(57)【要約】【課題】  剥離基材／接着剤層／粘着フィルムの三層構造を有するダイボンドダイシングシートを用いて半導体用ウェハを個片化し、ピックアップ時のはく離帯電を抑制したダイボンドダイシングシートと、それを用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】  剥離基材、接着剤層、粘着剤層が片面に形成された粘着フィルムからなり、粘着剤層が接着剤層側になるように形成されたダイボンドダイシングシートにおいて、少なくとも接着剤層のいずれかの側に帯電防止層を設けたダイボンドダイシングシート。帯電防止層が、２３℃、５０％ＲＨ環境下における表面固有抵抗値が１×１０12Ω／□以下であると好ましい。【選択図】  図１
2012248607.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
剥離基材、接着剤層、粘着剤層が片面に形成された粘着フィルムからなり、粘着剤層が接着剤層側になるように形成されたダイボンドダイシングシートにおいて、少なくとも接着剤層のいずれかの側に帯電防止層を設けたダイボンドダイシングシート。
【請求項２】
前記帯電防止層が、２３℃、５０％ＲＨ環境下における表面固有抵抗値が１×１０12Ω／□以下である請求項１に記載のダイボンドダイシングシート。
【請求項３】
接着剤層が、（Ａ）架橋性官能基を有する高分子量成分、（Ｂ）多官能エポキシ樹脂、（Ｃ）フェノール樹脂（Ｄ）無機微粒子を含み、(Ａ)成分の重量平均分子量が１０万〜１００万で、ガラス転移温度が−５０℃〜５０℃であり、（Ａ）：（Ｂ）：（Ｃ）を質量比で（Ａ）：（Ｂ）：（Ｃ）＝４０〜７０：５〜２５：５〜２５の割合で含み、（Ｄ）成分が、(Ａ)、（Ｂ）、（Ｃ）の総計１００質量部に対し５〜１００質量部である請求項１または請求項２に記載のダイボンドダイシングシート。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のダイボンドダイシングシートにおいて、接着剤層及び粘着フィルムからなる積層体を剥離基材から剥離し、前記積層体を、前記接着剤層側の面から半導体ウェハに貼り付けて積層体付き半導体ウェハを得る貼り付け工程と、前記積層体付き半導体ウェハを、前記接着剤層と前記粘着フィルムとの界面までダイシングし、前記半導体ウェハを所定の大きさの半導体素子に切断するダイシング工程と、前記積層体に高エネルギー線を照射して前記粘着フィルムの前記接着剤層に対する粘着力を低下させた後、前記粘着フィルムから前記半導体素子を前記接着剤層とともにピックアップし、接着剤層付き半導体素子を得るピックアップ工程と、前記接着剤層付き半導体素子における前記半導体素子を、前記接着剤層を介して被着体に接着する接着工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記被着体が、半導体素子搭載用の支持部材、又は、別の半導体素子である請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイボンドダイシングシート及びそれを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の発達に伴い電子部品の搭載密度が高くなり、マルチチップスタックドパッケージ（以下ＭＣＰと略する）と呼ばれるような、半導体チップを積層していく半導体パッケージなどの新しい形式の実装方法が採用され始め、使用される半導体ウェハの厚みもさらなる薄膜化が進んでいる。
【０００３】
従来の半導体搭載基板に用いられる接着部材としては液状あるいはフィルム状の接着剤が使用されるのが一般的であるが、近年の半導体素子の小型化・高性能化に伴い、使用される支持部材にも小型化・細密化が要求されるようになってきており近年、微細加工が容易である接着フィルムが多く使われている。
【０００４】
この接着フィルムは、個片貼付け方式あるいはウェハ裏面貼付け方式において使用されている。前者の個片貼付け方式の接着フィルムを用いて半導体装置を製造する場合、リール状の接着フィルムをカッティングあるいはパンチングによって個片に切り出した後その個片を支持部材に接着し接着フィルム付き支持部材とし、前記接着フィルム付き支持部材にダイシング工程によって個片化された半導体素子を接合して半導体素子付き支持部材を作製し、その後必要に応じてワイヤボンド工程、封止工程などを経ることによって半導体装置が得られることとなる。しかし、上記個片貼付け方式の接着フィルムを用いるためには、接着フィルムを切り出して支持部材に接着する専用の組立装置が必要であることから、銀ペースト等の液状接着剤を使用する方法に比べて製造コストが高くなるという問題があった。
【０００５】
一方、後者のウェハ裏面貼付け方式の接着フィルムを用いて半導体装置を製造する場合、まず半導体ウェハの裏面に接着フィルムを貼付けさらに接着フィルムの他方の面に半導体ウェハを固定するための粘着フィルムを貼り合わせ、その後上記ウェハからダイシングによって半導体素子を個片化し、個片化した接着フィルム付き半導体素子を粘着剤層より剥離しそれを支持部材に接合し、その後の加熱、硬化、ワイヤボンドなどの工程を経ることにより半導体装置が得られることとなる。このウェハ裏面貼付け方式の接着フィルムは、接着フィルム付き半導体素子を支持部材に接合するため、接着フィルムを個片化する装置を必要とせず、従来の銀ペースト用の組立装置をそのままあるいは熱盤を付加するなどの装置の一部を改良することにより使用できる。そのため、接着フィルムを用いた組立方法の中で製造コストが比較的安く抑えられる方法として注目されている。
【０００６】
このウェハ裏面貼付け方式の接着フィルムと共に用いられる粘着フィルムは、感圧型と紫外線硬化型に大別される。前者の感圧型粘着フィルムは通常、ポリ塩化ビニル系やポリオレフィン系のベースフィルムに粘着剤を塗布したものである。この粘着フィルムは、ダイシング工程における切断時にはダイシングソウの回転、あるいはレーザーの照射によって各素子が飛散しないような十分な粘着力が求められ、半導体用支持部材に接合する時には半導体素子を傷つけることなく接着フィルムと粘着層の界面で剥離できる程度の低い粘着力が求められる。ところが、上記のような、相反する２つの性能を充分併せ持つ感圧型粘着フィルムがなかったことより、半導体素子のサイズや加工条件毎に粘着フィルムを切替える作業が行われていた。また素子のサイズや加工条件によって粘着力の制御が必要になることから粘着フィルムの在庫管理が複雑化していた。さらに、近年、特にＣＰＵやメモリの大容量化が進んだ結果、半導体素子が大型化する傾向にあり、またＩＣカードあるいはメモリーカードなどの製品にあっては使用されるメモリの薄型化が進んでいる。これらの半導体素子の大型化や薄型化に伴い、接着フィルムの接着剤層と粘着フィルムの粘着層の界面で剥離する際に素子が割れてしまう等の問題が生じていた。
【０００７】
一方、後者の紫外線硬化型粘着フィルムはダイシング時には高粘着力を有するものの、接着剤層を粘着剤層より剥離する前に紫外線を照射することにより低粘着力になる。そのため、上記感圧型粘着フィルムが有する課題が改善されることより、広く採用されるに至っている。
【０００８】
しかし、フィルム状接着剤を用いた上記のウェハ裏面貼付け方式においては、半導体ウェハのダイシングを行うまでに、フィルム状接着剤を半導体ウェハに貼付する工程とダイシングテープをフィルム状接着剤に貼付する工程との２つの貼付工程が必要である。そこで、このプロセスを簡略化するために、フィルム状接着剤とダイシングテープとを貼り合わせ、一枚で両方の機能を併せ持つ接着フィルム（ダイボンドダイシングシート）が開発されている（例えば、特許文献１参照）。このような接着フィルムは、例えば、剥離基材／接着剤層／粘着フィルムの三層構造を有している。
【０００９】
また、このような接着フィルムを、半導体素子を構成するウェハの形状にあらかじめ加工しておく方法（いわゆるプリカット加工）が知られている（例えば特許文献２参照）。かかるプリカット加工は、使用されるウェハの形状に合わせて樹脂層（接着剤層及び粘着フィルム）を打ち抜き、ウェハを貼り付ける部分以外の樹脂層を剥離しておく方法である。
【００１０】
プリカット加工が施された接着フィルムは、例えば、図１（ａ）に示すような構造を有している。剥離基材１上に接着剤層２が積層され、その上にさらに粘着フィルム３が、剥離基材１側が粘着性を有する面となるようにして積層されている。なお、粘着フィルム３は接着剤層２を覆い、且つ、接着剤層２の周囲で剥離基材１に接するように積層されており、これにより、半導体ウェハのダイシングを行う際に、半導体ウェハの外周部のウェハリングに粘着フィルム３を貼り付けて接着フィルムを固定することができるようになっている。
【００１１】
かかるプリカット加工を施す場合、上記の接着フィルムは一般的に、フィルム状接着剤において接着剤層をウェハ形状に合わせてプリカット加工し、それとダイシングテープとを貼り合わせた後、このダイシングテープに対してウェハリング形状に合わせたプリカット加工を施すか、又は、あらかじめウェハリング形状にプリカット加工したダイシングテープを、プリカット加工したフィルム状接着剤と貼り合わせることによって作製される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開平７−４５５５７号公報
【特許文献２】実公平６−１８３８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
半導体用接着フィルムは従来、接着フィルムを半導体用ウェハに貼り合せ後、ダイシングにより個片化し、基板上に積層し、ワイヤをボンディングした後封止材でモールドすることによりフィルムを完全に硬化させる。しかしながら、ウェハ厚みの薄膜化に伴い、個片化し、接着フィルムを粘着材層からはく離をする際にはく離帯電により回路をショートさせてしまうことがある。
本発明は、剥離基材／接着剤層／粘着フィルムの三層構造を有するダイボンドダイシングシートを用いて半導体用ウェハを個片化し、ピックアップ時のはく離帯電を抑制したダイボンドダイシングシートと、それを用いた半導体装置の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、[１]  剥離基材、接着剤層、粘着剤層が片面に形成された粘着フィルムからなり、粘着剤層が接着剤層側になるように形成されたダイボンドダイシングシートにおいて、少なくとも接着剤層のいずれかの側に帯電防止層を設けたダイボンドダイシングシートに関する。
また、本発明は、[２]  前記帯電防止層が、２３℃、５０％ＲＨ環境下における表面固有抵抗値が１×１０12Ω／□以下である上記［１］に記載のダイボンドダイシングシートに関する。
また、本発明は、［３］  接着剤層が、（Ａ）架橋性官能基を有する高分子量成分、（Ｂ）多官能エポキシ樹脂、（Ｃ）フェノール樹脂（Ｄ）無機微粒子を含み、(Ａ)成分の重量平均分子量が１０万〜１００万で、ガラス転移温度が−５０℃〜５０℃であり、（Ａ）：（Ｂ）：（Ｃ）を質量比で（Ａ）：（Ｂ）：（Ｃ）＝４０〜７０：５〜２５：５〜２５の割合で含み、（Ｄ）成分が、(Ａ)、（Ｂ）、（Ｃ）の総計１００質量部に対し５〜１００質量部である上記［１］または［２］に記載のダイボンドダイシングシートに関する。
また、本発明は、［４］  上記［１］〜［３］のいずれか一項に記載のダイボンドダイシングシートにおいて、接着剤層及び粘着フィルムからなる積層体を剥離基材から剥離し、前記積層体を、前記接着剤層側の面から半導体ウェハに貼り付けて積層体付き半導体ウェハを得る貼り付け工程と、前記積層体付き半導体ウェハを、前記接着剤層と前記粘着フィルムとの界面までダイシングし、前記半導体ウェハを所定の大きさの半導体素子に切断するダイシング工程と、前記積層体に高エネルギー線を照射して前記粘着フィルムの前記接着剤層に対する粘着力を低下させた後、前記粘着フィルムから前記半導体素子を前記接着剤層とともにピックアップし、接着剤層付き半導体素子を得るピックアップ工程と、前記接着剤層付き半導体素子における前記半導体素子を、前記接着剤層を介して被着体に接着する接着工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法に関する。
また、本発明は、［５］  前記被着体が、半導体素子搭載用の支持部材、又は、別の半導体素子である上記［４］に記載の半導体装置の製造方法に関する。
【００１５】
本発明で用いる接着剤層は、上記（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）成分からなる熱硬化性樹脂と（Ｄ）成分の無機微粒子を上記特定の割合で含有し、且つ、熱硬化性樹脂としての上記（Ａ）〜（Ｃ）成分を上記特定の割合で含有することにより、低溶融粘度でありながら優れた接着強度を発現することができる。硬化前は良好な流動性により配線基板などの支持部材や半導体チップの凹凸を十分埋め込むことができ、硬化後は有機基板などの支持部材やシリコンチップなどに対して高い接着強度を発揮し得ることから、実装基板の接続信頼性の向上を図ることが可能となる。
【００１６】
また、本発明で用いる接着剤層によれば、低温（特には、１００〜１２０℃以下）での圧着実装のみで基板などの支持部材又は半導体チップの凹凸を十分埋め込むことができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のダイボンドダイシングシートによれば、ダイボンドダイシングシートの巻出しやはく離基材のはく離、そして、粘着剤層を接着剤層からはく離をする際に、はく離帯電を抑制でき、はく離帯電による回路のショートを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】（ａ）は、本発明のダイボンドダイシングシートの一例を模式的に示す平面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＸ−Ｘ端面図である。
【図２】（ａ）〜（ｆ）はダイボンドダイシングシートの製造方法の第１実施形態を示す一連の工程図である。
【図３】（ａ）〜（ｇ）はダイボンドダイシングシートの製造方法の第２実施形態を示す一連の工程図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、ダイボンドダイシングシートにおける積層体を半導体ウェハに貼り付ける作業を行う一連の工程図である。
【図５】半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、場合により図面を参照しつつ、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面中、同一又は相当部分には同一符号を付し、重複する説明は省略する。なお、各図における寸法比は、説明のため誇張している部分があり、必ずしも実際の寸法比とは一致しない。
【００２０】
本発明では、ダイボンドダイシングシートの帯電防止のため、剥離基材、接着剤層、粘着剤層が片面に形成された粘着フィルムをこの順に、そして、粘着剤層が接着剤層側になるように形成されたダイボンドダイシングシートで、少なくとも接着剤層のいずれかの側に帯電防止層を設けることを特徴とする。すなわち、帯電防止層は、剥離基材と接着剤層の間、接着剤層と粘着剤層の間、剥離基材と接着剤層の間と、接着剤層と粘着剤層の間に設ける。帯電防止層を形成することにより、ダイボンドダイシングシートを芯管に巻いた巻き物の場合、巻き物自体の静電気が抑制される結果、巻き物への大気中のごみや異物の吸着がなく、また、巻き出したダイボンドダイシングシートをウェハにラミネートしたり、ダイシング装置へ取り付ける際にも大気中のごみや異物の吸着を抑制したり、また、ダイシングソウの回転、あるいはレーザーの照射によって発生する素子の微粉を吸着することが抑制され、その結果、素子と接着剤層の界面にごみや異物を挟み込むことがなく接続信頼性が向上する効果も発揮する。
【００２１】
帯電防止層に用いる帯電防止剤としては、界面活性剤として、カチオン型界面活性剤、ノニオン型界面活性剤、アニオン型界面活性剤、そして、各種導電性樹脂、各種導電剤分散樹脂、４級アンモニウム塩含有ポリマー、カルボン酸塩含有ポリマー、シリケート系化合物、ポリチオフェン誘導体、ポリアニリン誘導体などが挙げられる。
カチオン型界面活性剤は、第４級アンモニウム塩、ピリジニウム塩、第１〜第３アミノ基等のカチオン性基を有する各種のカチオン性化合物が挙げられ、脂肪酸アミン塩およびその４級アンモニウム塩、芳香族４級アンモニウム塩、複素環４級アンモニウム塩などが挙げられ、１級、２級、３級アミンの無機酸または有機酸塩、脂肪族４級アンモニウム塩、塩化ベンザルコニウム、塩化ベンゼトニウム、アルキルピリジニウム塩、イミダゾリニウム塩などが例示される。
【００２２】
ノニオン型界面活性剤は、アミノアルコール系、グリセリン系、ポリエチレングリコール系等のノニオン性化合物で、エーテル型、エステルエーテル型、エステル型、含窒素型などが挙げられ、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレン２級アルコールエーテル、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンステロールエーテル、ポリオキシエチレンラノリン誘導体、アルキルフェノールホルマリン縮合物の酸化エチレン誘導体、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンヒマシ油及び硬化ヒマシ油、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステル、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、エチレングリコール脂肪酸エステル、グリセリン脂肪酸エステル、ポリグリセリン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、プロピレングリコール脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステル、脂肪酸アルカノールアミド、ポリオキシエチレン脂肪酸アミド、ポリオキシエチレンアルキルアミンなどが例示される。
【００２３】
アニオン型界面活性剤は、スルホン酸塩基、硫酸エステル塩基、リン酸エステル塩基、ホスホン酸塩基等のアニオン性基を有するアニオン性化合物で、カルボン酸塩、スルホン酸塩、硫酸エステル塩、リン酸エステル塩などが挙げられ、脂肪酸石けん、Ｎ−アシル酸及びその塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテルカルボン酸塩、アシル化ペプチド、アルキルベンゼンスルホン酸塩、アルキルナフタレンスルホン酸塩、ナフタレンスルホン酸の塩ホルマリン重縮合物、メラミンスルホン酸の塩ホルマリン重縮合物、ジアルキルスルホコハク酸エステル塩、スルホコハク酸アルキル二塩、ポリオキシエチレンアルキルスルホコハク酸二塩、アルキルスルホ酢酸塩、α−オレフィンスルホン酸塩、Ｎ−アシル−Ｎ−メチルタウリンナトリウム塩、ジメチル−５−スルホイソフタレートナトリウム塩、硫酸化油、高級アルコール硫酸エステル塩、第２級高級アルコール硫酸エステル塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテル硫酸塩、第２級高級アルコールエトキシサルフェート、ポリオキシエチレン脂肪酸アルカノールアミド硫酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテル硫酸塩、モノグリサルフェート、脂肪酸アルキロールアマイド硫酸エステル塩、ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸塩、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルリン酸塩、アルキルリン酸塩などが例示される。
【００２４】
珪素、スズおよびチタンのアルコキシドのような有機金属化合物およびそれらのアセチルアセトナート塩のような金属キレート化合物等が挙げられ、さらに上記に列記した化合物を高分子量化した化合物が挙げられる。また、第３級アミノ基、第４級アンモニウム基、または金属キレート部を有し、かつ、電離放射線により重合可能なモノマーまたはオリゴマー、或いは官能基を有するカップリング剤のような有機金属化合物等の重合性化合物もまた帯電防止剤として使用できる。
珪素のアルコキシドのような有機金属化合物として、エチルシリケート（テトラエチルシラン）、プロピルシリケート、ブチルシリケート、メトキシエトキシシリケート、それらのシリケートのオリゴマー類などが挙げられる。
また、導電性微粒子が挙げられる。導電性微粒子の具体例としては、金属酸化物からなるものが挙げられ、そのような金属酸化物としては、ＺｎＯ、ＣｅＯ２、Ｓｂ２Ｏ２、Ｓｂ２Ｏ３、Ｓｂ２Ｏ５、ＳｎＯ２、酸化インジウム錫、Ｉｎ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、アンチモンドープ酸化錫、アルミニウムドープ酸化亜鉛等を挙げることができる。導電性微粒子は、回路が存在する面に用いる場合は、回路間に存在すると回路間をシュートするので、回路間より小さな粒径を有するもので１ミクロン以下のサブミクロンの大きさで、好ましくは、平均粒径が０．１ｎｍ〜０．１μｍのものである。
【００２５】
また、回路が存在しない面に用いる場合に有効であるが、π共役系導電性高分子が挙げられる。π共役系導電性高分子は、主鎖がπ共役系で構成されている高分子であれば特に限定されず、例えば、脂肪族共役系のポリアセチレン、ポリアセン、ポリアズレン、芳香族共役系のポリフェニレン、複素環式共役系のポリピロール、ポリチオフェン、ポリイソチアナフテン、含ヘテロ原子共役系のポリアニリン、ポリチエニレンビニレン、混合型共役系のポリ（フェニレンビニレン）、分子中に複数の共役鎖を持つ共役系である複鎖型共役系、これらの導電性ポリマーの誘導体、及び、これらの共役高分子鎖を飽和高分子にグラフトまたはブロック共重した高分子である導電性複合体からなる群より選択される少なくとも一種を挙げることができる。なかでも、ポリチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール等の共役系導電性高分子を使用することがより好ましい。導電性向上や、帯電防止性能向上を目的に、有機スルホン酸や塩化鉄等の陰イオンを、ドーパント（電子供与剤）として添加し、複合体として使用することもできる。
帯電防止層は、上記帯電防止剤、有機金属化合物、金属キレート化合物、重合性化合物、導電性微粒子、導電性高分子などを単独で、または他の膜形成能を有する樹脂（バインダ）などと混合して用いることができる。帯電防止層は、表面固有抵抗値が１×１０12Ω／□以下となるように形成すると好ましい。帯電防止層は、接着剤層の接着力を低下させる傾向にあるので、なるべく接着剤層の接着力を低下させない材料を選び、少ない量とすることが重要である。
帯電防止層は、２３℃、５０％ＲＨ環境下における表面固有抵抗値が１×１０12Ω／□以下となるように形成すると好ましい。表面固有抵抗値の測定は、帯電防止層を設けた面を測定する。
【００２６】
帯電防止層の形成は、このような帯電防止剤を単独で、または、他の膜形成能を有する樹脂に混合して、接着剤層上にコーティングなどの方法で行うことが作業性の観点から好ましい。コーティング方法としては、公知の方法を実施すればよいが、具体的には、例えば、グラビアコーティング、ワイヤーバーコーティング、エアーナイフコーティング、ドクターナイフコーティング等の方法が挙げられる。また、コーティング方法としてはとくにフィルム上である必要はなく、上記記載の粘着剤層にスプレーなどにより塗布をしてもかまわない。帯電防止層の厚さは、特に制限されるものではなく、その帯電防止性能を考慮して塗布量を選択すればよい。本発明に係る帯電防止層に適する帯電防止性能としては、２３℃、５０％ＲＨ環境下の表面固有抵抗値が１×１０12Ω／□以下であることが好ましく、より好ましくは１×１０9Ω／□以下である。
【００２７】
本発明のダイボンドダイシングシートは、剥離基材、接着剤層、粘着剤層が片面に形成された粘着フィルムからなり、粘着剤層が接着剤層側になるように形成されている。
剥離基材は、特に制限はなく、例えば、樹脂製フィルムであるポリエチレンテレフタレートフィルムなどのポリエステルフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルナフタレートフィルム、メチルペンテンフィルム等が挙げられる。
先ず、本発明で用いる接着剤層について説明する。
【００２８】
本発明で用いる接着剤層は、熱硬化性樹脂及び無機微粒子（フィラー）を含有する接着剤組成物であって、無機微粒子の配合割合が、熱硬化性樹脂１００質量部に対して５〜１００質量部であり、且つ、熱硬化性樹脂として、（Ａ）架橋性官能基を有し、重量平均分子量が１０万〜１００万でありガラス転移温度が−５０℃〜５０℃である高分子量成分、（Ｂ）多官能エポキシ樹脂、及び、（Ｃ）フェノール樹脂を質量比で、（Ａ）：（Ｂ）：（Ｃ）＝４０〜７０：５〜２５：５〜２５の割合で含むものであると好ましい。
【００２９】
上記高分子量成分（Ａ）としては、エポキシ基、アルコール性またはフェノール性水酸基、カルボキシル基などの架橋性官能基を有するポリイミド樹脂、（メタ）アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、変性ポリフェニレンエーテル樹脂等が挙げられる。ただし、これらに限定されるものではない。
【００３０】
本発明で用いる高分子量成分（Ａ）としては、グリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートなどの官能性モノマーを含有するモノマーを重合して得た、重量平均分子量が１０万〜１００万であるエポキシ基含有（メタ）アクリル共重合体などが好ましい。更に、（メタ）アクリル共重合体としては、（メタ）アクリル酸エステル共重合体、アクリルゴムなどを使用することができ、アクリルゴムがより好ましい。アクリルゴムは、アクリル酸エステルを主成分とし、主として、ブチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体や、エチルアクリレートとアクリロニトリルなどの共重合体などからなるゴムである。
【００３１】
高分子量成分（Ａ）のガラス転移温度Ｔｇは、−５０℃〜５０℃の範囲内であることが好ましい。高分子量成分のＴｇが５０℃を超えると、接着剤層の柔軟性が低くなりすぎ、ウェハにラミネートする際の充分な密着性が得られにくくなる傾向にある。一方、高分子量成分のＴｇが−５０℃未満であると、接着剤層の柔軟性が高くなりすぎるため、半導体ウェハダイシング時に接着剤層が切断し難くなり、バリの発生によりダイシング性が悪化する場合がある。
【００３２】
また、高分子量成分（Ａ）の重量平均分子量は、１０万〜１００万の範囲内であると好ましいが、好ましくは２０万以上、８０万以下である。高分子量成分の重量平均分子量が２０万未満であると、接着剤層のフィルム成形性が悪化したり、接着剤層の接着力や耐熱性の低下を引き起こしたりする場合があり、重量平均分子量が８０万を超えると未硬化の接着剤層の流動性が低下する場合がある。
【００３３】
なお、本発明において、重量平均分子量とは、ゲルパーミュエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し、標準ポリスチレン検量線を用いて換算した値を意味する。
【００３４】
また、本発明で用いる高分子量成分（Ａ）は、半導体ウェハダイシング時に接着剤層の切断が容易になり樹脂くずが発生し難くなる点、未硬化の接着シートの流動性が高くなる点、並びに、接着力及び耐熱性が高くなる点から、Ｔｇが−２０℃〜４０℃であり且つ重量平均分子量が１０万〜９０万であるものが好ましく、Ｔｇが−１０℃〜４０℃であり且つ重量平均分子量が２０万〜８０万であるものがより好ましい。
【００３５】
（Ｂ）成分の多官能エポキシ樹脂としては、分子量５００以上であることが好ましく、硬化して接着作用を有するものであれば特に限定されないが、中でも１２０℃以下で硬化が進行するものが好ましい。例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂やクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などのノボラック型エポキシ樹脂などを使用することができる。グリシジルアミン型エポキシ樹脂、複素環含有エポキシ樹脂または脂環式エポキシ樹脂など、一般に知られているものを適用することができる。
【００３６】
多官能エポキシ樹脂（Ｂ）として、下記一般式（１）で表わされ、分子量８００以上であるエポキシ樹脂を含有することが好ましい。
【００３７】
【化１】
2012248607.tif 000003
一般式（１）中、Ｒ１は水素原子、ハロゲン原子、直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、又は、アリール基を示し、ｌは１〜３の整数を示し、ｍは２〜４の整数を示す。
【００３８】
また、上記一般式（１）で表され、分子量８００以上である多官能エポキシ樹脂は、８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽に４８時間投入後の吸水率が２質量％以下で、熱質量分析計（ＴＧＡ）で測定した３５０℃での加熱質量減少率（昇温速度：５℃／ｍｉｎ，雰囲気：窒素）が５質量％未満のものが好ましく使用できる。
【００３９】
接着剤層としては、分子量５００以上の多官能エポキシ樹脂を必須成分として含有すると好ましく、硬化物の耐熱性を更に向上させる観点から、一般式（１）で表され、分子量が８００〜３０００である多官能エポキシ樹脂が含有されることが特に好ましい。
【００４０】
また、本発明で用いる接着剤層においては、Ｂステージ状態でのフィルムの可撓性を高める観点から、分子量５００以上の多官能エポキシ樹脂（Ｂ）以外のエポキシ樹脂として、分子量５００未満のエポキシ樹脂が更に含有されることが好ましく、分子量４００以下のエポキシ樹脂が更に含有されることがより好ましい。このようなエポキシ樹脂としては、ビスフェノールＡ型又はビスフェノールＦ型エポキシ樹脂といった二官能エポキシ樹脂などが好適に用いられる。
【００４１】
本発明で用いる接着剤層には、フェノール樹脂（Ｃ）として、下記一般式（２）で表わされるフェノール樹脂を含有することが好ましい。
【００４２】
【化２】
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一般式（２）中、Ｒ２は水素原子、ハロゲン原子、直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、アラルキル基、アルケニル基、水酸基、又は、アリール基を示し、ｑは１〜３の整数を示し、繰り返し単位の数を示すｐは１〜５０の範囲の整数を示す。
【００４３】
また、上記一般式（２）で表されるフェノール樹脂は、８５℃、８５％ＲＨの恒温恒湿槽に４８時間投入後の吸水率が２質量％以下で、熱質量分析計（ＴＧＡ）で測定した３５０℃での加熱質量減少率（昇温速度：５℃／ｍｉｎ，雰囲気：窒素）が５質量％未満のものが好ましく使用できる。
【００４４】
本発明で用いる接着剤層におけるエポキシ樹脂とフェノール樹脂との配合割合は、エポキシ当量と水酸基当量との当量比が０．７０／０．３０〜０．３０／０．７０となるように設定するのが好ましく、０．６５／０．３５〜０．３５／０．６５となるように設定するのがより好ましく、０．６０／０．４０〜０．４０／０．６０となるように設定するのがさらに好ましく、０．６０／０．４０〜０．５０／０．５０となるように設定するのが特に好ましい。エポキシ当量と水酸基当量との当量比が上記範囲外であると、接着剤層の硬化性が劣る、又は、未硬化の接着剤層の粘度が高くなり流動性に劣る傾向にある。
【００４５】
本発明で用いる接着剤層には（Ｄ）成分として無機微粒子（フィラー）が含有されていると好ましく、これにより、Ｂステージ状態における接着剤層のダイシング性の向上、接着剤層の取扱い性の向上、熱伝導性の向上、溶融粘度の調整、チクソトロピック性の付与、接着力の向上を図ることが可能となる。
【００４６】
本発明で用いる無機微粒子（フィラー）としては、無機フィラーが好ましい。無機フィラーとしては特に制限は無く、例えば、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ、アンチモン酸化物などが使用できる。また、これらは単体あるいは２種類以上を混合して使用することもできる。
【００４７】
また、上記の無機フィラーのうち、熱伝導性向上の観点からは、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、結晶性シリカ、非晶性シリカ等を用いることが好ましい。また、溶融粘度の調整やチクソトロピック性の付与の点からは、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、アルミナ、結晶性シリカ、非晶性シリカ等を用いることが好ましい。また、ダイシング性の向上の観点からは、アルミナ、シリカを用いることが好ましい。
【００４８】
（Ｄ）無機微粒子の含有割合は、接着剤層のダイシング性が向上する点、接着剤層の硬化後の貯蔵弾性率が１７０℃で２０〜１０００ＭＰａになりワイヤボンディング性が良好となる点から、(Ａ)、（Ｂ）、（Ｃ）の総計１００質量部に対して５〜１００質量部であることが必要であり、さらには３５〜１００質量部であることが好ましい。
【００４９】
無機微粒子の含有量が大きすぎると、フィルム成形性の悪化、未硬化の接着剤層の流動性低下、接着剤の貯蔵弾性率の過剰な上昇、接着力の低下を引き起こしやすくなるため、無機微粒子の含有割合は、熱硬化性樹脂（(Ａ)、（Ｂ）、（Ｃ）の総計）１００質量部に対して８０質量部以下であることがより好ましい。一方、無機微粒子の含有量が小さいと、半導体ウェハダイシング時に樹脂バリが発生しやすくなり、また接着力が低下する傾向にあるため、無機微粒子の含有割合は、熱硬化性樹脂（(Ａ)、（Ｂ）、（Ｃ）の総計）１００質量部に対して３５質量部以上であることがより好ましい。
【００５０】
本発明で用いる接着剤層は、上記無機微粒子として、平均粒径が異なる２種以上のフィラーを含むことが好ましい。この場合、単一のフィラーを使用した場合に比べて、成膜前の原料混合物の粘度上昇若しくは低下を防止することが容易となり、良好な成膜性が得られやすくなるとともに、接着剤層の硬化後には優れた接着強度を得られやすくなる。
【００５１】
また、本発明で用いる接着剤層は、上記の効果をより確実に得る観点から、平均粒径が０．１〜１．０μｍの範囲内にある第１のフィラー、及び、一次粒径の平均粒径が０．００５〜０．０３μｍの範囲内にある第２のフィラーを含むことが好ましい。さらには、ビーズミル処理によりシクロヘキサノンへ第１のフィラーを分散させた分散液をアセトン中へ滴下し、これを用いて測定した第１のフィラーの分散液中の平均粒径が０．１〜１．０μｍであることが好ましい。また、同様にして測定した第２のフィラーの分散液の平均粒径が０．０５〜０．３μｍであることが好ましい。
【００５２】
更に、本発明で用いる接着剤層は、上記の効果をより確実に得る観点から、平均粒径が０．１〜１．０μｍの範囲内にあり且つ９９％以上の粒子が粒径０．１〜１．０μｍの範囲内に分布する第１のフィラー、及び、一次粒径の平均粒径が０．００５〜０．０３μｍの範囲内にあり且つ９９％以上の粒子が粒径０．００５〜０．１μｍの範囲内に分布する第２のフィラーを含むことが好ましい。
【００５３】
また、本発明で用いる接着剤層は、１５０℃以上で重合反応により高分子量化する熱重合性化合物を更に含有することが好ましい。
【００５４】
１５０℃以上で重合反応により高分子量化する熱重合性化合物としては、例えば、酸素存在下、高温で加熱すると高分子量化する多官能（メタ）アクリレートモノマー等が挙げられ、日本化薬株式会社製のＫＡＹＡＲＡＤ ＤＰＨＡ（ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート）などを用いることができる。
【００５５】
本発明で用いる接着剤層における上記熱重合性化合物の含有割合は、熱硬化性樹脂（(Ａ)、（Ｂ）、（Ｃ）の総計）１００質量部に対して３〜１０質量部であることが好ましい。含有割合が高すぎると未硬化接着剤層のべたつきが高くなる傾向がある。
【００５６】
上記接着剤層には更に硬化促進剤を添加してもよい。硬化促進剤としては、特に制限はなく、例えば、イミダゾール類等が挙げられる。具体的には、例えば、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。また、これら硬化促進剤はマイクロカプセル型潜在性硬化剤を用いても良い。これら潜在性硬化剤は例えば旭化成エポキシ株式会社製、商品名：ノバキュアＨＸ−３９４１などがあげられる。
【００５７】
この硬化促進剤の添加量は、(Ａ)、（Ｂ）、（Ｃ）の総計１００質量部に対して１０質量部以下が好ましく、５質量部以下がより好ましい。この添加量が５質量部を超えると保存安定性が低下する傾向がある。
【００５８】
また、接着剤層には、異種材料間の界面結合を良くするために、各種カップリング剤を添加することもできる。カップリング剤としては、例えば、シラン系、チタン系、アルミニウム系等が挙げられ、中でも効果が高い点でシラン系カップリング剤が好ましい。
【００５９】
上記カップリング剤の使用量は、その効果や耐熱性及びコストの面から、接着剤層の全量を基準として０．０１〜１０質量％とするのが好ましい。
【００６０】
更に、接着剤層には、イオン性不純物を吸着して、吸湿時の絶縁信頼性を向上させるために、イオン捕捉剤を添加することもできる。このようなイオン捕捉剤としては特に制限はなく、例えば、トリアジンチオール化合物、ビスフェノール系還元剤等の、銅がイオン化して溶け出すのを防止するため銅害防止剤として知られる化合物、ジルコニウム系、アンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤などが挙げられる。
【００６１】
上記イオン捕捉剤の使用量は、添加による効果や耐熱性、コスト等の点から、接着剤層の全量を基準として０．１〜１０質量％が好ましい。
【００６２】
また、本発明で用いる接着剤層は、有機基板（例えば、銅張り積層板「Ｅ−６９７ＦＧ」（日立化成工業株式会社製、４００μｍ厚）に回路形成し、レジストインキ「ＡＵＳ３０８」（太陽インキ製造株式会社製）で被覆したもの）に対する硬化後の接着強度が、１．０ＭＰａ以上であることがより好ましい。
【００６３】
ダイボンドダイシングシートは、例えば、以下の方法により作製することができる。先ず、上述の接着剤層を構成する各成分を有機溶媒中で混合、混練してワニスを調製し、このワニスの層を剥離基材上に形成させ、加熱により乾燥することにより接着剤層を得ることができる。また、ワニス層の乾燥後に剥離基材を除去して、接着剤層のみから構成される半導体用接着シートとしてもよい。上記の混合、混練は、通常の攪拌機、らいかい機、三本ロール、ボールミル等の分散機を適宜、組み合わせて行うことができる。上記の加熱乾燥の条件は、使用した溶媒が充分に揮散する条件であれば特に制限はないが、通常６０℃〜２００℃で、０．１〜９０分間加熱して行う。
【００６４】
上記ワニスの調製に用いる有機溶媒は、材料を均一に溶解、混練又は分散できるものであれば制限はなく、従来公知のものを使用することができる。このような溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン系溶媒、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン、トルエン、キシレン等が挙げられる。乾燥速度が速く、価格が安い点でメチルエチルケトン、シクロヘキサノンなどを使用することが好ましい。
【００６５】
接着剤層の厚みは、基板の配線回路の凹凸を充填するため、１０〜２５０μｍであることが好ましい。この厚みが１０μｍよりも薄いと、凹凸の充填性が十分得られ難くなる他、応力緩和効果や接着性が低下する傾向があり、２５０μｍよりも厚いと経済的でなくなる上に、半導体装置の小型化の要求に応えることが困難となる傾向にある。更に、接着剤層の厚みは、十分な接着性が得られるとともに半導体装置を薄型化できる点から、２０〜１００μｍがより好ましく、２０〜４０μｍが更に好ましい。
【００６６】
ダイシング性が優れる点から、接着剤層の硬化前（Ｂステージ状態）の３５℃における貯蔵弾性率は２００〜６０００ＭＰａであることが好ましい。更に、この貯蔵弾性率は、ダイシング性に優れ、かつ半導体ウェハとの密着性が優れる点で、２００〜３０００ＭＰａであることがより好ましい。
【００６７】
また、良好なワイヤボンディング性を得る観点から、接着剤層の硬化後（Ｃステージ状態）の１７０℃における貯蔵弾性率は、２０〜１０００ＭＰａであることが好ましい。
【００６８】
接着剤層の貯蔵弾性率は、動的粘弾性測定装置（ＵＢＭ社製「Ｒｈｅｏｇｅｌ−Ｅ４０００」）を用いて、サンプルサイズ：長さ２０ｍｍ、幅４ｍｍ、温度範囲：−３０〜２００℃、昇温速度３℃／ｍｉｎ、引張りモード、１０Ｈｚ、自動静荷重の測定条件で測定される。
【００６９】
また、接着剤層の硬化後の有機基板に対する接着強度が、１ＭＰａ以上であることがより好ましい。この接着強度は、以下の手順で測定された値を意味する。先ず、接着剤層を４００μｍ厚の半導体ウェハに６０℃で貼り付けし、５．０ｍｍ角にダイシングする。個片化したサンプルをレジストＡＵＳ３０８を塗布した基板上に、温度１２０℃、荷重２５０ｇｆの条件で５秒間圧着する。次に、サンプルを圧着した基板を、１２０℃で１時間、及び１７０℃で１時間のステップキュアにより硬化させ、２５０℃のダイシェア強度を測定し、これを接着強度とする。
【００７０】
本発明で用いる接着剤層を従来公知のダイシングテープ上に設け、ダイボンドダイシングシート（ダイシング・ダイボンディング一体型接着シート）とする。この場合、半導体ウェハへのラミネート工程が一回で済むことから、作業を更に効率化することが可能となる。
【００７１】
本実施形態で使用するダイシングテープとしては、粘着剤層が片面に形成された粘着フィルムであり、フィルムとして、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。また、これらのプラスチックフィルムには、必要に応じてプライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理を行ってもよい。
【００７２】
上述のプラスチックフィルムの片面に粘着剤層を設ける。この粘着剤層は、液状成分の比率、高分子量成分のＴｇを調整することによって得られる適度なタック強度を有する樹脂組成物を塗布乾燥することで形成可能である。
【００７３】
ダイボンドダイシングシートを半導体装置の製造に用いる場合、接着剤層は、ダイシング時には半導体素子が飛散しない粘着力を有し、その後ピックアップ時にはダイシングテープから容易に剥離できることが好ましい。例えば、接着剤層の粘着性が高すぎるとピックアップが困難になることがある。そのため、適宜、接着剤層のタック強度を調節することが好ましい。その方法としては、接着剤層の室温におけるフローを上昇させると粘着強度及びタック強度も上昇する傾向があり、一方、フローを低下させれば粘着強度及びタック強度も低下する傾向があることを利用すればよい。具体的には、フローを上昇させるには、例えば、可塑剤の含有量の増加、粘着付与剤含有量の増加等の方法がある。逆にフローを低下させるには、前記化合物の含有量を減らせばよい。前記可塑剤としては、例えば、単官能のアクリルモノマー、単官能エポキシ樹脂、液状エポキシ樹脂、アクリル系樹脂、エポキシ系のいわゆる希釈剤等が挙げられる。
【００７４】
ダイシングテープ上に接着剤層を設ける方法としては、印刷のほか、予め作製した接着剤層をダイシングテープ上にプレス、ホットロールラミネートする方法が挙げられるが、連続的に製造でき、効率が良い点でホットロールラミネートによって接着剤層を設ける方法が好ましい。
【００７５】
ダイシングテープの膜厚は、特に制限はなく、接着剤層の膜厚やダイボンドダイシングシートの用途によって適宜、当業者の知識に基づいて定められるものであるが、経済性がよく、フィルムの取扱い性が良い点で６０〜１５０μｍが好ましく、７０〜１３０μｍがより好ましい。
【００７６】
本発明で用いるダイボンドダイシングシートは、例えば、接着剤層２を剥離基材１に塗布する際にあらかじめ部分的に接着剤層２を形成するためのワニス等の原材料を分布させておく方法や、剥離基材１にマスクをし、このマスク部以外の部分に上記のワニス等の原材料を塗布する方法等を用いて形成することができるが、作業の簡便さを考慮すると、あらかじめ剥離基材１の全面に接着剤層２を塗布法により形成し、打ち抜き加工を施して不要部分を取り除く方法が好ましい。また、粘着フィルム３を部分的に形成する方法としても、上記と同様に打ち抜き加工を施して不要部分を取り除く方法が好ましい。
【００７７】
図２（ａ）〜（ｆ）は、ダイボンドダイシングシートの製造方法の第１実施形態を示す一連の工程図である。第１実施形態にかかるダイボンドダイシングシートの製造方法においては、まず、図２（ａ）に示すように、剥離基材１上の全面に接着剤層２を積層する（第１の積層工程）。次に、図２（ｂ）に示すように、金型５又はそれに相当する部材を用いて、接着剤層２の剥離基材１に接する側と反対側の面Ｆ１から剥離基材１に達するまで切り込みを入れ、所定の形状に打ち抜き加工を施す（第１の切断工程）。その後、図２（ｃ）に示すように、打ち抜き加工を施した接着剤層２の不要部分６を除去し、図２（ｄ）に示すように、所定の平面形状を有する接着剤層２と、その外方に配置される支持接着剤層２２とを形成する。次に、図２（ｅ）及び（ｆ）に示すように、接着剤層２の平面形状よりも一回り大きい平面形状に予め切断された粘着剤層が片面に形成された粘着フィルム３を、接着剤層２を覆い、且つ、接着剤層２の周囲で剥離基材１と接するように積層するとともに、支持接着剤層２２と略同一形状に予め切断された支持粘着フィルム２３を、支持接着剤層２２上に積層する（第２の積層工程）。このとき、粘着フィルム３と支持粘着フィルム２３とは同一の組成を有するものであってもよく、異なる組成を有するものであってもよい。以上により、ダイボンドダイシングシート１６０を作製することができる。
【００７８】
また、図３（ａ）〜（ｇ）は、ダイボンドダイシングシートの製造方法の第２実施形態を示す一連の工程図である。第２実施形態にかかるダイボンドダイシングシートの製造方法においては、まず、図３（ａ）に示すように、剥離基材１上の全面に接着剤層２を積層する（第１の積層工程）。次に、図３（ｂ）に示すように、金型５又はそれに相当する部材を用いて、接着剤層２の剥離基材１に接する側と反対側の面Ｆ１から剥離基材１に達するまで切り込みを入れ、所定の形状に打ち抜き加工を施す（第１の切断工程）。その後、図３（ｃ）に示すように、打ち抜き加工を施した接着剤層２の不要部分６を除去し、図３（ｄ）に示すように、所定の平面形状を有する接着剤層２と、その外方に配置される支持接着剤層２２とを形成する。次に、図３（ｅ）に示すように、接着剤層２、支持接着剤層２２及び露出している剥離基材１の全体を覆うように粘着フィルム３を積層する（第３の積層工程）。次に、図３（ｆ）及び（ｇ）に示すように、粘着フィルム３に対して金型等を用いて打ち抜き加工を施すことにより、接着剤層２を覆い、且つ、接着剤層２の周囲で剥離基材１と接するように積層された粘着フィルム３と、支持接着剤層２２を覆い、且つ、一端が剥離基材１と接するように積層された支持粘着フィルム２３とを形成する（第２の切断工程）。以上により、ダイボンドダイシングシート１７０を作製することができる。
【００７９】
これらのダイボンドダイシングシートの製造方法において、第１の積層工程による接着剤層２の積層は、例えば、接着剤層２を構成する材料を溶剤に溶解又は分散してなる接着剤層形成用ワニスを剥離基材１上に塗布し、加熱により溶剤を除去することで行うことができる。
【００８０】
また、第３の積層工程における粘着フィルム３の積層は、例えば、粘着剤層を構成する材料を溶剤に溶解又は分散して粘着剤層形成用ワニスとし、これを基材フィルム上に塗布した後、加熱により溶剤を除去して、基材フィルム及び粘着剤層からなる粘着フィルム３を形成する。そして、得られた粘着フィルム３を、接着剤層２、支持接着剤層２２及び露出している剥離基材１の全体を覆うように積層することによって行うことができる。
【００８１】
ここで、剥離基材１及び基材フィルムへのワニスの塗布方法としては、公知の方法を用いることができ、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等を用いることができる。
【００８２】
また、粘着フィルム３の積層は、従来公知の方法によって行うことができ、例えば、ラミネータ等を用いて行うことができる。
【００８３】
（半導体装置の製造方法）
次に、本発明のダイボンドダイシングシートを用いて半導体装置を製造する方法について、図４を用いて説明する。なお、以下の説明においては、ダイボンドダイシングシートとして図１に示したダイボンドダイシングシート１００を用いる場合について説明する。また、ダイボンドダイシングシート１００において、粘着フィルム３は、粘着剤層と基材フィルムとが積層された構成を有していることとする。
【００８４】
図４（ａ）〜（ｃ）は、ダイボンドダイシングシート１００における積層体１０を半導体ウェハ３２に貼り付ける作業を行う一連の工程図である。図４（ａ）に示すように、ダイボンドダイシングシート１００は、剥離基材１がキャリアフィルムの役割を果たしており、２つのロール６２及び６６と、楔状の部材６４とに支持されながら、その一端が円柱状の巻芯４４に接続された状態で巻回され第１のロール４２を形成し、他端が円柱状の巻芯５４に接続された状態で巻回され第２のロール５２を形成している。そして、第２のロール５２の巻芯５４には、当該巻芯５４を回転させるための巻芯駆動用モータ（図示せず）が接続されており、積層体１０が剥離された後の剥離基材１が所定の速度で巻回されるようになっている。
【００８５】
まず、巻芯駆動用モータが回転すると、第２のロール５２の巻芯５４が回転し、第１のロール４２の巻芯４４に巻回されているダイボンドダイシングシート１００が第１のロール４２の外部に引き出される。そして、引き出されたダイボンドダイシングシート１００は、移動式のステージ上に配置された円板状の半導体ウェハ３２及びそれを囲むように配置されたウェハリング３４上に導かれる。ダイボンドダイシングシート１００が第１のロール４２の外部に引き出される際に、はく離帯電を生じるが帯電防止層によりこの帯電は徐々に放電されその影響は抑制される。
【００８６】
次に、剥離基材１から、接着剤層２及び粘着フィルム３からなる積層体１０が剥離される。このとき、ダイボンドダイシングシート１００の剥離基材１側から楔状の部材６４が当てられており、剥離基材１は部材６４側へ鋭角に曲げられ、剥離基材１と積層体１０との間に剥離起点が作り出されることとなる。更に、剥離起点がより効率的に作り出されるように、剥離基材１と積層体１０との境界面にエアーが吹き付けられている。
【００８７】
このようにして剥離基材１と積層体１０との間に剥離起点が作り出された後、図４（ｂ）に示すように、粘着フィルム３がウェハリング３４と密着し、接着剤層２が半導体ウェハ３２と密着するように積層体１０の貼り付けが行われる。このとき、ロール６８によって積層体１０は半導体ウェハ３２に圧着されることとなる。そして、図４（ｃ）に示すように、半導体ウェハ３２上への積層体１０の貼り付けが完了し、積層体付き半導体ウェハが得られる。剥離基材１と積層体１０がはく離されるときのはく離帯電は、帯電防止層により徐々に放電され、その影響が抑制される。
【００８８】
以上のような手順により、半導体ウェハ３２への積層体１０の貼り付けを、自動化された工程で連続して行うことができる。このような半導体ウェハ３２への積層体１０の貼り付け作業を行う装置としては、例えば、リンテック株式会社製のＲＡＤ−２５００（商品名）等が挙げられる。
【００８９】
このような工程により積層体１０を半導体ウェハ３２に貼り付ける場合、ダイボンドダイシングシート１００はロール状に巻き取られた状態（第１のロール４２）で用いられるが、このとき、ダイボンドダイシングシート１００が支持層２０を有していることにより、接着剤層２に巻き跡が転写されることを十分に抑制することができる。これにより、半導体ウェハ３２に積層体１０を貼り付ける際に空気の巻き込み等を低減することができ、半導体ウェハ３２と接着剤層２との界面におけるボイドの発生を十分に抑制することができる。
【００９０】
次に、上記の工程により得られた積層体付き半導体ウェハをダイシングし、必要な大きさの積層体付き半導体素子を得る。ここで更に、洗浄、乾燥等の工程を行ってもよい。このとき、接着剤層２及び粘着フィルム３により半導体ウェハ３２は積層体１０に十分に粘着保持されているので、上記各工程中に半導体ウェハが脱落することが抑制される。
【００９１】
次に、放射線等の高エネルギー線を積層体１０の粘着フィルム３に照射し、粘着フィルム３における粘着剤層の一部又は大部分を重合硬化せしめる。この際、高エネルギー線照射と同時に又は照射後に、硬化反応を促進する目的で更に加熱を行っても良い。
【００９２】
粘着フィルム３への高エネルギー線の照射は、基材フィルムの粘着剤層が設けられていない側の面から行う。したがって、高エネルギー線として紫外線を用いる場合には、基材フィルムは光透過性であることが必要である。なお、高エネルギー線として電子線を用いる場合には、基材フィルムは必ずしも光透過性である必要はない。
【００９３】
高エネルギー線照射後、ピックアップすべき半導体素子を、例えば吸引コレットによりピックアップする。この際、ピックアップすべき半導体素子を基材フィルムの下面から、例えば針扞等により突き上げることもできる。粘着剤層を硬化させることにより、半導体素子と接着剤層２との間の粘着力は、接着剤層２と粘着剤層との間の粘着力よりも大きくなるため、半導体素子のピックアップを行うと、接着剤層２と粘着剤層との界面で剥離が生じ、接着剤層２が半導体素子の下面に付着した状態の接着剤層付き半導体素子がピックアップされることとなる。本発明では、接着剤層のいずれかの側に帯電防止層を設けているので、この際のはく離帯電を防止できる。
【００９４】
この接着剤層付き半導体素子を、接着剤層２を介して半導体素子搭載用の支持部材に載置し、加熱を行う。加熱により接着剤層２は接着力が発現し、半導体素子と半導体素子搭載用支持部材との接着が完了する。
【００９５】
その後、必要に応じてワイヤボンド工程や封止工程等を経て、半導体装置が製造される。
【００９６】
（半導体装置）
図５は、本発明の上述した半導体装置の製造方法により製造される半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。
【００９７】
図５に示すように、半導体装置３００は、半導体素子搭載用の支持部材となる有機基板７０上に、接着剤層２及び半導体素子７２からなる接着剤層付き半導体素子が２つ積層されている。また、有機基板７０には、回路パターン７４及び端子７６が形成されており、この回路パターン７４と２つの半導体素子７２とが、ワイヤボンド７８によってそれぞれ接続されている。そして、これらが封止材８０により封止され、半導体装置３００が形成されている。この半導体装置３００は、上述した本発明の半導体装置の製造方法により、本発明のダイボンドダイシングシート１００を用いて製造されるものである。
【実施例】
【００９８】
以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００９９】
（接着剤層形成用ワニスの調整）
（Ｂ）成分の多官能エポキシ樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（商品名：ＹＤＣＮ−７０３、東都化成株式会社製、エポキシ当量：２２０）６０質量部、及び、（Ｃ）成分のフェノール樹脂（硬化剤）として低吸水性フェノール樹脂（商品名：ＸＬＣ−ＬＬ、三井化学株式会社製、フェノールキシレングリコールジメチルエーテル縮合物）４０質量部に、シクロヘキサノン１５００質量部を加えて撹拌混合し、第１のワニスを調製した。次に、この第１のワニスに、カップリング剤としてγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（商品名：ＮＵＣ  Ａ−１８９、日本ユニカー株式会社製）１．５質量部、及び、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン（商品名：ＮＣＵ  Ａ−１１６０、日本ユニカー株式会社製）３質量部を加え、更に（Ｄ）成分の無機微粒子（無機物フィラー）としてシリカフィラー（商品名：Ｒ９７２Ｖ、日本アエロジル株式会社製）３２質量部を加えて撹拌混合した後、ビーズミルにより分散処理を行うことで第２のワニスを調製した。次に、この第２のワニスに、（Ａ）成分の架橋性官能基を有する高分子量成分としてエポキシ基含有アクリル系共重合体（商品名：ＨＴＲ−８６０Ｐ−３、帝国化学産業株式会社製）２００質量部、及び、硬化促進剤として１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール（商品名：キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ、四国化成株式会社製）０．５質量部を加えて撹拌混合し、接着剤層形成用ワニスを調整した。
【０１００】
(実施例１)
上記の接着剤層形成用ワニスを剥離基材である膜厚５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム（商品名：テイジンピューレックスＡ３１、帝人デュポンフィルム株式会社製）上に塗布し、１４０℃で５分間加熱乾燥を行い、膜厚２０μｍのＢステージ状態の接着剤層を形成した。また、厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを基材フィルムとして用い、その片面にシリケート系帯電防止剤（商品名：コルコート Ｘ−１０３Ｎ、コルコート株式会社製）を固形分が０．０３ｇ／ｍ2となるように塗布し、その後１２０℃の熱風循環式オーブンにて３０秒加熱乾燥することにより、片面に帯電防止層が形成されたフィルムを作製し、ラミネータにより二つのフィルムを貼りあわせ、フィルム１を作製した。
フィルム１から帯電防止剤側のポリエチレンテレフタレートフィルムをはく離し、粘着フィルム（商品名：ＦＨ−ＤＣ、古河電気工業（株）製）をその粘着剤層が接着剤層と接するように、室温（２５℃）、線圧１ｋｇ／ｃｍ、速度０．５ｍ／分の条件で貼付け、ダイボンドダイシングシート（１）を得た。
【０１０１】
(実施例２)
上記の接着剤層形成用ワニスを実施例１と同様に厚みが２０μｍになるようにＰＥＴ基材上に塗布し、接着剤層を形成し、その接着剤層上にシリケート系帯電防止剤（商品名：コルコート Ｘ−１０３Ｎ、コルコート株式会社製）を固形分が０．０３ｇ／ｍ2となるようにスプレーにて帯電防止層を形成し、粘着フィルムを実施例１と同様にラミネートしダイボンドダイシングシート（２）を得た。
【０１０２】
(比較例１)
上記の接着剤層形成用ワニスを厚みが２０μｍになるようにＰＥＴ基材上に塗布し、帯電防止層を形成することなく実施例１、２と同様に粘着フィルムをラミネートしダイボンドダイシングシート（３）を得た。
【０１０３】
上記で得られたダイボンドダイシングシート（１）〜（３）を用い、ダイシェア強度、ＵＶ照射前後のピール強度、貯蔵弾性率及び表面固有抵抗値を測定し、その結果をまとめて表１に示した。測定方法を下記に示した。
（ダイシェア強度）：Ｂステージのダイボンドフィルムを６．５ｍｍ×６．５ｍｍの打ち抜き型を用いて打ち抜き、チップ（５．０ｍｍ角）に６０℃でラミネートし、熱圧着試験機（日立化成テクノプラント株式会社製）を用いて基板に温度１２０℃、荷重２５０ｇｆの条件で５秒間熱圧着し、１２０℃で１時間、そして１７０℃で１時間のステップキュアにより硬化させた。さらにその後、２５０℃の熱板に３０秒放置後、万能ボンドテスタ（Ｄａｇｅ社製 シリーズ４０００）を用いてダイシェア強度を測定した。
チップサイズ：６．５ｍｍ×６．５ｍｍ×４００μｍｔ
基板：２０ｍｍ×１０ｍｍ×１００μｍｔ
ソルダレジスト：ＡＵＳ３０８
熱圧着条件：１２０℃、０．２５ｋｇ、５ｓ
ダイシェア強度測定速度：５０μｍ／ｓｅｃ
（ＵＶ照射前後のピール強度）：接着剤層と粘着剤層の界面のピール強度をＵＶ照射前後でそれぞれ測定した。
（貯蔵弾性率）：動的粘弾性測定装置（ＵＢＭ社製「Ｒｈｅｏｇｅｌ−Ｅ４０００」）を用いて、サンプルサイズ：長さ２０ｍｍ、幅４ｍｍ、温度範囲：−３０〜２００℃、昇温速度３℃／ｍｉｎ、引張りモード、１０Ｈｚ、自動静荷重の測定条件で測定した。３５℃での測定値を表１に示した。
（表面固有抵抗値）：帯電防止層を形成した面を、株式会社三菱化学アナリテック製ハイレスタＵＰを用いて２重リングプローブ法により表面抵抗率（ＪＩＳ−Ｋ６９１１準拠）を測定した。
【０１０４】
【表１】
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【０１０５】
実施例１、２のように帯電防止層を設けるとダイシェア強度、ピール強度は、やや低下するものの表面固有抵抗値は、帯電防止層を設けない比較例１より著しく低下し、はく離帯電抑制に有効である。
【符号の説明】
【０１０６】
１：剥離基材
２：接着剤層
３：粘着剤層（粘着フィルム）
５：金型
６：不要部分
１０：積層体
２０：支持層
２２：支持接着剤層
２３：支持粘着フィルム
３２：半導体ウェハ
３４：ウェハリング
４２：第１のロール
４４：巻芯
５２：第２のロール
５４：巻芯
６２：ロール
６４：楔状の部材
６６：ロール
６８：ロール
７０：有機基板
７２：半導体素子
７４：回路パターン
７６：端子
７８：ワイヤボンド
８０：封止材
１００：ダイボンドダイシングシート
１６０：ダイボンドダイシングシート
１７０：ダイボンドダイシングシート
３００：半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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