(57)【要約】      （修正有）【課題】耐電力性が優れているとともに、通過帯域内の挿入損失が小さい弾性波装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】弾性波装置の製造方法は、成膜装置内に圧電基板１１０を設置する工程と、成膜装置内に設置された圧電基板１１０上にＩＤＴ電極を形成する工程とを備える。ＩＤＴ電極を形成する工程は、Ａｌ層１２４Ａを蒸着法またはスパッタリング法により圧電基板１１０上に形成することと、Ａｌ層１２４Ａの形成を中断した後に再びＡｌ層１２４Ｂの形成を行ない、更にＡｌ層１２４Ｂの形成を中断した後に再びＡｌ層１２４Ｃの形成を行ないＡｌ層を所定の厚さにすることとを含む。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜装置内に圧電基板を設置する工程と、
前記成膜装置内に設置された前記圧電基板上にＩＤＴ電極を形成する工程とを備え、
前記ＩＤＴ電極を形成する工程は、
アルミニウムおよび銅のいずれか一方を主成分とする金属からなる第１の金属層を蒸着法またはスパッタリング法により前記圧電基板上に形成することと、
前記第１の金属層の形成を中断した後に再び前記第１の金属層の形成を行ない、前記第１の金属層を所定の厚さにすることとを含む、弾性波装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１の金属層の形成を中断した時に、前記成膜装置内の大気開放を行なわず、再び前記第１の金属層の形成を行なうまで前記成膜装置内の真空状態を維持する、請求項１に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項３】
前記ＩＤＴ電極を形成する工程は、
前記第１の金属層とは異なる金属からなる第２の金属層を前記第１の金属層と前記圧電基板との間に形成することをさらに含む、請求項１または請求項２に記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項４】
前記圧電基板および前記ＩＤＴ電極を覆う誘電体膜を形成する工程をさらに備えた、請求項１から請求項３のいずれかに記載の弾性波装置の製造方法。
【請求項５】
圧電基板と、
前記圧電基板上に形成され、アルミニウムおよび銅のいずれか一方を主成分とする金属からなる第１の金属層を含むＩＤＴ電極とを備え、
前記第１の金属層は、複数の金属層部を有し、
前記複数の金属層部のうち、少なくとも１つの金属層部は表面に酸化膜を有する、弾性波装置。
【請求項６】
前記ＩＤＴ電極は、互いに異なる複数の金属を主成分とする複数の金属層からなる積層金属層により形成されている、請求項５に記載の弾性波装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性波装置およびその製造方法に関し、特に、携帯電話機などの通信機におけるＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）回路に搭載される帯域通過フィルタや分波器として適用可能な弾性波装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、携帯電話機などの通信機におけるＲＦ回路に搭載される帯域通過フィルタや分波器として、弾性波を利用した弾性波装置が実用化されている。弾性波装置としては、弾性表面波を利用した弾性表面波装置や、弾性境界波を利用した弾性境界波装置などが知られている。
【０００３】
弾性波装置は、圧電基板と、圧電基板上に形成されたインターデジタルトランスデューサ電極（以下、「ＩＤＴ電極」という。）とを有する。一般に、ＩＤＴ電極は、電気抵抗率の低いアルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウムを主成分とする合金からなる金属層により形成される。具体的には、ＩＤＴ電極は、Ａｌや
アルミニウム−銅合金（ＡｌＣｕ合金）からなる金属層を少なくとも１層有する積層金属層により形成される。
【０００４】
しかしながら、Ａｌを含む電極においては、ストレス・マイグレーションが発生しやすいため、ＡｌまたはＡｌを主成分とする合金からなる金属層により形成されたＩＤＴ電極を有する弾性波装置は、耐電力性が必ずしも十分ではない。具体的には、弾性波装置に大きな電力を印加すると、弾性波のエネルギーにより、ＩＤＴ電極のＡｌ原子が結晶粒界を移動し、ＩＤＴ電極にヒロックやボイドが発生する。これにより、弾性波装置の特性が劣化することがある。さらには、ＩＤＴ電極が短絡または断線して、弾性波装置が破壊されることもある。
【０００５】
一般に、通信機のＲＦ回路を構成する送信側フィルタは大きな電力が印加されるため、送信側フィルタとして用いられる弾性波装置には、耐電力性が優れていることが求められる。特許文献１では、耐電力性を改善した弾性波装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平９−６９７４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載の弾性表面波装置は、圧電基板（１）と、圧電基板（１）上に形成されたＩＤＴ電極（２）とを有する。圧電基板（１）は、ＬｉＴａＯ３基板である。ＩＤＴ電極（２）は、Ａｌからなる金属層（９０〜９２）と、チタン（Ｔｉ）からなる金属層（９５〜９７）とを交互に積層した積層金属層により形成されている。
【０００８】
特許文献１に記載の弾性表面波装置は、ＩＤＴ電極（２）が上記のような積層金属層により形成されているため、ＩＤＴ電極（２）の機械的強度が高くなり、ヒロックやボイドの発生を防止し、耐電力性に優れるとされている。しかし、この弾性表面波装置を帯域通過フィルタや分波器として用いた場合、通過帯域における挿入損失が大きいという問題がある。
【０００９】
特許文献１に記載の弾性表面波装置において、通過帯域における挿入損失が大きいことは、金属層（９５〜９７）を構成しているＴｉの電気抵抗率が高いことによる。
【００１０】
本発明は、上記のような問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、耐電力性が優れているとともに、通過帯域内の挿入損失が小さい弾性波装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に係る弾性波装置の製造方法は、成膜装置内に圧電基板を設置する工程と、成膜装置内に設置された圧電基板上にＩＤＴ電極を形成する工程とを備える。ＩＤＴ電極を形成する工程は、アルミニウムおよび銅のいずれか一方を主成分とする金属からなる第１の金属層を蒸着法またはスパッタリング法により圧電基板上に形成することと、第１の金属層の形成を中断した後に再び第１の金属層の形成を行ない、第１の金属層を所定の厚さにすることとを含む。
【００１２】
１つの実施態様では、上記弾性波装置の製造方法において、第１の金属層の形成を中断した時に、成膜装置内の大気開放を行なわず、再び第１の金属層の形成を行なうまで成膜装置内の真空状態を維持する。
【００１３】
１つの実施態様では、上記弾性波装置の製造方法において、ＩＤＴ電極を形成する工程は、第１の金属層とは異なる金属からなる第２の金属層を第１の金属層と圧電基板との間に形成することをさらに含む。
【００１４】
１つの実施態様では、上記弾性波装置の製造方法は、圧電基板およびＩＤＴ電極を覆う誘電体膜を形成する工程をさらに備える。
【００１５】
本発明に係る弾性波装置は、圧電基板と、圧電基板上に形成され、アルミニウムおよび銅のいずれか一方を主成分とする金属からなる第１の金属層を含むＩＤＴ電極とを備える。第１の金属層は、複数の金属層部を有し、複数の金属層部のうち、少なくとも１つの金属層部は表面に酸化膜を有する。
【００１６】
１つの実施態様では、上記弾性波装置において、ＩＤＴ電極は、互いに異なる複数の金属を主成分とする複数の金属層からなる積層金属層により形成されている。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、耐電力性が優れているとともに、通過帯域内の挿入損失が小さい弾性波装置およびその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施の形態１〜３に係る弾性波装置が含まれるデュプレクサの回路構成を模式的に示す図である。
【図２】図１に示すデュプレクサの模式的断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る弾性波装置における弾性表面波フィルタチップの模式的断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る弾性波装置におけるＩＤＴ電極の形成プロセスを示す図である。
【図５】第２の比較例に係る弾性波装置における弾性表面波フィルタチップの模式的断面図である。
【図６】送信フィルタの通過帯域内の挿入損失について、本発明の実施の形態１に係る弾性波装置と第１および第２の比較例に係る弾性波装置とを対比した結果を示す図である。
【図７】送信フィルタの耐電力性について、本発明の実施の形態１に係る弾性波装置と第１および第２の比較例に係る弾性波装置とを対比した結果を示す図である。
【図８】本発明の実施の形態２に係る弾性波装置における弾性表面波フィルタチップの模式的断面図である。
【図９】本発明の実施の形態２に係る弾性波装置におけるＩＤＴ電極の形成プロセスを示す図である。
【図１０】本発明の実施の形態３に係る弾性波装置におけるＩＤＴ電極の形成プロセスを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下に、本発明の実施の形態について説明する。なお、同一または相当する部分には同一の参照符号を付し、その説明を繰返さない場合がある。
【００２０】
なお、以下に説明する実施の形態において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。また、以下の実施の形態において、各々の構成要素は、特に記載がある場合を除き、本発明にとって必ずしも必須のものではない。
【００２１】
図１は、後述する実施の形態１〜３に係る弾性波装置が含まれるデュプレクサ１の回路構成を模式的に示す図である。
【００２２】
図１に示すデュプレクサ１は、たとえば、携帯電話機などのＲＦ回路に搭載されるものである。デュプレクサ１は、ＵＭＴＳ−ＢＡＮＤ２に対応するデュプレクサである。ＵＭＴＳ−ＢＡＮＤ２の送信周波数帯は、１８５０〜１９１０ＭＨｚであり、受信周波数帯は、１９３０〜１９９０ＭＨｚである。
【００２３】
デュプレクサ１は、送信フィルタ１１と、受信フィルタ１２と、送信端子１３と、第１の受信端子１４Ａと、第２の受信端子１４Ｂと、アンテナに接続されるアンテナ端子１５とを有する。アンテナ端子１５と送信端子１３との間に、送信フィルタ１１が接続されている。また、アンテナ端子１５と第１の受信端子１４Ａおよび第２の受信端子１４Ｂとの間に、受信フィルタ１２が接続されている。アンテナ端子１５と送信フィルタ１１および受信フィルタ１２との間の接続点と、グラウンドとの間には、インダクタＬ１からなる整合回路が接続されている。
【００２４】
送信フィルタ１１は、ラダー型弾性波フィルタである。送信フィルタ１１は、直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３と、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３とを有する。直列腕共振子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３と、並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３とのそれぞれは、ひとつの共振子として機能する複数の１ポート型弾性表面波共振子により構成されている。並列腕共振子Ｐ１，Ｐ２とグラウンドとの間には、インダクタＬ２が接続されている。並列腕共振子Ｐ３とグラウンドとの間には、インダクタＬ３が接続されている。送信フィルタ１１は、キャパシタＣ１とインダクタＬ４とからなるＬＣ共振回路を有する。
【００２５】
受信フィルタ１２は、平衡−不平衡変換機能を有するバランス型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタである。縦結合共振子型弾性表面波フィルタは、４つの３ＩＤＴ型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部と、８つの１ポート型弾性波表面共振子とを有する。４つの３ＩＤＴ型の縦結合共振子型弾性表面波フィルタ部のそれぞれは、３つのＩＤＴ電極と、ＩＤＴ電極の弾性表面波伝搬方向両側に配置された反射器とを有する。８つの１ポート型弾性表面波共振子のそれぞれは、１つのＩＤＴ電極と、ＩＤＴ電極の弾性表面波伝搬方向両側に配置された反射器とを有する。
【００２６】
図２は、デュプレクサ１の模式的断面図である。図２に示すように、デュプレクサ１は、弾性表面波フィルタチップ１００と、配線基板２００とを有する。弾性表面波フィルタチップ１００は、配線基板２００のダイアタッチ面の上に、バンプ３００によりフリップチップ実装されている。弾性表面波フィルタチップ１００は、封止樹脂４００によって封止されている。すなわち、デュプレクサ１は、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）型の弾性表面波分波器である。
【００２７】
配線基板２００は、第１，第２，第３の誘電体層２１０，２２０，２３０と、第１，第２，第３，第４の電極層２４０，２５０，２６０，２７０との積層体により構成されている。第１，第２，第３の誘電体層２１０，２２０，２３０のそれぞれは、たとえば、樹脂や、アルミナなどのセラミックスなどにより構成することができる。すなわち、配線基板２００は、樹脂からなるプリント配線多層基板や、セラミック多層基板であってもよい。
【００２８】
後述する実施の形態１〜３において、弾性表面波フィルタチップ１００は、上記送信フィルタ１１のインダクタＬ２，Ｌ３，Ｌ４を除いた部分と、受信フィルタ１２とが一体に形成されたものである。ただし、本発明においては、送信フィルタ１１のインダクタＬ２，Ｌ３，Ｌ４を除いた部分が設けられた送信側弾性表面波フィルタチップと、受信フィルタ１２が設けられた受信側弾性表面波フィルタチップとが、それぞれ別体に設けられていてもよい。
【００２９】
（実施の形態１）
図３は、実施の形態１に係る弾性表面波フィルタチップ１００の模式的断面図である。図３に示すように、弾性表面波フィルタチップ１００は、圧電基板１１０を有する。圧電基板１１０の上には、送信フィルタ１１と受信フィルタ１２とを構成しているＩＤＴ電極１２０が形成されている。圧電基板１１０は、カット角が１２７度である、ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ３基板である。ＩＤＴ電極１２０は、ニッケルクロム層（ＮｉＣｒ層）１２１、白金層（Ｐｔ層）１２２、チタン層（Ｔｉ層）１２３、アルミニウム層（Ａｌ層）１２４が積層されてなる積層金属層により形成されている。ＮｉＣｒ層１２１の厚さは、１０ｎｍである。Ｐｔ層１２２の厚さは、３３ｎｍである。Ｔｉ層１２３の厚さは、１０ｎｍである。Ａｌ層１２４の厚さは、８０ｎｍである。ＩＤＴ電極１２０を覆うように、酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる誘電体膜１３０が形成されている。ＬｉＮｂＯ３基板である圧電基板１１０が負の温度特性を有しているのに対して、ＳｉＯ２からなる誘電体膜１３０が正の温度特性を有している。このため、ＳｉＯ２からなる誘電体膜１３０を形成することにより、弾性表面波フィルタの周波数温度特性が改善されている。
【００３０】
次に、図４を用いて、ＩＤＴ電極１２０の形成プロセスを説明する。図４は、本実施の形態に係るデュプレクサ１におけるＩＤＴ電極１２０の形成プロセスを示す図である。
【００３１】
図４（ａ）に示すように、ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ３基板である圧電基板１１０を用意する。次に、圧電基板１１０上に、スパッタリング法によりＳｉＯ２からなる誘電体膜１３１を形成する。そして、誘電体膜１３１上に、感光性レジストを塗布する。
【００３２】
図４（ｂ）に示すように、感光性レジストをパターニングし、複数の開口部を有するレジストパターン１４０を形成する。
【００３３】
図４（ｃ）に示すように、レジストパターン１４０をマスクとして、ドライエッチング法により、誘電体膜１３１をエッチングする。
【００３４】
図４（ｄ）に示すように、成膜装置である蒸着装置により、厚さが１０ｎｍであるＮｉＣｒ層１２１と、厚さが３３ｎｍであるＰｔ層１２２と、厚さが１０ｎｍであるＴｉ層１２３とを、この順に形成する。
【００３５】
図４（ｅ）に示すように、蒸着装置により、Ｔｉ層１２３の上に、Ａｌ層を厚さが約２６ｎｍになるまで形成した後、Ａｌ層の形成を中断する。これにより、Ａｌ層１２４の一部である、第１のＡｌ層部分１２４Ａが形成される。Ａｌ層の形成を中断する時間は２〜３分である。このとき、蒸着装置内では大気を解放せず、真空状態を維持する。このとき、蒸着装置内の雰囲気により、第１のＡｌ層部分１２４Ａの表面がわずかに酸化する。すなわち、第１のＡｌ層部分１２４Ａは、表面に薄い酸化膜を有する。
【００３６】
図４（ｆ）に示すように、Ａｌ層の形成を再開し、第１のＡｌ層部分１２４Ａの上に、Ａｌ層を厚さが約２６ｎｍになるまで形成した後、Ａｌ層の形成を中断する。これにより、Ａｌ層１２４の一部である、第２のＡｌ層部分１２４Ｂが形成される。Ａｌ層の形成を中断する時間は２〜３分である。このとき、蒸着装置内では大気を解放せず、真空状態を維持する。このとき、蒸着装置内の雰囲気により、第２のＡｌ層部分１２４Ｂの表面がわずかに酸化する。すなわち、第２のＡｌ層部分１２４Ｂは、表面に薄い酸化膜を有する。
【００３７】
図４（ｇ）に示すように、Ａｌ層の形成を再開し、第２のＡｌ層部分１２４Ｂの上に、Ａｌ層を厚さが約２８ｎｍになるまで形成する。すなわち、第１のＡｌ層部分１２４Ａと第２のＡｌ層部分１２４Ｂとを含めた厚さが８０ｎｍになるまでＡｌ層を形成する。これにより、Ａｌ層１２４の一部である、第３のＡｌ層部分１２４Ｃが形成される。
【００３８】
図４（ｈ）に示すように、圧電基板１１０をレジスト剥離液に浸漬させ、レジストパターン１４０と、レジストパターン１４０上に形成された金属層を除去する。なお、このような電極形成プロセスをリフトオフ・プロセスという。
【００３９】
図４（ｉ）に示すように、スパッタリング法によりＳｉＯ２からなる誘電体膜１３２を形成する。誘電体膜１３１，１３２は、誘電体膜１３０を構成する。
【００４０】
本実施の形態に係るデュプレクサ１では、送信フィルタ１１と受信フィルタ１２とを構成しているＩＤＴ電極１２０が、上記のような製造方法で形成されている。本実施の形態では、Ａｌ層１２４が第１の金属層であり、第１〜第３のＡｌ層部分１２４Ａ〜１２４Ｃが金属層部である。
【００４１】
次に、本実施の形態に係るデュプレクサ１と、第１および第２の比較例に係るデュプレクサを用意するとともに、それぞれの送信フィルタの通過帯域内の挿入損失および耐電力性を測定し、対比した。その結果を、以下に説明する。
【００４２】
第１の比較例に係るデュプレクサは、本実施の形態に係るデュプレクサ１と同様に、送信フィルタと受信フィルタとを構成しているＩＤＴ電極が、ＮｉＣｒ層、Ｐｔ層、Ｔｉ層、Ａｌ層が積層されてなる積層金属層により形成されている。第１の比較例に係るデュプレクサは、本実施の形態に係るデュプレクサ１とＩＤＴ電極の形成プロセスが異なる。具体的には、第１の比較例に係るデュプレクサにおいては、Ａｌ層の形成を途中で中断することなく、８０ｎｍの厚さのＡｌ層を形成することで、ＩＤＴ電極が形成されている。第１の比較例に係るデュプレクサは、ＩＤＴ電極の形成プロセス以外は、本実施の形態に係るデュプレクサ１と同じものである。
【００４３】
第２の比較例に係るデュプレクサは、本実施の形態に係るデュプレクサ１に対して、ＩＤＴ電極の構造が異なる。第２の比較例に係るデュプレクサは、弾性表面波フィルタチップ１０００を有する。図５は、第２の比較例に係るデュプレクサの弾性表面波フィルタチップ１０００の模式的断面図である。図５に示すように、弾性表面波フィルタチップ１０００は、圧電基板１１００を有する。圧電基板１１００の上には、送信フィルタと受信フィルタとを構成しているＩＤＴ電極１２００が形成されている。圧電基板１１００は、カット角が１２７度である、ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ３基板である。ＩＤＴ電極１２００は、ＮｉＣｒ層１２１０、Ｐｔ層１２２０、Ｔｉ層１２３０Ａ、Ａｌ層１２４０Ａ、Ｔｉ層１２３０Ｂ、Ａｌ層１２４０Ｂが積層されてなる積層金属層により形成されている。ＮｉＣｒ層１２１０の厚さは、１０ｎｍである。Ｐｔ層１２２０の厚さは、３３ｎｍである。Ｔｉ層１２３０Ａの厚さは、１０ｎｍである。Ａｌ層１２４０Ａの厚さは、４０ｎｍである。Ｔｉ層１２３０Ｂの厚さは、１０ｎｍである。Ａｌ層１２４０Ｂの厚さは、４０ｎｍである。ＩＤＴ電極１２００を覆うように、ＳｉＯ２からなる誘電体膜１３００が形成されている。
【００４４】
すなわち、第２の比較例に係るデュプレクサでは、本実施の形態に係るデュプレクサ１のＩＤＴ電極のＡｌ層を２つに分割するように、Ｔｉ層が設けられている。第２の比較例に係るデュプレクサは、本実施の形態に係るデュプレクサ１と同様に、リフトオフ・プロセスにより形成され、ＩＤＴ電極１２００の積層金属層となるＮｉＣｒ層１２１０、Ｐｔ層１２２０、Ｔｉ層１２３０Ａ、Ａｌ層１２４０Ａ、Ｔｉ層１２３０Ｂ、Ａｌ層１２４０Ｂは、蒸着装置により連続して形成される。第２の比較例に係るデュプレクサは、ＩＤＴ電極の構造とその形成プロセス以外は、本実施の形態に係るデュプレクサ１と同じものである。
【００４５】
図６は、送信フィルタの通過帯域内の挿入損失について、本実施の形態に係るデュプレクサ１と第１および第２の比較例に係るデュプレクサとを対比した結果を示す図である。図６に示す例では、ＵＭＴＳ−ＢＡＮＤ２の通過帯域（１８５０〜１９１０ＭＨｚ）における挿入損失の最小値を示している。
【００４６】
図６に示すように、本実施の形態に係るデュプレクサ１の送信フィルタ１１は、第２の比較例に係るデュプレクサの送信フィルタよりも、通過帯域内の挿入損失が小さい。また、本実施の形態に係るデュプレクサ１の送信フィルタ１１は、第１の比較例に係るデュプレクサの送信フィルタと、通過帯域内の挿入損失がほぼ同等である。第２の比較例に係るデュプレクサでは、Ａｌ層を２つに分割するように、Ｔｉ層が設けられている。Ｔｉは電気抵抗率が高いため、このＴｉ層により、第２の比較例に係るデュプレクサの送信フィルタは、通過帯域内の挿入損失が大きくなっている。
【００４７】
図７は、送信フィルタの耐電力性について、本実施の形態に係るデュプレクサ１と第１および第２の比較例に係るデュプレクサとを対比した結果を示す図である。図７の例では、１１０℃の雰囲気で、ＵＭＴＳ−ＢＡＮＤ２の通過帯域（１８５０〜１９１０ＭＨｚ）の高域側近傍で挿入損失が３．６ｄＢとなる周波数に１．２Ｗの電力を印加したときの、通過帯域内の挿入損失の最小値からの変化量を示している。
【００４８】
図７に示すように、本実施の形態に係るデュプレクサ１の送信フィルタ１１は、第１の比較例に係るデュプレクサの送信フィルタよりも、通過帯域内の挿入損失の変化量が小さく、耐電力性が優れている。
【００４９】
第１の比較例に係るデュプレクサにおいては、Ａｌ層の形成を途中で中断することなく、厚さが８０ｎｍのＡｌ層を形成することで、ＩＤＴ電極が形成されている。このため、第１の比較例に係るデュプレクサにおいては、Ａｌ層の結晶粒が大きくなる。Ａｌ層の結晶粒が大きいと、結晶粒の間の隙間が大きくなり、原子が移動しやすいため、ヒロックやボイドが発生しやすくなる。よって、第１の比較例に係るデュプレクサの送信フィルタは、耐電力性が劣ることになる。
【００５０】
一方、本実施の形態に係るデュプレクサ１においては、Ａｌ層の形成を途中で中断した上で、厚さが８０ｎｍのＡｌ層１２４を段階的に形成することで、ＩＤＴ電極１２０が形成されている。Ａｌ層１２４では柱状に結晶粒が成長するが、Ａｌ層の形成を途中で中断すると、結晶粒の成長が止まることになる。そして、Ａｌ層の形成を再開すると、成長が止まった結晶粒の上に新しく結晶粒が成長することになり、２つの結晶粒の間には粒界が出来る。このようにして、本実施の形態に係るデュプレクサ１においては、Ａｌ層の結晶粒が小さくなる。Ａｌ層の結晶粒が小さいと、結晶粒の間の隙間が小さくなり、原子が移動しにくいため、ヒロックやボイドが発生しにくくなる。よって、本実施の形態に係るデュプレクサ１の送信フィルタ１１は、耐電力性が優れることになる。
【００５１】
このように、本実施の形態に係るデュプレクサ１では、Ａｌ層の形成を途中で中断した上で、所望の厚さのＡｌ層１２４を形成することで、ＩＤＴ電極１２０が形成されていることにより、通過帯域内の挿入損失が小さく、耐電力性に優れる。また、第２の比較例に係るデュプレクサのように、Ａｌ層を２つに分割するようにＴｉ層を設けることがないため、形成する金属層の数が少なく、製造コストも小さくなる。
【００５２】
なお、本実施の形態では、ＩＤＴ電極１２０を形成する前と、ＩＤＴ電極１２０を形成した後の２回に分けて誘電体膜１３０（１３１，１３２）が形成されているが、本発明の範囲はこれに限るものではない。たとえば、ＩＤＴ電極１２０を形成した後に、バイアス・スパッタリング法により誘電体膜１３０を形成してもよい。
【００５３】
（実施の形態２）
図８は、実施の形態２に係る弾性表面波フィルタチップ１００Ａの模式的断面図である。本実施の形態に係る弾性表面波フィルタチップ１００Ａは、実施の形態１に係る弾性表面波フィルタチップ１００とは、圧電基板の材料と、ＩＤＴ電極の構造とが異なると共に、誘電体膜が形成されていない点でも異なる。本実施の形態に係る弾性表面波フィルタチップ１００Ａは、上記の相違点以外は、実施の形態１に係る弾性表面波フィルタチップ１００と同じものである。
【００５４】
図８に示すように、弾性表面波フィルタチップ１００Ａは、圧電基板１１０Ａを有する。圧電基板１１０Ａの上には、送信フィルタ１１と受信フィルタ１２とを構成しているＩＤＴ電極１２０Ａが形成されている。圧電基板１１０Ａは、カット角が４２度である、ＹカットＸ伝搬のＬｉＴａＯ３基板である。ＩＤＴ電極１２０Ａは、Ｔｉ層１２３とＡｌ層１２４とが積層されてなる積層金属層により形成されている。Ｔｉ層１２３の厚さは、１０ｎｍである。Ａｌ層１２４の厚さは、１５０ｎｍである。
【００５５】
次に、図９を用いて、本実施の形態に係るデュプレクサにおけるＩＤＴ電極１２０Ａの製造方法を説明する。図９は、本実施の形態に係るデュプレクサにおけるＩＤＴ電極１２０Ａの形成プロセスを示す図である。
【００５６】
図９（ａ）に示すように、ＹカットＸ伝搬のＬｉＴａＯ３基板である圧電基板１１０Ａを用意する。次に、圧電基板１１０Ａ上に、感光性レジストを塗布する。
【００５７】
図９（ｂ）に示すように、感光性レジストをパターニングし、複数の開口部を有するレジストパターン１４０Ａを形成する。
【００５８】
図９（ｃ）に示すように、蒸着装置により、厚さが１０ｎｍであるＴｉ層１２３を形成する。
【００５９】
図９（ｄ）に示すように、蒸着装置により、Ｔｉ層１２３の上に、Ａｌ層を厚さが約５０ｎｍになるまで形成した後、Ａｌ層の形成を中断する。これにより、Ａｌ層１２４の一部である、第１のＡｌ層部分１２４Ａが形成される。Ａｌ層の形成を中断する時間は２〜３分である。このとき、蒸着装置内では大気を解放せず、真空状態を維持する。このとき、蒸着装置内の雰囲気により、第１のＡｌ層部分１２４Ａの表面がわずかに酸化する。すなわち、第１のＡｌ層部分１２４Ａは、表面に薄い酸化膜を有する。
【００６０】
図９（ｅ）に示すように、Ａｌ層の形成を再開し、第１のＡｌ層部分１２４Ａの上に、Ａｌ層を厚さが約５０ｎｍになるまで形成した後、Ａｌ層の形成を中断する。これにより、Ａｌ層１２４の一部である、第２のＡｌ層部分１２４Ｂが形成される。Ａｌ層の形成を中断する時間は２〜３分である。このとき、蒸着装置内では大気を解放せず、真空状態を維持する。このとき、蒸着装置内の雰囲気により、第２のＡｌ層部分１２４Ｂの表面がわずかに酸化する。すなわち、第２のＡｌ層部分１２４Ｂは、表面に薄い酸化膜を有する。
【００６１】
図９（ｆ）に示すように、Ａｌ層の形成を再開し、第２のＡｌ層部分１２４Ｂの上に、Ａｌ層を厚さが約５０ｎｍになるまで形成する。すなわち、第１のＡｌ層部分１２４Ａと第２のＡｌ層部分１２４Ｂとを含めた厚さが１５０ｎｍになるまでＡｌ層を形成する。これにより、Ａｌ層１２４の一部である、第３のＡｌ層部分１２４Ｃが形成される。
【００６２】
図９（ｇ）に示すように、圧電基板１１０Ａをレジスト剥離液に浸漬させ、レジストパターン１４０Ａと、レジストパターン１４０Ａ上に形成された金属層を除去する。
【００６３】
本実施の形態に係るデュプレクサでは、送信フィルタ１１と受信フィルタ１２とを構成しているＩＤＴ電極１２０Ａが、上記のような製造方法で形成されている。
【００６４】
上記のように、ＩＤＴ電極は、Ｔｉ層とＡｌ層とが積層されてなる積層金属層により形成されているものであってもよい。本実施の形態においても、実施の形態１と同様に、Ａｌ層の形成を途中で中断した上で、所望の厚さのＡｌ層１２４を形成することで、ＩＤＴ電極１２０Ａが形成されていることにより、通過帯域内の挿入損失が小さく、耐電力性に優れる。
【００６５】
（実施の形態３）
図１０は、実施の形態３に係るデュプレクサにおけるＩＤＴ電極１２０Ａの形成プロセスを示す図である。本実施の形態に係るデュプレクサは、ＩＤＴ電極１２０Ａの形成プロセスが異なる以外は、実施の形態２に係るデュプレクサと同じものである。
【００６６】
図１０を用いて、本実施の形態に係るデュプレクサにおけるＩＤＴ電極１２０Ａの製造方法を説明する。
【００６７】
図１０（ａ）に示すように、ＹカットＸ伝搬のＬｉＴａＯ３基板である圧電基板１１０Ａを用意する。
【００６８】
図１０（ｂ）に示すように、蒸着装置により、厚さが１０ｎｍであるＴｉ膜１２３１を形成する。
【００６９】
図１０（ｃ）に示すように、蒸着装置により、Ｔｉ膜１２３１の上に、Ａｌ膜を厚さが約５０ｎｍになるまで形成した後、Ａｌ膜の形成を中断する。これにより、Ａｌ膜１２４１の一部である、第１のＡｌ膜部分１２４１Ａが形成される。Ａｌ膜の形成を中断する時間は２〜３分である。このとき、蒸着装置内では大気を解放せず、真空状態を維持する。このとき、蒸着装置内の雰囲気により、第１のＡｌ膜部分１２４１Ａの表面がわずかに酸化する。すなわち、第１のＡｌ膜部分１２４１Ａは、表面に薄い酸化膜を有する。
【００７０】
図１０（ｄ）に示すように、Ａｌ膜の形成を再開し、第１のＡｌ膜部分１２４１Ａの上に、Ａｌ膜を厚さが約５０ｎｍになるまで形成した後、Ａｌ膜の形成を中断する。これにより、Ａｌ膜１２４１の一部である、第２のＡｌ膜部分１２４１Ｂが形成される。Ａｌ膜の形成を中断する時間は２〜３分である。このとき、蒸着装置内では大気を解放せず、真空状態を維持する。このとき、蒸着装置内の雰囲気により、第２のＡｌ膜部分１２４１Ｂの表面がわずかに酸化する。すなわち、第２のＡｌ膜部分１２４１Ｂは、表面に薄い酸化膜を有する。
【００７１】
図１０（ｅ）に示すように、Ａｌ膜の形成を再開し、第２のＡｌ膜部分１２４１Ｂの上に、Ａｌ膜を厚さが約５０ｎｍになるまで形成する。すなわち、第１のＡｌ膜部分１２４１Ａと第２のＡｌ膜部分１２４１Ｂとを含めた厚さが１５０ｎｍになるまでＡｌ膜を形成する。これにより、Ａｌ膜１２４１の一部である、第３のＡｌ膜部分１２４１Ｃが形成される。次に、Ａｌ膜１２４１上に、感光性レジストを塗布する。
【００７２】
図１０（ｆ）に示すように、感光性レジストをパターニングし、複数の開口部を有するレジストパターン１４０Ｂを形成する。レジストパターン１４０Ｂをマスクとして、ドライエッチング法により、Ａｌ膜１２４１とＴｉ膜１２３１とをエッチングする。
【００７３】
図１０（ｇ）に示すように、圧電基板１１０Ａをレジスト剥離液に浸漬させ、レジストパターン１４０Ｂを除去する。このようにして、Ｔｉ層１２３とＡｌ層１２４とが積層されてなる積層金属層を形成する。
【００７４】
本実施の形態に係るデュプレクサでは、送信フィルタ１１と受信フィルタ１２とを構成しているＩＤＴ電極１２０Ａが、上記のような製造方法で形成されている。
【００７５】
上記のように、ＩＤＴ電極は、リフトオフ・プロセスではなく、エッチング法を用いた形成プロセスにより、形成されてもよい。本実施の形態においても、実施の形態１，２と同様に、Ａｌ層を形成するために形成されるＡｌ膜の形成を途中で中断した上で、所望の厚さのＡｌ膜を形成することで、ＩＤＴ電極１２０Ａが形成されていることにより、通過帯域内の挿入損失が小さく、耐電力性に優れる。
【００７６】
（さらなる変形例）
以下では、本発明に係るさらなる変形例について説明する。
【００７７】
実施の形態１〜３では、形成を途中で中断した上で所望の厚さになるまで形成することで形成されていた金属層はＡｌ層であったが、本発明の範囲はこれに限らず、たとえば、上記金属層はＣｕ層であってもよい。また、上記金属層は、Ａｌ−Ｃｕ合金などのＡｌを主成分とする合金からなる金属膜層、Ｃｕを主成分とする合金からなる金属層であってもよい。これらのような電気抵抗率の低い金属からなる金属層により構成されているＩＤＴ電極を形成する際に、本発明は有効である。
【００７８】
実施の形態１〜３では、Ａｌ層の形成を中断する時間は２〜３分であったが、本発明はこれに限るものではない。形成を中断する時間が長くなると、成膜装置内の雰囲気により、Ａｌ層の酸化が進んでしまう。Ａｌ層の酸化が進むと、ＩＤＴ電極の電気抵抗率が高くなり、挿入損失が大きくなってしまう。Ａｌだけではなく、Ｃｕにおいても同様の問題が生じる。よって、Ａｌ層やＣｕ層などの金属層を形成する際、金属層の形成を中断する時間は、ＩＤＴ電極の電気抵抗率が高くなり、挿入損失が大きくなるまで金属層の酸化が進まない程度の時間とする。
【００７９】
実施の形態１〜３では、Ａｌ層を形成する際、層の形成を２回中断したが、本発明はこれに限るものではない。金属層の形成を中断する回数を多くし、金属層の形成を中断するまでに形成する金属層の厚さが薄くなるほど、金属層の結晶粒は小さくなる。
【００８０】
実施の形態１〜３では、圧電基板として、ＹカットＸ伝搬のＬｉＮｂＯ３基板、ＹカットＸ伝搬のＬｉＴａＯ３基板を用いたが、本発明はこれに限るものではない。圧電基板は、水晶基板であってもよい。
【００８１】
実施の形態１〜３では、ＩＤＴ電極となる金属層は、蒸着装置を用いた蒸着法により形成されているが、本発明はこれに限るものではない。ＩＤＴ電極となる金属層は、スパッタリング装置を用いて、ＤＣスパッタリング法やＲＦスパッタリング法などのスパッタリング法により形成されてもよい。
【００８２】
実施の形態１〜３では、金属層の形成を中断するとき、蒸着装置内では大気を解放せず、真空状態を維持しているが、本発明はこれに限るものではない。金属層の形成を中断するとき、蒸着装置内で若干の大気開放があってもよい。
【００８３】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００８４】
１  デュプレクサ
１１  送信フィルタ
１２  受信フィルタ
１３  送信端子
１４Ａ  第１の受信端子
１４Ｂ  第２の受信端子
１５  アンテナ端子
１００，１００Ａ  弾性表面波フィルタチップ
１１０，１１０Ａ  圧電基板
１２０，１２０Ａ  ＩＤＴ電極
１２１  ＮｉＣｒ層
１２２  Ｐｔ層
１２３  Ｔｉ層
１２４  Ａｌ層
１２４Ａ，１２４Ｂ，１２４Ｃ  Ａｌ層部分
１２３１  Ｔｉ膜
１２４１  Ａｌ膜
１２４１Ａ，１２４１Ｂ，１２４１Ｃ  Ａｌ膜部分
１３０  誘電体膜
１４０，１４０Ａ，１４０Ｂ  レジストパターン
２００  配線基板
２１０，２２０，２３０  誘電体層
２４０，２５０，２６０，２７０  電極層
３００  バンプ
４００  封止樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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