(57)【要約】【課題】複数の発光面が列状に配列された発光素子アレイを有する発光部品において、光を効率よく取り出すためのレンズを設置する台座による応力の発生を抑制する。【解決手段】発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３…上（基板８０の反対側）には、円筒（丸筒）状の台座（ペデスタル）９１を介して、球状のレンズ９２がそれぞれ設けられている。台座９１は、発光サイリスタＬ１の発光面３１１の周辺部に設けられている。それぞれのレンズ９２は発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、…のそれぞれの発光面３１１から空隙（空気層）９３を介して設けられている。【選択図】図６
2012174810.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に列状に配置された複数の発光素子と、
前記複数の発光素子のそれぞれの発光素子の光を出射する発光面に対向してそれぞれ設けられ、当該発光素子が出射する光を集光する複数のレンズと、
前記複数の発光素子のそれぞれの発光素子の前記発光面と当該発光素子に対向する前記レンズとが当該発光面に対して空隙を介して対向するように、当該レンズを保持する一または複数の台座と
を備える発光部品。
【請求項２】
前記複数のレンズのそれぞれのレンズは、前記複数の発光素子の列に沿う方向に軸が設定された円柱レンズであって、当該複数のレンズが一体化した一の円柱レンズであることを特徴とする請求項１に記載の発光部品。
【請求項３】
前記複数の発光素子のそれぞれの発光素子は、自己走査型発光素子アレイの発光サイリスタであることを特徴とする請求項１または２に記載の発光部品。
【請求項４】
前記台座は、前記発光素子の前記発光面を見込むことができる面が、当該発光素子の出射する光を吸収しやすい面であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発光部品。
【請求項５】
前記台座は、前記発光素子の前記発光面を見込むことができる面が、当該発光素子の出射する光を反射しやすい面であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発光部品。
【請求項６】
基板上に列状に配置された複数の発光素子と、当該複数の発光素子のそれぞれの発光素子の光を出射する発光面に対向してそれぞれ設けられ、当該発光素子が出射する光を集光する複数のレンズと、当該複数の発光素子のそれぞれの発光素子の当該発光面と当該発光素子に対向する当該レンズとが当該発光面に対して空隙を介して対向するように、当該レンズを保持する一または複数の台座とを備える発光手段と、
前記発光手段から照射される光を結像させる光学手段と
を備えたプリントヘッド。
【請求項７】
像保持体と、
前記像保持体を帯電する帯電手段と、
基板上に列状に配置された複数の発光素子と、当該複数の発光素子のそれぞれの発光素子の光を出射する発光面に対向してそれぞれ設けられ、当該発光素子が出射する光を集光する複数のレンズと、当該複数の発光素子のそれぞれの発光素子の当該発光面と当該発光素子に対向する当該レンズとが当該発光面に対して空隙を介して対向するように、当該レンズを保持する一または複数の台座とを備え、光学手段を介して前記像保持体を露光する露光手段と、
前記露光手段により露光され前記像保持体に形成された静電潜像を現像する現像手段と、
前記像保持体に現像された画像を被転写体に転写する転写手段と
を備えた画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光部品、プリントヘッドおよび画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の発光面が列状に配列された発光素子アレイを有する発光部品において、発光素子アレイの発光面からの出射した光を集光して効率よく取り出すために、それぞれの発光面に対応してレンズ（マイクロレンズまたはマイクロビーズ）を設けることが行われている。
【０００３】
特許文献１には、光電素子の基板上には所定位置に金属枠を形成すると共に、前記基板面にはトルエンで希釈したシリコン系の有機金属を塗布して接着膜を形成しておき、前記金属枠内にマイクロビーズを載置して加熱し、このマイクロビーズに所定位置を与えると共に接着を行うことを特徴とする光電素子におけるマイクロビーズの接着方法が記載されている。
特許文献２には、ガラス基板上にＣｒ膜を成膜し、Ｃｒ膜に開口を形成し、フッ酸でエッチングして凹部を形成し、凹部の部分のＣｒ膜を除去して成形型を作製し、光硬化性樹脂を塗布し、樹脂上に発光素子アレイ基板を接触させ、加圧して樹脂を展開し、樹脂にガラス基板側から光を照射して、Ｃｒ膜が除去された部分の樹脂を硬化させ、ガラス基板と発光素子アレイ基板とを剥離し、発光素子アレイ基板上にある未硬化の樹脂を洗浄除去することにより、光プリンタに使用する発光素子アレイの光利用効率を向上させたレンズ付き発光素子の製造方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−３５３８２４号公報
【特許文献２】特開２００５−３９１９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、複数の発光面が列状に配列された発光素子アレイを有する発光部品において、光を効率よく取り出すためのレンズを設置する台座による応力の発生を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の発明は、基板上に列状に配置された複数の発光素子と、前記複数の発光素子のそれぞれの発光素子の光を出射する発光面に対向してそれぞれ設けられ、当該発光素子が出射する光を集光する複数のレンズと、前記複数の発光素子のそれぞれの発光素子の前記発光面と当該発光素子に対向する前記レンズとが当該発光面に対して空隙を介して対向するように、当該レンズを保持する一または複数の台座とを備える発光部品である。
請求項２に記載の発明は、前記複数のレンズのそれぞれのレンズは、前記複数の発光素子の列に沿う方向に軸が設定された円柱レンズであって、当該複数のレンズが一体化した一の円柱レンズであることを特徴とする請求項１に記載の発光部品である。
請求項３に記載の発明は、前記複数の発光素子のそれぞれの発光素子は、自己走査型発光素子アレイの発光サイリスタであることを特徴とする請求項１または２に記載の発光部品である。
請求項４に記載の発明は、前記台座は、前記発光素子の前記発光面を見込むことができる面が、当該発光素子の出射する光を吸収しやすい面であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発光部品である。
請求項５に記載の発明は、前記台座は、前記発光素子の前記発光面を見込むことができる面が、当該発光素子の出射する光を反射しやすい面であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の発光部品である。
請求項６に記載の発明は、基板上に列状に配置された複数の発光素子と、当該複数の発光素子のそれぞれの発光素子の光を出射する発光面に対向してそれぞれ設けられ、当該発光素子が出射する光を集光する複数のレンズと、当該複数の発光素子のそれぞれの発光素子の当該発光面と当該発光素子に対向する当該レンズとが当該発光面に対して空隙を介して対向するように、当該レンズを保持する一または複数の台座とを備える発光手段と、前記発光手段から照射される光を結像させる光学手段とを備えたプリントヘッドである。
請求項７に記載の発明は、像保持体と、前記像保持体を帯電する帯電手段と、基板上に列状に配置された複数の発光素子と、当該複数の発光素子のそれぞれの発光素子の光を出射する発光面に対向してそれぞれ設けられ、当該発光素子が出射する光を集光する複数のレンズと、当該複数の発光素子のそれぞれの発光素子の当該発光面と当該発光素子に対向する当該レンズとが当該発光面に対して空隙を介して対向するように、当該レンズを保持する一または複数の台座とを備え、光学手段を介して前記像保持体を露光する露光手段と、前記露光手段により露光され前記像保持体に形成された静電潜像を現像する現像手段と、前記像保持体に現像された画像を被転写体に転写する転写手段とを備えた画像形成装置である。
【発明の効果】
【０００７】
請求項１の発明によれば、台座を基板の全面に設ける場合に比べて、台座を設けることによる応力の発生が抑制できる。
請求項２の発明によれば、本構成を有しない場合に比べ、レンズの設置がより容易にできる。
請求項３の発明によれば、本構成を有しない場合に比べ、発光部品をより小型化できる。
請求項４の発明によれば、本構成を有しない場合に比べ、発光素子の発光面から側方に出射する迷光が抑制できる。
請求項５の発明によれば、本構成を有しない場合に比べ、光を取り出す効率をより向上させることができる。
請求項６の発明によれば、本構成を有しない場合に比べ、プリントヘッドの光利用効率をより向上させることができる。
請求項７の発明によれば、本構成を有しない場合に比べ、画像形成における消費電力をより低減できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施の形態が適用される画像形成装置の全体構成の一例を示した図である。
【図２】プリントヘッドの構成を示した断面図である。
【図３】発光装置の上面図である。
【図４】発光チップの構成、発光装置の信号発生回路の構成および回路基板上の配線（ライン）の構成を示した図である。
【図５】自己走査型発光素子アレイ（ＳＬＥＤ）が搭載された発光チップの回路構成を説明するための等価回路図である。
【図６】第１の実施の形態が適用される発光チップの平面レイアウト図および断面図である。
【図７】発光チップのレンズを設ける方法を説明する断面図である。
【図８】発光装置および発光チップの動作を説明するためのタイミングチャートである。
【図９】第２の実施の形態における発光チップの発光サイリスタの部分の平面図および断面図である。
【図１０】第３の実施の形態における発光チップの発光サイリスタの部分の平面図および断面図である。
【図１１】第４の実施の形態における発光チップの発光サイリスタの部分の平面図および断面図である。
【図１２】第５の実施の形態における発光チップの発光サイリスタの部分の平面図および断面図である。
【図１３】比較例の発光チップの発光サイリスタの部分の平面図および断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
電子写真方式を採用した、プリンタや複写機、ファクシミリ等の画像形成装置では、一様に帯電された感光体上に、画像情報を光記録手段により照射することにより静電潜像を得た後、この静電潜像にトナーを付加して可視化し、記録紙上に転写して定着することによって画像形成が行われる。かかる光記録手段として、レーザを用い、主走査方向にレーザ光を走査させて露光する光走査方式の他、近年では、装置の小型化の要請を受けて発光素子としての発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）を主走査方向に多数、配列してなる、ＬＥＤプリントヘッド（ＬＰＨ：ＬＥＤ  Ｐｒｉｎｔ  Ｈｅａｄ）を用いた記録装置が採用されている。
また、基板上に複数の発光素子が列状に設けられ、順次点灯制御される自己走査型発光素子アレイ（ＳＬＥＤ）を搭載する発光チップでは、発光素子として発光サイリスタが使用されている。発光サイリスタは発光ダイオードと異なりｐｎｐｎ４層構造であり、４層構造のうちの内部の２層で主に発光するため、単純な２層の一般的な発光ダイオードよりも外部に取り出せる光の量（光量）が小さいという特徴がある。よって、発光サイリスタにおいては、それぞれの発光素子から出射される光量を増加させるため、発光素子の光を出射する発光面を広く取るとともに、発光素子から光を効率よく取り出すことがより求められている。
以下、添付図面を参照して、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１０】
［第１の実施の形態］
（画像形成装置１）
図１は第１の実施の形態が適用される画像形成装置１の全体構成の一例を示した図である。図１に示す画像形成装置１は、一般にタンデム型と呼ばれる画像形成装置である。この画像形成装置１は、各色の画像データに対応して画像形成を行なう画像形成プロセス部１０、画像形成プロセス部１０を制御する画像出力制御部３０、例えばパーソナルコンピュータ（ＰＣ）２や画像読取装置３に接続され、これらから受信された画像データに対して予め定められた画像処理を施す画像処理部４０を備えている。
【００１１】
画像形成プロセス部１０は、予め定められた間隔を置いて並列に配置される複数のエンジンを含む画像形成ユニット１１を備えている。この画像形成ユニット１１は、４つの画像形成ユニット１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋから構成されている。画像形成ユニット１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋは、それぞれ、静電潜像を形成してトナー像を保持する像保持体の一例としての感光体ドラム１２、感光体ドラム１２の表面を予め定められた電位で帯電する帯電手段の一例としての帯電器１３、帯電器１３によって帯電された感光体ドラム１２を露光するプリントヘッド１４、プリントヘッド１４によって得られた静電潜像を現像する現像手段の一例としての現像器１５を備えている。画像形成ユニット１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋは、それぞれがイエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、黒（Ｋ）のトナー像を形成する。
また、画像形成プロセス部１０は、各画像形成ユニット１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃ、１１Ｋの感光体ドラム１２にて形成された各色のトナー像を被転写体の一例としての記録用紙２５に多重転写させるために、この記録用紙２５を搬送する用紙搬送ベルト２１と、用紙搬送ベルト２１を駆動させるロールである駆動ロール２２と、感光体ドラム１２のトナー像を記録用紙２５に転写させる転写手段の一例としての転写ロール２３と、記録用紙２５にトナー像を定着させる定着器２４とを備えている。
【００１２】
この画像形成装置１において、画像形成プロセス部１０は、画像出力制御部３０から供給される各種の制御信号に基づいて画像形成動作を行う。そして、画像出力制御部３０による制御の下で、パーソナルコンピュータ（ＰＣ）２や画像読取装置３から受信された画像データは、画像処理部４０によって画像処理が施され、画像形成ユニット１１に供給される。そして、例えば黒（Ｋ）色の画像形成ユニット１１Ｋでは、感光体ドラム１２が矢印Ａ方向に回転しながら、帯電器１３により予め定められた電位に帯電され、画像処理部４０から供給された画像データに基づいて発光するプリントヘッド１４により露光される。これにより、感光体ドラム１２上には、黒（Ｋ）色画像に関する静電潜像が形成される。そして、感光体ドラム１２上に形成された静電潜像は現像器１５により現像され、感光体ドラム１２上には黒（Ｋ）色のトナー像が形成される。画像形成ユニット１１Ｙ、１１Ｍ、１１Ｃにおいても、それぞれイエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）の各色トナー像が形成される。
【００１３】
各画像形成ユニット１１で形成された感光体ドラム１２上の各色トナー像は、矢印Ｂ方向に移動する用紙搬送ベルト２１の移動に伴って供給された記録用紙２５に、転写ロール２３に印加された転写電界により、順次静電転写され、記録用紙２５上に各色トナーが重畳された合成トナー像が形成される。
その後、合成トナー像が静電転写された記録用紙２５は、定着器２４まで搬送される。定着器２４に搬送された記録用紙２５上の合成トナー像は、定着器２４によって熱および圧力による定着処理を受けて記録用紙２５上に定着され、画像形成装置１から排出される。
【００１４】
（プリントヘッド１４）
図２は、プリントヘッド１４の構成を示した断面図である。露光手段の一例としてのプリントヘッド１４は、ハウジング６１、感光体ドラム１２を露光する複数の発光素子（本実施の形態では、発光素子の一例としての発光サイリスタ）を備える発光手段の一例としての光源部６３を備えた発光装置６５、光源部６３から出射された光を感光体ドラム１２表面に結像させる光学手段の一例としてのロッドレンズアレイ６４を備えている。
発光装置６５は、前述した光源部６３、光源部６３を駆動する信号発生回路１１０（後述の図３参照）等を搭載する回路基板６２を備えている。
【００１５】
ハウジング６１は、例えば金属で形成され、回路基板６２およびロッドレンズアレイ６４を支持し、光源部６３の発光素子の発光点がロッドレンズアレイ６４の焦点面となるように設定されている。また、ロッドレンズアレイ６４は、感光体ドラム１２の軸方向（主走査方向であって、後述する図３、図４（ｂ）のＸ方向）に沿って配置されている。
【００１６】
（発光装置６５）
図３は、発光装置６５の上面図である。
図３に示すように、発光装置６５では、光源部６３は、回路基板６２上に、４０個の発光部品の一例としての発光チップＣ１〜Ｃ４０が、主走査方向であるＸ方向に二列に千鳥状に配置して構成されている。
本明細書では、「〜」は、番号によってそれぞれが区別された複数の構成要素を示すもので、「〜」の前後に記載されたものおよびその間の番号のものを含むことを意味する。例えば、発光チップＣ１〜Ｃ４０は、発光チップＣ１から番号順に発光チップＣ４０までを含む。
【００１７】
発光チップＣ１〜Ｃ４０の構成は同一であってよい。よって、発光チップＣ１〜Ｃ４０をそれぞれ区別しないときは、発光チップＣと呼ぶ。
なお、本実施の形態では、発光チップＣの数として、合計４０個を用いたが、これに限定されない。
そして、発光装置６５は、前述したように、光源部６３を駆動する信号発生回路１１０を搭載している。信号発生回路１１０は、例えば集積回路（ＩＣ）などで構成されている。
なお、発光チップＣ１〜Ｃ４０の配列についての詳細は後述する。
【００１８】
図４は、発光チップＣの構成、発光装置６５の信号発生回路１１０の構成および回路基板６２上の配線（ライン）の構成を示した図である。図４（ａ）は発光チップＣの構成を示し、図４（ｂ）は発光装置６５の信号発生回路１１０の構成および回路基板６２上の配線（ライン）の構成を示している。
【００１９】
はじめに、図４（ａ）に示す発光チップＣの構成を説明する。
発光チップＣは、表面形状が矩形である基板８０の表面において、長辺の一辺に近い側に長辺に沿って列状に設けられた複数の発光素子（本実施の形態では発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、…）から構成される発光部１０２を備えている。さらに、発光チップＣは、基板８０の表面の長辺方向の両端部に、各種の制御信号等を取り込むための複数のボンディングパッドである端子（φ１端子、φ２端子、Ｖｇａ端子、φＩ端子）を備えている。なお、これらの端子は、基板８０の一端部からφ１端子、Ｖｇａ端子の順に設けられ、基板８０の他端部からφＩ端子、φ２端子の順に設けられている。そして、発光部１０２は、Ｖｇａ端子とφ２端子との間に設けられている。さらに、基板８０の裏面にはＶｓｕｂ端子として裏面電極８５（後述する図６参照）が設けられている。
【００２０】
なお、「列状」とは、図４（ａ）に示したように複数の発光素子が一直線上に配置されている場合に限らず、複数の発光素子のそれぞれの発光素子が、列方向と直交する方向に対して、互いに異なるずれ量を有して配置されている状態でもよい。例えば、発光素子の発光面３１１（後述する図６参照）を画素としたとき、それぞれの発光素子が、列方向と直交する方向に数画素分または数十画素分のずれ量をもって配置されていてもよい。また、隣接する発光素子間で交互に、または複数の発光素子毎に、ジグザグに配置されていてもよい。
【００２１】
次に、図４（ｂ）により、発光装置６５の信号発生回路１１０の構成および回路基板６２上の配線（ライン）の構成を説明する。
前述したように、発光装置６５の回路基板６２には、信号発生回路１１０および発光チップＣ１〜Ｃ４０が搭載され、信号発生回路１１０と発光チップＣ１〜Ｃ４０とを接続する配線（ライン）が設けられている。
【００２２】
まず、信号発生回路１１０の構成について説明する。
信号発生回路１１０には、画像出力制御部３０および画像処理部４０（図１参照）より、画像処理された画像データおよび各種の制御信号が入力される。信号発生回路１１０は、これらの画像データおよび各種の制御信号に基づいて、画像データの並び替えや光量の補正等を行う。
そして、信号発生回路１１０は、各種の制御信号に基づき、発光チップＣ１〜Ｃ４０に、第１転送信号φ１、第２転送信号φ２を送信する転送信号発生部１２０を備えている。
そしてまた、信号発生回路１１０は、各種の制御信号に基づき、発光チップＣ１〜Ｃ４０に、点灯信号φＩ１〜φＩ４０をそれぞれ送信する点灯信号発生部１４０を備えている。なお、点灯信号φＩ１〜φＩ４０をそれぞれ区別しないときは点灯信号φＩと表記する。
さらにまた、信号発生回路１１０は、発光チップＣ１〜Ｃ４０に電位の基準となる基準電位Ｖｓｕｂを供給する基準電位供給部１６０、発光チップＣ１〜Ｃ４０の駆動のための電源電位Ｖｇａを供給する電源電位供給部１７０を備えている。
【００２３】
次に、発光チップＣ１〜Ｃ４０の配列について説明する。
奇数番号の発光チップＣ１、Ｃ３、Ｃ５、…は、それぞれの基板８０の長辺方向に間隔を設けて一列に配列されている。偶数番号の発光チップＣ２、Ｃ４、Ｃ６、…も、同様にそれぞれの基板８０の長辺の方向に間隔を設けて一列に配列されている。そして、奇数番号の発光チップＣ１、Ｃ３、Ｃ５、…と偶数番号の発光チップＣ２、Ｃ４、Ｃ６、…とは、発光チップＣに設けられた発光部１０２側に近い側の長辺が向かい合うように、互いに１８０°回転した状態で千鳥状に配列されている。そして、発光チップＣ間においても発光素子が主走査方向に予め定められた間隔で並ぶように位置が設定されている。なお、図４（ｂ）の発光チップＣ１、Ｃ２、Ｃ３、…に、図４（ａ）に示した発光部１０２の発光素子の並び（本実施の形態では発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、…の番号順）の方向を矢印で示している。
【００２４】
信号発生回路１１０と発光チップＣ１〜Ｃ４０とを接続する配線（ライン）について説明する。
回路基板６２には、発光チップＣの基板８０裏面に設けられたＶｓｕｂ端子である裏面電極８５（後述の図６参照）に設けられたＶｓｕｂ端子に接続され、基準電位Ｖｓｕｂを供給する電源ライン２００ａが設けられている。
そして、回路基板６２には、発光チップＣに設けられたＶｇａ端子に接続され、駆動のための電源電位Ｖｇａを供給する電源ライン２００ｂが設けられている。
【００２５】
回路基板６２には、信号発生回路１１０の転送信号発生部１２０から、発光チップＣ１〜Ｃ４０のφ１端子に第１転送信号φ１を送信するための第１転送信号ライン２０１、発光チップＣ１〜Ｃ４０のφ２端子に第２転送信号φ２を送信するための第２転送信号ライン２０２が設けられている。第１転送信号φ１、第２転送信号φ２は、発光チップＣ１〜Ｃ４０に共通（並列）に送信される。
【００２６】
そしてまた、回路基板６２には、信号発生回路１１０の点灯信号発生部１４０から、各発光チップＣ１〜Ｃ４０のφＩ端子に、点灯信号φＩ１〜φＩ４０をそれぞれ送信する点灯信号ライン２０４−１〜２０４−４０が設けられている。
【００２７】
以上説明したように、回路基板６２上のすべての発光チップＣ１〜Ｃ４０に、基準電位Ｖｓｕｂ、電源電位Ｖｇａが共通に供給される。第１転送信号φ１、第２転送信号φ２も、発光チップＣ１〜Ｃ４０に共通（並列）に送信される。一方、点灯信号φＩ１〜φＩ４０は、発光チップＣ１〜Ｃ４０にそれぞれ個別に送信される。
【００２８】
（発光チップＣ）
図５は、自己走査型発光素子アレイ（ＳＬＥＤ）が搭載された発光チップＣの回路構成を説明するための等価回路図である。以下において説明する各素子は、端子（φ１端子、φ２端子、Ｖｇａ端子、φＩ端子）を除き、発光チップＣ上のレイアウト（後述する図６参照）に基づいて配置されている。なお、端子（φ１端子、φ２端子、Ｖｇａ端子、φＩ端子）の位置は、図４（ａ）と異なるが、説明の便宜上、図中左端に示している。そして、基板８０の裏面に設けられたＶｓｕｂ端子を、基板８０の外に引き出して示している。
ここでは、信号発生回路１１０との関係において発光チップＣ１を例に、発光チップＣを説明する。そこで、図５において、発光チップＣを発光チップＣ１（Ｃ）と表記する。他の発光チップＣ２〜Ｃ４０の構成は、発光チップＣ１と同じである。
【００２９】
発光チップＣ１（Ｃ）は、前述したように基板８０上に列状に配列された発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、…から構成される発光サイリスタ列（発光部１０２（図４参照））を備えている。
そして、発光チップＣ１（Ｃ）は、発光サイリスタ列と同様に列状に配列された転送サイリスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、…から構成される転送サイリスタ列を備えている。
【００３０】
また、発光チップＣ１（Ｃ）は、転送サイリスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、…をそれぞれ番号順に２つをペアにして、それぞれのペアの間に結合ダイオードＤｘ１、Ｄｘ２、Ｄｘ３、…を備えている。
さらに、発光チップＣ１（Ｃ）は、電源線抵抗Ｒｇｘ１、Ｒｇｘ２、Ｒｇｘ３、…を備えている。
【００３１】
また、発光チップＣ１（Ｃ）は、１個のスタートダイオードＤｘ０を備えている。そして、後述する第１転送信号φ１が送信される第１転送信号線７２と第２転送信号φ２が送信される第２転送信号線７３とに過剰な電流が流れるのを防止するために設けられた電流制限抵抗Ｒ１、Ｒ２を備えている。
【００３２】
発光サイリスタ列の発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、…、転送サイリスタ列の転送サイリスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、…は、図５中において、左側から番号順に配列されている。さらに、結合ダイオードＤｘ１、Ｄｘ２、Ｄｘ３、…、電源線抵抗Ｒｇｘ１、Ｒｇｘ２、Ｒｇｘ３、…も、図中左側から番号順に配列されている。
そして、発光サイリスタ列、転送サイリスタ列は、図５において上から、転送サイリスタ列、発光サイリスタ列の順に並べられている。
【００３３】
ここでは、発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、…、転送サイリスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、…、結合ダイオードＤｘ１、Ｄｘ２、Ｄｘ３、…、電源線抵抗Ｒｇｘ１、Ｒｇｘ２、Ｒｇｘ３、…をそれぞれ区別しないときは、発光サイリスタＬ、転送サイリスタＴ、結合ダイオードＤｘ、電源線抵抗Ｒｇｘと表記する。
【００３４】
発光サイリスタ列における発光サイリスタＬの数は、予め定められた個数とすればよい。本実施の形態で、発光サイリスタＬの数を例えば１２８個とすると、転送サイリスタＴの数も１２８個である。同様に、電源線抵抗Ｒｇｘの数も１２８個である。しかし、結合ダイオードＤｘの数は、転送サイリスタＴの数より１少ない１２７個である。
なお、転送サイリスタＴの数は、発光サイリスタＬの数より多くてもよい。
【００３５】
上記のサイリスタ（発光サイリスタＬ、転送サイリスタＴ）は、ゲート端子、アノード端子、カソード端子の３端子を有する半導体素子である。
【００３６】
では次に、発光チップＣ１（Ｃ）における各素子の電気的な接続について説明する。
転送サイリスタＴ、発光サイリスタＬのそれぞれのアノード端子は、発光チップＣ１（Ｃ）の基板８０に接続されている（アノードコモン）。
そして、これらのアノード端子は、基板８０裏面に設けられたＶｓｕｂ端子である裏面電極８５（後述の図６参照）を介して電源ライン２００ａ（図４参照）に接続されている。この電源ライン２００ａは、基準電位供給部１６０から基準電位Ｖｓｕｂが供給される。
【００３７】
転送サイリスタＴの配列に沿って、奇数番号（奇数番目）の転送サイリスタＴ１、Ｔ３、…のカソード端子は、第１転送信号線７２に接続されている。そして、第１転送信号線７２は、電流制限抵抗Ｒ１を介してφ１端子に接続されている。このφ１端子には、第１転送信号ライン２０１（図４参照）が接続され、点灯信号発生部１４０から第１転送信号φ１が送信される。
一方、転送サイリスタＴの配列に沿って、偶数番号（偶数番目）の転送サイリスタＴ２、Ｔ４、…のカソード端子は、第２転送信号線７３に接続されている。そして、第２転送信号線７３は、電流制限抵抗Ｒ２を介してφ２端子に接続されている。このφ２端子には、第２転送信号ライン２０２（図４参照）が接続され、点灯信号発生部１４０から第２転送信号φ２が送信される。
【００３８】
発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、…のカソード端子は、点灯信号線７５に接続されている。点灯信号線７５は、φＩ端子に接続されている。発光チップＣ１では、φＩ端子は、電流制限抵抗ＲＩを介して点灯信号ライン２０４−１に接続され、点灯信号発生部１４０から点灯信号φＩ１が送信される。点灯信号φＩ１は、発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、…に点灯のための電流を供給する。なお、他の発光チップＣ２〜Ｃ４０のφＩ端子には、それぞれ電流制限抵抗ＲＩを介して点灯信号ライン２０４−２〜２０４−４０が接続され、点灯信号発生部１４０から点灯信号φＩ２〜φＩ４０が送信される。
【００３９】
転送サイリスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、…のそれぞれのゲート端子Ｇｔ１、Ｇｔ２、Ｇｔ３、…は、同じ番号の発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、…のゲート端子Ｇｌ１、Ｇｌ２、Ｇｌ３、…に、１対１で接続されている。よって、ゲート端子Ｇｔ１、Ｇｔ２、Ｇｔ３、…とゲート端子Ｇｌ１、Ｇｌ２、Ｇｌ３、…とは、同じ番号のものが電気的に同電位になっている。よって、例えばゲート端子Ｇｔ１（ゲート端子Ｇｌ１）と表記して、電位が同じであることを示す。
【００４０】
ここでも、ゲート端子Ｇｔ１、Ｇｔ２、Ｇｔ３、…、ゲート端子Ｇｌ１、Ｇｌ２、Ｇｌ３、…をそれぞれ区別しないときは、ゲート端子Ｇｔ、ゲート端子Ｇｌと表記する。そして、ゲート端子Ｇｔ（ゲート端子Ｇｌ）と表記して、電位が同じであることを示す。
【００４１】
転送サイリスタＴ１、Ｔ２、Ｔ３、…のそれぞれのゲート端子Ｇｔ１、Ｇｔ２、Ｇｔ３、…を番号順に２個ずつペアとしたゲート端子Ｇｔ間に、結合ダイオードＤｘ１、Ｄｘ２、Ｄｘ３、…がそれぞれ接続されている。すなわち、結合ダイオードＤｘ１、Ｄｘ２、Ｄｘ３、…はそれぞれがゲート端子Ｇｔ１、Ｇｔ２、Ｇｔ３、…で順に挟まれるように直列接続されている。そして、結合ダイオードＤｘ１の向きは、ゲート端子Ｇｔ１からゲート端子Ｇｔ２に向かって電流が流れる方向に接続されている。他の結合ダイオードＤｘ２、Ｄｘ３、Ｄｘ４、…についても同様である。
【００４２】
転送サイリスタＴのゲート端子Ｇｔ（ゲート端子Ｇｌ）は、転送サイリスタＴのそれぞれに対応して設けられた電源線抵抗Ｒｇｘを介して、電源線７１に接続されている。電源線７１はＶｇａ端子に接続されている。Ｖｇａ端子には、電源ライン２００ｂが接続され、電源電位供給部１７０から電源電位Ｖｇａが供給される。
【００４３】
そして、転送サイリスタ列の一端側の転送サイリスタＴ１のゲート端子Ｇｔ１は、スタートダイオードＤｘ０のカソード端子に接続されている。一方、スタートダイオードＤｘ０のアノード端子は、第２転送信号線７３に接続されている。
【００４４】
図５において、発光チップＣ１（Ｃ）の転送サイリスタＴ、結合ダイオードＤｘ、電源線抵抗Ｒｇｘ、スタートダイオードＤｘ０、電流制限抵抗Ｒ１、Ｒ２を備える部分を転送部１０１と表記する。そして、発光サイリスタＬを備える部分が発光部１０２に該当する。
【００４５】
図６は、発光チップＣの平面レイアウト図および断面図である。ここでは、発光チップＣと信号発生回路１１０との接続関係を示さないので、発光チップＣ１を例とすることを要しない。よって、発光チップＣと表記する。
図６（ａ）は、発光チップＣの平面レイアウト図であって、発光サイリスタＬ１〜Ｌ４、転送サイリスタＴ１〜Ｔ４を中心とした部分を示している。なお、端子（φ１端子、φ２端子、Ｖｇａ端子、φＩ端子）の位置は、図４（ａ）と異なるが、説明の便宜上、図中左端部に示している。そして、基板８０の裏面に設けられたＶｓｕｂ端子は、基板８０の外に引き出して示している。図４に対応させて端子を設けるとすると、φ２端子、φＩ端子、電流制限抵抗Ｒ２は、図６（ａ）において基板８０の右端部に設けられる。また、スタートダイオードＤｘ０は基板８０の右端部に設けられてもよい。
図６（ｂ）は、図６（ａ）に示したＶＩＢ−ＶＩＢ線での断面図である。よって、図６（ｂ）の断面図には、図中下より発光サイリスタＬ１、転送サイリスタＴ１、結合ダイオードＤｘ１、電源線抵抗Ｒｇｘ１の断面が示されている。なお、図６（ａ）および（ｂ）の図中には、主要な素子や端子を名前により表記している。
【００４６】
発光チップＣは、図６（ｂ）に示すように、ｐ型の第１半導体層８１、ｎ型の第２半導体層８２、ｐ型の第３半導体層８３およびｎ型の第４半導体層８４が順に積層された複数の島（アイランド）から構成されている。なお、以下に説明するように、複数のアイランドの内の一部のアイランドは、ｎ型の第４半導体層８４を部分的に有しているか、ｎ型の第４半導体層８４を有していない。
そして、発光チップＣには、図６（ｂ）に示すように、これらのアイランドの表面および側面を覆うように設けられた絶縁層８６が設けられている。そして、これらのアイランドと電源線７１、第１転送信号線７２、第２転送信号線７３、点灯信号線７５などの配線とが、絶縁層８６に設けられた開口（スルーホールと呼ばれる。）（図６（ａ）では○で示す。）を介して接続されている。以下の説明では、絶縁層８６および開口についての説明を省略する。
【００４７】
図６（ａ）に示すように、第１アイランド３０１には、発光サイリスタＬ１が設けられている。そして、図６（ｂ）に示すように、発光サイリスタＬ１上（基板８０の反対側）には、円筒（丸筒）状の台座（ペデスタル）９１を介して、レンズ９２が設けられている。レンズ９２は、外形が球状（球レンズ）である。そして、台座９１は、レンズ９２が発光サイリスタＬ１の発光面３１１から空隙（空気層）９３を介して対向するように、レンズ９２を保持している。ここでは、台座９１は、発光面３１１の端の部分上にかかるように設けられている。なお、台座９１は、発光面３１１上に形成されないように、形成してもよい。
なお、図６（ａ）では、レンズ９２は透明であるとして、外形のみを記載している。
【００４８】
第２アイランド３０２には、転送サイリスタＴ１、結合ダイオードＤｘ１が設けられている。第３アイランド３０３には、電源線抵抗Ｒｇｘ１が設けられている。第４アイランド３０４には、スタートダイオードＤｘ０が設けられている。第５アイランド３０５には電流制限抵抗Ｒ１が、第６アイランド３０６には電流制限抵抗Ｒ２が設けられている。
そして、発光チップＣには、第１アイランド３０１、第２アイランド３０２、第３アイランド３０３と同様なアイランドが、並列して複数形成されている。これらのアイランドには、発光サイリスタＬ２、Ｌ３、Ｌ４、…、転送サイリスタＴ２、Ｔ３、Ｔ４、…、結合ダイオードＤｘ２、Ｄｘ３、Ｄｘ４，…等が、第１アイランド３０１、第２アイランド３０２、第３アイランド３０３と同様に設けられている。そして、複数のレンズ９２が、発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、…上にそれぞれ設けられている。
そしてまた、図６（ｂ）に示すように、基板８０の裏面にはＶｓｕｂ端子となる裏面電極８５が設けられている。
【００４９】
ここで、図６（ａ）および（ｂ）により、第１アイランド３０１〜第６アイランド３０６について詳細に説明する。
第１アイランド３０１に設けられた発光サイリスタＬ１は、ｐ型の基板８０上に設けられたｐ型の第１半導体層８１をアノード端子、ｎ型の第４半導体層８４上に設けられたｎ型オーミック電極３２１をカソード端子、ｎ型の第４半導体層８４を除去して露出させたｐ型の第３半導体層８３上に設けられたｐ型オーミック電極３３１をゲート端子Ｇｌ１とする。そして、光は、ｎ型の第４半導体層８４の表面において、ｎ型オーミック電極３２１および点灯信号線７５のｎ型オーミック電極３２１との接続のための枝部７５ｂによって光の出射が妨げられる（遮光される）部分を除いたｎ型の第４半導体層８４の表面から、絶縁層８６を透過して出射する。出射した光は、レンズ９２で集光されて取りだされる。ここでは、発光面３１１は、光が透過する絶縁層８６の表面とする。
発光面３１１の表面形状は、ｎ型の第４半導体層８４の表面上に、点灯信号線７５の枝部７５ｂおよびｎ型オーミック電極３２１が形成されていることによって、馬蹄型となっている。
以下では、発光面３１１の用語は、発光サイリスタＬ１に限らず、他の発光サイリスタＬについても使用する。
【００５０】
第２アイランド３０２に設けられた転送サイリスタＴ１は、ｐ型の基板８０上に設けられたｐ型の第１半導体層８１をアノード端子、ｎ型の第４半導体層８４の領域３１３上に設けられたｎ型オーミック電極３２３をカソード端子、ｎ型の第４半導体層８４を除去して露出させたｐ型の第３半導体層８３上に設けられたｐ型オーミック電極３３２をゲート端子Ｇｔ１とする。
同じく、第２アイランド３０２に設けられた結合ダイオードＤｘ１は、ｎ型の第４半導体層８４の領域３１４上に設けられたｎ型オーミック電極３２４をカソード端子、ｐ型の第３半導体層８３上に設けられたｐ型オーミック電極３３２をアノード端子とする。結合ダイオードＤｘ１のアノード端子と転送サイリスタＴ１のゲート端子Ｇｔ１とはｐ型オーミック電極３３２で共通である。
【００５１】
第３アイランド３０３に設けられた電源線抵抗Ｒｇｘ１は、ｎ型の第４半導体層８４を除去して露出させたｐ型の第３半導体層８３上に設けられたｐ型オーミック電極３３３と３３４との間のｐ型の第３半導体層８３を抵抗として設けられている。
第４アイランド３０４に設けられたスタートダイオードＤｘ０は、ｎ型の第４半導体層８４の領域３１５上に設けられたｎ型オーミック電極３２５をカソード端子、ｎ型の第４半導体層８４を除去して露出させたｐ型の第３半導体層８３上に設けられたｐ型オーミック電極３３５をアノード端子としている。
第５アイランド３０５に設けられた電流制限抵抗Ｒ１、第６アイランド３０６に設けられた電流制限抵抗Ｒ２は、第３アイランド３０３に設けられた電源線抵抗Ｒｇｘ１と同様に、それぞれが２個のｐ型オーミック電極（符号なし）間のｐ型の第３半導体層８３を抵抗としている。
【００５２】
図６（ａ）において、各素子間の接続関係を説明する。
点灯信号線７５は幹部７５ａと複数の枝部７５ｂとを備え、幹部７５ａは発光サイリスタ列の列方向に延びるように設けられ、枝部７５ｂは幹部７５ａから枝分かれして、発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、…のｎ型の第４半導体層８４上に設けられたｎ型オーミック電極３２１と接続されている。
【００５３】
第１転送信号線７２は、第２アイランド３０２に設けられた転送サイリスタＴ１のカソード端子であるｎ型オーミック電極３２３に接続されている。第２アイランド３０２と同様なアイランドに設けられた、他の奇数番号の転送サイリスタＴのカソード端子も第１転送信号線７２に接続されている。第１転送信号線７２は、第５アイランド３０５に設けられた電流制限抵抗Ｒ１を介してφ１端子に接続されている。
一方、第２転送信号線７３は、符号を付さないアイランドに設けられた偶数番号の転送サイリスタＴのカソード端子であるｎ型オーミック電極（符号なし）に接続されている。第２転送信号線７３は、第６アイランド３０６に設けられた電流制限抵抗Ｒ２を介してφ２端子に接続されている。
【００５４】
電源線７１は、電源線抵抗Ｒｇｘ１の一方の端子であるｐ型オーミック電極３３４に接続されている。他の電源線抵抗Ｒｇｘの一方の端子も電源線７１に接続されている。電源線７１はＶｇａ端子に接続されている。
【００５５】
そして、第１アイランド３０１に設けられた発光サイリスタＬ１のｐ型オーミック電極３３１（ゲート端子Ｇｌ１）は、第２アイランド３０２のｐ型オーミック電極３３２（ゲート端子Ｇｔ１）に接続配線７６で接続されている。
【００５６】
そして、ｐ型オーミック電極３３２（ゲート端子Ｇｔ１）は、第３アイランド３０３に設けられたｐ型オーミック電極３３３（電源線抵抗Ｒｇｘ１の他方の端子）に接続配線７７で接続されている。
第２アイランド３０２に設けられたｎ型オーミック電極３２４（結合ダイオードＤｘ１のカソード端子）は、隣接して設けられている転送サイリスタＴ２のゲート端子Ｇｔ２であるｐ型オーミック電極（符号なし）に接続配線７９で接続されている。
【００５７】
第２アイランド３０２のｐ型オーミック電極３３２（ゲート端子Ｇｔ１）は、第４アイランド３０４に設けられたｎ型オーミック電極３２５（スタートダイオードＤｘ０のカソード端子）に接続配線７８で接続されている。ｐ型オーミック電極３３５（スタートダイオードＤｘ０のアノード端子）は、第２転送信号線７３に接続されている。
ここでは説明を省略するが、他の発光サイリスタＬ、転送サイリスタＴ、結合ダイオードＤｘ等についても同様である。
このようにして、図５に示した発光チップＣ１（Ｃ）が構成される。
【００５８】
（発光チップＣの製造方法）
発光チップＣの製造方法について説明する。
まず、レンズ９２を設置する前までの発光チップＣの製造方法を説明する。
発光チップＣは、例えばＧａＡｓやＧａＡｌＡｓなどの化合物半導体のｐ型の基板８０上に、ｐ型の第１半導体層８１、ｎ型の第２半導体層８２、ｐ型の第３半導体層８３およびｎ型の第４半導体層８４を順に積層したのち、ｎ型の第４半導体層８４と、ｐ型の第３半導体層８３と、ｎ型の第２半導体層８２と、ｎ型の第２半導体層８２との界面から予め定められた深さのｐ型の第１半導体層８１とをエッチングにより除去することで相互に分離された複数のアイランド（第１アイランド３０１〜第６アイランド３０６および符号付さないアイランド）を形成する。このようなアイランドはメサと呼ばれ、このようにアイランドを形成するためのエッチングはメサエッチングと呼ばれる。
【００５９】
さらに、複数のアイランドの内、一部のアイランドにおいて、ｎ型の第４半導体層８４の一部または全てを取り除くことにより、ｐ型の第３半導体層８３の表面を露出する。
そして、ｎ型の第４半導体層８４の表面に、ｎ型オーミック電極３２１、３２３、３２４、３２５などのｎ型のオーミック電極、露出したｐ型の第３半導体層８３の表面にｐ型オーミック電極３３１、３３２、３３３、３３４、３３５などのｐ型のオーミック電極を形成する。
そして、露出したアイランドの表面および側面を覆うように、例えば二酸化シリコン（ＳｉＯ２）などの絶縁層８６を形成する。次に、ｎ型のオーミック電極およびｐ型のオーミック電極上の絶縁層８６に開口を設けたのち、例えばアルミニウム（Ａｌ）などの金属膜を堆積し、フォトリソグラフィにより、電源線７１、第１転送信号線７２、第２転送信号線７３、点灯信号線７５などの配線に加工する。
これにより、レンズ９２を設置する前の発光チップＣが製造される。
【００６０】
次に、発光チップＣのレンズ９２を設置する方法を説明する。
図７は、発光チップＣのレンズ９２を設置する方法を説明する断面図である。図６（ａ）のＶＩＩ−ＶＩＩ線での断面で説明する。
図７（ａ）は、前述のレンズ９２を設置する前の発光チップＣである。
図７（ｂ）に示すように、レンズ９２を設置する前の発光チップＣの表面に、例えばポジ型の感光性ポリイミド膜９４を塗布する。ポジ型の感光性ポリイミド膜９４とは、光（紫外光）９７が照射された部分が現像液に可溶になり、光９７が照射されなかった部分が現像液に不溶のままになる性質を有している。
次に、台座９１となる部分を遮光するように例えばＣｒなどにより遮光部９６が形成されたフォトマスク９５を介して、感光性ポリイミド膜９４が感光する光９７を照射する。
この後、現像液に浸漬すると、光９７の照射によって可溶となった感光性ポリイミド膜９４が溶解して除去される。一方、台座９１となる部分の感光性ポリイミド膜９４は、光９７が照射されていないため、現像液により溶解しないで残る。
そして、図７（ｃ）に示すように、予め定められた温度で加熱することで、感光性ポリイミド膜９４に含まれていた溶媒を蒸発させるとともに、感光性ポリイミド膜９４のポリイミド前駆体をイミド化させることで、台座９１とする。
最後に、図７（ｄ）に示すように、それぞれの発光サイリスタＬの発光面３１１上に、ボールレンズなどのレンズ９２を配置し、固定する。
【００６１】
レンズ９２の直径は、発光サイリスタ列における発光サイリスタＬのピッチで設定される。例えば、発光サイリスタＬのピッチを２０μｍとしたとき、レンズ９２の直径を２０μｍとしてもよい。そして、台座９１の高さは、ボールレンズであるレンズ９２の半径（１０μｍ）より大きくして、発光面３１１とレンズ９２との間に空気層による空隙９３が生じるようになっている。
このようにして、レンズ９２を備えた発光チップＣが製造される。
【００６２】
なお、上記ではポジ型の感光性ポリイミド膜９４を用いて、台座９１を形成したが、ネガ型の感光性ポリイミド膜を用いてもよい。ネガ型の感光性ポリイミド膜とは、現像液に可溶な感光性ポリイミド膜が、光９７が照射された部分が現像液に不溶になる性質を有している。
さらに、感光性ポリイミド膜の代わりに、感光性を有しないポリイミド膜、ＳｉＯ２などの無機材料からなる膜などを用いてもよい。これらの場合には、フォトリソグラフィを用いて、台座９１に加工すればよい。
【００６３】
（発光装置６５の動作）
次に、発光装置６５の動作について説明する。
前述したように、発光装置６５は発光チップＣ１〜Ｃ４０を備えている（図３、４参照）。
図４に示したように、基準電位Ｖｓｕｂ、電源電位Ｖｇａは、回路基板６２上のすべての発光チップＣ１〜Ｃ４０に共通に供給される。同様に、第１転送信号φ１、第２転送信号φ２は、発光チップＣ１〜Ｃ４０に共通（並列）に送信される。
一方、点灯信号φＩ１〜φＩ４０は、発光チップＣ１〜Ｃ４０のそれぞれに個別に送信される。点灯信号φＩ１〜φＩ４０は、画像データに基づいて、各発光チップＣ１〜Ｃ４０の発光サイリスタＬを点灯または非点灯に設定する信号である。よって、点灯信号φＩ１〜φＩ４０は、画像データによって相互に波形が異なる。しかし、点灯信号φＩ１〜φＩ４０は、同じタイミングで並列に送信される。
発光チップＣ１〜Ｃ４０は並列に駆動されるので、発光チップＣ１の動作を説明すれば足りる。
【００６４】
＜サイリスタ＞
発光チップＣ１の動作を説明する前に、サイリスタ（転送サイリスタＴ、発光サイリスタＬ）の基本的な動作を説明する。サイリスタは、前述したように、アノード端子、カソード端子、ゲート端子の３端子を有する半導体素子である。
以下では、一例として、Ｖｓｕｂ端子である裏面電極８５（図５、図６参照）に供給される基準電位Ｖｓｕｂをハイレベルの電位（以下では「Ｈ」と表記する。）として０Ｖ、Ｖｇａ端子に供給される電源電位Ｖｇａをローレベルの電位（以下では「Ｌ」と表記する。）として−３．３Ｖとして説明する。
本実施の形態では、発光装置６５は負の電位で駆動される。
【００６５】
サイリスタのアノード端子であるｐ型の第１半導体層８１はｐ型の基板８０と同電位であるので、サイリスタのアノード端子は裏面電極８５に供給される基準電位Ｖｓｕｂ（「Ｈ」（０Ｖ））になっている。
サイリスタは、例えば、図６に示したように、ＧａＡｓ、ＧａＡｌＡｓ等によるｐ型半導体層（ｐ型の第１半導体層８１、ｐ型の第３半導体層８３）、ｎ型半導体層（ｎ型の第２半導体層８２、ｎ型の第４半導体層８４）を積層して構成される。ここでは、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とで構成されるｐｎ接合の順方向電位（拡散電位）Ｖｄを一例として１．５Ｖとして説明する。
【００６６】
アノード端子とカソード端子との間に電流が流れていないオフ状態のサイリスタは、しきい電圧より低い電位（絶対値が大きい負の値）がカソード端子に印加されるとオン状態に移行（ターンオン）する。ここで、サイリスタのしきい電圧は、ゲート端子の電位からｐｎ接合の順方向電位Ｖｄ（１．５Ｖ）を引いた値である。よって、サイリスタは、ゲート端子の電位が０Ｖであると、しきい電圧が−１．５Ｖとなる。すなわち、−１．５Ｖより低い電位がカソード端子に印加されると、サイリスタはターンオンする。サイリスタは、ターンオンすると、アノード端子とカソード端子との間に電流が流れた状態（オン状態）になる。
オン状態のサイリスタのゲート端子の電位は、アノード端子の電位に近い電位になる。ここでは、アノード端子を基準電位Ｖｓｕｂ（０Ｖ（「Ｈ」））に設定しているので、ゲート端子の電位は０Ｖ（「Ｈ」）になるとする。また、オン状態のサイリスタのカソード端子は、アノード端子の電位からｐｎ接合の順方向電位Ｖｄ（１．５Ｖ）を引いた電位に近い電位となる。ここでは、アノード端子を基準電位Ｖｓｕｂ（０Ｖ（「Ｈ」））に設定しているので、オン状態のサイリスタのカソード端子の電位は−１．５Ｖになるとする。
【００６７】
サイリスタは、一度ターンオンすると、カソード端子の電位が、オン状態を維持するために必要な電位より高い電位（絶対値が小さい負の値、０Ｖまたは正の値）、すなわち、カソード端子に−１．５Ｖより高い電位が印加されると、オフ状態に移行（ターンオフ）する。例えば、カソード端子が「Ｈ」（０Ｖ）になると、−１．５Ｖより高い電位であるとともに、カソード端子の電位とアノード端子の電位とが同じになるので、サイリスタはターンオフする。
一方、オン状態のサイリスタのカソード端子の電位は−１．５Ｖであるので、カソード端子に−１．５Ｖより低い電位（絶対値が大きい負の値）が継続的に印加され、サイリスタのオン状態を維持しうる電流（維持電流）が供給されると、オン状態を維持する。
そして、発光サイリスタＬは、ターンオンすると点灯（発光）し、ターンオフすると消灯（非点灯）する。オン状態の発光サイリスタＬの光量は、発光面３１１の面積およびカソード端子とアノード端子との間に流す電流によって決まる。
【００６８】
＜タイミングチャート＞
図８は、発光装置６５および発光チップＣの動作を説明するためのタイミングチャートである。
図８では、発光チップＣ１の発光サイリスタＬ１〜Ｌ５の５個の発光サイリスタＬの点灯または非点灯を制御（点灯制御と表記する。）する部分のタイミングチャートを示している。前述したように、他の発光チップＣ２〜Ｃ４０は、発光チップＣ１と並行して動作するため、発光チップＣ１の動作を説明すれば足りる。
なお、図８では、発光チップＣ１の発光サイリスタＬ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ５を点灯させ、発光サイリスタＬ４を消灯（非点灯）としている。
【００６９】
図８において、時刻ａから時刻ｋへとアルファベット順に時刻が経過するとする。発光サイリスタＬ１は、時刻ｂから時刻ｅの期間Ｔ（１）において、発光サイリスタＬ２は、時刻ｅから時刻ｉの期間Ｔ（２）において、発光サイリスタＬ３は、時刻ｉから時刻ｊの期間Ｔ（３）において、発光サイリスタＬ４は、時刻ｊから時刻ｋの期間Ｔ（４）において点灯または非点灯の制御（点灯制御）がされる。以下、同様にして番号が５以上の発光サイリスタＬが点灯制御される。
ここでは、期間Ｔ（１）、Ｔ（２）、Ｔ（３）、…は同じ長さの期間とし、それぞれを区別しないときは期間Ｔと呼ぶ。
なお、以下に説明する信号の相互の関係が維持されるようにすれば、期間Ｔ（１）、Ｔ（２）、Ｔ（３）、…の長さを可変としてもよい。
【００７０】
第１転送信号φ１、第２転送信号φ２、点灯信号φＩ１の波形について説明する。なお、時刻ａから時刻ｂまでの期間は、発光チップＣ１（発光チップＣ２〜Ｃ４０も同じ。）が動作を開始する期間である。この期間の信号については、動作の説明において説明する。
【００７１】
φ１端子（図５、図６参照）に送信される第１転送信号φ１およびφ２端子（図５、図６参照）に送信される第２転送信号φ２は、「Ｈ」と「Ｌ」との２つの電位を有する信号である。そして、第１転送信号φ１および第２転送信号φ２は、連続する２つの期間Ｔ（例えば、期間Ｔ（１）と期間Ｔ（２））を単位として波形が繰り返される。
【００７２】
第１転送信号φ１は、期間Ｔ（１）の開始時刻ｂで「Ｈ」から「Ｌ」に移行し、時刻ｆで「Ｌ」から「Ｈ」に移行する。そして、期間Ｔ（２）の終了時刻ｉにおいて、「Ｈ」から「Ｌ」に移行する。
第２転送信号φ２は、期間Ｔ（１）の開始時刻ｂにおいて「Ｈ」であって、時刻ｅで「Ｈ」から「Ｌ」に移行する。そして、期間Ｔ（２）の終了時刻ｉにおいて「Ｌ」を維持している。
第１転送信号φ１と第２転送信号φ２とを比較すると、第２転送信号φ２は、第１転送信号φ１を期間Ｔ、時間軸上で後ろにずらしたものに当たる。第１転送信号φ１は、期間Ｔ（１）および期間Ｔ（２）での波形が、期間Ｔ（３）以降において繰り返す。一方、第２転送信号φ２は、期間Ｔ（１）において、破線で示す波形および期間Ｔ（２）での波形が、期間Ｔ（３）以降において繰り返す。第２転送信号φ２の期間Ｔ（１）の波形が期間Ｔ（３）以降と異なるのは、期間Ｔ（１）は発光装置６５が動作を開始する期間であるためである。
【００７３】
第１転送信号φ１と第２転送信号φ２との一組の転送信号は、後述するように、図５、図６に示した転送サイリスタＴを番号順にオン状態を伝播させることにより、オン状態の転送サイリスタＴと同じ番号の発光サイリスタＬを、点灯または非点灯の制御（点灯制御）の対象として指定する。
【００７４】
次に、発光チップＣ１のφＩ端子に送信される点灯信号φＩ１について説明する。なお、他の発光チップＣ２〜Ｃ４０には、それぞれ点灯信号φＩ２〜φＩ４０が送信される。点灯信号φＩ１は、「Ｈ」と「Ｌ」との２つの電位を有する信号である。
【００７５】
ここでは、発光チップＣ１の発光サイリスタＬ１に対する点灯制御の期間Ｔ（１）において、点灯信号φＩ１を説明する。なお、発光サイリスタＬ１は点灯させるとしている。
点灯信号φＩ１は、期間Ｔ（１）の開始時刻ｂにおいて「Ｈ」であって、時刻ｃで「Ｈ」から「Ｌ」に移行する。そして、時刻ｄで「Ｌ」から「Ｈ」に移行し、期間Ｔ（１）の終了時刻ｅにおいて「Ｈ」を維持している。
【００７６】
では、図４、図５を参照しつつ、図８に示したタイミングチャートにしたがって、発光装置６５および発光チップＣ１の動作を説明する。なお、以下では、発光サイリスタＬ１およびＬ２を点灯制御する期間Ｔ（１）およびＴ（２）について説明する。
（１）時刻ａ
＜発光装置６５＞
時刻ａにおいて、発光装置６５の信号発生回路１１０の基準電位供給部１６０は、基準電位Ｖｓｕｂを「Ｈ」（０Ｖ）に設定する。電源電位供給部１７０は、電源電位Ｖｇａを「Ｌ」（−３．３Ｖ）に設定する。すると、発光装置６５の回路基板６２上の電源ライン２００ａは「Ｈ」（０Ｖ）の基準電位Ｖｓｕｂに設定され、発光チップＣ１〜Ｃ４０のそれぞれのＶｓｕｂ端子は「Ｈ」に設定される。同様に、電源ライン２００ｂは「Ｌ」に設定され、発光チップＣ１〜Ｃ４０のそれぞれのＶｇａ端子は「Ｌ」に設定される。これにより、発光チップＣ１〜Ｃ４０のそれぞれの電源線７１は「Ｌ」に設定される。
【００７７】
そして、信号発生回路１１０の転送信号発生部１２０は第１転送信号φ１、第２転送信号φ２をそれぞれ「Ｈ」に設定する。すると、第１転送信号ライン２０１および第２転送信号ライン２０２が「Ｈ」になる（図４参照）。これにより、発光チップＣ１〜Ｃ４０のそれぞれのφ１端子およびφ２端子が「Ｈ」になる。電流制限抵抗Ｒ１を介してφ１端子に接続されている第１転送信号線７２の電位も「Ｈ」になり、電流制限抵抗Ｒ２を介してφ１端子に接続されている第２転送信号線７３も「Ｈ」になる（図５参照）。
【００７８】
さらに、信号発生回路１１０の点灯信号発生部１４０は、点灯信号φＩ１〜φＩ４０をそれぞれ「Ｈ」に設定する。すると、点灯信号ライン２０４−１〜２０４−４０が「Ｈ」になる（図４参照）。これにより、発光チップＣ１〜Ｃ４０のそれぞれのφＩ端子が、電流制限抵抗ＲＩを介して「Ｈ」になり、φＩ端子に接続された点灯信号線７５も「Ｈ」になる（図５参照）。
【００７９】
次に、発光チップＣ１の動作を説明する。
なお、図８および以下における説明では、各端子の電位がステップ（階段）状に変化するとしているが、各端子の電位は徐々に変化している。よって、電位変化の途上であっても、下記に示す条件が満たされれば、サイリスタがターンオンまたはターンオフして、状態の変化を生じうる。
【００８０】
＜発光チップＣ１＞
転送サイリスタＴ、発光サイリスタＬのアノード端子はＶｓｕｂ端子に接続されているので、「Ｈ」（０Ｖ）に設定される。
【００８１】
奇数番号の転送サイリスタＴ１、Ｔ３、Ｔ５、…のそれぞれのカソード端子は、第１転送信号線７２に接続され、「Ｈ」に設定されている。偶数番号の転送サイリスタＴ２、Ｔ４、Ｔ６、…のそれぞれのカソード端子は、第２転送信号線７３に接続され、「Ｈ」に設定されている。よって、転送サイリスタＴは、アノード端子およびカソード端子がともに「Ｈ」であるためオフ状態にある。
【００８２】
発光サイリスタＬのカソード端子は、「Ｈ」の点灯信号線７５に接続されている。よって、発光サイリスタＬも、アノード端子およびカソード端子がともに「Ｈ」であるためオフ状態にある。
【００８３】
図５中の転送サイリスタ列の一端のゲート端子Ｇｔ１は、前述したように、スタートダイオードＤｘ０のカソード端子に接続されている。ゲート端子Ｇｔ１は、電源線抵抗Ｒｇｘ１を介して、電源電位Ｖｇａ（「Ｌ」（−３．３Ｖ））の電源線７１に接続されている。そして、スタートダイオードＤｘ０のアノード端子は第２転送信号線７３に接続され、電流制限抵抗Ｒ２を介して、「Ｈ」（０Ｖ）のφ２端子に接続されている。よって、スタートダイオードＤｘ０は順バイアスであり、スタートダイオードＤｘ０のカソード端子（ゲート端子Ｇｔ１）は、スタートダイオードＤｘ０のアノード端子の電位（「Ｈ」（０Ｖ））からｐｎ接合の順方向電位Ｖｄ（１．５Ｖ）を引いた値（−１．５Ｖ）になる。また、ゲート端子Ｇｔ１が−１．５Ｖになると、結合ダイオードＤｘ１は、アノード端子（ゲート端子Ｇｔ１）が−１．５Ｖで、カソード端子が電源線抵抗Ｒｇｘ２を介して電源線７１（「Ｌ」（−３．３Ｖ））に接続されているので、順バイアスになる。よって、ゲート端子Ｇｔ２の電位は、ゲート端子Ｇｔ１の電位（−１．５Ｖ）からｐｎ接合の順方向電位Ｖｄ（１．５Ｖ）を引いた−３Ｖになる。しかし、３以上の番号のゲート端子Ｇｔには、スタートダイオードＤｘ０のアノード端子が「Ｈ」（０Ｖ）であることの影響は及ばず、ゲート端子Ｇｔの電位は、電源線７１の電位である「Ｌ」（−３．３Ｖ）になっている。
なお、ゲート端子Ｇｔはゲート端子Ｇｌに接続されているので、ゲート端子Ｇｌの電位は、ゲート端子Ｇｔの電位と同じである。よって、転送サイリスタＴ、発光サイリスタＬのしきい電圧は、ゲート端子Ｇｔ、Ｇｌの電位からｐｎ接合の順方向電位Ｖｄ（１．５Ｖ）を引いた値となる。すなわち、転送サイリスタＴ１、発光サイリスタＬ１のしきい電圧は−３Ｖ、転送サイリスタＴ２、発光サイリスタＬ２のしきい電圧は−４．５Ｖ、番号が３以上の転送サイリスタＴ、発光サイリスタＬのしきい電圧は−４．８Ｖとなっている。
【００８４】
（２）時刻ｂ
図８に示す時刻ｂにおいて、第１転送信号φ１が、「Ｈ」（０Ｖ）から「Ｌ」（−３．３Ｖ）に移行する。これにより発光装置６５が動作を開始する。
第１転送信号φ１が「Ｈ」から「Ｌ」に移行すると、φ１端子および電流制限抵抗Ｒ１を介して、第１転送信号線７２の電位が、「Ｈ」から「Ｌ」に移行する。すると、しきい電圧が−３Ｖである転送サイリスタＴ１がターンオンする。しかし、第１転送信号線７２にカソード端子が接続された、番号が３以上の奇数番号の転送サイリスタＴは、しきい電圧が−４．８Ｖであるのでターンオンできない。一方、偶数番号の転送サイリスタＴは、第２転送信号φ２が「Ｈ」（０Ｖ）であって、第２転送信号線７３が「Ｈ」であるのでターンオンできない。転送サイリスタＴ１がターンオンすることで、第１転送信号線７２の電位は、アノード端子の電位（「Ｈ」（０Ｖ））からｐｎ接合の順方向電位Ｖｄ（１．５Ｖ）を引いた−１．５Ｖになる。
【００８５】
転送サイリスタＴ１がターンオンすると、ゲート端子Ｇｔ１の電位は、転送サイリスタＴ１のアノード端子の電位である「Ｈ」（０Ｖ）になる。そして、ゲート端子Ｇｔ２の電位が−１．５Ｖ、ゲート端子Ｇｔ３の電位が−３Ｖ、番号が４以上のゲート端子Ｇｔの電位が「Ｌ」（-３．３Ｖ）になる。
これにより、発光サイリスタＬ１のしきい電圧が−１．５Ｖ、転送サイリスタＴ２、発光サイリスタＬ２のしきい電圧が−３Ｖ、転送サイリスタＴ３、発光サイリスタＬ３のしきい電圧が−４．５Ｖ、番号が４以上の転送サイリスタＴ、発光サイリスタＬのしきい電圧が−４．８Ｖになる。
しかし、第１転送信号線７２は、オン状態の転送サイリスタＴ１により−１．５Ｖになっているので、オフ状態の奇数番号の転送サイリスタＴはターンオンしない。第２転送信号線７３は、「Ｈ」であるので、偶数番号の転送サイリスタＴはターンオンしない。点灯信号線７５は「Ｈ」であるので、発光サイリスタＬはいずれもターンオンしない。
【００８６】
時刻ｂの直後（ここでは、時刻ｂにおける信号の電位の変化によってサイリスタなどの変化が生じた後、定常状態になったときをいう。）において、転送サイリスタＴ１がオン状態にあって、他の転送サイリスタＴ、発光サイリスタＬはオフ状態にある。
【００８７】
（３）時刻ｃ
時刻ｃにおいて、点灯信号φＩ１が「Ｈ」から「Ｌ」に移行する。
点灯信号φＩ１が「Ｈ」から「Ｌ」に移行すると、電流制限抵抗ＲＩおよびφＩ端子を介して、点灯信号線７５が「Ｈ」から「Ｌ」に移行する。すると、しきい電圧が−１．５Ｖである発光サイリスタＬ１がターンオンして、点灯（発光）する。これにより、点灯信号線７５の電位が−１．５Ｖになる。なお、発光サイリスタＬ２はしきい電圧が−３Ｖであるが、しきい電圧が−１．５Ｖと高い（絶対値が小さい負の値である）発光サイリスタＬ１がターンオンして、点灯信号線７５が−１．５Ｖになるので、発光サイリスタＬ２はターンオンしない。
時刻ｃの直後において、転送サイリスタＴ１がオン状態にあって、発光サイリスタＬ１がオン状態で点灯（発光）している。
【００８８】
（４）時刻ｄ
時刻ｄにおいて、点灯信号φＩ１が「Ｌ」から「Ｈ」に移行する。
点灯信号φＩ１が「Ｌ」から「Ｈ」に移行すると、電流制限抵抗ＲＩおよびφＩ端子を介して、点灯信号線７５の電位が「Ｌ」から「Ｈ」に移行する。すると、発光サイリスタＬ１は、アノード端子とカソード端子とがともに「Ｈ」になるのでターンオフして消灯（非点灯）する。発光サイリスタＬ１の点灯期間は、点灯信号φＩ１が「Ｈ」から「Ｌ」に移行した時刻ｃから、点灯信号φＩ１が「Ｌ」から「Ｈ」に移行する時刻ｄまでの、点灯信号φＩ１が「Ｌ」である期間となる。
時刻ｄの直後において、転送サイリスタＴ１がオン状態にある。
【００８９】
（５）時刻ｅ
時刻ｅにおいて、第２転送信号φ２が「Ｈ」から「Ｌ」に移行する。ここで、発光サイリスタＬ１を点灯制御する期間Ｔ（１）が終了し、発光サイリスタＬ２を点灯制御する期間Ｔ（２）が開始する。
第２転送信号φ２が「Ｈ」から「Ｌ」に移行すると、φ２端子を介して第２転送信号線７３の電位が「Ｈ」から「Ｌ」に移行する。前述したように、転送サイリスタＴ２は、しきい電圧が−３Ｖになっているので、ターンオンする。これにより、ゲート端子Ｇｔ２（ゲート端子Ｇｌ２）の電位が「Ｈ」（０Ｖ）、ゲート端子Ｇｔ３（ゲート端子Ｇｌ３）の電位が−１．５Ｖ「Ｈ」（０Ｖ）、ゲート端子Ｇｔ４（ゲート端子Ｇｌ４）の電位が−３Ｖになる。そして、番号が５以上のゲート端子Ｇｔ（ゲート端子Ｇｌ）の電位が−３．３Ｖになる。
時刻ｅの直後において、転送サイリスタＴ１およびＴ２がオン状態にある。
【００９０】
（６）時刻ｆ
時刻ｆにおいて、第１転送信号φ１が「Ｌ」から「Ｈ」に移行する。
第１転送信号φ１が「Ｌ」から「Ｈ」に移行すると、φ１端子を介して第１転送信号線７２の電位が「Ｌ」から「Ｈ」に移行する。すると、オン状態の転送サイリスタＴ１は、アノード端子とカソード端子とがともに「Ｈ」になって、ターンオフする。すると、ゲート端子Ｇｔ１（Ｇｌ１）の電位は、電源線抵抗Ｒｇｘ１を介して、電源線７１の電源電位Ｖｇａ（「Ｌ」（−３．３Ｖ））に向かって変化する。これにより、結合ダイオードＤｘ１が電流が流れない方向に電位が加えられた状態（逆バイアス）になる。よって、ゲート端子Ｇｔ２（ゲート端子Ｇｌ２）が「Ｈ」（０Ｖ）である影響は、ゲート端子Ｇｔ１（ゲート端子Ｇｌ１）には及ばなくなる。すなわち、逆バイアスの結合ダイオードＤｘで接続されていたゲート端子Ｇｔを有する転送サイリスタＴは、しきい電圧が−４．８Ｖになって、「Ｌ」（−３．３Ｖ）の第１転送信号φ１または第２転送信号φ２ではターンオンしなくなる。
時刻ｆの直後において、転送サイリスタＴ２がオン状態にある。
【００９１】
（７）その他
時刻ｇにおいて、点灯信号φＩ１が「Ｈ」から「Ｌ」に移行すると、時刻ｃでの発光サイリスタＬ１と同様に、発光サイリスタＬ２がターンオンして、点灯（発光）する。
そして、時刻ｈにおいて、点灯信号φＩ１が「Ｌ」から「Ｈ」に移行すると、時刻ｄでの発光サイリスタＬ１と同様に、発光サイリスタＬ２がターンオフして消灯する。
さらに、時刻ｉにおいて、第１転送信号φ１が「Ｈ」から「Ｌ」に移行すると、時刻ｂでの転送サイリスタＴ１または時刻ｅでの転送サイリスタＴ２と同様に、しきい電圧が−３Ｖの転送サイリスタＴ３がターンオンする。時刻ｉで、発光サイリスタＬ２を点灯制御する期間Ｔ（２）が終了し、発光サイリスタＬ３を点灯制御する期間Ｔ（３）が開始する。
以降は、これまで説明したことの繰り返しとなる。
【００９２】
なお、発光サイリスタＬを点灯（発光）させないで、消灯（非点灯）のままとするときは、図８の発光サイリスタＬ４を点灯制御する期間Ｔ（４）における時刻ｊから時刻ｋに示す点灯信号φＩ１のように、点灯信号φＩを「Ｈ」（０Ｖ）のままとすればよい。このようにすることで、発光サイリスタＬ４のしきい電圧が−１．５Ｖであっても、発光サイリスタＬ４は消灯（非点灯）のままとなる。
【００９３】
以上説明したように、転送サイリスタＴのゲート端子Ｇｔは結合ダイオードＤｘによって相互に接続されている。よって、ゲート端子Ｇｔの電位が変化すると、電位が変化したゲート端子Ｇｔに、順バイアスの結合ダイオードＤｘを介して接続されたゲート端子Ｇｔの電位が変化する。そして、電位が変化したゲート端子を有する転送サイリスタＴのしきい電圧が変化する。転送サイリスタＴは、しきい電圧が「Ｌ」（−３．３Ｖ）より高い（絶対値が小さい負の値）と、第１転送信号φ１または第２転送信号φ２が「Ｈ」（０Ｖ）から「Ｌ」（−３．３Ｖ）に移行するタイミングにおいてターンオンする。
そして、オン状態の転送サイリスタＴのゲート端子Ｇｔにゲート端子Ｇｌが接続された発光サイリスタＬは、しきい電圧が−１．５Ｖであるので、点灯信号φＩが「Ｈ」から「Ｌ」に移行すると、ターンオンして点灯（発光）する。
すなわち、転送サイリスタＴはオン状態になることで、点灯制御の対象である発光サイリスタＬを指定し、点灯信号φＩは、点灯制御の対象の発光サイリスタＬを点灯または非点灯に設定する。
このように、画像データに応じて、点灯信号φＩの波形を設定して、各発光サイリスタＬの点灯または非点灯を制御している。
【００９４】
第１の実施の形態では、図６に示したように、発光サイリスタＬの発光面３１１に対向するようにレンズ９２を設けて、発光面３１１から出射して発光面３１１に対して側方（斜め方向）に進む光の一部を、レンズ９２により集光して、発光面３１１に対して前方（垂直な方向）に進む光としている。これにより、レンズ９２を設けない場合に比べ、光の取り出し効率が向上する。
発光部品の発光素子アレイの複数の発光面に対応してレンズを設ける場合、レンズを設置するための台座（ペデストル）の形成によって生じた応力により発光素子アレイを設けた基板が破損（割れ）することを抑制することが求められている。第１の実施の形態では台座９１を円筒状としている。この場合、台座９１が基板８０側に接触する面積は、台座９１を全面に設ける場合に比べて小さい。よって、台座９１が基板８０に及ぼす応力も、台座９１を全面に設ける場合に比べて小さい。
さらに、発光面３１１とレンズ９２とが接触すると多重干渉により、レンズ９２から取り出される光量が低下するが、本実施の形態では、発光面３１１とレンズ９２との間に空隙９３を設け、レンズ９２から取り出される光量が多重干渉により低下することが抑制されている。なお、発光面３１１とレンズ９２との間の距離（空隙９３の長さ）は、多重干渉により光量の低下が抑制される値であればよい。
なお、発光面３１１にレンズ９２の焦点を設定することが、集光の点で好ましい。
【００９５】
［第２の実施の形態］
第２の実施の形態では、第１の実施の形態と、発光チップＣの台座９１の形状が異なっている。すなわち、台座９１は、第１の実施の形態では円筒状としたが、第２の実施の形態では井桁状とした。他の構成は第１の実施の形態と同様である。よって、第１の実施の形態と異なる部分、すなわち第２の実施の形態における発光チップＣの台座９１に関連する部分について説明し、第１の実施の形態と同様な部分についての説明を省略する。
図９は、第２の実施の形態における発光チップＣの発光サイリスタＬの部分の平面図および断面図である。図９（ａ）は平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）のＩＸＢ−ＩＸＢ線での断面図、図９（ｃ）は図９（ａ）のＩＸＣ−ＩＸＣ線での断面図である。なお、図９（ａ）ではレンズ９２は透明であるとして、外形のみを記載している。
台座９１は井桁状であって、井桁状の台座９１のそれぞれの開口部とそれぞれの発光サイリスタＬの発光面３１１とが対向するようになっている。そして、井桁状の台座９１の開口部に設けられたレンズ９２により、発光面３１１から出射した光を集光して取り出すことができる。
図９（ａ）、（ｃ）では、台座９１をそれぞれの発光サイリスタＬ毎に破線で区切って示している。台座９１は、発光サイリスタＬ毎に見ると、角筒状である。
第２の実施の形態でも、台座９１の高さ（発光面３１１に垂直な方向の長さ）は、発光面３１１とレンズ９２との間に空隙９３を設けるように設定されている。
台座９１を井桁状にすることで、台座９１が発光面３１１を遮光する面積を抑制している。
そして、第２の実施の形態の台座９１を有する発光チップＣは、第１の実施の形態で説明した製造方法で製造しうる。
【００９６】
［第３の実施の形態］
第３の実施の形態では、第１の実施の形態と、発光チップＣの台座９１の形状が異なっている。すなわち、台座９１は、第１の実施の形態では円筒状としたが、第３の実施の形態では発光面３１１の四隅に設けられた柱状とした。他の構成は第１の実施の形態と同様である。よって、第１の実施の形態と異なる部分、すなわち第３の実施の形態における発光チップＣの台座９１に関連する部分について説明し、第１の実施の形態と同様な部分についての説明を省略する。
図１０は、第３の実施の形態における発光チップＣの発光サイリスタＬの部分の平面図および断面図である。図１０（ａ）は平面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＸＢ−ＸＢ線での断面図、図１０（ｃ）は図１０（ａ）のＸＣ−ＸＣ線での断面図である。なお、図１０（ａ）ではレンズ９２は透明であるとして、外形のみを記載している。
それぞれの発光サイリスタＬの発光面３１１の四隅（発光面３１１の周辺部）に設けられた台座９１は、柱状になっている。すなわち、本実施の形態では、１つの発光サイリスタＬ当たり４個の台座９１が設けられ、これら４個の台座９１により１個のレンズ９２を保持している。
図１０（ａ）、（ｃ）では、隣接する発光サイリスタＬ間の台座９１の間を破線で示しているが、これらは一体化した柱状になっている。
第３の実施の形態でも、台座９１の高さ（発光面３１１に垂直な方向の長さ）は、発光面３１１とレンズ９２との間に空隙９３を設けるように設定されている。
柱状の台座９１を発光面３１１の四隅に設けることで、台座９１が発光面３１１を遮光する面積を抑制している。
そして、第３の実施の形態の台座９１を有する発光チップＣは、第１の実施の形態で説明した製造方法で製造しうる。
なお、４個の台座９１により１個のレンズ９２を保持するとしたが、３個の台座９１により１個のレンズ９２を保持するとしてもよい。図示しないが、１本の台座９１を枝部７５ｂ上に形成することで、台座９１が発光面３１１を遮光する面積をさらに抑制しうる。
【００９７】
［第４の実施の形態］
第４の実施の形態は、第１の実施の形態と、発光チップＣのレンズ９２の形状が異なっている。すなわち、レンズ９２は、第１の実施の形態では球状（球レンズ）としたが、第３の実施の形態では発光面３１１から離れる方向に凸状となった半球状（半球レンズ）とした。他の構成は第１の実施の形態と同様である。よって、第１の実施の形態と異なる部分、すなわち第４の実施の形態における発光チップＣのレンズ９２に関連する部分について説明し、第１の実施の形態と同様な部分についての説明を省略する。
図１１は、第４の実施の形態における発光チップＣの発光サイリスタＬの部分の平面図および断面図である。図１１（ａ）は平面図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＸＩＢ−ＸＩＢ線での断面図、図１１（ｃ）は図１１（ａ）のＸＩＣ−ＸＩＣ線での断面図である。なお、図１１（ａ）ではレンズ９２は透明であるとして、外形のみを記載している。
それぞれの発光サイリスタＬの発光面３１１に対する台座９１は、第１の実施の形態と同様に円筒状であって、その上に半球状のレンズ９２が配置されている。なお、レンズ９２は、発光面３１１から離れる方向に凸状になった半球状である。
半球状のレンズ９２が、発光面３１１から出射して発光面３１１に対して側方（斜め方向）に進む光を集光し、発光面３１１に対して前方（垂直な方向）に進む光としている。これにより、発光面３１１から出射した光の取り出し効率が向上している。
そして、第４の実施の形態のレンズ９２を有する発光チップＣは、第１の実施の形態で説明した製造方法で製造しうる。
【００９８】
なお、図１１（ｂ）、（ｃ）では、レンズ９２は発光面３１１から離れる方向に凸状になった半球状としたが、発光面３１１に近づく方向に凸状になった半球状であってもよい。
また、台座９１の形状を、第２の実施の形態または第３の実施の形態で示した形状としてもよい。
【００９９】
［第５の実施の形態］
第５の実施の形態は、第１の実施の形態と、発光チップＣの台座９１およびレンズ９２の形状が異なっている。すなわち、第１の実施の形態では、台座９１は円筒状、レンズ９２は球状としたが、第５の実施の形態では、台座９１は発光面３１１の対向する２辺に沿って設けられ、レンズ９２は円柱状（円柱レンズ）とした。他の構成は第１の実施の形態と同様である。よって、第１の実施の形態と異なる部分、すなわち第５の実施の形態における発光チップＣの台座９１とレンズ９２とに関連する部分について説明し、第１の実施の形態と同様な部分についての説明を省略する。
図１２は、第５の実施の形態における発光チップＣの発光サイリスタＬの部分の平面図および断面図である。図１２（ａ）は平面図、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＸＩＩＢ−ＸＩＩＢ線での断面図、図１２（ｃ）は図１２（ａ）のＸＩＩＣ−ＸＩＩＣ線での断面図である。
台座９１は、発光面３１１の対向する２辺に、発光サイリスタＬの列の方向に沿って、壁状に設けられている。そして、レンズ９２は、発光サイリスタＬの列の方向に円筒の中心軸を有する円柱状（円柱レンズ）である。なお、円柱レンズはシリンドリカルレンズと呼ばれる。
なお、隣接するレンズ９２の間を破線で示しているが、隣接するレンズ９２は一体化している。すなわち、レンズ９２はファイバ状（ガラスファイバ）になっている。
レンズ９２がファイバ状であると、発光サイリスタＬ毎にレンズ９２を設置することなく、複数の発光サイリスタＬに対して、ファイバ状のレンズ９２を一括して設置できる。
また、レンズ９２がファイバ状であっても、発光面３１１から出射して発光面３１１に対して側方（斜め方向）に進む光を集光し、発光面３１１に対して前方（垂直な方向）に進む光となる。これにより、発光面３１１から出射した光の取り出し効率が向上している。
そして、第５の実施の形態の台座９１およびレンズ９２を有する発光チップＣは、第１の実施の形態で説明した製造方法で製造しうる。
なお、台座９１の形状を、第３の実施の形態で示した形状としてもよい。
【０１００】
［第６の実施の形態］
第６の実施の形態は、第１の実施の形態と、発光チップＣの台座９１の構成が異なっている。すなわち、台座９１は、第１の実施の形態ではポリイミドとした。ポリイミドは褐色を呈している。これに対して、第６の実施の形態では、台座９１の発光面３１１を見込む面（台座９１の内側の側面）を発光サイリスタＬの発光する光（例えば、発光波長７８０ｎｍの光）を吸収しやすい面とした。すなわち、台座９１を黒色のポリイミドとした。他の構成は第１の実施の形態と同様である。よって、第１の実施の形態と異なる部分、すなわち第６の実施の形態における発光チップＣの台座９１に関連する部分について説明し、第１の実施の形態と同様な部分についての説明を省略する。
前述したように、発光面３１１からは、発光面３１１に対して前方に進む光に加え、側方にも光が出射する。これらの光の内レンズ９２に入射する光は、レンズ９２により集光されて取り出されて、画像形成に利用される。しかし、レンズ９２に入射しない光は迷光になって、画像形成において好ましくない。
第６の実施の形態では、台座９１を黒色のポリイミドとして、発光サイリスタＬの発光する光を吸収しやすい面とした。これにより、迷光を吸収するようにしている。
【０１０１】
台座９１を黒色のポリイミドとする方法としては、例えば図７（ｂ）に示した感光性ポリイミド膜９４にカーボンの粉体（カーボンブラック）を混入させて、台座９１を形成すればよい。
また、他の黒色の材料を用いて台座９１を形成してもよい。
なお、第６の実施の形態では、台座９１の形状は、第１の実施の形態または第２の実施の形態のように、発光面３１１を取り巻くように構成されていることが好ましい。
【０１０２】
［第７の実施の形態］
第７の実施の形態は、第１の実施の形態と、発光チップＣの台座９１の構成が異なっている。すなわち、第７の実施の形態では、台座９１の発光面３１１を見込む面（台座９１の内側の側面）を発光サイリスタＬの発光する光（例えば、発光波長７８０ｎｍの光）を反射しやすい面とした。他の構成は第１の実施の形態と同様である。よって、第１の実施の形態と異なる部分、すなわち第７の実施の形態における発光チップＣの台座９１に関連する部分について説明し、第１の実施の形態と同様な部分についての説明を省略する。
前述したように、発光面３１１からは、発光面３１１の前方に進む光に加え、側方にも光が出射する。レンズ９２に入射しない光は迷光となる。
そこで、本実施の形態では、側方に出射した光のうち台座９１の内側の面に入射した光をレンズ９２に入射するように反射させるため、台座９１の内側の面を、発光サイリスタＬの発光波長に対して反射率が高い反射層としている。
【０１０３】
台座９１の内側側面を、発光サイリスタＬの発光波長に対して反射率が高い反射層とする方法を説明する。反射層として、例えばアルミニウム（Ａｌ）を用いる場合で説明する。
図７（ｃ）に示したように、発光チップＣの台座９１を形成する。
その後、Ａｌの薄膜を、発光チップＣの台座９１を形成した側の表面にスパッタリング法などにより堆積する。この後、イオンエッチング法などにより、Ａｌの薄膜をエッチングする。このとき、エッチングのためのイオンが基板８０の表面（発光面３１１）に対して垂直に入射するようにする。すると、基板８０上の基板８０の表面に平行な面である発光面３１１上のＡｌの薄膜はエッチングされて除去されるが、基板８０の表面に対して垂直な面である台座９１の側面上のＡｌの薄膜はエッチングされにくい。よって、台座９１の側面にＡｌの反射層を形成することができる。
なお、反射層の材質は、Ａｌに限定されることなく、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）など、発光サイリスタＬの射出する光に対して反射率が高いものであればよい。
【０１０４】
第１の実施の形態から第７の実施の形態において、発光面３１１の形状を馬蹄形として説明したが、ｎ型オーミック電極３２１を設ける位置を変えることにより、他の形状としてもよい。また、発光面３１１の外形を、図６（ａ）などでは正方形としたが、長方形など他の形状であってもよい。
さらに、発光サイリスタＬの列のピッチを２０μｍとしたが、他の値であってもよい。
【０１０５】
第１の実施の形態において、ハイレベルの電位である「Ｈ」（０Ｖ）、ローレベルの電位である「Ｌ」（−３．３Ｖ）の値は、それぞれ一例であって、発光装置６５の動作を考慮して、他の値に設定してもよい。
第１の実施の形態では、転送サイリスタＴは、第１転送信号φ１と第２転送信号φ２との２相で駆動されるとしたが、転送サイリスタＴを３個毎に３相の転送信号を送信して駆動してもよい。
【０１０６】
なお、第１の実施の形態において、発光チップＣには、自己走査型発光素子アレイ（ＳＬＥＤ）が１個搭載されているとしたが、２個以上であってもよい。２個以上搭載されている場合には、それぞれの自己走査型発光素子アレイ（ＳＬＥＤ）を発光チップＣと置き換えればよい。
【０１０７】
そして、第１の実施の形態において、サイリスタ（転送サイリスタＴ、発光サイリスタＬ）のアノード端子を基板８０にとって共通にしたアノードコモンとして説明した。カソード端子を基板８０にとって共通にしたカソードコモンにおいても、回路の極性を変更することによって用いうる。
【０１０８】
さらに、発光素子を発光サイリスタＬとして説明したが、発光素子は、発光ダイオードなど他のデバイスであってもよい。
【実施例】
【０１０９】
次に、実施例について説明する。
以下に示す実施例および比較例の発光チップＣは、直径６インチ、厚さ３００μｍのＧａＡｓの基板８０を用いて製造した。
実施例に示す発光チップＣは、図６に示した構造を有している。
【０１１０】
図１３は、比較例の発光チップＣの発光サイリスタＬの部分の平面図および断面図である。図１３（ａ）は平面図、図１３（ｂ）は図１３（ａ）のＸＩＩＩＢ−ＸＩＩＩＢ線での断面図、図１３（ｃ）は図１３（ａ）のＸＩＩＩＣ−ＸＩＩＩＣ線での断面図である。なお、図１３（ａ）では、台座９１の記載を省略している。
比較例の台座９１は、図７（ｂ）において、感光性ポリイミド膜９４に光９７を照射することなく、加熱によりイミド化させて、台座９１としている。すなわち、台座９１は、図１３（ｂ）、（ｃ）に示すように、基板８０の発光サイリスタＬが設けられた面の全面に設けられている。そして、発光サイリスタＬの発光面３１１に対向して、第４の実施の形態と同様な半球状のレンズ９２が設けられている。
【０１１１】
そして、実施例と比較例とにおいて、それぞれの発光チップＣに分割される前の状態において、基板８０の反り量の増加量（μｍ）を比較した。反り量は、レーザ干渉によるフラットネステスタによって測定した。
表１は、実施例および比較例についての反り量の増加量（μｍ）を示す。
【０１１２】
【表１】
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【０１１３】
表１に示すように、台座９１を基板８０の全面に設けない実施例における反り量の増加量は、台座９１を全面に設けた比較例の場合の１／２０以下となる。
これは、比較例では、基板８０の全面に台座９１が形成されているため、加熱時に感光性ポリイミド膜９４が収縮して、感光性ポリイミド膜９４が形成された側が凹状に反るためである。すると、基板８０に応力がかかり、基板８０の破損（割れ）を生じやすくなる。
一方、実施例では、台座９１を発光面３１１の端部に形成することで、台座９１の基板８０側に接する面積が縮小され、台座９１の形成による応力の発生が抑制されている。
すなわち、台座９１の基板８０側に接触する面積を縮小することで、台座９１の形成による応力の発生が抑制される。
【符号の説明】
【０１１４】
１…画像形成装置、１０…画像形成プロセス部、１１…画像形成ユニット、１２…感光体ドラム、１４…プリントヘッド、３０…画像出力制御部、４０…画像処理部、６２…回路基板、６３…光源部、６４…ロッドレンズアレイ、６５…発光装置、７１…電源線、７２…第１転送信号線、７３…第２転送信号線、７５…点灯信号線、７５ａ…幹部、７５ｂ…枝部、９１…台座、９２…レンズ、９３…空隙、９４…感光性ポリイミド膜、１１０…信号発生回路、１２０…転送信号発生部、１４０…点灯信号発生部、１６０…基準電位供給部、１７０…電源電位供給部、φ１…第１転送信号、φ２…第２転送信号、φＩ（φＩ１〜φＩ４０）…点灯信号、Ｃ（Ｃ１〜Ｃ４０）…発光チップ、Ｌ…発光サイリスタ、Ｔ…転送サイリスタ、Ｄｘ…結合ダイオード、Ｖｇａ…電源電位、Ｖｓｕｂ…基準電位
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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