(57)【要約】      （修正有）【課題】絶縁層の上下面の複数の配線導体を電気的に接続する貫通導体が貫通孔の内側面から剥がれることを抑制することが可能な配線基板を提供する。【解決手段】セラミック焼結体からなり、厚み方向に貫通する貫通孔３を有する絶縁板１と、貫通孔３内に充填された貫通導体２とを備える配線基板であって、貫通孔３の内側面と貫通導体２の側面との間に、内部に空隙４ａを含んだ焼結体からなる緩衝層４が介在している配線基板である。貫通導体２の熱膨張を、空隙４ａを含んだ緩衝層４の変形によって吸収することができるため、貫通導体２の長さ方向の膨張を抑制して、貫通導体２の絶縁板１からの突出を抑制できる。【選択図】図２
2012049310.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック焼結体からなり、厚み方向に貫通する貫通孔を有する絶縁板と、前記貫通孔内に充填された貫通導体とを備える配線基板であって、前記貫通孔の内側面と前記貫通導体の側面との間に、内部に空隙を含んだ焼結体からなる緩衝層が介在していることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記緩衝層は、前記貫通孔の内側面において前記セラミック焼結体が部分的に溶融した後に固化してなる、内部に前記空隙を含んだ溶融改質層によって形成されていることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記絶縁板の主面に前記緩衝層に接する樹脂絶縁層が積層されているとともに、該樹脂絶縁層を形成する樹脂材料の一部が、前記絶縁板の前記主面側に位置する前記緩衝層の前記空隙内に入り込んでいることを特徴とする請求項１または請求項２記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、厚み方向に貫通する貫通孔を有する絶縁板と、この絶縁板を厚み方向に貫通する貫通孔内に充填された貫通導体とを備え、貫通導体を介して絶縁板の上下面の配線導体等の導体が互いに電気的に接続された配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子部品搭載用等に使用される配線基板として、セラミック焼結体からなり、主面（上面や下面）に配線導体が形成された絶縁板と、その絶縁板を厚み方向に貫通する貫通孔と、貫通孔の内側面に被着された貫通導体（ビア導体）とを備えたものが用いられている。絶縁板の上下面の配線導体は、貫通孔が形成された位置で上下に重なり合う部分を有し、この部分で貫通導体を介して上下に電気的に接続されている。
【０００３】
このような配線基板は、例えば絶縁板の上面の配線導体に電子部品の電極や電子部品の電気検査を行なうためのプローブが接続され、下面の配線導体が回路基板等の外部電気回路基板に接続される。そして、絶縁板の上面の配線導体と、貫通導体と、絶縁板の下面の配線導体とを介して、電子部品が外部電気回路と電気的に接続され、信号の送受や、電子部品に対する電気的な検査等が行なわれる。
【０００４】
貫通導体は、セラミック焼結体からなる絶縁層の所定位置にレーザ加工によって開口が円形状等の貫通孔を形成し、この貫通孔内に銀−パラジウム等の金属ペーストを充填した後、金属ペーストを加熱して貫通孔の内側面に金属材料として接合させることによって形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平３−62992号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、このような配線基板においては、絶縁板と貫通導体との熱膨張率に差がある（貫通導体の方が大きい）ため、電子部品の搭載時や絶縁板の主面にさらに樹脂絶縁層等の他の絶縁層を積層する際の熱で貫通導体が絶縁板の主面よりも外側に突出する可能性があるという問題点があった。貫通導体が突出した場合には、例えば絶縁板の主面に積層した配線導体や樹脂絶縁層にクラック等の機械的な破壊が生じ、配線基板としての信頼性が低下する。
【０００７】
本発明は上記従来の技術の問題点に鑑みて完成されたものであり、その目的は、セラミック焼結体からなる絶縁板に配置された貫通導体が絶縁板の主面よりも外側に突出することを抑制することが可能な配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の配線基板は、セラミック焼結体からなり、厚み方向に貫通する貫通孔を有する絶縁板と、前記貫通孔内に充填された貫通導体とを備える配線基板であって、前記貫通孔と前記貫通導体との間に、内部に空隙を含んだ焼結体からなる緩衝層が介在していることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の配線基板は、上記構成において、前記緩衝層が、前記貫通孔の内側面に
おいて前記セラミック焼結体が部分的に溶融した後に固化してなる、内部に空隙を含んだ溶融改質層によって形成されていることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の配線基板は、上記構成において、前記絶縁板の主面に前記緩衝層に接する樹脂絶縁層が積層されているとともに、該樹脂絶縁層を形成する樹脂材料の一部が、前記絶縁板の主面側に位置する前記緩衝層の前記空隙内に入り込んでいることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の配線基板によれば、セラミック焼結体からなり、厚み方向に貫通する貫通孔を有する絶縁板と、貫通孔内に充填された貫通導体とを備え、貫通孔と貫通導体との間に、内部に空隙を含んだ焼結体からなる緩衝層が介在していることから、貫通導体が熱膨張するときに、空隙を含んでいる分、絶縁板を形成するセラミック焼結体に比べて変形しやすい緩衝層が、貫通導体の膨張に応じて変形することができる。そのため、貫通導体の長さ方向の膨張を抑制することができ、貫通導体が絶縁板の主面よりも外側に突出することを効果的に抑制することができる。
【００１２】
また、本発明の配線基板は、上記構成において、緩衝層が、貫通孔の内側面においてセラミック焼結体が部分的に溶融した後に固化してなる、内部に空隙を含んだ溶融改質層によって形成されている場合には、緩衝層について、貫通孔をレーザ加工で形成する際に貫通孔の内側面に生じる溶融改質層によって形成されたものとすることができる。したがって、この場合には、貫通孔の形成と同時に緩衝層を形成することができるので、貫通導体の突出を抑制することが可能な配線基板の生産性を高くすることができる。
【００１３】
また、溶融改質層は、いったん溶融したセラミック焼結体が固化する際に生じたガラス成分を含むため、緩衝層について、例えば絶縁板と同様のセラミック焼結体で形成する場合に比べて変形しやすい緩衝層とする上で有効である。
【００１４】
また、本発明の配線基板は、上記構成において、絶縁板の主面に緩衝層に接する樹脂絶縁層が積層されているとともに、樹脂絶縁層を形成する樹脂材料の一部が、絶縁板の主面側に位置する緩衝層の空隙内に入り込んでいる場合には、貫通導体の突出の抑制に加えて、耐マイグレーション性を向上させる上で適した構成とすることもができる。
【００１５】
すなわち、この場合には、空隙に入り込んだ樹脂材料で緩衝層と樹脂絶縁層とが密着しているため、空隙における貫通導体の導体成分（イオン）の移動を抑制できる。そのため、貫通導体の端面から緩衝層の端面を通って外部（例えば隣り合う他の貫通導体）にイオンが移動するマイグレーションを効果的に抑制することができる。なお、この場合、空隙に樹脂材料が入り込んでいないとしても、空隙の分、貫通導体の端面から外側へのイオンの移動経路を長くすることもできると考えられるが、樹脂材料が空隙に入り込んでいることによってイオンの移動が抑制されるため、マイグレーションを抑制する効果をより大きくすることができる。
【００１６】
なお、樹脂材料は、例えばポリイミド樹脂であり、溶融改質層に比べてさらに弾性率が低く変形しやすい材料であるため、空隙内に樹脂材料が入り込んだとしても、緩衝層が変形しにくくなるようなことはない。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】（ａ）は本発明の配線基板の実施の形態の一例における要部を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。
【図２】図１に示す配線基板の要部Ｂを拡大して示す要部断面図である。
【図３】図１に示す配線基板の全体の一例を模式的に示す上面図である。
【図４】本発明の配線基板の実施の形態の他の例における要部を拡大して示す要部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の配線基板を添付の図面を参照しつつ詳細に説明する。図１（ａ）は本発明の配線基板の実施の形態の一例における要部を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。また図２は、図１に示す配線基板の要部Ｂを拡大して示す断面図である。また、図３は、図１に要部を示す配線基板全体の一例を模式的に示す平面図である。図１〜図３において、１は絶縁板，２は貫通導体，３は貫通孔，４は緩衝層である。絶縁板１に形成された貫通孔３内に貫通導体２が、貫通孔３の内側面と貫通導体２との間に緩衝層４が介在するように充填されて配線基板が基本的に形成されている。なお、図１に示したのは配線基板の一部であり、このような部分が複数縦横の並び等に配列されて、図３に模式的に示すような配線基板の全体が構成されている。
【００１９】
絶縁板１は、酸化アルミニウム質焼結体や窒化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体，ガラスセラミック焼結体，ガラス母材中に結晶成分を析出させた結晶化ガラスまたは雲母やチタン酸アルミニウム等の微結晶焼結体からなる、金属材料とほぼ同等の精密な機械加工が可能なセラミック材料（いわゆるマシナブルセラミックス）等のセラミック焼結体により形成されている。
【００２０】
絶縁板１は、例えば酸化アルミニウム質焼結体からなる場合であれば、次のようにして製作することができる。すなわち、酸化アルミニウムおよび酸化ケイ素等の原料粉末に適当な有機バインダおよび有機溶剤を添加混合して作製したスラリーをドクターブレード法やリップコータ法等のシート成形技術でシート状に成形することによってセラミックグリーンシートを作製して、その後、セラミックグリーンシートを切断加工や打ち抜き加工によって適当な形状および寸法とするとともに、これを約1300〜1500℃の温度で焼成することによって製作することができる。
【００２１】
絶縁板１は、例えば四角板状や円板状等であり、例えば上面が、実装や電気チェックを行なう電子部品（図示せず）を搭載（電子部品を配線基板に電気的および機械的に接続して電子装置とするための実装、または電子部品に対して電気的なチェックを施すための一時的な載置）するための部位として使用される。電子部品としては、ＩＣやＬＳＩ等の半導体集積回路素子およびＬＥＤ（発光ダイオード）やＰＤ（フォトダイオード），ＣＣＤ（電荷結合素子）等の光半導体素子を含む半導体素子，弾性表面波素子や水晶振動子等の圧電素子，容量素子，抵抗器，半導体基板の表面に微小な電子機械機構が形成されてなるマイクロマシン（いわゆるＭＥＭＳ素子）等の種々の電子部品が挙げられる。
【００２２】
図１〜図３に示す例において、絶縁板１の上面および下面には、それぞれ配線導体５が形成されている。配線導体５は、例えば電子部品と電気的に接続されて、この電子部品に対する信号の送受や、電子部品に対する電気的なチェックを行なうためのプローブを接続するための端子として機能する。絶縁板１の上下面の配線導体５は、絶縁板１を厚み方向に貫通する貫通導体２を介して互いに電気的に接続されている。
【００２３】
配線導体５と電子部品との電気的な接続は、例えば配線導体５の所定部分に電子部品の電極（図示せず）を半田等の導電性接続材を介して接合することによって行なわれる。この場合、配線導体５について、例えば図１および図２に示したように貫通導体２の端面を覆う円形状等の比較的大きなパターンで（いわゆる接続パッドとして）形成しておいて、半田の接合面積をより広くして、電子部品に対する電気的な接続の信頼性を向上させるようにしてもよい。
【００２４】
配線導体５は、例えば、銅や銀，パラジウム，金，白金，ニッケル，コバルト，タングステン，モリブデン，マンガン等の金属材料またはこれらの金属材料の合金材料からなる。配線導体５は、例えばタングステンからなる場合であれば、タングステンの粉末を有機溶剤およびバインダとともに混練して作製したタングステンのペーストを、絶縁板１となるセラミックグリーンシートの主面にスクリーン印刷法等の方法で所定パターンに塗布し、その後、セラミックグリーンシートと同時焼成することによって形成することができる。
【００２５】
貫通孔３は、例えば、セラミック焼結体からなる絶縁板１にレーザ光の照射による孔あけ加工（レーザ加工）を施すことによって形成されている。貫通孔３について、（未焼成の上記セラミックグリーンシートの状態ではなく）セラミック焼結体からなる絶縁板１に孔あけ加工を施して形成した場合には、焼成時の収縮に起因する寸法精度の低下の影響を受けない。そのため、この場合には、絶縁板１における貫通孔３の位置精度を高くする上で有利である。
【００２６】
貫通孔３は、例えば、直径が200μｍ〜700μｍ程度の円形状であり、この貫通孔３の内側に貫通導体４が充填されている。
【００２７】
貫通導体２は、例えば、銅や銀，パラジウム，金，白金，ニッケル，コバルト，タングステン，モリブデン，マンガン等の金属材料またはこれらの金属材料の合金材料からなる。貫通導体２は、例えば上下の配線導体５等の、絶縁板１の上下にそれぞれ配置される導体の間を電気的に接続するためのものであるため、貫通導体２の電気抵抗を低く抑えることを考慮すれば、貫通導体２を形成する金属材料としては銅または銀が特に適している。
【００２８】
貫通導体２は、例えば銀や銅の粉末を有機溶剤およびバインダとともに混練して作製した導体ペーストを貫通孔３内に真空吸引を併用したスクリーン印刷法等の方法で埋め込んだ後、この導体ペーストを絶縁板１とともに加熱することによって、貫通孔３内に充填させることができる。この場合、貫通導体２を形成する金属材料に、絶縁板１（貫通孔３の内側面）に対する密着性を向上させること等のためにガラス成分を添加してもよい。
【００２９】
このような配線基板において、例えば、絶縁板１の上面の配線導体５に電子部品（図示せず）の電極や電子部品の電気検査を行なうためのプローブ（図示せず）が接続され、下面の配線導体５が回路基板等の外部電気回路基板（図示せず）に接続される。そして、絶縁板１の上面の配線導体５と、貫通導体２と、絶縁板１の下面の配線導体５とを介して、電子部品が外部電気回路と電気的に接続され、信号の送受や、電子部品に対する電気的なチェック等が行なわれる。なお、電子部品に対する電気的なチェックは、例えば半導体集積回路素子の集積回路が正常に作動するか否かの検査である。この場合には、半導体基板（シリコンウエハ等）に形成された多数の半導体集積回路素子（図示せず）に対して、個片に切断する前に一括して検査を行なうために、例えば図１に示したような配線基板が、半導体基板と同じ程度の大きさの母基板に配列形成されたものが使用される。この場合の配線基板（多数個配列された配線基板）は、いわゆるプローブカードとして使用することができる。
【００３０】
本発明の配線基板において、貫通導体２の側面と貫通孔３の内側面との間に、内部に空隙４ａを有する焼結体からなる緩衝層４が介在している。緩衝層４は、例えば絶縁板１と同様のセラミック焼結体や結晶化ガラス，ガラス材料とセラミックフィラー粒子との焼結体（ガラスセラミック焼結体），セラミック焼結体がいったん溶融した後に固化してなる溶融改質体等の焼結体によって形成されている。緩衝層４は、セラミック焼結体からなる絶縁板１に比べて熱膨張係数が大きい貫通導体２の熱膨張を吸収するためのものである。
【００３１】
この場合、緩衝層４は、内部に空隙４ａを有しているため、この空隙４ａの分、例えば絶縁板１を形成しているセラミック焼結体に比べて、応力による変形が容易である。そのため、絶縁板１を形成するセラミック焼結体に比べて変形しやすい緩衝層４が、貫通導体２の膨張に応じて変形することができる。そのため、貫通導体２の長さ方向の膨張を抑制することができ、貫通導体２が絶縁板１の主面よりも外側に突出することを効果的に抑制することができる。
【００３２】
本発明の配線基板においては、上記のように貫通導体２の絶縁板１（主面）からの突出が抑制されているため、貫通導体２の突出による配線導体５や樹脂絶縁層６の剥がれや変形等を効果的に抑制することができる。そのため、配線導体５に対するプローブの接続を容易かつ確実に行なうことができ、樹脂絶縁層６の絶縁板１に対する接合の信頼性が高い配線基板とすることができる。また、貫通導体２の絶縁板１（具体的には貫通孔３の内側面）からの剥離が抑制されているため、貫通導体２を介した絶縁板１の上下面間の電気的な接続の信頼性を高くする上で有効な配線基板とすることができる。
【００３３】
空隙４ａを有する焼結体は、例えば、加熱時に分解する樹脂材料（図示せず）を含むセラミック材料やガラス材料を加熱して焼結させることによって形成することができる。例えば、絶縁板１の貫通孔３内に貫通導体２となる導体ペーストを充填する前に、その貫通孔３の内側面に上記の樹脂材料を含むセラミック材料を被着させておいて、導体ペーストとともに加熱することによって、空隙４ａを有する緩衝層４を貫通導体２の側面と貫通孔３の内側面との間に介在させることができる。
【００３４】
空隙４ａは、緩衝層貫通導体２の熱膨張を吸収する上では合計の体積が大きいほど好ましいが、大きくし過ぎると、緩衝層４の機械的な強度が低くなり、貫通導体２と貫通孔３との間の接合強度が低くなる可能性がある。そのため、空隙４ａは、貫通導体２と貫通孔３との間の接合強度を確保することができる範囲で、できるだけ合計の体積が大きくなるようにすることが好ましい。
【００３５】
空隙４ａは、このような条件を考慮して、貫通導体２の熱膨張を効果的に吸収する上では、緩衝層４の全体積に対して、合計で３〜20％程度の体積に設定すればよい。
【００３６】
例えば、絶縁板１が酸化アルミニウム質焼結体（熱膨張係数が約７×10−６／℃）からなり、貫通導体２を形成する導体材料が、熱膨張係数が約８〜20×10−６／℃程度の上記の金属材料（銅や銀，チタン等）からなる場合であれば、空隙４ａは、緩衝層４に対して合計で３〜15％程度の体積に設定すればよい。
【００３７】
緩衝層４の厚さ（例えば円筒状である緩衝層４の内径と外径との差）は、絶縁板１および貫通導体２の材料や貫通導体２の寸法（直径等の太さや長さ）、配線基板に作用する熱量等に応じて適宜設定すればよい。
【００３８】
緩衝層４は、貫通導体２の熱膨張を吸収する上では厚さが大きい方が好ましいが、厚くしすぎると、配線基板の小型化や高密度化が妨げられたり、形成しにくくなって配線基板の生産性が低くなったりする可能性がある。そのため、緩衝層４の厚さは、５〜50μｍ程度の範囲に設定することが好ましい。
【００３９】
また、空隙４ａは、図１に示した例では、断面の形状が不定形状であるが、断面の形状が円形状や楕円形状等でもかまわない。なお、貫通導体２の熱膨張を吸収するための緩衝層４の変形は主として厚み方向に生じるので、空隙４ａは、緩衝層４の厚み方向の寸法が大きいものが好ましい。
【００４０】
緩衝層４の長さ方向に複数の空隙４ａを分散させる場合、これらの空隙４ａは、それぞれの大きさおよび形状が互いに同様であっても、異なっていても構わない。いずれの場合においても、緩衝層４の全長にわたって、貫通導体２の熱膨張を吸収する効果を得ることができる。
【００４１】
空隙４ａは、貫通導体２の熱膨張を緩衝層４の変形で効果的に吸収することを考慮すれば、緩衝層４の全域に偏りなく分散して配置されていることが好ましい。この場合、空隙４ａが緩衝層４の内側面（貫通導体２と接する面）に露出した場合であっても、貫通導体２に上記のようにガラス成分が添加されていれば、その空隙４に入り込むのは、主に貫通導体２中のガラス成分であり、そのガラス成分は貫通導体２の銅等の導体金属よりも熱膨張がガラスの方が小さい。そのため、空隙４に入り込んだガラスが貫通導体２以上に膨張することはなく、このガラスが、貫通導体２が熱膨張した際に変形して、貫通導体２の膨張を緩衝することができる。したがって、このような場合にも、緩衝層４の緩衝性が損なわれることはない。
【００４２】
また、空隙４ａは、絶縁板１のうち貫通孔３の内側面に相当する部分がいったん溶融した後に固化してなる溶融改質体によって形成された溶融改質層（符号なし）からなるものとしてもよい。溶融改質層は、上記のように絶縁板１を形成するセラミック焼結体がいったん溶融し液状になった後、急速に冷却されて固化する時に空気を巻き込むため、内部に空隙４ａが形成される。したがって、この場合には容易に空隙４ａを有する焼結体を形成することができ、この焼結体を緩衝層４として貫通孔３の内側面に層状に形成することができる。この場合には、形成された貫通孔３の内側面に既に緩衝層４が形成されているので、この貫通孔３内に導体ペーストを充填して加熱することによって、貫通導体２の側面と貫通孔３の内側面との間に緩衝層４が介在してなる配線基板を容易に製作することができる。
【００４３】
また、貫通孔３の内側面に沿って絶縁板１を形成するセラミック焼結体を溶融させるには、絶縁板１にレーザ加工を施して貫通孔３を形成するようにすればよい。レーザ光によって絶縁板１が厚み方向に溶融除去されて貫通孔３が形成される際に、この貫通孔３の内側面においても熱でセラミック焼結体が部分的に溶融する。そして、レーザ光の照射を止めれば、貫通孔３の内側面が冷えて固化し、緩衝層４となる溶融改質層が形成される。
【００４４】
すなわち、本発明の配線基板において、緩衝層４が、貫通孔３の内側面においてセラミック焼結体が部分的に溶融した後に固化してなる、内部に空隙を含んだ溶融改質層によって形成されている場合には、緩衝層４について、貫通孔３をレーザ加工で形成する際に貫通孔３の内側面に生じる溶融改質層によって形成されたものとすることができる。したがって、この場合には、貫通孔３の形成と同時に緩衝層４を形成することができるので、貫通導体２の突出を抑制することが可能な配線基板の生産性を高くすることができる。
【００４５】
また、溶融改質層は、いったん溶融したセラミック焼結体が固化する際に生じたガラス成分を含むため、緩衝層４について、例えば絶縁板１と同様のセラミック焼結体で形成する場合に比べて変形しやすい緩衝層とする上で効果がある。なお、セラミック焼結体は、例えば酸化アルミニウム質焼結体である場合には弾性率が約330〜360ＧＰａ程度であり、ガラス成分の弾性率は、約10〜80ＧＰａ程度（いずれも１気圧）である。
【００４６】
溶融改質層で緩衝層４を形成する場合、その内部の空隙４ａの個数や大きさ，形状はレーザ光の波長，パルス幅，レーザ出力等によって調整することができる。
【００４７】
また、本発明の配線基板は、上記構成において、図４に示すように、絶縁板１の主面に
緩衝層４に接する樹脂絶縁層６が積層されているとともに、樹脂絶縁層６を形成する樹脂材料の一部６ａが、絶縁板１の主面側に位置する緩衝層４の空隙４ａ内に入り込んでいる場合には、貫通導体２の突出の抑制に加えて、耐マイグレーション性を向上させる上で適した配線基板とすることもできる。  すなわち、この場合には、空隙４ａに入り込んだ樹脂材料の一部６ａで緩衝層４と樹脂絶縁層６とが密着しているため、空隙４ａにおける貫通導体２の導体成分（イオン）の移動を抑制できる。そのため、貫通導体２の端面から緩衝層４の端面を通って外部（例えば隣り合う他の貫通導体４）にイオンが移動するマイグレーションを効果的に抑制することができる。なお、この場合、空隙４ａに樹脂材料６ａが入り込んでいないとしても、空隙４ａの分、貫通導体２の端面から外側へのイオンの移動経路を長くすることもできるが、樹脂材料６ａが空隙４ａに入り込んでいることによってイオンの移動がより効果的に抑制されるため、マイグレーションを抑制する効果をより大きくすることができる。
【００４８】
なお、樹脂絶縁層６を形成する樹脂材料は、例えばポリイミド樹脂であり、溶融改質層に比べてさらに弾性率が低く変形しやすい材料であるため、空隙４ａ内に樹脂材料が入り込んだとしても、緩衝層４が変形しにくくなるようなことはない。なお、ポリイミド樹脂は、弾性率が約１〜15ＧＰａ程度であり、溶融改質層４（焼結体）の弾性率は、上記のように約10〜60ＧＰａ程度または約330〜360ＧＰａ程度（いずれも１気圧）である。
【００４９】
なお、樹脂絶縁層６は、例えば配線導体５と電気的に接続される他の配線導体（図示せず）を上面に配置するためのものである。樹脂絶縁層６と他の配線導体とを配線基板の絶縁板１上に積層することによって多層配線基板を作製することができる。
【００５０】
このような樹脂絶縁層６は、例えば未硬化のポリイミド樹脂のペーストまたはシートを配線基板１の上面に積層し、その後、加熱硬化させることによって配線基板の絶縁板１上に積層することができる。
【００５１】
配線導体５と電気的に接続される他の配線導体は、例えば銅や銀，パラジウム，金，白金，アルミニウム，クロム，ニッケル，コバルト，チタン，タングステン，モリブデン，マンガン等の金属材料またはこれらの金属材料の合金材料からなり、スパッタリング法や蒸着法，めっき法等の薄膜形成法によって樹脂絶縁層６の上面に配置することができる。
【００５２】
配線導体５と他の配線導体との電気的な接続は、樹脂絶縁層６に貫通導体（ビア導体）（図示せず）を銅等の金属材料を用いてめっき法等の方法で形成しておいて、このビア導体を介して行なわせることができる。
【実施例】
【００５３】
酸化アルミニウム質焼結体からなるセラミック基板に直径が約680μｍで長さが約2500
μｍの貫通孔をレーザ加工で形成し、この貫通孔の内側に導体ペーストとして銀ペーストを充填し、約300℃で加熱して貫通導体を形成して、以下に述べる実施例１および２の配
線基板をそれぞれ100個ずつ作製した。作製した実施例１，２および比較例の各配線基板100個について、加速試験として温度サイクル試験（−20℃〜＋80℃、1000サイクル）の後、貫通導体の絶縁板からの突出の有無を金属顕微鏡を用いて外観によって確認した。また、貫通導体に突出が発生した配線基板については、走査型電子顕微鏡を用いて断面観察を行ない、突出量を測定した。
【００５４】
（実施例１）
貫通導体の側面と貫通孔の内側面との間に厚さが約30μｍの緩衝層を溶融改質層によって形成し、それぞれの差し渡しの最大が約50〜60μｍで最小が約10〜20μｍの不定形（概ね細長い楕円球状）の空隙が緩衝層に形成されたものを作製した。空隙の合計の体積は緩
衝層の体積に対して約10％であった。
【００５５】
（実施例２）
貫通導体の側面と貫通孔の内側面との間に厚さが約30μｍの緩衝層を溶融改質層によって形成し、直径が約3〜10μｍの球形状、または長軸が約10〜20μｍで短軸が約５μｍ程
度の楕円球状の空隙が緩衝層に形成されたものを作製した。空隙の合計の体積は緩衝層の体積に対して約5％であった。
【００５６】
（比較例）
セラミックグリーンシートに打ち抜き加工で貫通孔を形成し、焼成後に実施例１および２と同様の導体ペーストを貫通孔内に充填し、同様の条件で加熱して貫通導体を形成した。比較例の配線基板についても、100個作製し、実施例１および２と同様に貫通導体の突
出の有無を確認した。
【００５７】
（試験結果）
その結果、実施例１および２の配線基板では貫通導体の絶縁板からの突出および剥離が見られなかったのに対し、比較例の配線基板では１個の配線基板において２つの貫通導体に、他の１個の配線基板において１つの貫通導体に、それぞれ５μｍ程度の突出が発生していた。
【００５８】
以上の結果により、本発明の配線基板における、貫通導体の突出を抑制する効果を確認することができた。
【符号の説明】
【００５９】
１・・・絶縁板
２・・・貫通導体
３・・・貫通孔
４・・・緩衝層
４ａ・・空隙
５・・・配線導体
６・・・樹脂絶縁層
６ａ・・樹脂材料の一部
【図１】
2012049310.tif 000003
【図２】
2012049310.tif 000004
【図３】
2012049310.tif 000005
【図４】
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