(57)【要約】【課題】リードフレームを介して電子部品を基板上に搭載し、リードフレームの全体および電子部品をモールド樹脂で封止してなる電子装置において、リードフレームとモールド樹脂との剥離を抑制しつつ、リードフレームと基板との接続を確保できるようにする。【解決手段】リードフレーム３０における電子部品２０から突出する他端３２側の全体は、当該リードフレーム３０を構成する母材が表面に露出したものであって、モールド樹脂４０で封止されており、このリードフレーム３０の他端３２側と基板１０との間に、金属よりなる導電性フィラー５２を含有する導電性接着剤５０が介在しており、導電性フィラー５２が母材に融着することにより、リードフレーム３０の他端３２側と基板１０とが電気的および機械的に固定されている。【選択図】図１
2012222220.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（１０）と、
前記基板（１０）の一面（１１）上に搭載された電子部品（２０）と、
一端（３１）が前記電子部品（２０）に接続され、他端（３２）側が前記電子部品（２０）から突出し前記基板（１０）に接続された、金属を母材とするリードフレーム（３０）と、
前記基板（１０）の前記一面（１１）上にて前記電子部品（２０）および前記リードフレーム（３０）を封止するモールド樹脂（４０）と、を備える電子装置であって、
前記リードフレーム（３０）における前記電子部品（２０）から突出する他端（３２）側の全体は、当該リードフレーム（３０）を構成する前記母材が表面に露出したものであって、前記モールド樹脂（４０）で封止されており、
このリードフレーム（３０）の他端（３２）側と前記基板（１０）との間に、金属よりなる導電性フィラー（５２）を含有する導電性接着剤（５０）が介在しており、
前記導電性フィラー（５２）が前記母材に融着することにより、前記リードフレーム（３０）の他端（３２）側と前記基板（１０）とが電気的および機械的に固定されていることを特徴とする電子装置。
【請求項２】
前記母材は、銅、りん青銅および４２アロイの中から選択された金属よりなるものであり、前記母材と融着する前記導電性フィラー（５２）は、ＳｎまたはＩｎよりなるものであることを特徴とする請求項１に記載の電子装置。
【請求項３】
前記リードフレーム（３０）の他端（３２）側における前記母材の表面は、前記リードフレーム（３０）形成後の処理によって凹凸（３０ａ）が形成されたものであることを特徴とする請求項１または２に記載の電子装置。
【請求項４】
前記リードフレーム（３０）の他端（３２）側は、折り曲げられた形状をなしており、
前記凹凸（３０ａ）は、前記リードフレーム（３０）の他端（３２）側のコーナー部（３０ｂ）のみに形成されていることを特徴とする請求項３に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレームを介して電子部品を基板上に搭載し、リードフレームの全体および電子部品をモールド樹脂で封止してなる電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、リードフレームと接続されている電子部品としては、たとえば特許文献１に記載されているモールドパッケージが提案されている。このものは、電子部品であるモールドパッケージに対して、リードフレームの一端が接続され、リードフレームの他端側はモールドパッケージから突出しているものである。
【０００３】
また、このような電子部品は、配線基板等の基板上に搭載されるが、その場合、電子部品に接続されているリードフレームのうち電子部品から突出する他端側にて、基板上の電極等に、はんだ付けされる。そのため、当該リードフレームの他端側は、リードフレームを構成する銅などの金属母材の表面に、ＳｎまたはＳｎ−ＡｇあるいはＳｎ−Ｃｕなどよりなるはんだ付け用のめっきが施されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−３２６４６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記したようなリードフレームを介して基板上に搭載された電子部品について、外部からの保護等の目的で、リードフレームの全体および電子部品をモールド樹脂で封止しようとすると、リードフレーム表面の上記はんだ付け用めっきとモールド樹脂との密着性が一般的に弱いため、熱衝撃等により当該めっき部分とモールド樹脂との間で剥離が発生しやすくなる。さらには、この剥離がリードフレームと基板との接続部まで進行し、当該接続部にてクラック等のダメージが生じる恐れがある。
【０００６】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、リードフレームを介して電子部品を基板上に搭載し、リードフレームの全体および電子部品をモールド樹脂で封止してなる電子装置において、リードフレームとモールド樹脂との剥離を抑制しつつ、リードフレームと基板との接続を確保できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、基板（１０）と、
基板（１０）の一面（１１）上に搭載された電子部品（２０）と、
一端（３１）が電子部品（２０）に接続され、他端（３２）側が電子部品（２０）から突出し基板（１０）に接続された、金属を母材とするリードフレーム（３０）と、
基板（１０）の一面（１１）上にて電子部品（２０）およびリードフレーム（３０）を封止するモールド樹脂（４０）と、を備える電子装置であって、
リードフレーム（３０）における電子部品（２０）から突出する他端（３２）側の全体は、当該リードフレーム（３０）を構成する母材が表面に露出したものであって、モールド樹脂（４０）で封止されており、
このリードフレーム（３０）の他端（３２）側と基板（１０）との間に、金属よりなる導電性フィラー（５２）を含有する導電性接着剤（５０）が介在しており、
導電性フィラー（５２）が母材に融着することにより、リードフレーム（３０）の他端（３２）側と基板（１０）とが電気的および機械的に固定されていることを特徴とする。
【０００８】
それによれば、モールド樹脂（４０）で封止されるリードフレーム（３０）の部分は、表面にめっきが存在せず母材が露出したものであるため、モールド樹脂（４０）との密着性に優れる。
【０００９】
また、母材が露出するリードフレーム（３０）については、当該母材表面に形成される酸化膜等により、はんだ濡れ性が小さくなり、はんだ付けが行いにくいものとなるが、本発明では、融着型の導電性接着剤（５０）を用いることで、導電性フィラー（５２）が溶融して当該母材と金属結合するため、適切に基板（１０）との接続が行える。こうして、本発明によれば、リードフレーム（３０）とモールド樹脂（４０）との剥離を抑制しつつ、リードフレーム（３０）と基板（１０）との接続を確保することができる。
【００１０】
ここで、請求項２に記載の発明のように、請求項１に記載の電子装置においては、母材は、銅、りん青銅および４２アロイの中から選択された金属よりなるものであり、母材と融着する導電性フィラー（５２ａ）は、ＳｎまたはＩｎよりなるものにできる。
【００１１】
また、請求項３に記載の発明では、請求項１または２に記載の電子装置において、リードフレーム（３０）の他端（３２）側における母材の表面は、リードフレーム（３０）形成後の処理によって凹凸（３０ａ）が形成されたものであることを特徴とする。それによれば、さらにリードフレーム（３０）とモールド樹脂（４０）との密着性が向上する。
【００１２】
さらに、請求項４に記載の発明では、請求項３に記載の電子装置において、リードフレーム（３０）の他端（３２）側は、折り曲げられた形状をなしており、
凹凸（３０ａ）は、前記リードフレーム（３０）の他端（３２）側のコーナー部（３０ｂ）のみに形成されていることを特徴とする。
【００１３】
それによれば、リードフレーム（３０）のうち応力が集中しやすいコーナー部（３０ｂ）での剥離防止に効果的である。
【００１４】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】（ａ）は、本発明の第１実施形態に係る電子装置としてのモールドＨＩＣの概略断面図であり、（ｂ）は、（ａ）中のＡ部の詳細構成を示す概略断面図である。
【図２】図１中の導電性接着剤による接続部を模式的に示す概略断面図である。
【図３】本発明の第２実施形態に係る電子装置としてのモールドＨＩＣの要部の概略断面図である。
【図４】第２実施形態の他の例である電子装置としてのモールドＨＩＣの要部の概略断面図である。
【図５】本発明の第３実施形態に係る電子装置としてのモールドＨＩＣの概略断面図である。
【図６】第３実施形態の他の例である電子装置としてのモールドＨＩＣの概略断面図である。
【図７】本発明の第４実施形態に係る電子装置としてのモールドＨＩＣの概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００１７】
（第１実施形態）
図１において（ａ）は、本発明の第１実施形態に係る電子装置としてのモールドＨＩＣ（ハイブリッドＩＣ）の概略断面構成を示す図であり、（ｂ）は、（ａ）中の丸で囲まれたＡ部分のより詳細な構成を示す概略断面図である。
【００１８】
本実施形態の電子装置は、大きくは、基板１０と、基板１０の一面１１上に搭載された電子部品２０と、一端３１が電子部品２０に接続され、他端３２側が電子部品２０から突出し基板１０に接続された金属を母材とするリードフレーム３０と、基板１０の一面１１上にて電子部品２０およびリードフレーム３０を封止するモールド樹脂４０と、を備えて構成されている。
【００１９】
基板１０は、板状をなすもので、その一方の板面である一面１１が、電子部品２０が搭載される搭載面とされたものである。この基板１０は、リードフレーム３０を介して電子部品２０を実装できるものであればよく、一般的なセラミック基板やプリント基板なるもので、単層または多層を問わない。さらには、基板１０はヒートシンクなどの金属板などよりなるものであってもよい。図１では、基板１０はセラミック基板としている。
【００２０】
電子部品２０は、本実施形態では、磁性体２１に巻き線２２を内蔵してなる一般的なコイルである。磁性体２１は、ＦｅやＣｒなどの磁性材料の粉末にエポキシ樹脂やシリコン樹脂などよりなるバインダを混ぜたものを熱プレスにて成形することにより作られる。
【００２１】
また、巻き線２２は、銅などの線材を巻いたものよりなり、磁性体２１の内部に埋設されている。このような電子部品２０としてのコイルの大きさは、たとえば□５ｍｍ×ｔ４ｍｍ以上である。
【００２２】
また、リードフレーム３０は、銅、りん青銅および４２アロイなどより選択された金属を母材として、一般的なリードフレームと同様、圧延加工などにより形成されたものであり、図１に示される断面を板厚方向の断面とする細長板状をなすものである。ここでは、リードフレーム３０は、一端３１が電子部品２０に接続され、他端３２側が電子部品２０の下側に入り込むように曲げられた形状を成すものである。
【００２３】
ここで、図１（ｂ）に示されるように、リードフレーム３０の一端３１側は磁性体２１に埋設されており、当該磁性体２１に機械的に接続されている。また、電子部品２０においては、巻き線２２の両端が磁性体２１より突出し、この突出する巻き線２２の両端がリードフレーム３０に抵抗溶接などによって溶接されている。
【００２４】
図１（ｂ）では、この巻き線２２とリードフレーム３０との溶接部２３が示されているが、この溶接部２３により、巻き線２２とリードフレーム３０とは電気的および機械的に接続されている。
【００２５】
このようなリードフレーム３０と接続されたコイルとしての電子部品２０は、巻き線２２とリードフレーム３０とを溶接して一体化したものを、図示しない金型に設置し、そこに上記バインダを含む磁性材料の粉末を投入し、これらを熱プレスして成形して磁性体２１を形成し、その後、磁性体２１より突出するリードフレーム３０の他端側を上記のように曲げ加工することにより作られる。
【００２６】
そして、リードフレーム３０の他端３２側は、電子部品２０から基板１０の一面１１まで延びて基板１０に対して、融着型の導電性接着剤５０を介して電気的および機械的に固定されている。たとえば、基板１０の一面１１のうち当該リードフレーム３０の導電性接着剤５０を介した接続がなされる部位は、一般に銀や銅などの金属よりなる図示しない電極部とされており、当該接続は、この電極部にて成されている。
【００２７】
ここで、リードフレーム３０における電子部品２０から突出する他端３２側の全体は、モールド樹脂４０で封止されているが、このリードフレーム３０の他端３２側の全体は、リードフレーム３０を構成する上記母材が表面に露出したものである。
【００２８】
ここでは、リードフレーム３０はその全体が単一の材料よりなるものである。つまり、たとえばリードフレーム３０の母材が銅の場合、リードフレーム３０は全体が銅よりなるものであり、たとえばリードフレーム３０の母材がりん青銅の場合、リードフレーム３０は全体がりん青銅よりなるものである。
【００２９】
そして、リードフレーム３０の他端３２側と基板１０との間に、融着型の導電性接着剤として金属よりなる導電性フィラーを含有する導電性接着剤５０が介在している。図２は、この導電性接着剤５０における融着した導電性フィラー５２による接続部を模式的に示す概略断面図である。
【００３０】
図２に示されるように、導電性接着剤５０は、エポキシ樹脂などの樹脂成分５１に、接着時の熱により溶融してリードフレーム３０の母材に融着する導電性フィラー５２が含有されてなる融着型の導電性接着剤である。
【００３１】
このような融着型の導電性接着剤５０は、一般的なものであり、具体的には、金属フィラーとして、１５０℃〜２００℃程度の接着時の熱によりリードフレーム３０の母材に融着して金属結合する導電性フィラー５２ａが含有されてなるものである。
【００３２】
そのような導電性接着剤５０としては、たとえば融着する金属製の導電性フィラー５２ａとして、Ｓｎ（すず）、Ｉｎ（インジウム）のフィラーを含有するものであり、さらに、導電経路の形成を担う導電性フィラー５２ｂとして、融着する金属製の導電性フィラー５２ａよりも高融点であるＡｇのフィラーを含有するものが典型的である。ここで、上記融着を促進するために、各導電性フィラー５２ａ、５２ｂとしては、たとえば平均粒径が数十ｎｍ〜数百ｎｍのナノメータサイズの小さいものが望ましい。
【００３３】
この場合、比較的低融点であるＳｎおよびＩｎのフィラー５２ａが接着時の熱により溶融してリードフレーム３０の母材に金属結合するものであり、比較的高融点であるＡｇのフィラー５２ｂは、一般的な導電性接着剤と同様、樹脂成分５１の内部で互いに接触して導電経路を形成するものである。
【００３４】
そして、たとえば、リードフレーム３０の母材がＣｕの場合、Ｃｕと上記した融着を行う導電性フィラー５２ａとの間で、Ｃｕ−Ｓｎ合金や、Ｃｕ−Ｓｎ−Ｉｎ合金を形成することにより、導電性フィラー５２ａの融着による金属結合がなされるようになっている。
【００３５】
このような融着型の導電性接着剤５０を用いることで、図２に示されるように、導電性フィラー５２が母材に融着することにより、リードフレーム３０の他端３２側と基板１０とが電気的および機械的に固定されている。
【００３６】
具体的には、図２に示されるように、リードフレーム３０と基板１０との間では、導電性接着剤５０の樹脂成分５１による機械的接続が行われるとともに、この樹脂成分５１中に含有される導電性フィラー５２による電気的接続が行われている。
【００３７】
具体的には、リードフレーム３０の他端３２側の表面に露出する母材（たとえば銅）に対して、導電性接着剤５０中の低融点の導電性フィラー５２ａであるＳｎやＩｎのフィラーが融着して金属結合している。
【００３８】
また、ここでは基板１０に対しても当該低融点の導電性フィラー５２ａが融着している。上述のように基板１０の接続部分は、一般的なものと同様、銀や銅などよりなる電極部であり、リードフレーム３０側と同様、低融点の導電性フィラー５２ａによる融着が発生する。
【００３９】
そして、リードフレーム３０に融着したフィラー５２ａと基板１０に融着したフィラー５２ａとの間には、主として高融点であるＡｇよりなる導電性フィラー５２ｂが介在し、このＡｇフィラー５２ｂ同士の接触による導電経路が形成されている。こうして、リードフレーム３０の他端３２側と基板１０とは、導電性接着剤５０を介して電気的および機械的に固定されている。
【００４０】
また、図１（ａ）に示されるように、本実施形態の電子装置においては、基板１０の一面１１上に、さらに他の電子部品６０、７０が搭載されている。この他の電子部品６０、７０としては、一般的なチップコンデンサ、抵抗、ＩＣチップなどの表面実装部品が適用される。
【００４１】
図１では、他の電子部品として、一般的なダイマウント材６１を介して実装されたチップコンデンサ６０、および、一般的なダイマウント材７１およびボンディングワイヤ７２を介して実装されたＩＣチップ７０が表されている。そして、当然ながら、これら他の電子部品６０、７０もモールド樹脂４０で封止されている。
【００４２】
さらに、図１（ａ）に示されるように、基板１０の一面１１とは反対側の板面である他面１２には、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂などよりなる接着剤８１を介してヒートシンク８０が接続されている。
【００４３】
そして、このヒートシンク８０における基板１０側とは反対側の面は、モールド樹脂４０から露出する状態で、これら基板１０、基板１０の一面１１上の各電子部品２０、６０、７０、リードフレーム３０、およびヒートシンク８０が、モールド樹脂４０により封止されている。
【００４４】
ここで、ヒートシンク８０はＣｕまたはＦｅ系の材料であり、上記各電子部品２０、６０、７０および基板１０にて発生する熱は、ヒートシンク８０におけるモールド樹脂４０から露出する面にて放熱されるようになっている。
【００４５】
そして、このような本実施形態の電子装置は、基板１０に各電子部品２０、６０、７０を実装し、ヒートシンク８０を取り付けた後、これをモールド樹脂４０で封止することで製造される。
【００４６】
ところで、本実施形態によれば、モールド樹脂４０で封止されるリードフレーム３０の部分は、表面にめっきが存在せず母材が露出したものであるため、モールド樹脂４０との密着性に優れる。
【００４７】
そもそも、リードフレーム３０に用いられる銅やりん青銅あるいは４２アロイなどの母材は、モールド樹脂４０の材料であるエポキシ樹脂などと元来、密着性に優れるものであるため、モールド樹脂４０との密着性が向上し、樹脂剥離の発生確率が減少する。さらに、リードフレーム３０は通常、圧延加工により形成される板材よりなるが、母材そのものの凹凸（たとえば圧延筋など）の影響によって、モールド樹脂４０との間に物理的なアンカー効果が発生し密着力が向上する。
【００４８】
また、母材が露出するリードフレーム３０については、当該母材表面に形成される酸化膜等により、はんだ濡れ性が小さくなり、はんだ付けが行いにくいものとなるが、本実施形態では、融着型の導電性接着剤５０を用いることで、導電性フィラー５２が溶融して当該母材と金属結合するため、適切に基板１０との接続が行える。
【００４９】
よって、本実施形態によれば、リードフレーム３０とモールド樹脂４０との剥離を抑制しつつ、リードフレーム３０と基板１０との接続を確保することができる。そして、当該剥離が無い状態では、リードフレーム３０と基板１０との接続部はモールド樹脂４０に保護され、大きな応力を受けることは無く、信頼性を考慮しても問題ない構造となる。
【００５０】
また、仮に、剥離が発生したとしても、その剥離の進展速度が遅くなるため、上記接続部へ到達するまでの寿命を延ばすことができ、上記接続部のクラックまでの時間を確保できる。
【００５１】
実際に、リードフレーム３０に対して、はんだめっき（Ｓｎめっき）有り、無しの両方で耐久試験を実施した結果では、はんだめっき有りの場合、−４０℃と１２５℃とで１０００サイクルの冷熱サイクルにおいて、はんだめっきの部位にて上記剥離が生じクラックが発生することで、抵抗値の上昇がみられたが、はんだめっき無しで母材を露出させた本実施形態の場合、−４０℃と１２５℃とで３０００サイクルの冷熱サイクルにおいても、抵抗値の上昇は見られなかった。
【００５２】
（第２実施形態）
図３は、本発明の第２実施形態に係る電子装置としてのモールドＨＩＣの要部の概略断面構成を示す図である。本実施形態は、上記第１実施形態に比べて、リードフレーム３０の他端３２側の表面、すなわち母材表面に凹凸３０ａを形成したことが相違するものである。
【００５３】
図３に示されるように、本実施形態では、リードフレーム３０の他端３２側において露出している母材の表面は、リードフレーム３０形成後の処理によって凹凸３０ａが形成されたものとされている。図３の例では、リードフレーム３０の表面全体、すなわち、ここでは母材表面全体に凹凸３０ａを形成している。
【００５４】
具体的には、圧延加工などによりリードフレーム３０を形成した後、リードフレーム３０の表面に、サンドブラストなどの粗化処理、スタンピング処理などの物理的手法、黒化処理などの化学的手法等を施し、当該表面を粗化する。
【００５５】
これにより、当該凹凸３０ａによるアンカー効果が発揮されることで、モールド樹脂４０との密着力が格段に向上することが期待されるため、上記剥離をなくし、信頼性がさらに向上する。
【００５６】
また、図４は本第２実施形態の他の例である電子装置としてのモールドＨＩＣの要部の概略断面構成を示す図である。
【００５７】
上記図３の例では、リードフレーム３０の表面全体に凹凸３０ａを形成していたが、この図４の例では、折り曲げられた形状をなすリードフレーム３０の他端３２側のうち曲げられた部位であるコーナー部３０ｂのみに、凹凸３０ａを形成している。リードフレーム３０のうちコーナー部３０ｂは、コーナーではない部分と比べ応力集中が大きいため、コーナー部３０ｂのみに凹凸３０ａを形成しても樹脂剥離防止の効果は大きい。
【００５８】
（第３実施形態）
図５は、本発明の第３実施形態に係る電子装置としてのモールドＨＩＣの概略断面構成を示す図である。
【００５９】
ここでは、図５に示されるように、アンダーフィル９０をリードフレーム３０の他端３２側と基板１０との接続部、具体的には、導電性接着剤５０の表面と、リードフレーム３０の他端３２側および基板１０のうち導電性接着剤５０に隣り合う部位を、アンダーフィル９０で被覆している。
【００６０】
このアンダーフィル９０は、ＩＣ分野にて一般に用いられるエポキシ樹脂やシリコーン樹脂などよりなるものであり、基板１０の一面１１上にリードフレーム３０および導電性接着剤５０を介して電子部品２０を接続した後、モールド樹脂４０で封止する前に、ディスペンサなどを用いた注入により配置される。
【００６１】
この場合、リードフレーム３０の他端３２側と基板１０との接続部がアンダーフィル９０により機械的に補強される。そのため、電子部品２０であるコイルを、リードフレームを介して基板１０上に実装した後、モールド樹脂４０による封止を行うまでの間に行われる工程、たとえばワイヤボンディングなどの工程にて加わる熱による当該接続部の剥離等を防止するという点で効果的である。
【００６２】
また、図６は、本第３実施形態の他の例である電子装置としてのモールドＨＩＣの概略断面構成を示す図である。この例に示されるように、さらに、電子部品２０の下部全体、すなわち電子部品２０と基板１０の一面１１との隙間全体を埋めるように、アンダーフィル９０を設けてもよい。
【００６３】
電子部品２０の下部は、モールド樹脂４０の成形時に当該樹脂の流れ性が悪い部分であるが、本例のように、この電子部品２０の下部に予めアンダーフィル９０を充填しておくことで、モールド樹脂４０の成形時におけるボイドの発生を回避することができる。なお、本実施形態は、上記第２実施形態に示した凹凸３０ａを有するリードフレーム３０の場合に対しても、組み合わせて適用できることはもちろんである。
【００６４】
（第４実施形態）
図７は、本発明の第４実施形態に係る電子装置としてのモールドＨＩＣの概略断面構成を示す図である。
【００６５】
本実施形態は、図７に示されるように、モールド樹脂４０と電子部品２０およびリードフレーム３０の他端３２側全体との間に、オーバーコート樹脂１００を介したものである。このようなオーバーコート樹脂１００は、ポリアミドイミド系の樹脂やシリコーン樹脂などであり、モールド樹脂４０との密着性を向上させるものである。
【００６６】
具体的には、基板１０の一面１１上にリードフレーム３０および導電性接着剤５０を介して電子部品２０を接続した後、モールド樹脂４０で封止する前に、ディスペンサなどを用いた塗布により、オーバーコート樹脂１００が配置される。
【００６７】
それによれば、リードフレーム３０との密着力だけではなく、電子部品２０とモールド樹脂４０との密着力も向上するため、電子部品２０から来る剥離の進展を防止でき、結果、寿命の向上が期待できる。
【００６８】
（他の実施形態）
なお、電子部品２０としては、リードフレーム３０の一端３１が当該電子部品２０に接続され、他端３２側が当該電子部品１０から突出し基板１０に接続されることで、当該リードフレーム３０を介して基板１０に接続されるものであればよく、たとえば上記特許文献１に記載されているようなＳＯＪ、またはＱＦＪやＳＯＰやＱＦＰなどのモールドパッケージなどであってもよい。
【００６９】
ここで、上記各実施形態のコイル２０やＳＯＪあるいはＱＦＪの場合には、リードフレーム３０の他端３２側が電子部品２０の下側に入り込むように曲げられた形状を成すものであるため、電子部品２０およびリードフレーム３０の基板１０の一面１１上における搭載面積が小さいものにできるという利点がある。
【００７０】
また、上記各実施形態の場合、リードフレームは、その全体が当該リードフレームを構成する母材が露出する構成のものであったが、リードフレームとしては、電子部品から突出する他端側の全体が母材を露出したものであればよく、電子部品と接続される一端側は、めっき処理されたものであってもよい。
【００７１】
たとえば、電子部品が上記したモールドパッケージである場合には、リードフレームの一端はモールドパッケージ内に入り込んで、ワイヤボンディングなどによりモールドパッケージに接続される。この場合、リードフレームのうち当該モールドパッケージより突出する他端側の全体は母材が露出する必要があるが、モールドパッケージに入り込んでいる一端側の部位では、ワイヤボンディングなどのためにめっきが施されているものであってもよいことは明らかである。
【符号の説明】
【００７２】
１０    基板
１１    基板の一面
２０    電子部品
３０    リードフレーム
３０ａ  凹凸
３０ｂ  コーナー部
３１    リードフレームの一端
３２    リードフレームの他端
４０    モールド樹脂
５０    導電性接着剤
５２    導電性フィラー
【図１】
2012222220.tif 000003
【図２】
2012222220.tif 000004
【図３】
2012222220.tif 000005
【図４】
2012222220.tif 000006
【図５】
2012222220.tif 000007
【図６】
2012222220.tif 000008
【図７】
2012222220.tif 000009