(57)【要約】【課題】簡易な構成で、レーザ光の発振パルス及びレーザ光の変調の同期が容易に得られる記録装置を提供する。【解決手段】半導体レーザ１及び外部共振器を含むモードロックレーザ部１１と、このモードロックレーザ部１１から出射されるレーザ光を増幅変調する光変調手段１２と、光記録媒体２１のドライブからの基準信号ＤＲＩＶＥＣＬＫに基づいて、記録信号を生成する、記録信号生成部１６と、記録信号を、モードロックレーザ部１１から出射されるレーザ光の発振パルスにより生成したレーザクロックＬＤＣＬＫでラッチして、光変調手段１２を駆動する変調信号を生成する、変調部１４とを含んで、光記録媒体２１に情報を記録する記録装置１００を構成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光記録媒体に情報を記録する記録装置であって、
前記光記録媒体に情報を記録するためのレーザ光を出射する半導体レーザ、及び外部共振器を含むモードロックレーザ部と、
前記モードロックレーザ部から出射されるレーザ光を増幅変調する光変調手段と、
前記光記録媒体のドライブからの基準信号に基づいて、記録信号を生成する、記録信号生成部と、
前記記録信号を、前記モードロックレーザ部から出射される前記レーザ光の発振パルスにより生成したレーザクロックでラッチして、前記光変調手段を駆動する変調信号を生成する、変調部とを含む
記録装置。
【請求項２】
前記ドライブからの基準信号は、前記光記録媒体に形成されたウォブルから得られる信号である、請求項１に記載の記録装置。
【請求項３】
前記変調部に設けられ、前記ドライブからの基準信号と、前記レーザクロックとの差によるデータ転送速度の差を吸収するメモリバッファをさらに含む、請求項１に記載の記録装置。
【請求項４】
前記データ転送速度の差により、前記メモリバッファの残量が無くなったり前記メモリバッファの容量をオーバーしたりするときに、前記光記録媒体の前記ドライブにフラグが送られて転送や記録が制御される、請求項３に記載の記録装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録用光源としてモードロック発振型レーザと光アンプを組み合わせたＭＯＰＡ（Master Oscillator Power Amplifier）を用いた記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
高いピークパワーのレーザ光、特に超短パルス光は、非線形多光子吸収の過程を実現するために大変有効である。
この吸収過程を用いた、三次元光記録や超微細加工、または非破壊のバイオイメージング等への応用が期待されている。
【０００３】
例えば、非線形効果を有する透明なバルク材料に高出力のレーザ光を照射して、多層記録を実現する方法が報告されている（非特許文献１を参照）。
この方法は、従来の積層型ディスクに比べて、安価で大容量の記録媒体の可能を示すものである。
そして、高出力のレーザ光を出射する光源としては、モードロック型のチタンサファイアレーザが用いられている。前記非特許文献１の例においても、チタンサファイアレーザの８１０ｎｍの出射光をＳＨＧ（Ｓｅｃｏｎｄ  Ｈａｒｍｏｎｉｃ  Ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）により４０５ｎｍの波長に変換して、高密度記録に有利な短波長記録用光源としている。
このような大きく高価な固体レーザの場合、研究室内の実験への応用に制限されている（例えば、非特許文献２を参照）。
【０００４】
そこで、多くの研究者たちは、実用へ向けて、もっと小型で安定なパルス光源を半導体ベースで開発を試みている。
先に挙げた方法のような、次世代の光記録においては、全ての半導体の高密度記録に有利な青紫色レーザ光源が強く望まれている。
【０００５】
例えば、ゲインスイッチング型レーザにおいて、強励起駆動による１ＭＨｚ繰り返しを行った場合に、５５Ｗのピークパワーを実現することが報告されている（非特許文献３を参照）。
ただし、市場における高いデータ転送レートへの要求により、データ記録用の光源においても、さらに高い繰り返し周波数が必要となる。
【０００６】
最近、高密度記録に有効な青色レーザで、１ＧＨｚの繰り返し周波数で１００Ｗの光源が報告されている（例えば、非特許文献４を参照）。
この光源は、ＭＯＰＡ（Master Oscillator Power Amplifier）と呼ばれる構成で、半導体モードロックレーザと半導体光アンプを組み合わせている。
【０００７】
記録再生装置において、記録データは、予め記録単位毎の記録番地（アドレス）を与え、光記録媒体上に予めアドレス情報を埋め込んだウォブル信号に基づき、該当する位置にデータを記録しなければならない。このことにより、再生時には、アドレス情報によりビームをアクセスして、目的とする所望のデータの再生が可能となる。
記録用の光ディスク例えばＤＶＤやBlu-ray disc（登録商標）では、このアドレス情報を埋め込んだウォブル信号の基本波を用いてデータクロックを生成し、このデータクロックに同期して記録データの変調を与えたレーザパルスを光記録媒体に照射している。
ＭＯＰＡ光源を記録に用いる場合も、記録データの変調とレーザの発振パルスとは、同期させながら記録を行う必要がある。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】Seiji Kobayashi, Kimihiro Saito, Takashi Iwamura, Hisayuki Yamatsu, Toshihiro Horigome,Mitsuaki Oyamada, Kunihiko Hayashi, Daisuke Ueda, Norihiro Tanabe and Hirotaka Miyamoto, ISOM2009 Digest Th-l-01, 2009
【非特許文献２】Spectra-Physics社、[online]、[平成２２年８月６日検索]、インターネット<URL:http://www.spectra-physics.jp/member/admin/document_upload/Tsunami_Series_Data_Sheet.pdf>
【非特許文献３】M. Kuramoto, T. Oki, T. Sugahara, S. Kono, M. Ikeda, and H. Yokoyama,Appl. Phys. Lett. 96, 051102 _2010_.
【非特許文献４】Rintaro Koda, Tomoyuki Oki, Takao Miyajima, Hideki Watanabe,Masaru Kuramoto, Masao Ikeda, and Hiroyuki Yokoyama，APPLIED PHYSICS LETTERS 97, 021101 _2010_
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
モードロック発振型レーザを用いたＭＯＰＡを、記録再生装置に適用する場合には、記録データの変調を、Power Amplifierである光アンプの外部駆動により行うことが可能である。
【００１０】
しかしながら、ＭＯＰＡを記録再生装置に適用する場合には、レーザ光の発振パルスとデータによるレーザ光の変調とが同期しないと、記録パルス数が変動してしまい、正確にマークが書けない。
【００１１】
上述した問題の解決のために、本発明においては、簡易な構成で、レーザ光の発振パルス及びレーザ光の変調の同期が容易に得られる記録装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の記録装置は、光記録媒体に情報を記録する記録装置である。
そして、前記光記録媒体に情報を記録するためのレーザ光を出射する半導体レーザ、及び外部共振器を含むモードロックレーザ部を含む。
また、モードロックレーザ部から出射されるレーザ光を増幅変調する光変調手段と、光記録媒体のドライブからの基準信号に基づいて、記録信号を生成する、記録信号生成部とを含む。
さらに、記録信号を、モードロックレーザ部から出射されるレーザ光の発振パルスにより生成したレーザクロックでラッチして、光変調手段を駆動する変調信号を生成する、変調部を含む。
【００１３】
上述の本発明の記録装置によれば、変調部において、記録信号が、モードロックレーザ部から出射されるレーザ光の発振パルスにより生成したレーザクロックでラッチされて、光変調手段を駆動する変調信号が生成される。これにより、光変調手段を駆動する変調信号を、レーザクロックと同期させることが可能になる。
また、この変調信号により光変調手段を駆動して、光変調手段においてモードロックレーザ部から出射されるレーザ光を増幅変調するので、レーザ光の発振パルスとレーザ光の変調とを、同期させることが可能になる。
【発明の効果】
【００１４】
上述の本発明によれば、レーザ光の発振パルスとレーザ光の変調信号とを同期させることができるので、非常に高いパルス光周波数を有するレーザ光であっても、レーザ光の光パルスとレーザ光の変調とを、容易に同期させることができる。
このため、高密度かつ高速な記録を、正確に実現することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の記録装置の第１の実施の形態の概略構成図である。
【図２】Ａ、Ｂ  図１の半導体レーザの一形態の概略構成図である。
【図３】図１のモードロックレーザ部の概略構成図である。
【図４】図１の半導体光増幅器の一形態の概略構成図である。
【図５】Ａ、Ｂ  図１の半導体光増幅器の入力光と出力光を示す図である。
【図６】図１のＬＤパルス検出信号を得るための構成を示す図である。
【図７】ノイズによる欠損異常を示す図である。
【図８】図１の記録装置における発振パルスとデータクロックとを示す図である。
【図９】記録単位毎の繋ぎの部分にバッファを設けた構成を示す図である。
【図１０】ビット単位でデータをラッチした場合のビットの損失を示す図である。
【図１１】データの受け渡しを２バイト単位にした場合を示す図である。
【図１２】ＦＩＦＯを用いたメモリによるパイプライン処理を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、発明を実施するための最良の形態（以下、実施の形態とする）について説明する。
なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態
２．第２の実施の形態
【００１７】
＜１．第１の実施の形態＞
本発明の記録装置の第１の実施の形態の概略構成図を、図１に示す。
図１に示す記録装置１００は、モードロックレーザ部（ＭＬＬＤ部）１１と、ＳＯＡ（Semiconductor Optical Amp）、即ち、半導体光増幅器１２とを含んで構成されている。
また、この記録装置１００は、ＰＬＬ回路１３、変調ユニット１４、ＰＬＬ回路１５、データ生成部（記録信号生成部）１６を含んでいる。
さらに、この記録装置１００は、図示しない各種回路や各種光学部品を備えている。
【００１８】
モードロックレーザ部１１は、半導体レーザと外部共振器とを含む。
ここで、図１のモードロックレーザ部１１を構成する半導体レーザの一形態の概略構成図を、図２Ａ及び図２Ｂに示す。図２Ａは半導体レーザの斜視図を示し、図２Ｂは半導体レーザからレーザ光が出射される状態の模式図を示している。
この半導体レーザ１は、図２Ａ及び図２Ｂに示すように、ゲイン部（Gain section）１１６と過飽和吸収体部（Saturable absorber section）１１７とによって構成される。即ち、ＢＳ(bisectional)型の半導体レーザである。
過飽和吸収体部１１７を設けると、吸収体に入射する光の強度が大きくなるにつれて吸収率が低下し、強度の大きいパルスしか透過できないため、より狭いパルスが得られる。
また、ゲイン部１１６にはゲイン電流を注入する。
【００１９】
ｎ型ＧａＮ基板１０２上に、ｎ型ＧａＮ層１０３、ｎ型クラッド層１０４、活性層１０５、ｐ型電子障壁層１０６、ｐ型クラッド層１０７が積層されている。
ｐ型クラッド層１０７の中央部には、図２Ａに示すようにリッジ構造が形成されている。また、リッジ側面や、ｐ型クラッド層１０７のリッジが形成されていない部分の上には、ＳｉＯ２層１０８とＳｉ層１０９が形成されている。
【００２０】
ｐ型クラッド層１０７及びＳｉ層１０９上には、ｐ型電極１１３，１１４がオーミックコンタクトにより形成されている。
即ち、ゲイン部１１６上には主電極１１３が、過飽和吸収体部１１７上には副電極１１４が形成されている。これらの電極１１３，１１４は、例えば幅２０μｍの溝状の分離部１１５によって分割されており、互いに電気的に分離されている。主電極１１３と副電極１１４の長さは、例えば、それぞれ５２０μｍ、６０μｍである。
また、ｎ型ＧａＮ基板１０２の下面には、ｎ型の下部電極１０１がオーミックコンタクトにより形成されている。
【００２１】
また、ゲイン部１１６の前面の劈開面には、反射防止膜（図２Ｂ参照）１１８がコーティングされ、過飽和吸収体部１１７の後面の劈開面には、高反射膜１１９（図２Ｂ参照）がコーティングされている。
【００２２】
図２Ｂに示すように、この半導体レーザ１では、副電極１１４によって、過飽和吸収体部１１７に逆バイアスの電圧Ｖｓａを加える。このとき、ゲイン部１１６に対して主電極１１３から電流Ｉを注入することにより、矢印Ａ１に示す方向にレーザ光が出射される。
【００２３】
なお、本実施の形態の記録装置１００において、使用する半導体レーザ１の構成は、図２Ａ及び図２Ｂに示した半導体レーザ１の構成に限定されるものではなく、その他の構成の半導体レーザを使用することも可能である。
記録装置１００において情報の記録に使用するレーザ光の波長に応じて、半導体レーザ１の半導体材料を選定する。
【００２４】
次に、図１のモードロックレーザ部１１の概略構成図を、図３に示す。
図３に示すように、このモードロックレーザ部１１は、図２Ａ及び図２Ｂに示した構成の半導体レーザ１と、この半導体レーザ１から出射したレーザ光を通過させる、レンズ２、バンドパスフィルタ３、ミラー４の各光学部品とを含んで構成されている。バンドパスフィルタ３は、ある波長範囲の光を透過させて、範囲外の光は通さない。
そして、半導体レーザ１の後方端面のミラーと、ミラー４との間に、外部共振器（空間共振器）が構成され、この外部共振器の行路長Ｌにより、モードロックレーザ部１１から出射されるレーザ光の周波数が決まる。これにより、強制的に特定の周波数にロックさせることができ、レーザ光のモードをロックすることができる。
外部共振器の行路長Ｌは、半導体レーザ１の内部共振器の行路長Ｌ０、半導体レーザ１の内部の屈折率、半導体レーザ１の外部の行路長Ｌ１、半導体レーザ１の外部の屈折率ｎ１とから、下記の式（１）で求めることができる。
Ｌ＝ｎ０・Ｌ０＋ｎ１・Ｌ１      （１）
【００２５】
半導体光増幅器（ＳＯＡ）１２は、モードロックレーザ部１１から出射されたレーザ光を増幅変調する光変調手段となるものである。
この半導体光増幅器１２は、小型かつ低コストの光増幅器であり、また、光をオン・オフする光ゲート、光スイッチとして用いることができる。
本実施の形態においては、この半導体光増幅器１２のオン・オフによって、モードロックレーザ部１１から出射したレーザ光を変調する。
【００２６】
図１の半導体光増幅器１２の一形態の概略構成図を、図４に示す。
通常の半導体レーザでは、両端面のミラーによって構成される共振器内に光を閉じ込めて、バンド間遷移による光学利得によってレーザ光を発振させる。
これに対して、半導体光増幅器１２では、ミラーの代わりに、図４に示すように、両端面に反射防止膜３４を設けることによって、レーザ光の発振を抑制して、１パス分の増幅器として動作させている。
また、この半導体光増幅器１２は、半導体レーザと同様に、活性層３３を含む半導体層が積層されて、構成されている。
そして、半導体光増幅器１２は、上面に上部電極３１が形成され、下面に下部電極３２が形成されている。上部電極３１は電流源３５に接続され、下部電極３２は接地電位に接続されている。
【００２７】
電流源３５から上部電極３１に駆動電流を注入した状態で、反射防止膜３４が形成された入射端面からレーザ光を入射させると、活性層３３中を導波される間に、誘導放出によってレーザ光が増幅される。
また、この半導体光増幅器１２に注入する駆動電流の電流量を制御することにより、レーザ光の増幅量を制御することができる。
ただし、半導体光増幅器１２に入射したレーザ光を必ずしも増幅させる必要はなく、十分なレーザ光パワーが得られる場合には、半導体光増幅器１２のゲインを１としても良い。
このような構成の半導体光増幅器１２では、キャリア寿命が短いため、電流や光強度の変化に対して、高速な応答を示す。従って、図５Ａに示す、モードロックレーザ部１１からの入力光の連続パルス光に対して、例えば図５Ｂに示す波形のパルス光が、半導体光増幅器１２からの出力光として得られる。
即ち、駆動電流の信号によって、オン・オフを制御することができ、モードロックレーザ部１１からの発振パルスの周波数にも対応した、高速な光スイッチとして、半導体光増幅器１２を用いることができる。
【００２８】
記録装置１００を、半導体レーザ１から例えば波長４０７ｎｍのレーザ光を出射させる構成とする場合には、半導体光増幅器１２も、活性層３３やガイド層、クラッド層等を同じ波長の光を放出する青紫色半導体レーザと同様の材料によって構成する。
【００２９】
本実施の形態の記録装置１００では、モードロックレーザ部１１からの発振パルス（レーザクロック；ＬＤＣＬＫ）を、ＰＬＬ回路１３に通して、変調ユニット１４に供給する。
そして、図６に示すように、発振パルスからのレーザパルス検出信号（ＬＤパルス検出信号）は、モードロックレーザ部１１からの出射光の一部をビームスプリッタ６で分岐して、フォトディテクタ８で光電変換することにより得られる。
なお、図６において、ビームスプリッタ６のモードロックレーザ部１１側にコリメータレンズ５が配置され、ビームスプリッタ６のフォトディテクタ８側にレンズ７が配置されている。
【００３０】
モードロックレーザ部１１と変調ユニット１４との間に設けたＰＬＬ回路１３は、モードロックレーザ部１１の信号に、図７に示すようなノイズによる欠損異常があった場合に、レーザクロック（ＬＤＣＬＫ）をクリーニングするために設けている。欠損異常の原因となるノイズとしては、レーザの振幅ノイズ或いは検出ノイズが挙げられる。図７では、欠損異常が生じた箇所で、信号がパルスコンパレートレベルを下回っている。
【００３１】
なお、モードロックレーザ部１１に不具合があった場合には、ＰＬＬ回路１３によって不具合を検出した後に、図１に示すＵＮＬＯＣＫ信号を変調ユニット１４へ供給し、レーザクロック以外のクロックを基準とするように記録装置１００の動作を切り替える。これにより、記録の異常動作を一次回避することができる。基準とするクロックとしては、例えば、ドライブクロック（ＤＲＩＶＥＣＬＫ）が挙げられる。
【００３２】
本実施の形態の記録装置１００では、光記録媒体２１に形成されたウォブルを基準として、ドライブクロック（ＤＲＩＶＥＣＬＫ）を作成する。
そして、このドライブクロック（ＤＲＩＶＥＣＬＫ）をＰＬＬ回路１５に通して、記録信号生成部（データ生成部）１６に供給する。
また、本実施の形態の記録装置１００では、上述した記録の異常動作の回避のために、ドライブクロック（ＤＲＩＶＥＣＬＫ）を変調ユニット１４にも供給できるように構成している。
なお、ＵＮＬＯＣＫ信号を変調ユニット１４へ供給する構成と、ドライブクロック（ＤＲＩＶＥＣＬＫ）を変調ユニット１４にも供給する構成とは、本発明の記録装置に必須の構成ではない。記録装置の動作に問題が生じない場合には、これらの構成を省略することが可能である。
【００３３】
記録信号生成部（データ生成部）１６では、ドライブクロック（ＤＲＩＶＥＣＬＫ）に記録データを載せることにより、データパルスを生成する。
この生成されたデータパルスは、記録信号生成部（データ生成部）１６から変調ユニット１４に送られる。
【００３４】
変調ユニット１４では、データパルスを、レーザクロック（ＬＤＣＬＫ）で一度ラッチして、その後に、ラッチしたデータパルスに基づいて、変調した信号として、半導体光増幅器１２の駆動電流を生成する。
そして、この駆動電流を、変調ユニット１４から半導体光増幅器１２へ供給することにより、半導体光増幅器１２を変調駆動する。
これにより、図５Ａ及び図５Ｂに示したように、モードロックレーザ部１１からのレーザ光を、半導体光変調器１２で変調して、光記録媒体２１へ書き込みを行うことができる。
【００３５】
上述のように、データパルスをレーザクロック（ＬＤＣＬＫ）でラッチして、データパルスから半導体光増幅器１２へ供給する駆動電流（変調信号）を作成している。これにより、半導体レーザ１から出射されるレーザ光のパルスと、レーザ光の変調とを同期させることができる。
【００３６】
ここで、図１の記録装置１００における、発振パルスとデータクロックを、図８に示す。
図８の下側に示すように、モードロックレーザ部１１から出射されるレーザ光の発振パルスを用いて、データクロックをラッチすることにより、図８の上側に示すように、この発振パルスに同期したデータクロックが得られる。
【００３７】
なお、記録信号生成部１６では、ドライブクロック（ＤＲＩＶＥＣＬＫ）で検出したウォブルのアドレスの１記録単位毎に、データパルスを変調ユニット１４に送ることにより、記録単位毎に、ウォブルの位相とレーザ光の発振パルスとを同期させることができる。
ただし、ウォブルのアドレスとレーザ光の発振パルスとは完全には同期していないので、記録単位の終わりの位置と記録単位の記録開始位置は合わない。
そこで、図９に示すように、従来から光ディスクの記録装置で行われているように、記録単位毎の繋ぎの部分に、記録データとして使用しない部分（所謂バッファ）を設ける。例えば、記録データの先頭と後端に、データの無いプリアンブルとポストアンブルを設けて、繋ぎの所で重なりが気にならないように配慮する。図９では、プリアンブルとポストアンブルをそれぞれ長さＬで設けて、繋ぎの所で長さ２Ｌのバッファを設けており、これにより、アドレス位置検出誤差と記録単位のクロック間誤差の累積に対応している。
【００３８】
上述の本実施の形態の記録装置１００によれば、記録信号生成部（データ生成部）１６において、光記録媒体２１に形成されたウォブルを基準としたドライブクロック（ＤＲＩＶＥＣＬＫ）に記録データを載せることにより、データパルスが生成される。
そして、変調ユニット１４において、このデータパルスを、レーザクロック（ＬＤＣＬＫ）で一度ラッチして、その後に、ラッチしたデータパルスに基づいて、変調した信号として、半導体光増幅器１２の駆動電流を生成する。
これにより、半導体光増幅器１２を駆動する変調信号を、レーザクロックＬＤＣＬＫと同期させることが可能になる。
また、この変調信号により半導体光増幅器１２を駆動して、半導体光増幅器１２においてモードロックレーザ部１１から出射されるレーザ光を増幅変調するので、レーザ光の発振パルスとレーザ光の変調とを、同期させることが可能になる。
【００３９】
これにより、レーザ光の発振パルスとレーザ光の変調信号とを同期させることができるので、非常に高いパルス光周波数を有するレーザ光であっても、レーザ光の光パルスとレーザ光の変調とを、容易に同期させることができる。
従って、記録装置において、高密度かつ高速な記録を、正確に実現することが可能となる。
【００４０】
＜２．第２の実施の形態＞
次に、本発明の記録装置の第２の実施の形態を説明する。
本実施の形態においては、図１に示した変調ユニット１４に、図示しないが、メモリバッファを設ける。これは、ドライブクロック（ＤＲＩＶＥＣＬＫ）とレーザクロック（ＬＤＣＬＫ）との差による、変調ユニット１４におけるデータラッチの際の誤りを防ぐためである。
図１０に示すように、ビット単位でデータをラッチすると、ビットを損失する場合がある。図１０では、矢印で示すように、レーザクロック（ＬＤＣＬＫ）のパルスの立ち上がりで記録ビットデータをラッチしているが、ドライブクロック（ＤＲＩＶＥＣＬＫ）とレーザクロック（ＬＤＣＬＫ）との差により、ビット０が失われている。
これに対しては、例えば図１１に示すように、記録データ生成部から変調ユニット１４へのデータの受け渡しを２バイト単位にすると、損失を減らすことができる。つまり、クロックの差を吸収できるように、ある程度の長さのワード単位のデータを送り、さらに変調ユニット１４のメモリバッファで溜める機能が必要である。
そこで、図１２に示すように、ＦＩＦＯ（First In, First Out）を用いたメモリによって、異なるクロックのデータを順次送り出すパイプライン処理を行う。これにより、書き込みクロックであるドライブクロック（ＤＲＩＶＥＣＬＫ）と、読み出しクロックであるレーザクロック（ＬＤＣＬＫ）との差による、データ転送速度の差を吸収させる。
その他の構成は、前述した第１の実施の形態と同様にすることができる。
【００４１】
この第２の実施の形態の記録装置において、より好ましくは、転送速度差によりメモリバッファの残量（空き容量）が無くなったり、メモリバッファの容量をオーバーしたりするときには、光記録媒体２１のドライブに制御フラグを送り、転送や記録を制御する。制御フラグとしては、図１２にも記載している、ＵｎｄｅｒＦｌｏｗＦｌａｇやＯｖｅｒＦｌｏｗＦｌａｇが挙げられる。図１の記録装置１００において、これらの制御フラグは、例えば、変調ユニット１４から記録信号生成部１６に送るようにする。
これにより、転送速度の差が大きい場合でも、転送や記録を制御して、記録データの取りこぼしをなくすことが可能になる。
【００４２】
この第２の実施の形態の記録装置において、さらに好ましくは、レーザクロック（ＬＤＣＬＫ）によって、読み込んだデータの誤りを検出して、書き込み中止や訂正を行う構成とする。
これにより、誤りのあるデータを光記録媒体２１に書き込んでしまわないように、防止することができる。
【００４３】
上述の本実施の形態の記録装置によれば、第１の実施の形態の記録装置１００と同様に、レーザ光のパルスとレーザ光の変調とを同期させることができる。これにより、非常に高いパルス光周波数を有するレーザ光であっても、レーザ光の光パルスとレーザ光の変調とを、容易に同期させることができる。
従って、記録装置において、高密度かつ高速な記録を、正確に実現することが可能となる。
【００４４】
さらに本実施の形態の記録装置によれば、変調ユニット１４にメモリバッファを設けて、ドライブクロック（ＤＲＩＶＥＣＬＫ）とレーザクロック（ＬＤＣＬＫ）との差によるデータ転送速度の差を吸収させる。
これにより、ドライブクロック（ＤＲＩＶＥＣＬＫ）とレーザクロック（ＬＤＣＬＫ）との差によるデータ転送速度の差が生じていても、データの記録漏れを生じることがなく、正しく記録を行うことができる。
【００４５】
上述の各実施の形態の記録装置では、使用する光記録媒体２１がディスク状であり、光記録媒体２１を回転させて、情報の記録を行う構成であったが、その他の構成の記録装置にも本発明を適用することができる。
例えば、カード状等の光記録媒体に対してレーザ光を走査させて、光記録媒体に情報を記録する構成も可能である。
【００４６】
また、上述の各実施の形態の記録装置では、光記録媒体２１に形成されたウォブルを基準として、ドライブクロック（ＤＲＩＶＥＣＬＫ）を作成していた。
本発明では、光記録媒体のドライブからの基準信号は、ウォブルを基準とした信号に限定されるものではなく、その他の構成の信号を、ドライブからの基準信号としても構わない。例えば、ウォブルに代わる、他のアドレスのリファレンス用の構成を光記録媒体に設けて、この構成を用いて、ドライブからの基準信号を作成しても良い。
【００４７】
本発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲でその他様々な構成が取り得る。
【符号の説明】
【００４８】
１  半導体レーザ、２  レンズ、３  バンドパスフィルタ、４  ミラー、５  コリメータレンズ、６  ビームスプリッタ、８  フォトディテクタ、１１  モードロックレーザ部、１２  半導体光増幅器（ＳＯＡ）、１３，１５  ＰＬＬ回路、１４  変調ユニット、１６  記録信号生成部、２１  光記録媒体、３１  上部電極、３２  下部電極、３３  活性層、３４  反射膜、３５  反射防止膜、１００  記録装置、１１６  ゲイン部、１１７  過飽和吸収体部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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