(57)【要約】【課題】ステンシルマスクについて、メンブレンの破損を防止し、また取り扱いを容易にするステンシルマスクを提供する。【解決手段】電子ビームを導入するための開口部が設けられた支持基板層と、基板上に設けられ、開口部から導入された電子ビームを選択的に透過させるステンシルパターンが形成されたステンシルパターン形成層と、ステンシルパターン形成層上に設けられ、ステンシルパターン形成層のうちステンシルパターンが形成されているメンブレン領域を物理的接触から保護するガード部とを備える。【選択図】図２
2012208288.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光対象試料の所定領域へ電子ビームを選択的に透過させるステンシルマスクであって、
前記電子ビームを導入するための開口部が設けられた支持基板層と、
前記支持基板上に設けられ、前記開口部から導入された電子ビームを選択的に透過させるステンシルパターンが形成されたメンブレン領域を有するステンシルパターン形成層と、
前記ステンシルパターン形成層上に設けられ、前記メンブレン領域を物理的接触から保護するガード部とを備えることを特徴とするステンシルマスク。
【請求項２】
前記支持基板層と前記ガード部とが同一の材料で形成されていることを特徴とする、請求項１に記載のステンシルマスク。
【請求項３】
前記ガード部は、前記支持基板層と平面視略同一形状に形成されていることを特徴とする、請求項１から２の何れか１項に記載のステンシルマスク。
【請求項４】
請求項１から３の何れか１項に記載されたステンシルマスクを露光対象試料と電子ビームを発振するビーム発振器との間に、前記ガード部が当該露光対象試料に対向するよう配置する配置ステップと、
前記ビーム発振器から前記露光対象試料へ電子ビームを照射する露光ステップとを含む、露光方法。
【請求項５】
前記配置ステップにおいて前記ステンシルマスクと前記露光対象試料との距離を所定距離未満に配置し、
前記露光ステップにおいて電子ビームを少なくとも前記メンブレン領域へ一括照射することにより一括等倍露光を行う、請求項４に記載の露光方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ステンシルマスクに関し、より特定的には、電子線等の荷電粒子線露光に用いられるステンシルマスク及びそれを用いた露光方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体の製造プロセスにおいて露光光源に電子線を用いた電子線リソグラフィ技術が試作開発や準量産のデバイスに使われている。特に線幅２２ｎｍノード以降の先端リソグラフィでは、ＥＵＶ（extreme ultraviolet）露光やＡｒＦ（argon fluoride）液浸、ダブル露光といった方式ではマスクや露光装置の高騰が顕著になるため、少量品のプロセスには不向きであり電子線リソグラフィの適用が期待されている。
【０００３】
電子線リソグラフィでは、口径を数１０μｍから１０ｎｍに絞った電子ビームにより回路パターンの露光をおこなうため、フォトマスクによる光リソグラフィに比べてスループットが低い。そこで、スループット向上のために、回路パターンでよく使われる図形を抽出し、抽出したパターン（キャラクター、セルまたはブロックなどと呼ばれる）を貫通パターンとして形成したステンシルマスクを用いた電子線リソグラフィが研究されており、このリソグラフィ法は部分一括露光法と呼ばれている。
【０００４】
図７は、従来のステンシルマスクを示す概略上面図であり、図８は、従来のステンシルマスクを示す概略断面図である。図８は、図７のＺ−Ｚ断面図である。ステンシルマスクとは、シリコンのバルク領域８０２で囲われた領域内にメンブレンエッジ部８０３で支持された自立薄膜（メンブレン領域）８０４を有し、ステンシルパターン８０１が形成されたマスクである。部分一括露光法では、メンブレン領域８０４に入射した荷電粒子はメンブレン内に吸収もしくは散乱され、ステンシルパターン８０１を通過した荷電粒子が被転写基板に到達してリソグラフィを行うことが可能である。
【０００５】
ある一定周期の繰り返しパターンを上記のようなステンシルマスクとして形成し、このパターン群を一括して露光することで、繰り返しパターンを高スループットで、対象物に形成する技術が知られている。（特許文献１参照）
【０００６】
特許文献１に開示する技術は、数十ｍｍ以内の領域内に、ある一定の周期を持った繰り返しパターンを含む、一個もしくは複数個のステンシルパターンをアレイ状に配置したステンシルマスクを用いて、最低でもパターン領域以上の範囲を一括で全面露光する、もしくは電子ビームを高速で偏向させ全面露光することで、パターンを転写するものである。そして、露光対象物が電子線の全面露光の範囲より大きい場合は、一箇所の露光が終わった後、ステージを移動させ、次の露光領域に位置決めした後に、同様に全面露光する（ステップ・アンド・リピート）事で、繰り返しパターンを対象物全面に転写する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−２１８６７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
通常ステンシルマスクに用いられるメンブレン領域の形状および材質等は、加速電圧や露光方式により異なるが、概ね、２０μｍ以下の薄膜である場合が多い。すなわち、このようなメンブレン領域は、非常にもろく、わずかな衝撃でも破損してしまう。
【０００９】
また、例えば、特許文献１のような等倍露光を行う場合、露光対象とステンシルマスク間の距離を数百μｍ程度まで接近させる必要がある。ここで露光対象がロールや湾曲した基板である場合、また露光対象の距離を一定の距離に合わせることが出来ない場合、露光対象とステンシルマスクとが接触し、露光が出来ないことに加えて、ステンシルマスクそのものが破損する可能性ある。
【００１０】
また、ステンシルマスクの作製工程においても、ステンシルマスクが破損する可能性が取り除けず、取り扱いが難しい。
【００１１】
そこで本発明では、ステンシルマスクの破損を防止し、また取り扱いを容易にするガードを設けたステンシルマスクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
第１の発明は、露光対象試料の所定領域へ電子ビームを選択的に透過させるステンシルマスクであって、電子ビームを導入するための開口部が設けられた支持基板層と、基板上に設けられ、開口部から導入された電子ビームを選択的に透過させるステンシルパターンが形成されたステンシルパターン形成層と、ステンシルパターン形成層上に設けられ、ステンシルパターン形成層のうちステンシルパターンが形成されているメンブレン領域を物理的接触から保護するガード部とを備えることを特徴とするステンシルマスクである。
【００１３】
第２の発明は、第１の発明において、支持基板層とガード部が同一材料で構成されていることを特徴とする。
【００１４】
第３の発明は、第１から２の発明の何れか１つにおいて、ガード部は、支持基板と平面視略同一形状を成すことを特徴とする。
【００１５】
第４の発明は、第１から３の何れかの発明に係るステンシルマスクを露光対象試料と電子ビームを発振するビーム発振器との間に、ガード部が当該露光対象試料に対向するよう配置する配置ステップと、ビーム発振器から露光対象試料へ電子ビームを照射する露光ステップとを含む、露光方法である。
【００１６】
第５の発明は、第４の発明において、配置ステップにおいてステンシルマスクと露光対象試料との距離を所定距離未満に配置し、露光ステップにおいて電子ビームを少なくともメンブレン領域へ一括照射することにより一括等倍露光を行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、薄膜メンブレン領域を有したステンシルマスクを、露光時および作製時において、外部からの物理的な衝撃に対し耐性を持った、取り扱いが容易なステンシルマスクとして提供することが可能となる。より具体的には、本発明に係るステンシルマスクはメンブレン領域を物理的な衝撃から保護するガード部を備えることによって、外部からの物理的な衝撃に対するステンシルマスクの耐性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施形態に係るステンシルマスク１を示す概略上面図
【図２】本発明の実施形態に係るステンシルマスク１を示す概略断面図
【図３】本発明の実施形態に係るステンシルマスク１の作製工程を示す概略断面図
【図４】本発明の実施形態に係るに係るステンシルマスク１の作製工程を示す概略断面図
【図５】本発明の実施形態の変形例１に係るステンシルマスク２を示す概略断面図
【図６】本発明の実施形態の変形例２に係るステンシルマスク３の作製工程を示す概略断面図
【図７】従来のステンシルマスクを示す概略上面図
【図８】従来のステンシルマスクを示す概略断面図
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態に係るステンシルマスク１およびその製造方法について説明する。先ず、図１および図２を参照してステンシルマスク１の構成について説明する。
【００２０】
図１は、本発明の実施形態に係るステンシルマスク１を示す概略上面図である。図１に示すように、ステンシルマスク１は、バルク領域１０１に周囲を囲まれ、メンブレンエッジ部１０２で保持されるメンブレン領域１０５を有している。メンブレン領域１０５内にはステンシルパターン領域１０３が設けられており、ステンシルパターン領域には電子ビームを選択的に透過させるステンシルパターンが形成されている。またバルク領域内にはメンブレン領域を保護するためのメンブレンガード１０４が設けられている。
【００２１】
図２は、本発明の実施形態に係るステンシルマスクを示す概略断面図である。図２は、図１のＡ−Ａ断面を示す断面図である。図２に示すように、ステンシルマスク１は、支持基板２０３、ステンシルパターン形成層２０２、メンブレンガード１０４を備える。より具体的には、支持基板２０３上にステンシルパターンが形成されたステンシルパターン形成層２０２が形成され、ステンシルパターン形成層２０２上（支持基板２０３と反対側）にメンブレンガード１０４が形成されている。このようにメンブレンガード１０４を形成することによって、メンブレン領域１０５を物理的な衝撃から保護することができる。
【００２２】
なお、メンブレンガード１０４の厚さは特に限定されないが、メンブレン構造体としての作製を考慮すると、５００μｍ以下である事が望ましい。メンブレンガード１０４の間隔は特に限定されないが、間隔を短くすることで、メンブレンガード１０４の厚さを薄くすることが可能となる。例えば、曲率半径１２．５ｍの凸形状の露光対象基板を接近させることを想定した場合、メンブレンガード１０４の厚さは以下のように決定すると良い。１００ｍｍの間隔でメンブレンガード１０４を作製した場合、メンブレン領域１０５に露光対象基板が触れないようにするためには、メンブレンガード１０４の厚さを１００μｍ以上にすることが好ましい。一方、１０ｍｍの間隔でメンブレンガード１０４を配置した場合、厚さ４μｍ以上とすると良い。この時の、ステンシルマスク全体の厚さは特に限定されないが、取り扱い上、強度がある程度保たれる、３００μｍ以上が望ましい。また、メンブレン領域１０５を有するステンシルパターン形成層２０２の厚さは、例えば０．１μｍから１００μｍである。
【００２３】
なお、支持基板２０３の材質は、特に限定されないが、シリコン、石英、ガラス、窒化アルミニウム、酸化アルミニウムが好適に用いられる。
【００２４】
また、メンブレンガード１０４は、例えば、シリコン結晶により形成可能である。この場合、ステンシルパターン形成層２０２をシリコン基板で挟み込んだ埋込基板を加工することによって本実施形態に係るステンシルマスクを製造することができる。したがって、メンブレンガード１０４を形成するために特別なプロセス（加工工程）を必要とせず、容易に本実施形態に係るステンシルマスクを作製することが可能となる。
【００２５】
また、メンブレンガード１０４の形状は、支持基板２０３と同一形状であっても構わない。このような構成とした場合、ＳＯＩ（Silicon on Insulator）ウエハ等を用いて製造した場合に発生し易いステンシルマスクの反りを抑制して、良好な平坦性を有するステンシルマスク１を作製することができる。より詳細には、内部応力の異なる材料が厚さ方向で不均一に積層形成されている場合、圧縮応力を有する材料層側（例えば、酸化膜が形成されている薄膜側）に上凸の反りが発生し易くなる。したがって、ステンシルパターン形成層２０２を中心としてメンブレンガード１０４と支持基板２０３とが厚さ方向で対称となるよう形成することによって応力の均衡をとれば、上記のような反りを抑制することができるのである。
【００２６】
また、メンブレンガード１０４の平面視形成領域は、ステンシルパターン領域１０３にかからなければ良く、バルク領域１０１と同程度であっても良い。
【００２７】
次いで、ステンシルマスク１の製造方法について図３、図４を参照して説明する。図３、図４は、本発明の実施形態に係るエッチングマスク１の作製方法の一例を部分断面図で示す説明図である。
【００２８】
先ず、図３の（ａ）に示すように、支持基板２０３の上面にステンシルパターン形成層２０２を設ける。更にステンシルパターン形成層２０２の上面にメンブレンガード形成層２０１を設ける。この際、支持基板２０３とステンシルパターン形成層２０２との間にはエッチング停止層２０４ｂを設ける。同様に、ステンシルパターン形成層２０２とメンブレンガード形成層２０１との間にも同様にエッチング停止層２０４ａを設ける。
【００２９】
次に、図３の（ｂ）に示すように、メンブレンガード形成層２０１の上面（ステンシルパターン形成層２０２側と反対側の面）において、メンブレンガードパターンレジスト層３０１を形成する。具体的には、メンブレンガード形成層２０１上に電子線レジストやフォトレジスト等のレジストを塗布し、電子線リソグラフィやフォトリソグラフィによってのメンブレンガード１０４を形成する予定領域にのみレジストを残すことによってメンブレンガードパターンレジスト層３０１を作製する。
【００３０】
次に、図３の（ｃ）に示すように、メンブレンガードパターンレジスト層３０１をエッチングマスクとしてドライエッチング等によって、メンブレンガード形成層２０１にメンブレンガード１０４を形成する。
【００３１】
エッチングの方法としては、ドライエッチングのほかにウェットエッチング、イオンビームエッチング、超音波加工等も好適に用いる事ができる。ドライエッチングについては、ドライエッチング方法や条件等は特に制限されない。ドライエッチング装置としては、例えば、ＲＩＥ(Reactively Ion Etching)、マグネトロンＲＩＥ、ＥＣＲ（Electron Cyclotron Resonance）、ＩＣＰ（Inductively Coupled Plasma）、ＮＬＤ（Neutral Loop Discharge）、マイクロ波、ヘリコン波等の任意の方式を用いたエッチング装置を使用可能である。
【００３２】
次に、図３の（ｄ）に示すように、メンブレンガードパターンレジスト層３０１を酸素プラズマアッシングや剥離液等によるウェット処理で除去してメンブレンガード１０４が形成された基板を形成する。また、メンブレンガード１０４が形成されていない領域のエッチング停止層２０４ａをウェットエッチング等により除去する。
【００３３】
次に、図４の（ａ）に示すように、ステンシルパターン形成層２０２上のステンシルパターン領域１０３において、形成予定のレジストパターンの形状に応じてレジストを塗布し、ステンシルパターンレジスト層３０３を形成する。ステンシルパターンレジスト層３０３を形成する方法としては、電子線リソグラフィやフォトリソグラフィを用いることができる。また、ステンシルパターン形成層２０２上において、メンブレンガード１０４およびステンシルパターン領域１０３以外の領域についてレジスト層３０２を形成する。
【００３４】
次に、図４の（ｂ）に示すように、ステンシルパターンレジスト層３０３およびレジスト層３０２をエッチングマスクとして、例えばドライエッチングによって、ステンシルパターン形成層２０２のステンシルパターン領域１０３にステンシルパターンを形成する。ステンシルパターンの側壁は、メンブレン領域１０５表面に対して垂直に近い方がステンシルマスク１を使用して露光した際のパターン転写性に優れる。したがって、メンブレン領域１０５表面に対するステンシルパターンの側壁の角度は８５°±５°の範囲にある事が望ましい。なお、エッチングの際に残ったレジストは酸素プラズマアッシングや剥離液等によるウェット処理で除去される。
【００３５】
次に、図４の（ｃ）に示すように、支持基板２０３の下面（ステンシルパターン形成層２０２が形成されている面とは逆側の面）にフォトレジスト材料を塗布した後、フォトリソグラフィでステンシルパターン領域１０３に応じた箇所のフォトレジストを除去することによって、開口パターンレジスト層３０４を形成する。
【００３６】
なお、上記図４の（ｃ）の工程の説明では、後述の開口部１０６形成時（図４の（ｄ））にドライエッチングを用いることを想定してエッチングマスクとしてフォトレジストを用いる例を示したが、フォトレジストのほかにシリコン酸化膜、シリコン窒化膜、ニッケル膜等を用いて開口パターンレジスト層３０４を作製しても良い。また、後述の開口部１０６形成時（図４の（ｄ））に熱アルカリ溶液によるウェットエッチングを行う場合には、開口パターンレジスト層３０４を、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等を用いて形成する。
【００３７】
次いで、図４の（ｄ）に示すように、開口パターンレジスト層３０４をエッチングマスクとしてプラズマエッチングや低温プラズマエッチングによって、エッチング停止層２０４ｂに達するまで支持基板２０３をエッチングして、開口部１０６を形成する。上記では支持基板２０３に開口部１０６を設ける方法としてドライエッチングを用いる例を示したが、他にウェットエッチング、超音波加工、サンドブラスト等を用いても良い。
【００３８】
次に、図４の（ｅ）に示すように、開口パターンレジスト層３０４を酸素プラズマアッシングや剥離液等によるウェット処理で除去する。また、ステンシルパターン形成層２０２と支持基板２０３との間のエッチング停止層２０４ｂをウェットエッチング等により除去する。以上に示した工程により、本発明の実施形態に係るステンシルマスク１が得られる。
【００３９】
以上に示した通り、本発明の実施形態に係るステンシルマスク１によれば、メンブレン領域１０５の周囲を囲むようにメンブレンガード１０４が形成されていることにより、メンブレン領域１０５の破損を防止することができる。
【００４０】
次いで本発明の実施形態に係るステンシルマスク１を用いた露光方法について説明する。先ず、ステンシルマスク１を露光対象試料と電子ビームを照射する電子ビーム発振器との間に配置する。この際、メンブレンガード１０４が露光対象試料と対向するよう配置する。ステンシルマスクから露光対象試料までの距離は任意に設定して良いが、等倍露光を行う場合には当該距離を１ｍｍ以下とすることが好ましい。この状態で、電子ビーム発振器から露光対象試料へ電子ビームを照射するメンブレン領域１０５へ一括照射する。このような露光方法によれば、露光対象試料にステンシルパターンを略等倍で高速に露光することができる。ステンシルマスク１にはメンブレンガード１０４が形成されているため、上記のような露光のため露光対象試料やステンシルマスク１の配置、または露光を行う際にメンブレン領域１０５が破損することを防止することができる。
【００４１】
（変形例１）
本発明の実施形態に係るステンシルマスクには必要に応じて導電膜５０１を形成しても良い。図５は、本発明の実施形態の変形例１に係るステンシルマスク２を示す概略断面図である。図５に示すように、変形例１に係るステンシルマスク２は、上述の実施形態に係るステンシルマスク１の表面全体を導電膜５０１で覆うことによって構成される。なお、導電膜５０１の材料は特に限定されず、各種金属膜等を用いても良い。導電膜５０１の材料としては、例えば、パラジウム・白金合金（Ｐｄ／Ｐｔ）、金・パラジウム合金（Ａｕ／Ｐｄ）、プラチナ・タングステン合金（Ｐｔ／Ｗ）、Ｗ、Ａｕ、Ｔｉ等や、これらを含む合金が好適である。このような導電膜５０１を形成することによって、本発明に係るステンシルマスクの導電性を向上することができる。
【００４２】
（変形例２）
上記の実施形態では、メンブレンガード１０４および支持基板２０３の開口部１０６が順次別工程で作製される例について説明したが、メンブレンガード１０４と開口部１０６は同時に作製してもよい。以下、図６を参照して、メンブレンガード１０４と開口部１０６が同時に作製されて成るステンシルマスク３の製造方法について説明する。図６は、本発明の実施形態の変形例２に係るステンシルマスク３の作製工程を示す概略断面図である。
【００４３】
図６の（ａ）に示すように、先ず、図３の（ａ）と同様にして、支持基板６０３、エッチング停止層６０４ｂ、ステンシルパターン形成層６０２、エッチング停止層６０４ａ、およびメンブレンガード形成層６０１を順次積層した積層基板を用意する。そして、メンブレンガード形成層６０１の上面（ステンシルパターン形成層６０２が形成されている側と逆側の面）にメンブレンガードパターンレジスト層７０１を作製する。また、支持基板６０１の下面（ステンシルパターン形成層６０２が形成されている側と逆側の面）に開口パターンレジスト層７０４を形成する。
【００４４】
次に、図６の（ｂ）に示すように、ウェットエッチング等で積層基板の表裏、すなわちメンブレンガード形成層６０１および支持基板６０３を各々加工し、メンブレンガード５０４および開口部５０６を形成する。この際、メンブレンガード形成層６０１および支持基板６０３を同時に加工しても良い。このように同時に加工を行う場合、予めメンブレンガード形成層６０１と支持基板６０３の厚さを略同じとしておくことが好ましい。このような構成とすることで、エッチング停止層６０４ａ、６０４ｂの応力の影響が低減され、最終的に反りの少ないステンシルマスクを得ることができる。
【００４５】
次に、図６の（ｃ）に示すように、支持基板６０３およびメンブレンガード形成層６０１の開口部５０６に形成された、エッチング停止層６０４ｂをウェットエッチングで除去する。次に、ステンシルパターン形成層６０２のステンシルパターン領域５０３上に電子線レジストやフォトレジストを塗布し、電子線リソグラフィやフォトリソグラフィによってステンシルパターンレジスト層７０３を形成する。なお、ステンシルマスクパターンレジスト層７０３以外の領域（メンブレンガード形成層６０１の表面領域）にもレジストを塗布してレジスト層７０２を形成する。
【００４６】
次に、図６の（ｄ）に示すように、ステンシルパターンレジスト層７０３をエッチングマスクとしてドライエッチングによって、ステンシルパターン領域５０３にステンシルパターンを形成する。そして、残ったレジストを酸素プラズマアッシングや剥離液等によるウェット処理で除去する。以上のような工程によれば、メンブレンガード５０４を有するステンシルマスク３を比較的少ない工程で製造することができる。
【００４７】
なお、上述実施形態では、メンブレンガード形成層が予め一体形成された基板を加工してメンブレンガードを形成する例について説明したが、メンブレンガード形成層を後から個別形成しても構わない。このような製造方法を採用する場合、メンブレンガード形成層として金属材料を用い、メッキ法や、スパッタ法、プラズマ成膜法等を好適に用いて、メンブレンガードを後から作製することも可能である。なお、メッキ法を用いる場合には、メンブレンガード層として、ニッケル、スズ、銅、クロム、ニッケル・タングステン合金（ＮＩ／Ｗ）等を用いることができる。また、スパッタ法を用いる場合には、タングステンをメンブレンガード層の材料として用いることができる。
【実施例】
【００４８】
上述図３から図５に示した工程に基づいて本発明の実施形態の変形例１に係るステンシルマスク２の作製方法の実施例を説明する。
【００４９】
まず、ステンシルパターン形成層２０２として厚さ５μｍのシリコン薄膜層を、支持基板２０３として厚さ６７５μｍのシリコン基板層を、メンブレンガード形成層２０１として厚さ５０μｍのシリコン薄膜層、更に各々の間にエッチング停止層２０４ａ、２０４ｂとして厚さ０．２μｍの酸化シリコン層を用いて、直径２００ｍｍの５層基板を作製した。
【００５０】
次に、メンブレンガード形成層２０１上に、フォトレジストを１０μｍの厚さとなるように塗布し、フォトリソグラフィによってメンブレンガードパターンレジスト層３０１を形成した。
【００５１】
次いで、メンブレンガードパターンレジスト層３０１をエッチングマスクとして、側壁保護プラズマエッチング法によってエッチング停止層２０４ａに到達するまで支持基板２０３をエッチングして、メンブレンガード１０４を形成した。
【００５２】
次に、メンブレンガードパターンレジスト層３０１を酸素プラズマアッシングによって除去した。
【００５３】
次に、露出したエッチング停止層２０４ａを５％のフッ酸水溶液によるウェットエッチングにより除去した。
【００５４】
次に、メンブレンガード１０４およびステンシルパターン形成層２０２の露出部分に電子線レジストを厚さ０．５μｍになるようにスプレーコートした。更に、電子線リソグラフィによってレジストを部分的に除去してステンシルパターンレジスト層３０３を形成した。なお、ステンシルマスクパターンレジスト層３０３以外の領域（メンブレンガード形成層２０１の表面）にもレジストを塗布してレジスト層３０２を形成する。
【００５５】
次に、ステンシルパターンレジスト層３０３をエッチングマスクとしてＳＦ6ガスを主体とした混合ガスによるドライエッチングによってエッチング停止層２０４ｂまでステンシルパターン形成層２０２のエッチングを進め、ステンシルパターン領域１０３にステンシルパターンを形成した。次いで、ステンシルパターンレジスト層３０３を含むレジスト層を酸素プラズマアッシングによって除去した。
【００５６】
次に、支持基板２０３の下面にフォトレジストを１５μｍの厚に形成した。続いてフォトリソグラフィによってフォトレジストを部分的に除去し、開口パターンを有する開口パターンレジスト層３０４を形成した。
【００５７】
次に、開口パターンレジスト層３０４をエッチングマスクとして、側壁保護プラズマエッチング法によって、エッチング停止層２０４ｂに達するまで支持基板２０３をエッチングして、開口部１０６を形成した。
【００５８】
次に、開口パターンレジスト層３０４を酸素プラズマアッシングによって除去した。
【００５９】
次に、露出したエッチング停止層２０４ｂである酸化シリコン層を、５％のフッ酸水溶液よるウェットエッチングによって除去した。
【００６０】
次いで、スパッタ法によって帯電防止層としてＰｔ／Ｐｄを厚さ３０ｎｍ形成した。以上のようにして、メンブレン破損防止構造としてメンブレンガード１０４を備えるステンシルマスク２を得ることができた。
【００６１】
次いで、作成したステンシルマスク２を等倍の近接露光装置に搭載し、当該マスクに形成されたステンシルパターンを被露光基板へ転写した。より詳細には、メンブレンガード１０４と湾曲した被露光基板とが対向するようステンシルマスク２を配置し、メンブレン領域１０５と被露光基板表面との距離を約１００μｍとして露光を行った。このような露光を行ったところ、露光後のステンシルマスク２のメンブレン領域１０５には傷や割れは発生せず、ステンシルマスク２の破損を防止することができた。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明に係るステンシルマスクおよびステンシルマスクを用いた露光方法は、ステンシルパターンが形成されたメンブレン領域の破損を防止して良好な露光が可能なステンシルマスクおよびステンシルマスクを用いた露光方法などとして有用である。
【符号の説明】
【００６３】
１、２、３  ステンシルマスク
１０１、８０２  バルク領域
１０２、８０３  メンブレンエッジ部
１０３、５０３  ステンシルパターン領域
１０４、５０４  メンブレンガード
１０５、８０４  メンブレン領域
１０６、５０６  開口部
２０１、６０１  メンブレンガード形成層
２０２、６０２  ステンシルパターン形成層
２０３、６０３  支持基板
２０４、６０４  エッチング停止層
３０１、７０１  メンブレンガードパターンレジスト層
３０２、７０２  レジスト層
３０３、７０３  ステンシルパターンレジスト層
３０４、７０４  開口パターンレジスト層
５０１  導電膜
８０１  ステンシルパターン
【図１】
2012208288.tif 000003
【図２】
2012208288.tif 000004
【図３】
2012208288.tif 000005
【図４】
2012208288.tif 000006
【図５】
2012208288.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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