(57)【要約】【課題】出力される画像が暗くなるのを低減することのできる固体撮像素子およびその製造方法、並びにその固体撮像素子を備えた電子機器を提供する。【解決手段】本発明の固体撮像素子は、有効画素領域Ａと、オプティカルブラック領域Ｂとが形成された撮像部１０を備えている。有効画素領域Ａのセンサ部１１ａ上に反射防止膜３６が形成されている一方、オプティカルブラック領域Ｂのセンサ部１１ｂ上に反射防止膜は形成されていない。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有効画素領域と、オプティカルブラック領域とが形成された撮像部を備え、上記有効画素領域およびオプティカルブラック領域の各領域には、受光部が形成されている固体撮像素子において、
上記有効画素領域の受光部上に反射防止膜が形成されている一方、上記オプティカルブラック領域の受光部上に反射防止膜が形成されていないことを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
上記反射防止膜は、シリコン窒化膜であることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
有効画素領域と、オプティカルブラック領域とが形成された撮像部を備え、上記有効画素領域およびオプティカルブラック領域の各領域には、受光部が形成された固体撮像素子の製造方法において、
上記有効画素領域の受光部上に反射防止膜を形成する一方、上記オプティカルブラック領域の受光部上に反射防止膜を形成しない反射防止膜形成工程を有することを特徴とする固体撮像素子の製造方法。
【請求項４】
上記オプティカルブラック領域の全域に遮光膜を形成する遮光膜形成工程と、
水素シンター処理を行う水素シンター処理工程とをさらに有し、
上記水素シンター処理工程の後に、上記遮光膜形成工程を行うことを特徴とする請求項３に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項５】
上記反射防止膜形成工程は、プラズマＣＶＤ法または減圧ＣＶＤ法により、反射防止膜を形成することを特徴とする請求項３または４に記載の固体撮像素子の製造方法。
【請求項６】
請求項１または２に記載の固体撮像素子を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像素子およびその製造方法、並びにその固体撮像素子を備えた電子機器に関し、特に、有効画素領域とオプティカルブラック領域とを有する固体撮像素子およびその製造方法、並びにその固体撮像素子を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
図４は、従来の固体撮像素子の撮像部１００を示す断面図である。図４のように、撮像部１００には、半導体基板１０１に形成されたシリコン（Ｓｉ）等からなるセンサ部１１１上に、シリコン酸化膜１０２を介して、シリコン窒化膜からなる反射防止膜１３６が形成される。反射防止膜１３６は、有効画素領域Ａおよびオプティカルブラック領域（ＯＢ領域）Ｂの各領域のセンサ部１１１上に形成されている。また、ＯＢ領域Ｂの全域が、遮光膜１０４によって覆われている。
【０００３】
通常、シリコン窒化膜（反射防止膜１３６）の屈折率は、シリコン酸化膜１０２の屈折率よりも高い。このため、センサ部１１１とシリコン酸化膜１３２との界面で反射した光は、シリコン酸化膜１０２と反射防止膜１３６とで再反射される。その結果、センサ部１１１に入射した光のセンサ部１１１界面での反射が軽減される。これにより、反射防止膜１３６を備えることによって、センサ部１１１の集光率が向上する。従って、固体撮像素子の感度が向上するという効果が得られる。
【０００４】
一方、特許文献２には、ＯＢ領域にのみ反射防止膜が形成された固体撮像素子が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１０−１７８１６６号公報（１９９８年６月３０日公開）
【特許文献２】特開平  ７−１３０９７５号公報（１９９５年５月１９日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、従来の固体撮像素子は、ＯＢ領域の暗電流が増加するため、出力される画像が暗くなるという問題がある。
【０００７】
具体的には、固体撮像素子では、若干の表面準位の残存により、センサ部１１１に全く光が当たらない状態でも電荷が発生する。この電荷を、「暗電流」という。そこで、固体撮像素子の製造工程では、この暗電流を低減するために、水素シンター処理（アニール処理）が行われる。
【０００８】
しかし、反射防止膜１３６は、固体撮像素子の感度向上を図る反面、水素の侵入を阻止する性質も有している。このため、反射防止膜１３６は、水素シンター処理の効果（水素シンタリング効果）を低減してしまう。
【０００９】
図４のように、通常、ＯＢ領域Ｂのセンサ部１１１上の遮光膜１３５に形成された開口１３８ｂは、有効画素領域Ａのセンサ部１１１上の遮光膜１３５に形成された開口１３８ａよりも小さい。このため、ＯＢ領域Ｂの水素シンタリング効果が、より低減されやすく、ＯＢ領域の暗電流が増加してしまう。例えば、図５は、図４の撮像部を備えた従来の固体撮像素子における高温（８０℃）暗電流値を示すグラフである。図５のように、高温時（８０℃）に、ＯＢ領域の暗電流値が増加している。ＯＢ領域Ｂは、固体撮像素子の黒レベルの基準として利用される。このため、ＯＢ領域Ｂの暗電流値が増加してしまうと、有効画素領域Ａに光が当たっても、あたかも光が当たっていないような信号レベル（黒沈み）になる。その結果、出力される画像が暗くなってしまう。
【００１０】
なお、特許文献２には、ＯＢ領域に反射防止膜（水素阻止膜）を形成することによって、有効画素領域とＯＢ領域との暗電流のレベル差を解消することができると記載されている。一般的に、遮光膜は、タングステン（Ｗ）またはアルミニウム（Ａｌ）等の金属膜から形成される。この遮光膜（特にＷ膜）は、遮光膜の剥離防止膜（例えばＴｉＮ膜）を予め形成した後、剥離防止膜上に形成される。しかし、剥離防止膜は、水素の侵入を阻止する性質を有する。このため、水素シンター処理の効果（水素シンタリング効果）が低減してしまい、ＯＢ領域の暗電流が増加してしまう。従って、特許文献２の構成では、ＯＢ領域の暗電流値が、更に増加してしまう。
【００１１】
そこで、本発明は、上記従来の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、出力される画像が暗くなるのを低減することのできる固体撮像素子およびその製造方法、並びにその固体撮像素子を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る固体撮像素子は、上記の課題を解決するために、有効画素領域と、オプティカルブラック領域とが形成された撮像部を備え、上記有効画素領域およびオプティカルブラック領域の各領域には、受光部が形成されている固体撮像素子において、上記有効画素領域の受光部上に反射防止膜が形成されている一方、上記オプティカルブラック領域の受光部上に反射防止膜が形成されていないことを特徴としている。
【００１３】
上記の構成によれば、有効画素領域およびオプティカル領域（ＯＢ領域）のうち、有効画素領域に形成された受光部上にのみ、反射防止膜が形成されており、ＯＢ領域の受光部上には反射防止膜が形成されていない。このため、反射防止膜が形成されていないＯＢ領域の水素シンタリング効果が向上する。これにより、高温時（８０℃程度）に発生するＯＢ領域の暗電流の増加（悪化）を抑制することができる。つまり、有効画素領域とＯＢ領域との受光部の暗電流のレベル差が軽減される。従って、暗電流が原因となり出力される画像が暗くなるのを低減することが可能となる。
【００１４】
本発明に係る固体撮像素子において、上記反射防止膜は、シリコン窒化膜であることが好ましい。
【００１５】
上記の構成によれば、反射防止膜がシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）から形成されている。このため、有効画素領域の受光部で反射された光を反射防止膜が効果的に再反射し、有効画素領域の受光部の集光率をより一層向上させることができる。従って、有効画素領域の受光部の感度を向上しつつ、ＯＢ領域の水素シンタリング効果を向上することができる。
【００１６】
本発明に係る固体撮像素子の製造方法は、上記の課題を解決するために、有効画素領域と、オプティカルブラック領域とが形成された撮像部を備え、上記有効画素領域およびオプティカルブラック領域の各領域には、受光部が形成された固体撮像素子の製造方法において、上記有効画素領域の受光部上に反射防止膜を形成する一方、上記オプティカルブラック領域の受光部上に反射防止膜を形成しない反射防止膜形成工程を有することを特徴としている。
【００１７】
上記の方法によれば、反射防止膜形成工程において、有効画素領域およびオプティカル領域（ＯＢ領域）のうち、有効画素領域に形成された受光部上にのみ、反射防止膜が形成され、ＯＢ領域の受光部上には反射防止膜が形成されない。このため、反射防止膜が形成されていないＯＢ領域の水素シンタリング効果が向上する。これにより、高温時（８０℃程度）に発生するＯＢ領域の暗電流の増加（悪化）を抑制することができる。つまり、有効画素領域とＯＢ領域との受光部の暗電流のレベル差が軽減される。従って、暗電流が原因となり出力される画像が暗くなるのを低減することが可能となる固体撮像素子を製造することができる。
【００１８】
本発明に係る固体撮像素子の製造方法において、上記オプティカルブラック領域の全域に遮光膜を形成する遮光膜形成工程と、水素シンター処理を行う水素シンター処理工程とをさらに有し、上記水素シンター処理工程の後に、上記遮光膜形成工程を行うことが好ましい。
【００１９】
上記の方法によれば、ＯＢ領域の全域に水素を透過しにくい遮光膜が形成される前に、水素シンター処理工程が行われる。これにより、水素シンター処理によって、ＯＢ領域は、水素によるシンタリング効果が上昇する。その結果、ＯＢ領域における暗電流の増加を低減することができる。従って、出力画像が暗電流によって暗くなるのを、より確実に低減することができる。
【００２０】
本発明に係る固体撮像素子の製造方法において、上記反射防止膜形成工程は、プラズマＣＶＤ法または減圧ＣＶＤ法により、反射防止膜を形成することが好ましい。
【００２１】
上記の方法によれば、反射防止膜が、プラズマＣＶＤ法または減圧ＣＶＤ法によって形成される。これにより、有効画素領域の受光部で反射された光を効果的に再反射し、有効画素領域の受光部の集光率をより一層向上させることができる反射防止膜を形成することができる。従って、有効画素領域の受光部の感度を向上しつつ、ＯＢ領域の水素シンタリング効果を向上することができる。
【００２２】
本発明に係る電子機器は、上記の課題を解決するために、前記いずれかに記載の固体撮像素子を備えることを特徴としている。従って、暗電流が原因となり出力される画像が暗くなるのを低減することが可能となる固体撮像素子を備えた電子機器を提供することができる。
【発明の効果】
【００２３】
以上のように、本発明に係る固体撮像素子は、上記有効画素領域の受光部上に反射防止膜が形成されている一方、上記オプティカルブラック領域の受光部上に反射防止膜が形成されていない構成である。それゆえ、暗電流が原因となり出力される画像が暗くなるのを低減することが可能となるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明に係る固体撮像素子の撮像部を示す断面図である。
【図２】本発明の固体撮像素子の製造工程を示す断面図である。
【図３】本発明の固体撮像素子の暗電流値を示すグラフである。
【図４】従来の固体撮像素子の撮像部を示す断面図である。
【図５】従来の固体撮像素子の暗電流値を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の一実施形態について図面に基づいて説明する。
【００２６】
〔実施の形態１〕
（１）固体撮像素子
図１は、本発明の固体撮像素子の撮像部１０を示す断面図である。図１のように、撮像部１０には、受光を必要とする有効画素領域Ａと、黒レベルを規定するためのオプティカルブラック領域（ＯＢ領域）Ｂとが形成されている。撮像部１０は、半導体基板（基板）１上に、第１酸化膜２を介して、電荷転送部（垂直転送部）３が形成された構成である。ＯＢ領域Ｂの全域は、遮光膜４（第１遮光膜）により覆われている。
【００２７】
なお、図示しないが、本実施形態の固体撮像素子は、撮像部１０に加え、ＣＣＤ構造の水平転送部（ＨＣＣＤ）と、水平転送部に接続された出力部とを備えている。つまり、本実施形態の固体撮像素子は、いわゆるインターライントランスファ（ＩＴ）型のＣＣＤイメージセンサである。なお、説明の便宜上、遮光膜４側を上方、半導体基板１側を下方とする。
【００２８】
なお、以下の説明では、有効画素領域ＡおよびＯＢ領域Ｂに形成された部材を区別する場合、有効画素領域Ａに形成された部材番号の末尾に「ａ」を、ＯＢ領域Ｂに形成された部材番号の末尾に「ｂ」を付す。一方、区別しない場合には部材番号の末尾に「ａ」「ｂ」を付さないこととする。
【００２９】
半導体基板１は、Ｐ型シリコン基板等から構成されている。半導体基板１には、センサ部（受光部，フォトダイオード部）１１と、垂直転送部（ＶＣＣＤ）１２と、半導体層１３とが形成されている。
【００３０】
センサ部１１は、複数の受光素子（フォトダイオード）が２次元マトリクス状に配列された光電変換部である。垂直転送部１２は、センサ部１１の各受光素子に対応して設けられている。垂直転送部１２は、受光素子で発生した電荷を垂直方向に転送する転送領域として機能する。半導体層１３は、センサ部１１と垂直転送部１２との間に形成されている。半導体層１３は、センサ部１１（受光素子）で発生した電荷を垂直転送部１２に読み出す読み出し領域として機能する。半導体基板１がＰ型半導体基板である場合、センサ部１１および垂直転送部１２は、Ｎ型半導体領域（Ｎ型拡散領域；ＣＣＤ拡散領域）であり、半導体層１３はＰ型半導体領域（Ｐウェル領域）である。
【００３１】
第１酸化膜２は、半導体基板１の受光面の全域に形成されている。第１酸化膜２は、シリコン酸化膜等の絶縁膜である。第１酸化膜２は、単層の膜でも、多層の膜でもよい。
【００３２】
電荷転送部３は、第１酸化膜２上に形成されている。電荷転送部３は、ゲート電極部３１（ゲート絶縁膜３２とゲート電極３３）、第２酸化膜３４、遮光膜３５（第２遮光膜）、反射防止膜３６、第３酸化膜３７とから構成されている。
【００３３】
ゲート電極部３１は、第１酸化膜２の垂直転送部１２上に形成されている。ゲート電極部３１は、ゲート絶縁膜３２とゲート電極３３とから構成されている。ゲート絶縁膜３２は、第１酸化膜２上に形成され、ゲート電極３３は、ゲート絶縁膜３２上に積層されている。
【００３４】
第２酸化膜３４は、シリコン酸化膜等の絶縁膜から形成されており、ゲート電極部３１を被覆している。第２酸化膜３４は、ゲート電極３３と遮光膜３５とを絶縁する役割、および、第２酸化膜３４上に形成される遮光膜３５の密着性を向上する役割を果たす。
【００３５】
遮光膜３５は、タングステンまたはアルミニウム等の金属膜から形成されており、第２酸化膜３４を被覆している。遮光膜３５は、ゲート電極部３１を遮光する。
【００３６】
第２酸化膜３４および遮光膜３５は、受光用の開口３８を有している。開口３８は、センサ部１１上に形成されており、開口３８が形成された領域は、第１酸化膜２が露出している。これにより、開口３８を介して、入射光がセンサ部１１の入射面に入射する。なお、有効画素領域Ａの開口３８ａの面積は、ＯＢ領域の開口３８ｂの面積よりも広い。
【００３７】
反射防止膜３６は、有効画素領域Ａのセンサ部１１ａ上にのみ形成されている。具体的には、反射防止膜３６は、開口３８ａから露出した第１酸化膜２上に形成されている。反射防止膜３６は、開口３８ａ内に設けられており、センサ部１１ａの光入射面における反射を軽減する。
【００３８】
反射防止膜３６は、Ｓｉ３Ｎ４のようなシリコン窒化膜、ＴｉＯＮ，ＴｉＮのような窒化チタン膜を用いることができる。シリコン窒化膜は水素の透過を阻止する膜であり、ＴｉＯＮ膜は水素を吸着する膜であり、共にセンサ部１１への水素の拡散を阻止する。
【００３９】
第３酸化膜３７は、シリコン酸化膜等の絶縁膜から形成されており、遮光膜４と遮光膜３５との間の絶縁のために設けられている。また、第３酸化膜３７は、電荷転送部３の平坦化膜としても機能する。第１酸化膜２、第２酸化膜３４、第３酸化膜３７は、同一の絶縁膜でも、異なる絶縁膜であってもよい。
【００４０】
遮光膜４は、ＯＢ領域Ｂの全域に形成されている。遮光膜４は、遮光膜３５と同様、例えば、タングステンまたはアルミニウム等の金属膜から形成されている。遮光膜４と遮光膜３５とは、同一の金属膜であっても、異なる金属膜であってもよい。
【００４１】
なお、第３酸化膜３７および遮光膜４上には、平坦化膜５が形成されている。平坦化膜５としては、例えば、カラーフィルタ形成用の段差防止膜を用いることができる。
【００４２】
このように、本実施形態の固体撮像素子は、反射防止膜３６の形成部位が異なる以外は、基本的に特許文献２に記載された固体撮像素子と同様の構成である。本実施形態の固体撮像素子は、電荷転送部３（ゲート電極３１）を駆動することによって、半導体層１３を介して、センサ部１１から垂直転送部１２に読み出された信号電荷が垂直方向に順次転送される。
【００４３】
本実施形態の固体撮像素子のように、有効画素領域ＡとＯＢ領域Ｂとを有する撮像部１０を備えた固体撮像素子において、暗電流を低減することは特に重要である。
【００４４】
本実施形態の撮像部１０を構成するアルミニウム（Ａｌ）やタングステン（Ｗ）等の金属からなる遮光膜４，３５、および、シリコン窒化膜（反射防止膜３６）は、水素を遮る。一方、シリコン酸化膜（第１酸化膜２、第２酸化膜３４、第３酸化膜３７）は、水素を透過する。その結果、従来の固体撮像素子のように、有効画素領域ＡおよびＯＢ領域Ｂの各領域のセンサ部１１１上に反射防止膜１３６を形成すると、高温時（８０℃）に、ＯＢ領域の暗電流値が増加してしまう（図５参照）。ＯＢ領域Ｂは、固体撮像素子の黒レベルの基準として利用される。このため、ＯＢ領域Ｂの暗電流値が増加してしまうと、有効画素領域Ａに光が当たっても、あたかも光が当たっていないような信号レベル（黒沈み）になる。その結果、出力される画像が暗くなってしまう。
【００４５】
そこで、本実施形態の固体撮像素子は、有効画素領域Ａに形成されたセンサ部１１ａ上にのみ、反射防止膜３６が形成されており、ＯＢ領域のセンサ部１１ｂ上には反射防止膜が形成されていない。このため、反射防止膜３６が形成されていないＯＢ領域Ｂのセンサ部１１ｂの受光面に水素シンタリング処理を施すことによって、ＯＢ領域の水素シンタリング効果が向上する。これにより、高温時（８０℃程度）に発生するＯＢ領域Ｂの暗電流の増加（悪化）を抑制することができる。つまり、有効画素領域ＡとＯＢ領域Ｂとのセンサ部１１ａ，１１ｂの暗電流のレベル差が軽減される。従って、暗電流が原因となり出力される画像が暗くなるのを低減することが可能となる。
【００４６】
本実施形態の固体撮像素子において、反射防止膜３６は、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）から形成されていることが好ましい。シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）は、有効画素領域Ａのセンサ部１１ａで反射された光を効果的に再反射するため、有効画素領域Ａのセンサ部１１ａの集光率をより一層向上させることができる。従って、有効画素領域Ａのセンサ部１１ａの感度を向上しつつ、ＯＢ領域Ｂの水素シンタリング効果を向上することができる。
【００４７】
なお、本実施形態では、インターライントランスファ（ＩＴ）型の固体撮像素子について説明したが、固体撮像素子の種類はこれに限定されるものではない。本発明は、例えば、フレームインターライントランスファ（ＦＩＴ）の固体撮像素子等にも適用することができる。
【００４８】
本発明の固体撮像素子は、カメラ付き携帯電話機、デジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、セキュリティカメラ（監視カメラ）、ドアホン、画像入力カメラ、スキャナ、ファクシミリ等の各種電子機器に適用することができる。
【００４９】
（２）固体撮像素子の製造方法
本実施形態の固体撮像素子の製造方法は、有効画素領域Ａのセンサ部１１上にのみ、反射防止膜３６を形成する反射防止膜形成工程を含んでいる。図２は、本発明の固体撮像素子の製造工程を示す断面図である。なお、図２においては、図１における半導体基板１の各部を省略している。
【００５０】
まず、図２の（ａ）に示すように、従来の固体撮像素子の製造方法と同様に、半導体基板１上の有効画素領域ＡおよびＯＢ領域Ｂに、第１酸化膜２を介して、ゲート電極部３１を形成する。そして、ゲート電極部３１および第１酸化膜２の全域に、反射防止膜３６を形成する。これにより、従来の固体撮像素子と同様のフォトダイオード部（受光部）・転送ゲート配線構造が形成される。
【００５１】
次に、図２の（ｂ）のように、有効画素領域Ａのセンサ部１１ａ（図示せず）にのみ反射防止膜３６を加工（ドライエッチング）するために、フォトリソグラフィーでフォトレジスト６を加工する。この時、従来の固体撮像素子（図４参照）では、有効画素領域Ａにも、ＯＢ領域Ｂにも反射防止膜３６加工用のフォトレジスト６を残すことになる。しかし、本実施形態の固体撮像素子の製造方法においては、図２の（ｂ）のように、ＯＢ領域Ｂには反射防止膜３６加工用のフォトレジスト６を残さない。
【００５２】
次に、図２の（ｃ）に示すように、フォトレジスト６が形成されていない領域の反射防止膜３６を加工（ドライエッチング）する。
【００５３】
次に、図２の（ｄ）に示すように、常法にしたがい、ＯＢ領域Ｂの全域を遮光する遮光膜４を形成する前に、ゲート電極部３１と遮光膜３５との絶縁および遮光膜３５の密着性向上を目的に、第２酸化膜３４をＣＶＤ法で形成する。その後、Ａｌ膜やＷ膜からなる遮光膜３５をスパッタ法やＣＶＤ法で堆積させて形成する。
【００５４】
次に、遮光膜３５の形成後、遮光膜４を形成する前に、水素シンターを行う。これにより、有効画素領域ＡとＯＢ領域共に、均等に水素によるシンタリング効果が上昇する。その結果、高温時（８０℃程度）においてもＯＢ（オプティカルブラック）領域の暗電流の増加（悪化）を抑えることが出来、出力される画像が暗くならない。
【００５５】
最後に、ＯＢ領域Ｂの全域に遮光膜４を形成し、図１のような撮像部１０を備えた固体撮像素子が製造される。
【００５６】
なお、本実施形態の固体撮像素子の製造方法においては、遮光膜３５の形成後、遮光膜４を形成する前に水素シンターを行えばよい。つまり、水素シンターの処理順は、遮光膜３５と遮光膜４との絶縁を目的に形成する第３酸化膜３７の形成前後どちらでも良い。
【００５７】
以上のように、本実施形態の固体撮像素子の製造方法によれば、反射防止膜形成工程において、有効画素領域Ａおよびオプティカル領域（ＯＢ領域）のうち、有効画素領域Ａに形成されたセンサ部１１ａ上にのみ、反射防止膜３６が形成され、ＯＢ領域Ｂのセンサ部１１ｂ上には反射防止膜が形成されない。このため、反射防止膜３６が形成されていないＯＢ領域Ｂの水素シンタリング効果が向上する。これにより、高温時（８０℃程度）に発生するＯＢ領域Ｂの暗電流の増加（悪化）を抑制することができる。つまり、有効画素領域ＡとＯＢ領域Ｂとのセンサ部１１の暗電流のレベル差が軽減される。従って、暗電流が原因となり出力される画像が暗くなるのを低減することが可能となる固体撮像素子を製造することができる。
【００５８】
本発明に係る固体撮像素子の製造方法においては、ＯＢ領域Ｂの全域に遮光膜４を形成する遮光膜形成工程と、水素シンター処理を行う水素シンター処理工程とをさらに有しており、上記遮光膜形成工程は、上記水素シンター処理工程の後に行うことが好ましい。
【００５９】
上記の方法によれば、ＯＢ領域Ｂの全域に水素を透過しにくい遮光膜４が形成される前に、水素シンター処理工程が行われる。これにより、水素シンター処理によって、ＯＢ領域Ｂは、水素によるシンタリング効果が上昇する。その結果、ＯＢ領域Ｂにおける暗電流の増加を低減することができる。従って、出力画像が暗電流によって暗くなるのを、より確実に低減することができる。
【００６０】
また、上記反射防止膜形成工程は、プラズマＣＶＤ法または減圧ＣＶＤ法により、反射防止膜３６を形成することが好ましい。上記の方法によれば、反射防止膜３６が、プラズマＣＶＤ法または減圧ＣＶＤ法等の各種ＣＶＤ法によって形成される。これにより、有効画素領域Ａのセンサ部１１ａで反射された光を効果的に再反射し、有効画素領域Ａのセンサ部１１ａの集光率をより一層向上させることができる反射防止膜３６を形成することができる。従って、有効画素領域Ａのセンサ部１１ａの感度を向上しつつ、ＯＢ領域Ｂの水素シンタリング効果を向上することができる。
【００６１】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明の固体撮像素子は、カメラ付き携帯電話機、デジタルビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、セキュリティカメラ（監視カメラ）、ドアホン、画像入力カメラ、スキャナ、ファクシミリ等の各種電子機器に適用することができる。
【符号の説明】
【００６３】
Ａ    有効画素領域
Ｂ    オプティカルブラック領域（ＯＢ領域）
４    遮光膜
１０    撮像部
１１    センサ部（受光部）
１１ａ  有効画素領域のセンサ部（受光部）
１１ｂ  ＯＢ領域のセンサ部（受光部）
３６    反射防止膜
【図１】
2012124275.tif 000003
【図２】
2012124275.tif 000004
【図３】
2012124275.tif 000005
【図４】
2012124275.tif 000006
【図５】
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