(57)【要約】【課題】半導体装置の製造コストの低減化を図る。【解決手段】リードフレームを用いて組み立てられるＱＦＰの製造の樹脂モールディング後のリード切断工程において、封止体の１辺から突出する複数のアウタリードから成るリード群のうちの端の位置のアウタリードの前記リードフレームの枠部とつながる支持部の切断にレーザ加工を用いることで、切断金型及びプレス機構の使用を低減できるため、設備価格を抑えることができ、半導体装置（ＱＦＰ）の組み立てにおける製造コストの低減化を図る。【選択図】図１１
2012049438.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームを用いて組み立てられる半導体装置の製造方法であって、
（ａ）半導体チップが搭載されるチップ搭載部と前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリードとを備えた前記リードフレームを準備する工程と、
（ｂ）前記リードフレームの前記チップ搭載部に前記半導体チップを搭載する工程と、
（ｃ）前記半導体チップの電極パッドと前記電極パッドに対応する前記リードとを電気的に接続する工程と、
（ｄ）前記半導体チップを封止用樹脂から成る封止体によって封止する工程と、
（ｅ）前記複数のリードを前記リードフレームから分離する工程と、
を有し、
前記（ｅ）工程は、
（ｅ１）前記封止体の１辺から突出する前記複数のリードから成るリード群のうちの最も端に位置する前記リードと前記リードフレームの枠部とをつなぐ支持部をレーザによって切断する工程と、
（ｅ２）前記（ｅ１）工程の後、前記リード群を成す前記複数のリードを曲げ成形し、その後、切断金型によって前記複数のリードの先端部を切断して前記リードフレームから分離する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｅ２）工程の後、前記リードフレームの前記チップ搭載部とつながる吊りリードの前記封止体から突出する部分を前記レーザによって切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｅ１）工程で、前記支持部を切断した後、前記リードフレームの前記チップ搭載部とつながる吊りリードの前記封止体か
ら突出する部分を前記レーザによって切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３記載の半導体装置の製造方法において、前記（ｅ１）工程で、前記支持部の切断及び前記吊りリードの切断を同一のレーザ処理部で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項２記載の半導体装置の製造方法において、前記封止体の４つの角部から突出する前記吊りリードを切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項４記載の半導体装置の製造方法において、前記封止体の４つの角部から突出する前記吊りリードを切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５記載の半導体装置の製造方法において、前記リードフレームは、複数のデバイス領域が複数列×複数行で形成されたマトリクスフレームであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６記載の半導体装置の製造方法において、前記リードフレームは、複数のデバイス領域が複数列×複数行で形成されたマトリクスフレームであることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
リードフレームを用いて組み立てられる半導体装置の製造方法であって、
（ａ）半導体チップが搭載されるチップ搭載部と前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリードとを備えた前記リードフレームを準備する工程と、
（ｂ）前記リードフレームの前記チップ搭載部に前記半導体チップを搭載する工程と、
（ｃ）前記半導体チップの電極パッドと前記電極パッドに対応する前記リードとを電気的に接続する工程と、
（ｄ）前記半導体チップと前記チップ搭載部を封止体によって封止する工程と、
（ｅ）前記複数のリードを前記リードフレームから分離する工程と、
を有し、
前記（ｅ）工程は、前記封止体から突出し、かつ前記リードフレームの前記チップ搭載部とつながる吊りリードをレーザによって切断する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の半導体装置の製造方法において、前記封止体の４つの角部から突出する前記吊りリードを切断することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、製造コストの低減化に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
リードフレームと半導体チップの樹脂モールドによる一体的封止の後にダムバーをレーザ光によって切断する技術が、例えば、特開平８−２３６６７５号公報（特許文献１）に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平８−２３６６７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
リードフレームを用いて組み立てられる半導体装置（例えば、ＱＦＰ（Quad Flat Package)、ＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package) 、ＤＩＰ（Dual in-line package) 、ＳＯＰ（Small Outline Package)）において、リードの切断成形は、主に、１．第１リード先端切断、２．成形、３．第２リード先端切断、４．タブ吊りリード切断の４工程からなる。このリードフレームの切断成形装置は、前記１〜４の４つの工程でリードフレームを切断金型で加工するものであり、一括で複数のリードを切断加工できるため処理能力が高い反面、製品（半導体装置の品種）毎に金型が必要となり、その結果、費用がかかる、つまり製品単価が上がるという問題が発生する。そこで設備費用を抑えるため切断金型を用いない加工方式や加工装置が必要となっている。
【０００５】
ここで、前述のようにリードフレームの切断成形は、１．第１リード先端切断、２．成形、３．第２リード先端切断、４．タブ吊りリード切断の４工程からなる。
【０００６】
具体的には、１．第１リード先端切断は、リードを成形するためにリードフレームと製品をつないでいる箇所（１列のリード群のうちの最も端に位置するリードとリードフレームの枠部とをつなぐ支持部）を切離す工程であり、２．成形は、リードを所定の形状に成形する（曲げる）工程である。さらに、３．第２リード先端切断は、リード成形したリードの先端の枠部とのつなぎ部分を切り離す工程である。なお、２→３の順に加工するのは、各リードへの個片化の切断を曲げ成形後に行うことで、各リードの高さばらつきを抑えるためである。また、４．タブ吊りリード切断は、リードフレームの不要部分である枠部と製品を切り離す工程である。タブ吊りリードの切断を最後に行う理由は、リードフレームに製品が付いた（支持された）状態でリードの切断成形の工程内を搬送するためである。
【０００７】
前述の１〜４の工程におけるリード切断は、それぞれ全て切断金型による加工で実施している。その際、リード切断は、リードフレームの１列単位で金型加工（切断・成形）が行われるため（マトリクスタイプのリードフレーム（多列）の場合）、処理能力が極めて高い半面、製品毎（品種毎）に切断金型を準備／入替えする必要があり、したがって、組み立て加工費が高くなるという課題が発生する。特に列数が多いリードフレームの場合やリードピン数が多い半導体装置の場合には金型費用が高くなる。
【０００８】
そこで、本発明者は、切断金型での加工をレーザでの加工に置き換えることにより金型費用を抑えることを検討した。その結果、以下の（１）〜（４）の課題を見出した。
【０００９】
（１）切断した断面形状が金型切断に比べ粗くなる、（２）切断部近傍が変色する、（３）飛散した切断屑が製品上に載る、（４）加工時間が長い。
【００１０】
なお、前記特許文献１（特開平８−２３６６７５号公報）には、リードフレームのダムバーをレーザで切断する技術が記載されている。しかしながら、ダムバーは製品に残る箇所であるためレーザを用いて切断することは、前記（１）、（２）の理由から好ましくない。
【００１１】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、半導体装置の組み立てにおける製造コストの低減化を図ることができる技術を提供することにある。
【００１２】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１４】
代表的な実施の形態による半導体装置の製造方法は、リードフレームを用いて組み立てられるものであって、（ａ）半導体チップが搭載されるチップ搭載部と前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリードとを備えた前記リードフレームを準備する工程と、（ｂ）前記リードフレームの前記チップ搭載部に前記半導体チップを搭載する工程と、（ｃ）前記半導体チップの電極パッドと前記電極パッドに対応する前記リードとを電気的に接続する工程と、（ｄ）前記半導体チップを封止用樹脂から成る封止体によって封止する工程と、（ｅ）前記複数のリードを前記リードフレームから分離する工程と、を有している。さらに、前記（ｅ）工程は、（ｅ１）前記封止体の１辺から突出する前記複数のリードから成るリード群のうちの最も端に位置する前記リードと前記リードフレームの枠部とをつなぐ支持部をレーザによって切断する工程と、（ｅ２）前記（ｅ１）工程の後、前記リード群を成す前記複数のリードを曲げ成形し、その後、切断金型によって前記複数のリードの先端部を切断して前記リードフレームから分離する工程と、を有する。
【００１５】
また、代表的な他の実施の形態による半導体装置の製造方法は、リードフレームを用いて組み立てられるものであって、（ａ）半導体チップが搭載されるチップ搭載部と前記チップ搭載部の周囲に配置された複数のリードとを備えた前記リードフレームを準備する工程と、（ｂ）前記リードフレームの前記チップ搭載部に前記半導体チップを搭載する工程と、（ｃ）前記半導体チップの電極パッドと前記電極パッドに対応する前記リードとを電気的に接続する工程と、（ｄ）前記半導体チップと前記チップ搭載部を封止体によって封止する工程と、（ｅ）前記複数のリードを前記リードフレームから分離する工程と、を有している。さらに、前記（ｅ）工程は、前記封止体から突出し、かつ前記リードフレームの前記チップ搭載部とつながる吊りリードをレーザによって切断する工程を有する。
【発明の効果】
【００１６】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１７】
半導体装置の組み立てにおける製造コストの低減化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の一例を示す平面図である。
【図２】図１に示すＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図である。
【図３】図１に示す半導体装置の組み立て手順の一例を示す製造フロー図である。
【図４】図１に示す半導体装置の組み立てで用いられるリードフレームの構造の一例を示す拡大部分平面図である。
【図５】図４のＡ部の構造を示す拡大部分平面図である。
【図６】図１に示す半導体装置の組み立てのダイボンディング後の構造の一例を示す部分断面図である。
【図７】図１に示す半導体装置の組み立てのワイヤボンディング後の構造の一例を示す部分断面図である。
【図８】図１に示す半導体装置の組み立ての樹脂モールディング後の構造の一例を示す部分断面図である。
【図９】図１に示す半導体装置の組み立ての切断・成形後の構造の一例を示す部分断面図である。
【図１０】図１に示す半導体装置の組み立ての切断・成形工程で行われるリード切断の切断箇所と切断順の一例を示す部分平面図である。
【図１１】図１に示す半導体装置の組み立ての切断・成形工程で行われるリード切断の手順の一例を示すフロー図である。
【図１２】図１１に示す切断・成形工程で用いられるリード切断成形装置の構造の一例を示す構成ブロック図である。
【図１３】図１２に示すリード切断成形装置のレーザ処理部で行われるレーザ切断の状態の一例を示す部分斜視図である。
【図１４】図１２に示すリード切断成形装置の切断金型を用いた曲げ成形の状態の一例を示す部分断面図である。
【図１５】図１２に示すリード切断成形装置の切断金型を用いたリード切断の状態の一例を示す部分断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態２の半導体装置の組み立ての切断・成形工程で行われるリード切断の切断箇所と切断順の一例を示す部分平面図である。
【図１７】本発明の実施の形態２の半導体装置の組み立ての切断・成形工程で行われるリード切断の手順の一例を示すフロー図である。
【図１８】本発明の実施の形態２の切断・成形工程で用いられるリード切断成形装置の構造の一例を示す構成ブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００２０】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００２１】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００２２】
また、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００２３】
また、以下の実施の形態において、構成要素等について、「Ａからなる」、「Ａよりなる」、「Ａを有する」、「Ａを含む」と言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００２４】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２５】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の一例を示す平面図、図２は図１に示すＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す断面図である。
【００２６】
本実施の形態１の半導体装置は、リードフレームを用いて組み立てられる樹脂封止型の半導体パッケージであり、本実施の形態１では前記半導体装置の一例として、図１に示すようなＱＦＰ（Quad Flat Package)１を取り上げて説明する。
【００２７】
図１、図２に示すＱＦＰ１の構成について説明すると、半導体集積回路が形成された半導体チップ４と、半導体チップ４の周囲に放射状に配置された複数のインナリード（リード）２ａと、インナリード２ａと一体に形成された複数のアウタリード（リード）２ｂと、半導体チップ４の主面４ａに形成された表面電極である電極パッド４ｃとこれに対応するインナリード２ａとを電気的に接続するワイヤ５とを有している。
【００２８】
さらに、ＱＦＰ１は、銀ペースト等のダイボンディング材を介して半導体チップ４が固定されたチップ搭載部であるタブ（ダイパッドともいう）２ｃと、樹脂モールディングによって封止用樹脂等から形成され、かつ半導体チップ４とタブ２ｃと複数のワイヤ５と複数のインナリード２ａを封止する封止体３とを有している。
【００２９】
また、タブ２ｃは、図５に示すようにその４つのコーナーにおいて吊りリード２ｉによって支持されており、したがって、封止体３の内部には４本の吊りリード２ｉが埋め込まれている。
【００３０】
なお、ＱＦＰ１であることにより、複数のインナリード２ａそれぞれと一体に形成された複数のアウタリード２ｂは、封止体３の４つの辺それぞれから外部に向かって突出しており、各アウタリード２ｂは、ガルウィング状に曲げ成形されている。
【００３１】
つまり、図１に示すように、封止体３は、その平面視（平面形状）が４つの辺から成る略四角形であり、したがって、４つの面取りされた角部３ａを有しているとともに、４本の前記吊りリード２ｉは、それぞれ封止体３の角部３ａに向かって延在している。
【００３２】
ここで、ＱＦＰ１はワイヤボンディングタイプであるため、タブ２ｃ上に搭載された半導体チップ４は、その主面４ａを上方に向けてフェイスアップ実装されており、したがって、タブ２ｃと半導体チップ４の裏面４ｂとが前記ダイボンディング材を介して接合されている。さらに、主面４ａに形成された複数の電極パッド４ｃが、それぞれワイヤ５を介してインナリード２ａと電気的に接続されており、これによって、半導体チップ４と、インナリード２ａ及び外部端子となるアウタリード２ｂとが電気的に接続されている。
【００３３】
なお、複数のワイヤ５は、例えば、金線または銅線等である。
【００３４】
また、インナリード２ａ、アウタリード２ｂ、タブ２ｃ及び吊りリード２ｉは、例えば、銅合金や鉄−ニッケル合金等から成る薄板状の部材によって形成され、さらに、封止体３は、例えば、熱硬化性のエポキシ系樹脂等から成り、樹脂モールディングによって形成されたものである。
【００３５】
次に、本実施の形態１の半導体装置（ＱＦＰ１）の製造方法を、図３に示すフロー図に沿って説明する。
【００３６】
図３は図１に示す半導体装置の組み立て手順の一例を示す製造フロー図、図４は図１に示す半導体装置の組み立てで用いられるリードフレームの構造の一例を示す拡大部分平面図、図５は図４のＡ部の構造を示す拡大部分平面図である。さらに、図６は図１に示す半導体装置の組み立てのダイボンディング後の構造の一例を示す部分断面図、図７は図１に示す半導体装置の組み立てのワイヤボンディング後の構造の一例を示す部分断面図、図８は図１に示す半導体装置の組み立ての樹脂モールディング後の構造の一例を示す部分断面図、図９は図１に示す半導体装置の組み立ての切断・成形後の構造の一例を示す部分断面図である。
【００３７】
まず、図３のステップＳ１に示すリードフレーム準備を行う。本実施の形態１のＱＦＰ１の組み立てでは、図４に示すリードフレームの一例であるマトリクスフレーム２を準備し、このマトリクスフレーム２を用いてＱＦＰ１を組み立てる場合を説明する。マトリクスフレーム２には、複数のデバイス領域２ｄが形成された薄板状の部材であるとともに、それぞれのデバイス領域２ｄには、半導体チップ４が搭載されるチップ搭載部である略四角形のタブ２ｃ、タブ２ｃをその４つのコーナーで支持する４本の吊りリード２ｉ、複数のインナリード（リード）２ａやアウタリード（リード）２ｂ等が設けられている。
【００３８】
本実施の形態１で用いられる図４及び図５に示すマトリクスフレーム２には、１つのＱＦＰ１を形成するための領域であるデバイス領域２ｄが複数行×複数列（例えば、図４では２行×８列）に亘ってマトリクス配置で複数個形成されており、各デバイス領域２ｄに、１つのタブ（ダイパッドとも言う）２ｃ、タブ２ｃを支持する４本の吊りリード２ｉ、タブ２ｃの周囲に配置された複数のインナリード２ａと、複数のインナリード２ａそれぞれと繋がって形成された複数のアウタリード２ｂ等が形成されている。
【００３９】
なお、マトリクスフレーム２は、例えば、銅合金や鉄−ニッケル合金等によって形成された長方形の薄板材から成り、タブ２ｃ、吊りリード２ｉ、複数のインナリード２ａ及びアウタリード２ｂが一体に形成されている。
【００４０】
また、マトリクスフレーム２の幅方向の両端部及びデバイス領域２ｄ間の枠部２ｅには、組み立ての際の各工程での位置決め用の長孔２ｇや孔部２ｈ、さらにはガイド用のスプロケットホール２ｆが複数個設けられている。
【００４１】
その後、図３のステップＳ２に示すダイボンディングを行う。ここでは、マトリクスフレーム２の複数のデバイス領域２ｄのタブ（チップ搭載部）２ｃに、図６に示すようにダイボンディング材を介して半導体チップ４を搭載する。すなわち、半導体チップ４の裏面４ｂとタブ２ｃとを前記ダイボンディング材によって接合する。
【００４２】
その後、図３のステップＳ３に示すワイヤボンディングを行う。すなわち、図７に示すように、半導体チップ４の主面４ａの電極パッド４ｃと、これに対応するインナリード２ａとをワイヤ５を用いて電気的に接続する。なお、ワイヤ５は、例えば、金線である。
【００４３】
その後、図３のステップＳ４に示す樹脂モールディングを行う。ここでは、図示しない樹脂成形金型を用いてマトリクスフレーム２のデバイス領域２ｄにおける図８に示すタブ２ｃ、半導体チップ４、複数のインナリード２ａ及びワイヤ５を封止用樹脂を用いて樹脂封止し、封止体３を形成する。すなわち、半導体チップ４、タブ２ｃ、複数のインナリード２ａ及び複数のワイヤ５を封止用樹脂から成る封止体３によって樹脂封止する。なお、前記封止用樹脂は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂等である。
【００４４】
樹脂モールディング後、図５に示すダムバー２ｎの切断を行い、その後、各アウタリード２ｂに外装めっきを施す。
【００４５】
外装めっきを形成した後、図３のステップＳ５に示す切断・成形を行う。ここでは、マトリクスフレーム２を切断して各パッケージ単位に個片化する。その際、図９に示すように、封止体３から突出する複数のアウタリード２ｂのそれぞれをマトリクスフレーム２の枠部２ｅから切断・分離するとともに、ガルウィング状に曲げ成形してＱＦＰ１を組み立てる。
【００４６】
ここで、本実施の形態１の切断・成形工程の詳細について説明する。
【００４７】
図１０は図１に示す半導体装置の組み立ての切断・成形工程で行われるリード切断の切断箇所と切断順の一例を示す部分平面図、図１１は図１に示す半導体装置の組み立ての切断・成形工程で行われるリード切断の手順の一例を示すフロー図、図１２は図１１に示す切断・成形工程で用いられるリード切断成形装置の構造の一例を示す構成ブロック図である。また、図１３は図１２に示すリード切断成形装置のレーザ処理部で行われるレーザ切断の状態の一例を示す部分斜視図、図１４は図１２に示すリード切断成形装置の切断金型を用いた曲げ成形の状態の一例を示す部分断面図、図１５は図１２に示すリード切断成形装置の切断金型を用いたリード切断の状態の一例を示す部分断面図である。
【００４８】
まず、本実施の形態１の切断・成形工程の概略について説明すると、１番目に、図１０に示す封止体３の１辺から突出する複数のアウタリード２ｂから成るリード群２ｊのうちの最も端に位置するアウタリード２ｂとマトリクスフレーム２の枠部２ｅとをつなぐ支持部２ｋを図１３に示すレーザ６ｇによって切断する（図１０に示すＡ部それぞれをレーザ６ｇで切断する）。
【００４９】
２番目に、図１４及び図１５に示す切断成形金型６ｉを用いてリード群２ｊを成す複数のアウタリード２ｂの曲げ成形をリード群２ｊごと行う。
【００５０】
３番目に、切断成形金型（切断金型）６ｉを用いて複数のアウタリード２ｂの先端部を切断してマトリクスフレーム２から分離する（図１０に示すＢ部を切断成形金型６ｉを用いて切断する）。
【００５１】
４番目に、マトリクスフレーム２のタブ２ｃとつながる吊りリード２ｉの封止体３の４つの角部３ａそれぞれから突出する部分である露出部２ｍを図１３に示すレーザ６ｇによって切断する（図１０に示すＣ部をレーザ６ｇによって切断する）。
【００５２】
以上のように本実施の形態１の切断・成形工程は、主に４つ（前記１番目〜４番目）の工程から成る。
【００５３】
次に、本実施の形態１の切断・成形工程で用いられる図１２に示すリードフレーム切断成形装置６の構成について説明する。
【００５４】
前記リードフレーム切断成形装置６は、主に、前記１番目の処理（レーザ切断）が行われる第１レーザ処理部６ａと、前記２番目の処理（金型曲げ成形）及び前記３番目の処理（金型切断）が行われるプレス処理部６ｂと、前記４番目の処理（レーザ切断）が行われる第２レーザ処理部６ｃとから成る。
【００５５】
すなわち、第１レーザ処理部６ａ及び第２レーザ処理部６ｃでは、図１３に示すレーザ加工機６ｆからレーザ６ｇを照射して所望のリード（端の位置のアウタリード２ｂの支持部２ｋや吊りリード２ｉの露出部２ｍ）を切断する。また、プレス処理部６ｂでは、図１４及び図１５に示す切断成形金型６ｉを用いたプレス加工により、アウタリード２ｂの曲げ成形と、各アウタリード２ｂのマトリクスフレーム２からの切断・分離を行う。
【００５６】
なお、切断成形金型６ｉは、各アウタリード２ｂを載置するダイ６ｊと、各アウタリード２ｂを加圧する第１パンチ６ｋ及び各アウタリード２ｂを切断・分離する第２パンチ６ｍとを有している。
【００５７】
次に、本実施の形態１の切断・成形工程の詳細の手順を図１１のフローに沿って説明する。
【００５８】
まず、図１１のステップＳ１１のフレーム受取りによって樹脂モールディング及び外装めっきを施したマトリクスフレーム２をリードフレーム切断成形装置６内に取り込み、ステップＳ１２のフレームを送り部Ａで搬送を行う。ここでは、マトリクスフレーム２を送り部Ａ６ｅによって第１レーザ処理部６ａまで搬送する。
【００５９】
その後、ステップＳ１３のフレーム投入方向確認を行う。ここでは、第１レーザ処理部６ａにマトリクスフレーム２を投入する際に、正逆検出機構６ｄによってマトリクスフレーム２の投入方向を検査する。これにより、マトリクスフレーム２の第１レーザ処理部６ａへの誤投入を防止することができる。
【００６０】
その後、ステップＳ１４のレーザにより先端枠の切断加工を実施する。ここでは、図１０に示す封止体３の１辺から突出する複数のアウタリード２ｂから成るリード群２ｊのうちの最も端に位置する（リード群２ｊの両端に位置する）アウタリード２ｂとマトリクスフレーム２の枠部２ｅとをつなぐ支持部２ｋを図１３に示すレーザ６ｇによって切断する。すなわち、図１０に示すＡ部それぞれにレーザ６ｇを照射して切断する。
【００６１】
ここで、図１３に示すレーザ加工機６ｆは、例えば、高出力２０Ｗもしくは３０Ｗクラスのレーザマーカーであり、このレーザ加工機６ｆからレーザ６ｇを支持部２ｋに照射して支持部２ｋを切断する。なお、マトリクスフレーム２の各支持部２ｋにレーザ６ｇを照射し各支持部２ｋを切断する。
【００６２】
その後、ステップＳ１５に示すフレームを送り部Ｂで金型内へ搬送を行う。ここでは、第１レーザ処理部６ａでのレーザ切断を終えたマトリクスフレーム２を送り部Ｂ６ｈによってプレス処理部６ｂに搬送する。
【００６３】
その後、ステップＳ１６に示す金型でリード成形加工及びリード先端切断加工を実施する。その際、金型内ステージ間の搬送も送り部Ｂ６ｈによって行う。
【００６４】
ここでは、まず、図１４及び図１５に示す切断成形金型６ｉを用いて図１０のリード群２ｊを成す複数のアウタリード２ｂの曲げ成形を前記リード群２ｊごと行う。
【００６５】
すなわち、マトリクスフレーム２のアウタリード２ｂを、プレス処理部６ｂの成形部６ｎにおいて、図１４に示す切断成形金型６ｉのダイ６ｊ上に載置し、その後、第１パンチ６ｋによって所定の圧力を印加して複数のアウタリード２ｂの曲げ成形をリード群２ｊごと行う。本実施の形態１の半導体装置は、ＱＦＰ１であるため、各アウタリード２ｂをガルウィング状に曲げ成形する。
【００６６】
その後、送り部Ｂ６ｈによって切断成形金型６ｉ内でステージ間搬送を行ってマトリクスフレーム２を図１２の切断部６ｐに搬送する。
【００６７】
ここでは、図１５に示す切断成形金型（切断金型）６ｉを用いて複数のアウタリード２ｂの先端部を切断してマトリクスフレーム２の枠部２ｅから分離する。すなわち、図１０に示すそれぞれのＢ部を切断成形金型６ｉを用いて切断してそれぞれのアウタリード２ｂをマトリクスフレーム２の枠部２ｅから分離する。
【００６８】
なお、複数のアウタリード２ｂに対してリード群２ｊごと曲げ成形を行った後、個々のアウタリード２ｂに切断・分離することで、曲げ成形及び分離後の各アウタリード２ｂの高さのばらつきを抑えることができる。
【００６９】
また、図１４及び図１５に示す切断成形金型６ｉのプレス機構は、例えば、電動モータ駆動やシリンダ駆動等を用いたものである。
【００７０】
各アウタリード２ｂの分離終了後、ステップＳ１７の送り部Ｃによりフレームを金型からレーザ加工のステージへ搬送を行う。ここでは、プレス処理部６ｂでのアウタリード２ｂの曲げ成形と切断分離を終えたマトリクスフレーム２を送り部Ｃ６ｑによって第２レーザ処理部６ｃに搬送する。
【００７１】
その後、ステップＳ１８に示すレーザにより吊りリードの切断加工を行って各パッケージに個片化する。ここでは、マトリクスフレーム２のタブ２ｃとつながる吊りリード２ｉの封止体３の４つの角部３ａそれぞれから突出する部分である露出部２ｍを、レーザ切断する。すなわち、図１０に示すＣ部をレーザ６ｇによって切断する。つまり、封止体３の角部３ａから突出する各吊りリード２ｉの露出部２ｍに、図１３に示すレーザ加工機６ｆからレーザ６ｇを照射して露出部２ｍを切断する。
【００７２】
これによって、ＱＦＰ１の本体が完全にマトリクスフレーム２の枠部２ｅから分離する。すなわち、ＱＦＰ１の本体とマトリクスフレーム２の枠部２ｅ（不要部分）とを分離して各ＱＦＰ１への個片化を完了する。
【００７３】
その後、ステップＳ１９に示す製品ピックアップ部によりパッケージをレーザ加工ステージから検査ステージへ搬送を行うとともに、その際、ステップＳ２０に示すパッケージを抜いたフレーム枠は廃却部へ廃却を行う。ここでは、個片化された複数のＱＦＰ１を製品ピックアップ部６ｒにより纏めてピックアップして検査部６ｓに搬送するとともに、フレーム枠廃却部６ｕにマトリクスフレーム２の枠部２ｅ（不要部分）を廃却する。
【００７４】
その後、ステップＳ２１に示すパッケージの外観検査を実施する。ここでは、検査部６ｓにおいて、組み立てられたＱＦＰ１（製品）の外観検査を行って良品・不良品の選別を行う。
【００７５】
その後、ステップＳ２２に示すイオナイザでパッケージ除電を行う。ここでは、良品と判定されたＱＦＰ１（製品）を対象としてイオナイザ６ｔを用いて除電を行う。
【００７６】
その後、ステップＳ２３に示す製品収納部にてパッケージをトレイへ収納を行うとともに、ステップＳ２４に示す検査ＮＧのパッケージは不良品トレイへ抜き取りを行う。ここでは、イオナイザ６ｔによる除電を完了した良品のＱＦＰ１を、空トレイ収納部６ｘから送られたトレイに載置して製品収納部６ｖに収納するとともに、不良品と判定されたＱＦＰ１を不良品収納部６ｗに収納する。すなわち、外観検査で良品と判定されたＱＦＰ１はイオナイザ６ｔにより除電を行った後、製品収納部６ｖに収納し、不良品と判定されたＱＦＰ１は不良品収納部６ｗの不良品ステージに搬送される。
【００７７】
本実施の形態１の半導体装置の製造方法によれば、リードの切断・成形工程において封止体３の１辺に対応した複数のアウタリード２ｂのリード群２ｊのうちの端の位置のアウタリード２ｂの枠部２ｅとつながる支持部２ｋの切断にレーザ加工を用いることにより、切断金型及びプレス機構の使用を低減できるため、設備価格を抑えることができる。
【００７８】
すなわち、端に位置するアウタリード２ｂの支持部２ｋの切断をレーザ加工で行うことで、支持部２ｋの切断においては、半導体装置の品種ごとに切断金型を準備しなくて済むため、全体としての設備価格を抑えることができる。
【００７９】
これにより、ＱＦＰ１の組み立てにおける製造コストの低減化を図ることができる。
【００８０】
さらに、吊りリード２ｉの封止体３から突出した露出部２ｍもレーザ６ｇによって切断することにより、吊りリード２ｉの切断工程においても半導体装置の品種ごとに切断金型を準備しなくて済むため、全体としての設備価格をさらに低減することができる。
【００８１】
このように本実施の形態１のリードの切断・成形工程においては、リードの不要部分をレーザ６ｇで切断し、製品に残る部分は金型切断としている。すなわち、複数のアウタリード２ｂのリード群２ｊのうちの端の位置のアウタリード２ｂの枠部２ｅとつながる支持部２ｋは、最終的に製品（ＱＦＰ１）に残らない部分であり、さらに吊りリード２ｉの封止体３から突出した露出部２ｍも最終的に製品（ＱＦＰ１）に残らない部分である。
【００８２】
したがって、製品（ＱＦＰ１）に残らない部分（製品に使わない部分）は、レーザ加工などの切断面が粗面に成り易い加工を用いても特に問題はない。
【００８３】
具体的には、複数のアウタリード２ｂのリード群２ｊのうちの端の位置のアウタリード２ｂの枠部２ｅとつながる支持部２ｋは、製品には含まれない箇所であり、かつ製品から離れた箇所に配置されており、さらに切断面が粗面となってリード変色しても問題にならない箇所である。また、前記支持部２ｋの位置は切断屑が飛散しても製品上まで届き難い位置であるため、支持部２ｋをレーザ切断しても特に問題は発生しない。
【００８４】
また、吊りリード２ｉの露出部２ｍの切断においても、その切断領域が少ないため、切断面、リード変色、切断屑の飛散について特に問題とはならない。さらに、支持部２ｋや吊りリード２ｉの露出部２ｍの切断の場合、１つのＱＦＰ当たり、支持部２ｋは８箇所、吊りリード２ｉの露出部２ｍは４箇所であり、両者合わせても切断領域が少ないため、レーザ切断による加工時間は少なくて済む。つまり、切断処理のスループットを減らすことなく切断を行うことができる。
【００８５】
（実施の形態２）
図１６は本発明の実施の形態２の半導体装置の組み立ての切断・成形工程で行われるリード切断の切断箇所と切断順の一例を示す部分平面図、図１７は本発明の実施の形態２の半導体装置の組み立ての切断・成形工程で行われるリード切断の手順の一例を示すフロー図、図１８は本発明の実施の形態２の切断・成形工程で用いられるリード切断成形装置の構造の一例を示す構成ブロック図である。
【００８６】
本実施の形態２は、図３に示すＱＦＰ１の組み立てのステップＳ５の切断・成形におけるリードの切断順序を、実施の形態１に対してさらに変えたものである。なお、図３に示すＱＦＰ１の組み立て工程のうち、ステップＳ５の切断・成形以外の工程は、実施の形態１のものと同様であるため、切断・成形工程以外の工程の説明は省略する。
【００８７】
まず、本実施の形態２の切断・成形工程の概略について説明すると、１番目は実施の形態１と同様に、図１６に示す封止体３の１辺から突出する複数のアウタリード２ｂから成るリード群２ｊのうちの最も端に位置するアウタリード２ｂとマトリクスフレーム２の枠部２ｅとをつなぐ支持部２ｋを図１３に示すレーザ６ｇによって切断する（図１６に示すＡ部それぞれをレーザ６ｇで切断する）。
【００８８】
２番目に、マトリクスフレーム２のタブ２ｃとつながる吊りリード２ｉの封止体３の４つの角部３ａそれぞれから突出する部分である露出部２ｍを、同様に図１３に示すレーザ６ｇによって切断する（図１６に示すＢ部をレーザ６ｇによって切断する）。
【００８９】
３番目に、図１４及び図１５に示す切断成形金型６ｉを用いてリード群２ｊを成す複数のアウタリード２ｂの曲げ成形をリード群２ｊごと行う。
【００９０】
４番目に、切断成形金型（切断金型）６ｉを用いて複数のアウタリード２ｂの先端部を切断してマトリクスフレーム２から分離する（図１６に示すＣ部を切断成形金型６ｉを用いて切断する）。
【００９１】
以上のように本実施の形態２の切断・成形工程も、実施の形態１と同様に、主に４つ（前記１番目〜４番目）の工程から成るが、吊りリード２ｉの露出部２ｍのレーザ切断を、支持部２ｋを切断した後で、かつアウタリード２ｂの曲げ成形の前に行うものである。
【００９２】
そこで、本実施の形態２では、支持部２ｋのレーザ切断と吊りリード２ｉの露出部２ｍのレーザ切断とを、同一のレーザ処理部において行う場合を説明する。
【００９３】
次に、本実施の形態２の切断・成形工程で用いられる図１８に示すリードフレーム切断成形装置７の構成について説明する。
【００９４】
前記リードフレーム切断成形装置７は、主に、前記１番目及び前記２番目の処理（共にレーザ切断）が行われるレーザ処理部７ａと、前記３番目の処理（金型曲げ成形）及び前記４番目の処理（金型切断）が行われるプレス処理部６ｂと、レーザ処理部７ａからプレス処理部６ｂにマトリクスフレーム２を受け渡す受渡しステーション７ｃとから成る。
【００９５】
すなわち、本実施の形態２では、レーザ処理部７ａにおいて、図１３に示すレーザ加工機６ｆからレーザ６ｇを照射して所望のリード（端の位置のアウタリード２ｂの支持部２ｋや吊りリード２ｉの露出部２ｍ）を切断する。また、プレス処理部６ｂで、図１４及び図１５に示す切断成形金型６ｉを用いたプレス加工により、アウタリード２ｂの曲げ成形と、各アウタリード２ｂのマトリクスフレーム２からの切断・分離を行う。
【００９６】
次に、本実施の形態２の切断・成形工程の詳細の手順を図１７のフローに沿って説明する。
【００９７】
まず、図１７のステップＳ３１のフレーム受取りによって樹脂モールディング及び外装めっきを施したマトリクスフレーム２をリードフレーム切断成形装置７内に取り込み、ステップＳ３２のフレームを搬送ステージ（シャトル）に固定を行う。ここでは、マトリクスフレーム２を前記シャトルに固定してレーザ処理部７ａに取り込む。
【００９８】
その後、ステップＳ３３のフレーム投入方向確認を行う。ここでは、レーザ処理部７ａにマトリクスフレーム２を投入する際に、正逆検出機構６ｄによってマトリクスフレーム２の投入方向を検査する。これにより、マトリクスフレーム２のレーザ処理部７ａへの誤投入を防止することができる。
【００９９】
その後、ステップＳ３４のレーザにより先端枠及び吊りリードの切断加工を行い、パッケージの個片化を行う。ここでは、まず、図１６に示す封止体３の１辺から突出する複数のアウタリード２ｂから成るリード群２ｊのうちの最も端に位置する（リード群２ｊの両端に位置する）アウタリード２ｂとマトリクスフレーム２の枠部２ｅとをつなぐ支持部２ｋを図１３に示すレーザ６ｇによって切断する。すなわち、図１６に示すＡ部それぞれに図１３に示すレーザ加工機６ｆからレーザ６ｇを照射して切断する。その際、マトリクスフレーム２の各支持部２ｋにレーザ６ｇを照射し各支持部２ｋを切断する。
【０１００】
各支持部２ｋを切断した後、マトリクスフレーム２のタブ２ｃとつながる吊りリード２ｉの封止体３の４つの角部３ａそれぞれから突出する部分である露出部２ｍを、レーザ切断する。すなわち、図１６に示すＢ部をレーザ６ｇによって切断する。つまり、封止体３の角部３ａから突出する各吊りリード２ｉの露出部２ｍに、図１３に示すレーザ加工機６ｆからレーザ６ｇを照射して露出部２ｍを切断する。
【０１０１】
本実施の形態２では、この時点でＱＦＰ１の本体がマトリクスフレーム２の枠部２ｅから分離する。すなわち、ＱＦＰ１の本体とマトリクスフレーム２の枠部２ｅ（不要部分）とが分離して各ＱＦＰ１に個片化される。
【０１０２】
その後、ステップＳ３５に示す個片化されたパッケージを移載部にて受渡しステーションへ搬送を行い、その際、ステップＳ３６に示すパッケージを抜いたフレーム枠は廃却部へ廃却を行う。ここでは、個片化された複数のＱＦＰ１を移載部７ｂにより纏めてピックアップして受渡しステーション７ｃに搬送するとともに、フレーム枠廃却部６ｕにマトリクスフレーム２の枠部２ｅ（不要部分）を廃却する。
【０１０３】
その後、ステップＳ３７に示す型内搬送部よりパッケージを金型へ搬送を行うとともに、ステップＳ３８の搬送ステージはフレーム受取り位置へ移動を行う。ここでは、受渡しステーション７ｃから受け渡された個片化後のＱＦＰ１本体を型内搬送部７ｄによってプレス処理部６ｂの金型内へ搬送するとともに、搬送ステージをフレーム受取り位置に移動させる。
【０１０４】
その後、ステップＳ３９に示す金型でリード成形加工及びリード先端切断加工を実施する。その際、金型内ステージ間の搬送も型内搬送部７ｄによって行う。
【０１０５】
ここでは、プレス処理部６ｂにおいて、まず、図１４及び図１５に示す切断成形金型６ｉを用いて図１６のリード群２ｊを成す複数のアウタリード２ｂの曲げ成形を前記リード群２ｊごと行う。
【０１０６】
すなわち、ＱＦＰ１の連結状態の複数のアウタリード２ｂを、プレス処理部６ｂの成形部６ｎにおいて、図１４に示す切断成形金型６ｉのダイ６ｊ上に載置し、その後、第１パンチ６ｋによって所定の圧力を印加して複数のアウタリード２ｂの曲げ成形をリード群２ｊごと行う。本実施の形態２の半導体装置も、ＱＦＰ１であるため、各アウタリード２ｂをガルウィング状に曲げ成形する。
【０１０７】
その後、型内搬送部７ｄによって切断成形金型６ｉ内でステージ間搬送を行ってＱＦＰ１を図１８の切断部６ｐに搬送する。
【０１０８】
ここでは、図１５に示すように、切断成形金型（切断金型）６ｉを用いて複数のアウタリード２ｂの先端部を切断して個々のアウタリード２ｂに分離し、これによりＱＦＰ１の組み立てが完了となる。
【０１０９】
なお、複数のアウタリード２ｂに対してリード群２ｊごと曲げ成形を行った後、個々のアウタリード２ｂに切断・分離することで、曲げ成形及び分離後の各アウタリード２ｂの高さのばらつきを抑えることができる。
【０１１０】
また、図１４及び図１５に示す切断成形金型６ｉのプレス機構は、実施の形態１と同様に、例えば、電動モータ駆動やシリンダ駆動等を用いたものである。
【０１１１】
各アウタリード２ｂの分離終了後、ステップＳ４０の型内搬送部によりパッケージを金型から検査ステージへ搬送を行う。ここでは、型内搬送部７ｄによって個々のＱＦＰ１をプレス処理部６ｂから検査部６ｓに搬送する。
【０１１２】
その後、ステップＳ４１に示すパッケージの外観検査を実施する。ここでは、検査部６ｓにおいて、組み立てられたＱＦＰ１（製品）の外観検査を行って良品・不良品の選別を行う。
【０１１３】
その後、ステップＳ４２に示すイオナイザでパッケージを除電を行う。ここでは、良品と判定されたＱＦＰ１（製品）を対象としてイオナイザ６ｔを用いて除電を行う。
【０１１４】
その後、ステップＳ４３に示す製品収納部にてパッケージをトレイへ収納を行うとともに、ステップＳ４４に示す検査ＮＧのパッケージは不良品トレイへ抜き取りを行う。ここでは、イオナイザ６ｔによる除電を完了した良品のＱＦＰ１を、空トレイ収納部６ｘから送られたトレイに載置して製品収納部６ｖに収納するとともに、不良品と判定されたＱＦＰ１を不良品収納部６ｗに収納する。すなわち、外観検査で良品と判定されたＱＦＰ１はイオナイザ６ｔにより除電を行った後、製品収納部６ｖに収納し、不良品と判定されたＱＦＰ１は不良品収納部６ｗの不良品ステージに搬送される。
【０１１５】
本実施の形態２の半導体装置の製造方法によっても、リードの切断・成形工程において封止体３の１辺に対応した複数のアウタリード２ｂのリード群２ｊのうちの端の位置のアウタリード２ｂの枠部２ｅとつながる支持部２ｋの切断にレーザ加工を用いることにより、切断金型及びプレス機構の使用を低減できるため、設備価格を抑えることができる。
【０１１６】
すなわち、端に位置するアウタリード２ｂの支持部２ｋの切断をレーザ加工で行うことで、支持部２ｋの切断においては、半導体装置の品種ごとに切断金型を準備しなくて済むため、全体としての設備価格を抑えることができる。
【０１１７】
これにより、ＱＦＰ１の組み立てにおける製造コストの低減化を図ることができる。
【０１１８】
さらに、吊りリード２ｉの封止体３から突出した露出部２ｍもレーザ６ｇによって切断することにより、吊りリード２ｉの切断工程においても半導体装置の品種ごとに切断金型を準備しなくて済むため、全体としての設備価格をさらに低減することができる。
【０１１９】
また、前記実施の形態１では、第１レーザ処理部６ａと第２レーザ処理部６ｃとでレーザ加工機６ｆが２台必要であったのに対して、本実施の形態２では、支持部２ｋの切断と吊りリード２ｉの露出部２ｍの切断とを１つのレーザ処理部７ａで同一のレーザ加工機６ｆを用いて行うことができるため、実施の形態１に対してさらに設備価格を抑えることができ、ＱＦＰ１の組み立てにおける製造コストの低減化もさらに図ることができる。
【０１２０】
なお、本実施の形態２の半導体装置の製造方法によって得られるその他の効果については、実施の形態１の半導体装置の製造方法によって得られるその他の効果と同様であるため、その重複説明は省略する。
【０１２１】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１２２】
例えば、前記実施の形態１及び２では、半導体装置がＱＦＰ１の場合を取り上げて説明したが、前記半導体装置は、リードフレームを用いて組み立てられるものであれば、ＱＦＰ以外のＱＦＮ、ＳＯＰ、ＤＩＰ、ＱＦＪ（Quad Flat J-leaded Package) 等であってもよく、リードフレームを用いて組み立てられる全ての半導体装置に適用可能である。
【０１２３】
また、前記実施の形態１及び２においては、リードフレームがマトリクスフレーム２の場合について説明したが、前記リードフレームは、複数の半導体装置を形成可能な単列のリードフレームであってもよい。
【０１２４】
また、前記実施の形態１及び２の半導体装置の組み立ては、前記半導体装置のそれぞれのアウタリード２ｂを切断金型で切断分離した後、もしくは切断分離する前に、吊りリード２ｉの露出した箇所（露出部２ｍ）をレーザ切断するものであってもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１２５】
本発明は、リード切断工程を有する電子装置の組み立てに好適である。
【符号の説明】
【０１２６】
１  ＱＦＰ（半導体装置）
２  マトリクスフレーム（リードフレーム）
２ａ  インナリード（リード）
２ｂ  アウタリード（リード）
２ｃ  タブ（チップ搭載部）
２ｄ  デバイス領域
２ｅ  枠部
２ｆ  スプロケットホール
２ｇ  長孔
２ｈ  孔部
２ｉ  吊りリード
２ｊ  リード群
２ｋ  支持部
２ｍ  露出部
２ｎ  ダムバー
３  封止体
３ａ  角部
４  半導体チップ
４ａ  主面
４ｂ  裏面
４ｃ  電極パッド
５  ワイヤ
６  リードフレーム切断成形装置
６ａ  第１レーザ処理部
６ｂ  プレス処理部
６ｃ  第２レーザ処理部
６ｄ  正逆検出機構
６ｅ  送り部Ａ
６ｆ  レーザ加工機
６ｇ  レーザ
６ｈ  送り部Ｂ
６ｉ  切断成形金型（切断金型）
６ｊ  ダイ
６ｋ  第１パンチ
６ｍ  第２パンチ
６ｎ  成形部
６ｐ  切断部
６ｑ  送り部Ｃ
６ｒ  製品ピックアップ部
６ｓ  検査部
６ｔ  イオナイザ
６ｕ  フレーム枠廃却部
６ｖ  製品収納部
６ｗ  不良品収納部
６ｘ  空トレイ収納部
７  リードフレーム切断成形装置
７ａ  レーザ処理部
７ｂ  移載部
７ｃ  受渡しステーション
７ｄ  型内搬送部
【図１】
2012049438.tif 000003
【図２】
2012049438.tif 000004
【図３】
2012049438.tif 000005
【図４】
2012049438.tif 000006
【図５】
2012049438.tif 000007
【図６】
2012049438.tif 000008
【図７】
2012049438.tif 000009
【図８】
2012049438.tif 000010
【図９】
2012049438.tif 000011
【図１０】
2012049438.tif 000012
【図１１】
2012049438.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
2012049438.tif 000015
【図１４】
2012049438.tif 000016
【図１５】
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【図１６】
2012049438.tif 000018
【図１７】
2012049438.tif 000019
【図１８】
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