構成する材料としては、例えば、酢酸カリウム、硝酸カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、臭化カリウム、リン酸カリウム、硫酸カリウム、硫酸マグネシウム、硝酸カルシウム等が挙げられる。
【００６４】
前記水溶性粒子を構成する材料は、有機水溶性粒子または無機水溶性粒子を構成する材料を１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。なお、研磨層の硬度その他の機械的強度を適正な値とすることができるという観点から、水溶性粒子は中実体であることが好ましい。
【００６５】
前記組成物における水溶性粒子の含有量は、水溶性粒子を除く組成物の合計１００質量部に対して、３〜１５０質量部であることが好ましい。水溶性粒子の含有量が前記範囲にあると、化学機械研磨において高い研磨速度を示し、かつ適正な硬度その他の機械的強度を有する研磨層を製造することができる。
【００６６】
前記水溶性粒子の平均粒径は、好ましくは０．５〜２００μｍである。水溶性粒子が化学機械研磨パッドの研磨層表面から遊離することにより形成される空孔の大きさは、好ましくは０．１〜５００μｍ、より好ましくは０．５〜２００μｍである。水溶性粒子の平均粒径が前記範囲にあると、高い研磨速度を示し、かつ機械的強度に優れた研磨層を有する化学機械研磨パッドを製造することができる。
【００６７】
１．１．７．研磨層の形状および凹部
研磨層の平面形状は、特に限定されないが、例えば円形状であることができる。研磨層の平面形状が円形状である場合、その大きさは、好ましくは直径１５０ｍｍ〜１２００ｍｍ、より好ましくは直径５００ｍｍ〜１０００ｍｍである。研磨層の厚さは、好ましくは０．５ｍｍ〜５．０ｍｍ、より好ましくは１．０ｍｍ〜３．０ｍｍ、特に好ましくは１．５ｍｍ〜３．５ｍｍである。
【００６８】
研磨層の被研磨物と接触する面（以下、「研磨面」という）には、複数の凹部を形成してもよい。前記凹部は、ＣＭＰの際に供給されるスラリーを保持し、これを研磨面に均一に分配すると共に、研磨屑、パッド屑、使用済みのスラリー等の廃棄物を一時的に滞留させ、外部へ排出するための経路となる機能を有する。
【００６９】
凹部の深さは、好ましくは０．１ｍｍ以上、より好ましくは０．１ｍｍ〜２．５ｍｍ、特に好ましくは０．２ｍｍ〜２．０ｍｍとすることができる。凹部の幅は、好ましくは０．１ｍｍ以上、より好ましくは０．１ｍｍ〜５．０ｍｍ、特に好ましくは０．２ｍｍ〜３．０ｍｍとすることができる。研磨面において、隣接する凹部の間隔は、好ましくは０．０５ｍｍ以上、より好ましくは０．０５ｍｍ〜１００ｍｍ、特に好ましくは０．１ｍｍ〜１０ｍｍとすることができる。また、凹部の幅と隣り合う凹部の間の距離との和であるピッチは、好ましくは０．１５ｍｍ以上、より好ましくは０．１５ｍｍ〜１０５ｍｍ、特に好ましくは０．６ｍｍ〜１３ｍｍとすることができる。凹部は、前記範囲内の一定の間隔を設けて形成されたものであることができる。前記範囲の形状を有する凹部を形成することで、被研磨面のスクラッチ低減効果に優れ、寿命の長い化学機械研磨パッドを容易に製造することができる。
【００７０】
前記各好ましい範囲は、各々の組合せとすることができる。すなわち、例えば、深さが０．１ｍｍ以上、幅が０．１ｍｍ以上、間隔が０．０５ｍｍ以上であることが好ましく、深さが０．１ｍｍ〜２．５ｍｍ、幅が０．１ｍｍ〜５．０ｍｍ、間隔が０．０５ｍｍ〜１００ｍｍであることがより好ましく、深さが０．２ｍｍ〜２．０ｍｍ、幅が０．２ｍｍ〜３．０ｍｍ、間隔が０．１ｍｍ〜１０ｍｍであることが特に好ましい。
【００７１】
前記凹部を加工するための工具は、特開２００６−１６７８１１号公報、特開２００１−１８１６４号公報、特開２００８−１８３６５７号公報等に記載されている形状の多刃工具を用いることができる。使用する工具の切削刃は、ダイヤモンドあるいは、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｖ等の周期表第４、５、６族金属から選択された少なくとも１種の金属元素と、窒素、炭素および酸素から選択された少なくとも１種の非金属元素と、で構成されるコーティング層を有してもよい。さらにコーティング層は１層設ける場合に限らず、材料を違えて複数層設けてもよい。このようなコーティング層の膜厚は、０．１〜５μｍが好ましく、１．５〜４μｍがより好ましい。コーティング層の成膜には、アークイオンプレーティング装置等の公知の技術を工具材質、コーティング材質等に応じて適時選択して使用することができる。
【００７２】
１．１．８．製造方法
本実施の形態で用いられる研磨層は、熱可塑性ポリウレタンおよびジエン系（共）重合体から選択される少なくとも１種を含有する組成物を成型することにより得られる。組成物の混練は、公知の混練機等により行うことができる。混練機としては、例えば、ロール、ニーダー、バンバリーミキサー、押出機（単軸、多軸）等が挙げられる。組成物から研磨層を成型する方法としては、１２０℃〜２３０℃で可塑化した前記組成物をプレス成形、押出成形または射出成形し、可塑化・シート化する方法により成型すればよい。かかる成型条件を適宜調整することで引張時における残留歪や破断伸びをコントロールすることもできる。
【００７３】
このようにして成型した後、切削加工により研磨面に凹部を形成してもよい。また、凹部となるパターンが形成された金型を用いて前述した組成物を金型成型することにより、研磨層の概形と共に凹部を同時に形成することもできる。
【００７４】
１．２．支持層
本実施の形態に係る化学機械研磨パッドは、前述した研磨層のみで構成される場合もあるが、前記研磨層の研磨面とは反対側の面に支持層を設けてもよい。
【００７５】
支持層は、化学機械研磨パッドにおいて、研磨装置用定盤に研磨層を支持するために用いられる。支持層は、接着層であってもよいし、接着層を両面に有するクッション層であってもよい。
【００７６】
接着層は、例えば粘着シートからなることができる。粘着シートの厚さは、５０μｍ〜２５０μｍであることが好ましい。５０μｍ以上の厚さを有することで、研磨層の研磨面側からの圧力を十分に緩和することができ、２５０μｍ以下の厚さを有することで、凹凸の影響を研磨性能に与えない程度に均一な厚みを有する化学機械研磨パッドが得られる。
【００７７】
粘着シートの材質としては、研磨層を研磨装置用定盤に固定することができれば特に限定されないが、研磨層より弾性率の低いアクリル系またはゴム系の材質であることが好ましい。
【００７８】
粘着シートの接着強度は、化学機械研磨パッドを研磨装置用定盤に固定することができれば特に限定されないが、「ＪＩＳ  Ｚ０２３７」の規格で粘着シートの接着強度を測定した場合、その接着強度が好ましくは３Ｎ／２５ｍｍ以上、より好ましくは４Ｎ／２５ｍｍ以上、特に好ましくは１０Ｎ／２５ｍｍ以上である。
【００７９】
クッション層は、研磨層よりも硬度が低い材質からなれば、その材質は特に限定されず、多孔質体（発泡体）または非多孔質体であってもよい。クッション層としては、例えば、発泡ポリウレタン等を成形した層が挙げられる。クッション層の厚さは、好ましくは０．１ｍｍ〜５．０ｍｍ、より好ましくは０．５ｍｍ〜２．０ｍｍである。
【００８０】
２．化学機械研磨方法
本実施の形態に係る化学機械研磨方法は、前述の化学機械研磨パッドを用いて化学機械研磨することを特徴とする。前述の化学機械研磨パッドは、特定の範囲の引張時における残留歪および破断伸びを兼ね備えた研磨層を有している。そのため、本実施の形態に係る化学機械研磨方法によれば、摩耗による研磨層表面の毛羽立ちや粗大なパッド屑の発生を低減することができ、ひいてはＣＭＰにおける被研磨面の平坦性の向上と研磨欠陥（スクラッチ）の低減とを両立させることができる。
【００８１】
本実施の形態に係る化学機械研磨方法においては、市販の化学機械研磨装置を用いることができる。市販の化学機械研磨装置としては、例えば、型式「ＥＰＯ−１１２」、型式「ＥＰＯ−２２２」（以上、株式会社荏原製作所製）；型式「ＬＧＰ−５１０」、型式「ＬＧＰ−５５２」（以上、ラップマスターＳＦＴ社製）；型式「Ｍｉｒｒａ」、型式「Ｒｅｆｌｅｘｉｏｎ  ＬＫ」（以上、アプライドマテリアル社製）等が挙げられる。
【００８２】
また、スラリーとしては、研磨対象（銅膜、絶縁膜、低誘電率絶縁膜等）に応じて適宜最適なものを選択することができる。
【００８３】
３．実施例
以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。
【００８４】
３．１．化学機械研磨パッドの製造
３．１．１．実施例１
アクリロニトリル−ブタジエン共重合体（ＪＳＲ株式会社製、商品名「Ｎ２０２Ｓ」）を６０質量部、１，２−ポリブタジエン（ＪＳＲ株式会社製、商品名「ＲＢ８３０」）４０質量部、水溶性粒子としてβ−サイクロデキストリン（塩水港精糖株式会社製、商品名「デキシパールβ−１００」、平均粒径２０μｍ）３８質量部を、１２０℃に調温されたニーダーにより混練してポリマー組成物を得た後、有機過酸化物（日油株式会社製、商品名「パークミルＤ」）１．５質量部を添加しさらに混練して組成物を作製し、ロールによりシート状に成形した。このようにして作製したシートを、プレス金型内で１７０℃で圧縮成型し、直径８４５ｍｍ、厚さ３．２ｍｍの円柱状の成型体を作製した。次に、作製した成型体の表面をサンドペーパーで研磨し、厚みを調整し、さらに切削加工機（加藤機械株式会社製）により幅０．５ｍｍ、深さ１．４ｍｍ、ピッチ１．５ｍｍの同心円状の凹部を形成し外周部を切り離すことで、直径７６２ｍｍ、厚さ２．８ｍｍの研磨層を得た。このようにして作製した研磨層の凹部を形成していない面へ、両面テープ＃４４２ＪＡ（３Ｍ社製）をラミネートし、化学機械研磨パッドを作製した。
【００８５】
３．１．２．実施例２〜５、比較例１〜２
組成物の各成分の種類および含有量を表１に記載のものに変更したこと以外は、実施例１と同様にして実施例２〜５、比較例１〜２の化学機械研磨パッドを作製した。
【００８６】
３．１．３．比較例３
市販の化学機械研磨パッド（ＲＯＨＭ＆ＨＡＡＳ社製、商品名「ＩＣ１０００」、熱架橋ポリウレタン樹脂により研磨層が作製されている）を使用した。
【００８７】
なお、表１における各成分の略称は、以下の通りである。
・「Ｎ２０２Ｓ」：部分架橋タイプのアクリロニトリル−ブタジエン共重合体（ＪＳＲ株式会社製、商品名「Ｎ２０２Ｓ」、結合アクリロニトリル４０％）
・「Ｎ２１０Ｓ」：部分架橋タイプのアクリロニトリル−ブタジエン共重合体（ＪＳＲ株式会社製、商品名「Ｎ２１０Ｓ」、結合アクリロニトリル３０％）
・「ＲＢ８３０」：１，２−ポリブタジエン（ＪＳＲ株式会社製、商品名「ＲＢ８３０」）
・「ＤＣＰ」：有機過酸化物（日油株式会社製、商品名「パークミルＤ」）
・「β−ＣＤ」：β−サイクロデキストリン（平均粒径２０μｍ、塩水港精糖株式会社製、商品名「デキシパールβ−１００」）
【００８８】
３．２．研磨層の物性評価
３．２．１．引張時における残留歪
前記「３．１．化学機械研磨パッドの製造」で作製した研磨層およびＩＣ１０００の各研磨層の凹部が形成されていない部分から試験片を作製し、引張時における残留歪を測定した。引張時における残留歪は、「ＪＩＳ  Ｋ６２７０」に準拠して測定した。なお、測定時の温度は２３℃であり、湿度は相対湿度で５０％であった。その結果を表１に併せて示す。
【００８９】
３．２．２．引張時における破断伸び
前記「３．１．化学機械研磨パッドの製造」で作製した研磨層およびＩＣ１０００の各研磨層の凹部が形成されていない部分から試験片を作製し、引張時における破断伸びを測定した。引張時における破断伸びは、「ＪＩＳ  Ｋ６２５１」の切断時伸びの測定方法に準拠して測定した。なお、測定時の温度は２３℃であり、湿度は相対湿度で５０％であった。その結果を表１に併せて示す。
【００９０】
３．２．３．引張時における破断強度
前記「３．１．化学機械研磨パッドの製造」で作製した研磨層およびＩＣ１０００の各研磨層の凹部が形成されていない部分から試験片を作製し、引張時における破断強度（引張応力）を測定した。引張時における破断強度（引張応力）は、「ＪＩＳ  Ｋ６２５１」の切断時引張応力の測定方法に準拠して測定した。なお、測定時の温度は２３℃であり、湿度は相対湿度で５０％であった。その結果を表１に併せて示す。
【００９１】
３．２．４．比重
前記「３．１．化学機械研磨パッドの製造」で作製した研磨層およびＩＣ１０００の各研磨層について、比重を測定した。研磨層の比重は、「ＪＩＳ  Ｚ８８０７」に準拠して測定した。その結果を表１に併せて示す。
【００９２】
３．２．５．デュロＤ硬度
前記「３．１．化学機械研磨パッドの製造」で作製した研磨層およびＩＣ１０００の各研磨層について、デュロＤ硬度を測定した。研磨層のデュロＤ硬度は、「ＪＩＳ  Ｋ６２５３」に準拠して測定した。その結果を表１に併せて示す。
【００９３】
３．３．化学機械研磨の評価
前記「３．１．化学機械研磨パッドの製造」で製造した化学機械研磨パッドを化学機械研磨装置（アプライドマテリアル社製、形式「Ｒｅｆｌｅｘｉｏｎ  ＬＫ」）に装着し、ドレッサー（３Ｍ社製、商品名「Ａ１６５」）を用いてテーブル回転数４２ｒｐｍ、ドレッシング回転数４０ｒｐｍ、ドレッシング荷重６．０ｌｂｆの条件でドレッシングを３０分行った。その後、ドレッシングした化学機械研磨パッドを用いて以下の条件にて化学機械研磨を行い、研磨特性を評価した。その結果を表１に併せて示す。
・ヘッド回転数：３８ｒｐｍ
・ヘッド荷重：２ｐｓｉ（１３．８ｋＰａ）
・テーブル回転数：４２ｒｐｍ
・スラリー供給速度：２００ｃｍ３／分
・スラリー：ＣＭＳ７４０１／ＣＭＳ７４５２（ＪＳＲ株式会社製）
【００９４】
３．３．１．平坦性の評価
被研磨物として、シリコン基板上にＰＥＴＥＯＳ膜を５００ｎｍ順次積層させた後、「ＳＥＭＡＴＥＣＨ  ７５４」マスクパターン加工し、その上に２５ｎｍのタンタルナイトライド膜、７００ｎｍの銅膜を順次積層させたテスト用の基板を用いた。
【００９５】
前記「３．３．化学機械研磨の評価」に記載の条件で、前記被研磨物を化学機械研磨装置付帯のエンドポイントシステムを使用して銅の残膜厚が約３００ｎｍになるまで研磨した後に、幅１００μｍの銅配線部と幅１００μｍの絶縁部とが交互に連続したパターンが長さ方向に対して垂直方向に３．０ｍｍ連続した部分について、精密段差計（ケーエルエー・テンコール社製、形式「ＨＲＰ−３４０」）を使用して、配線幅１００μｍ部分の銅配線の窪み量（以下、「ディッシング量」ともいう）を測定することによりディッシングを評価し、平坦性の指標とした。その結果を表１に示す。なお、ディッシング量は、好ましくは３０ｎｍ未満、より好ましくは２５ｎｍ未満、特に好ましくは２０ｎｍ未満である。
【００９６】
３．３．２．スクラッチの評価
被研磨物として、熱酸化膜付きシリコン基板上に膜厚１５００ｎｍの銅膜が設けられた基板を用いて、上述の条件で１分間化学機械研磨を行い、ウエハの被研磨面において、ウエハ欠陥検査装置（ケーエルエー・テンコール社製、型式「ＫＬＡ２３５１」）を使用して、ウエハ全面におけるスクラッチの個数を測定した。なお、スクラッチは、好ましくは３０個未満、より好ましくは２０個未満、特に好ましくは１５個未満である。
【００９７】
【表１】
2012056021.tif 000002
【００９８】
３．４．化学機械研磨パッドの評価結果
表１によれば、実施例１〜５の化学機械研磨パッドは、いずれも引張時における残留歪および破断伸びの要件を満たした研磨層を備えている。そのため、ドレッシング後の研磨層表面の毛羽立ちや粗大なパッド屑が低減されることで、平坦性、スクラッチの２項目の研磨特性においていずれも好ましい結果が得られた。
【００９９】
これに対して、比較例１〜３の化学機械研磨パッドは、上述した２項目の各研磨特性のうち、１項目以上が不良となる結果が得られた。比較例１では、研磨層の引張時における残留歪および破断伸びが共に要件を満たさないことにより平坦性が不良となった。また、比較例２では、研磨層の引張時における残留歪は要件を満たすものの、引張時における破断伸びが要件を満たさないことにより平坦性が不良となった。
【０１００】
また、比較例３のように発泡構造を有する研磨層を備えた市販パッドでは引張時における残留歪は要件を満たすものの、引張時における破断伸びが要件を満たさないことで、スクラッチの研磨特性において劣る結果となった。
【０１０１】
以上の実施例および比較例の結果から明らかであるように、本発明にかかる化学機械研磨パッドは、研磨層の引張時における残留歪と破断伸びを特定することで、平坦性およびスクラッチ性能に優れた化学機械研磨パッドを製造することができた。
【０１０２】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成または同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。