(57)【要約】【課題】支持基材上に基材を仮固定して基材を加工する際に、これら支持基材と基材との間に位置する仮固定剤にボイドを発生させることなく加工して精度に優れた基材の加工を行い得る仮固定剤、およびかかる仮固定剤を用いた基材の加工方法を提供すること。【解決手段】本発明の仮固定剤は、半導体ウエハ（基材）３を加工するために、この半導体ウエハ３を支持基材１に仮固定し、半導体ウエハ３の加工後に、加熱することで半導体ウエハ３を支持基材１から脱離させるために用いられ、加熱により熱分解する樹脂成分と、この樹脂成分を溶解または分散し得る溶剤とを含有するものであり、前記溶剤の沸点をＸ［℃］とし、前記樹脂成分が熱分解する温度をＹ［℃］としたとき、下記式（１）および下記式（２）を満足する。          １００＜Ｘ        ・・・    式（１）          Ｘ＋４０≦Ｙ    ・・・    式（２）【選択図】図１
2012126798.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材を加工するために該基材を支持基材に仮固定し、前記基材の加工後に、加熱することで前記基材を前記支持基材から脱離させるために用いられ、前記加熱により熱分解する樹脂成分と、該樹脂成分を溶解または分散し得る溶剤とを含有する樹脂組成物からなる仮固定剤であって、
前記溶剤の沸点をＸ［℃］とし、前記樹脂成分が熱分解する温度をＹ［℃］としたとき、下記式（１）および下記式（２）を満足することを特徴とする仮固定剤。
１００＜Ｘ        ・・・    式（１）
Ｘ＋４０≦Ｙ      ・・・    式（２）
【請求項２】
前記溶剤の前記樹脂成分に対する溶解パラメータ［（ｃａｌ／ｃｍ３）１／２］は、７超、１５未満である請求項１に記載の仮固定剤。
【請求項３】
前記樹脂成分は、当該仮固定剤の前記加熱による前記熱分解により、低分子化して溶融または気化する請求項１または２に記載の仮固定剤。
【請求項４】
前記樹脂成分は、当該仮固定剤への活性エネルギー線の照射により、前記熱分解する温度が低下するものであり、前記Ｙ［℃］は、前記活性エネルギー線の照射前の前記熱分解する温度である請求項１ないし３のいずれかに記載の仮固定剤。
【請求項５】
前記樹脂成分は、酸または塩基の存在下において前記熱分解する温度が低下するものであり、前記樹脂組成物は、さらに前記活性エネルギー線の照射により酸または塩基を発生する活性剤を含有する請求項４に記載の仮固定剤。
【請求項６】
前記樹脂成分は、ポリカーボネート系樹脂である請求項４または５に記載の仮固定剤。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の仮固定剤を、前記基材および前記支持基材のうちの少なくとも一方に供給したのち第１の温度で加熱することで、前記樹脂組成物から前記溶剤を除去して薄膜を形成する第１の工程と、
前記薄膜を介して、前記基材と前記支持基材とを貼り合わせる第２の工程と、
前記基材の前記支持基材と反対側の面を加工する第３の工程と、
前記薄膜を前記第１の温度より高い第２の温度で加熱して前記樹脂成分を熱分解させることで、前記基材を前記支持基材から脱離させる第４の工程とを有することを特徴とする基材の加工方法。
【請求項８】
前記第３の工程において、前記反対側の面の加工時における熱履歴温度は、前記樹脂成分が熱分解する温度Ｙよりも低い請求項７に記載の基材の加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、仮固定剤および基材の加工方法、特に、基材を加工する際にこの基材を支持基材に仮固定するのに用いられる仮固定剤、およびこの仮固定剤を用いた基材の加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハに研磨やエッチング等の加工を行うためには、半導体ウエハを支持するための基材上に半導体ウエハを一時的に仮固定する必要があり、そのための様々な方法が提案されている。例えば、現在では基材としてのＰＥＴフィルムに接着層を設けた固定用のフィルム上に半導体ウエハを固定する方法が多く用いられている。
【０００３】
この方法では、研削に用いられる一般的なバックグラインドマシンの研削精度（約１μｍ）と、半導体ウエハを固定するための一般的なバックグラインド（ＢＧ）テープの厚み精度（約５μｍ）とを合わせると、要求される厚み精度を超えてしまい、研削されたウエハの厚みにバラツキが生じると言う問題がある。
【０００４】
また、スルー・シリコン・ビア（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｖｉａ）に用いる半導体ウエハを加工する場合、ＢＧテープが付いた状態でビアホールや膜の形成を行うが、そのときの温度は低くとも１８０℃程度に達し、ＢＧテープの粘着力を上げてしまう。また、膜形成のためのメッキの薬液によってＢＧテープの接着層が侵され、剥がれが生じたりする。
【０００５】
また、化合物半導体に代表される脆弱な半導体ウエハは、機械的研削によってダメージを受ける場合があるので、エッチングによって薄化を行う。このエッチングにおいては、ストレス除去を目的とする程度のエッチング量であれば特に問題はないが、数μｍエッチングする場合には、エッチングの薬液によってＢＧテープが変質してしまうことがある。
【０００６】
一方で、近年、表面が平滑な支持基材に固定材料を介して半導体ウエハを固定する方法が採用されるようになっている。
【０００７】
例えば、ストレス除去の目的でエッチングを行うには、高い温度まで加熱する必要があるが、ＰＥＴフィルムではこのような高温に耐えることができないため、このような場合には支持基材を用いた方法が好ましく適用される。
【０００８】
基材の支持基材への固定材料には、高温で軟化して半導体ウエハの脱離が容易になるような固定材料（例えば、特許文献１参照。）が提案されている。
【０００９】
しかしながら、このような固定材料では、半導体ウエハに研磨やエッチング等の加工時に、固定材料が熱履歴を経ることに起因して、半導体ウエハと基材との間においてボイドが発生する。そのため、固定材料で構成される固定部材の厚さ方向に凹凸が発生することから、例えば、半導体ウエハを研磨する際に、半導体ウエハの厚さにバラツキが生じるという問題がある。
【００１０】
なお、かかる問題は、半導体ウエハの加工に限らず、固定部材を介して支持基材に固定した状態で加工を施す各種基材についても同様に生じている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特表２０１０−５３１３８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の目的は、支持基材上に基材を仮固定して基材を加工する際に、これら支持基材と基材との間に位置する仮固定剤にボイドを発生させることなく加工して精度に優れた基材の加工を行い得る仮固定剤、およびかかる仮固定剤を用いた基材の加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
このような目的は、下記（１）〜（８）に記載の本発明により達成される。
（１）  基材を加工するために該基材を支持基材に仮固定し、前記基材の加工後に、加熱することで前記基材を前記支持基材から脱離させるために用いられ、前記加熱により熱分解する樹脂成分と、該樹脂成分を溶解または分散し得る溶剤とを含有する樹脂組成物からなる仮固定剤であって、
前記溶剤の沸点をＸ［℃］とし、前記樹脂成分が熱分解する温度をＹ［℃］としたとき、下記式（１）および下記式（２）を満足することを特徴とする仮固定剤。
１００＜Ｘ        ・・・    式（１）
Ｘ＋４０≦Ｙ      ・・・    式（２）
【００１４】
（２）  前記溶剤の前記樹脂成分に対する溶解パラメータ［（ｃａｌ／ｃｍ３）１／２］は、７超、１５未満である上記（１）に記載の仮固定剤。
【００１５】
（３）  前記樹脂成分は、当該仮固定剤の前記加熱による前記熱分解により、低分子化して溶融または気化する上記（１）または（２）に記載の仮固定剤。
【００１６】
（４）  前記樹脂成分は、当該仮固定剤への活性エネルギー線の照射により、前記熱分解する温度が低下するものであり、前記Ｙ［℃］は、前記活性エネルギー線の照射前の前記熱分解する温度である上記（１）ないし（３）のいずれかに記載の仮固定剤。
【００１７】
（５）  前記樹脂成分は、酸または塩基の存在下において前記熱分解する温度が低下するものであり、前記樹脂組成物は、さらに前記活性エネルギー線の照射により酸または塩基を発生する活性剤を含有する上記（４）に記載の仮固定剤。
【００１８】
（６）  前記樹脂成分は、ポリカーボネート系樹脂である上記（４）または（５）に記載の仮固定剤。
【００１９】
（７）  上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の仮固定剤を、前記基材および前記支持基材のうちの少なくとも一方に供給したのち第１の温度で加熱することで、前記樹脂組成物から前記溶剤を除去して薄膜を形成する第１の工程と、
前記薄膜を介して、前記基材と前記支持基材とを貼り合わせる第２の工程と、
前記基材の前記支持基材と反対側の面を加工する第３の工程と、
前記薄膜を前記第１の温度より高い第２の温度で加熱して前記樹脂成分を熱分解させることで、前記基材を前記支持基材から脱離させる第４の工程とを有することを特徴とする基材の加工方法。
【００２０】
（８）  前記第３の工程において、前記反対側の面の加工時における熱履歴温度は、前記樹脂成分が熱分解する温度Ｙよりも低い上記（７）に記載の基材の加工方法。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の仮固定剤は、このものに含まれる溶剤の沸点と、樹脂成分が熱分解する温度とが適切な関係を保っている。そのため、かかる仮固定剤を用いて支持基材上に基材を固定して、この基材の加工を行う際に、仮固定剤におけるボイドの発生を的確に抑制または防止することができる。その結果、基材に対して精度の高い加工が可能となるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の仮固定剤を用いて、半導体ウエハを加工する加工工程を説明するための縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の仮固定剤および基材の加工方法を、添付図面に示す好適実施形態に基いて詳細に説明する。
まず、本発明の仮固定剤について説明する。
【００２４】
＜仮固定剤＞
本発明の仮固定剤は、基材を加工するために該基材を支持基材に仮固定し、前記基材の加工後に、加熱することで前記基材を前記支持基材から脱離させるために用いられ、前記加熱により熱分解する樹脂成分と、該樹脂成分を溶解または分散し得る溶剤とを含有する樹脂組成物からなるものであり、前記溶剤の沸点をＸ［℃］とし、前記樹脂成分が熱分解する温度をＹ［℃］としたとき、下記式（１）および下記式（２）を満足することを特徴とする。
【００２５】
１００＜Ｘ        ・・・    式（１）
Ｘ＋４０≦Ｙ    ・・・    式（２）
【００２６】
かかる関係を満足させることにより、本発明の仮固定剤を用いて、基材を支持基材に貼り合わせるために用いる薄膜の形成を、薄膜中に溶剤が残存することなく行うことができる。さらに、この薄膜を介して支持基材上に基材を固定した状態で、この基材の加工を行う際に、薄膜中に含まれる樹脂成分の熱分解を確実に防止することができる。そのため、かかる加工時に、薄膜（仮固定剤）においてボイドが発生するのを的確に抑制または防止することができることから、基材に対して精度の高い加工が可能となる。
【００２７】
このような本発明の仮固定剤は、上記のような樹脂成分と溶剤とを含有する樹脂組成物からなるものである。
【００２８】
以下、この樹脂組成物を構成する各成分について、順次、説明する。
樹脂成分は、仮固定時（基材の加工時）には、基材を支持基材に固定する機能を有し、さらに、仮固定剤の前記加熱により、熱分解して低分子化することで溶融または気化することに起因して、その接合強度が低下することから、支持基材からの基材の脱離を許容する機能を有するものである。
【００２９】
このような樹脂成分は、本発明では、上記式（２）を満足するものが選択されるが、この理由については後に詳述する。
【００３０】
樹脂成分としては、前記機能をするものであればよく、特に限定されるものではないが、ポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、（メタ）アクリレート系樹脂が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、ポリカーボネート系樹脂、ビニル系樹脂および（メタ）アクリル系樹脂であるのが好ましく、特に、ポリカーボネート系樹脂であるのが好ましい。これらのものは、前記機能をより顕著に発揮するものであるため、樹脂成分としてより好適に選択される。
【００３１】
ポリカーボネート系樹脂としては、特に制限されないが、ポリプロピレンカーボネート樹脂、ポリエチレンカーボネート樹脂、１，２−ポリブチレンカーボネート樹脂、１，３−ポリブチレンカーボネート樹脂、１，４−ポリブチレンカーボネート樹脂、ｃｉｓ−２，３−ポリブチレンカーボネート樹脂、ｔｒａｎｓ−２，３−ポリブチレンカーボネート樹脂、α，β−ポリイソブチレンカーボネート樹脂、α，γ−ポリイソブチレンカーボネート樹脂、ｃｉｓ−１，２−ポリシクロブチレンカーボネート樹脂、ｔｒａｎｓ−１，２−ポリシクロブチレンカーボネート樹脂、ｃｉｓ−１，３−ポリシクロブチレンカーボネート樹脂、ｔｒａｎｓ−１，３−ポリシクロブチレンカーボネート樹脂、ポリヘキセンカーボネート樹脂、ポリシクロプロペンカーボネート樹脂、ポリシクロヘキセンカーボネート樹脂、１，３−ポリシクロヘキサンカーボネート樹脂、ポリ（メチルシクロヘキセンカーボネート）樹脂、ポリ（ビニルシクロヘキセンカーボネート）樹脂、ポリジヒドロナフタレンカーボネート樹脂、ポリヘキサヒドロスチレンカーボネート樹脂、ポリシクロヘキサンプロピレンカーボネート樹脂、ポリスチレンカーボネート樹脂、ポリ（３−フェニルプロピレンカーボネート）樹脂、ポリ（３−トリメチルシリロキシプロピレンカーボネート）樹脂、ポリ（３−メタクリロイロキシプロピレンカーボネート）樹脂、ポリパーフルオロプロピレンカーボネート樹脂、ポリノルボルネンカーボネート樹脂、ポリノルボルナンカーボネート樹脂、ｅｘｏ−ポリノルボルネンカーボネート樹脂、ｅｎｄｏ−ポリノルボルネンカーボネート樹脂、ｔｒａｎｓ−ポリノルボルネンカーボネート樹脂、ｃｉｓ−ポリノルボルネンカーボネート樹脂が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３２】
また、ポリカーボネート系樹脂としては、例えば、ポリプロピレンカーボネート／ポリシクロヘキセンカーボネート共重合体、１，３−ポリシクロヘキサンカーボネート／ポリノルボルネンカーボネート共重合体、ポリ［（オキシカルボニルオキシ−１，１，４，４−テトラメチルブタン）−ａｌｔ−（オキシカルボニルオキシ−５−ノルボルネン−２−ｅｎｄｏ−３−ｅｎｄｏ−ジメタン）］樹脂、ポリ［（オキシカルボニルオキシ−１，４−ジメチルブタン）−ａｌｔ−（オキシカルボニルオキシ−５−ノルボルネン−２−ｅｎｄｏ−３−ｅｎｄｏ−ジメタン）］樹脂、ポリ［（オキシカルボニルオキシ−１，１，４，４−テトラメチルブタン）−ａｌｔ−（オキシカルボニルオキシ−ｐ−キシレン）］樹脂、およびポリ［（オキシカルボニルオキシ−１，４−ジメチルブタン）−ａｌｔ−（オキシカルボニルオキシ−ｐ−キシレン）］樹脂、１，３−ポリシクロヘキサンカーボネート樹脂／ｅｘｏ−ポリノルボルネンカーボネート樹脂、１，３−ポリシクロヘキサンカーボネート樹脂／ｅｎｄｏ−ポリノルボルネンカーボネート樹脂等の共重合体を用いることもできる。
【００３３】
さらに、ポリカーボネート系樹脂としては、上記の他、カーボネート構成単位において、少なくとも２つの環状体を有するポリカーボネート樹脂を用いることもできる。
【００３４】
環状体の数は、カーボネート構成単位において、２つ以上であればよいが、２〜５であるのが好ましく、２または３であるのがより好ましく、２であるのがさらに好ましい。カーボネート構成単位としてこのような数の環状体が含まれることにより、支持基材と基材との密着性が優れたものとなる。また、仮固定剤の加熱により、かかるポリカーボネート樹脂が熱分解して低分子化することにより、溶融するものとなる。
【００３５】
また、複数の環状体は、それぞれの頂点同士が互いに連結している連結多環系構造をなしていてもよいが、それぞれが有する一辺同士が互いに連結している縮合多環系構造をなしているのが好ましい。これにより、仮固定剤としての耐熱性と、このものが溶融する際の熱分解時間を短縮することを両立することができる。
【００３６】
さらに、複数の環状体は、それぞれ、５員環または６員環であるあるのが好ましい。これにより、カーボネート構成単位の平面性が保たれることから、溶剤に対する溶解性をより安定させることができる。
【００３７】
このような複数の環状体は、脂環式化合物であるのが好ましい。各環状体が脂環式化合物である場合に、前述したような効果がより顕著に発揮されることになる。
【００３８】
これらのことを考慮すると、ポリカーボネート系樹脂において、カーボネート構成単位としては、例えば、下記化学式（１Ｘ）で表わされるものが特に好ましい構造である。
【００３９】
【化１】
2012126798.tif 000003
【００４０】
なお、上記化学式（１Ｘ）で表わされるカーボネート構成単位を有するポリカーボネート系樹脂は、デカリンジオールと、炭酸ジフェニルのような炭酸ジエステルとの重縮合反応により得ることができる。
【００４１】
また、上記化学式（１Ｘ）で表わされるカーボネート構成単位において、デカリンジオールが有する水酸基に連結する炭素原子に由来するものは、それぞれ、デカリン（すなわち、縮合多環系構造を形成する２つの環状体）を構成する炭素原子に結合し、かつ、これら水酸基に連結する炭素原子の間に３つ以上の原子が介在しているのが好ましい。これにより、ポリカーボネート系樹脂の分解性を制御でき、その結果、仮固定剤としての耐熱性と、このものが溶融する際の熱分解時間を短縮することを両立することができる。さらに、溶剤に対する溶解性をより安定させることができる。
【００４２】
このようなカーボネート構成単位としては、例えば、下記化学式（１Ａ）、（１Ｂ）で表わされるものが挙げられる。
【００４３】
【化２】
2012126798.tif 000004
【００４４】
さらに、複数の環状体は、脂環式化合物である他、複素脂環式化合物であってもよい。各環状体が複素脂環式化合物である場合であっても、前述したような効果がより顕著に発揮されることになる。
【００４５】
この場合、ポリカーボネート系樹脂において、カーボネート構成単位としては、例えば、下記化学式（２Ｘ）で表わされるものが特に好ましい構造である。
【００４６】
【化３】
2012126798.tif 000005
【００４７】
なお、上記化学式（２Ｘ）で表わされるカーボネート構成単位を有するポリカーボネート系樹脂は、下記化学式（２ａ）で表わされるエーテルジオールと、炭酸ジフェニルのような炭酸ジエステルとの重縮合反応により得ることができる。
【００４８】
【化４】
2012126798.tif 000006
【００４９】
また、上記化学式（２Ｘ）で表わされるカーボネート構成単位において、上記化学式（２ａ）で表わされる環状エーテルジオールが有する水酸基由来の炭素原子は、それぞれ、上記環状エーテル（すなわち、縮合多環系構造を形成する２つの環状体）を構成する炭素原子に結合し、かつ、これら炭素原子の間に３つ以上の原子が介在しているのが好ましい。これにより、仮固定剤としての耐熱性と、このものが溶融する際の熱分解時間を短縮することを両立することができる。さらに、溶剤に対する溶解性をより安定させることができる。
【００５０】
このようなカーボネート構成単位としては、例えば、下記化学式（２Ａ）で表わされる１，４：３，６−ジアンヒドロ−Ｄ−ソルビトール（イソソルビド）型のものや、下記化学式（２Ｂ）で表わされる１，４：３，６−ジアンヒドロ−Ｄ−マンニトール（イソマンニド）型ものが挙げられる。
【００５１】
【化５】
2012126798.tif 000007
【００５２】
ポリカーボネート系樹脂の重量平均分子量（Ｍｗ）は、１，０００〜１，０００，０００であることが好ましく、５，０００〜８００，０００であることがさらに好ましい。重量平均分子量を上記下限以上とすることにより、支持基材に対する濡れ性が向上すること、さらに、成膜性を向上するという効果を得ることができる。また、上記上限値以下とすることで、各種溶剤に対する溶解性、さらには、仮固定剤の加熱による溶融粘度の低下がより顕著に認められるという効果を得ることができる。
【００５３】
なお、ポリカーボネート系樹脂の重合方法は、特に限定されるわけではないが、例えば、ホスゲン法（溶剤法）または、エステル交換法（溶融法）等の公知の重合方法を用いることができる。
【００５４】
（溶剤）
溶剤は、樹脂組成物中に含まれる樹脂成分や、後述する樹脂成分以外の各種成分を樹脂組成物中に溶解または分散させるために含まれるものである。
【００５５】
このような溶剤は、本発明では、上記式（１）および上記式（２）を満足するものが選択されるが、この理由については後に詳述する。
【００５６】
溶剤としては、上記式（１）および上記式（２）を満足するものであれば、特に限定されるものではないが、例えば、メシチレン、デカリン、ミネラルスピリット類等の炭化水素類、トルエン、キシレン、トリメチルベンゼン等の芳香族炭化水素類、アニソール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジグライム等のアルコール／エーテル類、炭酸エチレン、酢酸エチル、酢酸Ｎ−ブチル、乳酸エチル、３−エトキシプロピオン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、炭酸プロピレン、γ−ブチロラクトン等のエステル／ラクトン類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、メチルイソブチルケトン、２−ヘプタノン等のケトン類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン等のアミド／ラクタム類が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。仮固定剤が溶剤を含有する構成とすることで、仮固定剤の粘度を調整することが容易となり、支持基材に仮固定剤で構成される犠牲層（薄膜）の形成が容易となる。
【００５７】
前記溶剤の含有量は、特に限定されるものではないが、樹脂組成物（仮固定剤）の全量の５〜９８重量％であることが好ましく、１０〜９５重量％であることがより好ましい。
【００５８】
ところで、上述したポリカーボネート系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリエーテル系樹脂、ポリウレタン系樹脂、（メタ）アクリレート系樹脂のような樹脂成分は、酸または塩基の存在下において、熱分解する温度が低下するものである。
【００５９】
このような酸または塩基の存在下において熱分解する温度が低下する樹脂成分としては、熱分解する温度の低下がより顕著に認められるという観点から、ポリカーボネート系樹脂を用いるのが好ましく、特に、ポリプロピレンカーボネート、１，４−ポリブチレンカーボネート、１，３−ポリシクロヘキサンカーボネート／ポリノルボルネンカーボネート共重合体であるのが好ましい。
【００６０】
そこで、樹脂成分として、酸または塩基の存在下において、熱分解する温度が低下するものを用いた場合、樹脂組成物中に、仮固定剤への活性エネルギー線の照射により酸または塩基を発生する活性剤が含まれる構成とすることで、樹脂成分を、仮固定剤への活性エネルギー線の照射により熱分解する温度が低下するものとすることができる。
【００６１】
したがって、仮固定剤（樹脂組成物）を、熱分解する温度が低下する樹脂成分と、仮固定剤への活性エネルギー線の照射により酸または塩基を発生する活性剤とを含有するものとすることで、活性エネルギー線照射により樹脂成分の熱分解する温度が低下するため、活性エネルギー線照射の後の仮固定剤の加熱により、基材の支持基材からの脱離をより容易に行え得るという効果が得られる。
【００６２】
以下、樹脂組成物に含まれる活性剤について説明する。
（活性剤）
活性剤は、上述したように、活性エネルギー線の照射によってエネルギーを加えられることにより、酸または塩基のような活性種を発生させるものであり、この活性種の作用により、前記樹脂成分の熱分解する温度を低下させる機能を有するものである。
【００６３】
この活性剤としては、特に限定されないが、例えば、活性エネルギー線の照射により酸を発生する光酸発生剤や、活性エネルギー線の照射により塩基を発生する光塩基発生剤等が挙げられる。
【００６４】
光酸発生剤としては、特に限定されないが、例えば、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート−４−メチルフェニル［４−（１−メチルエチル）フェニル］ヨードニウム（ＤＰＩ−ＴＰＦＰＢ）、トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムテトラキス−（ペンタフルオロフェニル）ボレート（ＴＴＢＰＳ−ＴＰＦＰＢ）、トリス（４−ｔ−ブチルフェニル）スルホニウムヘキサフルオロホスフェート（ＴＴＢＰＳ−ＨＦＰ）、トリフェニルスルホニウムトリフレート（ＴＰＳ−Ｔｆ）、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリフレート（ＤＴＢＰＩ−Ｔｆ）、トリアジン（ＴＡＺ−１０１）、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネート（ＴＰＳ−１０３）、トリフェニルスルホニウムビス（パーフルオロメタンスルホニル）イミド（ＴＰＳ−Ｎ１）、ジ−（ｐ−ｔ−ブチル）フェニルヨードニウム、ビス（パーフルオロメタンスルホニル）イミド（ＤＴＢＰＩ−Ｎ１）、トリフェニルスルホニウム、トリス（パーフルオロメタンスルホニル）メチド（ＴＰＳ−Ｃ１）、ジ−（ｐ−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムトリス（パーフルオロメタンスルホニル）メチド（ＤＴＢＰＩ−Ｃ１）等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組合せて用いることができる。これらの中でも、特に、樹脂成分の溶融粘度を効率的に下げることができるという観点から、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート−４−メチルフェニル［４−（１−メチルエチル）フェニル］ヨードニウム（ＤＰＩ−ＴＰＦＰＢ）が好ましい。
【００６５】
また、光塩基発生剤としては、特に限定されないが、例えば、５−ベンジル−１，５−ジアザビシクロ（４．３．０）ノナン、１−（２−ニトロベンゾイルカルバモイル）イミダゾール等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組合せて用いることができる。これらの中でも、特に、樹脂成分の溶融粘度を効率的に下げることができるという観点から、５−ベンジル−１，５−ジアザビシクロ（４．３．０）ノナンおよびこの誘導体が好ましい。
【００６６】
前記活性剤は、樹脂組成物（仮固定剤）の全量の０．０１〜５０重量％程度であるのが好ましく、０．１〜３０重量％程度であるのがより好ましい。かかる範囲内とすることにより、樹脂成分の溶融粘度を安定的に目的とする範囲内に下げることが可能となる。
【００６７】
このような活性剤の添加により、活性エネルギー線を照射することで、酸または塩基のような活性種が発生し、この活性種の作用によって、樹脂成分の主鎖にその熱分解温度が低下する構造が形成され、その結果、樹脂成分の熱分解する温度が低下すると推察される。
【００６８】
ここで、樹脂成分としてポリカーボネート系樹脂であるポリプロピレンカーボネート樹脂を使用し、活性剤として光酸発生剤を使用した場合の熱分解温度が低下するメカニズムについて説明する。下記式（１Ｚ）で示すように、先ず、前記光酸発生剤由来のＨ＋が、ポリプロピレンカーボネート樹脂のカルボニル酸素をプロトン化し、さらに極性遷移状態を転移させ不安定な互変異性中間体［Ａ］および［Ｂ］を生じる。次に、中間体［Ａ］は、アセトンおよびＣＯ２として断片化する熱切断が起こるため、熱分解温度が低下する。また、中間体［Ｂ］は炭酸プロピレンを生成し、炭酸プロピレンはＣＯ２およびプロピレンオキシドとして断片化する熱閉環構造を形成するため、熱分解温度が低下する。
【００６９】
【化６】
2012126798.tif 000008
【００７０】
（増感剤）
また、仮固定剤は、活性剤を含む場合、この活性剤とともに、特定の波長の活性エネルギー線に対する活性剤の反応性を発現あるいは増大させる機能を有する成分である増感剤を含んでいても良い。
【００７１】
増感剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、アントラセン、フェナントレン、クリセン、ベンツピレン、フルオランテン、ルブレン、ピレン、キサントン、インダンスレン、チオキサンテン−９−オン、２‐イソプロピル−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン、４−イソプロピル−９Ｈ−チオキサンテン−９−オン、１−クロロ−４‐プロポキシチオキサントン、およびこれらの混合物等が挙げられる。
【００７２】
このような増感剤の含有量は、前述した光酸発生剤等の活性剤および光ラジカル開始剤の総量１００重量部に対して、１００重量部以下であるのが好ましく、２０重量部以下であるのがより好ましい。
【００７３】
以上のような樹脂組成物には、樹脂成分が、酸または塩基の存在下において、熱分解する温度が低下するもの、および熱分解する温度が低下しないもののうちの何れであっても、以下に示すような他の成分が含まれていてもよい。
【００７４】
（酸化防止剤）
すなわち、樹脂組成物（仮固定剤）は、酸化防止剤を含んでいてもよい。
【００７５】
この酸化防止剤は、樹脂組成物（仮固定剤）中における酸の発生や、自然酸化を防止する機能を有している。
【００７６】
酸化防止剤としては、特に限定されないが、例えば、Ｃｉｂａ  Ｆｉｎｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ社製、「Ｃｉｂａ  ＩＲＧＡＮＯＸ（登録商標）  １０７６」および「Ｃｉｂａ  ＩＲＧＡＦＯＳ（登録商標）  １６８」が好適に用いられる。
【００７７】
また、他の酸化防止剤としては、例えば、「Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  １２９」、「Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  １３３０」、「Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  １０１０」、「Ｃｉｂａ  Ｃｙａｎｏｘ（登録商標）  １７９０」、「Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  ３１１４、Ｃｉｂａ  Ｉｒｇａｎｏｘ  ３１２５」等を用いることもできる。
【００７８】
酸化防止剤の含有量は、上述した樹脂成分１００重量部に対して、０．１〜１０重量部であるのが好ましく、０．５〜５重量部であるのがより好ましい。
【００７９】
（添加剤）
また、樹脂組成物（仮固定剤）は、必要により酸捕捉剤、アクリル系、シリコーン系、フッ素系、ビニル系等のレベリング剤、シランカップリング剤、希釈剤等の添加剤等を含んでも良い。
【００８０】
シランカップリング剤としては、特に限定されるものではないが、例えば、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、ｐ−スチリルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、ビス（トリエトキシプロピル）テトラスルフィド、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン等が挙げられ、これらのうち、１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００８１】
樹脂組成物（仮固定剤）がシランカップリング剤を含むことにより、基材と支持基材との密着性の向上を図ることができる。
【００８２】
また、希釈剤としては、特に限定されないが、例えば、シクロヘキセンオキサイドやα−ピネンオキサイド等のシクロエーテル化合物、［メチレンビス（４，１−フェニレンオキシメチレン）］ビスオキシランなどの芳香族シクロエーテル、１，４−シクロヘキサンジメタノールジビニルエーテルなどのシクロアリファティックビニルエーテル化合物等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００８３】
樹脂組成物（仮固定剤）が希釈剤を含むことにより、仮固定剤の流動性を向上させることができ、後述する犠牲層形成工程において、仮固定剤の支持基材に対する濡れ性を向上させることが可能となる。
【００８４】
＜半導体装置の製造方法＞
上述したような本発明の仮固定剤が、例えば、半導体装置の製造方法に適用される。
【００８５】
すなわち、半導体装置の製造方法における、半導体ウエハの加工に、本発明の基材の加工方法が適用される。
【００８６】
以下、この本発明の基材の加工方法の実施形態の一例について説明する。
この半導体ウエハ（基材）の加工には、本発明の仮固定剤を、半導体ウエハおよび支持基材のうちの少なくとも一方に供給したのち第１の温度で加熱することで、樹脂組成物から溶剤を除去して犠牲層（薄膜）を形成する第１の工程と、犠牲層を介して、支持基材と半導体ウエハとを貼り合わせる第２の工程と、半導体ウエハの支持基材と反対側の面を加工する第３の工程と、犠牲層を第１の温度より高い第２の温度で加熱して樹脂成分を熱分解させることで、半導体ウエハを支持基材から脱離させる第４の工程とを有する。
【００８７】
図１は、本発明の仮固定剤を用いて、半導体ウエハを加工する加工工程を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図１中、上側を「上」、下側を「下」とする。
【００８８】
以下、これら各工程について順次説明する。
（犠牲層形成工程）
まず、支持基材１を用意し、図１（ａ）に示すように、この支持基材（基材）１上に、本発明の仮固定剤を用いて、犠牲層２を形成する（第１の工程）。
【００８９】
この犠牲層２は、本発明の仮固定剤を支持基材１上に供給した後、第１の温度で加熱して、仮固定剤（樹脂組成物）から溶剤を除去して乾燥させることで容易に形成することができる。
【００９０】
また、本発明の仮固定剤を支持基材１上に供給する方法としては、特に限定されないが、例えば、スピンコート法、スプレー法、印刷法、フィルム転写法、スリットコート法、スキャン塗布法等の各種塗布法を用いることができる。これらの中でも、特に、スピンコート法が好ましく用いられる。スピンコート法によれば、より均一で平坦な犠牲層２を容易に形成することができる。
【００９１】
また、支持基材１としては、半導体ウエハ３を支持し得る程度の強度を有するものであれば、特に限定されないが、光透過性を有するものであるのが好ましい。これにより、樹脂成分として、活性エネルギー線の照射により、熱分解する温度が低下するものを用いた際に、支持基材１側から活性エネルギー線を透過させて、犠牲層２に活性エネルギー線を確実に照射することができるようになる。
【００９２】
光透過性を有する支持基材１としては、例えば、石英ガラス、ソーダガラスのようなガラス材料や、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリプロピレン、シクロオレフィンポリマー、ポリアミド、ポリカーボネートのような樹脂材料等を主材料として構成される基板が挙げられる。
【００９３】
さて、本発明では、上述したように、前記溶剤の沸点をＸ［℃］としたとき、下記式（１）を満足する溶剤が選択されている。
１００＜Ｘ        ・・・    式（１）
【００９４】
これにより、仮固定剤の支持基材１上への供給時に、溶剤が仮固定剤（樹脂組成物）中から揮発してしまうのを的確に抑制または防止することができる。そのため、第１の温度で加熱して仮固定剤から溶剤を除去して乾燥させるまでは、仮固定剤中に存在することから、仮固定剤の第１の温度での加熱により、均一な膜厚の犠牲層２を成膜することができる。なお、Ｘは、１００℃超であればよいが、１１０℃超、３５０℃未満であるのがより好ましく、１２０℃超、２５０℃未満であるのがより好ましい。これにより、前記効果をより顕著に発揮させることができる。
【００９５】
また、かかる溶剤の樹脂成分に対する溶解パラメータ（ＳＰ値）［（ｃａｌ／ｃｍ３）１／２］は、７超、１５未満であるのが好ましく、８．５超、１３未満であるのがより好ましい。ＳＰ値がかかる範囲内の溶剤は、樹脂成分の溶解性が高いため、樹脂組成物中における溶剤の含有量を低く設定することが可能となる。その結果、仮固定剤からの溶剤の除去を比較的容易に行え得るとともに、比較的少量の仮固定剤から厚膜の犠牲層２を成膜することが可能となる。
【００９６】
なお、仮固定剤を加熱する際の第１の温度は、当然、溶剤の沸点Ｘよりも高く、樹脂成分が熱分解する温度Ｙよりも低い温度に設定される。
【００９７】
さらに、本発明では、上述したように、前記樹脂成分が熱分解する温度をＹ［℃］としたとき、下記式（２）を満足する溶剤および樹脂成分が選択されている。
Ｘ＋４０≦Ｙ    ・・・    式（２）
【００９８】
すなわち、樹脂成分が熱分解する温度と溶剤の沸点との差（Ｙ−Ｘ）が４０℃以上に設定されている。これにより、第１の温度の設定の幅が広くなるため、樹脂成分を熱分解させることなく、確実に仮固定剤から溶剤を除去する（揮発させる）ことができる。その結果、後述する加工工程において、ボイドの発生が低減された犠牲層２が成膜される。
【００９９】
なお、樹脂成分が熱分解する温度と溶剤の沸点との差（Ｙ−Ｘ）は、４０℃以上であればよいが、５０℃〜３００℃程度であるのが好ましく、６０℃〜２５０℃程度であるのがより好ましい。これにより、前記効果をより顕著に発揮させることができる。
【０１００】
また、本明細書中では、溶剤として前述した溶剤を２種以上含む混合溶剤を用いる場合、溶剤（混合溶剤）の沸点は、加重平均値（Ｔｂ＝ΣｗｎＴｂｎ  、Ｔｂ（混合溶剤沸点）、ｗｎ（溶剤重量分率））とする。また、溶剤（混合溶剤）のＳＰ値は、加重平均値（ＳＰ＝ΣｗｎＳＰｎ  、ＳＰ（混合溶剤ＳＰ、ｗｎ（溶剤重量分率））とする。
【０１０１】
さらに、樹脂成分が熱分解する温度は、ＴＧＡ測定で重量減少が５％超となる温度とする。
【０１０２】
（貼り合わせ工程）
次に、図１（ｂ）に示すように、支持基材１上の犠牲層２が設けられた面上に、半導体ウエハ（基材）３をその機能面３１が犠牲層２側になるように載置し、これにより、支持基材１に犠牲層２を介して半導体ウエハ３を貼り合わせる（第２の工程）。
【０１０３】
この貼り合わせは、例えば、真空プレス機、ウエハボンダー等の装置を用いて容易に行うことができる。
【０１０４】
（加工工程）
次に、犠牲層２を介して支持基材１上に固定された半導体ウエハ３の機能面３１と反対側の面（裏面）を加工する（第３の工程）。
【０１０５】
この半導体ウエハ３の加工は、特に限定されず、例えば、図１（ｃ）に示すような半導体ウエハ３の裏面の研削・研磨の他、半導体ウエハ３へのビアホールの形成、ストレスリリースのための半導体ウエハ３の裏面のエッチング、リソグラフィー、さらには半導体ウエハ３の裏面への薄膜のコート、蒸着等が挙げられる。
【０１０６】
ここで、上記のように半導体ウエハ３に、機能面３１と反対側の面に対する加工を施すと、半導体ウエハ３は、この加工に伴う熱履歴を経ることとなり、半導体ウエハ３ばかりでなく、犠牲層２までも加熱される。そのため、犠牲層２中に前記溶剤が残存していたり、樹脂成分として熱分解し易いものが用いられていたりすると、これらが揮発することに起因して、犠牲層２にボイドが発生する。したがって、このようなボイドが発生した状態で、例えば、機能面３１と反対側の面（裏面）の研削・研磨を行うと、かかるボイドの発生に起因して生じた、犠牲層２の厚さ方向における凹凸の存在により、半導体ウエハ３の厚さにバラツキが生じるという問題がある。
【０１０７】
しかしながら、本発明では、前記犠牲層形成工程で説明したように、仮固定剤に含まれる溶剤および樹脂成分として、前記式（１）および前記式（２）の双方を満足するものが選択されている。そのため、犠牲層２は、溶剤の残存率が極めて低く、かつ、耐熱温度が高い樹脂成分で構成されたものとなっている。
【０１０８】
したがって、上述したような裏面加工による熱履歴を経たとしても、犠牲層２におけるボイドの発生を的確に防止または抑制することができ、その結果、半導体ウエハ３の裏面の研削・研磨を、その厚さにバラツキを生じることなく行うことができる。
【０１０９】
なお、仮固定剤に含まれる樹脂成分は、当然、その熱分解する温度Ｙが本工程を施すことにより生じる熱履歴温度よりも高いものが選択される。
【０１１０】
（脱離工程）
次いで、図１（ｄ）に示すように、犠牲層２を前記第１の温度より高い第２の温度で加熱することで、樹脂成分を熱分解させて低分子化させることにより、犠牲層２を溶融状態または気化させた後、半導体ウエハ３を支持基材１から脱離させる（第４の工程）。
【０１１１】
犠牲層２を加熱する温度は、樹脂成分が熱分解する温度で、かつ、半導体ウエハ３の変質・劣化が防止される温度に設定され、具体的には、好ましくは１００℃〜５００℃程度、より好ましくは１２０℃〜４５０℃程度に設定される。
【０１１２】
ここで、本明細書中において、脱離とは、半導体ウエハ３を支持基材１から剥離する操作を意味し、犠牲層２が溶融状態となる場合や気化する場合に関わらず、例えば、この操作は、支持基材１の表面に対して垂直方向に半導体ウエハ３を脱離させる方法や、支持基材１の表面に対して水平方向にスライドさせて半導体ウエハ３を脱離させる方法や、図１（ｅ）に示すように、半導体ウエハ３の一端側から半導体ウエハ３を支持基材１から浮かせることで脱離させる方法等が挙げられる。
【０１１３】
なお、前記加熱工程を経ることで、犠牲層２が気化している場合には、半導体ウエハ３と支持基材１との間から犠牲層２が除去されているため、支持基材１からの半導体ウエハ３の脱離をより容易に行うことができる。
【０１１４】
（洗浄工程）
次に、前記脱離工程において、犠牲層２を加熱することで犠牲層２が溶融状態となる場合や、気化した犠牲層２の一部が残存している場合には、必要に応じて、半導体ウエハ３の機能面３１に残存する犠牲層２を洗浄する。
すなわち、機能面３１に残留した犠牲層２の残留物を除去する。
【０１１５】
この残留物の除去方法としては、特に限定されるものではないが、例えば、プラズマ処理、薬液浸漬処理、研磨処理、加熱処理等が挙げられる。
【０１１６】
なお、本実施形態では、犠牲層形成工程において、犠牲層２を支持基材１に形成する構成としたが、かかる場合に限定されず、支持基材１および半導体ウエハ３の双方に犠牲層２を形成する構成としてもよいし、支持基材１への犠牲層２の形成を省略して半導体ウエハ３に選択的に犠牲層２を形成する構成としてもよい。
以上のようにして、半導体ウエハ３の裏面が加工される。
【０１１７】
なお、犠牲層（樹脂組成物）２に含まれる樹脂成分が、活性エネルギー線の照射により、熱分解する温度が低下するものである場合には、前記脱離工程における犠牲層２の加熱に先立って、下記の活性エネルギー線照射工程を施すようにしてもよい。
【０１１８】
（活性エネルギー線照射工程）
本工程では、犠牲層２に活性エネルギー線を照射する。
【０１１９】
ここで、樹脂成分が、活性エネルギー線の照射により、熱分解する温度が低下するものである場合には、樹脂組成物中には、酸または塩基の存在下において、熱分解する温度が低下する樹脂成分と、仮固定剤への活性エネルギー線の照射により酸または塩基を発生する活性剤とが含まれる。そのため、仮固定剤（樹脂組成物）中に含まれる活性剤にエネルギーが付与されると、活性剤から酸または塩基のような活性種が発生するため、この活性種の作用により、樹脂成分の熱分解する温度が低下する。
【０１２０】
したがって、犠牲層２の加熱に先立って、犠牲層２に活性エネルギー線を照射する構成とすることで、犠牲層２を加熱する際の加熱温度や加熱時間等を低くしたり短くすることができるため、この加熱をより緩和な条件で行うことができる。その結果、半導体ウエハ３が加熱されることによる変質・劣化をより的確に抑制または防止することができる。
【０１２１】
また、活性エネルギー線としては、特に限定されないが、例えば、波長２００〜８００ｎｍ程度の光線であるのが好ましく、波長３００〜５００ｎｍ程度の光線であるのがより好ましい。
【０１２２】
さらに、活性エネルギー線の照射量は、特に限定されないが、１０ｍＪ／ｃｍ２〜２００００ｍＪ／ｃｍ２であるのが好ましく、２０ｍＪ／ｃｍ２〜１００００ｍＪ／ｃｍ２であるのがより好ましい。
【０１２３】
なお、樹脂成分が、活性エネルギー線の照射により、熱分解する温度が低下するものであっても、前記加工工程において犠牲層２が熱履歴を経るのは、犠牲層２に対して活性エネルギー線が照射される前である。そのため、活性エネルギー線の照射により熱分解する温度が低下する樹脂成分、すなわち酸または塩基の存在下において前記熱分解する温度が低下する樹脂成分については、前記樹脂成分が熱分解する温度Ｙを、前記活性エネルギー線を照射する前の樹脂成分が熱分解する温度とする。
【０１２４】
また、本実施形態では、基材として半導体ウエハ３を用いた場合を一例に説明したが、かかる場合に限らず、例えば、配線基板および回路基板等を用いることもできる。
【０１２５】
以上、本発明の仮固定剤および基材の加工方法を、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【０１２６】
たとえば、仮固定剤に含まれる各構成材料は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することができる。
また、本発明の基材の加工方法には、必要に応じて任意の工程が追加されてもよい。
【実施例】
【０１２７】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．仮固定剤の調製
まず、以下に示すような実施例１Ａ〜４Ａおよび比較例１Ａ、２Ａの仮固定剤を調整した。
【０１２８】
［実施例１Ａ］
＜１，４−ポリブチレンカーボネートの合成＞
攪拌機、原料仕込み口、および窒素ガス導入口を備えた三口フラスコに１，４−ブタンジオール（１６８ｇ、１．８６４ｍｏｌ）と炭酸ジエチル（２６４．２ｇ、２．２３６ｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下で９０〜１００℃で加熱し、混合物を溶解した。
【０１２９】
次いで、２０％ナトリウムエトキシドエタノール溶液（８０ｍｌ、０．１８６ｍｏｌ）を加えた後、窒素雰囲気下、９０〜１００℃で１時間攪拌した。その後、反応容器内を３０ｋＰａ程度減圧し、９０〜１００℃で１時間、１２０℃で１時間した。その後、更に、０．１ｋＰａの真空下、１５０℃で１時間、１８０℃で２時間攪拌した。
【０１３０】
上記で得られた反応物をテトラヒドロフラン（２Ｌ）に溶解させ、ろ過を行い、触媒残渣を除去した。その後、その濾液を蒸留水／メタノール＝１／９の溶液（２０Ｌ）に投入、沈殿物を回収し、さらに、蒸留水／メタノール＝１／９の溶液（１０Ｌ）で充分に洗浄し、１２５ｇの１，４−ポリブチレンカーボネート（収率４８％）を得た。
【０１３１】
合成した１，４−ポリブチレンカーボネートをＧＰＣにより重量平均分子量を測定したところ、３５，０００であった。
【０１３２】
＜仮固定剤の作製＞
得られた１，４−ポリブチレンカーボネート１００ｇ、活性剤としてＲｈｏｄｏｒｓｉｌ  Ｐｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ２０７４（ＦＡＢＡ）（ローディアジャパン（株）社製  Ｒｈｏｄｏｒｓｉｌ  Ｐｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ２０７４）５ｇ、増感剤として１−クロロ−４‐プロポキシチオキサントン（英Ｌａｍｂｓｏｎ社製  ＳＰＥＥＤＣＵＲＥ  ＣＰＴＸ（商品名））１．５ｇをアニソール（溶剤）９５８．５ｇに溶解し、樹脂濃度１０％の仮固定剤を作製した。
【０１３３】
なお、アニソールの沸点Ｘは１５４℃、ＳＰ値は９．３であり、１，４−ポリブチレンカーボネートが熱分解する温度Ｙは２３１（露光前）℃である。
【０１３４】
［実施例２Ａ］
＜ポリネオペンチルカーボネートの合成＞
攪拌機、原料仕込み口、及び窒素ガス導入口を備えた三口フラスコにネオペンチルグリコール（１９４．２ｇ、１．８６４ｍｏｌ）と炭酸ジエチル（３０８．２ｇ、２．６１０ｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下で、１２０℃で加熱し、混合物を溶解した。
【０１３５】
次いで、２０％ナトリウムエトキシドエタノール溶液（８０ｍｌ、０．１８６ｍｏｌ）を加えた後、窒素雰囲気下、１２０℃で２時間攪拌した。その後、反応容器内を３０ｋＰａ程度減圧し、１２０℃で１時間攪拌した。その後、更に、０．１ｋＰａの真空下、１２０℃で３時間攪拌した。
【０１３６】
上記で得られた反応物をテトラヒドロフラン（２ｌ）に溶解させ、ろ過を行い、触媒残渣を除去した。その後、その濾液を水／メタノール＝１／９の溶液（２４ｌ）に投入、沈殿物を回収し、更に、水／メタノール＝１／９の溶液（１０ｌ）で充分に洗浄し、１１０．６ｇのポリネオペンチルカーボネート（収率４６％）を得た。
【０１３７】
合成したポリネオペンチルカーボネートをＧＰＣにより重量平均分子量を測定したところ１２，０００であった。
【０１３８】
＜仮固定剤の作製＞
得られたポリネオペンチルカーボネート１００ｇ、活性剤としてＲｈｏｄｏｒｓｉｌ  Ｐｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ２０７４（ＦＡＢＡ）（ローディアジャパン（株）社製  Ｒｈｏｄｏｒｓｉｌ  Ｐｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ２０７４）５ｇ、増感剤として１−クロロ−４‐プロポキシチオキサントン（英Ｌａｍｂｓｏｎ社製  ＳＰＥＥＤＣＵＲＥ  ＣＰＴＸ（商品名））１．５ｇを酢酸ブチル（溶剤）９５８．５ｇに溶解し、樹脂濃度１０％の仮固定剤を作製した。
【０１３９】
なお、酢酸ブチルの沸点Ｘは１２６℃、ＳＰ値は８．５であり、ポリネオペンチルカーボネートが熱分解する温度Ｙは２１０（露光前）℃である。
【０１４０】
［実施例３Ａ］
＜１，３−シクロヘキサンカーボネート／ｅｎｄｏ−ノルボルネンカーボネート共重合体の合成＞
攪拌機、原料仕込み口、及び窒素ガス導入口を備えた三口フラスコに１，３−シクロヘキサンジオール（１９１．８ｇ、１．６５０ｍｏｌ）、ｃｉｓ−ｅｎｄｏ−ノルボルナンジメタノール（１４５．０ｇ、０．９３０ｍｏｌ）、ジフェニルカーボネート（５３０．３ｇ、２．４８ｍｏｌ）、リチウムハイドライド（０．１０１ｇ、０．０１３ｍｏｌ）を加え、窒素雰囲気下で、１２０℃で加熱し、混合物を溶解した。
【０１４１】
次いで、反応混合物を、窒素雰囲気下、１２０℃で２時間撹拌した。その後、反応容器内を１０ｋＰａ程度減圧し、１２０℃で１時間撹拌した。その後、反応容器内を０．５ｋＰａ以下に減圧し、１２０℃で１．５時間、さらに、１８０℃で１．５時間撹拌した。
【０１４２】
上記で得られた反応物をテトラヒドロフランに溶解させ、ろ過を行った。その後、その濾液を水／メタノール＝１／９の溶液に投入、沈殿物を回収し、更に、水／メタノール＝１／９の溶液で充分に洗浄し、２８７．０ｇの１，３−シクロヘキサンカーボネート／ｅｎｄｏ−ノルボルネンカーボネート共重合体（収率７６％）を得た。
【０１４３】
合成した１，３−シクロヘキサンカーボネート／ｅｎｄｏ−ノルボルネンカーボネート共重合体をＧＰＣにより重量平均分子量を測定したところ３８，０００であった。
【０１４４】
＜仮固定剤の作製＞
得られた１，３−シクロヘキサンカーボネート／ｅｎｄｏ−ノルボルネンカーボネート共重合体１００ｇ、活性剤としてＧＳＩＤ２６−１（チバジャパン社製）２ｇ、増感剤として１−クロロ−４‐プロポキシチオキサントン（英Ｌａｍｂｓｏｎ社製  ＳＰＥＥＤＣＵＲＥ  ＣＰＴＸ（商品名））１．５ｇをＮ−メチル−２−ピロリドン（溶剤）９１８ｇに溶解し、樹脂濃度１０％の仮固定剤を作製した。
【０１４５】
なお、Ｎ−メチル−２−ピロリドンの沸点Ｘは２０２℃、ＳＰ値は１１．２であり、１，３−シクロヘキサンカーボネート／ｅｎｄｏ−ノルボルネンカーボネート共重合体が熱分解する温度Ｙは２９２（露光前）℃である。
【０１４６】
［実施例４Ａ］
＜ポリイソソルビド型カーボネート樹脂の合成＞
イソソルビド１０２．０１ｇ（０．６９８モル）、炭酸ジフェニル１４９．５３ｇ（０．６９８モル）、炭酸セシウム０．００２３ｇ（６．９８×１０−６モル）をそれぞれ秤量し、その後、これらを反応容器に入れた。反応の第１工程として、窒素雰囲気下で、１２０℃に加熱した加熱槽に反応容器を浸し、攪拌し、原料を溶解させ、２時間攪拌を続けた。次に、反応の第２工程として、反応容器内を１０ｋＰａに減圧し、１２０℃で１時間攪拌を続けた。次に、反応の第３工程として、反応容器内を０．５ｋＰａ以下に減圧し、１２０℃で１．５時間攪拌を続けた。次に、反応の第４工程として、反応容器内を０．５ｋＰａ以下に減圧したまま、約３０分かけて加熱槽の温度を１８０℃に昇温した後、１８０℃で１．５時間攪拌を続けた。なお、前記反応の第２〜４工程で生じたフェノールは反応容器外へ留去した。そして、反応容器内の圧力を常圧に戻した後、γ−ブチロラクトン１２００ｍＬを加え、生成物を溶解させた。次に、イソプロパノール／水＝９／１（ｖ／ｖ）の混合溶液１２．０Ｌを攪拌させた状態で、生成物を溶解した溶液を滴下した。次に、析出した沈殿を吸引濾過で回収し、回収した沈殿をイソプロパノール／水＝９／１（ｖ／ｖ）の混合溶液４．０Ｌで洗浄した後、吸引濾過で回収した。回収した沈殿を真空乾燥機で８０℃／１８時間乾燥することにより、ポリイソソルビド型カーボネート樹脂の粉末１２３．１５ｇを得た。
【０１４７】
＜仮固定剤の調製＞
得られたポリイソソルビド型カーボネート樹脂１００．０ｇ、活性剤（光酸発生剤）としてＧＳＩＤ２６−１（チバジャパン社製）２．０ｇをγ−ブチロラクトン１９８．０ｇに溶解し、樹脂成分濃度３３重量％の仮固定剤を調製した。
【０１４８】
なお、γ−ブチロラクトンの沸点Ｘは２０４℃、ＳＰ値は１２．８であり、ポリイソソルビド型カーボネート樹脂が熱分解する温度Ｙは３７５（露光前）℃である。
【０１４９】
［比較例１Ａ］
＜仮固定剤の調製＞
実施例１Ａで得られた１，４−ポリブチレンカーボネート１００ｇ、活性剤としてＲｈｏｄｏｒｓｉｌ  Ｐｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ２０７４（ＦＡＢＡ）（ローディアジャパン（株）社製  Ｒｈｏｄｏｒｓｉｌ  Ｐｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ２０７４）５ｇ、増感剤として１−クロロ−４‐プロポキシチオキサントン（英Ｌａｍｂｓｏｎ社製  ＳＰＥＥＤＣＵＲＥ  ＣＰＴＸ（商品名））１．５ｇをテトラヒドロフラン（溶剤）９５８．５ｇに溶解し、樹脂濃度１０％の仮固定剤を作製した。
【０１５０】
なお、テトラヒドロフランの沸点Ｘは６６℃、ＳＰ値は９．１であり、１，４−ポリブチレンカーボネートが熱分解する温度Ｙは２３１（露光前）℃である。
【０１５１】
［比較例２Ａ］
＜仮固定剤の調製＞
実施例２Ａで得られたポリネオペンチルカーボネート１００ｇ、活性剤としてＲｈｏｄｏｒｓｉｌ  Ｐｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ２０７４（ＦＡＢＡ）（ローディアジャパン（株）社製  Ｒｈｏｄｏｒｓｉｌ  Ｐｈｏｔｏｉｎｉｔｉａｔｏｒ２０７４）５ｇ、増感剤として１−クロロ−４‐プロポキシチオキサントン（英Ｌａｍｂｓｏｎ社製  ＳＰＥＥＤＣＵＲＥ  ＣＰＴＸ（商品名））１．５ｇをγ−ブチロラクトン（溶剤）９５８．５ｇに溶解し、樹脂濃度１０％の仮固定剤を作製した。
【０１５２】
なお、γ−ブチロラクトンの沸点Ｘは２０４℃、ＳＰ値は１２．８であり、ポリネオペンチルカーボネートが熱分解する温度Ｙは２１０（露光前）℃である。
【０１５３】
２．半導体ウエハの裏面加工
次に、各実施例および各比較例の仮固定剤を用いて、半導体ウエハの裏面に加工を施した。
【０１５４】
＜１＞  まず、スピンコータを用いて、各実施例および各比較例の仮固定剤を８インチの透明ガラスに塗布し（回転数：１，２００ｒｐｍ、時間：３０秒）、次いで、ホットプレート上で、１２０℃、５分の条件でプリベークを行い、厚さ５μｍの仮固定剤からなる薄膜を形成した。
【０１５５】
なお、溶剤としてＮ−メチル−２−ピロリドンおよびγ−ブチロラクトンを使用した実施例３Ａ、４Ａ、比較例２Ａでは、１２０℃、５分の条件でのプリベークの後に、さらに、２４０℃、５分の条件での追加プリベークを行って、薄膜を形成した。
【０１５６】
＜２＞  次に、サブストレート・ボンダー（型番ＳＢ−８ｅ、ズース・マイクロテック社製）を用い、８インチシリコンウエハ（７２５μｍ厚）を仮固定剤からなる薄膜を介して８インチ透明ガラスに仮固定した（雰囲気：１０−２ｍｂａｒ、温度：１６０℃、荷重：１０ｋＮ、時間：１分）。
【０１５７】
＜３＞  次に、透明ガラスに仮固定されたシリコンウエハについて、研削装置（ＤＩＳＣＯ社製、「ＤＦＧ８５４０」）を用いて、半導体ウエハの下面（裏面）を研削して、半導体ウエハの厚さが５０μｍとなるように加工した。
【０１５８】
＜４＞  次に、８インチ透明ガラスに８インチシリコンウエハを仮固定したサンプルをオーブンに投入し、所定の温度、時間による加熱処理を行い、仮固定剤の熱分解を行った。
【０１５９】
なお、実施例１Ａ〜４Ａ、比較例１Ａ〜２Ａの仮固定剤については、前記加熱処理に先立って、波長３６５ｎｍの紫外線（活性エネルギー線）を、２分間照射することにより、仮固定剤が熱分解する温度を低下させた。
【０１６０】
また、実施例１Ａ〜４Ａ、比較例１Ａ〜２Ａの仮固定剤は、２００℃、３０分の加熱処理により熱分解を行った。
【０１６１】
＜５＞  次に、熱分解を行ったサンプルをオーブンから取り出し、８インチ透明ガラスと８インチシリコンウエハの隙間にピンセットを入れ、８インチシリコンウエハの脱離を行った。
【０１６２】
３．評価
３−１．ウエハの厚さの測定
上記＜５＞で得られた８インチシリコンウエハの外周部から対角線の外周部までを２０ｍｍ間隔に１０箇所、さらに、直交する外周部直線上を２０ｍｍ間隔に１０箇所の計２０箇所のシリコンウエハの厚みを非接触膜厚計により測定し、以下の判定基準により判定した。
【０１６３】
○：２０箇所の測定点のバラツキが５μｍ未満
×：２０箇所の測定点のバラツキが５μｍ以上
【０１６４】
３−２．ボイドの有無の確認
上記＜３＞の工程後、仮固定剤のボイドを透明ガラス側から目視で観察し、以下の判定基準により判定した。
【０１６５】
○：ボイド発生なし
△：一部にボイド発生
×：全面にボイド発生
以下に、実施例１Ａ〜４Ａ、比較例１Ａ〜２Ａの評価結果を表１に示す。
【０１６６】
【表１】
2012126798.tif 000009
【０１６７】
表１に示したように、各実施例では、溶剤の沸点Ｘと、樹脂成分が熱分解する温度Ｙとが上記式（１）および（２）の関係を満足していた。そして、これらの実施例では、ボイドの発生が的確に防止されており、これに起因して、半導体ウエハの下面の研削を、厚さのバラツキを生じることなく行うことができた。
【０１６８】
これに対して、各比較例では、溶剤の沸点Ｘと、樹脂成分が熱分解する温度Ｙとが上記式（１）および（２）の関係を満足していないために、ボイドが発生し、その結果、半導体ウエハの下面の研削を行った際に、厚さのバラツキが生じる結果となった。
【符号の説明】
【０１６９】
１                支持基材
２                犠牲層
３                半導体ウエハ
３１              機能面
【図１】
2012126798.tif 000010