(57)【要約】      （修正有）【課題】溶剤への溶解性や分散性が高く、湿式成膜に適し、有機電界発光素子の発光層を湿式成膜法で形成して、発光効率が高く寿命や耐久性などの点で高い性能を有する有機電界発光素子を作製し得る有機金属錯体を提供する。【解決手段】例えば下式で示した反応で得られる有機金属錯体が例示される。2012006878.tif 000047【選択図】図１
2012006878.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記一般式（１）で表される有機金属錯体。
【化１】
2012006878.tif 000046
（上記一般式（１）において、Ｒ１〜Ｒ７はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいアルコキシ基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｒ１〜Ｒ７は、それぞれ近接するＲ１〜Ｒ７と結合して環を形成していてもよい。ただし、Ｒ１〜Ｒ７のうち少なくとも１つは、炭素数４以上のアルキル基またはこれを有する置換基である。
また、Ｒ１〜Ｒ４のいずれか１つは、ハロゲン原子、パーフルオロアルキル基、またはこれらのうちいずれかを含む基である。
Ｌは１価の２座配位子を表し、ｍは１〜３の整数を表す。）
【請求項２】
前記一般式（１）において、Ｒ１〜Ｒ７における置換基を有していてもよい炭化水素基が、置換基を有していてもよいアルキル基、または置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基である、請求項１に記載の有機金属錯体。
【請求項３】
前記一般式（１）において、ｍ＝３である、請求項１または２に記載の有機金属錯体。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか一項に記載の有機金属錯体からなる、発光材料。
【請求項５】
請求項１ないし３のいずれか一項に記載の有機金属錯体からなる、有機電界発光素子材料。
【請求項６】
請求項１ないし３のいずれか一項に記載の有機金属錯体および溶剤を含有する、有機金属錯体含有組成物。
【請求項７】
陽極および陰極と、該陽極と該陰極との間に有機層を有する有機電界発光素子において、該有機層のうち少なくとも一層が、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の有機金属錯体を含有する発光層である、有機電界発光素子。
【請求項８】
前記発光層が、請求項６に記載の有機金属錯体含有組成物を用いて形成された層である、請求項７に記載の有機電界発光素子。
【請求項９】
前記有機層が、架橋性化合物を架橋して形成した正孔輸送層を含み、該正孔輸送層に接して前記発光層を有する、請求項７または８に記載の有機電界発光素子。
【請求項１０】
請求項７ないし９のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を含むことを特徴とする、有機ＥＬ表示装置。
【請求項１１】
請求項７ないし９のいずれか一項に記載の有機電界発光素子を含むことを特徴とする、有機ＥＬ照明。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機電解発光素子の発光層等に用いられる有機金属錯体に関する。詳しくは、溶剤への溶解性や分散性が高く、湿式成膜に適し、有機電界発光素子の発光層を湿式成膜法で形成して、発光効率が高く寿命や耐久性などの点で高い性能を有する有機電界発光素子を提供し得る有機金属錯体と、この有機金属錯体よりなる発光材料および有機電界発光素子材料、この有機金属錯体を含む有機金属錯体含有組成物、並びに、この有機金属錯体を用いた有機電界発光素子、有機ＥＬ表示装置および有機ＥＬ照明に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、薄膜型の電界発光素子としては、無機材料を使用したものに代わり、有機薄膜を用いた有機電界発光素子の開発が行なわれるようになっている。有機電界発光素子は、通常、陽極と陰極の間に、正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層などを有し、各層に適した赤、緑、青などの発光素子の開発が進んでいる。
【０００３】
有機電界発光素子の各層の形成方法としては、蒸着成膜法や湿式成膜法がある。蒸着成膜法では、テレビやモニタ用の中・大型フルカラーパネルなどを製作する場合、歩留まりの観点で課題を有する。そのため、これら大面積の用途には湿式成膜法が好適である。
【０００４】
しかしながら、湿式成膜法で有機電界発光素子の各層を形成するためには、各層を形成する材料が溶剤に溶解し、かつ湿式成膜後にも素子として高い性能を有することが望まれる。
【０００５】
ディスプレイ用途や照明用途に必須な青色発光材料に関しては、これまで主に蒸着成膜法用途に開発されてきた。例えば、特許文献１には、以下に示す化合物（ｍｃ３およびｍｃ２５）が例示されている。
【０００６】
【化１】
2012006878.tif 000003
【０００７】
また、特許文献２には、ＯＬＥＤデバイスの発光層に使用できる化合物の一例として、以下の化合物が開示されている。
【０００８】
【化２】
2012006878.tif 000004
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】国際公開第２００８／０５４５８４号パンフレット
【特許文献２】国際公開第２００７／０９５１１８号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述の公知化合物は、いずれも溶剤への溶解性が不十分であり、その物性は湿式成膜用途に最適化されていなかった。
【００１１】
本発明は上記従来の実状に鑑みてなされたものであって、溶剤への溶解性や分散性が高く、湿式成膜に適した有機金属錯体を提供することを課題とする。
また、湿式成膜法で形成される発光層に用いても、得られる有機電界発光素子が発光効率が高く、寿命や耐久性などの点で高い性能を保つことができる有機金属錯体を提供することを課題とする。
【００１２】
本発明はまた、この有機金属錯体よりなる発光材料および有機電界発光素子と、この有機金属錯体を含む有機金属錯体含有組成物と、この有機金属錯体を用いた有機電界発光素子、有機ＥＬ表示装置および有機ＥＬ照明を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者らが鋭意検討した結果、特定の有機金属錯体が、上記課題を解決できることが分かり本発明に到達した。
【００１４】
すなわち、本発明は、下記一般式（１）で表される有機金属錯体、に存する。
【００１５】
【化３】
2012006878.tif 000005
【００１６】
（上記一般式（１）において、Ｒ１〜Ｒ７はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいアルコキシ基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｒ１〜Ｒ７は、それぞれ近接するＲ１〜Ｒ７と結合して環を形成していてもよい。ただし、Ｒ１〜Ｒ７のうち少なくとも１つは、炭素数４以上のアルキル基またはこれを有する置換基である。
また、Ｒ１〜Ｒ４のいずれか１つは、ハロゲン原子、パーフルオロアルキル基、またはこれらのうちいずれかを含む基である。
Ｌは１価の２座配位子を表し、ｍは１〜３の整数を表す。）
【００１７】
本発明はまた、
上記有機金属錯体からなる発光材料、
上記有機金属錯体からなる有機電界発光素子材料、
上記有機金属錯体および溶剤を含有する有機金属錯体含有組成物、
陽極および陰極と、該陽極と該陰極との間に有機層を有する有機電界発光素子において、該有機層のうち少なくとも一層が、上記有機金属錯体を含有する発光層である有機電界発光素子、
並びに
この有機電界発光素子を含む有機ＥＬ表示装置および有機ＥＬ照明、
に存する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、溶剤への溶解性や分散性が高く、湿式成膜に適した有機金属錯体を提供できる。また、この有機金属錯体を発光層に用いた有機電界発光素子は、湿式成膜法で形成される発光層であっても、発光効率が高く、寿命や耐久性などの点で高い性能を保つことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の有機電界発光素子の構造例を示す断面の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下に、本発明の実施の形態を詳細に説明するが、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々に変形して実施することができる。
【００２１】
［語句の説明］
本発明において、単に「芳香環」と称した場合には、芳香族炭化水素環および芳香族複素環のいずれも含むものとする。
本発明において、「（ヘテロ）アリール」と称した場合には、芳香族炭化水素環および芳香族複素環のいずれも含むものとする。
本発明において、「置換基を有していてもよい」とは、置換基を１又は２以上有していてもよいことを意味するものとする。
【００２２】
また、本発明において湿式成膜法とは、例えば、スピンコート法、ディップコート法、ダイコート法、バーコート法、ブレードコート法、ロールコート法、スプレーコート法、キャピラリーコート法、インクジェット法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、フレキソ印刷法等湿式で成膜される方法をいう。これらの成膜方法の中でも、スピンコート法、スプレーコート法、インクジェット法が好ましい。これは、有機電界発光素子に用いられる湿式成膜用の組成物特有の液性に合うためである。
【００２３】
［有機金属錯体］
本発明の有機金属錯体（以下「有機金属錯体（１）」と称す場合がある。）は、下記一般式（１）で表されるものである。
【００２４】
【化４】
2012006878.tif 000006
【００２５】
（上記一般式（１）において、Ｒ１〜Ｒ７はそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいアルコキシ基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｒ１〜Ｒ７は、それぞれ近接するＲ１〜Ｒ７と結合して環を形成していてもよい。ただし、Ｒ１〜Ｒ７のうち少なくとも１つは、炭素数４以上のアルキル基またはこれを有する置換基である。
また、Ｒ１〜Ｒ４のいずれか１つは、ハロゲン原子、パーフルオロアルキル基、またはこれらいずれかを有する基である。
Ｌは１価の２座配位子を表し、ｍは１〜３の整数を表す。）
【００２６】
｛構造上の特徴｝
本発明の有機金属錯体（１）における特徴の一つとして、Ｒ１〜Ｒ４のいずれか１つが、ハロゲン原子、パーフルオロアルキル基、またはこれらいずれかの基を有する基である点が挙げられる。
ハロゲン原子またはパーフルオロアルキル基を有する基としては、例えばこれらいずれかの基で置換された炭化水素基、アルコキシ基および芳香族複素環基が挙げられる。ここで、炭化水素基としては、好ましくはフェニル基等の芳香族炭化水素基が挙げられるが、Ｒ１〜Ｒ４のいずれかそれ自体が、ハロゲン原子またはパーフルオロアルキル基であることがより好ましい。
【００２７】
ハロゲン原子の中でも特にフッ素原子が、以下に述べる効果が顕著に現れる点から好ましい。
また、パーフルオロアルキル基としては、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基などが挙げられ、以下に述べる効果が顕著に現れる点から、トリフルオロメチル基が好ましい。
【００２８】
Ｒ１〜Ｒ４が置換する位置の置換基は、錯体の発光波長、イオン化ポテンシャル（Ｉｐ）の準位、および電子親和性（Ｅａ）準位の調整に大きく影響する。具体的には、結合する基の種類と置換位置との組合せにより、有機金属錯体に及ぼす影響は異なり、例えばハロゲン原子の場合、Ｉｒとの結合位のｍ−位（すなわちＲ２またはＲ４）に配することにより、得られる有機金属錯体の発光波長に対する強力な短波長化効果が現れ、他の位置へ配することにより弱い短波長化効果が現れる。またパーフルオロアルキル基の場合、Ｉｒとの結合位ｏ−位またはｐ−位（つまりＲ１またはＲ３）に配することにより、得られる有機金属錯体の発光波長に対する短波長化効果が現れ、他の位置に配すると、逆に長波長化効果をもたらす。
【００２９】
また、ハロゲン原子（特にフッ素原子）やパーフルオロアルキル基（特にトリフルオロメチル基）の導入により、配位子のＩｒに対する配位強度が高まり、錯体の非発光励起準位を押し上げ、励起状態からの非発光励起準位熱遷移が抑制されるため、発光効率・発光強度が向上する。
【００３０】
本発明の有機金属錯体（１）における他の特徴として、Ｒ１〜Ｒ７のうち少なくとも１つは、炭素数４以上のアルキル基またはこれを有する置換基である点が挙げられる。このような基を有することにより、有機金属錯体の溶剤溶解性が向上するため、後述するように、湿式成膜法による有機電界発光素子の有機層の形成に使用する上で好ましい。
【００３１】
本発明者らの検討によると、例えばフェニルイソキノリル系配位子を有するＩｒ錯体の場合は、本発明とは異なり、配位子に比較的長鎖のアルキル基を導入することにより、化合物の安定性が低下する傾向がある。具体的には、以下に示すイリジウム錯体Ｐｉｑ−１とＰｉｑ−２では、アセトニトリルなどの有機溶媒に溶解した状態で室温下に静置した場合、Ｐｉｑ−２に比してＰｉｑ−１の分解速度が著しく大きい、すなわち安定性が低いという結果が得られる。この現象は、そもそも錯体自体の安定性が低く、それに対して、錯体を形成する配位子が錯体から遊離し、拡散していくことによるエネルギー的な安定化効果の方が大きいためと推測される。
【００３２】
【化５】
2012006878.tif 000007
【００３３】
このように、ただ単に長鎖アルキル基を導入すれば、いずれの金属錯体であっても安定性が向上するわけではなく、逆に安定性を損なう場合もある。
【００３４】
一方、本発明の有機金属錯体（１）では、配位子に炭素数４以上のアルキル基を導入することにより溶剤溶解性が向上することが判明した。さらに当該アルキル基またはこれを有する基を、前記一般式（１）におけるＲ３またはＲ５に有することにより、溶剤への溶解性や分散性などが向上するとともに、溶剤中に安定して長期間存在できることが判明した。
【００３５】
炭素数４以上のアルキル基を有する置換基としては、アルキル基で置換された芳香族炭化水素基が好ましく、当該炭化水素基の中ではフェニル基が好ましい。炭素数４以上のアルキル基としては、好ましくは炭素数５以上のアルキル基が挙げられ、また好ましくは炭素数１５以下、より好ましくは炭素数１２以下のアルキル基が挙げられる。
【００３６】
炭素数４以上のアルキル基としては直鎖のアルキル基であることが好ましく、具体的にはｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基などが挙げられる。
【００３７】
なお、前記一般式（１）の配位子に含まれるフェニル基において、Ｉｒへの配位位置に対してｐ−位（すなわちＲ３）にフェニル基を有することにより、Ｉｒのｄ軌道と当該フェニル基（Ｒ３基）におけるベンゼン環の電子軌道による混成軌道の安定性が向上、つまり錯体の安定性が向上し、耐久性の高い化合物が得られるため、好ましい。
【００３８】
従って、Ｒ３は炭素数４以上のアルキル基を有するフェニル基であることが、特に好ましい。中でも、当該フェニル基のｐ−位が、炭素数４以上のアルキル基で置換されていることが最も好ましい。ｐ−位に当該アルキル基を有することにより、アルキル基が電子供与性基としての効果を発揮しやすい。
【００３９】
また、前記一般式（１）において、Ｒ６およびＲ７のうち少なくとも一方が水素原子以外の基である場合、有機金属錯体（１）の安定性が向上するため好ましい。中でも、Ｒ６およびＲ７のうち少なくとも一方が、置換基を有していてもよいアルキル基である場合が、より好ましい。該アルキル基の具体例、およびこれが有しうる置換基の具体例については、後述する。
【００４０】
｛Ｒ１〜Ｒ７｝
Ｒ１〜Ｒ７は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、置換基を有していてもよい炭化水素基、置換基を有していてもよいアルコキシ基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。
【００４１】
＜ハロゲン原子＞
ハロゲン原子としては、前述のように、フッ素原子が好ましい。
【００４２】
＜炭化水素基＞
炭化水素基としては、飽和炭化水素基、不飽和炭化水素基および芳香族炭化水素基が挙げられる。飽和炭化水素基としては、アルキル基が挙げられる。これらのうち炭化水素基としては、溶解性が向上すること、および安定であることにより、アルキル基または芳香族炭化水素基が好ましい。
【００４３】
アルキル基の炭素数は、通常１以上、好ましくは３以上、さらに好ましくは５以上、通常１５以下、好ましくは１２以下、さらに好ましくは８以下である。炭素数を上記下限値以上とすることにより、溶剤溶解性が担保しやすくなり、上記上限値以下とすることにより、熱処理時に酸化劣化する可能性が低減する。
アルキル基は、直鎖であっても分岐であってもよい。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、シクロヘキシル基、デシル基、オクタデシル基などのアルキル基が挙げられる。
【００４４】
なおＲ１〜Ｒ７において、Ｒ１〜Ｒ４のいずれか一つがパーフルオロアルキル基である場合、具体的には、前述のように、トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基、ヘプタフルオロプロピル基などが挙げられ、中でもトリフルオロメチル基が好ましい。
【００４５】
不飽和炭化水素基としては、アルケニル基およびアルキニル基が挙げられる。
【００４６】
アルケニル基の炭素数は、通常２以上、好ましくは３以上、さらに好ましくは５以上、通常１２以下、好ましくは１０以下、さらに好ましくは８以下である。炭素数を上記下限値以上とすることにより、溶剤溶解性が担保しやすくなり、上記上限値以下とすることにより、熱処理時に酸化劣化する可能性が低減する。アルケニル基としては具体的には、ビニル基、アリル基、ヘキセニル基などが挙げられる。
【００４７】
アルキニル基の炭素数は、通常２以上、好ましくは３以上、通常８以下、好ましくは５以下、さらに好ましくは３以下である。炭素数を上記下限値以上とすることにより、溶剤溶解性が担保しやすくなり、上記上限値以下とすることにより、熱処理時に酸化劣化する可能性が低減する。アルキニル基としては具体的には、アセチレニル基、プロピニル基などが挙げられる。
【００４８】
芳香族炭化水素基の炭素数は、通常６以上、通常１６以下、好ましくは１４以下、さらに好ましくは１０以下である。炭素数を上限値以下とすることにより、錯体を容易に安定的に形成することができるため好ましい。中でも、６員環の単環、又は２〜５縮合環由来の芳香族炭化水素基が好ましい。具体的には、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環などの芳香族炭化水素環由来の基が挙げられる。特に、ベンゼン環由来の基（フェニル基）であることが好ましい。
【００４９】
＜アルコキシ基＞
Ｒ１〜Ｒ７におけるアルコキシ基の炭素数は、通常１以上、好ましくは２以上、通常１２以下、好ましくは１０以下、さらに好ましくは８以下である。炭素数を上記下限値以上とすることにより、溶剤溶解性が担保しやすくなり、上記上限値以下とすることにより、熱処理時に酸化劣化する可能性が低減する。具体的には、メトキシ基、エトキシ基、ペンチルオキシ基、ヘキシルオキシ基、オクチルオキシ基、イソプロピルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、オクタデシルオキシ基などのアルコキシ基が挙げられる。
【００５０】
＜香族複素環基＞
Ｒ１〜Ｒ７における芳香族複素環基の炭素数は、通常３以上、好ましくは４以上、さらに好ましくは５以上、通常１５以下、好ましくは１２以下、さらに好ましくは８以下である。炭素数を上記下限値以上とすることにより、錯体の安定性が容易に担保され、上記上限値以下とすることにより、錯体を容易に安定的に形成することができるため好ましい。香族複素環基としては、具体的には、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などの芳香族複素環由来の基が挙げられる。
【００５１】
＜Ｒ１〜Ｒ７が有しうる置換基＞
Ｒ１〜Ｒ７が炭化水素基、アルコキシ基または芳香族複素環基である場合、これらは置換基を有していてもよい。該置換基としては、ハロゲン原子、アルキル基、パーフルオロアルキル基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基、アルコキシ基、（ヘテロ）アリールオキシ基、アルキルチオ基、（ヘテロ）アリールチオ基、シアノ基、アミノ基などの有機基が挙げられる。中でも、アルキル基および芳香族炭化水素基が、錯体の安定性の面から好ましく、芳香族炭化水素基が特に好ましい。
【００５２】
なお前述のように、Ｒ１〜Ｒ４のいずれか１つは、ハロゲン原子またはパーフルオロアルキル基であるか、そのいずれかで置換された基である。発光波長の制御や、発光効率・発光強度の観点からは、Ｒ１〜Ｒ４のいずれか一つについては、ハロゲン原子またはパーフルオロアルキル基で置換されていることが好ましい。ハロゲン原子またはパーフルオロアルキル基の具体例および好ましいものについては、前述のとおりである。
【００５３】
アルキル基としては、炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、オクチル基、シクロヘキシル基、デシル基、オクタデシル基等が挙げられる。中でも、ｎ−ペンチル基などのペンチル基、ｎ−ヘキシル基および２−エチルブチル基などのヘキシル基は非極性溶剤に高い溶解性を持つため好ましい。
【００５４】
芳香族炭化水素基としては、炭素数６〜２５の芳香族炭化水素基が好ましく、６員環の単環、又は２〜５縮合環由来の芳香族炭化水素基が好ましい。例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、フルオランテン環などの芳香族炭化水素環由来の基が挙げられる。
【００５５】
芳香族複素環基としては、炭素数３〜２０の芳香族炭化水素基が好ましい。具体的には、フラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などの芳香族複素環由来の基が挙げられる。
【００５６】
アルコキシ基としては、炭素数１〜２０のアルコキシ基が好ましく、具体的には、メトキシ基、エトキシ基、イソプロピルオキシ基、シクロヘキシルオキシ基、オクタデシルオキシ基等が挙げられる。
【００５７】
（ヘテロ）アリールオキシ基としては、炭素数３〜２０の（ヘテロ）アリールオキシ基が好ましく、具体的には、フェノキシ基、１−ナフチルオキシ基、９−アントラニルオキシ基、２−チエニルオキシ基等が挙げられる。
【００５８】
アルキルチオ基としては、炭素数１〜２０のアルキルチオ基が好ましく、具体的には、メチルチオ基、エチルチオ基、イソプロピルチオ基、シクロヘキシルチオ基等が挙げられる。
【００５９】
（ヘテロ）アリールチオ基としては、炭素数３〜２０の（ヘテロ）アリールチオ基好ましく、フェニルチオ基、１−ナフチルチオ基、９−アントラニルチオ基、２−チエニルチオ基等が挙げられる。
【００６０】
｛配位子Ｌ｝
前記一般式（１）において、Ｌは１価の２座配位子を表す。
１価の２座配位子Ｌに特に制限は無いが、例えば以下の配位子などが挙げられる。
【００６１】
【化６】
2012006878.tif 000008
【００６２】
これらの中でも、錯体の安定性の観点から、特に好ましくは以下の配位子などが挙げられる。
【００６３】
【化７】
2012006878.tif 000009
【００６４】
｛ｍ｝
前記一般式（１）において、ｍは１〜３の整数を表す。なお、前述した一般式（Ｉ）で表される化合物の性能、特に配位子の効果がより顕著である点から、ｍは２または３が好ましく、３が最も好ましい。
【００６５】
｛分子量｝
有機金属錯体（１）の分子量は、通常８５０以上、好ましくは９００以上、通常３０００以下、好ましくは２０００以下である。上記範囲とすることにより、安定性の高い錯体を得ることができるため好ましい。
【００６６】
｛発光強度｝
本発明の有機金属錯体（１）は、該錯体の１０−５Ｍのトルエン溶液の波長４００〜５５０ｎｍの範囲における最大発光強度が３０以上であることが好ましい。このような発光強度を示す錯体は発光効率が高く、このような錯体を用いて作製された有機電界発光素子は、発光効率が高く非常に有用である。
なお、有機金属錯体（１）の発光強度は、後述の実施例の項に記載される方法で測定される。
【００６７】
｛具体例｝
以下に、本発明の有機金属錯体（１）の具体例を示すが、本発明の有機金属錯体（１）は、以下の例示に限定されるものではない。
【００６８】
【化８】
2012006878.tif 000010
【００６９】
【化９】
2012006878.tif 000011
【００７０】
【化１０】
2012006878.tif 000012
【００７１】
【化１１】
2012006878.tif 000013
【００７２】
｛合成方法｝
本発明の上記式（１）で表される有機金属錯体の合成方法としては、以下のような方法を用いることができる。
例えば、下記タイプ１の配位子を用いるものに関しては、既知の方法（置換芳香族アルデヒド類と芳香族アミン類をアンモニウム塩存在下で加熱攪拌するなどの方法）によるイミダゾール環を形成後、必要に応じてフェニルボロン酸誘導体などの鈴木カップリングなどにより、配位子であるフェニル−イミダゾール系誘導体である配位子を合成する。（ここで、Ｘは任意の置換基であり、Ｘをさらに芳香族基に誘導する場合は、Ｘは臭素などのハロゲンなどを用いることが好ましい。また、配位子として下記タイプ２のものを用いる場合、こちらも既知の方法により、フェナントリジン環のアミノ化、さらに縮合イミダゾール環形成を経て配位子を形成できる。さらにフェニル−イミダゾール系誘導体である配位子をグリセリンなどの溶媒中で、Ｉｒ（ａｃａｃ）３（酢酸イリジウム）、ＩｒＣｌ３水和物などと２００〜２５０℃で加熱する方法などにより合成することができる。
ＩｒＣｌ３などとの反応においては配位子４つとＩｒ原子２個、Ｃｌ２個からなるいわゆる二核錯体を経由することもしられており、二核錯体で一旦単離した後、異種配位子との反応により、配位子が３つ同一でない錯体を合成してもよいし、３つ同一のものとしてもよい。
精製方法等は通常公知の方法を用いることができる。
【００７３】
【化１２】
2012006878.tif 000014
【００７４】
【化１３】
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【００７５】
｛用途｝
本発明の有機金属錯体は、有機電界発光素子に用いられる材料、すなわち有機電界発光素子材料として好適に使用可能であり、有機電界発光素子やその他の発光素子等の発光材料としても好適に使用可能である。
【００７６】
［有機金属錯体含有組成物］
本発明の有機金属錯体（１）は、溶剤溶解性に優れることから、溶剤とともに使用されることが好ましい。以下に、本発明の有機金属錯体（１）と溶剤とを含有する本発明の有機金属錯体含有組成物について説明する。
【００７７】
本発明の有機金属錯体含有組成物は、上述の本発明の有機金属錯体（１）および溶剤を含有する。
本発明の有機金属錯体含有組成物は通常湿式成膜法で層や膜を形成するために用いられ、特に有機電界発光素子の有機層を形成するために用いられることが好ましい。該有機層は、特に発光層であることが好ましい。
【００７８】
｛有機金属錯体（１）｝
該有機金属錯体含有組成物における本発明の有機金属錯体（１）の含有量は、通常０．１重量％以上、好ましくは０．５重量％以上、通常９９．９９重量％以下、好ましくは９９．９重量％以下である。組成物中の有機金属錯体（１）の含有量をこの範囲とすることにより、有機電界発光素子において隣接する層（例えば、正孔輸送層や正孔阻止層）から発光層へ効率よく、正孔や電子の注入が行われ、駆動電圧を低減することができる。尚、本発明の有機金属錯体（１）は、本発明の有機金属錯体含有組成物中に、１種のみ含まれていてもよく、２種以上が組み合わされて含まれていてもよい。
【００７９】
｛溶剤｝
本発明の有機金属錯体含有組成物に含有される溶剤は、湿式成膜により有機金属錯体（１）を含む層を形成するために用いる、揮発性を有する液体成分である。
【００８０】
該溶剤は、溶質である本発明の有機金属錯体（１）や後述の電荷輸送性化合物が良好に溶解する溶剤であれば特に限定されないが、好ましい溶剤としては以下のものが挙げられる。
【００８１】
例えば、ｎ−デカン、シクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、デカリン、ビシクロヘキサン等のアルカン類；トルエン、キシレン、メチシレン、シクロヘキシルベンゼン、テトラリン等の芳香族炭化水素類；クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、トリクロロベンゼン等のハロゲン化芳香族炭化水素類；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール、ジフェニルエーテル等の芳香族エーテル類；酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル類、シクロヘキサノン、シクロオクタノン、フェンコン等の脂環族ケトン類；シクロヘキサノール、シクロオクタノール等の脂環族アルコール類；メチルエチルケトン、ジブチルケトン等の脂肪族ケトン類；ブタノール、ヘキサノール等の脂肪族アルコール類；エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル類；等が挙げられる。
【００８２】
中でも好ましくは、アルカン類や芳香族炭化水素類である。
【００８３】
溶剤の沸点は、通常８０℃以上、好ましくは１００℃以上、より好ましくは１５０℃以上、特に好ましくは２００℃以上である。この範囲を下回ると、湿式成膜時において、組成物からの溶剤蒸発により、成膜安定性が低下する可能性がある。
また、より均一な膜を得るためには、成膜直後の液膜から溶剤が適当な速度で蒸発することが好ましい。このため、溶剤の沸点は、通常２７０℃以下、好ましくは２５０℃以下、より好ましくは沸点２３０℃以下である。
【００８４】
これらの溶剤は１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、および比率で用いてもよい。
【００８５】
本発明の有機金属錯体含有組成物において、溶剤の含有量は、組成物１００重量部に対して、好ましくは１０重量部以上、より好ましくは５０重量部以上、特に好ましくは８０重量部以上、また、好ましくは９９．９９重量部以下、より好ましくは９９．８重量部以下、特に好ましくは９９．５重量部以下である。溶剤の含有量がこの下限を下回ると、組成物の粘性が高くなりすぎ、成膜作業性が低下する可能性がある。一方、この上限を上回ると、成膜後、溶剤を除去して得られる膜の厚みが稼げなくなるため、成膜が困難となる傾向がある。
【００８６】
｛電荷輸送性化合物｝
本発明の有機金属錯体含有組成物を例えば有機電界発光素子用に用いる場合には、上述の有機金属錯体や溶剤の他、有機電界発光素子、特に発光層に用いられる電荷輸送性化合物を含有することができる。
【００８７】
本発明の有機金属錯体含有組成物を用いて、有機電界発光素子の発光層を形成する場合には、本発明の有機金属錯体（１）をドーパント材料とし、電荷輸送性化合物をホスト材料として含むことが好ましい。
【００８８】
本発明の有機金属錯体含有組成物が含有し得る他の電荷輸送性化合物としては、従来有機電界発光素子用材料として用いられているものを使用することができる。例えば、ピリジン、カルバゾール、ナフタレン、ペリレン、ピレン、アントラセン、クリセン、ナフタセン、フェナントレン、コロネン、フルオランテン、ベンゾフェナントレン、フルオレン、アセトナフトフルオランテン、クマリン、ｐ−ビス（２−フェニルエテニル）ベンゼンおよびそれらの誘導体、キナクリドン誘導体、ＤＣＭ（４−（ｄｉｃｙａnｏｍｅtｈｙｌｅnｅ）−２−ｍｅtｈｙｌ−６−（ｐ−ｄｉｍｅｔｈｙｌａｍｉｎｏｓｔｙｒｙｌ）−４Ｈ−ｐｙｒａｎ）系化合物、ベンゾピラン誘導体、ローダミン誘導体、ベンゾチオキサンテン誘導体、アザベンゾチオキサンテン、アリールアミノ基が置換された縮合芳香族環化合物、アリールアミノ基が置換されたスチリル誘導体等が挙げられる。
その他、以下に挙げる各化合物も、好適に使用することができる。
【００８９】
【化１４】
2012006878.tif 000016
【００９０】
【化１５】
2012006878.tif 000017
【００９１】
【化１６】
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【００９２】
【化１７】
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【００９３】
【化１８】
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【００９４】
これらは１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、および比率で用いてもよい。
【００９５】
本発明の有機金属錯体含有組成物中の電荷輸送性化合物の含有量は、該組成物を１００重量部とすると、通常１重量部以上、また、通常５０重量部以下、好ましくは３０重量部以下である。
また、有機金属錯体含有組成物中の電荷輸送性化合物の含有量は、有機金属錯体含有組成物中の本発明の有機金属錯体（１）に対して、通常５０重量％以下、特に３０重量％以下で、通常０．１重量％以上、特に０．５重量％以上であることが好ましい。
【００９６】
｛他の成分｝
本発明の有機金属錯体含有組成物には、必要に応じて、上記の化合物等の他に、更に他の成分を含有していてもよい。
例えば、上記の溶剤の他に、別の溶剤を含有していてもよい。そのような溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド等のアミド類、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。これらは１種類を単独で用いてもよく、また２種類以上を任意の組み合わせ、および比率で用いてもよい。
【００９７】
また、本発明の有機金属錯体含有組成物は成膜性の向上を目的として、レベリング剤や消泡剤等の各種添加剤を含有していてもよい。
【００９８】
［有機電界発光素子］
本発明の有機電界発光素子は、陽極および陰極と、該陽極と該陰極との間に有機層を有し、該有機層のうちの少なくとも一層が、上記本発明の有機金属錯体（１）を含有する発光層であることを特徴とする。該有機層としては、以下詳述の通り、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、正孔阻止層、電子輸送層などが挙げられる。
【００９９】
本発明の有機電界発光素子において、発光層は、前述の有機金属錯体含有組成物を用いて湿式成膜法で形成された層であることが好ましく、また、この発光層に接して、架橋性化合物を架橋して形成した正孔輸送層を有することが、正孔輸送層と発光層の機能を、共に十分に発揮させる上で好ましい。すなわち架橋させることで、発光層の湿式成膜時に、正孔輸送層が消失あるいは一部溶解して機能損失することを防ぐことができる。また、発光層を構成する材料が、正孔輸送層にしっかり結合された形になり、両層を構成する材料がよく親和し、高い電荷注入効率が実現される点からも好ましい。
【０１００】
以下に、本発明の有機電界発光素子の層構成およびその一般的形成方法等について、図１を参照にして説明する。
【０１０１】
図１は本発明の有機電界発光素子の構造例を示す断面の模式図であり、図１において、１は基板、２は陽極、３は正孔注入層、４は正孔輸送層、５は発光層、６は正孔阻止層、７は電子輸送層、８は電子注入層、９は陰極を各々表す。
【０１０２】
｛基板｝
基板１は有機電界発光素子の支持体となるものであり、石英やガラスの板、金属板や金属箔、プラスチックフィルムやシート等が用いられる。特にガラス板や、ポリエステル、ポリメタクリレート、ポリカーボネート、ポリスルホン等の透明な合成樹脂の板が好ましい。合成樹脂基板を使用する場合にはガスバリア性に留意する必要がある。基板のガスバリア性が小さすぎると、基板を通過した外気により有機電界発光素子が劣化することがあるので好ましくない。このため、合成樹脂基板の少なくとも片面に緻密なシリコン酸化膜等を設けてガスバリア性を確保する方法も好ましい方法の一つである。
【０１０３】
｛陽極｝
陽極２は発光層側の層（正孔注入層３など）への正孔注入の役割を果たすものである。
【０１０４】
この陽極２は、通常、アルミニウム、金、銀、ニッケル、パラジウム、白金等の金属、インジウムおよび／またはスズの酸化物等の金属酸化物、ヨウ化銅等のハロゲン化金属、カーボンブラック、或いは、ポリ（３−メチルチオフェン）、ポリピロール、ポリアニリン等の導電性高分子等により構成される。
【０１０５】
陽極２の形成は通常、スパッタリング法、真空蒸着法等により行われることが多い。また、銀等の金属微粒子、ヨウ化銅等の微粒子、カーボンブラック、導電性の金属酸化物微粒子、導電性高分子微粉末等を用いて陽極２を形成する場合には、適当なバインダー樹脂溶液に分散させて、基板１上に塗布することにより陽極２を形成することもできる。さらに、導電性高分子の場合は、電解重合により直接基板１上に薄膜を形成したり、基板１上に導電性高分子を塗布して陽極２を形成することもできる（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，６０巻，２７１１頁，１９９２年）。
【０１０６】
陽極２は通常は単層構造であるが、所望により複数の材料からなる積層構造とすることも可能である。
【０１０７】
陽極２の厚みは、必要とする透明性により異なる。透明性が必要とされる場合は、可視光の透過率を、通常６０％以上、好ましくは８０％以上とすることが好ましい。この場合、陽極２の厚みは通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下程度である。不透明でよい場合は陽極２の厚みは任意であり、陽極２は基板１と同一でもよい。また、さらには、上記の陽極２の上に異なる導電材料を積層することも可能である。
【０１０８】
陽極２に付着した不純物を除去し、イオン化ポテンシャルを調整して正孔注入性を向上させることを目的に、陽極２表面を紫外線（ＵＶ）／オゾン処理したり、酸素プラズマ、アルゴンプラズマ処理したりすることは好ましい。
【０１０９】
｛正孔注入層｝
正孔注入層３は、陽極２から発光層５へ正孔を輸送する層であり、通常、陽極２上に形成される。
【０１１０】
本発明に係る正孔注入層３の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔注入層３を湿式成膜法により形成することが好ましい。
正孔注入層３の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上、また、通常１０００ｎｍ以下、好ましくは５００ｎｍ以下の範囲である。
【０１１１】
＜湿式成膜法による正孔注入層の形成＞
湿式成膜により正孔注入層３を形成する場合、通常は、正孔注入層３を構成する材料を適切な溶剤（正孔注入層用溶剤）と混合して成膜用の組成物（正孔注入層形成用組成物）を調製し、この正孔注入層形成用組成物を適切な手法により、正孔注入層３の下層に該当する層（通常は、陽極）上に塗布して成膜し、乾燥することにより正孔注入層３を形成する。
【０１１２】
（正孔輸送性化合物）
正孔注入層形成用組成物は通常、正孔注入層の構成材料として正孔輸送性化合物および溶剤を含有する。
正孔輸送性化合物は、通常、有機電界発光素子の正孔注入層に使用される、正孔輸送性を有する化合物であれば、重合体などの高分子化合物であっても、単量体などの低分子化合物であってもよいが、高分子化合物であることが好ましい。
【０１１３】
正孔輸送性化合物としては、陽極２から正孔注入層３への電荷注入障壁の観点から４．５ｅＶ〜６．０ｅＶのイオン化ポテンシャルを有する化合物が好ましい。正孔輸送性化合物の例としては、芳香族アミン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ベンジルフェニル誘導体、フルオレン基で３級アミンを連結した化合物、ヒドラゾン誘導体、シラザン誘導体、シラナミン誘導体、ホスファミン誘導体、キナクリドン誘導体、ポリアニリン誘導体、ポリピロール誘導体、ポリフェニレンビニレン誘導体、ポリチエニレンビニレン誘導体、ポリキノリン誘導体、ポリキノキサリン誘導体、カーボン等が挙げられる。
【０１１４】
尚、本発明において誘導体とは、例えば、芳香族アミン誘導体を例にするならば、芳香族アミンそのものおよび芳香族アミンを主骨格とする化合物を含むものであり、重合体であっても、単量体であってもよい。
正孔注入層３の材料として用いられる正孔輸送性化合物は、このような化合物のうち何れか１種を単独で含有していてもよく、２種以上を含有していてもよい。２種以上の正孔輸送性化合物を含有する場合、その組み合わせは任意であるが、芳香族三級アミン高分子化合物１種または２種以上と、その他の正孔輸送性化合物１種または２種以上とを併用することが好ましい。
【０１１５】
上記例示した中でも非晶質性、可視光の透過率の点から、芳香族アミン化合物が好ましく、特に芳香族三級アミン化合物が好ましい。ここで、芳香族三級アミン化合物とは、芳香族三級アミン構造を有する化合物であって、芳香族三級アミン由来の基を有する化合物も含む。
芳香族三級アミン化合物の種類は特に制限されないが、表面平滑化効果による均一な発光の点から、重量平均分子量が１０００以上、１００００００以下の高分子化合物（繰り返し単位が連なる重合型化合物）がさらに好ましい。芳香族三級アミン高分子化合物の好ましい例として、下記式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する高分子化合物が挙げられる。
【０１１６】
【化１９】
2012006878.tif 000021
【０１１７】
（式（Ｉ）中、Ａｒ１およびＡｒ２は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ａｒ３〜Ａｒ５は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｙは、下記の連結基群の中から選ばれる連結基を表す。また、Ａｒ１〜Ａｒ５のうち、同一のＮ原子に結合する二つの基は互いに結合して環を形成してもよい。
【０１１８】
【化２０】
2012006878.tif 000022
【０１１９】
（上記各式中、Ａｒ６〜Ａｒ１６は、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基または置換基を有していてもよい芳香族複素環基を表す。Ｒ３１およびＲ３２は、それぞれ独立して、水素原子または任意の置換基を表す。））
【０１２０】
Ａｒ１〜Ａｒ１６の芳香族炭化水素基および芳香族複素環基としては、高分子化合物の溶解性、耐熱性、正孔注入・輸送性の点から、ベンゼン環、ナフタレン環、フェナントレン環、チオフェン環、ピリジン環由来の基が好ましく、ベンゼン環、ナフタレン環由来の基がさらに好ましい。
【０１２１】
Ａｒ１〜Ａｒ１６の芳香族炭化水素基および芳香族複素環基は、さらに置換基を有していてもよい。置換基の分子量としては、通常４００以下、中でも２５０以下程度が好ましい。置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが好ましい。
【０１２２】
Ｒ３１およびＲ３２が任意の置換基である場合、該置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルコキシ基、シリル基、シロキシ基、芳香族炭化水素基、芳香族複素環基などが挙げられる。
【０１２３】
式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する芳香族三級アミン高分子化合物の具体例としては、国際公開第２００５／０８９０２４号パンフレットに記載のものが挙げられる。
また、正孔輸送性化合物としては、ポリチオフェンの誘導体である３，４-ｅtｈｙｌｅnｅｄiｏxｙtｈiｏpｈｅnｅ（３，４-エチレンジオキシチオフェン）を高分子量ポリスチレンスルホン酸中で重合してなる導電性ポリマー（ＰEＤＯＴ／ＰＳＳ）もまた好ましい。また、このポリマーの末端をメタクリレート等でキャップしたものであってもよい。
【０１２４】
正孔注入層形成用組成物中の、正孔輸送性化合物の濃度は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、膜厚の均一性の点で通常０．０１重量％以上、好ましくは０．１重量％以上、さらに好ましくは０．５重量％以上、また、通常７０重量％以下、好ましくは６０重量％以下、さらに好ましくは５０重量％以下である。この濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると成膜された正孔注入層に欠陥が生じる可能性がある。
【０１２５】
（電子受容性化合物）
正孔注入層形成用組成物は正孔注入層の構成材料として、電子受容性化合物を含有していることが好ましい。
電子受容性化合物とは、酸化力を有し、上述の正孔輸送性化合物から一電子受容する能力を有する化合物が好ましく、具体的には、電子親和力が４ｅＶ以上である化合物が好ましく、５ｅＶ以上の化合物である化合物がさらに好ましい。
【０１２６】
このような電子受容性化合物としては、例えば、トリアリールホウ素化合物、ハロゲン化金属、ルイス酸、有機酸、オニウム塩、アリールアミンとハロゲン化金属との塩、アリールアミンとルイス酸との塩よりなる群から選ばれる１種または２種以上の化合物等が挙げられる。さらに具体的には、４−イソプロピル−４’−メチルジフェニルヨードニウムテトラキス（ペンダフルオロフェニル）ボラート、トリフェニルスルホニウムテトラフルオロボラート等の有機基の置換したオニウム塩（国際公開２００５／０８９０２４号パンフレット）；塩化鉄（ＩＩＩ）（特開平１１−２５１０６７号公報）、ペルオキソ二硫酸アンモニウム等の高原子価の無機化合物；テトラシアノエチレン等のシアノ化合物、トリス（ペンダフルオロフェニル）ボラン（特開２００３−３１３６５号公報）等の芳香族ホウ素化合物；フラーレン誘導体；ヨウ素；ポリスチレンスルホン酸イオン、アルキルベンゼンスルホン酸イオン、ショウノウスルホン酸イオン等のスルホン酸イオン等が挙げられる。
【０１２７】
これらの電子受容性化合物は、正孔輸送性化合物を酸化することにより正孔注入層の導電率を向上させることができる。
正孔注入層或いは正孔注入層形成用組成物中の電子受容性化合物の正孔輸送性化合物に対する含有量は、通常０．１モル％以上、好ましくは１モル％以上である。但し、通常１００モル％以下、好ましくは４０モル％以下である。
【０１２８】
（その他の構成材料）
正孔注入層の材料としては、本発明の効果を著しく損なわない限り、上述の正孔輸送性化合物や電子受容性化合物に加えて、さらに、その他の成分を含有させてもよい。その他の成分の例としては、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などが挙げられる。なお、その他の成分は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０１２９】
（溶剤）
湿式成膜法に用いる正孔注入層形成用組成物の溶剤のうち少なくとも１種は、上述の正孔注入層の構成材料を溶解しうる化合物であることが好ましい。また、この溶剤の沸点は通常１１０℃以上、好ましくは１４０℃以上、中でも２００℃以上、通常４００℃以下、中でも３００℃以下であることが好ましい。溶剤の沸点が低すぎると、乾燥速度が速すぎ、膜質が悪化する可能性がある。また、溶剤の沸点が高すぎると乾燥工程の温度を高くする必要があし、他の層や基板に悪影響を与える可能性がある。
【０１３０】
溶剤として例えば、エーテル系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤、アミド系溶剤などが挙げられる。
【０１３１】
エーテル系溶剤としては、例えば、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、プロピレングリコール−１−モノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）等の脂肪族エーテル；１，２−ジメトキシベンゼン、１，３−ジメトキシベンゼン、アニソール、フェネトール、２−メトキシトルエン、３−メトキシトルエン、４−メトキシトルエン、２，３−ジメチルアニソール、２，４−ジメチルアニソール等の芳香族エーテル、等が挙げられる。
【０１３２】
エステル系溶剤としては、例えば、酢酸フェニル、プロピオン酸フェニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸プロピル、安息香酸ｎ−ブチル等の芳香族エステル、等が挙げられる。
【０１３３】
芳香族炭化水素系溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、シクロヘキシルベンゼン、３−イロプロピルビフェニル、１，２，３，４−テトラメチルベンゼン、１，４−ジイソプロピルベンゼン、シクロヘキシルベンゼン、メチルナフタレン等が挙げられる。
【０１３４】
アミド系溶剤としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、等が挙げられる。
【０１３５】
その他、ジメチルスルホキシド、等も用いることができる。
【０１３６】
これらの溶剤は１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で用いてもよい。
【０１３７】
（成膜方法）
正孔注入層形成用組成物を調製後、この組成物を湿式成膜により、正孔注入層３の下層に該当する層（通常は、陽極２）上に塗布成膜し、乾燥することにより正孔注入層３を形成する。
【０１３８】
成膜工程における温度は、組成物中に結晶が生じることによる膜の欠損を防ぐため、１０℃以上が好ましく、５０℃以下が好ましい。
【０１３９】
成膜工程における相対湿度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．０１ｐｐｍ以上、通常８０％以下である。
【０１４０】
成膜後、通常加熱等により正孔注入層形成用組成物の膜を乾燥させる。加熱工程において使用する加熱手段の例を挙げると、クリーンオーブン、ホットプレート、赤外線、ハロゲンヒーター、マイクロ波照射などが挙げられる。中でも、膜全体に均等に熱を与えるためには、クリーンオーブンおよびホットプレートが好ましい。
【０１４１】
加熱工程における加熱温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り、正孔注入層形成用組成物に用いた溶剤の沸点以上の温度で加熱することが好ましい。また、正孔注入層に用いた溶剤が２種類以上含まれている混合溶剤の場合、少なくとも１種類がその溶剤の沸点以上の温度で加熱されるのが好ましい。溶剤の沸点上昇を考慮すると、加熱工程においては、好ましくは１２０℃以上、好ましくは４１０℃以下で加熱することが好ましい。
【０１４２】
加熱工程において、加熱温度が正孔注入層形成用組成物の溶剤の沸点以上であり、かつ塗布膜の十分な不溶化が起こらなければ、加熱時間は限定されないが、好ましくは１０秒以上、通常１８０分以下である。加熱時間が長すぎると他の層の成分が拡散する傾向があり、短すぎると正孔注入層が不均質になる傾向がある。加熱は２回に分けて行ってもよい。
【０１４３】
＜真空蒸着法による正孔注入層の形成＞
真空蒸着により正孔注入層３を形成する場合には、正孔注入層３の構成材料（前述の正孔輸送性化合物、電子受容性化合物等）の１種または２種以上を真空容器内に設置されたるつぼに入れ（２種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼに入れ）、真空容器内を適当な真空ポンプで１０−４Ｐａ程度まで排気した後、るつぼを加熱して（２種以上の材料を用いる場合は各々のるつぼを加熱して）、蒸発量を制御して蒸発させ（２種以上の材料を用いる場合はそれぞれ独立に蒸発量を制御して蒸発させ）、るつぼと向き合って置かれた基板の陽極２上に正孔注入層３を形成させる。なお、２種以上の材料を用いる場合は、それらの混合物をるつぼに入れ、加熱、蒸発させて正孔注入層３を形成することもできる。
【０１４４】
蒸着時の真空度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１×１０−６Ｔｏｒｒ（０．１３×１０−４Ｐａ）以上、通常９．０×１０−６Ｔｏｒｒ（１２．０×１０−４Ｐａ）以下である。
蒸着速度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、通常０．１Å／秒以上、通常５．０Å／秒以下である。
蒸着時の成膜温度は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されないが、好ましくは１０℃以上で、好ましくは５０℃以下で行われる。
【０１４５】
｛正孔輸送層｝
正孔輸送層４は、正孔注入層がある場合には正孔注入層３の上に、正孔注入層３が無い場合には陽極２の上に形成することができる。また、本発明の有機電界発光素子は、正孔輸送層を省いた構成であってもよい。
【０１４６】
本発明に係る正孔輸送層４の形成方法は真空蒸着法でも、湿式成膜法でもよく、特に制限はないが、ダークスポット低減の観点から正孔輸送層４を湿式成膜法により形成することが好ましい。
【０１４７】
正孔輸送層４を形成する材料としては、正孔輸送性が高く、かつ、注入された正孔を効率よく輸送することができる材料であることが好ましい。そのために、イオン化ポテンシャルが小さく、可視光の光に対して透明性が高く、正孔移動度が大きく、安定性に優れ、トラップとなる不純物が製造時や使用時に発生しにくいことが好ましい。また、多くの場合、発光層５に接するため、発光層５からの発光を消光したり、発光層５との間でエキサイプレックスを形成して効率を低下させたりしないことが好ましい。
【０１４８】
このような正孔輸送層４の材料としては、従来、正孔輸送層の構成材料として用いられている材料であればよく、例えば、前述の正孔注入層３に使用される正孔輸送性化合物として例示したものが挙げられる。また、アリールアミン誘導体、フルオレン誘導体、スピロ誘導体、カルバゾール誘導体、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体、シロール誘導体、オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。
【０１４９】
また、例えば、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリアリールアミン誘導体、ポリビニルトリフェニルアミン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリアリーレン誘導体、テトラフェニルベンジジンを含有するポリアリーレンエーテルサルホン誘導体、ポリアリーレンビニレン誘導体、ポリシロキサン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）誘導体等が挙げられる。これらは、交互共重合体、ランダム重合体、ブロック重合体又はグラフト共重合体のいずれであってもよい。また、主鎖に枝分かれがあり末端部が３つ以上ある高分子や、所謂デンドリマーであってもよい。
【０１５０】
中でも、ポリアリールアミン誘導体やポリアリーレン誘導体が好ましい。
【０１５１】
ポリアリールアミン誘導体としては、下記式（ＩＩ）で表される繰り返し単位を含む重合体であることが好ましい。特に、下記式（ＩＩ）で表される繰り返し単位からなる重合体であることが好ましく、この場合、繰り返し単位それぞれにおいて、ＡｒａまたはＡｒｂが異なっているものであってもよい。
【０１５２】
【化２１】
2012006878.tif 000023
【０１５３】
（式（ＩＩ）中、ＡｒａおよびＡｒｂは、それぞれ独立して、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。）
【０１５４】
置換基を有していてもよい芳香族炭化水素基としては、例えば、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、ペリレン環、テトラセン環、ピレン環、ベンズピレン環、クリセン環、トリフェニレン環、アセナフテン環、フルオランテン環、フルオレン環などの、６員環の単環または２〜５縮合環由来の基およびこれらの環が２環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。
【０１５５】
置換基を有していてもよい芳香族複素環基としては、例えばフラン環、ベンゾフラン環、チオフェン環、ベンゾチオフェン環、ピロール環、ピラゾール環、イミダゾール環、オキサジアゾール環、インドール環、カルバゾール環、ピロロイミダゾール環、ピロロピラゾール環、ピロロピロール環、チエノピロール環、チエノチオフェン環、フロピロール環、フロフラン環、チエノフラン環、ベンゾイソオキサゾール環、ベンゾイソチアゾール環、ベンゾイミダゾール環、ピリジン環、ピラジン環、ピリダジン環、ピリミジン環、トリアジン環、キノリン環、イソキノリン環、シノリン環、キノキサリン環、フェナントリジン環、ベンゾイミダゾール環、ペリミジン環、キナゾリン環、キナゾリノン環、アズレン環などの、５または６員環の単環または２〜４縮合環由来の基およびこれらの環が２環以上直接結合で連結してなる基が挙げられる。
【０１５６】
溶解性、耐熱性の点から、ＡｒａおよびＡｒｂは、各々独立に、ベンゼン環、ナフタレン環、アントラセン環、フェナントレン環、トリフェニレン環、ピレン環、チオフェン環、ピリジン環、フルオレン環からなる群より選ばれる環由来の基やベンゼン環が２環以上連結してなる基（例えば、ビフェニル基やターフェニル基）が好ましい。
中でも、ベンゼン環由来の基（フェニル基）、ベンゼン環が２環連結してなる基（ビフェニル基）およびフルオレン環由来の基（フルオレニル基）が好ましい。
【０１５７】
ＡｒａおよびＡｒｂにおける芳香族炭化水素基および芳香族複素環基が有していてもよい置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、アルコキシカルボニル基、ジアルキルアミノ基、ジアリールアミノ基、アシル基、ハロゲン原子、ハロアルキル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、シリル基、シロキシ基、シアノ基、芳香族炭化水素環基、芳香族複素環基などが挙げられる。
【０１５８】
ポリアリーレン誘導体としては、前記式（ＩＩ）におけるＡｒａやＡｒｂとして例示した置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基などのアリーレン基をその繰り返し単位に有する重合体が挙げられる。
【０１５９】
ポリアリーレン誘導体としては、下記式（ＩＩＩ−１）および／または下記式（ＩＩＩ−２）からなる繰り返し単位を有する重合体が好ましい。
【０１６０】
【化２２】
2012006878.tif 000024
【０１６１】
（式（ＩＩＩ−１）中、Ｒａ、Ｒｂ、ＲｃおよびＲｄは、それぞれ独立に、アルキル基、アルコキシ基、フェニルアルキル基、フェニルアルコキシ基、フェニル基、フェノキシ基、アルキルフェニル基、アルコキシフェニル基、アルキルカルボニル基、アルコキシカルボニル基、又はカルボキシ基を表す。ｔおよびｓは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表す。ｔまたはｓが２以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲａまたはＲｂは同一であっても異なっていてもよく、隣接するＲａまたはＲb同士で環を形成していてもよい。）
【０１６２】
【化２３】
2012006878.tif 000025
【０１６３】
（式（ＩＩＩ−２）中、ＲｅおよびＲｆは、それぞれ独立に、上記式（ＩＩＩ−１）におけるＲａ、Ｒb、ＲｃまたはＲｄと同義である。ｒおよびｕは、それぞれ独立に、０〜３の整数を表す。ｒまたはｕが２以上の場合、一分子中に含まれる複数のＲｅおよびＲｆは同一であっても異なっていてもよく、隣接するＲｅまたはＲｆ同士で環を形成していてもよい。Ｘは、５員環または６員環を構成する原子または原子群を表す。）
【０１６４】
Ｘの具体例としては、酸素原子、置換基を有していてもよいホウ素原子、置換基を有していてもよい窒素原子、置換基を有していてもよいケイ素原子、置換基を有していてもよいリン原子、置換基を有していてもよいイオウ原子、置換基を有していてもよい炭素原子またはこれらが結合してなる基が挙げられる。
【０１６５】
また、ポリアリーレン誘導体としては、下記式（ＩＩＩ−１）および／または下記式（ＩＩＩ−２）からなる繰り返し単位に加えて、さらに下記式（ＩＩＩ−３）で表される繰り返し単位を有することが好ましい。
【０１６６】
【化２４】
2012006878.tif 000026
【０１６７】
（式（ＩＩＩ−３）中、Ａｒｃ〜Ａｒｊは、それぞれ独立に、置換基を有していてもよい、芳香族炭化水素基または芳香族複素環基を表す。ｖおよびｗは、それぞれ独立に０または１を表す。）
【０１６８】
Ａｒｃ〜Ａｒｊの具体例としては、前記式（ＩＩ）における、ＡｒａおよびＡｒｂと同様である。
【０１６９】
上記式（ＩＩＩ−１）〜（ＩＩＩ−３）の具体例およびポリアリーレン誘導体の具体例等は、特開２００８−９８６１９号公報に記載のものなどが挙げられる。
【０１７０】
湿式成膜法で正孔輸送層４を形成する場合は、上記正孔注入層３の形成と同様にして、正孔輸送層形成用組成物を調製した後、湿式成膜後、加熱乾燥させる。
【０１７１】
正孔輸送層形成用組成物には、上述の正孔輸送性化合物の他、溶剤を含有する。用いる溶剤は上記正孔注入層形成用組成物に用いたものと同様である。また、成膜条件、加熱乾燥条件等も正孔注入層３の形成の場合と同様である。
【０１７２】
真空蒸着法により正孔輸送層を形成する場合もまた、その成膜条件等は上記正孔注入層３の形成の場合と同様である。
【０１７３】
正孔輸送層４は、上記正孔輸送性化合物の他、各種の発光材料、電子輸送性化合物、バインダー樹脂、塗布性改良剤などを含有していてもよい。
【０１７４】
正孔輸送層４はまた、架橋性化合物を架橋して形成される層であってもよい。架橋性化合物は、架橋性基を有する化合物であって、架橋することにより網目状高分子化合物を形成する。
【０１７５】
この架橋性基の例を挙げると、オキセタン、エポキシなどの環状エーテル由来の基；ビニル基、トリフルオロビニル基、スチリル基、アクリル基、メタクリロイル、シンナモイル等の不飽和二重結合由来の基；ベンゾシクロブテン由来の基などが挙げられる。
【０１７６】
架橋性化合物は、モノマー、オリゴマー、ポリマーのいずれであってもよい。架橋性化合物は１種のみを有していてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で有していてもよい。
【０１７７】
架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。正孔輸送性化合物としては、上記の例示したものが挙げられ、これら正孔輸送性化合物に対して、架橋性基が主鎖または側鎖に結合しているものが挙げられる。特に架橋性基は、アルキレン基等の連結基を介して、主鎖に結合していることが好ましい。また、特に正孔輸送性化合物としては、架橋性基を有する繰り返し単位を含む重合体であることが好ましく、上記式（ＩＩ）や式（ＩＩＩ−１）〜（ＩＩＩ−３）に架橋性基が直接または連結基を介して結合した繰り返し単位を有する重合体であることが好ましい。
【０１７８】
架橋性化合物としては、架橋性基を有する正孔輸送性化合物を用いることが好ましい。正孔輸送性化合物の例を挙げると、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体、フタロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体等の含窒素芳香族化合物誘導体；トリフェニルアミン誘導体；シロール誘導体；オリゴチオフェン誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが挙げられる。その中でも、ピリジン誘導体、ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、トリアジン誘導体、キノリン誘導体、フェナントロリン誘導体、カルバゾール誘導体等の含窒素芳香族誘導体；トリフェニルアミン誘導体、シロール誘導体、縮合多環芳香族誘導体、金属錯体などが好ましく、特に、トリフェニルアミン誘導体がより好ましい。
【０１７９】
架橋性化合物を架橋して正孔輸送層４を形成するには、通常、架橋性化合物を溶剤に溶解または分散させた正孔輸送層形成用組成物を調製して、湿式成膜により成膜して架橋させる。
【０１８０】
正孔輸送層形成用組成物には、架橋性化合物の他、架橋反応を促進する添加物を含んでいてもよい。架橋反応を促進する添加物の例を挙げると、アルキルフェノン化合物、アシルホスフィンオキサイド化合物、メタロセン化合物、オキシムエステル化合物、アゾ化合物、オニウム塩等の重合開始剤および重合促進剤；縮合多環炭化水素、ポルフィリン化合物、ジアリールケトン化合物等の光増感剤；などが挙げられる。
【０１８１】
また、さらに、レベリング剤、消泡剤等の塗布性改良剤；電子受容性化合物；バインダー樹脂；などを含有していてもよい。
【０１８２】
正孔輸送層形成用組成物は、架橋性化合物を通常０．０１重量％以上、好ましくは０．０５重量％以上、さらに好ましくは０．１重量％以上、通常５０重量％以下、好ましくは２０重量％以下、さらに好ましくは１０重量％以下含有する。
【０１８３】
このような濃度で架橋性化合物を含む正孔輸送層形成用組成物を下層（通常は正孔注入層３）上に成膜後、加熱および／または光などの電磁エネルギー照射により、架橋性化合物を架橋させて網目状高分子化合物を形成する。
【０１８４】
成膜時の温度、湿度などの条件は、前記正孔注入層３の湿式成膜時と同様である。
【０１８５】
成膜後の加熱の手法は特に限定されない。加熱温度条件としては、通常１２０℃以上、好ましくは４００℃以下である。
【０１８６】
加熱時間としては、通常１分以上、好ましくは２４時間以下である。
【０１８７】
加熱手段としては特に限定されないが、成膜された層を有する積層体をホットプレート上に載せたり、オーブン内で加熱するなどの手段が用いられる。例えば、ホットプレート上で１２０℃以上、１分間以上加熱する等の条件を用いることができる。
【０１８８】
光などの電磁エネルギー照射による場合には、超高圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ、赤外ランプ等の紫外・可視・赤外光源を直接用いて照射する方法、あるいは前述の光源を内蔵するマスクアライナ、コンベア型光照射装置を用いて照射する方法などが挙げられる。光以外の電磁エネルギー照射では、例えばマグネトロンにより発生させたマイクロ波を照射する装置、いわゆる電子レンジを用いて照射する方法が挙げられる。照射時間としては、膜の溶解性を低下させるために必要な条件を設定することが好ましいが、通常、０．１秒以上、好ましくは１０時間以下照射される。
【０１８９】
加熱および光などの電磁エネルギー照射は、それぞれ単独、あるいは組み合わせて行ってもよい。組み合わせる場合、実施する順序は特に限定されない。
【０１９０】
このようにして形成される正孔輸送層４の膜厚は、通常５ｎｍ以上、好ましくは１０ｎｍ以上であり、また通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下である。
【０１９１】
｛発光層｝
正孔注入層３の上、または正孔輸送層４を設けた場合には正孔輸送層４の上には発光層５が設けられる。発光層５は、電界を与えられた電極間において、陽極２から注入された正孔と、陰極９から注入された電子との再結合により励起されて、主たる発光源となる層である。
【０１９２】
＜発光層の材料＞
発光層５は、その構成材料として、少なくとも、発光の性質を有する材料（発光材料）を含有するとともに、好ましくは、正孔輸送の性質を有する化合物（正孔輸送性化合物）、あるいは、電子輸送の性質を有する化合物（電子輸送性化合物）を含有する。発光材料をドーパント材料として使用し、正孔輸送性化合物や電子輸送性化合物などをホスト材料として使用してもよい。発光材料については特に限定はなく、所望の発光波長で発光し、発光効率が良好である物質を用いればよいが、本発明の有機電界発光素子においては、この発光材料として有機金属錯体（１）を用いる。
【０１９３】
特に、本発明の有機電界発光素子は、その発光層が、本発明の有機金属錯体含有組成物を用いて湿式成膜法で形成されることが好ましい。
【０１９４】
更に、発光層５は、本発明の効果を著しく損なわない範囲で、その他の成分を含有していてもよい。なお、湿式成膜法で発光層５を形成する場合は、低分子量の材料（分子量通常１００００以下、好ましくは５０００以下）を使用することが好ましい。
【０１９５】
＜発光層の形成＞
湿式成膜法により発光層５を形成する場合は、発光層に用いる材料を適切な溶剤に溶解させて発光層形成用組成物（本発明の有機金属錯体（１）を含む場合は本発明の有機金属錯体含有組成物）を調製し、それを用いて成膜することにより形成する。
【０１９６】
発光層５を本発明に係る湿式成膜法で形成するための発光層形成用組成物に含有させる発光層用溶剤としては、上記本発明の有機金属錯体含有組成物に含有される溶剤として説明したものと同様である。
【０１９７】
また、発光層形成用組成物中の発光材料、電荷輸送性化合物等の固形分濃度としては、通常０．０１重量％以上、通常７０重量％以下である。この濃度が大きすぎると膜厚ムラが生じる可能性があり、また、小さすぎると膜に欠陥が生じる可能性がある。
【０１９８】
発光層形成用組成物を湿式成膜後、得られた塗膜を乾燥し、溶剤を除去することにより、発光層が形成される。具体的には、上記正孔注入層の形成において記載した方法と同様である。湿式成膜法の方式は、本発明の効果を著しく損なわない限り限定されず、前述のいかなる方式も用いることができる。
【０１９９】
発光層５の膜厚は本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常３ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常２００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。発光層５の膜厚が、薄すぎると膜に欠陥が生じる可能性があり、厚すぎると駆動電圧が上昇する可能性がある。
【０２００】
｛正孔阻止層｝
発光層５と後述の電子注入層８との間に、正孔阻止層６を設けてもよい。正孔阻止層６は、発光層５の上に、発光層５の陰極９側の界面に接するように積層される層である。
【０２０１】
この正孔阻止層６は、陽極２から移動してくる正孔を陰極９に到達するのを阻止する役割と、陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送する役割とを有する。
【０２０２】
正孔阻止層６を構成する材料に求められる物性としては、電子移動度が高く正孔移動度が低いこと、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いことが挙げられる。このような条件を満たす正孔阻止層６の材料としては、例えば、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（フェノラト）アルミニウム、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（トリフェニルシラノラト）アルミニウム等の混合配位子錯体、ビス（２−メチル−８−キノラト）アルミニウム−μ−オキソ−ビス−（２−メチル−８−キノリラト）アルミニウム二核金属錯体等の金属錯体、ジスチリルビフェニル誘導体等のスチリル化合物（特開平１１−２４２９９６号公報）、３−（４−ビフェニルイル）−４−フェニル−５（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール等のトリアゾール誘導体（特開平７−４１７５９号公報）、バソクプロイン等のフェナントロリン誘導体（特開平１０−７９２９７号公報）などが挙げられる。更に、国際公開第２００５−０２２９６２号公報に記載の２，４，６位が置換されたピリジン環を少なくとも１個有する化合物も、正孔阻止層６の材料として好ましい。
【０２０３】
なお、正孔阻止層６の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０２０４】
正孔阻止層６の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成できる。
【０２０５】
正孔阻止層６の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常０．３ｎｍ以上、好ましくは０．５ｎｍ以上、また、通常１００ｎｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以下である。
【０２０６】
なお、正孔阻止層にかえて、正孔緩和層を設けてもよい。
【０２０７】
｛電子輸送層｝
発光層５と後述の電子注入層８の間に、電子輸送層７を設けてもよい。
電子輸送層７は、素子の発光効率を更に向上させることを目的として設けられるもので、電界を与えられた電極間において陰極９から注入された電子を効率よく発光層５の方向に輸送することができる化合物より形成される。
【０２０８】
電子輸送層７に用いられる電子輸送性化合物としては、通常、陰極９または電子注入層８からの電子注入効率が高く、かつ、高い電子移動度を有し注入された電子を効率よく輸送することができる化合物を用いる。このような条件を満たす化合物としては、例えば、８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体（特開昭５９−１９４３９３号公報）、１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリンの金属錯体、オキサジアゾール誘導体、ジスチリルビフェニル誘導体、シロール誘導体、３−ヒドロキシフラボン金属錯体、５−ヒドロキシフラボン金属錯体、ベンズオキサゾール金属錯体、ベンゾチアゾール金属錯体、トリスベンズイミダゾリルベンゼン（米国特許第５６４５９４８号明細書）、キノキサリン化合物（特開平６−２０７１６９号公報）、フェナントロリン誘導体（特開平５−３３１４５９号公報）、２−ｔ−ブチル−９，１０−Ｎ，Ｎ’−ジシアノアントラキノンジイミン、ｎ型水素化非晶質炭化シリコン、ｎ型硫化亜鉛、ｎ型セレン化亜鉛などが挙げられる。
【０２０９】
なお、電子輸送層７の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０２１０】
電子輸送層７の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
【０２１１】
電子輸送層７の膜厚は、本発明の効果を著しく損なわない限り任意であるが、通常１ｎｍ以上、好ましくは５ｎｍ以上、また、通常３００ｎｍ以下、好ましくは１００ｎｍ以下の範囲である。
【０２１２】
｛電子注入層｝
電子注入層８は、陰極９から注入された電子を効率良く発光層５へ注入する役割を果たす。電子注入を効率よく行なうには、電子注入層８を形成する材料は、仕事関数の低い金属が好ましい。
【０２１３】
電子注入層の形成材料としては、ナトリウムやセシウム等のアルカリ金属、バリウムやカルシウムなどのアルカリ土類金属等が用いられる。例えばフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化マグネシウム（ＭｇＦ２）、酸化リチウム（Ｌｉ２Ｏ）、炭酸セシウム（ＩＩ）（ＣｓＣＯ３）等が挙げられる（Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，  １９９７年，  Ｖｏｌ．７０，  ｐｐ．１５２；特開平１０−７４５８６号公報；ＩＥＥＥ  Ｔｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓ  ｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｄｅｖｉｃｅｓ，  １９９７年，Ｖｏｌ．４４，  ｐｐ．１２４５；ＳＩＤ  ０４  Ｄｉｇｅｓｔ，  ｐｐ．１５４等参照）。この場合、電子注入層８の膜厚は通常０．１ｎｍ以上、５ｎｍ以下が好ましい。
【０２１４】
更に、バソフェナントロリン等の含窒素複素環化合物や８−ヒドロキシキノリンのアルミニウム錯体などの金属錯体に代表される有機電子輸送化合物に、ナトリウム、カリウム、セシウム、リチウム、ルビジウム等のアルカリ金属をドープする（特開平１０−２７０１７１号公報、特開２００２−１００４７８号公報、特開２００２−１００４８２号公報などに記載）ことにより、電子注入・輸送性が向上し優れた膜質を両立させることが可能となるため好ましい。この場合の膜厚は、通常、５ｎｍ以上、中でも１０ｎｍ以上が好ましく、また、通常２００ｎｍ以下、中でも１００ｎｍ以下が好ましい。
【０２１５】
なお、電子注入層８の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０２１６】
電子注入層８の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
【０２１７】
｛陰極｝
陰極９は、発光層５側の層（電子注入層８または発光層５など）に電子を注入する役割を果たすものである。
【０２１８】
陰極９の材料としては、前記の陽極２に使用される材料を用いることが可能であるが、効率良く電子注入を行なうには、仕事関数の低い金属が好ましく、例えば、スズ、マグネシウム、インジウム、カルシウム、アルミニウム、銀等の適当な金属またはそれらの合金が用いられる。具体例としては、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム−リチウム合金等の低仕事関数合金電極が挙げられる。
【０２１９】
なお、陰極９の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０２２０】
陰極９の膜厚は、通常、陽極２と同様である。
【０２２１】
さらに、低仕事関数金属から成る陰極９を保護する目的で、この上に更に、仕事関数が高く大気に対して安定な金属層を積層すると、素子の安定性が増すので好ましい。この目的のために、例えば、アルミニウム、銀、銅、ニッケル、クロム、金、白金等の金属が使われる。なお、これらの材料は、１種のみで用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０２２２】
｛その他の層｝
本発明の有機電界発光素子は、その趣旨を逸脱しない範囲において、別の構成を有していてもよい。例えば、その性能を損なわない限り、陽極２と陰極９との間に、上記説明にある層の他に任意の層を有していてもよく、また、任意の層が省略されていてもよい。
【０２２３】
有していてもよい層としては、例えば、電子阻止層が挙げられる。
電子阻止層は、正孔注入層３または正孔輸送層４と発光層５との間に設けられ、発光層５から移動してくる電子が正孔注入層３に到達するのを阻止することで、発光層５内で正孔と電子との再結合確率を増やし、生成した励起子を発光層５内に閉じこめる役割と、正孔注入層３から注入された正孔を効率よく発光層５の方向に輸送する役割とがある。特に、発光材料として燐光材料を用いたり、青色発光材料を用いたりする場合は電子阻止層を設けることが効果的である。
【０２２４】
電子阻止層に求められる特性としては、正孔輸送性が高く、エネルギーギャップ（ＨＯＭＯ、ＬＵＭＯの差）が大きいこと、励起三重項準位（Ｔ１）が高いこと等が挙げられる。更に、本発明においては、発光層５を本発明の有機金属錯体含有組成物を用いて湿式成膜法で作製する場合には、電子阻止層にも湿式成膜の適合性が求められる。このような電子阻止層に用いられる材料としては、Ｆ８−ＴＦＢに代表されるジオクチルフルオレンとトリフェニルアミンの共重合体（国際公開第２００４／０８４２６０号パンフレット）等が挙げられる。
【０２２５】
なお、電子阻止層の材料は、１種のみを用いてもよく、２種以上を任意の組み合わせおよび比率で併用してもよい。
【０２２６】
電子阻止層の形成方法に制限はない。従って、湿式成膜法、蒸着法や、その他の方法で形成することができる。
また、以上説明した層構成において、基板以外の構成要素を逆の順に積層することも可能である。例えば、図１の層構成であれば、基板１上に他の構成要素を陰極９、電子注入層８、電子輸送層７、正孔阻止層６、発光層５、正孔輸送層４、正孔注入層３、陽極２の順に設けてもよい。
【０２２７】
更には、少なくとも一方が透明性を有する２枚の基板の間に、基板以外の構成要素を積層することにより、本発明に係る有機電界発光素子を構成することも可能である。
【０２２８】
また、基板以外の構成要素（発光ユニット）を複数段重ねた構造（発光ユニットを複数積層させた構造）とすることも可能である。その場合には、各段間（発光ユニット間）の界面層（陽極がＩＴＯ、陰極がＡｌの場合は、それら２層）の代わりに、例えば五酸化バナジウム（Ｖ２Ｏ５）等からなる電荷発生層（Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｇｅｎｅｒａｔｉｏｎ  Ｌａｙｅｒ：ＣＧＬ）を設けると、段間の障壁が少なくなり、発光効率・駆動電圧の観点からより好ましい。
【０２２９】
更には、本発明に係る有機電界発光素子は、単一の有機電界発光素子として構成してもよく、複数の有機電界発光素子がアレイ状に配置された構成に適用してもよく、陽極と陰極がＸ−Ｙマトリックス状に配置された構成に適用してもよい。
【０２３０】
また、上述した各層には、本発明の効果を著しく損なわない限り、材料として説明した以外の成分が含まれていてもよい。
【０２３１】
［有機ＥＬ表示装置］
本発明の有機ＥＬ表示装置は、上述の本発明の有機電界発光素子を用いたものである。本発明の有機ＥＬ表示装置の型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
例えば、「有機ＥＬディスプレイ」（オーム社、平成１６年８月２０日発行、時任静士、安達千波矢、村田英幸著）に記載されているような方法で、本発明の有機ＥＬ表示装置を形成することができる。
【０２３２】
［有機ＥＬ照明］
本発明の有機ＥＬ照明は、上述の本発明の有機電界発光素子を用いたものである。本発明の有機ＥＬ照明の型式や構造については特に制限はなく、本発明の有機電界発光素子を用いて常法に従って組み立てることができる。
【実施例】
【０２３３】
以下、実施例を示して本発明について更に具体的に説明する。ただし、本発明は以下の
実施例に限定されるものではなく、本発明はその要旨を逸脱しない限り任意に変更して実
施できる。
【０２３４】
〔イリジウム錯体の合成例〕
［合成例１：イリジウム錯体Ｄ−１の合成］
＜４−ｎ−ヘキシルフェニルボロン酸の合成＞
【０２３５】
【化２５】
2012006878.tif 000027
【０２３６】
Ａｒ気流下、ｐ−ブロモヘキシルベンゼン９９．８ｇ（０．４１４ｍｏｌ）と脱水ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）２４００ｍＬを仕込んだ。−７０℃付近まで冷却後、ｎ−ブチルリチウム／ヘキサン溶液３００ｍＬ（０．５０１ｍｏｌ）を内温−７３〜−７０℃で滴下し、同温度下で１．５時間撹拌した。原料の消失を確認した後、同温度下でトリメトキシボラン１２８．２ｇ（１．２３ｍｏｌ）を添加した。約２時間撹拌した後、６Ｎ塩酸８００ｍＬを滴下し、室温まで昇温、終夜撹拌した。分液、酢酸エチル抽出を行い、硫酸マグネシウムで脱水後、溶媒を留去した。残渣にクロロホルムを添加した後、結晶を濾過した。溶媒を留去し、４−ｎ−ヘキシルフェニルボロン酸８８．８ｇ（０．４３１ｍｏｌ）を得た。
【０２３７】
＜中間体１の合成＞
【化２６】
2012006878.tif 000028
【０２３８】
アルゴン置換した３００ｍＬ四つ口フラスコに４０％グリオキサール２３．９ｇ（１６５ｍｍｏｌ，２．００ｅｑ．）と、メタノール１５０ｍＬを仕込み、氷浴で内温０℃に冷却した。２，６−ジメチルアニリン１０．０ｇ（８２．５ｍｍｏｌ，１．００ｅｑ．）を反応液に滴下し、氷浴をはずして、室温で２０時間攪拌した。反応液に３−ブロモ−４−フルオロベンズアルデヒド３３．５ｇ（１６５ｍｍｏｌ，２．００ｅｑ．）と、塩化アンモニウム８．８３ｇ（１６５ｍｍｏｌ，２．００ｅｑ．）を加え、１時間還流した。還流状態で８５％リン酸２３．８ｇ（２０６ｍｍｏｌ，２．５０ｅｑ．）を１０分間かけ滴下し、２４時間還流した。その後放冷し、反応液を氷が入った水酸化ナトリウム水溶液に加えアルカリ性とした。ここへ酢酸エチルを加えて分液した。有機層を硫酸マグネシウムで乾燥し、濾過、濃縮した。残渣をヘプタン／酢酸エチル＝３／１に溶解させ、シリカゲルカラム精製し（溶媒：ヘプタン／酢酸エチル＝３／１〜１／１）、褐色ろう状の中間体１を２．４８ｇ（７．１８ｍｍｏｌ，収率８．７１％）得た。
【０２３９】
＜中間体２の合成＞
【化２７】
2012006878.tif 000029
【０２４０】
１００ｍＬ四つ口フラスコに４−ヘキシルフェニルボロン酸２．９６ｇ（１４．４ｍｍｏｌ，２．００ｅｑ．）と、中間体１  ２．４８ｇ（０．５６ｍｍｏｌ）を加え、アルゴン置換、脱気した。ここへ特級トルエン３８．０ｍＬ、特級エタノール２１．０ｍＬと２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液７．２０ｍＬ（１４．４ｍｍｏｌ，２．００ｅｑ．）を加え、３０分間アルゴンバブリングした。アルゴン気流下でＰｄ（Ｐｈ３Ｐ）４４１５ｍｇ（０．３６ｍｍｏｌ，０．０５ｅｑ．）を加え、内温７５℃で３時間撹拌した。放冷後、反応液に水３０ｍＬとトルエン３０ｍＬを加えてセライト濾過した。濾液を分液し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した後、濾過した。濾液をシリカゲル５０ｇでショートカラムをして原点物質を除去した。濾液を濃縮、乾固し、４．３０ｇの褐色オイルを得た。褐色オイルをシリカゲルカラム精製（溶媒：ヘプタン／酢酸エチル＝４／１）し、茶色オイル２．１５ｇ（５．０４ｍｍｏｌ，収率７０．２％）を中間体２として得た。
【０２４１】
＜イリジウム錯体Ｄ−１の合成＞
【化２８】
2012006878.tif 000030
【０２４２】
アルゴン置換した試験管に中間体２  ２．１４ｇ（５．０３ｍｍｏｌ，６．００ｅｑ．）とＩｒ（ａｃａｃ）３（酢酸イリジウム）４１０ｍｇ（０．８４ｍｍｏｌ，１．００ｅｑ．）を仕込んだ。内温２４０℃で５時間、内温２６０℃で６時間攪拌した。薄層クロマトグラフィー上配位子より非極性側に新たなスポットが出現していたので放冷した。タール状の反応液をクロロホルムで均一にしてフロリジール１０ｇに通液して不溶物を除去した。濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラム精製（溶媒：ヘプタン／クロロホルム＝１／１）し、淡黄色結晶２５０ｍｇ（０．１７ｍｍｏｌ，収率２０．３％）のイリジウム錯体Ｄ−１を得た。ＭＡＬＤＩ  ＴＯＦ  ＭＳで分子量１４７２．３１のピークを確認した。
【０２４３】
［合成例２：イリジウム錯体Ｄ−２の合成］
＜中間体３の合成＞
【化２９】
2012006878.tif 000031
【０２４４】
２，６−ジメチル−４−ブロモアニリン１９２．０ｇ（０．９６ｍｏｌ）とメタノール１．９Ｌを仕込んだ。ここへ４０％グリオキザール水溶液１０８ｍＬを添加した後、室温で終夜撹拌を行った。次いで、トリフルオロメチルベンズアルデヒド３３１．４ｇ（１．９ｍｏｌ）と塩化アンモニウム１０１．７ｇ（１．９ｍｏｌ）を添加し、昇温して、約２時間還流した。室温まで冷却後、リン酸１３３ｍＬを添加し、昇温して、終夜撹拌した。冷却後、濃縮し、メタノールを留去した。これを氷水１ｋｇに注加し、２８％水酸化ナトリウム水溶液でｐＨ１１に調整した。析出結晶を濾過した後、酢酸エチルで抽出し、硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶媒を留去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、淡褐色固体の中間体３を３５．２ｇ（収率９．３％）得た。
【０２４５】
＜中間体４の合成＞
【化３０】
2012006878.tif 000032
【０２４６】
中間体３３５．０ｇ（８８．５ｍｍｏｌ）と、ヘキシルベンゼンボロン酸３６．７ｇ（１７８ｍｍｏｌ）を仕込み、容器内を脱気、Ａｒ置換した。ここへトルエン４８０ｍＬ、エタノール２６０ｍＬ、および２Ｍ炭酸ナトリウム水溶液８９ｍＬを加え、３０分間アルゴンでバブリングした。アルゴンを流しながらＰｄ（ＰＰｈ３）４（トリフェニルホスフィンパラジウム）５．１ｇ（４．４ｍｍｏｌ）を添加し、昇温して、約３時間還流した。室温まで冷却後反応液を分液し、有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒を留去した。ショートカラムにてＰｄ残渣を除去し、粗体６９．５ｇを得た。得られた粗体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、白色固体の中間体４を３４．９ｇ（収率８２．７％）得た。
【０２４７】
＜イリジウム錯体Ｄ−２の合成＞
【化３１】
2012006878.tif 000033
【０２４８】
中間体４が１．６４．ｇ（３．４３ｍｍｏｌ，６．００ｅｑ．）が入った試験管を脱気、アルゴン置換し、Ｉｒ（ａｃａｃ）３２８０ｍｇ（０．５７ｍｍｏｌ，１．００ｅｑ．）を仕込んだ。内温２５０℃で１３時間攪拌加熱し、放冷した。タール状の反応液をクロロホルムで均一としてフロリジール１０ｇに通液して不溶物を除去した。濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラム精製し、淡黄色結晶１０５ｍｇ（０．０６５ｍｍｏｌ，収率１１．３％）のイリジウム錯体Ｄ−２を得た。ＭＡＬＤＩ  ＴＯＦ  ＭＳで分子量１６２２．２３のピークを確認した。
【０２４９】
［合成例３：イリジウム錯体Ｄ−３の合成］
【化３２】
2012006878.tif 000034
【０２５０】
既知の方法により合成した中間体５が２．０９ｇ（５．１５ｍｍｏｌ，６．００ｅｑ．）入った試験管を脱気、アルゴン置換し、Ｉｒ（ａｃａｃ）３４２０ｍｇ（０．８６ｍｍｏｌ，１．００ｅｑ．）を仕込み、内温２５０℃で１０時間攪拌した。その後、放冷してタール状の反応液をクロロホルムで均一としてフロリジール１０ｇに通液して不溶物を除去し、濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラム精製し、イリジウム錯体Ｄ−３を淡黄色結晶１９０ｍｇ（０．１４ｍｍｏｌ，収率１５．７％）で得た。ＭＡＬＤＩ  ＴＯＦ  ＭＳで分子量１４０９．７７のピークを確認した。
【０２５１】
［合成例４：イリジウム錯体Ｄ−４の合成］
【化３３】
2012006878.tif 000035
【０２５２】
トリフルオロメチルベンズアルデヒドの代りにベンズアルデヒドを用いたこと以外は、中間体３，４の合成と同様にして合成し、中間体６が７．０１ｇ（１７．２ｍｍｏｌ，６．００ｅｑ．）入った試験管を脱気、アルゴン置換し、Ｉｒ（ａｃａｃ）３１．４０ｇ（２．８６ｍｍｏｌ，１．００ｅｑ．）を仕込んだ。内温２５０℃で１０時間攪拌した。タール状の反応液をクロロホルムで均一としてフロリジール５０ｇに通液して不溶物を除去した。濾液を濃縮し、残渣をシリカゲルカラム精製し、茶色結晶のイリジウム錯体Ｄ−４を１．８０ｇ（１．２７ｍｍｏｌ，収率４４．５％）得た。このものは非常に安定性が悪く、溶液状態で室温大気化に放置すると徐々に分解することがわかった。
【０２５３】
［イリジウム錯体の溶液発光スペクトルの発光強度の測定］
合成例１〜４で得られたイリジウム錯体Ｄ−１〜Ｄ−４と、下記構造式のイリジウム錯体Ｄ−５について、溶液発光スペクトルの発光強度を以下の方法で測定し、結果を表１に示した。
【０２５４】
【化３４】
2012006878.tif 000036
【０２５５】
＜溶液発光スペクトルの発光強度の測定方法＞
イリジウム錯体を正確に秤量し、トルエンに溶解させて１×１０−５ｍｏｌ／Ｌのイリジウム錯体のトルエン溶液を調製した。
得られた溶液につき、Ｎ２を用いて１０分間バブリングした後、日立製作所社製分光光度計Ｆ４５００を用いて、２５℃で測定した。
測定にあたり、まず励起スペクトルを測定し、３００〜４００ｎｍにおける極大発光波長を見出し、その波長を励起波長とした。また、測定溶液を更に１０分間Ｎ２バブリングしても、測定値に変化が無いことを確認した。
【０２５６】
【表１】
2012006878.tif 000037
【０２５７】
〔有機電界発光素子の作成〕
［実施例１］
図１に示す構造を有する有機電界発光素子を以下の方法で作製した。
ガラス基板１の上にインジウム・スズ酸化物（ＩＴＯ）透明導電膜を７０ｎｍ堆積したもの（スパッター成膜品；シート抵抗１５Ω）を通常のフォトリソグラフィ技術と塩酸エッチングを用いて２ｍｍ幅のストライプにパターニングして陽極２を形成した。パターン形成したＩＴＯ基板を、アセトンによる超音波洗浄、純水による水洗、イソプロピルアルコールによる超音波洗浄の順で洗浄後、窒素ブローで乾燥させ、最後に紫外線オゾン洗浄を行った。
【０２５８】
次いで、正孔注入層３を以下のように湿式成膜法によって形成した。正孔注入層３の材料として、下記式に示す芳香族アミノ基を有する高分子化合物ＰＢ−１（重量平均分子量：５２０００，数平均分子量：３２５００））と下記に示す構造式の電子受容性化合物Ａ−２とを用い、下記組成の正孔注入層形成用組成物を用いて以下の成膜条件でスピンコートした。
【０２５９】
【化３５】
2012006878.tif 000038
【０２６０】
＜正孔注入層形成用組成物＞
溶剤：安息香酸エチル
ＰＢ−１濃度：２．０重量％
Ａ−２濃度：０．４重量％
【０２６１】
＜成膜条件＞
スピナ回転数：２２５０ｒｐｍ
スピナ回転時間：３０秒
スピンコート雰囲気：大気下，２５℃
乾燥条件：２３０℃×６０分
【０２６２】
上記のスピンコートにより膜厚４０ｎｍの均一な薄膜が形成された。
【０２６３】
続いて、正孔輸送層４を以下のように湿式成膜法によって形成した。正孔輸送層４の材料として、下記に示す構造式の電荷輸送材料ＰＢ−２を、溶剤としてシクロヘキシルベンゼンを用い、下記組成の正孔輸送層形成用組成物を調製し、この正孔輸送層形成用組成物を用いて以下の成膜条件でスピンコートした。
【０２６４】
【化３６】
2012006878.tif 000039
【０２６５】
＜正孔輸送層形成用組成物＞
溶剤：シクロヘキシルベンゼン
ＰＢ−２濃度：１．４重量％
【０２６６】
＜成膜条件＞
スピナ回転数：１５００ｒｐｍ
スピナ回転時間：１２０秒
スピンコート雰囲気：乾燥窒素中，２５℃
乾燥条件：２３０℃×６０分（乾燥窒素下）
【０２６７】
上記のスピンコートにより膜厚２０ｎｍの均一な薄膜が形成された。
【０２６８】
次に、発光層を形成するにあたり、電荷輸送性化合物として、以下に示す化合物ＨＯ−１、並びに、発光材料として、以下に示すイリジウム錯体Ｄ−１を用いて下記に示す発光層形成用組成物（本発明の有機金属錯体含有組成物）を調製し、以下に示す成膜条件で正孔輸送層４上にスピンコートして膜厚４０ｎｍで発光層５を得た。
【０２６９】
【化３７】
2012006878.tif 000040
【０２７０】
＜発光層形成用組成物＞
溶剤：シクロヘキシルベンゼン
ＨＯ−１濃度：５重量％
Ｄ−１濃度：０．５重量％
【０２７１】
＜成膜条件＞
スピナ回転数：２０００ｒｐｍ
スピナ回転時間：１２０秒
スピンコート雰囲気：乾燥窒素中、２５℃
乾燥条件：１３０℃×６０分（減圧下）
【０２７２】
次に、正孔阻止層６として下記に示すピリジン誘導体ＨＢ−１をるつぼ温度２５１〜２５２℃として、蒸着速度０．０８〜０．１２ｎｍ／秒で１０ｎｍの膜厚で積層した。蒸着時の真空度は２．１〜２．４×１０−４Ｐａ（約１．６〜１．８×１０−６Ｔｏｒｒ）であった。
【０２７３】
【化３８】
2012006878.tif 000041
【０２７４】
次に、正孔阻止層６の上に、電子輸送層７として下記に示すアルミニウムの８−ヒドロキシキノリン錯体ＥＴ−１を同様にして蒸着した。この時のアルミニウムの８−ヒドロキシキノリン錯体ＥＴ−１のるつぼ温度は２２２〜２３９℃の範囲で制御し、蒸着時の真空度は１．７〜２．０×１０−４Ｐａ（約１．３〜１．５×１０−６Ｔｏｒｒ）、蒸着速度は０．１ｎｍ／秒で膜厚は３０ｎｍとした。
【０２７５】
【化３９】
2012006878.tif 000042
【０２７６】
上記の正孔阻止層６および電子輸送層７を真空蒸着する時の基板温度は室温に保持した。
ここで、電子輸送層７までの蒸着を行った素子を一度前記真空蒸着装置内より大気中に取り出して、陰極蒸着用のマスクとして２ｍｍ幅のストライプ状シャドーマスクを、陽極２のＩＴＯストライプとは直交するように素子に密着させて、別の真空蒸着装置内に設置して有機層と同様にして装置内の真空度が２．３×１０−６Ｔｏｒｒ（約３．０×１０−４Ｐａ）以下になるまで排気した。
【０２７７】
次に、電子輸送層７の上に、電子注入層８として、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を、モリブデンボートを用いて、蒸着速度０．０１５ｎｍ／秒、真空度２．５×１０−６Ｔｏｒｒ（約３．３×１０−４Ｐａ）で、０．５ｎｍの膜厚で電子輸送層７の上に成膜した。次に、電子注入層８の上に、陰極９として、アルミニウムをモリブデンボートにより加熱して、蒸着速度０．５〜３．０ｎｍ／秒、真空度３．３〜７．５×１０−６Ｔｏｒｒ（約４．４〜１０．０×１０−４Ｐａ）で成膜して膜厚８０ｎｍのアルミニウム層を形成して陰極９を完成させた。
【０２７８】
以上の電子注入層８、陰極９の蒸着時の基板温度は室温に保持した。
【０２７９】
以上の様にして、２ｍｍ×２ｍｍのサイズの発光面積部分を有する有機電界発光素子が得られた。
この素子の発光スペクトルの極大波長は６０３ｎｍであり、イリジウム錯体Ｄ−１からのものと同定された。
【０２８０】
［実施例２］
実施例１において、発光層を形成する際に用いたイリジウム錯体Ｄ−１を、下記のイリジウム錯体Ｄ−２に変更した以外は、実施例１と同様にして素子を作成した。
【０２８１】
【化４０】
2012006878.tif 000043
【０２８２】
［比較例１〜３］
実施例１において、発光層を形成する際に用いたイリジウム錯体Ｄ−１を、それぞれ下記のイリジウム錯体Ｄ−３〜Ｄ−５に変更した以外は、実施例１と同様にしてそれぞれ素子を作成した。
【０２８３】
【化４１】
2012006878.tif 000044
【０２８４】
実施例１、２および比較例１〜３において作製した有機電界発光素子の素子効率を、用いたイリジウム錯体Ｄ−１〜５の溶液発光スペクトルのＰＬ強度と共に表２に示す。
なお、有機電界発光素子の素子効率は、作製した素子に１０ｍＡの電流を流したときの電流効率（ｃｄ／Ａ）の値であり、実施例１の素子の素子効率を１とした相対値で示す。
【０２８５】
【表２】
2012006878.tif 000045
【０２８６】
表２に示す如く、本発明の有機金属錯体（１）は溶液発光スペクトル強度が強く、この有機金属錯体（１）を含む発光層を有する有機電界発光素子は発光効率が高い。
【符号の説明】
【０２８７】
１  基板
２  陽極
３  正孔注入層
４  正孔輸送層
５  発光層
６  正孔阻止層
７  電子輸送層
８  電子注入層
９  陰極
１０  有機電界発光素子
【図１】
2012006878.tif 000048