(57)【要約】【課題】配線層間膜の平坦化を行いながら、クラックの伝搬と配線層間膜の剥がれを抑制することを目的とする。【解決手段】電極パッド１１３形成領域の、低誘電率膜より誘電率の高い配線層間膜からなる多層配線層領域において、ダミービアを形成しないことにより、配線層間膜の平坦化を行いながら、クラックの伝搬と配線層間膜の剥がれを抑制することができる。【選択図】図２
2012222256.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
複数の第１の配線層間膜および前記第１の配線層間膜の間に１層形成される１または複数の第１の配線層からなって前記基板上に形成される第１の多層配線層と、
複数の第２の配線層間膜および前記第２の配線層間膜の間に１層形成される１または複数の第２の配線層からなって前記基板上の前記第１の多層配線層形成領域外に形成される第２の多層配線層と、
複数の第３の配線層間膜および前記第３の配線層間膜の間に１層形成される１または複数の第３の配線層からなって前記第１の多層配線層上に形成される第３の多層配線層と、
複数の第４の配線層間膜および前記第４の配線層間膜の間に１層形成される１または複数の第４の配線層からなって前記第２の多層配線層上に形成される第４の多層配線層と、
前記第３の多層配線層上に形成される電極パッドと、
前記第４の多層配線層上に形成される保護膜と、
前記第２の配線層間膜，前記第３の配線層間膜および前記第４の配線層間膜にのみ形成されるダミービアと、
前記第１の配線層，前記第２の配線層，前記第３の配線層および前記第４の配線層に形成されるダミー配線と、
前記第１の配線層，前記第２の配線層，前記第３の配線層および前記第４の配線層の内の任意の配線層に形成される信号配線と、
前記第１の配線層間膜，前記第２の配線層間膜，前記第３の配線層間膜および前記第４の配線層間膜の内の任意の配線層間膜に形成される信号配線間ビアと
を有し、前記第１の配線層間膜および前記第２の配線層間膜が前記第３の配線層間膜および前記第４の配線層間膜よりも誘電率が低いことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項２】
基板と、
複数の第１の配線層間膜および前記第１の配線層間膜の間に１層形成される１または複数の第１の配線層からなって前記基板上に形成される第１の多層配線層と、
複数の第２の配線層間膜および前記第２の配線層間膜の間に１層形成される１または複数の第２の配線層からなって前記基板上の前記第１の多層配線層形成領域外に形成される第２の多層配線層と、
複数の第３の配線層間膜および前記第３の配線層間膜の間に１層形成される１または複数の第３の配線層からなって前記第１の多層配線層上に形成される第３の多層配線層と、
複数の第４の配線層間膜および前記第４の配線層間膜の間に１層形成される１または複数の第４の配線層からなって前記第２の多層配線層上に形成される第４の多層配線層と、
前記第３の多層配線層上に形成される電極パッドと、
前記第４の多層配線層上に形成される保護膜と、
前記第２の配線層間膜，前記第３の配線層間膜および前記第４の配線層間膜にのみ形成されるダミービアと、
前記第２の配線層，前記第３の配線層および前記第４の配線層に形成されるダミー配線と、
前記第１の配線層，前記第２の配線層，前記第３の配線層および前記第４の配線層の内の任意の配線層に形成される信号配線と、
前記第１の配線層間膜，前記第２の配線層間膜，前記第３の配線層間膜および前記第４の配線層間膜の内の任意の配線層間膜に形成される信号配線間ビアと
を有し、前記第１の配線層間膜および前記第２の配線層間膜が前記第３の配線層間膜および前記第４の配線層間膜よりも誘電率が低いことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項３】
基板と、
複数の第１の配線層間膜および前記第１の配線層間膜の間に１層形成される１または複数の第１の配線層からなって前記基板上に形成される第１の多層配線層と、
複数の第２の配線層間膜および前記第２の配線層間膜の間に１層形成される１または複数の第２の配線層からなって前記基板上の前記第１の多層配線層形成領域外に形成される第２の多層配線層と、
複数の第３の配線層間膜および前記第３の配線層間膜の間に１層形成される１または複数の第３の配線層からなって前記第１の多層配線層上に形成される第３の多層配線層と、
複数の第４の配線層間膜および前記第４の配線層間膜の間に１層形成される１または複数の第４の配線層からなって前記第２の多層配線層上に形成される第４の多層配線層と、
前記第３の多層配線層上に形成される電極パッドと、
前記第４の多層配線層上に形成される保護膜と、
前記第２の配線層間膜および前記第４の配線層間膜にのみ形成されるダミービアと、
前記第１の配線層，前記第２の配線層，前記第３の配線層および前記第４の配線層に形成されるダミー配線と、
前記第１の配線層，前記第２の配線層，前記第３の配線層および前記第４の配線層の内の任意の配線層に形成される信号配線と、
前記第１の配線層間膜，前記第２の配線層間膜，前記第３の配線層間膜および前記第４の配線層間膜の内の任意の配線層間膜に形成される信号配線間ビアと
を有し、前記第１の配線層間膜および前記第２の配線層間膜が前記第３の配線層間膜および前記第４の配線層間膜よりも誘電率が低いことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項４】
基板と、
複数の第１の配線層間膜および前記第１の配線層間膜の間に１層形成される１または複数の第１の配線層からなって前記基板上に形成される第１の多層配線層と、
複数の第２の配線層間膜および前記第２の配線層間膜の間に１層形成される１または複数の第２の配線層からなって前記基板上の前記第１の多層配線層形成領域外に形成される第２の多層配線層と、
複数の第３の配線層間膜および前記第３の配線層間膜の間に１層形成される１または複数の第３の配線層からなって前記第１の多層配線層上に形成される第３の多層配線層と、
複数の第４の配線層間膜および前記第４の配線層間膜の間に１層形成される１または複数の第４の配線層からなって前記第２の多層配線層上に形成される第４の多層配線層と、
前記第３の多層配線層上に形成される電極パッドと、
前記第４の多層配線層上に形成される保護膜と、
前記第２の配線層間膜および前記第４の配線層間膜にのみ形成されるダミービアと、
前記第２の配線層，前記第３の配線層および前記第４の配線層に形成されるダミー配線と、
前記第１の配線層，前記第２の配線層，前記第３の配線層および前記第４の配線層の内の任意の配線層に形成される信号配線と、
前記第１の配線層間膜，前記第２の配線層間膜，前記第３の配線層間膜および前記第４の配線層間膜の内の任意の配線層間膜に形成される信号配線間ビアと
を有し、前記第１の配線層間膜および前記第２の配線層間膜が前記第３の配線層間膜および前記第４の配線層間膜よりも誘電率が低いことを特徴とする半導体集積回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極にバンプが形成される半導体集積回路装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路装置の高集積化、高機能化が進むにつれて半導体集積回路装置の消費電力は増加するため、その対策としてチップ全面にエリアパッドを配列し、パッド上にはんだバンプなどを形成してフリップ組立の形態をとることがある。このとき、エリアパッドに係るはんだバンプのダメージなどに対するさまざまな対策が施されている。
【０００３】
一方、プロセスの微細化により配線層間膜の平坦化を目的として、信号配線パターンの形成に対して、ダミー配線パターンを形成するようになってきている。更に、ビア形成に対しても、孤立ビアを安定的に形成するためにダミービアを形成し、プロセスの完成度向上を図っている。それと共に、配線間容量低減のために、誘電率の低い配線層間膜として、膜強度としては脆弱なＬＫ膜、更にＥＬＫ膜を下層配線に使用し設計優位性向上も図る方向でもある。更にプロセスの微細化、多層化が進むにつれ、ダミービアの形成は、最も配線が密になる下層配線層間から比較的配線密度が低くなる上層配線間へと連続して形成することにより、より精密に平坦化を図っている。また、ダミービアの形成についてはダミービア下のダミー配線とダミービアの上のダミー配線をセットにして構成されることが多くなっている。
【０００４】
以下、図１０を用いて従来の半導体集積回路装置におけるダミービアおよびダミー配線の構成を説明する。
図１０は従来の半導体集積回路装置におけるパッド領域のチップ断面図である。
【０００５】
図１０に示すように、電極パッド７０の形成領域下に信号配線が通過し、信号配線のない領域に対してダミー配線６０、ダミービア５０が形成されている。すなわち、複数の配線層において、上層側から下層側に行くに従い配線密度が密になるところ、従来の構成においては、電極パッド７０下の配線密度が比較的疎になる上層側絶縁層において、ダミービア５０が形成されることが一般的であった。これにより、電極パッド７０からの応力によるクラックの伝搬の防止や、配線層間膜の平坦化を図っていた。
【０００６】
しかしながら、配線層間膜に脆弱なＬＫ膜等を用いることにより、パッドからの応力によるクラックの伝搬に加え、脆弱な配線層間膜に対する剥がれ応力（引っ張り荷重）による配線層間膜の剥がれも問題となってきている。また、エリアパッドの場合、チップ全面にパッドが配列されるため、パッド下のクラックや剥がれの影響は、従来の外周に配置するパッドに比べ大きくなってきている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−１００６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上記問題点を解決するために、本発明の半導体集積回路装置は、ビア形成性のプロセスを向上させつつ、クラックの伝搬と配線層間膜の剥がれを抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の半導体集積回路装置は、基板と、複数の第１の配線層間膜および前記第１の配線層間膜の間に１層形成される１または複数の第１の配線層からなって前記基板上に形成される第１の多層配線層と、複数の第２の配線層間膜および前記第２の配線層間膜の間に１層形成される１または複数の第２の配線層からなって前記基板上の前記第１の多層配線層形成領域外に形成される第２の多層配線層と、複数の第３の配線層間膜および前記第３の配線層間膜の間に１層形成される１または複数の第３の配線層からなって前記第１の多層配線層上に形成される第３の多層配線層と、複数の第４の配線層間膜および前記第４の配線層間膜の間に１層形成される１または複数の第４の配線層からなって前記第２の多層配線層上に形成される第４の多層配線層と、前記第３の多層配線層上に形成される電極パッドと、前記第４の多層配線層上に形成される保護膜と、前記第２の配線層間膜，前記第３の配線層間膜および前記第４の配線層間膜にのみ形成されるダミービアと、前記第１の配線層，前記第２の配線層，前記第３の配線層および前記第４の配線層に形成されるダミー配線と、前記第１の配線層，前記第２の配線層，前記第３の配線層および前記第４の配線層の内の任意の配線層に形成される信号配線と、前記第１の配線層間膜，前記第２の配線層間膜，前記第３の配線層間膜および前記第４の配線層間膜の内の任意の配線層間膜に形成される信号配線間ビアとを有し、前記第１の配線層間膜および前記第２の配線層間膜が前記第３の配線層間膜および前記第４の配線層間膜よりも誘電率が低いことを特徴とする。
【００１０】
また、基板と、複数の第１の配線層間膜および前記第１の配線層間膜の間に１層形成される１または複数の第１の配線層からなって前記基板上に形成される第１の多層配線層と、複数の第２の配線層間膜および前記第２の配線層間膜の間に１層形成される１または複数の第２の配線層からなって前記基板上の前記第１の多層配線層形成領域外に形成される第２の多層配線層と、複数の第３の配線層間膜および前記第３の配線層間膜の間に１層形成される１または複数の第３の配線層からなって前記第１の多層配線層上に形成される第３の多層配線層と、複数の第４の配線層間膜および前記第４の配線層間膜の間に１層形成される１または複数の第４の配線層からなって前記第２の多層配線層上に形成される第４の多層配線層と、前記第３の多層配線層上に形成される電極パッドと、前記第４の多層配線層上に形成される保護膜と、前記第２の配線層間膜，前記第３の配線層間膜および前記第４の配線層間膜にのみ形成されるダミービアと、前記第２の配線層，前記第３の配線層および前記第４の配線層に形成されるダミー配線と、前記第１の配線層，前記第２の配線層，前記第３の配線層および前記第４の配線層の内の任意の配線層に形成される信号配線と、前記第１の配線層間膜，前記第２の配線層間膜，前記第３の配線層間膜および前記第４の配線層間膜の内の任意の配線層間膜に形成される信号配線間ビアとを有し、前記第１の配線層間膜および前記第２の配線層間膜が前記第３の配線層間膜および前記第４の配線層間膜よりも誘電率が低いことを特徴とする。
【００１１】
また、基板と、複数の第１の配線層間膜および前記第１の配線層間膜の間に１層形成される１または複数の第１の配線層からなって前記基板上に形成される第１の多層配線層と、複数の第２の配線層間膜および前記第２の配線層間膜の間に１層形成される１または複数の第２の配線層からなって前記基板上の前記第１の多層配線層形成領域外に形成される第２の多層配線層と、複数の第３の配線層間膜および前記第３の配線層間膜の間に１層形成される１または複数の第３の配線層からなって前記第１の多層配線層上に形成される第３の多層配線層と、複数の第４の配線層間膜および前記第４の配線層間膜の間に１層形成される１または複数の第４の配線層からなって前記第２の多層配線層上に形成される第４の多層配線層と、前記第３の多層配線層上に形成される電極パッドと、前記第４の多層配線層上に形成される保護膜と、前記第２の配線層間膜および前記第４の配線層間膜にのみ形成されるダミービアと、前記第１の配線層，前記第２の配線層，前記第３の配線層および前記第４の配線層に形成されるダミー配線と、前記第１の配線層，前記第２の配線層，前記第３の配線層および前記第４の配線層の内の任意の配線層に形成される信号配線と、前記第１の配線層間膜，前記第２の配線層間膜，前記第３の配線層間膜および前記第４の配線層間膜の内の任意の配線層間膜に形成される信号配線間ビアとを有し、前記第１の配線層間膜および前記第２の配線層間膜が前記第３の配線層間膜および前記第４の配線層間膜よりも誘電率が低いことを特徴とする。
【００１２】
また、基板と、複数の第１の配線層間膜および前記第１の配線層間膜の間に１層形成される１または複数の第１の配線層からなって前記基板上に形成される第１の多層配線層と、複数の第２の配線層間膜および前記第２の配線層間膜の間に１層形成される１または複数の第２の配線層からなって前記基板上の前記第１の多層配線層形成領域外に形成される第２の多層配線層と、複数の第３の配線層間膜および前記第３の配線層間膜の間に１層形成される１または複数の第３の配線層からなって前記第１の多層配線層上に形成される第３の多層配線層と、複数の第４の配線層間膜および前記第４の配線層間膜の間に１層形成される１または複数の第４の配線層からなって前記第２の多層配線層上に形成される第４の多層配線層と、前記第３の多層配線層上に形成される電極パッドと、前記第４の多層配線層上に形成される保護膜と、前記第２の配線層間膜および前記第４の配線層間膜にのみ形成されるダミービアと、前記第２の配線層，前記第３の配線層および前記第４の配線層に形成されるダミー配線と、前記第１の配線層，前記第２の配線層，前記第３の配線層および前記第４の配線層の内の任意の配線層に形成される信号配線と、前記第１の配線層間膜，前記第２の配線層間膜，前記第３の配線層間膜および前記第４の配線層間膜の内の任意の配線層間膜に形成される信号配線間ビアとを有し、前記第１の配線層間膜および前記第２の配線層間膜が前記第３の配線層間膜および前記第４の配線層間膜よりも誘電率が低いことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
上記のように、電極パッド形成領域の、低誘電率膜より誘電率の高い配線層間膜からなる多層配線層領域において、ダミービアを形成しないことにより、配線層間膜の平坦化を行いながら、クラックの伝搬と配線層間膜の剥がれを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の半導体集積回路装置の電極パッド配置を例示する平面図
【図２】第一の実施形態に係る半導体集積回路装置の電極パッド下の構成を示す断面図
【図３】第一の実施形態に係る半導体集積回路装置の電極パッド下以外の構成を示す断面図
【図４】第二の実施形態に係る半導体集積回路装置の電極パッド下の構成を示す断面図
【図５】第二の実施形態に係る半導体集積回路装置の電極パッド下以外の構成を示す断面図
【図６】第三の実施形態に係る半導体集積回路装置の電極パッド下の構成を示す断面図
【図７】第三の実施形態に係る半導体集積回路装置の電極パッド下以外の構成を示す断面図
【図８】第四の実施形態に係る半導体集積回路装置の電極パッド下の構成を示す断面図
【図９】第四の実施形態に係る半導体集積回路装置の電極パッド下以外の構成を示す断面図
【図１０】従来の半導体集積回路装置におけるパッド領域のチップ断面図
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照しながら説明する。
（第一の実施形態）
図１は本発明の半導体集積回路装置の電極パッド配置を例示する平面図であり、エリアアレイ状に電極パッドを配置した半導体集積回路装置の電極パッド構成を示すレイアウト図である。図２は第一の実施形態に係る半導体集積回路装置の電極パッド下の構成を示す断面図であり、図１のａ−ｂ断面図である。図３は第一の実施形態に係る半導体集積回路装置の電極パッド下以外の構成を示す断面図であり、図１のｃ−ｄ断面図である。
【００１６】
図１に示すように、半導体チップ１００の全面に電極パッド１０１をエリアアレイ状に配列しており、電極パッド１０１以外の領域は保護膜１０２で覆われている。
図２において、半導体集積回路装置は基板１０３上に第一の多層配線層と第二の多層配線層が積層され、第二の多層配線層上に電極パッド１１３が形成される。電極パッド１１３が形成される領域の下層では、第一の多層配線層に誘電率の低い配線層間膜１１４、１１５、１１６が設けられ、第二の多層配線層に誘電率の高い配線層間膜１１７、１１８、１１９設けられている。第一の多層配線層にはダミー配線１０４、１０６、１０８、１１０が形成されている。また、ダミー配線１０４、１０６を接続するダミービア１０５と、ダミー配線１０６、１０８を接続するダミービア１０７と、ダミー配線１０８、１１０を接続するダミービア１０９を有している。第二の多層配線層にはダミー配線１１１、１１２のみが形成され、ダミービアは形成されない。
【００１７】
図３において、半導体集積回路装置は基板１０３上に第一の多層配線層と第二の多層配線層が積層され、第二の多層配線層上に電極パッド１１３が形成されず、保護膜１２４が形成される。電極パッド１１３が形成されない保護膜１２４の形成領域の下層では、第一の多層配線層に誘電率の低い配線層間膜１１４、１１５、１１６が設けられ、第二の多層配線層に誘電率の高い配線層間膜１１７、１１８、１１９が設けられている。第一の多層配線層にはダミー配線１０４、１０６、１０８、１１０が形成されている。また、ダミー配線１０４、１０６を接続するダミービア１０５と、ダミー配線１０６、１０８を接続するダミービア１０７と、ダミー配線１０８、１１０を接続するダミービア１０９を有している。さらに、第二の多層配線層にはダミー配線１１１、１１２、１２３が形成されている。また、ダミー配線１１０、１１１を接続するダミービア１２０と、ダミー配線１１１、１１２を接続するダミービア１２１と、ダミー配線１１２、１２３を接続するダミービア１２２と、保護膜１２４を有している。この構成は、仮にａ−ｂ、ｂ−ｃ断面領域に、実配線が存在しない場合の構成である。実配線が存在する構成については、第二の実施形態にて説明する。
【００１８】
図２において、電極パッド１１３上にはんだバンプなどが形成されるが、バンプ形成時の引っ張り応力が第二の多層配線層から第一の多層配線層へ伝播する。一方、図３の電極パッド１１３が形成されない領域下とは異なり、第二の多層配線層間には、第二のダミービアが存在しないため、引っ張り応力の伝播が緩和される。
【００１９】
以上のように、本発明によれば、誘電率が低く脆弱な配線層間膜からなる第一の多層配線層には実動作に用いるビアが形成されない領域にダミービアを形成し、誘電率が高く一定の強度を有する配線層間膜からなる第二の多層配線層においては電極パッド１１３の形成領域の下層にはダミービアを形成せず、電極パッド１１３の形成領域以外の領域の下層のみにダミービアを形成することにより、配線層間膜の平坦化を実現すると共に、電極パッド１１３の形成領域の下層におけるクラックの伝播の抑制と、応力による膜剥がれを抑制することができる。特に、電極パッド１１３の形成領域の下層にダミービアを形成しないことにより、バンプ形成時に生じる応力がダミービアを伝って脆弱な第一の多層配線層に伝搬することを抑制することができるので、配線層間膜の剥がれを抑制することができる。
（第二の実施形態）
次に、第二の実施形態に係る半導体集積回路装置の第一の実施形態に係る半導体集積回路装置と異なる構成について、図１，図４，図５を用いて説明する。
【００２０】
図４は第二の実施形態に係る半導体集積回路装置の電極パッド下の構成を示す断面図であり、図１のａ−ｂ断面図である。図５は第二の実施形態に係る半導体集積回路装置の電極パッド下以外の構成を示す断面図であり、図１のｃ−ｄ断面図である。
【００２１】
図４に示すように、第二の実施形態に係る半導体集積回路装置では、信号配線１２５、１２７、１２９、１３１及び信号配線間ビア１２６、１２８、１３０からなる信号配線経路を形成する点で第一の実施形態に係る半導体集積回路装置と異なる。なお、その他の構成は図２と同様であり、説明を省略する。
【００２２】
また、図５に示すように、第二の実施形態に係る半導体集積回路装置では、信号配線１３２、１３４、１３６、１３８及び信号配線間ビア１３３、１３５、１３７からなる信号配線経路と、別の信号配線１３９、１４１及び信号配線間ビア１４０からなる信号配線経路を形成する点で第一の実施形態に係る半導体集積回路装置と異なる。なお、その他の構成は図３と同様であり、説明を省略する。
【００２３】
第二の実施形態では、図４，図５に示すように、電極パッド１１３形成領域以外の領域の下層における第一の多層配線層および第二の多層配線層には、それぞれ信号配線１３２、１３４、１３６、１３８及び信号配線間ビア１３３、１３５、１３７からなる信号配線経路と、別の信号配線１３９、１４１及び信号配線間ビア１４０からなる信号配線経路とが形成され、信号配線経路が形成されない領域には、ダミー配線１０４、１０６、１０８、１１１、１１２とダミービア１０７、１０９、１２０、１２１が形成される。また、電極パッド１１３形成領域下層における第一の多層配線層には、ダミー配線１０４、１０６およびダミービア１０５ならびに信号配線１２５、１２７および信号配線間ビア１２６からなる信号配線経路が形成される。そして、電極パッド１１３形成領域下層における第二の多層配線層には、信号配線１２９、１３１及び信号配線間ビア１２８、１３０からなる信号配線経路とダミー配線１１０、１１１、１１２のみが形成され、ダミービアを形成しない。
【００２４】
第一の実施形態と同様に、図４において、電極パッド１１３上にはんだバンプなどが形成されている。この際、引っ張り応力が第二の多層配線層から第一の多層配線層へ伝播するが、第二の多層配線層間には、ダミービアが存在しないため、引っ張り応力の伝播が緩和される。
【００２５】
以上のように、本発明によれば、電極パッド１１３の形成領域下層において、第二の多層配線層には信号配線および信号配線間を接続するための信号配線間ビアとダミー配線のみを形成し、ダミービアを形成しないことにより、配線層間膜の平坦化を実現すると共に、電極パッド１１３の形成領域の下層におけるクラックの伝播の抑制と、応力による膜剥がれを抑制することができる。
（第三の実施形態）
次に、第三の実施形態に係る半導体集積回路装置の第二の実施形態に係る半導体集積回路装置と異なる構成について、図１，図６，図７を用いて説明する。
【００２６】
図６は第三の実施形態に係る半導体集積回路装置の電極パッド下の構成を示す断面図であり、図１のａ−ｂ断面図である。図７は第三の実施形態に係る半導体集積回路装置の電極パッド下以外の構成を示す断面図であり、図１のｃ−ｄ断面図である。図６，図７において、図４，図５と同一の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
【００２７】
図６，図７に示す第三の実施形態に係る半導体集積回路装置では、図４，図５に示す第二の実施形態に係る半導体集積回路装置と同様に信号配線経路を形成しているが、電極パッド１１３の形成領域下層に対しては、第二の多層配線における信号配線経路、特に信号配線間ビアを形成していないことが特徴である。
【００２８】
このように、電極パッド１１３の形成領域下層の第二の多層配線にダミービアおよび信号配線間ビアを形成しないことにより、電極パッド１１３下の誘電率の低い脆弱な配線層間膜に対する応力の伝播を更に緩和することができる。
【００２９】
なお、第二の実施形態および第三の実施形態において、電極パッド１１３が形成されない領域の第二の多層配線にダミービアを形成する場合を例に説明したが、十分に信号配線間ビアが形成される場合には、必ずしもダミービアを形成する必要はない。
（第四の実施形態）
次に、第四の実施形態に係る半導体集積回路装置の第一の実施形態に係る半導体集積回路装置と異なる構成について、図１，図８，図９を用いて説明する。
【００３０】
図８は第四の実施形態に係る半導体集積回路装置の電極パッド下の構成を示す断面図であり、図１のａ−ｂ断面図である。図９は第四の実施形態に係る半導体集積回路装置の電極パッド下以外の構成を示す断面図であり、図１のｃ−ｄ断面図である。図８，図９において、図２，図３と同一の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略する。
【００３１】
図８に示すように、電極パッド１１３形成領域の下層に対しては、第二の多層配線層において、ダミー配線およびダミービアを形成していないことが特徴である。図９に示すように、電極パッド１１３形成領域以外の領域においては、図３と同様にダミー配線１１１、１１２、１２３もダミービア１２０、１２１、１２２も形成する。
【００３２】
このように、電極パッド１１３形成領域の下層に対しては、第二の多層配線層においてダミー配線およびダミービアを形成していない事で、電極パッド１１３下層の誘電率の低い脆弱な配線層間膜に対して応力伝播を緩和することができる。
【００３３】
以上のように本発明によれば、上層多層配線層に対してもビア形成プロセス安定化のためダミービアを適用するような微細プロセスを適用する半導体集積回路装置において、電極パッド下には上層多層配線層に対してダミービアを形成しないことで、設計的な制約なくフリップ組立工程であるはんだバンプ形成時の引っ張り応力の下層の脆弱な配線層間膜への伝播緩和を実現している。
【００３４】
なお、以上の各実施形態において、第１の多層配線層および第２の多層配線層に形成される配線層数は任意であり、配線層間膜と配線層が交互に１または複数層形成することができる。
【００３５】
また、信号配線経路は、上記実施形態で例示した位置に限らず、任意の位置に形成可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明は、配線層間膜の平坦化を行いながら、クラックの伝搬と配線層間膜の剥がれを抑制することができ、電極にバンプが形成される半導体集積回路装置等に有用である。
【符号の説明】
【００３７】
５０    ダミービア
６０    ダミー配線
７０    電極パッド
１００    半導体チップ
１０１    電極パッド
１０２    保護膜
１０３    基板
１０４    ダミー配線
１０５    ダミービア
１０６    ダミー配線
１０７    ダミービア
１０８    ダミー配線
１０９    ダミービア
１１０    ダミー配線
１１１    ダミー配線
１１２    ダミー配線
１１３    電極パッド
１１４    配線層間膜
１１５    配線層間膜
１１６    配線層間膜
１１７    配線層間膜
１１８    配線層間膜
１１９    配線層間膜
１２０    ダミービア
１２１    ダミービア
１２２    ダミービア
１２３    ダミー配線
１２４    保護膜
１２５    信号配線
１２６    信号配線間ビア
１２７    信号配線
１２８    信号配線間ビア
１２９    信号配線
１３０    信号配線間ビア
１３１    信号配線
１３２    信号配線
１３３    信号配線間ビア
１３４    信号配線
１３５    信号配線間ビア
１３６    信号配線
１３７    信号配線間ビア
１３８    信号配線
１３９    信号配線
１４０    信号配線間ビア
１４１    信号配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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