(57)【要約】【課題】異なる処理を含む一連の処理工程において他の処理からの影響を抑制することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板処理装置は、ウエハを載置する載置部を四つ備え移動する回転トレーと、ウエハを処理する第一のガスを供給する第一のシャワーヘッドと、ウエハを処理する第二のガスを供給する第二のシャワーヘッドと、回転トレーの移動を抑制する制御部と、を有し、制御部は、第一のシャワーヘッドと載置部とにより少なくとも一部が囲まれた第一の処理室と、第二のシャワーヘッドと載置部とにより少なくとも一部が囲まれた第二の処理室と、を形成するように制御する。【選択図】図１
2012222024.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を載置する載置部を複数備え移動する移動体と、
基板を処理する第一のガスを供給する第一のガス供給部と、
基板を処理する第二のガスを供給する第二のガス供給部と、
前記移動体の移動を制御する移動制御部と、
を有し、
前記移動制御部は、前記第一のガス供給部と前記載置部とにより少なくとも一部が囲まれた第一の処理空間と、前記第二のガス供給部と前記載置部とにより少なくとも一部が囲まれた第二の処理空間と、を形成するように制御する基板処理装置。
【請求項２】
第一の処理空間及び第二の処理空間それぞれを別個に加熱する加熱手段、
をさらに有する請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
基板を載置する載置部を複数備え移動する移動体に基板を搬送する工程と、
基板を処理する第一のガスを供給する第一のガス供給部と前記載置部とにより少なくとも一部が囲まれた第一の処理空間と、基板を処理する第二のガスを供給する第二のガス供給部と前記載置部とにより少なくとも一部が囲まれた第二の処理空間と、を形成するように前記移動体を移動させる工程と、
基板に第一のガスを供給する工程と、
基板に第二のガスを供給する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
反応室に二種の反応ガス（例えば、ジクロロシラン及びアンモニア）を供給すると、これらの反応ガスが気相反応し、反応生成物が生じる場合がある。
排気の際これらの反応ガスが混合すると、反応生成物が生じ、反応室の壁部や排気経路等に付着する。
このため、頻繁に付着物を除去する必要があり、装置の稼働率が低下する。
【０００３】
また、種々の処理が同一圧力下で行われる構造の装置においては、基板に成膜された膜の膜質が低下する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、異なる処理を含む一連の処理工程において他の処理からの影響を抑制することができる基板処理装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の第１の特徴とするところは、基板を載置する載置部を複数備え移動する移動体と、基板を処理する第一のガスを供給する第一のガス供給部と、基板を処理する第二のガスを供給する第二のガス供給部と、前記移動体の移動を制御する移動制御部と、を有し、前記移動制御部は、前記第一のガス供給部と前記載置部とにより少なくとも一部が囲まれた第一の処理空間と、前記第二のガス供給部と前記載置部とにより少なくとも一部が囲まれた第二の処理空間と、を形成するように制御する基板処理装置にある。
【０００６】
本発明の第２の特徴とするところは、基板を載置する載置部を複数備え移動する移動体に基板を搬送する工程と、基板を処理する第一のガスを供給する第一のガス供給部と前記載置部とにより少なくとも一部が囲まれた第一の処理空間と、基板を処理する第二のガスを供給する第二のガス供給部と前記載置部とにより少なくとも一部が囲まれた第二の処理空間と、を形成するように前記移動体を移動させる工程と、基板に第一のガスを供給する工程と、基板に第二のガスを供給する工程と、を有する半導体装置の製造方法にある。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、異なる処理を含む一連の処理工程において他の処理からの影響を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の側方からの概略図であり、回転トレーが下降した状態を示すものである。
【図２】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の側方からの概略図であり、回転トレーが上昇した状態を示すものである。
【図３】図１のａ−ａ矢視図である。
【図４】図１のｂ−ｂ矢視図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る第一の処理部及び第二の処理部のガス流通経路の概略図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る回転トレーの周辺構造、及び回転トレーの動作を説明する説明図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の制御構成を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図１、２は、基板処理装置１０の側方からの概略図であり、第一の反応部４０及び第二の反応部４２を示す。図１は、回転トレー１４が下降している状態であり、図２は、回転トレー１４が上昇している状態である。
図３は、図１のａ−ａ矢視図を示す。
図４は、図１のｂ−ｂ矢視図を示す。
【００１０】
基板処理装置１０は、略円柱状に形成された基板処理装置本体１２を有する。
基板処理装置本体１２の内部には、移動体として用いられる回転トレー１４が回転自在に設けられている。回転トレー１４には、基板としてのウエハ２を載置する載置部１６が複数、形成されている。本実施形態においては、載置部１６はそれぞれが周方向に対して90 度の間隔となるように、四つ設けられている（図３参照）。
載置部１６それぞれの周囲の上下には、ガスの流入出を防止するOリング１８が設けられている。
【００１１】
回転トレー１４の下方には、モータ等により構成される回転駆動部２０が設けられており、この回転駆動部２０は、回転軸２２を介して回転トレー１４に接続されている。回転トレー１４は、回転駆動部２０が回転軸２２を回転させるのに従って、回転するようになっている。回転トレー１４が回転することで、四つの載置部１６それぞれが一括して回転される。
【００１２】
また、回転トレー１４の下方には、載置昇降部２４が設けられている。載置昇降部２４は、回転トレー１４を昇降させるように構成されている。
このように、回転トレー１４は、回転自在及び昇降自在に構成されている。
【００１３】
回転軸２２が連通する開口には、回転トレー１４の昇降に対応して伸縮する伸縮部２６が設けられており、基板処理装置本体１２内が密閉に保たれるようになっている。
【００１４】
基板処理装置本体１２内であって回転トレー１４の下方には、基台３０が複数（本実施形態においては四つ）配設されている。
基台３０それぞれの上部には、ヒータ等により構成される基台加熱部３２が設けられている。基台加熱部３２それぞれは、別個に制御されるようになっている。
【００１５】
基台３０の下方には、基台昇降部３４が設けられており、この基台昇降部３４は、支持軸３６を介して基台３０に接続されている。
支持軸３６が連通する開口には、基台３０の昇降に対応して伸縮する伸縮部３８が設けられており、基板処理装置本体１２内が密閉に保たれるようになっている。
なお、基台３０それぞれは、別個に昇降するように構成してもよいし、一体として昇降するように構成してもよい。本図では、基台３０を垂直に昇降させるためのスライド（ガイド）機構は省略している。
【００１６】
基板処理装置本体１２の天板部１２ａには、円形状に形成された複数の開口１２ｂが形成されている。本実施形態においては、開口１２ｂは、天板部１２ａの周方向に対してそれぞれ90 度の間隔で四つ形成されている（図４参照）。開口１２ｂの直径は、載置部１６に載置されるウエハ２の直径よりも大きく、回転トレー１４に設けられたOリング１８の直径よりも小さく構成されている。
天板部１２ａの上部には、第一の反応部４０と、第二の反応部４２とが設けられている。
【００１７】
第一の反応部４０と第二の反応部４２とは、周方向に対して交互となるようにそれぞれ複数、等間隔に設けられている。本実施形態においては、第一の反応部４０と第二の反応部４２とは、周方向に対して90 度の間隔で交互となるように二つずつ設けられている（図４参照）。
第一の反応部４０及び第二の反応部４２それぞれは、開口１２ｂの上方を覆うようにして設けられている。また、第一の反応部４０及び第二の反応部４２それぞれは、基台３０の基台加熱部３２に対向するように設けられている。
【００１８】
第一の反応部４０は、ガス供給部として用いられる第一のシャワーヘッド５０を備える。
第一のシャワーヘッド５０には、第一のガス供給管５２が接続されている。第一のガス供給管５２は、ガス流路を開閉する第一の開閉部５４、及びガスの流量を制御する第一の流量制御部５６を介して、第一のガス供給源５８に接続している。
【００１９】
第一のシャワーヘッド５０には、ヒータ等により構成される第一の加熱部６０が設けられている。第一の加熱部６０は、後述する第一の処理室１１０の加熱源として機能する。
【００２０】
第一のガス供給管５２の周囲には、第一のコイル６２が設けられており、この第一のコイル６２は、第一の高周波電源６４に接続されている。第一のコイル６２に電圧を印加することで、第一のガス供給管５２を流れるガスがプラズマ励起されるようになっている。
【００２１】
第一のシャワーヘッド５０に供給されたガスは、第一の供給孔６６からウエハ２に向けて供給される。
【００２２】
このように、第一の反応部４０は、所定の温度に温められた第一の処理室１１０に、プラズマ励起されたガスを供給する構成となっている。なお、第一の反応部４０は、ガスをプラズマ励起することなく供給するようにしてもよい。
【００２３】
第一のシャワーヘッド５０には、この第一のシャワーヘッド５０に供給されたガスを排出する第一のガス排出管６８が接続されている。第一のガス排出管６８は、圧力を調整する第一のAPC（Auto Pressure Controller）バルブ７０を介して、第一の排出装置７２に接続されている。
【００２４】
第二の反応部４２は、ガス供給部として用いられる第二のシャワーヘッド８０を備える。
第二のシャワーヘッド８０には、第二のガス供給管８２が接続されている。第二のガス供給管８２は、ガス流路を開閉する第一の開閉部８４、ガスの流量を制御する第一の流量制御部８６を介して、第二のガス供給源８８に接続している。
【００２５】
第二のシャワーヘッド８０には、ヒータ等により構成される第二の加熱部９０が設けられている。第二の加熱部９０は、後述する第二の処理室１１２の加熱源として機能する。
第二のガス供給管８２の周囲には、第二のコイル９２が設けられており、この第二のコイル９２は、第二の高周波電源９４に接続されている。第二のコイル９２に電圧を印加することで、第二のガス供給管８２を流れるガスがプラズマ励起されるようになっている。
【００２６】
第二のシャワーヘッド８０に供給されたガスは、第二の供給孔９６からウエハ２に向けて供給される。
【００２７】
このように、第二の反応部４２は、所定の温度に温められた第二の処理室１１２に、プラズマ励起されたガスを供給する構成となっている。なお、第二の反応部４２は、ガスをプラズマ励起することなく供給するようにしてもよい。
【００２８】
第二のシャワーヘッド８０には、この第二のシャワーヘッド８０に供給されたガスを排出する第二のガス排出管９８が接続されている。第二のガス排出管９８は、圧力を調整する第二のAPCバルブ１００を介して、第二の排出装置１０２に接続されている。
【００２９】
図２に示すように、回転トレー１４が上昇すると、載置部１６はそれぞれ、この載置部１６及びその周辺部によって開口１２ｂの下方を覆うようにして配置される。この際、天板部１２ａの下部であって開口１２ｂの法線方向外側に、Oリング１８が配置される。
これにより、開口１２ｂを挟むようにして、載置部１６と第一のシャワーヘッド５０とにより囲まれ密閉された第一の処理空間である第一の処理室１１０が形成される。第一の処理室１１０は、少なくともその一部が載置部１６及び第一のシャワーヘッド５０によって構成されている。
同様に、開口１２ｂを挟むようにして、載置部１６と第二のシャワーヘッド８０とにより囲まれ密閉された第二の処理空間である第二の処理室１１２が形成される。第二の処理室１１２は、少なくともその一部が載置部１６及び第二のシャワーヘッド８０によって構成されている。
【００３０】
第一の処理室１１０及び第二の処理室１１２は相互に、流体的に隔絶された空間を構成するようになっている。
載置部１６それぞれの周囲にはOリング１８が設けられているため、本構成を有さない場合と比較して、第一の処理室１１０及び第二の処理室１１２の密閉性が向上する。
【００３１】
回転トレー１４の上昇に合わせて基台３０を上昇させると、載置部１６それぞれの下方に基台加熱部３２が配置される。このように、基台加熱部３２は、第一の加熱部６０又は第二の加熱部９０とともに、第一の処理室１１０又は第二の処理室１１２を加熱する加熱源として機能する。
【００３２】
図５は、第一の反応部４０及び第二の反応部４２のガス流通経路の概略図を示す。
【００３３】
二つの第一のシャワーヘッド５０それぞれに接続された第一のガス供給管５２は上流側で合流し、同一の第一の開閉部５４、第一の流量制御部５６を介して、第一のガス供給源５８に接続している。
また、二つの第一のシャワーヘッド５０それぞれに接続された第一のガス排出管６８は上流側で合流し、同一の第一のAPCバルブ７０を介して、第一の排出装置７２に接続している。
【００３４】
一方、二つの第二のシャワーヘッド８０それぞれに接続された第二のガス供給管８２は上流側で合流し、同一の第一の開閉部８４、第一の流量制御部８６を介して、第二のガス供給源８８に接続している。
また、二つの第二のシャワーヘッド８０それぞれに接続された第二のガス排出管９８は上流側で合流し、同一の第二のAPCバルブ１００を介して、第二の排出装置１０２に接続している。
【００３５】
第一の反応部４０と第二の反応部４２とでは、ガスを供給する経路及び排出する経路が、別個に設けられた構成となっている。このため、第一の反応部４０で用いられるガスと、第二の反応部４２で用いられるガスとが、混合しない（気相反応しない）ようになっている。
【００３６】
このように、第一の処理室１１０及び第二の処理室１１２はそれぞれ、温度や圧力、供給するガス等が別個に制御されるようになっている。すなわち、回転トレー１４が移動することで、別個に制御される処理室が基板処理装置本体１２内に複数形成されることとなる。
【００３７】
次に、回転トレー１４の周辺構造、及びこの回転トレー１４の動作について説明する。
図６は、回転トレー１４の周辺構造、及び回転トレー１４の動作を説明する説明図を示す。
【００３８】
基板処理装置本体１２には、気密に構成された搬入出室１２０が開閉弁１２２を介して隣接するように設けられている。開閉弁１２２が開かれることで、基板処理装置本体１２内と搬入出室１２０内とが連通するようになっている。
搬入出室１２０には、ウエハ２を搬送する搬送装置１２４が設けられている。搬送装置１２４は、外部の装置（非図示）と回転トレー１４の載置部１６との間で、ウエハ２を搬送する。
【００３９】
図６（ａ）は、回転トレー１４が搬送位置にある状態を示す。
載置部１６にウエハ２を搬送する際、回転トレー１４は搬送位置に移動される。具体的には、回転トレー１４は、下降した位置（図１に示す位置）となり、載置部１６が、第一の反応部４０又は第二の反応部４２とは回転方向に対して45 度ずれた位置（対向しない位置）となる。
そして、開閉弁１２２が開かれ、搬送装置１２４によって、搬入出室１２０に近接する載置部１６にウエハ２が搬送される。
【００４０】
一番目のウエハ２が載置部１６に搬送されると、回転トレー１４は、反時計方向に90 度回転し、空の載置部１６が搬入出室１２０に近接するように移動する。
そして、搬送装置１２４によって、搬入出室１２０に近接する載置部１６に二番目のウエハ２が搬送される。
この動作を繰り返し、四枚のウエハ２を四つの載置部１６それぞれに搬送する。
【００４１】
図６（ｂ）は、回転トレー１４が処理位置にある状態を示す。
ウエハ２に処理をする際、回転トレー１４は処理位置に移動される。具体的には、回転トレー１４は、上昇した位置（図２に示す位置）となり、載置部１６が、第一の反応部４０又は第二の反応部４２と対向する位置（第一の処理室１１０、第二の処理室１１２を形成する位置）となる。
本実施形態においては、搬送位置にある回転トレー１４が上昇され、反時計方向に45 度回転されることで、この回転トレー１４は処理位置に移動される。
【００４２】
次に、基板処理装置１０の制御構成について説明する。
図７は、基板処理装置１０の制御構成を示すブロック図を示す。
【００４３】
回転駆動部２０や載置昇降部２４、基台加熱部３２、基台昇降部３４、第一の開閉部５４、第一の流量制御部５６、第一の加熱部６０、第二の開閉部８４、第二の流量制御部８６、第二の加熱部９０、第一の高周波電源６４、第一のAPCバルブ７０、第一の排出装置７２、第二の高周波電源９４、第二のAPCバルブ１００、第二の排出装置１０２、搬送装置１２４等は、制御部１５０に電気的に接続されている。
制御部１５０は、これら基板処理装置１０を構成する各部を制御するようになっている。
【００４４】
次に、基板処理装置１０を用いて実施される半導体装置（デバイス）の製造工程について説明する。
以下、ウエハ２に絶縁膜として窒化シリコン（SiN）膜を形成する場合を例に説明する。
具体的には、第一の元素であるシリコン（Si）を含む第一のガス（シリコン含有ガス）としてジシクロシラン（DCS）を、第二の元素である窒素（N）を含む第二のガス（窒素含有ガス）としてアンモニア（NH3）をそれぞれ用い、これらを交互に供給してSiN膜を一層ずつ形成するALD（Atomic Layer Deposition）法による成膜を示す。
【００４５】
＜搬入工程＞
搬入出室１２０の開閉弁１２２が開かれ、搬送装置１２４によってウエハ２が載置部１６に搬送される。四枚のウエハ２が四つの載置部１６に搬送された後、開閉弁１２２が閉じられる。
【００４６】
＜処理工程＞
四枚のウエハ２の搬送後、回転トレー１４は、反時計方向に45 度回転して上昇し、処理位置に移動する。
このようにして、基板処理装置本体１２内に第一の処理室１１０及び第二の処理室１１２が形成され、それぞれのウエハ２は、これら第一の処理室１１０又は第二の処理室１１２の内部に搬送された状態となる。
【００４７】
第一の処理室１１０においては、ウエハ２にSi含有層が形成される。
まず、第一の排出装置７２を作動し、第一のAPCバルブ７０の開度を調整して、第一の処理室１１０内が所定の圧力（例えば、10 Torr）となるように制御する。また、第一の処理室１１０に対応する基台加熱部３２及び第一の加熱部６０を作動し、第一の処理室１１０内のウエハ２が所定の温度（例えば、400 ℃）となるように制御する。
【００４８】
続いて、第一の開閉部５４を開き、第一の流量制御部５６で流量を調整しながら、第一のガス供給源５８からDCSを供給する。第一のガス供給源５８から供給されたDCSは、第一のガス供給管５２を通って第一のシャワーヘッド５０から第一の処理室１１０内に供給される。
【００４９】
DCSの供給により、第一の処理室１１０内のウエハ２にSiを含む第一の層が形成される。本実施形態においては、ウエハ２上に1原子層未満から数原子層のSi層（Si含有層）を形成するように制御する。Si含有層には、DCSの化学吸着層（表面吸着層）が含まれる。
なお、Siは、それ単独で固体となる元素である。
【００５０】
Si含有層には、Siにより構成される連続的な層の他、これらが重なって構成される薄膜が含まれる。
DCSの化学吸着層には、DCS分子が連続した化学吸着層の他、不連続な化学吸着層が含まれる。
【００５１】
ウエハ２上に形成されるSi含有層の最小は、1原子未満となる。
一方、ここで形成されるSi含有層が数原子層よりも大きくなると、後続する処理の効果が十分に得られない（窒化の作用が行き届かない）場合がある。
このため、Si含有層は一度の処理において、1原子未満から数原子層とすることが好ましい。
【００５２】
処理条件（温度や圧力等）の設定により、ウエハ２上に形成される層が調整される。
具体的には、DCSガスが自己分解する条件下では、ウエハ２上にSiが堆積してSi層が形成され、DCSガスが自己分解しない条件下では、ウエハ２上にDCSガスが化学吸着してDCSの化学吸着層が形成される。
【００５３】
ウエハ２に所定のSi含有層が形成された後、第一の開閉部５４を閉じ、DCSの供給を停止する。そして、第一のAPCバルブ７０を開き、第一の処理室１１０内を排気する。
【００５４】
第二の処理室１１２においては、ウエハ２に窒化処理がなされる。
第二の排出装置１０２を作動し、第二のAPCバルブ１００の開度を調整して、第二の処理室１１２内が所定の圧力（例えば、1 Pa）となるように制御する。また、第二の処理室１１２に対応する基台加熱部３２及び第二の加熱部９０を作動し、第二の処理室１１２内のウエハ２が所定の温度（例えば、400 ℃）となるように制御する。
【００５５】
続いて、第二の第一の流量制御部８６により流量を制御しながら、第二のガス供給源８８からNH3を供給する。NH3は、第二のガス供給管８２を通過する際にプラズマ励起（活性化）され、プラズマ励起された状態（活性種）で第二の処理室１１２に供給される。
このように、NH3をプラズマ励起して供給することで、本構成を有さない場合と比較して、処理条件が緩くなる（例えば、温度、圧力がより常温、常圧に近い条件となる）。
【００５６】
なお、NH3はプラズマ励起せずに供給するようにしてもよい。この場合、例えば、第二の処理室１１２内の圧力を50 - 3000 Paとし、第二の処理室１１２内のウエハ２の温度を600 ℃以上となるようにする。
NH3をプラズマ励起でなく熱的に活性化させて供給する場合、本構成を有さない場合と比較して、反応が緩やかに進行する（ソフトな反応となる）。
【００５７】
活性化されたNH3は、ウエハ２上に形成されたSi含有層と反応する。これにより、Si含有層は窒化され、Si及びNを含むSiN層へ改質される。
【００５８】
ウエハ２に所定のSiN層が形成された後、第二の開閉部８４を閉じ、NH3の供給を停止する。そして、第二のAPCバルブ１００を開き、第二の処理室１１２内を排気する。
【００５９】
第一の処理室１１０における処理と、第二の処理室１１２における処理とは、並行して行われる。
第一の処理室１１０及び第二の処理室１１２での処理が終了した後、回転トレー１４は下降し反時計方向に90 度回転して、再度、処理位置に移動する。
【００６０】
これによりウエハ２は、隣り合う処理室へと搬送される。具体的には、回転トレー１４が反時計方向に90 度回転することで、第一の処理室１１０で処理されたウエハ２は第二の処理室１１２に搬送され、一方、第二の処理室１１２で処理されたウエハ２は第一の処理室１１０に搬送されることとなる。
【００６１】
ウエハ２上に形成されるSiN膜が所定の膜厚となるまで、第一の処理室１１０及び第二の処理室１１２における一連の処理を繰り返す。
例えば、第一の処理室１１０及び第二の処理室１１２においてそれぞれ一度ずつ処理した場合、ウエハ２に形成されるSiN膜の膜厚は1 Å程度であり、これらの処理を300回繰り返した場合、SiN膜の膜厚は300 Å程度となる。
【００６２】
なお、第一の処理室１１０において処理がなされていないウエハ２（Si含有層が形成されていないウエハ２）に対しては、第２の処理室１１２における処理を停止するようにしてもよい。
例えば、四枚のウエハ２が搬入されてから、最初に行う処理においては、第一の処理室１１０に搬送された二枚のウエハ２についてのみ行うようにしてもよい。このように処理することで、搬入されるウエハ２の全てに対して、同様の条件で処理がなされることとなる。
【００６３】
＜搬出工程＞
搬入出室１２０の開閉弁１２２が開かれ、搬送装置１２４によってウエハ２が載置部１６から搬入出室１２０に搬送される。四枚のウエハ２が四つの載置部１６から搬送された後、開閉弁１２２が閉じられる。
【００６４】
このようにして、ウエハ２にSiN膜を形成する工程が行われる。
【００６５】
なお、搬入工程と処理工程とを並行して行うようにしてもよい。
例えば、まず、搬送位置にある回転トレー１４に一番目のウエハ２を搬送し、この回転トレー１４を反時計方向に45 度回転して、処理位置に移動する。そして、第一の処理室１１０においてこの一番目のウエハ２を処理する。
次いで、回転トレー１４を反時計方向に45 度回転し、再度、搬送位置とする。そして、二番目のウエハ２を回転トレー１４に搬送する。回転トレー１４をさらに反時計方向に45 度回転して処理位置に移動する。そして、第二の処理室１１２において一番目のウエハ２を処理し、第一の処理室１１０において二番目のウエハ２を処理する。
【００６６】
これを繰り返すようにすることで、搬入工程と処理工程とが並行して行われる。
同様に、回転トレー１４からウエハ２を搬出する際も、搬出工程と処理工程とを並行して行うようにしてもよい。
【００６７】
上記実施形態においては、第一のコイル６２、第二のコイル９２それぞれによって、第一のガス供給源５８、第二のガス供給源８８から供給されるガスをプラズマ励起する構成について説明したが、これに限らず、くし型に形成されたくし型電極対、あるいはリモートプラズマ機構を設け、これらによりプラズマ励起する構成としてもよい。
【００６８】
第一の反応部４０及び第二の反応部４２をそれぞれ二つずつ設けた構成について説明したが、これに限らず、これら反応部の数やガス流通系の構成は、目的に応じて適宜変更することができる。
また、全ての反応部を独立して制御するようにしてもよい。
【００６９】
移動体として回転する回転トレー１４を用いた構成について説明したが、これに限らず、直線状に移動する等、移動方法は、目的に応じて適時変更することができる。
【００７０】
ALD法により成膜する場合について説明したが、これに限らず、CVD（Chemical Vapor Deposition）法による成膜についても適用することができる。
CVD法により成膜する場合、個別に制御される複数の処理室において連続的に処理を行うことで、）積層された膜が形成されることとなる。このため、本構成を有さない場合と比較して、他の処理の影響（他の処理室の処理条件の影響）が抑制される。
【００７１】
［本発明の好ましい態様］
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
【００７２】
本発明の一態様によれば、基板を支持する基板載置部を円周状に配置した基板支持部と、前記基板載置部と対向するように設けられ、第一の処理空間を構成する第一のガス供給部と、第二の処理空間を構成する第二のガス供給部とが設けられた蓋部と、前記基板支持部を回転させ前記基板載置部を前記それぞれのガス供給部と対向する位置に停止すると共に、前記ガス供給部と前記基板載置部とで処理空間を構成するよう前記基板支持部と前記蓋部を相対的に移動させる基板支持部駆動機構と、を有する基板処理装置が提供される。
【００７３】
好ましくは、基板支持部を介して、前記それぞれのガス供給部のガス供給口と対向して、前記ガス供給部に対向した前記基板を加熱する加熱部がそれぞれ設けられている。
【００７４】
好ましくは、前記それぞれの処理空間には、ガス供給部及びガス排気部がそれぞれ設けられている。
【００７５】
本発明の他の態様によれば、基板を支持する基板載置部を円周状に設けた基板支持部と、前記基板支持面と対向するように設けられ、第一の処理空間を構成する第一のガス供給部と、第二の処理空間を構成する第二のガス供給部とが設けられた蓋部と、前記基板支持部を回転させ前記基板支持部と前記蓋部を相対的にいい移動させる基板支持部駆動機構と、を有する基板処理装置を用いた半導体装置の製造方法であって、前記基板載置部に基板を載置する工程と、前記基板支持部駆動機構が前記基板支持部を回転させ前記基板載置部を前記それぞれのガス供給部と対向する位置に停止すると共に、前記第一のガス供給部及び前記第二のガス供給部とで処理空間を構成するよう前記基板支持部と前記蓋部を相対的に移動させる工程と、前記第一のガス供給部から第一のガスを供給し、前記第一の処理空間にて基板を処理する工程と、前記第二のガス供給部から第二のガスを供給し、前記第二の処理空間にて基板を処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【００７６】
本発明の他の態様によれば、複数のシャワーヘッド（ガス供給部）と複数の被処理基板を搬送するためのトレーと、複数の被処理基板を載置する複数のサセプタベースで密閉された複数の反応室を構成して被処理基板を処理する多連密閉式処理装置が提供される。
【００７７】
好ましくは、複数の処理室を同心円状に配置し、円板状のトレーの上に被処理基板を載置してトレーが回転することによって複数の被処理基板を各々別のシャワーヘッド（ガス供給部）の位置に一括搬送する構造とする。
【００７８】
好ましくは、固定された上部のシャワーヘッド（ガス供給部）側にトレーとサセプタベースが移動することによって密閉された反応室を構成する構造とする。
【００７９】
本発明の他の態様によれば、複数の被処理基板を円板状の回転トレーに載置してトレーを回転させることで、密閉された各反応室に被処理基板を順次一括搬送しながら、反応室毎に設定したレシピで被処理基板の処理を行う成膜方法が提供される。
【符号の説明】
【００８０】
２    ウエハ
１０    基板処理装置
１２    基板処理装置本体
１４    回転トレー
１６    載置部
２０    回転駆動部
２４    載置昇降部
３２    基板加熱部
３４    基台昇降部
４０    第一の反応部
４２    第二の反応部
５０    第一のシャワーヘッド
８０    第二のシャワーヘッド
１１０    第一の処理室
１１２    第二の処理室
１５０    制御部
【図１】
2012222024.tif 000003
【図２】
2012222024.tif 000004
【図３】
2012222024.tif 000005
【図４】
2012222024.tif 000006
【図５】
2012222024.tif 000007
【図６】
2012222024.tif 000008
【図７】
2012222024.tif 000009