(57)【要約】【課題】  光リーク電流を低減し、画質を向上させる。【解決手段】  本開示に係る液晶表示装置は、複数の層間絶縁膜３１０が積層されており、複数の層間絶縁膜３１０のうち、信号線２２及びトランジスタが設けられた非開口領域２５と、信号線２２及びトランジスタが設けられていない開口領域２３とを有する駆動素子基板１２と、液晶１６を介して駆動素子基板１２と対向するように設けられた対向基板１１と、を備え、駆動素子基板１２は、非開口領域２５と開口領域との間であって層間絶縁膜３１０に設けられ、層間絶縁膜３１０と屈折率が異なる絶縁部３１１と、絶縁部３１１と、対向基板１１との間に設けられた遮光膜３０５と、を有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の層間絶縁膜が積層されており、前記複数の層間絶縁膜のうち、信号線及びトランジスタが設けられた非開口領域と、前記信号線及びトランジスタが設けられていない開口領域とを有する駆動素子基板と、
液晶を介して前記駆動素子基板と対向するように設けられた対向基板と、
を備え、
前記駆動素子基板は、
前記非開口領域と開口領域との間であって前記層間絶縁膜に設けられ、前記層間絶縁膜と屈折率が異なる絶縁部と、
前記絶縁部と前記対向基板との間に設けられた遮光膜と、
を有する
液晶表示装置。
【請求項２】
前記絶縁部は、前記層間絶縁膜より屈折率が低い請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記絶縁部は、前記層間絶縁膜より屈折率が高い請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記絶縁部は、前記トランジスタの周囲を囲うように前記信号線と前記開口領域との間に設けられる請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記絶縁部は、第１の絶縁部と、前記第１の絶縁部と略直角に設けられた第２の絶縁部と、前記第１の絶縁部と略平行に設けられた第３の絶縁部と、前記第２の絶縁部と略平行に設けられた第４の絶縁部と、を有する請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記絶縁部は、屈曲部を有する請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
信号線及びトランジスタが設けられる非開口領域と、前記信号線及びトランジスタが設けられていない開口領域とを有する駆動素子基板と、液晶を介して前記駆動素子基板と対向するように設けられる対向基板とを備える液晶表示装置の製造方法であって、
複数の層間絶縁膜、及び前記層間絶縁膜の前記非開口領域に前記信号線及び前記トランジスタを形成する工程と、
前記層間絶縁膜と屈折率が異なる絶縁部を前記層間絶縁膜の前記非開口領域と前記開口領域との間にに形成する工程と、
前記非開口領域の前記絶縁部と、前記対向基板との間に前記遮光膜を形成する工程と、
を備える液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、液晶表示装置、及び液晶表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
画像プロジェクタ装置等に利用される液晶表示装置においては、駆動素子基板に形成されるトランジスタのチャネル部に光が入射すると、光リーク電流が発生し画質に悪影響を与えることが知られている。
【０００３】
光リーク電流の影響を低減する方法として、例えば特許文献１では、駆動素子基板に積層される層間絶縁膜にイオン注入することで、駆動素子基板における開口領域と非開口領域との屈折率を異ならせる技術が開示されている。特許文献１の技術によれば、トランジスタのチャネル部を含む非開口領域への入射光を反射低減させ、光リーク電流の影響を低減させることができる。ここで、開口領域とは、駆動素子基板にて複数の走査線と複数の信号線とが互いに直交するように碁盤格子状に配置される構成において、走査線と信号線とにより囲まれる碁盤の目の部分に相当する領域である。また、非開口領域とは、開口領域を形成する走査線または信号線が存在する領域である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−３２１６７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、層間絶縁膜にイオン注入する方法によると、イオンを注入した部分とそうでない部分との屈折率の差が非常に小さいという問題がある。さらに、注入したイオンの密度分布が広がり、屈折率の明確な境界線が形成されないという問題がある。これらの問題から、層間絶縁膜にイオン注入を行っても、光リーク電流を十分に低減させることができない。
【０００６】
本技術は、上記問題を解決するためになされたものであり、光リーク電流を低減し、画質を向上させることができる液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示に係る液晶表示装置は、複数の層間絶縁膜が積層されており、前記複数の層間絶縁膜のうち、信号線及びトランジスタが設けられた非開口領域と、前記信号線及びトランジスタが設けられていない開口領域とを有する駆動素子基板と、液晶を介して前記駆動素子基板と対向するように設けられた対向基板と、を備え、前記駆動素子基板は、前記非開口領域と開口領域との間であって前記層間絶縁膜に設けられ、前記層間絶縁膜と屈折率が異なる絶縁部と、前記絶縁部と、前記対向基板との間に設けられた遮光膜と、を有する。
【０００８】
非開口領域と開口領域との間の層間絶縁膜に該層間絶縁膜と屈折率が異なる絶縁部を設けることで、入射光がトランジスタに進入しにくくなり、光リーク電流を低減し、画質を向上させることができる。
【０００９】
本開示に係る液晶表示装置の製造方法は、信号線及びトランジスタが設けられる非開口領域と、前記信号線及びトランジスタが設けられていない開口領域とを有する駆動素子基板と、液晶を介して前記駆動素子基板と対向するように設けられる対向基板とを備える液晶表示装置の製造方法であって、複数の層間絶縁膜、及び前記層間絶縁膜の前記非開口領域に前記信号線及び前記トランジスタを形成する工程と、前記層間絶縁膜と屈折率が異なる絶縁部を前記層間絶縁膜の前記非開口領域と開口領域との間に形成する工程と、前記絶縁部と前記対向基板との間に前記遮光膜を形成する工程と、を備える。
【発明の効果】
【００１０】
本技術によれば、光リーク電流を低減し、画質を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本技術の第１実施形態に係る液晶表示装置を示す図。
【図２】図１におけるＣ部分拡大図。
【図３】本技術の第１実施形態に係る液晶表示装置を示す図。
【図４】本技術の第２実施形態に係る液晶表示装置を示す図。
【図５】本技術の第２実施形態に係る液晶表示装置を示す図。
【図６】本技術の第２実施形態に係る液晶表示装置の製造工程図。
【図７】本技術の第３実施形態に係る液晶表示装置を示す図。
【図８】本技術の第３実施形態に係る液晶表示装置の製造工程図。
【図９】本技術の第３実施形態に係る液晶表示装置の他の例を示す図。
【図１０】本技術の第４実施形態に係る液晶表示装置を示す図。
【図１１】本技術の第５実施形態に係る液晶表示装置を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る液晶表示装置１を示す図である。図１（ａ）は、液晶表示装置１の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ’位置における液晶表示装置１の断面図を示す。
【００１３】
液晶表示装置１は、液晶１６を介して互いに対向する駆動素子基板１２と対向基板１１とを備える。駆動素子基板１２の一方の板面側には、駆動素子１７が設けられている。対向基板１１は、表示画素１４が設けられた画素領域を有する。対向基板１１と駆動素子基板１２は、互いにシール１５によって接着され、互いに対向させる板面間の間隙に、液晶１６により構成される液晶層を挟んだ構造となっている。
【００１４】
駆動素子基板１２には、図示しない外部装置と接続される接続端子１３が設けられている。詳細には、駆動素子基板１２および対向基板１１は、いずれも矩形板形状を有し、駆動素子基板１２は、対向基板１１に対して、矩形形状の外形に沿う一方の方向（図１において上下方向）の寸法が大きい。したがって、駆動素子基板１２と対向基板１１とが液晶１６を挟んで互いに重なった状態では、駆動素子基板１２の液晶１６を挟む板面の１辺側が部分的に露出した状態となる。この駆動素子基板１２の露出した板面部分に、接続端子１３が設けられる。
【００１５】
図２は、図１（ａ）のＣの領域を示す部分拡大図である。駆動素子１７は、複数の走査線２１と、複数の信号線２２と、複数のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）２４とを有する。
【００１６】
複数の走査線２１は、表示画素１４の配列の横の並びの方向（図１（ａ）における左右方向）に沿って、互いに略平行になるよう形成される。複数の信号線２２は、表示画素１４の配列の縦の並びの方向（図１（ａ）における上下方向）に沿って、互いに略平行になるよう形成される。つまり、走査線２１及び信号線２２は、表示画素１４により構成される画面に対して略平行な面上で互いに直交するように配置される。従って、走査線２１及び信号線２２は、碁盤格子状に配置される。
【００１７】
走査線２１及び信号線２２の碁盤格子状の配置における碁盤の目の部分、即ち走査線２１及び信号線２２で囲まれる方形状の領域を開口領域２３と称する。また開口領域２３を形成する走査線２１及び信号線２２が設けられる領域を非開口領域２５と称する。つまり、開口領域２３は、非開口領域２５に囲まれる領域であり、開口領域２３には、走査線２１や信号線２２などの配線やＴＦＴ２４などのトランジスタが設けられない。非開口領域２５は、走査線２１や信号線２２等によって遮光される領域である。
【００１８】
ＴＦＴ２４は、半導体によるトランジスタによって形成される。ＴＦＴ２４は、非開口領域２５に配置される。具体的には、ＴＦＴ２４は、走査線２１及び信号線２２の交差部近傍に形成される。
【００１９】
図３（ａ）は、図２のＢ−Ｂ'位置の断面図であり、液晶表示装置１の断面を模式的に表した図である。図３（ａ）に示すように、駆動素子基板１２と対向基板１１とが液晶１６を挟んだ状態で対向配置される構成において、対向基板１１の液晶１６側と反対側には、マイクロレンズ３０１が設けられている。マイクロレンズ３０１は、図示しない光源から照射された光を集光する。対向基板１１と液晶１６との間には、対向透明電極３０２が設けられる。つまり、対向透明電極３０２は、マイクロレンズ３０１の裏面側に形成される。
【００２０】
駆動素子基板１２は、対向基板１１に対向する側から設けられる５層の層間絶縁膜３１０ａ〜３１０ｅと、ガラス基板３０９とを有する。つまり、駆動素子基板１２においては、駆動素子基板１２が対向基板１１との間に挟む液晶１６側から、第１層間絶縁膜３１０ａ，第２層間絶縁膜３１０ｂ，第３層間絶縁膜３１０ｃ，第４層間絶縁膜３１０ｄ，および第５層間絶縁膜３１０ｅが順に積層された絶縁膜の積層構造が設けられているそして、この積層構造の外側、つまり第５層間絶縁膜３１０ｅの第４層間絶縁膜３１０ｄ側と反対側に、ガラス基板３０９が設けられる。このような構成を有する駆動素子基板１２において、開口領域２３と非開口領域２５とが設けられる。
【００２１】
非開口領域２５は、上記のとおり走査線２１や信号線２２等によって遮光される領域である。図３（ａ）は、図２との関係において、２箇所に信号線２２を含む範囲で、平面視で信号線２２を直角に横切る断面図である。図３（ａ）では、左右両側に、非開口領域２５において遮光する部分である信号線２２が示されている。
【００２２】
非開口領域２５の信号線２２は、駆動素子基板１２において、第５層間絶縁膜３１０ｅの層内に設けられる。詳細には、信号線２２は、ガラス基板３０９上に設けられ、ガラス基板３０９上に形成される第５層間絶縁膜３１０ｅにより覆われることで、第５層間絶縁膜３１０ｅの層内に位置する。
【００２３】
また、図３（ａ）に示すように、駆動素子基板１２の非開口領域２５においては、第４層間絶縁膜３１０ｄの層内に、上記のとおり走査線２１と信号線２２との交差部近傍に形成されるＴＦＴ２４（図２参照）が設けられる。ＴＦＴ２４は、チャネル部３０８及びゲート線３０７を有する。
【００２４】
また、駆動素子基板１２の非開口領域２５においては、遮光する部分として、信号線２２のほか、第３層間絶縁膜３１０ｃの層内に設けられる信号配線３０６、第２層間絶縁膜３１０ｂの層内に設けられる遮光膜３０５、および第１層間絶縁膜３１０ａの層内に設けられる画素電極配線３０４が存在する。言い換えると、これらの信号配線３０６、遮光膜３０５、および画素電極配線３０４は、非開口領域２５に位置するように形成される。第１層間絶縁膜３１０ａと液晶１６との間には、画素透明電極３０３が設けられる。つまり、液晶１６は、対向基板１１側に設けられる対向透明電極３０２と、駆動素子基板１２側に設けられる画素透明電極３０３との間に封入される。
【００２５】
このように、非開口領域２５においては、信号線２２のほか、遮光膜３５等の複数の遮光部が層間絶縁膜による積層構造において各層に設けられている。図３（ａ）に示す駆動素子基板１２の部分においては、左右両側の一部が非開口領域２５であり、これらの非開口領域２５に挟まれた中間部分が、開口領域２３となる。
【００２６】
このような開口領域２３と非開口領域２５との配置関係において、対向基板１１が有するマイクロレンズ３０１は、上記のとおり方形状の各開口領域２３に対応するように設けられる。詳細には、マイクロレンズ３０１は、その光軸中心が開口領域２３の方形状の中心に一致するように形成され、開口領域２３に対して光を集光する。したがって、非開口領域２５の位置は、平面視で、隣り合うマイクロレンズ３０１の境界部分に対応する。
【００２７】
以上のような構成を備える駆動素子基板１２においては、開口領域２３と非開口領域２５との境界部分に、絶縁部３１１が設けられている。絶縁部３１１は、第４層間絶縁膜３１０ｄに空洞（ボイド）３１１ａを形成する部分であり、この空洞３１１ａに空気を保持する部分である。具体的には、絶縁部３１１において空気を保持する空洞３１１ａは、例えば、第４層間絶縁膜３１０ｄに対するエッチングによって形成される。ただし、空洞３１１ａを形成する方法は、特に限定されず、エッチングのほか、例えば機械的な加工を用いた方法等であってもよい。
【００２８】
このように、本実施形態では、絶縁部３１１は、空洞３１１ａに空気を保持する部分であり、絶縁部３１１が設けられる層間絶縁膜（本実施形態では、第４層間絶縁膜３１０ｄ）とは異なる屈折率を有する。
【００２９】
図３（ｂ）は、層間絶縁膜３１０ｄ及び絶縁部３１１の屈折率を示す図である。層間絶縁膜３１０ｄは、ＳｉＯ２で形成される場合、その屈折率は１．４６である。一方、絶縁部３１１は、実質的には空洞３１１ａに保持される空気であるため、屈折率は１となる。従って、層間絶縁膜３１０ｄと、絶縁部３１１との屈折率差は０．４６となる。このような第４層間絶縁膜３１０ｄと絶縁部３１１との屈折率の差に着目すると、第４層間絶縁膜３１０ｄは、低屈折領域３１に形成される絶縁部３１１によって、開口領域２３と非開口領域２５とが屈折率０．４６の壁面にて分割される構造となる。つまり、絶縁部３１１は、第４層間絶縁膜３１０ｄにおいて、膜厚方向（図３（ａ）における上下方向）の略全体にわたって設けられる。この絶縁部３１１により、第４層間絶縁膜３１０ｄが、開口領域２３に対応する部分と、非開口領域２５に対応する部分とに仕切られた状態となる。
【００３０】
図３（ａ）に示すように、対向基板１１に入射した光はマイクロレンズ３０１にて屈折され、液晶１６を通過し、駆動素子基板１２に到達する。このとき、トランジスタのチャネル部３０８に向かって進行する光（破線矢印参照）は、絶縁部３１１の表面で反射されるためチャネル部３０８まで到達しにくくなる。仮に、絶縁部３１１が設けられていないばあ、対向基板１１に入射した光の一部（破線矢印）は、絶縁部３１１に遮られることなくトランジスタのチャネル部３０８に到達する。チャネル部３０８に光が入射すると、光リーク電流が発生し、画質に悪影響を与える。本実施形態では、第４層間絶縁膜３１０ｄの開口領域２３と非開口領域２５との間に絶縁部３１１を設けることで、開口領域２３から入射する光を絶縁部３１１で反射され、光がチャネル部３０８まで到達しにくくなる。これにより、チャネル部３０８及びゲート線３０７を有するトランジスタに発生する光リーク電流が抑制される。
【００３１】
以上のように、第１実施形態に係る液晶表示装置１は、層間絶縁膜３１０ｄの開口領域２３と非開口領域２５との間に、層間絶縁膜３１０ｄとは屈折率が異なる絶縁部３１１を形成している。これにより、入射光がトランジスタのチャネル部３０８に進入するのを防ぎ、トランジスタに発生する光リーク電流を低減し、液晶表示装置１の画質を向上させることができる。
【００３２】
（第２実施形態）
次に、第２の実施形態に係る液晶表示装置２を説明する。液晶表示装置２は、絶縁部４１１が設けられている層間絶縁膜が異なる点を除き、図３に示す液晶表示装置１と同じ構成である。液晶表示装置２の絶縁部４１１は、第３層間絶縁膜３１０ｃ及び第４層間絶縁膜３１０ｄに設けられる。
【００３３】
図４は、絶縁部４１１が設けられた第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄを含む非開口領域２５を示す図である。
図４（ａ）は、第２層間絶縁膜３１０ｂ側から第３層間絶縁膜３１０ｃの非開口領域２５をみた平面図である。図４（ｂ）は、第３層間絶縁膜３１０ｃの層を抜きだした平面図である。図４（ｂ）に示すように、本実施形態に係る液晶表示装置２の絶縁部４１１は、信号配線３０６を挟むように設けられる。
【００３４】
図４（ｃ）は、図４（ａ）のＡ−Ａ’位置の断面図、図４（ｄ）は、Ｂ−Ｂ’位置の断面図、図４（ｅ）は、Ｃ−Ｃ’位置の断面図である。
駆動素子基板１２は、第３層間絶縁膜３１０ｃ及び第４層間絶縁膜３１０ｄの開口領域２３と非開口領域２５との境界部分に形成された絶縁部４１１を有する。絶縁部４１１は、第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄに空洞（ボイド）４１１ａを形成する部分であり、この空洞４１１ａに空気を保持する部分である。絶縁部４１１は、チャネル部３０８を上部から両側を囲うように形成される。本実施形態の絶縁部４１１は、後述するように第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄにエッチングにより溝を設けることで形成される。
【００３５】
第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄは、例えばＳｉＯ２で形成されており、その屈折率は１．４６である。絶縁部４１１は、実質的には空洞４１１ａに保持される空気であるため、屈折率は１となる。従って、第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄと、絶縁部４１１との屈折率差は０．４６となる。このように、絶縁部４１１は、絶縁部４１１が設けられる層間絶縁膜（本実施形態では、第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄ）とは異なる屈折率を有する。
【００３６】
このような第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄと絶縁部４１１との屈折率の差に着目すると、第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄは、絶縁部４１１によって、開口領域２３と非開口領域２５とが屈折率０．４６の壁面にて分割される構造となる。つまり、絶縁部４１１は、第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄにおいて、膜厚方向の略全体にわたって設けられ、この絶縁部４１１により、第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄが、開口領域２３に対応する部分と、非開口領域２５に対応する部分とに仕切られた状態となる。
【００３７】
図５を用いて絶縁部４１１によって、入射光がトランジスタのチャネル部３０８に進入しにくくなる効果について説明する。図５（ｂ）に示すように、第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄの屈折率にくらべ、絶縁部４１１の屈折率は低くなっている。
【００３８】
対向基板１１に入射した光はマイクロレンズ３０１にて屈折され、液晶１６を通過し、駆動素子基板１２に到達する。
図５（ａ）に戻る。駆動素子基板１２に到達した入射光は直接又はガラス基板３０９や電極等で反射され絶縁部４１１の表面に到達する。絶縁部４１１表面に到達した入射光は、スネルの法則により反射させられ、開口領域２３から出射される光となる。
【００３９】
図５（ｃ）は、図５（ａ）の円で囲む部分を占めす図である。図５（ｃ）に示すように、入射角が臨界角（ここでは４６°）以下の入射光は全反射される。これにより、トランジスタのチャネル部３０８へと侵入する光が低減され、光リークの発生を抑えることが可能となる。
【００４０】
次に、図６を用いて液晶表示装置２の製造方法について説明する。図６は、図４（ａ）のＢ−Ｂ’位置の断面図を示している。
図６（ａ）に示すように、ガラス基板３０９上にトランジスタのチャネル部３０８、ゲート線３０７（図示せず）や画素電極配線３０４を形成し、第４層間絶縁膜３１０ｄを成膜する。第４層間絶縁膜３１０ｄ上に信号配線３０６を形成する。信号配線３０６は例えばアルミ等で形成される。
【００４１】
次に図６（ｂ）に示すように、信号配線３０６の上に第３層間絶縁膜３１０ｃ’を成膜する。続いて図６（ｃ）に示すように、第３層間絶縁膜３１０ｃ’上にマスキング用のレジスト剤８０４を成膜する。レジスト剤８０４を成膜後、レジスト剤８０４に絶縁部４１１を形成するために縦溝形状をパターニングする。続いて、レジスト剤８０４をマスクとして第３層間絶縁膜３１０ｃ’、３１０ｄをドライエッチングすることで縦溝８０５を形成する。
【００４２】
図６（ｄ）に示すように、レジスト剤８０４を除去後、縦溝８０５に蓋をし、絶縁部４１１を形成するために、酸化膜８０６を積層する。このとき、縦溝８０５が埋まらないようにカバレッジ性の悪い成膜条件、例えば低温、低真空度又はモノシラン等を用いて成膜することで所望の形状を得ることができる。
【００４３】
なお、ここでは、縦溝８０５に積極的に空気を充填していない。これは、液晶表示装置２製造時に空気を充填しなくとも自然と絶縁部４１１の空洞４１１ａに空気が充填されるためである。例えば、絶縁部４１１の空洞４１１ａに空気以外の気体を充填するのであれば、酸化膜８０６を形成前（あるいは後）に縦溝８０５内に気体を充填しておけばよい。同様に空気を充填しておいてもよい。第３層間絶縁膜３１０ｃ’及び酸化膜８０６で第３層間絶縁膜３１０ｃを形成する。
【００４４】
図６（ｅ）に示すように、層間絶縁膜３１０の一部である酸化膜８０６上に遮光膜３０５等を形成することで、本実施形態に係る液晶表示装置２を得る。
【００４５】
以上のように、本実施形態に係る液晶表示装置２によれば、絶縁部４１１を第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄに渡って、信号配線３０６を挟むように形成しても、トランジスタのチャネル部３０８を囲むように形成することで入射光がトランジスタのチャネル部３０８に進入するのを防ぎ、トランジスタに発生する光リーク電流を低減し、液晶表示装置２の画質を向上させることができる。
【００４６】
（第３実施形態）
次に、図７を用いて第３の実施形態に係る液晶表示装置３を説明する。液晶表示装置３は、絶縁部５１１の屈折率を除き、第２実施形態の液晶表示装置２と同じ構成である。
【００４７】
絶縁部５１１の空洞（ボイド）５１１ａには例えば、高屈折率材が充填される。従って、図７（ｂ）に示すように、本実施形態に係る液晶表示装置３の絶縁部５１１は、実質的には空洞５１１ａに充填される高屈折率材で屈折率がきまるため、その屈折率が第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄより高い。高屈折率材は、例えばＳＩＮなどである。ここでは、第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄとしてＳｉＯ２を用いている。ＳＩＮの屈折率は１．７２である。ＳｉＯ２の屈折率は１．４６であるため、絶縁部５１１と第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄとの屈折率差は０．２６となる。層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄは、絶縁部５１１によって、屈折率０．４６の壁面にて分割される構造となる。つまり、絶縁部５１１は、第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄにおいて、膜厚方向の略全体にわたって設けられ、この絶縁部４１１により、第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄが、開口領域２３に対応する部分と、非開口領域２５に対応する部分とに仕切られた状態となる。
【００４８】
この場合、図７（ａ）に示すように絶縁部５１１の表面に到達した入射光は、低屈折率層（第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄ）から高屈折率層（絶縁部５１１）へと向かう光となり、絶縁部５１１内部に侵入する。絶縁部５１１に進入した入射光は、入射側と対向する絶縁部５１１の表面に到達した際には、高屈折率層（絶縁部５１１）から低屈折率層（第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄ）へと向かう光となり、絶縁部５１１表面において内部反射され、再び絶縁部５１１中央へと進行する光となる。
【００４９】
図７（ｃ）は、図７（ａ）のＡ−Ａ’位置の断面図である。図７（ｃ）に示すように、入射角が臨界角（ここでは３１°）以下の入射光は全反射される。従って絶縁部５１１の内部に侵入した入射光は、絶縁部５１１の表面での全反射を繰り返す。絶縁部５１１は、所謂導波路として機能するため、トランジスタのチャネル部３０８に侵入する入射光を低減することができる。
【００５０】
次に、図８を用いて液晶表示装置３の製造方法について説明する。第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄに縦溝８０５を形成するまでは、図６と同じであるため説明を省略する。
図８（ａ）に示すように、縦溝８０５を形成後、高屈折率材（ここではＳＩＮ）９０１を低圧ＣＶＤにより正膜する。次に、図８（ｂ）に示すように、エッチバック又はＣＭＰ処理を行うことで縦溝８０５からはみ出した不要な高屈折率材９０１を除去し、絶縁部５１１を形成する。
【００５１】
その後、図８（ｃ）に示すように、酸化膜８０６を積層し、その上に遮光膜３０５等を形成する。第３層間絶縁膜３１０ｃ’及び酸化膜８０６で第３層間絶縁膜３１０ｃを形成する。なお、酸化膜８０６の成膜を省略し、絶縁部５１１を形成後、その上に遮光膜３０５等を直接形成してもよい。この場合は、第３層間絶縁膜３１０ｃ’が第３層間絶縁膜３１０ｃとなる。
【００５２】
以上のように、本実施形態に係る液晶表示装置３によれば、絶縁部５１１の空洞５１１ａの内部に高屈折率材を充填しても、絶縁部５１１が導波路として機能するため、入射光がトランジスタのチャネル部３０８に進入するのを防ぎ、トランジスタに発生する光リーク電流を低減し、液晶表示装置３の画質を向上させることができる。
【００５３】
なお、上述した実施形態では、第２実施形態に係る液晶表示装置２の絶縁部４１１の代わりに絶縁部５１１を適用した例を説明したが、第１実施形態に係る液晶表示装置１の絶縁部３１１の代わりに絶縁部５１１を適用してもよい。
【００５４】
図９に、第１実施形態に係る液晶表示装置１の絶縁部３１１の変わりに絶縁部５１１を適用した例を示す。図９に示すように絶縁部５１１の屈折率を第４層間絶縁膜３１０ｄより高くすることで、絶縁部５１１が導波路として機能し絶縁部５１１の表面に到達した入射光がそのまま絶縁部５１１の下端から出射する。これにより、入射光がトランジスタのチャネル部３０８に進入するのを防ぐことができる。
【００５５】
（第４実施形態）
図１０を用いて、第４実施形態に係る液晶表示装置４を説明する。本実施形態に係る液晶表示装置４は、絶縁部６１１の形状を除き、第２実施形態の液晶表示装置２と同じ構成を有する。
【００５６】
図１０（ａ）は、第２層間絶縁膜３１０ｂ側から第３層間絶縁膜３１０ｃの非開口領域２５をみた平面図である。図１０（ｂ）は、第３層間絶縁膜３１０ｃの層を抜きだした平面図である。図１０（ｂ）に示すように、本実施形態に係る液晶表示装置４の絶縁部６１１は、信号配線３０６の一部を囲うような長方形の枠状を有する。
【００５７】
図１０（ｃ）は、図１０（ａ）のＡ−Ａ’位置の断面図、図１０（ｄ）は、Ｂ−Ｂ’位置の断面図、図１０（ｅ）は、Ｃ−Ｃ’位置の断面図である。
【００５８】
絶縁部６１１は、信号配線３０６と略平行に設けられた第１絶縁部６１２と、第１絶縁部６１２と略直角に設けられた第２絶縁部６１４と、第１絶縁部６１２と略平行に設けられた第３絶縁部６１３と、第２絶縁部６１４と略平行に設けられた第４絶縁部６１５とを有している。第１〜第４絶縁部６１２〜６１５は略直方体状をしている。第１絶縁部６１２の一端は第２絶縁部６１４の一端と、他端は第４絶縁部６１５の一端と接している。第３絶縁部６１３の一端は第２絶縁部６１４の他端と、他端は第４絶縁部６１５の他端と接している。従って、絶縁部６１１は、長方形の枠状を有しており、図１０（ａ）に示すように、平面からみて絶縁部６１１の枠の内側にトランジスタのチャネル部３０８が配置される。
【００５９】
以上のように、本実施形態の液晶表示装置４では、チャネル部３０８の両側だけでなく四方を囲うように絶縁部６１１を形成する。これにより、より多くの入射光がトランジスタのチャネル部３０８に進入するのを防ぐことができ、トランジスタに発生する光リーク電流を低減し、液晶表示装置４の画質を向上させることができる。
【００６０】
なお、上述した実施形態では、第２実施形態に係る液晶表示装置２の絶縁部４１１の代わりに絶縁部６１１を適用した例を説明したが、第１、第３実施形態に係る液晶表示装置１、３の絶縁部３１１，５１１の代わりに絶縁部６１１を適用してもよい。
【００６１】
また、上述した実施形態では、第１〜第４絶縁部６１２〜６１５の端が接続されているが、チャネル部３０８を絶縁部６１１で囲めればよく、第１〜第４絶縁部６１２〜６１５をそれぞれ一定の距離をあけて配置するようにしてもよく、第１〜第４絶縁部６１２〜６１５のどれか１つ以上を省略してもよい。
【００６２】
（第５実施形態）
図１１を用いて、第５実施形態に係る液晶表示装置５を説明する。本実施形態に係る液晶表示装置５は、絶縁部７１１の形状をのぞき、第２実施形態の液晶表示装置２と同じ構成を有する。
【００６３】
絶縁部７１１は、第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄに空洞（ボイド）７１１ａを形成する部分であり、この空洞７１１ａに空気を保持する部分である。絶縁部７１１は、チャネル部３０８を上部から両側を囲うように形成される。第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄは、例えばＳｉＯ２で形成されており、その屈折率は１．４６である。絶縁部７１１は、実質的には空洞７１１ａに保持される空気であるため、屈折率は１となる。従って、第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄと、絶縁部７１１との屈折率差は０．４６となる。このように、絶縁部７１１は、絶縁部７１１が設けられる層間絶縁膜（本実施形態では、第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄ）とは異なる屈折率を有する。
【００６４】
図１１（ａ）に示すように、絶縁部７１１は、屈曲部７１２を有する。絶縁部７１１は、端部７１３間の距離ｄ１が屈曲部７１２間の距離ｄ２が短くなっている。絶縁部７１１は、膜厚方向（図１１（ａ）における上下方向）の中央付近（屈曲部７１２）が、両端付近（端部７１３）に比べてチャネル部３０８に近くなるよう形成される。屈曲部７１２から対向基板１１側の絶縁部７１１ｂ、又は屈曲部７１２からガラス基板３０９側の絶縁部７１１ｃは、それぞれ膜厚方向に対して角度α傾いて形成される。
【００６５】
このように、絶縁部７１１に屈曲部７１２を設けることで、絶縁部７１１の表面に到達する入射光の入射角が臨界角以下になりやすくなり、絶縁部７１１によって全反射される入射光が増加する。
【００６６】
例えば、第１実施形態のように略直方体の絶縁部３１１を設けた場合、絶縁部３１１に入射される光と絶縁部３１１とのなす角（入射角）γは、入射される光と膜厚方向とのなす角βに等しくなる。一方、本実施形態のように絶縁部７１１に屈曲部７１２を形成した場合、マイクロレンズ３０１側から絶縁部７１１ｂに入射した光と、絶縁部７１１ｂとのなす角（入射角）γは、入射される光と膜厚方向とのなす角βから膜厚方向と絶縁部７１１ｂとのなす角αを引いた角度（γ＝β−α）となる。従って、入射光と膜厚方向とのなす角βが臨界角以上であっても臨界角＋α以下であれば、入射した光と、絶縁部７１１ｂとのなす角（入射角）γは、臨界角以下になるため入射光が絶縁部７１１で全反射しやすくなる。
【００６７】
なお、マイクロレンズ３０１側から絶縁部７１１ｃに入射した光と絶縁部７１１ｃとのなす角γは、γ＝β＋αとなるため、マイクロレンズ３０１側から絶縁部７１１ｃに入射した光は膜厚方向とのなす角βが小さくても絶縁部７１１ｃを通過しやすくなる。しかしながら、マイクロレンズ３０１側から絶縁部７１１ｃに入射した光が絶縁部７１１ｃを通過しても、通過した入射光はチャネル部３０８の下部を通過する可能性が高く、この入射光によってチャネル部３０８に光リーク電流は発生しにくい。
一方、マイクロレンズ３０１から入射した光が駆動素子基板１２内で反射した反射光が例えばガラス基板３０９側から絶縁部７１１ｃに入射した場合、マイクロレンズ３０１から絶縁部７１１ｂに光が入射した場合と同様に全反射しやすくなる。
【００６８】
以上のように、本実施形態に係る液晶表示装置５では、絶縁部７１１が屈曲部７１２を有することで、絶縁部７１１によって全反射される入射光が増加し、トランジスタのチャネル部３０８へと侵入する光がより低減され、光リークの発生をさらに抑えることが可能となる。
【００６９】
なお、上述した実施形態では、第２実施形態に係る液晶表示装置２の絶縁部４１１の代わりに絶縁部６１１を適用した例を説明したが、第１、第３及び第４実施形態に係る液晶表示装置１、３、４の絶縁部３１１，５１１，６１１の代わりに絶縁部７１１を適用してもよい。
【００７０】
第４実施形態に係る液晶表示装置４の絶縁部６１１の代わりに絶縁部７１１を用いる場合、第５実施形態の絶縁部７１１とは逆に屈曲する絶縁部、即ち、端部７１３間の距離ｄ１が屈曲部７１２間の距離ｄ２が長い絶縁部を用いてもよい。
【００７１】
最後に、上述した各実施形態の説明は本発明の一例であり、本発明は上述の実施の形態に限定されることはない。このため、上述した各実施の形態以外であっても、本発明に係る技術的思想を逸脱しない範囲であれば、設計等に応じて種々の変更が可能であることは勿論である。
【符号の説明】
【００７２】
１１  対向基板
１２  駆動素子基板
１３  接続端子
１４  表示画素
１５  シール
１６  液晶
１７  駆動素子
３０１  マイクロレンズ
３０２  対向透明電極
３０３  画素透明電極
３０４  画素電極配線
３０５  遮光膜
３０６  信号配線
３０７  ゲート線
３０８  チャネル部
３０９  ガラス基板
３１０  層間絶縁膜
３１１、４１１、５１１、６１１、７１１  絶縁部
【図１】
2012208449.tif 000003
【図２】
2012208449.tif 000004
【図３】
2012208449.tif 000005
【図４】
2012208449.tif 000006
【図５】
2012208449.tif 000007
【図６】
2012208449.tif 000008
【図７】
2012208449.tif 000009
【図８】
2012208449.tif 000010
【図９】
2012208449.tif 000011
【図１０】
2012208449.tif 000012
【図１１】
2012208449.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月2日(2012.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の層間絶縁膜が積層されており、前記複数の層間絶縁膜のうち、信号線及びトランジスタが設けられた非開口領域と、前記信号線及びトランジスタが設けられていない開口領域とを有する駆動素子基板と、
液晶を介して前記駆動素子基板と対向するように設けられた対向基板と、
を備え、
前記駆動素子基板は、
前記非開口領域と開口領域との間であって前記層間絶縁膜に設けられ、前記層間絶縁膜と屈折率が異なる絶縁部と、
前記絶縁部と前記対向基板との間に設けられた遮光膜と、
を有する
液晶表示装置。
【請求項２】
前記絶縁部は、前記層間絶縁膜より屈折率が低い請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記絶縁部は、前記層間絶縁膜より屈折率が高い請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記絶縁部は、前記トランジスタの周囲を囲うように前記信号線と前記開口領域との間に設けられる請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記絶縁部は、第１の絶縁部と、前記第１の絶縁部と略直角に設けられた第２の絶縁部と、前記第１の絶縁部と略平行に設けられた第３の絶縁部と、前記第２の絶縁部と略平行に設けられた第４の絶縁部と、を有する請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記絶縁部は、屈曲部を有する請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
信号線及びトランジスタが設けられる非開口領域と、前記信号線及びトランジスタが設けられていない開口領域とを有する駆動素子基板と、液晶を介して前記駆動素子基板と対向するように設けられる対向基板とを備える液晶表示装置の製造方法であって、
複数の層間絶縁膜、及び前記層間絶縁膜の前記非開口領域に前記信号線及び前記トランジスタを形成する工程と、
前記層間絶縁膜と屈折率が異なる絶縁部を前記層間絶縁膜の前記非開口領域と前記開口領域との間に形成する工程と、
前記非開口領域の前記絶縁部と、前記対向基板との間に遮光膜を形成する工程と、
を備える液晶表示装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本開示に係る液晶表示装置の製造方法は、信号線及びトランジスタが設けられる非開口領域と、前記信号線及びトランジスタが設けられていない開口領域とを有する駆動素子基板と、液晶を介して前記駆動素子基板と対向するように設けられる対向基板とを備える液晶表示装置の製造方法であって、複数の層間絶縁膜、及び前記層間絶縁膜の前記非開口領域に前記信号線及び前記トランジスタを形成する工程と、前記層間絶縁膜と屈折率が異なる絶縁部を前記層間絶縁膜の前記非開口領域と開口領域との間に形成する工程と、前記絶縁部と前記対向基板との間に遮光膜を形成する工程と、を備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
駆動素子基板１２は、対向基板１１に対向する側から設けられる５層の層間絶縁膜３１０ａ〜３１０ｅと、ガラス基板３０９とを有する。つまり、駆動素子基板１２においては、駆動素子基板１２が対向基板１１との間に挟む液晶１６側から、第１層間絶縁膜３１０ａ，第２層間絶縁膜３１０ｂ，第３層間絶縁膜３１０ｃ，第４層間絶縁膜３１０ｄ，および第５層間絶縁膜３１０ｅが順に積層された絶縁膜の積層構造が設けられている。そして、この積層構造の外側、つまり第５層間絶縁膜３１０ｅの第４層間絶縁膜３１０ｄ側と反対側に、ガラス基板３０９が設けられる。このような構成を有する駆動素子基板１２において、開口領域２３と非開口領域２５とが設けられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
図３（ａ）に示すように、対向基板１１に入射した光はマイクロレンズ３０１にて屈折され、液晶１６を通過し、駆動素子基板１２に到達する。このとき、トランジスタのチャネル部３０８に向かって進行する光（破線矢印参照）は、絶縁部３１１の表面で反射されるためチャネル部３０８まで到達しにくくなる。仮に、絶縁部３１１が設けられていない場合、対向基板１１に入射した光の一部（破線矢印）は、絶縁部３１１に遮られることなくトランジスタのチャネル部３０８に到達する。チャネル部３０８に光が入射すると、光リーク電流が発生し、画質に悪影響を与える。本実施形態では、第４層間絶縁膜３１０ｄの開口領域２３と非開口領域２５との間に絶縁部３１１を設けることで、開口領域２３から入射する光が絶縁部３１１で反射され、光がチャネル部３０８まで到達しにくくなる。これにより、チャネル部３０８及びゲート線３０７を有するトランジスタに発生する光リーク電流が抑制される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄは、例えばＳｉＯ２で形成されており、その屈折率は１．４６である。絶縁部４１１は、実質的には空洞４１１ａに保持される空気であるため、屈折率は１となる。従って、第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄと、絶縁部４１１との屈折率差は０．４６となる。このように、絶縁部４１１は、絶縁部４１１が設けられる層間絶縁膜（本実施形態では、第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄ）とは異なる屈折率を有する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
図５（ｃ）は、図５（ａ）の円で囲む部分を示す図である。図５（ｃ）に示すように、入射角が臨界角（ここでは４６°）以下の入射光は全反射される。これにより、トランジスタのチャネル部３０８へと侵入する光が低減され、光リークの発生を抑えることが可能となる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
次に、図６を用いて液晶表示装置２の製造方法について説明する。図６は、図４（ａ）のＢ−Ｂ’位置の断面図を示している。
図６（ａ）に示すように、ガラス基板３０９（図３（ａ）参照）上にトランジスタのチャネル部３０８、ゲート線３０７（いずれも図３（ａ）参照）や画素電極配線３０４を形成し、第４層間絶縁膜３１０ｄを成膜する。第４層間絶縁膜３１０ｄ上に信号配線３０６を形成する。信号配線３０６は例えばアルミ等で形成される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
図６（ｅ）に示すように、層間絶縁膜３１０（第３層間絶縁膜３１０ｃ）の一部である酸化膜８０６上に遮光膜３０５等を形成することで、本実施形態に係る液晶表示装置２を得る。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
絶縁部５１１の空洞（ボイド）５１１ａには例えば、高屈折率材が充填される。従って、図７（ｂ）に示すように、本実施形態に係る液晶表示装置３の絶縁部５１１は、実質的には空洞５１１ａに充填される高屈折率材で屈折率がきまるため、その屈折率が第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄより高い。高屈折率材は、例えばＳＩＮなどである。ここでは、第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄとしてＳｉＯ２を用いている。ＳＩＮの屈折率は１．７２である。ＳｉＯ２の屈折率は１．４６であるため、絶縁部５１１と第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄとの屈折率差は０．２６となる。層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄは、絶縁部５１１によって、屈折率０．２６の壁面にて分割される構造となる。つまり、絶縁部５１１は、第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄにおいて、膜厚方向の略全体にわたって設けられ、この絶縁部５１１により、第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄが、開口領域２３に対応する部分と、非開口領域２５に対応する部分とに仕切られた状態となる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４９】
図７（ｃ）は、図７（ａ）の円で囲む部分を示す図である。図７（ｃ）に示すように、入射角が臨界角（ここでは３１°）以下の入射光は全反射される。従って絶縁部５１１の内部に侵入した入射光は、絶縁部５１１の表面での全反射を繰り返す。絶縁部５１１は、所謂導波路として機能するため、トランジスタのチャネル部３０８に侵入する入射光を低減することができる。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
次に、図８を用いて液晶表示装置３の製造方法について説明する。第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄに縦溝８０５を形成するまでは、図６と同じであるため説明を省略する。
図８（ａ）に示すように、縦溝８０５を形成後、高屈折率材（ここではＳＩＮ）９０１を低圧ＣＶＤにより成膜する。次に、図８（ｂ）に示すように、エッチバック又はＣＭＰ処理を行うことで縦溝８０５からはみ出した不要な高屈折率材９０１を除去し、絶縁部５１１を形成する。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
絶縁部７１１は、第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄに空洞（ボイド）７１１ａを形成する部分であり、この空洞７１１ａに空気を保持する部分である。絶縁部７１１は、チャネル部３０８を上部から両側を囲うように形成される。第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄは、例えばＳｉＯ２で形成されており、その屈折率は１．４６である。絶縁部７１１は、実質的には空洞７１１ａに保持される空気であるため、屈折率は１となる。従って、第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄと、絶縁部７１１との屈折率差は０．４６となる。このように、絶縁部７１１は、絶縁部７１１が設けられる層間絶縁膜（本実施形態では、第３、第４層間絶縁膜３１０ｃ、３１０ｄ）とは異なる屈折率を有する。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
図１１（ａ）に示すように、絶縁部７１１は、屈曲部７１２を有する。絶縁部７１１は、端部７１３間の距離ｄ１が屈曲部７１２間の距離ｄ２より短くなっている。絶縁部７１１は、膜厚方向（図１１（ａ）における上下方向）の中央付近（屈曲部７１２）が、両端付近（端部７１３）に比べてチャネル部３０８に近くなるよう形成される。屈曲部７１２から対向基板１１側の絶縁部７１１ｂ、又は屈曲部７１２からガラス基板３０９側の絶縁部７１１ｃは、それぞれ膜厚方向に対して角度α傾いて形成される。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
第４実施形態に係る液晶表示装置４の絶縁部６１１の代わりに絶縁部７１１を用いる場合、第５実施形態の絶縁部７１１とは逆に屈曲する絶縁部、即ち、端部７１３間の距離ｄ１が屈曲部７１２間の距離ｄ２より長い絶縁部を用いてもよい。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図３】
2012208449.tif 000014
【手続補正１６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2012208449.tif 000015
【手続補正１７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2012208449.tif 000016
【手続補正１８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2012208449.tif 000017
【手続補正１９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８】
2012208449.tif 000018
【手続補正２０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９】
2012208449.tif 000019
【手続補正２１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１０】
2012208449.tif 000020
【手続補正２２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１１】
2012208449.tif 000021