(57)【要約】【課題】メッキ膜上に置換メッキ膜を十分な厚みで確実に形成されている電子部品を提供する。【解決手段】基板２上に、無電解メッキにより形成された第１のメッキ膜と、第１のメッキ膜上に形成された第２のメッキ膜、すなわち置換メッキ膜とを有する電極３，４が形成されており、第１のメッキ膜において、面積をＳ、第１のメッキ膜のメッキ膜が存在しない部分との境界の該境界に沿う長さ方向寸法の合計をＬとしたき、比Ｓ／Ｌが０．２以下である、電子部品１。【選択図】図１
2012062554.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の表面に形成されており、無電解メッキにより形成された第１のメッキ膜と、前記第１のメッキ膜上に形成された第２のメッキ膜としての置換メッキ膜とを有する電極とを備え、
前記第１のメッキ膜の面積をＳ、該第１のメッキ膜のメッキ膜が存在しない部分との境界の該境界に沿う長さ方向寸法の合計をＬとしたとき、比Ｓ／Ｌが０．２以下であり、
前記比Ｓ／Ｌが０．２以下である第１のメッキ膜が、複数の電極膜部分と、複数の電極膜部分を連結しており、かつ複数の電極膜部分よりも細いブリッジ部とを有する電子部品。
【請求項２】
基板と、
前記基板の表面に形成されており、無電解メッキにより形成された第１のメッキ膜と、前記第１のメッキ膜上に形成された第２のメッキ膜としての置換メッキ膜とを有する電極とを備え、
前記第１のメッキ膜の面積をＳ、該第１のメッキ膜のメッキ膜が存在しない部分との境界の該境界に沿う長さ方向寸法の合計をＬとしたとき、比Ｓ／Ｌが０．２以下であり、
前記比Ｓ／Ｌが０．２以下である第１のメッキ膜が、外周縁に凹凸を有する、請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
基板と、
前記基板の表面に形成されており、無電解メッキにより形成された第１のメッキ膜と、前記第１のメッキ膜上に形成された第２のメッキ膜としての置換メッキ膜とを有する電極とを備え、
前記第１のメッキ膜の面積をＳ、該第１のメッキ膜のメッキ膜が存在しない部分との境界の該境界に沿う長さ方向寸法の合計をＬとしたとき、比Ｓ／Ｌが０．２以下であり、
前記比Ｓ／Ｌが０．２以下である前記第１のメッキ膜が、電極内部に電極欠落部を有する、請求項１〜２のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項４】
前記電極が、前記基板の表面と、前記第１のメッキ膜との間に積層された金属膜をさらに有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項５】
前記置換メッキ膜上に無電解メッキにより形成された第３のメッキ膜をさらに備える、請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項６】
基板と、
前記基板上に形成されており、第１のメッキ膜と、第１のメッキ膜上に形成された第２のメッキ膜としての置換メッキ膜とを有する複数の電極とを備え、
前記複数の電極の内、少なくとも２つの電極において、前記第１のメッキ膜の面積をＳ、該第１のメッキ膜のメッキ膜が存在しない部分との境界の該境界に沿う長さ方向寸法の合計をＬとしたとき、比Ｓ／Ｌが０．２以下であり、かつ同等とされている、電子部品。
【請求項７】
基板上に電極が形成されている電子部品の製造方法であって、
基板を用意する工程と、
前記基板の表面に第１のメッキ膜を、該第１のメッキ膜の面積をＳ、該第１のメッキ膜のメッキ膜が存在しない部分との境界の該境界に沿う長さ方向寸法の合計をＬとしたとき、比Ｓ／Ｌが０．２以下となるように無電解メッキ法により形成する工程と、
前記第１のメッキ膜上に、第２のメッキ膜として置換メッキ膜を形成する工程とを備える、電子部品の製造方法。
【請求項８】
前記第１のメッキ膜の形成に先立ち、前記第１のメッキ膜が形成される領域において、基板表面に金属膜を形成する工程をさらに備える、請求項７に記載の電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記置換メッキ膜を形成する工程に続いて、該置換メッキ膜を構成する金属と同じ金属からなる第３のメッキ膜を無電解メッキにより形成する工程をさらに備える、請求項７または８に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板表面に電極が形成されている電子部品及びその製造方法に関し、特に、無電解メッキにより形成された第１のメッキ膜及び第１のメッキ膜上に設けられた置換メッキ膜を有する電極が形成されている電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
セラミック多層基板のような基板上にメッキ膜を有する電極が形成されている様々な電子部品が知られている。近年、電子部品の高密度化に従って、基板上に形成される電極パターンが、複雑になってきている。電解メッキ法では、電界集中による膜厚ばらつきが生じたり、様々なパターンの電極に個々に配線を接続しなければならない。そこで、無電解メッキ法が広く用いられている。
【０００３】
例えば、下記の特許文献１には、Ａｇ導電ペーストにより形成された導電膜上に、銅、ニッケル、金、銀またはパラジウムからなるメッキ膜を無電解メッキ法により形成する方法が開示されている。
【０００４】
また、下記の特許文献２には、多層セラミック基板の表面をエッチング液によりエッチングした後、メッキにより外部電極を形成し、さらに電極上に、ＮｉやＡｕメッキ膜を無電解メッキにより形成する方法が開示されている。
【０００５】
さらに、下記の特許文献３には、アルミナ基板を粗化し、触媒付与した後、無電解メッキを行うことにより、Ｃｕ、ＮｉまたはＡｕなどの貴金属からなるメッキ膜を形成する方法が開示されている。
【０００６】
また、Ａｇなどからなる電極の半田喰われを防止するために、Ａｇ膜上にＮｉメッキ膜及びＡｕメッキ膜を順次形成してなる電極が知られている。この場合、半田喰われ防止層としてＮｉメッキ膜を無電解メッキ法により形成する。次に、半田接続性や導電性を高めるために、Ｎｉメッキ膜上に、置換Ａｕメッキ膜を形成し、さらにＡｕメッキ膜を無電解メッキ法により形成する方法が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−４９４４５号公報
【特許文献２】特開２００７−３１８１７４号公報
【特許文献３】特開昭６３−１１６７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、前述したように、近年、基板上に様々なパターン電極が形成されることが多い。他方、前述したように、無電解メッキ法によりメッキ膜を形成した後、メッキ膜上に置換メッキ膜を形成する場合、電極の形状や寸法によって、置換メッキ膜の膜厚がばらつくという問題のあることがわかった。
【０００９】
例えば、半田喰われを防止するために、Ｎｉメッキ膜上に置換Ａｕメッキ膜を形成する場合、置換Ａｕメッキ膜の膜厚が電極によってばらつくことがあった。その結果、様々な形状及び寸法の電極が形成されている場合、中には、置換Ａｕメッキ膜の厚みが十分でない電極が形成されることがあった。その結果、電気抵抗がばらついたり、下地のＮｉメッ
キ膜による半田喰われ防止効果が不十分であったりすることがあった。
【００１０】
本発明の目的は、上述した従来技術の現状に鑑み、メッキ膜上に、置換メッキ膜が十分な厚みで形成されている電極を有する電子部品及び該電子部品の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願の第１の発明に係る電子部品は、基板と、前記基板の表面に形成されており、無電解メッキにより形成された第１のメッキ膜と、前記第１のメッキ膜上に形成された第２のメッキ膜としての置換メッキ膜とを有する電極とを備え、前記第１のメッキ膜の面積をＳ、該第１のメッキ膜のメッキ膜が存在しない部分との境界の該境界に沿う長さ方向寸法の合計をＬとしたとき、比Ｓ／Ｌが０．２以下であり、前記比Ｓ／Ｌが０．２以下である第１のメッキ膜が、複数の電極膜部分と、複数の電極膜部分を連結しており、かつ複数の電極膜部分よりも細いブリッジ部とを有する。
【００１２】
本願の第２の発明に係る電子部品は、基板と、前記基板の表面に形成されており、無電解メッキにより形成された第１のメッキ膜と、前記第１のメッキ膜上に形成された第２のメッキ膜としての置換メッキ膜とを有する電極とを備え、前記第１のメッキ膜の面積をＳ、該第１のメッキ膜のメッキ膜が存在しない部分との境界の該境界に沿う長さ方向寸法の合計をＬとしたとき、比Ｓ／Ｌが０．２以下であり、前記比Ｓ／Ｌが０．２以下である第１のメッキ膜が、外周縁に凹凸を有する。
【００１３】
本願の第３の発明に係る電子部品は、基板と、前記基板の表面に形成されており、無電解メッキにより形成された第１のメッキ膜と、前記第１のメッキ膜上に形成された第２のメッキ膜としての置換メッキ膜とを有する電極とを備え、前記第１のメッキ膜の面積をＳ、該第１のメッキ膜のメッキ膜が存在しない部分との境界の該境界に沿う長さ方向寸法の合計をＬとしたとき、比Ｓ／Ｌが０．２以下であり、前記比Ｓ／Ｌが０．２以下である前記第１のメッキ膜が、電極内部に電極欠落部を有する。この場合、長さＬは、第１のメッキ膜の周囲の長さと、上記電極欠落部を囲む部分の長さの合計となる。
【００１４】
本発明に係る電子部品のある特定の局面では、前記電極が、前記基板の表面と、前記第１のメッキ膜との間に積層された金属膜をさらに有する。このように、第１のメッキ膜の下方に、さらに金属膜が設けられていてもよい。
【００１５】
また、本発明に係る電子部品の他の特定の局面では、前記置換メッキ膜上に無電解メッキにより形成された第３のメッキ膜を有する。このように、第２のメッキ膜としての置換メッキ膜上に、さらに第３のメッキ膜を置換メッキ膜を構成している金属と同じ金属で形成してもよい。それによって、電極の導電性や半田などの導電性接合材に対する接合性を高めたりすることができる。
【００１６】
本発明において、上記比Ｓ／Ｌが０．２以下である第１のメッキ膜については、様々な形状により実現することができる。
【００１７】
また、本発明においては、基板と、前記基板上に形成されており、第１のメッキ膜と、第１のメッキ膜上に形成された第２のメッキ膜としての置換メッキ膜とを有する複数の電極とを備え、前記複数の電極の内、少なくとも２つの電極において、前記第１のメッキ膜の面積をＳ、該第１のメッキ膜のメッキ膜が存在しない部分との境界の該境界に沿う長さ方向寸法の合計をＬとしたとき、比Ｓ／Ｌが０．２以下であり、かつ同等とされている、電子部品も提供される。
【００１８】
本発明に係る電子部品の製造方法は、基板上に電極が形成されている電子部品の製造方法であって、基板を用意する工程と、前記基板の表面に第１のメッキ膜を、該第１のメッキ膜の面積をＳ、該第１のメッキ膜のメッキ膜が存在しない部分との境界の該境界に沿う長さ方向寸法の合計をＬとしたとき、比Ｓ／Ｌが０．２以下となるように無電解メッキ法により形成する工程と、前記第１のメッキ膜上に、第２のメッキ膜として置換メッキ膜を形成する工程とを備える。
【００１９】
本発明に係る電子部品の製造方法のある特定の局面では、前記第１のメッキ膜の形成に先立ち、前記第１のメッキ膜が形成される領域において、基板表面に金属膜を形成する工程がさらに備えられている。
【００２０】
本発明に係る電子部品の製造方法の他の特定の局面では、前記置換メッキ膜を形成する工程に続いて、該置換メッキ膜を構成する金属と同じ金属からなる第３のメッキ膜を無電解メッキにより形成する工程がさらに備えられている。
【発明の効果】
【００２１】
本願の第１の発明に係る電子部品では、第１のメッキ膜において、比Ｓ／Ｌが０．２以下とされており、かつ前記比Ｓ／Ｌが０．２以下である第１のメッキ膜が、複数の電極膜部分と、複数の電極膜部分を連結しており、かつ複数の電極膜部分よりも細いブリッジ部とを有するため、第１のメッキ膜上に置換メッキ法により第２のメッキ膜としての置換メッキ膜を形成した場合、十分な厚みの置換メッキ膜を形成することができる。従って、第１のメッキ膜の形状や寸法がばらついたとしても、比Ｓ／Ｌを０．２以下とすることにより、置換メッキ膜を十分な厚みを有するように形成することができる。
【００２２】
本願の第２の発明に係る電子部品では、第１のメッキ膜において、比Ｓ／Ｌが０．２以下とされており、かつ比Ｓ／Ｌが０．２以下である第１のメッキ膜が外周縁に凹凸を有するため、第１のメッキ膜上に置換メッキ法により第２のメッキ膜としての置換メッキ膜を形成した場合、十分な厚みの置換メッキ膜を形成することができる。従って、第１のメッキ膜の形状や寸法がばらついたとしても、比Ｓ／Ｌを０．２以下とすることにより、置換メッキ膜を十分な厚みを有するように形成することができる。
【００２３】
本願の第３の発明に係る電子部品では、第１のメッキ膜において比Ｓ／Ｌが０．２以下とされており、かつ電極内部に電極欠落部を有するため、第１のメッキ膜上に置換メッキ法により第２のメッキ膜としての置換メッキ膜を形成した場合、十分な厚みの置換メッキ膜を形成することができる。従って、第１のメッキ膜の形状や寸法がばらついたとしても、比Ｓ／Ｌを０．２以下とすることにより、置換メッキ膜を十分な厚みを有するように形成することができる。
【００２４】
また、本発明に係る電子部品において、基板上に複数の電極が形成されており、複数の電極の内、少なくとも２つの電極において、第１のメッキ膜の上記比Ｓ／Ｌが０．２以下であり、かつ同等とされている場合には、該少なくとも２つの電極の形状が複雑であったり、形状が大きく異なっている場合であっても、また寸法が異なっている場合であっても、第１のメッキ膜上に、十分な厚みの置換メッキ膜を確実に形成することができる。さらに、少なくとも２つの上記電極間における置換メッキ膜の厚みのばらつきを少なくすることができる。
【００２５】
本発明に係る電子部品の製造方法では、第１のメッキ膜を、比Ｓ／Ｌが０．２以下となるように無電解メッキにより形成した後に、第２のメッキ膜として第１のメッキ膜上に置換メッキ膜を形成するため、第１のメッキ膜の形状や寸法の如何にかかわらず、十分な厚みの置換メッキ膜を形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】（ａ）は、本発明の一実施形態により提供される電子部品を示す正面図であり、（ｂ）は、該電子部品の基板上に形成されている電極の平面形状を示す平面図であり、（ｃ）は、基板上に形成されている他の電極の平面形状を示す平面図である。
【図２】本発明の一実施形態の電子部品において、基板上に形成されている電極における複数のメッキ膜からなる積層構造を説明するための部分切欠断面図である。
【図３】実験例で用意した試料番号１の第１のメッキ膜の平面形状を示す模式的平面図である。
【図４】実験例で用意した試料番号３の第１のメッキ膜の平面形状を示す模式的平面図である。
【図５】試料番号１〜５における比Ｓ／Ｌと、置換Ａｕメッキ膜の厚みとの関係を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２８】
図１（ａ）は、本発明の一実施形態に係る電子部品の略図的正面図である。
【００２９】
電子部品１は、基板２と、基板２上に形成された複数の電極３，４とを有する。基板２を構成する材料は、特に限定されず、例えば絶縁性セラミックスや合成樹脂などからなる絶縁性材料、あるいは半導体材料などを挙げることができる。
【００３０】
電極３，４は、それぞれ、Ａｇ膜と、無電解メッキにより形成されたＮｉメッキ膜と、Ｎｉメッキ膜上に形成された置換Ａｕメッキ膜と、置換Ａｕメッキ膜上に積層されたＡｕメッキ膜とを有する。本実施形態では、第１のメッキ膜として、Ｎｉメッキ膜が形成されており、第２のメッキ膜として置換Ａｕメッキ膜が形成され、第３のメッキ膜として、Ａｕメッキ膜が形成されている。
【００３１】
また、複数の電極３，４は、様々な形状及び寸法を有するように構成されている。例えば、電極３は、図１（ｂ）に示すように、複数の矩形の電極部分３ａ〜３ｄを有する。この複数の電極部分３ａ〜３ｄが、電極部分３ａ，３ｄの一辺の長さよりも短い、すなわち細いブリッジ部３ｅ〜３ｈにより連結されている。
【００３２】
図１（ｂ）のＡ−Ａ線に沿う部分に相当する断面を図２に示す。図２に示すように、前述したように、基板２上に、Ａｇ膜１０、Ｎｉ無電解メッキ膜１１、第２のメッキ膜としての置換Ａｕメッキ膜１２及び第３のメッキ膜としてのＡｕメッキ膜１３が積層されている。
【００３３】
他方、電極４は、図１（ｃ）に示す平面形状を有する。ここでは、比較的大きな正方形の電極部分内に、電極欠落部４ａが形成されている。電極欠落部４ａは、正方形の電極４の３つの辺に平行に延び、かつ残りの１辺に平行に延びている部分中央において分断されている形状を有する。
【００３４】
従来、このような様々な形状及び寸法の電極３，４を形成するに際し、第１のメッキ膜上に置換メッキ膜として第２のメッキ膜を形成した場合、第１のメッキ膜の形状や寸法によって第２のメッキ膜の厚みが不十分となることがあった。
【００３５】
これに対して、本実施形態の電子部品１では、電極３，４の第１のメッキ膜の面積をＳ
、第１のメッキ膜のメッキ膜が存在しない部分との境界の該境界に沿う長さ方向寸法の合計をＬとしたときに、Ｓ／Ｌが０．２以下とされている。なお、長さＬとは、第１のメッキ膜の設けられている部分と、第１のメッキ膜の外側の部分との境界において、該境界に沿った方向の長さ寸法の合計をいうものとする。例えば、正方形の電極の場合には、長さＬは、その周囲長であり、電極４の場合には、電極の周囲の長さと、電極欠落部４ａの周囲の長さとの合計をいうものとする。同様に、電極３では、外周縁の周囲長と、電極部分３ａ〜３ｄとブリッジ部３ｅ〜３ｈとで囲まれた内部領域の周囲長との合計となる。
【００３６】
比Ｓ／Ｌが０．２以下であるため、電極３，４のいずれにおいても、第１のメッキ膜上に、十分な厚みの置換Ａｕメッキ膜を形成することができる。これを、以下の実験例に基づき、より具体的に説明する。
【００３７】
基板２として、低温焼成ガラスセラミックスからなる絶縁性基板を用意した。上記絶縁性基板上に、下記の表１に示す試料番号１〜５の電極を以下の要領で形成した。
【００３８】
表１中の試料番号１は、図３に示すように正方形の電極６である。電極面積Ｓは１．０ｍｍ２とした。
【００３９】
試料番号２は、図１（ｂ）に示す電極３と同様の形状を有し、但し電極面積Ｓが０．１ｍｍ２、長さＬを１．０ｍｍとするように形成した。
【００４０】
試料番号３は、図４に示す電極７である。電極７は、略円形の形状を有し、但し外周縁に凹凸が周方向に規則的に設けられており、この面積Ｓは２３．２ｍｍ２、長さＬは２２６ｍｍとした。
【００４１】
また、試料番号４は、試料番号１と同様に正方形の電極で、但し電極面積Ｓは４．０ｍｍ２、長さＬは８．０ｍｍとした。
【００４２】
試料番号５は、図１（ｃ）に示す電極４と同様の形状を有し、但し電極面積Ｓは１．０ｍｍ２、長さＬは１４．０ｍｍとした。
【００４３】
この絶縁性基板上の全面には、Ａｇ膜が形成されている。このＡｇ膜を５重量％濃度の硝酸を用いてエッチングした。このエッチングにより、最終的に得られる電極と同じ平面形状のＡｇ膜を形成した。
【００４４】
次に、Ｐｄ触媒（奥野製薬工業社製、商品名：ＩＣＰアクセラ）を絶縁性の基板２の上面に付与し、４０℃で５分間維持した。次に、Ｎｉメッキ浴（上村工業社製、商品名：ニムデンＫＰＲ）を用い、８０℃の温度で３分間、無電解Ｎｉメッキを行った。このようにして、試料番号１〜５における第１のメッキ膜としての無電解Ｎｉメッキ膜を形成した。
【００４５】
次に、Ａｕメッキ浴として、小島薬品社製、品番：オーエル２０００を用い、８０℃及び１０分間の条件で置換Ａｕメッキ膜を形成した。
【００４６】
上記のようにして、Ａｇ膜、第１のメッキ膜としての無電解Ｎｉメッキ膜及び置換Ａｕメッキ膜がこの順序で積層されている試料番号１〜５の電極を形成した。各電極における第１のメッキ膜の面積Ｓ、上記長さＬ及び比Ｓ／Ｌと、形成された置換Ａｕメッキ膜の厚みを下記の表１に示す。
【００４７】
【表１】
2012062554.tif 000003
【００４８】
なお、置換Ａｕメッキ膜の膜厚は、５個の試料の平均値である。
【００４９】
表１から明らかなように、試料番号１〜５の電極では、その面積Ｓ及び形状は様々である。他方、置換Ａｕメッキ膜の厚みは、０．０６μｍ〜０．１２μｍの間で大きくばらついている。よって、第１のメッキ膜の形状及び寸法によって、置換Ａｕメッキ膜の厚みがばらつくことがわかる。
【００５０】
もっとも、比Ｓ／Ｌが０．０６である試料番号２と、比Ｓ／Ｌが０．０７である試料番号５とは、その面積Ｓが非常に大きく異なっていても、置換Ａｕメッキ膜の膜厚が０．１２μｍ及び０．１１μｍと十分に厚く、かつ同等であることがわかる。
【００５１】
なお、試料番号１と試料番号４とを対比した場合、両者は正方形の形状を有する点で共通するものの、面積Ｓにおいて大きく異なっている。また、長さＬもそれに伴って異なっている。しかしながら、試料番号４では、Ｓ／Ｌが０．５０である。すなわち、試料番号１及び試料番号４のいずれにおいても、Ｓ／Ｌが０．２より大きいため、置換Ａｕメッキ膜の厚みは０．０７μｍ以下と薄かった。
【００５２】
図５は、上記試料番号１〜５における比Ｓ／Ｌと、置換Ａｕメッキ膜の厚みとの関係を示す図である。
【００５３】
図５から明らかなように、比Ｓ／Ｌを０．２以下とすれば、置換Ａｕメッキ膜の膜厚を十分に厚くすることができることがわかる。すなわち、電極の形状が複雑化したり、電極の面積が大きくなった場合であっても、比Ｓ／Ｌを０．２以下とすれば、置換Ａｕメッキ膜の厚みを、十分に厚くし得ることがわかる。また、上記試料番号２と試料番号５との対比から明らかなように、面積Ｓが大きく異なっていても、比Ｓ／Ｌを同等とすれば、Ａｕメッキ膜の厚みをほぼ同等とし得ることがわかる。
【００５４】
上記のように、比Ｓ／Ｌを０．２以下とすれば、置換Ａｕメッキ膜の厚みを十分な大きさとし得るのは、以下の理由によると考えられる。Ｎｉ無電解メッキ膜上に、置換Ａｕメッキ膜を形成するに際しては、Ｎｉ無電解メッキ膜の端部において、溶解が進行しやすい。従って、第１のメッキ膜としてのＮｉ無電解メッキ膜の端縁の長さが相対的に長いと、置換Ａｕメッキ析出速度が高められていると考えられる。そのため、上記比Ｓ／Ｌを小さくすることにより、置換Ａｕメッキ膜の厚みを十分に厚くすることができたものと考えられる。
【００５５】
そして、図５から明らかなように、比Ｓ／Ｌを０．２以下と特定の範囲とすれば、置換Ａｕメッキ膜の厚みを十分に厚くすることができる。
【００５６】
なお、上記実施形態では、第１のメッキ膜としてＮｉ無電解メッキ膜を用い、第２のメッキ膜として置換Ａｕメッキ膜を形成したが、第１のメッキ膜及び置換メッキ膜としての第２のメッキ膜を構成する材料については、特に限定されるものではない。すなわち、Ｎ
ｉ以外のＡｇやＡｕメッキ膜を第１のメッキ膜として用いてもよい。また、置換メッキ膜についても、置換Ａｇメッキ膜、置換Ｓｎメッキ膜、置換Ｚｎメッキ膜などを用いてもよい。
【００５７】
さらに、置換Ａｕメッキ膜上に、さらにＡｕ無電解メッキ膜を形成し、十分な厚みのＡｕメッキ膜を最外層に形成してもよい。その場合には、導電性及び半田付け性を効果的に高めることができる。
【００５８】
本実施形態は、Ａｇ膜上に、半田喰われを防止するためにＮｉ無電解メッキ膜を第１のメッキ膜として形成したが、第１のメッキ膜の下面に形成される金属膜は必ずしも設けられずもともよい。また、上記Ａｇ膜の代わりに、Ａｕ膜などの他の材料からなる金属膜を形成していてもよい。
【００５９】
また、図１に示した電子部品１では、複数の電極３，４が形成されていたが、基板上に形成される電極は複数である必要は必ずしもない。すなわち、１つの電極のみが形成され、該電極において、第１のメッキ膜の比Ｓ／Ｌが０．２以下であれば、本発明に従って、十分な厚みの置換メッキ膜を第２のメッキ膜として形成することができる。
【００６０】
さらに、電子部品１のように、複数の電極３，４が形成されている場合、少なくとも２つの電極において、第１のメッキ膜Ｓ／Ｌが０．２以下であり、かつ同等とされていることが好ましい。その場合には、該２つの電極において、十分な厚みの置換メッキ膜を形成することができ、しかも該２つの電極において、置換メッキ膜の厚みをほぼ同等とすることができる。
【符号の説明】
【００６１】
１…電子部品
２…基板
３，４，６，７…電極
３ａ〜３ｄ…電極部分
３ｅ〜３ｈ…ブリッジ部
４ａ…電極欠落部
７…電極
１０…Ａｇ膜
１１…Ｎｉ無電解メッキ膜
１２…置換Ａｕメッキ膜
１３…Ａｕメッキ膜
【図１】
2012062554.tif 000004
【図２】
2012062554.tif 000005
【図３】
2012062554.tif 000006
【図４】
2012062554.tif 000007
【図５】
2012062554.tif 000008