(57)【要約】【課題】動作電圧の偏りや基板間ギャップの不均一に起因する画質の劣化を抑制することができるとともに、基板への押圧力や歪みによる不良の発生を抑制して製造歩留まりや品質の向上を図ることができる発光パネル及びその製造方法、発光装置、並びに、電子機器を提供する。【解決手段】画素アレイ１１１に配列された隣接する画素ＰＩＸ間の隔壁２５上に、素子基板１１側（隔壁２５）と対向基板１２側の双方に接着される、導電性を有する導電性接着部３０が設けられている。導電性接着部３０は、所定の粒径を有するフィラー３１が拡散された導電性接着剤を含む導電性接着層３２により形成され、隔壁２５上に延在する対向電極２３に電気的に接続されるように設けられている。【選択図】図２
2012059640.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光層と該発光層を介して互いに対向する一対の電極とを有してなる発光素子を有する複数の画素と、前記各画素の前記発光素子の形成領域を区画する境界領域に連続的に設けられた隔壁と、が一面側に設けられ、前記発光素子の前記一対の電極の何れか一方をなす電極層が前記隔壁上に延在して設けられた第１の基板と、
一面側が前記第１の基板の前記一面側に対向して設けられ、前記第１の基板の前記一面側を封止する第２の基板と、
導電性接着剤を含んで前記隔壁上の前記電極層のみに接着して設けられ、該電極層に電気的に接続されるとともに、前記第２の基板の前記一面側に接着される導電性接着層と、
を備えることを特徴とする発光パネル。
【請求項２】
前記第２の基板の前記一面側の前記導電性接着層に対応する領域に密着して設けられ、所定の厚みを有し、導電性を有する導電性スペーサ層を有し、
前記導電性接着層は、前記導電性スペーサ層と前記第１の基板の前記一面側との間に設けられて、該導電性スペーサ層の前記第１の基板の前記一面側に対向する面と前記第１の基板の前記一面側とに接着されることを特徴とする請求項１記載の発光パネル。
【請求項３】
前記発光素子はトップエミッション構造を有し、
前記各画素は、少なくとも、前記発光素子を発光駆動させるための複数の薄膜トランジスタを備え、該各薄膜トランジスタはゲート電極が半導体層の下部に設けられたボトムゲート構造を有し、
前記導電性スペーサ層及び前記導電性接着層は前記隔壁の平面パターンに対応した連続する平面パターンを有し、前記導電性スペーサ層及び前記導電性接着層の少なくとも何れか一方は遮光性を有していることを特徴とする請求項２記載の発光パネル。
【請求項４】
前記第２の基板の前記一面側の、前記複数の画素に対応する領域に設けられた補助電極層を有し、
前記導電性接着層は、前記第１の基板の前記電極層と、前記第２の基板の前記補助電極層とを電気的に接続していることを特徴とする請求項１記載の発光パネル。
【請求項５】
前記各画素は、前記発光素子を発光駆動させるためのスイッチング素子と、前記発光素子を発光駆動させるための各種信号が印加される複数の配線と、を具備し、
前記スイッチング素子及び前記複数の配線の少なくとも一部は、前記隔壁の下層に設けられ、
前記導電性接着層は、前記隔壁上の、少なくとも前記スイッチング素子の形成領域、及び、前記複数の配線の交差領域に対応する領域以外の予め設定された領域に設けられていることを特徴とする請求項４記載の発光パネル。
【請求項６】
前記第２の基板の前記補助電極層上の前記導電性接着層に対応する領域に密着して設けられ、所定の厚みを有し、導電性を有する導電性スペーサ層を有し、
前記導電性接着層は、前記導電性スペーサ層と前記第１の基板の前記一面側との間に設けられて、該導電性スペーサ層の前記第１の基板の前記一面側に対向する面と前記第１の基板の前記一面側とに接着されることを特徴とする請求項５記載の発光パネル。
【請求項７】
第１の基板の一面側に、発光層と該発光層を介して互いに対向する一対の電極とを有してなる発光素子を有する複数の画素を形成する工程と、
前記第１の基板の前記一面側の、前記各画素の前記発光素子の形成領域を区画する境界領域に連続的に設けられる隔壁上に、前記発光素子の前記一対の電極の何れか一方をなす電極層を延在して形成する工程と、
前記第１の基板の前記一面側を封止するための第２の基板を準備する工程と、
前記第１の基板の前記隔壁上の前記電極層上のみ又は前記第２の基板の一面側であって、前記第１の基板の前記隔壁上の前記電極層に対応する領域のみに、導電性接着剤による導電性接着剤層を形成する工程と、
前記第１の基板の前記一面側に前記第２の基板の一面側を対向させ、押圧力を印加して、前記接着剤層を介して、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる工程と、
前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせた状態で、前記導電性接着剤層を所定の条件により硬化させて導電性接着層を形成し、該導電性接着層を前記隔壁上の前記電極層に電気的に接続するとともに、該導電性接着層を介して前記第１の基板と前記第２の基板とを接着する工程と、
を含むことを特徴とする発光パネルの製造方法。
【請求項８】
前記第２の基板を準備する工程は、前記第２の基板の前記一面側の、前記複数の画素に対応する領域に補助電極層を形成する工程を含み、
前記第１の基板と前記第２の基板とを接着する工程は、前記導電性接着層を介して、前記第１の基板の前記電極層と前記第２の基板の前記補助電極層とを電気的に接続する工程を含むことを特徴とする請求項７記載の発光パネルの製造方法。
【請求項９】
前記第２の基板を準備する工程は、前記第２の基板の前記一面側の前記導電性接着層が設けられる領域に対応する領域に、所定の厚みを有し、導電性を有する導電性スペーサ層を形成する工程を含み、
前記導電性接着剤層を形成する工程は、前記導電性スペーサ層の前記第１の基板の前記一面側に対向する側の面に前記導電性接着剤層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項７又は８に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項１０】
発光層と、該発光層を介して互いに対向する一対の電極と、を有してなる発光素子を有する複数の画素と、前記各画素の前記発光素子の形成領域を区画する境界領域に連続的に設けられた隔壁と、該複数の画素に接続された複数の選択ライン及び複数のデータラインとが一面側に設けられ、前記発光素子の前記一対の電極の何れか一方をなす電極層が前記隔壁上に延在して設けられた第１の基板と、一面側が前記第１の基板の前記一面側に対向して設けられ、前記第１の基板の前記一面側を封止する第２の基板と、導電性接着剤を含んで前記隔壁上の前記電極層のみに接着して設けられ、該電極層に電気的に接続されるとともに、前記第２の基板の前記一面側に接着される導電性接着層と、を具備する発光パネルと、
前記各選択ラインを介して、前記画素を選択状態に設定するための選択信号を印加する選択駆動回路と、
前記各データラインを介して、前記選択状態に設定された前記画素に画像データに応じた階調信号を書き込む信号駆動回路と、
を備えていることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
前記第２の基板の前記一面側の前記導電性接着層に対応する領域に密着して設けられ、所定の厚みを有し、導電性を有する導電性スペーサ層を有し、
前記導電性接着層は、前記導電性スペーサ層と前記第１の基板の前記一面側との間に設けられて、該導電性スペーサ層の前記第１の基板の前記一面側に対向する面と前記第１の基板の前記一面側とに接着されることを特徴とする請求項１０記載の発光装置。
【請求項１２】
前記第２の基板の前記一面側の、前記複数の画素に対応する領域に設けられた補助電極層を有し、
前記導電性接着層は、前記第１の基板の前記電極層と、前記第２の基板の前記補助電極層とを電気的に接続していることを特徴とする請求項１０記載の発光装置。
【請求項１３】
請求項１０乃至１２のいずれかに記載の発光装置が実装されてなることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光パネル及びその製造方法、発光装置、並びに、電子機器に関し、特に、発光素子が形成された素子基板に対向して封止基板を接合した封止構造を有する発光パネル及びその製造方法、該発光パネルを備えた発光装置、並びに、該発光装置を実装した電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話機や携帯音楽プレーヤ等の電子機器の表示デバイスとして、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、「有機ＥＬ素子」と略記する）等の発光素子を二次元配列した表示パネル（発光素子型表示パネル）を適用したものが知られている。特に、アクティブマトリクス駆動方式を適用した発光素子型表示パネルにおいては、広く普及している液晶表示装置に比較して、表示応答速度が速く、視野角依存性も小さく、また、高輝度・高コントラスト化、表示画質の高精細化等が可能であるという特長を有している。加えて、発光素子型表示パネルは、液晶表示装置のようにバックライトや導光板を必要としないので、一層の薄型軽量化が可能であるという特長を有している。
【０００３】
このような発光素子型表示パネルに適用される発光素子の代表例である有機ＥＬ素子は、概略、対向して配置された一対の電極（陽極（アノード電極）と陰極（カソード電極））との間に、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層からなる有機ＥＬ層が積層された素子構造を有している。そして、有機ＥＬ素子は、一般に、絶縁性の素子基板の一面側に形成され、外気（水分や酸素等）による素子特性の劣化や物理的衝撃等の外的環境から保護するために、素子基板の一面側に対向するように封止基板を接合した（貼り合わせた）構成や、素子基板の一面側を封止樹脂で封止した構成が採用されている。なお、有機ＥＬ素子の素子構造や封止構造については、例えば特許文献１に記載されている。
【０００４】
そして、このような有機ＥＬ素子を適用した発光素子型表示パネルにおいては、いわゆるトップエミッション型とボトムエミッション型の発光構造が知られている。トップエミッション型は、上述した有機ＥＬ素子の素子構造において、一対の電極のうち、素子基板側に配置される一方側の電極を反射性を有する金属電極により形成し、封止基板側に配置される他方側の電極を透明電極により形成して、有機ＥＬ層から放射された光を、透明電極及び封止基板を介して、表示パネルの視野側に出射して画像を表示するものである。
【０００５】
また、ボトムエミッション型は、有機ＥＬ素子の素子構造において、素子基板側に配置される一方側の電極を透明電極により形成し、封止基板側に配置される他方側の電極を反射性を有する金属電極により形成して、有機ＥＬ層から放射された光を、透明電極及び素子基板を介して、表示パネルの視野側（素子基板の他面側）に出射して画像を表示するものである。このような有機ＥＬ素子の発光構造については、例えば特許文献２に記載されている。
【０００６】
なお、このような素子構造を有する有機ＥＬ素子を適用した発光素子型表示パネルにおいては、上記特許文献２にも記載されているように、有機ＥＬ層を挟んで対向する一対の電極のうち、素子基板側に配置される一方側の電極が画素ごとに形成され、封止基板側に配置される他方側の電極が素子基板に配列される複数の画素に対して共通するように単一の電極層により形成されている。そして、各画素の一方側の電極（すなわち、画素電極）には画像データに含まれる輝度階調に応じた電圧が個別に印加され、各画素の他方側の電極（すなわち、共通電極）には所定の基準電圧（例えば接地電位）が共通に印加されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−０８０３０７号公報
【特許文献２】特開２００８−２１８００４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述したような有機ＥＬ素子を適用した発光素子型表示パネルにおいて、特に、上述したトップエミッション型の発光構造を有する場合には、有機ＥＬ層から放射された光が共通電極及び封止基板を介して視野側に出射するために、共通電極が透明電極である必要がある。ここで、近年の有機ＥＬ素子においては、透明電極として例えば錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）等が多用されている。このような透明電極材料は、一般に金属電極に比較して配線抵抗が高いため、複数の画素が配列された表示パネルの略全域に単一の電極層により共通電極を形成した場合、共通電極の電気抵抗により表示パネルの位置（画素の配置位置）によって供給される動作電圧（基準電圧）の電圧値に偏りや低下が生じる場合がある。そのため、各画素の有機ＥＬ素子の電極間に印加される電位差にも偏りが生じて、画像データに応じた適切な輝度階調で発光動作させることができず、画質の劣化を招くという問題を有していた。
【０００９】
また、上述したような素子基板の一面側に封止基板を接合した封止構造においては、通常、封止基板の周縁部において封止材を介して封止基板と素子基板が接合されている。ここで、封止基板の内面と、素子基板に形成される有機ＥＬ素子、及び、当該有機ＥＬ素子を発光駆動させるための能動素子（薄膜トランジスタ等）や信号配線の上面との間には、ある程度の間隙（基板間ギャップ）が設けられている。
【００１０】
このような封止構造を有する表示パネルにおいては、素子基板に封止基板を貼り合わせる製造工程で封止基板を素子基板側に押圧したときや、当該表示パネルを搭載した電子機器の使用時に外部から押圧力が加えられたとき、また、表示パネル自体に熱等に起因する歪みが生じたとき等に、素子基板と封止基板間の間隙が不均一になる可能性があった。そのため、特にトップエミッション型の発光構造を有する表示パネルにおいて、発光素子からの出射光の光軸がずれて画像ににじみやぼけが生じ、画質の劣化を招くという問題を有していた。
【００１１】
加えて、上述した押圧力や歪みが過大である場合には、封止基板の内面が素子基板側に接触して、例えば素子基板側に形成された薄膜トランジスタの素子破損やトランジスタ特性の変動、有機層や配線層、層間絶縁膜の剥離、配線間ショート、封止破損等の不良を招いて、製造歩留まりや品質の低下を招くという問題を有していた。
【００１２】
そこで、本発明は、上述した問題点に鑑み、動作電圧の偏りや基板間ギャップの不均一に起因する画質の劣化を抑制することができるとともに、基板への押圧力や歪みによる不良の発生を抑制して製造歩留まりや品質の向上を図ることができる発光パネル及びその製造方法、発光装置、並びに、電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
請求項１記載の発明に係る発光パネルは、発光層と該発光層を介して互いに対向する一対の電極とを有してなる発光素子を有する複数の画素と、前記各画素の前記発光素子の形成領域を区画する境界領域に連続的に設けられた隔壁と、が一面側に設けられ、前記発光素子の前記一対の電極の何れか一方をなす電極層が前記隔壁上に延在して設けられた第１の基板と、一面側が前記第１の基板の前記一面側に対向して設けられ、前記第１の基板の前記一面側を封止する第２の基板と、導電性接着剤を含んで前記隔壁上の前記電極層のみに接着して設けられ、該電極層に電気的に接続されるとともに、前記第２の基板の前記一面側に接着される導電性接着層と、を備えることを特徴とする。
【００１４】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発光パネルにおいて、前記第２の基板の前記一面側の前記導電性接着層に対応する領域に密着して設けられ、所定の厚みを有し、導電性を有する導電性スペーサ層を有し、前記導電性接着層は、前記導電性スペーサ層と前記第１の基板の前記一面側との間に設けられて、該導電性スペーサ層の前記第１の基板の前記一面側に対向する面と前記第１の基板の前記一面側とに接着されることを特徴とする。
請求項３記載の発明は、請求項２記載の発光パネルにおいて、前記発光素子はトップエミッション構造を有し、前記各画素は、少なくとも、前記発光素子を発光駆動させるための複数の薄膜トランジスタを備え、該各薄膜トランジスタはゲート電極が半導体層の下部に設けられたボトムゲート構造を有し、前記導電性スペーサ層及び前記導電性接着層は前記隔壁の平面パターンに対応した連続する平面パターンを有し、前記導電性スペーサ層及び前記導電性接着層の少なくとも何れか一方は遮光性を有していることを特徴とする。
請求項４記載の発明は、請求項１記載の発光パネルにおいて、前記第２の基板の前記一面側の、前記複数の画素に対応する領域に設けられた補助電極層を有し、前記導電性接着層は、前記第１の基板の前記電極層と、前記第２の基板の前記補助電極層とを電気的に接続していることを特徴とする。
請求項５記載の発明は、請求項４記載の発光パネルにおいて、前記各画素は、前記発光素子を発光駆動させるためのスイッチング素子と、前記発光素子を発光駆動させるための各種信号が印加される複数の配線と、を具備し、前記スイッチング素子及び前記複数の配線の少なくとも一部は、前記隔壁の下層に設けられ、前記導電性接着層は、前記隔壁上の、少なくとも前記スイッチング素子の形成領域、及び、前記複数の配線の交差領域に対応する領域以外の予め設定された領域に設けられていることを特徴とする。
請求項６記載の発明は、請求項５記載の発光パネルにおいて、前記第２の基板の前記補助電極層上の前記導電性接着層に対応する領域に密着して設けられ、所定の厚みを有し、導電性を有する導電性スペーサ層を有し、前記導電性接着層は、前記導電性スペーサ層と前記第１の基板の前記一面側との間に設けられて、該導電性スペーサ層の前記第１の基板の前記一面側に対向する面と前記第１の基板の前記一面側とに接着されることを特徴とする。
【００１５】
請求項７記載の発明に係る発光パネルの製造方法は、第１の基板の一面側に、発光層と該発光層を介して互いに対向する一対の電極とを有してなる発光素子を有する複数の画素を形成する工程と、前記第１の基板の前記一面側の、前記各画素の前記発光素子の形成領域を区画する境界領域に連続的に設けられる隔壁上に、前記発光素子の前記一対の電極の何れか一方をなす電極層を延在して形成する工程と、前記第１の基板の前記一面側を封止するための第２の基板を準備する工程と、前記第１の基板の前記隔壁上の前記電極層上のみ又は前記第２の基板の一面側であって、前記第１の基板の前記隔壁上の前記電極層に対応する領域のみに、導電性接着剤による導電性接着剤層を形成する工程と、前記第１の基板の前記一面側に前記第２の基板の一面側を対向させ、押圧力を印加して、前記接着剤層を介して、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせる工程と、前記第１の基板と前記第２の基板とを貼り合わせた状態で、前記導電性接着剤層を所定の条件により硬化させて導電性接着層を形成し、該導電性接着層を前記隔壁上の前記電極層に電気的に接続するとともに、該導電性接着層を介して前記第１の基板と前記第２の基板とを接着する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１６】
請求項８記載の発明は、請求項７記載の発光パネルの製造方法において、前記第２の基板を準備する工程は、前記第２の基板の前記一面側の、前記複数の画素に対応する領域に補助電極層を形成する工程を含み、前記第１の基板と前記第２の基板とを接着する工程は、前記導電性接着層を介して、前記第１の基板の前記電極層と前記第２の基板の前記補助電極層とを電気的に接続する工程を含むことを特徴とする。
請求項９記載の発明は、請求項７又は８に記載の発光パネルの製造方法において、前記第２の基板を準備する工程は、前記第２の基板の前記一面側の前記導電性接着層が設けられる領域に対応する領域に、所定の厚みを有し、導電性を有する導電性スペーサ層を形成する工程を含み、前記導電性接着剤層を形成する工程は、前記導電性スペーサ層の前記第１の基板の前記一面側に対向する側の面に前記導電性接着剤層を形成する工程を含むことを特徴とする。
【００１７】
請求項１０記載の発明に係る発光装置は、発光層と、該発光層を介して互いに対向する一対の電極と、を有してなる発光素子を有する複数の画素と、前記各画素の前記発光素子の形成領域を区画する境界領域に連続的に設けられた隔壁と、該複数の画素に接続された複数の選択ライン及び複数のデータラインとが一面側に設けられ、前記発光素子の前記一対の電極の何れか一方をなす電極層が前記隔壁上に延在して設けられた第１の基板と、一面側が前記第１の基板の前記一面側に対向して設けられ、前記第１の基板の前記一面側を封止する第２の基板と、導電性接着剤を含んで前記隔壁上の前記電極層のみに接着して設けられ、該電極層に電気的に接続されるとともに、前記第２の基板の前記一面側に接着される導電性接着層と、を具備する発光パネルと、前記各選択ラインを介して、前記画素を選択状態に設定するための選択信号を印加する選択駆動回路と、前記各データラインを介して、前記選択状態に設定された前記画素に画像データに応じた階調信号を書き込む信号駆動回路と、を備えていることを特徴とする。
【００１８】
請求項１１記載の発明は、請求項１０記載の発光装置において、前記第２の基板の前記一面側の前記導電性接着層に対応する領域に密着して設けられ、所定の厚みを有し、導電性を有する導電性スペーサ層を有し、前記導電性接着層は、前記導電性スペーサ層と前記第１の基板の前記一面側との間に設けられて、該導電性スペーサ層の前記第１の基板の前記一面側に対向する面と前記第１の基板の前記一面側とに接着されることを特徴とする。
請求項１２記載の発明は、請求項１０記載の発光装置において、前記第２の基板の前記一面側の、前記複数の画素に対応する領域に設けられた補助電極層を有し、前記導電性接着層は、前記第１の基板の前記電極層と、前記第２の基板の前記補助電極層とを電気的に接続していることを特徴とする。
請求項１３記載の発明に係る電子機器は、請求項１０乃至１２のいずれかに記載の発光装置が実装されてなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明に係る発光パネル及びその製造方法、発光装置、並びに、電子機器によれば、画質の劣化を抑制することができるとともに、製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明に係る発光装置を適用した表示装置の表示パネルの第１の実施形態を示す概略平面図である。
【図２】第１の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成の一例を示す概略断面図である。
【図３】第１の実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を示す工程断面図である。
【図４】第１の実施形態に係る表示パネルの製造方法の他の例を示す工程断面図である。
【図５】第２の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成を示す概略断面図である。
【図６】第２の実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を示す工程断面図である。
【図７】第３の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成を示す概略断面図である。
【図８】第３の実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を示す工程断面図である。
【図９】第３の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成を示す概略断面図である。
【図１０】第３の実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を示す工程断面図である。
【図１１】第３の実施形態に係る表示パネルの製造方法の他の例を示す工程断面図である。
【図１２】本発明に係る表示パネル（発光パネル）を適用した表示装置の第１の具体例を示す概略構成図である。
【図１３】第１の適用例に係る画素の一例を示す平面レイアウト図である。
【図１４】第１の適用例に係る画素の要部断面図である。
【図１５】第２の適用例に係る画素の一例を示す平面レイアウト図である。
【図１６】第２の適用例に係る画素の要部断面図である。
【図１７】本発明に係る表示パネルを適用した表示装置の第３の具体例を示す概略構成図である。
【図１８】第３の適用例に係る画素の一例を示す平面レイアウト図である。
【図１９】第３の適用例に係る画素の要部断面図である。
【図２０】第４の適用例に係る画素の一例を示す平面レイアウト図である。
【図２１】第４の適用例に係る画素の要部断面図である。
【図２２】本発明に係る発光装置を適用したデジタルカメラの構成例を示す斜視図である。
【図２３】本発明に係る発光装置を適用した薄型テレビジョンの構成例を示す斜視図である。
【図２４】本発明に係る発光装置を適用したパーソナルコンピュータの構成例を示す斜視図である。
【図２５】本発明に係る発光装置を適用した携帯電話機の構成例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明に係る発光パネル及びその製造方法、発光装置並びに電子機器について、実施形態を示して詳しく説明する。
＜第１の実施形態＞
まず、本発明に係る発光装置について説明する。ここでは、本発明に係る発光装置を表示装置として適用し、また、発光素子として有機ＥＬ素子を適用した場合について説明する。
【００２２】
（表示装置）
図１は、本発明に係る発光装置を適用した表示装置の表示パネルの第１の実施形態を示す概略平面図である。なお、図示の都合上、図１においては対向基板の表示を省略した。図２は、本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成の一例を示す概略断面図である。図２（ａ）は、図１に示した表示パネルにおけるIIＡ−IIＡ線（本明細書においては図１中に示したローマ数字の「２」に対応する記号として便宜的に「II」を用いる。）に沿った断面を示す図である。また、図２（ｂ）は、本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成の他の例を示す概略断面図である。
【００２３】
本発明の第１の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネル（発光パネル）１１０は、例えば図１、図２（ａ）に示すように、平板ガラス等の絶縁性の素子基板（第１の基板）１１と対向基板（第２の基板；上述した封止基板に相当する）１２とが対向して接合（接着）された構成を有している。素子基板１１の一面側（図１の紙面手前側、及び、図２（ａ）の上面側）には、発光素子である有機ＥＬ素子ＯＥＬを有する複数の画素ＰＩＸが二次元配列された画素アレイ１１１が設けられている。
【００２４】
各画素ＰＩＸに設けられる有機ＥＬ素子ＯＥＬは、例えば図２（ａ）に示すように、アノード電極となる画素電極２１と、有機ＥＬ層（発光層）２２と、カソード電極となる対向電極（共通電極層）２３とが順次積層された素子構造を有している。また、隣接して配列された画素ＰＩＸ間の領域（境界領域）には、画素電極２１に接続されて有機ＥＬ素子ＯＥＬを駆動するための薄膜トランジスタ等を有する発光駆動回路ＤＣと、発光駆動回路ＤＣを覆う絶縁膜２４及び隔壁（バンク）２５が形成され、少なくとも各有機ＥＬ素子ＯＥＬを構成する画素電極２１及び有機ＥＬ層２２が、隣接する画素ＰＩＸとの間で電気的に絶縁されるように隔離されている。一方、対向電極２３は、図２（ａ）に示すように、画素アレイ１１１に配列された複数の画素ＰＩＸに共通するように単一の電極層（べた電極）により形成され、上記隔壁２５上にも延在するように設けられている。
【００２５】
対向して配置された素子基板１１と対向基板１２は、図１、図２（ａ）に示すように、画素アレイ１１１の外周領域に設けられたシール部４０を介して接合され、画素アレイ１１１が封止空間５０内に封止されて外的環境の影響を受けないように保護されている。シール部４０は、例えば図２（ａ）に示すように、フィラー４１入りの封止層（シール材）４２からなり、当該シール部４０が画素アレイ１１１の外周領域に連続的に設けられることにより、素子基板１１と平板ガラスからなる対向基板１２が接合されて封止される。シール部４０は、具体的には、所定の粒径を有する非導電性（絶縁性）の樹脂ビーズからなるフィラー４１を、非導電性の光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料からなる封止層４２に拡散したものが適用される。
【００２６】
また、シール部４０の他の構造としては、例えば図２（ｂ）に示すように、平板ガラスの縁辺部（上述した画素アレイ１１１の外周領域に対応する領域）を連続的に残すようにザグリ加工したザグリガラスを対向基板１２として用いて、当該ザグリ部１２ｚにおいて封止層（シール材）４２を介して、素子基板１１と対向基板１２を接合して封止したものであってもよい。なお、以下に示す各実施形態においては、表示パネル１１０の構造として、説明の都合上、図２（ａ）に示したフィラー４１入り封止層４２を介して、素子基板１１と平板ガラスからなる対向基板１２を接合したパネル構造を用いた場合について説明する。なお、封止空間５０内の例えば対向基板１２の接合面（後述する接着面に対応、図２（ａ）下面側）側に、図示を省略した乾燥剤や乾燥シートを設けるようにしてもよい。この場合、封止空間５０内の水分（湿気）や腐食性の気体が乾燥剤や乾燥シートにより除去又は低減されて、画素アレイ１１１（特に、有機ＥＬ素子ＯＥＬ）の素子特性の劣化や接続不良の発生を抑制することができる。
【００２７】
そして、本実施形態に係る表示パネル１１０においては、特に、図２（ａ）に示すように、対向基板１２とシール部４０により形成される封止空間５０内に封止された画素アレイ１１１（隣接する画素ＰＩＸ間）の隔壁２５と対向基板１２との間に導電性接着部３０が設けられている。ここで、導電性接着部３０は、所定の粒径を有するフィラー３１が拡散された導電性接着層３２により構成され、かつ、少なくとも導電性接着層３２が導電性を有する導電性接着剤を含んで形成されている。そして、このような導電性接着部３０は、隔壁２５上に延在する対向電極２３に電気的に接続されるように設けられている。ここで、導電性接着部３０の隔壁２５上における配置形状は特に限定されるものではないが、画素アレイ１１１内の隔壁２５の平面パターンに沿って任意の方向に連続して延伸するように設けられ、全体が電気的に繋がっているように一体的に形成されていることが好ましい。この場合、図２（ａ）に示した各隔壁２５上に設けられた導電性接着部３０は、相互に電気的に接続されて、対向電極２３の補助配線としても機能する。さらに、導電性接着部３０は、上記導電性接着層３２により素子基板１１側の隔壁２５の上面（対向電極２３の表面）と、対向基板１２の接着面（図面下面）の双方に接着されて、素子基板１１と対向基板１２とを接着し、かつ、上記フィラー３１により素子基板１１と対向基板１２との間隙（基板間ギャップ）が均一になるように設けられている。なお、導電性接着部３０を構成するフィラー３１及び導電性接着層３２は、透明であってもよいし、不透明であってもよいが、有機ＥＬ素子ＯＥＬがトップエミッション型の発光構造を有する場合には、導電性接着層３２が不透明で遮光性を有していることが好ましい。それにより発光駆動回路ＤＣの信号配線や薄膜トランジスタの各電極で外光が反射して、これらの配線や電極が視野側に視認されてしまうことを抑制することができる。
【００２８】
また、有機ＥＬ素子ＯＥＬがトップエミッション型の発光構造を有し、発光駆動回路ＤＣにおける薄膜トランジスタが、ゲート電極が半導体層の下部に設けられるボトムゲート構造を有している場合には、外光が薄膜トランジスタのチャネル領域が形成される半導体層に入射され、それによって薄膜トランジスタの特性が変動したり誤動作が生じたりし易い。そのため、導電性接着層３２が不透明で遮光性を有していることが好ましく、それにより、隔壁２５を介して外光が薄膜トランジスタの半導体層に入射することを抑制して、薄膜トランジスタの特性が変動したり誤動作が生じたりすることを抑制することができる。
【００２９】
具体的には、導電性接着部３０は、所定の粒径を有する導電性のフィラー３１を導電性の導電性接着層３２に拡散したものや、樹脂等の非導電性のフィラー３１を導電性の導電性接着層３２に拡散したものを適用することができる。要するに、隔壁２５上の対向電極２３上面に設けられる導電性接着部３０は、導電性を有するとともに対向電極２３電気的に導通しているものであればよい。ここで、導電性接着部３０の導電性の値（すなわち、電気抵抗の値）は特に限定されるものではないが、対向電極２３よりも導電性が優れている（換言すると、対向電極２３よりも電気抵抗が低い）ことが好ましい。また、導電性接着部３０のフィラー３１は、比較的精度良く粒径（直径）を制御することができ、素子基板１１と対向基板１２との間隙（基板間ギャップ）を任意に設定することができる材料が適用される。フィラー３１は、例えばカーボン粒子や金属粒子を良好に適用することができる。また、導電性接着層３２は、素子基板１１側（隔壁２５上の対向電極２３）と対向基板１２側との双方に対して接着性が高く、強固に接着することができる材料が適用される。導電性接着層３２は、例えば光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料を含む導電性接着剤を良好に適用することができる。
【００３０】
このようなパネル構造により、本実施形態に係る表示パネル１１０においては、画素アレイ１１１に配列された複数の画素ＰＩＸに共通して設けられた対向電極２３に導電性を有する導電性接着部３０が電気的に接続されて設けられていることにより、対向電極２３の実効的な電気抵抗が低減されて、各画素ＰＩＸに供給される動作電圧（基準電圧；詳しくは後述する）の電圧値が均一化され、画素ＰＩＸの配置位置による電圧値の偏りや低下が抑制される。
【００３１】
また、本実施形態においては、画素アレイ１１１内の隔壁２５上に所定の粒径を有するフィラー３１が拡散された導電性接着層３２からなる導電性接着部３０が設けられ、導電性接着部３０を介して素子基板１１と対向基板１２とが所定の間隔を有して接着されていることにより、素子基板１１の一面側（図２（ａ）上面側）と対向基板１２の接着面側（下面側）との間隙が、表示パネル１１０の素子基板１１と対向基板１２が対向する略全域において、素子基板１１に形成された画素アレイ１１１の上面に対向基板１２が接触しないように、所定の値で、かつ、略均一に設定される。
【００３２】
なお、図１に示すように、素子基板１１上の画素アレイ１１１の周辺領域には、上記各画素ＰＩＸを駆動するための信号や電源を供給するための引き出し配線Ｌｒが設けられている。引き出し配線Ｌｒは一端側が画素アレイ１１１（各画素ＰＩＸ）に接続され、他端側が例えば素子基板１１の端部に設けられた接続端子ＴＭに接続されている。接続端子ＴＭは、例えばフィルム基板（フレキシブルプリント基板）ＦＰＣ等を介して、素子基板１１の外部に設けられた各種のドライバ（例えば選択ドライバ１２０やデータドライバ１３０；詳しくは後述する）、あるいは、これらの各ドライバ機能を備えたドライバチップに接続されている。
【００３３】
また、図２（ａ）、（ｂ）においては、素子基板１１上に、有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極２１が直接形成された素子構造を示したが、本発明はこれに限定されるものではない。有機ＥＬ素子ＯＥＬは、例えば、素子基板１１上に図示を省略した絶縁膜（ゲート絶縁膜や層間絶縁膜等）を介して画素電極２１が形成された素子構造を有するものであってもよい。
【００３４】
（表示パネルの製造方法）
次に、本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの製造方法について説明する。
図３は、本実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を示す工程断面図である。ここでは、図２（ａ）に示した断面構造を有する表示パネルについて製造方法を説明する。また、導電性接着部３０を構成する導電性接着層３２として、便宜的に光硬化性あるいは熱硬化性の導電性接着剤を適用した場合について説明するが、所定の条件により硬化する接着剤や粘着剤であってもよいことはいうまでもない。
【００３５】
上述した表示パネル１１０の製造方法は、まず、図３（ａ）に示すように、素子基板１１の一面側（図面上面側）に、画素アレイ１１１の各画素ＰＩＸに含まれる有機ＥＬ素子ＯＥＬを形成する。有機ＥＬ素子ＯＥＬは、素子基板１１上に、画素電極２１と、例えば正孔輸送層、発光層及び電子輸送層からなる有機ＥＬ層（発光層）２２と、対向電極２３を順次積層することにより形成される。
【００３６】
画素アレイ１１１の形成工程は、具体的には、素子基板１１の一面側に、画素ＰＩＸの形成領域ごとに有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード電極となる画素電極２１と画素電極２１に接続されて有機ＥＬ素子ＯＥＬを駆動するための薄膜トランジスタ等を有する発光駆動回路ＤＣを形成する。次いで、発光駆動回路ＤＣを覆い、隣接する画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬ相互を電気的に絶縁するとともに、個別の発光特性を設定するために、画素ＰＩＸ間の境界領域に絶縁膜２４及び隔壁２５を形成する。ここで、隔壁２５は、素子基板１１表面から対向基板１２方向に突出するように、例えば感光性の絶縁材料であるポリイミド系の樹脂材料により形成される。これにより、隔壁２５は、後述する有機ＥＬ層２２の形成工程において、隣接する画素ＰＩＸ間で、有機化合物含有液の漏出や乗り越えを抑制して、隣接画素相互の混色を防止する。
【００３７】
次いで、各画素ＰＩＸの形成領域において、絶縁膜２４及び隔壁２５に被覆されず、露出する画素電極２１上に、インクジェット法やノズルプリンティング法等を用いて、有機高分子系の正孔輸送性材料を含む溶液（有機化合物含有液）を塗布し、加熱乾燥して正孔輸送層を形成する。次いで、正孔輸送層が形成された画素電極２１上に、上記と同様の手法を用いて、有機高分子系の発光材料を含む溶液（有機化合物含有液）を塗布し、加熱乾燥して発光層を形成する。さらに、発光層が形成された画素電極２１上に、上記と同様の手法を用いて、有機高分子系の電子輸送性材料を含む溶液（有機化合物含有液）を塗布し、加熱乾燥して電子輸送層を形成する。この一連の工程により、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層が積層された有機ＥＬ層２２が形成される。
【００３８】
次いで、画素アレイ１１１に配列された各画素ＰＩＸに共通するように、単一の電極層（べた電極）からなる対向電極２３を形成する。ここで、対向電極２３は、図３（ａ）に示すように、各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域だけでなく、画素ＰＩＸ間の境界領域に形成された隔壁２５上にも延在するように設けられている。
【００３９】
なお、上述した有機ＥＬ素子ＯＥＬがトップエミッション型の発光構造を有している場合には、画素電極２１は、例えばアルミニウム等の光反射率が高い金属膜により形成され、対向電極２３は、例えば錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）等からなる透明電極膜により形成される。また、有機ＥＬ素子ＯＥＬがボトムエミッション型の発光構造を有する場合には、画素電極２１は、例えば錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）等からなる透明電極膜により形成され、対向電極２３は、例えばアルミニウム等の光反射率が高い金属膜により形成される。
【００４０】
次いで、図１、図３（ｂ）に示すように、素子基板１１に形成された画素アレイ１１１の外周領域に、所定の粒径を有するフィラー４１が拡散された光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料からなる封止材層（フィラー４１入り封止材層）４２ｘを塗布して形成する。また、画素アレイ１１１内の隔壁２５上に延在する対向電極２３の上面に、印刷法や転写法、塗布法等を用いて、所定の粒径を有するフィラー３１が拡散された光硬化性あるいは熱硬化性の樹脂材料を含む導電性接着剤により、導電性接着剤層（フィラー３１入り導電性接着剤層）３２ｘを形成する。
【００４１】
ここで、隔壁２５上に延在する対向電極２３の上面に塗布されるフィラー３１入り導電性接着剤層３２ｘは、例えば、隔壁２５の平面パターンに沿って、ストライプ状や格子状等、任意の方向に連続して延伸するように形成される。また、隔壁２５上に延在する対向電極２３の上面に塗布される導電性接着剤層３２ｘに拡散されるフィラー３１の粒径（直径）は、素子基板１１表面から当該フィラー３１入り導電性接着剤層３２ｘの上面までの寸法が、画素アレイ１１１の外周領域に形成される封止材層４２ｘに拡散されるフィラー４１の粒径（直径）と同等、もしくは、フィラー４１の粒径よりも僅かに大きくなるように、隔壁２５の突出高さに応じて適切に設定される。
【００４２】
なお、画素アレイ１１１内の隔壁２５上に塗布して形成するフィラー３１入り導電性接着剤層３２ｘに用いる導電性接着剤は、エポキシ、シリコーン、ポリイミド、ポリウレタン系樹脂等をバインダとした、銀、ニッケル、カーボン等の導電性フィラーから構成され、例えば藤倉化成株式会社製の接着剤タイプの導電性樹脂材料「ドータイト」（登録商標）等を良好に適用することができる。
【００４３】
次いで、図３（ｂ）に示すように、素子基板１１の一面側に対向基板１２を対向するように貼り合わせる。このとき、素子基板１１に対して対向基板１２が所定の力で押圧されることにより、画素アレイ１１１の外周領域に形成された封止材層４２ｘ中のフィラー４１、及び、画素アレイ１１１内の隔壁２５上に塗布された導電性接着剤層３２ｘ中のフィラー３１が撓む。これにより、画素アレイ１１１の外周領域においては、封止材層４２ｘが素子基板１１の一面側及び対向基板１２の接着面側の双方の表面に接着される。また、同時に、画素アレイ１１１内において、導電性接着剤層３２ｘが素子基板１１の隔壁２５上に延在する対向電極２３及び対向基板１２の接着面側の双方の表面に接着される。
【００４４】
次いで、画素アレイ１１１の外周領域に形成された封止材層４２ｘ中のフィラー４１及び画素アレイ１１１内の隔壁２５上に塗布された導電性接着剤層３２ｘ中のフィラー３１の撓みをなくした状態（あるいは、当該撓みがなくなる程度の力で対向基板１２を押圧した状態）で、図３（ｃ）に示すように、対向基板１２が貼り合わせられた素子基板１１に対して、所定の波長の光（例えば紫外線）ＵＶを照射、あるいは、所定の温度で熱処理を施すことにより、画素アレイ１１１の外周領域の封止材層４２ｘ、及び、画素アレイ１１１内の導電性接着剤層３２ｘを硬化させる。これにより、フィラー４１入り封止材層４２ｘ及びフィラー３１入り導電性接着剤層３２ｘは、各々、素子基板１１と対向基板１２の双方に接着して硬化する。なお、このような封止工程は、例えば、所定の気圧の不活性ガス雰囲気中で行われる。
【００４５】
すなわち、図２（ａ）に示したように、素子基板１１の画素アレイ１１１の外周領域においてはフィラー４１が拡散された封止層４２からなるシール部４０を介して、また、画素アレイ１１１内においては隔壁２５上のフィラー３１が拡散された導電性接着層３２からなる導電性接着部３０を介して、素子基板１１に対向基板１２が接着される。これにより、素子基板１１上の画素アレイ１１１が対向基板１２及びシール部４０（フィラー４１入り封止層４２）により形成される封止空間５０内に封止される。
【００４６】
このとき、素子基板１１と対向基板１２との間隙（基板間ギャップ）は、画素アレイ１１１の外周領域においては、シール部４０のフィラー４１の粒径に基づいて設定され、また、画素アレイ１１１内においては、導電性接着部３０のフィラー３１の粒径に基づいて設定される。ここで、上述したように、導電性接着部３０の導電性接着剤層３２ｘに拡散されるフィラー３１の粒径は、画素アレイ１１１の外周領域に塗布されるフィラー４１の粒径に基づいて設定される。したがって、画素アレイ１１１内の導電性接着部３０においては、画素アレイ１１１内における素子基板１１と対向基板１２の間隙（基板間ギャップ）が、外周領域における間隙（すなわちフィラー４１の粒径）と同等になるように、導電性接着層３２の厚みが調整されて硬化する。すなわち、画素アレイ１１１の外周領域及び内部において、素子基板１１と対向基板１２が略均一な間隙（基板間ギャップ）を有するとともに、強固に接着される。
【００４７】
このように、本実施形態に係る表示パネル１１０においては、導電性を有する導電性接着部３０が、画素アレイ１１１に配列された複数の画素ＰＩＸに共通して設けられた対向電極２３に電気的に接続されて設けられている。これにより、対向電極２３の実効的な電気抵抗が低減されて、本実施形態においては、各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬのカソード電極（対向電極２３）に供給される動作電圧（基準電圧）の電圧値が均一化されて、画素ＰＩＸの配置位置による電圧値の偏りや低下を抑制することができる。
【００４８】
特に、上述したように、表示パネル１１０に適用される有機ＥＬ素子ＯＥＬがトップエミッション型の発光構造を有している場合には、対向電極２３は、ＩＴＯ等の透明電極膜により形成される。しかしながら、ＩＴＯ等の酸化金属系の透明電極膜は、一般に金属電極に比較して電気抵抗が数桁程度高いため、表示パネル１１０上での画素ＰＩＸの配置位置によって供給される動作電圧（基準電圧）の偏りや低下が顕著になる問題を有している。
【００４９】
これに対して、本実施形態に示したように、導電性を有する導電性接着部３０を複数の画素ＰＩＸに共通して設けられた対向電極２３に電気的に接続して設けたパネル構造を有することにより、対向電極２３の実効的な電気抵抗を低減して、各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬのカソード電極（対向電極２３）に供給される動作電圧（基準電圧）の偏りや低下を大幅に抑制することができる。したがって、本実施形態によれば、各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬに、画像データに応じた適切な電位差を印加して、適切な輝度階調で発光動作させることができ、画質を向上させることができる。
【００５０】
一方、表示パネル１１０に適用される有機ＥＬ素子ＯＥＬがボトムエミッション型の発光構造を有する場合には、対向電極２３は、アルミニウム等の金属膜により形成される。ここで、対向電極２３に適用される金属膜は、一般に電気抵抗が低い。しかしながら、画素アレイ１１１に配列された複数の画素ＰＩＸに共通して設けられた単一の金属膜を対向電極２３に適用し、かつ、その配線抵抗を十分低く設定するためには、金属膜（対向電極２３）の膜厚をある程度厚く形成する必要があるため、対向電極２３の形成（成膜）工程に要する時間が長くなるという問題を有している。
【００５１】
これに対して、本実施形態に示したように、導電性を有する導電性接着部３０を対向電極２３に電気的に接続して設けたパネル構造を有することにより、各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬのカソード電極（対向電極２３）への動作電圧（基準電圧）の供給を、導電性接着部３０を介して行うことができる。したがって、本実施形態によれば、各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬのカソード電極となる対向電極２３を薄膜化して、その成膜時間を短縮することができ、製造プロセスの短縮又は効率化を図ることができる。
【００５２】
また、本実施形態においては、素子基板１１の画素アレイ１１１の外周領域においてはシール部４０（フィラー４１入り封止層４２）を介して、また、画素アレイ１１１内においては隔壁２５上の導電性接着部３０（フィラー３１入り導電性接着層３２）を介して、素子基板１１に対向基板１２が接着される。これにより、本実施形態においては、素子基板１１と対向基板１２との間隙（基板間ギャップ）を画素アレイ１１１の略全域で均一化することができるとともに、素子基板１１と対向基板１２とを強固に接着することができる。
【００５３】
したがって、本実施形態によれば、素子基板１１に対向基板１２を貼り合わせる工程において、対向基板１２を素子基板１１側に押圧したときや、本実施形態に係る表示パネル１１０を搭載した電子機器において、使用時に外部から表示パネル１１０に押圧力が加えられたとき、また、表示パネル自体に熱等に起因する歪みが生じたときであっても、素子基板１１と対向基板１２が強固に接着されているので、素子基板１１と対向基板１２の間隙（基板間ギャップ）が不均一になる現象を抑制することができる。それ故、本実施形態によれば、表示パネル１１０（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）がトップエミッション型の発光構造を有している場合であっても、有機ＥＬ素子ＯＥＬからの出射光の経路（角度及び距離）が均一化されて画像のにじみやぼけの発生を抑制することができ、良好な画質を実現することができる。
【００５４】
また、本実施形態によれば、上述した押圧力や歪みが過大である場合であっても、素子基板１１と対向基板１２が所定の間隙を有して強固に接着されているので、対向基板１２が素子基板１１の画素アレイ１１１に直接接触することを回避することができるとともに、素子基板１１上の画素アレイ１１１（各画素ＰＩＸ）内に生じる歪みを抑制することができる。それ故、本実施形態によれば、有機ＥＬ素子ＯＥＬや他の能動素子、配線等の破損や特性劣化、封止破損の発生を防止又は抑制することができ、製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。このような本実施形態における作用効果は、素子基板１１に対向基板１２を接合するパネル構造を有する表示パネル全般において有効であるが、基板の変形が生じやすく、強度が重要視される大型の表示パネルにおいて特に有効である。
【００５５】
なお、上述した製造方法（図３参照）においては、画素アレイ１１１内に設けられる導電性接着部３０となるフィラー３１入り導電性接着剤層３２ｘを、素子基板１１側の隔壁２５上に延在する対向電極２３上に塗布した後、対向基板１２を貼り合わせて、導電性接着剤層３２ｘを硬化させる工程について説明した。本実施形態は、この製造方法に限定されるものではなく、以下に示すように、例えば対向基板１２の接着面側にフィラー３１入り導電性接着剤層３２ｘを塗布して形成した後、当該対向基板１２を画素アレイ１１１が形成された素子基板１１に貼り合わせて、導電性接着剤層３２ｘを硬化させる工程を適用するものであってもよい。
【００５６】
図４は、本実施形態に係る表示パネルの製造方法の他の例を示す工程断面図である。ここで、上述した製造方法（図３参照）と同等の工程については、説明を簡略化する。
本実施形態に係る表示パネルの製造方法の他の例は、まず、図４（ａ）に示すように、一面側に有機ＥＬ素子ＯＥＬを含む画素アレイ１１１が形成された素子基板１１において、図４（ｂ）に示すように、素子基板１１の画素アレイ１１１の外周領域に、所定の粒径を有するフィラー４１が拡散された封止材層４２ｘを塗布して形成する。一方、対向基板１２の接着面側であって、かつ、画素アレイ１１１内の隔壁２５の平面パターン（すなわち、画素ＰＩＸ間の境界領域）に対応する領域に、印刷法や転写法、塗布法等を用いて、所定の粒径を有するフィラー３１が拡散された導電性接着剤層３２ｘを塗布して形成する。次いで、当該対向基板１２を、素子基板１１の一面側に対向するように貼り合わせ、図４（ｃ）に示すように、紫外線ＵＶを照射、あるいは、熱処理することにより、画素アレイ１１１の外周領域の封止材層４２ｘ、及び、画素アレイ１１１内の導電性接着剤層３２ｘを硬化させる。
【００５７】
これにより、導電性を有する導電性接着部３０が対向電極２３に電気的に接続されて設けられるので、各画素ＰＩＸに供給される動作電圧（基準電圧）が均一化され、画素ＰＩＸの配置位置による電圧値の偏りや低下が抑制される。また、素子基板１１と対向基板１２が導電性接着部３０を介して、略均一な間隙（基板間ギャップ）で接合されるとともに、画素アレイ１１１の外周領域及び内部において強固に接着される。
【００５８】
＜第２の実施形態＞
次に、本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの第２の実施形態について説明する。
（表示パネル）
図５は、第２の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成を示す概略断面図である。図５は、図２（ａ）、（ｂ）と同様に、図１に示した表示パネルにおけるIIＡ−IIＡ線に沿った断面を示す図である。ここで、上述した第１の実施形態と同等の構成については同一の符号を付して説明を簡略化する。
【００５９】
上述した第１の実施形態においては、表示パネル１１０を構成する素子基板１１の画素アレイ１１１に配列された複数の画素ＰＩＸに所定の動作電圧を均一に供給するとともに、素子基板１１と対向基板１２との間隙を均一化して強固に接着するための手段として、フィラー３１入り導電性接着層３２からなる導電性を有する導電性接着部３０を適用したパネル構造について説明した。第２の実施形態に係る表示パネル１１０においては、図５に示すように、上記のフィラー３１入り導電性接着層３２に替えて、導電性の導電性スペーサ層３３及び導電性の導電性接着層３４を積層した導電性接着部３０を適用したパネル構造を有している。
【００６０】
具体的には、導電性接着部３０は、例えば図５に示すように、対向基板１２側に設けられ、導電性を有する導電性スペーサ層３３と、素子基板１１（隔壁２５）側に設けられ、導電性を有する導電性接着層３４とを積層した構造を有している。ここで、導電性スペーサ層３３は、それ自体では接着性の低い材料であってもよいが、少なくとも対向基板１２の表面に密着して形成され、かつ、比較的精度良く厚みを制御することができ、素子基板１１と対向基板１２との間隙（基板間ギャップ）を任意に設定することができる導電性材料が適用される。一方、導電性接着層３４は、素子基板１１側の隔壁２５上に延在して設けられた対向電極２３と、対向基板１２側に密着して設けられた導電性スペーサ層３３との双方に対して接着して、強固に接着することができる導電性材料が適用される。導電性接着層３４は光硬化性あるいは熱硬化性の導電性接着剤を適用することができる。また、本発明において、導電性接着部３０を構成する導電性スペーサ層３３及び導電性接着層３４の導電性の値（すなわち、電気抵抗の値）は特に限定されるものではないが、対向電極２３よりも電気抵抗が低い材料であることが好ましい。
【００６１】
また、導電性接着部３０の隔壁２５上における配置形状は特に限定されるものではないが、素子基板１１側の隔壁２５の平面パターンに沿って任意の方向に連続して延伸するように設けられ、全体が電気的に繋がっているように一体的に形成されていることが好ましい。この場合、図５に示した各隔壁２５上に設けられた導電性接着部３０は、相互に電気的に接続されて、対向電極２３の補助配線としても機能する。なお、導電性接着部３０を構成する導電性スペーサ層３３及び導電性接着層３４は、透明であってもよいし、不透明であってもよいが、有機ＥＬ素子ＯＥＬがトップエミッション型の発光構造を有する場合には、導電性スペーサ層３３と導電性接着層３４の少なくともいずれか一方は不透明で遮光性を有していることが好ましい。それにより発光駆動回路ＤＣの信号配線や薄膜トランジスタの各電極で外光が反射して、これらの配線や電極が視野側に視認されてしまうことを抑制することができる。
【００６２】
また、有機ＥＬ素子ＯＥＬがトップエミッション型の発光構造を有し、発光駆動回路ＤＣにおける薄膜トランジスタが、ゲート電極が半導体層の下部に設けられるボトムゲート構造を有している場合には、外光が薄膜トランジスタのチャネル領域が形成される半導体層に入射され、それによって薄膜トランジスタの特性が変動したり誤動作が生じたりし易い。そのため、導電性スペーサ層３３と導電性接着層３４の少なくともいずれか一方は不透明で遮光性を有していることが好ましく、それにより、隔壁２５を介して外光が薄膜トランジスタの半導体層に入射することを抑制して、薄膜トランジスタの特性が変動したり誤動作が生じたりすることを抑制することができる。
【００６３】
（表示パネルの製造方法）
次に、本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの製造方法について説明する。
図６は、本実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を示す工程断面図である。ここで、上述した第１の実施形態（図３、図４参照）と同等の工程については、説明を簡略化する。
【００６４】
図５に示した断面構造を有する表示パネル１１０の製造方法は、まず、予め対向基板１２の接着面側に、無電界メッキ法やラミネート法、スパッタリング法、蒸着法等を用いて、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）などの金属材料、または、これらの合金等の遮光性を有する金属膜を密着して形成した後、フォトリソグラフィ法を用いて、素子基板１１側に形成された隔壁２５の平面パターンに対応する領域に、上記金属膜を残すようにパターニングして導電性を有する所定の膜厚の導電性スペーサ層３３を形成する（図６（ｂ）参照）。次いで、上記画素アレイ１１１内の隔壁２５に対応して、対向基板１２の接着面側に形成された各導電性スペーサ層３３の表面（図６（ｂ）では下面側）に、印刷法や転写法等を用いて、光／熱硬化性の導電性接着剤による導電性接着剤層３４ｘを薄く形成する。
【００６５】
また、図６（ａ）に示すように、上述した第１の実施形態と同様に、一面側に有機ＥＬ素子ＯＥＬを含む画素アレイ１１１が形成された素子基板１１において、図６（ｂ）に示すように、素子基板１１の画素アレイ１１１の外周領域に、フィラー４１入り封止材層４２ｘを塗布して形成する。
【００６６】
ここで、導電性スペーサ層３３の表面に形成される導電性接着剤層３４ｘは、導電性スペーサ層３３の平面パターンと同一の領域に形成されるものであってもよいし、当該導電性スペーサ層３３の平面パターンのうちの一部の、特定の位置又は領域に、例えば周期的に配置形成（規則的に配置）されるものであってもよい。また、導電性スペーサ層３３、及び、該導電性スペーサ層３３の表面に形成される導電性接着剤層３４ｘの厚みは、対向基板１２表面から当該導電性接着剤層３４ｘの上面までの寸法と、素子基板１１表面から隔壁２５上の対向電極２３の上面までの寸法との総和が、画素アレイ１１１の外周領域に形成される封止材層４２ｘに拡散されるフィラー４１の粒径（直径）と同等、もしくは、該フィラー４１の粒径よりも僅かに大きくなるように、上記隔壁２５の突出高さに応じて適切に設定される。
【００６７】
次いで、当該対向基板１２を、素子基板１１の一面側に対向するように貼り合わせ、図６（ｃ）に示すように、紫外線ＵＶを照射、あるいは、熱処理することにより、画素アレイ１１１の外周領域の封止材層４２ｘ、及び、画素アレイ１１１内の導電性接着剤層３４ｘを硬化させる。これにより、素子基板１１上の画素アレイ１１１が対向基板１２及びシール部４０（フィラー４１入り封止層４２）により形成される封止空間５０内に封止される。
【００６８】
このとき、素子基板１１と対向基板１２との間隙（基板間ギャップ）は、画素アレイ１１１の外周領域においては、フィラー４１の粒径に基づいて設定され、また、画素アレイ１１１内においては、導電性スペーサ層３３の厚みに基づいて設定される。ここで、上述したように、導電性スペーサ層３３と導電性接着層３４となる導電性接着剤層３４ｘの厚みは、画素アレイ１１１の外周領域に塗布されるフィラー４１の粒径に基づいて設定される。導電性スペーサ層３３は金属膜により形成されているため、導電性接着剤層３４ｘからなる導電性接着層３４に比較して撓みが小さい（弾性が低い）。したがって、画素アレイ１１１内の導電性接着部３０においては、画素アレイ１１１内における素子基板１１と対向基板１２の間隙（基板間ギャップ）が、外周領域における間隙（すなわちフィラー４１の粒径）と同等かつ略均一になるように、導電性接着層３４の厚みが調整されて硬化する。
【００６９】
このように、本実施形態においては、素子基板１１の画素アレイ１１１に配列された複数の画素ＰＩＸに共通して設けられた対向電極２３に導電性を有する導電性接着部３０が電気的に接続されていることにより、対向電極２３の実効的な電気抵抗が低減されて、各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬのカソード電極（対向電極２３）に供給される動作電圧（基準電圧；詳しくは後述する）の電圧値の偏りや低下が抑制されて均一化される。
【００７０】
したがって、本実施形態によれば、上述した第１の実施形態と同様に、各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬに、画像データに応じた適切な電位差を印加して、適切な輝度階調で発光動作させることができ、画質を向上させることができる。このような作用効果は、表示パネル１１０に適用される有機ＥＬ素子ＯＥＬがトップエミッション型の発光構造を有する場合に、特に有効である。一方、表示パネル１１０に適用される有機ＥＬ素子ＯＥＬがボトムエミッション型の発光構造を有する場合には、各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬのカソード電極となる対向電極２３を薄膜化して、その成膜時間を短縮することができ、製造プロセスの短縮又は効率化を図ることができる。
【００７１】
また、本実施形態においては、素子基板１１と対向基板１２が所定の膜厚を有する導電性スペーサ層３３及び導電性接着層３４を積層した導電性を有する導電性接着部３０を介して密着（接着）されていることにより、素子基板１１と対向基板１２との間隙が略均一に設定されるとともに、画素アレイ１１１の外周領域及び内部において強固に接着される。
【００７２】
したがって、本実施形態によれば、上述した第１の実施形態と同様に、表示パネル１１０に対して押圧力が印加された場合や歪みが生じた場合等であっても、素子基板１１と対向基板１２の間隙（基板間ギャップ）を均一に保持して、有機ＥＬ素子ＯＥＬからの出射光の経路（角度及び距離）を均一化することができ、良好な画質を実現することができる。また、上記の押圧力や歪みが過大である場合であっても、画素アレイ１１１に設けられる有機ＥＬ素子ＯＥＬや他の能動素子、配線等の破損や特性劣化、封止破損の発生を防止又は抑制することができ、製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。このような作用効果は、基板の変形が生じやすく、強度が重要視される大型の表示パネルにおいて、特に有効である。
【００７３】
なお、本実施形態においては、素子基板１１に設けられる隔壁２５の平面パターンに対応するように、対向基板１２の接着面側に銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）などの金属材料、または、これらの合金等の金属膜からなる導電性スペーサ層３３を形成した後、導電性接着層３４を介して、素子基板１１と対向基板１２とを接着する表示パネルの製造方法について説明した。このような製造手順を適用するのは次のような理由によるものである。すなわち、一般に、金属膜を形成するために用いられる無電界メッキ法やラミネート法、スパッタリング法、蒸着法においては、薬液処理や高温での成膜処理を必要とする。一方、有機ＥＬ素子ＯＥＬが形成された素子基板１１は、有機ＥＬ層の劣化や層間剥離等の損傷を防止するため、薬液処理や高温での加熱処理を極力避ける必要がある。そこで、本実施形態においては、上述したように、有機ＥＬ素子ＯＥＬが形成されていない対向基板１２側に、金属膜からなる導電性スペーサ層３３を無電界メッキ法やラミネート法、スパッタリング法、蒸着法等を用いて形成することにより、素子基板１１に形成された有機ＥＬ素子ＯＥＬの特性劣化や損傷を防止することができるとともに、成膜条件に制約を受けることなく、所望の厚みの導電性スペーサ層３３を形成することができるものである。
【００７４】
＜第３の実施形態＞
次に、本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの第３の実施形態について説明する。
（表示パネル）
図７は、第３の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成を示す概略断面図である。図７は、図２（ａ）、（ｂ）と同様に、図１に示した表示パネルにおけるIIＡ−IIＡ線に沿った断面を示す図である。ここで、上述した第１及び第２の実施形態と同等の構成については同一の符号を付して説明を簡略化する。
【００７５】
上述した第２の実施形態においては、導電性接着部３０を構成する導電性スペーサ層３３が対向基板１２の接着面側の表面に直接設けられ、導電性接着層３４を介して素子基板１１と対向基板１２が接着されたパネル構造について説明した。第３の実施形態に係る表示パネル１１０においては、図７に示すように、対向基板１２の接着面側に設けられた補助電極層３５と素子基板１１側の対向電極２３が、導電性を有する導電性接着部３０を介して電気的に接続されたパネル構造を有している。
【００７６】
具体的には、補助電極層３５は、例えば図７に示すように、対向基板１２の接着面側であって、画素アレイ１１１の形成領域に対応する領域に設けられている。素子基板１１側の対向電極２３と対向基板１２側の補助電極層３５とは、上述した第２の実施形態と同様に、導電性を有する導電性スペーサ層３３と導電性を有する導電性接着層３４とを積層した構造を有する導電性接着部３０を介して電気的に接続されている。ここで、表示パネル１１０に適用される有機ＥＬ素子ＯＥＬがトップエミッション型の発光構造を有している場合には、補助電極層３５は、例えばＩＴＯ等の酸化金属系の透明電極膜を適用することができる。また、表示パネル１１０に適用される有機ＥＬ素子ＯＥＬがボトムエミッション型の発光構造を有している場合には、補助電極層３５は、例えば銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）などの金属材料、または、これらの合金等の金属膜を適用することができる。なお、本発明に適用される補助電極層３５の材質は、導電性を有する材料であれば特に限定されるものではないが、対向電極２３よりも電気抵抗の低い材料であることが好ましい。
【００７７】
また、導電性接着部３０を構成する導電性スペーサ層３３及び導電性接着層３４に適用される導電性材料は、上述した第２の実施形態と同様に、その導電性の値（すなわち、電気抵抗の値）が特に限定されるものではないが、対向電極２３よりも電気抵抗の低い材料であることが好ましい。加えて、導電性接着部３０は、第２の実施形態に示したように、素子基板１１側の隔壁２５の平面パターンに沿って任意の方向に連続して延伸するようにストライプ状や格子状に設けられ、電気的に繋がるように一体的に形成されているものであってもよいし、隔壁２５の平面パターンのうちの、特定の位置又は領域に互いに離間して島状（スポット状）に設けられ、例えば周期的に配置形成（規則的に配置）されるものであってもよい。
【００７８】
（表示パネルの製造方法）
次に、本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの製造方法について説明する。
図８は、本実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を示す工程断面図である。ここで、上述した第２の実施形態（図６参照）と同等の工程については、説明を簡略化する。
【００７９】
図７に示した断面構造を有する表示パネル１１０の製造方法は、まず、予め対向基板１２の接着面側に補助電極層３５を形成する（図８（ｂ）参照）。具体的には、対向基板１２の接着面側に、無電界メッキ法やラミネート法、スパッタリング法、蒸着法等を用いて、ＩＴＯ等の透明電極膜又は銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）などの金属材料、または、これらの合金等の金属膜を密着して形成した後、フォトリソグラフィ法を用いて、素子基板１１側の画素アレイ１１１に対応する領域に、上記透明電極膜又は金属膜を残すようにパターニングして所定の膜厚の補助電極層３５を形成する（図８（ｂ）参照）。ここで、上述したように、表示パネル１１０に適用される有機ＥＬ素子ＯＥＬがトップエミッション型の発光構造を有している場合には、上記補助電極層３５は、ＩＴＯ等の酸化金属系の透明電極膜が適用される。また、表示パネル１１０に適用される有機ＥＬ素子ＯＥＬがボトムエミッション型の発光構造を有している場合には、補助電極層３５は、金属膜が適用される。
【００８０】
次いで、対向基板１２の接着面側に、無電界メッキ法やラミネート法、スパッタリング法、蒸着法等を用いて、上記金属膜を密着して形成した後、フォトリソグラフィ法を用いて、素子基板１１に形成された隔壁２５の平面パターンに対応する領域に、上記金属膜を残すようにパターニングして、補助電極層３５の表面に導電性を有する所定の膜厚の導電性スペーサ層３３を形成する（図８（ｂ）参照）。これにより、対向基板１２側に形成された補助電極層３５に電気的に接続するように導電性スペーサ層３３が形成される。
【００８１】
ここで、補助電極層３５の表面に形成される導電性スペーサ層３３は、上述したように、素子基板１１側の隔壁２５の平面パターンに対応する領域に沿って任意の方向に連続して延伸するようにストライプ状や格子状に設けられ、電気的に繋がるように一体的に形成されているものであってもよいし、隔壁２５の平面パターンに対応する領域のうちの、特定の位置又は領域に互いに離間して島状（スポット状）に設けられ、例えば周期的に配置形成（規則的に配置）されるものであってもよい。要するに、後述する素子基板１１と対向基板１２の貼り合わせ工程により、素子基板１１側の隔壁２５上に延在して形成された対向電極２３と、対向基板１２側に形成された補助電極層３５とが、導電性スペーサ層３３を含む導電性を有する導電性接着部３０を介して電気的に接続されるものであればよい。
【００８２】
以下、上述した第２の実施形態と同様に、図８（ａ）に示すように、一面側に有機ＥＬ素子ＯＥＬを含む画素アレイ１１１が形成された素子基板１１において、図８（ｂ）に示すように、素子基板１１の画素アレイ１１１の外周領域に、フィラー４１入り封止材層４２ｘを塗布して形成する。また、上記画素アレイ１１１内の隔壁２５に対応して、対向基板１２の接着面側に形成された各導電性スペーサ層３３の表面（図８（ｂ）では下面側）に、印刷法や転写法等を用いて、光／熱硬化性の導電性接着剤層３４ｘを薄く形成する。
【００８３】
ここで、対向基板１２側に形成される補助電極層３５、導電性スペーサ層３３、及び、該導電性スペーサ層３３の表面に形成される導電性接着剤層３４ｘの厚みは、対向基板１２表面から当該導電性接着剤層３４ｘの上面までの寸法と、素子基板１１表面から隔壁２５上の対向電極２３の上面までの寸法との総和が、画素アレイ１１１の外周領域に形成される封止材層４２ｘに拡散されるフィラー４１の粒径（直径）と同等、もしくは、該フィラー４１の粒径よりも僅かに大きくなるように、上記隔壁２５の突出高さに応じて適切に設定される。
【００８４】
次いで、対向基板１２を、素子基板１１の一面側に対向するように貼り合わせ、図８（ｃ）に示すように、紫外線ＵＶを照射、あるいは、熱処理することにより、画素アレイ１１１の外周領域の封止材層４２ｘ、及び、画素アレイ１１１内の導電性接着剤層３４ｘを硬化させる。これにより、素子基板１１上の画素アレイ１１１が、対向基板１２及びシール部４０（フィラー４１入り封止層４２）により形成される封止空間５０内に封止される。
【００８５】
このとき、素子基板１１と対向基板１２との間隙（基板間ギャップ）は、画素アレイ１１１内においては、補助電極層３５と導電性スペーサ層３３の厚みに基づいて設定される。ここで、上述したように、補助電極層３５、導電性スペーサ層３３及び導電性接着層３４となる導電性接着剤層３４ｘの厚みは、画素アレイ１１１の外周領域に塗布されるフィラー４１の粒径に基づいて設定される。補助電極層３５及び導電性スペーサ層３３は金属膜により形成されているため、導電性接着剤層３４ｘからなる導電性接着層３４に比較して撓みが小さい（弾性が低い）。したがって、画素アレイ１１１内の導電性接着部３０においては、画素アレイ１１１内における素子基板１１と対向基板１２の間隙（基板間ギャップ）が、外周領域における間隙（すなわちフィラー４１の粒径）と同等かつ略均一になるように、導電性接着層３４の厚みが調整されて硬化する。
【００８６】
このように、本実施形態においては、素子基板１１の画素アレイ１１１に配列された複数の画素ＰＩＸに共通して設けられた対向電極２３が、導電性を有する導電性接着部３０と導電性スペーサ層３３とを介して、対向基板１２側に設けられた補助電極層３５に電気的に接続されていることにより、各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬのカソード電極（対向電極２３）に供給される動作電圧（基準電圧；詳しくは後述する）の電圧値の偏りや低下が抑制されて均一化される。
【００８７】
また、本実施形態においても、上述した各実施形態と同様に、素子基板１１と対向基板１２が所定の膜厚を有する導電性スペーサ層３３及び導電性接着層３４を積層した導電性を有する導電性接着部３０を介して密着（接着）されていることにより、素子基板１１と対向基板１２との間隙が略均一に設定されるとともに、画素アレイ１１１の外周領域及び内部において強固に接着される。
【００８８】
したがって、本実施形態によれば、上述した第２の実施形態と同様に、各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬに、画像データに応じた適切な電位差を印加して、適切な輝度階調で発光動作させることができ、画質を向上させることができる。また、本実施形態によれば、表示パネル１１０に押圧力が印加された場合や歪みが生じた場合であっても、素子基板１１と対向基板１２の間隙（基板間ギャップ）を均一に保持して、良好な画質を実現することができるとともに、有機ＥＬ素子ＯＥＬや配線等の破損や特性劣化、封止破損を防止して、製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。
【００８９】
＜第４の実施形態＞
次に、本発明に係る表示装置に適用される表示パネルの第４の実施形態について説明する。
（表示パネル）
図９は、第３の実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの要部構成を示す概略断面図である。図９は、図２（ａ）、（ｂ）と同様に、図１に示した表示パネルにおけるIIＡ−IIＡ線に沿った断面を示す図である。ここで、上述した第１乃至第３の実施形態と同等の構成については同一の符号を付して説明を簡略化する。
【００９０】
上述した第３の実施形態においては、対向基板１２の接着面側に設けられた補助電極層３５と素子基板１１側の対向電極２３が、導電性を有する導電性スペーサ層３３と導電性を有する導電性接着層３４とを積層した導電性接着部３０を介して、電気的に接続されたパネル構造について説明した。第４の実施形態に係る表示パネル１１０においては、図９に示すように、上記の導電性スペーサ層３３及び導電性接着層３４からなる積層構造に替えて、フィラー３１入り導電性接着層３２からなる導電性を有する導電性接着部３０を介して、対向基板１２の接着面側に設けられた補助電極層３５と素子基板１１側の対向電極２３が電気的に接続されたパネル構造を有している。
【００９１】
ここで、例えば図９に示すように、補助電極層３５は、上述した第３の実施形態と同様に、対向基板１２の接着面側であって、画素アレイ１１１の形成領域に対応する領域に設けられている。また、導電性接着部３０は、上述した第１の実施形態と同様に、所定の粒径を有するフィラー３１が拡散された導電性接着層３２を適用する。
【００９２】
また、導電性接着部３０は、第３の実施形態と同様に、素子基板１１側の隔壁２５の平面パターンに沿って任意の方向に連続して延伸するようにストライプ状や格子状に設けられ、電気的に繋がるように一体的に形成されているものであってもよいし、隔壁２５の平面パターンのうちの、特定の位置又は領域に互いに離間して島状（スポット状）に設けられ、例えば周期的に配置形成（規則的に配置）されるものであってもよい。
【００９３】
（表示パネルの製造方法）
次に、本実施形態に係る表示装置に適用される表示パネルの製造方法について説明する。
図１０は、本実施形態に係る表示パネルの製造方法の一例を示す工程断面図である。ここで、上述した第１及び第３の実施形態（図３、図８参照）と同等の工程については、説明を簡略化する。
【００９４】
図９に示した断面構造を有する表示パネル１１０の製造方法は、まず、予め対向基板１２の接着面側に、無電界メッキ法やラミネート法、スパッタリング法、蒸着法等を用いて、ＩＴＯ等の透明電極膜又は銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）などの金属材料、または、これらの合金等の金属膜を密着して形成した後、フォトリソグラフィ法を用いて、素子基板１１側の画素アレイ１１１に対応する領域に、上記透明電極膜又は金属膜を残すようにパターニングして所定の膜厚の補助電極層３５を形成する（図８（ｂ）参照）。
【００９５】
次いで、上述した第１の実施形態と同様に、図１０（ａ）に示すように、一面側に有機ＥＬ素子ＯＥＬを含む画素アレイ１１１が形成された素子基板１１において、図１０（ｂ）に示すように、素子基板１１の画素アレイ１１１の外周領域に、フィラー４１入り封止材層４２ｘを塗布して形成する。また、上記画素アレイ１１１内の隔壁２５上に延在する対向電極２３の上面に、印刷法や転写法、塗布法等を用いて、所定の粒径を有するフィラー３１が拡散された導電性接着剤層（フィラー３１入り導電性接着剤層）３２ｘを形成する。
【００９６】
ここで、フィラー３１入り導電性接着剤層３２ｘは、上述したように、素子基板１１側の隔壁２５の平面パターンに沿って任意の方向に連続して延伸するようにストライプ状や格子状に設けられ、全体が電気的に繋がるように一体的に形成されているものであってもよいし、隔壁２５の平面パターンのうちの、特定の位置又は領域に互いに離間して島状（スポット状）に設けられ、周期的に配置形成（規則的に配置）されるものであってもよい。要するに、後述する素子基板１１と対向基板１２の貼り合わせ工程により、素子基板１１側の隔壁２５上に延在して形成された対向電極２３と、対向基板１２側に形成された補助電極層３５とが、フィラー３１入り導電性接着剤層３２ｘからなる導電性を有する導電性接着部３０を介して電気的に接続されるものであればよい。
【００９７】
また、導電性接着剤層３２ｘに拡散されるフィラー３１の粒径（直径）は、素子基板１１表面から当該フィラー３１入り導電性接着剤層３２ｘの上面までの寸法と、対向基板１２表面から補助電極層３５の上面までの寸法（すなわち補助電極層３５の厚み）との総和が、画素アレイ１１１の外周領域に形成される封止材層４２ｘに拡散されるフィラー４１の粒径（直径）と同等、もしくは、フィラー４１の粒径よりも僅かに大きくなるように、隔壁２５の突出高さに応じて適切に設定される。
【００９８】
次いで、対向基板１２を、素子基板１１の一面側に対向するように貼り合わせ、図１０（ｃ）に示すように、紫外線ＵＶを照射、あるいは、熱処理することにより、画素アレイ１１１の外周領域の封止材層４２ｘ、及び、画素アレイ１１１内の導電性接着剤層３２ｘを硬化させる。これにより、素子基板１１上の画素アレイ１１１が、対向基板１２及びシール部４０（フィラー４１入り封止層４２）により形成される封止空間５０内に封止される。
【００９９】
このとき、素子基板１１と対向基板１２との間隙（基板間ギャップ）は、画素アレイ１１１内においては、導電性接着部３０のフィラー３１の粒径に基づいて設定される。ここで、上述したように、導電性接着部３０の導電性接着剤層３２ｘに拡散されるフィラー３１の粒径は、画素アレイ１１１の外周領域に塗布されるフィラー４１の粒径に基づいて設定される。したがって、画素アレイ１１１内の導電性接着部３０においては、画素アレイ１１１内における素子基板１１と対向基板１２の間隙（基板間ギャップ）が、外周領域における間隙（すなわちフィラー４１の粒径）と同等かつ略均一になるように、導電性接着層３４の厚みが調整されて硬化する。
【０１００】
このように、本実施形態においても、上述した第３の実施形態と同様に、素子基板１１側の対向電極２３が、導電性を有する導電性接着部３０を介して対向基板１２側の補助電極層３５に電気的に接続されて、各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬのカソード電極（対向電極２３）に供給される動作電圧（基準電圧；詳しくは後述する）の電圧値の偏りや低下が抑制されて均一化される。また、本実施形態においても、素子基板１１と対向基板１２が所定の粒径を有するフィラー３１を拡散した導電性接着層３２からなる導電性を有する導電性接着部３０を介して密着（接着）されて、素子基板１１と対向基板１２との間隙が略均一に設定されるとともに、画素アレイ１１１の外周領域及び内部において強固に接着される。したがって、本実施形態によれば、上述した第３の実施形態と同様に、動作電圧の偏りや基板間ギャップの不均一に起因する画質の劣化を抑制することができるとともに、基板への押圧力や歪みによる不良の発生を抑制して製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。
【０１０１】
なお、上述した製造方法（図１０参照）においては、画素アレイ１１１内に設けられる導電性接着部３０となるフィラー３１入り導電性接着剤層３２ｘを、素子基板１１側の隔壁２５上に延在する対向電極２３上に塗布した後、対向基板１２を貼り合わせて、導電性接着剤層３２ｘを硬化させる工程について説明した。本実施形態は、この製造方法に限定されるものではなく、以下に示すように、例えば対向基板１２の接着面側に形成された補助電極層３５上にフィラー３１入り導電性接着剤層３２ｘを塗布した後、当該対向基板１２を画素アレイ１１１が形成された素子基板１１に貼り合わせて、導電性接着剤層３２ｘを硬化させる工程を適用するものであってもよい。
【０１０２】
図１１は、本実施形態に係る表示パネルの製造方法の他の例を示す工程断面図である。ここで、上述した製造方法（図４、図８参照）と同等の工程については、説明を簡略化する。
本実施形態に係る表示パネルの製造方法の他の例は、まず、予め対向基板１２の接着面側であって、素子基板１１側の画素アレイ１１１に対応する領域に、所定の膜厚の補助電極層３５を形成する（図１１（ｂ）参照）。次いで、対向基板１２の接着面側に形成された補助電極層３５上であって、かつ、素子基板１１に形成された隔壁２５の平面パターンに対応する領域に、所定の粒径を有するフィラー３１が拡散された導電性接着剤層３２ｘを塗布して形成する。一方、図１１（ａ）に示すように、一面側に有機ＥＬ素子ＯＥＬを含む画素アレイ１１１が形成された素子基板１１において、図１１（ｂ）に示すように、素子基板１１の画素アレイ１１１の外周領域に、所定の粒径を有するフィラー４１が拡散された封止材層４２ｘを塗布して形成する。次いで、当該対向基板１２を、素子基板１１の一面側に対向するように貼り合わせ、図１１（ｃ）に示すように、紫外線ＵＶを照射、あるいは、熱処理することにより、画素アレイ１１１の外周領域の封止材層４２ｘ、及び、画素アレイ１１１内の導電性接着剤層３２ｘを硬化させる。
【０１０３】
これにより、素子基板１１側の対向電極２３が導電性接着部３０を介して対向基板１２側に設けられた補助電極層３５に電気的に接続されていることにより、各画素ＰＩＸに供給される動作電圧（基準電圧）が均一化され、画素ＰＩＸの配置位置による電圧値の偏りや低下が抑制される。また、素子基板１１と対向基板１２が所定の粒径を有するフィラー３１が拡散された導電性接着層３２からなる導電性接着部３０を介して、略均一な間隙（基板間ギャップ）で接着されるとともに、画素アレイ１１１の外周領域及び内部において強固に接着される。
【０１０４】
次に、上述した各実施形態に示した表示パネルが適用される表示装置と画素の具体例について、図面を参照して説明する。なお、以下に示す表示装置は、アクティブマトリクス駆動方式に対応した構成を有する場合について説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明は、例えばパッシブマトリクス駆動方式等、他の駆動方式に対応した表示装置に適用されるものであってもよい。
【０１０５】
＜表示装置への適用例と画素の具体例＞
次に、上述した各実施形態に示した表示パネル（発光パネル）が適用される表示装置（発光装置）と画素の具体例について、図面を参照して説明する。
なお、以下に示す各適用例のうち、第１及び第３の適用例に係る表示装置及び画素は、上述した第１乃至第４の実施形態に示した表示パネル１１０のいずれであっても良好に適用することができる。また、第２及び第４の適用例に係る表示装置及び画素は、上述した第３及び第４の実施形態に示した表示パネル１１０を良好に適用することができる。
【０１０６】
（第１の適用例）
図１２は、本発明に係る表示パネル（発光パネル）を適用した表示装置の第１の具体例を示す概略構成図である。図１２（ａ）は、本適用例に係る表示装置を示す概略ブロック図であり、図１２（ｂ）は、本適用例に係る表示装置に適用される画素の等価回路図である。なお、ここでは、上述した各実施形態に示した各図（図１〜図１１）を適宜参照しながら説明する。
【０１０７】
図１２（ａ）に示すように、第１の適用例に係る表示装置（発光装置）１００は、概略、上述した第１乃至第４の実施形態のいずれかに示した表示パネル（発光パネル）１１０と、該表示パネル１１０に配列された各画素ＰＩＸを選択状態に設定するための選択ドライバ（選択駆動回路）１２０と、各画素ＰＩＸに画像データに応じた階調信号を供給するためのデータドライバ（信号駆動回路）１３０と、システムコントローラ１４０と、を備えている。
【０１０８】
本適用例に係る表示パネル１１０に配列される画素ＰＩＸは、例えば図１２（ｂ）に示すように、発光駆動回路ＤＣと、電流駆動型の発光素子である有機ＥＬ素子ＯＥＬと、を備えている。発光駆動回路ＤＣは、画像データに応じた電流値の発光駆動電流を生成して、有機ＥＬ素子ＯＥＬに供給する。有機ＥＬ素子ＯＥＬは、発光駆動回路ＤＣから供給される発光駆動電流に基づいて、画像データに応じた輝度階調で発光する。
【０１０９】
発光駆動回路ＤＣは、例えば図１２（ｂ）に示すように、トランジスタ（能動素子；スイッチング素子）Ｔｒ１１、Ｔｒ１２とキャパシタＣｓとを備えている。トランジスタＴｒ１１は、ゲート端子が選択ラインＬｓに接続され、ドレイン端子がデータラインＬｄに接続され、ソース端子が接点Ｎ１１に接続されている。トランジスタＴｒ１２は、ゲート端子が接点Ｎ１１に接続され、ドレイン端子が高電位の電源電圧Ｖsaに接続され、ソース端子が接点Ｎ１２に接続されている。キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ１２のゲート端子（接点Ｎ１１）及びソース端子（接点Ｎ１２）間に接続されている。
【０１１０】
また、有機ＥＬ素子（表示素子）ＯＥＬは、アノード（アノード電極；上述した画素電極２１）が上記発光駆動回路ＤＣの接点Ｎ１２に接続され、カソード（カソード電極；上述した対向電極２３）が所定の低電位電源（基準電圧Ｖsc；例えば接地電位Ｖgnd）に接続されている。ここで、カソードに印加される基準電圧Ｖscは、上述した各実施形態に示した動作電圧に対応する。
【０１１１】
ここでは、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２はいずれも、ｎチャネル型の薄膜トランジスタを適用することができる。なお、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２がｐチャネル型であれば、ソース端子及びドレイン端子が互いに逆になる。また、キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ１２のゲート、ソース間に形成される寄生容量、又は、該ゲート、ソース間に付加的に設けられた補助容量、もしくは、これらの寄生容量と補助容量からなる容量成分である。
【０１１２】
画素ＰＩＸに接続される選択ラインＬｓは、例えば表示パネル１１０の行方向（図１２（ａ）の左右方向）に配設されて、選択ドライバ１２０に接続されている。そして、選択ラインＬｓには、選択ドライバ１２０から選択レベル又は非選択レベルの選択電圧（選択信号）Ｖselが印加される。また、画素ＰＩＸに接続されるデータラインＬｄは、例えば表示パネル１１０の列方向（図１２（ａ）の上下方向）に配設されて、データドライバ１３０に接続されている。データラインＬｄには、データドライバ１３０から画像データに応じた階調電圧（階調信号）Ｖdataが印加される。
【０１１３】
システムコントローラ１４０は、表示装置１００の外部から供給される画像データに基づいて、輝度階調データを含むデジタルデータからなる表示データを生成してデータドライバ１３０に供給する。また、システムコントローラ１４０は、画像データに基づいて生成又は抽出されるタイミング信号に基づいて、選択ドライバ１２０及びデータドライバ１３０の動作状態を制御して、表示パネル１１０における所定の画像表示動作を実行するための選択制御信号及びデータ制御信号を生成して出力する。
【０１１４】
これにより、選択ドライバ１２０は、選択制御信号に基づいて、各行の選択ラインＬｓに所定のタイミングで選択レベルの選択電圧Ｖselを印加することにより、各行の画素ＰＩＸを選択状態に設定する。また、データドライバ１３０は、データ制御信号に基づいて、画像データに応じた階調電圧Ｖdataを生成して、各データラインＬｄを介して、選択状態に設定された画素ＰＩＸに供給する。
【０１１５】
そして、このような回路構成を有する画素ＰＩＸを備えた表示装置における表示駆動動作を簡単に説明すると、まず、所定の選択期間に、選択ドライバ１２０から選択ラインＬｓに対して、選択レベル（ハイレベル）の選択電圧Ｖselを印加することにより、トランジスタＴｒ１１をオン動作させて、画素ＰＩＸを選択状態に設定する。このタイミングに同期して、データドライバ１３０から画像データに応じた電圧値の階調電圧ＶdataをデータラインＬｄに印加することにより、トランジスタＴｒ１１を介して接点Ｎ１１に、階調電圧Ｖdataに応じた電位が印加される。
【０１１６】
これにより、トランジスタＴｒ１２が階調電圧Ｖdataに応じた導通状態でオン動作して、ドレイン、ソース間に所定の電流値の発光駆動電流が流れ、有機ＥＬ素子ＯＥＬは、階調電圧Ｖdata（すなわち画像データ）に応じた輝度階調で発光する。このとき、トランジスタＴｒ１２のゲート、ソース間に接続されたキャパシタＣｓには、接点Ｎ１１に印加された階調電圧Ｖdataに基づいて電荷が蓄積（充電）される。
【０１１７】
次いで、上記選択期間終了後の非選択期間において、選択ドライバ１２０から選択ラインＬｓに対して、非選択レベル（ローレベル）の選択電圧Ｖselを印加することにより、トランジスタＴｒ１１をオフ動作させて、画素ＰＩＸを非選択状態に設定する。このとき、上記キャパシタＣｓに蓄積された電荷（すなわち、ゲート、ソース間の電位差）が保持されて、トランジスタＴｒ１２のゲート端子に階調電圧Ｖdataに相当する電圧が印加される。したがって、トランジスタＴｒ１２のドレイン、ソース間に上記の発光動作状態（選択期間）と同等の電流値の発光駆動電流が流れて、有機ＥＬ素子ＯＥＬは発光状態を継続する。そして、このような表示駆動動作を、表示パネル１１０に二次元配列された全ての画素ＰＩＸについて、例えば各行ごとに順次実行することにより、所望の画像情報が表示される。
【０１１８】
次に、上述したような回路構成を有する画素（発光駆動回路及び有機ＥＬ素子）の具体的なデバイス構造（平面レイアウト及び断面構造）について説明する。
図１３は、本適用例に係る画素の一例を示す平面レイアウト図である。ここでは、図１２（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの各トランジスタ及び配線等が形成された層を主に示し、各トランジスタの電極及び各配線層を明瞭にするために、便宜的にハッチングを施して示した。ここで、同じハッチングを施した電極及び配線層は同層に設けられている。また、上述した各実施形態に示した隔壁２５及び導電性接着部３０の平面パターンを、画素ＰＩＸの平面レイアウトに重ねて示した。図１４は、本適用例に係る画素の要部断面図である。ここでは、図１４は、図１３に示した平面レイアウトを有する画素におけるXIVＢ−XIVＢ線（本明細書においては図１３中に示したローマ数字の「１４」に対応する記号として便宜的に「XIV」を用いる。）に沿った断面を示す。
【０１１９】
図１２（ｂ）に示した画素ＰＩＸは、具体的には、図１３、図１４に示すように、ガラス等の絶縁性の素子基板１１の一面側（図１４の上面側）に設定された画素形成領域Ｒpxごとに設けられている。この画素形成領域Ｒpxには、少なくとも、有機ＥＬ素子ＯＥＬの形成領域（ＥＬ素子形成領域）Ｒelと、隣接する画素ＰＩＸとの間の境界領域と、が設定されている。
【０１２０】
図１３に示した画素ＰＩＸにおいて、画素形成領域Ｒpxの図面上方及び下方の縁辺領域には、各々、行方向（図面左右方向）に延在するように選択ラインＬｓ及び電源ラインＬａが配設されている。一方、画素形成領域Ｒpxの図面右方側の領域には、選択ラインＬｓ及び電源ラインＬａに直交して、列方向（図面上下方向）に延在するようにデータラインＬｄが配設されている。
【０１２１】
また、図１３に示した表示パネル１１０においては、例えば図１４に示すように、画素形成領域Ｒpx内のＥＬ素子形成領域Ｒelに開口部が設けられた隔壁２５が設けられている。すなわち、素子基板１１上に、行方向（図面左右方向）及び列方向（図面上下方向）に隣接して配列される各画素ＰＩＸ間の境界領域には、図１３、図１４に示すように、素子基板１１表面から連続的に突出し、格子状の平面パターンを有する隔壁２５が設けられている。そして、この隔壁２５により囲まれ、かつ、画素電極２１が露出した領域（すなわち、上記開口部）がＥＬ素子形成領域Ｒelとして画定されている。
【０１２２】
選択ラインＬｓは、例えば図１３、図１４に示すように、データラインＬｄ及び電源ラインＬａよりも下層側（素子基板１１側）に設けられている。選択ラインＬｓは、トランジスタＴｒ１１、トランジスタＴｒ１２のゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇと同層に設けられている。ここで、選択ラインＬｓは、図１３に示すように、トランジスタＴｒ１１のゲート電極Ｔｒ１１ｇと一体的に形成されている。
【０１２３】
また、データラインＬｄは、例えば図１３、図１４に示すように、電源ラインＬａよりも下層側（素子基板１１側）に設けられている。データラインＬｄは、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄと同層に設けられている。ここで、データラインＬｄは、図１３に示すように、トランジスタＴｒ１１のドレイン電極Ｔｒ１１ｄと一体的に形成されている。
【０１２４】
また、電源ラインＬａは、例えば図１３、図１４に示すように、後述するトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２及び選択ラインＬｓ、データラインＬｄを被覆する絶縁膜２４上に設けられている。電源ラインＬａは、図１３に示すように、下層の絶縁膜２４に設けられたコンタクトホールＨＬ１２を介して、トランジスタＴｒ１２のドレイン電極Ｔｒ１１ｄに直接接続されている。
【０１２５】
また、図１３に示した画素ＰＩＸにおいては、発光駆動回路ＤＣに設けられるトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２が、例えば、データラインＬｄに沿って列方向（図面上下方向）に延在するように配置されている。具体的には、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２のチャネルの幅方向が、データラインＬｄに平行に延在するように設定されている。また、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２は、いずれも図１４に示すような電界効果型の薄膜トランジスタ構造を有している。なお、以下のトランジスタＴｒ１１についての説明では、図示の都合上、図１４に示したトランジスタＴｒ１２の断面構造を参照しながら説明するものとする。
【０１２６】
トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２はボトムゲート構造を有し、図１３、図１４に示すように、素子基板１１上に形成されたゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇを被覆するようにゲート絶縁膜１３が設けられ、該ゲート絶縁膜１３上の、ゲート電極Ｔｒ１１ｇ、Ｔｒ１２ｇに対応する領域に半導体層ＳＭＣ（図１３では省略）が設けられている。また、半導体層ＳＭＣに形成されるチャネル領域上にはチャネル保護層ＢＬが設けられ、当該チャネル保護層ＢＬを挟んで対向するようにソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄが設けられている。ソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄと半導体層ＳＭＣとの間には不純物層ＯＨＭが設けられ、これにより、半導体層ＳＭＣとソース電極Ｔｒ１１ｓ、Ｔｒ１２ｓ及びドレイン電極Ｔｒ１１ｄ、Ｔｒ１２ｄが各々オーミック接続している。
【０１２７】
そして、図１２（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの回路構成に対応するように、トランジスタＴｒ１１は、図１３に示すように、ゲート電極Ｔｒ１１ｇが選択ラインＬｓと一体的に形成されている。また、ドレイン電極Ｔｒ１１ｄは、図１３に示すように、データラインＬｄと一体的に形成されている。また、ソース電極Ｔｒ１１ｓは、図１３に示すように、ゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ１１を介して、トランジスタＴｒ１２のゲート電極Ｔｒ１２ｇに接続されている。ここで、コンタクトホールＨＬ１１は、図８（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの接点Ｎ１１に対応する。
【０１２８】
また、トランジスタＴｒ１２は、図１３に示すように、ゲート電極Ｔｒ１２ｇがゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ１１を介して、トランジスタＴｒ１１のソース電極Ｔｒ１１ｓに接続されている。また、ドレイン電極Ｔｒ１２ｄは、図１３に示すように、絶縁膜２４に設けられたコンタクトホールＨＬ１２を介して、電源ラインＬａに接続されている。また、ソース電極Ｔｒ１２ｓは、図１３、図１４に示すように、有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極２１と一体的に形成されている。
【０１２９】
有機ＥＬ素子ＯＥＬは、図１３、図１４に示すように、上記画素電極（アノード電極）２１と、有機ＥＬ層（発光層）２２と、対向電極（カソード電極）２３と、を順次積層した素子構造を有している。ここで、有機ＥＬ素子ＯＥＬがトップエミッション型の発光構造を有している場合には、例えば画素電極２１は、アルミニウム単体やアルミニウム合金等の光反射率の高い電極材料を含んで形成されている。また、対向電極２３は、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）等の透光性（高い光透過率）を有する透明な電極材料により形成されている。
【０１３０】
画素電極２１は、図１３、図１４に示すように、トランジスタＴｒ１２のソース電極Ｔｒ１２ｓと一体的に形成されている。有機ＥＬ層２２は、図１３、図１４に示すように、素子基板１１上に連続的に突出して形成された隔壁２５に設けられた開口部により画定されるＥＬ素子形成領域Ｒelに露出する画素電極２１上に形成される。
【０１３１】
対向電極２３は、素子基板１１上に二次元配列された各画素ＰＩＸの画素電極２１に対して、共通に対向するように、単一の電極層（べた電極）により形成されている。また、対向電極２３は、図１４に示すように、各画素ＰＩＸのＥＬ素子形成領域Ｒelだけでなく、当該ＥＬ素子形成領域Ｒelを画定する隔壁２５上にも延在するように設けられている。さらに、対向電極２３は、図示を省略したコンタクト部や引き出し配線を介して、低電位電源（基準電圧Ｖsc）に接続されている。
【０１３２】
隔壁２５は、例えば図１３、図１４に示すように、素子基板１１上に配列された画素ＰＩＸ相互の境界領域に形成された選択ラインＬｓ、データラインＬｄ、電源ラインＬａ、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、及び、絶縁膜２４を被覆するように、素子基板１１の表面から連続的に突出して、格子状の平面パターンを有するように設けられている。ここで、隔壁２５は、上述した各実施形態に示したように、例えば感光性の絶縁材料であるポリイミド系の樹脂材料により形成される。
【０１３３】
そして、上述した発光駆動回路ＤＣ、有機ＥＬ素子ＯＥＬ及び隔壁２５が形成された素子基板１１の一面側には、図１３、図１４に示すように、導電性を有する導電性接着部３０を介して、透明なガラス等からなる対向基板１２が所定の間隙を有して貼り合わされている。ここで、導電性接着部３０は、上述した各実施形態に示したように、フィラー３１入り導電性接着層３２や、導電性スペーサ層３３と導電性接着層３４からなる積層構造を有するとともに、隔壁２５上に延在して設けられた対向電極（カソード電極）２３よりも配線抵抗が低くなるように設定されている。また、導電性接着部３０は、上述した各実施形態に示したように、素子基板１１側に形成された隔壁２５の平面パターンに沿って連続して延伸するように、例えば図１３に示すように格子状の平面パターンを有して設けられている。
【０１３４】
なお、図１４においては、上述した第２の実施形態に示したパネル構造（図５参照）に対応した画素ＰＩＸの要部断面図を示すが、導電性接着部３０としてフィラー３１入り導電性接着層３２を適用することにより、上述した第１の実施形態に示したパネル構造（図２参照）に対応した画素の要部断面図となる。さらに、図１４において、対向基板１２の接着面側に補助電極層３５を設け、導電性接着部３０を介して、素子基板１１と対向基板１２とを接着することにより、上述した第３及び第４の実施形態に示したパネル構造（図７、図９参照）に対応した画素の要部断面図となる。
【０１３５】
このように、本適用例に係る表示装置１００の表示パネル１１０が、上述した第１及び第２の実施形態に示したパネル構造を有する場合には、連続する平面パターン（例えば図１３に示した格子状）を有する導電性接着部３０が、素子基板１１側の対向電極２３に電気的に接続されるとともに、当該導電性接着部３０を介して、素子基板１１と対向基板１２が所定の間隙（基板間ギャップ）を有して強固に接着される。
【０１３６】
一方、本適用例に係る表示装置１００の表示パネル１１０が、上述した第３及び第４の実施形態に示したパネル構造を有する場合には、連続する平面パターン（例えば図１３に示した格子状）を有する導電性接着部３０が、素子基板１１側の対向電極２３と対向基板１２側の補助電極層３５との双方に電気的に接続されるとともに、当該導電性接着部３０を介して、素子基板１１と対向基板１２が所定の間隙（基板間ギャップ）を有して強固に接着される。
【０１３７】
したがって、本適用例に係る表示装置によれば、表示パネル１１０の各画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）に供給される基準電圧Ｖsc（動作電圧）の低下を抑制して、画像データに応じた適切な電位差を印加することができるので、適切な輝度階調で発光動作させることができ、画質を向上させることができる。また、本適用例によれば、表示パネル１１０に押圧力が印加された場合や歪みが生じた場合であっても、素子基板１１と対向基板１２の間隙（基板間ギャップ）を均一に保持して、良好な画質を実現することができるとともに、有機ＥＬ素子ＯＥＬやトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、配線等の破損や特性劣化、封止破損を防止して、製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。
【０１３８】
（第２の適用例）
次に、第２の適用例に係る表示装置における画素（発光駆動回路及び有機ＥＬ素子）の具体的なデバイス構造（平面レイアウト及び断面構造）について説明する。ここで、表示装置及び画素の構成は、上述した第１の適用例と同等であるので説明を省略する。
【０１３９】
図１５は、第２の適用例に係る画素の一例を示す平面レイアウト図である。ここでは、第１の適用例に示した画素の平面レイアウト（図１３参照）において、上述した第３及び第４の実施形態に示した導電性接着部３０の配置位置の例を概念的に示した。図１６は、本適用例に係る画素の要部断面図である。ここでは、図１６は、図１５に示した平面レイアウトを有する画素におけるXVIＣ−XVIＣ線（本明細書においては図１５中に示したローマ数字の「１６」に対応する記号として便宜的に「XVI」を用いる。）に沿った断面を示す。なお、図１５、図１６において、上述した第１の適用例と同等の構成については、説明を簡略化する。
【０１４０】
本適用例においては、例えば図１５、図１６に示すように、各画素ＰＩＸ間に設けられる隔壁２５上の任意の位置Ｐsetに、導電性を有する導電性接着部３０が島状（スポット状）に設けられている。また、対向基板１２の接着面側には、図１６に示すように、画素アレイ１１１に対応する領域に補助電極層３５が設けられている。そして、素子基板１１側の隔壁２５上に延在して設けられた対向電極２３と対向基板１２側の補助電極層３５とが、島状（スポット状）に設けられた導電性接着部３０を介して電気的に接続されているとともに、素子基板１１と対向基板１２とが所定の間隙を有して強固に接着されている。
【０１４１】
ここで、導電性接着部３０は、上述した各実施形態に示したように、フィラー３１入り導電性接着層３２や、導電性スペーサ層３３と導電性接着層３４からなる積層構造を有している。このような導電性接着部３０が配置される位置Ｐsetは、隔壁２５上であれば特に限定するものではないが、表示パネル１１０に外部から印加される押圧力等によるトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２の素子破損や素子特性の変動、有機層や配線層（選択ラインＬｓ、データラインＬｄ、電源ラインＬａ）、層間絶縁膜の剥離、配線間ショート、封止破損等を防止、抑制する観点を加味すると、極力、下層にトランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２や、配線相互の交差、電極の重なり等がない領域（例えば図１５、図１６の位置Ｐset）の隔壁２５上に１乃至数カ所配置することが望ましい。また、本適用例においては、図１５、図１６に示す位置Ｐsetに配置される導電性接着部３０の平面形状についても特に限定するものではないが、例えば方形や円形を有するものであってもよい。
【０１４２】
なお、本適用例においては、図１５、図１６に示したように、表示パネル１１０の画素アレイ１１１内の１画素のみに注目して説明したが、画素アレイ１１１内の全ての画素ＰＩＸの画素形成領域Ｒpxごとに、導電性接着部３０を１乃至数カ所設けるものであってもよいし、数画素ＰＩＸからなる領域ごとに１乃至数カ所設けるものであってもよいし、表示パネル１１０のパネルサイズによっては、画素アレイ１１１全体に１乃至数カ所のみ設けるものであってもよい。
このようなパネル構造により、本適用例に係る表示装置においても、上述した第１の適用例と同等の作用効果を得ることができる。
【０１４３】
（第３の適用例）
図１７は、本発明に係る表示パネルを適用した表示装置の第３の具体例を示す概略構成図である。図１７（ａ）は、本適用例に係る表示装置を示す概略ブロック図であり、図１７（ｂ）は、本適用例に係る表示装置に適用される画素の等価回路図である。ここで、上述した第１の適用例と同等の構成については、同一又は同等の符号を付してその説明を簡略化する。
【０１４４】
図１７（ａ）に示すように、第３の適用例に係る表示装置（発光装置）１００は、概略、上述した第１乃至第４の実施形態のいずれかに示した表示パネル（発光パネル）１１０と、選択ドライバ（選択駆動回路）１２０と、データドライバ１３０（信号駆動回路）と、システムコントローラ１４０と、電源ドライバ１５０と、を備えている。すなわち、本適用例に示す表示装置１００は、第１の適用例に示した表示装置１００に、電源ドライバ１５０を付加した構成を有している。
【０１４５】
本適用例に係る表示パネル１１０に配列される画素ＰＩＸは、例えば図１７（ｂ）に示すように、上述した第１の適用例と同様に、発光駆動回路ＤＣと、有機ＥＬ素子ＯＥＬと、を備えている。発光駆動回路ＤＣは、例えば図１７（ｂ）に示すように、トランジスタ（能動素子；スイッチング素子）Ｔｒ２１〜Ｔｒ２３とキャパシタＣｓとを備えている。トランジスタＴｒ２１は、ゲート端子が選択ラインＬｓに接続され、ドレイン端子が電源ラインＬａに接続され、ソース端子が接点Ｎ２１に接続されている。トランジスタＴｒ２２は、ゲート端子が選択ラインＬｓに接続され、ソース端子がデータラインＬｄに接続され、ドレイン端子が接点Ｎ２２に接続されている。トランジスタＴｒ２３は、ゲート端子が接点Ｎ２１に接続され、ドレイン端子が電源ラインＬａに接続され、ソース端子が接点Ｎ２２に接続されている。キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ２３のゲート端子（接点Ｎ２１）及びソース端子（接点Ｎ２２）に接続されている。
【０１４６】
また、有機ＥＬ素子ＯＥＬは、アノード（アノード電極；画素電極２１）が上記発光駆動回路ＤＣの接点Ｎ２２に接続され、カソード（カソード電極；対向電極２３）が所定の低電位電源（基準電圧Ｖsc；例えば接地電位Ｖgnd）に接続されている。ここで、カソードに印加される基準電圧Ｖscは、上述した各実施形態に示した動作電圧に対応する。
【０１４７】
ここで、本適用例においても、トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３はいずれも、ｎチャネル型の薄膜トランジスタを適用することができる。また、キャパシタＣｓは、トランジスタＴｒ２３のゲート、ソース間に形成される寄生容量、又は、該ゲート、ソース間に付加的に設けられた補助容量、もしくは、これらの寄生容量と補助容量からなる容量成分である。
【０１４８】
画素ＰＩＸに接続される電源ラインＬａは、例えば表示パネル１１０の行方向（図１７（ａ）の左右方向）に配設されて、電源ドライバ１５０に接続されている。電源ドライバ１５０は、システムコントローラ１４０から供給される電源制御信号に基づいて、所定のタイミングで電源ラインＬａに発光レベル又は非発光レベルの電源電圧Ｖsaを印加する。
【０１４９】
そして、このような回路構成を有する画素ＰＩＸを備えた表示装置における表示駆動動作を簡単に説明すると、まず、選択期間に、選択ドライバ１２０から選択ラインＬｓに対して、選択レベル（ハイレベル）の選択電圧Ｖselを印加するとともに、電源ドライバ１５０から電源ラインＬａに非発光レベル（基準電圧Ｖsc以下の電圧レベル；例えば負電圧）の電源電圧Ｖsaを印加することにより、トランジスタＴｒ２１、Ｔｒ２２をオン動作させて、画素ＰＩＸを選択状態に設定する。このタイミングに同期して、データドライバ１３０から画像データに応じた負の電圧値の階調電圧ＶdataをデータラインＬｄに印加することにより、トランジスタＴｒ２２を介して接点Ｎ２２に、階調電圧Ｖdataに応じた電位が印加される。
【０１５０】
これにより、トランジスタＴｒ２３がオン動作して、トランジスタＴｒ２３のゲート、ソース間に生じた電位差に応じた書込電流が、電源ラインＬａからトランジスタＴｒ２３、接点Ｎ２２、トランジスタＴｒ２２を介してデータラインＬｄ方向に流れる。このとき、トランジスタＴｒ２３のゲート、ソース間に接続されたキャパシタＣｓには、接点Ｎ２１及びＮ２２間に生じた電位差に応じた電荷が蓄積される。
【０１５１】
ここで、電源ラインＬａには、基準電圧Ｖsc以下の電源電圧Ｖsaが印加され、さらに、書込電流が画素ＰＩＸからデータラインＬｄ方向に引き抜くように設定されている。これにより、有機ＥＬ素子ＯＥＬのアノード（接点Ｎ２２）に印加される電位は、カソードの電位（基準電圧Ｖsc）よりも低くなるため、有機ＥＬ素子ＯＥＬには電流が流れず、有機ＥＬ素子ＯＥＬは発光しない（非発光動作）。そして、このような書込動作を、表示パネル１１０に二次元配列された全ての画素ＰＩＸについて、各行ごとに順次実行する。
【０１５２】
次いで、上記選択期間終了後の非選択期間において、選択ドライバ１２０から選択ラインＬｓに対して、非選択レベル（ローレベル）の選択電圧Ｖselを印加することにより、トランジスタＴｒ２１、Ｔｒ２２をオフ動作させて、画素ＰＩＸを非選択状態に設定する。このとき、上記キャパシタＣｓに蓄積された電荷（すなわち、ゲート、ソース間の電位差）が保持されるので、トランジスタＴｒ２３はオン状態を維持する。そして、電源ドライバ１５０から電源ラインＬａに発光レベル（基準電圧Ｖscよりも高い電圧レベル）の電源電圧Ｖsaを印加することにより、電源ラインＬａからトランジスタＴｒ２３、接点Ｎ２２を介して、有機ＥＬ素子ＯＥＬに所定の発光駆動電流が流れる。
【０１５３】
ここで、キャパシタＣｓに蓄積される電荷（電圧成分）は、トランジスタＴｒ２３において階調電圧Ｖdataに対応する書込電流を流す場合の電位差に相当するので、有機ＥＬ素子ＯＥＬに流れる発光駆動電流は、当該書込電流と略同等の電流値となる。これにより、各画素ＰＩＸの有機ＥＬ素子ＯＥＬは、書込動作時に書き込まれた画像データ（階調電圧Ｖdata）に応じた輝度階調で発光し、表示パネル１１０に所望の画像情報が表示される。
【０１５４】
次に、上述したような回路構成を有する画素（発光駆動回路及び有機ＥＬ素子）の具体的なデバイス構造（平面レイアウト及び断面構造）について説明する。
図１８は、本適用例に係る画素の一例を示す平面レイアウト図である。ここでは、図１７（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの各トランジスタ及び配線等が形成された層を主に示し、各トランジスタの電極及び各配線層を明瞭にするために、便宜的にハッチングを施して示した。ここで、同じハッチングを施した電極及び配線層は同層に設けられている。また、上述した各実施形態に示した隔壁２５及び導電性接着部３０の平面パターンを、画素ＰＩＸの平面レイアウトに重ねて示した。図１９は、本適用例に係る画素の要部断面図である。ここでは、図１９は、図１８に示した平面レイアウトを有する画素におけるXIXＤ−XIXＤ線（本明細書においては図１８中に示したローマ数字の「１９」に対応する記号として便宜的に「XIX」を用いる。）に沿った断面を示す。なお、図１８、図１９において、上述した第１又は第２の適用例と同等の構成については、同一又は同等の符号を付してその説明を簡略化する。
【０１５５】
図１８に示した画素ＰＩＸにおいて、画素形成領域Ｒpxの図面上方及び下方の縁辺領域には、各々、行方向（図面左右方向）に延在するように電源ラインＬａ及び選択ラインＬｓが配設されている。一方、画素形成領域Ｒpxの図面左方及び図面右方の領域には、各々、上記電源ラインＬａ及び選択ラインＬｓに直交して、列方向（図面上下方向）に延在するようにデータラインＬｄ及び補助電源ラインＬayが配設されている。
【０１５６】
また、図１８に示した表示パネル１１０においては、例えば図１９に示すように、画素形成領域Ｒpx内のＥＬ素子形成領域Ｒelに開口部が設けられた隔壁２５が設けられている。すなわち、本適用例においても、素子基板１１上の画素アレイ１１１に隣接して配列される各画素ＰＩＸ間の境界領域には、図１８、図１９に示すように、素子基板１１表面から連続的に突出し、格子状の平面パターンを有する隔壁２５が設けられている。そして、この隔壁２５により囲まれ、かつ、画素電極２１が露出した領域（すなわち、上記開口部）がＥＬ素子形成領域Ｒelとして画定されている。
【０１５７】
データラインＬｄは、例えば図１８、図１９に示すように、選択ラインＬｓ及び電源ラインＬａ、補助電源ラインＬayよりも下層側（素子基板１１側）に設けられている。データラインＬｄは、トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３のゲート電極Ｔｒ２１ｇ〜Ｔｒ２３ｇと同層に設けられている。また、データラインＬｄは、図１８に示すように、上層のゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ２４を介して、トランジスタＴｒ２２のソース電極Ｔｒ２２ｓに直接接続されている。
【０１５８】
また、選択ラインＬｓ及び電源ラインＬａは、例えば図１８、図１９に示すように、相互に同層に設けられ、かつ、トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３及びデータラインＬｄ、補助電源ラインＬayを被覆する絶縁膜２４上に設けられている。選択ラインＬｓは、図１２に示すように、下層の絶縁膜２４及びゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ２２を介して、トランジスタＴｒ２１、Ｔｒ２２のゲート電極Ｔｒ２１ｇ、Ｔｒ２２ｇに直接接続されている。また、電源ラインＬａは、例えば図１８、図１９に示すように、下層の絶縁膜２４に設けられたコンタクトホールＨＬ２３を介して、補助電源ラインＬayに直接接続されている。
【０１５９】
補助電源ラインＬayは、例えば図１８、図１９に示すように、トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３のソース電極Ｔｒ２１ｓ〜Ｔｒ２３ｓ及びドレイン電極Ｔｒ２１ｄ〜Ｔｒ２３ｄと同層に設けられている。ここで、補助電源ラインＬayは、図１８に示すように、トランジスタＴｒ２１、Ｔｒ２３のドレイン電極Ｔｒ２１ｄ、Ｔｒ２３ｄと一体的に形成されている。
【０１６０】
また、図１８に示した画素ＰＩＸにおいては、発光駆動回路ＤＣに設けられるトランジスタＴｒ２２が、例えば、データラインＬｄに沿って列方向（図面上下方向）に延在するように配置されている。また、トランジスタＴｒ２１、Ｔｒ２３が、例えば、補助電源ラインＬayに沿って列方向に延在するように配置されている。
【０１６１】
トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３はボトムゲート構造を有し、図１８、図１９に示すように、素子基板１１上に形成されたゲート電極Ｔｒ２１ｇ〜Ｔｒ２３ｇを被覆するようにゲート絶縁膜１３が設けられ、該ゲート絶縁膜１３上の、ゲート電極Ｔｒ２１ｇ〜Ｔｒ２３ｇに対応する領域に半導体層ＳＭＣ（図１８では省略）が設けられている。また、半導体層ＳＭＣに形成されるチャネル領域上にはチャネル保護層ＢＬが設けられ、当該チャネル保護層ＢＬを挟んで対向するようにソース電極Ｔｒ２１ｓ〜Ｔｒ２３ｓ及びドレイン電極Ｔｒ２１ｄ〜Ｔｒ２３ｄが設けられている。ソース電極Ｔｒ２１ｓ〜Ｔｒ２３ｓ及びドレイン電極Ｔｒ２１ｄ〜Ｔｒ２３ｄと半導体層ＳＭＣとの間には不純物層ＯＨＭ（図示を省略）が設けられている。
【０１６２】
そして、図１７（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの回路構成に対応するように、トランジスタＴｒ２１は、図１８に示すように、ゲート電極Ｔｒ２１ｇがトランジスタＴｒ２２のゲート電極Ｔｒ２２ｇと一体的に形成されている。また、ゲート電極Ｔｒ２１ｇは、ゲート絶縁膜１３及び絶縁膜２４に設けられたコンタクトホールＨＬ２２を介して、選択ラインＬｓに接続されている。また、ドレイン電極Ｔｒ２１ｄは、図１８に示すように、補助電源ラインＬayと一体的に形成されている。また、ソース電極Ｔｒ２１ｓは、図１８に示すように、ゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ２１を介して、トランジスタＴｒ２３のゲート電極Ｔｒ２３ｇ及びキャパシタＣｓの下部電極Ｅcaに接続されている。ここで、コンタクトホールＨＬ２１は、図１７（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの接点Ｎ２１に対応する。
【０１６３】
また、トランジスタＴｒ２２は、図１８に示すように、ゲート電極Ｔｒ２２ｇがトランジスタＴｒ２１のゲート電極Ｔｒ２１ｇと一体的に形成されている。また、ゲート電極Ｔｒ２２ｇは、ゲート絶縁膜１３及び絶縁膜２４に設けられたコンタクトホールＨＬ２２を介して、選択ラインＬｓに接続されている。また、ドレイン電極Ｔｒ２２ｄは、図１８に示すように、キャパシタＣｓの上部電極Ｅcbを兼ねる画素電極２１に接続されている。また、ソース電極Ｔｒ２２ｓは、図１８に示すように、ゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ２４を介して、データラインＬｄに接続されている。
【０１６４】
また、トランジスタＴｒ２３は、図１８、図１９に示すように、ゲート電極Ｔｒ２３ｇがゲート絶縁膜１３に設けられたコンタクトホールＨＬ２２を介して、トランジスタＴｒ２１のソース電極Ｔｒ２１ｓに接続されている。また、ゲート電極Ｔｒ２３ｇは、キャパシタＣｓの下部電極Ｅcaに接続されている。また、ドレイン電極Ｔｒ２３ｄは、図１８、図１９に示すように、補助電源ラインＬayと一体的に形成されている。また、ソース電極Ｔｒ２３ｓは、図１８、図１９に示すように、キャパシタＣｓの上部電極Ｅcbを兼ねる画素電極２１に接続されている。
【０１６５】
キャパシタＣｓは、図１８、図１９に示すように、素子基板１１上に設けられた下部電極Ｅcaと、該下部電極Ｅcaに対向し、アルミニウム等の光反射率が高い金属膜からなる上部電極Ｅcbと、下部電極Ｅca及び上部電極Ｅcb間に介在するゲート絶縁膜１３と、を有している。ここで、ゲート絶縁膜１３は、キャパシタＣｓの誘電体層として兼用されている。また、上部電極Ｅcbは、有機ＥＬ素子ＯＥＬの画素電極２１として兼用されている。すなわち、キャパシタＣｓは、有機ＥＬ素子ＯＥＬの下層側（素子基板１１側）に設けられている。そして、下部電極Ｅcaは、図１８、図１９に示すように、トランジスタＴｒ２１のソース電極Ｔｒ２１ｓ及びトランジスタＴｒ２３のゲート電極Ｔｒ２３ｇに接続されている。また、上部電極Ｅcbとして兼用される画素電極２１は、図１８、図１９に示すように、トランジスタＴｒ２２のドレイン電極Ｔｒ２２ｄ及びトランジスタＴｒ２３のソース電極Ｔｒ２３ｓと一体的に形成されている。ここで、画素電極２１とドレイン電極Ｔｒ２２ｄ及びソース電極Ｔｒ２３ｓとの接続部は、図１７（ｂ）に示した発光駆動回路ＤＣの接点Ｎ２２に対応する。
【０１６６】
有機ＥＬ素子ＯＥＬは、上述した第１の適用例と同様に、図１８、図１９に示すように、トランジスタＴｒ２２のドレイン電極Ｔｒ２２ｄ及びトランジスタＴｒ２３のソース電極Ｔｒ１２ｓに接続された画素電極（アノード電極）２１と、有機ＥＬ層（発光層）２２と、対向電極（カソード電極）２３と、を順次積層した素子構造を有している。
【０１６７】
また、隔壁２５は、上述した第１の適用例と同様に、例えば図１８、図１９に示すように、素子基板１１上に配列された画素ＰＩＸ相互の境界領域に形成された選択ラインＬｓ、データラインＬｄ、電源ラインＬａ、補助電源ラインＬay、トランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３、及び、絶縁膜２４を被覆するように、素子基板１１表面から連続的に突出して、格子状の平面パターンを有するように設けられている。ここで、隔壁２５は、上述した各実施形態に示したように、例えば感光性の絶縁材料であるポリイミド系の樹脂材料により形成される。
【０１６８】
そして、上述した発光駆動回路ＤＣ、有機ＥＬ素子ＯＥＬ及び隔壁２５が形成された素子基板１１の一面側には、図１８、図１９に示すように、導電性を有する導電性接着部３０を介して、対向基板１２が所定の間隙を有するように貼り合わされている。ここで、本適用例においても、導電性接着部３０は、上述した各実施形態に示したように、フィラー３１入り導電性接着層３２や、導電性スペーサ層３３と導電性接着層３４からなる積層構造を有するとともに、隔壁２５上に延在して設けられた対向電極（カソード電極）２３よりも配線抵抗が低くなるように設定されている。また、導電性接着部３０は、上述した各実施形態に示したように、素子基板１１側に形成された隔壁２５の平面パターンに沿って連続して延伸するように、例えば図１８に示すように格子状の平面パターンを有して設けられている。
【０１６９】
なお、図１９においては、上述した第２の実施形態に示したパネル構造（図５参照）に対応した画素ＰＩＸの要部断面図を示すが、導電性接着部３０としてフィラー３１入り導電性接着層３２を適用することにより、上述した第１の実施形態に示したパネル構造（図２参照）に対応した画素の要部断面図となる。さらに、図１９において、対向基板１２の接着面側に補助電極層３５を設け、導電性接着部３０を介して、素子基板１１と対向基板１２とを接着することにより、上述した第３及び第４の実施形態に示したパネル構造（図７、図９参照）に対応した画素の要部断面図となる。
【０１７０】
このように、本適用例に係る表示装置１００の表示パネル１１０が、上述した第１及び第２の実施形態に示したパネル構造を有する場合には、連続する平面パターン（例えば図１８に示した格子状）を有する導電性接着部３０が、素子基板１１側の対向電極２３に電気的に接続されるとともに、当該導電性接着部３０を介して、素子基板１１と対向基板１２が所定の間隙（基板間ギャップ）を有して強固に接着される。
【０１７１】
一方、本適用例に係る表示装置１００の表示パネル１１０が、上述した第３及び第４の実施形態に示したパネル構造を有する場合には、連続する平面パターン（例えば図１８に示した格子状）を有する導電性接着部３０が、素子基板１１側の対向電極２３と対向基板１２側の補助電極層３５との双方に電気的に接続されるとともに、当該導電性接着部３０を介して、素子基板１１と対向基板１２が所定の間隙（基板間ギャップ）を有して強固に接着される。
【０１７２】
したがって、本適用例に係る表示装置においても、表示パネル１１０の各画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）に供給される基準電圧Ｖsc（動作電圧）の低下を抑制して、画像データに応じた適切な電位差を印加することができるので、適切な輝度階調で発光動作させることができ、画質を向上させることができる。また、本適用例においても、表示パネル１１０に押圧力が印加された場合や歪みが生じた場合であっても、素子基板１１と対向基板１２の間隙（基板間ギャップ）を均一に保持して、良好な画質を実現することができるとともに、有機ＥＬ素子ＯＥＬやトランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３、配線等の破損や特性劣化、封止破損を防止して、製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。
【０１７３】
（第４の適用例）
次に、第４の適用例に係る表示装置における画素（発光駆動回路及び有機ＥＬ素子）の具体的なデバイス構造（平面レイアウト及び断面構造）について説明する。ここで、表示装置及び画素の構成は、上述した第３の適用例と同等であるので説明を省略する。
【０１７４】
図２０は、第４の適用例に係る画素の一例を示す平面レイアウト図である。ここでは、第３の適用例に示した画素の平面レイアウト（図１８参照）において、上述した第３及び第４の実施形態に示した導電性接着部３０の配置位置の例を概念的に示した。図２１は、本適用例に係る画素の要部断面図である。ここでは、図２１は、図２０に示した平面レイアウトを有する画素におけるXXIＥ−XVIＥ線（本明細書においては図２０中に示したローマ数字の「２１」に対応する記号として便宜的に「XXI」を用いる。）に沿った断面を示す。なお、図２０、図２１において、上述した第３の適用例と同等の構成については、説明を簡略化する。
【０１７５】
本適用例においては、上述した第２の適用例と同様に、例えば図２０、図２１に示すように、各画素ＰＩＸ間に設けられる隔壁２５上の任意の位置Ｐsetに、導電性を有する導電性接着部３０が島状（スポット状）に設けられている。また、対向基板１２の接着面側には、図２１に示すように、画素アレイ１１１に対応する領域に補助電極層３５が設けられている。そして、素子基板１１側の隔壁２５上に延在して設けられた対向電極２３と対向基板１２側の補助電極層３５とが、島状（スポット状）に設けられた導電性を有する導電性接着部３０を介して電気的に接続されているとともに、素子基板１１と対向基板１２とが所定の間隙を有して強固に接着されている。
【０１７６】
ここで、導電性接着部３０は、上述した各実施形態に示したように、フィラー３１入り導電性接着層３２や、導電性スペーサ層３３と導電性接着層３４からなる積層構造を有し、隔壁２５の下層にトランジスタＴｒ２１〜Ｔｒ２３や、配線相互の交差、電極の重なり等がない領域（例えば図２０、図２１の位置Ｐset）の隔壁２５上に１乃至数カ所配置することが望ましい。また、導電性接着部３０は、例えば方形や円形の平面形状を有するものが適用される。
【０１７７】
また、本適用例においても、導電性接着部３０は、画素アレイ１１１内の全ての画素ＰＩＸの画素形成領域Ｒpxごとに１乃至数カ所設けられているものであってもよいし、数画素ＰＩＸからなる領域ごとに１乃至数カ所設けられているものであってもよいし、画素アレイ１１１全体に１乃至数カ所のみ設けられているものであってもよい。
このようなパネル構造により、本適用例に係る表示装置においても、上述した第３の適用例と同等の作用効果を得ることができる。
【０１７８】
また、上述した第１及び第３の適用例（図１３、図１４又は図１８、図１９）に示したように、導電性接着部３０を素子基板１１側に形成された隔壁２５の平面パターンに沿って連続して延伸するように、格子状の平面パターンに形成したパネル構造においては、次のような作用効果を得ることもできる。すなわち、上述した適用例に係る表示パネル１１０においては、図１３、図１８に示したように、画素アレイ１１１に配列された各画素ＰＩＸ間の境界領域に、選択ラインＬｓやデータラインＬｄ、電源ラインＬａ等の信号配線や、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、Ｔｒ２１〜Ｔｒ２３等の能動素子が設けられている。このような平面レイアウトを、トップエミッション型の発光構造を有する表示パネル１１０に適用した場合、表示パネル１１０の外部から入射した光（外光）が、上記の信号配線や能動素子の電極により反射して、視野側から認識されてしまうため、画質が劣化する可能性がある。
【０１７９】
そこで、上述した第１及び第３の適用例に示したパネル構造において、導電性接着部３０を、遮光性を有する材料を用いて形成することにより、各画素ＰＩＸ間の境界領域に設けられる選択ラインＬｓやデータラインＬｄ、電源ラインＬａ等の信号配線や、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、Ｔｒ２１〜Ｔｒ２３等の能動素子の電極による外光反射が抑制され、各画素ＰＩＸ（有機ＥＬ素子ＯＥＬ）からの放射光のみが良好に視野側に出射されて視認されるので、画質を向上させることができる。
【０１８０】
さらに、この第１及び第３の適用例に示したパネル構造において、トランジスタＴｒ１１、Ｔｒ１２、Ｔｒ２１〜Ｔｒ２３等の薄膜トランジスタがボトムゲート構造を有し、表示パネル１１０がトップエミッション型の発光構造を有している場合、外光が隔壁２５を介して各薄膜トランジスタのチャネル領域が形成される半導体層に入射され、それによってリーク電流等が発生して、各薄膜トランジスタの特性が変動したり誤動作が生じたりし易い。これに対し、導電性接着部３０を、遮光性を有する材料を用いて形成することにより、各薄膜トランジスタの半導体層への外光の入射が抑制されて、薄膜トランジスタの特性を安定させ誤動作が発生しないようにすることができる。
【０１８１】
＜電子機器の適用例＞
次に、上述した各実施形態に係る表示装置を適用した電子機器について図面を参照して説明する。
上述した各実施形態に示したパネル構造を有する表示パネル１１０を備える表示装置１００は、例えばデジタルカメラや薄型テレビジョン、パーソナルコンピュータ、携帯電話機等、種々の電子機器の表示デバイスとして良好に適用できるものである。
【０１８２】
図２２は、本発明に係る発光装置を適用したデジタルカメラの構成例を示す斜視図であり、図２３は、本発明に係る発光装置を適用した薄型テレビジョンの構成例を示す斜視図であり、図２４は、本発明に係る発光装置を適用したパーソナルコンピュータの構成例を示す斜視図であり、図２５は、本発明に係る発光装置を適用した携帯電話機の構成例を示す図である。
【０１８３】
図２２において、デジタルカメラ２１０は、大別して、本体部２１１と、レンズ部２１２と、操作部２１３と、上述した各実施形態に示した表示パネル１１０を備える表示装置１００を適用した表示部２１４と、シャッターボタン２１５とを備えている。これによれば、表示部２１４において、画像データに応じた適切な輝度階調で発光動作させることができ、画質を向上させることができる。また、画素アレイ（発光素子や駆動回路、信号配線等）の破損や特性劣化を防止して製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。
【０１８４】
また、図２３において、薄型テレビジョン２２０は、大別して、本体部２２１と、上述した各実施形態に示した表示パネル１１０を備える表示装置１００を適用した表示部２２２と、操作用コントローラ（リモコン）２２３と、を備えている。これによれば、表示部２２２において、画像データに応じた適切な輝度階調で発光動作させることができ、画質を向上させることができる。また、画素アレイ（発光素子や駆動回路、信号配線等）の破損や特性劣化を防止して製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。
【０１８５】
また、図２４において、パーソナルコンピュータ２３０は、大別して、本体部２３１と、キーボード２３２と、上述した各実施形態に示した表示パネル１１０を備える表示装置１００を適用した表示部２３３とを備えている。この場合においても、表示部２３３において、画像データに応じた適切な輝度階調で発光動作させることができ、画質を向上させることができる。また、画素アレイ（発光素子や駆動回路、信号配線等）の破損や特性劣化を防止して製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。
【０１８６】
また、図２５において、携帯電話機２４０は、大別して、操作部２４１と、受話口２４２と、送話口２４３と、上述した各実施形態に示した表示パネル１１０を備える表示装置１００を適用した表示部２４４とを備えている。この場合においても、表示部２４４において、画像データに応じた適切な輝度階調で発光動作させることができ、画質を向上させることができる。また、画素アレイ（発光素子や駆動回路、信号配線等）の破損や特性劣化を防止して製造歩留まりや品質の向上を図ることができる。
【０１８７】
なお、上述した各電子機器においては、本発明に係る発光パネルを、複数の画素が二次元配列された表示パネルとして適用した場合について詳しく説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。本発明に係る発光装置は、例えば発光素子を有する複数の画素が一方向に配列された発光素子アレイを備え、感光体ドラムに画像データに応じて発光素子アレイから出射した光を照射して露光する露光装置に適用するものであってもよい。
【符号の説明】
【０１８８】
１１        素子基板
１２        対向基板
２１        画素電極
２２        有機ＥＬ層
２３        対向電極
２５        隔壁
３０        導電性接着部
３１        フィラー
３２        導電性接着層
３３        導電性スペーサ層
３４        導電性接着層
４０        シール部
４１        フィラー
４２        封止層
５０        封止空間
１００      表示装置
１１０      表示パネル
１１１      画素アレイ
ＰＩＸ      画素
ＯＥＬ      有機ＥＬ素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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