(57)【要約】【課題】製造工程において形成される溝の位置ずれの最大値を抑制することができる薄膜太陽電池の製造方法を提供する【解決手段】基板２の主面に堆積された第１層３に、第１方向ｘに沿って並びかつ第１方向ｘと交差する第２方向ｙに沿って各々が延在する複数の第１溝６が形成される。主面の少なくとも１つの被加工領域における第１方向ｘの長さをＸとしたとき、少なくとも１つの被加工領域の各々の第１方向ｘにおける中心から±Ｘ／４の範囲内で、第１層３に対して少なくとも１つのアライメントマークＭＫが形成される。第１溝６が形成された第１層３の上に第２層４が積層される。少なくとも１つの被加工領域の各々の上において第２層４に対してアライメントマークＭＫを基準位置として、第２方向ｙに沿って延在する第２溝７が形成される。【選択図】図１１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の主面に堆積された第１層に、第１方向に沿って並びかつ前記第１方向と交差する第２方向に沿って各々が延在する複数の第１溝を形成する工程と、
前記主面の少なくとも１つの被加工領域における前記第１方向の長さをＸとしたとき、前記少なくとも１つの被加工領域の各々の前記第１方向における中心から±Ｘ／４の範囲内で、前記第１層に対して少なくとも１つのアライメントマークを形成する工程と、
前記第１溝が形成された前記第１層の上に第２層を積層する工程と、
前記少なくとも１つの被加工領域の各々の上において前記第２層に対して前記アライメントマークを基準位置として、前記第２方向に沿って延在する第２溝を形成する工程とを備える、薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項２】
前記少なくとも１つのアライメントマークは、前記少なくとも１つの被加工領域の各々の前記第１方向における中心に位置するアライメントマークを含む、請求項１に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項３】
前記少なくとも１つの被加工領域は、前記第１方向に沿って並びかつ前記第１方向において各々が前記長さＸを有する複数の被加工領域を含む、請求項１または２に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項４】
前記第２溝が形成された前記第２層の上に第３層を積層する工程と、
前記少なくとも１つの被加工領域の各々の上において前記第３層に対して、平面視において前記第２溝に平行にかつ前記第２溝と異なる位置に、前記アライメントマークを基準位置として第３溝を形成する工程とをさらに備える、請求項１〜３のいずれか１項に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項５】
前記アライメントマークを形成する工程は、前記複数の第１溝の少なくとも１つと交差するアライメント溝を形成する工程を含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項６】
前記少なくとも１つのアライメントマークは、前記第１方向に並ぶ複数のアライメントマークを含む、請求項１〜５のいずれか１項に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項７】
前記少なくとも１つのアライメントマークは、前記第２方向において互いに異なる位置に配置された１対のアライメントマークを含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項８】
前記複数の第１溝を形成する工程は、レーザ光を出射する少なくとも１つのレーザ照射部と、前記レーザ照射部を前記第１および第２方向の少なくともいずれかにおいて移動させる移動部と、前記少なくとも１つのアライメントマークを検出する撮像部とを有するレーザ加工装置を用いて行われる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項９】
前記少なくとも１つの被加工領域の個数と、前記少なくとも１つのレーザ照射部の個数とが同じであり、前記少なくとも１つの被加工領域の１つに対して前記少なくとも１つのレーザ照射部の１つが加工を行う、請求項８に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜太陽電池の製造方法に関し、より特定的には、層に複数の溝を形成する工程を有する薄膜太陽電池の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来技術として特開２００８−２８３０２３号公報（特許文献１）は薄膜太陽電池の製造方法を開示している。この方法によれば、基板上の膜に溝を形成する加工が繰り返し行なわれる。また最初の加工工程における溝である初期溝に対し略直交に交差する少なくとも２本の交差溝が初期溝の両端部付近に形成される。それ以後の下流の加工工程における溝の加工は、初期溝と交差溝との交差部をアライメントマークとして用いて行われる。
【０００３】
具体的には、下流の加工工程において、特許文献１の図４に示されるように、基板の側面が基板当止めピンに押し付けられる。そして、特許文献１の図７に示されるように、側面に一番近い初期溝の両端部付近に位置する２つの交差部をアライメントマークとして、下流の加工工程が行われる。この実施形態によれば、アライメントマークは基板の角部に最も近い交差部を用いている。それにより、アライメントマークの位置が、初期溝に平行な側面に最も近い位置に存在する特異部分の近傍となるので、アライメントマークをカメラで探すときの時間が短縮できると主張されている。また、熱膨張により基板サイズが変化しても、上述の特異部分となる側面とアライメントマークとの距離が小さいので位置関係のズレが少なく抑制でき、アライメントマークによる微小修正量が少なくなり、下流工程で加工される溝の位置を正確に確保できる、と主張されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２８３０２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記従来の方法では、下流工程の加工における位置の基準となるアライメントマークが、特許文献１における特異部分である、初期溝に平行な一の側面の近傍に位置するので、一の側面に近い領域においては溝の位置精度が高くなる。しかしながら、一の側面に対向する他方の側面はアライメントマークから最も遠くに位置することになるので、他方の側面に近い領域において溝の位置精度が特に低くなる。すなわち上記従来の方法では、一の側面の近傍において溝の位置ずれを小さくすることができるものの、他方の側面の近傍において溝の位置ずれが大きくなるので、溝の位置ずれの最大値が大きくなってしまう。それによって、他方の側面の近傍にて溝の位置ずれにより光電変換装置として動作できなくなる領域が発生し、薄膜太陽電池の性能低下および動作不良が引き起こされ得る。
【０００６】
本発明は、上記問題点を鑑みてなされたものであり、基板上に形成された層に溝を形成する複数の加工工程を有する薄膜太陽電池の製造方法において、形成される溝の位置ずれの最大値を抑制することができる薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の薄膜太陽電池の製造方法は、次の工程を有する。基板の主面に堆積された第１層に、第１方向に沿って並びかつ第１方向と交差する第２方向に沿って各々が延在する複数の第１溝が形成される。主面の少なくとも１つの被加工領域における第１方向の長さをＸとしたとき、少なくとも１つの被加工領域の各々の第１方向における中心から±Ｘ／４の範囲内で、第１層に対して少なくとも１つのアライメントマークが形成される。第１溝が形成された第１層の上に第２層が積層される。少なくとも１つの被加工領域の各々の上において第２層に対してアライメントマークを基準位置として、第２方向に沿って延在する第２溝が形成される。
【０００８】
少なくとも１つのアライメントマークは、少なくとも１つの被加工領域の各々の第１方向における中心に位置するアライメントマークを含んでもよい。
【０００９】
少なくとも１つの被加工領域は、第１方向に沿って並びかつ第１方向において各々が長さＸを有する複数の被加工領域を含んでもよい。
【００１０】
上記の薄膜太陽電池の製造方法は、さらに次の工程を有してもよい。第２溝が形成された第２層の上に第３層が積層される。少なくとも１つの被加工領域の各々の上において第３層に対して、平面視において第２溝に平行にかつ第２溝と異なる位置に、アライメントマークを基準位置として第３溝が形成される。
【００１１】
上記のアライメントマークを形成する工程は、複数の第１溝の少なくとも１つと交差するアライメント溝を形成する工程を含んでもよい。
【００１２】
上記の少なくとも１つのアライメントマークは、第１方向に並ぶ複数のアライメントマークを含んでもよい。
【００１３】
上記の少なくとも１つのアライメントマークは、第２方向において互いに異なる位置に配置された１対のアライメントマークを含んでもよい。
【００１４】
上記の複数の第１溝を形成する工程はレーザ加工装置を用いて行われてもよい。レーザ加工装置は、レーザ光を出射する少なくとも１つのレーザ照射部と、レーザ照射部を第１および第２方向の少なくともいずれかにおいて移動させる移動部と、少なくとも１つのアライメントマークを検出する撮像部とを有する。
【００１５】
上記の少なくとも１つの被加工領域の個数と、上記の少なくとも１つのレーザ照射部の個数とは同じであってもよい。また、少なくとも１つの被加工領域の１つに対して、少なくとも１つのレーザ照射部の１つが加工を行ってもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、基板上に形成された層に溝を形成する複数の加工工程を有する薄膜太陽電池の製造方法において、形成される溝の位置ずれの最大値を抑制することができる
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施の形態１における薄膜太陽電池の構成を概略的に示す平面図である。
【図２】図１の線ＩＡ−ＩＡに沿う概略断面図（Ａ）、および線ＩＢ−ＩＢに沿う概略断面図（Ｂ）である。
【図３】本発明の実施の形態１における薄膜太陽電池の製造方法を概略的に示すフロー図である。
【図４】本発明の実施の形態１における薄膜太陽電池の製造方法に用いられる加工装置の構成を概略的に示す斜視図である。
【図５】本発明の実施の形態１における薄膜太陽電池の製造方法の第１工程を概略的に示す平面図である。
【図６】図５のｙ方向に沿う概略断面図（Ａ）、およびｘ方向に沿う概略断面図（Ｂ）である。
【図７】本発明の実施の形態１における薄膜太陽電池の製造方法の第２工程を概略的に示す平面図である。
【図８】図７のｙ方向に沿う概略断面図（Ａ）、およびｘ方向に沿う概略断面図（Ｂ）である。
【図９】本発明の実施の形態１における薄膜太陽電池の製造方法の第３工程を概略的に示す平面図である。
【図１０】図９のｙ方向に沿う概略断面図（Ａ）、およびｘ方向に沿う概略断面図（Ｂ）である。
【図１１】本発明の実施の形態１における薄膜太陽電池の製造方法の第４工程を概略的に示す平面図である。
【図１２】図１１のｙ方向に沿う概略断面図（Ａ）、およびｘ方向に沿う概略断面図（Ｂ）である。
【図１３】本発明の実施の形態１における薄膜太陽電池の製造方法の第５工程を概略的に示す断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態１における薄膜太陽電池の製造方法の第６工程を概略的に示す断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態１における薄膜太陽電池の製造方法の第７工程を概略的に示す断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態１における薄膜太陽電池の製造方法の第８工程を概略的に示す断面図である。
【図１７】比較例の薄膜太陽電池の製造方法の一工程を示す平面図である。
【図１８】本発明の実施の形態１における薄膜太陽電池の製造方法における加工位置のずれの一例を示す平面図である。
【図１９】本発明の実施の形態２における薄膜太陽電池の製造方法の第１工程を概略的に示す平面図である。
【図２０】本発明の実施の形態２における薄膜太陽電池の製造方法の第２工程を概略的に示す平面図である。
【図２１】本発明の実施の形態２における薄膜太陽電池の製造方法の第３工程を概略的に示す平面図である。
【図２２】本発明の実施の形態３における薄膜太陽電池の製造方法に用いられる加工装置の構成を概略的に示す斜視図である。
【図２３】本発明の実施の形態３における薄膜太陽電池の製造方法の第１工程を概略的に示す平面図である。
【図２４】本発明の実施の形態３における薄膜太陽電池の製造方法の第２工程を概略的に示す平面図である。
【図２５】本発明の実施の形態３における薄膜太陽電池の製造方法の第３工程を概略的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１における薄膜太陽電池の構成を概略的に示す平面図である。図２は、図１の線ＩＡ−ＩＡに沿う概略断面図（Ａ）、および線ＩＢ−ＩＢに沿う概略断面図（Ｂ）である。本実施の形態の薄膜太陽電池１は、透明基板２と、透明電極膜３と、半導体光電変換膜４と、裏面電極膜５と、電極１０とを有する。透明基板２上には、透明電極膜３、半導体光電変換膜４および裏面電極膜５がこの順序で積層されている。
【００１９】
透明基板２は、たとえばガラス基板である。透明基板２は、本実施の形態においてはｘ方向およびｙ方向の各々に平行な辺を有する略長方形の形状を有する。
【００２０】
図２（Ｂ）に示すように、透明電極膜３には複数の第１分離溝６が形成されている。複数の第１分離溝６は、図１のｘ方向に互いに略一定の間隔を空け、かつｙ方向に沿って延びている。複数の第１分離溝６によって、透明電極膜３は複数の領域に分離されている。また第１分離溝６は半導体光電変換膜４で埋められている。
【００２１】
図１および図２（Ｂ）に示すように、半導体光電変換膜４および裏面電極膜５には、第２分離溝８が形成されている。第２分離溝８は、図１のｘ方向に互いに略一定の間隔を空け、かつｙ方向に沿って延びている。複数の第２分離溝８によって、裏面電極膜５および半導体光電変換膜４の積層膜は、複数のセル領域１１に分離されている。
【００２２】
図２（Ｂ）に示すように、半導体光電変換膜４にはコンタクトライン７が形成されている。コンタクトライン７は、図１のｘ方向に互いに略一定の間隔を空け、かつｙ方向に沿って延びている。複数のコンタクトライン７によって半導体光電変換膜４は分離されている。またコンタクトライン７は、裏面電極膜５によって埋められており、ｘ方向に隣り合うセル領域１１間を電気的に直列に接続している。このように直列接続された複数のセル領域１１の端子として、電極１０が裏面電極膜５上に設けられている。
【００２３】
次に、本実施の形態１における薄膜太陽電池１の製造方法について説明する。
図３は、本発明の実施の形態１における薄膜太陽電池の製造方法を概略的に示すフロー図である。また図５〜図１６は、本発明の実施の形態１における薄膜太陽電池の製造方法を説明する図である。なお図６（Ａ）、図８（Ａ）、図１０（Ａ）および図１２（Ａ）のそれぞれは、図５、図７、図９および図１１のｙ方向に沿う概略断面図であり、図６（Ｂ）、図８（Ｂ）、図１０（Ｂ）および図１２（Ｂ）のそれぞれは、図５、図７、図９および図１１のｘ方向に沿う概略断面図である。
【００２４】
図３のステップＳ１において、透明電極膜３（第１層）が堆積された主面（被加工領域）を有する透明基板２（基板）が準備される。主面は、ｘ方向（第１方向）において長さＸを有する。
【００２５】
この時点で透明基板２および透明電極膜３の温度は、通常、室温程度となっている。透明基板２は、たとえば長辺１．４ｍおよび短辺１ｍの長方形の形状を有する大型のガラス基板である。また透明電極膜３の材料は、たとえば、ＳｎＯ2（酸化スズ）、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）またはＺｎＯ（酸化亜鉛）である。
【００２６】
本実施形態では事前に透明電極膜３が積層された透明基板２を用いているが、透明電極膜３が積層されていない透明基板２を準備し、図３のＳ１と後述するＳ２との間に透明電極膜３を積層するステップを備えてもよい。そのとき、透明基板２および透明電極膜３の温度は、透明電極膜３を積層する装置および処理条件に依存し、通常、１００℃〜２００℃程度となる。ここで透明導電膜３を積層する装置としては、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装置やスパッタリング装置などを用いることができる。
【００２７】
次に、Ｓ２にて、図５および図６に示すように、ピッチＰＴでｘ方向に沿って並び、かつｘ方向と交差するｙ方向（第２方向）に沿って各々が延在する第１分離溝６（第１溝）が透明電極膜３に形成される。なお、第１分離溝６の数は特に限定されず、製造する薄膜太陽電池の仕様に応じて任意に設定できる。
【００２８】
ここで、Ｓ２における第１分離溝６の形成を行う装置として、レーザ加工装置を用いることができる。
【００２９】
図４は、本実施の形態１におけるレーザ加工装置の一例としてのレーザ加工システム６０１である。レーザ加工システム６０１は、支持ローラ６１と、Ｘ−Ｙロボット６５と、レーザヘッド６４ａと、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）カメラ６３ａ（撮像部）とを有する。
【００３０】
レーザヘッド６４ａは、加工される膜の所定の領域へレーザ光を照射することにより、この膜に対してレーザスクライビングを行うものである。
【００３１】
支持ローラ６１は、透明基板２を固定するためのものである。Ｘ−Ｙロボット６５は、ｘｙｚ直交座標系において透明基板２の厚さ方向をｚ方向として、ｘ方向およびｙ方向に移動可能に構成された駆動部である。すなわちＸ−Ｙロボット６５は、支持ローラ６１に対して、ｘ方向およびｙ方向の各々に相対的に変位可能に構成されている。レーザヘッド６４ａは、Ｘ−Ｙロボット６５に支持されている。
【００３２】
レーザヘッド６４ａは、ｘ方向およびｙ方向の各々において透明基板２に対して相対的に変位可能である。レーザヘッド６４ａが透明基板２に対してｙ方向に相対的に変位し、溝を伸展させることで、ｙ方向に延在する溝を形成することができる。またレーザヘッド６４ａが透明基板２に対してｘ方向に相対的に変位し、溝の形成位置を変更することで、ｘ方向に並ぶ複数の溝を形成することができる。
【００３３】
ＣＣＤカメラ６３ａは、加工を所望の位置において行なうために、透明基板２およびその上に形成された膜を画像認識するためのものである。ＣＣＤカメラ６３ａはレーザヘッド６４ａに固定されていることが好ましい。これによりＣＣＤカメラ６３ａとレーザヘッド６４ａとの相対位置が固定されるので、相対位置の変動にともなうアライメント誤差の発生を防止することができる。
【００３４】
レーザ加工装置を用いたレーザスクライブによって透明電極膜３の一部が除去されることで、透明電極膜３を複数の領域に分離する第１分離溝６が形成される。このレーザスクライブは、たとえば透明電極膜３に透明基板２を介してレーザ光ＬＭ１が入射されることにより行なわれる。レーザ光ＬＭ１の波長は、たとえば１０６４ｎｍである。
【００３５】
次に、Ｓ３にて、図７および図８に示すように、透明電極膜３に、ｘ方向に沿ったアライメント溝１６を形成することで、アライメントマークＭＫｔおよびＭＫｕを含むアライメントマークＭＫが形成される。アライメントマークＭＫは、図７に示すように、主面のｘ方向における中心（図中、一点鎖線）から±Ｘ／４の範囲内の中心領域ＲＳに配置される。
【００３６】
具体的には、１対のアライメント溝１６、すなわちアライメント溝１６ｔおよびアライメント溝１６ｕが、たとえば上述したレーザ光ＬＭ１の入射によって形成される。アライメント溝１６ｔおよびアライメント溝１６ｕのそれぞれは、透明電極膜３のｙ方向における一方端部および他方端部においてｘ方向に沿って延びるように形成される。アライメント溝１６ｔは少なくとも１つの第１分離溝６に交差するように形成される。これにより、アライメント溝１６ｔと第１分離溝６との交差によって、アライメントマークＭＫｔが構成される。またアライメント溝１６ｕは少なくとも１つの第１分離溝６に交差するように形成される。これにより、アライメント溝１６ｕと第１分離溝６との交差によって、アライメントマークＭＫｕが構成される。
【００３７】
アライメント溝１６ｔおよびアライメント溝１６ｕのｙ方向における位置が異なることから、アライメントマークＭＫｔおよびアライメントマークＭＫｕは、ｙ方向における位置が互いに異なる。好ましくはアライメント溝１６ｔおよびアライメント溝１６ｕの各々が、同じ第１分離溝６に交差するように形成される。この場合、アライメントマークＭＫｔからアライメントマークＭＫｕに向かう方向はｙ方向と一致する。
【００３８】
本実施の形態においては、アライメント溝１６ｔは複数の第１分離溝６と交差し、これにより複数のアライメントマークが構成される。
【００３９】
また本実施の形態においては、アライメント溝１６ｕは複数の第１分離溝６と交差し、これにより複数のアライメントマークが構成される。
【００４０】
なおアライメント溝１６ｔおよびアライメント溝１６ｕは、必ずしも第１分離溝６の形成後に形成される必要はなく、第１分離溝６の形成前または形成中に形成されてもよい。また、図３においてＳ２とＳ３とは別ステップとしているが、両ステップは共にレーザ光ＬＭ１（図６および図８）により行なわれ得るので、図４のレーザ加工装置を用いて同じ装置内で実施することが好ましい。
【００４１】
次にＳ４にて透明基板２の洗浄工程が行われる。これによりＳ３およびＳ４において生じたダストが除去される。次に透明基板２の洗浄工程が行われる。これによりステップＳ２およびＳ３において生じたダストが除去される。
【００４２】
次にＳ５において、図９および図１０に示すように、上記のようにアライメントマークＭＫｔおよびアライメントマークＭＫｕが形成された後に、第１分離溝６が形成された透明電極膜３上に半導体光電変換膜４（第２層）が積層される。半導体光電変換膜４の形成の際、透明基板２は加熱されることで熱膨張する。たとえばプラズマＣＶＤ装置を用いたとき、１５０〜２００℃程度に上昇し、基板が熱膨張する。半導体光電変換膜４は、たとえば、アモルファスシリコン薄膜からなるｐ層、ｉ層およびｎ層が順次積層された構造を有し、２００ｎｍ以上５μｍ以下の厚さを有する。
【００４３】
次に透明基板２が成膜装置から搬出される。なおこの搬出後、透明基板２は一時的な保管場所に保管されてもよい。この保管中に透明基板２の温度は徐々に冷却される。よって保管時間のばらつきによって、次工程が開始される際の透明基板２の温度にばらつきが生じる。またバッチ処理が行なわれる場合は、１つのバッチ内において、各透明基板２が保管される時間が異なるだけでなく、各透明基板２の保管場所が厳密には異なる。よってバッチ内で次工程が開始される際の透明基板２の温度にばらつきが生じる。
【００４４】
次にＳ６とＳ７において、図１１および図１２に示すように、ｙ方向に沿って延在する複数のコンタクトライン７（第２溝）が形成される。Ｓ６およびＳ７において、Ｓ２およびＳ３と同様に、図４に例示されるレーザ加工システムが用いられる。以下、Ｓ６およびＳ７でのコンタクトライン７の形成方法の詳細について説明する。
【００４５】
まず、Ｓ６においてレーザ加工システム６０１（図４）のＣＣＤカメラ６３ａによってアライメントマークＭＫが検出される。具体的には、アライメントマークＭＫｔおよびアライメントマークＭＫｕの位置、すなわち、透明基板２の表面上におけるレーザヘッド６４ａ（図４）の位置の基準としての位置（基準位置）が認識される。
【００４６】
この検出の際、透明基板２の温度は、上述したように、半導体光電変換膜４の形成にともなう温度上昇の影響で高くなっている。このため透明基板２には熱膨張が生じている。
【００４７】
次にＳ７において、検出されたアライメントマークの位置を基準として位置制御されたレーザヘッド６４ａ（図４）によって、図１１および図１２に示すように、第１分離溝６のそれぞれから図５のピッチＰＴよりも小さい距離ＳＨだけｘ方向にずらして配置されたコンタクトライン７が半導体光電変換膜４にレーザスクライブで形成される。
【００４８】
このレーザスクライブは、たとえば半導体光電変換膜４に透明基板２を介してレーザ光ＬＭ２が入射されることにより行なわれる。レーザ光ＬＭ２の波長は、光の吸収が主に半導体光電変換膜４において生じるように選択され、たとえば５３２ｎｍである。
【００４９】
このレーザスクライブが行われる際に、特に生産効率が重視される場合において、透明基板２の温度がまだ室温まで冷却されていないことがある。この場合、熱膨張に起因して透明基板２が変形していることがある。また上述した理由により、透明基板２ごとに温度にばらつきがあり得る。この場合、透明基板２ごとに、熱膨張の程度にばらつきがある。また半導体光電変換膜４の膜応力のばらつきにより、透明基板２ごとに反りの程度にばらつきがあることがある。
【００５０】
次にＳ８にて、図１３に示すように、コンタクトライン７が形成された半導体光電変換膜４の上に、コンタクトライン７を埋める裏面電極膜５（第３層）が形成される。裏面電極膜５は、たとえばＺｎＯ層とＡｇ（銀）層との積層体である。
【００５１】
より具体的な方法を例示すると、まず透明基板２が成膜装置に搬入される。次に透明基板２が１５０〜２００℃に加熱される。次にスパッタ法により裏面電極膜５の成膜が行なわれる。次に透明基板２が成膜装置から搬出される。この搬出後、透明基板２は一時的な保管場所に保管されてもよい。この保管中に透明基板２の温度は徐々に冷却される。よって保管時間のばらつきによって、次工程が開始される際の透明基板２の温度にばらつきが生じる。またバッチ処理が行なわれる場合は、１つのバッチ内において、各透明基板２が保管される時間が異なるだけでなく、各透明基板２の保管場所が厳密には異なる。よってバッチ内で次工程が開始される際の透明基板２の温度にばらつきが生じる。
【００５２】
次にＳ９にて、図１４に示すように、レーザ加工システム６０１を用いたレーザスクライブによって、半導体光電変換膜４および裏面電極膜５の各々の一部が除去される。これにより、半導体光電変換膜４および裏面電極膜５に対して、平面視においてコンタクトライン７に平行に、かつコンタクトライン７と異なる位置に、第２分離溝８（第３溝）が形成される。このレーザスクライブは、たとえば半導体光電変換膜４に透明基板２を介してレーザ光ＬＭ３が入射されることにより行なわれる。レーザ光ＬＭ３の波長は、光の吸収が主に半導体光電変換膜４において生じるように選択され、たとえば５３２ｎｍである。
【００５３】
上記のレーザスクライブの際のアライメントは、アライメントマークＭＫ（図７）を基準位置として行われ得る。
【００５４】
このレーザスクライブが行われる際に、特に生産効率が重視される場合において、透明基板２の温度がまだ室温まで冷却されていないことがある。この場合、熱膨張に起因して透明基板２が変形していることがある。また上述した理由により、透明基板２ごとに温度にばらつきがある。このため、透明基板２ごとに、熱膨張の程度にばらつきがある。また半導体光電変換膜４および裏面電極膜５の積層膜の膜応力のばらつきにより、透明基板２ごとに反りの程度にばらつきがある。
【００５５】
次に、図１５に示すように、レーザスクライブによって半導体光電変換膜４および裏面電極膜５の一部が除去されることで、半導体光電変換膜４および裏面電極膜５の各々の一部が除去される。これにより第２分離溝８の長手方向の両端（図１５（Ａ）の左右端）の各々の近傍に周縁溝９が形成される。このレーザスクライブは、たとえば半導体光電変換膜４に透明基板２を介してレーザ光ＬＭ４が入射されることにより行なわれる。レーザ光ＬＭ４の波長は、光の吸収が主に半導体光電変換膜４において生じるように選択され、たとえば５３２ｎｍである。
【００５６】
次に、図１６に示すように、レーザスクライブによって、周縁溝９のさらに外側（図１６（Ａ）の破線部の外側）の領域と、第２分離溝８の延在方向に沿った外側（図１６（Ｂ）の左右側）の領域とにおいて、透明電極膜３、半導体光電変換膜４および裏面電極膜５が除去される。このレーザスクライブは、たとえば透明電極膜３に透明基板２を介してレーザ光ＬＭ５が入射されることにより行なわれる。レーザ光ＬＭ５の波長は、たとえば１０６４ｎｍである。
【００５７】
再び図１および図２（Ｂ）を参照して、ｘ方向の両端の裏面電極膜５の表面上に、ｙ方向に延在する電極１０が形成される。
【００５８】
以上により薄膜太陽電池１が得られる。
なお本実施の形態ではコンタクトライン７の形成工程および第２分離溝８の形成工程の両工程においてアライメントマークＭＫ（図７）が用いられるが、一方の工程にのみアライメントマークＭＫが用いられてもよい。
【００５９】
図１７に、Ｓ６において従来技術と同じく基板端部のアライメントマークにて位置合わせを行った場合の比較例を示す。この比較例においては、アライメントマークの検出工程で、第１分離溝６とアライメント溝１６によって構成され、かつｘ方向における基板の主面の左端部に位置するアライメントマークＭＺが検出され、Ｓ７の加工工程での加工位置合わせの基準として用いられる。このとき、熱膨張などの透明基板２の変形が生じている場合、基準となるアライメントマークに近い基板左端部近傍においては距離ＳＨ（図１１）の精度が確保されるものの、基板左端部の反対側に位置する右端部に近付くほど熱膨張による基板の変形の影響が大きくなり、距離ＳＨの誤差が大きくなる。このため、図１７に示すように、第１分離溝６とコンタクトライン７との間の間隔が確保されない部分や、コンタクトライン７が第１分離溝６に対する所定の側（図中、右側）と反対側(図中、左側）に形成されてしまう部分が生じ得る。
【００６０】
図１８を参照して、これに対して本実施の形態によれば、用いられるアライメントマークＭＫは、ｘ方向において基板中央部の領域内に配置されたものである。このとき、位置あわせの基準となるアライメントマークＭＫは、ｘ方向における基板両端のいずれからもおおよそ等距離に位置し、片方に対して極端に遠くには位置しない。したがって、第１分離溝６のそれぞれに対応して設けられるコンタクトライン７の形成時に、熱膨張などの透明基板２の変形が生じている場合であっても、基板中央近傍を基準とすることでコンタクトライン７、すなわち半導体光電変換膜４に形成される複数の溝の位置ずれの最大値を従来技術と比較して抑制することができる。同様に第２分離溝８の位置ずれの最大値を抑制することができる。このように、薄膜太陽電池の製造工程における溝の位置ずれの最大値を抑制することができる。
【００６１】
好ましくはアライメントマークＭＫｔおよびアライメントマークＭＫｕは、ｙ方向における位置が互いに異なる１対のアライメントマークを含む。１対のアライメントマークが検出されることで、ｙ方向、すなわちコンタクトライン７が延びるべき方向を精度よく認識することができる。
【００６２】
本実施の形態のＳ７においては、Ｓ２と同じく図４に例示したレーザ加工システムが用いられており、複数のコンタクトライン７は、レーザヘッド６４ａから出射されたレーザ光によって半導体光電変換膜４が加工されることによって形成される。
【００６３】
なお、アライメントマークを使用して加工位置合わせを行う加工装置であれば、レーザ加工装置以外の装置が用いられてもよく、たとえば、カッターなどによる接触加工装置を用いることもできる。
【００６４】
なお各アライメント溝１６は必ずしも全ての第１分離溝６と交差する必要はなく、たとえば、アライメント溝が断続的に形成されることで、一部の第１分離溝６のみと交差するようにアライメント溝が形成されていてもよい。
【００６５】
（実施の形態２）
図１９〜図２１のそれぞれは、本発明の実施の形態２における薄膜太陽電池の製造方法の第１〜第３工程を概略的に示す平面図である。本発明の実施の形態２は、実施の形態１の変形であり、アライメントマークが第１分離溝と独立して形成されている点で、実施の形態１と異なる。以下、本実施形態の説明において実施の形態１と共通の事項については説明を省略する場合がある。
【００６６】
図１９に示すように、本実施の形態においては、アライメントマークＭＫ（図７）の代わりにアライメントマークＭＬが形成される。アライメントマークＭＬはアライメントマークＭＬｔおよびＭＬｕを含む。アライメントマークＭＬｔおよびＭＬｕの各々は、主面のｘ方向における中心（図中、一点鎖線）から±Ｘ／４の範囲内の中心領域ＲＳに配置される。またアライメントマークＭＬｔおよびＭＬｕの各々は、第１分離溝６とは別に設けられる。
【００６７】
アライメントマークＭＬｔおよびＭＬｕは、ｙ方向における位置が互いに異なり、好ましくはアライメントマークＭＬｔおよびＭＬｕのそれぞれは、ｙ方向において透明基板２の一方端部上および他方端部上に配置される。
【００６８】
また好ましくはアライメントマークＭＫｔとＭＫｕを結んだ方向はｙ方向に平行である。
【００６９】
アライメントマークＭＫｔおよびＭＫｕの数は特に限定されず、中心領域ＲＳにおいてｘ方向に沿って並列に複数形成されてもよい。また、アライメントマークの数は第１分離溝６の数には左右されない。またアライメントマークＭＬのｘ方向における位置と、第１分離溝６のｘ方向における位置とをは異なっていてもよい。
【００７０】
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態１の構成とほぼ同じである。具体的には、図１９の工程の後、図２０および図２１の工程を経て、薄膜太陽電池１（図１および図２）が形成される。
【００７１】
本実施の形態によれば、第１分離溝６とは独立してアライメントマークを形成することができる。
【００７２】
（実施の形態３）
実施の形態３は、実施の形態１の変形であり、分離溝およびコンタクトラインを形成する加工装置の構成が異なる。以下、本実施形態の説明において実施の形態１と共通の事項については説明を省略する場合がある。
【００７３】
図２２は、本発明の実施の形態３における薄膜太陽電池の製造方法に用いられる加工装置の構成を概略的に示す斜視図である。本実施の形態のレーザ加工システム６０２は、第１のＣＣＤカメラ６３ａおよび第１のレーザヘッド６４ａに加えて、同様の第２のＣＣＤカメラ６３ｂおよび第２のレーザヘッド６４ｂを有する。好ましくは、各ＣＣＤカメラはそれぞれ対応する各レーザヘッドに固定されている。
【００７４】
またレーザ加工システム６０２は、第１のｘ駆動部６５ａおよび第２のｘ駆動部６５ｂとｙ駆動部６５ｙとを有するＸ−Ｙロボットを含む。このＸ−Ｙロボットは、第１のレーザヘッド６４ａおよび第２のレーザヘッド６４ｂの各々をｘ方向およびｙ方向に移動可能に構成された駆動部である。このＸ−Ｙロボットは、第１のレーザヘッド６４ａおよび第２のレーザヘッド６４ｂの各々を、支持ローラ６１によってレーザ加工システム６０２内に設置された透明基板２に対して、ｘ方向およびｙ方向の各々に変位可能に構成されている。
【００７５】
具体的には、各々がｘ方向に変位可能な第１のｘ駆動部６５ａおよび第２のｘ駆動部６５ｂが、ｙ方向に変位可能なｙ駆動部６５ｙに取り付けられている。第１のｘ駆動部６５ａおよび第２のｘ駆動部６５ｂのそれぞれは第１のレーザヘッド６４ａおよび第２のレーザヘッド６４ｂを支持している。これによりｙ駆動部６５ｙによってｙ方向に第１のレーザヘッド６４ａおよび第２のレーザヘッド６４ｂの両方を一括して変位させることができ、かつ第１のレーザヘッド６４ａおよび第２のレーザヘッド６４ｂの各々をｘ方向に独立して変位させることができる。
【００７６】
なお、本実施形態ではｙ駆動部が第１のレーザヘッ６４ａと第２のレーザヘッド６４ｂとで共通とされているが、個別のｙ駆動部が設けられていてもよい。
【００７７】
図２３〜図２５は、本発明の実施の形態３における薄膜太陽電池の製造方法の第１〜第３工程を概略的に示す平面図である。
【００７８】
まず図２３に示すように、図５および図６（実施の形態１）と同様に、表面を有する透明基板２と、表面上に形成された透明電極膜３とが準備される。
【００７９】
次に実施の形態１と同様に、図３に示すＳ２において、ピッチＰＴでｘ方向に沿って並び、かつｘ方向と交差するｙ方向に沿って各々が延在する第１分離溝６（第１溝）が透明電極膜３に形成される。
【００８０】
ここで、本実施形態においては、透明電極膜３が堆積された透明基板２の主面が、ｘ方向で分割した領域Ｒａ（第１領域）および領域Ｒｂ（第２領域）の２つ領域（被加工領域）とに分けて取り扱われる。領域Ｒａおよび領域Ｒｂは、ｘ方向に沿って並び、かつｘ方向において各々が長さＸを有する。領域Ｒａは図２２のレーザ加工システムにおける第１のレーザヘッド６４ａを用いて溝が形成される領域であり、領域Ｒｂは第２のレーザヘッド６４ｂを用いて溝が形成される領域である。第１分離溝６の形成は、領域Ｒａに対して第１分離溝６ａを形成し、かつ領域Ｒｂに対して第１分離溝６ｂを形成することによって行われる。領域Ｒａおよび領域Ｒｂの各々は、平面視において透明電極膜３が有する領域である。
【００８１】
また透明電極膜３に第１のアライメントマークＭＫａおよび第２のアライメントマークＭＫｂが形成される。第１のアライメントマークＭＫａは、図２３に示すように、領域Ｒａのｘ方向における中心（図中、一点鎖線）から±Ｘ／４の範囲内に配置される。同様に第２のアライメントマークＭＫｂは、領域Ｒｂのｘ方向における中心（図中、一点鎖線）から±Ｘ／４の範囲内に配置される。本実施形態では実施形態１と同様に、領域Ｒａのｙ方向基板両端近傍に１対のアライメント溝１６ｔａおよびアライメント溝１６ｕａが形成され、また領域Ｒｂのｙ方向基板両端近傍に１対のアライメント溝１６ｔｂおよびアライメント溝１６ｕｂが形成される。
【００８２】
アライメント溝１６ｔａおよびアライメント溝１６ｕａのそれぞれは、透明電極膜３のｙ方向における一方端部および他方端部においてｘ方向に沿って延びるように形成される。アライメント溝１６ｔａは少なくとも１つの第１分離溝６ａに交差するように形成される。これにより、アライメント溝１６ｔａと第１分離溝６ａとの交差部によって、領域Ｒａにおける第１のアライメントマークＭＫｔａが構成される。またアライメント溝１６ｕａは少なくとも１つの第１分離溝６ａに交差するように形成される。これにより、アライメント溝１６ｕａと第１分離溝６ａとの交差部によって、領域Ｒａにおける第１のアライメントマークＭＫｕａが構成される。
【００８３】
アライメント溝１６ｔａおよびアライメント溝１６ｕａのｙ方向における位置が異なることから、第１のアライメントマークＭＫｔａおよび第１のアライメントマークＭＫｕａは、ｙ方向における位置が互いに異なる。好ましくはアライメント溝１６ｔａおよびアライメント溝１６ｕａは、少なくとも特定の一の第１分離溝６ａに、共に交差するように形成される。この場合、第１のアライメントマークＭＫｔａから第１のアライメントマークＭＫｕａに向かう方向はｙ方向と一致する。
【００８４】
以上により、領域Ｒａにおいてｘ方向に並んだ複数のアライメントマークが構成される。好ましくは、複数のアライメントマークのうち、領域Ｒａにおけるｘ方向の中心位置に最も近いアライメントマークＭＫｔａを図３のＳ６のおける図２３のレーザ加工システムの、第１のレーザヘッド６４ａの基準位置として用いる。好ましくは、この複数のアライメントマークのうち、複数の第１分離溝６ａの最も中央に位置するものによって構成されるアライメントマークがアライメントマークＭＫｔａとされる。
【００８５】
また本実施の形態においては、アライメント溝１６ｔａは複数の第１分離溝６ａと交差し、これにより複数のアライメントマークが構成される。好ましくは、この複数のアライメントマークのうち、複数の第１分離溝６ａの最も中央に位置するものによって構成されるアライメントマークがアライメントマークＭＫｔａとされる。
【００８６】
また本実施の形態においては、アライメント溝１６ｕａは複数の第１分離溝６ａと交差し、これにより複数のアライメントマークが構成される。好ましくは、この複数のアライメントマークのうち、複数の第１分離溝６ａの最も中央に位置するものによって構成されるアライメントマークがアライメントマークＭＫｕａとされる。
【００８７】
アライメント溝１６ｔｂおよびアライメント溝１６ｕｂのそれぞれは、透明電極膜３のｙ方向における一方端部および他方端部においてｘ方向に沿って延びるように形成される。アライメント溝１６ｔｂは少なくとも１つの第１分離溝６ｂに交差するように形成される。これにより、アライメント溝１６ｔｂと第１分離溝６ｂとの交差部によって、領域Ｒｂにおける第２のアライメントマークＭＫｔｂが構成される。またアライメント溝１６ｕｂは少なくとも１つの第１分離溝６ｂに交差するように形成される。これにより、アライメント溝１６ｕｂと第１分離溝６ｂとの交差部によって、領域Ｒｂにおける第２のアライメントマークＭＫｕｂが構成される。
【００８８】
アライメント溝１６ｔｂおよびアライメント溝１６ｕｂのｙ方向における位置が異なることから、第２のアライメントマークＭＫｔｂおよび第２のアライメントマークＭＫｕｂは、ｙ方向における位置が互いに異なる。好ましくはアライメント溝１６ｔｂおよびアライメント溝１６ｕｂは、少なくとも特定の一の第１分離溝６ｂに、共に交差するように形成される。この場合、第２のアライメントマークＭＫｔｂから第２のアライメントマークＭＫｕｂに向かう方向はｙ方向と一致する。
【００８９】
以上により、領域Ｒｂにおいてｘ方向に並んだ複数のアライメントマークが構成される。好ましくは、複数のアライメントマークのうち、領域Ｒｂにおけるｘ方向の中心位置に最も近いアライメントマークＭＫｔｂを図３のＳ６のおける図２３のレーザ加工システムの、第２のレーザヘッド６４ｂの基準位置として用いる。好ましくは、この複数のアライメントマークのうち、複数の第１分離溝６ｂの最も中央に位置するものによって構成されるアライメントマークがアライメントマークＭＫｔｂとされる。
【００９０】
また本実施の形態においては、アライメント溝１６ｔｂは複数の第１分離溝６ｂと交差し、これにより複数のアライメントマークが構成される。好ましくは、この複数のアライメントマークのうち、複数の第１分離溝６ｂの最も中央に位置するものによって構成されるアライメントマークがアライメントマークＭＫｔｂとされる。
【００９１】
また本実施の形態においては、アライメント溝１６ｕｂは複数の第１分離溝６ｂと交差し、これにより複数のアライメントマークが構成される。好ましくは、この複数のアライメントマークのうち、複数の第１分離溝６ｂの最も中央に位置するものによって構成されるアライメントマークがアライメントマークＭＫｕｂとされる。
【００９２】
なおアライメント溝１６ｔａ、１６ｕａ、１６ｔｂ、および１６ｕｂは、必ずしも第１分離溝６の形成後に形成される必要はなく、第１分離溝６の形成前または形成中に形成されてもよい。
【００９３】
次に、図２４に示すように、上記のように第１のアライメントマークＭＫａおよび第２のアライメントマークＭＫｂが形成された後に、第１分離溝６が形成された透明電極膜３を覆う半導体光電変換膜４が形成される。一般的に半導体膜形成プロセスは高温プロセスであるので、半導体光電変換膜４の形成の際、透明基板２は加熱されることで基板温度が上昇し熱膨張する。なおこのときの基板温度は、たとえば１５０〜２００℃程度である。
【００９４】
主に図２５を参照して、レーザ加工システム６０２の第１のＣＣＤカメラ６３ａによってアライメントマークＭＫａが検出される。具体的には、第１のアライメントマークＭＫｔａおよびＭＫｕａの位置、すなわち、透明基板２の表面上における第１のレーザヘッド６４ａの位置の基準としての位置（第１位置）が認識される。また第２のＣＣＤカメラ６３ｂによって第２のアライメントマークＭＫｂが検出される。具体的には、第２のアライメントマークＭＫｔｂおよびＭＫｕｂの位置、すなわち、透明基板２の表面上における第２のレーザヘッド６４ｂの位置の基準としての位置（第２位置）が認識される。これらの検出の際に透明基板２の温度は室温程度とは限らず、半導体光電変換膜４の形成にともなう温度上昇の影響で透明基板２に熱膨張が生じていることがある。
【００９５】
上記第１位置の認識のためのアライメントマーク検出の際には、まず、領域Ｒａにおけるｘ方向の中心位置に最も近い位置のアライメントマークＭＫａの検出が試みられる。検出が成功した場合、アライメントマークＭＫａの位置が認識され、レーザヘッド６４ａの位置の基準とすることができる。検出に失敗した場合、領域Ｒａにおけるｘ方向の中心位置に近い位置の他の第１分離溝６ａによって構成されるアライメントマークの検出が行われ、検出に成功した場合はそのアライメントマークが基準として用いられる。基準として用いられる他の第１分離溝６ａによって構成されるアライメントマークは、領域Ｒａのｘ方向の中心位置になるべく近いものであることが好ましい。
【００９６】
上記第２位置の認識のためのアライメントマーク検出の際には、まず、領域Ｒｂにおけるｘ方向の中心位置に最も近い位置のアライメントマークＭＫｂの検出が試みられる。検出が成功した場合、アライメントマークＭＫｂの位置が認識され、レーザヘッド６４ｂの位置の基準とすることができる。検出に失敗した場合、領域Ｒｂにおけるｘ方向の中心位置に近い位置の他の第１分離溝６ｂによって構成されるアライメントマークの検出が行われ、検出に成功した場合はそのアライメントマークが基準として用いられる。基準として用いられる他の第１分離溝６ｂによって構成されるアライメントマークは、領域Ｒｂのｘ方向の中心位置になるべく近いものであることが好ましい。
【００９７】
上記第１位置を基準として位置制御された第１のレーザヘッド６４ａ（図２２）によって、平面視（図２５の視野）において第１分離溝６ａのそれぞれからピッチＰＴ（図２３）よりも小さい距離ＳＨ（図２５）だけｘ方向にずらして配置されたコンタクトライン７ａが半導体光電変換膜４に形成される。また上記第２位置を基準として位置制御された第２のレーザヘッド６４ｂ（図２２）によって、平面視（図２５の視野）において第１分離溝６ｂのそれぞれからピッチＰＴよりも小さい距離ＳＨ（図２５）だけｘ方向にずらして配置されたコンタクトライン７ｂが半導体光電変換膜４に形成される。
【００９８】
コンタクトライン７ａおよびコンタクトライン７ｂが形成される際に、レーザヘッド６４ａおよび６４ｂ（図２２）は、互いに接触しないように位置制御される。このような位置制御は、Ｘ−Ｙロボットのｘ駆動部６５ａおよび６５ｂ（図２２）が互いに接近し過ぎないように連動制御することによって行われ得る。これにより、レーザヘッド６４ａおよび６４ｂが互いに接触することに伴う加工不良の発生を避けることができる。
【００９９】
この後、実施の形態１または２と同様に、裏面電極膜５および第２分離溝８（図２）の形成などを経て、薄膜太陽電池１が得られる。第２分離溝８の形成は、上述したコンタクトライン７ａおよびコンタクトライン７ｂの形成方法とほぼ同様に、領域Ｒａと領域Ｒｂそれぞれにて行うことができる。
【０１００】
本実施の形態によれば、レーザ加工システム６０２（図２２）には第１のレーザヘッド６４ａおよび第２のレーザヘッド６４ｂ（図２２）が設けられている。これにより、レーザヘッドが１つしか設けられない場合に比して、加工の効率を高めることができる。具体的には、透明基板２の主面が、第１のレーザヘッド６４ａおよび第２のレーザヘッド６４ｂのそれぞれが対応する２つの領域Ｒａ、Ｒｂに分けて扱われる。領域Ｒａおよび領域Ｒｂのそれぞれのｘ方向における中心近傍に配置されたアライメントマークの位置が加工の基準位置とされる。これにより、基準位置から、加工される領域の端部までの距離が実施形態１に比して半分程度になるので、基板の熱膨張による位置ずれの影響を略半分に低減することができる。よってより加工精度を向上させることができる。
【０１０１】
なおアライメント溝１６ｔａおよび１６ｕａの各々は、必ずしも全ての第１分離溝６ａと交差する必要はない。またアライメント溝１６ｔｂおよび１６ｕｂの各々は、必ずしも全ての第１分離溝６ｂと交差する必要はない。
【０１０２】
またアライメント溝１６ｔａ、１６ｕａ、１６ｔｂ、および１６ｕｂの各々の代わりに、アライメントマークＭＬ（図１９：実施の形態２）と同様のアライメントマークが設けられてもよい。
【０１０３】
本実施の形態においては、２つのレーザヘッドのそれぞれによって２つの領域が加工される場合について説明したが、３つ以上の数のレーザヘッドのそれぞれによって、同数の領域が加工されてもよい。たとえば、４つのレーザヘッドのそれぞれが、基板の主面上においてｘ方向に並ぶ４つの領域を加工してもよい。領域の数が多くなるほど、より基板の熱膨張による加工位置ずれを低減することができる点で好ましい。
【０１０４】
また、レーザ加工システム６０２のようにレーザヘッドを複数有するものによる工程と、レーザ加工システム６０１のように単数のレーザヘッドを有するものによる工程とが共に用いられてもよい。この場合、コンタクトライン７を形成する工程が熱膨張による位置ずれの影響を受けやすいので、レーザ加工システム６０２によって領域Ｒａおよび領域Ｒｂごとに加工されることが好ましい。なおレーザヘッドの数が多いほど加工システムのコストは増えるので、装置の加工精度、処理能力、および装置コストを鑑みて、適宜実施形態を選択できる。
【０１０５】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【０１０６】
本発明は、薄膜太陽電池の製造方法に特に有利に適用することができる。
【符号の説明】
【０１０７】
１  薄膜太陽電池、２  透明基板（基板）、３  透明電極膜（第１層）、４  半導体光電変換膜（第２層）、５  裏面電極膜、６  第１分離溝（第１溝）、６ａ  第１分離溝（第１溝）、６ｂ  第１分離溝、７  コンタクトライン（第２溝）、８  第２分離溝（第３溝）、９  周縁溝、１０  電極、１１  セル領域、１６，１６ｔ，１６ｕ，１６ｔａ，１６ｔｂ，１６ｕａ，１６ｕｂ  アライメント溝、６１  支持ローラ、６３ａ，６３ｂ  ＣＣＤカメラ（撮像部）、６４ａ  レーザヘッド、６４ｂ  レーザヘッド、６５  Ｘ−Ｙロボット、６５ａ，６５ｂ  ｘ駆動部、６５ｙ  ｙ駆動部、６０１，６０２  レーザ加工システム、ＬＭ１〜ＬＭ５  レーザ光、ＭＫ，ＭＫａ，ＭＫｂ，ＭＫｔ，ＭＫｔａ，ＭＫｔｂ，ＭＫｕ，ＭＫｕａ，ＭＫｕｂ，ＭＬ，ＭＬｔ，ＭＬｕ  アライメントマーク、ＰＴ  ピッチ、Ｒａ  領域（第１領域）、Ｒｂ  領域（第２領域）、ＲＳ  中心領域、ＳＨ  距離。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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