(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体素子の温度を正確に検出し、異常停止が発生する前に運転条件の調整を行うことができるインバータ装置を提供する。【解決手段】モータ１０を、ＰＷＭ変調方式を用いてパワーモジュール２０により駆動するインバータ装置であって、ＰＷＭ信号を発生させ、該ＰＷＭ信号を前記パワーモジュールに供給して前記パワーモジュールを駆動するＰＷＭ信号発生手段１００と、該ＰＷＭ信号発生手段に電圧指令を与える制御手段８０と、パワーモジュール２０内の半導体素子の温度異常及び過電流異常を含む異常の発生を判別し、該異常の発生を判別したときに、制御手段８０に異常信号を送信する異常判別手段７０と、半導体素子の温度情報を、制御手段８０に送信する温度情報取得手段７３と、を有し、制御手段８０は、温度情報取得手段７３から受信した温度情報に基づいて、ＰＷＭ信号のキャリア周波数を低下させる運転条件調整処理を行う。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
モータを、ＰＷＭ変調方式を用いてパワーモジュールにより駆動するインバータ装置であって、
ＰＷＭ信号を発生させ、該ＰＷＭ信号を前記パワーモジュールに供給して前記パワーモジュールを駆動するＰＷＭ信号発生手段と、
該ＰＷＭ信号発生手段に電圧指令を与える制御手段と、
前記パワーモジュール内に設けられ、少なくとも該半導体素子の温度異常及び過電流異常を含む異常の発生を判別し、該異常の発生を判別したときに、前記制御手段に異常信号を送信する異常判別手段と、
該異常判別手段が前記温度異常の発生の判別のために検出する前記半導体素子の温度情報を、前記制御手段に送信する温度情報取得手段と、を有し、
前記制御手段は、前記温度情報取得手段から受信した温度情報に基づいて、前記ＰＷＭ信号のキャリア周波数を低下させる運転条件調整処理を行うことを特徴とするインバータ装置。
【請求項２】
前記制御手段は、前記温度情報取得手段から受信した前記温度情報が、所定温度以上となっているか否かの判定を行い、前記温度情報が前記所定温度以上のときに、前記運転条件調整処理を行うことを特徴とする請求項１に記載のインバータ装置。
【請求項３】
前記所定温度は、前記温度異常が発生していると判別される温度未満の範囲で複数設定されており、
前記運転条件調整処理も複数段で設定されていることを特徴とする請求項２に記載のインバータ装置。
【請求項４】
前記制御手段は、前記異常判別手段から前記異常信号を受信したときには、前記パワーモジュールの駆動を停止させる異常停止処理を行うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のインバータ装置。
【請求項５】
前記半導体素子の温度情報を検出する温度検出手段を有し、
該温度検出手段は、前記半導体素子の近傍に設けられたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載のインバータ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インバータ装置に関し、特に、モータを、ＰＷＭ変調方式を用いてパワーモジュールにより駆動するインバータ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＰＷＭ信号でインバータのスイッチング素子をオン／オフ制御してサーボモータを駆動するサーボモータ制御装置において、インバータの現在のスイッチング素子温度が素子温度基準値を越えており、かつ、サーボモータの回転速度検出値が回転速度基準値を下回っているときに、ＰＷＭ信号を生成するＰＷＭ周期を長くするようにしたサーボモータ制御装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
かかる特許文献１に記載のサーボモータ制御装置においては、スイッチング素子の温度を検出する温度検出手段を特別に設けておらず、サーボアンプに設けられた検出手段から各相の駆動電流をそれぞれ積算し、積算値に基づいて各相のスイッチング素子の温度を推定することによってスイッチング素子の温度を求めている。
【０００４】
一方、インバータ装置において、パワーモジュールやパワーモジュール内の半導体素子に温度検出手段を設置し、温度検出手段で得られた温度情報に基づいてパワーモジュールの異常検出を行い、異常が発生する一歩手前で異常警告、異常停止処理等を行って装置保護を図ったインバータ装置が知られている。
【０００５】
図１は、第１の従来例に係るインバータ装置の一例を示した図である。図１において、第１の従来例に係るインバータ装置は、半導体素子１２１を内部に収容したパワーモジュール１２０がヒートシンク等の冷却器１３０上に配置され、パワーモジュール１２０の近傍に温度検出手段１７２が設けられている。温度検出手段１７２で検出された温度情報は、電圧等で示されており、コントローラ１８０の温度読み込み手段１８２で読み込まれて温度換算され、異常判定手段１８３で温度異常の発生の有無が判定される。そして、温度異常が検出された場合には、インバータ装置の運転者への異常警告、異常停止処理等がなされる。
【０００６】
ここで、温度検出手段１７２は、パワーモジュール１２０の近傍ではあるものの、温度発生源である半導体素子１２１から遠い位置に設けられているため、温度情報の検出の感度が良好ではなく、温度検出が不正確であるという問題があった。
【０００７】
図２は、第２の従来例に係るインバータ装置の一例を示した図である。図２において、第２の従来例に係るインバータ装置は、パワーモジュール２２０の内部に異常判定手段２７０、過電流検出手段２７１及び温度検出手段２７２を備えており、電流発生源及び温度発生源である半導体素子２２１に組み込まれるように、半導体素子２２１と同一基板上に設けられている。過電流検出手段２７１及び温度検出手段２７２で検出された検出結果は、異常判定手段２７０で異常判定がなされ、異常が発生していると判定された場合には、コントローラ２８０に異常信号が送信される。コントローラ２８０は、異常判定手段２８３で受信した異常信号から異常判定を行い、インバータ装置の異常警告・異常停止処理を行う。かかる第２の従来例によれば、温度検出及び過電流検出が半導体素子２２１から直接的に行えるので、より正確に異常警告・異常停止処理を行うことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００７−２０９１５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上述の第２の従来例に係るインバータ装置においては、コントローラ２８０に方には、異常信号の結果のみが与えられるため、異常判定及びそれに伴う異常警告・異常停止処理は行うことができるが、異常に到達する前に何らかの運転条件の調整等の処置を行い、異常の発生を防止する措置を講ずることができなかった。
【００１０】
また、特許文献１に記載の構成では、温度を直接的に検出している訳ではないので、半導体素子の温度検出の正確性に欠けるという問題があった。
【００１１】
そこで、本発明は、半導体素子の温度を正確に検出し、異常警告や異常停止が発生する前に運転条件の調整を行うことができるインバータ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、第１の発明に係るインバータ装置は、モータを、ＰＷＭ変調方式を用いてパワーモジュールにより駆動するインバータ装置であって、
ＰＷＭ信号を発生させ、該ＰＷＭ信号を前記パワーモジュールに供給して前記パワーモジュールを駆動するＰＷＭ信号発生手段と、
該ＰＷＭ信号発生手段に電圧指令を与える制御手段と、
前記パワーモジュール内に設けられ、少なくとも該半導体素子の温度異常及び過電流異常を含む異常の発生を判別し、該異常の発生を判別したときに、前記制御手段に異常信号を送信する異常判別手段と、
該異常判別手段が前記温度異常の発生の判別のために検出する前記半導体素子の温度情報を、前記制御手段に送信する温度情報取得手段と、を有し、
前記制御手段は、前記温度情報取得手段から受信した温度情報に基づいて、前記ＰＷＭ信号のキャリア周波数を低下させる運転条件調整処理を行うことを特徴とする。
【００１３】
これにより、半導体素子の異常を適切に検出できるとともに、温度異常が発生する前に運転条件の調整を行うことができ、異常検出機能に運転条件調整制御機能を付加し、パワーモジュールの長寿命化を図ることができる。
【００１４】
第２の発明は、第１の発明に係るインバータ装置において、
前記制御手段は、前記温度情報取得手段から受信した前記温度情報が、所定温度以上となっているか否かの判定を行い、前記温度情報が前記所定温度以上のときに、前記運転条件調整処理を行うことを特徴とする。
【００１５】
これにより、半導体素子が所定温度以上のときには、キャリア周期を長くすることができ、パワーモジュールの負担を低減させることができる。
【００１６】
第３の発明は、第２の発明に係るインバータ装置において、
前記所定温度は、前記温度異常が発生していると判別される温度未満の範囲で複数設定されており、
前記運転条件調整処理も複数段で設定されていることを特徴とする。
【００１７】
これにより、段階的にキャリア周波数を低減させることができ、半導体素子の温度状態に応じてきめ細かい制御を行うことが可能となる。
【００１８】
第４の発明は、第１〜３のいずれかの発明に係るインバータ装置において、
前記制御手段は、前記異常判別手段から前記異常信号を受信したときには、前記パワーモジュールの駆動を停止させる異常停止処理を行うことを特徴とする。
【００１９】
これにより、異常信号を検出した場合には、本来の機能である異常停止処理を行い、インバータ装置の破損を防ぐことができる。
【００２０】
第５の発明は、第１〜４のいずれかの発明に係るインバータ装置において、
前記半導体素子の温度情報を検出する温度検出手段を有し、
該温度検出手段は、前記半導体素子の近傍に設けられたことを特徴とする。
【００２１】
これにより、半導体素子の温度を高精度に検出することができ、高精度の制御を行うことができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、パワーモジュールの温度変化に対応して適切に運転条件の調整を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第１の従来例に係るインバータ装置の一例を示した図である。
【図２】第２の従来例に係るインバータ装置の一例を示した図である。
【図３】本発明の実施例に係るインバータ装置の一例を示した構成図である。
【図４】本実施例に係るインバータ装置のコントローラ及びパワーモジュールの構成詳細図である。
【図５】本実施例に係るインバータ装置による異常停止処理の一例を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、図面を参照して、本発明を実施するための形態の説明を行う。
【００２５】
図３は、本発明の実施例に係るインバータ装置の一例を示した構成図である。図３において、本実施例に係るインバータ装置は、パワーモジュール２０と、平滑コンデンサ４０と、コンバータ部５０と、三相交流電源６０と、異常判別手段７０と、温度情報取得手段７３と、コントローラ８０と、キャリア発生手段９０と、ＰＷＭ信号発生手段１００とを備える。パワーモジュール２０は、内部に半導体素子２１を備える。また、ＰＷＭ信号発生手段１００は、コントローラ８０を備える。更に、図３において、本実施例に係るインバータ装置の関連構成要素として、駆動対象であるモータ１０が示されている。
【００２６】
モータ１０は、パワーモジュール２０に接続され、パワーモジュール２０の前段には平滑コンデンサ４０が接続され、更に平滑コンデンサ４０の前段には、コンバータ部５０が接続されている。コンバータ部５０には、三相交流電源６０が接続されている。パワーモジュール２０は、ＰＷＭ信号発生手段１００に接続され、ＰＷＭ変調方式により駆動されるように構成されている。ＰＷＭ信号発生手段１００は、キャリア発生手段９０からのキャリアと、コントローラ８０から与えられる電圧指令に基づいて、ＰＷＭ信号を発生させ、パワーモジュール２０に供給する。パワーモジュール２０内部には、異常判別手段７０と、温度情報取得手段７３が形成されて設けられている。異常判別手段７０と、温度情報取得手段７３の出力は、コントローラ８０に送信させる構成となっている。なお、異常判別手段７０及び温度情報取得手段７３は、パワーモジュール２０の内部の種々の位置に設けることができる。例えば、異常判別手段７０及び温度情報取得手段７３は、半導体素子２１の近傍に設けられてもよく、半導体素子２１が形成された基板と同一基板内に設けられてもよい。
【００２７】
モータ１０は、種々の用途のモータ１０が用いられてよいが、例えば、加工機械用のモータ１０が用いられてもよい。例えば、射出成形機、スタッカ等に用いられるモータ１０が用いられてよい。これらの加工機械は、サーボモータで駆動しており、低速で大トルクを発生させるような運転条件を含んでいるので、本実施例に係るインバータ装置により、所定条件下でＰＷＭ信号のキャリア周波数を低下させる制御を行うことにより、パワーモジュール２０の駆動による消耗を低減させることができる。なお、モータ１０には、三相誘導電動機が用いられてよい。
【００２８】
パワーモジュール２０は、モータ１０をスイッチング駆動するためのスイッチング手段である。パワーモジュール２０は、内部に、半導体素子２１を備える。半導体素子２１は、例えば、ＩＧＢＴ（Insulation Gate Bipolar Transistor、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）や、パワーＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）が用いられてよい。パワーモジュール２０内には、模式的に１つの半導体素子２１が示されているが、例えば、三相の各相に２つずつ、合計６つ備えられていてもよい。なお、半導体素子２１は、半導体基板上に形成される。
【００２９】
パワーモジュール２０は、直流電圧を交流電圧に変換するインバータ部として機能する。パワーモジュール２０の前段には、交流電源６０、コンバータ部５０及び平滑コンデンサ４０が接続されて設けられている。三相交流電源６０から供給された三相交流電圧は、コンバータ部５０で直流電圧に変換される。コンバータ部５０は、三相交流電圧を整流して直流電圧に変換する。平滑コンデンサ４０は、整流された直流電圧を平滑化する。平滑コンデンサ４０で平滑化された直流電圧は、インバータ部であるパワーモジュール２０に供給され、交流電圧に変換され、可変電圧・可変周波数が出力される。
【００３０】
異常判別手段７０は、パワーモジュール２０の異常発生を判別する手段である。異常判別手段７０は、用途に応じて種々の項目の異常判別が行われてよいが、少なくとも、温度異常及び過電流異常を判別できるように構成される。異常判別手段７０は、パワーモジュール２０内の半導体素子２１と同一基板上に形成され、半導体素子２１の異常状態を適切に検出し、異常判別が行えるように構成される。異常判別手段７０は、過電流については、半導体素子２１を流れる電流を検出する過電流手段（図３には図示せず）を付随して備え、温度異常については、半導体素子２１の温度を検出する温度検出手段（図３には図示せず）を付随して備えて構成される。
【００３１】
温度情報取得手段７３は、半導体素子２１の温度情報を取得し、コントローラ８０に送信する手段である。温度情報取得手段７３は、異常判別手段７０に付随して備えられた温度検出手段を利用してアナログ温度検出値を取得し、検出値をコントローラ８０に送信する。温度情報取得手段７３は、パワーモジュール２０側では特にデータの処理を行わず、検出したアナログ温度検出値をコントローラ８０に送信するだけであるので、演算回路等を新たに搭載する必要がなく、そのまま異常判別手段７０を利用することができる。
【００３２】
ＰＷＭ信号発生手段１００は、キャリア発生手段９０から供給されるキャリアと、コントローラ８０から供給される電圧指令から、ＰＷＭ変調によりＰＷＭ信号を発生させ、パワーモジュール２０をスイッチング駆動する手段である。
【００３３】
コントローラ８０は、ＰＷＭ信号発生手段に電圧指令を与えるともに、異常判別手段７０からの異常信号に基づいて異常停止処理、温度情報取得手段７３からの温度情報に基づいて運転条件調整処理を行う手段である。具体的には、ＰＷＭ信号については、ＰＷＭ信号発生手段１００に電圧指令を与え、ＰＷＭ信号のデューティ比を定める。また、異常判別手段７０から異常信号を受信したときには、パワーモジュール２０の異常停止処理を行い、温度情報取得手段７３から温度情報を取得したときには、キャリア周波数を低下させる運転条件調整処理を行う制御手段として機能する。例えば、異常停止処理については、パワーモジュール２０に出力指令を出すのを停止し、パワーモジュール２０を停止させる。また、運転条件調整処理については、キャリア発生手段９０にキャリア周波数を低下させる指令を行い、キャリア発生手段９０にキャリア周波数を低下させる処理を行わせる。
【００３４】
コントローラ８０は、このような制御演算処理を行うため、特定の機能を実現するＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）等の電子回路や、プログラムを読み込んでＣＰＵ（Central Processing Unit、中央処理装置）が処理を行うマイクロコントローラとして構成されてよい。
【００３５】
キャリア発生手段９０は、ＰＷＭ信号のキャリアを発生させる手段である。キャリアの周波数は、通常は一定であるが、コントローラ８０からの指令により、キャリア周波数を低下させた低周波数キャリアを発生させる。これにより、キャリア周期を長くすることができる。図３において、検出温度とキャリア周波数の関係の一例がキャリア周波数変化Ａとして示されている。通常の運転状態では、キャリア周波数は通常周波数ｆｎに保たれているが、温度情報取得手段７３により検出された温度が上昇すると、低キャリア周波数ｆ１に変化している。また、キャリア周波数が低くなることにより、キャリア波形Ｂに示されるように、三角波のキャリア周期が長くなっている。このように、キャリア発生手段９０においては、コントローラ９０からの指令に従い、所定周波数のキャリアを発生させ、ＰＷＭ信号発生手段１００に供給する。
【００３６】
なお、図３において、コントローラ８０が出力する電圧指令の一例が、電圧指令信号Ｃとして示されている。また、ＰＷＭ信号発生手段１００が発生するＰＷＭ信号Ｄが一例として示されている。キャリア周波数を変化させることにより、ＰＷＭ信号Ｄの周期を変化させて運転条件を調整する、運転条件調整処理を行うことができる。
【００３７】
図４は、本実施例に係るインバータ装置のコントローラ８０及びパワーモジュール２０の構成をより詳細に示した図である。図４において、パワーモジュール２０は、半導体素子２１と、異常判別手段７０と、過電流検出手段７１と、温度検出手段７２と、温度情報取得手段７３とを備える。コントローラ８０は、信号読込手段８１と、温度読込手段８２と、異常判定手段８３と、調整判定手段８４とを備える。また、パワーモジュール２０の下方には、半導体素子２１を冷却するための冷却器３０が備えられている。
【００３８】
過電流検出手段７１及び温度検出手段７２は、半導体素子２１の過電流及び温度を検出できれば、パワーモジュール２０内の種々の位置に設けられてよい。但し、半導体素子２１の過電流及び温度を高精度に検出するために、半導体素子２１の近傍に設けられることが好ましい。例えば、過電流検出手段７１及び温度検出手段７２は、半導体素子２１と同一基板上に形成されてもよい。過電流検出手段７１及び温度検出手段７２は、異常判別手段７０とともに、パワーモジュール２０の異常発生の判別に用いられる。過電流検出手段７１及び温度検出手段７２で検出された信号は、異常判別手段７０で異常が発生しているか否かが判別され、過電流異常又は温度異常が発生していると判別されたときには、異常判別手段７０から異常信号がコントローラ８０に送信される。コントローラ８０においては、信号読込手段８１において異常信号を読み込み、異常判定手段８３でパワーモジュール２０に異常が発生していると判定されたときには、異常警告、異常停止処理等のパワーモジュール２０が破壊に至ることを防止するための処理が行われる。このように、過電流検出手段７１及び温度検出手段７２は、基本的にはパワーモジュール２０の異常判別に用いられる。
【００３９】
ところで、温度検出手段７２は、温度異常を判別するために、半導体素子２１の温度情報を実際の温度に準じた値で取得している。例えば、温度情報をセンサの電圧信号で取得してもよく、この場合には、温度情報を電圧値として取得する。よって、異常判別手段７０に用いられている温度検出手段８２を、温度情報を検出するアナログセンサとして利用することが可能である。本実施例に係るインバータ装置においては、温度検出手段７２に異常判別手段７０とは別ルートの温度情報取得手段７３を設け、温度異常までに至るまでの温度情報を取得し、かかる温度情報を制御に利用する。これにより、半導体素子２１と同一基板に設けられ、高精度で温度検出が可能な温度検出手段７２を利用して、大きな部品を追加することなく、省スペースで温度情報を取得することができる。なお、温度情報取得手段７３は、例えば、オペアンプ等の増幅器として構成されてよく、温度検出手段７２で検出した温度情報をコントローラ８０で制御に利用できる形のデータとして送信することができれば、種々の手段で実現されてよい。温度情報取得手段７３で取得した温度情報は、コントローラ８０の温度読込手段８２に送信される。
【００４０】
なお、過電流検出手段の他に、電圧不足を検出するような他の手段を設けるようにしてもよい。
【００４１】
温度読込手段８２は、温度情報取得手段７３から送信された温度情報を受信し、受信した温度情報から温度を読み込む。読み込んだ温度情報は、コントローラ８０内の調整判定手段８４に送られる。
【００４２】
調整判定手段８４は、温度読込手段８２から供給された温度情報から、キャリア周波数を低減させる運転条件調整処理を行うべきか否かの判定を行う。運転条件調整処理を行うべきか否かの判定は、予め、所定温度の基準値を設定しておき、検出温度が設定した所定温度以上又は所定温度を超えている場合に、キャリア周波数を低下させる運転条件調整処理を行う。
【００４３】
なお、検出温度が高くなったときにキャリア周波数を低下させるのは、キャリア周波数が高いほど、パワーモジュール２０に電流を流したときに発熱が大きくなるからである。特に、低速でモータ１０が回転し、大きなトルクを必要とする動作の場合には、特定の相でパワーモジュール２０の温度が上昇する。よって、この温度に応じてキャリア周波数を変更することにより、特定の相の温度上昇を抑制することができる。そして、温度上昇を抑制することで、パワーモジュール２０が疲労破壊に至る期間を延ばすことができる。
【００４４】
よって、所定温度の基準値は、異常判別手段７０で異常と判別される温度よりは低い温度に設定され、異常までには到達しないが、パワーモジュール２０の温度が上昇して要注意状態である場合に、運転条件を調整し、パワーモジュール２０の温度が増加し続けることを防止する。キャリア周波数を低下させてパワーモジュール２０のスイッチング周期を長くすることにより、半導体素子２１の動作負担を低減し、パワーモジュール２０の温度を低下させることができる。なお、調整判定手段８４において、異常温度と判定された場合には、異常判定手段８３と同様に、異常警告や異常停止処理等の異常時の処理を行うようにしてよい。
【００４５】
図５は、本実施例に係るインバータ装置による異常停止処理の一例を示した図である。図５において、検出温度とキャリア周波数の関係が示されている。図５において、温度Ｔ０では、キャリア周波数は通常周波数ｆｎに保たれている。次いで、検出温度がＴ１に到達したときに、キャリア周波数が低キャリア周波数ｆ３に切り替わる。次いで、検出温度がＴ２に到達したときには、キャリア周波数は低キャリア周波数ｆ２に切り替わる。次いで、検出温度が更に上昇し、Ｔ３に達したときには、キャリア周波数はｆ１に切り替わる。
【００４６】
このように、キャリア周波数の変化は、温度上昇の程度に応じて、複数段階に設定するようにしてよい。温度が上昇するにつれてキャリア周波数を低下させることができ、温度上昇の程度を運転条件調整処理に反映させて適切な制御を行うことができる。
【００４７】
また、上述のように検出温度がＴ３に達するまでｆｎ→ｆ３→ｆ２→ｆ１と段階的にキャリア周波数を下げた後、検出温度が異常温度のＴｅに達したら、コントローラ８０で異常と判定し、ＰＷＭ信号を止めるようにする。これにより、パワーモジュール２０を異常停止させてパワーモジュール２０の熱破壊を防ぐことができる。
【００４８】
このように、調整判定手段８４による運転条件調整処理は、検出温度の上昇度合いに応じて、異常温度Ｔｅよりも低い温度の範囲内において、複数段階で設定するようにしてもよい。より高精細な制御を行うことができ、パワーモジュール２０の負担を適切に低減させ、長寿命化を図ることができる。
【００４９】
以上、本発明の好ましい実施例について詳説したが、本発明は、上述した実施例に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、上述した実施例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明は、射出成形機、スタッカ等、サーボモータで駆動しており、低速で大トルクを発生させるような運転条件を有する装置を含む種々のモータ駆動型の装置に利用することができる。
【符号の説明】
【００５１】
１０    モータ
２０    パワーモジュール
２１    半導体素子
３０    冷却器
４０    平滑コンデンサ
５０    コンバータ部
６０    三相交流電源
７０    異常判別手段
７１    過電流検出手段
７２    温度検出手段
７３    温度上昇取得手段
８０    コントローラ
８１    信号読込手段
８２    温度読込手段
８３    異常判定手段
８４    調整判定手段
９０    キャリア発生手段
１００    ＰＷＭ信号発生手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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