(57)【要約】【課題】  めっき処理を行っても、分割溝内にめっき液が残渣することを有効に防止できるセラミック基板を提供することを目的とする。【解決手段】  複数の個片基板に分割するための分割溝と、前記分割溝に所定間隔で配設される貫通孔（Ｂ）とを備え、前記貫通孔間における前記分割溝は少なくとも一方の前記貫通孔（Ｂ）で深くなる様に傾斜させることにより、分割溝内のめっき液に対して分割溝から貫通孔（Ｂ）への流路を形成でき、めっき液が貫通孔（Ｂ）より流れ落ちて分割溝に残渣することがない。【選択図】        図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板に分割するための分割溝と、
前記分割溝に所定間隔で配設される貫通孔とを備え、
前記貫通孔間における前記分割溝は少なくとも一方の前記貫通孔で深くなる様に傾斜していることを特徴とするセラミック基板。
【請求項２】
前記分割溝は少なくとも２つの貫通孔のほぼ中間部分に最も深さが浅い浅溝部を有することを特徴とする請求項１に記載のセラミック基板。
【請求項３】
前記分割溝は、縦方向に形成される第１分割溝と横方向に形成される第２分割溝からなることを特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載のセラミック基板。
【請求項４】
前記基板は積層基板であり、前記貫通孔は、基板各層間を導通する側面電極（キャスタレーション）であることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のセラミック基板。
【請求項５】
分割溝に所定間隔で配設される貫通孔とを備えたセラミック基板の製造方法において、
表面に必要な配線パターンを配設したシートを積層圧着し、分割溝を形成する分割溝形成工程と、
前記分割溝の形成された前記積層基板を焼成する焼成工程と、
前記焼成工程で焼成した前記積層基板にめっき液を付着するめっき形成工程とを有し、
前記分割溝形成工程における分割溝の形成は少なくとも一方の貫通孔において深さが深くなるように傾斜した深さとなるように形成することを特徴とするセラミック基板の製造方法。
【請求項６】
前記シートの貫通孔に導体を充填し、充填した導体中心部を打ち抜く打ち抜き工程を有することを特徴とする請求項５記載のセラミック基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は複数の個片基板に分割するための分割溝を有するセラミック基板及びセラミック基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
複数の個片基板を製作するにあたって、1枚のセラミック基板に複数の基板をまとめて形成後にそれぞれの個片基板に分割することは広く行われている。１個ずつの個片の基板に分割する際に、分割が容易に、かつ予め決められた位置で分割するように予め分割溝を形成する場合も多々あった。
【０００３】
従来この種の分割溝は、全長にわたって均一の深さを有した溝が広く一般的である。なかには引用文献１に記載された如く、縦横の交差部を深くした溝も見られている。これらの分割溝は基板を個片化を目的とするものであるため、分割が規則正しく行われることが第１であり、分割後にバリのない基板を得ることを最大の目的としている。
【０００４】
従来のセラミック基板は、縦横線の一方線は深さ・高さが均一な浅溝を形成しており、また、縦横線の他方線であっても、深さが異なるのは交差部近傍のみであり、一部に深さが均一な浅溝部を有している構造であった。
また、引用文献２のように、貫通孔の開口部周囲を他の分割溝部分より深く構成した例もある。しかしながら、引用文献２においても、開口部周囲を除く部分は深さ・高さが均一な浅溝を形成しており、貫通孔の開口部に孔径の異なる貫通孔を形成した、円形の凹部のなす段状の構造である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−７９７９８号
【特許文献２】特開平４−２０６８０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近時、個片基板に分割する前に表面導体部などをめっき処理する基板に対する要求があり、このような要求に対応した場合、めっき液等が分割溝内に入り込むことが避けられず、めっき液や導体ペーストが入り込んだ分割溝内にがこれらめっき液や導体ペーストが残るポケット（溜まり場）になってしまっていた。
【０００７】
このため、従来の全長にわたって均一の深さを有する分割溝を形成した例では、分割前にめっき処理を行った状態では、例えその後に洗浄処理を行っても、図１２に示すように分割溝Ａの底部にはめっき液Ｃが残渣してしまっていた。図１２は、均一の深さを有した分割溝を形成した従来の場合に基板分割の前にめっき塗布を行った後の状態を示す断面図である。
【０００８】
残渣物は表面と裏面間でのショートなどの電気的特性の不具合や、分割時の分割不良（バリ）の発生原因となる問題点があった。この分割で個片化された基板の側面を図１３に示す。図１３に示すように一定高さにめっき残渣が形成されることとなり、上記問題点に対処するために側面を研磨するなどの工数が必要であった。図１３は従来の分割で個片化された基板の研磨前の側面状態を表した図である。
【０００９】
このため、分割の前にめっき処理を行うセラミック基板においても、分割溝内にこれらめっき液等が残るポケット（溜まり場）になることを防止し、その後の研磨工程などの面倒な工程が不要な、信頼性のあるセラミック基板とすることが望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は上述した課題を解決するためになされたもので、分割の前にめっき処理を必要とする基板においても、めっき液等が入り込んだ分割溝内にこれらが残るポケット（溜まり場）になることを防止し、その後の研磨工程などの面倒な工程が不要な、信頼性のあるセラミック基板を提供することを目的とする。係る目的を達成し、上述した課題を解決する一手段として、例えば、以下の構成を備える。
【００１１】
すなわち、複数の基板に分割するための分割溝と、前記分割溝に所定間隔で配設される貫通孔とを備え、前記貫通孔間における前記分割溝は少なくとも一方の前記貫通孔で深くなる様に傾斜していることを特徴とするセラミック基板とする。
【００１２】
そして例えば、前記分割溝は少なくとも２つの貫通孔のほぼ中間部分に最も深さが浅い浅溝部を有することを特徴とする。又例えば、前記分割溝は、縦方向に形成される第１分割溝と横方向に形成される第２分割溝からなることを特徴とする。更に例えば、前記基板は積層基板であり、前記貫通孔は、基板各層間を導通する側面電極（キャスタレーション）であることを特徴とする。
【００１３】
又は、分割溝に所定間隔で配設される貫通孔とを備えたセラミック基板の製造方法において、表面に必要な配線パターンを配設したシートを積層圧着し、分割溝を形成する分割溝形成工程と、前記分割溝の形成された前記積層基板を焼成する焼成工程と、前記焼成工程で焼成した前記積層基板にめっき液を付着するめっき形成工程とを有し、前記分割溝形成工程における分割溝の形成は少なくとも一方の貫通孔において深さが深くなるように傾斜した深さとなるように形成するセラミック基板の製造方法とすることを特徴とする。
【００１４】
そして例えば、更に、前記シートの貫通孔に導体を充填し、充填した導体中心部を打ち抜く打ち抜き工程を有するセラミック基板の製造方法とすることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、分割の前にめっき処理を必要とするセラミック基板においても、分割溝内に残渣の発生しにくい分割溝を提供し、これにより、分割後の基板端面にめっき液や導電ペーストの残渣を解消でき、ショートや分割不良の発生を軽減できる。
【００１６】
更に本発明によれば、めっき液だけでなく、貫通孔の内壁面への導体ペーストを吸引等で塗布する際にも、孔への傾斜溝により導体残渣の発生ができにくいセラミック基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本実施の形態例のセラミック基板の貫通孔の形成例及び基板分割溝の形成例を示す図である。
【図２】図１の第１分割溝Ａ−Ａ断面図の一部を示す図である。
【図３】本実施の形態例における側面電極のない場合の基板製造工程を説明する工程図である。
【００１８】
【図４】本実施の形態例のめっき工程におけるめっき処理及び洗浄処理におけるめっき液、洗浄液等の液体の流路を示す図である。
【図５】本実施の形態例における側面電極がある場合の基板製造工程を説明する工程図である。
【図６】本発明に係る第２の実施の形態例の分割溝の形成例を説明するための断面図である。
【００１９】
【図７】本発明に係る第３の実施の形態例の分割溝の形成例を説明するための断面図である。
【図８】本発明に係る第４の実施の形態例の分割溝の形成例を説明するための断面図である。
【００２０】
【図９】各実施の形態例における基板分割後の集積基板の上面図である。
【図１０】本発明に係る他の実施の形態例における基板分割後の集積基板の上面図である。
【図１１】本発明に係る更に他の実施の形態例における基板分割後の集積基板の上面図である。
【図１２】従来の基板分割の前にめっき塗布を行った後の状態を示す断面図である。
【図１３】従来の分割で個片化された基板の研磨前の側面状態を表した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
〔第１の実施の形態例〕
以下、本発明に係る一発明の実施の形態例について添付図面を参照しながら詳細に説明する。まず図１及び図２を参照して本発明に係る一発明の実施の形態例のセラミック基板の構成を説明する。
【００２２】
図１に示す本実施の形態例のセラミック基板は、多数個取り用のセラミック基板の状態で表面にめっき処理を施すことが出来るように、それぞれの基板に分割する図１の縦方向に示す第１分割溝と、図１の横方向に示す第２分割溝とが格子状に形成されており、分割溝の交差部分及び交差部分間の略中間部位に図１に○で示す貫通孔Ｂが形成されている。なお、図１においては、表面のシートのみ表しているが、本実施の形態例のセラミック基板は複数枚のシート（複数のグリーンシート）が積層された多層基板となっている。
【００２３】
本実施の形態例では、貫通孔の径は、約φ０．１ｍｍ以上であり、基板の大きさが大きくなれば比例して貫通孔の径も大きくすることが望ましい。０．１ｍｍ以上であれば後述するめっき液などを落とし込むことが出来る。
【００２４】
本実施の形態例の分割溝は、多層基板の各貫通孔間に全長における最深部と最浅部が連続的に形成されている。この一定間隔で貫通孔が形成されている図１の第１分割溝であるＡ−Ａ断面を図２に示す。
【００２５】
図２において、Ｖ印で示すのが交差部分の貫通孔における第２分割溝を示している。図２に示す様に本実施の形態例の分割溝は、貫通孔間の略中間部分が最浅部の頂点部分で、貫通孔部分が最深部となる様に該頂点部分から貫通孔に向かって徐々に深くなるように傾斜して形成される。分割溝は、例えば金型やカッター刃等で形成する。しかし、以上に限定されるものではなく、レーザで形成（スクライブ）してもよい。
【００２６】
形成する溝の深さとしては、例えば基板に対し溝最深部：溝最浅部＝約８０：約２０程度とすることが望ましい。このように形成することにより、例え基板表面にめっき処理を行ったとしても、溝底部にめっき液などの残渣があることはない。しかし、分割溝の深さはこれに限定されるものではなく、一定の傾度があれば適用可能である。
【００２７】
本実施の形態例基板の製造工程を図３を参照して説明する。図３は側面電極のない場合の基板製造工程を説明する工程図である。集合基板の内層で各層間を導通するビアホールの形成工程についてはここでは触れないこととする。
まずステップＳ１で基板を形成するシート（グリーンシート）にスルーホール（貫通孔Ｂ）を形成する。この貫通孔は、複数シートを積層した積層基板を作成する場合の位置決めも兼ねている。
【００２８】
続いてステップＳ３でシート表面に必要な配線パターンを形成するために、シート表面に導電パターン（例えばＡｇ導体パターン）を印刷などで形成する。
基板を形成する全てのシートに必要な配線パターンを形成すると次にステップＳ５において、導電パターンなどの形成された必要数のシートを積層・圧着しセラミック基板を完成させる。
【００２９】
続いてステップＳ７において、基板のスルーホール間に分割溝を形成する。本実施の形態例の図２では、上記したように分割溝は、貫通孔間の略中間部分に最浅部の頂点部分があり、貫通孔に向かって傾斜して徐々に深くなるように形成される。
【００３０】
続くステップＳ９で分割溝を形成した基板を焼成する。更に、ステップＳ１１において、焼成した基板の全表面の導体部分をめっき処理し、めっき処理後にめっきした基板の洗浄処理を行う。めっき方法としては例えば、無電解めっきが望ましいが、電解めっきであってもよい。
【００３１】
本実施の形態例では、無電解めっきを行い、めっき液としてＮｉ−ＡｕまたはＮｉ−Ｐｄ−Ａｕ等を使用することができる。しかし、以上の例に限定されるものではなく、基板仕様に応じて任意のめっき液を用いることが出来る。
めっき処理後の洗浄処理においては、純水等によってめっき液を洗い流す。具体的には、めっきしたセラミック基板に対して例えばシャワーで洗浄液を両面にかけ、その後、洗浄液槽で濯ぐ。
【００３２】
本発明によれば、めっき工程に続く洗浄工程において、同様に発明の効果をみることができる。つまり、めっき工程時、分割溝がスルーホールに向かって深くなっており、めっき処理中においては、めっき液が分割溝の底部からスルーホールに向かって流れ落ちやすく、更に洗浄処理においては洗浄液がめっき液とともに分割溝の底部からスルーホールに向かってに流れ落ちるため、分割溝底部に残渣が残ることがない。
【００３３】
この点、従来の均一な深さの分割溝が形成されている場合や分割溝上に貫通孔がない場合は、洗浄液が分割溝上を十分に流動できにくいため、液体が滞留しやすい、即ち、残渣が発生しやすい構造であったのに比し、本実施の形態例の貫通孔を有する分割溝が形成された基板は、洗浄液が基板の表と裏を行き来することができる孔が複数あり、かつ、貫通孔と分割溝は傾斜角度でつながっているため、基板表裏から洗浄液が分割溝上を盛んに流動しやすく、かつ、基板から流れ落ちやすく、分割溝内の残渣が発生しない構造である。
【００３４】
以上の工程のステップＳ１１におけるめっき工程において、セラミック基板に形成された分割溝内におけるめっき液の流れを図４に示す。図４はめっき工程におけるめっき処理及び洗浄処理におけるめっき液、洗浄液等の液体の流路を示す図である。図４に矢印で示すようにめっき液等が流れ、ほとんどが貫通孔Ｂを通って図の下部に落とし込まれる。このため、分割溝内にはめっき液などの残渣が滞ることがない。
【００３５】
その後図3のステップＳ１３でめっきしたセラミック基板を分割溝部分から分割し、個片化する。分割溝底部近傍に残渣がないため、個片化した分割基板の側面に導電体が付着しているようなことはなく、側面の研磨などの複雑な工程は必要ない。
【００３６】
次に図５を参照して基板の各層間を導通する側面電極（キャスタレーション）を有する場合のセラミック基板の分割溝形成工程を図５を参照して説明する。
【００３７】
図５において、上述した図３に示す側面電極のない場合の分割溝形成工程と同様の工程には同一ステップ番号を附し詳細説明を省略する。
まずステップＳ１で基板を形成するシート（グリーンシート）に側面電極（キャスタレーション）を生成するためのスルーホール（貫通孔）を形成する。
【００３８】
続いてステップＳ２１において、スルーホールに導体の印刷処理を行い、貫通孔内に導体を充填した、ビアホールを形成する。続いてステップＳ２３において、ビアホールの中心部に小径のスルーホールを打ち抜き、分割後に集積基板の側面に露出する側面電極（キャスタレーション）の導体部を形成する。
【００３９】
続くステップＳ３でこのようにして側面電極の導体部が形成されたシート（グリーンシート）表面に必要な導電パターン（例えばＡｇ導体パターン）を印刷などで形成する。
基板を形成する全てのシートに必要な配線パターンを形成すると次にステップＳ５以降の処理を行い、導電パターンなどの形成された必要数のシートを積層・圧着しセラミック基板を完成させ、その後分割溝から分割して個片化する。以上のステップＳ３以降の処理は上述した図３の処理と同様である。
【００４０】
以上に説明したように本実施の形態例によれば、分割溝の貫通孔間のほぼ中央近傍を最浅部とし、貫通孔に向かって徐々に深くなるように形成したため、分割の前にめっき塗布を行ったセラミック基板においても、溝内にめっき液などの残渣が発生しにくい分割溝を提供し、これにより、分割後の基板端面のめっき液等の残渣を解消でき、ショートや分割不良の発生を軽減できる。
【００４１】
〔第２の実施の形態例〕
以上に説明した第１の実施の形態例では、図２に示すように溝の貫通孔間のほぼ中央近傍を最浅部とし、貫通孔に向かって徐々に深くなるように分割溝を形成した。しかし、本発明は以上の例に限定されるものではなく、めっき液などの残渣が残り難い分割溝であればよい。例えば、貫通孔間の溝の間に深部と浅部がある図６に示す分割溝としてもよい。図６は本発明に係る第２の実施の形態例の分割溝の形成例を説明するための断面図である。
【００４２】
第２の実施の形態例においても、基板及び分割溝の製造工程は上述した第一の実施の形態例の図３又は図５に示す工程と同様であるため詳細説明は省略する。
第２の実施の形態例の分割溝では、図６に示すように、すくなくとも一方の貫通孔に向かって徐々に深くなるように溝底部が傾斜している。図６の例では、貫通孔２つの間で区切られた最短区間の分割溝は、貫通孔間で深部と浅部となるように一方に深さを変えながら傾斜している。分割溝は隣接する区間においても同様に深さを変え、一連で高低のある一直線の分割溝を形成している。分割溝全長において最深部と最浅部が繰り返すように形成されている。
【００４３】
第２の実施の形態例も、上述した第一の実施の形態例と同様に、めっき液が分割溝の中に流れ込んでも溝底部が傾斜して貫通孔内に落とし込むため、溝内にめっき液などが残渣することを防止できる。
特に分割した個別基板の大きさがさほど大きくない場合に特に適している。
【００４４】
〔第３の実施の形態例〕
以上に説明した第２の実施の形態例では、図６に示すように、隣接する２つの区間にまたがって深さを変えながら傾斜し、分割溝全長において最深部と最浅部が繰り返すように分割溝を形成した。しかし、本発明は以上の例に限定されるものではなく、例えば、隣接する２つの区間にまたがって深さを変えながら傾斜し、隣接する２つの区間で高低のある一直線の分割溝を形成し、分割溝全長において２区間毎に最浅部と最深部が繰り返す分割溝としてもよい。図７は本発明に係る第３の実施の形態例の分割溝の形成例を説明するための断面図である。
【００４５】
第３の実施の形態例においても、基板及び分割溝の製造工程は上述した第一の実施の形態例の図３又は図５に示す工程と同様であるため詳細説明は省略する。
第３の実施の形態例の分割溝では、図７に示すように、すくなくとも一方の貫通孔に向かって徐々に深くなるように溝底部が傾斜している。図７の例では、隣接する２つの区間にまたがって深さを変えながら傾斜し、隣接する２つの区間で高低のある一直線の分割溝を形成し、分割溝全長において２区間毎に最浅部と最深部が繰り返す分割溝となっており、２つの区間に渡って最深部と最浅部となるように傾斜している分割溝を形成する。
【００４６】
第３の実施の形態例も、上述した第１及び第２の実施の形態例と同様に、めっき液が分割溝の中に流れ込んでも溝底部が傾斜して貫通孔内に落とし込むため、溝内にめっき液などが残渣することを防止できる。
【００４７】
〔第４の実施の形態例〕
以上に説明した第２、第３の実施の形態例では、図６、７に示すように貫通孔２つの間で区切られた最短区間が２つ隣接する区間で最深部―最浅部からなる一定のパターンが繰り返している分割溝を形成した。しかし、本発明は以上の例に限定されるものではなく、例えば、貫通孔間の一方の貫通孔部が最浅部で他方の貫通孔部が最深部となる分割溝としてもよい。図８は本発明に係る第４の実施の形態例の分割溝の形成例を説明するための断面図である。
【００４８】
第４の実施の形態例においても、基板及び分割溝の製造工程は上述した第一の実施の形態例の図３又は図５に示す工程と同様であるため詳細説明は省略する。
第４の実施の形態例の分割溝では、図８に示すように、貫通孔２つの間で区切られた最短区間の分割溝は貫通孔間で一方の貫通孔に向かって徐々に深くなるように溝底部が傾斜しており、分割溝の一方端部（図８の例では左端部）が最浅部で他方端部（図８の例では右端部）が最深部となるように全区間にまたがってて深さを変えながら傾斜している。このすため、上述した第１乃至第３の実施の形態例と同様に、めっき液が分割溝の中に流れ込んでも溝底部が傾斜して貫通孔内に落とし込むため、溝内にめっき液などが残渣することを防止できる。
【００４９】
以上に説明した各実施の形態例のセラミック基板を分割溝に従って分割した場合の分割後の集積基板の上面図を図９に示す。図９は各実施の形態例における基板分割後の集積基板の上面図であるが、基板表面に形成する配線パターンの図示はここではしない。
図９に示すように、第１分割溝と第２分割溝との交差部分、及び、各分割溝の交差部分間の略真ん中部分にめっき液などが分割溝内に残渣しにくい貫通孔を形成している構造である。
【００５０】
〔他の実施の形態例〕
以上の説明は、セラミック基板をめっきする例について説明した。しかし、本発明の溝の形成例は以上の例に限定されるものではなく、貫通孔内壁面に導電ペーストを吸引などで塗布する場合にも適用できる。
【００５１】
この場合には、セラミック基板表面の所定部分の導電ペーストを塗布し、例えば図１に示す貫通孔から吸引することで、貫通孔内壁面に導電体層を形成することが出来る。この場合であっても、分割溝が傾斜しているため、分割溝内の導電ペーストが貫通孔内に引き込まれるため、分割溝内に残渣することを有効に防止できる。
【００５２】
以上の説明における分割溝は、一方面のみに形成した例を説明したが、基板両面に形成してもよい。更に、分割後の個片基板の一方側面がショートの可能性がない場合などにおいては、第１分割溝のみに各実施の形態例の貫通孔に向かって傾斜している分割溝構造とし、第２分割溝は従来の分割溝であってもよい。
【００５３】
更に、以上の説明においては、分割溝の傾斜は、略直線上に傾斜する場合を例示したが、本発明は以上の傾斜に限定されるものではなく、傾斜が湾曲状、の様に一定角度の傾斜でなくても良く、緩やかな曲線状の傾斜であってもよい。
【００５４】
更に、以上の各実施の形態例では図９に示すように、溝分割溝の交差部分及び交差部分間の略中間部位に貫通孔が形成されている例について説明した。しかし本発明は以上の貫通孔の形成例に限定されるものではなく、分割溝の構造から交差部分間の略中間部位の貫通孔を省略してもめっき液の残渣を有効に抑えることが可能である。
【００５５】
分割溝の交差部分間の略中間部位の貫通孔を省略した本発明に係る他の実施の形態例における基板分割後の集積基板の上面図を図１０に示す。図１０に示す様に、第１分割溝と第２分割溝の交差部分には貫通孔が形成されており、上記した各分割溝の傾斜を形成することにより、上記同様にめっき液の残渣を抑えたセラミック基板を提供でき、分割後の集積基板の側面に余分なめっき液の残渣などのない集積基板が提供可能である。
【００５６】
更に、図１０の例では、第１分割溝と第２分割溝の交差部分に貫通孔を形成ししたが本発明は以上の例に限定されるものではなく、第１分割溝と第２分割溝の交差部分でなく、交差部分間の略中間部位のみに貫通孔を形成してもめっき液の残渣を有効に抑えることが可能である。
【００５７】
分割溝の交差部分間の略中間部位に貫通孔を形成した本発明に係る更に他の実施の形態例における基板分割後の集積基板の上面図を図１１に示す。図１１に示す様に第１分割溝と第２分割溝の交差部分間の略中間部位に貫通孔を形成されており、分割溝の各貫通孔間の傾斜を上記した実施の形態例の如くに形成することにより、上記同様にめっき液の残渣を抑えたセラミック基板を提供でき、分割後の集積基板の側面に余分なめっき液の残渣などのない集積基板が提供可能である。
【００５８】
上述した各実施の形態例では、セラミック基板に形成する分割溝の深さを、貫通孔に向かって傾斜する全長に渡って山切り（Ｖ字型）あるいは、波線状等の起伏（高低差）のある軌跡を有するため、めっき処理や導電ペーストの塗布を行っても、めっき液や導電ペーストが分割溝内から貫通孔に流れ出させることができ分割溝内にめっき液や導電ペーストが残渣することを有効に防止することができる。
【００５９】
また、さらにこの後の洗浄処理においても、洗浄液が分割溝の傾斜を流れやすく、貫通孔により基板の両面を行き来できることから、洗浄効果が格段に向上し、残渣物の発生を相乗して抑えることができる。このため、セラミック基板から個片基板に分割しても、ショートや分割不良がないものと出来る。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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