(57)【要約】【課題】ディスクリート型の磁気記録媒体の製造に用いられる原盤を作製する場合に、レジストパターンの倒れ等の発生を抑制する。【解決手段】本発明は、同心円状をなす複数のトラックが溝によって分離された磁気記録媒体の製造に用いられる元型の原盤を作製する方法であり、原盤のベースになる円盤状の基板上に複数のレジストパターン３２Ｔを形成する工程を有する。かかる工程は、基板上にレジスト膜を形成する成膜工程と、レジスト膜を露光することにより、レジスト膜の一部を可溶部とし他部を不溶部とする露光工程と、露光後のレジスト膜を現像する現像工程とを有する。露光工程においては、基板半径方向Ｘで隣り合うレジストパターン３２Ｔ間にこれと一体構造で架橋部３４が残存するように、レジスト膜を露光し、現像工程においては、レジストパターン３２Ｔを架橋部３４で支持することで倒れ等を抑制する。【選択図】図５
2012096358.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同心円状をなす複数のトラックが溝によって分離された磁気記録媒体の製造に用いられる元型の原盤を作製する方法であって、
前記原盤のベースになる円盤状の基板上に複数のライン状のレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程を有し、
前記レジストパターン形成工程は、前記基板上にレジスト膜を形成する成膜工程と、前記レジスト膜を露光することにより、当該レジスト膜の一部を可溶部とし且つ当該レジスト膜の他部を不溶部とする露光工程と、前記露光後のレジスト膜を現像する現像工程とを有し、
前記露光工程においては、前記基板の半径方向で隣り合うライン状のレジストパターン間に当該レジストパターンと一体構造をなす架橋部が残存するように、前記レジスト膜を露光し、
前記現像工程においては、前記ライン状のレジストパターンを前記架橋部で支持する
ことを特徴とする原盤作製方法。
【請求項２】
前記露光工程においては、前記基板の円周方向で前記架橋部が同一の角度位置に存在するように、前記レジスト膜を露光する
ことを特徴とする請求項１に記載の原盤作製方法。
【請求項３】
前記露光工程においては、前記基板の円周方向でｎトラックピッチごと（ｎは自然数）に前記架橋部が異なる角度位置に存在するように、前記レジスト膜を露光する
ことを特徴とする請求項１に記載の原盤作製方法。
【請求項４】
前記露光工程においては、前記基板の円周方向で前記架橋部が互い違いの配置で存在するように、前記レジスト膜を露光する
ことを特徴とする請求項３に記載の原盤作製方法。
【請求項５】
同心円状をなす複数のトラックが溝によって分離された磁気記録媒体の製造に用いられる元型の原盤であって、
円盤状の基板と、
前記基板上に形成された凹凸パターンとを有し、
前記凹凸パターンは、前記トラックに対応するライン状の凸パターンと、前記溝に対応する凹パターンと、前記基板の半径方向で隣り合う前記凸パターン間に当該凸パターンと一体構造をなして掛け渡されたブリッジパターンとを含む
ことを特徴とする原盤。
【請求項６】
請求項５に記載の原盤から直接または間接的にモールド構造体を製造する工程と、
前記モールド構造体を用いて磁気記録媒体を製造する工程と
を有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、原盤作製方法、原盤、および磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ハードディスク駆動装置などの磁気記録再生装置に用いられる磁気記録媒体の一つとして、ディスクリート型の磁気記録媒体が知られている（たとえば、特許文献１を参照）。この種の磁気記録媒体は、ディスクリートトラックメディア（以下、「ＤＴＭ」と略称）と呼ばれている。ＤＴＭは、円盤状（ドーナツ型を含む）のメディアであって、同心円状をなす複数のトラックを有する。各々のトラックは溝によって分離されている。
【０００３】
このためＤＴＭは、記録時および再生時において、次のような効果を有する。すなわち、記録時にはサイドライトを抑制する効果を有し、再生時にはクロストークを抑制する効果を有する。サイトライトとは、記録時において、信号を書き込むべきトラックの隣に存在するトラックに不要な信号（データを消去するための信号を含む）を書き込んでしまう現象をいう。クロストークとは、再生時において、信号を読み取るべきトラックの隣に存在するトラックから余分な信号を読み込んでしまう現象をいう。
【０００４】
現在、ＤＴＭの製造方法としてナノインプリント法が公知となっている。ナノインプリント法は、スタンパにナノオーダーの凹凸パターンを形成しておき、この凹凸パターンを被転写基板に押し付けて転写する方法である。したがって、ナノインプリント法では、スタンパと被転写基板の凹凸関係が逆になる。
【０００５】
一般に、ナノインプリント法を利用してＤＴＭを製造する場合は、そのおおもとになる元型の原盤（以下、単に「原盤」とも記す）を作製する必要がある。また、原盤には非常に高い精度で凹凸パターンを形成する必要がある。このため、現状では、電子線リソグラフィ法を利用して原盤を作製している。より具体的には、原盤のベース（素材）となる基板に電子線リソグラフィ法によってレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして基板をエッチングすることにより、基板の表面に凹凸パターンを形成している。
【０００６】
また、ＤＴＭをナノインプリント法で製造する場合は、原盤に形成した凹凸パターンをナノインプリント法でモールド構造体に転写し、このモールド構造体を用いて、ＤＴＭに凹凸パターンを転写している。あるいは、原盤から直接、転写した凹凸パターンを有するモールド構造体を用いて、これと別のモールド構造体に凹凸パターンを転写することにより、二次的なモールド構造体を作製し、さらにその繰り返しによって得られる三次的、四次的等のモールド構造体を用いて、ＤＴＭに凹凸パターンを転写することもある。
【０００７】
本明細書においては、ナノインプリント法を利用した凹凸パターンの転写により、原盤から直接得られるモールド構造体を一次モールド構造体とし、当該一次モールド構造から直接得られるモールド構造体を二次モールド構造体とし、（中略）、ｍ次モールド構造から直接得られるモールド構造体をｍ＋１次モールド構造体という。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００９−８７４４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
近年、ＤＴＭの記録密度を高めるためにトラックの狭幅化が進み、これに伴って上記レジストパターンのアスペクト比が高くなり、レジストパターンの「倒れ」や「くっつき」という問題が顕在化している。以下、さらに詳しく述べる。
【００１０】
まず、レジストパターンのアスペクト比は、当該レジストパターンの高さと幅の比で規定される。そして、レジストパターンの高さが相対的に高くなるか、あるいはレジストパターンの幅が相対的に狭くなるほど、アスペクト比が高くなる。このような前提において、たとえば高記録密度化のためにトラックの幅を狭くするとなると、それにあわせてレジストパターンの幅を狭くする必要がある。これに対して、レジストパターンの高さは、エッチング耐性を確保する観点から、あまり低くすることができない。その結果、レジストパターンのアスペクト比が高くなる。
【００１１】
また、露光後の現像に際しては、各々のレジストパターンが、現像液やリンス液（純水等）による表面張力を受ける。このため、ＤＴＭのトラックと溝の配列にあわせてライン＆スペースのパターン構造でレジストパターンを形成した部分では、このレジストパターンを片側に引き込むように表面張力が働く。また、パターン密度が高い部分に存在するレジストパターンには、基板の半径方向で隣り合うレジストパターン同士を引き寄せる方向に表面張力が働く。その結果、現像工程においては、図１１に示すように、レジストパターン５０の倒れ５１やこれに起因したくっつき５２などの現象（以下、「倒れ等」と総称）が発生しやすくなる。このような現象については、「Journal of Vacuum Science and Technology B Vol.19 No.6 p2709−2719(2001 American Vacuum Society)」にも記載されている。
【００１２】
特に、レジストパターン５０のアスペクト比が高くなると、パターン自体の形状保持力や起立性（起立状態を維持する性質）が弱まるため、レジストパターン５０の倒れ等が発生しやすくなる。また、かかる問題は、パターンのアスペクト比だけでなく、ライン＆スペースのデューティ比が高くなっても顕在化する。さらに、かかる問題は、パターンのバラツキであるＬＷＲ（Line Width Roughness）やＬＥＲ（Line Edge Roughness）の影響によっても発生しやすくなる。
【００１３】
実際にレジストパターンの倒れ等が原盤の作製工程で発生すると、上述のようにナノインプリント法で製造されるＤＴＭでは、トラックを構成するパターン（以下、「トラックパターン」と記す）の一部に形状的な不良箇所が現れる。この不良箇所は磁気記録が正常に行えないエラー領域となる。エラー領域は数十〜数百ｎｍの範囲におよぶため、データビットで数十ビット以上のエラーとなる。したがって、エラーレートを劣化させてしまう。
【００１４】
本発明の主たる目的は、ディスクリート型の磁気記録媒体の製造に用いられる原盤を作製する場合に、レジストパターンの倒れ等の発生を抑制することができる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の第１の態様は、
同心円状をなす複数のトラックが溝によって分離された磁気記録媒体の製造に用いられる元型の原盤を作製する方法であって、
前記原盤のベースになる円盤状の基板上に複数のライン状のレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程を有し、
前記レジストパターン形成工程は、前記基板上にレジスト膜を形成する成膜工程と、前記レジスト膜を露光することにより、当該レジスト膜の一部を可溶部とし且つ当該レジスト膜の他部を不溶部とする露光工程と、前記露光後のレジスト膜を現像する現像工程とを有し、
前記露光工程においては、前記基板の半径方向で隣り合うライン状のレジストパターン間に当該レジストパターンと一体構造をなす架橋部が残存するように、前記レジスト膜を露光し、
前記現像工程においては、前記ライン状のレジストパターンを前記架橋部で支持する
ことを特徴とする原盤作製方法である。
【００１６】
本発明の第２の態様は、
前記露光工程においては、前記基板の円周方向で前記架橋部が同一の角度位置に存在するように、前記レジスト膜を露光する
ことを特徴とする上記第１の態様に記載の原盤作製方法である。
【００１７】
本発明の第３の態様は、
前記露光工程においては、前記基板の円周方向でｎトラックピッチごと（ｎは自然数）に前記架橋部が異なる角度位置に存在するように、前記レジスト膜を露光する
ことを特徴とする上記第１の態様に記載の原盤作製方法である。
【００１８】
本発明の第４の態様は、
前記露光工程においては、前記基板の円周方向で前記架橋部が互い違いの配置で存在するように、前記レジスト膜を露光する
ことを特徴とする上記第３の態様に記載の原盤作製方法である。
【００１９】
本発明の第５の態様は、
同心円状をなす複数のトラックが溝によって分離された磁気記録媒体の製造に用いられる元型の原盤であって、
円盤状の基板と、
前記基板上に形成された凹凸パターンとを有し、
前記凹凸パターンは、前記トラックに対応するライン状の凸パターンと、前記溝に対応する凹パターンと、前記基板の半径方向で隣り合う前記凸パターン間に当該凸パターンと一体構造をなして掛け渡されたブリッジパターンとを含む
ことを特徴とする原盤である。
【００２０】
本発明の第６の態様は、
請求項５に記載の原盤から直接または間接的にモールド構造体を製造する工程と、
前記モールド構造体を用いて磁気記録媒体を製造する工程と
を有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法である。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、ディスクリート型の磁気記録媒体の製造に用いられる原盤を作製する場合に、レジストパターンの倒れ等の発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明が適用されるＤＴＭの基本構造を示す平面図である。
【図２】ＤＴＭの要部構造を説明する図である。
【図３】原盤作製方法の基本的な流れを示す工程図である。
【図４】電子線描画装置の構成例を示す概略図である。
【図５】１セクタ分のデータ領域およびサーボ領域に対応するレジストパターンを平面的に示す図である。
【図６】原盤の主要部の構成を示す図である。
【図７】ＤＴＭの主要部の構成を示す図である。
【図８】架橋部の他の配置形態を示す図（その１）である。
【図９】架橋部の他の配置形態を示す図（その２）である。
【図１０】架橋部の他の配置形態を示す図（その３）である。
【図１１】従来の課題を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。
本発明の実施の形態においては、次の順序で説明を行う。
１．ＤＴＭの基本構造
２．原盤作製方法の基本説明
３．電子線描画装置の構成
４．電子線描画装置の動作
５．原盤作製方法の主要説明
６．原盤の主要構成
７．ＤＴＭの主要構成
８．実施の形態の効果
９．変形例等
【００２４】
＜１．ＤＴＭの基本構造＞
まず、本発明で最終的な製造対象とするＤＴＭの基本構造について説明する。
図１は本発明が適用されるＤＴＭの基本構造を示す平面図である。図示のように、ＤＴＭ１は、円盤状のメディアである。ＤＴＭ１には、同心円状をなして複数のトラック２が形成されている。各々のトラック２は、ＤＴＭ１の円周方向に沿うライン状（円弧状）のトラックパターン３によって構成されている。各々のトラックパターン３には、図示しない磁気ヘッドを用いた垂直磁気記録方式によってデータが記録される。また、各々のトラックパターン３に記録されたデータは、磁気ヘッドによって読み出される。
【００２５】
上述のようにデータの記録再生に利用される領域は、データ領域４となる。このデータ領域４には、上記同心円状の複数のトラック２が含まれるとともに、１トラック（１周）ごとにトラックパターン３が形成されている。データ領域４においては、各々のトラック２を構成するトラックパターン３が、ＤＴＭ１の半径方向で磁気的に分離されている。具体的には、図２に示すように、ＤＴＭ１の半径方向で隣り合う二つのトラックパターン３の間に溝５が形成され、この溝５の介在によってトラックパターン３同士が磁気的かつ物理的に分離されている。
【００２６】
また、ＤＴＭ１には、データ領域４の他に、サーボ領域６が設けられている。サーボ領域６は、記録再生時に磁気ヘッドをサーボ制御によって高精度に位置決めするための領域である。サーボ領域６は、ＤＴＭ１の円周方向に予め決められた角度ピッチで複数設けられている。各々のサーボ領域６には、所定の形状および配置でサーボパターン７が形成されている。また、前述したトラック２は、ＤＴＭ１の円周方向で所定の角度ごとに複数のセクタ８に区切られている。つまり、一つのセクタ８は、一つのトラック２の一部分を構成している。これに対して、サーボ領域６は、一つのセクタ８ごとに設けられている。そして、ＤＴＭ１が１回転する期間内に、各セクタ８のサーボ領域６に形成されたサーボパターン７を利用してサーボ制御が行われるようになっている。サーボパターン７には、サーボ制御に利用するパターンとして、たとえば、同期をとるためのパターンと、トラック識別情報およびセクタ識別情報を示すパターンと、データの読み書きの開始時期を指定するパターンとが含まれる。
【００２７】
上記構成からなるＤＴＭ１は、ナノインプリント法を利用して製造される。ＤＴＭ１の製造（凹凸パターンの転写）に直接使用されるモールド構造体は、前述した一次モールド構造体でもよいし、それより次数の多いモールド構造体でもよい。また、一次モールド構造体の凹凸パターンは、ＤＴＭ１を製造する際におおもとになる原盤を直接用いて、ナノインプリント法により形成（転写）される。また、原盤の凹凸パターンは、電子線リソグラフィ法を利用して形成される。
【００２８】
＜２．原盤作製方法の基本説明＞
以下、本発明の実施の形態に係る原盤作製方法の基本的な流れについて説明する。ここでは、原盤に形成される凹凸パターンとＤＴＭ１に形成される凹凸パターンとが、同じ凹凸関係を有するものとする。
【００２９】
図３は原盤作製方法の基本的な流れを示す工程図である。図示した工程のうち、（Ａ）は成膜工程、（Ｂ）は露光工程、（Ｃ）は現像工程、（Ｄ）はエッチング工程、（Ｅ）はレジスト除去工程である。電子線リソグラフィ法は、図中の（Ａ）〜（Ｃ）のレジストパターン形成工程を含む。以下、各工程について説明する。
【００３０】
（成膜工程）
成膜工程は、図３（Ａ）に示すように、基板３０上にレジスト膜３１を形成する工程である。この成膜工程では、たとえばＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）などの電子線レジストを用いて、スピンコート法等により基板３０の表面を覆うようにレジスト膜３１を形成する。
【００３１】
基板３０は、原盤のベース（素材）になる円盤状の基板である。基板３０としては、たとえば、石英ガラス基板、シリコン基板などを用いることができる。また、ナノインプリント法は、光硬化性の樹脂を用いる光ナノインプリント法と、熱硬化性の樹脂を用いる熱ナノインプリント法に大別される。したがって、光ナノインプリント法で利用する原盤を作製する場合は、基板３０に光透過性が求められる。その理由は、ナノインプリント工程で原盤を押し付けて被転写基板上の樹脂を硬化させる場合に、原盤を通して樹脂に光（紫外線等）を照射する必要があるためである。そうした用途では、基板３０として、透明な石英ガラス基板を用いればよい。
【００３２】
（露光工程）
露光工程は、図３（Ｂ）に示すように、基板３０上のレジスト膜３１を露光する工程である。この露光工程では、上記の成膜工程で基板３０上に形成したレジスト膜３１を電子線描画によって露光することにより、当該レジスト膜３１の一部を可溶部３１ａとし且つ当該レジスト膜３１の他部を不溶部３１ｂとする。
【００３３】
上記図３（Ｂ）においては、ポジ型のレジストを用いてレジスト膜３１を形成した場合を想定している。このため、基板３０上に形成されたレジスト膜３１のうち、電子線描画によって電子線ＥＢが照射される部分（露光部分）は可溶部３１ａとなり、電子線ＥＢが照射されない部分（非露光部）は不溶部３１ｂとなる。
【００３４】
これに対して、ネガ型のレジストを用いてレジスト膜３１を形成した場合は、電子線描画によって電子線ＥＢが照射されない部分（非露光部分）が可溶部となり、電子線が照射される部分（露光部）が不溶部となる。そして、ポジ型、ネガ型のいずれのレジストを用いた場合も、レジスト膜の不溶部が現像後にレジストパターンとなって残ることになる。
【００３５】
（現像工程）
現像工程は、図３（Ｃ）に示すように、上記露光工程で露光した後のレジスト膜３１を現像する工程である。この現像工程では、露光済みのレジスト膜３１を、そのレジスト材料に適した現像液で現像することにより、上述したレジスト膜３１の可溶部３１ａを除去する。このとき、上述したレジスト膜３１の不溶部３１ｂは、レジストパターン３２となって基板３０上に残る。
【００３６】
（エッチング工程）
エッチング工程は、図３（Ｄ）に示すように、レジストパターン３２を用いて基板３０をエッチングする工程である。このエッチング工程では、レジストパターン３２をエッチング用のマスクとして、基板３０をウェット方式またはドライ方式でエッチングする。これにより、レジストパターン３２の形状にならって基板３０の表面が凹凸に加工される。具体的には、レジスパターン３２で覆われた基板３０の表面部分はエッチングが阻止されるため凸パターンとなり、レジストパターン３２で覆われない基板３０の表面部分はエッチングが進行するため凹パターンとなる。
【００３７】
（レジスト除去工程）
レジスト除去工程は、図３（Ｅ）に示すように、エッチング工程後に不要になったレジストパターン３２を除去する工程である。このレジスト除去工程では、レジストの溶解に適したレジスト除去液を用いて、基板３０上からレジストパターン３２を除去する。これにより、基板３０の表面に凹凸パターン３３を有する原盤が得られる。
【００３８】
ここで、基板３０上には、前述したＤＴＭ１のトラックパターン３、溝５およびサーボパターン７と同様の凹凸関係で凹凸パターン３３が形成される。また、トラックパターン３は、前述した溝５の介在によってライン＆スペースのパターン構造となる。このため、基板３０上に形成される凹凸パターン３３のうち、トラックパターン３および溝５に対応する部分では、これと同様（ライン＆スペース）のパターン構造で凹凸パターン３３を形成する必要がある。また、上述した電子線リソグラフィ法により原盤を作製する場合も、トラックパターン３および溝５に対応する部分では、ライン＆スペースのパターン構造でレジストパターン３２を形成する必要がある。
【００３９】
ちなみに、「ライン＆スペース」のパターン構造とは、それぞれライン状をなす凸パターンと凹パターンが、平行かつ交互に並ぶパターン構造をいう。また、ここで記述する「平行」とは、凹凸のパターンが直線的に平行に並ぶ状態と曲線的に平行に並ぶ状態の両方を含むものとする。
【００４０】
＜３．電子線描画装置の構成＞
図４は上記の露光工程で用いられる電子線描画装置の構成例を示す概略図である。図示した電子線描画装置１１は、大きくは、電子線を発生する電子線発生部１２と、この電子線発生部１２で発生させた電子線を制御する電子線制御系１３と、露光の対象となる基板３０を支持するステージ機構１５と、このステージ機構１５の駆動を制御するステージ制御系１６とを備えた構成となっている。ここで露光対象とする基板３０は、上述した成膜工程でレジスト膜３１を形成した段階のものである。
【００４１】
電子線発生部１２は、電子線の発生源となる電子銃１７を用いて構成されている。電子銃１７は、ステージ機構１５に支持された基板３０と対向する状態に配置されている。電子銃１７は、電子線を下向きに発生するものとなっている。
【００４２】
電子線制御系１３は、たとえば、図示のようにブランキング電極１８と、集束レンズ１９と、アパーチャ２０と、偏向器２１と、対物レンズ２２とを有している。アパーチャ２０には、電子線を通過させるための開口部２３が形成されている。
【００４３】
ブランキング電極１８は、電子線の下流側への進行を制御するものである。ブランキング電極１８は、ブランキングするときは電界によって電子線をアパーチャ２０で遮るように電子線の軸を偏向し、ブランキングしないときは電子線をアパーチャ２０の開口部２３に通すようにする。ブランキング電極１８は、電子銃１７から基板３０に至る電子線の軌道上において、電子銃１７と集束レンズ１９との間に配置されている。
【００４４】
集束レンズ１９は、電子銃１７から出射された電子線のビーム径の広がりを抑制するものである。集束レンズ１９は、電子銃１７から基板３０に至る電子線の軌道上において、ブランキング電極１８とアパーチャ２０との間に配置されている。
【００４５】
アパーチャ２０は、電子線でレジスト膜を照射する際に、レジスト膜への電子線の照射を選択的に行うために、不要な電子線を遮断する機能を果たすものである。アパーチャ２０は、電子銃１７から基板３０に至る電子線の軌道上において、集束レンズ１９と偏向器２１との間に配置されている。
【００４６】
偏向器２１は、アパーチャ２０の開口部２３を通過した電子線の向き（進行方向）を変えることにより、基板３０上での電子線の照射位置を変えるものである。偏向器２１は、電子銃１７から基板３０に至る電子線の軌道上において、アパーチャ２０と対物レンズ２２との間に配置されている。
【００４７】
対物レンズ２２は、アパーチャ２０の開口部２３を通過した電子線のビーム径を絞るものである。対物レンズ２２は、電子銃１７から基板３０に至る電子線の軌道上において、偏向器２１とステージ機構１５との間に配置されている。
【００４８】
ステージ機構１５は、回転ステージ２４と、直動ステージ２５とを用いて構成されている。回転ステージ２４および直動ステージ２５は、露光処理の対象となる基板３０を回転させる機能とその基板３０を移動させる機能を兼ね備えた、「ｒ−θ系」と呼ばれるステージを構成している。
【００４９】
回転ステージ２４は、基板３０を水平に保持するとともに、保持した基板３０を回転させるものである。回転ステージ２４は、たとえば、図示しないスピンドルモータ等の駆動源を用いて回転する仕組みになっている。回転ステージ２４は、基板３０を保持しつつ当該基板３０を回転させる回転手段として機能する。
【００５０】
直動ステージ２５は、水平面に平行な一軸方向（以下、「水平方向」と記す）に直線的に移動するものである。直動ステージ２５は、回転ステージ２４およびこれに保持した基板３０と一体になって水平方向に移動する。直動ステージ２５は、回転ステージ２４で保持した基板３０を、この基板３０の半径方向と平行な方向に移動させる移動手段として機能する。
【００５１】
ステージ制御系１６は、回転ステージ２４を制御する回転ステージ制御部２６と、直動ステージ２５を制御する直動ステージ制御部２７とを有している。
【００５２】
回転ステージ制御部２６は、回転ステージ２４の駆動を制御するものである。さらに詳述すると、回転ステージ制御部２６は、たとえば、回転ステージ２４の回転・停止といった基本的な動作に加えて、回転ステージ２４の回転速度および回転方向の制御を行う。回転ステージ制御部２６は、回転ステージ２４の回転方向の現在位置（回転位相）を、たとえば、電子線描画装置１１が備える図示しない回転位置検知センサを用いて認識する。
【００５３】
直動ステージ制御部２７は、直動ステージ２５の駆動を制御するものである。さらに詳述すると、直動ステージ制御部２７は、たとえば、直動ステージ２５の移動・停止といった基本的な動作に加えて、直動ステージ２５の移動速度および移動方向の制御を行う。直動ステージ制御部２７は、直動ステージ２５の移動方向の現在位置を、たとえば、電子線描画装置１１が備える図示しない移動位置検知センサを用いて認識する。
【００５４】
＜４．電子線描画装置の動作＞
次に、上記構成の電子線描画装置１１の基本動作について説明する。
【００５５】
まず、回転ステージ２４の上に基板３０を載せて固定する。このとき、回転ステージ２４の回転中心と基板３０の物理的な中心とが一致するように、基板３０を位置決めする。また、電子線描画で露光すべきレジスト膜３１が上を向くように（レジスト膜３１が電子銃１７と対向するように）基板３０を水平に配置する。
【００５６】
次に、必要に応じて、予め設定されたイニシャライズ処理（たとえば、回転ステージ２４の回転方向の基準位置を検知するための処理や、直動ステージ２５の移動方向の基準位置を検知するための処理など）を行う。各々の基準位置は、たとえば、前述した回転位置検出センサおよび移動位置検知センサを用いて検知される。
【００５７】
次に、回転ステージ２４に保持した基板３０を予め決められた初期位置に配置し、そこで回転ステージ２４の駆動により基板３０を回転させる。そして、基板３０の回転速度が予め決められた速度で安定したら、予め決められたタイミングで電子線描画による露光を開始する。
【００５８】
電子線描画による露光では、電子銃１７から出射した電子線を、ブランキング電極１８で制御するとともに、集束レンズ１９で集束させて、アパーチャ２０の開口部２３に電子ビームを通す。さらに、アパーチャ２０を通過した電子線の向きを偏向器２１で制御するとともに、当該電子線のビーム径を対物レンズ２２で絞る。
【００５９】
これにより、基板３０上に形成されたレジスト膜３１は、回転ステージ２４の回転駆動によって同心円状に露光される。また、直動ステージ２５の駆動によって基板３０を水平方向に移動（微動）し、この移動にあわせて同心円状の露光を基板３０の１回転ごとに繰り返すことにより、基板３０上のレジスト膜が全体的に露光される。ただし、レジスト膜が形成された部分には、電子線の照射によって露光すべき部分とそれ以外の部分が混在する。このため、基板３０が１回転する間に、当該基板３０上に形成すべきレジストパターンにあわせて電子線の照射のオンオフを切り替える。この切り替えはブランキング電極１８を用いて行う。
【００６０】
以上のことから、たとえば、上記成膜工程でポジ型のレジストを用いてレジスト膜３１を形成するものと仮定すると、その後の露光工程では、トラックパターン３およびサーボパターン７に対応する部分を露光せず、それ以外の部分（溝５に対応する部分を含む）を電子線描画によって露光することになる。
【００６１】
＜５．原盤作製方法の主要説明＞
本発明の実施の形態に係る原盤作製方法においては、基板３０上のレジスト膜３１を円周方向Ｙに露光するにあたって、トラックパターン３およびサーボパターン７に対応する部分に加えて、図５に示す架橋部３４に対応する部分についても露光しないこととしている。つまり、上記露光工程において、架橋部３４を不溶部に含むようにレジスト膜３１を露光する。これにより、架橋部３４は、上記現像工程を終えた段階で、レジストパターン３２の一部として基板３０上に残存する。ちなみに、架橋部３４を残存させない場合は、トラックパターン３に隣接する溝５に対応する部分を、１セクタ分にわたって途切れなく連続的に露光することになる。
【００６２】
これに対して、本発明の実施の形態に係る原盤作製方法では、上記の溝５に対応する部分を、１セクタ分の領域の途中で少なくとも１回露光しないようにする。この非露光回数は、１セクタ分の領域の途中に設ける架橋部３４の個数を決める要素となる。たとえば、１セクタあたりの非露光回数を３回とすると、１セクタ分の領域内に設けられる架橋部３４の個数が３個（設置箇所が３箇所）になる。また、１回あたりの非露光期間は、架橋部３４の幅Ｗ２を決める要素となる。すなわち、１回あたりの非露光期間が長くなると、それに応じて架橋部３４の幅Ｗ２が広くなり、反対に、１回あたりの非露光期間が短くなると、それに応じて架橋部３４の幅Ｗ２が狭くなる。
【００６３】
ここで、トラックパターン３に対応して基板３０上に形成されるレジストパターン３２をトラック用レジストパターン３２Ｔと定義する。また、サーボパターン７に対応して基板３０上に形成されるレジストパターン３２をサーボ用レジストパターン３２Ｓと定義する。そうした場合、トラック用レジストパターン３２Ｔは、トラックパターン３と同様のパターン形状で形成され、サーボ用レジストパターン３２Ｓは、サーボパターン７と同様のパターン形状で形成される。このため、トラック用レジストパターン３２Ｔは、基板３０の円周方向に沿うライン状（円弧状）のパターンとなる。そして、このライン状のトラック用レジストパターン３２Ｔが互いに隣り合う状態で基板３０上に同心円状に形成されることになる。
【００６４】
上記図５においては、１セクタ分のデータ領域４およびサーボ領域６に対応するレジストパターン３２（３２Ｓ、３２Ｔ）を平面的に示している。また、トラック用レジストパターン３２Ｔについては、便宜上、直線的に配列した状態で示している。また、図中のＸ方向は上記基板３０の半径方向（以下、「基板半径方向Ｘ」）を示し、Ｙ方向は上記基板３０の円周方向（以下、「基板円周方向Ｙ」）を示している。
【００６５】
図示のように、トラック用レジストパターン３２Ｔは、基板半径方向Ｘに一定の間隔で平行かつ連続的に並ぶ複数のライン状のパターンとなっている。また、各々のトラック用レジストパターン３２Ｔは、基板円周方向Ｙに沿うライン状のパターンとなっている。
【００６６】
これに対して、架橋部３４は、基板半径方向Ｘに沿って一直線上に延在するように形成されている。さらに詳述すると、架橋部３４は、基板半径方向Ｘで隣り合うトラック用レジストパターン３２Ｔの間に介在している。このため、架橋部３４は、基板半径方向Ｘに飛び飛びに存在するパターン（点線状のパターン）となっている。また、基板半径方向Ｘで隣り合う２つのトラック用レジストパターン３２Ｔ間に介在する架橋部３４については、当該架橋部３４の一端が一方のトラック用レジストパターン３２Ｔのライン途中に接続され、当該架橋部３４の他端が他方のトラック用レジストパターン３２Ｔのライン途中に接続されている。ただし、各々のトラック用レジストパターン３２Ｔとの関係では、これと一体のパターン構造（換言すると、継ぎ目のないパターン構造）で架橋部３４が形成されている。また、隣り合うトラック用レジストパターン３２Ｔの間では、そこに介在する溝の一部を埋め込む状態で架橋部３４が形成されている。
【００６７】
このような構造で架橋部３４を残存させるには、その前の露光工程で電子線描画装置１１を次のように駆動すればよい。すなわち、電子線描画装置１１においては、ある決められたタイミングで出力される同期信号を基準に、回転ステージ２４の回転方向における電子線の描画位置（露光位置）を制御している。より具体的には、同期信号が出力されたタイミングを基点にクロック信号をカウントし、そのカウント値に基づいて電子線の照射のオンオフをブランキング電極１８で切り替えて描画位置を制御している。したがって、同期信号の出力タイミングに基準としたクロック信号のカウント値が、予め決められた値となったことを条件に、電子線の照射をオフすれば、基板円周方向Ｙで同一の角度位置に非露光部を存在させることができる。その結果、基板半径方向Ｘに沿う一直線上の並びで架橋部３４を形成することが可能となる。
【００６８】
ここで、トラック用レジストパターン３２Ｔのパターン幅Ｗ１は、たとえば、隣り合うトラック用レジストパターン３２Ｔとの間に介在する溝の幅と等しい寸法に設定されている。このことは、ＤＴＭ１のトラックパターン３の幅と溝５の幅の寸法関係が、１：１の関係になっていることを意味する。ただし、発明の実施に際しては、このような寸法関係になっていなくてもよい。
【００６９】
一方、基板円周方向Ｙにおける架橋部３４の幅Ｗ２は、次のような条件で設定されている。まず、条件を規定する際の前提について記述する。通常、ＤＴＭ１のトラックパターン３にデータを記録する場合は、磁気ヘッドの幅がトラックパターン３の幅よりも広いことや、磁気ヘッドからの磁界の広がり（磁束の漏れ）などに起因してサイドライトが発生する。このサイドライドの影響を低減するために、ＤＴＭ１では溝５によってトラックパターン３同士を物理的、磁気的に分離している。
【００７０】
ただし、トラック用レジストパターン３２Ｔ間に架橋部３４を形成すると、この架橋部３４と同様の構造部分（以下、「トラック架橋部」と記す）がＤＴＭ１のトラックパターン３間に形成される。また、トラック架橋部は、トラックパターン３間に介在する溝５の一部を埋め込む状態で形成される。つまり、ＤＴＭ１のトラックパターン３間にも、当該トラックパターン３と一体のパターン構造をもってトラック架橋部が介在することになる。なぜなら、架橋部３４を含むレジストパターン３２の凹凸は、そのまま基板３０の凹凸パターン３３に反映され、さらに凹凸パターン３３が、ＤＴＭ１の凹凸パターン（トラックパターン３、溝５、サーボパターン７など）に反映されるからである。
【００７１】
したがって、ＤＴＭ１のトラック架橋部の形成部位では、トラックパターン３同士がトラック架橋部の介在によって物理的につながることになる。このため、架橋部３４の幅Ｗ２を広くすると、それに応じてトラック架橋部の幅が広くなる。その結果、記録再生時にサイドライトやクロストークが発生しやすくなる。
【００７２】
そこで、前述した架橋部３４の幅Ｗ２は、原盤（凹凸パターン３３を有する基板３０）を利用して製造したＤＴＭ１において、記録再生時にサイドライトおよびクロストークが発生しない程度、または発生しても磁気記録再生装置の特性上許容される程度の寸法に設定されている。具体的には、架橋部３４の幅Ｗ２は、１００ｎｍ以下（ゼロを含まず）、より好ましくは５０ｎｍ以下、さらに好ましくは１０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下、の条件を満たすように設定されている。
【００７３】
また、本発明の実施の形態において、架橋部３４の幅Ｗ２が、トラック用レジストパターン３２Ｔのパターン幅Ｗ１と同一寸法に設定されている。具体的には、トラック用レジストパターン３２Ｔのパターン幅Ｗ１が２０〜３０ｎｍの範囲内（たとえば、２５ｎｍ）に設定され、これにあわせて架橋部３４の幅Ｗ２が設定されている。
【００７４】
ただし、架橋部３４の幅Ｗ２は、必ずしも上記の寸法条件を満たさなくてもよい。なぜなら、次のような技術的手段を採用することで、サイドライトやクロストークの発生を回避できるからである。具体的には、たとえば、ＤＴＭ１を用いた記録再生時の制御方法として、データ領域４のなかでトラック架橋部によって相互につながっているトラックパターン３の部分は無効とし、この無効部分ではデータの読み書きをしないように制御する、といった技術的手段を採用すればよい。
【００７５】
このことから、上述した架橋部３４の幅Ｗ２の条件設定は、トラック架橋部によって相互につながったトラックパターン３の部分を有効とし、この部分でもデータの読み書きを行う場合に、サイドライトやクロストークの発生を抑制するうえで有効な手段となる。また、かかる手段を採用すれば、上記の無効部分を設定する場合に比較して、データの読み書きに利用できるトラックパターン３の領域が広がることになる。
【００７６】
上述したように露光工程で架橋部３４を不溶部に含むようにレジスト膜３１を露光すると、その後の現像工程ではトラック用レジストパターン３２Ｔとともに架橋部３４が基板３０上に残存する。そして、この架橋部３４は、基板半径方向Ｘで隣り合うトラック用レジストパターン３２Ｔ間に介在することにより、当該トラック用レジストパターン３２Ｔを支持する。
【００７７】
このため、現像工程において、たとえば、現像液やリンス液による表面張力がトラック用レジストパターン３２Ｔに加わっても、この表面張力に対抗するかたちで架橋部３４の支持力が働く。つまり、架橋部３４が梁のような働きをする。したがって、トラック用レジストパターン３２Ｔ間に架橋部３４を設けた場合は、これを設けない場合に比較して、トラック用レジストパターン３２Ｔの倒れ等が発生しにくくなる。
【００７８】
また、架橋部３４を設けた基板３０をエッチングして得られる原盤の状態では、トラック用レジストパターン３２Ｔに対応する部分と、サーボ用レジストパターン３２Ｓに対応する部分と、架橋部３４に対応する部分が、それぞれ凸パターンとなって残る。また、この原盤の状態では、トラック用レジストパターン３２Ｔ間の溝に対応する部分が、凹パターンとなって残る。
【００７９】
＜６．原盤の構成＞
上記原盤作製方法によって得られる原盤の構成としては、図６（Ａ），（Ｂ）に示すように、基板３０上に形成された凹凸パターン３３が、上記データ領域４に対応する部分で、基板円周方向Ｙに沿うライン状の凸パターン３３ａと、この凸パターン３３ａに隣接する凹パターン３３ｂと、基板半径方向Ｘで隣り合う凸パターン３３ａ間にこれと一体構造をなして掛け渡されたブリッジパターン３３ｃとを含むものとなる。このうち、凸パターン３３ａは、ＤＴＭ１のトラック２（トラックパターン３）に対応し、凹パターン３３ｂは、ＤＴＭ１の溝５に対応する。この原盤を元にしてＤＴＭ１を製造すると、ＤＴＭ１においてもパターンの倒れ等が発生しにくくなる。以下、その理由を述べる。
【００８０】
（ＤＴＭの製造方法）
まず、ＤＴＭ１を製造する場合は、上記原盤作製方法によって得られる原盤から直接または間接的に製造したモールド構造体を用いてＤＴＭ１を製造する。原盤から直接製造したモールド構造体とは、前述した一次モールド構造体をいい、原盤から間接的に製造したモールド構造体とは、前述した次数の値（ｍ）が奇数のモールド構造体をいう。いずれの場合も、ＤＴＭ１の製造に直接使用されるモールド構造体は、ＤＴＭ１に形成すべき凹凸パターンを反転したかたちの凹凸パターンを有するものとなる。
【００８１】
＜７．ＤＴＭの主要構成＞
そうした場合、原盤から直接または間接的に製造したモールド構造体をスタンパに用いて、ナノインプリント法でＤＴＭ１を成型（製造）するにあたり、成型後のＤＴＭ１の構成は図７（Ａ），（Ｂ）のようになる。すなわち、上述した基板３０の凸パターン３３ａ（トラック用レジストパターン３２Ｔ）に対応する部分がトラック２のトラックパターン３となり、ブリッジパターン３３ｃ（架橋部３４）に対応する部分がトラック架橋部９となり、凹パターン３３ｂに対応する部分が溝５となる。
【００８２】
したがって、ナノインプリント法に基づく成型時に、たとえば離型剤による表面張力や離型による負圧がトラックパターン３に加わっても、当該トラックパターン３間に介在するトラック架橋部９が、上記現像工程での架橋部３４と同様の支持力を発揮する。このため、ＤＴＭ１のトラックパターン３に倒れ等が生じにくくなる。
【００８３】
＜８．実施の形態の効果＞
本発明の実施の形態によれば、以下のような効果が得られる。
【００８４】
まず、原盤のベースになる基板３０上に複数のライン状のレジストパターン３２を形成する場合に、このレジストパターン３２間に架橋部３４が存在するようにレジスト膜３１を露光することにより、レジストパターン３２の倒れ等を抑制することができる。
【００８５】
また、上記原盤作製方法を用いて得られる原盤の凹凸パターン３３は、凸パターン３３ａ、凹パターン３３ｂおよびブリッジパターン３３ｃを含むものとなる。このため、当該原盤を用いて直接または間接的に製造されたモールド構造体をスタンパとして、ＤＴＭ１をナノインプリント法で製造する場合に、トラックパターン３間にトラック架橋部９が存在するようになる。したがって、トラックパターン３の倒れ等を抑制することができる。
【００８６】
したがって、ＤＴＭ１の高密度化への対応が容易になる。その理由は、ＤＴＭ１の記録密度を向上させるにはトラックパターン３のパターン密度を高める必要があり、これを実現するためにトラックパターン３を狭幅化するとトラックパターン３の倒れ等の問題が顕在化するからである。
【００８７】
さらに、上記の露光工程および現像工程において、基板３０の円周方向で架橋部３４が同一の角度位置に存在するように、レジスト膜３１を露光することにより、最終製品として得られるＤＴＭ１において、トラック架橋部９をサーボ制御に利用することが可能となる。この点について、以下に詳しく説明する。
【００８８】
まず、基板３０の円周方向で架橋部３４が同一の角度位置に存在するように、レジスト膜３１を露光すると、最終製品となるＤＴＭ１においても、その円周方向でトラック架橋部９が同一の角度位置に存在するものとなる。このため、ＤＴＭ１の１セクタ分のデータ領域４においては、上記図５に示すトラック用レジストパターン３２Ｔがトラックパターン３に置き換わり、架橋部３４がトラック架橋部９に置き換わる。
【００８９】
これにより、一つのセクタには、サーボパターン７との相対位置が一義的に特定されたトラック架橋部９が少なくとも一つ存在することになる。したがって、各々のセクタにおいては、サーボ領域６のサーボパターン７を用いたサーボ制御のほかに、データ領域４のトラック架橋部９のパターンを用いたサーボ制御を行うことができる。その結果、サーボ領域６のサーボパターン７だけを利用する場合に比較して、磁気ヘッドの位置を高精度に制御することが可能となる。また、本発明の実施の形態のように、一つのセクタにつき、円周方向に適度な間隔をあけてトラック架橋部９を複数設けた構成を採用すれば、磁気ヘッドの位置をきめ細かく制御することが可能となる。
【００９０】
ただし、パターンの倒れ等を防止するうえでは、基板３０の架橋部３４やこれに対応するＤＴＭ１のトラック架橋部９を、必ずしも同一の角度位置（一直線上）に配置しなくてもよい。その場合、基板３０上に形成する架橋部３４の他の配置形態として、たとえば、図８〜図１０に示す形態を採用することができる。かかる形態の基板（原盤）３０は、基板円周方向Ｙでｎトラックピッチごと（ｎは自然数）に架橋部３４が異なる角度位置に存在するように、上記露光工程でレジスト膜３１を露光することで得られる。
【００９１】
図８は、基板円周方向Ｙで１トラックピッチ（１ＴＰ）ごとに架橋部３４が異なる角度位置に存在するように、レジスト膜３１を露光した場合を例示している。図９は、基板円周方向Ｙで２トラックピッチ（２ＴＰ）ごとに架橋部３４が異なる角度位置に存在するように、レジスト膜３１を露光した場合を例示している。また、図８および図９は、いずれも、基板円周方向Ｙで架橋部３４が互い違いの配置（千鳥配置）で存在するように、レジスト膜３１を露光した場合を例示している。
【００９２】
一方、図１０は、基板円周方向Ｙで１トラックピッチ（１ＴＰ）ごとに架橋部３４が異なる角度位置に存在し、かつ、４トラックピッチ（４ＴＰ）周期で架橋部３４が同一の角度位置に存在するように、レジスト膜３１を露光した場合を例示している。この場合、架橋部３４が同一の角度位置となるトラックピッチ周期は、４トラックピッチ周期に限らず、３トラックピッチ周期、または５トラックピッチ周期以上であってもよい。
【００９３】
このように架橋部３４を分散させて配置することにより、次のような効果が得られる。すなわち、レジストパターン３２に応じてレジスト膜３１を露光するときに、パターン密度の変化が定常化せず、離散的な変化となる。このため、電子線描画装置１１でレジスト膜３１を露光する場合に、パターン密度の変化が起こる場所で生じる近接効果の影響を低減することが可能となる。また、トラック幅やＬＷＲ、ＬＥＲへの影響を低減することも可能となる。また、架橋部３４の支持力が広い範囲にわたって均一に働くため、レジストパターンの倒れ等をより有効に抑制することが可能となる。
【００９４】
＜９．変形例等＞
なお、本発明の技術的範囲は上述した実施の形態に限定されるものではなく、発明の構成要件やその組み合わせによって得られる特定の効果を導き出せる範囲において、種々の変更や改良を加えた形態も含む。
【００９５】
たとえば、上記実施の形態においては、ポジ型のレジストを用いてレジスト膜３１を形成するものとしたが、本発明はこれに限らず、ネガ型のレジストを用いてレジスト膜を形成する場合にも適用可能である。
【００９６】
また、基板３０上に複数の箇所にわたって架橋部３４を形成する場合、各々の架橋部３４の寸法（図５に示す幅Ｗ２）はすべて同じ寸法でなくてもよい。たとえば、１セクタ分のデータ領域４に相当する部分で、トラック用レジストパターン３２Ｔの長さ方向の中心部寄りに配置される架橋部３４と、トラック用レジストパターン３２Ｔの長さ方向の端部寄りに配置される架橋部３４とで、相対的に寸法を変えてもよい。具体的には、上記中心部寄りに配置される架橋部３４の寸法を、上記端部寄りに配置される架橋部３４の寸法よりも大きく設定するなどの構成を採用してもよい。
【００９７】
また、基板円周方向Ｙで隣り合う架橋部３４の配置間隔についても、トラック用レジストパターン３２Ｔの長さ方向の中心部寄りと端部寄りで相対的に変えてもよい。具体的には、たとえば、トラック用レジストパターン３２Ｔの長さ方向の中心部寄りでは、相対的に短い間隔で架橋部３４を配置し、トラック用レジストパターン３２Ｔの長さ方向の端部寄りでは、相対的に長い間隔で架橋部３４を配置してもよい。
【００９８】
また、架橋部３４の寸法についても、架橋部３４単体で見て、または基板半径方向Ｘに点在する複数の架橋部３４全体でみて、たとえば、基板３０の外周側が内周側よりも大きい台形としてもよい。
【符号の説明】
【００９９】
１…ＤＴＭ
２…トラック
３…トラックパターン
４…データ領域
５…溝
６…サーボ領域
７…サーボパターン
８…セクタ
９…トラック架橋部
１１…電子線描画装置
３０…基板
３１…レジスト膜
３２…レジストパターン
３２Ｓ…サーボ用レジストパターン
３２Ｔ…トラック用レジストパターン
３３…凹凸パターン
３３ａ…凸パターン
３３ｂ…凹パターン
３３ｃ…ブリッジパターン
【図１】
2012096358.tif 000003
【図２】
2012096358.tif 000004
【図３】
2012096358.tif 000005
【図４】
2012096358.tif 000006
【図５】
2012096358.tif 000007
【図６】
2012096358.tif 000008
【図７】
2012096358.tif 000009
【図８】
2012096358.tif 000010
【図９】
2012096358.tif 000011
【図１０】
2012096358.tif 000012
【図１１】
2012096358.tif 000013