(57)【要約】【課題】特殊部品に影響を与えないように安全な操作の立下げ(シャットダウン操作)を促す機能を備えた基板処理装置を提供することにある。【解決手段】基板にマイクロ波を照射するためのマイクロ波発生機構を含む各部品への所定の指示を受けつける表示部を備えた操作部で少なくとも構成する基板処理装置であって、前記表示部は、前記操作部への電源を停止する第一の停止手段と、前記マイクロ波発生機構を停止する第二の停止手段と、前記操作部と前記マイクロ波発生機構との接続状態を示す手段とを備えた画面を表示する。【選択図】図５
2012174763.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にマイクロ波を照射するためのマイクロ波発生機構を含む各部品への所定の指示を受けつける表示部を備えた操作部で少なくとも構成する基板処理装置であって、
前記表示部は、前記操作部への電源を停止する第一の停止手段と、前記マイクロ波発生機構を停止する第二の停止手段と、前記操作部と前記マイクロ波発生機構との接続状態を示す手段とを少なくとも備えた停止画面を表示する基板処理装置。
【請求項２】
前記マイクロ波発生機構を停止する前記第二の停止手段が押下されると、前記マイクロ波の停止から前記操作部への電源停止までの猶予時間が表示される請求項１の基板処理装置。
【請求項３】
前記猶予時間に達しない場合、前記操作部を停止する第一の停止手段が押下されても、前記操作部への電源停止操作は無効となるよう構成されている請求項１の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に係り、特に、基板処理装置を構成する部品の電源ＯＦＦ(シャットダウン)操作に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置の一種である半導体製造装置は、基板を収納した基板収容器としてのキャリアが載置されるキャリア載置台と、基板を処理する処理室と、キャリア載置台にあるキャリア内の基板を処理室までに搬送する搬送手段を備えた搬送室とで少なくとも構成されている。このような半導体製造装置には、例えば、マイクロ波を利用して基板に所定の処理(例えば、アニール処理)を行う装置が知られている。
【０００３】
また、半導体製造装置は、基板への所定の処理が終了し、メンテナンスを行うなど非稼動状態が長くなる場合、安全の為に、この半導体製造装置を構成する各部品が通常シャットダウン(電源ＯＦＦ)される。この半導体製造装置を構成する代表的な部品として、マイクロ波を基板に供給するマイクロ波加熱装置が挙げられる。例えば、マイクロ波加熱装置についても同様にシャットダウン(電源ＯＦＦ)される。
【０００４】
しかしながら、半導体製造装置を構成する部品は多数あり、全てを単にシャットダウン(電源ＯＦＦ)すると悪影響を受ける部品（以後、特殊部品と称す）も含まれる。上記のマイクロ波加熱装置であれば、マイクロ波を増幅するために使用される部品に影響がある。この部品である一例として進行波管（ＴＷＴ；Ｔｒａｖｅｌｉｎｇ  Ｗａｖｅ  Ｔｕｂｅ）がある。尚、この部品(デバイス)についての詳細は、特許文献１にて既に公知であるので詳細説明は省略する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３００１２６１号公報。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明の目的は、特殊部品(例えば、ＴＷＴデバイス)に影響を与えないように安全な操作の立下げ(シャットダウン操作)を促す機能を備えた基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の基板処理装置は、基板にマイクロ波を照射するためのマイクロ波発生機構を含む各部品への所定の指示を受けつける表示部を備えた操作部で少なくとも構成する基板処理装置であって、前記表示部が、前記操作部への電源を停止する第一の停止手段と、前記マイクロ波発生機構を停止する第二の停止手段と、前記操作部と前記マイクロ波発生機構との接続状態を示す手段を所定の画面に表示するよう構成される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、基板処理装置を構成する部品のうち特殊部品の使用に際し、安全に装置停止処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。
【図２】本発明の一実施例に係る基板処理装置の処理室を例示する図である。
【図３】本発明の一実施例に係る基板処理装置のコントローラ構成を示す図である。
【図４】本発明の一実施例に係る基板処理装置のマイクロ波発生機構を中心としたコントローラ構成を示す図である。
【図５】本発明の一実施例に係る基板処理装置の操作部の電源停止(Shut Down)画面を示す図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
まず、図１を用いて、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１を説明する。尚、図１は、基板処理装置１を上から見たときの構成概略図である。本発明の一実施形態に係る基板処理装置１は、半導体を製造するために予め定められた処理を実行する半導体製造装置として構成されている。以下、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１は、可変のマイクロ波（ＶＦＭ；Ｖａｒｉａｂｌｅ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ）を利用する基板処理装置であるとして説明する。
【００１１】
本発明の一実施形態に係る基板処理装置１は、少なくとも、基板(ウェハ)に予め定められた所定の処理を施すプロセスモジュール（ＰＭ；Ｐｒｏｃｅｓｓ  Ｍｏｄｕｌｅ）１０と、ウェハが搬送される搬送室としてのフロントエンドモジュール（ＥＦＥＭ；Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ  Ｆｒｏｎｔ  Ｅｎｄ  Ｍｏｄｕｌｅ）２０と、ウェハが収納された基板収容器（例えば、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ−Ｏｐｅｎｉｎｇ  Ｕｎｉｆｉｌｅｄ  Ｐｏｄ）。以下「ポッド」と記載）を装置外部の搬送装置と受渡しする基板載置台としてのロードポート（ＬＰ；Ｌｏａｄ  Ｐｏｒｔ）３０とで少なくとも構成される。プロセスモジュール１０及びロードポート３０は、少なくとも１つ設けられる。ここでは、プロセスモジュール１０及びロードポート３０が３つずつ設けられているが、この構成は、一例であって、本発明の構成は、この構成に限定されない。また、後述する制御手段としてのコントローラは、所定のファイルを実行することにより、搬送手段としての搬送ロボット２０２を制御することにより、これらプロセスモジュール１０、フロントエンドモジュール２０、ポッド間におけるウェハの搬送を実現させる。また、コントローラは、所定のファイルを実行することにより、プロセスモジュール１０を構成する各種機構を制御して、プロセスモジュール１０内における基板の処理を実現させる。
【００１２】
[プロセスモジュール１０]
プロセスモジュール１０は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；化学気相成長）及びＡＬＤ(Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；原子層堆積)等による成膜、又はアッシング、エッチング及び膜質改善などのような処理をウェハに実施する。また、プロセスモジュール１０は、ウェハの処理方式に合わせて、マイクロ波発生機構、ガス供給機構、ガス排気機構及び温度制御機構などの機構を備える。プロセスモジュール１０は、ゲートバルブＧＶ(Ｇａｔｅ  Ｖａｌｖｅ）を介して、フロントエンドモジュール２０と連通可能になっている。
[フロントエンドモジュール２０]
また、フロントエンドモジュール２０は、ウェハを搬送する搬送機構としての搬送ロボット２０２を備える。搬送ロボット２０２は、ウェハを保持する基板保持部としてのアームを上下に１つずつ備えており、このアームの先に、ウェハを載せ、各プロセスモジュール１０に対して搬入すると共に、各プロセスモジュール１０から搬出することができるよう構成されている。尚、フロントエンドモジュール２０内は、大気圧でウェハ搬送が行われる。フロントエンドモジュール２０は、シャッタ３００を介して、ロードポート３０と連通可能となっている。
[ロードポート３０]
容器載置台としてのロードポート３０は、基板収容器としてのポッドが載置される複数の載置台が設けられている。図１に示すように、ロードポート３０は、プロセスモジュール１０（ＰＭ）と同じ数だけ設けられているが、ロードポート３０をいくつ設けるかは、ウェハ搬送方式によって異なる。具体的には、振分方式によってウェハを搬送する場合には、ロードポート３０は少なくとも１つ設けられればよく、並列方式によってウェハを搬送する場合には、搬送先を記述した搬送レシピなどに応じて予め定められた数のロードポート３０が少なくとも設けられる。
【００１３】
以下、図２を用いて、図１のプロセスモジュール１０についてさらに説明する。図２は、図１のプロセスモジュール１０の垂直断面図である。図３に示すように、プロセスモジュール１０は、処理室１００に、マイクロ波発生機構、ガス供給機構、ガス排出機構及びウェハ搬送機構が備えられた構成となっている。後述するように、制御手段としての装置コントローラ８０は、これら温度制御機構、マイクロ波発生機構、ガス供給機構、ガス排出機構、ウェハ搬送機構のそれぞれと電気的に接続されており、各機構を制御するように構成されている。
【００１４】
[処理室１００]
処理室１００を形成する処理容器１８０は、例えば、アルミニウム(Ａｌ)やステンレス（ＳＵＳ）など金属材料により構成されており、処理室１００と外部とをマイクロ波的に遮蔽する構造となっている。処理室１００内には、基板としてのウェハ１１を支持する基板保持部としての基板支持ピン１３が設けられている。基板支持ピン１３は、例えば、石英またはテフロン(登録商標)等からなる複数の(本実施形態においては２本)で構成され、その上端でウェハ１１を支持する。ウェハの下方であって基板支持ピン１３の下部には、導電性の基板支持台が設けられている。基板支持台は、例えばアルミニウムなどの導体である金属材料により構成されている。基板支持台は、上面から見た形がウェハ１１の外径よりも大きい円形で、円盤状又は円柱状に形成されている。
【００１５】
基板支持台は金属製であるため、基板支持台においてはマイクロ波の電位がゼロとなる。従って、ウェハ１１を基板支持台に直接置いた場合、マイクロ波の電界強度が弱い状態となる。そこで、本実施形態では、基板支持台の表面からマイクロ波の１/４波長（λ/４）の位置、もしくはλ/４の奇数倍の位置にウェハ１１を載置するようにする。ここでいう基板支持台の表面とは、基板支持台を構成する面のうち、ウェハ１１の裏面と対向する面を言う。λ/４の奇数倍の位置では電界が強くなるため、ウェハ１１を効率よくマイクロ波で加熱することができる。例えば、５．８ＧＨｚに固定したマイクロ波を使用し、マイクロ波の波長が５１．７ｍｍであるので、基板支持台１２４からウェハ１１までの高さを１２．９ｍｍとすることができる。マイクロ波の周波数が時間と共に変化(可変)するようにしてもよい。この場合、基板支持台の表面からウェハ１１までの高さは、変化する周波数帯の代表周波数の波長から求めればよい。例えば、５．８Ｇｈｚ〜７．０ＧＨｚまで変化する場合、代表周波数を変化する周波数帯のセンタ周波数とし、代表周波数６．４ＧＨｚの波長４６ｍｍより、基板保持台の表面からウェハ１１までの高さを１１．５ｍｍとすればよい。更に、固定周波数の電源を複数設け、それぞれから異なる周波数のマイクロ波を切り替えて供給し、処理するようにしても良い。
【００１６】
[温度制御機構]
処理室１１０内のウェハ１１の上方には、ウェハ１１の温度を検出する温度検出器１４が設けられている。温度検出器１４には、例えば、赤外線センサを用いることができる。温度検出器１３０は、コントローラと電気的に接続されている。具体的には、温度検出器１４によって検出されたウェハ１１の温度が、予め定められた温度よりも高い場合、コントローラは、ウェハ１１の温度が予め定められた温度となるように、後述するように窒素（Ｎ２）などの不活性ガスをウェハ１１の表面に向かって供給する流量を制御するよう構成されている。
【００１７】
[マイクロ波発生機構]
処理容器１８０の上部であって処理室１００の側壁には、マイクロ波発生機構が設けられている。マイクロ波発生機構は、マイクロ波発生部２００、導波路２１０及び導波口２２０を備え、例えば、固定周波数マイクロ波又は可変周波数マイクロ波を発生する。マイクロ波発生部２００としては、マイクロトロン等の高周波電源が用いられる。マイクロ波発生部２００によって発生したマイクロ波は、導波路２１０を介して、処理室１００と連通する導波口２２０から処理室１００内に導入される。処理室１００内に導入されたマイクロ波は、処理室１００の壁面に対して反射を繰り返す。マイクロ波は処理室１００内でいろいろな方向へ反射し、処理室１００内はマイクロ波で満たされる。処理室１００内のウェハ１１に当たったマイクロ波はウェハ１１に吸収され、ウェハ１１はマイクロ波により誘電加熱される。なお、ウェハ１１の温度は、マイクロ波のパワー、処理室１００の大きさや形状、導波口２２０の位置、及びウェハ１１の処理室１００における位置などによって変化する。後述するように、マイクロ波発生部２００は、装置コントローラ８０と電気的に接続されており、装置コントローラ８０により制御される。
【００１８】
[ガス供給機構]
処理容器１８０の上部であって処理室１００の上壁には、ガス供給機構が設けられている。ガス供給機構は、例えば窒素（Ｎ２）等の不活性ガスを導入するガス供給管５２、ガス供給管５２を開閉するガス供給用バルブ５３及びガス供給源５５を備える。ガス供給機構は、ガス供給用バルブ５３を開けることにより、ガス供給管５２からのガスを処理室１００内に導入し、ガス供給用バルブ５３を閉めることにより、ガスの導入を停止する。ガス供給管５２から導入されるガスは、ガス流量調整器５４にて予め流量を所定の値に設定されている。また、ガス供給管５２から導入されるガスは、パージガスとして処理室１００内のガスを押し出したりするのに用いられる。ガス供給管５２は、処理室１００内に導入されるガスが、ウェハ１１の表面に直接吹き付けるように構成されているので、ウェハ１１を効率よく冷却することができる。後述するように、ガス供給用バルブ５３は、装置コントローラ８０と電気的に接続されており、装置コントローラ８０により制御される。
【００１９】
[ガス排出機構]
処理容器１８０の下部であって処理室１００の側壁には、ガス排出機構が設けられている。ガス排出機構は、処理室１００内のガスを排気するガス排出管６２、ガス排出管６２を開閉するガス排出用バルブ６３及び排気装置としての真空ポンプ６４を備える。ガス排出機構は、このガス排出用バルブ６３の開度を調整することにより、処理室１００内の圧力を予め定められた値に調整する。後述するように、ガス排出用バルブ６３は、装置コントローラ８０と電気的に接続されており、装置コントローラ８０により制御される。
【００２０】
[ウェハ搬送機構]
処理容器１８０の一側面には、ウェハ搬送機構が設けられている。ウェハ搬送機構は、処理室１００の内外にウェハ１１を搬送するためのウェハ搬送口７１、ゲートバルブ７２、及びゲートバルブ７２を駆動させるゲートバルブ駆動部７３を備える。ウェハ搬送機構は、ゲートバルブ７２を開けることにより、処理室１００がフロントエンドモジュール２０（ここでは図示していないが、図１を参照して上述）と連通するように構成されている。フロントエンドモジュール２０には、ウェハ１１を搬送する搬送ロボット２０２（ここでは図示していないが、図１を参照して上述）が設けられている。ウェハ搬送機構は、ゲートバルブ７２を開くことによって、搬送ロボット２０２が、処理室１００及びフロントエンドモジュール２０との間で、ウェハ１１のスワップ搬送が可能なように構成されている。尚、スワップ搬送については、特開２００３−２８９０９５に記載されているため、ここでは説明を省略する。
【００２１】
以下、図２を用いて、図１のプロセスモジュール１０における処理について説明する。以下に説明する処理は、半導体装置を製造する複数工程の中の一工程を構成するものである。
【００２２】
[基板搬入工程]
ウェハ１１を処理室１００に搬入するウェハ搬入工程において、まず、ゲートバルブ７２を開き、処理室１００とフロントエンドモジュール２０とを連通させる。次に、搬送ロボット２０２により、ロードポート３０に載置されたポッドから処理対象のウェハ１１を取り出し、フロントエンドモジュール２０を経て処理室１００内へ搬入する。処理室１００内に搬入されたウェハ１１は、搬送ロボット２０２により基板支持ピン１３の上端に載置され、基板支持ピン１３に支持される。次に、搬送ロボット２０２が処理室１００内からフロントエンドモジュール２０へ戻ると、ゲートバルブ７２が閉じられる。
【００２３】
[窒素ガス置換工程]
次に、処理室１００内を窒素（Ｎ２）雰囲気に置換する。ウェハ１１を搬入すると処理室１００の外の大気雰囲気が巻き込まれるので、この大気雰囲気中の水分や酸素がプロセスに影響しないように処理室１００内のＮ２置換を行う。ガス排出管６２から、真空ポンプ６４により処理室１００内のガス（雰囲気）を排出するとともに、ガス供給管５２から、Ｎ２ガスを処理室１００内に導入する。このとき、ガス供給用バルブ５３を開閉することによって、処理室１００内の圧力を予め定められた値、本実施形態では大気圧に調整する。
【００２４】
[加熱処理工程]
次に、マイクロ波発生部２００で発生させたマイクロ波を、導波口２２０から処理室１００内に導入し、ウェハ１１の表面側から照射する。このマイクロ波照射により、ウェハ表面上のＨｉｇｈ−K膜を１００〜６００℃に加熱し、Ｈｉｇｈ−K膜の改質、つまり、Ｈｉｇｈ−K膜からＣやＨ等の不純物を離脱させて、緻密化し安定した絶縁体薄膜に改質することができる(膜質改善)。Ｈｉｇｈ−K膜等の誘電体は、誘電率に応じてマイクロ波の吸収率が異なる。誘電率が高いほどマイクロ波を吸収しやすい。また、ハイパワーのマイクロ波をウェハ１１に照射し処理すると、ウェハ１１上の誘電体膜が加熱され改質される。また、マイクロ波による加熱の特徴は、誘電率εと誘電正接tanδによる誘電加熱で、この物性値が異なる物質を同時に加熱すると、加熱されやすい物質、すなわち、誘電率が高い方の物質だけ選択的に加熱できる。
【００２５】
また、加熱処理工程において、ガス供給用バルブ５３を開いて、処理室１００内にガス供給管５２からＮ２ガスを導入するとともに、ガス排出用バルブ６３により処理室１００内の圧力を予め定められた値(例えば、大気圧)に調整しつつ、ガス排出管６２から処理室１００内のＮ２ガスを排出する。このようにして、加熱処理工程において、処理室１００内を所定の圧力値に維持する。本例では、周波数５．８〜７．０ＧＨｚのマイクロ波をパワー１６００Ｗ、処理室１００内の圧力を大気圧として５分間、加熱処理を行った。以上のようにして、所定時間、マイクロ波を導入して基板加熱処理を行った後、マイクロ波の導入を停止する。
【００２６】
[基板冷却工程]
加熱処理工程が終了すると、処理室１００内に導入するＮ２ガスの流量を制御することによって、ウェハ１１を冷却する。積極的にＮ２ガスの冷却効果を使う場合は、ガス供給管５２を基板支持台に設け、ウェハ１１と基板支持台の間にガスを流すことにより、ガスによる冷却効果向上を図ることもできる。このガスの流量を制御することにより、ウェハ１１の温度制御を行うこともできる。また、本実施例ではＮ２ガスを使用しているが、プロセス的、安全性に問題がなければ、熱伝達率の高い他のガス、たとえば希釈ＨｅガスなどをＮ２ガスに追加し、基板冷却効果を向上することもできる。また、ウェハ１１表面に向かって不活性ガスを直接吹き付けるように構成しても良い。更に、ガス供給管５２を基板支持台と処理容器１８０の上側とに設け、ウェハ及び基板支持台１２４の間にガスが流し、ウェハ１１近傍のガスの流量を制御すると共にウェハ１１表面に向かって不活性ガスを直接吹き付けるように構成しても良い。
【００２７】
[基板搬出工程]
基板冷却工程が終了すると、上述した基板搬入工程に示した手順とは逆の手順により、加熱処理したウェハ１１を処理室１００から搬出し、搬送室としてのフロントエンドモジュール２０に搬入する。このとき、次に処理するウェハ１１がある場合、搬送ロボット２０２がスワップ搬送(処理済ウェハ及び未処理ウェハの入れ替え搬送)を行う。最後に搬送ロボット２０２が処理済のウェハ１１をフロントエンドモジュール２０から搬出し、ロードポート３０に載置されたポッドに収納する。
【００２８】
図３は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１におけるコントローラ構成を示す図である。制御手段としての装置コントローラ８０は、操作者からの入力を受け付ける操作部４００と、メインコントローラとしての統括制御部４０２と、プロセス系を制御するプロセス制御部としてのサブコントローラ４０４と、搬送系を制御する制御部としてのメカコントローラ４０６とがそれぞれＬＡＮ等の通信回線４０８を介して接続されて構成される。
【００２９】
操作部４００は、ロギングデータやアラームなどの解析、及びパラメータ編集などを行うための操作画面を表示する図示しない表示部と、該表示部等を介して入力された指示データや各種レシピや各種パラメータをファイルとして格納する図示しない記憶部と、各種レシピの作成時における各種パラメータの設定値を入力する図示しない入力部とを少なくとも備えている。また、操作部４００は、上述した入力部またはホストコンピュータからの指示により、基板としてのウェハ１１を処理する旨の指示を受け付けると、ウェハ１１を搬送するための搬送レシピやウェハ１１を処理するためのプロセスレシピを統括制御部４０２にダウンロードする。統括制御部４０２は、これらのレシピに基づいてサブコントローラ４０４やメカコントローラ４０６を制御する。そして、サブコントローラ４０４は、前記プロセスレシピに基づいて基板に所定の処理を施し、メカコントローラ４０６は、上記搬送レシピや上記ウェハ情報に基づいて搬送ロボット２０２を制御することによりウェハ１１の搬送を行う。
【００３０】
統括制御部４０２は、コントローラ８０全体の運用制御を行う。また、メカコントローラ４０６は、搬送ロボット２０２を制御し、搬送系を制御する。サブコントローラ４０４は、各プロセスモジュール１０における温度、ガス流量、圧力、マイクロ波パワー等を制御する。サブコントローラ４０４は、前記統括制御コントローラ４０２の命令（指示）に基づいて、マイクロ波発生部２００、ガス供給用バルブ５３、ガス排出用バルブ６３及びゲートバルブ７２などの各部品を制御すると共に、これらの状態を、前記統括制御コントローラ４０２に送信する。尚、上述した表示部、記憶部、入力部は、操作部４００と別体であってもよいし、また、コントローラ８０と別体であってもよい。更に、操作部４００（上述した表示部、記憶部及び入力部）は、例えば、図示しないユーザ(顧客)側のＨｏｓｔコンピュータと接続され、工場内の自動化システムを実現するよう構成される。
【００３１】
図４は、マイクロ波発生機構としてのパワー制御モジュール(PCM；Power Control Module)を中心としたコントローラ構成を示す。
【００３２】
ＴＷＴデバイスは、プロセスモジュールＰＭに入力されるマイクロ波信号を出力し、ウェハ１１に放射する。ＴＷＴデバイスは、線形ビーム装置であり、選択された周波数及び波形の信号が増幅されて出力される。又、ＴＷＴデバイスは、電磁波と電子ビームを相互作用させマイクロ波を増幅させる。更に、ＴＷＴデバイスは、自身の構成によって決定される帯域幅または範囲内で選択された任意の周波数または波形を増幅する機能を有する。
【００３３】
ＴＷＴ電源は、ＴＷＴデバイスの動作のために設けられている。好ましい電源は、精密な調整をしたカソード電源と未調整のコレクタ電圧源とからなる直流電源である。方向性結合器は、信号の方向を検出し、更に検出された方向により信号を指向するのに設けられている。ＴＷＴデバイスから受け取った信号はプロセスモジュールＰＭに向けて送られる。一方、プロセスモジュールＰＭの方向から受け取った信号は反射出力負荷となる。従って、方向性結合器は、反射された信号、つまり、プロセスモジュールＰＭ内のウェハ１１に吸収されなかった出力からＴＷＴデバイスを保護するために、ＴＷＴデバイスからそらす手段を提供する。例えば、反射出力負荷は、熱を放散させるため水で冷却される。コントローラは、出力モニタ及び温度センサからの入力を受け取る。出力モニタは方向性結合器から入力を受け取り、プロセスモジュールＰＭに放射された(進行波)の出力を測定すると共にプロセスモジュールＰＭからの反射(波)出力を測定する。
【００３４】
更に、コントローラは、発振されるパワーなどマイクロウェーブ発振器やＢｅａｍのＯＮ/ＯＦＦ制御などＴＷＴ電源を制御するように機能する。又、冷却装置は、ＴＷＴデバイスの冷却を行うために設けてある。
【００３５】
コントローラは、ＰＬＣを介してサブコントローラ４０４としてのＰＭＣに温度、進行波や反射波等のモニタデータを送信している。又、コントローラは、操作部４００とＬＡＮを介して接続されている。従い、操作部４００の所定の画面から入力された指示に従い、コントローラがＰＣＭを制御する。つまり、このコントローラもサブコントローラ４０４と同レベルの動作を行う。
【００３６】
図５は、基板処理装置１の操作部４００の電源を停止させる画面の一例を示す。この画面には、操作部４００の電源を停止させるための停止(Shut down)ボタンと、上述のパワー制御モジュールＰＣＭを停止させるための停止(Beam Off)ボタンと、このボタンを押下してから操作部４００の電源を停止させる指示を行うことができるまでの時間を設定する設定欄とが表示される。そして、設定欄に「Beam ON」という表示がある場合、Beam ON状態であり、つまり、マイクロ波加熱装置が基板に対してマイクロ波を供給している状態である。「-」という表示がある場合、接続されていない為、Beam ON信号をモニタできない状態であることを示す。つまり、サブコントローラ４０４としてのＰＭＣとの回線が断線している状態を示す。設定欄に時間が表示されている場合、Beam OFFの指示後、経過した時間（操作部の電源を停止するまでの待機時間）が表示されている。本実施の形態では、５分（００：０５：００）の表示からカウントダウンしていき、００：００：００まで表示される。「００：００：００」と表示されたとき、特殊部品としてのＴＷＴデバイスのクールダウンが終了したことを示し、操作部４００の電源を停止させることができる。つまり、操作部４００を停止させるボタンが有効となり、シャットダウン操作が可能となる。反対に、設定欄の表示が「００：００：００」または「-」でない場合、操作部４００を停止させる停止ボタンは無効、つまり、停止ボタンが押下できないよう構成されているため、操作部４００のシャットダウンが不可となる。
【００３７】
このように、本実施の形態によれば、マイクロ波発生機構としてのパワー制御モジュールＰＣＭの内部にあるマイクロ波を増幅する部品（ＨＰＡ；High Power Amplifier）を構成する特殊部品であるＴＷＴデバイス(部品)は、電子ビームOFF後、所定のクールダウン処理を行うことができるので、破損する恐れがない。更に、通常の部品と同様に電源OFFした場合と比較して、ＴＷＴデバイスの寿命が長くなる。
【００３８】
なお、本発明の実施の形態では、半導体製造装置として枚葉式の基板処理装置を説明したが縦型の基板処理装置や横型の基板処理装置にも適用できる。また、基板（ウェハ）を処理する半導体製造装置だけでなく、ＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する処理装置にも適用することができる。
このように、本発明は種々の改変が可能であり、本発明はこのように改変された発明に及ぶことは当然である。
【００３９】
次に、本発明の好ましい他の態様を付記するが、以下の記載に限定されないのは言うまでもない。
【００４０】
［実施の態様１］
基板にマイクロ波を照射するためのマイクロ波発生機構を含む各部品への所定の指示を受けつける表示部を備えた操作部で少なくとも構成する基板処理装置であって、前記表示部は、前記操作部への電源を停止する第一の停止手段と、前記マイクロ波発生機構を停止する第二の停止手段と、前記操作部と前記マイクロ波発生機構との接続状態を示す手段を画面上に表示する基板処理装置。
［実施の態様２］
前記マイクロ波発生機構を停止する前記第二の停止手段が押下されると、前記マイクロ波の停止から前記操作部への電源停止までの猶予時間が表示される。
［実施の態様３］
前記猶予時間に達しない場合、前記操作部を停止する第一の停止手段が押下されても、前記操作部への電源停止操作は無効となるよう構成されている。
［実施の態様４］
基板の表面に向かってマイクロ波を供給して前記基板に加熱処理を施す工程と、前記処理終了後、基板処理装置を構成する各部品の電源を停止する工程と、を有する基板処理装置の部品管理方法であって、前記電源を停止する工程では、前記マイクロ波を供給する部品(マイクロ波発生機構)の停止操作を行った後、前記部品のうち操作部の停止操作が有効になるまでに要する猶予時間が表示される基板処理装置の部品管理方法。
［実施の態様５］
前記マイクロ波を供給する部品は、
所定の周波数でマイクロ波を発振する発振手段と、
可変の周波数でマイクロ波を処理室に供給する供給手段と、
前記マイクロ波を増幅する増幅手段と、
前記発振手段、前記供給手段、前記増幅手段のそれぞれを制御する制御手段を少なくとも有する。
【符号の説明】
【００４１】
１        基板処理装置
１０       プロセスモジュール(ＰＭ)
２０       フロントエンドモジュール（ＦＥＥＭ）
３０       ロードポート(ＬＰ)
８０       装置コントローラ
１００    処理室
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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