(57)【要約】【課題】ＯＢ画素から読み出された黒レベルが一定になるように黒レベルを補正する。【解決手段】フィードバッククランプ回路１０２は、ＣＭＯＳセンサ１０１のＯＢ画素から読み出された黒レベルが目標値に近づくようにクランプパラメータＰＣを増減させる。この時、フィードバッククランプ回路１０２は、ＣＭＯＳセンサ１０１のＯＢ画素から読み出された黒レベルに基づいてクランプパラメータＰＣの変化量を制御する。【選択図】      図１
2012124762.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＯＢ画素から読み出された黒レベルに基づいて、前記黒レベルを設定するクランプパラメータの変化量を制御しつつ、前記黒レベルが目標値に近づくようにクランプパラメータを増減させるフィードバッククランプ回路を備えることを特徴とする画像信号処理装置。
【請求項２】
前記ＯＢ画素から読み出された黒レベルに基づいて、有効画素から読み出された画像信号をクランプするとともに、前記クランプパラメータの変化量を制御させるクランプパラメータ補正係数を算出するＯＢクランプ回路をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の画像信号処理装置。
【請求項３】
前記ＯＢクランプ回路は、有効画素部より前の各水平ラインの先頭の複数のＯＢ画素から読み出された黒レベルの積算値に基づいて、前記クランプパラメータ補正係数を行単位で算出することを特徴とする請求項２に記載の画像信号処理装置。
【請求項４】
前記フィードバッククランプ回路は、前記有効画素部から画像信号が読み出される前に、前記ＯＢ画素から読み出された黒レベルを前記目標値に収束させることを特徴とする請求項３に記載の画像信号処理装置。
【請求項５】
画像信号を出力するＣＭＯＳセンサと、
前記ＣＭＯＳセンサから読み出された画像信号を処理する画像信号処理部とを備え、
前記ＣＭＯＳセンサは、
有効画素が配列された有効画素部と、
ＯＢ画素が配列されたＯＢ画素部と、
基準電圧との比較結果に基づいて、前記有効画素から読み出された信号成分をデジタル化するカラムＡＤＣ回路と、
前記基準電圧を発生する基準電圧発生部とを備え、
前記画像信号処理部は、
前記ＯＢ画素から読み出された黒レベルに基づいて、前記黒レベルを設定するクランプパラメータの変化量を制御しつつ、前記黒レベルが目標値に近づくようにクランプパラメータを増減させるフィードバッククランプ回路と、
前記ＯＢ画素から読み出された黒レベルに基づいて、有効画素から読み出された画像信号をクランプするとともに、前記クランプパラメータの変化量を制御するクランプパラメータ補正係数を算出するＯＢクランプ回路とを備えることを特徴とする固体撮像装置。
【請求項６】
前記基準電圧発生部は、前記クランプパラメータに基づいて前記基準電圧のレベルを設定することを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
前記ＯＢ画素部は、
前記クランプパラメータ補正係数の算出に用いられる黒レベルを発生させるＯＢ画素が設けられたＦＢＣ画素部と、
前記画像信号のクランプに用いられる黒レベルを発生させるＯＢ画素が設けられたＨＯＢ画素部とを備えることを特徴とする請求項５または６に記載の固体撮像装置。
【請求項８】
前記ＦＢＣ画素部は、前記有効画素部より前の水平ラインの先頭部分に設けられ、
前記ＨＯＢ画素部は、前記有効画素部と同一の水平ラインの先頭部分に設けられていることを特徴とする請求項７に記載の固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は画像信号処理装置および固体撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
固体撮像装置では、撮像時の黒レベル基準を設定するためにＯＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｂｌａｃｋ）画素を設けたものがある。このＯＢ画素は高温または高感度などの使用条件によって暗電圧が変動し、ＯＢ画素から読み出された黒レベルがずれるため、白浮きした画像になることがあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１３５７２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の一つの実施形態の目的は、ＯＢ画素から読み出された黒レベルが一定になるように黒レベルを補正することが可能な画像信号処理装置および固体撮像装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態の固体撮像装置によれば、フィードバッククランプ回路が設けられている。フィードバッククランプ回路は、ＯＢ画素から読み出された黒レベルに基づいて、前記黒レベルを設定するクランプパラメータの変化量を制御しつつ、前記黒レベルが目標値に近づくようにクランプパラメータを増減させる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、一実施形態に係る固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】図２は、図１のＣＭＯＳセンサの概略構成を示すブロック図である。
【図３】図３は、図１のフィードバッククランプ回路の概略構成を示すブロック図である。
【図４】図４は、図１のＯＢクランプ回路の概略構成を示すブロック図である。
【図５】図５は、図１の固体撮像装置のアナログゲインＧＡとクランプパラメータ変化量ＰＥとの関係を示す図である。
【図６】図６は、図１の固体撮像装置の室温かつ高感度動作時における黒レベルＬＶの収束方法を示す図である。
【図７】図７は、図１の固体撮像装置の高温かつ高感度動作時における黒レベルＬＶの収束方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、実施形態に係る固体撮像装置について図面を参照しながら説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
【０００８】
（第１実施形態）
図１は、一実施形態に係る固体撮像装置の概略構成を示すブロック図である。
図１において、この固体撮像装置には、画像信号Ｓ１を出力するＣＭＯＳセンサ１０１およびＣＭＯＳセンサ１０１から読み出された画像信号Ｓ１を処理する画像信号処理部１１０が設けられている。なお、例えば、ＣＭＯＳセンサ１０１のフィルタ配列としてベイヤ配列を用いることができ、画像信号Ｓ１としてはＲＡＷ画像信号を挙げることができる。
【０００９】
画像信号処理部１１０には、フィードバッククランプ回路１０２、ＯＢクランプ回路１０３、ゲイン調整回路１０４、色分離回路１０５および自動レベル制御回路１０６が設けられている。
【００１０】
フィードバッククランプ回路１０２は、ＣＭＯＳセンサ１０１のＯＢ画素から読み出された黒レベルが目標値に近づくようにクランプパラメータＰＣを増減させることができる。なお、クランプパラメータＰＣはＯＢ画素から読み出される黒レベルを調整することができる。ここで、フィードバッククランプ回路１０２は、ＣＭＯＳセンサ１０１のＯＢ画素から読み出された黒レベルに基づいてクランプパラメータＰＣの変化量を制御することができる。また、フィードバッククランプ回路１０２は、ＣＭＯＳセンサ１０１の有効画素部から画像信号Ｓ１が読み出される前に、ＣＭＯＳセンサ１０１のＯＢ画素から読み出された黒レベルを目標値に収束させることができる。
【００１１】
ＯＢクランプ回路１０３は、ＣＭＯＳセンサ１０１のＯＢ画素から読み出された黒レベルに基づいて、有効画素から読み出された画像信号をクランプすることができる。また、ＯＢクランプ回路１０３は、ＣＭＯＳセンサ１０１のＯＢ画素から読み出された黒レベルに基づいてクランプパラメータ補正係数ＫＰを算出することができる。クランプパラメータ補正係数ＫＰは、クランプパラメータＰＣの変化量を制御させることができる。
【００１２】
また、ＯＢクランプ回路１０３は、ＣＭＯＳセンサ１０１の有効画素部より前の各水平ラインの先頭の複数のＯＢ画素から読み出された黒レベルの積算値に基づいて、クランプパラメータ補正係数ＫＰを行単位で算出することができる。
【００１３】
ゲイン調整回路１０４は、ＯＢクランプ回路１０３から出力された画像信号Ｓ３のホワイトバランスやゲインを調整することができる。なお、ホワイトバランスやゲインを調整するパラメータは、コマンド設定値またはデジタルゲインＧＤを用いることができる。
【００１４】
色分離回路１０５は、ゲイン調整回路１０４から出力された画像信号Ｓ４を色分離信号Ｓ５に変換することができる。なお、色分離信号Ｓ５としては、ＲＧＢ信号またはＹＵＶ信号を挙げることができる。この時、色分離回路１０５は、画像信号Ｓ４から輝度信号Ｓ６を抽出することができる。
【００１５】
自動レベル制御回路１０６は、画面の輝度調節を行うことができる。この時、自動レベル制御回路１０６は、輝度信号Ｓ６に基づいて画面の明るさを判断し、デジタルゲインＧＤおよびアナログゲインＧＡを調整することができる。
【００１６】
そして、ＣＭＯＳセンサ１０１において被写体からの入射光が光電変換される。そして、ＣＭＯＳセンサ１０１にて生成された画像信号Ｓ１がＯＢクランプ回路１０３に出力される。また、ＣＭＯＳセンサ１０１のＯＢ画素から読み出されたＯＢ信号Ｓ２がフィードバッククランプ回路１０２に出力される。
【００１７】
そして、ＯＢクランプ回路１０３において、ＯＢ画素から読み出された黒レベルに基づいて画像信号Ｓ１がクランプされることで画像信号Ｓ３が生成され、ゲイン調整回路１０４に出力される。また、ＯＢクランプ回路１０３において、ＣＭＯＳセンサ１０１のＯＢ画素から読み出された黒レベルに基づいてクランプパラメータ補正係数ＫＰが算出され、フィードバッククランプ回路１０２に出力される。
【００１８】
そして、ゲイン調整回路１０４において、自動レベル制御回路１０６から出力されたデジタルゲインＧＤに基づいて画像信号Ｓ３のゲインが調整されることで画像信号Ｓ４が生成され、色分離回路１０５に出力される。
【００１９】
そして、色分離回路１０５において、画像信号Ｓ４が色分離信号Ｓ５に変換されることで画像信号Ｓ４が生成されるとともに、画像信号Ｓ４から輝度信号Ｓ６が抽出され自動レベル制御回路１０６に出力される。
【００２０】
そして、自動レベル制御回路１０６において、輝度信号Ｓ６に基づいてデジタルゲインＧＤおよびアナログゲインＧＡが調整され、デジタルゲインＧＤはゲイン調整回路１０４に出力されるとともに、アナログゲインＧＡはフィードバッククランプ回路１０２に出力される。
【００２１】
そして、フィードバッククランプ回路１０２において、アナログゲインＧＡおよびクランプパラメータ補正係数ＫＰに基づいてクランプパラメータＰＣの変化量が設定される。そして、ＣＭＯＳセンサ１０１のＯＢ画素から読み出された黒レベルが目標値に近づくように、クランプパラメータ補正係数Ｋの変化量に従ってクランプパラメータＰＣが増減され、ＣＭＯＳセンサ１０１に出力される。
【００２２】
これにより、ＣＭＯＳセンサ１０１のＯＢ画素から読み出された黒レベルに基づいてクランプパラメータＰＣの変化量を制御することができ、ＣＭＯＳセンサ１０１のＯＢ画素から読み出された黒レベルの変動に応じてクランプパラメータＰＣを高速に変化させることができる。このため、高温かつ高感度の使用条件において、ＣＭＯＳセンサ１０１のＯＢ画素から読み出された黒レベルが大きく上昇した場合においても、画像の白浮きが発生する前に、黒レベルの上昇分をキャンセルさせることができる。この結果、ＣＭＯＳセンサ１０１のＯＢ画素から読み出された黒レベルが大きく上昇した時に、画像の白浮きを解消させるために輝度レベルを降下させる自動レベル制御回路１０６の過剰制御を防止することが可能となることから、ハンチングを防止することができる。
【００２３】
図２は、図１のＣＭＯＳセンサの概略構成を示すブロック図である。
図２において、ＣＭＯＳセンサ１０１には、画素がロウ方向およびカラム方向にマトリックス状に配置された画素アレイ部１が設けられている。ここで、画素アレイ部１には、画素がロウ方向およびカラム方向にマトリックス状に配置された有効画素部１ａが設けられ、有効画素部１ａの周囲には、ＦＢＣ画素部１ｂ、ＨＯＢ画素部１ｃおよびＶＯＢ画素部１ｄが設けられている。
【００２４】
なお、ＦＢＣ画素部１ｂ、ＨＯＢ画素部１ｃおよびＶＯＢ画素部１ｄにはＯＢ画素を設けることができる。また、ＦＢＣ画素部１ｂおよびＨＯＢ画素部１ｃには、各水平ラインごとに複数のＯＢ画素を設けることができ、例えば、１２８画素分を各水平ラインごとに設けるようにしてもよい。ＦＢＣ画素部１ｂに設けられたＯＢ画素は、クランプパラメータ補正係数ＫＰの算出に用いられる黒レベルを発生させることができる。ＨＯＢ画素部１ｃに設けられたＯＢ画素は、画像信号Ｓ１のクランプに用いられる黒レベルを発生させることができる。
【００２５】
また、ＦＢＣ画素部１ｂは、有効画素部１ａより前の水平ラインの先頭部分に設けることができる。ＨＯＢ画素部１ｃは、有効画素部１ａと同一の水平ラインの先頭部分に設けることができる。ＶＯＢ画素部１ｄは、有効画素部１ａより前の水平ラインにおいて、ＦＢＣ画素部１ｂに続けて配置することができる。
【００２６】
また、ＣＭＯＳセンサ１０１には、画素アレイ部１を垂直方向に走査する垂直シフトレジスタ２、基準電圧Ｖｒｅｆとの比較結果に基づいて、画素アレイ部１から読み出された信号成分をＣＤＳにてデジタル化するカラムＡＤＣ回路３、画素アレイ部１を水平方向に走査する水平シフトレジスタ４、クランプパラメータＰＣに基づいて基準電圧Ｖｒｅｆを発生する基準電圧発生部５が設けられている。なお、クランプパラメータＰＣは、基準電圧Ｖｒｅｆのレベルを設定することができる。また、基準電圧Ｖｒｅｆはランプ波を用いることができる。
【００２７】
そして、垂直シフトレジスタ２にて画素アレイ部１の画素が垂直方向に走査されることにより、画素アレイ部１の画素から信号が読み出され、カラムＡＤＣ回路３に送られる。そして、カラムＡＤＣ回路３において、画素アレイ部１から読み出された信号成分がＣＤＳにてデジタル化され、水平シフトレジスタ４にて水平方向に走査されることにより、画像信号Ｓ１が出力される。
【００２８】
図３は、図１のフィードバッククランプ回路の概略構成を示すブロック図である。
図３において、フィードバッククランプ回路１０２には、ＦＢＣ画素平均値算出部１１、更新判定部１２、クランプパラメータ変化量算出部１３、クランプパラメータ記憶部１４、クランプパラメータ設定部１５およびセレクタ１６が設けられている。
【００２９】
そして、ＣＭＯＳセンサ１０１のＦＢＣ画素部１ｂからＯＢ信号Ｓ２が読み出され、ＦＢＣ画素平均値算出部１１に入力される。そして、ＦＢＣ画素平均値算出部１１において、複数のＯＢ画素から読み出された黒レベルが各行ごとに平均化されることで、ＦＢＣ平均値ＳＡが算出され、更新判定部１２に出力される。また、更新判定部１２には、ＯＢ画素から読み出された黒レベルの基準となる目標値ＥＡ、アナログゲインＧＡおよび電子シャッタ時間ＥＳが入力される。
【００３０】
そして、更新判定部１２において、ＦＢＣ画素平均値ＳＡ、目標値ＥＡ、アナログゲインＧＡおよび電子シャッタ時間ＥＳに基づいて、クランプパラメータＰＣを更新させるかどうかが判定される。そして、クランプパラメータＰＣを更新させる場合には、更新フラグＳＦおよび増減方向信号ＳＤがクランプパラメータ設定部１５に出力される。
【００３１】
また、クランプパラメータ記憶部１４には、更新前のクランプパラメータＰＣが記憶される。そして、更新前のクランプパラメータＰＣがクランプパラメータ記憶部１４からクランプパラメータ設定部１５に出力される。
【００３２】
また、セレクタ１６には、ＦＢＣ期間パルスＰＳ、アナログゲインＧＡおよびクランプパラメータ補正係数ＫＰが入力される。なお、ＦＢＣ期間パルスＰＳは、図２のＦＢＣパルスアサート期間Ｈ２にセレクタ１６に入力することができる。なお、ＦＢＣパルスアサート期間Ｈ２は、ＦＢＣ期間Ｈ１内の先頭の数ライン分の水平期間に設定することができる。ＦＢＣ期間Ｈ１は、画素アレイ部１において有効画素部１ａから画像信号Ｓ１が読み出される前の期間に設定することができる。
【００３３】
そして、セレクタ１６において、ＦＢＣ期間パルスＰＳが入力されると、クランプパラメータ補正係数ＫＰが選択され、クランプパラメータ変化量算出部１３に出力される。ＦＢＣ期間パルスＰＳが入力されていない時は、アナログゲインＧＡが選択され、クランプパラメータ変化量算出部１３に出力される。
【００３４】
そして、クランプパラメータ変化量算出部１３において、アナログゲインＧＡまたはクランプパラメータ補正係数ＫＰに基づいて、クランプパラメータ変化量ＰＥが算出され、クランプパラメータ設定部１５に出力される。
【００３５】
そして、クランプパラメータ設定部１５において、更新判定部１２から更新フラグＳＦが出力されている場合、増減方向信号ＳＤでされる増減方向にクランプパラメータ変化量ＰＥで指定される分だけクランプパラメータＰＣが水平ラインごとに増減され、ＣＭＯＳセンサ１０１に出力される。
【００３６】
図４は、図１のＯＢクランプ回路の概略構成を示すブロック図である。
図４において、ＯＢクランプ回路１０３には、振幅制限部２１、ＨＯＢ積算部２２、ＨＯＢ積算値割算部２３、インバータ２４、２８、加算器２５、２６、２９および乗算器２７、３０が設けられている。
【００３７】
そして、ＣＭＯＳセンサ１０１から読み出された画像信号Ｓ１は加算器２６に出力され、ＣＭＯＳセンサ１０１のＦＢＣ画素部１ｂおよびＨＯＢ画素部１ｃから読み出されたＯＢ信号Ｓ７は振幅制限部２１に出力される。
【００３８】
そして、振幅制限部２１において、予めコマンド設定された目標値ＥＡに基づいてＯＢ信号Ｓ７が振幅制限され、ＨＯＢ積算部２２に出力される。例えば、目標値ＥＡを４８ｄＢとした時、２４〜７２ｄＢの範囲でＯＢ信号Ｓ７を振幅制限することができる。
【００３９】
そして、ＨＯＢ積算部２２において、振幅制限されたＯＢ信号Ｓ７が１水平期間ごとに積算されることでＨＯＢ積算値Ｓ８が生成され、ＦＢＣ画素部１ｂから生成されたＨＯＢ積算値Ｓ８は、インバータ２８を介して加算器２９に出力され、ＨＯＢ画素部１ｃから生成されたＨＯＢ積算値Ｓ８は、ＨＯＢ積算値割算部２３に出力される。
【００４０】
そして、ＨＯＢ積算値割算部２３において、ＨＯＢ画素部１ｃから生成されたＨＯＢ積算値Ｓ８を積算数ＮＰで除すことによりＨＯＢ平均値Ｓ９が生成され、加算器２５に出力される。なお、積算数ＮＰは、ＨＯＢ画素部１ｃの１水平ライン分の画素数に設定することができ、例えば、１２８に設定することができる。また、加算器２５には、目標値ＥＡがインバータ２８を介して加算器２５に入力される。
【００４１】
そして、加算器２５において、ＨＯＢ平均値Ｓ９から目標値ＥＡが減算されることでＨＯＢ差分値Ｓ１０が生成され、加算器２６に出力される。そして、加算器２６において、画像信号Ｓ１にＨＯＢ差分値Ｓ１０が加算されることで画像信号Ｓ１がクランプされ、画像信号Ｓ３が生成される。
【００４２】
また、乗算器２７において、目標値ＥＡに積算数ＮＰが乗算された後、加算器２９において、乗算器２７の出力とインバータ２８の出力とが加算されることでＨＯＢ積算差分値Ｓ１１が生成され、乗算器２７に出力される。
【００４３】
そして、乗算器３０において、ＨＯＢ積算差分値Ｓ１１に調整値Ｎが乗算されることでクランプパラメータ補正係数ＫＰが水平ラインごとに算出され、図３のセレクタ１６に出力される。なお、調整値Ｎは、クランプパラメータ補正係数ＫＰを最適なクランプパラメータ変化量ＰＥに整えるための係数であり、コマンドで設定することができる。また、０〜１の範囲内の値に設定することができる。この調整値Ｎは、ＲＴＬシミュレーションや実機検証などから決めることができる。また、調整値ＮをアナログゲインＧＡに連動させることで特性を最適化するようにしてもよい。
【００４４】
この時、クランプパラメータ補正係数ＫＰは、例えば以下の式で与えることができる。
ＫＰ＝（ＥＡ×ＮＰ−Ｓ８）×Ｎ
【００４５】
ここで、クランプパラメータ補正係数ＫＰが水平ラインごとに更新されるたびに、ＨＯＢ積算値Ｓ８は、目標値ＥＡと積算数ＮＰとの乗算結果に近づくため、ＨＯＢ積算差分値Ｓ１１が小さくなる。このため、クランプパラメータ補正係数ＫＰも小さくり、黒レベルが過剰に補正されるのを防止することができる。
【００４６】
また、ＦＢＣパルスアサート期間Ｈ２において、クランプパラメータ補正係数ＫＰをクランプパラメータ変化量ＰＥに使用することにより、アナログゲインＧＡに基づいて、図５に示すようなGAとPEの関係でクランプパラメータ変化量ＰＥを算出した場合に比べてクランプパラメータ変化量ＰＥを大きくすることができ、黒レベルの収束時間を短くすることができる。
【００４７】
また、有効画素部１ａより前の水平ラインの先頭部分にＦＢＣ画素部１ｂを設けることにより、図２の有効画素部１ａから画像信号Ｓ１が読み出される前に、ＨＯＢ画素部１ｃから読み出された黒レベルを目標値ＥＡに収束させることができる。このため、ＯＢクランプ回路１０３において、ＨＯＢ画素部１ｃから読み出された黒レベルに基づいて画像信号Ｓ１がクランプされる場合においても、クランプレベルの変動を抑制することができる。
【００４８】
図５は、図１の固体撮像装置のアナログゲインＧＡとクランプパラメータ変化量ＰＥとの関係を示す図である。
図５において、アナログゲインＧＡに基づいてクランプパラメータ変化量ＰＥを算出する場合、アナログゲインＧＡが大きくなると、クランプパラメータ変化量ＰＥは小さくなる。このため、ＣＭＯＳセンサ１０１のＯＢ画素から読み出された黒レベルが大きく上昇した場合においても、アナログゲインＧＡが大きくなると、黒レベルの収束時間が長くなる。
【００４９】
図６は、図１の固体撮像装置の室温かつ高感度動作時における黒レベルＬＶの収束方法を示す図である。
図６において、室温かつ高感度動作では黒レベルＬＶの変動が小さい。このため、アナログゲインＧＡに基づいてクランプパラメータ変化量ＰＥを算出したために、クランプパラメータ変化量ＰＥが小さくなり、黒レベルＬＶが基準レベルＬＢに収束するまでの時間が長くなった場合においても、画像の白浮きを抑制することができる。
【００５０】
図７は、図１の固体撮像装置の高温かつ高感度動作時における黒レベルＬＶの収束方法を示す図である。
図７において、高温かつ高感度動作時では黒レベルの変動が大きい。このため、アナログゲインＧＡを大きい時にアナログゲインＧＡに基づいてクランプパラメータ変化量ＰＥを算出すると、GAとPEは、図５に示すような関係になるため、クランプパラメータ変化量ＰＥが小さくなり、黒レベルＬＶが基準レベルＬＢに収束するまでに数フレーム分の時間がかかる。この結果、画像の白浮きが発生し、この白浮きを解消させために、自動レベル制御回路１０６にてレベル制御が行われると、輝度レベルが降下され、ハンチングが発生する。
【００５１】
これに対して、クランプパラメータ補正係数ＫＰをクランプパラメータ変化量ＰＥに使用することにより、アナログゲインＧＡが大きい場合においても、目標値EAと現在の黒レベルとの差分量をクランプパラメータ変化量にそのまま反映できるため、クランプパラメータ変化量ＰＥを大きくすることができる。このため、黒レベルＬＶが基準レベルＬＢに収束するまで時間を短くすることができ、自動レベル制御回路１０６にてレベル制御が行われる場合においても、ハンチングの発生を防止することができる。
【００５２】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５３】
１０１  ＣＭＯＳセンサ、１０２  フィードバッククランプ回路、１０３  ＯＢクランプ回路、１０４  ゲイン調整回路、１０５  色分離回路、１０６  自動レベル制御回路、１１０  画像信号処理部、１  画素アレイ部、１ａ  有効画素部、１ｂ  ＦＢＣ画素部、１ｃ  ＨＯＢ画素部、１ｄ  ＶＯＢ画素部、２  垂直シフトレジスタ、３  カラムＡＤＣ回路、４  水平シフトレジスタ、５  基準電圧発生部、１１  ＦＢＣ画素平均値算出部、１２  更新判定部、１３  クランプパラメータ変化量算出部、１４  クランプパラメータ記憶部、１５  クランプパラメータ設定部、１６  セレクタ、２１  振幅制限部、２２  ＨＯＢ積算部、２３  ＨＯＢ積算値割算部、２４、２８  インバータ、２５、２６、２９  加算器、２７、３０  乗算器
【図１】
2012124762.tif 000003
【図２】
2012124762.tif 000004
【図３】
2012124762.tif 000005
【図４】
2012124762.tif 000006
【図５】
2012124762.tif 000007
【図６】
2012124762.tif 000008
【図７】
2012124762.tif 000009