(57)【要約】      （修正有）【課題】ハロゲン化合物及びアンチモン化合物を使用することなく、従来よりも高いレベルで、流動性、耐燃性、耐半田性、低反り性、耐熱性、高温保管特性及び連続成形性のバランスに優れた電子部品封止用樹脂組成物及びそれを用いた電子部品装置を提供する。【解決手段】ナフトール構造単位とフェノール構造単位とをビフェニレン基を含む構造単位で連結した構造の重合体成分（Ａ−１）、及びナフトール構造単位同士をビフェニレン基を含む構造単位で連結した構造の重合体成分（Ａ−２）を有するフェノール樹脂（Ａ）と、エポキシ樹脂（Ｂ）と、無機充填剤（Ｃ）とを含むことを特徴とする電子部品封止用樹脂組成物、ならびに、その電子部品封止用樹脂組成物の硬化物で電子部品素子を封止して得られることを特徴とする電子部品装置。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）：
【化１】
2012077152.tif 000034
（ただし、上記一般式（１）において、Ｒ１及びＲ２は、互いに独立して、炭素数１〜３０の炭化水素基であり、Ｒ３は、互いに独立して、炭素数１〜１０の炭化水素基であり、Ｒ４及びＲ５は、互いに独立して、水素又は炭素数１〜１０の炭化水素基である。ａは０〜５の整数、ｂは０〜３の整数、ｃは０〜４の整数である。ｍ及びｎは０〜１０の整数であり、ｍ＋ｎ≧２である。置換もしくは無置換のナフトール構造であるｍ個の繰り返し単位と置換もしくは無置換のフェノール構造であるｎ個の繰り返し単位は、それぞれが連続で並んでいても、お互いが交互もしくはランダムに並んでいてもよいが、それぞれの間は必ず置換もしくは無置換のビフェニレン基を含む構造であるｍ＋ｎ−１個の繰り返し単位で連結されている。）
で表される構造を有する１以上の重合体成分を含む
フェノール樹脂（Ａ）と、エポキシ樹脂（Ｂ）と、無機充填剤（Ｃ）とを含み、
前記フェノール樹脂（Ａ）は、上記一般式（１）においてｍ≧１かつｎ≧１である重合体成分（Ａ−１）、及びｍ≧２かつｎ＝０である重合体成分（Ａ−２）を含むことを特徴とする電子部品封止用樹脂組成物。
【請求項２】
前記フェノール樹脂（Ａ）は、前記一般式（１）におけるＲ１及び／又はＲ２が下記一般式（２）：
【化２】
2012077152.tif 000035
（ただし、上記一般式（２）において、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びｃは、一般式（１）の説明に準ずる。）
で表される基である重合体成分を含むことを特徴とする請求項１に記載の電子部品封止用樹脂組成物。
【請求項３】
前記フェノール樹脂（Ａ）において、ビフェニレン基を含む構造単位の繰り返し数ｐ（ｐ＝ｍ＋ｎ−１）の平均値ｐ０と、Ｒ１及びＲ２で表される置換基の導入数ｑ（ｑ＝ａ×ｍ＋ｂ×ｎ）の平均値ｑ０との比率ｐ０：ｑ０が、９９：１〜８５：１５であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品封止用樹脂組成物。
【請求項４】
前記フェノール樹脂（Ａ）は、電界脱離質量分析による測定で、前記一般式（１）においてｍ≧１かつｎ≧１である重合体成分（Ａ−１）の相対強度の合計が、該フェノール樹脂（Ａ）全体の相対強度の合計に対して２０％以上、７５％以下であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電子部品封止用樹脂組成物。
【請求項５】
前記フェノール樹脂（Ａ）は、電界脱離質量分析による測定で、前記一般式（１）においてｍ≧２かつｎ＝０である重合体成分（Ａ−２）の相対強度の合計が、該フェノール樹脂（Ａ）全体の相対強度の合計に対して３０％以上、７５％以下であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の電子部品封止用樹脂組成物。
【請求項６】
前記フェノール樹脂（Ａ）は、電界脱離質量分析による測定で、前記一般式（１）においてｍ＝０かつｎ≧２である重合体成分（Ａ−３）の相対強度の合計が、該フェノール樹脂（Ａ）全体の相対強度の合計に対して１％以上、３０％以下であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の電子部品封止用樹脂組成物。
【請求項７】
前記フェノール樹脂（Ａ）は、前記一般式（１）において、ナフトール構造単位の繰り返し数ｍの平均値ｍ０と、フェノール構造単位の繰り返し数ｎの平均値ｎ０との比率ｍ０：ｎ０が、５０：５０〜９５：５であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の電子部品封止用樹脂組成物。
【請求項８】
前記無機充填剤（Ｃ）の含有量が全樹脂組成物を基準として８０質量％以上、９３質量％以下であることを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の電子部品封止用樹脂組成物。
【請求項９】
硬化促進剤（Ｄ）をさらに含むことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の電子部品封止用樹脂組成物。
【請求項１０】
前記硬化促進剤（Ｄ）が、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物からなる群から選択される少なくとも１種の硬化促進剤を含むことを特徴とする請求項９に記載の電子部品封止用樹脂組成物。
【請求項１１】
芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物（Ｅ）をさらに含むことを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の電子部品封止用樹脂組成物。
【請求項１２】
カップリング剤（Ｆ）をさらに含むことを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載の電子部品封止用樹脂組成物。
【請求項１３】
前記カップリング剤（Ｆ）が第二級アミン構造を有するシランカップリング剤を含むことを特徴とする請求項１２に記載の電子部品封止用樹脂組成物。
【請求項１４】
無機難燃剤（Ｇ）をさらに含むことを特徴とする請求項１から１３のいずれか１項に記載の電子部品封止用樹脂組成物。
【請求項１５】
前記無機難燃剤（Ｇ）が金属水酸化物又は複合金属水酸化物を含むことを特徴とする請求項１４に記載の電子部品封止用樹脂組成物。
【請求項１６】
請求項１から１５のいずれか１項に記載の電子部品封止用樹脂組成物の硬化物で電子部品素子が封止されていることを特徴とする電子部品装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品封止用樹脂組成物及び電子部品装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置等の電子部品装置は、半導体素子等の電子部品素子の保護、電気絶縁性の確保、ハンドリングの容易化等の目的から、封止が行われ、生産性やコスト、信頼性等に優れることからエポキシ樹脂組成物によるトランスファー成形が主流となっている。電子機器の小型化、軽量化、高性能化という市場の要求に応えるべく、電子部品素子の高集積化、電子部品装置の小型、高密度化のみならず、表面実装のような新たな接合技術が開発、実用化されてきた。こうした技術動向は、電子部品封止用樹脂組成物にも波及し、要求性能は年々高度化、多様化してきている。
【０００３】
たとえば、表面実装に用いられる半田については、環境問題を背景とした無鉛半田への切り替えが進められている。無鉛半田の融点は従来の鉛／スズ半田に比べて高く、リフロー実装温度は従来の２２０〜２４０℃から、２４０℃〜２６０℃へと高まることとなる。これにより、電子部品装置に加わる温度ストレスと吸湿分の気化ストレスが増大し、従来の電子部品封止用樹脂組成物では耐半田性が不足する場合があった。また、従来の電子部品封止用樹脂組成物には難燃性を付与する目的から、難燃剤として臭素含有エポキシ樹脂と酸化アンチモンが使用されているが、近年の環境保護、安全性向上の観点からこれらの化合物を撤廃する機運が高まっている。
【０００４】
さらに、近年では、一括成形による電子部品装置の生産方式が開発され、普及しつつある。これは、有機基板あるいは金属基板の片面に半導体素子等の電子部品素子をマトリックス状に搭載し、素子搭載面を樹脂組成物で一括封止した後、所定の大きさに切り出して、小型のエリア表面実装方式の電子部品装置を製造する方法であり、これらの装置はＭＡＰ−ＱＦＮ、ＭＡＰ−ＳＯＮ、ＭＡＰ−ＢＧＡ等と称される。この方式は、従来の個別に成形する方式と比較して、封止面積が増大することにより、基板と樹脂組成物の熱膨張の不整合により成形物の反りが増大し、搬送工程においてはチャッキング不良が発生する、切り出し工程においては位置精度が低下する等の不具合が発生する。また、成形不良１回あたりに発生する廃棄コストが割高となる。以上のことから、一括成形方式に用いる電子部品封止用樹脂組成物には、低反り性と優れた連続成形性が求められる。
【０００５】
従来、有機基板を用いた片側封止型電子部品装置の反りを低減する手法としては、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂とトリフェノールメタン型フェノール樹脂との併用（例えば、特許文献１参照。）、あるいはナフタレン型エポキシ樹脂とナフタレン型フェノール樹脂との併用（例えば、特許文献２参照。）等が提案されてきた。しかしながら、これらを用いて金属基板を用いた片側封止型電子部品装置を封止した際には、吸水率の高さや金属密着の不足等により耐半田性が不足する場合がある。さらに、前者の手法においては耐燃性が劣るため、臭素含有エポキシ樹脂と酸化アンチモン等の従来型難燃剤の使用が不可欠であり、後者の手法においては一括成形方式に適用した場合に連続成形性が十分でない等の課題もある。以上のように、金属基板を用いる片面封止型電子部品装置においては、低反り性、耐燃性、耐半田性、連続成形性をバランスよく満たす電子部品封止用樹脂組成物が求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−１４７９４０号公報
【特許文献２】特開２００１−３０２７６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、ハロゲン化合物及びアンチモン化合物を使用することなく、従来よりも高いレベルで、流動性、耐燃性、耐半田性、低反り性、耐熱性、高温保管特性及び連続成形性のバランスに優れた電子部品封止用樹脂組成物、ならびに、当該電子部品封止用樹脂組成物の硬化物で電子部品素子が封止された信頼性に優れた電子部品装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の電子部品封止用樹脂組成物は、下記一般式（１）：
【化１】
2012077152.tif 000002
（ただし、上記一般式（１）において、Ｒ１及びＲ２は、互いに独立して、炭素数１〜３０の炭化水素基であり、Ｒ３は、互いに独立して、炭素数１〜１０の炭化水素基であり、Ｒ４及びＲ５は、互いに独立して、水素又は炭素数１〜１０の炭化水素基である。ａは０〜５の整数、ｂは０〜３の整数、ｃは０〜４の整数である。ｍ及びｎは０〜１０の整数であり、ｍ＋ｎ≧２である。置換もしくは無置換のナフトール構造であるｍ個の繰り返し単位と置換もしくは無置換のフェノール構造であるｎ個の繰り返し単位は、それぞれが連続で並んでいても、お互いが交互もしくはランダムに並んでいてもよいが、それぞれの間は必ず置換もしくは無置換のビフェニレン基を含む構造であるｍ＋ｎ−１個の繰り返し単位で連結されている。）
で表される構造を有する１以上の重合体成分を含む
フェノール樹脂（Ａ）と、エポキシ樹脂（Ｂ）と、無機充填剤（Ｃ）とを含み、前記フェノール樹脂（Ａ）は、上記一般式（１）においてｍ≧１かつｎ≧１である重合体成分（Ａ−１）、及びｍ≧２かつｎ＝０である重合体成分（Ａ−２）を含むことを特徴とする。
【０００９】
本発明の電子部品封止用樹脂組成物は、前記フェノール樹脂（Ａ）が、前記一般式（１）におけるＲ１及び／又はＲ２が下記一般式（２）：
【化２】
2012077152.tif 000003
（ただし、上記一般式（２）において、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びｃは、一般式（１）の説明に準ずる。）
で表される基である重合体成分を含むものとすることができる。
【００１０】
本発明の電子部品封止用樹脂組成物は、前記フェノール樹脂（Ａ）において、ビフェニレン基を含む構造単位の繰り返し数ｐ（ｐ＝ｍ＋ｎ−１）の平均値ｐ０と、Ｒ１及びＲ２
で表される置換基の導入数ｑ（ｑ＝ａ×ｍ＋ｂ×ｎ）の平均値ｑ０との比率ｐ０：ｑ０が、９９：１〜８５：１５であるものとすることができる。
【００１１】
本発明の電子部品封止用樹脂組成物は、前記フェノール樹脂（Ａ）が、電界脱離質量分析による測定で、前記一般式（１）においてｍ≧１かつｎ≧１である重合体成分（Ａ−１）の相対強度の合計が、該フェノール樹脂（Ａ）全体の相対強度の合計に対して２０％以上、７５％以下であるものとすることができる。
【００１２】
本発明の電子部品封止用樹脂組成物は、前記フェノール樹脂（Ａ）が、電界脱離質量分析による測定で、前記一般式（１）においてｍ≧２かつｎ＝０である重合体成分（Ａ−２）の相対強度の合計が、該フェノール樹脂（Ａ）全体の相対強度の合計に対して３０％以上、７５％以下であるものとすることができる。
【００１３】
本発明の電子部品封止用樹脂組成物は、前記フェノール樹脂（Ａ）が、電界脱離質量分析による測定で、前記一般式（１）においてｍ＝０かつｎ≧２である重合体成分（Ａ−３）の相対強度の合計が、該フェノール樹脂（Ａ）全体の相対強度の合計に対して１％以上、３０％以下であるものとすることができる。
【００１４】
本発明の電子部品封止用樹脂組成物は、前記フェノール樹脂（Ａ）が、前記一般式（１）において、ナフトール構造単位の繰り返し数ｍの平均値ｍ０と、フェノール構造単位の繰り返し数ｎの平均値ｎ０との比率ｍ０：ｎ０が、５０：５０〜９５：５であるものとすることができる。
【００１５】
本発明の電子部品封止用樹脂組成物は、前記無機充填剤（Ｃ）の含有量が全樹脂組成物を基準として８０質量％以上、９３質量％以下であるものとすることができる。
【００１６】
本発明の電子部品封止用樹脂組成物は、硬化促進剤（Ｄ）をさらに含むものとすることができる。
【００１７】
本発明の電子部品封止用樹脂組成物は、前記硬化促進剤（Ｄ）が、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物からなる群から選択される少なくとも１種の硬化促進剤を含むものとすることができる。
【００１８】
本発明の電子部品封止用樹脂組成物は、芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物（Ｅ）をさらに含むものとすることができる。
【００１９】
本発明の電子部品封止用樹脂組成物は、カップリング剤（Ｆ）をさらに含むものとすることができる。
【００２０】
本発明の電子部品封止用樹脂組成物は、前記カップリング剤（Ｆ）が第二級アミン構造を有するシランカップリング剤を含むものとすることができる。
【００２１】
本発明の電子部品封止用樹脂組成物は、無機難燃剤（Ｇ）をさらに含むものとすることができる。
【００２２】
本発明の電子部品封止用樹脂組成物は、前記無機難燃剤（Ｇ）が金属水酸化物又は複合金属水酸化物を含むものとすることができる。
【００２３】
本発明の電子部品装置は、上述の電子部品封止用樹脂組成物の硬化物で電子部品素子が
封止されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明に従うと、ハロゲン化合物及びアンチモン化合物を使用することなく、従来よりも高いレベルで、流動性、耐燃性、耐半田性、低反り性、耐熱性、高温保管特性及び連続成形性のバランスに優れた電子部品封止用樹脂組成物、ならびに、当該電子部品封止用樹脂組成物の硬化物で電子部品素子が封止された信頼性に優れた電子部品装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明に係る電子部品封止用樹脂組成物の硬化物で、金属リードフレームに搭載された電子部品素子が封止されている電子部品装置の一例について、断面構造を示した図である。
【図２】本発明に係る電子部品封止用樹脂組成物の硬化物で、有機基板に搭載された電子部品素子が封止されている片面封止型の電子部品装置の一例について、断面構造を示した図である。
【図３】本発明に係る電子部品封止用樹脂組成物の硬化物で、金属リードフレームに搭載された電子部品素子が封止されている一括成形方式の片面封止型電子部品装置の一例について、一括封止して個片化する前の状態の電子部品装置の断面構造を示した図である。
【図４】実施例、比較例で用いたフェノール樹脂１のＦＤ−ＭＳチャートである。
【図５】実施例、比較例で用いたフェノール樹脂２のＦＤ−ＭＳチャートである。
【図６】実施例、比較例で用いたフェノール樹脂３のＦＤ−ＭＳチャートである。
【図７】実施例、比較例で用いたフェノール樹脂４のＦＤ−ＭＳチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
図面を用いて、本発明による電子部品封止用樹脂組成物及び電子部品装置の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００２７】
本発明の電子部品封止用樹脂組成物は、一般式（１）で表される構造を有する１以上の重合体成分を含むフェノール樹脂（Ａ）と、エポキシ樹脂（Ｂ）と、無機充填剤（Ｃ）と、を含み、フェノール樹脂（Ａ）が、一般式（１）においてｍ≧１かつｎ≧１である重合体成分（Ａ−１）、及びｍ≧２かつｎ＝０である重合体成分（Ａ−２）を含むことを特徴とする。これにより、ハロゲン化合物及びアンチモン化合物を使用することなく、従来よりも高いレベルで、流動性、耐燃性、耐半田性、低反り性、耐熱性、高温保管特性及び連続成形性のバランスに優れる電子部品封止用樹脂組成物を得ることができる。また、本発明の電子部品装置は、上述の電子部品封止用樹脂組成物の硬化物で電子部品素子を封止されていることを特徴とする。これにより、信頼性に優れた電子部品装置を得ることができる。以下、本発明について詳細に説明する。なお、本明細書における「〜」で表される数値範囲は、その上限値下限値のいずれをも含むものである。
【００２８】
［フェノール樹脂（Ａ）］
本発明の電子部品封止用樹脂組成物には、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂の硬化剤として、フェノール樹脂（Ａ）を用いることができる。フェノール樹脂（Ａ）は、下記一般式（１）で表される構造を有する１以上の重合体成分を含み、下記一般式（１）においてｍ≧１かつｎ≧１である重合体成分（Ａ−１）、及びｍ≧２かつｎ＝０である重合体成分（Ａ−２）を含む。
【化１】
2012077152.tif 000004
（ただし、上記一般式（１）において、Ｒ１及びＲ２は、互いに独立して、炭素数１〜３０の炭化水素基であり、Ｒ３は、互いに独立して、炭素数１〜１０の炭化水素基であり、Ｒ４及びＲ５は、互いに独立して、水素又は炭素数１〜１０の炭化水素基である。ａは０〜５の整数、ｂは０〜３の整数、ｃは０〜４の整数である。ｍ及びｎは０〜１０の整数であり、ｍ＋ｎ≧２である。置換もしくは無置換のナフトール構造であるｍ個の繰り返し単位と置換もしくは無置換のフェノール構造であるｎ個の繰り返し単位は、それぞれが連続で並んでいても、お互いが交互もしくはランダムに並んでいてもよいが、それぞれの間は必ず置換もしくは無置換のビフェニレン基を含む構造であるｍ＋ｎ−１個の繰り返し単位で連結されている。）
【００２９】
本発明の電子部品封止用樹脂組成物に用いられるフェノール樹脂（Ａ）は、ｍ≧１かつｎ≧１である重合体成分（Ａ−１）、ｍ≧２かつｎ＝０である重合体成分（Ａ−２）のほかにも、一般式（１）でｍ＝０かつｎ≧２である重合体成分（Ａ−３）、ｍ＋ｎ＝１の成分（Ａ−４）を含むことができる。
【００３０】
一般式（１）において、ｍ＝０、ｎ≧２の重合体成分（Ａ−３）としては、置換もしくは無置換のフェノール構造であるｎ個の繰り返し単位が、置換もしくは無置換のビフェニレン基を介して交互に並んだ構造となる、ビフェニレン基を有するフェノールアラルキル型の重合体を挙げることができ、エポキシ樹脂の硬化剤として重合体成分（Ａ−３）を用いた樹脂組成物の耐燃性、低吸水率、耐半田性等の特性を向上させる効果が得ることができる。しかしながら、重合体成分（Ａ−３）は親油性を示すために、エポキシ樹脂の硬化剤として重合体成分（Ａ−３）を用いた樹脂組成物は連続成形性が十分でない場合がある。
【００３１】
一般式（１）において、ｍ≧２、ｎ＝０の重合体成分（Ａ−２）は、ｍ＝０、ｎ≧２の重合体成分（Ａ−３）と比較して、芳香族構造の密度がより高まることから、エポキシ樹脂の硬化剤として重合体成分（Ａ−２）を用いた樹脂組成物の耐燃性、低吸水性をより向上させることができる。さらに、ナフタレン骨格は剛直にして嵩高い分子構造を有することから、エポキシ樹脂の硬化剤として重合体成分（Ａ−２）を用いた樹脂組成物は、高いガラス転移温度とゴム状態において低い弾性率とを併せもつことができる。このような特徴から、エポキシ樹脂の硬化剤として重合体成分（Ａ−２）を用いた樹脂組成物は、難燃性に優れ、金型成形時に良好な硬度を示し、片面封止半導体部品において反りを低減し、半田リフロー温度域での水蒸気爆発による応力を低減する、等の効果を有する。しかしながら、重合体成分（Ａ−２）のみからなるフェノール樹脂は、ナフタレン骨格同士の相互作用が強く働くために、軟化点（又は融点）及び溶融粘度が高く、エポキシ樹脂の硬化剤として重合体成分（Ａ−２）のみからなるフェノール樹脂を用いた樹脂組成物の溶融混合が困難である問題や、あるいは樹脂組成物の流動特性が乏しいという問題がある。また、エポキシ樹脂の硬化剤として重合体成分（Ａ−２）のみからなるフェノール樹脂を用いた樹脂組成物においては、銀や銅等の金属メッキとの密着性が不足する場合があり、金属リードフレームを用いた電子部品装置での耐半田性は必ずしも十分ではない場合がある。
【００３２】
一般式（１）において、ｍ≧１かつｎ≧１である重合体成分（Ａ−１）は、置換もしく
は無置換のナフトール構造と、置換もしくは無置換のフェノール構造とが、置換もしくは無置換のビフェニレン基を含む構造を介して共縮合した構造をとるために、上述のナフタレン骨格同士の相互作用が緩和されることとなる。このため、エポキシ樹脂の硬化剤として重合体成分（Ａ−１）を用いた樹脂組成物は、重合体成分（Ａ−２）を用いた樹脂組成物と比較して、樹脂組成物の流動性が向上する。また、エポキシ樹脂の硬化剤として重合体成分（Ａ−１）を用いた樹脂組成物は、銀や銅等の金属メッキとの密着性に優れ、金属リードフレームを用いた電子部品装置での耐半田クラック性が向上する効果もある。この理由について詳細は不明ながら、１分子内に置換もしくは無置換のナフトール構造と置換もしくは無置換のフェノール構造とが共存することで、分子構造の規則性、又は対称性が崩れた結果、分子の極性が高まり、金属リードフレーム表面への親和性が改善したことが推測される。本発明の電子部品封止用樹脂組成物に用いられるフェノール樹脂（Ａ）は、重合体成分（Ａ−１）及び重合体成分（Ａ−２）をともに含むことにより、高いガラス転移温度、耐熱性、低反り性を有しながらも、低吸水性、金属リードフレームを用いた電子部品装置での耐半田クラック性、難燃性及び連続成形性のバランスに優れる電子部品封止用樹脂組成物を得ることができる。
【００３３】
フェノール樹脂（Ａ）の上述の重合体成分の構造を同定し、含有割合を求める方法としては、電界脱離質量分析（Ｆｉｅｌｄ  Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ；ＦＤ−ＭＳ）を挙げることができる。重合体成分の繰り返し数ｍ、ｎは、ＦＤ−ＭＳ測定で検出された各ピークの検出質量（ｍ／ｚ）から求めることができ、各重合体成分の含有割合については、検出強度の合計をフェノール樹脂（Ａ）全体の検出強度の合計で除することで、相対強度として表すことができる。これらの重合体成分の相対強度に特に制限は無いが、好ましい範囲として下記を挙げることができる。
【００３４】
フェノール樹脂（Ａ）は、ＦＤ−ＭＳによる測定で、一般式（１）においてｍ≧１かつｎ≧１である重合体成分（Ａ−１）の相対強度の合計が、フェノール樹脂（Ａ）全体の相対強度の合計に対して２０％以上、７５％以下であることが好ましく、２５％以上、６５％以下であることがより好ましく、３０％以上、５０％以下であることが特に好ましい。ｍ≧１かつｎ≧１である重合体成分（Ａ−１）の相対強度の合計が、上記範囲にあることにより、連続成形性及び耐半田性のバランスに優れた樹脂組成物を得ることができる。また、ｍ≧１かつｎ≧１である重合体成分（Ａ−１）の相対強度の合計が上記上限値以下であれば、高温保管特性及び耐熱性の低下を招く恐れが少ない。ｍ≧１かつｎ≧１である重合体成分（Ａ−１）の相対強度の合計が上記下限値以上であれば、得られる樹脂組成物の流動特性、金属リードフレームを用いた電子部品装置での耐半田クラック性の低下を招く恐れが少ない。
【００３５】
一般式（１）においてｍ≧２、ｎ＝０である重合体成分（Ａ−２）のＦＤ−ＭＳの相対強度の合計が、フェノール樹脂（Ａ）全体の相対強度の合計に対して３０％以上、７５％以下であることが好ましく、４０％以上、７０％以下であることがより好ましく、５０％以上、６５％以下であることが特に好ましい。ｍ≧２、ｎ＝０である重合体成分（Ａ−２）の相対強度の合計が、上記範囲にあることにより、高温保管特性と耐半田性のバランスに優れた樹脂組成物を得ることができる。また、ｍ≧２、ｎ＝０である重合体成分（Ａ−２）の相対強度の合計が上記上限値以下であれば、金属リードフレームに対する密着性及び流動特性の低下を招く恐れが少ない。ｍ≧２、ｎ＝０である重合体成分（Ａ−２）の相対強度の合計が上記下限値以上であれば、得られる樹脂組成物の連続成形性、高温保管特性及び低吸水性の低下を招く恐れが少ない。また、片面封止型の電子部品においては反りが高くなる不具合が生じる恐れも少ない。
【００３６】
一般式（１）においてｍ＝０、ｎ≧２である重合体成分（Ａ−３）のＦＤ−ＭＳの相対強度の合計が、フェノール樹脂（Ａ）全体の相対強度の合計に対して１％以上、３０％以
下であることが好ましく、２％以上、２０％以下であることがより好ましく、３％以上、１０％以下であることが特に好ましい。ｍ＝０、ｎ≧２である重合体成分（Ａ−３）の相対強度の合計が、上記下限値以上であれば、耐半田性、流動特性及び連続成形性を向上させることができる。また、ｍ＝０、ｎ≧２である重合体成分（Ａ−３）の相対強度の合計が上記上限値以下であれば、高温保管特性及び連続成形性の低下を招く恐れが少ない。また、片面封止型の電子部品においては反りが高くなる恐れも少ない。
【００３７】
フェノール樹脂（Ａ）には、上述の重合体成分のほかに、一般式（１）においてｍ＋ｎ＝１の成分（Ａ−４）、すなわち置換もしくは無置換のナフトール化合物（一般式（１）においてｍ＝１、ｎ＝０である成分）、及び置換もしくは無置換のフェノール化合物（一般式（１）においてｍ＝０、ｎ＝１である成分）が含まれていてよく、その含有割合に特に制限は無いが、ＦＤ−ＭＳの相対強度の合計が、フェノール樹脂（Ａ）全体の相対強度の合計に対して１０％以下である事が好ましく、５％以下であることがさらに好ましい。ｍ＋ｎ＝１である成分（Ａ−４）の相対強度の合計が、上記範囲にあることにより、連続成形性と耐半田性と耐燃性のバランスに優れた樹脂組成物を得ることができる。また、ｍ＋ｎ＝１である成分（Ａ−４）の相対強度の合計が上記上限値以下であれば、成形温度における樹脂組成物の硬度が不足することによって生じる、連続成形に際して成形物が金型内部へ張り付くことによる生産性の低下を招く恐れが少ない。
【００３８】
フェノール樹脂（Ａ）中における一般式（１）のＲ１、及びＲ２は、炭素数１〜３０の炭化水素基であり、互いに同じであっても異なっていても良い。ａは、同一のナフタレン環上に結合する置換基Ｒ１の数を表し、ａは、互いに独立し、０〜５の整数である。より好ましくはａが、０〜３である。ｂは、同一のベンゼン環上に結合する置換基Ｒ２の数を表し、ｂは、互いに独立し、０〜３の整数である。より好ましくはｂが、０〜２である。
【００３９】
フェノール樹脂（Ａ）における一般式（１）中のＲ１及びＲ２は、炭素数１〜３０であれば特に制限はない。炭素数３０以下であれば、電子部品封止用樹脂組成物の反応性が低下することによって、成形性が損なわれる恐れが少ない。Ｒ１、Ｒ２としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、ｔ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、２，２−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、２，４−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、３，４−ジメチルブチル基、４，４−ジメチルブチル基、２−エチルブチル基、１−エチルブチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ベンジル基、メチルベンジル基、エチルベンジル基、ナフチル基、ビフェニル基等を挙げることができる。好ましくは、フェニル基、ベンジル基、メチルベンジル基、エチルベンジル基、ナフチル基、ビフェニル基、下記一般式（２）で表される構造等を挙げることができる。好ましくは芳香族環構造を有するものであり、より好ましくは一般式（２）で表されるフェニルベンジル構造である。置換基Ｒ１又はＲ２を、芳香族環構造を有する基とした場合には、電子部品封止用樹脂組成物の耐湿性が向上する点で好ましく、さらに一般式（２）で表されるフェニルベンジル構造とした場合には、連続成形時の金型及び成形物表面の油染み状の汚れの発生を抑制する効果がある。
【００４０】
【化２】
2012077152.tif 000005
（ただし、上記一般式（２）において、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びｃは、一般式（１）の説明に準ずる。）
【００４１】
フェノール樹脂(Ａ)において、一般式（１）中の置換基Ｒ１及びＲ２の導入数に特に制限は無いが、ビフェニレン基を含む構造単位の繰り返し数ｐ（ｐ＝ｍ＋ｎ−１）の平均値ｐ０と、Ｒ１及びＲ２で表される置換基の平均導入数ｑ（ｑ＝ａ×ｍ＋ｂ×ｎ）の平均値ｑ０との比率ｐ０：ｑ０の好ましい範囲として、９９：１〜８５：１５を挙げることができ、より好ましくは９８：２〜９０：１０である。置換基Ｒ１、Ｒ２の平均導入数の比率が上記上限値以下であれば、金型から樹脂組成物を離型する際の硬度が不足することによる金型への張り付き(スティッキング)が発生する恐れが少ない。置換基Ｒ１、Ｒ２の平均導入数の比率が上記下限値以上であれば、フェノール樹脂（Ａ）の疎水性が向上することにより離型剤成分との親和性が高まる結果、成形物表面に離型剤由来の成分が析出して表面の一部が光沢を発現することによる自動外観検査における外観均一性の低下を招く恐れが少ない。
【００４２】
本発明の電子部品封止用樹脂組成物に用いられるフェノール樹脂（Ａ）における、ナフトール構造単位の繰り返し数ｍの平均値ｍ０と、フェノール構造単位の繰り返し数ｎの平均値ｎ０には、特に制限は無いが、ｍ０の好ましい範囲として０．１〜３を挙げることができ、より好ましくは０．２〜２、さらに好ましくは０．３〜１である。ｎ０の好ましい範囲としては０．４〜５を挙げることができ、より好ましくは１〜３．５、さらに好ましくは１．２〜２．５である。また、ナフトール構造単位の繰り返し数ｍの平均値ｍ０と、フェノール構造単位の繰り返し数ｎの平均値ｎ０との比率（モル比）ｍ０：ｎ０には、特に制限は無いが、好ましい範囲としては５０：５０〜９５：５を挙げることができ、より好ましくは６０：４０〜９０：１０、さらに好ましくは７０：３０〜８５：１５である。
【００４３】
ナフトール構造単位の繰り返し数ｍの平均値ｍ０及びそのモル比が上記下限値以上であれば、樹脂組成物の高温保管特性及び連続成形性の低下を招く恐れが少ない。ナフトール構造単位の繰り返し数ｍの平均値ｍ０及びそのモル比が上記上限値以下であれば、樹脂組成物の流動性及び金属リードフレームを用いた電子部品装置における耐半田クラック性の低下を招く恐れが少ない。また、フェノール構造単位の繰り返し数ｎの平均値ｎ０及びそのモル比が上記下限値以上であれば、樹脂組成物の流動特性、連続成形性及び耐半田クラック性の低下を招く恐れが少ない。フェノール構造単位の繰り返し数ｎの平均値ｎ０及びそのモル比が上記上限値以下であれば、樹脂組成物の連続成形性や高温保管特性の低下を招く恐れが少ない。
【００４４】
なお、ナフトール構造単位の繰り返し数ｍの平均値ｍ０と、フェノール構造単位の繰り返し数ｎの平均値ｎ０、ならびに、Ｒ１及びＲ２が一般式（２）で表される置換基である場合の置換基の導入数ｑ（ｑ＝ａ×ｍ＋ｂ×ｎ）の平均値ｑ０は、Ｈ−ＮＭＲ、Ｃ−ＮＭＲ測定及びＦＤ−ＭＳ測定等によって求めることができる。
【００４５】
Ｈ−ＮＭＲ、Ｃ−ＮＭＲ測定によって算出する場合は、測定によって得た、一般式（１）中のナフトール構造単位のナフタレン環に結合する水酸基中の水素原子又はその水素原
子が結合した炭素原子に由来するシグナルの強度（Ｐ１）、一般式（１）中のフェノール構造単位のベンゼン環に結合する水酸基中の水素原子又はその水素原子が結合した炭素原子に由来するシグナルの強度（Ｐ２）、一般式（１）中のビフェニレン基を含む構造単位及び一般式（２）中のビフェニレン基に結合する水素原子又はその水素原子が結合した炭素原子のシグナルの強度を、ビフェニレン基に結合する水素原子の原子数又はその水素原子が結合した炭素原子の原子数で除した値（Ｐ３）、一般式（１）中のビフェニレン基を含む構造単位及び一般式（２）中における置換もしくは無置換のメチレン基に結合する水素原子のシグナルの強度を、メチレン基に結合する水素原子の原子数で除した値、又は置換もしくは無置換のメチレン基を構成する炭素原子のシグナルの強度（Ｐ４）を下記の連立方程式を計算することにより、求めることができる。
Ｐ１／Ｐ２＝ｍ０／ｎ０
Ｐ３＝ｑ０＋（ｍ０＋ｎ０−１）
Ｐ４＝ｑ０＋２×（ｍ０＋ｎ０−１）
｛ｍ０×（一般式（１）中のナフトール構造の分子量）＋ｎ０×（一般式（１）中のフェノール構造の分子量）＋（ｍ０＋ｎ０−１）×（一般式（１）中のビフェニレン基を含む構造の分子量）＋ｑ０×（一般式（２）の構造の分子量）｝／（ｍ０＋ｎ０）＝フェノール樹脂（Ａ）の水酸基当量
【００４６】
ＦＤ−ＭＳによって算出する場合は、ピーク強度を質量比とみなして計算することによって、ｍ０、ｎ０及びｑ０を求めることができる。
【００４７】
フェノール樹脂（Ａ）において、一般式（１）中のＲ３は、炭素数１〜１０の炭化水素基であり、互いに同じであっても異なっていても良い。炭化水素基の炭素数が１０以下であれば、電子部品封止用樹脂組成物の溶融粘度が高くなり、流動性が低下する恐れが少ない。一般式（１）中のＲ３は、炭素数１〜１０の炭化水素基であれば特に制限はないが、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、ｔ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、２，２−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、２，４−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、３，４−ジメチルブチル基、４，４−ジメチルブチル基、２−エチルブチル基、１−エチルブチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ベンジル基、メチルベンジル基、エチルベンジル基、ナフチル基等を挙げることができる。また、ｃは、同一のベンゼン環上に結合する置換基Ｒ２の数を表し、ｃは、互いに独立し、０〜４の整数である。より好ましくはｃが、０〜１である。
【００４８】
フェノール樹脂（Ａ）において、一般式（１）中のＲ４及びＲ５は、水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基であり、互いに同じであっても異なっていても良い。Ｒ４及びＲ５が炭化水素基の場合、その炭素数が１０以下であれば、電子部品封止用樹脂組成物の溶融粘度が高くなり、流動性が低下する恐れが少ない。一般式（１）中のＲ４及びＲ５は、炭素数１〜１０の炭化水素基であれば特に制限はないが、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、２−メチルブチル基、３−メチルブチル基、ｔ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、２，２−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、２，４−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、３，４−ジメチルブチル基、４，４−ジメチルブチル基、２−エチルブチル基、１−エチルブチル基、シクロヘキシル基、フェニル基、ベンジル基、メチルベンジル基、エチルベンジル基、ナフチル基等を挙げることができる。
【００４９】
フェノール樹脂（Ａ）の合成方法としては、例えば、下記一般式（３）及び／又は下記一般式（３´）で表されるビフェニレン基を含む化合物、下記一般式（４）で表されるナ
フトール化合物、及び下記一般式（５）で表されるフェノール化合物とを酸性触媒下で反応することにより得ることができる。フェノール樹脂（Ａ）が、一般式（１）におけるＲ１又はＲ２が一般式（２）で表される基である重合体成分を含むものとするためには、フェノール樹脂（Ａ）の合成に際して、下記一般式（３）及び／又は（３´）で表されるビフェニレン基を含む化合物の一部を、下記一般式（６）及び／又は下記一般式（６´）で表されるフェニルベンジル化合物に置換する、あるいはフェノール樹脂（Ａ）の合成後に、さらに下記一般式（６）及び／又は下記一般式（６´）で表されるフェニルベンジル化合物を加えて、酸性触媒を用いて反応させることで、フェノール樹脂中（Ａ）に置換基としてフェニルベンジル構造を導入することができる。
【００５０】
【化３】
2012077152.tif 000006
（ただし、上記一般式（３）、（３’）において、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びｃは、一般式（１）の説明に準ずる。上記一般式（３）において、Ｘは、水酸基、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルコキシ基を示す。上記一般式（３’）において、Ｒ６及びＲ６’は互いに独立して、水素原子、炭素数１〜９の炭化水素である。）
【００５１】
【化４】
2012077152.tif 000007
（ただし、上記一般式（４）において、Ｒ１及びａは、式（１）の説明に準ずる。）
【００５２】
【化５】
2012077152.tif 000008
（ただし、上記一般式（５）において、Ｒ２及びｂは、式（１）の説明に準ずる。）
【００５３】
【化６】
2012077152.tif 000009
（ただし、上記一般式（６）、（６’）において、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びｃは、一般式（１）の説明に準ずる。上記一般式（６）において、Ｙは、水酸基、ハロゲン原子、炭素数１〜６のアルコキシ基を示す。上記一般式（６’）において、Ｒ６及びＲ６’は互いに独立して、水素原子、炭素数１〜９の炭化水素である。）
【００５４】
フェノール樹脂（Ａ）の合成に用いられる一般式（３）及び（６）で表される化合物中のＸ及びＹにおいて、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等が挙げられる。炭素数１〜６のアルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、２−メチルブトキシ基、３−メチルブトキシ基、ｔ−ペントキシ基、ｎ−ヘキトキシ基、１−メチルペントキシ基、２−メチルペントキシ基、３−メチルペントキシ基、４−メチルペントキシ基、２，２−ジメチルブトキシ基、２，３−ジメチルブトキシ基、２，４−ジメチルブトキシ基、３，３−ジメチルブトキシ基、３，４−ジメチルブトキシ基、４，４−ジメチルブトキシ基、２−エチルブトキシ基、及び１−エチルブトキシ基等が挙げられる。
【００５５】
フェノール樹脂（Ａ）の合成に用いられる一般式（３´）及び（６´）で表される化合物中の＝ＣＲ６Ｒ６´（アルキリデン基）としては、メチリデン基、エチリデン基、プロピリデン基、ｎ−ブチリデン基、イソブチリデン基、ｔ−ブチリデン基、ｎ−ペンチリデン基、ｎ−ヘプチリデン基、ｎ−オクチリデン基、ｎ−ノニリデン基、２−メチルブチリデン基、３−メチルブチリデン基、ｔ−ペンチリデン基、ｎ−ヘキシリデン基、１−メチルペンチリデン基、２−メチルペンチリデン基、３−メチルペンチリデン基、４−メチルペンチリデン基、２，２−ジメチルブチリデン基、２，３−ジメチルブチリデン基、２，４−ジメチルブチリデン基、３，３−ジメチルブチリデン基、３，４−ジメチルブチリデン基、４，４−ジメチルブチリデン基、２−エチルブチリデン基、１−エチルブチリデン基、及びシクロヘキシリデン基等が挙げられる。
【００５６】
フェノール樹脂（Ａ）の合成に用いられるビフェニレン基を含む化合物としては、一般式（３）又は（３´）で表される化学構造であれば特に限定されないが、例えば４，４’−ビスクロロメチルビフェニル、４，４’−ビスブロモメチルビフェニル、４，４’−ビスヨードメチルビフェニル、４，４’−ビスヒドロキシメチルビフェニル、４，４’−ビスメトキシメチルビフェニル、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ビスクロロメチルビフェニル、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ビスブロモメチルビフェニル、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ビスヨードメチルビフェニル、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ビスヒドロキシメチルビフェニル、３，３’，５，５’−テトラメチル−４，４’−ビスメトキシメチルビフェニル等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらは、１種類を単独で用いても、２種類以上を併用してもよい。これらの中でも、比較的低温で合成が可能であり、反応副生成物の留去や取り扱いが容易であるという観点からは４−ビスメトキシメチルビフェニルが好ましく、微量の水分の存在に起因して発生するハロゲン化水素を酸触媒として利用することができるという点で４，４’−ビスクロロメチルビフェニルが好ましい。
【００５７】
フェノール樹脂（Ａ）の合成に用いられるナフトール化合物としては、一般式（４）で表される化学構造であれば特に限定されないが、例えば、α−ナフトール、β−ナフトール、２−メチル−１−ナフトール、３−メチル−１−ナフトール、４−メチル−１−ナフトール、６−メチル−１−ナフトール、７−メチル−１−ナフトール、８−メチル−１−ナフトール、９−メチル−１−ナフトール、３−メチル−２−ナフトール、５−メチル−１−ナフトール、６，７−ジメチル−１−ナフトール、５，７−ジメチル−１−ナフトール、２，５，８−トリメチル−１−ナフトール、２，６−ジメチル−１−ナフトール、２，３−ジメチル−１−ナフトール、２−メチル−３−フェニル−１−ナフトール、２−メチル−３−エチル−１−ナフトール、ラシニレンＡ、７−ヒドロキシカダレン、１，６−ジ−ターシャル−ブチルナフタレン―２−オール、６−ヘキシル−２−ナフトール等が挙げられる。これらの中でも、樹脂組成物の硬化性の観点からはα−ナフトール、β−ナフトールが好ましく、更に原料コストが安く、エポキシ樹脂の粘度、樹脂組成物の流動性といった観点からβ−ナフトールがより好ましい。これらは、１種類を単独で用いても、２種類以上を併用してもよい。
【００５８】
フェノール樹脂（Ａ）の合成に用いられるフェノール化合物としては、一般式（５）で表される化学構造であれば特に限定されないが、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｍ−クレゾール、フェニルフェノール、エチルフェノール、ｎ−プロピルフェノール、イソプロピルフェノール、ｔ−ブチルフェノール、キシレノール、メチルプロピルフェノール、メチルブチルフェノール、ジプロピルフェノール、ジブチルフェノール、ノニルフェノール、メシトール、２，３，５−トリメチルフェノール、２，３，６−トリメチルフェノール等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらは、１種類を単独で用いても、２種類以上を併用してもよい。これらの中でも、フェノール、ｏ−クレゾールが好ましく、さらにフェノールが、エポキシ樹脂との反応性という観点から、より好ましい。フェノール樹脂（Ａ）の合成において、これらのフェノール化合物は、１種類を単独で用いても、２種類以上を併用してもよい。
【００５９】
フェノール樹脂（Ａ）の合成に用いられるフェニルベンジル化合物は、一般式（６）又は（６’）で表される化合物であれば、特に限定されないが、例えば、４−クロロメチルビフェニル、４−ブロモメチルビフェニル、４−ヨードメチルビフェニル、４−ヒドロキシメチルビフェニル、４−メトキシメチルビフェニル、３，３’，５，５’−テトラメチル−４−クロロメチルビフェニル、３，３’，５，５’−テトラメチル−４−ブロモメチルビフェニル、３，３’，５，５’−テトラメチル−４−ヨードメチルビフェニル、３，３’，５，５’−テトラメチル−４−ヒドロキシメチルビフェニル、３，３’，５，５’−テトラメチル−４−ビスメトキシメチルビフェニル等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。これらは、１種類を単独で用いても、２種類以上を併用してもよい。これらの中でも、酸性触媒を併用しなくてもよいという点では、４−クロロメチルビフェニル、４−ブロモメチルビフェニルが好ましい。
【００６０】
フェノール樹脂（Ａ）の合成に用いられる酸性触媒は、特に限定されないが、例えば、蟻酸、シュウ酸、ｐ−トルエンスルホン酸、塩酸、硫酸、燐酸、酢酸、ルイス酸等を挙げることができる。また、一般式（３）及び（６）で表される化合物中のＸ及びＹが、ハロゲン原子である場合には、反応時に副生するハロゲン化水素が酸性触媒として作用することから、反応系中に酸性触媒を添加する必要は無く、少量の水を添加することで速やかに反応を開始することができる。
【００６１】
本発明に用いるフェノール樹脂（Ａ）の合成方法は、特に限定しないが、例えば、のナフトール化合物とフェノール化合物の合計１モルに対して、ビフェニレン基を含む化合物０．０５〜０．８モル、酸性触媒０．０１〜０．０５モルを８０〜１７０℃の温度で、窒素フローにより発生ガス及び水分を系外へ排出しながら、１〜２０時間反応させ、反応終
了後に残留する未反応モノマー（たとえばフェノール化合物やナフトール化合物）、反応副生物（例えばハロゲン化水素、水分、メタノール）、触媒を減圧蒸留、水蒸気蒸留等の方法で留去することによって得ることができる。
【００６２】
フェノール樹脂（Ａ）における一般式（１）のＲ１又はＲ２が、一般式（２）で表される基である重合体成分を含むものとするには、下記１）〜３）の方法によりフェニルベンジル構造を導入することができる。
１）上述したフェノール樹脂（Ａ）の合成において、一般式（３）及び／又は一般式（３´）で表されるビフェニレン基を含む化合物の一部を一般式（６）及び／又は一般式（６´）で表されるフェニルベンジル化合物として同様の反応を行う。
２）上述したフェノール樹脂（Ａ）の合成において、一般式（６）及び／又は一般式（６´）で表されるフェニルベンジル化合物を逐次添加する。
３）予め合成したフェノール樹脂（Ａ）に、一般式（６）及び／又は一般式（６´）で表されるフェニルベンジル化合物と酸性触媒とを加えて、窒素フローにより発生ガス及び水分を系外へ排出しながら、８０〜１７０℃の温度で、１〜２０時間反応させた後、残留する未反応モノマー（たとえばフェニルベンジル化合物）、反応副生物（例えばハロゲン化水素、水分、メタノール）を減圧蒸留、水蒸気蒸留等の方法で留去する。
【００６３】
なかでも、１）の合成方法が、合成に用いるビフェニレン基を含む化合物とフェニルベンジル化合物との配合比が、得られるフェノール樹脂（Ａ）中に導入される置換基の数に反映し、置換基の導入数の平均数ｑ０を調整することが容易に行うことができる点で好ましい。また、２）の合成法は、逐次添加のタイミングで得られるフェノール樹脂の分子量を制御できる点で好ましい。１）及び２）の合成方法において、用いるフェニルベンジル化合物の好ましい配合量としては、ビフェニレン基を含む化合物とフェニルベンジル化合物とのモル比でビフェニレン基を含む化合物：フェニルベンジル化合物＝９９：１〜８５：１５を挙げることができ、より好ましくは９８：２〜９０：１０である。フェニルベンジル化合物の導入数の上限値が上記範囲内であると、得られる樹脂組成物を連続成形した際の金型表面の汚れが軽減する。
【００６４】
フェノール樹脂（Ａ）の合成において、一般式（１）のｍ≧１かつｎ≧１である重合体成分（Ａ−１）の含有量を調整する方法としては、一般式（４）で表されるナフトール化合物と一般式（５）で表されるフェノール化合物との配合比を調整する、予めナフトール化合物とビフェニレン基を含む化合物の一部とを反応させながらフェノール化合物とビフェニレン基を含む化合物の一部とを逐次添加して反応させる、予めナフトール化合物とフェノール化合物との混合物に対してビフェニレン基を含む化合物を逐次添加して反応させる等の方法により、ｍ≧１かつｎ≧１である重合体成分（Ａ−１）の含有量を調整することができる。
【００６５】
フェノール樹脂（Ａ）の合成において、一般式（１）のｍ≧２かつｎ＝０である重合体成分（Ａ−２）の含有量を調整する方法としては、一般式（４）で表されるナフトール化合物と一般式（５）で表されるフェノール化合物との配合比を調整する、合成反応の中期段階にフェノール化合物を逐次添加する等の方法により、ｍ≧２かつｎ＝０である重合体成分（Ａ−２）の含有量を調整することができる。
【００６６】
フェノール樹脂（Ａ）の合成において、一般式（１）のｍ＝０かつｎ≧２である重合体成分（Ａ−３）の含有量を調整する方法としては、一般式（４）で表されるナフトール化合物と一般式（５）で表されるフェノール化合物との配合比を調整する、ナフトール化合物を逐次添加する等の方法により、ｍ＝０かつｎ≧２である重合体成分（Ａ−３）の含有量を調整することができる。
【００６７】
フェノール樹脂（Ａ）の合成において、一般式（１）のｍ＋ｎ＝１である成分（Ａ−４）の含有量を調整する方法としては、合成により得られたフェノール樹脂（Ａ）を常圧蒸留、減圧蒸留、水蒸気蒸留等の蒸留、水洗、抽出、分別カラムによる分級等の方法により、ｍ＋ｎ＝１である成分（Ａ−４）の含有量を調整することができる。
【００６８】
フェノール樹脂（Ａ）において、一般式（１）中のナフトール構造単位の繰り返し数ｍの平均値ｍ０と、フェノール構造単位の繰り返し数ｎの平均値ｎ０の比率ｍ０：ｎ０は、合成に使用する一般式（４）で表されるナフトール化合物と一般式（５）で表されるフェノール化合物との比率をほぼ反映することとなる。合成に使用する一般式（４）で表されるナフトール化合物と一般式（５）で表されるフェノール化合物との配合比率の好ましい範囲としては、モル比でナフトール化合物：フェノール化合物＝５０：５０〜９５：５を挙げることができ、より好ましくは６０：４０〜９０：１０、さらに好ましくは７０：３０〜８５：１５である。
【００６９】
フェノール樹脂（Ａ）の合成において、ナフトール構造単位の繰り返し数ｍの平均値ｍ０を調整する方法としては、一般式（４）で表されるナフトール化合物と一般式（５）で表されるフェノール化合物との配合比を調整する、一般式（３）又は一般式（３´）で表されるビフェニレン基を含む化合物の配合量を調整する、一般式（６）又は（６´）で表されるフェニルベンジル化合物の配合量を調整する、反応温度を調整する、触媒量を調整する等の方法で、ｍの平均値ｍ０を調整することができる。
【００７０】
フェノール樹脂（Ａ）の合成において、フェノール構造単位の繰り返し数ｎの平均値ｎ０を調整する方法としては、一般式（４）で表されるナフトール化合物と一般式（５）で表されるフェノール化合物との配合比を調整する、一般式（３）又は一般式（３´）で表されるビフェニレン基を含む化合物の配合量を調整する、一般式（６）又は（６´）で表されるフェニルベンジル化合物の配合量を調整する、反応温度を調整する、触媒量を調整する等の方法で、ｎの平均値を調整することができる。また、ｍ＋ｎの平均値を調整する方法としては、上述の方法を適宜組み合わせることで調整することができる。
【００７１】
フェノール樹脂（Ａ）の合成において、より低粘度のフェノール樹脂（Ａ）を得るためには、ビフェニレン基を含む化合物の配合量を減らす、フェニルベンジル化合物の配合量を増やす、酸触媒の配合量を減らす、ハロゲン化水素ガスが発生する場合にはこれを窒素気流等で速やかに系外に排出する、反応温度を下げる、等の手法によって高分子量成分の生成を低減させる方法が使用できる。この場合、反応の進行は、反応で副生成する水、一般式（３）又は一般式（６）とフェノール化合物又はナフトール化合物との反応で副生成するハロゲン化水素、アルコールのガスの発生状況や、あるいは反応途中の生成物をサンプリングしてゲルパーミエーションクロマトグラフ法により分子量で確認することもできる。
【００７２】
フェノール樹脂（Ａ）の水酸基当量の下限値は、特に制限は無いが、２０５ｇ／ｅｑ以上が好ましく、より好ましくは２１５ｇ／ｅｑ以上、さらに好ましくは２２５ｇ／ｅｑ以上である。下限値が上記範囲内であると、得られる樹脂組成物は、良好な連続成形性と高温保管特性を有し、片面封止の電子部品装置においては低反り性を発現することができる。また、フェノール樹脂（Ａ）の水酸基当量の上限値は、２７０ｇ／ｅｑ以下が好ましく、より好ましくは２６０ｇ／ｅｑ以下、さらに好ましくは２５０ｇ／ｅｑ以下である。上限値が上記範囲内であると、得られる樹脂組成物は良好な流動性と金属リードフレームに適用した場合に良好な耐半田性を有することができる。
【００７３】
エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂の硬化剤として、上述した複数の構造の重合体成分を含むフェノール樹脂（Ａ）を用いることにより、耐熱性、高温保管特性、耐半田性、難燃性
、片面封止の電子部品装置における低反り性、金属リードフレームを用いた電子部品装置における及び連続成形性のバランスに優れる電子部品封止用樹脂組成物を得ることができる。
【００７４】
本発明の電子部品封止用樹脂組成物は、フェノール樹脂（Ａ）を用いることによる効果が損なわれない範囲で、他の硬化剤を併用することができる。併用できる硬化剤としては、特に限定されないが、例えば重付加型の硬化剤、触媒型の硬化剤、縮合型の硬化剤等を挙げることができる。
【００７５】
重付加型の硬化剤としては、例えば、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、メタキシレンジアミン等の脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン、ｍ−フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルスルホン等の芳香族ポリアミンのほか、ジシアンジアミド、有機酸ジヒドラジド等を含むポリアミン化合物；ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸等の脂環族酸無水物、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸等の芳香族酸無水物等を含む酸無水物；ノボラック型フェノール樹脂、フェノールポリマー等のポリフェノール化合物；ポリサルファイド、チオエステル、チオエーテル等のポリメルカプタン化合物；イソシアネートプレポリマー、ブロック化イソシアネート等のイソシアネート化合物；カルボン酸含有ポリエステル樹脂等の有機酸類等が挙げられる。
【００７６】
触媒型の硬化剤としては、例えば、ベンジルジメチルアミン、２，４，６−トリスジメチルアミノメチルフェノール等の第三級アミン化合物；２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール等のイミダゾール化合物；ＢＦ３錯体等のルイス酸等が挙げられる。
【００７７】
縮合型の硬化剤としては、例えば、ノボラック型フェノール樹脂、レゾール型フェノール樹脂等のフェノール樹脂；メチロール基含有尿素樹脂のような尿素樹脂；メチロール基含有メラミン樹脂のようなメラミン樹脂等が挙げられる。
【００７８】
これらの中でも、耐燃性、耐湿性、電気特性、硬化性、保存安定性等のバランスの点からフェノール樹脂が好ましい。フェノール樹脂は、一分子内にフェノール性水酸基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造を特に限定するものではないが、例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ナフトールノボラック樹脂等のノボラック型樹脂；トリフェノールメタン型フェノール樹脂等の多官能型フェノール樹脂；テルペン変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂等の変性フェノール樹脂；フェニレン骨格及び／又はビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂、フェニレン及び／又はビフェニレン骨格を有するナフトールアラルキル樹脂等のアラルキル型樹脂；ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ等のビスフェノール化合物等が挙げられ、これらは１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。これらのうち、硬化性の点から水酸基当量は９０ｇ／ｅｑ以上、２５０ｇ／ｅｑ以下のものが好ましい。
【００７９】
このような他の硬化剤を併用する場合において、フェノール樹脂（Ａ）の配合割合としては、全硬化剤に対して、１５質量％以上であることが好ましく、２５質量％以上であることがより好ましく、３５質量％以上であることが特に好ましい。配合割合が上記範囲内であると、良好な流動性と硬化性を保持しつつ、耐燃性、耐半田性を向上させる効果を得ることができる。
【００８０】
硬化剤全体の配合割合の下限値については、特に限定されないが、全樹脂組成物中に、０．８質量％以上であることが好ましく１．５質量％以上であることがより好ましい。配
合割合の下限値が上記範囲内であると、充分な流動性を得ることができる。また、硬化剤全体の配合割合の上限値についても、特に限定されないが、全樹脂組成物中に、１０質量％以下であることが好ましく、９質量％以下であることがより好ましい。配合割合の上限値が上記範囲内であると、良好な耐半田性を得ることができる。
【００８１】
本発明の電子部品封止用樹脂組成物には、エポキシ樹脂（Ｂ）を用いることができる。本発明の電子部品封止用樹脂組成物に用いられるエポキシ樹脂としては、例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂、ビスフェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、ジヒドロキシアントラセン型エポキシ樹脂等の結晶性エポキシ樹脂；フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂；トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、テトラキスヒドロキシフェノールエタン型エポキシ樹脂等の多官能エポキシ樹脂；フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂等のアラルキル型エポキシ樹脂；ジヒドロキシナフタレン型エポキシ樹脂、ジヒドロキシナフタレンの２量体をグリシジルエーテル化して得られるエポキシ樹脂等のナフトール型エポキシ樹脂；トリグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート等のトリアジン核含有エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂等の有橋環状炭化水素化合物変性フェノール型エポキシ樹脂が挙げられるが、これらに限定されない。結晶性エポキシ樹脂は、流動性およびに連続成形における成形物表面の概観均一性に優れる点で好ましく、多官能エポキシ樹脂は、良好な高温保管特性（ＨＴＳＬ）に優れる点で好ましく、フェノールフタレイン型エポキシ樹脂は、無機充填剤の含有率が低い場合でも優れた耐燃性、高温保管特性（ＨＴＳＬ）、耐半田性のバランスに優れる点で好ましく、フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂などのアラルキル型エポキシ樹脂、フェノール変性芳香族炭化水素−ホルムアルデヒド樹脂型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂は、耐半田性に優れる点で好ましく、ナフトール型エポキシ樹脂及びメトキシナフタレン骨格含有ノボラック型エポキシ樹脂などの分子中にナフタレン骨格を有するエポキシ樹脂は、耐燃性と高温保管特性（ＨＴＳＬ）のバランスに優れる点で好ましい。また、得られる電子部品封止用樹脂組成物の耐湿信頼性の観点から、イオン性不純物であるＮａイオンやＣｌイオンを極力含まないことが好ましく、電子部品樹脂組成物の硬化性の観点から、エポキシ樹脂のエポキシ当量は、１００ｇ／ｅｑ以上、５００ｇ／ｅｑ以下であることが好ましい。
【００８２】
電子部品封止用樹脂組成物中のエポキシ樹脂（Ｂ）の配合量は、電子部品封止用樹脂組成物の全質量に対して、好ましくは２質量％以上であり、より好ましくは４質量％以上である。下限値が上記範囲内であると、得られる樹脂組成物は良好な流動性を有する。また、電子部品封止用樹脂組成物中のエポキシ樹脂（Ｂ）の量は、電子部品封止用樹脂組成物の全質量に対して、好ましくは１５質量％以下であり、より好ましくは１３質量％以下である。上限値が上記範囲内であると、得られる樹脂組成物は良好な耐半田性を有する。
【００８３】
なお、フェノール樹脂とエポキシ樹脂とは、全エポキシ樹脂のエポキシ基数（ＥＰ）と、全フェノール樹脂のフェノール性水酸基数（ＯＨ）との当量比（ＥＰ）／（ＯＨ）が、０．８以上、１．３以下となるように配合することが好ましい。当量比が上記範囲内であると、得られる樹脂組成物を成形する際、十分な硬化特性を得ることができる。
【００８４】
本発明の電子部品封止用樹脂組成物には、無機充填剤（Ｃ）を用いることができる。本発明の電子部品封止用樹脂組成物に用いられる無機充填剤（Ｃ）としては、特に限定されないが、当該分野で一般的に用いられる無機充填剤を使用することができる。例えば、溶融シリカ、球状シリカ、結晶シリカ、アルミナ、窒化珪素、窒化アルミ等が挙げられる。
【００８５】
無機充填剤（Ｃ）の粒径は、金型キャビティへの充填性の観点から、０．０１μｍ以上、１５０μｍ以下であることが望ましい。
【００８６】
無機充填剤（Ｃ）の含有量は、特に限定されないが、電子部品封止用樹脂組成物の全質量に対して、好ましくは７５質量％以上であり、より好ましくは７８質量％以上であり、さらに好ましくは８１質量％以上である。下限値が上記範囲内であると、得られる電子部品封止用樹脂組成物の硬化物の吸湿量を抑えることや、強度の低下を低減でき、したがって良好な耐半田クラック性を有する硬化物を得ることができる。また、電子部品封止用樹脂組成物中の無機充填剤（Ｃ）の含有量の上限値は、電子部品封止用樹脂組成物の全質量に対して、好ましくは９３質量％以下であり、より好ましくは９１質量％以下であり、さらに好ましくは９０質量％以下である。上限値が上記範囲内であると、得られる樹脂組成物は良好な流動性を有するとともに、良好な成形性を備える。
なお、後述する、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の金属水酸化物や、硼酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛、三酸化アンチモン等の無機系難燃剤を用いる場合には、これらの無機系難燃剤と上記無機充填剤（Ｃ）の合計量を上記範囲内とすることが望ましい。
【００８７】
本発明の電子部品封止用樹脂組成物には、さらに硬化促進剤（Ｄ）を用いることができる。本発明の電子部品封止用樹脂組成物で用いることができる硬化促進剤（Ｄ）は、エポキシ樹脂のエポキシ基とフェノール樹脂の水酸基との反応を促進するものであればよく、一般に使用される硬化促進剤を用いることができる。硬化促進剤（Ｄ）は、エポキシ樹脂とフェノール樹脂との架橋反応を促進する作用を有するほか、電子部品封止用樹脂組成物の硬化時の流動性と硬化性とのバランスを制御でき、さらには硬化物の硬化特性を変えることもできる。
【００８８】
硬化促進剤（Ｄ）の具体例としては、有機ホスフィン、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等のリン原子含有硬化促進剤；１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン−７、ベンジルジメチルアミン、２−メチルイミダゾール等の窒素原子含有硬化促進剤が挙げられ、これらのうち、リン原子含有硬化促進剤が好ましい硬化性を得ることができる。流動性と硬化性とのバランスの観点から、テトラ置換ホスホニウム化合物、ホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物等の潜伏性を有するリン原子含有硬化促進剤がより好ましい。流動性という点を重視する場合にはテトラ置換ホスホニウム化合物が特に好ましく、また電子部品封止用樹脂組成物の硬化物熱時低弾性率という点を重視する場合にはホスホベタイン化合物、ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物が特に好ましく、また潜伏的硬化性という点を重視する場合にはホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物が特に好ましい。
【００８９】
本発明の電子部品封止用樹脂組成物で用いることができる有機ホスフィンとしては、例えばエチルホスフィン、フェニルホスフィン等の第１ホスフィン、ジメチルホスフィン、ジフェニルホスフィン等の第２ホスフィン、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン等の第３ホスフィンが挙げられる。
【００９０】
本発明の電子部品封止用樹脂組成物で用いることができるテトラ置換ホスホニウム化合物としては、例えば下記一般式（７）で表される化合物等が挙げられる。
【００９１】
【化７】
2012077152.tif 000010
（ただし、上記一般式（７）において、Ｐはリン原子を表す。Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０は芳香族基又はアルキル基を表す。Ａはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族有機酸のアニオンを表す。ＡＨはヒドロキシル基、カルボキシル基、チオール基から選ばれる官能基のいずれかを芳香環に少なくとも１つ有する芳香族有機酸を表す。ｘ、ｙは１〜３の整数、ｚは０〜３の整数であり、かつｘ＝ｙである。）
【００９２】
一般式（７）で表される化合物は、例えば以下のようにして得られるがこれに限定されるものではない。まず、テトラ置換ホスホニウムハライドと芳香族有機酸と塩基を有機溶剤に混ぜ均一に混合し、その溶液系内に芳香族有機酸アニオンを発生させる。次いで水を加えると、一般式（７）で表される化合物を沈殿させることができる。一般式（７）で表される化合物において、リン原子に結合するＲ７、Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０がフェニル基であり、かつＡＨはヒドロキシル基を芳香環に有する化合物、すなわちフェノール類であり、かつＡは該フェノール類のアニオンであるのが好ましい。
【００９３】
本発明の電子部品封止用樹脂組成物で用いることができるホスホベタイン化合物としては、例えば下記一般式（８）で表される化合物等が挙げられる。
【００９４】
【化８】
2012077152.tif 000011
（ただし、上記一般式（８）において、Ｘ１は炭素数１〜３のアルキル基、Ｙ１はヒドロキシル基を表す。ｄは０〜５の整数であり、ｅは０〜３の整数である。）
【００９５】
一般式（８）で表される化合物は、例えば以下のようにして得られる。まず、第三ホスフィンであるトリ芳香族置換ホスフィンとジアゾニウム塩とを接触させ、トリ芳香族置換ホスフィンとジアゾニウム塩が有するジアゾニウム基とを置換させる工程を経て得られる。しかしこれに限定されるものではない。
【００９６】
本発明の電子部品封止用樹脂組成物で用いることができるホスフィン化合物とキノン化合物との付加物としては、例えば下記一般式（９）で表される化合物等が挙げられる。
【００９７】
【化９】
2012077152.tif 000012
（ただし、上記一般式（９）において、Ｐはリン原子を表す。Ｒ１１、Ｒ１２及びＲ１３は炭素数１〜１２のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｒ１４、Ｒ１５及びＲ１６は水素原子又は炭素数１〜１２の炭化水素基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｒ１４とＲ１５が結合して環状構造となっていてもよい。）
【００９８】
ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるホスフィン化合物としては、例えばトリフェニルホスフィン、トリス（アルキルフェニル）ホスフィン、トリス（アルコキシフェニル）ホスフィン、トリナフチルホスフィン、トリス（ベンジル）ホスフィン等の芳香環に無置換又はアルキル基、アルコキシル基等の置換基が存在するものが好ましく、アルキル基、アルコキシル基等の置換基としては１〜６の炭素数を有するものが挙げられる。入手しやすさの観点からはトリフェニルホスフィンが好ましい。
【００９９】
またホスフィン化合物とキノン化合物との付加物に用いるキノン化合物としては、ｏ−ベンゾキノン、ｐ−ベンゾキノン、アントラキノン類が挙げられ、中でもｐ−ベンゾキノンが保存安定性の点から好ましい。
【０１００】
ホスフィン化合物とキノン化合物との付加物の製造方法としては、有機第三ホスフィンとベンゾキノン類の両者が溶解することができる溶媒中で接触、混合させることにより付加物を得ることができる。溶媒としてはアセトンやメチルエチルケトン等のケトン類で付加物への溶解性が低いものがよい。しかしこれに限定されるものではない。
【０１０１】
一般式（９）で表される化合物において、リン原子に結合するＲ１１、Ｒ１２及びＲ１３がフェニル基であり、かつＲ１４、Ｒ１５及びＲ１６が水素原子である化合物、すなわち１，４−ベンゾキノンとトリフェニルホスフィンを付加させた化合物が電子部品封止用樹脂組成物の硬化物の熱時弾性率を低下させる点で好ましい。
【０１０２】
本発明の電子部品封止用樹脂組成物で用いることができるホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物としては、例えば下記一般式（１０）で表される化合物等が挙げられる。
【０１０３】
【化１０】
2012077152.tif 000013
（ただし、上記一般式（１０）において、Ｐはリン原子を表し、Ｓｉは珪素原子を表す。Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９及びＲ２０は、それぞれ、芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。式中Ｘ２は、基Ｙ２
及びＹ３と結合する有機基である。式中Ｘ３は、基Ｙ４及びＹ５と結合する有機基である。Ｙ２及びＹ３は、プロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ２及びＹ３が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｙ４及びＹ５はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基を表し、同一分子内の基Ｙ４及びＹ５が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｘ２、及びＸ３は互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、及びＹ５は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｚ１は芳香環又は複素環を有する有機基、あるいは脂肪族基である。）
【０１０４】
一般式（１０）において、Ｒ１７、Ｒ１８、Ｒ１９及びＲ２０としては、例えば、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ナフチル基、ヒドロキシナフチル基、ベンジル基、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−オクチル基及びシクロヘキシル基等が挙げられ、これらの中でも、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ヒドロキシナフチル基等の置換基を有する芳香族基もしくは無置換の芳香族基がより好ましい。
【０１０５】
また、一般式（１０）において、Ｘ２は、Ｙ２及びＹ３と結合する有機基である。同様に、Ｘ３は、基Ｙ４及びＹ５と結合する有機基である。Ｙ２及びＹ３はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ２及びＹ３が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。同様にＹ４及びＹ５はプロトン供与性基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ４及びＹ５が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。基Ｘ２及びＸ３は互いに同一であっても異なっていてもよく、基Ｙ２、Ｙ３、Ｙ４、及びＹ５は互いに同一であっても異なっていてもよい。このような一般式（１０）中の−Ｙ２−Ｘ２−Ｙ３−、及び−Ｙ４−Ｘ３−Ｙ５−で表される基は、プロトン供与体が、プロトンを２個放出してなる基で構成されるものであり、プロトン供与体としては、例えば、カテコール、ピロガロール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン、２，２’−ビフェノール、１，１’−ビ−２−ナフトール、サリチル酸、１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、クロラニル酸、タンニン酸、２−ヒドロキシベンジルアルコール、１，２−シクロヘキサンジオール、１，２−プロパンジオール及びグリセリン等が挙げられるが、これらの中でも、カテコール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレンがより好ましい。
【０１０６】
また、一般式（１０）中のＺ１は、芳香環又は複素環を有する有機基又は脂肪族基を表し、これらの具体的な例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基及びオクチル基等の脂肪族炭化水素基や、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基及びビフェニル基等の芳香族炭化水素基、グリシジルオキシプロピル基、メルカプトプロピル基、アミノプロピル基及びビニル基等の反応性置換基等が挙げられるが、これらの中でも、メチル基、エチル基、フェニル基、ナフチル基及びビフェニル基が熱安定性の面から、より好ましい。
【０１０７】
ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物の製造方法としては、メタノールを入れたフラスコに、フェニルトリメトキシシラン等のシラン化合物、２，３−ジヒドロキシナフタレン等のプロトン供与体を加えて溶かし、次に室温攪拌下ナトリウムメトキシド−メタノール溶液を滴下する。さらにそこへ予め用意したテトラフェニルホスホニウムブロマイド等のテトラ置換ホスホニウムハライドをメタノールに溶かした溶液を室温攪拌下滴下すると結晶が析出する。析出した結晶を濾過、水洗、真空乾燥すると、ホスホニウム化合物とシラン化合物との付加物が得られる。しかし、これに限定されるものではない。
【０１０８】
本発明の電子部品封止用樹脂組成物に用いることができる硬化促進剤（Ｄ）の配合割合は、全樹脂組成物中０．１質量％以上、１質量％以下であることがより好ましい。硬化促
進剤（Ｄ）の配合割合が上記範囲内であると、充分な硬化性を得ることができる。また、硬化促進剤（Ｄ）の配合割合が上記範囲内であると、充分な流動性を得ることができる。
【０１０９】
本発明の電子部品封止用樹脂組成物には、さらに芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物（Ｅ）を用いることができる。芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物（Ｅ）（以下、「化合物（Ｅ）」とも称する。）は、これを用いることにより、フェノール樹脂とエポキシ樹脂との架橋反応を促進させる硬化促進剤として、潜伏性を有しないリン原子含有硬化促進剤を用いた場合であっても、樹脂組成物の溶融混練中での反応を抑えることができ、安定して電子部品封止用樹脂組成物を得ることができる。また、化合物（Ｅ）は、電子部品封止用樹脂組成物の溶融粘度を下げ、流動性を向上させる効果があるほか、詳細な機構は不明ながら、成形後金型から離型する際の応力が低減する効果も有する。化合物（Ｅ）としては、下記一般式（１１）で表される単環式化合物又は下記一般式（１２）で表される多環式化合物等を用いることができ、これらの化合物は水酸基以外の置換基を有していてもよい。
【０１１０】
【化１１】
2012077152.tif 000014
（ただし、上記一般式（１１）において、Ｒ２１、Ｒ２５はどちらか一方が水酸基であり、片方が水酸基のとき他方は水素原子、水酸基又は水酸基以外の置換基である。Ｒ２２、Ｒ２３及びＲ２４は水素原子、水酸基又は水酸基以外の置換基である。）
【０１１１】
【化１２】
2012077152.tif 000015
（ただし、上記一般式（１２）において、Ｒ２６、Ｒ３２はどちらか一方が水酸基であり、片方が水酸基のとき他方は水素原子、水酸基又は水酸基以外の置換基である。Ｒ２７、Ｒ２８、Ｒ２９、Ｒ３０及びＲ３１は水素原子、水酸基又は水酸基以外の置換基である。）
【０１１２】
一般式（１１）で表される単環式化合物の具体例としては、例えば、カテコール、ピロガロール、没食子酸、没食子酸エステル又はこれらの誘導体が挙げられる。また、一般式（１２）で表される多環式化合物の具体例としては、例えば、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン及びこれらの誘導体が挙げられる。これらのうち、流動性と硬化性の制御のしやすさから、芳香環を構成する２個の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物が好ましい。また、混練工程での揮発を考慮した場合、母核は低揮発性で秤量安定性の高いナフタレン環である化合物とすることがより好ましい。この場合、化合物（Ｅ）を、具体的には、例えば、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン及びその誘導体等のナフタレン環を有する化合物とするこ
とができる。これらの化合物（Ｅ）は１種類を単独で用いても２種以上を併用してもよい。
【０１１３】
化合物（Ｅ）の配合量は、全電子部品封止用樹脂組成物中に０．０１質量％以上、１質量％以下であることが好ましく、より好ましくは０．０３質量％以上、０．８質量％以下、特に好ましくは０．０５質量％以上、０．５質量％以下である。化合物（Ｅ）の配合量の下限値が上記範囲内であると、電子部品封止用樹脂組成物の充分な低粘度化と流動性向上効果を得ることができる。また、化合物（Ｅ）の配合量の上限値が上記範囲内であると、電子部品封止用樹脂組成物の硬化性及び連続成形性の低下や半田リフロー温度でクラックを引き起こす恐れが少ない。
【０１１４】
本発明の電子部品封止用樹脂組成物においては、エポキシ樹脂（Ｂ）と無機充填剤（Ｃ）との密着性を向上させるため、さらにカップリング剤（Ｆ）等の密着助剤を添加することができる。また、カップリング剤（Ｆ）は、前述の化合物（Ｅ）と併用することで、樹脂組成物の溶融粘度を下げ、流動性を向上させるという化合物（Ｅ）の効果を高めることもできるものである。本発明の電子部品封止用樹脂組成物で用いることができるカップリング剤としては、特に限定されないが、例えば、アミノシラン、エポキシシラン、ウレイドシラン、メルカプトシラン等が挙げられる。
【０１１５】
アミノシランとしては、特に限定は無いが、例えば、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−フェニルγ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニルγ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−６−（アミノヘキシル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（３−（トリメトキシシリルプロピル）−１，３−ベンゼンジメタナン等が挙げられる。エポキシシランとしては、例えば、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、β−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン等が挙げられる。また、メルカプトシランとしては、例えば、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。また、ウレイドシランとしては、例えば、γ−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン等が挙げられる。アミノシランの１級アミノ部位をケトン又はアルデヒドを反応させて保護した潜在性アミノシランカップリング剤として用いてもよい。また、メルカプトシランとしては、例えば、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシランのほか、ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）テトラスルフィド、ビス（３−トリエトキシシリルプロピル）ジスルフィドのような熱分解することによってメルカプトシランカップリング剤と同様の機能を発現するシランカップリング剤など、が挙げられる。またこれらのシランカップリング剤は予め加水分解反応させたものを配合してもよい。これらのシランカップリング剤は１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。
【０１１６】
本発明において、得られる電子部品封止用樹脂組成物をより高耐熱化、低反り化させるには、フェノール樹脂（Ａ）に含まれるｍ≧２、ｎ＝０である重合体成分（Ａ−２）の含有割合をより高めることが有効であるが、重合体成分（Ａ−２）の含有割合を高めると、樹脂組成物の流動特性が低下する、あるいは金属リードフレームを用いた電子部品装置の耐半田性が低下する傾向がある。このような場合、カップリング剤（Ｆ）としてアミノシランを用いることで、樹脂組成物の流動性及び耐半田性を向上することができる。一般に、アミノシランは密着性に優れるものの、樹脂組成物中の無機充填剤（Ｃ）やエポキシ基と比較的低温で反応、消費されるために、硬化温度では金属表面に十分作用（密着、結合）できない場合がある。然るに、重合体成分（Ａ−１）、重合体成分（Ａ−２）を含むフ
ェノール樹脂（Ａ）とアミノシランとを併用した場合には、耐熱性、低反り性、流動性及び耐半田性を、より高いレベルでバランスさせることができる。その理由について、詳細は不明ながら、フェノール樹脂（Ａ）中の重合体成分（Ａ−１）及び重合体成分（Ａ−２）に含まれる置換、無置換のナフトール構造が酸性かつ嵩高い構造であることから、塩基性のアミノシランと酸−塩基相互作用を形成し、両者が互いにキャッピング効果を発現していると推測される。すなわち、このキャッピング効果によって、フェノール樹脂（Ａ）中の重合体成分（Ａ−１）及び（Ａ−２）とエポキシ樹脂（Ｂ）との反応が若干遅延し、重合体成分（Ａ−１）による低粘度化効果と相まって樹脂組成物の流動性が向上し、一方のアミノシランは、金属表面と吸着、結合することができるものと考えられる。アミノシランのなかでも、Ｎ−フェニルγ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニルγ−アミノプロピルトリメトキシシラン等の第二級アミン構造を有するシランカップリング剤が、ニッケル／パラジウム／金多層メッキ（ＰＰＦ（Ｐａｌｌａｄｉｕｍ  Ｐｒｅ−Ｐｌａｔｅｄ  Ｆｒａｍｅ））を施した金属リードフレームを用いた電子部品装置においても耐半田性が向上する点で好ましい。これらのアミノシランは１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。
【０１１７】
本発明の電子部品封止用樹脂組成物に用いることができるカップリング剤の配合割合の下限値としては、全樹脂組成物中０．０１質量％以上が好ましく、より好ましくは０．０５質量％以上、特に好ましくは０．１質量％以上である。カップリング剤の配合割合の下限値が上記範囲内であれば、エポキシ樹脂（Ｂ）と無機充填剤（Ｃ）との界面強度が低下することがなく、電子部品装置における良好な耐半田クラック性を得ることができる。また、カップリング剤の上限値としては、全樹脂組成物中１質量％以下が好ましく、より好ましくは０．８質量％以下、特に好ましくは０．６質量％以下である。カップリング剤の配合割合の上限値が上記範囲内であれば、エポキシ樹脂（Ｂ）と無機充填剤（Ｃ）との界面強度が低下することがなく、電子部品装置における良好な耐半田クラック性を得ることができる。また、カップリング剤の配合割合が上記範囲内であれば、樹脂組成物の硬化物の吸水性が増大することがなく、電子部品装置における良好な耐半田クラック性を得ることができる。
【０１１８】
本発明の電子部品封止用樹脂組成物においては、難燃性を向上させるために無機難燃剤（Ｇ）をさらに添加することができる。なかでも燃焼時に脱水、吸熱することによって燃焼反応を阻害する金属水酸化物、又は複合金属水酸化物が燃焼時間の短縮することができる点で好ましい。金属水酸化物としては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウム、水酸化ジルコニアを挙げることができる。複合金属水酸化物としては、２種以上の金属元素を含むハイドロタルサイト化合物であって、少なくとも一つの金属元素がマグネシウムであり、かつ、その他の金属元素がカルシウム、アルミニウム、スズ、チタン、鉄、コバルト、ニッケル、銅、又は亜鉛から選ばれる金属元素であればよく、そのような複合金属水酸化物としては、水酸化マグネシウム・亜鉛固溶体が市販品で入手が容易である。なかでも、耐半田性と連続成形性のバランスの観点からは水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム・亜鉛固溶体が好ましい。無機難燃剤（Ｇ）は、単独で用いても、２種以上用いてもよい。また、連続成形性への影響を低減する目的から、シランカップリング剤などの珪素化合物やワックスなどの脂肪族系化合物などで表面処理を行って用いてもよい。
【０１１９】
本発明の電子部品封止用樹脂組成物では、前述した成分以外に、カーボンブラック、ベンガラ、酸化チタン等の着色剤；カルナバワックス等の天然ワックス、ポリエチレンワックス等の合成ワックス、ステアリン酸やステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸及びその金属塩類若しくはパラフィン等の離型剤；シリコーンオイル、シリコーンゴム等の低応力添加剤；酸化ビスマス水和物等の無機イオン交換体；硼酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛、フォスファゼン、三酸化アンチモン等の難燃剤等の添加剤を適宜配合してもよい。
【０１２０】
本発明の電子部品封止用樹脂組成物は、フェノール樹脂（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）及び無機充填剤（Ｃ）、ならびに上述のその他の成分等を、例えば、ミキサー等を用いて常温で均一に混合する。
【０１２１】
その後、必要に応じて、加熱ロール、ニーダー又は押出機等の混練機を用いて溶融混練し、続いて必要に応じて冷却、粉砕することにより、所望の分散度や流動性等に調整することができる。
【０１２２】
次に、本発明の電子部品装置について説明する。本発明の電子部品封止用樹脂組成物を用いて電子部品装置を製造する方法としては、例えば、電子部品素子を搭載したリードフレーム又は回路基板等を金型キャビティ内に設置した後、電子部品封止用樹脂組成物をトランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の成形方法で成形、硬化させることにより、この電子部品素子を封止する方法が挙げられる。
【０１２３】
封止される電子部品素子としては、例えば、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード、固体撮像素子等が挙げられるが、これらに限定されない。
【０１２４】
得られる電子部品装置の形態としては、例えば、デュアル・インライン・パッケージ（ＤＩＰ）、プラスチック・リード付きチップ・キャリヤ（ＰＬＣＣ）、クワッド・フラット・パッケージ（ＱＦＰ）、ロー・プロファイル・クワッド・フラット・パッケージ（ＬＱＦＰ）、スモール・アウトライン・パッケージ（ＳＯＰ）、スモール・アウトライン・Ｊリード・パッケージ（ＳＯＪ）、薄型スモール・アウトライン・パッケージ（ＴＳＯＰ）、薄型クワッド・フラット・パッケージ（ＴＱＦＰ）、テープ・キャリア・パッケージ（ＴＣＰ）、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）、チップ・サイズ・パッケージ（ＣＳＰ）等が挙げられるが、これらに限定されない。
【０１２５】
電子部品封止用樹脂組成物のトランスファーモールド等の成形方法により電子部品素子が封止された電子部品装置は、そのまま、あるいは８０℃から２００℃程度の温度で、１０分から１０時間程度の時間をかけてこの樹脂組成物を完全硬化させた後、電子機器等に搭載される。
【０１２６】
図１は、本発明に係る電子部品封止用樹脂組成物の硬化物で、金属リードフレームに搭載された電子部品素子が封止されている電子部品装置の一例について、断面構造を示した図である。ダイパッド３上に、ダイボンド材硬化体２を介して半導体素子１が固定されている。半導体素子１の電極パッドとリードフレーム５との間は金線４によって接続されている。半導体素子１は、エポキシ樹脂組成物の硬化体６によって封止されている。
【０１２７】
図２は、本発明に係る電子部品封止用樹脂組成物の硬化物で、有機基板に搭載された電子部品素子が封止されている片面封止型の電子部品装置の一例について、断面構造を示した図である。基板８の表面に、ソルダーレジスト７の層が形成された積層体のソルダーレジスト７上にダイボンド材硬化体２を介して半導体素子１が固定されている。半導体素子１の電極パッドと基板８上の電極パッドとの間は金線４によって接続されている。エポキシ樹脂組成物の硬化体６によって、基板８の半導体素子１が搭載された片面側のみが封止されている。基板８上の電極パッドは基板８上の非封止面側の半田ボール９と内部で接合されている。
【０１２８】
図３は、本発明に係る電子部品封止用樹脂組成物の硬化物で、金属リードフレームに搭載された電子部品素子が封止されている一括成形方式の片面封止型電子部品装置の一例について、断面構造を示した図である。ダイパッド３上に、ダイボンド材硬化体２を介して
半導体素子１が固定されている。半導体素子１の電極パッドとリードフレーム５との間は金線４によって接続されている。半導体素子１は、エポキシ樹脂組成物の硬化体６によって封止されている。なお、図３は、金属製リードフレームの片面のみを電子部品封止用樹脂組成物で一括封止成形した状態を示しており、点線部分をダイシング処理、又はレーザーカット処理することで個片化する。
【実施例】
【０１２９】
以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。以下に記載の各成分の配合量は、特に記載しない限り、質量部とする。
【０１３０】
フェノール樹脂は、以下のフェノール樹脂１〜８を使用した。これらのうち、フェノール樹脂１〜４が、本発明のフェノール樹脂（Ａ）に該当する。
フェノール樹脂１：
セパラブルフラスコに撹拌装置、温度計、還流冷却器、窒素導入口を装着し、フェノール（関東化学（株）製特級試薬、フェノール、融点４０．９℃、分子量９４、純度９９．３％）７０質量部、β―ナフトール（東京化成工業製２−ナフトール、融点１２２℃、分子量１４４、純度９９．３％）４３０質量部、あらかじめ粒状に砕いた４，４’−ビスクロロメチルビフェニル（和光純薬工業（株）製、ビスクロロメチルビフェニル、純度９６％、分子量２５１）１４１質量部、メチルイソブチルケトン３００質量部、純水２．５質量部をセパラブルフラスコに秤量し、窒素置換しながら加熱し、溶融の開始に併せて攪拌を開始した。系内の温度を９５℃から１０５℃の範囲に維持しながら、３０分反応させた後、あらかじめ４−フェニルベンジルクロリド（和光純薬工業（株）製、純度９６％、分子量２０２．５）１３質量部をメチルイソブチルケトン２６質量部に溶解したものを３０分掛けて反応系内に逐次添加を行い、さらに３時間反応させた。上記の反応によって系内に発生した塩酸ガスは、窒素気流によって系外へ排出した。反応終了後、１５０℃２ｍｍＨｇの減圧条件で未反応成分と水分を留去した。ついでトルエン５００質量部を添加し、均一溶解させた後、分液漏斗に移し、蒸留水３００質量部を加えて振とうした後に、水層を棄却する操作（水洗）を洗浄水が中性になるまで繰り返し行った後、油層を１２５℃減圧処理することによってトルエン、残留未反応成分等の揮発成分を留去し、下記式（Ｐ−１）で表されるフェノール樹脂１（構造式の両末端は水素原子。水酸基当量２３８、軟化点９４℃、１５０℃におけるＩＣＩ粘度４．９ｄＰａ・ｓ。）を得た。ＦＤ−ＭＳチャートを図３に示す。たとえば、図３のＦＤ−ＭＳ分析のｍ／ｚ＝４１６は、式（Ｐ−１）の（ｍ１，ｎ１，ａ１×ｍ１＋ｂ１×ｎ１）＝（１，１，０）である重合体成分（Ａ−１）に相当し、ｍ／ｚ＝４６６は、式（Ｐ−１）の（ｍ１，ｎ１，ａ１×ｍ１＋ｂ１×ｎ１）＝（２，０，０）である重合体成分（Ａ−２）に相当し、ｍ／ｚ＝３６６は、式（Ｐ−１）の（ｍ１，ｎ１，ａ１×ｍ１＋ｂ１×ｎ１）＝（０，２，０）である重合体成分（Ａ−３）に相当し、ｍ／ｚ＝４７６は、式（Ｐ−１）の（ｍ１，ｎ１，ａ１×ｍ１＋ｂ１×ｎ１）＝（１，０，２）である成分（Ａ−４）に相当する。このことから、フェノール樹脂１は、一般式（１）で表される構造を有する１以上の重合体成分を含み、一般式（１）においてｍ≧１かつｎ≧１である重合体成分（Ａ−１）、及びｍ≧２かつｎ＝０である重合体成分（Ａ−２）を含むことが確認できた。また、ｍ／ｚ＝５８２は、式（Ｐ−１）の（ｍ１，ｎ１，ａ１×ｍ１＋ｂ１×ｎ１）＝（１，１，１）である成分であり、フェニルベンジル構造の置換基を有する重合体成分（Ａ−１）に相当し、ｍ／ｚ＝６３２は、式（Ｐ−１）の（ｍ１，ｎ１，ａ１×ｍ１＋ｂ１×ｎ１）＝（２，０，１）である成分であり、フェニルベンジル構造の置換基を有する重合体成分（Ａ−２）に相当する。このことから、フェノール樹脂１は、一般式（１）における置換基Ｒ１又は置換基Ｒ２が一般式（２）で表される基である重合体成分を含むことが確認できた。なお、ＦＤ−ＭＳによる測定で、一般式（１）におい���ｍ≧１、ｎ≧１である重合体成分（Ａ−１）の相対強度の合計、ｍ≧２、ｎ＝０である重合体成分（Ａ−２）の相対強度の合計、ｍ＝０、ｎ≧２である重合
体成分（Ａ−３）の相対強度の合計、ｍ＋ｎ＝１である成分（Ａ−４）の相対強度の合計をフェノール樹脂１全体の相対強度の合計で除することで求めた各成分の相対強度の割合は、それぞれ、３４％、６１％、４％、１％であった。また、ＦＤ−ＭＳ分析の相対強度比を質量比とみなして算術計算することにより得られるナフトール構造単位の繰り返し数ｍの平均値ｍ０、フェノール構造単位の繰り返し数ｎの平均値ｎ０、及びｍ０：ｎ０の比率は、２．０５、０．５１、８０：２０であり、ビフェニレン骨格の繰り返し数ｐ（ｐ＝ｍ＋ｎ−１）の平均値ｐ０、Ｒ１及びＲ２で表される置換基の導入数ｑ（ｑ＝ａ×ｍ＋ｂ×ｎ）の平均値ｑ０、及びｐ０：ｑ０の比率は、２．６、０．１１、９６：４であった。
【０１３１】
【化１３】
2012077152.tif 000016
【０１３２】
フェノール樹脂２：
フェノール樹脂１の合成において、β−ナフトール、フェノール、４，４’−ビスクロロメチルビフェニル、４−フェニルベンジルクロリドの配合量を表１のように変更し、反応途中に４−フェニルベンジルクロリドとメチルイソブチルケトンの逐次添加を行わない以外は、フェノール樹脂１と同様の合成操作を行い、式（Ｐ−２）で表されるフェノール樹脂２（構造式の両末端は水素原子。水酸基当量２３６、軟化点１０１℃、１５０℃におけるＩＣＩ粘度５．３ｄＰａ・ｓ。）を得た。ＦＤ−ＭＳチャートを図４に示す。たとえば、図４のＦＤ−ＭＳ分析のｍ／ｚ＝４１６は、式（Ｐ−２）の（ｍ２，ｎ２）＝（１，１）である重合体成分（Ａ−１）に相当し、ｍ／ｚ＝４６６は、式（Ｐ−２）の（ｍ２，ｎ２）＝（２，０）である重合体成分（Ａ−２）に相当し、ｍ／ｚ＝３６６は、式（Ｐ−２）の（ｍ２，ｎ２）＝（０，２）である重合体成分（Ａ−３）に相当する。このことから、フェノール樹脂２は一般式（１）で表される構造構造を有する１以上の重合体成分を含み、一般式（１）においてｍ≧１かつｎ≧１である重合体成分（Ａ−１）、及びｍ≧２かつｎ＝０である重合体成分（Ａ−２）を含むことが確認できた。なお、ＦＤ−ＭＳによる測定で、一般式（１）においてｍ≧１、ｎ≧１である重合体成分（Ａ−１）の相対強度の合計、ｍ≧２、ｎ＝０である重合体成分（Ａ−２）の相対強度の合計、ｍ＝０、ｎ≧２である重合体成分（Ａ−３）の相対強度の合計、ｍ＋ｎ＝１である成分（Ａ−４）の相対強度の合計をフェノール樹脂１全体の相対強度の合計で除することで求めた各成分の相対強度の割合、ＦＤ−ＭＳ分析の相対強度比を質量比とみなして算術計算することにより得られるナフトール構造単位の繰り返し数ｍの平均値ｍ０、フェノール構造単位の繰り返し数ｎの平均値ｎ０、ｍ０：ｎ０の比率、ビフェニレン骨格の繰り返し数ｐ（ｐ＝ｍ＋ｎ−１）の平均値ｐ０、Ｒ１及びＲ２で表される置換基の導入数ｑ（ｑ＝ａ×ｍ＋ｂ×ｎ）の平均値ｑ０及びｐ０：ｑ０の比率は、表１に示した。
【０１３３】
【化１４】
2012077152.tif 000017
【０１３４】
フェノール樹脂３：
フェノール樹脂１の合成において、β―ナフトールをα―ナフトール（東京化成工業製１−ナフトール、融点９６℃、分子量１４４、純度９９．６％）に変更し、α−ナフトール、フェノール、４，４’−ビスクロロメチルビフェニル、４−フェニルベンジルクロリドの配合量を表１のように変更し、反応系内の温度を８５℃から９５℃に変更した以外は、フェノール樹脂１と同様の合成操作を行い、式（Ｐ−３）で表されるフェノール樹脂３（構造式の両末端は水素原子。水酸基当量２４０、軟化点９７℃、１５０℃におけるＩＣＩ粘度１５．１ｄＰａ・ｓ。）を得た。ＦＤ−ＭＳチャートを図５に示す。図５のＦＤ−ＭＳ分析のｍ／ｚ＝４１６は、式（Ｐ−３）の（ｍ３，ｎ３，ａ３×ｍ３＋ｂ３×ｎ３）＝（１，１，０）である重合体成分（Ａ−１）に相当し、ｍ／ｚ＝４６６は、式（Ｐ−３）の（ｍ３，ｎ３，ａ３×ｍ３＋ｂ３×ｎ３）＝（２，０，０）である重合体成分（Ａ−２）に相当し、ｍ／ｚ＝３６６は、式（Ｐ−３）の（ｍ３，ｎ３，ａ３×ｍ３＋ｂ３×ｎ３）＝（０，２，０）である重合体成分（Ａ−３）に相当し、ｍ／ｚ＝４７６は、式（Ｐ−３）の（ｍ３，ｎ３，ａ３×ｍ３＋ｂ３×ｎ３）＝（１，０，２）である成分（Ａ−４）に相当する。このことから、フェノール樹脂３は、一般式（１）で表される構造を有する１以上の重合体成分を含み、一般式（１）においてｍ≧１かつｎ≧１である重合体成分（Ａ−１）、及びｍ≧２かつｎ＝０である重合体成分（Ａ−２）を含むことが確認できた。また、ｍ／ｚ＝５８２は、式（Ｐ−３）の（ｍ３，ｎ３，ａ３×ｍ３＋ｂ３×ｎ３）＝（１，１，１）である成分であり、フェニルベンジル構造の置換基を有する重合体成分（Ａ−１）に相当し、ｍ／ｚ＝６３２は、式（Ｐ−３）の（ｍ３，ｎ３，ａ３×ｍ３＋ｂ３×ｎ３）＝（２，０，１）である成分であり、フェニルベンジル構造の置換基を有する重合体成分（Ａ−２）に相当する。このことから、フェノール樹脂３は、フェノール樹脂１は、一般式（１）における置換基Ｒ１又は置換基Ｒ２が一般式（２）で表される基である重合体成分を含むことが確認できた。なお、ＦＤ−ＭＳによる測定で、一般式（１）においてｍ≧１、ｎ≧１である重合体成分（Ａ−１）の相対強度の合計、ｍ≧２、ｎ＝０である重合体成分（Ａ−２）の相対強度の合計、ｍ＝０、ｎ≧２である重合体成分（Ａ−３）の相対強度の合計、ｍ＋ｎ＝１である成分（Ａ−４）の相対強度の合計をフェノール樹脂１全体の相対強度の合計で除することで求めた各成分の相対強度の割合、ＦＤ−ＭＳ分析の相対強度比を質量比とみなして算術計算することにより得られるナフトール構造単位の繰り返し数ｍの平均値ｍ０、フェノール構造単位の繰り返し数ｎの平均値ｎ０、ｍ０：ｎ０の比率、ビフェニレン骨格の繰り返し数ｐ（ｐ＝ｍ＋ｎ−１）の平均値ｐ０、Ｒ１及びＲ２で表される置換基の導入数ｑ（ｑ＝ａ×ｍ＋ｂ×ｎ）の平均値ｑ０及びｐ０：ｑ０の比率は、表１に示した。
【０１３５】
【化１５】
2012077152.tif 000018
【０１３６】
フェノール樹脂４：
フェノール樹脂３の合成において、α−ナフトール、フェノール、４，４’−ビスクロロメチルビフェニル、４−フェニルベンジルクロリドの配合量を表１のように変更し、反応途中に４−フェニルベンジルクロリドとメチルイソブチルケトンの逐次添加を行わない以外は、フェノール樹脂３と同様の合成操作を行い、式（Ｐ−４）で表されるフェノール樹脂４（構造式の両末端は水素原子。水酸基当量２３８、軟化点９９℃、１５０℃におけるＩＣＩ粘度１４．５ｄＰａ・ｓ。）を得た。ＦＤ−ＭＳチャートを図６に示す。たとえば、図４のＦＤ−ＭＳ分析のｍ／ｚ＝４１６は、式（Ｐ−４）の（ｍ２，ｎ２）＝（１，１）である重合体成分（Ａ−１）に相当し、ｍ／ｚ＝４６６は、式（Ｐ−４）の（ｍ４，ｎ４）＝（２，０）である重合体成分（Ａ−２）に相当し、ｍ／ｚ＝３６６は、式（Ｐ−４）の（ｍ４，ｎ４）＝（０，２）である重合体成分（Ａ−３）に相当することから、フェノール樹脂４は一般式（１）で表される構造構造を有する１以上の重合体成分を含み、一般式（１）においてｍ≧１かつｎ≧１である重合体成分（Ａ−１）、及びｍ≧２かつｎ＝０である重合体成分（Ａ−２）を含むことが確認できた。なお、ＦＤ−ＭＳによる測定で、一般式（１）においてｍ≧１、ｎ≧１である重合体成分（Ａ−１）の相対強度の合計、ｍ≧２、ｎ＝０である重合体成分（Ａ−２）の相対強度の合計、ｍ＝０、ｎ≧２である重合体成分（Ａ−３）の相対強度の合計、ｍ＋ｎ＝１である成分（Ａ−４）の相対強度の合計をフェノール樹脂１全体の相対強度の合計で除することで求めた各成分の相対強度の割合、ＦＤ−ＭＳ分析の相対強度比を質量比とみなして算術計算することにより得られるナフトール構造単位の繰り返し数ｍの平均値ｍ０、フェノール構造単位の繰り返し数ｎの平均値ｎ０、ｍ０：ｎ０の比率、ビフェニレン骨格の繰り返し数ｐ（ｐ＝ｍ＋ｎ−１）の平均値ｐ０、Ｒ１及びＲ２で表される置換基の導入数ｑ（ｑ＝ａ×ｍ＋ｂ×ｎ）の平均値ｑ０及びｐ０：ｑ０の比率は、表１に示した。
【０１３７】
【化１６】
2012077152.tif 000019
【０１３８】
フェノール樹脂５：
フェノール樹脂２の合成において、β―ナフトールを５３７質量部に、フェノールを０質量部に変更した以外は、フェノール樹脂２と同様の合成操作を行い、結晶状固形成分であり、式（Ｐ−５）で表されるフェノール樹脂５（水酸基当量２４４、融点２１５℃、１
５０℃におけるＩＣＩ粘度は溶融しないため、測定できなかった。）を得た。フェノール樹脂５は、
一般式（１）においてｍ≧２かつｎ＝０である重合体成分（Ａ−２）のみからなるフェノール樹脂に相当する。
【０１３９】
【化１７】
2012077152.tif 000020
【０１４０】
フェノール樹脂６：
フェノール樹脂５の合成において、β―ナフトールをα―ナフトールに変更した以外は、フェノール樹脂１と同様の合成操作を行い、式（Ｐ−６）で表されるフェノール樹脂６（水酸基当量２４２、軟化点１０５℃、１５０℃におけるＩＣＩ粘度は測定上限２０ｄＰａ・ｓを超えた。）を得た。フェノール樹脂６も、一般式（１）においてｍ≧２かつｎ＝０である重合体成分（Ａ−２）のみからなるフェノール樹脂に相当する。
【０１４１】
【化１８】
2012077152.tif 000021
【０１４２】
フェノール樹脂７：ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ−７８５１ＳＳ。水酸基当量２０３、軟化点６７℃、１５０℃におけるＩＣＩ粘度０．７ｄＰａ・ｓ）。フェノール樹脂７は、一般式（１）においてｍ＝０かつｎ≧２である重合体成分（Ａ−３）のみからなるフェノール樹脂に相当する。
フェノール樹脂８：トリフェノールプロパン型フェノール樹脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ−７５００。水酸基当量９７、軟化点１１０℃、１５０℃におけるＩＣＩ粘度５．８ｄＰａ・ｓ）。
【０１４３】
フェノール樹脂１〜４のＦＤ−ＭＳ測定は次の条件で行った。フェノール樹脂１の試料１０ｍｇに溶剤ジメチルスルホキシド１ｇを加えて十分溶解したのち、ＦＤエミッターに塗布の後、測定に供した。ＦＤ−ＭＳシステムは、イオン化部に日本電子（株）製のＭＳ−ＦＤ１５Ａを、検出器に日本電子（株）製のＭＳ−７００機種名二重収束型質量分析装置とを接続して用い、検出質量範囲（ｍ／ｚ）５０〜２０００にて測定した。
【０１４４】
【表１】
2012077152.tif 000022
【０１４５】
エポキシ樹脂（Ｂ）は、以下のエポキシ樹脂１〜１４を使用した。
エポキシ樹脂１：ビフェニル型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製、ＹＸ４０００Ｋ、エポキシ当量１８５、融点１０７℃、１５０℃におけるＩＣＩ粘度０．１ｄＰａ・ｓ）
エポキシ樹脂２：ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（東都化成（株）製、ＹＳＬＶ−８０ＸＹ、エポキシ当量１９０、融点８０℃、１５０℃におけるＩＣＩ粘度０．０３ｄＰａ・ｓ。）
エポキシ樹脂３：ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製、ＹＬ６８１０、エポキシ当量１７２、融点４５℃、軟化点１０７℃、１５０℃におけるＩＣＩ粘度０．０３ｄＰａ・ｓ）
エポキシ樹脂４：一般式（Ｅ−４）で表されるスルフィド型エポキシ樹脂（新日鐵化学（株）製、ＹＳＬＶ−１２０ＴＥ、エポキシ当量２４０、融点１２０℃、１５０℃におけるＩＣＩ粘度０．２ｄＰａ・ｓ）。
【０１４６】
【化１９】
2012077152.tif 000023
【０１４７】
エポキシ樹脂５：セパラブルフラスコに撹拌装置、温度計、還流冷却器、窒素導入口を装着し、フェノールフタレイン（東京化成工業（株）製）１００質量部、エピクロルヒドリン（東京化成工業（株）製）３５０質量部を秤量し、９０℃に加熱して溶解させた後、水酸化ナトリウム（固形細粒状、純度９９％試薬）５０質量部を４時間かけて徐々に添加し、さらに１００℃に昇温して３時間反応させた。次にトルエン２００質量部を加えて溶解させた後、蒸留水１５０質量部を加えて振とうし、水層を棄却する操作（水洗）を洗浄水が中性になるまで繰り返し行った後、油層を１２５℃２ｍｍＨｇの減圧条件でエピクロルヒドリンを留去した。得られた固形物にメチルイソブチルケトン２５０質量部を加えて溶解し、７０℃に加熱し、３０質量％水酸化ナトリウム水溶液１３質量部を１時間かけて添加し、さらに１時間反応した後、静置し、水層を棄却した。油層に蒸留水１５０質量部を加えて水洗操作を行い、洗浄水が中性になるまで同様の水洗操作を繰り返し行った後、加熱減圧によってメチルイソブチルケトンを留去し、下記式（Ｅ−５）で表される化合物を含むエポキシ樹脂５（エポキシ当量２３５ｇ/ｅｑ、軟化点６７℃、１５０℃における
ＩＣＩ粘度１．１ｄＰａ・ｓｅｃ）を得た。
【０１４８】
【化２０】
2012077152.tif 000024
【０１４９】
エポキシ樹脂６：ジヒドロキシアントラセン型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製、ＹＸ８８００、エポキシ当量１８１、融点１１０℃、１５０℃におけるＩＣＩ粘度０．１１ｄＰａ・ｓ。）
エポキシ樹脂７：トリフェノールメタン型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製、１０３２Ｈ−６０、エポキシ当量１７１、軟化点６０℃、１５０℃におけるＩＣＩ粘度１．３ｄＰａ・ｓ）
エポキシ樹脂８：テトラキスフェノールエタン型エポキシ樹脂（三菱化学（株）製、１０３１Ｓ、エポキシ当量１９６、軟化点９２℃、１５０℃におけるＩＣＩ粘度１１．０ｄＰａ・ｓ）
エポキシ樹脂９：多官能ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製、ＨＰ−４７７０、エポキシ当量２０５、軟化点７２℃、１５０℃におけるＩＣＩ粘度０．９ｄＰａ・ｓ。）
エポキシ樹脂１０：ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、ＮＣ３０００。エポキシ当量２７６、軟化点５８℃、１５０℃におけるＩＣＩ粘度１．１ｄＰａ・ｓ）
エポキシ樹脂１１：フェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、ＮＣ２０００。エポキシ当量２３８、軟化点５２℃、１５０℃におけるＩＣＩ粘度１．２ｄＰａ・ｓ）
【０１５０】
エポキシ樹脂１２：エポキシ樹脂５の合成において、フェノールフタレインに替わり、
フェノール変性キシレン−ホルムアルデヒド樹脂（フドー株式会社製、ザイスターＧＰ−９０。水酸基当量１９７、軟化点８６℃。）１００質量部を用い、エピクロルヒドリンの配合量を２９０質量部に変更した以外は、エポキシ樹脂５と同様の合成操作を行い、式（Ｅ−１２）に示すエポキシ樹脂１２（エポキシ当量２６２、軟化点６７℃、１５０℃におけるＩＣＩ粘度２．４Ｐａ・ｓ。）を得た。
【０１５１】
【化２１】
2012077152.tif 000025
【０１５２】
エポキシ樹脂１３：メトキシナフタレン骨格含有ノボラック型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製、ＥＸＡ−７３２０。エポキシ当量２５１、軟化点５８℃、１５０℃におけるＩＣＩ粘度０．８５ｄＰａ・ｓ。）
エポキシ樹脂１４：オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（ＤＩＣ（株）製、Ｎ６６０。エポキシ当量２１０、軟化点６２℃、１５０℃におけるＩＣＩ粘度２．３４ｄＰａ・ｓ。）
【０１５３】
無機充填剤（Ｃ）としては、電気化学工業（株）製溶融球状シリカＦＢ５６０（平均粒径３０μｍ）１００質量部、（株）アドマテックス製合成球状シリカＳＯ−Ｃ２（平均粒径０．５μｍ）６．５質量部、（株）アドマテックス製合成球状シリカＳＯ−Ｃ５（平均粒径３０μｍ）７．５質量部のブレンド（以下、「無機充填剤１」と称す。）を使用した。
【０１５４】
硬化促進剤（Ｄ）は、以下の５種を使用した。
硬化促進剤１：下記式（２２）で表される硬化促進剤
【０１５５】
【化２２】
2012077152.tif 000026
【０１５６】
硬化促進剤２：下記式（２３）で表される硬化促進剤
【０１５７】
【化２３】
2012077152.tif 000027
【０１５８】
硬化促進剤３：下記式（２４）で表される硬化促進剤
【０１５９】
【化２４】
2012077152.tif 000028
【０１６０】
硬化促進剤４：下記式（２５）で表される硬化促進剤
【０１６１】
【化２５】
2012077152.tif 000029
【０１６２】
硬化促進剤５：トリフェニルホスフィン
【０１６３】
化合物（Ｅ）は、下記式（２６）で表される化合物（東京化成工業（株）製、２，３−ナフタレンジオール、純度９８％。以下、「化合物Ｅ１」と称す。）を使用した。
【０１６４】
【化２６】
2012077152.tif 000030
【０１６５】
カップリング剤（Ｆ）は、以下のシランカップリング剤１〜３を使用した。
シランカップリング剤１：γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製、ＫＢＭ−８０３）
シランカップリング剤２：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製、ＫＢＭ−４０３）
シランカップリング剤３：Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（信越化学工業（株）製、ＫＢＭ−５７３）
【０１６６】
無機難燃剤（Ｇ）は、以下の無機難燃剤１、２を使用した。
無機難燃剤１：水酸化アルミニウム（住友化学(株)製、ＣＬ−３０３）。
無機難燃剤２：水酸化マグネシウム・水酸化亜鉛固溶体複合金属水酸化物（タテホ化学工業(株)製、エコーマグＺ−１０）。
【０１６７】
着色剤は、三菱化学（株）製のカーボンブラック（ＭＡ６００）を使用した。
離型剤は、日興ファイン（株）製のカルナバワックス（ニッコウカルナバ、融点８３℃）を使用した。
【０１６８】
（実施例１）
以下の成分をミキサーにて常温で混合し、８０℃〜１００℃の加熱ロールで溶融混練し、その後冷却し、次いで粉砕して、エポキシ樹脂組成物を得た。
フェノール樹脂１                                              ７．７０質量部
エポキシ樹脂１                                                ６．２８質量部
無機充填剤１                                              ８５質量部
硬化促進剤１                                                ０．４０質量部
シランカップリング剤１                                      ０．０７質量部
シランカップリング剤２                                      ０．０７質量部
シランカップリング剤３                                      ０．０８質量部
カーボンブラック                                            ０．３質量部
カルナバワックス                                            ０．１質量部
得られたエポキシ樹脂組成物を、以下の項目について評価した。評価結果を表２に示す。
【０１６９】
スパイラルフロー：低圧トランスファー成形機（コータキ精機（株）製、ＫＴＳ−１５）を用いて、ＡＮＳＩ／ＡＳＴＭ  Ｄ  ３１２３−７２に準じたスパイラルフロー測定用金型に、１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、保圧時間１２０秒の条件にて得られたエポキシ樹脂組成物を注入し、流動長を測定した。スパイラルフローは、流動性のパラメータであり、数値が大きい方が、流動性が良好である。単位はｃｍである。デュアル・インライン・パッケージ（ＤＩＰ）、スモール・アウトライン・パッケージ（ＳＯＰ）、スモール・アウトライン・Ｊリード・パッケージ（ＳＯＪ）への適用を考慮した場合は６０ｃｍ以上であることが好ましく、プラスチック・リード付きチップ・キャリヤ（ＰＬＣＣ）、クワッド・フラット・パッケージ（ＱＦＰ）、ロー・プロファイル・クワッド・フラット・パッケージ（ＬＱＦＰ）、マトリクス・アレイ・パッケージ・スモール・アウトライン・ノンリーデッド・パッケージ（ＭＡＰ−ＳＯＮ）への適用を考慮した場合は８０ｃｍ以上であることが好ましく、薄型スモール・アウトライン・パッケージ（ＴＳＯＰ）、薄型クワッド・フラット・パッケージ（ＴＱＦＰ）、テープ・キャリア・パッケージ（ＴＣＰ）、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）、チップ・サイズ・パッケージ（ＣＳＰ）、マトリクス・アレイ・パッケージ・ボール・グリッド・アレイ（ＭＡＰＢＧＡ）、マトリクス・アレイ・パッケージ・クワッド・フラット・ノンリーデッド・パッケージ（ＭＡＰ−ＱＦＮ）、チップ・スタックド・チップ・サイズ・パッケージへの適用を考慮した場合は１１０ｃｍ以上であることが好ましい。単位はｃｍ。実施例１で得られたエポキシ樹脂組成物は、１２８ｃｍと良好な流動性を示した。
【０１７０】
耐燃性：低圧トランスファー成形機（コータキ精機（株）製、ＫＴＳ−３０）を用いて、金型温度１７５℃、注入時間１５秒、硬化時間１２０秒、注入圧力９．８ＭＰａの条件で、得られたエポキシ樹脂組成物を注入成形して、３．２ｍｍ厚の耐燃試験片を作製し、１７５℃で４時間加熱処理した。得られた試験片について、ＵＬ９４垂直法の規格に則り耐燃試験を行った。表には、Ｆｍａｘ、ΣＦ及び判定後の耐燃ランクを示した。実施例１で得られたエポキシ樹脂組成物は、Ｆｍａｘ：５秒、ΣＦ：１２秒、耐燃ランク：Ｖ−０と良好な耐燃性を示した。
【０１７１】
連続成形性（成形状態）：得られたエポキシ樹脂組成物をロータリー式打錠機にて、重量７．５ｇ、サイズφ１６ｍｍ打錠型に装填し、打錠圧力６００Ｐａにて打錠してタブレットを得た。タブレットはタブレット供給マガジンに装填し、成形装置内部にセットした。低圧トランスファー自動成形機（サイネックス（株）製、ＳＹ−ＣＯＭＰ）を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間６０秒の条件で、エポキシ樹脂組成物のタブレットによりシリコンチップ等を封止して２０８ピンＱＦＰ（Ｃｕ製リードフレーム、パッケージ外寸：２８ｍｍ×２８ｍｍ×３．２ｍｍ厚、パッドサイズ：１５．５ｍｍ×１５．５ｍｍ、チップサイズ１５．０ｍｍ×１５．０ｍｍ×０．３５ｍｍ厚）の半導体装置を得る成形を、連続で４００ショットまで行った。この際、２５ショット毎に半導体装置の成形状態（未充填の有無）を確認し、最初に未充填が確認できたショット数を表に記載した。尚、４００ショット後においても未充填が確認されなかったものについては
、「○」と表示した。実施例１で得られたエポキシ樹脂組成物は、４００ショット以上と良好な連続成形性（成形状態）を示した。
【０１７２】
連続成形性（成形物表面状態）：上述の連続成形性の評価において、２５ショット毎に成形物の外観を確認した。通常は成形物表面は金型表面の梨地仕上げにより、光沢の無い状態となる。連続成形中に、最初に成形物表面の一部に光沢のあるオイル状の染みが確認できたショット数を表に記載した。このような成形物表面のオイル状の染みは通常不良とはいえないものの、電子部品装置の自動外観検査で誤って不良品と誤認する恐れがあり、好ましくない。尚、４００ショット後においても成形物表面の一部に光沢のあるオイル状の染みが確認されなかったものについては、「○」と表示した。実施例１で得られたエポキシ樹脂組成物は、４００ショット以上と良好な連続成形性（成形物表面状態）を示した。
【０１７３】
耐半田性試験１：低圧トランスファー成形機（第一精工（株）製、ＧＰ−ＥＬＦ）を用いて、金型温度１８０℃、注入圧力７．４ＭＰａ、硬化時間１２０秒間の条件で、エポキシ樹脂組成物を注入して半導体素子（シリコンチップ）が搭載されたリードフレーム等を封止成形し、８０ピンＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ、Ｃｕ製リードフレーム、サイズは１４×２０ｍｍ×厚さ２．００ｍｍ、半導体素子は７×７ｍｍ×厚さ０．３５ｍｍ、半導体素子とリードフレームのインナーリード部とは２５μｍ径の金線でボンディングされている。）なる半導体装置を作製した。１７５℃で４時間加熱処理した半導体装置６個を、６０℃、相対湿度６０％で１２０時間処理した後、ＩＲリフロー処理（２６０℃、ＪＥＤＥＣ・Ｌｅｖｅｌ２条件に従う）を行った。これらの半導体装置内部の剥離及びクラックの有無を超音波探傷装置（日立建機ファインテック製、ｍｉ−ｓｃｏｐｅ１０）で観察し、剥離又はクラックのいずれか一方でも発生したものを不良とした。不良半導体装置の個数がｎ個であるとき、ｎ／６と表示した。実施例１で得られたエポキシ樹脂組成物は０／６と良好な耐半田性を示した。
【０１７４】
耐半田性試験２：低圧トランスファー成形機（第一精工（株）製、ＧＰ−ＥＬＦ）を用いて、金型温度１８０℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１２０秒間の条件で、エポキシ樹脂組成物を注入して半導体素子（シリコンチップ）が搭載されたリードフレーム等を封止成形し、ＭＡＰ−ＱＦＮ（Ｍｏｌｄ  Ａｒｒａｙ  Ｐａｃｋａｇｉｎｇ−Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｎｏｎ−Ｌｅａｄｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ、Ｃｕ製リードフレームにニッケル−パラジウム−金メッキを施したもの、封止部分のサイズは４５ｍｍ×６２ｍｍ×厚さ０．６５ｍｍ、半導体素子は１．５ｍｍ×１．５ｍｍ×厚さ０．２ｍｍ、パッシベーション種類はＳｉＮ、半導体素子とリードフレームのインナーリード部とは２５μｍ径の金線でボンディングされており、半導体素子面のみを封止されたもの）を作成し、１７５℃で４時間加熱処理したのち、ダイサーを用いて１枚のＭＡＰ−ＱＦＮからＱＦＮ−１６Ｌ（サイズ４ｍｍ×４ｍｍ×厚さ０．６５ｍｍ）なる半導体装置を４０個作製した。個片化した半導体装置２０個を、８５℃、相対湿度６０％で１６８時間処理した後、ＩＲリフロー処理（２６０℃、ＪＥＤＥＣ・Ｌｅｖｅｌ２条件に従う）を行った。不良半導体装置の個数がｎ個であるとき、ｎ／２０と表示した。不良半導体装置の不良個数が１個以下の場合、良好な結果と判断した。実施例１で得られたエポキシ樹脂組成物を用いて作製した半導体装置は０／２０と良好な耐半田性を示した。
【０１７５】
パネル反り量：上述の耐半田性試験２の評価で成形したＭＡＰ−ＱＦＮ（１７５℃で４時間加熱処理し、ダイサーによる個片化を行う前のもの）のパネルを測定サンプルとして用いた。接触式表面粗さ計に、樹脂組成物で封止成形した面が上になるように測定サンプルを水平にセットし、ＭＡＰ−ＱＦＮパネルの長手方向に接触子を走査しながら、封止面の高さ方向の変位を測定し、変位（高低）差の最大値をパネル反り量とした。測定サンプル数は各ｎ＝４個とし、表には平均値を示した。なお、測定値は、上に凸の反り変位の場
合は数値を負の値とし、凹の反り変位の場合は数値を正の値として（＋の符号は略）表示した。単位はμｍである。実施例１で得られたエポキシ樹脂組成物を用いて作製した個片化前のＭＡＰ−ＱＦＮパネルは、１８０μｍと良好な低反り性を示した。
【０１７６】
高温保管特性（Ｈｉｇｈ  Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｓｔｏｒａｇｅ  Ｌｉｆｅ／ＨＴＳＬ）：低圧トランスファー成形機（第１精工株式会社製、ＧＰ−ＥＬＦ）を用いて、金型温度１８０℃、注入圧力６．９±０．１７ＭＰａ、硬化時間９０秒の条件で、エポキシ樹脂組成物を注入して半導体素子（シリコンチップ）が搭載されたリードフレームなどを封止成形し、１６ピン型ＤＩＰ（Ｄｕａｌ  Ｉｎｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ、４２アロイ製リードフレーム、サイズは７ｍｍ×１１．５ｍｍ×厚さ１．８ｍｍ、半導体素子は５×９ｍｍ×厚さ０．３５ｍｍ。半導体素子は、表面に厚さ５μｍの酸化層を形成し、さらにその上にラインアンドスペース１０μｍのアルミ配線パターンを形成したものであり、素子上のアルミ配線パッド部とリードフレームパッド部とは２５μｍ径の金線でボンディングされている）なる半導体装置を作製した。ポストキュアとして１７５℃で４時間加熱処理した半導体装置２０個の初期抵抗値を測定し、１８５℃１０００時間の高温保管処理を行った。高温処理後に半導体装置の抵抗値を測定し、初期抵抗値の１２５％となった半導体装置を不良とし、不良半導体装置の個数がｎ個であるとき、ｎ／２０と表示した。不良半導体装置の不良個数が２個以下の場合、良好な結果と判断した。実施例１で得られたエポキシ樹脂組成物を用いて作製した半導体装置は、１／２０と良好な高温保管特性を示した。
【０１７７】
実施例２〜２４、比較例１〜５
表２、表３及び表４の配合に従い、実施例１と同様にしてエポキシ樹脂組成物を製造し、実施例１と同様にして評価した。評価結果を表２、表３及び表４に示した。
【０１７８】
【表２】
2012077152.tif 000031
【０１７９】
【表３】
2012077152.tif 000032
【０１８０】
【表４】
2012077152.tif 000033
【０１８１】
実施例１〜２４は、一般式（１）で表される構造を有する１以上の重合体成分を含み、一般式（１）においてｍ≧１かつｎ≧１である重合体成分（Ａ−１）、及びｍ≧２かつｎ＝０である重合体成分（Ａ−２）を含むフェノール樹脂（Ａ）と、エポキシ樹脂（Ｂ）と、無機充填剤（Ｃ）と、を含むエポキシ樹脂組成物であり、実施例１〜２４のいずれにおいても、流動性（スパイラルフロー）、耐燃性、連続成形性、耐半田性、低反り性、高温
保管特性のバランスに優れた結果が得られた。
なかでも、フェノール樹脂（Ａ）として一般式（１）におけるＲ１及び／又はＲ２が一般式（２）で表される基である重合体成分を含むフェノール樹脂１、３を用いた実施例１、３は、フェノール樹脂（Ａ）として一般式（１）におけるＲ１及び／又はＲ２が一般式（２）で表される基である重合体成分を含まないフェノール樹脂２、４を用いた点のみで相違する実施例２、４と比較すると、連続成形性（成形物表面状態）と耐半田性が特に優れる結果となった。
【０１８２】
また、実施例１〜２４においては、硬化剤としてフェノール樹脂（Ａ）を用いているため、これと、特定のエポキシ樹脂（Ｂ）とを組み合わせて用いることによる効果として、下記に示すような効果が得られることが分かった。
エポキシ樹脂（Ｂ）として結晶性エポキシ樹脂であるエポキシ樹脂１〜４を用いた実施例１〜７、実施例１０〜１７では、連続成形性（成形状態及び成形物表面状態）が特に優れる結果となった。さらに、エポキシ樹脂（Ｂ）として結晶性エポキシ樹脂であるエポキシ樹脂１〜４のみを用いた実施例１〜７では、流動性も優れる結果となった。
また、エポキシ樹脂（Ｂ）としてフェノールフタレイン型エポキシ樹脂であるエポキシ樹脂５を用いた実施例８、１８〜２４では、無機充填剤の含有率が低い場合も含めて、耐燃性、高温保管特性、耐半田性のバランスに優れる結果が得られた。
また、エポキシ樹脂（Ｂ）として多官能エポキシ樹脂であるエポキシ樹脂７〜９を用いた実施例１０〜１２では、低反り性及び高温保管特性が特に優れる結果となった。
また、エポキシ樹脂（Ｂ）として分子中にナフタレン骨格又はアントラセン骨格を有するエポキシ樹脂であるエポキシ樹脂６、９、１３を用いた実施例９、１２、１６では、耐燃性及び高温保管特性が特に優れる結果となった。
【０１８３】
一方、フェノール樹脂（Ａ）の代わりに、一般式（１）においてｍ≧２、ｎ＝０である重合体成分（Ａ−２）のみからなるフェノール樹脂に相当し、ナフトール構造の水酸基の結合位置がβ位であるフェノール樹脂５を用いた比較例１では、フェノール樹脂５の結晶性が高く、樹脂組成物を溶融混合することができず、いずれの評価も実施できなかった。
また、フェノール樹脂（Ａ）の代わりに、一般式（１）においてｍ≧２、ｎ＝０である重合体成分（Ａ−２）のみからなるフェノール樹脂に相当し、ナフトール構造の水酸基の結合位置がα位であるフェノール樹脂６を用いた比較例２では、流動性、連続成形性、耐半田性が劣る結果となった。
また、フェノール樹脂（Ａ）の代わりに、一般式（１）においてｍ＝０、ｎ≧２である重合体成分のみからなるフェノール樹脂に相当するビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル樹脂であるフェノール樹脂７を用いた比較例３では、連続成形性、低反り性、高温保管特性が劣る結果となった。
また、フェノール樹脂（Ａ）の代わりに、トリフェノールプロパン型のフェノール樹脂８を用いた比較例４では、流動性、耐燃性、耐半田性が劣る結果となった。
また、フェノール樹脂（Ａ）の代わりに、フェノール樹脂６とフェノール樹脂７とを併用した（すなわち一般式（１）であらわされる重合体成分であって、ｍ≧１、ｎ≧１である重合体成分（Ａ−１）を含まないフェノール樹脂を用いた）比較例５では、流動性、連続成形性、耐半田性、高温保管特性が劣る結果となった。
【０１８４】
上記の結果のとおり、フェノール樹脂（Ａ）を用いた樹脂組成物を用いた場合においてのみ、流動性（スパイラルフロー）、耐燃性、耐半田性、低反り性及び連続成形性のバランスに優れる結果が得られた。なかでも、従来困難であった金属リードフレームを備えた片面封止型の電子部品装置の低反り性と耐半田性の向上とを両立を可能としている点において、本発明は従来技術から予測できる範疇を超えた顕著な効果を有している。
【産業上の利用可能性】
【０１８５】
本発明に従うと、良好な流動性、耐燃性、耐半田性、耐熱性、高温保管特性を有するとともに連続成形性と金属リードフレームを備えた片面封止型の電子部品装置の低反り性に優れる、電子部品封止用樹脂組成物を得ることができるため、電子部品装置封止用、とりわけ金属基板を用いる片面封止型電子部品装置用として好適である。
【符号の説明】
【０１８６】
１  半導体素子
２  ダイボンド材硬化体
３  ダイパッド
４  金線
５  リードフレーム
６  エポキシ樹脂組成物の硬化体
７  ソルダーレジスト
８  基板
９  半田ボール
【０１８７】
本発明に従うと、良好な流動性、耐燃性、耐半田性を有するとともに連続成形性と金属リードフレームを備えた片面封止型の電子部品装置の低反り性に優れる、電子部品封止用樹脂組成物を得ることができるため、電子部品装置封止用、とりわけ金属基板を用いる片面封止型電子部品装置用として好適である。
【図１】
2012077152.tif 000036
【図２】
2012077152.tif 000037
【図３】
2012077152.tif 000038
【図４】
2012077152.tif 000039
【図５】
2012077152.tif 000040
【図６】
2012077152.tif 000041
【図７】
2012077152.tif 000042