(57)【要約】 【課題】熱分解性の樹脂層の残渣量を低減することができる半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】熱分解性の樹脂層１を、半導体ウェハ２と、基材３との間に配置して、樹脂層１を介して、半導体ウェハ２と基材３とを固定し、積層体４を形成する工程と、積層体４の半導体ウェハ２を加工する工程と、積層体４を加熱して、熱分解性の樹脂層１を熱分解してガス化させる工程と、半導体ウェハ２と、基材３とを分離する工程とを含む。積層体４を加熱して、熱分解性の樹脂層１を熱分解する前記工程では、積層体４が配置された容器５中の気体を吸引することで容器５内の雰囲気を減圧下とし、減圧下で前記積層体４を加熱する。【選択図】 図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱分解性の樹脂層を、半導体ウェハと基材との間に配置して、前記樹脂層を介して、前記半導体ウェハと前記基材とを固定し、積層体を形成する工程と、
前記積層体の前記半導体ウェハを加工する工程と、
前記積層体を加熱して、前記熱分解性の樹脂層を熱分解してガス化させる工程と、
前記半導体ウェハと、前記基材とを分離する工程とを含み、
前記積層体を加熱して、前記熱分解性の樹脂層を熱分解してガス化させる前記工程では、
前記積層体が配置された容器中の気体を吸引することで前記容器内の雰囲気を減圧下とし、減圧下で前記積層体を加熱する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記積層体を加熱して、前記熱分解性の樹脂層を熱分解してガス化させる前記工程では、
１００Ｐａ以下の雰囲気下で、前記積層体を加熱する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記基材は、半導体ウェハと略同一形状の擬似ウェハであり、前記半導体ウェハの熱分解性の樹脂層側の面を保護するものである半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記樹脂層を介して、半導体ウェハと基材とを固定し、積層体を形成する前記工程では、
前記熱分解性の樹脂層を構成する樹脂組成物を前記半導体ウェハまたは前記基材上にスピンコートにより塗布し、前記樹脂層を形成し、前記樹脂層を介して、前記半導体ウェハと基材とを固定する半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３または４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記積層体の前記半導体ウェハを加工する前記工程では、前記半導体ウェハを研磨する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記熱分解性の樹脂層は、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリウレタン系樹脂、（メタ）アクリル系樹脂からなる群から選ばれる１種以上を含む半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、
前記基材は、透明基材であり、
前記積層体の前記半導体ウェハを加工する前記工程と、前記積層体を加熱して、前記熱分解性の樹脂層を熱分解してガス化させる前記工程との間で、
前記積層体の前記透明基材を介して、前記熱分解性の樹脂層に活性エネルギー線を照射し、前記熱分解性の樹脂層の熱分解温度を低下させる工程を実施する半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至５のいずれかに記載の半導体装置の製造方法において、
前記熱分解性の樹脂層は、ノルボルネン系樹脂を主成分とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の製造工程において、半導体ウェハの加工がなされている。たとえば、特許文献１，２には、以下のようにして半導体装置を製造することが開示されている。
まず、図５に示すように、トランジスタ等の層９００を、粘着層９０１を介して、ドナー基板９０２に固定し、その後、層９００を加工する。次に、粘着層９０１に光を照射するとともに低温で加熱する。これにより粘着層９０１が分解し、層９００とドナー基板９０２とが分離される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００４／０２３４７１７Ａ１号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２００４／０２３２９４３Ａ１号明細書
【特許文献３】特開平９−２５３９６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１，２で開示された半導体装置の製造方法では、粘着層９０１を分解して、層９００とドナー基板９０２とを分離していたが、粘着層９０１の分解残渣が層９００およびドナー基板９０２に多量に残ってしまうという課題がある。残渣が多い場合には、念入りに層９００の洗浄を行わなければならない。さらに、ドナー基板９０２を再利用する際に、ドナー基板９０２を念入りに洗浄する必要があり、半導体装置の製造に手間を要する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明によれば、
熱分解性の樹脂層を、半導体ウェハと基材との間に配置して、前記樹脂層を介して、前記半導体ウェハと前記基材とを固定し、積層体を形成する工程と、
前記積層体の前記半導体ウェハを加工する工程と、
前記積層体を加熱して、前記熱分解性の樹脂層を熱分解してガス化させる工程と、
前記半導体ウェハと、前記基材とを分離する工程とを含み、
前記積層体を加熱して、前記熱分解性の樹脂層を熱分解してガス化させる前記工程では、
前記積層体が配置された容器中の気体を吸引することで前記容器内の雰囲気を減圧下とし、減圧下で前記積層体を加熱する半導体装置の製造方法が提供される。
【０００６】
この発明によれば、減圧下で、積層体を加熱し、熱分解性の樹脂層を熱分解してガス化させている。これにより、熱分解性の樹脂層のガス化がすすみ、熱分解性の樹脂層の残渣量を低減することができる。
そのため、半導体ウェハの洗浄工程を簡略化したり、省略したりすることができ、半導体装置の製造に手間を要しない。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、熱分解性の樹脂層の残渣量を低減することができる半導体装置の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態にかかる半導体装置の製造工程を示す斜視図である。
【図２】半導体装置の製造工程を示す斜視図である。
【図３】半導体装置の製造工程を示す図である。
【図４】半導体装置の製造工程を示す斜視図である。
【図５】従来の半導体装置の製造工程を示す図である。
【図６】実験例、比較実験例の結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
はじめに、図１〜４を参照して、本実施形態の概要について説明する。
本実施形態の半導体装置の製造方法は、熱分解性の樹脂層１を、半導体ウェハ２と、基材３との間に配置して、樹脂層１を介して、半導体ウェハ２と基材３とを固定し、積層体４を形成する工程と、積層体４の半導体ウェハ２を加工する工程と、積層体４を加熱して、熱分解性の樹脂層１を熱分解してガス化させる工程と、半導体ウェハ２と、基材３とを分離する工程とを含む。
積層体４を加熱して、熱分解性の樹脂層１を熱分解する前記工程では、積層体４が配置された容器５中の気体を吸引することで容器５内の雰囲気を減圧下とし、減圧下で前記積層体４を加熱する。
【００１０】
次に、本実施形態の半導体装置の製造工程について詳細に説明する。
まず、図１（Ａ）に示すように、基材３を用意する。
基材３は、半導体ウェハ２と略同一形状の擬似ウェハであることが好ましく、たとえば、シリコン基板、ガラス基板等で構成される。基材３は、半導体ウェハ２と同じ大きさであってもよいが、半導体ウェハ２よりもひとまわり程度大きなものであってもよい。
詳しくは後述するが、熱分解性の樹脂層１に対し、活性エネルギー線を照射する必要がある場合には、基材３は、活性エネルギー線を透過する透明基材であることが好ましい。
【００１１】
次に、図１（Ｂ）に示すように、基材３上に、熱分解性の樹脂層１を形成する。
熱分解性の樹脂層１としては、活性エネルギー線を照射することで、熱分解温度が低下するような樹脂層が好ましい。たとえば、光酸発生剤と、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリウレタン系樹脂、（メタ）アクリレート系樹脂からなる群から選ばれる１種以上の樹脂を含むものであることが好ましい。これらの樹脂成分を含有することで、光酸発生剤の存在下、活性エネルギー線を照射することで、熱分解温度が低下する樹脂層１を形成することが可能となる。
ここで、活性エネルギー線とは、ｇ線（４３６ｎｍ）、ｈ線（４０５ｎｍ）、ｉ線（３６５ｎｍ）、Ｘ線、可視光線等を含む電磁波、若しくは電子線の総称であり、なかでもｉ線が好ましい。
【００１２】
前記ポリカーボネート系樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ポリプロピレンカーボネート、ポリエチレンカーボネート、１，２−ポリブチレンカーボネート、１，３−ポリブチレンカーボネート、１，４−ポリブチレンカーボネート、ｃｉｓ−２，３−ポリブチレンカーボネート、ｔｒａｎｓ−２，３−ポリブチレンカーボネート、α，β−ポリイソブチレンカーボネート、α，γ−ポリイソブチレンカーボネート、ｃｉｓ−１，２−ポリシクロブチレンカーボネート、ｔｒａｎｓ−１，２−ポリシクロブチレンカーボネート、ｃｉｓ−１，３−ポリシクロブチレンカーボネート、ｔｒａｎｓ−１，３−ポリシクロブチレンカーボネート、ポリネオペンチルカーボネート、ポリヘキセンカーボネート、ポリシクロプロペンカーボネート、ポリシクロヘキシレンカーボネート、ポリ（メチルシクロヘキセンカーボネート）、ポリ（ビニルシクロヘキセンカーボネート）、ポリジヒドロナフタレンカーボネート、ポリヘキサヒドロスチレンカーボネート、ポリシクロヘキサンプロピレンカーボネート、ポリスチレンカーボネート、ポリ（３−フェニルプロピレンカーボネート）、ポリ（３−トリメチルシリロキシプロピレンカーボネート）、ポリ（３−メタクリロイロキシプロピレンカーボネート）、ポリパーフルオロプロピレンカーボネート、ポリノルボルネンカーボネートから選ばれる１種または２種以上の組み合わせを挙げることができる。
これらの中でも、特に、光酸発生剤存在下で、より効果的に熱分解温度を下げることができるという理由から、ポリプロピレンカーボネート、ポリシクロヘキシレンカーボネート、ポリブチレンカーボネート、ポリネオペンチルカーボネートが好ましい。
【００１３】
前記ポリエステル系樹脂としては、特に制限されないが、例えば、テレフタル酸又はテレフタル酸ジメチルを主たる酸成分とし、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリメチレングリコール、ブチレングリコールより選ばれる少なくとも１種のアルキレングリコールを主たるグリコール成分とするポリエステル樹脂が挙げられる。上記テレフタル酸成分の一部を芳香族、脂環族又は脂肪族の二官能性カルボン酸成分で置き換えても良い。また、例えば、分子内にカルボン酸成分とアルコール基成分を併せ持つヒドロキシ酸である乳酸を重縮合したポリ乳酸も挙げることができる。
これらの中でも、特に、活性エネルギー線の照射により効果的に熱分解温度を低下させることができ、また、作業性に優れるという理由から、ポリブチレンテレフタレート、ポリ乳酸が好ましい。
ポリアミド系樹脂としては、特に制限されないが、例えば、アジピン酸、ヘプタンジカルボン酸、オクタンジカルボン酸、ノナンジカルボン酸、ウンデカンジカルボン酸、ドデカンジカルボン酸より選ばれる少なくとも１種のジカルボン酸成分とテトラメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、オクタメチレンジアミン、ノナメチレンジアミン、ウンデカメチレンジアミン、ドデカメチレンジアミンより選ばれる少なくとも１種のジアミン成分と重縮合反応することによって得られたポリアミド樹脂が挙げられる。また、例えば、ラクタムであるα−ピロリドン、ε−カプロラクタム、ω−ラウロラクタム、ε−エナントラクタムを開環重合させたポリアミド樹脂も挙げることができる。
これらの中でも、特に、活性エネルギー線の照射により効果的に熱分解温度を低下させることができ、また、作業性に優れるという理由から、６，６−ナイロンが好ましい。
ポリイミド系樹脂としては、特に制限されないが、例えば、ｏ−フェニレンジアミン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、４，４'−ジアミノジフェニルエーテル、１，４−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、１，３−ビス（アミノメチル）シクロヘキサン、１，３−プロパンジアミン、１，４−ブタンジアミン、１，５−ペンタンジアミン、１，６−ヘキサンジアミンより選ばれる少なくとも１種のジアミン酸成分と４，４'−ヘキサフルオロプロピリデンビスフタル酸二無水物、４，４'−ビフタル酸無水物、ジフェニル−２，３，３'，４'−テトラカルボン酸二無水物、ジフェニル−２，２'，３，３'−テトラカルボン酸二無水物、ピロメリット酸二無水物より選ばれる少なくとも１種のテトラカルボン酸二無水物と重付加反応することによって得られたポリイミド樹脂が挙げられる。
これらの中でも、特に、活性エネルギー線の照射により効果的に熱分解温度を低下させることができ、また、作業性に優れるという理由から、ポリ（４，４'−オキシジフェニレンピロメリットイミド）が好ましい。
ポリウレタン系樹脂としては、特に制限されないが、例えば、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール、ジプロピレングリコール、グリセリン、１，１，１−トリメチロールプロパン、１，２，５−ヘキサントリオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、４，４'−ジヒドロキシフェニルプロパン、４，４'−ジヒドロキシフェニルメタン、ペンタエリスリトール等の多価アルコールより選ばれた少なくとも１種のポリオールと２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート、４，４'−ジフェニルメタンジイソシアネート、２，４'−ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネートより選ばれる少なくとも１種のイソシアネートと重付加反応することによって得られたポリウレタン樹脂が挙げられる。
これらの中でも、特に、活性エネルギー線の照射により効果的に熱分解温度を低下させることができ、また、作業性に優れるという理由から、ポリ（（エチレングリコール）−ａｌｔ−（４，４'−フェニレン）イソシアネート）が好ましい。
【００１４】
前記（メタ）アクリル系樹脂としては、特に制限されないが、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸ｎ−プロピル、（メタ）アクリル酸ｎ−ブチル、（メタ）アクリル酸、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート等から選ばれる（メタ）アクリル系モノマーの共重合体等を挙げることができる。
これらの中でも、特に、活性エネルギー線の照射により効果的に熱分解温度を低下させることができ、また、作業性に優れるという理由から、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチルが好ましい。
【００１５】
前記樹脂成分の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１，０００〜１，０００，０００であることが好ましく、５，０００〜８００，０００であることが特に好ましい。重量平均分子量を上記下限以上とすることにより、基材３に対する濡れ性が向上する効果、さらに、成膜性を向上するという効果を得ることができる。また、上記上限値以下とすることで、各種成分との相溶性や各種溶剤に対する溶解性、さらには、熱分解性を向上するという効果を得ることができる。
【００１６】
前記樹脂成分は、樹脂層１の全量（溶媒、希釈剤を除く）の１０重量％〜９９重量％以下の割合で配合することが好ましい。さらに好ましくは、２０重量％以上で配合することが好ましい。樹脂成分の含有量を上記下限値以上とすることで、樹脂層１が基材３に残留することを防止できるとともに基材３上に厚膜を形成できるという理由からである。
【００１７】
前記光酸発生剤としては、特に限定されないが、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート−４−メチルフェニル［４−（１−メチルエチル）フェニル］ヨードニウム（ＤＰＩ−ＴＰＦＰＢ）、トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムテトラキス−（ペンタフルオロフェニル）ボレート（ＴＴＢＰＳ−ＴＰＦＰＢ）、トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムヘキサフルオロホスフェート（ＴＴＢＰＳ−ＨＦＰ）、トリフェニルスルホニウムトリフレート（ＴＰＳ−Ｔｆ）、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフレート（ＤＴＢＰＩ−Ｔｆ）、トリアジン（ＴＡＺ−１０１）、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート（ＴＰＳ−１０３）、トリフェニルスルホニウムビス（パーフルオロメタンスルホニル）イミド（ＴＰＳ−Ｎ１）、ジ−（ｐ−ｔ−ブチル）フェニルヨードニウム、ビス（パーフルオロメタンスルホニル）イミド（ＤＴＢＰＩ−Ｎ１）、トリフェニルスルホニウム、トリス（パーフルオロメタンスルホニル）メチド（ＴＰＳ−Ｃ１）、ジ−（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリス（パーフルオロメタンスルホニル）メチド（ＤＴＢＰＩ−Ｃ１）、及びこれらの２種以上の組合せを挙げることができる。
これらの中でも特に、前記樹脂成分の熱分解温度を効率的に下げることができるという理由から、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート−４−メチルフェニル［４−（１−メチルエチル）フェニル］ヨードニウム（ＤＰＩ−ＴＰＦＰＢ）が好ましい。
【００１８】
前記光酸発生剤は、樹脂層１の全量（溶媒、希釈剤を除く）の０．０１重量％〜５０重量％の割合で配合することが好ましい。さらに好ましくは、０．１重量％〜３０重量％の割合で配合することが好ましい。
上記下限値以上とすることで、前記樹脂成分の熱分解温度を安定的に下げることが可能となり、上記上限値以下とすることで樹脂層１が残渣として残留することを効果的に防止することが可能となる。
【００１９】
樹脂層１を構成する材料の組み合わせとして、特に好ましいものとしては、ポリプロピレンカーボネート、１，４−ポリブチレンカーボネート、又はポリネオペンチルカーボネートのいずれか１種以上と、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート−４−メチルフェニル［４−（１−メチルエチル）フェニル］ヨードニウム（ＤＰＩ−ＴＰＦＰＢ）との組み合わせである。
【００２０】
前記ポリカーボネート系樹脂は、前記光酸発生剤の存在下で、ポリカーボネート系樹脂の主鎖の熱切断が容易となる構造を形成するため、又は、ポリカーボネート系樹脂自身が容易に熱分解する熱閉環構造を形成する（熱閉環反応）ため、熱分解温度を下げることができると考えられる。
【００２１】
下記の反応式（Ｉ）は、ポリプロピレンカーボネート樹脂の主鎖の熱切断及び熱閉環構造の形成のメカニズムを示す。
先ず、前記活性剤由来のＨ＋が、ポリプロピレンカーボネート樹脂のカルボニル酸素をプロトン化し、さらに極性遷移状態を転移させ不安定な互変異性中間体［Ａ］及び［Ｂ］を生じる。
次に、主鎖の熱切断の場合には、中間体［Ａ］は、アセトン及びＣＯ２として断片化する。
熱閉環構造の形成（ａ又はｂ）の場合には、中間体［Ｂ］は炭酸プロピレンを生成し、炭酸プロピレンはＣＯ２及びプロピレンオキシドとして断片化される。
【００２２】
【化１】
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また、前記樹脂層１は、酸化防止剤を含んでいてもよい。前記酸化防止剤は、望ましくない酸の発生や、樹脂組成物の自然酸化を防止する機能を有している。
【００２３】
前記酸化防止剤としては、特に限定されるわけではないが、例えば、ニューヨーク州タリータウンのＣｉｂａ  Ｆｉｎｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社から入手可能なＣｉｂａ  ＩＲＧＡＮＯＸ（登録商標）  １０７６およびＣｉｂａ  ＩＲＧＡＦＯＳ（登録商標）  １６８が好適に用いられる。
【００２４】
また、他の酸化防止剤としては、例えば、Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  １２９、Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  １３３０、Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  １０１０、Ｃｉｂａ  Ｃｙａｎｏｘ（登録商標）  １７９０、Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  ３１１４、Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  ３１２５等を用いることもできる。
【００２５】
前記酸化防止剤の含有量は、前記樹脂成分１００重量部に対して、０．１〜１０重量部であるのが好ましく、０．５〜５重量部であるのがより好ましい。
【００２６】
また前記樹脂層１は、必要により酸捕捉剤、アクリル系、シリコーン系、フッ素系、ビニル系等のレベリング剤、シランカップリング剤、希釈剤等の添加剤等を含んでも良い。
【００２７】
前記シランカップリング剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス（トリエトキシプロピル）テトラスルフィド、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン等が挙げられ、単独でも２種以上混合して用いてもよい。
前記樹脂層１がシランカップリング剤を含むことにより、半導体ウェハ２または基材３との密着性を向上することが可能となる。
【００２８】
なお、樹脂層１として、活性エネルギー線を照射しても、熱分解温度が低下しないようなものを使用してもよく、たとえば、ノルボルネン系樹脂を含有するものとしてもよい。
ノルボルネン系樹脂としては、特に限定されないが、例えば、下記一般式（１）で示される構造単位を含むものを挙げることができる。
【００２９】
【化２】
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【００３０】
式（１）において、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ、水素、直鎖状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキル基、芳香族基、脂環族基、グリシジルエーテル基、下記置換基（２）のいずれかである。また、ｍは０〜４の整数である。
【００３１】
【化３】
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【００３２】
式（２）において、Ｒ５は、水素、メチル基またはエチル基のいずれかであり、Ｒ６、Ｒ７およびＲ８は、直鎖状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキル基、直鎖状または分岐状の炭素数１〜２０のアルコキシ基、直鎖状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキルカルボニルオキシ基、直鎖状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキルペルオキシ基、置換もしくは未置換の炭素数６〜２０のアリールオキシ基のいずれかである。また、ｎは０〜５の整数である。
【００３３】
前記直鎖状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキル基としては、特に限定されるものではないが、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。
これらの中でも、樹脂層１を構成する各種成分との相溶性や各種溶剤に対する溶解性、さらに、半導体ウェハ２と基材３とを固定した際の機械物性に優れるブチル基、デシル基が好ましい。
【００３４】
前記芳香族基としては、特に限定されるものではないが、フェニル基、フェネチル基、ナフチル基等が挙げられるが、これらの中でも、半導体ウェハと基材を固定した際の機械物性に優れるフェネチル基、ナフチル基が好ましい。
【００３５】
前記脂環族基としては、特に限定されるものではないが、シクロヘキシル基、ノルボルネニル基、ジヒドロジシクロペンタジエチル基、テトラシクロドデシル基、メチルテトラシクロドデシル基、テトラシクロドデカジエチル基、ジメチルテトラシクロドデシル基、エチルテトラシクロドデシル基、エチリデニルテトラシクロドデシル基、フエニルテトラシクロドデシル基、シクロペンタジエチル基の三量体等の脂環族基等が挙げられる。
これらの中でも、半導体ウェハと基材を仮固定した際の機械物性、さらには、加熱工程における熱分解性に優れるシクロヘキシル基、ノルボルネニル基が好ましい。
【００３６】
前記置換基（２）中のＲ５は、水素、又はメチル基またはエチル基であれば、特に限定されるものではないが、加熱工程における熱分解性に優れる水素原子が好ましい。
【００３７】
前記置換基（２）中のＲ６、Ｒ７およびＲ８は、それぞれ、直鎖状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキル基、直鎖状または分岐状の炭素数１〜２０のアルコキシ基、直鎖状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキルカルボニルオキシ基、直鎖状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキルペルオキシ基、置換もしくは未置換の炭素数６〜２０のアリールオキシ基のいずれかであれば、特に限定されるわけではない。
そのような置換基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ブトキシ基、ペンチロキシ基、アセトキシ基、プロピオキシ基、ブチロキシ基、メチルペルオキシ基、イソプロピルペルオキシ基、ｔ−ブチルペルオキシ基、フェノキシ基、ヒドロキシフェノキシ基、ナフチロキシ基、フェノキシ基、ヒドロキシフェノキシ基、ナフチロキシ基等が挙げられ、これらの中でも、基材に対する密着性、半導体ウェハ加工時の機械特性に優れるメトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基が好ましい。
【００３８】
前記一般式（１）中のｍは、０〜４の整数であり、特に限定されるわけではないが、０または１が好ましい。ｍが０または１である場合、前記一般式（１）で示される構造単位は、下記一般式（３）または（４）で示すことができる。
【００３９】
【化４】
2012222174.tif 000006
【００４０】
【化５】
2012222174.tif 000007
【００４１】
前記式（３）及び（４）において、Ｒ１〜Ｒ４は、それぞれ、水素、直鎖状または分岐状の炭素数１〜２０のアルキル基、芳香族基、脂環族基、グリシジルエーテル基、置換基（２）のいずれかである。
【００４２】
前記置換基（２）中のｎは、０〜５の整数であり、特に限定されるわけではないが、ｎは０であることが好ましい。ｎが０である時、シリル基はケイ素−炭素結合を介して多環式環に直接結合しており、樹脂層１の熱分解性および半導体ウェハ２加工時の機械特性を両立することができる。
【００４３】
前記一般式（１）で示される構造単位は、特に限定されるわけではないが、ノルボルネン、５−メチルノルボルネン、５−エチルノルボルネン、５−プロピルノルボルネン、５−ブチルノルボルネン、５−ペンチルノルボルネン、５−ヘキシルノルボルネン、５−へプチルノルボルネン、５−オクチルノルボルネン、５−ノニルノルボルネン、５−デシルノルボルネン、５−フェネチルノルボルネン、５−トリエトキシシリルノルボルネン、５−トリメチルシリルノルボルネン、５−トリメトキシシリルノルボルネン、５−メチルジメトキシシシリルノルボルネン、５−ジメチルメトキシノルボルネン、５−グリシジルオキシメチルノルボルネン等のノルボルネン系モノマーを重合することにより得ることができる。
前記ノルボルネン系モノマーを重合する際は、単一のノルボルネン系モノマーで重合しても、複数のノルボルネン系モノマーを共重合しても良い。これらノルボルネン系モノマーの中でも、半導体ウェハ２と基材３とを固定した際の機械物性に優れる５−ブチルノルボルネン、５−デシルノルボルネン、５−フェネチルノルボルネン、５−トリエトキシシリルノルボルネン、５−グリシジルオキシメチルノルボルネンが好ましい。
【００４４】
前記ノルボルネン系樹脂は、特に限定されるわけではなく、前記一般式（１）で示される単一の構造単位で形成されていてもよく、また、複数の構造単位で形成されていても良い。
【００４５】
前記ノルボルネン系樹脂は、より具体的には、ポリノルボルネン、ポリメチルノルボルネン、ポリエチルノルボルネン、ポリプロピルノルボルネン、ポリブチルノルボルネン、ポリペンチルノルボルネン、ポリヘキシルノルボルネン、ポリへプチルノルボルネン、ポリオクチルノルボルネン、ポリノニルノルボルネン、ポリデシルノルボルネン、ポリフェネチルノルボルネン、ポリトリエトキシシリルノルボルネン、ポリトリメチルシリルノルボルネン、ポリトリメトキシシリルノルボルネン、ポリメチルジメトキシシシリルノルボルネン、ポリジメチルメトキシノルボルネン、ポリグリシジルオキシメチルノルボルネン等の単一重合体、ノルボルネン−トリエトキシシリルノルボルネン共重合体、ノルボルネン−グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体、ブチルノルボルネン−トリエトキシシリルノルボルネン共重合体、デシルノルボルネン−トリエトキシシリルノルボルネン共重合体、ブチルノルボルネン−グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体、デシルノルボルネン−グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体、デシルノルボルネン−ブチルノルボルネン−フェネチルノルボルネン−グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体等の共重合体、ポリグリシジルオキシメチルノルボルネン−ブチルノルボルネン−トリエトキシシリルノルボルネン共重合体が挙げられる。
これらの中でも、半導体ウェハと基材とを固定した際の機械物性に優れるポリブチルノルボルネン、ポリデシルノルボルネン、ポリトリエトキシシリルノルボルネン、ポリグリシジルオキシメチルノルボルネン−ブチルノルボルネン−トリエトキシシリルノルボルネン共重合体、デシルノルボルネン−トリエトキシシリルノルボルネン共重合体、ブチルノルボルネン−グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体、デシルノルボルネン−グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体、デシルノルボルネン−ブチルノルボルネン−フェネチルノルボルネン−グリシジルオキシメチルノルボルネン共重合体が好ましい。
【００４６】
前記ノルボルネン系樹脂の重量平均分子量は、１０，０００〜１，０００，０００であることが好ましく、３０，０００〜８００，０００であることが特に好ましい。重量平均分子量を上記範囲とすることで、樹脂層１の熱分解性および半導体ウェハ加工時の樹脂層１の耐熱性を両立することができる。
ここで、重量平均分子量は、ＴＨＦを溶媒としてＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラム）により、ポリスチレン換算値として算出することができる。
【００４７】
前記一般式（１）で示される構造単位を有するノルボルネン系樹脂の合成方法としては、例えば、パラジウムイオン源を含有する触媒、ニッケル源を含有する触媒、白金を含有する触媒、ラジカル開始剤等を用いることにより合成することができるが、付加重合する際の反応性に優れるニッケル源を含有する触媒が好ましい。
【００４８】
前記ノルボルネン系樹脂の合成は、ノルボルネン系モノマーを溶解することができる有機溶媒中で実施することができる。前記有機溶媒としては、特に限定されるわけではないが、例えば、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン等の脂肪族炭化水素；シクロペンタン、シクロヘキサン等の脂環族炭化水素；ベンゼン、クロロベンゼン、ニトロベンゼン、トルエンおよびキシレン等の芳香族炭化水素；メチレンクロライド、クロロホルム、四塩化炭素、エチルクロライド、１，１−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエタン、１，２−ジクロロエチレン、１−クロロプロパン、２−クロロプロパン、１−クロロブタン、２−クロロブタン、１−クロロ−２−メチルプロパン、１−クロロペンタンの如きハロゲン化（極性）炭化水素を挙げることができる。
【００４９】
前記ノルボルネン系モノマー対するパラジウムを含有する触媒のモル比は、２０：１〜１００，０００：１が好ましく、２００：１〜２０，０００：１が特に好ましく、１，０００：１〜１０，０００：１がさらに好ましい。
【００５０】
前記ノルボルネン系モノマーをニッケル触媒で重合する場合、その重合温度は、−１００℃〜１２０℃が好ましく、−６０℃〜９０℃が特に好ましく、−１０℃〜８０℃であることがさらに好ましい。
前記ノルボルネン系樹脂は、樹脂層１の全量（溶媒、希釈剤を除く）の１０重量％〜１００重量％の割合で配合することが好ましい。さらに好ましくは、２０重量％以上で配合することが好ましい。
【００５１】
樹脂層１を形成する際には、あらかじめ樹脂層１をフィルム状に形成し、基材３に貼り付けてもよいが、本実施形態では、樹脂層１の平坦性を確保する観点から基材３にスピンコートにより樹脂層１の各成分を含むワニス（樹脂組成物）を塗布し、乾燥させることで、樹脂層１を形成する。
したがって、樹脂層１となるワニスは、上述した各成分に加え、溶媒や、希釈剤を含有していてもよい。
溶媒としては、特に限定されるものではないが、メシチレン、デカリン、ミネラルスピリット類等の炭化水素類、アニソール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジグライム等のアルコール／エーテル類、炭酸エチレン、酢酸エチル、酢酸Ｎ−ブチル、乳酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン等のエステル／ラクトン類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン等のアミド／ラクタム類が挙げられる。前記ワニスが溶媒を含有することにより、ワニスの粘度を調整することが容易となり、薄膜を形成するのが容易となる。
【００５２】
前記溶媒の含有量は、特に限定されるものではないが、樹脂組成物の全量の５〜９８重量％であることが好ましく、１０〜９５重量％であることが特に好ましい。
【００５３】
また、前記希釈剤としては、特に限定されるわけではないが、例えば、シクロヘキセンオキサイドやα−ピネンオキサイド等のシクロエーテル化合物、［メチレンビス（４，１−フェニレンオキシメチレン）］ビスオキシランなどの芳香族シクロエーテル、１，４−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルなどのシクロアリファティックビニルエーテル化合物等を挙げることができる。
前記ワニスが希釈剤を含むことにより、ワニスの流動性を向上することができ、樹脂層１の基材３に対する濡れ性を向上することが可能となる。
【００５４】
次に、図２（Ａ）に示すように、樹脂層１を介して、半導体ウェハ２と基材３とを固定し、積層体４とする。
樹脂層１は、粘着性を有しており、半導体ウェハ２の素子形成面（あらかじめ素子が形成されている面）に取り付けられる。そして、基材３により、半導体ウェハ２の素子形成面が保護されることとなる。
その後、積層体４を図示しない研磨装置にとりつけ、半導体ウェハ２の裏面（素子形成面と反対側の面）を研磨する。これにより、図２（Ｂ）に示すように、半導体ウェハ２の厚みは、たとえば、５０μｍ以下、１０μｍ以上となる。
また、半導体ウェハ２の裏面に加工を施してバンプ等の電極を形成したり、半導体ウェハ２に貫通孔を形成したりする。
なお、この半導体ウェハ２の裏面の加工工程において、積層体４はたとえば、３００℃程度に加熱されるが、この熱により樹脂層１が熱分解し難く、半導体ウェハ２が基材３から剥離することがない。
【００５５】
次に、樹脂層１として、活性エネルギー線を照射することで、熱分解温度が低下する樹脂層を使用している場合には、積層体４に活性エネルギー線を照射して、樹脂層１の熱分解温度を低下させる。具体的には、積層体４の基材３側から光を照射し、樹脂層１に光を照射する。樹脂層１は、活性エネルギー線照射前に比べ、分解温度が低下することとなる。
たとえば、活性エネルギー線を照射した後の樹脂層１の熱分解温度は、２００℃以下となる。
ここで、熱分解温度とは、樹脂層１を熱重量測定装置を用いて空気気流中で２５℃から１０℃／分で昇温したとき５０％重量が減少した温度をいう。
【００５６】
次に、図３に示すように、積層体４を容器５内に設置し、ポンプ（圧力調整手段）Ｐにより、容器５内の気体を吸引して積層体４を大気圧よりも気圧が低い減圧下におく。より、好ましくは、１００Ｐａ以下、さらに好ましくは真空下（５Ｐａ以下）の雰囲気とする。なお、容器５内の気圧の下限値は、特に限定されないが、装置の性能との関係上、たとえば、０．０１Ｐａとなる。
この減圧下で、積層体４を樹脂層１の熱分解温度以上に加熱し、積層体４の樹脂層１を熱分解する。樹脂層１は熱分解し、ガス化することとなる。
【００５７】
樹脂層１が熱分解することで、図４に示すように、半導体ウェハ２と基材３とを分離することができる。半導体ウェハ２と基材３とを分離する際には、図４（Ａ）に示すように、半導体ウェハ２の周縁部の一部が基材３の表面に対し垂直方向に離れるように、半導体ウェハ２を基材３から引き剥がす方法がある。
また、図４（Ｂ）に示すように、半導体ウェハ２に対するストレスをより低減するために半導体ウェハ２を基材３の表面に沿うようにスライドさせて、半導体ウェハ２を基材３から引き剥がしてもよい。
本実施形態では、樹脂層１の残渣が非常に少ない、あるいは全くないため、図４（Ａ）のような方法で、半導体ウェハ２と基材３とを分離しても、半導体ウェハ２にクラックが生じてしまうことが抑制される。特に半導体ウェハ２の厚みが非常に薄い場合には、図４（Ａ）の方法で半導体ウェハ２と基材３とを分離すると、半導体ウェハ２にクラックが発生することが懸念されるが、本実施形態では、このような問題が生じない。
【００５８】
その後、必要に応じて半導体ウェハ２に付着した樹脂層１の残渣を除去するために、半導体ウェハ２のクリーニングを行ってもよい。
その後、必要に応じて半導体ウェハ２をダイシングして半導体装置を得る。
【００５９】
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
本実施形態では、減圧下で、積層体４を加熱し、熱分解性の樹脂層１を熱分解してガス化させている。減圧下で積層体４の熱分解を行っているので、熱分解性の樹脂層１がガス化したものが、容器５から排出されることとなり、熱分解性の樹脂層１のガス化がすすむこととなる。これにより、半導体ウェハ２に付着して残る熱分解性の樹脂層１の残渣の量を低減することができる。
そのため、半導体ウェハ２の洗浄工程を簡略化したり、省略したりすることができ、半導体装置の製造に手間を要しない。特に半導体ウェハ２の洗浄工程を省略することで、半導体装置の製造工程の簡略化を図ることができる。
また、５Ｐａ以下の雰囲気下で積層体４を加熱して、熱分解性の樹脂層１を熱分解することで、よりいっそう確実に熱分解性の樹脂層１の残渣量を低減させることができる。
【００６０】
また、本実施形態では、減圧下で積層体４を加熱し、熱分解性の樹脂層１を熱分解してガス化させているので、基材３に付着して残る熱分解性の樹脂層１の残渣も低減できる。基材３を再利用する場合には、基材３の洗浄工程を省略したり、簡略化したりでき、半導体装置の製造工程の簡略化を図ることができる。
【００６１】
また、本実施形態において、活性エネルギー線を照射することで、熱分解温度が低下する樹脂層１を使用した場合には、半導体ウェハ２への熱による影響を抑制することができる。
【００６２】
さらに、本実施形態では、熱分解性の樹脂層１を形成する際に、スピンコート法で熱分解性の樹脂層１の各成分を含むワニスを基材３に塗布している。
これにより、非常に平滑性に優れ、厚みばらつきの非常に少ない樹脂層１を形成することができる。
従来、半導体ウェハを研磨する場合には、粘着性のフィルムを使用し、半導体ウェハと、基材とを固定していた（たとえば、特許文献３）。
このような粘着性のフィルムを使用する場合、フィルムに厚みむらがあるため、半導体ウェハを非常に薄く研磨すると半導体ウェハに凹凸ができてしまう。そのため、半導体ウェハを非常に薄く研磨することは難しかった。
これに対し、本実施形態では、非常に平滑性に優れ、厚みばらつきの非常に少ない樹脂層１を形成することができるので、半導体ウェハ２を非常に薄く研磨しても、半導体ウェハに凹凸が形成されてしまうことが防止できる。
さらに、樹脂層１として、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリウレタン系樹脂、（メタ）アクリル系樹脂、ノルボルネン系樹脂のいずれかの材料を使用している。これらの樹脂を樹脂層１に使用することで、これらの樹脂は半導体ウェハ２及び基材３よりも柔軟性が高いため、半導体ウェハ２研磨時に半導体ウェハ２にかかる応力を緩和でき、研磨時に半導体ウェハ２が破損することを防止することができる。
【００６３】
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
たとえば、前記実施形態では、基材３に樹脂層１を形成した後、基材３と半導体ウェハ２とを固定していたが、これに限らず、半導体ウェハ２に樹脂層１を形成してもよい。
さらに、前記実施形態では、半導体ウェハ２の研磨を実施したが、これに限らず、樹脂層１を介して半導体ウェハ２と基材３とを固定した後、研磨を実施せずに、半導体ウェハ２にバンプ等の電極を形成したり、半導体ウェハに貫通孔を形成してもよい。
【実施例】
【００６４】
次に、本発明の実施例について説明する。
（実験例１）
（樹脂層１を構成するワニスの作成）
ポリプロピレンカーボネート（ＥＭＰＯＷＥＲ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ社製ＱＰＡＣ４０）１００ｇをγ−ブチロラクトン（溶剤）３１０ｇに溶解した。このポリプロピレンカーボネート溶液に、活性剤（光酸発生剤）のＲｈｏｄｏｓｉｌＰｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ２０７４（ローディアジャパン（株）社製Ｒｈｏｄｏｒｓｉｌ Ｐｈｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ２０７４）５ｇ、増感剤の１−クロロ−４‐プロポキシチオキサントン（英Ｌａｍｂｓｏｎ社製ＳＰＥＥＤＣＵＲＥ ＣＰＴＸ（商品名））１．５ｇをγ−ブチロラクトン（溶剤）３０ｇに溶解させた溶液を加えて、攪拌し、樹脂濃度２４ｗｔ％のワニスを作製した。
【００６５】
（テスト）
８インチシリコンウェハの上に、樹脂層１を構成するワニスをスピンコートし、１２０℃、５分で乾燥させた。これにより、厚み５μｍの樹脂層１を形成することができた。次に、樹脂層１付き８インチシリコンウェハを、７ｍｍ×７ｍｍ角の樹脂層１付きシリコン板に切り分けた。なお、樹脂層１は、前記実施形態のように半導体ウェハと基材とを固定するのに十分な粘着性を有しているものであった。
次に、i線を露光量１０００ｍＪ／ｃｍ２となるように樹脂層１に照射し、樹脂層１の熱分解温度を低下させた後、樹脂層１およびシリコン板を容器５の中に入れ、容器５内の気体を吸引して、減圧下（３Ｐａ）で２００℃、１分加熱した（樹脂層１を熱分解してガス化した）。
その後、容器５からシリコン板を取り出し、シリコン板の表面（樹脂層１が形成されていた側の面）を目視にて観察した。図６に示すように、シリコン板の表面には、樹脂層１の残渣が全く確認できず、非常にきれいになっていた。
【００６６】
（実験例２）
（樹脂層１を構成するワニスの作成）
<５−デシルノルボルネン／５−グリシジルオキシメチルノルボルネン＝７０ｍｏｌ％／３０ｍｏｌ％共重合体の合成>
十分乾燥させた反応容器に酢酸エチル（６００ｇ）、シクロヘキサン（６００ｇ）、５−デシルノルボルネン（２６５．２５ｇ，１．１３１モル）および５−グリシジルオキシメチルノルボルネン（８７．３６ｇ，０．４８５モル）を導入した。この系中に乾燥窒素を４０℃で３０分流し、溶存酸素を除去した。その後、ビス（トルエン）ビス（パーフルオロフェニル）ニッケル６．５８ｇ（０．０１３６モル）を６６．５１ｇのアセトンに溶解したものを反応系中に添加した。
上記の系を４０℃から６０℃に１０分掛けて昇温し、その温度を保持しながら３時間系中を攪拌した。４６２．０ｇの３０％過酸化水素水を添加した約７０５．０ｇの純水に氷酢酸２４５．０ｇを溶解させ、これを前記反応系中に添加した。反応系を５０℃で５時間攪拌した後、１５０ｇのイソプロピルアルコールを系中に添加した。攪拌を止め、分離した水層を除去したのち、残った有機層を４５０ｇの純水と１５０ｇのイソプロピルアルコールを３回に分けて添加し、攪拌〜除去することで洗浄した。
洗浄後の有機層を４００ｍＬのシクロヘキサンで希釈し、６倍量のメタノール（７２００ｍＬ）中に添加、析出したポリマーをろ過により回収した。得られた固形分を空気中で１８時間風乾したのち、１ｍｍＨｇの減圧下で２４時間乾燥することで、２８４．７ｇ（収率９５．８％）の目的物を固形樹脂の形で得た。
合成した５−デシルノルボルネン／５−グリシジルオキシメチルノルボルネン＝７０ｍｏｌ％／３０ｍｏｌ％をＧＰＣにより重量平均分子量を測定したところ、７２，０００であった。
【００６７】
<ワニスの作成>
得られた５−デシルノルボルネン／５−グリシジルオキシメチルノルボルネン＝７０ｍｏｌ％／３０ｍｏｌ％共重合体１００ｇを２−ヘプタノン（溶剤）２３３．３ｇに溶解し、樹脂濃度３０ｗｔ％のワニスを作製した。
【００６８】
（テスト）
８インチシリコンウェハ上に、樹脂層１を構成するワニスをスピンコートし、１２０℃、５分で乾燥させた。これにより、厚み５μｍの樹脂層１を形成することができた。次に、樹脂層１付き８インチシリコンウェハを７ｍｍ×７ｍｍ角の樹脂層１付きシリコン板に切り分けた。なお、樹脂層１は、前記実施形態のように半導体ウェハと基材とを固定するのに十分な粘着性を有しているものであった。
次に、樹脂層１およびシリコン板を容器５の中に入れ、容器５内の気体を吸引して、減圧下（３Ｐａ）で４５０℃、２分加熱した（樹脂層１を熱分解してガス化した）。
その後、容器５からシリコン板を取り出し、シリコン板の表面（樹脂層１が形成されていた側の面）を目視にて観察した。図６に示すように、シリコン板の表面には、樹脂層１の残渣が全く確認できず、非常にきれいになっていた。
【００６９】
（比較実験例１）
（樹脂層１のワニスの作成）
実験例１と同様のワニスを作成した。
【００７０】
（テスト）
８インチシリコンウェハの上に、樹脂層１を構成するワニスをスピンコートし、１２０℃、５分で乾燥させた。これにより、厚み５μｍの樹脂層１を形成することができた。次に、樹脂層１付き８インチシリコンウェハを７ｍｍ×７ｍｍ角の樹脂層１付きシリコン板に切り分けた。なお、樹脂層１は、前記実施形態のように半導体ウェハと基材とを固定するのに十分な粘着性を有しているものであった。
次に、i線を露光量１０００ｍＪ／ｃｍ２となるように樹脂層１に照射した後、樹脂層１およびシリコン板を容器５の中に入れ、窒素雰囲気下（減圧せず、容器５内の気圧は大気圧と等しい）で２００℃、３分加熱した。
その後、容器５からシリコン板を取り出し、シリコン板の表面（樹脂層１が形成されていた側の面）を目視にて観察した。図６に示すように、シリコン板の表面には、うすい膜が形成されていることが確認され、これは樹脂層１の残渣であると考えられる。
【００７１】
（比較実験例２）
（樹脂層１のワニスの作成）
実験例２と同様のワニスを作成した。
（テスト）
８インチシリコンウェハ上に、樹脂層１を構成するワニスをスピンコートし、１２０℃、５分で乾燥させた。これにより、厚み５μｍの樹脂層１を形成することができた。次に、樹脂層１付き８インチシリコンウェハを７ｍｍ×７ｍｍ角の樹脂層１付きシリコン板に切り分けた。なお、樹脂層１は、前記実施形態のように半導体ウェハと基材とを固定するのに十分な粘着性を有しているものであった。
次に、樹脂層１およびシリコン板を容器５の中に入れ、窒素雰囲気下（減圧せず、容器５内の気圧は大気圧と等しい）で４５０℃、１０分加熱した。
その後、容器５からシリコン板を取り出し、シリコン板の表面（樹脂層１が形成されていた側の面）を目視にて観察した。図６に示すように、シリコン板の表面には、うすい膜が形成されていることが確認され、これは樹脂層１の残渣であると考えられる。
【符号の説明】
【００７２】
１    熱分解性の樹脂層
２    半導体ウェハ
３    基材
４    積層体
５    容器
９００    層
９０１    粘着層
９０２    ドナー基板
【図１】
2012222174.tif 000008
【図２】
2012222174.tif 000009
【図３】
2012222174.tif 000010
【図４】
2012222174.tif 000011
【図５】
2012222174.tif 000012
【図６】
2012222174.tif 000013