(57)【要約】【課題】  ウエーハの割れを低減可能なウエーハの研削方法を提供することである。【解決手段】  ウエーハの裏面を研削するウエーハの研削方法であって、ウエーハの表面の少なくとも一部に複数の突起物を形成する突起物形成ステップと、該突起物が形成されたウエーハの表面に、基材と糊層とからなる表面保護テープを配設して該突起物を該糊層に埋設した状態にする表面保護テープ配設ステップと、該表面保護テープ配設ステップを実施した後、該表面保護テープを研削装置のチャックテーブルで保持しながらウエーハの裏面を研削砥石で研削する研削ステップと、を具備したことを特徴とする。【選択図】図３
2012222134.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエーハの裏面を研削するウエーハの研削方法であって、
ウエーハの表面の少なくとも一部に複数の突起物を形成する突起物形成ステップと、
該突起物が形成されたウエーハの表面に、基材と糊層とからなる表面保護テープを配設して該突起物を該糊層に埋設した状態にする表面保護テープ配設ステップと、
該表面保護テープ配設ステップを実施した後、該表面保護テープを研削装置のチャックテーブルで保持しながらウエーハの裏面を研削砥石で研削する研削ステップと、
を具備したことを特徴とするウエーハの研削方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエーハを研削するウエーハの研削方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面に窒化ガリウム等の窒化物半導体層が積層され、格子状に形成された分割予定ラインによって区画された各領域にそれぞれ光デバイスが形成されたサファイアウエーハは、分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射することにより個々の光デバイスに分割され、分割された光デバイスは携帯電話、デジタルカメラ等の電子機器に利用される（例えば、特開２００８−６４９２号公報参照）。
【０００３】
サファイアウエーハはエピタキシャル層の成長に適したサファイア基板上に窒化物半導体層を成長させて形成されるため、サファイア基板は光デバイスを製造する上で不可欠な素材であるが、基板上に窒化物半導体層を積層した後は電子機器の軽量化、小型化、素子特性の向上のため、サファイアウエーハの表面に表面保護テープを貼着した後、研削装置によってサファイア基板の裏面が研削されて薄く加工される（例えば、特開２００８−２３６９３号公報参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−６４９２号公報
【特許文献２】特開２００８−２３６９３号公報
【特許文献３】特開平９−１３２７６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、サファイアウエーハの表面に粘着テープからなる表面保護テープを貼着し、サファイアウエーハの裏面を研削してその厚みを１００μｍ以下、更には５０μｍ以下と薄く加工すると、サファイア基板に割れが生じるという問題がある。かかる問題は、炭化珪素基板（ＳｉＣ基板）等の硬質脆性基板や、シリコンや化合物からなる半導体ウエーハ、ガラスやセラミック、樹脂基板等の研削においても同様に生じる。
【０００６】
この原因について考察すると、研削中にウエーハが表面保護テープに対して横ずれを生じるためであると考えられる。
【０００７】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ウエーハの割れを低減可能なウエーハの研削方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明によると、ウエーハの裏面を研削するウエーハの研削方法であって、ウエーハの表面の少なくとも一部に複数の突起物を形成する突起物形成ステップと、該突起物が形成されたウエーハの表面に、基材と糊層とからなる表面保護テープを配設して該突起物を該糊層に埋設した状態にする表面保護テープ配設ステップと、該表面保護テープ配設ステップを実施した後、該表面保護テープを研削装置のチャックテーブルで保持しながらウエーハの裏面を研削砥石で研削する研削ステップと、を具備したことを特徴とするウエーハの研削方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によると、ウエーハに形成された突起物が表面保護テープに埋設された状態で表面保護テープが研削装置のチャックテーブルに吸引保持され、ウエーハの裏面の研削が遂行される。従って、研削中にウエーハが表面保護テープに対して横ずれすることがなく、硬質ウエーハ等のウエーハの研削時の割れを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の研削方法を実施するのに適した研削装置の斜視図である。
【図２】ウエーハの表面外周部に複数の突起が形成された状態のサファイアウエーハの斜視図である。
【図３】サファイアウエーハの表面に表面保護テープが貼着された状態の断面図である。
【図４】ＷＬ−ＣＳＰにおける突起物形成ステップを説明する斜視図である。
【図５】研削ステップを示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１は本発明のウエーハの研削方法を実施するのに適した研削装置２の斜視図を示している。４は研削装置２のハウジングであり、ハウジング４の後方にはコラム６が立設されている。コラム６には、上下方向に延びる一対のガイドレール（一本のみ図示）８が固定されている。
【００１２】
この一対のガイドレール８に沿って研削ユニット（研削手段）１０が上下方向に移動可能に装着されている。研削ユニット１０は、そのハウジング２０が一対のガイドレール８に沿って上下方向に移動する移動基台１２に取り付けられている。
【００１３】
研削ユニット１０は、ハウジング２０と、ハウジング２０中に回転可能に収容されたスピンドル２２（図５参照）と、スピンドル２２を回転駆動するモータ２４と、スピンドル２２の先端に固定されたホイールマウント２６と、ホイールマウント２６に複数のねじ２８により着脱可能に装着された研削ホイール３０とを含んでいる。研削ホイール３０は、環状の基台３２と、基台３２の下端外周部に固着された複数の研削砥石３４とから構成される。
【００１４】
研削ユニット１０は、研削ユニット１０を一対の案内レール８に沿って上下方向に移動するボールねじ１４とパルスモータ１６とから構成される研削ユニット送り機構１８を備えている。パルスモータ１６をパルス駆動すると、ボールねじ１４が回転し、移動基台１２が上下方向に移動される。
【００１５】
ハウジング４の中間部分にはチャックテーブル３８を有するチャックテーブル機構３６が配設されており、チャックテーブル３８は図示しないチャックテーブル移動機構によりＹ軸方向に移動される。４０はチャックテーブル機構３６をカバーする蛇腹である。
【００１６】
ハウジング４の前側部分には、第１のウエーハカセット４２と、第２のウエーハカセット４４と、ウエーハ搬送用ロボット４６と、複数の位置決めピン５０を有する位置決め機構４８と、ウエーハ搬入機構（ローディングアーム）５２と、ウエーハ搬出機構（アンローディングアーム）５４と、スピンナ洗浄ユニット５６が配設されている。
【００１７】
また、ハウジング４の概略中央部には、チャックテーブル３８を洗浄する洗浄水噴射ノズル５８が設けられている。この洗浄水噴射ノズル５８は、チャックテーブル３８が装置手前側のウエーハ搬入・搬出領域に位置付けられた状態において、チャックテーブル３８に向かって洗浄水を噴射する。６０は研削水供給ノズルであり、先端の噴出口６２から研削砥石３４とチャックテーブル３８に保持された被加工物に向かって研削水を噴出する。
【００１８】
図２を参照すると、本発明のウエーハの研削方法の加工対象となるサファイアウエーハ（光デバイスウエーハ）１１の表面側斜視図が示されている。サファイアウエーハ１１は、サファイア基板１３上に窒化ガリウム（ＧａＮ）等のエピタキシャル層（半導体層）１７が積層されて構成されている。
【００１９】
サファイア基板１３はオリエンテーションフラット１５を有している。このように構成されたサファイアウエーハ１１は、エピタキシャル層１７が積層された表面１１ａと、サファイア基板１３が露出した裏面１１ｂとを有している。エピタキシャル層１７にＬＥＤ等の複数の光デバイス２１が格子状に形成された分割予定ライン（ストリート）１９によって区画されて形成されている。
【００２０】
本実施形態のウエーハの研削方法では、まずサファイアウエーハ１１の表面１１ａの外周部に複数のバンプ（突起物）２３を形成する突起物形成ステップを実施する。バンプ２３の形成方法は、例えば特開２００１−５３０９９号公報に記載されたインクジェット方法、特開平７−２０１８６９号公報に記載されたスクリーン印刷方法、或いは特開平８−１３９０９５号公報に記載されたマイクロプレス方法の何れの方法も採用可能である。
【００２１】
突起物形成ステップを実施してから、図３に示すように、突起物２３が形成されたサファイアウエーハ１１の表面１１ａに、基材２７と糊層２９とからなる表面保護テープ２５を配設する表面保護テープ配設ステップを実施する。
【００２２】
表面保護テープ２５は、例えばポリエチレン塩化ビニル、ポリオリフィン等の基材２７の一面にアクリル系糊層２９を配設したものが用いられる。この表面保護テープ配設ステップでは、表面保護テープ２５の糊層２９をサファイアウエーハ１１の表面１１ａに貼着することにより、バンプ２３を糊層２９に埋設した状態にする。しかし、本発明のウエーハの研削方法では、バンプ２３を糊層２９内に完全に埋設する必要はなく、部分的に埋設するようにすればよい。
【００２３】
図４を参照すると、本発明の研削方法の加工対象となる他の被加工物であるＷａｆｅｒ  Ｌｅｖｅｌ−Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ（ＷＬ−ＣＳＰ）３１の斜視図が示されている。ＷＬ−ＣＳＰ３１は表面３１ａと、裏面３１ｂとを有しており、表面３１ａは樹脂４３により樹脂封止されている。ＷＬ−ＣＳＰ３１の表面３１ａには複数のストリート３３が直交して形成されており、ストリート３３によって区画された各領域３５にそれぞれデバイスが形成されている。
【００２４】
一般的なＷＬ−ＣＳＰでは、裏面３１ｂを研削後に表面に形成された封止樹脂４３を貫通する金属ポスト上にバンプを形成するが、本発明実施形態の研削方法では、裏面３１ｂを研削する前にバンプ３７を形成する突起物形成ステップを実施する。
【００２５】
即ち、この突起物形成ステップでは、図４の拡大図に示すように、各デバイスに形成されたパッドに再配線を介して接続するように封止樹脂４３を貫通する金属ポストの上に突起状のバンプ３７を形成する。バンプ３７は封止樹脂４３表面から突出している。
【００２６】
このように各デバイスのパッドに接続するバンプ３７を封止樹脂４３上に形成したので、ＷＬ−ＣＳＰ３１はバンプ３７が形成されているバンプ形成領域３９と、バンプ形成領域３９を囲繞する外周バンプ未形成領域４１を有している。
【００２７】
ＷＬ−ＣＳＰ３１に突起物形成ステップを実施して封止樹脂４３上にバンプ３７を形成した後、図３に示すのと同様な表面保護テープ２５をＷＬ−ＣＳＰ３１の表面に配設する表面保護テープ配設ステップを実施する。これにより、ＷＬ−ＣＳＰ３１に形成されたバンプ３７は表面保護テープ２５の糊層２９に埋設された状態となる。
【００２８】
本発明のウエーハの研削方法では、図３に示すようにサファイアウエーハ１１の表面１１ａに表面保護テープ２５を配設する表面保護テープ配設ステップを実施した後、ウエーハ１１の裏面１１ｂを研削砥石で研削する研削ステップを実施する。
【００２９】
この研削ステップでは、図５に示すように、研削装置２のチャックテーブル３８で表面保護テープ２５側を吸引保持し、サファイアウエーハ１１の裏面１１ｂを露出させる。そして、チャックテーブル３８を矢印ａ方向に例えば７５０ｒｐｍで回転しつつ、研削ホイール３０を矢印ｂ方向に例えば１３００ｒｐｍで回転させながら、研削ユニット送り機構１８を駆動して所定の研削送り速度（例えば３μｍ／ｓ）で研削ホイール３０を下方に研削送りしながら、研削砥石３４でサファイアウエーハ１１の裏面１１ｂの研削を遂行する。
【００３０】
サファイアウエーハ１１の表面１１ａの外周部には複数のバンプ２３が形成されており、表面保護テープ２５がこれらのバンプ２３を糊層２７で埋め込むようにサファイアウエーハ１１の表面１１ａに貼着されているため、研削中にサファイアウエーハ１１が表面保護テープ２５に対して横ずれすることなく研削が遂行される。その結果、サファイアウエーハ１１の研削中の割れを低減することができる。
【００３１】
図４に示すＷＬ−ＣＳＰ３１の研削ステップでも、表面保護テープ２５の糊層２７がバンプ３７を埋め込むように表面保護テープ２５がＷＬ−ＣＳＰ３１の封止樹脂４３に貼着されて研削が実施されるため、研削中にＷＬ−ＣＳＰ３１が表面保護テープ２５に対して横ずれすることなく、研削中のＷＬ−ＣＳＰ３１の割れを低減することができる。
【００３２】
上述した実施形態によると、本発明をサファイアウエーハ１１及びＷＬ−ＣＳＰ３１の研削に適用した例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例えばＳｉＣウエーハ等の他の硬質脆性材料についても同様に適用することができる。
【符号の説明】
【００３３】
２    研削装置
１０    研削ユニット
１１    サファイアウエーハ
２１    デバイス
２３    バンプ
２５    表面保護テープ
２９    糊層
３０    研削ホイール
３１    ＷＬ−ＣＳＰ
３４    研削砥石
３７    バンプ
３８    チャックテーブル
【図１】
2012222134.tif 000003
【図２】
2012222134.tif 000004
【図３】
2012222134.tif 000005
【図４】
2012222134.tif 000006
【図５】
2012222134.tif 000007