(57)【要約】【課題】構造の簡素化を図ることができるとともに、従来の回転センサと同等以上の検出精度及び信頼性を確保することができる回転センサを提供する。【解決手段】ケース２は、底面部２ａと、側面部２ｂとを有している。ケース２の側面部２ｂにおける底面部２ａの反対側の端面である開口周縁面２ｄは、リードフレーム３Ｘ，３Ｙと当接するための当接面をなしている。リードフレーム３Ｘ，３Ｙは、端子形成部３Ｘａ，３Ｙａと、ＩＣ接続部３Ｘｂ，３Ｙｂと、伝送路形成部３Ｘｃ，３Ｙｃと、突出部３Ｘｄ，３Ｙｄと、位置決め部３Ｘｅ，３Ｙｅとを有している。位置決め部３Ｘｅ，３Ｙｅによって、ケース２へのリードフレーム３Ｘ，３Ｙ及び磁気検出部７の挿入深さ寸法が所定の寸法に保たれ、その状態で、内部充填樹脂８によって、リードフレーム３Ｘ，３Ｙ及び磁気検出部７が固定される。【選択図】図１
2012002654.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転体の回転を検出するための回転センサであって、
前記回転体の表面から間隔をおいて配置された底面部、及び前記底面部と繋がり前記底面部とともに中空の内部空間を形成する側面部を有し、前記側面部の反底面部側に前記内部空間と空間的に繋がる開口が設けられたケースと、
一端部及び他端部をもち電気信号あるいは電力の伝送路を形成する伝送路形成部を有し、前記開口を通して前記伝送路形成部の一端部が前記ケースの前記内部空間に挿入され、前記伝送路形成部の他端部が前記ケースの外側へ突出するように配置された一対のリードフレームと、
前記回転体に設けられあるいは前記ケースの前記内部空間内に収容された磁石の磁界の変化を検出するための磁気検出手段を有し、前記伝送路形成部の一端部に設けられかつ前記ケースの前記内部空間内に収容された磁気検出部と
を備え、
前記一対のリードフレームのそれぞれは、
前記伝送路形成部が前記ケースの前記内部空間に挿入された際に、前記ケースの前記側面部に接し、その接した状態で前記ケースの前記内部空間での前記磁気検出手段の挿入深さ寸法を所定の寸法に保つ位置決め部
をさらに有していることを特徴とする回転センサ。
【請求項２】
前記伝送路形成部の形状は、棒状あるいは板状であり、
前記位置決め部は、
前記伝送路形成部の長手方向に対する直交方向へ向けて突出するように形成され、
前記伝送路形成部が前記ケースの前記内部空間に挿入された際に、前記ケースの前記側面部における前記開口の周縁部と当接可能である
ことを特徴とする請求項１記載の回転センサ。
【請求項３】
前記ケースの前記側面部における前記開口の周縁部には、前記位置決め部と嵌合可能な位置決め用凹部が設けられ、
前記位置決め部は、前記位置決め用凹部と嵌合した状態で前記ケースの前記内部空間での前記磁気検出手段の挿入深さ寸法を所定の寸法に保つ
ことを特徴とする請求項２記載の回転センサ。
【請求項４】
前記位置決め用凹部は、前記ケースの前記開口の外周に沿うように円環状に形成されている
ことを特徴とする請求項３記載の回転センサ。
【請求項５】
前記ケースには、外部接続用のコネクタハウジングが設けられ、
前記コネクタハウジングは、成形樹脂の流動方向が前記位置決め部の突出方向に沿うようにゲートが配置された成形型を用いた樹脂成形によって形成されている
ことを特徴とする請求項２から請求項４までのいずれか１項に記載の回転センサ。
【請求項６】
前記リードフレームには、リードフレーム固定用の成形樹脂を通すための樹脂通し孔が空けられ、
前記リードフレームは、前記ケースの前記内部空間内と前記固定用開口内とに充填されて硬化した成形樹脂によって前記ケースに固定されている
ことを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれか１項に記載の回転センサ。
【請求項７】
前記位置決め部は、接着剤によって前記ケースに固定されている
ことを特徴とする請求項１から請求項６までのいずれか１項に記載の回転センサ。
【請求項８】
前記一対のリードフレームは、
前記一対のリードフレームと前記一対のリードフレーム同士を繋ぐ結合部とを含むリードフレーム結合体が前記ケースに固定された後に、前記リードフレーム結合体から前記結合部が除去されてなる
ことを特徴とする請求項１から請求項７までのいずれか１項に記載の回転センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、例えば自動車のエンジンやトランスミッション等に用いられ、回転体の回転を検出するための回転センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
図３２は、例えば特許文献１に示すような従来の回転センサの組付構造（コンポジション）を示す構成図である。図３２において、例えばエンジンのクランクシャフト等に接続された継軸あるいはクランクシャフト等の回転体としての回転軸１１の外周面には、例えば鉄等の強磁性体からなる複数の凸状部１２が回転軸１１の周方向に間隔をおいて配置されている。なお、以下では、回転軸１１及び複数の凸状部１２の総称を「移動磁性体」として説明する。
【０００３】
回転センサ１０１のセンサ本体１０２は、回転軸１１を収容するためのハウジング１０の開口に挿入されて、ハウジング１０に取り付けられている。センサ本体１０２の内部には、センサ内磁石（図示せず）と、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）１０４とが収容されている。ＩＣ１０４は、ホール素子等の検出素子と信号処理回路とを含んでいる（いずれも図示せず）。また、ＩＣ１０４は、複数の凸状部１２の移動に伴って生じるセンサ内磁石の磁界の変化に応じた信号を生成する。
【０００４】
この図３２の従来の回転センサ１０１の製造工程について説明する。ここでは、例えば特許文献２に示すような従来の回転センサの製造方法を一部適用した製造工程について説明する。図３３〜４７は、従来の回転センサの製造工程の一工程を説明するための説明図である。
【０００５】
第１の工程
まず、図３３に示すように、円柱状の一対のターミナル１０３Ｘ，１０３Ｙが、センサ本体１０２をなすプレート１０２Ｘ及びホルダ（ゴム製部品）１０２Ｙに挿入される。ここでは、プレート１０２Ｘ及びホルダ１０２Ｙが仮組み状態（非固定状態）とされる。なお、図３４は、図３３のＸＸＸＩＶ−ＸＸＸＩＶ線に沿う断面図である。
【０００６】
そして、図３５に示すように、ターミナル１０３Ｘ，１０３Ｙの基端部（下端部）に、プレス加工によって、平板状のターミナル側接続部１０３Ｘａ，１０３Ｙａが形成される。なお、図３６は、図３３の側面図であり、図３７は、図３５の側面図である。
【０００７】
第２の工程
次に、図３８，３９に示すように、ターミナル１０３Ｘ，１０３Ｙの先端部（上端部）が例えばチャック等の固定具１５０に固定される。また、ターミナル１０３Ｘ，１０３Ｙの接続部１０３Ｘａ，１０３Ｙａに、センサ内磁石及びＩＣ１０４を含む磁気検出部１０７の端子１１３Ｘ，１１３Ｙがそれぞれ溶接によって接続される。そして、図３８の矢示のように、プレート１０２Ｘ及びホルダ１０２Ｙが、ターミナル１０３Ｘ，１０３Ｙに沿って固定具１５０側へスライド（相対的に移動）される。
【０００８】
ここで、図３８，３９に示す状態では、センサ本体１０２の組付けが完了するまでターミナル１０３Ｘ，１０３Ｙを固定具１５０で固定している。このため、プレート１０２Ｘ及びホルダ１０２Ｙが一体となってターミナル１０３Ｘ，１０３Ｙ上をスライドすることになる。
【０００９】
また、弾性体であるホルダ１０２Ｙと磁気検出部１０７との間に微小隙間ができるところまでしか、ホルダ１０２Ｙがスライドされない。このため、この状態では、磁気検出部１０７は、溶接されたままの姿勢を維持しており、ホルダ１０２Ｙが磁気検出部１０７を変形させたり、ターミナル１０３Ｘ，１０３Ｙの接続部１０３Ｘａ，１０３Ｙａと磁気検出部１０７の端子１１３Ｘ，１１３Ｙとの溶接箇所の剥離断線を生じさせたりすることがない。
【００１０】
第３の工程
次に、図４０，４１に示すように、ターミナル１０３Ｘ，１０３Ｙの先端部を固定した状態で、プレート１０２Ｘ及びホルダ１０２Ｙが、図４０の矢示のように磁気検出部１０７側へスライドされ、ケース１０２Ｚ内に収容される。このプレート１０２Ｘ及びホルダ１０２Ｙがケース１０２Ｚ内に収容された状態において、ホルダ１０２Ｙと磁気検出部１０７との間、及びプレート１０２Ｘとケース１０２Ｚの外周面との間には、それぞれ図４０に示すような微小隙間Ｆが空けられる。
【００１１】
但し、図４０，４１に示すような工程では、微小隙間Ｆを保持して、磁気検出部１０７の底面がケース１０２Ｚの底部の内面に当接するように配置する必要がある。また、この工程では、プレート１０２Ｘ及びケース１０２Ｚが半嵌合状態である。ここで、この図４０，４１に示すような工程で微小隙間Ｆが維持さていない、つまりプレート１０２Ｘがケース１０２Ｚの開口に完全に嵌合してしまうと、ターミナル１０３Ｘ，１０３Ｙの接続部１０３Ｘａ，１０３Ｙａも一緒に下方へ移動してしまう。そして、ホルダ１０２Ｙが磁気検出部１０７に当接すると、この当接と同時に荷重が磁気検出部１０７に加わり、磁気検出部１０７のＩＣ１０４等が破損する可能性がある。
【００１２】
従って、プレート１０２Ｘ及びホルダ１０２Ｙの仮組体の降下量、又はケース１０２Ｚの上昇量は、治具や計測器等を用いて厳密に制御することが望ましい。なお、図４０，４１に示すような工程では、磁気検出部１０７の端子１１３Ｘ，１１３Ｙを変形させることなく正常な形状を保持して、磁気検出部１０７のＩＣ１０４が所定の方向へ向くように配置する必要がある。
【００１３】
第４の工程
第３の工程が終了した時点では、図４２の矢示のように、プレート１０２Ｘ及びホルダ１０２Ｙの仮組体が可動状態である。第４の工程では、プレート１０２Ｘ及びホルダ１０２Ｙがケース１０２Ｚ側へスライドされて、ケース１０２Ｚの爪がプレート１０２Ｘに係合され、ケース１０２Ｚ及びプレート１０２Ｘが互いに嵌合状態となる。この後、ターミナル１０３Ｘ，１０３Ｙから固定具１５０が取り外され、ターミナル１０３Ｘ，１０３Ｙにおける固定具１５０の取付箇所が除去される。なお、図４３は、図４２の側面図である。
【００１４】
第５の工程
次に、図４４，４５に示すように、ターミナル１０３Ｘ，１０３Ｙの先端部が所定の長さに切除される。そして、ターミナル１０３Ｘ，１０３Ｙの先端部に、リード線が溶接接続された平板端子、あるいはリード線が溶接接続されていない平板端子１２３Ｘ，１２３Ｙがそれぞれ溶接により接続される。
【００１５】
第６の工程
次に、図４６，４７に示すように、モールド成形によって、ケース１０２Ｚの開口側に、外装用樹脂１０９が形成される。外装用樹脂１０９は、コネクタの外形をなすコネクタハウジング部１０９ａと、ターミナル１０３Ｘ，１０３Ｙ及びプレート１０２Ｘを被覆する被覆部１０９ｂとを含んでいる。
以上の第１〜第６の工程を経て、回転センサ１０１が製造される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】特開２００５−３３７８９２号公報
【特許文献２】特開２００７−１２１１０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
図３２において、回転センサ１０１のセンサ内磁石の磁界の中で、表面凹凸状又はギヤ形状の移動磁性体が回転することによって、磁束が変化する。回転センサ１０１は、この磁束の変化に応じた電気信号を生成する。この電気信号に基づいて移動磁性体の回転が検出可能となる。このような回転センサ１０１では、回転の検出対象である移動磁性体と、磁気検出部１０７のＩＣ１０４との位置関係、即ち図３２に示す寸法Ｂが重要である。
【００１８】
ここで、寸法Ｂが大きくなると、つまりＩＣ１０４と移動磁性体との間の距離が長くなると、磁界の変化が距離に反比例して小さくなり、実験的には距離の２乗程度に反比例して減衰する。このため、安定した信号振幅に基づく信号処理をＩＣ１０４の信号処理回路が行なうためには、ＩＣ１０４（特に検出素子）が所定の距離に確実に配置された構造が必要となる。従って、回転センサ１０１では、図３２の寸法Ｂが重要である。
【００１９】
しかしながら、実際に回転センサ１０１を、ハウジング１０の開口に挿入して組付ける構成の場合、回転センサ１０１の内部のＩＣ１０４と移動磁性体との間の距離を直接的に確認して組付けることはできない。このため、外部から確認可能な図３２に示す寸法Ａ（以下、「ギャップＡ」とする。）が、回転センサ１０１の組付け時に所定の値となるように各部品の寸法及び公差が予め設定されている。
【００２０】
このギャップＡは、図３２に示す各寸法を用いて、次の式により求まる。
Ａ＝α＋γ−β／２−Ｃ
但し、図３２に示す各寸法は、以下の通りである。
α：移動磁性体の組付けの中心位置から回転センサ１０１の組付け位置までの距離
β：移動磁性体の直径
γ：移動磁性体の回転中心位置と、ハウジング１０における移動磁性体の組付け位置とのズレ幅
Ｃ：ピックアップ長さ（ケース１０２Ｚの取付座面１０２ｆからケース１０２Ｚの先端面１０２ｅまでの長さ）
【００２１】
以上のように、回転センサ１０１の測定精度に関して重要な寸法は、図３２に示す寸法Ｂである。これにより、回転センサ１０１の測定精度をより向上させるには、所定のギャップＡを確保してなお、回転センサ１０１の内部の寸法のばらつきを最小限に抑えることができる構造が必要である。
【００２２】
また、図３２に示すような従来の回転センサ１０１では、製造工程中の中間工程での部品の加工や仮組付けが必要であった。このため、部品点数に応じて、組付け工程数が多くなっていた。さらに、それぞれの中間工程における部品組付けには、計測器等を用いる精度が必要で、部品の移動量を高精度に制御しなければ、検出素子を含むＩＣ１０４等が破損する可能性があった。
【００２３】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、構造の簡素化を図ることができるとともに、従来の回転センサと同等以上の検出精度及び信頼性を確保することができる回転センサを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
この発明の回転センサは、回転体の回転を検出するためのものであって、前記回転体の表面から間隔をおいて配置された底面部、及び前記底面部と繋がり前記底面部とともに中空の内部空間を形成する側面部を有し、前記側面部の反底面部側に前記内部空間と空間的に繋がる開口が設けられたケースと、一端部及び他端部をもち電気信号あるいは電力の伝送路を形成する伝送路形成部を有し、前記開口を通して前記伝送路形成部の一端部が前記ケースの前記内部空間に挿入され、前記伝送路形成部の他端部が前記ケースの外側へ突出するように配置された一対のリードフレームと、前記回転体に設けられあるいは前記ケースの前記内部空間内に収容された磁石の磁界の変化を検出するための磁気検出手段を有し、前記伝送路形成部の一端部に設けられかつ前記ケースの前記内部空間内に収容された磁気検出部とを備え、前記一対のリードフレームのそれぞれは、前記伝送路形成部が前記ケースの前記内部空間に挿入された際に、前記ケースの前記側面部に接し、その接した状態で前記ケースの前記内部空間での前記磁気検出手段の挿入深さ寸法を所定の寸法に保つ位置決め部をさらに有しているものである。
【発明の効果】
【００２５】
この発明の回転センサによれば、伝送路形成部がケースの内部空間に挿入された際に、ケースの側面部に接し、その接した状態でケースの内部空間での磁気検出手段の挿入深さ寸法を所定の寸法に保つ位置決め部を、一対のリードフレームのそれぞれが有しているので、磁気検出手段の位置決めに関する構造の簡素化を図ることができるとともに、回転センサの内部の寸法のばらつきを抑えることができ、従来の回転センサと同等以上の検出精度及び信頼性を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】この発明の実施の形態１による回転センサを示す断面図である。
【図２】この発明の実施の形態１による回転センサを示す断面図である。
【図３】この発明の実施の形態１による回転センサを示す断面図である。
【図４】図１の回転センサの製造工程の一工程を説明するための説明図である。
【図５】図１の回転センサの製造工程の一工程を説明するための説明図である。
【図６】図１の回転センサの製造工程の一工程を説明するための説明図である。
【図７】図１の回転センサの製造工程の一工程を説明するための説明図である。
【図８】図１の回転センサの製造工程の一工程を説明するための説明図である。
【図９】図１の回転センサの製造工程の一工程を説明するための説明図である。
【図１０】図１の回転センサの製造工程の一工程を説明するための説明図である。
【図１１】図１の回転センサの製造工程の一工程を説明するための説明図である。
【図１２】図１の回転センサの製造工程の一工程を説明するための説明図である。
【図１３】この発明の実施の形態２による回転センサの製造工程の一工程を説明するための説明図である。
【図１４】この発明の実施の形態２による回転センサの製造工程の一工程を説明するための説明図である。
【図１５】この発明の実施の形態２による回転センサの製造工程の一工程を説明するための説明図である。
【図１６】この発明の実施の形態２による回転センサの製造工程の一工程を説明するための説明図である。
【図１７】この発明の実施の形態２による回転センサの製造工程の一工程を説明するための説明図である。
【図１８】この発明の実施の形態３による回転センサを示す断面図である。
【図１９】この発明の実施の形態３による回転センサを示す断面図である。
【図２０】この発明の実施の形態４による回転センサを示す断面図である。
【図２１】この発明の実施の形態４による回転センサを示す断面図である。
【図２２】この発明の実施の形態５による回転センサを示す断面図である。
【図２３】この発明の実施の形態５による回転センサを示す断面図である。
【図２４】この発明の実施の形態５による回転センサを示す断面図である。
【図２５】図２４のＸＸＶ部の位置決め用凹部を拡大して示す平面図である。
【図２６】この発明の実施の形態６による回転センサを示す断面図である。
【図２７】この発明の実施の形態６による回転センサを示す断面図である。
【図２８】この発明の実施の形態６による回転センサを示す断面図である。
【図２９】この発明の実施の形態７による回転センサの製造工程の一工程を説明するための説明図である。
【図３０】この発明の実施の形態７による回転センサの製造工程の一工程を説明するための説明図である。
【図３１】この発明の実施の形態８による回転センサを示す断面図である。
【図３２】特許文献１に示すような従来の回転センサの組付構造を示す構成図である。
【図３３】従来の回転センサの製造工程の一工程を説明するための説明図である。
【図３４】従来の回転センサの製造工程の一工程を説明するための説明図である。
【図３５】従来の回転センサの製造工程の一工程を説明するための説明図である。
【図３６】従来の回転センサの製造工程の一工程を説明するための説明図である。
【図３７】従来の回転センサの製造工程の一工程を説明するための説明図である。
【図３８】従来の回転センサの製造工程の一工程を説明するための説明図である。
【図３９】従来の回転センサの製造工程の一工程を説明するための説明図である。
【図４０】従来の回転センサの製造工程の一工程を説明するための説明図である。
【図４１】従来の回転センサの製造工程の一工程を説明するための説明図である。
【図４２】従来の回転センサの製造工程の一工程を説明するための説明図である。
【図４３】従来の回転センサの製造工程の一工程を説明するための説明図である。
【図４４】従来の回転センサの製造工程の一工程を説明するための説明図である。
【図４５】従来の回転センサの製造工程の一工程を説明するための説明図である。
【図４６】従来の回転センサの製造工程の一工程を説明するための説明図である。
【図４７】従来の回転センサの製造工程の一工程を説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、この発明を実施するための形態について、図面を参照して説明する。
実施の形態１．
図１〜３は、この発明の実施の形態１による回転センサを示す断面図である。なお、図３は、図２の矢示ＩＩＩの向きでリードフレーム３Ｙを見た状態を示す断面図である。また、各図では、リードフレーム３Ｘ，３Ｙについてのハッチングを省略して示す（実施の形態２以降でも同様）。
図１〜３において、実施の形態１の回転センサ１は、ケース（有底のケース）２と、一対のリードフレーム（ターミナル）３Ｘ，３Ｙと、磁気検出手段としてのＩＣ４と、センサ内磁石５と、一対のワイヤ６Ｘ，６Ｙとを有している。ＩＣ４、センサ内磁石５、及び一対のワイヤ６Ｘ，６Ｙは、モールド樹脂によって一体化されて、磁気検出部（回転検出部）７を構成している。ＩＣ４は、例えばホール素子である検出素子と、信号処理回路とを有している（いずれも図示せず）。
【００２８】
ケース２は、底面部２ａと、側面部２ｂとを有している。側面部２ｂの形状は、断面円環状である。また、側面部２ｂの下端は、底面部２ａと繋がっている。さらに、側面部２ｂは、底面部２ａとともに、ケース２内に中空の内部空間を形成している。また、ケース２には、底面部２ａを臨むように配置され内部空間と空間的に繋がる開口２ｃが設けられている。ケース２の内部には、内部充填樹脂８が充填されている。さらに、ケース２の開口２ｃ側は、外装用樹脂９によって覆われている。外装用樹脂９は、外部接続用のコネクタハウジング及びセンサ外装部とを形成している。
【００２９】
ケース２の側面部２ｂにおける底面部２ａの反対側の端面である開口周縁面（図１，２上の端面）２ｄは、リードフレーム３Ｘ，３Ｙと当接するための当接面をなしている。底面部２ａの外面（図１の下面）は、回転センサ１の先端面２ｅをなしている。側面部２ｂにおける底面部２ａの反対側の端部は、側面部２ｂの径方向外側へ張り出している。側面部２ｂの張り出し部分の底面（図１の下面）は、取付座面（センサ取付面）２ｆをなしている。
【００３０】
リードフレーム３Ｘ，３Ｙの形状は、τ字のような形状である。また、リードフレーム３Ｘ，３Ｙは、ケース２の側面部２ｂの径方向に互いに間隔をおいて配置されている。さらに、リードフレーム３Ｘ，３Ｙは、開口２ｃを通して、ケース２の内部空間に挿入されている。また、リードフレーム３Ｘ，３Ｙは、端子形成部３Ｘａ，３Ｙａと、ＩＣ接続部３Ｘｂ，３Ｙｂと、伝送路形成部３Ｘｃ，３Ｙｃと、突出部３Ｘｄ，３Ｙｄと、位置決め部３Ｘｅ，３Ｙｅとを有している。
【００３１】
端子形成部３Ｘａ，３Ｙａは、外部接続用の端子をなしている。ＩＣ接続部３Ｘｂ，３Ｙｂは、ＩＣ４にワイヤ６Ｘ，６Ｙを介して電気的に接続されている。伝送路形成部３Ｘｃ，３Ｙｃの形状は、棒状あるいは板状である。また、伝送路形成部３Ｘｃ，３Ｙｃは、端子形成部３Ｘａ，３ＹａとＩＣ接続部３Ｘｂ，３Ｙｂとの間の信号・電力の伝送路を形成している。
【００３２】
突出部３Ｘｄ，３Ｙｄは、伝送路形成部３Ｘｃ，３Ｙｃの長さ方向中央部から、伝送路形成部３Ｘｃ，３Ｙｃの長手方向に対して直交する方向（図１，２の左右方向）へ向けて突出するように（分岐するように）形成されている。また、突出部３Ｘｄ，３Ｙｄと伝送路形成部３Ｘｃ，３Ｙｃとは、直角に交わっている。突出部３Ｘｄ及び位置決め部３Ｘｅと、突出部３Ｙｄ及び位置決め部３Ｙｅとは、それぞれＬ字状に形成されている。
【００３３】
位置決め部３Ｘｅ，３Ｙｅは、突出部３Ｘｄ，３Ｙｄの伝送路形成部３Ｘｃ，３Ｙｃの反対側の端から、伝送路形成部３Ｘｃ，３Ｙｃの長手方向のＩＣ接続部３Ｘｂ，３Ｙｂ側（図１の下方）へ向けて突出している。位置決め部３Ｘｅ，３Ｙｅの下端面は、位置決め面をなしている。
【００３４】
ＩＣ接続部３Ｙｂは、ケース２の底面部２ａと平行でありかつ平板状であるＩＣ取付面部３Ｙｂ’を有している。ＩＣ４は、ＩＣ取付面部３Ｙｂ’の一方の面（図２，３のＩＣ取付面部３Ｙｂ’の下面）に取り付けられている。センサ内磁石５は、ＩＣ取付面部３Ｙｂ’の他方の面（図２，３のＩＣ取付面部３Ｙｂ’の上面）に取り付けられている。
【００３５】
ＩＣ４の検出素子は、伝送路形成部３Ｙｃからワイヤ６Ｙを介して電力を受け、複数の凸状部１２（即ち移動磁性体）の移動に伴うセンサ内磁石５の磁界の変化に応じた信号を生成する。そして、ＩＣ４の検出素子は、その生成した信号を、ワイヤ６Ｘを介して伝送路形成部３Ｘｃへ出力する。
【００３６】
ここで、回転センサ１の各種寸法について説明する。リードフレーム３Ｘ，３Ｙの位置決め部３Ｘｅ，３Ｙｅによって、ケース２の内部へ内部充填樹脂８により埋設された時点で、ケース２の開口周縁面２ｄの当接面からリードフレーム３Ｙに取り付けられたＩＣ４までの寸法Ｅが精度良く決まる。即ち、位置決め部３Ｘｅ，３Ｙｅによって、ケース２へのリードフレーム３Ｘ，３Ｙ及び磁気検出部７（ＩＣ４）の挿入深さ寸法が所定の寸法に保たれ、その状態で、内部充填樹脂８によって、リードフレーム３Ｘ，３Ｙ及び磁気検出部７が固定される。
【００３７】
また、ケース２の側面部２ｂは、取付座面２ｆを有している。これにより、ケース２における取付座面２ｆと先端面２ｅとの間の寸法である寸法Ｃのピックアップ長を含む、ケース２の先端面２ｅから開口周縁面２ｄまでの寸法Ｄは、唯一ケース２の構造で決まることから、寸法Ｂは次の式で表される。
Ｂ＝Ｄ−Ｅ＋Ａ
但し、これらの寸法は、以下の通りである。
Ａ：ギャップ
Ｂ：移動磁性体とＩＣ４（移動磁性体側の面：図１の下面）との間の寸法
Ｄ：ケース２の先端面２ｅと開口周縁面２ｄ（当接面）との間の寸法
Ｅ：ケース２の開口周縁面２ｄとＩＣ４（移動磁性体側の面：図１の下面）との間の寸法（挿入深さ寸法）
【００３８】
以上のように、位置決め部３Ｘｅ，３Ｙｅの位置決め面とＩＣ４との間の寸法、即ち図１のＥ寸法が、所定の寸法となるように、リードフレーム３Ｘ，３Ｙの長さ寸法や、ＩＣ４の厚み寸法や、ケース２の各種寸法（特にＤ寸法）等が予め設定されている。これにより、ギャップＡを確保してなお、回転センサ１の内部の寸法Ｂのばらつきを最小限に抑えることができる。
【００３９】
次に、実施の形態１の回転センサ１の製造工程について説明する。図４〜１２は、図１の回転センサ１の製造工程の一工程を説明するための説明図である。
【００４０】
第１の工程
まず、図４に示すように、長方形状の金属板３Ｖがプレス加工される。これにより、図５に示すように、リードフレーム連続体３Ｗが形成される。リードフレーム連続体３Ｗは、互いに同一形状の複数のリードフレーム結合体３Ｚを含んでいる。互いに隣り合うリードフレーム結合体３Ｚ同士は、結合部３Ｚｂで一体的に繋がっている。リードフレーム結合体３Ｚは、リードフレーム３Ｘとリードフレーム３Ｙと結合部３Ｚａとを含んでいる。リードフレーム３Ｘとリードフレーム３Ｙとは、結合部３Ｚａで一体的に繋がっている。
【００４１】
次に、プレス加工によって、ＩＣ接続部３Ｙｂがその奥行き方向（図５の紙面手前側・奥側）へ圧延され、ＩＣ取付面部３Ｙｂ’が形成される。そして、図６（ａ）に示すように、ＩＣ４が、ＩＣ接続部３ＹｂのＩＣ取付面部３Ｙｂ’の一方の面にダイボンディングによって取り付けられる。これとともに、図６（ｂ）に示すように、センサ内磁石５が、ＩＣ接続部３ＹｂのＩＣ取付面部３Ｙｂ’の他方の面に接着剤によって取り付けられる。
【００４２】
この後、図６（ｃ）に示すように、リードフレーム３Ｘ，３Ｙにワイヤ６Ｘ，６Ｙが接続され、リードフレーム３Ｘ，３Ｙがワイヤ６Ｘ，６Ｙを介して、ＩＣ４に電気的に接続される。そして、図６（ｄ）に示すように、ＩＣ接続部３Ｘｂ，３Ｙｂ、ＩＣ４、センサ内磁石５及びワイヤ６Ｘ，６Ｙがモールド樹脂によって覆われて磁気検出部７が形成される。このように、第１の工程で、電気的な機能部品である磁気検出部７が完成する。
【００４３】
なお、図６（ａ）〜（ｄ）に示す各工程では、リードフレーム連続体３Ｗにおける結合部３Ｚｂが除去されて、複数のリードフレーム結合体３Ｚが個々に分離された状態を示した。しかしながら、複数のリードフレーム結合体３Ｚ同士の間の寸法（ピッチ）によっては、リードフレーム連続体３Ｗとして複数のリードフレーム結合体３Ｚが一体的に繋がった状態で、複数のリードフレーム結合体３Ｚのそれぞれに磁気検出部７を形成してもよい。なお、以下の工程でも、複数のリードフレーム結合体３Ｚが一体的に繋がった状態で、作業が可能である（実施の形態２でも同様）。
【００４４】
第２の工程
次に、図７，８に示すように、リードフレーム結合体３Ｚ及び磁気検出部７が、ケース２の開口２ｃを通して内部空間に挿入されて、磁気検出部７が、ケース２内に収容される。この状態では、位置決め部３Ｘｅ，３Ｙｅの位置決め面がケース２の開口周縁面当接面に当接する。これにより、図１のＥ寸法が所定の寸法となる。
【００４５】
第３の工程
次に、図９，１０に示すように、磁気検出部７がケース２内に収容された状態で、ケース２の内部にモールド樹脂である内部充填樹脂８が充填される。この内部充填樹脂８の硬化後に、リードフレーム結合体３Ｚからリードフレーム３Ｘ，３Ｙを繋ぐ結合部３Ｚｂが除去される。つまり、リードフレーム結合体３Ｚにおけるリードフレーム３Ｘ，３Ｙが互いに分離される。
【００４６】
第４の工程
次に、図１１，１２に示すように、第３の工程によりケース２に組付けた状態の部品が、外装用樹脂９の金型（図示せず）にセットされる。そして、モールド成形によって、外部接続用のコネクタハウジング及びセンサ外装部がケース２に形成され、ケース２の開口２ｃ側は外装用樹脂９によって覆われる。
以上の第１〜第４の工程を経て、回転センサ１が製造される。
【００４７】
上記のような実施の形態１の回転センサによれば、伝送路形成部３Ｘｃ，３Ｙｃがケース２の内部空間に挿入された際に、ケース２の側面部２ｂに接し、その接した状態でケース２の内部空間でのＩＣ４の検出素子の挿入深さ寸法を所定の寸法に保つ位置決め部３Ｘｅ，３Ｙｅを、一対のリードフレーム３Ｘ，３Ｙのそれぞれが有している。この構成により、ＩＣ４の検出素子の位置決めに関する構造の簡素化を図ることができる。これとともに、所定のギャップＡを確保してなお、回転センサ１の内部の寸法のばらつきを最小限に抑えることができることから、従来の回転センサと同等以上の検出精度及び信頼性を確保することができる。
【００４８】
また、端子形成部３Ｘａ，３ＹａとＩＣ接続部３Ｘｂ，３Ｙｂと位置決め部３Ｘｅ，３Ｙｅとを有するリードフレーム３Ｘ，３Ｙがそれぞれ１つの部品で構成されている。即ち、リードフレーム３Ｘ，３Ｙが信号伝送構造とＩＣ４の位置決め構造とを兼ねている。この構成により、回転センサ１を最少限の部品点数で構成することができ、回転センサ１の製造工程数についても最少限とすることができる。これに加えて、回転センサ１において重要な検出対象である移動磁性体とＩＣ４との位置が唯一に決まる構造を得ることができる。
【００４９】
さらに、リードフレーム結合体３Ｚがケース２に固定された後に、リードフレーム結合体３Ｚから結合部３Ｚｂａが除去されることによって、一対のリードフレーム３Ｘ，３Ｙが形成されるので、より安定してＩＣ４の位置決めを行うことができる。
【００５０】
実施の形態２．
実施の形態１では、第１の工程において、リードフレーム３Ｘ，３Ｙに直接的に磁気検出部７が形成された。これに対して、実施の形態２では、実施の形態１におけるリードフレーム３Ｘ，３Ｙが、位置決め部２３Ｘｅ，２３Ｙｅが形成されるコネクタ側リードフレーム２３Ｘ，２３Ｙと、ＩＣ４を含む磁気検出部７が形成される検出部側リードフレーム２４Ｘ，２４Ｙとが別工程にて製造される。また、コネクタ側リードフレーム２３Ｘ，２３Ｙと、磁気検出部７及び検出部側リードフレーム２４Ｘ，２４Ｙを含む検出ユニット２５とが別工程にて製造される。ここでは、実施の形態１の第１の工程との違いを中心に説明する。
【００５１】
図１３〜１７は、この発明の実施の形態２による回転センサの製造工程の一工程を説明するための説明図である。まず、図１３に示すように、実施の形態１と同様に、長方形状の金属板２３Ｖがプレス加工される。これにより、図１４に示すように、コネクタ側リードフレーム連続体２３Ｗが形成される。
【００５２】
コネクタ側リードフレーム連続体２３Ｗは、互いに同一形状の複数のコネクタ側リードフレーム結合体２３Ｚを含んでいる。互いに隣り合うコネクタ側リードフレーム結合体２３Ｚ同士は、結合部２３Ｚｂで一体的に繋がっている。コネクタ側リードフレーム結合体２３Ｚは、コネクタ側リードフレーム２３Ｘとコネクタ側リードフレーム２３Ｙとを含んでいる。コネクタ側リードフレーム２３Ｘとコネクタ側リードフレーム２３Ｙとは、結合部２３Ｚａで一体的に繋がっている。
【００５３】
ここで、図１４におけるコネクタ側リードフレーム２３Ｘ，２３Ｙの符号２３Ｘａ，２３Ｙａ，２３Ｘｃ〜２３Ｘｅ，２３Ｙｃ〜２３Ｙｅの構成は、実施の形態１のリードフレーム３Ｘ，３Ｙの符号３Ｘａ，３Ｙａ，３Ｘｃ〜３Ｘｅ，３Ｙｃ〜３Ｙｅの構成と同様である。また、実施の形態２のコネクタ側リードフレーム２３Ｘ，２３Ｙは、実施の形態１のＩＣ接続部３Ｘｂ，３Ｙｂに代えて、ユニット接続部２３Ｘｂ，２３Ｙｂを有している。
【００５４】
次に、長方形状の金属板（図示せず）がプレス加工され、図１５に示すように、検出部側リードフレーム連続体２４Ｗが形成される。検出部側リードフレーム連続体２４Ｗは、互いに同一形状の複数の検出側リードフレーム結合体２４Ｚを含んでいる。互いに隣り合う検出部側リードフレーム結合体２４Ｚ同士は、一体的に繋がっている。
【００５５】
検出部側リードフレーム結合体２４Ｚは、検出部側リードフレーム２４Ｘと検出部側リードフレーム２４Ｙとを含んでいる。検出部側リードフレーム２４Ｘと検出部側リードフレーム２４Ｙとは、結合部２４Ｚａで一体的に繋がっている。また、検出部側リードフレーム２４Ｘ，２４Ｙは、それぞれＩＣ接続部２４Ｘａ，２４Ｙａを有している。
【００５６】
次に、プレス加工によって、ＩＣ接続部２４Ｙａがその奥行き方向（図１６の紙面手前側・奥側）へ圧延され、ＩＣ取付面部２４Ｙａ’が形成される。そして、図１６（ａ）に示すように、ＩＣ４が、ＩＣ接続部２４ＹａのＩＣ取付面部２４Ｙａ’の一方の面にダイボンディングによって取り付けられる。これとともに、図１６（ｂ）に示すように、センサ内磁石５が、ＩＣ接続部２４ＹａのＩＣ取付面部２４Ｙａ’の他方の面に接着剤によって取り付けられる。
【００５７】
この後、図１６（ｃ）に示すように、検出部側リードフレーム２４Ｘ，２４Ｙにワイヤ６Ｘ，６Ｙが接続され、検出部側リードフレーム２４Ｘ，２４Ｙがワイヤ６Ｘ，６Ｙを介して、ＩＣ４に電気的に接続される。そして、図１６（ｄ）に示すように、ＩＣ接続部２４Ｘａ，２４Ｙａ、ＩＣ４、センサ内磁石５及びワイヤ６Ｘ，６Ｙがモールド樹脂によって覆われ磁気検出部７が形成される。
【００５８】
この後に、図１６（ｅ）に示すように、検出部側リードフレーム２４Ｘ，２４Ｙの上端部側が切除され、磁気検出部７及び検出部側リードフレーム２４Ｘ，２４Ｙを含む検出ユニット２５が完成する。検出ユニット２５の検出部側リードフレーム２４Ｘ，２４Ｙは、ユニット側接続端子２４Ｘｂ，２４Ｙｂをなしている。
【００５９】
なお、図１６（ａ）〜（ｅ）では、検出部側リードフレーム連続体２４Ｗにおける複数の検出部側リードフレーム結合体２４Ｚが分離された構成を示した。しかしながら、検出部側リードフレーム連続体２４Ｗのままの状態で（即ち複数の検出部側リードフレーム結合体２４Ｚが繋がった状態で）、各検出部側リードフレーム結合体２４Ｚに磁気検出部７を形成してもよい。
【００６０】
次に、図１７（ａ），（ｂ）に示すように、コネクタ側リードフレーム結合体２３Ｚにおけるユニット接続部２３Ｘｂ，２３Ｙｂにそれぞれ接続突起（又は接続孔）２３Ｘｆ，２３Ｙｆが形成される。これとともに、検出ユニット２５のユニット側接続端子２４Ｘｂ，２４Ｙｂには、接続孔（又は接続突起）２４Ｘｃ，２４Ｙｃが形成される。
【００６１】
そして、図１７（ｃ）に示すように、コネクタ側リードフレーム結合体２３Ｚの接続突起２３Ｘｆ，２３Ｙｆと接続孔２４Ｘｃ，２４Ｙｃとが嵌合される。この後に、図１７（ｄ）に示すように、コネクタ側リードフレーム結合体２３Ｚの接続突起２３Ｘｆ，２３Ｙｆと接続孔２４Ｘｃ，２４Ｙｃとが溶接によって接続される。これにより、コネクタ側リードフレーム結合体２３Ｚ及び検出ユニット２５が一体化される。他の構成及び製造工程は、実施の形態１と同様である。
【００６２】
上記のような実施の形態２の回転センサによれば、コネクタ側リードフレーム２３Ｘ，２３Ｙと、検出ユニット２５とが別工程で製造される場合であっても、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。また、検出ユニット２５がコネクタ側リードフレーム２３Ｘ，２３Ｙとは別工程で製造されることから、実施の形態１に比べて、磁気検出部７の生産性を向上させることができる。
【００６３】
実施の形態３．
実施の形態１では、ＩＣ４がホール素子からなる検出素子を有していた。これに対して、実施の形態３では、ＩＣ３４がＭＲ素子（ＭＲ：Ｍａｇｎｅｔｏ  Ｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）からなる検出素子を有している。
【００６４】
図１８，１９は、この発明の実施の形態３による回転センサを示す断面図である。なお、図１９は、図１８の矢示ＸＩＸの向きでリードフレーム３Ｙを見た状態を示す断面図である。図１８，１９において、実施の形態３のリードフレーム３Ｙには、実施の形態１におけるＩＣ取付面部３Ｙｂ’に代えて、ＩＣ取付面部３Ｙｂ’’が設けられている。ＩＣ取付面部３Ｙｂ’’は、ケース２の底面部２ａに対する直交方向へ向けて配置されている。
【００６５】
実施の形態３のＩＣ３４は、ＩＣ取付面部３Ｙｂ’’の一方の面（図１９の右側の面）に取り付けられている。実施の形態３のセンサ内磁石３５は、ＩＣ取付面部３Ｙｂ’’の他方の面（図１９の左側の面）に取り付けられている。また、ＩＣ３４は、ワイヤ３６Ｘを介してリードフレーム３Ｘに電気的に接続されている。さらに、ＩＣ３４は、ワイヤ３６Ｙを介してリードフレーム３Ｙに電気的に接続されている。
【００６６】
つまり、実施の形態３では、ＩＣ３４及びセンサ内磁石３５の向きが実施の形態１のＩＣ４及びセンサ内磁石５の向きと異なっている。他の構成及び製造工程は、実施の形態１と同様である。また、実施の形態３に、実施の形態２の製造工程を適用してもよい。
【００６７】
上記のような実施の形態３の回転センサによれば、ＩＣ３４がＭＲ素子からなる検出素子を有する構成であっても、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【００６８】
実施の形態４．
実施の形態４では、リードフレーム３Ｘ，３Ｙの伝送路形成部３Ｘｃ，３Ｙｃに、樹脂通し孔（ブランキング部）３Ｘｆ，３Ｙｆが設けられた構成について説明する。図２０，２１は、この発明の実施の形態４による回転センサを示す断面図である。なお、図２１は、図２０の矢示ＸＸＩの向きでリードフレーム３Ｙを見た状態を示す断面図である。
【００６９】
実施の形態４のリードフレーム３Ｘ，３Ｙの伝送路形成部３Ｘｃ，３Ｙｃにおける突出部３Ｘｄ，３Ｙｄとの分岐箇所の近傍（τ字の交点の中心箇所）には、それぞれ樹脂通し孔３Ｘｆ，３Ｙｆが設けられている。樹脂通し孔３Ｘｆ，３Ｙｆの形状は、円形状である。樹脂通し孔３Ｘｆ，３Ｙｆの内部には、外装用樹脂９が充填されている。他の構成及び製造工程は、実施の形態１と同様である。また、実施の形態４に、実施の形態２の製造工程や実施の形態３の構成を適用してもよい。
【００７０】
上記のような実施の形態４の回転センサによれば、伝送路形成部３Ｘｃ，３Ｙｃに、樹脂通し孔３Ｘｆ，３Ｙｆが設けられており、その樹脂通し孔３Ｘｆ，３Ｙｆの内部に外装用樹脂９が充填されている。この構成により、樹脂通し孔３Ｘｆ，３Ｙｆの内部に充填された外装用樹脂９が硬化することによって、その外装用樹脂９がリベット的に作用することから、実施の形態１に比べて、リードフレーム３Ｘ，３Ｙをより強固にケース２に固定することができる。この結果、端子形成部３Ｘａ，３Ｙａに接続されるケーブルコネクタ（図示せず）からの外力によるリードフレーム３Ｘ，３Ｙの位置のずれをより強く抑制することができる。
【００７１】
なお、実施の形態４では、樹脂通し孔３Ｘｆ，３Ｙｆの形状が円形状であった。しかしながら、樹脂通し孔３Ｘｆ，３Ｙｆの形状は、円形状に限るものではなく、外装用樹脂９が通る形状であればよい。例えば、樹脂通し孔３Ｘｆ，３Ｙｆの形状は、四角形状等の多角形状であってもよい。
【００７２】
また、実施の形態４では、樹脂通し孔３Ｘｆ，３Ｙｆが、リードフレーム３Ｘ，３Ｙの伝送路形成部３Ｘｃ，３Ｙｃにおける突出部３Ｘｄ，３Ｙｄとの分岐箇所の近傍に設けられていた。しかしながら、樹脂通し孔３Ｘｆ，３Ｙｆの位置については、この例に限定するものではなく、例えば突出部３Ｘｄ，３Ｙｄに樹脂通し孔３Ｘｆ，３Ｙｆを設けてもよい。
【００７３】
さらに、実施の形態４では、樹脂通し孔３Ｘｆ，３Ｙｆが、リードフレーム３Ｘ，３Ｙにそれぞれ１つずつ設けられていた。しかしながら、樹脂通し孔３Ｘｆ，３Ｙｆの数については、この例に限定するものではなく、リードフレーム３Ｘ，３Ｙにそれぞれ樹脂通し孔３Ｘｆ，３Ｙｆを複数設けてもよい。
【００７４】
実施の形態５．
実施の形態１〜４では、位置決め部３Ｘｅ，３Ｙｅの位置決め面が、ケース２の開口周縁面（当接面）２ｄに接していた。これに対して、実施の形態５では、ケース２の開口周縁面２ｄに設けられた一対の位置決め用凹部（溝部）２ｇに、位置決め部３Ｘｅ，３Ｙｅが挿入されている。これとともに、一対の位置決め用凹部２ｇの底面に、位置決め部３Ｘｅ，３Ｙｅの位置決め面が接している。
【００７５】
図２２〜２４は、この発明の実施の形態５による回転センサを示す断面図である。図２５は、図２４のＸＸＶ部の位置決め用凹部２ｇを拡大して示す平面図である。なお、図２３は、図２２の矢示ＸＸＩＩＩの向きでリードフレーム３Ｙを見た状態を示す断面図であり、図２４は、図２２のＸＸＩＶ−ＸＸＩＶ線に沿う断面図である。
【００７６】
図２２〜２５において、実施の形態５のケース２の側面部２ｂの開口周縁面２ｄには、ケース２の高さ方向の底面部２ａ側（図２２の下方）へ窪む一対の位置決め用凹部２ｇが設けられている。位置決め用凹部２ｇの形状は、リードフレーム３Ｘ，３Ｙの位置決め部３Ｘｅ，３Ｙｅの形状に対応するように、平面視四角形状である。
【００７７】
実施の形態５のリードフレーム３Ｘ，３Ｙの位置決め部３Ｘｅ，３Ｙｅは、位置決め用凹部２ｇに挿入されている。また、位置決め部３Ｘｅ，３Ｙｅの位置決め面は、位置決め用凹部２ｇの底面に接している。さらに、位置決め部３Ｘｅ，３Ｙｅの位置決め面は、一対の位置決め用凹部２ｇの底面に、接着剤１３によって固定されている。
【００７８】
また、実施の形態５では、リードフレーム３Ｘ，３Ｙの長さ寸法や、ＩＣ４の厚み寸法や、ケース２の各種寸法等が、実施の形態１における図１のＥ寸法が所定の寸法となるように、また一対の位置決め用凹部２ｇの溝の深さ分に対応するように予め設定されている。他の構成及び製造工程は、実施の形態１と同様である。また、実施の形態５に、実施の形態２の製造工程や実施の形態３，４の構成を適用してもよい。
【００７９】
上記のような実施の形態５の回転センサによれば、ケース２の開口周縁面２ｄに設けられた一対の位置決め用凹部２ｇに、位置決め部３Ｘｅ，３Ｙｅが挿入されている構成であっても、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【００８０】
ここで、図３２に示すような従来の回転センサ１０１では、最終工程の成形樹脂流動時において、検出素子に繋がる各部品が仮組み状態であるため、成形樹脂の流動によって各部品が移動してしまう可能性があった。この結果、検出素子の位置が回転方向（ケース１０２Ｚの側面部の周方向）、あるいは左右方向（ケース１０２Ｚの側面部の径方向）で所定の位置に必ずしも定まらない可能性がある。
【００８１】
これに対して、実施の形態５では、ケース２の開口周縁面２ｄに設けられた一対の位置決め用凹部２ｇに、位置決め部３Ｘｅ，３Ｙｅが挿入されている。この構成により、ケース２の内部空間におけるＩＣ４の高さ位置が決まることに加えて、図２４の前後・左右方向（ケース２の側面部２ｂの周方向及び径方向）についても、ＩＣ４の位置が決まる。この結果、ケース２の内部空間における磁気検出部７の位置精度を向上させることができる。
【００８２】
また、位置決め部３Ｘｅ，３Ｙｅの位置決め面が、一対の位置決め用凹部２ｇの底面に、接着剤１３によって固定されている。この構成により、組立工程中の外力による位置ずれの発生を防ぐことができる。
【００８３】
実施の形態６．
実施の形態５では、ケース２の開口周縁面２ｄに、平面視四角形状の位置決め用凹部２ｈが設けられた構成について説明した。これに対して、実施の形態６では、ケース２の開口周縁面２ｄに、平面視円環状の位置決め用凹部２ｈが設けられた構成について説明する。
【００８４】
図２６〜２８は、この発明の実施の形態６による回転センサを示す断面図である。なお、図２７は、図２６の矢示ＸＸＶＩＩの向きでリードフレーム３Ｙを見た状態を示す断面図であり、図２８は、図２６のＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。
【００８５】
図２６〜２８において、実施の形態６のケース２の側面部２ｂの開口周縁面２ｄには、ケース２の高さ方向の底面部２ａ側（図２６の下方）へ窪む位置決め用凹部２ｈが設けられている。位置決め用凹部２ｈの形状は、開口２ｃの外周に沿うように平面視円環状である。また、位置決め用凹部２ｈの内周と外周との間の寸法は、位置決め部３Ｘｅ，３Ｙｅと嵌合可能な寸法となっている。他の構成及び製造工程は、実施の形態１，５と同様である。また、実施の形態６に、実施の形態２の製造工程や実施の形態３，４の構成を適用してもよい。
【００８６】
上記のような実施の形態６の回転センサによれば、ケース２の開口周縁面２ｄに設けられた平面視円環状の位置決め用凹部２ｇに、位置決め部３Ｘｅ，３Ｙｅが挿入されている構成であっても、実施の形態１，５と同様の効果を得ることができる。これに加えて、ケース２の形状に方向性がない場合等の生産性を優先させる場合において、特に有効な取付位置精度を確保することができる。
【００８７】
なお、実施の形態５，６では、接着剤１３を用いて、位置決め部３Ｘｅ，３Ｙｅの位置決め面を、一対の位置決め用凹部２ｇの底面、あるいは位置決め用凹部２ｈの底面に固定した構成について説明した。しかしながら、この例に限定するものではなく、接着剤１３を省略しても、位置決め用凹部２ｇ，２ｈによって、リードフレーム３Ｘ，３Ｙの位置ずれをある程度抑えることができる。
【００８８】
ここで、実施の形態１〜４において、実施の形態５，６の接着剤１３を用いて、位置決め部３Ｘｅ，３Ｙｅの位置決め面をケース２に固定してもよい。
【００８９】
実施の形態７．
実施の形態７では、コネクタハウジング及びセンサ外装部を形成する外装用樹脂９の成形加工の工程（実施の形態１の第４の工程に相当）について説明する。図２９，３０は、この発明の実施の形態７による回転センサの製造工程の一工程を説明するための説明図である。なお、図３０は、図２９の矢示ＸＸＸの向きで回転センサ１を見た状態を示す図である。
【００９０】
図２９，３０において、実施の形態１における第３の工程の後に、ケース２及びリードフレーム３Ｘ，３Ｙに、外装用金型（成形型）４０Ｘ，４０Ｙ，４０Ｚが組付けられる。外装用金型４０Ｘ，４０Ｚは、ケース２の側面部２ｂの一部と底面部２ａとに接し、ケース２を固定している。外装用金型４０Ｙは、リードフレーム３Ｘ，３Ｙの端子形成部３Ｘａ，３Ｙａに接し、リードフレーム３Ｘ，３Ｙを固定している。
【００９１】
外装用金型４０Ｘには、モールド樹脂射出用のゲート４０ａが設けられている。ゲート４０ａには、図２９の矢示αのような向きでモールド樹脂が注入される。ゲート４０ａは、外装用金型４０Ｘにおけるリードフレーム３Ｘの突出部３Ｘｄの延長領域（図２９の左側への延長領域）に配置されている。即ち、ゲート４０ａは、成形樹脂の流動方向が位置決め部３Ｘｄ，３Ｙｄの突出方向に沿うように配置されている。このゲート４０ａによって、図２９の矢示βのように、モールド樹脂の射出方向がリードフレーム３Ｘ，３Ｙの突出部３Ｘｄ，３Ｙｄ及び位置決め部３Ｘｅ，３Ｙｅの面方向と略平行となる。
【００９２】
従って、ゲート４０ａは、リードフレーム３Ｘ，３Ｙが樹脂流動時に発生する射出圧力を逃がすようなレイアウトとなっている。他の構成及び製造工程は、実施の形態１と同様である。また、実施の形態７に、実施の形態２の製造工程や実施の形態３〜６の構成を適用してもよい。
【００９３】
上記のような実施の形態７の回転センサによれば、外装用金型４０Ｘにおけるゲート４０ａの位置がリードフレーム３Ｘの突出部３Ｘｄの延長領域に配置されている。この構成により、リードフレーム３Ｘ，３Ｙの位置及び角度が、成形時の樹脂圧力による変形や位置ずれズレの発生を抑えることができ、前段の工程で決定された部品配置で回転センサ１を組み立てることができる。
【００９４】
実施の形態８．
実施の形態１〜７では、ケース２の内部空間内に収容されたセンサ内磁石５，３５の磁界の変化をＩＣ４の検出素子が検出する構成について説明した。これに対して、実施の形態８では、図３１に示すように、実施の形態１〜７におけるセンサ内磁石５，３５が省略され、回転軸５１の外周面に設けられた複数のセンサ外磁石５５の磁界の変化をＩＣ４の検出素子が検出する。
【００９５】
ここで、実施の形態１〜７では、移動磁性体の形状が表面凹凸状又はギヤ形状であったが、実施の形態８では、移動磁性体の形状が縦断面円状である。また、複数のセンサ外磁石５５は、移動磁性体の表面極性がＳ・Ｎと交互に切り替わるように配置されている。他の構成及び製造工程は、実施の形態１と同様である。この図３１に示すような構成であっても、実施の形態１と同様の効果を得ることができる。
【００９６】
なお、実施の形態８の回転センサに、実施の形態２，７の製造工程や実施の形態３〜６の構成を適用してもよい。
【００９７】
また、実施の形態１〜８では、突出部３Ｘｄ及び位置決め部３Ｘｅと、突出部３Ｙｄ及び位置決め部３ＹｅとがそれぞれＬ字状に形成されており、位置決め部３Ｘｅの先端面が位置決め面をなしていた。しかしながら、位置決め部３Ｘｅ，３Ｙｅの構成は、この例に限定するものではなく、ケース２の一部と当接可能な構成であって、ケース２の一部と当接可能することによって、ケース２の内部空間におけるＩＣ４の位置が定まる構成であればよい。例えば、図１，２における突出部３Ｘｄ，３Ｙｄに相当する直線状の部分を位置決め部とし、その下面を位置決め面としてもよい。
【００９８】
さらに、実施の形態１〜８では、回転センサ１のコネクタが縦向きであったが、図４５，４６の従来の回転センサ１０１のコネクタハウジング部１０９ａのように、コネクタが横向きでもよい。
【００９９】
また、実施の形態１〜８では、回転体として回転軸１１，５１を用いた構成について説明した。しかしながら、回転体の形状は、軸状に限定するものではなく、例えば円盤状やリング状等の他の形状であってもよい。また、ケース２の底面部２ａは、回転体の表面から間隔をおいて配置されていればよい。
【符号の説明】
【０１００】
１  回転センサ、２  ケース、２ａ  底面部、２ｂ  側面部、２ｃ  開口、２ｄ  開口周縁面、２ｅ  先端面、２ｆ  取付座面、２ｇ，２ｈ  位置合わせ用凹部、３Ｘ，３Ｙ  リードフレーム、３Ｘａ，３Ｙａ  端子形成部、３Ｘｂ，３Ｙｂ  ＩＣ接続部、３Ｙｂ’，３Ｙｂ’’  ＩＣ取付面部、３Ｘｃ，３Ｙｃ  伝送路形成部、３Ｘｄ，３Ｙｄ  突出部、３Ｘｅ，３Ｙｅ  位置決め部、３Ｘｆ，３Ｙｆ  樹脂通し孔、３Ｚ  リードフレーム結合体、３Ｚ  結合部、４  ＩＣ（磁気検出手段）、５  センサ内磁石、６Ｘ，６Ｙ  ワイヤ、７  磁気検出部、８  内部充填樹脂、９  外装用樹脂、１０  ハウジング、１１  回転軸（回転体）、１２  凸状部、１３  接着剤、２３Ｘ，２３Ｙ  コネクタ側リードフレーム、２４Ｘ，２４Ｙ  検出部側リードフレーム、２５  検出ユニット、３４  ＩＣ（磁気検出手段）、３５  センサ内磁石、３６Ｘ，３６Ｙ  ワイヤ、４０Ｘ，４０Ｙ，４０Ｚ  外装用金型（成形型）、４０ａ  ゲート、５１  回転軸（回転体）、５５  センサ外磁石。
【図１】
2012002654.tif 000003
【図２】
2012002654.tif 000004
【図３】
2012002654.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2012002654.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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