(57)【要約】【課題】ドレッサの片削れが防止され、研磨パッドの研磨特性を良好に維持できると共に、ドレッサの長寿命化を実現されたＣＭＰ装置及びドレッサ固定方法を提供する。【解決手段】本発明に係るＣＭＰ装置は、研磨パッド上に載置されて該研磨パッドの研磨面をドレッシングするドレッサと、該ドレッサを保持するドレッサ支持部とを備えたＣＭＰ装置において、互いに平行でかつ研磨パッドの研磨面に対して平行な少なくとも２本のレーザー光がドレッサの下方でかつ前記研磨面の上方の位置を進行するように、平面視して前記ドレッサから離間した位置に配置する第１のレーザー光発光器と、前記第１のレーザー光発光器から発光されたレーザー光を平面視して該レーザー光が前記ドレッサを通過した後に受光し、その光量を検出する第１の受光器と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨パッド上に載置されて該研磨パッドの研磨面をドレッシングするドレッサと、該ドレッサを保持するドレッサ支持部とを備えたＣＭＰ装置において、
互いに平行でかつ研磨パッドの研磨面に対して平行な少なくとも２本のレーザー光がドレッサの下方でかつ前記研磨面の上方の位置を進行するように、平面視して前記ドレッサから離間した位置に配置する第１のレーザー光発光器と、
前記第１のレーザー光発光器から発光されたレーザー光を平面視して該レーザー光が前記ドレッサを通過した後に受光し、その光量を検出する第１の受光器と、を備えたことを特徴とするＣＭＰ装置。
【請求項２】
前記レーザー光に対して直交する方向に進行すると共に、互いに平行でかつ研磨パッドの研磨面に対して平行な少なくとも２本のレーザー光がドレッサの下方でかつ前記研磨面の上方の位置を進行するように、平面視して前記ドレッサから離間した位置に配置する第２のレーザー光発光器と、
前記第２のレーザー光発光器から発光されたレーザー光を平面視して該レーザー光が前記ドレッサを通過した後に受光し、その光量を検出する第２の受光器と、をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載のＣＭＰ装置。
【請求項３】
前記研磨パッドに設置されて前記研磨面の水平レベルを調整するための水準器を複数備え、
該水準器の水平と前記レーザー光の光軸の水平が同時に得られるように、各水準器と対応する第１のレーザー光発光器又は第２のレーザー光発光器とが一体に構成されていることを特徴とする請求項２に記載のＣＭＰ装置。
【請求項４】
ＣＭＰ装置において研磨パッド上に載置されて該研磨パッドの研磨面をドレッシングするドレッサを、ドレッサ支持部に固定するドレッサ固定方法であって、
互いに平行でかつ研磨パッドの研磨面に対して平行な少なくとも２本のレーザー光がドレッサの下方でかつ前記研磨面の上方の位置を進行するように、平面視して前記ドレッサから離間した位置から前記レーザー光を発光すると共に、平面視して該レーザー光が前記ドレッサを通過した後に受光する第1の発光及び受光工程と、
前記第1の発光及び受光工程を行いながら、前記ドレッサの下面が前記研磨面に対して平行になるように前記ドレッサを前記ドレッサ支持部に固定する工程と、を有し、
前記ドレッサを前記ドレッサ支持部に固定する工程において、前記受光したレーザー光の光量の変化により、前記ドレッサの下面が前記研磨面に対して傾いていることが検出されたときは平行になるように前記ドレッサの前記研磨面に対する相対配置を調整することを特徴とするドレッサ固定方法。
【請求項５】
前記レーザー光に対して直交する方向に進行すると共に、互いに平行でかつ前記研磨パッドの研磨面に対して平行な少なくとも２本のレーザー光がドレッサの下方でかつ前記研磨面の上方の位置を進行するように、平面視して前記ドレッサから離間した位置から前記レーザー光を発光すると共に、平面視して該レーザー光が前記ドレッサを通過した後に受光する第２の発光及び受光工程をさらに有し、
前記ドレッサを前記ドレッサ支持部に固定する工程を、前記第1の発光及び受光工程と前記第２の発光及び受光工程とを行いながら実施することを特徴とする請求項４に記載のドレッサ固定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＣＭＰ装置及びドレッサの固定方法に関し、特に、ドレッサの固定状態のバラツキを低減し、ドレッサの長寿命化を実現することができると共に、研磨特性の安定性、再現性を向上させることができるＣＭＰ装置及びドレッサの固定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハの製造工程で使用される半導体製造装置として、半導体ウェハの表面を研磨する化学的機械研磨装置いわゆるＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ)装置が用いられる。
【０００３】
ＣＭＰ装置は、供給されたスラリー（研磨剤を含む研磨液）と表面との間に化学反応を起こさせ、これに機械的な荷重を加えることによって表面の層を除去して研磨を行い、表面を平坦化するものである。すなわち、ＣＭＰ装置は、化学反応作用と機械研磨作用とを利用して半導体ウェハの表面を研磨し、平坦化するものである。
【０００４】
図５は、ＣＭＰ装置の一例を示す断面模式図であり、半導体ウェハが１枚ずつ供給されて処理される枚様式のＣＭＰ装置である。
ＣＭＰ装置１は、半導体ウェハに形成された層間絶縁膜等の酸化膜や、配線等の金属層を研磨加工によって平坦化処理するものであり、研磨パッド２と、ウェハ保持ヘッド３と、ドレッサ４とから概略構成されている。
【０００５】
研磨パッド２は、少なくともその研磨面２ａが例えばポリウレタンから構成される円盤状の部材であり、金属製の定盤２ｂの表面にポリウレタンからなる研磨布が貼り付けられて構成されている。定盤２ｂの下側には回転軸２ｃが取り付けられている。この回転軸２ｃには図示略の回転駆動手段が連結されており、回転駆動手段によって研磨パッド２自体を例えば３０ｒｐｍの回転速度で回転できるように構成されている。
【０００６】
研磨面２ａのほぼ中央には、研磨面２ａ上にスラリーを供給する図示略の供給ノズルが配置されている。スラリーは、例えばシリカ系の研磨剤が分散液に分散されてなるものであり、例えば３００ｍｌ／分の流量で研磨面２ａ上に供給される。回転する研磨面２ａ上に供給されたスラリーは、遠心力によって研磨面２ａの全面に広げられる。
【０００７】
ウェハ保持ヘッド３は、ヘッド本体３１と、ヘッド本体３１の研磨面２ａ側に取り付けられたリテーナリング３２と、リテーナリング３２の貫通部３２ａに配置されたメンブランシート３３と、リテーナリング３２の貫通部３２ａに配置されてメンブランシート３３に当接する周辺加圧部３４と、から概略構成されている。被研磨対象である半導体ウェハＷは、メンブランシート３３の研磨面２ａ側に吸着保持されている。
【０００８】
ヘッド本体３１の研磨面２ａと反対側には、ウェハ保持ヘッド３と図示略のヘッド駆動部とを接続する接続部３５が取り付けられている。ウェハ保持ヘッド３は、ヘッド駆動部によって研磨パッド２の研磨面２ａに付勢されつつ、例えば２９ｒｐｍの回転速度で回転駆動されるとともに研磨パッド２の半径方向に沿って揺動駆動される。
【０００９】
ヘッド本体３１は、金属製の筐体であって、リテーナリング３２を保持すると共に、その自重によって半導体ウェハＷに対して押圧力を付与している。また、リテーナリング３２は、ポリフェニレンスルフィド（Ｐｏｌｙｐｈｅｎｙｌｅｎｅ  Ｓｕｌｆｉｄｅ）等の耐薬品性、耐摩耗性に優れた高分子材料から構成されている。
【００１０】
リテーナリング３２の貫通部３２ａには、その厚み方向の中ほどに、例えばネオプレンゴムからなるメンブランシート３３が取り付けられている。このメンブランシート３３によって貫通部３２ａが２つの空間に分断されている。メンブランシート３３によって分断される貫通部３２ａのうち、研磨面２ａ側の空間は半導体ウェハＷが保持される保持部３６とされ、一方、メンブランシート３３とヘッド本体３１とによって挟まれる空間は加圧室３７とされている。この加圧室３７には、外部から加圧用の高圧空気を導入する図示略の配管が取り付けられており、加圧室３７内の圧力を自在に調整できるようになっている。メンブランシート３３は、ネオプレンゴム等の弾性部材で構成されるため、加圧室３７内の圧力の上昇に伴ってメンブランシート３３自体が研磨面２ａ側に付勢され、このメンブランシート３３に押された半導体ウェハＷが研磨面２ａに押し付けられるようになっている。
【００１１】
メンブランシート３３の加圧室３７側の面には、周辺加圧部３４が載置されている。この周辺加圧部３４は、高分子材料からなる円環状の中空チューブであり、半導体ウェハＷの外周部に対応する位置に配置されている。周辺加圧部３４には、加圧室３７と同様に、外部から加圧用の高圧空気を導入する図示略の配管が取り付けられており、周辺加圧部３４の内部の圧力を自在に調整できるようになっている。周辺加圧部３４は、高分子材料等の可撓性材料で構成されるため、周辺加圧部３４内部の圧力の上昇に伴ってメンブランシート３３の周辺部を研磨面２ａ側に付勢させ、このメンブランシート３３の周辺部からの押圧力によって、半導体ウェハＷの周辺部が研磨面２ａに押し付けられるようになっている。
【００１２】
以上の構成によって、ウェハ保持ヘッド３に保持された半導体ウェハＷは、半導体ウェハＷの全体に渡ってほぼ均等に押圧力が付与されつつ、研磨面２ａ上で回転かつ揺動されることで、研磨加工が行われる。
【００１３】
こうして研磨加工された半導体ウェハＷは、事前に決められた一定時間後に洗浄して回収され、次の半導体ウェハＷが同様に研磨される。この半導体ウェハＷの入れ替えの合間に、ドレッサ４によってドレッシング処理がなされて研磨パッド２の研磨面２ａが再生される。
【００１４】
次に、ＣＭＰ加工装置１に備えられたドレッサ４は、円盤状の台金４ａの底面４ｂ（支持面）に、複数の砥粒保持部が形成されてなる。このドレッサ４は、台金４ａに接続するドレッサ保持部１０５を介してＣＭＰ加工装置内で固定され、底面４ｂを下に向けた状態で研磨パッド２の研磨面２ａ上に載置されている。また、このドレッサ４には図示略のドレッサ駆動部が接続されており、このドレッサ駆動部によってドレッサ４は例えば、２０Ｎの押圧力が印加されつつ、４０ｒｐｍの回転速度で回転駆動されながら研磨パッド２の半径方向に沿って揺動駆動される。
ドレッサ底面４ｂに設けられた砥粒（例えばダイヤモンド砥粒）によって、研磨パッド２の研磨面２ａのドレッシング処理がなされる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開２００３−３０５４６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、ドレッサ４をドレッサ支持部１０５に固定する際に、ドレッサ支持部１０５を保持する側の固定部には遊びが設けられているため、ドレッサ４の下面が研磨パッド２の研磨面２ａに対して傾いた状態で固定されてしまうことがあった。また、従来、ドレッサ４の固定状態（研磨パッド２の研磨面２ａに対する傾き具合）を目視しながら、手作業で固定を行っていたため、ドレッサ４の下面を研磨パッド２の研磨面２ａに対して平行になるようにドレッサ４を固定することは難しく、水平かどうかのチェックも困難であった。ドレッサが傾いた状態で固定された場合には、ドレッサが片削れを起こして、研磨パッドの研磨特性が悪化したり、ドレッサ自身の寿命が短縮するという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明に係るＣＭＰ装置は、研磨パッド上に載置されて該研磨パッドの研磨面をドレッシングするドレッサと、該ドレッサを保持するドレッサ支持部とを備えたＣＭＰ装置において、互いに平行でかつ研磨パッドの研磨面に対して平行な少なくとも２本のレーザー光がドレッサの下方でかつ前記研磨面の上方の位置を進行するように、平面視して前記ドレッサから離間した位置に配置する第１のレーザー光発光器と、前記レーザー光発光器から発光されたレーザー光を平面視して該レーザー光が前記ドレッサを通過した後に受光し、その光量を検出する第１の受光器と、を備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係るＣＭＰ装置によれば、互いに平行でかつ研磨パッドの研磨面に対して平行な少なくとも２本のレーザー光がドレッサの下方でかつ研磨面の上方の位置を進行するように、平面視して前記ドレッサから離間した位置に配置する第１のレーザー光発光器と、レーザー光発光器から発光されたレーザー光を平面視して該レーザー光が前記ドレッサを通過した後に受光し、その光量を検出する第１の受光器と、を備えた構成としたので、第１のレーザー光発光器と第1の受光器とを用いて、レーザー光の発光及び受光を行いながら、受光したレーザー光の光量の変化により、ドレッサの下面が研磨面に対して傾いていることが検出されたときは平行になるようにドレッサの前記研磨面に対する相対配置を調整して、ドレッサをドレッサ支持部に固定することができる。これにより、ドレッサが片削れを起こすのが防止され、研磨パッドの研磨特性を良好に維持することができると共に、ドレッサの長寿命化を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明のＣＭＰ装置及びドレッサの固定方法の特徴を説明するための概念斜視図である。
【図２】本発明のＣＭＰ装置及びドレッサの固定方法の特徴を説明するための概念平面図である。
【図３】本発明のＣＭＰ装置及びドレッサの固定方法の特徴を説明するための概念側面図である。
【図４】本発明のドレッサの固定方法の特徴を説明するための概念断面図である。
【図５】ＣＭＰ装置の一例を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下に、本発明を適用した実施形態であるＣＭＰ装置及びドレッサの固定方法について図面を参照して説明する。同一部材には同一符号を付し説明を省略又は簡略化する。また、同一部材には適宜符号を省略する。なお、以下の説明で用いる図面は模式的であり、長さ、幅、及び厚みの比率等は現実のものとは異なる。
【００２１】
図１は、本発明のＣＭＰ装置及びドレッサの固定方法の特徴を説明するための概念斜視図である。図２はその概念平面図である。
本発明のＣＭＰ装置は、研磨パッド（図示略）上に載置されて該研磨パッド（図示略）の研磨面をドレッシングするドレッサ４と、該ドレッサを保持するドレッサ支持部５とを備えたＣＭＰ装置において、互いにＸ方向に平行でかつ研磨パッドの研磨面に対して平行な２本のレーザー光Ｌ１及びＬ２がドレッサ４の下方でかつ研磨面の上方の位置を進行するように、平面視してドレッサ４から離間した位置に配置する第１のレーザー光発光器１０３ａ、１０３ｂと、第１のレーザー光発光器１０３ａ、１０３ｂから発光されたレーザー光を平面視して該レーザー光がドレッサ４を通過した後に受光し、その光量を検出する第１の受光器１０４ａ、１０４ｂと、を備え、さらに、レーザー光に対して直交する方向（Ｙ方向）に進行すると共に、互いに平行でかつ研磨パッドの研磨面に対して平行な少なくとも２本のレーザー光Ｌ３及びＬ４がドレッサ４の下方でかつ研磨面の上方の位置を進行するように、平面視してドレッサ４から離間した位置に配置する第２のレーザー光発光器１０５ａ、１０５ｂと、第２のレーザー光発光器１０５ａ、１０５ｂから発光されたレーザー光を平面視して該レーザー光がドレッサ４を通過した後に受光し、その光量を検出する第２の受光器１０６ａ、１０６ｂと、さらに備えている。
【００２２】
第１の受光器１０４ａ、１０４ｂで測定された光量の変化に基づいて、Ｘ方向のドレッサ４の傾きを調整しながら、Ｘ方向について、ドレッサ４を研磨パッドの研磨面に対して平行にドレッサ支持部５に固定することができる。また、第２の受光器１０６ａ、１０６ｂで測定された光量の変化に基づいて、Ｙ方向のドレッサ４の傾きを調整しながら、Ｙ方向について、ドレッサ４を研磨パッドの研磨面に対して平行にドレッサ支持部５に固定することができる。
これにより、ドレッサが片削れを起こすのが防止され、研磨パッドの研磨特性を良好に維持することができ、さらにドレッサの長寿命化を実現できる。
【００２３】
なお、レーザー光Ｌ１及びＬ２と、レーザー光Ｌ３及びＬ４とが互いに交わることがないように、第１のレーザー光発光器１０３ａ、１０３ｂ、及び、第２のレーザー光発光器１０５ａ、１０５ｂを配置する高さが調整されている。
【００２４】
図２に示すように、第１のレーザー光発光器１０３ａ、１０３ｂ、及び、第１の受光器１０４ａ、１０４ｂの配置位置は、発光と受光で対となる第１のレーザー光発光器１０３ａと第１の受光器１０４ａ、及び、第１のレーザー光発光器１０３ｂと第１の受光器１０４ｂを結ぶ線が、平面視してドレッサと重なるような位置であれば、本発明の効果すなわち、研磨パッドの研磨面に対するドレッサ（の下面）の傾き防止の効果を得ることができる。
傾きの検出しやすさ若しくは傾きの検出精度を高める観点から、図２に示すように、平面視してドレッサの中心線に対して対称な位置に配置するのが好ましく、また、平面視してレーザー光がドレッサから外れない範囲で第１のレーザー光発光器１０３ａと１０３ｂ（若しくは第１の受光器１０４ａと１０４ｂ）とはできるだけ離間しているのが好ましい。レーザー光の一部でもドレッサから外れると、受光量の変化から適切にドレッサの傾きを検出することが困難になる。
第２のレーザー光発光器１０５ａ、１０５ｂ、及び、第２の受光器１０６ａ、１０６ｂの配置位置についても同様である。
【００２５】
第１のレーザー光発光器及び第２のレーザー光発光器から発光するレーザー光は連続的に発光するものに限らず、間欠的に発光するもの等、第１の受光器及び第２の受光器で測定された光量の変化からドレッサの傾きを検出するのに足りるものであればよい。
また、第１のレーザー光発光器、第１の受光器、第２のレーザー光発光器、及び、第２の受光器は、研磨パッドに近接して設ける必要はない。
【００２６】
図１及び図２に概念的に示したＣＭＰ装置を用いた場合の本発明のドレッサの固定方法について説明する。
このＣＭＰ装置を用いたドレッサの固定方法では、第１のレーザー光発光器１０３ａ、１０３ｂ、及び、第１の受光器１０４ａ、１０４ｂを用いて、２本のレーザー光Ｌ１及びＬ２がドレッサ４の下方でかつ研磨面の上方の位置を進行するように、レーザー光を発光させると共に、該レーザー光を受光する発光及び受光工程（第1の発光及び受光工程）を行うと共に、第２のレーザー光発光器と第２の受光器とを用いて、第２のレーザー光発光器１０５ａ、１０５ｂ、及び、第２の受光器１０６ａ、１０６ｂを用いて、２本のレーザー光Ｌ３及びＬ４がドレッサ４の下方でかつ研磨面の上方の位置を進行するように、レーザー光を発光すると共に、該レーザー光を受光する発光及び受光工程（第２の発光及び受光工程）を行いながら、ドレッサの下面が研磨面に対して平行になるように研磨面に対する相対配置を調整しながらドレッサ４をドレッサ支持部５に固定する。この際、第１の受光器１０４ａ、１０４ｂで測定した光量の変化に基づいて、Ｘ方向についてドレッサ４を研磨パッドの研磨面に対して平行となるように、Ｘ方向のドレッサ４の傾きを調整すると共に、第２の受光器１０６ａ、１０６ｂで測定した光量の変化に基づいて、Ｙ方向についてドレッサ４を研磨パッドの研磨面に対して平行となるように、Ｙ方向のドレッサ４の傾きを調整する。
【００２７】
図３は、本発明のＣＭＰ装置及びドレッサの固定方法の一実施形態の特徴を説明するための概念側面図である。
図３においては、第1のレーザー光発光器又は第２のレーザー光発光器のうちの一つのレーザー光発光器とそれと対になる受光器の一対だけ（１０３ａと１０４ａ）を示している。
符号７は、研磨パッドに設置されて研磨面の水平レベルを調整するための水準器であり、水準器７の水平が得られると同時に、図示のレーザー光発光器から発光されたレーザー光の光軸の水平が得られるように、水準器７と当該レーザー光発光器とが一体に構成されている。
【００２８】
水準器は、必要なときに研磨パッドに設置できるように、研磨パッドに取り外し可能であってもよい。
【００２９】
水準器とレーザー光発光器とは1個づつが一体に構成されていても、Ｘ方向、Ｙ方向毎に、２個のレーザー光発光器からなる第1のレーザー光発光器と、２個のレーザー光発光器からなる第２のレーザー光発光器とがそれぞれ対応する１個の水準器とが一体に構成されてもよい。
また、水準器とレーザー光発光器とは必要なときに一体に連結することができる構成でもよい。
【００３０】
かかる水準器を備えることにより、レーザー光の光軸と研磨面との間の平行度を調整することができる。
【００３１】
図４は、本発明のドレッサの固定方法の特徴を説明するための概念断面図である。
図４（ａ）を参照して、ドレッサの固定方法についてより具体的に説明する。
まず、ドレッサ４をドレッサ支持部５に取り付ける。
次に、図４（ａ）に示すように、互いに平行でかつ研磨パッドの研磨面に対して平行な２本のレーザー光Ｌ１及びＬ２がドレッサ４の下方でかつ研磨面２ａの上方の位置を進行するように、レーザー光Ｌ１及びＬ２を発光すると共に、平面視してドレッサ４を通過した後にレーザー光Ｌ１及びＬ２を受光する。
次に、レーザー光Ｌ１及びＬ２の発光及び受光を行いながら、ドレッサ４（及びドレッサ支持部５）を研磨パッド２の研磨面２ａへ近づける方向にゆっくりと降ろしていき、受光器の光量を測定しながら、ドレッサ４に傾きがないかチェックする。
以上は本発明のドレッサの固定方法の一例であって、例えば、レーザー光の発光及び受光を始めてから、ドレッサ４をドレッサ支持部５に取り付けてもよい。
【００３２】
図４（ａ）は、ドレッサ４が研磨面２ａと水平な場合なので、ドレッサ４（及びドレッサ支持部５）を研磨パッド２の研磨面２ａへ近づける方向に降ろしていく際の、レーザー光Ｌ１及びＬ２のそれぞれを受光する２個の受光器の光量の変化は同様なものとなる。すなわち、図４（ａ）で示したドレッサ４の位置をさらに下げると、ドレッサ４の下部左側はレーザー光Ｌ１の進行を遮断すると同時に、ドレッサ４の下部右側はレーザー光Ｌ２の進行を遮断することによって、レーザー光Ｌ１及びＬ２のそれぞれを受光する２個の受光器の光量は同じ割合で減少していく。
このように、２個の受光器の光量の変化が同じであることから、ドレッサの下面が研磨パッドの研磨面に対して平行に、ドレッサがドレッサ支持部に固定されていることを確認することができる。
【００３３】
図４（ｂ）に示すようにドレッサ４が研磨面２ａに対して傾いている場合には、図４（ｂ）に示すようにドレッサ４の下部右側が下部左側よりも先にレーザー光Ｌ２の進行を遮断することになるので、レーザー光Ｌ２の受光器の光量の減少がレーザー光Ｌ１の受光器の光量の減少よりも先に始まる。
このように、２個の受光器の光量の変化が異なることから、ドレッサの下面が研磨パッドの研磨面に対して傾いていると判断できる。
すなわち、２個の受光器の光量のうち、先に受光器の光量が減少したレーザー光側にドレッサが下がって傾いていると判断できる。
【００３４】
傾いていることが検知された場合には再度、ドレッサのドレッサ支持部への固定を調節する。
以上の工程を繰り返すことにより、ドレッサの下面が研磨パッドの研磨面に対して平行になるように、ドレッサをドレッサ支持部に固定することができる。
【００３５】
ドレッサは固定された後は傾きが変化することはないので、傾きのチェックはドレッサの取り付け時に１回行うだけでよい。
【００３６】
本発明は、研磨パッドをドレッシングするドレッサを備えたＣＭＰ装置であれば、その様式を問わず適用できる。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明は、研磨パッドをドレッシングするドレッサを備えたＣＭＰ装置の製造・利用する産業において利用可能性がある。
【符号の説明】
【００３８】
１  ＣＭＰ装置
２  研磨パッド
２ａ  研磨面
４  ドレッサ
５  ドレッサ支持部
７  水準器
１０３ａ、１０３ｂ  第１のレーザー光発光器
１０４ａ、１０４ｂ  第１の受光器
１０５ａ、１０５ｂ  第２のレーザー光発光器
１０６ａ、１０６ｂ  第２の受光器
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４  レーザー光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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