(57)【要約】【課題】  観察対象部位が試料内部にある場合でも、集束イオンビーム加工装置を用いた断面加工を行って走査型電子顕微鏡や透過型電子顕微鏡を用いて精度の高い観察ができる電子顕微鏡用試料の作製方法を提供する。【解決手段】  透明性を有する試料の内部に存在する観察対象部位とその試料の表面に存在する所定の目標物とが同一画像上に現れるように光学顕微鏡で試料を撮像し、撮像された顕微鏡像に基づいて、観察対象部位の位置情報を算出し、算出された観察対象部位の位置情報に基づいて、集束イオンビーム加工装置を用いて試料から観察対象部位を包含する微小片試料を摘出し、摘出した微小片試料を、集束イオンビームを照射することによって断面加工し、微小片試料の表面に観察対象部位を位置させる。【選択図】  図２
2012168027.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明性を有する試料の内部に存在する観察対象部位と該試料の表面に存在する所定の目標物とが同一画像上に現れるように光学顕微鏡で該試料を撮像する撮像工程と、
上記撮像工程にて撮像された顕微鏡像に基づいて、上記観察対象部位の位置情報を算出する算出工程と、
上記算出工程にて算出された上記観察対象部位の位置情報に基づいて、集束イオンビーム加工装置を用いて上記試料から該観察対象部位を包含する微小片試料を摘出する微小片試料摘出工程と、
上記微小片試料摘出工程にて摘出した微小片試料を、集束イオンビームを照射することによって断面加工し、該微小片試料の表面に上記観察対象部位を位置させる断面加工工程と
を有する電子顕微鏡用試料の作製方法。
【請求項２】
上記観察対象部位の位置情報は、上記目標物の位置を基点として上記試料表面における絶対座標で表される位置範囲であることを特徴とする請求項１記載の電子顕微鏡用試料の作製方法。
【請求項３】
上記微小片試料摘出工程では、上記集束イオンビーム加工装置に対して上記絶対座標を入力し、上記試料表面上に対して集束イオンビームを該絶対座標で表される位置範囲を取り囲むような矩形形状に照射して上記観察対象部位を包含する微小片試料を摘出することを特徴とする請求項２記載の電子顕微鏡用試料の作製方法。
【請求項４】
上記断面加工工程では、集束イオンビームの二次電子像を観察することによって該集束イオンビームを走査し、上記微小片試料の表面に上記観察対象部位を位置させることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項記載の電子顕微鏡用試料の作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子顕微鏡用試料の作製方法に関し、特に試料の内部に観察対象が存在する場合においても高い精度で観察することができる電子顕微鏡用試料の作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子媒体に用いられる部品の中には、ガラスや樹脂フィルムを基板として機能性薄膜を形成する構造を有するものや、様々な機能を持つ透明膜や保護層を有するものが多く存在している。
【０００３】
こういった材料開発においては、膜内の構造解析において内部の状態を把握する必要がある。また、製造のステージにおいても、異物の混入や異常等を解析するため断面方向からの解析が必要となる。
【０００４】
そして、特に微細な構造を解析するためには、透過型電子顕微鏡（Transmission Electron Microscope：ＴＥＭ）や走査型電子顕微鏡（Scanning Electron Microscope：ＳＥＭ）が有効であり、これらを用いて解析するためには、その解析目的にあった断面試料を作製することが必須となる。
【０００５】
断面加工する方法としては、切断や研磨といった機械的に行う方法と、集束イオンビーム加工装置のようにイオンを用いる方法がある。最近の材料では、その構造が微細なため、機械的な方法では正確に断面加工することが困難になってきている。したがって、近年では、高倍率で観察しながらナノメートルオーダーの精度で加工できる集束イオンビーム（Focused Ion Beam：ＦＩＢ）加工装置よる断面加工が多く利用されている。
【０００６】
ここで、集束イオンビーム加工装置は、Ｇａイオンを集束して試料にあてることでスパッタ効果により試料を削ることができる装置である。また、集束イオンビーム加工装置を用いた加工では、他の手法に比べて試料の材質を選ばないことや観察試料内部へのダメージが少ないこと、また試料の厚さを均一にできるといった特徴がある。
【０００７】
さらに、集束イオンビーム加工装置では、Ｇａイオンビームとともに反応性ガスを雰囲気中に流すことで、FIB-CVD（Focused Ion Beam Chemical Vapor Deposition）によりカーボンやタングステン等を堆積させ試料の接着や固定ができる。これにより、稼動するプローブ機能と組み合わせてバルク試料から所望の特定部位を含む試料片のみを摘出して、試料台にデポジション膜を用いて固定する、いわゆるマイクロサンプリングが可能となる（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平１１−１０８８１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、集束イオンビーム加工装置で観察される像は、Ｇａイオンが試料表面に照射された際に励起されて出てきた二次電子を結像するものであり、観察できるのは試料最表面に限定される。そのため、試料内部に観察したい部位が存在する場合には、精度の高い観察を行うことが困難となってしまうという問題がある。
【００１０】
そこで、本発明は、このような実情に鑑みて提案されたものであり、観察対象部位が試料内部にある場合でも、集束イオンビーム加工装置を用いた断面加工を行い、走査型電子顕微鏡や透過型電子顕微鏡を用いて高い精度で観察することができる電子顕微鏡用試料の作製方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
すなわち、本発明に係る電子顕微鏡用試料の作製方法は、透明性を有する試料の内部に存在する観察対象部位と該試料の表面に存在する所定の目標物とが同一画像上に現れるように光学顕微鏡で該試料を撮像する撮像工程と、上記撮像工程にて撮像された顕微鏡像に基づいて、上記観察対象部位の位置情報を算出する算出工程と、上記算出工程にて算出された上記観察対象部位の位置情報に基づいて、集束イオンビーム加工装置を用いて上記試料から該観察対象部位を包含する微小片試料を摘出する微小片試料摘出工程と、上記微小片試料摘出工程にて摘出した微小片試料を、集束イオンビームを照射することによって断面加工し、該微小片試料の表面に上記観察対象部位を位置させる断面加工工程とを有する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、試料の顕微鏡像に基づき観察対象部位の位置情報を算出し、その位置情報に基づいて微小片試料を摘出して集束イオンビームで断面加工することによって顕微鏡用試料を作製するようにしているので、試料の内部に所望とする観察対象部位が存在する場合でも、走査型電子顕微鏡や透過型電子顕微鏡を用いて高い精度で観察することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】観察対象部位が内部に存在する試料の斜視図である。
【図２】電子顕微鏡用試料の作製方法の手順を示すフローチャートである
【図３】試料を光学顕微鏡を用いて撮像したときの顕微鏡像の模式図である。
【図４】マイクロサンプリング法により試料から微小片試料を摘出する例を模式的の示した図である。
【図５】摘出した微小片試料を試料台に固定する例を模式的に示した図である。
【図６】集束イオンビームを用いて微小片試料の一部を断面加工する例を模式的に示した図である。
【図７】透過型電子顕微鏡により試料を断面観察したときの顕微鏡写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明を適用した具体的な実施の形態（以下、「本実施の形態」という。）について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１５】
本実施の形態に係る電子顕微鏡用試料の作製方法は、図１に示すような、その内部に観察対象部位が存在するような試料であっても、走査型電子顕微鏡や透過型電子顕微鏡等を用いて、高い精度で観察することを可能にするものである。
【００１６】
具体的に、本実施の形態に係る電子顕微鏡用試料の作製方法は、図２にフローを示すように、透明性を有する試料の内部に存在する観察対象部位とその試料の表面に存在する所定の目標物とが同一画像上に現れるように光学顕微鏡で試料を撮像する撮像工程Ｓ１と、撮像工程Ｓ１にて撮像された顕微鏡像に基づいて、観察対象部位の位置情報を算出する算出工程Ｓ２と、算出工程Ｓ２にて算出された観察対象部位の位置情報に基づいて、集束イオンビーム加工装置を用いて試料から観察対象部位を包含する微小片試料を摘出する微小片試料摘出工程Ｓ３と、微小片試料摘出工程Ｓ３にて摘出した微小片試料を、集束イオンビームを照射することによって断面加工し、微小片試料の表面に観察対象部位を位置させる断面加工工程Ｓ４とを有する。本実施の形態に係る電子顕微鏡用試料の作製方法は、これら各工程を経ることによって、電子顕微鏡用試料を作製する。以下、各工程について順に説明する。
【００１７】
（撮像工程）
撮像工程Ｓ１では、図１に示すような、その内部に観察対象部位１１が存在する試料１０を光学顕微鏡に接続したＣＣＤカメラ等で撮像する。このとき、図３に示すように、その観察対象部位１１と試料１０の表面１０ｓ上に存在する所定の目標物１２とが、光学顕微鏡の同一視野に入って同一画像上に現れるように撮像する。このように、試料表面１０ｓ上の所定の目標物１２と観察対象部位１１とを同一画像上に表われるように撮像することによって、その撮像した顕微鏡像２０に基づき、試料表面１０ｓ上における目標物１２と観察対象部位１１との位置関係を明確に捉えることができる。
【００１８】
ここで、観察対象となる試料１０としては、光学顕微鏡によって試料１０内部に存在する観察対象部位１１を確認することができる透明性を有するものであれば特に限定されるものではなく、ガラス、樹脂フィルム等を対象とすることができる。また、これら試料１０は、単層構造のものでも、積層構造のものでもよい。なお、試料１０の透明度は、特に限定されるものではなく、光学顕微鏡等を用いて試料１０の内部に存在する観察対象部位１１を視認することができる程度の透明性を有するものであればよい。
【００１９】
試料表面１０ｓ上の目標物１２は、いわゆる観察対象部位１１との位置関係を算出するための目印であり、例えば観察対象部位１１の近傍に存在する構造物や付着物等を目標物１２とすることができる。また、それら構造物や付着物等が存在しない場合には、観察者によって、試料表面１０ｓ上であって観察対象部位１１の近傍にマークを記したり、針等で切り欠き部を形成して、それらを目標物１２とすればよい。また、集束イオンビーム加工装置を用いて、試料表面１０ｓ上にマークを形成するようにしてもよい。このようにして試料表面１０ｓ上に存在する構造物等や、単純な作業により形成したマークを目標物１２として設定することによって、透明性のある試料１０内部の観察対象部位１１を二次元的に特定するための指標を形成することができ、後述するように微小片試料１０ａをマイクロサンプリングするに際して、観察対象部位１１の位置関係を明確に特定することができる。
【００２０】
（算出工程）
算出工程Ｓ２では、上述した撮像工程Ｓ１にて撮像された顕微鏡像２０に基づいて、観察対象部位１１の位置情報を算出する。図３は、撮像工程Ｓ１において光学顕微鏡で撮像された、試料表面１０ｓ上の所定の目標物１２と観察対象部位１１とを同一視野に含む顕微鏡像２０を模式的に示した図である。算出工程Ｓ２では、図３のような顕微鏡像２０に基づいて、試料表面１０ｓにおける観察対象部位１１の位置情報を算出する。
【００２１】
観察対象部位１１の位置情報としては、例えば、光学顕微鏡で撮像された顕微鏡像２０上の標準スケール２１を用いて、撮像工程Ｓ１にて顕微鏡像２０に収められた試料表面１０ｓ上の構造物やマーク等の目標物１２から、透明性のある試料１０を上方（図１中矢印方向）から観察したときの観察対象部位１１までの方位や距離を測定することによって、目標物１２を基点とした絶対座標で表される位置範囲の情報とすることができる。したがって、その絶対座標としては、試料表面１０ｓ、すなわち目標物１２が存在する試料（ｘ，ｙ）面での直交座標となる。算出工程Ｓ２では、このように、試料表面１０ｓ上において、目標物１２を基点とする絶対座標で表される位置範囲で観察対象部位１１の位置情報を特定することによって、後述するように、集束イオンビーム加工装置を精確に制御することができ、確実に観察対象部位１１を包含する微小片試料１０ａを摘出することができる。
【００２２】
（微小片試料摘出工程）
微小片試料摘出工程Ｓ３では、上述した算出工程Ｓ２にて算出された試料１０の観察対象部位１１の位置情報に基づいて、試料１０からその観察対象部位１１を包含する微小片試料１０ａを摘出する。この微小片試料１０ａの摘出は、例えば集束イオンビーム加工装置を用いたマイクロサンプリング法によって行う。
【００２３】
ここで、マイクロサンプリング法とは、集束イオンビーム加工装置等の試料作製装置内において、試料から、所望とする観察対象部位を含む数十μｍ領域にイオンビームを照射することによって微小片試料を分離し、その微小片試料をプローブ等を用いて摘出して、摘出した微小片試料を試料固定手段である試料台にデポジション膜を用いて固定するサンプリング方法である。
【００２４】
また、集束イオンビーム（ＦＩＢ）加工装置とは、電界によりガリウム（Ｇａ）イオン源（液体ガリウム）から引き出したガリウムイオンを細く絞りイオンビームを抽出して５〜１０ｎｍに集束させた上で、試料に走査して照射するものである。これにより、試料表面上の原子や分子を真空中にはじき出させ、このスパッタリング現象を利用したエッチングにより、バルク試料からサブミクロンの精度でマイクロサンプルを摘出し、また試料の平滑な断面の作製を可能とするものである。また、集束イオンビーム加工装置は、イオンビームを走査することによって試料から発生した二次電子を検出する二次電子検出器を備えており、その二次電子検出器の出力に基づいてイオンビーム走査領域の試料像（走査イオン顕微鏡像；Scanning Ion Microscope（ＳＩＭ）像）を表示画面上に表示させることができる。
【００２５】
微小片試料摘出工程Ｓ３では、算出工程Ｓ２にて算出された観察対象部位１１の位置情報である試料表面１０ｓにおける絶対座標で表される位置範囲を、集束イオンビーム加工装置に設定入力する。位置情報が入力された集束イオンビーム加工装置では、試料表面１０ｓ上においてその絶対座標で表される位置範囲を取り囲むような矩形形状の切削範囲１３に集束イオンビームを走査して照射することによって、図４に示すように、試料１０の内部に存在する観察対象部位１１を包含するように微小片試料１０ａを掘り出して分離し、マニュピュレータの先端に取り付けたプローブ３０等を用いて分離した微小片試料１０ａを摘出する。
【００２６】
より具体的には、集束イオンビーム加工装置上の表示画面において、集束イオンビームを照射することによって切削される、絶対座標で表される位置範囲を取り囲む切削範囲１３を設定入力する。そして、その設定に基づいて、集束イオンビームにより、微小片試料１０ａとなる切削範囲１３の四辺を切削する。次に、試料１０を傾斜することによって、切削した空間に集束イオンビームを通過させて照射し、試料１０から微小片試料１０ａを切り離すようにして分離し、プローブ３０等を用いて図４中矢印方向に摘出する。なお、試料１０から分離し摘出する微小片試料１０ａの大きさは、特に限定されず試料１０内部に存在する観察対象部位１１の大きさ等によって適宜設定すればよいが、例えば約２０μｍ×３μｍ×５μｍ（なお、５μｍは微小片試料１０ａの高さ）とする。
【００２７】
摘出された微小片試料１０ａは、図５に示すように、デポジション膜４１を用いて電子顕微鏡等の試料台４０に固定される。ここで、試料台４０としては、例えば、透過型電子顕微鏡用薄片試料の作製に用いられる半円状等の形状を有する試料台であり、また走査型顕微鏡用薄片試料の作製に用いられる円柱状、三角柱状、四角柱状等の形状を有する試料台である。試料台４０の素材としては、微小片試料１０ａを支持できる強度を有するものであれば特に限定されず、例えばモリブデンや銅等の金属及び合金や、炭素、高分子材料等が挙げられる。また、試料台４０の大きさは、電子顕微鏡等の装置の種類にも依るので一概に規定できないが、例えば直径（縦・横）２〜５ｍｍ程度、高さ５〜２０ｍｍ程度とする。
【００２８】
また、微小片試料１０ａの試料台４０への固定は、集束イオンビーム誘起デポジションによるデポジション膜４１を用い、試料台表面４０ｓの所定の位置にそのデポジション膜４１を堆積させて、プローブ３０等でピックアップした微小片試料１０ａをデポジション膜４１が堆積した試料台表面４０ｓに載置し固定する。デポジション膜４１は、集束イオンビーム加工装置で形成可能な、例えばタングステン、白金、カーボン又はシリコン酸化膜等からなるものを用いることができる。
【００２９】
（断面加工工程）
断面加工工程Ｓ４では、微小片試料摘出工程Ｓ３にて摘出され試料台４０に固定された微小片試料１０ａを断面加工することによって、微小片試料１０ａの表面に観察対象部位１１を位置させる。
【００３０】
断面加工工程Ｓ４における断面加工は、図６に示すように、集束イオンビーム加工装置によって集束イオンビーム５０を図６中Ｂ矢印方向に走査させ、試料台４０に固定した微小片試料１０ａの一部１０ａ’を薄片化していく。このようにして微小片試料１０ａの一部１０ａ’を薄片化して断面加工することで、微小片試料１０ａの内部に存在する観察対象部位１１が、微小片試料表面１０ｂ上に露出されるようになる。
【００３１】
ここで、この断面加工工程Ｓ４においては、集束イオンビーム５０の二次電子像を観察しながら集束イオンビーム５０を走査させて、微小片試料表面１０ｂに観察対象部位１１を位置させていくとよい。上述したように、集束イオンビーム加工装置は、イオンビームを走査することによって試料１０から発生した二次電子を検出する二次電子検出器を備えており、その二次電子検出器の出力に基づいてイオンビーム走査領域の試料像（ＳＩＭ像）を表示画面（モニタ）上に表示させることができる。したがって、そのＳＩＭ像をモニタ上で確認する作業と、微小片試料表面１０ｂに観察対象部位１１が位置するまで集束イオンビーム５０を走査させて断面加工する作業とを繰り返すことによって、的確に微小片試料１０ａの内部に存在する観察対象部位１１を微小片試料表面１０ｂに位置させることができ、集束イオンビーム５０を無駄なく効率的に走査することができる。なお、この断面加工して観察対象部位１１が露出した微小片試料表面１０ｂが、電子顕微鏡の観察面となる。
【００３２】
以上のようにして、断面加工工程Ｓ４を経て断面加工して観察対象部位１１を微小片試料表面１０ｂに位置させた微小片試料１０ａを、電子顕微鏡用試料とする。
【００３３】
この電子顕微鏡用試料は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）による観察の場合、微小片試料１０ａが固定された試料台４０ごと、ＴＥＭの試料ホルダーに固定化されて搭載される。また、走査型顕微鏡（ＳＥＭ）による観察の場合、ＳＥＭの試料ホルダーへの固定は、上述した試料台４０に固定された微小片試料１０ａを、例えばカーボンペーストや銀ペースト等の接着性を有する導電性ペーストを用いて行われる。具体的には、試料ホルダーの微小片試料１０ａ取り付け箇所に導電性ペーストを塗布し、塗布した導電性ペースト上に微小片試料１０ａを固定した試料台４０を載置し固定する。
【００３４】
このようにしてＴＥＭやＳＥＭの試料ホルダーに固定された微小片試料１０ａは、観察方向（図６中Ｘ矢印方向）に向けて電子ビームが出射されることにより、その観察対象部位１１が微小片試料表面１０ｂに位置した微小片試料１０ａ断面のＴＥＭやＳＥＭによる観察が可能となる。
【００３５】
以上詳細に説明したように、本実施の形態に係る電子顕微鏡用試料の作製方法によれば、試料１０の顕微鏡像２０に基づき試料１０の観察対象部位１１の正確な位置情報を算出し、その位置情報に基づいてマイクロサンプリングを行って微小片試料１０ａを作製するようにしているので、的確に観察対象部位１１を包含する微小片試料１０ａを摘出することができる。そして、そのサンプリングした微小片試料１０ａを集束イオンビーム５０で断面加工して微小片試料表面１０ｂに観察対象部位１１を位置させることによって電子顕微鏡用試料を作製しているので、試料１０の内部に所望とする観察対象部位１１が存在する場合でも、透過型電子顕微鏡や走査型電子顕微鏡を用いて高い精度で観察することができる。
【実施例】
【００３６】
以下に本発明の実施例を説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
【００３７】
観察対象の試料として、ＰＥＴフィルム基板とその基板の上に成膜したＳｉＯ２薄膜の界面に、直径５００ｎｍの異物が混入した試料を用意した。そして、その界面に混入した異物を観察対象部位とした。
【００３８】
先ず、光学顕微鏡（ME600、株式会社ニコン製）を用いて、試料のＳｉＯ２薄膜側から観察対象部位を観察し、ＣＣＤカメラを用いて１０００倍の写真を撮像した。このとき、同一視野に集束イオンビーム加工装置（FB-2000、株式会社日立ハイテクノロジーズ製）で加工した５μｍ角の大きさの目印（目標物）が入るように撮像した。
【００３９】
次に、光学顕微鏡で撮像した写真（顕微鏡像）から、観察対象部位である異物を内包するようにマイクロサンプリングを行う範囲を決定した。具体的には、マイクロサンプリングを行う範囲は、顕微鏡像に収められた５μｍ角の目標物を基点として、ＳｉＯ２薄膜を透過して写し出された観察対象部位である異物の試料表面上における方位と距離を測定することによって、試料表面上における観察対象部位の位置情報を算出した。本実施例では、顕微鏡像上のスケールによって目標物を基点として観察対象部位である異物の方位と距離を測定したところ、観察対象部位は、基点からＸ方向に１２〜１５μｍ、Ｙ方向に１８〜２０μｍの範囲、すなわち試料表面の（ｘ，ｙ）面における（１２，１８）、（１２，２０）、（１５，１８）、（１５，２０）の絶対座標で囲まれる位置範囲に存在していることが算出された。この絶対座標で表される位置範囲を、観察対象部位の位置情報とした。
【００４０】
次に、集束イオンビーム加工装置を用いて、算出された位置情報をその集束イオンビーム加工装置に設定入力し、試料表面に対して、その絶対座標で表される位置範囲からなる四辺を取り囲むような矩形形状を切削範囲とし、先ずその矩形球状に集束イオンビームを照射させて切削した。その後、試料を傾斜させて矩形形状に切削した空間に集束イオンビームを通過させて照射し、試料から２０μｍ×３μｍ×５μｍの寸法からなる直方体形状の微小片試料を切り離した。切り離した微小片試料は、マニュピュレータの先端に取り付けたプローブにより摘出した。摘出した微小片試料は、その底面を透過型電子顕微鏡用の試料台にタングステンデポジション膜を用いて固定した。
【００４１】
次に、試料台に固定した微小片試料に対して、集束イオンビーム加工装置を用いて、微小片試料の厚み方向から断面加工を行った。その際、集束イオンビーム加工装置の二次電子像が表示されるモニタを確認しながら、断面加工を行った。
【００４２】
断面加工は、微小片試料の厚み方向の厚みが１００ｎｍになった時点で、内在していた観察対象部位である異物が微小片試料の表面に位置したので、ここで終了した。
【００４３】
その後、断面加工した微小片試料を、試料台ごと、透過型電子顕微鏡（HF-2200、株式会社日立ハイテクノロジーズ製）の試料ホルダーに固定し、その電子顕微鏡でも断面を確認した。その結果、電子顕微鏡の視野内に、図７に示すようにして観察対象部位である異物Ａが含まれていることを確認することができた。
【００４４】
このことから、試料の内部に存在していた観察対象部位である異物Ａを、高い精度で観察することができる電子顕微鏡用の試料を作製できることがわかった。
【符号の説明】
【００４５】
１０  試料、１０ａ  微小片試料、１０ｂ  微小片試料表面、１０ｓ  試料表面、１１  観察対象部位、１２  目標物、１３  切削範囲、２０  顕微鏡像、２１  標準スケール、３０  プローブ、４０  試料台、４０ｓ  試料台表面、４１  デポジション膜、５０  集束イオンビーム
【図１】
2012168027.tif 000003
【図２】
2012168027.tif 000004
【図３】
2012168027.tif 000005
【図４】
2012168027.tif 000006
【図５】
2012168027.tif 000007
【図６】
2012168027.tif 000008
【図７】
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