(57)【要約】      （修正有）【課題】配線間および配線と外部接続用電極との間にいわゆるイオンマイグレーションによるショートが発生しにくいようにすることができる半導体装置を提供する。【解決手段】シリコン基板１の周辺部上面、配線７を含む保護膜５の上面および外部接続用電極１０の外周面にはコーティング膜１１が設けられている。コーティング膜１１は、Ａｌ２Ｏ３およびＴｉ系無機物質によって形成された密着力向上膜１１ａと、該密着力向上膜の上面に形成された（Ｃ１０Ｈ４Ｆ１７ＳｉＯ２）ｎを含む有機物質からなるフルオロカーボン膜１１ｂとの２層構造となっている。この２層構造のコーティング膜１１の膜厚は２〜１０ｎｍと比較的薄くすることができるので、配線７間および配線７と外部接続用電極１０との間にいわゆるイオンマイグレーションによるショートが発生しにくいようにすることができる上、より一層の薄型化を図ることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の一方の面に設けられた配線の表面および外部接続用電極の表面に、密着力向上膜とフルオロカーボン膜とを含むコーティング膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発明において、前記配線および前記外部接続用電極は銅を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の発明において、前記コーティング膜は、前記半導体基板の一方の面に設けられた絶縁膜の表面にも設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１または３に記載の発明において、前記密着力向上膜はＡｌ２Ｏ３およびＴｉを含む無機物質であり、前記フルオロカーボン膜は（Ｃ１０Ｈ４Ｆ１７ＳｉＯ２）ｎを含む有機物質であることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１または３に記載の発明において、前記コーティング膜の膜厚は２〜１０ｎｍであることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１または２に記載の発明において、前記コーティング膜上に封止膜が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
半導体基板の一方の面に設けられた配線の表面および外部接続用電極の表面に、密着力向上膜とフルオロカーボン膜とを含むコーティング膜を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の発明において、前記配線および前記外部接続用電極は銅により形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項７に記載の発明において、前記コーティング膜上に封止膜を形成した後、前記外部接続用電極上の前記コーティング膜を除去することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項７に記載の発明において、前記密着力向上膜はＡｌ２Ｏ３およびＴｉ系無機物質を含み、前記フルオロカーボン膜は（Ｃ１０Ｈ４Ｆ１７ＳｉＯ２）ｎを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の発明において、前記コーティング膜は、Ａｌ2Ｏ3およびＴｉ系無機物質を含む液体を蒸気化し、減圧下で前記配線の表面および前記外部接続用電極の表面に液体として堆積させ加熱した後、Ｃ、Ｆ、Ｓｉ、Ｃｌを含む液体を蒸気化し、減圧下で前記液体の表面に堆積させ加熱することにより形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載の発明において、前記コーティング膜の膜厚は２〜１０ｎｍであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１に記載の発明において、前記減圧下での加熱温度は７０〜１００℃であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置には、ＣＳＰ(chip size
package)と呼ばれるものが知られている（例えば、特許文献１参照）。この半導体装置は半導体基板を備えている。半導体基板の上面には絶縁膜が設けられている。絶縁膜の上面には複数の配線が設けられている。配線のランド上面には外部接続用電極が設けられている。配線を含む絶縁膜の上面および外部接続用電極の外周面にはパリレン樹脂からなるコーティング膜が設けられている。コーティング膜は、配線間および配線と外部接続用電極との間にいわゆるイオンマイグレーションによるショートが発生しにくいようにするためのものである。外部接続用電極の外周面に設けられたコーティング膜の周囲におけるコーティング膜の上面には封止膜が設けられている。外部接続用電極の上面には半田バンプが設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１５０１７３号公報
【０００４】
ところで、上記従来の半導体装置では、配線を含む絶縁膜の上面および外部接続用電極の外周面にパリレン樹脂からなるコーティング膜、すなわち、ピンホールがなく、微細部、鋭角部、エッジ部などへのコンフォーマル（同形）コーティングが可能なコーティング膜を設けているので、耐湿性が大幅に向上し、封止膜の膜厚を３０〜７０μｍと比較的薄くすることが可能となり、装置全体の薄型化を図ることも可能となる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来の半導体装置では、パリレン樹脂からなるコーティング膜の膜厚が０．２〜２０μｍ（特許文献１の第１７段落参照）と比較的厚く、装置全体の薄型化に限界があるという問題がある。
【０００６】
そこで、この発明は、配線間および配線と外部接続用電極との間にいわゆるイオンマイグレーションによるショートが発生しにくいようにすることができる上、より一層の薄型化を図ることができる半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
請求項１に記載の発明に係る半導体装置は、半導体基板の一方の面に設けられた配線の表面および外部接続用電極の表面に、密着力向上膜とフルオロカーボン膜とを含むコーティング膜が設けられていることを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記配線および前記外部接続用電極は銅を含むことを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１に記載の発明において、前記コーティング膜は、前記半導体基板の一方の面に設けられた絶縁膜の表面にも設けられていることを特徴とするものである。
請求項４に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１または３に記載の発明において、前記密着力向上膜はＡｌ２Ｏ３およびＴｉを含む無機物質であり、前記フルオロカーボン膜は（Ｃ１０Ｈ４Ｆ１７ＳｉＯ２）ｎを含む有機物質であることを特徴とするものである。
請求項５に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１または３に記載の発明において、前記コーティング膜の膜厚は２〜１０ｎｍであることを特徴とするものである。
請求項６に記載の発明に係る半導体装置は、請求項１または２に記載の発明において、前記コーティング膜上に封止膜が設けられていることを特徴とするものである。
請求項７に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板の一方の面に設けられた配線の表面および外部接続用電極の表面に、密着力向上膜とフルオロカーボン膜とを含むコーティング膜を形成することを特徴とするものである。
請求項８に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項７に記載の発明において、前記配線および前記外部接続用電極は銅により形成されていることを特徴とするものである。
請求項９に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項７に記載の発明において、前記コーティング膜上に封止膜を形成した後、前記外部接続用電極上の前記コーティング膜を除去することを特徴とするものである。
請求項１０に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項７に記載の発明において、前記密着力向上膜はＡｌ２Ｏ３およびＴｉ系無機物質を含み、前記フルオロカーボン膜は（Ｃ１０Ｈ４Ｆ１７ＳｉＯ２）ｎを含むことを特徴とするものである。
請求項１１に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１０に記載の発明において、前記コーティング膜は、Ａｌ2Ｏ3およびＴｉ系無機物質を含む液体を蒸気化し、減圧下で前記配線の表面および前記外部接続用電極の表面に液体として堆積させ加熱した後、Ｃ、Ｆ、Ｓｉ、Ｃｌを含む液体を蒸気化し、減圧下で前記液体の表面に堆積させ加熱することにより形成することを特徴とするものである。
請求項１２に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１１に記載の発明において、前記コーティング膜の膜厚は２〜１０ｎｍであることを特徴とするものである。
請求項１３に記載の発明に係る半導体装置の製造方法は、請求項１１に記載の発明において、前記減圧下での加熱温度は７０〜１００℃であることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、密着力向上膜とフルオロカーボン膜とを含むコーティング膜の膜厚を２〜１０ｎｍと比較的薄くすることが可能であるので、配線間および配線と外部接続用電極との間にいわゆるイオンマイグレーションによるショートが発生しにくいようにすることができる上、より一層の薄型化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】この発明の一実施形態としての半導体装置の断面図。
【図２】図１に示す半導体装置の製造方法の一例において、当初準備したものの断面図。
【図３】図２に続く工程の断面図。
【図４】図３に続く工程の断面図。
【図５】図４に続く工程の断面図。
【図６】図５に続く工程の断面図。
【図７】図６に続く工程の断面図。
【図８】図７に続く工程の断面図。
【図９】図８に続く工程の断面図。
【図１０】図９に続く工程の断面図。
【図１１】図１０に続く工程の断面図。
【図１２】コーティング膜形成装置の一例の概略構成図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図１はこの発明の一実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置は、一般的にはＣＳＰと呼ばれるものであり、平面方形状のシリコン基板（半導体基板）１を備えている。シリコン基板１の上面には、図示していないが、所定の機能の集積回路を構成する素子、例えば、トランジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサなどの素子が形成されている。シリコン基板１の上面周辺部には、上記集積回路の各素子に接続されたアルミニウム系金属などからなる複数の接続パッド２が設けられている。
【００１１】
シリコン基板１の周辺部および接続パッド２の中央部を除くシリコン基板１の上面には酸化シリコン、窒化シリコンなどからなるパッシベーション膜（絶縁膜）３が設けられ、接続パッド２の中央部はパッシベーション膜３に設けられた開口部４を介して露出されている。パッシベーション膜３の上面にはポリイミド系樹脂などからなる保護膜（絶縁膜）５が設けられている。パッシベーション膜３の開口部４に対応する部分における保護膜５には開口部６が設けられている。
【００１２】
保護膜５の上面には複数の配線７が設けられている。配線７は、保護膜５の上面に設けられた銅などからなる下地金属層８と、下地金属層８の上面に設けられた銅からなる上部金属層９との２層構造となっている。配線７の一端部７ａは、パッシベーション膜３および保護膜５の開口部４、６を介して接続パッド２に接続されており、他端部はランド７ｂとなっており、その間は引き回し線部７ｃとなっている。配線７のランド７ｂの上面には銅からなる外部接続用電極１０が設けられている。
【００１３】
シリコン基板１の周辺部上面、配線７を含む保護膜５の上面および外部接続用電極１０の外周面には、密着力向上膜１１ａとフルオロカーボン膜１１ｂとからなるコーティング膜１１が設けられている。この状態では、パッシベーション膜３、保護膜５および配線７の側面はコーティング膜１１によって覆われている。したがって、保護膜５および配線７の表面はコーティング膜１１によって覆われている。コーティング膜１１の詳細については後で説明する。
【００１４】
外部接続用電極１０の外周面を覆っているコーティング膜１１の周囲におけるコーティング膜１１の上面にはシリカフィラーを含むエポキシ系樹脂などからなる封止膜１２がその上面が外部接続用電極１０およびその外周面を覆っているコーティング膜１１の上面とほぼ面一となるように設けられている。外部接続用電極１０の上面には半田バンプ１３が設けられている。
【００１５】
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明する。まず、図２に示すように、ウエハ状態のシリコン基板（以下、半導体ウエハ２１という）の上面にアルミニウム系金属などからなる接続パッド２、酸化シリコンなどからなるパッシベーション膜３およびポリイミド系樹脂などからなる保護膜５が形成され、接続パッド２の中央部がパッシベーション膜３および保護膜５の開口部４、６を介して露出されたものを準備する。
【００１６】
この場合、半導体ウエハ２１の厚さは、図１に示すシリコン基板１の厚さよりも厚くなっている。なお、図２において、符号２２で示す領域はダイシングストリートである。そして、ダイシングストリート２２およびその両側に対応する部分におけるパッシベーション膜３および保護膜５は除去されている。
【００１７】
次に、図３に示すように、パッシベーション膜３および保護膜５の開口部４、６を介して露出された接続パッド２の上面を含む保護膜５の上面並びにダイシングストリート２２およびその両側に対応する部分における半導体ウエハ２１の上面に下地金属層８を形成する。この場合、下地金属層８は、無電解メッキにより形成された銅層のみであってもよく、またスパッタ法により形成された銅層のみであってもよく、さらにスパッタ法により形成されたチタンなどの薄膜層上にスパッタ法により銅層を形成したものであってもよい。
【００１８】
次に、下地金属層８の上面にポジ型の液状レジストからなる第１のメッキレジスト膜２３をパターン形成する。この場合、上部金属層９形成領域に対応する部分における第１のメッキレジスト膜２３には開口部２４が形成されている。次に、下地金属層８をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行なうと、第１のメッキレジスト膜２３の開口部２４内の下地金属層８の上面に上部金属層９が形成される。次に、第１のメッキレジスト膜２３を剥離する。
【００１９】
次に、図４に示すように、上部金属層９を含む下地金属層８の上面にネガ型のドライフィルムレジストからなる第２のメッキレジスト膜２５をパターン形成する。この場合、上部金属層９のランド７ｂ（外部接続用電極１０形成領域）に対応する部分における第２のメッキレジスト膜２５には開口部２６が形成されている。次に、下地金属層８をメッキ電流路とした銅の電解メッキを行うと、第２のメッキレジスト膜２５の開口部２６内の上部金属層９のランド７ｂ上面に外部接続用電極１０が形成される。この状態では、外部接続用電極１０の高さは、図１に示す外部接続用電極１０の高さよりも高くなっている。
【００２０】
次に、第２のメッキレジスト膜２５を剥離し、次いで、上部金属層９をマスクとして該上部金属層９下以外の領域における下地金属層８をエッチングして除去すると、図５に示すように、上部金属層９下にのみ下地金属層８が残存される。この状態では、上部金属層９とその下に残存された下地金属層８とにより、２層構造の配線７が形成されている。
【００２１】
次に、図６に示すように、配線７を含む保護膜５の上面および外部接続用電極１０の表面並びにダイシングストリート２２およびその両側に対応する部分における半導体ウエハ２１の上面にコーティング膜１１を形成する。この状態では、パッシベーション膜３、保護膜５および配線７の側面はコーティング膜１１によって覆われている。コーティング膜１１の形成方法については後で説明する。
【００２２】
次に、図７に示すように、コーティング膜１１の上面にシリカフィラーを含むエポキシ系樹脂などからなる封止膜１２を印刷法やトランスファーモールド法などにより厚さがコーティング膜１１を含む外部接続用電極１０の高さよりもやや厚くなるように形成する。したがって、この状態では、外部接続用電極１０上のコーティング膜１１は封止膜１２によって覆われている。
【００２３】
次に、封止膜１２の上面側、外部接続用電極１０の上部およびその上のコーティング膜１１を適宜に研削して除去することにより、図８に示すように、外部接続用電極１０およびその外周面のコーティング膜１１の上面を露出させるとともに、外部接続用電極１０およびその外周面のコーティング膜１１の上面を封止膜１２の上面とほぼ面一とする。なお、研削により外部接続用電極１０の上面にバリが生じた場合には、このバリをウェットエッチングなどにより除去したり、さらにこの後の酸化を防止するため、外部接続用電極１０の上面に無電解メッキによるニッケル層の形成などの表面処理を行うようにしてもよい。
【００２４】
次に、図９に示すように、半導体ウエハ２１の下面側を適宜に研削し、半導体ウエハ２１の厚さを薄くする。次に、図１０に示すように、外部接続用電極１０の上面に半田バンプ１３を形成する。なお、外部接続用電極１０の上面に半田バンプ１３を形成した後に、半導体ウエハ２１の下面側を研削するようにしてもよい。次に、図１１に示すように、封止膜１３、コーティング膜１１および半導体ウエハ２１をダイシングストリート２２に沿って切断すると、図１に示す半導体装置が複数個得られる。
【００２５】
ここで、コーティング膜１１の形成方法について説明する。図１２はコーティング膜形成装置の一例の概略構成図を示す。このコーティング膜形成装置はチャンバー３１を備えている。チャンバー３１内には、図示していないが、コイル状のヒータが設けられている。チャンバー３１内においてコイル状のヒータの内部には半導体ウエハ２１が配置されるようになっている。
【００２６】
チャンバー３１の第１の箇所は、第１の電磁弁３２が介在された配管３３を介して真空ポンプ３４に接続されている。チャンバー３１の第２の箇所は、第２の電磁弁３５が介在された配管３６を介して大気中に接続されている。チャンバー３１の第３と第４の箇所は、第３の電磁弁３７と第４の電磁弁３７ａが介在された配管３８と配管３８ａを介して蒸気化室３９と蒸気化室３９ａに接続されている。蒸気化室３９と蒸気化室３９ａは、供給された液体を蒸気化するようになっている。
【００２７】
蒸気化室３９には第１の配管４０、蒸気化室３９ａには第２の配管４１を介して第１、第２の容器４２、４３が接続されている。第１の容器４２内にはＡｌ２Ｏ３およびＴｉ系無機液体（以下、第１の液体という場合がある）が収容されている。Ａｌ２Ｏ３およびＴｉ系無機液体は、Ａｌ２Ｏ３およびＴｉを含む無機物質を溶媒に分散した溶液である。第２の容器４３内にはＣ、Ｆ、Ｓｉ、Ｃｌ有機液体（以下、第２の液体という場合がある）が収容されている。
【００２８】
次に、上記構成のコーティング膜形成装置を用いて、チャンバー３１内に配置された半導体ウエハ２１が図５に示す状態にあり、図６に示すように、密着力向上膜１１ａとフルオロカーボン膜１１ｂとからなるコーティング膜１１を形成する場合について説明する。コーティング膜１１が２層である理由は以下の通りである。フルオロカーボン膜１１ｂは、シリコンなどからなる半導体基板１との密着力は高いが、Ｃｕなどからなる上部金属層９や外部接続用電極１０との密着力は低い。これに対し、密着力向上膜１１ａとＣｕなどからなる上部金属層９や外部接続用電極１０との密着力は高い。また、密着力向上膜１１ａとフルオロカーボン膜１１ｂとの密着力も高い。このため、上部金属層９や外部接続用電極１０とフルオロカーボン膜１１ｂとの間に密着力向上膜１１ａを介在させる。
【００２９】
まず、第１〜第４の電磁弁３２、３５、３７、３７ａを閉弁した状態において、第１の容器４２から第１の液体を蒸気化室３９内に、第２の容器４３から第２の液体を蒸気化室３９ａにそれぞれ供給する。そして、蒸気化室３９内において第１の液体を蒸気化し、蒸気化室３９ａ内において第２の液体を蒸気化し、それぞれの蒸気を独立して生成する。
【００３０】
次に、第１の電磁弁３２を開弁し、真空ポンプ３４の駆動により、チャンバー３１内のガスを排出し、チャンバー３１内を所定の負圧（真空）状態とする。次に、第１の電磁弁３２を閉弁する。次に、第３の電磁弁３７を開弁し、蒸気化室３９内から第１の蒸気をチャンバー３１内に供給して拡散させる。すると、図５を参照して説明すると、配線７を含む保護膜５の上面および外部接続用電極１０の表面並びにダイシングストリート２２およびその両側に対応する部分における半導体ウエハ２１の上面に第１の蒸気が液体として堆積し、液体膜が形成される。次に、第３の電磁弁３７を閉弁する。
【００３１】
次に、チャンバー３１内のコイル状のヒータを発熱させ、液体膜を７０〜１００℃の温度で加熱すると、第１の液体中の溶媒が飛び、図６を参照して説明すると、配線７を含む保護膜５の上面および外部接続用電極１０の表面並びにダイシングストリート２２およびその両側に対応する部分における半導体ウエハ２１の上面に、Ａｌ２Ｏ３およびＴｉを含む密着力向上膜１１ａが形成される。
【００３２】
次に、第１の電磁弁３２を開弁し、真空ポンプ３４の駆動により、チャンバー３１内のガスを排出し、チャンバー３１内を所定の負圧（真空）状態とする。次に、第１の電磁弁３２を閉弁する。次に、第４の電磁弁３７ａを開弁し、蒸気化室３９ａ内から、Ｃ、Ｆ、Ｓｉ、Ｃｌを含む第２の蒸気をチャンバー３１内に供給して拡散させる。すると、図５を参照して説明すると、配線７を含む保護膜５の上面および外部接続用電極１０の表面並びにダイシングストリート２２およびその両側に対応する部分における半導体ウエハ２１の上面に形成された密着力向上膜１１ａで覆われた部分に更に、（Ｃ１０Ｈ４Ｆ１７ＳｉＯ２）ｎを含む第２の蒸気が液体として堆積し、液体膜が形成される。次に、第４の電磁弁３７ａを閉弁する。
【００３３】
次に、チャンバー３１内のコイル状のヒータを発熱させ、液体膜を７０〜１００℃の温度で加熱すると、図６に示すように、配線７を含む保護膜５の上面および外部接続用電極１０の表面並びにダイシングストリート２２およびその両側に対応する部分における半導体ウエハ２１の上面に、密着力向上膜１１ａとフルオロカーボン膜１１ｂとからなるコーティング膜１１が形成される。
【００３４】
このコーティング膜１１は、図６では詳細に図示していないが、配線７を含む保護膜５の上面および外部接続用電極１０の表面並びにダイシングストリート２２およびその両側に対応する部分における半導体ウエハ２１の上面に形成されたＡｌ２Ｏ３およびＴｉを含む密着力向上膜１１ａと、該密着力向上膜１１ａの上面に形成された（Ｃ１０Ｈ４Ｆ１７ＳｉＯ２）ｎを含むフルオロカーボン膜１１ｂとの２層構造となっている。
【００３５】
すなわち、密着力向上膜１１ａはＡｌ２Ｏ３およびＴｉ系無機物質によって形成されている。フルオロカーボン膜１１ｂは、第１の液体が空気中のＨ２Ｏと反応し、それにより生成されたＨＣｌが除去されることにより、（Ｃ１０Ｈ４Ｆ１７ＳｉＯ２）ｎを含む有機物質によって形成されている。この後、第２の電磁弁３５を開弁し、チャンバー３１内を大気圧とし、チャンバー３１内から半導体ウエハ２１を取り出すと、コーティング膜１１の形成が終了する。
【００３６】
このようにして形成されたコーティング膜１１は、膜厚が均一でピンホールがなく、微細部、鋭角部、エッジ部などへのコンフォーマル（同形）コーティングが可能であるので、耐湿性が大幅に向上し、配線７間および配線７と外部接続用電極１０との間にいわゆるイオンマイグレーションによるショートが発生しにくいようにすることができる。
【００３７】
また、コーティング膜１１による耐湿性が良好なことから、封止膜１２の厚さを薄くすることが可能となる。すなわち、コーティング膜１１を有しない構造である場合には、耐湿信頼性の確保のため、封止膜１２の厚さは１００〜２００μｍ必要であった。これに対し、コーティング膜１１を有する構造とすると、封止膜１２の厚さは３０〜７０μｍと比較的薄くすることが可能となり、装置全体の薄型化を図ることも可能となる。しかも、上記のようにして形成されたコーティング膜１１の膜厚は２〜１０ｎｍと比較的薄くすることができるので、より一層の薄型化を図ることができる。
【００３８】
ここで、上述の如く、コーティング膜１１を形成する際の加熱温度は７０〜１００℃と比較的低いので、ポリイミド系樹脂などからなる保護膜５などに熱的障害を与えることがないようにすることができる。
【００３９】
ところで、最近では、高集積化に伴い配線７の微細化が進行し、配線７の引き回し線部７ｃの幅および配線７間の間隔が共に１０μｍ以下とかなり小さくなることが考えられる。しかるに、配線７間の間隔が１０μｍ以下とかなり小さくなる場合であっても、膜厚が均一で２〜１０ｎｍとかなり薄いコーティング膜１１で配線７の表面を覆っているので、配線７間にいわゆるイオンマイグレーションによるショートが発生しにくいようにすることができる。
【符号の説明】
【００４０】
１  シリコン基板（半導体基板）
２  接続パッド
３  パッシベーション膜（絶縁膜）
５  保護膜（絶縁膜）
７  配線
１０  外部接続用電極
１１  コーティング膜
１１ａ  密着力向上膜
１１ｂ  フルオロカーボン膜
１２  封止膜
１３  半田バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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