(57)【要約】【課題】焼成時に発生する昇華物を低減することができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。【解決手段】回転塗布によって表面に反射防止膜が形成された基板ＷがフラッシュベークユニットＦＬＢに搬送される。冷却プレート８１の上面に保持された基板Ｗの表面にフラッシュランプＦＬからフラッシュ光を照射して瞬間的に加熱し、反射防止膜の焼成処理を行う。フラッシュ光照射によって反射防止膜の焼成処理を極めて短時間にて行うことが可能となる。このため、反射防止膜から昇華物が多量に発生する前に焼成処理を完了して反射防止膜の温度を昇華物発生温度以下にまで下げることができ、その結果、反射防止膜の焼成処理時に発生する昇華物を大幅に低減することができる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱されることによって昇華物を発生する膜を表面に形成した基板の熱処理を行う熱処理方法であって、
前記基板をチャンバー内に収容する収容工程と、
前記チャンバー内に収容された前記基板にフラッシュランプからフラッシュ光を照射して前記膜の焼成処理を行うフラッシュ照射工程と、
を備えることを特徴とする熱処理方法。
【請求項２】
請求項１記載の熱処理方法において、
前記チャンバーから排気を行う排気工程と、
前記チャンバー内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給工程と、
をさらに備えることを特徴とする熱処理方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の熱処理方法において、
前記基板を前記チャンバー内の冷却プレートによって冷却しつつフラッシュ光の照射を行うことを特徴とする熱処理方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の熱処理方法において、
前記基板と前記フラッシュランプとの間に配置された黒体板にフラッシュ光が照射され、それによって昇温した前記黒体板からの熱放射によって前記基板を加熱することを特徴とする熱処理方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の熱処理方法において、
前記フラッシュ照射工程でのフラッシュ光照射による加熱処理時間は１秒以下であることを特徴とする熱処理方法。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の熱処理方法において、
前記フラッシュ照射工程では、前記フラッシュランプに印加する電圧を制御することによって前記膜の焼成処理温度を変更することを特徴とする熱処理方法。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれかに記載の熱処理方法において、
前記チャンバー内に基板を収容することなく酸素ガスを供給する酸素供給工程と、
前記フラッシュランプからフラッシュ光を照射して前記チャンバー内に付着した汚染物を除去するクリーニング工程と、
をさらに備えることを特徴とする熱処理方法。
【請求項８】
加熱されることによって昇華物を発生する膜を表面に形成した基板の熱処理を行う熱処理装置であって、
前記基板を収容するチャンバーと、
前記チャンバー内にて前記基板を保持する保持手段と、
前記保持手段に保持された前記基板を冷却する冷却手段と、
前記チャンバーから排気を行う排気手段と、
前記チャンバー内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、
前記保持手段に保持された前記基板にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、
を備えることを特徴とする熱処理装置。
【請求項９】
請求項８記載の熱処理装置において、
前記保持手段に保持された前記基板と前記フラッシュランプとの間に黒体板をさらに備えることを特徴とする熱処理装置。
【請求項１０】
請求項８または請求項９に記載の熱処理装置において、
前記チャンバー内に酸素ガスを供給する酸素供給手段をさらに備えることを特徴とする熱処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加熱されることによって昇華物を発生する膜を表面に形成した半導体ウェハーや液晶表示装置用ガラス基板等の薄板状の精密電子基板（以下、単に「基板」と称する）の熱処理を行う熱処理方法および熱処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスや液晶ディスプレイなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製造されている。近年の微細加工の急速な進展に伴って、露光工程で使用する露光光の波長も短波長化してきており、従来のｇ線，ｉ線と称される紫外線からＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）が主流を占めるようになってきている。このようなエキシマレーザを使用した露光処理を行う際には、基板上に化学増幅型レジストの膜を形成する。
【０００３】
ところが、化学増幅型レジストの膜を形成した基板にエキシマレーザを照射して露光処理を行うと、従来（ｇ線やｉ線）よりも下地からの反射の影響（定在波効果）が大きくなる。このような反射の影響を低減するために、基板上に反射防止膜を形成することが行われており、特にレジスト膜よりも下層に形成する反射防止膜はＢＡＲＣ（Bottom Anti-Reflection Coating）と称される。
【０００４】
基板上にＢＡＲＣを形成するときには、ＢＡＲＣの塗布液をスピンコート法等によって基板上に均一に塗布した後、当該基板を加熱処理することによって反射防止膜を焼成するのであるが、この加熱処理の際に塗布液中の樹脂成分が昇華するため、排気ガス中には多量の昇華物が含まれることとなる。このような昇華物は排気管に析出して目詰まりを引き起こしたり汚染源となるおそれがあるため、特許文献１には熱処理ユニットからの排気管を加熱して昇華物の析出を防止する技術が開示されている。また、特許文献２には、昇華物の飛散を防止するために、焼成処理後の反射防止膜から昇華物の発生が停止する温度以下に基板温度が降温するまで加熱処理部内に待機させてから基板を搬出する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−６４２７７号公報
【特許文献２】特開２００８−６６６４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１，２に開示される技術では、焼成時における昇華物の発生そのものを抑制することはできなかった。すなわち、特許文献１，２に開示される技術は、昇華物が発生することを前提とした対策である。そのため、排気管に別途の加熱機構が必要のとなったり、加熱処理部内での処理時間が長くなってスループットが低下する懸念があった。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、焼成時に発生する昇華物を低減することができる熱処理方法および熱処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、請求項１の発明は、加熱されることによって昇華物を発生する膜を表面に形成した基板の熱処理を行う熱処理方法において、前記基板をチャンバー内に収容する収容工程と、前記チャンバー内に収容された前記基板にフラッシュランプからフラッシュ光を照射して前記膜の焼成処理を行うフラッシュ照射工程と、を備えることを特徴とする。
【０００９】
また、請求項２の発明は、請求項１の発明に係る熱処理方法において、前記チャンバーから排気を行う排気工程と、前記チャンバー内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給工程と、をさらに備えることを特徴とする。
【００１０】
また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明に係る熱処理方法において、前記基板を前記チャンバー内の冷却プレートによって冷却しつつフラッシュ光の照射を行うことを特徴とする。
【００１１】
また、請求項４の発明は、請求項１から請求項３のいずれかの発明に係る熱処理方法において、前記基板と前記フラッシュランプとの間に配置された黒体板にフラッシュ光が照射され、それによって昇温した前記黒体板からの熱放射によって前記基板を加熱することを特徴とする。
【００１２】
また、請求項５の発明は、請求項１から請求項４のいずれかの発明に係る熱処理方法において、前記フラッシュ照射工程でのフラッシュ光照射による加熱処理時間は１秒以下であることを特徴とする。
【００１３】
また、請求項６の発明は、請求項１から請求項５のいずれかの発明に係る熱処理方法において、前記フラッシュ照射工程では、前記フラッシュランプに印加する電圧を制御することによって前記膜の焼成処理温度を変更することを特徴とする。
【００１４】
また、請求項７の発明は、請求項１から請求項６のいずれかの発明に係る熱処理方法において、前記チャンバー内に基板を収容することなく酸素ガスを供給する酸素供給工程と、前記フラッシュランプからフラッシュ光を照射して前記チャンバー内に付着した汚染物を除去するクリーニング工程と、をさらに備えることを特徴とする。
【００１５】
また、請求項８の発明は、加熱されることによって昇華物を発生する膜を表面に形成した基板の熱処理を行う熱処理装置において、前記基板を収容するチャンバーと、前記チャンバー内にて前記基板を保持する保持手段と、前記保持手段に保持された前記基板を冷却する冷却手段と、前記チャンバーから排気を行う排気手段と、前記チャンバー内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段と、前記保持手段に保持された前記基板にフラッシュ光を照射するフラッシュランプと、を備えることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項９の発明は、請求項８の発明に係る熱処理装置において、前記保持手段に保持された前記基板と前記フラッシュランプとの間に黒体板をさらに備えることを特徴とする。
【００１７】
また、請求項１０の発明は、請求項８または請求項９の発明に係る熱処理装置において、前記チャンバー内に酸素ガスを供給する酸素供給手段をさらに備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
請求項１から請求項７の発明によれば、加熱されることによって昇華物を発生する膜を表面に形成した基板にフラッシュランプからフラッシュ光を照射して当該膜の焼成処理を行うため、焼成処理に要する時間は極めて短くて済み、スループットを向上できるとともに、焼成時に発生する昇華物を大幅に低減することができる。
【００１９】
特に、請求項３の発明によれば、基板をチャンバー内の冷却プレートによって冷却しつつフラッシュ光の照射を行うため、基板間での温度履歴を均一にすることができる。
【００２０】
特に、請求項４の発明によれば、基板とフラッシュランプとの間に配置された黒体板にフラッシュ光が照射され、それによって昇温した黒体板からの熱放射によって基板を加熱するため、基板の表面に形成された膜の種類にかかわらず、当該膜を一定の処理温度に加熱することができる。
【００２１】
特に、請求項５の発明によれば、フラッシュ照射工程でのフラッシュ光照射による加熱処理時間は１秒以下であるため、焼成時に発生する昇華物を確実に低減することができる。
【００２２】
特に、請求項６の発明によれば、フラッシュランプに印加する電圧を制御することによって膜の焼成処理温度を変更するため、その温度変更に要する待機時間は不要となる。
【００２３】
特に、請求項７の発明によれば、チャンバー内に基板を収容することなく酸素ガスを供給し、フラッシュランプからフラッシュ光を照射してチャンバー内に付着した汚染物を除去するため、チャンバーを清浄に維持することができる。
【００２４】
また、請求項８から請求項１０の発明によれば、加熱されることによって昇華物を発生する膜を表面に形成した基板にフラッシュランプからフラッシュ光を照射して当該膜の焼成処理を行うため、焼成処理に要する時間は極めて短くて済み、スループットを向上できるとともに、焼成時に発生する昇華物を大幅に低減することができる。
【００２５】
特に、請求項９の発明によれば、保持手段に保持された前記基板と前記フラッシュランプとの間に黒体板を備えるため、フラッシュ光照射によって昇温した黒体板を介して基板を間接的に加熱することができ、基板の表面に形成された膜の種類にかかわらず、当該膜を一定の処理温度に加熱することができる。
【００２６】
特に、請求項１０の発明によれば、チャンバー内に酸素ガスを供給する酸素供給手段を備えるため、チャンバー内に基板を収容することなく酸素ガスを供給し、フラッシュランプからフラッシュ光を照射してチャンバー内に付着した汚染物を除去することにより、チャンバーを清浄に維持することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明に係る熱処理装置を組み込んだ基板処理装置の平面図である。
【図２】図１の基板処理装置の液処理部の正面図である。
【図３】図１の基板処理装置の熱処理部の正面図である。
【図４】図１の基板処理装置の搬送ロボットおよび基板載置部の配置構成を示す図である。
【図５】フラッシュベークユニットの要部構成を示す図である。
【図６】電源ユニットの要部構成を示す図である。
【図７】フラッシュベークユニットにおける基板の処理手順を示すフローチャートである。
【図８】基板の表面温度の変化を示す図である。
【図９】第２実施形態のフラッシュベークユニットの要部構成を示す図である。
【図１０】第２実施形態でのフラッシュ光照射によって基板が加熱される様子を説明する模式図である。
【図１１】第３実施形態のフラッシュベークユニットの要部構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２９】
＜第１実施形態＞
まず、本発明に係る熱処理装置を組み込んだ基板処理装置の全体構成について説明する。図１は、本発明に係る熱処理装置を組み込んだ基板処理装置１の平面図である。また、図２は基板処理装置１の液処理部の正面図であり、図３は熱処理部の正面図であり、図４は搬送ロボットおよび基板載置部の配置構成を示す図である。なお、図１および以降の各図にはそれらの方向関係を明確にするためＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を適宜付している。また、図１および以降の各図においては、理解容易のため、必要に応じて各部の寸法や数を誇張または簡略化して描いている。
【００３０】
本実施形態の基板処理装置１は、半導体ウェハー等の基板Ｗにフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、パターン露光後の基板Ｗに現像処理を行う装置（いわゆるコータ＆デベロッパ）である。なお、本発明に係る基板処理装置１の処理対象となる基板Ｗは半導体ウェハに限定されるものではなく、液晶表示装置用ガラス基板やフォトマスク用ガラス基板等であっても良い。
【００３１】
本実施形態の基板処理装置１は、インデクサブロック１０、バークブロック２０、レジスト塗布ブロック３０、現像処理ブロック４０およびインターフェイスブロック５０の５つの処理ブロックを一方向（Ｘ方向）に連設して構成されている。インターフェイスブロック５０には基板処理装置１とは別体の外部装置である露光ユニット（ステッパ）ＥＸＰが接続配置されている。
【００３２】
インデクサブロック１０は、装置外から受け取った未処理基板を装置内に搬入するとともに、現像処理の終了した処理済み基板を装置外に搬出するための処理ブロックである。インデクサブロック１０は、複数のキャリアＣ（本実施形態では４個）を並べて載置する載置台１１と、各キャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出すとともに、各キャリアＣに処理済みの基板Ｗを収納するインデクサロボットＩＲと、を備えている。
【００３３】
インデクサロボットＩＲは、載置台１１に沿って（Ｙ軸方向に沿って）水平移動可能であるとともに昇降（Ｚ軸方向）移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である可動台１２を備えている。可動台１２には、基板Ｗを水平姿勢で保持する２つの保持アーム１３ａ，１３ｂが搭載されている。保持アーム１３ａ，１３ｂは相互に独立して前後にスライド移動可能とされている。よって、保持アーム１３ａ，１３ｂのそれぞれは、Ｙ軸方向に沿った水平移動、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、インデクサロボットＩＲは、保持アーム１３ａ，１３ｂを個別に各キャリアＣにアクセスさせて未処理の基板Ｗの取り出しおよび処理済みの基板Ｗの収納を行うことができる。なお、キャリアＣの形態としては、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(front opening unified pod)の他に、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ(open cassette)であっても良い。
【００３４】
インデクサブロック１０に隣接してバークブロック２０が設けられている。インデクサブロック１０とバークブロック２０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１５が設けられている。この隔壁１５にインデクサブロック１０とバークブロック２０との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に積層して設けられている。
【００３５】
上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、インデクサブロック１０からバークブロック２０へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ１は３本の支持ピンを備えており、インデクサブロック１０のインデクサロボットＩＲはキャリアＣから取り出した未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１の３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを後述するバークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、バークブロック２０からインデクサブロック１０へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ２も３本の支持ピンを備えており、バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１は処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２の３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板ＷをインデクサロボットＩＲが受け取ってキャリアＣに収納する。なお、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０の構成も基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同じである。
【００３６】
基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２は、隔壁１５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、インデクサロボットＩＲや搬送ロボットＴＲ１が基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。
【００３７】
次に、バークブロック２０について説明する。バークブロック２０は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、フォトレジスト膜の下地に反射防止膜（ＢＡＲＣ）を塗布形成するための処理ブロックである。バークブロック２０は、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布形成するための下地塗布処理部２１と、反射防止膜の塗布形成に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー２２，２３と、下地塗布処理部２１および熱処理タワー２２，２３に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ１とを備える。
【００３８】
バークブロック２０においては、搬送ロボットＴＲ１を挟んで下地塗布処理部２１と熱処理タワー２２，２３とが対向して配置されている。具体的には、下地塗布処理部２１が装置正面側（（−Ｙ）側）に、２つの熱処理タワー２２，２３が装置背面側（（＋Ｙ）側）に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー２２，２３の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。下地塗布処理部２１と熱処理タワー２２，２３とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー２２，２３から下地塗布処理部２１に熱的影響を与えることを回避しているのである。
【００３９】
図２に示すように、下地塗布処理部２１は同様の構成を備えた４つの塗布処理ユニットＢＲＣを上下に積層配置して構成されている。それぞれの塗布処理ユニットＢＲＣは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック２６、このスピンチャック２６上に保持された基板Ｗ上に反射防止膜用の塗布液を吐出する塗布ノズル２７、スピンチャック２６を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック２６上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。
【００４０】
図３に示すように、熱処理タワー２２には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する２個の加熱ユニットＨＰ、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持する２個の冷却ユニットＣＰ、および、レジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気中で基板Ｗを熱処理する３個の密着強化処理ユニットＡＨＬが上下に積層配置されている。加熱ユニットＨＰおよび密着強化処理ユニットＡＨＬは基板Ｗを載置して加熱するホットプレートを備え、冷却ユニットＣＰは基板Ｗを載置して冷却するクーリングプレートを備えている。
【００４１】
一方、熱処理タワー２３にも２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置されている。さらに、熱処理タワー２３には、フラッシュ光を照射して基板Ｗの表面を瞬間的に加熱する１個のフラッシュベークユニットＦＬＢが配置されている。このフラッシュベークユニットＦＬＢについてはさらに後述する。なお、図３において「×」印で示した箇所には配管配線部や、予備の空きスペースが割り当てられている（後述する他の熱処理タワーについても同じ）。
【００４２】
図４に示すように、搬送ロボットＴＲ１は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する搬送アーム２４ａ，２４ｂを上下２段に近接させて備えている。搬送アーム２４ａ，２４ｂのそれぞれは、先端部が平面視で「Ｃ」字形状になっており、この「Ｃ」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピンで基板Ｗの周縁を下方から支持するようになっている。搬送アーム２４ａ，２４ｂは搬送ヘッド２８に搭載されている。搬送ヘッド２８は、図示省略の駆動機構によって鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿った昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である。また、搬送ヘッド２８は、図示省略のスライド機構によって搬送アーム２４ａ，２４ｂを互いに独立して水平方向に進退移動させることができる。よって、搬送アーム２４ａ，２４ｂのそれぞれは、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、搬送ロボットＴＲ１は、２個の搬送アーム２４ａ，２４ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２、熱処理タワー２２，２３に設けられた熱処理ユニット（加熱ユニットＨＰ、冷却ユニットＣＰおよびフラッシュベークユニットＦＬＢ）、下地塗布処理部２１に設けられた４つの塗布処理ユニットＢＲＣおよび後述する基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。
【００４３】
次に、レジスト塗布ブロック３０について説明する。バークブロック２０と現像処理ブロック４０との間に挟み込まれるようにしてレジスト塗布ブロック３０が設けられている。このレジスト塗布ブロック３０とバークブロック２０との間にも、雰囲気遮断用の隔壁２５が設けられている。この隔壁２５にバークブロック２０とレジスト塗布ブロック３０との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。
【００４４】
上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、バークブロック２０からレジスト塗布ブロック３０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１が基板載置部ＰＡＳＳ３に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、レジスト塗布ブロック３０からバークブロック２０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ４に載置した基板Ｗをバークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１が受け取る。
【００４５】
基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、隔壁２５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。
【００４６】
レジスト塗布ブロック３０は、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストを塗布してレジスト膜を形成するための処理ブロックである。なお、本実施形態では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いている。レジスト塗布ブロック３０は、下地塗布された反射防止膜の上にレジストを塗布するレジスト塗布処理部３１と、レジスト塗布処理に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー３２，３３と、レジスト塗布処理部３１および熱処理タワー３２，３３に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ２とを備える。
【００４７】
レジスト塗布ブロック３０においては、搬送ロボットＴＲ２を挟んでレジスト塗布処理部３１と熱処理タワー３２，３３とが対向して配置されている。具体的には、レジスト塗布処理部３１が装置正面側に、２つの熱処理タワー３２，３３が装置背面側に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー３２，３３の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。レジスト塗布処理部３１と熱処理タワー３２，３３とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー３２，３３からレジスト塗布処理部３１に熱的影響を与えることを回避しているのである。
【００４８】
図２に示すように、レジスト塗布処理部３１は同様の構成を備えた４つの塗布処理ユニットＳＣを上下に積層配置して構成されている。それぞれの塗布処理ユニットＳＣは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック３６、このスピンチャック３６上に保持された基板Ｗ上にフォトレジストの塗布液を吐出する塗布ノズル３７、スピンチャック３６を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック３６上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。
【００４９】
図３に示すように、熱処理タワー３２には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱するホットプレートを備えた２個の加熱ユニットＨＰおよび加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持するクーリングプレートを備えた２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置されている。一方、熱処理タワー３３にも２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置されている。
【００５０】
図４に示すように、搬送ロボットＴＲ２は、搬送ロボットＴＲ１と同様の構成を備えており、基板Ｗを略水平姿勢で保持する搬送アーム３４ａ，３４ｂを上下２段に近接させて備えている。搬送アーム３４ａ，３４ｂは、「Ｃ」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピンで基板Ｗの周縁を下方から支持する。搬送アーム３４ａ，３４ｂは搬送ヘッド３８に搭載されている。搬送ヘッド３８は、図示省略の駆動機構によって鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿った昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である。また、搬送ヘッド３８は、図示省略のスライド機構によって搬送アーム３４ａ，３４ｂを互いに独立して水平方向に進退移動させることができる。よって、搬送アーム３４ａ，３４ｂのそれぞれは、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、搬送ロボットＴＲ２は、２個の搬送アーム３４ａ，３４ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４、熱処理タワー３２，３３に設けられた熱処理ユニット、レジスト塗布処理部３１に設けられた４つの塗布処理ユニットＳＣおよび後述する基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。
【００５１】
次に、現像処理ブロック４０について説明する。レジスト塗布ブロック３０とインターフェイスブロック５０との間に挟み込まれるようにして現像処理ブロック４０が設けられている。この現像処理ブロック４０とレジスト塗布ブロック３０との間にも、雰囲気遮断用の隔壁３５が設けられている。この隔壁３５にレジスト塗布ブロック３０と現像処理ブロック４０との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。
【００５２】
上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、レジスト塗布ブロック３０から現像処理ブロック４０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ５に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、現像処理ブロック４０からレジスト塗布ブロック３０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ６に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２が受け取る。
【００５３】
基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、隔壁３５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、搬送ロボットＴＲ２，ＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。
【００５４】
現像処理ブロック４０は、露光処理後の基板Ｗに対して現像処理を行うための処理ブロックである。現像処理ブロック４０は、パターンが露光された基板Ｗに対して現像液を供給して現像処理を行う現像処理部４１と、現像処理後の熱処理を行う熱処理タワー４２と、露光直後の基板Ｗに熱処理を行う熱処理タワー４３と、現像処理部４１および熱処理タワー４２に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ３とを備える。
【００５５】
図２に示すように、現像処理部４１は、同様の構成を備えた５つの現像処理ユニットＳＤを上下に積層配置して構成されている。各現像処理ユニットＳＤは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック４６、このスピンチャック４６上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル４７、スピンチャック４６を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック４６上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。
【００５６】
図３に示すように、熱処理タワー４２には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱するホットプレートを備えた２個の加熱ユニットＨＰおよび加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持するクーリングプレートを備えた２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置されている。一方、熱処理タワー４３にも２個の加熱ユニットＨＰおよび２個の冷却ユニットＣＰが上下に積層配置されている。熱処理タワー４３の加熱ユニットＨＰは露光直後の基板Ｗに対して露光後加熱処理(Post Exposure Bake)を行う。熱処理タワー４３の加熱ユニットＨＰおよび冷却ユニットＣＰに対してはインターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４が基板Ｗの搬出入を行う。
【００５７】
また、熱処理タワー４３には、現像処理ブロック４０とインターフェイスブロック５０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して組み込まれている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、現像処理ブロック４０からインターフェイスブロック５０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ７に載置した基板Ｗをインターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、インターフェイスブロック５０から現像処理ブロック４０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、インターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４が基板載置部ＰＡＳＳ８に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３が受け取る。なお、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３およびインターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４の両側に対して開口している。
【００５８】
搬送ロボットＴＲ３は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する搬送アーム４４ａ，４４ｂを上下に近接させて備えている。搬送アーム４４ａ，４４ｂは、「Ｃ」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピンで基板Ｗの周縁を下方から支持する。搬送アーム４４ａ，４４ｂは搬送ヘッド４８に搭載されている。搬送ヘッド４８は、図示省略の駆動機構によって鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿った昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である。また、搬送ヘッド４８は、図示省略のスライド機構によって搬送アーム４４ａ，４４ｂを互いに独立して水平方向に進退移動させることができる。よって、搬送アーム４４ａ，４４ｂのそれぞれは、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、搬送ロボットＴＲ３は、２個の搬送アーム４４ａ，４４ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６、熱処理タワー４２に設けられた熱処理ユニット、現像処理部４１に設けられた５つの現像処理ユニットＳＤおよび熱処理タワー４３の基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。
【００５９】
次に、インターフェイスブロック５０について説明する。インターフェイスブロック５０は、現像処理ブロック４０に隣接して配置され、レジスト膜が塗布形成された未露光の基板Ｗを基板処理装置１とは別体の外部装置である露光ユニットＥＸＰに渡すとともに、露光済みの基板Ｗを露光ユニットＥＸＰから受け取って現像処理ブロック４０に渡す処理ブロックである。インターフェイスブロック５０は、露光ユニットＥＸＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行うための搬送機構ＩＦＲの他に、レジスト膜が形成された基板Ｗの周縁部を露光する２つのエッジ露光ユニットＥＥＷと、現像処理ブロック４０の熱処理タワー４３およびエッジ露光ユニットＥＥＷに対して基板Ｗを受け渡しする搬送ロボットＴＲ４とを備える。
【００６０】
エッジ露光ユニットＥＥＷは、図２に示すように、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック５６およびスピンチャック５６に保持された基板Ｗの周縁に光を照射して露光する光照射器５７などを備えている。２つのエッジ露光ユニットＥＥＷは、インターフェイスブロック５０の中央部に上下に積層配置されている。また、エッジ露光ユニットＥＥＷの下側には、基板送り用のセンドバッファＳＢＦ、基板戻し用のリターンバッファＲＢＦ、および、２つの基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０、が上下に積層配置されている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は搬送ロボットＴＲ４から搬送機構ＩＦＲに基板Ｗを渡すために使用するものであり、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は搬送機構ＩＦＲから搬送ロボットＴＲ４に基板Ｗを渡すために使用するものである。
【００６１】
リターンバッファＲＢＦは、何らかの障害によって現像処理ブロック４０が露光済みの基板Ｗの現像処理を行うことができない場合に、現像処理ブロック４０の熱処理タワー４３で露光後加熱処理を行った後に、その基板Ｗを一時的に収納保管しておくものである。一方、センドバッファＳＢＦは、露光ユニットＥＸＰが未露光の基板Ｗの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Ｗを一時的に収納保管するものである。リターンバッファＲＢＦおよびセンドバッファＳＢＦはいずれも複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚によって構成されている。なお、リターンバッファＲＢＦに対しては搬送ロボットＴＲ４がアクセスを行い、センドバッファＳＢＦに対しては搬送機構ＩＦＲがアクセスを行う。
【００６２】
現像処理ブロック４０の熱処理タワー４３に隣接して配置されている搬送ロボットＴＲ４は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する搬送アーム５４ａ，５４ｂを上下に近接させて備えており、その構成および動作機構は搬送ロボットＴＲ１〜ＴＲ３と全く同じである。また、搬送機構ＩＦＲは、Ｙ軸方向の水平移動、昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能な可動台５２を備え、その可動台５２に基板Ｗを水平姿勢で保持する２つの保持アーム５３ａ，５３ｂを搭載している。保持アーム５３ａ，５３ｂは相互に独立して前後にスライド移動可能とされている。よって、保持アーム５３ａ，５３ｂのそれぞれは、Ｙ軸方向に沿った水平移動、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。
【００６３】
露光ユニットＥＸＰは、基板処理装置１にてレジスト塗布された露光前の基板Ｗを搬送機構ＩＦＲから受け取って露光処理を行う。露光ユニットＥＸＰにて露光処理の行われた基板Ｗは搬送機構ＩＦＲによって受け取られる。なお、露光ユニットＥＸＰは、投影光学系と基板Ｗとの間に屈折率の大きな液体（例えば、屈折率ｎ＝１．４４の純水）を満たした状態で露光処理を行う、いわゆる「液浸露光処理」に対応したものであっても良い。また、露光ユニットＥＸＰは、電子線露光やＥＵＶ(Extreme Ultra Violet)露光など真空中で露光処理を行うものであっても良い。
【００６４】
次に、熱処理タワー２３に設けられているフラッシュベークユニットＦＬＢについて説明する。図５は、フラッシュベークユニットＦＬＢの要部構成を示す図である。フラッシュベークユニットＦＬＢは、反射防止膜の塗布液が塗布されて表面に反射防止膜が形成された基板Ｗに対して加熱処理を行い、その反射防止膜の焼成処理を行う熱処理ユニットである。
【００６５】
フラッシュベークユニットＦＬＢは、基板Ｗを収容するチャンバー７０と、チャンバー７０内にて基板Ｗを載置して保持する冷却プレート（クーリングプレート）８１と、チャンバー７０から排気を行う排気部７７と、チャンバー７０内に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部７４と、チャンバー７０内に酸素ガス（Ｏ2）を供給する酸素供給部７１と、基板Ｗにフラッシュ光を照射するフラッシュ照射部６０と、を備えている。また、フラッシュベークユニットＦＬＢは、これらの各部を制御して反射防止膜の焼成処理を実行させるユニットコントローラ９０を備える。
【００６６】
チャンバー７０は、フラッシュ照射部６０の下方に設けられており、基板Ｗを収容可能な筐体である。チャンバー７０の上部開口にはチャンバー窓６９が装着されて閉塞されている。チャンバー７０の側壁および底壁とチャンバー窓６９とによって囲まれる空間が熱処理空間６５として規定される。チャンバー７０の天井部を構成するチャンバー窓６９は、石英により形成された板状部材であり、フラッシュ照射部６０から出射されたフラッシュ光を熱処理空間６５に透過する石英窓として機能する。
【００６７】
チャンバー７０の側壁には、基板Ｗの搬入および搬出を行うための搬送開口部６８が設けられている。搬送開口部６８は、図示を省略するシャッターによって開閉可能とされている。搬送開口部６８が開放されると、搬送ロボットＴＲ１によってチャンバー７０に対する基板Ｗの搬入および搬出が可能となる。また、搬送開口部６８が閉鎖されると、熱処理空間６５が外部との通気が遮断された密閉空間となる。
【００６８】
冷却プレート８１は、冷却機構８２を内蔵した金属製（例えば、アルミニウム）の略円板形状の部材であり、チャンバー７０内にて基板Ｗを載置して水平姿勢（主面の法線方向が鉛直方向に沿う姿勢）に保持する。冷却機構８２としては、水冷管やペルチェ素子などを用いることができる。冷却機構８２は、少なくとも冷却プレート８１のうちの載置する基板Ｗに対向する領域には均一な配設密度にて設けられている。このため冷却機構８２は、当該領域を均一に冷却することができる。冷却機構８２による冷却温度はユニットコントローラ９０によって制御されており、本実施形態では半導体製造技術分野における常温である２３℃を維持するように制御されている。
【００６９】
また、冷却プレート８１の内部には熱電対を用いて構成された温度センサ８３が配設されている。温度センサ８３は冷却プレート８１の上面近傍の温度を測定する。温度センサ８３による測定結果はユニットコントローラ９０に伝達される。温度センサ８３によって測定される冷却プレート８１の温度が予め設定された所定温度（本実施形態では２３℃）となるように、冷却機構８２がユニットコントローラ９０によって制御される。すなわち、ユニットコントローラ９０は、温度センサ８３の測定結果に基づいて、冷却プレート８１の温度をフィードバック制御する。なお、温度センサ８３は、冷却プレート８１が載置する基板Ｗが対向する領域に複数設けるようにしても良い。
【００７０】
冷却プレート８１の上面には、図示を省略する複数個（３個以上）のプロキシミティボールが配設されている。プロキシミティボールは、例えばアルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の部材によって構成され、その上端が冷却プレート８１の上面から微少量だけ突出する状態で配設される。このため、複数個のプロキシミティボールによって基板Ｗを支持したときには、基板Ｗの裏面と冷却プレート８１の上面との間にいわゆるプロキシミティギャップと称される微小間隔が形成される。なお、冷却プレート８１の上面にサセプタを設置し、そのサセプタを介して基板Ｗを支持するようにしても良い。
【００７１】
複数個のプロキシミティボールを介して冷却プレート８１に載置された基板Ｗは、冷却プレート８１によって常温（２３℃）に温調される。すなわち、基板Ｗの温度が常温よりも高温であれば、常温にまで冷却される。また、常温近傍の基板Ｗについては、そのまま基板Ｗを安定して常温に維持する。このように、第１実施形態においては、冷却プレート８１がチャンバー７０内にて基板Ｗを保持する保持手段およびその基板Ｗを冷却する冷却手段の双方の役割を担っている。
【００７２】
冷却プレート８１には、その上面に出没する複数本（本実施の形態では３本）のリフトピン８４が設けられている。３本のリフトピン８４の上端高さ位置は同一水平面内に含まれる。３本のリフトピン８４はエアシリンダ８５によって一括して鉛直方向に沿って昇降される。各リフトピン８４は、冷却プレート８１に上下に貫通して設けられた挿通孔の内側に沿って昇降する。エアシリンダ８５が３本のリフトピン８４を上昇させると、各リフトピン８４の先端が冷却プレート８１の上面から突出する。また、エアシリンダ８５が３本のリフトピン８４を下降させると、各リフトピン８４の先端が冷却プレート８１の挿通孔の内部に埋入する。
【００７３】
不活性ガス供給部７４は、チャンバー７０内に不活性ガスとして窒素ガス（Ｎ2）を供給する。不活性ガス供給部７４は、窒素供給源７５とバルブ７６とを備えており、バルブ７６を開放することによってチャンバー７０内の熱処理空間６５に窒素ガスを供給する。また、酸素供給部７１は、チャンバー７０内に酸素ガスを供給する。酸素供給部７１は、酸素供給源７２とバルブ７３とを備えており、バルブ７３を開放することによってチャンバー７０内の熱処理空間６５に酸素ガスを供給する。なお、窒素供給源７５および酸素供給源７２としては、基板処理装置１に設けられたタンクと送給ポンプなどによって構成するようにしても良いし、基板処理装置１が設置される工場の用力を用いるようにしても良い。
【００７４】
排気部７７は、排気装置７８およびバルブ７９を備えており、バルブ７９を開放することによってチャンバー７０内の雰囲気を排気する。排気装置７８としては、真空ポンプや基板処理装置１が設置される工場の排気ユーティリティを用いることができる。排気装置７８として真空ポンプを採用し、不活性ガス供給部７４および酸素供給部７１から何らのガス供給を行うことなく密閉空間である熱処理空間６５の雰囲気を排気すると、チャンバー７０内を真空雰囲気にまで減圧することができる。また、排気装置７８として真空ポンプを用いていない場合であっても、不活性ガス供給部７４および酸素供給部７１からガス供給を行うことなく排気を行うことにより、チャンバー７０内を大気圧よりも低い気圧に減圧することができる。
【００７５】
フラッシュ照射部６０は、チャンバー７０の上方に設けられている。フラッシュ照射部６０は、複数本のフラッシュランプＦＬからなる光源と、その光源の上方を覆うように設けられたリフレクタ６２と、を備えて構成される。フラッシュ照射部６０は、チャンバー７０内にて冷却プレート８１に保持される基板Ｗに石英のチャンバー窓６９を介してフラッシュランプＦＬからフラッシュ光を照射する。
【００７６】
複数のフラッシュランプＦＬは、それぞれが長尺の円筒形状を有する棒状ランプであり、それぞれの長手方向が冷却プレート８１に保持される基板Ｗの主面に沿って（つまり水平方向に沿って）互いに平行となるように平面状に配列されている。よって、フラッシュランプＦＬの配列によって形成される平面も水平面である。
【００７７】
複数のフラッシュランプＦＬのそれぞれには電源ユニット９１が接続されている。図６は、電源ユニット９１の要部構成を示す図である。電源ユニット９１は、コイル９２、コンデンサ９３および充電器９４を備える。第１実施形態では、フラッシュランプＦＬとしてキセノンフラッシュランプを用いている。キセノンフラッシュランプＦＬは、その内部にキセノンガスが封入されその両端部に陽極および陰極が配設された棒状のガラス管（放電管）９７と、該ガラス管９７の外周面上に付設されたトリガー電極９６とを備える。フラッシュランプＦＬの陽極と陰極とを結ぶ配線にコイル９２およびコンデンサ９３が直列に接続されている。コンデンサ９３には、充電器９４によって所定の電圧が印加され、その印加電圧に応じた電荷が充電される。充電器９４がコンデンサ９３に印加する電圧値はユニットコントローラ９０によって制御される。
【００７８】
また、トリガー電極９６にはトリガー回路９５から高電圧を印加することができる。トリガー回路９５がトリガー電極９６に電圧を印加するタイミングはユニットコントローラ９０によって制御される。
【００７９】
フラッシュランプＦＬを発光させるときには、ユニットコントローラ９０によって指定された電圧値にて充電器９４がコンデンサ９３に電圧を印加して充電する。コンデンサ９３に印加電圧に応じた電荷が蓄積されると、フラッシュランプＦＬのガラス管９７内の陽極と陰極との間に電位差が生じる。そのような状態となってもキセノンガスは電気的には絶縁体であることから、通常の状態ではガラス管９７内に電気は流れない。
【００８０】
しかしながら、トリガー回路９５からトリガー電極９６に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサ９３に蓄えられた電気が両端電極間の放電によってガラス管９７内に瞬時に流れ、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。このようなキセノンフラッシュランプＦＬにおいては、予めコンデンサ９３に蓄えられていた静電エネルギーが０．１ミリセカンドないし１００ミリセカンドという極めて短い光パルスに変換されることから、連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有する。なお、ガラス管９７内に流れる電流の波形はコイル９２によって規定され、コイル９２のインダクタンスが大きいほどガラス管９７内に電流が流れる時間（つまり、発光時間）が長くなる。
【００８１】
また、リフレクタ６２は、複数のフラッシュランプＦＬの上方にそれら全体を覆うように設けられている。リフレクタ６２の基本的な機能は、複数のフラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光を熱処理空間６５の側に反射するというものである。リフレクタ６２はアルミニウム合金板にて形成されており、その表面（フラッシュランプＦＬに臨む側の面）はブラスト処理により粗面化加工が施されて梨地模様を呈する。
【００８２】
ユニットコントローラ９０は、フラッシュベークユニットＦＬＢに設けられた上記の種々の動作機構を制御する。ユニットコントローラ９０のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、ユニットコントローラ９０は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えて構成される。ユニットコントローラ９０のＣＰＵが所定の処理プログラムを実行することによってフラッシュベークユニットＦＬＢにおける処理が進行する。なお、ユニットコントローラ９０は、基板処理装置１の全体を管理するメインコントローラの下位コントローラとして設けられていても良い。
【００８３】
次に、上記の構成を有する基板処理装置１における基板処理の手順について説明する。ここでは、まず、基板処理装置１における全体の処理手順を簡単に説明した後、フラッシュベークユニットＦＬＢでの処理について説明する。
【００８４】
装置外部から未処理の基板ＷがキャリアＣに収納された状態でＡＧＶ等によってインデクサブロック１０に搬入される。続いて、インデクサブロック１０から未処理の基板Ｗの払い出しが行われる。具体的には、インデクサロボットＩＲが所定のキャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出し、上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗが載置されると、バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１がその基板Ｗを受け取って熱処理タワー２２のいずれかの密着強化処理ユニットＡＨＬに搬送する。密着強化処理ユニットＡＨＬでは、ＨＭＤＳの蒸気雰囲気で基板Ｗを熱処理して基板Ｗの密着性を向上させる。密着強化処理の終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって取り出され、熱処理タワー２２，２３のいずれかの冷却ユニットＣＰに搬送されて冷却される。
【００８５】
冷却された基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって冷却ユニットＣＰから下地塗布処理部２１のいずれかの塗布処理ユニットＢＲＣに搬送される。塗布処理ユニットＢＲＣでは、基板Ｗの表面に反射防止膜用の塗布液が回転塗布されて反射防止膜（ＢＡＲＣ）が形成される。
【００８６】
回転塗布処理によって基板Ｗの表面に反射防止膜が形成された後、搬送ロボットＴＲ１は塗布処理ユニットＢＲＣからその基板Ｗを搬出して熱処理タワー２３のフラッシュベークユニットＦＬＢに搬送する。詳細は後述するが、フラッシュベークユニットＦＬＢでは、フラッシュ光照射によって基板Ｗが加熱されることにより、塗布された反射防止膜の焼成処理が行われる。その後、搬送ロボットＴＲ１によってフラッシュベークユニットＦＬＢから取り出された基板Ｗは熱処理タワー２２，２３のいずれかの冷却ユニットＣＰに搬送されて冷却される。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって基板載置部ＰＡＳＳ３に載置される。
【００８７】
次に、反射防止膜の焼成が終了した基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ３に載置されると、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２がその基板Ｗを受け取って熱処理タワー３２，３３のいずれかの冷却ユニットＣＰに搬送して所定温度に温調する。続いて、搬送ロボットＴＲ２が温調済みの基板Ｗをレジスト塗布処理部３１のいずれかの塗布処理ユニットＳＣに搬送する。塗布処理ユニットＳＣでは、基板Ｗにフォトレジストの塗布液が回転塗布されてレジスト膜が形成される。本実施形態においては、フォトレジストとして化学増幅型レジストが使用される。
【００８８】
レジスト塗布処理が終了した後、塗布処理ユニットＳＣから搬出された基板Ｗは搬送ロボットＴＲ２によって熱処理タワー３２，３３のいずれかの加熱ユニットＨＰに搬送される。加熱ユニットＨＰにて基板Ｗが加熱されることにより、レジストの溶媒が蒸発してレジスト膜の塗布後ベーク処理(Post Applied Bake)が行われる。その後、搬送ロボットＴＲ２によって加熱ユニットＨＰから取り出された基板Ｗは熱処理タワー３２，３３のいずれかの冷却ユニットＣＰに搬送されて冷却される。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ２によって基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。
【００８９】
レジスト膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されると、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３がその基板Ｗを受け取ってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗはインターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４によって受け取られ、上下いずれかのエッジ露光ユニットＥＥＷに搬入される。エッジ露光ユニットＥＥＷにおいては、基板Ｗの端縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。エッジ露光処理が終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ４によって基板載置部ＰＡＳＳ９に載置される。そして、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは搬送機構ＩＦＲによって受け取られ、露光ユニットＥＸＰに搬入され、パターン露光処理に供される。本実施形態では化学増幅型レジストを使用しているため、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜のうち露光された部分では光化学反応によって酸が生成する。
【００９０】
パターン露光処理が終了した露光済みの基板Ｗは露光ユニットＥＸＰから再びインターフェイスブロック５０に戻され、搬送機構ＩＦＲによって基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置される。露光後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置されると、搬送ロボットＴＲ４がその基板Ｗを受け取って現像処理ブロック４０の熱処理タワー４３のいずれかの加熱ユニットＨＰに搬送する。熱処理タワー４３の加熱ユニットＨＰでは、露光時の光化学反応によって生じた生成物を酸触媒としてレジストの樹脂の架橋・重合等の反応を進行させ、現像液に対する溶解度を露光部分のみ局所的に変化させるための露光後ベーク処理(Post-Exposure-Bake)が行われる。
【００９１】
露光後ベーク処理が終了した基板Ｗが加熱ユニットＨＰ内部の機構によって冷却されることにより、上記化学反応が停止する。続いて基板Ｗは、搬送ロボットＴＲ４によって熱処理タワー４３の加熱ユニットＨＰから取り出され、基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。
【００９２】
基板載置部ＰＡＳＳ８に基板Ｗが載置されると、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３がその基板Ｗを受け取って熱処理タワー４２のいずれかの冷却ユニットＣＰに搬送する。冷却ユニットＣＰにおいては、露光後ベーク処理が終了した基板Ｗがさらに冷却され、所定温度に正確に温調される。その後、搬送ロボットＴＲ３は、冷却ユニットＣＰから基板Ｗを取り出して現像処理部４１のいずれかの現像処理ユニットＳＤに搬送する。現像処理ユニットＳＤでは、基板Ｗに現像液を供給して現像処理を進行させる。やがて現像処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ３によって熱処理タワー４２のいずれかの加熱ユニットＨＰに搬送され、さらにその後いずれかの冷却ユニットＣＰに搬送される。
【００９３】
その後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ３によって冷却ユニットＣＰから取り出されて基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２によってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは、バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１によってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ２に載置されることにより、インデクサブロック１０に格納される。基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された処理済みの基板ＷはインデクサロボットＩＲによって所定のキャリアＣに収納される。その後、所定枚数の処理済み基板Ｗが収納されたキャリアＣが装置外部に搬出されて一連のフォトリソグラフィー処理が完了する。
【００９４】
フラッシュベークユニットＦＬＢでの処理についてさらに説明を続ける。図７は、フラッシュベークユニットＦＬＢにおける基板Ｗの処理手順を示すフローチャートである。また、図８は、基板Ｗの表面温度の変化を示す図である。以下に説明するフラッシュベークユニットＦＬＢの処理手順は、ユニットコントローラ９０がフラッシュベークユニットＦＬＢの各動作機構を制御することにより進行する。
【００９５】
まず、図示省略のシャッターが開いて搬送開口部６８が開放され、回転塗布により反射防止膜が形成された基板Ｗが搬送ロボットＴＲ１により搬送開口部６８を介してチャンバー７０内に搬入される（ステップＳ１）。具体的には、反射防止膜が形成された基板Ｗを保持した搬送ロボットＴＲ１の搬送アーム２４ｂ（または２４ａ）が搬送開口部６８からチャンバー７０内に進入し、冷却プレート８１の直上にて停止する。続いて、３本のリフトピン８４が上昇して搬送アーム２４ｂから基板Ｗを受け取る。その後、搬送ロボットＴＲ１の搬送アーム２４ｂがチャンバー７０から退出するとともに、搬送開口部６８が閉鎖されることによってチャンバー７０内の熱処理空間６５が密閉空間とされる。なお、基板Ｗの表面に形成されている反射防止膜の厚さは１００ｎｍ以下である。
【００９６】
また、搬送ロボットＴＲ１の搬送アーム２４ｂが退出した後、未処理の基板Ｗを支持する３本のリフトピン８４が下降して冷却プレート８１の挿通孔の内部に埋入する。リフトピン８４が下降する過程において、時刻ｔ１にて基板Ｗはリフトピン８４から冷却プレート８１の上面に渡され、その上面に水平姿勢にて載置・保持される。冷却プレート８１に受け渡された時刻ｔ１の時点での基板Ｗの温度は、基板処理装置１が設置されている雰囲気の温度と同じであり、概ね常温である。
【００９７】
熱処理空間６５が密閉空間とされて基板Ｗが冷却プレート８１に保持された後、チャンバー７０内が不活性ガス雰囲気に置換される（ステップＳ２）。すなわち、不活性ガス供給部７４からチャンバー７０内に不活性ガスとして窒素ガスを供給するとともに、排気部７７によるチャンバー７０からの排気を行う。これにより、チャンバー７０内の空気が排出されて窒素ガスに置き換わり、熱処理空間６５が不活性ガス雰囲気となる。なお、不活性ガス供給部７４から窒素ガスを供給する前に排気部７７による排気を行ってチャンバー７０内を一旦大気圧よりも低い気圧に減圧してから、窒素ガスの供給を開始するようにしても良い。このようにすれば、雰囲気置換の効率を高めることができる。
【００９８】
また、冷却プレート８１は冷却機構８２によって予め常温（２３℃）に温調されている。ユニットコントローラ９０は、温度センサ８３の測定結果に基づいて、冷却プレート８１の温度が２３℃となるように冷却機構８２を制御している。リフトピン８４が下降して基板Ｗが常温に温調された冷却プレート８１に載置されることにより、時刻ｔ１から基板Ｗに対する冷却プレート８１による温調が開始される。これにより、基板Ｗは正確に２３℃に温調されることとなり、その結果ロットに含まれる複数の基板Ｗ間での温度履歴均一性を向上させることができる。
【００９９】
チャンバー７０内の熱処理空間６５が不活性ガス雰囲気とされ、基板Ｗが冷却プレート８１に保持されて２３℃に温調された後、時刻ｔ２にてユニットコントローラ９０の制御によりフラッシュ照射部６０のフラッシュランプＦＬから冷却プレート８１に保持された基板Ｗの表面に向けてフラッシュ光が照射される（ステップＳ３）。より詳細には、時刻ｔ２よりも前に（基板Ｗがチャンバー７０に搬入される前であっても良い）、ユニットコントローラ９０が設定した電圧値にて充電器９４がコンデンサ９３に電圧を印加して充電する。時刻ｔ２の時点ではコンデンサ９３にはユニットコントローラ９０が設定した印加電圧に応じた電荷が蓄積されており、フラッシュランプＦＬのガラス管９７内の陽極と陰極との間にもその印加電圧にほぼ等しい電位差が生じている。そして、時刻ｔ２にてユニットコントローラ９０の制御下でトリガー回路９５がトリガー電極９６に高電圧を印加する。これにより、キセノンガスの絶縁性が破壊され、コンデンサ９３に蓄積されていた電荷がガラス管９７の両極間で瞬時に放電し、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって光が放出される。
【０１００】
こうしてフラッシュランプＦＬから放出される光がフラッシュ光であり、その発光時間は０．１ミリセカンドないし１００ミリセカンドという極めて短い時間である。なお、フラッシュランプＦＬの発光時間はコイル９２のインダクタンスによって規定される。フラッシュランプＦＬから放射されるフラッシュ光の一部は直接にチャンバー７０内の熱処理空間６５へと向かい、他の一部は一旦リフレクタ６２により反射されてから熱処理空間６５へと向かう。このようなフラッシュ光の照射によって、冷却プレート８１に保持された基板Ｗの表面がフラッシュ加熱される。
【０１０１】
フラッシュランプＦＬから照射されるフラッシュ光は、予め蓄えられていた静電エネルギーが極めて短い光パルスに変換された、照射時間が０．１ミリセカンド以上１００ミリセカンド以下程度の極めて短く強い閃光である。フラッシュランプＦＬからフラッシュ光が照射された基板Ｗの表面温度は、瞬間的に処理温度Ｔ１にまで上昇し、その後急速に常温にまで下降する。このようなフラッシュ加熱によって、基板Ｗの表面に形成されていた反射防止膜の焼成処理が行われる。反射防止膜の焼成処理を行うときに基板Ｗの表面が到達する処理温度Ｔ１は約２００℃である。なお、反射防止膜の厚さは１００ｎｍ以下と極めて薄いため、基板Ｗの表面の温度と反射防止膜の温度とはほぼ同じであり、反射防止膜の厚さ方向の全体にわたって処理温度Ｔ１にまで昇温されることとなる。
【０１０２】
また、フラッシュ光が照射されて基板Ｗの表面温度が昇温を開始した時刻ｔ２から常温にまで降温した時刻ｔ３までの時間、すなわちフラッシュ照射工程でのフラッシュ光照射による加熱処理時間は１秒以下である。このような１秒以下の短時間であっても、フラッシュランプＦＬから強度の大きなフラッシュ光を照射することによって、厚さ１００ｎｍ以下の反射防止膜であれば確実な焼成処理を行うことができる。
【０１０３】
フラッシュ光照射による反射防止膜の焼成処理が終了した後においても、基板Ｗは冷却プレート８１に保持され続けることによって冷却され、常温に維持される（ステップＳ４）。また、フラッシュ光照射の前後にわたって、不活性ガス供給部７４からチャンバー７０内に窒素ガスを供給するとともに、排気部７７によるチャンバー７０からの排気を継続して行っている。これにより、フラッシュ加熱時およびその前後の基板Ｗを常温に維持しているときは、チャンバー７０内が継続して不活性ガス雰囲気とされている。
【０１０４】
やがて、所定時間が経過して時刻ｔ４に到達した時点にて、３本のリフトピン８４が上昇し、冷却プレート８１に載置されていた基板Ｗを突き上げて冷却プレート８１から離間させる。その後、搬送開口部６８が再び開放され、搬送ロボットＴＲ１の搬送アーム２４ａ（または２４ｂ）が搬送開口部６８からチャンバー７０内に進入して基板Ｗの直下で停止する。続いて、リフトピン８４が下降することによって、基板Ｗがリフトピン８４から搬送アーム２４ａに渡される。そして、基板Ｗを受け取った搬送ロボットＴＲ１の搬送アーム２４ａがチャンバー７０から退出することにより、基板Ｗがチャンバー７０から搬出され、フラッシュベークユニットＦＬＢにおける反射防止膜の焼成処理が完了する（ステップＳ５）。
【０１０５】
第１実施形態では、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光照射によって基板Ｗの表面に形成された反射防止膜の焼成処理を行っている。フラッシュ光照射による加熱処理時間は１秒以下の極めて短時間である。ホットプレートに載置して加熱する従来の焼成処理では、基板Ｗが目標温度に到達するまでに少なくとも３０秒以上を要していた。反射防止膜を所定温度以上に１０秒以上加熱すると、多量の昇華物が発生することとなる。これと比較して、本実施形態のフラッシュ光照射による焼成処理に要する時間は顕著に短時間であるため、昇華物の発生を大幅に低減することができる。すなわち、多量の昇華物が発生する前に反射防止膜の温度が低下するのである。
【０１０６】
しかしながら、フラッシュ光照射によって加熱処理時間を短時間にしたとしても、処理温度Ｔ１にまで加熱された反射防止膜からは若干の昇華物が発生する。発生した昇華物の大半は排気部７７からの排気によってチャンバー７０の外部に排出されるものの、一部はチャンバー７０の内壁面や冷却プレート８１などに付着して汚染物となることもある。
【０１０７】
このため、第１実施形態においては、反射防止膜の焼成処理が終了して基板Ｗがチャンバー７０から搬出された後、チャンバー７０内のクリーニング処理を行うか否かが判断される（ステップＳ６）。クリーニング処理を行うタイミングとしては、例えば、ロットに含まれる全ての基板Ｗの処理が終了した時点でも良いし、所定枚数の基板Ｗの処理が終了した時点でも良い。また、ステップＳ６の判断は、ユニットコントローラ９０が行うようにしても良いし、基板処理装置１のオペレータが行うようにしても良い。
【０１０８】
クリーニング処理を行う場合には、チャンバー７０に基板Ｗを収容することなく搬送開口部６８を閉鎖し、密閉空間となったチャンバー７０内の熱処理空間６５に酸素供給部７１から酸素ガスを導入する（ステップＳ７）。これにより、基板Ｗが存在していないチャンバー７０内の熱処理空間６５が酸素を含む雰囲気となる。なお、酸素供給部７１から継続して酸素ガスを供給するのであれば排気部７７による排気を行うようにしても良いし、所定時間だけ酸素ガスをチャンバー７０内に注入するのであれば排気部７７による排気は停止すれば良い。
【０１０９】
チャンバー７０内の熱処理空間６５が酸素を含む雰囲気とされた後、フラッシュ照射部６０のフラッシュランプＦＬからチャンバー７０内に向けてフラッシュ光が照射される（ステップＳ８）。フラッシュ光照射により、チャンバー７０の内壁面や冷却プレート８１などに付着していた昇華物は酸素雰囲気下にて加熱されることとなる。その結果、付着していた昇華物が酸化されて分解される。酸化された昇華物は二酸化炭素や水蒸気などのガス成分となるため、フラッシュ光照射後は排気部７７による排気を行うようしておく方が好ましい。このようにして、チャンバー７０内のクリーニング処理が行われる。なお、ステップＳ６にてクリーニング処理を行わない場合には、ステップＳ１に戻り、新たな基板ＷについてステップＳ１からステップＳ５の処理が繰り返される。
【０１１０】
以上のように、第１実施形態においては、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光照射によって基板Ｗの表面に形成された反射防止膜の焼成処理を極めて短時間にて行っている。このため、反射防止膜から昇華物が多量に発生する前に焼成処理を完了して反射防止膜の温度を昇華物発生温度以下にまで下げることができる。その結果、反射防止膜の焼成処理時に発生する昇華物を大幅に低減することができる。
【０１１１】
また、従来のホットプレートに基板Ｗを載置して焼成処理を行う方式に比較して、フラッシュ光照射による反射防止膜の焼成処理に要する時間は顕著に短時間である。このため、基板処理装置１におけるスループットを向上させることができる。また、反射防止膜の焼成処理に要する時間が短時間であれば、基板処理装置１に１つのフラッシュベークユニットＦＬＢを搭載するだけでも、この処理が基板処理装置１全体を律速することはない。従って、従来と同等のスループットを得るために、基板処理装置１に搭載するユニット数は著しく少なくなり、装置サイズをコンパクトにできるとともに、消費電力の増加を抑制することもできる。
【０１１２】
ところで、基板Ｗの表面に形成する反射防止膜の種類によっては処理温度Ｔ１を異ならせたい場合もある。このような場合、ホットプレートに載置して加熱する従来の方式では、ホットプレートの設定温度を変更するのに長時間を要していた。例えば、ホットプレートの設定温度を３０℃変更するのに３分、５℃変更するのに３０秒〜６０秒を要しており、その間は処理を行うことができない待機時間となっていた。第１実施形態のフラッシュベークユニットＦＬＢであれば、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光照射の強度を変化させることによって容易に反射防止膜の処理温度Ｔ１も変更することができる。このため、異なる種類の反射防止膜を形成した基板Ｗであっても処理温度変更のための待機時間無しに連続してフラッシュ光照射処理を行うことができる。その結果、異なる種類の反射防止膜を形成した基板Ｗに対して連続して焼成処理を行う場合であっても、基板処理装置１のスループット低下を防止することができる。
【０１１３】
フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光照射の強度は、例えばユニットコントローラ９０が設定するコンデンサ９３への充電電圧を変化させ、フラッシュランプＦＬに印加する電圧を調整することによって容易に変更することができる。換言すれば、ユニットコントローラ９０は、フラッシュ光照射による反射防止膜の処理温度Ｔ１が当該反射防止膜の種類に適した温度となるように、充電器９４がコンデンサ９３に充電する電圧を設定してフラッシュランプＦＬに印加する電圧を制御するのである。
【０１１４】
また、第１実施形態においては、フラッシュベークユニットＦＬＢは冷却プレート８１を備えており、この冷却プレート８１によってフラッシュ光照射の前後にわたって基板Ｗを継続して常温に温調している。すなわち、冷却プレート８１によって基板Ｗを冷却しつつフラッシュ光照射を行っている。このため、連続して処理する複数の基板Ｗ間での温度履歴を均一にすることができる。
【０１１５】
また、フラッシュベークユニットＦＬＢではフラッシュ光照射による焼成処理の後、冷却プレート８１によって基板Ｗを正確に常温に温調しているため、冷却ユニットＣＰに搬送しての冷却処理工程を省くことも可能となる。このようにすれば、基板処理装置１におけるスループットをさらに向上させることもできる。
【０１１６】
さらに、フラッシュベークユニットＦＬＢは酸素供給部７１を備えており、チャンバー７０内に基板Ｗを収容することなく酸素ガスを供給し、フラッシュランプＦＬからフラッシュ光を照射してチャンバー７０内に付着した汚染物を除去するため、チャンバー７０を清浄に維持することができる。
【０１１７】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。図９は、第２実施形態のフラッシュベークユニットＦＬＢの要部構成を示す図である。同図において、第１実施形態（図５）と同一の要素については同一の符号を付している。第２実施形態のフラッシュベークユニットＦＬＢが第１実施形態と相違するのは黒体板８９を備えている点である。
【０１１８】
黒体板８９は、カーボンにて形成されており、冷却プレート８１に保持された基板ＷとフラッシュランプＦＬとの間に設けられる。黒体板８９は、少なくとも冷却プレート８１に保持された基板Ｗの全面に対向する領域に設けられる。黒色のカーボンを素材とする黒体板８９はフラッシュランプＦＬのフラッシュ光を吸収する。従って、フラッシュランプＦＬから基板Ｗに向けて出射されたフラッシュ光は黒体板８９によって遮光されて吸収されることとなり、直接には基板Ｗに到達しない。第２実施形態のフラッシュベークユニットＦＬＢの残余の構成は第１実施形態と同じである。
【０１１９】
また、第２実施形態における基板処理装置１での処理手順およびフラッシュベークユニットＦＬＢでの処理手順についても第１実施形態と同じである。但し、第２実施形態においては基板ＷとフラッシュランプＦＬとの間に黒体板８９が設けられているため、フラッシュ光照射によって基板Ｗが間接的に加熱されることとなる。
【０１２０】
図１０は、第２実施形態でのフラッシュ光照射によって基板Ｗが加熱される様子を説明する模式図である。第２実施形態では、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光は直接には黒体板８９に照射される。フラッシュ光を吸収した黒体板８９は急速に昇温する。そして、昇温した黒体板８９からの熱放射によって基板Ｗの全体が加熱され、基板Ｗの表面に形成されている反射防止膜も加熱されることとなる。
【０１２１】
このようにして、フラッシュ光照射によって加熱された黒体板８９を介した基板Ｗの間接加熱により、基板Ｗの表面温度は第１実施形態と同じ処理温度Ｔ１にまで昇温する。これにより、基板Ｗの表面に形成されていた反射防止膜の焼成処理が行われる。第２実施形態においても、基板Ｗの表面温度が昇温を開始した時刻から常温にまで降温した時刻までの加熱処理時間、すなわちフラッシュ照射工程でのフラッシュ光照射による加熱処理時間は１秒以下である。従って、第１実施形態と同様に、反射防止膜から昇華物が多量に発生する前に焼成処理を完了して反射防止膜の温度を昇華物発生温度以下にまで下げることができ、その結果、反射防止膜の焼成処理時に発生する昇華物を大幅に低減することができる。また、第２実施形態によれば、残余の第１実施形態の効果についても同様の奏することができる。
【０１２２】
特に、第２実施形態においては、黒体板８９を介して基板Ｗを間接的に加熱しているため、基板Ｗの表面に形成された反射防止膜の種類にかかわらず、フラッシュランプＦＬから同じ条件でフラッシュ光照射を行えば、当該反射防止膜を確実に一定の処理温度Ｔ１に加熱することができる。
【０１２３】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の第３実施形態について説明する。図１１は、第３実施形態のフラッシュベークユニットＦＬＢの要部構成を示す図である。同図において、第１実施形態（図５）と同一の要素については同一の符号を付している。
【０１２４】
第３実施形態においては、チャンバー７０の下側にフラッシュ照射部６０を設けられる。すなわち、チャンバー７０の下方よりフラッシュ光が照射されることとなる。チャンバー７０の下部開口にはチャンバー窓６９が装着されて閉塞されている。チャンバー７０の側壁および天井部とチャンバー窓６９とによって囲まれる空間が熱処理空間６５として規定される。チャンバー７０の床部を構成するチャンバー窓６９は、石英により形成された板状部材であり、フラッシュ照射部６０から出射されたフラッシュ光を熱処理空間６５に透過する石英窓として機能する。
【０１２５】
第３実施形態では、保持部８０によって基板Ｗがチャンバー７０内に保持される。保持部８０は、爪状部材または鍔状部材によって基板Ｗの周縁部の少なくとも一部を下方より支持することにより当該基板Ｗを水平姿勢に保持する。保持部８０が接触するのは基板Ｗの周縁部のみであるため、その周縁部よりも内側の領域における基板Ｗの下方は開放されている。従って、基板Ｗの周縁部よりも内側の領域において、保持部８０がフラッシュ光照射の支障となることはない。なお、搬送ロボットＴＲ１の搬送アーム２４ａ，２４ｂと保持部８０との間の基板Ｗの受け渡しは、第１実施形態と同様のリフトピン８４など公知の種々の受渡機構によって行うことが可能である。
【０１２６】
冷却プレート８１は、第１実施形態と同じく冷却機構８７を内蔵した金属製の略円板形状の部材であるが、第３実施形態では保持部８０に保持された基板Ｗの上面に近接して配置される。保持部８０に保持された基板Ｗの表面と冷却プレート８１との間隔は１００μｍ以下とされる。冷却機構８７による冷却温度はユニットコントローラ９０によって制御されており、第３実施形態では冷却プレート８１が半導体製造技術分野における常温である２３℃を維持するように制御されている。
【０１２７】
冷却プレート８１に近接して保持部８０に保持された基板Ｗは、冷却プレート８１によって常温（２３℃）に温調される。すなわち、基板Ｗの温度が常温よりも高温であれば、常温にまで冷却される。また、常温近傍の基板Ｗについては、そのまま基板Ｗを安定して常温に維持する。このように、第３実施形態においては、保持部８０がチャンバー７０内にて基板Ｗを保持する保持手段としての役割を担い、冷却プレート８１が保持部８０に保持された基板Ｗを冷却する冷却手段としての役割を担う。
【０１２８】
フラッシュ照射部６０は、上下逆向きにチャンバー７０の上側に設けられている点を除いては第１実施形態と同様の構成である。また、第３実施形態のフラッシュベークユニットＦＬＢの残余の構成も第１実施形態と同じである。
【０１２９】
第３実施形態における基板処理装置１での処理手順およびフラッシュベークユニットＦＬＢでの処理手順についても第１実施形態と概ね同じである。但し、第３実施形態においては、反射防止膜が形成された表面が上側を向くように基板Ｗが保持部８０によって水平姿勢にて保持される。従って、反射防止膜が形成された基板Ｗの裏面がフラッシュランプＦＬに対向することとなり、その裏面にフラッシュ光が照射される。
【０１３０】
フラッシュランプＦＬからフラッシュ光が照射された基板Ｗの裏面の温度は瞬間的に急上昇する。そして、急激に昇温した基板Ｗの裏面から表面に向けて熱伝導が生じ、表面に形成されている反射防止膜が加熱されるのである。このようにして、フラッシュランプＦＬから基板Ｗの裏面にフラッシュ光が照射されることにより、基板Ｗの表面の温度は処理温度Ｔ１にまで急上昇し、その後急速に常温まで下降する。基板Ｗの表面に形成された反射防止膜が処理温度Ｔ１にまで加熱されることによって焼成処理が実行される。
【０１３１】
第３実施形態においても、フラッシュ光が照射されて基板Ｗ表面の反射防止膜が昇温を開始した時刻から常温にまで降温した時刻までの加熱処理時間、すなわちフラッシュ照射工程でのフラッシュ光照射による加熱処理時間は１秒以下である。従って、第１実施形態と同様に、反射防止膜から昇華物が多量に発生する前に焼成処理を完了して反射防止膜の温度を昇華物発生温度以下にまで下げることができ、その結果、反射防止膜の焼成処理時に発生する昇華物を大幅に低減することができる。また、反射防止膜の焼成処理に要する時間が短時間であれば、基板処理装置１におけるスループットを向上させることができる。また、基板処理装置１に搭載するユニット数は少なくて済み、装置サイズをコンパクトにできるとともに、消費電力の増加を抑制することもできる。
【０１３２】
また、第３実施形態においては、保持部８０に保持された基板Ｗの表面に近接して冷却プレート８１を配置しており、この冷却プレート８１によってフラッシュ光照射の前後にわたって基板Ｗを継続して常温に温調している。すなわち、冷却プレート８１によって基板Ｗを冷却しつつフラッシュ光照射を行っている。このため、連続して処理する複数の基板Ｗ間での温度履歴を均一にすることができる。さらに、フラッシュ光照射による反射防止膜の焼成処理の後においても、冷却プレート８１によって基板Ｗを正確に常温に温調しているため、冷却ユニットＣＰに搬送しての冷却処理工程を省くことも可能となる。このようにすれば、基板処理装置１におけるスループットをさらに向上させることもできる。
【０１３３】
特に、第３実施形態では、基板Ｗの裏面にフラッシュ光を照射して表面の反射防止膜を加熱している。基板Ｗの裏面は、膜形成が行われておらず、シリコンの基材がそのまま露出した無地面である。従って、基板Ｗの裏面全面にわたってフラッシュ光の吸収率は均一であり、表面に形成された反射防止膜を均一に加熱することができる。また、基板Ｗの表面に形成された反射防止膜の種類にかかわらず、基板Ｗのフラッシュ光吸収率は一定となるため、フラッシュランプＦＬから同じ条件でフラッシュ光照射を行えば、当該反射防止膜を確実に一定の処理温度Ｔ１に加熱することができる。
【０１３４】
また、第３実施形態のフラッシュベークユニットＦＬＢにおいても、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光照射の強度を変化させることによって容易に反射防止膜の処理温度Ｔ１も変更することができる。このため、異なる種類の反射防止膜を形成した基板Ｗであっても処理温度変更のための待機時間無しに連続してフラッシュ光照射処理を行うことができる。その結果、異なる種類の反射防止膜を形成した基板Ｗに対して連続して焼成処理を行う場合であっても、基板処理装置１のスループット低下を防止することができる。
【０１３５】
＜変形例＞
以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記各実施形態においては、フラッシュベークユニットＦＬＢを熱処理タワー２３に設け、反射防止膜の焼成処理をフラッシュ光照射によって実行するようにしていたが、これに限定されるものではなく、基板Ｗの表面に形成された他の種類の膜をフラッシュ光照射によって焼成処理するようにしても良い。例えば、レジスト膜の下地膜として反射防止膜の他に基板Ｗの表面にハードマスクを形成することもあるが、このハードマスクの焼成処理をフラッシュ光照射によって行うようにしても良い。ハードマスクは、近年の微細加工プロセスにも対応可能なエッチングマスクであり、レジスト膜の下層に形成される塗布炭素膜である。ハードマスクの焼成処理時には、カーボン以外の成分を焼き飛ばすために大量の（反射防止膜焼成時以上の）昇華物が発生する。このようなハードマスクの焼成処理を本発明に係る技術を用いてフラッシュ光照射によって行うことにより、昇華物が多量に発生する前に焼成処理を完了することができ、焼成処理時に発生する昇華物を大幅に低減することができる。
【０１３６】
また、カラーフィルタの製造に使用するカラーレジストも加熱されることによって昇華物を発生するため、本発明に係る技術を用いてフラッシュ光照射により加熱処理を行うことにより昇華物の発生を低減することができる。要するに、加熱されることによって昇華物を発生する膜を表面に形成した基板Ｗの熱処理を行うのに本発明に係る技術を好適に適用することができる。フラッシュ光照射によって加熱処理時間を極めて短時間とすることにより、膜から昇華物が多量に発生する前に加熱処理を完了することができ、焼成時に発生する昇華物を大幅に低減することができる。
【０１３７】
また、第３実施形態において、基板Ｗを反転させ、反射防止膜が形成された表面が下側を向くように基板Ｗを保持部８０に保持させるようにしても良い。そして、チャンバー７０の下側に設けられたフラッシュ照射部６０から基板Ｗの表面に向けてフラッシュ光を照射する。このようにしても、第１実施形態と同じく反射防止膜が形成された基板Ｗの表面にフラッシュ光が照射されることとなるため、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。なお、基板Ｗを反転させる機構としては、搬送ロボットＴＲ１に搬送アーム２４ａ，２４ｂを回転させる機構を設けるようにしても良いし、搬送ロボットＴＲ１とは別個の反転機構を設けるようにしても良い。
【０１３８】
また、第３実施形態において、第２実施形態と同様の黒体板を基板ＷとフラッシュランプＦＬとの間に設けるようにしても良い。フラッシュ光照射によって黒体板から基板Ｗの裏面に向けて熱放射がなされ、基板Ｗの全体が加熱されて表面に形成された反射防止膜の焼成処理が行われることとなる。
【０１３９】
また、基板処理装置１に複数台のフラッシュベークユニットＦＬＢを搭載するようにしても良い。この場合、複数のフラッシュベークユニットＦＬＢを並行して使用するようにしても良いし、一部のフラッシュベークユニットＦＬＢを予備としても良い。
【０１４０】
また、上記実施形態においては、フラッシュ光照射時の処理温度Ｔ１を変更するのに、コンデンサ９３への充電電圧を変化させることによって実現していたが、これに限定されるものではなく、フラッシュランプＦＬからのフラッシュ光照射の強度を変更する任意の手法を採用することができる。例えば、フラッシュランプＦＬの陽極と陰極とを結ぶ配線に絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）などのスイッチング素子を設け、そのスイッチング素子によってフラッシュランプＦＬに流れる電流を制御することにより、フラッシュ光照射の強度を変えてフラッシュ光照射時の処理温度Ｔ１を変更するようにしても良い。また、電源ユニット９１に容量の異なる複数種類のコンデンサを設け、これらを切り替えることによってフラッシュ光照射の強度を変えるようにしても良い。
【０１４１】
また、本発明に係る熱処理技術によって処理対象となる基板Ｗは半導体ウェハーに限定されるものではなく、液晶表示装置などに用いるガラス基板や太陽電池用の基板であっても良い。
【符号の説明】
【０１４２】
１  基板処理装置
１０  インデクサブロック
２０  バークブロック
３０  レジスト塗布ブロック
４０  現像処理ブロック
５０  インターフェイスブロック
６０  フラッシュ照射部
６５  熱処理空間
７０  チャンバー
７１  酸素供給部
７４  不活性ガス供給部
７７  排気部
８０  保持部
８１  冷却プレート
８４  リフトピン
８９  黒体板
９０  ユニットコントローラ
９１  電源ユニット
９２  コイル
９３  コンデンサ
９４  充電器
ＦＬ  フラッシュランプ
ＦＬＢ  フラッシュベークユニット
ＩＦＲ  搬送機構
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０  基板載置部
ＴＲ１，ＴＲ２，ＴＲ３，ＴＲ４  搬送ロボット
Ｗ  基板
【図１】
2012174820.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2012174820.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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