(57)【要約】      （修正有）【課題】耐熱性および実装基板との導電接合性が良好な鉛フリー対応した電子部品用ベースおよび圧電振動子を提供する。【解決手段】電子部品用のベース１は、金属製のシェル１０と、当該シェル内に充填された絶縁ガラス１３（絶縁材）と、当該絶縁ガラス１３に貫通固定されたリード端子１１、１２とからなる。シェル基体およびリード端子基体の各表面には、Ｃｕ層の下地層が形成され、その上面にはＳｎ−Ｃｕ層が１０μｍの厚さで形成される。前記Ｓｎ−Ｃｕ層の表面にＳｎフラッシュメッキ層０．５μｍの厚さで形成している。【選択図】図１
2012049845.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シェルと、シェル内に充填した絶縁材と、当該絶縁材を貫通して配置されたリード端子からなる電子部品用ベースであって、
前記シェルおよび前記リード端子の外表面にＣｕまたはＮｉ層、Ｓｎ−Ｃｕ層の順で金属層が形成され、前記Ｓｎ−Ｃｕ層の表面にＳｎフラッシュメッキ層が形成されていることを特徴とする電子部品用ベース。
【請求項２】
前記Ｓｎ−Ｃｕ層の厚さが７〜１７μｍ、Ｓｎフラッシュメッキ層の厚さが０．２〜１．０μｍであることを特徴とする請求項１記載の電子部品用ベース。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電子部品用ベースに圧電振動片を取り付け、前記圧電振動片を被覆するように一方が開口したキャップを前記ベースに圧入したことを特徴とする圧電振動子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品用ベースに関するものであり、特に鉛フリー（無鉛化）に対応した電子部品用ベースおよび当該電子部品用ベースを用いた圧電振動子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子部品用のベースとして、金属製のシェルに絶縁ガラスが充填され、当該絶縁ガラスにリード端子が貫通固定されたベースをあげることができる。このような電子部品用ベースはシリンダー型の本体を有する水晶振動子に用いられる。水晶振動子はベース上面に水晶振動片を取着し、キャップをベースに圧入することにより、水晶振動片等を気密封止する構成である。
【０００３】
ところで、近年の電子部品の鉛フリー要請により、上述のベースにおいても鉛フリー製品が求められている。このような要請に対応して、例えば特開2003-142614号に示すような構成が検討されていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開2003-142614号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１は電子部品用ベースに形成する鉛フリー構成として、シェルにＣｕまたはＮｉの下地金属層を形成し、その上面にＳｎＣｕ層が形成された構成で、これにより耐熱性の向上をはかっている。しかしながらキャップを圧入した際、所望の気密性が得られない場合があった。これはＳｎＣｕ層の軟質性が十分ではなく、圧入がスムーズに行われない場合があるためと考えられる。
【０００６】
また、当該電子部品用ベースに水晶振動片等の電子素子を搭載し、キャップにて気密封止をすることにより、リード端子付きの水晶振動子（電子部品）を得ることができる。このようなリード端子付きの水晶振動子を鉛フリーハンダにて実装基板（被接合部材）に導電接合するが、従来のリード端子の表面金属構成、すなわちＳｎＣｕ層では鉛フリーハンダが濡れにくい等、導電接合性が不十分な場合があった。
【０００７】
本発明は上記問題点を解決するためになされたもので、耐熱性および実装基板との導電接合性が良好な鉛フリー対応した電子部品用ベースおよび圧電振動子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記目的を達成するためになされたもので、シェルと、シェル内に充填した絶縁材と、当該絶縁材を貫通して配置されたリード端子からなる電子部品用ベースであって、前記シェルおよび前記リード端子の外表面にＣｕまたはＮｉ層、Ｓｎ−Ｃｕ層の順で金属層が形成され、前記Ｓｎ−Ｃｕ層の表面にＳｎフラッシュメッキ層が形成されていることを特徴としている。
【０００９】
前記Ｓｎフラッシュメッキ層は前記Ｓｎ−Ｃｕ層の表面に形成されるが、その厚さは０．１μｍから１．０μｍ程度の極薄のメッキが用いられる。この場合のメッキは電解メッキが好ましく、適切なメッキ電流密度調整によるＳｎフラッシュメッキを施すことにより、ウイスカー成長を抑制することができる。
【００１０】
上記構成によれば、前記シェルおよび前記リード端子の外表面にＣｕまたはＮｉ層、Ｓｎ−Ｃｕ層の順で金属層が形成され、前記Ｓｎ−Ｃｕ層の表面にＳｎフラッシュメッキ層が形成されている構成であるので、圧入による気密封止に寄与するシェルの表面においては、キャップをベースに圧入する際、Ｓｎの軟質性により圧入をスムーズに行うことができる。またＳｎフラッシュメッキ層は極薄の構成であるので、Ｓｎフラッシュメッキの下層に位置するＳｎ―Ｃｕ層に基づく耐熱性を発揮することができ、全体として圧入後の耐熱性を好適な状態に保つことができる。
【００１１】
また、当該電子部品用ベースに水晶振動片等の電子素子を搭載し、キャップにて気密封止をすることにより、リード端子付きの水晶振動子（電子部品）を得る。このようなリード端子付きの水晶振動子を鉛フリーハンダにて実装基板（被接合部材）に導電接合するが、リード端子の表面にもＳｎフラッシュメッキ層が形成されているために、リード端子に対して前記鉛フリーハンダが濡れやすくなり、実装基板との導電接合性を向上させることができる。具体的には、ＰＣＴ(プレッシャークッカー試験)による環境負荷（例えば１０５℃、１００％ＲＨ、１６時間）に耐える半田濡れ性（例えばメニスコ試験３秒以内）を確保することができる。
【００１２】
また、上記構成において、前記Ｓｎ−Ｃｕ層の厚さが７〜１７μｍ、Ｓｎフラッシュメッキ層の厚さが０．２〜１．０μｍである構成としてもよい。
【００１３】
Ｓｎ−Ｃｕ層は比較的延性を有し、一定の厚さ以上でその性能を効率的に発揮し、圧入時の気密性向上に寄与する。前記Ｓｎ−Ｃｕ層の厚さを７μｍ以上とするにより、必要な気密性を確保することができる。また前記Ｓｎ−Ｃｕ層が厚くなりすぎると気密性が低下する場合があり、前記Ｓｎ−Ｃｕ層の厚さを１７μｍ以下にすることにより、好適な気密性を確保することができる。また前記Ｓｎ−Ｃｕ層は延性を有するために１７μｍ以上の厚さになるとキャップを圧入した際にキャップの開口部で前記Ｓｎ−Ｃｕ層の一部が削り取られ、切削くずが生じることがある。このような場合、切削くずがベースのリード端子を短絡させる等の問題が生じる可能性があった。
【００１４】
またＳｎフラッシュメッキ層は圧入をスムーズに行うとともに、実装基板との導電接合性の向上に寄与する。Ｓｎフラッシュメッキ層の厚さが０．２μｍ以上とすることにより、Ｓｎの軟質性が十分に発揮され、キャップのベースへの圧入をスムーズに行うことができ、またリード端子部分において鉛フリーハンダが効率的に濡れ、実装基板との導電接合性が良好になる。
【００１５】
Ｓｎフラッシュメッキ層の厚さを１．０μｍ以下とすることにより、ベースのシェル部分のＳｎフラッシュメッキ層が厚くなりすぎないため、耐熱性を低下させることがない。
【００１６】
また上記各構成において、前記Ｓｎ−Ｃｕ層におけるＣｕの比率を２〜１３重量％としてもよい。Ｃｕの割合が２重量％未満になると、Ｓｎの融点が支配的になり、Ｓｎ−Ｃｕ層の融点が低下する。これにより実用的な耐熱性を得ることが困難となり、気密性が低下する。Ｃｕの割合が１３％を越えると、Ｓｎ−Ｃｕ層の軟質性が著しく低下し、圧入時の気密性が低下する。このようにＳｎ−Ｃｕ層においてＣｕの割合を２〜１３％とすることにより、実用的な金属層の耐熱性および圧入時の耐熱性を得ることができ、耐熱性および気密性に優れた鉛フリー対応した電子部品用ベースを得ることができる。なお、耐熱面の安定性を考慮すると、Ｓｎ−Ｃｕ層におけるＣｕの割合が７〜１３％がより好ましい。
【００１７】
さらに上記各構成の電子部品用ベースに圧電振動片を取り付け、前記圧電振動片を被覆するように一方が開口したキャップを前記ベースに圧入したことを特徴とする圧電振動子であってもよい。
【００１８】
上記構成によれば、耐熱性および実装基板との導電接合性に優れた鉛フリー対応した電子部品用ベースに圧電振動片を取り付け、前記圧電振動片を被覆するように一方が開口したキャップを圧入した構成であるので、耐熱性および実装基板との導電接合性に優れた、鉛フリー対応の圧電振動子を得ることができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、耐熱性および実装基板との導電接合性に優れた、鉛フリーに対応した電子部品用ベースおよび圧電振動子を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明による第１の実施形態を示すキャップ圧入前の圧電振動子の内部構成を示す断面図
【図２】電子部品用ベースの詳細断面図
【図３】キャップを圧入した状態の圧電振動子の内部構成を示す断面図
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明による好ましい実施の形態について音叉型水晶振動子を例にとり、図面に基づいて説明する。図１は音叉型水晶振動子の圧入前の内部構造を示す図であり、図２は図１のベース部分の部分拡大図である。また図３はベースにキャップを圧入した状態の水晶振動子の内部構造を示す図である。
【００２２】
電子部品用のベース１は、金属製のシェル１０と、当該シェル内に充填された絶縁ガラス１３（絶縁材）と、当該絶縁ガラス１３に貫通固定されたリード端子１１、１２とからなる。シェル１０は例えば４２アロイを基体としており、上下に貫通した円筒形状を有している。なお、このシェルの材料は４２アロイ以外に、コバールあるいは鉄ニッケル系合金を用いてもよい。
【００２３】
リード端子１１，１２は例えばコバールを基体１１１，１２１として用い、線状に加工されている。これらリード端子は前記シェル１０内に所定の間隔をもって貫通配置されている。シェル内に充填された絶縁ガラス１３は例えばホウケイ酸ガラスからなり、前記シェル１０とリード端子１１，１２とを各々電気的に独立させた状態で固定されている。
【００２４】
図２に示すように、ベースのシェル１０およびリード端子１１，１２の表面には次の金属膜が形成される。シェルの基体表面およびリード端子の基体表面には、それぞれＣｕ層からなる下地金属層１０２が形成され、その上面にはＳｎ−Ｃｕ層１０３が形成されている。前記Ｃｕ層は例えば３μｍの厚さで形成され、前記Ｓｎ−Ｃｕ層１０３は１０μｍの厚さで形成される。これら層厚は一例であり、実施形態により適宜調整変更すればよい。なお前記Ｃｕ層の厚さは２〜５μｍの範囲であれば好ましく、また前記Ｓｎ−Ｃｕ層の厚さは７〜１７μｍの範囲であれば好ましい。
【００２５】
なお、下地金属層としてＮｉ層を用いてもよい。この場合、意図しない金属成長のウィスカーを抑制できる。
【００２６】
前記Ｓｎ−Ｃｕ層１０３の表面にはＳｎフラッシュメッキ層１０４が形成されている。当該Ｓｎフラッシュメッキ層の厚さは０．５μｍで形成している。Ｓｎフラッシュメッキは下層のＳｎ−Ｃｕ層１０３に対してなじみ易く、良好な成膜が得られ極薄の膜形成でもＳｎの軟質性を得ることができる。なお、Ｓｎフラッシュメッキ層の厚さは０．２〜１．０μｍの厚さであれば好ましい。また当該Ｓｎフラッシュメッキ層に代えて、Ｓｎ薄膜層を真空蒸着法やスパッタリングまたはディップ法により形成してもよい。この場合のＳｎ薄膜層は前記Ｓｎ−Ｃｕ層より格段に薄い０．１μｍから１．０μｍ程度の厚さで形成すればよい。
【００２７】
このような電子部品用ベース１のリード端子のインナー側１１ａ，１２ａには電子素子である音叉型水晶振動子片２が電気的機械的に接合される。音叉型水晶振動片２は平行して伸びる１組の振動腕２１，２２とこれら振動腕を結合する基部２３が形成され、その表面には図示していないが音叉屈曲振動を行わしめるよう１組の励振電極が形成されている。これら励振電極各々は音叉基部２３領域に引出されている。当該音叉基部に形成された電極とリード端子のインナー側１１ａ，１２ａとが低融点金属を用いたろう付け等により導電接合される。
【００２８】
キャップ３は洋白（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｚｎ系合金）からなり、有底の円筒状を有している。キャップの外周および内周面にはニッケル層３１が６μｍの厚さでメッキ等の手段により形成されている。なお、当該ニッケル層３１の厚さはが３〜９μｍの厚さで形成してもよい。
【００２９】
キャップの内径は前記ベースのシェル部分の外形よりも若干小さく設計されており、例えば２〜５％小さな内径に設定されている。図３に示すように、このようなキャップを真空雰囲気中で前記電子素子である音叉型水晶振動子片を被覆し、キャップ開口部をベースに圧入することにより、ベースとキャップが強く密着し、キャップ内部が真空状態に保たれた気密封止を行うことができる。なお、真空雰囲気に代えて不活性ガス雰囲気で気密封止を行うことにより、キャップ内部を不活性ガス雰囲気としてもよい。
【００３０】
次に電子部品用のベース製造方法について説明する。
シェルの基体１０１にペレット状の絶縁ガラス１３を配置し、絶縁ガラス１３にリード端子の基体を貫通させる。具体的にはペレット状の絶縁ガラスには２つの貫通孔が予め設けられており、これら貫通孔それぞれに各リード端子を貫通配置させる。この状態でガラス焼成技術により各構成要素が一体的に焼成成形される。
【００３１】
この一体成形されたベースを酸洗浄等により金属表面の洗浄や浸炭部分の除去を行い、その後、金属膜が形成される。具体的には、シェル基体およびリード端子基体の各表面には、Ｃｕ層の下地層１０１が３μｍの厚さで形成され、その上面にはＳｎ−Ｃｕ層１０２が１０μｍの厚さで形成される。これら各金属膜形成はバレルメッキ法を用いるとよい。バレルメッキは被膜形成対象物を投入したバレルをメッキ浴に浸漬し、バレルを回転させることにより電解メッキを効率的に行うことができる。またバレルメッキ法はバッチ処理が可能であることから、量産性にも優れている。このようなメッキ処理により、ベースのシェルおよびリード端子表面に前記各金属層が形成される。
【００３２】
その後、前記Ｓｎ−Ｃｕ層の表面にＳｎフラッシュメッキ層を形成する。Ｓｎフラッシュメッキ層はＳｎメッキ浴に３〜１０分程度浸漬し、電解メッキを行うことにより得られる。このようにメッキ法を用いることにより、成膜を一括で処理することができ、生産性を向上させることができる。以上により電子部品用のベースを得ることができる。
【００３３】
次に本発明品および従来相当品について、耐熱性と実装基板への導電接合性について比較確認を行った。具体的には上記発明の実施の形態および図１、図２に示すような構成で、各々メッキ処理したベースに水晶振動素子（電子素子）を搭載し、キャップにて気密封止（圧入）した水晶振動子を用いた。また各構成部分の具体的寸法は、キャップの基体内径が１．６ｍｍ程度、ベースの基体外径が１．７１ｍｍ程度、ベース高さが１．０ｍｍ程度（リード部分を除く）である。このような水晶振動子について下記のとおり金属膜を異ならせた構成毎にサンプルを１０個用意し、耐熱性試験、導電接合性試験（ハンダ濡れ性試験）を行った。
【００３４】
耐熱性は２６０℃ピークのリフローを行った際の、ベースとキャップの圧入部分（図３のＡにて図示）について目視で溶融していないか確認をした。溶融の認められないものを良品（◎）、サンプルの中にはバラツキがあり一部溶融が認められるものの、実用上問題がないものを実用良品（○）、溶融が認められ、実用に供することができないものがほとんどである場合を不良品（×）とした。
【００３５】
導電接合性試験（ハンダ濡れ性試験）は、水晶振動子のリード端子を実装基板に鉛フリーハンダ（Ｓｎ−Ａｇ―Ｃｕ系ハンダ）により接合した場合のハンダ濡れ性について、目視で確認をした。濡れ性が良好で実用に供することができるものを良品（◎）、サンプルの中にはバラツキがあり濡れ性が一部が良好でないが、実用上問題がないものを実用良品（○）、濡れ性が良好でなく、実用に供することができないものがほとんどである場合を不良品（×）とした。
【００３６】
試験結果を次の表１に示す。なお、厚さの単位はμｍである。
【００３７】
【表１】
2012049845.tif 000003
【００３８】
サンプルＡは従来相当品であり、シェルに下地金属層となるＣｕ層を厚さ３μｍで形成し、その表面にＳｎ―Ｃｕ層を厚さ１０μｍで形成したものである。
【００３９】
サンプルＢはシェルに下地金属層となるＣｕ層を厚さ３μｍで形成し、その表面にＣｕの重量％が２％のＳｎ―Ｃｕ層を厚さ６μｍ、さらにその表面に厚さ０．１μｍのＳｎフラッシュメッキ層形成したものである。
【００４０】
サンプルＣはシェルに下地金属層となるＣｕ層を厚さ３μｍで形成し、その表面にＣｕの重量％が２％のＳｎ―Ｃｕ層を厚さ７μｍ、さらにその表面に厚さ０．１μｍのＳｎフラッシュメッキ層形成したものである。
【００４１】
サンプルＤはシェルに下地金属層となるＣｕ層を厚さ３μｍで形成し、その表面にＣｕの重量％が２％のＳｎ―Ｃｕ層を厚さ７μｍ、さらにその表面に厚さ０．２μｍのＳｎフラッシュメッキ層形成したものである。
【００４２】
サンプルＥはシェルに下地金属層となるＣｕ層を厚さ５μｍで形成し、その表面にＣｕの重量％が２％のＳｎ―Ｃｕ層を厚さ７μｍ、さらにその表面に厚さ０．５μｍのＳｎフラッシュメッキ層形成したものである。
【００４３】
サンプルＦはシェルに下地金属層となるＣｕ層を厚さ５μｍで形成し、その表面にＣｕの重量％が２％のＳｎ―Ｃｕ層を厚さ７μｍ、さらにその表面に厚さ１．０μｍのＳｎフラッシュメッキ層形成したものである。
【００４４】
サンプルＧはシェルに下地金属層となるＣｕ層を厚さ３μｍで形成し、その表面にＣｕの重量％が２％のＳｎ―Ｃｕ層を厚さ７μｍ、さらにその表面に厚さ１．２μｍのＳｎフラッシュメッキ層形成したものである。
【００４５】
サンプルＨはシェルに下地金属層となるＣｕ層を厚さ３μｍで形成し、その表面にＣｕの重量％が２％のＳｎ―Ｃｕ層を厚さ１０μｍ、さらにその表面に厚さ０．１μｍのＳｎフラッシュメッキ層形成したものである。
【００４６】
サンプルＩはシェルに下地金属層となるＣｕ層を厚さ３μｍで形成し、その表面にＣｕの重量％が２％のＳｎ―Ｃｕ層を厚さ１０μｍ、さらにその表面に厚さ０．２μｍのＳｎフラッシュメッキ層形成したものである。
【００４７】
サンプルＪはシェルに下地金属層となるＣｕ層を厚さ３μｍで形成し、その表面にＣｕの重量％が２％のＳｎ―Ｃｕ層を厚さ１０μｍ、さらにその表面に厚さ０．５μｍのＳｎフラッシュメッキ層形成したものである。
【００４８】
サンプルＫはシェルに下地金属層となるＣｕ層を厚さ３μｍで形成し、その表面にＣｕの重量％が２％のＳｎ―Ｃｕ層を厚さ１０μｍ、さらにその表面に厚さ１．０μｍのＳｎフラッシュメッキ層形成したものである。
【００４９】
サンプルＬはシェルに下地金属層となるＣｕ層を厚さ３μｍで形成し、その表面にＣｕの重量％が８％のＳｎ―Ｃｕ層を厚さ１５μｍ、さらにその表面に厚さ０．５μｍのＳｎフラッシュメッキ層形成したものである。
【００５０】
サンプルＭはシェルに下地金属層となるＣｕ層を厚さ３μｍで形成し、その表面にＣｕの重量％が８％のＳｎ―Ｃｕ層を厚さ１５μｍ、さらにその表面に厚さ１．２μｍのＳｎフラッシュメッキ層形成したものである。
【００５１】
サンプルＮはシェルに下地金属層となるＣｕ層を厚さ３μｍで形成し、その表面にＣｕの重量％が２％のＳｎ―Ｃｕ層を厚さ１７μｍ、さらにその表面に厚さ０．１μｍのＳｎフラッシュメッキ層形成したものである。
【００５２】
サンプルＯはシェルに下地金属層となるＣｕ層を厚さ３μｍで形成し、その表面にＣｕの重量％が２％のＳｎ―Ｃｕ層を厚さ１７μｍ、さらにその表面に厚さ０．２μｍのＳｎフラッシュメッキ層形成したものである。
【００５３】
サンプルＰはシェルに下地金属層となるＣｕ層を厚さ３μｍで形成し、その表面にＣｕの重量％が２％のＳｎ―Ｃｕ層を厚さ１７μｍ、さらにその表面に厚さ１．０μｍのＳｎフラッシュメッキ層形成したものである。
【００５４】
サンプルＱはシェルに下地金属層となるＣｕ層を厚さ３μｍで形成し、その表面にＣｕの重量％が２％のＳｎ―Ｃｕ層を厚さ１７μｍ、さらにその表面に厚さ１．２μｍのＳｎフラッシュメッキ層形成したものである。
【００５５】
サンプルＲはシェルに下地金属層となるＣｕ層を厚さ３μｍで形成し、その表面にＣｕの重量％が２％のＳｎ―Ｃｕ層を厚さ１８μｍ、さらにその表面に厚さ０．２μｍのＳｎフラッシュメッキ層形成したものである。
【００５６】
サンプルＳはシェルに下地金属層となるＣｕ層を厚さ５μｍで形成し、その表面にＣｕの重量％が２％のＳｎ―Ｃｕ層を厚さ２０μｍ、さらにその表面に厚さ０．５μｍのＳｎフラッシュメッキ層形成したものである。
【００５７】
上記実験結果において、従来品１は耐熱性については良好であるが、導電接合性に劣る結果となった。また圧入時のバラツキが大きく、一部気密性の良好でないサンプルも存在した。
【００５８】
これに対してサンプルＢ〜Ｒにおいては、Ｓｎフラッシュメッキ層が０．１μｍのものについては導電接合性が劣っているが、０．２μｍ以上形成していれば導電接合性が良好となっている。またＳｎフラッシュメッキ層が１．２μｍ以上のものについては、耐熱性が低下する。なおメッキ厚が厚くなれば、メッキのクラックが発生しやすくなり、また圧入時にメッキが削り取られる可能性も高くなり、好ましくない。
【００５９】
またサンプルＬとＭについてはＳｎ―Ｃｕ層におけるＣｕの割合を８重量％としているが、耐熱性と導電接合性における特性は、Ｃｕの割合が２重量％の場合と同様の傾向を示していることも確認できた。
【００６０】
なお、サンプルＲの検証結果から、Ｓｎ―Ｃｕ層が厚くなりすぎると耐熱性が低下する傾向があり、サンプルＳでは各金属層の合計厚さが厚くなりすぎ、圧入による気密封止ができないものが多く、データ取得できていない。
【００６１】
上記検証結果によれば、Ｓｎフラッシュメッキ層が０．２〜１．０μｍの厚さで形成することにより導電接合性が良好である。またＳｎ―Ｃｕ層が７〜１７μｍの厚さで形成することにより、気密性、耐熱性が安定的に得られるとともに、Ｓｎ―Ｃｕ層が圧入時に削り取られることによる短絡の問題も抑制できる。
【００６２】
なお、本発明は、その精神や主旨または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
電子部品用ベースおよび水晶振動子等の圧電振動デバイスの量産に適用できる。
【符号の説明】
【００６４】
１  ベース
２  水晶振動片
３  キャップ
１０２  Ｃｕ層
１０３  Ｓｎ―Ｃｕ層
１０４  Ｓｎフラッシュメッキ層
【図１】
2012049845.tif 000004
【図２】
2012049845.tif 000005
【図３】
2012049845.tif 000006