(57)【要約】【課題】フォトマスクに溝部を形成することにより、露光装置内のフォトマスクと被転写体との圧着過程で発生した気泡が前記溝部に吸収され、真空吸着不良を改善する露光装置を提供する。【解決手段】透明基板１１１と、透明基板１１１に形成され、吸光パターンが形成された遮光膜１１２と、遮光膜１１２に形成され、被転写体１３０の一面と接触するシリコン層１１４と、シリコン層１１４から遮光膜１１２の内部に至るまで彫込み形成された溝部１５０と、で構成されるフォトマスク１００と、被転写体１３０の他面を支持する支持体１２０と、を含む。【選択図】図３
2012118500.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、前記透明基板に形成され、吸光パターンが形成された遮光膜と、前記遮光膜に形成され、被転写体の一面と接触するシリコン層と、前記シリコン層から前記遮光膜の内部に至るまで彫込み形成された溝部と、で構成されるフォトマスクと、
前記被転写体の他面を支持する支持体と、
を含むことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記被転写体の表面には、エッチングレジストが塗布されることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記溝部は、前記シリコン層と前記被転写体とが接触する前記シリコン層の一領域の縁内側に沿って連続的に形成されることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項４】
前記溝部は、内側にシリコンが形成されることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項５】
前記透明基板は、石英ガラス基板またはソーダライムガラスで形成されることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項６】
前記遮光膜は、クロムで形成されることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
露光装置は、真空状態でフォトマスクと被転写体とを密着させた後、紫外線を投影することにより、フォトマスクに形成された吸光パターンを被転写体の表面に転写する装置である。
【０００３】
最近、微細化された回路パターンを備えた印刷回路基板に対する要求が持続的に増加しており、露光装置によって回路パターンを具現する工程において、吸光パターンが形成されたフォトマスクと被転写体との密着度は、回路パターンの微細化及び均一度に大きい影響を与える。
【０００４】
一方、近年は、印刷回路基板の製作時、より微細な回路パターンを形成するために、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ  Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）工法を利用した回路パターンの形成方法を好む傾向であり、さらに、エポキシなどの樹脂を６０〜７０％含む絶縁資材をエッチングレジストとして用いることにより、回路パターンの微細化を具現している。
【０００５】
図１は、従来技術によるフォトマスク１０の構造を示した断面図である。
【０００６】
回路パターンの形成時に用いられるフォトマスク１０は、透明基板１１、遮光膜１２、及びシリコン層１４などで構成される。ここで、遮光膜１２は吸光パターンが形成された構成であり、その表面は平坦である。
【０００７】
図２は、従来技術による露光装置の断面図である。
【０００８】
露光装置の下部には、支持体２０が設けられており、支持体２０と離隔されるようにフォトマスク１０が露光装置の上部に位置している。支持体２０に被転写体３０を固定させ、支持体２０を上方向に移動させながらフォトマスク１０と接触して真空吸着する。
【０００９】
前記図１に図示された従来のフォトマスク１０を採択し、多量の樹脂が含まれたエッチングレジスト３５を被転写体３０に塗布した後、露光装置の内部でフォトマスク１０と被転写体３０とを圧着する工程を経ると、高温、高圧により、前記エッチングレジスト３５の未硬化状態の樹脂が界面から漏れてしまい、フォトマスク１０と被転写体３０との完全な密着を阻害する。
【００１０】
また、被転写体３０に塗布されたエッチングレジスト３５とフォトマスク１０との間の空間に残留する気泡などが熱膨脹して、フォトマスク１０と被転写体３０との真空吸着状態を不良にする。その結果、均一な線幅を有する回路パターン及び微細な回路パターンを具現することが困難であった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決するために導き出されたものであり、本発明の目的は、フォトマスクに溝部を形成することにより、露光装置内のフォトマスクと被転写体との圧着過程で発生した気泡が前記溝部に吸収され、真空吸着不良を改善する露光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の好ましい実施例による露光装置は、透明基板と、前記透明基板に形成され、吸光パターンが形成された遮光膜と、前記遮光膜に形成され、被転写体の一面と接触するシリコン層と、前記シリコン層から前記遮光膜の内部に至るまで彫込み形成された溝部と、で構成されるフォトマスクと、前記被転写体の他面を支持する支持体と、を含むことを特徴とする。
【００１３】
また、前記被転写体の表面には、エッチングレジストが塗布されることを特徴とする。
【００１４】
また、前記溝部は、前記シリコン層と前記被転写体とが接触する前記シリコン層の一領域の縁内側に沿って連続的に形成されることを特徴とする。
【００１５】
また、前記溝部は、内側にシリコンが形成されることを特徴とする。
【００１６】
また、前記透明基板は、石英ガラス基板またはソーダライムガラスで形成されることを特徴とする。
【００１７】
また、前記遮光膜は、クロムで形成されることを特徴とする。
【００１８】
本発明の特徴及び利点は、添付図面に基づいた以下の詳細な説明によってさらに明らかになるであろう。
【００１９】
本発明の詳細な説明に先立ち、本明細書及び特許請求の範囲に用いられた用語や単語は、通常的かつ辞書的な意味に解釈されてはならず、発明者が自らの発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則にしたがって本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されるべきである。
【発明の効果】
【００２０】
本発明による露光装置は、フォトマスクと被転写体との真空吸着度を向上させ、均一な線幅及び微細な回路パターンを具現することができる長所がある。
【００２１】
また、真空吸着過程で発生する気泡などによる段差を除去することにより、フォトマスクの割れ不良を改善することができる長所がある。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】従来技術によるフォトマスクの断面図である。
【図２】従来技術による露光装置の断面図である。
【図３】本発明の好ましい実施例による露光装置の断面図である。
【図４】本発明の好ましい実施例によるフォトマスクの断面図である。
【図５】本発明によるフォトマスクの底面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明の目的、特定の長所及び新規の特徴は、添付図面に係る以下の詳細な説明及び好ましい実施例によってさらに明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際し、同一の構成要素に限っては、たとえ異なる図面に示されても、できるだけ同一の番号を付けるようにしていることに留意しなければならない。また、本発明を説明するにあたり、係わる公知技術についての具体的な説明が本発明の要旨を不明瞭にする可能性があると判断される場合には、その詳細な説明を省略する。
【００２４】
以下、添付の図面を参照して、本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。
【００２５】
図３は、本発明の好ましい実施例による露光装置の断面図を示す。
【００２６】
図３に図示したように、本実施例による露光装置は、フォトマスク１００と支持体１２０とを含むことを特徴とする。
【００２７】
前記フォトマスク１００は、透明基板１１１と、透明基板１１１に形成された遮光膜１１２と、遮光膜１１２に形成されたシリコン層１１４と、シリコン層１１４及び遮光膜１１２の一部に至るまで彫込み形成された溝部１５０と、を含む。
【００２８】
以下、図４を参照して、フォトマスク１００の構成要素について記述する。
【００２９】
前記透明基板１１１の材質は、露光装置の光照射部（不図示）で用いる露光波長に対して透明性を有するものであれば、特に制限されない。
【００３０】
本発明では、石英ガラス基板、その他の各種ガラス基板（例えば、ソーダライムガラス（Ｓｏｄａ  ｌｉｍｅ  ｇｌａｓｓ）、アルミノシリケートガラス（Ａｌｕｍｉｎｏ  ｓｉｌｉｃａｔｅ  ｇｌａｓｓ）など）を用いることができるが、このうちでも、石英ガラス基板は、ＡｒＦエキシマレーザーまたはそれよりも短波長の領域で透明性が高いため、特に好ましい。
【００３１】
前記遮光膜１１２は、クロム（Ｃｒ）またはクロムを主成分とする化合物、シリコン（Ｓｉ）、タングステン（Ｗ）、アルミニウム（Ａｌ）からなるか、または、窒素（Ｎ）、酸素（Ｏ）、炭素（Ｃ）及びフッ素（Ｆ）からなる群から選ばれる一つ以上の元素を含むことが好ましい。
【００３２】
前記透明基板１１１に遮光膜１１２を形成する方法としては、スパッタリングまたは蒸着工法が挙げられるが、これに限定されるものではない。
【００３３】
一方、遮光膜１１２には、吸光パターンが形成されているため、光照射部から照射される光を選択的に通過させる。吸光パターンは、フォトマスク１００の表面に入射される光を反射せずに吸収するパターンを意味する。吸光パターンは、厚さが薄いほど微細な回路パターンの形成に有利であるが、薄すぎると製造工程が制御しにくくなるという欠点がある。
【００３４】
前記シリコン層１１４は、弾性を有する部材であり、遮光膜１１２に形成され、露光装置の駆動過程で被転写体１３０と接触するようになる。
【００３５】
即ち、フォトマスク１００と被転写体１３０とが真空吸着する過程で、支持体１２０が移動するようになり、支持体１２０は、被転写体１３０に圧縮を加えるようになる。
【００３６】
ここで、シリコン層１１４が緩衝作用して、支持体１２０が加える圧縮力から被転写体１３０の変形及び割れを防止する役割をする。さらには、シリコン層１１４は、弾性を有するため、被転写体１３０に微細な凹凸が存在することにより、被転写体１３０との接触時に段差が生じても、これを弾力的に吸収する役割をする。
【００３７】
図５は、本発明によるフォトマスク１００の底面を示した図面であり、本発明では、シリコン層１１４のうち被転写体１３０が接触する面を吸着面１１４’と定義する。
【００３８】
即ち、シリコン層１１４の吸着面１１４’に被転写体１３０が接触するのである。
【００３９】
前記被転写体１３０は、エッチングレジスト１３５などの感光性材料を塗布した基板であり、フォトマスク１００の遮光膜１１２に形成された吸光パターンが前記基板上に塗布されたエッチングレジスト１３５に転写される。
【００４０】
即ち、本発明による露光装置の上部に光照射部が備えられ、光照射部から発散される光は遮光膜１１２に形成された吸光パターンを通過して、基板上に形成されたエッチングレジスト１３５を選択的に露光させる。
【００４１】
前記溝部１５０は、シリコン層１１４の吸着面１１４’の縁に沿って連続的に形成される。
【００４２】
図４に図示したように、溝部１５０は、フォトマスク１００の表面に屈曲して彫込み形成されており、溝部１５０の深さは、シリコン層１１４を貫通して遮光膜１１２の内部の一定深さに至る。
【００４３】
露光装置内で支持体１２０とフォトマスク１００が上下に移動しながら、まず、フォトマスク１００を構成する遮光膜１１２の外周面と支持体１２０の外周に形成されたパッキン１４０（図３参照）が接触する。
【００４４】
ここで、前記パッキン１４０は、一般的にシリコン材質を用い、パッキン１４０の内部に空気を充填して伸縮可能にすることにより、過圧縮によるフォトマスク１００の割れ現象を防止する。その後、パッキン１４０によってフォトマスク１００と支持体１２０との間の空間は、密封された状態となって、フォトマスク１００と被転写体１３０との間の間隔が細くなり、フォトマスク１００の吸着面１１４’に被転写体１３０が接触するようになる。
【００４５】
本発明の溝部１５０は、前記吸着面１１４’の内側縁に沿って彫込み形成されており、フォトマスク１００と被転写体１３０との吸着時に発生する気泡を囲むことにより、紫外線露光工程の前、両構成の完全密着を可能にする。
【００４６】
前記溝部１５０は、吸着面１１４’の四辺に対して所定間隔で離隔されて連続的に形成され、前記仮想吸着面１１４’の内側に形成された多数の単位回路パターンを囲んでいる。
【００４７】
また、その形状は、フォトマスク１００の表面に３ｍｍ以上１０ｍｍ以下の深さを有するように彫込み形成され、シリコン層１１４及び遮光膜１１２の一部に至り、屈曲した形状を有する。
【００４８】
一方、前記溝部１５０の内側面には、シリコン１６０が形成されており、支持体１２０と被転写体１３０との吸着過程で両構成の間に残留する気泡が、溝部１５０の外に漏れることが防止する。
【００４９】
即ち、空泡の残留によって発生する露光装置の内部の真空不良を防止する役割をする。
【００５０】
ここで、溝部１５０の内側のシリコン１６０は、溝部１５０の内側表面に沿って屈曲した形状を有する。
【００５１】
前記支持体１２０は、前記被転写体１３０を支持する構成であり、上下に移動しながら被転写体１３０とフォトマスク１００とを密着させる。また、支持体１２０上の被転写体１３０を支持する部分の周りには、パッキン１４０が取り付けられている。
【００５２】
このパッキン１４０は、一般的にシリコンなどの材質で形成され、空気などの漏洩を防止し、フォトマスク１００と被転写体１３０との間の空間を密封する役割をする。
【００５３】
以上、本発明を好ましい実施例に基づいて詳細に説明したが、これは、本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明による露光装置は、これに限定されず、該当分野における通常の知識を有する者により、本発明の技術的思想内にての変形や改良が可能であることは明白であろう。
【００５４】
このような本発明の単純な変形乃至変更は、いずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は、添付の特許請求の範囲により明確になるであろう。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明は、真空状態でフォトマスクと被転写体とを密着させた後、紫外線を投影することにより、フォトマスクに形成された吸光パターンを被転写体の表面に転写する露光装置に適用可能である。
【符号の説明】
【００５６】
１０  フォトマスク
１１  透明基板
１２  遮光膜
１４  シリコン層
２０  支持体
３０  被転写体
３５  エッチングレジスト
４０  パッキン
１００  フォトマスク
１１１  透明基板
１１２  遮光膜
１１４  シリコン層
１１４'  吸着面
１２０  支持体
１３０  被転写体
１３５  エッチングレジスト
１４０  パッキン
１５０  溝部
１６０  シリコン
【図１】
2012118500.tif 000003
【図２】
2012118500.tif 000004
【図３】
2012118500.tif 000005
【図４】
2012118500.tif 000006
【図５】
2012118500.tif 000007