(57)【要約】      （修正有）【課題】シリコン単結晶の製造において正しい温度条件で種結晶を着液させることが可能なシリコン単結晶の製造方法及び製造装置を提供する。【解決手段】種結晶Ｓの鉛直方向における長さに基づいて種結晶Ｓを着液させる際のシリコン融液１の目標計測温度を決定し、種結晶Ｓをシリコン融液１の表面に近づけた状態で非接触温度計１７を用いてシリコン融液１の温度を測定し、目標計測温度と非接触温度計１７の計測値との差が所定値以下となった場合に種結晶Ｓをシリコン融液１に着液させる。種結晶の長さに基づいて着液時の目標計測温度を決定していることから、シリコン融液１が実際に適温となった状態で種結晶Ｓを着液させることが可能となる。これにより、着液に失敗する可能性が大幅に少なくなることから、生産性を高めることが可能となる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シードチャックに固定された種結晶をシリコン融液に着液させた後、前記シードチャックを鉛直方向に引き上げることによってシリコン単結晶を製造する方法であって、
前記種結晶の鉛直方向における長さに基づいて、前記種結晶を着液させる際の前記シリコン融液の目標計測温度を決定する工程と、
前記種結晶を前記シリコン融液の表面に近づけた状態で、非接触温度計を用いて前記シリコン融液の温度を測定する工程と、
前記目標計測温度と前記非接触温度計の計測値との差が所定値以下となった状態で、前記種結晶をシリコン融液に着液させる工程と、を備えることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
【請求項２】
前記目標計測温度を決定する工程においては、前記種結晶の鉛直方向における長さが短いほど前記目標計測温度を高く設定することを特徴とする請求項１に記載のシリコン単結晶の製造方法。
【請求項３】
種結晶の着液に成功した際の前記非接触温度計の計測値と当該種結晶の長さとの関係に基づいて変換テーブルを作成する工程をさらに備え、
前記目標計測温度を決定する工程は、前記変換テーブルを参照することによって前記種結晶の鉛直方向における長さを前記目標計測温度に変換することを特徴とする請求項１又は２に記載のシリコン単結晶の製造方法。
【請求項４】
前記種結晶は、引き上げられたシリコン単結晶から切り離されて再利用されたものであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の製造方法。
【請求項５】
ルツボ内に収容されたシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げるシリコン単結晶の製造装置であって、
種結晶を保持するシードチャックと、
前記シードチャックの鉛直方向における位置を制御する制御手段と、
前記シリコン融液の温度を測定する非接触温度計と、
前記種結晶の鉛直方向における長さに基づいて、前記種結晶を着液させる際の前記シリコン融液の目標計測温度を決定する着液温度決定手段と、を備え、
前記制御手段は、前記種結晶を前記シリコン融液の表面に近づけた状態で、前記目標計測温度と前記非接触温度計の計測値との差が所定値以下となった場合に、前記シードチャックの位置を下げることによって前記種結晶をシリコン融液に着液させることを特徴とするシリコン単結晶の製造装置。
【請求項６】
前記着液温度決定手段は、種結晶の着液に成功した際の前記非接触温度計の計測値と、当該種結晶の長さとの関係を示す変換テーブルを含み、前記変換テーブルを参照することによって前記種結晶の鉛直方向における長さを前記目標計測温度に変換することを特徴とする請求項５に記載のシリコン単結晶の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はシリコン単結晶の製造方法及び製造装置に関し、特に、チョクラルスキー法によってシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げるに際し、正しい温度条件で種結晶を着液させることが可能なシリコン単結晶の製造方法及び製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスに用いられるシリコン単結晶は、主にチョクラルスキー法（Ｃｚ法）によって製造される。Ｃｚ法においては、多結晶シリコンナゲットを石英ルツボ内に充填し、これをヒータで加熱することによって融解した後、得られたシリコン融液に浸漬させた種結晶を相対的に回転させながら徐々に引き上げて単結晶を成長させる。
【０００３】
ここで、種結晶の着液時におけるシリコン融液の温度管理は非常に重要である。具体的には、着液時におけるシリコン融液の温度が低すぎると種結晶の着液によってシリコン融液の表面が固化し、正しくシリコン単結晶を引き上げることができなくなってしまう。逆に、着液時におけるシリコン融液の温度が高すぎると種結晶が溶解してシリコン融液から切断されてしまい、シリコン単結晶を引き上げることができなくなってしまう。この場合は、シリコン融液の温度を下げてリトライすることが可能であるが、溶解した分だけ種結晶の長さが短くなるため、引き上げ後にシリコン単結晶から種結晶を切り離して再利用する場合に、再利用可能な回数が少なくなってしまう。また、重量の大きい大型インゴットを引き上げる際には、重量に耐えられるよう従来よりもネック径を太くする必要が生じる。ネック径を太くするためには、着液の際に種結晶に転位が生じないいわゆる無転位着液法を用いる必要があり、この場合、着液時におけるシリコン融液の温度管理は特にシビアとなる。
【０００４】
またいずれの場合も、シリコン融液の温度を再調整する必要があることから生産性が低下するばかりでなく、加熱時間が長くなることから石英ルツボの耐久性を劣化させる要因にもなる。このように、着液時におけるシリコン融液の温度管理は非常に重要であり、従来から様々な提案がなされている（特許文献１，２参照）。
【０００５】
例えば、特許文献１には、シリコン融液の温度変動幅が所定値以下となった場合に多結晶シリコンナゲットが完全に融解したと判定し、その際の変動幅の下限値を着液時における目標温度とする方法が記載されている。また、特許文献２には、シリコン融液の温度を複数の温度センサによって測定し、その平均値が目標温度となった場合に種結晶を着液させる方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第ＷＯ０２／０１０４８６号パンフレット
【特許文献２】特開２００９−１６１４００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１，２の方法を用いても、着液が成功したりしなかったりすることがあった。その原因について本発明者が鋭意研究を重ねた結果、実際にはシリコン融液の温度が同じであっても、条件によって温度計の計測値が異なるケースがあることを見いだした。
【０００８】
したがって、本発明は、正しい温度条件で種結晶を着液させることが可能なシリコン単結晶の製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、シリコン融液の実際の温度が同じであっても温度計の計測値が異なる理由について検討を重ねた結果、種結晶を保持するシードチャックからの輻射熱が影響していることを見いだした。つまり、シードチャックからの輻射熱によって、温度計の計測値がシリコン融液の実際の温度からずれてしまい、そのズレ量はシードチャックの位置によって変化することが分かった。着液直前におけるシードチャックの位置は、種結晶の長さによって決まることから、種結晶の長さによって指示値のズレが予測できることになる。
【００１０】
本発明は、このような技術的知見に基づきなされたものであって、本発明によるシリコン単結晶の製造方法は、シードチャックに固定された種結晶をシリコン融液に着液させた後、前記シードチャックを鉛直方向に引き上げることによってシリコン単結晶を製造する方法であって、前記種結晶の鉛直方向における長さに基づいて、前記種結晶を着液させる際の前記シリコン融液の目標計測温度を決定する工程と、前記種結晶を前記シリコン融液の表面に近づけた状態で、非接触温度計を用いて前記シリコン融液の温度を測定する工程と、前記目標計測温度と前記非接触温度計の計測値との差が所定値以下となった状態で、前記種結晶をシリコン融液に着液させる工程と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明によるシリコン単結晶の製造装置は、ルツボ内に収容されたシリコン融液からシリコン単結晶を引き上げるシリコン単結晶の製造装置であって、種結晶を保持するシードチャックと、前記シードチャックの鉛直方向における位置を制御する制御手段と、前記シリコン融液の温度を測定する非接触温度計と、前記種結晶の鉛直方向における長さに基づいて、前記種結晶を着液させる際の前記シリコン融液の目標計測温度を決定する着液温度決定手段と、を備え、前記制御手段は、前記種結晶を前記シリコン融液の表面に近づけた状態で、前記目標計測温度と前記非接触温度計の計測値との差が所定値以下となった場合に、前記シードチャックの位置を下げることによって前記種結晶をシリコン融液に着液させることを特徴とする。
【００１２】
本発明によれば、種結晶の長さに基づいて着液時の目標計測温度を決定していることから、シリコン融液が実際に適温となった状態で種結晶を着液させることが可能となる。これにより、着液に失敗する可能性が大幅に少なくなることから、生産性を高めることが可能となる。したがって、本発明は、太いネックを確保するために無転位着液法を用いる場合において特に有効である。
【００１３】
前記目標計測温度を決定する工程においては、前記種結晶の鉛直方向における長さが短いほど前記目標計測温度を高く設定することが好ましい。これによれば、種結晶の鉛直方向における長さが短いほど大きくなるシードチャックの輻射熱の影響を相殺することが可能となる。
【００１４】
本発明によるシリコン単結晶の製造方法においては、種結晶の着液に成功した際の前記非接触温度計の計測値と当該種結晶の長さとの関係に基づいて変換テーブルを作成する工程をさらに備え、前記目標計測温度を決定する工程は、前記変換テーブルを参照することによって前記種結晶の鉛直方向における長さを前記目標計測温度に変換することが好ましい。また、本発明によるシリコン単結晶の製造装置においては、前記着液温度決定手段は、種結晶の着液に成功した際の前記非接触温度計の計測値と、当該種結晶の長さとの関係を示す変換テーブルを含み、前記変換テーブルを参照することによって前記種結晶の鉛直方向における長さを前記目標計測温度に変換することが好ましい。このように、実際に着液に成功した例を元に変換テーブルを作成すれば、目標計測温度を正確に決定することが可能となる。
【００１５】
前記種結晶は、引き上げられたシリコン単結晶から切り離されて再利用されたものであることが好ましい。この場合、再利用するごとに種結晶の長さが徐々に短くなるが、このようなケースであっても着液を成功させることが可能となる。
【発明の効果】
【００１６】
このように、本発明によれば、正しい温度条件で種結晶を着液させることが可能なシリコン単結晶の製造方法を提供することが可能となる。また、本発明によれば、正しい温度条件で種結晶を着液させることが可能なシリコン単結晶の製造装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の好ましい実施形態によるシリコン単結晶引き上げ装置（シリコン単結晶の製造装置）１０の構成を説明するための模式図である。
【図２】シードチャック２３による輻射熱の影響を説明するための図であり、（ａ）はシードチャック２３の位置がシリコン融液１の液面から相対的に遠い場合を示し、（ｂ）はシードチャック２３の位置がシリコン融液１の液面から相対的に近い場合を示している。
【図３】変換テーブル４１の内容を説明するためのグラフである。
【図４】本発明の好ましい実施形態によるシリコン単結晶の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【図５】実施例のデータを示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、添付図面を参照しながら、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明する。
【００１９】
図１は、本発明の好ましい実施形態によるシリコン単結晶引き上げ装置（シリコン単結晶の製造装置）１０の構成を説明するための模式図である。
【００２０】
図１に示すように、本実施形態によるシリコン単結晶引き上げ装置１０は、チャンバ１１と、チャンバ１１内においてシリコン融液１を支持するルツボ１２と、ルツボ１２の周囲に設けられたヒータ１５と、ヒータ１５及びルツボ１２からの輻射熱によるシリコン単結晶の加熱を防止すると共にシリコン融液１の温度変動を抑制するための熱輻射シールド１６と、チャンバ１１の上部に設けられた覗き窓１１ａからシリコン融液１の液面温度を測定する非接触温度計１７と、各構成要素を制御する制御手段３０とを備えている。
【００２１】
ルツボ１２は、石英ルツボ１３と、石英ルツボ１３を支持するグラファイトサセプタ１４からなり、シリコン融液１は石英ルツボ１３内に収容されている。ヒータ１５の外側には、円筒状のヒートシールド１９が設けられており、ヒートシールド１９のさらに外側には円筒状の断熱体２０が設けられている。ルツボ１２はチャンバ１１の底部中央を貫通して鉛直方向に設けられたシャフト２１の上端部に固定されており、シャフト２１はシャフト駆動機構２２によって昇降及び回転駆動される。シャフト駆動機構２２の動作は制御手段３０によって制御される。
【００２２】
ルツボ１２の上方には、種結晶Ｓを保持するシードチャック２３と、シードチャック２３を吊設する引き上げワイヤ２４と、引き上げワイヤ２４を巻き取るためのワイヤ巻き取り機構２５が設けられている。シードチャック２３の材料としてはモリブデン（Ｍｏ）、モリブデン（Ｍｏ）とカーボン（Ｃ）の組み合わせ、又は、ステンレススチールとカーボンの組み合わせなどが用いられ、ある程度の質量を有していることから、加熱されると無視できないレベルの輻射熱を放射する。単結晶の引き上げ時には種結晶Ｓをシリコン融液１に着液させ、ルツボ１２と種結晶Ｓを互いに逆方向に回転させながら種結晶Ｓを鉛直方向に徐々に引き上げる。ワイヤ巻き取り機構２５の動作は制御手段３０によって制御される。着液温度の制御については後述する。
【００２３】
チャンバ１１の上部にはガス導入口２６が設けられており、チャンバ１１の底部にはガス排出口２７が設けられている。ガス導入口２６からはＡｒ等のパージガスがガス導入口２６から導入され、その流量はバルブ２８によって制御される。また、パージガスの排出量もガス排出口２７に設けられたバルブ２９によって制御される。これらのバルブ２８，２９についても制御手段３０によって制御される。
【００２４】
熱輻射シールド１６はルツボ１２の上方に配置された筒状の部材であり、下端から上端に向かって直径が拡大した逆円錐台形状を有している。熱輻射シールド１６の材料としてはグラファイトを用いることができる。さらに、熱輻射シールド１６は、シリコン融液１の表面付近におけるパージガスの流れを整流するガス整流部材としての役割も果たす。
【００２５】
上述の通り、チャンバ１１の外部には非接触温度計１７が設けられており、覗き窓１１ａを介してシリコン融液１の液面温度が測定される。非接触温度計１７の計測値は、着液温度決定手段４０に供給され、シリコン融液１の現在の温度が着液に適した温度であるか否かが判定される。ここで、非接触温度計１７の計測値は、シリコン融液１の実際の温度と必ずしも一致しない点に注意が必要である。これは、シリコン融液１の他にもチャンバ１１内には多数の熱源が存在するため、非接触温度計１７の計測値はその影響を少なからず受けるからである。特に影響が大きいのはシードチャック２３からの輻射熱である。したがって、シリコン融液１の実際の温度が同じであってもシードチャック２３の位置によって非接触温度計１７の計測値には無視できない差が生じる。
【００２６】
また、着液温度決定手段４０には、入力デバイス５０を介してオペレータにより入力された種結晶Ｓの長さに関するデータが供給される。ここで、「種結晶Ｓの長さ」とは、シードチャック２３に固定した場合における鉛直方向の長さを指す。図１に示すように、着液温度決定手段４０には種結晶Ｓの長さを目標計測温度に変換する変換テーブル４１が含まれており、変換によって得られた目標計測温度と非接触温度計１７の計測値とが比較される。その結果、両者の差が所定値以下になれば、検出信号４２が活性化される。検出信号４２が活性化されると、制御手段３０はワイヤ巻き取り機構２５を制御することによってシードチャック２３の位置を下げ、種結晶Ｓをシリコン融液１に着液させる。その後、ワイヤ巻き取り機構２５を用いてシードチャック２３を鉛直方向に引き上げることにより、シリコン単結晶を育成する。
【００２７】
次に、シードチャック２３の位置と非接触温度計１７の計測値との関係について説明する。
【００２８】
図２はシードチャック２３による輻射熱の影響を説明するための図であり、（ａ）はシードチャック２３の位置がシリコン融液１の液面から相対的に遠い場合を示し、（ｂ）はシードチャック２３の位置がシリコン融液１の液面から相対的に近い場合を示している。
【００２９】
図２（ａ）に示すように、使用する種結晶Ｓの長さＬが長い場合には、着液直前において種結晶Ｓをシリコン融液１の表面に近づけると、シードチャック２３の位置はシリコン融液１の液面からある程度遠くなる。このため、シードチャック２３からの輻射熱が非接触温度計１７の計測値に与える影響は少なくなる。つまり、非接触温度計１７の計測値は、シリコン融液１の実際の温度よりも僅かに高い値にとどまる。
【００３０】
これに対し、図２（ｂ）に示すように使用する種結晶Ｓの長さＬが短い場合には、着液直前において種結晶Ｓをシリコン融液１の表面に近づけると、シードチャック２３の位置はシリコン融液１の液面にかなり近くなる。このため、シードチャック２３からの輻射熱が非接触温度計１７の計測値に与える影響は、図２（ａ）のケースに比べて大きくなる。つまり、非接触温度計１７の計測値は、シリコン融液１の実際の温度が同じであっても図２（ａ）のケースよりも高くなる。
【００３１】
図２（ａ），（ｂ）に示すように種結晶Ｓの長さＬが様々であるのは、シリコン単結晶の引き上げが完了した後、引き上げられたシリコン単結晶から種結晶Ｓを切り離して再利用する場合などに生じる。この場合、シリコン融液１に浸漬した分だけ種結晶Ｓが融解するため、再利用するたびに種結晶Ｓの長さは短くなる。
【００３２】
図３は、変換テーブル４１の内容を説明するためのグラフである。
【００３３】
変換テーブル４１は、非接触温度計１７の目標計測温度Ｔと種結晶Ｓの長さＬの関数からなり、図３に示すように、種結晶Ｓの長さＬが短いほど目標計測温度Ｔは高くなる。その理由は図２を用いて説明したとおりであり、種結晶Ｓの長さＬが短くなるほどシードチャック２３からの輻射熱の影響が大きくなり、非接触温度計１７の計測値が実際よりも高く表示されるからである。
【００３４】
このような変換テーブル４１は、過去に種結晶Ｓの着液に成功した際の非接触温度計１７の計測値と当該種結晶Ｓの長さＬとの関係を集計することによって、目標計測温度Ｔと長さＬの関数を導き出すことにより作成すればよい。ここで、「種結晶Ｓの着液に成功」とは、シリコン融液１の温度が低すぎた結果、種結晶の着液によってシリコン融液の表面が固化し、正しくシリコン単結晶を引き上げることができなくなった失敗ケースや、シリコン融液１の温度が高すぎた結果、種結晶Ｓが溶解してしまい、シリコン単結晶の引き上げができなくなってしまった失敗ケースとは異なり、転位のない正しくシリコン単結晶の引き上げに成功したケースを指す。この場合も、種結晶Ｓの着液に成功した際の非接触温度計１７の計測値は、シリコン融液１の実際の温度を示しているとは限らず、シードチャック２３からの輻射熱の影響により実際の温度よりも若干高い温度を示しているはずである。
【００３５】
尚、変換テーブル４１は、目標計測温度Ｔと種結晶Ｓの長さＬとの関係を示す数式である必要はなく、複数の種結晶Ｓの長さＬに対してそれぞれ目標計測温度Ｔが割り当てられた形式のテーブルであっても構わない。
【００３６】
次に、本発明の好ましい実施形態によるシリコン単結晶の製造方法について説明する。
【００３７】
図４は、本実施形態によるシリコン単結晶の製造方法を説明するためのフローチャートである。
【００３８】
まず、着液温度決定手段４０に格納する変換テーブル４１の作成を行う（ステップＳ１）。作成の方法は既に説明したとおりであり、種結晶Ｓの着液に成功した際の非接触温度計１７の計測値と当該種結晶Ｓの長さＬとの関係を集計すればよい。変換テーブル４１の作成は、当該シリコン単結晶引き上げ装置１０を用いて行うことが望ましいが、同じ構成を有する限り、当該シリコン単結晶引き上げ装置１０とは別の装置を用いても構わない。これは、同じ構成を有する装置であれば、シードチャック２３からの輻射熱の影響は各装置においてほぼ等しいとみなすことができるからである。このことは、ある装置を用いて変換テーブル４１を作成した後、この変換テーブル４１を同じ構成を有する複数の装置において共有できることを意味する。
【００３９】
次に、オペレータによって種結晶Ｓの長さを入力デバイス５０に入力する（ステップＳ２）。入力された種結晶Ｓの長さに関するデータは着液温度決定手段４０に送信され、変換テーブル４１を参照することによって目標計測温度Ｔに変換する（ステップＳ３）。
【００４０】
次に、制御手段３０によってワイヤ巻き取り機構２５を制御し、シードチャック２３の位置を下げることによって種結晶Ｓをシリコン融液１の表面に近づける（ステップＳ４）。この状態で非接触温度計１７によってシリコン融液１の温度を測定し、目標計測温度Ｔと非接触温度計１７の計測値との差が所定値以下になったか否かを判断する（ステップＳ５）。その結果、両者の差が所定値以下、好ましくは両者が一致した場合、シリコン融液１の実際の温度が適温であると判断し、制御手段３０の制御によってシードチャック２３の位置をさらに下げ、種結晶Ｓをシリコン融液１に着液させる（ステップＳ６）。ここで、ステップＳ５において目標計測温度Ｔと非接触温度計１７の計測値との差が所定値以下となった場合に適温と判断しているのは、両者の完全一致を要件とすると温度制御が困難となるおそれがあるからである。
【００４１】
その後は通常の工程と同様、シードチャック２３を鉛直方向に引き上げることによってシリコン単結晶を育成する。また、上記の方法によって着液に成功した場合、そのデータを変換テーブル４１に追加することによって変換テーブル４１の内容を更新しても構わない。
【００４２】
このように、本実施形態によれば、シードチャック２３からの輻射熱の影響を考慮して種結晶Ｓの着液タイミングを判断していることから、着液に失敗する可能性が著しく少なくなる。これにより、着液時におけるシリコン融液１の温度が不適切であることによる種結晶のロスや生産性の低下が防止されるため、生産コストを低減することが可能となる。
【００４３】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能であり、それらも本発明の範囲内に包含されるものであることはいうまでもない。
【００４４】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこの実施例に何ら限定されるものではない。
【実施例１】
【００４５】
図１に示したシリコン単結晶引き上げ装置１０と同じ構成を有する装置を用い、種結晶の長さと着液時における非接触温度計の計測値との関係をプロットした。結果を図５に示す。図５においては、着液に成功したケースを●印で示し、シリコン融液の温度が低すぎるために着液時に失敗したケースを◆印で示し、シリコン融液の温度が高すぎるために着液時に失敗したケースを▲印で示している。
【００４６】
図５に示すように、着液に成功した温度と種結晶の長さとの間には明確な相関が確認され、左上がりの近似線Ａを引くことが可能であった。次に、前回着液に成功した条件（種結晶の長さ＝２６０ｍｍ、非接触温度計の計測値＝１４９７℃）から、種結晶の長さが１８５ｍｍである場合の着液温度条件を算出した。実施例においては、近似線Ａに沿って目標計測温度を１５１２℃とした。また、比較例では前回の条件と同じ１４９７℃とした。
【００４７】
その結果、目標計測温度を１５１２℃とした実施例では着液に成功し、転位のないシリコン単結晶の引き上げに成功した。これに対し、目標計測温度を１４９７℃とした比較例では着液と同時にシリコン融液の表面が固化し、引き上げを行うことができなかった。これにより、種結晶の長さに応じて目標計測温度を変えることによって、実際に適切な温度で着液できることが確認された。
【符号の説明】
【００４８】
１      シリコン融液
１０    シリコン単結晶引き上げ装置（シリコン単結晶の製造装置）
１１    チャンバ
１１ａ  窓
１２    ルツボ
１３    石英ルツボ
１４    グラファイトサセプタ
１５    ヒータ
１６    熱輻射シールド
１７    非接触温度計
１９    ヒートシールド
２０    断熱体
２１    シャフト
２２    シャフト駆動機構
２３    シードチャック
２４    ワイヤ
２５    ワイヤ巻き取り機構
２６    ガス導入口
２７    ガス排出口
２８，２９    バルブ
３０    制御手段
４０    着液温度決定手段
４１    変換テーブル
４２    検出信号
５０    入力デバイス
Ｓ      種結晶
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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