(57)【要約】【課題】  表示品質の高い液晶表示素子を提供する。【解決手段】  液晶表示素子は、表示部と、複数本の引き回し線とを含むセグメント電極パターンが形成された第１の透明基板と、表示部を含むコモン電極パターンと、少なくとも一部の領域で前記複数本の引き回し線を平面視上跨ぐように形成されるダミー電極パターンとが形成された第２の透明基板と、前記第１及び第２の透明基板間に挟持された液晶層とを有する。【選択図】  図６
2012027303.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示部と、複数本の引き回し線とを含むセグメント電極パターンが形成された第１の透明基板と、
表示部を含むコモン電極パターンと、少なくとも一部の領域で前記複数本の引き回し線を平面視上跨ぐように形成されるダミー電極パターンとが形成された第２の透明基板と、
前記第１及び第２の透明基板間に挟持された液晶層と
を有する液晶表示素子。
【請求項２】
前記ダミー電極が前記複数本の引き回し線を平面視上跨ぐように形成される前記少なくとも一部の領域は、前記複数本の引き回し線が密集して配置されている領域である請求項１記載の液晶表示素子。
【請求項３】
さらに、前記第１及び第２の透明基板のいずれか一方の基板の前記引き回し線の端部に対応する位置に、該端部に沿うように形成される遮光膜を有する請求項１又は２記載の液晶表示素子。
【請求項４】
前記遮光膜は、前記引き回し線の端部を平面視上覆うように形成される請求項３記載の液晶表示素子。
【請求項５】
前記遮光膜は、隣り合う２本の前記前記引き回し線の端部を平面視上跨いで該２本の前記前記引き回し線間を覆うように形成される請求項３記載の液晶表示素子。
【請求項６】
さらに、前記遮光膜上に形成されるオーバーコート層を有し、
前記遮光膜は前記電極パターンよりも基板側に配置される請求項３〜５のいずれか１項に記載の液晶表示素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１４は、７セグメントタイプ液晶表示素子に用いられる透明電極の一例を示す概略平面図である。図１４（Ａ）はセグメント電極パターン１４（１４Ｓ、１４Ｗ、１４Ｌ）が形成された第１の透明基板（上側基板）１３の概略平面図であり、図１４（Ｂ）はコモン電極パターン２４（２４Ｓ、２４Ｗ）が形成された第２の透明基板（下側基板）２３の概略平面図である。図１４（Ｃ）は、第２の透明基板２３を裏返して、両側基板１３、２３を重ね合わせた状態の概略平面図である。
【０００３】
セグメント電極パターン１４及びコモン電極パターン２４は、それぞれ文字又は図形の一部をなすセグメント部１４Ｓ、２４Ｓ及び該セグメント部１４Ｓ、２４Ｓから引き出された引き回し線１４Ｗ、２４Ｗを含んで形成されている。なお、セグメント電極パターン１４は、外部端子との接続を行うための端子部１４Ｌを有する。
【０００４】
図１４（Ｃ）に示すように重ね合わせた状態で、セグメント電極パターン１４及びコモン電極パターン２４が平面視上重なっている表示領域（セグメント部１４Ｓ、２４Ｓが重なっている領域で、図中実線のハッチングが重なっている領域）３４のみが液晶層にとって上下両側基板１３、２３両側に電極がある部分となり、当該表示領域３４には、電圧が印加されるため、表示を行うことができる。なお、図１４（Ｃ）右上隅のセグメント（表示領域）３４以外の部分にもセグメント電極パターン１４及びコモン電極パターン２４が平面視上重なっている部分があるが、この部分には上下両側基板１３、２３を導通するための導通材が配置される。
【０００５】
図１４（Ｃ）に示す電極パターンでは、表示領域３４においては上下両側基板１３、２３の双方に電極１４、２４が存在するが、表示領域３４以外においては、片側の基板のみに電極があるか、もしくは両側共に電極がない。したがって、表示領域３４とそれ以外の領域では、少なくとも電極の厚さ分だけ液晶層の厚さが異なり、電極の有無により見え方が異なってしまう。例えば、表示領域３４以外の電極部分である引き回し線１４Ｗ、２４Ｗが見えてしまう「引き回し線見え」という現象が起こる。この「引き回し線見え」は、液晶表示素子の品位を落としてしまう。
【０００６】
この「引き回し線見え」を防止するために、対向基板の引き回し線に対応する領域に当該引き回し線とほぼ同一形状のダミー電極を配置することが提案されている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。
【０００７】
図１５は、７セグメントタイプ液晶表示素子に用いられるダミー電極を含む電極パターンの一例を示す概略平面図である。図１５（Ａ）はセグメント電極パターン１４（１４Ｓ、１４Ｗ、１４Ｌ）及びダミー電極６が形成された第１の透明基板（上側基板）１３の概略平面図であり、図１５（Ｂ）はコモン電極パターン２４（２４Ｓ、２４Ｗ）及びダミー電極６４が形成された第２の透明基板（下側基板）２３の概略平面図である。図１５（Ｃ）は、第２の透明基板２３を裏返して、両側基板１３、２３を重ね合わせた状態の概略平面図である。
【０００８】
図１４に示す例と同様に、セグメント電極パターン１４及びコモン電極パターン２４は、それぞれ文字又は図形の一部をなすセグメント部１４Ｓ、２４Ｓ及び該セグメント部１４Ｓ、２４Ｓから引き出された引き回し線１４Ｗ、２４Ｗを含んで形成されており、セグメント電極パターン１４は、外部端子との接続を行うための端子部１４Ｌを含む。また、ダミー電極６、６４は、回路に接続されておらず電気的にフロートな状態となっている。
【０００９】
図１４に示す例との違いは、上下両側基板１３、２３ともに、対向基板の引き回し線１４Ｗ、２４Ｗに対応する領域に、当該対応する引き回し線１４Ｗ、２４Ｗとほぼ同一形状のダミー電極６及び６４が形成されていることである。ダミー電極を形成するのは、表示領域３４以外における、片側の基板のみに電極があるか、もしくは両側共に電極がない領域を減少させて、液晶層の厚さを均一化するためである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】実開平０６−３３１３６号公報
【特許文献２】特開平０６−５１３３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
図１５では、説明の便宜上、表示領域３４の大きさに比べて、引き回し線１４Ｗの部分の大きさを誇張して書いているが、実際の寸法では、引き回し線１４Ｗの部分は表示領域３４に比べて非常に幅が狭く、引き回し線１４Ｗ間の間隔も非常に狭くなっている。例えば、表示領域３４の狭いほうの幅は、おおよそ数ｍｍなのに対して、引き回し線１４Ｗの幅は数十μｍである。
【００１２】
また、実際の液晶表示素子では、7セグメントが多数並ぶため、引き回し線１４Ｗの本数も図１５に示したものよりも格段に多くなるとともに、引き回し線１４Ｗを配置するスペースも狭くなり、引き回し線１４Ｗの幅は非常に狭いものとなる。例えば、線幅６０μｍで線間２０μｍの引き回し線が数本から十数本、さらに、ドットマトリックス表示タイプでは多い場合には数百本もの引き回し線が平行線のように配置されることがある。このような引き回し線構造では、図１５に示すような引き回し線とほぼ同一形状のダミー電極を設けたとしても、引き回し線１４間の両側の電極が存在しない領域の割合が２５％程度となり、ダミー電極６４の効果を十分に発揮することができない。
【００１３】
本発明の目的は、表示品質の高い液晶表示素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明の一観点によれば、液晶表示素子は、表示部と、複数本の引き回し線とを含むセグメント電極パターンが形成された第１の透明基板と、表示部を含むコモン電極パターンと、少なくとも一部の領域で前記複数本の引き回し線を平面視上跨ぐように形成されるダミー電極パターンとが形成された第２の透明基板と、前記第１及び第２の透明基板間に挟持された液晶層とを有する。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、表示品質の高い液晶表示素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１の実施例による透明電極パターンの一例を示す概略平面図である。
【図２】本発明の第１の実施例による液晶表示素子１００の概略的な断面図である。
【図３】斜め電界を説明するための液晶表示素子１００の概略的な断面図である。
【図４】本発明の第２の実施例による透明電極パターンの一例を示す概略平面図である。
【図５】本発明の第２の実施例による引き回し線１４Ｗ密集領域の概略的な拡大平面図である。
【図６】本発明の第２の実施例による液晶表示素子１０１の概略的な断面図である。
【図７】本発明の第２の実施例の変形例によるセグメント電極パターンの一例を示す概略平面図である。
【図８】本発明の第２の実施例の変形例による液晶表示素子１０２の概略的な断面図である。
【図９】本発明の第３の実施例及びその変形例による透明電極パターンの一例を示す概略平面図である。
【図１０】本発明の第３の実施例による引き回し線１４Ｗ密集領域の概略的な拡大平面図である。
【図１１】本発明の第３の実施例による液晶表示素子１０３の概略的な断面図である。
【図１２】本発明の第３の実施例の変形例による液晶表示素子１０４の概略的な断面図である。
【図１３】本発明の第２の実施例及び第３の実施例の他の変形例による液晶表示素子の一部の概略的な断面図である。
【図１４】従来の７セグメントタイプ液晶表示素子に用いられる透明電極の一例を示す概略平面図である。
【図１５】従来の７セグメントタイプ液晶表示素子に用いられるダミー電極を含む電極パターンの一例を示す概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
図１は、本発明の第１の実施例による７セグメントタイプ液晶表示素子の透明電極パターンの一例を示す概略平面図である。図１（Ａ）はセグメント電極パターン１４（１４Ｓ、１４Ｗ、１４Ｌ）及びダミー電極６が形成された第１の透明基板（下側透明基板）１３の概略平面図であり、図１（Ｂ）はコモン電極パターン２４（２４Ｓ、２４Ｗ）及びダミー電極７が形成された第２の透明基板（上側透明基板）２３の概略平面図である。図１（Ｃ）は、第２の透明基板２３を裏返して、両側基板１３、２３を重ね合わせた状態の概略平面図である。
【００１８】
セグメント電極パターン１４及びコモン電極パターン２４は、それぞれ文字又は図形の一部をなすセグメント部１４Ｓ、２４Ｓ（図１（Ｃ）の表示領域３４に対応する領域）及び該セグメント部１４Ｓ、２４Ｓから引き出された引き回し線１４Ｗ、２４Ｗ（セグメント部１４Ｓ、２４Ｓ及びダミー電極６、７以外の電極部分）を含んで形成されている。なお、セグメント電極パターン１４は、外部端子との接続を行うための端子部１４Ｌを有する。また、ダミー電極６、７は、回路に接続されておらず電気的にフロートな状態となっている。
【００１９】
図１（Ｃ）に示すように重ね合わせた状態で、セグメント電極パターン１４及びコモン電極パターン２４が平面視上重なっている表示領域（セグメント部１４Ｓ、２４Ｓが重なっている領域で、図中実線のハッチングが重なっている領域）３４が液晶層に上下両側基板１３、２３両側より電圧が印加されるため、表示を行うことができる。なお、図１４（Ｃ）右上隅のセグメント（表示領域）３４以外の部分にもセグメント電極パターン１４及びコモン電極パターン２４が平面視上重なっている部分があるが、この部分には上下両側基板１３、２３を導通するための導通材が配置される。
【００２０】
上側透明基板１３には、図１（Ａ）に示すように、対向する下側透明基板２３の引き回し線２４Ｗに対応する領域に、当該引き回し線２４Ｗとほぼ同一形状のダミー電極６が配置されている。この点は、図１５に示す従来例と同様である。
【００２１】
下側透明基板２３には、図１（Ｂ）に示すように、対向する上側透明基板１３の引き回し線１４Ｗに対応する領域に、平面視上複数の当該引き回し線１４Ｗを跨ぐようにダミー電極７が配置されている。
【００２２】
ダミー電極７は、全ての引き回し線１４Ｗを跨ぐように形成することもできるが、図１（Ｂ）に示すように、一部の領域（図中右側の領域）では、複数の引き回し線１４Ｗを跨ぐようにダミー電極７を形成し、他の領域（図中左側の領域）では、引き回し線１４Ｗとほぼ同一形状にダミー電極７を形成するようにしてもよい。
【００２３】
なお、本実施例では、対向する上側透明基板１３の引き回し線１４Ｗが密集する領域に対応する領域において、複数の引き回し線１４Ｗを跨ぐようにダミー電極７を形成している。「引き回し線１４Ｗが密集する領域」とは、例えば、複数本の引き回し線１４Ｗが平行線状に配置されている領域であり、上下両側電極が配置されていない引き回し線間の部分の割合が大きくなる領域である。
【００２４】
図２は、図１に示す本発明の第１の実施例による電極パターンを有する液晶表示素子１００の構成を示す略断面図である。
【００２５】
セグメント電極基板（上側基板）１とコモン電極基板（下側基板）２が対向し、その間に液晶層３を挟持する。
【００２６】
セグメント電極基板１は、透明基板１３の対向表面上に透明電極（セグメント電極）１４（セグメント部１４Ｓ、引き回し線１４Ｗ、端子部１４Ｌを含む。図では、セグメント部１４Ｓ及び１４Ｗ）、及びダミー電極６（図示せず）を形成し、その上に垂直配向膜１５を塗布し、その表面を１８で示す方向にラビング処理したものであり、外側表面上には視角補償板１２と偏光板１１が配置されている。
【００２７】
コモン電極基板２は、セグメント電極基板１同様、透明基板２３の対向表面上に透明電極（コモン電極）２４（セグメント部２４Ｓ、引き回し線２４Ｗを含む。図では、セグメント部２４Ｓ）及びダミー電極７を形成し、その表面を垂直配向膜２５で覆い、矢印２８の方向にラビング処理したものである。外側表面上には視角補償板２２と偏光板２１が配置されている。
【００２８】
液晶層３は、基板１、２の面に垂直に配向する性質を有する液晶分子を含み、配向処理により、基板の表面から一定の角度（例えば、略８９．９°）のプレチルトを有する。下側基板２の下方にはバックライト４が配置されている。なお、基板１における透明電極１４と垂直配向膜１５の間、及び基板２における透明電極２４と垂直配向膜２５の間に、基板間ショート防止の絶縁膜等を形成しても良い。
【００２９】
セグメント電極１４及びダミー電極６は、図１（Ａ）に示す電極パターンのように、透明電極のＩＴＯで形成する。また、コモン電極２４及びダミー電極７も同様に、図１（Ｂ）に示す電極パターンのように、透明電極のＩＴＯで形成する。
【００３０】
セグメント電極１４及びダミー電極６、コモン電極２４及びダミー電極７は、例えば、以下のように作成される。
【００３１】
まず、無アルカリガラス（白板ガラス）もしくはソーダライムガラス（青板ガラス）を用いたガラス基板の表面に透明電極膜であるインジウム錫オキサイド（ＩＴＯ）膜をＣＶＤ、蒸着、スパッタなどにより０．５〜１μｍの厚さで形成し、その後、所定のパターンにＩＴＯ膜をフォトリソグラフィーを用いてパターニングする。パターニングは、まずロールコーターもしくはスリットコーターを用いてフォトレジスト材料をＩＴＯ膜上に数ミクロンの厚さで形成する。ここでは、ロールコーターを用いてポジレジストを１．５μｍの厚さで形成する。次に、ホットプレートにて１１０℃、３分間のプリベーク処理を行い、露光機を用いて所定パターンのマスクを介して紫外線を１００ｍＪ／ｃｍ２照射する。その後、アルカリ溶液（１ｗｔ％ＫＯＨ）を用いて現像を行い、ホットプレートにて１３０℃、３分間のポストベーク処理を行う。さらに、その後、ＩＴＯ用エッチャントなどの硝酸・塩素系、第２塩化鉄系（ＦｅＣｌ３）他）を用いてウェットエッチングを行い、最後に強アルカリ溶液（３ｗｔ％ＮａＯＨ）を用いてポジレジストを除去する。なお、ここでは一般的な露光機を用いるが、レーザを用いたマスクレス露光方式を用いても良い。
【００３２】
配向処理は、垂直配向膜をフレキソ版印刷で成膜後、焼成し、その膜をラビング等の処理でプレチルト角を付与する。例えば、コモン電極基板（下側基板）２のプレチルトの方位角を１２時方向、セグメント電極基板（上側基板）１のプレチルトの方位角を６時方向のアンチパラレル配向とする。なお、画素内に一様な配向処理を実現するものであればラビング処理の手法は問わない。例えば、垂直配向膜に対する紫外線照射や金属酸化物の斜め蒸着、スパッタ膜を用いた配向法等を用いることができる。
【００３３】
基板間にスペーサーを散布し、セル厚ｄを、例えば、４．０μｍとする。液晶材料は、Δε＝−２．６、Δｎ＝０．２０のネガティブ液晶を用いる。なお、液晶材料は、Δεが負のネガティブ用材料であれば、Δｎ等の物性値には制限はない。
【００３４】
偏光板１１及び２１の吸収軸角度は、例えば、上側偏光板１１が４５度、下側偏光板２１が１３５度の配置とする。偏光板角度は、交差角度を９０度とすることで、良好な黒状態が得られるため望ましいが、数度程度ずらすことも可能である。また、偏光板は、ヨウ素系偏光板、染料系偏光板のいずれも使用可能である。
【００３５】
光学補償板１２及び２２には、例えば、光学補償板（Ａプレート、Ｃプレート、Ｂプレート：２軸位相差板）を両側の偏光板と基板間に挿入する。なお、片側の偏光板と基板間にＣプレート（ΔＲｅ＝０ｎｍ、ΔＲｔｈ＝２２０ｎｍ）を２枚積層してもよい。
【００３６】
以上のように、第１の実施例では、平面視上複数の引き回し線１４Ｗを跨ぐようにダミー電極７を形成することにより、引き回し線間部分において、少なくとも片側の基板に電極を形成している。よって、液晶層の厚さを極力均一化して、液晶表示素子の表示品質を向上させることができる。
【００３７】
ここで、第１の実施例のように、平面視上複数の引き回し線１４Ｗを跨ぐようにダミー電極７を形成すると、引き回し線１４Ｗのエッジ部の液晶分子が応答してしまう場合がある。
【００３８】
図３は、斜め電界による液晶分子の誤応答を説明するための液晶表示素子１００の概略断面図である。
【００３９】
複数の引き回し線１４Ｗが並設されている場合、隣り合う引き回し線１４Ｗには表示の内容によって異なった波形の電圧が印加されており、これらの波形は実効値的（平均的）には等しいが、瞬間的には異なっているので、隣り合う引き回し線１４Ｗ間には電位差が生じることとなる。この電位差は瞬間的な電圧が高いコモン電極側で大きなものとなる。図１５に示す従来の引き回し線１４Ｗと同一形状のダミー電極６４の場合は、隣り合った引き回し線１４Ｗ間に電位差が生じても、それによってできる電界は基板付近に基板と平行に存在する横電界であり、引き回し線１４Ｗ間に存在する液晶分子が応答することはない。
【００４０】
これに対して、図１及び図２に示す第１の実施例によるダミー電極７は、複数の引き回し線１４Ｗを跨ぐように形成されているので、引き回し線１４Ｗ間の電界には、対向基板（下側透明基板２３）側のダミー電極７を介するものが存在することになる。このダミー電極７を介する電界は、図３に破線で示すように、基板に対して斜めになるものがあり、いわゆる斜め電界として、引き回し線１４Ｗ間に存在する液晶分子の誤応答を引き起こす原因となる。
【００４１】
図３に示すように、通常、２枚の基板１３、２３間にある電極パターンのエッジには斜め電界が発生することが知られているが、特に垂直配向型液晶表示素子の場合、その影響を受けやすいことが分かっている。垂直配向型液晶表示素子に用いられるネガ型液晶は、電界の電気力線に対して垂直になる方向に倒れる。電極パターンのエッジに生じる斜め電界においても同様に倒れる。セグメント電極１４の側辺には下拡がりの電界が生じるので液晶分子は、外側に向かうように倒れる。
【００４２】
本発明の第２の実施例では、上述の斜め電界により引き回し線１４Ｗ間に存在する液晶分子が応答してしまい、うっすらと表示されるのを隠すために、上述の第１の実施例による電極パターンに帯状のブラックマスク（遮光膜）を設けたものである。
【００４３】
図４は、本発明の第２の実施例による７セグメントタイプ液晶表示素子の透明電極パターンの一例を示す概略平面図である。図４（Ａ）はセグメント電極パターン１４（１４Ｓ、１４Ｗ、１４Ｌ）、及びダミー電極６が形成された第１の透明基板（上側透明基板）１３の概略平面図であり、図４（Ｂ）はコモン電極パターン２４（２４Ｓ、２４Ｗ）、ダミー電極７及び帯状の遮光膜２６ａが形成された第２の透明基板（下側透明基板）２３の概略平面図である。図４（Ｃ）は、第２の透明基板２３を裏返して、両側基板１３、２３を重ね合わせた状態の概略平面図である。なお、遮光膜２６ａを設けたこと以外は、全て第１の実施例と同様なので、それらの説明は省略する。
【００４４】
図５は、引き回し線１４Ｗと帯状の遮光膜２６ａの位置関係を説明するための引き回し線１４Ｗ密集領域の拡大平面図である。
【００４５】
図４（Ｂ）、４（Ｃ）及び図５に示すように、透明基板２３上の複数の引き回し線１４Ｗを跨ぐように形成されたダミー電極７上の引き回し線１４Ｗの端部に相当する部分に、当該端部を覆うように遮光膜２６ａが形成されている。このように、遮光膜２６ａを形成することにより、引き回し線１４Ｗの端部に発生する斜め電界による液晶の表示を隠すことができる。
【００４６】
図６は、本発明の第２の実施例による液晶表示素子１０１の構成を示す略断面図である。遮光膜２６ａ及びオーバーコート層(平坦化層)２７以外は、第１の実施例と同様であるので、それらの説明は省略する。
【００４７】
透明基板２３上に、例えば、図４（Ｂ）に示すパターンにより、樹脂製の遮光膜２６ａが厚さ１μｍ程度で形成され、形成された遮光膜２６ａを覆うように、遮光膜２６ａ及び透明基板２３上にオーバーコート層２７が形成される。オーバーコート層２７は、例えば、その後の熱処理（透明電極を形成する際の熱処理等）に耐えうる有機絶縁膜等で形成される。樹脂製の遮光膜２６ａは、厚さが１μｍ程度と厚いため、遮光膜自体の厚さにより液晶層の厚さに変化が生じ、セル厚ムラによる表示品質の低下をもたらす恐れがあるので、遮光膜２６ａを透明電極２４よりも透明基板２３側に配置し、当該遮光膜２６ａを覆うようにオーバーコート層２７を形成して、遮光膜２６ａにより生じた透明基板２３上の段差を解消する。
【００４８】
その後、オーバーコート層２７上に、上述した第１の実施例と同様に、透明電極等を形成していく。図に示すように、透明基板２３上の複数の引き回し線１４Ｗを跨ぐように形成されたダミー電極７上の引き回し線１４Ｗの端部に相当する部分に、当該端部を覆うように遮光膜２６ａが形成されている。
【００４９】
図７は、本発明の第２の実施例の変形例による７セグメントタイプ液晶表示素子の透明電極パターンの一例を示す概略平面図である。図７（Ａ）はセグメント電極パターン１４（１４Ｓ、１４Ｗ、１４Ｌ）、ダミー電極６及び帯状の遮光膜１６ａが形成された第１の透明基板（上側透明基板）１３の概略平面図であり、図７（Ｂ）はコモン電極パターン２４（２４Ｓ、２４Ｗ）及びダミー電極７が形成された第２の透明基板（下側透明基板）２３の概略平面図である。図７（Ｃ）は、第２の透明基板２３を裏返して、両側基板１３、２３を重ね合わせた状態の概略平面図である。なお、遮光膜１６ａを引き回し線１４Ｗ上方に設けたこと以外は、全て第２の実施例と同様なので、それらの説明は省略する。
【００５０】
図７（Ａ）に示すように、複数の引き回し線１４Ｗを跨ぐようにダミー電極７が形成される領域において、引き回し線１４Ｗの端部上方に当該端部を覆うように遮光膜１６ａが形成されている。なお、引き回し線１４Ｗと遮光膜１６ａとの位置関係は、図５に示す引き回し線１４Ｗと遮光膜２６ａとの位置関係と同様である。
【００５１】
図８は、本発明の第２の実施例の変形例による液晶表示素子１０２の構成を示す略断面図である。図６に示す第２の実施例では、遮光膜２６ａ及びオーバーコート層(平坦化層)２７は、下側基板２の透明基板２３上に形成されたが、この変形例では、上側基板１の透明基板１３上の透明電極１４よりも透明基板１３側に遮光膜１６ａ及びオーバーコート層(平坦化層)１７が形成されている。それ以外の構成は、第２の実施例と同様のであるので、説明を省略する。
【００５２】
以上の第２の実施例及びその変形例によれば、第１の実施例と同様に、平面視上複数の引き回し線１４Ｗを跨ぐようにダミー電極７を形成することにより、引き回し線間部分において、少なくとも片側の基板に電極を形成するので、液晶層の厚さを極力均一化して、液晶表示素子の表示品質を向上させることができる。また、引き回し線１４Ｗのエッジ部分の液晶分子が斜め電界等により誤応答してしまう場合にも、引き回し線１４Ｗのエッジ部分を覆う遮光膜１６ａにより、当該誤応答による薄い表示を隠すことができる。よって、液晶表示素子の表示品質を向上させることができる。
【００５３】
図９は、本発明の第３の実施例及び変形例による７セグメントタイプ液晶表示素子の透明電極パターンの一例を示す概略平面図である。図９（Ａ）は第３の実施例によるコモン電極パターン２４（２４Ｓ、２４Ｗ）及びダミー電極７、及び帯状の遮光膜２６ｂが形成された第２の透明基板（下側透明基板）２３の概略平面図である。図９（Ｂ）は第３の実施例の変形例によるセグメント電極パターン１４（１４Ｓ、１４Ｗ、１４Ｌ）、ダミー電極６及び帯状の遮光膜１６ｂが形成された第１の透明基板（上側透明基板）１３の概略平面図である。なお、第３の実施例の場合、遮光膜２６ｂの形状以外は、全て第２の実施例と同様であり、第３の実施例の変形例の場合、遮光膜１６ｂの形状以外は、全て第２の実施例の変形例と同様であるので、それらの説明は省略する。
【００５４】
図１０は、引き回し線１４Ｗと帯状の遮光膜２６ｂの位置関係を説明するための引き回し線１４Ｗ密集領域の拡大平面図である。
【００５５】
図９（Ａ）及び図１０に示すように、透明基板２３上の複数の引き回し線１４Ｗを跨ぐように形成されたダミー電極７上の隣り合う２本の引き回し線１４Ｗの端部を跨ぐように（隣り合う２本の引き回し線１４Ｗの線間を覆って）遮光膜２６ｂが形成されている。このように、遮光膜２６ｂを形成することにより、隣り合う２本の引き回し線１４Ｗの線間が狭い場合にも、確実に、引き回し線１４Ｗの端部に発生する斜め電界による液晶の表示を隠すことができる。
【００５６】
なお、第２の実施例と同様に、遮光膜を透明基板１３上で、隣り合う２本の引き回し線１４Ｗの端部を跨ぐように、引き回し線１４Ｗの線間上方に遮光膜１６ｂを形成することもできる。その場合は、図９（Ｂ）に示す第３の実施例の変形例の電極パターンとなる。この場合にも、引き回し線１４Ｗと遮光膜１６ｂの位置関係は、図１０に示す引き回し線１４Ｗと遮光膜２６ｂの位置関係と同様である。
【００５７】
図１１は、本発明の第３の実施例による液晶表示素子１０３の構成を示す略断面図である。遮光膜２６ｂの形状以外は、第２の実施例と同様であるので、それらの説明は省略する。
【００５８】
透明基板２３上に、例えば、図９（Ａ）に示すパターンにより、樹脂製の遮光膜２６ｂが厚さ１μｍ程度で形成され、形成された遮光膜２６ｂを覆うように、遮光膜２６ｂ及び透明基板２３上にオーバーコート層２７が形成される。その後、オーバーコート層２７上に、上述した第１の実施例と同様に、透明電極等を形成していく。隣り合う２本の引き回し線１４Ｗの線間部に対応する位置に、当該２本の引き回し線１４Ｗの端部を跨いで遮光膜２６ｂが形成されていることがわかる。
【００５９】
図１２は、本発明の第３の実施例の変形例による液晶表示素子１０４の構成を示す略断面図である。図１１に示す第３の実施例では、遮光膜２６ｂ及びオーバーコート層(平坦化層)２７は、下側基板２の透明基板２３上に形成されたが、この変形例では、上側基板１の透明基板１３上に遮光膜１６ｂ及びオーバーコート層(平坦化層)１７が形成されている。それ以外の構成は、第３の実施例と同様のであるので、説明を省略する。
【００６０】
以上、本発明の第１〜第３の実施例及びその変形例によれば、従来両側の基板に電極が無かった引き回し線間の部分において、少なくとも片側の基板に電極が配置されるので、引き回し線密集領域のように引き回し線間の占有率が大きくなる領域でも、ダミー電極による液晶セル厚の均一化の効果を十分に発揮することができる。
【００６１】
また、本発明の第２、第３の実施例及びそれらの変形例によれば、引き回し線の端部に沿って遮光膜を設けるので、引き回し線端部の液晶分子の誤応答による表示を隠すことができる。
【００６２】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【００６３】
例えば、上述の第２、第３の実施例では、樹脂製の遮光膜１６ａ、２６ａ、１６ｂ及び２６ｂを透明電極１４、２４よりも透明基板１３、２３側に配置したが、金属製の遮光膜を透明電極１４、２４よりも液晶層３側に形成することもできる。
【００６４】
図１３は、金属製の遮光膜を用いる場合の液晶表示素子の概略断面図である。図１３（Ａ）は、金属製の遮光膜１６ｃを第１の透明基板１３側の透明電極１４と液晶層３との間に配置した例である。図１３（Ｂ）は、金属製の遮光膜２６ｃを第２の透明基板２３側の透明電極２４と液晶層３との間に配置した例である。
【００６５】
金属製の遮光膜１６ｃ又は２６ｃは、厚さを０．０５μｍ程度にできるため、遮光膜１６ｃ又は２６ｃ自体の厚さによる液晶層の変化を考慮しなくてもよいので、オーバーコート層を省略することができる。したがって、図１３（Ａ）に示すように、電極１４上に絶縁膜（図示せず）を介して遮光膜１６ｃを形成し、その上に垂直配向膜１５を形成するようにしてもよい。また、図１３（Ｂ）に示すように、ダミー電極７上に直接遮光膜２６ｃを形成し、その上に垂直配向膜２５を形成するようにしてもよい。
【００６６】
また、本願第２の実施例の一態様である図８の構成で、遮光膜を透明電極と液晶層間の金属製遮光膜とした場合、隣接する透明電極１４Ｗ間の絶縁は保たれるため、絶縁膜を用いずに構成することもできる。
【符号の説明】
【００６７】
１、２…基板、３…液晶層、４…バックライト、１１、１２…偏光板、１３、２３…視角補償板、１４、２４…透明電極、１５、２５…垂直配向膜、１６、２６…遮光膜、１７、２７…オーバーコート層、１８、２８…ラビング方向、
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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