(57)【要約】      （修正有）【課題】積層ウェーハからの圧電デバイス個片化に於ける不具合を解消し、高い生産性と良品率、層間の接合面の信頼性を高めた圧電デバイスとその製造方法、及びウェーハ積層構造の提供。【解決手段】互いに離間して配置された複数の第１基板１４と、隣り合う第１基板１４同士を連結する第１の梁６８Ａ、６８Ｂと、を有する第１ウェーハ６６の形成工程と、互いに離間して配置され、第１基板１４に積層される複数の圧電振動基板２６と、隣り合う圧電振動基板２６同士を連結し、第１の梁６８Ａ、６８Ｂに積層される第２の梁７２Ａ、７２Ｂと、を有する圧電振動ウェーハ７０の形成工程と、第１ウェーハ６６に圧電振動ウェーハ７０を積層する事で、第１基板１４と圧電振動基板２６とが積層されて構成される複数の圧電デバイス１０を形成する工程と、第１の梁６８Ａ、６８Ｂ及び第２の梁７２Ａ、７２Ｂを切断する事で、圧電デバイス１０を個片化する工程と、を有する。【選択図】図１
2012249179.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに離間して配置された複数の第１基板と、隣り合う前記第１基板同士を連結する第１の梁と、を有する第１ウェーハを形成する工程と、
互いに離間して配置され、前記第１基板に積層される複数の圧電振動基板と、隣り合う前記圧電振動基板同士を連結し、前記第１の梁に積層される第２の梁と、を有する圧電振動ウェーハを形成する工程と、
前記第１ウェーハに前記圧電振動ウェーハを積層することにより、前記第１基板と前記圧電振動基板とが積層されて構成される複数の圧電デバイスを形成する工程と、
前記第１の梁及び前記第２の梁を切断することにより、前記圧電デバイスを個片化する工程と、
を有することを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記圧電振動基板は、物理量を検出する感圧部を有し、
前記圧電振動基板に積層され外部からの力を前記感圧部に伝達するダイアフラムを有する複数の第２基板が互いに離間して配列され、隣り合う前記第２基板同士が第３の梁で連結された第２ウェーハを形成する工程と、
前記圧電振動ウェーハに前記第２ウェーハを積層する工程と、
を有することを特徴とする請求項１に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記第１の梁、前記第２の梁、前記第３の梁は、積層方向に沿って互いに重なる位置に配置され、
前記第２の梁は、
前記第１の梁と、前記第３の梁との間に挟まれ、
前記第１の梁及び前記第３の梁に接合されていることを特徴とする請求項２に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項４】
第１基板と、圧電振動基板と、を備える複数の圧電デバイスを配置したウェーハの積層構造であって、
複数の前記第１基板が互いに離間して配置され、隣り合う前記第１基板同士が第１の梁で連結された第１ウェーハと、
複数の前記圧電振動基板が互いに離間して配置され、隣り合う前記圧電振動基板同士が第２の梁で連結された圧電振動ウェーハと、を有し、
前記圧電振動ウェーハが前記第１ウェーハに積層されることにより複数の前記圧電デバイスが構成され、
前記圧電デバイスは、
複数の前記圧電デバイス同士が互いに離間した状態で配置され、隣り合う前記圧電デバイス同士が前記第１の梁及び前記第２の梁で連結されていることを特徴とするウェーハの積層構造。
【請求項５】
前記圧電振動基板は、物理量を検出する感圧部を有し、
前記圧電振動ウェーハには、
前記圧電振動基板に積層され、外部からの力を前記感圧部に伝達するダイアフラムを有する第２基板が互いに離間して配列され、隣り合う前記第２基板同士が第３の梁で連結して構成された第２ウェーハが積層されていることを特徴とする請求項４に記載のウェーハの積層構造。
【請求項６】
前記第１の梁、前記第２の梁、前記第３の梁は、積層方向に沿って互いに重なる位置に配置され、
前記第２の梁は、
前記第１の梁と前記第３の梁との間に挟まれ、
前記第１の梁及び前記第３の梁に接合されていることを特徴とする請求項５に記載のウェーハの積層構造。
【請求項７】
第１基板と、
前記第１基板に積層された圧電振動基板と、を有する圧電デバイスであって、
前記第１基板の側面には第１の凸部が配置され、
前記圧電振動基板の側面の前記第１の凸部に対向する位置には第２の凸部が配置され、
前記第２の凸部は前記第１の凸部に積層されていることを特徴とする圧電デバイス。
【請求項８】
前記圧電振動基板は、物理量を検出する感圧部を有し、
外部からの力を前記感圧部に伝達するダイアフラムを有する第２基板が積層されていることを特徴とする請求項７に記載の圧電デバイス。
【請求項９】
請求項７または８に記載の圧電デバイスを実装基板に実装してなる圧電モジュールであって、
前記圧電デバイスは、
前記第１基板の外側の中央部が接合部材により支持されていることを特徴とする圧電モジュール。
【請求項１０】
前記圧電デバイスに電気的に接続する回路を搭載したことを特徴とする請求項９に記載の圧電モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、圧電デバイスの製造方法、ウェーハの積層構造、圧電デバイス、圧電モジュールに関し、特に、量産性を向上させる技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ダイアフラムに感圧素子を接続し、感圧素子がダイアフラムの撓み変形による応力を検知するタイプの圧力センサーが知られている。
図１８に、特許文献１に記載の圧力センサーの模式図を示し、図１８（ａ）は分解斜視図、図１８（ｂ）は断面図を示す。特許文献１には、第１層３０２と、感圧素子３１０（振動部）を有する感圧素子層３０８と、ダイアフラム３２４及びダイアフラム３２４に接続された一対の力伝達部３２６を有する第２層３１８と、の３層構造からなる圧力センサー３００が開示されている。ここで、力伝達部３２６は、感圧素子３１０を構成する一対の基部３１２に接続される。また感圧素子３１０（振動部）は所定の共振周波数で振動可能なものである。
【０００３】
上記構成において、ダイアフラム３２４が外部から圧力を受けることにより、ダイアフラム３２４が圧力センサー３００の内側に撓み変形する。そして、この撓み変形により力伝達部３２６同士の間隔が広がるため、基部３１２同士の間隔も広がることになる。よって、感圧素子３１０に対して引張応力が印加され、これにより感圧素子３１０の共振周波数が変化する。したがって、この共振周波数の変化をモニターすることにより圧力を検知することができる。
【０００４】
図１９に、特許文献２に記載の圧力センサーの模式図を示し、図１９（ａ）は分解斜視図、図１９（ｂ）は上面図を示す。特許文献２の圧力センサー４００は、特許文献１の圧力センサー３００と同様に第１層４０１、感圧素子層４０２、第２層４１２の３層構造を有し、全体的に平面矩形状に形成されている。感圧素子層４０２の枠部４０４の一方の短辺には、その両端部に振動部４０８に電気的に接続する一対のパッド電極４１０が配置されている。また、第２層４１２のパッド電極４１０に対向する部分にはパッド電極４１０を露出させる切欠き部４１４が形成されている。これにより、第１層４０１、感圧素子層４０２、第２層４１２を積層することにより、切欠き部４１４に挟まれた領域に凸部４１６が露出されたパッド電極４１０を互いに隔離させた構造となる。
【０００５】
このような３層構造の圧電デバイスを製造する場合、例えば特許文献３に開示されたような製造工程が提案されている。図２０に、特許文献３に記載の３層構造の圧電デバイスの製造工程を示し、図２０（ａ）はウェーハの積層前の工程、図２０（ｂ）はウェーハの積層時の工程、図２０（ｃ）は個片化の工程を示す。
【０００６】
即ち、図２０（ａ）に示すように、各層は個片（上述の第１層、感圧素子層、第２層）をアレイ状に連結してなる母基板５０２、５０４、５０６として構成し、図２０（ｂ）に示すように、これら３つの母基板５０２、５０４、５０６を積層し、図２０（ｃ）に示すように、ダイシングにより個片化して複数の圧電デバイス５００を得ており、同様技術は特許文献４にも開示されている。
【０００７】
図２１に特許文献５に記載の３層構造の圧電デバイスの製造工程を示し、図２１（ａ）は溝形成工程、図２１（ｂ）は積層工程、図２１（ｃ）は個片化工程、図２１（ｄ）は、図２１（ｃ）の圧電デバイスの分解斜視図である。
【０００８】
特許文献５では、感圧素子基板６１８をアレイ状に配置した感圧素子ウェーハ６０２を中央にして、第１基板６１６をアレイ状に配置した第１のウェーハ６０４、第２基板６２０をアレイ状に配置した第２のウェーハ６０６の３枚のウェーハを重ね合わせて陽極接合を行い、圧電デバイス６００の縁辺に対応する位置で切断して複数の圧電デバイス６００を製造する方法である。特許文献５では陽極接合に起因する各ウェーハに生じる熱歪みを緩和するため、第１のウェーハ６０４、第２のウェーハ６０６の非接合面の圧電デバイス６００の縁辺に対応する位置において、断面がベベル形状の溝６１０（ハーフカット）をハーフカット用のダイシングブレード６１２で形成し（図２１（ａ））、陽極接合により３層を積層したのち（図２１（ｂ））、前記溝６１０に沿ってフルカット用のダイシングブレード６１４にてフルカットして（図２１（ｃ））、図２１（ｄ）に示すように、第１基板６１６、感圧素子基板６１８、第２基板６２０の３層構造を有する圧電デバイス６００を個片化している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１０−２３０４０１号公報
【特許文献２】特開２０１０−２４３２０７号公報
【特許文献３】特開２００７−３２５２５０号公報
【特許文献４】特開２００９−０６５５２０号公報
【特許文献５】特開２００６−１５７８７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上述のように３層の母基板（ウェーハ）をダイシングして圧電デバイスを個片化するとき、ダイシングによる振動が各層の切り代に隣接する層間の接合部に伝達して、接合部の剥離が発生する虞があるという問題があった。また、その剥離に伴って圧電デバイスの切断位置においてチッピングによる損傷が発生する虞があるという問題があった。さらに、ダイシングの振動により感圧素子自体に破損が生じてしまうという虞があるという問題があった。
【００１１】
一方、上述の基板間の剥離の問題を回避するため、圧電デバイスを構成する各基板をダイシングにより個片化したのち、各基板の積層を行なうことも可能である。しかし各基板を個片化したのち積層する場合は、各基板間のアライメントが困難となり、圧電デバイスの製造の歩留が低下するという問題があった。
【００１２】
そこで、本発明は、上記問題点に着目し、積層されたウェーハから圧電デバイスを個片化するときに生じる不具合を解消し、高い生産性と良品率、基板間の接合面の信頼性を高めたウェーハの積層構造、圧電デバイス、圧電モジュール、圧電デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例として実現することが可能である。
［適用例１］互いに離間して配置された複数の第１基板と、隣り合う前記第１基板同士を連結する第１の梁と、を有する第１ウェーハを形成する工程と、互いに離間して配置され、前記第１基板に積層される複数の圧電振動基板と、隣り合う前記圧電振動基板同士を連結し、前記第１の梁に積層される第２の梁と、を有する圧電振動ウェーハを形成する工程と、前記第１ウェーハに前記圧電振動ウェーハを積層することにより、前記第１基板と前記圧電振動基板とが積層されて構成される複数の圧電デバイスを形成する工程と、前記第１の梁及び前記第２の梁を切断することにより、前記圧電デバイスを個片化する工程と、を有することを特徴とする圧電デバイスの製造方法。
【００１４】
上記方法において、第１の梁、第２の梁は、アレイ状に配置された圧電デバイスの間に配置されている。よって、ダイシングに用いるダイシングブレードを、圧電デバイスの隙間に沿って走らせ、第１の梁、第２の梁を切断することにより圧電デバイスを個片化することができる。
【００１５】
このとき、第１の梁、第２の梁は、それぞれ第１基板、圧電振動基板の幅より十分細くなるように設計することができる。よって、ダイシングブレードの第１ウェーハ、圧電振動ウェーハとの切断時の接触断面積を小さくすることができる。したがって、ダイシングにより発生する振動を抑制して層間の剥離や振動部の破損を防止して、歩留の高い圧電デバイスを量産することができる。また、第１基板、圧電振動基板をダイシングすることはないので、ダイシング時の各基板のチッピングを回避することができる。
【００１６】
［適用例２］前記圧電振動基板は、物理量を検出する感圧部を有し、前記圧電振動基板に積層され外部からの力を前記感圧部に伝達するダイアフラムを有する複数の第２基板が互いに離間して配列され、隣り合う前記第２基板同士が第３の梁で連結された第２ウェーハを形成する工程と、前記圧電振動ウェーハに前記第２ウェーハを積層する工程と、を有することを特徴とする適用例１に記載の圧電デバイスの製造方法。
上記方法により、圧力等の物理量を測定可能な圧電デバイスを製造することができる。
【００１７】
［適用例３］前記第１の梁、前記第２の梁、前記第３の梁は、積層方向に沿って互いに重なる位置に配置され、前記第２の梁は、前記第１の梁と、前記第３の梁との間に挟まれ、前記第１の梁及び前記第３の梁に接合されていることを特徴とする適用例２に記載の圧電デバイスの製造方法。
【００１８】
上記構成により、基板間の接着層を形成する接着剤が圧電デバイスの側面に流出することを防止し、この流出した接着剤による圧電デバイス全体応力分布のバラつきに起因する振動部の特性のバラつきを抑制し、圧電デバイスの特性のバラつきを抑制することができる。
【００１９】
［適用例４］第１基板と、圧電振動基板と、を備える複数の圧電デバイスを配置したウェーハの積層構造であって、複数の前記第１基板が互いに離間して配置され、隣り合う前記第１基板同士が第１の梁で連結された第１ウェーハと、複数の前記圧電振動基板が互いに離間して配置され、隣り合う前記圧電振動基板同士が第２の梁で連結された圧電振動ウェーハと、を有し、前記圧電振動ウェーハが前記第１ウェーハに積層されることにより複数の前記圧電デバイスが構成され、前記圧電デバイスは、複数の前記圧電デバイス同士が互いに離間した状態で配置され、隣り合う前記圧電デバイス同士が前記第１の梁及び前記第２の梁で連結されていることを特徴とするウェーハの積層構造。
【００２０】
適用例１と同様の理由により、ダイシングにより発生する振動を抑制して層間の剥離や振動部の破損を防止して、歩留の高い圧電デバイスを量産することが可能なウェーハの積層構造となる。また、第１基板、圧電振動基板をダイシングすることはないので、ダイシング時の各基板のチッピングを回避することが可能なウェーハの積層構造となる。
【００２１】
［適用例５］前記圧電振動基板は、物理量を検出する感圧部を有し、前記圧電振動ウェーハには、前記圧電振動基板に積層され、外部からの力を前記感圧部に伝達するダイアフラムを有する第２基板が互いに離間して配列され、隣り合う前記第２基板同士が第３の梁で連結して構成された第２ウェーハが積層されていることを特徴とする適用例４に記載のウェーハの積層構造。
上記構成により、圧力等の物理量を測定可能な圧電デバイスを製造可能なウェーハの積層構造となる。
【００２２】
［適用例６］前記第１の梁、前記第２の梁、前記第３の梁は、積層方向に沿って互いに重なる位置に配置され、前記第２の梁は、前記第１の梁と前記第３の梁との間に挟まれ、前記第１の梁及び前記第３の梁に接合されていることを特徴とする適用例５に記載のウェーハの積層構造。
適用例３と同様の理由により、圧電デバイスの特性のバラつきを抑制することが可能なウェーハの積層構造となる。
【００２３】
［適用例７］第１基板と、前記第１基板に積層された圧電振動基板と、を有する圧電デバイスであって、前記第１基板の側面には第１の凸部が配置され、前記圧電振動基板の側面の前記第１の凸部に対向する位置には第２の凸部が配置され、前記第２の凸部は前記第１の凸部に積層されていることを特徴とする圧電デバイス。
【００２４】
上記構成により、第１の凸部、第２の凸部が互いに重なるように配置されているので、各凸部を積層の際のアライメントの目印に用いることができ、積層を容易に行うことが可能な圧電デバイスとなる。
【００２５】
［適用例８］前記圧電振動基板は、物理量を検出する感圧部を有し、外部からの力を前記感圧部に伝達するダイアフラムを有する第２基板が積層されていることを特徴とする適用例７に記載の圧電デバイス。
上記構成により、圧力等の物理量を測定可能な圧電デバイスとなる。
【００２６】
［適用例９］適用例７または８に記載の圧電デバイスを実装基板に実装してなる圧電モジュールであって、前記圧電デバイスは、前記第１基板の外側の中央部が接合部材により支持されていることを特徴とする圧電モジュール。
【００２７】
上記構成において、接合部材と第１基板との間で熱歪み等の応力が発生するが、この応力は圧電デバイスを構成する部材を伝播するに従って緩和される。そして、圧電デバイスを第１基板の中央部に一点支持状態で実装基板した場合は、第１基板の接合部材が配置された位置から振動部への経路が最も長くなる。よって効率的に応力を緩和させ振動部への悪影響を低減させることが可能な圧電モジュールとなる。
【００２８】
［適用例１０］前記圧電デバイスに電気的に接続する回路を搭載したことを特徴とする適用例９に記載の圧電モジュール。
上記構成により、自ら発振する発振器としての機能、または自ら圧力等の物理量を測定する物理量センサーとしての機能を有する圧電モジュールを構築することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】第１実施形態のウェーハの積層構造の分解斜視図と、これを積層したのちに個片化して得られる第１実施形態の圧電デバイス（図中右下）の斜視図である。
【図２】第１実施形態の圧電デバイスの拡大斜視図である。
【図３】図２の分解斜視図である。
【図４】圧電デバイスを構成する励振電極の詳細図であり、図４（ａ）は上面図（図２の部分拡大図）、図４（ｂ）は下面図である。
【図５】図２のＡ−Ａ線断面図である。
【図６】図２のＢ−Ｂ線断面図であり、図６（ａ）は第１基板、圧電素子基板、第２基板の断面図、図６（ｂ）は図６（ａ）における圧電素子基板の拡大図である。
【図７】第１実施形態のウェーハの積層構造においてダイシングを行なう場合の模式図であり、図７（ａ）はダイシング前、図７（ｂ）はダイシング後である。
【図８】第２実施形態のウェーハの積層構造の分解斜視図と、これを積層したのちに個片化して得られる第２実施形態の圧電デバイス（図中右下）の斜視図である。
【図９】第２実施形態の圧電デバイスの拡大斜視図である。
【図１０】本実施形態のウェーハの積層構造において、折り取り部を形成した場合の模式図であり、図１０（ａ）は、第１ウェーハ、圧電振動ウェーハ、第２ウェーハのそれぞれの折り取り部の平面図、図１０（ｂ）は第１ウェーハ、圧電振動ウェーハ、第２ウェーハを積層した場合の各折り取り部の側面図である。
【図１１】本実施形態の電子デバイスを実装基板に搭載する場合の模式図であり、図１１（ａ）は斜視図、図１１（ｂ）は側面図である。
【図１２】本実施形態のウェーハの積層構造及び圧電デバイスにおいて、振動部としてＡＴカット振動片を用いた場合の分解斜視図と、圧電デバイス（図中右下）の斜視図を示す。また図中左上に圧電振動基板の下面の斜視図を示す。
【図１３】本実施形態の圧電デバイスにおいて、振動部として音叉型振動片を用いた場合の分解斜視図と、圧電振動基板の下面の模式図である。
【図１４】本実施形態の圧電デバイスにおいて、振動部としてＡＴカット振動片を用いた場合の分解斜視図と、圧電振動基板の下面の模式図である。
【図１５】本実施形態の圧電デバイスを燃料電池システムに搭載した場合の系統図である。
【図１６】本実施形態の圧電デバイスを車両用情報記録装置に搭載した場合のブロック図である。
【図１７】本実施形態の圧電デバイスを側面衝突検出装置に搭載した場合の模式図である。
【図１８】特許文献１に記載の圧力センサーの模式図であり、図１８（ａ）は分解斜視図、図１８（ｂ）は断面図である。
【図１９】特許文献２に記載の圧力センサーの模式図であり、図１９（ａ）は分解斜視図、図１９（ｂ）は上面図である。
【図２０】特許文献３に記載の３層構造の圧電デバイスの製造工程を示す図であり、図２０（ａ）のウェーハの積層前の工程、図２０（ｂ）はウェーハの積層時の工程、図２０（ｃ）は個片化の工程である。
【図２１】特許文献５に記載の３層構造の圧電デバイスの製造工程を示す図であり、図２１（ａ）は溝形成工程、図２１（ｂ）は積層工程、図２１（ｃ）は個片化工程、図２１（ｄ）は、図２１（ｃ）の圧電デバイスの分解斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下、本発明を図に示した実施形態を用いて詳細に説明する。但し、この実施形態に記載される構成要素、種類、組み合わせ、形状、その相対配置などは特定的な記載がない限り、この発明の範囲をそれのみに限定する主旨ではなく単なる説明例に過ぎない。
【００３１】
第１実施形態においては、先ず、圧電デバイスの構成について説明し、次いで圧電デバイスを複数製造するウェーハの積層構造について説明する。図２に、第１実施形態の圧電デバイスの拡大斜視図を示す。また、図３に、図２の分解斜視図を示し、図５に、図２のＡ−Ａ線断面図を示す。
【００３２】
第１実施形態の圧電デバイス１０は、第１基板１４と、感圧部（振動部３４Ａ、振動部３４Ｂ、第１基部３６、第２基部３８）を有する圧電振動基板２６と、ダイアフラム５６を有しダイアフラム５６に印加された圧力に伴う力を振動部３４Ａ、振動部３４Ｂに伝達する第２基板４８と、の順に積層された構造を有し、積層された後に壁面の一部がダイアフラム５６となり内部空間１３（図５）を有するパッケージ１２が形成されたものである。また、内部空間１３には、ダイアフラム５６に接続した振動部３４Ａ、振動部３４Ｂが配置されている。そして、ダイアフラム５６が外部の圧力により撓み変形し、この撓み変形に伴う力を振動部３４Ａ、振動部３４Ｂが受けることにより、振動部３４Ａ、振動部３４Ｂの共振周波数が変化する。よって、振動部３４Ａ、振動部３４Ｂの共振周波数の変化をモニターすることにより外部の圧力を測定可能な構成となっている。また第１基板１４、圧電振動基板２６、第２基板４８は、それぞれ短辺と長辺を有する矩形の水晶基板により形成されている。
【００３３】
図３、図５に示すように、第１基板１４は、圧電デバイス１０の最下層を構成するものである。第１基板１４の圧電振動基板２６に対向する面には凹部１６（図３、図５）が配置されている。凹部１６は圧電振動基板２６を構成する後述の振動部３４Ａ、振動部３４Ｂ、第１基部３６、第２基部３８、支持部４０Ａ、４０Ｂに対向する位置に配置され、これらの構成要素と第１基板１４との干渉を防止している。また第１基板１４において、この凹部１６の周囲を囲むように外周部１８（図３、図５）が配置される。外周部１８は、第１基板１４の一方の短辺側に偏って配置される。また、外周部１８には圧電振動基板２６を構成する後述の枠部２８が積層される。一方、第１基板１４の短辺の他方は基台部２２（図３、図５）となり、後述の接続部３２が積層される。
【００３４】
また第１基板１４の側面には第１の凸部２４が複数形成されている。第１の凸部２４は、第１基板１４の長辺を形成する２つの側面に１つずつ、一方の短辺を形成する側面に１つずつ配置されている。そして、長辺に配置された第１の凸部２４は、後述の第１の梁６８Ａをダイシングで切断することにより形成され、短辺に配置された第１の凸部２４は、後述の第１の梁６８Ｂをダイシングで切断することにより形成される。
【００３５】
圧電振動基板２６は、水晶の結晶軸である、電気軸としてのＸ軸と、機械軸としてのＹ軸と、光学軸としてのＺ軸と、からなる直交座標系のＸ軸を回転軸として、Ｚ軸を＋Ｙ軸の方向へ約２度回転させた軸をＺ′軸とし、このＺ′軸を法線とした主面を有する水晶基板を用いている。そして圧電振動基板２６には、矩形の枠形状を有する枠部２８（図３、図５）が配置される。枠部２８は、圧電振動基板２６の一方の短辺に偏って配置され、外周部１８上に積層される。一方、圧電振動基板２６の他方の短辺には接続部３２が配置される。枠部２８と接続部３２は圧電振動基板２６の長辺方向に横並びに配置される。
【００３６】
そして枠部２８内には、感圧部（振動部３４Ａ、振動部３４Ｂ、第１基部３６、第２基部３８）、支持部４０Ａ、４０Ｂ（図３、図５）が配置される。振動部３４Ａ、振動部３４Ｂは、それぞれ圧電振動基板２６の長辺方向に長手方向を有する柱状ビームにより形成され、互いに平行となるように配置され、この振動部３４Ａ、振動部３４Ｂにより双音叉型の振動片が形成される。即ち、圧電振動基板２６の前記長辺に沿って、前記柱状ビームは伸びており、これを長手方向としている。そして振動部３４Ａ、３４Ｂの長手方向の両端のうちの一方には第１基部３６が接続され、他方には第２基部３８が接続される。また枠部２８の長辺方向の内側側面の第１基部３６に対向する位置からは、支持部４０Ａが第１基部３６を圧電振動基板２６の短辺方向から挟むように延出し、第１基部３６に接続される。同様に枠部２８の長辺方向の内側側面の第２基部３８に対向する位置からは、支持部４０Ｂが第２基部３８を圧電振動基板２６の短辺方向から挟むように延出し、第２基部３８に接続される。よって振動部３４Ａ、振動部３４Ｂは、第１基部３６、第２基部３８、支持部４０Ａ、支持部４０Ｂを介して枠部２８に支持される。
【００３７】
第１基部３６及び第２基部３８は、振動部３４Ａ、振動部３４Ｂを支持するものであるが、後述の力伝達部５４Ａ、５４Ｂからの力を受けて、圧電振動基板２６の長辺方向に相対位置を互いに変化させるものである。よってこの相対位置の変化により振動部３４Ａ、振動部３４Ｂに応力を印加することができる。支持部４０Ａ、支持部４０Ｂは圧電振動基板２６の短辺方向に長手方向を有し、圧電振動基板２６の長辺方向に屈曲する部材である。よって、支持部４０Ａ、４０Ｂは、それぞれ第１基部３６、第２基部３８を支持するものの、第１基部３６、第２基部３８の変位に干渉しないようになっている。
【００３８】
一方、振動部３４Ａ、振動部３４Ｂには、互いに絶縁した励振電極９６、励振電極９８がそれぞれ配置される。そして接続部３２には、パッド電極４２Ａ、４２Ｂが配置される。パッド電極４２Ａ、４２Ｂは接続部３２において互いに絶縁するように配置される。
【００３９】
そして振動部３４Ａ、振動部３４Ｂに配置された励振電極９６からは、引出電極４４Ａが引き出され、第１基部３６、支持部４０Ａ、枠部２８、接続部３２を経路してパッド電極４２Ａに接続される。また振動部３４Ａ、振動部３４Ｂに配置された励振電極９８からは引出電極４４Ｂが引き出され、第１基部３６、支持部４０Ａ、枠部２８、接続部３２を介してパッド電極４２Ｂに接続される。
【００４０】
図４に、圧電デバイスを構成する励振電極の詳細図を示し、図４（ａ）は上面図（図２の部分拡大図）、図４（ｂ）は下面図を示す。なお説明のため、図４（ａ）からみて表面となる方を上面と称し、図４（ｂ）からみて表面となる方を下面と称することにする。図４に示すように、励振電極９６は、電極９６ａ乃至電極９６ｐにより構成され、励振電極９８は、電極９８ａ乃至電極９８ｐにより構成されている。
【００４１】
図４（ａ）に示すように、電極９６ａは、振動部３４Ａの第１基部３６側の外側の側面に配置されるとともに引出電極４４Ａに接続されている。また電極９６ａは、振動部３４Ａの中央部の上面に配置された電極９６ｂ、及び振動部３４Ａの第１基部３６側の内側の側面に配置された電極９６ｃに接続されている。電極９６ｃは、第１基部３６の上面に配置された電極９６ｄに接続され、電極９６ｄは、振動部３４Ｂの第１基部３６側の上面に配置された電極９６ｅに接続されている。
【００４２】
図４（ｂ）に示すように、電極９６ａは、第１基部３６の下面に配置された電極９６ｆに接続され、電極９６ｆは、振動部３４Ｂの第１基部３６側の下面に配置された電極９６ｇに接続されている。そして電極９６ｇは、振動部３４Ｂの中央部の外側の側面に配置された電極９６ｈ、及び振動部３４Ｂの中央部の内側側面に配置された電極９６ｉに接続されている。
【００４３】
図４（ａ）に示すように、電極９６ｈ及び電極９６ｉは、振動部３４Ｂの第２基部３８側の上面に配置された電極９６ｊに接続され、電極９６ｊは、第２基部３８の上面に配置された電極９６ｋに接続されている。電極９６ｋは、振動部３４Ａの第２基部３８側の外側の側面に配置された電極９６ｌに接続されている。
【００４４】
図４（ｂ）に示すように、電極９６ｌは、振動部３４Ａの中央部の下面に配置された電極９６ｍ、及び振動部３４Ａの第２基部３８側の内側の側面に配置された電極９６ｎに接続されている。電極９６ｎは、第２基部３８の下面に配置された電極９６ｏに接続され、電極９６ｏは、振動部３４Ｂの第２基部３８側の下面に配置された電極９６ｐに接続されている。したがって、電極９６ａから電極９６ｐに至るまで電気的に接続され励振電極９６が形成される。
【００４５】
図４（ａ）、図４（ｂ）に示すように、電極９８ａは、振動部３４Ｂの第１基部３６側の外側の側面に配置されるとともに、引出電極４４Ｂに接続されている。また、図４（ａ）に示すように、電極９８ａは、振動部３４Ｂの中央部の上面に配置された電極９８ｄ、及び振動部３４Ｂの第１基部３６側の内側の側面に配置された電極９８ｅに接続されている。図４（ａ）に示すように、電極９８ｂは、第１基部３６の上面に配置されるとともに引出電極４４Ｂに接続されている。また電極９８ｂは、振動部３４Ａの第１基部３６側の上面に配置された電極９８ｃに接続されている。
【００４６】
図４（ｂ）に示すように、電極９８ｅは、第１基部３６の下面に配置された電極９８ｆに接続され、電極９８ｆは、振動部３４Ａの第１基部３６側の下面に配置された電極９８ｇに接続されている。電極９８ｇは、振動部３４Ａの中央部の外側の側面に配置された電極９８ｈ、及び振動部３４Ａの中央部の内側の側面に配置された電極９８ｉに接続されている。
【００４７】
図４（ａ）に示すように、電極９８ｈ及び電極９８ｉは、振動部３４Ａの第２基部３８側の上面に配置された電極９８ｊに接続され、電極９８ｊは、第２基部３８の上面に配置された電極９８ｋに接続されている。電極９８ｋは、振動部３４Ｂの第２基部３８側の内側の側面に配置された電極９８ｌに接続されている。
【００４８】
図４（ｂ）に示すように、電極９８ｌは、振動部３４Ｂの中央部の下面に配置された電極９８ｍ、及び振動部３４Ｂの第２基部３８側の外側の側面に配置された電極９８ｎに接続されている。電極９８ｎは、第２基部３８の上面に配置された電極９８ｏに接続され、電極９８ｏは、振動部３４Ａの第２基部３８側の下面に配置された電極９８ｐに接続されている。したがって、電極９６ａから電極９６ｐに至るまで電気的に接続され励振電極９６が形成される。
【００４９】
よって、振動部３４Ａの第１基部３６側では、側面方向において電極９６ａと電極９６ｃとが対向し、上面・下面方向では電極９８ｃと電極９８ｇとが対向する。振動部３４Ａの中央部では、側面方向において電極９８ｈと電極９８ｉとが対向し、上面・下面方向では電極９６ｂと電極９６ｍとが対向する。振動部３４Ａの第２基部３８側では、側面方向において電極９６ｌと電極９６ｎとが対向し、上面・下面方向では電極９８ｊと電極９８ｐとが対向する。
【００５０】
また振動部３４Ｂの第１基部３６側では、側面方向において、電極９８ａと電極９８ｅとが対向し、上面・下面方向では電極９６ｅと電極９６ｇとが対向する。振動部３４Ｂの中央部では、側面方向において電極９６ｈと電極９６ｉとが対向し、上面・下面方向では電極９８ｄと電極９８ｍとが対向する。振動部３４Ｂの第２基部３８側では、側面方向において、電極９８ｌと電極９８ｎとが対向し、上面・下面方向では電極９６ｊと電極９６ｐとが対向する。
【００５１】
よって、励振電極９６は、振動部３４Ａの第１基部３６側及び第２基部３８側では側面方向に対向し、振動部３４Ａの中央部では上面・下面方向に対向する。また励振電極９６は、振動部３４Ｂの第１基部３６側及び第２基部側では上面・下面方向に対向し、振動部３４Ｂの中央部では側面方向に対向する。
【００５２】
一方、励振電極９８は、振動部３４Ａの第１基部３６側及び第２基部３８側では上面・下面方向に対向し、振動部３４Ａの中央部では側面方向に対向する。また励振電極９８は、振動部３４Ｂの第１基部３６側及び第２基部３８側では側面方向に対向し、振動部３４Ｂの中央部では上面・下面方向に対向する。
【００５３】
励振電極９６は、パッド電極４２Ａに引出電極４４Ａを介して電気的に接続され、励振電極９８は、パッド電極４２Ｂに引出電極４４Ｂを介して電気的に接続される。したがって、励振電極９６、励振電極９８を上述のように振動部３４Ａ、振動部３４Ｂに配置した状態で、パッド電極４２Ａ、４２Ｂに交流電圧を印加することにより振動部３４Ａ、振動部３４Ｂは、所定の共振周波数で振動する。なお、励振電極９６、励振電極９８の振動部３４Ａ、振動部３４Ｂへの配置パターンは上述の方法に限らず様々なパターンを用いることができる。
【００５４】
ここで、第１基部３６、第２基部３８が圧電振動基板２６の長辺方向に互いに離れる方向に変位する力を受けた場合は、振動部３４Ａ、振動部３４Ｂは引張応力を受けるので共振周波数は高くなり、逆に互いに近づく方向に変位する力を受けた場合は、振動部３４Ａ、振動部３４Ｂは圧縮応力を受けるので共振周波数は低くなる。
【００５５】
また圧電振動基板２６の側面には第２の凸部４６が複数形成されている。第２の凸部４６は、圧電振動基板２６の長辺（枠部２８の長辺）を形成する２つの側面に１つずつ、短辺を形成する２つの側面に１つずつ配置されている。なお、長辺に配置された第２の凸部４６は、後述の第２の梁７２Ａをダイシングで切断することにより形成され、短辺に配置された第２の凸部４６は後述の第２の梁７２Ｂをダイシングで切断することにより形成される。そして第２の凸部４６は第１の凸部２４に積層される。
【００５６】
図３、図５に示すように、第２基板４８は、振動部３４Ａ、振動部３４Ｂに力を伝達するダイアフラム５６を有する基板である。第２基板４８は、圧電振動基板２６に対向する面に凹部５０（図３、図５）を有する。この凹部５０は振動部３４Ａ、振動部３４Ｂ、第１基部３６、第２基部３８、支持部４０Ａ、４０Ｂに対向する位置に形成されている。この凹部５０により凹部５０の周囲には、第２基板４８の周縁に沿って外形が形成された外周部５２（図５）が配置され、外周部５２は、圧電振動基板２６の枠部２８に積層される。よって圧電振動基板２６を構成する接続部３２は、第２基板４８の積層後も外部に露出することになる。
【００５７】
一方、凹部５０の第１基部３６に対向する位置には凸状の力伝達部５４Ａ（図３、図５）が配置され、第２基部３８に対向する位置には凸状の力伝達部５４Ｂ（図３、図５）が配置される。そして、積層後に力伝達部５４Ａは第１基部３６と接合し、力伝達部５４Ｂは第２基部３８に接合する。さらに凹部５０の底面は、外力により撓み変形するダイアフラム５６となっている。ダイアフラム５６は外部からの力（圧力）を力伝達部５４Ａ、５４Ｂを介して感圧部（第１基部３６、第２基部３８、振動部３４Ａ、振動部３４Ｂ）に伝達する。
【００５８】
また、第２基板４８の側面には第３の凸部５８が配置されている。第３の凸部５８は、第２基板４８の２つの長辺に１つずつ、第２基板４８の短辺のうち接続部３２に対向する短辺に対向する短辺に１つ配置されている。この長辺に配置された第３の凸部５８は、後述の第３の梁７６Ａをダイシングで切断することにより形成され、短辺に配置された第３の凸部５８は、後述の第３の梁７６Ｂをダイシングで切断することにより形成される。そして第３の凸部５８は第２の凸部４６に積層される。
【００５９】
さらに、第２基板４８の接続部３２に対向する短辺には剥離痕６０（図２、図３、図５）が形成されている。この剥離痕６０は、後述のように、第３の梁７６Ｂをこの剥離痕６０が形成される位置に形成して、積層時に第３の梁７６Ｂを剥離した際に生じるものである。なお第３の梁７６Ｂ（剥離痕６０）は、接続部３２に対向する辺（短辺）において、積層方向から見てパッド電極４２Ａ、４２Ｂの間となる位置に配置される。
【００６０】
図３、図５に示すように、圧電デバイス１０は、第１基板１４、圧電振動基板２６、第２基板４８の順に積層して形成される。しかし、図５に示すように、各基板間には接着剤による接着層６２が形成される。このとき、第１基板１４の外周部１８と圧電振動基板２６の枠部２８とが接合し、基台部２２と接続部３２とが接合する。また圧電振動基板２６の枠部２８は第２基板４８の外周部５２と接合し、第１基部３６は力伝達部５４Ａに接合し、第２基部３８は力伝達部５４Ｂに接合する。そして第２の凸部４６は、第１の凸部２４及び第３の凸部５８に挟まれる形で、第１の凸部２４、第３の凸部５８に接合する。
【００６１】
このような積層構造の場合、これら構成要素の接合面が積層後に露出しないように設計することが好適である。これにより、層間の接着層６２を形成する接着剤が圧電デバイス１０の側面に流出することを防止し、この流出した接着剤による圧電デバイス１０全体応力分布のバラつきに起因する振動部３４Ａ、振動部３４Ｂの特性のバラつきを抑制し、圧電デバイス１０の特性のバラつきを抑制することができる。
【００６２】
そして、上述のように各基板を積層することにより、内部空間１３を有するパッケージ１２が形成され、上面にはダイアフラム５６が配置され、圧電振動基板２６が露出した位置には接続部３２（パッド電極４２Ａ、パッド電極４２Ｂ）が配置された圧電デバイス１０となる。よって、例えば内部空間１３を真空とすることにより、真空を基準とした圧力を測定可能な圧電デバイス１０となる。
【００６３】
上記構成において、ダイアフラム５６に圧力が印加されると、ダイアフラム５６は内部空間１３側に撓み変形する。これにより力伝達部５４Ａ、５４Ｂは互いに離間する方向に変位し、力伝達部５４Ａに接続された第１基部３６、力伝達部５４Ｂに接続された第２基部３８に互いに離間する方向に力を受ける。よって、振動部３４Ａ、振動部３４Ｂには引張応力が印加され振動部３４Ａ、振動部３４Ｂの共振周波数が高くなる。したがって、振動部３４Ａ、振動部３４Ｂの共振周波数の変化量をモニターすることによりダイアフラム５６に印加された圧力を検知可能な圧電デバイス１０となる。
【００６４】
なお、本実施形態では、振動部を２つの柱状ビーム（振動部３４Ａ、振動部３４Ｂ）により構成しているが、これを１つの柱状ビーム（シングルビーム）により構成することもできる。これにより、柱状ビームに対して第１基部３６、第２基部３８から印加される力が大きくなるので、共振周波数の変化量が大きくなり、圧電デバイス１０の感度を向上させることができる。また振動部を２つ以上の柱状ビームにより構成することが可能である。この場合、各柱状ビームの振動に対称性を持たせることにより、振動漏れを抑制してＱ値の高い圧電デバイス１０とすることができる。本実施形態のように柱状ビームが２つの場合は、柱状ビームの長手方向の中央が互いに離れ、互いに近づくような振動とすることにより一対の振動ビームは対称性を有する振動となり、外部への振動漏れを抑制することができる。
【００６５】
図１に、第１実施形態のウェーハの積層構造の分解斜視図と、これを積層したのちに個片化して得られる第１実施形態の圧電デバイス（図中右下）の斜視図を示す。本実施形態のウェーハの積層構造６４は、第１基板１４をアレイ状に配置した第１ウェーハ６６と、圧電振動基板２６をアレイ状に配置し第１ウェーハ６６に積層された圧電振動ウェーハ７０と、第２基板４８をアレイ状に配置し圧電振動ウェーハ７０に積層された第２ウェーハ７４と、を有している。そして、図１に示すようにこのウェーハの積層構造６４に対して二点鎖線で囲まれた範囲をダイシング領域（Ｄ）とするダイシングブレード９４（図７参照）によりダイシングを行なうことにより、複数の圧電デバイス１０を個片化することができる。
【００６６】
第１ウェーハ６６は、第１基板１４と同一の厚みとなる水晶基板により形成され、第１基板１４をアレイ状に配置した上で、互いに隣接する第１基板１４を第１の梁６８Ａ、６８Ｂで連結するように水晶基板を刳り貫いて形成される。ここで、互いに隣接する第１基板１４同士において、第１基板１４の長辺同士が対向する位置では第１の梁６８Ａで連結され、第１基板１４の短辺同士が対向する位置では第１の梁６８Ｂで連結される。
【００６７】
圧電振動ウェーハ７０は、上述のＺ′軸を法線に持つ主面を有し、圧電振動基板２６と同一の厚みとなる水晶基板により形成されている。そして、圧電振動基板２６をアレイ状に配置した上で、互いに隣接する圧電振動基板２６を第２の梁７２Ａ、７２Ｂで連結するように水晶基板を刳り貫いて形成される。ここで、互いに隣接する圧電振動基板２６において、圧電振動基板２６の長辺同士が対向する位置では第２の梁７２Ａで連結され、圧電振動基板２６の短辺同士が対向する位置では第２の梁７２Ｂで連結される。
【００６８】
第２ウェーハ７４は、第２基板４８と同一の厚みとなる水晶基板により形成され、第２基板４８をアレイ状に配置した上で、互いに隣接する第２基板４８を第３の梁７６Ａ、７６Ｂで連結するように水晶基板を刳り貫いて形成される。ここで、互いに隣接する第２基板同士において、第２基板４８の長辺同士が対向する位置では第３の梁７６Ａで連結され、第２基板４８の短辺同士が対向する位置では第３の梁７６Ｂで連結される。
【００６９】
そして、第３の梁７６Ｂは、積層後に接続部３２に対向する位置及び、前記位置に連続しダイシングにより消失する部分の一部となる位置は、圧電振動基板２６に対向する面側から掘り込まれて第２基板４８より薄肉に形成されている（図１左上拡大図、図７参照）。よって第２ウェーハ７４を圧電振動ウェーハ７０に積層すると、第３の梁７６Ｂと接続部３２との間には隙間７８（図７（ａ））が形成される。これにより、第３の梁７６Ｂが接続部３２に積層されることはない。よってパッド電極４２Ａ、４２Ｂの接続部３２における配置の自由度を高めることができる。
【００７０】
また第３の梁７６Ｂの第２基板４８との接続位置には厚み方向に切り込み８０が形成される（図７参照）。よって、後述のように第１ウェーハ６６、圧電振動ウェーハ７０、第２ウェーハ７４を積層後、第１の梁６８Ｂ、第２の梁７２Ｂ、第３の梁７６Ｂをダイシングしたとき、第３の梁７６Ｂは、切り込み８０において折り取ることが可能であるとともに、ダイシングの振動により第３の梁７６Ｂを第２基板４８から分離させることができる。
【００７１】
図６に、図２のＢ−Ｂ線断面図を示し、図６（ａ）は第１基板、圧電素子基板、第２基板の断面図、図６（ｂ）は図６（ａ）における圧電素子基板の拡大図を示す。本実施形態において、第１ウェーハ６６、第２ウェーハ７４は、サンドブラストにより外形を形成し、圧電振動ウェーハ７０はエッチングにより外形を形成することが好適である。
【００７２】
第１基板１４及び第１の梁６８Ａ、６８Ｂは、第１基板１４の母基板となる第１ウェーハ６６（図１参照）の両面から研削して外形を形成する。第２基板４８及び第３の梁７６Ａ、７６Ｂは、第２基板４８の母基板となる第２ウェーハ７４（図１参照）の片面から研削して外形を形成する。また積層後に接続部３２に対向する第３の梁７６Ｂは、圧電振動基板２６に対向する面側からサンドブラストにより薄肉に形成する。
【００７３】
サンドブラストは、シリカ等の研削用粒子をエアとともに対象となる基板に吹き付けて機械的に基板を研削するものであるが、深さ方向を研削すると同時に横方向にも研削が進行する。例えば、サンドブラストにより基板に穴を形成すると、穴の底部から開口部に向かうにつれて内径が大きくなるテーパー状の穴が形成される。このため、基板の外形をサンドブラストにより形成すると、基板の側面は上述のテーパー状の穴を一方向に移動させて得られる軌跡として形成され、側面の法線は基板の法線と直交せず傾斜することになる。
【００７４】
よって、図６（ａ）に示すように、第１ウェーハ６６の両面からサンドブラストを行って第１基板１４の外形を形成する場合は、第１基板１４の側面は、厚み方向の中央部の側面が尖った形となる。また第１の梁６８Ａ、６８Ｂも、第１基板１４の厚み方向の中央部で側面が尖った形となる。
【００７５】
また、図６（ａ）に示すように、第２ウェーハ７４の圧電振動基板２６に対向する面側からサンドブラストを行なって第２基板４８の外形を形成する場合は、第２基板４８の側面の法線が圧電振動基板２６に対向する面側に傾斜することになる。また第３の梁７６Ａ、７６Ｂも、その側面の法線が圧電振動基板２６に対向する面側に傾斜することになる。なお、第１基板１４の凹部１６は、上述のサンドブラストにより形成してもよく、またエッチングにより形成してよい。また第２基板４８の凹部５０（ダイアフラム５６）は、サンドブラストにより形成し、サンドブラストにより生じた凹部５０（ダイアフラム５６）への残留応力及び表面粗さを除去するため、短時間エッチングして凹部５０（ダイアフラム５６）の表面を平坦化するとともに残留応力を除去する。
【００７６】
圧電振動基板２６及び第２の梁７２Ａ、７２Ｂは、その母基板となる圧電振動ウェーハ７０（水晶基板）に対して、フッ酸等のエッチング液を用いて、その外形に合わせたエッチングを行なうことにより形成される。一方、水晶は結晶方位に起因したエッチング速度の異方性を有するため、エッチングの進行方向によりエッチングの進行速度が異なる。本実施形態の圧電振動基板２６は、上述のようにＺ′軸に平行な方向を主面の法線とするとともに、図６（ｂ）の断面図から分かるように、Ｙ′軸に平行な方向を長辺とし、Ｘ軸に平行な方向を短辺としている。よって圧電振動基板２６においては、図６（ｂ）に示すように、−Ｘ軸を向く側面及び＋Ｘ軸に向く側面において、平坦とはならずに複数の側面が形成される。即ち、−Ｘ軸を向く圧電振動基板２６の側面では、圧電振動基板２６の厚み方向の中央部を境界として第１基板１４側に配置された第１側面８２と第２基板４８側に配置された第２側面８４と、の２つの側面が形成される。第１側面８２の法線は、第１基板１４側に傾斜し、第２側面８４の法線は、第２基板４８側に傾斜している。
【００７７】
また＋Ｘ軸を向く圧電振動基板２６の側面では、圧電振動基板２６の厚み方向の中央部を境界として第１基板１４側に配置された第１側面８６及び第２側面８８、第２基板４８側に配置された第３側面９０及び第４側面９２が形成される。第１側面８６は、第２側面８８よりも第１基板１４側に配置された側面であり、その法線が第１基板１４側に傾斜している。第２側面８８は中央部を境界とする側面であり、その法線が第１側面８６の法線よりもさらに第１基板１４側に傾斜している。第３側面９０は、第４側面９２よりも第２基板４８側に配置された側面であり、その法線が第２基板４８側に傾斜している。第４側面９２は中央部を境界とする側面であり、その法線が第３側面９０の法線よりもさらに第２基板４８側に傾斜している。よって圧電振動基板２６の＋Ｘ軸側の側面の厚み方向の中央部には、第２側面８８及び第４側面９２により幅方向が突出し＋Ｙ′軸方向に延びる稜線が形成されることになる。したがって、本実施形態では枠部２８、振動腕３４、第１基部３６、第２基部３８、第２の凸部４６（第２の梁７２Ｂ）の＋Ｘ軸側の側面に上述の稜線が形成される（図２、図３、図６（ａ）参照）。
【００７８】
本実施形態の圧電デバイス１０を製造する基本的な工程としては、まず、互いに離間して配置された複数の第１基板１４と、隣り合う第１基板１４同士を連結する第１の梁６８Ａ、６８Ｂと、を有する上述の第１ウェーハ６６を形成する工程を有する。また、互いに離間して配置され、第１基板１４に積層される複数の圧電振動基板２６と、隣り合う圧電振動基板２６同士を連結し、第１の梁６８Ａ、６８Ｂに積層される第２の梁７２Ａ、７２Ｂと、を有する上述の圧電振動ウェーハ７０を形成する工程を有する。さらに、圧電振動基板２６に積層され外部からの力を振動部３４Ａ、振動部３４Ｂに伝達するダイアフラム５６を有する複数の第２基板４８が互いに離間して配列され、隣り合う第２基板４８同士が第３の梁７６Ａ、７６Ｂで連結された上述の第２ウェーハ７４を形成する工程を有する。
【００７９】
そして、第１ウェーハ６６に圧電振動ウェーハ７０を積層し、圧電振動ウェーハ７０に第２ウェーハ７４を積層することにより、第１基板１４、圧電振動基板２６、第２基板４８の順に積層されて構成される複数の圧電デバイス１０を形成する工程を経る。最後に、第１の梁６８Ａ、６８Ｂ、第２の梁７２Ａ、７２Ｂ、第３の梁７６Ａ、７６Ｂを切断することにより、前記圧電デバイス１０を個片化する工程を経ることにより、圧電デバイス１０を複数製造することができる。
【００８０】
図７に、第１実施形態のウェーハの積層構造においてダイシングを行なう場合の模式図を示し、図７（ａ）はダイシング前、図７（ｂ）はダイシング後を示す。図１に示すように、ウェーハの積層構造６４においては、積層後に二点鎖線で囲まれた範囲をダイシング領域（Ｄ）とするダイシングブレード９４によりダイシングを行なって、複数の圧電デバイス１０を個片化することができる。よって図１、図７（ａ）に示すように、ダイシング領域（Ｄ）に沿ってダイシング（フルカット）を行なうと、第１の梁６８Ａ、６８Ｂ、第２の梁７２Ａ、７２Ｂ、第３の梁７６Ａ、７６Ｂをダイシングすることになる。そして、図７（ａ）に示すように、第３の梁７６Ｂ（第１の梁６８Ｂ、第２の梁７２Ｂ）をダイシングする場合は、第３の梁７６Ｂの第２の梁７２Ｂに接合する領域と、第３の梁７６Ｂが薄肉に形成された部分とをダイシングすることになる。よって、ダイシング後の第３の梁７６Ｂは第２の梁７２Ｂから分離する。さらに第３の梁７６Ｂの第２基板４８に接続する部分には、ハーフダイシング等により切り込み８０が形成されているので、図７（ｂ）に示すように、上述のフルカット時の振動で第３の梁７６Ｂは第２基板４８から剥離し、第２基板４８には剥離痕６０が形成される。またフルカット時の振動で第３の梁７６Ｂが剥離しなくても、切り込み８０において第３の梁７６Ｂを折り取ることができる。
【００８１】
上述のように本実施形態において、第１の梁６８Ａ、６８Ｂ、第２の梁７２Ａ、７２Ｂ、第３の梁７６Ａ、７６Ｂは、アレイ状に配置された圧電デバイス１０の間に配置されている。よって、ダイシングに用いるダイシングブレード９４を、圧電デバイス１０の間に沿って走らせ、第１の梁６８Ａ、６８Ｂ、第２の梁７２Ａ、７２Ｂ、第３の梁７６Ａ、７６Ｂを切断することにより圧電デバイス１０を個片化することができる。
【００８２】
このとき、第１の梁６８Ａの一部は、第１の凸部２４として第１基板１４の長辺に配置され、第１の梁６８Ｂの一部は、第１の凸部２４として第１基板１４の短辺に配置される。また、第２の梁７２Ａの一部は、第２の凸部４６として圧電振動基板２６の長辺に配置され、第２の梁７２Ｂの一部は、第２の凸部４６として圧電振動基板２６の短辺に配置される。さらに第３の梁７６Ｂの一部は、第３の凸部５８として第２基板４８の長辺に配置される。そして、第３の梁７６Ｂは、上述のダイシングにより、第２基板４８の短辺に第３の凸部５８として配置される部分と、第２基板４８から分離するとともに第２基板４８の接続部３２に対向する側面に剥離痕６０を形成する部分と、に分離する。
【００８３】
上記構成において、第１の梁６８Ａ、６８Ｂ、第２の梁７２Ａ、７２Ｂ、第３の梁７６Ａ、７６Ｂは、それぞれ第１基板１４、圧電振動基板２６、第２基板４８の幅より十分細くなるように設計することができる。よって、ダイシングブレード９４の第１ウェーハ６６、圧電振動ウェーハ７０、第２ウェーハ７４との切断時の接触断面積を小さくすることができる。したがって、ダイシングにより発生する振動を抑制して層間の剥離や振動部３４Ａ、振動部３４Ｂの破損を防止して、歩留の高い圧電デバイス１０を量産することができる。また、第１基板１４、圧電振動基板２６、第２基板４８をダイシングすることはないので、ダイシング時の各基板のチッピングを回避することができる。
【００８４】
図８に、第２実施形態のウェーハの積層構造の分解斜視図と、これを積層したのちに個片化して得られる第２実施形態の圧電デバイス（図中右下）の斜視図を示す。また図９に、第２実施形態の圧電デバイスの拡大斜視図を示す。なお、以後の実施形態において、第１実施形態と共通する構成要素については同一の番号を付するものとし、必要な場合を除いてその説明を省略する。
【００８５】
第２実施形態のウェーハの積層構造１０６及び圧電デバイス１００は、基本的には第１実施形態と構成が共通するが、接続部３２に対向する位置に配置された第３の梁１０２は、接続部３２及び第２の凸部４６に積層されるとともに、積層方向から見て接続部３２を二分する位置に延出部１０４として配置されている。また、パッド電極４２Ａ、４２Ｂは、接続部３２において積層方向から見て延出部１０４（第３の梁１０２）を間に挟む位置に配置されている。
【００８６】
上記構成において、第３の梁１０２は、第１の梁６８Ｂ、第２の梁７２Ｂとともにダイシングにより切断される。そして、ダイシング後においては、第３の梁１０２の一部が延出部１０４として、パッド電極４２Ａ、４２Ｂ間に配置されることになる。一方、圧電デバイス１００を実装基板に実装する際は、パッド電極にワイヤー１２６（図１１参照）を接続するが、ワイヤー接続部を保護するためワイヤー１２６に導電性接着剤等を塗布する場合がある。このとき、接続部３２に配置された延出部１０４はパッド電極４２Ａ、４２Ｂ間（導電性接着剤間）の障壁として配置されることになる。したがって、接続部３２に配置された延出部１０４によりパッド電極４２Ａ、４２Ｂ間の短絡を防止することができる。
【００８７】
図１０に、本実施形態のウェーハの積層構造において、折り取り部を形成した場合の模式図を示し、図１０（ａ）は、第１ウェーハ、圧電振動ウェーハ、第２ウェーハのそれぞれの折り取り部の平面図、図１０（ｂ）は第１ウェーハ、圧電振動ウェーハ、第２ウェーハを積層した場合の各折り取り部の側面図を示す。本実施形態は、第１実施形態を例に説明するが第２実施形態においても適用可能である。さらに本実施形態では、第１の梁６８Ｂ、第２の梁７２Ｂ、第３の梁７６Ｂに適用した場合について説明する。
【００８８】
第１実施形態においては、第１の梁６８Ａ、６８Ｂ、第２の梁７２Ａ、７２Ｂ、第３の梁７６Ａ、７６Ｂをダイシングすることにより圧電デバイス１０を個片化することを前提として述べてきたが、本実施形態により、折り取りによっても個片化することが可能である。
【００８９】
図１０（ａ）に示すように、第１の梁６８Ｂには、第１の折り取り部１０８が配置され、第２の梁７２Ｂには、第２の折り取り部１１０が配置され、第３の梁７６Ｂには、第３の折り取り部１１２が配置されている。第１の折り取り部１０８は、第１の梁６８Ｂの中央部において、その幅方向及び厚み方向にサンドブラストを施すことにより形成することができる。第３の折り取り部１１２も、第３の梁７６Ｂの中央部において、その幅方向及び厚み方向にサンドブラストを施すことにより形成することができる。一方、第２の折り取り部１１０はエッチングにより形成することが可能である。すなわち、第２の折り取り部１１０を形成するための第２の梁７２Ｂの幅方向のエッチングは、圧電振動基板２６の外形（第２の梁７２Ｂを含む）をエッチングで形成する工程と同時に形成することができる。一方、振動部３４Ａ、振動部３４Ｂの発振効率を高めるため、振動部３４Ａ、振動部３４Ｂを構成する柱状ビームに柱状ビームの厚み方向から溝を形成するハーフエッチングを施して柱状ビームの重量を軽減することが行なわれる。この工程は圧電振動基板２６の外形を形成したのち、振動部３４Ａ、振動部３４Ｂの厚み方向の両面に行なう。したがって、第２の折り取り部１１０を形成するための第２の梁７２Ｂの厚み方向のハーフエッチングは、この溝の形成と同時に行うことができ、第２の梁７２Ｂの厚み方向の両面からハーフエッチングを行なうことができる。
【００９０】
このようにして形成された、第１の折り取り部１０８、第２の折り取り部１１０、第３の折り取り部１１２は、図１０（ｂ）に示すように、積層方向から見て重なるように配置される。したがって各折り取り部に力を印加することにより、各折り取り部を破断させることができる。したがって、ダイシングによらず、第１の梁６８Ｂ、第２の梁７２Ｂ、第３の梁７６Ｂを折り取ることができる。同様に、第１の梁６８Ａにも第１の折り取り部１０８を形成し、第２の梁７２Ａに第２の折り取り部１１０を形成し、第３の梁７６Ａに第３の折り取り部１１２を形成し、第１の梁６８Ａ、第２の梁７２Ａ、第３の梁７６Ａを破断することができる。これにより、圧電デバイス１０を個片化することができる。よって、層間の剥離や振動部３４Ａ、振動部３４Ｂの破損を効率的に防止して、歩留の高い圧電デバイス１０を量産することができる。
【００９１】
図１１は、本実施形態の電子デバイスを実装基板に搭載する場合の模式図であり、図１１（ａ）は斜視図、図１１（ｂ）は側面図である。本実施形態においても第１実施形態を例にとって説明する。図１１（ａ）に示すように、圧電デバイス１０を実装基板１２２上に搭載した圧電モジュール１２０を構成することができる。図１１（ａ）に示すように、パッド電極４２Ａ、４２Ｂと実装基板１２２上の接続電極１２４Ａ、１２４Ｂをワイヤー１２６により接続することができる。
【００９２】
図１１（ｂ）に示すように、第１基板１４の下面の中央部にエポキシ系樹脂等の接合部材１２８を塗布し、この中央部において一点支持状態で実装基板１２２に接合することにより圧電デバイス１０を実装基板１２２に実装している。さらに、好ましくは、圧電デバイス１０（第１基板１４）と実装基板１２２との間には接合部材１２８による隙間が形成されるが、この隙間にシリコン系樹脂等による緩衝材１３０を充填すると良い。
【００９３】
上記構成において、接合部材１２８と第１基板１４との間で熱歪み等の応力が発生するが、この応力は圧電デバイス１０を伝播するに従って緩和される。そして、図１１（ｂ）に示すように、圧電デバイス１０を第１基板１４の下面の中央部に一点支持状態で実装基板１２２に実装することにより、第１基板１４の接合部材１２８が配置された位置から振動部３４Ａ、振動部３４Ｂへの経路が最も長くなる。よって効率的に応力を緩和させ振動部３４Ａ、振動部３４Ｂへの悪影響を低減させることができる。したがって、熱歪み等の応力の伝達を緩和して振動部３４Ａ、振動部３４Ｂへの悪影響を低減した圧電モジュール１２０となる。また圧電デバイス１０と実装基板１２２との間の隙間にシリコン系樹脂等の緩衝材１３０を充填することにより、圧電モジュール１２０の耐衝撃性を高めることができる。
【００９４】
図１２に、本実施形態のウェーハの積層構造及び圧電デバイスにおいて、振動部としてＡＴカット振動片を用いた場合の分解斜視図と、圧電デバイス（図中右下）の斜視図を示す。また図中左上に圧電振動基板の下面の斜視図を示す。
【００９５】
上記実施形態において、振動部３４Ａ、振動部３４Ｂは柱状ビームを用いたものであったが、図１２に示すように、本実施形態の圧電デバイス１４０の振動部１４２としてＡＴカット振動片を適用することができる。なお、その他の構成要素は、例えば第１実施形態と同様となっている。振動部１４２の圧電振動基板２６の長辺方向の両端には、第１実施形態と同様に第１基部３６と第２基部３８が接続されている。そして振動部１４２の両面にはＡＴカット振動片において厚みすべり振動を励振する励振電極１４４Ａ、１４４Ｂが配置されている。
【００９６】
パッド電極４２Ａ、４２Ｂは、第１実施形態と同様に接続部３２に配置されている。このうち、パッド電極４２Ａは、第２基板４８（ダイアフラム５６）に対向する励振電極１４４Ａと、引出電極１４６Ａを介して接続される。引出電極１４６Ａは、圧電振動基板２６の第２基板４８に対向する面に配置され、励振電極１４４Ａから、第１基部３６、支持部４０Ａ、枠部２８、接続部３２を経由してパッド電極４２Ａに接続する。
【００９７】
一方、パッド電極４２Ｂは、第１基板１４に対向する励振電極１４４Ｂと、引出電極１４６Ｂを介して接続される。引出電極１４６Ｂは、圧電振動基板２６の第１基板１４側の面に配置された励振電極１４４Ｂから延出し、第２基部３８の第１基板１４側の面、第２基部３８の側面を経由して第２基部３８の第２基板４８側の面に延出する。そして、支持部４０Ｂ、枠部２８、接続部３２の第２基板４８側の面を経由し、接続部３２に引き出されパッド電極４２Ｂに接続する。
【００９８】
よってパッド電極４２Ａ、４２Ｂに交流電圧を印加すると振動部１４２は励振電極１４４Ａ、１４４Ｂに印加された交流電圧により所定の共振周波数で厚みすべり振動を共振する。そして振動部１４２には第１実施形態と同様にダイアフラム５６が受けた圧力に応じた引張応力を受けるため、この応力に応じて共振周波数が変化する。したがって、この共振周波数の変化をモニターすることによりダイアフラム５６に印加された圧力を検知することができる。
【００９９】
いずれの実施形態においても、第１ウェーハ６６、圧電振動ウェーハ７０、第２ウェーハ７４の積層構造を形成したのち、ダイシング（若しくは折り取り）して圧電デバイス１０等を個片化する旨説明したが、これに限定されない。即ち、上述の各ウェーハにおいて、第１基板１４、圧電振動基板２６、第２基板４８をそれぞれ個片化したのち、第１基板１４、圧電振動基板２６、第２基板４８を積層して圧電デバイス１０等を構築することができる。このとき第１の凸部２４、第２の凸部４６、第３の凸部５８が互いに重なるように配置されているので、各凸部を積層の際のアライメントの目印に用いることができ、積層を容易に行うことができる。
【０１００】
また上述の圧電モジュール１２０において、圧電デバイス１０等に電気的に接続する回路（集積回路、不図示）、すなわち振動部３４Ａ、振動部３４Ｂ（振動部１４２）を駆動させるとともに振動部３４Ａ、振動部３４Ｂ（振動部１４２）の周波数の情報を取得可能な回路（集積回路、不図示）を搭載することが可能である。また上述の圧電デバイス１０等において、第２基板４８を取り払った場合は、振動部３４Ａ、振動部３４Ｂ（振動部１４２）を発振源とする発振器として機能させることができる。したがって、自ら発振する発振器としての機能、または自ら圧力を測定する圧力センサーとしての機能を有する圧電モジュール１２０を構築することができる。
【０１０１】
図１３に、本実施形態の圧電デバイスにおいて、振動部として音叉型振動片を用いた場合の分解斜視図と、圧電振動基板の下面の模式図を示す。また、図１４に、本実施形態の圧電デバイスにおいて、振動部としてＡＴカット振動片を用いた場合の分解斜視図と、圧電振動基板の下面の模式図を示す。
【０１０２】
例えば、本発明は、３層以上の構造を有し且つ中間層として圧電振動基板が含まれる温度センサー、圧電振動子等の圧電デバイスに適用することができる。圧電振動基板の振動部としては、図１３に示すように音叉型振動片や、図１４に示すようにＡＴカット水晶振動片を適用することができる。また、水晶のＸ軸（電気軸）を中心にして所定の角度だけ回転して得られる回転Ｙ板を用いた水晶振動子、その他のカットで切断された水晶振動子、水晶以外の圧電材料を用いた圧電振動子、等を広く適用できる。
【０１０３】
図１３においては、凹部１６を有する第１基板１４、振動部２１２を有する圧電振動基板２６、凹部５０を有する第２基板４８からなる３層構造の圧電デバイス１１となっている。そして圧電振動基板２６において、パッド電極４２Ａに接続された引出電極２１４Ａが振動部２１２に配置された励振電極２１６Ａに接続され、パッド電極４２Ｂに接続された引出電極２１４Ｂが振動部２１２に配置された励振電極２１６Ｂに接続されている。そして、パッド電極４２Ａ、４２Ｂに交流電圧を印加することにより振動部２１２が屈曲振動をする。
【０１０４】
図１４においては、凹部１６を有する第１基板１４、振動部２１８を有する圧電振動基板２６、凹部５０を有する第２基板４８からなる３層構造の圧電デバイス１１ａとなっている。そして圧電振動基板２６の一方の面にパッド電極４２Ａ、パッド電極４２Ｂが配置されている。また、振動部２１８のパッド電極４２Ａ等が配置された面に励振電極２２２Ａが配置され、その裏面であって励振電極２２Ａに対向する位置に励振電極２２Ｂが配置されている。そして、励振電極２２２Ａから引き出された引出電極２２０Ａがパッド電極４２Ａに接続され、励振電極２２２Ｂから引き出された引出電極２２Ｂは、パッド電極４２Ｂが配置された面に引き回されパッド電極４２Ｂに接続されている。上記構成において、パッド電極４２Ａ、４２Ｂに交流電圧を印加することにより振動部２１８が厚みすべり振動をする。なお、図１３、図１４において、第２基板４８の凹部５０に力伝達部５４Ａ、力伝達部５４Ｂが形成されていない点を除き、他の構成要素は第１実施形態等と同様なので説明を省略する。
【０１０５】
本発明の圧電デバイスは、上述した圧電モジュール以外に、例えば携帯電話、ハードディスク、パーソナルコンピューター、ＢＳ及びＣＳ放送用の受信チューナー、同軸ケーブルや光ケーブル中を伝搬する高周波信号や光信号用の各種処理装置、広い温度範囲で高周波・高精度クロック（低ジッタ、低位相雑音）を必要とするサーバー・ネットワーク機器、無線通信用機器等の様々な電子機器、加速度センサー、回転速度センサー等の各種センサー装置にも広く適用することができる。
【０１０６】
このような各種センサー装置及び電子機器としては、例えば一般工業用計測機器、電子血圧計、高度・気圧・水深計測機能付き電子機器、携帯機器、自動車などが挙げられる。そして、上述のように外力によるダイアフラムの機械的な変形を電気的信号として計測するものとして圧力センサーは携帯電話機やパソコン等の小型の携帯機器での高度計測に前記圧力センサーを応用してマイクロホンとして利用可能である。
【０１０７】
更に、近年注目をされるようになった水素やメタノール等の燃料電池は、軽量化や利便性等に起因して、例えば、ビデオカメラ、ノート型パーソナルコンピューター、携帯用電話機、携帯情報端末機（Ｐｅｒｓｏｎａｌ Ｄｉｇｉｔａｌ   Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ：ＰＤＡ）、オーディオプレーヤ、プロジェクタ載置台、カプセル型医療機器の通信機能を具備した電子機器といった各種情報処理装置の燃料電池としての用途が考えられる。
【０１０８】
図１５に、本実施形態の圧電デバイスを燃料電池システムに搭載した場合の系統図を示す。図１５に示すように、燃料電池システム２２４は、水素を燃料として電力を発生させる燃料電池セル２２６と、該燃料電池セル２２６に水素を供給する水素吸蔵合金容器２２８と、該水素吸蔵合金容器２２８と上記燃料電池セル２２６との間に配設された圧力検出用の圧力センサー２３０と、圧力調整弁２３２と安全弁２３４とを備えている。この燃料電池システム２２４において、本発明に係る圧電デバイス１０等を圧力センサー２３０として使用することができる。
【０１０９】
図１６に、本実施形態の圧電デバイスを車両用情報記録装置に搭載した場合のブロック図を示す。図１６に示すように、事故等のイベント発生時前後の必要な時間のみについて、デジタルタコグラフ２３８とドライブレコーダ２４８の双方が生成するデータを関連付けて記録し、その後の解析等に有用なデータを提供することが可能な車両用情報記録装置２３６がある。
【０１１０】
この車両用情報記録装置２３６において、前記デジタルタコグラフ２３８は、車両の走行状況を検出する走行状況検知手段２４０と、前記ドライブレコーダ２４８との間で情報を送受信するデジタルタコグラフ通信手段２４２と、情報を記録するデジタルタコグラフ記録手段２４４と、前記走行状況検知手段２４０から入力した走行状況および前記デジタルタコグラフ通信手段２４２から受信した情報を受けて、前記デジタルタコグラフ記録手段２４４に情報を記録するデジタルタコグラフ制御部２４６と、を有しているが、走行状況検知手段２４０として用いることができる圧力センサーとして、高精度な圧力（高度）検出が可能な本発明に係る圧電デバイス１０を適用できる。
【０１１１】
更に、被測定者にかかる負荷を検出する活動量計側システムにおいて、前記負荷を圧力として検出する場合においては、検出器として、本発明に係る圧力センサー（圧電デバイス１０等）を適用できる。
【０１１２】
また、警戒モードと、非警戒モードとに設定可能なセキュリティシステムであって、人体の少なくとも一部を検知可能な人体検知手段と、前記人体検知手段が前記人体の少なくとも一部を検知したことに応じて、信号を出力する出力手段と、前記出力手段からの出力信号を受けて、前記警戒モードを設定する警戒モード設定手段と、を備えるセキュリティシステムがある。このセキュリティシステムにおいて、外部からの侵入または異常を検知する異常検知センサーと、前記異常検知センサーが異常を検知したときに警報を発する警報手段とをさらに含み、前記警戒モード設定手段は、前記警戒モードに応じて、前記異常検知センサーと、前記警報手段とによる警戒動作を作動させる。このセキュリティシステムを構成する前記異常検知センサーとして、本発明に係る圧力センサー（圧電デバイス１０等）を適用できる。
【０１１３】
更に、本発明の電子機器の一例である腕時計型電子機器の本体には、本発明に係る圧力センサー（圧電デバイス１０等）が備えることができ、ダイナミックレンジやリニアリティなどの特性に優れた圧力センサー（圧電デバイス１０等）を備えた電気機器となる。
【０１１４】
更に、特に自動車においては、例えばインテークマニホールド圧若しくはチャージ圧、ブレーキ圧、エアサスペンション圧、タイヤ圧、ハイドロリック貯蔵圧、ショックアブソーバ圧、冷却媒体圧、自動変速機における変調圧、ブレーキ圧、タンク圧用の圧力検出に本発明に係る圧力センサー（圧電デバイス１０等）を適用できる。
【０１１５】
図１７に、本実施形態の圧電デバイスを側面衝突検出装置に搭載した場合の模式図を示す。車両２５２のサイドドア２５４の内部に配設された圧力センサー２５８により、車両２５２の側面に加わる衝撃を検出する側面衝突検出装置２５０を構成することができる。この側面衝突検出装置２５０において、前記圧力センサー２５８は、圧力を検出するダイアフラム（ダイアフラム５６）を有し、そのダイアフラムの受圧面が前記サイドドア２５４の内部空間２５６の圧力変動により歪むことを検出することによって車両２５２の側面に加わる衝撃を検出することができる。そして、例えば、ダイアフラムの受圧面の法線と、水平な前記車両２５２の前後方向の直線とのなす角を６０度から９０度に設定することにより、衝突時に圧力センサー２５２のダイアフラムが衝撃力を受けた場合に、これを圧力変化として検出する度合いを少なくして、圧力の変化をより高精度に検出することができる。この側面衝突検出装置２５０に用いる圧力センサー２５０として本実施形態の圧電デバイス１０等を適用することができる。
【符号の説明】
【０１１６】
１０………圧電デバイス、１２………パッケージ、１３………内部空間、１４………第１基板、１６………凹部、１８………外周部、２２………基台部、２４………第１の凸部、２６………圧電振動基板、２８………枠部、３２………接続部、３４Ａ………振動部、３４Ｂ………振動部、３６………第１基部、３８………第２基部、４０Ａ………支持部、４０Ｂ………支持部、４２Ａ………パッド電極、４２Ｂ………パッド電極、４４Ａ………引出電極、４４Ｂ………引出電極、４６………第２の凸部、４８………第２基板、５０………凹部、５２………外周部、５４Ａ………力伝達部、５４Ｂ………力伝達部、５６………ダイアフラム、５８………第３の凸部、６０………剥離痕、６２………接着層、６４………積層構造、６６………第１ウェーハ、６８Ａ………第１の梁、６８Ｂ………第１の梁、７０………圧電振動ウェーハ、７２Ａ………第２の梁、７２Ｂ………第２の梁、７４………第２ウェーハ、７６Ａ………第３の梁、７６Ｂ………第３の梁、７８………隙間、８０………切り込み、８２………第１側面、８４………第２側面、８６………第１側面、８８………第２側面、９０………第３側面、９２………第４側面、９４………ダイシングブレード、９６………励振電極、９８………励振電極、１００………圧電デバイス、１０２………第３の梁、１０４………延出部、１０６………積層構造、１０８………第１の折り取り部、１１０………第２の折り取り部、１１２………第３の折り取り部、１２０………圧電モジュール、１２２………実装基板、１２４Ａ………接続電極、１２４Ｂ………接続電極、１２６………ワイヤー、１２８………接合部材、１３０………緩衝材、１４０………圧電デバイス、１４２………振動部、１４４Ａ………励振電極、１４４Ｂ………励振電極、１４６Ａ………引出電極、１４６Ｂ………引出電極、２１２………振動部、２１４Ａ………引出電極、２１４Ｂ………引出電極、２１６Ａ………励振電極、２１６Ｂ………励振電極、２１８………振動部、２２０Ａ………引出電極、２２０Ｂ………引出電極、２２２Ａ………励振電極、２２２Ｂ………励振電極、２２４………燃料電池システム、２２６………燃料電池セル、２２８………水素吸蔵合金容器、２３０………圧力センサー、２３２………圧力調整弁、２３４………安全弁、２３６………車両用情報記録装置、２３８………デジタルタコグラフ、２４０………走行状況検出手段、２４２………デジタルタコグラフ通信手段、２４４………デジタルタコグラフ記録手段、２４６………デジタルタコグラフ制御部、２４８………ドライブレコーダ、２５０………側面衝突検出装置、２５２………車両、２５４………サイドドア、２５６………内部空間、２５８………圧力センサー、３００………圧力センサー、３０２………第１層、３０８………感圧素子層、３１０………感圧素子、３１２………基部、３１８………第２層、３２４………ダイアフラム、３２６………力伝達部、４００………圧力センサー、４０１………第１層、４０２………感圧素子層、４０４………枠部、４０８………振動部、４１０………パッド電極、４１２………第２層、４１４………切欠き部、４１６………凸部、５００………圧電デバイス、５０２………母基板、５０４………母基板、５０６………母基板、６００………圧電デバイス、６０２………感圧素子ウェーハ、６０４………第１のウェーハ、６０６………第２のウェーハ、６１０………溝、６１２………ダイシングブレード、６１４………ダイシングブレード、６１６………第１基板、６１８………感圧素子基板、６２０………第２基板。
【図１】
2012249179.tif 000003
【図６】
2012249179.tif 000004
【図８】
2012249179.tif 000005
【図９】
2012249179.tif 000006
【図１２】
2012249179.tif 000007
【図１５】
2012249179.tif 000008
【図１６】
2012249179.tif 000009
【図１７】
2012249179.tif 000010
【図１８】
2012249179.tif 000011
【図１９】
2012249179.tif 000012
【図２０】
2012249179.tif 000013
【図２１】
2012249179.tif 000014
【図２】
2012249179.tif 000015
【図３】
2012249179.tif 000016
【図４】
2012249179.tif 000017
【図５】
2012249179.tif 000018
【図７】
2012249179.tif 000019
【図１０】
2012249179.tif 000020
【図１１】
2012249179.tif 000021
【図１３】
2012249179.tif 000022
【図１４】
2012249179.tif 000023