(57)【要約】【課題】外圧の方向と大きさを高い精度で検出することが可能な検出装置、電子機器及びロボットを提供する。【解決手段】基準点Ｐの回りに複数配置された第１容量電極１２、を有する第１基板１０と、複数の第１容量電極１２の露出する部位全体を覆うように、第１基板１０の上に形成された誘電体と、基準点Ｐと重なる位置に重心が位置するとともに外圧によって先端部が誘電体に当接した状態で弾性変形する、少なくとも表面が導電性を有する第２容量電極として機能する弾性体突起２２、が形成された第２基板２０と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基準点に加えられた外圧の方向と大きさを検出する検出装置であって、
前記基準点の回りに複数配置された第１容量電極、を有する第１基板と、
前記複数の第１容量電極の露出する部位全体を覆うように、前記第１基板の上に形成された誘電体と、
前記基準点と重なる位置に重心が位置するとともに外圧によって先端部が前記誘電体に当接した状態で弾性変形する、少なくとも表面が導電性を有する第２容量電極として機能する弾性体突起、が形成された第２基板と、
を備えることを特徴とする検出装置。
【請求項２】
外圧によって前記弾性体突起が弾性変形することにより変化する、前記第１容量電極と前記第２容量電極と前記誘電体とで構成される複数の容量検出素子の静電容量値のうち任意に組み合わされた各容量検出素子の静電容量値の差分を演算し、その差分に基づいて外圧が加えられた方向と外圧の大きさを演算する演算装置を備えることを特徴とする請求項１に記載の検出装置。
【請求項３】
前記複数の第１容量電極は、前記基準点に対して点対称に配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の検出装置。
【請求項４】
前記複数の第１容量電極は、互いに直交する２方向にマトリクス状に配置されていることを特徴とする請求項３に記載の検出装置。
【請求項５】
前記複数の第１容量電極は、互いに直交する２方向に少なくとも４行４列に配置されていることを特徴とする請求項４に記載の検出装置。
【請求項６】
前記弾性体突起は前記第２基板に複数形成されており、
前記複数の弾性体突起は、互いに離間して配置されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項７】
前記第２基板の前記弾性体突起が形成された側と反対の側には、前記第２基板よりも高い剛性を有する補強部材が配置されていることを特徴とする請求項６に記載の検出装置。
【請求項８】
前記第２基板の前記弾性体突起が形成された側と反対の側には、絶縁性を有する保護部材が配置されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項９】
前記誘電体は、弾性体からなることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の検出装置。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の検出装置を備えることを特徴とする電子機器。
【請求項１１】
請求項１〜９のいずれか１項に記載の検出装置を備えることを特徴とするロボット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検出装置、電子機器及びロボットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
外力を検出する検出装置として、特許文献１〜３に記載の検出装置が知られている。このような検出装置は、タッチパネルやロボットの触覚センサー等への応用が検討されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開昭６０−１３５８３４号公報
【特許文献２】特開平７−１２８１６３号公報
【特許文献３】特開２００９−１７６１８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の検出装置は、裏面に錘状突起が略均一に配置された受圧シートを用い、その突起の変形量から圧力分布を検出する構成となっている。しかしながら、特許文献１の検出装置では、測定面にかかる圧力の面内方向の力（すべり力）を測定することができない。
特許文献２の検出装置は、受圧シートの表面に複数の柱状突起を格子状に配置し、これら表面突起の周辺部を等分した個所の裏面に円錐状の突起を設けた構成となっている。特許文献２の検出装置では、外圧を３次元の力ベクトルとして検出することは可能であるが、突起の変形の度合いで外圧の検出限界が決まってしまう。
特許文献３の検出装置は、静電容量を検出するセンシング領域を備えた素子基板と対向基板との間に誘電体を設け、その変形による静電容量の変化から圧力の変化を検出する構成となっている。しかしながら、特許文献３の検出装置では、測定面にかかる外圧の面内方向の力（すべり力）を測定することができない。
以上のように、特許文献１〜３の検出装置では、いずれも外圧の方向と大きさを高い精度で検出することができなかった。
【０００５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することが可能な検出装置、電子機器及びロボットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するため、本発明の検出装置は、基準点に加えられた外圧の方向と大きさを検出する検出装置であって、前記基準点の回りに複数配置された第１容量電極、を有する第１基板と、前記複数の第１容量電極の露出する部位全体を覆うように、前記第１基板の上に形成された誘電体と、前記基準点と重なる位置に重心が位置するとともに外圧によって先端部が前記誘電体に当接した状態で弾性変形する、少なくとも表面が導電性を有する第２容量電極として機能する弾性体突起、が形成された第２基板と、を備えることを特徴とする。
【０００７】
この検出装置によれば、弾性体突起の先端部が誘電体に当接した状態ですべり方向（誘電体表面に平行な方向）に変形するので、特許文献１や特許文献２の検出装置に比べて、外圧の方向と大きさの検出精度を高めることができる。第２基板の表面に所定の方向の外圧が付加されると、弾性体突起は先端部が誘電体に当接した状態で圧縮変形する。弾性体突起の重心が基準点からずれない方向の外圧が加わる場合には、外圧の大きさに応じて弾性体突起が変形する。すると、容量検出素子の電極面積が変化するので静電容量が変化し、外圧の大きさを精度よく検出できる。一方、弾性体突起の重心が基準点からずれる方向の外圧が加わる場合には、所定方向の外圧により弾性体突起の変形には偏りが生じる。すなわち、弾性体突起の重心は基準点からずれて所定方向（すべり方向）に移動する。すると、複数の第１容量電極のうち弾性体突起の重心が移動した部分と重なる割合が相対的に大きくなる。つまり、各容量検出素子で異なる値の静電容量が検出される。具体的には、弾性体突起の重心と重なる位置の容量検出素子では相対的に大きい静電容量が検出され、弾性体突起の重心と重ならない位置の容量検出素子では相対的に小さい静電容量が検出されることとなる。よって、演算装置により、各容量検出素子で検出された静電容量の差分を演算し、その差分に基づいて外圧が加えられた方向を求めることができる。したがって、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することが可能な検出装置を提供することができる。
【０００８】
前記検出装置において、外圧によって前記弾性体突起が弾性変形することにより変化する、前記第１容量電極と前記第２容量電極と前記誘電体とで構成される複数の容量検出素子の静電容量値のうち任意に組み合わされた各容量検出素子の静電容量値の差分を演算し、その差分に基づいて外圧が加えられた方向と外圧の大きさを演算する演算装置を備えていてもよい。
【０００９】
前記検出装置において、前記複数の第１容量電極は、前記基準点に対して点対称に配置されていてもよい。
【００１０】
この検出装置によれば、基準点と各第１容量電極との間の距離が互いに等しくなるので、弾性体突起の変形量と各第１容量電極と第２容量電極とを含んで構成される各容量検出素子が検出する静電容量値との関係が互いに等しくなる。例えば、複数の第１容量電極が基準点から互いに異なる距離に配置される場合、弾性体突起の変形量が同じであっても、各容量検出素子が検出する静電容量値は互いに異なることとなる。このため、検出容量の差分を演算する際に各第１容量電極の配置位置に応じた補正係数が必要となる。しかしながら、この構成によれば、弾性体突起の変形量と各容量検出素子が検出する静電容量値との関係が互いに等しくなるので、前記補正係数は不要となる。したがって、各容量検出素子の静電容量値の差分から外圧の方向と大きさを演算することが容易となり、外圧を効率よく検出することができる。
【００１１】
前記検出装置において、前記複数の第１容量電極は、互いに直交する２方向にマトリクス状に配置されていてもよい。
【００１２】
この検出装置によれば、各第１容量電極と第２容量電極とを含んで構成される各容量検出素子の静電容量値のうち任意に組み合わされた各容量検出素子の静電容量値の差分から外圧の方向と大きさを演算することが容易となる。
【００１３】
前記検出装置において、前記複数の第１容量電極は、互いに直交する２方向に少なくとも４行４列に配置されていてもよい。
【００１４】
この検出装置によれば、配置される第１容量電極の数が多くなる。このため、多数の容量検出素子で検出される静電容量に基づいて各容量検出素子の検出結果を積算して外圧の作用する方向を求めることができる。したがって、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することができる。
【００１５】
前記検出装置において、前記弾性体突起は前記第２基板に複数形成されており、前記複数の弾性体突起は、互いに離間して配置されていてもよい。
【００１６】
この検出装置によれば、弾性体突起が弾性変形したときの第２基板本体の面内に平行な方向の変形量を許容することができる。例えば、一方の弾性体突起が変形したときに他方の弾性体突起に変形の影響を及ぼすことを抑制することができる。したがって、複数の弾性体突起が互いに接触して配置されている場合に比べて、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することができる。
【００１７】
前記検出装置において、前記第２基板の前記弾性体突起が形成された側と反対の側には、前記第２基板よりも高い剛性を有する補強部材が配置されていてもよい。
【００１８】
この検出装置によれば、例えば、外圧が２つの隣り合う弾性体突起の間の領域に作用する場合、補強部材が無いときに比べて２つの隣り合う弾性体突起が互いに反対の方向に圧縮変形してしまうことを抑制することができる。つまり、外圧の加えられた方向と反対の方向を検出するといった誤検出を抑制することができる。したがって、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することができる。
【００１９】
前記検出装置において、前記第２基板の前記弾性体突起が形成された側と反対の側には、絶縁性を有する保護部材が配置されていてもよい。
【００２０】
この検出装置によれば、例えば第２基板が導電性を有する場合、外乱や静電気等の影響により各容量検出素子で検出される静電容量の値にノイズがのることを抑制することができる。したがって、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することができる。
【００２１】
前記検出装置において、前記誘電体は、弾性体からなっていてもよい。
【００２２】
この検出装置によれば、弾性体突起と誘電体との弾性変形により、弾性体突起のみが弾性を有する構成に比べて、外圧の方向と大きさの検出精度を高めることができる。付加される外圧が大きくなると、弾性体突起はこれ以上変形しない臨界点を迎える。弾性体突起に臨界点を越えた外圧が作用すると、弾性体からなる誘電体が柔軟に変形する。このため、弾性体突起が変形しうる臨界点以上の大きさの外圧を検出することができる。外圧が斜め方向から付加されると、弾性体突起の重心は基準点からずれてすべり方向に移動する。すると、弾性体突起の重心が移動した部分の誘電体の厚みが相対的に薄くなる。これにより、各容量検出素子で異なる値の静電容量が検出される。具体的には、誘電体の厚みが相対的に薄い部分の容量検出素子では相対的に大きい静電容量が検出され、誘電体の厚みが相対的に厚い部分の容量検出素子では相対的に小さい静電容量が検出されることとなる。したがって、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することができる。
【００２３】
本発明の電子機器は、上述した検出装置を備えることを特徴とする。
【００２４】
この電子機器によれば、上述した検出装置を備えているので、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することが可能な電子機器を提供することができる。
【００２５】
本発明のロボットは、上述した検出装置を備えることを特徴とする。
【００２６】
このロボットによれば、上述した検出装置を備えているので、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することが可能なロボットを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る検出装置の概略構成を示す分解斜視図である。
【図２】第１実施形態に係るセンシング回路の構成を示す回路図である。
【図３】第１実施形態に係るセンシング回路の動作を示すタイミングチャートである。
【図４】リセット期間におけるセンシング回路の動作を示す説明図である。
【図５】センシング期間におけるセンシング回路の動作を示す説明図である。
【図６】読出期間におけるセンシング回路の動作を示す説明図である。
【図７】第１実施形態に係る容量検出素子による静電容量の変化を示す断面図である。
【図８】第１実施形態に係る容量検出素子による静電容量の変化を示す平面図である。
【図９】第１実施形態に係るセンシング領域の座標系を示す図である。
【図１０】第１実施形態に係る容量検出素子による垂直方向の圧力分布を示す図である。
【図１１】第１実施形態に係る容量検出素子によるすべり方向の計算例を示す図である。
【図１２】本発明の第２実施形態に係る検出装置の概略構成を示す分解斜視図である。
【図１３】第２実施形態に係る容量検出素子による静電容量の変化を示す断面図である。
【図１４】第２実施形態に係る容量検出素子による静電容量の変化を示す平面図である。
【図１５】第２実施形態に係るセンシング領域の座標系を示す図である。
【図１６】本発明の第３実施形態に係る検出装置の概略構成を示す分解斜視図である。
【図１７】第３実施形態に係る容量検出素子による静電容量の変化を示す断面図である。
【図１８】本発明の第２基板の第１変形例の概略構成を示す断面図である。
【図１９】電子機器の一例である携帯電話機の概略構成を示す模式図である。
【図２０】電子機器の一例である携帯情報端末の概略構成を示す模式図である。
【図２１】ロボットの一例であるロボットハンドの概略構成を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。かかる実施の形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。
【００２９】
以下の説明においては、図１中に示されたＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材について説明する。ＸＹＺ直交座標系は、Ｘ軸及びＹ軸が第１基板１０に対して平行な方向に設定され、Ｚ軸が第１基板１０に対して直交する方向に設定されている。
【００３０】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る検出装置１の概略構成を示す分解斜視図である。図１においては、便宜上、誘電体３０（図７参照）の図示を省略している。図１において、符号Ｐは基準点、符号Ｓは１つの弾性体突起２２に対応して配置された複数の容量検出素子Ｓ１〜Ｓ４（第１容量電極１２と第２容量電極（弾性体突起２２）と誘電体３０とで構成される素子）が検出する単位検出領域を示している。
【００３１】
検出装置１は、基準点に加えられた外圧の方向を検出する静電容量方式のタッチパッドであり、例えばノートパソコン等の電子機器においてマウスの代わりのポインティングデバイスとして用いられるものである。なお、「基準点」とは、すべり力が作用していない場合に弾性体突起の中心が位置するポイントである。
【００３２】
図１に示すように、検出装置１は、基準点Ｐの回りに複数配置された第１容量電極１２、を有する第１基板１０と、複数の第１容量電極１２の露出する部位全体を覆うように第１基板１０の上に形成された誘電体３０（図７参照）と、基準点Ｐに重なる位置に重心が位置するとともに外圧によって先端部が誘電体３０に当接した状態で弾性変形する、少なくとも表面が導電性を有する弾性体突起２２、が形成された第２基板２０と、を備えている。
【００３３】
検出装置１は、外圧によって弾性体突起２２が弾性変形することにより変化する複数の容量検出素子Ｓ１〜Ｓ４の静電容量値のうち任意に組み合わされた各容量検出素子の静電容量値の差分を演算し、その差分に基づいて外圧が加えられた方向と外圧の大きさを演算する演算装置（図示略）を備えている。
【００３４】
なお、本実施形態では、第１基板１０に第１容量電極１２が配置され、第２基板２０に第２容量電極として機能する弾性体突起２２が配置されている。つまり、第１容量電極１２と第２容量電極（弾性体突起２２）との間の誘電体に縦方向（Ｚ方向）の電界を印加させる縦電界方式を採用している。
【００３５】
第１基板１０は、例えばガラス、石英及びプラスチック等の材料で構成された矩形板状の第１基板本体１１と、第１基板本体１１に配置された複数の第１容量電極１２と、を具備して構成されている。例えば、第１基板本体１１の大きさ（平面視のサイズ）は、縦５６ｍｍ×横５６ｍｍ程度になっている。
【００３６】
複数の第１容量電極１２は、基準点Ｐに対して点対称に配置されている。例えば、複数の第１容量電極１２は、互いに直交する２方向（Ｘ方向及びＹ方向）にマトリクス状に配置されている。これにより、基準点Ｐと各第１容量電極１２との間の距離が互いに等しくなるので、各第１容量電極１２と第２容量電極２２とを含んで構成される各容量検出素子Ｓ１〜Ｓ４が検出する静電容量値が互いに等しくなる。よって、各容量検出素子Ｓ１〜Ｓ４の静電容量値のうち任意に組み合わされた各容量検出素子Ｓ１〜Ｓ４の静電容量値の差分を演算することが容易となる。なお、静電容量値の差分の演算方法については後述する。
【００３７】
隣り合う第１容量電極１２の間隔は、０．１ｍｍ程度になっている。このため、外乱や静電気等の影響により隣り合う位置の容量検出素子Ｓ１〜Ｓ４で検出される静電容量の値にノイズがのらないようになっている。
【００３８】
複数の第１容量電極１２は、単位検出領域Ｓ当たり縦２行横２列に計４つ配置されている。４つの第１容量電極１２の中心（単位検出領域Ｓの中心）が基準点Ｐとなっている。例えば、単位検出領域Ｓの大きさ（平面視のサイズ）は、縦２．８ｍｍ×横２．８ｍｍ程度になっている。また、４つの第１容量電極１２の各面積がほぼ等しくなっている。第１容量電極１２の形成材料としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）等の金属材料を用いることができる。
【００３９】
誘電体３０（図７参照）は、複数の第１容量電極１２の露出する部位全体を覆って、第１基板１０の上に形成されている。誘電体３０の形成材料としては、例えば、プラスチック等の樹脂材料、酸化シリコンにフッ素を添加したもの、酸化シリコンに炭素を添加したもの、有機ポリマー系の材料を用いることができる。
【００４０】
第２基板２０は、矩形板状の第２基板本体２１と、第２基板本体２１に配置された複数の弾性体突起２２と、を具備して構成されている。第２基板本体２１は、外圧を直接受ける部分である。第２基板本体２１は、例えば導電性ゴム、導電性樹脂及びカーボンブラック等の導電性及び弾性を有する材料で構成することができる。本実施形態では、第２基板本体２１及び弾性体突起２２の形成材料として導電性及び弾性を有する材料を用い、第２基板本体２１及び弾性体突起２２を金型で一体形成している。
【００４１】
複数の弾性体突起２２は、第２基板本体２１上においてＸ方向及びＹ方向にマトリクス状に配置されている。弾性体突起２２の先端部は、球面の錘状となっており、第２基板本体２１に当接している。弾性体突起２２の重心は、基準点Ｐと重なる位置に配置されている。また、複数の弾性体突起２２は、互いに離間して配置されている。このため、弾性体突起２２が弾性変形したときの第２基板本体２１の面内に平行な方向の変形量を許容することができる。
【００４２】
弾性体突起２２のサイズは任意に設定することができる。ここでは、弾性体突起２２の基部の径（弾性体突起２２が第２基板本体２１に接する部分の直径）は１．８ｍｍ程度になっている。弾性体突起２２の高さ（弾性体突起２２のＺ方向の距離）は２ｍｍ程度になっている。隣り合う弾性体突起２２の離間間隔は１ｍｍ程度になっている。弾性体突起２２のデュロメータ硬さ（タイプＡ、ＩＳＯ７６１９準拠のデュロメータによる硬さ測定値）は３０程度になっている。
【００４３】
図２は、容量検出素子を用いて外圧を検出するセンシング回路の等価回路図である。なお、図２において、符号Ｃｌは容量検出素子（図１に示す符号Ｓ１〜Ｓ４）を示している。センシング回路６０は、リセットトランジスタ６１と、増幅トランジスタ６２と、選択トランジスタ６３と、基準容量素子Ｃｒと、容量検出素子Ｃｌと、を備えている。容量検出素子Ｃｌは、第１容量電極１２と第２容量電極２２とを含み、第２容量電極２２には共通電位Ｖｃｏｍが供給される。
【００４４】
リセットトランジスタ６１のドレインは電源線７０に接続されている。リセットトランジスタ６１のソースは増幅トランジスタ６２のゲートに接続されている。電源線７０には電源電位ＶＲＨが供給される。リセットトランジスタ６１のゲートは第１制御線７２に接続されている。第１制御線７２にはリセット信号ＲＥＳが供給される。
【００４５】
増幅トランジスタ６２のドレインは電源線７０に接続されている。増幅トランジスタ６２のソースは選択トランジスタ６３のドレインに接続されている。増幅トランジスタ６２のゲートと第１制御線７２との間には基準容量素子Ｃｒが設けられている。また、増幅トランジスタ６２のゲートは容量検出素子Ｃｌの第１容量電極１２と接続されている。
【００４６】
選択トランジスタ６３のソースは検出線７４に接続されている。選択トランジスタ６３のゲートは第２制御線７６に接続されている。第２制御線７６には選択信号ＳＥＬが供給される。
【００４７】
（回路動作）
次に、センシング回路６０の動作を図３〜図６を参照しながら説明する。
図３は、本実施形態に係るセンシング回路６０の動作を示すタイミングチャートである。図４は、リセット期間におけるセンシング回路６０の動作を示す説明図である。図５は、センシング期間におけるセンシング回路６０の動作を示す説明図である。図６は、読出期間におけるセンシング回路６０の動作を示す説明図である。
図３に示すように、センシング回路６０は、リセット期間Ｔｒｅｓ、センシング期間Ｔｓｅｎ、及び読出期間Ｔｏｕｔを一単位として動作する。
【００４８】
（リセット期間）
先ず、リセット期間Ｔｒｅｓにおいて、第１制御線７２に供給されるリセット信号ＲＥＳのレベルは電位ＶＤに設定される。すなわち、リセット期間Ｔｒｅｓにおいては、リセット信号ＲＥＳのレベルはハイレベルに設定され、リセットトランジスタ６１はオン状態となる。一方、第２制御線７６に供給される選択信号ＳＥＬはローレベルに設定され、選択トランジスタ６３はオフ状態となる。すると、図４に示すように、増幅トランジスタ６２のゲート電位ＶＡは電源電位ＶＲＨに設定（リセット）される。また、容量検出素子Ｃｌの第１容量電極１２にも電源電位ＶＲＨが供給され、容量検出素子Ｃｌの第１容量電極１２と第２容量電極２２との間の電圧はＶＲＨ−Ｖｃｏｍに設定される。
【００４９】
（センシング期間）
次に、リセット期間Ｔｒｅｓ経過後の次の期間であるセンシング期間Ｔｓｅｎにおいては、リセット信号ＲＥＳのレベルがＶＤからＧＮＤ（＝０Ｖ）に変化する。すると、図５に示すように、リセットトランジスタ６１はオフ状態となる。また、センシング期間Ｔｓｅｎにおいては、選択信号ＳＥＬはローレベルに設定され、選択トランジスタ６３はオフ状態となる。増幅トランジスタ６２のゲートのインピーダンスは十分に高いため、センシング期間Ｔｓｅｎにおいては、増幅トランジスタ６２のゲートは電気的にフローティング状態となる。基準容量素子Ｃｒの一方の電極は第１制御線７２に接続されているため、第１制御線７２に供給されるリセット信号ＲＥＳのレベルがＶＤからＧＮＤに変化する。すると、それに応じて増幅トランジスタ６２のゲートの電位ＶＡも変化する。このときのゲートの電位ＶＡの変化量は、基準容量素子Ｃｒと容量検出素子Ｃｌとの容量比に応じた値となる。
【００５０】
（読出期間）
センシング期間Ｔｓｅｎの次の期間である読出期間Ｔｏｕｔにおいては、選択信号ＳＥＬがローレベルからハイレベルに変化する。すると、図６に示すように、選択トランジスタ６３がオン状態となる。これにより、増幅トランジスタ６２のゲートの電位ＶＡに応じた大きさの検出電流Ｉｔが検出線７４を流れる。この検出電流Ｉｔは、対象物（例えば指）と検出装置１との接触を検出する検出回路（図示略）へ供給される。
【００５１】
センシング期間Ｔｓｅｎにおいて容量検出素子Ｃｌの容量値が変化すると、それに応じて増幅トランジスタ６２のゲートの電位ＶＡも変化する。したがって、対象物が検出装置１に接触していない状態のときに読出期間Ｔｓｅｎで出力される検出電流Ｉｔの値と、対象物が検出装置１に接触したときに読出期間Ｔｓｅｎで出力される検出電流Ｉｔの値とは異なる。
【００５２】
ここで、対象物が検出装置１に接触していない状態における容量検出素子Ｃｌの容量値をＣｌｃ、対象物が検出装置１に接触したときの容量検出素子Ｃｌの容量値の変化量をΔＣｌｃ、基準容量素子Ｃｒの容量値をＣｒｅｆ、第１制御線７２の電位変化をΔＶ（＝ＶＤ）とすると、対象物が検出装置１に接触したときの増幅トランジスタ６２のゲートの電位ＶＡの変化量ΔＶＡは、以下に示す式（１）で表される。ただし、式（１）において寄生容量は無視している。
【００５３】
【数１】
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【００５４】
検出回路（図示略）は、検出電流Ｉｔ（検出信号に相当）の値に基づいて対象物と検出装置１との接触を検出する。対象物が検出装置１に接触したときのゲートの電位ＶＡの変化量ΔＶＡが大きいほど、非接触時における検出電流Ｉｔの値と接触時における検出電流Ｉｔの値との差が大きくなり、検出感度も高くなる。
【００５５】
図７及び図８は、基準点Ｐに作用する外圧の方向と大きさを検出する方法の説明図である。
図７（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態に係る容量検出素子による静電容量の変化を示す断面図である。図８（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態に係る容量検出素子による静電容量の変化を示す平面図である。
なお、図７（ａ）は第２基板２０の表面に外圧が付加される前の状態（外圧の作用がないとき）を示している。図７（ｂ）は第２基板２０の表面に相対的に弱い力の外圧が付加された状態を示している。図７（ｃ）は第２基板２０の表面に相対的に強い力の外圧が付加された状態を示している。図８（ａ）は第２基板２０の表面に外圧が付加される前の状態（外圧の作用がないとき）を示している。図８（ｂ）は第２基板２０の表面に垂直方向（すべり力がない状態）の外圧が付加された状態を示している。図８（ｃ）は第２基板２０の表面に斜め方向（すべり力がある状態）の外圧が付加された状態を示している。また、図８（ａ）〜（ｃ）において、符号Ｇは弾性体突起２２の重心（圧力中心）を示している。
【００５６】
図７（ａ）及び図８（ａ）に示すように、第２基板２０の表面に外圧が付加される前においては、弾性体突起２２は変形しない。弾性体突起２２の重心Ｇは基準点Ｐと重なる位置に配置されている。このときの各容量検出素子Ｓ１〜Ｓ４の静電容量値は図示略のメモリに記憶されている。メモリに記憶された各容量検出素子Ｓ１〜Ｓ４の静電容量値を基準として外圧の作用する方向や大きさが求められる。
【００５７】
図８（ｂ）に示すように、第２基板２０の表面に垂直方向の外圧が付加されたときには、弾性体突起２２は先端部が誘電体３０の表面に当接した状態でＺ方向に圧縮変形する。これにより、第２基板２０が−Ｚ方向に撓み、弾性体突起２２は外圧の大きさに応じて圧縮変形する。外圧が大きくなると、弾性体突起２２はこれ以上変形しない臨界点を迎える（図７（ｃ）参照）。すると、複数の第１容量電極のうち弾性体突起２２の先端部と重なる割合が外圧の作用がないときに比べて大きくなる。つまり、このときの容量検出素子の静電容量値は、外圧の作用がないときに比べて大きくなる。
【００５８】
図８（ｃ）に示すように、第２基板２０の表面に斜め方向の外圧が付加されたときには、弾性体突起２２は先端部が誘電体３０の表面に当接した状態で斜めに傾いて圧縮変形する。このとき、弾性体突起２２の重心Ｇは基準点Ｐから＋Ｘ方向及び＋Ｙ方向にずれる。この場合、弾性体突起２２の先端部と４つの第１容量電極１２との重なる面積は互いに異なる。具体的には、弾性体突起２２の先端部と４つの第１容量電極１２との重なる面積は、４つの第１容量電極１２のうち−Ｘ方向及び−Ｙ方向に配置された部分と重なる面積よりも＋Ｘ方向及び＋Ｙ方向に配置された部分と重なる面積のほうが大きくなる。
【００５９】
弾性体突起２２は、斜め方向の外圧により変形に偏りが生じる。すなわち、弾性体突起２２の重心は基準点Ｐからずれてすべり方向（Ｘ方向及びＹ方向）に移動する。すると、複数の第１容量電極のうち弾性体突起２２の重心が移動した部分と重なる割合が相対的に大きくなる。つまり、各容量検出素子で異なる値の静電容量が検出される。具体的には、弾性体突起２２の重心と重なる位置の容量検出素子では相対的に大きい静電容量が検出され、弾性体突起２２の重心と重ならない位置の容量検出素子では相対的に小さい静電容量が検出されることとなる。そして、後述する差分の演算方法に基づいて外圧が加えられた方向と大きさが求められる。
【００６０】
図９は、第１実施形態に係るセンシング領域の座標系を示す図である。図１０は、第１実施形態に係る容量検出素子による垂直方向の圧力分布を示す図である。図１１は、第１実施形態に係る容量検出素子によるすべり方向の計算例を示す図である。
【００６１】
図９に示すように、複数の容量検出素子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４は、単位検出領域Ｓ当たり縦２行横２列に計４つ配置されている。ここで、各容量検出素子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４が検出する静電容量値（検出値）をそれぞれＰＳ１，ＰＳ２，ＰＳ３，ＰＳ４とすると、外力のＸ方向成分Ｆｘ（外力の面内方向成分のうちＸ方向に作用する分力の割合）は以下の式（２）で表される。
【００６２】
【数２】
2012026905.tif 000004
【００６３】
また、外力のＹ方向成分Ｆｙ（外力の面内方向成分のうちＹ方向に作用する分力の割合）は以下の式（３）で表される。
【００６４】
【数３】
2012026905.tif 000005
【００６５】
また、外力のＺ方向成分Ｆｚ（外力の垂直方向成分）は以下の式（４）で表される。
【００６６】
【数４】
2012026905.tif 000006
【００６７】
本実施形態では、外圧によって弾性体突起が弾性変形することにより変化する４つの容量検出素子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の静電容量値のうち任意に組み合わされた各容量検出素子の静電容量値の差分を演算し、その差分に基づいて外圧が加えられた方向と大きさが演算される。
【００６８】
式（２）に示すように、外圧のＸ方向成分Ｆｘにおいては、４つの容量検出素子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の静電容量値のうち＋Ｘ方向に配置された容量検出素子Ｓ２及びＳ４が組み合わされるとともに、−Ｘ方向に配置された容量検出素子Ｓ１及びＳ３が組み合わされる。このように、＋Ｘ方向に配置された容量検出素子Ｓ２及びＳ４の組み合わせによる静電容量値と−Ｘ方向に配置された容量検出素子Ｓ１及びＳ３の組み合わせによる静電容量値との差分に基づいて外圧のＸ方向成分が求められる。
【００６９】
式（３）に示すように、外圧のＹ方向成分Ｆｙにおいては、４つの容量検出素子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の静電容量値のうち＋Ｙ方向に配置された容量検出素子Ｓ１及びＳ２が組み合わされるとともに、−Ｙ方向に配置された容量検出素子Ｓ３及びＳ４が組み合わされる。このように、＋Ｙ方向に配置された容量検出素子Ｓ１及びＳ２の組み合わせによる静電容量値と−Ｙ方向に配置された容量検出素子Ｓ３及びＳ４の組み合わせによる静電容量値との差分に基づいて外圧のＹ方向成分が求められる。
【００７０】
式（４）に示すように、外圧のＺ方向成分Ｆｚにおいては、４つの容量検出素子Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４の静電容量値を足し合わせた合力で求められる。ただし、外圧のＺ方向成分Ｆｚは、外圧のＸ方向成分Ｆｘ及び外圧のＹ方向成分Ｆｙ（分力）に比べて検出値が大きく検出される傾向がある。例えば、弾性体突起２２の材質として硬いものを用いたり、先端部の形状を先鋭にしたりすると、外圧の検出感度が高くなる。しかしながら、弾性体突起２２の材質として硬いものを用いると弾性体突起２２が変形しにくくなり外圧の面内方向の検出値が小さくなってしまう。また、弾性体突起２２の先端部の形状を先鋭にすると接触面を指で触ったときのタッチ感に強い感度（違和感）を与える場合がある。このため、外圧のＺ方向成分Ｆｚの検出値を、外圧のＸ方向成分Ｆｘ及び外圧のＹ方向成分Ｆｙの検出値と揃えるには、弾性体突起２２の材質や形状によって決定される補正係数で検出値を適宜補正する必要がある。
【００７１】
図１０に示すように、タッチパッドの検出面の中央部より左上寄りの位置を指で斜めに押した場合を考える。このとき、外圧の垂直方向の圧力は、外圧が作用した部分の中心部が最も大きくなっている（９０〜１２０ｍＶ程度）。また、外圧の垂直方向の圧力は、中心部に次いでその周辺部（６０〜９０ｍＶ程度）、最外周部（３０〜６０ｍＶ程度）の順に小さくなっている。また、指で押されていない領域は、０〜３０ｍＶ程度となっている。なお、タッチパッドには単位検出領域（容量検出素子Ｓ１〜Ｓ４が縦２行横２列に計４つ配置された領域）がマトリクス状（例えば縦１５行×横１５列に計２２５個）に配置されているとする。
【００７２】
図１１に示すように、タッチパッドの検出面の中央部より左上寄りの位置を指で斜めに押した場合の外圧の面内方向成分（すべり方向）の算出方法を考える。このとき、指の押圧力（外力）は、縦１５行×横１５列に配置されたものうち縦３行×横３列に配置された部分に作用しているとする。ここで、外圧の垂直方向の圧力は、図１０と同様に外圧が作用した部分の中心部がもっとも大きくなっている（１１０ｍＶ）。
【００７３】
縦３行×横３列に配置された各単位検出領域は、それぞれ４つの容量検出素子Ｓ１〜Ｓ４を有しており、各容量検出素子Ｓ１〜Ｓ４で検出された静電容量値のうち任意に組み合わされた各容量検出素子Ｓ１〜Ｓ４の静電容量値の差分を演算し、その差分に基づいて外圧が加えられた方向が演算される。つまり、各単位検出領域では、上述した式（２）及び式（３）に基づいて外圧のＸ方向成分Ｆｘ及び外圧のＹ方向成分Ｆｙが算出される。ここでは、＋Ｘ方向を基準として左回りに約１２３°の方向に外圧が作用していることが分かる。なお、外圧の作用する方向の算出にあっては、９つの算出結果の平均値で求める方法、あるいは９つの算出結果のうちの最大値（例えば所定のしきい値よりも大きい検出値）により求める方法を用いることができる。
【００７４】
本実施形態の検出装置１によれば、弾性体突起２２の先端部が誘電体３０に当接した状態ですべり方向（誘電体表面に平行な方向）に変形するので、特許文献１や特許文献２の検出装置に比べて、外圧の方向と大きさの検出精度を高めることができる。第２基板２０の表面に所定の方向の外圧が付加されると、弾性体突起２２は先端部が誘電体３０に当接した状態で圧縮変形する。弾性体突起２２の重心が基準点Ｐからずれない方向の外圧が加わる場合には、外圧の大きさに応じて弾性体突起２２が変形する。すると、容量検出素子の電極面積が変化するので静電容量が変化し、外圧の大きさを精度よく検出できる。一方、弾性体突起２２の重心が基準点からずれる方向の外圧が加わる場合には、所定方向の外圧により弾性体突起２２の変形には偏りが生じる。すなわち、弾性体突起２２の重心は基準点Ｐからずれて所定方向（すべり方向）に移動する。すると、複数の第１容量電極１２のうち弾性体突起２２の重心が移動した部分と重なる割合が相対的に大きくなる。つまり、各容量検出素子Ｓ１〜Ｓ４で異なる値の静電容量が検出される。具体的には、弾性体突起２２の重心と重なる位置の容量検出素子では相対的に大きい静電容量が検出され、弾性体突起２２の重心と重ならない位置の容量検出素子では相対的に小さい静電容量が検出されることとなる。よって、演算装置により、各容量検出素子Ｓ１〜Ｓ４で検出された静電容量の差分を演算し、その差分に基づいて外圧が加えられた方向と大きさを求めることができる。したがって、外圧の方向を高い精度で検出することが可能な検出装置１を提供することができる。
また、弾性体突起２２が第２容量電極として機能するので、弾性体突起と第２容量電極とを別体にした構成にくらべて、装置の薄型化を図ることができる。
【００７５】
この構成によれば、複数の第１容量電極１２が基準点Ｐに対して点対称に配置されているので、基準点Ｐと各第１容量電極１２との間の距離が互いに等しくなる。このため、弾性体突起２２の変形量と各第１容量電極１２と第２容量電極２２とを含んで構成される各容量検出素子Ｓ１〜Ｓ４が検出する静電容量値との関係が互いに等しくなる。例えば、複数の第１容量電極が基準点から互いに異なる距離に配置される場合、弾性体突起２２の変形量が同じであっても、各容量検出素子Ｓ１〜Ｓ４が検出する静電容量値は互いに異なることとなる。このため、検出容量の差分を演算する際に各第１容量電極の配置位置に応じた補正係数が必要となる。しかしながら、この構成によれば、弾性体突起２２の変形量と各容量検出素子Ｓ１〜Ｓ４が検出する静電容量値との関係が互いに等しくなるので、前記補正係数は不要となる。したがって、各容量検出素子Ｓ１〜Ｓ４の静電容量値の差分から外圧の方向と大きさを演算することが容易となり、外圧を効率よく検出することができる。
【００７６】
この構成によれば、複数の第１容量電極１２が互いに直交する２方向にマトリクス状に配置されているので、各第１容量電極１２と第２容量電極２２とを含んで構成される各容量検出素子Ｓ１〜Ｓ４の静電容量値のうち任意に組み合わされた各容量検出素子Ｓ１〜Ｓ４の静電容量値の差分から外圧の方向と大きさを演算することが容易となる。例えば、面内方向成分のうちＸ方向成分を演算する場合、複数の第１容量電極１２が複数の方向にランダムに配置されている場合に比べて、相対的に＋Ｘ方向に配置された容量検出素子Ｓ２及びＳ４の組み合わせと相対的に−Ｘ方向に配置された容量検出素子Ｓ１及びＳ３の組み合わせとを区分けして選出しやすくなる。したがって、外圧を効率よく検出することができる。
【００７７】
この構成によれば、複数の弾性体突起２２が互いに離間して配置されているので、弾性体突起２２が弾性変形したときの第２基板本体２１の面内に平行な方向の変形量を許容することができる。例えば、一方の弾性体突起２２が変形したときに他方の弾性体突起２２に変形の影響を及ぼすことを抑制することができる。したがって、複数の弾性体突起２２が互いに接触して配置されている場合に比べて、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することができる。
【００７８】
なお、本実施形態においては、第１容量電極１２が単位検出領域Ｓ当たり縦２行横２列に計４つ配置されている例を挙げて説明したが、これに限らない。第１容量電極１２は、単位検出領域Ｓ当たり３つ以上配置されていればよい。
【００７９】
（第２実施形態）
図１２は、図１に対応した、本発明の第２実施形態に係る検出装置２の概略構成を示す分解斜視図である。なお、図１２においては、便宜上、誘電体３０（図１３参照）の図示を省略している。また、図１２において、符号Ｐは基準点、符号Ｓは１つの弾性体突起２２に対応して配置された複数の容量検出素子Ｓｉ（第１容量電極１１２と第２容量電極２２と誘電体３０とで構成される素子）が検出する単位検出領域を示している。本実施形態の検出装置２は、複数の第１容量電極１２が互いに直交する２方向に少なくとも縦４行横４列に配置されている点で、上述の第１実施形態で説明した検出装置１と異なる。図１２において、図１と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。なお、図１２においては、便宜上、複数の第１容量電極１１２が単位検出領域Ｓ当たり縦４行横４列に配置されているが、実際には図１３及び図１４に示すように複数の第１容量電極１１２が単位検出領域Ｓ当たり縦４行横４列以上に配置されていてもよいものとする。
【００８０】
図１２に示すように、検出装置２は、基準点Ｐの回りに複数配置された第１容量電極１１２、を有する第１基板１１０と、複数の第１容量電極１１２の露出する部位全体を覆って第１基板１１０の上に形成された誘電体３０（図１３参照）と、基準点Ｐに重なる位置に重心が位置するとともに外圧によって先端部が誘電体３０に当接した状態で弾性変形する弾性体突起２２、が形成された第２基板２０と、を備えている。
【００８１】
複数の第１容量電極１１２は、互いに直交する２方向（Ｘ方向及びＹ方向）に少なくとも縦４行横４列に計１６個配置されている。具体的には、複数の第１容量電極１１２は、単位検出領域Ｓ当たり少なくとも縦４行横４列に計１６個配置されている。これら１６個の第１容量電極１１２の中心（単位検出領域Ｓの中心）が基準点Ｐとなっている。
【００８２】
図１３（ａ）〜（ｃ）は、図７（ａ）〜（ｃ）に対応した、第２実施形態に係る容量検出素子による静電容量の変化を示す断面図である。図１４（ａ）〜（ｃ）は、図１３（ａ）〜（ｃ）に対応した、第２実施形態に係る容量検出素子による静電容量の変化を示す平面図である。なお、図１３（ａ）及び図１４（ａ）は第２基板２０の表面に外圧が付加される前の状態（外圧の作用がないとき）を示している。図１３（ｂ）及び図１４（ｂ）は第２基板２０の表面に垂直方向の外圧が付加された状態を示している。図１３（ｃ）及び図１４（ｃ）は第２基板２０の表面に斜め方向の外圧が付加された状態を示している。また、図１４（ａ）〜（ｃ）において、符号Ｇは弾性体突起２２の重心を示している。図１３及び図１４において、図７及び図８と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００８３】
図１３（ａ）及び図１４（ａ）に示すように、第２基板２０の表面に外圧が付加される前においては、弾性体突起２２は変形しない。弾性体突起２２の重心Ｇは基準点Ｐと重なる位置に配置されている。このときの各容量検出素子Ｓｉの静電容量値は図示略のメモリに記憶されている。メモリに記憶された各容量検出素子Ｓｉの静電容量値を基準として外圧の作用する方向や大きさが求められる。
【００８４】
図１３（ｂ）及び図１４（ｂ）に示すように、第２基板２０の表面に垂直方向の外圧が付加されたときには、弾性体突起２２は先端部が誘電体３０の表面に当接した状態でＺ方向に圧縮変形する。これにより、第２基板２０が−Ｚ方向に撓み、弾性体突起２２は外圧の大きさに応じて圧縮変形する。すると、複数の第１容量電極１１２のうち弾性体突起２２の先端部と重なる割合が外圧の作用がないときに比べて大きくなる。つまり、このときの容量検出素子の静電容量値は、外圧の作用がないときに比べて大きくなる。
【００８５】
図１３（ｃ）及び図１４（ｃ）に示すように、第２基板２０の表面に斜め方向の外圧が付加されたときには、弾性体突起２２は先端部が誘電体３０の表面に当接した状態で斜めに傾いて圧縮変形する。このとき、弾性体突起２２の重心Ｇは基準点Ｐから＋Ｘ方向及び＋Ｙ方向にずれる。この場合、弾性体突起２２の先端部と複数の第１容量電極１１２との重なる面積の割合は、−Ｘ方向及び−Ｙ方向に配置された部分と重なる面積よりも＋Ｘ方向及び＋Ｙ方向に配置された部分と重なる面積のほうが重なる面積の割合が大きくなる。
【００８６】
図１５は、図９に対応した、第２実施形態に係るセンシング領域の座標系を示す図である。なお、図１５において、複数の容量検出素子Ｓｉ（１００個）がマトリクス状に配置されており、このうちの２５の容量検出素子Ｓｉがそれぞれ−Ｘ方向及び＋Ｙ方向に区画された領域、＋Ｘ方向及び＋Ｙ方向に区画された領域、−Ｘ方向及び−Ｙ方向に区画された領域、＋Ｘ方向及び−Ｙ方向に区画された領域に配置されている。また、図１５においては、便宜上、１００個の容量検出素子Ｓｉを図示しているが、容量検出素子Ｓｉの配置数はこれに限らず任意に変更することができる。
【００８７】
図１５に示すように、複数の容量検出素子Ｓｉは、単位検出領域Ｓ当たり縦１０行横１０列に計１００個配置されている。ここで、各容量検出素子Ｓｉが検出する静電容量値（検出値）をそれぞれＰｉ（ｉ＝１〜１００）、基準点Ｐと各第１容量電極１１２との間の距離の面内方向成分をｒｉ（ｉ＝１〜１００）とする。また、面内方向成分のうちＸ方向成分をｒｘｉ（ｉ＝１〜１００）、面内方向成分のうちＹ方向成分をｒｙｉ（ｉ＝１〜１００）とすると、外力のＸ方向成分Ｆｘ（外力の面内方向成分のうちＸ方向に作用する分力の割合）は以下の式（５）で表される。
【００８８】
【数５】
2012026905.tif 000007
【００８９】
また、外力のＹ方向成分Ｆｙ（外力の面内方向成分のうちＹ方向に作用する分力の割合）は以下の式（６）で表される。
【００９０】
【数６】
2012026905.tif 000008
【００９１】
また、外力のＺ方向成分Ｆｚ（外力の垂直方向成分）は以下の式（７）で表される。
【００９２】
【数７】
2012026905.tif 000009
【００９３】
本実施形態では、外圧によって弾性体突起が弾性変形することにより変化する１００個の容量検出素子Ｓｉの静電容量値のうち任意に組み合わされた各容量検出素子Ｓｉの静電容量値の差分を演算し、その差分に基づいて外圧が加えられた方向が演算される。
【００９４】
式（５）に示すように、外圧のＸ方向成分Ｆｘにおいては、１００個の容量検出素子Ｓｉの静電容量値のうち相対的に＋Ｘ方向に配置された容量検出素子Ｓｉが組み合わされるとともに、相対的に−Ｘ方向に配置された容量検出素子Ｓｉが組み合わされる。このように、相対的に＋Ｘ方向に配置された容量検出素子Ｓｉの組み合わせによる静電容量値と相対的に−Ｘ方向に配置された容量検出素子Ｓｉの組み合わせによる静電容量値との差分に基づいて外圧のＸ方向成分が求められる。
【００９５】
式（６）に示すように、外圧のＹ方向成分Ｆｙにおいては、１００個の容量検出素子Ｓｉの静電容量値のうち相対的に＋Ｙ方向に配置された容量検出素子Ｓｉが組み合わされるとともに、相対的に−Ｙ方向に配置された容量検出素子Ｓｉが組み合わされる。このように、相対的に＋Ｙ方向に配置された容量検出素子Ｓｉの組み合わせによる静電容量値と相対的に−Ｙ方向に配置された容量検出素子Ｓｉの組み合わせによる静電容量値との差分に基づいて外圧のＹ方向成分が求められる。
【００９６】
式（７）に示すように、外圧のＺ方向成分Ｆｚにおいては、１００個の容量検出素子Ｓｉの静電容量値を足し合わせた合力で求められる。ただし、外圧のＺ方向成分Ｆｚは、外圧のＸ方向成分Ｆｘ及び外圧のＹ方向成分Ｆｙに比べて検出値が大きく検出される傾向がある。このため、外圧のＺ方向成分Ｆｚの検出値を、外圧のＸ方向成分Ｆｘ及び外圧のＹ方向成分Ｆｙの検出値と揃えるには、弾性体突起２２の材質や形状によって決定される補正係数で検出値を適宜補正する必要がある。
【００９７】
なお、外圧の作用する方向の算出にあっては、１００個の容量検出素子Ｓｉによる静電容量値の算出結果の平均値で求める方法あるいは１００個の容量検出素子Ｓｉによる静電容量値の算出結果のうちの最大値（例えば所定のしきい値よりも大きい検出値）により求める方法を用いることができる。
【００９８】
本実施形態の検出装置２によれば、複数の第１容量電極１１２が互いに直交する２方向に少なくとも縦４行横４列に配置されているので、配置される第１容量電極１１２の数が多くなる。このため、多数の容量検出素子Ｓｉで検出される静電容量に基づいて各容量検出素子Ｓｉの検出結果を積算して外圧の作用する方向を求めることができる。したがって、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することができる。
【００９９】
（第３実施形態）
図１６は、図１２に対応した、本発明の第３実施形態に係る検出装置３の概略構成を示す分解斜視図である。なお、図１６においては、便宜上、誘電体３０（図１７参照）の図示を省略している。また、図１６において、符号Ｐは基準点、符号Ｓは１つの弾性体突起２２に対応して配置された複数の容量検出素子Ｓｉ（第１容量電極１１２と第２容量電極２２と誘電体３０とで構成される素子）が検出する単位検出領域を示している。本実施形態の検出装置４は、第２基板２０の表面に第２基板本体２１よりも高い剛性を有する補強部材５１が配置されている点で、上述の第２実施形態で説明した検出装置２と異なる。図１６において、図１２と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【０１００】
図１６に示すように、検出装置３は、基準点Ｐの回りに複数配置された第１容量電極１１２、を有する第１基板１１０と、複数の第１容量電極１１２の露出する部位全体を覆って第１基板１１０の上に形成された誘電体３０（図１３参照）と、基準点Ｐに重なる位置に重心が位置するとともに外圧によって先端部が誘電体３０に当接した状態で弾性変形する弾性体突起２２、が形成された第２基板２０と、第２基板２０の弾性体突起２２が配置された側と反対の側に配置された補強部材５１と、を備えている。
【０１０１】
補強部材５１は、矩形板状となっており、平面視において第２基板本体２１と同じサイズに形成されている。この補強部材５１は、第２基板本体２１よりも高い剛性を有している。例えば、第２基板本体２１の材質が弾性体突起２２の材質と同様に導電性ゴム（デュロメータ硬さ３０程度）の場合、補強部材５１の形成材料としては、エポキシ樹脂を用いたりウレタン樹脂（デュロメータ硬さ６０程度）を用いたりすることができる。このため、接触面に弾性体突起２２の配置間隔よりも小さい対象物（例えば先鋭なスタイラスペン）によって外力が加えられた場合であっても、外圧を正確に検出することができる。
【０１０２】
図１７（ａ）〜（ｃ）は、図１３（ａ）〜（ｃ）に対応した、第３実施形態に係る容量検出素子による静電容量の変化を示す断面図である。なお、図１７（ａ）は第２基板２０の表面（補強部材５１の表面）に外圧が付加される前の状態（外圧の作用がないとき）を示している。図１７（ｂ）は第２基板２０の表面に垂直方向の外圧が付加された状態を示している。図１７（ｃ）は第２基板２０の表面に斜め方向の外圧が付加された状態を示している。図１７において、図１３と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【０１０３】
図１７（ａ）に示すように、第２基板２０の表面に外圧が付加される前においては、弾性体突起２２は変形しない。このときの各容量検出素子Ｓｉの静電容量値は図示略のメモリに記憶されている。メモリに記憶された各容量検出素子Ｓｉの静電容量値を基準として外圧の作用する方向や大きさが求められる。
【０１０４】
図１７（ｂ）に示すように、第２基板２０の表面に垂直方向の外圧が付加されたときには、弾性体突起２２は先端部が誘電体３０の表面に当接した状態でＺ方向に圧縮変形する。これにより、第２基板２０が−Ｚ方向に撓み、弾性体突起２２は外圧の大きさに応じて圧縮変形する。すると、複数の第１容量電極１１２のうち弾性体突起２２の先端部と重なる割合が外圧の作用がないときに比べて大きくなる。つまり、このときの容量検出素子の静電容量値は、外圧の作用がないときに比べて大きくなる。
【０１０５】
また、外圧は２つの隣り合う弾性体突起２２の間の領域に作用している。本実施形態では第２基板２０の表面に第２基板本体２１よりも高い剛性を有する補強部材５１を備えているので、例えば、指で検出装置３を垂直方向に押した場合、２つの隣り合う弾性体突起２２は互いに垂直方向に圧縮変形することとなる。このように、補強部材５１が無い場合に比べて外力により２つの隣り合う弾性体突起２２が互いに反対方向に圧縮変形してしまうことを抑制することができる。
【０１０６】
図１７（ｃ）に示すように、第２基板２０の表面に斜め方向の外圧が付加されたときには、弾性体突起２２は先端部が誘電体３０の表面に当接した状態で斜めに傾いて圧縮変形する。これにより、弾性体突起２２の重心Ｇは基準点Ｐから＋Ｘ方向及び＋Ｙ方向にずれる。この場合、弾性体突起２２の先端部と複数の第１容量電極１１２との重なる面積の割合は、−Ｘ方向及び−Ｙ方向に配置された部分と重なる面積よりも＋Ｘ方向及び＋Ｙ方向に配置された部分と重なる面積のほうが重なる面積の割合が大きくなる。
【０１０７】
また、外圧は２つの隣り合う弾性体突起２２の間の領域に作用している。本実施形態では第２基板２０の表面に第２基板本体２１よりも高い剛性を有する補強部材５１を備えているので、例えば、指で検出装置３を斜め方向に押した場合、２つの隣り合う弾性体突起２２は互いに斜め方向に圧縮変形することとなる。このように、補強部材５１が無い場合に比べて外力により２つの隣り合う弾性体突起２２が互いに反対方向に圧縮変形してしまうことを抑制することができる。
【０１０８】
本実施形態の検出装置３によれば、第２基板２０の弾性体突起２２が形成された側と反対の側に第２基板本体２１よりも高い剛性を有する補強部材５１が配置されているので、外圧の方向を高い精度で検出することができる。例えば、外圧が２つの隣り合う弾性体突起２２の間の領域に作用する場合、補強部材が無いときに比べて２つの隣り合う弾性体突起２２が互いに反対の方向に圧縮変形してしまうことを抑制することができる。つまり、外圧の加えられた方向と反対の方向を検出するといった誤検出を抑制することができる。したがって、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することができる。
【０１０９】
なお、本実施形態においては、補強部材５１が第２基板２０の表面に配置されているが、これに限らない。例えば、補強部材５１を設けずに、第２基板本体２１自体を弾性体突起２２よりも高い剛性を有する材質で形成してもよい。これにより、補強部材５１を設ける構成に比べて装置の薄型化を図ることができる。
【０１１０】
また、第２基板２０の弾性体突起２２が形成された側と反対の側には、絶縁性を有する保護部材が配置されていてもよい。もしくは、補強部材５１自体が絶縁性を有していてもよい。これにより、例えば第２基板２０が導電性を有する場合、外乱や静電気等の影響により各容量検出素子で検出される静電容量の値にノイズがのることを抑制することができる。したがって、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することができる。
【０１１１】
また、誘電体３０が弾性体からなっていてもよい。これにより、弾性体突起２２と誘電体３０との弾性変形により、弾性体突起２２のみが弾性を有する構成に比べて、外圧の方向と大きさの検出精度を高めることができる。付加される外圧が大きくなると、弾性体突起２２はこれ以上変形しない臨界点を迎える。弾性体突起２２に臨界点を越えた外圧が作用すると、弾性体からなる誘電体３０が柔軟に変形する。このため、弾性体突起２２が変形しうる臨界点以上の大きさの外圧を検出することができる。外圧が斜め方向から付加されると、弾性体突起２２の重心は基準点Ｐからずれてすべり方向に移動する。すると、弾性体突起２２の重心が移動した部分の誘電体３０の厚みが相対的に薄くなる。これにより、各容量検出素子で異なる値の静電容量が検出される。具体的には、誘電体３０の厚みが相対的に薄い部分の容量検出素子では相対的に大きい静電容量が検出され、誘電体３０の厚みが相対的に厚い部分の容量検出素子では相対的に小さい静電容量が検出されることとなる。したがって、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することができる。
【０１１２】
また、図１８に示す第２基板１２０のように、第２基板本体１２１及び弾性体突起１２２と、第２電極１２３とを別体に形成することもできる。例えば、第２基板本体１２１及び弾性体突起２２の形成材料として絶縁性ゴムや発砲ウレタン等の樹脂材料を用い、第２基板本体１２１及び弾性体突起１２２を金型で一体形成し、その後、複数の弾性体突起１２２の露出する部位全体を覆って第２基板本体１２１の上に例えばアルミニウム（Ａｌ）等の金属材料を形成してもよい。これにより、第２基板本体１２１及び弾性体突起２２の形成材料として導電性及び弾性を有する材料を用いる場合に比べて材料選択の幅が拡がるので、弾性体突起１２２を所望の形状や硬さに形成しやすくなる。
【０１１３】
（電子機器）
図１９は、上記実施形態に係る検出装置１〜３を適用した携帯電話機１０００の概略構成を示す模式図である。携帯電話機１０００は、複数の操作ボタン１００３及びスクロールボタン１００２、並びに表示部としての検出装置を適用した液晶パネル１００１を備えている。スクロールボタン１００２を操作することによって、液晶パネル１００１に表示される画面がスクロールされる。液晶パネル１００１にはメニューボタン（図示略）が表示される。例えば、メニューボタンを指で触れると電話帳が表示されたり、携帯電話機の電話番号が表示されたりする。
【０１１４】
図２０は、上記実施形態に係る検出装置１〜３を適用した携帯情報端末（ＰＤＡ：Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）２０００の概略構成を示す模式図である。携帯情報端末２０００は、複数の操作ボタン２００２及び電源スイッチ２００３、並びに表示部としての検出装置を適用した液晶パネル２００１を備えている。電源スイッチ２００３を操作すると、液晶パネル２００１にはメニューボタンが表示される。例えば、メニューボタン（図示略）を指で触れると住所録が表示されたり、スケジュール帳が表示されたりする。
【０１１５】
このような電子機器によれば、上述した検出装置を備えているので、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することが可能な電子機器を提供することができる。
【０１１６】
なお、電子機器としては、この他にも、例えばパーソナルコンピューター、ビデオカメラのモニター、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、デジタルスチルカメラ、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。これらの電子機器に対しても、本発明に係る検出装置を適用させることができる。
【０１１７】
（ロボット）
図２１は、上記実施形態に係る検出装置１〜３を適用したロボットハンド３０００の概略構成を示す模式図である。図２１（ａ）に示すように、ロボットハンド３０００は、本体部３００３及び一対のアーム部３００２、並びに検出装置を適用した把持部３００１を備えている。例えば、リモコン等の制御装置によりアーム部３００２に駆動信号を送信すると、一対のアーム部３００２が開閉動作する。
【０１１８】
図２１（ｂ）に示すように、ロボットハンド３０００でコップ等の対象物３０１０を把持する場合を考える。このとき、対象物３０１０に作用する力は把持部３００１で圧力として検出される。ロボットハンド３０００は、把持部３００１として上述した検出装置を備えているので、対象物３０１０の表面（接触面）に垂直な方向の力と併せて重力Ｍｇですべる方向の力（すべり力の成分）を検出することが可能である。例えば、柔らかい物体を変形させたりすべりやすい物体を落としたりしないよう、対象物３０１０の質感に応じて力を加減しながら持つことができる。
【０１１９】
このロボットによれば、上述した検出装置を備えているので、外圧の方向と大きさを高い精度で検出することが可能なロボットを提供することができる。
【符号の説明】
【０１２０】
１，２，３…検出装置、１０，１１０…第１基板、１２，１１２…第１容量電極、２０…第２基板、２２，１２２…弾性体突起、２２，１２３…第２容量電極、３０…誘電体、５１…補強部材、Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓｉ，Ｃｌ…容量検出素子、１０００…携帯電話機（電子機器）、２０００…携帯情報端末（電子機器）、３０００…ロボットハンド（ロボット）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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