(57)【要約】【課題】本発明は、素子の形状を安定させることができる電子部品用セラミック絶縁基板を提供することを目的とするものである。【解決手段】そして、この目的を達成するために、本発明の電子部品用セラミック絶縁基板は、複数の素子が形成された部品領域１１の周辺部にダミー領域１２を有し、前記部品領域１１の表面は複数の製品部１３が区画され、前記ダミー領域１２に、前記部品領域１１を囲むような凹部１４を設けたものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の素子が形成された部品領域の周辺部にダミー領域を有し、前記部品領域の表面は複数の製品部が区画され、前記ダミー領域に、前記部品領域を囲むような凹部を設けた電子部品用セラミック絶縁基板。
【請求項２】
複数の製品部は縦方向、横方向の分割溝によって区画され、前記分割溝と凹部を同じ方法で同時に形成することによって設けた請求項１記載の電子部品用セラミック絶縁基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チップ抵抗器等のチップ状電子部品を多数個取りにより製造する際に使用される電子部品用セラミック絶縁基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のこの種の電子部品用セラミック絶縁基板１は、図４に示すように、内側に部品領域２を、周辺部にダミー領域３を有し、部品領域２の表面に複数の縦横の分割溝４ａ、４ｂが設けられ、この分割溝４ａ、４ｂによって複数の製品部５が区画されていた。そして、１つの製品部５にはチップ抵抗器の抵抗体等の素子がフォトリソグラフィー工法によって形成される。
【０００３】
なお、この出願の発明に関する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−１１２２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来の電子部品用セラミック絶縁基板１においては、フォトリソグラフィー工法によってパターンを形成する場合にその上面に形成された素子上にスピンコート工法またはロールコート工法によりフォトレジスト膜を形成しようとすると、図５に示すように、フォトレジスト膜６の膜厚について、フォトレジスト膜６の表面張力によって電子部品用セラミック絶縁基板１の周縁部分が他の部分より厚くなるため、このフォトレジスト膜６に近接させたフォトマスクを介して露光する際、周縁部分でフォトレジスト膜６が厚くなった部分（エッジビーズ部）とマスクが干渉し、パターンを形成する領域のマスクとフォトレジスト膜６との隙間寸法が安定して制御できず、これにより、抵抗体等の素子において露光時のＵＶ光の回折現象の程度が露光領域により変化しパターンの線幅がばらつく可能性があるため、それぞれの素子を一定の形状、寸法にパターンニングできず、安定した特性が得られない場合があるという課題を有していた。
【０００６】
本発明は上記従来の課題を解決するもので、安定した特性を得ることができる電子部品用セラミック絶縁基板を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は以下の構成を有するものである。
【０００８】
本発明の請求項１に記載の発明は、複数の素子が形成された部品領域の周辺部にダミー領域を有し、前記部品領域の表面は複数の製品部が区画され、前記ダミー領域に、前記部品領域を囲むような凹部を設けたもので、この構成によれば、スピンコート工法またはロールコート工法により形成されるフォトレジスト膜の電子部品用セラミック絶縁基板の周縁部分の余分な量を凹部に流し込むことができるため、マスクとフォトレジスト膜の隙間の寸法を均一にでき、これにより、抵抗体等の素子において露光される箇所がばらつく可能性を低減できるため、それぞれの素子を一定の形状、寸法にパターンニングでき、この結果、安定した特性が得られるという作用効果が得られるものである。
【０００９】
本発明の請求項２に記載の発明は、特に、複数の製品部は縦方向、横方向の分割溝によって区画され、前記分割溝と凹部を同じ方法で同時に形成することによって設けたもので、この構成によれば、生産性を向上させることができるという作用効果が得られるものである。
【発明の効果】
【００１０】
以上のように本発明の電子部品用セラミック絶縁基板は、ダミー領域に、部品領域を囲むような凹部を設けているため、スピンコート工法またはロールコート工法により形成されるフォトレジスト膜の電子部品用セラミック絶縁基板の周縁部分の余分な量を凹部に流し込むことができ、これにより、マスクとフォトレジスト膜の隙間の寸法を均一にできるため、抵抗体等の素子において露光される箇所がばらつく可能性を低減でき、安定した特性が得られるという優れた効果を奏するものである。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施の形態における電子部品用セラミック絶縁基板の上面図
【図２】（ａ）同電子部品用セラミック絶縁基板の分割溝の断面図、（ｂ）同電子部品用セラミック絶縁基板の凹部の断面図
【図３】同電子部品用セラミック絶縁基板のフォトレジスト膜との関係を示す側面図
【図４】従来の電子部品用セラミック絶縁基板の上面図
【図５】同電子部品用セラミック絶縁基板のフォトレジスト膜との関係を示す側面図
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の一実施の形態における電子部品用セラミック絶縁基板について、図面を参照しながら説明する。
【００１３】
図１は本発明の一実施の形態における電子部品用セラミック絶縁基板１０の上面図である。
【００１４】
本発明の一実施の形態における電子部品用セラミック絶縁基板１０は、図１に示すように、複数の素子が形成された部品領域１１の周辺部にダミー領域１２を有し、前記部品領域１１の表面は複数の製品部１３が区画され、前記ダミー領域１２に、前記部品領域１１を囲むような凹部１４を設けるようにしている。
【００１５】
上記構成において、電子部品用セラミック絶縁基板１０は、アルミナ等の絶縁材料で構成され、上面視矩形状のシート状になっている。
【００１６】
また、前記部品領域１１は、電子部品用セラミック絶縁基板１０の中央部分に位置し、複数の縦方向の分割溝１５ａと複数の横方向の分割溝１５ｂが設けられ、この分割溝１５ａ、１５ｂによって複数の製品部１３が区画されている。なお、分割溝１５ａ、１５ｂは、ダイシング、レーザースクライブあるいは電子部品用セラミック絶縁基板１０の成形時に金型で同時プレスすることによって、かつ電子部品用セラミック絶縁基板１０を貫通しないように形成されている。そして、部品領域１１には抵抗体等の素子が複数形成されている。この素子は１つの製品部１３に１つまたは複数設けられる。なお、説明を簡単にするために、図１では、製品部１３が縦に４個、横に３個形成されたものを示す。
【００１７】
さらに、前記ダミー領域１２は、電子部品用セラミック絶縁基板１０の周辺部において部品領域１１を囲むように位置している。また、ダミー領域１２には、製品部１３や素子は形成されない。なお、図１ではダミー領域１２に分割溝１５ａ、１５ｂ（ダミー分割溝）が形成されているが、分割溝を形成しなくてもよい。
【００１８】
そして、前記凹部１４は、ダミー領域１２において、前記部品領域１１の周囲を一周して囲むように形成されている。この凹部１４は、ダイシング、レーザースクライブあるいは電子部品用セラミック絶縁基板１０の成型時に金型で同時プレスすることによって、電子部品用セラミック絶縁基板１０を貫通しないように形成される。
【００１９】
また、凹部１４は、分割溝１５ａ、１５ｂによって電子部品用セラミック絶縁基板１０を分割するときも、割れないように構成されている。すなわち、図２（ａ）に示すように、分割溝１５ａ、１５ｂは、割れやすいように、底面が尖っているのに対し、凹部１４は、図２（ｂ）に示すように、割れにくいように、底面が平面になっている。さらに、凹部１４の深さは、電子部品用セラミック絶縁基板１０の厚みの１／２以下となっている。
【００２０】
そして、凹部１４と電子部品用セラミック絶縁基板１０の端縁との距離を、隣り合う縦方向の分割溝１５ａ同士の距離、または隣り合う横方向の分割溝１５ｂ同士の距離の１／２以下にすれば、凹部１４で割れにくくなる。
【００２１】
なお、凹部１４で割れてもよいが、この場合、凹部１４で割れたことによって得られる欠片の面積を、製品部１３の面積より小さくして、ふるいによって選別できるようにする必要がある。また、凹部１４を電子部品用セラミック絶縁基板１０の端縁まで延ばしてもよい。
【００２２】
さらに、この凹部１４に、電子部品用セラミック絶縁基板１０の周縁のフォトレジスト膜が流れ込むようになっており、その容積は、塗布されるフォトレジスト膜の量と膜厚を勘案して、凹部１４からフォトレジスト膜が溢れないように設定すればよい。
【００２３】
そしてまた、凹部１４は、フォトレジスト膜が最も厚くなる箇所に形成するのが好ましい。
【００２４】
次に、本発明の一実施の形態における電子部品用セラミック絶縁基板を用いた電子部品の製造方法を、薄膜チップ抵抗器を例に説明する。
【００２５】
まず、部品領域１１の周辺部にダミー領域１２を有する電子部品用セラミック絶縁基板１０を用意する。このとき、ダイシング、レーザースクライブあるいは電子部品用セラミック絶縁基板１０の成型時に金型で同時プレスすることによって、複数の縦方向の分割溝１５ａ、複数の横方向の分割溝１５ｂと凹部１４を同時に形成する。これにより、別々に形成する場合と比べて生産性を向上させることができる。
【００２６】
また、分割溝１５ａ、分割溝１５ｂは、少なくとも前記部品領域１１の表面に形成し、この分割溝１５ａ、１５ｂによって複数の製品部１３を区画する。そして、凹部１４は、電子部品用セラミック絶縁基板１０のダミー領域１２において部品領域１１の周囲を連続して囲むように形成する。
【００２７】
なお、縦方向の分割溝１５ａと横方向の分割溝１５ｂを異なる方法で形成してもよく、この場合、縦方向の分割溝１５ａと縦方向の凹部１４を同じ方法で同時に形成し、横方向の分割溝１５ｂと横方向の凹部１４を同じ方法で同時に形成する。さらに、縦方向の分割溝１５ａと横方向の分割溝１５ｂを形成した後、ダイシングやレーザースクライブによって凹部１４を形成してもよい。
【００２８】
次に、横方向の分割溝１５ｂを跨ぐように、金を含む樹脂を印刷して、一対の電極を形成する。
【００２９】
次に、電子部品用セラミック絶縁基板１０の少なくとも部品領域１１全面にスパッタすることによりＮｉＣｒ合金膜よりなる金属薄膜層を形成する。
【００３０】
次に、電子部品用セラミック絶縁基板１０の中心部における金属薄膜層の上にフォトレジスト材料を滴下する。そして、スピンコート法により、フォトレジスト材料を遠心力で周囲に向かって薄く広がるようにする。このとき、凹部１４に、電子部品用セラミック絶縁基板１０の周縁部分に広がってきたフォトレジスト膜が流れ込むようにし、フォトレジスト膜の厚みを均等にする。なお、フォトレジスト膜をロールコート工法によって形成してもよい。
【００３１】
次に、フォトレジスト層の上にマスクを配置し、露光して、溶剤で現像する。このようにして、フォトレジスト層をパターンニングする。
【００３２】
次に、エッチングしてパターンニングされた金属薄膜層を得る。その後、溶剤を用いてフォトレジスト層を除去する。
【００３３】
その後、所定の保護膜や端面電極の形成、および分割溝１５ａ、１５ｂに沿って分割し、素子として金属薄膜層を有する個片状の製品部１３（薄膜チップ抵抗器）を複数作製する。
【００３４】
上記のように本発明の一実施の形態における電子部品用セラミック絶縁基板は、ダミー領域１２に、部品領域１１を囲むような凹部１４を設けているため、スピンコート工法またはロールコート工法により形成されるフォトレジスト膜の電子部品用セラミック絶縁基板の周縁部分の余分な量を凹部１４に流し込むことができ、これにより、マスクとフォトレジスト膜の隙間寸法を均一にできるため、露光時のＵＶの回折現象が露光領域によって変化することはないため、それぞれの素子を一定の形状、寸法にパターンニングでき、この結果、安定した特性が得られるという効果が得られるものである。
【００３５】
すなわち、スピンコート工法やロールコート工法によりフォトレジスト膜を形成する場合、表面張力で電子部品用セラミック絶縁基板１０の周縁部のフォトレジスト膜の膜厚が厚くなっても、凹部１４に余分なフォトレジスト膜を流し込むことができるため、図３に示すように、フォトレジスト膜１６の厚みを一定にしかつその上面を平滑にすることができる。この結果、マスクとフォトレジスト膜の隙間寸法が、１枚の電子部品用セラミック絶縁基板において場所によって異なったり、ロット間で異なったりするのを防止できるため、抵抗体等の素子において露光される箇所がばらつく可能性を低減でき、これにより、例えば、抵抗体の形状を所定の形状、寸法にパターンニングすることができるため、抵抗値を安定させることができる。
【００３６】
一方、図５において、電子部品用セラミック絶縁基板１の他の部分より厚くなっている周縁部分を削ったり、電子部品用セラミック絶縁基板１の端縁を研磨してＣ面あるいはＲ面を付けたりすることも考えられるが、この場合は、工程が増えてしまい、生産性が悪化するが、本発明のようにすれば、生産性が悪化することはない。
【００３７】
なお、上記した本発明の一実施の形態における電子部品用セラミック絶縁基板は、その表面に分割溝１５ａ、１５ｂを形成するようにしたが、分割溝を形成しなくてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明に係る電子部品用セラミック絶縁基板は、素子の形状を安定させることができるという効果を有するものであり、特に、チップ抵抗器等のチップ状電子部品を多数個取りにより製造する際に使用される電子部品用セラミック絶縁基板等において有用となるものである。
【符号の説明】
【００３９】
１０  電子部品用セラミック絶縁基板
１１  部品領域
１２  ダミー領域
１３  製品部
１４  凹部
１５ａ  縦方向の分割溝
１５ｂ  横方向の分割溝
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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