(57)【要約】【課題】本発明は、輝度を低下させずに高精細化を図ることを目的とする。【解決手段】複数の画素電極２４を有する回路基板１０に、複数の貫通穴４０を有する蒸着マスク３８を使用した蒸着によって、有機材料からなる複数の発光層３０を形成する。蒸着マスク３８は、回路基板１０に対向するように配置される第１面４２と、第１面４２とは反対側の第２面４４と、を有する。第１面４２及び第２面４４を貫通するように複数の貫通穴４０が形成されている。隣同士の貫通穴４０に連通するように第１面４２に凹部５２が形成され、凹部５２に対向するようにリブ５４が形成されている。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素電極を有する回路基板に、複数の貫通穴を有する蒸着マスクを使用した蒸着によって、有機材料からなる複数の発光層を形成する蒸着工程を含み、
前記蒸着マスクは、前記回路基板に対向するように配置される第１面と、前記第１面とは反対側の第２面と、を有し、
前記第１面及び前記第２面を貫通するように前記複数の貫通穴が形成され、
隣同士の前記貫通穴に連通するように前記第１面に凹部が形成され、前記凹部に対向するようにリブが形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載された有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、
前記リブの前記凹部とは反対側の面は、前記第２面の一部であり、
前記第２面は、前記リブの前記面を含めて平坦になっていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載された有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、
それぞれの前記貫通穴は、前記第１面側の第１開口が、前記第２面側の第２開口よりも小さくなるようにテーパーが付けられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、
前記複数の貫通穴は、複数列で並んでおり、
それぞれの前記貫通穴は、一方向に長い形状であり、各列で、２つ以上の前記貫通穴が長さ方向に沿って一列に並んでおり、
各列で隣同士の前記貫通穴の間に前記凹部が配置されることでスリットが形成されることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、
前記リブの厚みは、前記蒸着マスクの厚みの半分以下であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【請求項６】
複数の画素電極を有する回路基板に、複数のスリットを有する蒸着マスクを使用した蒸着によって、有機材料からなる複数の発光層を形成する蒸着工程を含み、
前記蒸着マスクは、前記回路基板に対向するように配置される第１面と、前記第１面とは反対側の第２面と、を有し、それぞれの前記スリットの内側を接続するリブを有し、
前記リブは、前記第１面側の面が、前記第１面よりも前記第２面の方向に下がった位置にくるように形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載された有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、
前記リブは、前記第２面側の面が、前記第２面と面一になるように形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【請求項８】
請求項６又は７に記載された有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、
それぞれの前記スリットは、前記第１面側の第１開口が、前記第２面側の第２開口よりも小さくなるようにテーパーが付けられていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【請求項９】
請求項６から８のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、
前記リブの厚みは、前記蒸着マスクの厚みの半分以下であることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、
前記複数の貫通穴は千鳥状に配置されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法。
【請求項１１】
請求項１から９のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法によって造られた有機エレクトロルミネッセンスパネルにおいて、連続した同色の画素電極間の蒸着膜厚が切れ目を持つ、もしくは画素電極上の膜厚に比較して薄くなることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法では、蒸着マスクに回路基板を載せ、蒸着マスクの下方に設置した蒸発源で有機材料を蒸発させ、回路基板に有機膜を形成する（特許文献１及び２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−６９６１９号公報
【特許文献２】特開２００３−３３２０５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ストライプ配列の有機膜を形成するための蒸着マスクは、スリットが長くなるためリブが細長くなっており、剛性が弱い。そのため、高精細化が難しい。これに対して、蒸着マスク開孔に橋渡し状にリブを設ければ、その剛性を上げることができる。しかし、有機膜の蒸着面積が小さくなってしまうため、画素電極面積が小さくなり、輝度が低下する。
【０００５】
本発明は、輝度を低下させずに高精細化を図った有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）本発明に係る有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法は、複数の画素電極を有する回路基板に、複数の貫通穴を有する蒸着マスクを使用した蒸着によって、有機材料からなる複数の発光層を形成する蒸着工程を含み、前記蒸着マスクは、前記回路基板に対向するように配置される第１面と、前記第１面とは反対側の第２面と、を有し、前記第１面及び前記第２面を貫通するように前記複数の貫通穴が形成され、隣同士の前記貫通穴に連通するように前記第１面に凹部が形成され、前記凹部に対向するようにリブが形成されていることを特徴とする。本発明によれば、蒸着マスクにはリブがあるため、剛性を確保することができるので、高精細化が可能になっている。また、蒸着マスクには、回路基板に対向する第１面に凹部が形成されているので、蒸着材料が凹部に入り込み、蒸着面積が大きくなる。これにより、画素電極面積を大きくすることができ、輝度の低下を避けることができる。
【０００７】
（２）（１）に記載された有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、前記リブの前記凹部とは反対側の面は、前記第２面の一部であり、前記第２面は、前記リブの前記面を含めて平坦になっていることを特徴としてもよい。
【０００８】
（３）（１）又は（２）に記載された有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、それぞれの前記貫通穴は、前記第１面側の第１開口が、前記第２面側の第２開口よりも小さくなるようにテーパーが付けられていることを特徴としてもよい。
【０００９】
（４）（１）から（３）のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、前記複数の貫通穴は、複数列で並んでおり、それぞれの前記貫通穴は、一方向に長い形状であり、各列で、２つ以上の前記貫通穴が長さ方向に沿って一列に並んでおり、各列で隣同士の前記貫通穴の間に前記凹部が配置されることでスリットが形成されることを特徴としてもよい。
【００１０】
（５）（１）から（４）のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、前記リブの厚みは、前記蒸着マスクの厚みの半分以下であることを特徴としてもよい。
【００１１】
（６）本発明に係る有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法は、複数の画素電極を有する回路基板に、複数のスリットを有する蒸着マスクを使用した蒸着によって、有機材料からなる複数の発光層を形成する蒸着工程を含み、前記蒸着マスクは、前記回路基板に対向するように配置される第１面と、前記第１面とは反対側の第２面と、を有し、それぞれの前記スリットの内側を接続するリブを有し、前記リブは、前記第１面側の面が、前記第１面よりも前記第２面の方向に下がった位置にくるように形成されていることを特徴とする。本発明によれば、蒸着マスクにはリブがあるため、剛性を確保することができるので、高精細化が可能になっている。また、リブは、第１面よりも第２面の方向に下がって位置しているので、第１面を回路基板に対向させると、リブと回路基板の間にも空間が形成され、この空間には蒸着材料が入り込む。これにより、蒸着面積が大きくなるので、画素電極面積を大きくすることができ、輝度の低下を避けることができる。
【００１２】
（７）（６）に記載された有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、前記リブは、前記第２面側の面が、前記第２面と面一になるように形成されていることを特徴としてもよい。
【００１３】
（８）（６）又は（７）に記載された有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、それぞれの前記スリットは、前記第１面側の第１開口が、前記第２面側の第２開口よりも小さくなるようにテーパーが付けられていることを特徴としてもよい。
【００１４】
（９）（６）から（８）のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、前記リブの厚みは、前記蒸着マスクの厚みの半分以下であることを特徴としてもよい。
【００１５】
（１０）（１）から（９）のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法において、前記複数の貫通穴は千鳥状に配置されていることを特徴としてもよい。
【００１６】
（１１）（１）から（９）のいずれか１項に記載された有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法によって造られた有機エレクトロルミネッセンスパネルにおいて、連続した同色の画素電極間の蒸着膜厚が切れ目を持つ、もしくは画素電極上の膜厚に比較して薄くなることを特徴としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施形態に係る方法で製造された有機エレクトロルミネッセンスパネルを説明する図である。
【図２】本発明の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法で使用する蒸着マスクの一部を示す図である。
【図３】図２に示す蒸着マスクのIII−III線断面図である。
【図４】図２に示す蒸着マスクのIV−IV線断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法を説明する図である。
【図６】蒸着によって形成された発光層を示す図である。
【図７】蒸着によって形成された発光層の変形例を示す図である。
【図８】蒸着によって形成された発光層の別の変形例を示す図である。
【図９】蒸着マスクの変形例を示す平面図である。
【図１０】図９に示す蒸着マスクのＸ−Ｘ線断面の一部を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。
【００１９】
図１は、本発明の実施形態に係る方法で製造された有機エレクトロルミネッセンスパネルを説明する図である。
【００２０】
有機エレクトロルミネッセンスパネルは、回路基板１０を有する。回路基板１０は、ガラス等からなる基板１２を有する。基板１２上には、半導体薄膜１４が形成され、その上方に絶縁膜を介してゲート電極１６が形成され、半導体薄膜１４に導通するようにソース／ドレイン配線１８が形成されることで、薄膜トランジスタ２０が構成されている。なお、薄膜トランジスタ２０を覆うように層間絶縁膜２２が形成されている。
【００２１】
回路基板１０は、複数の画素電極２４を有する。画素電極２４は、薄膜トランジスタ２０によって駆動されるようになっている。画素電極２４の一部を開口させるように、例えば有機材料からなるバンク層２６が形成されている。バンク層２６の開口で画素電極２４に載るように電子注入層２８が形成され、その上に、発光層３０が形成されている。複数の画素電極２４に載るように複数の発光層３０が形成されている。発光層３０は、電圧をかけることにより発光する周知の有機材料からなる。発光層３０の上には、共通電極３２（例えばカソード電極）が形成され、その上に充填層３４を介して封止板３６（例えばガラス板）が設けられている。
【００２２】
次に、有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法を説明する。図２は、本発明の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法で使用する蒸着マスクの一部を示す図である。図３は、図２に示す蒸着マスクのIII−III線断面図である。図４は、図２に示す蒸着マスクのIV−IV線断面図である。
【００２３】
蒸着マスク３８は、複数の貫通穴４０を有する。蒸着マスク３８は、第１面４２と、第１面４２とは反対側の第２面４４と、を有している。第１面４２及び第２面４４を貫通するように複数の貫通穴４０が形成されている。貫通穴４０は、一方向（図２で横方向）に長い形状である。全ての貫通穴４０は長さ方向が平行になっている。図２に示す貫通穴４０の形状は長方形であるが、長さ方向の両端の形状は特に限定されず、丸くなっていても多角形になっていてもよい。
【００２４】
複数の貫通穴４０は、複数列で並んでいる。各列で、２つ以上の貫通穴４０が長さ方向に沿って一列に並んでいる。貫通穴４０は、第１面４２側の第１開口４６が、第２面４４側の第２開口４８よりも小さくなっている（図３及び図４参照）。貫通穴４０の内面にはテーパーが付けられている。貫通穴４０のこの形状は、ウェットエッチングで形成することに起因する。
【００２５】
蒸着マスク３８は、複数のスリット５０を有する。貫通穴４０が並ぶ各列で、隣同士の貫通穴４０の間に凹部５２が形成されることでスリット５０が形成される。言い換えると、隣同士の貫通穴４０に連通するように第１面４２に凹部５２が形成され、貫通穴４０及び凹部５２が連続することでスリット５０が形成される。それぞれのスリット５０は、第１面４２側の第１開口４６が、第２面４４側の第２開口４８よりも小さく（幅が狭く）なるようにテーパーが付けられている。この形状は、上述した貫通穴４０の形状に起因する。
【００２６】
スリット５０の内側をリブ５４が接続している。言い換えると、凹部５２に対向するようにリブ５４がある。リブ５４は、第１面４２側の面が、第１面４２よりも第２面４４の方向に下がった位置にくるように形成されている。リブ５４の第１面４２側の面は、凹部５２の底面である。リブ５４の厚みは、蒸着マスク３８の厚みの半分以下である。リブ５４の凹部５２とは反対側の面は、第２面４４の一部である。第２面４４は、リブ５４の面を含めて平坦になっている。リブ５４は、第２面４４側の面が、第２面４４と面一になる。
【００２７】
本実施形態によれば、蒸着マスク３８にはリブ５４があるため、従来のストライプパターンのマスクよりも剛性を確保することができる。剛性を確保できるので、蒸着マスク３８が変形しにくくなっており、高精細化が可能になっている。
【００２８】
図５は、本発明の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法を説明する図である。また図５は、回路基板１０に蒸着マスク３８を合わせて、蒸着をする際の説明図である。本実施形態は蒸着工程を含む。詳しくは、回路基板１０に、蒸着マスク３８を使用した蒸着（物理蒸着又は化学蒸着）を行う。図５において、蒸着源（図示無し）は蒸着マスク３８の第２面４４側に蒸着マスク３８から離れて配置されている。図５中の第２面４４の下方に記載した矢印は蒸着源からの蒸発物の蒸着マスク３８への進入方向を示している。
【００２９】
回路基板１０は、図５に示すように、蒸着マスク３８の上に配置することが一般的である。また、蒸着マスク３８は、第１面４２が回路基板１０に対向するように配置する。そして、図示しない蒸着材料を加熱し、気化もしくは昇華して、上方に置かれた回路基板１０の表面に付着させて、薄膜（発光層３０）を形成する。
【００３０】
蒸着マスク３８には、回路基板１０に対向する第１面４２に凹部５２が形成されているので、蒸着材料が凹部５２に入り込む。あるいは、リブ５４は、第１面４２よりも第２面４４の方向に下がって位置しているので、第１面４２を回路基板１０に対向させると、リブ５４と回路基板１０の間にも空間が形成され、この空間には蒸着材料が入り込む。
【００３１】
図６は、蒸着によって形成された発光層３０を示す図である。複数の画素電極２４は、複数の列をなすように配列されている。図６において、横方向に一列の画素電極２４が並んでいる。複数の画素電極２４は、列に沿った方向（図６で横方向）の間隔が等しくなるように配列されている。
【００３２】
上述したように、蒸着マスク３８の隣同士の貫通穴４０の間には凹部５２が形成されており、この凹部５２が回路基板１０側に配置されている。そのため、複数の貫通穴４０及び凹部５２を連通するスリット５０に蒸着が行われる。その結果、発光層３０は、図６に示すように、リブ５４による切れ目が形成されずに連続的に形成される。なお、リブ５４の大きさ及び凹部５２の深さによっては、発光層３０が切れ目を有することもあるが、その場合であっても、凹部５２に蒸着材料が入るので、発光層３０の蒸着面積が大きくなり、画素電極２４の面積を大きくすることができるため、輝度の低下を避けることができる。
【００３３】
図６には、１回の蒸着工程で形成された発光層３０が示されており、本実施形態では蒸着マスク３８をずらして複数回の蒸着工程を行う。図６に示す例では、発光層３０が切れ目を有していない。
【００３４】
変形例として、図７には、発光層１３０が切れ目１３０ａを有する例を示してある。発光層１３０の切れ目１３０ａは、リブ５４によって蒸着が遮断されることで形成される。
【００３５】
さらに変形例として、図８には、発光層２３０が膜厚の薄膜部２３０ａを有する例を示してある。薄膜部２３０ａは、画素電極２４を避けた位置にあり、発光層２３０の画素電極２４上の部分よりも薄い。薄膜部２３０ａは、リブ５４によって、蒸着が遮断はされないが妨げられることで形成される。
【００３６】
図９は、蒸着マスクの変形例を示す平面図である。図１０は、図９に示す蒸着マスクのＸ−Ｘ線断面の一部を示す図である。この変形例では、貫通穴３４０が千鳥状に配置され、リブ３５４も千鳥状に配置されている。それ以外の構成は、上述した実施形態で説明した蒸着マスクの内容が該当する。
【００３７】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく種々の変形が可能である。例えば、実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成で置き換えることができる。
【符号の説明】
【００３８】
１０  回路基板、１２  基板、１４  半導体薄膜、１６  ゲート電極、１８  ドレイン配線、２０  薄膜トランジスタ、２２  層間絶縁膜、２４  画素電極、２６  バンク層、２８  電子注入層、３０  発光層、３２  共通電極、３４  充填層、３６  封止板、３８  蒸着マスク、４０  貫通穴、４２  第１面、４４  第２面、４６  第１開口、４８  第２開口、５０  スリット、５２  凹部、５４  リブ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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