(57)【要約】【課題】所定の構造部材に、締結部材による締付応力に起因して生じるウィスカーの成長を抑制し、隣接する他の構造部材のウィスカーとの接触を防止して短絡を防ぐことができる、複数の構造部材からなる組付体及び構造部材又は締結部材の製造方法を提供する。【解決手段】この組立体１０は、複数の構造部材２０，３０が互いに接触して、締結部材５０を介して組付けられてなり、構造部材２０，３０どうしの接触部Ｃ１の周縁、或いは、構造部材２０，３０と締結部材５０との接触部Ｃ２，Ｃ３の周縁に、少なくとも一方の部材に設けた段差部２７，３７，５２，５６により、隙間を介して対向する内面が設けられており、隙間を介して対向する内面の少なくとも一方に、相手部材よりも標準電極電位の高い金属膜２８，３８，５３，５７が、相手部材に接触しないように形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の構造部材が互いに接触して、締結部材を介して組付けられてなり、
前記構造部材どうしの接触部の周縁、或いは、前記構造部材と前記締結部材との接触部の周縁に、少なくとも一方の部材に設けた段差部により、隙間を介して対向する内面が設けられており、
前記隙間を介して対向する内面の少なくとも一方に、相手部材よりも標準電極電位の高い金属膜が、相手部材に接触しないように形成されていることを特徴とする複数の構造部材からなる組付体。
【請求項２】
請求項１記載の組付体に用いられる構造部材又は締結部材の製造方法であって、
前記構造部材どうしの接触部の周縁、或いは、前記構造部材と前記締結部材との接触部の周縁に位置する部分に、相手部材との間に隙間を介して対向する内面を有する段差部を形成し、
この段差部の前記対向する内面に、相手部材よりも高い標準電極電位を有する金属膜を、相手部材との接触面を避けて形成することを特徴とする構造部材又は締結部材の製造方法。
【請求項３】
前記構造部材又は前記締結部材の前記段差部の対向する内面を、めっき液に浸漬して湿式めっきすることにより、前記金属膜を形成する請求項２記載の構造部材又は締結部材の製造方法。
【請求項４】
前記構造部材又は前記締結部材の前記段差部の対向する内面を、めっき液に浸漬すると共に、同部材のめっき液に浸漬していない部分に通電することにより、電解めっきにより前記金属膜を形成する請求項３記載の複数の構造部材からなる組付体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばプリント配線基板等の構造部材を、ボルト等の締結部材により複数組付けてなる、ウィスカーの影響のない組付体、及び、それに用いられる構造部材又は締結部材の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、複数のプリント配線基板どうしや、所定の基板に他の電気・電子部品を、ボルトやナット等の締結部材を介して組付ける場合がある。
【０００３】
例えば、図５（ａ）に示すように、基板２１の両面にめっき層２２，２３が被覆された構造部材２０と、同じく基板３１の両面にめっき層３２，３３が被覆された構造部材３０とを重ね合わせて互いに接触させ、ボルト５１及びこれに螺着するナット５５からなる締結部材５０を介して組付けることが行われている。すなわち、一方の構造部材２０の表面側にボルト５１の頭部を係合させ、他方の構造部材３０の裏面側にナット５５を係合させて、構造部材２０，３０どうしを締付け固定している。
【０００４】
上記のように、構造部材２０，３０を締結部材５０で締付け固定すると、構造部材２０，３０どうしの接触部Ｃ１や、構造部材２０と締結部材５０との接触部Ｃ２，Ｃ３に、強い応力が作用する。このとき、その応力を緩和すべく、ウィスカー（図５中、符号Ｗで示す）と呼ばれる鬚状の結晶が発生する場合がある。特にＳｎめっき等が施されている場合に、ウィスカーＷが顕著に発生することが知られている。
【０００５】
このようなウィスカーＷが発生すると、次のような問題が生じる。すなわち、図５（ｂ）に示すように、所定の構造部材２０から生じたウィスカーＷが、隣り合う他の構造部材２０やそれに発生した別のウィスカーＷに接触して、電気的に短絡してしまうことがあった。
【０００６】
上記のようなウィスカー発生による問題を解決するため、下記特許文献１には、純錫又は錫合金のめっき層が形成された銅或いは銅合金配線が熱処理されることにより、銅或いは銅合金配線上に銅および錫を含む金属間化合物拡散層が形成され、かつ前記純錫又は錫合金のめっき層の残存厚さが０．２〜１．６μｍとされたフレキシブルプリント配線基板端子部が開示されている。
【０００７】
また、下記特許文献２には、外部接続用リードの表面にSnを含むめっき膜を形成する工程と、前記めっき膜を溶融する熱処理工程とを有し、前記熱処理工程は、前記めっき膜の融点以上の温度を２０秒以上保持する半導体装置の製造方法が開示されている。
【０００８】
更に、下記特許文献３には、単一金属または合金からなる蓋体本体全面に、融点が７００℃以下で、かつ銅を主成分とする銅合金めっき被膜が、厚みで２〜６μｍ形成されてなる電子部品パッケージ封止用蓋体が開示されている。
【０００９】
また、下記特許文献４には、導電性基体上の全面または部分にＳｎ層を形成し、そのＳｎ層上にＳｎ合金層を形成してなる端子であって、前記Ｓｎ層は、電気めっきにより形成される厚み０．１〜２０μｍのＳｎからなる層であり、前記Ｓｎ合金層は、電気めっきにより形成される厚み０．１〜２０μｍの、Ｓｎ−Ａｇ二元合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ三元合金、またはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ四元合金のいずれかからなる層である端子が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００６−４５６６５号公報
【特許文献２】特開２００７−８１２３５号公報
【特許文献３】特開２００４−５５５８０号公報
【特許文献４】特開２００５−２３２４８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
上記特許文献１の場合、金属間化合物層とめっき層との厚さを適当な範囲に調整することにより、ウィスカーの発生を抑制するようにしているが、ボルト・ナット等の締結部材による応力を考慮したものではない。
【００１２】
また、上記特許文献２の場合、所定の熱処理を施すことにより、ウィスカー長を低減させる構成としているが、上記特許文献１と同様、締結部材による応力を何ら考慮していない。
【００１３】
更に、上記特許文献３の場合、めっき層の融点及び厚さを適当な範囲とすることにより、ウィスカーの発生を抑制するようにしているが、これも上記特許文献１，２と同様、締結部材による応力を何ら考慮していない。
【００１４】
また、上記特許文献４の場合、所定厚さのＳｎ層を形成すると共に、そのＳｎ層上に、２〜４元の所定厚さのＳｎ系合金を形成することにより、ウィスカーの発生を抑制しているが、上記特許文献１〜３と同様、締結部材による応力を何ら考慮していない。
【００１５】
以上のように、上記特許文献１〜４では、種々の構造・方法により、ウィスカーの発生抑制を図っているが、いずれも基板等の構造部材を組立てた後の、締結部材による外部応力を何ら考慮しているものではなく、締結部材による締付応力が大きい場合に、ウィスカーが発生することを抑制することはできず、一旦、発生したウィスカーの成長を抑制することもできないので、他の構造部材から生じたウィスカーとの接触による短絡を防止することができないというデメリットがある。
【００１６】
したがって、本発明の目的は、所定の構造部材に、締結部材による締付応力に起因して生じるウィスカーの成長を抑制し、隣接する他の構造部材のウィスカーとの接触を防止して短絡を防ぐことができる、複数の構造部材からなる組付体及び構造部材又は締結部材の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記目的を達成するため、本発明の複数の構造部材からなる組立体は、複数の構造部材が互いに接触して、締結部材を介して組付けられてなり、前記構造部材どうしの接触部の周縁、或いは、前記構造部材と前記締結部材との接触部の周縁に、少なくとも一方の部材に設けた段差部により、隙間を介して対向する内面が設けられており、前記隙間を介して対向する内面の少なくとも一方に、相手部材よりも標準電極電位の高い金属膜が、相手部材に接触しないように形成されていることを特徴とする。
【００１８】
上記発明によれば、締結部材の締付応力により接触部周縁の、一方の内面から発生したウィスカーが他方の内面に接触すると、ウィスカーが一方の部材の金属膜及び相手部材の両者に接触し、一方の部材の金属膜と相手部材との電位差により局部電池が形成されるので、いわゆるガルバニック腐食により、ウィスカーの腐食が促進されて、ウィスカーを消失させることができる。その後、新たなウィスカーが繰り返し発生しても、上記のようにして消失することとなる。なお、ここで、ガルバニック腐食の進行する条件として、雰囲気中に水分が存在することを前提としている。
【００１９】
このように、部材間の接触部に発生したウィスカーを、ガルバニック腐食を利用することにより、適宜消失させることができるので、ウィスカーの成長を効果的に抑制することができる。また、ウィスカーが最大限成長しても、隙間の間隔よりも大きくなることがないので、他の組立体に生じた別のウィスカーに接触することを防止して、短絡を確実に防ぐことができる。
【００２０】
本発明のもう一つは、上記発明の組付体に用いられる構造部材又は締結部材の製造方法であって、前記構造部材どうしの接触部の周縁、或いは、前記構造部材と前記締結部材との接触部の周縁に位置する部分に、相手部材との間に隙間を介して対向する内面を有する段差部を形成し、この段差部の前記対向する内面に、相手部材よりも高い標準電極電位を有する金属膜を、相手部材との接触面を避けて形成することを特徴とする。
【００２１】
上記発明によれば、構造部材どうしの接触部の周縁、或いは、構造部材と締結部材との接触部の周縁に位置する部分に段差部を形成した後、その対向する内面に、相手部材よりも高い標準電極電位を有する金属膜を、相手部材との接触面を避けて形成することにより、構造部材又は締結部材の所定箇所に金属膜を確実に形成することができる。
【００２２】
本発明の構造部材又は締結部材の製造方法においては、前記構造部材又は前記締結部材の前記段差部の対向する内面を、めっき液に浸漬して湿式めっきすることにより、前記金属膜を形成することが好ましい。これによれば、構造部材又は締結部材が合成樹脂等の不導体であっても、それらの所定箇所に金属膜を確実に形成することができる。
【００２３】
本発明の構造部材又は締結部材の製造方法においては、前記構造部材又は前記締結部材の前記段差部の対向する内面を、めっき液に浸漬すると共に、同部材のめっき液に浸漬していない部分に通電することにより、電解めっきにより前記金属膜を形成することが好ましい。これによれば、構造部材又は締結部材の金属膜を形成したい箇所だけに、無駄なく金属膜を形成することができ、製造コストを低減することができる。
【発明の効果】
【００２４】
上記発明によれば、締結部材の締付応力により接触部周縁の、一方の内面から発生したウィスカーが他方の内面に接触すると、ウィスカーが一方の部材側の金属膜及び相手部材の両者に接触し、相手部材と金属膜との電位差により局部電池が形成されるので、ガルバニック腐食により、ウィスカーの腐食が促進されて消失させることができ、その結果、ウィスカーの成長を効果的に抑制して、他の組立体のウィスカーへの接触を防止して、短絡を確実に防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明に係る複数の構造部材の組付体の一実施形態を示す断面図である。
【図２】同組付体によるウィスカー抑制工程を示し、（ａ）は第１工程における要部拡大説明図、（ｂ）は第２工程における要部拡大説明図、（ｃ）は第３工程における要部拡大説明図である。
【図３】本発明に係る構造部材又は締結部材の製造方法の一実施形態を示し、（ａ）はその製造方法の説明図、（ｂ）は同製造方法により製造された締結部材の断面図である。
【図４】本発明に係る構造部材又は締結部材の製造方法の他の実施形態を示し、（ａ）はその製造方法の説明図、（ｂ）は同製造方法により製造された締結部材の断面図である。
【図５】従来の、複数の構造部材の組付体の一実施形態を示すており、（ａ）はその断面図、（ｂ）は複数の組付体が並列配置された状態の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、図面を参照して、本発明に係る複数の構造部材からなる組付体、及び、構造部材又は締結部材の製造方法の一実施形態について説明する。
【００２７】
図１に示すように、この実施形態における複数の構造部材からなる組付体１０（以下、「組付体１０」という）は、複数の構造部材が互いに接触して、締結部材５０を介して組付けられて構成されている。
【００２８】
この実施形態の組立体１０は、積層された２枚の構造部材２０，３０を有している。構造部材２０は、薄肉板状の基板２１と、その両面に被覆されためっき層２２，２３とから構成された平板状をなしている。同様に構造部材３０も、薄肉板状の基板３１と、その両面に被覆されためっき層３２，３３とから構成された平板状をなしている。各構造部材２０，３０には、下記ボルト５１を挿通するためのボルト挿通孔２５，３５がそれぞれ形成されている。
【００２９】
また、各めっき層は、例えばＳｎ，Ｚｎや、それらの合金から形成されている。
【００３０】
なお、この実施形態では、平板状の構造部材を２枚積層した構造となっているが、２枚以上の複数枚でもよく、特に限定されない。また、構造部材としては、コネクタや、端子、スイッチ、抵抗、ケーブル、半導体製品、太陽電池等としてもよく、更に、所定の回路パターンがパターンニングされたプリント配線基板や、可撓性のフレキシブル配線基板等としてもよく、特に限定されるものではない。
【００３１】
一方、前記締結部材５０は、軸外周に雄ネジが螺刻されたボルト５１、及び、内周に雌ネジが螺刻され、前記ボルト５１に螺着されるナット５５とからなる。なお、ボルト５１，ナット５５の材質としては例えば鉄やステンレスが用いられる。ただし、リベットや、止めピン、クリップ、その他の工業用ファスナー等を締結部材としてもよく、ボルト・ナットに限定されるものではない。
【００３２】
２枚の平板状の構造部材２０，３０は、ボルト挿通孔２５，３５を整合させた状態で、互いに接触させて重ねて配置される。このときの構造部材２０，３０どうしが接触した部分を接触部Ｃ１とする（図１参照）。
【００３３】
また、各ボルト挿通孔２５，３５にボルト５１を挿通し、構造部材２０の表面側にボルト５１の頭部を係合させると共に、ボルト挿通孔３５から挿出したボルト５１の軸先端にナット５５を螺着させ、構造部材３０の裏面側にナット５５を係合させる。その結果、ボルト５１及びナット５５により、両構造部材２０，３０が挟み込まれて締付固定され、図１に示すような組立体１０が組立てられるようになっている。このときの、構造部材２０，３０どうしが接触した部分を接触部Ｃ１とし、構造部材２０と締結部材５０のボルト５１とが接触した部分を接触部Ｃ２とし、構造部材３０と締結部材５０のナット５５とが接触した部分を接触部Ｃ３とする（図１参照）。
【００３４】
そして、この組立体１０においては、構造部材２０，３０どうしの接触部Ｃ１の周縁、或いは、構造部材２０，３０と締結部材５０との接触部Ｃ２，Ｃ３の周縁に、少なくとも一方の部材に設けた段差部により、隙間を介して対向する内面が設けられている。
【００３５】
図１に示すように、構造部材２０，３０どうしの接触部Ｃ１の一方の周縁（図中右側）には、構造部材２０に段差部２７が形成され、隙間を介して対向する内面２７ａ，３２ａが設けられている。一方、接触部Ｃ１の他方の周縁（図中左側）には、構造部材３０に段差部３７が形成され、隙間を介して対向する内面２３ａ，３７ａが設けられている。
【００３６】
また、構造部材２０とボルト５１頭部との接触部Ｃ２の周縁には、ボルト５１の頭部側に段差部５２が形成され、隙間を介して対向する内面２２ａ，５２ａが設けられている。一方、構造部材３０とナット５５との接触部Ｃ３の周縁には、ナット５５側に段差部５６が形成され、隙間を介して対向する内面３３ａ，５６ａが設けられている。
【００３７】
以上のような隙間を介して対向する内面の少なくとも一方に、相手部材よりも標準電極電位の高い金属膜が、相手部材に接触しないように形成されている。
【００３８】
この実施形態では、接触部Ｃ１周縁の内面２７ａ，３２ａにおいては、構造部材２０側の内面２７ａに、構造部材３０のめっき層３２よりも標準電極電位の高い金属膜２８が、前記めっき層３２に接触しないように形成されている。
【００３９】
また、接触部Ｃ１周縁の内面２３ａ，３７ａにおいては、構造部材３０側の内面３７ａに、構造部材２０のめっき層２３よりも標準電極電位の高い金属膜３８が、前記めっき層２３に接触しないように形成されている。
【００４０】
更に、接触部Ｃ２周縁の内面２２ａ，５２ａにおいては、締結部材５０であるボルト５１側の内面５２ａに、構造部材２０のめっき層２２よりも標準電極電位の高い金属膜５３が、前記めっき層２２に接触しないように形成されている。なお、この実施形態では、ボルト５１の頭部外周の、前記構造部材２０に接触する部分の周縁を除く全範囲に亘って、上記金属膜５３が被覆されている。
【００４１】
また、接触部Ｃ３周縁の内面３３ａ，５６ａにおいては、締結部材５０であるナット５５側の内面５６ａに、構造部材３０のめっき層３３よりも標準電極電位の高い金属膜５７が、前記めっき層３３に接触しないように形成されている。なお、この実施形態では、ナット５５外周の、前記構造部材３０に接触する部分の周縁を除く全範囲に亘って、上記金属膜５７が被覆されている。
【００４２】
なお、相手部材（めっき層３２（接触部Ｃ１右側），２３（接触部Ｃ１左側），２２（接触部Ｃ２），３３（接触部Ｃ３））よりも標準電極電位の高い金属膜２８（接触部Ｃ１右側），３８（接触部Ｃ１左側），５３（接触部Ｃ２），５７（接触部Ｃ３）は、基本的に発生するウィスカーの材質（ＳｎやＺｎ）との標準電極電位の差が大きいほど好ましい。そして、例えばＳｎ自体の標準電極電位はＨ（水素）に近い。このため、相手部材よりも標準電極電位の高い金属膜２８，３８，５３，５７は、Ｈ（水素）より標準電極電位の高い、例えば、Ａｕ，Ｐｔ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ等の、いわゆる貴な金属や、それらの合金から形成することができる。
【００４３】
なお、標準電極電位とは、ある電気化学反応について、標準状態かつ平衡状態となっているときの電極電位を意味し、標準水素電極の電位を基準（０ボルト）として表わされるものである。
【００４４】
また、金属層の標準電極電位は、０Ｖより高いことが好ましい。更に、金属膜の標準電極電位と、相手部材の標準電極電位との差は、大きければ大きいほど好ましいが、少なくとも０．２Ｖ以上であることが好ましい。
【００４５】
なお、この実施形態における組立体１０は、２枚の構造部材２０，３０をボルト５１・ナット５５からなる締結部材５０により組付けたことにより、構造部材どうしの接触部が１箇所、構造部材と締結部材との接触部が２箇所となっているが、これに限定されるものではなく、接触部、段差部、対向する内面の位置や個数は適宜定めることができる。
【００４６】
上記構造からなる組立体１０は、次のような作用効果を発揮する。図２を併せて説明する。なお、図２（ａ）〜（ｃ）には、図１の要部（２点鎖線の円で囲った部分）拡大説明図が示されている。
【００４７】
図１に示すように構造部材２０，３０どうしは締結部材５０により締付け固定されているので、各接触部Ｃ１，Ｃ２，Ｃ３に締付応力が作用し、それに起因して鬚状のウィスカーＷが発生する。
【００４８】
ここでは、締結部材５０からの締付応力が作用する各接触部の周縁近傍に位置する、めっき層３２（接触部Ｃ１右側），２３（接触部Ｃ１左側），２２（接触部Ｃ２），３３（接触部Ｃ３）に形成された各内面３２ａ，２３ａ，２２ａ，３３ａから、ウィスカーＷがそれぞれ発生する。すなわち、図２（ａ）に示すように、めっき層２２に形成された内面２２ａから、ウィスカーＷが発生し、鬚状に成長していく。
【００４９】
なお、上記各内面３２ａ，２３ａ，２２ａ，３３ａに対向する、内面２７ａ，３７ａ，５２ａ，５６ａには、段差部２７，３７，５２，５６を介して接触部との間に隙間が形成されているので、締付応力による影響がほとんどなく、ウィスカーＷは発生しにくい。
【００５０】
そして、ウィスカーＷが成長していくと、図２（ｂ）に示すように、めっき層２２よりも標準電極電位の高い金属膜５３に接触する。すると、構造部材２０のめっき層２２から生成されたウィスカーＷがボルト５１側の金属膜５３に接触した状態となり、めっき層２２と金属膜５３との電位差により局部電池が形成される。その結果、いわゆるガルバニック腐食により、金属膜５３よりも標準電極電位の低いめっき層２２から生成されたウィスカーＷ（すなわち、イオン化傾向の大きい卑な金属の性質を有する）の腐食が促進されて、図２（ｃ）の想像線で示すように、ウィスカーＷを消失させることができる。図２（ｃ）に示すように、その後、新たなウィスカーＷが繰り返し発生しても、上記のようにして消失する。また、他の接触部Ｃ１，Ｃ３で発生したウィスカーＷも、上記のように消失させることができる。
【００５１】
なお、ガルバニック腐食とは、標準電極電位が低くイオン化傾向の大きい卑な金属と、標準電極電位が高くイオン化傾向の小さい貴な金属とが接触した場合に、両者の電位差により局部電池が形成されて、貴な金属から卑な金属へ電流が流れ、卑な金属がイオン化して、卑な金属の腐食が促進される現象をいう。
【００５２】
以上のように、構造部材２０，３０どうしの接触部Ｃ１、構造部材２０と締結部材５０であるボルト５１との接触部Ｃ２、構造部材３０と締結部材５０であるナット５５との接触部Ｃ３に、それぞれ発生したウィスカーＷを、ガルバニック腐食を利用することにより、適宜消失させることができるので、ウィスカーＷの成長を効果的に抑制することができる。また、ウィスカーＷが最大限成長しても、その都度、ガルバニック腐食による消失させられ、ウィスカーＷが、部材間どうしの隙間の間隔よりも大きくなることがないので、他の組立体に生じた別のウィスカーＷに接触することを防止して、短絡を確実に防ぐことができる。
【００５３】
次に、上記構造からなる組立体に用いられる、本発明に係る構造部材又は締結部材の製造方法（以下、「製造方法」という）について説明する。
【００５４】
この製造方法は、まず、構造部材どうしの接触部の周縁、或いは、構造部材と締結部材との接触部の周縁に位置する部分に、相手部材との間に隙間を介して対向する内面を有する段差部を形成し、その後、この段差部の対向する内面に、相手部材よりも高い標準電極電位を有する金属膜を、相手部材との接触面を避けて形成するものである。
【００５５】
図３（ａ），（ｂ）には、その製造方法の一実施形態が示されている。この実施形態では、締結部材５０を製造するようになっている。
【００５６】
まず、締結部材５０であるボルト５１の、頭部の下面側外周に、切削加工等によって、所定深さの段差部５２を形成する。
【００５７】
そして、金属膜５３を成膜可能な所定成分のめっき液Ｍが所定量貯留されためっき槽１内に、前記ボルト５１の頭部を所定深さ漬けて、相手部材に対向する内面５２ａをめっき液Ｍに浸漬させる一方、相手部材との接触面５２ｂには至らない程度に浸漬させておく（図３（ａ）参照）。
【００５８】
その状態で、めっき液Ｍ中に浸漬された一対のアノード３，３に導通した電源５を、めっき液Ｍに浸漬されていないボルト５１の軸部に接続し、電源５により通電して電解めっきを施すことにより、図３（ｂ）に示すように、ボルト５１の頭部外周の、隙間を除く全範囲に亘って、かつ、相手部材との接触面５２ｂに至らないように、金属膜５３を形成することができる。
【００５９】
これによれば、ボルト５１の金属膜５３を形成したい箇所だけに、無駄なく金属膜５３を形成することができ、製造コストを低減することができる。
【００６０】
図４には、本発明に係る構造部材又は締結部材の製造方法の他の実施形態が示されている。
【００６１】
この実施形態でも、前記実施形態と同様に、まず、締結部材５０であるボルト５１の、頭部の下面側外周に、切削加工等によって、所定深さの段差部５２を形成する。
【００６２】
そして、図示しない支持回転装置によって、ボルト５１の軸心Ｃを、めっき槽１内に貯留されためっき液Ｍの液面と平行となるように配置すると共に、同ボルト５１を所定方向に回転可能に支持する（図４（ａ）参照）。また、軸が水平支持されたボルト５１の頭部外周を、相手部材との接触面５２ｂには至らない程度に浸漬させてく。
【００６３】
その状態で、めっき液Ｍ中に浸漬されたアノード３に導通した電源５を、めっき液Ｍに浸漬されていないボルト５１頭部に接続する。そして、図示しない支持回転装置によりボルト５１を所定方向に回転させつつ、電源５により通電して電解めっきを施すことにより、図４（ｂ）に示すように、ボルト５１の頭部外周の所定範囲に、相手部材との接触面５２ｂに至らないように、金属膜５３を形成することができる。
【００６４】
これによれば、ボルト５１の頭部外周の金属膜５３が必要な箇所に、局所的に金属膜５３をムラなく均等に形成することができると共に、図３に示す実施形態よりも更に無駄なく金属膜５３を形成でき、製造コストをより一層低減することができる。
【００６５】
なお、図３及び図４に示す実施形態においては、共に電解めっきにより金属膜を形成したが、無電解めっき法等の湿式めっきにより金属膜を形成してもよい。
【符号の説明】
【００６６】
１  めっき層
３  アノード
５  電源
１０  複数の構造部材からなる組付体（組付体）
２０  構造部材
２１  基板
２２，２３  めっき層
２２ａ，２３ａ  内面
２５  ボルト挿通孔
２７  段差部
２７ａ  内面
２８  金属膜
３０  構造部材
３１  基板
３２，３３  めっき層
３２ａ，３３ａ  内面
３５  ボルト挿通孔
３７  段差部
３７ａ  内面
３８  金属膜
５０  締結部材
５１  ボルト
５２   段差部
５２ａ  内面
５２ｂ  接触面
５３  金属膜
５５  ナット
５６  段差部
５６ａ  内面
５７  金属膜
Ｃ１  構造部材どうしの接触部
Ｃ２  構造部材とボルトとの接触部
Ｃ３  構造部材とナットとの接触部
Ｍ  めっき液
Ｗ  ウィスカー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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