(57)【要約】【課題】電子部品素子を覆うように形成された封止樹脂の帯電が防止された電子部品を提供する。【解決手段】電子部品は、実装基板１０と、実装基板１０上に実装された弾性表面波素子２０と、実装基板１０上に実装された弾性表面波素子２０を覆うように形成された封止樹脂４０と、封止樹脂４０の表面に形成された導電層５０とを備え、導電層５０は封止樹脂４０よりも電気抵抗値が低い。【選択図】図１
2012186634.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
実装基板と、
前記実装基板上に実装された電子部品素子と、
前記実装基板上に実装された前記電子部品素子を覆うように形成された封止樹脂と、
前記封止樹脂の表面に形成された導電層とを備え、
前記導電層は前記封止樹脂よりも電気抵抗値が低い、電子部品。
【請求項２】
前記電子部品は、圧電基板を備えている弾性表面波装置である、請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記導電層は、カーボン、カーボンを主成分とする材料、導電性樹脂のいずれかからなる、請求項１または請求項２に記載の電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品に関し、特に、電子部品素子を覆う封止樹脂が形成された電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯電話機などの通信機におけるＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）回路に、帯域通過フィルタや分波器として、弾性表面波を利用した弾性表面波装置が搭載されている。近年、通信機器の高機能化、小型化、軽量化が進んでおり、ＲＦ回路に搭載される弾性表面波装置に対しても、小型化、軽量化、薄型化が求められている。このような要望を満足し得る弾性表面波装置として、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）型の弾性表面波装置が実用化されている。
【０００３】
ＣＳＰ型の弾性表面波装置は、弾性表面波素子と、実装基板とを備えている。弾性表面波素子は、圧電基板と、少なくとも一つのインターデジタルトランスデューサ電極（以下、「ＩＤＴ電極」という。）と、その少なくとも一つのＩＤＴ電極に接続されている複数の電極パッドとを備えている。少なくとも一つのＩＤＴ電極と、複数の電極パッドとは、圧電基板の上に形成されている。複数の電極パッドのそれぞれの上には、バンプが形成されている。実装基板のダイアタッチ面には、複数の実装電極が形成されている。弾性表面波素子は、複数の電極パッドがそれぞれバンプにより実装電極に接合されることにより、実装基板のダイアタッチ面にフリップチップ実装されている。弾性表面波素子は、実装基板上に形成された封止樹脂により封止されている。このようなＣＳＰ型の弾性表面波装置の一例が、下記の特許文献１に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１００９４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
一般に、弾性表面波装置などの電子部品は、エンボスキャリアテープに梱包されて出荷される。図３に、ＣＳＰ型の弾性表面波装置を収納したキャリアテープの断面図を示す。
【０００６】
図３に示すように、エンボスキャリアテープは、長尺状のキャリアテープ本体１００と、カバーテープ２００とを有する。キャリアテープ本体１００は樹脂からなり、複数の凹部１００Ａを有する。凹部１００Ａには、ＣＳＰ型の弾性表面波装置１Ａが収納される。カバーテープ２００は樹脂からなり、ＣＳＰ型の弾性表面波装置１Ａが収納された凹部１００Ａの開口部を封止している。ＣＳＰ型の弾性表面波装置１Ａを収納したエンボスキャリアテープは、リールに巻きつけられる。ＣＳＰ型の弾性表面波装置１Ａを通信機のＲＦ回路に搭載する際には、自動実装機により、カバーテープ２００が剥がされ、キャリアテープ本体１００の凹部１００ＡからＣＳＰ型の弾性表面波装置１Ａが取り出されることになる。
【０００７】
ＣＳＰ型の弾性表面波装置においては、封止樹脂が帯電することがある。たとえば、製品を出荷する際の振動で、封止樹脂がエンボスキャリアテープのカバーテープ２００と接触することによって、封止樹脂が帯電することがある。また、圧電基板を備えている弾性表面波装置では、圧電基板として用いられるＬｉＮｂＯ３基板やＬｉＴａＯ３基板が焦電性を有するため、製造プロセスにおける加熱工程（たとえば２００℃以上程度）において、圧電基板で電荷が発生し、封止樹脂が帯電することがある。封止樹脂が帯電することにより、様々な問題が発生する。
【０００８】
たとえば、封止樹脂が帯電した場合、自動実装機で実装する際にエンボスキャリアテープのカバーテープ２００を剥がすと、図３の右端に示すように、ＣＳＰ型の弾性表面波装置がカバーテープ２００にくっつくことがある。この結果、ＣＳＰ型の弾性表面波装置を実装することができなかったり、実装する位置がずれたりすることがある。このような問題を解決するために、帯電しにくい材料によってエンボスキャリアテープのカバーテープ２００を形成することが考えられる。しかし、封止樹脂の帯電量が多い場合には、上記の問題の発生を完全に防止することはできない。
【０００９】
また、封止樹脂が帯電すると、ＣＳＰ型の弾性表面波装置を出荷する前に行なわれる電気的特性の測定の際に、測定装置や測定治具にＣＳＰ型の弾性表面波装置が付着することがある。この結果、電気的特性の測定を適切に行なうことが出来ないことがある。
【００１０】
上記のような問題は、ＣＳＰ型の弾性表面波装置だけではなく、実装基板と、実装基板の上に実装された電子部品素子と、電子部品素子を覆うように形成された封止樹脂とを有する樹脂封止型電子部品において一般的に発生している。ただし、ＣＳＰ型の弾性表面波装置は、近年の小型化（大きさの一例としては、たとえば、２．０ｍｍ×１．６ｍｍ×０．５ｍｍ）、軽量化、薄型化により、特にカバーテープ２００にくっつきやすい状態にある。
【００１１】
本発明は、上記のような問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、電子部品素子を覆うように形成された封止樹脂の帯電が防止された電子部品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る電子部品は、実装基板と、実装基板上に実装された電子部品素子と、実装基板上に実装された電子部品素子を覆うように形成された封止樹脂と、封止樹脂の表面に形成された導電層とを備え、導電層は封止樹脂よりも電気抵抗値が低い。
【００１３】
１つの実施態様では、上記電子部品において、電子部品は、圧電基板を備えている弾性表面波装置である。
【００１４】
１つの実施態様では、上記電子部品において、導電層は、カーボン、カーボンを主成分とする材料、導電性樹脂のいずれかからなる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、電子部品において、電子部品素子を覆うように形成された封止樹脂の帯電を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の１つの実施の形態に係る電子部品を示す断面図である。
【図２】本発明の１つの実施の形態に係る電子部品の製造方法の各工程を示す断面図である。
【図３】従来の電子部品を収納したキャリアテープの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本実施の形態に係る電子部品について、図１に示す弾性表面波装置１を例に挙げて説明する。ただし、弾性表面波装置１は、単なる例示である。本発明に係る電子部品は、弾性表面波装置１に何ら限定されない。
【００１８】
なお、以下に説明する実施の形態において、同一または相当する部分に同一の参照符号を付し、その説明を繰返さない場合がある。また、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。また、以下の実施の形態において、各々の構成要素は、特に記載がある場合を除き、本発明にとって必ずしも必須のものではない。
【００１９】
図１は、本発明の１つの実施の形態に係る弾性表面波装置１を示す断面図である。本実施の形態に係る弾性表面波装置１は、ＣＳＰ型の弾性表面波装置である。
【００２０】
図１に示すように、弾性表面波装置１は、実装基板１０と、実装基板１０のダイアタッチ面１０Ａ上に、バンプ３０を介してフリップチップ実装されている弾性表面波素子２０とを備えている。弾性表面波素子２０は、電子部品素子である。弾性表面波素子２０は、実装基板１０の上に形成されている封止樹脂４０により封止されている。すなわち、封止樹脂４０は、弾性表面波素子２０を覆うように形成されている。封止樹脂４０は、たとえば、エポキシ樹脂などの適宜の樹脂により形成することができる。
【００２１】
なお、弾性表面波素子２０と実装基板１０とが対向している領域、すなわち、弾性表面波が伝搬する領域には、封止樹脂４０が形成されておらず、空間が確保されている。弾性表面波装置１は、たとえば、弾性表面波共振子であってもよいし、弾性表面波フィルタであってもよいし、弾性表面波分波器であってもよい。
【００２２】
弾性表面波素子２０は、圧電基板２１を備えている。圧電基板２１は、適宜の圧電材料からなる基板を用いることができる。具体的には、圧電基板２１としては、たとえば、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）基板、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）基板、水晶基板などを用いることができる。
【００２３】
圧電基板２１の実装基板１０側の表面の上には、少なくとも一つのＩＤＴ電極２２と、複数の電極パッド２３とが形成されている。ＩＤＴ電極２２は、互いに間挿し合っている一対のくし歯状電極を有する。ＩＤＴ電極２２は、たとえば、Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ａｌ及びＰｄからなる群から選ばれた金属、または、Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ａｌ及びＰｄからなる群から選ばれた一種以上の金属を含む合金などにより形成することができる。また、ＩＤＴ電極２２は、上記金属や合金などからなる複数の導電膜の積層体により構成することもできる。
【００２４】
ＩＤＴ電極２２には、複数の電極パッド２３が電気的に接続されている。電極パッド２３も、上記ＩＤＴ電極２２と同様に、たとえば、Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ａｌ及びＰｄからなる群から選ばれた金属、または、Ｐｔ，Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｗ，Ｔａ，Ｆｅ，Ｃｒ，Ａｌ及びＰｄからなる群から選ばれた一種以上の金属を含む合金などにより形成することができる。また、電極パッド２３は、上記金属や合金などからなる複数の導電膜の積層体により構成することもできる。
【００２５】
複数の電極パッド２３のそれぞれの上には、バンプ３０が形成されている。複数の電極パッド２３は、それぞれこのバンプ３０により、後述する実装基板１０のダイアタッチ面１０Ａの上に設けられている実装電極１１と接合されている。すなわち、複数の電極パッド２３は、バンプ３０により、実装基板１０のダイアタッチ面１０Ａの上に設けられている実装電極１１と、電気的にも機械的にも接続されている。このようにして、弾性表面波素子２０は、実装基板１０のダイアタッチ面１０Ａにフリップチップ実装されている。本実施の形態においては、バンプ３０は、Ａｕからなる。バンプ３０は、半田からなるものであってもよい。
【００２６】
実装基板１０は、３つの樹脂層１２（１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ）を積層することによって構成されている。すなわち、実装基板１０は、３つの樹脂層１２（１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ）を備えている樹脂基板である。樹脂層１２（１２Ａ，１２Ｂ．１２Ｃ）は、たとえば、ガラス織布にエポキシ系樹脂が含浸してなるガラスエポキシからなるガラスエポキシ樹脂層により構成することができる。実装基板１０は、アルミナからなるセラミック層を備えているＨＴＣＣ（Ｈｉｇｈ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃｓ）基板であってもよいし、ガラス・セラミックからなるセラミック層を備えているＬＴＣＣ（Ｌｏｗ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏ−ｆｉｒｅｄ  Ｃｅｒａｍｉｃｓ）基板であってもよい。
【００２７】
実装基板１０のダイアタッチ面１０Ａの上には、複数の実装電極１１が形成されている。実装電極１１の少なくとも表層は、Ａｕからなる。実装電極１１は、Ａｕからなるバンプ３０とＡｕ−Ａｕ接合（金属結合）されている。
【００２８】
実装基板１０におけるダイアタッチ面１０Ａと反対側の表面、すなわち、実装基板１０の裏面１０Ｂの上には、複数の端子電極１３が形成されている。端子電極１３は、弾性表面波装置１が搭載される通信機器のＲＦ回路と接続される電極である。端子電極１３は、適宜の導電材料により形成することができる。
【００２９】
実装基板１０には、配線１４が形成されている。この配線１４により、実装電極１１と端子電極１３とが電気的に接続されている。配線１４は、実装基板１０の実装電極１１が形成されているダイアタッチ面１０Ａと実装基板１０の内部とに形成されている。配線１４は、実装基板１０の樹脂層を貫通するように形成されている複数のビアホール内に形成されているビアホール導体を含む。換言すれば、ビアホール導体は、配線１４の一部を構成している。
【００３０】
配線１４は、実装基板を構成する複数の樹脂層１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃの表面および樹脂層１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃに形成されたビアホール内に形成される。これにより、ダイアタッチ面１０Ａと実装基板１０の内部とに配線１４を形成することができる。
【００３１】
配線１４は、適宜の導電材料により形成することができる。具体的には、配線１４は、たとえば、ＣｕやＷ、ＣｕやＷを含む合金により形成することができる。
【００３２】
封止樹脂４０は、カーボンブラックを含有するエポキシ樹脂からなる。カーボンブラックを含有するエポキシ樹脂は、カーボンブラックにより、一般的なエポキシ樹脂よりも導電率が低く、帯電しにくい。封止樹脂４０が、カーボンブラックを含有するエポキシ樹脂からなることにより、弾性表面波装置１の外観は黒くなる。
【００３３】
封止樹脂４０の表面には、導電層５０が形成されている。具体的には、封止樹脂４０の上面４０Ａ上に、導電層５０が形成されている。導電層５０は、封止樹脂４０よりも電気抵抗値が低い。導電層５０は、カーボンからなる。導電層５０の厚さは、たとえば、１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下程度である。導電層５０の形成方法などの詳細については、後述する。
【００３４】
次に、本実施の形態に係る弾性表面波装置１の製造方法の一例について、図２を用いて説明する。図２は、本発明の１つの実施の形態に係る弾性表面波装置１の製造方法の各工程を示す断面図である。
【００３５】
まず、図２（ａ）に示すように、弾性表面波素子２０の複数の電極パッド２３のそれぞれの上に、バンプ３０を形成する。バンプ３０の形成方法は、特に限定されない。バンプ３０は、たとえば、スタッドバンプ法により形成することができる。
【００３６】
次に、図２（ｂ）に示すように、弾性表面波素子２０の複数の電極パッド２３のそれぞれの上に形成されたバンプ３０と、実装基板１０の実装電極１１とを接合する接合工程を行なうことにより、弾性表面波素子２０を実装基板１０のダイアタッチ面１０Ａにフリップチップ実装する。接合工程では、弾性表面波素子２０の複数の電極パッド２３のそれぞれの上に形成されたバンプ３０と、実装基板１０の実装電極１１とを接触させた状態で、バンプ３０と実装電極１１とを加熱しながら、実装基板１０と弾性表面波素子２０とが互いに近づく方向に弾性表面波素子２０に荷重を加えると共に、超音波を印加する。
【００３７】
そして、図２（ｃ）に示すように、弾性表面波素子２０を封止樹脂４０により封止する。すなわち、弾性表面波素子２０を覆うように封止樹脂４０を形成する。具体的には、封止樹脂シートを弾性表面波素子２０の上に配置し、真空状態で加熱して熱硬化することにより、封止樹脂４０を形成する。
【００３８】
最後に、図２（ｄ）に示すように、封止樹脂４０の表面に導電層５０を形成する。具体的には、封止樹脂４０の上面４０Ａ上に、導電層５０を形成する。たとえば、蒸着法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スパッタリング法などにより導電層５０を形成する。本実施の形態では、導電層５０は、カーボンからなるが、本発明の範囲はこれに限定されない。たとえば、導電層５０は、カーボンを主成分とする材料からなるものであってもよいし、導電性樹脂からなるものであってもよい。本実施の形態では、以上のようにして、弾性表面波装置１を完成させる。
【００３９】
なお、ＲＦ回路に搭載される弾性表面波装置などの高周波デバイスにおいては、導電層５０の電気抵抗値が低すぎると、弾性表面波素子２０を構成する電極と導電層５０との間に寄生容量が形成され、電気特性が変化することが懸念される。他方で、導電層５０の電気抵抗値が高すぎると、後述する封止樹脂４０が帯電しにくいという効果を奏しにくくなる。したがって、導電層５０は、その電気抵抗値が１０6Ω以上１０9Ω以下程度であることが好ましい。
【００４０】
本実施の形態に係る弾性表面波装置１は、封止樹脂４０の表面に導電層５０が形成されている。そのため、封止樹脂４０が帯電しにくくなり、弾性表面波装置１がエンボスキャリアテープのカバーテープ、測定装置、測定治具などに付着するといった問題の発生を防ぐことができる。
【００４１】
なお、上記の導電層５０は、図１等に示すように、封止樹脂４０の上面４０Ａの全体に形成されることが好ましい。ただし、導電層５０を形成する範囲は、適宜変更可能である。たとえば、導電層５０は、封止樹脂４０の上面４０Ａの一部のみに形成されるものであってもよい。また、導電層５０は、封止樹脂４０の上面４０Ａの全体に加えて、封止樹脂４０の側面４０Ｂ，４０Ｃの一部または全部に形成されるものであってもよい。導電層５０をスパッタリング法により形成することで、導電層５０を封止樹脂４０の側面４０Ｂ，４０Ｃ上にも形成することが可能である。このようにすることで、エンボスキャリアテープのカバーテープを剥がすときに、弾性表面波装置１がカバーテープに付着することを確実に防止することができる。
【００４２】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００４３】
１  弾性表面波装置
１０  実装基板
１０Ａ  ダイアタッチ面
１０Ｂ  裏面
１１  実装電極
１２，１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ  樹脂層
１３  端子電極
１４  配線
２０  弾性表面波素子
２１  圧電基板
２２  ＩＤＴ電極
２３  電極パッド
３０  バンプ
４０  封止樹脂
４０Ａ  上面
４０Ｂ，４０Ｃ  側面
５０  導電層
【図１】
2012186634.tif 000003
【図２】
2012186634.tif 000004
【図３】
2012186634.tif 000005