(57)【要約】【課題】二次電池の状態情報の信頼性を向上させ高精度な状態情報管理を実現する。【解決手段】充放電可能な二次電池（２００）と負荷（３００）との間に接続された保護モジュール（１００）において、前記二次電池（２００）と前記負荷（３００）との間に接続されたスイッチ素子のオン／オフを制御して前記二次電池を過充電、過放電から保護する保護手段（１１８）と、前記二次電池（２００）の状態情報と、前記二次電池（２００）の状態を検出するための閾値情報とが記録された記録手段（１２２）と、前記二次電池（２００）の状態を監視する状態監視手段（１１７）とを有し、前記状態監視手段（１１７）は、前記記録手段（１２２）に前記二次電池（２００）の状態情報を格納する複数の領域を設定し、前記状態情報と、最新の状態情報であることを示すフラグ情報とを、前記複数の領域の何れか１つに格納することにより、上記課題を解決する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
充放電可能な二次電池と負荷との間に接続された保護モジュールにおいて、
前記二次電池と前記負荷との間に接続されたスイッチ素子のオン／オフを制御して前記二次電池を過充電、過放電から保護する保護手段と、
前記二次電池の状態情報と、前記二次電池の状態を検出するための閾値情報とが記録された記録手段と、
前記二次電池の状態を監視する状態監視手段とを有し、
前記状態監視手段は、
前記記録手段に前記二次電池の状態情報を格納する複数の領域を設定し、前記状態情報と、最新の状態情報であることを示すフラグ情報とを、前記複数の領域の何れか１つに格納することを特徴とする保護モジュール。
【請求項２】
前記状態監視手段は、
前記状態情報に含まれる複数の状態項目から選択された状態項目に対して前記フラグ情報を設定することを特徴とする請求項１に記載の保護モジュール。
【請求項３】
前記選択された状態項目は、複数のグループからなり、
前記状態監視手段は、前記グループ毎に前記フラグ情報を設定することを特徴とする請求項２に記載の保護モジュール。
【請求項４】
前記複数の領域は、３つ以上の領域を有し、
前記状態監視手段は、前記３つ以上の領域から得られる時系列の状態情報に基づいて、前記二次電池の劣化度を取得することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の保護モジュール。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れか１項に記載された保護モジュールにおける状態情報管理方法において、
前記二次電池の状態を監視する状態監視ステップと、
前記二次電池における状態情報を前記記録手段に記録する状態情報記録ステップとを有し、
前記状態監視ステップは、
前記記録手段に前記二次電池の状態情報を格納する複数の領域を設定し、前記状態情報記録ステップに対し、前記状態情報と、最新の状態情報であることを示すフラグ情報とを、前記複数の領域の何れか１つに格納させることを特徴とする状態情報管理方法。
【請求項６】
前記状態監視ステップは、
前記状態情報に含まれる複数の状態項目から選択された状態項目に対して前記フラグ情報を設定することを特徴とする請求項５記載の状態情報管理方法。
【請求項７】
前記選択された状態項目は、複数のグループからなり、
前記状態監視手段は、前記グループ毎に前記フラグ情報を設定することを特徴とする請求項６に記載の状態情報管理方法。
【請求項８】
前記複数の領域は、３つ以上の領域を有し、
前記状態監視ステップは、前記３つ以上の領域から得られる時系列の状態情報に基づいて、前記二次電池の劣化度を取得することを特徴とする請求項５乃至７の何れか１項に記載の状態情報管理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、保護モジュール及び該保護モジュールにおける状態情報管理方法に係り、特に二次電池の状態情報の信頼性を向上させ、高精度な状態情報管理を実現するための保護モジュール及び該保護モジュールにおける状態情報管理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、携帯機器や充電回路等に対して電力を供給するために、リチウムイオン二次電池やニッケル水素電池等に代表される二次電池が知られている。このような二次電池は、例えば、現在貯蓄されている充電量とその二次電池の容量（バッテリ容量）との比であるＳＯＣ（残存容量（Ｓｔａｔｅ  Ｏｆ  Ｃｈａｒｇｅ））を随時算出し、算出されたＳＯＣ値に基づいて、二次電池の充放電の制御を行っている。
【０００３】
また、従来では、携帯機器や充電回路等の使用上の安全性を向上させるために、二次電池の状態を把握することが求められている。もし、二次電池の状態を正確に把握できれば、例えば使用者に対して適切なタイミングで二次電池の充電等を促す通知や、二次電池の異常を知らせる通知等を行うことができる。そのため、二次電池の充放電時における状態情報（ログ情報）としてメモリ等の記録手段に蓄積しておくことが望まれている。
【０００４】
ここで、上述したログ情報をメモリ等に書込む場合には、書き換え可能なメモリに対して所定のデータを記録している最中に電源供給が断たれると、現在処理中のデータが破壊されてしまったり、消去されてしまう可能性がある。そこで、従来では、書込み中に電源遮断が発生しても管理情報を保持し、データ本体については書込み開始直前の状態を保持することができるファイルシステムが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００５】
上述した特許文献１に示す手法では、第１のファイル及び第１のファイルをコピーした第２のファイルのデータ本体を格納するデータ領域と、記憶装置内におけるデータ本体の配置を管理する管理領域と、第１のファイル及び第２のファイルのうち、最新の書込みが行われたのはどちらのファイルであるかを示すフラグ情報を格納する領域とを備え、ファイルを新規作成する場合には、管理領域に第１のファイル及び第２のファイルの配置に関する情報を作成し、データ領域に第１のファイル及び第２のファイルを生成すると共に、フラグ情報には、最新の書込みが行われたのはどちらのファイルであるかを記憶しておく仕組みが示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１３３５３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、二次電池の充放電時におけるログ情報の種類としては、例えば容量保持率や再充電回数、充放電時間、サイクル数、ＳＯＣ等、多種にわたる。また、近年では、過去数回分の複数のログ情報を用いて二次電池の劣化度等を解析する必要性も生じている。
【０００８】
しかしながら、特許文献１に示される手法では、第１のファイル及び第２のファイルの何れかのファイルのみに直前のデータが記録されているだけである。そのため、特許文献１に示すような従来手法では、過去数回の履歴情報を用いた解析等ができない。
【０００９】
また、二次電池の充放電時におけるログ情報は、複数のログ情報同士が関連しているものもあり、その場合には複数のログ情報を同時に復旧させる必要もあるが、特許文献１に示すような従来手法では、複数のログ情報を関連付けて適切に復旧させる手法等については開示されていない。
【００１０】
したがって、本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであり、二次電池の状態情報の信頼性を向上させ高精度な状態情報管理を実現するための保護モジュール及び該保護モジュールにおける状態情報管理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述した課題を解決するために、本発明は、以下の特徴を有する課題を解決するための手段を採用している。
【００１２】
本発明は、充放電可能な二次電池（２００）と負荷（３００）との間に接続された保護モジュール（１００）において、前記二次電池（２００）と前記負荷（３００）との間に接続されたスイッチ素子のオン／オフを制御して前記二次電池を過充電、過放電から保護する保護手段（１１８）と、前記二次電池（２００）の状態情報と、前記二次電池（２００）の状態を検出するための閾値情報とが記録された記録手段（１２２）と、前記二次電池（２００）の状態を監視する状態監視手段（１１７）とを有し、前記状態監視手段（１１７）は、前記記録手段（１２２）に前記二次電池（２００）の状態情報を格納する複数の領域を設定し、前記状態情報と、最新の状態情報であることを示すフラグ情報とを、前記複数の領域の何れか１つに格納することを特徴とする。
【００１３】
また本発明は、上述した保護モジュール（１００）における状態情報管理方法において、前記二次電池（２００）の状態を監視する状態監視ステップと、前記二次電池（２００）における状態情報を前記記録手段（１２２）に記録する状態情報記録ステップとを有し、前記状態監視ステップは、前記記録手段（１２２）に前記二次電池の状態情報を格納する複数の領域を設定し、前記状態情報記録ステップに対し、前記状態情報と、最新の状態情報であることを示すフラグ情報とを、前記複数の領域の何れか１つに格納させることを特徴とする。
【００１４】
なお、上記参照符号は、あくまでも参考であり、これによって、本願発明が図示の態様に限定されるものではない。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、二次電池の状態情報の信頼性を向上させ、高精度な状態情報管理を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本実施形態における監視機能付き保護モジュールの一構成例を示す図である。
【図２】本実施形態における監視機能付き保護モジュールの有するＣＰＵの機能構成を説明する図である。
【図３】書き換え可能不揮発性メモリに格納される情報の一例を示す図である。
【図４】本実施形態におけるログ情報の一例を示す図である。
【図５】正常更新ログマップ一覧の一例を示す図である。
【図６】本実施形態におけるログ記録フォーマットの一例について説明するための図である。
【図７】メモリにログ情報を格納する場合における状態遷移の一例を示す図である。
【図８】本実施形態における状態情報管理処理手順の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
＜本発明について＞
本発明は、例えば充放電可能な二次電池と、携帯機器や充電回路等の負荷との間に接続された監視機能付き保護モジュール等において、二次電池に対する状態情報（ログ情報）を書き換え可能メモリ等の記録手段に記録する際、電源供給が断たれる等の理由により書き換え可能メモリに記録中のデータ等が破壊されたり消去された場合等に、そのデータを所定の手段により復旧することで、二次電池に対する状態を高精度に管理する。
【００１８】
具体的には、まず、記録すべき１つのデータに対して複数箇所の記録場所（例えば、領域Ａ及び領域Ｂ等）を用意する。そして、データを記録（更新）する場合には、領域Ａと領域Ｂとを交互に利用する。つまり、１回目のデータ記録の際には領域Ａにのみ記録し、２回目のデータ記録の際には領域Ｂにのみ記録する。また、３回目は領域Ａに記録、４回目は領域Ｂに記録、といったように交互に最新データで記録（更新）していく。なお、記録する際には、例えば二次電池の充放電時や負荷開放時等におけるログ情報の種類（例えば、容量保持率や再充電回数、充放電時間、サイクル数、ＳＯＣ、温度値等）毎に記録する。
【００１９】
上述したように、記録すべき１つのデータに対して記録場所を２箇所用意して、データを記録する場合には、領域Ａと領域Ｂとを交互に利用するため、１つのデータに対する書き換え可能回数を見た目上、メモリの物理的制限回数の２倍に増やすことが可能となる。
【００２０】
また本発明では、領域Ａ，領域Ｂの何れか一方のデータが、例えば破壊された等の理由により異常であると判断された場合に、もう一方の正常なデータを用いてデータを復旧させる。なお、データを復旧させる場合には、上述したログ情報の種類毎又は予め設定された複数種類のログ情報からなるロググループ毎に復旧を行うこともできる。
【００２１】
また本発明では、３つ以上の記録場所（例えば領域Ａ，領域Ｂ，領域Ｃ等）を設け、それぞれの領域を所定の基準に基づいて巡回させて記録することで、過去数回分のログ情報を蓄積することができ、その蓄積されたログ情報に基づいて二次電池の劣化等の解析を高精度に行うことができる。
【００２２】
以下に、上述した特徴を実現するための本発明における保護モジュール及び該保護モジュールにおける状態情報管理方法を好適に実施した形態について図面等を用いて説明する。なお、以下に示す保護モジュールの一例として、二次電池の充放電を監視し、その二次電池の充放電における履歴情報を管理する監視機能付き保護モジュールを用いて説明するが、本発明においてはこれに限定されるものではない。
【００２３】
＜保護モジュールの構成例＞
まず、本実施形態における監視機能付き保護モジュールについて図を用いて説明する。図１は、本実施形態における監視機能付き保護モジュールの一構成例を示す図である。図１に示す監視機能付き保護モジュール１００（以下、「保護モジュール１００」という）は、電源としての二次電池２００と、負荷としての携帯機器３００との間に接続される。なお、本発明においてはこれに限定されるものではなく、例えば携帯機器３００の代わりに充電回路等であってもよい。
【００２４】
保護モジュール１００において、端子Ｔ１は、二次電池２００の正極と接続され、端子Ｔ２は、二次電池２００の負極と接続される。また、保護モジュール１００において、端子Ｐ１は、携帯機器３００の正極と接続され、端子Ｐ２は、携帯機器３００の負極と接続される。更に、保護モジュール１００において、端子Ｐ３は、携帯機器３００との各種データの送受信等を行うための通信用の端子である。
【００２５】
ここで、本実施形態における保護モジュール１００は、トリミング回路１１０と、基準クロック生成部１１１と、基準電源生成部１１２と、温度検出部１１３と、電圧検出部１１４と、電流検出部１１５と、ＡＤＣ（Ａｎａｌｏｇ  ｔｏ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）１１６と、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）１１７と、充放電保護部１１８と、通信Ｉ／Ｆ（Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）１１９と、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）１２０と、ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）１２１と、書き換え可能不揮発性メモリ１２２と、タイマ１２３とを有する。また、保護モジュール１００は、端子Ｔ２と端子Ｐ２との間に接続された抵抗Ｒ１、トランジスタＭ１、Ｍ２を有する。
【００２６】
トリミング回路１１０は、ＣＰＵ１１７からの制御信号に基づいて、基準クロック生成部１１１に対してクロック周波数制御信号を出力し、内部クロック信号の周波数を制御する。また、トリミング回路１１０は、ＣＰＵ１１７からの制御信号に基づいて、基準電源生成部１１２に対して電圧制御信号を出力して、基準電源生成部１１２から出力される電圧レベルを設定する。
【００２７】
基準クロック生成部１１１は、トリミング回路１１０からのクロック周波数制御信号により、保護モジュール１００内の基準クロック信号を生成し、生成した基準クロック信号をＣＰＵ１１７に出力する。
【００２８】
基準電源生成部１１２は、トリミング回路１１０からの電圧制御信号により、保護モジュール１００内の電圧レベルを設定し、設定されたレベルの電圧をＡＤＣ１１６に出力する。
【００２９】
温度検出部１１３は、二次電池２００の温度を検出し、検出した温度をＡＤＣ１１６に出力する。電圧検出部１１４は、二次電池２００の正極及び負極と接続された電圧検知端子を介して二次電池２００の出力電圧を検出し、検出した電圧値をＡＤＣ１１６に出力する。電流検出部１１５は、電流検出用の抵抗Ｒ１の両端に接続される電流検知端子を介して、抵抗Ｒ１に流れる電流、即ち、二次電池２００の充放電電流を検出し、検出した充放電電流値をＡＤＣ１１６に出力する。
【００３０】
ＡＤＣ１１６は、基準電源生成部１１２により得られる基準電源を用いて、温度検出部１１３、電圧検出部１１４、電流検出部１１５から出力された信号をアナログからデジタルに変換する。また、ＡＤＣ１１６は、変換した各種デジタルデータをＣＰＵ１１７に出力する。
【００３１】
ＣＰＵ１１７は、本実施形態において、二次電池２００の状態を監視する状態監視手段としての機能を有する。具体的には、ＣＰＵ１１７は、例えば温度検出部１１３、電圧検出部１１４、電流検出部１１５等からの各出力に基づき、二次電池２００の電圧算出、二次電池２００の充放電電流の算出、二次電池２００の残容量の算出、二次電池２００の状態の検出、二次電池２００の充放電時や負荷開放時等における状態情報（ログ情報）の蓄積、管理、復旧等の制御を行う。なお、ＣＰＵ１１７の機能の詳細については、後述する。
【００３２】
充放電保護部１１８は、スイッチ素子としてのトランジスタＭ１、Ｍ２のオン／オフを制御して二次電池２００を過充電、過放電から保護する。充放電保護部１１８は、トランジスタＭ１、Ｍ２のそれぞれのゲートに接続される端子Ｄ１，端子Ｃ１を有する。充放電保護部１１８は、二次電池２００の過放電或いは過電流を検出したとき端子Ｄ１の出力をローレベルとしてトランジスタＭ１を遮断する。また、充放電保護部１１８は、図示しない過充電検出手段により二次電池２００の過充電が検出されたとき、端子Ｃ１の出力をローレベルとしてトランジスタＭ２を遮断する。なお、本実施形態の充放電保護部１１８は、ＣＰＵ１１７からの指示を受けてトランジスタＭ１、Ｍ２のオン／オフを制御してもよい。
【００３３】
通信Ｉ／Ｆ１１９は、通信用の端子Ｐ３を介して携帯機器３００との通信を行う。ＲＯＭ１２０は、ＣＰＵ１１７が機能を実現させるために実行するプログラムが格納される。ＲＡＭ１２１は、ＣＰＵ１１７の処理結果のデータ等が一時的に格納される。
【００３４】
書き換え可能不揮発性メモリ１２２は、温度検出部１１３により検出された温度、電圧検出部１１４により検出された電圧値、電流検出部１１５によって検出された電流値等が格納される。また、本実施形態の書き換え可能不揮発性メモリ１２２は、二次電池２００の充放電時や負荷開放時等における状態等を示すログ情報が格納される。更に、書き換え可能不揮発性メモリ１２２には、二次電池２００の状態を判定するための各種の閾値の情報が格納される。なお、書き換え可能メモリ１２２については、二次電池２００からの給電が遮断されても、その既に記録されている内容は保持される。本実施形態の書き換え可能不揮発性メモリ１２２は、例えばＥＰＲＯＭ（Ｅｒａｓａｂｌｅ  Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ  ＲＯＭ）等により実現される。
【００３５】
また、タイマ１２３は、保護モジュール１００全体の動作に対する時間の管理を行う。タイマ１２３は、システムクロックをカウントし、そのカウント値はＣＰＵ１１７に参照される。例えば、電圧算出結果や電流算出結果等をメモリ１２２等に記録する際の時間情報を蓄積したり、充電開始時又は放電開始時からの経過時間等を管理する。
【００３６】
また、二次電池２００は、上述したように、例えばリチウムイオン電池、ニッケル水素電池、電気二重層キャパシタ等の二次電池からなる。二次電池２００は、携帯機器３００の電源であって保護モジュール１００の電源でもある。なお、温度検出部１１３、電圧検出部１１４、電流検出部１１５については、それらの回路構成に応じて、二次電池２００からの給電が必要となることがある。温度検出部１１３、電圧検出部１１４、電流検出部１１５、ＡＤＣ１１６、及びＣＰＵ１１７は、二次電池２００の電池状態を検知する状態検知部として機能する。
【００３７】
また、保護モジュール１００に接続される携帯機器３００は、例えば人が携帯可能な外部電子機器である。具体的には、携帯機器３００は、例えば携帯電話、ＰＤＡ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔ）やモバイルパソコン等の情報端末装置、カメラ、ゲーム機、音楽やビデオ等のプレイヤ等が挙げられる。つまり、本実施形態の携帯機器３００として、例えば携帯電話、音楽再生装置、デジタルカメラ、携帯情報端末（ＰＤＡ）、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）プレイヤ、ノート型パーソナルコンピュータ、電動工具、ＰＯＳ（Ｐｏｉｎｔ  ｏｆ  ｓａｌｅ）端末、無線機等が適用可能である。
【００３８】
保護モジュール１００は、携帯機器３００に内蔵されたり、外付けされたりする。携帯機器３００は、通信Ｉ／Ｆ１１９から取得した電池状態情報に基づいて、その電池状態情報に応じた所定の動作を行う。更に、携帯機器３００は、例えば、電池状態情報をディスプレイ等の表示部に表示させたり（例えば、二次電池２００の残量情報、劣化情報、交換時期情報等の表示）、電池状態情報に基づいて自身の動作モードを、例えば「通常消費電力モード」から「低消費電力モード」に変更することもできる。
【００３９】
＜ＣＰＵ１１７の機能について＞
次に、上述したＣＰＵ１１７の本実施形態における具体的な機能等について図を用いて説明する。図２は、本実施形態における監視機能付き保護モジュールの有するＣＰＵの機能構成を説明する図である。
【００４０】
図２に示すように、ＣＰＵ１１７は、電流値取得部１３１と、電圧値取得部１３２と、温度値取得部１３３と、満充電検出部１３４と、残容量検出部１３５と、閾値設定部１３６と、項目設定部１３７と、演算処理部１３８と、異常状態検出部１３９と、記録制御部１４０と、省電力制御部１４１と、充放電制御部１４２と、通信部１４３と、ログ情報復旧部１４４と、劣化度管理部１４５とを有するよう構成されている。
【００４１】
電流値取得部１３１は、電流検出部１１５が検出した電流値を取得する。電圧値取得部１３２は、電圧検出部１１４が検出した電圧値を取得する。温度値取得部１３３は、温度検出部１１３が検出した温度値を取得する。
【００４２】
満充電検出部１３４は、電流値取得部１３１により取得された電流値、電圧値取得部１３２により取得された電圧値等に基づき二次電池２００の満充電を検出する。具体的には、満充電検出部１３４は、例えば、充電開始直前の電圧値（開放電圧）と充電終了時点から所定時間経過時の電圧値とに基づいて、二次電池２００の満充電容量を算出する。すなわち、満充電検出部１３４は、充電開始直前の電圧値と、予め設定された「開放電圧−充電率」特性とに基づいて、充電開始直前の充電率を算出すると共に、充電終了時点から所定時間経過時の電圧値と「開放電圧−充電率」特性とに基づいて、充電終了時点から所定時間経過時の充電率を算出する。
【００４３】
そして、満充電検出部１３４は、満充電容量をＦＣＣ［ｍＡｈ］、充電開始直前の充電率をＳＯＣ１［％］、充電終了時点から所定時間経過時の充電率をＳＯＣ２［％］、充電開始時点から充電終了時点までの充電期間において充電された電気量をＱ［ｍＡｈ］とすると、演算式（１）に基づいて、二次電池２００の満充電容量ＦＣＣを算出することができる。
ＦＣＣ＝Ｑ／｛（ＳＯＣ２−ＳＯＣ１）／１００｝  ・・・（１）
なお、ＳＯＣ１やＳＯＣ２は、温度補正されたものであれば、より正確な値が算出され得る。また、充電終了時点から所定時間経過時の電池電圧を用いることによって、充電終了時点よりも安定した電池電圧を演算に反映して演算結果の精度を高めることができる。
【００４４】
残容量検出部１３５は、電流値取得部１３１により取得された電流値、又は電圧値取得部１３２により取得された電圧値等により、二次電池２００の残容量を残量データとして検出する。
【００４５】
具体的には、残容量検出部１３５は、上述のように得られた充電率及び満充電容量に基づいて、「残容量＝満充電容量×充電率」により二次電池２００の残容量を算出することができる。
【００４６】
閾値設定部１３６は、後述する書き換え可能不揮発性メモリ１２２に格納された閾値情報５００から、異常状態の検出等に用いる閾値を選択して設定する。
【００４７】
項目設定部１３７は、ログ情報として取得する状態項目を設定したり、記録すべき１つのデータに対する記録場所の数、ログ情報のグループ設定等を行う。また、項目設定部１３７は、書き換え可能不揮発性メモリ１２２に記録された状態情報（ログ情報等）から二次電池２００の状態を把握するために用いる情報の項目を設定する。
【００４８】
なお、閾値設定部１３６、項目設定部１３７により設定される閾値及び項目は、例えば携帯機器３００からの指示により選択することができる。
【００４９】
演算処理部１３８は、例えば電流値取得部１３１により取得された電流値、電圧値取得部１３２により取得された電圧値、温度値取得部１３３により取得された温度値、残容量検出部１３５で検出された残容量等を用いて、状態情報を得るための各種演算処理等を行う。
【００５０】
異常状態検出部１３９は、上述したログ情報の記録中に電源供給が断たれる等の理由により書き換え可能不揮発性メモリ１２２に記録したデータが破壊された場合に異常を検出する。なお、記録中に電源が遮断される原因としては、例えば落雷や内部ショート、電源不良、人為的な電源ＯＦＦ操作等がある。
【００５１】
また、異常状態検出部１３９は、演算処理部１３８により求められた状態情報と、閾値設定部１３６により設定され書き換え可能不揮発性メモリ１２２に記録された閾値とに基づき、劣化等により状態が異常か否かを検出することもできる。この場合には、例えば、二次電池２００の充電又は過充電による温度上昇や、高温状態で長時間放置された場合、放電時（携帯機器３００の使用時）に温度異常があった場合、充電がタイムアウトとなった場合、更には残容量と充電容量との和が満充電容量よりも大きくなった場合等により異常か否かを検出することもできる。
【００５２】
記録制御部１４０は、上述した各機能構成等により得られるログ情報を、例えば書き換え可能不揮発性メモリ１２２に設定された複数の記録場所の１つに格納する。ここで、書き換え可能不揮発性メモリ１２２に記録される情報とは、例えば電流値、電圧値、温度、ＳＯＣ、各種検出回数、各種検出時間、演算処理部１３８により算出された各種の状態情報、異常状態検出部１３９により異常状態が検出された時刻、回数等が含まれる。
【００５３】
また、記録制御部１４０は、正常なログ情報を記録する際、そのログ情報毎又は予め設定された複数種類のログ情報からなるロググループ毎に、最新のログ情報であることを示すフラグをセットする。
【００５４】
省電力制御部１４１は、演算処理部１３８の演算処理結果や異常状態検出部１３９による状態の検出結果等に基づき、保護モジュール１００を省電力モードとする制御を行う。
【００５５】
充放電制御部１４２は、演算処理部１３８の演算処理結果や異常状態検出部１３９による状態の検出結果に基づき、充放電保護部１１８へ過充電、過放電等の指示を与える。
【００５６】
通信部１４３は、満充電検出部１３４により満充電が検出された場合や、異常状態検出部１３９により二次電池２００の異常が検出された場合等に携帯機器３００側へ通知を行う。
【００５７】
ログ情報復旧部１４４は、異常状態検出部１３９によりログ情報の記録中に異常があったことを検出した場合に、記録制御部１４０により記録されていた直前のログ情報に基づいてログ情報を復旧する。具体的には、ログ情報復旧部１４４は、直前に正常に更新されたログ情報毎やロググループ毎にセットされているフラグ情報に基づいて、正常な最新のログ情報を構築する。
【００５８】
劣化度管理部１４５は、記録制御部１４０により書き換え可能不揮発性メモリ１２２に記録された状態情報（ログ情報等）の履歴情報から二次電池２００の劣化度を取得する。具体的には、劣化度管理部１４５は、例えば、充電回数や充放電サイクル数、総充電時間、容量保持率等と予め設定された閾値等を比較し、その比較結果を基準に劣化度を取得する。また、劣化度管理部１４５は、劣化の度合いが所定の閾値を超えた場合は、携帯機器３００側に二次電池２００の劣化度を、通信部１４３を介して通知させる機能を有する。
【００５９】
つまり、本実施形態におけるＣＰＵ１１７は、上述した各機能を有することにより、二次電池２００の状態を監視する状態監視手段としての機能を有する。具体的には、ＣＰＵ１１７は、状態監視手段として、記録手段である書き換え可能不揮発性メモリ１２２に対し、例えば二次電池２００の充放電時における状態情報を格納する複数の領域を設定し、状態情報と、最新の書込みが行われたのはどちらかを示すフラグ情報とを、その複数の領域の何れか１つに格納する。なお、本実施形態では、上述した充放電時に限定されるものではなく、例えば温度異常は負荷開放時でも起こり得るため、異常発生等の条件に応じて負荷開放時等における状態情報等を格納することもできる。
【００６０】
また、ＣＰＵ１１７は、状態情報に含まれる複数の状態項目から選択された状態項目に対してフラグ情報を設定することもでき、その選択された状態項目は、複数のグループから構成され、それぞれのグループ毎に上述したフラグ情報を設定することもできる。
【００６１】
なお、本実施形態では、上述した複数の領域は、３つ以上の領域を有していてもよい。その場合には、ＣＰＵ１１７は、その３つ以上の領域から得られる時系列の状態情報（履歴情報）に基づいて、例えば、その時系列の状態情報の差分情報等から誤差を抽出し、更に充放電時の回数等とを用いて、二次電池の劣化度等を取得することができる。
【００６２】
上述したように、本実施形態では、保護モジュール１００に対する高精度な状態情報管理を実現することができる。
【００６３】
＜書き換え可能不揮発性メモリ１２２に格納される情報について＞
次に、本実施形態における書き換え可能不揮発性メモリ１２２に格納される情報の例について、図を用いて説明する。図３は、書き換え可能不揮発性メモリに格納される情報の一例を示す図である。本実施形態の書き換え可能不揮発性メモリ１２２は、二次電池２００の状態に関する情報として、様々な項目の状態情報等が格納され、例えば、図３（Ａ）に示すような状態情報（ログ情報も含む）４００や、図３（Ｂ）に示すような閾値情報５００等が格納される。
【００６４】
図３（Ａ）は、二次電池２００の状態に関する情報の項目の一例を示している。本実施形態の書き換え可能不揮発性メモリ１２２には、図３（Ａ）に示すような項目の状態情報４００が格納される。ここで、図３（Ａ）に示す本実施形態における状態情報４００に含まれる具体的な状態項目としては、例えば、充放電時間、サイクル数、ＳＯＣ、充電過電流検出回数、充電過電流値、過電圧検出回数、過電圧値、高温充電最高温度、放電過電流検出回数、放電過電流値、過放電検出回数、過放電圧値、高温異常検出回数、高温異常値、高温異常検出時間、高温充電回数、低温異常検出回数、低温異常値、低温異常検出時間、低温充電回数、過放電保護回数、放電過電流保護回数、充電過電流保護回数、過充電保護回数、再起動検出回数、保護履歴、初期エラー発生日時、充電開始回数、充電タイムアウト回数、総充電容量、総放電容量、利用開始日時、接続された端末のＩＤ、異常検出（復帰）ログ情報、正常更新ログ情報等が格納される。なお、図３（Ａ）に示す各種項目の種類や順序についてはこれに限定されるものではない。
【００６５】
ここで、上述した状態情報４００には、二次電池２００が装着された端末（携帯機器３００）のＩＤ（識別情報）が含まれる。本実施形態の監視機能付き保護モジュール１００は、通信部１４３により携帯機器３００と通信し、携帯機器３００のＩＤを取得する。そして記録制御部１４０により、このＩＤを書き換え可能不揮発性メモリ１２２に記録する。
【００６６】
本実施形態では、携帯機器３００のＩＤを書き換え可能不揮発性メモリ１２２に記録することで、二次電池２００の異常状態が検出されたときに二次電池２００が搭載されていた携帯機器３００を特定することができる。また、ＩＤ毎に状態情報４００を記録して管理することができる。
【００６７】
また、状態情報４００には、例えば充電時の過電流を検出したときの電流値である充電過電流値、充電時の過電流を検出した回数である充電過電流検出回数、過電圧を検出したときの電圧値である過電圧値、過電圧を検出した回数である過電圧回数等、様々な値が含まれる。
【００６８】
また、状態情報４００に含まれる本実施形態における異常検出（復帰）ログ情報、正常更新ログ情報については後述する。
【００６９】
図３（Ｂ）は、異常状態検出部１３９による二次電池２００の異常状態の検出に用いられる閾値情報の一例を示している。ここで、図３（Ｂ）に示す本実施形態における閾値情報５００に含まれる具体的な閾値項目としては、例えば、過電圧検出閾値、過電圧復帰閾値、過放電検出閾値、過放電復帰閾値、電圧異常検出遅延回数、電流異常検出遅延回数、温度異常検出遅延回数、＋過電流検出閾値、＋過電流復帰閾値、−過電流検出閾値、−過電流復帰閾値、高温異常検出閾値、高温異常復帰閾値、低温異常検出閾値、低温異常復帰閾値、容量劣化閾値、容量劣化閾値幅、内部短絡電流検出閾値、内部短絡電流検査回数、内部短絡充電容量異常検出閾値、充電下限温度、充電上限温度、充電温度復帰幅、予備充電判定閾値、予備充電タイムアウト、急速充電タイムアウト、充電回数カウント用閾値、ログ用充電検出下限、ログ用放電検出下限、抵抗減少差分閾値、抵抗劣化閾値（下限）、抵抗劣化閾値（上限）等が格納される。なお、図３（Ｂ）に示す各種項目の種類や順序についてはこれに限定されるものではない。
【００７０】
つまり、閾値情報５００には、例えば二次電池２００の過電圧を検出するための過電圧検出閾値や過放電を検出するための過放電検出閾値、連続した指定回数の異常値検出で電圧値の異常と判定する電圧異常検出遅延回数、同じく連続した指定回数の異常値検出で電流値の異常と判定する電流値異常検出遅延回数等、様々な異常状態を検出するための閾値が含まれる。
【００７１】
本実施形態の監視機能付き保護モジュール１００では、閾値設定部１３６により、書き換え可能不揮発性メモリ１２２に記録された閾値情報５００から、異常状態検出部１３９による異常状態の検出に使用する閾値や演算処理部１３８による演算処理に使用する閾値等を選択して設定する。
【００７２】
すなわち、本実施形態の保護モジュール１００では、項目設定部１３７により異常状態の検出に用いる状態情報４００の項目を設定し、閾値設定部１３６により異常状態の検出に用いる閾値を設定することができる。
【００７３】
したがって、本実施形態の保護モジュール１００では、検出したい二次電池２００の状態に合わせて状態情報４００から使用する情報の項目を設定し、閾値情報５００から使用する閾値を設定することができる。つまり、本実施形態では、携帯機器３００の利用状況に合わせて、検出すべき二次電池２００の状態を選択することができ、様々な利用状況における二次電池２００の状態を把握することができる。
【００７４】
また、閾値情報５００は、携帯機器３００や、携帯機器３００の製造元であるメーカ等によって異なることが多く同一の設定を行うことが難しい。本実施形態では、書き換え可能不揮発性メモリ１２２に閾値情報５００が格納されているため、閾値情報５００の書き換えを容易に行うことができる。したがって、保護モジュール１００は、携帯機器３００やメーカの種類を問わず利用することが可能となる。
【００７５】
上述したように、本実施形態の監視機能付き保護モジュール１００では、書き換え可能不揮発性メモリ１２２に二次電池２００の使用の状態や劣化の状態等の二次電池２００の使用履歴を示す状態情報４００を記録することができる。よって本実施形態によれば、二次電池２００の利用状況を分析するために必要な二次電池２００の使用の履歴に関する情報を携帯機器３００から読み出すことができる。
【００７６】
また本実施形態では、書き換え可能不揮発性メモリ１２２には、二次電池２００が正常であるか異常であるか等を判断するためのパラメータとして閾値情報５００が記録されており、この閾値情報５００に含まれる様々な閾値から任意の閾値を選択し、選択された閾値を用いて二次電池２００の各種の正常状態・異常状態を検出することができる。
【００７７】
更に、本実施形態では、正常状態だけでなく、異常状態が検出されたこと、異常状態が検出されたときの状態、異常状態が検出された回数等も、状態情報４００として書き換え可能不揮発性メモリ１２２に記録することができる。したがって、本実施形態によれば、様々な利用状況における二次電池の状態を把握することができる。
【００７８】
＜異常検出（復帰）ログ情報、正常更新ログ情報＞
次に、本実施形態における異常検出（復帰）ログ情報、正常更新ログ情報の登録内容について、図を用いて説明する。図４は、本実施形態におけるログ情報の一例を示す図である。なお、図４（Ａ）は、異常検出ログ又は異常復帰ログの一例を示し、図４（Ｂ）は、正常更新ログ（その他）の一例を示している。また、図５は、正常更新ログマップ一覧の一例を示す図である。
【００７９】
図４（Ａ）に示す本実施形態における異常検出（復帰）ログに含まれる具体的な項目としては、例えば、「１．充電過電流警告」、「２．過充電電圧警告」、「３．放電過電流警告」、「４．過放電電圧警告」、「５．高温警告」、「６．低温警告」、「７．高温充電警告」、「８．低温充電警告」、「９．過充電保護」、「１０．過放電保護」、「１１．充電過電流保護」、「１２．放電過電流保護」、「１３．ショート保護」、「１４．過大充電器接続」、「１５．充電器逆接続」、「１６．抵抗値警告（３種類）」、「１７．充電タイムアウト」、「１８．微小短絡警告（４種類）」、「１９．ＷＤＴ（Ｗａｔｃｈ  Ｄｏｇ  Ｔｉｍｅｒ）によるリセット復帰」、「２０．ＰＯＲ（Ｐｏｗｅｒ  Ｏｎ  Ｒｅｓｅｔ）によるリセット復帰」、「２１．端末ＩＤ登録」、「２２．初期充電開始時刻」等が格納される。なお、図４（Ａ）に示す各種項目の種類や順序についてはこれに限定されるものではない。
【００８０】
なお、図４（Ａ）に示す１〜１５の項目は、異常検出時と異常復帰時とで２種類のデータを有する。また、図４（Ａ）に示す１〜８の項目は、警告グループであり、９〜１５の項目は、保護検出グループである。これらのデータは、異常検出時及び異常復帰時に記録される。
【００８１】
また、図４（Ｂ）に示す本実施形態における正常更新ログ（その他）に含まれる具体的な項目としては、例えば、「１．初期電池容量」、「２．初期電池容量算出回数（学習回数）」、「３．初期内部抵抗値」、「４．抵抗値算出回数（学習回数含む）」、「５．容量保持率」、「６．再充電回数」、「７．充放電サイクル数」、「８．充放電サイクル未満充電量」、「９．総充電時間」、「１０．総放電時間」、「１１．絶対充電量」、「１２．最大抵抗値」、「１３．最新抵抗値」、「１４．最大差分抵抗値」、「１５．充電検出時間」、「１６．充電検出回数」、「１７．満充電検出回数」等が格納される。なお、図４（Ｂ）に示す各種項目の種類や順序についてはこれに限定されるものではない。
【００８２】
ここで、図４（Ｂ）に示す正常更新ログの２，４，６，７，１６，及び１７項目は、その項目のログが正常に更新されるとき、１ずつ増加する値である。
【００８３】
なお、これらのログ情報は、書き換え可能不揮発性メモリ１２２のデータフラッシュ（Ｄａｔａ−Ｆｌａｓｈ）の１ページあたり１０２４ｂｙｔｅとして、７ページで計７１６８ｂｙｔｅの容量を用いて、上述した異常検出ログ又は正常更新ログを記録する。このとき、本実施形態では、複数の記録場所を設け、設けられた複数の記録場所の何れかに、上記ログ情報を記録する。
【００８４】
ここで、本実施形態において、ログの履歴情報としては、例えば異常検出ログであれば過去６回分記録（過去最大値含む）を残し、正常更新ログは最新値のみを残すようにすることもできる。これにより、本実施形態では、これらのログ情報を用いて二次電池２００の劣化度等の管理等を行うことができる。
【００８５】
また、図５に示すように、本実施形態では、予め設定されたそれぞれの過程の各タイミングに応じて必要なデータを正常更新ログとして蓄積する。なお、正常更新時には、更新種別に応じて複数のログ情報のグループが存在する。
【００８６】
具体的には、図５に示すように、状態が「充放電」の場合におけるログ情報グループとしては、例えば絶対充電量、総充電時間、及び総放電時間等が１つのグループとなる。また、状態が「充電直後」の場合におけるログ情報グループとしては、例えば充電検出回数、及び充電検出時間等が１つのグループとなる。
【００８７】
また、状態が「充電検出後１」におけるログ情報グループとしては、例えば再充電回数、抵抗値算出回数、初期抵抗値等が１つのグループとなる。また、状態が「充電検出後２」におけるログ情報グループとしては、例えば最大差分抵抗値、最大抵抗値、最新抵抗値等が１つのグループとなる。また、状態が「充電終了」におけるログ情報グループとしては、例えば満充電検出回数、充放電サイクル数、充放電サイクル未満充電量等が１つのグループとなる。
【００８８】
更に、状態が「充電後の一定時間後」におけるログ情報グループとしては、例えば容量保存率、初期電池容量、初期電池容量学習回数等が１つのグループとなる。なお、グループの種類は、本発明においてはこれに限定されるものではない。これらの各グループは、データの内容に関連性があるものであるため、本実施形態においてデータを復旧させる場合には、各項目単位でもよいが、上述したグループ毎に復旧させるのが好ましい。なお、本実施形態では、複数のグループを組み合わせたグループにして管理してもよい。
【００８９】
また、本実施形態においては、例えば、異常検出ログは１６ｂｙｔｅ、正常更新ログは８ｂｙｔｅを１つのブロックとして記録する。また、各ログ情報の先頭の１ｂｙｔｅにはヘッダを付け、そのヘッダには例えば「有効ログ」、「無効ログ」、「未書込みログ」、「不良ログ」等の区別を付ける。また、本実施形態では、ヘッダからブロックの種類も判断することができる。また、異常検出ログと正常更新ログとは、ページ毎に区別して記録する。
【００９０】
このとき、各ページの先頭１６ｂｙｔｅは、ページステータスブロックとし、ページのステータスを保持し、「未書込み」、「書込み完了」、「書込み中」の判断や書込まれているログの区別（「異常検出」ｏｒ「正常更新」ｏｒ「未書込み」）、有効ログ数（異常検出のみ）、ページの消去回数等を保持する。
【００９１】
更に、本実施形態において、新規書込みは、所定のポインタ（例えば、「異常検出ヘッドポインタ」、「正常更新ヘッドポインタ」等）が示すアドレスから書込む。また、本実施形態では、例えばどのログが何回書込まれたのかをチェックしておき、規定数を超えたログは管理外の対象（無効ログ）とすることもできる。
【００９２】
＜ログ記録フォーマットについて＞
次に、本実施形態におけるログ記録フォーマットについて図を用いて説明する。図６は、本実施形態におけるログ記録フォーマットの一例について説明するための図である。本実施形態におけるログ記録フォーマットは、例えば、図６（Ａ）に示すような異常検出ログフォーマットや、図６（Ｂ）に示す正常更新ログフォーマット等がある。
【００９３】
図６（Ａ）に示す異常検出ログフォーマットの例では、例えば、異常種類（ヘッダ情報含む）（１ｂｙｔｅ）や回数（１ｂｙｔｅ）、日時（年月日時分）（４ｂｙｔｅ）、異常種類の最大異常値（２ｂｙｔｅ）、電圧（２ｂｙｔｅ）、電流（２ｂｙｔｅ）、温度（１ｂｙｔｅ）、絶対充電率（１ｂｙｔｅ）、端末情報（１ｂｙｔｅ）、ＣＲＣ（Ｃｙｃｌｉｃ  Ｒｅｄｕｎｄａｎｃｙ  Ｃｈｅｃｋ）（１ｂｙｔｅ）等の情報が異常検出時にログ情報として格納される。
【００９４】
また、図６（Ｂ）に示す正常更新ログフォーマットの例では、３ｂｙｔｅ、４ｂｙｔｅ、８ｂｙｔｅの３種類のフォーマットのうち、何れかのフォーマットを選択的に使用してログ情報を生成する。第１のフォーマットでは、種類（ヘッダ情報含む）（１ｂｙｔｅ）と、更新項目（２ｂｙｔｅ）とからなり、第２のフォーマットでは、種類（ヘッダ情報含む）（１ｂｙｔｅ）と、更新項目（２ｂｙｔｅ）と、ＣＲＣ（１バイト）とからなり、第３のフォーマットでは、第２のフォーマットと比較して更新項目（２ｂｙｔｅ）が合計３個格納可能となっている。
【００９５】
また、図６（Ｃ）には、異常種類（異常検出）及び正常種類（その他ログ（正常ログ））におけるフラグ情報が示されている。つまり、異常種類及び正常種類には、現時点での最新の情報がどの領域に入っているかを識別するためのフラグ情報がセットされ、このフラグ情報を参照することで、復旧時において各項目における最新情報を取得することができる。
【００９６】
なお、上述した図６（Ｃ）の例において、データ値が「０ｘＦＦ」の場合には消去済みのブロックを示し、識別番号は登録するブロックの種類を示す。また、図６（Ｃ）の例において、「ＯｂｓｏｌｅｔｅＦｌａｇ」はそのブロックが有効であるか無効であるかを示し、「ＢａｄＳｔａｔｅＦｌａｇ」はそのブロックが正常であるか不良（異常）であるかを示す。
【００９７】
したがって、上述するようなフラグ情報をログ生成時にセットしておくことで、例えば断線等の影響によりログ更新中のデータが消去してしまった場合においても、そのフラグ情報から直前の最新情報を取得することができるため、高精度な復旧処理を行うことができる。
【００９８】
＜メモリにログ情報を格納する場合における状態遷移例＞
次に、図７は、メモリにログ情報を格納する場合における状態遷移の一例を示す図である。なお、図７の例では、メモリに対する格納処理として、例えば、「（１）Ｎｏｒｍａｌ  Ｇａｒｂａｇｅ」、「（２）Ａｌｅｒｔ  Ｇａｒｂａｇｅ」、「（３）Ｅｒａｓｅ」、「（４）Ａｌｅｒｔ  Ｕｐｄａｔｅ」、「（５）Ｎｏｒｍａｌ  Ｕｐｄａｔｅ」の５種類の処理状態が発生するものとするが、本発明においてはこれに限定されるものではない。
【００９９】
まず、初期化処理（ＩＮＩＴ）として、異常検出ヘッドポインタと正常更新ヘッドポインタの定義、正常更新ログの読出し、突然のリセット対応処理等を実行する。また、ログサービスタスクは、通常アイドル「ＩＤＬＥ」状態にあり、開始要求があるまで待機する。また、本実施形態では、要求を受け付け（ＲＥＱ）要求が発生した場合に、その要求に応じて書込み処理（ＷＲＩＴＥ）、サーチ処理（ＳＥＡＲＣＨ）、後処理（ＦＩＸ）、消去処理（ＥＲＡＳＥ）等を実行する。
【０１００】
なお、例えば、フラッシュメモリ（書き換え可能不揮発性メモリ１２２）の消去中は、書込み／読出し不可のため、ログの更新・読み出し処理は待機する。また、ログモジュールの要求は、大きく分けると、例えば「消去処理要求」、「退避処理要求（ガーベジコレクション要求）」、「ログ更新処理要求」等に分けることができる。
【０１０１】
正常更新ログの更新要求が発生した場合には、更新するメモリのログブロック（ログ情報）のヘッダとＣＲＣ−８を更新し、ヘッドポインタからログブロックの書込みを行う。書込み後、前回の記録を無効ログに変更する。ここで、異常検出ログの更新要求が発生した場合、更新する記録値を共有の一時キャッシュに選出する。その後、ヘッドポインタからログブロックの書込みを行う。書込み後、記録したログ数が規定数（例えば、６個）以上の場合、最古のログを（過去最大値を除く）を無効ログに変更する。正常更新ログが新規ページに移った時、別ページに記録している有効な正常更新ログは、再書込み処理（ガーベジコレクション処理）し、現在の書込みページ以外の有効ログをなくす。
【０１０２】
＜ログの使い方／用途について、及びデータの正当性判断について＞
ここで、上述したログ情報の使い方／用途について、及びデータの正当性判断について説明する。例えば、本実施形態において、ＰｏｗｅｒＯｎＲｅｓｅｔ（ＰＯＲ）時、消去済みブロックのチェック（０ｘＦＦであること）、記録済み有効ブロックのチェック（ＣＲＣ−ＯＫであること）を行い、上記チェックで記録エラー又は消去エラーがあった場合、該当ブロックを無効ブロックに変更する。
【０１０３】
また、正常更新ログ（例えば、容量保持率や抵抗値等）を更新する際、最新ログが正常に記録されたことを確認後、１つ前の記録ログを無効ログに変更する。したがって、ＰＯＲにおいては、チェック後に残った有効ログの中で最後に書込みしたものを初期値（最新値）として利用する。異常検出ログ（例えば、高温警告等）は、チェック後に残ったログ情報のみを有効ログとして利用する。
【０１０４】
また、本実施形態では、例えば、外部端末から通信を介してログ情報の読み取り要求があった場合、ログが記録されているフラッシュメモリ（書き換え可能不揮発性メモリ１２２）内から該当するものを検索し、ＣＲＣチェックを実施した上で有効なログ情報を返すことができる。また、フラッシュメモリの全データを読み出し内容を解析するＰＣ（Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｃｏｍｐｕｔｅｒ）上で動作するソフトを用意することで、例えばフライトレコーダとしての機能を果たすこともできる。
【０１０５】
＜状態情報管理処理フローチャート＞
次に、本実施形態における履歴情報格納時における状態情報管理処理手順についてフローチャートを用いて説明する。図８は、本実施形態における状態情報管理処理手順の一例を示すフローチャートである。
【０１０６】
図８に示す状態情報管理処理手順は、まずログデータフラッシュの自己診断・修復を行い（Ｓ０１）、初期化処理を行う（Ｓ０２）。
【０１０７】
次に、ログ情報に対する要求を検出したか否かを判断し（Ｓ０３）、要求を検出していない場合（Ｓ０３において、ＮＯ）、要求待ち状態となる。また、Ｓ０３において要求を検出した場合（Ｓ０３において、ＹＥＳ）、その要求がログ情報（異常検出ログ又は正常更新ログ）の退避要求であるか否かを判断する（Ｓ０４）。ここで、退避要求でない場合（Ｓ０４において、ＮＯ）、次にその要求がログ情報の消去要求であるか否かを判断する（Ｓ０５）。また、消去要求でない場合（Ｓ０５において、ＮＯ）、次にその要求がログ情報の更新要求であるか否かを判断する（Ｓ０６）。
【０１０８】
ここで、更新要求である場合（Ｓ０６において、ＹＥＳ）、その詳細要求を確認し（Ｓ０７）、書込み情報の検索を行い（Ｓ０８）、その検索結果で得られた書込み情報をログ情報として書込み（Ｓ０９）、書込み後のメモリ容量やメモリアドレス、フラグ等の調整・整理を行う（Ｓ１０）。
【０１０９】
次に、Ｓ０９の処理における書込みがページエンド（ｐａｇｅ  ｅｎｄ）であるか否かを判断し（Ｓ１１）、ページエンドである場合（Ｓ１１において、ＹＥＳ）、メモリ上の新規ページを作成する（Ｓ１２）。
【０１１０】
次に、正常更新ログの更新要求であるか否かを判断し（Ｓ１３）、正常更新ログの更新要求である場合（Ｓ１３において、ＹＥＳ）、正常更新ログの退避要求をセットする（Ｓ１４）。また、Ｓ１４の処理後又はＳ１３の処理において正常更新ログの更新要求でない場合（Ｓ１３において、ＮＯ）、消去済みページが所定ページ（例えば、２ページ）以下か否かを判断する（Ｓ１５）。ここで、２ページ以下である場合（Ｓ１５において、ＹＥＳ）、正常書込み完了ページが所定ページ（例えば、１ページ）以上か否かを判断する（Ｓ１６）。１ページ以上である場合（Ｓ１６において、ＹＥＳ）、消去要求をセットする（Ｓ１７）。また、１ページ以上でない場合（Ｓ１６において、ＮＯ）、異常検出ログの退避要求をセットする（Ｓ１８）。
【０１１１】
ここで、上述したＳ０４の処理において、その要求が退避要求である場合（Ｓ０４において、ＹＥＳ）、退避対象の検索を行い（Ｓ１９）、次に、退避対象があるか否かを判断する（Ｓ２０）。退避対象がある場合（Ｓ２０において、ＹＥＳ）、その退避対象を書込み（Ｓ２１）、書込み後の調整・整理を行う（Ｓ２２）。また、Ｓ２０の処理において、退避対象がない場合（Ｓ２０において、ＮＯ）、その退避要求をクリアする（Ｓ２３）。
【０１１２】
また、上述したＳ０５の処理において、その要求が消去要求である場合（Ｓ０５において、ＹＥＳ）、消去を開始する（Ｓ２４）。また、Ｓ２４の処理における消去が終了すると、次に、消去後の調整・整理を行い（Ｓ２５）、その後、消去要求をクリアする（Ｓ２６）。
【０１１３】
ここで、Ｓ１７、Ｓ１８、Ｓ２２、Ｓ２３、又はＳ２６の処理が終了後、全体の処理を終了するか否かを判断し（Ｓ２７）、処理を終了しない場合（Ｓ２７において、ＮＯ）、Ｓ０３に戻り、後続の処理を行う。また、Ｓ２７の処理において、全体の処理を終了する場合（Ｓ２７において、ＹＥＳ）、上述した状態情報管理処理を終了する。また、上述したＳ０６の処理において、更新要求でない場合（Ｓ０６において、ＮＯ）、Ｓ１１の処理において、ページエンドの書込みでない場合（Ｓ１１において、ＮＯ）、又は、Ｓ１５の処理において、消去済みページが２ページ以下でない場合（Ｓ１５において、ＮＯ）、上述の処理と同様にＳ０３の処理に戻り、後続の処理を行う。
【０１１４】
上述したように、本発明によれば、二次電池の状態情報の信頼性を向上させ高精度な状態情報管理を実現することができる。また、本発明によれば、状態情報管理装置等に含まれる書き換え可能なメモリ（フラッシュメモリ）にデータを記録する場合、そのデータが破壊された場合の復旧手段を備えることで、より信頼性のあるシステムを構築できる。
【０１１５】
以上本発明の好ましい実施例について詳述したが、本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。
【符号の説明】
【０１１６】
１００  監視機能付き保護モジュール
１１０  トリミング回路
１１１  基準クロック生成部
１１２  基準電源生成部
１１３  温度検出部
１１４  電圧検出部
１１５  電流検出部
１１６  ＡＤＣ（Ａｎａｌｏｇ  ｔｏ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｃｏｎｖｅｒｔｅｒ）
１１７  ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）
１１８  充放電保護部
１１９  通信Ｉ／Ｆ（Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）
１２０  ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）
１２１  ＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）
１２２  書き換え可能不揮発性メモリ
１２３  タイマ
１３１  電流値取得部
１３２  電圧値取得部
１３３  温度値取得部
１３４  満充電検出部
１３５  残容量検出部
１３６  閾値設定部
１３７  項目設定部
１３８  演算処理部
１３９  異常状態検出部
１４０  記録制御部
１４１  省電力制御部
１４２  充放電制御部
１４３  通信部
１４４  ログ情報復旧部
１４５  劣化度管理部
２００  二次電池
３００  携帯機器（負荷）
４００  状態情報
５００  閾値情報
【図１】
2012168728.tif 000003
【図２】
2012168728.tif 000004
【図３】
2012168728.tif 000005
【図４】
2012168728.tif 000006
【図５】
2012168728.tif 000007
【図６】
2012168728.tif 000008
【図７】
2012168728.tif 000009
【図８】
2012168728.tif 000010