(57)【要約】【課題】暗電流の分布形状の変化に追従した正確な補正を高速に実現する。【解決手段】黒レベル補間部３ｃは、黒レベル登録部３ｂに予め登録された有効撮像領域の複数位置の黒レベルを補間して各画素位置の黒レベルを求める。一方、ＯＢ黒レベル計測部３ｄが計測した遮光領域に基づいて黒レベル分布推定部３ｅが有効撮像領域の黒レベル分布状態を推定する。黒レベル修正部３ｆは、補間された黒レベルを推定された黒レベル分布状態で修正し、黒レベル補正部３ｇがその値を用いて、撮像部２が出力する有効撮像領域の各画素位置の黒レベルを補正する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体光を電気信号に変換する撮像部を備える画像処理装置において、
前記撮像部の撮像面のうちの一部を遮光した遮光領域の黒レベルを計測する遮光領域計測部と、
前記遮光領域計測部が計測した黒レベルに基づいて、前記撮像面のうちの有効撮像領域の黒レベルの分布状態を推定する黒レベル分布推定部と、
前記有効撮像領域の各画素位置について予め用意された黒レベルを、前記黒レベル分布推定部が推定した黒レベルの分布状態に応じて修正する黒レベル修正部と、
前記黒レベル修正部が修正した前記有効撮像領域の各画素位置の黒レベルを、前記撮像部が出力する有効撮像領域の各画素位置の黒レベルから除去する補正を行う黒レベル補正部とを備えることを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記有効撮像領域の複数の画素位置に、それぞれの黒レベルを予め登録する黒レベル登録部と、
前記黒レベル登録部に登録された黒レベルを補間して、前記有効撮像領域の各画素位置の黒レベルを算出する黒レベル補間部とを備え、
前記黒レベル修正部は、前記黒レベル補間部が算出した黒レベルを、前記黒レベル分布推定部が推定した黒レベルの分布状態に応じて修正することを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記黒レベル分布推定部は、前記有効撮像領域の四辺部にそれぞれ設けられた遮光領域で計測された黒レベルに基づいて、前記有効撮像領域の垂直方向および水平方向の黒レベル値の傾きを求め、分布状態を推定することを特徴とする請求項１記載の画像処理装置。
【請求項４】
被写体光を電気信号に変換する撮像部を備える画像処理装置において、
黒レベルのパターンが繰り返し現れる前記撮像部の撮像面のうちの一部を遮光した遮光領域の黒レベルを計測し、前記パターンを特定する遮光領域パターン計測部と、
前記遮光領域パターン計測部が特定したパターンを、前記撮像面のうちの有効撮像領域で同定するパターン位置検出部と、
前記遮光領域パターン計測部が特定した前記パターンの黒レベルを、前記パターン位置検出部が同定した前記有効撮像領域の各パターンの黒レベルから除去する補正を行う黒レベル補正部とを備えることを特徴とする画像処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、撮像素子の黒レベルを補正する画像処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスは、光を遮断した状態でも時間の経過と共に電荷が蓄積されてくる。このように光に関係なく蓄積される電荷を暗電流という。入射された光を電気信号に変換する撮像素子の場合、撮像面の暗電流分布にむらが生じると撮像画像の黒レベル分布もむらになりノイズとして現れるため、暗電流を電気的に補正または除去する必要がある。
【０００３】
一般的には、撮像面の一部に遮光領域を設けて暗電流を検出し、撮像面の有効撮像領域では、この検出値を基準にした変化量として信号成分のみを得る方法が用いられている。例えば特許文献１に係る固体撮像素子は、撮像素子の周囲に設置された発熱部品からの熱の影響で発生する暗電流成分を、有効撮像領域の周囲に複数配置された遮光領域（オプティカルブラック領域）を参照して推定し、キャンセルする構成である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−９３７５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の画像処理装置は以上のように構成されているので、所定方向に設置された発熱部品からの熱の影響で発生する暗電流成分を補正することはできるが、有効撮像領域上に複雑に分布し、動的に変化する暗電流成分を補正することは困難であるという課題があった。
【０００６】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、暗電流の分布形状の変化に追従した正確な補正を高速に実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明に係る画像処理装置は、撮像部の撮像面のうちの一部を遮光した遮光領域の黒レベルを計測する遮光領域計測部と、遮光領域計測部が計測した黒レベルに基づいて、撮像面のうちの有効撮像領域の黒レベルの分布状態を推定する黒レベル分布推定部と、有効撮像領域の各画素位置について予め用意された黒レベルを、黒レベル分布推定部が推定した黒レベルの分布状態に応じて修正する黒レベル修正部と、黒レベル修正部が修正した有効撮像領域の各画素位置の黒レベルを、撮像部が出力する有効撮像領域の各画素位置の黒レベルから除去する補正を行う黒レベル補正部とを備えるものである。
【０００８】
この発明に係る画像処理装置は、黒レベルのパターンが繰り返し現れる撮像部の撮像面のうちの一部を遮光した遮光領域の黒レベルを計測し、パターンを特定する遮光領域パターン計測部と、遮光領域パターン計測部が特定したパターンを、撮像面のうちの有効撮像領域で同定するパターン位置検出部と、遮光領域パターン計測部が特定したパターンの黒レベルを、パターン位置検出部が同定した有効撮像領域の各パターンの黒レベルから除去する補正を行う黒レベル補正部とを備えるものである。
【発明の効果】
【０００９】
この発明によれば、予め用意された有効撮像領域の黒レベルを、遮光領域で計測した黒レベルから推定した有効撮像領域の黒レベル分布状態に応じて修正して、撮像部が出力する有効撮像領域の黒レベルから除去するようにしたので、暗電流の分布形状の変化に追従した正確な補正を高速に実現することができる。
【００１０】
また、この発明によれば、遮光領域に繰り返し現れる黒レベルのパターンを有効撮像領域に反映させるようにしたので、暗電流のレベルの変化に追従した正確な補正を高速に実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】この発明の実施の形態１に係る画像処理装置の構成を示すブロック図である。
【図２】実施の形態１に係る画像処理装置における撮像部の構成を示す図である。
【図３】撮像部の撮像面の暗電流分布状態を説明する図である。
【図４】熱などの経時変化に伴い、図３に示す暗電流分布状態が変化した様子を表す図である。
【図５】遮光領域の暗電流計測結果を示すグラフである。
【図６】撮像部の撮像面の暗電流分布状態の一例を示す図である。
【図７】撮像部の撮像面の暗電流分布状態が線形に変化する場合の一例であり、縦縞状の分布を示す。
【図８】撮像部の撮像面の暗電流分布状態が線形に変化する場合の一例であり、横縞状の分布を示す。
【図９】この発明の実施の形態２に係る画像処理装置の構成を示すブロック図である。
【図１０】実施の形態２に係る画像処理装置における撮像部の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
実施の形態１．
図１に示すように、レンズ系１および撮像部２を備えた画像処理装置３は、座標生成部３ａ、黒レベル登録部３ｂ、黒レベル補間部３ｃ、ＯＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｂｌａｃｋ）黒レベル計測部（遮光領域計測部）３ｄ、黒レベル分布推定部３ｅ、黒レベル修正部３ｆ、黒レベル補正部３ｇから構成される。
【００１３】
図２は、撮像部２の構成を示す図である。撮像部２は、レンズ系１により結像された被写体像を光電変換して電気信号として出力する撮像素子（半導体デバイス）を有し、その撮像面は、被写体光を変換して電気信号を出力する有効撮像領域２ａと、光が入射しないように遮光された遮光領域２ｂとに区分される。先立って説明したように、この遮光領域２ｂに光は入射しないが、光に関係なく蓄積される電荷、即ち暗電流は発生する。なお、撮像素子としては、ＣＭＯＳ（Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ  Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）イメージセンサ、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）イメージセンサ等を用いる。
【００１４】
撮像部２は、水平同期信号および垂直同期信号を用いて、撮像素子が電気信号（画像データ）を出力するタイミングを制御している。画像データは、撮像部２からＯＢ黒レベル計測部３ｄおよび黒レベル補正部３ｇへそれぞれ出力される。同期信号は、撮像部２から座標生成部３ａおよびＯＢ黒レベル計測部３ｄへそれぞれ出力され、画像データの撮像面における座標を特定するために用いられる。
【００１５】
座標生成部３ａは、撮像部２から入力される同期信号に基づいて、撮像面の座標をカウントし、処理対象となる画像データの画素が撮像面のどの位置にあるかを示す座標を生成する。座標は黒レベル登録部３ｂおよび黒レベル分布推定部３ｅへそれぞれ出力される。
【００１６】
黒レベル登録部３ｂは、有効撮像領域２ａを複数の領域に分割し、各頂点に予め補正係数を登録して保持しておく記憶手段である。この補正係数は画像データに重畳している暗電流をキャンセルして、黒レベルを補正するための係数である。黒レベル登録部３ｂは、座標生成部３ａから処理対象の座標が入力されると、その座標周囲の頂点の補正係数を黒レベル補間部３ｃへ出力する。
【００１７】
黒レベル補間部３ｃは、黒レベル登録部３ｂから入力される頂点の補正係数を補間して、処理対象の座標の補正係数Ｋを算出する。図２の例では、処理対象となる任意位置（ｘ，ｙ）の補正係数Ｋ（ｘ，ｙ）を、その周囲の４頂点の補正係数から補間して算出している。
【００１８】
図３は、撮像部２の撮像面の黒レベル分布状態、即ち暗電流分布状態を説明する図である。図示例の撮像部２は、ある点を中心に、同心円状に広がる形状をした暗電流分布の特性を有している。このとき、有効撮像領域２ａの各画素の黒レベル（ＯＢｉｎ）は下式（１）で表すことができる。式中、ＯＢｂａｓｅは黒レベルの基準値となり、この値は予め登録した値でも、任意の遮光領域２ｂから検出する代表的な黒レベル検出平均値等でもよい。また、補正係数Ｋ（ｘ，ｙ）は黒レベル補間部３ｃが求めた値である。
ＯＢｉｎ＝Ｋ（ｘ，ｙ）×ＯＢｂａｓｅ      （１）
【００１９】
図４は、熱などの経時変化に伴い、図３に示す暗電流分布状態が変化した様子を表す図である。補正係数Ｋ（ｘ，ｙ）で補正した黒レベルＯＢｉｎは図３の暗電流分布に合わせた静的な値であるため、この値を用いて図３から図４のように変化した暗電流分布を補正すると誤差が大きくなってしまう。そこで、本実施の形態１では図３から図４のように動的に変化した暗電流成分に追従させた黒レベルを得て、撮像部２が撮像動作中に出力する有効撮像領域２ａの黒レベルを補正する。以下では、遮光領域２ｂを４つに分割して扱うこととし、有効撮像領域２ａの図面上左側に位置する領域をＯＢａ、右側に位置する領域をＯＢｂ、上側に位置する領域をＯＢｃ、下側に位置する領域をＯＢｄと称す。
【００２０】
ＯＢ黒レベル計測部３ｄは、撮像部２から入力される同期信号および画像データを用いて、遮光領域ＯＢａ，ＯＢｂ，ＯＢｃ，ＯＢｄそれぞれにおける暗電流を計測する。暗電流計測値は同期信号と共に黒レベル分布推定部３ｅへ出力される。
図５は、遮光領域ＯＢａ，ＯＢｂ，ＯＢｃ，ＯＢｄそれぞれにおける暗電流の計測結果を示すグラフであり、図５（ａ）は遮光領域ＯＢａをｙ方向の走査順に計測した結果、図５（ｂ）は遮光領域ＯＢｂをｙ方向の走査順に計測した結果、図５（ｃ）は遮光領域ＯＢｃをｘ方向の走査順に計測した結果、図５（ｄ）は遮光領域ＯＢｄをｘ方向の走査順に計測した結果を示す。各グラフとも横軸は走査方向、縦軸は暗電流の計測値（レベル）を表す。
【００２１】
黒レベル分布推定部３ｅは、ＯＢ黒レベル計測部３ｄから入力される遮光領域２ｂの暗電流計測結果を元に、有効撮像領域２ａの暗電流分布状態を表す変化量Ｋｓｌｐ（ｘ，ｙ）を算出する。この変化量Ｋｓｌｐ（ｘ，ｙ）は、有効撮像領域２ａの暗電流の分布状態を傾きとして表すものであり、任意位置（ｘ，ｙ）を通るｘ方向（水平方向）およびｙ方向（垂直方向）のそれぞれの暗電流の傾きＫｓｌｐｘ，Ｋｓｌｐｙを重畳したものである。
【００２２】
水平方向の傾きＫｓｌｐｘは、遮光領域ＯＢａ，ＯＢｂの同一ライン上の値より、以下の式（２）で求まる。式中、ＯＢｂ（ｙ）とＯＢａ（ｙ）は遮光領域ＯＢａ，ＯＢｂそれぞれの同一ラインの暗電流の計測値であり、ｍは遮光領域ＯＢａ，ＯＢｂを含む撮像面全体の水平画素数を表す。
Ｋｓｌｐｘ＝｛ＯＢｂ（ｙ）−ＯＢａ（ｙ）｝／ｍ      （２）
【００２３】
垂直方向の傾きＫｓｌｐｙも同様に以下の式（３）で求まる。式中、ＯＢｃ（ｘ）とＯＢｄ（ｘ）は遮光領域ＯＢｃ，ＯＢｄの同一カラム上の暗電流の計測値であり、ｎは遮光領域ＯＢｃ，ＯＢｄを含む撮像面全体の垂直ライン数を表す。
Ｋｓｌｐｙ＝｛ＯＢｄ（ｘ）−ＯＢｃ（ｘ）｝／ｎ      （３）
【００２４】
黒レベル分布推定部３ｅは、上式（２），（３）より求めた傾きＫｓｌｐｘ，Ｋｓｌｐｙを下式（４）により重畳することで、変化量Ｋｓｌｐ（ｘ，ｙ）を算出し、撮像面の暗電流分布状態を推定する。式中、Ｋｍｏｄは傾き補正用の係数であり、予め任意の値として設定しておく。黒レベル分布推定部３ｅは、座標生成部３ａから処理対象の座標が順に入力されると、その座標位置（ｘ，ｙ）の変化量Ｋｓｌｐ（ｘ，ｙ）を算出していき、最終的に有効撮像領域２ａの全ての画素についての変化量Ｋｓｌｐを得る。
Ｋｓｌｐ（ｘ，ｙ）＝Ｋｓｌｐｘ×Ｋｓｌｐｙ×Ｋｍｏｄ      （４）
【００２５】
黒レベル修正部３ｆは、上式（１）で表される有効撮像領域２ａの各画素の黒レベルＯＢｉｎを以下の式（５）により補正して、図３から図４へ動的に変化した最終的な暗電流分布状態を補正するための黒レベルＯＢｃｒｔを求める。この式中、変化量Ｋｓｌｐ（ｘ，ｙ）は黒レベル分布推定部３ｅが算出した値である。βは演算式の補正値であり、予め登録した値でも、任意の遮光領域２ｂから検出する代表的な黒レベル検出平均値等でもよい。黒レベル修正部３ｆは、黒レベル分布推定部３ｅおよび黒レベル補間部３ｃから処理対象の座標位置（ｘ，ｙ）の変化量Ｋｓｌｐ（ｘ，ｙ）および補正係数Ｋ（ｘ，ｙ）が順に入力されると、その座標位置の黒レベルＯＢｃｒｔを算出していき、最終的に有効撮像領域２ａの全ての画素についての黒レベルＯＢｃｒｔを得る。
ＯＢｃｒｔ＝Ｋｓｌｐ（ｘ，ｙ）×ＯＢｉｎ＋β      （５）
【００２６】
なお、上記説明では任意位置の黒レベルの、基準値ＯＢｂａｓｅからのずれ量を表す補正係数を用いて黒レベルＯＢｉｎを算出したが（上式（１））、これに限定されるものではなく、例えば黒レベル登録部３ｂに任意位置の黒レベルを登録しておき、黒レベル補間部３ｃがその黒レベルを補間して有効撮像領域２ａの各画素の黒レベルＯＢｉｎを算出してもよい。
【００２７】
黒レベル補正部３ｇは、黒レベル修正部３ｆから入力される黒レベルＯＢｃｒｔを用いて、以下の式（６）により有効撮像領域２ａの画素データの黒レベルを補正する。式中、Ｄｉｎは撮像部２から入力される有効撮像領域２ａの画像データ、Ｄｃｒｔは黒レベル補正後の有効画像データである。黒レベル補正部３ｇは、黒レベル修正部３ｆから処理対象の座標位置（ｘ，ｙ）の黒レベルＯＢｃｒｔが順に入力されると、その座標位置の有効画像データＤｃｒｔを算出していき、最終的に有効撮像領域２ａの全ての画素についての有効画像データＤｃｒｔを得る。
Ｄｃｒｔ＝Ｄｉｎ−ＯＢｃｒｔ      （６）
【００２８】
このように、黒レベル登録部３ｂに登録する補正係数を、予め撮像部２の暗電流分布特性に応じて登録しておくことにより、例えば図６に示すような複雑に変化する暗電流成分も、撮像中に高速に補正することが可能となる。
【００２９】
また、上記説明では、暗電流を計測する遮光領域２ｂを有効撮像領域２ａの上下左右４領域（ＯＢａ，ＯＢｂ，ＯＢｃ，ＯＢｄ）としたが、暗電流分布状態が線形に変化する場合は任意の領域のみの暗電流計測値を使用してもよい。
図７に示すように、暗電流の分布状態が縦縞状に変化する特性の撮像部２の場合、黒レベル分布推定部３ｅは遮光領域ＯＢｃまたはＯＢｄのいずれか一方の暗電流計測値を使用して分布状態を推定可能である。即ち、水平方向の傾きＫｓｌｐｘは上式（２）より求め、垂直方向の傾きＫｓｌｐｙは一定とする。
また、図８に示すように、暗電流の分布状態が横縞状に変化する特性の撮像部２の場合、黒レベル分布推定部３ｅは遮光領域ＯＢａまたはＯＢｂのいずれか一方の暗電流計測値を使用して分布状態を推定可能である。即ち、水平方向の傾きＫｓｌｐｘは一定とし、垂直方向の傾きＫｓｌｐｙは上式（３）より求める。
【００３０】
以上より、実施の形態１に係る画像処理装置３は、被写体光を電気信号に変換する撮像部２を備え、有効撮像領域２ａの複数の画素位置に、それぞれの黒レベルを予め登録する黒レベル登録部３ｂと、黒レベル登録部３ｂに登録された黒レベルを補間して、有効撮像領域２ａの各画素位置の黒レベルを算出する黒レベル補間部３ｃと、遮光領域２ｂの黒レベルを計測するＯＢ黒レベル計測部３ｄと、ＯＢ黒レベル計測部３ｄが計測した黒レベルに基づいて有効撮像領域２ａの黒レベルの分布状態を推定する黒レベル分布推定部３ｅと、黒レベル補間部３ｃが算出した有効撮像領域２ａの各画素位置の黒レベルを、黒レベル分布推定部３ｅが推定した黒レベルの分布状態に応じて修正する黒レベル修正部３ｆと、黒レベル修正部３ｆが修正した有効撮像領域２ａの各画素位置の黒レベルを、撮像部２が出力する有効撮像領域２ａの各画素位置の黒レベルから除去する補正を行う黒レベル補正部３ｇとを備えるように構成した。このため、暗電流の分布形状の変化に追従した正確な補正を高速に実現することができる。
【００３１】
また、実施の形態１によれば、黒レベル分布推定部３ｅは、有効撮像領域２ａの四辺部にそれぞれ設けられた遮光領域ＯＢａ，ＯＢｂ，ＯＢｃ，ＯＢｄで計測された黒レベルに基づいて、有効撮像領域２ａの垂直方向および水平方向の黒レベル値の傾きを求めて、分布状態を推定する構成にした。このため、分布形状の動的な変化を推定でき、正確な補正を行うことができる。
【００３２】
実施の形態２．
図９は、実施の形態２に係る画像処理装置４の構成を示すブロック図である。この画像処理装置４も、上記実施の形態１に係る画像処理装置３と同様にレンズ系１および撮像部２を備える。この画像処理装置４は、座標生成部４ａ、ＯＢパターン計測部（遮光領域パターン計測部）４ｂ、ＯＢパターン記録部４ｃ、パターン位置検出部４ｄ、黒レベル補正部４ｅから構成される。
【００３３】
図１０は、撮像部２の構成を示す図であり、有効撮像領域２ａと遮光領域２ｂとに区分される。ただし、本実施の形態２の撮像部２は、撮像素子の電荷転送方式等の構成に起因して、黒レベル分布に一定のパターンが繰り返し現れる特性を有する。ここでは、遮光領域２ｂに、４×８画素単位の出現パターン５が繰り返し発生するものとする。有効撮像領域２ａも同様に４×８画素単位の出現パターン５が繰り返し現れる。そこで、本実施の形態２では、遮光領域２ｂから出現パターン５を特定して、有効撮像領域２ａで出現パターン５を同定し、遮光領域２ｂの暗電流計測結果から特定した出現パターン５の黒レベルを用いて有効撮像領域２ａの出現パターン同定位置の黒レベルを補正する。
【００３４】
座標生成部４ａは、上記実施の形態１の座標生成部３ａと同様に、撮像部２から入力される同期信号に基づいて、撮像面の座標をカウントし、処理対象となる画像データの画素が撮像面のどの位置にあるのかを示す座標を生成する。座標はパターン位置検出部４ｄへ出力される。
【００３５】
ＯＢパターン計測部４ｂは、上記実施の形態１のＯＢ黒レベル計測部３ｄと同様に、撮像部２から入力される同期信号および画像データを用いて、遮光領域２ｂの暗電流を計測する。計測は、遮光領域２ｂの全領域でも、代表的な一部の領域でもよく、上述した出現パターン５が特定可能であればよい。このＯＢパターン計測部４ｂが暗電流計測値に繰り返し現れる出現パターン５を特定して、同期信号と共にＯＢパターン記録部４ｃへ出力する。
【００３６】
ＯＢパターン記録部４ｃは、ＯＢパターン計測部４ｂから入力される出現パターン５、即ち４×８画素の３２画素分の暗電流計測値（黒レベルＯｃｒｔに相当する）を記憶する。
パターン位置検出部４ｄは、座標生成部４ａから入力される処理対象の座標位置が、ＯＢパターン記録部４ｃに記録されている３２画素のうちのどの画素位置に該当するかを同定し、同定した画素位置の黒レベルを黒レベル補正部４ｅへ出力する。即ち、パターン位置検出部４ｄは、有効撮像領域２ａにおける出現パターン５の４×８画素の繰り返しを、座標生成部４ａの水平／垂直カウンタ値と比較する。
【００３７】
黒レベル補正部４ｅは、パターン位置検出部４ｄから入力される黒レベルＯｃｒｔを用いて、撮像部２から入力される有効撮像領域２ａの画素データの黒レベルを補正する。黒レベル補正部４ｅは、例えば上式（６）を援用して補正を行えばよい。このようにして、画像処理装置４は有効撮像領域２ａ全ての画像データを補正する。
【００３８】
以上より、実施の形態２に係る画像処理装置４は、被写体光を電気信号に変換する撮像部２を備え、黒レベルのパターンが繰り返し現れる撮像部２の撮像面のうちの一部を遮光した遮光領域２ｂの黒レベルを計測し、出現パターン５を特定するＯＢパターン計測部４ｂと、この出現パターン５を記録しておくＯＢパターン記録部４ｃと、ＯＢパターン計測部４ｂが特定した出現パターン５の黒レベルを、有効撮像領域２ａで同定するパターン位置検出部４ｄと、ＯＢパターン記録部４ｃに記録された出現パターン５の黒レベルを、パターン位置検出部４ｄが同定した有効撮像領域２ａの各出現パターンの黒レベルから除去する補正を行う黒レベル補正部４ｅとを備えるように構成した。このため、予め推測できる黒レベルパターンを有効撮像領域２ａに反映させることで、暗電流のレベルの変化に追従した正確な補正を高速に実現することができる。
【符号の説明】
【００３９】
１  レンズ系、２  撮像部、２ａ  有効撮像領域、２ｂ  遮光領域、３  画像処理装置、３ａ  座標生成部、３ｂ  黒レベル登録部、３ｃ  黒レベル補間部、３ｄ  ＯＢ黒レベル計測部（遮光領域計測部）、３ｅ  黒レベル分布推定部、３ｆ  黒レベル修正部、３ｇ  黒レベル補正部、４  画像処理装置、４ａ  座標生成部、４ｂ  ＯＢパターン計測部（遮光領域パターン計測部）、４ｃ  ＯＢパターン記録部、４ｄ  パターン位置検出部、４ｅ  黒レベル補正部、５  出現パターン、ＯＢａ〜ＯＢｄ  遮光領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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