(57)【要約】【課題】研磨面の平坦度レベルの改善を含め、シリコンウェーハの表面形状を自由に造り込めるウェーハ表面処理方法を提供する。【解決手段】シリコンウェーハと隙間形成用部材とを平行に離間して液膜形成用隙間を形成し、これにエッチング液を供給してエッチング液膜を形成する。その後、この状態で、ウェーハと隙間形成用部材との少なくとも一方を回転させ、ウェーハのうち、隙間形成用部材との対向面に化学的な表面処理を施す。その後、エッチングを所定時間継続し、かつエッチング条件を適宜変更することで、ウェーハの表面形状を自由に造り込める。【選択図】図１
2012235072.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンウェーハと隙間形成用部材とを所定距離だけ平行に離間して液膜形成用隙間を形成し、
その後、該液膜形成用隙間にシリコン用のエッチング液を連続的に供給して、前記液膜形成用隙間にエッチング液膜を形成し、
該エッチング液膜を形成したまま、前記シリコンウェーハと前記隙間形成用部材との少なくとも一方を回転することで、前記シリコンウェーハの隙間形成用部材との対向面にエッチングによる表面処理を施すシリコンウェーハの表面処理方法。
【請求項２】
前記隙間形成用部材は仕上げ研磨前の研磨時に使用される研磨布で、
前記表面処理は、前記仕上げ研磨前の研磨が終了した直後、連続して行う請求項１に記載のシリコンウェーハの表面処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、ウェーハ表面処理方法、詳しくはシリコンウェーハに、エッチング液を使用した化学処理を伴う表面処理を行うウェーハ表面処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的なシリコンウェーハの製造方法では、単結晶シリコンインゴットをスライスし、得られたシリコンウェーハの表裏面をラッピングしてその平行度を高めた後、必要に応じてウェーハ表面の研削を行い、シリコンウェーハをエッチング液に浸漬して加工ダメージを除去し、その後、ウェーハ表面に粗研磨、仕上げ研磨を順次施している。シリコンウェーハの表面を研磨する方法としては、シリカ粒子などの遊離砥粒をアルカリ性水溶液中に分散させた研磨液を供給しながら、シリコンウェーハと、研磨布とを相対的に回転させて行うＣＭＰ（化学的機械的研磨）が一般的である。ＣＭＰは、遊離砥粒による機械的研磨作用と、アルカリ性水溶液による化学的研磨作用とを複合させることで、シリコンウェーハの表面に対して高い平坦度が得られることが知られている。このシリコンウェーハのＣＭＰ処理は、通常、粗研磨から仕上げ研磨へと複数の段階を経て研磨が行われる。
【０００３】
初期段階の粗研磨は、所望とする厚みまでシリコンウェーハを研磨することを目的に行われ、ポリウレタンなどの硬質の研磨布を用いて研磨速度が比較的速い条件で、研磨後のシリコンウェーハの厚さバラツキを小さく、平坦化するように研磨が行われる。この粗研磨工程では、研磨布の種類や遊離砥粒サイズを変更して、シリコンウェーハの研磨量（取り代量）を複数段階（例えば１〜３段階）に分けながら研磨処理が行われることもある。
【０００４】
最終段階の仕上げ研磨は、シリコンウェーハの表面の粗さを改善することを目的に行われ、スエードのような軟質の研磨布および微小サイズの遊離砥粒を使用して、ナノトポグラフィーやヘイズといったシリコンウェーハの表面上における数〜数十ｎｍレベルの面粗さ（凹凸）のバラツキを低減するように研磨が行われる。この仕上げ研磨工程も粗研磨工程と同様に、研磨布の種類や遊離砥粒サイズを変更しながら、複数段階に分けて研磨処理が行わることもある。また、近年、粗研磨工程においては、研磨液中の遊離砥粒の凝集を原因としたマイクロスクラッチなどの加工起因の欠陥の発生を防止するため、遊離砥粒を含まない研磨液を使用し、シリコンウェーハの表面を研磨することも行われている。
一方、シリコンウェーハの平坦化加工を実施するには、研削工程、研磨工程、洗浄工程、研磨布のドレッシング工程、エッチング工程など、多岐にわたる工程を経る必要があるため、スループットを向上させることが望まれ、例えば、特許文献１では、これらの工程を同一装置内で実施できる平面加工装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−２５４８５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、近年のデバイスの微細化およびシリコンウェーハのデバイス形成領域の拡大の観点から、シリコンウェーハの表面全域にわたって高い平坦度が要求される。ウェーハ表面の平坦度は粗研磨工程での研磨処理によりその形状がほぼ決定されるものの、粗研磨処理によって得られるウェーハ表面の平坦度にも限界があり、更なる平坦度の向上が望まれている。また、仕上げ研磨工程では、スエードのような軟質の研磨布が採用されることから、仕上げ研磨後のウェーハの最外周部がダレた形状（ロールオフ）になる傾向がある。そのため、仕上げ研磨工程におけるロールオフ量を相殺するように、予め粗研磨工程においてウェーハ最外周部を意図的にロールアップさせるような研磨処理を施す場合もあるが、粗研磨により達成可能なロールアップ量にも限界がある。
【０００７】
そこで、発明者は鋭意研究の結果、研磨処理後、シリコンウェーハと研磨布とを所定距離だけ平行に離間させて液膜形成用隙間を形成し、この隙間にエッチング液を連続的に供給することで、エッチング液の膜（エッチング液膜）を現出し、このエッチング液膜を形成した状態で、シリコンウェーハと研磨布との少なくとも一方を回転させながら、シリコンウェーハの研磨面を化学的に表面処理すれば、ウェーハ表面の平坦度レベルの改善が図れることを知見し、本発明を完成させた。
しかも、この液膜形成用隙間の間隔（幅）を適宜変更してエッチング液膜を所望の厚さとし、必要に応じてその他のエッチング条件も適宜変更すれば、各種のウェーハ加工後のウェーハ加工面の表面形状を自由に造り込めることを知見し、この発明を完成させた。
【０００８】
すなわち、この発明は、シリコンウェーハの表面形状（平坦度）を自由に造り込むことができるウェーハ表面処理方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の発明は、シリコンウェーハと隙間形成用部材とを所定距離だけ平行に離間して液膜形成用隙間を形成し、その後、該液膜形成用隙間にシリコン用のエッチング液を連続的に供給して、前記液膜形成用隙間にエッチング液膜を形成し、該エッチング液膜を形成したまま、前記シリコンウェーハと前記隙間形成用部材との少なくとも一方を回転することで、前記シリコンウェーハの隙間形成用部材との対向面にエッチングによる表面処理を施すウェーハ表面処理方法である。
【００１０】
特に、請求項２に記載の発明は、前記隙間形成用部材は仕上げ研磨前の研磨時に使用される研磨布で、前記表面処理は、前記仕上げ研磨前の研磨が終了した直後、連続して行う請求項１に記載のシリコンウェーハの表面処理方法である。
【発明の効果】
【００１１】
請求項１に記載の発明によれば、シリコンウェーハと隙間形成用部材とを所定距離だけ平行に離間して液膜形成用隙間を形成し、この液膜形成用隙間にエッチング液を連続的に供給することで、液膜形成用隙間にエッチング液膜を形成する。その後、このエッチング液膜を形成したまま、シリコンウェーハと隙間形成用部材との少なくとも一方を回転させることで、シリコンウェーハの隙間形成用部材との対向面に化学的な表面処理を施す。
【００１２】
具体的には、液膜形成用隙間にエッチング液を連続的に供給してエッチング液膜を形成した状態で、シリコンウェーハと隙間形成用部材との少なくとも一方を回転させる。これにより、液膜形成用隙間に供給されたエッチング液の流速が高まる。しかも、シリコンウェーハの隙間形成用部材との対向面に存在する凹凸のうち、凸部と隙間形成用部材との間は狭く、オリフィスが形成され、この部分を通過するエッチング液の流速は高まる。
【００１３】
これにより、新鮮なエッチング液が単位時間当たりで大量に凸部と接触し、その結果、凸部のエッチング速度が高まる。一方、凹部と隙間形成用部材との間は、凸部の場合に比べて幅が広く、この部分を通過するエッチング液の流速は低下する。よって、凹部のエッチング速度は凸部の場合より低下する。これらの作用により、凹凸差は徐々に小さくなる。このようなエッチングを所定時間継続し、かつ例えばエッチング液の濃度、液温、エッチング液膜の厚さなどのエッチング条件を適宜変更することで、シリコンウェーハの隙間形成用部材との対向面の表面形状を自由に造り込むことができる。
【００１４】
請求項２に記載の発明によれば、研磨装置にエッチング機構を備え、シリコンウェーハの表面処理を仕上げ研磨前の研磨の終了直後に連続して行うように構成したので、専用のエッチング処理装置が不要となり、コスト低減が図れるとともに研磨および表面処理のトータルな処理時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】この発明の実施例１に係るウェーハ表面処理方法によるシリコンウェーハの表面処理の初期段階の状態を示す縦断面図である。
【図２】この発明の実施例１に係るウェーハ表面処理方法で用いられる枚葉式の片面研磨装置の使用状態を示す斜視図である。
【図３】この発明の実施例１に係るウェーハ表面処理方法で用いられる枚葉式の片面研磨装置の研磨定盤が外方へ突出した状態を示す斜視図である。
【図４】この発明の実施例１に係るウェーハ表面処理方法によるシリコンウェーハの表面処理の最終段階の状態を示す縦断面図である。
【図５】従来手段に係る仕上げ研磨後のシリコンウェーハを等高線により示した斜視図である。
【図６】従来手段に係る液膜形成用隙間を形成しない無荷重の条件でのウェーハ表面処理方法で得られたシリコンウェーハを等高線により示した斜視図である。
【図７】本発明の実施例１の条件のうち、液膜形成用隙間を１０ｍｍとする他は実施例１と同一条件で得られたシリコンウェーハを等高線により示した斜視図である。
【図８】本発明の実施例１の条件のウェーハ表面処理方法で得られたシリコンウェーハを等高線により示した斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
この発明は、シリコンウェーハと隙間形成用部材とを所定距離だけ平行に離間して液膜形成用隙間を形成し、その後、該液膜形成用隙間にシリコン用のエッチング液を連続的に供給して、前記液膜形成用隙間にエッチング液膜を形成し、該エッチング液膜を形成したまま、前記シリコンウェーハと前記隙間形成用部材との少なくとも一方を回転することで、前記シリコンウェーハの隙間形成用部材との対向面にエッチングによる表面処理を施すウェーハ表面処理方法である。
【００１７】
この発明によれば、シリコンウェーハと隙間形成用部材との間に形成された液膜形成用隙間に、エッチング液を連続的に供給することでエッチング液膜を形成する。その後、エッチング液膜を形成したまま、シリコンウェーハと隙間形成用部材との少なくとも一方を回転させる。これにより、シリコンウェーハの隙間形成用部材との対向面に化学的な表面処理が施される。
このようなエッチング液膜を利用したエッチングを所定時間継続し、かつ例えばエッチング液の濃度、液温、エッチング液膜の厚さなどのエッチング条件を適宜変更することで、シリコンウェーハの隙間形成用部材との対向面の表面形状を自由に造り込むことができる。ここでいう「シリコンウェーハの表面形状を造り込む」とは、ウェーハ表面をフラット形状にすることだけに限らず、用途によっては、意図的にウェーハ外周部をロールアップ、ロールオフさせることも含むものである。
【００１８】
シリコンウェーハとしては、単結晶シリコンウェーハ、多結晶シリコンウェーハを採用することができる。
隙間形成用部材としては、例えば研磨装置の研磨布（１次研磨用、２次研磨用など）を採用することができる。隙間形成用部材は円板形状の部材で、シリコンウェーハと同一直径でも、それより大径でもよい。隙間形成用部材の回転中心は、隙間形成用部材の中心軸である。特に、枚葉式片面研磨装置を用いて、隙間形成用部材とシリコンウェーハとの回転軸は一致させることが望ましい。これにより、ウェーハ周方向に均一にエッチング液が行き渡り、表面形状が均一なウェーハを得ることができる。
シリコンウェーハと隙間形成用部材とを所定距離だけ平行に離間させる方法としては、シリコンウェーハの方を移動させても、隙間形成用部材の方を移動させてもよい。また、これらの両方を移動させてもよい。
【００１９】
液膜形成用隙間とは、シリコンウェーハの隙間形成用部材との対向面と、隙間形成用部材のシリコンウェーハとの対向面との間に形成される円盤形状の隙間である。また、液膜形成用隙間の幅は、隙間全域にわたって略一定とする。
シリコンウェーハと隙間形成用部材との離間距離、ひいては液膜形成用隙間の幅（エッチング液膜の厚さ）は任意である。
ここでいうエッチング液とは、遊離砥粒を含まず、かつシリコンへのエッチング（腐食）力を有した溶液をいう。
エッチング液としては、例えばＮａＯＨ，ＫＯＨ，ＴＭＡＨなどのアルカリ性エッチング液を採用することができる。その他、過酸化水素などの酸性エッチング液も採用することができる。
【００２０】
エッチング液（エッチング成分）の濃度は、例えばアルカリ性エッチング液の場合には０．０１〜５０重量％のものを使用することが望ましい。アルカリ濃度が高すぎる場合には、ウェーハ表面の粗さ（ヘイズ）などを悪化させる恐れがある。
液膜形成用隙間へのエッチング液の好ましい供給位置は、隙間形成用部材の中央部（回転中心）である。この場合、シリコンウェーハと隙間形成用部材とが同一の軸線上で回転する際に、エッチング液を液膜形成用隙間の半径方向外側へ向かって略均等に流出でき、シリコンウェーハの面内均一エッチング性を高めることができる。
【００２１】
シリコンウェーハと隙間形成用部材とは、何れか一方を回転させても、両方を回転させてもよい。その回転方向は、互いに異なる方向でも、同一方向でもよい。
シリコンウェーハまたは隙間形成用部材の回転速度はいずれも１〜１０００ｒｐｍに調整することが望ましい。回転速度が１ｒｐｍ未満の場合には、液膜を安定的に形成することが困難となり、エッチング液の供給ムラを生じるおそれがある。回転速度が１０００ｒｐｍを超える場合には、装置振動によりエッチング処理後のウェーハ形状が悪化するおそれがある。
【００２２】
この発明では、隙間形成用部材を研磨布とし、液膜形成用隙間のシリコンウェーハ側の形成壁面を粗研磨面とするようにしてもよい。この場合には、エッチング液により、シリコンウェーハの粗研磨面の平坦度が改善される。
研磨布としては、不織布にウレタンを含浸させて発泡させた研磨布または乾式発泡ウレタンからなる研磨布や、ポリエステル製の不織布などを採用することができる。研磨布は研磨作用面に砥粒が固定された固定砥粒方式のものでもよい。
研磨布は硬質なものが望ましく、具体的には、ＪＩＳ  Ｋ  ６２５３−１９９７／ＩＳＯ  ７６１９により規定されたショアＤ硬度で７０〜９０、圧縮率が１〜５％、特に２〜３％の研磨布を採用することが望ましい。
【００２３】
使用される研磨装置としては、例えば１枚のシリコンウェーハを研磨する枚葉式のものでも、複数枚のシリコンウェーハを同時に研磨するバッチ式のものでもよい。枚葉式の場合、研磨ヘッドを定位置で回転させるものでも、水平に移動させるものでもよい。また、シリコンウェーハの片面のみを研磨する片面研磨式のものでも、表裏両面を同時に研磨する両面同時研磨式のものでもよい。いずれの場合でも、ウェーハ表面の平坦度が、従来はＧＢＩＲで０．４μｍ以上であったものを、ＧＢＩＲで０．３μｍ以下にまで改善することができる。
【００２４】
シリコンウェーハと隙間形成用部材との離間距離は、使用するエッチング液の粘性にもよるが、０．１ｍｍ〜１ｍｍが望ましい。間隔が広すぎる場合にはエッチング処理中、液膜形成を維持することが困難となる。
【実施例】
【００２５】
次に、図１〜図４を参照して、この発明の実施例１に係るウェーハ表面処理方法を説明する。まず研磨装置を説明する。
図２および図３において、１０はこの発明の実施例１に係るウェーハ表面処理方法で使用される枚葉式の片面研磨装置で、上面に、表裏面を粗研磨した後の１枚のシリコンウェーハＷが、表面（粗研磨面）を上に向けて真空貼着された円形のウェーハ保持板１１と、ウェーハ保持板１１の上方に対向して配置され、下面に研磨布（隙間形成用部材）１２が貼着された研磨定盤１３とを備えている。シリコンウェーハＷは、直径３００ｍｍ、Ｐ型、初期酸素濃度１．０×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３、比抵抗が１０ｍΩ・ｃｍ、面方位は（１００）のものである。研磨布１２としては、不織布にウレタンを含浸させて発泡させた厚さ１．２ｍｍ、アスカーＡ硬度で９０Ａのものが採用されている。
【００２６】
片面研磨装置１０は、ウェーハ面内の平坦度を高めるため、往復移動部１４により研磨定盤１３を水平方向へ往復移動可能となっている。そのため、研磨定盤１３および研磨布１２は、ウェーハ保持板１１より大径に形成されている。研磨定盤１３の中心部および研磨布１２の中心部には、それぞれの表裏面を貫通してノズル孔１５が１本形成されている（図１および図４）。ノズル孔１５には、研磨工程では研磨液ａが流入され、またエッチングを伴う表面処理工程では、アルカリ性のエッチング液ｂが流入される。さらに、リンス工程では超純水ｃが流入される。
研磨液ａとしては、ＫＯＨ溶液をベースとし、平均粒径約２０ｎｍのシリカ粒子が０．５重量％混入されたコロイダルシリカが使用される。なお、研磨液ａに代えて遊離砥粒を含まない無砥粒の研磨液を採用してもよい。エッチング液ｂとしては、遊離砥粒を含まない３０容量％（アルカリ濃度；３重量％）、４０℃のＮａＯＨ溶液が使用される。なお、エッチング液ｂとしては、仕上げ研磨に使用する研磨液と同種のものを採用した方が望ましい。これは、次の仕上げ研磨を行う際に、研磨液の薬液成分の変動を排除するためである。具体的には、仕上げ研磨用の研磨液がＮａＯＨであれば、エッチング液ｂもＮａＯＨ、仕上げ研磨用の研磨液がＫＯＨであればエッチング液ｂもＫＯＨとする。
【００２７】
シリコンウェーハＷの片面研磨時には、研磨定盤１３を５０〜１００ｒｐｍで回転させながら徐々に下降し、その研磨布１２を、研磨定盤１３とは反対方向へ５０〜１００ｒｐｍで回転するウェーハ保持板１１上のシリコンウェーハＷの表面に、研磨圧力１００〜３００ｇ／ｃｍ２で押し付ける。この研磨中、ノズル孔１５から４０℃の研磨液ａを常時０．５リットル／分で供給する。研磨定盤１３と研磨布１２との中心線は合致し、同一の軸線（中心線）を中心にして同期回転する。シリコンウェーハＷとウェーハ保持板１１との中心線は合致し、同一の軸線を中心にして同期回転する。研磨時間は１７分間、表面処理中は研磨定盤１３を水平方向へ往復移動させる。その結果、シリコンウェーハＷの表面が研磨される。
【００２８】
次に、この発明の実施例１に係るウェーハ表面処理方法を説明する。まず、研磨工程を説明する。
研磨工程では、片面研磨装置１０を用いて、シリコンウェーハＷの表面のみが研磨される。すなわち、研磨定盤１３を５０〜１００ｒｐｍで回転させながら、研磨定盤１３とは反対方向へ５０〜１００ｒｐｍで回転中のウェーハ保持板１１に向かって徐々に下降させる。これにより、研磨布１２がシリコンウェーハＷの表面に、１００〜３００ｇ／ｃｍ２で押し付けられた状態で１７分間、ウェーハ表面を研磨する。このとき、ノズル孔１５から、常時、０．５リットル／分で研磨液ａをシリコンウェーハＷの表面に供給する。また、研磨定盤１３を水平方向へ常時往復移動させる。これにより、シリコンウェーハＷの表面が研磨され、前述した両面研磨時のウェーハ表面の加工ダメージが除去されるとともに、ウェーハ表面が平坦化される。
【００２９】
表面処理工程では、研磨の終了後、研磨定盤１３を１００μｍだけ水平に上昇させる。これにより、シリコンウェーハＷと研磨布１２との間に１００μｍの液膜形成用隙間１６が形成される。次に、この状態を維持して、ノズル孔１５から研磨液ａに代えて遊離砥粒を含まないエッチング液ｂを３．０リットル／分で、表面処理中は常時供給する。これにより、液膜形成用隙間１６に厚さ１００μｍのエッチング液膜１７が形成される。しかも、この状態を維持して、研磨工程時と同様に、研磨定盤１３をその中心線を中心にして５０〜１００ｒｐｍで回転させるとともに、ウェーハ保持板１１およびシリコンウェーハＷを、互いに一致した中心線を中心にして研磨定盤１３とは反対方向へ５０〜１００ｒｐｍで回転させる。このとき、表面処理時間は３分間で、表面処理中は研磨定盤１３を水平方向へ常時往復移動させる。その結果、シリコンウェーハＷの研磨面に対して、エッチングを伴う表面処理が施される。
【００３０】
このように、エッチング液膜１７を形成したまま、シリコンウェーハＷと研磨布１２とを互いに反対方向へ回転させることで、遠心力の作用により、液膜形成用隙間１６に供給されたエッチング液ｂの流速が高まる。しかも、シリコンウェーハＷの研磨布１２との対向面に存在する凹凸のうち、凸部Ｗａと研磨布１２との間Ｂが狭いため、ここにオリフィスが形成され、この部分を通過するエッチング液ｂの流速が高まる。
これにより、新鮮なエッチング液ｂが、液膜形成用隙間１６の一般的な幅（隙間）部分に比べて単位時間当たり大量に凸部Ｗａと接触し、その結果、凸部Ｗａのエッチング速度が高まる。一方、凹部Ｗｂと研磨布１２との間Ａは、凸部Ｗａとの場合に比べて幅が広く、この部分を通過するエッチング液ｂの流速は遅くなり、凹部Ｗｂのエッチング速度が凸部Ｗａの場合より低下する。これらの作用により、凹凸差は徐々に小さくなって行く。よって、シリコンウェーハＷの平坦度レベルを改善することができる。また、使用後のエッチング液ｂは、液膜形成用隙間１６の外周の開口から外へ流出する。
【００３１】
また、片面研磨装置１０にエッチング機構を備え、シリコンウェーハＷの表面処理を仕上げ研磨前の研磨の終了直後に連続して行うように構成したので、専用のエッチング処理装置が不要となり、コスト低減が図れるとともに研磨および表面処理のトータルな処理時間を短縮することができる。
【００３２】
リンス工程では、表面処理工程の終了後、エッチング液ｂに代えて超純水ｃをノズル孔１５から液膜形成用隙間１６に５．０リットル／分で供給しながら、表面処理工程の場合と同一条件で、研磨定盤１３と、シリコンウェーハＷが真空吸着されたウェーハ保持板１１とを回転させる。また、リンス工程中、研磨定盤１３を水平方向へ常時往復移動させる。これにより、シリコンウェーハＷの表面処理面と、研磨布１２とがリンスされる。リンス時間は１分間である。
【００３３】
ここで、実験に基づき、実施例１のウェーハ表面処理方法に則ってシリコンウェーハの研磨面を表面処理した場合（試験例１，２）と、そうでない場合（比較例１，２）とのウェーハ表面の平坦度の違いを報告する。
【００３４】
（比較例１）
比較例１では、実施例１の片面研磨装置を使用し、実施例１の研磨工程と同一条件でシリコンウェーハの表面を研磨し、表面処理およびリンスは行わなかった。このときの研磨面の平坦度レベルは、ＧＢＩＲで０．４５μｍ（土井精密株式会社製のＷａｆｅｒＣｏｍによる評価、以下同じ）であった（図５）。
【００３５】
（比較例２）
比較例２では、実施例１の表面処理工程において、研磨定盤を上昇させてエッチング液を液膜形成用隙間に供給するのではなく、研磨定盤の加圧を中止して無荷重で表面処理を行った。その他の条件は実施例１と同一であり、シリコンウェーハの研磨面に、表面処理とリンスとを順に施した。リンス後、シリコンウェーハを乾燥させ、この表面処理面の平坦度レベルを評価した結果、ＧＢＩＲで０．４３μｍであり、比較例１のシリコンウェーハとほとんど変化はなかった（図６）。
【００３６】
（試験例１）
試験例１では、実施例１の表面処理工程において、レジスト膜均一性、ＳＯＩ膜厚均一性等を目的として意図的にウェーハ外周部をロールアップさせるため、研磨定盤を１０ｍｍ上昇させてエッチング液を液膜形成用隙間に供給した。その他は、実施例１と同一条件でシリコンウェーハの研磨面に、表面処理とリンスとを施した。乾燥後、ウェーハ表面処理面の平坦度レベルを評価したところ、目標範囲内のＧＢＩＲで０．６７ｕｍであった。（図７）。
【００３７】
（試験例２）
試験例２では、実施例１と同一条件で、シリコンウェーハの表面について、研磨と、表面処理と、リンスとを順次施した。リンス後、乾燥を経て、シリコンウェーハの表面処理面の平坦度レベルを評価した。その結果、シリコンウェーハの表面処理面の平坦度はＧＢＩＲで０．２２ｕｍであって、通常研磨の比較例１と比べて高いウェーハ表面の平坦度を得ることができた（図８）。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
この発明によれば、シリコンウェーハと隙間形成用部材とを平行に離間して得られた液膜形成用隙間にエッチング液を連続的に供給しながら、シリコンウェーハと隙間形成用部材との少なくとも一方を回転させ、シリコンウェーハの隙間形成用部材との対向面に化学的な表面処理を施すため、エッチング条件を適宜変更して、ウェーハの表面形状を自由に造り込むことができる。
【符号の説明】
【００３９】
１２  研磨布（隙間形成用部材）、
１６  液膜形成用隙間、
１７  エッチング液膜、
Ｗ  シリコンウェーハ、
ｂ  エッチング液。
【図１】
2012235072.tif 000003
【図２】
2012235072.tif 000004
【図３】
2012235072.tif 000005
【図４】
2012235072.tif 000006
【図５】
2012235072.tif 000007
【図６】
2012235072.tif 000008
【図７】
2012235072.tif 000009
【図８】
2012235072.tif 000010