(57)【要約】【課題】  キャスタレーションからの半田の這い上がりが抑制される圧電デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】  圧電デバイスの製造方法は、ベースウエハに耐蝕膜を形成する耐蝕膜形成工程（Ｓ１２１）と、フォトレジストを形成し貫通孔に対応する位置の第１面に第１斜面を露光する第１露光工程（Ｓ１２１、Ｓ１２２）と、第１耐蝕膜エッチング工程（Ｓ１２２）と、第１面の第１斜面からエッチングする第１ウェットエッチング工程（Ｓ１２３）と、貫通孔に対応する位置の第２面に第２斜面を露光する第２露光工程（Ｓ１２４）と、第２耐蝕膜エッチング工程（Ｓ１２４）と、第１面の第１斜面及び第２面の第２斜面からベースウエハが貫通する手前までエッチングする第２ウェットエッチング工程と、第１面側から研磨材を吹き付けて貫通孔を形成するサンドブラスト工程と、を備える。【選択図】  図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース板とそのベース板の周囲に複数の貫通孔が形成されたベースウエハを使って、圧電振動片と前記ベース板とを有する圧電デバイスを製造する製造方法において、
前記ベースウエハはガラス又は圧電材からなり、前記ベースウエハの第１面とその第１面の反対側の第２面とに耐蝕膜を形成する耐蝕膜形成工程と、
前記耐蝕膜上にフォトレジストを形成し、前記貫通孔に対応する位置の前記第１面を露光する第１露光工程と、
前記第１面の前記貫通孔に対応する前記耐蝕膜をエッチングする第１耐蝕膜エッチング工程と、
前記第１耐蝕膜エッチング工程後に、前記第１面から途中までハーフエッチングする第１ウェットエッチング工程と、
前記貫通孔に対応する位置の前記第２面を露光する第２露光工程と、
前記第２面の前記貫通孔に対応する前記耐蝕膜をエッチングする第２耐蝕膜エッチング工程と、
前記第２耐蝕膜エッチング工程後に、前記第１面及び前記第２面から前記ベースウエハが貫通しない範囲でエッチングする第２ウェットエッチング工程と、
前記第１面側から研磨材を吹き付けて前記貫通孔に対応する位置に前記貫通孔を形成するサンドブラスト工程と、
を備える圧電デバイスを製造する製造方法。
【請求項２】
前記サンドブラスト工程では、前記第２面側からも研磨剤を同時に吹き付ける請求項１に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記サンドブラスト工程前に前記耐蝕膜を除去する除去工程と、
前記除去工程後に、前記第１面に実装用の外部電極と前記貫通孔に側面電極とを形成する電極形成工程と、
を備える請求項１又は請求項２に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記サンドブラスト工程後に、前記貫通孔は前記第１面側の第１斜面と前記第２面側で且つ前記第１斜面の面積よりも小さい第２斜面と前記第1斜面と前記第２斜面とを結ぶ突起面と有し、
前記電極形成工程で形成される前記外部電極及び前記側面電極は、下地金属層と下地金属層上に形成される表面金属層とからなり、前記電極形成工程は前記外部電極と前記側面電極とが形成された後、少なくとも前記第１斜面の前記表面金属層に追加金属層を形成する請求項３に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記サンドブラスト工程後に、前記貫通孔は前記第１面側の第１斜面と前記第２面側で且つ前記第１斜面の面積よりも小さい第２斜面と前記第1斜面と前記第２斜面とを結ぶ突起面と有し、
前記電極形成工程で形成される前記外部電極及び前記側面電極は、下地金属層と下地金属層上に形成される表面金属層とからなり、前記電極形成工程は前記外部電極と前記側面電極とが形成された後、少なくとも前記第１斜面の前記表面金属層を除去する請求項３に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記ベース板は前記第２面側からみて４辺を有する矩形形状であり、前記貫通孔は隣り合う前記ベース板の角部に形成される十字開口孔である請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記ベース板は前記第２面側からみて４辺を有する矩形形状であり、前記貫通孔は隣り合う前記ベース板の辺に沿った長孔である請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項８】
電圧の印加により振動する圧電振動片と、前記圧電振動片を収納するパッケージの一部であるベース板とを備える圧電デバイスであって、
前記ベース板は第１面と前記第１面の反対側の第２面とを有し、前記第１面と前記第２面とを結ぶ側面の断面が前記第１面から断面中央側に形成された第１斜面と前記第２面から前記断面中央側に形成された第２斜面と前記第１斜面と前記第２斜面とを結ぶ突起面とからなり、前記第２斜面の面積は前記第１斜面の面積よりも小さい圧電デバイス。
【請求項９】
電圧の印加により振動する圧電振動片と、前記圧電振動片を収納するパッケージの一部であるベース板とを備える圧電デバイスであって、
前記ベース板は第１面と前記第１面の反対側の第２面とを有し、前記第１面と前記第２面とを結ぶ側面の断面が前記第１面から断面中央側に形成された第１斜面と前記第２面から前記断面中央側に形成された第２斜面と前記第１斜面と前記第２斜面とを結ぶ突起面とからなり、前記第２斜面の断面長さは前記第１斜面の断面長さよりも短い圧電デバイス。
【請求項１０】
前記ベース板の前記第２面に接合されて前記パッケージを形成するリッド板を備える請求項８又は請求項９に記載の圧電デバイス。
【請求項１１】
前記圧電振動片及び前記圧電振動片を囲み前記ベース板の前記第２面に接合される圧電フレームと、前記圧電フレームに接合されて前記パッケージを形成するリッド板とを備える請求項８又は請求項９に記載の圧電デバイス。
【請求項１２】
前記ベース板の前記第１面に形成される一対の外部電極と、前記第１斜面、前記第２斜面及び前記突起面に形成され前記外部電極に接続される一対の側面電極とを備える請求項８から請求項１１のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
【請求項１３】
前記外部電極及び前記側面電極は、下地金属層及び下地金属層上に形成される表面金属層からなり、
前記側面電極は少なくとも前記第１斜面の前記表面金属層上にさらに追加金属層が追加される請求項１２に記載の圧電デバイス。
【請求項１４】
前記外部電極は、下地金属層及び下地金属層上に形成される表面金属層からなり、
前記側面電極は、少なくとも前記第１斜面において前記下地金属層のみからなる請求項１２に記載の圧電デバイス。
【請求項１５】
前記ベース板は前記第２面側からみて４辺を有する矩形形状であり、
前記第１斜面、前記第２斜面及び前記突起面は、前記ベース板の四隅に形成される請求項８から請求項１４のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
【請求項１６】
前記ベース板は前記第２面側からみて４辺を有する矩形形状であり、
前記第１斜面、前記第２斜面及び前記突起面は、前記ベース板の対向した両辺に形成される請求項８から請求項１４のいずれか一項に記載の圧電デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面実装型の圧電デバイスの製造方法及び圧電デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
表面実装用の圧電デバイスは一度に大量に製造できることが好ましい。このため特許文献１に示されるように、リッドウエハ又はベースウエハ単位で圧電デバイスを製造する方法が提案されている。特許文献１に開示された製造方法では、リッドウエハ又はベースウエハには貫通孔が形成され、その貫通孔には金属薄膜パターンすなわち電極が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２６７８７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の圧電デバイスの製造方法により製造された圧電デバイスがプリント基板に実装されるとき、半田がキャスタレーション（貫通孔）を介して実装面からリッドとベースとの接合面まで這い上がることがある。これにより、半田がリッドとベースとの間に入り込み圧電デバイスの気密に影響を与えるおそれがある。
【０００５】
そこで、本発明は、キャスタレーションからの半田の這い上がりを抑制できる圧電デバイスの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
第１観点の圧電デバイスの製造方法は、ベース板とそのベース板の周囲に複数の貫通孔が形成されたベースウエハを使って、圧電振動片とベース板とを有する圧電デバイスを製造する。圧電デバイスの製造方法は、ベースウエハはガラス又は水晶などの圧電材からなりベースウエハの第１面とその第１面の反対側の第２面とに耐蝕膜を形成する耐蝕膜形成工程と、耐蝕膜上にフォトレジストを形成し貫通孔に対応する位置の第１面を露光する第１露光工程と、第１面の貫通孔に対応する位置の耐蝕膜をエッチングする第１耐蝕膜エッチング工程と、第１耐蝕膜エッチング工程後に第１面から途中までハーフエッチングする第１ウェットエッチング工程と、貫通孔に対応する位置の第２面を露光する第２露光工程と、第２面の貫通孔に対応する位置の耐蝕膜をエッチングする第２耐蝕膜エッチング工程と、第２耐蝕膜エッチング工程後に第１面及び第２面からベースウエハが貫通しない範囲でエッチングする第２ウェットエッチング工程と、第１面側から研磨材を吹き付けて貫通孔に対応する位置に貫通孔を形成するサンドブラスト工程と、を備える。
【０００７】
第２観点の圧電デバイスの製造方法において、サンドブラスト工程では、第２面側からも研磨剤を同時に吹き付ける。
【０００８】
第３観点の圧電デバイスの製造方法は、サンドブラスト工程前に耐蝕膜を除去する除去工程と、除去工程後に第１面に実装用の外部電極と貫通孔に側面電極とを形成する電極形成工程と、を備える。
【０００９】
第４観点の圧電デバイスの製造方法において、サンドブラスト工程後に、貫通孔は第１面側の第１斜面と第２面側で且つ第１斜面の面積よりも小さい第２斜面と第1斜面と第２斜面とを結ぶ突起面と有し、電極形成工程で形成される外部電極及び側面電極は、下地金属層と下地金属層上に形成される表面金属層とからなり、電極形成工程は外部電極と側面電極とが形成された後、少なくとも第１斜面の表面金属層に追加金属層を形成する。
【００１０】
第５観点の圧電デバイスの製造方法において、サンドブラスト工程後に、貫通孔は第１面側の第１斜面と第２面側で且つ第１斜面の面積よりも小さい第２斜面と第1斜面と第２斜面とを結ぶ突起面と有し、電極形成工程で形成される外部電極及び側面電極は、下地金属層と下地金属層上に形成される表面金属層とからなり、電極形成工程は外部電極と側面電極とが形成された後、少なくとも第１斜面の表面金属層を除去する。
【００１１】
第６観点の圧電デバイスの製造方法において、ベース板は第２面側からみて４辺を有する矩形形状であり、貫通孔は隣り合うベース板の角部に形成される十字開口孔である。
【００１２】
第７観点の圧電デバイスの製造方法において、ベース板は第２面側からみて４辺を有する矩形形状であり、貫通孔は隣り合うベース板の辺に沿った長孔である。
【００１３】
第８観点の圧電デバイスは、電圧の印加により振動する圧電振動片と、圧電振動片を収納するパッケージの一部であるベース板とを備える。圧電デバイスは、ベース板は第１面と第１面の反対側の第２面とを有し、第１面と第２面とを結ぶ側面の断面が第１面から断面中央側に形成された第１斜面と第２面から断面中央側に形成された第２斜面と第１斜面と第２斜面とを結ぶ直線状の突起面とからなり、第２斜面の面積は第１斜面の面積よりも小さい。
【００１４】
第９観点の圧電デバイスは、電圧の印加により振動する圧電振動片と、圧電振動片を収納するパッケージの一部であるベース板とを備える。圧電デバイスは、ベース板は第１面と第１面の反対側の第２面とを有し、第１面と第２面とを結ぶ側面の断面が第１面から断面中央側に形成された第１斜面と第２面から断面中央側に形成された第２斜面と第１斜面と第２斜面とを結ぶ直線状の突起面とからなり、第２斜面の断面長さは第１斜面の断面長さよりも短い。
【００１５】
第１０観点の圧電デバイスは、ベース板の第２面に接合されてパッケージを形成するリッド板を備える。
【００１６】
第１１観点の圧電デバイスは、圧電振動片及び圧電振動片を囲みベース板の第２面に接合される圧電フレームと、圧電フレームに接合されてパッケージを形成するリッド板とを備える。
【００１７】
第１２観点の圧電デバイスは、ベース板の第１面に形成される一対の外部電極と、第１斜面、第２斜面及び突起面に形成され外部電極に接続される一対の側面電極とを備える。
【００１８】
第１３観点の圧電デバイスにおいて、外部電極及び側面電極は下地金属層及び下地金属層上に形成される表面金属層からなり、側面電極は少なくとも第１斜面の表面金属層上にさらに追加金属層が追加される。
【００１９】
第１４観点の圧電デバイスにおいて、外部電極は下地金属層及び下地金属層上に形成される表面金属層からなり、側面電極は少なくとも第１斜面において下地金属層のみからなる。
【００２０】
第１５観点の圧電デバイスにおいて、ベース板は第２面側からみて４辺を有する矩形形状であり、第１斜面、第２斜面及び突起面はベース板の四隅に形成される。
【００２１】
第１６観点の圧電デバイスにおいて、ベース板は第２面側からみて４辺を有する矩形形状であり、第１斜面、第２斜面及び突起面はベース板の対向した両辺に形成される。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の製造方法によれば、キャスタレーションからの半田の這い上がりが抑制される圧電デバイスを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第１実施形態の第１水晶振動子１００の分解斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図２の破線Ｂで囲まれている部分の拡大図である。
【図４】第１実施形態の第１水晶振動子１００の製造を示したフローチャートである。
【図５】水晶ウエハ１０Ｗの平面図である。
【図６】リッドウエハ１１Ｗの平面図である。
【図７】ベース板１２の製造ステップＳ１２の詳細を示した説明図である。なお、右側が左側のフローチャートの各ステップに対応する図１のＡ−Ａ断面におけるベースウエハ１２Ｗの部分断面図である。
【図８】図７の続きで、ベース板１２の製造ステップＳ１２の詳細を示した説明図である。なお、右側が左側のフローチャートの各ステップに対応する図１のＡ−Ａ断面におけるベースウエハ１２Ｗの部分断面図である。
【図９】ベースウエハ１２Ｗの平面図である。
【図１０】第２実施形態の第２水晶振動子２００の部分拡大図で、図２の破線Ｂで囲まれている部分に対応される。
【図１１】第３実施形態の第３水晶振動子３００の部分拡大図で、図２の破線Ｂで囲まれている部分に対応される。
【図１２】第４実施形態の第４水晶振動子４００の分解斜視図で、低融点ガラスＬＧが省略されて描いてある。
【図１３】第４実施形態の第４水晶振動子４００の製造を示したフローチャートである。
【図１４】水晶ウエハ４０Ｗの平面図である。
【図１５】ベースウエハ４２Ｗの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
第１実施形態〜第４実施形態では、圧電振動片としてＡＴカットの水晶振動片が使われている。つまり、ＡＴカットの水晶振動片は、主面（ＹＺ面）が結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に対して、Ｘ軸を中心としてＺ軸からＹ軸方向に３５度１５分傾斜されている。このため、ＡＴカットの水晶振動片の軸方向を基準とし、傾斜された新たな軸をＹ’軸及びＺ’軸として用いる。すなわち、第１実施形態〜第４実施形態において水晶振動子の長手方向をＸ軸方向、水晶振動子の高さ方向をＹ’軸方向、Ｘ軸方向及びＹ’軸方向に垂直な方向をＺ’軸方向として説明する。
【００２５】
（第１実施形態）
＜第１水晶振動子１００の全体構成＞
第１水晶振動子１００の全体構成について、図１〜図３を参照しながら説明する。図１は第１水晶振動子１００の分解斜視図で、図２は図１のＡ−Ａ断面図で、図３は図２の破線Ｂで囲まれている部分の拡大図である。なお、図１では接続電極１２４ａ、１２４ｂ全体が見えるように、封止材である低融点ガラスＬＧが透明に描かれている。
【００２６】
図１及び図２に示されたように、第１水晶振動子１００はリッド凹部１１１を有するリッド板１１と、ベース凹部１２１を有するベース板１２と、ベース板１２に載置される平板状の水晶振動片１０とを備える。
【００２７】
水晶振動片１０は、ＡＴカットされた水晶片１０１により構成され、その水晶片１０１の中央付近の両主面に一対の励振電極１０２ａ、１０２ｂが対向して配置されている。また、励振電極１０２ａには水晶片１０１の底面（−Ｙ’側）の−Ｘ側まで伸びた引出電極１０３ａが接続され、励振電極１０２ｂには水晶片１０１の底面（−Ｙ’側）の＋Ｘ側まで伸びた引出電極１０３ｂが接続されている。水晶振動片１０はメサ型又は逆メサ型であってもよい。水晶振動片１０の励振電極１０２ａ、１０２ｂの周囲に図１２に示されるような一対の「Ｌ」字型の貫通開口部が形成されていてもよい。
【００２８】
ここで、励振電極１０２ａ、１０２ｂ及び引出電極１０３ａ、１０３ｂは例えば下地金属層としてのクロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）もしくは鉛（Ｐｂ）等が用いられ、下地金属層の上面に表面金属層といて金（Ａｕ）が用いられる（図３を参照）。また、下地金属層の厚さは例えば０．０５μｍ〜０．１μｍで、表面金属層の厚さは例えば０．２μｍ〜２μｍである。また、励振電極１０２ａ、１０２ｂ及び引出電極１０３ａ、１０３ｂは上記の２層構造以外に３層構造でもよい。例えば下地金属層としてＣｒ、Ｎｉ、ＷもしくはＰｂ、中間層にＮｉとＷとの合金、表面金属層にＡｕ又はＡｇを用いてもよい。
【００２９】
ベース板１２はガラスから形成され、その表面（＋Ｙ’側の面）にベース凹部１２１の周囲に形成された第２端面Ｍ２を有している。また、ベース板１２はＸ軸方向の両側にベース貫通孔ＢＨ１（図９を参照）を形成した際のＺ’軸方向に伸びたベースキャスタレーション１２２ａ、１２２ｂが形成されている。
【００３０】
ベースキャスタレーション１２２ａ、１２２ｂは中央位置から＋Ｙ’軸側にＸ軸方向に突起した平面状の突起面１２６ａ、１２６ｂがそれぞれ形成されている。また、ベースキャスタレーション１２２ａ、１２２ｂは突起面１２６ａ、１２６ｂから実装面Ｍ３までの第１斜面１２７Ａと、突起面１２６ａ、１２６ｂから第２端面Ｍ２までの第２斜面１２７Ｂとを含んでいる。
【００３１】
図３に示されたように、第１斜面１２７ＡはＸ軸方向の長さがｄ１でＹ’軸方向の高さがｈ１である。また、第２斜面１２７ＢはＸ軸方向の長さがｄ２でＹ’軸方向の高さがｈ２である。ここで、長さｄ１が長さｄ２より大きく形成され、高さｈ１が高さｈ２より大きく形成されている。すなわち、第１斜面１２７ＡのＸＹ’平面の断面長さは第２斜面１２７ＢのＸＹ’平面の断面長さより大きく形成され、第１斜面１２７Ａの面積は第２斜面１２７Ｂの面積より大きく形成されている。
【００３２】
つまり、第１斜面１２７Ａが第２斜面１２７Ｂより大きく形成されることで、第１水晶振動子１００を半田でプリント基板（図示しない）に実装する際にベースキャスタレーション１２２ａ、１２２ｂ（図２を参照）からの半田の這い上がりが抑制される。
【００３３】
図２に戻り、ベースキャスタレーション１２２ａ、１２２ｂにはベース側面電極１２３ａ、１２３ｂがそれぞれ形成されている。また、ベース側面電極１２３ａと電気的に接続された接続電極１２４ａがベース板１２の第２端面Ｍ２の−Ｘ側に形成されている。同様に、ベース側面電極１２３ｂと電気的に接続された接続電極１２４ｂがベース板１２の第２端面Ｍ２の＋Ｘ側に形成されている。さらに、ベース板１２は実装面Ｍ３にベース側面電極１２３ａ、１２３ｂとそれぞれ電気的に接続された一対の外部電極１２５ａ、１２５ｂを有している。なお、ベース側面電極、接続電極及び外部電極は水晶振動片１０の励振電極及び引出電極と同じ構成である（図３を参照）。
【００３４】
第１水晶振動子１００において、水晶振動片１０のＸ軸方向の長さがベース凹部１２１のＸ軸方向の長さより大きい。このため、水晶振動片１０を導電性接着剤１３でベース板１２に載置すると、図２に示されたように水晶振動片１０のＸ軸方向の両端がベース板１２の第２端面Ｍ２に載置される。このとき、水晶振動片１０の引出電極１０３ａ、１０３ｂがベース板１２の接続電極１２４ａ、１２４ｂにそれぞれ電気的に接続される。これにより、外部電極１２５ａ、１２５ｂがベース側面電極１２３ａ、１２３ｂ、接続電極１２４ａ、１２４ｂ、導電性接着剤１３及び引出電極１０３ａ、１０３ｂを介して励振電極１０２ａ、１０２ｂにそれぞれ電気的に接続される。つまり、外部電極１２５ａ、１２５ｂに交番電圧（正負を交番する電位）を印加したときに、水晶振動片１０は厚みすべり振動する。
【００３５】
リッド板１１はガラスから形成され、ベース板１２のベース凹部１２１よりＸＺ’平面で面積が大きいリッド凹部１１１と、その周囲に形成された第１端面Ｍ１とを有している。なお、リッド板１１の第１端面Ｍ１とベース板１２の第２端面Ｍ２とが接合されてリッド凹部１１１及びベース凹部１２１により水晶振動片１０を収納するキャビティＣＴが形成される。また、キャビティＣＴは不活性ガスで満たされたり又は真空状態に気密されたりする。
【００３６】
ここで、リッド板１１の第１端面Ｍ１とベース板１２の第２端面Ｍ２とは例えば封止材（非導電性接着剤）である低融点ガラスＬＧによって接合される。低融点ガラスＬＧは、３５０℃〜４００℃で溶融する鉛フリーのバナジウム系ガラスを含む。バナジウム系ガラスはバインダーと溶剤とが加えられペースト状であり、溶融された後固化されることで他の部材と接着する。また、このバナジウム系ガラスは接着時の気密性と耐水性・耐湿性などの信頼性が高い。さらに、バナジウム系ガラスはガラス構造を制御することにより熱膨張係数も柔軟に制御できる。
【００３７】
リッド板１１において、リッド凹部１１１のＸ軸方向の長さが水晶振動片１０のＸ軸方向の長さ及びベース凹部１２１のＸ軸方向の長さより大きい。また、低融点ガラスＬＧは図１及び図２に示されたように、ベース板１２の第２端面Ｍ２の外側（幅は３００μｍ程度）でリッド板１１とベース板１２とを接合する。
【００３８】
また、第１実施形態では水晶振動片１０がベース板１２の第２断面Ｍ２に載置されているが、ベース凹部１２１の内部に収納されてもよい。このとき、接続電極がベースキャスタレーション１２２ａ、１２２ｂから第２端面Ｍ２を介してベース凹部１２１の底面まで伸びて形成される必要がある。また、この場合にリッド板はリッド凹部が形成されていない平板状となってもよい。
【００３９】
さらに、第１実施形態では接続電極と電気的に接続される引出電極が水晶振動片１０の底面（−Ｙ’側の面）のＸ軸方向の両側に形成されているが、Ｘ軸方向において同側に形成されてもよい。このとき、一方（例えば＋Ｘ側）の接続電極が第２端面Ｍ２又はベース凹部１２１を介して他方（例えば−Ｘ側）まで伸びて形成される必要がある。
【００４０】
＜第１水晶振動子１００の製造方法＞
図４は、第１水晶振動子１００の製造を示したフローチャートである。図４において、水晶振動片１０の製造ステップＳ１０と、リッド板１１の製造ステップＳ１１と、ベース板１２の製造ステップＳ１２とは並行して製造することができる。また、図５は水晶ウエハ１０Ｗの平面図で、図６はリッドウエハ１１Ｗの平面図である。図７及び図８はベース板１２の製造ステップＳ１２を示した説明図で、図９はベースウエハ１２Ｗの平面図である。図７及び図８において、右側は左側のフローチャートの各ステップに対応する図１のＡ−Ａ断面におけるベースウエハ１２Ｗの部分断面図である。
【００４１】
ステップＳ１０では、水晶振動片１０が製造される。ステップＳ１０はステップＳ１０１〜Ｓ１０３を含んでいる。
ステップＳ１０１において、図５に示されたように、均一の水晶ウエハ１０Ｗにエッチングにより複数の水晶振動片１０の外形が形成される。ここで、各水晶振動片１０は連結部１０４により水晶ウエハ１０Ｗに連接されている。
【００４２】
ステップＳ１０２において、まずスパッタリングまたは真空蒸着によって水晶ウエハ１０Ｗの両面及び側面にクロム層及び金層が順に形成される。そして、金属層の全面にフォトレジストが均一に塗布される。その後、露光装置（図示しない）を用いて、フォトマスクに描かれた励振電極、引出電極のパターンが水晶ウエハ１０Ｗに露光される。次に、フォトレジストから露出した金属層がエッチングされる。これにより、図５に示されたように水晶ウエハ１０Ｗ両面及び側面には励振電極１０２ａ、１０２ｂ及び引出電極１０３ａ、１０３ｂが形成される（図１を参照）。
【００４３】
ステップＳ１０３において、水晶振動片１０が個々に切断される。切断工程では、レーザーを用いたダイシング装置、または切断用ブレードを用いたダイシング装置などを用いて図６に示された一点鎖線のカットラインＣＬに沿って切断する。
【００４４】
ステップＳ１０では、１枚の水晶ウエハ１０Ｗに複数の水晶振動片１０が同時に形成されているが、個々の水晶片に対して研磨、エッチング及び電極形成が行われてもよい。
【００４５】
ステップＳ１１では、リッド板１１が製造される。ステップＳ１１はステップＳ１１１及びＳ１１２を含んでいる。
ステップＳ１１１において、図６に示されたように、均一厚さの水晶平板のリッドウエハ１１Ｗにリッド凹部１１１が数百から数千個形成される。リッドウエハ１１Ｗには、エッチング又は機械加工によりリッド凹部１１１が形成され、リッド凹部１１１の周囲には第１端面Ｍ１が形成される。
【００４６】
ステップＳ１１２において、スクリーン印刷でリッドウエハ１１Ｗの第１端面Ｍ１に低融点ガラスＬＧが印刷される。その後、低融点ガラスＬＧを仮硬化することで、低融点ガラスＬＧ膜がリッドウエハ１１Ｗの第１端面Ｍ１に形成される。本実施形態では、低融点ガラスＬＧがリッド板１１に形成されているが、ベース板１２に形成されてもよい。
【００４７】
ステップＳ１２では、ベース板１２が製造される。図７及び図８に示されたように、ステップＳ１２はステップＳ１２１〜Ｓ１２８を含んでいる。
【００４８】
ステップＳ１２１において、図７（ａ）に示されたように均一厚さの水晶平板のベースウエハ１２Ｗの両面に耐蝕膜ＴＭとフォトレジストＰＲとを順に形成する。スパッタリングもしくは蒸着などの手法により耐蝕膜ＴＭとしての金属膜を形成する。例えば単結晶のベースウエハ１２Ｗに、下地としてニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）又はニッケル・タングステン（ＮｉＷ）等を使用し、下地の上に金（Ａｕ）や銀（Ａｇ）等を成膜する。第１実施形態では、耐蝕膜ＴＭとしてクロム層の上に金層を重ねた金属膜を使用する。たとえば、クロム層の厚みは１００オングストローム、金層の厚みも１０００オングストローム程度とする。次に、耐蝕膜ＴＭの上にフォトレジストＰＲをスピンコートなどの手法で均一に塗布する。
【００４９】
ステップＳ１２２において、図７（ｂ）に示されたように、まず露光装置（図示しない）を用いて、−Ｙ’軸側の面で幅Ｗ１の領域ＥＡ１に対応するフォトレジストＰＲを露光する。そして、露光されたフォトレジストＰＲは、現像することで除去される。次に、フォトレジストＰＲから露出した耐蝕膜ＴＭの金層を、たとえばヨウ素とヨウ化カリウムの水溶液を用いてエッチングする。
【００５０】
ステップＳ１２３において、図７（ｃ）に示されたように、耐蝕膜ＴＭ及びフォトレジストＰＲが除去されて露出したベースウエハ１２Ｗの領域ＥＡ１をフッ化水素酸などの水溶液でベース板の途中までハーフエッチングする。これにより、領域ＥＡ１にＸ軸方向の幅がＷ１より大きい窪みＨＬが形成される。
【００５１】
ステップＳ１２４において、図７（ｄ）に示されたように、露光装置（図示しない）を用いて、ベースウエハ１２Ｗの＋Ｙ’軸側の面における領域ＥＡ１と対応する箇所のフォトレジストＰＲを露光する。そして、露光されたフォトレジストＰＲは、現像することで除去される。次に、フォトレジストＰＲから露出した耐蝕膜ＴＭの金層を、たとえばヨウ素とヨウ化カリウムの水溶液を用いてエッチングする。これにより、ベースウエハ１２Ｗの＋Ｙ’軸側の面にフォトレジストＰＲ及び耐蝕膜ＴＭが無くなった領域ＥＡ２が形成される。また、ベースウエハ１２Ｗの＋Ｙ’軸側でベース凹部１２１（図２を参照）に対応する箇所に対しても同じ作業が行われる。
【００５２】
ステップＳ１２５において、図８（ａ）に示されたように、耐蝕膜ＴＭ及びフォトレジストＰＲが除去されて露出したベースウエハ１２Ｗをフッ化水素酸などの水溶液でウェットエッチングする。これにより、ベースウエハ１２Ｗの＋Ｙ’軸側にベース凹部１２１及び窪みＨＬ２が形成され、ベースウエハ１２Ｗの‐Ｙ’軸側に窪みＨＬ１が形成される。ここで、ベースウエハ１２Ｗの‐Ｙ’軸側がステップＳ１２３（図７（ｃ）を参照）で予めエッチングされているので、‐Ｙ’軸側の窪みＨＬ１の面積が＋Ｙ’軸側の窪みＨＬ２の面積より大きく形成される。また、窪みＨＬ１及びＨＬ２はその間に底部ＵＭが完全に残っているか、又は底部ＵＭの一部に小さな穴ができる程度まで、すなわちベースウエハ１２Ｗが完全に貫通する直前まで（貫通しない範囲で）、ウェットエッチングされる。
【００５３】
ステップＳ１２６において、図８（ｂ）に示されたように、残っているフォトレジストＰＲ及び耐蝕膜ＴＭが除去される。
【００５４】
ステップＳ１２７において、図８（ｃ）に示されたように、フォトレジストＰＲ及び耐蝕膜ＴＭを剥離した状態で実装面Ｍ３全面に研磨材を吹き付けるサンドブラスト工程が行われる。これにより、窪みＨＬ１及びＨＬ２の底部ＵＭがサンドブラストされベースウエハ１２Ｗの第２端面Ｍ２から実装面Ｍ３まで貫通されたベース貫通孔ＢＨ１（図９を参照）が形成される。ウェットエッチングした後にサンドブラストをすることで、ベース貫通孔ＢＨ１が適正な大きさで且つ加工時間を短縮することもできる。ベース貫通孔ＢＨ１が半分割されると１つのベースキャスタレーション１２２ａ、１２２ｂ（図１及び図２を参照）になる。また、ベースウエハ１２Ｗの厚さ方向の中央位置の＋Ｙ軸側にはベース貫通孔ＢＨ１の内側に向かって突起した突起面１２６ａ、１２６ｂが形成される。さらに、突起面１２６ａ、１２６ｂのＹ’軸方向の両側には第１斜面１２７Ａ及び第２斜面１２７Ｂが形成される。
【００５５】
さらに、フォトレジストＰＲ及び耐蝕膜ＴＭを剥離した状態で実装面Ｍ３全面がサンドブラストされると、ベースウエハ１２Ｗの表面に微小な凸凹が生じ、ベースウエハ１２Ｗの実装面Ｍ３が粗面となる。これにより、後述の外部電極の形成工程で電極とペースウエハ１２との接着強度が高くなる。また、ステップＳ１２７では実装面Ｍ３のみからサンドブラスト工程が行っているが、第２端面Ｍ２及び実装面Ｍ３で同時にサンドブラスト工程が行われてもよい。このとき、ベースウエハ１２Ｗの両面に微小な凸凹が生じ、ベースウエハ１２Ｗの両面が粗面となる。
【００５６】
ステップＳ１２８において、図８（ｄ）に示されたように、ステップＳ１０２で説明されたスパッタ及びエッチング方法によってベース板１２の実装面Ｍ３のＸ軸方向の両側に外部電極１２５ａ、１２５ｂが形成される。ここで、ベースウエハ１２Ｗの表面が微小な凸凹の粗面となっているので、外部電極１２５ａ、１２５ｂを形成する際、ベースウエハ１２Ｗに対するクロムの密着性を向上することができる。同時に、ベース貫通孔ＢＨ１にはベース側面電極１２３ａ、１２３ｂが形成され、第２端面Ｍ２には接続電極１２４ａ、１２４ｂが形成される（図１、図２及び図９を参照）。
【００５７】
ステップＳ１３では、ステップＳ１０で製造された水晶振動片１０が導電性接着剤１３でベース板１２の第２端面Ｍ２に載置される。このとき、水晶振動片１０の引出電極１０３ａ、１０３ｂとベース板１２の第２端面Ｍ２に形成された接続電極１２４ａ、１２４ｂとの位置が合うように水晶振動片１０がベース板１２の第２端面Ｍ２に載置される（図２を参照）。
【００５８】
ステップＳ１４では、低融点ガラスＬＧが加熱され、リッドウエハ１１Ｗとベースウエハ１２Ｗとが加圧される。これによりリッドウエハ１１Ｗとベースウエハ１２Ｗとが低融点ガラスＬＧにより接合される。
【００５９】
ステップＳ１５では、接合されたリッドウエハ１１Ｗとベースウエハ１２Ｗとが個々に切断される。切断工程では、レーザーを用いたダイシング装置、または切断用ブレードを用いたダイシング装置などを用いて図５及び図７に示された一点鎖線のスクライブラインＳＬに沿って第１水晶振動子１００を単位として個片化される。これにより、数百から数千の第１水晶振動子１００が製造される。
【００６０】
（第２実施形態）
＜第２水晶振動子２００の全体構成＞
第２水晶振動子２００の全体構成について、図１０を参照しながら説明する。図１０は、第２実施形態の第２水晶振動子２００の部分拡大図で、図２の破線Ｂで囲まれている部分に対応される。
【００６１】
図１０に示されたように、第２水晶振動子２００は第１水晶振動子１００に比べると、ベース板２２のベース側面電極２２３ａの構成のみが異なっている。つまり、第２水晶振動子２００の第１斜面１２７Ａにおいてベース側面電極２２３ａが３層構造となっている。すなわち、下地金属層としてＣｒが用いられ、その下地金属層の表面に表面金属層としてＡｕが形成され、表面金属層の上に追加金属層２２８としてさらにＣｒ、Ｎｉ、ＷもしくはＰｄ又はそれらの合金が形成されている。これは、Ａｕに比べるとＣｒ等が半田の這い上がりの抑制により優れるからである。
【００６２】
励振電極及び引出電極等が、下地金属層と表面金属層との２層構造でなく、下地金属層、中間層及び表面金属層の３層構造であれば、ベース側面電極２２３ａは４層構造となる。
【００６３】
＜第２水晶振動子２００の製造方法＞
第２水晶振動子２００の製造方法は、第１実施形態の図４で説明された製造方法とほぼ同じである。ただし、図８（ｄ）に示されたステップＳ１２８で第１斜面１２７Ａに３層構造のベース側面電極２２３ａが形成されればよい。例えば第１傾斜面１２７Ａの箇所に開口が空いたマスクを使ったスパッタリング、又は全面に金属膜を３層形成した後、フォトレジストを塗布し露光して第１傾斜面１２７Ａ以外の追加金属層２２８を除去してもよい。
【００６４】
（第３実施形態）
＜第３水晶振動子３００の全体構成＞
第３水晶振動子３００の全体構成について、図１１を参照しながら説明する。図１１は、第３実施形態の第３水晶振動子３００の部分拡大図で、図２の破線Ｂで囲まれている部分に対応される。
【００６５】
図１１に示されたように、第３水晶振動子３００は第１水晶振動子１００に比べると、ベース板３２のベース側面電極３２３ａの構成のみが異なっている。つまり、第３水晶振動子３００の第１斜面１２７Ａにおいてベース側面電極３２３ａが単層構造となっている。すなわち、下地金属層としてのＣｒのみが用いられている。これは、Ａｕに比べるとＣｒが半田の這い上がりの抑制により優れるからである。
【００６６】
励振電極及び引出電極等が、下地金属層と表面金属層との２層構造でなく、下地金属層、中間層及び表面金属層の３層構造であれば、表面金属層のＡｕを無くした下地金属層及び中間層の２層構造にすればよい。また表面金属層のＡｕ及び中間層のＮｉとＷとの合金を無くして、下地金属層のみにしてもよい。
【００６７】
＜第３水晶振動子３００の製造方法＞
第３水晶振動子３００の製造方法は、第１実施形態の図４で説明された製造方法とほぼ同じである。ただし、図８（ｄ）に示されたステップＳ１２８で第１斜面１２７Ａに単層構造のベース側面電極３２３ａが形成されればよい。例えば単層のベース側面電極３２３ａは、第１斜面１２７ＡにマスクをしてからＡｕをスパッタリングしたり、Ｃｒ及びＡｕをスパッタリングした後フォトレジストを塗布し露光して第１傾斜面１２７ＡのＡｕを除去したりして形成すればよい。
【００６８】
（第４実施形態）
＜第４水晶振動子４００の全体構成＞
第４水晶振動子４００の全体構成について、図１２を参照しながら説明する。図１２は、第４実施形態の第４水晶振動子４００の分解斜視図である。図１０では、リッド板４１と水晶フレーム４０との間、及び水晶フレーム４０とベース板４２との間に形成された低融点ガラスが省略されて描かれている。
【００６９】
図１２に示されたように、第４水晶振動子４００はリッド凹部４１１を有するリッド板４１と、ベース凹部４２１を有するベース板４２と、リッド板４１とベース板４２とに挟まれる水晶フレーム４０とを備える。
【００７０】
ベース板４２はガラスで形成され、その表面（＋Ｙ’側の面）にベース凹部４２１の周囲に形成された第２端面Ｍ２を有している。ベース板４２の四隅には、ベース貫通孔ＢＨ２（図１５を参照）を形成した際のＸＺ’平面で窪んだベースキャスタレーション４２２ａ〜４２２ｄが形成されている。
【００７１】
ベースキャスタレーション４２２ａ〜４２２ｄは＋Ｙ’軸側に外側に突起した突起面４２６がそれぞれ形成される。つまり、ベースキャスタレーション４２２ａ〜４２２ｄは突起面４２６から実装面Ｍ３までの第１斜面４２７Ａと、突起面４２６から第２端面Ｍ２までの第２斜面４２７Ｂとをそれぞれ含んでいる。
【００７２】
ここで、第１斜面４２７ＡのＸＹ’平面の断面長さは第２斜面４２７ＢのＸＹ’平面の断面長さより大きく形成され、第１斜面４２７Ａの面積は第２斜面４２７Ｂの面積より大きく形成されている。第１斜面４２７Ａの面積と第２斜面４２７Ｂの面積との関係は、図３で示された第１斜面１２７Ａの面積と第２斜面１２７Ｂの面積との関係と同等である。
【００７３】
つまり、第１斜面４２７Ａが第２斜面４２７Ｂより大きく形成されることで、第４水晶振動子４００を半田でプリント基板（図示しない）に実装する際にベースキャスタレーション４２２ａ〜４２２ｄからの半田の這い上がりを抑制することができる。
【００７４】
ベース板４２において、ベースキャスタレーション４２２ａ〜４２２ｄにはベース側面電極４２３ａ〜４２３ｄがそれぞれ形成されている。実装面のＸ軸方向の両側には一対の外部電極４２５ａ、４２５ｂがそれぞれ形成されている。ベース側面電極４２３ａ、４２３ｄの一端は外部電極４２５ａに接続され、ベース側面電極４２３ｂ、４２３ｃの一端は外部電極４２５ｂに接続される。また、ベース側面電極４２３ａ〜４２３ｄの他端はベース板４２の第２端面Ｍ２にまで伸びて接続パッド４２３Ｍが形成されることが好ましい。接続パッド４２３Ｍは、後述する水晶フレーム４０の引出電極４０３ａ、４０３ｂにそれぞれ確実に電気的に接続される。
【００７５】
水晶フレーム４０はＡＴカットされた水晶材料で形成され、ベース板４２の第２端面Ｍ２に接合され、＋Ｙ’側の表面Ｍｅと−Ｙ’側の裏面Ｍｉとを有している。水晶フレーム４０は水晶振動片４０１と水晶振動片４０１を囲む枠体４０８とで構成されている。また、水晶振動片４０１と枠体４０８との間には、表面Ｍｅから裏面Ｍｉまで貫通した一対の「Ｌ」字型の貫通開口部４０７が形成される。貫通開口部４０７が形成されていない部分が水晶振動片４０１と枠体４０８との連結部４０９ａ、４０９ｂとなっている。水晶振動片４０１の表面Ｍｅ及び裏面Ｍｉには励振電極４０２ａ、４０２ｂがそれぞれ形成され、連結部４０９ａ、４０９ｂ及び枠体４０８の両面には励振電極４０２ａ、４０２ｂとそれぞれ導電された引出電極４０３ａ、４０３ｂが形成されている。ここで、水晶振動片４０１の表面Ｍｅに形成される励振電極４０２ａに接続された引出電極４０３ａは貫通開口部４０７を介して枠体４０８の裏面Ｍｉまで伸びて形成される。
【００７６】
第４水晶振動子４００は、水晶フレーム４０の表面Ｍｅに接合されるガラスからなるリッド板４１をさらに備えている。リッド板４１はリッド凹部４１１の周囲に形成された第１端面Ｍ１を有している。リッド板４１、水晶フレーム４０の枠体４０８及びベース板４２により水晶振動片４０１を収納するキャビティＣＴが形成される（図２を参照）。キャビティＣＴは窒素ガスで満たされたり又は真空状態にされたりする。また、図示しないが、リッド板４１と、水晶フレーム４０と、ベース板４２とは例えば低融点ガラスＬＧなどの封止材により接合される。
【００７７】
第４実施形態において、水晶フレーム４０は、ベース板４２と同様にその四隅にキャスタレーションが形成され、引出電極がそのキャスタレーションを介して表面Ｍｅから裏面Ｍｉまで伸びで形成される構成であってもよい。
【００７８】
＜第４水晶振動子４００の製造方法＞
図１３は、第４水晶振動子４００の製造を示したフローチャートである。図１３において、水晶フレーム４０の製造ステップＳ４０と、リッド板４１の製造ステップＳ４１と、ベース板４２の製造ステップＳ４２とは並行して製造することができる。また、図１４は水晶ウエハ４０Ｗの平面図で、図１５はベースウエハ４２Ｗの平面図である。
【００７９】
ステップＳ４０では、水晶フレーム４０が製造される。ステップＳ４０はステップＳ４０１及びＳ４０２を含んでいる。
ステップＳ４０１において、図１４に示されたように、均一の水晶ウエハ４０Ｗにエッチングにより複数の水晶フレーム４０の外形が形成される。すなわち、貫通開口部４０７がそれぞれに形成される。
【００８０】
ステップＳ４０２において、図１４に示されたように、水晶ウエハ４０Ｗ両面に励振電極４０２ａ、４０２ｂ及び引出電極４０３ａ、４０３ｂが形成される（図１２を参照）。
【００８１】
ステップＳ４１では、リッド板４１が製造される。ステップＳ４１はステップＳ４１１及びＳ４１２を含んでいる。
ステップＳ４１１において、均一厚さの水晶平板のリッドウエハにリッド凹部４１１が数百から数千個形成される（図６及び図１２を参照）。これにより、第１端面Ｍ１が形成される。
【００８２】
ステップＳ４１２において、スクリーン印刷でリッドウエハの第１端面Ｍ１に低融点ガラスが印刷される。その後、低融点ガラスＬＧを仮硬化することで、低融点ガラスＬＧ膜がリッドウエハの第１端面Ｍ１に形成される。
【００８３】
ステップＳ４２では、ベース板４２が製造される。ステップＳ４２はステップＳ４２１及びＳ４２２を含んでいる。
【００８４】
ステップＳ４２１において、図４のステップＳ１２と同じ方法で、ベース板４２が形成される。但し、ベース貫通孔ＢＨ２の形状が図１５に示されたように、十字型となっている。
【００８５】
ステップＳ４２２において、スクリーン印刷でベースウエハ４２Ｗの第２端面Ｍ２に低融点ガラスが印刷される。その後、低融点ガラスＬＧを仮硬化することで、低融点ガラスＬＧ膜がベースウエハ４２Ｗの第２端面Ｍ２に形成される。
【００８６】
ステップＳ４３では、低融点ガラスによりリッドウエハ（図６を参照）と水晶ウエハ４０Ｗとベースウエハ４２Ｗとが接合される。
【００８７】
ステップＳ４４では、接合されたリッドウエハ（図６を参照）と水晶ウエハ４０Ｗとベースウエハ４２Ｗとが個々に切断される。切断工程では、レーザーを用いたダイシング装置、または切断用ブレードを用いたダイシング装置などを用いて図１４及び図１５に示された一点鎖線のスクライブラインＳＬに沿って第４水晶振動子４００を単位として個片化される。これにより、数百から数千の第４水晶振動子４００が製造される。
【産業上の利用可能性】
【００８８】
以上、本発明の最適な実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施形態に様々な変更・変形を加えて実施することができる。
【００８９】
また、本発明では低融点ガラスＬＧにより各ウエハが接合されているが、低融点ガラスＬＧの代わりにポリイミド樹脂を用いられてもよい。ポリイミド樹脂が用いられる場合においては、スクリーン印刷でもよいし、感光性のポリイミド樹脂を全面に塗布した後に露光することもできる。
【００９０】
また、本発明ではＡＴカット型の圧電振動片を一例として説明したが、基部の一端から伸びた一対の振動腕を有する音叉型の圧電振動片にも適用できる。
また、本発明では水晶振動片が使用されたが、水晶以外にタンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウムなどの圧電材料を利用することができる。さらに圧電デバイスとして、発振回路を組み込んだＩＣなどをパッケージ内に配置させた圧電発振器にも本発明は適用できる。
【００９１】
さらに、本発明ではリッド板及びベース板がガラスで形成されているが水晶から形成されてもよい。
【符号の説明】
【００９２】
１０、４０１  …  水晶振動片
１１、４１  …  リッド板、  １１Ｗ  …  リッドウエハ
１２、２２、３２、４２  …  ベース板、  １２Ｗ、４２Ｗ  …  ベースウエハ
１３  …  導電性接着剤
１００、２００、３００、４００  水晶振動子
１０１  …  水晶片
１０２ａ、１０２ｂ、４０２ａ、４０２ｂ  …  励振電極
１０３ａ、１０３ｂ、４０３ａ、４０３ｂ  …  引出電極
４０９  …  連結部
１１１、４１１  …  リッド凹部
１２１、４２１  …  ベース凹部
１２２ａ、１２２ｂ、４２２ａ〜４２２ｄ  …  キャスタレーション
１２３ａ、１２３ｂ、４２３ａ〜４２３ｄ  …  側面電極
４２３Ｍ  …  接続パッド
１２４ａ、１２４ｂ  …  接続電極
１２５ａ、１２５ｂ、４２５ａ、４２５ｂ  …  外部電極
１２６ａ、１２６ｂ、４２６  …  突起面
１２７Ａ、４２７Ａ  …  第１斜面
１２７Ｂ、４２７Ｂ  …  第２斜面
ＢＨ１、ＢＨ２  …  貫通孔
ＣＴ  …  キャビティ
ＬＧ  …  低融点ガラス
ＰＲ  …  フォトレジスト
ＴＭ  …  耐蝕膜
【図１】
2012257180.tif 000003
【図２】
2012257180.tif 000004
【図３】
2012257180.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2012257180.tif 000009
【図８】
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【図９】
2012257180.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2012257180.tif 000013
【図１２】
2012257180.tif 000014
【図１３】
2012257180.tif 000015
【図１４】
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【図１５】
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