(57)【要約】【課題】本発明は、ＦＬが十分な機械的強度を有する配線回路基板を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、金属支持層と、上記金属支持層上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線用導体層とを有し、上記絶縁層および上記配線用導体層が同一位置において開口された開口部が形成された配線回路基板であって、上記金属支持層が、上記絶縁層および上記配線用導体層を支持する支持部と、上記開口部の一端側から他端側まで伸び、上記支持部とは分離された端子部とを有し、上記配線用導体層は、接続部により上記端子部に接続された配線を有することを特徴とする配線回路基板を提供することにより、上記課題を解決する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持層と、前記金属支持層上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線用導体層とを有し、前記絶縁層および前記配線用導体層が同一位置において開口された開口部が形成された配線回路基板であって、前記金属支持層が、前記絶縁層および前記配線用導体層を支持する支持部と、前記開口部の一端側から他端側まで伸び、前記支持部とは分離された端子部とを有し、
前記配線用導体層は、接続部により前記端子部に接続された配線を有することを特徴とする配線回路基板。
【請求項２】
前記接続部が、前記絶縁層に形成されたビアホール内部における導体であることを特徴とする請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項３】
前記配線用導体層が、前記ビアホール内部における導体および前記開口部の間に形成され、前記配線とは分離された分離部をさらに有することを特徴とする請求項２に記載の配線回路基板。
【請求項４】
前記端子部上に接続用導体層が形成され、前記接続用導体層が前記接続部として用いられることを特徴とする請求項１に記載の配線回路基板。
【請求項５】
前記接続用導体層が、前記端子部上において前記開口部の一端側から他端側まで形成されていることを特徴とする請求項４に記載の配線回路基板。
【請求項６】
前記端子部の表面および裏面にＮｉおよびＡｕの少なくとも一方を含むめっき層が形成されていることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかに記載の配線回路基板。
【請求項７】
請求項６に記載の配線回路基板を製造する配線回路基板の製造方法であって、前記端子部を形成する工程と、前記配線を前記接続部により前記端子部に接続する工程と、前記端子部と前記接続部の表面および裏面にＮｉおよびＡｕの少なくとも一方を含むめっき層を形成する工程と、を有することを特徴とする配線回路基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１から請求項６までのいずれかに記載の配線回路基板を含むことを特徴とするサスペンション用フレキシャー基板。
【請求項９】
請求項１から請求項６までのいずれかに記載の配線回路基板を含むことを特徴とするサスペンション。
【請求項１０】
請求項９に記載のサスペンションと、前記サスペンションの素子実装領域に実装された素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンション。
【請求項１１】
請求項１０に記載の素子付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線回路基板に関し、例えばハードディスクドライブ（以下、ＨＤＤと省略する。）のサスペンション用フレキシャー基板に用いることができる配線回路基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子・電気機器等に用いられている配線回路基板には、外部回路に接続するための端子が形成される。このような端子として、近年の電子・電気機器の高密度化および小型化に対応するために、導体層の片面だけではなくその両面が端子として用いられるフライングリード（以下、ＦＬと省略する。）が知られている。
【０００３】
例えば、ＨＤＤに用いられる配線回路基板である回路付きサスペンション基板においても、端子としてＦＬを有するものがある。ＦＬを有する回路付サスペンション基板は、ステンレススティールからなる金属支持層と、上記金属支持層上に形成されたポリイミドからなる第一絶縁層と、第一絶縁層上に形成され、配線として用いられる、銅からなる配線用導体層と、上記配線用導体層上に形成されたポリイミドからなる第二絶縁層とを備えている。
【０００４】
このような回路付サスペンション基板において、ＦＬは、第二絶縁層を開口させることにより配線用導体層の表面を露出させるとともに金属支持層および第一絶縁層を開口させることにより配線用導体層の裏面を露出させた後に、露出した配線用導体層の両面に、ＮｉめっきまたはＡｕめっき等を施すことにより形成される。このように形成されたＦＬは、例えば、ボンディングツールを用いて、超音波振動を加えることにより、外部回路の端子に接続される。
【０００５】
しかし、このようなＦＬは、露出した銅からなる配線用導体層から構成されるために機械的強度が弱く、超音波接合の際に、その露出した配線用導体層に応力集中して断線しやすいといった問題があった。
【０００６】
特許文献１には、このような問題に対処する方法として、ＦＬを構成する配線用導体層が露出する開口部における端縁部と、その配線用導体層とが交差する部分に、その配線用導体層が伸びる方向と実質的に直行する幅方向に広がる幅広部を、その配線用導体層に形成することによって、ＦＬの機械的強度を補強する技術が提案されている。
【０００７】
さらに、特許文献１には、第一絶縁層および第二絶縁層において、上述した開口部の端縁部側から中央部側に突出する突出部をその開口部に露出した配線用導体層の表裏面に沿うように形成することによって、ＦＬの機械的強度を補強する技術も提案されている。
【０００８】
また、特許文献２には、ＦＬを構成する配線用導体層において、上述した開口部に露出した部分の厚みをその開口部に露出しない部分よりも銅めっき法などにより厚くすることにより、ＦＬの機械的強度を補強する技術が提案されている。
【０００９】
以上のように、特許文献１および２に提案されたＦＬを有する配線回路付サスンペンション基板においては、ＦＬの機械的強度が補強されている。このため、これらの配線回路付サスンペンション基板においては、ＦＬと外部回路の端子を接合する場合にＦＬの断線を防止してそれらの接続信頼性を向上させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特許３６９２３１４号公報
【特許文献２】特開２００６−３１０４９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、特許文献１に提案されたＦＬは十分な機械的強度が得られない可能性があるといった問題があった。また、特許文献２に提案されたＦＬにおいては、ＦＬを構成する配線用導体層において、上述した開口部に露出した部分をその開口部に露出しない部分よりも銅めっき法などにより厚く形成する工程が余分に必要となり、製造コストが大きくなるといった問題が生じる。
【００１２】
本発明は、上記問題点を鑑みてなされたものであり、余分な工程を必要とすることなく製造することができ、ＦＬが十分な機械的強度を有する配線回路基板を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明においては、金属支持層と、上記金属支持層上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線用導体層とを有し、上記絶縁層および上記配線用導体層が同一位置において開口された開口部が形成された配線回路基板であって、上記金属支持層が、上記絶縁層および上記配線用導体層を支持する支持部と、上記開口部の一端側から他端側まで伸び、上記支持部とは分離された端子部とを有し、上記配線用導体層は、接続部により上記端子部に接続された配線を有することを特徴とする配線回路基板を提供する。
【００１４】
本発明によれば、ＦＬが上記金属支持層からなる上記端子部から構成される。このため、露出した配線用導体層から構成されるＦＬよりも、ＦＬの機械的強度を大きくすることができる。
【００１５】
上記発明においては、上記接続部が、上記絶縁層に形成されたビアホール内部における導体であることが好ましい。簡単な構造を有する配線回路基板において、ＦＬの機械的強度を大きくすることができるからである。
【００１６】
上記発明においては、上記配線用導体層が、上記ビアホール内部における導体および上記開口部の間に形成され、上記配線とは分離された分離部をさらに有することが好ましい。上記配線回路基板の機械的強度を大きくすることができるからである。
【００１７】
上記発明においては、上記端子部上に接続用導体層が形成され、上記接続用導体層が上記接続部として用いられることが好ましい。簡単な構造を有する配線回路基板において、ＦＬの機械的強度を大きくすることができるからである。
【００１８】
また、上記接続用導体層が上記端子部に接触する面積を、上記配線が、上記ビアホール内部における導体を介して上記端子部に接続される場合に、上記ビアホール内部における導体が上記端子部に接触する面積よりも、大きくすることができるからである。これにより、上記配線と上記端子部との間の抵抗を、上記配線が、上記ビアホール内部における導体を介して上記端子部に接続される場合よりも、小さくすることができる。
【００１９】
上記発明においては、上記接続用導体層が、上記端子部上において上記開口部の一端側から他端側まで形成されていることが好ましい。ＦＬが上記端子部および上記接続用導体層から構成されることになり、上記接続用導体層が上記端子部を構成する金属支持層よりも導電率が高いことから、ＦＬ自体の抵抗を小さくすることができるからである。
【００２０】
上記発明においては、上記端子部および接続用導体層の表面および裏面にＮｉおよびＡｕの少なくとも一方を含むめっき層が形成されていることが好ましい。ＦＬが上記端子部および上記めっき層から構成されることになり、ＦＬが外部回路と接続する場合に、外部回路が上記めっき層と接触するため、ＦＬと外部回路との接触抵抗が低減されるからである。
【００２１】
また、本発明においては、上記配線回路基板を製造する配線回路基板の製造方法であって、上記端子部を形成する工程と、上記配線を上記接続部により上記端子部に接続する工程と、上記端子部と接続用導体層の表面および裏面にＮｉおよびＡｕの少なくとも一方を含むめっき層を形成する工程と、を有することを特徴とする配線回路基板の製造方法を提供する。
【００２２】
本発明によれば、ＦＬを上記端子部および上記めっき層から構成した配線回路基板を製造することができる。このため、露出した配線用導体層から構成されるＦＬよりも機械的強度が大きいＦＬを有し、かつＦＬと外部回路との接触抵抗が低減した配線回路基板を製造することができる。
【００２３】
また、本発明においては、上記配線回路基板を含むことを特徴とするサスペンション用フレキシャー基板を提供する。
【００２４】
本発明によれば、上記サスペンション用フレキシャー基板において、上記配線回路基板を用いることで、ＦＬの断線を防止してＦＬと外部回路の接続信頼性を向上させることができる。
【００２５】
また、本発明においては、上記配線回路基板を含むことを特徴とするサスペンションを提供する。
【００２６】
本発明によれば、上記サスペンションにおいて、上記配線回路基板を用いることで、ＦＬの断線を防止してＦＬと外部回路の接続信頼性を向上させることができる。
【００２７】
また、本発明においては、上記サスペンションと、上記サスペンションの素子実装領域に実装された素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンションを提供する。
【００２８】
本発明によれば、上記素子付サスペンションにおいて、上記サスペンションを用いることで、ＦＬの断線を防止してＦＬと外部回路の接続信頼性を向上させることができる。
【００２９】
また、本発明においては、上述した素子付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブを提供する。
【００３０】
本発明によれば、上記ハードディスクドライブにおいて、上記素子付サスペンションを用いることで、ＦＬの断線を防止してＦＬと外部回路の接続信頼性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００３１】
本発明においては、ＦＬの機械的強度を大きくすることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の配線回路基板の一例を示す概略平面図である。
【図２】図１に示した接続領域の第１の例を示す概略上面図である。
【図３】図１に示した接続領域の第１の例における金属支持層のみを示す概略上面図である。
【図４】図２および図３のＡ−Ａ断面図である。
【図５】図１に示した接続領域の第２の例を示す概略上面図である。
【図６】図１に示した接続領域の第２の例における金属支持層のみを示す概略上面図である。
【図７】図５および図６のＡ−Ａ断面図である。
【図８】図１に示した接続領域の第３の例を示す概略上面図である。
【図９】図１に示した接続領域の第３の例における金属支持層のみを示す概略上面図である。
【図１０】図８および図９のＡ−Ａ断面図である。
【図１１】図１に示した接続領域の第１の例における金属支持層の変形を示す概略上面図である。
【図１２】図１のＢ−Ｂ断面図であって、本発明における配線の一例を示す概略断面図である。
【図１３】本発明における配線の他の例を示す概略断面図である。
【図１４】図１３のＢ−Ｂ断面図である。
【図１５】図１に示した接続領域の第１の例における絶縁層の変形を示す概略上面図である。
【図１６】図１５のＡ−Ａ断面図である。
【図１７】本発明の配線回路用基板の製造方法の一例を示す概略工程断面図である。
【図１８】本発明の配線回路用基板の製造方法の一例を示す概略工程断面図である。
【図１９】本発明の配線回路用基板の製造方法の他の例を示す概略工程断面図である。
【図２０】本発明の配線回路用基板の製造方法の他の例を示す概略工程断面図である。
【図２１】本発明の配線回路用基板の製造方法の他の例を示す概略工程断面図である。
【図２２】本発明の配線回路用基板の製造方法の他の例を示す概略工程断面図である。
【図２３】本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図２４】本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図２５】本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。
【図２６】本発明の配線回路用基板の製造方法の比較例１を示す概略工程断面図である。
【図２７】本発明の配線回路用基板の製造方法の比較例１を示す概略工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、本発明の配線回路基板、サスペンション用フレキシャー基板、サスペンション、素子付サスペンション、ハードディスクドライブおよび配線回路基板の製造方法について詳細に説明する。
【００３４】
Ａ．配線回路基板
まず、本発明の配線回路基板について説明する。本発明の配線回路基板は、金属支持層と、上記金属支持層上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線用導体層とを有し、上記絶縁層および上記配線用導体層が同一位置において開口された開口部が形成された配線回路基板であって、上記金属支持層が、上記絶縁層および上記配線用導体層を支持する支持部と、上記開口部の一端側から他端側まで伸び、上記支持部とは分離された端子部とを有し、上記配線用導体層が、接続部により上記端子部に接続された配線を有することを特徴とするものである。
【００３５】
本発明によれば、ＦＬが上記金属支持層からなる上記端子部から構成される。このため、露出した配線用導体層から構成されるＦＬよりも、ＦＬの機械的強度を大きくすることができる。
【００３６】
また、ＦＬの機械的強度を大きくすることができるため、ＦＬにおける幅方向の寸法を小さくすることができる。このため、ＦＬにおける配線本数を増加して、ＦＬにおける配線を高密度にすることができる。
【００３７】
さらに、従来技術のように、露出した配線用導体層をＦＬにする場合には、ＦＬの下側には絶縁層と金属支持層が存在しているため、ＦＬと外部回路を接続する場合に、ＦＬから外部回路までの距離が大きくなる。これに対して、本発明によれば、上記金属支持層が有する端子部をＦＬにすることができるので、ＦＬの下側においてＦＬと外部回路を接続すれば、ＦＬから外部回路までの距離を小さくすることができる。これにより、接合距離が小さくなるため、端子部の金めっき厚みや外部回路の金めっき厚みを薄くすることができ、接合部における使用材料を少なくすることができる。さらに、接合距離が小さくなることで、外部回路とのＦＬの接合位置精度を向上させることができる。
【００３８】
また、本発明においては、ＦＬが上記端子部から構成されることにより機械的強度を大きくすることができるので、上記端子部を含む金属支持層を薄く形成することが可能となる。この場合、フレキシャー全体の厚みを薄くすることができ、配線回路基板の軽量化に対応できる。
【００３９】
以下、本発明の配線回路基板について、具体的に説明する。
図１は、本発明の配線回路基板の一例を示す概略平面図であって、より具体的には、ハードディスクドライブに用いられるサスペンション用フレキシャー基板を示す概略平面図である。なお、便宜上、カバー層の記載は省略している。図１に示されるサスペンション用フレキシャー基板１０は、一方の先端には、素子を実装するための素子実装領域１２を有し、他方の先端には、外部回路との接続を行うための接続領域１４を有する。さらに、サスペンション用フレキシャー基板１０は、素子実装領域１２および接続領域１４を接続するための配線１６ａ〜１６ｄを含む配線用導体層１６を有する。配線１６ａおよび１６ｂ、並びに配線１６ｃおよび１６ｄはそれぞれ配線対を形成し、一方が記録用であり、他方が再生用である。
【００４０】
図２は、図１に示した接続領域１４の第１の例を示す概略上面図である。図３は、図１に示した接続領域１４の第１の例における金属支持層のみを示す概略上面図である。図４は、図２および図３のＡ−Ａ断面図である。図２〜図４に示すように、サスペンション用フレキシャー基板１０は、ステンレススティール（以下、ＳＵＳと省略する。）からなる金属支持層１８と、金属支持層１８上に形成された絶縁層２０と、絶縁層２０上に形成され、銅からなる上述した配線用導体層１６とを有する。サスペンション用フレキシャー基板１０において、金属支持層１８、絶縁層２０、および配線用導体層１６の同一位置が開口され、開口部２２が形成されている。
【００４１】
そして、金属支持層１８は、絶縁層２０および配線用導体層１６を支持する支持部２４と、開口部２２の一端側から他端側まで伸び、支持部２４とは分離された端子部２６とを有する。また、絶縁層２０に形成されたビアホール内部には、ビアホール内部における導体２８が充填され、配線１６ａ〜１６ｄはビアホール内部における導体２８を介して端子部２６と接続されている。さらに、配線用導体層１６は、上述した配線１６ａ〜１６ｄの他に、ビアホール内部における導体２８および開口部２２の間に形成され、配線１６ａ〜１６ｄとは分離された分離部３０をさらに含む。また、配線用導体層１６はカバー層３２により覆われている。
【００４２】
本発明の配線回路基板において、上記配線が上記端子部に接続される方法は特に限定されないが、図２〜図４に示したように、上記配線が上記ビアホール内部における導体により上記端子部に接続される方法が好ましい。簡単な構造を有するサスペンション用フレキシャー基板において、ＦＬの機械的強度を大きくすることができるからである。
【００４３】
そして、本発明の配線回路基板は、図２〜図４に示したように、上記配線用導体層１６が、上記配線とは分離された分離部をさらに有することが好ましい、上記配線回路基板の機械的強度を大きくすることができるからである。
【００４４】
上記分離部としては、特に限定されないが、図２〜図４に示すように、上記ビアホール内部における導体および上記配線を取り囲むように形成されたものが好ましい。上記配線回路基板の機械的強度をより効果的に大きくすることができるからである。
【００４５】
図５は、図１に示した接続領域１４の第２の例を示す概略上面図である。図６は、図１に示した接続領域１４の第２の例における金属支持層のみを示す概略上面図である。図７は、図５および図６のＡ−Ａ断面図である。この例について、上述した第１の例とは異なる点を説明する。図５〜図７に示すように、サスペンション用フレキシャー基板１０は、端子部２６上に形成された接続用導体層３４を有している。配線１６ａ〜１６ｄは接続用導体層３４を介して端子部２６に接続されている。そして、接続用導体層３４が端子部２６に接触している面積は、図２〜図４に示したように、ビアホール内部における導体２８が端子部２６に接触している面積よりも、大きくすることが可能である。
【００４６】
本発明の配線回路基板において、上記配線が上記端子部に接続される方法は特に限定されないが、図５〜図７に示したように、上記配線が上記接続用導体層により上記端子部に接続される方法が好ましい。簡単な構造を有するサスペンション用フレキシャー基板において、ＦＬの機械的強度を大きくすることができるからである。
【００４７】
また、この方法が好ましいのは、図２〜図４に示したように、上記配線が上記ビアホール内部における導体により上記端子部に接続される場合に、上記ビアホール内部における導体が上記端子部に接触する面積よりも、上記接続用導体層が上記端子部に接触する面積を大きくすることが可能だからである。この場合、上記配線と上記端子部との間の抵抗を、上記配線が上記ビアホール内部における導体により上記端子部に接続される場合よりも、小さくすることができる。
【００４８】
図８は、図１に示した接続領域１４の第３の例を示す概略上面図である。図９は、図８に示した接続領域１４の第３の例における金属支持層のみを示す概略上面図である。図１０は、図８および図９のＡ−Ａ断面図である。この例について、上述した第２の例とは異なる点のみを説明する。図８〜図１０に示すように、接続用導体層３４が端子部２６上において開口部２２の一端側から他端側まで形成されている。
【００４９】
本発明の配線回路基板において、上記接続用導体層は特に限定されないが、図８〜図１０に示すように、上記端子部上において上記開口部の一端側から他端側まで形成されることが好ましい。ＦＬが上記端子部および上記接続用導体層から構成されることになり、上記接続用導体層を構成する銅が上記端子部を構成するＳＵＳよりも導電率が高いことから、ＦＬ自体の抵抗を小さくすることができるからである。さらに、ＦＬが上記端子部および上記接続用導体層から構成されることになり、上記接続用導体層は銅からなるためにＳＵＳからなる上記端子部よりも接触抵抗が低いことから、ＦＬと外部回路との接触抵抗が低減されるからである。以下、本発明の配線回路基板について、さらに詳細に説明する。
【００５０】
１．金属支持層
本発明における金属支持層は、上記絶縁層および上記配線用導体層を支持する支持部と、上記開口部の一端側から他端側まで伸び、上記支持部とは分離された端子部とを有する。また、上記金属支持層の材料としては、その機械的強度が上記配線用導体層よりも強いものであれば特に限定されないが、ＳＵＳであることが好ましい。ＳＵＳは、その機械的強度が上記配線用導体層の材料として一般的に用いる銅よりも強いからである。なお、ここで機械的強度とは、剛性、降伏強さ等のことを意味する（本明細書の他の箇所でも同じ。）。
【００５１】
また、上記端子部の露出した表面または裏面には、後述する図１７（ｈ）に示す配線回路基板のように、上記端子部よりも接触抵抗が低い配線めっき層１２０が形成されていることが好ましい。このような、配線めっき層１２０としては、例えば、ＮｉおよびＡｕの少なくとも一方を含むめっき層が挙げられる。本発明の配線回路基板において、ＦＬが上記端子部および上記配線めっき層から構成されることになり、ＦＬを外部回路に接続する場合に、ＦＬと外部回路との接触抵抗が低減されるからである。
【００５２】
また、上記端子部の露出した表面または裏面には、銅めっきが行われ、銅めっき層が形成されていることが好ましい。ＦＬが上記端子部および上記銅めっき層から構成されることになり、上記銅めっき層を構成する銅が上記端子部を構成するＳＵＳよりも導電率が高いことから、ＦＬ自体の抵抗を小さくすることができるからである。さらに、この場合にも、上記銅めっき層の表面または裏面には、上述したように、上記端子部よりも接触抵抗が低い配線めっき層１２０が形成されていることが好ましい。ＦＬと外部回路との接触抵抗が低減されるからである。
【００５３】
また、上記支持部の厚さは、その材料の種類により異なるものであるが、１０μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、中でも１５μｍ〜２５μｍの範囲内、特に１８μｍ〜２０μｍの範囲内であることが好ましい。
【００５４】
さらに、上記端子部の厚さは通常は上記支持部と同一であるが、上記支持部よりも薄くしてもよい。この場合、上記支持部が上記端子部に対して突出することになるため、上記端子部が外部回路の端子と接続される場合等に、上記端子部と外部回路の端子等との短絡を抑制することができる。また、上記端子部を軽量化することができる。
【００５５】
その厚さは、３μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、中でも５μｍ〜２５μｍの範囲内、特に５μｍ〜２０μｍの範囲内であることが好ましい。上記範囲を越える場合は短絡を抑制する効果および軽量化の効果が小さくなり、上記範囲に満たない場合は配線回路基板の機械的強度を確保できないからである。
【００５６】
また、図１１は、図１に示した接続領域１４の第１の例における金属支持層の他の態様を示す概略上面図である。図１１に示すように、上記端子部は、上記開口部における端縁部と交差する部分に、上記端子部が伸びる方向と実質的に直行する幅方向に広がる幅広部３８を有するものが好ましい。上記端子部から構成されるＦＬの機械的強度をより大きくすることができるからである。
【００５７】
２．配線用導体層
本発明における配線用導体層は、上記接続部により上記端子部に接続された配線を有する。本発明における配線用導体層は、上記ビアホール内部における導体および上記開口部の間に形成され、上記配線とは分離された分離部をさらに有することが好ましい。上記配線回路基板の機械的強度を大きくすることができるからである。上記配線用導体層の材料としては、上記金属支持層の機械的強度が上記配線用導体層よりも強くなるのであれば、特に限定されないが、銅であることが好ましい。銅は、導電性が高いからである。以下、本発明における配線用導体層について詳細に説明する。
【００５８】
（１）配線
本発明における配線は、上記接続部により上記端子部に接続されるのであれば特に限定されないが、通常は、図４、７、および１０に示したように、上記端子部の両端に接続される。上記端子部の両端に接続された方が、上記端子部をめっきする場合に、上記端子部にその両端から給電できるようになり、上記端子部への給電が容易になるからであり、かつ上記端子部が両端から支持されることになり、上記端子部から構成されるＦＬの機械的強度を大きくすることができるからである。
【００５９】
また、上記配線が上記接続部により上記端子部に接続されるのであれば特に限定されないのは、上記配線が上記接続部により上記端子部に接続されてさえいれば、上記配線が上記端子部から構成されるＦＬを介して外部回路と導通することができるからである。
【００６０】
ここで、図１２は、図１のＢ−Ｂ断面図であって、本発明における配線の一例を示す概略断面図である。また、図１３は、本発明における配線の他の例を示す概略断面図である。本発明における配線は、通常、図１２に示すように、配線対を形成する配線１６ａおよび１６ｂの両方が上記絶縁層上において同一平面上に形成されたものであるが、これに限定されない（配線１６ｃおよび１６ｄについても同じ。）。本発明における配線は、図１３に示すように、配線１６ａが第１絶縁層４０上に形成され、配線１６ｂが配線１６ａを覆うように形成された第２絶縁層４２上に形成されたものでもよい（配線１６ｃおよび１６ｄについても同じ。）。この場合にも、上記配線は、第１絶縁層４０および第２絶縁層４２を貫通する上記ビアホール内部における導体、または上記接続用導体層を介して、上記端子部に接続される。
【００６１】
（２）分離部
本発明における分離部は、上記ビアホール内部における導体および上記開口部の間に形成され、上記配線とは分離されたものであれば、特に限定されないが、上記ビアホール内部における導体を取り囲むように形成されたものが好ましく、中でも上記配線を取り囲むように形成されたものが好ましい。上記配線回路基板の機械的強度をより効果的に大きくすることができるからである。
【００６２】
３．接続部
本発明における接続部は、上記端子部に上記配線を接続するのであれば特に限定されないが、通常は、図４、７、および１０に示したように、上記端子部の両端に上記配線を接続する。上記端子部の両端に上記配線を接続した方が、上記端子部が両端から支持されることになり、上記端子部から構成されるＦＬの機械的強度を大きくできるからである。また、本発明における接続部が、上記端子部に上記配線を接続するのであれば特に限定されないのは、上記配線が上記端子部を介して外部回路と導通できればそれでよいからである。以下、接続部について詳細に説明する。
【００６３】
ビアホール内部における導体
本発明における接続部の一例としては、上述したようなビアホール内部における導体を挙げることができる。
【００６４】
本発明におけるビアホールは、上記端子部に上記ビアホール内部における導体を接続できるように、上記絶縁層において、平面視して上記端子部に重複する位置に形成される。
【００６５】
本発明におけるビアホール内部における導体は、上記ビアホール内部に充填された導体である。上記ビアホール内部における導体の材料は、上記配線が上記ビアホール内部における導体を介して上記端子部と導通することができるものあれば特に限定されるものではないが、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、および金（Ａｕ）、半田等が挙げられる。
【００６６】
また、上記ビアホール内部における導体と上記金属支持層との間には、金属薄膜層が形成されていることが好ましい。上記ビアホール内部における導体と上記金属支持層との密着性を向上させることができるからである。上記金属薄膜層の材料としては、上記ビアホール内部における導体と上記金属支持層との密着性を向上させることができるのであれば特に限定されるものではないが、例えばニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）及びその合金等を挙げることができる。また、上記金属薄膜層は、スパッタリング法により形成された層であることが好ましい。上記金属薄膜層の膜厚は、所望の密着性を得ることができれば特に限定されるものではないが、通常１０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内である。
【００６７】
接続用導体層
本発明における接続部の他の例としては、上述したような接続用導体層を挙げることができる。本発明における接続用導体層は、上記端子部上に形成され、上記配線を上記端子部に接続するのであれば、特に限定されるものではないが、上記端子部上において上記開口部の一端側から他端側まで形成されているのが好ましい。ＦＬが上記端子部および上記接続用導体層から構成されることになり、上記接続用導体層を構成する銅が上記端子部を構成するＳＵＳよりも導電率が高いことから、ＦＬ自体の抵抗を小さくすることができるからである。
【００６８】
上記接続用導体の材料は、上記配線が上記接続用導体を介して上記端子部と導通することができるものであれば特に限定されるものではないが、例えば、銅（Ｃｕ）またはニッケル（Ｎｉ）等が挙げられる。
【００６９】
また、上記接続用導体と上記金属支持層の間には、金属薄膜層が形成されていることが好ましい。上記接続用導体と上記金属支持層との密着性を向上させることができるからである。上記接続用導体の材料としては、上記接続用導体と上記金属支持層との密着性を向上させることができるのであれば特に限定されるものではないが、例えばニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）及びその合金等を挙げることができる。また、上記金属薄膜層は、スパッタリング法により形成された層であることが好ましい。上記金属薄膜層の膜厚は、所望の密着性を得ることができれば特に限定されるものではないが、通常１０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内である。
【００７０】
また、上記接続用導体の露出した表面には、後述する図２１（ｈ）に示す配線回路基板のように、上記接続用導体よりも接触抵抗が低い配線めっき層１２０が形成されていることが好ましい。このような、配線めっき層１２０としては、例えば、ＮｉおよびＡｕの少なくとも一方を含むめっき層が挙げられる。本発明の配線回路基板において、ＦＬが上記端子部、上記接続用導体および上記配線めっき層から構成されることになり、ＦＬを外部回路に接続する場合に、ＦＬと外部回路との接触抵抗が低減されるからである。
【００７１】
４．絶縁層
本発明における絶縁層は金属支持層上に形成される層である。上記絶縁層を構成する材料としては、所望の絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば、ポリイミド樹脂（以下、ＰＩと省略する。）等を挙げることができる。また、上記絶縁層は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。また、上記絶縁層の厚さは、例えば、５μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、特に、５μｍ〜１５μｍが好ましい。上記絶縁層が薄すぎると、ピットのような孔欠陥が発生しやすくなり、逆に厚すぎると、フレキシャー基板全体で剛性がとれなくなり、反りが発生してしまうからである。
【００７２】
また、図１５は、図１に示した接続領域の第１の例の変形を示す概略上面図である。そして、図１６は、図１５のＡ−Ａ断面図である。上記絶縁層は、図１５および図１６に示した絶縁層２０のように、開口部２２の端縁部側から中央部側に突出し、端子部２６を支持するように形成された突出部４４を有するものが好ましい。上記端子部から構成されるＦＬの機械的強度が、上記突出部によって補強されるからである。
【００７３】
５．配線回路基板のその他の構成
本発明の配線回路基板は、上記配線用導体層上に形成され、上記配線用導体層を覆うカバー層をさらに有していてもよい。上記カバー層の材料としては、例えばポリイミド（ＰＩ）等を挙げることができる。また、上記カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。さらに、上記感光性材料は、ポジ型であっても良く、ネガ型であっても良い。また、上記カバー層の厚さは、上記配線用導体層を保護できる程度の厚さであれば特に限定されるものではない。
【００７４】
上記カバー層は、図１５および図１６に示したカバー層３２のように、開口部２２の端縁部側から中央部側に突出し、上述した絶縁層２０が有する突出部４４を介して端子部２６を支持するように形成された突出部４６をさらに有するものが好ましい。上記端子部から構成されるＦＬの機械的強度が、上記突出部によって補強されるからである。
【００７５】
６．配線回路基板の製造方法
次に、本発明の配線回路基板の製造方法について説明する。図１７および図１８は、本発明の配線回路用基板の製造方法の一例を示す概略工程断面図である。図１７および図１８に示した配線回路用基板の製造方法は、図１〜図４に示したビアホール内部における導体を有するサスペンション用フレキシャー基板を二層材から製造する方法である。図１７は、図２のＡ−Ａ断面に対応する断面を示し、接続領域の第１の例を示す概略工程断面図である。図１８は、図１のＢ−Ｂ断面に対応する断面を示し、配線を示す概略工程断面図である。
以下、本発明の配線回路用基板の製造方法の一例を、図１７および図１８を参照しながら説明する。
【００７６】
まず、二層材１００を準備する（図１７（ａ）および図１８（ａ））。準備する二層材１００は、ＳＵＳからなる金属支持層１０２と、金属支持層１０２上に形成され、ＰＩからなる絶縁層１０４とを有する。
【００７７】
次に、金属支持層１０２および絶縁層１０４に、例えばドライフィルムレジスト（以下、ＤＦＲと省略する。）によりレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出した金属支持層１０２および絶縁層１０４をエッチングして、レジストパターンを除去する（図１７（ｂ）および図１８（ｂ））。これにより、金属支持層１０２にアライメントに用いるマークを形成し、絶縁層１０４にビアホール１０６を形成する。
【００７８】
次に、絶縁層１０４から露出した金属支持層１０２上に、スパッタリング法により、金属薄膜層（例えば、Ｃｒ薄膜層またはＮｉ薄膜層）１０８を形成した後、金属薄膜層１０８上に、スパッタリング法により、Ｃｕスパッタリング層１１０を形成する（図１７（ｃ）および図１８（ｃ））。
【００７９】
次に、Ｃｕスパッタリング層１１０上に、銅からなる導体層１１２を電解めっきにより形成する（図１７（ｄ）および図１８（ｄ））。このとき、導体層１１２はビアホール１０６の内部にも形成され、ビアホール内部における導体１１４が形成される。
【００８０】
次に、金属支持層１０２上および導体層１１２上に、例えばＤＦＲによりレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出した金属支持層１０２および導体層１１２、Ｃｕスパッタリング層１１０をエッチングして、レジストパターンを除去する。（図１７（ｅ）および図１８（ｅ））。これにより、金属支持層１０２が分離され、支持部１０２ａおよび端子部１０２ｂが形成される。そして、端子部１０２ｂ上において導体層１１２が開口され、導体層１１２から配線１１６が形成される。
【００８１】
また、配線１１６の短絡防止のため、配線１１６直下の領域を除いて、金属薄膜層１０８を除去する。
【００８２】
次に、導体層１１２上に、ＰＩからなるカバー層１１８を形成し、カバー層１１８上にＤＦＲによりレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出したカバー層１１８をエッチングして、レジストパターンを除去する（図１７（ｆ）および図１８（ｆ））。これにより、カバー層１１８を配線１１６を被覆するように形成する。
【００８３】
次に、絶縁層１０４上に、例えばＤＦＲによりレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出した絶縁層１０４をエッチングして、レジストパターンを除去する（図１７（ｇ）および図１８（ｇ））。これにより、端子部１０２ｂ上において絶縁層１０４が開口される。
【００８４】
次に、金属支持層１０２上に、例えばＤＦＲによりレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出した端子部１０２ｂの表面または裏面に、ＮｉおよびＡｕの少なくとも一方を含む配線めっき層１２０を形成する（図１７（ｈ）および図１８（ｈ））。
【００８５】
次に、金属支持層１０２上に、例えばＤＦＲによりレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出した金属支持層１０２をエッチングする。これにより、支持部１０２ａおよび端子部１０２ｂならびにサスペンション用フレキシャー基板を支持する外枠以外の箇所における金属支持層１０２が除去される（図１８（ｉ））。以上により、サスペンション用フレキシャー基板が形成される。
【００８６】
図１９および図２０は、本発明の配線回路用基板の製造方法の他の例を示す概略工程断面図である。図１９および図２０に示した配線回路用基板の製造方法は、図５〜図７に示した接続用導体層を有するサスペンション用フレキシャー基板を二層材から製造する方法である。図１９は、図５のＡ−Ａ断面に対応する断面を示し、接続領域の第２の例を示す概略工程断面図である。図２０は、図１のＢ−Ｂ断面に対応する断面を示す概略工程断面図である。
以下、本発明の配線回路用基板の製造方法の他の例を、図１９および図２０を参照しながら説明する。
【００８７】
まず、二層材１００を準備する（図１９（ａ）および図２０（ａ））。準備する二層材１００は、図１７（ａ）および図１８（ａ）に示した二層材と同じものである。
【００８８】
次に、金属支持層１０２および絶縁層１０４に、例えばＤＦＲによりレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出した金属支持層１０２および絶縁層１０４をエッチングして、レジストパターンを除去する（図１９（ｂ）および図２０（ｂ））。これにより、金属支持層１０２にアライメントに用いるマークを形成し、絶縁層１０４に、絶縁層を除去した絶縁層除去部１２２を形成する。
【００８９】
次に、絶縁層１０４から露出した金属支持層１０２上に、スパッタリング法により、金属薄膜層（例えば、Ｃｒ薄膜層またはＮｉ薄膜層）１０８を形成した後、金属薄膜層１０８上に、スパッタリング法により、Ｃｕスパッタリング層１１０を形成する（図１９（ｃ）および図２０（ｃ））。
【００９０】
次に、Ｃｕスパッタリング層１１０上に、銅からなる導体層１１２を電解めっきにより形成する（図１９（ｄ）および図２０（ｄ））。このとき、導体層１１２を絶縁層除去部１２２にも形成する。
【００９１】
次に、金属支持層１０２上および導体層１１２上に、例えばＤＦＲによりレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出した金属支持層１０２および導体層１１２、Ｃｕスパッタリング層１１０をエッチングして、レジストパターンを除去する。（図２０（ｅ）および図２０（ｅ））。これにより、金属支持層１０２が分離され、支持部１０２ａおよび端子部１０２ｂが形成される。そして、端子部１０２ｂ上において導体層１１２が開口され、導体層１１２から配線１１６および接続用導体層１２４が形成される。配線１１６は接続用導体層１２４を介して端子部１０２ｂに接続される。
【００９２】
また、これにより、配線１１６および接続用導体層１２４の直下の領域を除いて、金属薄膜層１０８を除去する。
【００９３】
次に、導体層１１２上に、ＰＩからなるカバー層１１８を形成し、カバー層１１８上にＤＦＲによりレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出したカバー層１１８をエッチングして、レジストパターンを除去する（図１９（ｆ）および図２０（ｆ））。これにより、カバー層１１８を配線１１６を被覆するように形成する。
【００９４】
次に、絶縁層１０４上に、例えばＤＦＲによりレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出した絶縁層１０４をエッチングして、レジストパターンを除去する（図１９（ｇ）および図２０（ｇ））。これにより、絶縁層１０４の不要な箇所が削除される。
【００９５】
次に、金属支持層１０２上に、例えばＤＦＲによりレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出した端子部１０２ｂの表面または裏面に、ＮｉおよびＡｕの少なくとも一方を含む配線めっき層１２０を形成する（図１９（ｈ）および図２０（ｈ））。このとき、導体層１１２および接続用導体層１２４においてカバー層１１８から露出した部分にも配線めっき層１２０を形成する（図１９（ｈ）および図２０（ｈ））。
【００９６】
次に、金属支持層１０２上に、例えばＤＦＲによりレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出した金属支持層１０２をエッチングする。これにより、支持部１０２ａおよび端子部１０２ｂならびにサスペンション用フレキシャー基板を支持する外枠以外の箇所における金属支持層１０２が除去される（および図２０（ｉ））。以上により、サスペンション用フレキシャー基板が形成される。
【００９７】
図２１および図２２は、本発明の配線回路用基板の製造方法の他の例を示す概略工程断面図である。図２１および図２２に示した配線回路用基板の製造方法は、図８〜図１０に示した接続用導体層を有するサスペンション用フレキシャー基板を二層材から製造する方法である。図２１は、図８のＡ−Ａ断面に対応する断面を示し、接続領域の第３の例を示す概略工程断面図である。図２２は、図１のＢ−Ｂ断面に対応する断面を示す概略工程断面図である。
以下、本発明の配線回路用基板の製造方法の他の例を、図２１および図２２を参照しながら説明する。
【００９８】
まず、二層材１００を準備する（図２１（ａ）および図２２（ａ））。準備する二層材１００は、図１７（ａ）および図１８（ａ）に示した二層材と同じものである。
【００９９】
次に、金属支持層１０２および絶縁層１０４に、例えばＤＦＲによりレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出した金属支持層１０２および絶縁層１０４をエッチングして、レジストパターンを除去する（図２１（ｂ）および図２２（ｂ））。これにより、金属支持層１０２にアライメントに用いるマークを形成し、絶縁層１０４に、絶縁層を除去した絶縁層除去部１２２を形成する。
【０１００】
次に、絶縁層１０４から露出した金属支持層１０２上に、スパッタリング法により、金属薄膜層（例えば、Ｃｒ薄膜層またはＮｉ薄膜層）１０８を形成した後、金属薄膜層１０８上に、スパッタリング法により、Ｃｕスパッタリング層１１０を形成する（図２１（ｃ）および図２２（ｃ））。
【０１０１】
次に、Ｃｕスパッタリング層１１０上に、銅からなる導体層１１２を電解めっきにより形成する（図２１（ｄ）および図２２（ｄ））。このとき、導体層１１２を絶縁層除去部１２２にも形成する。
【０１０２】
次に、金属支持層１０２上および導体層１１２上に、例えばＤＦＲによりレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出した金属支持層１０２および導体層１１２、Ｃｕスパッタリング層１１０をエッチングして、レジストパターンを除去する。（図２１（ｅ）および図２２（ｅ））。これにより、金属支持層１０２が分離され、支持部１０２ａおよび端子部１０２ｂが形成される。配線１１６は導体層１１２（接続用導体層１２４）を介して端子部１０２ｂに接続される。
【０１０３】
また、これにより、配線１１６および接続用導体層１２４の直下の領域を除いて、金属薄膜層１０８を除去する。
【０１０４】
次に、導体層１１２上に、ＰＩからなるカバー層１１８を形成し、カバー層１１８上にＤＦＲによりレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出したカバー層１１８をエッチングして、レジストパターンを除去する（図２１（ｆ）および図２２（ｆ））。これにより、カバー層１１８を配線１１６を被覆するように形成する。
【０１０５】
次に、絶縁層１０４上に、例えばＤＦＲによりレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出した絶縁層１０４をエッチングして、レジストパターンを除去する（図２１（ｇ）および図２２（ｇ））。これにより、絶縁層１０４の不要な箇所が削除される。
【０１０６】
次に、金属支持層１０２上に、例えばＤＦＲによりレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出した導体層１１２（接続用導体層１２４）の表面および端子部１０２ｂの裏面に、ＮｉおよびＡｕの少なくとも一方を含む配線めっき層１２０を形成する（図２１（ｈ）および図２２（ｈ））。
【０１０７】
次に、金属支持層１０２上に、例えばＤＦＲによりレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出した金属支持層１０２をエッチングする。これにより、支持部１０２ａおよび端子部１０２ｂならびにサスペンション用フレキシャー基板を支持する外枠以外の箇所における金属支持層１０２が除去される（および図２２（ｉ））。以上により、サスペンション用フレキシャー基板が形成される。
【０１０８】
さらに、図１〜図４に示したビアホール内部における導体を有するサスペンション用フレキシャー基板、図５〜図７に示した接続用導体層を有するサスペンション用フレキシャー基板、および図８〜図１０に示した接続用導体層を有するサスペンション用フレキシャー基板は、上述したように二層材から製造するのではなく、三層材から製造することも可能である。
【０１０９】
Ｂ．サスペンション用フレキシャー基板
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンション用フレキシャー基板は、上述した配線回路基板を含むことを特徴とするものである。
【０１１０】
本発明によれば、上記サスペンション用フレキシャー基板において、上記配線回路基板を用いることで、ＦＬの断線を防止してＦＬと外部回路の接続信頼性を向上させることができる。
【０１１１】
図１は、本発明のサスペンション用フレキシャー基板の一例を示す概略平面図である。図１に示されるサスペンション用フレキシャー基板１０は、一方の先端には、素子を実装するための素子実装領域１２を有し、他方の先端には、外部回路との接続を行うための接続領域１４を有する。さらに、サスペンション用フレキシャー基板１０は、素子実装領域１２および接続領域１４を接続するための配線１６ａ〜１６ｄを含む配線用導体層１６を有する。配線１６ａおよび１６ｂ、並びに配線１６ｃおよび１６ｄはそれぞれ配線対を形成し、一方が記録用であり、他方が再生用である。
【０１１２】
本発明のサスペンション用フレキシャー基板は、少なくとも配線回路基板を有する。配線回路基板については、上記「Ａ．配線回路基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【０１１３】
Ｃ．サスペンション
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述した配線回路基板を含むことを特徴とするものである。
【０１１４】
本発明によれば、上記サスペンションにおいて、上記配線回路基板を用いることで、ＦＬの断線を防止してＦＬと外部回路の接続信頼性を向上させることができる。
【０１１５】
図２３は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図２３に示されるサスペンション５０は、上述したサスペンション用フレキシャー基板１０と、素子実装領域１２が形成されている表面とは反対側のサスペンション用フレキシャー基板１０の表面に備え付けられたロードビーム５２とを有するものである。
【０１１６】
本発明のサスペンションは、少なくとも配線回路基板を有し、通常は、さらにロードビームを有する。配線回路基板については、上記「Ａ．配線回路基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、ロードビームは、一般的なサスペンションに用いられるロードビームと同様のものを用いることができる。
【０１１７】
Ｄ．素子付サスペンション
次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。本発明の素子付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションの素子実装領域に実装された素子とを有するものである。
【０１１８】
本発明によれば、上記素子付サスペンションにおいて、上記サスペンションを用いることで、ＦＬの断線を防止してＦＬと外部回路の接続信頼性を向上させることができる。
【０１１９】
図２４は、本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図２４に示される素子付サスペンション６０は、上述したサスペンション５０と、サスペンション５０の素子実装領域１２に実装された素子６２とを有するものである。
【０１２０】
本発明の素子付サスペンションは、少なくともサスペンションおよび素子を有するものである。サスペンションについては、上記「Ｃ．サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、素子としては、例えば、一般的なヘッド付サスペンションに用いられる磁気ヘッドスライダを用いることができる。
【０１２１】
Ｅ．ハードディスクドライブ
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した素子付サスペンションを含むことを特徴とするものである。
【０１２２】
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、ＦＬの断線を防止してＦＬと外部回路の接続信頼性を向上させることができる。
【０１２３】
図２５は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図２５に示されるハードディスクドライブ７０は、上述した素子付サスペンション６０と、素子付サスペンション６０がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク７２と、ディスク７２を回転させるスピンドルモータ７４と、素子付サスペンション６０の素子を移動させるアーム７６およびボイスコイルモータ７８と、上記の部材を密閉するケース８０とを有するものである。
【０１２４】
本発明のハードディスクドライブは、少なくとも素子付サスペンションを有し、通常は、さらにディスク、スピンドルモータ、アームおよびボイスコイルモータを有する。素子付サスペンションについては、上記「Ｄ．素子付サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。
【０１２５】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【０１２６】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
【０１２７】
［実施例１］
まず、図１７（ａ）および図１８（ａ）に示した二層材１００を準備した。ここで、金属支持層１０２は厚さ２０μｍのＳＵＳ３０４であり、絶縁層１０４は厚さ１０μｍのＰＩであった。次に、図１７（ｂ）および図１８（ｂ）に示したように、金属支持層１０２および絶縁層１０４をエッチングして、絶縁層１０４にビアホール１０６を形成した。
【０１２８】
次に、図１７（ｃ）および図１８（ｃ）に示したように、絶縁層１０４から露出した金属支持層１０２上に、スパッタリング法により、Ｃｒからなる金属薄膜層１０８を形成した後、金属薄膜層１０８上に、スパッタリング法によりＣｕスパッタリング層１１０を形成した。
【０１２９】
次に、図１７（ｄ）および図１８（ｄ）に示したように、Ｃｕスパッタリング層１１０上に、銅からなる導体層１１２を電解めっきにより形成した。このとき、導体層１１２はビアホール１０６の内部にも形成され、ビアホール内部における導体１１４が形成される。
【０１３０】
次に、図１７（ｅ）および図１８（ｅ）に示したように、金属支持層１０２上および導体層１１２上に、ＤＦＲによりレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出した金属支持層１０２および導体層１１２、Ｃｕスパッタリング層１１０をエッチングした。これにより、金属支持層１０２を支持部１０２ａおよび端子部１０２ｂに分離した。また、配線１１６を形成した。
【０１３１】
さらに、配線１１６の短絡防止のため、配線１１６直下の領域を除いて、金属薄膜層１０８を除去した。
【０１３２】
次に、図１７（ｆ）および図１８（ｆ）に示したように、導体層１１２上に、ＰＩからなるカバー層１１８を形成し、カバー層１１８上にＤＦＲによりレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出したカバー層１１８をエッチングした。これにより、カバー層１１８を配線１１６を被覆するように形成した。
【０１３３】
次に、図１７（ｇ）および図１８（ｇ）に示したように、絶縁層１０４上に、ＤＦＲによりレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出した絶縁層１０４をエッチングした。次に、図１７（ｈ）および図１８（ｈ）に示したように、ＤＦＲによりレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出した端子部１０２ｂの表裏面にＮｉおよびＡｕからなる配線めっき層１２０を形成した。
【０１３４】
次に、図１８（ｉ）に示したように、金属支持層１０２上に、ＤＦＲによりレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出した金属支持層１０２をエッチングした。これにより、支持部１０２ａおよび端子部１０２ｂならびにサスペンション用フレキシャー基板を支持する外枠以外の金属支持層１０２を除去した。以上により、金属支持層１０２の端子部１０２ｂから構成されるＦＬを有するサスペンション用フレキシャー基板を得た。
【０１３５】
［実施例２］
まず、図１９（ａ）および図２０（ａ）に示した二層材１００を準備した。ここで、金属支持層１０２は厚さ２０μｍのＳＵＳ３０４であり、絶縁層１０４は厚さ１０μｍのＰＩであった。次に、図１９（ｂ）および図２０（ｂ）に示したように、金属支持層１０２および絶縁層１０４をエッチングして、絶縁層１０４に開口部１２２を形成した。
【０１３６】
次に、図１９（ｃ）および図２０（ｃ）に示したように、絶縁層１０４から露出した金属支持層１０２上に、スパッタリング法により、Ｃｒからなる金属薄膜層１０８を０．０５μｍ形成した後、金属薄膜層１０８上に、スパッタリング法により、Ｃｕスパッタリング層１１０を０．３μｍ形成した。
【０１３７】
次に、図１９（ｄ）および図２０（ｄ）に示したように、金属薄膜層１１０上に、銅からなる導体層１１２を電解めっきにより９μｍ形成した。次に、図１９（ｅ）および図２０（ｅ）に示したように、金属支持層１０２上および導体層１１２上に、ＤＦＲによりレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出した金属支持層１０２および導体層１１２、Ｃｕスパッタリング層１１０をエッチングした。これにより、金属支持層１０２を支持部１０２ａおよび端子部１０２ｂに分離した。また、配線１１６および接続用導体層１２４を形成した。
【０１３８】
さらに、配線１１６の短絡防止のため、配線１１６直下の領域を除いて、金属薄膜層１０８を除去した。
【０１３９】
次に、図１９（ｆ）および図２０（ｆ）に示したように、導体層１１２上に、ＰＩからなるカバー層１１８を形成し、カバー層１１８上にＤＦＲによりレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出したカバー層１１８をエッチングした。これにより、カバー層１１８が配線１１６を被覆するように形成した。次に、図１９（ｇ）および図２０（ｇ）に示したように、絶縁層１０４上に、ＤＦＲによりレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出した絶縁層１０４をエッチングした。
【０１４０】
次に、図１９（ｈ）および図２０（ｈ）に示したように、ＤＦＲによりレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出した端子部１０２ｂの表裏面にＮｉおよびＡｕからなる配線めっき層１２０を形成した。
【０１４１】
次に、図２０（ｉ）に示したように、金属支持層１０２上に、ＤＦＲによりレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出した金属支持層１０２をエッチングした。これにより、支持部１０２ａおよび端子部１０２ｂならびにサスペンション用フレキシャー基板を支持する外枠以外の金属支持層１０２を除去した。以上により、金属支持層１０２の端子部１０２ｂから構成されるＦＬを有するサスペンション用フレキシャー基板を得た。
【０１４２】
［比較例１］
図２６および図２７は、本発明の配線回路用基板の製造方法の比較例１を示す概略工程断面図である。
【０１４３】
比較例１においては、まず、図２６（ａ）および図２７（ａ）に示した二層材１００を準備した。ここで、金属支持層１０２は厚さ２０μｍのＳＵＳ３０４であり、絶縁層１０４は厚さ１０μｍのＰＩで構成された二層材を準備した。
【０１４４】
次に、図２６（ｂ）および図２７（ｂ）に示すように、絶縁層１０４上に、スパッタリング法により、Ｃｒからなる金属薄膜層１０８を０．０５μｍ形成した後、金属薄膜層上に、スパッタリング法により、Ｃｕスパッタリング層１１０を０．３μｍ形成した。
【０１４５】
次に、図２６（ｃ）および図２７（ｃ）に示すように、Ｃｕスパッタリング層１１０上に、銅からなる導体層１１２を電解めっきにより９μｍ形成した。
【０１４６】
次に、図２６（ｄ）および図２７（ｄ）に示すように、金属支持層１０２上および導体層１１２上に、ＤＦＲによりレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出した金属支持層１０２および導体層１１２、Ｃｕスパッタリング層１１０をエッチングした。これにより、金属支持層１０２において、ＦＬを形成する箇所に開口部１２６を形成した。そして、配線１１６を形成した。
【０１４７】
さらに、配線１１６の短絡防止のため、配線１１６直下の領域を除いて、金属薄膜層１０８を除去した。
【０１４８】
次に、図２６（ｅ）および図２７（ｅ）に示すように、導体層１１２上に、ＰＩからなるカバー層１１８を形成し、カバー層１１８上にＤＦＲによりレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出したカバー層１１８をエッチングした。これにより、カバー層１１８が配線１１６を被覆するように形成した。
【０１４９】
次に、図２６（ｆ）および図２７（ｆ）に示すように、絶縁層１０４上に、ＤＦＲによりレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出した絶縁層１０４をエッチングした。これにより、絶縁層１０４において、ＦＬを形成する箇所に開口部１２８を形成した。
【０１５０】
次に、図２６（ｇ）に示すように、カバー層１１８から露出した導体層１１２の表面、ならびに開口部１２８に露出した導体層１１２の裏面にＮｉおよびＡｕからなる配線めっき層１２０を形成した。
【０１５１】
次に、図２７（h）に示したように、金属支持層１０２上に、ＤＦＲによりレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出した金属支持層１０２をエッチングした。これにより、サスペンション用フレキシャー基板を支持する外枠以外の金属支持層１０２を除去した。以上により、導体層１１２から構成されるＦＬを有するサスペンション用フレキシャー基板を得た。
【０１５２】
［評価］
実施例１、２および比較例１で得られたサスペンション用フレキシャー基板におけるＦＬを、外部回路の金パッドからなる端子に、ボンディングツールを用いて超音波振動を加えて接続した後、ピール剥離試験を行い、接続強度を測定した。その結果を、表１に示す。
【０１５３】
【表１】
2012049336.tif 000003
【０１５４】
表１から実施例１および２のピール剥離試験強度が、比較例１よりも大きくなった。これは、比較例１に係るＦＬが銅からなる導体層１１２から構成されるのに対して、実施例１および２に係るＦＬがＳＵＳ３０４からなる金属支持層１０２の端子部１０２ｂから構成されるからであると考えられる。
【符号の説明】
【０１５５】
１０・・・サスペンション用フレキシャー基板、１２・・・素子実装領域、１４・・・接続領域、１６・・・配線用導体層、・・・配線１６ａ、１８・・・金属支持層、２０・・・絶縁層、２２・・・開口部、２４・・・支持部、２６・・・端子部、２８・・・ビアホール内部における導体、３０・・・分離部
【図１】
2012049336.tif 000004
【図２】
2012049336.tif 000005
【図３】
2012049336.tif 000006
【図４】
2012049336.tif 000007
【図５】
2012049336.tif 000008
【図６】
2012049336.tif 000009
【図７】
2012049336.tif 000010
【図８】
2012049336.tif 000011
【図９】
2012049336.tif 000012
【図１０】
2012049336.tif 000013
【図１１】
2012049336.tif 000014
【図１２】
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【図１３】
2012049336.tif 000016
【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2012049336.tif 000019
【図１７】
2012049336.tif 000020
【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
2012049336.tif 000024
【図２２】
2012049336.tif 000025
【図２３】
2012049336.tif 000026
【図２４】
2012049336.tif 000027
【図２５】
2012049336.tif 000028
【図２６】
2012049336.tif 000029
【図２７】
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