(57)【要約】【課題】既に形成されている有機デバイスの素子が、後工程での焼成によって劣化することを避ける。【解決手段】第１のインクを配置し、第１の温度で焼成することによりＨＴＬ１０３を成膜する工程と、第２のインクを配置し、第１の温度以下の第２の温度で焼成することによりＥＭＬ１０４を成膜する工程と、欠陥のある画素Ａを検出し、画素ＡのＨＴＬ１０３とＥＭＬ１０４を除去する工程と、第３のインクを画素Ａに配置し、第２の温度以下の第３の温度で焼成することにより再生後ＨＴＬ１０７を成膜する工程と、第４のインクを再生後ＨＴＬ１０７上に配置し、第３の温度以下の第４の温度で焼成することにより再生後ＥＭＬ１０８を成膜する工程と、を備え、第３のインクの沸点は第２のインクの沸点以下であり、第４のインクの沸点は第３のインクの沸点以下である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機膜を備えた有機デバイスの製造方法であって、
第１のインクを配置し、第１の温度で焼成することにより第１の有機膜を成膜する工程と、
前記第１の有機膜の成膜後、第２のインクを配置し、前記第１の温度以下の第２の温度で焼成することにより第２の有機膜を成膜する工程と、を備え、
前記第２のインクの沸点は前記第１のインクの沸点以下である、
有機デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記有機デバイスは、２層以上の有機膜を含む画素を備え、
前記第２の有機膜は、前記第１の有機膜上に成膜され、
前記第２の有機膜の成膜後、欠陥のある画素を検出する工程と、
前記欠陥のある画素の前記第１の有機膜と前記第２の有機膜を除去する工程と、
第３のインクを前記欠陥のある画素に配置し、前記第２の温度以下の第３の温度で焼成することにより第３の有機膜を成膜する工程と、
第４のインクを前記第３の有機膜上に配置し、前記第３の温度以下の第４の温度で焼成することにより第４の有機膜を成膜する工程と、を備え、
前記第３のインクの沸点は前記第２のインクの沸点以下であり、前記第４のインクの沸点は前記第３のインクの沸点以下である、請求項１に記載の有機デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記第４の有機膜は前記第２の有機膜よりも膜厚が厚い、請求項２に記載の有機デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記第４の有機膜は発光層である、請求項２に記載の有機デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記第４の有機膜は前記第２の有機膜よりも導電性が高い、請求項２に記載の有機デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記第１の有機膜と前記第２の有機膜は、同一基板上に形成され、
前記第１の有機膜の面積が前記第２の有機膜の面積よりも大きい、請求項１に記載の有機デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記第１、２の有機膜を成膜する工程では、インクジェットヘッドを用いて第１、２のインクを吐出する、請求項１に記載の有機デバイスの製造方法。
【請求項８】
有機膜を備えた有機デバイスのリペア方法であって、
第１のインクを配置し、第１の温度で焼成することにより第１の有機膜を成膜する工程と、
前記第１の有機膜の成膜後、第２のインクを配置し、前記第１の温度以下の第２の温度で焼成することにより第２の有機膜を成膜する工程と、を備え、
前記第２のインクの沸点は前記第１のインクの沸点以下である、
有機デバイスのリペア方法。
【請求項９】
前記有機デバイスは、２層以上の有機膜を含む画素を備え、
前記第２の有機膜は、前記第１の有機膜上に成膜され、
前記第２の有機膜の成膜後、欠陥のある画素を検出する工程と、
前記欠陥のある画素の前記第１の有機膜と前記第２の有機膜を除去する工程と、
第３のインクを前記欠陥のある画素に配置し、前記第２の温度以下の第３の温度で焼成することにより第３の有機膜を成膜する工程と、
第４のインクを前記第３の有機膜上に配置し、前記第３の温度以下の第４の温度で焼成することにより第４の有機膜を成膜する工程と、を備え、
前記第３のインクの沸点は前記第２のインクの沸点以下であり、前記第４のインクの沸点は前記第３のインクの沸点以下である、請求項８に記載の有機デバイスのリペア方法。
【請求項１０】
前記第４の有機膜は前記第２の有機膜よりも膜厚が厚い、請求項９に記載の有機デバイスのリペア方法。
【請求項１１】
前記第４の有機膜は発光層である、請求項９に記載の有機デバイスのリペア方法。
【請求項１２】
前記第４の有機膜は前記第２の有機膜よりも導電性が高い、請求項９に記載の有機デバイスのリペア方法。
【請求項１３】
前記第１、２の有機膜を成膜する工程では、インクジェットヘッドを用いて第１、２のインクを吐出する、請求項８に記載の有機デバイスのリペア方法。
【請求項１４】
請求項１〜７のいずれかに記載の有機デバイスの製造方法で製造された有機デバイスを備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機デバイスの製造方法、有機デバイスのリペア方法、および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機デバイスとして、例えばテレビなどに用いられる有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬ）パネルや、有機ＥＬ素子を用いた照明器具等が知られている。特に有機ＥＬパネルは、消費電力が小さく、薄型化・軽量化も可能であるが、製造時の歩留まりについては、すでに市場が確立されている液晶パネルと比較すると改良が必要である。
【０００３】
有機ＥＬパネルは、各画素が発光ダイオードであり、画素毎に電流を流して画像を表示する。一般的に、各画素は電極間に発光層を含む数十ｎｍの膜厚の有機層が３層以上積層された構造である。
【０００４】
有機ＥＬテレビの製造工程において、不良品が発生する要因としては、基板電極上の突起やゴミが有機層の中に含まれてしまうことが挙げられる。突起やゴミが導電性を有すると、電極間でショートが誘発され致命的な欠陥となる。このため、従来はレーザー装置を用いて対象の画素を黒欠陥画素とする方法が用いられている。しかし、テレビ用途のパネルの場合黒欠陥画素が含まれるのは望ましくない。
【０００５】
特許文献１には、欠陥を有する画素内にある有機エレクトロルミネッセンス層を粘着剤で剥離し、その画素内に有機エレクトロルミネッセンス材料を含むインクを補充して修復を行う方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−２１２０７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、欠陥のある部分の有機層を修復するためには、再び焼成工程を行わなければならず、既に形成されている発光層が劣化してしまうという問題がある。また、同じ膜厚の構成で修復したとしても、突起やゴミが取り除かれていなければ電極間のショートの誘発は避けられない。
【０００８】
また、有機ＥＬテレビには、メインの表示部である有機ＥＬパネルの周囲に、サブの小さな表示パネル等が設けられることがある。また、有機ＥＬ素子を発光部として用いた照明器具等においては、有機ＥＬ素子を用いたメインのライトの他に付属の小さなサブライトが設けられている場合がある。一般に、これらのサブパネルやサブライトは、メインのパネルやライトを形成した後で形成される場合が多い。この場合、メイン部分の素子を形成した後でサブ部分の素子を形成するために焼成工程を行わなければならないため、既に形成されている発光層が劣化してしまうという問題がある。
【０００９】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、その目的の一つは、既に形成されている有機デバイスの素子が、後工程での焼成によって劣化することを避けることである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る有機デバイスの製造方法は、有機膜を備えた有機デバイスの製造方法であって、第１のインクを配置し、第１の温度で焼成することにより第１の有機膜を成膜する工程と、前記第１の有機膜の成膜後、第２のインクを配置し、前記第１の温度以下の第２の温度で焼成することにより第２の有機膜を成膜する工程と、を備え、前記第２のインクの沸点は前記第１のインクの沸点以下であることを特徴とする。
【００１１】
上記構成により、既に形成されている有機デバイスの素子が、後工程での焼成によって劣化することを避けることができる。
【００１２】
また、前記有機デバイスは、２層以上の有機膜を含む画素を備え、前記第２の有機膜は、前記第１の有機膜上に成膜され、前記第２の有機膜の成膜後、欠陥のある画素を検出する工程と、前記欠陥のある画素の前記第１の有機膜と前記第２の有機膜を除去する工程と、第３のインクを前記欠陥のある画素に配置し、前記第２の温度以下の第３の温度で焼成することにより第３の有機膜を成膜する工程と、第４のインクを前記第３の有機膜上に配置し、前記第３の温度以下の第４の温度で焼成することにより第４の有機膜を成膜する工程と、を備え、前記第３のインクの沸点は前記第２のインクの沸点以下であり、前記第４のインクの沸点は前記第３のインクの沸点以下であってもよい。
【００１３】
上記構成により、簡易な方法で欠陥のある画素を修復するとともに、正常に形成された画素の劣化を避けることができる。また、前記第４の有機膜は発光層とすることができる。
【００１４】
また、前記第４の有機膜は前記第２の有機膜よりも膜厚が厚いことが望ましい。
これにより、欠陥画素にゴミが残ったままの状態でもショートを防止する効果が高くなる。
【００１５】
また、前記第４の有機膜は前記第２の有機膜よりも導電性が高いことが望ましい。これにより、前記第４の有機膜を第２の有機膜よりも厚くしたことによる発光効率の低下を補うことができる。
【００１６】
また、前記第１の有機膜と前記第２の有機膜は、同一基板上に形成され、前記第１の有機膜の面積が前記第２の有機膜の面積よりも大きいものとすることができる。
これにより、同一基板上に既に形成されている有機デバイスの素子が、後工程での焼成によって劣化することを避けることができる。
【００１７】
前記第１、２の有機膜を成膜する工程では、インクジェットヘッドを用いて第１、２のインクを吐出することができる。
【００１８】
本発明に係る有機デバイスのリペア方法は、有機膜を備えた有機デバイスの製造方法であって、第１のインクを配置し、第１の温度で焼成することにより第１の有機膜を成膜する工程と、前記第１の有機膜の成膜後、第２のインクを配置し、前記第１の温度以下の第２の温度で焼成することにより第２の有機膜を成膜する工程と、を備え、前記第２のインクの沸点は前記第１のインクの沸点以下であることを特徴とする。
【００１９】
上記構成により、既に形成されている有機デバイスの素子が、後工程での焼成によって劣化することを避けることができる。
【００２０】
また、前記有機デバイスは、２層以上の有機膜を含む画素を備え、前記第２の有機膜は、前記第１の有機膜上に成膜され、前記第２の有機膜の成膜後、欠陥のある画素を検出する工程と、前記欠陥のある画素の前記第１の有機膜と前記第２の有機膜を除去する工程と、第３のインクを前記欠陥のある画素に配置し、前記第２の温度以下の第３の温度で焼成することにより第３の有機膜を成膜する工程と、第４のインクを前記第３の有機膜上に配置し、前記第３の温度以下の第４の温度で焼成することにより第４の有機膜を成膜する工程と、を備え、前記第３のインクの沸点は前記第２のインクの沸点以下であり、前記第４のインクの沸点は前記第３のインクの沸点以下であってもよい。
【００２１】
上記構成により、簡易な方法で欠陥のある画素を修復するとともに、正常に形成された画素の劣化を避けることができる。また、前記第４の有機膜は発光層とすることができる。
【００２２】
また、前記第４の有機膜は前記第２の有機膜よりも膜厚が厚いことが望ましい。
これにより、欠陥画素にゴミが残ったままの状態でもショートを防止する効果が高くなる。
【００２３】
また、前記第４の有機膜は前記第２の有機膜よりも導電性が高いことが望ましい。これにより、前記第４の有機膜を第２の有機膜よりも厚くしたことによる発光効率の低下を補うことができる。
【００２４】
また、前記第１の有機膜と前記第２の有機膜は、同一基板上に形成され、前記第１の有機膜の面積が前記第２の有機膜の面積よりも大きいものとすることができる。
これにより、同一基板上に既に形成されている有機デバイスの素子が、後工程での焼成によって劣化することを避けることができる。
【００２５】
前記第１、２の有機膜を成膜する工程では、インクジェットヘッドを用いて第１、２のインクを吐出することができる。
【００２６】
本発明の電子機器は、上述した有機デバイスを備える。ここで、「電子機器」は、例えば有機ＥＬパネル（有機デバイス）を表示部として備えるあらゆる機器を含むもので、ディスプレイ装置、テレビジョン装置、電子ペーパ、時計、電卓、携帯電話、携帯情報端末等を含む。また、有機ＥＬ素子を発光部として用いた照明器具、エリアカラーパネル等を含む。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の実施の形態１による有機ＥＬ表示装置の製造工程を示す図。
【図２】本発明の実施の形態２による有機ＥＬ表示装置を示す図。
【図３】本発明による電子機器の例を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
実施の形態１．
以下、本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本実施形態による有機ＥＬ表示装置（有機デバイス）１００の製造工程を示す図である。
図１（Ａ）は、ＩＴＯ陽極１０１上に、正孔注入層（ＨＩＬ）１０２、正孔輸送層（ＨＴＬ、第１の有機膜）１０３、発光層（ＥＭＬ、第２の有機膜）１０４を積層した状態を示している。各画素は、バンク１０５によって区切られている。
【００２９】
正孔注入層（ＨＩＬ）１０２は、例えばポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルフォン酸の混合体（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を含む液体材料（インク）を液滴吐出装置（インクジェットヘッド）によりＩＴＯ陽極１０１の上に配置し、例えば２２０度で焼成を行うことにより形成する。
【００３０】
ＨＩＬ１０２の形成に用いる具体的なインクと焼成の条件としては、例えば下記のものがあげられる。
（例１）  水分散の８０％ＣＬＥＶＩＯＳ（商標）  Ｐ  ＣＨ６０００（Ｈｅｒａｅｕｓ社製）に対し、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）およびＤＭＦ（N,N-ジメチルフォルムアミド）を、それぞれ１５％、５％となるように添加する。ＨＩＬ１０２の焼成の条件は、大気中で２００℃、５分間の加熱とする。また、膜厚は５０ｎｍとする。
【００３１】
（例２）  ９５％ＣＬＥＶＩＯＳ（商標）  ＨＩＬ  １．３（Ｈｅｒａｅｕｓ社製）に対し、ＤＭＳＯ（ジメチルスルフォン酸）５％となるように添加する。ＨＩＬ１０２の焼成の条件は、大気中で２００℃、５分間の加熱とする。また、膜厚は５０ｎｍとする。
【００３２】
正孔輸送層（ＨＴＬ）１０３は、例えば熱架橋させるためにスチリル架橋基を数％含むフルオレンとトリフェニルアミンのコポリマー誘導体を溶解させた液体材料（インク）をインクジェットヘッドによりＨＩＬ１０２の上に配置し、例えば２００度で焼成を行うことにより形成する。
【００３３】
発光層（ＥＭＬ）１０４は、例えばポリフルオレン系高分子材料を溶解させた液体材料（インク）をインクジェットヘッドによりＨＴＬ１０３の上に配置し、例えば１８０度で焼成を行うことにより形成する。
【００３４】
ＥＭＬ１０４の形成に用いる具体的なインクと焼成の条件としては、例えば下記のものがあげられる。
（例１）
溶質：ポリフルオレン系高分子材料（ガラス転移温度１４０℃）
溶媒：ヘキシルベンゼン（沸点２２６℃）
ＥＭＬ１０４の焼成の条件は、１５０℃で１５分間の加熱とする。また、膜厚は９０ｎｍとする。
【００３５】
（例２）
溶質：ポリフルオレン系高分子材料（ガラス転移温度１５０℃）
溶媒：ノニルベンゼン（沸点２８２℃）
ＥＭＬ１０４の焼成の条件は、１６０℃で１５分間の加熱とする。また、膜厚は９０ｎｍとする。
【００３６】
ＨＩＬ１０２、ＨＴＬ１０３、ＥＭＬ１０４は有機膜層である。また、それぞれの層の形成に用いるインクの沸点は、前の工程で用いるインクの沸点を上回らないため、焼成に必要な温度は上層へ行くほど低くなっている。このため、後工程における焼成によって、既に成膜されている層が劣化する心配はない。
【００３７】
図１（Ａ）に示すように、画素Ａにはゴミ２００が含まれている。ゴミ２００はＩＴＯ陽極１０１からの突起や塵等であるが、ゴミ２００が導電性を有する場合、画素内でショートが起こる原因となる。
【００３８】
図１（Ａ）に示す状態で、光学的な検査法等を用いて欠陥画素を検出する。欠陥画素Ａが見つかったら、図１（Ｂ）に示すように、画素ＡのＥＭＬ１０４、ＨＴＬ１０３およびＨＩＬ１０２を剥離して除去する。この時ゴミ２００も同時に除去される。剥離の方法は、例えば、欠陥画素Ａを有機溶媒で満たして各層を溶解させ、その後吸着剤等で吸い取るようにしてもよい。具体的には、例えば1,2,4-トリメチルベンゼン（沸点１６７℃）を欠陥画素に満たし、有機膜層を溶解させた後、吸着剤（シート）で溶解液を吸い取る。また、有機膜層をレーザーアブレーションにより剥離してもよい。
【００３９】
次に、図１（Ｃ）に示すように、画素ＡのＥＭＬ１０４、ＨＴＬ１０３およびＨＩＬ１０２を除去したあとに、リペア用インクを用いて各層を再生する。以下、各層の再生方法について説明する。
【００４０】
まず、ＨＩＬ層のリペア用インクをインクジェットヘッドにより配置し、例えば１７０度で焼成を行うことにより再生後ＨＩＬ１０６を形成する。リペア用のインクの沸点は、ＥＭＬ１０４の形成に用いたインクの沸点以下であり、焼成に必要な温度も低くすることができる。このため、修復時の焼成によって他の画素のＨＩＬ１０２、ＨＴＬ１０３、ＥＭＬ１０４が劣化する心配はない。
【００４１】
ＨＩＬ層のリペア用インクと焼成の条件としては、例えば下記のものがあげられる。
（例１）
水分散の８０％ＣＬＥＶＩＯＳ（商標）  Ｐ  ＡＩ４０８３（Ｈｅｒａｅｕｓ社製）に対し、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）およびＤＭＦ（N,N-ジメチルフォルムアミド）を、それぞれ１５％、５％となるように添加する。
再生後ＨＩＬ１０６の焼成の条件は、大気中で１８０℃、５分間の加熱とする。また、膜厚は３００ｎｍとする。
【００４２】
（例２）
９５％ＣＬＥＶＩＯＳ（商標）  ＨＩＬ  １．１（Ｈｅｒａｅｕｓ社製）に対し、ＤＭＳＯ（ジメチルスルフォン酸）５％となるように添加する。
再生後ＨＩＬ１０６の焼成の条件は、大気中で１９０℃、５分間の加熱とする。また、膜厚は５００ｎｍとする。
【００４３】
次に、ＨＴＬ層のリペア用インクをインクジェットヘッドにより配置し、例えば１６０度で焼成を行うことにより再生後ＨＴＬ（第３の有機膜）１０７を形成する。リペア用のインクの沸点は、再生後ＨＩＬ１０６の形成に用いたインクの沸点以下であり、焼成に必要な温度も低くすることができる。このため、修復時の焼成によって他の画素のＨＩＬ１０２、ＨＴＬ１０３、ＥＭＬ１０４、及び画素Ａの再生後ＨＩＬ１０６が劣化する心配はない。
【００４４】
さらに、ＥＭＬ層のリペア用インクをインクジェットヘッドにより配置し、例えば１５０度で焼成を行うことにより再生後ＥＭＬ（第４の有機膜）１０８を形成する。リペア用のインクの沸点は、再生後ＨＴＬ１０７の形成に用いたインクの沸点以下であり、焼成に必要な温度も低くすることができる。このため、修復時の焼成によって他の画素のＨＩＬ１０２、ＨＴＬ１０３、ＥＭＬ１０４、及び画素Ａの、再生後ＨＩＬ１０６と再生後ＨＴＬ１０７が劣化する心配はない。
【００４５】
ＥＭＬ層のリペア用インクと焼成の条件としては、例えば下記のものがあげられる。
（例１）
溶質：電子輸送性基のポリピリジンの組成比を２倍に増やしたポリフルオレン系高分子材料（ガラス転移温度１３０℃）
溶媒：1,4-ジイソプロピルベンゼン（沸点２１０℃）
再生後ＥＭＬ１０８の焼成の条件は、１４０℃で１５分間の加熱とする。また、膜厚は１５０ｎｍとする。
【００４６】
（例２）
溶質：正孔輸送性基のN-(4-ブチルフェニル)-ジフェニルアミンの組成比を１．５倍に増やし、電子輸送性基のベンゾジチアゾールの組成比を１．５倍に増やしたポリフルオレン系高分子材料（ガラス転移温度１３０℃）
溶媒：1,3,5-トリエチルベンゼン（沸点２１８℃）
再生後ＥＭＬ１０８の焼成の条件は、１４０℃で１５分間の加熱とする。また、膜厚は２００ｎｍとする。
【００４７】
なお、図１（Ｃ）に示すように、再生後ＥＭＬ１０８はＥＭＬ１０４よりも膜厚が厚くなるように形成することが望ましい。例えば、ＥＭＬ１０４は５０ｎｍ、再生後ＥＭＬ１０８は１５０ｎｍとする。再生後ＥＭＬ１０８をＥＭＬ１０４と同じ膜厚で形成すると、仮にゴミ２００が完全に取り除かれていない場合に、電極間のショートの原因となる場合がある。再生後ＥＭＬ１０８を厚めに形成することにより、ショートを防止することができる。
【００４８】
一方、一般に有機ＥＬ素子は、膜厚が厚くなると駆動電圧が高くなり、発光率が低下するので、再生後ＥＭＬ１０８の膜厚を厚くする分、再生後ＥＭＬ１０８の導電性は高くすることが望ましい。導電性を高めるためにはリペア用インクの組成を工夫する必要がある。具体的には、インクに含まれる高分子の正孔輸送性基および電子輸送性基の比率を調整することにより実現できる。なお、リペアを行った画素Ａの初期輝度は、他の正常画素の７０％以上であることが望ましい。
【００４９】
また、再生後ＨＩＬ１０６または再生後ＨＴＬ１０７の膜厚を、ＨＩＬ１０２またはＨＴＬ１０３の膜厚よりも厚くなるように形成してもよい。例えば、ＨＩＬ１０２は５０ｎｍ、再生後ＨＩＬ１０６は３００ｎｍとする。この場合も、再生後ＨＩＬ１０６の膜厚を厚くする分、再生後ＨＩＬ１０６の導電性は高くすることが望ましい。導電性を高めるためには、リペア用インクに含まれるＰＥＤＯＴ／ＰＳＳの比率や分子量を変えたり、添加する極性溶媒の種類を変えたりすればよい。
【００５０】
欠陥画素Ａの再生後ＥＭＬ１０８を形成したら、図１（Ｄ）に示すように、ＬｉＦ／Ａｌの蒸着等により、ＥＭＬ１０４および再生後ＥＭＬ１０８の上に陰極１０９を形成する。なお、必要に応じてＥＭＬ１０４および再生後ＥＭＬ１０８と陰極１０９の間に電子輸送層（ＥＴＬ）を形成してもよい。また、陰極１０９を形成する前に、再度光学的な検査法等による欠陥検査を行ってもよい。
【００５１】
以上のように、本実施形態によれば、簡易な方法で欠陥のある画素を修復することができるとともに、ＨＩＬ、ＨＴＬ、およびＥＭＬの各層の再生に使うインクは、前の工程で用いたいずれのインクよりも沸点が低く、焼成温度を低くすることができるので、修復の際、正常に形成された他の画素や前工程で形成した層が劣化することを避けることができる。
【００５２】
また、再生後ＥＭＬ１０８の膜厚がＥＭＬ１０４よりも厚いため、欠陥画素にゴミが残ったままの状態でもショートを防止する効果が高くなる。
【００５３】
さらに、再生後ＥＭＬ１０８の導電性をＥＭＬ１０４よりも高くすることにより、再生後ＥＭＬ１０８の膜厚を厚くしたことによる発光効率の低下を補うことができる。
【００５４】
なお、本実施形態では、欠陥画素ＡのＥＭＬ１０４、ＨＴＬ１０３およびＨＩＬ１０２の３層をすべて除去しているが、ゴミ２００が含まれる層がＥＭＬ１０４層のみであれば、ＥＭＬ１０４のみを除去してもよい。この場合には、ＥＭＬ１０４の除去後、画素ＡのＨＴＬ１０３上に再生後ＥＭＬ１０８のみを形成すればよい。
【００５５】
また、ゴミ２００がＥＭＬ１０４とＨＴＬ１０３の２層にわたっている場合は、ＥＭＬ１０４とＨＴＬ１０３を除去してもよい。この場合には、ＥＭＬ１０４とＨＴＬ１０３の除去後、画素ＡのＨＩＬ１０２上に再生後ＨＴＬ１０７と再生後ＥＭＬ１０８を形成すればよい。
【００５６】
本発明は、有機ＥＬテレビのような、表示面積が比較的大きい有機ＥＬ表示装置に適しているが、その他の有機ＥＬ素子を利用した表示装置、回路、素子等にも適用できる。
【００５７】
また、本実施形態では、有機膜の形成にインクジェットヘッド方式を用いているが、ディスペンサーなどを用いて材料を配置する場合にも適用できる。
【００５８】
実施の形態２．
実施の形態１では、本発明を有機ＥＬ表示装置の製造の過程で発見された欠陥画素の修復に適用したが、本発明は、図２に示すような、１枚の基板上にメイン表示パネル３０１とサブ表示パネル３０２を備えた有機ＥＬ表示装置３００において、メイン表示パネルを形成した後でサブ表示パネル表示パネルを形成する場合にも適用できる。
【００５９】
実施の形態２では、まずメイン表示パネル３０１の有機膜層（ＨＩＬ、ＨＴＬおよびＥＭＬ、第１の有機膜）を形成した後、サブ表示パネル３０２の有機膜層（第２の有機膜）を形成する。この時、サブ表示パネル３０２の有機膜層の形成に用いるインクの沸点は、メイン表示パネル３０１の形成で用いるインクの沸点を上回らないようにする。これにより、サブ表示パネル３０２の形成工程での焼成によって、既に形成されているメイン表示パネル３０１の有機層が劣化する心配がない。
【００６０】
なお、メイン表示パネル３０１は面積が比較的広いため、製造工程において均一性を高めるためには沸点の高いインク（乾きにくいインク）を用いるほうが望ましいが、サブ表示パネル３０２は比較的小さいため、沸点の低いインクであっても問題はない。
【００６１】
また、本発明は、メインパネルとサブパネルを備えた有機ＥＬ表示装置の他に、例えば有機ＥＬ素子を発光部として用いたメインライトとサブライトを備えた照明器具において、メインライトの形成後にサブライトを形成する場合にも適用できる。また、エリアカラーパネルのように、１基板上に複数の色の発光部を順番に形成する場合にも適用できる。
【００６２】
（電子機器）
次に、本発明による有機ＥＬ表示装置１００を備えた電子機器の具体例について説明する。
図３は、有機ＥＬ表示装置１００を備えた電子機器の具体例を示す斜視図である。図２（Ａ）は、電子機器の一例である携帯電話機を示す斜視図である。この携帯電話機１０００は、本発明にかかる有機ＥＬ表示装置１００を用いて構成された表示部１００１を備えている。図３（Ｂ）は、電子機器の一例であるテレビジョン装置を示す斜視図である。このテレビジョン装置１１００は、本発明にかかる有機ＥＬ表示装置１００を用いて構成された表示部１１０１を備えている。図３（Ｃ）は、電子機器の一例である情報処理装置１２００を示す斜視図である。この情報処理装置１２００は、キーボード等の入力部１２０１、演算手段や記憶手段などが格納された本体部１２０２、および本発明にかかる有機ＥＬ表示装置１００を用いて構成された表示部１２０３を備えている。
【符号の説明】
【００６３】
１００，３００  有機ＥＬ表示装置、１０１  ＩＴＯ陽極、１０２  ＨＩＬ、１０３  ＨＴＬ、１０４  ＥＭＬ、１０５  バンク、１０６  再生後ＨＩＬ、１０７  再生後ＨＴＬ、１０８  再生後ＥＭＬ、１０９  陰極、２００  ゴミ、３０１  メイン表示パネル、３０２  サブ表示パネル、１０００  携帯電話機、１００１  表示部、１１００  テレビジョン装置、１１０１  表示部、１２００  情報処理装置、１２０１  入力部、１２０２  本体部、１２０３  表示部、Ａ  画素
【図１】
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【図２】
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【図３】
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