(57)【要約】【課題】高精度で、且つ、低コストで半導体装置を製造するインプリント装置の動作方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、インプリント装置は、データ記憶手段と、制御手段と、転写手段とを有し、制御手段が、テンプレート毎に、データ記憶手段に記憶された、テンプレートの作製履歴データと、テンプレートの表面に形成されたパターンのパターンデータと、テンプレートを用いて硬化性樹脂に転写して得られたパターンの転写パターンデータとの少なくとも１つを読み出し、読み出されたデータに基づいて、あらかじめ準備した複数のグループの中から、テンプレートが紐付けられるべき１つのグループを選択し、あらかじめ準備した複数のインプリント条件の中から、選択されたグループに一対一対応するインプリント条件を選択し、転写手段により、選択されたインプリント条件に従って、テンプレートを用いて転写する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に凹凸形状のパターンを有するテンプレートを、被処理基板上に塗布された硬化性樹脂に押し当て、前記硬化性樹脂にパターンを転写するインプリント装置の動作方法であって、前記インプリント装置は、データ記憶手段と、制御手段と、転写手段とを備え、
前記制御手段が、
前記テンプレート毎に、
前記データ記憶手段に記憶された、前記テンプレートの作製履歴データと、前記テンプレートの表面に形成されたパターンのパターンデータと、前記テンプレートを用いて硬化性樹脂に転写して得られたパターンの転写パターンデータと、の少なくとも１つを読み出し、
読み出されたデータに基づいて、あらかじめ準備した複数のグループの中から、前記テンプレートが紐付けられる１つのグループを選択し、
あらかじめ準備した複数のインプリント条件の中から、選択された前記グループに一対一対応する前記インプリント条件を選択し、
前記転写手段により、選択された前記インプリント条件に従って、前記テンプレートを用いて転写する、
インプリント装置の動作方法。
【請求項２】
前記各グループに一対一対応するインプリント条件は、
前記各グループに紐付けられた前記複数のテンプレートの中から、１つの前記テンプレートを選択し、
選択された前記１つのテンプレートを用いて転写を行うことにより定められる、
ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置の動作方法。
【請求項３】
前記転写パターンデータとして、前記テンプレートのパターンが転写された前記硬化性樹脂上に発生した欠陥の、発生位置、形状、及び大きさのついてのデータのうちの少なくとも１つを用いることを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置の動作方法。
【請求項４】
表面に同じ凹凸形状のパターンを有するインプリント用のテンプレートを管理する、データ記憶手段と、制御手段と、表示手段とを備えたテンプレート管理装置の動作方法であって、
前記制御手段が、
前記テンプレートごとに、
前記データ記憶手段に記憶された、前記テンプレートの作製履歴データと、前記テンプレートの表面に形成されたパターンのパターンデータと、前記テンプレートを用いて硬化性樹脂に転写して得られたパターンの転写パターンデータと、の少なくとも１つを読み出し、
読み出されたデータに基づいて、あらかじめ準備した複数のグループの中から、前記テンプレートが紐付けられる１つのグループを選択し、
あらかじめ準備した複数のインプリント条件の中から、選択された前記グループに一対一対応する前記インプリント条件を選択し、
前記表示手段により、選択された前記インプリント条件を表示する、  
テンプレート管理装置の動作方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置の製造に関する。
【背景技術】
【０００２】
光インプリントリソグラフィ技術は、基板表面に凹凸を形成したテンプレート（インプリント・マスク） を、処理基板上に塗布された硬化していない光硬化性樹脂（レジスト剤）に接触させ、その状態で光 （紫外（ＵＶ） 光など） を照射することにより、光硬化性樹脂を硬化し、テンプレートを光硬化性樹脂から離すことにより、テンプレートに形成されたパターンの凹凸を反転した形状を有するパターンを処理基板上に形成する方法である。
【０００３】
光インプリントリソグラフィ技術を、半導体装置の製造に適用するにあたり、同一パターンを有する複数のテンプレートを使用する。同一製品の同一レイヤのパターンを形成するための同一パターンを有するテンプレートは、テンプレートの寿命と半導体デバイスの生産量とを考えると、多数必要となる。
【０００４】
このようなテンプレートは、レプリカテンプレートと呼ばれ、原盤となるマザーテンプレートに基づいて作製される。まず、電子ビーム描画を用いて石英基板上にパターンを形成して、マザーテンプレートを形成する。そして、このマザーテンプレートを用いてインプリントリソグラフィ技術によりレプリカテンプレートを複数作製する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２６６８４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、高精度で、且つ、低コストで半導体装置を製造することができるインプリント装置の動作方法及びインプリント用テンプレートの管理装置の動作方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の実施形態によれば、表面に凹凸形状のパターンを有するテンプレートを、被処理基板上に塗布された硬化性樹脂に押し当て、前記硬化性樹脂にパターンを転写するインプリント装置の動作方法であって、前記インプリント装置は、データ記憶手段と、制御手段と、転写手段とを備え、前記制御手段が、前記テンプレート毎に、前記データ記憶手段に記憶された、前記テンプレートの作製履歴データと、前記テンプレートの表面に形成されたパターンのパターンデータと、前記テンプレートを用いて硬化性樹脂に転写して得られたパターンの転写パターンデータと、の少なくとも１つを読み出し、読み出されたデータに基づいて、あらかじめ準備した複数のグループの中から、前記テンプレートが紐付けられるべき１つのグループを選択し、あらかじめ準備した複数のインプリント条件の中から、選択された前記グループに一対一対応する前記インプリント条件を選択し、前記転写手段により、選択された前記インプリント条件に従って、前記テンプレートを用いて転写する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施形態を説明するための図である。
【図２】第１の実施形態のグループ分けを示すフローチャートである。
【図３】第１の実施形態を説明するための図（その１）である。
【図４】第１の実施形態を説明するための図（その２）である。
【図５】第２の実施形態のグループ分けを示すフローチャートである。
【図６】第２の実施形態の変形例を説明するための図である。
【図７】第２の実施形態の変形例のグループ分けを示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図１から図７を参照して、実施形態を説明する。ただし、本発明は、この実施形態に限定されるものではない。なお、全図面にわたり共通する部分には、共通する符号を付す。また、以下においては、２８ｎｍ以下もしくは１８ｎｍ以下といった非常に微細なパターン幅を持つような半導体装置を製造するための、光インプリントリソグラフィ用のレプリカテンプレートに対して用いた例を説明するが、本実施形態は、このようなレプリカテンプレートに限定されるものではなく、例えば、マザーテンプレートに対してでも、あるいは、加熱により熱硬化性樹脂を硬化させて行う熱インプリントリソグラフィ用のレプリカテンプレートでも、用いることができる。
【００１０】
（第１の実施形態）
以下に第１の実施形態を図１から図４を参照して説明する。
【００１１】
光インプリントリソグラフィプロセスで用いられるレプリカテンプレートは、使用による劣化が早いため、その寿命は短い。従って、製造する半導体装置によっては、同じレイヤのパターンを形成するための同一パターンを有するレプリカテンプレートを、数十から数百個以上必要とする場合がある。しかしながら、まったくの同じ形状のレプリカテンプレートを作製したはずが、レプリカテンプレート作製装置の状態や作製条件などにより、レプリカテンプレートに形成されたパターン寸法や形状、溝の深さなどが若干異なることとなる。従って、このような違いにより、レプリカテンプレートを用いて行うインプリントリソグラフィプロセスのための最適なプロセス条件は、同じ形状であるはずのレプリカテンプレートであっても、レプリカテンプレート毎に異なることとなる。ここで、インプリントリソグラフィプロセスのプロセス条件とは、基板上に塗布する光硬化性樹脂の量、光硬化性樹脂の温度、レプリカテンプレートの押し付け力、光の照射時間及び照射強度、レプリカテンプレートを光硬化性樹脂から離す際の速度等のことである。
【００１２】
そこで、本実施形態においては、図１に示すように、インプリント装置を用いて、以下に説明する情報のうちから選択された１つの情報もしくは複数の情報に基づいて、同じ形状を有する複数のレプリカテンプレートを、グループに分ける。詳細には、以下に説明する情報を数値化してインプリント装置の有するデータ記憶手段に入力し、入力された１つの又は複数の情報をインプリント装置の有する制御手段に処理させることにより、レプリカテンプレートのグループ分けを行うことができる。制御手段は、インプリント装置の有する制御手段でなくても良く、後で説明するようなテンプレート管理装置でも良い。なお、これは第２の実施形態でも同様である。各グループには最適なインプリント条件があらかじめ一対一対応付けられていることから、制御手段は、各レプリカテンプレートの属するグループに対応する最適なインプリント条件を選択する。そして、インプリント装置の有する転写手段により、各レプリカテンプレートを用いて、それに対応する選択されたインプリント条件に従って転写を行う。さらに、各グループに一対一対応付けられたインプリント条件は、グループに属する複数のレプリカテンプレートから、１つのレプリカテンプレートを選択し、そのレプリカテンプレートを用いて、プロセス条件の決定（条件出し）を行うことにより、あらかじめ定められたものである。
【００１３】
(1)レプリカテンプレートの作製に関する情報
レプリカテンプレートの作製にかかわる以下の様々な情報のうちから選択された１つの情報もしくは複数の情報に基づいて、複数のレプリカテンプレートのグループ分けを行う。例えば、このような情報とは、レプリカテンプレートのメーカー、レプリカテンプレートの作製装置（装置機種別、装置シリアルナンバー別）、レプリカテンプレートの作製日、レプリカテンプレートを製造する際に用いたマザーテンプレート、レプリカテンプレートの作製条件等である。具体的には、例えば、レプリカテンプレートを作製したレプリカテンプレート製造装置が、装置Ａ、装置Ｂ、装置Ｃと３つあった場合には、各レプリカテンプレートを製造した装置名をインプリント装置の有するデータ記憶手段に入力し、その装置名をインプリント装置の有する制御手段に処理させることにより、レプリカテンプレートを３つのグループに分ける。
【００１４】
(2)レプリカテンプレートの外観検査の結果
レプリカテンプレートの外観検査の結果にかかわる様々な情報のうちから選択された１つの情報もしくは複数の情報に基づいて、複数のレプリカテンプレートのグループ分けを行う。作製されたレプリカテンプレートが、納品可能なレプリカテンプレート（インプリントリソグラフィプロセスで使用可能なレプリカテンプレート）として認められるためには、レプリカテンプレート上に形成されたパターンの出来栄えが、すなわち、レプリカテンプレート上に形成されたパターンの有する幅、溝の深さ等が、あらかじめ決められた範囲で形成されている必要がある。従って、レプリカテンプレートを用いて、インプリントリソグラフィを行う前に、レプリカテンプレートの検査を行うのである。例えば、この検査においては、レプリカテンプレート上に、同一幅を有するパターンが形成されていた場合、これらのパターンの幅もしくは溝の深さが、あらかじめ決められた値に対してどれだけの誤差を持って形成され、その誤差がどのように分布しているのかを示すパターン寸法分布という指標を得ることができる。このような検査結果の情報に基づいて、複数のレプリカテンプレートのグループ分けを行うことができる。なお、この検査は、顕微鏡等を用いてレプリカテンプレートを光学観察するといった公知の方法により行われる。具体的には、例えば、あらかじめパターン寸法の誤差の分布幅について、狭い幅で分布するもの、中程度の幅で分布するもの、広い幅を持って分布するもの、のような三段階のランクに分けておき、その定義をインプリント装置の有するデータ記憶手段に入力しておく。そして、各レプリカテンプレートに対して外観検査を行って得られた誤差の分布値をインプリント装置の有するデータ記憶手段に入力し、その分布値があらかじめデータ記憶手段に入力されたどのランクにあてはまるかをインプリント装置の有する制御手段が判断することにより、各レプリカテンプレートを３つのグループに分ける。
【００１５】
(3)レプリカテンプレートを用いたパターン転写試験検査の結果
レプリカテンプレートを用いてパターン転写（インプリントリソグラフィ）試験検査を行い、その結果に基づいて、レプリカテンプレートのグループ分けを行う。このパターン転写試験検査の結果によりレプリカテンプレートのグループ分けをフローチャートにしたものが、図２である。
【００１６】
まず、レプリカテンプレートを用いた、標準の試験プロセス条件によるインプリントリソグラフィ（パターン転写）を行う。
【００１７】
詳細には、インプリントリソグラフィは、図３（ａ）から図３（ｄ）に示されるような方法で行われる。すなわち、図３（ａ）に示されるように、検査用基板１の上に硬化していない光硬化性樹脂２を塗布する。次に、図３（ｂ）に示されるように、硬化していない光硬化性樹脂２の上にレプリカテンプレート３を押し当て、次いで、光４を、光透過性を有するレプリカレンプレート３を介して光硬化性樹脂２に照射する。このようにして、光硬化性樹脂２を硬化させる。そして、図３（ｃ）に示されるように、レプリカテンプレート３を硬化した光硬化性樹脂２から離す。このようにして、図３（ｄ）に示されるように、検査用基板１上の硬化した光硬化性樹脂２には、パターン５が転写される。このパターン５は、レプリカテンプレート３上に形成されたパターンを反転させた形状を持つ。なお、検査用基板１は、例えば、シリコン基板やＳＯＩ基板等である。
【００１８】
次に、この硬化した光硬化性樹脂に、欠陥が生じていないかどうかを検査する。なお、検査は、光や電子線等を光硬化性樹脂の表面に照射し、反射した光や電子線等を用いて行う。
【００１９】
ここで、欠陥とは、以下のものを指す。
・ 検査用基板上の光硬化性樹脂へレプリカテンプレートを押し当てた際に、光硬化性樹脂がレプリカテンプレート上に形成されたパターン溝へ十分に充填されないことから、検査用基板上の光硬化性樹脂に所望の形状とは異なる形状を持ったパターンが形成される充填不良欠陥
・ レプリカテンプレートを硬化した光硬化性樹脂から離す際に、光硬化性樹脂の一部がレプリカテンプレート上に形成されたパターン溝に詰まったまま、検査用基板上の光硬化性樹脂に形成されたパターンから剥がれる離型欠陥
・ 検査用基板上の光硬化性樹脂に転写されたパターンが、所望の形状及び寸法でない場合（検査用基板上の光硬化性樹脂に転写されたパターンが、許容された範囲の形状及び寸法でない場合）
・ 検査用基板の上に形成された許容範囲以上の量の光硬化性樹脂残膜
【００２０】
次に、検査用基板の上にこのような欠陥が存在するかを検査する。そして、例えば、図４（ａ）及び図４（ｂ）に示すような検査結果（検査画像）６を得ることとなる。この図４（ａ）及び図４（ｂ）は、検査用基板の上に生じた欠陥の位置を模式的に表わした検査結果の一例である。詳細には、図４（ａ）及び図４（ｂ）においては、検査結果６上の欠陥表示７が配置されている位置は、欠陥表示７に対応する欠陥が発生した検査用基板上の位置に対応しており、欠陥表示７の形状、大きさは、実際に発生した欠陥の形状、大きさに対応するものである。なお、検査結果６に、欠陥の種類を反映させるように表示してもよい。
【００２１】
同じプロセス条件を用いて、検査用基板上に、インプリントリソグラフィ（パターン転写）を行った場合、発生する欠陥の種類、位置、形状及び大きさは、レプリカテンプレートの出来栄えに依存するものである。従って、上記のような検査結果を比較することによって、レプリカテンプレートのグループ分けを行うことができる。
【００２２】
例えば、図４（ａ）は、グループＡを代表する検査結果を示し、図４（ｂ）は、グループＢを代表する検査結果を示すものとする。このような各グループを代表する検査結果パターンを、すなわち、欠陥表示７の位置、欠陥の大きさ、欠陥の種類等を数値化してあらかじめインプリント装置の有するデータ記憶手段に入力しておく。そして、各レプリカテンプレートを用いて標準のプロセス条件の下で得た検査結果を、同様に数値化してインプリント装置の有するデータ記憶手段に入力する。インプリント装置の有する制御手段により、入力された検査結果を、各グループを代表する検査結果パターンと比較し、グループＡ又はＢを代表する検査結果に近いか否かに応じて、各レプリカテンプレートが、グループＡ又はグループＢもしくはその他のグループに属するものかを判定する。
【００２３】
または、例えば、あらかじめ、図４（ｃ）に示されるようにレプリカテンプレート上に格子８を作ることにより、複数の区画９を仮想的に作る。次に、グループＤを代表する検査結果（図４（ｄ）に示す）においてどの区画９に欠陥表示７が出現しているかを、グループＥを代表する検査結果（図４（ｅ）に示す）においてどの区画９に欠陥表示７が出現しているかを、数値化してあらかじめインプリント装置の有するデータ記憶手段に入力しておく。そして、レプリカテンプレートを用いて標準のプロセス条件の下で得た検査結果（図４（ｆ）に示す）において、どの区画９に欠陥表示７が出現しているかを、同様に、データ記憶手段に入力する。そして、インプリント装置の有する制御手段により、同じ区画９に欠陥表示７が生じているグループの結果を探し出すことにより、各レプリカテンプレートが、例えば、グループＤ又はグループＥもしくはその他のグループに属するものかを判定する。例えば、図４（ｆ）に示される検査結果の場合は、同じ区画９に欠陥表示７があることから、図４（ｅ）に示されるグループＥに属するものとして判断されることとなる。
【００２４】
なお、ここでは、標準のプロセス条件を用いて検査用基板上の光硬化性樹脂にパターン転写を行った場合について説明したが、この際に使用するプロセス条件は必ずしも標準のプロセス条件（標準ドロップレシピ）である必要はなく、例えば、欠陥が生じやすくなるようなプロセス条件を使用してもよく、また、加速（劣化）試験的な状態となるようなプロセス条件を使用してもよい。
【００２５】
(4)使用後のレプリカテンプレートを用いたパターン転写検査の結果
使用後のレプリカテンプレートを用いてパターン転写（インプリントリソグラフィ）試験検査を行い、その結果に基づいて、レプリカテンプレートのグループ分けを行う。このグループ分けの方法は、新しく納品されたレプリカテンプレートではなく、使用されたレプリカテンプレートに対して行うこと以外は、先に説明した「レプリカテンプレートを用いたパターン転写検査の結果」と同様である。
【００２６】
レプリカテンプレートにおいては、その使用や使用後の洗浄により、レプリカテンプレートの構成材料の磨耗や微細なパターンの損傷などによるパターン寸法や形状の変化、溝の深さの変化等が起こり得る。従って、以前に最適とされたプロセス条件を用いてパターン転写（インプリントリソグラフィ）を行なうと、以前には欠陥が発生することはなかったにもかかわらず、新たに欠陥が発生することがある。つまり、使用されるに従い、各レプリカテンプレート上のパターンは経時変化し、それにより、各レプリカテンプレートに対応する最適なプロセス条件も変化する。従って、本実施形態においては、使用後のレプリカテンプレートに対してもパターン転写（インプリントリソグラフィ）検査を行い、レプリカテンプレートのグループ分けを行うことにより、レプリカテンプレートの経時変化にも対応することができる。
【００２７】
なお、本実施形態において対象となる使用後のレプリカテンプレートは、インプリントリソグラフィプロセスで用いられた後、表面を洗浄したものであって、使用及び洗浄の回数は、１回に限られるものではない。
【００２８】
また、本実施形態においては、パターン転写試験検査の結果だけではなく、レプリカテンプレートの使用回数（製造したウエハ枚数）、レプリカテンプレートを洗浄した回数等の情報をも用いて、レプリカテンプレートのグループ分けを行っても良い。
【００２９】
なお、上記のレプリカテンプレートのグループ分けにおいて、グループ分けされるレプリカテンプレートが、既存のどのグループにも対応しないと判断される場合は、新たなグループを作ることとなる。新たなグループに属するレプリカテンプレートに対しては、そのレプリカテンプレートを用いて新たにプロセス条件を決定し、新たなグループのプロセス条件とする。従って、新たなグループのためのプロセス条件の決定（条件出し）を行うことを省略することはできないが、新たなグループに属するレプリカテンプレートのうちの１つに対してプロセス条件の決定を行なえばよい。
【００３０】
また、以上に説明した各レプリカテンプレートの各情報をテンプレート管理装置の有するデータ記憶手段に入力し、入力された１つの又は複数の情報をテンプレート管理装置の有する制御手段に処理させることにより、レプリカテンプレートのグループ分けを行うこともできる。そして、この制御手段により、グループに一対一対応付けられたインプリント条件を選択し、テンプレート管理装置の有する表示手段により、選択されたインプリント条件を表示させることができる。例えば、レプリカテンプレートを半導体装置の製造ラインに納入する際、テンプレート管理装置を用いて選択した対応するインプリント条件を、紙等に記載したデータとして、記録媒体等に収納した電子データとして、もしくは通信回線等を介して配布する電子データとしてレプリカテンプレートとあわせて納入することもできる。
【００３１】
さらに、各情報を用いて処理手段がグループ分けを行う際には、以上に説明した情報のうちの１つを用いてグループ分けを行ってもよい。さらに、複数の情報を用いる際には、まず１つの情報を用いて、第１段階のグループ分けを行い、さらに、他の１つの情報を用いて、第１段階のグループ分けがなされたテンプレートに対して、細分化するように第２段階のグループ分けを行うといった、段階的なグループ分けを行うこともできる。さらに、重要な情報については重み付けを行って処理することもできる。
【００３２】
このように、本実施形態によれば、各レプリカテンプレートに応じた最適なプロセス条件を用いて半導体装置を製造することができるため、精度良く所望の形状・寸法のパターンの半導体装置を形成することができる。従って、半導体装置の製造歩留まりを悪化させることもなく、半導体装置の生産量の減少と生産コストの上昇とを避けることができる。さらに、すべてのレプリカテンプレートに対して、それぞれ１つずつ最適なプロセス条件を決定するのではなく、グループ毎に、プロセス条件を決定するため、プロセス条件の決定のためにかかる時間を短くすることができる。従って、半導体装置を生産するためにかかる時間を短くすることができることから、半導体装置の生産量を低減させてしまうことを避けることができる。
【００３３】
（第２の実施形態）
以下に第２の実施形態を、図５を参照して説明する。
【００３４】
第２の実施形態も、第１の実施形態と同様に、インプリント装置もしくはテンプレート管理装置を用いて、同じパターンを有する複数のレプリカテンプレートをグループに分けるものである。しかしながら、第２の実施形態は、第１の実施形態と比べて、「レプリカテンプレートを用いたパターン転写検査の結果」及び「使用後のレプリカテンプレートを用いたパターン転写検査の結果」に基づいて行う際のレプリカテンプレートのグループ分けにおける方法が異なる。従って、ここでは第１の実施形態と異なるところのみ説明する。
【００３５】
詳細には、第１の実施形態の「レプリカテンプレートを用いたパターン転写検査の結果」に基づくレプリカテンプレートのグループ分けにおいては、標準プロセス条件（標準ドロップレシピ）といった１つのプロセス条件を用いて、検査用基板の上にパターン転写を行っていた。この第２の実施形態においては、検査用基板の上に欠陥が生じることがなくなるまで、仮プロセス条件を少しずつ変えながら、言い換えると、あらかじめインプリント装置の有するデータ記憶手段に入力された複数のプロセス条件を用いて、パターン転写（インプリントリソグラフィ）を繰り返し行うのである。そして、ある仮プロセス条件を用いた際に欠陥が生じなかった場合、又は欠陥が許容範囲内だった場合には、インプリント装置の有する制御手段により、その際の仮プロセス条件に対応するグループにレプリカテンプレートはグループ分けされる。なお、この欠陥が生じない仮プロセス条件とは、まさに最適なプロセス条件であるか、あるいは、最適なプロセス条件と同じではないが、最適なプロセス条件に近いプロセス条件である。
【００３６】
図５は、このような第２の実施形態の「レプリカテンプレートを用いたパターン転写検査の結果」に基づくレプリカテンプレートのグループ分けのフローを示すものである。このようにすることで、より精度良くレプリカテンプレートのグループ分けを行うことができる。また、本実施形態における「使用後のレプリカテンプレートを用いたパターン転写検査の結果」に基づくレプリカテンプレートのグループ分けにおいても、同様に、図５に示されるように、複数のプロセス条件を用いてパターン転写することによって行う。
【００３７】
また、この実施形態の変形例として、例えば、「レプリカテンプレートを用いたパターン転写検査の結果」に基づくレプリカテンプレートのグループ分けにおいて、図６に示すように、一枚の検査用基板上に、１つのレプリカテンプレートを用いて、検査用基板上の位置をずらしながら、異なるプロセス条件でパターン転写を行うことができる。すなわち、図７に示すようなレプリカテンプレートのグループ分けのフローのように、一枚の検査用基板上に、１つのレプリカテンプレートを用いて、検査用基板上の位置をずらしながら、異なるプロセス条件で、パターン転写を行い、検査用基板の各位置を検査し、欠陥が発生するか否か、あるいは、欠陥の発生状態が許容範囲内であるか否かを検査し、その検査結果に基づいて所属するグループを決定する。
【００３８】
上記の２つの実施形態においてはすべてのレプリカテンプレートに対して、それぞれ最適なプロセス条件を決定（条件出し）するのではなく、グループ毎に、最適なプロセス条件を決定するため、プロセス条件を決定するためにかかる時間を短くすることができる。従って、半導体装置を生産するためにかかる時間が長期化することを避けることができ、半導体装置の生産量を減少させてしまうことがない。さらに、各レプリカテンプレートに応じた最適なプロセス条件を用いて半導体装置を製造することができるため、精度良く所望の形状・寸法のパターンの半導体装置を形成することができる。従って、半導体装置の製造歩留まりを悪化させることもなく、半導体装置の生産量の現象と生産コストの上昇とを避けることができる。
【００３９】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、これら以外の各種の形態を採ることができる。すなわち、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００４０】
１  検査用基板
２  光硬化性樹脂
３  レプリカテンプレート
４  光
５  パターン
６  検査結果（検査画像）
７  欠陥表示
８  格子
９  区画
【図３】
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【図４】
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【図６】
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【図１】
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【図２】
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【図５】
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【図７】
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