(57)【要約】【課題】設計データ時点でのパターンチェックにより、その後のＯＰＣ処理、マスク作成およびフォトリソ工程での問題発生を事前に防止することができて、手戻りと修正時間が大幅に少なくて済み、工程全体の時間短縮を図る。【解決手段】設計配線データの入力後、パターン認識手段１１が、微細化により膜べりが問題となる特定部分を持つ所定パターンを抽出しかつ、サイズ判定手段１２が、抽出した所定配線パターンの特定部分のサイズ（寸法）が基準値（閾値；規定値Ａ）よりも小さい場合にこれを検出して、所定パターンの特定部分のサイズ（寸法）が基準値（閾値；規定値Ａ）になるように修正している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトマスクパターンを形成するフォトマスクパターン形成装置において、
該フォトマスクパターンの入力設計データから、微細化により膜べりが問題となる特定部分を含む所定パターンを抽出しかつ抽出した所定パターンの特定部分のサイズが規定値よりも小さいかどうかを判定するパターンチェック手段を有するフォトマスクパターン形成装置。
【請求項２】
前記パターンチェック手段は、前記入力設計データから前記所定パターンを抽出するパターン認識手段と、該抽出した所定パターンの特定部分のサイズが前記規定値よりも小さいかどうかを判定するサイズ判定手段とを有している請求項１に記載のフォトマスクパターン形成装置。
【請求項３】
前記サイズ判定手段が前記規定値よりも小さいと判定した前記所定パターンの特定部分のサイズを該規定値に操作入力により修正可能とする請求項２に記載のフォトマスクパターン形成装置。
【請求項４】
前記サイズ判定手段が前記規定値よりも小さいと判定した前記所定パターンの特定部分のサイズを該規定値に自動修正するサイズ修正手段を更に有する請求項２に記載のフォトマスクパターン形成装置。
【請求項５】
前記パターンチェック手段がパターンチェックを行う入力設計データの領域を入力領域指示により指定可能とするパターンチェック領域指定手段を更に有する請求項２〜４のいずれかに記載のフォトマスクパターン形成装置。
【請求項６】
前記微細化により膜べりが問題となる特定部分を含む所定パターンは、Ｈ字、Ｕ字、ｈ字、クランク形状および上下のずれたＨ字の少なくともいずれかである請求項１に記載のフォトマスクパターン形成装置。
【請求項７】
前記パターンチェック手段は、前記所定パターンの特定部分のブリッジ部の長さが規定値よりも短く、該所定パターンの特定部分の幅が規定値よりも細い場合に、ＯＰＣ処理およびフォトリソ工程後にレジスト膜べりを起こすパターンとして、修正を必要とする「ＮＧ部分」と判定する請求項１に記載のフォトマスクパターン形成装置。
【請求項８】
前記所定パターンの特定部分のサイズとして、レジストマスクが膜べりしないサイズを前記規定値としている請求項１に記載のフォトマスクパターン形成装置。
【請求項９】
フォトマスクパターンを形成するフォトマスクパターン形成方法において、
パターンチェック手段が、該フォトマスクパターンの入力設計データから、微細化により膜べりが問題となる特定部分を含む所定パターンを抽出しかつ抽出した所定パターンの特定部分のサイズが規定値よりも小さいかどうかを判定するパターンチェックステップを有するフォトマスクパターン形成方法。
【請求項１０】
前記パターンチェックステップは、パターン認識手段が、前記入力設計データから前記所定パターンを抽出するパターン認識ステップと、サイズ判定手段が、該抽出した所定パターンの特定部分のサイズが前記規定値よりも小さいかどうかを判定するサイズ判定ステップとを有している請求項９に記載のフォトマスクパターン形成方法。
【請求項１１】
前記サイズ判定ステップで前記規定値よりも小さいと判定した前記所定パターンの特定部分のサイズを該規定値に操作入力により修正可能とする請求項１０に記載のフォトマスクパターン形成方法。
【請求項１２】
前記サイズ判定ステップで、前記規定値よりも小さいと判定した前記所定パターンの特定部分のサイズを、サイズ修正手段が該規定値に自動修正するサイズ修正ステップを更に有する請求項１０に記載のフォトマスクパターン形成方法。
【請求項１３】
パターンチェック領域指定手段が、前記パターンチェックステップでパターンチェックを行う入力設計データの領域を入力領域指示により指定可能とするパターンチェック領域指定ステップを更に有する請求項１０〜１２のいずれかに記載のフォトマスクパターン形成方法。
【請求項１４】
前記微細化により膜べりが問題となる特定部分を含む所定パターンは、Ｈ字、Ｕ字、ｈ字、クランク形状および上下のずれたＨ字の少なくともいずれかである請求項９に記載のフォトマスクパターン形成方法。
【請求項１５】
前記パターンチェックステップは、前記パターンチェック手段が、前記所定パターンの特定部分のブリッジ部の長さが規定値よりも短く、該所定パターンの特定部分の幅が規定値よりも細い場合に、ＯＰＣ処理およびフォトリソ工程後にレジスト膜べりを起こすパターンとして、修正を必要とする「ＮＧ部分」と判定する請求項９に記載のフォトマスクパターン形成方法。
【請求項１６】
前記所定パターンの特定部分のサイズとして、レジストマスクが膜べりしないサイズを前記規定値としている請求項９に記載のフォトマスクパターン形成方法。
【請求項１７】
請求項９〜１６のいずれかに記載のフォトマスクパターン形成方法を用いて、該フォトマスクパターンデータをＯＰＣ処理し、ＯＰＣ処理したフォトマスクパターンデータに基づいてフォトマスクを作成するフォトマスクの製造方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載のフォトマスクの製造方法により作成されたフォトマスクを用いて、フォトリソ工程によりレジストマスクを作成し、該レジストマスクをマスクとしてエッチング工程を実施することにより半導体集積回路を製造する半導体集積回路の製造方法。
【請求項１９】
請求項９〜１６のいずれかに記載のフォトマスクパターン形成方法の各ステップをコンピュータに実行させるための処理手順が記述された制御プログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な可読記憶媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスクパターンデータを形成するためのフォトマスクパターン形成装置およびフォトマスクパターン形成方法、これらのフォトマスクパターン形成装置およびフォトマスクパターン形成方法を用いてフォトマスクを製造するフォトマスクの製造方法、このフォトマスクを使用して半導体集積回路を製造する半導体集積回路の製造方法、フォトマスクパターン形成方法の各工程をコンピュータに実行させるための処理手順が記述された制御プログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な可読記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路の高集積化および微細化が進むにつれて、大規模半導体集積回路の加工工程の一つであるフォトリソグラフィ工程において加工すべきレジストマスクのパターンサイズが小さくなって来ており、これに伴って、所定の補正ルールに基づく近接効果補正（ＯＰＣ；Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｐｒｏｘｉｍｔｙ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）処理などを行い、それまでのフォトマスク上のパターン＝ウエハ上に作成すべきレジストマスクのパターンの図式が成り立たなくなっている。
【０００３】
図２４は、従来の配線設計データ、フォトマスクおよびレジストマスクの形状についてＯＰＣ処理が有る場合とない場合を模式的に示す平面図および、レジストマスク形状のＯＰＣ処理が有る場合とない場合の断面図である。
【０００４】
図２４において、配線設計データの例えば「Ｈ」に基づいてマスクを作り、マスクを通した光によりフォトレジストを感光させて所定形状の「Ｈ」を形成している。所定形状のフォトレジストのＡＡ’線断面の側面壁は切り立った垂直形状をしている。一方、ピッチが５μｍ程度から１μｍ以下に微細化が進んで、加工すべきレジストマスクのパターンサイズが小さくなってＯＰＣ処理が施された場合には、本来垂直となるべきレジストマスクの側面壁があるテーパ状の傾きを持っている。
【０００５】
図２５は、図２４の従来のフォトリソグラフィ技術例で用いる処理フローを模式的に示す図である。
【０００６】
図２５に示すように、まず、ステップＳ１０１で配線設計データの例えば「Ｈ」を形成し、ステップＳ１０２でＯＰＣ処理を行い、ステップＳ１０３でレジストボトムのシュミレーションを行ってステップＳ１０４で特にＯＰＣ処理部分などマスクパターンのチャックを行って「ＮＧ」であればステップＳ１０１の配線設計データの作成時にフィードバックしてデータを修正し、「ＯＫ」であればステップＳ１０５でマスクパターンを完成させる。
【０００７】
次に、そのマスクパターンに基づいてステップＳ１０６でフォトマスクを作成する。ステップＳ１０７の作成したフォトマスクを実際に用いてステップＳ１０８でフォトリソ工程を行ってレジストマスクを作成する。
【０００８】
続いて、ステップＳ１０９でレジストマスクの膜べりをチェックして「ＮＧ」であればステップＳ１０１の配線設計データの作成時にフィードバックしてデータを修正し、「ＯＫ」であれば次のステップＳ１１０でそのレジストマスクを用いて実際にドライエッチングなどのエッチング工程を行う。
【０００９】
このように、フォトマスク上のパターンのパターンの検証として光強度計算を用いたフォトリソシミュレーション（ステップＳ１０３のレジストボトムのシュミレーション）を用いて、レジストマスクの最下部のウエハと接する部分のパターン及びサイズを予測し、次のステップＳ１０４のマスクパターンチェックにおいて、このレジストマスクの最下部のパターン及びサイズと、ウエハ上に本来作成すべきレジストマスクのパターン及びサイズとの比較を行い、フォトマスク上のパターン及びサイズの検証を行っている。これによって作成したフォトマスクに基づいて実際のフォトリソ工程を行ってレジストマスクを作成し、レジストマスクの実際の膜べりをチャックしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００５−１７５５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
現在の半導体集積回路の更なる高集積化および微細化によりレジストマスクの膜べりによる３次元的形状が問題となってきている。つまり、本来垂直となるべきレジストマスクの側面壁があるテーパ状の傾きを持つことになり、レジストマスクの形状が、最下部のウエハと接する部分と最上部とでは形状が著しく異なる場合がある。また、レジストマスクの高さがフォト・現像工程前に比べて著しく低くなるような場合がある。このような高さが低いレジストマスクを用いて、本来形状が欲しい被エッチング層に対してエッチング工程を行うと、エッチング工程中にレジストマスクの上面部がなくなっていき、所謂膜べりを起こし、所望のエッチング後のパターン形状をエッチング工程後に得ることができなくなる。
【００１２】
このような現象は従来技術にて行っているレジストマスクの最下部のウエハと接する部分のパターン及びそのサイズをシミュレーションでパターン形状を予測し、検証する手法では予測が不可能である。この場合、実際のエッチング工程でのみエッチング工程の加工の可否が判明するため、実際のエッチング工程で加工の可否をチェックした後に、加工に問題がある場合は設計データへの修正が行われているのが現状である。
【００１３】
このように、ステップＳ１０３およびＳ１０４のＯＰＣ処理後チェックや、Ｓ１０９のフォト後チェックで修正が必要となった場合に、工程の手戻りが大きく、その修正に時間がかかり、工程全体の処理スピードが問題となっている。
【００１４】
本発明は、上記従来の問題を解決するもので、設計データ時点でのパターンチェックにより、その後のＯＰＣ処理、マスク作成およびフォトリソ工程での問題発生を事前に防止することができて、手戻りと修正時間が大幅に少なくて済み、工程全体の時間短縮を図ることができるフォトマスクパターン形成装置およびフォトマスクパターン形成方法、これらのフォトマスクパターン形成装置およびフォトマスクパターン形成方法を用いてフォトマスクを製造するフォトマスクの製造方法、このフォトマスクを使用して半導体集積回路を製造するフォトマスクを使用する半導体集積回路の製造方法、方法の各工程をコンピュータに実行させるための処理手順が記述された制御プログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な可読記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明のフォトマスクパターン形成装置は、フォトマスクパターンを形成するフォトマスクパターン形成装置において、該フォトマスクパターンの入力設計データから、微細化により膜べりが問題となる特定部分を含む所定パターンを抽出しかつ抽出した所定パターンの特定部分のサイズが規定値よりも小さいかどうかを判定するパターンチェック手段を有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００１６】
また、好ましくは、本発明のフォトマスクパターン形成装置におけるパターンチェック手段は、前記入力設計データから前記所定パターンを抽出するパターン認識手段と、該抽出した所定パターンの特定部分のサイズが前記規定値よりも小さいかどうかを判定するサイズ判定手段とを有している。
【００１７】
さらに、好ましくは、本発明のフォトマスクパターン形成装置におけるサイズ判定手段が前記規定値よりも小さいと判定した前記所定パターンの特定部分のサイズを該規定値に操作入力により修正可能とする。
【００１８】
さらに、好ましくは、本発明のフォトマスクパターン形成装置におけるサイズ判定手段が前記規定値よりも小さいと判定した前記所定パターンの特定部分のサイズを該規定値に自動修正するサイズ修正手段を更に有する。
【００１９】
さらに、好ましくは、本発明のフォトマスクパターン形成装置におけるパターンチェック手段がパターンチェックを行う入力設計データの領域を入力領域指示により指定可能とするパターンチェック領域指定手段を更に有する。
【００２０】
さらに、好ましくは、本発明のフォトマスクパターン形成装置における微細化により膜べりが問題となる特定部分を含む所定パターンは、Ｈ字、Ｕ字、ｈ字、クランク形状および上下のずれたＨ字の少なくともいずれかである。
【００２１】
さらに、好ましくは、本発明のフォトマスクパターン形成装置におけるパターンチェック手段は、前記所定パターンの特定部分のブリッジ部の長さが規定値よりも短く、該所定パターンの特定部分の幅が規定値よりも細い場合に、ＯＰＣ処理およびフォトリソ工程後にレジスト膜べりを起こすパターンとして、修正を必要とする「ＮＧ部分」と判定する。
【００２２】
さらに、好ましくは、本発明のフォトマスクパターン形成装置における所定パターンの特定部分のサイズとして、レジストマスクが膜べりしないサイズを前記規定値としている。
【００２３】
本発明のフォトマスクパターン形成方法は、フォトマスクパターンを形成するフォトマスクパターン形成方法において、パターンチェック手段が、該フォトマスクパターンの入力設計データから、微細化により膜べりが問題となる特定部分を含む所定パターンを抽出しかつ抽出した所定パターンの特定部分のサイズが規定値よりも小さいかどうかを判定するパターンチェックステップを有するものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００２４】
また、好ましくは、本発明のフォトマスクパターン形成方法におけるパターンチェックステップは、パターン認識手段が、前記入力設計データから前記所定パターンを抽出するパターン認識ステップと、サイズ判定手段が、該抽出した所定パターンの特定部分のサイズが前記規定値よりも小さいかどうかを判定するサイズ判定ステップとを有している。
【００２５】
さらに、好ましくは、本発明のフォトマスクパターン形成方法におけるサイズ判定ステップで前記規定値よりも小さいと判定した前記所定パターンの特定部分のサイズを該規定値に操作入力により修正可能とする。
【００２６】
さらに、好ましくは、本発明のフォトマスクパターン形成方法におけるサイズ判定ステップで、前記規定値よりも小さいと判定した前記所定パターンの特定部分のサイズを、サイズ修正手段が該規定値に自動修正するサイズ修正ステップを更に有する。
【００２７】
さらに、好ましくは、本発明のフォトマスクパターン形成方法において、パターンチェック領域指定手段が、前記パターンチェックステップでパターンチェックを行う入力設計データの領域を入力領域指示により指定可能とするパターンチェック領域指定ステップを更に有する。
【００２８】
さらに、好ましくは、本発明のフォトマスクパターン形成方法において、前記微細化により膜べりが問題となる特定部分を含む所定パターンは、Ｈ字、Ｕ字、ｈ字、クランク形状および上下のずれたＨ字の少なくともいずれかである。
【００２９】
さらに、好ましくは、本発明のフォトマスクパターン形成方法におけるパターンチェックステップは、前記パターンチェック手段が、前記所定パターンの特定部分のブリッジ部の長さが規定値よりも短く、該所定パターンの特定部分の幅が規定値よりも細い場合に、ＯＰＣ処理およびフォトリソ工程後にレジスト膜べりを起こすパターンとして、修正を必要とする「ＮＧ部分」と判定する。
【００３０】
さらに、好ましくは、本発明のフォトマスクパターン形成方法における所定パターンの特定部分のサイズとして、レジストマスクが膜べりしないサイズを前記規定値としている。
【００３１】
本発明のフォトマスクの製造方法は、本発明の上記フォトマスクパターン形成方法を用いて、結果的にレジストマスクが膜べりしないフォトマスクパターンデータを得、該フォトマスクパターンデータをＯＰＣ処理し、ＯＰＣ処理したフォトマスクパターンデータに基づいてフォトマスクを作成するものであり、そのことにより上記目的が達成される。即ち、この本発明のフォトマスクの製造方法は、フォトマスクパターン形成方法を用いて、該フォトマスクパターンデータをＯＰＣ処理し、ＯＰＣ処理したフォトマスクパターンデータに基づいてフォトマスクを作成するものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００３２】
本発明の半導体集積回路の製造方法は、本発明の上記フォトマスクの製造方法により作成されたフォトマスクを用いて、フォトリソ工程によりレジストマスクを作成し、該レジストマスクをマスクとしてエッチング工程を実施することにより半導体集積回路を製造するものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００３３】
本発明の制御プログラムは、本発明の上記フォトマスクパターン形成方法の各ステップをコンピュータに実行させるための処理手順が記述されたものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００３４】
本発明の可読記憶媒体は、本発明の上記制御プログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能なものであり、そのことにより上記目的が達成される。即ち、本発明の可読記憶媒体は、本発明の上記フォトマスクパターン形成方法の各ステップをコンピュータに実行させるための処理手順が記述された制御プログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能なものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００３５】
上記構成により、以下、本発明の作用を説明する。
【００３６】
本発明においては、フォトマスクパターンを形成するフォトマスクパターン形成装置において、フォトマスクパターンの入力設計データから、微細化により膜べりが問題となる特定部分を含む所定パターンを抽出しかつ抽出した所定パターンの特定部分のサイズが規定値よりも小さいかどうかを判定するパターンチェック手段を有している。このパターンチェック手段による「パターンチェック」の検証後に問題（ＮＧ）があった場合に、工程の最初の設計データに対して、問題が無い状態へ設計データを変更する作業を手動または自動的に行う。
【００３７】
これによって、設計データ時点でのパターンチェックにより、その後のＯＰＣ処理、フォトマスク作成、フォトリソ工程およびエッチング工程での問題発生を事前に防止することができて、手戻りと修正時間が大幅に少なくて済み、工程全体の時間短縮を図ることが可能となる。
【発明の効果】
【００３８】
以上により、本発明によれば、設計データ時点でのパターンチェックにより、その後のＯＰＣ処理、フォトマスク作成、フォトリソ工程およびエッチング工程での問題発生を事前に防止することができて、手戻りと修正時間が大幅に少なくて済み、工程全体の時間短縮を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３９】
【図１】本発明の実施形態１におけるフォトマスクパターン形成装置の要部ハード構成例を示すブロック図である。
【図２】図１のパターン認識手段が抽出する設計データの所定パターン形状「Ｈ」を拡大して示す平面図である。
【図３】図１のパターン認識手段が抽出する設計データの所定パターン形状「Ｕ」を拡大して示す平面図である。
【図４】図１のパターン認識手段が抽出する設計データの所定パターン形状「ｈ」を拡大して示す平面図である。
【図５】図１のパターン認識手段が抽出する設計データの所定パターン形状「クランク」を拡大して示す平面図である。
【図６】図１のパターン認識手段が抽出する設計データの所定パターン形状「上下のずれたＨ」を拡大して示す平面図である。
【図７】図１のフォトマスク形成装置を用いたフォトマスクの製造方法およびこのフォトマスクを用いた半導体集積回路置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図８】図７の「パターンチェック」および「サイズが小さい特定部分の修正処理」の各ステップを用いたフォトマスク形成方法を説明するためのフローチャートである。
【図９】微細化により膜べりが問題となる特定部分を持つフォトマスクの所定パターン形状「Ｈ」を拡大して示す平面図である。
【図１０】微細化により膜べりが問題となる特定部分を持つフォトマスクの所定パターン形状「Ｕ」を拡大して示す平面図である。
【図１１】微細化により膜べりが問題となる特定部分を持つフォトマスクの所定パターン形状「ｈ」を拡大して示す平面図である。
【図１２】微細化により膜べりが問題となる特定部分を持つフォトマスクの所定パターン形状「クランク」を拡大して示す平面図である。
【図１３】微細化により膜べりが問題となる特定部分を持つフォトマスクの所定パターン形状「上下のずれたＨ」を拡大して示す平面図である。
【図１４】膜べりが起こらないフォトマスクの所定パターン形状のサイズを決定するサイズ決定手法を模式的に示したフローチャートである。
【図１５】本発明の実施形態２におけるフォトマスクパターン形成装置の要部ハード構成例を示すブロック図である。
【図１６】図２のＨ字のサイズ判定箇所の幅Ｗのサイズを自動修正する手法例１を模式的に示す配線パターンの平面図である。
【図１７】図２のＨ字のサイズ判定箇所の幅Ｗのサイズを自動修正する手法例２を模式的に示す配線パターンの平面図である。
【図１８】図１５のフォトマスクパターン形成装置を用いた半導体集積回路の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図１９】図１８の「パターンチェック」および「自動修正」の各ステップを用いたフォトマスク形成方法を説明するためのフローチャートである。
【図２０】本発明の実施形態３におけるフォトマスクパターン形成装置の要部ハード構成例を示すブロック図である。
【図２１】図２０のフォトマスクパターン形成装置において、設計データのチェック領域指定例を示す表示画面図である。
【図２２】図２０のフォトマスクパターン形成装置のパターンチェック領域指定手段によるチェック領域指定時のパターンチェック処理を示すフローチャートである。
【図２３】図２０のフォトマスクパターン形成装置の要部ハード構成の変形例を示すブロック図である。
【図２４】従来の配線設計データ、フォトマスクおよびレジストマスクの形状についてＯＰＣ処理が有る場合とない場合を模式的に示す平面図および、レジストマスク形状のＯＰＣ処理が有る場合とない場合の断面図である。
【図２５】図２４の従来のフォトリソグラフィ技術例で用いる処理フローを模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００４０】
以下に、本発明のフォトマスクパターン形成装置およびこれを用いたフォトマスクパターン形成方法、これらを用いたフォトマスクの製造方法、このフォトマスクの製造方法が用いられた半導体集積回路の製造方法の実施形態１〜３について図面を参照しながら詳細に説明する。
【００４１】
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１におけるフォトマスクパターン形成装置の要部ハード構成例を示すブロック図である。
【００４２】
図１において、本実施形態１のフォトマスクパターン形成装置１０は、全体の制御を行う制御手段としてのＣＰＵ１（中央演算処理装置）と、ＣＰＵ１に対して入力指令を行うためのキーボード、マウス、タッチパネルおよびペン入力装置、さらには通信ネットワーク（例えばインターネットやイントラネット）を介して受信入力する入力装置などの操作部２と、表示画面上に、初期画面、選択画面、ＣＰＵ１による制御結果画面および操作入力画面などを表示する表示部３と、制御プログラムおよびそのデータなどが記憶されたコンピュータ読み出し可能な可読記録媒体としてのＲＯＭ４と、起動時に制御プログラムおよびそのデータなどが読み出されて、ＣＰＵ１による制御毎にデータを読み出し・記憶するワークメモリとして働く記憶部としてのＲＡＭ５と、各種データおよび基準の規定値が記憶されているデータベース６とを有している。
【００４３】
ＣＰＵ１（制御手段）は、操作部２からの入力指令の他、ＲＯＭ４内からＲＡＭ５内に読み出された制御プログラムおよびこれに用いる各種データに基づいて、微細化により膜べりが問題となる所定のパターンを入力配線パターンから抽出するパターン認識手段１１と、抽出した所定のパターンの特定部分のサイズが基準値（閾値；規定値Ａ）よりも小さいかどうかを判定するサイズ判定手段１２とを有している。
【００４４】
パターン認識手段１１は、ＯＰＣ処理前の入力配線パターン中から、微細化により膜べりが問題となる所定のパターンとして、図２のＨ字、図３のＵ字、図４のｈ字、図５のクランクおよび、図６の上下のずれたＨ字パターンの各パターン形状かどうかをパターン判定し、所定のパターンと判定したパターンを入力配線パターンから抽出する。
【００４５】
サイズ判定手段１２は、微細化により膜べりが問題となる図２〜図６の所定のパターンにおいて、サイズ判定箇所の幅Ｗおよび間隔Ｌの各サイズを所定の閾値と比較して小さいかどうかを判定する。サイズ判定箇所の幅Ｗおよび間隔Ｌの各サイズを所定の閾値よりも小さい場合にＮＧ部分と判定する。このサイズ判定箇所とは、図２のＨ字では、Ｈ字の真中の横方向の繋がり部分の幅ＷおよびＨ字の縦ラインの間隔Ｌとし、図３のＵ字では、Ｕ字の横方向の繋がり部分の幅ＷおよびＵ字の縦ラインの間隔Ｌとし、図４のｈ字では、ｈ字の真中の横方向の繋がり部分の幅Ｗおよびｈ字の縦ラインの間隔Ｌとし、図５のクランクでは、クランクの真中の横方向の繋がり部分の幅Ｗおよびのクランクの縦ラインの間隔Ｌとし、さらに、図６の上下のずれたＨ字では、上下のずれたＨ字の真中の横方向の繋がり部分の幅Ｗおよび、上下のずれたＨ字の内側の縦ラインの間隔Ｌとしている。サイズ判定手段１２がＮＧ部分と判定した場合、そのＮＧ部分のサイズを適正サイズ（例えば規定値Ａ）に操作部２からの修正入力や、複数の値を表示画面上に表示させて操作部２から選択入力することにより修正することができる。
【００４６】
上記従来技術の問題判明から、配線などの設計データの修正までの後戻りの工程が多く無駄が多い。この後戻りの工程を少なくするためには、エッチング工程よりも以前にエッチング工程での問題をチェック検証する必要がある。ＯＰＣ処理前の設計データで、微細化により膜べりが問題となる特定部分を含む所定パターンとして、図２のＨ字、図３のＵ字、図４のｈ字、図５のクランク形状および、図６の上下のずれたＨ字の各パターン形状で特定部分のサイズ（規定値Ａ）以下のものがあった場合にこれを問題（ＮＧ）としてチェックする。この特定部分の規定値Ａは実際のフォトマスクを用いて膜べりの有無から予め決定しておき、この決定した特定部分の規定値Ａをデータベース６に格納しておく。これにつては詳細に後述する。
【００４７】
ＲＯＭ４は、ハードディスク、光ディスク、磁気ディスクおよびＩＣメモリなどの可読記録媒体（記憶手段）で構成されている。この制御プログラムおよびこれに用いる各種データは、携帯自在な光ディスク、磁気ディスクおよびＩＣメモリなどからＲＯＭ６にダウンロードされてもよいし、コンピュータのハードディスクからＲＯＭ４にダウンロードされてもよいし、無線または有線、インターネットなどを介してＲＯＭ４にダウンロードされてもよい。後述する図２のフォトマスク形成方法をコンピュータに実行させるための処理手順が記述された制御プログラムをコンピュータ読み取り可能な可読記憶媒体に格納して、コンピュータ（ＣＰＵ１）によりフォトマスク形成処理を行うものである。
【００４８】
データベース６は、設計データにおける所定パターンの特定部分における規定値Ａを格納する他に、ＣＰＵ１によるフォトマスク形成処理中の中間データなどの各種データを、その都度格納すると共に、必要に応じてこれらを参照可能としている。なお、データベース６はＲＡＭ５と一体で同じ記憶手段として構成されていてもよい。
【００４９】
上記構成により、以下その動作を説明する。
【００５０】
図７は、図１のフォトマスクパターン形成装置１０を用いたフォトマスクの製造方法およびこのフォトマスクを用いた半導体集積回路の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【００５１】
図７に示すように、まず、ステップＳ１で設計配線データを入力し、ステップＳ２で入力設計配線データから、微細化により膜べりが問題となる所定パターン（図２〜図６）を抽出しかつ抽出した所定のパターンの特定部分のサイズ（寸法）が基準値（閾値；規定値Ａ）よりも小さいかどうかを判定する「パターンチェック」を行って、この「パターンチェック」で、所定のパターンの特定部分のサイズが基準値（閾値；規定値Ａ）よりも小さい場合「ＮＧ」に、ステップＳ３で「ＮＧ」の所定パターンの特定部分のサイズをデータベース６内の規定値Ａに対応させて手入力で修正し、このパターンチェックで「ＯＫ」であれば、ステップＳ４で所定パターンの特定部分にＯＰＣ処理を行い、ステップＳ５でマスクパターンのマスクデータを完成させる。そのマスクデータに基づいてステップＳ６でフォトマスクを作成する。このステップＳ１〜ステップＳ６がフォトマスクの製造方法である。
【００５２】
次に、ステップＳ６で作成したステップＳ７のフォトマスクを用いて、半導体集積回路の製造方法として、ステップＳ８でフォトリソ工程を行ってレジストマスクを所定形状にパターニングする。さらに、ステップＳ９でそのフォトリソ工程によって所定形状に形成したレジストマスクをマスクとして用いてエッチング工程を行う。半導体基板の所定領域へのイオン注入工程、絶縁膜やゲート膜などの成膜工程および、ゲート膜などの膜を所定形状に形成するためのエッチング工程を含む膜形成工程を繰り返してトランジスタ回路などの半導体集積回路（ＬＳＩ）を製造することができる。
【００５３】
即ち、パターン認識手段１１およびサイズ判定手段１２を備えたフォトマスクパターン形成装置１０を用いて実行する図７の「パターンチェック」において、サイズ判定手段１２が、図２〜図６の「Ｌｅｎｇｔｈ」および「Ｗｉｄｔｈ」に当たる部分のサイズを求め、求めた「Ｌｅｎｇｔｈ」のサイズが規定されたサイズ以下であり、かつ「Ｗｉｄｔｈ」のサイズが規定されたサイズ（規定値Ａ）以下であるかどうかを判断する。このフォトマスクパターン形成装置１０を用いて実行する図７の「パターンチェック」は、コンピュータに上記入出力部および判断部（パターン認識手段１１およびサイズ判定手段１２）として機能する制御プログラムをＲＯＭ４にインストールすることができる。「パターンチェック」を行う判断部（パターン認識手段１１およびサイズ判定手段１２）を用いてパターンがチェックされてＮＧ部分が修正された配線パターンデータによりフォトマスクを作成することができる。このフォトマスクを用いて半導体装置およびこれを用いたＬＳＩを精度よくかつ素早く作成することができる。
【００５４】
図８は、図７のパターンチェックおよびサイズが小さい特定部分の修正処理の各ステップを用いたフォトマスクパターン形成方法を説明するためのフローチャートである。
【００５５】
図８に示すように、まず、ステップＳ１で設計配線データを入力し、次に、入力設計配線データに対して、ステップＳ２１でパターン認識手段１１が所定パターンに該当するかどうかを判定する。この場合の所定パターンとは、微細化により膜べりが問題となる特定部分を持つパターンであって、例えば図２のＨ字、図３のＵ字、図４のｈ字、図５のクランクおよび、図６の上下のずれたＨ字パターンなどの各パターン形状である。これらの所定パターンを、入力設計配線データに対してパターンマッチングを行うことにより、入力設計配線データから抽出する。
【００５６】
続いて、ステップＳ２２で、パターン認識手段１１により抽出され、微細化により膜べりが問題となる特定部分を持つ図２〜図６の所定配線パターンにおいて、サイズ判定手段１２がその特定箇所の幅Ｗおよび間隔Ｌに当たる部分のサイズを求める。この求めた特定箇所の幅Ｗおよび間隔Ｌに当たる部分のサイズが所定の閾値（基準値）よりも小さいかどうか、即ち、ＮＧサイズかどうかを判定する。特定箇所の幅Ｗおよび間隔Ｌのサイズが所定の閾値（基準値）よりも小さくなく大きければ（ＮＯ）、ステップＳ２１の所定配線パターン抽出処理に戻り、特定箇所の幅Ｗおよび間隔Ｌのサイズが所定の閾値よりも小さければ（ＹＥＳ；ＮＧサイズ）、次のステップＳ３のＮＧサイズ部分（サイズが小さい特定箇所）の修正を操作者がフォトマスクパターン形成装置１０の操作部２を用いて行う。即ち、求めた図２〜図６のＬｅｎｇｔｈ間隔Ｌのサイズが規定されたサイズ以下であり、かつ求めた図２〜図６のＷｉｄｔｈ（幅Ｗ）のサイズが規定されたサイズ以下の場合に、パターンチェック結果を「ＮＧ」サイズとして設計配線データの特定箇所の修正を手入力により線幅を太くする。実験データに基づいて予め求めておいた基準となる規定値Ａに一致するように線幅を太くする。
【００５７】
ここで、パターン認識手段１１により抽出され、微細化により膜べりが問題となる特定部分を持つ図２〜図６の所定配線パターンについて、実際に、設計データからＯＰＣ処理を行ってマスクデータを完成させ、そのマスクデータに基づいて作成したフォトマスクを用いてフォトリソ工程を行ってウエハ上にフォトレジスト膜をパターニングしてフォトレジスト膜の膜べりチェックを行うことにより、微細化により膜べりが問題となる特定部分を持つ所定配線パターンの特定部分のサイズ（寸法）に関して基準となる規定値Ａを求めることができる。所定配線パターンの特定部分の基準となる規定値Ａをデータをデータベース６に格納する場合について詳細に説明する。
【００５８】
図９〜図１３は、微細化により膜べりが問題となる特定部分を持つフォトマスクの所定パターン形状を拡大して示す平面図である。図１４は、膜べりが起こらないフォトマスクの所定パターン形状のサイズ（規定値Ａ）を決定するサイズ決定手法を模式的に示したフローチャートである。なお、設計データとフォトマスクの各所定パターン形状は基本的に同じであるが、微細化により膜べりが問題となる特定部分についてＯＰＣ処理を介すると所定パターン形状が異なることになる。この場合に、実験段階でＯＰＣ処理を介さずにフォトマスクの所定パターン形状を示したのが図９〜図１３のフォトマスクの所定パターン形状である。
【００５９】
まず、図９〜図１３のフォトマスクの所定パターン形状において、図１４に示すように、微細化により膜べりが問題となる特定部分の間隔である”Ｌｅｎｇｔｈ”と、特定部分の幅である”Ｗｉｄｔｈ”の各サイズが順次異なったパターンをフォトマスクとし（ステップＳ１１）、この各フォトマスクをそれぞれ用いて形成された各レジストマスクの膜べりを実際にチェックする（ステップＳ１２、Ｓ１３）。
【００６０】
次に、このフォトマスクとレジストマスク間において、レジストマスクの実際の膜べりチェックにより、レジストマスクが膜べりしていると判断されたパターン形状／そのサイズをデータベース６の膜べりマスクパターンデータベース６１に登録する。要するに、このフォトマスクのパターン形状でこのサイズであればレジストマスクが膜べりするというデータの他、このフォトマスクのパターン形状でこのサイズであればレジストマスクが膜べりしないというサイズのデータをマスクパターンデータベース６１に登録する。
【００６１】
続いて、図９〜図１３のフォトマスクの所定パターン形状に対して設計配線データにＯＰＣ処理を施す。ＯＰＣ処理されたフォトマスクデータの所定パターン形状／サイズを、上記膜べりマスクパターンデータベース６１に登録された配線パターン形状／サイズと比較し、同等のパターン形状／サイズである場合は、フォト後のレジストマスクが膜べりする形状であるとして、データベース６の膜べり設計データパターンデータベース６２に登録する。要するに、この設計データのこのパターン形状でこのサイズであればレジストマスクが膜べりするというデータの他、この設計データのこのパターン形状でこのサイズであればレジストマスクが膜べりしないというサイズ（規定値Ａ）のデータを膜べり設計データパターンデータベース６２に登録する。
【００６２】
その後、この膜べり設計データパターンデータベース６２に登録されたものを「ＮＧ」かどうかの「パターンチェック」に用いる配線パターン及びその特定部分の”Ｌｅｎｇｔｈ”および”Ｗｉｄｔｈ”の各サイズ（規定値Ａ）として用いる。
【００６３】
以上により、本実施形態１によれば、設計配線データの入力後、パターン認識手段１１が、微細化により膜べりが問題となる特定部分を持つ所定パターン（図２〜図６）を抽出しかつ、サイズ判定手段１２が、抽出した所定配線パターンの特定部分のサイズ（寸法）が基準値（閾値；規定値Ａ）よりも小さい場合にこれを検出して、所定パターンの特定部分のサイズ（寸法）が基準値（閾値；規定値Ａ）になるように修正している。要するに、微細化により膜べりが問題となる特定部分を持つ所定パターンの特定部分のサイズ（寸法）が規定値Ａよりも小さければ、即ち、膜べりの問題を起こすのであれば、設計データの段階でそれを検出して修正する。これによって、ＯＰＣ処理、マスク作成およびフォトリソ工程での膜べりの問題発生を事前に防止することができて、手戻りと修正時間が大幅に少なくて済み、工程全体の時間短縮を図ることができる。
【００６４】
（実施形態２）
上記実施形態１では、パターンチェック結果が「ＮＧ」の場合に、微細化により膜べりが問題となる設計配線データの特定箇所の修正を手入力により行う場合について説明したが、本実施形態２では、パターンチェック結果が「ＮＧ」の場合に、微細化により膜べりが問題となる設計配線データの特定箇所の修正を自動修正により行う場合について説明する。
【００６５】
図１５は、本発明の実施形態２におけるフォトマスクパターン形成装置の要部ハード構成例を示すブロック図である。
【００６６】
図１５において、本実施形態１のフォトマスクパターン形成装置１０Ａは、全体の制御を行う制御手段としてのＣＰＵ１Ａ（中央演算処理装置）と、ＣＰＵ１Ａに対して入力指令を行うためのキーボード、マウス、タッチパネルおよびペン入力装置、さらには通信ネットワーク（例えばインターネットやイントラネット）を介して受信入力する入力装置などの操作部２と、表示画面上に、初期画面、選択場面、ＣＰＵ１Ａによる制御結果画面および操作入力画面などを表示する表示部３と、制御プログラムおよびそのデータなどが記憶されたコンピュータ読み出し可能な可読記録媒体としてのＲＯＭ４と、起動時に制御プログラムおよびそのデータなどが読み出されて、ＣＰＵ１Ａによる制御毎にデータを読み出し・記憶するワークメモリとして働く記憶部としてのＲＡＭ５と、各種データが記憶されているデータベース６とを有している。
【００６７】
ＣＰＵ１Ａ（制御手段）は、操作部２からの入力指令の他、ＲＯＭ４内からＲＡＭ５内に読み出された制御プログラムおよびこれに用いる各種データに基づいて、微細化により膜べりが問題となる所定のパターンを入力配線パターンから抽出するパターン認識手段１１と、抽出した所定のパターンの特定部分のサイズが基準値（閾値；規定値Ａ）よりも小さいかどうかを判定するサイズ判定手段１２と、ＮＧ部分のサイズを規定値Ａに自動修正するサイズ修正手段１３との各機能を実行する。
【００６８】
パターン認識手段１１は、ＯＰＣ処理前の配線パターン中から、微細化により膜べりが問題となる所定の配線パターンとして、図２のＨ字、図３のＵ字、図４のｈ字、図５のクランクおよび、図６の上下のずれたＨ字パターンの各パターン形状かどうかをパターン判定し、所定のパターンと判定したパターンを入力配線パターンから抽出する。
【００６９】
サイズ判定手段１２は、図２〜図６の配線パターンにおいて、特定箇所の幅Ｗおよび間隔Ｌのサイズを所定の閾値と比較して小さいかどうかを判定する。サイズ判定箇所の幅Ｗおよび間隔Ｌの各サイズを所定の閾値よりも小さい場合にＮＧ部分と判定する。このサイズ判定箇所とは、図２のＨ字では、Ｈ字の真中の横方向の繋がり部分の幅ＷおよびＨ字の縦ラインの間隔Ｌとし、図３のＵ字では、Ｕ字の横方向の繋がり部分の幅ＷおよびＵ字の縦ラインの間隔Ｌとし、図４のｈ字では、ｈ字の真中の横方向の繋がり部分の幅Ｗおよびｈ字の縦ラインの間隔Ｌとし、図５のクランクでは、クランクの真中の横方向の繋がり部分の幅Ｗおよびのクランクの縦ラインの間隔Ｌとし、さらに、図６の上下のずれたＨ字では、上下のずれたＨ字の真中の横方向の繋がり部分の幅Ｗおよび、上下のずれたＨ字の内側の縦ラインの間隔Ｌとしている。サイズ判定手段１２がＮＧ部分と判定した場合、そのＮＧ部分のサイズを適正サイズに修正すればよい。
【００７０】
サイズ修正手段１３は、所定のパターンのサイズ判定箇所の幅Ｗおよび間隔Ｌの各サイズが所定の閾値（基準の規定値Ａ）よりも小さいＮＧ部分のサイズを規定値Ａに自動修正する。
【００７１】
図１６および図１７はそれぞれ、図２のＨ字のサイズ判定箇所の幅Ｗのサイズを自動修正する各手法例１，２を模式的に示す配線パターンの平面図である。
【００７２】
「パターンチェック」の結果が「ＮＧ」となった設計配線データに対して、Ｈ字のサイズ判定箇所である該当箇所（横方向線幅）の「元のｗｉｄｔｈ＝Ｘ」と、規定された「ｗｉｄｔｈ＝Ａ」との差を修正値Ｂとして自動的に求め、その差の修正値Ｂの分だけ、該当箇所の「元のｗｉｄｔｈ」を大きくすることを自動で行うことにより、所定のパターンのサイズ判定箇所の幅Ｗおよび間隔Ｌの各サイズが所定の閾値よりも小さいＮＧ部分の設計配線データの修正を自動で行う。図１６では、Ｈ字のサイズ判定箇所である横方向線幅を「元のｗｉｄｔｈ＝Ｘ」から下方にのみ太くなるように修正値Ｂを加えて太い横方向線幅Ａの規定された幅「ｗｉｄｔｈ＝Ａ」としている。また、図１７では、Ｈ字のサイズ判定箇所である横方向線幅を「元のｗｉｄｔｈ＝Ｘ」から上下の両方向にみ太くなるように上側の修正値Ｂ１と下側の修正値Ｂ２をそれぞれ加えて太い横方向線幅Ａの規定された幅「ｗｉｄｔｈ＝Ａ」としている。
【００７３】
このように、膜べりが問題となるＮＧ部分を太らせるのに、センター振り分けでセンターが移動しないように太らせる場合（図１７）と、センターの上側または下側だけの方向に太らせる場合（図１６）とがある。通常はセンター振り分けでＮＧ部分を太らせるが、周りとの関係で、平面視ですぐ下側に配線がある場合には、センターの上側だけの方向に太らせたりする。また、平面視ですぐ上側が詰まっている場合は、センターの下側だけの方向に太らせたりする。
【００７４】
ＲＯＭ４は、ハードディスク、光ディスク、磁気ディスクおよびＩＣメモリなどの可読記録媒体（記憶手段）で構成されている。この制御プログラムおよびこれに用いる各種データは、携帯自在な光ディスク、磁気ディスクおよびＩＣメモリなどからＲＯＭ６にダウンロードされてもよいし、コンピュータのハードディスクからＲＯＭ４にダウンロードされてもよいし、無線または有線、インターネットなどを介してＲＯＭ４にダウンロードされてもよい。後述する図２のフォトマスク形成方法をコンピュータに実行させるための処理手順が記述された制御プログラムをコンピュータ読み取り可能な可読記憶媒体に格納して、コンピュータ（ＣＰＵ１Ａ）によりフォトマスク形成処理を行うものである。
【００７５】
データベース６は、ＣＰＵ１Ａによるフォトマスク形成処理中の中間データなどの各種データを、その都度格納すると共に、必要に応じてこれらを参照可能としている。なお、データベース６はＲＡＭ５と一体で同じ記憶手段として構成されていてもよい。
【００７６】
上記構成により、以下その動作を説明する。
【００７７】
図１８は、図１５のフォトマスクパターン形成装置を用いた半導体装置の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【００７８】
図１８に示すように、まず、ステップＳ１で設計配線データを入力し、ステップＳ２で入力設計配線データの「パターンチェック」（所定配線パターンの抽出とその特定箇所の寸法チェック）を行って、この「パターンチェック」で「ＮＧ」であれば（その特定箇所の寸法が基準値よりも小さい場合）、ステップＳ３Ａで自動的に配線パターンをデータベース６内の規定値Ａに対応させて修正し、このパターンチェックで「ＯＫ」であればステップＳ４でＯＰＣ処理を行ってステップＳ５でマスクパターンのマスクデータを完成させる。
【００７９】
次に、そのマスクデータに基づいてステップＳ６でフォトマスクを作成する。ステップＳ６で作成したステップＳ７のフォトマスクを用いて、ステップＳ８でフォトリソ工程を行ってレジストマスクを所定形状にパターニングする。
【００８０】
続いて、ステップＳ９でそのフォトリソ工程によるレジストマスクを用いてエッチング工程を行う。イオン注入工程、成膜工程およびエッチング工程による膜形成工程を繰り返してトランジスタなどの半導体装置を製造する。また同様、前述したように、フォトマスクパターン形成装置１０Ａにより、回路情報に基づいてフォトマスクパターンを設計し、この設計情報によりフォトマスクを作成し、フォトマスクを用いてパターニングしたレジストパターンを使用してエッチング処理を行って半導体集積回路（ＬＳＩ）を製造することができる。
【００８１】
即ち、パターン認識手段１１、サイズ判定手段１２およびサイズ修正手段１３を備えたフォトマスクパターン形成装置１０Ａを用いて実行する図７の「パターンチェック」および「ＮＧ部分の自動修正」において、サイズ判定手段１２が、図２〜図６の「Ｌｅｎｇｔｈ」および「Ｗｉｄｔｈ」に当たる部分のサイズを求め、求めた「Ｌｅｎｇｔｈ」のサイズが規定されたサイズ以下であり、かつ「Ｗｉｄｔｈ」のサイズが規定されたサイズ（規定値Ａ）以下であるかどうかを判断する。サイズ修正手段１３が行う修正方法は、ＮＧ部分となった設計データに対して、該当箇所の「ｗｉｄｔｈ」と、規定された「ｗｉｄｔｈ」（規定値Ａ）との差を求め、その差の分だけ該当箇所の幅を大きくまたは太くすることを自動で行う修正部を備えたパターン修正装置を用いて実行することができる。このフォトマスクパターン形成装置１０Ａは、コンピュータに上記入出力部および判断部（パターン認識手段１１およびサイズ判定手段１２）および修正部（サイズ修正手段１３）として機能する制御プログラムをＲＯＭ４にインストールすることができる。「パターンチェック」を行う判断部（パターン認識手段１１およびサイズ判定手段１２）および修正部（サイズ修正手段１３）を用いてパターンがチェックされてＮＧ部分が修正された配線パターンデータによりフォトマスクを作成することができる。このフォトマスクを用いて半導体装置およびこれを用いたＬＳＩを精度よくかつ素早く作成することができる。
【００８２】
図１９は、図１８の「パターンチェック」および「自動修正」の各ステップを用いたフォトマスク形成方法を説明するためのフローチャートである。
【００８３】
図１９に示すように、まず、ステップＳ１で設計配線データを入力し、次に、入力設計配線データに対して、ステップＳ２１でパターン認識手段１１が所定パターンに該当するかどうかを判定する。この場合の所定パターンとは、微細化により膜べりが問題となる特定部分を持つパターンであって、例えば図２のＨ字、図３のＵ字、図４のｈ字、図５のクランクおよび、図６の上下のずれたＨ字パターンなどの各パターン形状である。これらの所定パターンを、入力設計配線データに対してパターンマッチングを行うことにより、入力設計配線データから抽出する。
【００８４】
続いて、ステップＳ２２で、抽出された図２〜図６の配線パターンにおいて、サイズ判定手段１２が特定箇所の幅Ｗおよび間隔Ｌに当たる部分のサイズを求める。この求めた特定箇所の幅Ｗおよび間隔Ｌに当たる部分のサイズが所定の閾値よりも小さいかどうかを判定する。特定箇所の幅Ｗおよび間隔Ｌのサイズが所定の閾値よりも大きければステップＳ２１の処理に戻り、特定箇所の幅Ｗおよび間隔Ｌのサイズが所定の閾値よりも小さければ次のステップＳ３のＮＧ部分（小さい部分）の自動修正を行う。即ち、求めた図２〜図６の「Ｌｅｎｇｔｈ」のサイズが規定されたサイズ以下であり、かつ求めた図２〜図６の「Ｗｉｄｔｈ」のサイズが規定されたサイズ以下の場合に、サイズ修正手段１３がチェック結果を「ＮＧ」とし、設計配線データの自動修正を行う。
【００８５】
以上により、本実施形態２によれば、設計配線データの入力後、微細化により膜べりが問題となる特定部分を持つ所定配線パターン（例えば図２〜図６）を抽出しかつ抽出した所定配線パターンの特定部分のサイズ（寸法）が基準値（閾値；規定値Ａ）よりも小さい場合にこれを抽出して、所定配線パターンの特定部分のサイズ（寸法）が基準値（閾値；規定値Ａ）になるように自動修正している。要するに、微細化により膜べりが問題となる特定部分を持つ所定配線パターンの特定部分のサイズ（寸法）が規定値Ａよりも小さければ、即ち、膜べりの問題を起こすのであれば、設計配線データの段階でそれを検出して修正しておけば、ＯＰＣ処理、マスク作成およびフォトリソ工程での膜べりの問題発生を事前に防止すると共に、ＮＧ部分のサイズを規定値Ａに自動修正することができて、手戻りと修正時間が大幅に更に少なくて済み、工程全体の更なる時間短縮を図ることができるものである。
【００８６】
（実施形態３）
上記実施形態１、２では、「パターンチェック」の領域指定をしない場合について説明したが、本実施形態３では、「パターンチェック」の領域指定をする場合について説明する。
【００８７】
図２０は、本発明の実施形態３におけるフォトマスクパターン形成装置の要部ハード構成例を示すブロック図である。なお、図２０では、図１の構成部材と同一の作用効果を奏する構成部材には同一の部材番号を付けて説明する。
【００８８】
図２０において、本実施形態３のフォトマスクパターン形成装置１０Ｂは、全体の制御を行う制御手段としてのＣＰＵ１Ｂ（中央演算処理装置）と、ＣＰＵ１Ｂに対して入力指令を行うためのキーボード、マウス、タッチパネルおよびペン入力装置、さらには通信ネットワーク（例えばインターネットやイントラネット）を介して受信入力する入力装置などの操作部２と、表示画面上に、初期画面、選択画面、ＣＰＵ１による制御結果画面および操作入力画面などを表示する表示部３と、制御プログラムおよびそのデータなどが記憶されたコンピュータ読み出し可能な可読記録媒体としてのＲＯＭ４と、起動時に制御プログラムおよびそのデータなどが読み出されて、ＣＰＵ１による制御毎にデータを読み出し・記憶するワークメモリとして働く記憶部としてのＲＡＭ５と、各種データが記憶されているデータベース６とを有している。
【００８９】
ＣＰＵ１Ｂ（制御手段）は、操作部２からの入力指令の他、ＲＯＭ４内からＲＡＭ５内に読み出された制御プログラムおよびこれに用いる各種データに基づいて、パターンチェックを行う領域を操作部２からの入力指示により指定するパターンチェック領域指定手段１４と、微細化により膜べりが問題となる所定のパターンを入力配線パターンから抽出するパターン認識手段１１と、抽出した所定のパターンの特定部分のサイズが基準値（閾値）よりも小さいかどうかを判定するサイズ判定手段１２とを有している。
【００９０】
本実施形態３が上記実施形態１の場合と異なるのは、上記パターンチェック領域指定手段１４の有無である。パターンチェック領域指定手段１４において、例えば微細化により膜べりが問題となる図２〜図６のような所定の配線パターンは例えばメモリ領域の配線パターンにしか出て来ない場合にはメモリ領域がある領域だけ上記「パターンチェック」の領域を狭く指定してやればよい。このように、チェックが必要な領域だけを上記「パターンチェック」することによって、上記「パターンチェック」の速さを格段に早くすることができる。
【００９１】
図２１は、図２０のフォトマスクパターン形成装置において、設計データのチェック領域指定例を示す表示画面図である。図２２は、図２０のフォトマスクパターン形成装置のパターンチェック領域指定手段１４によるチェック領域指定時のパターンチェック処理を示すフローチャートである。
【００９２】
微細化により膜べりが問題となる図２〜図６のサイズ判定箇所の幅Ｗおよび間隔Ｌの各サイズ、即ち、「Ｌｅｎｇｔｈ」および「ｗｉｄｔｈ」に当たる特定部分の「サイズチェック」を行うに際して、図２１に示すように、パターンチェック領域指定手段１４において、表示部３の表示画面上の設計データ内に事前に、操作部２によってチェック必要箇所／不要箇所を領域指定しておき、その領域指定に応じて図２２のフローチャートのステップＳ３１〜Ｓ３３のように、ＯＰＣ処理前の設計データの配線パターン（ステップＳ３１）を入力し、例えば図２〜図６の所定の配線パターンが存在する必要領域のみを「パターンチェック」（ステップＳ３２、Ｓ３３）することにより、「パターンチェック」を短時間で素早く処理することができる。上記パターンチェックを事前のパターン分類により特定の位置およびパターンのみをチェックしてＮＧ部分を修正することにより処理を高速化することができる。
【００９３】
以上により、本実施形態３によれば、微細化により膜べりが問題となる特定部分を持つ所定配線パターンの特定部分のサイズ（寸法）が規定値Ａよりも小さければ、即ち、膜べりの問題を起こすのであれば、設計配線データの段階でそれを予め検出して修正しておけば、ＯＰＣ処理、マスク作成およびフォトリソ工程での膜べりの問題発生を事前に防止すると共に、パターンチェックを行う領域を指定して狭めることができて、手戻りと修正時間が大幅に更に少なくて済み、工程全体の更なる時間短縮をいっそう図ることができるものである。
【００９４】
なお、本実施形態３では、「パターンチェック」の領域指定をする場合を図１のフォトマスクパターン形成装置１０に適用した場合について説明したが、これに限らず、「パターンチェック」の領域指定をする場合を図１５のフォトマスクパターン形成装置１０Ａにも適用することができる。これを図２３に示している。
【００９５】
図２３は、図２０のフォトマスクパターン形成装置の要部ハード構成の変形例を示すブロック図である。なお、図２３では、図１５の構成部材と同一の作用効果を奏する構成部材には同一の部材番号を付けて説明する。
【００９６】
図２３において、本実施形態３の変形例であるフォトマスクパターン形成装置１０Ｃは、全体の制御を行う制御手段としてのＣＰＵ１Ｃ（中央演算処理装置）と、ＣＰＵ１Ｃに対して入力指令を行うためのキーボード、マウス、タッチパネルおよびペン入力装置、さらには通信ネットワーク（例えばインターネットやイントラネット）を介して受信入力する入力装置などの操作部２と、表示画面上に、初期画面、選択場面、ＣＰＵ１Ａによる制御結果画面および操作入力画面などを表示する表示部３と、制御プログラムおよびそのデータなどが記憶されたコンピュータ読み出し可能な可読記録媒体としてのＲＯＭ４と、起動時に制御プログラムおよびそのデータなどが読み出されて、ＣＰＵ１Ｃによる制御毎にデータを読み出し・記憶するワークメモリとして働く記憶部としてのＲＡＭ５と、各種データが記憶されているデータベース６とを有している。
【００９７】
ＣＰＵ１Ｃ（制御手段）は、操作部２からの入力指令の他、ＲＯＭ４内からＲＡＭ５内に読み出された制御プログラムおよびこれに用いる各種データに基づいて、パターンチェックを行う領域を指定するパターンチェック領域指定手段１４と、微細化により膜べりが問題となる所定のパターンを入力配線パターンから抽出するパターン認識手段１１と、抽出した所定のパターンの特定部分のサイズが基準値（閾値；規定値Ａ）よりも小さいかどうかを判定するサイズ判定手段１２と、ＮＧ部分のサイズを規定値Ａに自動修正するサイズ修正手段１３との各機能を実行する。
【００９８】
したがって、本実施形態１〜３によれば、従来においては、ＯＰＣ処理後、および、フォトリソ工程およびエッチング工程を行ってから問題（膜べりによる異常エッチング箇所）が発見されていたが、ＯＰＣ処理前に、膜べりが問題となる当該箇所をパターンチェックし、そのパターンチェック結果でＮＧだった場合にそのＮＧ部分を規定値Ａに修正することにより、チェック−修正工程の短縮および、試作回数の削減と試作費の削減をも実現することができる。
【００９９】
なお、上記実施形態１〜３では、制御プログラムおよび可読記録媒体（ＲＯＭ４）を用いたフォトマスクパターン形成装置１０、１０Ａ〜１０Ｃをソフトウェア構成としたが、これに限らず、ソフトウェア構成に代えて回路構成からなるハードウェア構成とすることもできる。
【０１００】
以上のように、本発明の好ましい実施形態１〜３を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態１〜３に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態１〜３の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。
【産業上の利用可能性】
【０１０１】
本発明は、フォトリソ技術を用いてフォトマスクパターンを形成するためのフォトマスクパターン形成装置およびフォトマスクパターン形成方法、これらのフォトマスクパターン形成装置およびフォトマスクパターン形成方法を用いて形成したフォトマスクを使用する半導体装置の製造方法、フォトマスクパターン形成方法の各工程をコンピュータに実行させるための処理手順が記述された制御プログラム、この制御プログラムが格納されたコンピュータ読み取り可能な可読記憶媒体の分野において、設計データ時点でのパターンチェックにより、その後のＯＰＣ処理、マスク作成およびフォトリソ工程での問題発生を事前に防止することができて、手戻りと修正時間が大幅に少なくて済み、工程全体の時間短縮を図ることができる。
【符号の説明】
【０１０２】
１、１Ａ〜１Ｃ  ＣＰＵ（制御部）
１１  パターン認識手段
１２  サイズ判定手段
１３  サイズ修正手段
１４  パターンチェック領域指定手段
２  操作部
３  表示部
４  ＲＯＭ（可読記録媒体）
５  ＲＡＭ
６  データベース
６１  マスクパターンデータベース
６２  膜べり設計データパターンデータベース
１０、１０Ａ〜１０Ｃ  フォトマスクパターン形成装置
Ｗ（Ｗｉｄｔｈ）  サイズ判定箇所（特定部分）の幅
Ｌ（Ｌｅｎｇｔｈ）  サイズ判定箇所（特定部分）の間隔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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