(57)【要約】【課題】開口部の真円度等の形状精度を高くすることができる貫通孔基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】貫通孔２に充填物４が充填された基板３を用意し、その表面に、少なくとも表面の一部が絶縁性の構造体６を形成する。構造体６を形成した基板上にめっき層７を形成後、充填物４と構造体６を除去する。これにより、基板１の少なくとも一方の面に、貫通孔２と連通する開口部９を有するめっき層７が設けられた貫通孔基板８が形成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
貫通孔を有する基板の前記貫通孔内に前記基板に対して選択除去可能な材料を含む充填物が充填された基板を用意する工程と、
前記基板の少なくとも一方の面であって、前記貫通孔の少なくとも一部を含む領域上に、少なくとも表面の一部が絶縁性である構造体を形成する工程と、
前記構造体を形成した前記基板上にめっき層を形成する工程と、
前記めっき層を形成後、前記充填物と前記構造体を除去する工程と、
を含むことを特徴とする貫通孔基板の製造方法。
【請求項２】
前記構造体の前記基板との接触面の径が、前記貫通孔の径よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の貫通孔基板の製造方法。
【請求項３】
前記構造体の前記基板との接触面の径が、前記貫通孔の径よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載の貫通孔基板の製造方法。
【請求項４】
前記充填物が金属であることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の貫通孔基板の製造方法。
【請求項５】
前記基板の少なくとも一方の面であって、前記貫通孔の開口端の少なくとも一部を含む領域上にシード層を形成することを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の貫通孔基板の製造方法。
【請求項６】
前記めっき層が無電解めっき層であることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の貫通孔基板の製造方法。
【請求項７】
貫通孔を有する基板を有し、
前記基板の少なくとも一方の面に、前記貫通孔の径以下の開口径を有し前記貫通孔と連通する開口部を有する無電解めっき層が設けられたことを特徴とする貫通孔基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、貫通孔を有する貫通孔基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子レンズには電磁型と静電型とが挙げられ、静電型は、磁界型に比べて構成が容易であり小型化や高集積化に有利である。電子ビーム露光装置に用いられている静電レンズは、例えば、非特許文献１に示されるアインツェルレンズが一般的に用いられる。このアインツェルレンズを構成する３枚の電極基板のうち、上下両端の２電極基板には通常アース電位が付与され、中間の電極基板に負または正の電位が印加される。各電極基板には円形の開口があいており、その開口を通過する電子ビームに対してアインツェルレンズは収束効果を発生する。
【０００３】
しかし、静電レンズは、磁場レンズと比較して作製は容易だが、レンズ開口の製造誤差に対する光学収差の敏感度が高い。特に、開口の真円度に対して非点収差が敏感である。真円度が悪くなると静電レンズによって収束された電子ビームは、非点収差やその他の高次項の収差を持ってしまう。所望の形状の開口を形成する方法としてはフォトリソグラフィが挙げられる。特許文献１では、ノズル孔の形成されたプレートに光硬化性樹脂膜を形成し、光硬化性樹脂膜が形成されていない面から露光し、ノズル孔に光硬化性樹脂膜を充填する方法が開示されている。そして、この方法では、ノズル孔に光硬化性樹脂膜が充填されたプレートの主面から撥水性粒子を含有するめっき層を形成し、光硬化性樹脂膜を除去することでめっき層に孔を形成している。これにより、めっき層の孔は、形状がノズル孔の形状に相似であり、かつノズル孔と同等の大きさかそれより大きくすることができる。この方法では、フォトリソグラフィにて形成された光硬化性樹脂膜を型にしてしるため、光硬化性樹脂膜の形状を反映した孔がめっき層に形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１７９０３０号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】電子・イオンビーム光学裏克巳著 共立出版 Ｐ．４８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記方法では、プレートに形成されたノズル孔をフォトマスクとして用いているため、従来の半導体フォトリソグラフィで用いられるようなフォトマスクに比べ孔の円形形状の精度が低くなる。このため、真円度の高い光硬化性樹脂膜の構造体を形成することは必ずしも容易ではなく、めっき層の開口部の真円度に対して影響を及ぼす。また、光硬化性樹脂膜の構造体はノズル孔の形状に相似であり、ノズル孔と異なるめっき層の開口形状を得ることは必ずしも容易ではない。さらにこの方法では、ノズル孔の径より小さな光硬化性樹脂膜の構造体をプレートのノズル孔で保持することができない。したがって、ノズル孔の径よりも小さなめっき層の孔を形成することが困難である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題に鑑み、本発明の貫通孔基板の製造方法は、次の工程を含む。貫通孔を有する基板の前記貫通孔内に前記基板に対して選択除去可能な材料を含む充填物が充填された基板を用意する工程。前記基板の少なくとも一方の面であって、前記貫通孔の少なくとも一部を含む領域上に、少なくとも表面の一部が絶縁性である構造体を形成する工程。前記構造体を形成した前記基板上にめっき層を形成する工程。前記めっき層を形成後、前記充填物と前記構造体を除去する工程。
【０００８】
また、上記課題に鑑み、本発明の貫通孔基板は、貫通孔を有する基板を有し、前記基板の少なくとも一方の面に、前記貫通孔の径以下の開口径を有し前記貫通孔と連通する開口部を有する無電解めっき層が設けられたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、貫通孔内に充填物がある基板上に、フォトリソグラフィなどを用いて、少なくとも表面の一部が絶縁性である所定の形状を有する構造体を形成することにより、精度良く構造体を形成することができる。これにより、精度良く形成された構造体の形状がめっき層に転写されるため、めっき層に真円度等の形状精度の高い開口部を形成することができる。また、貫通孔の形状とは異なる形状の開口部でも形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の貫通孔基板の製造方法の一実施形態を説明するための断面図である。
【図２】本発明の貫通孔基板の製造方法の一実施形態を説明するための上面図である。
【図３】本発明の第１の実施例を説明するための断面図である。
【図４】本発明の第２の実施例を説明するための断面図である。
【図５】本発明の第３の実施例を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の特徴は、貫通孔に充填物が充填された基板の面に、少なくとも表面の一部が絶縁性の所定の形状を有する構造体を形成し、基板上にめっき層を形成後、充填物と構造体を除去することで、貫通孔と連通する開口部を有するめっき層を持つ貫通孔基板を作製することである。この考え方に基づき、本発明の貫通孔基板の製造方法や貫通孔基板の一例は、上述した基本的な構成を有する。
【００１２】
次の様にすることもできる。構造体の基板との接触面の径（構造体が長手方向に形状が均一な柱状である場合には構造体の断面の径と等しい）を、貫通孔の径よりも小さくすることができる。こうすれば、電子線レンズとして用いる場合に、貫通孔径に対してめっき層の開口部の直径が小さくなる。この形態の電子線レンズの場合、めっき層の開口部の直径の方が大きいものに対して、めっき層の開口部の真円度の収差への影響は小さく、高い加工精度の真円度への要求は小さくなる。他方、構造体の基板との接触面の径を、貫通孔の径よりも大きくすることもできる。こうすれば、構造体のアスペクト比（アスペクト比とは、構造体の高さまたは深さｈと横幅ｗの比（ｈ／ｗ）である。）を小さくできるため製造上の容易性が向上する。また、これに伴い、絶縁性の構造体を感光性樹脂にて形成する場合に、特殊な光源を使用しなくても作製できるようになる。また、絶縁性の構造体の高さを大きくすることもでき、これに伴いめっき層の厚さを大きくとることができ、めっき層を厚い電極とすることができ剛性が向上する。より厚い電極とすることにより、電圧印加時の静電引力による変形を抑制することもできる。
【００１３】
また、基板の貫通孔への充填物を金属とすることができる。こうした場合、基板に耐熱性があるため、めっき液耐性を上げることができ、開口部を画成するめっき金属材料として使用できる金属の種類を増やすことができる。また、基板の少なくとも一方の面であって、貫通孔の少なくとも一部を含む領域上にシード層を形成することができる。こうすれば、基板とめっき層との密着性を上げることができる。また基板の選択された場所にめっき層を形成することができる。さらに、めっき層を無電解めっき層とすることができる。これによれば、電気めっきとは異なりシード層を連続で形成する必要がなく、さらにエッジ効果によるめっき層の膜厚分布を小さくすることができる。また、隣接する貫通孔間でめっき層が繋がっていない構造にもできるため（図３（ｄ）参照）、めっき応力による基板の反りを小さくできる。
【００１４】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態を詳細に説明する。
図１は、本発明の貫通孔基板の製造方法の一実施形態の概要を説明するための断面の模式図である。本実施形態では、図１（ａ）に示す貫通孔を有する基板１の貫通孔２内に、基板に対して選択除去可能な材料を含む充填物４が充填された基板３を用意する。貫通孔を有する基板１は、シリコン、ガラス、石英等の無機材料やアクリル、ポリエチレンテレフタレート、塩化ビニル、ポリプロピレン、ポリカーボーネート等の有機樹脂材料を使用することができる。また、これら基板材料は、使用するめっき液に対して耐性のあるものから選択する。充填物４の材料は、無機材料や有機材料やそれらの混合物を使用することができる。無機材料としては金属が挙げられ、銅、ニッケル、鉄、金、亜鉛、クロム、錫及びこれらの合金を使用することができる。有機材料としては、ポリオレフィン系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、ポリアクリル系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリビニル系樹脂、石油系樹脂、ポリスチレン系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、セルロース系樹脂などの樹脂類やそれらの混合物を使用することができる。また、これら充填物は、使用するめっき液に対して耐性のあるものから選択する。さらに、基板に対して選択除去可能な材料から選択する。充填物は必ずしも貫通孔内全てに充填されている必要はなく、貫通孔と充填物との間に段差があってもよい。例えば、貫通孔の開口端から充填物が突出していてもよいし、充填物が貫通孔の開口端から凹んでいてもよい。なぜなら、何れの場合でも、貫通孔の開口端の少なくとも一部を含む領域上に後述の構造体６を支障なく形成できるからである。
【００１５】
本実施形態では、貫通孔の開口端の少なくとも一部を含む領域上に、少なくとも表面の一部が絶縁性の構造体６を形成する（図１（ｂ））。構造体６の少なくとも表面の一部を絶縁性とすることは、次の理由による。第一に、少なくとも構造体の頂面を絶縁性としてここにはめっき層が形成されない様にするためである。構造体の頂面上にめっき層が形成されてしまうと、後にたとえ構造体６と充填物４を除去したとしても、開口部９がキャップされて貫通孔でなくなってしまうからである。次に、めっき層と構造体の絶縁性表面との密着性を低減して構造体を後に除去し易くするためと、構造体のまわりに形成するめっき層の進行態様を好適にするためである。こうした意味で、頂面以外が導電性である構造体（例えば、円筒形の金属の頂面に絶縁層を形成した構造体）としても、めっき層に対して構造体の導電性部が選択除去可能であれば、こうした形態も可能である。典型的には構造体全体を絶縁性材料で形成すればよいが、少なくとも表面のどの部位を絶縁性とする必要があるかは構造体の形状に依存するので、場合に応じて貫通孔形成可能性の観点から決定することになる。また構造体の形状は、貫通基板（貫通孔を有する基板）の開口部の形状をどのような形状とするかという目的に応じて適宜調整することができる。例えば円形状の開口部を形成したい場合であれば断面形状が円形状である円柱状の構造体とすれば良い。同様に楕円形状の開口部を得る場合には断面形状が楕円形状である柱状の構造体とすれば良い。さらに多角形状の開口部を得る場合には断面形状が多角形状である柱状の構造体とすれば良い。
【００１６】
本実施形態では、少なくとも表面が絶縁性の構造体６の基板３との接触面の径と貫通孔２の径との大きさの関係は貫通孔基板の用途によって決定する。構造体６が同じ高さで、基板３との接触面の径が大きいほど、構造体のアスペクト比が小さくなり作製が容易になる。また、基板３に対して法線方向の構造体６の断面はテーパー形状であっても、逆テーパー形状であってもよい。ここで、径とは円形形状の場合は直径のことを指し、楕円もしくは多角形の場合においては最長辺または最短辺のことを指す。
【００１７】
本実施形態では、少なくとも表面が絶縁性の構造体６はフォトレジストを用いればフォトリソグラフィを用いて形成することができる。フォトリソグラフィ技術はＩＣ分野をはじめ様々な電子デバイスの製造に用いられる技術であり、精度良く感光性材料を形作ることができる技術である。フォトリソグラフィとしては、ＵＶ光を利用した方法に限らず、放射光を利用したX線リソグラフィも使用することができる。さらに、電子線レジストを用いれば電子ビーム露光にて構造体を形成することも可能である。構造体６として使用できる材料は、使用するめっき液に対して耐性のあるものから選択する。また、開口部形状として所望の形状の構造体６が得られるのなら、構造体の形成方法はこれらに限定されない。例えば、要求される条件を満たすならば、ステンシルマスクを用いて露光することで構造体を形成することもできる。また、導電性材料にて構造体を形成した後に、表面に絶縁性の層を形成してもよい。
【００１８】
次に、基板３上にめっき層７を形成する（図１（ｃ））。このとき、フォトリソグラフィにて形成された絶縁性の構造体６の形状がめっき層７に転写される。めっき層７の形成方法としては、無電解めっきまたは電気めっき及びこれらの組み合わせにて行うことができる。電気めっきの場合はエッジ効果によりめっき膜厚の分布が大きくなる傾向があるため、好ましくは無電解めっきを用いる。めっき層形成後にめっき層７の厚みを揃えるために研磨やエッチングをしてもよい。
【００１９】
充填物が充填された基板３表面にシード層５を形成してもよい（例えば、図４参照）。シード層５の形成方法としては、スピンコート、吹き付け、ディッピング、真空スパッタ、電子ビーム蒸着、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ−Ｖａｐｏｒ−Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の何れの方法も可能である。また、めっき層を所望の領域のみに形成したいのであれば、シード層をパターニングしてもよい（例えば、図３参照）。また、基板表面にパラジウム触媒等を吸着させ、パラジウム触媒層をシード層として用いてもよい。貫通孔を有する基板１が導電性を有しているもの、もしくはめっき層との密着性が良いものであれば、必ずしもシード層を形成しなくてもよい。ここで、シード層上に絶縁性の構造体が形成されているところにはめっき層は形成されない。所望の領域のみにめっき層を形成する場合は、シード層をパターニングしておくか、フォトレジスト等を用いて所望の領域のみのシード層を露出しておく。電気めっきの場合にはこのシード層を通じて通電し、めっき層を形成する。シード層としては、使用するめっき液に対して耐性のあるものから選択する。無電解めっきの場合、シード層は、無電解めっき核発生を有効に行うことができる触媒の吸着層として機能する。また、貫通孔を有する基板とめっき層との密着層としても機能する。
【００２０】
次に、めっき層７を形成後、充填物４と構造体６を除去する（図１（ｄ））。構造体６が除去されることにより、フォトリソグラフィにて精度良く形成された構造体の形状が転写されためっき層７の開口部９が得られる。充填物４と構造体６の除去はエッチングにて行うことができる。充填物と構造体の除去の順番は指定されない。貫通孔２の径より構造体６の径が大きい場合は、構造体を除去して充填物を除去する。貫通孔２の径より構造体６の径が小さい場合は、充填物をエッチングすることによって、構造体はリフトオフすることができる。また、充填物と構造体のどちらもエッチングできるエッチング液を用いれば、ほぼ同時にこれらを除去できる。使用するエッチング液は、貫通孔を有する基板１とめっき層７をエッチングしないものから選択する。また、必要に応じてシード層を除去してもよい。図２（ａ）から図２（ｄ）は、それぞれ、図１（ａ）から図１（ｄ）の状態を上から見た様子を示す。
【００２１】
以下、具体的な実施例を挙げて本発明をより詳細に説明する。
（第１の実施例）
第１の実施例を図３を用いて説明する。本実施例では、充填物４が充填された基板３を次のように用意する。両面ミラー面の４インチで厚さ１００μｍのシリコンウエハを用意し、その両面に電子ビーム蒸着装置にてクロムを２０００Å成膜する。その上にポジ型レジストを塗布し、フォトリソグラフィにて、３０μｍφのレジスト開口パターンが３８μｍピッチで２次元状に配置されるようにパターニングを行なう。その後、クロムエッチング水溶液にてクロムをエッチングし、シリコンを露出させる。ＩＣＰ−ＲＩＥにて、露出したシリコンに対して異方性の深堀りエッチングを行い、貫通孔２を形成し、貫通孔を有する基板１を形成する。続いて、ＵＶオゾンアッシングとクロムエッチング水溶液にてレジストとクロムを除去する。ここで、熱酸化炉に投入し、表面に１０００Åの熱酸化膜を形成する。
【００２２】
次に、貫通孔を有する基板１とステンレスフィルムとが結合された基板を次のように用意する。非イオン性界面活性剤としてポリオキシエチレンラウリルエーテル（融点３４℃）を用い、重量比３対１のシクロペンタノンとアセトンの混合溶媒に溶解させて１０重量％のポリオキシエチレンラウリルエーテル溶液を調製する。この溶液をステンレスフィルム上にスピンコートし、室温に１５分間放置したところポリオキシエチレンラウリルエーテルの固体がステンレスフィルム上に析出し、非イオン性界面活性剤の層が形成される。
ステンレスフィルム上の非イオン性界面活性剤層上に、貫通孔を有する基板１を重ねて置き、７０℃に加熱されたホットプレート上に置くと、ポリオキシエチレンラウリルエーテルが溶融しステンレスフィルムと貫通孔を有する基板１が互いに貼りつく。その後、室温に冷却したところポリオキシエチレンラウリルエーテルが固体になり、ステンレスフィルムと貫通孔を有する基板１が強固に貼りつく。この基板を、イオン交換水の入ったビーカーに３分間浸す。貫通孔２を観察すると、貫通孔２内からポリオキシエチレンラウリルエーテルが溶出していき貫通孔２下のステンレスフィルムが露出される。
【００２３】
本実施例では、充填物４として銅を用い、電気めっきにて充填を行う。上記基板を硫酸銅めっき液に浸し、室温にてステンレスフィルムから４８ｍＡで５時間通電し、貫通孔２から銅のめっき層が突出するまでめっきを行う。硫酸銅めっきの陽極にはリン含有銅板を用いる。硫酸銅めっき液は次の組成にて調製されたものを用いる。
硫酸銅・５水和物  ２００（ｇ／Ｌ）
９８％濃硫酸  １４（ｍＬ／Ｌ）
３５％塩酸  ０．０９（ｍＬ／Ｌ）   
Ｃｕ−Ｂｒｉｔｅ  ＶＦＩＩ−Ａ（荏原ユージライト社製）  ２０（ｍＬ／Ｌ）
Ｃｕ−Ｂｒｉｔｅ  ＶＦＩＩ−Ｂ（荏原ユージライト社製）  １（ｍＬ／Ｌ）
【００２４】
めっき終了後、ステンレスフィルムをピンセットで摘み、ステンレスフィルムのみを基板面に対し平行な方向にずらしていき剥離する。めっき層が突出した部分を化学的機械研磨（ＣＭＰ）にて研磨し、充填物４が充填された基板３として用いる（図３（ａ））。次に、充填物が充填された基板３の片面に、電子ビーム蒸着装置にてクロムを５０Å、銅を５００Åの順番で成膜する。その上にポジ型レジストを塗布し、フォトリソグラフィにて４５μｍφのレジスト円形パターンをそれぞれの貫通孔２上に形成する。その後、銅とクロムを順次エッチングし、レジストを除去することにより、貫通孔２を覆うように４５μｍφの円形のシード層５が形成される（図３（ｂ））。
【００２５】
本実施例では、表面が絶縁性の構造体６として、ネガ型レジストのＳＵ−８（化薬マイクロケム）を用いる。ＳＵ−８を塗布し、フォトリソグラフィにて２６μｍφで高さ１０μｍのレジスト円形パターンをそれぞれの貫通孔２上のシード層５上に形成する。２００℃のホットプレート上でレジストを硬化させる。こうすることで円柱状の構造体が形成される（図３（ｃ））。
【００２６】
本実施例では、めっき層７として無電解パラジウムめっきを用いる。塩化第一錫の塩酸溶液を用い錫をシード層５に吸着させ、水洗後、パラジウムイオンを含む溶液に漬けて再び水洗した後に、無電解パラジウムめっきを行う。無電解パラジウムめっき液（レクトロレスＰｄ２０００Ｓ、日本エレクトロプレイティング・エンジニアヤース社製）にてめっき液温度５０℃で８時間めっきを行うと、６μｍの厚さの無電解パラジウムめっき層７が得られる（図３（ｄ））。
【００２７】
続いて、５０℃に加熱した濃硫酸と過酸化水素水との混合水溶液に浸透させとＳＵ−８（構造体６）が溶解する。水洗後、クロムのエッチング液にてシード層５をエッチングする。水洗後、銅のエッチングにて充填物４の銅をエッチング除去する。これによって無電解パラジウムめっき層７中に開口部９がある貫通孔基板８が得られる。開口部９の形状は構造体６の形状が転写され高い真円度ないし形状精度のものが得られる。こうして、基板がシリコン、充填物が銅、シード層が銅／クロムで予めパターニングされ、構造体がＳＵ−８レジスト、めっき層が無電解パラジウム、貫通孔径＞構造体径である作製方法を経て貫通孔基板を作製することができる。この貫通孔基板には、貫通孔の径以下の開口径を有し貫通孔と連通する開口部を有する無電解めっき層が設けられている。この様な貫通孔基板を静電レンズとして用いれば、特に開口部９の真円度が高いため、収束された電子ビームは、非点収差やその他の高次項の収差を低減させられる。
【００２８】
（比較例）
比較例を説明する。本比較例では、両面ミラー面の４インチで厚さ１００μｍのシリコンウエハを用意し、その両面に電子ビーム蒸着装置にてクロムを２０００Å成膜する。その上にポジ型レジストを塗布し、フォトリソグラフィにて２６μｍφのレジスト開口パターンが３８μｍピッチで２次元状に配置されるようにパターニングを行なう。その後、クロムエッチング水溶液にてクロムをエッチングしシリコンを露出させる。ＩＣＰ−ＲＩＥにて、露出したシリコンを異方性の深堀りエッチングを行い、貫通するまでエッチングを行う。この製法では、貫通した側の開口部は円形形状が崩れた形状になる。また、エッチングを開始した面の開口部も、レジストで形成した開口形状とは異なり、レジストの円形の開口形状の真円度に対して開口部の真円度は低下する。
【００２９】
（第２の実施例）
第２の実施例を図４を用いて説明する。第２の実施例においては、充填物がニッケルであること以外は第１実施例と同様な方法で充填物４が充填された基板３を用意する（図４（ａ））。次に、充填物が充填された基板３の片面に電子ビーム蒸着装置にてクロムを５０Å、銅を５００Åの順番で成膜して、シード層５を形成する（図４（ｂ））。ここでは、表面が絶縁性の構造体６として、ネガ型レジストのＳＵ−８（化薬マイクロケム）を用いる。ＳＵ−８を塗布し、フォトリソグラフィにて３４μｍφで高さ１３μｍのレジスト円形パターンをそれぞれの貫通孔２上のシード層５上に形成する。続いて、２００℃のホットプレート上でレジストを硬化させる（図４（ｃ））。こうして、表面が絶縁性の構造体６が形成される。ここでは、構造体６の径は貫通孔２の径より大きい。
【００３０】
また本実施例では、めっき層７として電気白金めっきを用いる（図４（ｄ））。白金めっき液（プレシャスファブＰｔ３０００、日本エレクトロプレイティング・エンジニアヤース社製）にてめっき液温度６０℃、電流密度１Ａ／ｄｍ２で２時間めっきを行うと、１２μｍの厚さの白金めっき層７が得られる。
【００３１】
続いて、５０℃に加熱した濃硫酸と過酸化水素水との混合水溶液に浸透させとＳＵ−８（構造体６）が溶解する。水洗後、クロムのエッチング液にてシード層５をエッチングする。水洗後、ニッケルのエッチングにて充填物４のニッケルをエッチング除去する（図４（ｅ））。これによって、開口部９を持つ白金めっき層７を含む貫通孔基板８が得られる。開口部９の形状は、型材である構造体６の形状が精確に転写され、高い真円度ないし形状精度のものが得られる。
【００３２】
（第３の実施例）
第３の実施例を図５を用いて説明する。本実施例では、第１実施例と同様な方法で充填物４が充填された基板３を用意する（図５（ａ））。次に、充填物が充填された基板３の両面に電子ビーム蒸着装置にてクロムを５０Å、銅を５００Åの順番で成膜して、シード層５を形成する（図５（ｂ））。
【００３３】
本実施例では、充填物が充填された基板３の両面に、表面が絶縁性の構造体６を形成する（図５（ｃ））。ここでも、表面が絶縁性の構造体６として、ネガ型レジストのＳＵ−８（化薬マイクロケム）を用いる。ＳＵ−８を塗布し、フォトリソグラフィにて２６μｍφで高さ１０μｍのレジスト円形パターンをそれぞれの貫通孔２上のシード層５上に形成する。そして、２００℃のホットプレート上でレジストを硬化させる。もう一方の面にも、同様に表面が絶縁性の構造体６を形成する（図５（ｃ））。
【００３４】
本実施例では、めっき層７として無電解パラジウムめっきを用いる。塩化第一錫の塩酸溶液を用いシード層５に錫を吸着させ、水洗後、パラジウムイオンを含む溶液につけて再び水洗した後に、無電解パラジウムめっきを行う。無電解パラジウムめっき液（レクトロレスＰｄ２０００Ｓ）にてめっき液温度５０℃で７時間めっきを行うと、５μｍの厚さの無電解パラジウムめっき層が得られる（図５（ｄ））。
【００３５】
続いて、５０℃に加熱した濃硫酸と過酸化水素水との混合水溶液に浸透させとＳＵ−８（構造体６）が溶解する。水洗後、クロムのエッチング液にてシード層５をエッチングする。水洗後、銅のエッチングにて充填物４の銅をエッチング除去する（図５（ｅ））。これによって、開口部９を有する無電解パラジウムめっき層７を両面に持つ貫通孔基板８が得られる。開口部９の形状は絶縁性の構造体６の形状が転写され、高い真円度ないし形状精度のものが得られる。
【符号の説明】
【００３６】
１・・貫通孔を有する基板、２・・貫通孔、３・・充填物が充填された基板、４・・充填物、５・・シード層、６・・構造体、７・・めっき層、８・・貫通孔基板、９・・開口部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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