(57)【要約】【課題】有機ＥＬ素子を複数積層した有機ＥＬ表示装置において、バンク層の表面に異物が付着した場合においても、第二電極と第三電極との短絡が起こらない有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】第一サブピクセルＰ１に、対向する第一電極２１と第二電極２２との間に挟持された発光層を含む第一有機化合物層３１を有し、第二サブピクセルに、対向する第一電極２１と第二電極２２との間に挟持された発光層を含む第二有機化合物層３２を有し、第一サブピクセルＰ１及び第二サブピクセルＰ２に共通に、対向する第二電極２２と第三電極２３との間に挟持された発光層を含む第三有機化合物層３３を有し、第一電極２１の端部はバンク層１３によって覆われ、バンク層１３の開口領域においてのみ、第二電極２２と第三電極２３とが対向している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域に複数の画素を備え、各画素に二以上の複数のサブピクセルが並列に配置された有機ＥＬ表示装置であって、
各サブピクセルは、対向する第一電極と第二電極との間に、発光層を含む有機化合物層をそれぞれ有し、
少なくとも一つのサブピクセルにおける対向する第二電極と第三電極との間に発光層を含む有機化合物層を有し、
前記第一電極の端部はバンク層によって覆われ、前記バンク層の開口領域においてのみ、前記第二電極と前記第三電極とが対向していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記第一電極は各サブピクセルに個別に形成され、
前記第三電極は、前記第二電極の上に発光層を含む有機化合物層を有したサブピクセルに少なくとも形成され、
前記第二電極は、全てのサブピクセルに共通に形成され、
前記第二電極は、前記バンク層の開口領域においてのみ、前記第三電極と対向していることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記第一電極及び前記第二電極は各サブピクセルに個別に形成され、
前記第三電極は、前記第二電極の上に発光層を含む有機化合物層を有したサブピクセルに少なくとも形成され、
前記第三電極は、前記バンク層の開口領域においてのみ、前記第二電極と対向していることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極間に発光層を含む有機化合物層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）を複数備えた有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネルディスプレイとして、自発光型のデバイスである有機ＥＬ表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置において、有機ＥＬ素子を複数積層することで実質的な発光面積を増やし、素子寿命を向上させる技術がある。例えば、並列に配置した二つのサブピクセルで１画素を構成し、各サブピクセルは、発光層を含む有機化合物層を電極で挟持した有機ＥＬ素子であって、異なる発光色を示すものを二つ積層した構成の有機ＥＬ表示装置が提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
このような積層構成の有機ＥＬ表示装置の一般的な製造方法として、シャドーマスクを用いた蒸着法により有機ＥＬ素子を形成する方法を以下に説明する。
【０００４】
第一電極を成膜及びパターニングした後、第一電極の端部を覆うようにバンク層を形成すると同時に、第一電極の中央部が露出するようにバンク層に開口部を設け、さらにコンタクトホールを形成する。このコンタクトホールは、第一電極と第三電極と電源配線との接続に用いられる。
【０００５】
次に、シャドーマスクを用いた蒸着法により、第一サブピクセルに第一有機化合物層を形成する共に、第二サブピクセルに第二有機化合物層を形成する。次に、第二電極を成膜及びパターニングした後、その上にシャドーマスクを用いた蒸着法により第三有機化合物層を形成する。
【０００６】
有機化合物層の形成時には、コンタクトホールに有機化合物層が形成されないようにすべく、コンタクトホール部をシャドーマスクで遮蔽したり、或いは有機化合物層の蒸着後にレーザー照射等でコンタクトホール上の有機化合物膜を除去する必要がある。
【０００７】
続いて、第三電極を成膜及びパターニングする。第一電極と第三電極とはコンタクトホールを介して電気的に接続されている。
【０００８】
上述の製造方法において、有機化合物層上の電極のパターニングについては、フォトリソグラフィー技術を使用すると有機化合物層にダメージを与えてしまう。これは、有機化合物層は水分により劣化しやすいためである。そのため、ドライプロセスで電極を形成する必要がある。その形成方法としては、シャドーマスクを用いた蒸着やＹＡＧレーザー（ＳＨＧ、ＴＨＧ含む）やエキシマレーザーなどを用いたレーザーアブレーションによるパターニングが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００５−１７４６３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、特許文献１には、バンク層と第二電極と第三電極の平面位置関係については開示されていない。したがって、第二電極と第三電極がバンク層上において対向する領域が存在する場合には、下記の問題が発生する。
【００１１】
即ち、シャドーマスクを用いて第一有機化合物層及び第二有機化合物層を蒸着する際、シャドーマスクはバンク層の表面に近接或いは接触する。そのため、シャドーマスクに異物が付着している場合、この異物がバンク層の表面に付着することがある。このように異物がバンク層の表面に付着した状態で、バンク層上に第二電極が形成されると、異物上の第二電極の表面に異物の大きさ程度の凸部が形成される。シャドーマスクに付着している異物には数μｍ程度の大きさのものがあるため、この第二電極の表面の凸部は数μｍ程度の高さとなる。
【００１２】
第二電極の形成後、第三有機化合物層が形成されるが、有機ＥＬ素子における有機化合物層の総厚は１μｍ程度であることが好ましく、第三有機化合物層の総厚は１μｍ程度であることが好ましい。したがって、数μｍの高さの第二電極の表面の凸部を第三有機化合物層で被覆しきれないことがある。このような箇所では、第三有機化合物層の形成後も第二電極の表面が露出していることになる。
【００１３】
第三有機化合物層の形成後、第三電極が形成されるが、上述のようにバンク層上で第二電極の表面が露出した箇所がある状態でバンク層上に第三電極が形成されると、第二電極と第三電極とが接触して短絡が起こるという問題があった。
【００１４】
そこで本発明の目的は、有機ＥＬ素子を複数積層した有機ＥＬ表示装置において、バンク層の表面に異物が付着した場合においても、第二電極と第三電極との短絡が起こらない有機ＥＬ表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記の目的を達成すべく成された本発明の構成は以下の通りである。
【００１６】
即ち、本発明に係る有機ＥＬ表示装置は、表示領域に複数の画素を備え、各画素に二以上の複数のサブピクセルが並列に配置された有機ＥＬ表示装置であって、
各サブピクセルは、対向する第一電極と第二電極との間に、発光層を含む有機化合物層をそれぞれ有し、
少なくとも一つのサブピクセルにおける対向する第二電極と第三電極との間に発光層を含む有機化合物層を有し、
前記第一電極の端部はバンク層によって覆われ、前記バンク層の開口領域においてのみ、前記第二電極と前記第三電極とが対向していることを特徴とする有機ＥＬ表示装置である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、バンク層の開口領域においてのみ、第二電極と第三電極とが対向しており、バンク層上に第二電極と第三電極とが対向する領域が存在しない。したがって、第一有機化合物層及び第二有機化合物層をシャドーマスクで蒸着する際に、シャドーマスク上の異物がバンク層の表面に付着した場合においても、第二電極と第三電極との短絡が起こらないという優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置を示す平面図及び断面模式図である。
【図２】有機ＥＬ表示装置の外観を示す概略斜視図である。
【図３】第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の各画素の等価回路を示す説明図である。
【図４】比較形態となる有機ＥＬ表示装置を示す平面図及び断面模式図である。
【図５】第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置を示す平面図及び断面模式図である。
【図６（ａ）】第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置の各画素の等価回路を示す説明図である。
【図６（ｂ）】第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置の各画素の駆動方法を示す説明図である。
【図７】第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置を示す平面図及び断面模式図である。
【図８】第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置の各画素の等価回路を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明するが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。なお、図面では、説明の都合上から、各層を認識可能な大きさで表しており、図面の縮尺は実際とは異なっている。また、本明細書で特に図示または記載されない部分に関しては、当該技術分野の周知または公知技術を適用する。
【００２０】
以下の説明において、陽極、有機化合物層、陰極からなる構造体を有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子と称する。また、複数の有機ＥＬ素子、平坦化層等の下地構造、駆動回路や配線構造の回路素子部、及び封止構造等からなる構造体を有機ＥＬ表示装置と称する。
【００２１】
〔第１の実施形態〕
図１から図４を参照して、本発明に係る第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置の構成を説明する。本実施形態で例示する有機ＥＬ表示装置は、基板側とは反対側（透明電極側）から有機ＥＬ素子の光を取り出す、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置であり、表示装置の利用者は光取り出し側から観察することになる。図１は本発明に係る第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置を示しており、（ａ）はその１画素（ピクセル）領域における平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ｂ線断面の模式図、（ｃ）は（ａ）のＣ−Ｄ−Ｅ線断面の模式図である。なお、図１（ａ）では、第一有機化合物層３１、第二有機化合物層３２、第三有機化合物層３３を省略図示している。図２は有機ＥＬ表示装置の外観を示す概略斜視図であり、画素がマトリクス状に複数配置されて有機ＥＬ表示装置の表示領域が構成される。
【００２２】
第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、基板１０上に回路素子部１１が形成されている。この回路素子部１１には、スイッチング用トランジスタ、駆動用トランジスタ、走査信号線、情報信号線、電源線の配線構造（いずれも図示せず）が形成されている。回路素子部１１上には、平坦化層１２が形成されている。平坦化層１２には、この平坦化層１２の上部に形成される第一電極２１と、駆動用トランジスタの電極４１との導通をとるための第一コンタクトホール１４が形成されている。さらに、平坦化層１２には、第三電極２３と駆動用トランジスタの電極４１との導通をとるための第二コンタクトホール１５が形成されている。
【００２３】
そして、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、１画素領域に２個の副画素（第一サブピクセルＰ１、第二サブピクセルＰ２）が並列に配置されている。
【００２４】
各サブピクセルＰ１，Ｐ２のそれぞれにおいて、平坦化層１２の上層側に、発光層を含む有機化合物層が対向する二つの電極（陽極と陰極）で挟持され積層されている。各有機化合物層は、発光層の他に、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層等を含んでいてもよい。
【００２５】
以下、有機ＥＬ素子を構成する有機化合物層及び電極の積層構成を製造工程に沿って説明する。
【００２６】
各サブピクセルＰ１、Ｐ２において、平坦化層１２上に反射機能を有する第一電極（反射電極）２１が形成されている。第一電極２１は、第一コンタクトホール１４を介して、それぞれ駆動用トランジスタと接続されている。
【００２７】
第一電極２１は、光反射性の部材であることが好ましく、例えばＣｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の材料を用いることができる。第一電極２１として光反射性の部材を用いることで、光取り出し効率を向上させることができる。また第一電極２１には、反射機能を上記のような光反射性部材によって確保し、電極としての機能を該光反射性部材上に形成したＩＴＯ膜（インジウム錫酸化物膜）等の透明導電膜によって確保するような構成も含まれる。この場合の第一電極２１の反射面は、上記光反射性部材の表面となる。第一電極２１の成膜及びパターニング手法としては、公知の手法を適用することができる。
【００２８】
また、第二コンタクトホール１５には、第１電極２１と同じ工程、同じ材料で金属層２１０が形成されている。この金属層２１０は、第１電極２１のパターニング時に、回路素子部１１が損傷することを低減している。
【００２９】
第一電極２１上には、この第一電極２１の端部を覆うようにバンク層１３が形成されている。バンク層１３には、第一電極２１の中央部が露出するように開口部が設けられている。さらにバンク層１３には、第三電極２３と駆動用トランジスタの電極４１との導通をとるための第二コンタクトホール１５が設けられている。バンク層１３の材料としては、例えば、アクリル樹脂やポリイミド樹脂等の公知の材料を用いることができる。
【００３０】
第一電極２１上には、第一サブピクセルＰ１に第一有機化合物層３１が、第二サブピクセルＰ２に第二有機化合物層３２がそれぞれ形成される。第一有機化合物層３１及び第二有機化合物層３２の各層は、例えば、シャドーマスクを用いた蒸着法により形成される。発光層を含む第一有機化合物層３１及び第二有機化合物層３２の構成材料には、公知の材料を用いることができる。
【００３１】
第一有機化合物層３１及び第二有機化合物層３２上には、第一サブピクセルＰ１及び第二サブピクセルＰ２に共通に、第二電極２２が第二コンタクトホール１５を覆わないようパターン形成されている。このようにパターン形成することで、第二コンタクトホール１５を介して、後述する第三電極２３を駆動用トランジスタに接続することができる。第二電極２２の形成方法としては、第二コンタクトホール１５を覆わないようにシャドーマスクを用いた蒸着法で選択的に形成する方法がプロセス上簡便で好ましい。しかし、これに限定されず、例えば、表示領域の全領域に電極材料を成膜した後に前述のレーザー加工で第二コンタクトホール１５の部分を除去してもよい。また、電極材料が形成された基板を基板１０と対向させてレーザーアブレーションにより選択的に転写形成してもよい。第二電極２２としては、例えば、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）、ＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）などの透明導電膜や、Ａｇ、Ａｌなどの金属材料を１０ｎｍ〜３０ｎｍ程度の膜厚で形成した半透過膜を用いることができる。なお、第二電極２２は、表示領域外で駆動回路と接続されていてもよいし、表示領域内で駆動回路と接続されていてもよい。
【００３２】
第二電極２２上には、第一サブピクセルＰ１及び第二サブピクセルＰ２に共通に、第三有機化合物層３３が形成されている。第三有機化合物層３３の各層は、例えば、シャドーマスクを用いた蒸着法などの公知の手法で形成される。また、発光層を含む第三有機化合物層３３の構成材料には、公知の材料を用いることができる。
【００３３】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、第三有機化合物層３３の極性が、第一有機化合物層３１及び第二有機化合物層３２と逆方向になるよう形成されている。このように構成することで、後述する駆動方法により、有機ＥＬ表示装置１を駆動発光することができる。なお、異なる有機化合物層の間に位置する第２電極（中間電極）２２は、導電層／絶縁層／導電層のように二つ以上の導電層の間に絶縁層を有する構成とし、異なる有機化合物層を独立駆動できるよう構成されていてもよい。この場合には、第三有機化合物層３３と、第一有機化合物層３１及び第二有機化合物層３２との極性を必ずしも逆方向にする必要はない。
【００３４】
第一有機化合物層３１、第二有機化合物層３２及び第三有機化合物層３３の形成後、第二コンタクトホール１５上の有機化合物層にコンタクトホール１６を形成する。コンタクトホール１６の形成方法としては、例えばレーザー加工が好ましく、ＹＡＧレーザー（ＳＨＧ、ＴＨＧ含む）、エキシマレーザーなど一般に薄膜加工に使用する公知の手法を用いることができる。これらのレーザー光を数μｍに絞って走査したり、面状光源にしてコンタクトホール１６を形成する部分を透過するマスクを介したりして、第一有機化合物層３１及び第二有機化合物層３２上に所定のパターンで照射が行なわれる。これにより、所望の位置にコンタクトホール１６を形成することが可能である。コンタクトホール１６の径としては、例えば２μｍ〜１５μｍが好ましい。
【００３５】
第三有機化合物層３３上には、各サブピクセルＰ１，Ｐ２に個別に、第三電極２３が形成されている。第三電極２３は、第二コンタクトホール１５を介して（詳しくは、第二コンタクトホール１５内の金属層２１０を介して）、それぞれ駆動用トランジスタに接続されている。第三電極２３のパターン形成の手法としては、例えば、表示領域の全領域に電極材料を成膜した後に前述のレーザー加工で行ってもよいし、シャドーマスクを用いた蒸着法により選択的に形成するようにしてもよい。また、電極材料が形成された基板を基板１０と対向させてレーザーアブレーションにより選択的に転写形成してもよい。第三電極２３には、第二電極２２と同様に、例えばＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明導電膜、ＡｇやＡｌなどの金属材料を１０ｎｍ〜３０ｎｍ程度の膜厚で形成した半透過膜を用いることができる。
【００３６】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１は、図１（ａ）、（ｂ）に示すように、第二電極２２と第三電極２３とがバンク層１３の開口領域においてのみ対向するよう形成されている。このように構成することで、第一有機化合物層及び第二有機化合物層をシャドーマスクで蒸着する際に、シャドーマスク上の異物がバンク層１３の表面に付着した場合においても、第二電極２２と第三電極２３が短絡を起こさない。
【００３７】
ここで図４を参照して、本実施形態の比較形態となる有機ＥＬ表示装置について説明する。図４は比較形態となる有機ＥＬ表示装置を示しており、（ａ）は比較形態の有機ＥＬ表示装置１’の１画素（ピクセル）領域の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ｂ線断面の模式図である。
【００３８】
図４に示すように、比較形態の有機ＥＬ表示装置１’は、第二電極２２と第三電極２３がバンク層４３上で対向する領域Ｘを有する点以外は、図１の本実施形態の有機ＥＬ表示装置１と同じ構造を有する。
【００３９】
この有機ＥＬ表示装置１’では、図４の領域Ｘに示すように、第二電極２２と第三電極２３がバンク層１３上で対向している。したがって、第一有機化合物層３１及び第二有機化合物層３２をシャドーマスクを用いて蒸着する際に、シャドーマスク上の異物がバンク層１３の表面に付着した場合、以下の問題が生じる。即ち、第二電極２２が異物上に形成されることによって、第二電極２２の表面に凸部が生じ、この凸部を第三有機化合物層３３で被覆しきれず、第三電極２３と接触し短絡を起こすことがある。
【００４０】
また、有機ＥＬ表示装置１の第三有機化合物層３３及び第三電極２３上部には、有機ＥＬ表示装置１と酸素や水分等との接触を防止する目的で、ガラス基板や封止缶等からなる封止部材（図示せず）を配設してもよい。
【００４１】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、表示装置として機能できるように、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の発光を生じる発光層を全て含んでいる。本発明の有機ＥＬ表示装置は、第一有機化合物層３１、第二有機化合物層３２、第三有機化合物層３３の各発光層は赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかに発光するが、発光色は限定されない。
【００４２】
次に、図３を参照して、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の具体的な駆動方法について説明する。図３は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の各画素の等価回路の一例を示す説明図である。
【００４３】
各画素は、スイッチング用トランジスタ６１ａ，６１ｂ，６１ｃと、駆動用トランジスタ６２ａ，６２ｂ，６２ｃと、積層された発光素子とコンデンサ６３ａ，６３ｂ，６３ｃとで構成されている。
【００４４】
ここで、スイッチング用トランジスタ６１ａ，６１ｂ，６１ｃのゲート電極は、ゲート信号線５１に接続されている。また、スイッチング用トランジスタ６１ａ，６１ｂ，６１ｃのソース領域は、ソース信号線５２ａ，５２ｂ，５２ｃに、ドレイン領域は駆動用トランジスタ６２ａ，６２ｂ，６２ｃのゲート電極に接続されている。
【００４５】
駆動用トランジスタ６２ａのソース領域は電源供給線５３に、ドレイン領域は第一サブピクセルＰ１の第一電極２１に接続されている。また、駆動用トランジスタ６２ｂのソース領域は電源供給線５３に、ドレイン領域は第二サブピクセルＰ２の第一電極２１に接続されている。さらに、駆動用トランジスタ６２ｃのソース領域は電源供給線５３に、ドレイン領域は第二サブピクセルＰ２の第三電極２３に接続されている。
【００４６】
コンデンサ６３ａ，６３ｂ，６３ｃは、電極のそれぞれが駆動用トランジスタ６２ａ，６２ｂ，６２ｃのゲート電極とＧＮＤ（接地）に接続されるように形成されている。
【００４７】
このように、駆動用トランジスタ６２ａ，６２ｂ，６２ｃと有機ＥＬ素子が直列に接続されている。有機ＥＬ素子に流れる電流をソース信号線５２ａ，５２ｂ，５２ｃから供給されるデータ信号に応じて駆動用トランジスタ６２ａ，６２ｂ，６２ｃで制御することで、有機ＥＬ素子は発光制御される。
【００４８】
以上、説明した構成とすることで、第一有機化合物層３１、第二有機化合物層３２、第三有機化合物層３３を独立に駆動することができる。
【００４９】
なお、図３では、第一サブピクセルＰ１において、第二電極２２と第一サブピクセルＰ１の第三電極２３とに第三有機化合物層３３が挟持されて構成される有機ＥＬ素子については、省略図示している。この有機ＥＬ素子については、第一サブピクセルＰ１の第三電極２３を駆動用トランジスタ６２ｃと接続して駆動してもよいし、駆動用トランジスタ６２ｃと独立な駆動用トランジスタと接続して駆動してもよい。
【００５０】
以上説明したように、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１によれば、バンク層１３の開口領域においてのみ、第二電極２２と第三電極２３とが対向しており、バンク層１３の上に第二電極２２と第三電極２３とが対向する領域が存在しない。したがって、第一有機化合物層３１及び第二有機化合物層３２をシャドーマスクで蒸着する際に、シャドーマスク上の異物がバンク層１３の表面に付着した場合でも、第二電極２２と第三電極２３との短絡は起こらない。
【００５１】
第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１では、第一サブピクセルＰ１及び第二サブピクセルＰ２に共通に、第三有機化合物層３３が形成され、第三有機化合物層３３上に各サブピクセルＰ１、Ｐ２に個別に、第三電極２３が形成された構成を示した。この変形例として、第一サブピクセルＰ１、第二サブピクセルＰ２のいずれか一つのサブピクセルのみに第三有機化合物層３３を形成した構成としてもよい。こうすることで、第三有機化合物層３３を形成しないサブピクセルにおいて、第一電極２１と第二電極２２に挟持された有機化合物層からの発光光の、第三有機化合物層による減衰を防止することができる。
【００５２】
また、このように第三有機化合物層３３を第一サブピクセルＰ１、第二サブピクセルＰ２のいずれか一つのサブピクセルのみに形成する構成の場合、第三有機化合物層３３を形成しないサブピクセルにおいて、第三電極２３は形成しないのが好ましい。こうすることで、第三有機化合物層３３を形成しないサブピクセルにおいて、第一電極２１と第二電極２２に挟持された有機化合物層からの発光光の、第三電極による減衰を防止することができる。
【００５３】
また、第三有機化合物層３３を第一サブピクセルＰ１、第二サブピクセルＰ２のいずれか一つのサブピクセルのみに形成し、第三有機化合物層３３を形成しないサブピクセルにおいて、第三電極２３を形成する場合、第三有機化合物層３３を形成しないサブピクセルにおいて、第二電極２２と第三電極２３が導通する。このため、この構成の場合は、第三有機化合物層３３を形成しないサブピクセルに形成された第三電極２３は、駆動用トランジスタと接続しない構成とする。これは、例えば、第三有機化合物層３３を形成しないサブピクセルにおいて、第二コンタクトホール１５を形成しない構成とすればよい。
【００５４】
以上説明した第１の実施形態の変形例の有機ＥＬ表示装置においても、バンク層１３の開口領域においてのみ、第二電極２２と第三電極２３とが対向しており、バンク層１３の上に第二電極２２と第三電極２３とが対向する領域が存在しない。したがって、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置と同様の作用効果を奏する。
【００５５】
〔第２の実施形態〕
次に、図５及び図６を参照して、第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置の積層構成を製造工程に沿って説明する。図５は第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置を示しており、（ａ）はその１画素（ピクセル）領域における平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ｂ線断面の模式図、（ｃ）は（ａ）のＣ−Ｄ−Ｅ線断面の模式図である。なお、図５（ａ）では、第一有機化合物層３１、第二有機化合物層３２、第三有機化合物層３３を省略図示している。
【００５６】
第１の実施形態では、第二電極２２が第一サブピクセルＰ１及び第二サブピクセルＰ２に共通に、第三電極２３が各サブピクセルＰ１，Ｐ２に個別に形成された積層構成を示した。第２の実施形態では、第二電極２２が各サブピクセルＰ１，Ｐ２に個別に、第三電極２３が第一サブピクセルＰ１及び第二サブピクセルＰ２に共通に形成された積層構成を示す。即ち、第１の実施形態との違いは、第二電極２２と第三電極２３の形成領域と各電極の駆動用トランジスタとの配線接続形態だけである。
【００５７】
平坦化層１２には、該平坦化層１２の上部に形成される第一電極２１と、駆動用トランジスタの電極４１との導通をとるための第一コンタクトホール１４、及び第二電極２２と駆動用トランジスタの電極４１との導通をとるための第二コンタクトホール１５が形成されている。
【００５８】
平坦化層４２上に、反射機能を有する第一電極（反射電極）２１が形成されている。第一電極２１は、第一コンタクトホール１４を介して、それぞれ駆動用トランジスタと接続されている。
【００５９】
また、第二コンタクトホール１５に第１電極２１と同じ工程、同じ材料で金属層２１０が形成されている。この金属層２１０は、第１電極２１のパターニング時に、回路素子部１１が損傷することを低減している。
【００６０】
第一電極２１上には、この第一電極２１のエッジを覆うようにバンク層１３が形成されている。バンク層１３には、第一電極２１の中央部が露出されるように開口部が設けられている。さらに、バンク層１３には、第二電極２２と駆動用トランジスタの電極４１との導通をとるための第二コンタクトホール１５が設けられている。
【００６１】
そして、第一電極２１上には、第１の実施形態と同様に、第一サブピクセルＰ１に第一有機化合物層３１が、第二サブピクセルＰ２に第二有機化合物層３２がそれぞれ形成される。第一有機化合物層３１及び第二有機化合物層３２の各層は、例えば、シャドーマスクを用いた蒸着法により形成される。発光層を含む第一有機化合物層３１及び第二有機化合物層３２の構成材料には、公知の材料を用いることができる。第一有機化合物層３１及び第二有機化合物層３２の形成後、第二コンタクトホール１５上の有機化合物層にコンタクトホール１６を形成する。コンタクトホール１６の形成方法は、第１の実施形態と同様である。
【００６２】
第一有機化合物層３１及び第二有機化合物層３２上には、各サブピクセルＰ１，Ｐ２に個別に、第二電極２２が形成されている。第二電極２２は、第二コンタクトホール１５を介して（詳しくは、第二コンタクトホール１５内の金属層２１０を介して）、それぞれ駆動用トランジスタに接続されている。第二電極２２のパターン形成の方法としては、例えば、表示領域の全領域に電極材料を成膜した後に前述のレーザー加工で行ってもよいし、シャドーマスクを用いた蒸着法により選択的に形成するようにしてもよい。また、電極材料が形成された基板を基板１０と対向させてレーザーアブレーションにより選択的に転写形成してもよい。
【００６３】
第二電極２２上には、第一サブピクセルＰ１及び第二サブピクセルＰ２に共通に、第三有機化合物層３３が形成されている。第三有機化合物層３３の各層は、例えば、シャドーマスクを用いた蒸着法などの公知の手法で形成される。また、発光層を含む第三有機化合物層３３の構成材料には、公知の材料を用いることができる。
【００６４】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置２では、第三有機化合物層３３の極性が、第一有機化合物層３１及び第二有機化合物層３２と同一方向になるよう形成されている。このように構成することで、後述する駆動方法により、有機ＥＬ表示装置２を駆動発光することができる。なお、異なる有機化合物層の間に位置する第２電極（中間電極）２２は、導電層／絶縁層／導電層のように二つ以上の導電層の間に絶縁層を有する構成とし、異なる有機化合物層を独立駆動できるよう構成されていてもよい。この場合には、第三有機化合物層３３と、第一有機化合物層３１及び第二有機化合物層３２との極性を必ずしも同一方向にする必要はない。
【００６５】
第三有機化合物層３３上には、第一サブピクセルＰ１及び第二サブピクセルＰ２に共通に、第三電極２３が形成されている。第三電極２３は、表示領域外で駆動回路と接続されていてもよいし、表示領域内で駆動回路と接続されていてもよい。第三電極２３のパターン形成の手法としては、例えば、表示領域の全領域に電極材料を成膜した後に前述のレーザー加工で行ってもよいし、シャドーマスクを用いた蒸着法により選択的に形成するようにしてもよい。また、電極材料が形成された基板を基板１０と対向させてレーザーアブレーションにより選択的に転写形成してもよい。
【００６６】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置２は、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、第二電極２２と第三電極２３がバンク層１３の開口領域上でのみ対向するよう形成されている。このように構成することで、第一有機化合物層３１及び第二有機化合物層３２をシャドーマスクで蒸着する際に、シャドーマスク上の異物がバンク層１３の表面に付着した場合においても、第二電極２２と第三電極２３との短絡は起こらない。
【００６７】
本発明の有機ＥＬ表示装置は、表示装置として機能できるように、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の発光を生じる発光層を全て含んでいる。本発明の有機ＥＬ表示装置は、第一有機化合物層３１、第二有機化合物層３２、第三有機化合物層３３の各発光層は赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかに発光するが、発光色は限定されない。
【００６８】
次に、図６（ａ）を参照して、第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置の各画素の等価回路について説明する。図６（ａ）は、第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置の各画素の等価回路の一例を示す説明図である。
【００６９】
図６（ａ）に示すように、各画素は、スイッチング用トランジスタ６１ａ，６１ｂと駆動用トランジスタ６２ａ，６２ｂと積層された有機ＥＬ素子とコンデンサ６３ａ，６３ｂで構成されている。ここで、スイッチング用トランジスタ６１ａ，６１ｂのゲート電極は、ゲート信号線５１に接続されている。また、スイッチング用トランジスタ６１ａ，６１ｂのソース領域はソース信号線５２ａ，５２ｂに、ドレイン領域は駆動用トランジスタ６２ａ，６２ｂのゲート電極に接続されている。
【００７０】
駆動用トランジスタ６２ａのソース領域は電源供給線５３に、ドレイン領域は第一サブピクセルＰ１の第二電極２２に接続されている。また、駆動用トランジスタ６２ｂのソース領域は電源供給線５３に、ドレイン領域は第二サブピクセルＰ２の第二電極２２に接続されている。
【００７１】
コンデンサ６３ａ，６３ｂは、電極のそれぞれが駆動用トランジスタ６２ａ，６２ｂのゲート電極とＧＮＤ（接地）とに接続されるように形成されている。
【００７２】
このように、駆動用トランジスタ６２ａ，６２ｂと有機ＥＬ素子が直列に接続されている。有機ＥＬ素子に流れる電流をソース信号線５２ａ，５２ｂから供給されるデータ信号に応じて駆動用トランジスタ６２ａ，６２ｂで制御することで、有機ＥＬ素子は発光制御される。
【００７３】
次に、図６（ａ）及び（ｂ）を参照して、第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置の駆動方法について説明する。図６（ｂ）は、有機ＥＬ表示装置の駆動波形の一例を示す説明図である。
【００７４】
図６（ｂ）に示すように、時間ｔ１において、ゲート信号線５１の電位をＶｇに設定すると、スイッチングトランジスタ６１ａ，６１ｂがオン状態となる。これにより、ソース信号線５２ａの電位Ｖｓｉｇ＿ａ１及びソース信号線５２ｂの電位Ｖｓｉｇ＿ｂ１がスイッチングトランジスタ６１ａ，６１ｂを介してコンデンサ６３ａ，６３ｂ及び駆動用トランジスタ６２ａ，６２ｂのゲート容量に充電される。ここで、Ｖｓｉｇ＿ａ１は第一有機化合物層３１を発光させるために設定されたソース信号線５２ａの電位であり、Ｖｓｉｇ＿ｂ１は第二有機化合物層３２を発光させるために設定されたソース信号線５２ｂの電位である。
【００７５】
時間ｔ２において、ゲート信号線５１の電位が０Ｖに設定され、スイッチングトランジスタ６１ａ，６１ｂがオフ状態となり、コンデンサ６３ａ，６３ｂに充電された電圧が保持される。
【００７６】
時間ｔ３において、第一サブピクセルＰ１の第一電極２１、第二サブピクセルＰ２の第一電極２１及び第三電極２３の電位がＶｃに設定される。このとき、電源供給線５３は０Ｖのままなので、有機化合物層及び駆動用トランジスタ６２ａ，６２ｂのソースドレイン間に電位差が生じる。これにより、第一有機化合物層３１に第一サブピクセルＰ１の第一反射電極２１から正孔が注入されるとともに、第一サブピクセルＰ１の第二電極２２から電子が注入される。また、第二有機化合物層３２に第二サブピクセルＰ２の第一電極２１から正孔が、第二サブピクセルＰ２の第二電極２２から電子が注入される。これにより、第一有機化合物層３１及び第二有機化合物層３２が発光する。なお、このとき第一及び第二サブピクセルＰ１，Ｐ２の第三有機化合物層３３には逆方向電圧が印加されるため発光しない。発光層に流れる電流は駆動用トランジスタ６２ａ，６２ｂで制御され、コンデンサ６３ａ，６３ｂに充電された電圧に応じて、駆動用トランジスタ６２ａ，６２ｂのソースドレイン間に電流Ｉ＿ａ１、Ｉ＿ｂ１が流れる。この状態は、時間ｔ４まで維持される。
【００７７】
時間ｔ４において、第一サブピクセルＰ１の第一電極２１、第二サブピクセルＰ２の第一電極２１及び第三電極２３の電位が０Ｖに設定される。すると、発光層及び駆動用トランジスタ６２ａ，６２ｂのソースドレイン間に電位差がなくなるので、第一有機化合物層３１及び第二有機化合物層３２は発光しなくなる。続いて、第二サブピクセルＰ２の第三有機化合物層３３を発光させるための信号Ｖｓｉｇ＿ｂ２がソース信号線５２ｂに設定される。また、第一サブピクセルＰ１の第三有機化合物層３３を発光制御するための信号Ｖｓｉｇ＿ａ２がソース信号線５２ａに設定される。信号Ｖｓｉｇ＿ａ２は、第一サブピクセルＰ１の第三有機化合物層３３を発光させるような電圧として設定してもよいし、非発光とするような電圧として設定してもよい。図６（ｂ）では、第一サブピクセルＰ１の第三有機化合物層３３を非発光とする電圧を設定した場合の駆動波形を示している。
【００７８】
時間ｔ５において、ゲート信号線５１の電位をＶｇに設定すると、スイッチングトランジスタ６１ａ，６１ｂがオン状態となる。これにより、ソース信号線５２ａ，５２ｂの電位Ｖｓｉｇ＿ａ２，Ｖｓｉｇ＿ｂ２がスイッチングトランジスタ６１ａ，６１ｂを介してコンデンサ６３ａ，６３ｂ及び駆動用トランジスタ６２ａ，６２ｂのゲート容量に充電される。
【００７９】
時間ｔ６において、ゲート信号線５１の電位が０Ｖに設定され、スイッチングトランジスタ６１ａ，６１ｂがオフ状態となり、コンデンサ６３ａ，６３ｂに充電された電圧が保持される。
【００８０】
時間ｔ７において、電源供給線５３の電位がＶｃに設定される。このとき、第一サブピクセルＰ１の第一電極２１、第二サブピクセルＰ２の第一電極２１及び第三電極２３の電位が０Ｖなので、発光層及び駆動用トランジスタ６２ａ，６２ｂのソースドレイン間に電位差が生じる。これにより、第二サブピクセルＰ２の第三有機化合物層３３に第二サブピクセルＰ２の第二電極２２から正孔が注入されるとともに、第三電極２３から電子が注入され発光が得られる。発光層に流れる電流は駆動用トランジスタ６２ｂで制御され、コンデンサ６３ｂに充電された電圧に応じて、駆動用トランジスタ６２ｂのソースドレイン間に電流Ｉ＿ｂ２が流れる。また、第一サブピクセルＰ１の第三有機化合物層３３は、信号Ｖｓｉｇ＿ａ２の電圧に従ってコンデンサ６３ａに充電された電圧に応じ、発光制御される。図６（ｂ）では、第一サブピクセルＰ１の第三有機化合物層３３を非発光とする電圧としてＶｓｉｇ＿ａ２を設定した場合の駆動波形を示しているため、駆動用トランジスタ６２ａのソースドレイン間には電流が流れていない。また、このとき、第一有機化合物層３１、第二有機化合物層３２には逆方向電圧が印加されるため発光しない。この状態は、時間ｔ８まで維持される。
【００８１】
時間ｔ８において、電源供給線５３の電位が０Ｖに設定される。すると、発光層及び駆動用トランジスタ６２ａ，６２ｂのソースドレイン間に電位差がなくなるので、第二サブピクセルＰ２の第三有機化合物層３３は発光しなくなる。
【００８２】
上述の動作を繰り返すことで、第一有機化合物層３１、第二有機化合物層３２、第三有機化合物層３３を時分割で発光させることができる。具体的には、人間が識別できない程度、例えば６０Ｈｚ程度あるいはそれ以上高い周期で駆動することにより、第一有機化合物層３１の発光色と、第二有機化合物層３２、第三有機化合物層３３の発光色との任意の混合色の光を表現することができる。
【００８３】
以上説明したように、第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置２によれば、バンク層１３の開口領域においてのみ、第二電極２２と第三電極２３とが対向しており、バンク層１３の上に第二電極２２と第三電極２３とが対向する領域が存在しない。したがって、第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置２は、基本的に第１の実施形態と同様の作用効果を奏する。
【００８４】
第２の実施形態の有機ＥＬ表示装置２では、第一サブピクセルＰ１及び第二サブピクセルＰ２に共通に、第三有機化合物層３３が形成され、第三有機化合物層３３上に各サブピクセルＰ１、Ｐ２に共通に、第三電極２３が形成された構成を示した。
【００８５】
この変形例として、第２の実施例の変形例と同様に、第一サブピクセルＰ１、第二サブピクセルＰ２のいずれか一つのサブピクセルのみに第三有機化合物層３３を形成した構成としてもよい。
【００８６】
第２の実施形態の変形例の有機ＥＬ表示装置においても、バンク層１３の開口領域においてのみ、第二電極２２と第三電極２３とが対向しており、バンク層１３の上に第二電極２２と第三電極２３とが対向する領域が存在しない。したがって、第１の実施形態と同様の作用効果を奏する。
【００８７】
〔第３の実施形態〕
第１及び第２の実施形態では、有機ＥＬ素子を複数積層した有機ＥＬ表示装置であって、１画素領域に２個の副画素（サブピクセル）が並列に配置された構成を説明したが、本発明は、１画素領域に３個以上の副画素を並列に配置した場合にも適用できる。
【００８８】
以下図７を参照して、第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置の積層構成を製造工程に沿って説明する。第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置は、１画素領域に３個の副画素が並列に配置された構成を有しており、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１との相違点を中心に説明する。
【００８９】
図７は、第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置を示しており、（ａ）はその１画素（ピクセル）領域における平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ｂ線断面の模式図である。図８は、第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置の各画素の等価回路を示す説明図である。なお、図７（ａ）では、第一有機化合物層３１、第二有機化合物層３２、第三有機化合物層３３、第四有機化合物層３４を省略図示している。また、有機ＥＬ表示装置１ｂについて、図７（ａ）のＣ−Ｄ−Ｅ線断面の構造は、図１（ｃ）の有機ＥＬ表示装置１の構造と同様である。
【００９０】
第３の実施形態の有機ＥＬ表示装置１ｂは、１画素領域に３個の副画素（第一サブピクセルＰ１、第二サブピクセルＰ２、第三サブピクセルＰ３）が並列に配置されている。有機ＥＬ表示装置１との違いは、第三サブピクセルＰ３が存在する点だけである。
【００９１】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１ｂは、基板１０上に回路素子部１１が形成されている。回路素子部１１の構成は、有機ＥＬ表示装置１と同様である。
【００９２】
回路素子部１１上には、平坦化層１２が形成されている。平坦化層１２には、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１と同様に、この平坦化層１２の上部に形成される第一電極２１と駆動用トランジスタの電極４１との導通をとるための第一コンタクトホール１４が形成されている。さらに平坦化層１２には、第三電極２３と駆動用トランジスタの電極４１との導通をとるための第二コンタクトホール１５が形成されている。
【００９３】
各サブピクセルＰ１，Ｐ２、Ｐ３のそれぞれにおいて、平坦化層１２の上層側に、発光層を含む有機化合物層が対向する二つの電極（陽極と陰極）で挟持され積層されている。即ち、各サブピクセルＰ１、Ｐ２、Ｐ３において、平坦化層１２上に反射機能を有する第一電極（反射電極）２１が形成されている。第一電極２１は、第一コンタクトホール１４を介して、それぞれ駆動用トランジスタと接続されている。
【００９４】
第一電極２１上には、この第一電極２１の端部を覆うようにバンク層１３が形成されている。バンク層１３には、第一電極２１の中央部が露出するように開口部が設けられている。さらにバンク層１３には、第三電極２３と駆動用トランジスタの電極４１との導通をとるための第二コンタクトホール１５が設けられている。
【００９５】
第一電極２１上には、第一サブピクセルＰ１に第一有機化合物層３１が、第二サブピクセルＰ２に第二有機化合物層３２が、第三サブピクセルＰ３に第四有機化合物層３４がそれぞれ形成される。第一有機化合物層３１、第二有機化合物層３２、第四有機化合物層３４の各層は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１と同様に、シャドーマスクを用いた蒸着法等により形成される。
【００９６】
第一有機化合物層３１、第二有機化合物層３２、第四有機化合物層３４上には、第一サブピクセルＰ１、第二サブピクセルＰ２、第三サブピクセルＰ３に共通に、第二電極２２が第二コンタクトホール１５を覆わないようパターン形成されている。このようにパターン形成することで、第二コンタクトホール１５を介して、後述する第三電極２３を駆動用トランジスタに接続することができる。第二電極２２の形成方法は、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１と同様である。なお、第二電極２２は、表示領域外で駆動回路と接続されていてもよいし、表示領域内で駆動回路と接続されていてもよい。
【００９７】
第二電極２２上には、第一サブピクセルＰ１、第二サブピクセルＰ２、第三サブピクセルＰ３に共通に、第三有機化合物層３３が形成されている。
【００９８】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１ｂでは、第三有機化合物層３３の極性が、第一有機化合物層３１、第二有機化合物層３２、第四有機化合物層３４と逆方向になるよう形成されている。このように構成することで、後述する駆動方法により、有機ＥＬ表示装置１ｂを駆動発光することができる。なお、異なる有機化合物層の間に位置する第二電極（中間電極）２２は、導電層／絶縁層／導電層のように二つ以上の導電層の間に絶縁層を有する構成とし、異なる有機化合物層を独立駆動できるよう構成されていてもよい。この場合には、第三有機化合物層３３と、第一有機化合物層３１、第二有機化合物層３２、第四有機化合物層３４との極性を必ずしも逆方向にする必要はない。
【００９９】
第一有機化合物層３１、第二有機化合物層３２、第四有機化合物層３４及び第三有機化合物層３３の形成後、有機ＥＬ表示装置１と同様に、第二コンタクトホール１５上の有機化合物層にコンタクトホール１６を形成する。
【０１００】
第三有機化合物層３３上には、各サブピクセルＰ１、Ｐ２、Ｐ３に個別に、第三電極２３が形成されている。第三電極２３は、第二コンタクトホール１５を介して（詳しくは、第二コンタクトホール１５内の金属層２１０を介して）、それぞれ駆動用トランジスタに接続されている。
【０１０１】
本形態の有機ＥＬ表示装置１ｂは、図７（ａ）（ｂ）に示すように、第二電極２２と第三電極２３とがバンク層１３の開口領域においてのみ対向するよう形成されている。このように構成することで、第一有機化合物層、第二有機化合物層、第四有機化合物層をシャドーマスクで蒸着する際に、シャドーマスク上の異物がバンク層１３の表面に付着した場合においても、第二電極２２と第三電極２３が短絡を起こさない。
【０１０２】
また、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１ｂの第三有機化合物層３３及び第三電極２３上部には、第１の実施形態と同様に、有機ＥＬ表示装置１ｂと酸素や水分等との接触を防止する目的で、ガラス基板や封止缶等からなる封止部材（図示せず）を配設してもよい。
【０１０３】
図８を参照して、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１ｂの駆動方法を説明する。各画素は、スイッチング用トランジスタ６１ａ，６１ｂ，６１ｃ，６１ｄと、駆動用トランジスタ６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄと、積層された発光素子とコンデンサ６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄとで構成されている。
【０１０４】
ここで、スイッチング用トランジスタ６１ａ，６１ｂ，６１ｃ，６１ｄのゲート電極は、ゲート信号線５１に接続されている。また、スイッチング用トランジスタ６１ａ，６１ｂ，６１ｃ，６１ｄのソース領域は、ソース信号線５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄに、ドレイン領域は駆動用トランジスタ６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄのゲート電極に接続されている。
【０１０５】
駆動用トランジスタ６２ａのソース領域は電源供給線５３に、ドレイン領域は第一サブピクセルＰ１の第一電極２１に接続されている。また、駆動用トランジスタ６２ｂのソース領域は電源供給線５３に、ドレイン領域は第二サブピクセルＰ２の第一電極２１に接続されている。また、駆動用トランジスタ６２ｄのソース領域は電源供給線５３に、ドレイン領域は第三サブピクセルＰ３の第一電極２１に接続されている。さらに、駆動用トランジスタ６２ｃのソース領域は電源供給線５３に、ドレイン領域は第二サブピクセルＰ２の第三電極２３に接続されている。
【０１０６】
コンデンサ６３ａ，６３ｂ，６３ｃ，６３ｄは、電極のそれぞれが駆動用トランジスタ６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄのゲート電極とＧＮＤ（接地）に接続されるように形成されている。
【０１０７】
このように、駆動用トランジスタ６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄと有機ＥＬ素子が直列に接続されている。有機ＥＬ素子に流れる電流をソース信号線５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄから供給されるデータ信号に応じて駆動用トランジスタ６２ａ，６２ｂ，６２ｃ，６２ｄで制御することで、有機ＥＬ素子は発光制御される。
【０１０８】
以上のような駆動回路を構成することで、第一有機化合物層３１、第二有機化合物層３２、第三有機化合物層３３、第四有機化合物層３４を独立に駆動することができる。
【０１０９】
なお、図８では、第一サブピクセルＰ１において、第二電極２２と第一サブピクセルＰ１の第三電極２３とに第三有機化合物層３３が挟持されて成る有機ＥＬ素子について、省略図示している。また、第三サブピクセルＰ３において、第二電極２２と第三サブピクセルＰ３の第三電極２３とに第三有機化合物層３３が挟持されて成る有機ＥＬ素子について、省略図示している。これらの有機ＥＬ素子については、第一サブピクセルＰ１の第三電極２３及び第三サブピクセルＰ３の第三電極２３を駆動用トランジスタ６２ｃと接続して駆動してもよいし、駆動用トランジスタ６２ｃと独立な駆動用トランジスタと接続して駆動してもよい。
【０１１０】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１ｂは、表示装置として機能できるように、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の発光を生じる発光層を全て含んでいる。本実施形態の有機ＥＬ表示装置１ｂは、第一有機化合物層３１、第二有機化合物層３２、第三有機化合物層３３、第四有機化合物層３４の各発光層は赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれかに発光するが、発光色は限定されない。
【０１１１】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１ｂは、四つの有機ＥＬ素子を有する。例えば、第一有機化合物層３１を緑（Ｇ）発光、第二有機化合物層３２を青（Ｂ）発光、第三有機化合物層３３と第四有機化合物層３４を同じ赤（Ｒ）発光とし、下記のように駆動させてもよい。即ち、画像信号を表示する際には第三有機化合物層３３からの発光を用い、白色を表示する際には第四有機化合物層３４からの発光を用いる。このようにすることで、第三有機化合物層と第四有機化合物層の使用寿命を延ばすことができる。
【０１１２】
以上説明したように、本形態の有機ＥＬ表示装置１ｂのように１画素領域に３個の副画素が並列に配置された場合においても、バンク層１３の開口領域においてのみ、第二電極２２と第三電極２３とが対向する構成とする。このように構成することで、第１の実施形態の有機ＥＬ表示装置１と同様の作用効果を奏する。即ち、バンク層１３の上に第二電極２２と第三電極２３とが対向する領域が存在しない。したがって、第一有機化合物層３１及び第二有機化合物層３２をシャドーマスクで蒸着する際に、シャドーマスク上の異物がバンク層１３の表面に付着した場合でも、第二電極２２と第三電極２３との短絡は起こらない。
【０１１３】
以上、本発明の好適な実施形態を説明したが、これは本発明の説明のための例示であり、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、上記実施形態とは異なる種々の態様で実施することができる。
【０１１４】
上記の実施形態では、本発明を基板側とは反対側（透明電極側）から有機ＥＬ素子の光を取り出す、いわゆるトップエミッション型の有機ＥＬ表示装置に適用したが、基板側から光を取り出すボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置に適用することもできる。
【符号の説明】
【０１１５】
１３  バンク層、２１  第一電極、２２  第二電極、２３  第三電極、３１  第一有機化合物層、３２  第二有機化合物層、３３  第三有機化合物層、Ｐ１  第一サブピクセル、Ｐ２  第二サブピクセル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６（ａ）】
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【図６（ｂ）】
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【図７】
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【図８】
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