(57)【要約】      （修正有）【課題】容易にかつ高い歩留まりで半導体チップを製造できる半導体チップの製造方法を提供する。【解決手段】加熱によって気体を発生するが光照射によっては気体を発生しない気体発生剤を含有する粘着剤層を有するバックグラインドテープ７を、回路が形成された面に貼り付ける工程と、テープ７が貼り付けられた面とは反対側の面を研削する工程と、テープの粘着剤層を硬化させ、粘着力を低下させる工程と、テープが貼り付けられた面とは反対側の面にダイシングテープ２を貼り付ける工程と、バックグラインドテープ７に剥離テープ４を重ね、加熱ヘッド５を押圧して剥離テープ４を熱融着させるとともに、熱融着時の熱によって粘着剤層から気体を発生させ、剥離起点６を形成する工程と、バックグラインドテープ７を剥離して、半導体ウエハ１とダイシングテープ２との積層体を得る工程と、ダイシングして半導体チップを得る工程とを有する半導体チップの製造方法。【選択図】図２
2012174915.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の一方の面に加熱によって気体を発生するが光照射によっては気体を発生しない気体発生剤を含有する光硬化型粘着剤からなる粘着剤層を有するバックグラインドテープを、半導体ウエハの回路が形成された面に貼り付ける工程１と、
前記半導体ウエハの、バックグラインドテープが貼り付けられた面とは反対側の面を研削する工程２と、
光を照射して前記バックグラインドテープの粘着剤層を硬化させ、粘着力を低下させる工程３と、
前記半導体ウエハのバックグラインドテープが貼り付けられた面とは反対側の面にダイシングテープを貼り付ける工程４と、
前記バックグラインドテープに剥離テープを重ね、バックグラインドテープの半導体ウエハとの接着面の外周部からはみ出さない位置に加熱ヘッドを押圧して剥離テープをバックグラインドテープに熱融着させるとともに、前記熱融着時の熱によって前記バックグラインドテープの粘着剤層から気体を発生させ、バックグラインドテープと半導体ウエハとの少なくとも一部を剥離して剥離起点を形成する工程５と、
前記剥離テープを引っ張ることにより、半導体ウエハからバックグラインドテープを剥離して、半導体ウエハとダイシングテープとの積層体を得る工程６と、
前記半導体ウエハをダイシングして半導体チップを得る工程７とを有する
ことを特徴とする半導体チップの製造方法。
【請求項２】
基材の一方の面に加熱によって気体を発生するが光照射によっては気体を発生しない気体発生剤を含有する光硬化型粘着剤からなる粘着剤層を有することを特徴とするバックグラインドテープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、容易にかつ高い歩留まりで半導体チップを製造できる半導体チップの製造方法、及び、該半導体チップの製造方法に用いるバックグラインドテープに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップは、純度の高い棒状の半導体単結晶等をスライスして半導体ウエハとした後、フォトレジストを利用して半導体ウエハ表面に所定の回路パターンを形成し、次いで半導体ウエハ裏面を研削機により研削して厚さを３０〜３００μｍ程度まで薄くした後、最後にダイシングしてチップ化することにより、製造されている。
【０００３】
上記研削工程においては、半導体ウエハの回路面にバックグラインドテープと呼ばれる保護テープを貼り付けた状態で、裏面から半導体ウエハを所望の厚さにまで研削する。一方、ダイシング工程においては、半導体ウエハ裏面側にダイシングテープを貼付して、半導体ウエハを接着固定した状態で縦方向及び横方向にダイシングし、個々の半導体チップに分離する。
例えば特許文献１には、研削工程からダイシング工程へ進む際に、バックグラインドテープが貼着された半導体ウエハの他方の面にダイシングテープを貼り付けた後、半導体ウエハからバックグラインドテープを剥離する、テープの貼り替え工程を行うことが記載されている。しかしながら、特許文献１に記載された方法においては、バックグラインドテープを剥離する工程が煩雑であり、また、剥離時に半導体ウエハが破損してしまうことがあるという問題があった。
【０００４】
これに対して特許文献２、３には、ダイシングテープ、半導体ウエハ、バックグラインドテープの積層体からバックグラインドテープを剥離する方法として、バックグラインドテープの一端側に剥離テープを熱融着したうえで、該剥離テープを把持した剥がしヘッド部を移動させて剥離テープを引っ張ることにより、バックグラインドテープをめくるようにして剥離できる方法が記載されている。また、剥離テープとこれに熱融着したバックグラインドテープを剥離する際に、バックグラインドテープと半導体ウエハとの剥がれ部分の間に邪魔部材を配置することにより、バックグラインドテープの剥がれ部分がダイシングテープの粘着面に不用意に付着してしまうのを防止できるとされている。
【０００５】
特許文献２、３の方法においては、バックグラインドテープの半導体ウエハとの接着面の最外端部に当たる位置に剥離テープを熱融着させる必要がある。このような位置に剥離テープを熱融着させることにより、剥離テープを引っ張ったときにバックグラインドテープと半導体ウエハとの間に剥離起点が生じ、バックグラインドテープをめくるようにして剥離することができる（図１（ａ））。剥離テープの熱融着位置が、バックグラインドテープの半導体ウエハとの接着面の最外端部よりも内側になると、剥離テープを引っ張ってもバックグラインドテープと半導体ウエハとの間に剥離起点が生じずに、バックグラインドテープを剥離できないことがある（図１（ｂ））。
しかしながら、確実に接着面の最外端部に当たる位置で熱融着させようとすると、熱融着に用いる加熱ヘッドをバックグラインドテープと半導体ウエハとの接着面の外周部からはみ出さした位置で押圧せざるを得ず、誤って剥離テープがダイシングテープにまで熱融着してしまう場合があった。剥離テープがダイシングテープに熱融着してしまうと、剥離起点を形成することができず、バックグラインドテープを剥離することができない（図１（ｃ））。また、誤って剥離テープが半導体ウエハのエッジ部分にも熱融着してしまう場合もあった。剥離テープが半導体ウエハのエッジ部分にも融着してしまうと、バックグラインドテープを剥離する際に、半導体ウエハを破損してしまうことがある（図１（ｄ））。
ダイシングテープ、半導体ウエハ、バックグラインドテープの積層体から、半導体ウエハを破損することなく、容易にかつ高い歩留まりでバックグラインドテープを剥離できる方法が求められていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−３２４７０３号公報
【特許文献２】特開２００１−２９１７６２号公報
【特許文献３】特開２００３−２２９８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、容易にかつ高い歩留まりで半導体チップを製造できる半導体チップの製造方法、及び、該半導体チップの製造方法に用いるバックグラインドテープを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、基材の一方の面に加熱によって気体を発生するが光照射によっては気体を発生しない気体発生剤を含有する光硬化型粘着剤からなる粘着剤層を有するバックグラインドテープを、半導体ウエハの回路が形成された面に貼り付ける工程１と、前記半導体ウエハの、バックグラインドテープが貼り付けられた面とは反対側の面を研削する工程２と、光を照射して前記バックグラインドテープの粘着剤層を硬化させ、粘着力を低下させる工程３と、前記半導体ウエハのバックグラインドテープが貼り付けられた面とは反対側の面にダイシングテープを貼り付ける工程４と、前記バックグラインドテープに剥離テープを重ね、バックグラインドテープの半導体ウエハとの接着面の外周部からはみ出さない位置に加熱ヘッドを押圧して剥離テープをバックグラインドテープに熱融着させるとともに、前記熱融着時の熱によって前記バックグラインドテープの粘着剤層から気体を発生させ、バックグラインドテープと半導体ウエハとの少なくとも一部を剥離して剥離起点を形成する工程５と、前記剥離テープを引っ張ることにより、半導体ウエハからバックグラインドテープを剥離して、半導体ウエハとダイシングテープとの積層体を得る工程６と、前記半導体ウエハをダイシングして半導体チップを得る工程７とを有する半導体チップの製造方法である。
以下に本発明を詳述する。
【０００９】
本発明者は、鋭意検討の結果、特定の構造を有するバックグラインドテープを用いることにより、ダイシングテープ、半導体ウエハ、バックグラインドテープの積層体からバックグラインドテープを剥離する際に、「バックグラインドテープの半導体ウエハとの接着面の外周部からはみ出さない位置に加熱ヘッドを押圧して」剥離テープを熱融着させた場合であっても、バックグラインドテープを確実に剥離できることを見出し、本発明を完成した。
【００１０】
上述のように、従来のバックグラインドテープを用いた場合には、「バックグラインドテープの半導体ウエハとの接着面の外周部からはみ出さない位置に加熱ヘッドを押圧して」剥離テープを熱融着しても、剥離起点が生じず、バックグラインドテープを剥離できないことがある（図１（ｂ））。これに対して、基材の一方の面に加熱によって気体を発生するが光照射によっては気体を発生しない気体発生剤を含有する光硬化型粘着剤からなる粘着剤層を有するバックグラインドテープを用いた場合には、剥離テープの熱融着する際の熱によってバックグラインドテープの粘着剤層に含まれる記載発生剤から気体が発生し、該気体の圧力によってバックグラインドテープと半導体ウエハとの少なくとも一部が剥離して剥離起点が形成されることから、確実にバックグラインドテープを剥離できると考えられる。
【００１１】
本発明の半導体チップの製造方法は、バックグラインドテープを半導体ウエハの回路が形成された面に貼り付ける工程１を有する。この時点での半導体ウエハは、高純度なシリコン単結晶やガリウム砒素単結晶等をスライスして半導体ウエハとし、ウエハの表面に所定の回路パターンが形成されたものであり、厚さ５００μｍ〜１ｍｍ程度のものである。バックグラインドテープは、半導体ウエハの回路が形成されている面に貼り付ける。バックグラインドテープを貼り付けることにより半導体ウエハが保護され、工程２において半導体ウエハを研削する際に欠けや割れが発生するのを防止することができる。
【００１２】
本発明で用いるバックグラインドテープは、基材の一方の面に加熱によって気体を発生するが光照射によっては気体を発生しない気体発生剤を含有する光硬化型粘着剤からなる粘着剤層を有する。このようなバックグラインドテープに光を照射すると、粘着剤層が硬化して粘着力が低下するものの、気体発生剤から気体は発生しないことから、気体による剥離圧力は発生せず、剥離してしまうことはない。一方、粘着剤層を硬化させた後に加熱すると、気体発生剤から気体が発生し、該気体による剥離圧力によって被着体との接着面の少なくとも一部が剥離する。
【００１３】
上記バックグラインドテープの基材は、光を透過又は通過するものであれば特に限定されず、例えば、ポリアクリル、ポリオレフィン、ポリカーボネート、塩化ビニル、ＡＢＳ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ナイロン、ポリウレタン、ポリイミド等の透明な樹脂からなるシート、網目状の構造を有するシート、孔が開けられたシート等が挙げられる。
【００１４】
上記バックグラインドテープの粘着剤層は、気体発生剤を含有する光硬化型粘着剤からなる。
上記光硬化型粘着剤は、例えば、ベース樹脂と光硬化性化合物とを含有する粘着剤が挙げられる。このような光硬化型粘着剤は、光照射前は充分なタックを有して貼り合わせ性や保持性に優れる一方、光照射によって粘着剤層が充分に硬化し、粘着力を低減させることができる。
【００１５】
上記ベース樹脂は特に限定されないが、ガラス転移温度が１０℃以上である樹脂が好ましく、ホモポリマーであればモノマーの種類を、コポリマーであればモノマーの組み合わせや量を適宜調整すればよい。
【００１６】
上記光硬化性化合物は、ラジカル重合性の不飽和結合を有するモノマー又はオリゴマーが挙げられる。なかでも、分子量が５０００以下であり、かつ、分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数が２〜２０個である多官能モノマー又は多官能オリゴマーが好適である。具体的には、例えば、トリメチロールプロパントリ（メタ）アクリレート、テトラメチロールメタンテトラ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールトリ（メタ）アクリレート、ペンタエリスリトールテトラ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ（メタ）アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ（メタ）アクリレート等が挙げられる。また、１，４−ブチレングリコールジ（メタ）アクリレート、１，６−ヘキサンジオールジ（メタ）アクリレート、ポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、市販のオリゴエステル（メタ）アクリレートも用いることができる。これらの光硬化性化合物は単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
なお、本明細書において、（メタ）アクリレートは、アクリレート又はメタクリレートを意味する。
【００１７】
上記ベース樹脂１００重量部に対する上記光硬化性化合物の配合量の好ましい下限は１０重量部、好ましい上限は４０重量部である。上記光硬化性化合物の配合量が１０重量部未満であると、光を照射しても充分に硬化しないことがあり、４０重量部を超えると、粘着力が低下してしまうことがある。上記光硬化性化合物の配合量のより好ましい下限は１５重量部、より好ましい上限は３０重量部である。
【００１８】
上記光硬化性化合物は、光重合開始剤を含有することが好ましい。
上記光重合開始剤としては、例えば、２５０〜８００ｎｍの波長の光を照射することにより活性化されるものが挙げられる。
上記光重合開始剤は、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物や、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物や、ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物や、フォスフィンオキシド誘導体化合物や、ビス（η５−シクロペンタジエニル）チタノセン誘導体化合物や、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンや、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。これらの光重合開始剤は単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００１９】
上記気体発生剤は、加熱によって気体を発生するが光照射によっては気体を発生しない気体発生剤である。このような気体発生剤を用いることにより、剥離テープを熱融着させる際の熱によって、はじめて気体を発生させることができ、剥離起点を有効に形成することができる。
本明細書において光照射によっては気体を発生しない気体発生剤とは、特に４００ｎｍ以下の紫外光領域に吸収領域を有さない気体発生剤を意味する。
【００２０】
上記気体発生剤は、具体的には例えば、Ｎ，Ｎ−ジニトロソペンタメチレンテトラミン、４，４−オキシビス（ベンゼンスルホニルヒドラジド）、ヒドラゾカルボンアミド、炭酸水素ナトリウムと発泡促進剤の組み合わせ等が挙げられる。
【００２１】
上記粘着剤層中における上記気体発生剤の配合量は特に限定されないが、上記光硬化型粘着剤１００重量部に対する好ましい下限は５重量部、好ましい上限は２５重量部である。上記気体発生剤の配合量が５重量部未満であると、加熱しても充分な量の気体が発生せず有効な剥離起点を形成できないことがあり、２５重量部を超えると、上記粘着剤層の初期粘着力が不充分となることがある。上記気体発生剤の配合量のより好ましい下限は７重量部、より好ましい上限は２０重量部である。
【００２２】
上記バックグラインドテープの粘着剤層は、ゲル分率の好ましい下限が２０％、好ましい上限が５０％である。このような範囲のゲル分率を示すことにより、貼り合わせ性に優れ、特に、ウエハの微細な凹凸に追従しやすくなる。特に、上述したベース樹脂を含有し、かつ、ゲル分率が好ましい範囲に調整されていることにより、貼り合わせの際に加熱することにより、粘性の低い状態となり、ウエハの微細な凹凸に好適に追従する。
【００２３】
上記バックグラインドテープの粘着剤層の厚さは特に限定されないが、好ましい下限は１０μｍである。上記粘着剤層の厚さが１０μｍ未満であると、凹凸に追従できなかったり、接着力が不足し研削工程時に充分に半導体ウエハを固定できないことがある。上記バックグラインドテープの粘着剤層は、半導体ウエハの回路に形成されたバンプの高さより、３０μｍ以上厚いことが好ましい。
【００２４】
基材の一方の面に加熱によって気体を発生するが光照射によっては気体を発生しない気体発生剤を含有する光硬化型粘着剤からなる粘着剤層を有するバックグラインドテープもまた、本発明の１つである。
【００２５】
本発明の半導体チップの製造方法は、上記半導体ウエハの、バックグラインドテープが貼り付けられた面とは反対側の面を研削する工程２を有する。バックグラインドテープにより補強されていることにより、研削時に半導体ウエハが欠けたり割れたりするのを防止することができる。
上記研削する方法は特に限定されず、例えば、従来公知の研削方法により研削することができる。
【００２６】
本発明の半導体チップの製造方法は、光を照射して上記バックグラインドテープの粘着剤層を硬化させ、粘着力を低下させる工程３を有する。
光を照射することにより、上記バックグラインドテープの粘着剤層が硬化し、粘着力が低下する。しかしながら、この時点では粘着剤層中に含まれる気体発生剤からは気体は発生しないことから、完全に剥離してしまうことはなく、工程４においてダイシングテープを貼り付ける際の補強効果は維持できる。
【００２７】
上記光の照射量としては、上記バックグラインドテープの粘着剤層を硬化させて、粘着力を低減することができれば特に限定されない。
上記光を照射する方法としては特に限定されないが、透明な基材を用いた場合には基材側から光を照射すればよい。また、照射装置としては特に限定されないが、スキャン式の照射装置は均一な照射が難しいことから、照射面に均一に光を照射することができる照射装置で照射することが好ましい。
【００２８】
本発明の半導体チップの製造方法は、上記半導体ウエハのバックグラインドテープが貼り付けられた面とは反対側の面にダイシングテープを貼り付ける工程４を有する。
上記ダイシングテープは特に限定されず、市販のダイシングテープを用いることができる。
【００２９】
本発明の半導体チップの製造方法は、上記バックグラインドテープに剥離テープを重ね、バックグラインドテープの半導体ウエハとの接着面の外周部からはみ出さない位置に加熱ヘッドを押圧して剥離テープをバックグラインドテープに熱融着させるとともに、上記熱融着時の熱によって上記バックグラインドテープの粘着剤層から気体を発生させ、バックグラインドテープと半導体ウエハとの少なくとも一部を剥離して剥離起点を形成する工程５を有する。
【００３０】
上記剥離テープは、上記バックグラインドテープに熱融着可能なものであれば特に限定されない。例えば、日東電工社製のＢＴ−３１５等の市販品を好適に用いることができる。
【００３１】
上記剥離テープは、上記バックグラインドテープに剥離テープを重ね、バックグラインドテープの半導体ウエハとの接着面の外周部からはみ出さない位置に加熱ヘッドを押圧することによりバックグラインドテープに熱融着させる。加熱ヘッドの位置をバックグラインドテープと半導体ウエハとの接着面の外周部からはみ出さない位置とすることにより、誤って剥離テープがダイシングテープにまで熱融着してしまったり、誤って剥離テープが半導体ウエハのエッジ部分にも融着してしまったりすることがない。
一方、剥離テープの熱融着する際の熱によってバックグラインドテープの粘着剤層に含まれる記載発生剤から気体が発生し、該気体の圧力によってバックグラインドテープと半導体ウエハとの少なくとも一部が剥離することから、確実に剥離起点が形成される。
【００３２】
ここで、「バックグラインドテープの半導体ウエハとの接着面の外周部からはみ出さない位置に加熱ヘッドを押圧する」とは、外周部からはみ出さなければよく、加熱ヘッドの端部が、バックグラインドテープと半導体ウエハとの接着面の外周部と一致するように押圧すればよい。また、１０ｍｍ以内であれば、加熱ヘッドの端部がバックグラインドテープの端部から内側の位置となるように押圧してもよい。１０ｍｍ以内であれば、熱融着する際の熱によって発生した気体の圧力によって確実に剥離起点を形成させることができる。
【００３３】
上記加熱ヘッドによりバックグラインドテープに剥離テープを熱融着する条件は特に限定されず、剥離テープを融着させることができ、かつ、上記気体発生剤より気体を発生させることができる温度を選べばよい。例えば、１５０〜２００℃程度の温度に設定した加熱ヘッドを、０．１〜０．５Ｐａ程度の圧力で押圧する方法等が挙げられる。バックグラインドテープの粘着剤層が溶融しないようにという観点で、押圧時間は２０秒以内であることが好ましい。
【００３４】
図２に、工程５において剥離起点が形成されるのを説明する模式図を示した。
図２（１）では、本発明のバックグラインドテープ７、半導体ウエハ１、ダイシングテープ２の積層体のバックグラインドテープ７上に剥離テープ４を重ね、加熱ヘッド５を押圧している。このとき、加熱ヘッド５は、その端部がバックグラインドテープ７と半導体ウエハ１との接着面の外周部と一致するように押圧する。
このような位置で加熱ヘッド５を押圧することにより、バックグラインドテープ７と剥離テープ４との熱融着位置６は、バックグラインドテープ７と半導体ウエハ１との接着面の最外端部よりも若干内側となることもある。しかしながら、熱融着時の熱によりバックグラインドテープ７の粘着剤層から気体が発生して、該気体の圧力によってバックグラインドテープ７と半導体ウエハ１との少なくとも一部が剥離することから、剥離起点が形成される（図２（２））。このため、剥離テープを引っ張れば、容易に半導体ウエハからバックグラインドテープを剥離することができる（図２（３））。
【００３５】
本発明の半導体チップの製造方法は、上記剥離テープを引っ張ることにより、半導体ウエハからバックグラインドテープを剥離して、半導体ウエハとダイシングテープとの積層体を得る工程６を有する。上記工程５において剥離起点が形成されていることから、剥離テープを引っ張ることにより、容易に半導体ウエハからバックグラインドテープを剥離して、半導体ウエハとダイシングテープとの積層体を得ることができる。
【００３６】
本発明の半導体チップの製造方法は、半導体ウエハをダイシングして半導体チップを得る工程７とを有する。
上記ダイシングの方法は特に限定されず、例えば、従来公知の方法によりダイシングすることができる。
このようにして得られた個々の半導体チップは、従来公知のピックアップ方法によりダイシングテープからピックアップすればよい。
【発明の効果】
【００３７】
本発明によれば、容易にかつ高い歩留まりで半導体チップを製造できる半導体チップの製造方法、及び、該半導体チップの製造方法に用いるバックグラインドテープを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】従来のバックグラインドテープを用いた場合において、剥離テープの熱融着位置によるバックグラインドテープの剥離状況の相違を説明する模式図である。
【図２】本発明の半導体チップの製造方法の工程５において剥離起点が形成されるのを説明する模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
以下に実施例を挙げて本発明の態様を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。
【００４０】
（実施例１）
（１）バックグラインドテープの製造
ベース樹脂としてエチルアクリレート５７重量部とメタクリル酸メチル４０重量部とヒドロエチルメタクリレート３重量部とを共重合させて得られた共重合体（重量平均分子量が４０万、ガラス転移温度が１８℃）１００重量部、光硬化性化合物としてウレタンジアクリレート（Ｕ−３２４Ａ、新中村化学社製）２０重量部、光反応開始剤としてイルガキュア６５１（チバスペシャリティーケミカルズ）１重量部、気体発生剤としてカルボンジアミド化合物（ネオセルボンＭ−１０００、永和化成社製、４００ｎｍ以下の波長領域における吸光係数が０、３６５ｎｍにおける吸光係数が０．１以下）１５重量部をメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に溶解させて、粘着剤溶液を調製した。
【００４１】
片面にコロナ処理を施した厚さ７５μｍの透明なポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に、得られた粘着剤溶液を乾燥皮膜の厚さが約１５μｍとなるようにドクターナイフで塗工し、１１０℃、５分間加熱して乾燥させて、バックグラインドテープを得た。なお、乾燥後の粘着剤層は乾燥状態で粘着性を示した。
【００４２】
（２）半導体チップの製造
得られたバックグラインドテープを、厚さ７２５μｍ、直径２０ｃｍのシリコンウエハの電極回路面に貼りつけた。
次いで、研削後の厚さが５０μｍとなるまで、半導体ウエハのバックグラインドテープが貼り付けられた面とは反対側の面を研削した。
バックグラインドテープ側から超高圧水銀灯を用いて、３６５ｎｍの紫外線をバックグラインドテープ表面への照度が２５ｍＷ／ｃｍ２となるよう照度を調節して２０秒間照射した。
次いで、半導体ウエハのバックグラインドテープが貼り付けられた面とは反対側の面にダイシングテープ（リンテック社製、Ｄ−６５１）を貼り付けた。
【００４３】
次いで、バックグラインドテープ上に剥離テープ（日東電工社製、ＢＴ−３１５）を重ね、２００℃に加熱した加熱ヘッドを、その端部がバックグラインドテープと半導体ウエハとの接着面の外周部と一致するようにして０．２ＭＰａの圧力で押圧して、剥離テープをバックグラインドテープに熱融着させた。
その後、剥離テープを引っ張ると、容易に半導体ウエハからバックグラインドテープを剥離することができ、半導体ウエハとダイシングテープとの積層体が得られた。
その後、半導体ウエハをダイシングして、半導体チップを得た。
【００４４】
上記操作を１０の半導体ウエハについて行ったところ、全ての場合において問題なく半導体チップを製造することができた。
【００４５】
（比較例１）
粘着剤層に気体発生剤を配合しなかった以外は実施例１と同様にしてバックグラインドテープを製造し、得られたバックグラインドテープを用いた以外は実施例１と同様にして半導体チップを製造した。
この操作を１０の半導体ウエハについて行ったところ、８回は問題なく半導体チップを製造することができたものの、２回は半導体ウエハからバックグラインドテープを剥離の際に端部にクラックが発生してしまい、半導体チップを製造することができなかった。
【００４６】
（比較例２）
粘着剤層に気体発生剤を配合しなかった以外は実施例１と同様にしてバックグラインドテープを製造した。
得られたバックグラインドテープを用い、加熱ヘッドの押圧位置をバックグラインドテープと半導体ウエハとの接着面の外周部から０．５ｍｍはみ出した位置とした以外は実施例１と同様にして半導体チップを製造した。
この操作を１０の半導体ウエハについて行ったところ、３回は問題なく半導体チップを製造することができたものの、７回は剥離テープがダイシングテープに融着してしまい、バックグラインドテープを剥離することができず、半導体チップを製造することができなかった。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明によれば、容易にかつ高い歩留まりで半導体チップを製造できる半導体チップの製造方法、及び、該半導体チップの製造方法に用いるバックグラインドテープを提供することができる。
【符号の説明】
【００４８】
１  半導体ウエハ
２  ダイシングテープ
３  従来のバックグラインドテープ
４  剥離テープ
５  加熱ヘッド
６  熱融着位置
７  本発明のバックグラインドテープ
【図１】
2012174915.tif 000003
【図２】
2012174915.tif 000004