(57)【要約】【課題】簡単な構成で複数のレーザ光を合波しつつ、小型化及び低コスト化を図ることができる光半導体装置を提供する。【解決手段】  光半導体装置１は、ベース基板２と、このベース基板２上に搭載されたパッケージ３Ａ〜３Ｃ及びファイバ保持部材４とを備えている。パッケージ３Ａ〜３Ｃには、異なる色のレーザ光を照射する半導体レーザ５Ａ〜５Ｃがそれぞれ実装されている。ファイバ保持部材４は、半導体レーザ５Ａ〜５Ｃとそれぞれ光結合される光ファイバ８Ａ〜８Ｃを整列状態に保持するアライメント基板９を有している。アライメント基板９の一端部には、光ファイバ８Ａ〜８Ｃの一端部を個別に位置決め収容する３つの位置決め溝が形成されている。アライメント基板９の他端部には、光ファイバ８Ａ〜８Ｃの他端部を互いに接触させて束ねた状態で位置決め収容する位置決め溝が形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
前記ベース基板上に搭載され、レーザ光を照射する発光素子が実装された複数のパッケージと、
前記各パッケージに実装された前記発光素子と光結合される複数本の光ファイバと、
前記ベース基板上に搭載され、前記各光ファイバを保持するファイバ保持手段とを備え、
前記ファイバ保持手段は、前記各パッケージ側に設けられ、前記各光ファイバの一端部を個別に位置決めする複数の第１位置決め部と、前記各第１位置決め部に対して前記各パッケージの反対側に設けられ、前記各光ファイバの他端部を接触状態に束ねて位置決めする第２位置決め部とを有することを特徴とする光半導体装置。
【請求項２】
前記ファイバ保持手段は、前記各光ファイバを整列状態に保持するアライメント基板を有し、
前記アライメント基板における前記各パッケージ側の端部には、前記各第１位置決め部を形成する複数の第１位置決め溝が設けられ、
前記アライメント基板における前記各パッケージの反対側の端部には、前記第２位置決め部を形成する第２位置決め溝が設けられていることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
【請求項３】
前記発光素子は、少なくとも３つ有し、
前記光ファイバは、少なくとも３本有し、
前記３つの発光素子は、それぞれ赤色、青色、緑色のレーザ光を照射することを特徴とする請求項１または２記載の光半導体装置。
【請求項４】
前記各光ファイバにおいて接触状態に束ねられた部分の端面に接続され、前記光ファイバよりも大きいコア径を有する１本の合波用光ファイバを更に備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の光半導体装置。
【請求項５】
前記合波用光ファイバから出射された光をコリメートまたは集束させる光学レンズを更に備えることを特徴とする請求項４記載の光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ光を照射する複数の発光素子を備える光半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の光半導体装置としては、例えば特許文献１，２に記載されているものが知られている。特許文献１に記載の光半導体装置は、複数のレーザダイオードと、各レーザダイオードから発せられたレーザビームをそれぞれ平行光化するコリメーターレンズアレイと、平行光化された各レーザビームを集光する集光レンズと、集光された各レーザビームを１本に合波する光ファイバとを備えている。
【０００３】
特許文献２に記載の光半導体装置は、複数の光源と、各光源から出射された光がレンズを介して入射される複数本の光ファイバとを備え、複数本の光ファイバの出射端側の各コアが一体化されてファイバ合波部を形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２７３６２０号公報
【特許文献２】特開２００７−４１３４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来技術においては、以下の問題点が存在する。即ち、特許文献１では、複数のレーザダイオードとコリメーターレンズとを調芯する工程が多く、コストアップにつながる。また、寸法的にも、調整治具等の制約から小型化することが困難である。
【０００６】
特許文献２では、複数本の光ファイバを溶融してファイバ合波部を形成しているが、複数本の光ファイバを軟化させて一体化するのは困難である。また、損失を小さくするためには、複数本の光ファイバのコア間隔をサブミクロン単位で制御する必要がある。
【０００７】
本発明の目的は、簡単な構成で複数のレーザ光を合波しつつ、小型化及び低コスト化を図ることができる光半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の光半導体装置は、ベース基板と、ベース基板上に搭載され、レーザ光を照射する発光素子が実装された複数のパッケージと、各パッケージに実装された発光素子と光結合される複数本の光ファイバと、ベース基板上に搭載され、各光ファイバを保持するファイバ保持手段とを備え、ファイバ保持手段は、各パッケージ側に設けられ、各光ファイバの一端部を個別に位置決めする複数の第１位置決め部と、各第１位置決め部に対して各パッケージの反対側に設けられ、各光ファイバの他端部を接触状態に束ねて位置決めする第２位置決め部とを有することを特徴とするものである。
【０００９】
このような本発明の光半導体装置においては、レーザ光を照射する発光素子が実装された複数のパッケージとファイバ保持手段とをベース基板上に搭載し、ファイバ保持手段の各第１位置決め部に複数本の光ファイバの一端部を個別に位置決めし、ファイバ保持手段の第２位置決め部に複数本の光ファイバの他端部を接触状態に束ねて位置決めする。このように各光ファイバの他端部を接触状態に束ねることにより、各発光素子から照射されて各光ファイバに入射された複数のレーザ光は、各光ファイバの他端部で集光され合波されるようになる。これにより、複数本の光ファイバとファイバ保持手段とを用いて、複数のレーザ光を簡単に合波することができる。また、各発光素子からのレーザ光を合波するために複数のコリメーターレンズや集光レンズを使用しなくて済むため、光半導体装置の小型化及び低コスト化を図ることができる。
【００１０】
好ましくは、ファイバ保持手段は、各光ファイバを整列状態に保持するアライメント基板を有し、アライメント基板における各パッケージ側の端部には、各第１位置決め部を形成する複数の第１位置決め溝が設けられ、アライメント基板における各パッケージの反対側の端部には、第２位置決め部を形成する第２位置決め溝が設けられている。このようなアライメント基板を使用することにより、複数の第１位置決め部と第２位置決め部とを有するファイバ保持手段の部品数を最小限に抑えることができる。
【００１１】
また、好ましくは、発光素子は、少なくとも３つ有し、光ファイバは、少なくとも３本有し、３つの発光素子は、それぞれ赤色、青色、緑色のレーザ光を照射する。この場合には、赤色、青色、緑色のレーザ光を適当な割合で合成することにより、幅広い色のビームを作り出すことができる。
【００１２】
さらに、好ましくは、各光ファイバにおいて接触状態に束ねられた部分の端面に接続され、光ファイバよりも大きいコア径を有する１本の合波用光ファイバを更に備える。この場合には、各光ファイバの他端部で集光されたレーザ光を１本の合波用光ファイバに合波させることができる。
【００１３】
このとき、好ましくは、合波用光ファイバから出射された光をコリメートまたは集束させる光学レンズを更に備える。この場合には、合波された光を平行光や集束光に変換することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、簡単な構成で複数のレーザ光を合波しつつ、光半導体装置の小型化及び低コスト化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係わる光半導体装置の一実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１に示した複数のパッケージ及びアライメント基板がベース基板上に搭載されている状態を示す拡大斜視図である。
【図３】図１に示したパッケージに半導体レーザが実装されている状態を示す斜視図である。
【図４】図１に示した複数のパッケージをベース基板上に搭載する様子を示す斜視図である。
【図５】図１に示したアライメント基板の水平方向断面図である。
【図６】図５のVI−VI線断面図である。
【図７】図５に示したアライメント基板に光ファイバが装着された状態を示す水平方向断面図である。
【図８】図７のVIII−VIII線断面図である。
【図９】図１に示したファイバ保持部材に光ファイバに保持する方法を示す垂直方向断面図である。
【図１０】図１に示したファイバ保持部材をベース基板上に搭載する様子を示す斜視図である。
【図１１】本発明に係わる光半導体装置の一実施形態の変形例を示す斜視図である。
【図１２】図１１に示したアライメント基板の水平方向断面図である。
【図１３】図１２に示したアライメント基板に光ファイバが装着された状態を示す水平方向断面である。
【図１４】図１３のXIV−XIV線断面図である。
【図１５】図５に示したアライメント基板の変形例の水平方向断面図である。
【図１６】図１２に示したアライメント基板の変形例の水平方向断面図である。
【図１７】図９に示したファイバ押さえ板の変形例を有するファイバ保持部材に光ファイバに保持する方法を示す垂直方向断面図である。
【図１８】図８及び図１４に示した位置決め溝の変形例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明に係わる光半導体装置の好適な実施形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、図面において、同一または同等の部材には同じ符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１７】
図１は、本発明に係わる光半導体装置の一実施形態を示す斜視図である。同図において、本実施形態の光半導体装置１は、ベース基板２と、このベース基板２上に搭載された直方体状のパッケージ３Ａ〜３Ｃと、ベース基板２上にパッケージ３Ａ〜３Ｃに隣接して搭載されたファイバ保持部材４とを備えている。
【００１８】
ベース基板２は、例えば筐体等で使用されるアルミニウムやマグネシウム合金等により形成されている。また、使用環境によって高い放熱性を必要とする場合には、ベース基板２の材料としては、銅や銅合金、クラッド材等の高熱伝導材料が用いられる。
【００１９】
パッケージ３Ａ〜３Ｃには、図２にも示すように、異なる色のレーザ光を照射する発光素子である半導体レーザ（レーザダイオード）５Ａ〜５Ｃがそれぞれ実装されている。半導体レーザ５Ａは、青色（中心波長：４６０ｎｍ）のレーザ光を照射し、半導体レーザ５Ｂは、緑色（中心波長：５３５ｎｍ）のレーザ光を照射し、半導体レーザ５Ｃは、赤色（中心波長：６３０ｎｍ）のレーザ光を照射する。
【００２０】
パッケージ３Ａ〜３Ｃの材料としては、例えば熱膨張係数が半導体レーザ５Ａ〜５Ｃに近い窒化アルミニウムやシリコンカーバイド、シリコン、銅タングステン、銅モリブデン等が用いられるが、使用環境や寿命の観点から他の材料を選択することも可能である。パッケージ３Ａ〜３Ｃの大きさは、取り扱いを考えて、長さ４．０ｍｍ×幅２．５ｍｍ×厚さ１．０ｍｍ程度である。
【００２１】
半導体レーザ５Ａ〜５Ｃは、金スズやスズ銀、銀ペースト等でパッケージ３Ａ〜３Ｃの素子実装面にそれぞれ実装される。そして、半導体レーザ５Ａ〜５Ｃは、図１及び図３に示すように、蓋部６によりハーメチックシールもしくは樹脂封止される。
【００２２】
パッケージ３Ａ〜３Ｃの素子実装面には、素子駆動用配線Ｐが形成されている。なお、素子駆動用配線Ｐは、パッケージ３Ａ〜３Ｃにおける素子実装面とは反対側の面に形成されていても良い。また、必要に応じて、半導体レーザ５Ａ〜５Ｃの光出力をモニターするための受光素子がパッケージ３Ａ〜３Ｃに実装される。
【００２３】
半導体レーザ５Ａ〜５Ｃが実装されたパッケージ３Ａ〜３Ｃは、所定の検査を行ってから、金スズやスズ銀、銀ペースト等でベース基板２に固定される。パッケージ３Ａ〜３Ｃは、均等に３．０ｍｍ間隔でベース基板２に搭載される。
【００２４】
このとき、半導体レーザ５Ａ〜５Ｃを光ファイバ８Ａ〜８Ｃ（後述）と確実に光結合させるために、図４に示すように、ベース基板２に予め形成されたＬ字、十字等の位置決め用マーク７を利用して、パッケージ３Ａ〜３Ｃをベース基板２に搭載することが望ましい。なお、マーク７の長さは０．５ｍｍ程度であり、マーク７の線幅は０．０２ｍｍ程度である。
【００２５】
図１に戻り、ファイバ保持部材４は、半導体レーザ５Ａ〜５Ｃとそれぞれ光結合される光ファイバ８Ａ〜８Ｃを保持する。光ファイバ８Ａ〜８Ｃとしては、ガラスファイバまたはプラスチックファイバが使用される。光ファイバ８Ａ〜８Ｃをガラスファイバとした場合は、細径のクラッドの作製が可能となり、合波後のビームが小さくなる。光ファイバ８Ａ〜８Ｃをプラスチックファイバとした場合は、光ファイバ８Ａ〜８Ｃが傷に対して強くなり、信頼性が向上する。
【００２６】
光ファイバ８Ａ〜８Ｃは、半導体レーザ５Ａ〜５Ｃとの光結合を効率良くするために、半導体レーザ５Ａ〜５Ｃのファーフィールドパターンに合わせて開口数（ＮＡ）を設定することが望ましい。例えば光ファイバ８Ａ〜８ＣのＮＡを０．２とした場合、約８．１度以下の光が全反射して光ファイバ８Ａ〜８Ｃを伝搬する。
【００２７】
半導体レーザ５Ａ〜５Ｃと光ファイバ８Ａ〜８Ｃとの光結合を高めるために、半導体レーザ５Ａ〜５Ｃやパッケージ３Ａ〜３Ｃ等の実装精度に応じて、使用する光ファイバ８Ａ〜８Ｃを選択する必要がある。例えば、パッケージ３Ａ〜３Ｃに対する半導体レーザ５Ａ〜５Ｃの実装精度が２０μｍであり、ベース基板２に対するパッケージ３Ａ〜３Ｃの実装精度が１０μｍである場合には、ベース基板２に対する半導体レーザ５Ａ〜５Ｃのバラツキが３０μｍでも十分結合可能となるように、コア径が７４μｍ、クラッド径が８０μｍの光ファイバ８Ａ〜８Ｃを使用する。
【００２８】
ファイバ保持部材４は、光ファイバ８Ａ〜８Ｃを整列状態に保持するアライメント基板９と、光ファイバ８Ａ〜８Ｃをアライメント基板９に対して押さえるファイバ押さえ板１０とからなっている。
【００２９】
図５〜図７に示すように、アライメント基板９の一端部（パッケージ３Ａ〜３Ｃ側の端部）には、光ファイバ８Ａ〜８Ｃの一端部を個別に位置決め収容する３つの断面矩形状の位置決め溝１１が３．０ｍｍ間隔で形成されている。アライメント基板９の他端部（パッケージ３Ａ〜３Ｃとは反対側の端部）には、光ファイバ８Ａ〜８Ｃの他端部を束ねて位置決め収容する断面矩形状の位置決め溝１２が形成されている。アライメント基板９における各位置決め溝１１と位置決め溝１２との間には、位置決め溝１２よりも深い凹部１３が形成されている。凹部１３は、光ファイバ８Ａ〜８Ｃを位置決め溝１１，１２に収容する際に、光ファイバ８Ａ〜８Ｃを曲げる部分である。これらの位置決め溝１１，１２及び凹部１３は、ダイサー等により切断加工して形成されている。
【００３０】
上述したコア径が７４μｍ、クラッド径が８０μｍの光ファイバ８Ａ〜８Ｃを使用する場合、位置決め溝１１の溝幅は８２〜８７μｍ程度である。また、光ファイバ８Ａ〜８Ｃの固定強度を考えて、位置決め溝１１の長さとしては１ｍｍ以上の固定代があるのが望ましい。
【００３１】
位置決め溝１２においては、図８に示すように、光ファイバ８Ａ〜８Ｃの各クラッドが互いに接触し、光ファイバ８Ａ〜８Ｃの各コアを結んだ円の外径が最小となるように、光ファイバ８Ａ〜８Ｃが配置される。上述したようにコア径が７４μｍ、クラッド径が８０μｍの光ファイバ８Ａ〜８Ｃを使用する場合、位置決め溝１２の深さは、光ファイバ８Ａ〜８Ｃのコア中心を結ぶ三角形の高さ＋クラッド径で算出され、約１４９．３μｍとなる。位置決め溝１２の長さとしては、位置決め溝１１と同様に１ｍｍ以上の固定代があるのが望ましい。
【００３２】
このように光ファイバ８Ａ〜８Ｃのクラッドを互いに接触させてバンドル化することで、半導体レーザ５Ａ〜５Ｃから出射されて光ファイバ８Ａ〜８Ｃに入射された各レーザ光が集光され、合波されるようになる。
【００３３】
アライメント基板９の大きさは、長さ２０ｍｍ×幅１２ｍｍ×厚さ１ｍｍ程度である。アライメント基板９は、上記の切削加工の他、ガラス成型や樹脂成型によって作製することができる。ファイバ押さえ板１０の大きさは、例えばアライメント基板９と同様である。
【００３４】
アライメント基板９に光ファイバ８Ａ〜８Ｃに装着するときは、図９に示すように、光ファイバ８Ａ〜８Ｃの一端側部分を位置決め溝１１にそれぞれ収容して仮固定すると共に、光ファイバ８Ａ〜８Ｃの他端側部分を互いに接触するように束ねた状態で位置決め溝１２に収容して仮固定する。そして、紫外線（ＵＶ）等で硬化する樹脂を位置決め溝１１，１２に塗布した状態で、アライメント基板９の上にファイバ押さえ板１０を載せ、ＵＶ照射及び熱硬化を行う。なお、熱硬化だけでも良い。
【００３５】
そして、光ファイバ８Ａ〜８Ｃの両端部をダイサー等で切断し、その切断面を光学研磨することが望ましいが、光ファイバ８Ａ〜８Ｃの切断後に、屈折率整合樹脂からなる平板ガラスを切断面に装着することで、光の散乱を防ぐことができる。
【００３６】
ファイバ保持部材４の材料としては、可視光に対して透明な材料でも良いし、可視光に対して不透明な材料でも良い。
【００３７】
ファイバ保持部材４が透明である場合には、図１０に示すように、ベース基板２に予め形成されたＬ字、十字等の位置決め用マーク１４を利用して、アライメント基板９をベース基板２上に容易に搭載することができる。なお、マーク１４の長さは０．５ｍｍ程度であり、マーク１４の線幅は０．０２ｍｍ程度である。
【００３８】
一方、半導体レーザ５Ａ〜５Ｃと光ファイバ８Ａ〜８Ｃとの光結合損失や光ファイバ８Ａ〜８Ｃの導波損失により生じた迷光が出射側に漏れると、品質劣化を引き起こすため、アライメント基板９の表面に光吸収樹脂等を塗布しておくのが効果的である。
【００３９】
図１に戻り、アライメント基板９の位置決め溝１２に収容された光ファイバ８Ａ〜８Ｃのバンドル部の端面には、１本の合波用光ファイバ１５が接続されている。上述したコア径が７４μｍ、クラッド径が８０μｍの光ファイバ８Ａ〜８Ｃを互いに接触させた場合は、コア径が約１８７．１μｍの合波用光ファイバ１５を用いることで、光ファイバ８Ａ〜８Ｃをそれぞれ伝搬する３つのレーザ光が合波された状態で合波用光ファイバ１５に入射されるようになる。
【００４０】
合波用光ファイバ１５の出射側には、合波された光のスポットサイズを変換して集束光や平行光（コリメート光）を得るための光学レンズ１６が配置されている。ここで、光ファイバ８Ａ〜８Ｃを伝搬するレーザ光の色は赤、緑、青であるため、これらの光が適切な割合で混ざると白色となり、合波用光ファイバ１５からは白色のレーザ光が出射される。色収差を無くすために光学レンズ１６としてアクロマティックレンズを用いることで、合波用光ファイバ１５からの光を集束光や平行光に変換することが可能となる。
【００４１】
以上のように本実施形態にあっては、半導体レーザ５Ａ〜５Ｃが実装されたパッケージ３Ａ〜３Ｃとファイバ保持部材４とをベース基板２上に搭載し、半導体レーザ５Ａ〜５Ｃと光結合される光ファイバ８Ａ〜８Ｃの一端部をアライメント基板９の各位置決め溝１１に収容し、アライメント基板９の位置決め溝１２に光ファイバ８Ａ〜８Ｃの他端部を互いに接するように束ねた状態で収容するようにしたので、高い光結合を確保しつつ、半導体レーザ５Ａ〜５Ｃから照射された各レーザ光を簡単に集光して合波することができる。
【００４２】
また、半導体レーザ５Ａ〜５Ｃから照射された各レーザ光をコリメートするコリメートレンズを設けなくて済むので、半導体レーザ５Ａ〜５Ｃとコリメートレンズとの調芯工程が無く、結果的に光半導体装置１の組み立てを容易に行うことができる。また、そのようなコリメートレンズが不要となるため、光半導体装置１のコンパクト化及び低コスト化を図ることができる。
【００４３】
さらに、光半導体装置１の組み立てに対して大きなトレランスを有しているので、合波用光ファイバ１５への３つのレーザ光の合波、光学レンズ１６による合波光のスポットサイズの変換を安価に行うことができる。
【００４４】
図１１は、図１に示した光半導体装置の変形例を示す斜視図である。同図において、光半導体装置１は、ベース基板２上に搭載されたパッケージ３Ａ〜３Ｄ及びファイバ保持部材４を備えている。パッケージ３Ａ，３Ｄには、緑色のレーザ光を照射する半導体レーザ５Ａ，５Ｄがそれぞれ実装され、パッケージ３Ｂには、青色のレーザ光を照射する半導体レーザ５Ｂが実装され、パッケージ３Ｃには、赤色のレーザ光を照射する半導体レーザ５Ｃが実装されている。
【００４５】
図１２及び図１３に示すように、アライメント基板９の一端部には、半導体レーザ５Ａ〜５Ｄとそれぞれ光結合される光ファイバ８Ａ〜８Ｄの一端部を個別に位置決め収容する４つの断面矩形状の位置決め溝１１が形成されている。アライメント基板９の他端部には、光ファイバ８Ａ〜８Ｄの他端部を束ねて位置決め収容する断面矩形状の位置決め溝１２が形成されている。
【００４６】
位置決め溝１２においては、図１４に示すように、光ファイバ８Ａ〜８Ｄの各クラッドが接触するように束ねられた状態で配置されている。これにより、半導体レーザ５Ａ〜５Ｄから出射されて光ファイバ８Ａ〜８Ｄに入射された各レーザ光が集光されて合波されるようになる。
【００４７】
このように半導体レーザ５Ｄ及び光ファイバ８Ｄの増加に対しても、アライメント基板９の変更により簡単に対応することが可能となる。
【００４８】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、アライメント基板９は１つずつ製作しても良いが、複数のアライメント基板９を一度にまとめて製作することも可能である。具体的には、元基板に複数のダイサー溝を連続して加工した後、各ダイサー溝に光ファイバを収容し、その後で元基板に押さえ板を載せて硬化させ、最後に元基板を個々に切断・分割する。
【００４９】
このようにして作製されたアライメント基板９の一例を図１５及び図１６に示す。図１５は、３つの位置決め溝１１を有するアライメント基板９の水平方向断面図であり、図１６は、４つの位置決め溝１１を有するアライメント基板９の水平方向断面図である。各図において、アライメント基板９の位置決め溝１２側の部分には、ダイサーにより各位置決め溝１１と一緒に加工された複数の未使用の溝１１Ａが形成され、アライメント基板９の位置決め溝１１側の部分には、ダイサーにより位置決め溝１２と一緒に加工された未使用の溝１２Ａが形成されている。未使用の溝１１Ａ，１２Ａには、光ファイバが収容されることは無い。
【００５０】
また、上記実施形態では、１枚のファイバ押さえ板１０をアライメント基板９の上に全体的に載せるようにしたが、特にそのような構造には限られず、図１７に示すように、小型のファイバ押さえ板１０Ａ，１０Ｂを用意し、位置決め溝１１，１２が形成されたアライメント基板９の両端部分上のみにファイバ押さえ板１０Ａ，１０Ｂを載せるようにしても良い。
【００５１】
さらに、上記実施形態では、複数本の光ファイバを束ねて位置決めする位置決め溝１２をアライメント基板９のみに形成したが、図１８に示すように、アライメント基板９に位置決め溝１２ａを形成すると共にファイバ押さえ板１０に位置決め溝１２ｂを形成しても良い。この場合、一部の光ファイバをアライメント基板９の位置決め溝１２ａに収容し、残りの光ファイバをファイバ押さえ板１０の位置決め溝１２ｂに収容した後、アライメント基板９とファイバ押さえ板１０とを貼り合わせるようにする。
【００５２】
また、上記実施形態では、アライメント基板９の一端部に複数本の光ファイバをそれぞれ位置決めする複数の位置決め溝１１を設け、アライメント基板９の他端部に複数本の光ファイバを束ねて位置決めする位置決め溝１２を設けたが、特にそのような構造には限られず、複数の位置決め溝１１を有する基板と位置決め溝１２を有する基板とを個別に作製し、これらの基板をベース基板２上に搭載しても良い。
【００５３】
さらに、上記実施形態では、１つのパッケージに１つの半導体レーザを実装したが、使用目的に応じて、１つのパッケージに異なる色のレーザ光を照射する複数の半導体レーザを一緒に実装し、これらの半導体レーザを１本の光ファイバに光結合させても良い。
【符号の説明】
【００５４】
１…光半導体装置、２…ベース基板、３Ａ〜３Ｄ…パッケージ、４…ファイバ保持部材（ファイバ保持手段）、５Ａ〜５Ｄ…半導体レーザ（発光素子）、８Ａ〜８Ｄ…光ファイバ、９…アライメント基板、１０…ファイバ押さえ板、１１…位置決め溝（第１位置決め溝、第１位置決め部）、１２…位置決め溝（第２位置決め溝、第２位置決め部）、１２ａ，１２ｂ…位置決め溝（第２位置決め部）、１５…合波用光ファイバ、１６…光学レンズ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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