(57)【要約】【課題】  劈開面が損傷を受けることを抑制可能な半導体レーザ素子を作製する方法を提供する。【解決手段】基板生産物１を準備し、粘着フィルム４０の第２の部分４２に基板生産物１を貼着し、粘着フィルム４０にブレード５２を押し当てることにより粘着フィルム４０に張力Ｔを与え、粘着フィルム４０に張力Ｔを与えた状態を維持しつつ、粘着フィルム４０及びブレード５２の一方を他方に対して相対的に移動させることにより、スクライブ溝３０を用いて基板生産物１を劈開して半導体レーザバー６０と基板生産物１Ａとを作製し、粘着フィルム４０及びブレード５２の一方を他方に対して相対的に移動させることにより、別のスクライブ溝３０を用いて基板生産物１Ａを劈開して、半導体レーザバー６１と基板生産物１Ｂとを作製する。【選択図】図３
2012059727.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ素子を作製する方法であって、
所定の方向に配列された複数のスクライブ溝を有する第１の面を含む基板生産物を準備する工程と、
前記所定の方向に配列された第１及び第２の部分を含む粘着フィルムの前記第２の部分に前記基板生産物を貼着する工程と、
前記粘着フィルムの前記第２の部分に前記基板生産物を貼着した後に、前記粘着フィルムにブレードを押し当てることにより前記粘着フィルムに張力を与える工程と、
前記粘着フィルムに前記張力を与えた状態を維持しつつ、前記基板生産物から第１及び第２の半導体レーザバーを作製する工程と、
を備え、
前記第１及び第２の半導体レーザバーを作製する工程は、
前記粘着フィルムに前記張力を与えた後に、前記粘着フィルム及び前記ブレードの一方を他方に対して相対的に前記所定の方向に移動させることにより、前記複数のスクライブ溝のうちの第１のスクライブ溝を用いて前記基板生産物を劈開して、前記第１の半導体レーザバーと別の基板生産物とを作製する工程と、
前記第１の半導体レーザバーと前記別の基板生産物とを作製した後に、前記粘着フィルム及び前記ブレードの一方を他方に対して相対的に前記所定の方向に移動させることにより、前記複数のスクライブ溝のうちの第２のスクライブ溝を用いて前記別の基板生産物を劈開して、前記第２の半導体レーザバーとさらに別の基板生産物とを作製する工程と、
を含む半導体レーザ素子を作製する方法。
【請求項２】
前記粘着フィルムに張力を与える工程においては、前記第１の部分に前記ブレードを押し当てる請求項１に記載の半導体レーザ素子を作製する方法。
【請求項３】
前記粘着フィルムに張力を与える工程においては、前記粘着フィルムの前記第１の部分が塑性変形するような張力を前記粘着フィルムに与える請求項１又は２に記載の半導体レーザ素子を作製する方法。
【請求項４】
前記粘着フィルムに張力を与える工程と前記第１及び第２の半導体レーザバーを作製する工程との間において、前記基板生産物の前記第１の面を覆うように前記粘着フィルムに保持用シートを貼着する工程をさらに備える請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子を作製する方法。
【請求項５】
前記粘着フィルムに前記保持用シートを貼着する工程と前記第１及び第２の半導体レーザバーを作製する工程との間において、ローラーによって前記保持用シートを前記粘着フィルムに押さえ付ける工程をさらに備える請求項４に記載の半導体レーザ素子を作製する方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ素子を作製する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、半導体レーザウエハを劈開する方法が記載されている。この方法では、半導体レーザウエハを紫外線硬化型テープと透明カバーテープとにより挟み込んだ後に、当該半導体レーザウエハの劈開を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５−２１７９６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の方法においては、紫外線硬化型テープと透明カバーテープとで挟まれた半導体レーザウエハの劈開部分にブレードを押し当てることにより、当該半導体レーザウエハに力を加えて劈開を行う。これにより、紫外線硬化型テープと透明カバーテープとの間に第１の半導体レーザバーが作製される。そして、半導体レーザウエハの別の劈開部分に改めてブレードを押し当てることにより半導体レーザウエハをさらに劈開する。これにより、紫外線硬化型テープと透明カバーテープとの間に第２の半導体レーザバーが作製される。このような方法においては、第２の半導体レーザバーが半導体レーザウエハから分離されたときに、ブレードから受ける力によって紫外線硬化型テープ及び透明カバーテープが撓む。このため、２つの半導体レーザバーが、紫外線硬化型テープと透明カバーテープとに挟まれた状態において、向きを変える。その結果、２つの半導体レーザバー同士が接触し、劈開面が損傷を受ける場合がある。
【０００５】
そこで、本発明は、劈開面が損傷を受けることを抑制可能な半導体レーザ素子を作製する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の半導体レーザ素子を作製する方法は、（ａ）所定の方向に配列された複数のスクライブ溝を有する第１の面を含む基板生産物を準備する工程と、（ｂ）所定の方向に配列された第１及び第２の部分を含む粘着フィルムの第２の部分に基板生産物を貼着する工程と、（ｃ）粘着フィルムの第２の部分に基板生産物を貼着した後に、粘着フィルムにブレードを押し当てることにより粘着フィルムに張力を与える工程と、（ｄ）粘着フィルムに張力を与えた状態を維持しつつ、基板生産物から第１及び第２の半導体レーザバーを作製する工程と、を備え、第１及び第２の半導体レーザバーを作製する工程は、粘着フィルムに張力を与えた後に、粘着フィルム及びブレードの一方を他方に対して相対的に所定の方向に移動させることにより、複数のスクライブ溝のうちの第１のスクライブ溝を用いて基板生産物を劈開して、第１の半導体レーザバーと別の基板生産物とを作製する工程と、第１の半導体レーザバーと別の基板生産物とを作製した後に、粘着フィルム及びブレードの一方を他方に対して相対的に所定の方向に移動させることにより、複数のスクライブ溝のうちの第２のスクライブ溝を用いて別の基板生産物を劈開して、第２の半導体レーザバーとさらに別の基板生産物とを作製する工程と、を含むことを特徴とする。
【０００７】
この方法においては、まず、基板生産物を貼着した粘着フィルムにブレードを押し当てることにより、粘着フィルムに張力を与える。そして、この張力を与えた状態を維持しつつ、粘着フィルム及びブレードの一方を他方に対して相対的に移動させることにより、連続的に基板生産物の劈開を行って第１及び第２の半導体レーザバーを作製する。このため、第１の半導体レーザバーが基板生産物から分離されたときに、粘着フィルムに与えられている張力によって、第１の半導体レーザバーと別の基板生産物との間において粘着フィルムが部分的に伸長する。これにより、第１の半導体レーザバーと別の基板生産物とが、比較的大きい距離をもって互いに離間される。そして、第１の半導体レーザバーと別の基板生産物とが互いに離間したこの状態において、上記の張力を維持しながら別の基板生産物から第２の半導体レーザバーを作製する。したがって、第１の半導体レーザバーと第２の半導体レーザバーとが、比較的大きい距離をもって互いに離間される。よって、半導体レーザバー同士が互いに接触することを避けられて、劈開面の損傷が抑制される。
【０００８】
本発明の半導体レーザ素子を作製する方法においては、粘着フィルムに張力を与える工程においては、第１の部分にブレードを押し当てることができる。この場合、所定の方向に沿って順に劈開を行うことができる。
【０００９】
また、本発明の半導体レーザ素子を作製する方法においては、粘着フィルムに張力を与える工程においては、粘着フィルムの第１の部分が塑性変形するような張力を粘着フィルムに与えることができる。この場合、第１の半導体レーザバーが基板生産物から分離されたときに、第１の半導体レーザバーと別の基板生産物との間において粘着フィルムが塑性的に伸長する。このため、第２の半導体レーザバーを作製した後に粘着フィルムからブレードを離しても、第１の半導体レーザバーと第２の半導体レーザバーとの距離が比較的大きいままに保たれる。よって、半導体レーザバー同士が互いに接触することが確実に避けられる。
【００１０】
また、本発明の半導体レーザ素子を作製する方法においては、粘着フィルムに張力を与える工程と第１及び第２の半導体レーザバーを作製する工程との間において、基板生産物の第１の面を覆うように粘着フィルムに保持用シートを貼着する工程をさらに備えることができる。この場合、基板生産物が粘着フィルムに好適に保持される。
【００１１】
さらに、本発明の半導体レーザ素子を作製する方法においては、粘着フィルムに保持用シートを貼着する工程と第１及び第２の半導体レーザバーを作製する工程との間において、ローラーによって保持用シートを粘着フィルムに押さえ付ける工程をさらに備えることができる。この場合、基板生産物が粘着フィルムに一層好適に保持される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、劈開面が損傷を受けることを抑制可能な半導体レーザ素子を作製する方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１実施形態に係る半導体レーザ素子を作製する方法の主要な工程を示す図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る半導体レーザ素子を作製する方法の主要な工程を示す図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る半導体レーザ素子を作製する方法の主要な工程を示す図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る半導体レーザ素子を作製する方法の主要な工程を示す図である。
【図５】図４に示された領域Ａの拡大図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る半導体レーザ素子を作製する方法の主要な工程を示す図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る半導体レーザ素子を作製する方法の主要な工程を示す図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係る半導体レーザ素子を作製する方法の主要な工程を示す図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る半導体レーザ素子を作製する方法の主要な工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明の半導体レーザ素子を作製する方法に係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
【００１５】
［第１実施形態］
図１、図２、図３及び図４は、本発明の第１実施形態に係る半導体レーザ素子を作製する方法の主要な工程を示す図である。図１の（ａ）部に示されるように、工程Ｓ１０１では、半導体レーザ素子のための基板生産物１を準備する。基板生産物１は、劈開可能な半導体材料からなる基板１０と、基板１０上に設けられた半導体積層構造２０とを有する。半導体積層構造２０は、半導体レーザ素子のための活性層を含む。
【００１６】
基板生産物１は、例えば以下のように作製することができる。即ち、半導体メサ２４を所定の半導体基板上に形成すると共に、半導体メサ２４の側面上に埋込層２５を形成する。半導体メサ２４は、ｎ型クラッド層２１、活性層２２及びｐ型クラッド層２３を含む。そして、必要に応じて、半導体メサ２４及び埋込層２５上にｐ型クラッド層２６及びｐ型コンタクト層２７を成長する。これにより半導体積層構造２０が作製される。各半導体層の成長には、例えば有機金属気相成長法を用いることができる。半導体基板の厚さは、例えば３００μｍ程度とすることができる。また、半導体基板の材料は、例えばＧａＡｓとすることができる。
【００１７】
半導体積層構造２０を作製した後に、開口を有する絶縁体層２８によって半導体積層構造２０の表面を被覆する。その後、絶縁体層２８の開口に電極（例えばアノード電極）２９ａを形成する。そして、半導体基板を裏面研削し、半導体基板を所望の厚さまで薄くして基板１０を作製する。その後、基板１０の裏面に別の電極（例えばカソード電極）２９ｂを形成する。このようにして作製された作製物を所望の直方体状に切り出すことによって、基板生産物１が作製される。基板１０の厚さは、例えば１００μｍ程度とすることができる。
【００１８】
基板生産物１は、主面１ａと主面１ａの反対側の裏面１ｂとを有している。基板生産物１の主面１ａは、半導体積層構造２０が有する面のうちの基板１０と接する面と反対側の面である。基板生産物１の主面１ａには、図１の（ｂ）部に示されるように、複数のスクライブ溝３０が形成されている。スクライブ溝３０は、例えばダイヤモンドカッタ等のスクライブ溝形成装置を用いて形成することができる。スクライブ溝３０のそれぞれは、互いに略平行である。また、スクライブ溝３０のそれぞれは、主面１ａの端部から半導体メサ２４等の光導波路の延在方向に交差する方向に沿って延在している。さらに、スクライブ溝３０のそれぞれは、半導体メサ２４等の光導波路の延在方向に沿って間隔Ｄ１で配列されている。間隔Ｄ１は、例えばファブリペロー型半導体レーザのキャビティ長を規定する。間隔Ｄ１は、例えば２５０μｍ程度とすることができる。
【００１９】
続いて、工程Ｓ１０２では、図１の（ｂ）部に示されるように、基板生産物１を粘着フィルム４０に貼着する。このとき、基板生産物１の裏面１ｂが粘着フィルム４０の粘着面４０ａに貼着される。粘着フィルム４０は、第１の部分４１、第２の部分４２及び第３の部分４３を有している。基板生産物１は、粘着フィルム４０の第２の部分４２に貼着される。第１の部分４１、第２の部分４２及び第３の部分４３は、スクライブ溝３０の配列方向に沿って順に配置されている。粘着フィルム４０の厚さは、例えば８０μｍ程度とすることができる。また、粘着フィルム４０の材料は、例えば塩化ビニルやポリオレフィンとすることができる。
【００２０】
続いて、工程Ｓ１０３では、図２の（ａ）部に示されるように、粘着フィルム４０を劈開装置５０に設置する。劈開装置５０はフレーム５１を備えており、粘着フィルム４０は、このフレーム５１に固定される。ここで、図２の（ａ）部に示された直交座標系Ｓを参照すると、ｘ軸は、粘着フィルム４０の第１の部分４１から第２の部分４２に向かう方向（即ち、スクライブ溝３０の配列方向）を示しており、ｙ軸は、粘着フィルム４０の粘着面４０ａ及び裏面４０ｂに直交する方向を示しており、ｚ軸はスクライブ溝３０の延在方向を示している。劈開装置５０は、ブレード５２をさらに備えている。ブレード５２は、粘着フィルム４０の裏面４０ｂに対向して配置されており、少なくともｙ軸の方向に移動可能とされている。
【００２１】
続いて、工程Ｓ１０４では、図２の（ｂ）部に示されるように、粘着フィルム４０の第１の部分４１にブレード５２を押し当てることにより、粘着フィルム４０に張力Ｔを与える。このとき、ブレード５２のエッジ５２ａが、粘着フィルム４０の裏面４０ｂに押し当てられる。ブレード５２のエッジ５２ａは、ｚ軸方向に沿って延在している。したがって、エッジ５２ａと粘着フィルム４０との接触箇所Ｃは、ｚ軸の方向に沿って延在している。このようにブレード５２押し当てることにより、粘着フィルム４０は、ｚ軸方向から見て山型となるように屈曲する。接触箇所Ｃにおける粘着フィルム４０の屈曲角度θは、例えば１５０度以下であることが好ましい。また、粘着フィルム４０に与える張力Ｔは、粘着フィルム４０の第１の部分４１が塑性変形する力以上であることが好ましい。
【００２２】
続いて、粘着フィルム４０に張力Ｔを与えた状態を維持しつつ（即ち、粘着フィルム４０にブレード５２を押し当てたままで）、基板生産物から連続的に複数の半導体レーザバーを作製する。以下では、この工程について、より具体的に説明する。工程Ｓ１０５では、図３の（ａ）部、（ｂ）部及び（ｃ）部に示されるように、粘着フィルム４０に張力Ｔを与えた状態を維持しつつ、粘着フィルム４０及びブレード５２の一方を他方に対して相対的にｘ軸の方向に移動する。そして、その移動量を、例えば間隔Ｄ１よりも大きくすることにより、複数のスクライブ溝３０のうちの最も基板生産物１の端部側に位置するスクライブ溝３０（即ち、最も第１の部分４１側に位置するスクライブ溝３０）を用いて基板生産物１を劈開する。これにより、半導体レーザバー６０と基板生産物１Ａとを作製する。この工程Ｓ１０５においては、接触箇所Ｃを基板生産物１に対して相対的にｘ軸の方向に移動させていき、接触箇所Ｃが当該スクライブ溝３０を横切ったときに、粘着フィルム４０の粘着力によって、当該スクライブ溝３０を基点として基板生産物１が劈開される。
【００２３】
続いて、工程Ｓ１０６では、図４の（ａ）部、（ｂ）部及び（ｃ）部に示されるように、粘着フィルム４０に張力Ｔを与えた状態を維持しつつ、粘着フィルム４０及びブレード５２の一方を他方に対して相対的にｘ軸の方向にさらに移動する。そして、その移動量を間隔Ｄ１よりも大きくすることにより、複数のスクライブ溝３０のうちの最も基板生産物１Ａの端部側に位置するスクライブ溝３０を用いて基板生産物１Ａを劈開する。これにより、半導体レーザバー６１と基板生産物１Ｂとを作製する。この工程Ｓ１０６においても、接触箇所Ｃを基板生産物１に対して相対的にｘ軸の方向に移動させていき、接触箇所Ｃが当該スクライブ溝３０を横切ったときに、粘着フィルム４０の粘着力によって、当該スクライブ溝３０を基点として基板生産物１Ａが劈開される。
【００２４】
このようにして複数の半導体レーザバーを作製した後に、粘着フィルム４０を劈開装置５０から取り外すと共に、半導体レーザバーのそれぞれを粘着フィルム４０から取り外す。そして、取り外した半導体レーザバーのそれぞれを素子区画ごとに切り出すことにより、半導体レーザ素子が作製される。
【００２５】
以上説明したように、本実施形態に係る方法においては、まず、基板生産物１を貼着した粘着フィルム４０にブレード５２を押し当てることにより、粘着フィルム４０に張力Ｔを与える。そして、粘着フィルム４０にこの張力Ｔを与えた状態を維持しながら、粘着フィルム４０及びブレード５２の一方を他方に対して相対的に移動させることにより、連続的に基板生産物の劈開を行って複数の半導体レーザバーを作製する。
【００２６】
工程Ｓ１０５において、半導体レーザバー６０が基板生産物１から分離されたときに、粘着フィルム４０に与えられている張力Ｔによって、半導体レーザバー６０と基板生産物１Ａとの間において粘着フィルム４０の第２の部分４２が伸長する。これにより、半導体レーザバー６０と基板生産物１Ａとが、比較的大きい距離をもって互いに離間される。そして、半導体レーザバー６０と基板生産物１Ａとが互いに離間したこの状態において、基板生産物１Ａから半導体レーザバー６１を作製する。したがって、工程Ｓ１０６において、半導体レーザバー６１が基板生産物１Ａから分離されたときには、図５に示されるように、半導体レーザバー６０と半導体レーザバー６１とが、比較的大きい距離Ｄ２をもって互いに離間されることとなる。よって、半導体レーザバー６０と半導体レーザバー６１とが互いに接触することを避けられるので、それぞれの劈開面６０ａ，６０ｂの損傷が抑制される。
【００２７】
また、粘着フィルム４０に与える張力Ｔが、粘着フィルム４０を塑性変形させるために十分な力である場合には（例えば、粘着フィルム４０の第１の部分４１を塑性変形させる力以上である場合には）、半導体レーザバー６０が基板生産物１から分離されたとき、半導体レーザバー６０と基板生産物１Ａとの間において、粘着フィルム４０が塑性的に伸長する。したがって、半導体レーザバー６１を作製した後に粘着フィルム４０からブレード５２を離しても、半導体レーザバー６０と半導体レーザバー６１との距離が距離Ｄ２に保たれるので、半導体レーザバー６０と半導体レーザバー６１とが接触することが確実に避けられる。
【００２８】
なお、粘着フィルム４０に与えられた張力Ｔは、各半導体レーザバーが基板生産物から分離されたときに、粘着フィルム４０が伸長することによって減少する。したがって、工程Ｓ１０４においては、その後の工程で半導体レーザバーの作製を続け、基板生産物が２つの半導体レーザバーに分割されるときに（即ち、最後の劈開が行われるときに）、それらの半導体レーザバー同士が十分に大きな距離をもって離間するような張力Ｔを粘着フィルム４０に与えることが好ましい。
【００２９】
上述した半導体レーザ素子を作製する方法においては、工程Ｓ１０４と工程Ｓ１０５との間において、基板生産物１の主面１ａを覆うように、粘着フィルム４０に保持用シートを貼着する工程をさらに備えることができる。これにより、基板生産物１は、粘着フィルム４０と保持用シートとの間に保持されることとなる。このため、基板生産物の劈開に際して、粘着フィルム４０の粘着力に加えて保持用シートによる押圧力が基板生産物に加えられることとなる。したがって、粘着フィルム４０を、比較的粘着力の弱いものとすることができる。その結果、粘着フィルム４０から半導体レーザバーを取り外すことが容易になる。また、粘着フィルム４０から半導体レーザバーを取り外す際に、半導体レーザバーの裏面（粘着面４０ａと接触する面）が損傷することが避けられる。
【００３０】
［第２実施形態］
図６、図７、図８及び図９は、本発明の第２実施形態に係る半導体レーザ素子を作製する方法の主要な工程を示す図である。本実施形態に係る方法においては、まず、上記の第１実施形態に係る方法と同様に、基板生産物１を準備し、準備した基板生産物１を粘着フィルム４０に貼着する。その後、工程Ｓ２０１では、図６の（ａ）部に示されるように、粘着フィルム４０を、劈開装置５５に設置する。劈開装置５５は、フレーム５１及びブレード５２に加えて、ｚ軸方向に沿った中心軸ＣＡの周りに回転可能なローラー５３をさらに備えている。
【００３１】
続いて、工程Ｓ２０２では、図６の（ｂ）部に示されるように、上記の第１実施形態に係る方法の工程Ｓ１０４と同様にして、粘着フィルム４０の第１の部分４１にブレード５２を押し当てることにより、粘着フィルム４０に張力Ｔを与える。続いて、工程Ｓ２０３では、図６の（ｃ）部に示されるように、基板生産物１の主面１ａを覆うように、粘着フィルム４０に保持用シート７０を貼着する。これにより、基板生産物１は、粘着フィルム４０と保持用シート７０との間に保持されることとなる。保持用シート７０の厚さは、例えば２０μｍ程度とすることができる。また、保持用シート７０の材料は、例えば塩化ビニルとすることができる。
【００３２】
続いて、工程Ｓ２０４では、図７の（ａ）部及び図７の（ｂ）部に示されるように、ローラー５３によって保持用シート７０を粘着フィルム４０に押さえ付ける。このとき、ローラー５３は、粘着フィルム４０の第１の部分４１及び第３の部分４３にそれぞれ配置される。換言すれば、ローラー５３は、ｚ軸方向から見て、ブレード５２のエッジ５２ａと粘着フィルム４０との接触箇所Ｃ及び基板生産物１を挟んで配置される。なお、粘着フィルム４０の裏面４０ｂは、ブレード５２のエッジ５２ａを規定する斜面５２ｂに密着していてもよいし、離間していてもよい。また、ローラー５３がｚ軸方向に沿った中心軸ＣＡの周りに回転可能となっているため、粘着フィルム４０及び保持用シート７０は、ローラー５３から押圧力を加えられた状態において、ｘ軸の方向に移動可能となっている。
【００３３】
続いて、粘着フィルム４０に張力Ｔを与えた状態を維持しつつ（即ち、粘着フィルム４０にブレード５２を押し当てたままで）、基板生産物から連続的に複数の半導体レーザバーを作製する。以下では、この工程について、より具体的に説明する。工程Ｓ２０５では、図８の（ａ）部、（ｂ）部及び（ｃ）部に示されるように、粘着フィルム４０に張力Ｔを与えた状態を維持しつつ、粘着フィルム４０及び保持用シート７０並びにブレード５２の一方を他方に対して相対的にｘ軸の方向に移動する。そして、その移動量を間隔Ｄ１よりも大きくすることにより、複数のスクライブ溝３０のうちの最も基板生産物１の端部側に位置するスクライブ溝３０を用いて基板生産物１を劈開する。これにより、粘着フィルム４０と保持用シート７０との間に半導体レーザバー６０と基板生産物１Ａとを作製する。この工程Ｓ２０５においては、粘着フィルム４０とブレード５２のエッジ５２ａとの接触箇所Ｃを、基板生産物１に対して相対的にｘ軸の方向に移動させていき、接触箇所Ｃが当該スクライブ溝３０を横切ったときに、粘着フィルム４０の粘着力や保持用シート７０による押圧力によって、当該スクライブ溝３０を基点として基板生産物１が劈開される。
【００３４】
続いて、工程Ｓ２０６では、図９の（ａ）部、（ｂ）部及び（ｃ）部に示されるように、粘着フィルム４０に張力Ｔを与えた状態を維持しつつ、粘着フィルム４０及び保持用シート７０並びにブレード５２の一方を他方に対して相対的にｘ軸の方向にさらに移動する。そして、その移動量を間隔Ｄ１よりも大きくすることにより、複数のスクライブ溝３０のうちの最も基板生産物１Ａの端部側に位置するスクライブ溝３０を用いて基板生産物１Ａを劈開する。これにより、粘着フィルム４０と保持用シート７０との間に半導体レーザバー６１と基板生産物１Ｂとを作製する。この工程Ｓ２０６においても、接触箇所Ｃを基板生産物１に対して相対的にｘ軸の方向に移動させていき、接触箇所Ｃが当該スクライブ溝３０を横切ったときに、粘着フィルム４０の粘着力や保持用シート７０による押圧力によって、当該スクライブ溝３０を基点として基板生産物１Ａが劈開される。
【００３５】
このようにして、複数の半導体レーザバーを作製した後に、粘着フィルム４０を劈開装置５０から取り外すと共に、半導体レーザバーのそれぞれと保持用シート７０とを粘着フィルム４０から取り外す。そして、取り外した半導体レーザバーのそれぞれを素子区画ごとに切り出すことにより、半導体レーザ素子が作製される。
【００３６】
以上説明したように、本実施形態に係る方法においても、工程Ｓ２０６において半導体レーザバー６１が基板生産物１Ｂから分離されたときには、上記の第１実施形態に係る方法と同様に、半導体レーザバー６０と半導体レーザバー６１とが比較的大きい距離をもって互いに離間されることとなる。よって、半導体レーザバー６０と半導体レーザバー６１とが互いに接触することを避けられるので、それぞれの劈開面の損傷が抑制される。
【００３７】
しかも、本実施形態に係る方法においては、ローラー５３によって保持用シート７０を粘着フィルム４０に押さえ付ける。このため、保持用シート７０が粘着フィルム４０から剥離することが防止される。したがって、粘着フィルム４０を、比較的粘着力の弱いものとすることができる。その結果、粘着フィルム４０から保持用シート７０や半導体レーザバーを取り外すことが容易になる。また、粘着フィルム４０から半導体レーザバーを取り外す際に、半導体レーザバーの裏面（粘着面４０ａと接触する面）が損傷することが避けられる。
【００３８】
以上、好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【符号の説明】
【００３９】
１…基板生産物、１Ａ…基板生産物（別の基板生産物）、１Ｂ…基板生産物（さらに別の基板生産物）、１ａ…主面（第１の面）、３０…スクライブ溝、４０…粘着フィルム、４１…第１の部分、４２…第２の部分、５２…ブレード、５３…ローラー、６０…半導体レーザバー（第１の半導体レーザバー），６１…半導体レーザバー（第２の半導体レーザバー）、７０…保持用シート。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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