(57)【要約】【課題】支持基材上に基材を仮固定して基材を加工したのち支持基材から基材を脱離させる際に、基材の支持基材側に形成されている銅を含有する導電部の導電率の低下を抑制し得る基材の加工方法を提供すること。【解決手段】本発明の基材の加工方法は、ノルボルネン系樹脂を主材料とする樹脂成分を含む仮固定剤を、銅を含有する導電部を有する機能面を備える基材と、支持基材とのうちの少なくとも一方に供給したのち乾燥させて薄膜を形成する第１の工程と、薄膜を介して、基材と支持基材とを、機能面を支持基材側にして貼り合わせる第２の工程と、基材の機能面と反対側の面を加工する第３の工程と、薄膜を加熱して樹脂成分を熱分解させることで、基材を支持基材から脱離させる第４の工程とを有し、第４の工程において、基材を支持基材から３０ｐｐｍ以下の酸素濃度の非酸化性雰囲気下で脱離させた後、前記基材を冷却する。【選択図】図１
2012126801.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ノルボルネン系樹脂を主材料とする樹脂成分を含む樹脂組成物で構成される仮固定剤を、銅を含有する導電部を有する機能面を備える基材と、該基材を支持するための支持基材とのうちの少なくとも一方に供給したのち乾燥させて薄膜を形成する第１の工程と、
前記薄膜を介して、前記基材と前記支持基材とを、前記機能面を前記支持基材側にして貼り合わせる第２の工程と、
前記基材の前記機能面と反対側の面を加工する第３の工程と、
前記薄膜を加熱することで、前記基材を前記支持基材から脱離させる第４の工程とを有し、
前記第４の工程において、前記基材を前記支持基材から３０ｐｐｍ以下の酸素濃度の非酸化性雰囲気下で脱離させた後、前記基材を冷却することを特徴とする基材の加工方法。
【請求項２】
前記第４の工程において、前記薄膜の加熱により、前記樹脂成分が熱分解して溶融または気化することで、前記基材が前記支持基材から脱離される請求項１に記載の基材の加工方法。
【請求項３】
前記第４の工程において、前記薄膜を２００℃以上に加熱して前記基材を前記支持基材から脱離させる請求項１または２に記載の基材の加工方法。
【請求項４】
前記第４の工程において、前記基材の前記支持基材からの脱離の後、前記基材を２００℃未満に冷却する請求項１ないし３のいずれかに記載の基材の加工方法。
【請求項５】
前記第４の工程における前記非酸化性雰囲気は、不活性ガス雰囲気である請求項１ないし４のいずれかに記載の基材の加工方法。
【請求項６】
前記第１の工程において、前記基材および前記支持基材のうちの前記支持基材に対して選択的に前記仮固定剤を供給して前記薄膜を形成する請求項１ないし５のいずれかに記載の基材の加工方法。
【請求項７】
前記第１の工程において、前記薄膜を、その平均厚さが１０〜１００μｍの厚さとなるように形成する請求項１ないし６のいずれかに記載の基材の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材の加工方法、特に、仮固定剤を用いて基材を支持基材に仮固定して基材を加工する基材の加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハに研磨やエッチング等の加工を行うためには、半導体ウエハを支持するための基材上に半導体ウエハを一時的に仮固定する必要があり、そのための様々な方法が提案されている。例えば、現在では基材としてのＰＥＴフィルムに接着層を設けた固定用のフィルム上に半導体ウエハを固定する方法が多く用いられている。
【０００３】
この方法では、研削に用いられる一般的なバックグラインドマシンの研削精度（約１μｍ）と、半導体ウエハを固定するための一般的なバックグラインド（ＢＧ）テープの厚み精度（約５μｍ）とを合わせると、要求される厚み精度を超えてしまい、研削されたウエハの厚みにバラツキが生じると言う問題がある。
【０００４】
また、スルー・シリコン・ビア（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ）に用いる半導体ウエハを加工する場合、ＢＧテープが付いた状態でビアホールや膜の形成を行うが、そのときの温度は低くとも１８０℃程度に達し、ＢＧテープの粘着力を上げてしまう。また、膜形成のためのメッキの薬液によってＢＧテープの接着層が侵され、剥がれが生じたりする。
【０００５】
また、化合物半導体に代表される脆弱な半導体ウエハは、機械的研削によってダメージを受ける場合があるので、エッチングによって薄化を行う。このエッチングにおいては、ストレス除去を目的とする程度のエッチング量であれば特に問題はないが、数μｍエッチングする場合には、エッチングの薬液によってＢＧテープが変質してしまうことがある。
【０００６】
一方で、近年、表面が平滑な支持基材に固定材料を介して半導体ウエハを固定する方法が採用されるようになっている。
【０００７】
例えば、ストレス除去の目的でエッチングを行うには、高い温度まで加熱する必要があるが、ＰＥＴフィルムではこのような高温に耐えることができないため、このような場合には支持基材を用いた方法が好ましく適用される。
【０００８】
基材の支持基材への固定材料には、高温で軟化して半導体ウエハの脱離が容易になるような固定材料（例えば、特許文献１参照。）が提案されている。
【０００９】
ところが、このような固定材料を用いて、支持基材上に半導体ウエハを、かかる半導体ウエハの機能面を支持基材側にして固定した状態で、半導体ウエハに研磨等の加工を行った後、高温に加熱して支持基材から半導体ウエハを脱離させる際に、前記機能面に銅を含有する配線等の導電部が形成されていると、半導体ウエハが加熱された状態で雰囲気中の酸素と接触することとなる。その結果、銅が酸化され、これに起因して導電部の導電率が低下してしまうという問題がある。
【００１０】
なお、かかる問題は、機能面に銅を含有する導電部を備える半導体ウエハの加工に限らず、固定部材を接合する面にかかる導電部を備える各種基材についても同様に生じている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特表２０１０−５３１３８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の目的は、支持基材上に基材を仮固定して基材を加工したのち支持基材から基材を脱離させる際に、基材の支持基材側に形成されている銅を含有する導電部の導電率の低下を抑制し得る基材の加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
このような目的は、下記（１）〜（７）に記載の本発明により達成される。
（１）  ノルボルネン系樹脂を主材料とする樹脂成分を含む樹脂組成物で構成される仮固定剤を、銅を含有する導電部を有する機能面を備える基材と、該基材を支持するための支持基材とのうちの少なくとも一方に供給したのち乾燥させて薄膜を形成する第１の工程と、
前記薄膜を介して、前記基材と前記支持基材とを、前記機能面を前記支持基材側にして貼り合わせる第２の工程と、
前記基材の前記機能面と反対側の面を加工する第３の工程と、
前記薄膜を加熱することで、前記基材を前記支持基材から脱離させる第４の工程とを有し、
前記第４の工程において、前記基材を前記支持基材から３０ｐｐｍ以下の酸素濃度の非酸化性雰囲気下で脱離させた後、前記基材を冷却することを特徴とする基材の加工方法。
【００１４】
（２）  前記第４の工程において、前記薄膜の加熱により、前記樹脂成分が熱分解して溶融または気化することで、前記基材が前記支持基材から脱離される上記（１）に記載の基材の加工方法。
【００１５】
（３）  前記第４の工程において、前記薄膜を２００℃以上に加熱して前記基材を前記支持基材から脱離させる上記（１）または（２）に記載の基材の加工方法。
【００１６】
（４）  前記第４の工程において、前記基材の前記支持基材からの脱離の後、前記基材を２００℃未満に冷却する上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の基材の加工方法。
【００１７】
（５）  前記第４の工程における前記非酸化性雰囲気は、不活性ガス雰囲気である上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の基材の加工方法。
【００１８】
（６）  前記第１の工程において、前記基材および前記支持基材のうちの前記支持基材に対して選択的に前記仮固定剤を供給して前記薄膜を形成する上記（１）ないし（５）のいずれかに記載の基材の加工方法。
【００１９】
（７）  前記第１の工程において、前記薄膜を、その平均厚さが１０〜１００μｍの厚さとなるように形成する上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の基材の加工方法。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の基材の加工方法によれば、仮固定剤を用いて形成された薄膜を介して支持基材上に基材を仮固定した状態で基材を加工し、その後、支持基材から基材を脱離させる際に、基材の支持基材側に形成されている、銅を含有する導電部における銅の酸化を的確に防止または抑制することができる。その結果、導電部における導電率の低下を抑制しつつ、基材に対して精度の高い加工が可能となるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の基材の加工方法が適用された、半導体ウエハを加工する加工工程を説明するための縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の基材の加工方法を、添付図面に示す好適実施形態に基いて詳細に説明する。
【００２３】
まず、本発明の基材の加工方法を説明するのに先立って、本発明に用いられる仮固定剤について説明する。
【００２４】
＜仮固定剤＞
仮固定剤は、基材を加工するために該基材を支持基材に仮固定し、前記基材の加工後に、加熱することで前記基材を前記支持基材から脱離させるために用いられ、ノルボルネン系樹脂を主材料とする樹脂成分からなるものである。この樹脂成分は、前記加熱により熱分解することで溶融または気化したり、或いは、前記加熱により熱溶融する特性を有するものである。
【００２５】
このような仮固定剤を用いることにより、仮固定剤を用いて形成された薄膜により基材を支持基材に仮固定した状態で基材を加工することができ、さらに、加工後における薄膜の加熱により、樹脂成分を溶融または気化させたり、或いは、樹脂成分を熱溶融させたりすることで基材を支持基材から脱離させることができる。
【００２６】
以下、この樹脂成分を含有する樹脂組成物を構成する各成分について、順次、説明する。
【００２７】
樹脂成分は、仮固定時（基材の加工時）には、基材を支持基材に固定する機能を有し、さらに、仮固定剤の前記加熱により、熱分解して低分子化することで溶融または気化したり、或いは、加熱により熱溶融することに起因して、その接合強度が低下することから、支持基材からの基材の脱離を許容する機能を有するものである。
【００２８】
この樹脂成分としては、本発明では、ノルボルネン系樹脂を主材料として構成されるものが用いられる。このようなノルボルネン系樹脂を用いることで、後述するような酸素濃度の非酸化性雰囲気で、基材の加工の後に支持基材から基材を脱離させる際に、銅を含有し、基材の支持基材側に形成されている導電部の導電率の低下を抑制しつつ、支持基材から基材を容易に脱離させることができるようになる。
【００２９】
ノルボルネン系樹脂としては、特に限定されないが、例えば、下記一般式（１Ｙ）で示される構造単位を含むものを挙げることができる。
【００３０】
【化１】
2012126801.tif 000003
【００３１】
式（１Ｙ）において、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ、水素、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキル基、芳香族基、脂環族基、グリシジルエーテル基、下記置換基（２Ｙ）のいずれかである。また、ｍは０〜４の整数である。
【００３２】
【化２】
2012126801.tif 000004
【００３３】
式（２Ｙ）において、Ｒ５は、それぞれ、水素、メチル基またはエチル基であり、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８は、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキル基、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルコキシ基、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキルカルボニルオキシ基、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキルペルオキシ基、置換もしくは未置換の炭素数６〜２０のアリールオキシ基のいずれかである。また、ｎは０〜５の整数である。
【００３４】
前記線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキル基としては、特に限定されるものではないが、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。
【００３５】
これらの中でも、仮固定剤（樹脂組成物）を構成する各種成分との相溶性や各種溶剤に対する溶解性、さらに、基材と支持基材とを仮固定した際の機械物性に優れるブチル基、デシル基が好ましい。
【００３６】
前記芳香族基としては、特に限定されるものではないが、フェニル基、フェネチル基、ナフチル基等が挙げられるが、これらの中でも、基材と支持基材を仮固定した際の機械物性に優れるフェネチル基、ナフチル基が好ましい。
【００３７】
前記脂環族としては、特に限定されるものではないが、シクロヘキシル基、ノルボルネニル基、ジヒドロジシクロペンタジエチル基、テトラシクロドデシル基、メチルテトラシクロドデシル基、テトラシクロドデカジエチル基、ジメチルテトラシクロドデシル基、エチルテトラシクロドデシル基、エチリデニルテトラシクロドデシル基、フエニルテトラシクロドデシル基、シクロペンタジエチル基の三量体等の脂環族基等が挙げられる。
【００３８】
これらの中でも、基材と支持基材を仮固定した際の機械物性、さらには、仮固定剤の加熱時における熱分解性に優れるシクロヘキシル基、ノルボルネニル基が好ましい。
【００３９】
前記置換基（２Ｙ）中のＲ５は、水素、メチル基またはエチル基であれば、特に限定されるものではないが、仮固定剤の加熱時における熱分解性に優れる水素原子が好ましい。
【００４０】
前記置換基（２Ｙ）中のＲ６、Ｒ７およびＲ８は、それぞれ、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキル基、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルコキシ基、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキルカルボニルオキシ基、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキルペルオキシ基、置換もしくは未置換の炭素数６〜２０のアリールオキシ基のいずれかであれば、特に限定されるわけではない。
【００４１】
そのような置換基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチロキシ基、アセトキシ基、プロピオキシ基、ブチロキシ基、メチルペルオキシ基、イソプロピルペルオキシ基、ｔ−ブチルペルオキシ基、フェノキシ基、ヒドロキシフェノキシ基、ナフチロキシ基、フェノキシ基、ヒドロキシフェノキシ基、ナフチロキシ基等が挙げられ、これらの中でも、仮固定の際の支持基材に対する密着性、基材加工時の機械特性に優れるメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基が好ましい。
【００４２】
前記一般式（１Ｙ）中のｍは、０〜４の整数であり、特に限定されるわけではないが、０または１が好ましい。ｍが０または１である場合、前記一般式（１Ｙ）で示される構造単位は、下記一般式（３Ｙ）または（４Ｙ）で示すことができる。
【００４３】
【化３】
2012126801.tif 000005
【００４４】
【化４】
2012126801.tif 000006
【００４５】
前記式（３Ｙ）および（４Ｙ）において、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ、水素、線状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキル基、芳香族基、脂環族基、グリシジルエーテル基、置換基（２Ｙ）のいずれかである。
【００４６】
前記置換基（２Ｙ）中のｎは、０〜５の整数であり、特に限定されるわけではないが、ｎは０であることが好ましい。ｎが０である時、シリル基はケイ素−炭素結合を介して多環式環に直接結合しており、仮固定剤の熱分解性および基材加工時の機械特性を両立することができる。
【００４７】
前記一般式（１Ｙ）で示される構造単位は、特に限定されるわけではないが、ノルボルネン、５−メチルノルボルネン、５−エチルノルボルネン、５−プロピルノルボルネン、５−ブチルノルボルネン、５−ペンチルノルボルネン、５−ヘキシルノルボルネン、５−へプチルノルボルネン、５−オクチルノルボルネン、５−ノニルノルボルネン、５−デシルノルボルネン、５−フェネチルノルボルネン、５−トリエトキシシリルノルボルネン、５−トリメチルシリルノルボルネン、５−トリメトキシシリルノルボルネン、５−メチルジメトキシシシリルノルボルネン、５−ジメチルメトキシノルボルネン、５−グリシジルオキシメチルノルボルネン等のノルボルネン系モノマーを重合することにより得ることができる。
【００４８】
前記ノルボルネン系モノマーを重合する際は、単一のノルボルネン系モノマーで重合しても、複数のノルボルネン系モノマーを共重合しても良い。これらノルボルネン系モノマーの中でも、基材と支持基材とを仮固定した際の機械物性に優れる５−ブチルノルボルネン、５−デシルノルボルネン、５−フェネチルノルボルネン、５−トリエトキシシリルノルボルネン、５−グリシジルオキシメチルノルボルネンが好ましい。
【００４９】
前記ノルボルネン系樹脂は、特に限定されるわけではなく、前記一般式（１Ｙ）で示される単一の構造単位で形成されていてもよく、また、複数の構造単位で形成されていても良い。
【００５０】
前記ノルボルネン系樹脂は、より具体的には、ポリノルボルネン、ポリメチルノルボルネン、ポリエチルノルボルネン、ポリプロピルノルボルネン、ポリブチルノルボルネン、ポリペンチルノルボルネン、ポリヘキシルノルボルネン、ポリへプチルノルボルネン、ポリオクチルノルボルネン、ポリノニルノルボルネン、ポリデシルノルボルネン、ポリフェネチルノルボルネン、ポリトリエトキシシリルノルボルネン、ポリトリメチルシリルノルボルネン、ポリトリメトキシシリルノルボルネン、ポリメチルジメトキシシシリルノルボルネン、ポリジメチルメトキシノルボルネン、ポリグリシジルオキシメチルノルボルネン等の単一重合体、ノルボルネン−トリエトキシシリルノルボルネン共重合体、ノルボルネン−グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体、ブチルノルボルネン−トリエトキシシリルノルボルネン共重合体、デシルノルボルネン−トリエトキシシリルノルボルネン共重合体、ブチルノルボルネン−グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体、デシルノルボルネン−グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体、デシルノルボルネン−ブチルノルボルネン−フェネチルノルボルネン−グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体等の共重合体が挙げられる。
【００５１】
これらの中でも、基材と支持基材とを仮固定した際の機械物性に優れるポリブチルノルボルネン、ポリデシルノルボルネン、ポリトリエトキシシリルノルボルネン、ポリグリシジルオキシメチルノルボルネン−ブチルノルボルネン−トリエトキシシリルノルボルネン共重合体、デシルノルボルネン−トリエトキシシリルノルボルネン共重合体、ブチルノルボルネン−グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体、デシルノルボルネン−グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体、デシルノルボルネン−ブチルノルボルネン−フェネチルノルボルネン−グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体が好ましい。
【００５２】
なお、前記一般式（１Ｙ）で示される構造単位を有するノルボルネン系樹脂は、特に限定されるわけではないが、開環メタセシス重合（以下、ＲＯＭＰとも記載する。）、ＲＯＭＰと水素化反応の組み合わせ、ラジカルまたはカチオンによる重合により合成することができる。
【００５３】
より具体的には、前記一般式（１Ｙ）で示される構造単位を有するノルボルネン系樹脂は、例えば、パラジウムイオン源を含有する触媒、ニッケルと白金を含有する触媒、ラジカル開始剤等を用いることにより合成することができる。
【００５４】
また、樹脂成分は、樹脂組成物を構成する全量（溶剤を含む場合には、溶剤を除いた全量）の１０重量％〜１００重量％の割合で配合することが好ましい。さらに好ましくは、５０重量％以上、特には、８０重量％〜１００重量％の割合で配合することが好ましい。１０重量％以上、特に８０重量％以上とすることで、仮固定剤を熱分解した後の残渣を低減できるという効果がある。また、樹脂組成物中の樹脂成分を多くすることで短時間で仮固定剤を熱分解できるという効果がある。
【００５５】
樹脂組成物には、ノルボルネン系樹脂を主材料とされる樹脂成分の他に、以下に示すような他の成分が含まれていてもよい。
【００５６】
（酸化防止剤）
すなわち、樹脂組成物（仮固定剤）は、酸化防止剤を含んでいてもよい。
【００５７】
この酸化防止剤は、樹脂組成物（仮固定剤）中における酸の発生や、自然酸化を防止する機能を有している。
【００５８】
酸化防止剤としては、特に限定されないが、例えば、Ｃｉｂａ  Ｆｉｎｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社製、「Ｃｉｂａ  ＩＲＧＡＮＯＸ（登録商標）  １０７６」および「Ｃｉｂａ  ＩＲＧＡＦＯＳ（登録商標）  １６８」が好適に用いられる。
【００５９】
また、他の酸化防止剤としては、例えば、「Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  １２９」、「Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  １３３０」、「Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  １０１０」、「Ｃｉｂａ  Ｃｙａｎｏｘ（登録商標）  １７９０」、「Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  ３１１４、Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  ３１２５」等を用いることもできる。
【００６０】
酸化防止剤の含有量は、上述した樹脂成分１００重量部に対して、０．１〜１０重量部であるのが好ましく、０．５〜５重量部であるのがより好ましい。
【００６１】
（添加剤）
また、樹脂組成物（仮固定剤）は、必要により酸捕捉剤、アクリル系、シリコーン系、フッ素系、ビニル系等のレベリング剤、シランカップリング剤、希釈剤等の添加剤等を含んでも良い。
【００６２】
シランカップリング剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス（トリエトキシプロピル）テトラスルフィド、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン等が挙げられ、これらのうち、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６３】
樹脂組成物（仮固定剤）がシランカップリング剤を含むことにより、基材と支持基材との密着性の向上を図ることができる。
【００６４】
また、希釈剤としては、特に限定されないが、例えば、シクロヘキセンオキサイドやα−ピネンオキサイド等のシクロエーテル化合物、［メチレンビス（４，１−フェニレンオキシメチレン）］ビスオキシランなどの芳香族シクロエーテル、１，４−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルなどのシクロアリファティックビニルエーテル化合物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００６５】
樹脂組成物（仮固定剤）が希釈剤を含むことにより、仮固定剤の流動性を向上させることができ、後述する犠牲層形成工程において、仮固定剤の支持基材に対する濡れ性を向上させることが可能となる。
【００６６】
（溶剤）
また、樹脂組成物（仮固定剤）は、溶媒を含有していても良い。
【００６７】
樹脂組成物を、溶媒を含む構成とすることで、樹脂組成物の粘度等の調整が容易に行え得る。
【００６８】
溶剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、メシチレン、デカリン、ミネラルスピリット類等の炭化水素類、トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族炭化水素類、アニソール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジグライム等のアルコール／エーテル類、炭酸エチレン、酢酸エチル、酢酸Ｎ−ブチル、乳酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン等のエステル／ラクトン類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等のアミド／ラクタム類が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これにより、仮固定剤の粘度を調整することが容易となり、支持基材に仮固定剤で構成される犠牲層（薄膜）の形成が容易となる。
【００６９】
前記溶剤の含有量は、特に限定されるものではないが、樹脂組成物（仮固定剤）の全量の５〜９８重量％であることが好ましく、１０〜９５重量％であることがより好ましい。
【００７０】
＜半導体装置の製造方法＞
上述したような仮固定剤が、例えば、半導体装置の製造方法に適用される。
【００７１】
すなわち、半導体装置の製造方法における、半導体ウエハの加工に、仮固定剤を用いた本発明の基材の加工方法が適用される。
【００７２】
以下、この本発明の基材の加工方法の実施形態の一例について説明する。
この半導体ウエハ（基材）の加工には、上述した仮固定剤を、銅を含有する導電部を有する機能面を備える半導体ウエハと、この半導体ウエハを支持するための支持基材とのうちの少なくとも一方に供給したのち乾燥させて犠牲層（薄膜）を形成する第１の工程と、犠牲層を介して、支持基材と半導体ウエハとを、機能面を支持基材側にして貼り合わせる第２の工程と、半導体ウエハの機能面と反対側の面を加工する第３の工程と、犠牲層を加熱することで、半導体ウエハを支持基材から脱離させる第４の工程とを有する。かかる構成の半導体ウエハの加工方法の第４の工程において、本発明では、半導体ウエハを支持基材から３０ｐｐｍ以下の酸素濃度の非酸化性雰囲気下で脱離させた後、半導体ウエハを冷却することとする。
【００７３】
図１は、本発明の基材の加工方法が適用された、半導体ウエハを加工する加工工程を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中、上側を「上」、下側を「下」とする。
【００７４】
以下、これら各工程について順次説明する。なお、以下では、半導体ウエハおよび支持基材のうちの支持基材に対して犠牲層を選択的に形成する場合を一例に説明する。
【００７５】
（犠牲層形成工程）
まず、支持基材１を用意し、図１（ａ）に示すように、この支持基材（基材）１上に、上述した仮固定剤を用いて犠牲層２を形成する（第１の工程）。
【００７６】
この犠牲層２は、仮固定剤を支持基材１上に供給した後加熱して乾燥させることで容易に形成することができる。
【００７７】
ここで、成膜される犠牲層２のＴＭＡ（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ａｎａｌｙｓｉｓ）軟化点は、特に限定されないが、２００℃未満であるのが好ましく、５０〜１８０℃程度であるのがより好ましい。これにより、次工程（貼り合わせ工程）において、犠牲層２を後述するような条件で加熱した際に、樹脂成分が熱分解または熱溶融したり、半導体ウエハ３が変質・劣化したりするのを的確に抑制または防止することができる。
【００７８】
なお、ＴＭＡ軟化点とは、熱機械測定装置（ＴＭＡ）により測定されるものであり、測定対象物（犠牲層２）を一定の昇温速度で、一定の荷重を掛けながら昇温し、測定対象物の位相を観測することにより求められる。本明細書では、犠牲層２の位相が変化し始める温度をもってＴＭＡ軟化点と定義することとし、具体的には、ＴＭＡ軟化点は、例えば、熱機械測定装置（ティー・エイ・インスツルメント社製、「Ｑ４００ＥＭ」）を用いて、測定温度範囲を２５〜２００℃とし、昇温速度を５℃／ｍｉｎとした際に、１０ｇの荷重を１ｍｍφの石英ガラスピン（針）にかけた時に位相が変化し始める温度を測定することで求めることができる。
【００７９】
また、仮固定剤を支持基材１上に供給する方法としては、特に限定されないが、例えば、スピンコート法、スプレー法、印刷法、フィルム転写法、スリットコート法、スキャン塗布法等の各種塗布法を用いることができる。これらの中でも、特に、スピンコート法が好ましく用いられる。スピンコート法によれば、より均一で平坦な犠牲層２を容易に形成することができる。
【００８０】
スピンコート法を用いる場合、仮固定剤として、その粘度（２５℃）が５００〜１００，０００ｍＰａ・ｓ程度のものを用いるのが好ましく、１，０００〜５０，０００ｍＰａ・ｓ程度のものを用いるのがより好ましい。
【００８１】
粘度（２５℃）は、Ｅ型粘度計（東機産業製、粘度計ＴＶＥ−２２型）で、コーン温度２５℃、３分後の値を測定値とすることができる。
【００８２】
さらに、かかる仮固定剤を供給する支持基材１の回転数を３００〜４，０００ｒｐｍ程度に設定するのが好ましく、５００〜３，５００ｒｐｍ程度に設定するのがより好ましい。
【００８３】
スピンコート法を用いる際に、これらを満足する条件で犠牲層２を成膜することにより、得られる犠牲層２の平均厚さを５０〜１００μｍ程度の厚さのものとすることができる。さらに、このような厚さの犠牲層２をほぼ均一な厚さで成膜することが可能となる。
【００８４】
さらに、仮固定剤の粘度（２５℃）をＡ［ｍＰａ・ｓ］とし、支持基材１の回転数をＢ［ｒｐｍ］としたとき、Ａ／Ｂは、０．１３〜３３０であるのが好ましく、０．５〜１００であるのがより好ましい。これにより、平均厚さ５０〜１００μｍの犠牲層２を特に均一で平坦な厚さで成膜することができる。
【００８５】
なお、支持基材１としては、特に限定されないが、半導体ウエハ３を支持し得る程度の強度を有するものが用いられる。
【００８６】
このような支持基材１としては、例えば、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料や、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリカーボネートのような樹脂材料等を主材料として構成される基板が挙げられる。
【００８７】
（貼り合わせ工程）
次に、図１（ｂ）に示すように、支持基材１上の犠牲層２が設けられた面上に、半導体ウエハ（基材）３をその機能面３１が犠牲層２側になるように載置し、この状態で、熱圧着することにより、支持基材１に犠牲層２を介して半導体ウエハ３を貼り合わせる（第２の工程）。
【００８８】
すなわち、犠牲層２を介して、半導体ウエハ３と支持基材１とを、機能面３１を支持基材１側にして貼り合わせる。
【００８９】
この熱圧着による貼り合わせは、例えば、真空プレス機、ウエハボンダー等の装置を用いて容易に行うことができる。
【００９０】
ここで、本発明では、この半導体ウエハ３には、機能面３１に、銅を含有する導電体で構成される配線や端子およびバンプのような導電部が設けられている。このような機能面３１を犠牲層２で覆い支持基材１と接合することで、これらが機能面３１を保護する保護層としての機能を発揮する。そのため、次工程（加工工程）において、半導体ウエハ３の機能面３１と反対側の面を加工する際に、機能面３１が損傷したり、導電部に含まれる銅が酸化したりするのを的確に抑制または防止することができる。
【００９１】
また、半導体ウエハ３と支持基材１とを貼り合わせる際の温度は、ＴＭＡ軟化点より５０〜２００℃程度高い範囲内であるのが好ましく、ＴＭＡ軟化点より６０〜１８０℃程度高い範囲内であるのがより好ましい。かかる条件で犠牲層２を加熱して犠牲層２を機能面３１に熱圧着することにより、犠牲層２が溶融した状態で、機能面３１に接触することとなる。ここで、半導体ウエハ３の機能面３１には、上述のように導電部が形成されていることから、機能面３１は凹凸面で構成される。このように機能面３１が凹凸面で構成されるが、犠牲層２を溶融した状態とすることにより、犠牲層２が機能面３１に接触した際には、その凹凸形状に追従して犠牲層２が機能面３１に埋入することとなる。その結果、犠牲層２と機能面３１との間における空隙の形成が的確に抑制されることから、半導体ウエハ３と支持基材１とが一定の間隔を維持した状態で、犠牲層２を介して半導体ウエハ３と支持基材１とが優れた密着性をもって接合される。
【００９２】
さらに、犠牲層２が必要以上に軟化してしまうのが的確に防止されるため、半導体ウエハ３と支持基材１とが互いに近づく方向に加圧する際に、半導体ウエハ３と支持基材１との間から犠牲層２の一部が押し出されてしまい、これに起因して、半導体ウエハ３と支持基材１との間隔を一定に維持できなくなるのを的確に抑制または防止することができる。
【００９３】
また、かかる範囲の温度で犠牲層２を加熱する時間は、特に限定されないが、例えば、０．１〜１０分程度であるのが好ましく、０．５〜５分程度であるのがより好ましい。これにより、犠牲層２を前記範囲内の温度に加熱することができ、犠牲層２を確実に溶融状態とすることができる。
【００９４】
また、上述したような温度範囲で犠牲層２を加熱した際に、半導体ウエハ３と支持基材１とが互いに近づく方向に加圧する際の圧力は、特に限定されないが、０．０１〜３ＭＰａ程度であるのが好ましく、０．０５〜２ＭＰａ程度であるのがより好ましい。これにより、溶融状態とした犠牲層２を機能面３１に埋入させることができるとともに、半導体ウエハ３と支持基材１との間から犠牲層２の一部が押し出されてしまうのを確実に防止することができる。
【００９５】
なお、機能面３１における凹凸は、バンプのように嵩高いものが形成されていたとしても、通常、５０μｍ未満の高低差のものとなっている。したがって、犠牲層２の平均膜厚は、前記犠牲層形成工程において、スピンコート法を用いて犠牲層２を形成する場合のように、５０〜１００μｍ程度の厚さに成膜されるのが好ましく、６０〜８０μｍ程度に成膜されるのがより好ましい。かかる範囲内の平均膜厚を有する犠牲層２とすることで、上記のような凹凸面で構成される機能面３１であっても、犠牲層２を機能面３１に埋入させることができるため、犠牲層２を介して半導体ウエハ３と支持基材１とを一定の離間距離に保つことが可能となる。また、機能面３１の全体を均一な膜厚の犠牲層２で覆うことができ、次工程（加工工程）において、機能面３１を犠牲層２により確実に保護することができる。
【００９６】
（加工工程）
次に、犠牲層２を介して支持基材１上に固定された半導体ウエハ３の機能面３１と反対側の面（裏面）を加工する（第３の工程）。
【００９７】
この半導体ウエハ３の加工は、特に限定されず、例えば、図１（ｃ）に示すような半導体ウエハ３の裏面の研削・研磨の他、半導体ウエハ３へのビアホールの形成、ストレスリリースのための半導体ウエハ３の裏面のエッチング、リソグラフィー、さらには半導体ウエハ３の裏面への薄膜のコート、蒸着等が挙げられる。
【００９８】
ここで、本工程において、半導体ウエハ３は、このものの加工に伴う熱履歴を経ることとなる。したがって、機能面３１が有する導電部が露出していると、雰囲気中に存在する酸素と接触することに起因して、導電部に含まれる銅が酸化し、その結果、導電部の導電率が低下してしまうという問題がある。しかしながら、本発明では、前記工程（貼り合わせ工程）において説明したように、機能面３１が犠牲層２により覆われており、この犠牲層２が保護層としての機能を発揮するため、かかる問題点は解消される。
【００９９】
さらに、本実施形態では、凹凸面で構成される機能面３１に対してその凹凸形状に追従するようにして犠牲層２が接合される。これにより、半導体ウエハ３と支持基材１とが優れた密着性をもって犠牲層２により接合されるとともに、これらが一定の間隔を維持した状態で、犠牲層２を介して半導体ウエハ３が支持基材１に接合される。そのため、仮に、半導体ウエハ３と支持基材１とが優れた密着性をもって接合されず、半導体ウエハ３と支持基材１との離間距離が一定の距離を保たれない状態で、機能面３１と反対側の面の研削・研磨を行うと、半導体ウエハ３の厚さにバラツキが生じるという問題があるが、本実施形態では、半導体ウエハ３と支持基材１とを優れた密着性をもって接合して、半導体ウエハ３と支持基材１との間の離間距離を一定の間隔に維持し得ることから、かかる問題点が解消される。
【０１００】
すなわち、半導体ウエハ３の裏面の研削・研磨を、その厚さにバラツキを生じることなく優れた精度で行うことが可能となる。
【０１０１】
（脱離工程）
次いで、図１（ｄ）に示すように、犠牲層２を加熱して半導体ウエハ３を支持基材１から脱離させる（第４の工程）。
【０１０２】
さて、本発明では、この脱離工程を、半導体ウエハ３を支持基材１から３０ｐｐｍ以下の酸素濃度の非酸化性雰囲気下で脱離させた後、半導体ウエハ３の冷却を行うこととする。
【０１０３】
ここで、本発明者の検討により、ノルボルネン系樹脂を主材料とする樹脂成分は、その加熱による熱分解または熱溶融が比較的低濃度の酸素濃度下で円滑に進行することが判っている。これとともに、半導体ウエハ３が高温に加熱された状態で、低濃度の酸素濃度下において半導体ウエハ３を支持基材１から脱離させることで、保護層として機能していた犠牲層２から機能面３１が露出したとしても、導電部に含まれる銅の酸化を抑制し得る。
【０１０４】
本発明者は、これらの点に着目し、犠牲層２を加熱して半導体ウエハ３を支持基材１から脱離させ、さらに半導体ウエハ３を冷却するまでの雰囲気の酸素濃度を、上述したような低濃度な範囲に設定することにより、樹脂成分の加熱による熱分解または熱溶融が円滑に行われ、かつ、導電部に含まれる銅の酸化が的確に抑制されることを見出し、本発明を完成するに至った。
【０１０５】
なお、非酸化性雰囲気における酸素濃度は、３０ｐｐｍ以下であれば良いが、好ましくは０．５ｐｐｍ以上、２５ｐｐｍ以下、より好ましくは１ｐｐｍ以上、２０ｐｐｍ以下に設定される。上記下限を下回るようにしてもそれ以上の効果が得られないおそれがある。また、上記上限を超えると、導電部に含まれる銅が酸化して導電部の導電率が低下してしまったり、樹脂成分の加熱による熱分解または熱溶融が円滑に行われなくなったりするおそれがある。
【０１０６】
また、銅の酸化は、２００℃以上の温度に導電部が加熱された際に顕著に認められる。そのため、本発明は、犠牲層２が好ましくは２００℃以上、より好ましくは２００〜３５０℃程度、さらに好ましくは２２０〜３２０℃程度に加熱される際に適用される。かかる温度範囲に犠牲層２が加熱される際に本発明を適用することで、導電部に含まれる銅の酸化がより的確に抑制または防止される。
【０１０７】
さらに、これとは逆に、半導体ウエハ３を支持基材１から脱離させた後の半導体ウエハ３の冷却を、好ましくは２００℃未満、より好ましくは８０〜２００℃程度、さらに好ましくは１００〜１８０℃程度となるように行う。これにより、冷却の後に半導体ウエハ３を酸化性雰囲気下に配置したとしても、導電部に含まれる銅の酸化をより的確に抑制または防止することができる。
【０１０８】
非酸化性雰囲気としては、例えば、窒素、アルゴンのような不活性ガス雰囲気、水素、一酸化炭素のような還元性ガス雰囲気、１０-1〜１０-6Ｔｏｒｒ程度の減圧雰囲気等が挙げられ、これらの中でも、不活性ガス雰囲気であるのが好ましい。これにより、チャンバー内に不活性ガスを流入させるという簡単な操作で雰囲気中の酸素濃度を前記範囲内に設定することができる。
【０１０９】
なお、本工程における半導体ウエハ３の支持基材１から脱離は、ノルボルネン系樹脂を主材料とする樹脂成分が熱分解して低分子化することに起因して、溶融または気化することで許容される場合と、前記樹脂成分が熱溶融することで許容される場合とに分類される。
【０１１０】
したがって、犠牲層２を加熱する温度は、ノルボルネン系樹脂を主材料とする樹脂成分が熱分解するまたは熱溶融温度で、かつ、半導体ウエハ３の変質・劣化が防止される温度に設定され、具体的には、好ましくは１５０〜３５０℃程度、より好ましくは２００〜３００℃程度に設定される。
【０１１１】
ただし、犠牲層２を２００〜３００℃未満で加熱する場合、犠牲層２に含まれる樹脂成分は熱溶融が主体的であり、また、犠牲層２を３００〜３５０℃で加熱する場合、犠牲層２に含まれる樹脂成分は熱分解することにより、低分子化されて溶融または気化することとなる。
【０１１２】
また、半導体ウエハ３の支持基材１から脱離は、樹脂成分の熱分解により許容されているのが好ましい。これにより、半導体ウエハ３の脱離を、より容易に行うことができるようになると言う利点が得られる。
【０１１３】
ここで、本明細書中において、脱離とは、半導体ウエハ３を支持基材１から剥離する操作を意味し、犠牲層２が溶融状態となる場合や気化する場合に関わらず、例えば、この操作は、支持基材１の表面に対して垂直方向に半導体ウエハ３を脱離させる方法や、支持基材１の表面に対して水平方向にスライドさせて半導体ウエハ３を脱離させる方法や、図１（ｅ）に示すように、半導体ウエハ３の一端側から半導体ウエハ３を支持基材１から浮かせることで脱離させる方法等が挙げられる。
【０１１４】
なお、前記加熱工程を経ることで、犠牲層２が気化している場合には、半導体ウエハ３と支持基材１との間から犠牲層２が除去されているため、支持基材１からの半導体ウエハ３の脱離をより容易に行うことができる。
【０１１５】
以上のように、本工程における雰囲気の酸素濃度を、上述したような適切な範囲に設定することにより、銅を含有する導電部における銅の酸化を的確に防止または抑制することができる。その結果、導電部における導電率の低下を抑制することができる。
【０１１６】
（洗浄工程）
次に、前記脱離工程において、犠牲層２を加熱することで犠牲層２が溶融状態となる場合や、気化した犠牲層２の一部が残存している場合には、必要に応じて、半導体ウエハ３の機能面３１に残存する犠牲層２を洗浄する。
【０１１７】
すなわち、機能面３１に残留した犠牲層２の残留物を除去する。
この残留物の除去方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、プラズマ処理、薬液浸漬処理、研磨処理、加熱処理等が挙げられる。
【０１１８】
なお、本実施形態では、犠牲層形成工程において、犠牲層２を支持基材１に形成する構成としたが、かかる場合に限定されず、支持基材１および半導体ウエハ３の双方に犠牲層２を形成する構成としてもよいし、支持基材１への犠牲層２の形成を省略して半導体ウエハ３に選択的に犠牲層２を形成する構成としてもよい。
【０１１９】
以上のようにして、半導体ウエハ３の裏面が加工される。
なお、本実施形態では、支持基材１に犠牲層２を選択的に形成することとしたが、かかる場合に限定されず、半導体ウエハ３に選択的に形成するようにしてもよいし、支持基材１および半導体ウエハ３の双方に形成するようにしてもよい。ただし、本実施形態のように、支持基材１に選択的に形成する構成とすることで、犠牲層２の形成のための時間と手間の簡略化が図られ、さらに、支持基材１の犠牲層２を形成する面を平坦面で構成し得ることから、犠牲層２を確実に均一な膜厚を有するものとし得るという効果も得られる。
【０１２０】
また、本実施形態では、基材として半導体ウエハ３を用いた場合を一例に説明したが、かかる場合に限らず、例えば、配線基板および回路基板等を用いることもできる。
【０１２１】
以上、本発明の基材の加工方法を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１２２】
たとえば、仮固定剤に含まれる各構成材料は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することができる。
また、本発明の基材の加工方法には、必要に応じて任意の工程が追加されてもよい。
【実施例】
【０１２３】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．仮固定剤の調製
まず、以下に示すようなサンプルＮｏ．１〜２の仮固定剤を調整した。
【０１２４】
［サンプルＮｏ．１］
＜５−デシルノルボルネン重合体＞
十分乾燥させた反応容器に酢酸エチル４３０ｇ、シクロヘキサン８９０ｇ、５−デシルノルボルネン２２３ｇ（０．９５モル）を導入した。この系中に乾燥窒素を４０℃で３０分流し、溶存酸素を除去した。その後、ビス（トルエン）ビス（パーフルオロフェニル）ニッケル１．３３ｇ（２．７５×１０−４モル）を酢酸エチル１２ｇに溶解したものを反応系中に添加した。上記の系を４０℃から５５℃に１５分掛けて昇温し、その温度を保持しながら３時間系中を攪拌した。
【０１２５】
得られた溶液に、３０％過酸化水素水４９ｇを添加した純水約１５００ｇに氷酢酸２６ｇを溶解させたものを加え、５０℃で５時間攪拌した後、攪拌を止め、分離した水層を除去した。
【０１２６】
残った有機層をメタノール２２０ｇとイソプロピルアルコール２００ｇを混合したものを、添加〜攪拌〜除去することで洗浄した。さらに、洗浄後の有機層にシクロヘキサン５１０ｇと酢酸エチル２９０ｇを添加し、系を均一に溶解した後、メタノール１５６ｇとイソプロピルアルコール１６７ｇを混合したものを、添加〜攪拌〜除去することで洗浄した（２回繰り返し）。
【０１２７】
洗浄後の有機層にシクロヘキサン１８０ｍｌを添加して系を均一に溶解し、さらにメシチレン６７０ｇを添加した。そして、減圧下にてロータリーエバポレーターでシクロヘキサンを蒸発除去することにより、５−デシルノルボルネン重合体５４３ｇ（３５％のメシチレン溶液）を得た。
【０１２８】
合成した５−デシルノルボルネン重合体をＧＰＣにより重量平均分子量を測定したところ、７５，３００であった。
【０１２９】
＜仮固定剤の作製＞
上記で得られた５−デシルノルボルネン重合体の３５％のメシチレン溶液３００ｇをトリメチルベンゼン（溶剤）５０ｇで希釈し、樹脂濃度３０％の仮固定剤を作製した。
【０１３０】
なお、このサンプルＮｏ．１の仮固定剤の粘度（２５℃）は１０，０００ｍＰａ・ｓであった。
【０１３１】
［サンプルＮｏ．２］
＜５−デシルノルボルネン／５−ヘキシルノルボルネン＝５０モル％／５０モル％共重合体の合成＞
十分乾燥させた反応容器に酢酸エチル４３０ｇ、シクロヘキサン８９０ｇ、５−デシルノルボルネン１１２ｇ（０．４８モル）、５−ヘキシルノルボルネン８６ｇ（０．４８モル）を導入した。この系中に乾燥窒素を４０℃で３０分流し、溶存酸素を除去した。その後、ビス（トルエン）ビス（パーフルオロフェニル）ニッケル１．３３ｇ（２．７５×１０−４モル）を酢酸エチル１２ｇに溶解したものを反応系中に添加した。上記の系を４０℃から５５℃に１５分掛けて昇温し、その温度を保持しながら３時間系中を攪拌した。
【０１３２】
得られた溶液に、３０％過酸化水素水４９ｇを添加した純水約１５００ｇに氷酢酸２６ｇを溶解させたものを加え、５０℃で５時間攪拌した後、攪拌を止め、分離した水層を除去した。
【０１３３】
残った有機層をメタノール２２０ｇとイソプロピルアルコール２００ｇを混合したものを、添加〜攪拌〜除去することで洗浄した。さらに、洗浄後の有機層にシクロヘキサン５１０ｇと酢酸エチル２９０ｇを添加し、系を均一に溶解した後、メタノール１５６ｇとイソプロピルアルコール１６７ｇを混合したものを、添加〜攪拌〜除去することで洗浄した（２回繰り返し）。
【０１３４】
洗浄後の有機層にシクロヘキサン１８０ｍｌを添加して系を均一に溶解し、さらにメシチレン６７０ｇを添加した。そして、減圧下にてロータリーエバポレーターでシクロヘキサンを蒸発除去することにより、５−デシルノルボルネン／５−ヘキシルノルボルネン＝５０モル％／５０モル％共重合体５２５ｇ（３５％のメシチレン溶液）を得た。
【０１３５】
合成した５−デシルノルボルネン／５−ヘキシルノルボルネン＝５０モル％／５０モル％共重合体をＧＰＣにより重量平均分子量を測定したところ、１２０，３００であった。
【０１３６】
＜仮固定剤の作製＞
上記で得られた５−デシルノルボルネン／５−ヘキシルノルボルネン＝５０モル％／５０モル％共重合体の３５％のメシチレン溶液３００ｇをトリメチルベンゼン（溶剤）５０ｇで希釈し、樹脂濃度３０％の仮固定剤を作製した。
【０１３７】
なお、このサンプルＮｏ．２の仮固定剤の粘度（２５℃）は２５，０００ｍＰａ・ｓであった。
【０１３８】
【表１】
2012126801.tif 000007
【０１３９】
２．半導体ウエハの裏面加工
次に、以下に示すようにして、各サンプルＮｏ．１〜２の仮固定剤を用いて、半導体ウエハの裏面に加工を施した。
【０１４０】
［実施例１］
＜１＞  まず、スピンコータを用いて、サンプルＮｏ．１の仮固定剤を８インチの透明ガラスに塗布し（回転数：１，０００ｒｐｍ、時間：３０秒）、次いで、ホットプレート上で、１２０℃、５分の条件でプリベーク（乾燥）を行い、厚さ５０μｍの仮固定剤からなる薄膜（犠牲層）を形成した。
【０１４１】
なお、この薄膜のＴＭＡ軟化点を、熱機械測定装置（ティー・エイ・インスツルメント社製、「Ｑ４００ＥＭ」）を用いて測定したところ、９０℃であった。
【０１４２】
＜２＞  次に、サブストレート・ボンダー（型番ＳＢ−８ｅ、ズース・マイクロテック社製）を用い、８インチシリコンウエハを仮固定剤からなる薄膜を介して８インチ透明ガラスに仮固定した（雰囲気：１０−２ｍｂａｒ、温度：１４０℃、圧力：０．３２ＭＰａ、時間：４分）。
【０１４３】
なお、この８インチシリコンウエハとしては、厚さ７２５μｍ、薄膜を接触させる側の面に、ピッチ５０μｍ、幅５０μｍ、高さ１０μｍの銅で構成される配線が一定方向に複数設けられているものを使用した。
【０１４４】
＜３＞  次に、透明ガラスに仮固定されたシリコンウエハについて、研削装置（ＤＩＳＣＯ社製、「ＤＦＧ８５４０」）を用いて、半導体ウエハの下面（裏面）を研削して、半導体ウエハの厚さが１４５μｍとなるように加工した。
【０１４５】
＜４＞  次に、８インチ透明ガラスに８インチシリコンウエハを仮固定したサンプルをチャンバー内に配置し、所定の酸素濃度、温度、時間による、窒素雰囲気下における加熱処理を行い、仮固定剤の熱分解を行った。
【０１４６】
なお、仮固定剤は、酸素濃度１０ｐｐｍの窒素雰囲気下における３２０℃、３０分の加熱処理により熱分解を行った。
【０１４７】
＜５＞  次に、熱分解を行ったサンプルを、チャンバー内において、非酸化性雰囲気としたまま、雰囲気の温度を２００℃とし、かかる温度で８インチ透明ガラスと８インチシリコンウエハの隙間にピンセットを入れ、８インチシリコンウエハの脱離を行ったのちに１８０℃に冷却し、その後、チャンバーから取り出した。
【０１４８】
［実施例２、比較例１〜２］
前記工程＜１＞における、用いる仮固定剤の種類、成膜の条件、前記工程＜４＞における、犠牲層を加熱する条件、前記工程＜５＞における、８インチシリコンウエハを脱離させる条件をそれぞれ表２に示すように変更したこと以外は、前記実施例１と同様にして、シリコンウエハの裏面加工を行った。
【０１４９】
３．銅配線の変色による評価
前記工程＜５＞において得られた８インチシリコンウエハの銅配線の変色を目視により観察し、以下の判定基準により判定した。
【０１５０】
○：未処理の銅配線と同じ色に観察される。
×：未処理の銅配線に対して黒ずんで観察される。
以下に、実施例１、２および比較例１、２の評価結果を表２に示す。
【０１５１】
【表２】
2012126801.tif 000008
【０１５２】
表２に示したように、各実施例では、シリコンウエハ脱離時の酸素濃度が適切な範囲内に設定されていることに起因して、シリコンウエハに形成した銅配線の酸化を的確に抑制することができた。
【０１５３】
これに対して、各比較例では、シリコンウエハ脱離時の酸素濃度が適切な範囲内に設定されていないために、銅配線の酸化が顕著に認められる結果となった。
【符号の説明】
【０１５４】
１                支持基材
２                犠牲層
３                半導体ウエハ
３１              機能面
【図１】
2012126801.tif 000009