(57)【要約】【課題】マスク材膜を成膜する際の膜厚のムラを抑制できる圧電振動片の製造方法、圧電振動片の製造装置、圧電振動片、この圧電振動片を備えた圧電振動子、発振器、電子機器、および電波時計を提供する。【解決手段】ウエハ６５の第１面６５ａに、フォトレジスト材８５をスピンコート法により成膜するフォトレジスト膜成膜工程（マスク材膜成膜工程）を有し、フォトレジスト膜成膜工程は、ウエハ６５の周方向にウエハ６５を回転させて行い、スピンチャック７０は、ウエハ保持部７２の下面７２ｂに、スピンチャック７０の径方向に沿って放射状に延在し、スピンチャック７０の回転時にウエハ保持部７２の下面７２ｂから下方に向かって下降気流Ｄを発生するフィン７５を備えたことを特徴としている。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハから圧電振動片を製造する圧電振動片の製造方法であって、
前記ウエハの第１面に、前記圧電振動片の外形形成時のマスクとなるマスク材膜をスピンコート法により成膜するマスク材膜成膜工程を有し、
前記マスク材膜成膜工程は、スピンチャックのウエハ保持部の上面に前記ウエハの第２面を下方にして保持し、前記ウエハの周方向に前記ウエハを回転させて行い、
前記スピンチャックは、前記ウエハ保持部の下面に、前記スピンチャックの径方向に沿って放射状に延在し、前記スピンチャックの回転時に前記ウエハ保持部の下面から下方に向かって下降気流を発生させるフィンを備えたことを特徴とする圧電振動片の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の圧電振動片の製造方法であって、
前記ウエハ保持部の上面は、前記ウエハの前記第２面の全面を覆って保持することを特徴とする圧電振動片の製造方法。
【請求項３】
ウエハの第１面に、圧電振動片の外形形成時のマスク材膜をスピンコート法により成膜する際に使用する圧電振動片の製造装置であって、
ウエハ保持部の上面に前記ウエハの第２面を下方にして保持し、前記ウエハの周方向に前記ウエハを回転させるスピンチャックを備え、
前記スピンチャックは、前記ウエハ保持部の下面に、前記スピンチャックの径方向に沿って放射状に延在し、前記スピンチャックの回転時に前記ウエハ保持部の下面から下方に向かって下降気流を発生させるフィンを備えたことを特徴とする圧電振動片の製造装置。
【請求項４】
請求項１または２に記載の製造方法により製造されたことを特徴とする圧電振動片。
【請求項５】
請求項４に記載の圧電振動片を備えたことを特徴とする圧電振動子。
【請求項６】
請求項５に記載の圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする発振器。
【請求項７】
請求項５に記載の圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。
【請求項８】
請求項５に記載の圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする電波時計。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、圧電振動片の製造方法、圧電振動片の製造装置、圧電振動片、圧電振動子、発振器、電子機器および電波時計に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話や携帯情報端末機器には、時刻源や制御信号のタイミング源、リファレンス信号源等として、水晶等を利用した圧電振動子が用いられている。この種の圧電振動子は、様々なものが提供されているが、その１つとして、いわゆる音叉型の圧電振動片を有する圧電振動子が知られている。音叉型の圧電振動片は、幅方向に並んで配置された一対の振動腕部と、一対の振動腕部の長手方向の基端側を一体的に固定する基部とを有する、薄板状の水晶片である。
【０００３】
音叉型の圧電振動片の外形を形成する具体的な方法は以下のとおりである。
まず、圧電振動片を形成するウエハに、後の外形形成用のメタルマスクとなる金属膜をスパッタリング等により成膜する。次に、金属膜に重ねてフォトレジスト材を塗布してフォトレジスト膜（本願請求項の「マスク材膜」に相当）を成膜する。続いて、フォトリソグラフィによりフォトレジスト膜をパターニングして、金属膜をエッチングするためのレジスト膜パターンを形成する。その後、レジスト膜パターンをレジストマスクとして金属膜をエッチングし、金属膜パターンを形成する。最後に、金属膜パターンをメタルマスクとして、ウエハをエッチングする。これにより、金属膜パターンで保護された領域以外のウエハが選択的に除去され、圧電振動片の外形形状が形成される。
【０００４】
ところで、上述の圧電振動片の外形を形成する工程において、ムラなく均一の膜厚となるようにウエハの表面にフォトレジスト材を塗布する必要がある。理由は以下のとおりである。
例えば、フォトレジスト材にネガレジストを用いた場合、フォトレジスト膜の膜厚のムラにより膜厚が厚い部分が存在すると、露光しても十分に硬化できず現像時に溶解される。これにより、フォトレジスト膜により形成されるレジスト膜パターンには表面欠陥が発生する。この表面欠陥を有するレジスト膜パターンをレジストマスクとして金属膜をエッチングすると、表面欠陥に対応した部分の金属膜がエッチングされてしまい、金属膜パターンに表面欠陥が転写される。さらに、表面欠陥が転写された金属膜パターンをメタルマスクとしてウエハをエッチングすると、表面欠陥に対応した部分のウエハがエッチングされてしまい、ウエハに形成された圧電振動片に表面欠陥が転写される。
すなわち、ウエハの表面に塗布されたフォトレジスト膜のムラは、レジストマスクの表面欠陥となり、圧電振動片の外形形成時の不良の原因となる。したがって、フォトレジスト膜の膜厚がムラなく均一となるように、ウエハの表面にフォトレジスト材を塗布する必要がある。
【０００５】
ここで、ウエハの表面にフォトレジスト膜を成膜する方法として、スピンチャックを用いたスピンコート法が知られている（例えば特許文献１参照）。
特許文献１のスピンチャックは、吸着板（本願請求項の「ウエハ保持部」に相当）上に載置されたウエハを負圧吸着した状態で高速回転している。そして、ウエハの上面に、ノズルを介してフォトレジスト材を吐出することにより、フォトレジスト材が遠心力によって薄膜状に広がり、ウエハの上面にフォトレジスト膜が成膜される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１９３１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、一般に、スピンチャックおよびウエハが高速回転すると、スピンチャックおよびウエハの表面と空気との接触により、スピンチャックおよびウエハの周辺で気流の乱れ（以下「乱流」という。）が発生する。
そして、フォトレジスト材が吐出された際に発生するフォトレジスト材のミストや大気中の塵埃等（以下「浮遊物」という。）は、乱流によってウエハ周辺でかく乱され、成膜途中のウエハの表面に付着するおそれがある。これにより、フォトレジスト膜の膜厚にムラが発生するおそれがある。
【０００８】
そこで本発明は、マスク材膜を成膜する際の膜厚のムラを抑制できる圧電振動片の製造方法、圧電振動片の製造装置、圧電振動片、この圧電振動片を備えた圧電振動子、発振器、電子機器、および電波時計の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するため、本発明の圧電振動片の製造装置は、ウエハから圧電振動片を製造する圧電振動片の製造方法であって、前記ウエハの第１面に、前記圧電振動片の外形形成時のマスクとなるマスク材膜をスピンコート法により成膜するマスク材膜成膜工程を有し、前記マスク材膜成膜工程は、スピンチャックのウエハ保持部の上面に前記ウエハの第２面を下方にして保持し、前記ウエハの周方向に前記ウエハを回転させて行い、前記スピンチャックは、前記ウエハ保持部の下面に、前記スピンチャックの径方向に沿って放射状に延在し、前記スピンチャックの回転時に前記ウエハ保持部の下面から下方に向かって下降気流を発生させるフィンを備えたことを特徴としている。
【００１０】
本発明によれば、マスク材膜成膜工程では、ウエハ保持部の下面に設けられたフィンにより下降気流を発生させつつ、上方に配置されたウエハの第１面にマスク材膜を成膜している。したがって、マスク材膜を成膜する際に存在する浮遊物は、下降気流によりウエハの下方に搬送される。これにより、上方に配置されたウエハの第１面への浮遊物の付着を抑制できるので、マスク材膜を成膜する際の膜厚のムラを抑制できる。
【００１１】
また、前記ウエハ保持部の上面は、前記ウエハの前記第２面の全面を覆って保持することを特徴としている。
本発明によれば、ウエハ保持部がウエハの第２面の全面を覆うので、第２面への浮遊物の付着を完全に防止できる。また、ウエハ保持部によりウエハの第２面の全面が保持されるので、ウエハ外周部の振動を抑制できる。これにより、ウエハの第１面に精度よく均一な厚さの膜を形成できる。したがって、マスク材膜を成膜する際の膜厚のムラをさらに抑制できる。
【００１２】
また、本発明の圧電振動片の製造装置は、ウエハの第１面に、圧電振動片の外形形成時のマスク材膜をスピンコート法により成膜する際に使用する圧電振動片の製造装置であって、ウエハ保持部の上面に前記ウエハの第２面を下方にして保持し、前記ウエハの周方向に前記ウエハを回転させるスピンチャックを備え、前記スピンチャックは、前記ウエハ保持部の下面に、前記スピンチャックの径方向に沿って放射状に延在し、前記スピンチャックの回転時に前記ウエハ保持部の下面から下方に向かって下降気流を発生させるフィンを備えたことを特徴としている。
本発明によれば、ウエハ保持部の下面に、スピンチャックの回転時に下降気流を発生するフィンを設けたので、マスク材膜を成膜する際に存在する浮遊物をウエハの下方に搬送できる。これにより、上方に配置されたウエハの第１面への浮遊物の付着を抑制できるので、マスク材膜を成膜する際の膜厚のムラを抑制できる。
【００１３】
また、本発明の圧電振動片は、上記の圧電振動片の製造方法により製造されたことを特徴としている。
本発明によれば、上記製造方法によりマスク材膜の膜厚のムラを抑制して、圧電振動片を精度よく形成できる。したがって、外形不良により廃棄される圧電振動片が減少するので、圧電振動片の低コスト化ができる。
【００１４】
また、本発明の圧電振動子は、上記製造方法により製造された圧電振動片を備えたことを特徴としている。
本発明によれば、低コストな圧電振動片を備えているので、低コストな圧電振動子を得ることができる。
【００１５】
また、本発明の発振器は、上述した圧電振動子が、発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴としている。
また、本発明の電子機器は、上述した圧電振動子が、計時部に電気的に接続されていることを特徴としている。
また、本発明の電波時計は、上述した圧電振動子が、フィルタ部に電気的に接続されていることを特徴としている。
本発明の発振器、電子機器および電波時計によれば、低コストな圧電振動子を備えているので、低コストな発振器、電子機器および電波時計を提供できる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、マスク材膜成膜工程では、ウエハ保持部の下面に設けられたフィンにより下降気流を発生させつつ、上方に配置されたウエハの第１面にマスク材膜を成膜している。したがって、マスク材膜を成膜する際に存在する浮遊物は、下降気流によりウエハの下方に搬送される。これにより、上方に配置されたウエハの第１面への浮遊物の付着を抑制できるので、マスク材膜を成膜する際の膜厚のムラを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】圧電振動片の平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線における断面図である。
【図３】圧電振動片の製造工程のフローチャートである。
【図４】スピンチャックの中心線を含む側面断面図である。
【図５】スピンチャックの底面図である。
【図６】フォトレジスト膜成膜工程の説明図である。
【図７】レジスト膜パターン形成工程の説明図である。
【図８】金属膜パターン形成工程の説明図である。
【図９】ウエハエッチング工程の説明図である。
【図１０】エッチング後のウエハの説明図である。
【図１１】圧電振動子の外観斜視図である。
【図１２】圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態の平面図である。
【図１３】図１２のＢ−Ｂ線における断面図である。
【図１４】図１１に示す圧電振動子の分解斜視図である。
【図１５】発振器の一実施形態を示す構成図である。
【図１６】電子機器の一実施形態を示す構成図である。
【図１７】電波時計の一実施形態を示す構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
（圧電振動片）
最初に、本発明の実施形態に係る圧電振動片を、図面を参照して説明する。
図１は、圧電振動片４の平面図である。
図２は、図１のＡ−Ａ線における断面図である。
図１に示すように、本実施形態の圧電振動片４は、水晶から形成された音叉型の振動片であり、所定の電圧が印加されたときに振動するものである。この圧電振動片４は、平行に配置された一対の振動腕部１０，１１と、前記一対の振動腕部１０，１１の基端側を一体的に固定する基部１２と、一対の振動腕部１０，１１の両主面上に形成された溝部１８とを備えている。この溝部１８は、該振動腕部１０，１１の長手方向に沿って振動腕部１０，１１の基端側から略中間付近まで形成されている。
【００１９】
圧電振動片４は、一対の振動腕部１０，１１の外表面上に形成されて一対の振動腕部１０，１１を振動させる第１の励振電極１３および第２の励振電極１４からなる励振電極１５と、圧電振動片４をパッケージに実装するために基部１２に形成されたマウント電極１６，１７と、第１の励振電極１３および第２の励振電極１４とマウント電極１６，１７とを電気的接続する引き出し電極１９，２０と、を有している。
【００２０】
励振電極１５および引き出し電極１９，２０は、後述するマウント電極１６，１７の下地層と同じ材料のクロムにより単層膜で形成されている。これにより、マウント電極１６，１７の下地層を成膜するのと同時に、励振電極１５および引き出し電極１９，２０を成膜することができる。ただし、この場合に限られず、例えば、ニッケルやアルミニウム、チタン等により励振電極１５および引き出し電極１９，２０を成膜しても構わない。
【００２１】
励振電極１５は、一対の振動腕部１０，１１を互いに接近又は離間する方向に所定の共振周波数で振動させる電極である。励振電極１５を構成する第１の励振電極１３および第２の励振電極１４は、一対の振動腕部１０，１１の外表面に、それぞれ電気的に切り離された状態でパターニングされて形成されている（図２参照）。また、第１の励振電極１３および第２の励振電極１４は、基部１２の両主面上において、それぞれ引き出し電極１９，２０を介して、後述するマウント電極１６，１７に電気的に接続されている。
【００２２】
マウント電極１６，１７は、クロムと金との積層膜であり、水晶と密着性の良いクロム膜を下地層として成膜した後に、表面に金の薄膜を仕上げ層として成膜することにより形成される。ただし、この場合に限られず、例えば、クロムとニクロムを下地層として成膜した後に、表面にさらに金の薄膜を仕上げ層として成膜しても構わない。
【００２３】
一対の振動腕部１０，１１の先端には、所定の周波数の範囲内で振動するように調整（周波数調整）を行うための重り金属膜２１が被膜されている。この重り金属膜２１は、周波数を粗く調整する際に使用される粗調膜２１ａと、微小に調整する際に使用される微調膜２１ｂとに分かれている。これら粗調膜２１ａおよび微調膜２１ｂを利用して周波数調整を行うことで、一対の振動腕部１０，１１の周波数をデバイスの公称周波数の範囲内に収めることができる。
【００２４】
（圧電振動片の製造方法）
次に、上述した圧電振動片４の製造工程について、フローチャートを参照しながら以下に説明する。
図３は、圧電振動片４の製造工程のフローチャートである。
圧電振動片４の製造工程は、ウエハ６５（図４参照）に圧電振動片４の外形を形成する外形形成工程Ｓ１１０と、圧電振動片４の溝部１８（図２参照）となる凹部を形成する溝部形成工程Ｓ１３０と、各電極を形成する電極等形成工程Ｓ１４０と、圧電振動片４をウエハ６５から切り出す小片化工程Ｓ１５０とを備えている。以下に各工程の詳細を説明する。
【００２５】
（外形形成工程Ｓ１１０）
外形形成工程Ｓ１１０は、ウエハ６５の表面に金属膜を成膜する金属膜成膜工程Ｓ１１２と、後述するスピンチャック７０（図４参照）にウエハ６５をセットするウエハセット工程Ｓ１１４と、ウエハ６５にフォトレジスト（請求項の「マスク材膜」に相当）の膜を成膜するフォトレジスト膜成膜工程Ｓ１１６と、を有している。さらに、フォトレジスト膜からフォトリソグラフィ技術によってレジスト膜パターンを形成するレジスト膜パターン形成工程Ｓ１２０と、レジスト膜パターンをマスクとして金属膜をエッチングし金属膜パターンを形成する金属膜パターン形成工程Ｓ１２２と、金属膜パターンをマスクとしてウエハ６５をエッチングするウエハエッチング工程Ｓ１２４と、を有している。なお、以下の説明では、ウエハ６５の両面のうち、最初のウエハセット工程Ｓ１１４で上方に配置された面を第１面６５ａとし、下方に配置された面を第２面６５ｂとして説明する。
【００２６】
（金属膜成膜工程Ｓ１１２）
まず、金属膜成膜工程Ｓ１１２では、ポリッシングが終了し所定の厚みに高精度に仕上げられたウエハ６５に金属膜８４（図７参照）を成膜する。金属膜８４は、例えば、クロムからなる下地膜８４ａ（図７参照）と、金からなる保護膜８４ｂ（図７参照）との積層膜であり、それぞれスパッタリング法や蒸着法等により成膜される。なお、金属膜成膜工程Ｓ１１２で成膜された金属膜パターンは、後のウエハエッチング工程Ｓ１２４および溝部形成工程Ｓ１３０において、ウエハ６５をエッチングする際のメタルマスクとなる。
【００２７】
（ウエハセット工程Ｓ１１４、スピンチャック）
次に、ウエハ６５をスピンチャック７０にセットするウエハセット工程Ｓ１１４を行う。
図４は、スピンチャック７０の中心軸Ｋを含む側面断面図である。
図５は、スピンチャック７０の底面図である。
以下では、まず図４および図５を用いてスピンチャック７０を説明した後に、ウエハセット工程Ｓ１１４を説明する。なお、図４では、図面を分かりやすくするために、ウエハ６５の表面に成膜された金属膜８４の図示を省略している。
【００２８】
図４に示すように、スピンチャック７０は、ウエハ６５を保持するウエハ保持部７２と、ウエハ保持部７２の中央から下方に向かって延出されウエハ保持部７２を支持する支柱部７６と、を備えている。ウエハ保持部７２および支柱部７６は、例えば樹脂や金属等により形成される。
【００２９】
ウエハ保持部７２は、平面視で略円形状をした板状部材である。ウエハ保持部７２の直径は、ウエハ６５の第２面６５ｂ全体を覆うように、ウエハ６５の直径と略同一となるように形成されている。
ウエハ保持部７２の上面７２ａは平坦に形成されており、ウエハ６５の第２面６５ｂを当接させて、ウエハ６５を載置できるようになっている。
ウエハ保持部７２の上面７２ａには、全面に複数の吸引孔７４が形成されている。吸引孔７４は、ウエハ保持部７２内に形成された吸引通路７３および後述する支柱部７６に形成された吸引通路７８を介して、不図示の真空ポンプに接続されている。真空ポンプで真空引きすることにより、ウエハ６５は、ウエハ保持部７２に負圧吸着されてウエハ保持部７２の上面７２ａに保持される。
【００３０】
ウエハ保持部７２の下面７２ｂにおける略中央には、下方に向かって延出された支柱部７６が設けられている。
支柱部７６は、中空の円柱状部材であり、中心軸がウエハ保持部７２の中心軸と略一致するように、ウエハ保持部７２と一体的に形成される。
支柱部７６の内部には、吸引通路７８が形成されており、不図示の真空ポンプに接続されている。吸引通路７８は、ウエハ保持部７２に形成された吸引通路７３および吸引孔７４と連通されている。
支柱部７６は、不図示のモータと接続されている。モータが回転駆動することにより、スピンチャック７０が中心軸Ｋを回転中心として回転する。
【００３１】
図５に示すように、スピンチャック７０の下面７２ｂには、スピンチャック７０の径方向に沿って、放射状に延在する平板状のフィン７５が形成されている。フィン７５は、ウエハ保持部７２の周方向に約９０°間隔で、スピンチャック７０の中心部７２ｃから外周縁部７２ｄにわたって複数枚（本実施形態では４枚）形成されている。フィン７５は、側面視でウエハ保持部７２の外周縁部７２ｄに頂点を有し、支柱部７６の外周上に底辺を有する略三角形状に形成されている（図４参照）。
また、フィン７５は、スピンチャック７０の回転方向Ｗ（図５における時計回り方向）および下方向を向いた傾斜面を有している。このようにフィン７５を形成することで、後述するようにスピンチャック７０の回転時に、ウエハ保持部７２の下面７２ｂから下方に向かって下降気流Ｄ（図６参照）を発生している。なお、フィン７５の形状や枚数、傾斜角度等は、要求される下降気流Ｄの風量等により設定する。
【００３２】
なお、スピンチャック７０は、スピンチャック７０の側方および下方を囲繞するように形成されたコータカップ８１内に配置される。コータカップ８１の下方には、不図示の吸引ポンプと連通する排気口８３が設けられており、吸引ポンプにより吸引されることで、コータカップ８１の内部は負圧となるように構成されている。後述するフォトレジスト膜成膜工程Ｓ１１６で発生するフォトレジスト材８５のミストや大気中の塵埃等の浮遊物は、スピンチャック７０の回転時に発生する下降気流Ｄによって搬送され、排気口８３からコータカップ８１の外部に排出されるようになっている。
【００３３】
（ウエハセット工程Ｓ１１４）
このように構成されたスピンチャック７０に、金属膜が成膜されたウエハ６５をセットするウエハセット工程Ｓ１１４を行う。
ウエハセット工程Ｓ１１４では、スピンチャック７０のウエハ保持部７２に、ウエハ６５をセットする。具体的には、ウエハ６５の下方に配置された第２面６５ｂと、ウエハ保持部７２の上面７２ａとを当接させ、ウエハ保持部７２の上面７２ａにウエハ６５を載置する。ウエハ６５の第２面６５ｂとウエハ保持部７２の上面７２ａとの間には、不図示の位置決め機構が設けられており、ウエハ６５の中心軸が、スピンチャック７０の中心軸Ｋと略一致するように載置される。
【００３４】
（フォトレジスト膜成膜工程Ｓ１１６）
図６は、フォトレジスト膜成膜工程Ｓ１１６の説明図である。
続いて、図６に示すように、フォトレジスト材８５（本願請求項の「マスク材膜」に相当）を塗布し、ウエハ６５にフォトレジスト膜を成膜するフォトレジスト膜成膜工程Ｓ１１６を行う。なお、フォトレジスト膜成膜工程Ｓ１１６は、大気中にて行われる。また、本実施形態で塗布されるフォトレジスト材８５は、露光された部分が硬化して現像時に残存する、いわゆるネガレジスト材である。
【００３５】
フォトレジスト膜成膜工程Ｓ１１６では、まず、不図示の真空ポンプで真空引きをしてウエハ保持部７２でウエハ６５の第２面６５ｂを真空吸着しつつ、不図示のモータを回転駆動させ、スピンチャック７０およびウエハ６５を高速回転させる。
続いて、図６に示すように、中心軸Ｋに沿ってウエハ６５の上方に配置されたノズル７９から、ウエハ６５の第１面６５ａに向かってフォトレジスト材８５を滴下する。
滴下されたフォトレジスト材８５がウエハ６５の第１面６５ａに付着すると、遠心力によって、ウエハ６５の略中央から外周側に向かって薄膜状に広がる。これにより、ウエハ６５の第１面６５ａにフォトレジスト膜８５ａが成膜される。
【００３６】
ここで、ウエハ６５の第１面６５ａ側では、ウエハ６５の回転により乱流Ｆが発生する。そして、フォトレジスト材８５が滴下された際や、フォトレジスト材８５がウエハ６５の略中央から外周側に向かって薄膜状に広がる際に発生するフォトレジスト材８５のミストや大気中の塵埃等の浮遊物は、乱流Ｆによってウエハ６５周辺でかく乱される。このため、フォトレジスト膜８５ａを成膜途中のウエハ６５の表面に浮遊物が付着するおそれがあり、フォトレジスト膜８５ａの膜厚にムラが発生するおそれがあった。
【００３７】
しかし、本実施形態のスピンチャック７０の下面７２ｂにはフィン７５が形成されており、フォトレジスト膜成膜工程Ｓ１１６でスピンチャック７０が高速回転することで、ウエハ保持部７２の下面７２ｂから下方に向かって下降気流Ｄが発生する。この下降気流Ｄにより、ウエハ６５の周辺で発生した乱流Ｆは、ウエハ６５の外周縁部からウエハ６５の下方へ向かうように整流される。そして、ウエハ６５周辺の浮遊物は、下降気流Ｄによって搬送され、ウエハ６５の下方に設けられた排気口８３から排出される。したがって、ウエハ６５の第１面６５ａへの浮遊物の付着が抑制される。さらに、ウエハ６５の第２面６５ｂは、ウエハ保持部７２によって全体が覆われているので、ウエハ６５の第２面６５ｂへの浮遊物の付着が完全に防止される。
このように、フォトレジスト膜成膜工程Ｓ１１６では、ウエハ６５の第１面６５ａおよび第２面６５ｂへの浮遊物の付着が抑制されるので、フォトレジスト膜８５ａを成膜する際の膜厚のムラを抑制できる。
【００３８】
（塗布面の確認Ｓ１１７および表裏反転工程Ｓ１１８）
ウエハ６５の第１面６５ａにフォトレジスト膜８５ａを成膜した後、下方に配置されたウエハ６５の第２面６５ｂにフォトレジスト膜８５ａが成膜されていない場合には（Ｓ１１７）、ウエハ６５の第１面６５ａおよび第２面６５ｂの表裏を反転させ、ウエハ６５の第２面６５ｂに対して、再度フォトレジスト膜成膜工程Ｓ１１６を行う。
このとき、前述同様に、ウエハ６５周辺の浮遊物は、下降気流Ｄによって搬送され、不図示の排気口から排出されるので、ウエハ６５の第２面６５ｂへの浮遊物の付着が抑制される。さらに、最初のフォトレジスト膜成膜工程Ｓ１１６によりすでにフォトレジスト膜８５ａが成膜されたウエハ６５の第１面６５ａは、ウエハ保持部７２によって全体が覆われるので、ウエハ６５の第１面６５ａへの浮遊物の付着が抑制される。
このように、再度のフォトレジスト膜成膜工程Ｓ１１６では、ウエハ６５の第２面６５ｂおよびすでにフォトレジスト膜８５ａが成膜されたウエハ６５の第１面６５ａへの浮遊物の付着が抑制されるので、フォトレジスト膜８５ａを成膜する際の膜厚のムラを抑制できる。
以上により、ウエハ６５の第１面６５ａおよび第２面６５ｂにフォトレジスト膜８５ａが成膜される。
【００３９】
（レジスト膜パターン形成工程Ｓ１２０）
図７は、レジスト膜パターン形成工程Ｓ１２０の説明図である。
次に、図７に示すように、金属膜８４に重ねて成膜したフォトレジスト膜８５ａをフォトリソグラフィ技術によりパターニングするレジスト膜パターン形成工程Ｓ１２０を行う。
フォトマスク９０は、ガラス等の光透過性を有するフォト基板９１の主面９１ａ上に、クロム等の遮光性を有する遮光膜パターン９５が形成されたものである。遮光膜パターン９５は、フォトレジスト膜８５ａをパターニングするためのものであり、フォト基板９１の主面９１ａ上において、圧電振動片４の外形に相当する領域を除く領域に形成されている。
レジスト膜パターン形成工程Ｓ１２０では、フォトマスク９０をウエハ６５の両面にセットし、紫外線Ｒを照射して露光を行う。前述のとおり、本実施形態のフォトレジスト材８５は、紫外線が露光された領域のフォトレジスト膜８５ａが硬化するネガレジスト材を用いている。したがって、露光後、現像液に浸漬した際、紫外線が露光されず硬化していない領域のフォトレジスト膜８５ａのみが選択的に除去される。
【００４０】
ここで、フォトレジスト膜８５ａの膜厚にムラが生じ、膜厚が厚く形成された部分が存在すると、フォトレジスト膜８５ａを露光しても十分に硬化できず、現像時に溶解され除去されるおそれがある。そして、残存したフォトレジスト膜８５ａのレジスト膜パターンに表面欠陥が発生するため、圧電振動片４の外形形成時の不良の原因となるおそれがある。
しかし、本実施形態では、フォトレジスト膜成膜工程Ｓ１１６において、浮遊物がウエハ６５の第１面６５ａおよび第２面６５ｂに付着するのを抑制し、フォトレジスト膜８５ａの膜厚のムラを抑制しながらフォトレジスト膜８５ａを成膜している。したがって、レジスト膜パターン形成工程Ｓ１２０では、表面欠陥のないレジスト膜パターン８５ｂ（図８参照）を形成できる。
【００４１】
（金属膜パターン形成工程Ｓ１２２）
図８は、金属膜パターン形成工程Ｓ１２２の説明図である。
次に、残存したフォトレジスト膜８５ａのレジスト膜パターン８５ｂをレジストマスクとして、金属膜成膜工程Ｓ１１２で成膜した金属膜８４をパターニングする金属膜パターン形成工程Ｓ１２２を行う。本工程では、レジスト膜パターン８５ｂによりマスクされていない金属膜８４を選択的に除去する。その後、レジスト膜パターン８５ｂを除去する。これにより、ウエハ６５の第１面６５ａおよび第２面６５ｂ上には、圧電振動片４の外形に対応した金属膜パターン８４ｃが形成される。
【００４２】
（ウエハエッチング工程Ｓ１２４）
図９は、ウエハエッチング工程Ｓ１２４の説明図である。
図１０は、エッチング後のウエハ６５の説明図である。
次に、図９に示すように、金属膜パターン８４ｃをメタルマスクとして、ウエハ６５の両面からウエハ６５をエッチングするウエハエッチング工程Ｓ１２４を行う。これにより、金属膜パターン８４ｃでマスクされていない領域を選択的に除去し、圧電振動片４の外形形状を有する圧電板４ａ（図１０参照）を形成できる。なお、図１０に示すように、各圧電板４ａはエッチング後のウエハ６５と連結部４ｂにより連結されている。
以上で、外形形成工程Ｓ１１０が終了する。
【００４３】
（溝部形成工程Ｓ１３０）
次に、各圧電板４ａに後の溝部１８（図１参照）となる凹部を形成する溝部形成工程Ｓ１３０を行う。具体的には、各圧電板４ａの表面に、スプレーコート法等によりフォトレジスト膜（不図示）を成膜し、フォトリソグラフィ技術によってフォトレジスト膜をパターニングする。続いて、レジスト膜パターンをレジストマスクとして金属膜８４のエッチング加工を行い、凹部形成領域を空けた状態で金属膜８４をパターニングする。そして、この金属膜８４をメタルマスクとしてウエハ６５をエッチングした後、金属膜８４を除去することで、各圧電板４ａの主面上に凹部を形成できる。以上で、溝部形成工程Ｓ１３０が終了する。
【００４４】
（電極等形成工程Ｓ１４０）
次に、圧電振動片４の外形形状に形成された圧電板４ａの外表面に電極等を形成する電極等形成工程Ｓ１４０を行う。電極等形成工程Ｓ１４０では、まず、金属膜の成膜およびパターニングを行って、励振電極１５、引き出し電極１９，２０、マウント電極１６，１７および重り金属膜２１（いずれも図１参照）を形成する。次に、圧電板４ａの共振周波数の粗調を行う。重り金属膜２１の粗調膜２１ａにレーザ光を照射して一部を蒸発させ、振動腕部１０，１１の重量を変化させることで行う。以上で、電極等形成工程Ｓ１４０が終了する。
【００４５】
（小片化工程Ｓ１５０）
最後に、ウエハ６５と各圧電板４ａとを連結していた連結部４ｂを切断して、複数の圧電振動片４をウエハ６５から切り離して小片化する小片化工程Ｓ１５０を行う。これにより、１枚のウエハ６５から、音叉型の圧電振動片４を一度に複数製造することができる。この時点で、圧電振動片４の製造工程が終了し、圧電振動片４を複数得ることができる。
【００４６】
（効果）
本実施形態によれば、フォトレジスト膜成膜工程Ｓ１１６では、ウエハ保持部７２の下面７２ｂに設けられたフィン７５により下降気流Ｄを発生させつつ、上方に配置されたウエハ６５の第１面６５ａにフォトレジスト膜８５ａを成膜している。したがって、フォトレジスト膜８５ａを成膜する際に存在する浮遊物は、下降気流Ｄによりウエハ６５の下方に搬送される。これにより、上方に配置されたウエハ６５の第１面６５ａへの浮遊物の付着を抑制できるので、フォトレジスト膜８５ａを成膜する際の膜厚のムラを抑制できる。
【００４７】
また、本実施形態によれば、ウエハ保持部７２がウエハ６５の第２面６５ｂの全面を覆うので、第２面６５ｂへの浮遊物の付着を完全に防止できる。また、ウエハ保持部７２によりウエハ６５の第２面６５ｂの全面が保持されるので、ウエハ６５の外周部の振動を抑制できる。これにより、ウエハ６５の第１面６５ａに精度よく均一な厚さのフォトレジスト膜８５ａを成膜できる。したがって、フォトレジスト膜８５ａを成膜する際の膜厚のムラをさらに抑制できる。
【００４８】
また、本実施形態によれば、ウエハ保持部７２がウエハ６５の第２面６５ｂの全面を覆うことで、ウエハ保持部７２の下面７２ｂに大きなフィン７５を形成できる。これにより、強力な下降気流Ｄを発生させることができるので、上方に配置されたウエハ６５の第１面６５ａへの浮遊物の付着をより効果的に抑制できる
【００４９】
ここで、半導体デバイスを形成する場合、半導体基板の表面（本実施形態の「第１面６５ａ」に相当）のみにレジストパターンを形成し、半導体基板の表面のみを利用することが多い。このため、半導体基板の裏面（本実施形態の「第２面６５ｂ」に相当）に付着した浮遊物は、研磨により取り除くことができていた。
これに対して、圧電振動片４の外形を形成する場合、上述のようにウエハ６５の第１面６５ａおよび第２面６５ｂを利用している。このため、フォトレジスト膜８５ａ成膜前の第２面６５ｂに付着した浮遊物を研磨で取り除くことができず、リンス液の塗布やＮ２ブロー等により付着した浮遊物を除去するための追加工程が必要になる。さらに、表裏反転工程Ｓ１１８の後、再度のフォトレジスト膜成膜工程Ｓ１１６で第２面６５ｂにフォトレジスト膜８５ａを成膜する際、フォトレジスト膜８５ａがすでに成膜された第１面６５ａに浮遊物が付着した場合には、付着した浮遊物を取り除くことは非常に困難である。
しかし、本実施形態によれば、ウエハ保持部７２がウエハ６５の第２面６５ｂの全面を覆うので、第２面６５ｂへの浮遊物の付着を完全に防止できる。このように、ウエハ６５の第２面６５ｂへの浮遊物の付着を確実に防止する本件発明は、圧電振動片４の外形形成において特に有効である。
【００５０】
また、本実施形態によれば、上記の製造方法によりフォトレジスト膜８５ａの膜厚のムラを抑制して、圧電振動片４を精度よく形成できる。したがって、外形不良により廃棄される圧電振動片４が減少するので、圧電振動片４の低コスト化ができる。
【００５１】
（圧電振動子）
次に、上述した製造方法により製造された圧電振動片４を備えたパッケージ９として、圧電振動子１について説明する。
図１１は、圧電振動子１の外観斜視図である。
図１２は、圧電振動子１の内部構成図であって、リッド基板３を取り外した状態の平面図である。
図１３は、図１２のＢ−Ｂ線における断面図である。
図１４は、図１１に示す圧電振動子１の分解斜視図である。
なお、図１４においては、図面を見易くするために後述する励振電極１３，１４、引き出し電極１９，２０、マウント電極１６，１７および重り金属膜２１の図示を省略している。
図１１に示すように、本実施形態の圧電振動子１は、ベース基板２およびリッド基板３が接合膜３５を介して陽極接合されたパッケージ９と、パッケージ９のキャビティ３ａに収納された圧電振動片４と、を備えた表面実装型の圧電振動子１である。
【００５２】
図１３に示すように、ベース基板２およびリッド基板３は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる陽極接合可能な基板であり、略板状に形成されている。リッド基板３におけるベース基板２との接合面側には、圧電振動片４を収容するキャビティ３ａが形成されている。
【００５３】
リッド基板３におけるベース基板２との接合面側の全体に、陽極接合用の接合膜３５（接合材）が形成されている。接合膜３５は、キャビティ３ａの内面全体に加えて、キャビティ３ａの周囲の額縁領域に形成されている。本実施形態の接合膜３５は、アルミニウムにより形成されているが、クロムやシリコン等で接合膜３５を形成することも可能である。この接合膜３５とベース基板２とが陽極接合され、キャビティ３ａが真空封止されている。
【００５４】
圧電振動子１は、ベース基板２を厚さ方向に貫通し、キャビティ３ａの内側と圧電振動子１の外側とを導通する貫通電極３２，３３を備えている。そして、貫通電極３２，３３は、ベース基板２を貫通する貫通孔３０，３１内に配置され、圧電振動片４と外部とを電気的に接続する金属ピン７と、貫通孔３０，３１と金属ピン７との間に充填される筒体６と、により形成されている。なお、以下には貫通電極３２を例にして説明するが、貫通電極３３についても同様である。また、貫通電極３３、引き回し電極３７および外部電極３９の電気的接続についても、貫通電極３２、引き回し電極３６および外部電極３９と同様となっている。
【００５５】
貫通孔３０は、ベース基板２の上面Ｕ側から下面Ｌ側にかけて、内形が次第に大きくなるように形成されており、貫通孔３０の中心軸Ｏを含む断面形状がテーパ状となるように形成されている。
金属ピン７は、銀やニッケル合金、アルミニウム等の金属材料により形成された導電性の棒状部材であり、鍛造やプレス加工により成型される。金属ピン７は、線膨張係数がベース基板２のガラス材料と近い金属、例えば、鉄を５８重量パーセント、ニッケルを４２重量パーセント含有する合金（４２アロイ）で形成することが望ましい。
筒体６は、ペースト状のガラスフリットが焼成されたものである。筒体６の中心には、金属ピン７が筒体６を貫通するように配されており、筒体６は、金属ピン７および貫通孔３０に対して強固に固着している。
【００５６】
図１４に示すように、ベース基板２の上面Ｕ側には、一対の引き回し電極３６，３７がパターニングされている。また、これら一対の引き回し電極３６，３７上にそれぞれ金等からなるバンプＢが形成されており、前記バンプＢを利用して圧電振動片４の一対のマウント電極が実装されている。これにより、圧電振動片４の一方のマウント電極１７（図１２参照）が、一方の引き回し電極３６を介して一方の貫通電極３２に導通し、他方のマウント電極１６（図１２参照）が、他方の引き回し電極３７を介して他方の貫通電極３３に導通するようになっている。
【００５７】
ベース基板２の下面Ｌには、一対の外部電極３８，３９が形成されている。一対の外部電極３８，３９は、ベース基板２の長手方向の両端部に形成され、一対の貫通電極３２，３３に対してそれぞれ電気的に接続されている。
【００５８】
このように構成された圧電振動子１を作動させる場合には、ベース基板２に形成された外部電極３８，３９に対して、所定の駆動電圧を印加する。これにより、圧電振動片４の第１の励振電極１３および第２の励振電極１４に電圧を印加できるので、一対の振動腕部１０，１１を接近・離間させる方向に所定の周波数で振動させることができる。そして、この一対の振動腕部１０，１１の振動を利用して、時刻源や制御信号のタイミング源、リファレンス信号源等として利用できる。
【００５９】
（効果）
本発明によれば、低コストな圧電振動片４を備えているので、低コストな圧電振動子１を得ることができる。
【００６０】
（発振器）
次に、本発明に係る発振器の一実施形態について、図１５を参照しながら説明する。
本実施形態の発振器１１０は、図１５に示すように、圧電振動子１を、集積回路１１１に電気的に接続された発振子として構成したものである。この発振器１１０は、コンデンサ等の電子素子部品１１２が実装された基板１１３を備えている。基板１１３には、発振器用の前記集積回路１１１が実装されており、この集積回路１１１の近傍に、圧電振動子１の圧電振動片が実装されている。これら電子素子部品１１２、集積回路１１１および圧電振動子１は、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。
【００６１】
このように構成された発振器１１０において、圧電振動子１に電圧を印加すると、圧電振動子１内の圧電振動片が振動する。この振動は、圧電振動片が有する圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路１１１に電気信号として入力される。入力された電気信号は、集積回路１１１によって各種処理がなされ、周波数信号として出力される。これにより、圧電振動子１が発振子として機能する。
また、集積回路１１１の構成を、例えば、ＲＴＣ（リアルタイムクロック）モジュール等を要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器等の他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダー等を提供したりする機能を付加できる。
【００６２】
本実施形態の発振器１１０によれば、低コストな圧電振動子１を備えているので、低コストな発振器１１０を提供できる。
【００６３】
（電子機器）
次に、本発明に係る電子機器の一実施形態について、図１６を参照して説明する。なお電子機器として、前述した圧電振動子１を有する携帯情報機器１２０を例にして説明する。
始めに本実施形態の携帯情報機器１２０は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻等を表示させることができるものである。また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカおよびマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。しかしながら、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化および軽量化されている。
【００６４】
次に、本実施形態の携帯情報機器１２０の構成について説明する。この携帯情報機器１２０は、図１６に示すように、圧電振動子１と、電力を供給するための電源部１２１とを備えている。電源部１２１は、例えば、リチウム二次電池からなっている。この電源部１２１には、各種制御を行う制御部１２２と、時刻等のカウントを行う計時部１２３と、外部との通信を行う通信部１２４と、各種情報を表示する表示部１２５と、それぞれの機能部の電圧を検出する電圧検出部１２６とが並列に接続されている。そして、電源部１２１によって、各機能部に電力が供給されるようになっている。
【００６５】
制御部１２２は、各機能部を制御して音声データの送信や受信、現在時刻の計測、表示等、システム全体の動作制御を行う。また、制御部１２２は、予めプログラムが書き込まれたＲＯＭと、該ＲＯＭに書き込まれたプログラムを読み出して実行するＣＰＵと、該ＣＰＵのワークエリアとして使用されるＲＡＭ等とを備えている。
【００６６】
計時部１２３は、発振回路やレジスタ回路、カウンタ回路、インターフェース回路等を内蔵する集積回路と、圧電振動子１とを備えている。圧電振動子１に電圧を印加すると圧電振動片が振動し、該振動が水晶の有する圧電特性により電気信号に変換されて、発振回路に電気信号として入力される。発振回路の出力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回路とにより計数される。そして、インターフェース回路を介して、制御部１２２と信号の送受信が行われ、表示部１２５に、現在時刻や現在日付或いはカレンダー情報等が表示される。
【００６７】
通信部１２４は、従来の携帯電話と同様の機能を有し、無線部１２７、音声処理部１２８、切替部１２９、増幅部１３０、音声入出力部１３１、電話番号入力部１３２、着信音発生部１３３および呼制御メモリ部１３４を備えている。
無線部１２７は、音声データ等の各種データを、アンテナ１３５を介して基地局と送受信のやりとりを行う。音声処理部１２８は、無線部１２７又は増幅部１３０から入力された音声信号を符号化および複号化する。増幅部１３０は、音声処理部１２８又は音声入出力部１３１から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。音声入出力部１３１は、スピーカやマイクロフォン等からなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。
【００６８】
また、着信音発生部１３３は、基地局からの呼び出しに応じて着信音を生成する。切替部１２９は、着信時に限って、音声処理部１２８に接続されている増幅部１３０を着信音発生部１３３に切り替えることによって、着信音発生部１３３において生成された着信音が増幅部１３０を介して音声入出力部１３１に出力される。
なお、呼制御メモリ部１３４は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。また、電話番号入力部１３２は、例えば、０から９の番号キーおよびその他のキーを備えており、これら番号キー等を押下することにより、通話先の電話番号等が入力される。
【００６９】
電圧検出部１２６は、電源部１２１によって制御部１２２等の各機能部に対して加えられている電圧が、所定の値を下回った場合に、その電圧降下を検出して制御部１２２に通知する。このときの所定の電圧値は、通信部１２４を安定して動作させるために必要な最低限の電圧として予め設定されている値であり、例えば、３Ｖ程度となる。電圧検出部１２６から電圧降下の通知を受けた制御部１２２は、無線部１２７、音声処理部１２８、切替部１２９および着信音発生部１３３の動作を禁止する。特に、消費電力の大きな無線部１２７の動作停止は、必須となる。更に、表示部１２５に、通信部１２４が電池残量の不足により使用不能になった旨が表示される。
【００７０】
すなわち、電圧検出部１２６と制御部１２２とによって、通信部１２４の動作を禁止し、その旨を表示部１２５に表示できる。この表示は、文字メッセージであっても良いが、より直感的な表示として、表示部１２５の表示面の上部に表示された電話アイコンに、×（バツ）印を付けるようにしても良い。
なお、通信部１２４の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断できる電源遮断部１３６を備えることで、通信部１２４の機能をより確実に停止できる。
【００７１】
本実施形態の携帯情報機器１２０によれば、低コストな圧電振動子１を備えているので、低コストな携帯情報機器１２０を提供できる。
【００７２】
（電波時計）
次に、本発明に係る電波時計の一実施形態について、図１７を参照して説明する。
本実施形態の電波時計１４０は、図１７に示すように、フィルタ部１４１に電気的に接続された圧電振動子１を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。
日本国内には、福島県（４０ｋＨｚ）と佐賀県（６０ｋＨｚ）とに、標準の電波を送信する送信所（送信局）があり、それぞれ標準電波を送信している。４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、前述した２つの送信所で日本国内を全て網羅している。
【００７３】
以下、電波時計１４０の機能的構成について詳細に説明する。
アンテナ１４２は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの長波の標準電波を受信する。長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの搬送波にＡＭ変調をかけたものである。受信された長波の標準電波は、アンプ１４３によって増幅され、複数の圧電振動子１を有するフィルタ部１４１によって濾波、同調される。
本実施形態における圧電振動子１は、前記搬送周波数と同一の４０ｋＨｚおよび６０ｋＨｚの共振周波数を有する水晶振動子部１４８、１４９をそれぞれ備えている。
【００７４】
更に、濾波された所定周波数の信号は、検波、整流回路１４４により検波復調される。
続いて、波形整形回路１４５を介してタイムコードが取り出され、ＣＰＵ１４６でカウントされる。ＣＰＵ１４６では、現在の年や積算日、曜日、時刻等の情報を読み取る。読み取られた情報は、ＲＴＣ１４８に反映され、正確な時刻情報が表示される。
搬送波は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚであるから、水晶振動子部１４８、１４９は、前述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。
【００７５】
なお、前述の説明は、日本国内の例で示したが、長波の標準電波の周波数は、海外では異なっている。例えば、ドイツでは７７．５ＫＨｚの標準電波が用いられている。従って、海外でも対応可能な電波時計１４０を携帯機器に組み込む場合には、さらに日本の場合とは異なる周波数の圧電振動子１を必要とする。
【００７６】
本実施形態の電波時計１４０によれば、低コストな圧電振動子１を備えているので、低コストな電波時計１４０を提供できる。
【００７７】
なお、この発明は上述した実施の形態に限られるものではない。
本実施形態の圧電振動片４の製造方法では、音叉型の圧電振動片４を製造しているが、本発明の製造方法により製造される圧電振動片４は音叉型に限られず、例えば、ＡＴカット型の圧電振動片（厚み滑り振動片）であってもよい。また、本発明の製造方法により、圧電振動片以外の電子部品を製造してもよい。
【００７８】
本実施形態の圧電振動片４の製造方法では、スピンチャック７０を使用してフォトレジスト材８５を成膜しているが、成膜材料はフォトレジスト材８５に限られない。また、フォトレジスト材８５としてネガレジスト材を用いているが、フォトレジスト材８５はネガレジスト材に限られず、例えばポジレジスト材を用いてもよい。
【００７９】
本実施形態のスピンチャック７０のフィン７５は、平板状に形成されていた。しかし、フィン７５は、平板状に限られず、例えば湾曲面に形成されたものであってもよい。ただし、成型が容易である点で本実施形態に優位性がある。また、フィン７５の形状や枚数等は、本実施形態に限られない。
【符号の説明】
【００８０】
１・・・圧電振動子  ４・・・圧電振動片  ６５・・・ウエハ  ６５ａ・・・第１面  ６５ｂ・・・第２面  ７０・・・スピンチャック  ７２・・・ウエハ保持部  ７２ａ・・・上面  ７２ｂ・・・下面  ７５・・・フィン  ８５・・・フォトレジスト材（マスク材膜）  １１０・・・発振器  １２０・・・携帯情報機器（電子機器）  １２３・・・計時部  １４０・・・電波時計  １４１・・・フィルタ部  Ｄ・・・下降気流  Ｓ１１６・・・フォトレジスト膜成膜工程（マスク材膜成膜工程）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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