(57)【要約】【課題】  希少金属層が設けられている基板から希少金属を剥離処理して、当該希少金属を高い効率で回収できる金属回収機構を有する基板処理装置の提供。【解決手段】  基板を載置するステージ部Ｆと、  水蒸気及び水を含む混相流体を前記基板に噴射して前記基板上の希少金属を剥離する、混相流体噴射部Ｅと、  槽壁１７１、前記混相廃物を排出する排出管１７２、を有するチャンバ部Ｉと、  前記排出管から送られる混相廃物を液相と気相とに分離する気液分離機構１８１、該気液分離機構により分離された液相から希少金属を回収する固液分離手段１８２を有する、混相廃物中の液相に存在する希少金属を回収する第一処理部Ｇと、  前記第一処理部の気液分離機構から送られる気相に含まれる希少金属を回収するサイクロン式分離機構１９１を有する、混相廃物中の気相に存在する希少金属を回収する第二処理部Ｈと、  を具備する基板処理装置１００。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
希少金属層が形成されている基板を載置するステージ部と、
水蒸気及び水を含む混相流体を前記基板に噴射して前記基板上の希少金属を剥離する、混相流体噴射部と、
前記ステージ部及び混相流体噴射部を囲み、前記混相流体噴射部による混相流体の噴射によって発生する液相及び気相を含み、剥離された希少金属が分散している混相廃物を囲い込む槽壁、前記混相廃物を排出する排出管、を有するチャンバ部と、
前記排出管から送られる混相廃物を液相と気相とに分離する気液分離機構、該気液分離機構により分離された液相から希少金属を回収する固液分離手段を有する、混相廃物中の液相に存在する希少金属を回収する第一処理部と、
前記第一処理部の気液分離機構から送られる気相に含まれる希少金属を回収するサイクロン式分離機構を有する、混相廃物中の気相に存在する希少金属を回収する第二処理部と、
を具備する基板処理装置。
【請求項２】
前記チャンバ部の槽壁内及び前記排出管内を水で洗浄するシャワーノズルを更に有する、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記混相流体噴射部が、混相流体を噴射するノズルを有し、
前記ノズルに連結して水蒸気を供給する水蒸気発生部と、
前記ノズルに連結して水を供給する水供給部と、
を更に具備する請求項１又は２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記ノズルに連結して不活性ガス又は清浄空気を供給するガス供給部を更に具備する、請求項１〜３のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記ノズル及び前記水蒸気発生部を連結する配管に設けられた水蒸気供給量調整流路を更に有し、
該水蒸気供給量調整流路が、並列に配されている主流路及び副流路を有する分岐流路を備え、
該主流路に設けられた大流量の水蒸気を制御する大流量調節手段と、
該副流路に設けられた小流量の水蒸気を制御する小流量調節手段と、
を有する、請求項３又は４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記ノズル及び水供給部を連結する配管に設けられた水供給量調整流路を更に有し、
該水供給量調整流路が、並列に配されている主流路及び副流路を有する分岐流路を備え、
該主流路に設けられた大流量の水を制御する大流量調節手段と、
該副流路に設けられた小流量の水を制御する小流量調節手段と、
を有する、請求項３〜５のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記第一処理部が、
前記固液分離手段を覆う第一の筐体と、
該第一の筐体に設けられており、固液分離手段によって分離された希少金属を取り出すための第一の取り出し口と、
該第一の取り出し口を施錠する第一の施錠手段と、
を更に有している、請求項１〜６のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記第二処理部が、
前記サイクロン式分離機構から分離される希少金属を蓄積する容器と、
該容器を覆う第二の筐体と、
該第二の筐体に設けられており、前記容器から希少金属を取り出すための第二の取り出し口と、
該第二の取り出し口を施錠する第二の施錠手段と、
を更に有している、請求項１〜７のいずれか一項記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に形成されている希少金属層を剥離する基板処理装置に関し、特に、剥離した希少金属を回収する機構を有する、基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子デバイスを製造する過程において、基板上に形成された薄膜などを剥離して除去するリフトオフ工程が含まれることがしばしばある。従来のリフトオフ工程では試料物を溶剤に浸し、超音波洗浄を行なうか、高圧高温の溶剤をジェット状に吹き付けて薄膜などを剥離している。しかしながら、超音波洗浄では開口率の低い試料では溶剤の浸透しにくくリフトオフ不良が発生する。また高圧ジェットリフトオフ法でも試料物のサイズが微細化されるとサンプルパターンの破損などが生じる。また溶剤を用いて処理を行うため、装置を耐食性、防爆仕様とする必要があり、排気、廃液処理、リフトオフした希少金属の分離、回収にも多くのエネルギーを必要とする。
【０００３】
上記の技術課題の下で水蒸気及び水を用いる基板処理方法が提案されている（特許文献１）。当該方法によれば、水蒸気及び水を用いたことにより、高い物理的衝撃力を得ることが出来るため、レジスト等を剥離することができる。したがって、電子デバイスの製造プロセスにおいて薬液を減らすことが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００９／０１３７９７パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
希少金属層が設けられている基板から、当該希少金属層を剥離する工程においては、剥離された希少金属を回収することが求められることがある。本発明は、希少金属層が設けられている基板から希少金属を剥離処理して、当該希少金属を高い効率で回収できる金属回収機構を有する基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明（１）は、希少金属層が形成されている基板を載置するステージ部と、
水蒸気及び水を含む混相流体を前記基板に噴射して前記基板上の希少金属を剥離する、混相流体噴射部と、
前記ステージ部及び混相流体噴射部を囲み、前記混相流体噴射部による混相流体の噴射によって発生する液相及び気相を含み、剥離された希少金属が分散している混相廃物を囲い込む槽壁、前記混相廃物を排出する排出管、を有するチャンバ部と、
前記排出管から送られる混相廃物を液相と気相とに分離する気液分離機構、該気液分離機構により分離された液相から希少金属を回収する固液分離手段を有する、混相廃物中の液相に存在する希少金属を回収する第一処理部と、
前記第一処理部の気液分離機構から送られる気相に含まれる希少金属を回収するサイクロン式分離機構を有する、混相廃物中の気相に存在する希少金属を回収する第二処理部と、
を具備する基板処理装置である。
【０００７】
本発明（２）は、前記チャンバ部の槽壁内及び前記排出管内を水で洗浄するシャワーノズルを更に有する、前記発明（１）の基板処理装置である。
【０００８】
本発明（３）は、前記混相流体噴射部が、混相流体を噴射するノズルを有し、
前記ノズルに連結して水蒸気を供給する水蒸気発生部と、
前記ノズルに連結して水を供給する水供給部と、
を更に具備する前記発明（１）又は（２）の基板処理装置である。
【０００９】
本発明（４）は、前記ノズルに連結して不活性ガス又は清浄空気を供給するガス供給部を更に具備する、前記発明（１）〜（３）のいずれか一つの基板処理装置である。
【００１０】
本発明（５）は、前記ノズル及び前記水蒸気発生部を連結する配管に設けられた水蒸気供給量調整流路を更に有し、
該水蒸気供給量調整流路が、並列に配されている主流路及び副流路を有する分岐流路を備え、
該主流路に設けられた大流量の水蒸気を制御する大流量調節手段と、
該副流路に設けられた小流量の水蒸気を制御する小流量調節手段と、
を有する、前記発明（３）又は（４）の基板処理装置である。
【００１１】
本発明（６）は、前記ノズル及び水供給部を連結する配管に設けられた水供給量調整流路を更に有し、
該水供給量調整流路が、並列に配されている主流路及び副流路を有する分岐流路を備え、
該主流路に設けられた大流量の水を制御する大流量調節手段と、
該副流路に設けられた小流量の水を制御する小流量調節手段と、
を有する、前記発明（３）〜（５）のいずれか一つの基板処理装置である。
【００１２】
本発明（７）は、前記第一処理部が、
前記固液分離手段を覆う第一の筐体と、
該第一の筐体に設けられており、固液分離手段によって分離された希少金属を取り出すための第一の取り出し口と、
該第一の取り出し口を施錠する第一の施錠手段と、
を更に有している、前記発明（１）〜（６）のいずれか一つの基板処理装置である。
【００１３】
本発明（８）は、前記第二処理部が、
前記サイクロン式分離機構から分離される希少金属を蓄積する容器と、
該容器を覆う第二の筐体と、
該第二の筐体に設けられており、前記容器から希少金属を取り出すための第二の取り出し口と、
該第二の取り出し口を施錠する第二の施錠手段と、
を更に有している、前記発明（１）〜（７）のいずれか一つの基板処理装置である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、水蒸気及び水を含む混相流体により基板上に形成されている不要な希少金属層を剥離することができ、更に当該噴射後の混相排物から液相から希少金属を回収する第一処理部と、気相から希少金属を回収する第二処理部を備えるため、高い回収率で希少金属を回収することができる。
【００１５】
第一処理部、第二処理部の回収された希少金属の取り出し口を限定し施錠することによって、権限を与えられた者ののみが希少金属を取り出すことが出来るため、希少金属を安全に保管することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明に係る基板処理装置１００の全体図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の実施形態について図を用いて説明する。図１は、本発明に係る基板処理装置１００の全体図である。
【００１８】
本発明に係る基板処理装置１００は、希少金属層が形成されている基板を載置するステージ部Ｆと、水蒸気及び水を含む混相流体を前記基板に噴射して前記基板上の希少金属を剥離する混相流体噴射部Ｅとを有する。当該構成を有することによって、薬液を添加しなくても水蒸気と水の混相流体によって基板上の希少金属層を剥離することができる。希少金属としては特に限定されないが、例えば、金、銀、パラジウム、ロジウム、白金などが挙げられる。
【００１９】
当該処理によって剥離した希少金属は、水蒸気と水の混相流体によって物理的に剥離される。剥離処理において噴射された混相流体は、気相及び液相を含む混相廃物となる。すなわち、混相流体噴射後には、気相として、水蒸気がチャンバ内を漂う。また剥離された希少金属の一部は当該水蒸気内に舞った状態で分散する。また、混相流体噴射後には、噴射した水や、温度が低下して凝集した水などから液相が構成される。当該液相内にも剥離された希少金属の一部が存在する。本発明においてはチャンバ部Ｉが設けられているため、混相流体の噴射によって発生した混相廃物は、チャンバ部Ｉの下方に設けられた排出管１７２を通じて第一処理部Ｇに送られる。
【００２０】
本発明に係る基板処理装置は、混相廃物中の液相に存在する希少金属を回収する第一処理部Ｇを具備する。第一処理部Ｇは、混相廃物の液相と気相を分離する気液分離機構１８１と、該気液分離機構により分離された液相から貴金属を回収する固液分離手段１８２を有する。
【００２１】
気液分離機構１８１は、チャンバ部と接続している排出管１７２から放出される混相廃物流体を、気相と液相に分離する。気液分離機構１８１には、上部にテーパ状の混相廃物受け口１８１１が設けられ、当該受け口１８１１の下流には液体導通流路１８１２が設けられている。当該受け口１８１１に対して混相廃物が供給されることによって、液相は液体導通流路１８１２に送られ、気相は受け口１８１１の上部から排出される。
【００２２】
液相内に存在する希少金属は、固液分離手段１８２により分離されて回収される。また、固液分離手段１８２としては、特に限定されないが、例えば、フィルター等のろ過装置、沈殿分離装置、遠心分離装置、シックナーが挙げられる。
【００２３】
本発明は、気相から希少金属を回収する第二処理部Ｈを具備する。第二処理部は、前記第一処理部の気液分離機構から送られる気相に含まれる希少金属を回収するサイクロン式分離機構１９１を有する。これにより気相内に存在する希少金属を回収することができる。上記第一処理部及び第二処理部を具備することによって、気相及び液相に存在する希少金属を回収することが可能となる。
【００２４】
ここで、第二処理部のサイクロン式分離機構１９１の排気側に設けられた気体排出孔１９４は、例えば、工場内の排気ダクトと接続しており、相当の流量で吸引されるように接続される。これによって、サイクロン式分離機構内で希少金属を含む気相が処理される。
【００２５】
尚、サイクロン式分離機構の入り口側となる排気導入部１９２は、第一処理部の気体排出口１８６に接続している。更に、第一処理部はチャンバ部の排出管１７２に接続している。このため、気体排出孔１９４から気体が吸引されるため、チャンバ排出管からチャンバ内の気体を吸引し、第一処理部中の気体は、第二処理部へと流れる気流が発生する。このように、排気系統が連続して接続されていることによって、混相廃物が一方向に流れるため、高い効率で希少金属が回収できる。
【００２６】
上記の混相流体による処理は、チャンバ部Ｉ内で行われる。チャンバ部Ｉは、前記ステージ部及び混相流体噴射部を囲む槽壁１７１を有する。当該槽壁が、前記混相流体噴射部による混相流体の噴射によって発生する混相廃物を囲い込む。またチャンバＩの底部には、混相流体による処理によって発生した混相廃物を排出する排出管１７２を有する。排気を排出管１７２から吸引しているため、混相流体の噴射によって混相廃物が発生しても、断続的にチャンバ上部から下部に気流が発生し、当該排出管１７２からのみ混相廃物が噴射する。
【００２７】
混相流体による噴射処理時のステージの側面付近においては、基板に対して噴射された混相流体が、基板上で方向変換してチャンバ部の槽壁に衝突するため、当該槽壁には希少金属が多く付着する。そこで、本発明においては、槽壁を水にて洗浄するシャワーノズル１７３が設けられている。当該シャワーノズル１７３が設けられていることによって、槽壁に付着する希少金属を洗い流すことができ、液相に存在する希少金属は、排出管１７２から第一処理部に送られる。シャワーノズル１７３は、槽壁内のみならず排出管１７２にも設けられているため、希少金属は、排出管内に付着することなく、第一処理部へと送られる。これらの組合せによって、チャンバ内に発生した混相廃物中のほぼ全ての希少金属を第一処理部へと送り出すことができる。
【００２８】
処理後、回収された希少金属を保管する必要があるため、第一処理部及び第二処理部の希少金属が蓄積される部分に、施錠手段を設けることが好適である。具体的には、第一処理部は、固液分離手段１８２を覆う第一の筐体１８７と、当該第一の筐体に設けられており、固液分離手段によって分離された希少金属を取り出すための第一の取り出し口１８８と、当該第一の取り出し口を施錠する第一の施錠手段１８８１とを有している。このように、回収された希少金属の取り出し口を限定し施錠することによって、権限を与えられた者ののみが希少金属を取り出すことが出来るため、希少金属を安全に保管することができる。第一の施錠手段は、特に限定されないが、例えば、カードロック式鍵、暗証番号式鍵、指紋、静脈などの生体認証式鍵、シリンダー鍵、ヘッドの形状を特殊な形状にした特殊螺子又はこれらの組み合わせが用いられる。
【００２９】
固液分離手段１８２として、フィルターを用いた場合、フィルターをユニット化して、当該部分のみを取り替え可能に構成することが好適である。取り出し口１８８から、当該フィルターユニットを取り出して新しいフィルターユニットと交換して速やかに装置を運転再開することができる。このようにすることで希少金属の回収と装置管理が容易になる。
【００３０】
希少金属の保管機構は、第二処理部にも設けられていることが好適である。すなわち、第二処理部は、前記サイクロン式分離機構１９１から分離される希少金属を蓄積する容器１９５と、当該容器を覆う第二の筐体１９６と、当該第二の筐体に設けられており、前記容器から希少金属を取り出すための第二の取り出し口１９７と、当該第二の取り出し口を施錠する第二の施錠手段１９７１とを有している。気固分離機構にサイクロン式分離機構を採用することによって一つの容器内に希少金属が集約され、回収される。また、当該容器を施錠することによって、気体から回収される希少金属を安全に保管することができる。第二の施錠手段は、特に限定されないが、例えば、カードロック式鍵、暗証番号式鍵、指紋、静脈などの生体認証式鍵、シリンダー鍵、ヘッドの形状を特殊な形状にした特殊螺子又はこれらの組み合わせが用いられる。
【００３１】
続いて、本発明に係る基板処理の各構成について詳細に説明する。本装置１００は、水蒸気供給部（Ａ）、ガス供給部（Ｂ）、水供給部（Ｃ）、２流体調整部（Ｄ）、混相流体噴射部（Ｅ）、ステージ部（Ｆ）、第一処理部（Ｇ）、第二処理部（Ｈ）、チャンバ部（Ｉ）を有する構成である。
【００３２】
（Ａ）水蒸気供給部
水蒸気供給部（Ａ）は、純水を供給するための水供給管１１１と、所定温度Ｄ１（℃）以上に加温して水蒸気を発生させ、水蒸気の発生量を制御して水蒸気を所定値Ｃ１（ＭＰａ）に加圧する蒸気発生器１１２と、蒸気の供給及びその停止を司る開閉可能な主水蒸気開閉バルブ１１３と、蒸気発生器１１２から下流に供給される水蒸気の圧力を計測するための圧力計１１４と、蒸気供給圧力を所望の値に調整するための主水蒸気圧力調整バルブ１１５と、供給水蒸気内の微小液滴量を調整する温度制御機構付き加熱蒸気生成器兼飽和蒸気湿り度調整器１１６と、安全装置としての安全弁１１７と、水蒸気供給量調整流路１１８から構成される。
【００３３】
水蒸気供給量調整流路１１８は、主流路１１８１と副流路１１８２を有する分岐流路を備える。主流路１１８１には主流路水蒸気開閉バルブ１１８３と、当該バルブ下流に大流量用の主流路水蒸気圧力調整バルブ１１８４が設けられている。副流路には、副流路水蒸気開閉バルブ１１８５と、当該バルブ下流に小流量用の副流路水蒸気圧力調整バルブ１１８６が設けられている。水蒸気の流量及び圧力は、主水蒸気圧力調整バルブ１１５、主流路水蒸気圧力調整バルブ１１８４及び副流路水蒸気圧力調整バルブ１１８６で制御することが可能である。
【００３４】
（Ｂ）ガス供給部
ガス供給部（Ｂ）は、不活性ガス又は清浄空気を供給するためのガス供給管１２１と、不活性ガス又は清浄空気の供給圧力を所望の値に調整するためのガス圧力調整弁１２２と、不活性ガス又は清浄空気の停止及び再開を司り、流量を所望の値に調整するためのガス開閉兼用流量調整バルブ１２３と、不活性ガス又は清浄空気の温度を調整するためのガス温度制御機構付加熱部１２４と、下流に供給される気体の圧力を計測するためのガス流量計１２５と、から構成される。元圧をガス圧力調整弁１２２で、一定（０．４ＭＰａ程度）とし、出力流量を開閉兼用流量調整バルブ１２３で制御することが可能である。
【００３５】
（Ｃ）水供給部
水供給部（Ｃ）は、水を供給するための水供給管１３１と、水に熱エネルギーを持たせるための水温度制御機構付加熱部１３２と、水の流量を確認するための水流量計１３３と、下流への水の供給の停止及び再開を司る主水開閉バルブ１３４と、流量を調整するため及び水が気体配管内に円滑に導入されるための主流量調整バルブ１３５と、水供給量調整流路１３６とから構成される。尚、当該液体（ここでは水）をノズルに供給する場合、従来のような窒素ガス等の混合体でないことが好適である。液体に気体を均等に混ぜることはできず、前述の混合体とした場合、不連続に気泡が配管内に入ることが危惧されるからである。但し、当該液体（ここでは水）に溶けるガス、例えば水であればＣＯ２を溶かした液体状態でノズルに供給してもよい。水の流量は、一定圧力（通常０．４ＭＰａ）を水のタンク（図示せず）にかけた状態で、その出力を主流量調整バルブ１３５を調節して、水流量計１３３により確認しながら制御できる。
【００３６】
水供給量調整流路１３６は、主流路１３６１と副流路１３６２を有する分岐流路を備える。主流路１３６１には主流路水開閉バルブ１３６３と、当該バルブ下流に大流量用の主流路水圧力調整バルブ１３６４が設けられている。副流路には、副流路水開閉バルブ１３６５と、当該バルブ下流に小流量用の副流路水圧力調整バルブ１３６６が設けられている。水の流量及び圧力は、主水圧力調整バルブ１３５、主流路水圧力調整バルブ１３６４及び副流路水圧力調整バルブ１３６６で制御することが可能である。
【００３７】
（Ｄ）２流体調整部
２流体調整部（Ｄ）は、生成された２流体の温度や飽和水蒸気の湿り度を調整するための２流体温度制御機構付加熱部１４１を有している。
【００３８】
（Ｅ）混相流体噴射部
混相流体噴射部（Ｅ）は、対象物に対して混相流体を噴射するための、前後左右方向（図１のＸ軸ノズルスキャン範囲又はＹ軸ノズルスキャン範囲）に移動可能なノズル１５１と、ノズルの移動を円滑に行うためのするためのフレキシブル配管１５２と、流体のノズル直前の圧力を計測するための圧力計１５３と、から構成される。
【００３９】
（Ｆ）ステージ部
ステージ部（Ｆ）は、対象物（基板）を搭載・保持可能なステージ１６１と、ステージ１６１を回転させるための回転モーター１６２とから構成される。
【００４０】
（Ｇ）第一処理部
第一処理部（Ｇ）は、液相及び気相を分離する気液分離機構１８１と、該気液分離機構により分離された液体から希少金属を回収する固液分離手段１８２と、該液体を貯留する第一液体貯留タンク１８３と、前記第一貯留タンクから溢れた水が貯留される第二液体貯留タンク１８４と、前記第二貯留タンクから液体を排出する排出孔１８５と、該気液分離機構により分離された気体を排出する気体排出口１８６と、固液分離手段１８２を覆う第一の筐体１８７と、固液分離手段によって分離された希少金属を取り出すための第一の取り出し口１８８と、から構成される。尚、気液分離機構１８１は、テーパ状の混相廃物受け口１８１１と、分離された液体が通過する液体導通流路１８１２と、から構成される。
第一の取り出し口１８８には、当該取り出し口を施錠する第一の施錠手段１８８１が設けられている。
【００４１】
（Ｈ）第二処理部
第二処理部（Ｈ）は、第一処理部の気液分離機構から送られる気相に含まれる希少金属を回収するサイクロン式分離機構１９１と、前記サイクロン式分離機構１９１から分離される希少金属を蓄積する容器１９５と、当該容器を覆う第二の筐体１９６と、前記容器から希少金属を取り出すための第二の取り出し口１９７と、から構成される。サイクロン式分離機構１９１は、排気導入部１９２と、前記排気から分離された固体が取り出される固体取出し口１９３と、分離された気体が排出される気体排出孔１９４と、から構成される。第二の取り出し口１９７は、当該取り出し口を施錠する第二の施錠手段１９７１が設けられている。
【００４２】
（Ｉ）チャンバ部
チャンバ部（Ｉ）は、槽壁１７１と、チャンバ底部に設けられた排出管１７２を有する。また、槽壁及び排出管内部には、シャワーノズル１７３が多数設けられている。
【００４３】
以下、本発明に係る装置の作用を説明する。
本発明に係る装置においては、水蒸気供給部（Ａ）から供給される水蒸気と、水供給部（Ｃ）から供給される水とをノズル１５１内で混合して生成した混相流体を噴射する。ここでは、水蒸気が連続相で、水が分散相となる混相流体を噴射することが好適である。
【００４４】
噴射処理する基板は、希少金属蒸着層とレジストが形成されているものであることが好適である。当該基板から、不要な希少金属蒸着層とレジストを剥離する工程に用いられることが好適である。本工程において、希少金属層を剥離して希少金属を回収する。
【００４５】
剥離された希少金属は、混相流体の噴射物から生成する気相及び液相の混相廃物内に存在する。希少金属層を剥離後の混相廃物は、チャンバ部（Ｉ）の排出管１７２から排出されて、第一処理部（Ｇ）において、気液分離機構１８１で気体と液体に分離される。分離された液体から固液分離手段１８２により希少金属を分離して回収される。気体は、第二処理部（Ｈ）に送られてサイクロン式分離機構１９１によって、気体中の希少金属が回収される。
【００４６】
本発明に係る装置によれば、希少金属層及びレジスト層が形成された基板から不要な希少金属及びレジスト層を除去する方法において、希少金属層を剥離する工程と、前記工程後にレジスト層を剥離する工程とを一つの装置で連続的に行なうことが可能となる。希少金属層の剥離と、レジスト層の剥離とでは、必要な水蒸気量、水量が異なるが、本発明に係る装置のように、水蒸気供給部（Ａ）内に水蒸気供給量調整流路１１８を有し、水供給部（ｃ）内に水供給量調整流路１３６を有することによって、比較的小さな流量から、大きな流量までの流体制御が可能となるため、連続的に処理することが可能となる。特に、小さな圧力・流量においても大きな圧力・流量においても精度よく調節できるため、混相流体により基板を処理するのに適している。
【００４７】
希少金属層を剥離する工程においては、比較的少ない水蒸気量で当該層を剥離することが可能である。そこで、本工程において、水蒸気と水とからなる混相流体に不活性ガス又は清浄空気を混合することが好適である。すなわち、上記の装置においてガス供給部（Ｂ）からこれらのガスを水蒸気と混合して、更に水と混合して混相流体を生成して噴射する。不活性ガス又は清浄空気を使用することによって、前記基板から希少金属のみを速やかに剥離することができる。
【００４８】
希少金属層の剥離と、レジストの剥離とは高い圧力の水蒸気を使用すれば、理論的には同時に行なうことができるが、基板上に形成されている必要な配線パターンを破壊してしまう。希少金属を剥離する工程を分離することによって、少なくとも、希少金属を剥離する工程においては、配線パターンを破壊することなく希少金属のみを剥離することができ、噴射によって生成する混相廃物内には理論的には水と希少金属のみが含有されることとなるため、レジスト等の不純物が含まれず、希少金属の回収が容易となる。
【００４９】
レジスト層を剥離する工程においては、比較的多量の水蒸気を使用しなければ剥離することができない。そこで、高い圧力の水蒸気と、当該高い圧力であってもノズル内に液体が供給できるように高い圧力の水を供給する必要がある。また、当該圧力に関しては、希少金属層とレジストの剥離を同時に行うためにはさらに高い圧力が必要となり、基板上に形成されている必要な配線パターンを破壊してしまうが、本発明に係る水蒸気及び水の流量調整手段によって、必要な配線パターンを破壊することなく、上記の希少金属層を剥離する工程と、レジストを剥離する工程を連続して一つの装置で処理することが可能となる。
【実施例】
【００５０】
本発明に係る基板処理装置において複数本のノズルを用いて、下記条件にて水蒸気及び水を含む混相流体を前記基板に噴射して前記基板上の希少金属（金）を剥離する処理を５００枚分実施したところ、回収率：９７．５％〜９９．８％で希少金属を回収することができた。
【００５１】
気体全体の圧力：０．３４ＭＰａ
蒸気の温度：６８℃
蒸気の流量：１５ｋｇ／Ｈｒ・本
空気の温度：２５℃
空気の流量：１５０Ｌ／ｍｉｎ・本
純水の流量：３００ｃｃ／ｍｉｎ・本
純水の温度：２０℃
ノズルＧＡＰ：１０ｍｍ
ノズルスキャン：１５ｍｍ／ｓ
【００５２】
比較例
前記第二処理部がない以外は、実施例と同様の装置構成で前記処理を実施したところ、回収率：６４．４〜７２．１％であった。さらに、前記チャンバの槽壁内及び前記排出管内を水で洗浄するシャワーノズルを設けていない場合は、回収率は１０．１〜２０．５％となった。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明に係るノズル及び装置は、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ、ハードディスクなどの記録媒体、プリント基板、太陽電池基板等の製造工程における剥離、洗浄工程や、発光ダイオード、半導体レーザなど発光デバイス製造プロセスの電極形成工程で用いられる。
【符号の説明】
【００５４】
Ａ：    水蒸気供給部
Ｂ：    ガス供給部
Ｃ：    水供給部
Ｄ：    ２流体調整部
Ｅ：    混相流体噴射部
Ｆ：    ステージ部
Ｇ：    第一処理部
Ｈ：    第二処理部
Ｉ：    チャンバ部
【図１】
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