(57)【要約】【課題】パッケージ基板上に実装されたＬＥＤチップから放出された光の取り出し効率を向上すると共に、色むらを低減できる発光装置を提供すること。【解決手段】発光装置は、パッケージ基板８上に配置された青色ＬＥＤチップ８１′と、青色ＬＥＤチップ８１′の上面および側面を覆って、青色ＬＥＤチップ８１′の発光層２から放出された光の波長を変換する波長変換層７とを有する。また、発光層２よりもパッケージ基板側に、発光層２からの光を反射させる反射面３を有する。反射面３に垂直な方向に関して、反射面形成層５の最外面５ｂから反射面３までの距離Ｄ１が、パッケージ基板８上で青色ＬＥＤチップ８１′が配置された領域よりも外側へ延在する波長変換層７の外側延在部分７ａの厚みＨに応じた所定の寸法以上に設定されている。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージ基板上に配置されたＬＥＤチップと、
上記ＬＥＤチップの上面および側面を覆って、上記ＬＥＤチップの発光層から放出された光の波長を変換する波長変換層とを有し、
上記波長変換層は、上記パッケージ基板上で上記ＬＥＤチップが配置された領域よりも外側へ延在する外側延在部分を有し、
上記ＬＥＤチップの上記発光層よりも上記パッケージ基板側に、上記パッケージ基板に沿って配置され、上記発光層から上記パッケージ基板側に放出される光を反射させる反射面を有し、
上記反射面に垂直な方向に関して、上記パッケージ基板のうち上記波長変換層の上記外側延在部分が延在する領域の上面から上記反射面までの距離が、上記波長変換層の上記外側延在部分の厚さに応じた所定の寸法以上に設定されていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置において、
上記ＬＥＤチップは、
上記発光層を含む積層基板と、
上記積層基板の二つの主面のうち一方の主面に沿って、上記反射面を形成する反射面形成体と
を備え、
上記反射面形成体の最外面が上記パッケージ基板に接していることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項２に記載の発光装置において、
上記反射面形成体の最外面に構造物が設けられ、
上記構造物の最外面が上記パッケージ基板に接していることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項２または３に記載の発光装置において、
上記ＬＥＤチップが上記反射面形成体または上記構造物の最外面を上記パッケージ基板に向けて配置されたとき、上記反射面の上記パッケージ基板からの高さが１０μｍ以上になるように、上記寸法が設定されていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項２から４のいずれか１つに記載の発光装置において、
上記反射面形成体が、金属材料、白色の材料、および上記半導体層の発光色と実質的に同色の不透明な材料のうちの一つまたは二つ以上からなることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項２から４のいずれか１つに記載の発光装置において、
上記反射面形成体が、上記積層基板のうちこの反射面形成体に沿った部分の屈折率よりも低い屈折率をもつ透明な材料からなる第１の反射面形成体と、金属材料からなる第２の反射面形成体とを含み、
上記第１の反射面形成体と上記第２の反射面形成体との間の界面が上記反射面を形成していることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項２から６のいずれか１つに記載の発光装置において、
上記反射面形成体が、電極を構成していることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項１に記載の発光装置において、
上記パッケージ基板は、上記ＬＥＤチップを配置すべきＬＥＤチップ配置領域上に上記ＬＥＤチップ配置領域に沿って配置された、上記反射面を形成する反射面形成体を有し、
上記反射面形成体の最外面が上記パッケージ基板に接していることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項８に記載の発光装置において、
上記反射面の高さは、上記パッケージ基板のうち、上記波長変換層の上記外側延在部分が延在する領域よりも外側に相当する外側領域の上面の高さよりも高いことを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項８に記載の発光装置において、
上記パッケージ基板のうち、上記波長変換層の上記外側延在部分が延在する領域の上面の高さは、上記外側延在部分が延在する領域よりも外側に相当する外側領域の上面の高さよりも低いことを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
パッケージ基板に実装されるＬＥＤチップであって、
上記ＬＥＤチップは、上記パッケージ基板上に配置されたとき、上記ＬＥＤチップの上面および側面が上記ＬＥＤチップの発光層から放出された光の波長を変換する波長変換層で覆われ、上記波長変換層は、上記パッケージ基板上で上記ＬＥＤチップが配置された領域よりも外側へ延在する外側延在部分を有し、
上記ＬＥＤチップは、
上記発光層を含む積層基板と、
上記積層基板の二つの主面のうち一方の主面に沿って、上記反射面を形成する反射面形成体と
を備え、
上記積層基板の上記主面に垂直な方向に関して、上記反射面形成体の最外面から上記反射面までの距離が、上記波長変換層の上記外側延在部分の厚さに応じた所定の寸法以上に設定されていることを特徴とするＬＥＤチップ。
【請求項１２】
請求項１１に記載のＬＥＤチップにおいて、
上記反射面形成体の最外面に構造物が設けられ、
上記積層基板の上記主面に垂直な方向に関して、上記反射面形成体の最外面に代えて、上記構造物の最外面から上記反射面までの距離が、上記波長変換層の上記外側延在部分の厚さに応じた所定の寸法以上に設定されていることを特徴とするＬＥＤチップ。
【請求項１３】
請求項１１または１２に記載のＬＥＤチップにおいて、
上記ＬＥＤチップが上記反射面形成体または上記構造物の最外面を上記パッケージ基板に向けて配置されたとき、上記反射面の上記パッケージ基板からの高さが１０μｍ以上になるように、上記寸法が設定されていることを特徴とするＬＥＤチップ。
【請求項１４】
請求項１１から１３のいずれか１つに記載のＬＥＤチップにおいて、
上記反射面形成体が、金属材料、白色の材料、および上記半導体層の発光色と実質的に同色の不透明な材料のうちの一つまたは二つ以上からなることを特徴とするＬＥＤチップ。
【請求項１５】
請求項１１から１３のいずれか１つに記載のＬＥＤチップにおいて、
上記反射面形成体が、上記積層基板のうちこの反射面形成体に沿った部分の屈折率よりも低い屈折率をもつ透明な材料からなる第１の反射面形成体と、金属材料からなる第２の反射面形成体とを含み、
上記第１の反射面形成体と上記第２の反射面形成体との間の界面が上記反射面を形成していることを特徴とするＬＥＤチップ。
【請求項１６】
請求項１１から１３のいずれか１つに記載のＬＥＤチップにおいて、
上記反射面形成体が、電極を構成していることを特徴とするＬＥＤチップ。
【請求項１７】
分割することによってＬＥＤチップとなるＬＥＤウェハであって、
上記ＬＥＤチップは、パッケージ基板上に配置されたとき、上記ＬＥＤチップの上面および側面が上記ＬＥＤチップの発光層から放出された光の波長を変換する波長変換層で覆われ、上記波長変換層は、上記パッケージ基板上で上記ＬＥＤチップが配置された領域よりも外側へ延在する外側延在部分を有し、
上記ＬＥＤウェハは、
上記発光層を含む積層基板と、
上記積層基板の二つの主面のうち一方の主面に沿って、上記反射面を形成する反射面形成体と
を備え、
上記積層基板の上記主面に垂直な方向に関して、上記反射面形成体の最外面から上記反射面までの距離が、上記波長変換層の上記外側延在部分の厚さに応じた所定の寸法以上に設定されていることを特徴とするＬＥＤウェハ。
【請求項１８】
請求項１７に記載のＬＥＤウェハにおいて、
上記反射面形成体の最外面に構造物が設けられ、
上記積層基板の上記主面に垂直な方向に関して、上記反射面形成体の最外面に代えて、上記構造物の最外面から上記反射面までの距離が、上記波長変換層の上記外側延在部分の厚さに応じた所定の寸法以上に設定されていることを特徴とするＬＥＤウェハ。
【請求項１９】
請求項１７または１８に記載のＬＥＤウェハにおいて、
上記ＬＥＤチップが上記反射面形成体または上記構造物の最外面を上記パッケージ基板に向けて配置されたとき、上記反射面の上記パッケージ基板からの高さが１０μｍ以上になるように、上記寸法が設定されていることを特徴とするＬＥＤウェハ。
【請求項２０】
請求項１７から１９のいずれか１つに記載のＬＥＤウェハにおいて、
上記反射面形成体が、金属材料、白色の材料、および上記半導体層の発光色と実質的に同色の不透明な材料のうちの一つまたは二つ以上からなることを特徴とするＬＥＤウェハ。
【請求項２１】
請求項１７から１９のいずれか１つに記載のＬＥＤウェハにおいて、
上記反射面形成体が、上記積層基板のうちこの反射面形成体に沿った部分の屈折率よりも低い屈折率をもつ透明な材料からなる第１の反射面形成体と、金属材料からなる第２の反射面形成体とを含み、
上記第１の反射面形成体と上記第２の反射面形成体との間の界面が上記反射面を形成していることを特徴とするＬＥＤウェハ。
【請求項２２】
請求項１７から１９のいずれか１つに記載のＬＥＤウェハにおいて、
上記反射面形成体が、電極を構成していることを特徴とするＬＥＤウェハ。
【請求項２３】
ＬＥＤチップを搭載すべきパッケージ基板であって、
上記ＬＥＤチップを配置すべきＬＥＤチップ配置領域と、
上記ＬＥＤチップ配置領域の外側を取り巻く枠状領域と、
上記ＬＥＤチップ配置領域上に上記ＬＥＤチップ配置領域に沿って配置された反射面形成体とを有し、
上記ＬＥＤチップは、上記反射面形成体上に配置されたとき、上記ＬＥＤチップの上面および側面が上記ＬＥＤチップの発光層から放出された光の波長を変換する波長変換層で覆われ、上記波長変換層は、上記枠状領域上に延在する外側延在部分を有し、
上記反射面形成体は、上記ＬＥＤチップの上記発光層から上記ＬＥＤチップ配置領域側に放出される光を反射させる反射面を形成するようになっており、
上記反射面に垂直な方向に関して、上記枠状領域の上面から上記反射面までの距離が、上記波長変換層の上記外側延在部分の厚さに応じた所定の寸法以上に設定されていることを特徴とするパッケージ基板。
【請求項２４】
請求項２３に記載のパッケージ基板において、
上記反射面の高さは、上記枠状領域よりも外側に相当する外側領域の上面の高さよりも高いことを特徴とするパッケージ基板。
【請求項２５】
請求項２３に記載のパッケージ基板において、
上記枠状領域の上面の高さは、上記枠状領域よりも外側に相当する外側領域の上面の高さよりも低いことを特徴とするパッケージ基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明はＬＥＤウェハに関し、より詳しくは、分割することによってＬＥＤチップとなるウェハに関する。
【０００２】
また、この発明は、そのようなＬＥＤウェハを分割して得られるＬＥＤチップに関する。
【０００３】
また、この発明は、ＬＥＤチップをパッケージ基板に実装した発光装置に関する。
【０００４】
また、この発明は、そのような発光装置を構成するのに用いられるパッケージ基板に関する。
【背景技術】
【０００５】
一般的な青色ＬＥＤチップは、サファイア基板上にＧａＮ層および電極（ＩＴＯ（錫添加酸化インジウム）を含む。）を有するウェハ（これを「ＬＥＤウェハ」と呼ぶ。）を、ダイシングして複数に分割することで製造されている。
【０００６】
このような青色ＬＥＤチップは、白色光を発生する発光装置を構成するように、例えば次のようにしてパッケージに実装されている。まず、図１６に示すように、パッケージ基板１０８上の所定の位置に青色ＬＥＤチップ１００をダイボンド剤（図示せず）で固定し、パッケージ基板１０８上の電極１１０ａ，１１０ｂと青色ＬＥＤチップ１００上の電極パターン１０４ａ，１０４ｂとの間にワイヤ配線１０９ａ，１０９ｂを設ける。次に、青色ＬＥＤチップ１００の上面１００ａおよび側面１００ｂを覆うように、波長変換層１０７として、蛍光体混錬樹脂を塗布した後、蛍光体を沈降させる。最後に、青色ＬＥＤチップ１００および波長変換層１０７を透明樹脂（図示せず）で封止する。なお、青色ＬＥＤチップ１００を確実に覆うように、波長変換層１０７には、上記パッケージ基板１０８上で青色ＬＥＤチップ１００が配置された領域よりも外側へ延在する部分（これを「外側延在部分」と呼ぶ。）１０７ａがマージンとして設けられる。
【０００７】
動作時には、青色ＬＥＤチップ１００が出射した青色光の一部が、波長変換層１０７に含まれた蛍光体を励起して、例えば蛍光として黄色光を発生させる。これにより、青色ＬＥＤチップ１００が出射した青色光のうち変換されなかった部分と、波長変換層１０７が発生する黄色光との混色によって、白色光が発生する。
【０００８】
知られているように、青色ＬＥＤチップ１００が発生した光の紫外線成分により、ダイボンド剤が変色などの劣化を起こすことがある。青色ＬＥＤチップのＧａＮ層１０２からサファイア基板１０１を通してパッケージ基板１０８へ向かって出射された光は、この劣化したダイボンド剤によって吸収されるし、一般に反射率が高くないパッケージ基板１０８でも吸収される。このため、光の取り出し効率が低下する。
【０００９】
また、青色ＬＥＤチップ１００を覆う波長変換層１０７の厚さ、すなわち、蛍光体の量が部分的に異なると、青色ＬＥＤチップ１００から放出されて外部に取り出される光量および蛍光体からの発光が外部に取り出される光量が部分的に異なる。このため、発光装置の発光面において、青色ＬＥＤチップ１００から放出された光量が多くなったり、蛍光体から発光された光量が多くなったりするので、色むらが生じると考えられている。さらに、発光装置間で比較すると、発光装置間の色度に差が生じる原因となる。
【００１０】
そこで、従来、特許文献１（特開２００１-７３９７号公報）に開示されているように、青色ＬＥＤチップ１００のパッケージ基板１０８側の面（サファイア基板１０１の下面）に、光を反射する反射層（図１６中に符号１０３で示す。）を設ける構成が提案されている。動作時に、青色ＬＥＤチップ１００のＧａＮ層１０２からサファイア基板１０１を通してパッケージ基板１０８側へ向かって出射された光は、この反射層１０３によって反射されて、ダイボンド剤やパッケージ基板１０８によって吸収されることがない。
【００１１】
また、従来、特許文献２（特開２００９-９４２６２号公報）に開示されているように、予め所望の厚さに形成した蛍光体シートで青色ＬＥＤチップ１００を被覆する発光装置の製造方法が提案されている。蛍光体を高濃度に充填して厚さ分布が均一になるように作製した蛍光体シートを波長変換層１０７として用い、蛍光体シートで青色ＬＥＤチップ１００の全面を被覆するようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００１-７３９７号公報
【特許文献２】特開２００９-９４２６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、特許文献１に記載の素子では、反射層１０３の厚さＤについて、特に反射層１０３の厚さＤと波長変換層１０７の外側延在部分１０７ａの厚さＨとの関係について、何ら考慮されていない。このため、例えば図１６に示すように、波長変換層１０７の外側延在部分１０７ａの厚さＨが反射層１０３の厚さＤよりも厚い場合は、青色ＬＥＤチップ１００の側面１００ｂ、特にサファイア基板１０１の側面から側方へ出射しようとする光が波長変換層１０７の外側延在部分１０７ａによって遮られて、光の取り出し効率が低下する要因となる。
【００１４】
また、特許文献２に記載の発光装置では、青色ＬＥＤチップ１００から放出された光が青色ＬＥＤチップ１００の上面からだけでなく側面からも放出される場合について、波長変換層１０７の外側延在部分１０７ａの発光装置の発光面における色むらに対する影響について、何ら考慮されていない。例えば図１７（ａ）に示すように、青色ＬＥＤチップ１００からの光が、青色ＬＥＤチップ１００の上面から上方へ破線矢印Ａ１で示すように放出されるだけでなく、青色ＬＥＤチップ１００の側面から側方へ破線矢印Ａ２で示すようにも放出される場合、青色ＬＥＤチップ１００の上面から放出された光が蛍光体シート１０７を通過する距離Ｌが、青色ＬＥＤチップ１００の側面から放出された光が蛍光体シート１０７および外側延在部分１０７ａを通過する距離Ｌｂよりも短くなる。このため、青色ＬＥＤチップ１００から放出された光の取り出し効率の低下および発光装置の発光面における色むらを生じる。
【００１５】
仮に図１７（ｂ）に示すように、特許文献２に記載の発光装置の製造方法により、青色ＬＥＤチップ１００の上面および側面のみを過不足なく被覆するように、蛍光体シート１０７をカットして青色ＬＥＤチップ１００と蛍光体シート１０７とを位置合わせするものとする。この場合、上記距離Ｌと、青色ＬＥＤチップ１００の側面から放出された光が蛍光体シート１０７を通過する距離Ｌｃとを等しくできる。
【００１６】
しかし、蛍光体シート１０７のカット寸法のばらつきにより、図１８に示すように、蛍光体シート１０７のカット寸法が小さくなると、蛍光体シート１０７で青色ＬＥＤチップ１００の周囲を完全に被覆することができず、青色ＬＥＤチップ１００から放出される光が蛍光体シート１０７を通過する部分と通過しない部分で色度差が大きくなり、色むらの原因となる。一方、図１９に示すように、蛍光体シート１０７のカット寸法が大きくなると、蛍光体シート１０７は青色ＬＥＤチップ１００の周囲を完全に被覆することはできる。しかし、蛍光体シート１０７の余剰分は、外側延在部分１０７ａとなり、図１７（ａ）で説明したのと同様に、青色ＬＥＤチップ１００から放出された光の取り出し効率の低下および発光装置の発光面における色むらを生じる。
【００１７】
さらに、図２０に示すように、蛍光体シート１０７のカット寸法が青色ＬＥＤチップ１００の全面のみを過不足なく被覆する大きさであっても、青色ＬＥＤチップ１００に対する蛍光体シート１０７の位置合わせがずれると、一方では蛍光体シート１０７で青色ＬＥＤチップ１００を被覆することができず、他方では蛍光体シート１０７の余剰分が外側延在部分１０７ａとなる。したがって、青色ＬＥＤチップ１００の側面から放出された光の取り出し効率の低下および発光装置の発光面における色むらを生じる。
【００１８】
そこで、この発明の課題は、パッケージ基板上に実装されたＬＥＤチップから放出された光の取り出し効率を向上すると共に、色むらを低減できる発光装置を提供することにある。
【００１９】
また、この発明の課題は、実装されたＬＥＤチップから放出された光の取り出し効率を向上すると共に、色むらを低減できるＬＥＤチップを提供することにある。
【００２０】
また、この発明の課題は、分割することによってＬＥＤチップとなるＬＥＤウェハであって、実装されたＬＥＤチップから放出された光の取り出し効率を向上すると共に、色むらを低減できるものを提供することにある。
【００２１】
また、この発明の課題は、実装されたＬＥＤチップから放出された光の取り出し効率を向上すると共に、色むらを低減できるパッケージ基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
上記課題を解決するため、この発明の発光装置は、
パッケージ基板上に配置されたＬＥＤチップと、
上記ＬＥＤチップの上面および側面を覆って、上記ＬＥＤチップの発光層から放出された光の波長を変換する波長変換層とを有し、
上記波長変換層は、上記パッケージ基板上で上記ＬＥＤチップが配置された領域よりも外側へ延在する外側延在部分を有し、
上記ＬＥＤチップの上記発光層よりも上記パッケージ基板側に、上記パッケージ基板に沿って配置され、上記発光層から上記パッケージ基板側に放出される光を反射させる反射面を有し、
上記反射面に垂直な方向に関して、上記パッケージ基板のうち上記波長変換層の上記外側延在部分が延在する領域の上面から上記反射面までの距離が、上記波長変換層の上記外側延在部分の厚さに応じた所定の寸法以上に設定されていることを特徴とする。
【００２３】
この発明の発光装置では、ＬＥＤチップが、パッケージ基板上に配置され、このＬＥＤチップの上面および側面を覆うように、上記ＬＥＤチップの発光層から放出された光の波長を変換する波長変換層が設けられている。この波長変換層には、上記パッケージ基板上で上記ＬＥＤチップが配置された領域よりも外側へ延在する外側延在部分がマージンとして設けられている。上記ＬＥＤチップの上記発光層よりも上記パッケージ基板側に、上記パッケージ基板に沿って反射面が配置されている。この反射面は、上記発光層から上記パッケージ基板側に放出される光を反射させる。ここで、上記反射面に垂直な方向に関して、上記パッケージ基板のうち上記波長変換層の上記外側延在部分が延在する領域の上面から上記反射面までの距離が、上記波長変換層の上記外側延在部分の厚さに応じた所定の寸法以上に設定されている。したがって、予め上記パッケージ基板のうち上記波長変換層の上記外側延在部分が延在する領域の上面から、上記反射面までの距離を、例えば上記波長変換層の外側延在部分の厚さよりも大きい寸法に設定しておけば、上記パッケージ基板上で上記反射面の高さが上記波長変換層の外側延在部分の高さを越えた状態になる。したがって、上記ＬＥＤチップの側面から側方へ出射される光が上記波長変換層の外側延在部分によって遮られるのを有効に防止できる。これにより、光の取り出し効率を向上すると共に、色むらを低減できる。
【００２４】
一実施形態の発光装置では、
上記ＬＥＤチップは、
上記発光層を含む積層基板と、
上記積層基板の二つの主面のうち一方の主面に沿って、上記反射面を形成する反射面形成体と
を備え、
上記反射面形成体の最外面が上記パッケージ基板に接していることを特徴とする。
【００２５】
ここで、上記反射面形成体の「最外面」とは、上記積層基板から遠い側の面を意味する。
【００２６】
この一実施形態の発光装置では、上記ＬＥＤチップは、上記反射面形成体を備え、上記パッケージ基板上に、上記反射面形成体の最外面がダイボンドされた状態で実装されている。したがって、ＬＥＤチップを実装するだけで、上記反射面を精度良く形成できて、生産性を向上することができる。
【００２７】
一実施形態の発光装置では、
上記反射面形成体の最外面に構造物が設けられ、
上記構造物の最外面が上記パッケージ基板に接していることを特徴とする。
【００２８】
ここで、上記構造物の「最外面」とは、上記積層基板から遠い側の面を意味する。
【００２９】
この一実施形態の発光装置では、上記ＬＥＤチップは、上記パッケージ基板上に、上記構造物を介して実装されているので、上記反射面形成体の材料を上記構造物の材料と異なるものとすることで、上記反射面形成体の厚さの設定の自由度が増す。
【００３０】
一実施形態の発光装置では、
上記ＬＥＤチップが上記反射面形成体または上記構造物の最外面をパッケージ基板に向けて配置されたとき、上記反射面の上記パッケージ基板からの高さが１０μｍ以上になるように、上記寸法が設定されていることを特徴とする。
【００３１】
上記ＬＥＤチップの実装に現在よく用いられている蛍光体の粒子径が数μｍであることから、上記反射面の上記パッケージ基板からの高さは１０μｍ以上であるのが望ましい。
【００３２】
また、上記ＬＥＤチップの実装に用いられる波長変換層が、樹脂に予め蛍光体を分散して保持させた蛍光体シートからなる場合、現在よく用いられている蛍光体シートの厚さが概ね２５μｍ〜３０μｍであることから、上記反射面の上記パッケージ基板からの高さは３０μｍ以上であることが望ましい。
【００３３】
また、上記ＬＥＤチップの実装に用いられる上記波長変換層が、蛍光体混錬樹脂を塗布した後、蛍光体を沈降させて形成される場合、その波長変換層の厚さは概ね１００μｍ〜１５０μｍであり、波長変換層の外側延在部分の上部は蛍光体が低濃度となる。その場合、上記反射面の上記パッケージ基板からの高さは５０μｍ以上であることが望ましい。これにより、波長変換層の外側延在部分によって遮られる光量は十分に低減される。
【００３４】
一実施形態の発光装置では、
上記反射面形成体が、金属材料、白色の材料、および上記発光層の発光色と実質的に同色の不透明な材料のうちの一つまたは二つ以上からなることを特徴とする。
【００３５】
この一実施形態の発光装置では、上記反射面を好ましく構成することができる。すなわち、上記反射面形成体が、金属材料、白色の材料、および上記発光層の発光色と実質的に同色の不透明な材料のうちの一つまたは二つ以上からなる場合、上記反射面で、上記発光層から達した光を、屈折率差や入射角に依らず、確実に反射することができる。
【００３６】
また、例えば上記反射面形成体が金属材料と白色の絶縁材料との二つからなる場合、上記ＬＥＤチップの設計の自由度が増す。例えば上記積層基板の表面に形成される電極の金属材料を、上記反射面形成体の一部として利用することができる。
【００３７】
一実施形態の発光装置では、
上記反射面形成体が、上記積層基板のうちこの反射面形成体に沿った部分の屈折率よりも低い屈折率をもつ透明な材料からなる第１の反射面形成体と、金属材料からなる第２の反射面形成体とを含み、
上記第１の反射面形成体と上記第２の反射面形成体との間の界面が上記反射面を形成していることを特徴とする。
【００３８】
この一実施形態の発光装置では、上記発光層から上記反射面形成体に達した光は、第１の反射面形成体をほぼ透過し、上記第１の反射面形成体と上記第２の反射面形成体との間の反射面によって反射される。この発光装置のＬＥＤチップでは、上記反射面形成体が第１の反射面形成体と第２の反射面形成体との２層からなるので、上記反射面形成体を形成する材料の選択の自由度が増す。
【００３９】
一実施形態の発光装置では、
上記反射面形成体が、電極を構成していることを特徴とする。
【００４０】
この一実施形態の発光装置では、上記反射面形成体を電極として用いるので、上記積層基板の表面に形成されていた電極を設ける必要がなく、発光装置の構成を簡単にすることができる。
【００４１】
一実施形態の発光装置では、
上記パッケージ基板は、上記ＬＥＤチップを配置すべきＬＥＤチップ配置領域上に上記ＬＥＤチップ配置領域に沿って配置された、上記反射面を形成する反射面形成体を有し、
上記反射面形成体の最外面が上記パッケージ基板に接していることを特徴とする。
【００４２】
この一実施形態の発光装置では、上記パッケージ基板が反射面形成体を有しているので、上記ＬＥＤチップに反射面を設ける必要がない。
【００４３】
一実施形態の発光装置では、
上記反射面の高さは、上記パッケージ基板のうち、上記波長変換層の上記外側延在部分が延在する領域よりも外側に相当する外側領域の上面の高さよりも高いことを特徴とする。
【００４４】
この一実施形態の発光装置では、上記反射面の高さは、上記外側領域の上面の高さを越えた状態になる。したがって、上記ＬＥＤチップの側面から側方へ出射される光が、上記外側領域によって遮られるのを防止できる。これにより、光の取り出し効率を向上すると共に、色むらを低減できる。
【００４５】
一実施形態の発光装置では、
上記パッケージ基板のうち、上記波長変換層の上記外側延在部分が延在する領域の上面の高さは、上記外側延在部分が延在する領域よりも外側に相当する外側領域の上面の高さよりも低いことを特徴とする。
【００４６】
この一実施形態の発光装置では、上記パッケージ基板のうち、上記波長変換層の上記外側延在部分が延在する領域の上面の高さは、上記外側領域の上面の高さよりも低い。したがって、上記ＬＥＤチップの実装に用いられる波長変換層が、例えば樹脂に予め蛍光体を分散して保持させた蛍光体シートからなる場合、ＬＥＤチップに対する上記蛍光体シートの位置合わせが容易にできて、生産性を向上することができる。
【００４７】
この発明のＬＥＤチップは、
パッケージ基板に実装されるＬＥＤチップであって、
上記ＬＥＤチップは、上記パッケージ基板上に配置されたとき、上記ＬＥＤチップの上面および側面が上記ＬＥＤチップの発光層から放出された光の波長を変換する波長変換層で覆われ、上記波長変換層は、上記パッケージ基板上で上記ＬＥＤチップが配置された領域よりも外側へ延在する外側延在部分を有し、
上記ＬＥＤチップは、
上記発光層を含む積層基板と、
上記積層基板の二つの主面のうち一方の主面に沿って、上記反射面を形成する反射面形成体と
を備え、
上記積層基板の上記主面に垂直な方向に関して、上記反射面形成体の最外面から上記反射面までの距離が、上記波長変換層の上記外側延在部分の厚さに応じた所定の寸法以上に設定されていることを特徴とする。
【００４８】
この発明のＬＥＤチップは、実装状態では、パッケージ基板上に、上記反射面形成体の最外面がダイボンドされた状態で実装され、上記ＬＥＤチップの上面および側面を覆うように、上記ＬＥＤチップの発光層から放出された光の波長を変換する波長変換層が設けられる。この波長変換層には、上記パッケージ基板上で上記ＬＥＤチップが配置された領域よりも外側へ延在する外側延在部分がマージンとして設けられる。ここで、上記積層基板の上記主面に垂直な方向に関して、上記反射面形成体の最外面から上記反射面までの距離が、上記波長変換層の上記外側延在部分の厚さに応じた所定の寸法以上に設定されている。したがって、予め上記反射面形成体の最外面から、上記反射面までの距離を、例えば上記波長変換層の外側延在部分の厚さよりも大きい寸法に設定しておけば、上記実装状態では、上記パッケージ基板上で上記反射面の高さが上記波長変換層の外側延在部分の高さを越えた状態になる。したがって、実装されたＬＥＤチップの側面から側方へ出射される光が上記波長変換層の外側延在部分によって遮られるのを有効に防止できる。これにより、光の取り出し効率を向上すると共に、色むらを低減できる。
【００４９】
一実施形態のＬＥＤチップでは、
上記反射面形成体の最外面に構造物が設けられ、
上記積層基板の上記主面に垂直な方向に関して、上記反射面形成体の最外面に代えて、上記構造物の最外面から上記反射面までの距離が、上記波長変換層の上記外側延在部分の厚さに応じた所定の寸法以上に設定されていることを特徴とする。
【００５０】
この一実施形態のＬＥＤチップでは、予め上記構造物の最外面から上記反射面までの距離を、例えば上記波長変換層の外側延在部分の厚さよりも大きい寸法に設定しておけば、上記実装状態では、上記パッケージ基板上で上記反射面の高さが上記波長変換層の外側延在部分の高さを越えた状態になる。したがって、実装されたＬＥＤチップの側面から側方へ出射される光が上記波長変換層の外側延在部分によって遮られるのを有効に防止できる。これにより、光の取り出し効率を向上すると共に、色むらを低減できる。しかも、上記ＬＥＤチップは、上記パッケージ基板上に、上記構造物を介して実装されているので、上記反射面形成体の材料を上記構造物の材料と異なるものとすることで、上記反射面形成体の厚さの設定の自由度が増す。
【００５１】
一実施形態のＬＥＤチップでは、
上記ＬＥＤチップが上記反射面形成体または上記構造物の最外面をパッケージ基板に向けて配置されたとき、上記反射面の上記パッケージ基板からの高さが１０μｍ以上になるように、上記寸法が設定されていることを特徴とする。
【００５２】
上記ＬＥＤチップの実装に現在よく用いられている蛍光体の粒子径が数μｍであることから、上記反射面の上記パッケージ基板からの高さは１０μｍ以上であるのが望ましい。
【００５３】
また、上記ＬＥＤチップの実装に用いられる波長変換層が、樹脂に予め蛍光体を分散して保持させた蛍光体シートからなる場合、現在よく用いられている蛍光体シートの厚さが概ね２５μｍ〜３０μｍであることから、上記反射面の上記パッケージ基板からの高さは３０μｍ以上であることが望ましい。
【００５４】
また、上記ＬＥＤチップの実装に用いられる上記波長変換層が、蛍光体混錬樹脂を塗布した後、蛍光体を沈降させて形成される場合、その波長変換層の厚さは概ね１００μｍ〜１５０μｍであり、波長変換層の外側延在部分の上部は蛍光体が低濃度となる。その場合、上記反射面の上記パッケージ基板からの高さは５０μｍ以上であることが望ましい。これにより、波長変換層の外側延在部分によって遮られる光量は十分に低減される。
【００５５】
一実施形態のＬＥＤチップでは、
上記反射面形成体が、金属材料、白色の材料、および上記発光層の発光色と実質的に同色の不透明な材料のうちの一つまたは二つ以上からなることを特徴とする。
【００５６】
この一実施形態のＬＥＤチップでは、上記反射面を好ましく構成することができる。すなわち、上記反射面形成体が、金属材料、白色の材料、および上記発光層の発光色と実質的に同色の不透明な材料のうちの一つまたは二つ以上からなる場合、上記反射面で、上記発光層から達した光を、屈折率差や入射角に依らず、確実に反射することができる。
【００５７】
また、例えば上記反射面形成体が金属材料と白色の絶縁材料との二つからなる場合、上記ＬＥＤチップの設計の自由度が増す。例えば上記積層基板の表面に形成される電極の金属材料を、上記反射面形成体の一部として利用することができる。
【００５８】
一実施形態のＬＥＤチップでは、
上記反射面形成体が、上記積層基板のうちこの反射面形成体に沿った部分の屈折率よりも低い屈折率をもつ透明な材料からなる第１の反射面形成体と、金属材料からなる第２の反射面形成体とを含み、
上記第１の反射面形成体と上記第２の反射面形成体との間の界面が上記反射面を形成していることを特徴とする。
【００５９】
この一実施形態のＬＥＤチップでは、上記発光層から上記反射面形成体に達した光は、第１の反射面形成体をほぼ透過し、上記第１の反射面形成体と上記第２の反射面形成体との間の反射面によって反射される。このＬＥＤチップでは、上記反射面形成体が第１の反射面形成体と第２の反射面形成体との２層からなるので、上記反射面形成体を形成する材料の選択の自由度が増す。
【００６０】
一実施形態のＬＥＤチップでは、
上記反射面形成体が、電極を構成していることを特徴とする。
【００６１】
この一実施形態のＬＥＤチップでは、上記反射面形成体を電極として用いるので、上記積層基板の表面に形成されていた電極を設ける必要がなく、ＬＥＤチップの構成を簡単にすることができる。
【００６２】
この発明のＬＥＤウェハは、
分割することによってＬＥＤチップとなるＬＥＤウェハであって、
上記ＬＥＤチップは、パッケージ基板上に配置されたとき、上記ＬＥＤチップの上面および側面が上記ＬＥＤチップの発光層から放出された光の波長を変換する波長変換層で覆われ、上記波長変換層は、上記パッケージ基板上で上記ＬＥＤチップが配置された領域よりも外側へ延在する外側延在部分を有し、
上記ＬＥＤウェハは、
上記発光層を含む積層基板と、
上記積層基板の二つの主面のうち一方の主面に沿って、上記反射面を形成する反射面形成体と
を備え、
上記積層基板の上記主面に垂直な方向に関して、上記反射面形成体の最外面から上記反射面までの距離が、上記波長変換層の上記外側延在部分の厚さに応じた所定の寸法以上に設定されていることを特徴とする。
【００６３】
この発明のＬＥＤウェハは、上記積層基板の上記主面に沿った面内で所定の寸法をもつように、上記主面に垂直な方向に切断又は劈開して分割することによって、ＬＥＤチップとなる。実装状態では、そのようなＬＥＤチップは、パッケージ基板上に、上記反射面形成体の最外面がダイボンドされた状態で配置され、上記ＬＥＤチップの上面および側面を覆うように、上記ＬＥＤチップの発光層から放出された光の波長を変換する波長変換層が設けられる。この波長変換層には、上記パッケージ基板上で上記ＬＥＤチップが配置された領域よりも外側へ延在する外側延在部分がマージンとして設けられる。ここで、上記積層基板の上記主面に垂直な方向に関して、上記反射面形成体の最外面から上記反射面までの距離が、上記波長変換層の上記外側延在部分の厚さに応じた所定の寸法以上に設定されている。したがって、予め上記反射面形成体の最外面から上記反射面までの距離を、例えば上記波長変換層の外側延在部分の厚さよりも大きい寸法に設定しておけば、上記実装状態では、上記パッケージ基板上で上記反射面の高さが上記波長変換層の外側延在部分の高さを越えた状態になる。したがって、実装されたＬＥＤチップの側面から側方へ出射される光が上記波長変換層の外側延在部分によって遮られるのを有効に防止できる。これにより、光の取り出し効率を向上すると共に、色むらを低減できる。
【００６４】
また、上記反射面形成体の形成および厚さの設定は、ウェハプロセスとして、ウェハ状態で一括して行うことが可能である。したがって、個々のパッケージ基板または個々のＬＥＤチップに対して新たな工程を追加する必要がない。しかも、個々のパッケージ基板または個々のＬＥＤチップを加工する場合に比して、ウェハ状態での加工は精度良く行われる。したがって、実装状態では、パッケージ基板上での上記反射面の高さの精度、およびパッケージ基板に対する上記反射面の平行度の精度が高まる。
【００６５】
また、上記波長変換層には、上記外側延在部分がマージンとして設けられるので、例えば波長変換層として、樹脂に予め蛍光体を分散して保持させた蛍光体シートを用いる場合、蛍光体シートのカット寸法や、ＬＥＤチップに対する蛍光体シートの位置合わせに必要な精度に余裕ができて、生産性を向上することができる。
【００６６】
一実施形態のＬＥＤウェハでは、
上記反射面形成体の最外面に構造物が設けられ、
上記積層基板の上記主面に垂直な方向に関して、上記反射面形成体の最外面に代えて、上記構造物の最外面から上記反射面までの距離が、上記波長変換層の上記外側延在部分の厚さに応じた所定の寸法以上に設定されていることを特徴とする。
【００６７】
この一実施形態のＬＥＤウェハでは、予め上記構造物の最外面から上記反射面までの距離を、例えば上記波長変換層の外側延在部分の厚さよりも大きい寸法に設定しておけば、上記実装状態では、上記パッケージ基板上で上記反射面の高さが上記波長変換層の外側延在部分の高さを越えた状態になる。したがって、実装されたＬＥＤチップの側面から側方へ出射される光が上記波長変換層の外側延在部分によって遮られるのを有効に防止できる。これにより、光の取り出し効率を向上すると共に、色むらを低減できる。しかも、上記ＬＥＤチップは、上記パッケージ基板上に、上記構造物を介して実装されているので、上記反射面形成体の材料を上記構造物の材料と異なるものとすることで、上記反射面形成体の厚さの設定の自由度が増す。
【００６８】
一実施形態のＬＥＤウェハでは、
上記ＬＥＤチップが上記反射面形成体または上記構造物の最外面をパッケージ基板に向けて配置されたとき、上記反射面の上記パッケージ基板からの高さが１０μｍ以上になるように、上記寸法が設定されていることを特徴とする。
【００６９】
上記ＬＥＤチップの実装に現在よく用いられている蛍光体の粒子径が数μｍであることから、上記反射面の上記パッケージ基板からの高さは１０μｍ以上であるのが望ましい。
【００７０】
また、上記ＬＥＤチップの実装に用いられる波長変換層が、樹脂に予め蛍光体を分散して保持させた蛍光体シートからなる場合、現在よく用いられている蛍光体シートの厚さが概ね２５μｍ〜３０μｍであることから、上記反射面の上記パッケージ基板からの高さは３０μｍ以上であることが望ましい。
【００７１】
また、上記ＬＥＤチップの実装に用いられる上記波長変換層が、蛍光体混錬樹脂を塗布した後、蛍光体を沈降させて形成される場合、その波長変換層の厚さは概ね１００μｍ〜１５０μｍであり、波長変換層の外側延在部分の上部は蛍光体が低濃度となる。その場合、上記反射面の上記パッケージ基板からの高さは５０μｍ以上であることが望ましい。これにより、波長変換層の外側延在部分によって遮られる光量は十分に低減される。
【００７２】
一実施形態のＬＥＤウェハでは、
上記反射面形成体が、金属材料、白色の材料、および上記発光層の発光色と実質的に同色の不透明な材料のうちの一つまたは二つ以上からなることを特徴とする。
【００７３】
この一実施形態のＬＥＤウェハでは、上記反射面を好ましく構成することができる。すなわち、上記反射面形成体が、金属材料、白色の材料、および上記発光層の発光色と実質的に同色の不透明な材料のうちの一つまたは二つ以上からなる場合、上記反射面で、上記発光層から達した光を、屈折率差や入射角に依らず、確実に反射することができる。
【００７４】
また、例えば上記反射面形成体が金属材料と白色の絶縁材料との二つからなる場合、上記ＬＥＤウェハを分割して得られるＬＥＤチップの設計の自由度が増す。例えば上記積層基板の表面に形成される電極の金属材料を、上記反射面形成体の一部として利用することができる。
【００７５】
一実施形態のＬＥＤウェハでは、
上記反射面形成体が、上記積層基板のうちこの反射面形成体に沿った部分の屈折率よりも低い屈折率をもつ透明な材料からなる第１の反射面形成体と、金属材料からなる第２の反射面形成体とを含み、
上記第１の反射面形成体と上記第２の反射面形成体との間の界面が上記反射面を形成していることを特徴とする。
【００７６】
この一実施形態のＬＥＤウェハでは、上記発光層から上記反射面形成体に達した光は、第１の反射面形成体をほぼ透過し、上記第１の反射面形成体と上記第２の反射面形成体との間の反射面によって反射される。このＬＥＤウェハでは、上記反射面形成体が第１の反射面形成体と第２の反射面形成体との２層からなるので、上記反射面形成体を形成する材料の選択の自由度が増す。
【００７７】
一実施形態のＬＥＤウェハでは、
上記反射面形成体が、電極を構成していることを特徴とする。
【００７８】
この一実施形態のＬＥＤウェハでは、上記反射面形成体を電極として用いるので、上記積層基板の表面に形成されていた電極を設ける必要がなく、ＬＥＤウェハの構成を簡単にすることができる。
【００７９】
この発明のパッケージ基板は、
ＬＥＤチップを搭載すべきパッケージ基板であって、
上記ＬＥＤチップを配置すべきＬＥＤチップ配置領域と、
上記ＬＥＤチップ配置領域の外側を取り巻く枠状領域と、
上記ＬＥＤチップ配置領域上に上記ＬＥＤチップ配置領域に沿って配置された反射面形成体とを有し、
上記ＬＥＤチップは、上記反射面形成体上に配置されたとき、上記ＬＥＤチップの上面および側面が上記ＬＥＤチップの発光層から放出された光の波長を変換する波長変換層で覆われ、上記波長変換層は、上記枠状領域上に延在する外側延在部分を有し、
上記反射面形成体は、上記ＬＥＤチップの上記発光層から上記ＬＥＤチップ配置領域側に放出される光を反射させる反射面を形成するようになっており、
上記反射面に垂直な方向に関して、上記枠状領域の上面から上記反射面までの距離が、上記波長変換層の上記外側延在部分の厚さに応じた所定の寸法以上に設定されていることを特徴とする。
【００８０】
この発明のパッケージ基板には、上記ＬＥＤチップがダイボンドされた状態で実装され、上記ＬＥＤチップの上面および側面を覆うように、上記ＬＥＤチップの発光層から放出された光の波長を変換する波長変換層が設けられている。この波長変換層には、上記パッケージ基板の枠状領域上に延在する外側延在部分がマージンとして設けられている。上記パッケージ基板の上記ＬＥＤチップ配置領域上に、上記ＬＥＤチップ配置領域に沿って反射面が配置されている。この反射面は、上記発光層から上記パッケージ配置領域側に放出される光を反射させる。また、この反射面は上記反射面形成体によって形成されている。ここで、上記反射面に垂直な方向に関して、上記枠状領域の上面から上記反射面までの距離が、上記波長変換層の上記外側延在部分の厚さに応じた所定の寸法以上に設定されている。したがって、予め上記枠状領域の上面から上記反射面までの距離を、例えば上記波長変換層の外側延在部分の厚さよりも大きい寸法に設定しておけば、上記パッケージ基板上で上記反射面の高さが上記波長変換層の外側延在部分の高さを越えた状態になる。したがって、実装されたＬＥＤチップの側面から側方へ出射される光が上記波長変換層の外側延在部分によって遮られるのを有効に防止できる。これにより、光の取り出し効率を向上すると共に、色むらを低減できる。しかも、上記反射面は、上記パッケージ基板の上面に形成されるので、上記ＬＥＤチップに反射面を設ける必要がない。
【００８１】
一実施形態のパッケージ基板では、
上記反射面の高さは、上記枠状領域よりも外側に相当する外側領域の上面の高さよりも高いことを特徴とする。
【００８２】
この一実施形態のパッケージ基板では、上記反射面の高さは、上記外側領域の上面の高さを越えた状態になる。したがって、上記ＬＥＤチップの側面から側方へ出射される光が、上記外側領域によって遮られるのを防止できる。これにより、光の取り出し効率を向上すると共に、色むらを低減できる。
【００８３】
一実施形態のパッケージ基板では、
上記枠状領域の上面の高さは、上記枠状領域よりも外側に相当する外側領域の上面の高さよりも低いことを特徴とする。
【００８４】
この一実施形態のパッケージ基板では、上記枠状領域の上面の高さは、上記外側領域の上面の高さよりも低い。したがって、上記ＬＥＤチップの実装に用いられる波長変換層が、例えば樹脂に予め蛍光体を分散して保持させた蛍光体シートからなる場合、ＬＥＤチップに対する上記蛍光体シートの位置合わせが容易にできて、生産性を向上することができる。
【発明の効果】
【００８５】
以上より明らかなように、この発明の発光装置によれば、パッケージ基板上に実装されたＬＥＤチップの側面から側方へ出射される光が遮られるのを防止でき、光の取り出し効率を向上すると共に、色むらを低減できる。
【００８６】
また、この発明のＬＥＤチップによれば、実装状態では、側面から側方へ出射される光が遮られるのを防止でき、光の取り出し効率を向上すると共に、色むらを低減できる。
【００８７】
また、この発明のＬＥＤウェハによれば、実装されたＬＥＤチップからの光の取り出し効率を向上すると共に、色むらを低減できる。
【００８８】
また、この発明のパッケージ基板によれば、実装されたＬＥＤチップの側面から側方へ出射される光が遮られるのを防止でき、光の取り出し効率を向上すると共に、色むらを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００８９】
【図１】この発明の一実施形態のＬＥＤウェハの断面構造を示す図である。
【図２】この発明の一実施形態のＬＥＤウェハの断面構造を示す図である。
【図３】この発明の一実施形態のＬＥＤウェハの断面構造を示す図である。
【図４】この発明の一実施形態のＬＥＤウェハの断面構造を示す図である。
【図５】この発明の一実施形態のＬＥＤウェハの断面構造を示す図である。
【図６】この発明の一実施形態のＬＥＤウェハの断面構造を示す図である。
【図７】図１のＬＥＤウェハから得られたＬＥＤチップをパッケージ基板上にフェイスアップ方式で実装した発光装置を示す図である。
【図８】図２のＬＥＤウェハから得られたＬＥＤチップをパッケージ基板上にフェイスダウン方式で実装した発光装置を示す図である。
【図９】図３のＬＥＤウェハから得られたＬＥＤチップをパッケージ基板上にフェイスアップ方式で実装した発光装置を示す図である。
【図１０】図４のＬＥＤウェハから得られたＬＥＤチップをパッケージ基板上にフェイスアップ方式で実装した発光装置を示す図である。
【図１１】図５のＬＥＤウェハから得られたＬＥＤチップをパッケージ基板上にフェイスダウン方式で実装した発光装置を示す図である。
【図１２】図６のＬＥＤウェハから得られたＬＥＤチップをパッケージ基板上にフェイスアップ方式で実装した発光装置を示す図である。
【図１３】この発明の一実施形態のＬＥＤチップの発光装置を示す図である。
【図１４】この発明の一実施形態のＬＥＤチップの発光装置を示す図である。
【図１５】この発明の一実施形態のＬＥＤチップの発光装置を示す図である。
【図１６】従来のＬＥＤチップの発光装置を示す図である。
【図１７】図１７（ａ）及び（ｂ）は、従来の蛍光体シートを用いた場合におけるＬＥＤチップの発光装置の問題を説明する図である。
【図１８】従来の蛍光体シートを用いた場合におけるＬＥＤチップの発光装置の問題を説明する図である。
【図１９】従来の蛍光体シートを用いた場合におけるＬＥＤチップの発光装置の問題を説明する図である。
【図２０】従来の蛍光体シートを用いた場合におけるＬＥＤチップの発光装置の問題を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００９０】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。
【００９１】
（第１実施形態）
図１は、一実施形態としての青色ＬＥＤウェハ８１の断面構造を示している。
【００９２】
この青色ＬＥＤウェハ８１は、透光性を有するサファイアからなる成長基板１と、この成長基板１の第１の主面１ａに形成され、通電を受けたとき発光する発光層２と、この発光層２の表面に形成されたＮ電極４１およびＰ電極４２を備えている。これらの電極４１，４２は、発光層２の表面に沿って、一定のピッチで繰り返し配置されている。これらの要素１，２，４１，４２が積層基板を構成している。
【００９３】
また、この青色ＬＥＤウェハ８１は、成長基板１の第１の主面１ａと反対側の第２の主面１ｂに沿って反射面形成体５を備えている。反射面形成体５は、例えば、アルミニウムや銀などの金属材料からなり、成長基板１と反射面形成体５との間の界面に、発光層２から成長基板１を通して達した光を鏡面反射するように平坦な反射面３を形成している。反射面３の反射率は高い方が好ましく、９０％以上であることが望ましい。主面１ａ，１ｂに垂直な方向に関して、反射面形成体５の最外面５ｂから上記反射面３までの距離、つまり反射面形成体５の厚さＤ１が、後述する波長変換層７の外側延在部分７ａの厚さＨに応じた所定の寸法以上に設定されている。
【００９４】
この青色ＬＥＤウェハ８１は、成長基板１の第１の主面１ａに沿った面内で所定の寸法をもつように、主面１ａ，１ｂに垂直な方向に切断又は劈開して分割される。この例では、この青色ＬＥＤウェハ８１は、図１中に示す破線Ｘに沿ってダイシングされて、チップ化される。これにより、図７中に示す青色ＬＥＤチップ８１′が得られる。
【００９５】
図７は、青色ＬＥＤチップ８１′をパッケージ基板８上にフェイスアップ方式で実装した発光装置を示している。この実装は次のようにして行われる。まず、パッケージ基板８上の所定の位置に、反射面形成体５の最外面５ｂがパッケージ基板８に接するように青色ＬＥＤチップ８１′を配置して、ダイボンド剤（図示せず）で固定する。そして、パッケージ基板８上の電極１０ａ，１０ｂと青色ＬＥＤチップ８１′上の電極４１，４２との間にワイヤ配線９１，９２を設ける。次に、青色ＬＥＤチップ８１′の上面８１ａおよび側面８１ｂを覆うように、波長変換層７として、樹脂に予め蛍光体を分散して保持させた蛍光体シートを設ける。または、波長変換層７として、蛍光体混錬樹脂を塗布した後、蛍光体を沈降させる。最後に、青色ＬＥＤチップ８１′および波長変換層７を透明樹脂（図示せず）で封止する。なお、青色ＬＥＤチップ８１′を確実に覆うように、波長変換層７には、上記パッケージ基板８上で青色ＬＥＤチップ８１′が配置された領域（これを「ＬＥＤチップ配置領域」と呼ぶ。）よりも外側へ延在する部分（これを「外側延在部分」と呼ぶ。）７ａがマージンとして設けられる。
【００９６】
動作時には、青色ＬＥＤチップ８１′が上面８１ａおよび側面８１ｂから出射した青色光の一部が、波長変換層７に含まれた蛍光体を励起して、この例では蛍光として黄色光を発生させる。これにより、青色ＬＥＤチップ８１′が出射した青色光のうち変換されなかった部分と、波長変換層７が発生する黄色光との混色によって、白色光が発生する。この白色光は、上方および側方へ出射される。
【００９７】
また、動作時に、青色ＬＥＤチップ８１′の発光層２から成長基板１を通してパッケージ基板８側へ向かって出射された光は、上記反射面３によって反射されて、ダイボンド剤やパッケージ基板８によって吸収されることがない。
【００９８】
この発光装置の例では、パッケージ基板８上での反射面３の高さは、反射面形成体５の厚さＤ１に略等しい。ここで、既述のように、ウェハ状態で予め反射面形成体５の厚さＤ１が、波長変換層７の外側延在部分７ａの厚さＨに応じた所定の寸法以上に設定されている。したがって、実装された青色ＬＥＤチップ８１′の側面８１ｂから側方へ出射される光が波長変換層７の外側延在部分７ａによって遮られるのを有効に防止できる。これにより、光の取り出し効率を向上すると共に、色むらを低減できる。
【００９９】
具体的には、青色ＬＥＤチップの実装に現在よく用いられている蛍光体の粒子径が数μｍであることから、反射面３のパッケージ基板８からの高さ（反射面形成体５の厚さ）Ｄ１は少なくとも１０μｍ以上に設定される。
【０１００】
また、波長変換層７が、樹脂に予め蛍光体を分散して保持させた蛍光体シートからなる場合、現在よく用いられている蛍光体シートの厚さＨが概ね２５μｍ〜３０μｍであることから、反射面形成体５の厚さＤ１は３０μｍ以上であることが望ましい。
【０１０１】
なお、反射面形成体５の厚さＤ１は、必ずしも蛍光体シートの厚さＨと同等以上でなければならないものではない。波長変換層７の外側延在部分７ａで遮られる光の量を少なくできれば、反射面３の高さが蛍光体シートの厚さＨよりも或る程度低くてもよい。例えば、蛍光体シートの厚さＨが５０μｍ、蛍光体濃度が２０体積％である場合、反射面３の高さを波長変換層７の外側延在部分７ａの厚さＨよりも２０μｍ低い位置にしても、実際問題として、波長変換層７の外側延在部分７ａによって遮られる光量は十分に低減される。したがって、その場合は、反射面形成体５の厚さＤ１は３０μｍ以上であればよい。
【０１０２】
また、波長変換層７が、樹脂に予め蛍光体を分散して保持させた蛍光体シートからなる場合、波長変換層７には、外側延在部分７ａがマージンとして設けられるので、蛍光体シートのカット寸法や、ＬＥＤチップに対する蛍光体シートの位置合わせに必要な精度に余裕ができて、生産性を向上することができる。
【０１０３】
また、波長変換層７が、蛍光体混錬樹脂を塗布した後、蛍光体を沈降させて形成される場合、その波長変換層７の厚さＨは概ね１００μｍ〜１５０μｍであり、波長変換層７の外側延在部分７ａの上部は蛍光体が低濃度となる。その場合、反射面３の高さを波長変換層７の外側延在部分７ａの上面の高さＨよりも５０μｍ程度低い位置としても、波長変換層７の外側延在部分７ａによって遮られる光量は十分に低減される。結果として、反射面形成体５の厚さＤ１は５０μｍ以上であれば良い。
【０１０４】
また、上記反射面形成体５の形成および厚さの設定は、ウェハプロセスとして、ウェハ状態で一括して行うことが可能である。したがって、個々のパッケージ基板または個々のＬＥＤチップに対して新たな工程を追加する必要がない。しかも、個々のパッケージ基板または個々のＬＥＤチップを加工する場合に比して、ウェハ状態での加工は精度良く行われる。したがって、実装状態では、パッケージ基板８上での反射面３の高さの精度、およびパッケージ基板８に対する反射面３の平行度の精度が高まる。
【０１０５】
上記反射面形成体５が、金属材料からなる場合だけでなく、白色の材料、上記発光層の発光色と実質的に同色の不透明な材料からなる場合も、上記反射面３を好ましく構成することができる。すなわち、反射面形成体５が、金属材料、白色の材料、または上記発光層の発光色と実質的に同色の不透明な材料からなる場合、上記反射面３で、発光層２から成長基板１を通して達した光を、屈折率差や入射角に依らず、確実に反射することができる。
【０１０６】
例えば、反射面形成体５を金属材料とする場合は、アルミニウムや銀などを用いればよい。なお、反射面形成体５を金属材料とする場合において、金属材料からなる反射面形成体５とパッケージ基板８との間の短絡が問題となる場合は、パッケージ基板８に対して青色ＬＥＤチップ８１′の固定のために絶縁性のダイボンド剤を用いたり、反射面形成体５の最外面５ｂを絶縁性の材料で被膜したりして、短絡を防止するのが望ましい。
【０１０７】
また、反射面形成体５を白色の材料とする場合は、白色ソルダーレジストや白色モールド剤などを用いれば良い。
【０１０８】
また、本実施形態のように発光層２の発光色が青色である場合は、反射面形成体５を発光層２の発光色と実質的に同色の不透明な材料として、青色ソルダーレジストや青色モールド剤などを用いればよい。
【０１０９】
また、青色ＬＥＤチップ８１′が、パッケージ基板８上に反射面形成体５の最外面５ｂがパッケージ基板８に接するように配置して固定されているので、青色ＬＥＤチップ８１′を実装するだけで、反射面３を精度良く形成できて、生産性を向上することができる。
【０１１０】
（第２実施形態）
図２は、一実施形態としての青色ＬＥＤウェハ８２の断面構造を示している。なお、図２において図１中の要素と同一の要素には同じ符号を付して、重複する説明を省略する（後述の図３〜図６等において同様。）。
【０１１１】
この青色ＬＥＤウェハ８２では、Ｎ電極４１、Ｐ電極４２上にそれぞれ構造物としての円柱状のバンプ電極６１，６２が設けられている。これは、この青色ＬＥＤウェハ８２から得られた青色ＬＥＤチップをフェイスダウン方式で実装することを予定しているからである。バンプ電極６１，６２の最外面６１ａ，６２ａは、同一の高さレベルになっている。
【０１１２】
Ｎ電極４１とＰ電極４２との間の隙間には、電極４１，４２間の短絡防止のために、この例では白色ソルダーレジスト１２が埋め込まれている。
【０１１３】
この例では、電極４１，４２と白色ソルダーレジスト１２とが一体となって、反射面形成体１３を構成している。つまり、電極４１，４２を構成する金属材料が反射面形成体１３の一部として利用されている。発光層２と反射面形成体１３との間の界面が、発光層２からの光を反射する反射面３となっている。
【０１１４】
この青色ＬＥＤウェハ８２では、成長基板１の主面１ａ，１ｂに垂直な方向に関して、バンプ電極６１，６２の最外面６１ａ，６２ａから上記反射面３までの距離Ｄ２が、後述する波長変換層７の外側延在部分７ａの厚さＨに応じた所定の寸法以上に設定されている。
【０１１５】
この青色ＬＥＤウェハ８２は、図２中に示す破線Ｘに沿ってダイシングされて、チップ化される。これにより、図８中に示す青色ＬＥＤチップ８２′が得られる。
【０１１６】
図８は、青色ＬＥＤチップ８２′をパッケージ基板８上にフェイスダウン方式で実装した発光装置を示している。この実装は次のようにして行われる。まず、パッケージ基板８上の所定の位置に青色ＬＥＤチップ８２′を、パッケージ基板８上の電極１０ａ，１０ｂと青色ＬＥＤチップ８２′の電極４１，４２とをそれぞれ対応させた状態で接合して固定する。次に、青色ＬＥＤチップ８２′の上面８２ａ（成長基板１の第２の主面１ｂ）および側面８２ｂを覆うように、波長変換層７として、樹脂に予め蛍光体を分散して保持させた蛍光体シートを設ける。または、波長変換層７として、蛍光体混錬樹脂を塗布した後、蛍光体を沈降させる。最後に、青色ＬＥＤチップ８２′および波長変換層７を透明樹脂（図示せず）で封止する。なお、青色ＬＥＤチップ８２′を確実に覆うように、波長変換層７には外側延在部分７ａがマージンとして設けられる。
【０１１７】
動作時には、青色ＬＥＤチップ８２′が上面８２ａおよび側面８２ｂから出射した青色光の一部が、波長変換層７に含まれた蛍光体を励起して、この例では蛍光として黄色光を発生させる。これにより、青色ＬＥＤチップ８２′が出射した青色光のうち変換されなかった部分と、波長変換層７が発生する黄色光との混色によって、白色光が発生する。この白色光は、上方および側方へ出射される。
【０１１８】
また、動作時に、青色ＬＥＤチップ８２′の発光層２からパッケージ基板８側へ向かって出射された光は、上記反射面３によって反射されて、パッケージ基板８によって吸収されることがない。
【０１１９】
この発光装置の例では、パッケージ基板８上での反射面３の高さは、バンプ電極６１，６２の最外面６１ａ，６２ａから上記反射面３までの距離Ｄ２に略等しい。ここで、既述のように、ウェハ状態で予めバンプ電極６１，６２の最外面６１ａ，６２ａから上記反射面３までの距離Ｄ２が、波長変換層７の外側延在部分７ａの厚さＨに応じた所定の寸法以上に設定されている。したがって、実装された青色ＬＥＤチップ８２′の側面８２ｂから側方へ出射される光が波長変換層７の外側延在部分７ａによって遮られるのを有効に防止できる。これにより、光の取り出し効率を向上すると共に、色むらを低減できる。
【０１２０】
また、この例のように、上記反射面形成体１３が金属材料と白色の絶縁材料との二つからなる場合、電極４１，４２を構成する金属材料を反射面形成体１３の一部として利用することができ、青色ＬＥＤチップ８２′の設計の自由度が増す。
【０１２１】
（第３実施形態）
図３は、一実施形態としての青色ＬＥＤウェハ８３の断面構造を示している。
【０１２２】
この青色ＬＥＤウェハ８３では、反射面形成体５の最外面５ｂに、構造物として、反射面形成体５の材料と異なる材料からなるスペーサ層６が設けられている点が、図１中に示した青色ＬＥＤウェハ８１と異なっている。この青色ＬＥＤウェハ８３では、図１中に示した青色ＬＥＤウェハ８１におけるのと同様に、成長基板１と反射面形成体５との間の界面が、発光層２からの光を反射する反射面３となっている。
【０１２３】
この青色ＬＥＤウェハ８３では、成長基板１の主面１ａ，１ｂに垂直な方向に関して、反射面形成体５の最外面５ｂに代えて、スペーサ層６の最外面６ｂから上記反射面３までの距離Ｄ３が、後述する波長変換層７の外側延在部分７ａの厚さＨに応じた所定の寸法以上に設定されている。
【０１２４】
この青色ＬＥＤウェハ８３は、図３中に示す破線Ｘに沿ってダイシングされて、チップ化される。これにより、図９中に示す青色ＬＥＤチップ８３′が得られる。
【０１２５】
図９は、青色ＬＥＤチップ８１′をパッケージ基板８上にフェイスアップ方式で実装した発光装置を示している。この実装は、図７に関して説明したのと同様の手順で行われる（詳細は省略する。）。
【０１２６】
この発光装置の例では、パッケージ基板８上での上記反射面３の高さは、スペーサ層６の最外面６ｂから上記反射面３までの距離Ｄ３に略等しい。ここで、既述のように、ウェハ状態で予めスペーサ層６の最外面６ｂから上記反射面３までの距離Ｄ３が、後述する波長変換層７の外側延在部分７ａの厚さＨに応じた所定の寸法以上に設定されている。したがって、実装された青色ＬＥＤチップ８３′の側面８３ｂから側方へ出射される光が波長変換層７の外側延在部分７ａによって遮られるのを有効に防止できる。これにより、光の取り出し効率を向上すると共に、色むらを低減できる。
【０１２７】
しかも、反射面形成体５の最外面５ｂに構造物としてのスペーサ層６が設けられているので、反射面形成体５の厚さの設定の自由度が増す。
【０１２８】
（第４実施形態）
図４は、一実施形態としての青色ＬＥＤウェハ８４の断面構造を示している。
【０１２９】
この青色ＬＥＤウェハ８４では、成長基板１の第２の主面１ｂに設けられた反射面形成体１４が２層構造となっている点が、図１中に示した青色ＬＥＤウェハ８１と異なっている。
【０１３０】
この例では、反射面形成体１４は、成長基板１の第２の主面１ｂに沿って設けられた第１の反射面形成体１５と、第１の反射面形成体１５の最外面１５ｂに沿って設けられた第２の反射面形成体１６とからなっている。
【０１３１】
第１の反射面形成体１５は、サファイアからなる成長基板１の屈折率１．７７よりも小さい屈折率（屈折率１．４７）をもつＳｉＯ２からなっている。第２の反射面形成体１６は、金属材料（この例では、アルミニウムまたは銀）からなっている。
【０１３２】
この青色ＬＥＤウェハ８４では、成長基板１と第１の反射面形成体１５との間の界面は、発光層２からの光をあまり反射することができない。第１の反射面形成体１５と第２の反射面形成体１６との間の界面が、実質的に発光層２からの光を反射する反射面３となっている。
【０１３３】
この青色ＬＥＤウェハ８４では、成長基板１の主面１ａ，１ｂに垂直な方向に関して、第２の反射面形成体１６の最外面１６ｂから上記反射面３までの距離、つまり第２の反射面形成体１６の厚さＤ４が、後述する波長変換層７の外側延在部分７ａの厚さＨに応じた所定の寸法以上に設定されている。
【０１３４】
この青色ＬＥＤウェハ８４は、図４中に示す破線Ｘに沿ってダイシングされて、チップ化される。これにより、図１０中に示す青色ＬＥＤチップ８４′が得られる。
【０１３５】
図１０は、青色ＬＥＤチップ８４′をパッケージ基板８上にフェイスアップ方式で実装した発光装置を示している。この実装は、図７に関して説明したのと同様の手順で行われる（詳細は省略する。）。
【０１３６】
この発光装置の例では、パッケージ基板８上での上記反射面３の高さは、第２の反射面形成体１６の厚さＤ４に略等しい。ここで、既述のように、ウェハ状態で予め第２の反射面形成体１６の厚さＤ４が、波長変換層７の外側延在部分７ａの厚さＨに応じた所定の寸法以上に設定されている。したがって、実装された青色ＬＥＤチップ８４′の側面８４ｂから側方へ出射される光が波長変換層７の外側延在部分７ａによって遮られるのを有効に防止できる。これにより、光の取り出し効率を向上すると共に、色むらを低減できる。
【０１３７】
この例では、上記反射面形成体１４が第１の反射面形成体１５と第２の反射面形成体１６との２層からなるので、上記反射面形成体１４を形成する材料の選択の自由度が増す。
【０１３８】
（第５実施形態）
図５は、一実施形態としての青色ＬＥＤウェハ８５の断面構造を示している。
【０１３９】
この青色ＬＥＤウェハ８５では、Ｎ電極４１とＰ電極４２との間の隙間に、電極４１，４２間の短絡防止のために、この例では白色ソルダーレジスト１２が埋め込まれ、電極４１，４２と白色ソルダーレジスト１２とが一体となって、反射面形成体１３を構成している点が、図１中に示した青色ＬＥＤウェハ８１と異なっている。電極４１，４２を構成する金属材料が反射面形成体１３の一部として利用されている。発光層２と反射面形成体１３との間の界面が、発光層２からの光を反射する反射面３となっている。
【０１４０】
この青色ＬＥＤウェハ８５では、反射面形成体１３の厚さＤ５が、後述する波長変換層７の外側延在部分７ａの厚さＨに応じた所定の寸法以上に設定されている。
【０１４１】
この青色ＬＥＤウェハ８５は、図５中に示す破線Ｘに沿ってダイシングされて、チップ化される。これにより、図１１中に示す青色ＬＥＤチップ８５′が得られる。
【０１４２】
図１１は、青色ＬＥＤチップ８５′をパッケージ基板８上にフェイスダウン方式で実装した発光装置を示している。この実装は次のようにして行われる。まず、パッケージ基板８上の所定の位置に青色ＬＥＤチップ８５′を、電極１０ａ，１０ｂと青色ＬＥＤチップ８５′の電極４１，４２とをそれぞれ対応させた状態で接合して固定する。次に、青色ＬＥＤチップ８５′の上面８５ａ（成長基板１の第２の主面１ｂ）および側面８５ｂを覆うように、波長変換層７として、樹脂に予め蛍光体を分散して保持させた蛍光体シートを設ける。または、波長変換層７として、蛍光体混錬樹脂を塗布した後、蛍光体を沈降させる。最後に、青色ＬＥＤチップ８５′および波長変換層７を透明樹脂（図示せず）で封止する。なお、青色ＬＥＤチップ８５′を確実に覆うように、波長変換層７には外側延在部分７ａがマージンとして設けられる。
【０１４３】
動作時には、青色ＬＥＤチップ８５′が上面８５ａおよび側面８５ｂから出射した青色光の一部が、波長変換層７に含まれた蛍光体を励起して、この例では蛍光として黄色光を発生させる。これにより、青色ＬＥＤチップ８５′が出射した青色光のうち変換されなかった部分と、波長変換層７が発生する黄色光との混色によって、白色光が発生する。この白色光は、上方および側方へ出射される。
【０１４４】
また、動作時に、青色ＬＥＤチップ８５′の発光層２からパッケージ基板８側へ向かって出射された光は、上記反射面３によって反射されて、パッケージ基板８によって吸収されることがない。
【０１４５】
この発光装置の例では、パッケージ基板８上での反射面３の高さは、反射面形成体１３の厚さＤ５に略等しい。ここで、既述のように、ウェハ状態で予め反射面形成体１３の厚さＤ５が、波長変換層７の外側延在部分７ａの厚さＨに応じた所定の寸法以上に設定されている。したがって、実装された青色ＬＥＤチップ８５′の側面８５ｂから側方へ出射される光が波長変換層７の外側延在部分７ａによって遮られるのを有効に防止できる。これにより、光の取り出し効率を向上すると共に、色むらを低減できる。
【０１４６】
また、この例のように、上記反射面形成体１３が金属材料と白色の絶縁材料との二つからなる場合、電極４１，４２を構成する金属材料を反射面形成体１３の一部として利用することができ、青色ＬＥＤチップ８５′の設計の自由度が増す。
【０１４７】
（第６実施形態）
図６は、一実施形態としての青色ＬＥＤウェハ８６の断面構造を示している。
【０１４８】
この青色ＬＥＤウェハ８６では、成長基板１の第１の主面１ａと発光層２との間に反射面形成体５が設けられている。この反射面形成体５は、Ｐ電極４２として利用され、反射面形成体５上の一部には、発光層２と適当な距離を置いて円柱状のバンプ電極６２が配置されている。発光層２上には、Ｎ電極４１が設けられ、このＮ電極４１上には、円柱状のバンプ電極６１と絶縁層１７が設けられている。発光層２と反射面形成体５との間の界面が、発光層２からの光を鏡面反射する平坦な反射面３となっている。なお、バンプ電極６２は、Ｎ電極４１および絶縁層１７とも適当な距離を置いて配置されている。
【０１４９】
この青色ＬＥＤウェハ８６では、成長基板１の主面１ａ，１ｂに垂直な方向に関して、反射面形成体５の最外面５ｂに代えて、成長基板１の最外面１ｂから反射面３までの距離Ｄ６が、後述する波長変換層７の外側延在部分７ａの厚さＨに応じた所定の寸法以上に設定されている。
【０１５０】
この青色ＬＥＤウェハ８６は、図６中に示す破線Ｘに沿ってダイシングされて、チップ化される。これにより、図１２中に示す青色ＬＥＤチップ８６′が得られる。
【０１５１】
図１２は、青色ＬＥＤチップ８６′をパッケージ基板８上にフェイスアップ方式で実装した発光装置を示している。この実装は、図７に関して説明したのと同様の手順で行われる（詳細は省略する。）。
【０１５２】
この発光装置の例では、パッケージ基板８上での反射面３の高さは、成長基板１の最外面１ｂから反射面３までの距離Ｄ６に略等しい。ここで、既述のように、ウェハ状態で予め成長基板１の最外面１ｂから反射面３までの距離Ｄ６が、波長変換層７の外側延在部分７ａの厚さＨに応じた所定の寸法以上に設定されている。したがって、実装された青色ＬＥＤチップ８６′の側面８６ｂから側方へ出射される光が波長変換層７の外側延在部分７ａによって遮られるのを有効に防止できる。これにより、光の取り出し効率を向上すると共に、色むらを低減できる。
【０１５３】
（第７実施形態）
図１３は、一実施形態としての青色ＬＥＤチップ８７の発光装置を示している。
【０１５４】
この発光装置では、パッケージ基板８上に突起した状態に反射面形成体５１が設けられている。さらに、この反射面形成体５１の上面に反射面３が形成され、反射面３の上面に青色ＬＥＤチップ８７が設けられている。すなわち、反射面形成体５の代わりに、反射面形成体５１がＬＥＤチップとは別体で設けられている点が、図７中に示した青色ＬＥＤチップ８１’の発光装置と異なっている。
【０１５５】
この青色ＬＥＤチップ８７は、透光性を有するサファイアからなる成長基板１と、この成長基板１の第１の主面１ａに形成され、通電を受けたとき発光する発光層２と、この発光層２の表面に形成されたＮ電極４１およびＰ電極４２を備えている。
【０１５６】
上記反射面形成体５１は、例えば、アルミニウムや銀などの金属材料からなり、青色ＬＥＤチップ８７の成長基板１と反射面形成体５１との間の界面に、青色ＬＥＤチップ８７の発光層２から成長基板１を通して達した光を鏡面反射するように平坦な反射面３を形成している。
【０１５７】
この実装は次のようにして行われる。まず、パッケージ基板８上に固定した反射面形成体５１上に、青色ＬＥＤチップ８７を配置してダイボンド剤（図示せず）で固定し、パッケージ基板８上の電極１０ａ，１０ｂと青色ＬＥＤチップ８７上の電極４１，４２との間にワイヤ配線９１，９２を設ける。次に、青色ＬＥＤチップ８７の上面８７ａおよび側面８７ｂと、反射面形成体５１の側面５１ｂとを覆うように、波長変換層７として、樹脂に予め蛍光体を分散して保持させた蛍光体シートを設ける。または、波長変換層７として、蛍光体混錬樹脂を塗布した後、蛍光体を沈降させる。最後に、青色ＬＥＤチップ８７、反射面形成体５１および波長変換層７を透明樹脂（図示せず）で封止する。なお、青色ＬＥＤチップ８７および反射面形成体５１を確実に覆うように、波長変換層７には、上記パッケージ基板８上で青色ＬＥＤチップ８７が配置された領域よりも外側へ延在する部分（これを「外側延在部分」と呼ぶ。）７ａがマージンとして設けられる。
【０１５８】
動作時には、青色ＬＥＤチップ８７が上面８７ａおよび側面８７ｂから出射した青色光の一部が、波長変換層７に含まれた蛍光体を励起して、この例では蛍光として黄色光を発生させる。これにより、青色ＬＥＤチップ８７が出射した青色光のうち変換されなかった部分と、波長変換層７が発生する黄色光との混色によって、白色光が発生する。この白色光は、上方および側方へ出射される。
【０１５９】
また、動作時に、青色ＬＥＤチップ８７の発光層２から成長基板１を通してパッケージ基板８側へ向かって出射された光は、上記反射面３によって反射されて、ダイボンド剤やパッケージ基板８によって吸収されることがない。
【０１６０】
この発光装置の例では、パッケージ基板８上で上記反射面３の高さは、反射面形成体５１の厚さＤ７に略等しく、波長変換層７の外側延在部分７ａの厚さＨに応じた所定の寸法以上に設定されている。したがって、実装された青色ＬＥＤチップ８７の側面８７ｂから側方へ出射される光が波長変換層７の外側延在部分７ａによって遮られるのを有効に防止できる。これにより、光の取り出し効率を向上すると共に、色むらを低減できる。
【０１６１】
この例では、上記反射面形成体５１が青色ＬＥＤチップ８７とは別体となっているので、反射面形成体５１を形成する材料の選択の自由度が増す。
【０１６２】
（第８実施形態）
図１４は、一実施形態としての青色ＬＥＤチップ８７の発光装置を示している。なお、図１４において図１３中の要素と同一の要素には同じ符号を付して、重複する説明を省略する。
【０１６３】
この発光装置では、パッケージ基板８に凸部２８が形成されている。この凸部２８の上面に青色ＬＥＤチップ８７を配置すべきＬＥＤチップ配置領域２８ａを有し、ＬＥＤチップ配置領域２８ａの外側を取り巻いて枠状領域３８が形成されている。ＬＥＤチップ配置領域２８ａ上には、反射面形成体５２が形成され、この反射面形成体５２上に反射面３が形成されて、反射面３上に青色ＬＥＤチップ８７が固定されている。すなわち、反射面形成体５１の代わりに、凸部２８および反射面形成体５２が設けられている点が、図１３中に示した青色ＬＥＤチップ８７の発光装置と異なっている。
【０１６４】
具体的には、パッケージ基板８の凸部２８は、例えば、白色レジストインキを印刷して硬化させることで形成され、青色ＬＥＤチップ８７の成長基板１と反射面形成体５２との間の界面に、青色ＬＥＤチップ８７の発光層２から成長基板１を通して達した光を鏡面反射するように平坦な反射面３を形成している。
【０１６５】
この実装は次のようにして行われる。まず、パッケージ基板８のＬＥＤチップ配置領域２８ａ上に反射面形成体５２を形成し、反射面形成体５２上に青色ＬＥＤチップ８７を配置してダイボンド剤（図示せず）で固定し、パッケージ基板８上の電極１０ａ，１０ｂと青色ＬＥＤチップ８７上の電極４１，４２との間にワイヤ配線９１，９２を設ける。次に、青色ＬＥＤチップ８７の上面８７ａおよび側面８７ｂと、反射面形成体５２の側面と、凸部２８の側面２８ｂとを覆うように、波長変換層７として、樹脂に予め蛍光体を分散して保持させた蛍光体シートを設ける。または、波長変換層７として、蛍光体混錬樹脂を塗布した後、蛍光体を沈降させる。最後に、青色ＬＥＤチップ８７、反射面形成体５２、凸部２８および波長変換層７を透明樹脂（図示せず）で封止する。なお、青色ＬＥＤチップ８７、反射面形成体５２および凸部２８を確実に覆うように、波長変換層７には、上記パッケージ基板８上で青色ＬＥＤチップ８７が配置された領域よりも外側へ延在する部分（これを「外側延在部分」と呼ぶ。）７ａがパッケージ基板８の枠状領域３８上にマージンとして設けられる。
【０１６６】
この発光装置の例では、枠状領域３８の上面から反射面３までの高さＤ８は、波長変換層７の外側延在部分７ａの厚さＨより大きい。したがって、実装された青色ＬＥＤチップ８７の側面８７ｂから側方へ出射される光が波長変換層７の外側延在部分７ａによって遮られるのを有効に防止できる。これにより、光の取り出し効率を向上すると共に、色むらを低減できる。また、パッケージ基板８が反射面形成体５２を有しているので、青色ＬＥＤチップ８７に反射面３を設ける必要がない。
【０１６７】
（第９実施形態）
図１５は、一実施形態としての青色ＬＥＤチップ８７の発光装置を示している。なお、図１５において図１３および図１４中の要素と同一の要素には同じ符号を付して、重複する説明を省略する。
【０１６８】
この発光装置では、パッケージ基板８の枠状領域３８よりも外側に外側領域４８が形成され、パッケージ基板８において、枠状領域３８の上面は、外側領域４８の上面よりも高さが低くなっている。ＬＥＤチップ配置領域２８ａ上には反射面形成体５２が形成され、この反射面形成体５２上に反射面３が形成されて、反射面３上に青色ＬＥＤチップ８７が固定されている。すなわち、枠状領域３８がパッケージ基板８上で陥没している点が、図１４中に示した青色ＬＥＤチップ８７の発光装置と異なっている。
【０１６９】
この実装は次のようにして行われる。まず、パッケージ基板８のＬＥＤチップ配置領域２８ａ上に反射面形成体５２を形成し、反射面形成体５２上に青色ＬＥＤチップ８７を配置してダイボンド剤（図示せず）で固定し、パッケージ基板８上の電極１０ａ，１０ｂと青色ＬＥＤチップ８７上の電極４１，４２との間にワイヤ配線９１，９２を設ける。次に、青色ＬＥＤチップ８７の上面８７ａおよび側面８７ｂと、反射面形成体５２の側面と、凸部２８の側面２８ｂとを覆うように、波長変換層７として、樹脂に予め蛍光体を分散して保持させた蛍光体シートを設ける。または、波長変換層７として、蛍光体混錬樹脂を塗布した後、蛍光体を沈降させる。最後に、青色ＬＥＤチップ８７、反射面形成体５２、凸部２８および波長変換層７を透明樹脂（図示せず）で封止する。なお、青色ＬＥＤチップ８７、反射面形成体５２および凸部２８を確実に覆うように、波長変換層７には、上記パッケージ基板８の凹部３８上で青色ＬＥＤチップ８７が配置された領域よりも外側へ延在する部分（これを「外側延在部分」と呼ぶ。）７ａがパッケージ基板８の枠状領域３８上にマージンとして設けられる。
【０１７０】
この発光装置の例では、枠状領域３８の上面から反射面３までの高さＤ８は、波長変換層７の外側延在部分７ａの厚さＨより大きい。したがって、実装された青色ＬＥＤチップ８７の側面８７ｂから側方へ出射される光が波長変換層７の外側延在部分７ａによって遮られるのを有効に防止できる。これにより、光の取り出し効率を向上すると共に、色むらを低減できる。
【０１７１】
また、反射面３の高さは、外側領域４８の上面の高さよりも高いので、実装された青色ＬＥＤチップ８７の側面８７ｂから側方へ出射される光が、パッケージ基板８の外側領域４８によって遮られるのを有効に防止できる。これにより、光の取り出し効率を向上すると共に、色むらを低減できる。
【０１７２】
また、枠状領域３８の上面の高さは、外側領域４８の上面の高さよりも低い。したがって、波長変換層７として、例えば樹脂に予め蛍光体を分散して保持させた蛍光体シートを設ける場合、青色ＬＥＤチップ８７に対する上記蛍光体シートの位置合わせが容易にできて、生産性を向上することができる。
【０１７３】
なお、凹部３８の深さは、波長変換層７の外側延在部分７ａの厚みに対して約２分の１以上であればよい。さらに詳細には、凹部３８の底面から反射面までの高さＤ９が、波長変換層７の外側延在部分７ａの厚みに対して約２分の１以上であればよい。
【０１７４】
（実施例１）
次に、第１実施形態で説明した青色ＬＥＤウェハ８１の製造方法と、その青色ＬＥＤウェハ８１から得られた青色ＬＥＤチップ８１′の実装方法について、具体的に説明する。
【０１７５】
予め、図７中の青色ＬＥＤチップ８１′を実装するために波長変換層７として用いられる蛍光体シートを作製した。この例では、蛍光体シートは、シリコーン樹脂にＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）蛍光体を濃度が２０体積％となるように混練して蛍光体混錬樹脂を用意し、この蛍光体混錬樹脂を均一な厚さ５０μｍのシート状に成型することで作製した。この蛍光体シートは、蛍光として黄色光を発生させることができる。
【０１７６】
青色ＬＥＤウェハ８１を作製するために、まず、図１に示すように、サファイアからなる成長基板１の第１の主面１ａ上に、ＧａＮ層とＩＴＯ（錫添加酸化インジウム）からなる透明導電層とを順次積層することで発光層２を形成した。この後、発光層２上に金からなる電極４１，４２を形成した（積層基板の作製完了）。
【０１７７】
次に、成長基板１の第２の主面１ｂに沿って、反射面形成体５を形成するために銀ペーストを均一な厚さで印刷し、加熱して銀ペーストを再溶融した後、硬化させた。これにより、上記蛍光体シートの厚さＨ（５０μｍ）に対して同等以上の厚さＤ１（目標６０μｍ）を有する反射面形成体５を形成した（青色ＬＥＤウェハ８１の作製完了）。
【０１７８】
この後、青色ＬＥＤウェハ８１を、成長基板１の第１の主面１ａに沿った面内で所定の寸法をもつように図１中の破線Ｘに沿ってダイシングして分割して、図７中に示すような青色ＬＥＤチップ８１′を複数得た。この例では、青色ＬＥＤチップ８１′は、成長基板１の第１の主面１ａに沿った面内で０．２ｍｍ角の寸法をもち、厚さ０．１５ｍｍの直方体状のチップである。
【０１７９】
この例では、作製された複数の青色ＬＥＤチップ８１′の反射面形成体５の厚さＤ１は、平均で５８μｍ、バラツキで±２μｍであり、波長変換層７として用いられる蛍光体シートの厚さＨ（５０μｍ）に比べて同等以上であった。このように、反射面形成体５の形成および厚さの設定を、ウェハプロセスとして、ウェハ状態で一括して精度良く行うことができた。
【０１８０】
得られた青色ＬＥＤチップ８１′を、次のようにしてフェイスアップ方式で実装した。
【０１８１】
まず、図７に示すように、パッケージ基板８上の所定の位置に青色ＬＥＤチップ８１′を、反射面形成体５をパッケージ基板８へ向けてダイボンド剤（図示せず）で固定した。
【０１８２】
さらに、上記蛍光体シート（０．７ｍｍ角の寸法で切り出したもの）を、青色ＬＥＤチップ８１′に被せ、シリコーンゴムで押圧しながら加熱して接着した。これにより、青色ＬＥＤチップ８１′の上面８１ａおよび側面８１ｂを覆う波長変換層７を形成した。このとき、波長変換層７の外側延在部分７ａは、パッケージ基板８に沿った方向に関して、片側で０．１ｍｍ生ずる設計であった。実際に形成された波長変換層（この例では蛍光体シート）７の寸法を計測したところ、図７において例えば左側の外側延在部分７ａの寸法は０．０９ｍｍ、右側の外側延在部分７ａの寸法は０．１１ｍｍであった。
【０１８３】
次に、波長変換層７のうち電極４１，４２上の部分を除去して開口した。そして、Ｎ電極４１にワイヤ配線９１の一端を熱および超音波を用いて接合した後、パッケージ基板８の表面に設けられたＮ電極パターン１０ａにワイヤ配線９１の他端を熱および超音波を用いて接合した。同様に、Ｐ電極４２にワイヤ配線９２の一端を熱および超音波を用いて接合した後、パッケージ基板８の表面に設けられたＰ電極パターン１０ｂにワイヤ配線９２の他端を熱および超音波を用いて接合した。このようにして、電極４１，４２と電極パターン１０ａ，１０ｂとをそれぞれワイヤ配線９１，９２を介して電気的に接続した。
【０１８４】
最後に、青色ＬＥＤチップ８１′および波長変換層７を透明樹脂（図示せず）で封止した。
【０１８５】
このようにして実装された青色ＬＥＤチップ８１′では、パッケージ基板８上で反射面３の高さＤ１（目標６０μｍ、実測５８μｍ±２μｍ）が波長変換層７の外側延在部分７ａの厚さＨ（５０μｍ）を超えている。したがって、実装された青色ＬＥＤチップ８１′の側面８１ｂから側方へ出射される光が上記波長変換層７の外側延在部分７ａによって遮られるのを有効に防止できる。これにより、光の取り出し効率を向上すると共に、色むらを低減できる。
【０１８６】
実際に、上記実装された青色ＬＥＤチップ８１′（実施例１）の色度バラツキおよび輝度を測定した。それとともに、比較例として、パッケージ基板８上で反射面３の高さが２μｍであり、波長変換層７の外側延在部分７ａの厚さＨ（５０μｍ）を下回るもの（それ以外の点は実施例１と同じもの）を作製し、その色度バラツキおよび輝度を測定した。その結果、上記実装された青色ＬＥＤチップ８１′（実施例１）は、比較例に比して、色度バラツキが低減し、かつ輝度が向上した。
【０１８７】
（実施例２）
次に、第２実施形態で説明した青色ＬＥＤウェハ８２の製造方法と、その青色ＬＥＤウェハ８２から得られた青色ＬＥＤチップ８２′の実装方法について、具体的に説明する。
【０１８８】
予め、実施例１におけるのと同様に、図８中の青色ＬＥＤチップ８２′を実装するために波長変換層７として用いられる蛍光体シートを作製した。この例では、蛍光体シートは、シリコーン樹脂にＹＡＧ蛍光体を濃度が２０体積％となるように混練して蛍光体混錬樹脂を用意し、この蛍光体混錬樹脂を均一な厚さ５０μｍのシート状に成型することで作製した。この蛍光体シートは、蛍光として黄色光を発生させることができる。
【０１８９】
青色ＬＥＤウェハ８２を作製するために、まず、図２に示すように、サファイアからなる成長基板１の第１の主面１ａ上に、ＧａＮ層とＩＴＯからなる透明導電層とを順次積層することで発光層２を形成した（積層基板の作製完了）。
【０１９０】
この後、発光層２上に、均一な厚さをもつように銀を蒸着し、その銀をパターン加工して電極４１，４２を形成した。続いて、Ｎ電極４１とＰ電極４２との間の隙間に白色ソルダーレジスト１２を埋め込んだ。これにより、電極４１，４２と白色ソルダーレジスト１２とからなる反射面形成体１３を形成した。
【０１９１】
さらに、Ｎ電極４１、Ｐ電極４２上にそれぞれ構造物としての円柱状の金からなるバンプ電極６１，６２を形成した（青色ＬＥＤウェハ８２の作製完了）。ここで、バンプ電極６１，６２の最外面６１ａ，６２ａは、同一の高さレベルとした。成長基板１の主面１ａ，１ｂに垂直な方向に関して、バンプ電極６１，６２の最外面６１ａ，６２ａから上記反射面３までの距離Ｄ２を、波長変換層７として用いられる蛍光体シートの厚さＨ（５０μｍ）に比べて同等以上に設定し、目標６０μｍとした。
【０１９２】
この後、青色ＬＥＤウェハ８２を、成長基板１の第１の主面１ａに沿った面内で所定の寸法をもつように図２中の破線Ｘに沿ってダイシングして分割して、図８中に示すような青色ＬＥＤチップ８２′を複数得た。この例では、青色ＬＥＤチップ８２′は、成長基板１の第１の主面１ａに沿った面内で０．２ｍｍ角の寸法をもち、厚さ０．１５ｍｍの直方体状のチップである。
【０１９３】
この例では、作製された複数の青色ＬＥＤチップ８２′の、バンプ電極６１，６２の最外面６１ａ，６２ａから上記反射面３までの距離Ｄ２は、実測したところ、平均で５９μｍ、バラツキで±３μｍであり、波長変換層７として用いられる蛍光体シートの厚さ５０μｍに比べて同等以上であった。
【０１９４】
このように、反射面形成体１３およびバンプ電極６１，６２の形成、バンプ電極６１，６２の最外面６１ａ，６２ａから上記反射面３までの距離Ｄ２の設定を、ウェハプロセスとして、ウェハ状態で一括して精度良く行うことができた。
【０１９５】
得られた青色ＬＥＤチップ８２′を、次のようにしてフェイスダウン方式で実装した。
【０１９６】
まず、図８に示すように、パッケージ基板８上の所定の位置に青色ＬＥＤチップ８２′を、パッケージ基板８上の電極１０ａ，１０ｂと青色ＬＥＤチップ８２′の電極４１，４２とをそれぞれ対応させた状態で接合して固定した。これにより、電極４１，４２と電極パターン１０ａ，１０ｂとをそれぞれバンプ電極６１，６２を介して電気的に接続した。
【０１９７】
さらに、上記蛍光体シート（０．７ｍｍ角の寸法で切り出したもの）を、青色ＬＥＤチップ８２′に被せ、シリコーンゴムで押圧しながら加熱して接着した。これにより、青色ＬＥＤチップ８２′の上面８２ａおよび側面８２ｂを覆う波長変換層７を形成した。このとき、波長変換層７の外側延在部分７ａは、パッケージ基板８に沿った方向に関して、片側で０．１ｍｍ生ずる設計であった。実際に形成された波長変換層（この例では蛍光体シート）７の寸法を計測したところ、図８において例えば左側の外側延在部分７ａの寸法は０．０８ｍｍ、右側の外側延在部分７ａの寸法は０．１２ｍｍであった。
【０１９８】
最後に、青色ＬＥＤチップ８２′および波長変換層７を透明樹脂（図示せず）で封止した。
【０１９９】
このようにして実装された青色ＬＥＤチップ８２′では、パッケージ基板８上で反射面３の高さ（目標６０μｍ、実測５９μｍ±３μｍ）が波長変換層７の外側延在部分７ａの厚さ（５０μｍ）を超えている。したがって、実装された青色ＬＥＤチップ８２′の側面８２ｂから側方へ出射される光が上記波長変換層７の外側延在部分７ａによって遮られるのを有効に防止できる。これにより、光の取り出し効率を向上すると共に、色むらを低減できる。
【０２００】
実際に、上記実装された青色ＬＥＤチップ８２′（実施例２）の色度バラツキおよび輝度を測定した。それとともに、比較例として、パッケージ基板８上で反射面３の高さが２μｍであり、波長変換層７の外側延在部分７ａの厚さ（５０μｍ）を下回るもの（それ以外の点は実施例２と同じもの）を作製し、その色度バラツキおよび輝度を測定した。その結果、上記実装された青色ＬＥＤチップ８２′（実施例２）は、比較例に比して、色度バラツキが低減し、かつ輝度が向上した。
【０２０１】
（実施例３）
実施例３では、図２に示した青色ＬＥＤウェハ８２を、バンプ電極６１，６２の最外面６１ａ，６２ａから上記反射面３までの距離Ｄ２を、目標３０μｍの条件で作製した。それ以外の点は、実施例２と同じにした。
【０２０２】
そのようにして作製された青色ＬＥＤウェハ８２を、実施例２におけるのと同じ条件で分割して、青色ＬＥＤチップ８２′を複数得た。
【０２０３】
この例では、作製された複数の青色ＬＥＤチップ８２′の、バンプ電極６１，６２の最外面６１ａ，６２ａから上記反射面３までの距離Ｄ２は、実測したところ、平均で３１μｍ、バラツキで±４μｍであり、波長変換層７として用いられる蛍光体シートの厚さ５０μｍに比べて約３／５に相当した。
【０２０４】
得られた青色ＬＥＤチップ８２′を、実施例２におけるのと同様に、図８に示すようにフェイスダウン方式で実装した。
【０２０５】
このようにして実装された青色ＬＥＤチップ８２′では、パッケージ基板８上で反射面３の高さ（目標３０μｍ、実測３１μｍ±４μｍ）が波長変換層７の外側延在部分７ａの厚さ（５０μｍ）に比べて約３／５に相当している。反射面３の高さは、波長変換層７の外側延在部分７ａの厚さ（５０μｍ）よりも若干低い。しかし、波長変換層７の外側延在部分７ａの厚さ（５０μｍ）の半分以上の高さになっている。したがって、実装された青色ＬＥＤチップ８２′の側面８２ｂから側方へ出射される光が上記波長変換層７の外側延在部分７ａによって遮られるのを有効に防止できる。これにより、光の取り出し効率を向上すると共に、色むらを低減できる。
【０２０６】
実際に、上記実装された青色ＬＥＤチップ８２′（実施例３）の色度バラツキおよび輝度を測定した。それとともに、比較例として、パッケージ基板８上で反射面３の高さが２μｍであり、波長変換層７の外側延在部分７ａの厚さ（５０μｍ）を下回るもの（それ以外の点は実施例３と同じもの）を作製し、その色度バラツキおよび輝度を測定した。その結果、上記実装された青色ＬＥＤチップ８２′（実施例３）は、比較例に比して、色度バラツキが低減し、かつ輝度が向上した。
【０２０７】
（実施例４）
次に、第５実施形態で説明した青色ＬＥＤウェハ８５の製造方法と、その青色ＬＥＤウェハ８５から得られた青色ＬＥＤチップ８５′の実装方法について、具体的に説明する。
【０２０８】
予め、実施例１におけるのと同様に、図１１中の青色ＬＥＤチップ８５′を実装するために波長変換層７として用いられる蛍光体シートを作製した。この例では、蛍光体シートは、シリコーン樹脂にＹＡＧ蛍光体を濃度が２０体積％となるように混練して蛍光体混錬樹脂を用意し、この蛍光体混錬樹脂を均一な厚さ１０μｍのシート状に成型した後、０．８ｍｍ角で切り出すことで作製した。この蛍光体シートは、蛍光として黄色光を発生させることができる。
【０２０９】
青色ＬＥＤウェハ８５を作製するために、まず、図５に示すように、サファイアからなる成長基板１の第１の主面１ａ上に、ＧａＮ層とＩＴＯからなる透明導電層とを順次積層することで発光層２を形成した（積層基板の作製完了）。
【０２１０】
この後、発光層２上に、均一な厚さをもつように銀を蒸着し、その銀をパターン加工して電極４１，４２を形成した。続いて、Ｎ電極４１とＰ電極４２との間の隙間に白色ソルダーレジスト１２を埋め込んだ。これにより、電極４１，４２と白色ソルダーレジスト１２とからなる反射面形成体１３を形成した。反射面形成体１０の厚さは、上記蛍光体シートの厚さに対して同等以上の厚さである１２μｍとした。
【０２１１】
この後、青色ＬＥＤウェハ８５を、成長基板１の第１の主面１ａに沿った面内で所定の寸法をもつように図５中の破線Ｘに沿ってダイシングして分割して、図１１中に示すような青色ＬＥＤチップ８５’を複数得た。この例では、青色ＬＥＤチップ８５’は、成長基板１の第１の主面１ａに沿った面内で０．２ｍｍ角の寸法をもち、厚さ０．１ｍｍの直方体状のチップである。
【０２１２】
得られた青色ＬＥＤチップ８５’を、次のようにしてフェイスダウン方式で実装した。
【０２１３】
まず、図１１に示すように、パッケージ基板８上の所定の位置に青色ＬＥＤチップ８５′を、パッケージ基板８ａ，８ｂ上の電極１０ａ，１０ｂと青色ＬＥＤチップ８５′の電極４１，４２とをそれぞれ対応させた状態で接合して固定した。これにより、電極４１，４２と電極パターン１０ａ，１０ｂとを電気的に接続した。
【０２１４】
さらに、上記蛍光体シート（０．８ｍｍ角の寸法で切り出したもの）を、青色ＬＥＤチップ８５′に被せ、シリコーンゴムで押圧しながら加熱して接着した。これにより、青色ＬＥＤチップ８５′の上面８５ａおよび側面８５ｂを覆う波長変換層７を形成した。このとき、波長変換層７の外側延在部分７ａは、パッケージ基板８に沿った方向に関して、片側で０．２ｍｍ生ずる設計であった。実際に形成された波長変換層（この例では蛍光体シート）７の寸法を計測したところ、図１１において例えば左側の外側延在部分７ａの寸法は０．１ｍｍ、右側の外側延在部分７ａの寸法は０．３ｍｍであった。一方、青色ＬＥＤチップ８５′の上面部分の寸法は、１０μｍであった。
【０２１５】
最後に、青色ＬＥＤチップ８５′および波長変換層７を透明樹脂（図示せず）で封止した。
【０２１６】
実際に、上記実装された青色ＬＥＤチップ８５′（実施例４）の色度バラツキおよび輝度を測定した。それとともに、比較例として、パッケージ基板８上に反射面３を形成して実装したものを作製し、その色度バラツキおよび輝度を測定した。その結果、上記実装された青色ＬＥＤチップ８５′（実施例４）は、比較例に比して、色度バラツキが低減した。
【０２１７】
よって、パッケージ基板８上で反射面３の高さＤ５が波長変換層７の外側延在部分７ａの厚さＨを越えるように形成することで、蛍光体シートを青色ＬＥＤチップ側面に対して長めに作製しても、青色ＬＥＤチップの上面に均一な厚さの波長変換層７を形成することができた。その結果、高精度な蛍光体シートの分断と位置決めがそれぞれの必要精度が不要となり、量産時でも、青色ＬＥＤチップの上面に均一な厚さの波長変換層７を形成することが可能となった。
【０２１８】
（実施例５）
次に、第８実施形態で説明した青色ＬＥＤチップ８７の実装方法について、具体的に説明する。
【０２１９】
予め、実施例１におけるのと同様に、図１４中の青色ＬＥＤチップ８７を実装するために波長変換層７として用いられる蛍光体シートを作製した。この例では、蛍光体シートは、シリコーン樹脂にＹＡＧ蛍光体を濃度が２０体積％となるように混練して蛍光体混錬樹脂を用意し、この蛍光体混錬樹脂を均一な厚さ５０μｍのシート状に成型した後、縦１３００μｍ、横１１００μｍの大きさで切り出すことで作製した。この蛍光体シートは、蛍光として黄色光を発生させることができる。
【０２２０】
また、青色ＬＥＤチップ８７として、図１４に示すように、サファイアからなる成長基板１と、この成長基板１の第１の主面１ａ上に、ＧａＮ層とＩＴＯからなる透明導電層とを順次積層することで形成された発光層２と、この発光層２上に、均一な厚さをもつように銀を蒸着し、その銀をパターン加工して形成された電極４１，４２とを有するＬＥＤチップを用いた。このＬＥＤチップは、縦５００μｍ、横３００μｍ、厚さ１００μｍの直方体状のチップである。
【０２２１】
さらに、上記青色ＬＥＤチップ８７を実装するために、パッケージ基板８を作製した。この例では、パッケージ基板８は、酸化アルミニウムの焼結体に白色レジストインキを印刷して硬化させることで、中央に凸部２８を有するパッケージ基板８を形成した。この凸部２８の上面には、反射面３を形成する反射面形成体５２を形成した。また、比較のため、パッケージ基板８上に凸部２８を形成せず平坦なものを準備した。凸部２８を除いたパッケージ基板８は、いずれも縦３ｍｍ、横３ｍｍ、厚さ１ｍｍの大きさとした。
【０２２２】
上記青色ＬＥＤチップ８７を、次のようにしてフェイスアップ方式で実装した。
【０２２３】
まず、図１４に示すように、パッケージ基板８の凸部２８上に形成した反射面形成体５２上に青色ＬＥＤチップ８７を、成長基板１を凸部２８へ向けてダイボンド剤（図示せず）で固定した。
【０２２４】
次に、上記蛍光体シートで、電極４１，４２を除く青色ＬＥＤチップ８７の上面および側面と、反射面形成体５２と、凸部２８とを被覆して波長変換層７を形成した。このとき、蛍光体シートとＬＥＤ素子との間に空気層ができないように、蛍光体シートと青色ＬＥＤチップ８７、反射面形成体５２および凸部２８との間にシリコーン樹脂を微少量塗布し、加熱硬化させることで蛍光体シートと青色ＬＥＤチップ８７、反射面形成体５２および凸部２８とを接着固定した。
【０２２５】
次に、Ｎ電極４１にワイヤ配線９１の一端を熱および超音波を用いて接合した後、パッケージ基板８の表面に設けられたＮ電極パターン１０ａにワイヤ配線９１の他端を熱および超音波を用いて接合した。同様に、Ｐ電極４２にワイヤ配線９２の一端を熱および超音波を用いて接合した後、パッケージ基板８の表面に設けられたＰ電極パターン１０ｂにワイヤ配線９２の他端を熱および超音波を用いて接合した。このようにして、電極４１，４２と電極パターン１０ａ，１０ｂとをそれぞれワイヤ配線９１，９２を介して電気的に接続した。
【０２２６】
最後に、青色ＬＥＤチップ８７および波長変換層７を透明樹脂（図示せず）で封止した。
【０２２７】
このようにして実装された青色ＬＥＤチップ８７の光学特性を測定するため、この実装された青色ＬＥＤチップ８７を１０個作成した。一方、比較のため、平坦なパッケージ基板上に青色ＬＥＤチップ８７をフェイスアップ方式で実装し、青色ＬＥＤチップ８７を蛍光体シートで上面および側面を被覆して波長形成層７を形成したサンプルも１０個作成した。上記各サンプルのＬＥＤチップに電流を印可して光学特性を測定した結果、本発明の実施例であるパッケージ基板８に凸部２８を形成したサンプルは、全光束が平均で８ルーメンであったのに対し、従来のパッケージ基板８が平坦なサンプルは、全光束が平均で７ルーメンであった。したがって、本発明の構成とすることで、従来よりも全光束を向上、すなわち、光の取り出し効率を向上することができた。また、本発明の実施例であるパッケージ基板８に凸部２８を形成したサンプルは、色度座標でｘ＝０．２５８８〜０．２６３３、ｙ＝０．２４０７〜０．２４５２の範囲であったのに対し、従来のパッケージ基板８が平坦なサンプルは、色度座標でｘ＝０．２５７０〜０．２６６６、ｙ＝０．２３８９〜０．２４８２の範囲であった。したがって、本発明の構成とすることで、従来よりもサンプル間の色度差を小さくすることができた。
【０２２８】
以上の実施形態では、ＬＥＤウェハの発光層が青色光を発生し、波長変換層が黄色の蛍光を発生する場合について述べたが、これに限られるものではない。この発明は、ＬＥＤウェハの発光層が青色以外の色の光を発生し、波長変換層が黄色以外の蛍光を発生する場合にも適用することができる。
【０２２９】
また、波長変換層は、樹脂に予め蛍光体を均一に分散した蛍光体シートからなるものとしたが、これに限られるものではない。波長変換層は、蛍光体混錬樹脂を塗布した後、蛍光体を沈降させるものであっても良い。
【産業上の利用可能性】
【０２３０】
本発明の発光装置、ＬＥＤチップ、ＬＥＤウェハ、およびパッケージ基板は、ＬＥＤを用いた光源、特に白色光源を構成するのに好ましく利用され得る。
【符号の説明】
【０２３１】
１  成長基板
２  発光層
３  反射面
５，１３，１４，５１、５２  反射面形成体
５ｂ  最外面
６  スペーサ層
７  波長変換層
７ａ  外側延在部分
８  パッケージ基板
１５  第１の反射面形成体
１６  第２の反射面形成体
２８ａ  ＬＥＤチップ配置領域
３８  枠状領域
４８  外側領域
６１，６２  バンプ電極
８１，８２，８３，８４，８５，８６  ＬＥＤウェハ
８１’，８２’，８３’，８４’，８５’，８６’，８７’  ＬＥＤチップ
【図１】
2012186274.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2012186274.tif 000018
【図１７】
2012186274.tif 000019
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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