(57)【要約】【課題】  所望のオーバードライブ量を確保し、所望の針圧を確保し、かつ、所望の耐電流特性を確保しつつ、コンタクトプローブの高周波特性を向上させることを目的とする。【解決手段】  本体部１及びコンタクト部２からなる垂直型プローブにおいて、本体部１が、空隙１０Ｓを介して主面を対向させた２以上の細長い板状体１０Ａ〜１０Ｃと、板状体１０Ａ〜１０Ｃの一端を互いに結合させる第１結合部１１と、板状体１０Ａ〜１０Ｃの他端を互いに結合させる第２結合部１２とを有する。このため、板状体１０Ａ〜１０Ｃの厚さを薄くすることにより、オーバードライブ時の応力を低減し、より大きく湾曲させて、オーバードライブ量を確保することができる。また、２以上の板状体１０Ａ〜１０Ｃを備えることにより、断面積を増大させ、所望の針圧や耐電流特性を確保することができる。【選択図】  図１
2012173263.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体部の弾性変形をともなってコンタクト部を電極端子に接触させる電気的接触子において、
上記本体部は、空隙を介して主面を対向させた２以上の細長い板状体と、上記板状体の一端を互いに結合させる第１結合部と、上記板状体の他端を互いに結合させる第２結合部とを備え、
上記コンタクト部は、第２結合部の先端に形成されていることを特徴とする電気的接触子。
【請求項２】
空隙を介して主面を対向させた２以上の細長い板状体、上記板状体の一端を互いに結合させる第１結合部、上記板状体の他端を互いに結合させる第２結合部、及び、第２結合部の先端に形成されたコンタクト部を備え、上記板状体の弾性変形をともなって上記コンタクト部を電極端子に接触させる上記電気的接触子と、
上記電気的接触子の第１結合部を支持する支持基板と、
上記電気的接触子が貫通するガイド穴を有し、第２結合部を上記ガイド穴の内周面に対向させた状態で、上記電気的接触子を長手方向に移動可能に支持するガイド板とを備えたことを特徴とする電気的接触子ユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気的接触子及び電気的接触子ユニットに係り、更に詳しくは、電極端子に接触させることにより電気的接続を行う電気的接触子、及び、このような電気的接触子を用いた電気的接触子ユニットの改良に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスは、半導体ウエハ上に多数の半導体デバイスを形成し、これらの半導体デバイスの電気的特性試験を行った後に半導体ウエハをダイシングし、半導体デバイスごとに分離することによって製造される。
【０００３】
半導体デバイスの電気的特性試験は、配線基板上に多数のコンタクトプローブを形成したプローブカードに半導体ウエハを近づけ、各コンタクトプローブを半導体ウエハ上の対応する電極パッドに接触させることによって行われる。コンタクトプローブと電極パッドとを接触させる際、両者が接触しはじめる状態に達した後、プローブカードに半導体ウエハを更に近づける処理が行われる。このような処理をオーバードライブと呼び、また、オーバードライブの距離をオーバードライブ量と呼んでいる。
【０００４】
オーバードライブは、コンタクトプローブを弾性変形させる処理であり、オーバードライブを行うことにより、電極パッドの高さやコンタクトプローブの高さにばらつきがあっても、全てのコンタクトプローブを電極パッドと確実に接触させることができる。また、オーバードライブ時にコンタクトプローブが弾性変形し、その先端が電極パッド上で移動することにより、スクラブが行われる。このスクラブにより電極パッド表面の酸化膜が除去され、接触抵抗を低減させることができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この様なプローブカードでは、コンタクトプローブの長さを短くすれば、そのインダクタンスを低下させ、テスト信号の高周波特性を改善することができる。しかしながら、コンタクトプローブの長さを短くしつつ、十分なオーバードライブ量を確保しようとすれば、オーバードライブ時にコンタクトプローブが塑性変形してしまうという問題があった。
【０００６】
コンタクトプローブの長さをより短くすれば、オーバードライブ時にコンタクトプローブをより大きく湾曲させる必要がある。その結果、コンタクトプローブに発生する応力が、応力限界を越えれば、塑性変形してしまう。このため、オーバードライブ量を確保しつつ、コンタクトプローブの長さを短くすることは困難であった。
【０００７】
そこで、コンタクトプローブの厚さを減少させることにより、オーバードライブ時の応力を抑制することが考えられる。コンタクトプローブは、その厚さ方向に湾曲させると、湾曲部の外側に最大の応力が発生する。この応力はコンタクトプローブの厚さに応じた値になるため、コンタクトプローブの厚さを減少させれば、オーバードライブ時の応力を減少させることができる。つまり、コンタクトプローブの長さを短くしたとしても、それに応じて厚さを減少させれば、所望のオーバードライブ量を確保することができる。
【０００８】
ところが、コンタクトプローブの厚さを減少させると、その断面積も減少することから、オーバードライブ時における針圧が低下し、また、耐電流特性が劣化するという問題が生じる。この様な問題を解決しようとすれば、コンタクトプローブの幅を増大させて断面積を確保する必要がある。しかしながら、コンタクトプローブの幅を大きくするのにも限界がある。例えば、製造上の制限や、コンタクトプローブの配置間隔などにより決まる幅の最大値を越えることはできず、コンタクトプローブの長さを短くするのには限界があった。
【０００９】
なお、この様な課題は、弾性変形をともなって電極端子に接触させ、当該電極端子と確実に導通させる電気的接触子に共通の課題であり、半導体デバイスの電気的特性試験に用いられるコンタクトプローブは、このような電気的接触子の一例である。
【００１０】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、弾性変形をともなって電極端子に接触させる電気的接触子の高周波特性を向上させることを目的とする。特に、弾性変形時における針圧を確保しつつ、高周波特性を向上させることを目的とする。また、耐電流特性を確保しつつ、高周波特性を向上させることを目的とする。
【００１１】
また、本発明は、多数の電気的接触子を備えた電気的接触子ユニットの高周波特性を向上させることを目的とする。特に、各電気的接触子の弾性変形時における針圧を確保しつつ、高周波特性を向上させることを目的とする。また、耐電流特性を確保しつつ、高周波特性を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
第１の本発明による電気的接触子は、本体部の弾性変形をともなってコンタクト部を電極端子に接触させる電気的接触子であって、上記本体部が、空隙を介して主面を対向させた２以上の細長い板状体と、上記板状体の一端を互いに結合させる第１結合部と、上記板状体の他端を互いに結合させる第２結合部とを備え、上記コンタクト部が、第２結合部の先端に形成されている。ここでいう主面とは、板状体の広い面を意味している。
【００１３】
電気的接触子の一部を板状体にすることにより、その厚さ方向に屈曲させた時に発生する応力を低減することにより、塑性変形させることなく、より大きく湾曲させることができる。このため、所望のオーバードライブ量を確保しつつ、電気的接触子を短くすることができる。つまり、電極端子に確実に接触させることができる電気的接触子の高周波特性を向上させることができる。
【００１４】
しかも、２以上の板状体を備え、これらの板状体の主面を空隙を介して対向させることにより、各板状体の幅を増大させることなく断面積を増大させ、針圧や耐電流特性を確保することができる。つまり、電極端子に確実に接触させることができる電気的接触子について、針圧や耐電流特性を確保しつつ、高周波特性を向上させることができる。
【００１５】
第２の本発明による電気的接触子ユニットは、空隙を介して主面を対向させた２以上の細長い板状体、上記板状体の一端を互いに結合させる第１結合部、上記板状体の他端を互いに結合させる第２結合部、及び、第２結合部の先端に形成されたコンタクト部を備え、上記板状体の弾性変形をともなって上記コンタクト部を電極端子に接触させる上記電気的接触子と、上記電気的接触子の第１結合部を支持する支持基板と、上記電気的接触子が貫通するガイド穴を有し、第２結合部を上記ガイド穴の内周面に対向させた状態で、上記電気的接触子を長手方向に移動可能に支持するガイド板とを備えている。
【００１６】
第２結合部をガイド穴の内周面に対向させた状態で、ガイド板が電気的接触子を長手方向に移動可能に支持することにより、板状体を湾曲させるオーバードライブによって、コンタクト部が電極端子と並行に移動するのを抑制することができる。つまり、オーバードライブ時に、コンタクト部を概ね電気的接触子の長手方向に移動させることができるので、オーバードライブにより、コンタクト部が電極端子上で大きく移動し、電極端子から外れるのを抑制することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明による電気的接触子は、その一部を板状体にすることにより、湾曲時に発生する応力を低減し、より大きく湾曲させることができる。このため、所望のオーバードライブ量を確保しつつ、電気的接触子を短くすることができ、電気的接触子の高周波特性を向上させることができる。
【００１８】
また、２以上の板状体を備え、これらの板状体の主面を空隙を介して対向させることにより、各板状体の厚さ及び幅を増大させることなく断面積を増大させ、針圧や耐電流特性を確保することができる。従って、電気的接触子の針圧や耐電流特性を確保しつつ、高周波特性を向上させることができる。
【００１９】
また、本発明による電気的接触子ユニットは、第２結合部をガイド穴の内周面に対向させた状態で、ガイド板が電気的接触子を長手方向に移動可能に支持することにより、板状体を屈曲させるオーバードライブ時に、コンタクト部を概ね電気的接触子の長手方向に移動させることができる。従って、オーバードライブにより、コンタクト部が電極端子上で大きく移動し、電極端子から外れるのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施の形態によるコンタクトプローブの一構成例を示した外観図である。
【図２】本発明の実施の形態によるプローブカードの一構成例を示した図である。
【図３】本発明の実施の形態によるコンタクトプローブ１０１のオーバードライブによる弾性変形の一例を示した図である。
【図４】本発明の実施の形態によるコンタクトプローブ１０２のオーバードライブによる弾性変形の一例を示した図である。
【図５】図３のコンタクトプローブ１０１のオーバードライブによる弾性変形の他の例を示した図である。
【図６】図４のコンタクトプローブ１０２のオーバードライブによる弾性変形の他の例を示した図である。
【図７】本発明の実施の形態によるコンタクトプローブ１０３のオーバードライブによる弾性変形の一例を示した図である。
【図８】図１のコンタクトプローブ１００の製造方法の一例についての説明図である。
【図９】図１のコンタクトプローブ１００の製造方法の一例についての説明図である。
【図１０】図８（ｃ）の基板４００を斜め上から見た様子を示した斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図１は、本発明の実施の形態によるコンタクトプローブの一構成例を示した外観図であり、図中の（ａ）及び（ｂ）には、コンタクトプローブ１００，１１０がそれぞれ示されている。なお、コンタクトプローブ１００，１１０は、半導体デバイスの電気的特性試験に用いられる探針であり、電気的接触子の一例である。
【００２２】
図中の（ａ）に示したコンタクトプローブ１００は、略直線状の細長い形状からなる本体部１の一端にコンタクト部２を形成した垂直型プローブである。本体部１及びコンタクト部２は、いずれも導電性材料からなり、検査対象物（不図示）に対し略垂直となるように本体部１を配置し、検査対象物上の電極端子にコンタクト部２を当接させて使用される。また、オーバードライブ時には、本体部１が弓形に弾性変形することにより、電極端子に対し、コンタクト部２を確実に接触させることができる。
【００２３】
本体部１は、空隙１０Ｓを介して主面を対向させた２枚の板状体１０Ａ，１０Ｂと、これらの板状体１０Ａ，１０Ｂの一端（後端）を互いに結合させた第１結合部１１と、上記板状体１０Ａ，１０Ｂの他端（前端）を互いに結合させた第２結合部１２とによって構成される。また、コンタクト部２は、第２結合部１２の先端（前端）に形成され、第２結合部１２から突出する形状からなる。
【００２４】
本体部１は、導電率が高く、かつ、弾性特性に優れた材料、例えばＮｉ−Ｃｏ（ニッケルコバルト）合金からなることが望ましく、コンタクト部２は、導電率が高く、かつ、耐摩耗特性に優れた材料、例えば、Ｒｈ（ロジウム）からなることが望ましい。ただし、同一の金属材料を用いて、本体部１及びコンタクト部２を一体的に成形すれば、製造コストを抑制することができる。また、コンタクト部２は、本体部１の前端から突出していればよく、その形状は任意である。
【００２５】
板状体１０Ａ，１０Ｂは、その厚さが幅よりも短く、コンタクト部２が電極端子から受ける針圧により、その厚さ方向に容易に湾曲させることができる。板状体１０Ａ，１０Ｂを湾曲させた場合、湾曲部の外側に最大の応力が発生する。一般に、湾曲部の曲率が同じであるとすれば、湾曲部に発生する応力は、板状体１０Ａ，１０Ｂの厚さに応じた値になる。このため、板状体１０Ａ，１０Ｂの厚さを薄くすれば、湾曲時に発生する応力を減少させることができる。つまり、板状体１０Ａ，１０Ｂの厚さを薄くすることによって、塑性変形させることなく板状体１０Ａ，１０Ｂをより大きく湾曲させることが可能になり、オーバードライブ量を増大させることができる。
【００２６】
また、板状体１０Ａ，１０Ｂは、その幅を増大させることにより、それぞれの断面積を増大させることができる。さらに、２枚の板状体１０Ａ，１０Ｂを配置することによって、コンタクトプローブ１００の断面積を更に増大させることができる。この様にしてコンタクトプローブ１００の断面積を増大させれば、針圧を増大させることができるとともに、耐電流特性を向上させることができる。
【００２７】
つまり、２枚の板状体１０Ａ，１０Ｂを用いることによって、板状体１０Ａ，１０Ｂの厚さを薄くしたとしても、コンタクトプローブ１００の断面積を確保することが可能になる。従って、所望のオーバードライブ量を確保し、また、所望の針圧や耐電流特性を確保しつつ、本体部１を短くすることができる。本体部１を短くすることができれば、コンタクトプローブ１００のインダクタンスを低下させることができるため、その高周波特性を向上させることができる。
【００２８】
図中の（ｂ）に示したコンタクトプローブ１１０は、コンタクトプローブ１００と比較すれば、３枚の板状体１０Ａ〜１０Ｃを備えている点で異なるが、その他の構成は同一である。３枚の板状体１０Ａ〜１０Ｃは、空隙１０Ｓを介して、互いの主面が対向している。また、第１結合部１１は、３枚の板状体１０Ａ〜１０Ｃの一端を互いに結合させ、第２結合部１２は、３枚の板状体１０Ａ〜１０Ｃの他端を互いに結合させている。
【００２９】
各板状体１０Ａ〜１０Ｃの厚さが同一であれば、３枚の板状体１０Ａ〜１０Ｃを有するコンタクトプローブ１１０は、２枚の板状体１０Ａ，１０Ｂを有するコンタクトプローブ１００よりも本体部１の断面積を増大させることができる。全く同様にして、４枚以上の板状体を備えていれば、本体部１の断面積を更に増大させることができる。
【００３０】
図２は、本発明の実施の形態によるプローブカードの一構成例を示した図である。このプローブカードは、メイン基板３、ＳＴ（Space Transformer）基板４及びプローブユニット５により構成される。なお、プローブユニット５には、図１に示したコンタクトプローブ１００が用いられている。
【００３１】
メイン基板３は、プローブ装置（不図示）に対し着脱可能に取り付けられる配線基板であり、外周付近に外部端子が形成され、中央付近にＳＴ基板４が取り付けられている。プローブユニット５は、２以上のコンタクトプローブ１００を保持する構造体であり、ＳＴ基板４に取り付けられている。ＳＴ基板４は、メイン基板３に広ピッチで形成された電極端子（不図示）と、プローブユニット５に狭ピッチで形成された電極端子（不図示）とを導通させる基板である。
【００３２】
プローブユニット５は、配線基板５０、ガイド板５１，５２、ガイド支持部５３及びコンタクトプローブ１００により構成される。配線基板５０は、２以上のコンタクトプローブ１００を支持する支持基板であり、コンタクトプローブ１００に対応する２以上の電極端子５０ｔが形成されている。ガイド板５１は、２以上のガイド穴５１ｈが形成され、電極端子５０ｔを露出させるように、配線基板５０に固着されている。ガイド板５２は、空間を挟んでガイド板５１と対向するように配置され、電極端子５０ｔに対応する２以上のガイド穴５２ｈが形成されている。ガイド支持部５３は、配線基板５０に固着されるとともに、ガイド板５２を支持している。
【００３３】
コンタクトプローブ１００は、本体部１の上端が、ガイド板５１のガイド穴５１ｈに挿入され、配線基板５０上の電極端子５０ｔに接続されている。また、コンタクト部２が形成された本体部１の下端は、ガイド板５２のガイド穴５２ｈを貫通し、ガイド板５２から突出している。ガイド穴５１ｈ，５２ｈは、コンタクトプローブ１００の両端付近においてコンタクトプローブ１００を拘束し、その長手方向への移動を可能としつつ、当該長手方向に交差する方向への移動を規制している。
【００３４】
つまり、コンタクトプローブ１００は、その両端付近をガイド板５１，５２によって上下動可能に支持され、オーバードライブ時にガイド板５１，５２間の空間において、湾曲することができるとともに、当該湾曲により、コンタクトプローブ１００の両端の位置がずれるのを抑制している。
【００３５】
図３は、本発明の実施の形態によるコンタクトプローブ１０１のオーバードライブによる弾性変形の一例を示した図である。このコンタクトプローブ１０１は、図１のコンタクトプローブ１００と同一の構成からなり、その後端が配線基板５０及びガイド板５１によって支持されているが、その前端は、ガイド板５２によって支持されることなく、開放されている。
【００３６】
図中の（ａ）には、オーバードライブ直前のコンタクトプローブ１０１の状態が示されている。つまり、検査対象物及びコンタクトプローブ１０１を互いに近づけ、電極端子３００がコンタクト部２に接触しはじめた時の様子が示されている。また、図中の（ｂ）には、オーバードライブ後のコンタクトプローブ１０１の状態が示されている。つまり、（ａ）の状態から、予め定められたオーバードライブ量Ｌだけ、検査対象物及びコンタクトプローブ１０１を更に近づけたときの状態が示されている。
【００３７】
このコンタクトプローブ１０１は、板状体１０Ａ，１０Ｂが、その厚さ方向に大きく湾曲することにより、コンタクト部２をオーバードライブ量Ｌだけ後退させている。このため、オーバードライブ前のコンタクトプローブ１０１は、電極端子３００に対して略垂直であったが、オーバードライブ後は、コンタクトプローブ１０１の前端付近が大きく傾いている。
【００３８】
電極端子３００上の酸化膜は、コンタクト部２が当接することによって破壊される。このため、その後のオーバードライブにより、コンタクトプローブ１０１を傾け、電極端子３００に接触させるコンタクト部２の接触面を変えることにより、コンタクト部２及び電極端子３００間に酸化膜の破片が挟まりにくく、良好な導通状態を得ることができる。
【００３９】
図４は、本発明の実施の形態によるコンタクトプローブ１０２のオーバードライブによる弾性変形の一例を示した図である。図中の（ａ）には、オーバードライブ直前の状態が示され、図中の（ｂ）には、オーバードライブ後の状態が示されている。
【００４０】
コンタクトプローブ１０２は、コンタクトプローブ１０１と比較して、第１結合部１１及び第２結合部１２が長く、板状体１０Ａ，１０Ｂが短くなっているが、その他の構成は、コンタクトプローブ１０１と同一である。コンタクトプローブ１０２は、板状体１０Ａ，１０Ｂが短いため、オーバードライブ後の曲率が、コンタクトプローブ１０１の場合に比べてやや大きくなり、また、電極端子３００に対する先端付近の傾きもやや大きくなっている。
【００４１】
図５は、図３のコンタクトプローブ１０１のオーバードライブによる弾性変形の他の例を示した図である。図中の（ａ）には、オーバードライブ直前の状態が示され、図中の（ｂ）には、オーバードライブ後の状態が示されている。図５を図３と比較すれば、コンタクトプローブ１０１の前端付近がガイド板５２によって長手方向に移動可能に支持されている点で異なる。
【００４２】
ガイド板５２のガイド穴５２ｈにコンタクトプローブ１０３を貫通させ、ガイド板５２によってコンタクトプローブ１０１の前端付近を拘束することにより、オーバードライブ時に、電極端子３００に対し、コンタクト部２をスクラブさせることができる。ガイド板５２を用いていない図３の場合、オーバードライブ時に、電極端子３００に対するコンタクトプローブ１０１の角度が変化するだけであるのに対し、ガイド板５２を用いる図５の場合には、オーバードライブ時にコンタクト部２が電極端子３００上を移動する。このため、電極端子３００上の酸化膜を除去して、良好な接触状態を得ることができる。
【００４３】
図６は、図４のコンタクトプローブ１０２のオーバードライブによる弾性変形の他の例を示した図である。図中の（ａ）には、オーバードライブ直前の状態が示され、図中の（ｂ）には、オーバードライブ後の状態が示されている。図６を図４と比較すれば、コンタクトプローブ１０２の前端付近がガイド板５２によって長手方向に移動可能に支持されている点で異なる。
【００４４】
コンタクトプローブ１０２は、オーバードライブ前及びオーバードライブ後のいずれにおいても、第２結合部１２がガイド板５２のガイド穴５２ｈの内周面と対向するように保持されている。つまり、オーバードライブ前の状態において、第２結合部１２の後端がガイド板５２よりも配線基板５０側に位置している。このため、オーバードライブ時に、コンタクト部２が、電極端子３００に対し略垂直に移動する。従って、電極端子３００の面積が小さい場合に、コンタクト部２がスクラブすることによって、コンタクト部２が電極端子３００と接触しなくなるのを防止することができる。
【００４５】
図７は、本発明の実施の形態によるコンタクトプローブ１０３のオーバードライブによる弾性変形の一例を示した図である。図中の（ａ）には、オーバードライブ直前の状態が示され、図中の（ｂ）には、オーバードライブ後の状態が示されている。
【００４６】
このコンタクトプローブ１０３は、３枚の板状体１０Ａ〜１０Ｃを有し、図１のコンタクトプローブ１１０と同じ構成からなる。また、図７と同様、その後端が配線基板５０及びガイド板５１によって支持され、第２結合部１２がガイド板５２によって長手方向に移動可能に支持されている。
【００４７】
オーバードライブにより湾曲したコンタクトプローブ１０３の状態は、図６のコンタクトプローブ１０２と概ね同様である。ただし、板状体１０Ａ〜１０Ｃの数が多いため、コンタクトプローブの断面積も大きく、針圧が増大しており、耐電流特性も向上している。
【００４８】
図８〜図１０は、図１のコンタクトプローブ１００の製造方法の一例についての説明図である。図８の（ａ）〜（ｄ）及び図９の（ａ）〜（ｄ）は、コンタクトプローブ１００の製造工程を時系列に示した図である。また、図１０は、図８の（ｃ）の状態を示した斜視図である。
【００４９】
図８の（ａ）には、コンタクトプローブ１００を形成させる導電性基板が示されている。ここでは、シリコン基板４００の上面全体に導電性薄膜４０１が形成されているものとする。
【００５０】
図８の（ｂ）には、導電性薄膜４０１上にフォトレジスト４０２を選択的に形成した後、フォトレジスト４０２の非形成領域に犠牲層４０３を形成した状態が示されている。フォトレジスト４０２は、基板４００の全面に形成された後、コンタクト部２に相当する領域内のフォトレジスト４０２だけが選択的に除去される。つまり、コンタクト部２に相当する領域において導電性薄膜４０１を露出させることができる。この状態において、Ｃｕなどの犠牲金属を電気めっきすれば、コンタクト部２に相当する領域内に犠牲金属を堆積させ、犠牲層４０３を形成することができる。
【００５１】
図８の（ｃ）には、フォトレジスト４０２を除去し、新たにフォトレジスト４０４を選択的に形成した状態が示されている。フォトレジスト４０４は、基板４００の全面に形成された後、本体部１に相当する領域内のフォトレジスト４０４だけが選択的に除去される。つまり、本体部１に相当する領域において導電性薄膜４０１を露出させることができる。図１０は、このときの基板４００を斜め上から見た様子を示した斜視図である。板状体１０Ａ，１０Ｂ間に相当する領域には、フォトレジスト４０４が残されている。
【００５２】
図８の（ｄ）には、フォトレジスト４０４の非形成領域に導電性金属層４０５を形成した状態が示されている。図８の（ｃ）の状態において、Ｎｉ−Ｃｏなどの導電性金属を電気めっきすれば、本体部１に相当する領域内に導電性金属を堆積させ、導電性金属層４０５を形成することができる。
【００５３】
図９の（ａ）には、フォトレジスト４０４を除去し、新たにフォトレジスト４０６を選択的に形成した状態が示されている。フォトレジスト４０６は、基板４００の全面に形成された後、本体部１及びコンタクト部２に相当する領域内のフォトレジスト４０６だけが選択的に除去される。つまり、犠牲層４０３及び導電性金属層４０５を露出させることができる。
【００５４】
図９の（ｂ）には、フォトレジスト４０４の非形成領域に導電性金属を堆積させた状態が示されている。図９の（ａ）の状態において、Ｎｉ−Ｃｏなどの導電性金属を電気めっきすれば、犠牲層４０３及び導電性金属層４０５上に導電性金属を堆積させることができる。
【００５５】
図９の（ｃ）には、フォトレジスト４０６を除去し、新たにフォトレジスト４０７を選択的に形成した状態が示されている。フォトレジスト４０７は、基板４００の全面に形成された後、本体部１に相当する領域内のフォトレジスト４０７だけが選択的に除去される。つまり、コンタクト部２をマスクし、本体部１に相当する領域内の導電性金属層４０５のみを露出させることができる。
【００５６】
図９の（ｄ）には、フォトレジスト４０７の非形成領域に導電性金属を堆積させた状態が示されている。図９の（ｃ）の状態において、Ｎｉ−Ｃｏなどの導電性金属を電気めっきすれば、本体部１に相当する領域内の導電性金属層４０５上に更に導電性金属を堆積させることができる。
【００５７】
最後に、導電性金属層４０５のみを取り出せば、コンタクトプローブ１００が得られる。例えば、導電性薄膜４０１及び犠牲層４０３がともにＣｕからなる場合であれば、Ｃｕを選択的に溶解するエッチング液を用いて、導電性金属層４０５のみを取り出すことができる。
【００５８】
本実施の形態によれば、コンタクトプローブ１００〜１０３が板状体１０Ａ〜１０Ｃからなり、オーバードライブ時に、板状体１０Ａ〜１０Ｃをその厚さ方向に湾曲させている。このため、板状体１０Ａ〜１０Ｃの厚さを薄くし、オーバードライブ時の応力を低減すれば、弾性限界を超えることなく、本体部１を大きく湾曲させることができる。従って、所望のオーバードライブ量を確保しつつ、コンタクトプローブ１００〜１０３の長さを短くし、その高周波特性を向上させることができる。
【００５９】
また、本実施の形態によれば、コンタクトプローブ１００〜１０３が、空隙１０Ｓを介して主面を対向させた２以上の細長い板状体１０Ａ〜１０Ｃからなることにより、板状体１０Ａ〜１０Ｃの厚さを薄くしても、本体部１の断面積を確保することができる。従って、所望の針圧を確保するとともに、耐電流特性を確保しつつ、本体部１の長さを短くし、コンタクトプローブ１００〜１０３の高周波特性を向上させることができる。
【００６０】
また、本実施の形態によれば、コンタクトプローブ１００〜１０３が、板状体１０Ａ〜１０Ｃの前端を互いに結合させる第２結合部１２を有するとともに、ガイド板５２のガイド穴５２ｈに貫通させている。そして、第２結合部１２をガイド穴５２ｈの内周面に対向させている。このため、長手方向に移動可能となるようにコンタクトプローブ１００〜１０３を支持し、オーバードライブ時に、検査対象物の電極端子３００に対し、略垂直となる方向にコンタクト部２を移動させることができる。
【００６１】
なお、本実施の形態では、半導体デバイスの電気的特性試験に用いられるコンタクトプローブ１００〜１０３の例について説明したが、本発明による電気的接触子は、この様なコンタクトプローブ１００〜１０３のみに限定されない。すなわち、本発明は、本体部１の弾性変形をともなって、コンタクト部２を電極端子に接触させる様々な電気的接触子に適用することができる。例えば、互いの主面を対向して配置された２枚の回路基板を導通させるための電気的接触子として使用することもできる。具体的には、本実施の形態におけるプローブユニット５の配線基板５０を上記回路基板の一方とし、検査対象物を上記回路基板の他方に置き換えて、本発明を適用することもできる。
【符号の説明】
【００６２】
１００〜１０３，１１０  コンタクトプローブ
１  本体部
１０Ａ〜１０Ｃ  板状体
１０Ｓ  空隙
１１  第１結合部
１２  第２結合部
２  コンタクト部
３  メイン基板
４  ＳＴ基板
５  プローブユニット
５０  配線基板
５０ｔ  電極端子
５１，５２  ガイド板
５１ｈ，５２ｈ  ガイド穴
５３  ガイド支持部
３００  検査対象物の電極端子
４００  シリコン基板
４０１  導電性薄膜
４０２，４０４，４０６，４０７  フォトレジスト
４０３  犠牲層
４０５  導電性金属層
Ｌ  オーバードライブ量
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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