(57)【要約】【課題】放電破壊の予兆を捉えることができる放射線画像撮影装置、画像欠陥検出プログラム、及び画像欠陥検出方法を提供する。【解決手段】放射線画像撮影装置１０の画像処理部１２では、欠陥検出部２４が放射線画像の黒欠陥を検出し、所定の条件を満たした黒欠陥の位置を記憶部２８に記憶させる。判定部２６は、その後に撮影された放射線画像に基づいて、記憶部２８に記憶されている黒欠陥が白欠陥に変化したか否かを判定する。白欠陥に変化した場合は、放射線検出器１４の放電破壊の予兆であるため、警告部３０によりその旨を示す警告を出力する。【選択図】図１
2012120580.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
照射された放射線に応じた電荷を発生する光電変換層を備えた放射線画像取得手段が取得した放射線画像に基づいて、放射線画像の画像が黒く映る黒欠陥を検出する検出手段と、
前記検出手段が検出した前記黒欠陥の位置を記憶手段に記憶させるよう制御する制御手段と、
その後に前記放射線画像取得手段が取得した放射線画像に基づいて、前記記憶手段に記憶されている前記黒欠陥の位置に対応する放射線画像が、画像が白く映る白欠陥に変化したか否かを判定する判定手段と、
を備えた放射線画像撮影装置。
【請求項２】
前記判定手段が前記白欠陥に変化したと判定した場合に、判定結果を出力する出力手段を備えた請求項１に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項３】
前記制御手段は、前記検出手段が検出した前記黒欠陥の大きさが予め定められた大きさ以上の場合に、前記黒欠陥の位置を前記記憶手段に記憶させるよう制御する、請求項１または請求項２に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記黒欠陥が欠陥画素に起因するか、その他の原因に起因するかを識別し、欠陥画素に起因する場合に、前記黒欠陥の位置を前記記憶手段に記憶させるよう制御する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項５】
前記検出手段は、周囲の画像部分よりも予め定められた閾値以上の濃度の画像部分を前記黒欠陥として検出する、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項６】
前記判定手段は、前記放射線画像の前記記憶手段に記憶されている前記黒欠陥の位置に対応する画像欠陥が前記黒欠陥及び前記白欠陥を含む場合は、前記黒欠陥に対する前記白欠陥の割合が予め定められた割合以上の場合に、前記白欠陥に変化したと判定する、請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項７】
前記制御手段は、さらに前記黒欠陥を検出した検出時期を前記記憶手段に記憶させるよう制御する、請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項８】
前記制御手段は、さらに前記判定手段が前記白欠陥に変化したと判定した場合に、判定時期を前記記憶手段に記憶させるよう制御する、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項９】
照射された放射線に応じた電荷を発生する光電変換層を備えた放射線画像取得手段が取得した放射線画像に基づいて、放射線画像の画像が黒く映る黒欠陥を検出するステップと、
検出した前記黒欠陥の位置を記憶手段に記憶させるよう制御する制御ステップと、
その後に前記放射線画像取得手段が取得した放射線画像に基づいて、前記記憶手段に記憶されている前記黒欠陥の位置に対応する放射線画像が、画像が白く映る白欠陥に変化したか否かを判定するステップと、
を備えた処理をコンピュータに実行させるための画像欠陥検出プログラム。
【請求項１０】
検出手段により、照射された放射線に応じた電荷を発生する光電変換層を備えた放射線画像取得手段が取得した放射線画像に基づいて、放射線画像の画像が黒く映る黒欠陥を検出する工程と、
制御手段により、前記検出手段が検出した前記黒欠陥の位置を記憶手段に記憶させるよう制御する制御工程と、
判定手段により、その後に前記放射線画像取得手段が取得した放射線画像に基づいて、前記記憶手段に記憶されている前記黒欠陥の位置に対応する放射線画像が、画像が白く映る白欠陥に変化したか否かを判定する工程と、
を備えた画像欠陥検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画像撮影装置、画像欠陥検出プログラム、及び画像欠陥検出方法に係り、特に医療用の放射線撮影等に用いられる放射線画像撮影装置、画像欠陥検出プログラム、及び画像欠陥検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、医療診断を目的とした放射線撮影を行う放射線撮影装置が知られている。当該放射線画像撮影装置に用いられる放射線検出器は、放射線照射装置から照射され、被検体を透過した放射線を検出して放射線画像を撮影する。当該放射線検出器は、照射された放射線に応じて発生した電荷を収集して読み出すことにより放射線画像の撮影を行う。
【０００３】
このような放射線画像撮影装置では、放射線画像の撮影を繰り返し行うことにより、放射線検出器が劣化する。当該放射線検出器が劣化すると、欠陥画素が生じ、放射線画像に画像が黒色に映る黒欠陥や、画像が白色に映る白欠陥が発生する。また、突然、装置内部にあるＦＰＤパネルの高圧印加部が放電破壊を起して、放射線検出器が使用不能になる、いわゆる、突然死が生じたりする。
【０００４】
そのため、特許文献１では、欠陥素子（画素）を検出し、検出した欠陥画素の位置を記憶し、欠陥素子の近傍位置の検出素子（画素）のＸ線の検出量に基づいて、欠陥素子で検出したＸ線の検出量を補正して、Ｘ線画像形成データを生成する技術が記載されている。
【０００５】
また、特許文献２には、使用回数あるいは使用時間に関する情報を取得し、故障に至ると想定される使用回数あるいは使用時間と比較して故障等のリスクを分析する技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−５４３５９号公報
【特許文献２】特開２００７−１３３８３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述のように放射線検出器が放電破壊により突然死を迎えると、放射線画像撮影装置が使用不能になるという問題がある。特に、新たな放射線検出器を用意していない場合等、新たな放射線検出器を入手するまで放射線画像の撮影が行えず、放射線画像撮影装置が使用不可能になるタイムラグが大きく発生する。そのため、放射線検出器の放電破壊を予測することが望まれている。
【０００８】
しかしながら上記従来の技術は、放射線検出器の放電破壊を予測するものではなく、特に、個々の放射線検出器のばらつきや、劣化の実体に合わせて放電破壊を予測することには対応していない。
【０００９】
本発明は、放電破壊の予兆を捉えることができる放射線画像撮影装置、画像欠陥検出プログラム、及び画像欠陥検出方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の放射線画像撮影装置は、照射された放射線に応じた電荷を発生する光電変換層を備えた放射線画像取得手段が取得した放射線画像に基づいて、放射線画像の画像が黒く映る黒欠陥を検出する検出手段と、前記検出手段が検出した前記黒欠陥の位置を記憶手段に記憶させるよう制御する制御手段と、その後に前記放射線画像取得手段が取得した放射線画像に基づいて、前記記憶手段に記憶されている前記黒欠陥の位置に対応する放射線画像が、画像が白く映る白欠陥に変化したか否かを判定する判定手段と、を備える。
【００１１】
本発明によれば、検出手段が、放射線画像の画像が黒く映る黒欠陥を検出し、制御手段が、検出手段が検出した黒欠陥の位置を記憶手段に記憶させる。その後に撮影された放射線画像を取得して、判定手段は、記憶手段に記憶されている黒欠陥の位置に対応する放射線画像に基づいて、画像が白く映る白欠陥に変化したか否かを判定する。ここで放射線画像とは、照射された放射線によって得られた画像と、放射線を照射せずに得られるオフセット画像との両方を含むものである。
【００１２】
放射線画像取得手段は、放電破壊による突然死を迎えることがある。このような放電破壊に至るメカニズムとして、放射線画像に黒欠陥が発生し、当該黒欠陥が白欠陥に変化した後、放電破壊が発生することが本発明者らにより見出された。そこで、本発明の放射線画像撮影装置では、黒欠陥が白欠陥に変化したか否かを判定することにより、放電破壊の予兆を捉えることができる。
【００１３】
また、本発明は、請求項２に記載の発明のように、前記判定手段が前記白欠陥に変化したと判定した場合に、判定結果を出力する出力手段を備えることが好ましい。
【００１４】
また、請求項３に記載の発明のように、前記制御手段は、前記検出手段が検出した前記黒欠陥の大きさが予め定められた大きさ以上の場合に、前記黒欠陥の位置を前記記憶手段に記憶させるよう制御することが好ましい。
【００１５】
また、請求項４に記載の発明のように、前記制御手段は、前記黒欠陥が欠陥画素に起因するか、その他の原因に起因するかを識別し、欠陥画素に起因する場合に、前記黒欠陥の位置を前記記憶手段に記憶させるよう制御するようにすることが好ましい。
【００１６】
放電破壊は、欠陥画素に起因して生じる。一方、その他の原因、例えば埃等の付着により黒欠陥が生じることがある。そこで、欠陥画素に起因する場合に、前記黒欠陥の位置を前記記憶手段に記憶させるよう制御するようにするとよい。
【００１７】
また、請求項５に記載の発明のように、前記検出手段は、周囲の画像部分よりも予め定められた閾値以上の濃度の画像部分を前記黒欠陥として検出するようにすることが好ましい。
【００１８】
また、請求項６に記載の発明のように、前記判定手段は、前記放射線画像の前記記憶手段に記憶されている前記黒欠陥の位置に対応する画像欠陥が前記黒欠陥及び前記白欠陥を含む場合は、前記黒欠陥に対する前記白欠陥の割合が予め定められた割合以上の場合に、前記白欠陥に変化したと判定するようにすることが好ましい。
【００１９】
一塊の欠陥（点欠陥）中には黒欠陥と白欠陥とが混在する場合がある。そこで、黒欠陥に対する前記白欠陥の割合が予め定められた割合以上の場合に、白欠陥に変化したと判定するようにするとよい。
【００２０】
また、請求項７に記載の発明は、前記制御手段は、さらに前記黒欠陥を検出した検出時期を前記記憶手段に記憶させるよう制御することが好ましい。
【００２１】
また、請求項８に記載の発明は、前記制御手段は、さらに前記判定手段が前記白欠陥に変化したと判定した場合に、判定時期を前記記憶手段に記憶させるよう制御することが好ましい。
【００２２】
請求項９に記載の画像欠陥検出プログラムは、照射された放射線に応じた電荷を発生する光電変換層を備えた放射線画像取得手段が取得した放射線画像に基づいて、放射線画像の画像が黒く映る黒欠陥を検出するステップと、検出した前記黒欠陥の位置を記憶手段に記憶させるよう制御する制御ステップと、その後に前記放射線画像取得手段が取得した放射線画像に基づいて、前記記憶手段に記憶されている前記黒欠陥の位置に対応する放射線画像が、画像が白く映る白欠陥に変化したか否かを判定するステップと、を備えた処理をコンピュータに実行させるためのものである。
【００２３】
請求項１０に記載の画像欠陥検出方法は、検出手段により、照射された放射線に応じた電荷を発生する光電変換層を備えた放射線画像取得手段が取得した放射線画像に基づいて、放射線画像の画像が黒く映る黒欠陥を検出する工程と、制御手段により、前記検出手段が検出した前記黒欠陥の位置を記憶手段に記憶させるよう制御する制御工程と、判定手段により、その後に前記放射線画像取得手段が取得した放射線画像に基づいて、前記記憶手段に記憶されている前記黒欠陥の位置に対応する放射線画像が、画像が白く映る白欠陥に変化したか否かを判定する工程と、を備える。
【発明の効果】
【００２４】
以上説明したように、放電破壊の予兆を捉えることができるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本実施の形態に係る放射線画像撮影装置の概略構成を示した概略構成図である。
【図２】本実施の形態に係る放射線検出器の概略構成の一例の層構成を模式的に示した概略図である。
【図３】本実施の形態に係る放射線検出器に欠陥が生じる過程を説明するために、黒欠陥及び白欠陥が生じる過程を模式的に示した説明図である。
【図４】本実施の形態に係る黒欠陥から白結果へ変化し放電破壊に至るまでの画像欠陥の変化を模式的に示した説明図である。
【図５】本実施の形態に係る黒欠陥検出処理の流れの一例を示したフローチャートである。
【図６】本実施の形態に係る欠陥変化判定処理の流れの一例を示したフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、各図面を参照して本実施の形態の一例について説明する。
【００２７】
まず、本実施の形態の放射線画像撮影装置の概略構成について説明する。図１は、本実施の形態の放射線画像撮影装置の一例の概略構成図である。
【００２８】
本実施の形態の放射線画像撮影装置１０は、放射線（例えばＸ線等）を被検体１９に照射する放射線照射装置１６と、放射線照射装置１６から照射され、被検体１９を透過した放射線を検出して画像データを出力する放射線検出器１４を備えて構成されている。また、本実施の形態の放射線画像撮影装置１０は、画像データ（放射線画像）から放射線検出器１４の放電破壊の予兆を捉える機能を有する画像処理部を備えている。放射線照射装置１６から照射され撮影位置に位置している被検体１９を透過することで画像情報を担持した放射線は放射線検出器１４に照射される。
【００２９】
まず、本実施の形態の放射線検出器１４について説明する。図２に、本実施の形態の放射線検出器１４の概略構成の一例の層構成を模式的に示した概略図を示す。本実施の形態の放射線検出器１４は、下部電極４４、放射線検出層４８、及びバイアス電極４９を備えて構成されている。
【００３０】
絶縁性基板４０の一方の面４０Ａ上には、カラーフィルター層４２と、有機絶縁層４６と、下部電極４４と、放射線検出層４８と、バイアス電極４９と、が順に積層されている。
【００３１】
バイアス電極４９は、高電圧印加配線６８に接続されており、検出対象とする電荷がマイナスの電荷（電子）である場合、高圧電源（ＨＶ）からマイナスのバイアス電圧が供給され、検出対象とする電荷をプラスの電荷（正孔）とする場合、高圧電源からプラスのバイアス電圧が供給される。バイアス電極４９は、高電圧印加配線６８から供給されるバイアス電圧を放射線検出層４８に印加する。バイアス電極４９の材料としてはＡｕ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｍｇ、ＭｇＡｇ３％〜２０％合金、Ｍｇ−Ａｇ系金属間化合物、ＭｇＣｕ３％〜２０％合金、Ｍｇ−Ｃｕ系金属間化合物などの金属から形成するようにすればよい。特に、ＡｕやＰｔ、Ｍｇ−Ａｇ系金属間化合物が好ましく用いられる。例えばＡｕを用いた場合、厚さ１５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが好ましく、より好ましくは３０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。例えばＭｇＡｇ３％〜２０％合金を用いた場合、厚さ１００ｎｍ以上４００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００３２】
作成方法は、任意であるが、抵抗加熱方式による蒸着により形成されることが好ましい。例えば、抵抗加熱方式によりボート内で金属塊が融解後にシャッターを開け、１５秒間蒸着して一旦冷却する。この操作を金属薄膜の抵抗値が十分低くなるまで複数回繰り返す。
【００３３】
放射線検出層４８は、図２に示すように、記録用光導電層５０、電荷蓄積層５２、読取用光導電層５４、電極界面層５６、電荷蓄積層界面層５８、下部電荷選択透過層６０、上部電荷選択透過層６２を備えている。
【００３４】
記録用光導電層５０は、放射線を吸収してプラス及びマイナスの電荷（電子−正孔対）を発生する光導電物質で構成され、アモルファスＳｅ（ａ−Ｓｅ）を主成分とすることが好ましい。また記録用光導電層５０は、Ｂｉ２ＭＯ２０（Ｍ：Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ）、Ｂｉ４Ｍ３Ｏ１２（Ｍ：Ｔｉ、Ｓｉ、Ｇｅ）、Ｂｉ２Ｏ３、ＢｉＭＯ４（Ｍ：Ｎｂ、Ｔａ、Ｖ）、Ｂｉ２ＷＯ６、Ｂｉ２４Ｂ２Ｏ３９、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＭＮｂＯ３（Ｍ：Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ）、ＰｂＯ、ＨｇＩ２、ＰｂＩ２、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＢｉＩ３、ＧａＡｓ等のうち、少なくとも１つを主成分とする化合物を用いてもよい。
【００３５】
記録用光導電層５０の厚みは、例えばアモルファスＳｅを主成分とする光導電物質の場合、１００μｍ以上２０００μｍ以下であることが好ましく、特に、マンモグラフィ用途では１００μｍ以上２５０μｍ以下、一般撮影用途においては５００μｍ以上１２００μｍ以下の範囲であることが好ましい。
【００３６】
電荷蓄積層５２は、検出対象とする極性の電荷に対して絶縁性を有する物質で構成され、Ａｓ２Ｓ３、Ｓｂ２Ｓ３、ＺｎＳ、Ａｓ２Ｓｅ３、Ｓｂ２Ｓｅ３等のカルコゲナイド系化合物や、アクリル系有機樹脂、ポリイミド、ＢＣＢ、ＰＶＡ、アクリル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルイミド等の有機高分子や、その他酸化物やフッ化物等により構成される。更には、検出対象とする極性の電荷に対しては絶縁性であり、それと逆の極性の電荷に対しては導電性を有する方がより好ましく、移動度×寿命の積が、電荷の極性により３桁以上差があることが好ましい。
【００３７】
読取用光導電層５４は、電磁波、特に可視光を吸収し電荷を発生する光導電物質で構成され、アモルファスＳｅ、アモルファスＳｉ、結晶Ｓｉ、ＺｎＯ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、ＺｎＴｅ、ＰｂＯ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＣｄＴｅ、ＧａＡｓ等のうち少なくとも１つを主成分とする化合物で、エネルギーギャップが０．７ｅＶ〜２．５ｅＶの範囲に含まれる半導体物質から構成される。
【００３８】
読取用光導電層５４の厚みは、読取光を十分吸収でき、かつ電荷蓄積層に蓄積された電荷による電界が光励起された電荷をドリフトできれば良く、１μｍ〜３０μｍ程度が好ましい。
【００３９】
電極界面層５６は、記録用光導電層５０とバイアス電極140の間に敷設される上電極界面層５６Ａと、読取用光導電層５４と下部電極４４の間に敷設される下電極界面層５６Ｂとがある。
【００４０】
電極界面層５６としては、結晶化を防止する目的において、Ａｓが１％〜２０％の範囲でドープされたアモルファスＳｅ、またはＳ、Ｔｅ、Ｐ、Ｓｂ、Ｇｅが１％〜１０％の範囲でドープされたアモルファスＳｅ、または上記の元素と他の元素を組み合わせてドープしたアモルファスＳｅ、またはより結晶化温度の高いＡｓ２Ｓ３やＡｓ２Ｓｅ３等を好ましく用いることができる。更に、電極層からの電荷注入を防止する目的で上記ドープ元素に加えて、特に正孔注入を防止するためにＬｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ等のアルカリ金属、またはＬｉＦ、ＮａＦ、ＫＦ、ＲｂＦ、ＣｓＦ、ＬｉＣｌ、ＮａＣｌ、ＫＣｌ、ＲＢＦ、ＣｓＦ、ＣｓＣｌ、ＣｓＢｒ等の分子を１０ｐｐｍ〜５０００ｐｐｍの範囲でドープすることも好ましい。逆に電子注入を防止するために、Ｃｌ、Ｉ、Ｂｒ等のハロゲン元素、またはＩｎ２Ｏ３等の分子を１０ｐｐｍ〜５０００ｐｐｍの範囲でドープすることも好ましい。
【００４１】
電極界面層５６の厚みは、上記目的を十分果たすように０．０５μｍから１μｍ程度が好ましい。
【００４２】
電荷蓄積層界面層５８は、電荷蓄積層５２と記録用光導電層５０の間に敷設される電荷蓄積層上界面層５８Ａ、電荷蓄積層５２と読取用光導電層５４の間に敷設される電荷蓄積層下界面層５８Ｂとがある。
【００４３】
電荷蓄積層界面層５８としては、正孔電子再結合箇所の結晶化を抑止する目的において、アモルファスＳｅにＡｓが０．１％〜４０％の範囲でドープされたものが好ましい。更に、上記ドープ元素に加えて、Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ等のアルカリ金属または、Ｃｌ、Ｉ、Ｂｒ等のハロゲン元素をドープすることも好ましい。また界面層の厚みは、上記目的を十分果たすように０．５μｍ〜５０μｍの間に設定されることが好ましい。
【００４４】
上記の下電極界面層５６B、読取用光導電層５４、電荷蓄積層下界面層５８Ｂ、電荷蓄積層５２、電荷蓄積層上界面層５８Ａ記録用光導電層５０、上電極界面層５６Ａの作成方法は任意ではあるが、例えば真空度１０−３から１０−７Ｔｏｒｒの間の真空槽内において、基板を２５℃以上７０℃以下の間に保持し、上記各合金を入れたボートあるいは坩堝を、抵抗加熱あるいはランプ加熱あるいは電子ビーム等により昇温し、合金、化合物を蒸発または昇華させることにより基板上に積層される。
【００４５】
また、有機高分子層の場合は溶剤を用いて塗布することにより形成することも可能である。
【００４６】
記録用光導電層５０と下部電極４４の間には、下部電荷選択透過層６０を敷設することができる。電極界面層５６がある場合には、電極界面層５６と下部電極４４の間に敷設することが好ましい。下部電荷選択透過層６０は、暗電流、リーク電流低減の観点から、整流特性を有することが好ましい。下部電荷選択透過層６０は、バイアス電極４９にプラスの電圧が印加される場合には、正孔に対しては導電体でありながら電子の注入を阻止する層（電子注入阻止層）で構成し、バイアス電極にマイナスの電圧が印加される場合には、下部電荷選択透過層６０は、電子に対しては導電体でありながら正孔の注入を阻止する層（正孔注入阻止層）で構成される。この下部電荷選択透過層６０の抵抗率は１０８Ωｃｍ以上であること、膜厚は０．０１μｍ〜１０μｍであることが好ましい。
【００４７】
電子注入阻止層としては、Ｓｂ２Ｓ３、ＳｂＴｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＴｅ、ＳｂＳ、ＡｓＳｅ、ＡｓＳ等の組成からなる無機材料、または有機高分子を用いることができる。無機材料からなる層は、その組成を化学量論組成から変化させ、または２種類以上の同族元素との多元組成とすることでキャリア選択性を調節して用いることが好ましい。有機高分子からなる層は、ＰＶＫ等の電荷輸送基を有するペンダント部を含む高分子の正孔輸送材料を用いても良いし、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリイミド、ポリシクロオレフィン等の絶縁性高分子に、低分子の正孔輸送材料を混合して用いることもできる。
【００４８】
正孔注入阻止層としては、ＣｄＳ、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＯ等の無機材料、または有機高分子が好ましい。有機高分子からなる層としては、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリイミド、ポリシクロオレフィン等の絶縁性高分子に、低分子の電子輸送材料を混合して用いることができる。こうした電子輸送材料としては、トリニトロフルオレンとその誘導体、ジフェノキノン誘導体、ビスナフチルキノン誘導体、オキサゾール誘導体、トリアゾール誘導体、Ｃ６０（フラーレン）、Ｃ７０等のカーボンクラスターを混合したもの等が好ましい。
【００４９】
一方、薄い絶縁性高分子層も好ましく用いることができ、例えば、パリレン、ポリカーボネート、ＰＶＡ、ＰＶＰ、ＰＶＢ、ポリエステル樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂が好ましい。この場合膜厚は、２μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以下がより好ましい。
【００５０】
なお、Ｓｂ２Ｓ３は電子を捕獲する局在準位を多く有する性質が強いので電子注入阻止性を有するが、Ｓｂ２Ｓ３層と隣接するａ−Ｓｅ層との界面が電気的障壁になるために正孔注入阻止性の層として使われることもある。
【００５１】
無機材料を用いて下部電荷選択透過層６０を敷設する場合、作成方法は任意であるが、例えば真空蒸着法、またはスパッター法、またはプラズマＣＶＤ法、または電子ビーム蒸着法等が好ましく用いられる。
【００５２】
有機高分子を用いて下部電荷選択透過層６０を敷設する場合、作成方法は任意であるが、材料を有機溶剤に溶解して公知の方法で塗布することにより行う。例えばディップ法、スプレー法、インクジェット法等が挙げられるが、接地領域の制御が容易なインクジェット法が好ましく用いられる。
【００５３】
記録用光導電層５０とバイアス電極140の間には、上部電荷選択透過層６２を敷設することができる。電極界面層５６がある場合には、電極界面層５６とバイアス電極４９の間に敷設することが好ましい。上部電荷選択透過層６２は、暗電流、リーク電流低減の観点から、整流特性を有することが好ましい。上部電荷選択透過層６２は、バイアス電極４９にプラスの電圧が印加される場合には、電子に対しては導電体でありながら正孔の注入を阻止する層（正孔注入阻止層）で構成し、バイアス電極４９にマイナスの電圧が印加される場合には、上部電荷選択透過層６２は、正孔に対しては導電体でありながら電子の注入を阻止する層（電子注入阻止層）で構成される。この上部電荷選択透過層６２の抵抗率は、１０８Ωｃｍ以上であること、膜厚は、０．０１μｍ〜１０μｍであることが好ましい。
【００５４】
電子注入阻止層としては、Ｓｂ２Ｓ３、ＳｂＴｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＴｅ、ＳｂＳ、ＡｓＳｅ、ＡｓＳ等の組成から成る無機材料、または有機高分子を用いることができる。無機材料からなる層は、その組成を化学量論組成から変化させ、または２種類以上の同族元素との多元組成とすることでキャリア選択性を調節して用いることが好ましい。有機高分子からなる層は、ＰＶＫ等の電荷輸送基を有するペンダント部を含む高分子の正孔輸送性材料を用いても良いし、ポリカー注入阻止層）で構成される。この下部電荷選択透過層６０の抵抗率は１０８Ωｃｍ以上であること、膜厚は０．０１μｍ〜１０μｍであることが好ましい。
【００５５】
電子注入阻止層としては、Ｓｂ２Ｓ３、ＳｂＴｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＴｅ、ＳｂＳ、ＡｓＳｅ、ＡｓＳ等の組成からなる無機材料、または有機高分子を用いることができる。無機材料からなる層は、その組成を化学量論組成から変化させ、または２種類以上の同族元素との多元組成とすることでキャリア選択性を調節して用いることが好ましい。有機高分子からなる層は、ＰＶＫ等の電荷輸送基を有するペンダント部を含む高分子の正孔輸送材料を用いても良いし、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリイミド、ポリシクロオレフィン等の絶縁性高分子に、低分子の正孔輸送材料を混合して用いることもできる。
【００５６】
正孔注入阻止層としては、ＣｄＳ、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＯ等の無機材料、または有機高分子が好ましい。有機高分子からなる層としては、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリイミド、ポリシクロオレフィン等の絶縁性高分子に、低分子の電子輸送材料を混合して用いることができる。こうした電子輸送材料としては、トリニトロフルオレンとその誘導体、ジフェノキノン誘導体、ビスナフチルキノン誘導体、オキサゾール誘導体、トリアゾール誘導体、Ｃ６０（フラーレン）、Ｃ７０等のカーボンクラスターを混合したもの等が好ましい。
【００５７】
一方、薄い絶縁性高分子層も好ましく用いることができ、例えば、パリレン、ポリカーボネート、ＰＶＡ、ＰＶＰ、ＰＶＢ、ポリエステル樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂が好ましい。この場合膜厚は、２μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以下がより好ましい。
【００５８】
なお、Ｓｂ２Ｓ３は電子を捕獲する局在準位を多く有する性質が強いので電子注入阻止性を有するが、Ｓｂ２Ｓ３層と隣接するａ−Ｓｅ層との界面が電気的障壁になるために正孔注入阻止性の層として使われることもある。
【００５９】
無機材料を用いて下部電荷選択透過層６０を敷設する場合、作成方法は任意であるが、例えば真空蒸着法、またはスパッター法、またはプラズマＣＶＤ法、または電子ビーム蒸着法等が好ましく用いられる。
【００６０】
有機高分子を用いて下部電荷選択透過層６０を敷設する場合、作成方法は任意であるが、材料を有機溶剤に溶解して公知の方法で塗布することにより行う。例えばディップ法、スプレー法、インクジェット法等が挙げられるが、接地領域の制御が容易なインクジェット法が好ましく用いられる。
【００６１】
記録用光導電層５０とバイアス電極４９の間には、上部電荷選択透過層６２を敷設することができる。電極界面層５６がある場合には、電極界面層５６とバイアス電極４９の間に敷設することが好ましい。上部電荷選択透過層６２は、暗電流、リーク電流低減の観点から、整流特性を有することが好ましい。上部電荷選択透過層６２は、バイアス電極４９にプラスの電圧が印加される場合には、電子に対しては導電体でありながら正孔の注入を阻止する層（正孔注入阻止層）で構成し、バイアス電極４９にマイナスの電圧が印加される場合には、上部電荷選択透過層６２は、正孔に対しては導電体でありながら電子の注入を阻止する層（電子注入阻止層）で構成される。この上部電荷選択透過層６２の抵抗率は、１０８Ωｃｍ以上であること、膜厚は、０．０１μｍ〜１０μｍであることが好ましい。
【００６２】
電子注入阻止層としては、Ｓｂ２Ｓ３、ＳｂＴｅ、ＺｎＴｅ、ＣｄＴｅ、ＳｂＳ、ＡｓＳｅ、ＡｓＳ等の組成から成る無機材料、または有機高分子を用いることができる。無機材料からなる層は、その組成を化学量論組成から変化させ、または２種類以上の同族元素との多元組成とすることでキャリア選択性を調節して用いることが好ましい。有機高分子からなる層は、ＰＶＫ等の電荷輸送基を有するペンダント部を含む高分子の正孔輸送性材料を用いても良いし、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリイミド、ポリシクロオレフィン等の絶縁性高分子に、低分子の正孔輸送材料を５％〜８０％の重量比で混合して用いることもできる。こうした正孔輸送性材料としては、オキサゾール誘導体、トリフェニルメタン誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルアミン誘導体等が用いられる。具体的にはＮＰＤ、ＴＰＤ、ＰＤＡ、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ２−ＴＮＡＴＡ、ＴＰＡＣである。
【００６３】
正孔注入阻止層としては、ＣｄＳ、ＣｅＯ２、Ｔａ２Ｏ５、ＳｉＯ等の無機材料、または有機高分子が好ましい。無機材料からなる層は、その組成を化学量論組成から変化させ、または２種類以上の同族元素との多元組成とすることでキャリア選択性を調節して用いることが好ましい。有機高分子からなる層としては、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリイミド、ポリシクロオレフィン等の絶縁性高分子に、低分子の電子輸送材料を５％〜８０％の重量比で混合して用いることができる。こうした電子輸送材料としては、トリニトロフルオレンとその誘導体、ジフェノキノン誘導体、ビスナフチルキノン誘導体、オキサゾール誘導体、トリアゾール誘導体、Ｃ６０（フラーレン）、Ｃ７０等のカーボンクラスターを混合したもの等が好ましい。具体的にはＴＮＦ、ＤＭＤＢ、ＰＢＤ、ＴＡＺである。
【００６４】
一方、薄い絶縁性高分子層も好ましく用いることができ、例えば、パリレン、ポリカーボネート、ＰＶＡ、ＰＶＰ、ＰＶＢ、ポリエステル樹脂、ポリメチルメタクリレート等のアクリル樹脂が好ましい。この場合膜厚は、２μｍ以下が好ましく、０．５μｍ以下がより好ましい。
【００６５】
なお、Ｓｂ２Ｓ３は電子を捕獲する局在準位を多く有する性質が強いので電子注入阻止性を有するが、Ｓｂ２Ｓ３層と隣接するａ−Ｓｅ層との界面が電気的障壁になるために正孔注入阻止性の層として使われることもある。
【００６６】
無機材料を用いて上部電荷選択透過層６２を敷設する場合、作成方法は任意であるが、例えば真空蒸着法、またはスパッター法、またはプラズマＣＶＤ法、または電子ビーム蒸着法等が好ましく用いられる。
【００６７】
有機高分子を用いて上部電荷選択透過層６２を敷設する場合、作成方法は任意であるが、材料を有機溶剤に溶解して公知の方法で塗布することにより行う。例えばディップ法、スプレー法、インクジェット法等が挙げられるが、敷設領域の制御が容易なインクジェット法が好ましく用いられる。
【００６８】
このように各層が形成された放射線検出器100の表面には、光導電層の耐久性向上を目的としたポリパラキシリレン膜や高バイアス電圧からの絶縁性確保を目的とした保護フイルムにより表面保護層６４が積層される。
【００６９】
次に、放射線画像撮影装置１０による放射線画像の撮影動作の概略について説明する。
【００７０】
放射線画像撮影装置１０では、放射線画像を撮影する際に、検出対象とする電荷の極性に応じて所定のバイアス電圧を供給し、バイアス電極４９から放射線検出層４８にバイアス電圧を印加する。このバイアス電圧の印加により、放射線検出層４８には、放射線検出層４８内に発生した電荷のうち検出対象とする極性の電荷を下部電極４４側へ移動させる電界が発生する。放射線画像撮影装置１０は、バイアス電極４９から放射線検出層４８にバイアス電圧を印加した状態で、放射線照射装置１６から曝射を行なう。被験体１９の放射線画像を撮影する場合、被験者の撮影対象部位を透過した放射線は、放射線検出器１４に照射される。これにより、放射線検出層４８の記録用光導電層５０に電荷（電子−正孔対）が発生し、発生した電荷のうち検出対象とする極性の電荷が電荷蓄積層５２に蓄積される。
【００７１】
放射線画像撮影装置１０は、曝射終了後、高電圧印加配線６８からバイアス電圧を供給を停止して絶縁性基板４０の下部に読取ライン光源（図示省略）を走査させて読取光を照射する。これにより、読取光が照射された放射線検出層４８の読取用光導電層５４で電荷を発生して電界が光励起され、電荷蓄積層５２に蓄積された電荷が電荷信号として流れ出す。流れ出した電荷信号は、電圧に変換され放射線画像の画像データが出力される。放射線検出器１４から出力された画像データは、制御装置（図示省略）等により、所定の画像処理等が施され、放射線画像として、ユーザに提供される。
【００７２】
また、本実施の形態の放射線画像撮影装置１０では、放射線検出器１４の放電破壊の予兆を捕らえ、放電破壊を予測するために、放射線検出器１４から画像データが画像処理部１２に出力される。
【００７３】
ここで、本実施の形態における放電破壊の予兆及び予測について図３及び図４を参照して説明する。放射線検出器１４、特に、ａ−Ｓｅを主成分とする記録用光導電層５０を備えた放射線検出器１４では、例えば、記録用光導電層５０の表面に突起（凸部）が形成されている場合等、突起部分に電荷が集中して放電破壊が引き起こされる。
【００７４】
図３は、欠陥が生じる過程を説明するために、黒欠陥及び白欠陥が生じる過程を模式的に示した説明図である。図３に示すように、上述のような放射線検出器１４では、まず、蒸着時の突沸粒子等により表面に突起（凸部）が形成された部位の記録用光導電層５０と電荷蓄積層５２との界面でａ−Ｓｅの結晶化が開始されると、過剰キャリアが注入されるようになり、結晶化付近の画素が黒欠陥化する（図３、欠陥部Ａ参照）。
【００７５】
さらに、黒欠陥が生じた状態で、放射線検出器を使用し続けると、ａ−Ｓｅの結晶化が増大すると共に、読取用光導電層５４の電界強度が強くなっていく。これにより、電荷蓄積層５２と読取用光導電層５４との界面がダメージを受けて、結晶化し、基板側（読取用光導電層５４下部側）から正孔が注入されて、白欠陥化し始める（図３、欠陥部Ｂ参照）。結晶化がさらに進むと、最終的には高圧印加時に絶縁崩壊して、瞬間的に大電流が流れて放電破壊する。
【００７６】
また、図４は、黒欠陥から白結果へ変化し放電破壊に至るまでの画像欠陥の変化を模式的に示した説明図である。図４では、放射線画像に生じた画像欠陥（点欠陥）の経時変化を時刻ｔ１〜時刻ｔ１２まで示している。まず、黒欠陥となる点欠陥が生じた後、当該点欠陥が黒欠陥から白欠陥に変化し、さらには、放電破壊が発生したことを示している。
【００７７】
このように、放射線検出器１４では、まず、黒欠陥が生じ、経時変化（放射線検出器１４の劣化）により当該黒欠陥が白欠陥に変化する。その後、さらに経時変化により放電破壊が発生する。そこで、本実施の形態の放射線画像撮影装置１０（画像処理部１２）では、点欠陥の経時変化を観測し、点欠陥が黒欠陥から白欠陥に変化したことを、放電破壊の予兆として捉えている。
【００７８】
画像処理部１２は、放射線検出器１４の放電破壊の予兆を捉え、放電破壊を予測する機能を有するものである。本実施の形態の画像処理部１２は、図１に示すように、制御部２０、画像取得部２２、欠陥検出部２４、判定部２６、記憶部２８、及び警告部３０を備えて構成されている。制御部２０、画像取得部２２、欠陥検出部２４、判定部２６、記憶部２８、及び警告部３０バス２８により、互いに信号の授受が可能に接続されている。
【００７９】
制御部２０は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ）及びメモリ（いずれも図示省略）を含んで構成されており、ＣＰＵ２０がメモリに予め記憶されている各種プログラムを実行することにより、画像処理部１２全体の動作を制御する機能を有するものである。
【００８０】
画像取得部２２は、放射線検出器１４から出力された画像データ（放射線画像）を取得する機能を有するものである。なお、本実施の形態では、被検体１９を撮影した放射線画像ではなく、画像欠陥の検出用に得られた画像データ、例えば、放射線照射装置１６から放射線の曝射を行わない状態で放射線検出器１４から得られたオフセット画像データを用いている。
【００８１】
欠陥検出部２４は、放射線画像から、画像欠陥（点欠陥）を検出する機能を有している。本実施の形態では、黒欠陥を検出する機能と共に、白欠陥を検出する機能を有しているが、これに限らず、少なくとも黒欠陥を検出する機能を有していればよい。なお、以下では、黒欠陥及び白欠陥を総称する場合は、点欠陥と称している。
【００８２】
点欠陥を検出する方法は、特に限定されないが、例えば、黒欠陥検出用の画像の濃度の閾値テーブル及び白欠陥検出用の画像の濃度の閾値テーブルを予め用意しておき、これらの閾値テーブルを用いて、点欠陥及び、当該点欠陥が黒欠陥及び白欠陥のいずれであるかを検出する方法等が挙げられる。また、放射線画像を所定の領域毎に区切り、当該領域毎に検出を行うようにするとよい。
【００８３】
また、本実施の形態の欠陥検出部２４は、点欠陥の位置及び大きさを検出する機能を有している。なお、本実施の形態で点欠陥の大きさとは、点欠陥に対応する画素（欠陥画素）により判断している。より具体的には、欠陥画素の数により大きさを表している。
【００８４】
またさらに、本実施の形態の欠陥検出部２４は、検出した点欠陥が、欠陥画素に起因して生じたものか、その他の原因、例えば放射線検出器１４に埃等が付着した等に起因して生じたものかを識別する機能を有している。欠陥画素に起因した点欠陥か否かを識別する方法は、特に限定されないが、例えば、点欠陥の大きさや、形状等により識別するようにしてもよい。また、放射線検出器１４に放射線照射装置１６から放射線を照射した場合の画像データと、放射線の照射を行わない場合の画像データと、を比較し、両画像データ共に生じていた点欠陥を欠陥画素に起因した点欠陥であると識別するようにしてもよい。
【００８５】
なお、一塊の欠陥画素による点欠陥（１つの点欠陥）が白欠陥及び黒欠陥の両方を含む場合（例えば、図４の時刻ｔ６、ｔ７、ｔ８の点欠陥参照）は、黒欠陥の欠陥画素の数と白欠陥の欠陥画素の数との割合により、当該点欠陥が黒欠陥であるか白欠陥であるかを判断する。例えば、割合が多い（５０％を越える）方の画像欠陥として判断する。
【００８６】
判定部２６は、以前に欠陥検出部２４が検出し、記憶部２８に記憶されている黒欠陥が白欠陥に変化したか否かを判定する機能を有している。
【００８７】
黒欠陥が白欠陥に変化したか否かを判定する方法は、特に限定されないが、例えば、判定部２６が記憶部２８から黒欠陥の位置を取得し、当該位置に対応する放射線画像の濃度を検出し、検出した濃度が閾値以下の場合は、白欠陥に変化していると判定してもよい。また例えば、判定部２６が記憶部２８から黒欠陥の位置を取得し、取得した位置に、欠陥検出部２４が検出した白欠陥が有る場合は、白欠陥に変化していると判定してもよい。
【００８８】
なお、黒欠陥（点欠陥）の大きさは、経時変化により大きくなる場合があるため、記憶部２８が記憶している黒欠陥の位置のみならず、その周辺画素についても判定を行うようにするとよい。
【００８９】
また、判定部２６は、欠陥検出部２４と同様に、一塊の欠陥画素による点欠陥（１つの点欠陥）が白欠陥及び黒欠陥の両方を含む場合は黒欠陥の欠陥画素の数に対する白欠陥の欠陥画素の数の割合が予め定められた割合以上の場合に、当該点欠陥を白欠陥と判定する。
【００９０】
記憶部２８は、欠陥検出部２４により検出した黒欠陥の位置、大きさ、及び検出時期を記憶する機能を有している。また、本実施の形態では、判定部２６が黒欠陥から白欠陥に変化したことを判定した場合に、判定された時期（白欠陥に変化した時期）を記憶する機能を有している。
【００９１】
警告部３０は、黒欠陥か白欠陥に変化したこと、すなわち放電破壊の予兆に基づいて、その旨を表す警告を外部に出力する機能を有するものである。なお、警告の方法は、特に限定されず、放射線画像撮影装置１０の使用環境・状況等により予め定めておいてもよいし、設定可能に構成されていてもよい。例えば、黒欠陥が白欠陥に変化したと判定した場合に、すぐにその旨の警告を出力してもよいし、直ぐに放電破壊が発生しないような場合では、使用状況に合わせて所定の時間経過後に警告を出力するようにしてもよい。また、表示装置やスピーカ等を備え、表示（メッセージの表示やランプの点灯等を含む）や音声（メッセージや警告音）等を用いてユーザに対して出力するようにしてもよい。また、通信回線等を介して外部の装置に出力してもよい。放射線画像撮影装置１０の管理を集中して行う外部のメンテナンスサービス側にある管理装置に出力するようにしてもよい。この場合、放射線画像撮影装置１０を使用するユーザには知らせず、外部の管理装置に出力し、外部のメンテナンスサービス側で放電破壊の予測（管理）を行って、例えば放射線検出器１４の交換を行うようにすることにより、利用者の手間を省くようにすることができる。
【００９２】
次に、本実施の形態の画像処理部１２による放電破壊の予兆の検出（点欠陥の経時変化の観察）処理について説明する。本実施の形態では、放電破壊の予兆の検出（点欠陥の経時変化の観察）は、２つの処理を含んでいる。１つは、放射線画像から黒欠陥を検出し、記憶する処理であり、もう１つは、記憶されている黒欠陥が白欠陥に変化したか否かを判定する処理である。
【００９３】
まず、黒欠陥の検出処理について説明する。図５は、黒欠陥検出処理の流れの一例を示したフローチャートである。
【００９４】
ステップ１００では、画像取得部２２により、放射線検出器１４から放射線画像の画像データを取得する。次のステップ１０２では、欠陥検出部２４により、黒欠陥が有るか否かを判断する。黒欠陥が無い場合は、否定されて本処理を終了する。有る場合は、肯定されてステップ１０４へ進む。
【００９５】
ステップ１０４では、検出した黒欠陥の大きさが所定値以上の大きさであるか否か判断する。本実施の形態では、具体的一例として、黒欠陥の長さが４画素を越えた大きさであるか否か判断する。より具体的には、黒欠陥の大きさが４画素以上×ｎ画素（ｎ＞１）でるか否か判断する。黒欠陥の大きさが４画素以上×ｎ画素である場合は、肯定されてステップ１０６へ進む。一方、４画素以上×ｎ画素よりも１辺の長さが小さい場合（例えば、２画素×２画素、３画素×３画素の場合）は、否定されて本処理を終了する。
【００９６】
ステップ１０６では、黒欠陥が欠陥画素に起因するものであるか否か判断する。その他の原因に起因する場合は、否定されて本処理を終了する。一方、欠陥画素に起因するものである場合は、肯定されてステップ１０８へ進む。
【００９７】
ステップ１０８では、記憶部２８に、検出した黒欠陥の位置、及び検出時期を記憶させた後、本処理を終了する。なお、ステップ１０８では、黒欠陥の大きさも記憶させるようにしてもよい。
【００９８】
これにより、放電破壊の予兆の前段階である黒欠陥が検出され、記憶部２８に記憶された状態になる。
【００９９】
なお、図５に示した黒欠陥検出処理は同一の放射線検出器１４に対して複数回（複数のタイミングで）行うものであり、処理を行うタイミングは、被検体１９の放射線画像の撮影を行う前後や、所定の時間毎等、予め定められたタイミングで行うようにすればよい。また、各タイミングで検出された黒欠陥は、記憶部２８に累積記憶されていく。
【０１００】
次に、黒欠陥が白欠陥に変化したか否かを判定する判定処理について説明する。図６は、欠陥変化判定処理の流れの一例を示したフローチャートである。
【０１０１】
ステップ２００では、記憶部２８に黒欠陥が記憶されているか否かを判断する。記憶されていない場合は、本処理を終了する。一方、記憶されている場合は、肯定されてステップ２０２へ進む。
【０１０２】
ステップ２０４では、判定部２６により、上述のようにして、記憶部２８に記憶されている黒欠陥が白欠陥に変化したか否かを判定する。記憶部２８に複数の黒欠陥が記憶されている場合は、全ての黒欠陥に対して、当該黒欠陥が白欠陥に変化したか否かを判定する。いずれも白欠陥に変化していない場合は、本処理を終了する。一方、１つの黒欠陥であっても、白欠陥に変化している場合は、肯定されてステップ２０６へ進む。
【０１０３】
ステップ２０６では、警告部３０により、上述のような所定の警告処理を行った後、本処理を終了する。
【０１０４】
これにより、黒欠陥から白欠陥への変化が判定されるため、放電破壊の予兆を捉えることができる。
【０１０５】
なお、図６に示した欠陥変化判定処理は同一の放射線検出器１４に対して複数回（複数のタイミングで）行うものであり、処理を行うタイミングは、上述の黒欠陥検出処理と同一のタイミングで行ってもよい。なお、この場合、黒欠陥検出処理と欠陥変化判定処理とを合わせた１つの処理としてもよい。また、黒欠陥検出処理により、黒欠陥が記憶部２８に記憶された状態になってから、所定の時間経過後に、行うようにしてもよい。この場合、記憶部２８に記憶されている黒欠陥を検出した検出時間から所定時間経過後、または所定回数の撮影を行った後に、行うようにすればよい。
【０１０６】
以上、説明したように、本実施の形態の放射線画像撮影装置１０の画像処理部１２では、欠陥検出部２４が放射線画像の黒欠陥を検出し、所定の条件を満たした黒欠陥の位置を記憶部２８に記憶させる。判定部２６は、その後に撮影された放射線画像に基づいて、記憶部２８に記憶されている黒欠陥が白欠陥に変化したか否かを判定する。白欠陥に変化した場合は、放射線検出器１４の放電破壊の予兆であるため、警告部３０によりその旨を示す警告を出力する。
【０１０７】
このように本実施の形態では、放射線画像の画像欠陥の変化を観察し、黒欠陥が白欠陥に変化したか否かを判定するため、放射線検出器１４の放電破壊の予兆を捉えることができる。これにより、放射線検出器１４の放電破壊（突然死）を予測して、これに備えることができる。
【０１０８】
従って、放射線検出器１４が突然死を起して使用不能になる前に、放射線検出器１４を交換することができる。
【０１０９】
なお、本実施の形態で説明した放射線画像撮影装置１０、画像処理部１２、及び放射線検出器１４の構成等や、黒欠陥検出処理及び欠陥変化処理の流れ等は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において状況に応じて変更可能であることは言うまでもない。
【０１１０】
また、本実施の形態では、本発明の放射線は、特に限定されるものではなく、Ｘ線やγ線等を適用することができる。
【符号の説明】
【０１１１】
１０  放射線画像撮影装置
１２  画像処理部
１４  放射線検出器
２０  制御部
２２  画像取得部
２４  欠陥検出部
２６  判定部
２８  記憶部
３０  警告部
５０  記録用光導電層
５２  電荷蓄積層
５４  読取用光導電層
【図１】
2012120580.tif 000003
【図２】
2012120580.tif 000004
【図３】
2012120580.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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