(57)【要約】【課題】磁性体板が重ねて配置される可動部の反りを抑制することが可能なＭＥＭＳリレーを提供する。【解決手段】一表面側に固定接点１４が設けられたベース基板１と、ベース基板１に対向配置されたカバー基板３と、ベース基板１とカバー基板３との間に配置された可動部形成基板２とを備える。可動部形成基板２は、フレーム部２１、第１ばね部２２および可動部２３を有する。また、可動部形成基板２は、可動部２３における電磁石装置４側に配置され電磁石装置４とともに磁気回路を構成する磁性体板からなるアーマチュア２４と、アーマチュア２４の中央部との間に可動部２３を挟んで配置されたプレート２５とを有する。プレート２５は、可動部２３の貫通孔２３ａを通してアーマチュア２４に溶接されている。可動部形成基板２は、可動部２３に、アーマチュア２４とプレート２５との溶接に伴って発生する残留応力を緩和する応力緩和部５が形成されている。【選択図】図１
2012174516.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚み方向の一表面側に固定接点が設けられたベース基板と、前記ベース基板の前記一表面側に対向配置されたカバー基板と、前記ベース基板と前記カバー基板との一方に収納された電磁石装置と、前記ベース基板と前記カバー基板との間に配置された可動部形成基板とを備え、前記可動部形成基板は、前記ベース基板と前記カバー基板との間に介在するフレーム部と、前記フレーム部の内側に配置され前記フレーム部に第１ばね部を介して揺動自在に支持された可動部と、前記可動部における前記電磁石装置側に配置され前記電磁石装置とともに磁気回路を構成する磁性体板からなるアーマチュアと、前記アーマチュアの中央部との間に前記可動部を挟んで配置され前記可動部の厚み方向に貫通した貫通孔を通して前記アーマチュアに溶接されたプレートと、前記可動部に支持され前記アーマチュアの揺動に伴って前記固定接点に接離する可動接点が設けられた接点保持部とを有し、前記可動部に、前記アーマチュアと前記プレートとの溶接に伴って発生する残留応力を緩和する応力緩和部が形成されてなることを特徴とするＭＥＭＳリレー。
【請求項２】
前記応力緩和部は、少なくとも、前記可動部の前記厚み方向に貫設された複数の穴により構成されてなることを特徴とする請求項１記載のＭＥＭＳリレー。
【請求項３】
前記応力緩和部は、少なくとも、前記可動部の厚み方向に貫通し側方が開放された複数のスリットにより構成されてなることを特徴とする請求項１記載のＭＥＭＳリレー。
【請求項４】
前記応力緩和部は、少なくとも、前記可動部の厚み方向の両面の少なくとも一面側に形成された複数の凹部により構成されてなることを特徴とする請求項１記載のＭＥＭＳリレー。
【請求項５】
前記応力緩和部は、少なくとも、前記可動部においてコルゲート板状に形成された部分からなることを特徴とする請求項１記載のＭＥＭＳリレー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ（micro electro mechanical systems）リレーに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、電磁石装置を備えた電磁式のマイクロリレーが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１には、長手方向の両端部の各々に一対の固定接点が設けられたボディと、各一対の固定接点ごとに接離可能な２つの可動接点が設けられたアーマチュアブロックと、カバーとを備えたマイクロリレーが開示されている。
【０００４】
ここで、ボディは、電磁石装置を収納する収納部が形成されている。また、アーマチュアブロック２０２は、図１５〜図１７に示すように、矩形枠状のフレーム部２２１と、フレーム部２２１の内側に配置されて４つの弾性部２２２を介して揺動自在に支持されたアーマチュア部２２３とを有している。ここにおいて、アーマチュアブロック２０２は、アーマチュア部２２３に可動接点２２７が設けられている。また、アーマチュア部２２３は、一面側に磁性体２２４が配置された磁性体保持部２２３ａと、磁性体保持部２２３ａの短手方向の両端の中央部から短手方向へ延設された延設部２２３ｂとを有している。また、アーマチュア部２２３は、各延設部２２３ｂにおけるボディ側の一面に、突起２２３ｃが突設されている。また、カバーは、周部がフレーム部２２１に固着されている。
【０００５】
ところで、アーマチュアブロック２０２は、シリコン基板をエッチングして形成されている。そして、アーマチュアブロック２０２は、磁性体保持部２２３ａの上記一面側に配置された磁性体２２４と磁性体保持部２２３ａの他面側に配置された接合補助部材２２５とを結合することで、磁性体２２４が磁性体保持部２２３ａに保持されている。ここにおいて、特許文献１には、磁性体２２４と接合補助部材２２５とを互いに結合させる方法として、接合補助部材２２５の一部を熱によって溶融させ結合穴２２９を通じて磁性体２２４に溶着させる方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−２１６５４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述のマイクロリレーでは、接合補助部材２２５と磁性体板２２４との溶着に伴う残留応力に起因して磁性体保持部２２３ａに反りが生じる。このため、上述のマイクロリレーでは、可動接点２２７がボディに設けられている固定接点から離れているときの可動接点２２７と固定接点との距離や、可動接点２２７が固定接点に接触しているときの接触圧などが、ばらついて、動作特性や寿命がばらついてしまう懸念がある。
【０００８】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、磁性体板が重ねて配置される可動部の反りを抑制することが可能なＭＥＭＳリレーを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のＭＥＭＳリレーは、厚み方向の一表面側に固定接点が設けられたベース基板と、前記ベース基板の前記一表面側に対向配置されたカバー基板と、前記ベース基板と前記カバー基板との一方に収納された電磁石装置と、前記ベース基板と前記カバー基板との間に配置された可動部形成基板とを備え、前記可動部形成基板は、前記ベース基板と前記カバー基板との間に介在するフレーム部と、前記フレーム部の内側に配置され前記フレーム部に第１ばね部を介して揺動自在に支持された可動部と、前記可動部における前記電磁石装置側に配置され前記電磁石装置とともに磁気回路を構成する磁性体板からなるアーマチュアと、前記アーマチュアの中央部との間に前記可動部を挟んで配置され前記可動部の厚み方向に貫通した貫通孔を通して前記アーマチュアに溶接されたプレートと、前記可動部に支持され前記アーマチュアの揺動に伴って前記固定接点に接離する可動接点が設けられた接点保持部とを有し、前記可動部に、前記アーマチュアと前記プレートとの溶接に伴って発生する残留応力を緩和する応力緩和部が形成されてなることを特徴とする。
【００１０】
このＭＥＭＳリレーにおいて、前記応力緩和部は、少なくとも、前記可動部の前記厚み方向に貫設された複数の穴により構成されてなることが好ましい。
【００１１】
このＭＥＭＳリレーにおいて、前記応力緩和部は、少なくとも、前記可動部の厚み方向に貫通し側方が開放された複数のスリットにより構成されてなることが好ましい。
【００１２】
このＭＥＭＳリレーにおいて、前記応力緩和部は、少なくとも、前記可動部の厚み方向の両面の少なくとも一面側に形成された複数の凹部により構成されてなることが好ましい。
【００１３】
このＭＥＭＳリレーにおいて、前記応力緩和部は、少なくとも、前記可動部においてコルゲート板状に形成された部分により構成されてなることが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のＭＥＭＳリレーにおいては、磁性体板が重ねて配置される可動部の反りを抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施形態１のＭＥＭＳリレーを示す概略分解斜視図である。
【図２】同上のＭＥＭＳリレーにおける可動部形成基板の概略分解斜視図である。
【図３】同上のＭＥＭＳリレーにおける可動部形成基板の概略斜視図である。
【図４】同上のＭＥＭＳリレーにおける可動部形成基板を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は要部概略断面図である。
【図５】同上のＭＥＭＳリレーを示し、ベース基板側から見た概略斜視図である。
【図６】実施形態２のＭＥＭＳリレーにおける可動部形成基板の概略平面図である。
【図７】実施形態３のＭＥＭＳリレーにおける可動部形成基板の要部概略断面図である。
【図８】実施形態４のＭＥＭＳリレーにおける可動部形成基板の要部概略断面図である。
【図９】実施形態５のＭＥＭＳリレーにおける可動部形成基板の要部概略断面図である。
【図１０】実施形態５のＭＥＭＳリレーにおける可動部形成基板の形成方法を説明するための主要工程断面図である。
【図１１】実施形態６のＭＥＭＳリレーの概略分解斜視図である。
【図１２】実施形態６のＭＥＭＳリレーを示し、（ａ），（ｂ）はそれぞれ異なる位置で一部破断した概略斜視図である。
【図１３】実施形態６のＭＥＭＳリレーを示し、カバー基板側から見た概略斜視図である。
【図１４】実施形態６のＭＥＭＳリレーにおける可動部形成基板を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は概略下面図である。
【図１５】従来例のマイクロリレーにおけるアーマチュアブロックの概略平面図である。
【図１６】従来例のマイクロリレーにおけるアーマチュアブロックの概略断面図である。
【図１７】従来例のマイクロリレーにおけるアーマチュアブロックの概略分解斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
（実施形態１）
以下、本実施形態のＭＥＭＳリレーについて図１〜図５を参照しながら説明する。
【００１７】
ＭＥＭＳリレーは、ベース基板１と、ベース基板１の一表面側に対向配置されたカバー基板３と、ベース基板１に形成された収納部１６に収納された電磁石装置４と、ベース基板１とカバー基板３との間に配置された可動部形成基板２とを備えている。このＭＥＭＳリレーは、可動部形成基板２に設けられた磁性体板からなるアーマチュア２４を電磁石装置４によって動かすことにより、ベース基板１の上記一表面側に設けられた固定接点１４と可動部形成基板２に設けられた可動接点２７とが接離する電磁駆動式のリレーである。なお、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、ベース基板１およびカバー基板３の外形サイズを、可動部形成基板２の外形サイズと同じ外形サイズに設定してある。
【００１８】
以下、ＭＥＭＳリレーの各構成要素について詳細に説明する。
【００１９】
ベース基板１は、絶縁性基板の一種であるガラス基板からなる第１の基板１０を用いて形成されている。第１の基板１０は、ガラス基板に限らず、例えば、高抵抗率のシリコン基板や、低温同時焼成セラミック基板（Low Temperature Co-fired Ceramic Substrate：ＬＴＣＣ基板）を用いてもよい。第１の基板１０として用いるガラス基板のガラス材料としては、硼珪酸ガラスを採用しているが、これに限らず、ソーダガラス、無アルカリガラス、石英ガラスなどを採用してもよい。硼珪酸ガラスとしては、例えば、パイレックス（登録商標）やテンパックス（登録商標）を採用することができる。また、高抵抗率のシリコン基板としては、例えば、ＭＥＭＳリレーを高周波信号の伝送用に用いる場合、抵抗率がより高い方が好ましく、例えば、伝送対象の高周波信号の周波数が６ＧＨｚであれば、抵抗率が１００Ωｃｍ以上であることが好ましく、１０００Ωｃｍ以上であることがより好ましい。また、伝送対象の高周波信号の周波数が高いほど、抵抗率が高い方が好ましい。
【００２０】
上述のベース基板１は、矩形板状に形成されており、上記一表面側において第１の基板１０の長手方向の両端部それぞれに一対の信号線１３，１３が形成されている。ここで、各一対の信号線１３，１３は、ベース基板１の上記一表面側において第１の基板１０の短手方向に沿って配置されている。また、ベース基板１は、各信号線１３それぞれの一端部に、上述の固定接点１４が設けられ、各信号線１３それぞれの他端部が、第１の基板１０の厚み方向に貫設された貫通孔配線１５と電気的に接続されている。
【００２１】
また、信号線１３は、金属層（例えば、Ａｕ層）により構成されている。信号線１３の材料としては、Ａｕを採用しているが、Ａｕに限らず、例えば、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓの群から選択される１種あるいはこれらの合金を採用してもよい。
【００２２】
固定接点１４の材料としては、例えば、Ａｕなどの導電性が良好な金属材料を採用することが好ましい。また、固定接点１４は、例えば、スパッタ法、電気めっき法、真空蒸着法などを利用して形成すればよい。なお、固定接点１４は、単層構造に限らず、多層構造でもよい。また、固定接点１４の材料は、Ａｕに限らず、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕや、これらの合金などを採用してもよい。
【００２３】
また、ベース基板１において上述の貫通孔配線１５が内側に設けられた貫通孔１２（図５参照）は、ベース基板１の上記一表面から上記他表面に近づくにつれて開口面積が徐々に大きくなるテーパ形状に形成されている。ここで、貫通孔配線１５は、貫通孔１２の内面に沿って形成されベース基板１の上記一表面側において貫通孔１２を閉塞している。
【００２４】
また、ベース基板１は、上述のように電磁石装置４を収納する収納部１６が形成されている。ここで、ベース基板１は、第１の基板１０の中央部に、厚み方向に貫通し電磁石装置４が挿入される開口部１７が形成されている。また、ベース基板１は、第１の基板１０における可動部形成基板２側の一表面側に、開口部１７を閉塞する薄膜状の蓋体部１８が接合されている。要するに、ベース基板１は、開口部１７の内周面と蓋体部１８とで囲まれた空間が収納部１６を構成している。これにより、本実施形態のＭＥＭＳリレーは、ベース基板１と可動部形成基板２のフレーム部２１とカバー基板３とで囲まれた空間を、気密空間とすることが可能となっている。なお、蓋体部１８の材料としては、Ｓｉを採用している。蓋体部１８の厚さは、電磁石装置４からアーマチュア２４に作用させる吸引力などの観点から５μｍ〜５０μｍ程度が好ましく、蓋体部１８の機械的強度などの観点から２０μｍ〜３０μｍ程度がより好ましい。
【００２５】
上述の開口部１７は、第１の基板１０の上記一表面から他表面に近づくにつれて開口面積が徐々に大きくなるテーパ形状となっている。しかして、ベース基板１は、可動部形成基板２側とは反対側から電磁石装置４を挿入し易く、且つ、第１の基板１０の上記一表面における開口部１７の開口面積を比較的小さくすることができる。なお、上述の開口部１７および貫通孔１２は、例えば、サンドブラスト法やエッチング法などによって形成すればよい。
【００２６】
電磁石装置４は、Ｕ字状のヨーク４０と、ヨーク４０に巻回された２つのコイル４２，４２とを備えている。ヨーク４０は、両コイル４２，４２が直接巻回される細長の矩形板状のコイル巻回部４０ａと、コイル巻回部４０ａの長手方向の両端部それぞれからコイル巻回部４０ａの厚み方向に延設された側片４０ｂ，４０ｂとを有している。そして、ヨーク４０は、コイル４２，４２への励磁電流に応じて一対の側片４０ｂ，４０ｂの互いの先端面が異極に励磁される。なお、ヨーク４０は、電磁軟鉄などの鉄板を曲げ加工、鋳造加工、プレス加工などにより加工することによって形成されており、両側片４０ｂ，４０ｂの断面が矩形状となっている。
【００２７】
また、電磁石装置４は、ヨーク４０の両側片４０ｂ，４０ｂの間でコイル巻回部４０ａの長手方向の中央部に重ねて配置された矩形板状の永久磁石４１を備えている。しかして、電磁石装置４は、永久磁石４１とヨーク４０の側片４０ｂ，４０ｂとによって、コイル巻回部４０ａの長手方向への各コイル４２，４２の移動が規制される。
【００２８】
上述の電磁石装置４は、２つのコイル４２，４２に励磁電流を通電したときに電磁力を発生するものであり、当該電磁力によって、矩形板状のアーマチュア２４の長手方向の両端部のうちの一方を吸引する吸引力、当該両端部のうちの他方を反発する反発力を発生させることができる。
【００２９】
永久磁石４１は、厚み方向の両面それぞれの磁極面が異極に着磁されており、一方の磁極面がヨーク４０のコイル巻回部４０ａに当接し、他方の磁極面がヨーク４０の両側片４０ｂ，４０ｂの先端面と同一平面上に位置するように厚み寸法を設定してある。ここにおいて、上述の電磁石装置４は、ヨーク４０の両側片４０ｂ，４０ｂの各先端面および永久磁石４１の上記他方の磁極面が蓋体部１８に当接する形で収納部１６に収納されている。しかして、電磁石装置４における永久磁石４１の上記他方の磁極面とヨーク４０の両側片４０ｂ，４０ｂの先端面とを同一平面上に位置させることができるので、電磁石装置４とアーマチュア６との間のギャップ長の精度を高めることが可能となる。
【００３０】
また、電磁石装置４は、細長の矩形板状に形成されたプリント基板４３を備えている。このプリント基板４３は、絶縁性基板４３ａの一表面における長手方向の両端部それぞれに導体パターン４３ｂ，４３ｂが形成されており、各導体パターン４３ｂ，４３ｂにおいて円形状に形成された部位が外部接続用電極４３ｂａ，４３ｂａを構成し、矩形状に形成された部位がコイル接続部４３ｂｂ，４３ｂｂを構成している。ここにおいて、コイル接続部４３ｂｂ，４３ｂｂには、コイル４２，４２の端末が接続される。コイル４２，４２は、外部接続用電極間に電源を接続してコイル４２，４２へ励磁電流を流したときにヨーク４０の両側片４０ｂ，４０ｂの先端面が互いに異なる磁極となるように接続されている。
【００３１】
可動部形成基板２は、シリコン基板からなる半導体基板２０を用いて形成されている。半導体基板２０は、シリコン基板に限らず、例えば、シリコン層／絶縁層（ＳｉＯ２層）／シリコン層の３層構造を有するＳＯＩ（Silicon  On  Insulator）基板や、シリコン層／絶縁層（ＳｉＯ２層）／シリコン層／絶縁層（ＳｉＯ２層）／シリコン層の５層構造（ダブルＳＯＩ構造）を有するダブルＳＯＩ基板などを用いてもよい。
【００３２】
可動部形成基板２は、ベース基板１とカバー基板３との間に介在するフレーム部２１と、フレーム部２１の内側に配置されフレーム部２１に４つの第１ばね部（支持ばね部）２２を介して揺動自在に支持された可動部２３とを有している。また、可動部形成基板２は、可動部２３における一面側（電磁石装置４側）に配置され電磁石装置４とともに磁気回路を構成する上述のアーマチュア２４と、アーマチュア２４の中央部との間に可動部２３を挟んで配置されたプレート２５とを有している。ここで、プレート２５は、可動部２３の厚み方向に貫通した貫通孔２９を通してアーマチュア２４に溶接されている。プレート２５をアーマチュア２４に溶接するにあたっては、可動部２３の上記一面側にアーマチュア２４を配置し他面側にプレート２５を配置した状態で、プレート２５において貫通孔２９に対応する部分にレーザ光を照射してプレート２５を局所的に溶融させてアーマチュア２４に溶接させるようにしている。要するに、プレート２５は、アーマチュア２４にレーザ溶接法により溶接されている。
【００３３】
アーマチュア２４を構成する磁性体板の材料としては、鉄−コバルト合金からなる磁性体材料を採用しているが、これに限らず、例えば、電磁軟鉄、電磁ステンレス、パーマロイなどの磁性体材料であればよい。
【００３４】
また、プレート２５の材料としては、フェライト系ステンレス鋼の一種であるＳＵＳ４３０を採用しているが、これに限らず、例えば、ＳＵＳ４３０以外のステンレス鋼や、金属、合金などを採用してもよい。
【００３５】
可動部形成基板２は、可動部２３の厚みがフレーム部２１の厚みよりも薄く、アーマチュア２４の厚み寸法を、可動部形成基板２とベース基板１とを固着した状態においてアーマチュア２４とベース基板１との間に適宜の空隙が形成されるように設定してある。また、プレート２５の厚み寸法は、可動部２３とカバー基板３との間に適宜の空隙が形成されるように設定されている。
【００３６】
なお、本実施形態では、フレーム部２１の厚さを２００μｍ、可動部２３の厚さを５０μｍ、アーマチュア２４の厚さを１００μｍ、プレート２５の厚さを１００μｍに設定してあるが、これらの数値は一例であり、特に限定するものではない。例えば、半導体基板２０としてシリコン基板を用いる場合、このシリコン基板の基礎となるシリコンウェハの厚さに応じて適宜変更してもよく、例えば、５０μｍ〜１０００μｍ程度の範囲で設定してもよく、半導体基板２０の厚さ寸法に基づいて、可動部２３の厚さ、アーマチュア２４の厚さ、およびプレート２５の厚さ、それぞれを適宜変更すればよい。
【００３７】
上述の可動部形成基板２は、フレーム部２１が、矩形枠状に形成され、可動部２３が、矩形板状に形成されている。また、アーマチュア２４は、可動部２３よりもやや小さな矩形板状に形成されている。また、プレート２５は、長手方向の寸法が可動部２３の短手方向の寸法よりもやや大きな細長の板状に形成されており、長手方向の両端部が先細り状の形状となっている。そして、プレート２５は、可動部２３の長手方向の中央部において、当該プレートの長手方向を可動部２３の短手方向に合わせて配置されている。なお、可動部形成基板２は、アーマチュア２４およびプレート２５以外の構成要素を、マイクロマシニング技術を利用して形成してある。つまり、可動部形成基板２は、フォトリソグラフィ技術、エッチング技術などの半導体プロセス技術を利用して形成してある。アーマチュア２４およびプレート２５については、打ち抜き加工などの機械加工技術を利用して形成してある。
【００３８】
第１ばね部２２は、可動部２３の短手方向の両側縁側の各々において可動部２３の長手方向に離間した２箇所に形成されている。各第１ばね部２２は、一端部が可動部２３に連結され他端部がフレーム部２１の内周面に連結されている。各第１ばね部２２は、平面形状において上記一端部と上記他端部との間の部位を同一面内で蛇行した形状に形成することにより長さ寸法を長くしてある。これにより、可動部形成基板２は、可動部２３が揺動する際に各第１ばね部２２の各々に発生する応力を各々で分散させることが可能となり、各第１ばね部２２が破損するのを抑制することが可能となる。
【００３９】
また、可動部形成基板２は、可動部２３の短手方向の両側縁それぞれの中央部から矩形状の第１突片２３ａが１つずつ延設されている。また、可動部形成基板２は、フレーム部２１の内周面において可動部２３の各第１突片２３ａの各々に対応する各部位から、矩形状の第２突片２１ａが１つずつ延設されている。すなわち、可動部形成基板２は、１対１で対応する第１突片２３ａと第２突片２１ａとの、互いの先端面同士が対向している。ここにおいて、可動部２３から延設された各第１突片２３ａの各々の先端面には、凸部２３ｂが形成されている。一方、フレーム部２１から延設された各第２突片２１ａの各々の先端面には、凸部２３ｂが入り込む凹部２１ｂが形成されている。したがって、可動部形成基板２は、凸部２３ｂが凹部２１ｂの内周面に当接することにより、フレーム部２１の厚み方向に直交する面内における可動部２３の移動が規制される。可動部２３の同一の側縁側にある２つの第１ばね部２２は、同一の側縁から延設されている第１突片２３ａの両側に位置している。
【００４０】
可動部形成基板２は、可動部２３の各第１突片２３ａにおけるベース基板１との対向面に、支点突起２３ｃ（図２参照）が突設されている。この支点突起２３ｃは、可動部２３が当該可動部２３に一体化されているアーマチュア２４とともに揺動（回動）する際の支点として機能する。要するに、可動部形成基板２は、可動部２３の短手方向において離間して配置された２つの支点突起２３ｃがベース基板１の上記一表面に当接しており、一対の支点突起２３ｃ，２３ｃを結ぶ直線を回動軸として回動可能となっている。
【００４１】
また、可動部形成基板２は、可動部２３の４隅から当該可動部２３の短手方向の両側に向かって矩形状の第３突片２３ｄが延設され、各第３突片２３ｄにおけるベース基板１との対向面には、可動部２３の揺動範囲を規制するストッパ部２３ｅ（図２参照）が形成されている。これらのストッパ部２３ｅは、ベース基板１の上記一表面と接触することにより、可動部２３の変位量を制限する。これにより、ＭＥＭＳリレーは、アーマチュア２４と蓋体部１８とが接触することを回避することが可能となり、アーマチュア２４や蓋体部１８が破損するのを防止することが可能となる。
【００４２】
また、可動部形成基板２は、可動部２３の長手方向の両側に接点保持部２８，２８が配置されている。各接点保持部２８は、一対の第２ばね部（接圧ばね部）２６，２６を介して可動部２３に支持されている。各接点保持部２８には、ベース基板１の厚み方向において対向する一対の固定接点１４，１４に接離する可動接点２７（図２参照）が設けられている。可動接点２７は、固定接点１４と同様に、Ａｕなどの導電性が良好な金属材料からなる金属膜により構成されている。なお、可動接点２７は、スパッタ法や、電気めっき法、真空蒸着法などを利用して形成すればよい。可動接点２７は、単層構造に限らず、多層構造でもよく、例えば、Ｔｉ膜とＡｕ膜との積層膜でもよい。また、可動接点２７の材料は、Ａｕに限らず、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕや、これらの合金などを採用してもよい。
【００４３】
各接点保持部２８の厚さ寸法は、フレーム部２１の厚さ寸法よりも小さく且つ可動部２３の厚さ寸法よりも小さな値に設定してある。また、接点保持部２８の厚み方向において重なる接点保持部２８と可動接点２７とを合わせた厚さ寸法も、このような条件を満たす値に設定してある。各接点保持部２８は、平面視形状が細長の矩形状であり、短手方向が可動部２３の長手方向に一致するように配置されている。
【００４４】
各第２ばね部２６は、一端部が可動部２３の長手方向に沿った側縁に連結され、他端部が接点保持部２８の短手方向に沿った側縁に連結されており、上記一端部と上記他端部との間の中間部の一部を、可動部２３の厚み方向に直交する面内で蛇行した形状としてある。また、各第２ばね部２６の長さは、同じとしてある。しかして、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、各第２ばね部２６の長さを適当な長さとして各第２ばね部２６のばね力を適宜設定することにより、各可動接点２７と対応する一対の固定接点１４，１４との接点圧を所望の大きさに設定することが可能となり、各可動接点２７と対応する一対の固定接点１４，１４との接触信頼性を向上させることが可能となる。
【００４５】
可動部形成基板２は、フレーム部２１が、ベース基板１およびカバー基板３と接合されている。これにより、可動部形成基板２は、各可動接点２７が、対応する一対の固定接点１４，１４に対向し当該一対の固定接点１４，１４間を短絡する位置と開放する位置との間で変位可能となっている。ここで、説明を簡単にするために、図１において右側に位置している一対の固定接点１４，１４を一対の第１固定接点１４ａ，１４ａ、第１固定接点１４ａ，１４ａに対応する可動接点２７を第１可動接点２７ａ、図１において左側に位置している一対の固定接点１４，１４を一対の第２固定接点１４ｂ，１４ｂ、第２固定接点１４ｂ，１４ｂに対応する可動接点２７を第２可動接点２７ｂと称することもある。
【００４６】
可動部形成基板２は、アーマチュア２４の動作（揺動）に伴って、第１可動接点２７ａが一対の第１固定接点１４ａ，１４ａ間を短絡し且つ第２可動接点２７ｂが一対の第２固定接点１４ｂ，１４ｂ間を開放した第１状態と、第１可動接点２７ａが一対の第１固定接点１４ａ，１４ａ間を開放し且つ第２可動接点２７ｂが一対の第２固定接点１４ｂ，１４ｂ間を短絡した第２状態とが交互に現われる。
【００４７】
ここで、可動部形成基板２の基礎となる半導体基板２０として、上述のダブルＳＯＩ基板を用いれば、可動部２３とベース基板１との距離をベース基板１側のシリコン層の厚みによって規定することが可能となる。これにより、ＭＥＭＳリレーは、可動接点２７と対応する一対の固定接点１４，１４とが開放されている状態での可動接点２７と一対の固定接点１４，１４との間の距離（絶縁距離）を高精度に設定することが可能となり、また、アーマチュア２４と電磁石装置４との距離（磁気ギャップ長）を高精度に設定することが可能となる。
【００４８】
また、カバー基板３は、ガラス基板からなる第２の基板３０を用いて形成されているが、第２の基板３０は、第１の基板１０と同様に、ガラス基板に限らず、高抵抗率のシリコン基板や、ＬＴＣＣ基板を用いてもよい。
【００４９】
カバー基板３は、可動部形成基板２との対向面に可動部２３の揺動空間を確保する凹所（図示せず）が形成されている。
【００５０】
ここで、本実施形態のＭＥＭＳリレーの動作について説明する。
【００５１】
本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、コイル４２，４２への通電が行われると、磁化の向きに応じてアーマチュア２４の長手方向の一端部がヨーク４０の一方の側片４０ｂに吸引される。これにより、ＭＥＭＳリレーは、アーマチュア２４の上記一端部に近い可動接点２７が対応する一対の固定接点１４，１４に接触し、且つ、アーマチュア２４の他端部に近い可動接点２７が対応する一対の固定接点１４，１４から離れた状態となる。この状態では、コイル４２，４２への通電を停止しても、永久磁石４１の発生する磁束により、アーマチュア２４の上記一端部に対する吸引力が維持され、アーマチュア２４の上記一端部に近い可動接点２７と対応する一対の固定接点１４，１４とが接触した状態が保持される。
【００５２】
また、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、コイル４２，４２への通電方向を逆向きにすると、アーマチュア２４の長手方向の上記他端部がヨーク４０の他方の側片４０ｂに吸引され、アーマチュア２４の上記他端部に近い可動接点２７が対応する一対の固定接点１４，１４に接触し、且つ、アーマチュア２４の上記一端部に近い可動接点２７が対応する一対の固定接点１４，１４から離れた状態となる。この状態では、コイル４２，４２への通電を停止しても、永久磁石４１の発生する磁束により、アーマチュア２４の上記他端部に対する吸引力が維持され、アーマチュア２４の上記他端部に近い可動接点２７と対応する一対の固定接点１４，１４とが接触した状態が保持される。
【００５３】
なお、本実施形態のＭＥＭＳリレーは、アーマチュア２４を動かす電磁石装置４として、永久磁石４１を備えた有極型の電磁石装置を用いているので、ラッチング型のリレー（マイクロリレー）を構成している。ただし、ＭＥＭＳリレーは、電磁石装置４として永久磁石４１を備えていない無極型の電磁石装置を用いてもよい。
【００５４】
ところで、可動部形成基板２のフレーム部２１とベース基板１およびカバー基板３とは、それぞれ、陽極接合法により接合されている。
【００５５】
また、可動部２３には、上述の貫通孔２９が２つ形成されている。これら２つの貫通孔２９は、可動部２３の長手方向の中央部において可動部２３の短手方向に沿った中心線上で並んで形成されている。また、各貫通孔２９は、円形状の開口形状となっている。これに対して、プレート２５は、長手方向の寸法が、可動部２３の短手方向の寸法よりも大きな値に設定されている。また、プレート２５は、長手方向の中間部における短手方向の寸法が、貫通孔２９の内径よりも大きな値に設定されている。なお、各貫通孔２９の開口形状は特に限定するものではない。要するに、プレート２５の短手方向の寸法は、可動部２３の上記他面における貫通孔２９の最大寸法（可動部２３の長手方向における貫通孔２９の最大寸法）よりも大きな値であればよい。
【００５６】
そして、プレート２５は、可動部２３の各貫通孔２９を通してアーマチュア２４に溶接されている。要するに、プレート２５は、アーマチュア２４に２箇所が溶接されている。
【００５７】
また、可動部形成基板２は、可動部２３に、アーマチュア２４とプレート２５との溶接に伴って発生する残留応力を緩和する応力緩和部５が形成されている。ここにおいて、応力緩和部５は、可動部２３の厚み方向に貫設された複数（図示例では、８つ）の穴５１により構成してある。また、応力緩和部５の穴５１は、可動部２３の短手方向に沿った中心線に対して左右対称となるように、平面視においてプレート２５の幅方向の両側に同じ数（図示例では、４つ）ずつ形成されている。各穴５１は、円形状の開口形状となっているが、開口形状は特に限定するものではない。また、応力緩和部５における穴５１の数は、特に限定するものではないが、上記中心線に対して左右対称となるように偶数であることが好ましい。
【００５８】
以上説明した本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、可動部２３に応力緩和部５が形成されていることにより、可動部２３の厚さ寸法を従来に比べて大きくすることなく、プレート２５とアーマチュア２４との溶接に伴う残留応力に起因して可動部２３に反りが生じるのを抑制することが可能となる。要するに、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、磁性体板からなるアーマチュア２４が重ねて配置される可動部２３の反りを抑制することが可能となる。これにより、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、可動接点２７が対応する一対の固定接点１４，１４から離れている状態での絶縁距離（ギャップ長）や、可動接点２７が対応する一対の固定接点１４，１４に接触している状態での接触圧などが、ばらつくのを抑制することが可能となり、動作特性や寿命がばらつくのを抑制することが可能となる。
【００５９】
また、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、応力緩和部５が、可動部２３の厚み方向に貫設された複数の穴５１により構成されているので、製造時に、応力緩和部５を構成する各穴５１を、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などを利用して各貫通孔２９と同時に形成することができ、各貫通孔２９に対する応力緩和部５の相対的な位置の精度を高めることが可能となるとともに、応力緩和部５を形成するための工程を別途に追加する必要がなく、応力緩和部５を設けることによる製造コストの増加を防止することが可能となる。
【００６０】
（実施形態２）
本実施形態のＭＥＭＳリレーの基本構成は実施形態１と略同じであり、図６に示すように、可動部形成基板２における応力緩和部５の構成が相違するだけなので、可動部形成基板２以外の構成要素の図示および説明を省略する。なお、可動部形成基板２についても、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００６１】
本実施形態における可動部形成基板２は、応力緩和部５が、可動部２３の厚み方向に貫通し側方が開放された複数のスリット５２により構成されている。
【００６２】
応力緩和部５のスリット５２は、可動部２３の短手方向に沿った中心線に対して左右対称となるように、平面視においてプレート２５の幅方向の両側に同じ数（図示例では、４つ）ずつ形成されている。スリット５２は、直線状に形成されているが、スリット５２の形状は特に限定するものではない。また、応力緩和部５におけるスリット５２の数は、特に限定するものではないが、上記中心線に対して左右対称となるように偶数であることが好ましい。
【００６３】
以上説明した本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、実施形態１と同様、可動部２３に応力緩和部５が形成されていることにより、可動部２３の厚さ寸法を従来に比べて大きくすることなく、プレート２５とアーマチュア２４との溶接に伴う残留応力に起因して可動部２３に反りが生じるのを抑制することが可能となる。要するに、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、実施形態１と同様、磁性体板からなるアーマチュア２４が重ねて配置される可動部２３の反りを抑制することが可能となる。
【００６４】
また、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、応力緩和部５が、可動部２３の厚み方向に貫設された複数のスリット５２により構成されているので、製造時に、応力緩和部５を構成する各スリット５２を、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などを利用して各貫通孔２９と同時に形成することができ、各貫通孔２９に対する応力緩和部５の相対的な位置の精度を高めることが可能となるとともに、応力緩和部５を形成するための工程を別途に追加する必要がなく、応力緩和部５を設けることによる製造コストの増加を防止することが可能となる。
【００６５】
応力緩和部５は、少なくとも、複数のスリット５２により構成されていればよく、複数のスリット５２に加えて、実施形態１において説明した複数の穴５１（図１参照）を備えていてもよい。
【００６６】
（実施形態３）
本実施形態のＭＥＭＳリレーの基本構成は実施形態１と略同じであり、図７に示すように、可動部形成基板２における応力緩和部５の構成が相違するだけなので、可動部形成基板２以外の構成要素の図示および説明を省略する。なお、可動部形成基板２についても、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００６７】
本実施形態における可動部形成基板２は、応力緩和部５が、可動部２３の厚み方向の一面側（ここで、可動部２３においてプレート２５が配置されている面側）に形成された複数の凹部５３により構成されている。
【００６８】
応力緩和部５の凹部５３は、可動部２３の短手方向に沿った中心線に対して左右対称となるように、平面視においてプレート２５の幅方向の両側に同じ数（図示例では、１つ）ずつ形成されている。各凹部５３は、断面円弧状に形成されているが、各凹部５３の形状は特に限定するものではない。ただし、凹部５３の内面と凹部５３の周部とが滑らかに連続した形状で角部がないほうが好ましい。凹部５３は、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などを利用して形成することができる。また、応力緩和部５における凹部５３の数は、特に限定するものではないが、上記中心線に対して左右対称となるように偶数であることが好ましい。
【００６９】
以上説明した本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、実施形態１と同様、可動部２３に応力緩和部５が形成されていることにより、可動部２３の厚さ寸法を従来に比べて大きくすることなく、プレート２５とアーマチュア２４との溶接に伴う残留応力に起因して可動部２３に反りが生じるのを抑制することが可能となる。要するに、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、実施形態１と同様、磁性体板からなるアーマチュア２４が重ねて配置される可動部２３の反りを抑制することが可能となる。
【００７０】
応力緩和部５は、少なくとも、複数の凹部５３により構成されていればよく、複数の凹部５３に加えて、実施形態１において説明した複数の穴５１（図１参照）や実施形態２において説明した複数のスリット５２（図６参照）を備えていてもよい。
【００７１】
（実施形態４）
本実施形態のＭＥＭＳリレーの基本構成は実施形態１と略同じであり、図８に示すように、可動部形成基板２における応力緩和部５の構成が相違するだけなので、可動部形成基板２以外の構成要素の図示および説明を省略する。なお、可動部形成基板２についても、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００７２】
本実施形態における可動部形成基板２は、応力緩和部５が、可動部２３の厚み方向の両面に形成された複数の凹部５３により構成されている。
【００７３】
応力緩和部５の凹部５３は、可動部２３の短手方向に沿った中心線に対して左右対称となるように、可動部２３の厚み方向の両面の各々において、プレート２５の幅方向の両側に同じ数（図示例では、２つ）ずつ形成されている。各凹部５３は、断面円弧状に形成されているが、各凹部５３の形状は特に限定するものではない。ただし、凹部５３の内面と凹部５３の周部とが滑らかに連続した形状で角部がないほうが好ましい。凹部５３は、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などを利用して形成することができる。また、応力緩和部５における凹部５３の数は、特に限定するものではないが、上記中心線に対して左右対称となるように偶数であることが好ましい。
【００７４】
以上説明した本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、実施形態１と同様、可動部２３に応力緩和部５が形成されていることにより、可動部２３の厚さ寸法を従来に比べて大きくすることなく、プレート２５とアーマチュア２４との溶接に伴う残留応力に起因して可動部２３に反りが生じるのを抑制することが可能となる。要するに、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、実施形態１と同様、磁性体板からなるアーマチュア２４が重ねて配置される可動部２３の反りを抑制することが可能となる。
【００７５】
応力緩和部５は、少なくとも、複数の凹部５３により構成されていればよく、複数の凹部５３に加えて、実施形態１において説明した複数の穴５１（図１参照）や実施形態２において説明した複数のスリット５２（図６参照）を備えていてもよい。
【００７６】
（実施形態５）
本実施形態のＭＥＭＳリレーの基本構成は実施形態１と略同じであり、図９に示すように、可動部形成基板２における応力緩和部５の構成が相違するだけなので、可動部形成基板２以外の構成要素の図示および説明を省略する。なお、可動部形成基板２についても、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を省略する。
【００７７】
本実施形態における可動部形成基板２は、応力緩和部５が、可動部２３においてコルゲート板状に形成された部分（以下、コルゲート板状部と称する）５４により構成されている点などが相違する。このコルゲート板状部５４では、アーマチュア２４側、プレート２５側、それぞれの面が波状面に形成されており、アーマチュア２４の厚み方向においてアーマチュア２４側の波状面の山部とプレート２５側の波状面の谷部とが対応し、アーマチュア２４側の波状面の谷部とプレート２５側の波状面の山部とが対応している。要するに、コルゲート板状部５４では、厚みが略一定となっている。
【００７８】
応力緩和部５のコルゲート板状部５４は、可動部２３の短手方向に沿った中心線に対して左右対称となるように形成されている。
【００７９】
コルゲート板状部５４は、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などを利用して形成することができる。以下、コルゲート板状部５４の形成方法について図１０を参照しながら簡単に説明する。
【００８０】
まず、図１０（ａ）に示すように、可動部２３の厚み方向の一面側に、上述の波状面の谷部に対応する部分が開口された第１レジスト層１５１を形成する。また、可動部２３の他面側の全面を第２レジスト層１５２で覆う。なお、第１レジスト層１５１と第２レジスト層１５２とはどちらを先に形成してもよい。
【００８１】
上述の第１レジスト層１５１および第２レジスト層１５２を形成した後、可動部２３の上記一面側から可動部２３の露出部位を所定のエッチング液（可動部２３の材料がＳｉであれば、フッ酸など）によりエッチングすることで凹溝２３ｆを形成することによって、図１０（ｂ）に示す構造を得る。
【００８２】
その後、第１レジスト層１５１および第２レジスト層１５２を除去する。その後、図１０（ｃ）に示すように、また、可動部２３の上記一面側の全面を第３レジスト層１５３で覆う。また、可動部２３の厚み方向の上記他面側に、上述の波状面の谷部に対応する部分が開口された第４レジスト層１５４を形成する。なお、第３レジスト層１５３と第４レジスト層１５４とはどちらを先に形成してもよい。
【００８３】
上述の第３レジスト層１５３および第４レジスト層１５４を形成した後、可動部２３の上記他面側から可動部２３の露出部位を所定のエッチング液（可動部２３の材料がＳｉであれば、フッ酸など）によりエッチングすることで凹溝２３ｇ。その後、第３レジスト層１５３および第４レジスト層１５４を除去することによって、図１０（ｄ）に示す構造を得る。
【００８４】
その後、可動部２３の両面の角部をスムージングして滑らかな波状面とするエッチングを行うことによって、図１０（ｅ）に示すコルゲート板状部５４を形成する。このエッチングにより、角部に起因した応力集中による破損や特性ばらつきを抑制することが可能となる。
【００８５】
なお、図１０において説明した可動部２３は、フレーム部２１から分離されていない状態であり、コルゲート板状部５４の形成後にフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術などを利用して、各第１ばね部２２との連結部位を除いてフレーム部２１から分離される。
【００８６】
以上説明した本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、実施形態１と同様、可動部２３に応力緩和部５が形成されていることにより、可動部２３の厚さ寸法を従来に比べて大きくすることなく、プレート２５とアーマチュア２４との溶接に伴う残留応力に起因して可動部２３に反りが生じるのを抑制することが可能となる。要するに、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、実施形態１と同様、磁性体板からなるアーマチュア２４が重ねて配置される可動部２３の反りを抑制することが可能となる。
【００８７】
応力緩和部５は、少なくとも、コルゲート板状に形成されている部分により構成されていればよく、実施形態１において説明した複数の穴５１（図１参照）、実施形態２において説明した複数のスリット５２（図６参照）、実施形態３，４において説明した凹部５３などを備えていてもよい。
【００８８】
（実施形態６）
以下、本実施形態のＭＥＭＳリレーについて図１１〜図１４に基づいて説明する。
【００８９】
本実施形態のＭＥＭＳリレーの基本構成は実施形態１と略同じであるが、ベース基板１ではなく、カバー基板３に、電磁石装置４を収納する収納部３６が形成されている点、可動部形成基板２の可動部２３におけるカバー基板３側にアーマチュア２４が配置されている点などが相違する。なお、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。
【００９０】
ベース基板１は、実施形態１と同様に、矩形板状に形成されており、一表面側において第１の基板１０の長手方向の両端部それぞれに一対の信号線１３，１３が形成されている。ここで、各一対の信号線１３，１３は、ベース基板１の上記一表面側において第１の基板１０の短手方向に沿って配置されている。また、ベース基板１は、各信号線１３それぞれの一端部に、上述の固定接点１４が設けられ、各信号線１３それぞれの他端部が、第１の基板１０の厚み方向に貫設された貫通孔配線１５と電気的に接続されている。なお、本実施形態のＭＥＭＳリレーは、ベース基板１と可動部形成基板２とカバー基板３とに亘って形成され信号線１３を囲む接地導体（図示せず）を備えている。なお、本実施形態では、信号線１３が当該信号線１３の長手方向の一端部で貫通孔配線１５と接続されているが、他端部に接続される貫通孔配線を形成してもよい。
【００９１】
カバー基板３は、中央部に、上述の電磁石装置４が収納する収納部３６が形成されている。ここで、カバー基板３は、第２の基板３０の中央部に、厚み方向に貫通し電磁石装置４が挿入される開口部３７が形成されている。また、カバー基板３は、第２の基板３０における可動部形成基板２側の一表面側に、開口部３７を閉塞する蓋体部３８が接合されている。要するに、カバー基板３は、開口部３７の内周面と蓋体部３８とで囲まれた空間が収納部３６を構成している。しかして、本実施形態のＭＥＭＳリレーは、ベース基板１と可動部形成基板２のフレーム部２１とカバー基板３とで囲まれた空間を、気密空間とすることが可能となる。なお、蓋体部３８の材料としては、Ｓｉを採用している。蓋体部３８の厚さは、電磁石装置４からアーマチュア２４に作用させる吸引力などの観点から５μｍ〜５０μｍ程度が好ましく、蓋体部１８の機械的強度などの観点から２０μｍ〜３０μｍ程度がより好ましい。
【００９２】
上述の開口部３７は、第２の基板３０の上記一表面から他表面に近づくにつれて開口面積が徐々に大きくなるテーパ形状となっている。しかして、カバー基板３は、可動部形成基板２側とは反対側から電磁石装置４を挿入し易く、且つ、第２の基板３０の上記一表面における開口部３７の開口面積を比較的小さくすることができる。なお、上述の開口部３７は、例えば、サンドブラスト法やエッチング法などによって形成すればよい。
【００９３】
電磁石装置４は、ヨーク４０の両側片４０ｂ，４０ｂの各先端面および永久磁石４１の上記他方の磁極面が蓋体部３８に当接する形で収納部３６に収納されている。しかして、電磁石装置４における永久磁石４１の上記他方の磁極面とヨーク４０の両側片４０ｂ，４０ｂの先端面とを同一平面上に位置させることができるので、電磁石装置４とアーマチュア２４との間のギャップ長の精度を高めることが可能となる。
【００９４】
また、電磁石装置４は、絶縁性樹脂からなる断面Ｕ字状の端子保持部４４の両側片４４ｂ，４４ｂの各々からコイル端子４５が突出した端子ブロック４６を備えている。電磁石装置は、平面視において、端子保持部４４の中央片４４ａがヨーク４０のコイル巻回部４０ａと直交するようにコイル巻回部４０ａにおける永久磁石４１側とは反対側に配設されている。ここにおいて、各コイル端子４５には、各コイル４２の端末が接続されており、一対のコイル端子４５，４５間に電圧を印加することで、両コイル４２，４２に電流が流れる。
【００９５】
また、カバー基板３は、可動部形成基板２側とは反対側の表面にコイル端子４５，４５の各々が電気的に接続される金属膜からなる配線パターン（導体パターン）３４，３４が形成されている。そして、電磁石装置４は、配線パターン３４，３４の各々の一端部に、コイル端子４５，４５が半田付けなどによって接合され電気的に接続されている。一方、配線パターン３４，３４の各々の他端部は、ベース基板１の上記他表面側に設けられた駆動用の外部接続電極１９，１９（図１２（ａ）参照）と電気的に接続されている。ここにおいて、各配線パターン３４，３４と駆動用の各外部接続電極１９，１９とは、カバー基板３、可動部形成基板２、ベース基板１それぞれに形成された通電用の貫通孔配線３１５，２１５，１１５を介して電気的に接続されている。なお、カバー基板３の貫通孔配線３１５と可動部形成基板２の貫通孔配線２１５とは、カバー基板３と可動部形成基板２との互いの対向面側に形成されている接続用金属層（図示せず）同士を接合することにより電気的に接続されている。同様に、可動部形成基板２の貫通孔配線２１５とベース基板１の貫通孔配線１１５とは、可動部形成基板２とベース基板１との互いの対向面側に形成されている接続用金属層（図示せず）同士を接合することにより電気的に接続されている。
【００９６】
なお、半導体基板２０の各接続用金属層同士は半導体基板２０に形成されている絶縁膜（図示せず）により電気的に絶縁されている。各接続用金属層は、上記絶縁膜上に形成されたＴｉ膜と当該Ｔｉ膜上に形成されたＡｕ膜との積層膜により構成されている。各接続用金属層は、Ａｕ膜と上記絶縁膜との間に密着性改善用の密着層としてＴｉ膜を介在させてあるが、密着層の材料はＴｉに限らず、例えば、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｚｒ、ＴｉＮ、ＴａＮなどでもよい。また、各接続用金属層は、Ａｕ膜の代わりに、例えば、Ａｌ膜やＣｕ膜を採用してもよい。また、Ｔｉ膜の膜厚は例えば１５ｎｍ〜５０ｎｍ程度の範囲、Ｔｉ膜上のＡｕ膜の膜厚は例えば２００〜５００ｎｍ程度の範囲で適宜設定すればよい。対応する接続用金属層同士を例えば常温接合法により接合する場合、Ａｕ膜の膜厚は、接合歩留まりの向上を図るうえで、２００ｎｍ〜５００ｎｍの範囲においては、より大きな値の方が好ましい。
【００９７】
ところで、可動部形成基板２は、上記一表面側におけるフレーム部２１の周部の全周に亘って、カバー基板３と接合するための接合用金属層２３８（図１１および図１４（ａ）参照）が形成され、上記他表面側におけるフレーム部２１の周部の全周に亘って、ベース基板１と接合するための接合用金属層２１８（図１４（ｂ）参照）が形成されている。これに対して、カバー基板３における可動部形成基板２との対向面側の周部の全周に亘って、接合用金属層２３８に接合される接合用金属層（図示せず）が形成され、ベース基板１における可動部形成基板２との対向面側の周部の全周に亘って、接合用金属層２１８に接合される接合用金属層１１８（図１１参照）が形成されている。接合用金属層１１８は、Ｔｉ膜と当該Ｔｉ膜上に形成されたＡｕ膜との積層膜により構成されている。接合用金属層１１８は、Ａｕ膜と第１の基板１０との間に密着性改善用の密着層としてＴｉ膜を介在させてあるが、密着層の材料はＴｉに限らず、例えば、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｚｒ、ＴｉＮ、ＴａＮなどでもよい。また、接合用金属層１１８は、Ａｕ膜の代わりに、Ａｌ膜やＣｕ膜を採用してもよい。また、Ｔｉ膜の膜厚は例えば１５ｎｍ〜５０ｎｍ程度の範囲、Ｔｉ膜上のＡｕ膜の膜厚は例えば２００ｎｍ〜５００ｎｍ程度の範囲で適宜設定すればよい。
【００９８】
また、各接合用金属層２１８，２３は、上記絶縁膜上に形成されたＴｉ膜と当該Ｔｉ膜上に形成されたＡｕ膜との積層膜により構成されている。各接合用金属層２１８，１１８は、Ａｕ膜と上記絶縁膜との間に密着性改善用の密着層としてＴｉ膜を介在させてあるが、密着層の材料はＴｉに限らず、例えば、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｚｒ、ＴｉＮ、ＴａＮなどでもよい。また、各接合用金属層２１８，２３８は、Ａｕ膜の代わりに、Ａｌ膜やＣｕ膜を採用してもよい。また、Ｔｉ膜の膜厚は例えば１５ｎｍ〜５０ｎｍ程度の範囲、Ｔｉ膜上のＡｕ膜の膜厚は例えば２００ｎｍ〜５００ｎｍ程度の範囲で適宜設定すればよい。
【００９９】
なお、可動部形成基板２とベース基板１およびカバー基板３との接合方法は、互いの接合表面を活性化してから互いの接合表面を重ね合わせて常温下で適宜の荷重を印加することにより直接接合する上述の常温接合法に限らず、例えば、互いの接合表面を活性化した後で５０〜３００℃程度の加熱を行いながら適宜の荷重を印加することにより接合する直接接合法を採用してもよい。また、実施形態１と同様に、陽極接合法を採用してもよい。
【０１００】
可動部形成基板２は、可動部２３の長手方向への可動部２３の移動を規制する４つの移動規制部２１ｃがフレーム部２１から内方へ突設されている。
【０１０１】
また、可動部形成基板２は、可動部２３の長手方向の両端部の各々から当該長手方向に沿って接点保持部２８が延設されており、各接点保持部２８におけるベース基板１側に、可動接点２７が設けられている。
【０１０２】
また、可動部形成基板２は、各第１突片２３ａにおけるカバー基板３との対向面に、突起２３ｃが突設されている。要するに、支点突起２３ｃは、第１突片２３ａとカバー基板３との間に介在しており、可動部２４は、支点突起２３ｃを介してカバー基板３に支持されることとなる。
【０１０３】
また、可動部形成基板２の第１ばね部２２は、実施形態１とは形状が相違するだけで、機能的には実施形態１と同様の機能を有するものである。本実施形態における第１ばね部２２も、可動部２３の短手方向の両側縁側の各々において可動部２３の長手方向に離間した２箇所に形成されている。各第１ばね部２２は、一端部が可動部２３に連結され他端部がフレーム部２１の内周面に連結されている。各第１ばね部２２は、平面形状において上記一端部と上記他端部との間の部位を同一面内で蛇行した形状に形成することにより長さ寸法を長くしてある。これにより、可動部形成基板２は、可動部２３が揺動する際に各第１ばね部２２の各々に発生する応力を各々で分散させることが可能となり、各第１ばね部２２が破損するのを抑制することが可能となる。
【０１０４】
また、可動部形成基板２には、実施形態１と同様の応力緩和部５が形成されている。すなわち、応力緩和部５は、可動部２３の厚み方向に貫設された複数（図示例では、８つ）の穴５１により構成してある。
【０１０５】
以上説明した本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、実施形態１と同様、可動部２３に応力緩和部５が形成されていることにより、可動部２３の厚さ寸法を従来に比べて大きくすることなく、プレート２５とアーマチュア２４との溶接に伴う残留応力に起因して可動部２３に反りが生じるのを抑制することが可能となる。要するに、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、実施形態１と同様、磁性体板からなるアーマチュア２４が重ねて配置される可動部２３の反りを抑制することが可能となる。
【０１０６】
また、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、カバー基板３に電磁石装置４を収納する収納部３６を形成してあるので、実施形態１〜５のようにベース基板１に電磁石装置４を収納する収納部１６を設ける場合に比べて、電磁石装置４と信号線１３，１３との距離を長くすることができるから、電磁石装置４が発生する磁束の影響で伝送損失が生じるのを抑制することが可能となる。また、本実施形態のＭＥＭＳリレーによれば、ベース基板１に電磁石装置４を収納する場合に比べて、ベース基板１の厚さ寸法を小さくすることが可能となり、貫通孔配線１５の長さを短くすることが可能となるから、高周波特性を向上させることが可能となる。
【０１０７】
本実施形態のＭＥＭＳリレーにおいては、応力緩和部５を実施形態１における応力緩和部５と同様の構成としてあるが、これに限らず、実施形態２〜５において説明したのと同様の応力緩和部５の構成としてもよい。
【０１０８】
ところで、実施形態１〜６では、２つの可動接点２７と、各可動接点２７の各々に対して対応する一対の固定接点１４，１４が設けられているが、対応する可動接点２７と固定接点１４との数は１対２に限らず、例えば、１対１でもよい。また、可動接点２７と対応する固定接点１４との組も２組に限らず、１組でもよい。
【符号の説明】
【０１０９】
１  ベース基板
２  可動部形成基板
３  カバー基板
４  電磁石装置
５  応力緩和部
１４  固定接点
２１  フレーム部
２２  第１ばね部
２３  可動部
２４  アーマチュア
２５  プレート
２７  可動接点
２８  接点保持部
５１  穴
５２  スリット
５３  凹部
５４  コルゲート板状に形成された部分（コルゲート板状部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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