(57)【要約】【課題】セルプロジェクション露光により効率的な露光を行うことが可能なパターンデータを生成するパターンデータ生成プログラム及びパターンデータ生成装置を提供する。【解決手段】セル内に配置される図形の寸法に関する設計基準を含む第１の設計ルールを満たす第１のパターンデータが、セル枠の辺と、セル枠の辺に隣接して配置された図形の辺との間隔を同じにするための設計基準を含む第２の設計ルールを満たしているかどうかを判定し、第１のパターンデータが第２の設計ルールを満たしていない場合に、第２の設計ルールに基づいて第１のパターンデータを変換し、第２の設計ルールを満たす第２のパターンデータを生成する。【選択図】図８
2012027058.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータに、
セル内に配置される図形の寸法に関する設計基準を含む第１の設計ルールを満たす第１のパターンデータを読み込む手順、
前記セルのセル枠の辺と、前記セル枠の辺に隣接して配置された前記図形の辺との間隔を同じにするための設計基準を含む第２の設計ルールを読み込む手順、
前記第１のパターンデータが前記第２の設計ルールを満たしているかどうかを判定する手順、及び
前記第１のパターンデータが前記第２の設計ルールを満たしていない場合に、前記第２の設計ルールに基づいて第１のパターンデータを変換し、前記第２の設計ルールを満たす第２のパターンデータを生成する手順
を実行させるためのパターンデータ生成プログラム。
【請求項２】
請求項１記載のパターンデータ生成プログラムにおいて、
前記第２のパターンデータが前記第１の設計ルールを満たしているかどうかを判定する手順、及び
前記第２のパターンデータが前記第１の設計ルールを満たしていない場合に、前記第１の設計ルールに基づいて第２のパターンデータを変換し、前記第１の設計ルール及び前記第２の設計ルールを満たす第３のパターンデータを生成する手順
を更に実行させるためのパターンデータ生成プログラム。
【請求項３】
コンピュータに、
回路情報を読み込む手順、
セル内に配置される図形の寸法に関する設計基準を含む第１の設計ルールを読み込む手順、
前記セルのセル枠の辺と、前記セル枠の辺に隣接して配置された前記図形の辺との間隔を同じにするための設計基準を含む第２の設計ルールを読み込む手順、及び
前記回路情報、前記第１の設計ルール及び前記第２の設計ルールに基づいて、前記第１の設計ルール及び前記第２の設計ルールを満たす第２のパターンデータを生成する手順
を実行させるためのパターンデータ生成プログラム。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のパターンデータ生成プログラムにおいて、
同一の半導体装置の製造に用いられる複数のセルについて前記第２のパターンデータをそれぞれ生成する手順
を更に実行させるためのパターンデータ生成プログラム。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項に記載のパターンデータ生成プログラムにおいて、
前記第２のパターンデータに対して、前記図形間の距離に応じた移動量によって前記図形の辺を移動する形状変更補正を施すことにより、ＣＰマスクに搭載するキャラクタ図形の第４のパターンデータを生成する手順
を更に実行させるためのパターンデータ生成プログラム。
【請求項６】
セル内に配置される図形の寸法に関する設計基準を含む第１の設計ルールを満たす第１のパターンデータを読み込む手段と、
前記セルのセル枠の辺と、前記セル枠の辺に隣接して配置された前記図形の辺との間隔を同じにするための設計基準を含む第２の設計ルールを読み込む手段と、
前記第１のパターンデータが前記第２の設計ルールを満たしているかどうかを判定する手段と、
前記第１のパターンデータが前記第２の設計ルールを満たしていない場合に、前記第２の設計ルールに基づいて第１のパターンデータを変換し、前記第２の設計ルールを満たす第２のパターンデータを生成する手段と
を有することを特徴とするパターンデータ生成装置。
【請求項７】
回路情報を読み込む手段と、
セル内に配置される図形の寸法に関する設計基準を含む第１の設計ルールを読み込む手段と、
前記セルのセル枠の辺と、前記セル枠の辺に隣接して配置された前記図形の辺との間隔を同じにするための設計基準を含む第２の設計ルールを読み込む手段と、
前記回路情報、前記第１の設計ルール及び前記第２の設計ルールに基づいて、前記第１の設計ルール及び前記第２の設計ルールを満たす第２のパターンデータを生成する手段と
を有することを特徴とするパターンデータ生成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子ビームを用いたセルプロジェクション露光に用いるパターンデータを生成するパターンデータ生成プログラム及びパターンデータ生成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子ビームを用いた露光方法として、可変成形ビーム（ＶＳＢ）方式と呼ばれる露光方式が知られている。可変成形ビーム方式は、回路パターンを矩形パターンに分解し、矩形パターンに成形した電子ビームで描画する露光方式である。可変成形ビーム方式は、露光を行うパターン形状によらずマスクを必要としない反面、多数の矩形パターンに分割して露光を繰り返す方式のため、露光にかかる時間が長くスループットの面で劣っている。
【０００３】
一方、スループットの面でＶＳＢ方式に勝る露光方法として、セルプロジェクション（ＣＰ）方式と呼ばれる露光方式が提案されている。セルプロジェクション方式は、所望の回路パターン形状を有するアパーチャマスク（ＣＰマスク）により電子ビームを成形し、ある程度の大きさを有するパターンのブロック毎に一括露光する方式である。
【０００４】
チップ設計時に使用するセルライブラリと関連づけ、使用頻度の高い複数のセルを搭載したＣＰマスクを共通のテクノロジ製品に使用することにより、ショット数を削減することができる。これにより、パターン露光のスループットを向上することができる。
【０００５】
ＣＰマスク上に配置されていない回路パターンについては、可変成形ビーム用の透過窓を利用し、可変成形ビーム方式により露光することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−２６７２２３号公報
【特許文献２】特開２００１−２７４０７１号公報
【特許文献３】国際公開第０１／０４１１９８号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
露光に用いるパターンデータを生成する過程において、通常、エッチング等による解像劣化を補正するために、設計パターンデータに対して形状を変形することが行われる。
【０００８】
しかしながら、このように補正された露光パターンデータは、必ずしも予め用意されたＣＰマスクに形成されているキャラクタのパターンと一致しないため、ショット数削減の妨げになることがあった。
【０００９】
本発明の目的は、セルプロジェクション露光により効率的な露光を行うことが可能なパターンデータを生成するパターンデータ生成プログラム及びパターンデータ生成装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
実施形態の一観点によれば、コンピュータに、セル内に配置される図形の寸法に関する設計基準を含む第１の設計ルールを満たす第１のパターンデータを読み込む手順、前記セルのセル枠の辺と、前記セル枠の辺に隣接して配置された前記図形の辺との間隔を同じにするための設計基準を含む第２の設計ルールを読み込む手順、前記第１のパターンデータが前記第２の設計ルールを満たしているかどうかを判定する手順、及び前記第１のパターンデータが前記第２の設計ルールを満たしていない場合に、前記第２の設計ルールに基づいて第１のパターンデータを変換し、前記第２の設計ルールを満たす第２のパターンデータを生成する手順を実行させるためのパターンデータ生成プログラムが提供される。
【００１１】
また、実施形態の他の観点によれば、コンピュータに、回路情報を読み込む手順、セル内に配置される図形の寸法に関する設計基準を含む第１の設計ルールを読み込む手順、前記セルのセル枠の辺と、前記セル枠の辺に隣接して配置された前記図形の辺との間隔を同じにするための設計基準を含む第２の設計ルールを読み込む手順、及び前記回路情報、前記第１の設計ルール及び前記第２の設計ルールに基づいて、前記第１の設計ルール及び前記第２の設計ルールを満たす第２のパターンデータを生成する手順を実行させるためのパターンデータ生成プログラムが提供される。
【００１２】
また、実施形態の更に他の観点によれば、セル内に配置される図形の寸法に関する設計基準を含む第１の設計ルールを満たす第１のパターンデータを読み込む手段と、前記セルのセル枠の辺と、前記セル枠の辺に隣接して配置された前記図形の辺との間隔を同じにするための設計基準を含む第２の設計ルールを読み込む手段と、前記第１のパターンデータが前記第２の設計ルールを満たしているかどうかを判定する手段と、前記第１のパターンデータが前記第２の設計ルールを満たしていない場合に、前記第２の設計ルールに基づいて第１のパターンデータを変換し、前記第２の設計ルールを満たす第２のパターンデータを生成する手段とを有するパターンデータ生成装置が提供される。
【００１３】
また、実施形態の更に他の観点によれば、回路情報を読み込む手段と、セル内に配置される図形の寸法に関する設計基準を含む第１の設計ルールを読み込む手段と、前記セルのセル枠の辺と、前記セル枠の辺に隣接して配置された前記図形の辺との間隔を同じにするための設計基準を含む第２の設計ルールを読み込む手段と、前記回路情報、前記第１の設計ルール及び前記第２の設計ルールに基づいて、前記第１の設計ルール及び前記第２の設計ルールを満たす第２のパターンデータを生成する手段とを有するパターンデータ生成装置が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
開示のパターンデータ生成プログラム及びパターンデータ生成装置によれば、周囲にどのようなセルを配置した場合にも、パターン間隔に応じて施されるセル内図形の形状変更補正量を一定にすることができる。これにより、同じセルを複数回使用する際に、ＣＰマスク上に搭載された共通のキャラクタを用いて効率的に露光を行うことができる。また、チップ毎にＣＰマスクを用意することなく、ＣＰ露光によるショット数の削減効果を保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、セルプロジェクション方式を用いた露光装置の電子光学系を示す概略図である。
【図２】図２は、形成しようとする回路パターンの一例を示す平面図である。
【図３】図３は、ルールベース補正を行った後の回路パターンの一例を示す平面図である。
【図４】図４は、ルールベース補正による形状変更の方法を示す平面図である。
【図５】図５は、拡散層のレイヤのＲＢＣ設計ルールを示す平面図である。
【図６】図６は、ゲート層のレイヤのＲＢＣ設計ルールを示す平面図である。
【図７】図７は、メタル層のレイヤのＲＢＣ設計ルールを示す平面図である。
【図８】図８は、一実施形態によるパターンデータ生成プログラムの処理手順を示すフローチャート（その１）である。
【図９】図９は、一実施形態によるパターンデータ生成プログラムの処理手順を示すフローチャート（その２）である。
【図１０】図１０は、拡散層のレイヤのパターンデータ変換方法を示す平面図（その１）である。
【図１１】図１０は、拡散層のレイヤのパターンデータ変換方法を示す平面図（その２）である。
【図１２】図１０は、拡散層のレイヤのパターンデータ変換方法を示す平面図（その３）である。
【図１３】図１０は、拡散層のレイヤのパターンデータ変換方法を示す平面図（その４）である。
【図１４】図１４は、ゲート層のレイヤのパターンデータの変換方法を示す平面図（その１）である。
【図１５】図１５は、ゲート層のレイヤのパターンデータの変換方法を示す平面図（その２）である。
【図１６】図１６は、メタル層のレイヤのパターンデータの変換方法を示す平面図（その１）である。
【図１７】図１７は、メタル層のレイヤのパターンデータの変換方法を示す平面図（その２）である。
【図１８】図１８は、メタル層のレイヤのパターンデータの変換方法を示す平面図（その３）である。
【図１９】図１９は、メタル層のレイヤのパターンデータの変換方法を示す平面図（その４）である。
【図２０】図２０は、メタル層のレイヤのパターンデータの変換方法を示す平面図（その５）である。
【図２１】図２１は、補正差対策の処理方法を示す平面図（その１）である。
【図２２】図２２は、補正差対策の処理方法を示す平面図（その２）である。
【図２３】図２３は、補正差対策の処理方法を示す平面図（その３）である。
【図２４】図２４は、補正差対策の処理方法を示す平面図（その４）である。
【図２５】図２５は、パターンデータ変換前後のレイアウトを示す平面図（その１）である。
【図２６】図２６は、パターンデータ変換前後のレイアウトを示す平面図（その２）である。
【図２７】図２７は、パターンデータ変換前後のレイアウトを示す平面図（その３）である。
【図２８】図２８は、パターンデータ変換前後のレイアウトを示す平面図（その４）である。
【図２９】図２９は、パターンデータ変換前後のレイアウトを示す平面図（その５）である。
【図３０】図３０は、一実施形態によるパターンデータ生成プログラムの処理手順を示すフローチャート（その３）である。
【図３１】図３１は、一実施形態によるパターンデータ生成プログラムの処理手順を示すフローチャート（その４）である。
【図３２】図３２は、一実施形態によるパターンデータ生成装置のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。
【図３３】図３３は、ＣＰマスクに搭載するキャラクタ図形の生成方法を示すフローチャートである。
【図３４】図３４は、ＣＰマスクに搭載するキャラクタ図形の生成方法を示す平面図である。
【図３５】図３５は、ウェーハ露光用の図形データの生成方法を示すフローチャートである。
【図３６】図３６は、チップ図形データとキャラクタ図形データとの関連づけを行う方法を示す図である。
【図３７】図３７は、ＣＰマスク作成用露光データの生成方法を示すフローチャートである。
【図３８】図３８は、ＣＰマスクデータの構成例を示す図である。
【図３９】図３９は、ウェーハ露光用データの生成方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
一実施形態によるパターンデータ生成プログラム及びパターンデータ生成装置について図１乃至図３９を用いて説明する。
【００１７】
はじめに、セルプロジェクション露光の概要とその課題について図１乃至図３を用いて説明する。
【００１８】
図１は、セルプロジェクション方式を用いた露光装置の電子光学系を示す概略図である。図２は、形成しようとする回路パターンの一例を示す平面図である。図３は、ルールベース補正を行った後の回路パターンを示す平面図である。
【００１９】
セルプロジェクション露光（以下、「ＣＰ露光」ともいう）では、図１に示すように、電子銃１０から発せられた電子ビームを、第１スリット１２を通過して矩形に成形した後、デフレクタ１４によってＣＰマスク１６上の任意の透過孔（キャラクタ）１８を通過させ、ウェーハ２０上に縮小投影する。
【００２０】
ＣＰマスク１６上に搭載する透過孔のパターンとして、１ショット描画範囲に収まる繰り返し性の高い図形群を形成しておくことにより、ウェーハ露光のショット数を削減し、露光スループットを向上することができる。
【００２１】
しかしながら、セルライブラリ内の同一セルを使用する場合であっても、周りの環境によって形状変更補正量が変化するため、必ずしもＣＰマスクに搭載されたパターンを利用して露光することはできない。
【００２２】
例えば、図２に示すような回路パターンを形成しようとする場合、実線で囲った２つの領域２２，２４には、同一のセルを使用することができる。しかしながら、この２つの領域２２，２４について、例えば左端のパターンに着目すると、その左側に隣接するパターンとの間隔が互いに異なっている。このような場合、設計データに加えられる形状変更補正によって、これら２つの領域のパターンが同じでなくなることがある。
【００２３】
形状変更補正としては、露光の際の近接効果を補正するためのルールベース補正（「ルールベース近接効果補正」ともいう）が挙げられる。ルールベース補正では、図形の辺に対し、対向する図形内辺と図形外辺との距離に応じて移動量が決定される。
【００２４】
ルールベース補正は、例えば表１のように定義されたルールに基づいて、図形の辺が移動される。
【００２５】
【表１】
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表１は、線幅Ｗ及び間隔Ｓに対する補正量をまとめたルールベーステーブルの一例である。表１中、間隔Ｓは、対向する図形の外辺から補正対象の図形の対向する辺までの距離である。線幅Ｗは、補正対象の図形の外側の対向する辺から内側の対向する辺までの距離である。任意の線幅Ｗと間隔Ｓにより与えられる数値が、図形の辺の補正量である。
【００２６】
表１の例では、例えば、線幅Ｗ＝０．１１μｍのパターンに対して、間隔Ｓ＝０．１５μｍの距離をおいて別のパターンが存在する場合、パターンの補正量は１ｎｍとなる。例えば、線幅Ｗ＝０．１２μｍのパターンに対して、間隔Ｓ＝０．１４μｍの距離をおいて別のパターンが存在する場合、パターンの補正量は−５ｎｍとなる。補正量が正の場合には線幅を太らせる方向に対向する外側の辺を移動し、補正量が負の場合には線幅を細らせる方向に対向する外側の辺を移動する。
【００２７】
なお、ルールベーステーブル中の「Ｓｍｏｏｔｈｉｎｇ」の欄には、許容短辺長が示されている。許容短辺長とは、形状変更補正を行った後に存在が許される辺の最小寸法を表したものである。形状変更補正により一時的に発生する許容短辺長よりも短い辺は、補正前の辺上において隣接する補正量のより近い線分に併合される。
【００２８】
したがって、図２に示す設計データについて形状変更補正を行った露光データは、例えば図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、同一の形状ではなくなる（図中、領域２２ａ，２４ａを参照）。このため、図２に示す２つの領域２２，２４は、ＣＰマスク１６上に搭載された同一のキャラクタを用いてＣＰ露光することはできない。
【００２９】
この場合、例えば、右側の領域２２の補正後のパターンがＣＰマスク１６上に搭載されたキャラクタと同一の場合には、右側の領域２２については、１ショットのＣＰ露光により、パターン露光を行うことができる。これに対し、左側の領域２４については、同じキャラクタを用いたＣＰ露光はできないため、総てのパターンを塗りつぶすように、可変成形ビーム露光を繰り返し行う。図２のパターンの例では、例えば４２ショットが費やされる。
【００３０】
このように、セルライブラリ内の同一セルを使用する場合であっても、必ずしもＣＰマスク１６上に搭載された同一のキャラクタを用いてＣＰ露光できるとは限らない。
【００３１】
そこで、本実施形態では、隣接して露光するパターンによって形状変更補正量が変動するのを防止し、ＣＰマスク上に搭載された同一のキャラクタを用いて効率的にＣＰ露光を行うことを可能にするパターンデータの生成方法を示す。
【００３２】
具体的には、形状変更を伴う露光補正結果がセル内で閉じるようなセル設計ルールを新たに設け、このセル設計ルールに基づいて、セルのパターンデータを変更或いは生成する。すなわち、ルールベース補正（以下、「ＲＢＣ」ともいう）の結果がセルのレイアウトに依存しないように、つまり、上下左右にどのようなセルが配置されてもセル内図形の形状変更補正形状が変化しないように、セルのＲＢＣ用設計ルールを定義する。セル枠から最外辺までの距離を総てのセルで一定になるようにセル内図形を統一することにより、周りにどのようなセルが配置されてもＲＢＣ量が変化しない状態を実現することができる。
【００３３】
本実施形態のパターンデータは、本来のセル設計ルール（例えば、光露光用のマスクの設計ルール）で設計されたセルのパターンデータを、ＲＢＣ用設計ルールに従ってツールにより自動的に変更することにより、生成することができる。或いは、本来のセル設計ルールとＲＢＣ用設計ルールとの双方に従って、ツールにより自動的にセルのパターンデータを生成することもできる。ＲＢＣ用設計ルールは、本来の設計ルールを違反しないものとする。
【００３４】
ＲＢＣ用設計ルールに従って設計されたセルは、１セルに対して露光層毎にルールで決められた環境が周りにあるものとして層合成及びＲＢＣを行った後、一律にバイアスをかけることにより、ＣＰマスクに搭載するキャラクタとなる。
【００３５】
次に、本実施形態で用いるＲＢＣ用設計ルールについて図４乃至図７を用いて具体的に説明する。
【００３６】
図４は、ルールベース補正による形状変更の方法を示す平面図である。図５は、拡散層のレイヤのＲＢＣ設計ルールを示す平面図である。図６は、ゲート層のレイヤのＲＢＣ設計ルールを示す平面図である。図７は、メタル層のレイヤのＲＢＣ設計ルールを示す平面図である。
【００３７】
まず、本実施形態では、ルールベース補正による形状変更を行うことを前提とするものとする。ＲＢＣには、例えば、表２に示すようなルールベーステーブルを用いるものとする。
【００３８】
【表２】
2012027058.tif 000004
例えば図４に示すように、線幅ｄがＷｊ≦ｄ＜Ｗｊ＋１、間隔ｉがＳｍ≦ｉ＜Ｓｍ＋１でパターンが配置されているとき、表２から、辺の移動量ｅは、ｅ＝Ｂｊ，ｍとなる。
【００３９】
論理セルでは、通常、拡散層（ＯＤ）、ゲート層（ＰＯ）、メタル層（Ｍ１）、コンタクト層（ＣＯ）の４つのレイヤが用いられる。これらのうち、コンタクト層については、通常は隣接パターンとの距離に応じた形状変更は行われない。そこで、ここでは、拡散層、ゲート層、及びメタル層のＲＢＣ用設計ルールについて説明するものとする。他のレイヤが含まれる場合にも、同様の手順により、ＲＢＣ用設計ルールを定めることができる。
【００４０】
まず、拡散層（ＯＤ）のＲＢＣ用設計ルールについて、図５を用いて説明する。
【００４１】
はじめに、横方向の環境を統一するためのルールについて説明する。横方向の環境統一には、以下の４つのルールを採用する。
【００４２】
１）セルの左右両端に位置する図形の外側の辺を、直線上に配置する（以下、このルールを「ＲＢＣ基準ＯＤＨ−１」という）。
【００４３】
例えば図５に示すように、各図形の外側の辺を、左右の点線（図中、ガードラインと表す）に沿って配置する。なお、図形の外側の辺とは、セル枠の辺に隣接して配置された図形の辺である。
【００４４】
２）セル枠から外側の辺までの距離を統一する（以下、このルールを「ＲＢＣ基準ＯＤＨ−２」という）。
【００４５】
例えば、セル枠から外側の辺までの距離ＯＤＨが、
ＯＤＲＨｍｉｍ／２≦ＯＤＨ＜（ＲＢＴ：Ｓ（（ＯＤＲＨｍｉｍ）＋１））／２
の関係を満たすように、各セルの図形を配置する。
【００４６】
ここで、ＯＤＲＨｍｉｍは、本来のセル設計ルール（ＯＤＲ）における拡散層の横方向の最小配置間隔である。ＯＤＨは、セル枠から外側の辺までの距離である。ＲＢＴ：Ｓ（（ＯＤＲＨｍｉｍ）＋１）は、拡散層のルールベーステーブル上において、パターン間距離ＯＤＲＨｍｉｍに該当するスペース値の列の右隣の列のスペース値である。例えば、表２において、ＯＤＲＨｍｉｍに該当するスペース値の列がＳｍの場合、ＲＢＴ：Ｓ（（ＯＤＲＨｍｉｍ）＋１）は、Ｓｍ＋１のスペース値となる。
【００４７】
セルを隣接して配置する際、隣り合うセルに含まれる拡散層のパターン同士の間隔は、拡散層のセル設計ルールＯＤＲにおける横方向の最小間隔ＯＤＲＨｍｉｍ以上となる。隣接するセルのＯＤＨを同じにするためには、ＯＤＨの最小値は、ＯＤＲＨｍｉｍ／２となる。
【００４８】
一方、ＯＤＨが大きすぎるとＲＢＣの際の辺の移動量が変化してしまうため、ＯＤＨの最大値は、ＲＢＣの際の辺の移動量が変化しない値の範囲に設定される。かかる観点から、ＯＤＨの最大値は、拡散層のルールベーステーブル上において、パターン間距離ＯＤＲＨｍｉｍに該当するスペース値の列の右隣の列のスペース値未満とする。
【００４９】
なお、距離ＯＤＨは、セルの右側と左側において必ずしも同じである必要はない。
【００５０】
３）活性領域の外側辺の位置と幅を、各セルにおいて共通とする（以下、このルールを「ＲＢＣ基準ＯＤＨ−３」という）。
【００５１】
例えば図５に示すように、活性領域の外側辺の下端の位置と上端の位置を、座標ｙ１，座標ｙ２，座標ｙ３，座標ｙ４と規定した場合、これら座標が各セルにおいて共通になるように、活性領域を配置する。このように配置することで、左右にどのようなセルが配置された場合にも、対向する活性領域の位置を同じにすることができる。
【００５２】
４）外側辺における活性領域の幅Ｗが、セル内側の活性領域の幅ｗよりも短くならないようにする（以下、このルールを「ＲＢＣ基準ＯＤＨ−４」という）。
【００５３】
このようにすることで、セル内側の図形の辺と隣接するセルの図形の辺とが対向配置されることがなくなり、隣接するセルの図形の辺に対向する辺をセルの外側辺のみにすることができる。
【００５４】
次に、縦方向の環境を統一するためのルールについて説明する。縦方向の環境統一には、以下の３つのルールを採用する。
【００５５】
１）セルの上下両端に位置する図形の外側の辺を、直線上に配置する（以下、このルールを「ＲＢＣ基準ＯＤＶ−１」という）。
【００５６】
例えば図５に示すように、各図形の外側の辺を、上下の点線（図中、ガードラインと表す）に沿って配置する。
【００５７】
２）セル枠から外側の辺までの距離を統一する（以下、このルールを「ＲＢＣ基準ＯＤＶ−２」という）。
【００５８】
例えば、セル枠から外側の辺までの距離ＯＤＶが、
ＯＤＲＶｍｉｍ／２≦ＯＤＶ＜（ＲＢＴ：Ｓ（（ＯＤＶＨｍｉｍ）＋１））／２
の関係を満たすように、各セルの図形を配置する。
【００５９】
ここで、ＯＤＲＶｍｉｍは、拡散層の本来のセル設計ルール（ＯＤＲ）における縦方向の最小配置間隔である。ＯＤＶは、セル枠から外側の辺までの距離である。ＲＢＴ：Ｓ（（ＯＤＲＶｍｉｍ）＋１）は、拡散層のルールベーステーブル上において、パターン間距離ＯＤＲＶｍｉｍに該当するスペース値の列の右隣の列のスペース値である。例えば、表２において、ＯＤＲＶｍｉｍに該当するスペース値の列がＳｍの場合、ＲＢＴ：Ｓ（（ＯＤＲＶｍｉｍ）＋１）は、Ｓｍ＋１のスペース値となる。
【００６０】
セルを隣接して配置する際、隣り合うセルに含まれる拡散層のパターン同士の間隔は、拡散層のセル設計ルールＯＤＲにおける縦方向の最小間隔ＯＤＲＶｍｉｍ以上となる。隣接するセルのＯＤＶを同じにするためには、ＯＤＶの最小値は、ＯＤＲＶｍｉｍ／２となる。
【００６１】
一方、ＯＤＶが大きすぎるとＲＢＣの際の辺の移動量が変化してしまうため、ＯＤＶの最大値は、ＲＢＣの際の辺の移動量が変化しない値の範囲に設定される。すなわち、ＯＤＶの最大値は、拡散層のルールベーステーブル上において、パターン間距離ＯＤＲＶｍｉｍに該当するスペース値の列の右隣の列のスペース値未満とする。
【００６２】
なお、距離ＯＤＶは、距離ＯＤＨと異なってもよいし、等しくてもよい。また、距離ＯＤＶは、セルの上側と下側において必ずしも同じである必要はない。
【００６３】
３）横方向に配置される図形同士の間隔ＯＤＧを、
ＯＤＲＧｍｉｍ≦ＯＤＧ＜ＲＢＴ：Ｌ
に統一する（以下、このルールを「ＲＢＣ基準ＯＤＶ−３」という）。
【００６４】
ここで、ＯＤＲＧｍｉｍは、セル設計ルールＯＤＲにおける拡散層のセル内図形の最小配置間隔である。ＲＢＴ：Ｌは、拡散層のルールベーステーブル上における「Ｓｍｏｏｔｈｉｎｇ」の欄に記載される値であり、許容短辺長Ｌを表すものである。許容短辺長Ｌは、ＲＢＣの際に存在させる辺の最小の長さを規定したものである。ＯＤＧをＬよりも短く設定することにより、隣接してどのようなセルが配置された場合であっても、ＲＢＣの際に間隔ＯＤＧに起因した辺の移動が行われることはない。
【００６５】
次に、ゲート層（ＰＯ）のＲＢＣ用設計ルールについて、図６を用いて説明する。
【００６６】
はじめに、横方向の環境を統一するためのルールについて説明する。横方向の環境統一には、以下の３つのルールを採用する。
【００６７】
１）セルの左右両端に位置する図形の外側の辺を、直線上に配置する（以下、このルールを「ＲＢＣ基準ＰＯＨ−１」という）。
【００６８】
例えば図６に示すように、各図形の外側の辺を、左右の点線（図中、ガードラインと表す）に沿って配置する。
【００６９】
２）セル枠から外側の辺までの距離を統一する（以下、このルールを「ＲＢＣ基準ＰＯＨ−２」という）。
【００７０】
例えば、セル枠から外側の辺までの距離ＰＯＨが、
ＯＤＲＨｍｉｍ／２≦ＰＯＨ＜（ＲＢＴ：Ｓ（（ＯＤＲＨｍｉｍ）＋１））／２
の関係を満たすように、各セルの図形を配置する。
【００７１】
ここで、ＯＤＲＨｍｉｍは、セル設計ルールＯＤＲにおけるゲート層の横方向の最小配置間隔である。ＰＯＨは、セル枠から外側の辺までの距離である。ＲＢＴ：Ｓ（（ＯＤＲＨｍｉｍ）＋１）は、ゲート層のルールベーステーブル上において、パターン間距離ＯＤＲＨｍｉｍに該当するスペース値の列の右隣の列のスペース値である。ＰＯＨをこのように設定する理由は、ＯＤＨの場合と同様である。
【００７２】
なお、距離ＰＯＨは、セルの右側と左側において必ずしも同じである必要はない。
【００７３】
３）コンタクト部をセルの内側に向けて配置する（以下、このルールを「ＲＢＣ基準ＰＯＨ−３」という）。
【００７４】
コンタクト部をセルの内側に配置することにより、１）のルールを担保することができる。
【００７５】
次に、縦方向の環境を統一するためのルールについて説明する。縦方向の環境統一には、以下の２つのルールを採用する。
【００７６】
１）セルの上下両端に位置する図形の外側の辺を、直線上に配置する（以下、このルールを「ＲＢＣ基準ＰＯＶ−１」という）。
【００７７】
例えば図６に示すように、各図形の外側の辺を、上下の点線（図中、ガードラインと表す）に沿って配置する。
【００７８】
２）活性領域の図形からの突き出し量を、
ＰＯＶ≧ＯＤＲ突き出し量ｍｉｍ＋ＲＢＴの補正値の最大値（＝先端後退量）
に統一する（以下、このルールを「ＲＢＣ基準ＰＯＶ−２」という）。
【００７９】
ここで、ＰＯＶは、ゲート層図形の拡散層図形からの突き出し量である。ＯＤＲ突き出し量ｍｉｍは、セル設計ルールＯＤＲにおけるゲート層図形の拡散層図形からの突き出し量の最小値である。ＰＯＶをＯＤＲ突き出し量ｍｉｍよりもゲート層ＲＢＴの補正値最大値以上に大きくすることにより、ＲＢＣ後のＰＯＶがＯＤＲ突き出し量ｍｉｍを下回るのを防止することができる。
【００８０】
次に、メタル層（Ｍ１）のＲＢＣ用設計ルールについて、図７を用いて説明する。
【００８１】
はじめに、横方向の環境を統一するためのルールについて説明する。横方向の環境統一には、以下の４つのルールを採用する。
【００８２】
１）セルの左右両端に位置する図形の外側の辺を、直線上に配置する（以下、このルールを「ＲＢＣ基準Ｍ１−１」という）。
【００８３】
例えば図７に示すように、電源ラインを除く各図形の外側の辺を、左右の点線（図中、ガードラインと表す）に沿って配置する。
【００８４】
２）セル枠から外側の辺までの距離を統一する（以下、このルールを「ＲＢＣ基準Ｍ１−２」という）。
【００８５】
例えば、セル枠から外側の辺までの距離Ｍ１Ｈが、
ＯＤＲＨｍｉｍ／２≦Ｍ１Ｈ＜（ＲＢＴ：Ｓ（（ＯＤＲＨｍｉｍ）＋１））／２
の関係を満たすように、各セルの図形を配置する。
【００８６】
ここで、ＯＤＲＨｍｉｍは、セル設計ルールＯＤＲにおけるメタル層の横方向の最小配置間隔である。Ｍ１Ｈは、セル枠から外側の辺までの距離である。ＲＢＴ：Ｓ（（ＯＤＲＨｍｉｍ）＋１）は、メタル層のルールベーステーブル上において、パターン間距離ＯＤＲＨｍｉｍに該当するスペース値の列の右隣の列のスペース値である。Ｍ１Ｈをこのように設定する理由は、ＯＤＨの場合と同様である。
【００８７】
なお、距離Ｍ１Ｈは、セルの右側と左側において必ずしも同じである必要はない。
【００８８】
３）縦方向に配置される図形同士の間隔Ｍ１Ｇを、
ＯＤＲＧｍｉｍ≦Ｍ１Ｇ＜ＲＢＴ：Ｌ
に統一する（以下、このルールを「ＲＢＣ基準Ｍ１−３」という）。
【００８９】
Ｍ１Ｇをこのように設定する理由は、ＯＤＧの場合と同様である。
【００９０】
４）コンタクト部をセルの内側に向けて配置する（以下、このルールを「ＲＢＣ基準Ｍ１−４」という）。
【００９１】
コンタクト部をセルの内側に配置することにより、１）のルールを担保することができる。
【００９２】
なお、メタル層の縦方向は電源ラインでガードされているため、通常は、縦方向の環境を統一するためのＲＢＣ用設計ルールを新たに設ける必要はない。電源ラインが存在しないセルについては、他のレイヤと同様のルールを適用すればよい。
【００９３】
次に、上述のＲＢＣ用設計ルールを考慮したセルレイアウトの変換方法について図８乃至図２９を用いて説明する。
【００９４】
図８及び図９は、本実施形態によるパターンデータ生成プログラムの処理手順を示すフローチャートである。図１０乃至図１３は、拡散層のレイヤのパターンデータの変換方法を示す平面図である。図１４及び図１５は、ゲート層のレイヤのパターンデータの変換方法を示す平面図である。図１６乃至図２０は、メタル層のレイヤのパターンデータの変換方法を示す平面図である。図２１乃至図２４は、補正差対策の処理方法を示す平面図である。図２５乃至図２９は、パターンデータ変換前後のレイアウトを示す平面図である。
【００９５】
本実施形態によるパターンデータ生成プログラムは、例えば図８及び図９に示すフローチャートに従って実施される。
【００９６】
まず、図８に示すように、パターンデータの変換に使用する設計支援装置に、データ変換のルールを規定するコントロールファイルを入力する（ステップＳ１０１）。コントロールファイルは、設計支援装置の記憶装置に予め記憶しておいてもよい。コントロールファイルには、本来のセル設計ルールを記述した制御ファイルＯＤＲと、ルールベース補正用設計ルールを記述した制御ファイルＲＢＣとが含まれる。
【００９７】
制御ファイルＯＤＲは、本来のセル設計ルールに基づくものである。制御ファイルＯＤＲには、線幅、配置間隔、領域といったセル内に配置する図形の寸法に関する設計基準、素子構成情報、素子パラメータ算出基準等の情報が含まれる。
【００９８】
制御ファイルＲＢＣは、ＲＢＣ用設計ルールに基づくものである。制御ファイルＲＢＣには、処理対象レイヤ（ＯＤ，ＰＯ，Ｍ１等）、ＲＢＣ追加基準（ＯＤＶ，ＯＤＨ，ＯＤＧ，ＰＯＶ，ＰＯＨ，ＭＩＨ，Ｍ１Ｇ等）、ＲＢＣ追加記述を満たすための処理方法（移動、ストレッチ、追加等）、変換工程においてＯＤＲ違反が発生した場合に行うべき処理の指示（移動、ストレッチ、追加等）の情報が含まれる。
【００９９】
次いで、設計支援装置に、変換対象のセルレイアウトデータ（オリジナルセルレイアウトデータ）を入力する（ステップＳ１０２）。セルレイアウトデータは、設計支援装置の記憶装置に予め記憶しておいてもよい。オリジナルセルレイアウトデータは、変換対象となるセルレイアウトの物理データであり、例えば、ＧＤＳＩＩフォーマットやＯＡＳＩＳフォーマット等で記述されたストリームファイルである。
【０１００】
次いで、ステップＳ１２で入力されたオリジナルセルレイアウトデータに対して、ステップＳ１１で入力された制御ファイルＯＤＲ，ＲＢＣの情報を元に、データ変換処理を行う（ステップＳ１０３）。
【０１０１】
ステップＳ１０３のデータ変換処理は、例えば図９に示すフローチャートに従って行われる。
【０１０２】
まず、制御ファイルＲＢＣから処理に必要な情報を抽出し、想定される複数の処理順序に対して、必要な処理工程数Ｎをそれぞれ算出する（ステップＳ２０１）。処理工程数Ｎは、例えば、処理対象レイヤの数を（ａ）、ＲＢＣ基準の数を（ｂ）、ＲＢＣ処理方法の数を（ｃ）、ＯＤＲ違反時の処理の数を（ｄ）として、
Ｎ＝（ａ）×（ｂ）×（ｃ）×（ｄ）
と表すことができる。
【０１０３】
次いで、ステップＳ２０１において算出した処理工程数Ｎを考慮して、データ変換後のＯＤＲ違反によるイタレーション発生頻度を抑え、効率よく変換する処理順序を決定する（ステップＳ２０２）。
【０１０４】
なお、処理順序の決定は、必ずしもステップＳ２０１〜Ｓ２０２で行う必要はなく、制御ファイルＲＢＣにおいて特定の処理順序を指示するようにしてもよい。
【０１０５】
例えば一例としては、拡散層ＯＤ、ゲート層ＰＯ、メタル層Ｍ１、コンタクト層ＣＯの順に処理を行うことが考えられる。拡散層ＯＤ、ゲート層ＰＯ、メタル層Ｍ１、コンタクト層ＣＯの４つのレイヤの変換処理を行う場合、レイヤ数としてｎ＝４をセットする。
【０１０６】
次いで、ステップＳ２０２で決定した処理順序に従い、以下の変換処理を行う。
【０１０７】
まず、変換処理の開始にあたり、処理レイヤ数のカウンタｉを１にセットする（ステップＳ２０３）。
【０１０８】
次いで、対象となるセルレイアウトデータを取り込み（ステップＳ２０４）、対象となる形状単位でＲＢＣ基準を満たしているかどうかを判定する（ステップＳ２０５）。
【０１０９】
判定の結果、ＲＢＣ基準を満たしていない場合、（ｃ）の処理方法に従ってデータ変換を実施する（ステップＳ２０６）。
【０１１０】
データ変換後、ＯＤＲ基準及びＲＢＣ基準を満たしているかどうかの確認を実施する（ステップＳ２０７）。ステップＳ２０６のデータ変換によってＯＤＲ基準に違反するレイアウトが発生する可能性があるため、本ステップはその確認のために行われる。この際、横方向の設計基準の確認だけでなく、素子形成状況や素子が保有するパラメータに変更がないかどうかについても確認する。また、いわゆる物理検証（デザインルールチェック：ＤＲＣ、回路図検証：ＶＬＳを満たすか）を確認する。
【０１１１】
ステップＳ２０７においてＯＤＲ・ＲＢＳ基準違反が確認された場合は、違反発生時の修正処理（ｄ）に従ってレイアウト修正を実施する（ステップＳ２０８）。ＯＤＲ基準違反の修正が行えない場合は、エラーをサマリに出力する。ＲＢＳ基準違反の修正が行えない場合は、その箇所に後述する補正差対策を施す。
【０１１２】
次いで、カウンタｉを１加算する（ステップＳ２０９）。
【０１１３】
次いで、カウンタｉと処理レイヤ数ｎとを比較し（ステップＳ２１０）、ｉ＞ｎとなるまでステップＳ２０４〜ステップＳ２０９の処理を繰り返す。
【０１１４】
総てのレイヤについてステップＳ２０４〜ステップＳ２０９の処理が完了したら、以下のファイルを出力し、変換処理を終了する（ステップＳ１０４）。出力ファイルには、処理内容を記録したログファイル、処理結果を記録したサマリーファイル、データ変換を施したＲＢＣ考慮型セルレイアウトデータのストリームファイルが含まれる。
【０１１５】
次に、ステップＳ２０６におけるデータ変換の手法について、具体的な例を挙げて説明する。
【０１１６】
拡散層（ＯＤ）のレイヤのデータ変換方法について、図１０乃至図１３を用いて説明する。
【０１１７】
まず、ＲＢＣ基準ＯＤＶ−１及びＲＢＣ基準ＯＤＶ−２に基づき、セルの上下両端に位置する図形の外側の辺を移動する（ＯＤＶ変換）。
【０１１８】
データ変換前のレイアウトにおいて、例えば図１０（ａ）に示すように、セルの上下両端に位置する図形の外側の辺（図中、太線で表す）がＯＤＶ軸からずれている場合を仮定する。このようなレイアウトは、ＲＢＣ基準ＯＤＶ−１及びＲＢＣ基準ＯＤＶ−２に違反している。そこで、以下の手順により、ＲＢＣ基準ＯＤＶ−１及びＲＢＣ基準ＯＤＶ−２を満たすように、データ変換処理を行う。
【０１１９】
まず、拡散層の図形ＯＤを、水平方向のエッジ単位で縦方向のポリゴン図形に分割する。図１０（ａ）では、上下の図形がそれぞれ２つのポリゴン図形に分割されることになる。
【０１２０】
次いで、分割した各ポリゴンについて、ｙ１軸及びｙ４軸に投影されるべき水平方向のエッジ（図中、太線で表す）を抽出する。ｙ１軸及びｙ４軸は、上下のセル枠からそれぞれＯＤＶの距離に位置する軸である。ＯＤＶは、ＲＢＣ基準ＯＤＶ−２によって規定される。
【０１２１】
次いで、抽出したエッジがｙ１軸及びｙ４軸からずれている場合、ＲＢＣ基準ＯＤＶ−１及びＲＢＣ基準ＯＤＶ−２に基づき、対象となるポリゴンをその差分だけ移動する。この際、移動前のレイアウトにおいて、拡散層の図形ＯＤのエッジからゲート層の図形ＰＯが突き出ている場合には、移動に伴い突き出しがマイナスとならないように、ゲート層の図形ＰＯもストレッチする（図１１参照）。
【０１２２】
このようにして、図１０（ａ）に示すデータ変換前のレイアウトを、ＲＢＣ基準ＯＤＶ−１及びＲＢＣ基準ＯＤＶ−２を満たすレイアウト（図１０（ｂ））にデータ変換することができる。
【０１２３】
次いで、ＲＢＣ基準ＯＤＨ−１及びＲＢＣ基準ＯＤＶＨ−２に基づき、セルの左右両端に位置する図形の外側の辺を移動する（ＯＤＨ変換）。
【０１２４】
データ変換前のレイアウトにおいて、例えば図１２（ａ）に示すように、セルの左右両端に位置する図形の外側の辺（図中、太線で表す）がＯＤＨ軸からずれている場合を仮定する。このようなレイアウトは、ＲＢＣ基準ＯＤＨ−１及びＲＢＣ基準ＯＤＨ−２に違反している。そこで、以下の手順により、ＲＢＣ基準ＯＤＨ−１及びＲＢＣ基準ＯＤＨ−２を満たすように、データ変換処理を行う。
【０１２５】
まず、拡散層の図形ＯＤを、水平方向のエッジ単位で縦方向のポリゴン図形に分割する。図１２（ａ）では、上側の図形が３つのポリゴン図形に分割され、下側の図形が２つのポリゴン図形に分割されることになる。
【０１２６】
次いで、ＯＤＨ軸に投影されるべき、最短距離にある垂直方向の図形のエッジ（図中、太線で表す）を抽出する。ＯＤＨ軸は、セル枠からＯＤＨの距離に位置する軸である。ＯＤＨは、ＲＢＣ基準ＯＤＨ−２によって規定される。
【０１２７】
次いで、抽出したエッジがＯＤＨ軸とずれている場合、ＲＢＣ基準ＯＤＨ−１及びＲＢＣ基準ＯＤＨ−２に基づき、ずれているエッジをＯＤＨ軸まで移動する。この際、ポリゴン自体は移動せず、エッジのみを移動（ストレッチ）する（図１２（ａ）参照）。
【０１２８】
なお、ストレッチする幅が十分大きい場合、ストレッチする代わりにダミートランジスタを挿入するようにしてもよい（図１２（ｂ）の領域（Ａ）を参照）。この場合、ダミートランジスタの拡散層の図形ＯＤは、元の拡散層の図形ＯＤとの間隔がＯＤＧとなるように（ＲＢＣ基準ＯＤＶ−３）挿入する。
【０１２９】
次いで、ＯＤＨ軸から幅Ｗの範囲に存在し、ｙ２軸及びｙ３軸に投影されるべき垂直方向の図形のエッジ（図中、太線で表す）を抽出する（図１２（ｂ）参照）。ｙ２軸及びｙ３軸は、ＲＢＣ基準ＯＤＨ−３によって規定される。なお、幅Ｗは、オリジナル設計ルールにおける拡散層図形の最小幅等により定義される。
【０１３０】
次いで、抽出したエッジがｙ２軸及びｙ３軸からずれている場合、ＲＢＣ基準ＯＤＨ−３に基づき、ずれているエッジをその差分だけ移動（ストレッチ）する。このストレッチは、属する図形の全体に対して実施するようにしてもよいし（図１２（ｃ）の領域（Ｂ）を参照）、属する図形の幅Ｗの領域に対してのみ実施するようにしてもよい（図１２（ｃ）の領域（Ｃ）を参照）。トランジスタのゲート長を変更したくない場合には、後者が選択される。
【０１３１】
このようにして、図１２（ａ）に示すデータ変換前のレイアウトを、ＲＢＣ基準を満たすレイアウト（図１２（ｃ））にデータ変換することができる。
【０１３２】
なお、上述のＯＤＶ変換及びＯＤＨ変換を実施した後、縦方向のｙ２軸とｙ３軸との間に図形のエッジが存在する場合（図１３（ａ）の領域（Ｄ）を参照）、セル特性に影響がないと判断できるときには、エッジをｙ２軸またはｙ３軸まで後退させる（図１３（ｂ）参照）。セル特性上、エッジを後退できない場合、かつ補正差がセル特性に影響がないと判断できるときには、後述する補正差対策を施す。
【０１３３】
このようにして、拡散層のレイヤのデータ変換を行うことができる。
【０１３４】
ゲート層（ＰＯ）のレイヤのデータ変換方法について、図１４及び図１５を用いて説明する。
【０１３５】
まず、ＲＢＣ基準ＰＯＶ−１及びＲＢＣ基準ＰＯＶ−２に基づき、セルの上下両端に位置する図形の外側の辺を移動する（ＰＯＶ変換）。
【０１３６】
データ変換前のレイアウトにおいて、例えば図１４（ａ）に示すように、セルの上下両端に位置する図形の外側の辺（図中、太線で表す）がＰＯＶ軸からずれている場合を仮定する。このようなレイアウトは、ＲＢＣ基準ＰＯＶ−１及びＲＢＣ基準ＰＯＶ−２に違反している。そこで、以下の手順により、ＲＢＣ基準ＰＯＶ−１及びＲＢＣ基準ＰＯＶ−２を満たすように、データ変換処理を行う。
【０１３７】
まず、ゲート層の図形ＰＯについて、ＰＯＶ軸に投影されるべき水平方向のエッジ（図中、太線で表す）を抽出する。ＰＯＶ軸は、ＯＤＶ軸からＰＯＶの距離に位置する軸である。ＰＯＶは、ＲＢＣ基準ＰＯＶ−２によって規定される。
【０１３８】
次いで、抽出したエッジがＰＯＶ軸とずれている場合、ＲＢＣ基準ＰＯＶ−１及びＲＢＣ基準ＰＯＶ−２に基づき、対象となるエッジをその差分だけ移動（ストレッチ）する（図１４（ａ）参照）。この際、ストレッチ対象となる図形のエッジと拡散層の図形との重なり合い等の相関が変わらない（セルとしての論理が変わらない）ことを考慮する。
【０１３９】
次いで、ゲート層の図形ＰＯについて、水平方向の総てのエッジを抽出し、これらエッジについて、後述する補正差対策を施す。
【０１４０】
このようにして、図１４（ａ）に示すデータ変換前のレイアウトを、ＲＢＣ基準ＰＯＶ−１及びＲＢＣ基準ＰＯＶ−２を満たすレイアウト（図１４（ｂ））にデータ変換することができる。
【０１４１】
次いで、ＲＢＣ基準ＰＯＨ−１及びＲＢＣ基準ＰＯＨ−２に基づき、セルの左右両端に位置する図形の外側の辺を移動する（ＰＯＨ変換）。
【０１４２】
データ変換前のレイアウトにおいて、例えば図１５（ａ）に示すように、セルの左右両端に位置する図形の外側の辺（図中、太線で表す）がＰＯＨ軸からずれている場合を仮定する。このようなレイアウトは、ＲＢＣ基準ＰＯＨ−１及びＲＢＣ基準ＰＯＨ−２に違反している。そこで、以下の手順により、ＲＢＣ基準ＰＯＨ−１及びＲＢＣ基準ＰＯＨ−２を満たすように、データ変換処理を行う。
【０１４３】
まず、セルの左右両端に位置する図形ＰＯから、ＰＯＨ軸と平行な垂直方向の外側のエッジ（図中、太線で表す）を抽出する。ＰＯＨ軸は、セル枠からＰＯＨの距離に位置する軸である。ＰＯＨは、ＲＢＣ基準ＰＯＨ−２によって規定される。
【０１４４】
次いで、抽出したエッジがＰＯＨ軸とずれている場合、ＲＢＣ基準ＰＯＨ−１及びＲＢＣ基準ＰＯＨ−２に基づき、ずれているエッジをその差分だけ移動（ストレッチ）する（図１５（ａ）参照）。この際、ストレッチ対象となる部分の図形のエッジがトランジスタのゲートを形成する場合、ゲート幅を維持するように、対向するエッジとともに移動する。ゲート層の図形ＰＯに内包されるコンタクト層の図形ＣＯ、及びその上部に存在するメタル層の図形についても、同様に移動する。
【０１４５】
コンタクト層の図形ＣＯを内包するゲート層の図形ＰＯのエッジに関しては、移動に必要な領域を確保できない場合は、移動しなくてもよいものとする（図１５（ｂ）の領域（Ｅ）を参照）。この場合、後述する補正差対策を施す。
【０１４６】
このようにして、図１５（ａ）に示すデータ変換前のレイアウトを、ＲＢＣ基準ＰＯＨ−１及びＲＢＣ基準ＰＯＨ−２を満たすレイアウト（図１５（ｂ））にデータ変換することができる。
【０１４７】
このようにして、ゲート層のレイヤのデータ変換を行うことができる。
【０１４８】
メタル層（Ｍ１）のレイヤのデータ変換方法について、図１６乃至図２０を用いて説明する。
【０１４９】
上述の拡散層ＯＤ及びゲート層ＰＯの変換においてセル枠が変更になる可能性があるため、メタル層Ｍ１のレイヤのデータ変換では、まず、以下の手順により、電源ラインとセル枠との関係をチェックする（Ｍ１電源ライン変換）。
【０１５０】
まず、セル枠の上下エッジに、「Ｍ１電源幅」の幅を有する図形を発生する。これにより、電源として図形が不足している箇所が存在している場合（図１６（ａ）の領域（Ｆ）を参照）、その箇所が満たされる（図１６（ａ）及び図１６（ｂ）を参照）。
【０１５１】
次いで、セル枠及びＭ１電源領域の両方からはみ出している部分の図形（図１６（ｂ）の領域（Ｇ）を参照）を削除する（図１６（ｂ）及び図１６（ｃ）を参照）。
【０１５２】
このようにして、Ｍ１電源ライン変換を完了する。
【０１５３】
次いで、ＲＢＣ基準Ｍ１−１及びＲＢＣ基準Ｍ１−２に基づき、セルの左右両端に位置する図形の外側の辺を移動する（Ｍ１Ｈライン変換）。
【０１５４】
データ変換前のレイアウトにおいて、例えば図１７（ａ）に示すように、Ｍ１電源領域を除くセルの左右両端に位置する図形の外側の辺（図中、太線で表す）がＭ１Ｈ軸からずれている場合を仮定する。このようなレイアウトは、ＲＢＣ基準Ｍ１−１及びＲＢＣ基準Ｍ１−２に違反している。そこで、以下の手順により、ＲＢＣ基準Ｍ１−１及びＲＢＣ基準Ｍ１−２を満たすように、データ変換処理を行う。
【０１５５】
まず、Ｍ１Ｈ軸からセルの内側方向に幅Ｗの範囲に存在し、Ｍ１Ｈ軸に投影されるべき垂直方向の図形のエッジ（図中、太線で表す）を抽出する。Ｍ１Ｈ軸は、セル枠からＭ１Ｈの距離に位置する軸である。Ｍ１Ｈは、ＲＢＣ基準Ｍ１−２によって規定される。幅Ｗは、オリジナルデザインルールの「Ｍ１最小幅」や「Ｍ１最小幅＋最小間隔」等で定義することができる。セルの左右両端に属する図形を抽出するためのパラメータとして定義されるものである。
【０１５６】
次いで、抽出したエッジがＭ１Ｈ軸とずれている場合、ＲＢＣ基準Ｍ１−１及びＲＢＣ基準Ｍ１−２に基づき、ずれているエッジをその差分だけ移動（ストレッチ）する。同時に、図形の幅（配線幅）を維持するために、対向するエッジも移動する（図１７（ｂ））。
【０１５７】
この際、メタル層の図形Ｍ１に内包されているコンタクト層の図形ＣＯも移動する。コンタクト層の図形ＣＯを内包するメタル層の図形Ｍ１のエッジに関しては、移動に必要な領域を確保できない場合、移動しなくてもよいものとする（図１８の領域（Ｈ）を参照）。この場合、後述する補正差対策を施す。
【０１５８】
次いで、ＲＢＣ基準Ｍ１−３を満たすように、データ変換を行う。
【０１５９】
まず、Ｍ１Ｈ軸と９０度をなすエッジ（図中、太線で表す）を抽出する（図１９（ａ））。
【０１６０】
次いで、抽出したエッジ同士、或いは抽出したエッジとＭ１電源のエッジとの間隔を測定する。測定した間隔がＭ１Ｇの値とずれている場合、ＲＢＣ基準Ｍ１−３に基づき、対象となるエッジをその差分だけ移動（ストレッチ）する（図１９（ｂ））。この際、メタル層の図形Ｍ１に内包されているコンタクト層の図形ＣＯも必要に応じて（オリジナルデザインルールを満たすべく）共に移動する。
【０１６１】
セルの入出力端子は、上位配線からのアクセスが可能な配線グリッド上に存在する。しかしながら、ここまでに述べてきた変換を実施すると、Ｍ１端子が配線グリッドから外れてしまう場合がある。例えば、図２０（ａ）では、点線で囲った左側の図形には上位配線からのアクセスが可能であるが、点線で囲った右側の図形には上位配線からのアクセスが不可能である。
【０１６２】
そこで、外部とのＩ／Ｆを形成する端子に関して配線グリッドを有するか否かを確認し、少なくとも１つ以上の配線グリッドを有するように、レイアウト変更を実施する。図２０（ａ）のレイアウトの場合、例えば図２０（ｂ）に示すレイアウトに変更することができる。
【０１６３】
このようにして、メタル層のレイヤのデータ変換を行うことができる。
【０１６４】
次に、補正差対策について図２１乃至図２４を用いて説明する。
【０１６５】
補正差対策は、隣接して配置されるセルによってＲＢＣによる辺の移動量に差（補正差）が生じうる辺を枠（補正差容認枠）で囲み、後の処理の際の目印とする処理である。
【０１６６】
補正差が生じる箇所としては、ＲＢＣ用設計ルールに違反している箇所（違反箇所）、違反箇所により影響を受けている箇所（対向箇所）が挙げられる。補正量に差があっても回路特性上問題がない箇所（許容箇所）に補正差対策を施す。補正差が生じる辺には、セルの外側に晒されている辺（向かい合う辺がそのセル自身にない辺）、かつ、補正差が回路特性上問題ない辺が該当する。
【０１６７】
違反箇所としては、例えば図２１（ａ）に示すように、拡散層のレイヤにおいて、幅Ｗよりもセル内側の幅ｗが大きい箇所が挙げられる。このような箇所は、例えば図２１（ｂ）に示すように、ｙ２軸とｙ３軸との間に位置するため、セルの外側に晒されている辺（open edge）、すなわち、左右に隣接するセルに対向する２つの辺（図中、太線で表す）を有している。
【０１６８】
このような場合には、外側に晒されているこれらの辺を、それぞれ補正差容認枠で囲む。補正差容認枠は、ＲＢＣによる辺の移動を考慮して、対象となる辺から所定の間隔で配置する。すなわち、対象となる辺よりもセルの外側に位置する枠の辺は、対象となる辺からＲＢＴＢ：ｍａｘの距離に配置する。また、対象となる辺よりもセルの内側に位置する枠の辺は、対象となる辺から距離ＲＢＴＢ：｜ｍｉｍ｜をおいて配置する（図２１（ｃ）参照）。ここで、ＲＢＴＢ：ｍａｘはルールベーステーブル中における辺の移動量の最大値であり、ＲＢＴＢ：｜ｍｉｍ｜はルールベーステーブル中における辺の移動量の最小値である。｜ｍｉｍ｜は、最小値がマイナスの値である場合を考慮したものである。このように、補正差容認枠は、ＲＢＣによって辺を移動した後も対象となる辺が枠内に位置するように、配置される。
【０１６９】
また、違反箇所の他の例としては、例えば図２２（ａ）に示すように、ゲート層やメタル層のレイヤにおいて、コンタクト部（図中、一点鎖線部）がセルの外側を向いている箇所が挙げられる。このようなコンタクト部は、例えば図２２（ｂ）に示すように、セルの外側に晒されている辺、すなわち、隣接するセルに対して対向する辺（図中、太線で表す）を有している。
【０１７０】
このような場合には、外側に晒されているこれらの辺を、補正差容認枠（図中、太線で表す）で囲む。補正差容認枠は、ＲＢＣによる辺の移動を考慮して、対象となる辺から所定の間隔で配置する。すなわち、補正差容認枠の辺が、コンタクト部の各辺からＲＢＴＢ：ｍａｘの距離に位置するように、補正差容認枠を配置する（図２２（ｃ）参照）。補正差容認枠は、ＲＢＣによって辺を移動した後も対象となる辺が枠内に位置するように、配置される。
【０１７１】
対向箇所としては、例えば図２２（ａ）と同様の違反箇所を有するセルの右隣に隣接するセルの、違反箇所に対向する箇所が挙げられる。このような箇所は、例えば図２３（ａ）に示すように、違反箇所のコンタクト部に対向する図形の辺を有している。
【０１７２】
このような場合には、隣接セルの違反箇所に対向する辺を、補正差容認枠で囲む（図２３（ｂ）参照）。補正差容認枠は、ＲＢＣによる辺の移動を考慮して、対象となる辺から所定の間隔で配置する。すなわち、対象となる辺よりもセルの外側に位置する枠の辺は、対象となる辺からＲＢＴＢ：ｍａｘの距離に配置する。また、対象となる辺よりもセルの内側に位置する枠の辺は、対象となる辺から距離ＲＢＴＢ：｜ｍｉｍ｜をおいて配置する（図２３（ｃ）参照）。補正差容認枠は、ＲＢＣによって辺を移動した後も対象となる辺が枠内に位置するように、配置される。
【０１７３】
容認箇所としては、例えば図２４（ａ）に示すように、ゲート層のレイヤにおいて、活性領域の外側に位置する配線部分が挙げられる。ゲート層の活性領域の外側に位置する配線部分は、トランジスタの特性に影響を与える部分ではなく、多少の寸法変化が生じても回路特性上における問題は生じない。
【０１７４】
このような箇所については、許容箇所として、補正差容認枠で囲む。例えば、図２４（ｂ）に示すように、拡散層の図形ＯＤからの突き出し部分を一括して囲む補正差容認枠と、外側に晒されている辺をそれぞれ囲む補正差容認枠とを設ける。突き出し部分に設ける補正差容認枠は、セルの外側に位置する枠の辺を、対象となる辺からＲＢＴＢ：ｍａｘの距離に配置する。セルの内側に位置する枠の辺は、拡散層レイヤのガードラインからＯＤＲ突き出し量ｍｉｍの距離に配置する。補正差容認枠は、ＲＢＣによって辺を移動した後も対象となる辺が枠内に位置するように、配置される。
【０１７５】
このようにして配置された補正差容認枠は、後述するウェーハ露光用図形データの作成の際に使用される。
【０１７６】
図８乃至図２４に示すパターンデータの生成方法を用いたデータ変換前後のレイアウトの一例を、図２５乃至図２９に示す。
【０１７７】
図２５は拡散層ＯＤのセルレイアウトであり、図２６はゲート層ＰＯのセルレイアウトであり、図２７はメタル層Ｍ１のセルレイアウトであり、図２８はコンタクト層ＣＯのセルレイアウトである。図２９は、図２５〜図２８の４つのレイヤを重畳したセルレイアウトである。
【０１７８】
各図において、（ａ）がデータ変換前のレイアウトを示しており、（ｂ）がデータ変換後のセルレイアウトを示している。データ変換前のセルレイアウトは、本来のセル設計ルール（ＯＤＲ）のみで設計されたセルレイアウトである。
【０１７９】
なお、上述の例では、回路情報と設計基準（本来のセル設計ルール）とに基づき自動レイアウトしたセルレイアウトデータに対して、ＲＢＣ基準に基づいてＲＢＣ変換処理を施すことにより、ＲＢＣ考慮型セルレイアウトデータを生成する方法を示している（図３０参照）。
【０１８０】
しかしながら、ＲＢＣ考慮型セルレイアウトデータは、例えば図３１に示すように、回路情報と、設計基準と、ＲＢＣ基準とに基づいて自動レイアウトすることにより生成することもできる。
【０１８１】
回路情報や設計基準といったセル設計情報を入力することにより自動レイアウトを行うツールは、既に存在している。このツールに変更を加えることにより、ＲＢＣ基準を更に考慮して自動レイアウトすることも可能である。具体的には、自動レイアウトツールの入力となる制約条件（設計基準）に、ＲＢＣ基準を追加すればよい。
【０１８２】
次に、図８及び図９に示すパターンデータ生成プログラムを実施するためのパターンデータ生成装置について図３２を用いて説明する。
【０１８３】
図３２は、本実施形態による設計支援装置のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。
【０１８４】
本実施形態による設計支援装置は、図３２に示すように、ＣＰＵ１０１、ＲＯＭ１０２、ＲＡＭ１０３、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）１０４、ＨＤ（ハードディスク）１０５、ＦＤＤ（フレキシブルディスクドライブ）１０６、着脱可能な記録媒体の一例としてのＦＤ（フレキシブルディスク）１０７、ディスプレイ１０８、Ｉ／Ｆ（インターフェース）１０９、キーボード１１０、マウス１１１、スキャナ１１２、プリンタ１１３を有している。各構成部は、バス１００によってそれぞれ接続されている。
【０１８５】
ＣＰＵ１０１は、本設計支援装置の全体の制御を司る。ＲＯＭ１０２は、ブートプログラムなどのプログラムを記憶している。ＲＡＭ１０３は、ＣＰＵ１０１のワークエリアとして使用される。
【０１８６】
ＨＤＤ１０４は、ＣＰＵ１０１の制御にしたがってＨＤ１０５に対するデータのリード／ライトを制御する。ＨＤ１０５は、ＨＤＤ１０４の制御で書き込まれたデータを記憶する。図８及び図９に示すＲＢＣ考慮型レイアウト自動変換フローを実施するためのプログラムは、例えばＨＤ１０５に記憶されている。
【０１８７】
ＦＤＤ１０６は、ＣＰＵ１０１の制御にしたがってＦＤ１０７に対するデータのリード／ライトを制御する。ＦＤ１０７は、ＦＤＤ１０７の制御で書き込まれたデータを記憶したり、ＦＤ１０７に記憶されたデータを設計支援装置に読み取らせたりする。着脱可能な記録媒体としては、ＦＤ１０７のほか、ＣＤ−ＲＯＭ（ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ）、ＭＯ、ＤＶＤ（Digital Versatile Disk）、メモリカード等の他の記録媒体を用いてもよい。
【０１８８】
ディスプレイ１０８は、カーソル、アイコン、或いはツールボックスをはじめ、文書、画像、機能情報などのデータを表示する。ディスプレイ１０８としては、例えば、ＣＲＴ、ＴＦＴ液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイなどを採用することができる。
【０１８９】
Ｉ／Ｆ１０９は、通信回線を通じてインターネットなどのネットワーク１１４に接続され、ネットワーク１１４を介して他の装置に接続される。そして、ＩＦ１０９は、ネットワーク１１４と内部のインターフェースを司り、外部装置からのデータの入出力を制御する。Ｉ／Ｆ１０９には、例えばモデムやＬＡＮアダプタなどを採用することができる。
【０１９０】
キーボード１１０は、文字、数字、各種指示などの入力のためのキーを備え、データの入力を行うためのものである。タッチパネル式の入力パッドやテンキーであってもよい。
【０１９１】
マウス１１１は、カーソルの移動や範囲選択、或いはウィンドウの移動やサイズの変更などを行うためのものである。ポインティングデバイスとして同様の機能を備えるものであれば、トラックボールやジョイスティックなどを採用してもよい。
【０１９２】
スキャナ１１２は、画像を光学的に取り込み、設計支援装置内に画像データを取り込むためのものである。なお、スキャナ１１２は、ＯＣＲ機能を持たせてもよい。
【０１９３】
プリンタ１１３は、画像データや文書データを印刷するためのものである。プリンタ１１３には、例えば、レーザプリンタやインクジェットプリンタを採用することができる。
【０１９４】
ＲＢＣ考慮型レイアウトデータの生成にあたっては、ＨＤ１０５に記録されたプログラムを、ＨＤＤ１０４を介してＲＡＭ１０３に読み出し、ＣＰＵ１０１の制御により実行される。プログラムの実行状況はディスプレイ１０８で確認することができる。必要な情報は、キーボード１１０、マウス１１１、スキャナ１１２等を用いて入力することができる。
【０１９５】
制御ファイルＯＤＲ，ＲＢＣ、回路情報は、予め入力され、例えばＨＤ１０５に記憶されており、ＨＤＤ１０４を介して読み出すことができる。制御ファイルＯＤＲ，ＲＢＣ、回路情報を、例えばＦＤ１０７に記憶しておき、ＦＤＤ１０６を介して読み出すようにしてもよい。
【０１９６】
プログラムの実行結果は、ディスプレイ１０８に表示し、また、プリンタ１１３によって印刷することができる。また、プログラムの実行により生成されたＲＢＣ考慮型セルレイアウトデータ、ログファイル、サマリーファイル等は、例えば、ＨＤＤ１０４を介してＨＤ１０５に又はＦＤＤ１０６を介してＦＤＤ１０７に出力し、記憶することができる。
【０１９７】
次に、ＣＰマスク搭載用のキャラクタ図形データの作成方法について、図３３及び図３４を用いて説明する。
【０１９８】
図３３は、ＣＰマスクに搭載するキャラクタ図形の生成方法を示すフローチャートである。図３４は、ＣＰマスクに搭載するキャラクタ図形の生成方法を示す平面図である。
【０１９９】
まず、ＲＢＣ用設計ルールに従って設計され補正差容認枠が定義されたセル図形データ（図中、セルデータ（Cell data））を入力する。ここでは、セル図形データＣｅｌｌ−Ａ，Ｃｅｌｌ−Ｂ，Ｃｅｌｌ−Ｃ，Ｃｅｌｌ−Ｄ，…を入力するものとする。
【０２００】
次いで、入力したセル図形データについて、セル１つずつにルールで決められた環境を表すガードパターンを、セルの上下左右にそれぞれ配置する（ステップＳ３０１）。
【０２０１】
例えば、図３４に示すように、セル枠とガードラインとの間隔が、セル上端部でＹ−ｔｏｐ、セル下端部でＹ−ｂｏｔｔｏｍ、セル右端部でＸ−ｒｉｇｈｔ、セル左端部でＸ−ｌｅｆｔであるとする。この場合、セルの右側には、セル枠からＸ−ｌｅｆｔの距離にガードパターン３０ｅを配置する。セルの左側には、セル枠からＸ−ｒｉｇｈｔの距離にガードパターン３０ｗを配置する。セルの上側には、セル枠からＹ−ｔｏｐの距離にガードパターン３０ｎを配置する。セルの下側には、セル枠からＹ−ｂｏｔｔｏｍの距離にガードパターン３０ｓを配置する。
【０２０２】
次いで、ガードパターン付きのセル図形データに対して層合成を行い、各セルのレイアウトデータを形成する（ステップＳ３０２）。
【０２０３】
次いで、層合成したセルレイアウトデータに対して、ルールベース補正を行う（ステップＳ３０３）。セルの外側に晒されている図形の辺については、ガードパターンとの関係に基づいて補正を行う。
【０２０４】
次いで、ルールベース補正を行ったセルレイアウトデータに対して一括バイアスを行う（ステップＳ３０４）。一括バイアスは、半導体プロセスの加工の際の変換差等を考慮して、パターンサイズを一括して変更する処理である。
【０２０５】
次いで、一括バイアス後のセルレイアウトデータとセル枠とで論理積を取り、セル枠内のセルレイアウトデータのみを抽出する（ステップＳ３０５）。抽出したセルレイアウトデータが、ＣＰマスク搭載用のキャラクタ図形データとなる。
【０２０６】
次いで、ステップＳ３０１〜Ｓ３０５の処理を、露光層毎に繰り返し行う。このようにして、セル図形データＣｅｌｌ−Ａ，Ｃｅｌｌ−Ｂ，Ｃｅｌｌ−Ｃ，Ｃｅｌｌ−Ｄ，…に対応する露光層毎のキャラクタ図形データＣＰ−Ａ，ＣＰ−Ｂ，ＣＰ−Ｃ，ＣＰ−Ｄ，…を生成する。
【０２０７】
このようにして、使用頻度の高いセルについて、ＣＰマスク搭載用のキャラクタ図形データ（図中、キャラクタデータ（Character data））を生成し、出力する。
【０２０８】
次に、ウェーハ露光用図形データの生成方法について図３５及び図３６を用いて説明する。
【０２０９】
図３５は、ウェーハ露光用の図形データの生成方法を示すフローチャートである。図３６は、チップ図形データとキャラクタ図形データとの関連づけを行う方法を示す図である。
【０２１０】
まず、ＲＢＣ用設計ルールに従って設計され補正差容認枠が定義されたセル図形データを使用したチップ図形データ（図中、チップデータ（Chip data））を入力する。チップ図形データとは、複数のセル図形データがチップとして所望の機能を実現するように配列された図形データである。チップ図形データは、例えば図３６（ｂ）に示すように、セル図形データＣｅｌｌ−Ａ，Ｃｅｌｌ−Ｂ，Ｃｅｌｌ−Ｃ，Ｃｅｌｌ−Ｄ，…が２次元的に配列されたものである。
【０２１１】
次いで、入力したチップ図形データに対して、ＣＰマスク搭載用のキャラクタ図形データの作成の場合と同様にして、層合成、ルールベース補正、一括バイアスを行い、形状を変形する（ステップＳ４０１）。形状変形を行ったチップ図形データは、形状変形したチップ図形データとして、出力される。
【０２１２】
次いで、形状変形したチップ図形データの各セルのセル図形データと、図３３のフローにより生成したＣＰマスク搭載用のキャラクタ図形データ（図３５中、キャラクタデータ（Character data））とが一致するかどうかを判定する（ステップＳ４０２）。
【０２１３】
セル図形データとキャラクタ図形データとが一致しない場合、不一致部分が補正差容認枠内に存在しているかどうかを判定する（ステップＳ４０３）。
【０２１４】
その結果、セル図形データとキャラクタ図形データとが一致する場合、或いは、一致しないが不一致部分が補正差容認枠内のみの場合には、チップ図形データのセル図形データを削除し、キャラクタ図形データの対応セルに関連づける（ステップＳ４０４）。
【０２１５】
例えば、セル図形データＣｅｌｌ−Ａ，Ｃｅｌｌ−Ｂが、図３６（ａ）に示すキャラクタ図形データＣＰ−Ａ，ＣＰ−Ｂに、それぞれ一致するものであると判定されたものとする。この場合には、セル図形データＣｅｌｌ−Ａをキャラクタ図形データＣＰ−Ａに、セル図形データＣｅｌｌ−Ｂをキャラクタ図形データＣＰ−Ｂに、それぞれ関連づける（図３６（ｃ））。
【０２１６】
次いで、ステップＳ４０２〜Ｓ４０４の処理を、チップ図形データに含まれる各セルについて繰り返し行う。
【０２１７】
次いで、ステップＳ４０１〜Ｓ４０４の処理を、露光層毎に繰り返し行う。
【０２１８】
こうして、チップ図形データ内の総てのセルに対して、比較と関連づけを行ったデータ（図中、プレＥＢ露光図形データ（PreEB露光図形data））を生成し、出力する。
【０２１９】
次に、ＣＰマスク作成用露光データの生成方法について図３７及び図３８を用いて説明する。
【０２２０】
図３７は、ＣＰマスク作成用露光データの生成方法を示すフローチャートである。図３８は、ＣＰマスクデータの構成例を示す図である。
【０２２１】
まず、図３３のフローチャートにより生成したキャラクタ図形データ（図中、Character Data）を入力する。なお、ＣＰマスク作成用露光データの生成は、セルライブラリに対応して行われるものである。
【０２２２】
次いで、各キャラクタ図形について、ＣＰマスク上に配置する位置を決定する（ステップＳ５０１）。
【０２２３】
次いで、各キャラクタ図形を矩形分割し（ステップＳ５０２）、ＣＰマスクデータ（図中、CP maskデータ）として出力する。ＣＰマスクデータは、例えば図３８に示すように、各キャラクタ図形（ＣＰ１，ＣＰ２，…）について、使用語数、名称、配置座標、パターン情報等を含むものである。
【０２２４】
次いで、ＣＰマスクデータにマスク倍率をかけ、ウェーハ転写時の回転や縮率誤差を補正するための形状変形を行う（ステップＳ５０３）。
【０２２５】
次いで、形状変形を行ったＣＰマスクデータについて、各パターンを描画単位に登録するなど、マスク製造装置が読み込める形式に変換し（ステップＳ５０４）、ＣＰマスク作製用露光データとして出力する。
【０２２６】
このようにして生成したＣＰマスク作製用露光データを用いることにより、所望のＣＰマスクを作製することができる。
【０２２７】
次に、ウェーハ露光用データの生成方法について図３９を用いて説明する。
【０２２８】
図３９は、ウェーハ露光用データの生成方法を示すフローチャートである。
【０２２９】
まず、図３５のフローチャートにより生成したプレＥＢ露光図形データ（図中、PreEB露光図形data）を入力する。なお、ウェーハ露光用データの生成は、チップ設計データに対して行われるものである。
【０２３０】
次いで、プレＥＢ露光図形データから、ＣＰショットパターンを生成する（ステップＳ６０１）。ＣＰショットパターンの生成では、キャラクタ図形データと関連づけられたセル図形データ（ＣＰ−※（例えば、ＣＰ−Ａ，ＣＰ−Ｂ））内のパターンを削除し、これら図形データに相当するＣＰマスクデータ上のアドレスを格納する。ＣＰマスクデータの対応アドレスに格納された図形データが、ＣＰショットのパターンとなる。
【０２３１】
次いで、プレＥＢ露光図形データから、ＶＳＢショットパターンを生成する（ステップＳ６０２）。ＶＳＢショットパターンの生成では、プレＥＢ露光図形データにおいて、キャラクタ図形データと関連づけられていないセル図形データ（Ｃｅｌｌ−Ｃ，Ｃｅｌｌ−Ｄ，Ｃｅｌｌ−Ｅ等）のパターンを矩形分割する。矩形分割した各パターンが、ＶＳＢショットのパターンとなる。
【０２３２】
こうして、ウェーハ露光に用いるショットデータを生成する。
【０２３３】
次いで、このように生成したショットデータに、ＣＰマスクデータをマージする（ステップＳ６０３）。
【０２３４】
次いで、ＣＰマスクデータをマージしたショットデータに対し、近接効果補正を行う（ステップＳ６０４）。本ステップでは、ＥＢ露光のショットパターンに対し、近接効果等の解像劣化要因を回避するように露光量を算出し、ショットパターンに与える処理を行う。
【０２３５】
次いで、近接効果補正を行ったショットデータについて、各パターンを露光装置固有の単位領域にショットパターンを並べ替えるなど、露光装置が読み込める形式に変換し（ステップＳ６０５）、ウェーハ露光用ＥＢ露光データとして出力する。
【０２３６】
このように生成したウェーハ露光用ＥＢ露光データに基づき、上述の手順により製造したＣＰマスクを用いてウェーハの露光処理を行うことにより、ＣＰマスク上に搭載したキャラクタを有効活用し、少ないショット数でパターン露光を行うことができる。
【０２３７】
このように、本実施形態によれば、セル枠からセル内図形の最外辺までの距離を統一するための設計ルールを規定し、この設計ルールに基づいてパターンデータを生成するので、周囲にどのようなセルを配置した場合にも、形状変更補正量を一定にすることができる。これにより、セルライブラリから同じセルを複数回使用する際に、ＣＰマスク上に搭載された共通のキャラクタを用いて効率的に露光を行うことができる。また、チップ毎にＣＰマスクを用意することなく、ＣＰ露光によるショット数の削減効果を保つことができる。また、予測不可能な形状変化に対する露光異常を防止し、チップ製造の品質を保証することができる。また、光露光用近接効果補正では、近接効果の取り込み計算が簡略化できるため、計算時間の大幅な短縮を図ることができる。
【０２３８】
［変形実施形態］
上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
【０２３９】
例えば、上記実施形態では、電子ビームを用いたＣＰ露光の場合について説明したが、電子ビームのほか、イオンビーム等の他の荷電粒子ビームを用いた場合にも、同様に適用することができる。
【０２４０】
また、上記実施形態に記載のパターン生成プログラムのうち、少なくとも一部の工程を、コンピュータに実行させるプログラムとして作成することができる。このプログラムは、コンピュータに読み取り可能な記録媒体に記録して提供することができ、インターネット等のネットワークを介してサーバからダウンロードすることにより提供することもできる。
【０２４１】
また、上記実施形態に記載の手順は、一例を示したにすぎず、当業者の技術常識等に応じて適宜修正や変更が可能である。
【０２４２】
以上の実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【０２４３】
（付記１）  コンピュータに、
セル内に配置される図形の寸法に関する設計基準を含む第１の設計ルールを満たす第１のパターンデータを読み込む手順、
前記セルのセル枠の辺と、前記セル枠の辺に隣接して配置された前記図形の辺との間隔を同じにするための設計基準を含む第２の設計ルールを読み込む手順、
前記第１のパターンデータが前記第２の設計ルールを満たしているかどうかを判定する手順、及び
前記第１のパターンデータが前記第２の設計ルールを満たしていない場合に、前記第２の設計ルールに基づいて第１のパターンデータを変換し、前記第２の設計ルールを満たす第２のパターンデータを生成する手順
を実行させるためのパターンデータ生成プログラム。
【０２４４】
（付記２）  付記１記載のパターンデータ生成プログラムにおいて、
前記第２のパターンデータが前記第１の設計ルールを満たしているかどうかを判定する手順、及び
前記第２のパターンデータが前記第１の設計ルールを満たしていない場合に、前記第１の設計ルールに基づいて第２のパターンデータを変換し、前記第１の設計ルール及び前記第２の設計ルールを満たす第３のパターンデータを生成する手順
を更に実行させるためのパターンデータ生成プログラム。
【０２４５】
（付記３）  コンピュータに、
回路情報を読み込む手順、
セル内に配置される図形の寸法に関する設計基準を含む第１の設計ルールを読み込む手順、
前記セルのセル枠の辺と、前記セル枠の辺に隣接して配置された前記図形の辺との間隔を同じにするための設計基準を含む第２の設計ルールを読み込む手順、及び
前記回路情報、前記第１の設計ルール及び前記第２の設計ルールに基づいて、前記第１の設計ルール及び前記第２の設計ルールを満たす第２のパターンデータを生成する手順
を実行させるためのパターンデータ生成プログラム。
【０２４６】
（付記４）  付記１乃至３のいずれか１項に記載のパターンデータ生成プログラムにおいて、
同一の半導体装置の製造に用いられる複数のセルについて前記第２のパターンデータをそれぞれ生成する手順
を更に実行させるためのパターンデータ生成プログラム。
【０２４７】
（付記５）  付記１乃至４のいずれか１項に記載のパターンデータ生成プログラムにおいて、
前記第２のパターンデータに対して、前記図形間の距離に応じた移動量によって前記図形の辺を移動する形状変更補正を施すことにより、ＣＰマスクに搭載するキャラクタ図形の第４のパターンデータを生成する手順
を更に実行させるためのパターンデータ生成プログラム。
【０２４８】
（付記６）  セル内に配置される図形の寸法に関する設計基準を含む第１の設計ルールを満たす第１のパターンデータを読み込む手段と、
前記セルのセル枠の辺と、前記セル枠の辺に隣接して配置された前記図形の辺との間隔を同じにするための設計基準を含む第２の設計ルールを読み込む手段と、
前記第１のパターンデータが前記第２の設計ルールを満たしているかどうかを判定する手段と、
前記第１のパターンデータが前記第２の設計ルールを満たしていない場合に、前記第２の設計ルールに基づいて第１のパターンデータを変換し、前記第２の設計ルールを満たす第２のパターンデータを生成する手段と
を有することを特徴とするパターンデータ生成装置。
【０２４９】
（付記７）  付記１記載のパターンデータ生成装置において、
前記第２のパターンデータが前記第１の設計ルールを満たしているかどうかを判定する手段と、
前記第２のパターンデータが前記第１の設計ルールを満たしていない場合に、前記第１の設計ルールに基づいて第２のパターンデータを変換し、前記第１の設計ルール及び前記第２の設計ルールを満たす第３のパターンデータを生成する手段とを更に有する
ことを特徴とするパターンデータ生成装置。
【０２５０】
（付記８）  回路情報を読み込む手段と、
セル内に配置される図形の寸法に関する設計基準を含む第１の設計ルールを読み込む手段と、
前記セルのセル枠の辺と、前記セル枠の辺に隣接して配置された前記図形の辺との間隔を同じにするための設計基準を含む第２の設計ルールを読み込む手段と、
前記回路情報、前記第１の設計ルール及び前記第２の設計ルールに基づいて、前記第１の設計ルール及び前記第２の設計ルールを満たす第２のパターンデータを生成する手段と
を有することを特徴とするパターンデータ生成装置。
【０２５１】
（付記９）  付記６乃至８のいずれか１項に記載のパターンデータ生成装置において、
前記第２のパターンデータを生成する手段は、同一の半導体装置の製造に用いられる複数のセルについて、同一の前記第１の設計ルール及び前記第２の設計ルールに基づいて、前記第２のパターンデータをそれぞれ生成する
ことを特徴とするパターンデータ生成装置。
【０２５２】
（付記１０）  付記６乃至９のいずれか１項に記載のパターンデータ生成装置において、
前記第２のパターンデータに対して、前記図形間の距離に応じた移動量によって前記図形の辺を移動する形状変更補正を施すことにより、ＣＰマスクに搭載するキャラクタ図形の第４のパターンデータを生成する手段を更に有する
ことを特徴とするパターンデータ生成装置。
【０２５３】
（付記１１）  付記６乃至１０のいずれか１項に記載のパターンデータ生成装置において、
前記第２の設計ルールは、前記セルに隣接して他のセルを配置し、前記図形間の距離に応じた移動量によって前記図形の辺を移動する形状変更補正を行った際に、前記他のセルの種類によらずに前記移動量を一定にするための前記図形の配置ルールを規定する
ことを特徴とするパターンデータ生成装置。
【０２５４】
（付記１２）  コンピュータに、
セル内に配置される図形の寸法に関する設計基準を含む第１の設計ルールを満たす第１のパターンデータを読み込む手順、
前記セルのセル枠の辺と、前記セル枠の辺に隣接して配置された前記図形の辺との間隔を同じにするための設計基準を含む第２の設計ルールを読み込む手順、
前記第１のパターンデータが前記第２の設計ルールを満たしているかどうかを判定する手順、及び
前記第１のパターンデータが前記第２の設計ルールを満たしていない場合に、前記第２の設計ルールに基づいて第１のパターンデータを変換し、前記第２の設計ルールを満たす第２のパターンデータを生成する手順
を実行させるためのパターンデータ生成プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【０２５５】
（付記１３）  コンピュータに、
回路情報を読み込む手順、
セル内に配置される図形の寸法に関する設計基準を含む第１の設計ルールを読み込む手順、
前記セルのセル枠の辺と、前記セル枠の辺に隣接して配置された前記図形の辺との間隔を同じにするための設計基準を含む第２の設計ルールを読み込む手順、及び
前記回路情報、前記第１の設計ルール及び前記第２の設計ルールに基づいて、前記第１の設計ルール及び前記第２の設計ルールを満たす第２のパターンデータを生成する手順
を実行させるためのパターンデータ生成プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
【符号の説明】
【０２５６】
１０…電子銃
１２…第１スリット
１４…デフレクタ
１６…ＣＰマスク
１８…透過孔
２０…ウェーハ
２２，２２ａ，２４，２４ａ…領域
３０…ガードパターン
【図１】
2012027058.tif 000005
【図２】
2012027058.tif 000006
【図３】
2012027058.tif 000007
【図４】
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【図５】
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【図６】
2012027058.tif 000010
【図７】
2012027058.tif 000011
【図８】
2012027058.tif 000012
【図９】
2012027058.tif 000013
【図１０】
2012027058.tif 000014
【図１１】
2012027058.tif 000015
【図１２】
2012027058.tif 000016
【図１３】
2012027058.tif 000017
【図１４】
2012027058.tif 000018
【図１５】
2012027058.tif 000019
【図１６】
2012027058.tif 000020
【図１７】
2012027058.tif 000021
【図１８】
2012027058.tif 000022
【図１９】
2012027058.tif 000023
【図２０】
2012027058.tif 000024
【図２１】
2012027058.tif 000025
【図２２】
2012027058.tif 000026
【図２３】
2012027058.tif 000027
【図２４】
2012027058.tif 000028
【図２５】
2012027058.tif 000029
【図２６】
2012027058.tif 000030
【図２７】
2012027058.tif 000031
【図２８】
2012027058.tif 000032
【図２９】
2012027058.tif 000033
【図３０】
2012027058.tif 000034
【図３１】
2012027058.tif 000035
【図３２】
2012027058.tif 000036
【図３３】
2012027058.tif 000037
【図３４】
2012027058.tif 000038
【図３５】
2012027058.tif 000039
【図３６】
2012027058.tif 000040
【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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