(57)【要約】【課題】塩素品位が低い酸化インジウムを主成分とする粉末を、廃液処理を必要とせず、効率よく、かつ、低コストの手段によって提供する。【解決手段】塩化インジウム水溶液と、アルカリ金属の水酸化物塩を用いた水溶液とを、混合開始から終了まで、液温を５０℃未満、かつ、ｐＨを８以上に保持しながら混合し、晶析反応を生じさせて、水酸化インジウムを生成し、インジウムイオンとの錯生成定数が２．３７を超え、１９．４３未満で、アミノ基を含まないカルボン酸を使用し、かつ、カルボン酸濃度を０．１ｍｏｌ／Ｌ以上、０．５ｍｏｌ／Ｌ以下に調整した水溶液を、アルカリ金属の水酸化物塩を用いた水溶液を用いて、ｐＨ８以上に保持しながら、該水溶液中に前記晶析した水酸化インジウムを分散させ、４０℃〜９０℃の液温に３０分以上保持した後、濾過し、得られた粉末に水洗および仮焼の処理を施す。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
塩化インジウム水溶液、または、塩化インジウムを主成分とする金属塩が含まれる水溶液と、アルカリ金属の水酸化物塩を用いた水溶液とを、混合開始から混合終了まで、液温を５０℃未満、かつ、ｐＨを８以上に保持しながら混合し、晶析反応を生じさせることによって、水酸化インジウムまたはインジウム複合水酸化物を生成し、
インジウムイオンとの錯生成定数が２．３７を超え、１９．４３未満で、アミノ基を含まないカルボン酸を使用し、かつ、カルボン酸濃度を０．１ｍｏｌ／Ｌ以上、０．５ｍｏｌ／Ｌ以下に調整した水溶液を、アルカリ金属の水酸化物塩を用いた水溶液を用いて、ｐＨ８以上に保持しながら、該水溶液中に前記晶析した水酸化インジウムまたはインジウム複合水酸化物を分散させ、４０℃〜９０℃の液温に３０分以上保持した後、濾過することにより粉末を得て、
該粉末に水洗および仮焼の処理を施すことを特徴とする、
酸化インジウムを主成分とする粉末の製造方法。
【請求項２】
前記アルカリ金属の水酸化物塩を用いた水溶液が、水酸化カリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、または混合水溶液からなる、請求項１に記載の酸化インジウムを主成分とする粉末の製造方法。
【請求項３】
前記カルボン酸が、乳酸、酢酸、およびマロン酸のうちの少なくとも１種からなる、請求項１または２に記載の酸化インジウムを主成分とする粉末の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかの製造方法により製造され、塩素品位が５０質量ｐｐｍ以下であることを特徴とする酸化インジウムを主成分とする粉末。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、酸化インジウムを主成分とする粉末およびその製造方法に関し、特に、出発原料として、塩化インジウム、または、塩化インジウムを主成分とする金属塩を用いた当該粉末およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
酸化インジウムを主成分とする粉末（酸化インジウム粉末、または、酸化インジウムを主成分とし、他の金属または金属酸化物を含有する粉末）は、その導電性を利用して、樹脂混練用導電性フィラーのほか、透明導電膜塗料や、透明導電性薄膜作製用のターゲット材などの原料として、電子材料の用途において広く使用されている。
【０００３】
酸化インジウムの粉末は、たとえば、インジウム塩水溶液にアンモニア水溶液や水酸化ナトリウム水溶液などの塩基性水溶液を添加することにより中和し、水酸化インジウムを晶析させ、得られた水酸化インジウムを、水洗し、乾燥し、仮焼することにより得ることができる。
【０００４】
導電性フィラーあるいは透明導電膜塗料は、電子材料の用途に用いられるものであることから、不純物、特にハロゲン元素が含まれることが問題となる。ハロゲン元素が存在すると、電子機器内に用いられている金属の腐食または溶出が発生しやすくなるとともに、酸化インジウム粉末が混合された樹脂においても、経時劣化が起きやすくなるという問題がある。
【０００５】
このような問題に対して、たとえば、特許文献１（特開平５−２０１７３１号公報）には、酸化インジウムにスズをドープした酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）粉末における、ハロゲン元素である塩素の除去について記載されている。これによれば、塩化インジウムおよび塩化スズの混合水溶液をアルカリ水溶液で中和して得た共沈沈殿物を、デカンテーションまたは遠心分離法によって水洗し、加熱分解することによりＩＴＯ粉末を得ることが提案されている。
【０００６】
しかし、ＩＴＯ粉末の塩素品位を１００質量ｐｐｍ未満にするためには、デカンテーションまたは遠心分離法等による水洗を、電気抵抗率が２０００Ω・ｃｍ以上、好ましくは５０００Ω・ｃｍ以上になるまで行う必要があり、このような水洗により工程の高コスト化が予想される。特許文献１では、ＩＴＯ粉末の残留塩素量を、蒸留水への溶出塩素に基づいて決定しており、得られたＩＴＯ粉末の溶出成分分析による塩素量が６〜３９０質量ｐｐｍであることが記載されている。しかしながら、通常、溶出分より多くの塩素が粉末内部に残留していることから、粉末内部の残留塩素まで十分に除去されているとはいいがたい。
【０００７】
また、特許文献２（特開２００９−１１４０１３号公報）には、混合時の液温が５０℃未満、ｐＨが８以上に保持され、かつ、混合終了時のｐＨが１１〜１４となる条件で、アンモニア水溶液などの塩基性水溶液に塩化インジウムを主成分とする金属塩を添加し、水酸化インジウムを晶析させ、得られた水酸化インジウムを、０．０８ｍｏｌ／Ｌ以上のアンモニア水溶液に分散させることによりサスペンションとし、該サスペンションを６０℃〜１００℃の液温に保持した後、濾過することにより、残留塩素濃度が低い酸化インジウムを得ることが提案されている。しかしながら、この技術ではアンモニア水溶液を使用しているので、廃液中に窒素成分が含まれてしまい、排出基準を守るためのコストが要求されてしまう。
【０００８】
ＩＴＯ粉末に代表される透明導電性薄膜作製用のターゲット材では、ハロゲン元素が存在すると、その焼結性が阻害されるとされている。たとえば、特許文献３（特開平１０−１８２１５０号公報）には、塩素などのハロゲン元素が残存した場合に、焼結温度域、特に８００℃を超える温度において、焼結が阻害されることが記載されている。このため、特許文献３では、出発原料として、塩素や硫黄を含まず、比較的低温で分解する硝酸イオンのみを残存させる硝酸インジウムを用いることで、焼結性を阻害させる要因を排除することが提案されている。
【０００９】
しかしながら、出発原料としての硝酸インジウムは、塩化インジウムより高価であり、製造コストが高くなってしまう。また、硝酸が窒素を含むことから、廃液に硝酸性窒素が含まれてしまい、その廃液処理コストが高くかかってしまう。よって、廃液処理を含む生産コスト全体を考慮すると、硝酸インジウムを出発原料とする製造プロセスではなく、塩化インジウムを出発原料とする製造プロセスの方が望ましいといえる。
【００１０】
このように、生産コストの観点から、塩化インジウムを出発原料として酸化インジウムを合成すると、得られる酸化インジウム内に塩素が残留するため、これを電子材料の用途に使用することは困難となる。これに対して、残留塩素を除去する場合には、塩素除去の困難さから、製造コストが高くなってしまうという問題もある。一方、残留塩素を生じない代替材料として、硝酸インジウムを用いると、廃液処理の問題が生じ、同様に製造コストの点で問題を生じることとなる。したがって、廃液処理などの高コスト化につながる影響を排除しつつ、酸化インジウム中の残留塩素を抑制しうる手段が求められている。
【特許文献１】特開平５−２０１７３１号公報
【特許文献２】特開２００９−１１４０１３号公報
【特許文献３】特開平１０−１８２１５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、かかる問題点に鑑みてなされたものであって、塩化インジウム、または、塩化インジウムを主成分とする金属塩を出発原料として用いた場合であっても、塩素品位が低い酸化インジウムを主成分とする粉末を、廃液処理を必要とせず、効率よく、かつ、低コストで得られる製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者は、塩化インジウム、または、塩化インジウムを主成分とする金属塩を出発原料として用いて、塩素品位が低い酸化インジウムを主成分とする粉末を製造する方法を確立するとともに、廃液中の窒素含有量を低減すべく、鋭意、研究開発を行った。
【００１３】
その結果、塩化インジウム、または、塩化インジウムを主成分とする金属塩が含まれる水溶液と、アルカリ金属の水酸化物塩を用いた水溶液とを、特定の温度とｐＨに制御して、水酸化インジウムまたはインジウム複合水酸化物を晶析させ、得られた水酸化インジウムまたはインジウム複合水酸化物を、特定のアミノ基を含まないカルボン酸を用いた水溶液で洗浄することで、塩素品位が低い酸化インジウムを主成分とする粉末が得られ、かつ、晶析工程および洗浄工程における廃液中の窒素含有量を低減させることができるとの知見を得て、本発明を完成するに至ったものである。
【００１４】
本発明の酸化インジウムを主成分とする粉末の製造方法においては、最初に、塩化インジウム水溶液、または、塩化インジウムを主成分とする金属塩が含まれる水溶液と、アルカリ金属の水酸化物塩を用いた水溶液とを、混合開始から混合終了まで、液温を５０℃未満、かつ、ｐＨを８以上に保持しながら混合し、晶析反応を生じさせることによって、水酸化インジウムまたはインジウム複合水酸化物を生成させる。
【００１５】
次に、インジウムイオンとの錯生成定数が２．３７を超え、１９．４３未満で、アミノ基を含まないカルボン酸を使用し、かつ、カルボン酸濃度を０．１ｍｏｌ／Ｌ以上、０．５ｍｏｌ／Ｌ以下に調整した水溶液を、アルカリ金属の水酸化物塩を用いた水溶液を用いて、ｐＨ８以上に保持しながら、該水溶液中に前記晶析した水酸化インジウムまたはインジウム複合水酸化物を分散させ、４０℃〜９０℃の液温に３０分以上保持した後、濾過することにより粉末を得る。
【００１６】
そして、該粉末に水洗および仮焼の処理を施すことにより、製品としての酸化インジウムを主成分とする粉末を得る。
【００１７】
前記アルカリ金属の水酸化物塩を用いた水溶液として、水酸化カリウム水溶液、水酸化ナトリウム水溶液、または混合水溶液を用いることが好ましい。
【００１８】
前記インジウムイオンとの錯生成定数が２．３７を超え、１９．４３未満で、アミノ基を含まないカルボン酸としては、乳酸、酢酸、マロン酸を挙げることができ、これらのうちの１種または２種以上を混合したものを用いることが好ましい。
【００１９】
本発明の製造方法により、残留塩素品位が５０質量ｐｐｍ以下である酸化インジウムを主成分とする粉末を得ることができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明により、塩化インジウム、または、塩化インジウムを主成分とする金属塩を出発原料として用いた場合であっても、晶析工程および洗浄工程のいずれにおいても、アンモニア水溶液などの廃液中に窒素成分をもたらすものを使用することなく、塩素品位が低い酸化インジウムを主成分とする粉末を、効率よく、かつ、低コストで得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
酸化インジウムを主成分とする粉末およびその製造方法は、主として、晶析工程、洗浄工程、仮焼工程からなる。以下、本発明に係る酸化インジウムを主成分とする粉末の製造方法を、詳細に説明する。
【００２２】
（１）晶析工程
塩化インジウム水溶液、または、塩化インジウムを主成分とする金属塩が含まれる水溶液と、アルカリ金属の水酸化物塩を用いた水溶液を、液温５０℃未満、ｐＨ８以上に保持しながら、混合する。なお、塩化インジウム水溶液は、市販のもの、もしくは、インジウムメタルを塩酸水溶液に溶解して調整したものを利用できる。
【００２３】
塩化インジウム水溶液、または、塩化インジウムを主成分とする金属塩が含まれる水溶液と、アルカリ金属の水酸化物塩を用いた水溶液とを混合する際の液温、すなわち、混合の開始から混合の終了までの液温を５０℃未満の温度に保持する必要がある。
【００２４】
液温が５０℃以上になると、晶析した水酸化インジウムまたはインジウム複合水酸化物からなる粒子が凝集してしまう。この場合、凝集した水酸化インジウムなどの粒子の内部に、塩素が存在することとなるが、このように内部に存在する塩素は後工程の水洗によって除去することが困難であるため、水酸化インジウムなどの粉末に残留する塩素が多くなってしまう。混合時の液温は、凝固点以上であれば問題ないが、液温が低すぎると、濾過性が悪化するため、３０℃以上とすることが好ましい。
【００２５】
また、かかる混合溶液における混合開始から混合終了までのｐＨを８以上、好ましくはｐＨを９〜１４の範囲に保持する必要がある。一般に、晶析した水酸化インジウムの表面電位は、ｐＨが８〜９では０となり、ｐＨがそれ以下ではプラスに、それ以上ではマイナスに帯電する。晶析反応におけるｐＨが８未満の場合には、晶析した水酸化インジウムなどの粒子の表面電位がプラスに帯電し、粒子表面にマイナス電荷を持つ塩化物イオンが吸着することとなる。
【００２６】
さらに、ｐＨが８未満になると、晶析反応に寄与する水酸化物イオンの濃度が少なくなるため、晶析反応が十分に進行しない。このため、晶析する水酸化インジウムなどの粒子の一部が、吸着した塩化物イオンを取り込みながら成長することで、Ｉｎ（Ｃｌn（ＯＨ）3-n）のように塩素を混在させた構造となる。この場合、その後の洗浄による塩素の除去が困難となるため、水酸化インジウムなどの粉末に残留する塩素が多くなってしまう。
【００２７】
本発明では、混合溶液のｐＨが混合開始から混合終了までにわたって８以上となっている必要がある。たとえば、塩化インジウム水溶液、または、塩化インジウムを主成分とする金属塩が含まれる水溶液と、アルカリ金属の水酸化物塩を用いた水溶液とを、反応槽などに同時に直接入れて混合する場合に、混合が不均一となって、部分的にｐＨが８未満になる領域が生じるおそれがある。このように部分的にでもｐＨが８未満となると、当該領域において粒子の内部に塩素が残留し、最終的な塩素の残留量を５０ｐｐｍ以下とできない場合が生ずる。
【００２８】
また、塩化インジウム水溶液、または、塩化インジウムを主成分とする金属塩が含まれる水溶液に対して、アルカリ金属の水酸化物塩を用いた水溶液を添加する場合にも、塩化インジウム水溶液、または、塩化インジウムを主成分とする金属塩が含まれる水溶液のｐＨが酸性であるため、混合の過程でｐＨが８未満となる場合がある。このように、混合工程において、部分的または一時的にｐＨが８未満となると、塩素の残留量が増加してしまう。
【００２９】
したがって、水酸化インジウムまたはインジウム複合水酸化物を晶析させる工程においては、混合開始から混合終了までにわたってｐＨを８以上に制御する必要がある。かかる混合の開始から終了まで、混合溶液のｐＨを８以上に保持する方法としては、塩化インジウム水溶液、または、塩化インジウムを主成分とする金属塩が含まれる水溶液と、アルカリ金属の水酸化物塩を用いた水溶液とを混合する際に、相対的に多量のアルカリ金属の水酸化物塩を用いた水溶液に対して、塩化インジウム水溶液、または、塩化インジウムを主成分とする金属塩が含まれる水溶液を少しずつ添加することが挙げられる。これにより、安定的にｐＨを８以上に制御できる。ただし、混合の過程でｐＨが８未満となることを回避しうる手段がある場合には、これに限られることはない。
【００３０】
なお、ｐＨは８以上であれば問題はないが、ｐＨを１４以下とすることが好ましい。ｐＨが１４を超えても、塩素の除去効果は大きくならず、水酸化インジウムの再溶解により、インジウムの収率が悪化するばかりか、必要なアルカリ金属の水酸化物塩を用いた水溶液の量が、さらに増加するため、コスト的にも不利となる。
【００３１】
ｐＨを８以上に保持するために、アルカリ金属の水酸化物塩を用いた水溶液に対して、塩化インジウム水溶液、または、塩化インジウムを主成分とする金属塩が含まれる水溶液を添加する際に、同時に、アンモニアやアミン化合物など窒素を含む塩でない塩基性物質の水溶液を添加させてもよい。これにより、塩化インジウム水溶液、または、塩化インジウムを主成分とする金属塩が含まれる水溶液の添加によるｐＨの低下を抑制し、ｐＨを８以上に保持することを確実にできる。
【００３２】
アルカリ金属の水酸化物塩を用いた水溶液は、当量以上に添加することが好ましい。当量以上のアルカリ金属の水酸化物塩を用いた水溶液に対して、塩化インジウム水溶液、または、塩化インジウムを主成分とする金属塩が含まれる水溶液を添加することで、混合が生ずる領域においてｐＨを８以上に保持することを確実にできる。
【００３３】
アルカリ金属の水酸化物塩を用いた水溶液としては、水酸化インジウムないしはインジウム複合水酸化物を晶析できるものであれば、特に限定されないが、コスト面から、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、およびこれらの混合水溶液を用いることが好ましい。また、同様に本発明に適用できる塩基性物質としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、およびこれらの混合物を用いることができる。
【００３４】
アンモニア水などの窒素源を含む塩基性溶液の代わりに、アルカリ金属の水酸化物塩を用いた水溶液を使用することによって、廃液中に窒素成分が含まれてしまう可能性を排除できる。また、アルカリ金属の水酸化物塩は、強アルカリ性物質であり、水溶液中では完全に解離して水酸化物イオンを生じることから、最低限の添加量で必要十分な水酸化物イオンを生じさせることができるので、低コストでｐＨの高い水溶液を得ることができ、かつ、晶析時のｐＨを８以上に維持しやすくなる。
【００３５】
（２）洗浄工程  
前記晶析工程で得られた、水酸化インジウムまたはインジウム複合酸化物の粉末を、ｐＨを８以上に保持したアミノ基を含まないカルボン酸水溶液中に分散させる。使用するカルボン酸は、組成内にアミノ基を含まず、かつ、インジウムイオンとの錯生成定数が２．３７を超え、１９．４３未満であることが必要である。
【００３６】
インジウムイオンとの錯生成定数を２．３７を超える必要があるのは、インジウムイオンと塩化物イオンの間の錯生成定数が２．３７であるからであり、一方、インジウムイオンとの錯生成定数を１９．４３未満とするのは、インジウムイオンと水酸化物イオンの間の錯生成定数が１９．４３であるからである。
【００３７】
水酸化インジウムなどの粒子に残留した塩素は、上述したとおり、組成内に一部取り込まれた形で残留している。これを、インジウムイオンとの錯生成定数が２．３７を超えたカルボン酸水溶液で洗浄することによって、インジウムと結合している塩化物イオンが、より大きな錯生成定数を有するカルボン酸イオンと置き換わり、結果として、インジウム−カルボン酸の錯イオン形成と塩化物イオンの分離が生じる。さらに、インジウムと結合しているカルボン酸イオンが、より大きな錯生成定数を有する水酸化物イオンと置き換わり、結果として、インジウム−水酸化物の錯イオン形成とカルボン酸イオンの分離が生じる。
【００３８】
インジウムイオンとの錯生成定数が２．３７以下であるカルボン酸を使用した場合、上述した塩素とカルボン酸の置換が生じにくくなり、塩素残留量の低減にはつながらない。一方、インジウムイオンとの錯生成定数が１９．４３以上のカルボン酸を使用した場合には、生成したインジウム−カルボン酸の錯イオンが安定状態となるため、カルボン酸と水酸化物イオンとの置換が生じにくくなり、結果として、晶析した水酸化インジウムなどの粒子が、再溶解された状態となってしまい、水酸化インジウムなどの粒子の収率を低下させる。なお、反応の安定性の観点から、インジウムイオンとの錯生成定数は３．０以上、１５．０未満であることが好ましい。
【００３９】
このようなカルボン酸としては、たとえば、乳酸、酢酸、マロン酸（インジウムイオンとの錯生成定数は、それぞれ５．７４、３．１８、１０．１３）などを挙げることができる。アミノ基を含まないカルボン酸水溶液は窒素成分を含まないので、使用後の廃液処理が容易となる。一方、クエン酸、蓚酸などのカルボン酸は、インジウムイオンとの錯生成定数が２１．０２、２６．００と１９．４３を超えるため、いずれも本発明に用いるには不適である。
【００４０】
同時に、アミノ基を含まないカルボン酸水溶液のｐＨは８以上でなければならない。ｐＨが８以上であることで、上述したインジウム−カルボン酸錯イオン中のカルボン酸イオンが水酸化物イオンと置き換わることが可能となる。また、水酸化インジウムなどの粒子の表面電位がマイナスに帯電することにより、塩化物イオンの再吸着を抑制できる。このため、残留塩素量が少ない水酸化インジウムまたはインジウム複合水酸化物を生成することができる。ｐＨが８を下回る場合、水溶液中の水酸化物イオンの濃度が、水酸化インジウムなどを生成するのに十分ではなく、水酸化インジウムなどの粒子の収率を低下させる。また、水酸化インジウムなどの粒子の表面電位がプラスに帯電することから、分離した塩化物イオンの再吸着が生じてしまう。ｐＨは８以上であれば問題はないが、反応の安定性の観点から、ｐＨは９〜１４の範囲とすることが好ましい。
【００４１】
アミノ基を含まないカルボン酸の濃度は、０．１ｍｏｌ／Ｌ以上、０．５ｍｏｌ／Ｌ以下とすることが必要である。０．１ｍｏｌ／Ｌ未満では、濃度が薄いので、洗浄効果が不足する。０．５ｍｏｌ／Ｌを上回った場合は、洗浄効果に影響はないもののコストが高くなる。なお、洗浄の効率性の観点から、０．２ｍｏｌ／Ｌ以上、０．５ｍｏｌ／Ｌ以下であることが好ましい。
【００４２】
また、水酸化インジウムなどの粉末を、アミノ基を含まないカルボン酸水溶液に分散させて得たサスペンションは、４０〜９０℃の液温に保持することが必要である。液温が４０℃未満の場合、塩素とカルボン酸との間の置換反応が十分に進行せず、水酸化インジウムなどの粉末中に残留する塩素を十分に減らすことができない。一方、液温が９０℃を超えると、温度を保持するためのエネルギーコストが大きくなってしまい、適切でない。サスペンションの保持時間は、３０分以上とする。保持時間が３０分未満の場合は、塩素とカルボン酸の置換が十分に進行せず、塩素を減らすことが十分でない場合が生じる。より好ましくは、塩素を安定して低減するため、１時間以上保持する。なお、同様に反応の効率性の観点から、液温を６０℃〜８０℃の範囲に保持し、保持時間を３時間以下とすることが好ましい。
【００４３】
その後、サスペンションを濾過し、純水を用いて常温で１５分以上攪拌洗浄し、洗浄された水酸化インジウム等を濾過することで、余分な不純物を洗浄除去したのち、乾燥、仮焼を行う。この洗浄にもかかわらず、前工程の洗浄に用いたカルボン酸が水酸化インジウムなどに残留してしまったとしても、乾燥、仮焼時に炭酸ガスとして分解除去されるため問題になることはない。
【００４４】
（３）仮焼工程
仮焼温度は、通常行なわれる温度で問題なく、７００〜１２００℃とすることが好ましい。７００℃未満では、水酸化物から酸化物への転換が十分でないことがあり、１２００℃を超えると、酸化インジウムが焼結することがある。仮焼時の雰囲気は、特に限定されないが、酸化性雰囲気とすることが好ましく、コスト面から大気雰囲気とすることがより好ましい。なお、本発明の特徴は、上記晶析工程と洗浄工程にあり、この仮焼工程により制限されることはなく、適切に水酸化インジウムまたはインジウム複合水酸化物から酸化インジウムまたはインジウム複合酸化物を得られる方法であれば、上記条件に限定されることなく採用可能である。
【００４５】
以上のようにして得た酸化インジウムを主成分とする粉末においては、残留塩素が少なく、５０質量ｐｐｍ以下となり、電子材料の用途に好適なものとなる。なお、残留塩素は、仮焼後の酸化インジウム粉末またはインジウム複合酸化物を硝酸で溶解し、硝酸銀を加えたのち、比濁法によって測定する。これにより、表面に存在する塩素だけでなく、粉末の内部に存在する塩素を含めた形で、塩素品位を測定することができる。
【００４６】
さらに、本発明では、使用する水溶液中に、硝酸やアンモニア水、また硝酸アンモニウムなどのアンモニウム塩、アミンなどの窒素成分を含有する薬液がなく、晶析工程および洗浄工程の廃液中に窒素成分が含まれることは原則としてないので、廃液の窒素含有量についての環境基準（窒素含有量：０．１２ｇ／Ｌ以下）を容易に達成することができる。
【実施例】
【００４７】
（実施例１）
純水１００ｍｌ中に、水酸化ナトリウム（関東化学株式会社製、試薬特級）３２ｇを溶解して作製した２５％水酸化ナトリウム水溶液（ｐＨ１３．６）を、液温３５℃、撹拌速度４００ｒｐｍで保持した状態で、この中に、インジウムメタル（株式会社高純度化学研究所製）を３６％塩酸（関東化学株式会社製、試薬特級）に溶解し、純水で希釈することによって調整した０．６ｍｏｌ／Ｌ塩化インジウム水溶液１００ｍｌ（ｐＨ−０．２）を、５ｍｌ／ｍｉｎの速度で添加し、水酸化インジウムの晶析を行った。晶析反応近傍での溶液のｐＨは１２以上に維持され、晶析終了時の溶液のｐＨは、１３．１であった。
【００４８】
溶液を濾過して、得られた水酸化インジウムの粉末を純水により水洗した後、乳酸（関東化学株式会社製、試薬特級、インジウムイオンとの錯生成定数：５．７４）を純水に希釈し、水酸化ナトリウムを用いてｐＨ１３．０に調整した０．５ｍｏｌ／Ｌの乳酸水溶液５００ｍｌに、この粉末を分散させることによりサスペンションとした。その後、得られたサスペンションを、撹拌しながら８０℃で２時間保持した後、濾過し、純水を用いた水洗を行い、乾燥させることによって水酸化インジウム粉末を得た。
【００４９】
さらに、得られた水酸化インジウム粉末を、大気雰囲気中、８００℃で５時間仮焼することによって酸化インジウム粉末を得た。
【００５０】
得られた酸化インジウム粉に対するインジウム回収率は９９％であり、かつ、粉末中の残留塩素濃度は、比濁法を用いて測定したところ、４０質量ｐｐｍであった。また、晶析工程および洗浄工程において生じた廃液中の窒素含有量について、パックテスト（株式会社共立理化学研究所製）を用いて測定したところ、窒素成分は検出されず、窒素処理の必要はなかった。
【００５１】
（実施例２）
実施例１と同じ方法で、水酸化インジウムの晶析を行った。得られた水酸化インジウム粉末を純水により水洗した後、酢酸（関東化学株式会社製、試薬特級、インジウムイオンとの錯生成定数：３．１８）を純水に希釈し、水酸化ナトリウムを用いてｐＨ１２．５に調整した０．３ｍｏｌ／Ｌの酢酸水溶液５００ｍｌに、この粉末を分散させることによりサスペンションとした。その後、得られたサスペンションを、撹拌しながら７０℃で２時間保持した後、濾過し、純水を用いた水洗を行い、乾燥させることによって水酸化インジウム粉末を得た。
【００５２】
さらに、得られた水酸化インジウム粉末を、大気雰囲気中、８００℃で５時間仮焼することによって酸化インジウム粉末を得た。
【００５３】
得られた酸化インジウム粉に対するインジウム回収率は９８％であり、かつ、粉末中の残留塩素濃度は４５質量ｐｐｍであった。また、晶析工程および洗浄工程において生じた廃液中の窒素含有量について測定したところ、窒素成分は検出されず、窒素処理の必要はなかった。
【００５４】
（実施例３）
実施例１と同じ方法で、水酸化インジウムの晶析を行った。得られた水酸化インジウム粉末を純水により水洗した後、マロン酸（関東化学株式会社製、試薬特１級、インジウムイオンとの錯生成定数：１０．１３）を純水に希釈し、水酸化ナトリウムを用いてｐＨ１１．０に調整した０．４ｍｏｌ／Ｌのマロン酸水溶液５００ｍｌに、この粉末を分散させることによりサスペンションとした。その後、得られたサスペンションを、撹拌しながら７０℃で２時間保持した後、濾過し、純水を用いた水洗を行い、乾燥させることによって水酸化インジウム粉末を得た。
【００５５】
さらに、得られた水酸化インジウム粉末を、大気雰囲気中、８００℃で５時間仮焼することによって酸化インジウム粉末を得た。
【００５６】
得られた酸化インジウム粉に対するインジウム回収率は９８％であり、かつ、粉末中の残留塩素濃度は４０質量ｐｐｍであった。また、晶析工程および洗浄工程において生じた廃液中の窒素含有量について測定したところ、窒素成分は検出されず、窒素処理の必要はなかった。
【００５７】
（比較例１）
実施例１と同じ方法で、水酸化インジウムの晶析を行った。得られた水酸化インジウム粉末を純水により水洗した後、２８％アンモニア水（関東化学株式会社製、試薬特級）を純水で希釈することで調整した０．２ｍｏｌ／Ｌのアンモニア水溶液（ｐＨ１２．８）５００ｍｌに分散させることによりサスペンションとした。その後、得られたサスペンションを、撹拌しながら８０℃で２時間保持した後、濾過し、水洗を行い、乾燥することによって水酸化インジウム粉末を得た。
【００５８】
得られた水酸化インジウム粉末を、大気雰囲気中、８００℃で５時間仮焼することにより、酸化インジウムとした。この酸化インジウム粉に対するインジウム回収率は９７％、粉末中における残留塩素濃度は４０質量ｐｐｍと実施例と同等であったものの、晶析工程および洗浄工程において生じた廃液中の窒素含有量は１．２ｇ／Ｌであり、水質汚濁防止法で規制される０．１２ｇ／Ｌを超えており、廃液中の窒素処理が必要であった。
【００５９】
（比較例２）
晶析工程における水酸化ナトリウム水溶液を２８％アンモニア水（関東化学株式会社製、試薬特級、ｐＨ１３．３）に変更した以外は、実施例１と同様にして水酸化インジウムを晶析させた。晶析後の液のｐＨは１０．５となっており、水酸化ナトリウム水溶液を用いた場合に比べて幾分低下した。
【００６０】
得られた水酸化インジウムの粉末を水洗した後、２８％アンモニア水（関東化学株式会社製、試薬特級）を純水で希釈することで調整した０．２ｍｏｌ／Ｌのアンモニア水溶液（ｐＨ１２．８）５００ｍｌに分散させることによりサスペンションとした。その後、得られたサスペンションを、撹拌しながら８０℃で２時間保持した後、濾過し、水洗を行い、乾燥することによって水酸化インジウム粉末を得た。
【００６１】
得られた水酸化インジウム粉末を、大気雰囲気中、８００℃で５時間仮焼して得られた酸化インジウム粉に対するインジウム回収率は９９％、粉末中の残留塩素濃度は５０質量ｐｐｍと実施例と同等であったが、晶析工程および洗浄工程において生じた廃液中の窒素含有量は２０．３ｇ／Ｌであり、水質汚濁防止法で規制される０．１２ｇ／Ｌを越えており、廃液中の窒素処理が必要であった。
【００６２】
（比較例３）
実施例１と同じ方法で、水酸化インジウムの晶析を行った。得られた水酸化インジウム粉末を純水により水洗した後、蓚酸（関東化学株式会社製、試薬特級、インジウムイオンとの錯生成定数：２６．００）を純水に希釈し、水酸化ナトリウムを用いてｐＨ１２．０に調整した０．５ｍｏｌ／Ｌの蓚酸水溶液５００ｍｌに、この粉末を分散させることによりサスペンションとした。その後、得られたサスペンションを、撹拌しながら８０℃で２時間保持した後、濾過し、純水を用いた水洗を行い、乾燥させることによって水酸化インジウム粉末を得た。  
【００６３】
得られた水酸化インジウム粉末を、大気雰囲気中、８００℃で５時間仮焼することにより、酸化インジウムとした。この酸化インジウム粉末中における残留塩素濃度は４０質量ｐｐｍと実施例と同等であったものの、インジウム回収率は８６％と低くなっていた。晶析工程および洗浄工程において生じた廃液中に窒素成分は検出されず、窒素処理の必要はなかった。
【００６４】
（比較例４）
実施例１と同じ方法で、水酸化インジウムの晶析を行った。得られた水酸化インジウム粉末を純水により水洗した後、乳酸（関東化学株式会社製、試薬特級、インジウムイオンとの錯生成定数：５．７４）を純水に希釈し、水酸化ナトリウムを用いてｐＨ７．０に調整した０．５ｍｏｌ／Ｌの乳酸水溶液５００ｍｌに、この粉末を分散させることによりサスペンションとした。その後、得られたサスペンションを、撹拌しながら８０℃で２時間保持した後、濾過し、純水を用いた水洗を行い、乾燥させることによって水酸化インジウム粉末を得た。  
【００６５】
得られた水酸化インジウム粉末を、大気雰囲気中、８００℃で５時間仮焼することにより、酸化インジウムとした。この酸化インジウム粉末中における残留塩素濃度は７０質量ｐｐｍと実施例よりも高くなっており、インジウム回収率も８８％と低くなっていた。晶析工程および洗浄工程において生じた廃液中に窒素成分は検出されず、窒素処理の必要はなかった。
【００６６】
【表１】
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【００６７】
以上より明らかなように、本発明の製造方法により、塩化インジウム、または、塩化インジウムを主成分とする金属塩を出発原料として用いた場合であっても、晶析工程および洗浄工程のいずれにおいても、アンモニア水溶液などの廃液中に窒素成分をもたらすものを使用することなく、塩素品位が低い酸化インジウムを主成分とする粉末を、効率よく、かつ、低コストで得ることができる。また、得られた酸化インジウムを主成分とする粉末は、電子材料用として好適であり、透明導電性薄膜形成用の高密度インジウム含有酸化物ターゲットの分野で利用されるのみでなく、樹脂混練用導電性フィラーおよび透明導電膜塗料の分野でも利用され、工業的に極めて有益である。