(57)【要約】【目的】焦点位置の異なる検査画像を取得することでマスクの高精度な欠陥検出を実現するマスク欠陥検査装置を提供する。【構成】光源と、光源から出射された光を第１および第２の検査光に分岐してマスクの同一面の異なる領域に照射する照明光学系と、マスクに照射された第１および第２の検査光を、第１および第２の像として同一像面に結像する結像光学系と、第１の像と第２の像を、それぞれ拡大する第１および第２の拡大光学系と、第１および第２の拡大光学系で拡大された第１および第２の像をそれぞれ撮像する第１および第２の画像センサと、第１および第２の画像センサで撮像された第１および第２の像の画像である、第１および第２の検査画像と、基準画像とを比較して前記マスクの欠陥を検出する比較部と、を備え、第１の拡大光学系の像面に対する焦点位置と、第２の拡大光学系の像面に対する焦点位置とを所定の量だけずらす機構を有することを特徴とするマスク欠陥検査装置。【選択図】図１
2012002676.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、
前記光源から出射された光を第１および第２の検査光に分岐してマスクの同一面の異なる領域に照射する照明光学系と、
前記マスクに照射された前記第１および第２の検査光を、第１および第２の像として同一像面に結像する結像光学系と、
前記第１の像と第２の像を、それぞれ拡大する第１および第２の拡大光学系と、
前記第１および第２の拡大光学系で拡大された第１および第２の像をそれぞれ撮像する第１および第２の画像センサと、
前記第１および第２の画像センサで撮像された第１および第２の像の画像である、第１および第２の検査画像と、基準画像とを比較して前記マスクの欠陥を検出する比較部と、
を備え、
前記第１の拡大光学系の前記像面に対する焦点位置と、前記第２の拡大光学系の前記像面に対する焦点位置とを所定の量だけずらす機構を有することを特徴とするマスク欠陥検査装置。
【請求項２】
前記機構が、前記第１および第２の拡大光学系に設けられた焦点位置調整部であることを特徴とする請求項１記載のマスク欠陥検査装置。
【請求項３】
前記第１および第２の検査画像を重ね合わせる画像処理部と、
前記画像処理部で生成される重ね合わせ画像から前記欠陥の種類を同定する欠陥同定部とを、さらに、有することを特徴とする請求項１または請求項２記載のマスク欠陥検査装置。
【請求項４】
前記画像処理部では、前記第１の検査画像と前記第２の検査画像の光強度の差分を演算して重ね合わせ画像を生成することを特徴とする請求項１ないし請求項３いずれか一項記載のマスク欠陥検査装置。
【請求項５】
前記照明光学系が、マスクに対して反射光学系であることを特徴とする請求項１ないし請求項４いずれか一項記載のマスク欠陥検査装置。
【請求項６】
前記照明光学系が、マスクに対して透過光学系であることを特徴とする請求項１ないし請求項４いずれか一項記載のマスク欠陥検査装置。
【請求項７】
光源から出射された光を第１および第２の検査光に分岐してマスクの同一面の異なる領域に照明光学系で照射し、
前記マスクに照射された前記第１および前記第２の検査光を、第１および第２の像として同一像面に結像光学系で結像し、
前記第１の像と第２の像を、それぞれ第１および第２の拡大光学系で拡大し、
前記第１および第２の拡大光学系で拡大された第１および第２の像を前記像面に対する焦点位置をずらして第１および第２の画像センサで撮像し、
前記第１および第２の画像センサで撮像された第１および第２の像の画像である、第１および第２の検査画像と、基準画像とを比較して前記マスクの欠陥を検出することを特徴とするマスク欠陥検査方法。
【請求項８】
前記第１および第２の検査画像を重ね合わせた画像から前記欠陥の種類を同定することを特徴とする請求項７記載のマスク欠陥検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、半導体の製造に用いられるフォトマスクの欠陥を検査するマスク欠陥検査装置およびマスク欠陥検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩ等の半導体装置の高集積化に伴い、マスク（フォトマスクまたはレチクル）に形成されるマスクパターンの微細化が進んでいる。そのため、マスクを検査するマスク欠陥検査装置にも高性能化が要求される。マスク欠陥検査装置としては、マスクをＣＣＤ等の撮像素子で撮像し、撮像した検査画像を基準画像と比較することで、欠陥を検出する装置が提案されている。
【０００３】
マスクパターンの微細化を進めるために、光リソグラフィーにおいては、例えば、ガラスで作成されたマスクに掘り込みを設け、露光光の光学距離を変えることにより、微細なパターンを描くことのできるレベンソン型の位相シフトマスクが用いられている。また、例えば、露光光を波長１３．５ｎｍ程度のＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅａｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）光とし、ＥＵＶ露光に対応するＥＵＶマスクを用いることで、微細なパターンを描く試みがなされている。
【０００４】
このようなマスクを検査する欠陥検査装置においては、従来のマスク面のパターンの欠陥だけではなく、例えば、位相シフト用マスクのガラスの掘り込み量の違い、ＥＵＶマスクのブランクス内に存在する欠陥等の検出が求められるようになってきている。
【０００５】
特許文献１には、マスクの異なる領域からの画像を別々に検出するマスク欠陥検査装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−２２２６２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑み、焦点位置の異なる検査画像を取得することでマスクの高精度な欠陥検出を実現するマスク欠陥検査装置およびマスク欠陥検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様のマスク欠陥検査装置は、光源と、前記光源から出射された光を第１および第２の検査光に分岐してマスクの同一面の異なる領域に照射する照明光学系と、前記マスクに照射された前記第１および第２の検査光を、第１および第２の像として同一像面に結像する結像光学系と、前記第１の像と第２の像を、それぞれ拡大する第１および第２の拡大光学系と、前記第１および第２の拡大光学系で拡大された第１および第２の像をそれぞれ撮像する第１および第２の画像センサと、前記第１および第２の画像センサで撮像された第１および第２の像の画像である、第１および第２の検査画像と、基準画像とを比較して前記マスクの欠陥を検出する比較部と、を備え、前記第１の拡大光学系の前記像面に対する焦点位置と、前記第２の拡大光学系の前記像面に対する焦点位置とを所定の量だけずらす機構を有することを特徴とする。
【０００９】
上記態様のマスク欠陥検査装置において、前記機構が、前記第１および第２の拡大光学系に設けられた焦点位置調整部であることが望ましい。
【００１０】
上記態様のマスク欠陥検査装置において、前記第１および第２の検査画像を重ね合わせる画像処理部と、前記画像処理部で生成される重ね合わせ画像から前記欠陥の種類を同定する欠陥同定部とを、さらに、有することが望ましい。
【００１１】
上記態様のマスク欠陥検査装置において、前記照明光学系が、マスクに対して反射光学系であることが望ましい。
【００１２】
上記態様のマスク欠陥検査装置において、前記照明光学系が、マスクに対して透過光学系であることが望ましい。
【００１３】
本発明の一態様のマスク欠陥検査方法は、光源から出射された光を第１および第２の検査光に分岐してマスクの同一面の異なる領域に照明光学系で照射し、前記マスクに照射された前記第１および前記第２の検査光を、第１および第２の像として同一像面に結像光学系で結像し、前記第１の像と第２の像を、それぞれ第１および第２の拡大光学系で拡大し、前記第１および第２の拡大光学系で拡大された第１および第２の像を前記像面に対する焦点位置をずらして第１および第２の画像センサで撮像し、前記第１および第２の画像センサで撮像された第１および第２の像の画像である、第１および第２の検査画像と、基準画像とを比較して前記マスクの欠陥を検出することを特徴とする。
【００１４】
上記態様のマスク欠陥検査方法において、前記第１および第２の検査画像を重ね合わせた画像から前記欠陥の種類を同定することが望ましい。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、焦点位置の異なる検査画像を取得することでマスクの高精度な欠陥検出を実現するマスク欠陥検査装置およびマスク欠陥検査方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１の実施の形態のマスク欠陥検査装置の内部構成を示す概念図である。
【図２】第１の実施の形態のマスク欠陥検査装置の拡大光学系と画像センサの概念図である。
【図３】第２の実施の形態のマスク欠陥検査装置の内部構成を示す概念図である。
【図４】第３の実施の形態のマスク欠陥検査装置の内部構成を示す概念図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
【００１８】
本明細書中、パターン欠陥とは、例えば、マスク上のパターンを形成する材料の欠け等、表面の反射率が本来のあるべき反射率から変化している欠陥を意味するものとする。また、位相欠陥とは、例えば、ＥＵＶマスクの多層膜内の局所的な膜厚変化等、表面の反射率は本来のあるべき反射率と変化しないが、光の位相が本来のあるべき位相から変化している欠陥を意味するものとする。
【００１９】
（第１の実施の形態）
本実施の形態のマスク欠陥検査装置は、光源と、光源から出射された光を第１および第２の検査光に分岐してマスクの同一面の異なる領域に照射する照明光学系と、マスクに照射された第１および第２の検査光を、第１および第２の像として同一像面に結像する結像光学系と、第１の像と第２の像を、それぞれ拡大する第１および第２の拡大光学系と、第１および第２の拡大光学系で拡大された第１および第２の像をそれぞれ撮像する第１および第２の画像センサと、第１および第２の画像センサで撮像された第１および第２の像の画像である、第１および第２の検査画像と、基準画像とを比較してマスクの欠陥を検出する比較部と、を備え、第１の拡大光学系の像面に対する焦点位置と、第２の拡大光学系の像面に対する焦点位置とを所定の量だけずらす機構を有する。
【００２０】
本実施の形態のマスク欠陥検査装置によれば、マスク上の異なる２つの領域を、異なる焦点位置（ピント位置）で同時に観察することが可能になる。したがって、より多くの欠陥を検出することが可能になり、高精度なマスク欠陥検査を実現することが可能である。
【００２１】
図１は、本実施の形態のマスク欠陥検査装置の内部構成を示す概念図である。
【００２２】
マスク欠陥検査装置１００は、マスク１０を検査対象として、マスク１０の欠陥を検査する装置である。マスク欠陥検査装置１００は、検査画像生成部１２やデータ処理部１４などを備えている。
【００２３】
検査画像生成部１２は、光源１６、ビームエキスパンダ１８、光束分岐素子２０、初段コリメータレンズ２４、ハーフミラー２６、対物レンズ２８、ＸＹθテーブル３０、ＸＹθモータ３２、変位計３４、初段結像レンズ３６、第１のコリメータレンズ３８ａ、第２のコリメータレンズ３８ｂ、第１の結像レンズ４０ａ、第２の結像レンズ４０ｂ、第１の画像センサ４２ａ、第２の画像センサ４２ｂ、第１のセンサ回路４４ａ、第２のセンサ回路４４ｂを備えている。
【００２４】
光源１６は、例えば、紫外レーザ光を出射するレーザ光源である。ビームエキスパンダ１８、光束分岐素子２０、初段コリメータレンズ２４、ハーフミラー２６、対物レンズ２８が、光源１６から出射された光を、ＸＹθテーブル３０に載置されたマスク１０に照射する照明光学系を構成する。ここで、照明光学系は、マスクに対して反射光学系である。
【００２５】
また、対物レンズ２８、初段結像レンズ３６が照明光学系でマスク１０に照射された光を、像面４６に結像する結像光学系を構成する。そして、第１のコリメータレンズ３８ａと第１の結像レンズ４０ａが第１の拡大光学系、第２のコリメータレンズ３８ｂと第２の結像レンズ４０ｂが第２の拡大光学系を構成する。
【００２６】
光束分岐素子２０は、例えば、プリズムであり、光源１６から出射された光を第１の検査光Ｌ１、第２の検査光Ｌ２に分岐する。分岐された検査光はマスク１０の同一面の異なる領域に照射される。結像光学系は、マスク１０に照射された第１の検査光Ｌ１、第２の検査光Ｌ２を、第１の像Ｉ１および第２の像Ｉ２として同一像面４６に結像する。
【００２７】
第１の拡大光学系は第１の像Ｉ１を拡大する。また。第２の拡大光学系は第２の像Ｉ２を拡大する。
【００２８】
第１の画像センサ４２ａは、第１の拡大光学系で拡大された第１の像Ｉ１を撮像する。また、第２の画像センサ４２ｂは、第２の拡大光学系で拡大された第２の像Ｉ２を撮像する。第１および第２の画像センサは、例えばＣＣＤ、フォトダイオードアレイまたはＣＭＯＳセンサである。
【００２９】
データ処理部１４は、制御計算機となるＣＰＵ５０が、データ転送線路となるバス５２を介して、大容量記憶装置５４、主記憶装置５６、印字装置５８、表示装置６０、テーブル制御部６２、展開部６４、参照部６６、第１の比較部６８ａ、第２の比較部６８ｂ、位置検出部７０等に接続されている。
【００３０】
第１の比較部６８ａでは、第１の画像センサ４２ａで撮像され、第１のセンサ回路４４ａでデータ処理された第１の検査画像と、基準画像とを比較してマスクの欠陥を検出する。また、第２の比較部６８ｂでは、第２の画像センサ４２ｂで撮像され、第２のセンサ回路４４ｂでデータ処理された第２の検査画像と、基準画像とを比較してマスクの欠陥を検出する。
【００３１】
ここで、基準画像は、マスクの設計データを用いて展開部６４や参照部６６で生成される参照画像であっても、同一マスクの別の領域の同一パターンを撮像して得た画像であってもかまわない。前者がいわゆるＤＢ（Ｄｉｅ  ｔｏ  Ｄａｔａｂａｓｅ）比較であり、後者が、いわゆるＤＤ（Ｄｉｅ  ｔｏ  Ｄｉｅ）比較である。
【００３２】
そして、マスク欠陥検査装置１００は、第１の拡大光学系の像面４６に対する焦点位置と、第２の拡大光学系の像面４６に対する焦点位置とを所定の量だけずらす機構を備えている。
【００３３】
なお、図１では本実施の形態を説明する上で必要な構成部分以外については記載を省略しているが、マスク欠陥検査装置１００には、通常必要なその他の構成も含まれるものとする。
【００３４】
図２は、本実施の形態のマスク欠陥検査装置の拡大光学系と画像センサの概念図である。第１の拡大光学系は、第１のコリメータレンズ３８ａと第１の結像レンズ４０ａにくわえ、第１のコリメータレンズ３８ａを像面４６に対して、上下させて像面４６に対する焦点位置を調整する第１の焦点位置調整部７０ａを備えている。また、第２の拡大光学系は、第２のコリメータレンズ３８ｂと第２の結像レンズ４０ｂにくわえ、第２のコリメータレンズ３８ｂを像面４６に対して、上下させて像面４６に対する焦点位置を調整する第２の焦点位置調整部７０ｂを備えている。
【００３５】
第１の焦点位置調整部７０ａと第２の焦点位置調整部７０ｂは、例えば、レンズ駆動用パルスモータとその制御回路とで構成される。
【００３６】
第１の焦点位置調整部７０ａと第２の焦点位置調整部７０ｂのいずれか一方、または、双方を駆動させることで、第１の拡大光学系の像面４６に対する焦点位置と、第２の拡大光学系の像面４６に対する焦点位置とを所定の量（図中にｆｄで示す距離）だけずらすことが可能となる。
【００３７】
次に、本実施の形態のマスク欠陥検査方法について説明する。
【００３８】
マスク１０は、駆動制御されたオートローダ（図示せず）から自動的に搬送され、ＸＹθテーブル３０上に配置される。ＸＹθテーブル３０は、ＣＰＵ５０の制御の下にテーブル制御部６２により駆動される。Ｘ軸方向、Ｙ軸方向、θ方向に駆動する３軸（Ｘ−Ｙ−θ）モータ３２のような駆動系により移動可能となる。３軸（Ｘ−Ｙ−θ）モータ３２は例えば、ステップモータを用いることができる。
【００３９】
ＸＹθテーブル３０の移動位置は、変位計３４により測定される。光源１６から出射された光を第１および第２の検査光Ｌ１、Ｌ２に分岐してマスク１０の同一面の異なる領域に反射照明光学系で照射する。
【００４０】
マスク１０に照射された第１および前記第２の検査光Ｌ１、Ｌ２を、第１および第２の像Ｉ１、Ｉ２として同一像面４６に結像光学系で結像する。そして、第１の像と第２の像Ｉ１、Ｉ２を、それぞれ第１および第２の拡大光学系で拡大する。このとき、検査前に、第１および第２の拡大光学系の像面４６に対する焦点位置を所望の量だけずらせて固定しておく。
【００４１】
そして、第１および第２の拡大光学系で拡大された第１および第２の像Ｉ１、Ｉ２を像面４６に対する焦点位置をずらして第１および第２の画像センサ４２ａ、４２ｂで撮像する。ＸＹθテーブル３０を移動させてマスク上の所定の検査領域全体にわたって、第１および第２の像Ｉ１、Ｉ２を焦点位置をずらして撮像する。
【００４２】
センサ回路４４ａ、４４ｂは、撮像された第１および第２の像Ｉ１、Ｉ２をデータ処理して第１および第２の検査画像を比較部６８ａ、６８ｂに出力する。比較部６８ａ、６８ｂにおいて、第１および第２の検査画像と、基準画像とを比較してマスク１０の欠陥を検出する
【００４３】
変位計３４は、ＸＹθテーブル３０上のマスク１０の位置データを位置検出部７０に送る。位置検出部７０では、例えば、マスク１０上の欠陥の分布のマッピングが行われる。
【００４４】
なお、ＸＹθテーブル３０上のマスク１０は、オートローダにより、検査終了後に自動的に装置外へ搬出される。なお、検査画像は、例えば、８ビットの符号なしデータであり、各画素の光強度を階調値で表現している。
【００４５】
本実施の形態によれば、異なる焦点位置（ピント位置）で同一のマスクを同時に観察することが可能になる。例えば、レベンソン型の位相シフトマスクにおいては、掘り込んだガラス面上の欠陥と、パターン面上の欠陥では、欠陥の存在する高さが異なるため、欠陥を検出するために最適な焦点位置が異なっている。
【００４６】
本実施の形態によれば、あらかじめ、それぞれの欠陥に対して最適と考えられる２つの焦点位置を観察できるよう、第１の拡大光学系の焦点位置と、第２の拡大光学系の焦点位置を設定する。これにより、より多くの欠陥を高いスループットで検出することが可能になり、高効率かつ高精度なマスク欠陥検査を実現することが可能である。
【００４７】
なお、その他にも、同一マスク面上にあって、欠陥を検出するために最適な焦点位置が異なる例としては、マスク面上の異物とＥＵＶマスクの多層膜中の位相欠陥、パターン欠陥とガラス膜の位相欠陥、サイズの異なる２つの異物等が例示できる。
【００４８】
（第２の実施の形態）
本実施の形態のマスク欠陥検査装置は、第１の実施の形態の構成に加え、さらに、第１および第２の検査画像を重ね合わせる画像処理部と、画像処理部で生成される重ね合わせ画像から検出された欠陥の種類を同定する欠陥同定部とを備える以外は第１の実施の形態と同様である。したがって、第１の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
【００４９】
図３は、本実施の形態のマスク欠陥検査装置の内部構成を示す概念図である。図３に示すように、本実施の形態のマスク欠陥検査装置２００は、画像処理部７２と欠陥同定部７４とを備えている。
【００５０】
画像処理部７２は、第１の画像センサ４２ａで撮像され、第１のセンサ回路４４ａでデータ処理された第１の検査画像と、第２の画像センサ４２ｂで撮像され、第２のセンサ回路４４ｂでデータ処理された第２の検査画像とを重ね合わせる処理を行う。同時に取得された第１の検査画像と第２の検査画像は、図２に示すように水平方向に所定のずれ量（図中ｄで示される距離）だけずれている。画像処理部７２では、このずれ量ｄを補正して、マスク上の同一領域に対応する第１の検査画像と第２の検査画像を重ね合わせる。
【００５１】
この際、例えば、第１の検査画像と第２の検査画像の光強度（階調値）の差分を演算して重ね合わせ画像を生成する。２つの異なる種類の欠陥、例えば、パターン欠陥と位相欠陥とで、焦点位置をずらした場合のコントラストの変化方向が異なる場合がある。
【００５２】
このような情報が予め得られている場合、比較部６８ａまたは６８ｂで検出された欠陥について、欠陥同定部７４において、その欠陥位置の重ね合わせ画像を確認することにより欠陥の種類を同定することが可能となる。例えば、重ね合わせ画像において欠陥部分が周辺に対して暗部となっているか明部となっているかを判定し欠陥の種類を同定する。
【００５３】
本実施の形態のマスク欠陥検査方法は、第１の実施の形態に加え、同一領域に対応する第１および第２の検査画像を重ね合わせた画像から前記欠陥の種類を同定するマスク欠陥検査方法である。
【００５４】
本実施の形態によれば、高効率、高精度なマスク欠陥検査に加え、欠陥の種類を同定することも可能である。特に、この機能は、従来、判定しにくかったパターン欠陥と位相欠陥を分類する上で有用である。
【００５５】
なお、本実施の形態によれば、重ね合わせの対象となる２つの検査画像を同時に取得する。したがって、２つの検査画像取得における装置状態の変動等の時間的な要因を排除できるため、重ね合わせの精度等も向上し、より高精度な欠陥種類の同定が実現できる。
【００５６】
ここでは、光強度（階調値）の差分を演算する場合を例に説明したが、その他、欠陥種類の同定に有用であれば、その他の演算処理を行って重ね合わせるものであってもかまわない。
【００５７】
（第３の実施の形態）
本実施の形態のマスク欠陥検査装置は、第１の実施の形態の構成に加え、マスクに対して透過光学系の照明光学系を、さらに備えること以外は、第１の実施の形態と同様である。したがって、第１の実施の形態と重複する内容については記載を省略する。
【００５８】
図４は、本実施の形態のマスク欠陥検査装置の内部構成を示す概念図である。図４に示すように、本実施の形態のマスク欠陥検査装置３００は、反射照明光学系に加え、透過照明光学系を備えている。
【００５９】
ビームエキスパンダ１８、第２の光束分岐素子８０、第２の初段コリメータレンズ８４、およびコンデンサレンズ８６が、光源１６から出射された光を、ＸＹθテーブル３０に載置されたマスク１０に照射する透過照明光学系を構成する。
【００６０】
また、マスク欠陥検査装置３００は、透過照明光学系と反射照明光学系を切り替えるための光路変更ミラー８８を備えている。
【００６１】
本実施の形態によれば、反射光を検査光とする欠陥検査のみならず、透過光を検査光とする欠陥検査においても、マスク上の異なる２つの領域を、異なる焦点位置（ピント位置）で同時に観察することが可能になる。したがって、第１の実施の形態よりもさらに、多くの欠陥を検出することが可能になり、高精度なマスク欠陥検査を実現することが可能である。
【００６２】
以上の説明において、「〜部」、「〜回路」と記載したものは、コンピュータで動作可能なプログラムによって構成することができる。あるいは、ソフトウェアであるプログラムだけではなく、ソフトウェアとハードウェアの組み合わせにより実施させてもかまわない。あるいはファームウェアとの組み合わせであってもかまわない。または、これらの組み合わせによって実現してもかまわない。また、プログラムにより構成される場合、プログラムは、磁気ディスク装置、磁気テープ装置、ＦＤ、あるいは、ＲＯＭ等の記録媒体に記憶される。
【００６３】
以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。マスク欠陥検査装置やマスク欠陥検査方法等、本発明の説明に直接必要しない部分等については記載を省略したが、必要とされるマスク欠陥検査装置やマスク欠陥検査方法を適宜選択して用いることができる。その他、本発明の要素を具備し、当業者が適宜設計変更しうる全てのマスク欠陥検査装置、マスク欠陥検査方法は、本発明の範囲に包含される。
【００６４】
例えば、マスク欠陥検査装置は、透過照明光学系のみを照明光学系として備える装置であってもかまわない。
【００６５】
また、焦点位置をずらす機構は、コリメータレンズを移動させるのではなく、コリメータレンズ、結像レンズおよび画像センサを一体に動かす方法であってもかまわない。
【００６６】
また、必ずしも、焦点位置調整部を設けなくとも、あらかじめ装置として第１および第２の拡大光学系の焦点位置が所定の量だけずれて固定されている機構も排除するものではない。
【００６７】
また、第１および第２の検査画像を、個々に基準画像と比較するのではなく、重ね合わせた画像を、基準画像と比較する構成とすることも可能である。
【００６８】
第１および第２の拡大光学系のそれぞれの焦点位置は、検査中はそれぞれ固定するものとして説明したが、例えば、検査中に細かく焦点位置を変動させて検査する検査方法をとることも可能である。
【符号の説明】
【００６９】
１０      マスク
１２      検査画像生成部
１４      データ処理部
１６      光源
１８      ビームエキスパンダ
２０      光束分岐素子
２４      初段コリメータレンズ
２６      ハーフミラー
２８      対物レンズ
３６      初段結像レンズ
３８ａ    第１のコリメータレンズ
３８ｂ    第２のコリメータレンズ
４０ａ    第１の結像レンズ
４０ｂ    第２の結像レンズ
４２ａ    第１の画像センサ
４２ｂ    第２の画像センサ
４６      像面
６８ａ    第１の比較部
６８ｂ    第２の比較部
７２      画像処理部
７４      欠陥同定部
１００    マスク欠陥検査装置
２００    マスク欠陥検査装置
３００    マスク欠陥検査装置
【図１】
2012002676.tif 000003
【図２】
2012002676.tif 000004
【図３】
2012002676.tif 000005
【図４】
2012002676.tif 000006