(57)【要約】【課題】渦巻形状の電気導体３２における電流重心の偏りを矯正可能な磁気共鳴イメージング装置を提供する。【解決手段】渦巻形状の電気導体３２を有する磁気共鳴イメージング装置において、電気導体３２の長手方向に沿って電気導体３２に設けられ、電気導体３２に形成される電流導通路Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌｎを複数に分けるスリットＳ１、Ｓ２、Ｓ３を有し、分けられた電流導通路Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌｎ同士では、渦巻形状の外側の方向にある電流導通路ほど、幅が広くなっている（ｗｎ＞ｗ３＞ｗ２＞ｗ１）。そして、スリットＳ１、Ｓ２、Ｓ３は、電気導体３２の長手方向において、電気導体３２の曲率半径ｒ０が局所的に小さくなっているところに形成されている。【選択図】図５
2012016524.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
渦巻形状の電気導体を有する磁気共鳴イメージング装置において、
前記電気導体の長手方向に沿って前記電気導体に設けられ、前記電気導体に形成される電流導通路を複数に分けるスリットを有し、
前記スリットにより分けられた前記電流導通路同士では、前記渦巻形状の外側の方向にある前記電流導通路ほど、幅が広いことを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
【請求項２】
前記スリットは、前記長手方向において、前記電気導体の曲率半径が局所的に小さくなっているところに形成されることを特徴とする請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項３】
前記電気導体に、前記長手方向に沿って幅方向において１本の前記スリットが設けられ、
１本の前記スリットが、前記電流導通路を２つに分けており、
分けられた前記電流導通路同士において前記渦巻形状の内側の方向にある前記電流導通路の幅が、前記スリットを設けた場所における前記電気導体の導体幅の０．３倍を超え０．５倍未満であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項４】
前記電気導体に、前記長手方向に沿って幅方向において２本の前記スリットが設けられ、
２本の前記スリットが、前記電流導通路を３つに分けており、
分けられた前記電流導通路同士において前記渦巻形状の内側の方向で一番内側にある前記電流導通路の幅が、前記スリットを設けた場所における前記電気導体の導体幅の０．１５倍を超え０．３３倍未満であり、
分けられた前記電流導通路同士において前記渦巻形状の内側の方向で中間にある前記電流導通路の幅が、前記スリットを設けた場所における前記電気導体の導体幅の略０．３３倍であり、
分けられた前記電流導通路同士において前記渦巻形状の外側の方向で一番外側にある前記電流導通路の幅が、前記スリットを設けた場所における前記電気導体の導体幅の０．３３倍を超え０．５倍未満であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、渦巻形状の電気導体を有する磁気共鳴イメージング(以下、ＭＲＩ；Magnetic Resonance Imagingと称す)装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＭＲＩ装置は、核磁気共鳴（以下、ＮＭＲ；Nuclear Magnetic Resonanceと称す）現象を利用して被検体の物理的、化学的性質を表す断層画像を撮像するものであり、特に医療用として広く用いられている。
【０００３】
ＭＲＩ装置には、計測されるＮＭＲ信号に位置情報を持たせるために傾斜磁場発生装置が用いられる。傾斜磁場発生装置は、撮像領域内において、互いに直交する３方向それぞれに沿って磁場強度が線形的に変化する傾斜磁場を発生させる、複数の渦巻形状の電気導体（コイル）を有している。この傾斜磁場により、ＭＲＩ装置は、ＮＭＲ信号の３次元的な位置情報を得ている。このため、傾斜磁場の磁場分布の精度は、計測されるＮＭＲ信号の位置情報の精度ひいては画像の空間分解能に影響するため重要である。
【０００４】
傾斜磁場発生装置は、画像の空間分解能を向上させ、傾斜磁場の磁場分布の精度を高めるために、大きな傾斜磁場を発生させる必要がある。そのため、傾斜磁場発生装置に流される電流を大きくしつつ、電源装置の負担を減らすために、傾斜磁場発生装置の電気抵抗を小さくしている。すなわち、傾斜磁場発生装置を構成する複数の渦巻形状の電気導体の幅や厚みを大きくしている。ここで、渦巻状の電気導体のコイルパターンが形成されている面の法線方向の厚さを、渦巻状の電気導体の厚さとし、電流方向と前記法線方向に直交する方向の渦巻状の電気導体の寸法を幅と定義する。傾斜磁場発生装置は、一定の厚みのフラットな板状の電気導体を、所望の磁場を発生させる渦巻形状のコイルパターンに加工することで製作されている。
【０００５】
渦巻状（のコイルパターン）の電気導体内を流れる電流は、電流方向と直交する方向（前記幅の方向）に分布を有する。これは、電気導体が湾曲している（直線形状でない）箇所では、電流は電気抵抗が小さくなるよう渦巻の内側寄りの最短経路を流れる傾向があるからである。特に、電気導体の湾曲部の内側の曲率半径に比べて電気導体の幅が大きい場合には、電流分布の電流重心は導体幅方向の電気導体の中心から内側に偏る。ここで、渦巻状の電気導体の幅方向の中線（幅方向の中央に沿った線）に接する円を考え，前記円の中心側に位置する導体の端部を内側，他端を外側と定義する。
【０００６】
傾斜磁場発生装置の渦巻形状の電気導体のコイルパターンの（設計）寸法に対して電流重心の偏りが無視できないほどに大きくなると、傾斜磁場発生装置が実際に発生させる傾斜磁場と設計した傾斜磁場との誤差が大きくなり、ＮＭＲ信号の位置情報の計測精度を悪化させ、画像の空間分解能を低下させる原因になると考えられた。
【０００７】
電流重心の偏りを矯正する従来技術としては、ＭＲＩ装置の撮像時に高周波磁場を発生させる湾曲部を有する電気導体の高周波（以下、ＲＦ；Radio Frequencyと称す）照射コイルにおいて、幅方向にスリットを設け、電流の経路をシフトさせて適切な電流分布を実現する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、導体内部にスリットを設けて渦電流の流れを抑制する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平８−３３２１７７号公報
【特許文献２】特開平７−３１３４９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、従来技術(特許文献１)では、スリットを電流方向と直交する向きに設けるため、スリットを設ける前と比べてＲＦ照射コイル全体の電気抵抗が増加し、電源装置にかかる負荷が増大したり、ＲＦ照射コイルの発熱量が増加したりすると考えられた。
【００１０】
これは、ＲＦ照射コイルに限らず、ＭＲＩ装置に搭載された他の渦巻状の電気導体にも生じうる課題であり、例えば、傾斜磁場発生装置が有する複数の渦巻形状の電気導体（コイル）にも同様の課題が生じると考えられる。ＭＲＩ装置には、渦巻形状の電気導体として、傾斜磁場発生装置、ＲＦ照射コイル、ＲＦ受信コイル、シムコイル等が搭載されている。
【００１１】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、渦巻形状の電気導体における電流重心の偏りを矯正可能なＭＲＩ（磁気共鳴イメージング）装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記課題を解決するために、本発明は、
渦巻形状の電気導体を有するＭＲＩ（磁気共鳴イメージング）装置において、
前記電気導体の長手方向に沿って前記電気導体に設けられ、前記電気導体に形成される電流導通路を複数に分けるスリットを有し、
分けられた前記電流導通路同士では、前記渦巻形状の外側の方向にある前記電流導通路ほど、幅が広いことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、渦巻形状の電気導体における電流重心の偏りを矯正可能なＭＲＩ（磁気共鳴イメージング）装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る垂直磁場型の磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）装置の斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る垂直磁場型のＭＲＩ装置の縦断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る垂直磁場型のＭＲＩ装置の傾斜磁場発生装置の分解斜視図である。
【図４】傾斜磁場発生装置のメインコイル（ｙ）の一部を構成する渦巻形状の電気導体の平面図である。
【図５】傾斜磁場発生装置のメインコイル（ｙ）の一部を構成する渦巻形状の電気導体の第１湾曲部周辺の拡大図である。
【図６】渦巻形状の電気導体の第１湾曲部周辺の演算に用いた微小領域の説明図である。
【図７】傾斜磁場発生装置のメインコイル（ｙ）の一部を構成する渦巻形状の電気導体の第１湾曲部の断面図である。
【図８】本発明の第１の実施形態の実施例１（幅方向において１本のスリットが設けられている場合）に係る垂直磁場型のＭＲＩ装置の傾斜磁場発生装置のメインコイル（ｙ）の一部を構成する渦巻形状の電気導体の第１湾曲部の断面図である。
【図９】導体幅毎に、重心偏り率と、内側からスリットまでの距離との関係を示したグラフである。
【図１０】内側からスリットまでの距離と、導体幅との関係を示したグラフである。
【図１１】本発明の第１の実施形態の実施例２（幅方向において２本のスリットが設けられている場合）に係る垂直磁場型のＭＲＩ装置の傾斜磁場発生装置のメインコイル（ｙ）の一部を構成する渦巻形状の電気導体の第１湾曲部の断面図である。
【図１２】内側からそれぞれのスリットまでの距離と、導体幅との関係を示したグラフである。
【図１３】本発明の第２の実施形態に係る垂直磁場型のＭＲＩ装置のシムコイル（渦巻形状の電気導体（湾曲部））の平面図である。
【図１４】本発明の第３の実施形態に係る水平磁場型のＭＲＩ装置の斜視図である。
【図１５】本発明の第３の実施形態に係る水平磁場型のＭＲＩ装置の縦断面図である。
【図１６】本発明の第３の実施形態に係る水平磁場型のＭＲＩ装置の傾斜磁場発生装置のメインコイル（ｙ）（渦巻形状の電気導体）の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
次に、本発明の実施形態について、適宜図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、共通する部分には同一の符号を付し重複した説明を省略する。
【００１６】
（第１の実施形態）
図１に、本発明の第１の実施形態に係る垂直磁場型の磁気共鳴イメージング（ＭＲＩ）装置の斜視図を示す。第１の実施形態のＭＲＩ装置１は、静磁場の向き７が垂直方向（ｚ方向）の垂直磁場型（オープン型）のＭＲＩ装置である。ＭＲＩ装置１では、撮像領域８を挟むように上下一対の電磁石装置２を対向配置することで、被検体５がベッド６に仰臥して撮像領域８に置かれても、検査者からアクセスされるための十分なガントリーギャップを確保している。被検体５の周囲を囲むようにＲＦ受信コイル２２が設けられている。連結柱１７は、上下一対の電磁石装置２の間に設けられ、上下一対の電磁石装置２それぞれに連結して、上下１対の電磁石装置２を互いに離して保持している。上下一対の電磁石装置２は、撮像領域８に、向き７が垂直方向（ｚ方向）で磁場強度が均一の静磁場を発生させる。
【００１７】
また、傾斜磁場発生装置３は、電磁石装置２の撮像領域８の側に配置されている。傾斜磁場発生装置３は、撮像領域８に、互いに直交する３方向、ｘ方向、ｙ方向、ｚ方向それぞれに沿って磁場強度が線形的に変化する傾斜磁場を発生させ、計測されるＮＭＲ信号に位置情報を持たせている。ＭＲＩ装置１は、この位置情報に基づいて、被検体５の検査画像を作成している。
【００１８】
また、ＲＦ照射コイル４も、電磁石装置２の撮像領域８の側に配置されている。ＲＦ照射コイル４は、撮像領域８に仰臥した被検体５に、高周波の電磁波を照射し、被検体５からＮＭＲ信号を発生させている。
【００１９】
なお、このＭＲＩ装置１では、その構造の理解を容易にするために、撮像領域８の中に原点を有するｘｙｚ座標系を設定している。ｚ軸の方向は静磁場の向き７に一致する方向に定義し、ｙ軸の方向は被検体５の仰臥の方向に一致する方向に定義し、ｘ軸の方向はｙ軸とｚ軸に直交する方向に定義している。
【００２０】
図２に、本発明の第１の実施形態に係る垂直磁場型のＭＲＩ装置１の縦断面図を示す。上下一対の電磁石装置２は、撮像領域８の上下に対向配置された１対のメインコイル（超電導コイル）２ａと、一対のメインコイル２ａのｚ軸方向外側に配置された上下１対のシールドコイル（超電導コイル）２ｂを有している。
【００２１】
冷却容器２ｅは、上下一対のメインコイル２ａと、上下一対のシールドコイル２ｂとを、液体ヘリウム（Ｈｅ）のような冷媒と共に収納して、冷却することができる。冷却されたメインコイル２ａとシールドコイル２ｂは、超電導コイルとして機能することができる。真空容器２ｃは、冷却容器２ｅを収納し、真空容器２ｃと冷却容器２ｅとの間の空間を真空に保持することができる。冷却容器２ｅを外気（外部）から断熱することができ、冷却容器２ｅを低温に保持することができる。輻射シールド２ｄは、冷却容器２ｅと真空容器２ｃとの間の真空の空間に設けられ、真空容器２ｃから冷却容器２ｅへの輻射熱を低減し、冷却容器２ｅを低温に保持することができる。
【００２２】
また、上下一対のシムコイル２１が、上下一対の電磁石装置２のｚ軸方向の内側に、撮像領域８を挟んで上下に対向配置されている。上下一対のシムコイル２１は、上下一対の傾斜磁場発生装置３の近傍に配置されている。各シムコイル２１の起磁力を調整することにより、撮像領域８に電磁石装置２が発生させた静磁場の磁場均一度を向上させることができる。
【００２３】
また、上下一対の傾斜磁場発生装置３が、上下一対の電磁石装置２のｚ軸方向の内側に、撮像領域８を挟んで上下に対向配置されている。上下一対の傾斜磁場発生装置３は、例えば、図２に示すように、ｙ軸方向に磁場強度が傾斜した傾斜磁場９を発生させている。
【００２４】
上下一対のＲＦ照射コイル４が、上下一対の電磁石装置２のｚ軸方向の内側に、撮像領域８を挟んで上下に対向配置されている。上下一対のＲＦ照射コイル４は、上下一対の傾斜磁場発生装置３の近傍に配置されている。
【００２５】
図３に、本発明の第１の実施形態に係る垂直磁場型のＭＲＩ装置１の傾斜磁場発生装置３の分解斜視図を示す。傾斜磁場発生装置３は、ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸の３方向に独立な傾斜磁場を発生させるために、３つのメインコイル（ｘ）３１とメインコイル（ｙ）３２とメインコイル（ｚ）３３を有している。また、傾斜磁場発生装置３は、３つのメインコイル（ｘ）３１とメインコイル（ｙ）３２とメインコイル（ｚ）３３からの漏れ磁場をシールドするために、それぞれに対応する３つのシールドコイル（ｘ）３５とシールドコイル（ｙ）３６とシールドコイル（ｚ）３４を有している。垂直磁場型のＭＲＩ装置１では、傾斜磁場発生装置３は、上下に一対配置されているが、それぞれの傾斜磁場発生装置３に計６つのコイル３１〜３６が設けられている。図３に示す６つのコイル３１〜３６の積層の順番は、上下一対の傾斜磁場発生装置３の上側のものであり、下側の傾斜磁場発生装置３では、積層の順番が逆になっている。
【００２６】
メインコイル（ｘ）３１とシールドコイル（ｘ）３５はそれぞれ、ｘ軸方向に並んだ２つの渦巻中心３ａを有する線対称形状で渦巻形状の電気導体を有している。メインコイル（ｙ）３２とシールドコイル（ｙ）３６はそれぞれ、ｙ軸方向に並んだ２つの渦巻中心３ａを有する線対称形状で渦巻形状の電気導体を有している。メインコイル（ｚ）３３とシールドコイル（ｚ）３４はそれぞれ、中央に１つの渦巻中心３ａを有する渦巻形状の電気導体を有している。
【００２７】
図４は、傾斜磁場発生装置３のメインコイル（ｙ）３２の一部を構成する渦巻形状の電気導体の平面図である。図４では、渦巻中心３ａを有する渦巻形状の電気導体の具体例として、メインコイル（ｙ）３２を構成する２つの内の一方の渦巻中心３ａに対応する渦巻形状の電気導体のコイルパターンを示している。図４に示すメインコイル（ｙ）３２の一部の渦巻形状の電気導体は、図３に示すメインコイル（ｙ）３２の線対称形状の片側半分である。メインコイル（ｙ）３２等の渦巻形状の電気導体は、曲率半径が局所的に小さくなっている第１湾曲部１１ａと、第１湾曲部１１ａより曲率半径が大きく湾曲が緩やかな第２湾曲部１１ｂと、湾曲していない直線部１２とを有している。そして、第１湾曲部１１ａには、電気導体の長手方向（渦巻き方向）に沿って、スリットＳ１、Ｓ２、Ｓ３が設けられている。１つのスリットＳ１で、第１湾曲部１１ａを２つに分けたり、２つのスリットＳ１、Ｓ２で、第１湾曲部１１ａを３つに分けたり、３つのスリットＳ１、Ｓ２、Ｓ３で、第１湾曲部１１ａを４つに分けたりしている。メインコイル（ｙ）３２等の渦巻形状の電気導体は、銅（Ｃｕ）またはアルミニウム（Ａｌ）等の良導体の板を切り抜いて製作される。渦巻形状の電気導体を形成する手法としては、エッチング、ウォータージェット、パンチングによる切断等を用いることができる。
【００２８】
図５に、傾斜磁場発生装置３のメインコイル（ｙ）３２の一部を構成する渦巻形状の電気導体の第１湾曲部１１ａ周辺の拡大図を示す。図５では、３つ以上のスリットＳ１、Ｓ２、Ｓ３が、第１湾曲部１１ａの長手方向に沿ってメインコイル（ｙ）３２（電気導体）の第１湾曲部１１ａに設けられている。この３つ以上のスリットＳ１、Ｓ２、Ｓ３は、メインコイル（ｙ）３２（電気導体）の第１湾曲部１１ａに形成される電流導通路を、４つ以上の（複数の）電流導通路Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、・・・Ｌｎに分けている。分けられた電流導通路Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、・・・Ｌｎ同士では、渦巻形状の外側の方向にある電流導通路ほど、幅（導体幅）が広くなっている（ｗ１＜ｗ２＜ｗ３＜ｗｎ、ここで、ｗ１は電流導通路Ｌ１の導体幅、ｗ２は電流導通路Ｌ２の導体幅、ｗ３は電流導通路Ｌ３の導体幅、ｗｎは電流導通路Ｌｎの導体幅）。第１湾曲部１１ａでは、幅方向が、第１湾曲部１１ａの湾曲の曲率半径の半径方向と一致している。この曲率半径の半径方向について、曲率半径が大きくなる第１湾曲部１１ａの側を第１湾曲部１１ａの外側と定義でき、曲率半径が小さくなる第１湾曲部１１ａの側を第１湾曲部１１ａの内側と定義できる。そして、第１湾曲部１１ａの外側の電流導通路の導体幅は、内側の電流導通路の導体幅より広くなっている（ｗｉ＜ｗｉ＋１、ここで、ｉは１、２、３等の自然数）。
【００２９】
スリットＳ１、Ｓ２、Ｓ３の長手方向の両端は、電流導通路Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌｎを分岐させる分岐部Ｓ０になっている。分岐部Ｓ０は、メインコイル（ｙ）３２（電気導体）の長手方向において、その電気導体の曲率半径が、大きい値から小さい値へ変化する箇所に設けられる。図５では、電気導体が、曲率半径が無限大と考えられる直線状から、曲率半径ｒ０の第１湾曲部１１ａへ切り換わる領域に、分岐部Ｓ０が設けられている。
【００３０】
上記で示した電流導通路Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、・・・Ｌｎ毎の導体幅ｗ１、ｗ２、ｗ３、・・・ｗｎは、設計者が所望する電流経路(コイルパターン)に応じ、以下の原理に従って決定される。
【００３１】
まず、電気導体の電気抵抗Ｒと寸法との関係は、以下の式（数１）で表される。
【数１】
2012016524.tif 000003
ここで、ρは導体の電気抵抗率、ｌは導体の長さ、Ｓは導体の断面積である。ある曲率中心Ｏのもと湾曲した電気導体（第１湾曲部１１ａ）において、導体幅と導体厚さが一定の場合、曲率半径の小さい内側と、大きい外側では、長手方向の導体長さが異なる。このため、距離が長い第１湾曲部１１ａの外側では電気抵抗Ｒが高く、距離の短い内側では電気抵抗Ｒが低くなる。
【００３２】
図６に示すように、電流導通路Ｌ１の曲率半径方向の位置（曲率半径）ｒにおける微小幅ｄｒの領域の電気抵抗Ｒは、曲率中心Ｏ周り角度θの微小角度ｄθと、電気導体（第１湾曲部１１ａ）の導体厚さtとで表すと、導体の長さｌは、位置ｒと微小角度ｄθの積で表され（ｌ＝ｒｄθ）、導体の断面積Ｓは、導体厚さtと微小幅ｄｒの積で表されるので（Ｓ＝ｔｄｒ）、以下の数２のようになる。
【数２】
2012016524.tif 000004
【００３３】
数２の関係を用いて、電気導体（第１湾曲部１１ａ）内の電流重心位置ｒｃの計算方法について、電流導通路Ｌ１を例に、図６を用いて説明する。まず、内側の曲率半径ｒ０と外側の曲率半径ｒ１の間の電気導体（電流導通路Ｌ１）内に流れる電流（値）Ｉの総和は、電気導体（電流導通路Ｌ１）の長手方向の両端の電位差をＶとおくと、以下の数３のようになる。
【数３】
2012016524.tif 000005
【００３４】
電気導体（電流導通路Ｌ１）内の電流重心の位置ｒｃは、曲率半径方向の位置（曲率半径）ｒを電流値Ｉで重み付け（ｒ・Ｉ）して総和をとり、数３の電流値Ｉの総和で除することで求まる。まず、位置ｒの電流値Ｉの重み付き総和は、次の数４のようになる。
【数４】
2012016524.tif 000006
【００３５】
よって、電流重心位置ｒｃは、数４の電流値Ｉの重み付き総和を、数３の電流値Ｉの総和で除した次の数５のようになる。
【数５】
2012016524.tif 000007
【００３６】
次に、電気導体（第１湾曲部１１ａ）が、スリットＳ１、Ｓ２、Ｓ３により、幅方向（曲率半径方向）に複数の電流導通路Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、・・・Ｌｎに分割されている場合の電流重心位置ｒｃを考える。これは、図６に示した電流導通路Ｌ１が、幅方向に複数並んでいることに相当し、図７に示すように、電気導体（第１湾曲部１１ａ）が、幅方向にｎ個の電流導通路Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、・・・Ｌｎに分割され、それらの電流導通路Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、・・・Ｌｎが幅方向に並んでいることに相当している。このような複数の電流導通路Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、・・・Ｌｎを、１つ電気導体（第１湾曲部１１ａ）として見たときの電流重心位置ｒｃは、数５で求めた電流導通路Ｌ１の電流重心位置ｒｃから、類推した各電流導通路Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、・・・Ｌｎ（電流導通路Ｌｉ＋１）の電流重心位置ｒｃに、各電流導通路Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、・・・Ｌｎ（電流導通路Ｌｉ＋１）を流れる電流値Ｉｉで重み付けをすることで計算できる。そこで、まず、各電流導通路Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、・・・Ｌｎ（電流導通路Ｌｉ＋１）に流れる電流値Ｉｉを求める。隣り合う電流導通路Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、・・・ＬｎがスリットＳ１、Ｓ２、Ｓ３によって分岐する起点・終点（分岐部Ｓ０）は、電気導体の第１湾曲部１１ａから直線部１２（図４参照、又は湾曲の緩い第２湾曲部１１ｂ）となった場所であるため、分岐部Ｓ０の微小長さｄｌにおけるスリットＳｉとＳｉ＋１間の電流導通路Ｌｉ＋１の長手方向の電気抵抗Ｒｉは、次の数６のように計算できる。
【数６】
2012016524.tif 000008
【００３７】
よって、スリットＳｉとＳｉ＋１間の電流導通路Ｌｉ＋１を流れる電流値Ｉｉは、電流導通路Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、・・・Ｌｎの長手方向の両端の電圧はどれも等しく電圧Ｖと設定すれば、次の数７のようになる。
【数７】
2012016524.tif 000009
【００３８】
また、スリットＳｉとＳｉ＋１間の電流導通路Ｌｉ＋１の電流重心位置ｒｃｉは、数５より類推して、次の数８のようになる。
【数８】
2012016524.tif 000010
【００３９】
数７と数８より、重み付き電流重心位置（Ｉｉｒｃｉ）は、次の数９のようになる。
【数９】
2012016524.tif 000011
【００４０】
一方、ｎ分割された電流導通路Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、・・・Ｌｎに流れる電流値Ｉｉの総和は、数７の電流値Ｉｉの総和をとって、次の数１０のようになる。
【数１０】
2012016524.tif 000012
【００４１】
最後に、数９の重み付き電流重心位置（Ｉｉｒｃｉ）の総和を、数１０の電流値Ｉｉの総和で除することで、複数の電流導通路Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、・・・Ｌｎに分割された電気導体（第１湾曲部１１ａ）の電流重心位置ｒｃが、次の数１１のように計算できる。
【数１１】
2012016524.tif 000013
【００４２】
なお、電気導体（第１湾曲部１１ａ）の幅方向の幾何的な中心は、次の数１２のように表される。
【数１２】
2012016524.tif 000014
【００４３】
以上から、内側の曲率半径ｒ０と、外側の曲率半径ｒｎとが与えられた電気導体（第１湾曲部１１ａ）において、数１１の電流重心位置ｒｃと数１２の幾何的な中心の差分が最小となるように、スリットＳ１、Ｓ２、Ｓ３（Ｓｉ、Ｓｉ＋１）の曲率半径ｒ１、ｒ２、ｒ３（ｒｉ、ｒｉ＋１）（すなわち、スリットＳ１、Ｓ２、Ｓ３（Ｓｉ、Ｓｉ＋１）の配置位置）を求めることで、電流重心位置ｒｃの偏りが最も小さいスリットＳ１、Ｓ２、Ｓ３（Ｓｉ、Ｓｉ＋１）の配置位置を求めることができる。即ち、次の数１３の最小化問題の解が、最適なスリットＳ１、Ｓ２、Ｓ３（Ｓｉ、Ｓｉ＋１）の配置位置となる。そして、電流導通路Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、・・・Ｌｎの導体幅ｗ１、ｗ２、ｗ３、・・・ｗｎを決定可能である。
【数１３】
2012016524.tif 000015
【００４４】
（第１の実施形態の実施例１）
次に、電気導体（第１湾曲部１１ａ）にスリットがスリットＳ１の１つの場合を例に、その配置位置（曲率半径）ｒ１について説明する。
【００４５】
図８に、第１の実施形態の実施例１として、幅方向において１本のスリットＳ１が設けられている渦巻形状の電気導体（メインコイル（ｙ））３２の第１湾曲部１１ａの断面図を示す。１本のスリットＳ１により、第１湾曲部１１ａが、幅方向に２つに分割され、電流導通路Ｌ１、Ｌ２が形成されている。これより、分けられた電流導通路Ｌ１、Ｌ２同士において、渦巻形状の内側の方向にある電流導通路Ｌ１の導体幅ｗ１は、スリットＳ１を設けた場所における電気導体（メインコイル（ｙ））３２の一部を構成する第１湾曲部１１ａの導体幅ｗの０．３倍を超え０．５倍未満になっている。導体幅ｗ１は、スリットＳ１の曲率半径ｒ１（スリットＳ１の配置位置に相当）から第１湾曲部１１ａの内側の曲率半径ｒ０を引いた値に等しいので（ｗ１＝ｒ１−ｒ０）、スリットＳ１の配置位置（曲率半径ｒ１）は、次の数１４の関係を有する。
【数１４】
2012016524.tif 000016
【００４６】
次に、数１４の関係となる理由について説明する。まず、数１３を、幅方向にスリットＳ１が１本存在する、ｎが２の場合について書き下す。数１３は、次の数１５のように書き下せる。なお、ｒ２は第１湾曲部１１ａの外側の曲率半径である。
【数１５】
2012016524.tif 000017
【００４７】
数１５によれば、第１湾曲部１１ａの任意の寸法、即ち、任意に決定した第１湾曲部１１ａの内側の曲率半径ｒ０と外側の曲率半径ｒ２の比（ｒ０／ｒ２）に対して、あるいは、任意に決定した第１湾曲部１１ａの内側の曲率半径ｒ０と導体幅ｗの比（ｗ／ｒ０）に対して、数１５を最小化するスリットＳ１の配置位置（曲率半径）ｒ１が計算（決定）できる。図９には、スリットＳ１の配置位置（曲率半径）ｒ１を、第１湾曲部１１ａの寸法、即ち、比（ｗ／ｒ０）の１０、２０、３０、４０、５０毎に、第１湾曲部１１ａの内側の曲率半径ｒ０から外側の曲率半径ｒ２まで変化させた数１５の計算値の、導体幅ｗに対する比（重心偏り率：図９の縦軸）を示す。図９の横軸は、第１湾曲部１１ａの内側からスリットＳ１までの距離（ｒ１−ｒ０）を、内側の曲率半径ｒ０で割って正規化している。これは、どんな形状の第１湾曲部１１ａであっても、内側の曲率半径ｒ０に対して導体幅ｗの比（ｗ／ｒ０）が等しく相似形状ならば、最適なスリットＳ１の配置位置（曲率半径ｒ１）は、幅方向の同じ比率（ｒ１−ｒ０）／ｒ０の位置になるからである。そして、重心偏り率がゼロに近く小さいほど、所望の設計どおりに電流が流せていることになり、所望の高精度な傾斜磁場が形成できたことになる。
【００４８】
図９に示す、例えば、比（ｗ／ｒ０）が１０においては（ｗ／ｒ０＝１０）、スリットＳ１の配置位置（曲率半径）ｒ１を、第１湾曲部１１ａの内側の曲率半径ｒ０から外側の曲率半径ｒ２まで変化させると（ｒ１＝ｒ０  →  ｒ１＝ｒ２）、重心偏り率のグラフは、減少して、１つの極小値（最小値）を取ってから、増加するような、下に凸の曲線になる。内側の曲率半径ｒ０で割って正規化した第１湾曲部１１ａの内側からスリットＳ１までの距離（ｒ１−ｒ０）／ｒ０（横軸）が、４．３のときに（（ｒ１−ｒ０）／ｒ０＝４．３）、重心偏り率（縦軸）は最小値を取ることがわかる。そして、この最小値を取るときの第１湾曲部１１ａの内側からスリットＳ１までの距離（ｒ１−ｒ０）が求めたい値である。
【００４９】
同様に、比（ｗ／ｒ０）が２０においては（ｗ／ｒ０＝２０）、距離（ｒ１−ｒ０）／ｒ０（横軸）が、８のときに（（ｒ１−ｒ０）／ｒ０＝８）、重心偏り率（縦軸）は最小値を取る。比（ｗ／ｒ０）が３０においては（ｗ／ｒ０＝３０）、距離（ｒ１−ｒ０）／ｒ０（横軸）が、１１．７のときに（（ｒ１−ｒ０）／ｒ０＝１１．７）、重心偏り率（縦軸）は最小値を取る。比（ｗ／ｒ０）が４０においては（ｗ／ｒ０＝４０）、距離（ｒ１−ｒ０）／ｒ０（横軸）が、１５．２のときに（（ｒ１−ｒ０）／ｒ０＝１５．２）、重心偏り率（縦軸）は最小値を取る。比（ｗ／ｒ０）が５０においては（ｗ／ｒ０＝５０）、距離（ｒ１−ｒ０）／ｒ０（横軸）が、１８．５のときに（（ｒ１−ｒ０）／ｒ０＝１８．５）、重心偏り率（縦軸）は最小値を取る。そして、これらの最小値を取るときの第１湾曲部１１ａの内側からスリットＳ１までの距離（ｒ１−ｒ０）が求めたい値である。
【００５０】
図１０に、導体幅ｗで割って正規化した第１湾曲部１１ａの内側からスリットＳ１までの距離（ｒ１−ｒ０）／ｗ（縦軸）と、第１湾曲部１１ａの内側の曲率半径ｒ０で割って正規化した導体幅ｗ／ｒ０（横軸）との関係を示す。
【００５１】
図９の比（ｗ／ｒ０）の１０における（ｗ／ｒ０＝１０）、重心偏り率（縦軸）を最小とする距離（ｒ１−ｒ０）／ｒ０（横軸）の４．３より（（ｒ１−ｒ０）／ｒ０＝４．３）、図１０の縦軸の距離（ｒ１−ｒ０）／ｗは、式（ｒ１−ｒ０）／ｗ＝｛（ｒ１−ｒ０）／ｒ０｝／（ｗ／ｒ０）＝４．３／１０＝０．４３のように、０．４３となる（（ｒ１−ｒ０）／ｗ＝０．４３）。図１０の横軸の導体幅ｗ／ｒ０は、図９の比（ｗ／ｒ０）の１０における（ｗ／ｒ０＝１０）より、１０となる（ｗ／ｒ０＝１０）。
【００５２】
同様に、図９の比（ｗ／ｒ０）の２０における（ｗ／ｒ０＝２０）、重心偏り率（縦軸）を最小とする距離（ｒ１−ｒ０）／ｒ０（横軸）の８より（（ｒ１−ｒ０）／ｒ０＝８）、図１０の縦軸の距離（ｒ１−ｒ０）／ｗは、式（ｒ１−ｒ０）／ｗ＝｛（ｒ１−ｒ０）／ｒ０｝／（ｗ／ｒ０）＝８／２０＝０．４のように、０．４となる（（ｒ１−ｒ０）／ｗ＝０．４）。図１０の横軸の導体幅ｗ／ｒ０は、図９の比（ｗ／ｒ０）の２０における（ｗ／ｒ０＝２０）より、２０となる（ｗ／ｒ０＝２０）。
【００５３】
図９の比（ｗ／ｒ０）の３０における（ｗ／ｒ０＝３０）、重心偏り率（縦軸）を最小とする距離（ｒ１−ｒ０）／ｒ０（横軸）の１１．７より（（ｒ１−ｒ０）／ｒ０＝１１．７）、図１０の縦軸の距離（ｒ１−ｒ０）／ｗは、式（ｒ１−ｒ０）／ｗ＝｛（ｒ１−ｒ０）／ｒ０｝／（ｗ／ｒ０）＝１１．７／３０＝０．３９のように、０．３９となる（（ｒ１−ｒ０）／ｗ＝０．３９）。図１０の横軸の導体幅ｗ／ｒ０は、図９の比（ｗ／ｒ０）の３０における（ｗ／ｒ０＝３０）より、３０となる（ｗ／ｒ０＝３０）。
【００５４】
図９の比（ｗ／ｒ０）の４０における（ｗ／ｒ０＝４０）、重心偏り率（縦軸）を最小とする距離（ｒ１−ｒ０）／ｒ０（横軸）の１５．２より（（ｒ１−ｒ０）／ｒ０＝１５．２）、図１０の縦軸の距離（ｒ１−ｒ０）／ｗは、式（ｒ１−ｒ０）／ｗ＝｛（ｒ１−ｒ０）／ｒ０｝／（ｗ／ｒ０）＝１５．２／４０＝０．３８にように、０．３８となる（（ｒ１−ｒ０）／ｗ＝０．３８）。図１０の横軸の導体幅ｗ／ｒ０は、図９の比（ｗ／ｒ０）の４０における（ｗ／ｒ０＝４０）より、４０となる（ｗ／ｒ０＝４０）。
【００５５】
図９の比（ｗ／ｒ０）の５０における（ｗ／ｒ０＝５０）、重心偏り率（縦軸）を最小とする距離（ｒ１−ｒ０）／ｒ０（横軸）の１８．５より（（ｒ１−ｒ０）／ｒ０＝１８．５）、図１０の縦軸の距離（ｒ１−ｒ０）／ｗは、式（ｒ１−ｒ０）／ｗ＝｛（ｒ１−ｒ０）／ｒ０｝／（ｗ／ｒ０）＝１８．５／５０＝０．３７のように、０．３７となる（（ｒ１−ｒ０）／ｗ＝０．３７）。図１０の横軸の導体幅ｗ／ｒ０は、図９の比（ｗ／ｒ０）の５０における（ｗ／ｒ０＝５０）より、５０となる（ｗ／ｒ０＝５０）。
【００５６】
以下、同様に、図９と図１０の導体幅ｗ／ｒ０を、５０を超えて、１０００まで変化させたときの、導体幅ｗで正規化した第１湾曲部１１ａの内側からスリットＳ１までの距離（ｒ１−ｒ０）／ｗ（縦軸）を求めることで、図１０のグラフを完成させた。図１０から、導体幅ｗで正規化した第１湾曲部１１ａの内側からスリットＳ１までの距離（ｒ１−ｒ０）／ｗ（縦軸）は、どのような形状であっても、重心偏り率を減少させ更には最小にするためには、０．３を超え０．５未満の範囲内に設定すればよいことがわかった。具体的には、図１０の縦軸の距離（ｒ１−ｒ０）／ｗは、０（ゼロ）で第１湾曲部１１ａの内側端部を示し、１で第１湾曲部１１ａの外側端部を示すので、縦軸の距離（ｒ１−ｒ０）／ｗが０．３を超え０．５未満の範囲内に設定されるということは、スリットＳ１は、第１湾曲部１１ａの幅方向の中央より、内側に寄せて設定されることになる。すなわち、図８に示すように、外側の電流導通路Ｌ２の導体幅ｗ２より、電流導通路Ｌ１の導体幅ｗ１の方を狭く設定される（ｗ２＞ｗ１）。導体幅ｗと第１湾曲部１１ａの内側の曲率半径ｒ０の比ｗ／ｒ０（図１０の横軸）によって最適値は異なるものの、数１４に示した範囲にスリットＳ１を設けることで、電流重心位置ｒｃの偏りを、効率的に改善し、矯正可能な導体構造を提供できる。
【００５７】
なお、第１の実施形態の実施例１では、数１３等の式展開の説明のため、第１湾曲部１１ａの内側の曲率半径ｒ０の曲率中心Ｏと、外側の曲率半径ｒ２の曲率中心Ｏが、一致している場合について取り上げたが、本発明は、これに限らない。内側と外側で曲率半径の曲率中心Ｏが異なる場合は、電流方向（長手方向）の微小長さごとに幅方向が数１４に示した比率で分割することで、第１の実施形態の実施例１と同様の効果を得ることが可能である。
【００５８】
（第１の実施形態の実施例２）
次に、電気導体（第１湾曲部１１ａ）にスリットがスリットＳ１とＳ２の２つの場合を例に、それらの配置位置（曲率半径）ｒ１とｒ２について説明する。
【００５９】
図１１に、第１の実施形態の実施例２として、幅方向において２本のスリットＳ１とＳ２が設けられている渦巻形状の電気導体（メインコイル（ｙ））３２の第１湾曲部１１ａの断面図を示す。２本のスリットＳ１とＳ２により、第１湾曲部１１ａが、幅方向に３つに分割され、３つの電流導通路Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３が形成されている。そして、実施例１と同様にして最適なスリット位置を計算した。具体的には、数１３を、幅方向にスリットがスリットＳ１とＳ２の２本存在する、ｎが３の場合について書き下した。実施例２では、ｒ３が、第１湾曲部１１ａの外側の曲率半径となる。そして、図１２に示す結果を得た。
【００６０】
図１２に、導体幅ｗで正規化した第１湾曲部１１ａの内側からスリットＳ１までの距離（ｒ１−ｒ０）／ｗとスリットＳ２までの距離（ｒ２−ｒ０）／ｗ（縦軸）と、第１湾曲部１１ａの内側の曲率半径ｒ０で正規化した導体幅ｗ／ｒ０（横軸）との関係を示した。これより、スリットＳ１の配置位置（曲率半径ｒ１）は、次の数１６の関係を有することがわかった。また、スリットＳ２の配置位置（曲率半径ｒ２）は、次の数１７の関係を有することがわかった。
【数１６】
2012016524.tif 000018
【数１７】
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【００６１】
これより、分けられた電流導通路Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３同士において、渦巻形状の内側の方向にある電流導通路Ｌ１の導体幅ｗ１は、スリットＳ１を設けた場所における導体幅ｗの略０．１５倍を超え略０．３３倍未満になり、渦巻形状の内側の方向で中間にある電流導通路Ｌ２の導体幅ｗ２は、スリットＳ１を設けた場所における導体幅ｗの略０．３３倍になり、渦巻形状の外側の方向にある電流導通路Ｌ３の導体幅ｗ３は、スリットＳ２を設けた場所における導体幅ｗの略０．３３倍を超え略０．５倍未満になることがわかった。実施例２でも、実施例１と同様に、導体幅ｗと第１湾曲部１１ａの内側の曲率半径ｒ０の比ｗ／ｒ０（図１２の横軸）によって最適値は異なるものの、数１６に示した範囲を満たすようにスリットＳ１の配置位置（曲率半径）ｒ１を設け、数１７に示した範囲を満たすようにスリットＳ２の配置位置（曲率半径）ｒ２を設けることで、電流重心位置ｒｃの偏りを、効率的に改善し、矯正可能な導体構造を提供できる。
【００６２】
（第１の実施形態の実施例３）
次に、電気導体（第１湾曲部１１ａ）にスリットＳ１、Ｓ２、Ｓ３（Ｓｉ、Ｓｉ＋１）が４つ以上の場合の、それらの配置位置（曲率半径）ｒ１、ｒ２、ｒ３（ｒｉ、ｒｉ＋１）について説明する。実施例３でも実施例１と同様にして最適なスリット位置を計算でき、具体的には、数１３を、幅方向にスリットがスリットＳ１、Ｓ２、Ｓ３（Ｓｉ、Ｓｉ＋１）が４本以上存在する、ｎが５以上の場合について書き下せばよい。スリットＳ１、Ｓ２、Ｓ３（Ｓｉ、Ｓｉ＋１）の数が増加すると各スリットの幅は狭くなるため、各スリット内での電流重心位置ｒｃｉの偏りは小さくなってゆく。このため、スリットの数が増加すると全体の電流重心位置ｒｃの偏りを一層小さくすることができる。なお、各スリットの幅が狭くなると、電気導体（第１湾曲部１１ａ）の内側で幅を狭くし、外側で広くする傾向も小さくなる。また、スリットの数の増加は、加工工数の増加を伴うので、電流重心位置ｒｃの偏りの矯正の効果と、加工コストの上昇との観点から、最適なスリット数を選ばれることになる。
【００６３】
（第２の実施形態）
図１３に、本発明の第２の実施形態に係る垂直磁場型のＭＲＩ装置のシムコイル（渦巻形状の電気導体（湾曲部））２１の平面図を示す。第２の実施形態の垂直磁場型のＭＲＩ装置としては、第１の実施形態の図１や図２で説明した垂直磁場型のＭＲＩ装置１を用いることができ、それに搭載される傾斜磁場発生装置３としては、第１の実施形態で説明した傾斜磁場発生装置３を用いてもよいし、従来の傾斜磁場発生装置３を用いてもよい。そして、第２の実施形態では、図１３に示すように、スリットＳ１を、静磁場７の撮像領域８内の均一性を向上させる微調整を行うシムコイル２１に適用して設けた場合について説明する。
【００６４】
シムコイル２１の渦巻形状の電気導体は、渦巻中心３ａ付近で曲率半径が局所的に小さくなっている第１湾曲部１１ａと、外周側で第１湾曲部１１ａより曲率半径が大きく湾曲が緩やかな第２湾曲部１１ｂとを有している。そして、第１湾曲部１１ａには、電気導体の長手方向（渦巻き方向）に沿って、スリットＳ１が設けられている。スリットＳ１で、第１湾曲部１１ａを２つに分け、それぞれが、電流導通路Ｌ１、Ｌ２になっている。分けられた電流導通路Ｌ１、Ｌ２同士では、渦巻形状の外側の方向にある電流導通路Ｌ２の幅ｗ２の方が、渦巻形状の内側の方向にある電流導通路Ｌ１の幅ｗ１より、広くなっている（ｗ１＜ｗ２）。スリットＳ１の長手方向の端は、電流導通路Ｌ１、Ｌ２を分岐させる分岐部Ｓ０になっている。分岐部Ｓ０は、シムコイル２１（電気導体）の長手方向において、その電気導体の曲率半径が所定値となるところに設けられる。
【００６５】
シムコイル２１に流される電流が小さいときは、長手方向に垂直な面での断面の断面積は小さく、電流の偏りは生じにくい。しかし、シムコイル２１による磁場の調整量を大きくするために、シムコイル２１に流される電流が大きいときは、電流を大きくするために前記断面積を増やして電気抵抗を下げる必要がある。このとき、断面積を大きくして電気導体の幅が広くとなると電流の偏りが発生しうることから、本発明が適用可能である。
【００６６】
（第３の実施形態）
図１４に、本発明の第３の実施形態に係る水平磁場型のＭＲＩ装置１の斜視図を示し、図１５に、その縦断面図を示す。第３の実施形態のＭＲＩ装置１が、第１の実施形態のＭＲＩ装置１と異なっている点は、静磁場の向き７が水平方向になっている点である。これに伴い、電磁石装置２を、中心軸を水平方向（ｚ軸方向）とする円筒形状にし、傾斜磁場発生装置３、ＲＦ照射コイル４、シムコイル２１も円筒形状になっている。
【００６７】
図１６に、本発明の第３の実施形態に係る水平磁場型のＭＲＩ装置１の傾斜磁場発生装置３のメインコイル（ｙ）（渦巻形状の電気導体）３２の斜視図を示す。傾斜磁場発生装置３は、ｘ軸、ｙ軸、ｚ軸の３方向に独立な傾斜磁場を発生させるために、３つのメインコイル（ｘ）とメインコイル（ｙ）３２とメインコイル（ｚ）と、３つのメインコイル（ｘ）３１とメインコイル（ｙ）３２とメインコイル（ｚ）３３からの漏れ磁場をシールドするために、それぞれに対応する３つのシールドコイル（ｘ）とシールドコイル（ｙ）とシールドコイル（ｚ）を有するが、図１６には例として、メインコイル（ｙ）３２を記載している。メインコイル（ｙ）３２は、渦巻中心３ａを有する４つの渦巻形状の電気導体を有している。
【００６８】
メインコイル（ｙ）３２の渦巻形状の電気導体は、曲率半径が局所的に小さくなっている第１湾曲部１１ａ（１１）と、第１湾曲部１１ａより曲率半径が大きく湾曲が緩やかな第２湾曲部１１ｂ（１１）と、湾曲していない直線部１２とを有している。そして、第１湾曲部１１ａには、電気導体の長手方向（渦巻き方向）に沿って、スリットＳ１が設けられている。そして、第１湾曲部１１ａには、電気導体の長手方向（渦巻き方向）に沿って、スリットＳ１が設けられている。スリットＳ１で、第１湾曲部１１ａを２つに分け、それぞれが、電流導通路Ｌ１、Ｌ２になっている。分けられた電流導通路Ｌ１、Ｌ２同士では、渦巻形状の外側の方向にある電流導通路Ｌ２の幅ｗ２の方が、渦巻形状の内側の方向にある電流導通路Ｌ１の幅ｗ１より、広くなっている（ｗ１＜ｗ２）。スリットＳ１の長手方向の端は、電流導通路Ｌ１、Ｌ２を分岐させる分岐部Ｓ０になっている。分岐部Ｓ０は、メインコイル（ｙ）３２（電気導体）の長手方向において、その電気導体の曲率半径が、大きい値から小さい値へ変化する箇所に設けられる。例えば、電気導体が、曲率半径が無限大と考えられる直線状から、曲率半径ｒ０の第１湾曲部１１ａへ切り換わる領域に、分岐部Ｓ０が設けられている。第３の実施形態によっても、第１の実施形態と同様に、電流重心位置ｒｃの偏りを、効率的に改善し、矯正可能な導体構造を提供できる。
【符号の説明】
【００６９】
１      ＭＲＩ装置（磁気共鳴イメージング装置）
３      傾斜磁場発生装置
４      ＲＦ照射コイル
１１    湾曲部
１１ａ  第１湾曲部
１１ｂ  第２湾曲部
２１    シムコイル（渦巻形状の電気導体）
３１    メインコイル（ｘ）（渦巻形状の電気導体）
３２    メインコイル（ｙ）（渦巻形状の電気導体）
３３    メインコイル（ｚ）（渦巻形状の電気導体）
３４    シールドコイル（ｚ）（渦巻形状の電気導体）
３５    シールドコイル（ｘ）（渦巻形状の電気導体）
３６    シールドコイル（ｙ）（渦巻形状の電気導体）
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３  スリット
【図１】
2012016524.tif 000020
【図２】
2012016524.tif 000021
【図３】
2012016524.tif 000022
【図４】
2012016524.tif 000023
【図５】
2012016524.tif 000024
【図６】
2012016524.tif 000025
【図７】
2012016524.tif 000026
【図８】
2012016524.tif 000027
【図９】
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【図１０】
2012016524.tif 000029
【図１１】
2012016524.tif 000030
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
2012016524.tif 000033
【図１５】
2012016524.tif 000034
【図１６】
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