(57)【要約】【課題】必要な補助容量を確保しつつ、画素領域における開口率が高い液晶表示装置を提供する。【解決手段】薄膜トランジスタアレイ基板と、液晶層と、対向基板とをこの順に有する液晶表示装置であって、薄膜トランジスタアレイ基板は、格子状に配置されたソース線及びゲート線と、補助容量配線と、画素領域に配置された透明画素電極と、ゲート電極、ソース電極、及び、ドレイン電極を含む薄膜トランジスタとを備え、ゲート電極とソース電極及びドレイン電極との層間にゲート絶縁膜を備え、ソース電極及びドレイン電極と透明画素電極との層間に層間絶縁膜を備え、ゲート絶縁膜上に、ドレイン電極の下層に位置する第１の透明電極と、補助容量配線に接続された第２の透明電極とが設けられ、第２の透明電極は、透明画素電極と層間絶縁膜を挟んで対向する液晶表示装置である。【選択図】図１
2012027046.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
薄膜トランジスタアレイ基板と、液晶層と、対向基板とをこの順に有する液晶表示装置であって、
該薄膜トランジスタアレイ基板は、
透明基板の主面上に格子状に配置されたソース線及びゲート線と、
該ゲート線間に該ソース線と交差するように配置された補助容量配線と、
該ソース線及び該ゲート線によって区画された画素領域に配置された透明画素電極と、
該ソース線及び該ゲート線の交点近傍に、該ゲート線に接続されたゲート電極、該ソース線に接続されたソース電極、及び、該透明画素電極に接続されたドレイン電極を含む薄膜トランジスタとを備え、
更に、該ゲート電極と該ソース電極及び該ドレイン電極との層間にゲート絶縁膜を備え、該ソース電極及び該ドレイン電極と該透明画素電極との層間に層間絶縁膜を備え、
該ゲート絶縁膜上に、該ドレイン電極の下層に位置する第１の透明電極と、
該補助容量配線に接続された第２の透明電極とが設けられ、該第２の透明電極は、該透明画素電極と該層間絶縁膜を挟んで対向することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記第２の透明電極は、ゲート絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記補助容量配線に接続されていることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関する。より詳しくは、液晶層を駆動するための薄膜トランジスタを各画素に備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、薄型で軽量、かつ、低消費電力といった特長を活かして、モニター、プロジェクタ、携帯電話、携帯情報端末（ＰＤＡ）等の電子機器に幅広く利用されている。中でも、アクティブマトリクス型液晶表示装置は、隣接する画素間においてクロストークのない良好な表示画像を実現できることから広く用いられている。
【０００３】
一般的に、アクティブマトリクス型液晶表示装置は、所定の間隔で配置された薄膜トランジスタアレイ基板（以下、「ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アレイ基板」とも称す。）と対向基板との間に配向膜を介して液晶層が保持された液晶表示パネルを備える。そして、ＴＦＴアレイ基板側に形成された各画素領域の画素電極と対向基板側に形成された共通電極との間に印加される電界強度を制御することにより、各画素領域における液晶の配向状態を変えることによって光の透過率を変化させて画像を表示している。
【０００４】
対向基板は、一般的には、各画素領域において、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３色のいずれかのカラーフィルタ層を備えたカラーフィルタ基板（以下、「ＣＦ基板」とも称す。）である。ＣＦ基板において、各画素領域は、遮光膜（以下、「ブラックマトリクス」とも称す。）によって区画される。液晶表示装置の光源は、透過型の液晶表示装置であれば、液晶表示パネルの背面側にバックライト等が設けられており、背面側からの光を液晶表示パネルの内部に導いて外部に出射することによって画像表示が行われる。
【０００５】
ＴＦＴアレイ基板は、透明基板の主面上に格子状に配置されたソース線及びゲート線を備える。ソース線及びゲート線によって区画された画素領域には、透明画素電極が配置される。そして、ソース線及びゲート線の交点近傍に、薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」とも称す。）が配置される。ＴＦＴは、ゲート線に接続されたゲート電極、ソース線に接続されたソース電極、及び、透明画素電極に接続されたドレイン電極を含み、更に、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）からなる半導体層を備える。ゲート電極は、ゲート絶縁膜（図示せず）にて覆われている。ＴＦＴは、透明画素電極を個別かつ選択的に制御する。
【０００６】
ゲート線の間には、ソース線と交差するように補助容量配線（以下、「Ｃｓ配線」とも称す。）が配置される。Ｃｓ配線は、ＴＦＴアレイ基板上に複数本が平行に設けられており、マトリクス状に配置された複数の画素のうち、同一行の画素では共通のＣｓ配線が利用される。Ｃｓ配線は、通常では、透明画素電極と重なる位置に形成され、ドレイン電圧保持用の補助容量は、Ｃｓ配線と透明画素電極とを電極として、絶縁膜を誘電体としたコンデンサを形成することにより得られる。
【０００７】
上記のように構成されたＴＦＴアレイ基板では、透明画素電極が形成された領域が液晶表示の表示領域として利用される。しかしながら、ソース線、ゲート線、Ｃｓ配線、補助容量電極等は、低抵抗化を図るためにメタル材料（例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ））にて形成され、同様に、ＴＦＴについても、ゲート電極等の電極部分はメタル材料にて形成される。したがって、これらの配線等が形成された領域は、液晶の配向状態によらず遮光領域となることから、画素領域内であったとしても非表示領域として扱われ、表示領域として有効に利用することができない。
【０００８】
そのため、ＴＦＴアレイ基板を備えたアクティブマトリクス型液晶表示装置においては、全表示画面に対する表示領域の割合、すなわち画素領域における「開口率」を向上させるために、上記各種配線による遮光領域の面積を低減することが求められている。
【０００９】
しかしながら、開口率を向上させるために上記した各種配線の幅を細くすると、配線抵抗が上昇するおそれがある。Ｃｓ配線の場合は、液晶表示装置のクロストークやフリッカを防止するために必要な補助容量が減少する。特に、微細画素を有する液晶表示装置においては、この傾向が顕著であり、補助容量を確保しつつ画素領域の開口率を上げることが求められている。
【００１０】
そこで、絶縁基板上に、アルミニウムもしくはアルミニウムを主体とする合金層に高融点金属層を被覆した積層構造膜に透明導電膜を被覆した配線／電極を有することを特徴とする液晶表示装置が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【００１１】
しかしながら、このような構成を有する液晶表示装置は、合金層に高融点金属層を被覆した積層構造膜を必須とすることから、従来のＴＦＴアレイ基板の製造工程に加えて、積層構造膜を製造する工程が更に必要となる。製造工程の増加は、加工費や材料費等の増加につながることから、簡易な工程で開口率の向上が図れることが好ましい。また、ＴＦＴのゲート電極部分において、アルミニウムもしくはアルミニウムを主体とする合金層を形成すると、酸やアルカリによって電食が発生することがある。更に、積層構造膜上に形成された透明導電膜は、絶縁膜で覆われているが、透明導電膜を形成した後に絶縁膜を形成すると、絶縁膜の成膜工程において加わる熱（約３５０℃）によって透明導電膜に組成変化が生じることがある。
【特許文献１】特開２００１−１９４６７６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、上記現状に鑑みてなされたものであり、必要な補助容量を確保しつつ、画素領域における開口率が高い液晶表示装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者らは、画素領域における開口率が高い液晶表示装置について種々検討したところ、画素領域において非表示領域となる領域、すなわちＴＦＴや各種配線等が占める領域においては、補助容量形成用の電極が占める面積の割合が大きいことに着目し、メタル材料からなる補助容量形成用の電極を透明電極で構成することで、補助容量形成用の電極を光の透過領域、すなわち表示領域とすることができ、画素領域における開口率を格段に向上することができることを見いだした。また、透明電極としては、ＴＦＴのドレイン電極とゲート絶縁膜との密着性向上のために用いる薄膜層を利用して同じ階層に形成することで、製造工程を増やすことなく、開口率の向上が図れることを見いだした。また、ゲート絶縁膜上に形成することで、これらの透明電極がゲート絶縁膜の形成時における熱により劣化することがないことも見いだした。更に、補助容量形成用の透明電極と透明画素電極との間で容量形成することで、必要な補助容量を確保できるため、上記課題をみごとに解決することができることに想到し、本発明に到達したものである。
【００１４】
すなわち、本発明は、薄膜トランジスタアレイ基板と、液晶層と、対向基板とをこの順に有する液晶表示装置であって、上記薄膜トランジスタアレイ基板は、透明基板の主面上に格子状に配置されたソース線及びゲート線と、上記ゲート線間に上記ソース線と交差するように配置された補助容量配線と、上記ソース線及び上記ゲート線によって区画された画素領域に配置された透明画素電極と、各上記画素領域を横切ると共に上記ソース線と交差するように配置された補助容量配線と、上記ソース線及び上記ゲート線の交点近傍に、上記ゲート線に接続されたゲート電極、上記ソース線に接続されたソース電極、及び、上記透明画素電極に接続されたドレイン電極を含む薄膜トランジスタとを備え、更に、上記ゲート電極と上記ソース電極及び上記ドレイン電極との層間にゲート絶縁膜を備え、上記ソース電極及び上記ドレイン電極と上記透明画素電極との層間に層間絶縁膜を備え、上記ゲート絶縁膜上に、上記ドレイン電極の下層に位置する第１の透明電極と、上記補助容量配線に接続された第２の透明電極とが設けられ、上記第２の透明電極は、上記透明画素電極と該層間絶縁膜を挟んで対向する液晶表示装置である。これにより、必要な補助容量を確保しつつ、画素領域における開口率の向上が図れる。
【００１５】
また上記第２の透明電極は、ゲート絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して上記補助容量配線に接続されていることが好ましい。これにより、上記第１の透明電極と第２の透明電極とをゲート絶縁膜上の同じ階層に形成することができ、各透明電極は、ゲート絶縁膜の形成時における熱によって劣化することがなく、しかも製造工程を増やすことなく、従来と同様の方法で本発明の液晶表示装置を実現できる。
【００１６】
なお、本発明において、ソース線、ゲート線、及び、Ｃｓ配線は、低抵抗化を図るためにメタル材料にて形成されることが好ましい。同様に、ＴＦＴについても、ゲート電極等の電極部分はメタル材料にて形成されることが好ましい。メタル材料とは、具体的には、アルミニウム、モリブデン、クロム、タンタル、チタン、Ｃｕ、Ａｇ等である。これらの配線、電極等は、メタル材料の窒化物や酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等との積層構造を有するものであってもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、透明画素電極に接続する第１の透明電極と、補助容量配線に接続する第２の透明電極とをゲート絶縁膜上に形成することで、工程を増やすことなく、必要な補助容量を確保しつつも、画素領域における開口率の向上が図れる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下に実施形態を掲げ、本発明を更に詳細に説明するが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。
【００１９】
実施形態１
実施形態１に係る液晶表示装置は、ＴＦＴアレイ基板と、液晶層と、対向基板とをこの順に有する。具体的には、ＴＦＴアレイ基板と、これに対向するように設けられた対向基板と、両基板間に狭持されるように設けられた液晶層とを備え、液晶層は、配向膜を介して保持され、これにより液晶表示パネルとなる。液晶表示パネルにおいて、ＴＦＴアレイ基板の背面側及び対向基板の観察面側には、偏光子がそれぞれ貼付される。そして、ＴＦＴアレイ基板側に形成された各画素領域の画素電極と対向基板側に形成された共通電極との間に印加される電界強度を制御することにより、各画素領域における液晶の配向状態を変えることによって光の透過率を変化させて画像を表示している。なお、光源は、透過型の液晶表示装置であれば、液晶表示パネルの背面側にバックライト等が設けられており、背面側からの光を液晶表示パネルの内部に導いて外部に出射することによって画像表示が行われる。
【００２０】
対向基板は、一般的には、透明基板を覆うように形成された着色層及びブラックマトリクスからなるカラーフィルタ層と、カラーフィルタ層を覆う絶縁層と、共通電極と、配向膜とが順に積層された構成を有するＣＦ基板である。例えば、各画素領域において、着色層は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の３色のいずれかの層が、ＴＦＴアレイ基板の画素電極にそれぞれ対応するように配置され、各画素領域は、ブラックマトリクスによって区画される。共通電極は、例えば、ＩＴＯにて形成され、画素ごとではなく、複数の画素に対応する１つの電極として形成される。
【００２１】
本実施形態において、ＴＦＴアレイ基板は、ゲート絶縁膜上に、ドレイン電極の下層に位置する第１の透明電極と、補助容量配線に接続され、透明画素電極と層間絶縁膜を挟んで対向する第２の透明電極とを有する。以下に、ＴＦＴアレイ基板について、図１〜図３を用いて説明する。図１は、本発明の実施形態１における液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の要部を示す平面模式図である。図２は、図１に示すＴＦＴアレイ基板の複数の画素を示した平面模式図である。図３（ａ）は、図１におけるＡ−Ｂ線に沿った断面を示す断面模式図であり、図３（ｂ）は、図１におけるＣ−Ｄ線に沿った断面を示す断面模式図である。
【００２２】
図１及び図２において、ＴＦＴアレイ基板１０は、ガラス基板やプラスチック基板等からなる透明基板の主面上に、格子状に配置されたソース線１２及びゲート線１３を備える。ゲート線１３の間には、ソース線１２と交差するようにＣｓ配線１９が配置される。Ｃｓ配線１９は、例えば、マトリクス状に配置された複数の画素のうち、同一行の画素では共通のＣｓ配線１９が利用される。ゲート線１３は、上層側から順に、窒化チタン（ＴｉＮ）／タンタル（Ｔａ）／窒化タンタル（ＴａＮ）の積層体により形成され、ソース線１２は、上層側から順に、タンタル（Ｔａ）／窒化タンタル（ＴａＮ）／ＩＴＯの積層体により形成されている。Ｃｓ配線１９は、ゲート線１３の形成材料にて形成される。
【００２３】
ソース線１２及びゲート線１３によって区画された画素領域には、図１及び図２では示されていないが、透明画素電極が配置される。透明画素電極は、開口率の向上を図るため、ソース線１２及びゲート線１３と重なる領域まで画素領域全体に配置されており、液晶層への電圧の印加に用いられる。そして、ソース線１２及びゲート線１３の交点近傍には、ＴＦＴ３０が形成されている。ＴＦＴ３０は、ゲート線１３に接続されたゲート電極２１と、ソース線１２に接続されたソース電極２２と、ドレイン電極２３と、半導体層とを有する。半導体層は、通常では、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）やポリシリコン膜からなる。
【００２４】
ここで、ゲート線１３及びソース線１２によって囲まれた画素領域には、第１の透明電極５０と第２の透明電極５１とが形成されている。図３（ａ）、（ｂ）を用いて、第１の透明電極５０及び第２の透明電極５１について説明する。
図３（ａ）において、透明基板１１の主面上には、ゲート電極２１が形成されており、ゲート電極２１を覆うようにゲート絶縁膜２４が形成されている。ゲート電極２１の上部には、ゲート絶縁膜２４を介して半導体層２０、ソース電極２２、及び、ドレイン電極２３が形成され、これらによって上記したＴＦＴ３０が構成される。ＴＦＴ３０は、上部に形成された透明画素電極１４を個別かつ選択的に制御する。
【００２５】
ゲート絶縁膜２４上には、透明画素電極１４と接続される第１の透明電極５０が形成されている。ＴＦＴ３０及び第１の透明電極５０は、層間絶縁膜２５によって覆われており、層間絶縁膜２５上には、透明画素電極１４が配置されている。そして、第１の透明電極５０と透明画素電極１４とは、層間絶縁膜２５に形成されたコンタクトホール３１ａを介して電気的に接続される。
【００２６】
第１の透明電極５０は、ＴＦＴ３０においてドレイン電極２３とゲート絶縁膜２４との密着性向上のために用いるために形成される薄膜層であり、本実施形態においては、この薄膜層を透明電極材料にて形成している。
また従来の液晶表示装置においては、透明画素電極はメタル材料からなるドレイン電極に接続されていたため、透明画素電極とドレイン電極との接続領域は非表示領域となっていた。しかし、本実施形態においては、透明画素電極１４は第１の透明電極５０に接続されているため、接続領域を表示領域とすることができ、これにより画素領域における開口率の向上が図れる。
【００２７】
図３（ｂ）において、透明基板１１上には、ゲート線１３材料にて形成されたＣｓ配線１９が形成されており、ゲート絶縁膜２４にて覆われている。ゲート絶縁膜２４上には、Ｃｓ配線１９と接続された第２の透明電極５１が形成されており、ゲート絶縁膜２４に形成されたコンタクトホール３１ｂを介して、第２の透明電極５１とＣｓ配線１９とが接続されている。第２の透明電極５１上には、層間絶縁膜２５を介して透明画素電極１４が形成されている。
【００２８】
補助容量は、第２の透明電極５１と透明画素電極１４の一部とを電極として、層間絶縁膜２５を誘電体としてコンデンサを形成することにより得られる。第２の透明電極５１は、透明な電極材料で形成されることから、開口率に影響なく面積を調整することができ、必要な補助容量を確保できる。
従来の液晶表示装置においては、補助容量を形成するための補助容量電極は、メタル材料で形成されていた。そのため、非表示領域において補助容量電極が占める面積の割合が大きいものであったが、本実施形態においては、補助容量電極を第２の透明電極５１で構成することで、光の透過領域、すなわち表示領域を増やして、画素領域における開口率を格段に向上することができる。開口率の向上は、表示領域の増加による輝度の向上だけでなく、バックライトの光量の低減による低消費電力化等にも寄与し得る。
【００２９】
第１の透明電極５０及び第２の透明電極５１は、いずれもゲート絶縁膜２４の上に形成されている。したがって、ゲート絶縁膜２４の成膜時における約３５０℃という高い温度によって、第１の透明電極５０及び第２の透明電極５１が劣化することはなく、透明電極としての機能を良好に発揮できる。
【００３０】
更に第１の透明電極５０と第２の透明電極５１とは同じ材料からなり、いずれもゲート絶縁膜２４上に、ソース線１２の最下層であるＩＴＯ膜と同時に形成されているため、一度の工程で同時に形成できる。第１の透明電極５０及び第２の透明電極５１を構成する他の透明導電材料としては、例えば、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化亜鉛等を用いることができる。
【００３１】
また第１の透明電極５０は、ＴＦＴ３０のゲート電極２１部分においてドレイン電極２３とゲート絶縁膜２４との密着性向上のために用いている薄膜層であり、ソース線１２の最下層であるＩＴＯ膜を利用しているため、製造工程を増やすことなく、すなわち加工費や材料費を増やすことなく形成できる。
【００３２】
以上のように、本実施形態では、ゲート絶縁膜２４上に第１の透明電極５０及び第２の透明電極５１を設けることで、工程を増やすことなく、補助容量を確保しつつも、高い開口率が実現できる。
【００３３】
本実施形態に係る液晶表示装置は、上記したＴＦＴアレイ基板１０の構成要素を必須として構成されたアクティブマトリクス型液晶表示装置である限り、その他の構成要素により特に限定されるものではない。また、第１の透明電極５０及び第２の透明電極５１の形状等についても上記効果を奏する限り、特に限定されるものではない。例えば、図２（ｂ）に示すような第１の透明電極５０ａ及び第２の透明電極５１ａの形状を有するＴＦＴアレイ基板１０ａ等であっても同様の効果が得られる。
【００３４】
以下に、比較実施形態に係るＴＦＴアレイ基板の構造を図面を用いて説明する。
比較実施形態１
図４は、比較実施形態１における液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の要部を示す平面模式図である。図５は、図４に示すＴＦＴアレイ基板の複数の画素を示した平面模式図である。
【００３５】
図４及び図５において、ＴＦＴアレイ基板６０は、透明基板の主面上に格子状に配置されたソース線６２及びゲート線６３を備える。ソース線６２及びゲート線６３によって区画された画素領域には、ここでは図示されていないが透明画素電極が配置される。そして、ソース線６２及びゲート線６３の交点近傍には、ＴＦＴ８０が配置される。
【００３６】
ＴＦＴ８０は、ゲート線６３に接続されたゲート電極７１、ソース線６２に接続されたソース電極７２、及び、透明画素電極に接続されたドレイン電極７３を含み、更に、半導体層を備える。ゲート電極７１は、ゲート絶縁膜にて覆われている。ＴＦＴ８０は、透明画素電極を個別かつ選択的に制御する。
【００３７】
ゲート線６３の間には、ソース線６２と交差するようにＣｓ配線６９が配置される。Ｃｓ配線６９は、ＴＦＴアレイ基板６０上に複数本が平行に設けられており、マトリクス状に配置された複数の画素のうち、同一行の画素では共通のＣｓ配線６９が利用される。
ここで、Ｃｓ配線６９には、透明画素電極と重なる位置に補助容量電極６８が形成されている。Ｃｓ配線６９及び補助容量電極６８は、ゲート線６３及びソース線６２と同じ材料、すなわち、メタル材料にて形成される。
また補助容量電極６８は、配線６８ａを介してドレイン電極７３と接続されており、ドレイン電圧保持用の補助容量は、Ｃｓ配線６９の一部である補助容量電極６８と透明画素電極の一部とを電極として、ゲート絶縁膜を誘電体としてコンデンサを形成することにより得られる。
【００３８】
上記のように構成されたＴＦＴアレイ基板６０では、補助容量電極６８がメタル材料にて形成されており、また、補助容量電極６８とドレイン電極７３とが接続されていることから、画素領域における非表示領域が実施形態１における液晶表示装置よりも多くなる。このことは、実施形態１における図２と比較実施形態１における図５とを比較することからも明らかである。
【００３９】
比較実施形態２
図６は、比較実施形態２における液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の要部を示す平面模式図である。図７は、図６におけるＡ−Ｂ線に沿った断面を示す断面模式図である。図４及び図５と同様の構成を示すものについては同一の符号を付け、ここでは説明を省略する。
【００４０】
図６において、画素電極６４と対向する位置には、透明電極９６が形成されている。透明電極９６は、後述のようにＣｓ配線６９ａの一部と一体に形成された電極である。
図７において、透明基板８１上にはＣｓ配線６９ａが形成されており、ゲート絶縁膜９４にて覆われている。ゲート絶縁膜９４上には、層間絶縁膜９５を介して透明画素電極６４が形成されている。
【００４１】
ここで、Ｃｓ配線６９ａは、アルミニウムもしくはアルミニウムを主体とする合金層９１と合金層９１を被覆する高融点金属層９２との積層構造膜に、透明導電膜９３を被覆した配線／電極を有する構成となっている。透明電極９６は、Ｃｓ配線６９ａの一部である透明導電膜９３によって形成されており、Ｃｓ配線６９ａと一体となっている。
補助容量は、ゲート絶縁膜９４及び層間絶縁膜９５を容量として、透明電極９６と透明画素電極６４との間で形成される。
【００４２】
上記のような構成を有する液晶表示装置は、比較実施形態１に示す液晶表示装置に比べて高い開口率を有する。しかしながら、Ｃｓ配線６９ａは、合金層９１及び高融点金属層９２からなる積層構造膜を必須とするため、積層構造膜を形成するための工程が更に必要になり、加工費や材料費等の増加につながる。また、ＴＦＴのゲート電極７１部分において、アルミニウムもしくはアルミニウムを主体とする合金層９１を形成すると、酸やアルカリによって電食が発生することがある。更に、透明導電膜９３及び透明電極９６は、ゲート絶縁膜９４で覆われていることから、ゲート絶縁膜９４の成膜工程において加わる熱（約３５０℃）によって、組成変化が生じることがある。
【００４３】
これに対し、実施形態１に係る液晶表示装置では、ゲート絶縁膜２４上に第１の透明電極５０及び第２の透明電極５１を設けることで、工程を増やすことなく、また透明電極の劣化を生じることもなく、補助容量を確保しつつも、高い開口率が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の実施形態１における液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の要部を示す平面模式図である。
【図２】（ａ）は、図１に示すＴＦＴアレイ基板の複数の画素を示した平面模式図であり、（ｂ）は、実施形態１に係るＴＦＴアレイ基板の他の一例を示した平面模式図である。
【図３】（ａ）は、図１におけるＡ−Ｂ線に沿った断面を示す断面模式図であり、（ｂ）は、図１におけるＣ−Ｄ線に沿った断面を示す断面模式図である。
【図４】比較実施形態１における液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板の要部を示す平面模式図である。
【図５】図４に示すＴＦＴアレイ基板の複数の画素を示した平面模式図である。
【図６】液晶表示装置におけるＴＦＴアレイ基板の要部を示す平面模式図である。
【図７】図６におけるＡ−Ｂ線に沿った断面を示す断面模式図である。
【符号の説明】
【００４５】
１０、１０ａ、６０、７０  ＴＦＴアレイ基板
１１、８１  透明基板
１２、６２  ソース線
１３、６３  ゲート線
１４、６４  透明画素電極
１９、６９、６９ａ  補助容量配線（Ｃｓ配線）
２０  半導体層
２１、７１  ゲート電極
２２、７２  ソース電極
２３、７３  ドレイン電極
２４、９４  ゲート絶縁膜
２５、９５  層間絶縁膜
３０、８０  薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）
３１ａ、３１ｂ  コンタクトホール
５０、５０ａ  第１の透明電極
５１、５１ａ  第２の透明電極
６８  補助容量電極
６８ａ  配線
９１  アルミニウムもしくはアルミニウムを主体とする合金層
９２  高融点金属層
９３  透明導電膜
９６  透明電極
【図１】
2012027046.tif 000003
【図２】
2012027046.tif 000004
【図３】
2012027046.tif 000005
【図４】
2012027046.tif 000006
【図５】
2012027046.tif 000007
【図６】
2012027046.tif 000008
【図７】
2012027046.tif 000009