(57)【要約】【課題】  マッハツェンダ変調器の劣化などの不具合を容易に判定することができるマッハツェンダ変調器の制御装置およびマッハツェンダ変調器の制御方法を提供する。【解決手段】  マッハツェンダ変調器の制御装置は、マッハツェンダ変調器のいずれかの光導波路に設けられた電極を流れる電流値を検出する電流検出部と、電流検出部が検出した電流値に基づいてマッハツェンダ変調器の不具合状態を判定する判定部と、を備える。マッハツェンダ変調器の制御方法は、マッハツェンダ変調器のいずれかの光導波路に設けられた電極を流れる電流値を検出する電流検出ステップと、電流検出ステップにおいて検出した電流値に基づいてマッハツェンダ変調器の不具合状態を判定する判定ステップと、を含む。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
マッハツェンダ変調器のいずれかの光導波路に設けられた電極を流れる電流値を検出する電流検出部と、
前記電流検出部が検出した電流値に基づいて前記マッハツェンダ変調器の不具合状態を判定する判定部と、を備えることを特徴とするマッハツェンダ変調器の制御装置。
【請求項２】
前記電流検出部が検出する電流値は、前記マッハツェンダ変調器に変調信号を入力するための変調用電極に入力されるバイアス電流値であることを特徴とする請求項１記載のマッハツェンダ変調器の制御装置。
【請求項３】
前記電流検出部が検出する電流値は、前記マッハツェンダ変調器の位相調整用電極に入力されるバイアス電流値であることを特徴とする請求項１記載のマッハツェンダ変調器の制御装置。
【請求項４】
前記判定部は、前記電流検出部が検出する電流値と基準値との乖離度を算出することを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のマッハツェンダ変調器の制御装置。
【請求項５】
前記判定部は、前記電流検出部が検出する電流値と前記基準値との乖離度がしきい値を上回る場合に、前記マッハツェンダ変調器に不具合が生じていると判定することを特徴とする請求項４記載のマッハツェンダ変調器の制御装置。
【請求項６】
前記マッハツェンダ変調器は、２つの出力光導波路に合分波部を介して２つの光導波路が接続する構成を有し、
前記電流検出部が検出する電流値は、前記２つの出力光導波路に設けられた電極から得られる電流値であることを特徴とする請求項１記載のマッハツェンダ変調器の制御装置。
【請求項７】
前記電流検出部は、前記マッハツェンダ変調器に入力される光の強度を検出する受光素子の出力電流をさらに検出し、
前記判定部は、前記２つの出力光導波路の電極から出力される合計の電流と前記受光素子の出力電流との比と、基準値との比較結果に基づいて前記マッハツェンダ変調器の不具合を値として算出することを特徴とする請求項６記載のマッハツェンダ変調器の制御装置。
【請求項８】
前記判定部は、前記２つの出力光導波路の電極から出力される合計の電流と前記受光素子の出力電流との比と、前記基準値との乖離度を算出することを特徴とする請求項６または７記載のマッハツェンダ変調器の制御装置。
【請求項９】
前記判定部は、前記２つの出力光導波路の電極から出力される合計の電流と前記受光素子の出力電流との比と、前記基準値との乖離度がしきい値を上回る場合に、前記マッハツェンダ変調器に不具合が生じていると判定することを特徴とする請求項８記載のマッハツェンダ変調器の制御装置。
【請求項１０】
マッハツェンダ変調器のいずれかの光導波路に設けられた電極を流れる電流値を検出する電流検出ステップと、
前記電流検出ステップにおいて検出した電流値に基づいて前記マッハツェンダ変調器の不具合状態を判定する判定ステップと、を含むことを特徴とするマッハツェンダ変調器の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マッハツェンダ変調器の制御装置およびマッハツェンダ変調器の制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光通信システムの光送信器において、光信号を変調する際に、マッハツェンダ変調器が用いられることがある（例えば、特許文献１参照）。光送信器の信頼性を維持するためには、マッハツェンダ変調器に生じる不具合を判定できることが好ましい。例えば、光送信器から送信される光の波形を直接モニタすることによって、マッハツェンダ変調器の不具合を判定することが考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平７−４９４７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、光送信器から送信される光波形のモニタリングでは不具合の判定が困難である。
【０００５】
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、マッハツェンダ変調器の劣化などの不具合を容易に判定することができるマッハツェンダ変調器の制御装置およびマッハツェンダ変調器の制御方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るマッハツェンダ変調器の制御装置は、マッハツェンダ変調器のいずれかの光導波路に設けられた電極を流れる電流値を検出する電流検出部と、前記電流検出部が検出した電流値に基づいて前記マッハツェンダ変調器の不具合状態を判定する判定部と、を備えることを特徴とするものである。本発明に係る判定装置によれば、マッハツェンダ変調器の劣化などの不具合を容易に判定することができる。
【０００７】
前記電流検出部が検出する電流値は、前記マッハツェンダ変調器に変調信号を入力するための変調用電極に入力されるバイアス電流値とすることができる。前記電流検出部が検出する電流値は、前記マッハツェンダ変調器の位相調整用電極に入力されるバイアス電流値とすることができる。前記判定部は、前記電流検出部が検出する電流値と基準値との乖離度を算出してもよい。前記判定部は、前記電流検出部が検出する電流値と前記基準値との乖離度がしきい値を上回る場合に、前記マッハツェンダ変調器に不具合が生じていると判定してもよい。前記マッハツェンダ変調器は、２つの出力光導波路に合分波部を介して２つの光導波路が接続する構成を有し、前記電流検出部が検出する電流値は、前記２つの出力光導波路に設けられた電極から得られる電流値としてもよい。
【０００８】
前記電流検出部は、前記マッハツェンダ変調器に入力される光の強度を検出する受光素子の出力電流をさらに検出し、前記判定部は、前記２つの出力光導波路の電極から出力される合計の電流と前記受光素子の出力電流との比と、基準値との比較結果に基づいて前記マッハツェンダ変調器の不具合を値として算出してもよい。前記判定部は、前記２つの出力光導波路の電極から出力される合計の電流と前記受光素子の出力電流との比と、前記基準値との乖離度を算出してもよい。前記判定部は、前記２つの出力光導波路の電極から出力される合計の電流と前記受光素子の出力電流との比と、前記基準値との乖離度がしきい値を上回る場合に、前記マッハツェンダ変調器に不具合が生じていると判定してもよい。
【０００９】
本発明に係るマッハツェンダ変調器の制御方法は、マッハツェンダ変調器のいずれかの光導波路に設けられた電極を流れる電流値を検出する電流検出ステップと、前記電流検出ステップにおいて検出した電流値に基づいて前記マッハツェンダ変調器の不具合状態を判定する判定ステップと、を含むことを特徴とするものである。本発明に係る判定方法によれば、マッハツェンダ変調器の劣化などの不具合を容易に判定することができる。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、マッハツェンダ変調器の劣化などの不具合を容易に判定することができるマッハツェンダ変調器の制御装置およびマッハツェンダ変調器の制御方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施例１に係る光送信器の全体構成を説明するための概略図である。
【図２】変調器について説明するための図である。
【図３】変調器の不具合を値として算出する際に実行されるフローチャートの一例を示す図である。
【図４】変調器に不具合が生じているか否かを判定するためのフローチャートの一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１は、実施例１に係る光送信器１００の全体構成を説明するための概略図である。図１を参照して、光送信器１００は、波長可変半導体レーザ１０、波長検知部２０、変調器３０、制御部５０、報知装置８０などを備える。波長可変半導体レーザ１０は、温度制御装置６０ａ上に配置されている。波長検知部２０および変調器３０は、温度制御装置６０ｂ上に配置されている。温度制御装置６０ａ，６０ｂは、ペルチェ素子などから構成される。波長可変半導体レーザ１０と波長検知部２０との間には、レンズ７０ａが配置されている。波長検知部２０と変調器３０との間には、レンズ７０ｂが配置されている。変調器３０の出力端側には、レンズ７０ｃが配置されている。
【００１３】
波長可変半導体レーザ１０は、バーニア効果を利用して出力波長を選択可能なレーザであり、一例として、ＳＧ−ＤＢＲ（Ｓａｍｐｌｅｄ  Ｇｒａｔｉｎｇ  Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｂｒａｇｇ  Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）領域、ＳＧ−ＤＦＢ（Ｓａｍｐｌｅｄ  Ｇｒａｔｉｎｇ  Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ  Ｆｅｅｄｂａｃｋ）領域、および半導体光増幅（ＳＯＡ：Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）領域が順に連結した構造を有する。
【００１４】
波長検知部２０は、波長可変半導体レーザ１０のフロント側に配置されており、ビームスプリッタ２１ａ，２１ｂ、エタロン２２、および受光素子２３ａ，２３ｂを備える。ビームスプリッタ２１ａ，２１ｂは、波長可変半導体レーザ１０と変調器３０とを結ぶ光軸上に配置されている。受光素子２３ａは、ビームスプリッタ２１ａの分岐光軸上に配置されている。受光素子２３ｂは、ビームスプリッタ２１ｂの分岐光軸上に配置されている。エタロン２２は、ビームスプリッタ２１ｂと受光素子２３ｂとの間に配置されている。
【００１５】
変調器３０は、半導体基板上に形成されたメサ状の光導波路の経路を組み合わせて構成されるマッハツェンダ変調器である。図２（ａ）は、変調器３０の拡大図である。図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。図２（ｃ）は、図２（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【００１６】
図２（ｂ）を参照して、光導波路は、半導体基板４１上に形成されている。光導波路は、半導体基板４１上において、下クラッド層４２ａ、コア４３、上クラッド層４２ｂがこの順にメサ状に積層された構造を有している。半導体基板４１の上面、光導波路の上面および側面には、パッシベーション膜４４および絶縁膜４５が順に積層されている。
【００１７】
半導体基板４１は、ＩｎＰなどの半導体からなる。下クラッド層４２ａおよび上クラッド層４２ｂは、ＩｎＰなどの半導体からなる。コア４３は、下クラッド層４２ａおよび上クラッド層４２ｂよりもバンドギャップエネルギが小さい半導体からなり、例えばＩｎＧａＡｓＰなどからなる。それにより、コア４３を通過する光が下クラッド層４２ａおよび上クラッド層４２ｂによってとじ込められる。パッシベーション膜４４は、ＩｎＰなどの半導体からなる。絶縁膜４５は、ＳｉＮなどの絶縁体からなる。
【００１８】
図２（ａ）を参照して、変調器３０には、第１入力端３１ａに接続された第１入力光導波路３２ａが設けられ、第２入力端３１ｂに接続された第２入力光導波路３２ｂが設けられている。第１入力光導波路３２ａおよび第２入力光導波路３２ｂは、第１ＭＭＩ（Ｍａｌｔｉ  Ｍｏｄｅ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）３３で合流し、第１光導波路３４ａおよび第２光導波路３４ｂに分岐する。変調器３０の長手方向を対称軸とした場合に、第１光導波路３４ａは第１入力端３１ａと同じ側に配置され、第２光導波路３４ｂは第２入力端３１ｂと同じ側に配置されている。
【００１９】
第１光導波路３４ａおよび第２光導波路３４ｂは第２ＭＭＩ３５で合流し、第１出力端３７ａに接続された第１出力光導波路３６ａと、第２出力端３７ｂに接続された第２出力光導波路３６ｂとに分岐する。変調器３０の長手方向を対称軸とした場合に、第１出力端３７ａは第２光導波路３４ｂと同じ側に配置され、第２出力端３７ｂは第１光導波路３４ａと同じ側に配置されている。第１光導波路３４ａの光路長と第２光導波路３４ｂの光路長との間には、あらかじめ差が設けられている。例えば、第１光導波路３４ａを伝播する光と第２光導波路３４ｂを伝播する光とに−０．５πの位相差が生じるような、光路長差が設定されている。
【００２０】
第１光導波路３４ａおよび第２光導波路３４ｂのそれぞれには、位相調整用電極４６および変調用電極４７が設けられている。位相調整用電極４６および変調用電極４７は、互いに離間している。位相調整用電極４６および変調用電極４７の位置関係は特に限定されるものではないが、本実施例においては、位相調整用電極４６は変調用電極４７よりも光入力端側に配置されている。第１出力光導波路３６ａおよび第２出力光導波路３６ｂのそれぞれには、光強度検出電極４８が設けられている。
【００２１】
図２（ｃ）を参照して、変調用電極４７は、上クラッド層４２ｂ上において、コンタクト層４９を介して配置されている。コンタクト層４９は、ＩｎＧａＡｓなどの半導体からなる。なお、上クラッド層４２ｂとコンタクト層４９との間には、パッシベーション膜４４および絶縁膜４５は設けられていない。また、位相調整用電極４６、変調用電極４７および光強度検出電極４８は、Ａｕなどの金属からなる。
【００２２】
再度図１を参照して、制御部５０は、制御ブロック（判定部）５１、駆動回路５２、電流検出回路５３、駆動回路５４、電流検出回路５５、バイアス電圧印加回路５６、電圧モニタ５７、メモリ５８などを備える。制御ブロック５１は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）、ＲＡＭ（ランダムアクセスメモリ）等から構成される。メモリ５８は、ＲＯＭ（リードオンリメモリ）、ＲＡＭなどから構成され、波長可変半導体レーザ１０および変調器３０の制御情報、制御プログラム等が格納されている。外部装置８０は、本制御装置に対する上位の装置であり、本制御装置は外部装置に対して例えばアラーム端子や通信等の方法で変調器３０の不具合を報知する。
【００２３】
続いて、各部の制御の概略について説明する。まず、制御ブロック５１による波長可変半導体レーザ１０の制御の概略について説明する。制御ブロック５１は、波長可変半導体レーザ１０を制御する際に、メモリ５８から初期設定値を読み込む。制御ブロック５１は、初期設定値に従って、温度制御装置６０ａ，６０ｂを制御する。それにより、波長可変半導体レーザ１０および波長検知部２０が所定の温度に制御される。また、制御ブロック５１は、初期設定値に従って、駆動回路５２に波長可変半導体レーザ１０を駆動させる。それにより、波長可変半導体レーザ１０から波長検知部２０に光が出力される。
【００２４】
電流検出回路５３は、受光素子２３ａの出力電流ＰＤ１および受光素子２３ｂの出力電流ＰＤ２を検出し、制御ブロック５１に与える。波長可変半導体レーザ１０の出力波長は、出力電流ＰＤ１と出力電流ＰＤ２との比に基づいて検出することができる。制御ブロック５１は、出力電流ＰＤ１と出力電流ＰＤ２との比に基づいて、波長可変半導体レーザ１０の出力波長を制御する。また、制御ブロック５１は、出力電流ＰＤ１に基づいて、波長可変半導体レーザ１０の出力光強度を制御する。
【００２５】
次に、変調器３０の制御の概略について説明する。制御ブロック５１は、変調器３０を制御する際に、メモリ５８から設定バイアス電圧を読み込む。バイアス電圧印加回路５６は、各変調用電極４７に設定バイアス電圧を印加する。バイアス電圧は、ＤＣ電圧である。さらに、駆動回路５４は、各変調用電極４７に、第１光導波路３４ａ及び第２光導波路３４ｂそれぞれを伝搬する光を変調するための変調信号（電圧信号）を印加する。各変調用電極４７に電圧が印加されると、第１光導波路３４ａ及び第２光導波路３４ｂにおいてコア４３の屈折率が変化し、第１光導波路３４ａ及び第２光導波路３４ｂを通過する光の位相が変化する。
【００２６】
駆動回路５４は、第１光導波路３４ａに設けられた変調用電極４７と、第２光導波路３４ｂに設けられた変調用電極４７と、に変調信号として差動信号を入力する。つまり、第１光導波路３４ａの変調用電極４７にＨ（ハイ）にドライブさせる電圧を印加すると、第２光導波路３４ｂの変調用電極４７にはＬ（ロー）にドライブさせる電圧を印加する。反対に、第１光導波路３４ａの変調用電極４７にＬ（ロー）にドライブさせる電圧を印加すると、第２光導波路３４ｂの変調用電極４７にはＨ（ハイ）にドライブさせる電圧を印加する。このように、第１光導波路３４ａの変調用電極４７に印加される電圧と第２光導波路３４ｂの変調用電極４７に印加される電圧とに電位差があることで、第１光導波路３４ａを伝搬する光と第２光導波路３４ｂを伝搬する光とにその電位差に応じた位相差が付加される。
【００２７】
例えば、第１光導波路３４ａの変調用電極４７にＨ（ハイ）にドライブさせる電圧を印加し、第２光導波路３４ｂの変調用電極４７にＬ（ロー）にドライブさせる電圧を印加した場合に、第１光導波路３４ａを伝搬する光と第２光導波路３４ｂを伝搬する光とに＋０．５πの位相差が付加される。また、例えば、第１光導波路３４ａの変調用電極４７にＬ（ロー）にドライブさせる電圧を印加し、第２光導波路３４ｂの変調用電極４７にＨ（ハイ）にドライブさせる電圧を印加した場合に、第１光導波路３４ａを伝搬する光と第２光導波路３４ｂを伝搬する光とに−０．５πの位相差が付加される。
【００２８】
上述したように、第１光導波路３４ａには、第１光導波路３４ａを伝搬する光と第２光導波路３４ｂを伝搬する光とに−０．５πの位相差を付加する位相シフタがあらかじめ設けられている。したがって、第１光導波路３４ａの変調用電極４７にＨ（ハイ）にドライブされる電圧が印加され、第２光導波路３４ｂの変調用電極４７にＬ（ロー）にドライブさせる電圧が印加されると、第１光導波路３４ａを通過した光と第２光導波路３４ｂを通過した光との位相差は０になる。反対に、第１光導波路３４ａの変調用電極４７にＬ（ロー）にドライブさせる電圧が印加され、第２光導波路３４ｂの変調用電極４７にＨ（ハイ）にドライブさせる電圧が印加されると、第１光導波路３４ａを通過した光と第２光導波路３４ｂを通過した光との位相差は−πになる。このように、各変調用電極４７に差動信号として変調用の電圧が印加されると、第１光導波路３４ａを通過した光と第２光導波路３４ｂを通過した光との位相差は、−πと０とを交互に繰り返すことになる。
【００２９】
第１光導波路３４ａを通過した光と第２光導波路３４ｂを通過した光との位相差が０である場合は、第１入力端３１ａから入力された光は第１出力端３７ａから出力され、第２出力端３７ｂからは出力されない。反対に、第１光導波路３４ａを通過した光と第２光導波路３４ｂを通過した光との位相差が−πである場合は、第１入力端３１ａから入力された光は第２出力端３７ｂから出力され、第１出力端３７ａからは出力されない。このように、第１光導波路３４ａを通過した光と第２光導波路３４ｂを通過した光との位相差に応じて、第１入力端３１ａから入力された光が出力される出力端が第１出力端３７ａと第２出力端３７ｂとの間で切り替る。これにより、第１出力端３７ａ又は第２出力端３７ｂからの出力光信号を変調光信号として利用することができる。ここでは、第１出力端３７ａの出力光信号を変調光信号として利用する。
【００３０】
変調器３０の光導波路を製造する際には、導波路の幅や長さ等に製造ばらつきが少なからず発生し、第１光導波路３４ａの光路長と第２光導波路３４ｂの光路長とが設定値から外れてしまうことがある。これにより、第１光導波路３４ａを通過した光と第２光導波路３４ｂを通過した光との位相差が設定値から外れてしまうことがある。このような位相差のズレを補正するための位相調整を行う必要がある。
【００３１】
制御ブロック５１は、バイアス電圧印加回路５６に各位相調整用電極４６に対してＤＣ（直流）電圧を印加させ、第１光導波路３４ａ及び第２光導波路３４ｂにおいてコア４３の屈折率を変化させ、第１光導波路３４ａ及び第２光導波路３４ｂを伝搬する光の位相を変化させることで位相調整を行う。具体的には、制御ブロック５１は、各光強度検出電極４８で検出される光強度に基づいて、各位相調整用電極４６に印加するＤＣ電圧をフィードバック制御する。
【００３２】
ここで、第１光導波路３４ａを通過した光と第２光導波路３４ｂを通過した光との位相差が−πと０とを交互に繰り返す場合には、第１出力端３７ａから出力される光の強度と第２出力端３７ｂから出力される光の強度とは、一定の時間幅で同じ大きさとなる。そこで、制御ブロック５１は、電流検出回路５５から、第１出力光導波路３６ａの光強度検出電極４８が出力する出力電流ＰＤ３と、第２出力光導波路３６ｂの光強度検出電極４８が出力する出力電流ＰＤ４と、を取得し、両者が同じ大きさとなるように、バイアス電圧印加回路５６から各位相調整用電極４６に印加されるＤＣ電圧を制御する。これにより、第１光導波路３４ａを通過した光と第２光導波路３４ｂを通過した光との位相差が−πと０とを交互に繰り返すようにでき、製造ばらつきによる位相差のズレを補正することができる。    
【００３３】
バイアス電圧印加回路５６と第１光導波路３４ａの変調用電極４７との間には、抵抗Ｒが挿入されている。電圧モニタ５７は、抵抗Ｒと変調用電極４７との間の電圧をモニタする。制御ブロック５１は、バイアス電圧印加回路５６の設定バイアス電圧と電圧モニタ５７によって検出されたモニタ電圧との差から、第１光導波路３４ａの変調用電極４７に供給される電流を検出する。
【００３４】
ここで、変調器３０の劣化などの不具合について考察する。変調器３０に劣化などの不具合が生じれば、光送信器１００の光出力波形に劣化が生じ、アイパターンが劣化するおそれがある。したがって、変調器３０の不具合を検知できることが好ましい。ところで、変調器３０に劣化などの不具合が生じるとリーク電流が生じるようになる。したがって、変調器３０にリーク電流が生じているか否かを検知できれば、変調器３０の不具合を検知することができる。変調器３０には電極が設けられているため、電極に流れる電流変化からリーク電流が生じているか否かを検知することができる。そこで、本実施例においては、バイアス電流とその基準値との比較結果に基づいて、バイアス電流が基準値から乖離した場合に、変調器３０に不具合が生じていると判定する。
【００３５】
例えば、メモリ５８は、変調器３０の基準バイアス電流Ｉｂｉａｓを格納しておく。制御ブロック５１は、電圧モニタ５７の検出結果から得られる検出バイアス電流Ｉｂｉａｓと基準バイアス電流Ｉｂｉａｓとの比較結果に基づいて、変調器３０の不具合を値として算出する。例えば、制御ブロック５１は、検出バイアス電流Ｉｂｉａｓと基準バイアス電流Ｉｂｉａｓとの乖離度をエラー量として算出する。この乖離度は、検出バイアス電流Ｉｂｉａｓと基準バイアス電流Ｉｂｉａｓとの差または比から求まる。不具合の判定は、制御ブロック５１にてなされる。制御ブロック５１は、乖離度がしきい値よりも大きくなっていれば、変調器３０に不具合が生じていると判定し、その判定結果を外部装置８０に通知する。なお、制御ブロック５１は、不具合発生を表すフラグを出力してもよい。また、変調器３０の基準バイアス電流Ｉｂｉａｓは、変調器３０の起動時におけるバイアス電流であってもよい。
【００３６】
また、変調器３０の入力端が波長可変半導体レーザ１０の光軸からずれた場合には、光強度検出電極４８が出力する出力電流ＰＤ３，ＰＤ４が変化する。この出力電流ＰＤ３，ＰＤ４の変化を検出することができれば、変調器３０の光軸ずれなどの不具合を検知できるようになる。ここで、出力電流ＰＤ３，ＰＤ４と受光素子２３ａが検出する出力電流ＰＤ１との間には、相関関係がある。両者とも波長可変半導体レーザ１０の出力光強度と相関関係を有しているからである。そこで、出力電流ＰＤ１と、出力電流ＰＤ３，ＰＤ４との比較結果に基づいて、変調器３０の不具合を値として算出する。また、出力電流ＰＤ１と出力電流ＰＤ３，ＰＤ４との比が基準値から乖離した場合に、変調器３０に不具合が生じていると判定する。
【００３７】
例えば、メモリ５８は、（出力電流ＰＤ３＋出力電流ＰＤ４）／出力電流ＰＤ１の基準値を格納しておく。制御ブロック５１は、電流検出回路５３，５５の検出結果から得られる（出力電流ＰＤ３＋出力電流ＰＤ４）／出力電流ＰＤ１とその基準値との比較結果に基づいて、変調器３０の不具合を値として算出する。例えば、制御ブロック５１は、（出力電流ＰＤ３＋出力電流ＰＤ４）／出力電流ＰＤ１とその基準値との乖離度をエラー量として算出する。この乖離度は、（出力電流ＰＤ３＋出力電流ＰＤ４）／出力電流ＰＤ１とその基準値との差または比から求まる。制御ブロック５１は、乖離度がしきい値よりも大きくなっていれば、変調器３０に不具合が生じていると判定し、その判定結果を報知装置８０にユーザに対して報知させる。なお、制御ブロック５１は、不具合発生を表すフラグをメモリに設定してもよい。また、変調器３０の（出力電流ＰＤ３＋出力電流ＰＤ４）／出力電流ＰＤ１の基準値は、変調器３０の起動時における（出力電流ＰＤ３＋出力電流ＰＤ４）／出力電流ＰＤ１であってもよい。
【００３８】
図３は、変調器３０の不具合を値として算出する際に実行されるフローチャートの一例を示す図である。図３を参照して、制御ブロック５１は、電圧モニタ５７の検出結果に基づいて、検出バイアス電流Ｉｂｉａｓを検出する（ステップＳ１）。次に、制御ブロック５１は、メモリ５８に格納してある基準バイアス電流ＩｂｉａｓとステップＳ１で検出された検出バイアス電流Ｉｂｉａｓとを比較する（ステップＳ２）。
【００３９】
次に、制御ブロック５１は、ステップＳ２の比較結果に基づいて、検出バイアス電流Ｉｂｉａｓと基準バイアス電流Ｉｂｉａｓとの乖離度をＭＺエラー量として算出する（ステップＳ３）。次に、制御ブロック５１は、変調器３０からの光出力がオンであるか否かを判定する（ステップＳ４）。ステップＳ４で「Ｎｏ」と判定された場合には、フローチャートの実行が終了する。光出力がオフである場合には、誤差が大きくなるためである。ステップＳ４で「Ｙｅｓ」と判定された場合には、制御ブロック５１は、電流検出回路５３，５５から出力電流ＰＤ１，ＰＤ３，ＰＤ４を取得する（ステップＳ５）。
【００４０】
次に、制御ブロック５１は、出力電流ＰＤ１と（出力電流ＰＤ３＋出力電流ＰＤ４）とを比較する（ステップＳ６）。次に、制御ブロック５１は、ステップＳ５での比較結果に基づいて、（出力電流ＰＤ３＋出力電流ＰＤ４）／出力電流ＰＤ１とその基準値との乖離度をＰｏｕｔエラー量として算出する（ステップＳ７）。その後、フローチャートの実行が終了する。
【００４１】
図４（ａ）および図４（ｂ）は、値として算出された変調器３０の不具合に基づいて、変調器３０に不具合が生じているか否かを判定するためのフローチャートの一例を示す図である。図４（ａ）を参照して、制御ブロック５１は、図３のステップＳ３で算出されたＭＺエラー量がしきい値を上回っているか否かを判定する（ステップＳ１１）。ステップＳ１１において「Ｎｏ」と判定された場合には、フローチャートの実行が終了する。ステップＳ１１において「Ｙｅｓ」と判定された場合には、制御ブロック５１は、変調器３０に不具合が生じていると判定し、報知装置８０にその旨をユーザに報知させる（ステップＳ１２）。その後、フローチャートの実行が終了する。
【００４２】
次に、図４（ｂ）を参照して、制御ブロック５１は、図３のステップＳ７で算出されたＰｏｕｔエラー量がしきい値を上回っているか否かを判定する（ステップＳ２１）。ステップＳ２１において「Ｎｏ」と判定された場合には、フローチャートの実行が終了する。ステップＳ２１において「Ｙｅｓ」と判定された場合には、制御ブロック５１は、変調器３０に不具合が生じていると判定し、報知装置８０にその旨をユーザに報知させる（ステップＳ２２）。その後、フローチャートの実行が終了する。
【００４３】
本実施例によれば、光送信器から送信される光の波形をモニタしなくてもよいため、マッハツェンダ変調器の不具合を容易に判定することができる。また、位相調整用電極４６、変調用電極４７、光強度検出用電極４８などのマッハツェンダ変調器に設けられている電極を用いることができることから、新たな検知装置を設ける必要がない。
【００４４】
なお、本実施例においては、第１光導波路３４ａの変調用電極４７へのバイアス電圧を用いたが、第２光導波路３４ｂの変調用電極４７へのバイアス電圧を用いてもよい。また、本実施例においては、変調用電極４７へのバイアス電圧を用いて変調器３０の不具合を判定したが、それに限られない。例えば、位相調整用電極４６へのバイアス電圧は、一度調整されれば、ほとんど変動しない。そこで、位相調整用電極４６へのバイアス電圧を用いてもよい。なお、リーク電流が発生すると、出力電流ＰＤ３，ＰＤ４も変化することが考えられる。したがって、出力電流ＰＤ３，ＰＤ４の変化を検出することによって、リーク電流発生などの不具合を判定することができる。
【００４５】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００４６】
１０  波長可変半導体レーザ
２０  波長検知部
２１  ビームスプリッタ
２２  エタロン
２３  受光素子
３０  変調器
５０  制御部
５１  制御ブロック
５２，５４  駆動回路
５３，５５  電流検出回路
５６  バイアス電圧印加回路
５７  電圧モニタ
５８  メモリ
６０  温度制御装置
８０  報知装置
１００  光送信器
【図１】
2012118282.tif 000003
【図２】
2012118282.tif 000004
【図３】
2012118282.tif 000005
【図４】
2012118282.tif 000006