(57)【要約】【課題】撮像素子の温度のみならず連続撮影動作の履歴等に応じて、より適切に欠陥画素を判別し、その欠陥画素について補正する。【解決手段】撮像装置は、被写体像を撮像する撮像素子２と、撮像素子２に、静止画撮影動作及び連続撮影動作を行わせる制御手段３，４と、撮像素子２の温度に応じた検出温度を得る温度検出手段６と、検出温度並びに連続撮影動作の開始及び終了に基づいて、欠陥画素を判別する欠陥画素判別部１３と、欠陥画素判別部１３により判別された欠陥画素について、撮像素子２が撮像した画像に対する欠陥画素補正を行う欠陥画素補正部１４とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体像を撮像する撮像素子と、
前記撮像素子に、静止画を撮像する静止画撮影動作、及び、繰り返して連続的に撮像する連続撮影動作を行わせる制御手段と、
前記撮像素子の温度に応じた検出温度を得る温度検出手段と、
前記検出温度並びに前記連続撮影動作の開始及び終了に基づいて、欠陥画素を判別する欠陥画素判別部と、
前記欠陥画素判別部により判別された欠陥画素について、前記撮像素子が撮像した画像に対する欠陥画素補正を行う欠陥画素補正部と、
を備えたことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記欠陥画素判別部は、前記検出温度、前記連続撮影動作の開始及び終了、並びに、ＩＳＯ感度の設定値に基づいて、欠陥画素を判別することを特徴とする請求項１記載の撮像装置。
【請求項３】
前記欠陥画素判別部は、前記検出温度が所定温度よりも高いときに第１のフラグを第１の値にセットするとともに、前記検出温度が前記所定温度以下であるときに前記第１のフラグを第２の値にセットする第１のフラグ処理手段と、前記連続撮影動作が開始されたときに第２のフラグを第３の値にセットするとともに、前記第１のフラグが前記第２の値である場合において前記連続撮影動作が終了されたとき、又は、前記第１のフラグが前記第１の値から前記第２の値へ変化したときに、前記第２のフラグを第４の値にセットする第２のフラグ処理手段と、前記第１のフラグが前記第１の値でありかつ前記第２のフラグが前記第３の値であるときに第３のフラグを第５の値にセットするとともに、前記第１のフラグが前記第２の値であるかあるいは前記第２のフラグが前記第４の値であるときに前記第３のフラグを第６の値にセットする第３のフラグ処理手段とを有し、
前記欠陥画素判別部は、前記第３のフラグの値及び前記ＩＳＯ感度の設定値に応じて、欠陥画素を判別することを特徴とする請求項２記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第２のフラグは、当該撮像装置の主電源がオフされた場合、前記主電源のオフ直前の値に保持されることを特徴とする請求項３記載の撮像装置。
【請求項５】
閾値と該閾値以上の欠陥レベルを有する欠陥画素のアドレスを示す画素欠陥情報を記憶する画素欠陥情報記憶部と、
前記第３のフラグの値及び前記ＩＳＯ感度の設定値に応じた前記閾値を示す判別基準情報を記憶する判別情報記憶部と、
を備え、
前記欠陥画素判別部は、前記判別基準情報を参照して、前記第３のフラグの値及び前記ＩＳＯ感度の設定値に応じた閾値を取得し、前記画素欠陥情報を参照して、前記取得した閾値以上の欠陥レベルを有する欠陥画素のアドレスを取得することを特徴とする請求項３又は４記載の撮像装置。
【請求項６】
前記欠陥画素判別部は、前記第１乃至第３のフラグ処理手段の組を複数組有し、当該各組毎に前記所定温度が異なることを特徴とする請求項３乃至５のいずれかに記載の撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被写体像を撮像する撮像素子を備えた撮像装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、撮像素子が撮像した画像に対して欠陥画素補正を行う撮像装置が提供されている。画素欠陥は温度依存性を有する。そこで、下記特許文献１に開示されたビデオカメラでは、撮像素子の温度に応じて、撮像素子の欠陥画素を検出する判定基準を変えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平６−３５０９２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、静止画を撮像する静止画撮影動作、及び、繰り返して連続的に撮像する連続撮影動作（例えば、いわゆるライブビュー動作や動画撮影動作など）を行う撮像装置では、単に撮像素子の温度に応じて撮像素子の欠陥画素を検出する判定基準を変えるだけでは、連続撮影動作の履歴等によっては必ずしも適切に欠陥画素を検出することができない場合があった。
【０００５】
例えば、長時間露光の静止画撮影時においても撮像素子が高温となるとともに、連続撮影動作後の短時間露光の静止画撮影時においても直前の連続撮影動作により撮像素子が高温となる。一般的に、長時間露光の静止画撮影の場合は、長時間露光の静止画撮影用のノイズ低減処理が行われる一方、短時間露光の静止画撮影の場合は、そのようなノイズ低減処理は行われない。このため、同じく撮像素子が高温となっているとしても、長時間露光の静止画撮影時において撮像素子が高温になった場合と、連続撮影動作後の短時間露光の静止画撮影において撮像素子が高温になっている場合とでは、撮像素子の欠陥画素を判別する基準を変えることが、より適切に欠陥画素を判別するために好ましい。しかし、そのような基準の変更は、単に撮像素子の温度に応じて撮像素子の欠陥画素を検出する判定基準を変えるだけでは、不可能であった。
【０００６】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、撮像素子の温度のみならず連続撮影動作の履歴等に応じて、より適切に欠陥画素を判別し、その欠陥画素について補正することができる撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するための手段として、以下の各態様を提示する。第１の態様による撮像装置は、被写体像を撮像する撮像素子と、前記撮像素子に、静止画を撮像する静止画撮影動作、及び、繰り返して連続的に撮像する連続撮影動作を行わせる制御手段と、前記撮像素子の温度に応じた検出温度を得る温度検出手段と、前記検出温度並びに前記連続撮影動作の開始及び終了に基づいて、欠陥画素を判別する欠陥画素判別部と、前記欠陥画素判別部により判別された欠陥画素について、前記撮像素子が撮像した画像に対する欠陥画素補正を行う欠陥画素補正部と、を備えたものである。
【０００８】
第２の態様による撮像装置は、前記第１の態様において、前記欠陥画素判別部は、前記検出温度、前記連続撮影動作の開始及び終了、並びに、ＩＳＯ感度の設定値に基づいて、欠陥画素を判別するものである。
【０００９】
第３の態様による撮像装置は、前記第２の態様において、前記欠陥画素判別部は、前記検出温度が所定温度よりも高いときに第１のフラグを第１の値にセットするとともに、前記検出温度が前記所定温度以下であるときに前記第１のフラグを第２の値にセットする第１のフラグ処理手段と、前記連続撮影動作が開始されたときに第２のフラグを第３の値にセットするとともに、前記第１のフラグが前記第２の値である場合において前記連続撮影動作が終了されたとき、又は、前記第１のフラグが前記第１の値から前記第２の値へ変化したときに、前記第２のフラグを第４の値にセットする第２のフラグ処理手段と、前記第１のフラグが前記第１の値でありかつ前記第２のフラグが前記第３の値であるときに第３のフラグを第５の値にセットするとともに、前記第１のフラグが前記第２の値であるかあるいは前記第２のフラグが前記第４の値であるときに前記第３のフラグを第６の値にセットする第３のフラグ処理手段とを有し、前記欠陥画素判別部は、前記第３のフラグの値及び前記ＩＳＯ感度の設定値に応じて、欠陥画素を判別するものである。
【００１０】
第４の態様による撮像装置は、前記第３の態様において、前記第２のフラグは、当該撮像装置の主電源がオフされた場合、前記主電源のオフ直前の値に保持されるものである。
【００１１】
第５の態様による撮像装置は、前記第３又は第４の態様において、閾値と該閾値以上の欠陥レベルを有する欠陥画素のアドレスを示す画素欠陥情報を記憶する画素欠陥情報記憶部と、前記第３のフラグの値及び前記ＩＳＯ感度の設定値に応じた前記閾値を示す判別基準情報を記憶する判別情報記憶部と、を備え、前記欠陥画素判別部は、前記判別基準情報を参照して、前記第３のフラグの値及び前記ＩＳＯ感度の設定値に応じた閾値を取得し、前記画素欠陥情報を参照して、前記取得した閾値以上の欠陥レベルを有する欠陥画素のアドレスを取得するものである。
【００１２】
第６の態様による撮像装置は、前記第３乃至第５の態様において、前記欠陥画素判別部は、前記第１乃至第３のフラグ処理手段の組を複数組有し、当該各組毎に前記所定温度が異なるものである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、撮像素子の温度のみならず連続撮影動作の履歴等に応じて、より適切に欠陥画素を判別し、その欠陥画素について補正することができる撮像装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の一実施の形態による撮像装置を示す概略ブロック図である。
【図２】図１中のメモリの画素欠陥情報記憶領域の構造の例を模式的に示す図である。
【図３】図１に示す撮像装置の静止画撮影動作を示す概略フローチャートである。
【図４】図１に示す撮像装置の動画撮影動作を示す概略フローチャートである。
【図５】Ｔｅｍｐフラグ（Ｈｉ）及びＴｅｍｐフラグ（Ｌｏ）を作成するための割り込み処理を示す概略フローチャートである。
【図６】ＬＶフラグ（Ｈｉ）を作成するための割り込み処理を示す概略フローチャートである。
【図７】ＬＶフラグ（Ｈｉ）を作成するための他の割り込み処理を示す概略フローチャートである。
【図８】ＬＶフラグ（Ｌｏ）を作成するための割り込み処理を示す概略フローチャートである。
【図９】ＬＶフラグ（Ｌｏ）を作成するための他の割り込み処理を示す概略フローチャートである。
【図１０】図３及び図４中の欠陥画素補正処理を示す概略フローチャートである。
【図１１】図１０中のステップＳ１１中の判定フラグの確認処理を示す概略フローチャートである。
【図１２】図１中のメモリの判別基準情報記憶領域の構造の例を模式的に示す図である。
【図１３】１回の長時間露光の静止画撮影の前後に渡る検出温度と各フラグとの関係の例を示す図である。
【図１４】一連の連続撮影の開始から終了までの期間の前後に渡る検出温度と各フラグとの関係の例を示す図である。
【図１５】一連の連続撮影の開始から終了までの期間及びこれに引き続く主電源オフ期間の、前後に渡る検出温度と各フラグとの関係の例を示す図である。
【図１６】連続撮影の開始・終了を繰り返す期間の前後に渡る検出温度と各フラグとの関係の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明による撮像装置について、図面を参照して説明する。
【００１６】
図１は、本発明の一実施の形態による撮像装置を示す概略ブロック図である。本実施の形態による撮像装置は、電子カメラとして構成されている。
【００１７】
本実施の形態による撮像装置は、撮影レンズ１と、撮像素子２と、装置全体を統括制御するＣＰＵ等からなる主制御部３と、ＴＧ（タイミングジェネレータ）４と、主制御部３に種々の操作信号を供給するレリーズ釦や電源スイッチ等を含む操作部５と、温度センサ６と、信号処理部７と、メモリ８と、記録部９と、液晶パネル等の表示部１０とを備えている。操作部５による電源オン・オフ操作により、装置全体に給電する主電源（図示せず）がオン・オフされるようになっている。また、操作部５によって、ＩＳＯ感度を設定することができるようになっている。
【００１８】
撮影レンズ１は、主制御部３からの指令を受けたレンズ制御部（図示せず）によってフォーカスや絞りが駆動される。この撮影レンズ１の像空間には、撮像素子２の撮像面が配置される。撮像素子２としては、例えば、ＣＭＯＳイメージセンサやＣＣＤイメージセンサ等が用いられる。撮像素子２は、主制御部３からの指令によりＴＧ４が発生するタイミング信号によって駆動され、撮影レンズ１により形成される被写体像を撮像し、その画像信号を信号処理部７に出力する。
【００１９】
信号処理部７は、主制御部３及びＴＧ４との間で制御信号や同期信号等の授受を行い、以下に説明するような信号処理を行う。信号処理部７は、前信号処理部１１と、後信号処理部１２とを有している。前信号処理部１１は、撮像素子２からのアナログの画像信号に対してアナログ増幅等の各種のアナログ処理を行った後に、Ａ／Ｄ変換する。
【００２０】
後信号処理部１２は、主制御部３からの指令に従って、前信号処理部１１から出力されたデジタルの画像信号に対して、デジタル増幅、色補間処理、ホワイトバランス処理などの画像処理や、画像データの圧縮処理及び伸張処理などを行う他、欠陥画素判別部１３及び欠陥画素補正部１４としての機能を担う。本実施の形態では、後信号処理部１２は、長時間露光の静止画撮影の場合は、長時間露光の静止画撮影用のノイズ低減処理を行う一方、短時間露光の静止画撮影の場合は、そのようなノイズ低減処理は行わない。
【００２１】
メモリ８には、欠陥画素判別部１３の動作に必要な情報が記憶されている。メモリ８として不揮発性メモリが用いられ、前記主電源がオフされた後も、メモリ８内に記憶された情報は保持される。本実施の形態では、メモリ８は、画素欠陥情報記憶領域１５と、判別基準情報記憶領域１６と、フラグ記憶領域１７とを有している。
【００２２】
画素欠陥情報記憶領域１５には、閾値と該閾値以上の欠陥レベルを有する欠陥画素のアドレスを示す画素欠陥情報が、当該撮像装置の出荷前に、撮像素子２の検査結果に基づいて予め記憶されている。図２は、画素欠陥情報記憶領域１５の構造の例を模式的に示す図である。この例では、画素欠陥情報記憶領域１５は、個数記憶領域２１とアドレス記憶領域２２とから構成されている。この例では、欠陥レベルの単位をＬＳＢとし、欠陥レベルを、３２００ＬＳＢ以上の範囲、１６００ＬＳＢ以上３２００ＬＳＢ未満（「１６００〜３２００ＬＳＢ」）の範囲、８００〜１６００ＬＳＢの範囲、４００〜８００ＬＳＢの範囲、２００〜４００ＬＳＢの範囲、１００〜２００ＬＳＢの範囲、５０〜１００ＬＳＢの範囲、２５〜５０ＬＳＢの範囲、１３〜２５ＬＳＢの範囲に分けている。そして、個数記憶領域２１には各範囲毎に当該範囲内の欠陥レベルを有する欠陥画素の個数（すなわち、欠陥画素のアドレスの個数）が記憶されている。アドレス記憶領域２２には、前述した各範囲の順に、当該範囲内の欠陥レベルを有する欠陥画素のアドレスが順次記憶されている。したがって、この例では、例えば、ｍを３２００ＬＳＢ以上の範囲内の欠陥レベルを有する欠陥画素の個数、ｎを１６００〜３２００ＬＳＢの範囲内の欠陥レベルを有する欠陥画素の個数とすると、閾値１６００ＬＳＢ以上の欠陥レベルを有する欠陥画素のアドレスは、アドレス記憶領域２２の先頭からｍ＋ｎ個のアドレスであることがわかる。なお、画素欠陥情報記憶領域１５の構造は、図２に示す例に限られない。
【００２３】
判別基準情報記憶領域１６に記憶されている判別基準情報、及び、フラグ記憶領域１７に記憶されるフラグについては、後述する。
【００２４】
温度センサ６は、撮像素子２の温度を直接的又は間接的に検出し、撮像素子２の温度に応じた検出温度Ｔを示す検出温度データを出力する。この検出温度データは、主制御部３を介して欠陥画素判別部１３に供給される。
【００２５】
後信号処理部１２による処理を経て出力される画像データは、主制御部３からの指令に従って、記録部９に着脱自在に装着された記憶媒体（図示せず）に記録されたり、表示部１０に画像表示されたりする。
【００２６】
本実施の形態による撮像装置は、操作部５の操作に応じて、静止画を撮像する静止画撮影動作、及び、繰り返して連続的に撮像する連続撮影動作を行う。そして、本実施の形態による撮像装置は、操作部５の操作に応じて、連続撮影動作として、連続的に繰り返して撮像した画像を記録する動画撮影動作、及び、連続的に繰り返して撮像した画像を表示部１０に表示させるが記録しないライブビュー動作を行う。もっとも、連続撮影動作として、動画撮影動作及びライブビュー動作のいずか一方のみを行うようにしてもよい。
【００２７】
図３は、本実施の形態による撮像装置の静止画撮影動作を示す概略フローチャートである。静止画撮影動作は、操作部５からの静止画撮影の指令に従って開始する。静止画撮影動作を開始すると、主制御部３は、まず、レンズ制御部（図示せず）に指令して撮影レンズ１のフォーカスや絞りを駆動するなどの、蓄積動作（露光動作）準備の動作を行う（ステップＳ１）。次いで、主制御部３は、図示しないシャッタ制御部を介して、メカニカルシャッタ（図示せず）を作動させて、蓄積動作を行わせる（ステップＳ２）。次に、主制御部３は、ＴＧ４に指令を与えて、撮像した被写体像の画像信号を撮像素子２から出力させる読み出し動作を行わせる（ステップＳ３）。引き続いて、撮像素子２からの画像信号は、前信号処理部１１により、アナログ増幅等の各種のアナログ処理が行われた後、Ａ／Ｄ変換される。このＡ／Ｄ変換された画像信号（画像データ）は、後信号処理部１２によって、デジタル増幅、色補間処理、ホワイトバランス処理などの画像処理の他、後述する欠陥画素補正処理（ステップＳ４）が行われる。この欠陥画素補正処理（ステップＳ４）は、後信号処理部１２の欠陥画素判別部１３及び欠陥画素補正部１４によって行われるが、その詳細は後述する。なお、信号処理部７による信号増幅は、操作部５によるＩＳＯ感度の設定値に応じたゲインで行われるようになっている。その後、主制御部３は、記録部９を制御して、欠陥画素補正処理等が行われた画像データを、記録部９に装着されている記録媒体（図示せず）に記録させ（ステップＳ５）、静止画撮影動作を終了する。
【００２８】
図４は、本実施の形態による撮像装置の動画撮影動作を示す概略フローチャートである。図４において、図３中のステップと同一又は対応するステップには同一符号を付し、その重複する説明は省略する。動画撮影動作が静止画撮影動作と異なる所は、主に、以下に説明する点である。動画撮影動作は、操作部５からの動画撮影開始指令に従って開始する。動画撮影動作では、主制御部３が、ステップＳ５の後に、動画撮影が開始した後に終了状態となったか否か（例えば、操作部からの動画撮影終了指令があったか否か）を判定し（ステップＳ６）、終了状態でなければステップＳ１へ戻る一方、終了状態であれば動画撮影動作を終了する。
【００２９】
ライブビュー動作は、基本的に前述した動画撮影動作と同様である。ただし、ステップＳ５において、記録動作に代えて、主制御部３は、表示部１０を制御して、欠陥画素補正処理等が行われた画像データを表示部１０に画像表示させる。
【００３０】
以下の説明では、動画撮影とライブビューとを区別することなく、それらのいずれであっても連続撮影と呼ぶ。なお、先の説明からわかるように、本実施の形態では、主制御部３及びＴＧ４が、撮像素子２に、静止画撮影動作及び連続撮影動作を行わせる制御手段に相当している。
【００３１】
本実施の形態では、欠陥画素判別部１３は、前記検出温度Ｔ、連続撮影動作の開始及び終了、並びにＩＳＯ感度の設定値に基づいて、欠陥画素を判別する。具体的には、本実施の形態では、欠陥画素判別部１３は、図５に示す動作によりＴｅｍｐフラグ（第１のフラグ）を作成し、図６乃至図９に示す動作によりＬＶフラグ（第２のフラグ）を作成し、図１０中のステップＳ１１〜Ｓ１３の動作（図１１に示す判定フラグ（第３のフラグ）の作成を含む。）を行う。また、欠陥画素補正部１４は、欠陥画素判別部１３により判別された欠陥画素について、撮像素子２が撮像した画像に対する欠陥画素補正を行う。具体的には、本実施の形態では、欠陥画素補正部１４は、図１０中のステップＳ１４の動作を行う。
【００３２】
なお、後述するように、本実施の形態では、Ｔｅｍｐフラグ、ＬＶフラグ及び判定フラグの組は、予め定めた２つの基準温度（所定温度）Ｔ＿Ｈｉ，Ｔ＿Ｌｏ（Ｔ＿Ｈｉ＞Ｔ＿Ｌｏ）に応じて、２組作成される。すなわち、基準温度Ｔ＿Ｈｉに応じて、Ｔｅｍｐフラグ（Ｈｉ）、ＬＶフラグ（Ｈｉ）及び判定フラグ（Ｈｉ）の組が作成され、基準温度Ｔ＿Ｌｏに応じて、Ｔｅｍｐフラグ（Ｌｏ）、ＬＶフラグ（Ｌｏ）及び判定フラグ（Ｌｏ）の組が作成される。本実施の形態では、これらのフラグの値は、メモリ８のフラグ記憶領域１７に記憶され、主電源がオフされた後も、メモリ８内に記憶された情報は保持される。ただし、図５に示す動作は主電源オン中に一定時間毎に定期的に開始されるので、Ｔｅｍｐフラグ（Ｈｉ）及びＴｅｍｐフラグ（Ｌｏ）の値については、主電源がオフされた後に保持するメリットはない。
【００３３】
図５は、Ｔｅｍｐフラグ（Ｈｉ）及びＴｅｍｐフラグ（Ｌｏ）を作成するための、欠陥画素判別部１３が行う割り込み処理を示すフローチャートである。この割り込み処理は、本実施の形態による撮像装置の主電源のオン中に、一定時間毎に定期的に開始される。欠陥画素判別部１３は、主電源の投入時に、初期設定として、Ｔｅｍｐフラグ（Ｈｉ）及びＴｅｍｐフラグ（Ｌｏ）をそれぞれ第２の値としての０にセットする。
【００３４】
図５に示す割り込み処理が開始すると、欠陥画素判別部１３は、まず、温度センサ６からの検出温度データ（検出温度Ｔ）を、主制御部３を介して所得する（ステップＳ２１）。次に、欠陥画素判別部１３は、ステップＳ２１で取得した検出温度Ｔが基準温度Ｔ＿Ｈｉよりも高いか否かを判定し（ステップＳ２２）、検出温度Ｔが基準温度Ｔ＿Ｈｉよりも高いければ、Ｔｅｍｐフラグ（Ｈｉ）が第１の値としての１であるか否かを判定する（ステップＳ２３）。
【００３５】
ステップＳ２３においてＴｅｍｐフラグ（Ｈｉ）が１であると判定されると、そのままステップＳ２７へ移行する。一方、ステップＳ２３においてＴｅｍｐフラグ（Ｈｉ）が１でない（すなわち、０である）と判定されると、欠陥画素判別部１３は、Ｔｅｍｐフラグ（Ｈｉ）を１にセットした（ステップＳ２４）後に、ステップＳ２７へ移行する。
【００３６】
ステップＳ２２において検出温度Ｔが基準温度Ｔ＿Ｈｉ以下であると判定されると、欠陥画素判別部１３は、Ｔｅｍｐフラグ（Ｈｉ）が１であるか否かを判定する（ステップＳ２５）。ステップＳ２５においてＴｅｍｐフラグ（Ｈｉ）が１であると判定されると、欠陥画素判別部１３は、Ｔｅｍｐフラグ（Ｈｉ）を第２の値としての０にセットした（ステップＳ２６）後に、ステップＳ２７へ移行する。一方、ステップＳ２５においてＴｅｍｐフラグ（Ｈｉ）が１でない（すなわち、０である）と判定されると、そのままステップＳ２７へ移行する。
【００３７】
本実施の形態では、ステップＳ２２〜Ｓ２６が、検出温度Ｔが基準温度Ｔ＿Ｈｉよりも高いときにＴｅｍｐフラグ（Ｈｉ）を第１の値としての１にセットするとともに、検出温度Ｔが基準温度Ｔ＿Ｈｉ以下であるときに、Ｔｅｍｐフラグ（Ｈｉ）を第２の値としての０にセットするフラグ処理手段に、相当している。
【００３８】
ステップＳ２７において、欠陥画素判別部１３は、ステップＳ２１で取得した検出温度Ｔが基準温度Ｔ＿Ｌｏよりも高いか否かを判定する。ステップＳ２７において検出温度Ｔが基準温度Ｔ＿Ｌｏよりも高いと判定されると、欠陥画素判別部１３は、Ｔｅｍｐフラグ（Ｌｏ）が第１の値としての１であるか否かを判定する（ステップＳ２８）。
【００３９】
ステップＳ２８においてＴｅｍｐフラグ（Ｌｏ）が１であると判定されると、欠陥画素判別部１３は、図５に示す割り込み処理を終了する。一方、ステップＳ２８においてＴｅｍｐフラグ（Ｌｏ）が１でない（すなわち、０である）と判定されると、欠陥画素判別部１３は、Ｔｅｍｐフラグ（Ｌｏ）を１にセットした（ステップＳ２９）後に、図５に示す割り込み処理を終了する。
【００４０】
ステップＳ２７において検出温度Ｔが基準温度Ｔ＿Ｌｏ以下であると判定されると、欠陥画素判別部１３は、Ｔｅｍｐフラグ（Ｌｏ）が１であるか否かを判定する（ステップＳ３０）。ステップＳ３０においてＴｅｍｐフラグ（Ｌｏ）が１であると判定されると、欠陥画素判別部１３は、Ｔｅｍｐフラグ（Ｌｏ）を第２の値としての０にセットした（ステップＳ３１）後に、図５に示す割り込み処理を終了する。一方、ステップＳ３０においてＴｅｍｐフラグ（Ｌｏ）が１でない（すなわち、０である）と判定されると、図５に示す割り込み処理を終了する。
【００４１】
本実施の形態では、ステップＳ２７〜Ｓ３１が、検出温度Ｔが基準温度Ｔ＿Ｌｏよりも高いときにＴｅｍｐフラグ（Ｌｏ）を第１の値としての１にセットするとともに、検出温度Ｔが基準温度Ｔ＿Ｌｏ以下であるときに、Ｔｅｍｐフラグ（Ｌｏ）を第２の値としての０にセットするフラグ処理手段に、相当している。
【００４２】
図６及び図７はそれぞれ、ＬＶフラグ（Ｈｉ）を作成するための、欠陥画素判別部１３が行う割り込み処理を示すフローチャートである。
【００４３】
図６に示す割り込み処理は、連続撮影動作の開始によって、開始する。連続撮影動作の開始を示す信号は、主制御部３から欠陥画素判別部１３に供給される。図６に示す割り込み処理が開始すると、欠陥画素判別部１３は、ＬＶフラグ（Ｈｉ）を第３の値としての１にセットする（ステップＳ４１）。ステップＳ４１が終了すると、欠陥画素判別部１３は、図６に示す割り込み処理を終了する。
【００４４】
図７に示す割り込み処理は、連続撮影動作の終了によって、あるいは、Ｔｅｍｐフラグ（Ｈｉ）の立ち下がり（１から０への変化）によって、開始する。連続撮影動作の終了を示す信号は、主制御部３から欠陥画素判別部１３に供給される。
【００４５】
図７に示す割り込み処理が開始すると、欠陥画素判別部１３は、当該割り込み処理が、連続撮影動作の終了及びＴｅｍｐフラグ（Ｈｉ）の立ち下がりのうちのいずれによって開始したかを判定する（ステップＳ５１）。連続撮影動作の終了によって開始した場合は、ステップＳ５２へ移行する。一方、Ｔｅｍｐフラグ（Ｈｉ）の立ち下がりによって開始した場合は、ステップＳ５３へ移行する。
【００４６】
ステップＳ５２において、欠陥画素判別部１３は、Ｔｅｍｐフラグ（Ｈｉ）が１であるか否かを判定する（ステップＳ５２）。ステップＳ５２においてＴｅｍｐフラグ（Ｈｉ）が１であると判定されると、欠陥画素判別部１３は、図７に示す割り込み処理を終了する。ステップＳ５２においてＴｅｍｐフラグ（Ｈｉ）が１でない（すなわち、０である）と判定されると、欠陥画素判別部１３は、ＬＶフラグ（Ｈｉ）を第４の値としての０にセットした（ステップＳ５３）後に、図７に示す割り込み処理を終了する。
【００４７】
本実施の形態では、ステップＳ４１，Ｓ５１〜Ｓ５３が、連続撮影動作が開始されたときにＬＶフラグ（Ｈｉ）を第３の値としての１にセットするとともに、Ｔｅｍｐフラグ（Ｈｉ）が第２の値としての０である場合において連続撮影動作が終了されたとき、又は、Ｔｅｍｐフラグ（Ｈｉ）が第１の値としての１から第２の値としての０へ変化したときに、ＬＶフラグ（Ｈｉ）を第４の値としての０にセットするフラグ処理手段に、相当している。
【００４８】
図８及び図９はそれぞれ、ＬＶフラグ（Ｌｏ）を作成するための、欠陥画素判別部１３が行う割り込み処理を示すフローチャートである。
【００４９】
図８に示す割り込み処理は、連続撮影動作の開始によって、開始する。図８に示す割り込み処理が開始すると、欠陥画素判別部１３は、ＬＶフラグ（Ｌｏ）を第３の値としての１にセットする（ステップＳ６１）。ステップＳ６１が終了すると、欠陥画素判別部１３は、図８に示す割り込み処理を終了する。
【００５０】
図９に示す割り込み処理は、連続撮影動作の終了によって、あるいは、Ｔｅｍｐフラグ（Ｌｏ）の立ち下がり（１から０への変化）によって、開始する。
【００５１】
図９に示す割り込み処理が開始すると、欠陥画素判別部１３は、当該割り込み処理が、連続撮影動作の終了及びＴｅｍｐフラグ（Ｌｏ）の立ち下がりのうちのいずれによって開始したかを判定する（ステップＳ７１）。連続撮影動作の終了によって開始した場合は、ステップＳ７２へ移行する。一方、Ｔｅｍｐフラグ（Ｌｏ）の立ち下がりによって開始した場合は、ステップＳ７３へ移行する。
【００５２】
ステップＳ７２において、欠陥画素判別部１３は、Ｔｅｍｐフラグ（Ｌｏ）が１であるか否かを判定する（ステップＳ７２）。ステップＳ７２においてＴｅｍｐフラグ（Ｌｏ）が１であると判定されると、欠陥画素判別部１３は、図９に示す割り込み処理を終了する。ステップＳ７２においてＴｅｍｐフラグ（Ｌｏ）が１でない（すなわち、０である）と判定されると、欠陥画素判別部１３は、ＬＶフラグ（Ｌｏ）を第４の値としての０にセットした（ステップＳ７３）後に、図９に示す割り込み処理を終了する。
【００５３】
本実施の形態では、ステップＳ６１，Ｓ７１〜Ｓ７３が、連続撮影動作が開始されたときにＬＶフラグ（Ｌｏ）を第３の値としての１にセットするとともに、Ｔｅｍｐフラグ（Ｌｏ）が第２の値としての０である場合において連続撮影動作が終了されたとき、又は、Ｔｅｍｐフラグ（Ｌｏ）が第１の値としての１から第２の値としての０へ変化したときに、ＬＶフラグ（Ｌｏ）を第４の値としての０にセットするフラグ処理手段に、相当している。
【００５４】
次に、図３及び図４中の欠陥画素補正処理（ステップＳ４）について、説明する。この欠陥画素補正処理（ステップＳ４）は、静止画撮影動作時及び動画撮影動作時のみならず、ライブビュー動作時においても同様である。
【００５５】
図１０は、図３及び図４中の欠陥画素補正処理（ステップＳ４）を示す概略フローチャートである。この欠陥画素補正処理（ステップＳ４）においては、まず、欠陥画素判別部１３が、現在のＩＳＯ感度の設定値、並びに、現在の判定フラグ（Ｈｉ）及び判定フラグ（Ｌｏ）を確認する（ステップＳ１１）。
【００５６】
図１１は、このステップＳ１１中の現在の判定フラグ（Ｈｉ）及び判定フラグ（Ｌｏ）の確認処理を示す概略フローチャートである。この確認処理では、まず、欠陥画素判別部１３は、現在のＴｅｍｐフラグ（Ｈｉ）と現在のＬＶフラグ（Ｈｉ）とのＡＮＤをとることによって、判定フラグ（Ｈｉ）を作成する（ステップＳ８１）。すなわち、Ｔｅｍｐフラグ（Ｈｉ）が１でかつＬＶフラグ（Ｈｉ）が１の場合に、判定フラグ（Ｈｉ）に第５の値としての１にセットし、Ｔｅｍｐフラグ（Ｈｉ）及びＬＶフラグ（Ｈｉ）の少なくとも一方が０の場合に、判定フラグ（Ｈｉ）に第６の値としての０にセットする。次に、欠陥画素判別部１３は、現在のＴｅｍｐフラグ（Ｌｏ）と現在のＬＶフラグ（Ｌｏ）とのＡＮＤをとることによって、判定フラグ（Ｌｏ）を作成する（ステップＳ８２）。すなわち、Ｔｅｍｐフラグ（Ｌｏ）及びＬＶフラグ（Ｌｏ）の両方が１の場合に、判定フラグ（Ｌｏ）に第５の値としての１にセットし、Ｔｅｍｐフラグ（Ｌｏ）及びＬＶフラグ（Ｌｏ）の少なくとも一方が０の場合に、判定フラグ（Ｌｏ）に第６の値としての０にセットする。ステップＳ８２が終了すると、判定フラグの確認処理は終了する。
【００５７】
ステップＳ８１が、Ｔｅｍｐフラグ（Ｈｉ）が第１の値としての１でありかつＬＶフラグ（Ｈｉ）が第３の値としての１であるときに判定フラグ（Ｈｉ）を第５の値としての１にセットするとともに、Ｔｅｍｐフラグ（Ｈｉ）が第２の値としての０であるかＬＶフラグ（Ｈｉ）が第４の値としての０であるときに判定フラグ（Ｈｉ）を第６の値としての０にセットするフラグ処理手段に、相当している。ステップＳ８２が、Ｔｅｍｐフラグ（Ｌｏ）が第１の値としての１でありかつＬＶフラグ（Ｌｏ）が第３の値としての１であるときに判定フラグ（Ｌｏ）を第５の値としての１にセットするとともに、Ｔｅｍｐフラグ（Ｌｏ）が第２の値としての０であるかＬＶフラグ（Ｌｏ）が第４の値としての０であるときに判定フラグ（Ｌｏ）を第６の値としての０にセットするフラグ処理手段に、相当している。
【００５８】
ここで、図１３乃至図１６に、各動作例に応じた検出温度Ｔと、前述したようにして作成されるフラグＴｅｍｐフラグ（Ｈｉ）、Ｔｅｍｐフラグ（Ｌｏ）、ＬＶフラグ（Ｈｉ）、ＬＶフラグ（Ｌｏ）、判定フラグ（Ｈｉ）、判定フラグ（Ｌｏ）との関係を示している。
【００５９】
図１３は、１回の長時間露光の静止画撮影の前後に渡る検出温度Ｔと各フラグとの関係の例を示す図である。図１３において、ｔ１は長時間露光の静止画撮影の開始時点、ｔ２は検出温度Ｔが上昇中に基準温度Ｔ＿Ｌｏに達した時点、ｔ３は検出温度Ｔが上昇中に基準温度Ｔ＿Ｈｉに達した時点、ｔ４は長時間露光の静止画撮影の終了時点、ｔ５は検出温度Ｔが下降中に基準温度Ｔ＿Ｈｉに達した時点、ｔ６は検出温度Ｔが下降中に基準温度Ｔ＿Ｌｏに達した時点を、それぞれ示す。図１３に現れている期間中、主電源はオンしている。なお、図１３では、ＬＶフラグ（Ｈｉ）、ＬＶフラグ（Ｌｏ）、判定フラグ（Ｈｉ）、判定フラグ（Ｌｏ）は、０のままである。
【００６０】
図１４は、一連の連続撮影の開始から終了までの期間の前後に渡る検出温度Ｔと各フラグとの関係の例を示す図である。図１４において、ｔ１１は連続撮影の開始時点、ｔ１２は検出温度Ｔが上昇中に基準温度Ｔ＿Ｌｏに達した時点、ｔ１３は検出温度Ｔが上昇中に基準温度Ｔ＿Ｈｉに達した時点、ｔ１４は連続撮影の終了時点、ｔ１５は検出温度Ｔが下降中に基準温度Ｔ＿Ｈｉに達した時点、ｔ１６は検出温度Ｔが下降中に基準温度Ｔ＿Ｌｏに達した時点を、それぞれ示す。図１４に現れている期間中、主電源はオンしている。
【００６１】
図１５は、一連の連続撮影の開始から終了までの期間及びこれに引き続く主電源オフ期間の、前後に渡る検出温度Ｔと各フラグとの関係の例を示す図である。時点ｔ１４から時点ｔ２５までの期間は主電源をオフし、他の期間は主電源をオンしている。図１５において時点ｔ１４以前は、図１３における時点ｔ１４以前と同じである。図１５に示す例では、ｔ２５は検出温度Ｔが下降中に基準温度Ｔ＿Ｈｉに達した時点、ｔ２６は検出温度Ｔが下降中に基準温度Ｔ＿Ｌｏに達した時点を、それぞれ示す。本実施の形態では、前述したように各フラグが記憶されるメモリ８が不揮発性メモリであるので、主電源がオフされた場合、ＬＶフラグ（Ｈｉ）、ＬＶフラグ（Ｌｏ）等は、主電源のオフ直前の値に保持される。
【００６２】
図１６は、連続撮影の開始・終了を繰り返す期間の前後に渡る検出温度Ｔと各フラグとの関係の例を示す図である。ｔ３１，ｔ３５，ｔ３９，ｔ４２，ｔ４６，ｔ５０は各連続撮影の開始時点、ｔ３３，ｔ３７，ｔ４１，ｔ４４，ｔ４８，ｔ５２は各連続撮影の終了時点、ｔ３２，ｔ３６，ｔ４０は検出温度Ｔが上昇中に基準温度Ｔ＿Ｌｏに達した時点、ｔ３４，ｔ３８，ｔ５４は検出温度Ｔが下降中に基準温度Ｔ＿Ｌｏに達した時点、ｔ４３，ｔ４７，ｔ５１は検出温度Ｔが上昇中に基準温度Ｔ＿Ｈｉに達した時点、ｔ４５，ｔ４９，ｔ５３は検出温度Ｔが下降中に基準温度Ｔ＿Ｈｉに達した時点を、それぞれ示す。図１６に現れている期間中、主電源はオンしている。
【００６３】
再び図１０を参照すると、ステップＳ１１の後に、欠陥画素判別部１３は、ステップＳ１１で確認したＩＳＯ感度の設定値並びに判定フラグ（Ｈｉ）及び判定フラグ（Ｌｏ）の値に従って、閾値を取得する（ステップＳ１２）。このとき、欠陥画素判別部１３は、メモリ８の判別基準情報記憶領域１６に予め記憶された判別基準情報を参照する。この判定基準情報は、ＩＳＯ感度の設定値並びに判定フラグ（Ｈｉ）及び判定フラグ（Ｌｏ）の値に応じた閾値（当該閾値以上の欠陥レベルを有する欠陥画素を、判別すべき欠陥画素とする閾値）である。図１２は、判別基準情報記憶領域１６に予め記憶された判別基準情報の例を示す図である。なお、判定フラグ（Ｈｉ）を得るための基準温度Ｔ＿Ｈｉが判定フラグ（Ｌｏ）を得るための基準温度Ｔ＿Ｌｏよりも高いので、判定フラグ（Ｈｉ）が１でありかつ判定フラグ（Ｌｏ）が０であるという場合はない。例えば、ステップＳ１１で確認したＩＳＯ感度の設定値が８００であるとともに、ステップＳ１１で確認した判定フラグ（Ｈｉ）が０でありかつ判定フラグ（Ｌｏ）が１である場合、ステップＳ１２において、欠陥画素判別部１３は、図１２に示す判別基準情報を参照して、閾値として２００ＬＳＢを取得する。
【００６４】
次に、欠陥画素判別部１３は、ステップＳ１２で取得した閾値に従って、判別した欠陥画素のアドレスを取得する（ステップＳ１３）。このとき、欠陥画素判別部１３は、メモリ８の画素欠陥情報記憶領域１５に予め記憶された図２に示す画素欠陥情報を参照して、ステップＳ１２で取得した閾値以上の欠陥レベルを有する欠陥画素のアドレスを取得する。例えば、ステップＳ１２で取得した閾値が２００ＬＳＢである場合、欠陥画素判別部１３は、図２に示す画素欠陥情報を参照して、欠陥画素の判別結果として、欠陥レベルが２００ＬＳＢ以上の欠陥画素のアドレスを取得する。
【００６５】
その後、欠陥画素補正部１４は、ステップＳ３で読み出され前信号処理部１１による処理等を経た画像データに対して、ステップＳ１３で取得されたアドレスの画素（判別された欠陥画素）について欠陥画素補正を行う（ステップＳ１４）。欠陥画素補正の具体的な手法としては、例えば、公知の種々の手法を採用することができる。ステップＳ１４が終了すると、ステップＳ４の欠陥画素補正処理が終了する。
【００６６】
本実施の形態では、欠陥画素判別部１３が、Ｔｅｍｐフラグ（Ｈｉ）及びＴｅｍｐフラグ（Ｌｏ）のみならずＬＶフラグ（Ｈｉ）及びＬＶフラグ（Ｌｏ）を用いることで、検出温度Ｔのみならず連続撮影動作の開始及び終了にも基づいて欠陥画素を判別している。したがって、本実施の形態によれば、撮像素子２の温度のみならず連続撮影動作の履歴等に応じて、より適切に欠陥画素を判別し、その欠陥画素について補正することができる。
【００６７】
例えば、図１３に示すように長時間露光の静止画撮影時においても撮像素子が高温となるとともに、図１４乃至図１６に示すように連続撮影動作後の短時間露光の静止画撮影時においても直前の連続撮影動作により撮像素子が高温となる。前述したように、本実施の形態では、長時間露光の静止画撮影の場合は、長時間露光の静止画撮影用のノイズ低減処理が行われる一方、短時間露光の静止画撮影の場合は、そのようなノイズ低減処理は行われない。このため、同じく撮像素子２が高温となっているとしても、長時間露光の静止画撮影時において撮像素子２が高温になった場合と、連続撮影動作後の短時間露光の静止画撮影において撮像素子２が高温になっている場合とでは、撮像素子２の欠陥画素を判別する基準を変えることが、より適切に欠陥画素を判別するために好ましい。しかし、そのような基準の変更は、単に撮像素子２の温度に応じて撮像素子２の欠陥画素を判別する基準を変えるだけでは、不可能である。これに対し、本実施の形態では、検出温度Ｔのみならず連続撮影動作の開始及び終了にも基づいて欠陥画素を判別しているので、長時間露光の静止画撮影時において撮像素子２が高温になった場合と、連続撮影動作後の短時間露光の静止画撮影において撮像素子２が高温になっている場合とで、撮像素子２の欠陥画素を判別する基準を変えることができ、より適切に欠陥画素を判別することができる。
【００６８】
また、本実施の形態では、検出温度Ｔのみならず連続撮影動作の開始及び終了にも基づいて欠陥画素を判別しているので、静止画撮影動作時と連続撮影動作時とでゲインの配分（アナログゲインとデジタルゲインの配分）を変える場合であっても、そのゲイン配分の差異に応じて前記閾値を設定することができ、より適切に欠陥画素を判別することができる。
【００６９】
さらに、本実施の形態では、ＬＶフラグ（Ｈｉ）及びＬＶフラグ（Ｌｏ）は、不揮発性メモリであるメモリ８のフラグ記憶領域１７に記憶され、主電源がオフされた場合、主電源のオフ直前の値に保持される。したがって、一旦主電源がオフされても、連続撮影動作の開始及び終了の履歴情報が失われてしまうことがないため、主電源オフ後に再び主電源を投入した直後であっても、適切に欠陥画素を判別することができる。
【００７０】
なお、本実施の形態では、前述した図３及び図４からわかるように、撮像素子２が撮像する全てのフレームについて、欠陥画素補正処理（ステップＳ４）が行われることになる。
【００７１】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明はこの実施の形態に限定されるものではない。
【００７２】
例えば、前記実施の形態では、ＩＳＯ感度の設定値にも基づいて欠陥画素を判別しているが、本発明では、必ずしもＩＳＯ感度の設定値にも基づいて欠陥画素を判別する必要はない。また、必要に応じて、シャッタ秒時にも基づいて欠陥画素を判別してもよい。
【００７３】
また、前記実施の形態では、２つの基準温度Ｔ＿Ｈｉ，Ｔ＿Ｌｏに応じて、Ｔｅｍｐフラグ、ＬＶフラグ及び判定フラグの組が２組（すなわち、Ｔｅｍｐフラグ（Ｈｉ）、ＬＶフラグ（Ｈｉ）及び判定フラグ（Ｈｉ）の組と、Ｔｅｍｐフラグ（Ｌｏ）、ＬＶフラグ（Ｌｏ）及び判定フラグ（Ｌｏ）の組）用いられている。しかしながら、本発明では、１つの基準温度に応じた１組のＴｅｍｐフラグ、ＬＶフラグ及び判定フラグのみを用いてもよいし、３つ以上の基準温度に応じた３組以上のＴｅｍｐフラグ、ＬＶフラグ及び判定フラグを用いてもよい。例えば、３つの基準温度Ｔ＿Ｈｉ，Ｔ＿Ｍｄ，Ｔ＿Ｌｏ（Ｔ＿Ｈｉ＞Ｔ＿Ｍｄ＞Ｔ＿Ｌｏ）に応じた３組のＴｅｍｐフラグ、ＬＶフラグ及び判定フラグ（Ｔｅｍｐフラグ（Ｈｉ）、ＬＶフラグ（Ｈｉ）及び判定フラグ（Ｈｉ）の組と、Ｔｅｍｐフラグ（Ｍｄ）、ＬＶフラグ（Ｍｄ）及び判定フラグ（Ｍｄ）の組、Ｔｅｍｐフラグ（Ｌｏ）、ＬＶフラグ（Ｌｏ）及び判定フラグ（Ｌｏ）の組）を用いてもよい。この場合、図１２に示す判別基準情報を、（判定フラグ（Ｈｉ），判定フラグ（Ｌｏ））の（１，１）、（０，１）、（０，０）の各列に代えて、（判定フラグ（Ｈｉ），判定フラグ（Ｍｄ），判定フラグ（Ｌｏ））の（１，１，１）、（０，１，１）、（０，０，１），（０，０，０）の各列となるように、改変すればよい。
【符号の説明】
【００７４】
２  撮像素子
３  主制御部
６  温度センサ
１３  欠陥画素判別部
１４  欠陥画素補正部
１５  画素欠陥情報記憶領域
１６  判別基準情報記憶領域
【図１】
2012175682.tif 000003
【図２】
2012175682.tif 000004
【図３】
2012175682.tif 000005
【図４】
2012175682.tif 000006
【図５】
2012175682.tif 000007
【図６】
2012175682.tif 000008
【図７】
2012175682.tif 000009
【図８】
2012175682.tif 000010
【図９】
2012175682.tif 000011
【図１０】
2012175682.tif 000012
【図１１】
2012175682.tif 000013
【図１２】
2012175682.tif 000014
【図１３】
2012175682.tif 000015
【図１４】
2012175682.tif 000016
【図１５】
2012175682.tif 000017
【図１６】
2012175682.tif 000018