(57)【要約】【課題】樹脂の劣化を抑制し、耐光性を向上させる。【解決手段】光学素子の一例として、波長４００〜４１０ｎｍの光源を用いた光ピックアップ装置用の対物レンズが開示されている。当該対物レンズは、シクロオレフィン樹脂製の樹脂成形部５０を備え、樹脂成形部５０上には、ＳｉＯ２：Ａｌ２Ｏ３＝９０〜９９：１〜１０の混合比を有しかつ密度が２．０ｇ／ｃｍ３以上の高密度材料による第１の膜６２が形成されている。【選択図】図１
2012027412.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長４００〜４１０ｎｍの光源を用いた光ピックアップ装置用の光学素子において、
シクロオレフィン樹脂製の基材を備え、
前記基材上には、ＳｉＯ２：Ａｌ２Ｏ３＝９０〜９９：１〜１０の混合比を有しかつ密度が２．０ｇ／ｃｍ３以上の高密度材料による第１の膜が形成されていることを特徴とする光学素子。
【請求項２】
請求項１に記載の光学素子において、
前記第１の膜の波長４００〜４１０ｎｍにおける屈折率が１．４７〜１．５２であり、前記第１の膜の膜厚が１５〜３００ｎｍであることを特徴とする光学素子。
【請求項３】
請求項１または２に記載の光学素子において、
前記第１の膜上には、波長４００〜４１０ｎｍにおける屈折率が１．６１以上で膜厚が１５〜１０００ｎｍの第２の膜が形成されていることを特徴とする光学素子。
【請求項４】
請求項３に記載の光学素子において、
前記基材上には、前記第１の膜と前記第２の膜とが交互に積層されていることを特徴とする光学素子。
【請求項５】
波長４００〜４１０ｎｍの光源を用いた光ピックアップ装置用の光学素子を製造する光学素子の製造方法において、
シクロオレフィン樹脂を成形して基材を製造する工程と、
ＳｉＯ２：Ａｌ２Ｏ３＝９０〜９９：１〜１０の混合比を有しかつ密度が２．０ｇ／ｃｍ３以上の高密度材料を蒸着し、第１の膜を前記基材上に形成する工程と、
を備えることを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の光学素子の製造方法において、
前記第１の膜の波長４００〜４１０ｎｍにおける屈折率が１．４７〜１．５２であり、前記第１の膜の膜厚が１５〜３００ｎｍであることを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項７】
請求項５または６に記載の光学素子の製造方法において、
波長４００〜４１０ｎｍにおける屈折率が１．６１以上で膜厚が１５〜１０００ｎｍの第２の膜を前記第１の膜上に形成する工程を備えることを特徴とする光学素子の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の光学素子の製造方法において、
前記第１の膜を形成する工程を再度実行するか、または前記第１の膜を形成する工程と前記第２の膜を形成する工程とを繰り返し実行し、前記第１の膜と前記第２の膜とを交互に積層する工程を備えることを特徴とする光学素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光学素子およびその製造方法に関し、特に耐光性に優れる光学素子およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
青色光のピックアップ用途に使用される対物レンズなどの樹脂性の光学素子においては、青色レーザ（波長４０５ｎｍ）を照射すると、樹脂が白濁・変形（劣化）しやすくその場合には球面収差が変動し、ディスクへの書出しや読込みが不可能になってしまう。これに対しては、構成材料として耐光性の高いシクロオレフィンが使用され対処されているが、樹脂の劣化は、そのほかに、大気中や樹脂内の酸素が原因となり引き起こされるとも考えられている。
特許文献１の技術は、複数層の膜からなる反射防止膜が開示されており、具体的には１層目と２層目とをＳｉＯで構成しその膜厚を４００ｎｍ以上と比較的厚膜化して耐光性を確保し、さらにその上層部において高屈折率材料によるＴｉＯ２膜をイオンプレーティング法で形成して緻密化し、酸素バリア性を付加して耐光性向上を図っている（たとえば段落００４８〜００５３など参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２６６７８０号公報
【特許文献２】特開２００４−１５７４９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
確かにこの方法では、耐光性を向上させることはできると考えられる。
しかしながら、同じ材料による１，２層目のＳｉＯ膜の膜厚を４００ｎｍと厚くすると、クラックが発生しやすく、それが発生した場合には大気中の酸素が樹脂に侵入し当該樹脂の劣化を促すし、成膜にも時間がかかる。
さらに、高屈折率材料によるＴｉＯ２膜をイオンプレーティング法で緻密にすることはできても、十分な酸素バリア性まで確保することは難しく、樹脂が青色レーザで白濁・変形し劣化することはありうるし、イオンプレーティング法を使用すること自体が設備コストの増大につながる。
したがって、本発明の主な目的は、青色レーザを使用した場合でも樹脂の劣化を抑制し、耐光性を向上させることができる光学素子およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するため本発明の一態様によれば、
波長４００〜４１０ｎｍの光源を用いた光ピックアップ装置用の光学素子において、
シクロオレフィン樹脂製の基材を備え、
前記基材上には、ＳｉＯ２：Ａｌ２Ｏ３＝９０〜９９：１〜１０の混合比を有しかつ密度が２．０ｇ／ｃｍ３以上の高密度材料による第１の膜が形成されていることを特徴とする光学素子が提供される。
【０００６】
本発明の他の態様によれば、
波長４００〜４１０ｎｍの光源を用いた光ピックアップ装置用の光学素子を製造する光学素子の製造方法において、
シクロオレフィン樹脂を成形して基材を製造する工程と、
ＳｉＯ２：Ａｌ２Ｏ３＝９０〜９９：１〜１０の混合比を有しかつ密度が２．０ｇ／ｃｍ３以上の高密度材料を蒸着し、第１の膜を前記基材上に形成する工程と、
を備えることを特徴とする光学素子の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、樹脂基材上に高密度材料による第１の膜が形成されているから、青色レーザを使用した場合でも樹脂の劣化を抑制し、耐光性を向上させことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の好ましい実施形態で使用される光ピックアップ装置の概略構成を示す図面である。
【図２】本発明の好ましい実施形態で使用される反射防止膜の一例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照しながら本発明の好ましい実施形態について説明する。
【００１０】
図１に示す通り、光ピックアップ装置３０には、半導体レーザ発振器３２が具備されている。半導体レーザ発振器３２は、ＢＤ（Blu-ray Disc）用として波長４００〜４１０ｎｍの特定波長（例えば４０５ｎｍ）のブルーレーザ光（青色レーザ）を出射するようになっている。光ピックアップ装置３０は光学装置の一例であり、半導体レーザ発振器３２は光源の一例である。
【００１１】
半導体レーザ発振器３２から出射されるブルーレーザ光の光軸上には、半導体レーザ発振器３２から離間する方向に向かって、コリメータ３３、ビームスプリッタ３４、１／４波長板３５、絞り３６、対物レンズ３７が順次配設されている。
【００１２】
ビームスプリッタ３４と近接した位置であって、上述したブルーレーザ光の光軸と直交する方向には、２組のレンズからなるセンサーレンズ群３８、センサー３９が順次配設されている。
【００１３】
対物レンズ３７は、高密度な光ディスクＤ（ＢＤ用光ディスク）に対向した位置に配置されており、半導体レーザ発振器３２から出射されたブルーレーザ光を光ディスクＤの一面上に集光するようになっている。対物レンズ３７は光学素子の一例であり、像側開口数ＮＡが０．７以上となっている。対物レンズ３７の周縁部にはフランジ部が形成されており、当該フランジ部が２次元アクチュエータ４０に装着されている。２次元アクチュエータ４０の動作により、対物レンズ３７は光軸上を移動自在となっている。
【００１４】
図１中拡大図に示す通り、対物レンズ３７は主には樹脂成形部５０で構成されており、樹脂成形部５０の表面５２には反射防止膜６０が形成されている。樹脂成形部５０は基材の一例である。
本実施形態では、対物レンズ３７は樹脂成形部５０と反射防止膜６０とで構成され、反射防止膜６０が対物レンズ３７の表面３７ａに形成されている。反射防止膜６０は対物レンズ３７の表面３７ａに加えて、その反対面（表面３７ｂ）に形成されてもよい。
【００１５】
樹脂成形部５０は主には、ブルーレーザ光への耐光性の観点から、脂環式構造を有する重合体からなる樹脂、好ましくはシクロオレフィン樹脂で構成されている。
脂環式構造を有する重合体からなる樹脂としては、例えば、下記の樹脂１，２を使用することができ、反射防止膜６０との密着性を高める上では、樹脂１を使用するのが好ましい。
当該樹脂の具体例としては、日本ゼオン製ＺＥＯＮＥＸ、三井化学製ＡＰＥＬ、ＪＳＲ製アートン、ＴＯＰＡＳ  ＡＤＶＡＮＣＥＤ  ＰＯＬＹＭＥＲＳ  Ｇｍｂｈ製ＴＯＰＡＳなどが挙げられる。
【００１６】
［樹脂１］
樹脂材料１は、重量平均分子量（Ｍｗ）が１，０００〜１，０００，０００である重合体全繰り返し単位中に、下記式（１）で表される脂環式構造を有する繰り返し単位（ａ）と、下記式（２）及び／又は下記式（３）で表される鎖状構造の繰り返し単位（ｂ）とを、合計含有量が９０重量％以上になるように含有し、さらに繰り返し単位（ｂ）の含有量が１重量％以上１０重量％未満であり、繰り返し単位（ａ）の連鎖が下記関係式（Ｚ）を満たす脂環式炭化水素系共重合体を含有することが好ましい。
Ａ≦０．３×Ｂ  …  （Ｚ）
関係式（Ｚ）中、Ａ＝（脂環式構造を有する繰り返し単位の連鎖の重量平均分子量）であり、Ｂ＝（脂環式炭化水素系共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）×（脂環式構造を有する繰り返し単位数／脂環式炭化水素系共重合体を構成する全繰り返し単位数）である。
【００１７】
【化１】
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【００１８】
【化２】
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【００１９】
【化３】
2012027412.tif 000005
【００２０】
式（１）、式（２）及び式（３）中のＲ１〜Ｒ１３は、それぞれ独立に、水素原子、鎖状炭化水素基、ハロゲン原子、アルコキシ基、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、シアノ基、アミド基、イミド基、シリル基、及び極性基（ハロゲン原子、アルコキシ基、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、シアノ基、アミド基、イミド基、又はシリル基）で置換された鎖状炭化水素基等を表す。その中でも水素原子又は炭素原子数１〜６個の鎖状炭化水素基の場合が、耐熱性、低吸水性に優れるので好ましい。ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、及びヨウ素原子を挙げることができる。極性基で置換された鎖状炭化水素基としては、例えば炭素原子数１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜６のハロゲン化アルキル基が挙げられる。鎖状炭化水素基としては、例えば炭素原子数１〜２０、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜６のアルキル基；炭素原子数２〜２０、好ましくは２〜１０、より好ましくは２〜６のアルケニル基が挙げられる。
【００２１】
式（１）中のＸは脂環式炭化水素基を表し、それを構成する炭素数は、通常４個〜２０個、好ましくは４個〜１０個、より好ましくは５個〜７個である。脂環式構造を構成する炭素数をこの範囲にすることで複屈折を低減することができる。また脂環式構造は単環構造に限らず、例えばノルボルナン環やジシクロヘキサン環などの多環構造のものでもよい。
【００２２】
脂環式炭化水素基は、炭素−炭素不飽和結合を有してもよいが、その含有量は、全炭素−炭素結合の１０％以下、好ましくは５％以下、より好ましくは３％以下である。脂環式炭化水素基の炭素−炭素不飽和結合をこの範囲とすることで、透明性、耐熱性が向上する。また、脂環式炭化水素基を構成する炭素には、水素原子、炭化水素基、ハロゲン原子、アルコキシ基、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、シアノ基、アミド基、イミド基、シリル基、及び極性基（ハロゲン原子、アルコキシ基、ヒドロキシ基、エーテル基、エステル基、シアノ基、アミド基、イミド基、又はシリル基）で置換された鎖状炭化水素基等が結合していてもよく、中でも水素原子又は炭素原子数１〜６個の鎖状炭化水素基が耐熱性、低吸水性の点で好ましい。
【００２３】
また、式（３）中の「………」は、主鎖中の炭素−炭素飽和、又は炭素−炭素不飽和結合を示すが、透明性、耐熱性を強く要求される場合、不飽和結合の含有率は、主鎖を構成する全炭素−炭素間結合の、通常１０％以下、好ましくは５％以下、より好ましくは３％以下である。
【００２４】
式（１）で表される繰り返し単位の中でも、下記式（４）で表される繰り返し単位が、耐熱性、低吸水性の点で優れている。
【００２５】
【化４】
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【００２６】
式（２）で表される繰り返し単位の中でも、下記式（５）で表される繰り返し単位が、耐熱性、低吸水性の点で優れている。
【００２７】
【化５】
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【００２８】
式（３）で表される繰り返し単位の中でも、下記式（６）で表される繰り返し単位が、耐熱性、低吸水性の点で優れている。
【００２９】
【化６】
2012027412.tif 000008
【００３０】
式（４）、式（５）及び式（６）中の、Ｒａ、Ｒｂ、Ｒｃ、Ｒｄ、Ｒｅ、Ｒｆ、Ｒｇ、Ｒｈ、Ｒｉ、Ｒｊ、Ｒｋ、Ｒｌ、Ｒｍ、Ｒｎはそれぞれ独立に水素原子または低級鎖状炭化水素基を示し、水素原子または炭素数１〜６の低級アルキル基が、耐熱性、低吸水性の点で優れている。
【００３１】
式（２）及び式（３）で表される鎖状構造の繰り返し単位の中では、式（３）で表される鎖状構造の繰り返し単位の方が、得られる炭化水素系重合体の強度特性に優れている。
【００３２】
本発明においては、炭化水素共重合体中の、式（１）で表される脂環式構造を有する繰り返し単位（ａ）と、式（２）及び／又は式（３）で表される鎖状構造の繰り返し単位（ｂ）との合計含有量は、重量基準で、通常９０％以上、好ましくは９５％以上、より好ましくは９７％以上である。合計含有量を上記範囲にすることで、低複屈折性、耐熱性、低吸水性、機械強度が高度にバランスされる。
【００３３】
脂環式炭化水素系共重合体における鎖状構造の繰り返し単位（ｂ）の含有量は使用目的に応じて適宜選択されるが、通常、重量基準で１％以上１０％未満、好ましくは１％以上８％以下、より好ましくは２％以上６％以下の範囲である。繰り返し単位（ｂ）の含有量が上記範囲にあると、低複屈折性、耐熱性、低吸水性が高度にバランスされる。
【００３４】
また、繰り返し単位（ａ）の連鎖長は、脂環式炭化水素系共重合体の分子鎖長に対して十分に短く、具体的には、Ａ＝（脂環式構造を有する繰り返し単位連鎖の重量平均分子量）、Ｂ＝（脂環式炭化水素系共重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）×（脂環式構造を有する繰り返し単位数／脂環式炭化水素系共重合体を構成する全繰り返し単位数））とした時、ＡがＢの３０％以下であり、好ましくは２０％以下、より好ましくは１５％以下、特に好ましくは１０％以下の範囲である。Ａがこの範囲外では、低複屈折性に劣る。
【００３５】
上記「脂環式構造を有する重合体」の製造方法については、従来公知の方法で製造可能である。
【００３６】
例えば、脂環式炭化水素系共重合体の製造方法は、（１）芳香族ビニル系化合物と共重合可能なその他のモノマーとを共重合し、主鎖及び芳香環の炭素−炭素不飽和結合を水素化する方法、（２）脂環式ビニル系化合物と共重合可能なその他のモノマーとを共重合し、必要に応じて水素化する方法等が挙げられる。
【００３７】
［樹脂２］
樹脂２は、α−オレフィンと、下記一般式（I）または（II）で表される環状オレフィンの共重合体からなる樹脂である。
【００３８】
【化７】
2012027412.tif 000009
…式（I）
【００３９】
式（I）中、ｎは０または１であり、ｍは０または正の整数であり、ｋは０または１であり、Ｒ1乃至Ｒ18ならびにＲa及びＲbはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子または炭化水素基を表す。
【００４０】
【化８】
2012027412.tif 000010
…式（II）
【００４１】
式（II）中、ｐ及びｑはそれぞれ独立に、０または正の整数であり、ｒ及びｓはそれぞれ独立に、０、１または２を表し、Ｒ21乃至Ｒ39はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基またはアルコキシ基を表す。
【００４２】
［一般式（I）及び（II）で表される環状オレフィン］
上記一般式（I）において、ｎは０または１であり、ｍは０または正の整数であり、ｋは０または１である。なお、ｋが１の場合には、ｋを用いて表される環は６員環となり、ｋが０の場合にはこの環は５員環となる。
【００４３】
Ｒ1〜Ｒ18ならびにＲa及びＲbは、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子または炭化水素基である。ここで、ハロゲン原子は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子またはヨウ素原子である。
【００４４】
また、炭化水素基としては、通常、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数１〜２０のハロゲン化アルキル基、炭素原子数３〜１５のシクロアルキル基または芳香族炭化水素基が挙げられる。より具体的には、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、アミル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基及びオクタデシル基などが挙げられる。これらアルキル基はハロゲン原子で置換されていてもよい。
【００４５】
シクロアルキル基としては、シクロヘキシル基が挙げられ、芳香族炭化水素基としてはフェニル基、ナフチル基などが挙げられる。さらに上記一般式（I）において、Ｒ15とＲ16とが、Ｒ17とＲ18とが、Ｒ15とＲ17とが、Ｒ16とＲ18とが、Ｒ15とＲ18とが、あるいはＲ16とＲ17とがそれぞれ結合して（互いに共同して）、単環または多環の基を形成していてもよく、しかもこのようにして形成された単環または多環が二重結合を有していてもよい。ここで形成される単環または多環としては、具体的に以下のようなものが挙げられる。
【００４６】
【化９】
2012027412.tif 000011
【００４７】
なお、上記例示した単環または多環において、１または２の番号を付した炭素原子は、前記一般式（I）においてそれぞれＲ15（Ｒ16）またはＲ17（Ｒ18）結合している炭素原子を表す。
【００４８】
また、Ｒ15とＲ16とで、またはＲ17とＲ18とでアルキリデン基を形成していてもよい。このようなアルキリデン基は、通常は炭素原子数２〜２０のアルキリデン基であり、このようなアルキリデン基の具体的な例としては、エチリデン基、プロピリデン基及びイソプロピリデン基が挙げられる。
【００４９】
一般式（II）において、ｐ及びｑはそれぞれ独立に、０または正の整数であり、ｒ及びｓはそれぞれ独立に、０、１または２である。また、Ｒ21〜Ｒ39はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、炭化水素基またはアルコキシ基である。
【００５０】
ここでハロゲン原子は、上記一般式（I）中のハロゲン原子と同じである。また炭化水素基としては、通常、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数３〜１５のシクロアルキル基または芳香族炭化水素基が挙げられる。より具体的には、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、アミル基、ヘキシル基、オクチル基、デシル基、ドデシル基及びオクタデシル基などが挙げられる。これらアルキル基はハロゲン原子で置換されていてもよい。
【００５１】
シクロアルキル基としては、シクロヘキシル基が挙げられ、芳香族炭化水素基としては、アリール基、アラルキル基などが挙げられ、具体的には、フェニル基、トリル基、ナフチル基、ベンジル基、フェニルエチル基などが挙げられる。
【００５２】
アルコキシ基としては、メトキシ基、エトキシ基、プロポキシ基などが挙げられる。ここで、Ｒ29及びＲ30が結合している炭素原子と、Ｒ33が結合している炭素原子またはＲ31が結合している炭素原子とは、直接あるいは炭素原子数１〜３のアルキレン基を介して結合していてもよい。すなわち、上記二個の炭素原子がアルキレン基を介して結合している場合には、Ｒ29とＲ33とが、または、Ｒ30とＲ31とが互いに共同して、メチレン基（−ＣＨ2−）、エチレン基（−ＣＨ2ＣＨ2−）またはプロピレン基（−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−）の内のいずれかのアルキレン基を形成している。
【００５３】
さらに、ｒ＝ｓ＝０のとき、Ｒ35とＲ32またはＲ35とＲ39とは互いに結合して単環または多環の芳香族環を形成していてもよい。具体的には、ｒ＝ｓ＝０のとき、Ｒ35とＲ32とにより形成される以下のような芳香族環が挙げられる。
【００５４】
【化１０】
2012027412.tif 000012
【００５５】
ここで、ｑは、一般式（II）におけるｑと同義である。
【００５６】
本発明に係る一般式（I）または（II）で表される環状オレフィンとしては、具体的には、ビシクロ−２−ヘプテン誘導体（ビシクロヘプト−２−エン誘導体）、トリシクロ−３−デセン誘導体、トリシクロ−３−ウンデセン誘導体、テトラシクロ−３−ドデセン誘導体、ペンタシクロ−４−ペンタデセン誘導体、ペンタシクロペンタデカジエン誘導体、ペンタシクロ−３−ペンタデセン誘導体、ペンタシクロ−３−ヘキサデセン誘導体、ペンタシクロ−４−ヘキサデセン誘導体、ヘキサシクロ−４−ヘプタデセン誘導体、ヘプタシクロ−５−エイコセン誘導体、ヘプタシクロ−４−エイコセン誘導体、ヘプタシクロ−５−ヘンエイコセン誘導体、オクタシクロ−５−ドコセン誘導体、ノナシクロ−５−ペンタコセン誘導体、ノナシクロ−６−ヘキサコセン誘導体、シクロペンタジエン−アセナフチレン付加物、１，４−メタノ−１，４，４ａ，９ａ−テトラヒドロフルオレン誘導体、１，４−メタノ−１，４，４ａ，５，１０，１０ａ−ヘキサヒドロアントラセン誘導体などが挙げられる。
【００５７】
以下に、本発明に係る一般式（I）または（II）で表される環状オレフィンのより具体的な例を示すが、本発明ではこれら例示する化合物にのみ限定されるものではない。
【００５８】
《ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン誘導体》
１）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
２）６−メチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
３）５，６−ジメチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
４）１−メチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
５）６−エチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
６）６−ｎ−ブチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
７）６−イソブチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
８）７−メチルビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン、等
【００５９】
《テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン誘導体》
９）テトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１０）８−メチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１１）８−エチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１２）８−プロピルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１３）８−ブチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１４）８−イソブチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１５）８−ヘキシルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１６）８−シクロヘキシルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１７）８−ステアリルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１８）５，１０−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
１９）２，１０−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２０）８，９−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２１）８−エチル−９−メチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２２）１１，１２−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２３）２，７，９−トリメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２４）９−エチル−２，７−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２５）９−イソブチル−２，７−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２６）９，１１，１２−トリメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２７）９−エチル−１１，１２−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２８）９−イソブチルー１１，１２−ジメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
２９）５，８，９，１０−テトラメチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３０）８−エチリデンテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３１）８−エチリデン−９−メチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３２）８−エチリデン−９−エチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３３）８−エチリデン−９−イソプロピルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３４）８−エチリデン−９−ブチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３５）８−ｎ−プロピリデンテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３６）８−ｎ−プロピリデン−９−メチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３７）８−ｎ−プロピリデン−９−エチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３８）８−ｎ−プロピリデン−９−イソプロピルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
３９）８−ｎ−プロピリデン−９−ブチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４０）８−イソプロピリデンテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４１）８−イソプロピリデン−９−メチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４２）８−イソプロピリデン−９−エチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４３）８−イソプロピリデン−９−イソプロピルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４４）８−イソプロピリデン−９−ブチルテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４５）８−クロロテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４６）８−ブロモテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４７）８−フルオロテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン
４８）８，９−ジクロロテトラシクロ［４．４．０．１2,5．１7,10］−３−ドデセン、等
【００６０】
《ヘキサシクロ［６．６．１．１3,6．１10,13．０2,7．０9,14］−４−ヘプタデセン
誘導体》
４９）ヘキサシクロ［６．６．１．１3,6．１10,13．０2,7．０9,14］−４−ヘプタデ
セン
５０）１２−メチルヘキサシクロ［６．６．１．１3,6．１10,13．０2,7．０9,14］−
４−ヘプタデセン
５１）１２−エチルヘキサシクロ［６．６．１．１3,6．１10,13．０2,7．０9,14］−
４−ヘプタデセン
５２）１２−イソブチルヘキサシクロ［６．６．１．１3,6．１10,13．０2,7．０9,14
］−４−ヘプタデセン
５３）１，６，１０−トリメチル−１２−イソブチルヘキサシクロ［６．６．１．１3,6．１10,13．０2,7．０9,14］−４−ヘプタデセン、等
【００６１】
《オクタシクロ［８．８．０．１2,9．１4,7．１11,18．１13,16．０3,8．０12,17］−５−ドコセン誘導体》
５４）オクタシクロ［８．８．０．１2,9．１4,7．１11,18．１13,16．０3,8．０12,17］−５−ドコセン
５５）１５−メチルオクタシクロ［８．８．０．１2,9．１4,7．１11,18．１13,16．０3,8．０12,17］−５−ドコセン
５６）１５−エチルオクタシクロ［８．８．０．１2,9．１4,7．１11,18．１13,16．０3,8．０12,17］−５−ドコセン、等
【００６２】
《ペンタシクロ［６．６．１．１3,6．０2,7．０9,14］−４−ヘキサデセン誘導体》
５７）ペンタシクロ［６．６．１．１3,6．０2,7．０9,14］−４−ヘキサデセン
５８）１，３−ジメチルペンタシクロ［６．６．１．１3,6．０2,7．０9,14］−４−ヘキサデセン
５９）１，６−ジメチルペンタシクロ［６．６．１．１3,6．０2,7．０9,14］−４−ヘキサデセン
６０）１５，１６−ジメチルペンタシクロ［６．６．１．１3,6．０2,7．０9,14］−４−ヘキサデセン、等
【００６３】
《ヘプタシクロ−５−エイコセン誘導体あるいはヘプタシクロ−５−ヘンエイコセン誘導体》
６１）ヘプタシクロ［８．７．０．１2,9．１4,7．１11,17．０3,8．０12,16］−５−
エイコセン
６２）ヘプタシクロ［８．８．０．１2,9．１4,7．１11,18．０3,8．０12,17］−５−
ヘンエイコセン、等
【００６４】
《トリシクロ［４．３．０．１2,5］−３−デセン誘導体》
６３）トリシクロ［４．３．０．１2,5］−３−デセン
６４）２−メチルトリシクロ［４．３．０．１2,5］−３−デセン
６５）５−メチルトリシクロ［４．３．０．１2,5］−３−デセン、等
【００６５】
《トリシクロ［４．４．０．１2,5］−３−ウンデセン誘導体》
６６）トリシクロ［４．４．０．１2,5］−３−ウンデセン
６７）１０−メチルトリシクロ［４．４．０．１2,5］−３−ウンデセン、等
【００６６】
《ペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．０9,13］−４−ペンタデセン誘導体》
６８）ペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．０9,13］−４−ペンタデセン
６９）１，３−ジメチルペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．０9,13］−４−ペンタデセン
７０）１，６−ジメチルペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．０9,13］−４−ペンタデセン
７１）１４，１５−ジメチルペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．０9,13］−４−ペンタデセン、等
【００６７】
《ジエン化合物》
７２）ペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．０9,13］−４、１０−ペンタデカジエン、等
【００６８】
《ペンタシクロ［７．４．０．１2,6．１9,12．０8,13］−３−ペンタデセン誘導体》
７３）ペンタシクロ［７．４．０．１2,6．１9,12．０8,13］−３−ペンタデセン
７４）メチル置換ペンタシクロ［７．４．０．１2,6．１9,12．０8,13］−３−ペンタデセン、等
【００６９】
《ヘプタシクロ［８．７．０．１3,6．１10,17．１12,15．０2,7．０11,16］−４−エ
イコセン誘導体》
７５）ヘプタシクロ［８．７．０．１3,6．１10,17．１12,15．０2,7．０11,16］−４
−エイコセン
７６）ジメチル置換ヘプタシクロ［８．７．０．１3,6．１10,17．１12,15．０2,7．０11,16］−４−エイコセン、等
【００７０】
《ノナシクロ［１０．９．１．１4,7．１13,20．１15,18．０3,8．０2,10．０12,21．
０14,19］−５−ペンタコセン誘導体》
７７）ノナシクロ［１０．９．１．１4,7．１13,20．１15,18．０3,8．０2,10．０12,21．０14,19］−５−ペンタコセン
７８）トリメチル置換ノナシクロ［１０．９．１．１4,7．１13,20．１15,18．０3,8．０2,10．０12,21．０14,19］−５−ペンタコセン、等
【００７１】
《ペンタシクロ［８．４．０．１2,5．１9,12．０8,13］−３−ヘキサデセン誘導体》
７９）ペンタシクロ［８．４．０．１2,5．１9,12．０8,13］−３−ヘキサデセン
８０）１１−メチル−ペンタシクロ［８．４．０．１2,5．１9,12．０8,13］−３−ヘキサデセン
８１）１１−エチル−ペンタシクロ［８．４．０．１2,5．１9,12．０8,13］−３−ヘキサデセン
８２）１０，１１−ジメチル−ペンタシクロ［８．４．０．１2,5．１9,12．０8,13］
−３−ヘキサデセン、等
【００７２】
《ヘプタシクロ［８．８．０．１4,7．１11,18．１13,16．０3,8．０12,17］−５−ヘ
ンエイコセン誘導体》
８３）ヘプタシクロ［８．８．０．１4,7．１11,18．１13,16．０3,8．０12,17］−５
−ヘンエイコセン
８４）１５−メチル−ヘプタシクロ［８．８．０．１4,7．１11,18．１13,16．０3,8．０12,17］−５−ヘンエイコセン
８５）トリメチル−ヘプタシクロ［８．８．０．１4,7．１11,18．１13,16．０3,8．０12,17］−５−ヘンエイコセン、等
【００７３】
《ノナシクロ［１０．１０．１．１5,8．１14,21．１16,19．０2,11．０4,9．０13,22
．０15,20］−５−ヘキサコセン誘導体》
８６）ノナシクロ［１０．１０．１．１5,8．１14,21．１16,19．０2,11．０4,9．０13,22．０15,20］−５−ヘキサコセン、等
【００７４】
《その他》
８７）５−フェニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
８８）５−メチル−５−フェニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
８９）５−ベンジル−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９０）５−トリル−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９１）５−（エチルフェニル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９２）５−（イソプロピルフェニル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９３）５−（ビフェニル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９４）５−（β−ナフチル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９５）５−（α−ナフチル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９６）５−（アントラセニル）−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９７）５，６−ジフェニル−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−２−エン
９８）シクロペンタジエン−アセナフチレン付加物
９９）１，４−メタノ−１，４，４ａ，９ａ−テトラヒドロフルオレン
１００）１，４−メタノ−１，４，４ａ，５，１０，１０ａ−ヘキサヒドロアントラセン
１０１）８−フェニル−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１０２）８−メチル−８−フェニル−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１０３）８−ベンジル−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１０４）８−トリル−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１０５）８−（エチルフェニル）−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１０６）８−（イソプロピルフェニル）−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１０７）８，９−ジフェニル−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１０８）８−（ビフェニル）−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１０９）８−（β−ナフチル）−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１１０）８−（α−ナフチル）−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１１１）８−（アントラセニル）−テトラシクロ［４．４．０．０3,5．１7,10］−３−ドデセン
１１２）（シクロペンタジエン−アセナフチレン付加物）に、シクロペンタジエンを更に付加した化合物
１１３）１１，１２−ベンゾ−ペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．０9,13］−４−ペンタデセン
１１４）１１，１２−ベンゾ−ペンタシクロ［６．５．１．１3,6．０2,7．０9,13］−４−ヘキサデセン
１１５）１１−フェニル−ヘキサシクロ［６．６．１．１3,6．１10,13．０2,7．０9,14］−４−ヘプタデセン
１１６）１４，１５−ベンゾ−ヘプタシクロ［８．７．０．１2,9．１4,7．１11,17．
０3,8．０12,16］−５−エイコセン
【００７５】
［α−オレフィン］
共重合体を構成するα−オレフィンとしては、例えば、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、１−ドデセン、１−テトラデセン、１−ヘキサデセン、１−オクタデセン、１−エイコセンなどの直鎖状α−オレフィン；４−メチル−１−ペンテン、３−メチル−１−ペンテン、３−メチル−１−ブテンなどの分岐状α−オレフィンなどが挙げられる。好ましくは、炭素原子数が２〜２０のα−オレフィンが好ましい。このような直鎖状または分岐状のα−オレフィンは置換基で置換されていても良く、また１種単独、或いは２種以上組合わせて用いることができる。
【００７６】
置換基としては、種々のものが挙げられ特に制限はないが、代表的なものとしてアルキル、アリール、アニリノ、アシルアミノ、スルホンアミド、アルキルチオ、アリールチオ、アルケニル、シクロアルキル、シクロアルケニル、アルキニル、複素環、アルコキシ、アリールオキシ、複素環オキシ、シロキシ、アミノ、アルキルアミノ、イミド、ウレイド、スルファモイルアミノ、アルコキシカルボニルアミノ、アリールオキシカルボニルアミノ、アルコキシカルボニル、アリールオキシカルボニル、複素環チオ、チオウレイド、ヒドロキシル及びメルカプトの各基、並びにスピロ化合物残基、有橋炭化水素化合物残基、スルホニル、スルフィニル、スルホニルオキシ、スルファモイル、ホスホリル、カルバモイル、アシル、アシルオキシ、オキシカルボニル、カルボキシル、シアノ、ニトロ、ハロゲン置換アルコキシ、ハロゲン置換アリールオキシ、ピロリル、テトラゾリル等の各基及びハロゲン原子等が挙げられる。
【００７７】
上記アルキル基としては炭素数１〜３２のものが好ましく、直鎖でも分岐でもよい。アリール基としては、フェニル基が好ましい。
【００７８】
アシルアミノ基としては、アルキルカルボニルアミノ基、アリールカルボニルアミノ基；スルホンアミド基としては、アルキルスルホニルアミノ基、アリールスルホニルアミノ基；アルキルチオ基、アリールチオ基におけるアルキル成分、アリール成分は上記のアルキル基、アリール基が挙げられる。
【００７９】
アルケニル基としては炭素数２〜２３のもの、シクロアルキル基としては炭素数３〜１２、特に５〜７のものが好ましく、アルケニル基は直鎖でも分岐でもよい。シクロアルケニル基としては炭素数３〜１２、特に５〜７のものが好ましい。
【００８０】
ウレイド基としては、アルキルウレイド基、アリールウレイド基；スルファモイルアミノ基としてはアルキルスルファモイルアミノ基、アリールスルファモイルアミノ基；複素環基としては５〜７員のものが好ましく、具体的には２−フリル、２−チエニル、２−ピリミジニル、２−ベンゾチアゾリル等；飽和複素環としては５〜７員のものが好ましく、具体的にはテトラヒドロピラニル、テトラヒドロチオピラニル等；複素環オキシ基としては５〜７員の複素環を有するものが好ましく、例えば、３，４，５，６−テトラヒドロピラニル−２−オキシ、１−フェニルテトラゾール−５−オキシ等；複素環チオ基としては５〜７員の複素環チオ基が好ましく、例えば２−ピリジルチオ、２−ベンゾチアゾリルチオ、２，４−ジフェノキシ−１，３，５−トリアゾール−６−チオ等；シロキシ基としてはトリメチルシロキシ、トリエチルシロキシ、ジメチルブチルシロキシ等；イミド基としては琥珀酸イミド、３−ヘプタデシル琥珀酸イミド、フタルイミド、グルタルイミド等；スピロ化合物残基としてはスピロ［３．３］ヘプタン−１−イル等；有橋炭化水素化合物残基としてはビシクロ［２．２．１］ヘプタン−１−イル、トリシクロ［３．３．１．１３．７］デカン−１−イル、７，７−ジメチル−ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−１−イル等が挙げられる。
【００８１】
スルホニル基としては、アルキルスルホニル基、アリールスルホニル基、ハロゲン置換アルキルスルホニル基、ハロゲン置換アリールスルホニル基等；スルフィニル基としては、アルキルスルフィニル基、アリールスルフィニル基等；スルホニルオキシ基としては、アルキルスルホニルオキシ基、アリールスルホニルオキシ基等；スルファモイル基としては、Ｎ，Ｎ−ジアルキルスルファモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアリールスルファモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールスルファモイル等；ホスホリル基としては、アルコキシホスホリル基、アリールオキシホスホリル基、アルキルホスホリル基、アリールホスホリル基等；カルバモイル基としては、Ｎ，Ｎ−ジアルキルカルバモイル基、Ｎ，Ｎ−ジアリールカルバモイル基、Ｎ−アルキル−Ｎ−アリールカルバモイル基等；アシル基としては、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基等；アシルオキシ基としては、アルキルカルボニルオキシ基等；オキシカルボニル基としては、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基等；ハロゲン置換アルコキシ基としてはα−ハロゲン置換アルコキシ基等；ハロゲン置換アリールオキシ基としては、テトラフルオロアリールオキシ基、ペンタフルオロアリールオキシ基等；ピロリル基としては１−ピロリル等；テトラゾリル基としては１−テトラゾリル等の各基が挙げられる。
【００８２】
上記置換基の他に、トリフルオロメチル、ヘプタフルオロ−ｉ−プロピル、ノニルフルオロ−ｔ−ブチル等の各基や、テトラフルオロアリール基、ペンタフルオロアリール基なども好ましく用いられる。更に、これらの置換基は、他の置換基で置換されてもよい。
【００８３】
また、共重合体中の非環状モノマー含有量は、成型性の観点から２０質量％以上であることが好ましく、２５％以上で９０％以下であることがより好ましく、３０％以上で８５％以下であることがさらに好ましい。
【００８４】
反射防止膜６０は機能膜の一例であり、複数の層を積層した多層構造を有している。
詳しくは、図２に示す通り、樹脂成形部５０の表面５２上には１層目の第１の膜６２が直に形成され、第１の膜６２上に２層目の第２の膜６４が形成され、第２の膜６４上に３層目の第３の膜６６が形成されている。
【００８５】
第１の膜６２は、ＳｉＯ２：Ａｌ２Ｏ３＝９０〜９９：１〜１０の混合比を有しかつ密度が２．０ｇ／ｃｍ３以上の高密度材料から構成されている。当該高密度材料としてはメルク（株）製ＨＤＬ５が好適に使用される。ここでいう「密度」とは、粒状（直径１〜２ｍｍ程度）の当該高密度材料を、１ｌ（リットル）の容器に充填して測定した値であり、高密度材料としてメルク（株）製ＨＤＬ５を使用する場合は、メルク（株）の測定方法にしたがって測定した値である。
第１の膜６２はＳｉＯ２とＡｌ２Ｏ３とで構成され、これら２つの化合物の混合比の合計が１００となることが好ましい。
第１の膜６２は、波長４００〜４１０ｎｍの光に対する屈折率が１．４７〜１．５２であり、膜厚が１５〜３００ｎｍである。
【００８６】
第２の膜６４は、波長４００〜４１０ｎｍの光に対する屈折率が１．６１以上の高屈折率材料から構成されており、好ましくはＺｒＯ２，ＴｉＯ２，ＺｒＯ２とＴｉＯ２との混合物，Ｔａ２Ｏ５，Ｔａ２Ｏ５とＴｉＯ２との混合物のいずれかで構成されている。第２の膜６４はＳｃ２Ｏ３，ＬａＯ３，ＬａＦ２，Ｙ２Ｏ３，ＨｆＯ２，ＴａＯ，ＴｉＯ２，Ｎｂ２Ｏ３ＳｉＮ又はこれらの混合物で構成されてもよい。
第２の膜６４は、膜厚が１５〜１０００ｎｍである。
【００８７】
第３の膜６６は、第１の膜６２と同様の膜である。
なお、本実施形態では、反射防止膜６０は第１の膜６２だけで構成してもよいし、第１の膜６２と第２の膜６４とで構成してもよい。第１の膜６２だけで構成する場合、低屈折率材料と高屈折率材料とによる各膜を交互に積層した場合に比較して、反射防止性能が低下する可能性がある。
もちろん、反射防止膜６０は、第３の膜６６に対し、さらに第１の膜６２と第２の膜６４とを交互に積層して４層以上の層構造を有するものであってもよい。
【００８８】
第１の膜６２と第３の膜６６とを、異種材料による膜で構成してもよい。
たとえば、第１の膜をＳｉＯ２：Ａｌ２Ｏ３＝９０〜９９：１〜１０の混合比を有しかつ密度が２．０ｇ／ｃｍ３以上の高密度材料で構成し、第３の膜をＳｉＯ２などの低屈折率材料で構成してもよい。
逆に、第１の膜をＳｉＯ２などの低屈折率材料で構成し、第３の膜をＳｉＯ２：Ａｌ２Ｏ３＝９０〜９９：１〜１０の混合比を有しかつ密度が２．０ｇ／ｃｍ３以上の高密度材料で構成してもよい。なお、ＳｉＯ２：Ａｌ２Ｏ３＝９０〜９９：１〜１０の混合比を有しかつ密度が２．０ｇ／ｃｍ３以上の高密度材料で構成される膜を、樹脂成形部５０の表面５２上に直に形成してもよいし、当該高密度材料で構成される膜と表面５２との間に、異種材料による膜を形成してもよい。
【００８９】
続いて、対物レンズ３７の製造方法の一例について説明する。
【００９０】
始めに、上記樹脂を、一定条件下で金型に対し射出成形し、所定形状を有する樹脂成形部５０を形成する。
その後、上記高密度材料を蒸着源として、樹脂成形部５０の表面５２に対し、真空蒸着処理を実行し、第１の膜６２を形成する。
その後、真空蒸着処理により、第１の膜６２上に第２の膜６４を形成し、第２の膜６４上に第３の膜６６を形成する。４層以上の層構造を有する反射防止膜６０を形成する場合には、第１の膜６２（または第３の膜６６）の形成する工程と第２の膜６４を形成する工程とを、繰り返し実行すればよい。
以上の処理により、樹脂成形部５０の表面５２に対し反射防止膜６０を形成することができ、これにより対物レンズ３７を製造することができる。
【００９１】
続いて、光ピックアップ装置３０の動作について説明する。
【００９２】
光ディスクＤへの情報の記録動作時や光ディスクＤに記録された情報の再生動作時に、半導体レーザ発振器３２からブルーレーザ光が出射される。出射されたブルーレーザ光は、コリメータ３３を透過して無限平行光にコリメートされた後、ビームスプリッタ３４を透過して、１／４波長板３５を透過する。さらに、当該ブルーレーザ光は絞り３６及び対物レンズ３７を透過した後、光ディスクＤの保護基板Ｄ１を介して情報記録面Ｄ２に集光スポットを形成する。
【００９３】
集光スポットを形成したブルーレーザ光は、光ディスクＤの情報記録面Ｄ２で情報ビットによって変調され、情報記録面Ｄ２によって反射される。そして、この反射光は、対物レンズ３７及び絞り３６を順次透過した後、１／４波長板３５によって偏光方向が変更され、ビームスプリッタ３４で反射する。その後、当該反射光は、センサーレンズ群３８を透過して非点収差が与えられ、センサー３９で受光されて、最終的には、センサー３９によって光電変換されることによって電気的な信号となる。
【００９４】
以後、このような動作が繰り返し行われ、光ディスクＤに対する情報の記録動作や、光ディスクＤに記録された情報の再生動作が完了する。
【００９５】
以上の本実施形態によれば、対物レンズ３７には、反射防止膜６０の一部として高密度材料による第１の膜６２と第３の膜６６とが形成されている。第１の膜６２や第３の膜６６は、一定の組成を有しかつ密度が高いという特殊な材料により構成されており、耐光性に優れる（下記実施例参照）。
また、第１の膜６２や第３の膜６６は、膜厚が１５〜３００ｎｍとそれほど厚くはないため、ブルーレーザ光の照射を受け続けてもクラックは発生しにくいし、膜厚が３００ｎｍを超える膜を形成する場合に比較して成膜時間の短縮も図ることができる。
さらに、対物レンズ３７には、特殊な材料による第１の膜６２や第３の膜６６が形成されているから、高屈折率材料による第２の膜６４をイオンプレーティング法により形成し当該膜を緻密化する必要もないから、設備コストが増大することもない。
【実施例１】
【００９６】
実施例１では、使用可能な高密度材料（Ａｌ２Ｏ３の混合比）を検討した。
まず、シクロオレフィン樹脂（APEL-NH）樹脂を射出成形して樹脂成形部（樹脂製レンズ）を形成した。樹脂製レンズは、有効径１ｍｍ、軸上厚１．５７ｍｍのブルーレーザ光専用の光ピックアップ装置の対物レンズとした。
当該樹脂成形部に対し、Ａｌ２Ｏ３の混合比が１％，２％，５％，８％，１０％，１２％の各高密度材料（メルク（株）社製ＨＤＬ５）を、真空蒸着法により成膜したところ、混合比が１〜１０％の場合には成膜可能であったものの、混合比が１２％の場合には成膜することができなかった。
このことから、高密度材料としては、Ａｌ２Ｏ３の混合比が１〜１０％の範囲において使用可能であることがわかった。
【実施例２】
【００９７】
実施例２では、耐光性に優れる膜材料を検討した。
（１）サンプルの作製
実施例１と同様の樹脂成形部を形成した。その後、当該樹脂成形部に対し、ＳｉＯ２材料，ＳｉＯ材料，ＳｉＯ２：Ａｌ２Ｏ３＝９０〜９９：１〜１０の標準材料（メルク（株）社製Ｌ５）および高密度材料（メルク（株）社製ＨＤＬ５）の各材料による単層膜を真空蒸着法により形成し、これらを「サンプル１〜４」とした（表１参照）。表１には各材料の物性（密度，波長４０５ｎｍの光に対する屈折率，膜厚）も併せて記載している。
特に、サンプル１のＬ５とサンプル４のＨＤＬ５とは、互いに化学組成は同じであるが比重が異なっている。サンプル１，２，４では膜厚を耐光試験（次項目参照）波長の１／４である１００ｎｍとし、サンプル３では膜厚を耐光試験波長とほぼ同じの４００ｎｍとしている。
【００９８】
（２）サンプルの評価
（２．１）耐熱試験とその結果
各サンプルを、８５℃の温度環境下で１週間放置し、１週間経過後にクラック（膜割れ）が発生しているか否かを顕微鏡で観察した。その観察結果を表１に示す。
表１中、○，×の基準は下記のとおりである。
「○」…クラックの発生は認められない
「×」…クラックの発生が認められる
（２．２）耐光試験とその結果
８５℃の温度環境下において、各サンプルに対し、波長４０５ｎｍのブルーレーザを１５０ｍＷで１週間照射し続け、照射前後の球面収差を表面干渉計で測定してその変動を算出し、その算出結果から膜の耐光性を評価した。評価結果を表１に示す。
表１中、◎，○，△，×の基準は下記のとおりである。
「◎」…変動量が±１０ｍλ未満である
「○」…変動量が±１０ｍλ以上で±２０ｍλ未満である
「△」…変動量が±２０ｍλ以上で±５０ｍλ未満である
「×」…変動量が±５０ｍλ以上である
【００９９】
【表１】
2012027412.tif 000013
【０１００】
（３）まとめ
表１に示すとおり、耐熱試験では、樹脂成形部が膨張するが、サンプル２，３はその膨張に追従できず、クラックが発生していた。耐光試験では、サンプル４はサンプル１〜３より結果が優れており、耐光性が向上していた。
これらの結果から、一定組成の高密度材料による膜を形成することは、耐熱性に依存せずに、耐光性を向上させることが可能であることがわかる。
【実施例３】
【０１０１】
実施例３では、高密度材料による膜の最適膜厚を検討した。
実施例１と同様の樹脂成形部を形成した。その後、当該樹脂成形部に対し、高密度材料（メルク（株）社製ＨＤＬ５）の各材料による単層膜を、膜厚を１０ｎｍから３００ｎｍを超える値まで変動させながら真空蒸着法により形成し、これらを「サンプル１１〜１８」とした（表２参照）。
その後、実施例２と同様の耐光試験をおこない、実施例２と同様の評価で最適な膜厚を検討した。
【０１０２】
【表２】
2012027412.tif 000014
【０１０３】
表２に示すとおり、サンプル１２〜１７では耐光性は良好であるものの、膜厚が１０ｎｍのサンプル１１では耐光性が低下しており、膜厚が３００ｎｍを超えるサンプル１８では耐光試験中にクラックが発生し、球面収差の測定自体ができなかった。
これらの結果から、膜厚を１５〜３００ｎｍとするのが、耐光性の向上に最適であることがわかった。
【実施例４】
【０１０４】
実施例４では、高密度材料による膜を含む最適な膜構成を検討した。
（１）サンプルの作製
実施例１と同様の樹脂成形部を形成した。その後、当該樹脂成形部に対し、表３に記載の単層または複数層の膜を、真空蒸着処理により形成・積層し、膜構成に応じて「サンプル２１〜２７」とした。
表３中、「膜構成」の項目で最も下に配置された層が１層目の第１の膜であり、樹脂成形部に直に形成した膜である。
表３中、サンプル２２の樹脂成形部に対しては、酸化処理を施した。酸化処理として、６０℃，８０％ＲＨ環境下で４８時間保存した。サンプル２の第１の膜（ＳｉＯ）は、抵抗加熱法を用いた真空蒸着処理により形成した。
表３中、サンプル２２の「ＯＡ６００」は、蒸着源としてオプトラン社製OA600を用いて当該蒸着源を蒸発させ作製した膜であって、（Ｔａ２Ｏ５＋５％ＴｉＯ２）膜である。ＯＡ６００の膜を形成する際には、高周波電源により放電しながら成膜し、当該膜を緻密化した。
【０１０５】
（２）サンプルの評価
（２．１）耐光試験とその結果
実施例２と同様の耐光試験をおこない、実施例２と同様の評価で最適な膜構成を検討した。
（２．２）反射防止性能の評価
日立製分光光度計U−４１００を用いて、波長４０５ｎｍの光に対する各サンプル２１〜２７の透過率（％）を測定した。測定結果を表３に示す。
表３中、◎，○の基準は下記のとおりである。
「◎」…透過率が９３％以上である
「○」…透過率が９３％未満で９１％以上である
【０１０６】
【表３】
2012027412.tif 000015
【０１０７】
（３）まとめ
表３に示すとおり、高密度材料による膜を含むサンプル２３〜２７は、これを含まないサンプル２１，２２より耐光性に優れていた。ただ、サンプル２３は、高密度材料による膜が単層であるため、多層構造のサンプル２４〜２７より反射防止性能が低下していた。
これらの結果から、一定組成の高密度材料による膜を含み、各層の膜厚を一定の範囲に収めることは、耐光性を向上させるのに有用であることがわかった。
【符号の説明】
【０１０８】
３０  光ピックアップ装置
３２  半導体レーザ発振器
３３  コリメータ
３４  ビームスプリッタ
３５  １／４波長板
３６  絞り
３７  対物レンズ
３７ａ，３７ｂ  表面
３８  センサーレンズ群
３９  センサー
４０  ２次元アクチュエータ
５０  樹脂成形部
５２  表面
６０  反射防止膜
６２  第１の膜
６４  第２の膜
６６  第３の膜
Ｄ  光ディスク
Ｄ１  保護基板
Ｄ２  情報記録面
【図１】
2012027412.tif 000016
【図２】
2012027412.tif 000017