(57)【要約】【課題】蛍光表示装置およびその製造方法において、容器の厚みであるパネルギャップを均一化して、より均一な輝度を得る。【解決手段】蛍光表示装置の容器は、陽極を備えた陽極基板と陰極を備えた陰極基板を対面させ、陰極基板または陽極基板に非蒸発ゲッターを形成し、それぞれの基板の外縁を封止材料で封止する。封止工程において、不活性ガス雰囲気中で加熱し、非蒸発ゲッターを活性化することで、容器内外の圧力差によって、容器全体に均一な圧力がかかり、パネルギャップが均一な蛍光表示装置が得られる。【選択図】図１
2012186042.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
蛍光体層を備えた陽極を陽極基板に形成するアノード工程と、電子を放出する陰極を陰極基板に設けるカソード工程と、前記アノード工程後の陽極基板または前記カソード工程後の陰極基板に非蒸発ゲッターを形成するゲッター工程と、前記アノード工程と前記カソード工程と前記ゲッター工程の後、前記陽極と前記陰極が向き合うように前記陽極基板と前記陰極基板を所定間隔をおいて対面させ、その対面する外縁を封止材料で封止して容器を形成する封止工程と、を有し前記陰極から放出された電子を前記蛍光体層に射突させて発光させる蛍光表示装置の製造方法において、
前記封止工程は、不活性ガス雰囲気中で加熱し、前記非蒸発ゲッターを活性化しつつ、前記陽極基板と前記陰極基板の対面する外縁を封止材料で封止することを特徴とする蛍光表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の蛍光表示装置の製造方法において、前記アノード工程または前記カソード工程は、前記容器の内面に凹部を形成し、前記凹部内に制御用のＩＣを配置する工程を備え、前記アノード工程または前記カソード工程は、前記容器の内部を前記陽極及び前記陰極が設けられた第１の部分と前記凹部及び前記ＩＣが設けられた第２の部分に区画する仕切壁を設ける工程を備え、前記ゲッター工程は、前記第１の部分と前記第２の部分にそれぞれ非蒸発ゲッターを設ける工程を備えることを特徴とする蛍光表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の蛍光表示装置の製造方法において、前記封止工程をおこなう不活性ガス雰囲気はＮ２雰囲気であることを特徴する蛍光表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の蛍光表示装置の製造方法において、前記ゲッター工程で設ける非蒸発ゲッターはＺｒＶであることを特徴とする蛍光表示装置の製造方法。
【請求項５】
蛍光体層を備えた陽極が形成された陽極基板と、電子を放出する陰極が設けられた陰極基板と、前記陽極と前記陰極が向き合うように前記陽極基板と前記陰極基板を所定間隔をおいて対面させ、その対面する外縁を封止材料で封止した容器と、前記容器の内面に形成された凹部と、前記凹部内に配置された制御用ＩＣと、前記容器の内部を前記陽極及び陰極が設けられた第１の部分と前記凹部及び前記ＩＣが設けられた第２の部分に区画する仕切壁と、を有し前記陰極から放出された電子を前記蛍光体層に射突させて発光させる蛍光表示装置において、
前記第１の部分と前記第２の部分にそれぞれ非蒸発ゲッターを備えたことを特徴とする蛍光表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載の蛍光表示装置において、前記非蒸発ゲッターはＺｒＶであることを特徴とする蛍光表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蛍光体層を有する陽極と電子を放出する陰極を収納する容器を備えた蛍光表示装置において、容器の厚みであるパネルギャップを均一化するための蛍光表示装置の製造方法およびパネルギャップを均一化した蛍光表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
蛍光体層を有する陽極と電子を放出する陰極を容器内部に設け、陰極から電子を放出して蛍光体層に射突させ、その発光によって表示を行う蛍光表示装置が知られている。このような基本構造を備えた蛍光表示装置としては、陰極にフィラメントを用いて熱電子を放出させるタイプのものや、電界放出によって電子を放出する冷陰極を備えたタイプのものなどが知られており、さらに冷陰極の中にはスピント型の電子放出素子を備えたものや、カーボンナノチューブを利用した電子放出素子を備えたものが知られている。
【０００３】
このような蛍光表示装置においては、一般的に製造時に容器の内部を高真空状態にするとともに、容器の内部には高真空状態を維持するために、気体分子を吸着するゲッターを設けている。
【０００４】
冷陰極を備えたタイプの蛍光表示装置では、陽極が形成された陽極基板と陰極が設けられた陰極基板を陽極と陰極が向き合うように所定間隔をおいて対面させ、その対面する外縁を封止材料で封止した薄型パネル構造の容器が使用されており、基板の間隔は微小（例えば２０μｍから１００μｍ程度）であるため、ゲッターとして非蒸発ゲッター（例えばジルコニアバナジウム（ＺｒＶ）ゲッター）を容器の内面の要所に印刷塗布している。
【０００５】
特許文献１は、このような基板間隔の狭い薄型パネル構造の蛍光表示装置において、微小な基板間隔内に非蒸発ゲッターを設けるため、非蒸発ゲッター材料であるＺｒＶを鱗片状の粒形状で平均粒径を２μｍ以下に加工する手法を開示している。この技術によれば、仮に基板間隔が２０μｍ程度の狭ギャップの蛍光表示装置であってもＺｒＶを印刷法によって容器内に設けることができる。このとき、非蒸発ゲッターの印刷塗布面積は、一般的に容器の内部の基板面積の５％程度を基準としている。
【０００６】
ところで、蛍光表示装置の駆動を制御するためには、蛍光表示装置を外部の制御手段に配線等で接続する方法と、蛍光表示装置の容器内に制御用のＩＣを収納しておき、このＩＣで制御を行う方法とがある。制御用のＩＣを容器内に設ける手法によれば、蛍光表示装置と、その外部にある装置群との接続配線の引き回しが簡素化され、また高真空状態に保持された容器内に封入されているＩＣは環境条件が一定しているため、作動の安定性が高く、容器外に設けられた制御手段の制御基板上にＩＣを実装する場合に比べて作動の信頼性が高いと考えられる。従って、蛍光表示装置においては、制御用のＩＣを容器内に収納したタイプがより多く求められる状況にある。
【０００７】
冷陰極を備えた蛍光表示装置は、前述した通り基板間隔が微小なため、そのままでは容器内にＩＣを内蔵することができないので、容器を構成する陰極基板または陽極基板の内面をザグリ加工して凹部を形成し、ＩＣを容器内に配置できるだけの空間的余裕を設ける必要があった。
【０００８】
このような蛍光表示装置では、容器の内面をザグリ加工して凹部を形成することから、凹部が無い場合に比べ、容器の内容積が数倍に増大してしまっている。そのため従来の非蒸発ゲッターの印刷塗布面積では容器内の真空度を十分な状態にすることが困難となる場合がある。容器内の真空度が低下することで発光素子としての寿命が低下するという問題があった。
【０００９】
非公知である引用文献２には、図７に示したように陽極と陰極からなる表示部７が設けられた第1の部分５０’と、凹部２０及びＩＣ２１が設けられた第２の部分６０’に区画する仕切壁３０を容器２”内に設けた蛍光表示装置１”が開示されている。この技術によればザグリ加工を行った凹部２０は、発光に係わる第１の部分５０’とは仕切壁３０によって仕切られるので、第１の部分５０’で陰極と陽極が設けられていない部分に従来の印刷塗布面積の非蒸発ゲッター６を設けることで、容器２”内の真空度を保持することが達成できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００６−２２８６９０号公報
【特許文献２】特願２００９−２０７０４９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
冷陰極にカーボンナノチューブを使用した蛍光表示装置は、容器の厚みであるパネルギャップによって、冷陰極と陽極の距離が変化し、絶縁特性や発光効率、電界に対するエミッション特性が変化し輝度に大きく影響する。そのためパネルギャップが表示装置全体で均一になることでより均一な輝度を得ることができる。
【００１２】
蛍光表示装置の製造工程の一つである封止工程では、図８に示したように封止材料４５を介して陰極基板４３と陽極基板４４を向かい合わせて配置して、クリップなどの固定手段４０で固定する。加熱によって封止材料４５が溶融すると陰極基板４３と陽極基板４４が封止される。真空雰囲気中で封止工程を実施すると、容器４２には固定手段４０による圧力のみがかかり、容器４２にかかる圧力は固定手段４０が接する部分とそうでない部分とで不均一となる。そのためパネルギャップが不均一になるという問題があった。
【００１３】
また、図７に示した蛍光表示装置１”のように、第１の部分５０’部分と、第２の部分６０’を備えている場合、封止工程で加熱されると第１の部分５０’は、非蒸発ゲッター６が活性化して気体分子を吸着して真空化する。そのため、容器2”には圧力がかかり圧縮される。第2の部分６０”も容器２”とともに圧縮されるが、ガスがあるため内部の圧力が上昇してしまう。
その結果、仕切壁３０に第２の部分６０”から内部のガスによる圧力がかかり仕切壁３０が変形して、第２の部分６０’に近い第１の部分５０’のパネルギャップが高くなり、容器２”内のパネルギャップが不均一になるという問題があった。
【００１４】
本発明は、以上説明した従来技術における問題点を解決するためになされたものであり、蛍光体層を有する陽極と電子を放出する陰極を収納する容器を備えた蛍光表示装置において、容器の厚みであるパネルギャップを均一化するための蛍光表示装置の製造方法およびパネルギャップを均一化した蛍光表示装置に関するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
請求項１に記載された蛍光表示装置の製造方法は、蛍光体層を備えた陽極を陽極基板に形成するアノード工程と、電子を放出する陰極を陰極基板に設けるカソード工程と、前記アノード工程後の陽極基板または前記カソード工程後の陰極基板に非蒸発ゲッターを形成するゲッター工程と、前記アノード工程と前記カソード工程と前記ゲッター工程の後、前記陽極と前記陰極が向き合うように前記陽極基板と前記陰極基板を所定間隔をおいて対面させ、その対面する外縁を封止材料で封止して容器を形成する封止工程と、を有し前記陰極から放出された電子を前記蛍光体層に射突させて発光させる蛍光表示装置の製造方法において、
前記封止工程は、不活性ガス雰囲気中で加熱し、前記非蒸発ゲッターを活性化しつつ、前記陽極基板と前記陰極基板の対面する外縁を封止材料で封止することを特徴とする。
【００１６】
請求項２に記載された蛍光表示装置の製造方法は、請求項１に記載の蛍光表示装置の製造方法において、前記アノード工程または前記カソード工程は、前記容器の内面に凹部を形成し、前記凹部内に制御用のＩＣを配置する工程を備え、前記アノード工程または前記カソード工程は、前記容器の内部を前記陽極及び前記陰極が設けられた第１の部分と前記凹部及び前記ＩＣが設けられた第２の部分に区画する仕切壁を設ける工程を備え、前記ゲッター工程は、前記第１の部分と前記第２の部分にそれぞれ非蒸発ゲッターを設ける工程を備えることを特徴とする。
【００１７】
請求項３に記載された蛍光表示装置の製造方法は、請求項１または請求項２に記載の蛍光表示装置の製造方法において、前記封止工程をおこなう不活性ガス雰囲気はＮ２雰囲気であることを特徴する。
【００１８】
請求項４に記載された蛍光表示装置の製造方法は、請求項１または請求項２に記載の蛍光表示装置の製造方法において、前記ゲッター工程で設ける非蒸発ゲッターはＺｒＶであることを特徴とする。
【００１９】
請求項５に記載された蛍光表示装置は、蛍光体層を備えた陽極が形成された陽極基板と、電子を放出する陰極が設けられた陰極基板と、前記陽極と前記陰極が向き合うように前記陽極基板と前記陰極基板を所定間隔をおいて対面させ、その対面する外縁を封止材料で封止した容器と、前記容器の内面に形成された凹部と、前記凹部内に配置された制御用ＩＣと、前記容器の内部を前記陽極及び陰極が設けられた第１の部分と前記凹部及び前記ＩＣが設けられた第２の部分に区画する仕切壁と、を有し前記陰極から放出された電子を前記蛍光体層に射突させて発光させる蛍光表示装置において、
前記第１の部分と前記第２の部分にそれぞれ非蒸発ゲッターを備えたことを特徴とする。
【００２０】
請求項６に記載された蛍光表示装置は、請求項５に記載の蛍光表示装置において、前記非蒸発ゲッターはＺｒＶであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２１】
本発明は不活性ガス雰囲気中で封止工程を行うことで封止時に容器の全面に大気圧と同じ圧力がかかる。容器の内面は非蒸発ゲッターにより真空となり、容器内外の圧力差によって、均一な圧力で圧縮されて封止されることからパネルギャップが均一になる。
【００２２】
また、本発明は第１の部分と第２の部分にそれぞれ非蒸発ゲッターを設けたことから容器内部の圧力が、第１の部分と第２の部分で封止工程時にほぼ均一となり、パネルギャップが均一となる。
【００２３】
本発明は不活性ガスであるＮ２の雰囲気中で封止を行うことで、蛍光表示装置の寿命や輝度に影響を与えることがなく封止工程を実施することができる。
【００２４】
本発明は非蒸発ゲッターとして、ＺｒＶを用いることで、薄型パネル構造の蛍光表示装置の容器内部にも非蒸発ゲッターを設置できる
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】第１実施形態の蛍光表示装置の正面図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ切断線おける断面図の一部である。
【図３】図３（ａ）は、Ｎ２雰囲気中で封止した蛍光表示装置と真空雰囲気で封止した蛍光表示装置の各点においてパネルギャップを比較したグラフである。図３（ｂ）は、同図（ａ）の蛍光表示装置のパネルギャップを測定した測定点を示した図である。
【図４】第２実施形態の蛍光表示装置の正面図である。
【図５】図２のＹ−Ｙ切断線おける断面図の一部である。
【図６】図６（ａ）は、第１の部分と第２の部分にそれぞれ非蒸発ゲッターを設けた蛍光表示装置と第１の部分にのみ非蒸発ゲッターを設けた蛍光表示装置の各点においてパネルギャップを比較したグラフである。図６（ｂ）は、同図（ａ）の蛍光表示装置のパネルギャップを測定した測定点を示した図である。
【図７】従来の蛍光表示装置の正面図である。
【図８】封止工程での蛍光表示装置を固定手段で固定している状態を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
第１実施形態
第１実施形態の蛍光表示装置について図１から図３を参照して説明する。
図１及び図２に示す蛍光表示装置１はカーボンナノチューブを利用した電子放出素子を有した薄型パネル構造の蛍光表示装置（カーボンナノチューブフィールドエミッションディスプレイ）である。
【００２７】
薄型パネルである容器２は透光性の矩形のガラス板である陰極基板３と、陰極基板３と略同形状であるが一対の辺がやや長い陽極基板４からなる。陰極基板３と陽極基板４は、陽極基板４の一部が突出するように、他の外縁を揃えて互いに平行に配置されている。両基板の間隔は両基板の間にビーズ等をスペーサー８として固着することにより設定されている。ビーズの外径は、目的のパネルギャップを得るために例えば２０μｍから１００μｍ程度のものが使用される。そして、陰極基板３の外縁に沿って、両基板の間はフリットガラス等の封止材料５によって周状に封止されている。
【００２８】
陽極基板４の内面には陽極１２が形成されている。陽極１２は、陽極基板４の内面に形成された陽極導体１３と、陽極導体１３の表面に形成された蛍光体層１４からなる。本実施形態の陽極１２は、図１の上下方向乃至図２の紙面垂直方向に沿って設けられた帯状であり、図１及び図２の左右方向に所定間隔をおいて複数本が並んで設けられている。
【００２９】
陰極基板３の内面には、前記陽極１２と対面するように陰極９が形成されている。陰極９は、陰極基板３の内面に形成された陰極導体１０と、陰極導体１０の表面に設けられたカーボンナノチューブを含む電子放出層１１からなる。本実施形態の陰極９は、陽極１２と直交する方向に沿って設けられた帯状であり、所定間隔をおいて複数本が並んで設けられている。
従って、多数本が設けられた帯状の陽極１２と、これと交差して多数本が設けられた帯状の陰極９がマトリクスを構成しており、両電極の交点が画素として発光するようになっている。表示部７は、容器２内で陽極１２と陰極９がマトリクスを形成している部分である。
【００３０】
なお、図示はしないが、陽極１２と陰極９は、容器２外にそれぞれ端子電極配線で導出されている。
【００３１】
また、陽極１２が設けられていない陽極基板４の表面の隅、または陰極９が設けられていない陰極基板３の隅に、ＺｒＶ等の非蒸発ゲッター６が細長い矩形状のパターンで被着形成されている。
非蒸発ゲッター６にはＺｒＶのほかに、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔｈ、Ｖ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｎｂ、Ｈｆの単体、それら金属の組合せ、それらの金属の化合物、またはそれらの金属の水酸化物を使用することもできる。
【００３２】
以上説明した第１実施形態の蛍光表示装置１において、その製造方法を説明する。
蛍光体層１４を備えた陽極１２を陽極基板４に形成する工程であるアノード工程では、ガラス製の陽極基板４にＡｌ薄膜やＩＴＯ薄膜等の導電性薄膜によって陽極導体１３が形成される。陽極導体１３の上に蛍光体層を形成する。そして、封止材料５を形成する。
【００３３】
電子を放出する陰極９を陰極基板３に形成するカソード工程では、ガラス等からなる陰極基板3にＩＴＯ薄膜等からなる陰極導体１０を形成する。そして、カーボンナノチューブ等からなる電子放出素子の電子放出層１１を形成する。次にスペーサーの形成と固着を行う。
【００３４】
非蒸発ゲッター６を形成するゲッター工程では、ＺｒＶ等の非蒸発ゲッター材料のペーストを陰極基板の陰極９を形成していない部分、または陽極基板４の陽極１２を形成していない部分に細長い矩形状に印刷して乾燥し、ペーストの溶媒成分を乾燥させて蒸発させる。このときの乾燥は、非蒸発ゲッター６が活性化しない温度（２００℃程度）で行うため、非蒸発ゲッター６に影響を与えずにペーストの溶媒成分のみを除去できる。
なお、本実施形態ではスペーサーの形成工程を説明していないが、スペーサーはアノード工程で形成してもカソード工程で形成してもよい。
【００３５】
次に、容器２内の真空度とパネルギャップに関係する封止工程について説明する。
封止工程はアノード工程とカソード工程とゲッター工程後の陽極基板４と陰極基板３を対面させ、その対面する外縁部を封止材料５で封止する。封止工程では封止材料５が十分に溶解する高温度に達する封着炉内で行う。封着炉内のピークの温度は、４００℃から５５０℃程度が望ましい。このとき、封着炉内の雰囲気はＮ２をはじめとしたＡｒ、ＣＯ２などのカーボンナノチューブが損傷等の影響を受けない不活性ガス雰囲気にする。
【００３６】
封止工程において、封着炉内がピーク温度に達すると封止材料５が溶けて、容器２が密閉される。また、非蒸発ゲッター６がＺｒＶの場合は、加熱によって３２０℃以上になると活性化し、Ｏ２やＨ２Ｏ等のガスと化学反応を起こし、これらのガスを効果的に吸着する。密閉された容器２内で非蒸発ゲッター６によるガス吸着が進行すると容器２内は1×１０−３Ｐａから１×１０−２Ｐａ程度の真空雰囲気となる。
そして、容器２の外部である封着炉内の不活性ガス雰囲気による気圧（１０１３００Ｐａ程度）と真空となった容器内の圧力差によって、容器は圧縮され、薄型パネル構造の容器２が完成する。
【００３７】
このとき、容器２全体に大気圧による圧力がかかるため、固定手段の固定位置に係わらずパネルギャップは均一な値となる。
【００３８】
図３（ａ）は封着時の条件を除いて、同一条件で作成した蛍光表示装置の各箇所のパネルギャップを測定した結果を示したグラフである。スペーサーは、平均粒径が２８μｍのものを使用している。また、パネルギャップの測定点は図３（ｂ）に示すとおりである。図３（a）中のＡは不活性ガスであるＮ２雰囲気中で封止を実施した蛍光表示装置の結果を示したもの、図３（a）中のBは真空雰囲気中で封止を実施した蛍光表示装置の結果を示したものである。
【００３９】
図３（ａ）から、封止工程をＮ２雰囲気中で実施したほうが容器全体でギャップが均一になり、さらに、容器の同一の点におけるギャップが狭くなっていることが確認できる。また、Ａの平均ギャップは２９．６μｍであり、Ｂの平均ギャップが３２．０μｍであることからも、Ａの蛍光表示装置の方が、パネルギャップがスペーサーの平均粒径に近くなっており、容器が十分に圧縮されていることがわかる。
【００４０】
第２実施形態
第２実施形態の蛍光表示装置を図４から図６を参照して説明する。
この第２実施形態の蛍光表示装置１’はカーボンナノチューブフィールドエミッションディスプレイであり、第１実施形態と同様の構成部分については同一の符号を付して説明を省略し、第１実施形態と異なる部分のみについて説明する。
【００４１】
容器２’の内部には、容器２’の内部空間を２つの部分に分けて、それぞれが気密となるように区画する仕切壁３０が設けられている。仕切壁３０は、容器２’の封止に使用されているフリットガラス等の封止材料５と同一の材料で構成される。仕切壁３０は、アノード工程またはカソード工程で形成され、その後、封止工程で容器２’内を気密に区画する。
【００４２】
仕切壁３０によって仕切られた容器２’の内部空間のうち、第１の部分５０には陽極１２と陰極９及び表示部７がある。この第１の部分５０には、陽極１２が設けられていない陽極基板４’の表面の隅または陰極９が設けられていない陰極基板３’の隅に、ＺｒＶ等の非蒸発ゲッター６が細長い矩形状のパターンで被着形成されている。
非蒸発ゲッター６にはＺｒＶのほかに、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔｈ、Ｖ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｎｂ、Ｈｆの単体、それら金属の組合せ、それらの金属の化合物、またはそれらの金属の水酸化物を使用することもできる。
【００４３】
仕切壁３０によって区画された容器２’の内部空間のうち、第２の部分６０には陰極基板３’の内面にザグリ加工により略直方体状の凹部２０が形成されている。また、凹部２０と対面する陽極基板４’の内面には、ダイボンドペーストによって制御素子としてのＩＣ２１が取り付けられている。ダイボンドペーストを含めたＩＣ２１の高さは、陽極基板４’と陰極基板３’の間隔よりも高いが、陰極基板３’の内面に凹部２０が形成されているので、ＩＣ２１およびＩＣのボンディングワイヤー２４は陰極基板３’に干渉・接触することなく容器２内に収納されている。
【００４４】
また、容器２’の内部空間の一部である第２の部分６０には、陽極基板４’と陰極基板３’の間にＡｇ等の導電材料で構成した接続電極２２が設けられている。接続電極２２は、陽極基板４’上に設けられた接続配線２３と陰極導体１０とを導通させている。さらに接続配線２３とＩＣ２１はボンディングワイヤー２４によって接続され、さらにＩＣ２１は、陽極基板４’上に設けられて封止材料５を気密に貫通している端子電極配線２５に、他のボンディングワイヤー２４によって接続されている。なお、図示はしないが陽極基板４’上の陽極１２は、陰極９と同様にＩＣを介して容器の外に端子電極配線１５で導出されている。
【００４５】
さらに第２の部分６０にもＩＣ２１を設けていない部分に、ＺｒＶ等の非蒸発ゲッター２６が被着形成されている。
非蒸発ゲッター２６にはＺｒＶのほかに、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｔｈ、Ｖ、Ａｌ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｎｂ、Ｈｆの単体、それら金属の組合せ、それらの金属の化合物、またはそれらの金属の水酸化物を使用することもできる。
【００４６】
以上説明した実施２形態の蛍光表示装置１’の製造方法において、容器２’内の真空度とパネルギャップに関係する封止工程について第１実施形態と異なる部分について説明する。
【００４７】
封止工程では、封着炉内が４００℃から５５０℃程度の高温に達すると、封止材料５及び仕切壁３０が溶融して容器が密閉される。また、非蒸発ゲッター６、２６がＺｒＶの場合は、加熱によって３２０℃以上になると活性化し、Ｏ２やＨ２Ｏ等のガスと化学反応を起こし、ガスを効果的に吸着する。このとき、封着炉内の雰囲気はＮ２をはじめとしたＡｒ、ＣＯ２などのカーボンナノチューブが損傷等の影響を受けない不活性ガス雰囲気にする。
容器２’内は、仕切壁３０によって区画されているものの、第１の部分５０と第２の部分６０の内部圧力は、1×１０−３Ｐａから１×１０−２Ｐａ程度となり、封止工程における容器２’の圧縮が均一に起こり、パネルギャップは均一化する。
【００４８】
図６（ａ）は第１の部分と第２の部分を備える蛍光表示装置の各箇所のパネルギャップを測定した結果を示したグラフである。パネルギャップの測定点は図６（ｂ）に示すとおりである。図６（ａ）のaは、第２の部分に非蒸発ゲッターを設けた蛍光表示装置の結果を示したもの、図６（ａ）のｂは、第２の部分に非蒸発ゲッターを設けなかった蛍光表示装置の結果を示したものである。
【００４９】
図６（ａ）から、第２の部分に非蒸発ゲッターを設けたほうが容器全体のパネルギャップのばらつきは小さくなり、特に第２の部分に近い図６（b）中の（２）と（３）では、第２の部分の影響が少なくなり、パネルギャップが狭まる効果がより顕著に確認できる。
【００５０】
なお、以上説明した第２実施形態ではＩＣ２１を陽極基板４’に設け、凹部２０を陰極基板３’に設けていたが、ＩＣ２１を陰極基板３’に設け、凹部２０を陽極基板４’に設ける構成としてもよい。また、第２実施形態では接続電極２２を第２の部分６０に設けているが、第１の部分５０に接続電極２２を設け、第２の部分６０の主要な構成要素を凹部２０、ＩＣ２１、ボンディングワイヤー２４等だけとしてもよい。
さらに、本発明はカーボンナノチューブフィールドエミッションディスプレイや、スピント型の電子放出素子を備えた薄型パネル構造の蛍光表示装置において特に有効であるが、陰極にフィラメントを用いたタイプの蛍光表示装置に適用しても効果が得られることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００５１】
１、１’、１”…蛍光表示装置
２、２’、２”、４２…容器
３、３’、４３…陰極基板
４、４’、４４…陽極基板
６、２６…非蒸発ゲッター
９…陰極
１２…陽極
２０…凹部
２１…ＩＣ
３０…仕切壁
５０、５０’…第１の部分
６０、６０’…第２の部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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