(57)【要約】【課題】表示ムラを抑えつつ、高精細化を図ることが容易とする。【解決手段】初期化期間に、電源線１１６の電位を低位側にするとともに、トランジスター１４０のゲートノードＲgにデータ線１１４およびトランジスター１３０を介し電位Ｖofs1を与えて、トランジスター１４０のソースノードＲsの電位を初期化し、セット期間に、電源線１１６の電位を高位側に切り替え、ゲートノードＲgにデータ線１１４およびトランジスター１４０を介し電位Ｖofs2を与えて、発光素子１５０の発光を阻止しつつ、ゲートノードＲgおよびソースノードＲs間にトランジスター１４０の閾値電圧Ｖth_trに相当する電圧をセットし、この後、書込期間に、ゲートノード１４０にデータ線１１４およびトランジスター１３０を介し階調に応じた電位を与える。【選択図】図１
2012234082.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素回路を有し、
前記複数の画素回路の各々は、
発光素子と、
ドレインノードが電源線に電気的に接続され、ゲートノードおよびソースノード間の電圧に応じた電流を前記発光素子に流す駆動トランジスターと、
前記駆動トランジスターのゲートノードとデータ線との間に電気的に接続されたスイッチングトランジスターと、
を含み、
初期化期間に、前記電源線の電位を第１電源電位にするとともに、前記駆動トランジスターのゲートノードに前記データ線およびスイッチングトランジスターを介し第１電位が供給され、前記駆動トランジスターのソースノードの電位を初期化し、
セット期間に、前記電源線の電位を第２電源電位に切り替え、前記駆動トランジスターのゲートノードに前記データ線およびスイッチングトランジスターを介し前記第１電位とは異なる第２電位が供給され、前記発光素子を発光させない状態で、前記駆動トランジスターのゲートノードおよびソースノード間に当該駆動トランジスターの閾値電圧に相当する電圧を保持させ、
書込期間に、前記駆動トランジスターのゲートノードに前記データ線およびスイッチングトランジスターを介し階調に応じた電位が供給される
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記複数の画素回路を駆動する駆動回路を備え、
前記駆動回路は、
前記データ線に対し、前記初期化期間に前記第１電位を供給し、前記セット期間に前記第２電位を供給し、前記書込期間に前記階調に応じた電位を供給する
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記駆動回路は、
信号供給回路と、
前記信号供給回路または前記第２電位を供給する給電線のいずれかを選択して前記データ線に接続するスイッチと、
を含み、
前記信号供給回路は、前記データ線に対し、前記初期化期間に前記第１電位を供給し、前記書込期間に前記階調に応じた電位を供給し、
前記スイッチは、前記初期化期間および前記書込期間に前記信号供給回路を選択し、前記セット期間に前記給電線を選択する
ことを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第１電位は、前記データ線に残留する電位である
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記駆動回路は、
前記データ線に対し、前記セット期間に前記第２電位を供給し、前記書込期間に至るまでに前記階調に応じた電位を供給する
ことを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第１電位は、前記階調に応じた電位である
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記駆動回路は、
信号供給回路と、
前記信号供給回路または前記第２電位を供給する給電線のいずれかを選択して前記データ線に接続するスイッチと、
を含み、
前記信号供給回路は、前記データ線に対し、少なくとも前記初期化期間および前記書込期間に、前記階調に応じた電位を供給し、
前記スイッチは、前記初期化期間および前記書込期間に前記信号供給回路を選択し、前記セット期間に前記給電線を選択する
ことを特徴とする請求項６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
発光素子と、
ドレインノードが電源線に電気的に接続され、ゲートノードおよびソースノード間の電圧に応じた電流を前記発光素子に流す駆動トランジスターと、
前記駆動トランジスターのゲートノードとデータ線との間に電気的に接続されたスイッチングトランジスターと、
を含み、
を含む画素回路を複数個有する電気光学装置の駆動方法であって、
初期化期間に、前記電源線の電位を第１電源電位にするとともに、前記駆動トランジスターのゲートノードに前記データ線およびスイッチングトランジスターを介し第１電位を供給して、前記駆動トランジスターのソースノードの電位を初期化し、
セット期間に、前記電源線の電位を第２電源電位に切り替え、前記駆動トランジスターのゲートノードに前記データ線およびスイッチングトランジスターを介し前記第１電位とは異なる第２電位を供給し、前記発光素子を発光させない状態で、前記駆動トランジスターのゲートノードおよびソースノード間に当該駆動トランジスターの閾値電圧に相当する電圧を保持させ、
書込期間に、前記駆動トランジスターのゲートノードに前記データ線およびスイッチングトランジスターを介し階調に応じた電位を供給する
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項９】
請求項１乃至７のいずれかに記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示の高精細化に好適な電気光学装置、電気光学装置の駆動方法および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode、以下「ＯＬＥＤ」という）などの発光素子を用いた電気光学装置が各種提案されている。このような電気光学装置では、走査線とデータ線との交差に対応して画素回路が設けられる。当該画素回路は、上記発光素子のほか、スイッチングトランジスターと駆動トランジスターとの少なくとも２つのトランジスターを含む、いわゆる２Ｔｒ回路が一般的である（例えば特許文献１参照）。
この２Ｔｒ回路に代表される画素回路において、駆動トランジスターの閾値電圧や移動度などの特性が画素回路毎に異なっていると、表示画面の一様性を損なうような表示ムラが発生するので、当該駆動トランジスターの特性を補償する技術が提案されている（例えば特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−３１０３１１号公報
【特許文献２】特開２００９−２７１３３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記技術においては、表示ムラを抑えることができるものの、画素数を多くして表示を高精細化することが困難である、という問題があった。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、その目的の一つは、表示ムラを抑えつつ、高精細化を図ることが容易とする技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために本発明に係る電気光学装置にあっては、複数の画素回路を有し、前記複数の画素回路の各々は、発光素子と、ドレインノードが電源線に電気的に接続され、ゲートノードおよびソースノード間の電圧に応じた電流を前記発光素子に流す駆動トランジスターと、前記駆動トランジスターのゲートノードとデータ線との間に電気的に接続されたスイッチングトランジスターと、を含み、初期化期間に、前記電源線の電位を第１電源電位にするとともに、前記駆動トランジスターのゲートノードに前記データ線およびスイッチングトランジスターを介し第１電位が供給され、前記駆動トランジスターのソースノードの電位を初期化し、セット期間に、前記電源線の電位を第２電源電位に切り替え、前記駆動トランジスターのゲートノードに前記データ線およびスイッチングトランジスターを介し前記第１電位とは異なる第２電位が供給され、前記発光素子を発光させない状態で、前記駆動トランジスターのゲートノードおよびソースノード間に当該駆動トランジスターの閾値電圧に相当する電圧を保持させ、書込期間に、前記駆動トランジスターのゲートノードに前記データ線およびスイッチングトランジスターを介し階調に応じた電位が供給されることを特徴とする。
本発明によれば、初期化期間において駆動トランジスターのソースノードを初期化するためにデータ線に供給される第１電位と、セット期間において駆動トランジスターのゲートノードおよびソースノード間に当該駆動トランジスターの閾値電圧に相当する電圧を保持するための第２電位とを互いに異ならせているので、初期化期間とセット期間とで共通電位を用いる構成と比較して、表示ムラを抑えつつ、高精細化を図ることが容易になる。
【０００６】
本発明において、前記複数の画素回路を駆動する駆動回路を備え、前記駆動回路は、前記データ線に対し、前記初期化期間に前記第１電位を供給し、前記セット期間に前記第２電位を供給し、前記書込期間に前記階調に応じた電位を供給するのが好ましい。前記駆動回路は、信号供給回路と、前記信号供給回路または前記第２電位の給電線のいずれかを選択して前記データ線に接続するスイッチと、を含み、前記信号供給回路は、前記データ線に対し、前記初期化期間に前記第１電位を供給し、前記書込期間に前記階調に応じた電位を供給し、前記スイッチは、前記初期化期間および前記書込期間に前記信号供給回路を選択し、前記セット期間に前記給電線を選択する構成しても良い。このような構成によれば、データ線には、第１電位、第２電位および階調に応じた電位が順番に供給される。
【０００７】
本発明において、前記第１電位は、前記データ線に残留する電位である構成が好ましい。この構成において、前記駆動回路は、前記データ線に対し、前記セット期間に前記第２電位を供給し、前記書込期間に至るまでに前記階調に応じた電位を供給しても良い。この構成では、第１電位としてデータ線に残留する電位を用いるので、データ線に寄生する容量に加えて、データ線に容量素子を積極的に付加しても良い。
この構成によれば、データ線の電位切替回数が減少するので、その分、駆動周波数を高めたり、データ線の電位切替によって消費される電力を抑えたりすることができる。
【０００８】
また、本発明において、前記第１電位は、前記階調に応じた電位である構成が好ましい。この構成において、前記駆動回路は、信号供給回路と、前記信号供給回路または前記第２電位を供給する給電線のいずれかを選択して前記データ線に接続するスイッチと、を含み、前記信号供給回路は、前記データ線に対し、少なくとも前記初期化期間および前記書込期間に、前記階調に応じた電位を供給し、前記スイッチは、前記初期化期間および前記書込期間に前記信号供給回路を選択し、前記セット期間に前記給電線を選択しても良い。この構成では、データ線に残留する電位ではなく、第１電位として自身の画素回路に書き込む電位、すなわち階調に応じた電位を用いる。このため、データ線の寄生容量に依らない安定した初期化が可能になる。また、信号供給回路の電位切替回数が減少するので、その分、駆動周波数を高めることができる。
【０００９】
なお、本発明は、電気光学装置のほか、電気光学装置の駆動方法や、当該電気光学装置を有する電子機器として概念することも可能である。電子機器は、典型的には表示装置であり、電子機器としてはパーソナルコンピューターや携帯電話機が挙げられる。もっとも、本発明に係る電気光学装置の用途は、表示装置に限定されない。例えば、光線の照射によって感光体ドラムなどの像担持体に潜像を形成するための露光装置（光ヘッド）にも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。
【図２】画素回路の等価回路を示す図である。
【図３】第１実施形態に係る電気光学装置の動作を示す図である。
【図４】第２実施形態に係る電気光学装置の動作を示す図である。
【図５】第３実施形態に係る電気光学装置の動作を示す図である。
【図６】実施形態に係る電気光学装置を用いた電子機器（その１）を示す図である。
【図７】実施形態に係る電気光学装置を用いた電子機器（その２）を示す図である。
【図８】実施形態に係る電気光学装置を用いた電子機器（その３）を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
図１は、本発明の実施形態に係る電気光学装置の構成を示すブロック図である。この図に示されるように、この電気光学装置１は、表示部１００、制御回路２００、走査線駆動回路２１０、電源線駆動回路２２０、信号供給回路２３０およびスイッチ回路２４０に大別される。
このうち、表示部１００には、本実施形態ではｍ行の走査線１１２が図において横方向に延在して設けられ、また、３の倍数である（３ｎ）列のデータ線１１４が図において縦方向に延在し、かつ、各走査線１１２と互いに電気的な絶縁を保って設けられている。ここで、ｍ、ｎは、いずれも自然数である。
また、表示部１００には、１行毎に個別の電源線１１６が設けられている。
【００１２】
画素回路１１０は、ｍ行の走査線１１２と（３ｎ）列のデータ線１１４との交差部に対応して、それぞれ設けられている。このうち、同一行の走査線１１２と、互いに隣り合う３列のデータ線１１４との交差に対応した３つの画素回路１１０は、表示すべき画像の１ドット（画素）を表現するものであり、それぞれＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のサブ画素に相当する。換言すれば、本実施形態は、ＲＧＢの３つの画素回路１１０による加法混色で１ドットの色を表現する構成になっている。このため、表示部１００で表示される画像は、ドットでみれば縦ｍ行×横ｎ列の配列である。
ドットの列を一般化して説明するために、１以上ｎ以下の整数ｊを用いると、図１において左から数えて（３ｊ−２）列目、（３ｊ−１）列目および（３ｊ）列目のデータ線１１４は、それぞれｊ番目のドットに属し、かつ、Ｒ、Ｇ、Ｂの系列である、ということになる。
【００１３】
制御回路２００は、走査線駆動回路２１０、電源線駆動回路２２０、信号供給回路２３０およびスイッチ回路２４０に、各種の制御信号やクロック信号などを供給して、これらの各部を制御する。例えば、制御回路２００は、制御信号の電位Ｄiniを切り替えて出力するほか、初期化に用いる電位Ｖofs2を給電線２６に供給する。
【００１４】
走査線駆動回路２１０は、各走査線１１２に走査信号をそれぞれ供給するものであり、詳細には、フレームの期間において、制御回路２００の制御にしたがって１、２、３、…、（ｍ−１）、ｍ行目の走査線１１２を１行毎に順番に走査するものである。ここで、１、２、３、…、（ｍ−１）、ｍ行目の走査線１１２に供給される走査信号の電位を、各行で区別するために、それぞれＧw(1)、Ｇw(2)、Ｇw(3)、…、Ｇw(m-1)、Ｇw(m)と表記している。また、フレームの期間とは、電気光学装置１が１カット（コマ）分の画像を表示するのに要する期間をいい、垂直走査周波数が６０Ｈｚであれば、その１周期分の１６．６７ミリ秒の期間である。
【００１５】
電源線駆動回路２２０は、制御回路２００の制御にしたがって１、２、３、…、（ｍ−１）、ｍ行目の電源線１１６の電源電位を、走査線１１２の走査に同期して高位側の電位Ｖel_Hと低位側の電位Ｖel_Lとで切り替えて供給するものである。ここで、１、２、３、…、（ｍ−１）、ｍ行目の電源線１１６に供給される電源電位を、各行で区別するために、それぞれＶel(1)、Ｖel(2)、Ｖel(3)、…、Ｖel(m-1)、Ｖel(m)と表記している。
【００１６】
信号供給回路２３０は、データ線１１４の各列に対応した信号線１１５に、初期化に用いる電位、または、表示内容に応じたデータ信号の電位をそれぞれ供給するものである。なお、便宜的に、図において左から数えて１、２、３、…、（３ｎ−１）、（３ｎ）列目の信号線１１５の電位を、各列で区別するために、それぞれＸ(1)、Ｘ(2)、Ｘ(3)、…、Ｘ(3n-1)、Ｘ(3n)と表記している。 
【００１７】
スイッチ回路２４０は、信号線１１５およびデータ線１１４のペア毎に設けられたＰチャネル型のトランジスター２２およびＮチャネル型のトランジスター２４の集合体である。詳細には、トランジスター２２は、信号線１１５とデータ線１１４との間に電気的に介挿されて、電位ＤiniがＬレベルであるときにオン（導通）状態になる。一方、トランジスター２４は、給電線２６とデータ線１１４との間に電気的に介挿されて、電位ＤiniがＨレベルであるときにオン状態になる。
このため、スイッチ回路２４０では、電位ＤiniがＬレベルであれば、ペアになっている信号線１１５およびデータ線１１４同士がそれぞれ接続される一方、電位ＤiniがＨレベルであれば、各データ線１１４が給電線に接続されて、電位Ｖofs2が一斉に供給される構成となっている。
【００１８】
各列のデータ線１１４は、信号供給回路２３０とスイッチ回路２４０とによって駆動されることになるので、信号供給回路２３０とスイッチ回路２４０との両者を合わせたものをデータ線駆動回路として概念することができる。さらに、このようなデータ線駆動回路と走査線駆動回路２１０と電源線駆動回路２２０とによって画素回路１１０が駆動されることになるので、信号供給回路２３０とスイッチ回路２４０と走査線駆動回路２１０と電源線駆動回路２２０とを合わせたものを駆動回路として概念することができる。
【００１９】
次に、図２を参照して画素回路１１０について説明する。図２には、ｉ行目の走査線１１２と、ｊ番目のドットに属する３列のデータ線１１４との交差に対応する３個分の画素回路１１０が主に示されている。ここで、ｉは、画素回路１１０が配列する行を一般的に示す場合の記号であって、それぞれ１以上ｍ以下の整数である。
【００２０】
図２に示されるように、各画素回路１１０は、それぞれＮチャネル型のトランジスター１３０、１４０と、保持容量１３５と、発光素子１５０とを有する。各画素回路１１０の電気的な構成については互いに同一である。
トランジスター１３０は、スイッチングトランジスターとして機能するものであり、そのゲートノードは走査線１１２に接続される一方、そのドレインノードはデータ線１１４に接続され、そのソースノードは保持容量１３５の一端とトランジスター１４０のゲートノードとにそれぞれ接続されている。
保持容量１３５の他端は、トランジスター１４０のソースノードおよび発光素子１５０の陽極にそれぞれ接続されている。一方、トランジスター１４０のドレインノードは、電源線１１６に接続されている。
ここで、ｉ行目の走査線１１２と（３ｊ−２）列目のデータ線１１４との交差に対応するＲの画素回路１１０において、トランジスター１４０のゲートノード（トランジスター１３０のソースノードおよび保持容量１３５の一端）をＲgと表記し、トランジスター１４０のソースノード（発光素子１５０の陽極）をＲsと表記している。
【００２１】
なお、図２には、画素回路１１０のほか、スイッチ回路２４０についても３列分の構成が示されている。ここで、信号線１１５のうち、ｊ番目のドットに属する３列のうち、Ｒ系列である（３ｊ−２）列目のデータ線１１４に対応する信号線１１５の電位をＸ(3j-2)と表記している。また、（３ｊ−２）列目のデータ線１１４の電位をＶd(3j-2)と表記している。
【００２２】
発光素子１５０は、互いに対向する陽極と陰極とで有機ＥＬ材料からなる発光層を挟持したＯＬＥＤであり、陽極から陰極に向かって流れる電流に応じた輝度にて、対応するＲＧＢのいずれかの色で発光するように構成されている。発光素子１５０の陰極は、各画素回路１１０にわたって共通電極１１８に接続されている。共通電極１１８には、素子電源の低位側の電位Ｖctが給電される。容量１５２は、発光素子１５０の容量成分である。
【００２３】
表示部１００は、一般にガラス基板などの透明性を有する絶縁基板に形成されている。表示部１００のうち、画素回路１１０におけるトランジスター１３０、１４０は、例えば薄膜トランジスターであり、非晶質シリコンや低温ポリシリコンで形成される。低温ポリシリコンとする場合、走査線駆動回路２１０や、電源線駆動回路２２０、信号供給回路２３０、スイッチ回路２４０を構成するトランジスターなどの能動素子についても画素回路１１０とともに、上記絶縁基板に形成される。
【００２４】
図３を参照して電気光学装置１の動作について説明する。図３は、電気光学装置１における各部の動作を説明するための図である。
この図に示されるように、走査線駆動回路２１０が制御回路２００による制御にしたがって走査信号の電位Ｇw(1)〜Ｇw(m)を切り替えることによって、１フレームの期間において１〜ｍ行目の走査線１１２を１水平走査期間（Ｈ）毎に順番に走査する。
１水平走査期間（Ｈ）での動作は、各行の画素回路１１０にわたって共通である。そこで以下については、主にｉ行目の走査線１１２が走査されたときに、当該ｉ行目にあって、ｊ番目のドットに属する３列のうち、Ｒの画素回路１１０について着目して説明する。
【００２５】
本実施形態において、各走査線１１２の走査期間は、大別すると、時間の順で初期化期間、セット期間および書込期間に分けられる。このうち、初期化期間およびセット期間については時間的に連続し、セット期間および書込期間ついては時間的に非連続となっている。
ここで、制御回路２００は、走査線駆動回路２１０に対し、ｉ行目の走査線１１２の走査期間において走査信号の電位Ｇw(i)を、初期化期間およびセット期間においてＨレベルとさせ、セット期間の終了時から書込期間の開始時までの期間においてＬレベルとさせ、書込期間において再度Ｈレベルとさせる。また、制御回路２００は、制御信号の電位Ｄiniを、セット期間と当該セット期間の終了時から時間Ｔが経過するまでの期間とにわたって連続してＨレベルとし、それ以外の期間についてはＬレベルとする。
【００２６】
制御回路２００は、信号供給回路２３０に対し、信号線１１５の電位Ｘ(1)、Ｘ(2)、Ｘ(3)、…、Ｘ(3n-1)、Ｘ(3n)を、それぞれ初期化期間において電位Ｖofs1とさせ、セット期間の開始時から書込期間の終了時までにわたって、ｉ行目と対応する列との交差に対応するサブ画素の階調に応じた電位とさせる。
このため、着目する（３ｊ−２）列目のデータ線１１４に対応する信号線１１５の電位Ｘ(3j-2)についても、初期化期間において電位Ｖofs1になり、セット期間の開始時から電位Ｖsigになる。電位Ｖsigは、ｉ行目の走査線１１２と（３ｊ−２）列目のデータ線１１４との交差に対応する画素回路１１０で表現すべきサブ画素の階調に応じた電位である。
一方、制御回路２００は、電源線駆動回路２２０に対し、ｉ行目の電源線１１６の電位Ｖel(i)を、初期化期間において第１電源電位である低位側の電位Ｖel_Lとさせ、セット期間以降では、第２電源電位である高位側の電位Ｖel_Hとさせる。なお、電位Ｖel(i)が電位Ｖel_Hから電位Ｖel_Lに遷移するタイミングは、図３においては初期化期間の開始時としているが、発光素子１５０の発光期間を短くするのであれば、初期化期間よりも手前のタイミングで電位Ｖel_Lに遷移させても良い。
【００２７】
初期化期間では、制御信号の電位ＤiniがＬレベルであるので、スイッチ回路２４０においてはトランジスター２２がオンし、トランジスター２４がオフする。このため、データ線１１４は、信号線１１５に接続された状態になる。初期化期間におけるＸ(3j-2)は電位Ｖofs1であるので、着目しているデータ線１１４のＶd(3j-2)についても電位Ｖofs1になる。また、ｉ行目の初期化期間では、走査信号の電位Ｇw(i)がＨレベルに遷移して、トランジスター１３０がオンするので、ゲートノードＲgはデータ線１１４に電気的に接続された状態になる。このときのデータ線１１４のＶd(3j-2)は電位Ｖofs1であるので、ゲートノードＲgについても電位Ｖofs1になる。
一方、ｉ行目の電源線１１６のＶel(i)は低位側の電位Ｖel_Lである。本実施形態において電位Ｖofs1から電位Ｖel_Lを減じた差分電圧（Ｖofs1−Ｖel_L）がトランジスター１４０の閾値電圧Ｖth_trを十分に上回るように設定されている。この設定について電位Ｖofs1の条件として表現し直すと、次式（１）で示される。
Ｖel_L＋Ｖth_tr＜Ｖofs1  …（１）
初期化期間において式（１）が満たされていると、トランジスター１４０が駆動状態になるので、当該トランジスター１４０のソースノードＲs（発光素子１５０の陽極）は、電位Ｖel_Lに初期化される。
このように初期化期間ではトランジスター１４０のゲートノードＲgに第１電位としてＶofs1が与えられて、当該トランジスター１４０のソースノードＲsが電位Ｖel_Lに初期化される。
【００２８】
したがって、トランジスター１４０のゲートノードＲgおよびソースノードＲsの間の電圧、すなわち保持容量１３５で保持される電圧は、電位Ｖofs1と電位Ｖel_Lとの差分電圧に初期化される。
なお、電位Ｖel_Lと共通電極１１８の電位Ｖctとの電位差が発光素子１５０の発光閾値電圧Ｖth_oledを下回るような値となるように当該電位Ｖel_Lが設定されるので、初期化期間において発光素子１５０は、オフ状態（非発光状態）である。
【００２９】
次に、セット期間では、制御信号の電位ＤiniがＨレベルに遷移するので、スイッチ回路２４０においてはトランジスター２２がオフし、トランジスター２４がオンして、オンオフ状態が初期化期間と比較して逆転する。このため、各列のデータ線１１４は、信号線１１５から切り離されて、それぞれ給電線２６に電気的に接続された状態になる。このため、着目しているデータ線１１４のＶd(3j-2)は、電位Ｖofs2に遷移する。
また、セット期間では、走査信号の電位Ｇw(i)がＨレベルに維持されているので、トランジスター１３０のオン状態が継続し、トランジスター１４０のゲートノードＲgについても電位Ｖofs2に遷移する。
一方、発光素子１５０はオフ状態であるが、セット期間の開始時においてｉ行目の電源線１１６のＶel(i)は高位側の電位Ｖel_Hに遷移するので、ゲートノードＲsの電位Ｖofs2に応じた電流Ｉdsがトランジスター１４０のドレインノード（電源線１１６）からソースノード（発光素子１５０の陽極）に流れる。この電流Ｉdsは、発光素子１５０の容量１５２に流れ込むので、当該容量１５２の充電が開始される。この充電により、トランジスター１４０のソースノードＲsの電位は、時間経過とともに上昇し、やがて電位Ｖofs2から閾値電圧Ｖth_trを減じた分の電位（Ｖofs2−Ｖth_tr）に収束する。
【００３０】
本実施形態では、セット期間においても発光素子１５０をオフ状態（非発光状態）に維持するために、ソースノードＲsの電位（Ｖofs2−Ｖth_tr）が共通電極１１８（発光素子１５０の陰極）の電位Ｖctに発光素子１５０の発光閾値電圧Ｖth_oledを加えた電位（Ｖct＋Ｖth_oled）を下回るように設定される。この設定について電位Ｖofs2の条件として表現し直すと、次式（２）で示される。
Ｖofs2＜Ｖct＋Ｖth_oled＋Ｖth_tr  …（２）
【００３１】
このようにセット期間では、電源線１１６が電位Ｖel_Hに切り替えられるとともに、トランジスター１４０のゲートノードＲgに、第２電位としての式（２）を満たす電位Ｖofs2が与えられることによって、発光素子１５０のオフ状態を維持しつつ（発光を阻止しつつ）、ゲートノードＲgおよびソースノードＲs間（保持容量１３５の両端）に、当該トランジスター１４０の閾値電圧Ｖth_trに相当する電圧がセットされる。
したがって、以降におけるゲートノードの電位に応じた駆動に際し、当該トランジスター１４０の閾値電圧Ｖth_trは、保持容量１３５の保持電圧で相殺されることになる。
【００３２】
セット期間が終了すると、制御信号の電位Ｇw(i)がＬレベルに遷移する。このため、トランジスター１３０がオフするので、トランジスター１４０のゲートノードＲgは、ハイ・インピーダンス（フローティング）状態になる。ただし、ソースノードＲsが電位Ｖofs2から閾値電圧Ｖth_trを減じた分の電位に収束して変動しないので、保持容量１３５を介したゲートノードは、電位Ｖofs2を維持することになる。
セット期間の終了時から時間Ｔが経過したとき、制御信号の電位ＤiniがＬレベルに遷移する。このため、各列のデータ線１１４は、信号線１１５に電気的に接続された状態になるので、着目しているデータ線１１４のＶd(3j-2)は、電位Ｖsigに遷移する。
【００３３】
続いて、書込期間では、走査信号の電位Ｇw(i)が再度Ｈレベルを遷移するので、トランジスター１３０がオンする。このため、ゲートノードＲgは、データ線１１４に電気的に接続された状態になるので、ゲートノードＲgが電位Ｖsigに変化する。
このとき、発光素子１５０はオフ状態にあるので、トランジスター１４０においてゲートノードＲsの電位Ｖsigに応じて流れる電流Ｉdsは容量１５２に流れ込んで、当該容量１５２を充電する。この充電によって、ソースノードＲsの電位が再び上昇する。
【００３４】
ここで、トランジスター１４０の移動度μが大きいほど、当該トランジスター１４０に流れる電流Ｉdsが大きくなり、ソースノードの電位上昇量も大きくなる。反対に、移動度μが小さいほど電流Ｉdsが小さくなり、ソースノードの電位上昇量も小さくなる。すなわち、移動度μが大きいほどトランジスター１４０におけるゲートノード・ソースノード間の電圧変動量（負帰還量）が大きくなる一方、移動度μが小さいほどゲートノード・ソースノード間の電圧変動量（負帰還量）が小さくなる。このため、トランジスター１４０のゲートノード・ソースノード間の電圧には、当該トランジスター１４０に流れる電流Ｉdsに応じた帰還量で負帰還がかかって、当該トランジスター１４０において、移動度μに対する電流Ｉdsの依存性がキャンセルされる。したがって、画素回路１１０毎にトランジスター１４０の移動度μがばらついても、そのバラツキが補償される。
【００３５】
そして、書込期間が終了すると、走査信号の電位Ｇw(i)が再度Ｌレベルを遷移する。このため、トランジスター１３０がオフするので、トランジスター１４０のゲートノードＲgは、ハイ・インピーダンス状態になる。
このとき、トランジスター１４０におけるゲートノード・ソースノード間の電圧（保持容量１３５の両端電圧）は、書込期間の終了時における電圧に維持されるから、トランジスター１４０には、当該電圧に応じた電流Ｉdsが流れ、この結果、ソースノードＲsの電位は時間の経過とともに再上昇する。ゲートノードＲgはハイ・インピーダンス状態であるので、当該ゲートノードＲgの電位は、ソースノードＲsの電位上昇に連動して上昇する。この結果、トランジスター１４０におけるゲートノード・ソースノード間の電圧は、書込期間の終了時における電圧に維持されたまま、ソースノードＲsの電位が上昇する。
ソースノードＲsの電位が上昇する過程において、発光素子１５０の両端電圧が発光閾値電圧Ｖth_oledを超えると、電流Ｉdsの一部が発光素子１５０にも流れ始めて、発光開始となる。まもなく容量１５２への充電が完了すると、電流Ｉdsがすべて発光素子１５０に流れるので、当該発光素子１５０は、当該電流Ｉdsに応じた輝度で発光し続けることになる。
【００３６】
このような動作は、ｉ行目の走査線１１２が走査される期間において、着目したＲの画素回路１１０以外の画素回路１１０においても同様に時間的に並列して実行される。さらに、このような動作は、１フレームの期間において１、２、３、…、（ｍ−１）、ｍ行目の走査線１１２の順番で実行されるとともに、フレーム毎に繰り返される。
このような動作において、発光素子１５０に流れる駆動電流は、トランジスター１４０の閾値電圧Ｖth_trや移動度μのバラツキが補償されているので、画素回路１１０毎にトランジスター１４０の特性がばらついていても、バラツキに起因した輝度のムラが抑制されることになる。
【００３７】
本実施形態では、トランジスター１４０のゲートノードに与える電位を、初期化期間において電位Ｖofs1とし、セット期間において電位Ｖofs2として、互いに異ならせている。
そこで比較のために、トランジスター１４０のゲートノードに与える電位を初期化期間とセット期間とにわたって共通化した対比例を想定してみる。初期化期間では、式（１）を満たす限り、トランジスター１４０のゲートノードに与える電位が高いほど、初期化に要する時間が短縮される。ただし、対比例では、セット期間において同時に式（２）を満たして、発光素子１５０の発光を阻止する必要があるので、トランジスター１４０のゲートノードに与える電位を無制限に高くすることができない。詳細には、対比例においてトランジスター１４０のゲートノードに与える電位Ｖofsは、式（１）および式（２）を同時に満たす必要から、
Ｖel_L＋Ｖth_tr＜Ｖofs＜Ｖct＋Ｖth_oled＋Ｖth_tr  
という範囲内で選択せざるを得ない。
当該範囲内で電位Ｖofsを設定すると、例えば初期化に時間を要することになる。このため、対比例では、初期化期間を含めた１水平走査期間（Ｈ）をある値以下の短い時間に設定することができない、換言すれば、行数が多い、高精細な表示が困難になるのである。
【００３８】
これに対して、本実施形態では、トランジスター１４０のゲートノードに与える電位を、初期化期間において電位Ｖofs1とし、セット期間において電位Ｖofs2として、互いに異ならせているので、式（１）および式（２）を同時に満たすように設定するのは、対比例に比べて容易である。
換言すれば、本実施形態では、初期化期間にトランジスター１４０のゲートノードに与える電位Ｖofs1を高く設定して、初期化に要する期間を短くしても、式（２）を満たすことが容易である。したがって、この意味において、本実施形態によれば、高精細な表示とバラツキの少ない高品位な表示とを両立することが可能になるのである。
【００３９】
なお、電位Ｖofs1を高くするにつれて、初期化に要する時間を短くすることができる。ただし、電位Ｖofs1を高くするにしても、トランジスター１４０のゲートノード（トランジスター１３０のソースノード）を、トランジスター１３０のゲートノードの電位以上（走査信号のＨレベルに相当する電位以上）にすることができない点に留意する必要がある。
また、第１実施形態にあっては、各行の走査期間においてデータ線１１４に電位Ｖofs1、電位Ｖofs2および階調に応じた電位を順次供給する構成は、信号供給回路２３０およびスイッチ回路２４０以外の構成であっても良い。
【００４０】
ところで、各データ線１１４には、図１または図２において破線で示されるようにそれぞれ容量Ｃpが寄生している場合がある。この場合、階調に応じた電位Ｖsigがデータ線１１４に一旦供給されると、その後、信号線１１５が信号供給回路２３０から図示省略されたスイッチによって電気的に切り離されたとしても、当該データ線１１４には、当該電位Ｖsigが保持（残留）し続けることになる。
そこで次に、この性質を利用した第２実施形態について説明することにする。なお、第２実施形態に係る電気光学装置は、構成的には第１実施形態に係る電気光学装置と共通であり、その動作のみが異なる。このため、第２実施形態については、動作の相違点を中心に説明することにする。
【００４１】
図４は、第２実施形態に係る電気光学装置における各部の動作を示す図である。
この図に示されるように、第２実施形態において走査線駆動回路２１０が走査信号の電位Ｇw(1)〜Ｇw(m)を切り替えて、１フレームの期間において１〜ｍ行目の走査線１１２を１水平走査期間（Ｈ）毎に順番に走査する点については、第１実施形態と共通である。
また、第２実施形態において、ｉ行目の走査期間についていえば、当該ｉ行目の走査線１１２に供給される走査信号の電位Ｇw(i)の波形、当該ｉ行目の電源線１１６に供給される電位Ｖel(i)の波形、および、制御信号の電位Ｄiniの波形についても、第１実施形態と同様である。
ただし、第２実施形態にあって制御回路２００は、信号供給回路２３０に対して次のように制御する点において第１実施形態と相違する。すなわち、制御回路２００は、信号供給回路２３０に対し、ｉ行目の走査期間のうち、制御信号の電位ＤiniがＨからＬレベルに遷移したときから書込期間の終了時までの期間にわたって、各列の信号線１１５に、ｉ行目の走査線１１２と対応する列のデータ線１１４との交差に対応する画素回路１１０で表現すべきサブ画素の階調に応じた電位のデータ信号を供給し、この後、各列の信号線１１５を信号供給回路２３０の出力端（図示省略）から電気的に切り離すように制御する。
【００４２】
着目する（３ｊ−２）列目でいえば、信号線１１５のＸ(3j-2)は、図において実線で示されるように、制御信号の電位ＤiniがＨからＬレベルに遷移したときから書込期間の終了時までの期間にわたって電位Ｖsigに確定する。電位Ｖsigは、上述したようにｉ行目の走査線１１２と（３ｊ−２）列目のデータ線１１４との交差に対応する画素回路１１０で表現すべきサブ画素の階調に応じた電位である。
電位ＤiniがＬレベルであればトランジスター２２がオンするので、（３ｊ−２）列目のデータ線１１４のＶd(3j-2)も、図において実線で示されるように、電位ＤiniがＨからＬレベルに遷移したときから書込期間の終了時までの期間にわたって電位Ｖsigに確定する。書込期間の終了後、信号供給回路２３０が信号線１１５を切り離したとしても、Ｖd(3j-2)は、次の（ｉ＋１）行目の走査期間において電位Ｄiniが再びＨレベルになるまで、破線で示されるように寄生容量Ｃpによって電位Ｖsigに保持され続けることになる。
これを時間的に遡って換言してみると、データ線１１４には、ｉ行目の走査期間のセット期間で電位ＤiniがＨレベルになるまで、１つ上の、（ｉ−１）行目の走査線１１２と（３ｊ−２）列目のデータ線１１４との交差に対応する画素回路１１０で表現すべきサブ画素の階調に応じた電位Ｖsig#が残留している、ということになる。
【００４３】
したがって、ｉ行目の走査期間の初期化期間において、（３ｊ−２）列目のデータ線１１４のＶd(3j-2)は、残留している電位Ｖsig#である。このため、初期化期間において、ゲートノードＲgは電位Ｖsig#に初期化される。なお、電位Ｖsig#が電位Ｖofs1の代わりに上記式（１）を満たすと、トランジスター１４０が駆動状態になるので、ソースノードＲs（発光素子１５０の陽極）は電位Ｖel_Lに、保持容量１３５の両端電圧は（Ｖsig#−Ｖel_L)に、それぞれ初期化されることとなる。
以後の動作については、第１実施形態と同様である。
【００４４】
第２実施形態によれば、初期化期間においてトランジスター１４０のゲートノードＲgに与える電位として、１水平走査期間（Ｈ）前に供給されたデータ信号であって、データ線１１４に残留するデータ信号の電位Ｖsig#を用いている。このため、第１実施形態のように初期化のために電位Ｖofs1を別途生成したり、供給したりする必要がなくなるので、その分、構成の簡易化を図ることができる。
ここで、上述した第１実施形態では、１行の走査期間において、データ線１１４は電位Ｖofs1と電位Ｖofs2と階調に応じた電位とで順に切り替わるので、電位切替回数が「３」である。これに対し、第２実施形態では、１行の走査期間において、データ線１１４は、電位Ｖofs1と階調に応じた電位とで切り替わるだけであり、電位切替回数が「２」である。このため、データ線１１４が電位変動したときに寄生容量によって消費される電力を抑えることができる。また、１水平走査期間（Ｈ）当たりの電位切替回数が少ないので、駆動周波数を高めやすく、この意味において、第２実施形態では表示の高精細化が容易になる。
【００４５】
なお、第２実施形態において初期化期間に用いる電位Ｖsig#は、データ線１１４に残留する電位であり、１水平走査期間（Ｈ）前の表示内容に依存する。このため、１水平走査期間（Ｈ）前の、例えば１行上のサブ画素に暗い階調が指定されていた場合、データ線１１４に残留する電位が低いので、初期化が十分になされない可能性もある。しかしながら、１行上のサブ画素が暗かった場合に次のサブ画素も暗いときには、初期化が不十分になっても、双方のサブ画素の輝度がともに低いために、表示ムラとして視認されにくい。一方、１行上のサブ画素に暗い階調が指定されていた場合に次に走査されるサブ画素に明るい階調が指定されたときには、明るい方の画素回路では、閾値電圧や移動度が十分に補償されないので、実際には目的値と異なる輝度で発光する可能性がある。しかしながら、１行上の暗い画素であり、輝度差のある境界部分であるので、異なる輝度となっている状態が相対的に知覚されにくい。
一方、１行上の画素が明るい場合、データ線１１４に残留する電位が高いので、初期化が不十分になることはない。
表示ムラは、表示画像の階調が一様である場合に視認されやすく、輝度が急激に変化する境界部分ではムラとして視認されにくい。このため、第２実施形態において、初期化期間に用いる初期化電位Ｖsig#が表示内容に依存するにしても、それが表示ムラとして知覚される可能性が小さい、ということができる。むしろ、第２実施形態では、トランジスター１４０のゲートノードに与える電位を初期化期間とセット期間とで異ならせていることによって、式（１）と式（２）とを同時に満たすことが対比例と比較して容易となる点が大きい、といえる。
【００４６】
なお、第２実施形態にあっては、データ線１１４の電位残留性が高いので、書込期間に至るまでに階調に応じた電位Ｖsigが供給されれば、当該電位Ｖsigが保持されて、書込期間にトランジスター１４０のゲートノードに与えることができる。このため、信号供給回路２３０およびスイッチ回路２４０以外の構成によってデータ線駆動回路を構成することが可能である。
【００４７】
また、第２実施形態にあっては、走査線１１２を１、２、３、…、（ｍ−１）、ｍ行目という順番で走査したが、例えば最初のフィールドで奇数行（１、３、５、…）を走査し、次のフィールドで偶数行（２、３、４、…）を走査するというな飛び越し走査にも適用可能である。飛び越し走査の場合には、ある行の走査線を走査するときに初期化期間に残留する電位は、１行上ではなく、２行上に対応して供給されたデータ信号の電位になる。
一方、データ線１１４の寄生容量Ｃpが小さい場合、リークが問題となる可能性がある。このため、別途、データ線１１４に容量素子を付加して、データ線１１４の電位保持性を向上させても良い。
【００４８】
次に、本発明の第３実施形態に係る電気光学装置について説明する。
なお、第３実施形態に係る電気光学装置は、構成的には第１および第２実施形態に係る電気光学装置と共通であり、その動作のみが異なる。このため、第３実施形態についても、動作の相違点を中心に説明することにする。
【００４９】
図５は、第３実施形態に係る電気光学装置における各部の動作を示す図である。
この図に示されるように、第３実施形態において走査線駆動回路２１０が走査信号の電位Ｇw(1)〜Ｇw(m)を切り替えて、１フレームの期間において１〜ｍ行目の走査線１１２を１水平走査期間（Ｈ）毎に順番に走査する点については、第１および第２実施形態と共通である。
また、第３実施形態においてもｉ行目の走査期間についていえば、当該ｉ行目の走査線１１２に供給される走査信号の電位Ｇw(i)の波形、当該ｉ行目の電源線１１６に供給される電位Ｖel(i)の波形、および、制御信号の電位Ｄiniの波形も、第１および第２実施形態と同様である。
ただし、第３実施形態にあって制御回路２００は、信号供給回路２３０に対して次のように制御する点において第１および第２実施形態と相違する。すなわち、制御回路２００は、信号供給回路２３０に対し、ｉ行目の走査期間のうち、初期化期間から書込期間までの全域にわたって、各列の信号線１１５に供給する信号の電位を、走査するｉ行目の走査線１１２と対応する列のデータ線１１４との交差に対応する画素回路１１０で表現すべきサブ画素の階調に応じた電位とさせる。
【００５０】
着目する（３ｊ−２）列目でいえば、信号線１１５のＸ(3j-2)は、ｉ行目の走査線１１２と（３ｊ−２）列目のデータ線１１４との交差に対応する画素回路１１０で表現すべき階調に応じた電位Ｖsigで一定となる。このため、（３ｊ−２）列目のデータ線１１４の電位Ｖd(3j-2)は、制御信号の電位ＤiniがＬレベルであれば電位Ｖsigになり、電位ＤiniがＨレベルであれば電位Ｖofs2になる。
したがって、第３実施形態では、初期化期間において、ゲートノードＲgは自身の画素回路１１０に書き込まれる電位Ｖsigに初期化される。なお、電位Ｖsigが電位Ｖofs1の代わりに上記式（１）を満たすと、トランジスター１４０が駆動状態になるので、ソースノードＲs（発光素子１５０の陽極）は電位Ｖel_Lに、保持容量１３５の両端電圧は（Ｖsig−Ｖel_L)に、それぞれ初期化されることとなる。
以後の動作については、第１実施形態と同様である。
【００５１】
第３実施形態によれば、初期化期間においてトランジスター１４０のゲートノードに与える電位として、自身の画素回路１１０に書き込まれる電位Ｖsigを用いている。このため、第１実施形態のように初期化のために電位Ｖofs1を別途生成したり、供給したりする必要がなくなるので、その分、構成の簡易化を図ることができる。
また、第３実施形態では、初期化期間から書込期間までの全域にわたって、各列の信号線１１５に供給する信号の電位は、階調に応じた電位だけで済む。このため、第３実施形態では、信号供給回路２３０を高い周波数で駆動することができるので、この意味において表示の高精細化が容易になる。
一方、第３実施形態では、第２実施形態と異なり、データ線１１４の寄生容量Ｃpが用いられないので、寄生容量Ｃpの大きさに依らない安定した初期化が可能になる。
【００５２】
なお、第３実施形態において、セット期間ではデータ線１１４が給電線２６に接続されるので、信号供給回路２３０は、階調に応じた電位を、初期化期間から書込期間までの全域にわたって各列の信号線１１５に供給する必要がなく、少なくとも初期化期間および書込期間に供給すれば足りる。
【００５３】
本発明は、上述した実施形態に限られず、種々の変形・適用が可能である。
例えば上述した各実施形態にあっては、行毎の電源線１１６に、走査線１１２の走査に同期して電位Ｖel_Hと電位Ｖel_Lとで切り替えて供給する構成としたが、電位Ｖel_Hを給電する高位側電源線と電位Ｖel_Lを給電する低位側電源線とを設けるとともに、いずれかの電源線を選択するスイッチを画素回路１１０の側に設けて、トランジスター１４０のドレインノードに供給する構成としても良い。
【００５４】
各実施形態において、１ドットをＲＧＢの３色の加法混色によって表現する構成としたが、ＲＧＢに加えて別の１色または複数色を加えても良い。例えば再現可能な色域を拡大するために例えばイエロー（Ｙ）を加えた４色によって１ドットを構成しても良いし、輝度を向上させるためにをホワイト（Ｗ）を加えた４色によって１ドットを構成しても良い。
【００５５】
一方、トランジスター２４、１３０、１４０についてはそれぞれＮチャネル型とし、トランジスター２２についてはＰチャネル型としたが、チャネル型については、適宜変更が可能である。
発光素子１５０としては、ＯＬＥＤのほか、無機ＥＬ素子やＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子など、電流に応じた輝度で発光する素子が適用可能である。
【００５６】
＜電子機器＞
次に、本発明に係る電気光学装置を適用した電子機器のいくつかについて説明する。
図６は、上述した実施形態に係る電気光学装置１を表示装置として採用した電子機器（その１）としてのパーソナルコンピューターの外観を示す図である。パーソナルコンピューター２０００は、表示装置としての電気光学装置１と本体部２０１０とを備える。本体部２０１０には、電源スイッチ２００１およびキーボード２００２が設けられている。
電気光学装置１において、発光素子１５０にＯＬＥＤを使用した場合、視野角が広く見易い画面表示が可能になる。
【００５７】
図７は、実施形態に係る電気光学装置１を表示装置として採用した電子機器（その２）である携帯電話機の外観を示す図である。携帯電話機３０００は、複数の操作ボタン３００１や方向キー３００２などのほか、受話口３００３、送話口３００４とともに上述した電気光学装置１を備える。方向キー３００２を操作することによって、電気光学装置１に表示される画面がスクロールする。
【００５８】
図８は、実施形態に係る電気光学装置１を表示装置として採用した電子機器（その３）としての携帯情報端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）の外観を示す図である。携帯情報端末４０００は、複数の操作ボタン４００１や方向キー４００２などのほか、上述した電気光学装置１を備える。携帯情報端末４０００では、所定の操作によって住所録やスケジュール帳などの各種の情報が電気光学装置１に表示されるとともに、表示された情報が方向キー４００２の操作に応じてスクロールする。
【００５９】
なお、本発明に係る電気光学装置が適用される電子機器としては、図６から図８までに示した例のほか、テレビ、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。
【符号の説明】
【００６０】
１…電気光学装置、１１０…画素回路、１１２…走査線、１１４…データ線、１１６…電源線、１１８…共通電極、１３０…トランジスター、１３５…保持容量、１４０…トランジスター、１５０…発光素子、２００…制御回路、２１０…走査線駆動回路、２２０…電源線駆動回路、２３０…信号供給回路、２４０…スイッチ回路、２０００…パーソナルコンピューター、３０００…携帯電話機、４０００…携帯情報端末。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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