(57)【要約】【課題】各画素が複数の互いに異なる色相の発光層を備えた副画素からなる有機ＥＬ表示装置において、各副画素の発光層を、シャドーマスクを用いず、且つ、不要な層の除去時に他の層へのダメージを生じることなく成膜し、発光効率の高い装置を製造しうる製造方法を提供する。【解決手段】全副画素領域に第１の色相の発光層を有する第１の有機化合物層４を成膜した後、第２の副画素領域１２と第３の副画素領域１３から第１の有機化合物層４を除去し、次に、全副画素領域に第２の色相の発光層を有する第２の有機化合物層５を成膜した後、第３の副画素領域１３から第２の有機化合物層５を除去し、最後に全副画素領域に第３の色相の発光層を有する第３の有機化合物層５を成膜する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、ｍ（ｍは２以上の整数）個の互いに色相の異なる副画素を有する画素を備えた有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
前記画素の全副画素領域に、第ｎ（ｎは１以上ｍ未満の整数）の色相の発光層を少なくとも含む第ｎの有機化合物層を成膜し、第ｎ＋１乃至第ｍの副画素領域の前記有機化合物層を除去する工程を、ｎ＝１からｎ＝ｍ−１まで順次繰り返した後、
前記画素の全副画素領域に、第ｍの色相の発光層を少なくとも含む第ｍの有機化合物層を成膜する工程を少なくとも有することを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記有機化合物層を除去する手段が、レーザーを用いる手段である請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記第１の有機化合物層が、基板側に正孔注入層または正孔輸送層を有する請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記第１の有機化合物層が、基板とは反対側に電子輸送層を有する請求項１乃至３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記第ｍの有機化合物層が、基板とは反対側に電子注入層又は電子輸送層を有する請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項６】
前記画素が、赤系統色、青系統色、緑系統色の３個の副画素からなる請求項１乃至５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（エレクトロスミネッセンス）表示装置の製造方法に係るものであり、詳しくは有機発光材料を用いて多色表示が可能な表示装置を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネルディスプレイとして、自発光型デバイスである有機ＥＬ表示装置が注目されている。有機ＥＬ表示装置の表示部には、第１電極と第２電極とに狭持された有機化合物層を備える有機ＥＬ素子が複数配列されており、前記有機ＥＬ素子の有機化合物層が発光し、画像を表示する。多色表示させる方法としては、１画素をそれぞれ異なる色で発光する発光層を備えた複数の副画素で形成する構成が一般的である。そして、１画素に異なる色で発光する有機化合物層を複数作り込みためには、一般的にはシャドーマスク法が用いられる。
【０００３】
シャドーマスク法は有機化合物層を蒸着によって形成する際に便利な方法であるが、異なる色で発光する有機化合物層それぞれについてシャドーマスクを用いる必要があるため、製造コスト上昇の一因となる。また、蒸着時の熱応力によるシャドーマスクの変形、蒸着物質によるシャドーマスクの汚染などのために定期的にシャドーマスクを交換する必要があることも製造コストを上昇させる。さらに、シャドーマスクの変形により、高精細なパネルを作製する際には蒸着の位置ずれが起きやすくなり、大判への対応も難しくなる。
【０００４】
このような問題に対して、レーザー除去法による有機ＥＬ表示装置の製造方法が特許文献１に開示されている。特許文献１によると、絶縁基板上の表面に第１電極層と各副画素を分離するセパレータを設ける。その後、第１電極層とセパレータを含む絶縁基板全面に有機化合物層と第２電極層を順次形成し、レーザー除去法によって有機化合物層が不要な副画素から第２電極層と有機化合物層を除去する。また、有機化合物層と電極層の蒸着、有機化合物層が不要な副画素からのレーザー除去を繰り返すことで、複数の種類の副画素を形成することができる。
【０００５】
これによって、シャドーマスク法を用いることなく、高い副画素解像度のマトリックス配列を簡単な技術的手段で提供することが可能としている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４０９２１２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１では電極層とその下にある有機化合物層をレーザーで除去しているが、通常、電極層は金属や金属酸化物から形成されているため、強いレーザーパワーを用いて除去する必要がある。そのため、電極層を除去する段階で下側の有機化合物層も除去され、基板へのダメージが発生する恐れがある。また、レーザー照射部の電極層が捲れ、破片となって周辺に飛散し、この後の有機化合物層、電極層形成工程で電極層間短絡等の欠陥の原因となり、歩留まりが大きく低下したり、経時変化により電極間短絡が発生する場合がある。
【０００８】
また、特許文献１では有機化合物層を除去する際に正孔輸送層を残し、その上の発光層までを除去するとしているが、レーザーによる正孔輸送層へのダメージを避けることは困難で、発光効率の低下に繋がる。
【０００９】
また、各副画素を発光させる際に電極に電圧を印加する必要があるが、有機化合物層間に蒸着した電極を外部に引き出さなければならない。特許文献１中に詳しい記述は無いが、例えば色相の同じ各副画素同士を直線的に並ぶように配列し、その延長線上の副画素領域の外部にコンタクトホールを作製し、その上部に電極を形成し、そこに電圧を印加させる方法などが考えられる。しかしながら、係る構成は、副画素の配列の制限やプロセスの複雑化に繋がる。
【００１０】
本発明の課題は、上述した事情に鑑み、不要な層を除去して有機ＥＬ表示装置を作製する際に、比較的弱いレーザーパワーを用いて必要な層のみ容易に除去し、また複雑な電極取り出し工程も不要な製造方法を提供することを目的とする。また、有機化合物層をシャドーマスクを用いずに蒸着することで歩留まりが上がり、高い開口率を持つ有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することも目的とする。さらに、不要な層の除去時に異物等の発生による他の層へのダメージがなく、発光効率の高い有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することをさらなる目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は、基板上に、ｍ（ｍは２以上の整数）個の互いに色相の異なる副画素を有する画素を備えた有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
前記画素の全副画素領域に、第ｎ（ｎは１以上ｍ未満の整数）の色相の発光層を少なくとも含む第ｎの有機化合物層を成膜し、第ｎ＋１乃至第ｍの副画素領域の前記有機化合物層を除去する工程を、ｎ＝１からｎ＝ｍ−１まで順次繰り返した後、
前記画素の全副画素領域に、第ｍの色相の発光層を少なくとも含む第ｍの有機化合物層を成膜する工程を少なくとも有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、シャドーマスクを用いずに有機化合物層を蒸着し、且つ、不要な有機化合物層のみを比較的弱いレーザーパワーで除去することで有機ＥＬ表示装置を製造することができる。よって、高い開口率を持ち、発光効率の高い有機ＥＬ表示装置を高歩留まりで提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法の一実施形態の工程を示す断面模式図である。
【図２】本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法の一実施形態の工程を示す断面模式図である。
【図３】本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法の一実施形態の工程を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法の実施形態を詳細に説明する。
【００１５】
本発明の製造方法により製造される有機ＥＬ表示装置は、各画素が互いに色相の異なる２以上の副画素からなり、各副画素はそれぞれ、所定の色相を発光する発光層を少なくとも有する有機化合物層を有している。そして、本発明の製造方法は、該有機化合物層の製造工程に特徴を有する。
【００１６】
本発明において、各画素が有する副画素の数をｍ（ｍは２以上の整数）とする。そして、画素の全副画素領域に、第ｎ（ｎは１以上ｍ未満の整数）の色相の発光層を少なくとも含む第ｎの有機化合物層を成膜し、第ｎ＋１乃至第ｍの副画素領域の前記有機化合物層を除去する工程を、ｎ＝１からｎ＝ｍ−１まで順次繰り返す。その後、画素の全副画素領域に、第ｍの色相の発光層を少なくとも含む第ｍの有機化合物層を成膜する。
【００１７】
具体的に、例えば各画素が３個の副画素からなる場合には、先ず、第１の色相の発光層を有する第１の有機化合物層を全副画素領域に成膜し、第２及び第３の副画素領域の第１の有機化合物層を除去する。次に、第２の色相の発光層を有する第２の有機化合物層を全副画素領域に成膜し、第３の副画素領域の第２の有機化合物層を除去する。最後に、全副画素領域に第３の色相の発光層を含む第３の有機化合物層を成膜する。従って、本発明によれば、第１の副画素には第１の有機化合物層、第２の有機化合物層、第３の有機化合物層が積層され、第２の副画素には第２の有機化合物層、第３の有機化合物層が積層され、第３の副画素には第３の有機化合物層のみが成膜されている。
【００１８】
以下に、各画素が３個の副画素からなる実施形態を例に挙げて、図面を用いて説明する。図１乃至図３は、係る実施形態の有機化合物層の形成工程を示す断面模式図であり、図中には１画素分の構成を示している。
【００１９】
先ず、基板１上の、副画素となる領域１１乃至１３にそれぞれ下部電極２を形成する。基板１は絶縁性基板であり、必要に応じてＴＦＴ（薄膜トランジスタ）等のスイッチング素子や配線が形成されている。下部電極２には、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、ＩＴＯ、ＩＺＯ（商標）、ＺｎＯ等、有機ＥＬ表示装置の電極として公知の材料を用いることができる。また、２つ以上の異なる材料を積層して下部電極２としてもよい。この場合、一般的にはトップエミッション構造（基板を介さずに基板と反対側から光を取り出す構成）においては反射電極を用い、ボトムエミッション構造（基板側から光を取り出す構成）においては透明電極を用いることができる。また、上記反射電極としては、それ自体が反射性を有する金属電極の他に、基板１側に金属製の反射層を形成した上に透明電極を形成して反射電極とすることもできる。
【００２０】
次に図１（ａ）に示すように、副画素領域１１乃至１３を互いに分離するために、基板上の副画素領域間に隔壁３を形成する。隔壁３は副画素の発光領域を規定するものである。隔壁３の材料には絶縁材料が好適に用いられ、具体的には、窒化シリコン、酸化窒化シリコン、酸化シリコン等からなる無機絶縁材料や、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ノボラック系樹脂等からなる樹脂材料が用いられる。レーザー等を用いて不要な有機化合物層を除去する際の耐性を考えると、窒化シリコン等の無機絶縁材料がより好ましい。
【００２１】
本発明において副画素の配列は、図１（ａ）の構造を二次元平面上に繰り返し配列することで構成する。配列の種類としては従来から知られているものを用いることができる。例えばストライプ配列、ダイアゴナル（モザイク）配列、デルタ（トライアングル）配列等を挙げられるが、これらに限らない。
【００２２】
次に、図１（ｂ）に示すように、下部電極２を含む基板１の第１の副画素領域１１乃至第３の副画素領域１３の全面に、少なくとも第１の色相の発光層を備える第１の有機化合物層４を形成する。第１の有機化合物層４は発光層の他に、必要に応じて正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層等の機能を持つ層を有していてもよい。第１の有機化合物層４としては、低分子材料を用いて蒸着法で形成するのが好ましいが、電極に接する正孔注入層又は正孔輸送層は、高分子発光ポリマーまたは低分子材料を溶媒に溶かした溶液を用いてスピンコーティング等の塗布法で形成することも可能である。
【００２３】
また、第１の有機化合物層４の成膜の際には、正孔注入層または正孔輸送層を発光層の前に成膜することがより好ましい。そうすることで、電極からの正孔の注入性が上がり、駆動電圧の低下や効率の上昇が期待できる。
【００２４】
また、発光層の後に電子輸送層を成膜することも好ましい。そうすることで、発光層へ電子がスムーズに輸送されると共に、第１の発光層からの正孔の漏れを防ぐことができる。発明者等の検討によれば、好ましくは電子輸送層のＨＯＭＯ（最高被占軌道）エネルギーが発光層のＨＯＭＯエネルギーよりも０．１ｅＶ以上深い（イオン化ポテンシャルが大きい）と正孔の電子輸送層側への漏れを効果的に防ぐことができる。本発明においては、第１の副画素１１において、前記第１の有機化合物層４中の発光層のみを発光させることが望ましいが、前記第１の有機化合物層４中の発光層がメインに発光していれば、後述する第２の有機化合物層５、第３の有機化合物層６中の発光層が発光しても良い。尚、この時、メイン発光の最大発光波長のピーク強度比がその他の発光の最大発光波長のピーク強度と比べて３以上になることが必要となる。尚、ＨＯＭＯエネルギーの測定法は、大気中光電子分光法（例えば測定器名ＡＣ−２：理研機器製）を用いて測定することができる。
【００２５】
次に図１（ｃ）に示すように、第２の副画素領域１２及び第３の副画素領域１３の第１の有機化合物層４を除去する。除去法としては光照射による方法等が考えられる。光照射による除去方法として好ましくはレーザー除去法が挙げられるがこれに限らない。レーザーで除去する際、隔壁３は無機の絶縁材料もしくは樹脂材料より構成されているので、第１の有機化合物層４よりもレーザーによって分解されにくく、レーザーパワーを調整することで選択的に第１の有機化合物層４のみを除去することができる。
【００２６】
レーザー加工プロセスには大きく分けて２種類あり、レーザーの波長によって分けられる。一般的に長波長では熱加工プロセスとなり、短波長ではアブレーション加工プロセスとなる。アブレーション加工プロセスとは熱加工プロセスを伴わないものであり、強力なレーザー光を固体或いは液体表面に照射した際に、表面が一気にプラズマ化し、構成物質である原子や分子など様々な物質が爆発的に放出する現象である。本発明においては、除去したい層以外へのダメージを避けたいことから、熱加工プロセスの方が好ましい。
【００２７】
本発明においては、波長が１．０６μｍのＮｄ：ＹＡＧレーザー、波長が０．３１乃至０．１５μｍのエキシマレーザー、波長が９．６μｍまたは１０．６μｍの炭酸ガスレーザー、波長が０．８μｍの半導体レーザー等が好ましく用いられる。また、エキシマレーザーのエキシマにはＸｅＣｌ、ＫｒＦ、ＡｒＦ、Ｆ2などが例として挙げられる。また、これらの加工プロセスは真空内または不活性ガス雰囲気内で行われる。
【００２８】
次に、図２（ｄ）に示すように、基板１の第１の副画素領域１１から第３の副画素領域１３全体に第２の色相の発光層を備える第２の有機化合物層５を形成する。第２の有機化合物層５は第１の有機化合物層４と同様に、必要に応じて発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層の機能を持つ層を有していてもよい。第２の有機化合物層５は、蒸着法で形成されるのが好ましい。この際、第２の有機化合物層５中の発光層の後に電子輸送層を成膜する場合は、前記第１の副画素と同様に発光層から電子輸送層側への正孔の漏れを防ぐことができる。その結果、第２の副画素において、後述する第３の有機化合物層６中の発光層の発光を抑え、第２の有機化合物層５中の発光層の発光がメインの発光となる。
【００２９】
前記同様に電子輸送層のＨＯＭＯエネルギーが発光層のＨＯＭＯエネルギーよりも０．１ｅＶ以上深い（イオン化ポテンシャルが大きい）ことが好ましい。この際、ＨＯＭＯエネルギーの浅い（イオン化ポテンシャルが小さい）正孔トラップ性の材料を第２の有機化合物層５中の発光層にアシストドーパントとして含ませることでも、効果的に正孔の電子輸送層側への漏れを防ぐことができる。その結果、第２の有機化合物層５中の発光層をメインに発光させることができる。
【００３０】
また、第２の有機化合物層５中に正孔輸送層を含まない時は、ＬＵＭＯエネルギーの深い（電子親和力が大きい）電子トラップ性の材料を第２の有機化合物層５中の発光層にアシストドーパントとして含ませることでも、電極側界面での発光による消光を防ぐことができる。その結果、正孔と電子の再結合をスムーズにし、第２の有機化合物層５中の発光層をメインに発光させることができる。ＬＵＭＯエネルギーの測定法は、光吸収におけるエネルギーギャップ測定値と前記ＨＯＭＯエネルギーの測定値から算出することができる。
【００３１】
次に、図２（ｅ）に示すように、第３の副画素領域１３の第２の有機化合物層５を除去する。除去法としては光照射による方法等が考えられる。光照射による除去法として好ましくはレーザー除去法が挙げられるがこれに限らない。
【００３２】
次に、図２（ｆ）に示すように第３の色相の発光層を備える第３の有機化合物層６を、基板１の第１の副画素領域１１から第３の副画素領域１３全面に形成する。第３の有機化合物層６は発光層の他に、必要に応じて正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等の機能を持つ層を有していてもよい。第３の有機化合物層６は第２の有機化合物層５と同様、蒸着法で形成されるのが好ましい。尚、第３の有機化合物層６中の発光層の後に電子輸送層又は電子注入層を成膜することがより好ましい。そうすることで、後述する上部電極からの電子注入性を上げ、第１の副画素から第３の副画素までの各副画素の素子における駆動電圧の低下と発光効率の上昇が期待できる。
【００３３】
図３に示すように、基板１の第１の副画素領域１１から第３の副画素領域１３全面に上部電極７が形成される。この時、図３中においては上部電極７が各副画素毎に段切れしているように図示されているが、第１の副画素から第３の副画素の共通電極として繋がっていることがより好ましい。上部電極７は下部電極層と同様にＣｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ、ＩＴＯ、ＩＺＯ（商標）、ＺｎＯ等、有機ＥＬ表示装置の電極として公知の材料を用いることができる。また、２つ以上の異なる材料を積層して上部電極としてもよい。上部電極７は蒸着法、スパッタリング法などによって形成されるのが好ましい。一般的にはトップエミッション構造（基板を介さずに基板と反対側から光を取り出す構成）においては透明電極を用い、ボトムエミッション構造（基板側から光を取り出す構成）においては反射電極を用いることができる。反射電極としては、下部電極２において説明したように、反射性を有する金属電極或いは透明電極と反射層との組み合わせが用いられる。
【００３４】
最後に、上部電極７とそれぞれの副画素の駆動回路とを連結する。これにより、第１の副画素領域１１、第２の副画素領域１２、第３の副画素領域１３にそれぞれ形成された第１の有機化合物層４、第２の有機化合物層５、第３の有機化合物層６それぞれが励起により異なる色の発光を呈し、多色表示が可能な有機ＥＬ表示装置が得られる。
【００３５】
尚、本発明においては、それぞれの副画素の発光色としては一般的に赤系統色、緑系統色、青系統色の３色が用いられる。赤系統色とは、ＪＩＳ規格Ｚ８１１０：色の表示方法−光源色の色区分における赤、黄赤、赤紫のことである。同様に緑系統色とは緑のことであり、青系統色とは青、青紫、青緑のことである。但し、第１の有機化合物層４から第３の有機化合物層６の発光色に関しては互いに異なっていれば良く、それぞれの有機化合物層の色相に関しては何ら限定されない。また、全ての色相の有機化合物層が積層される第１の副画素領域１１における積層順は、赤系統色、緑系統色、青系統色のように、発光色の波長がだんだんと小さくなるように各色相を発する有機化合物層が積層されるのが好ましい。また、その逆に、青系統色、緑系統色、赤系統色のように発光色の波長がだんだんと大きくなるように各色相を発する有機化合物層が積層されるのが好ましい。
【００３６】
また、本発明において発光層には単一の材料を用いても、ホスト分子にゲスト分子を含ませても良い。ゲストの濃度としては好ましくは０．０１乃至４０質量％、より好ましくは１乃至２０質量％である。また適宜、第２、第３のドーパント材料を用いても良い。さらには、ゲストは発光層中に均一に含まれていても良いし、濃度勾配を有していてもよいし、特定の領域のみにドーパントを含ませ、局所的にドーパントが含まれない領域があってもよい。また、用いられる材料としては蛍光性材料であっても、燐光性材料であっても良い。
【００３７】
発光層に用いられる材料の具体例としては、多環縮合芳香族化合物、キナクリドン誘導体、アクリドン誘導体、クマリン誘導体、ピラン誘導体、ナイルレッド、ピラジン誘導体、ベンゾイミダゾール誘導体、ベンゾチアゾール誘導体が挙げられる。多環縮合芳香族化合物としては、ナフタレン誘導体、フェナントレン誘導体、フルオレン誘導体、ピレン誘導体、テトラセン誘導体、コロネン誘導体、クリセン誘導体、ペリレン誘導体、９，１０−ジフェニルアントラセン誘導体、ルブレンなどが挙げられる。さらに、ベンゾオキサゾール誘導体、スチルベン誘導体、有機金属錯体（例えば、トリス（８−キノリノラート）アルミニウム等の有機アルミニウム錯体、有機ベリリウム錯体）が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
【００３８】
正孔注入輸送性材料としては、陽極からの正孔の注入を容易にし、また注入された正孔を発光層に輸送する優れた輸送特性を有することが好ましい。正孔注入輸送性能を有する低分子及び高分子系材料としては、酸化モリブデン、トリアリールアミン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、カルゾバゾール誘導体が挙げられる。また、ピラゾリン誘導体、ピラゾロン誘導体、オキサゾール誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、及びポリ（ビニルカルバゾール）、ポリ（シリレン）が挙げられる。さらに、ポリ（チオフェン）、その他導電性高分子が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
【００３９】
特に酸化モリブデンのような金属酸化物を下部電極２上に蒸着することで、ホール注入性の向上が見込まれ、素子の駆動電圧低下や効率向上が期待できる。また、無機物のため有機物に比べてレーザーにより除去しづらく、有機化合物層だけを選択的に除去することが可能である。
【００４０】
電子輸送性材料としては、電子を発光層に輸送する機能を有するものから任意に選ぶことができる。また、正孔注入輸送性材料のキャリア移動度とのバランス等を考慮し選択され、正孔ブロック層としての役割も果たす。電子輸送性能を有する材料としては、オキサジアゾール誘導体、オキサゾール誘導体、チアゾール誘導体、チアジアゾール誘導体、ピラジン誘導体、トリアゾール誘導体、トリアジン誘導体、ペリレン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリン誘導体が挙げられる。また、フルオレノン誘導体、アントロン誘導体、フェナントロリン誘導体、有機金属錯体等が挙げられるが、もちろんこれらに限定されるものではない。
【実施例】
【００４１】
（実施例１）
図１乃至図３の工程に沿って有機ＥＬ表示装置を作製した。
【００４２】
先ず、絶縁性の基板１上に、ｐ−ＳｉからなるＴＦＴを備える駆動回路とコンタクトホールを備える平坦化膜を形成した。次に下部電極２としてＡｇとＩＺＯとの積層膜を、スパッタリング法により形成した。下部電極２は、基板全面に形成した後、フォトリソグラフィにて画素回路に対応した副画素のパターンを形成した。下部電極２は平坦化膜のコンタクトホールを通じて各画素回路に電気的に接続された。
【００４３】
次に基板１及び下部電極２の上面に真空紫外光化学気相成長法にて窒化ケイ素膜を形成することで、各副画素領域１１乃至１３をセパレートする画素分離膜３を形成した。
【００４４】
次に、基板１を真空加熱した後、下部電極２を含む基板１の第１の副画素領域１１から第３の副画素領域１３全面に第１の有機化合物層４として、正孔輸送層、第１の発光層、第１の電子輸送層を成膜した。具体的には、正孔輸送層として下記に示した化合物１を真空蒸着法にて２０ｎｍの膜厚に形成した。蒸着時の真空度は１．０×１０-4Ｐａ、成膜速度は０．１乃至０．２ｎｍ／ｓｅｃの条件であった。
【００４５】
【化１】
2012124104.tif 000002
【００４６】
次に、正孔輸送層の上に第１の化合物としてルブレンと、第２の化合物として下記に構造式を示す化合物２を、ルブレン：化合物２＝９８：２の割合で真空蒸着法にて共蒸着して厚さ２０ｎｍの第１の発光層を設けた。蒸着時の真空度は１．０×１０-4Ｐａ、成膜速度は０．１乃至０．２ｎｍ／ｓｅｃの条件で成膜した。
【００４７】
【化２】
2012124104.tif 000003
【００４８】
さらに、第１の電子輸送層として４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（Ｂｐｈｅｎ）を真空蒸着法にて１５ｎｍの膜厚に形成した。蒸着時の真空度は１．０×１０-4Ｐａ、成膜速度は０．１乃至０．２ｎｍ／ｓｅｃの条件であった。
【００４９】
次に、第２の副画素領域１２及び第３の副画素領域１３上の第１の有機化合物層４をレーザー除去法により除去した。この時、レーザーパワーを調整して、下部電極２及び隔壁３にダメージを与えることなく第１の有機化合物層４のみを選択的に除去した。
【００５０】
次に、第１の副画素領域１１から第３の副画素領域１３全面に第２の有機化合物層５として、第２の発光層を成膜した。具体的には、第１の化合物として下記に構造式を示す化合物３と、第２の化合物として下記に構造式を示す化合物４を、化合物３：化合物４＝９８：２の割合で共蒸着して厚さ３０ｎｍの第２の発光層を設けた。蒸着時の真空度は１．０×１０-4Ｐａ、成膜速度は０．１乃至０．２ｎｍ／ｓｅｃの条件で製膜した。
【００５１】
【化３】
2012124104.tif 000004
【００５２】
次に、第３の副画素領域１３の第２の有機化合物層５をレーザー除去法により除去した。この時、レーザーパワーを調整して、下部電極２及び隔壁３にダメージを与えることなく第２の有機化合物層５のみを選択的に除去した。
【００５３】
さらに、第１の副画素領域１１から第３の副画素領域１３全面に第３の有機化合物層６として、第３の発光層及び第２の電子輸送層を成膜した。具体的には、第１の化合物として前記した化合物３と、第２の化合物として下記に構造式を示す化合物５を、化合物３：化合物５＝９５：５の割合で共蒸着して厚さ３０ｎｍの第３の発光層を設けた。さらに、第２の電子輸送層として２、９−ビス［２−（９，９’−ジメチルフルオレニル）］−１、１０−フェナントロリンを真空蒸着法にて３０ｎｍの膜厚に形成した。
【００５４】
【化４】
2012124104.tif 000005
【００５５】
次に、電子注入促進のために、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を第２の電子輸送層の上に、真空蒸着法により厚さ０．５ｎｍで形成した。蒸着時の真空度は１．０×１０-4Ｐａ、成膜速度は、０．０１ｎｍ／ｓｅｃの条件だった。
【００５６】
最後に、第１の副画素領域１１から第３の副画素領域１３全面にＩＺＯからなり、共通電極となる上部電極７を蒸着法により形成した。
【００５７】
上記基板をドライ窒素で置換されたグローブボックスに移動させ、パネル表示領域の外周部に紫外線硬化樹脂を塗布し、予め洗浄して水分を除去したガラス封止キャップを張り合わせる。それから紫外線硬化樹脂の塗布部分に紫外線を照射して硬化させ、ドライ窒素で封止空間を密閉してパネルを完成させた。
【００５８】
この様にして得られた有機ＥＬ表示装置に、下部電極２を正極、上部電極７を負極にして電圧を印加することで、第１の副画素、第２の副画素、第３の副画素からそれぞれ赤色、緑色、青色の発光が観測された。
【符号の説明】
【００５９】
１：基板、４：第１の有機化合物層、５：第２の有機化合物層、６：第３の有機化合物層、１１，１２，１３：副画素領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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