(57)【要約】【課題】実施形態によれば、オーバーハング部に対するワイヤボンディング不良を防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、実ボンディング時におけるボンディングヘッドが接地基準位置をサーチする下降速度及び荷重と同じ下降速度及び荷重でもってボンディングヘッドをオーバーハング部のボンディングパッドに対して下降させて接触させ、接地基準位置を予め取得する。実ボンディングでは、半導体チップにおける下方の支持体から張り出したオーバーハング部に形成されたボンディングパッドに対する前記接地基準位置までボンディングヘッドを下降させて、ボンディングヘッドの先端でワイヤをボンディングパッドに押し付けて接合する。【選択図】図３
2012186416.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップにおける下方の支持体から張り出したオーバーハング部に形成されたボンディングパッドに対する接地基準位置までボンディングヘッドを下降させて、前記ボンディングヘッドの先端でワイヤを前記ボンディングパッドに押し付けて接合する実ボンディングの前に、
前記実ボンディング時における前記ボンディングヘッドが前記接地基準位置をサーチする下降速度及び荷重と同じ下降速度及び荷重でもって前記ボンディングヘッドを前記ボンディングパッドに対して下降させて接触させ、前記接地基準位置を予め取得することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記接地基準位置を取得する工程は、
前記ボンディングヘッドが前記ボンディングパッドに接触した後、前記ボンディングヘッドを所定時間停止させる待機工程を有し、
前記所定時間経過後の前記ボンディングヘッドの位置を、前記接地基準位置として設定することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記接地基準位置を取得する工程において、前記待機時に前記ボンディングヘッドに与える荷重は、前記ボンディングパッドに対して接触する時に前記ボンディングヘッドに与える荷重よりも低いことを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記半導体装置は、複数の前記半導体チップが積層された構造を有し、
少なくとも１つの前記半導体チップは、すべてのボンディングパッドを前記オーバーハング部に有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記オーバーハング部に形成された前記ボンディングパッドに対する前記実ボンディング時の条件を、前記半導体チップにおける前記支持体に支えられた部分に形成されたボンディングパッドに対する実ボンディング時にも適用することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ワイヤボンディングでは、一般に、実ボンディングの前に、一定速度でキャピラリを下降させ、キャピラリがボンディングパッドに接触する接地基準位置を予め取得している。例えば、キャピラリに対する下降指令値と、実際のキャピラリの下降量との差に基づいて、キャピラリがボンディングパッドに接触したことを検出する方法が知られている。
【０００３】
例えば基板あるいは他の半導体チップ上に積層された半導体チップでは、下方の基板や他の半導体チップから張り出したオーバーハング部に配置されたボンディングパッドを有する場合がある。以降、オーバーハング部に配置されたボンディングパッドを単に「オーバーハング部のボンディングパッド」と称する場合がある。
【０００４】
オーバーハング部は片持ち支持された状態であるので、キャピラリが接触すると撓んでキャピラリのさらなる下降を許容する。そのため、キャピラリの下降指令値と実際の下降量との差がそれほど広がらず、接地基準位置の誤検出をまねきやすい。あるいは、キャピラリが下方に強くオーバーハング部を押すことによるチップの破損も懸念される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１６７０５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
実施形態によれば、オーバーハング部のボンディングパッドに対するワイヤボンディング不良を防ぐ半導体装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、実ボンディング時におけるボンディングヘッドが接地基準位置をサーチする下降速度及び荷重と同じ下降速度及び荷重でもって前記ボンディングヘッドをオーバーハング部のボンディングパッドに対して下降させて接触させ、前記接地基準位置を予め取得する。前記実ボンディングでは、半導体チップにおける下方の支持体から張り出した前記オーバーハング部に形成された前記ボンディングパッドに対する前記接地基準位置まで前記ボンディングヘッドを下降させて、前記ボンディングヘッドの先端でワイヤを前記ボンディングパッドに押し付けて接合する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施形態の半導体装置の製造方法におけるワイヤボンディング工程のフローチャート。
【図２】実施形態のワイヤボンディング工程における接地基準位置取得工程を表す模式断面図。
【図３】（ａ）は実施形態における実ボンディング時のキャピラリに与えられる荷重の時間変化を表し、（ｂ）は実施形態における接地基準位置の取得時のキャピラリに与えられる荷重の時間変化を表し、（ｃ）は比較例における接地基準位置の取得時のキャピラリに与えられる荷重の時間変化を表す。
【図４】実施形態の半導体装置の製造装置としてのワイヤボンディング装置の模式図。
【図５】オーバーハング部を有する半導体装置の一例を表す模式図。
【図６】オーバーハング部を有する半導体装置の他の具体例を表す模式図。
【図７】オーバーハング部を有する半導体装置のさらに他の具体例を表す模式図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照し、実施形態について説明する。なお、各図面中、同じ要素には同じ符号を付している。本実施形態の半導体装置の製造方法はワイヤボンディング工程を有する。
【００１０】
図４は、そのワイヤボンディング工程に用いるワイヤボンディング装置の一例を表す。
【００１１】
このワイヤボンディング装置は、半導体チップが搭載された基板を供給するローダ部１０と、ワイヤボンディング後の基板を収納するアンローダ部３０と、ローダ部１０からアンローダ部３０へと基板を搬送するフィーダ部２０と、半導体チップのボンディングパッドにワイヤを接合するボンディング部４０とを有する。フィーダ部２０にはワークステージが設けられ、ボンディング部４０はワークステージ上の半導体チップに対してワイヤボンディングを行う。
【００１２】
ボンディング部４０は、水平面内で直交するＸ軸方向及びＹ軸方向に移動可能なテーブル５０上に設けられている。テーブル５０は、Ｘ軸モータ５１によってＸ軸方向に移動され、Ｙ軸モータ５２によってＹ軸方向に移動される。
【００１３】
ボンディング部４０は、テンション機構４１、クランパ４２、圧電体等の振動子（図示せず）、超音波ホーン４４、キャピラリ２１、Ｚ軸モータ４５などを有する。
【００１４】
テンション機構４１には、図示しないスプールから引き出されたワイヤが挿入される。また、テンション機構４１は、ワイヤ切れ自動復帰機構を有する。
【００１５】
テンション機構４１内を通されたワイヤは、クランパ４２を経てキャピラリ２１に供給される。クランパ４２は、キャピラリ２１の上方でワイヤをクランプする。キャピラリ２１にはワイヤが通される。キャピラリ２１は、その先端がボンディングパッドに押し付けられるボンディングヘッドとして機能する。
【００１６】
キャピラリ２１は超音波ホーン４４の先端側に取り付けられている。圧電体等の振動子に電圧を印加することで振動子が振動する。この振動は超音波ホーン４４を介してキャピラリ２１に伝達する。
【００１７】
キャピラリ２１は超音波ホーン４４ごと、Ｚ軸モータ４５によって、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に直交するＺ軸方向に昇降される。Ｚ軸方向の下方が鉛直下方に対応する。
【００１８】
また、実施形態のワイヤボンディング装置は、制御部１００を有する。制御部１００は、ローダ部１０、フィーダ部２０及びアンローダ部３０の動作、各モータ５１、５２、４５の駆動、振動子への電圧印加など、前述した各構成要素の動作を制御する。
【００１９】
次に、実施形態のワイヤボンディング方法について説明する。
【００２０】
図２（ａ）は、接合対象部の模式図を表す。
【００２１】
接合対象部は、半導体チップ１１におけるオーバーハング部１２に形成されたボンディングパッド１３である。半導体チップ１１は、支持体（基板、他の半導体チップ、スペーサチップ、リードフレームなど）１４上に積層され、その一部が支持体１４から張り出してオーバーハング部１２となっている。オーバーハング部１２は、支持体１４に対して片持ち支持された状態になっている。
【００２２】
ボンディングパッド１３に対して実際にワイヤをボンディングする実ボンディングの前に、接地基準位置の取得が行われる。接地基準位置は、ボンディングパッド１３に向けて下降していくキャピラリ２１がボンディングパッド１３に接触したときのＺ軸方向のキャピラリ２１の位置である。
【００２３】
図３（ｂ）は、接地基準位置取得工程におけるキャピラリ２１に与えられている荷重の時間変化を表す。  
なお、図３（ａ）は、実ボンディング時におけるキャピラリ２１に与えられている荷重の時間変化を表す。なお、荷重を測定する荷重計はボンディングパッド側に配置されている。
【００２４】
キャピラリ２１は、図４に示すＺ軸モータ４５の駆動により、超音波ホーン４４ごとボンディングパッド１３に向けて下降していく。このとき、図示しない例えばエンコーダなどにより、キャピラリ２１のＺ軸方向の現在位置もしくは下降変位量が検出され、この情報は制御部１００に入力する。
【００２５】
そして、制御部１００は、キャピラリ２１を下降させる指令値と、現在位置もしくは下降変位量とを比較している。
【００２６】
図３（ｂ）においてキャピラリ２１はほぼ一定速度で下降し、時刻ｔ０で、キャピラリ２１の先端がボンディングパッド１３に接触し、接地基準位置のサーチを開始する。図３（ｂ）に示すように、時刻ｔ０以降、キャピラリ２１の下降が阻害されるので、キャピラリ２１に与えられる荷重は徐々に増大していくことになる。
【００２７】
そして、キャピラリ２１の変動量が無くなってから一定時間経過した時（時刻ｔ１）をキャピラリ２１の位置を接地基準位置とする。この時刻ｔ１が、荷重のピーク位置（以下、「衝撃荷重」と称する場合がある）とほぼ重なることになる。ただし、ボンディングパッド１３はオーバーハング部１２に形成されているため、図２（ｂ）に示すように、オーバーハング部１２が下方に撓む。このため、キャピラリ２１がボンディングパッド１３に接触した後も、キャピラリ２１は若干下降が許容される。
【００２８】
オーバーハング部１２であっても、キャピラリ２１がボンディングパッド１３に接触すると、キャピラリ２１の現在位置もしくは下降変位量と、指令値との間に差が生じる。この差に基づいて、制御部１００は、キャピラリ２１がボンディングパッド１３に接触したことを検出する。そして、制御部１００は、キャピラリ２１の下降を停止させる。
【００２９】
本実施形態では、接地基準位置の取得工程におけるキャピラリ２１の下降速度及び時刻ｔ１における衝撃荷重を、図３（ａ）に示す実ボンディング時におけるキャピラリ２１の下降速度及び時刻ｔ１における衝撃荷重と同じに設定している。
【００３０】
ここで、図３（ｃ）は、比較例の接地基準位置取得工程におけるキャピラリ２１に与えられている荷重の時間変化を表す。
【００３１】
既存の装置の設定上、図３（ｃ）に示されるように、接地基準位置取得工程におけるキャピラリ２１の下降速度及び衝撃荷重が、実ボンディングにおけるキャピラリ２１の下降速度及び衝撃荷重よりも大きかった。これは、オーバーハング部のボンディングパッド１３において接地基準位置サーチを行うことを想定していないためである。
【００３２】
例えば、図３（ａ）に示す実ボンディング時における接地基準位置サーチ時（時刻ｔ０から時刻ｔ１までの間）のキャピラリ２１の下降速度は８（ｍｍ／秒）ほどであり、キャピラリ２１がボンディングパッド１３に接触したときの衝撃荷重ａ１は３００〜４００（ｍＮ）ほどであった。
【００３３】
これに対して、図３（ｃ）に示す比較例における接地基準位置サーチ時（時刻ｔ０から時刻ｔ１までの間）のキャピラリ２１の下降速度は２０（ｍｍ／秒）ほどであり、キャピラリ２１がボンディングパッド１３に接触したときの衝撃荷重ｂ１は７００（ｍＮ）以上になることもあった。
【００３４】
このため、図３（ｃ）に示す比較例では、オーバーハング部１２が、実ボンディング時のときよりも大きく下方に撓む。これは、接地基準位置の誤検出や、オーバーハング部１２が破損につながり得る。この場合であっても、ボンディングパッド１３の下に支持体が配置されている場合は半導体チップ１１の破損を起こす可能性は低い。しかし、ボンディングパッド１３の下に支持体がないオーバーハング部１２で接地基準位置取得工程を行うと上記問題が発生する可能性が高くなる。
【００３５】
これに対して、本実施形態では、実ボンディングの前に予め接地基準位置を取得する時のサーチ条件を、図３（ａ）に示す実ボンディング時における接地基準位置サーチ条件と同じにしている。
【００３６】
例えば、本実施形態において、接地基準位置サーチ時（時刻ｔ０から時刻ｔ１までの間）のキャピラリ２１の下降速度は、２〜２０（ｍｍ／秒）の範囲で設定することができる。また、衝撃荷重ａ１は、５０〜５００（ｍＮ）の範囲で設定することができる。
【００３７】
接地基準位置取得時のサーチ条件を、実ボンディング時のボンディング条件（下降速度及び衝撃荷重）と同じにすることで、キャピラリ２１がボンディングパッド１３に接触した後のオーバーハング部１２の下方への撓みを抑えることができる。これにより、接地基準位置の誤検出によるボンディング不良や、デバイスの破損を防ぐことができる。
【００３８】
なお、接地基準位置取得時のサーチ条件が、実ボンディング時のボンディング条件と「同じ」という表現は、まったく同じであることに限らない。実ボンディング時における接地基準位置サーチ時のキャピラリ２１の下降速度に対して±（プラスマイナス）１５％の範囲内で、接地基準位置取得時のキャピラリ２１の下降速度が相違する場合も「同じ」に含まれる。同様に、実ボンディング時における接地基準位置サーチ時にキャピラリ２１に与えられる荷重に対して±（プラスマイナス）１５％の範囲内で、接地基準位置取得時にキャピラリ２１に与えられる荷重が相違する場合も「同じ」に含まれる。
【００３９】
前記±（プラスマイナス）１５％の範囲内の相違は、実ボンディング時の設定値で許容されているばらつき範囲であり、その範囲内の相違であれば接地基準位置の検出やデバイスに対して影響がないことが経験的に確認されている。
【００４０】
接地基準位置の取得工程において、キャピラリ２１の変動量が無くなってから一定時間経過した時（時刻ｔ１）、キャピラリ２１の下降は停止される。その後、図３（ｂ）に示すように、所定時間Ｔの間、キャピラリ２１に一定荷重ａ２が与えられた状態でキャピラリ２１は待機状態をとる。この後、時刻ｔ２でキャピラリ２１は上昇され、ボンディングパッド１３から離れる。
【００４１】
キャピラリ２１がボンディングパッド１３に接触した直後は、その衝撃によりオーバーハング部１２が上下に振れている場合がある。オーバーハング部１２が上下に振れていると、オーバーハング部１２がキャピラリ２１を上方に押して、キャピラリ２１の位置を変動させてしまう可能性がある。
【００４２】
そこで、本実施形態では、キャピラリ２１がボンディングパッド１３に接触した後、オーバーハング部１２の振れが収まるまで、荷重ａ２で所定時間Ｔの間、キャピラリ２１の上昇を待機させる。そして、所定時間Ｔ経過後のキャピラリ２１の位置（Ｚ軸方向の位置）を、接地基準位置として設定する。これにより、正確な接地基準位置を取得することができる。
【００４３】
図３（ｃ）に示す比較例では、キャピラリ２１がボンディングパッド１３に接触した後、キャピラリ２１に荷重ｂ２を与えて、キャピラリ２１の上昇を待機させているが、そのときの荷重ｂ２は５００（ｍＮ）と大きかった。そのため、その待機中にオーバーハング部１２が破損する懸念がある。
【００４４】
これに対して、図３（ｂ）に示す本実施形態では、待機中にキャピラリ２１に与える荷重ａ２は、ボンディングパッド１３に対して接触するときにキャピラリ２１に与える荷重よりも低く、且つ比較例の待機中の荷重ｂ２よりも低い。実施形態における待機荷重ａ２は、例えば３０（ｍＮ）である。このため、待機中におけるオーバーハング部１２の破損を防ぐことができる。
【００４５】
また、比較例では大きな待機荷重ｂ２を与えていることから、その荷重ｂ２を与えている待機時間は２０（ｍ秒）ほどであった。これに対して、本実施形態では、より低い待機荷重ａ２に設定することから、その荷重ａ２を与えている待機時間を比較例よりも長い１００（ｍ秒）ほどに設定できる。このため、オーバーハング部１２の振れを確実に収めることができ、正確な接地基準位置を取得できる。
【００４６】
以上説明したようにして、接地基準位置が実ボンディングの前に予め取得される。
【００４７】
次に、実ボンディング動作について説明する。
【００４８】
キャピラリ２１には、例えば金ワイヤ等のワイヤが通される。ファーストボンドの場合には、キャピラリ２１に通されたワイヤの先端に、電気トーチなどによりボールが形成される。
【００４９】
ボールを形成した後、キャピラリ２１を接合対象のボンディングパッド１３の上方に移動させる。そして、その位置からキャピラリ２１を高速下降させる。
【００５０】
そして、キャピラリ２１が、前述した方法により予め設定された接地基準位置に達すると、下降速度を変更する。そして、キャピラリ２１がボンディングパッド１３に接触した後、超音波ホーン４４を介して、キャピラリ２１に超音波振動を加える。接地基準位置は、例えば、制御部１００に設けられた記憶装置に格納されている。そして、キャピラリ２１の現在位置（Ｚ軸方向の位置）は制御部１００に入力され、制御部１００は記憶装置から接地基準位置を読み出して、キャピラリ２１の現在位置と接地基準位置とを比較して、キャピラリ２１が接地基準位置に達したどうかを判定する。
【００５１】
キャピラリ２１がボンディングパッド１３と接触したときの衝撃荷重は、図３（ａ）に示すようにａ１に設定されている。キャピラリ２１がボンディングパッド１３と接触した位置で、キャピラリ２１はその先端で、ボールをボンディングパッド１３に押し付けている。
【００５２】
その後、図３（ａ）に示す荷重ａ３で所定時間、キャピラリ２１はボールをボンディングパッド１３に対して押し付ける。なおかつ、ボールとボンディングパッド１３との接合面に超音波振動が加えられる。これにより、ワイヤの先端に形成されたボールが、ボンディングパッド１３に接合される。なお、荷重ａ３は、キャピラリ２１をボンディングパッド１３に対して押し付けるため、一定荷重ａ２よりも大きくなる場合が多い。
【００５３】
このワイヤボンディング後、キャピラリ２１は、次の接合対象のボンディングパッドの上方に移動し、そのボンディングパッドに対してワイヤをボンディングする。
【００５４】
本実施形態によれば、前述したように、ボンディングパッド１３がオーバーハング部１２に形成されていても、接地基準位置を正確に検出できるので、実ボンディング時においてもその接地基準位置に基づいて、正確な位置でワイヤボンディングを行うことができる。
【００５５】
図５（ａ）は、オーバーハング部６３を有する半導体装置の一例を表す側面図であり、図５（ｂ）は、その上面図である。
【００５６】
この半導体装置は、基板６０上に、複数の半導体チップ６１ａ〜６１ｄが積層された構造を有する。
【００５７】
半導体チップ６１ａは、基板６０の上面に積層されている。基板６０の上面における相対向する２縁部近傍にはそれぞれ、複数のボンディングパッド６２が形成されている。そのボンディングパッド６２よりも内側の領域に、半導体チップ６１ａは積層されている。
【００５８】
半導体チップ６１ａの上面における１縁部（図において左側の縁部）の近傍には、複数のボンディングパッド６４が形成されている。半導体チップ６１ａの上面には、半導体チップ６１ｂが積層されている。半導体チップ６１ｂは、下の半導体チップ６１ａのボンディングパッド６４に重ならないように、図において右方にずれて、半導体チップ６１ａの上面に積層されている。そのため、半導体チップ６１ｂは、下の半導体チップ６１ａから張り出したオーバーハング部６３を有する。そのオーバーハング部６３には、複数のボンディングパッド６４が形成されている。
【００５９】
半導体チップ６１ｂの上面には、半導体チップ６１ｃが積層されている。半導体チップ６１ｃは、下の半導体チップ６１ｂのボンディングパッド６４に重ならないように、図において左方にずれて、半導体チップ６１ｂの上面に積層されている。そのため、半導体チップ６１ｃは、下の半導体チップ６１ｂから張り出したオーバーハング部６３を有する。そのオーバーハング部６３には、複数のボンディングパッド６４が形成されている。
【００６０】
半導体チップ６１ｃの上面には、半導体チップ６１ｄが積層されている。半導体チップ６１ｄは、下の半導体チップ６１ｃのボンディングパッド６４に重ならないように、図において右方にずれて、半導体チップ６１ｃの上面に積層されている。そのため、半導体チップ６１ｄは、下の半導体チップ６１ｃから張り出したオーバーハング部６３を有する。そのオーバーハング部６３には、複数のボンディングパッド６４が形成されている。
【００６１】
特に、半導体チップの片側にボンディングパッド６４を１列に配置した場合、半導体チップ６１ｂ、半導体チップ６１ｃおよび半導体チップ６１ｄは、すべてのボンディングパッド６４がオーバーハング部６３に形成されることになる。
【００６２】
半導体チップ６１ａ〜６１ｄに形成された各ボンディングパッド６４と、基板６０に形成されたボンディングパッド６２とは、ワイヤ６５で接続されている。
【００６３】
次に、図１のフローチャートを参照して、図５（ａ）及び（ｂ）に示す半導体装置に対するワイヤボンディング方法について説明する。
【００６４】
まず、基板６０上に１番目の半導体チップ６１ａをダイボンディングする（ステップＳ１）。次に、１番目の半導体チップ６１ａ上に、２番目の半導体チップ６１ｂをダイボンディングする（ステップＳ２）。
【００６５】
次に、１番目の半導体チップ６１ａに形成されたボンディングパッド６４に対してキャピラリ２１を接触させて、前述した接地基準位置の取得工程を行う（ステップＳ３）。次に、１番目の半導体チップ６１ａに形成されたボンディングパッド６４に対するワイヤ６５のボンディングを行う（ステップＳ４）。この実ボンディング時における接地基準位置のサーチには、ステップＳ３で取得した接地基準位置が用いられる。
【００６６】
次に、２番目の半導体チップ６１ｂのオーバーハング部６３に形成されたボンディングパッド６４に対してキャピラリ２１を接触させて、前述した接地基準位置の取得工程を行う（ステップＳ５）。次に、２番目の半導体チップ６１ｂに形成されたボンディングパッド６４に対するワイヤ６５のボンディングを行う（ステップＳ６）。この実ボンディング時における接地基準位置のサーチには、ステップＳ５で取得した接地基準位置が用いられる。
【００６７】
この半導体装置のワイヤボンディング工程において、接地基準位置の取得を同じ高さの位置にあるボンディングパッドで行うことにより、正確にボンディングすることができる。なお、ステップＳ２〜ステップＳ６の順序は上述した順序に限られない。ステップＳ３とステップＳ５を連続して行い、それぞれの接地基準位置を記憶しておくことにより、製造工程を簡略化することも可能である。
【００６８】
１番目の半導体チップ６１ａ及び２番目の半導体チップ６１ｂを、それぞれ基板６０に対してワイヤボンディングした後、２番目の半導体チップ６１ｂの上に３番目の半導体チップ６１ｃをダイボンディングする（ステップＳ７）。次に、３番目の半導体チップ６１ｃのオーバーハング部６３に形成されたボンディングパッド６４に対してキャピラリ２１を接触させて、前述した接地基準位置の取得工程を行う（ステップＳ８）。次に、３番目の半導体チップ６１ｃに形成されたボンディングパッド６４に対するワイヤ６５のボンディングを行う（ステップＳ９）。
【００６９】
１番目乃至３番目の半導体チップ６１ａ〜６１ｃのボンディングが終了した後、３番目の半導体チップ６１ｃの上に４番目の半導体チップ６１ｄをダイボンディングする（ステップＳ１０）。次に、４番目の半導体チップ６１ｄのオーバーハング部６３に形成されたボンディングパッド６４に対してキャピラリ２１を接触させて、前述した接地基準位置の取得工程を行う（ステップＳ１１）。次に、４番目の半導体チップ６１ｄに形成されたボンディングパッド６４に対するワイヤ６５のボンディングを行う（ステップＳ１２）。
【００７０】
このように、すべてのボンディングパッド６４がオーバーハング部上に形成されている半導体チップ６１ｂ〜６１ｄを有する半導体装置において、本実施形態の接地基準位置取得方法は有効である。
【００７１】
図６（ａ）は、オーバーハング部を有する半導体装置の他の具体例を表す側面図であり、図６（ｂ）は、その上面図である。
【００７２】
この半導体装置は、基板７０上に、複数の半導体チップ７１ａ〜７１ｇが積層された構造を有する。
【００７３】
基板７０の上面における１縁部（図において左側の縁部）の近傍には、複数のボンディングパッド７２が形成されている。基板７０の上面には、半導体チップ７１ａが積層されている。半導体チップ７１ａは、下の基板７０のボンディングパッド７２に重ならない位置に積層されている。
【００７４】
半導体チップ７１ａの上面における１縁部（図において左側の縁部）の近傍には、複数のボンディングパッド７４が形成されている。半導体チップ７１ａの上面には、半導体チップ７１ｂが積層されている。半導体チップ７１ｂは、下の半導体チップ７１ａのボンディングパッド７４に重ならない位置に積層されている。半導体チップ７１ｂの一端部（図において右端部）は、下の半導体チップ７１ａから張り出している。
【００７５】
半導体チップ７１ｂの上面における１縁部（図において左側の縁部）の近傍には、複数のボンディングパッド７４が形成されている。半導体チップ７１ｂの上面には、半導体チップ７１ｃが積層されている。半導体チップ７１ｃは、下の半導体チップ７１ｂのボンディングパッド７４に重ならない位置に積層されている。半導体チップ７１ｃの一端部（図において右端部）は、下の半導体チップ７１ｂから張り出している。
【００７６】
半導体チップ７１ｃの上面における１縁部（図において左側の縁部）の近傍には、複数のボンディングパッド７４が形成されている。半導体チップ７１ｃの上面には、半導体チップ７１ｄが積層されている。半導体チップ７１ｄは、下の半導体チップ７１ｃのボンディングパッド７４に重ならない位置に積層されている。半導体チップ７１ｄの一端部（図において右端部）は、下の半導体チップ７１ｃから張り出している。
【００７７】
半導体チップ７１ｄの上面における１縁部（図において左側の縁部）の近傍には、複数のボンディングパッド７４が形成されている。半導体チップ７１ｄの上面には、半導体チップ７１ｅが積層されている。半導体チップ７１ｅは、下の半導体チップ７１ｄのボンディングパッド７４に重ならない位置に積層されている。半導体チップ７１ｅの一端部（図において右端部）は、下の半導体チップ７１ｄから張り出している。
【００７８】
半導体チップ７１ｅの上面における１縁部（図において左側の縁部）の近傍には、複数のボンディングパッド７４が形成されている。半導体チップ７１ｅの上面には、半導体チップ７１ｆが積層されている。半導体チップ７１ｆは、下の半導体チップ７１ｅのボンディングパッド７４に重ならない位置に積層されている。半導体チップ７１ｆの一端部（図において右端部）は、下の半導体チップ７１ｅから張り出している。
【００７９】
半導体チップ７１ｆの上面における１縁部（図において左側の縁部）の近傍には、複数のボンディングパッド７４が形成されている。半導体チップ７１ｆの上面には、半導体チップ７１ｇが積層されている。半導体チップ７１ｇは、下の半導体チップ７１ｆのボンディングパッド７４に重ならない位置に積層されている。半導体チップ７１ｇの一端部（図において右端部）は、下の半導体チップ７１ｆから張り出している。
【００８０】
半導体チップ７１ａのボンディングパッド７４は、基板７０のボンディングパッド７２とワイヤ７５で接続されている。半導体チップ７１ａ〜７１ｆのそれぞれのボンディングパッド７４は、すぐ上に積層された半導体チップのボンディングパッド７４とワイヤ７５で接続されている。
【００８１】
この半導体装置において、例えば上側３つの半導体チップ７１ｅ、半導体チップ７１ｆおよび半導体チップ７１ｇに形成されたボンディングパッド７４の下方には、基板７０との間に空間が存在する。すなわち、半導体チップ７１ｅ、半導体チップ７１ｆおよび半導体チップ７１ｇのボンディングパッド７４は、片持ち支持された部分の上に存在し、それらの半導体チップ７１ｅ、７１ｆ、７１ｇのボンディングパッド７４は、オーバーハング部に形成されている。
【００８２】
したがって、この半導体装置においても、オーバーハング部に形成されたいずれかのボンディングパッド７４で接地基準位置の取得を行うことになり、その接地基準位置に基づいて実ボンディングを行う。
【００８３】
図７は、オーバーハング部を有する半導体装置のさらに他の具体例を表す側面図である。この半導体装置は、複数の半導体チップ８１ａ〜８１ｐが積層された構造を有する。
【００８４】
下側に積層された半導体チップ８１ａ〜８１ｉのそれぞれの一端部（図において右端部）は、下の半導体チップから右方に張り出している。
【００８５】
上側に積層された半導体チップ８１ｊ〜８１ｐのそれぞれは、下の半導体チップのボンディングパッドに重ならない位置に積層され、半導体チップ８１ｊ〜８１ｐのそれぞれの一端部（図において右端部）は、下の半導体チップの右端から左方にずれている。
【００８６】
この半導体装置において、上側の半導体チップ８１ｉ〜８１ｐのそれぞれの右端部に形成されたボンディングパッドは上方に露見し、その下方には空間が存在する。すなわち、上側の半導体チップ８１ｉ〜８１ｐのそれぞれのボンディングパッドは、オーバーハング部Ａに形成されている。
【００８７】
したがって、この半導体装置においても、オーバーハング部Ａに形成されたいずれかのボンディングパッドで接地基準位置の取得を行い、その接地基準位置に基づいて実ボンディングを行う。
【００８８】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００８９】
１１，６１ａ〜６１ｄ，７１ａ〜７１ｇ，８１ａ〜８１ｐ…半導体チップ、１２，６３…オーバーハング部、１３，６２，６４，７２，７４…ボンディングパッド、２１…キャピラリ、６５，７５…ワイヤ
【図１】
2012186416.tif 000003
【図２】
2012186416.tif 000004
【図３】
2012186416.tif 000005
【図４】
2012186416.tif 000006
【図５】
2012186416.tif 000007
【図６】
2012186416.tif 000008
【図７】
2012186416.tif 000009