(57)【要約】【課題】芯出しシャフトを利用して原盤データが転写された被転写ディスクを原盤から剥離することができるディスク製造装置を提供する。【解決手段】ディスク製造装置は、データが記録された情報面を有する原盤１０と、中央に円形の開口を有するＯリング４０ｂと、空気挿通孔が形成されていると共に、空気挿通孔の出口でありＯリング４０ｂを嵌めるためのＯリング嵌入溝が形成された芯出しシャフト４０と、原盤１０の芯出し孔Ｇ１と原盤１０のデータを転写するための被転写ディスク２０の中心孔Ｓとに芯出しシャフト４０を通し、原盤１０と被転写ディスク２０の芯出しおよび剥離の際に芯出しシャフト４０を制御する芯出しシャフト駆動部７０と、原盤１０と被転写ディスク２０とを剥離する際、Ｏリング４０ｂをＯリング嵌入溝より芯出しシャフト４０の表面側に突出させるよう空気挿通孔に圧縮空気を送る圧縮空気制御部８０とを備える。【選択図】図６
2012059314.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データが記録された情報面を有する原盤と、
中央に円形の開口を有し、前記開口のなす平面に直交する方向の距離を高さとし、前記開口の中心から内径端部までと前記開口の中心から外径端部までとの距離の差を厚みとするＯリングと、
空気挿通孔が形成されていると共に、前記空気挿通孔の出口であり前記Ｏリングを嵌めるためのＯリング嵌入溝が形成された芯出しシャフトと、
前記原盤の中心孔と前記原盤のデータを転写するための被転写ディスクの中心孔とに前記芯出しシャフトを通し、前記原盤と前記被転写ディスクの芯出しおよび剥離の際に前記芯出しシャフトを制御する芯出しシャフト駆動部と、
前記原盤と前記被転写ディスクとを剥離する際、前記Ｏリングを前記Ｏリング嵌入溝より前記芯出しシャフトの表面側に突出させるよう前記空気挿通孔に圧縮空気を送る圧縮空気制御部と
を備えることを特徴とするディスク製造装置。
【請求項２】
前記原盤は、前記情報面に対向する裏面側から前記情報面側に向かって、前記被転写ディスクの中心孔の直径と同じ大きさの直径を有する芯出し孔が形成され、前記情報面側から前記裏面側に向かって、前記芯出し孔の直径より大きく、かつ前記芯出しシャフトの表面側に突出させた前記Ｏリングの外径よりも大きい直径を有するＯリング逃げ孔が形成され、前記芯出し孔と前記Ｏリング逃げ孔とは一体的に形成され、
前記圧縮空気制御部は、前記Ｏリングが前記Ｏリング逃げ孔に位置しているときに、前記Ｏリングの外径が前記Ｏリング逃げ孔の直径より小さくかつ前記被転写ディスクの中心孔の直径より大きくなるよう、前記空気挿通孔に圧縮空気を送ることを特徴とする請求項１記載のディスク製造装置。
【請求項３】
前記Ｏリング嵌入溝は、前記芯出しシャフトの軸と平行な方向の距離を高さとし、前記芯出しシャフトの表面である外縁部から前記軸方向に設けられた内縁部までの距離を幅とすると、前記Ｏリング嵌入溝の高さは、前記Ｏリングの高さより小さく、前記Ｏリング嵌入溝の幅は、前記Ｏリングの厚みより大きいことを特徴とする請求項１または２記載のディスク製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスク等を製造するディスク製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光ディスク等の製造において、原盤と被転写ディスクとを対向させ、原盤の情報面に記録された原盤データを被転写ディスクに転写する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。転写終了後、原盤データが転写された被転写ディスクは、原盤から剥離される。
【０００３】
特許文献１に記載の技術では、原盤側から延びるセンターピン（芯出しシャフト）により、原盤と被転写ディスクとの位置決めである芯出しを行っている。なお、剥離機構として参考になる公知技術もある（例えば、特許文献２，３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−３５３１４４号公報（特に、図１０参照。）
【特許文献２】特開２００３−３１７３２２号公報
【特許文献３】特開２００４−７９０５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上述の特許文献１に記載の技術では、原盤側から延びるセンターピンを芯出しシャフトとして使用するため、転写終了後、被転写ディスクを原盤から剥離する場合、被転写ディスク剥離専用の機構等が必要であるという問題がある。
【０００６】
本発明は上記に鑑みてなされたもので、芯出しシャフトを利用して原盤データが転写された被転写ディスクを原盤から剥離することができるディスク製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、本発明に係るディスク製造装置の第１の特徴は、データが記録された情報面を有する原盤と、中央に円形の開口を有し、前記開口のなす平面に直交する方向の距離を高さとし、前記開口の中心から内径端部までと前記開口の中心から外径端部までとの距離の差を厚みとするＯリングと、空気挿通孔が形成されていると共に、前記空気挿通孔の出口であり前記Ｏリングを嵌めるためのＯリング嵌入溝が形成された芯出しシャフトと、前記原盤の中心孔と前記原盤のデータを転写するための被転写ディスクの中心孔とに前記芯出しシャフトを通し、前記原盤と前記被転写ディスクの芯出しおよび剥離の際に前記芯出しシャフトを制御する芯出しシャフト駆動部と、前記原盤と前記被転写ディスクとを剥離する際、前記Ｏリングを前記Ｏリング嵌入溝より前記芯出しシャフトの表面側に突出させるよう前記空気挿通孔に圧縮空気を送る圧縮空気制御部とを備えることにある。
【０００８】
本発明に係るディスク製造装置の第２の特徴は、前記原盤は、前記情報面に対向する裏面側から前記情報面側に向かって、前記被転写ディスクの中心孔の直径と同じ大きさの直径を有する芯出し孔が形成され、前記情報面側から前記裏面側に向かって、前記芯出し孔の直径より大きく、かつ前記芯出しシャフトの表面側に突出させた前記Ｏリングの外径よりも大きい直径を有するＯリング逃げ孔が形成され、前記芯出し孔と前記Ｏリング逃げ孔とは一体的に形成され、前記圧縮空気制御部は、前記Ｏリングが前記Ｏリング逃げ孔に位置しているときに、前記Ｏリングの外径が前記Ｏリング逃げ孔の直径より小さくかつ前記被転写ディスクの中心孔の直径より大きくなるよう、前記空気挿通孔に圧縮空気を送ることにある。
【０００９】
本発明に係るディスク製造装置の第３の特徴は、前記Ｏリング嵌入溝は、前記芯出しシャフトの軸と平行な方向の距離を高さとし、前記芯出しシャフトの表面である外縁部から前記軸方向に設けられた内縁部までの距離を幅とすると、前記Ｏリング嵌入溝の高さは、前記Ｏリングの高さより小さく、前記Ｏリング嵌入溝の幅は、前記Ｏリングの厚みより大きいことにある。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係るディスク製造装置によれば、転写時は被転写ディスク側から被転写ディスクの中心孔と原盤の中心孔に芯出しシャフトを通して芯出しを行い、転写終了後の剥離時は、芯出しシャフトの空気挿通孔に圧縮空気を送り、Ｏリングを拡張させてＯリング嵌入溝より前記芯出しシャフトの表面側に突出させ、芯出しシャフトの上昇と共に、データが転写された被転写ディスクを上昇させ、原盤から剥離するよう空気挿通孔への圧縮空気を制御するようにしたので、芯出しシャフトを利用して原盤データが転写された被転写ディスクを原盤から剥離することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】原盤と被転写ディスクの形状を示す説明図である。
【図２】原盤表面にレジストを設けた例を示す部分断面図である。
【図３】原盤表面に設けたレジストを感光した状態を示す部分断面図である。
【図４】原盤表面の感光したレジストを除去した状態を示す部分断面図である。
【図５】原盤表面に残ったレジストを使用してドライエッチングした後の状態を示す部分断面図である。
【図６】本発明に係るディスク製造装置の実施の形態の構成例を示す説明図である。
【図７】（ａ）は、Ｏリングを嵌めた芯出しシャフトの構成例の斜視図、（ｂ）は、芯出しシャフトの分解斜視図、（ｃ）は、Ｏリングの平面図、（ｄ）は、（ｃ）におけるＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図８】（ａ）は、原盤および被転写ディスクへの挿入時および芯出し時の芯出しシャフトの状態を示す断面図、（ｂ）は、原盤から被転写ディスクを剥離する際の芯出しシャフトの状態を示す断面図である。
【図９】芯出しシャフトを降下させて、被転写ディスクと原盤の中心とを合わせる芯出しを行っている状態を示す説明図である。
【図１０】紫外線ランプから被転写ディスクの紫外線硬化樹脂層に対し紫外線を照射している状態を示す説明図である。
【図１１】芯出しシャフトの空気挿通孔に圧縮空気を送り、Ｏリングを拡張させ芯出しシャフトを上昇させた状態を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
次に、本発明に係るディスク製造装置の実施の形態を、原盤と被転写ディスクの製造方法等と共に説明する。
【００１３】
（１）原盤と被転写ディスク（図１参照）
本発明に係るディスク製造装置の実施の形態を説明する前に、まず、本実施の形態で採用する原盤と被転写ディスクについて、（１−１）原盤の材料、（１−２）原盤の形状と厚み等、（１−３）原盤の中心孔等、（１−４）被転写ディスクの中心孔等、の順で説明する。
【００１４】
（１−１）原盤の材料等
図１は、原盤１０と被転写ディスク２０の形状等を示している。
【００１５】
原盤１０は、ガラス材料等からなる。これは、原盤１０は、原盤１０の情報面１０ａと対向する裏面１０ｂ側から紫外線を入射して紫外線硬化樹脂を光重合させるため透光性が必要だからである。原盤１０の透過率は、例えば、紫外線硬化樹脂の光重合開始剤が反応する波長３６５ｎｍあるいは２５４ｎｍにおいて９０％以上である。これよりも透過率が低いと光重合が開始できないか、紫外線を長時間照射しなければならず生産性が低下する。紫外域での透過率を９０％以上にすることにより、紫外線照射により原盤１０の情報面１０ａに記録された情報を、１秒から数秒という短時間で被転写ディスク２０に写し取ることができる。なお、被転写ディスク２０は、原盤１０側から紫外線が入射されれば良いため、透光性でなくても良い。
【００１６】
原盤１０の情報面１０ａに原盤データを直接形成するため、原盤１０を構成する材料は、ウエットエッチング法やドライエッチング法により加工される、例えば、硼珪酸ガラス（例えば、ＳＣＨＯＴＴ ＧＬＡＳ社  ＢＫ７等）、合成石英ガラス、無水石英ガラス、パイレックス（登録商標）ガラス（ＣＯＲＮＩＮＧ社）等のガラス材料や、好ましくは合成石英ガラス（ＣＯＲＮＩＮＧ社  ７９７１、信越化学  ＶＩＯＳＩＬ等）、クラウンガラス（ＳＣＨＯＴＴ  ＤＥＳＡＧ  ＡＧ社  Ｂ２７０−Ｓｕｐｅｒｗｈｉｔｅ）等から選ばれる。特に、合成石英ガラスは、化学的に合成されたシリカ（ＳｉＯ２）を溶融して作られる高純度の石英ガラスであり、不純物金属や水酸基の含有量により透過率特性が変わるが、Ａｌ、Ｃａ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｎａ、Ｋ、Ｌｉ、Ｍｇ等の含有量を０．１ｐｐｍ以下で水酸基の含有量を１０００ｐｐｍ以下にすることにより紫外線での透過率を高めることができる。
【００１７】
（１−２）原盤の形状と厚み等
次に、原盤１０の形状について説明する。
【００１８】
原盤１０は、レジストパターン描画装置（図示せず）に装着し、回転して溝やピットを露光することを考えると円盤形状が好ましいが、特に形状の制限はない。矩形、正方形の形状をとることもできる。円盤形状の場合、その直径は、通常、５０ｍｍ〜５００ｍｍが好ましいが、回転テーブルに応じてこれ以上の大きな基板を用いることもできる。原盤１０の厚みは、通常、０．６ｍｍ〜５０ｍｍの範囲にあり、好ましくは１．２ｍｍ〜１０ｍｍの範囲である。原盤１０が上記範囲より薄いと、紫外線硬化樹脂が硬化した被転写ディスク２０を剥離する時に剥がす力に耐えるだけの強度を持つことができず破損するおそれがある。原盤１０が上記範囲より厚いと、レジストパターン描画装置等に装着できなくなることがある。
【００１９】
（１−３）原盤の中心孔等
図１に示すように、原盤１０の中心には、情報面１０ａに対向する裏面１０ｂ側から情報面１０ａ側に向かって、直径（内径）Ｄｇ１の芯出し孔Ｇ１が形成されている。また、原盤１０の中心には、情報面１０ａ側から裏面１０ｂ側に向かって、芯出し孔Ｇ１の直径Ｄｇ１より直径（内径）の大きい、すなわちＤｇ２＞Ｄｇ１である直径Ｄｇ２のＯリング逃げ孔Ｇ２が形成されている。芯出し孔Ｇ１とＯリング逃げ孔Ｇ２とは、原盤１０の裏面１０ｂから情報面１０ａをつなぐように一体的に形成されている。
【００２０】
原盤１０の裏面１０ｂ側の直径Ｄｇ１の芯出し孔Ｇ１は、後述するディスク製造装置１の芯出しシャフト４０が挿入されて、被転写ディスク２０と原盤１０との芯出しを行うことにより、高精度に原盤１０の中心と被転写ディスク２０の中心とを合わせるための中心孔である。なお、原盤１０の裏面１０ｂ側の芯出し孔Ｇ１は、例えば、平面視にて円形状で、その直径Ｄｇ１は、１５ｍｍであるものとする。
【００２１】
また、原盤１０の情報面１０ａ側に形成された直径Ｄｇ２のＯリング逃げ孔Ｇ２は、原盤１０の情報面１０ａに形成された溝やピットパターンの凹凸構造を、被転写ディスク２０に転写した後に、原盤１０から被転写ディスク２０を剥離し易いよう中心部分に設けたものである。
【００２２】
原盤１０における芯出し孔Ｇ１の直径Ｄｇ１と、Ｏリング逃げ孔Ｇ２の直径Ｄｇ２との関係は、前述のようにＤｇ２＞Ｄｇ１であり、情報面１０ａ側のＯリング逃げ孔Ｇ２の直径Ｄｇ２を、裏面１０ｂ側の芯出し孔Ｇ１の直径Ｄｇ１よりも大きく設定している。
【００２３】
なお、詳細は後述するが、被転写ディスク２０の中心孔Ｓの直径（内径）をＤｓ、後述する芯出しシャフト４０のＯリング４０ｂが拡張した（芯出しシャフトの表面側に突出した）時のＯリング４０ｂの最大外径をＤｏとした場合、Ｄｇ２＞Ｄｏ＞Ｄｇ１＝Ｄｓの関係になる。
【００２４】
こうすることにより、情報面１０ａ側のＯリング逃げ孔Ｇ２にて、後述する芯出しシャフト４０のＯリング４０ｂが拡張しても、拡張したＯリング４０ｂは原盤１０のＯリング逃げ孔Ｇ２内周に接触しないが、被転写ディスク２０の中心孔Ｓ周囲には当たることになり、芯出しシャフト４０を上昇させることにより、被転写ディスク２０を原盤１０から円滑に剥離できる。なお、芯出しシャフト４０のＯリング４０ｂが拡張した時のＯリング４０ｂの最大外径Ｄｏが、例えば、１６ｍｍ程度の場合、情報面１０ａ側のＯリング逃げ孔Ｇ２の直径Ｄｇ２は、１７ｍｍ以上とると良い。
【００２５】
（１−４）被転写ディスクの中心孔等
本実施の形態では、被転写ディスク２０に形成された中心孔Ｓの直径Ｄｓは、Ｄｓ＜Ｄｇ２、すなわち原盤１０の情報面１０ａ側のＯリング逃げ孔Ｇ２の直径Ｄｇ２より小さくすることにより、被転写ディスク２０と原盤１０とが密着しない領域を形成し、剥離し易くなるようにしている。なお、被転写ディスク２０に形成された中心孔Ｓの直径Ｄｓは、円柱状の芯出しシャフト４０により芯出しを行う関係上、原盤１０の裏面１０ｂ側の芯出し孔Ｇ１の直径Ｄｇ１と略同じ１５ｍｍとする。
【００２６】
なお、原盤１０の情報面１０ａの表面は、光学的に均一にするため、金属酸化物の研磨剤、たとえば酸化セリウムの微粒子を純水に溶き、これを基板表面に滴下して研磨布を押し当て研磨して平滑にする。その後、界面活性剤で洗浄し、原盤１０を回転させながら純水でリンスして研磨剤や界面活性剤を洗い落とし、高速回転により乾燥する。
【００２７】
（２）原盤１０への情報面１０ａの形成方法
次に、原盤１０への情報面１０ａの形成方法について説明する。
【００２８】
原盤１０への情報面１０ａの形成方法は、例えば、（２−１）原盤へのレジストの設置工程と、（２−２）レジストパターンの描画工程と、（２−３）現像工程と、（２−４）ドライエッチング工程とから構成される。以下、各工程について分けて説明する。
【００２９】
（２−１）原盤１０へのレジスト１５の設置（図２参照）
図２に示すように、原盤１０の情報面１０ａ側にレジスト１５を設ける。なお、図２〜図５は、原盤１０の部分断面図であり、芯出し孔Ｇ１およびＯリング逃げ孔Ｇ２は図示していない。原盤１０の情報面１０ａへのレジスト１５の設置は、例えば、真空チャンバ（図示せず）内に原盤１０をその内周部あるいは外周部を固定して設置し、真空チャンバを、例えば、１×１０−５ｔｏｒｒ以下まで排気して、真空蒸着やスパッタリング法により原盤１０の光学研磨した表面にレジスト１５の膜厚を均一に堆積することにより行う。
【００３０】
レジスト１５は、レジストパターン描画装置において照射される紫外線レーザ光に対し、感光性あるいは感熱性を有する無機材料から構成される。微細な凹凸形状のグルーブやピットを露光することができる解像度と、ドライエッチングを行うときのマスク性能とを有する無機材料を使用することが好ましい。また、原盤１０の情報面１０ａの中心部に直径Ｄｇ２のＯリング逃げ孔Ｇ２が形成されていても、スピンコートではなく真空成膜を用いるため、レジスト１５の膜の厚みの内外周差を生じることはない。
【００３１】
レジスト１５の材料は、例えば、カルコゲナイド（Ｔｅ（テルル）、Ｓｅ（セレン）等）や、高融点金属（Ｗ（タングステン），Ｍｏ（モリブデン）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｃｒ（クロム）、もしくはこれら元素を２種類以上含む合金、さらにこれら元素に遷移金属を添加した合金等）の酸化物、結晶−非晶質相変化材料（Ｇｅ（ゲルマニウム）−Ｓｂ（アンチモン）、Ｔｅ−Ｓｂ等）が好適である。これらの材料は、はじめは非晶質状態あるいは無秩序の状態であるが、レジスト１５にパターン描画用のレーザ光を照射すると、そのレーザ光を吸収して温度が上昇し、結晶あるいは秩序を持った状態に変化する。昇温して状態が変化する領域は、パターン描画用のレーザ光のスポット径よりも小さくなるので、微細なパターンを描画するのに適する。レジスト１５の材料は、さらに詳しく述べれば、金属酸化物マトリックス中に金属微粒子が分散した構造となっていて、パターン描画用レーザ光の照射により、レジスト１５が光を吸収して昇温し、金属微粒子が露光部分に凝集する、いわゆるヒートモードによりレジストパターンが描画される。なお、従来の有機レジストにおけるパターン描画は、フォトンモードであり、光化学反応を用いていて、記録原理が異なる。フォトンモードによるパターン描画は、金属酸化物の酸化数が局所的に変わることにより、化学的反応性が変化し、アルカリ現像液に対する溶解性に差が発生し、描画像を形成する。もう一つの相変化型では、非晶質のレジストにレーザ光を照射して溶融し、冷却する時にレジスト材料が結晶化して、化学的反応性に差が生じる。この原子オーダーでの構造変化に伴い、アルカリ現像液に対する溶解性が変化し、露光により形成された描画潜像がアルカリ現像液に溶出し、未露光部はアルカリ現像液には溶解せず、その結果描画像が形成される。
【００３２】
なお、レジスト１５の材料組成を変更することにより、露光部分のレジスト１５が現像液により溶解、除去されるポジ型レジスト、反対に露光部分のレジスト１５が残り、未露光部分のレジスト１５が溶解、除去されるネガ型レジストの両方を用いることができる。
【００３３】
さらに、現像後に残留したレジスト１５は、後述するようにドライエッチングのマスクとして機能する。エッチングガス（例えば、フロオロカーボン系のＣＨＦ３、ＣＦ４、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８等やＳＦ６等）に対し腐食耐性を持つため、金属マスクをあらたに形成する必要がない。しかし、露光パターンの幅に対しガラスを深くエッチングする場合、例えばアスペクト比が５以上の深堀には金属からなるマスクを形成してもよい。
【００３４】
（２−２）レジストパターンの描画（図３参照）
次に、図３に示すように、原盤１０上に設けたレジスト１５に、所望の溝やピット等のパターンに応じた光線を光源１６から照射してレジストパターンを描画する。
【００３５】
光源１６には、半導体レーザやガスレーザを用いる。光源１６からのレーザ光は、大きな開口数（ＮＡ）の対物レンズ（図示せず）を通してレジスト１５に照射される。例えば、波長４０５ｎｍの青紫色半導体レーザと、開口数が０．９の対物レンズを用いる。半導体レーザは、記録時に照射するレーザ光の発光パターン、いわゆる光ディスクで使用される記録ストラテジの設定が容易であり、精度よく描画パターンを露光するのに適している。また、波長は短いほうがより小さなパターンを描画することができるので、遠紫外線レーザ、例えば、波長２６６ｎｍや２５７ｎｍ等を用いることもできる。
【００３６】
レジストパターンの描画は、回転テーブル（図示せず）にレジスト１５を設けた原盤１０を装着し、回転しながら光源１６からレーザ光をレジスト１５表面に照射して、所望のパターンを描画する。ここで、回転テーブル（図示せず）の回転中心部には、突出したピン（図示せず）が設けられ、原盤１０の芯出し孔Ｇ１と嵌め合い、原盤１０を強固に固定する。
【００３７】
光源１６から照射されるレーザビームは、半径方向に動き、その半径位置を検知して、線速度が一定になるように回転テーブルの回転数を制御する。回転テーブルでは、必要に応じて回転数一定の制御を行う。通常、光ディスクは直径１５ｍｍの中心孔を有するので、中心から外周に向け直径１５ｍｍ〜１２０ｍｍの領域を露光する。
【００３８】
レーザビームの線速度は、通常、１ｍ／ｓｅｃ〜１０ｍ／ｓｅｃの範囲にある。高い線速度の場合、内周での回転数が高くなり、制御し難くなるため、回転数として２０００ｒｐｍ以下に抑えるのが好ましい。レーザ光は、露光するレーザ光あるいは、波長の異なる別のレーザ光によってフォーカスを合わせ、フィードバック回路により、常にレジスト１５面に焦点が合うようにする。レーザビームはレーザ駆動回路により出力パワーが制御され、所望のピッチや開口径あるいは底部径になるよう所定の周波数で明滅する。必要に応じて光ディスク（ＤＶＤ−Ｒ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＢＤ−Ｒ、ＢＤ−ＲＥ等）の記録に用いるマルチパルス記録を行い、開口径や底部径を精度よく描画する。
【００３９】
（２−３）現像工程（図３,図４参照）
次いで、図３に示すように光源１６から照射されるレーザビームによりレジストパターンが描画されたレジスト１５に対し現像を行う。レジスト１５をポジ型のレジストにより形成した場合には、レーザ光で露光したレジストの露光部分は、未露光部分に比較して現像液に対する溶解速度が増すので、図４に示すように、レーザ光の露光に応じたレジストパターン１７がレジスト層に形成される。なお、現像液としては、例えば、テトラメチルアンモニウム水酸化溶液などのアルカリ現像液を用いることができる。ピットの潜像部分を除去した後、原盤１０を純水により充分に洗浄し乾燥させて、レジストパターン１７を原盤１０表面に有する原盤１０を得る。
【００４０】
（２−４）ドライエッチング工程（図４、図５参照）
次に、図４に示すようにレジストパターン１７が形成された原盤１０を、反応性イオンエッチング装置（図示せず）内に対向配置された一対の電極のうちの一方の上に載置する。
【００４１】
そして、レジストパターン１７をマスクとして、異方性の高いドライエッチングを行って、図５に示す凹部１８を形成する。具体的には、反応性イオンエッチング装置内を真空排気した後、Ａｒ（アルゴンガス）と、フロロカーボン系ガス（例えば、フロオロカーボン系のＣＨＦ３、ＣＦ４、Ｃ３Ｆ８、Ｃ４Ｆ８等やＳＦ６等）との混合ガスを流し、一対の電極間に高周波電源から高周波（周波数１３．５６ＭＨｚ）電力を印加すると、プラズマが発生し、レジストパターン１７をマスクとして機能し、レジストパターン１７が被覆されていない部分が選択的にエッチングされ、凹部１８が形成される。レジスト１５の材料により選択比は異なるが、タングステン酸化物では１：５の選択エッチングが可能である。酸化タングステン膜をガラス基板上に５０ｎｍの厚みで設け、Ａｒとフロロカーボン系ガスとの混合ガスでレジスト１５がなくなり、原盤１０のガラス基板が露出するまでドライエッチングを行う。
【００４２】
ドライエッチングにより、レジスト１５の膜厚の５倍の２５０ｎｍの深さまで原盤１０のガラス基板をエッチングすることが可能である。ドライエッチングを深く行うと、開口径が減少して、半径方向の断面がＶ字状になる。エッチング時間を短縮すれば、深遠部は平坦となる。なお、ドライエッチングの後にレジスト１５の残渣を除去するため、酸あるいはアルカリ水溶液でリンスする。その後、純水でドライエッチング表面に残る溶解液を除き、原盤１０を高速回転させることによりスピン乾燥して、図５に示すように凹部１８が形成されたガラス製の原盤１０を得る。
【００４３】
（３）被転写ディスク２０への情報面の形成方法
次に被転写ディスク２０への情報面の形成方法について説明する。
【００４４】
被転写ディスク２０への情報面の形成は、（３−１）被転写ディスク２０の表面に紫外線硬化樹脂を供給し、紫外線硬化樹脂を基板全面に広げる工程と、（３−２）原盤１０の情報面１０ａと被転写ディスク２０に形成された紫外線硬化樹脂層とを対向させ大気圧以下に減圧した中で偏芯なく貼り合わせる工程と、（３−３）原盤１０を通して紫外線硬化樹脂層に紫外線を照射する工程と、（３−４）被転写ディスク２０を原盤１０から剥離する工程とを有している。以下、各工程について分けて説明する。
【００４５】
（３−１）被転写ディスク２０の表面に紫外線硬化樹脂を供給し、紫外線硬化樹脂を基板全面に広げる工程
まず、はじめに、公知の回転装置（図示せず）に被転写ディスク２０の一方の面（表面）が上面になるよう設置する。回転装置としては、例えば、公知のスピンコーター等（図示せず）を用い、被転写ディスク２０の中心孔Ｓをスピンコーターのスピンドルに嵌めて固定する。空気圧で紫外線硬化樹脂を吐出するディスペンサー（図示せず）を用いて、紫外線硬化樹脂を被転写ディスク２０の表面に供給する。紫外線硬化樹脂を加圧タンク（図示せず）に格納し、空気圧により加圧することで紫外線硬化樹脂をディスペンサーに供給する。ディスペンサーにはバルブがある。ディスペンサーは、吐出時間に応じてバルブを開閉して、紫外線硬化樹脂の吐出を制御する。まず、低速（例えば、５０ｒｐｍ〜２００ｒｐｍ）で被転写ディスク２０を回転させながら、被転写ディスク２０の表面に紫外線硬化樹脂をディスペンサーから滴下させ、高速回転（１０００ｒｐｍ〜１００００ｒｐｍ）に切り替えて高速回転させ、紫外線硬化樹脂が均一な厚みになるようにする。
【００４６】
ディスペンサーでは、被転写ディスク２０の半径方向に対し固定、もしくは内周側あるいは外周側へ移動しながら紫外線硬化樹脂を吐出する。その際、後工程である剥離工程において、原盤１０から被転写ディスク２０を剥がれ易くするため、また、芯出しシャフト４０から被転写ディスク２０を取り外し易くするため、被転写ディスク２０の中心孔Ｓの周辺には紫外線硬化樹脂を塗布しない。つまり、被転写ディスク２０の中心孔Ｓの直径Ｄｓが１５ｍｍであれば、それよりも外周側の直径１６ｍｍ以上から塗布を開始するようにする。被転写ディスク２０の中心孔Ｓの外縁部まで紫外線硬化樹脂を塗布すると、中心孔Ｓの内面壁に樹脂が回りこみ、原盤１０や芯出しシャフト４０との接着を強固なものとしてしまい、原盤１０や芯出しシャフト４０から被転写ディスク２０を剥離することができなくなるからである。
【００４７】
ここで、被転写ディスク２０への紫外線硬化樹脂層の膜厚は、１μｍ〜１００μｍの範囲であり、好ましくは５μｍ〜５０μｍに形成する。紫外線硬化樹脂の吐出量や、被転写ディスク２０の回転数を変えて、その紫外線硬化樹脂の膜厚を調整する。
【００４８】
用いる紫外線硬化樹脂は、ラジカル重合型あるいはカチオン重合型のタイプである。主成分としては、アクリルレート、不飽和ポリエステル、エポキシ、オキセタン、ビニルエーテルからなるものを用いる。紫外線硬化樹脂層は、単層、あるいは接着性や成型・転写性を持つ２層以上を積層した構成とすることもできる。紫外線硬化樹脂の粘度は、使用温度域において５０ｍＰａ・ｓ〜１０００ｍＰａ・ｓの範囲にあるのが好ましい。粘度が低いと樹脂膜厚が薄くなり、逆に粘度が高いと樹脂膜厚が厚くなり、所望の厚みに合うよう粘度を調整する。
【００４９】
また、原盤１０からの被転写ディスク２０の離型性を改善するために、ガラス製の原盤１０の情報面１０ａにシランカップリング剤を塗布してもよい。さらに紫外線硬化樹脂と被転写ディスク２０との密着性を上げ、かつ、被転写ディスク２０とガラス製の原盤１０との密着性を下げるため、使用する樹脂を構成するモノマーや添加剤の配合比を選ぶようにしても良い。
【００５０】
（３−２）原盤１０の情報面１０ａと被転写ディスク２０に形成された紫外線硬化樹脂層とを対向させ大気圧以下に減圧した中で偏芯なく貼り合わせる工程（図６〜図８参照）
次に、原盤１０の情報面１０ａと被転写ディスク２０に形成された紫外線硬化樹脂層とを対向させ大気圧以下に減圧した中で偏芯なく貼り合わせる工程について説明する。なお、この工程は、本発明に係るディスク製造装置の実施の形態にて行われる。
【００５１】
図６は、本発明に係るディスク製造装置の実施の形態の構成例を示す説明図である。
【００５２】
図６に示すように、ディスク製造装置は、チャンバ６０内に、原盤ホルダ３０と、芯出しシャフト４０と、紫外線ランプ５０とを有する。また、ディスク製造装置は、チャンバ６０外に、芯出しシャフト駆動部７０と、圧縮空気制御部８０とを有する。
【００５３】
原盤ホルダ３０は、チャンバ６０内に固定され、原盤１０を保持するものである。
【００５４】
芯出しシャフト４０は、図７および図８にて後述するが、原盤１０と被転写ディスク２０の芯出しだけでなく、Ｏリング４０ｂにより原盤１０から被転写ディスク２０を剥離するために使用可能に構成したものである。
【００５５】
紫外線ランプ５０は、被転写ディスク２０の表面に形成された紫外線硬化樹脂層２０ａに紫外線を照射して紫外線硬化樹脂層２０ａを硬化させるものである。
【００５６】
芯出しシャフト駆動部７０は、リニアパルスモータ（図示せず）等により芯出しシャフト４０を上下動させて、原盤１０と被転写ディスク２０の芯出しと、原盤１０から被転写ディスク２０の剥離とを行うものである。
【００５７】
圧縮空気制御部８０は、転写時は、Ｏリング４０ｂ表面を芯出しシャフト４０の表面側に突出させない一方、転写終了後の剥離時は、空気挿通孔４０ｄに圧縮空気を送り、Ｏリング４０ｂをＯリング嵌入溝４０ｃより芯出しシャフト４０の表面側に突出させるよう、圧縮空気の挿通を制御するように構成したものである。
【００５８】
図７（ａ）は、Ｏリング４０ｂを嵌めた芯出しシャフト４０の構成例の斜視図、図７（ｂ）は、芯出しシャフト４０の分解斜視図、図７（ｃ）は、Ｏリング４０ｂの平面図、図７（ｄ）は、図７（ｃ）におけるＡ−Ａ線に沿った断面図である。図７（ａ）における上下方向を、芯出しシャフト４０の上下方向とする。この上下方向は、芯出しシャフト４０の軸方向である。
【００５９】
図７（ａ），（ｂ）に示すように、芯出しシャフト４０は、シャフト本体４０ａと、Ｏリング４０ｂとを有する。
【００６０】
シャフト本体４０ａは、円柱状に形成されている。シャフト本体４０ａには、Ｏリング４０ｂを嵌めるためのＯリング嵌入溝４０ｃと、Ｏリング嵌入溝４０ｃまで圧縮空気を送る空気挿通孔４０ｄとが形成されている。
【００６１】
シャフト本体４０ａの外径は、原盤１０の描画パターンの中心となる芯出し孔Ｇ１と、被転写ディスク２０の中心孔Ｓの直径（内径）Ｄｓが共に１５ｍｍであるとすると、原盤１０の芯出し孔Ｇ１と、被転写ディスク２０の中心孔Ｓの直径Ｄｓに芯出し及び硬化時に接触せずに挿入されるよう、１４．９ｍｍ程度に構成されている。
【００６２】
Ｏリング嵌入溝４０ｃは、断面略コの字状に形成されている。Ｏリング嵌入溝４０ｃは、上下方向（軸方向）に略直交する平面である上面４１および下面４２と、上下方向において上面４１と下面４２との間に設けられた底面４３とを有する。
【００６３】
空気挿通孔４０ｄは、シャフト本体４０ａの略中心に上下方向に延びるように形成された本流部４０１と、本流部４０１の下端部から放射状にシャフト本体４０ａの半径方向に延びる複数の支流部４０２とからなる。支流部４０２は、Ｏリング嵌入溝４０ｃの底面４３に開口している。これにより、Ｏリング嵌入溝４０ｃは、空気挿通孔４０ｄの出口となっている。
【００６４】
図７（ｂ）に示すように、Ｏリング嵌入溝４０ｃの上面４１と下面４２との間の上下方向における距離を、Ｏリング嵌入溝４０ｃの高さｈとする。また、シャフト本体４０ａの表面４４（Ｏリング嵌入溝４０ｃの外縁部）と、Ｏリング嵌入溝４０ｃの底面４３（Ｏリング嵌入溝４０ｃの内縁部）との間の、シャフト本体４０ａの半径方向の距離を、Ｏリング嵌入溝４０ｃの幅ｄとする。
【００６５】
Ｏリング４０ｂは、外形が平面視にて円形に形成されている。Ｏリング４０ｂは、その中央に平面視にて円形の開口４５を有する。Ｏリング４０ｂは、ニトリルゴムやエチレンプロピレンゴム等の弾性体からなる。
【００６６】
図７（ｃ），（ｄ）に示すように、開口４５の中心４５ａからＯリング４０ｂの外径端部を示す点４６までの距離ｒ１と、開口４５の中心４５ａからＯリング４０ｂの内径端部を示す点４７までの距離ｒ２との差を、Ｏリング４０ｂの厚みＴとする。また、開口４５のなす平面に略直交する方向である上下方向におけるＯリング４０ｂの上端と下端との間の距離を、Ｏリング４０ｂの高さＨとする。なお、図７（ｃ）におけるＡ−Ａ線は、Ｏリング４０ｂの中心（開口４５の中心４５ａ）を通る。
【００６７】
Ｏリング嵌入溝４０ｃの高さｈは、Ｏリング４０ｂの高さＨより若干小さい。これにより、Ｏリング４０ｂがＯリング嵌入溝４０ｃに密に嵌る。これにより、圧縮空気制御部８０から空気挿通孔４０ｄを介してＯリング嵌入溝４０ｃに送った圧縮空気により、Ｏリング４０ｂ表面をシャフト本体４０ａの表面４４から突出させたり、引っ込めさせたりすることができる。
【００６８】
また、Ｏリング嵌入溝４０ｃの幅ｄは、Ｏリング４０ｂの厚みＴより大きい。これにより、圧縮空気が加わる前の状態ではシャフト本体４０ａの表面４４からＯリング４０ｂが突出することがない。
【００６９】
なお、Ｏリング４０ｂとしては、図７（ｄ）のように断面円形に形成されたものを用いることができるが、他の断面形状でもよい。例えば、Ｏリング４０ｂは、断面楕円形でもよい。Ｏリング４０ｂとＯリング嵌入溝４０ｃとの間で上述した寸法関係が満たされていればよい。
【００７０】
図８は、芯出しシャフト４０の動作を説明するための図である。図８（ａ）は、原盤１０および被転写ディスク２０への挿入時および芯出し時の芯出しシャフト４０の状態を示す断面図である。この場合、芯出しシャフト４０の空気挿通孔４０ｄに圧縮空気を送っていない状態であり、シャフト本体４０ａの表面４４からＯリング４０ｂ表面が突出していない状態を示している。なお、Ｏリング４０ｂが拡張しない程度の圧縮空気の出力は、圧縮空気を送っていない状態に含まれる。
【００７１】
図８（ｂ）は、原盤１０から被転写ディスク２０を剥離する際の芯出しシャフト４０の状態を示す断面図である。この場合、圧縮空気制御部８０より空気挿通孔４０ｄを介しＯリング嵌入溝４０ｃに圧縮空気を送った状態であり、Ｏリング嵌入溝４０ｃに送られた圧縮空気によりシャフト本体４０ａの表面４４からＯリング４０ｂの表面が突出した状態を示している。
【００７２】
この状態のＯリング４０ｂにより、後述する図１１に示すように、被転写ディスク２０に傷等を付けることなく、簡単に原盤１０から被転写ディスク２０を剥離することが可能となる。
【００７３】
次に、このように構成されたディスク製造装置の動作について説明する。
【００７４】
まず、図６に示すように、原盤１０の外縁部を原盤ホルダ３０に装着する。原盤ホルダ３０の下方には、紫外線ランプ５０が設けられている。図示はしていないが、原盤ホルダ３０と紫外線ランプ５０との間に、必要に応じて紫外線を透過する石英ガラス板を設置し、原盤ホルダ３０にガラススタンパである原盤１０を置くようにしても良い。原盤１０から被転写ディスク２０へ原盤データの転写を行うとき、偏心を抑えるために、原盤１０裏面の芯出し孔Ｇ１を利用して中心出しを行う。なお、このディスク製造装置内の原盤１０と被転写ディスク２０とが置かれたチャンバ６０内は、密閉されており、図示しない真空ポンプにより、内部の空気が排気され、真空状態にある。
【００７５】
そして、図６に示すように、紫外線硬化樹脂が塗布されて紫外線硬化樹脂層２０ａが形成された被転写ディスク２０を、紫外線硬化樹脂層２０ａを下にしてガラススタンパである原盤１０の情報面１０ａと対向させて配置する。
【００７６】
（３−３）原盤１０を通して紫外線硬化樹脂層２０ａに紫外線を照射する工程（図９、図１０参照）
次に、図９に示すように、チャンバ６０内を大気圧以下に減圧した後に、被転写ディスク２０を降下させ、紫外線硬化樹脂層２０ａを原盤１０の情報面１０ａに押し当てる。チャンバ６０内を減圧することにより、紫外線硬化樹脂層２０ａの中の気泡を除去する。
【００７７】
次に、図９に示すように、芯出しシャフト４０を降下させて、被転写ディスク２０の中心孔Ｓと、原盤１０の芯出し孔Ｇ１に挿入し、原盤１０の中心と、被転写ディスク２０の中心とを合わせる芯出しを行う。このとき、芯出しシャフト４０のＯリング４０ｂは、原盤１０の情報面１０ａ側に形成されたＯリング逃げ孔Ｇ２の中に位置し、しかもＯリング逃げ孔Ｇ２内周面と接触せずに位置している。
【００７８】
次に、チャンバ６０内の空気圧を例えば０．６ＭＰａ以上かけてチャンバ６０内を加圧し、原盤１０の情報面１０ａから被転写ディスク２０の紫外線硬化樹脂層２０ａへの原盤データの転写を十分に行う。
【００７９】
次に、図１０に示すように、被転写ディスク２０を原盤１０に加圧した状態で、ガラス製の原盤１０を通して紫外線ランプ５０から紫外線硬化樹脂層２０ａに対し紫外線を照射する。
【００８０】
紫外線ランプ５０としては、低圧水銀ランプ、メタルハライドランプ等が用いられる。例えば、照射距離１５０ｍｍで、強度１０００〜３０００ｍＪ／ｃｍ２程度であり、図示しないランプ電源部の制御により、連続光の照射あるいはパルス光の多数回照射を行って、紫外線硬化樹脂層２０ａを構成する紫外線硬化樹脂を硬化させる。なお、紫外線ランプ５０として、紫外線を発光する発光ダイオード（ＬＥＤ）を使用することもできる。これらの光は、３６５ｎｍを主波長として、２５４ｎｍ、３０３ｎｍ、３１３ｎｍ等の紫外線を発光する。紫外線硬化樹脂層２０ａが十分に硬化したのち、チャンバ６０の中を大気圧に戻す。
【００８１】
（３−４）被転写ディスク２０を原盤１０から剥離する工程（図１１参照）
そして、図１１に示すように、芯出しシャフト４０のＯリング４０ｂが原盤１０のＯリング逃げ孔Ｇ２内に、Ｏリング逃げ孔Ｇ２の内周面と接触せずに位置している状態にて、圧縮空気制御部８０から芯出しシャフト４０の空気挿通孔４０ｄに圧縮空気を送り、図８（ｂ）に示すように空気挿通孔４０ｄを介しＯリング嵌入溝４０ｃに送られた圧縮空気により、Ｏリング４０ｂを拡張させ、シャフト本体４０ａ側面からＯリング４０ｂ表面を突出させ、芯出しシャフト駆動部７０が芯出しシャフト４０を上昇させる。
【００８２】
ここで、ガラス製の原盤１０の情報面１０ａに形成されたＯリング逃げ孔Ｇ２の直径Ｄｇ２と、原盤データである信号パターンが転写される被転写ディスク２０の中心孔Ｓの直径Ｄｓと、Ｏリング４０ｂが拡張した時のＯリング４０ｂの最大外径Ｄｏとの間には、前述したようにＤｇ２＞Ｄｏ＞Ｄｓの関係がある。
【００８３】
また、Ｏリング逃げ孔Ｇ２の深さは、通常０．６ｍｍ〜５０ｍｍ、好ましくは１．２ｍｍ〜１０ｍｍの範囲の原盤１０の厚みにもよるが、例えば、原盤１０の情報面１０ａから５ｍｍ程度であり、Ｏリング４０ｂの高さＨより十分な大きさを確保する。Ｏリング４０ｂの高さＨは、例えば２．４ｍｍである。
【００８４】
具体的には、原盤１０の描画パターンの中心となる芯出し孔Ｇ１の直径Ｄｇ１と、被転写ディスク２０の中心孔Ｓの直径Ｄｓとは共に直径１５ｍｍである。直径Ｄｇ１と直径Ｄｓとは略同じであればよい。また、原盤１０の情報面１０ａに形成されたＯリング逃げ孔Ｇ２の直径Ｄｇ２が１７ｍｍ以上ある。
【００８５】
そのため、Ｏリング嵌入溝４０ｃに送った圧縮空気によりＯリング４０ｂの外径が最大外径Ｄｏの１６ｍｍまで拡張したとしても、原盤１０の情報面１０ａ側に形成されたＯリング逃げ孔Ｇ２の直径Ｄｇ２は１７ｍｍ以上あるので、Ｏリング４０ｂが原盤１０のＯリング逃げ孔Ｇ２に接触することはない。
【００８６】
これにより、圧縮空気制御部８０がＯリング嵌入溝４０ｃに送った圧縮空気によりＯリング４０ｂの外径が表面４４から１ｍｍ程度突出している状態にて、芯出しシャフト駆動部７０が芯出しシャフト４０を上昇させることにより、被転写ディスク２０の中心孔Ｓ周縁における原盤１０との間の未接着領域がＯリング４０ｂに引っ掛けることにより、被転写ディスク２０のみ上昇させて、被転写ディスク２０を原盤１０から剥離することができる。
【００８７】
その結果、例えば、テーパー形状の楔等で被転写ディスク２０と原盤１０とを剥離しようとすると、その楔等は、剥がす被転写ディスク２０等よりも硬い物質、例えば、金属等により構成されていないと困難であるため、金属等を使用することが考えられるが、金属等で被転写ディスク２０のエッジを押すと、変形ならびに傷を付けやすいことから懸念されている。しかし、本実施の形態の被転写ディスク製造装置によれば、被転写ディスク２０に接触して被転写ディスク２０を引き上げるＯリング４０ｂは、弾性体であり、被転写ディスク２０をほとんど傷つけることなく、被転写ディスク２０を原盤１０から剥離することができる。
【００８８】
以上のように本実施の形態の被転写ディスク製造装置は、原盤１０の情報面１０ａに記録された原盤データを被転写ディスク２０の紫外線硬化樹脂層２０ａに転写し、転写後、簡単に原盤１０から被転写ディスク２０を剥離することができる。この結果、紫外線硬化樹脂層２０ａの表面２０ｂに、原盤データが転写された情報面が形成される。
【００８９】
その後、被転写ディスク２０の情報面である紫外線硬化樹脂層２０ａの表面２０ｂには、金属膜あるいは記録膜が形成される。金属膜は、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｃｕ、Ｓｉ等の単体あるいは合金、またはこれの酸化物、窒化物、炭化物等が用いられる。金属膜は、スパッタ法、蒸着方法で作製される。ＤＣスパッタ、ＲＦスパッタ等が好ましく、電子ビーム、抵抗加熱、レーザ照射等も用いられる。金属膜の膜厚は、２ｎｍ〜１００ｎｍの範囲にあり、再生光波長での反射率が２％〜５０％になるようにその膜厚が決められる。また、記録型の場合には、例えば、誘電体膜と、記録膜と、反射膜とからなる積層構造となる。誘電体には、ＺｎＳ−ＳiＯ２、記録層にはＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｎｂ-Ｓｎ−Ｎ系、ＴｅＯｘ系、Ｃｕ−Ｓｎ系等の相変化材料や合金材料、金属窒化物、金属酸化物等が用いられる。相変化材料は、追記型のみならず書換型にすることもできる。シアニン色素、フタロシアニン色素、スクアリリウム色素等と金属反射膜から構成する追記型としてもよい。
【００９０】
従って、本実施の形態のディスク製造装置によれば、空気挿通孔４０ｄと、Ｏリング嵌入溝４０ｃとが形成され、Ｏリング嵌入溝４０ｃにＯリング４０ｂが嵌められた芯出しシャフト４０と、転写時は被転写ディスク２０の中心孔Ｓと原盤１０の芯出し孔Ｇ１に芯出しシャフト４０を通して芯出しを行う一方、転写終了後は芯出しシャフト４０を上昇させる芯出しシャフト駆動部７０と、転写時はＯリング４０ｂをＯリング嵌入溝４０ｃより突出させない一方、転写終了後の剥離時は空気挿通孔４０ｄに圧縮空気を送り、Ｏリング４０ｂを拡張させてＯリング嵌入溝４０ｃより突出させ、被転写ディスク２０を原盤１０から剥離するよう圧縮空気を制御する圧縮空気制御部８０と、を有するので、芯出しシャフト４０を利用して原盤データが転写された被転写ディスク２０を原盤１０から簡単に、しかも被転写ディスク２０に傷等を付けることなく剥離することができる。
【００９１】
特に、本実施の形態のディスク製造装置では、原盤１０には中心孔として、被転写ディスク２０の中心孔Ｓの直径と同じで、被転写ディスク２０の中心孔Ｓと共に芯出しシャフト４０を通すことにより芯出しを行うための芯出し孔Ｇ１と、芯出し孔Ｇ１より情報面１０ａ側に、芯出し孔Ｇ１より直径が大であり、転写終了後の剥離時に、Ｏリング嵌入溝４０ｃより芯出しシャフト４０の表面側に突出するＯリング４０ｂの外径よりも大きい直径を有するＯリング逃げ孔Ｇ２とが形成されており、転写終了後の剥離時、圧縮空気制御部８０は、Ｏリング４０ｂがＯリング逃げ孔Ｇ２に位置しているときに、空気挿通孔４０ｄに圧縮空気を送り、Ｏリング４０ｂを拡張させるように構成したので、芯出しシャフト４０を利用して原盤データが転写された被転写ディスク２０を原盤１０から簡単に、しかも原盤１０や被転写ディスク２０に傷等を付けることなく剥離することができる。
【符号の説明】
【００９２】
１０  原盤
Ｇ１  芯出し孔
Ｇ２  Ｏリング逃げ孔
２０  被転写ディスク
Ｓ  中心孔
３０  原盤ホルダ
４０  芯出しシャフト
４０ａ  シャフト本体
４０ｂ  Ｏリング
４０ｃ  Ｏリング嵌入溝
４０ｄ  空気挿通孔
５０  紫外線ランプ
６０  チャンバ
７０  芯出しシャフト駆動部
８０  圧縮空気制御部
【図１】
2012059314.tif 000003
【図２】
2012059314.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2012059314.tif 000010
【図９】
2012059314.tif 000011
【図１０】
2012059314.tif 000012
【図１１】
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