(57)【要約】【課題】工程が煩雑化することなく低温加熱で容易にカルコパイライト型化合物を製造できるようにする。【解決手段】ＣｕＩやＩｎＩ３等の金属塩からなる２種類以上のカチオン原料をオレイルアミンに溶解させて第１の溶液を作製すると共に、ビストリメチルシリルスルフィド等のアルキルシリル化イオウ化合物をオクタデセンに溶解させて第２の溶液を作製し、第１の溶液と第２の溶液とを混合して混合溶液を作製し、該混合溶液を１６０℃の低温で加熱処理し、ＣｕＩｎＳ２等のカルコパイライト構造を有する化合物半導体のナノ粒子を作製する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属塩からなる２種類以上のカチオン原料とアルキルシリル化イオウ化合物とを液相で反応させ、カルコパイライト構造を有する化合物半導体粒子を作製することを特徴とする化合物半導体粒子の製造方法。
【請求項２】
前記液相での反応は、１６０℃以下の低温加熱下で行うことを特徴とする請求項１記載の化合物半導体粒子の製造方法。
【請求項３】
前記カチオン原料を第１の有機溶媒に溶解させて第１の溶液を作製すると共に、前記アルキルシリル化イオウ化合物を第２の有機溶媒に溶解させて第２の溶液を作製し、前記第１の溶液と前記第２の溶液とを混合して混合溶液を作製し、該混合溶液を所定の低温で加熱処理することを特徴とする請求項１記載の化合物半導体粒子の製造方法。
【請求項４】
前記カチオン原料を第１の有機溶媒に溶解させて第１の溶液を作製すると共に、前記アルキルシリル化イオウ化合物を第２の有機溶媒に溶解させて第２の溶液を作製し、前記第１の溶液を所定の低温で加熱処理し、加熱された前記第１の溶液に前記第２の溶液を添加することを特徴とする請求項１記載の化合物半導体粒子の製造方法。
【請求項５】
前記所定の低温は１６０℃以下であることを特徴とする請求項３又は請求項４記載の化合物半導体粒子の製造方法。
【請求項６】
前記カルコパイライト構造は、周期律表のＩ−III−VI２族、II−III２−VI４族、I２−II−IV−VI４族に属する元素で構成され、VI族に属する元素がイオウであることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の化合物半導体粒子の製造方法。
【請求項７】
前記アルキルシリル化イオウ化合物は、ビストリメチルシリルスルフィド及びビストリルエチルシリルスルフィドを含むことを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の化合物半導体粒子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化合物半導体粒子の製造方法に関し、より詳しくは、カルコパイライト構造を有する化合物半導体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
化合物半導体の一種であるカルコパイライト型化合物は、光電子素子用材料として注目されている。
【０００３】
このカルコパイライト型化合物は、立方晶系の閃亜鉛鉱型構造をｃ軸方向に２段重ねしたような正方晶系の結晶構造を有しており、Ｉ−III−VI２族、II−III２−VI４族、I２−II−IV−VI４族化合物等、種々の化合物の存在が知られている。
【０００４】
このカルコパイライト型化合物は、直接遷移半導体であることから、光吸収特性に優れ、光劣化が生じにくく、また耐放射性に優れていることから、Ｓｉに代わる新しい太陽電池材料として期待されている。さらに、カルコパイライト型化合物は、広範なバンドギャップをカバーすることができ、幅広い波長をカバーできることから赤外域から紫外域に至るまでの発光・受光素子として利用することも可能である。
【０００５】
一方、粒径が１０ｎｍ以下のナノ粒子は、量子サイズ効果を利用した広い波長範囲での制御が可能であることから、太陽電池や発光ダイオード（ＬＥＤ）等の光電変換バイスへの応用が注目されている。
【０００６】
そこで、近年、カルコパライライト型化合物のナノ粒子作製技術が盛んに研究されている。
【０００７】
例えば、特許文献１には、カルコパイライト構造を有するI-III-VI２族の元素それぞれ１種の元素からなる第１化合物であって、前記第１化合物からなる粒子は、外径が０．５〜２０．０ｎｍで、励起光によって励起される光波を発する蛍光量子収率が室温で３．０％以上２０．０％以下である蛍光体が提案されている。
【０００８】
この特許文献１では、カルコパイライト構造の化合物を構成する複数の種類の元素の原料塩を、前記複数の種類の元素の錯化剤を添加した溶液に溶解させて混合した第１溶液、及びカルコゲナイトを溶解させた第２溶液を混合し、所定の前処理条件下で前処理した後に、所定の加熱条件で加熱処理することにより、蛍光体を作製している。
【０００９】
具体的には、特許文献１では、ヨウ化銅（Ｉ）とヨウ化インジウム（III）をオレイルアミンに溶解させて第１溶液を作製し、チオアセトアミドをトリオクチルフォスフィンに溶解させて第２溶液を作製している。そして、これら第１溶液及び第２溶液を混合した反応溶液を、アルゴン雰囲気下、温度２５℃で、基本的に２４時間熟成させ、その後、反応溶液を温度１６０℃から２８０℃で３秒から１０分間加熱して反応させ、これによりＣｕＩｎＳ２からなる蛍光体を作製している。
【００１０】
また、特許文献１には、カルコゲンを含有したカルコゲナイド化合物として、チオアセトアミドの他、硫化水素、チオ尿素、トリオクチルフォスフィンスルフィド等を使用することができ、さらに、イオウを直接金属塩と反応させてカルコパイライト型化合物を得ることも可能とされている。
【００１１】
また、特許文献２には、周期律表第Ｉｂ族金属化合物、第IIIｂ族金属化合物、および第VIｂ族化合物を有機溶媒中で混合してナノ粒子を形成するようにしたカルコパイライトナノ粒子の製造方法が提案されている。
【００１２】
この特許文献２では、カルコパイライトナノ粒子を２段階工程を経て作製する方法、及び１工程で作製する方法が記載されている。
【００１３】
前記２段階工程を経て作製する場合は、まず、硫酸銅とオレイルアミンをジオクチルエーテル中で混合し、アルゴン雰囲気下に数分間撹拌した後、１００℃まで昇温し、イオウをドデカンチオールに溶解させた溶液を添加し、撹拌した後、遠心分離し、これにより硫化銅ナノ粒子を得る（第１段階）。
【００１４】
次いで、酢酸インジウムと１−ドデカンチオールをトリオクチルアミン中で混合し、アルゴン雰囲気下で撹拌しながら９０℃まで昇温し、硫化銅ナノ粒子をトリオクチルアミンに溶解させた溶液を添加し、２００℃で３０分間撹拌し、これによりカルコパイライトナノ粒子であるＣｕＩｎＳ２を得ている（第２段階）。
【００１５】
一方、前記１工程で作製する場合は、酢酸銅および酢酸インジウムと１−ドデカンチオールをトリオクチルアミン中で混合し、アルゴン雰囲気下で攪拌しながら９０℃まで昇温し、所定時間撹拌した後、２００℃まで加熱し３０〜１２０分間撹拌し、これによりカルコパイライトナノ粒子であるＣｕＩｎＳ２を得ている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】特開２００７−１６９６０５号公報（請求項１、２１、２６、段落番号〔００５１〕、〔００５２〕）
【特許文献２】特開２００８−１９２５４２号公報（請求項１、段落番号〔００５０〕、〔００５２〕）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
しかしながら、特許文献１及び２の作製方法では、以下のような問題があった。
【００１８】
すなわち、特許文献１では、ナノ粒子の作製過程で、前駆体溶液である第２溶液を長時間（例えば、２４時間）をかけて室温で熟成しなければならず、このため最終生成物を得るまでに長時間を要し、生産性に劣るという問題があった。すなわち、カルコゲナイド化合物として、反応性の低いチオアセトアミドを使用しているため、熟成時間に長時間を要し、このため生産性に劣るという問題があった。
【００１９】
また、カルコゲナイド化合物として、硫化水素やチオ尿素を使用した場合は、これらは毒性が強いことから、環境面に配慮しなければならず、高価な周辺設備が必要になる。
【００２０】
また、カルコゲナイド化合物として、トリオクチルフォスフィンスルフィドを使用した場合は、チオアセトアミドと同様、反応性が低い上に高価であり、材料コストが高くなる。
【００２１】
さらに、カルコゲンとしてのイオウ単体を使用した場合は、高温で反応させる必要があり、高エネルギーを要するため、生産効率に劣り、しかも製造設備も高価になる。
【００２２】
一方、特許文献２では、２段階工程で作製する場合はＣｕＳナノ粒子を作製してからＩｎをドープしているため、工程が煩雑になる。また、１工程で作製する場合、２００℃の高温で長時間（例えば、３０〜１２０分）加熱しなければならず、高いエネルギーを要し、生産効率に劣る上に製造設備も高価になる。
【００２３】
本発明はこのような事情に鑑みなされたものであって、工程が煩雑化することなく低温加熱で容易にカルコパイライト型化合物を製造することができる化合物半導体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２４】
本発明者は、上記目的を達成するために鋭意研究を行ったところ、カルコゲンを含有したカルコゲナイド化合物にアルキルシリル化イオウ化合物を使用することにより、低温加熱でもって金属塩からなるカチオン原料と容易に反応させることができ、これによりカルコパイライト型化合物を低エネルギーで効率よく製造することができるという知見を得た。
【００２５】
本発明はこのような知見に基づきなされたものであって、本発明に係る化合物半導体粒子の製造方法は、金属塩からなる２種類以上のカチオン原料とアルキルシリル化イオウ化合物とを液相で反応させ、カルコパイライト構造を有する化合物半導体粒子を作製することを特徴としている。
【００２６】
また、本発明の化合物半導体粒子の製造方法は、前記液相での反応は、１６０℃以下の低温加熱下で行うのが好ましい。
【００２７】
また、本発明の化合物半導体粒子の製造方法は、前記カチオン原料を第１の有機溶媒に溶解させて第１の溶液を作製すると共に、前記アルキルシリル化イオウ化合物を第２の有機溶媒に溶解させて第２の溶液を作製し、前記第１の溶液と前記第２の溶液とを混合して混合溶液を作製し、該混合溶液を所定の低温で加熱処理するのも好ましい。
【００２８】
また、本発明の化合物半導体粒子の製造方法は、前記カチオン原料を第１の有機溶媒に溶解させて第１の溶液を作製すると共に、前記アルキルシリル化イオウ化合物を第２の有機溶媒に溶解させて第２の溶液を作製し、前記第１の溶液を所定の低温で加熱処理し、加熱された前記第１の溶液に前記第２の溶液を添加するのも好ましい。
【００２９】
また、本発明の化合物半導体粒子の製造方法は、前記所定の低温が１６０℃以下であるのが好ましい。
【００３０】
また、本発明の化合物半導体粒子の製造方法は、前記カルコパイライト構造が、周期律表のＩ−III−VI２族、II−III２−VI４族、I２−II−IV−VI４族に属する元素で構成され、VI族に属する元素がイオウであるのが好ましい。
【００３１】
また、本発明の化合物半導体粒子の製造方法は、前記アルキルシリル化イオウ化合物は、ビストリメチルシリルスルフィド及びビストリルエチルシリルスルフィドを含むのが好ましい。
【発明の効果】
【００３２】
上記化合物半導体粒子の製造方法によれば、金属塩からなるカチオン原料とビストリメチルシリルスルフィドやビストリルエチルシリルスルフィド等のアルキルシリル化イオウ化合物とを液相で反応させ、Ｉ−III−VI２族、II−III２−VI４族、I２−II−IV−VI４族等のカルコパイライト構造を有する化合物半導体粒子を作製するので、カチオン原料とカルコゲナイト化合物とを低温下で合成させることができ、工程の煩雑化を招くことなく、カルコパイライト型化合物を低コストで容易に製造することができる。
【００３３】
また、前記液相での反応を、１６０℃以下の低温加熱下で行うことにより、エネルギーコストも抑制することができ、特殊な設備も要することなくカルコパイライト型化合物を得ることができる。
【００３４】
また、前記カチオン原料を第１の有機溶媒に溶解させて第１の溶液を作製すると共に、前記アルキルシリル化イオウ化合物を第２の有機溶媒に溶解させて第２の溶液を作製し、前記第１の溶液と前記第２の溶液とを混合して混合溶液を作製し、該混合溶液を所定の低温（例えば、１６０℃以下）で加熱処理するので、第１及び第２の有機溶媒は、比較的低沸点の有機溶媒も使用可能であり、有機溶媒の選択の自由度を拡げることができる。
【００３５】
前記カチオン原料を第１の有機溶媒に溶解させて第１の溶液を作製すると共に、前記アルキルシリル化イオウ化合物を第２の有機溶媒に溶解させて第２の溶液を作製し、前記第１の溶液を所定の低温（例えば、１６０℃以下）で加熱処理し、加熱された前記第１の溶液に前記第２の溶液を添加する場合も、上述と同様、比較的低沸点の有機溶媒も使用可能であり、有機溶媒の選択の自由度を拡げることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】実施例試料のＸ線回折スペクトルを示す図である。
【図２】比較例試料のＸ線回折スペクトルを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
次に、本発明を実施するための形態を詳説する。
【００３８】
本発明に係る化合物半導体粒子の製造方法は、金属塩からなる２種以上のカチオン原料とアルキルシリル化イオウ化合物とを液相で反応させ、カルコパイライト構造を有する化合物半導体粒子を作製している。
【００３９】
カルコパイライト構造を有する化合物半導体は、通常、周期律表のＩｂ〜IVｂ族に属する金属元素を含有した金属塩からなるカチオン原料と、VIｂ族元素であるカルコゲンを含有したカルコゲナイド化合物又はカルコゲン単体との反応により作製することができる。
【００４０】
したがって、この種の化合物半導体では、カルコゲンをイオウ元素で構成する場合、カルコゲナイド化合物としては金属イオンの共存下で反応するイオウ化合物を使用することができる。
【００４１】
しかしながら、〔背景技術〕や〔発明が解決しようとする課題〕の項でも述べたように、イオウ化合物としてチオアセトアミドやトリオクチルフォスフィンスルフィドを使用した場合、これらはいずれも反応性が低く、加熱処理を行う前に長時間をかけて前駆体溶液を熟成しなければならない。
【００４２】
一方、硫化水素やチオ尿素を使用した場合は、その毒性から環境面の配慮が必要となり、このため高価な設備が必要となる。また、イオウ単体を使用した場合は、高温での加熱が必要となり、したがって斯かる高温の加熱温度に耐え得るような高沸点（例えば、沸点３００℃以上）の有機溶剤を使用しなければならず、有機溶剤の選択の自由度が狭い。
【００４３】
そこで、本発明では反応性に富んだアルキルシリル化イオウ化合物をカルコゲナイド化合物に使用することにより、低温加熱下、反応を促進させることができ、これにより工程が煩雑化することもなく低コストでカルコパイライト型化合物のナノ粒子を得ることが可能となる。
【００４４】
すなわち、アルキルシリル化イオウ化合物は、化学的に不安定で反応性に富んでいる。特に、化合物中のＳｉは、イオウやアルキル基との接合を容易に切断して周囲の酸素と結合しようとする結果、イオウはカチオン原料と容易に結合する。
【００４５】
アルキルシリル化イオウ化合物としてビストリルメチルシリルスルフィド（（（ＣＨ３）３Ｓｉ）２Ｓ）を使用した場合について説明すると以下のようになる。
【００４６】
ビストリルメチルシリルスルフィドは化学的に不安定で反応性に富むため、所定温度（例えば、１６０℃）以下の低温であっても、化学式（１）で示すように、Ｓｉは、ＳやＣＨ３との接合を容易に切断して分解し、周囲の酸素（Ｏ）と結合しようとする。そしてその結果、イオウはカチオンと化学結合し易くなり、これにより低温加熱下であってもイオウとカチオンとの反応が促進され、カルコパイライト型化合物を容易に生成することができる。
【００４７】
【化１】
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【００４８】
このように本発明では、カチオン原料とカルコゲナイド化合物とは、低温加熱下で反応が促進され、これにより工程の煩雑化を招くことなく、カルコパイライト型化合物を低コストで容易に製造することができる。
【００４９】
また、アルキルシリル化イオウ化合物とカチオン原料とは低温で反応するので、これらを溶解させるための有機溶剤も低沸点のものを使用することが可能となり、有機溶剤の選択の自由度も拡げることができる。
【００５０】
さらに、アルキルシリル化イオウ化合物は安価で毒性もなく、したがって、煩雑な工程を要することもなく、低コストかつ低エネルギーで容易に作製することが可能となる。
【００５１】
しかも、分子内官能基であるアルキル鎖の鎖長を選択することで反応性を制御することが可能であり、粒径や組成制御の任意性を上げることができる。
【００５２】
このようなアルキルシリル化イオウ化合物としては、特に限定されるものではなく、上述したビストリメチルシリルスルフィドの他、ビストリエチルシリルスルフィド、ビストリプロピルシリルスルフィド等を使用することができる。
【００５３】
以下、上記化合物半導体粒子の製造方法の一例を具体的に詳述する。
【００５４】
まず、金属塩からなる２種類以上のカチオン原料を用意する。
【００５５】
ここで、カチオン原料としては、Ｉｂ〜IVｂ族に属する金属元素を含有した２種以上の金属塩を使用することができ、各種のＣｕ化合物、Ａｇ化合物、Ｚｎ化合物、Ａｌ化合物、Ｇａ化合物、Ｉｎ化合物、Ｇｅ化合物、及びＳｎ化合物等の金属塩を使用することができる。
【００５６】
次に、この２種以上のカチオン原料を最終組成物が得られるように、所定量秤量する。例えば、Ｉ−III―VI２族化合物を作製する場合であれば、Ｉｂ族元素とIIIｂ族元素とがモル比で１：１となるように秤量し、II−III２―VI４化合物を作製する場合であれば、IIｂ族元素とIIIｂ族元素とがモル比で１：２となるように秤量し、また、Ｉ２−II−IV−VI４化合物を作製する場合であれば、Ｉｂ族元素、IIｂ族元素、及びIVｂ族元素がモル比で２：１：１となるように秤量する。ただし、上記モル比は必ずしも化学量論比である必要はなく、必要に応じて化学量論比から僅かにずれていてもよい。
【００５７】
そして、これら秤量されたカチオン原料を第１の有機溶媒に溶解させ、所定温度（例えば、１００℃）下、３０分程度、減圧して酸素や水分を除去し、第１の溶液を作製し、室温に冷却する。ここで、第１の有機溶媒としては、カチオン原料が溶解し、かつ後述する加熱処理に耐えうるものであれば、特に限定されるものではなく、沸点が所定沸点（例えば、沸点１７０℃以上）の有機溶剤、例えばオレイルアミン等の脂肪族アミン、炭素数Ｃが１０以上のアルカンやアルケン、例えば、デカン、ウンデカン、ドデカン、テトラデカン、オクタデカン、デセン、ウンデセン、ドデセン、テトラデセン、オクタデセン等を使用することができる。
【００５８】
次いで、アルキルシリル化イオウ化合物を用意し、最終組成物が得られるように秤量する。例えば、Ｉ−III―VI２族化合物を作製する場合であれば、Ｉｂ族元素とイオウとがモル比で１：２となるように秤量し、II−III２―VI４化合物やＩ２−II−IV−VI４化合物を作製する場合であれば、IIｂ族元素とイオウとがモル比で１：４となるように秤量する。ただし、この場合も上記モル比は必ずしも化学量論比である必要はなく、必要に応じて化学量論比から僅かにずれていてもよい。
【００５９】
そして、これら秤量されたアルキルシリル化イオウ化合物を第２の有機溶媒に溶解させ、第２の溶液を作製する。ここで、第２の有機溶媒としては、アルキルシリル化イオウ化合物が溶解し、かつ後述する加熱処理に耐えうるものであれば、特に限定されるものではなく、第１の有機溶媒と同様の物質を使用することが可能である。
【００６０】
そして、第１の溶液と第２の溶液とを混合し、所定の低温で加熱すると、化学的に不安定で反応性に富んだアルキルシリル化イオウ化合物が分解し、カルコゲンであるイオウがカチオン原料と化学結合し、これによりカルコパイライト型化合物が作製される。ここで、前記所定の低温は、アルキルシリル化イオウ化合物とカチオン原料とが有機溶媒中で反応する温度であればよく、第１及び第２の有機溶媒の選択の自由度を極力拡げる観点からは、１６０℃以下に設定するのが好ましい。
【００６１】
尚、このカルコパイライト型化合物は、アセトン等の多量の有機溶剤を投入して遠心分離を行い、上澄み液を除去し、沈殿物を回収して真空乾燥を行うことにより、ナノ粒子粉末として採取することができる。
【００６２】
生成されるカルコパイライト型化合物としては、Ｉ−III―VI２化合物、II−III２-VI４化合物、Ｉ２−II−IV−VI４化合物やこれらの混晶物等があるが、本実施の形態では、VIｂ族元素がＳで形成されることから、化合物形態としては以下のものを挙げることができる。
【００６３】
すなわち、Ｉ−III―VI２化合物としては、ＣｕＡｌＳ２、ＣｕＧａＳ２、ＣｕＩｎＳ２、ＡｇＡｌＳ２、ＡｇＧａＳ２、ＡｇＩｎＳ２、更にはＣｕＧａＳ２とＣｕＩｎＳ２とを混晶させたＣｕＩｎ0.5Ｇａ0.5Ｓ２等を挙げることができる。また、II−III２―VI４化合物としては、ＺｎＡｌ２Ｓ４、ＺｎＧａ２Ｓ４、ＺｎＩｎ２Ｓ４等を挙げることができる。さらに、Ｉ２−II−IV−VI４化合物としては、Ｃｕ２ＺｎＧｅＳ４、Ｃｕ２ＺｎＳｎＳ４、Ａｇ２ＺｎＧｅＳ４等を挙げることができる。
【００６４】
このように本実施の形態では、金属塩からなるカチオン原料とアルキルシリル化イオウ化合物とを液相で反応させ、カルコパイライト構造を有する化合物半導体粒子を作製するので、カチオン原料とカルコゲナイド化合物とを低温下で合成させることができ、工程の煩雑化を招くことなく、カルコパイライト型化合物を低コストで容易に製造することができる。
【００６５】
また、前記液相での反応を、低温加熱下で行うことができるので、エネルギーコストも抑制することができ、特殊な設備も要することなくカルコパイライト型化合物を得ることができる。
【００６６】
さらに、第１の有機溶媒と第２の有機溶媒との該混合溶液を１６０℃以下の低温で加熱処理することにより、第１及び第２の有機溶媒は、沸点が１７０℃程度の比較的低沸点の有機溶媒も使用可能であり、有機溶媒の選択の自由度を拡げることができる。
【００６７】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではない。上記実施の形態では、第１の溶液と第２の溶液とを混合し、この混合溶液を所定の低温で加熱処理して反応させ、カチオン原料とイオウとを合成させているが、第１の溶液を所定の低温で加熱処理し、この加熱された第１の溶液に第２の溶液を添加することによっても、カチオン原料とイオウとを合成させることが可能である。
【００６８】
次に、本発明の実施例を具体的に説明する。
【実施例１】
【００６９】
〔実施例試料の作製〕
まず、金属塩からなるカチオン原料としてヨウ化銅（ＣｕＩ）及びヨウ化インジウム（ＩｎＩ３）を用意し、第１の有機溶媒として脂肪族アミンであるオレイルアミン（Ｃ18Ｈ25ＮＨ２）を用意した。
【００７０】
そして、ヨウ化銅及びヨウ化インジウムをそれぞれ０．４mmolずつ秤量し、第１の有機溶媒としてのオレイルアミン１２ｍＬに溶解させ、１００℃の温度で３０分間減圧処理し、酸素、及び水分を除去し、第１の溶液を作製し、室温まで冷却した。
【００７１】
次いで、アルキルシリル化イオウ化合物としてのビストリメチルシリルスルフィド（（（ＣＨ３）３Ｓｉ）２Ｓ）０．８mmolを第２の有機溶媒としてのオクタデセン（Ｃ18Ｈ36）８ｍＬに溶解させ、第２の溶液を作製した。
【００７２】
そして、第２の溶液と第１の溶液とを混合して混合溶液を作製し、この混合溶液を１６０℃に加熱して１時間反応させ室温まで冷却した。
【００７３】
その後、大量のアセトンを加え、遠心分離機で１６７ｓ-1の回転速度で１５分間回転させて遠心分離を行い、上澄み液を除去した。その後、アセトン投入→遠心分離→上澄み液除去の一連の工程を３回行い、沈殿物を回収し、室温で真空乾燥を行い、実施例試料を得た。
【００７４】
〔比較例試料の作製〕
上記実施例試料と同様の方法・手順で第１の溶液を作製し、室温まで冷却した。
【００７５】
次いで、イオウ０．８mmolをオクタデセン８ｍＬに溶解させ、第２の溶液を作製した。
【００７６】
そして、第２の溶液と第１の溶液とを混合して混合溶液を作製し、この混合溶液を１６０℃に加熱して１時間反応させ室温まで冷却した。
【００７７】
その後、実施例と同様の方法・手順でアセトン投入→遠心分離→上澄み液除去の一連の工程を４回行い、沈殿物を回収し、室温で真空乾燥を行い、比較例試料を得た。
【００７８】
〔試料の評価〕
実施例試料及び比較例試料についてＸ線回折スペクトルを測定した。
【００７９】
図１は実施例試料のＸ線回折スペクトルであり、図２は比較例試料のＸ線回折スペクトルである。図中、横軸が回折角２θ（℃）、縦軸がＸ線強度（a.u.）である。
【００８０】
比較例試料は、図２に示すように、Ｘ線回折スペクトルに特定元素の存在を示す顕著なピークが生じず、ブロード状態となり、所望のカルコパイライト化合物を作製できなかったことが分かった。
【００８１】
これ対し実施例試料では、図１に示すように、Ｘ線回折スペクトルにＣｕ、Ｉｎ、Ｓの存在を示すピークが表れており、ＣｕＩｎＳ２のカルコパイライト化合物が作製できていることが確認された。また、実施例試料の粒径を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で確認したところ、１０〜５０ｎｍであった。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
カルコパイライト型の化合物半導体を低温での加熱処理で容易に得ることができ、生産性向上に寄与することができる。
【図１】
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【図２】
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