(57)【要約】【課題】従来よりも低い温度での形成が可能である絶縁層を備えた電子デバイスを提供する。【解決手段】電子デバイスは、（Ａ）制御電極１２、（Ｂ）第１電極１４及び第２電極１４、並びに、（Ｃ）第１電極１４と第２電極１４との間であって、絶縁層１３を介して制御電極１２と対向して設けられた、有機半導体材料層１５から成る能動層１６を備えて成り、少なくとも能動層１２と接触する絶縁層１３の部分は、下記の式（１）にて示される材料を硬化して成る層から構成されている。2012049225.tif 000031【選択図】  図３
2012049225.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）制御電極、
（Ｂ）第１電極及び第２電極、並びに、
（Ｃ）第１電極と第２電極との間であって、絶縁層を介して制御電極と対向して設けられた、有機半導体材料層から成る能動層、
を備えて成る電子デバイスであって、
少なくとも能動層と接触する絶縁層の部分は、下記の式（１）、式（２）又は式（３）にて示される材料を硬化して成る層から構成されている電子デバイス。
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【請求項２】
制御電極がゲート電極に相当し、第１電極及び第２電極がソース／ドレイン電極に相当し、絶縁層がゲート絶縁層に相当し、能動層がチャネル形成領域に相当する電界効果トランジスタである請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
（Ａ）制御電極、
（Ｂ）第１電極及び第２電極、並びに、
（Ｃ）第１電極と第２電極との間であって、絶縁層を介して制御電極と対向して設けられた能動層、
を備えており、
少なくとも能動層と接触する絶縁層の部分を、下記の式（１）、式（２）又は式（３）にて示される材料を硬化させることで形成する電子デバイスの製造方法。
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【請求項４】
制御電極がゲート電極に相当し、第１電極及び第２電極がソース／ドレイン電極に相当し、絶縁層がゲート絶縁層に相当し、能動層がチャネル形成領域に相当する電界効果トランジスタである請求項３に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
基体上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース／ドレイン電極及びチャネル形成領域を備えており、
少なくともチャネル形成領域と接触するゲート絶縁層の部分は、下記の式（１）、式（２）又は式（３）にて示される材料を硬化して成る層から構成されている半導体装置。
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【請求項６】
（ａ）基体上にゲート電極を形成した後、全面にゲート絶縁層を形成し、次いで、
（ｂ）ゲート絶縁層上にソース／ドレイン電極を形成した後、
（ｃ）少なくとも、ソース／ドレイン電極の間に位置するゲート絶縁層の上に、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域を形成する、
各工程を有する半導体装置の製造方法であって、
少なくともチャネル形成領域と接触するゲート絶縁層の部分を、下記の式（１）、式（２）又は式（３）にて示される材料を硬化させることで形成する半導体装置の製造方法。
2012049225.tif 000019
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【請求項７】
（ａ）基体上にゲート電極を形成した後、全面にゲート絶縁層を形成し、次いで、
（ｂ）ゲート絶縁層上に、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部を形成した後、
（ｃ）チャネル形成領域延在部上にソース／ドレイン電極を形成する、
各工程を有する半導体装置の製造方法であって、
少なくともチャネル形成領域と接触するゲート絶縁層の部分を、下記の式（１）、式（２）又は式（３）にて示される材料を硬化させることで形成する半導体装置の製造方法。
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【請求項８】
（ａ）基体上にソース／ドレイン電極を形成し、次いで、
（ｂ）全面に、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域を形成した後、
（ｃ）全面にゲート絶縁層を形成し、次いで、チャネル形成領域の上のゲート絶縁層の部分にゲート電極を形成する、
各工程を有する半導体装置の製造方法であって、
少なくともチャネル形成領域と接触するゲート絶縁層の部分を、下記の式（１）、式（２）又は式（３）にて示される材料を硬化させることで形成する半導体装置の製造方法。
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【請求項９】
（ａ）基体上に、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部を形成し、次いで、
（ｂ）チャネル形成領域延在部上にソース／ドレイン電極を形成した後、
（ｃ）全面にゲート絶縁層を形成し、次いで、チャネル形成領域の上のゲート絶縁層の部分にゲート電極を形成する、
各工程を有する半導体装置の製造方法であって、
少なくともチャネル形成領域と接触するゲート絶縁層の部分を、下記の式（１）、式（２）又は式（３）にて示される材料を硬化させることで形成する半導体装置の製造方法。
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【請求項１０】
前記式（１）、式（２）又は式（３）にて示される材料及び硬化剤を含む溶液を塗布した後、加熱することで、少なくともチャネル形成領域と接触するゲート絶縁層の部分を形成する請求項６乃至請求項９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
有機半導体材料を含む溶液を塗布した後、乾燥させることで、有機半導体材料層を形成する請求項６乃至請求項１０のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイス及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法に関し、より具体的には、能動層が有機半導体材料から構成された電子デバイス及びその製造方法、並びに、チャネル形成領域が有機半導体材料から構成された半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、多くの電子機器に用いられている薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor，ＴＦＴ）を含む電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）は、例えば、シリコン半導体基板あるいはシリコン半導体材料層に形成されたチャネル形成領域及びソース／ドレイン電極、シリコン半導体基板表面あるいはシリコン半導体材料層表面に形成されたＳｉＯ2から成るゲート絶縁層、並びに、ゲート絶縁層を介してチャネル形成領域に対向して設けられたゲート電極から構成されている。尚、このような構成のＦＥＴを、便宜上、トップゲート型ＦＥＴと呼ぶ。あるいは又、基体上に形成されたゲート電極、ゲート電極上を含む基体上に形成されたＳｉＯ2から成るゲート絶縁層、並びに、ゲート絶縁層上に形成されたチャネル形成領域及びソース／ドレイン電極から構成されている。尚、このような構成のＦＥＴを、便宜上、ボトムゲート型ＦＥＴと呼ぶ。そして、これらの構造を有する電界効果トランジスタの作製には、非常に高価な半導体製造装置が使用されており、製造コストの低減が強く要望されている。
【０００３】
そうした中、最近、有機半導体分子から成る薄膜を用いた電子デバイスの開発が精力的に行われており、その中でも、有機トランジスタ、有機発光素子、有機太陽電池といった有機エレクトロニクスデバイス（以下、単に、有機デバイスと略称する場合がある）が注目を浴びている。これらの有機デバイスの最終的な目標として、低コスト、軽量、可撓性、高性能を挙げることができ、開発の鍵は、有機半導体材料の物性にあると云われている。有機半導体材料は、シリコンを中心とする無機材料と比較して、
（１）低温で、簡易なプロセスにて、大面積の有機デバイスを低コストで製造することができる。
（２）可撓性を有する有機デバイスを製造することが可能である。
（３）有機材料を構成する分子を所望の形態に修飾することで、有機デバイスの性能や物性を制御することができる。
といった種々の利点を有している。
【０００４】
そして、特に、低温で、簡易なプロセスとして、印刷法等の塗布成膜法の検討が進められている（例えば、ＷＯ２００３／０１６５９９参照）。
【０００５】
ところで、低温で、しかも、簡易なプロセスにて有機デバイスを製造するためには、チャネル形成領域以外の種々の層も低温プロセスにて形成することが必要不可欠である。それ故、例えば、ゲート絶縁層を、有機材料、具体的には高分子を溶解して成るコーティング材料にて構成する検討が進められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】ＷＯ２００３／０１６５９９
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】下田達也ら、「インクジェットプリント法による有機トランジスタ」”応用物理”、第７０巻、１４５２頁（２００１）
【非特許文献２】Ｖｅｒｅｓ Ｂ．Ｊ．，ｅｔ ａｌ．，”Ｌｏｗ−ｋ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ ａｓ ｔｈｅ ｃｈｏｉｃｅ ｏｆ ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃｓ ｉｎ ｏｒｇａｎｉｃ ｆｉｅｌｄ−ｅｆｆｅｃｔ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ”，ｖｏｌ．１３，ｐｐ．１９９（２００３）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
可撓性を有する樹脂基板上に有機デバイスを設ける場合、ゲート絶縁層や有機半導体材料層といった基板上に設けるべき構成要素は、出来るだけ低温、具体的には、２００゜Ｃ以下、より好ましくは１８０゜Ｃ以下というプロセス温度にて製造することが望ましい。プロセス温度を低くする必要がある理由は、樹脂基板を高温雰囲気に晒すと、樹脂基板が熱によって収縮したり軟化し、劣化を引き起こし、有機デバイスそのものが破壊されてしまう可能性があるからである。そのため、２００゜Ｃ以下の低温にてゲート絶縁層を形成するために様々な取り組みがなされている。
【０００９】
例えば、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）をゲート絶縁層に使用し、電極と有機半導体材料層をインクジェット印刷法で形成する技術が非特許文献１に開示されている。また、比誘電率の低いゲート絶縁層上にポリトリアリルアミンを設けたＦＥＴを作製する技術が非特許文献２に開示されている。しかしながら、これらの技術にあっては、いずれも、ゲート絶縁層を形成する材料として熱可塑性樹脂を用いているため、加工性が良い反面、耐溶剤性や熱安定性に問題が残り、薄膜で十分な絶縁性を示す緻密な層を形成することが困難である。また、絶縁性の高いことで知られるポリイミドを絶縁層に用いた例も報告されているが、前駆体からポリイミドを重合させて絶縁層を形成しようとすると、２５０゜Ｃ以上の高温が必要となってしまう。
【００１０】
従って、本発明の目的は、従来よりも低い温度での形成が可能である絶縁層あるいはゲート絶縁層を備えた電子デバイスあるいは半導体装置の製造方法、及び、係る、電子デバイスあるいは半導体装置の製造方法によって得られた電子デバイスあるいは半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記の目的を達成するための本発明の電子デバイスは、
（Ａ）制御電極、
（Ｂ）第１電極及び第２電極、並びに、
（Ｃ）第１電極と第２電極との間であって、絶縁層を介して制御電極と対向して設けられた、有機半導体材料層から成る能動層、
を備えて成る電子デバイスであって、
少なくとも能動層と接触する絶縁層の部分は、下記の式（１）、式（２）又は式（３）にて示される材料を硬化して成る層から構成されている。
【００１２】
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2012049225.tif 000005
【００１３】
上記の目的を達成するための本発明の半導体装置は、基体上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、ソース／ドレイン電極、及び、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域を備えており、
少なくともチャネル形成領域と接触するゲート絶縁層の部分は、上記の式（１）、式（２）又は式（３）にて示される材料を硬化して成る層から構成されている。あるいは又、本発明の半導体装置は、次に述べる本発明の第１の態様〜第４の態様に係る半導体装置の製造方法によって得られる。
【００１４】
上記の目的を達成するための本発明の電子デバイスの製造方法は、
（Ａ）制御電極、
（Ｂ）第１電極及び第２電極、並びに、
（Ｃ）第１電極と第２電極との間であって、絶縁層を介して制御電極と対向して設けられた、有機半導体材料層から成る能動層、
を備えており、
少なくとも能動層と接触する絶縁層の部分を、上記の式（１）、式（２）又は式（３）にて示される材料を硬化させることで形成する。
【００１５】
上記の目的を達成するための本発明の第１の態様に係る半導体装置の製造方法は、より具体的には、ボトムゲート・ボトムコンタクト型の半導体装置の製造方法であって、
（ａ）基体上にゲート電極を形成した後、全面にゲート絶縁層を形成し、次いで、
（ｂ）ゲート絶縁層上にソース／ドレイン電極を形成した後、
（ｃ）少なくとも、ソース／ドレイン電極の間に位置するゲート絶縁層の上に、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域を形成する、
各工程を有する半導体装置の製造方法であって、
少なくともチャネル形成領域と接触するゲート絶縁層の部分を、上記の式（１）、式（２）又は式（３）にて示される材料を硬化させることで形成する。尚、こうして得られたボトムゲート・ボトムコンタクト型の半導体装置（具体的には、ボトムゲート・ボトムコンタクト型電界効果トランジスタ，ＦＥＴであり、より具体的には、ボトムゲート・ボトムコンタクト型薄膜トランジスタ，ＴＦＴ）は、
（Ａ）基体上に形成されたゲート電極、
（Ｂ）ゲート電極及び基体上に形成されたゲート絶縁層、
（Ｃ）ゲート絶縁層上に形成されたソース／ドレイン電極、並びに、
（Ｄ）ソース／ドレイン電極の間であってゲート絶縁層上に形成された、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域、
を備えており、
少なくともチャネル形成領域と接触するゲート絶縁層の部分は、上記の式（１）、式（２）又は式（３）にて示される材料を硬化して成る層から構成されている。
【００１６】
上記の目的を達成するための本発明の第２の態様に係る半導体装置の製造方法は、より具体的には、ボトムゲート・トップコンタクト型の半導体装置の製造方法であって、
（ａ）基体上にゲート電極を形成した後、全面にゲート絶縁層を形成し、次いで、
（ｂ）ゲート絶縁層上に、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部を形成した後、
（ｃ）チャネル形成領域延在部上にソース／ドレイン電極を形成する、
各工程を有する半導体装置の製造方法であって、
少なくともチャネル形成領域と接触するゲート絶縁層の部分を、上記の式（１）、式（２）又は式（３）にて示される材料を硬化させることで形成する。尚、こうして得られたボトムゲート・トップコンタクト型の半導体装置（具体的には、ボトムゲート・トップコンタクト型の電界効果トランジスタ，ＦＥＴであり、より具体的には、ボトムゲート・トップコンタクト型の薄膜トランジスタ，ＴＦＴ）は、
（Ａ）基体上に形成されたゲート電極、
（Ｂ）ゲート電極及び基体上に形成されたゲート絶縁層、
（Ｃ）ゲート絶縁層上に形成された、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部、並びに、
（Ｄ）チャネル形成領域延在部上に形成されたソース／ドレイン電極、
を備えており、
少なくともチャネル形成領域と接触するゲート絶縁層の部分は、上記の式（１）、式（２）又は式（３）にて示される材料を硬化して成る層から構成されている。
【００１７】
上記の目的を達成するための本発明の第３の態様に係る半導体装置の製造方法は、より具体的には、トップゲート・ボトムコンタクト型の半導体装置の製造方法であって、
（ａ）基体上にソース／ドレイン電極を形成し、次いで、
（ｂ）全面に、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域を形成した後、
（ｃ）全面にゲート絶縁層を形成し、次いで、チャネル形成領域の上のゲート絶縁層の部分にゲート電極を形成する、
各工程を有する半導体装置の製造方法であって、
少なくともチャネル形成領域と接触するゲート絶縁層の部分を、上記の式（１）、式（２）又は式（３）にて示される材料を硬化させることで形成する。尚、こうして得られたトップゲート・ボトムコンタクト型の半導体装置（具体的には、トップゲート・ボトムコンタクト型の電界効果トランジスタ，ＦＥＴであり、より具体的には、トップゲート・ボトムコンタクト型の薄膜トランジスタ，ＴＦＴ）は、
（Ａ）基体上に形成されたソース／ドレイン電極、
（Ｂ）ソース／ドレイン電極の間の基体上に形成された、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域、
（Ｃ）チャネル形成領域上に形成されたゲート絶縁層、並びに、
（Ｄ）ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極、
を備えており、
少なくともチャネル形成領域と接触するゲート絶縁層の部分は、上記の式（１）、式（２）又は式（３）にて示される材料を硬化して成る層から構成されている。
【００１８】
上記の目的を達成するための本発明の第４の態様に係る半導体装置の製造方法は、より具体的には、トップゲート・トップコンタクト型の半導体装置の製造方法であって、
（ａ）基体上に、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部を形成し、次いで、
（ｂ）チャネル形成領域延在部上にソース／ドレイン電極を形成した後、
（ｃ）全面にゲート絶縁層を形成し、次いで、チャネル形成領域の上のゲート絶縁層の部分にゲート電極を形成する、
各工程を有する半導体装置の製造方法であって、
少なくともチャネル形成領域と接触するゲート絶縁層の部分を、上記の式（１）、式（２）又は式（３）にて示される材料を硬化させることで形成する。尚、こうして得られたトップゲート・トップコンタクト型の半導体装置（具体的には、トップゲート・トップコンタクト型の電界効果トランジスタ，ＦＥＴであり、より具体的には、トップゲート・トップコンタクト型の薄膜トランジスタ，ＴＦＴ）は、
（Ａ）基体上に形成された、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部、
（Ｂ）チャネル形成領域延在部上に形成されたソース／ドレイン電極、
（Ｃソース／ドレイン電極及びチャネル形成領域上に形成されたゲート絶縁層、並びに、
（Ｄ）ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極、
を備えており、
少なくともチャネル形成領域と接触するゲート絶縁層の部分は、上記の式（１）、式（２）又は式（３）にて示される材料を硬化して成る層から構成されている。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の電子デバイスあるいはその製造方法、本発明の半導体装置、本発明の第１の態様〜第４の態様に係る半導体装置の製造方法にあっては、少なくとも能動層と接触する絶縁層あるいは少なくともチャネル形成領域と接触するゲート絶縁層の部分を、上記の式（１）、式（２）又は式（３）にて示される材料を硬化させることで形成するが、硬化に必要とされる温度（硬化温度）は１８０゜Ｃ以下であり、従来よりも低い温度での形成が可能である。従って、有機デバイスである電子デバイスあるいは半導体装置を可撓性を有する樹脂基板上に設けることが可能であり、安価で高い量産性にて、しかも、高い信頼性を有する電子デバイスあるいは半導体装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１の（Ａ）〜（Ｄ）は、実施例１の半導体装置の製造方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。
【図２】図２の（Ａ）〜（Ｃ）は、図１の（Ｄ）に引き続き、実施例１の半導体装置の製造方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。
【図３】図３の（Ａ）〜（Ｂ）は、図２の（Ｃ）に引き続き、実施例１の半導体装置の製造方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。
【図４】図４の（Ａ）〜（Ｃ）は、実施例２の半導体装置の製造方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。
【図５】図５の（Ａ）〜（Ｃ）は、実施例３の半導体装置の製造方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。
【図６】図６の（Ａ）〜（Ｃ）は、実施例４の半導体装置の製造方法を説明するための基体等の模式的な一部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本発明を説明するが、本発明は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本発明の電子デバイス及びその製造方法、並びに、半導体装置、及び、第１の態様〜第４の態様に係る半導体装置の製造方法、全般に関する説明
２．実施例１（本発明の電子デバイス及びその製造方法、並びに、本発明の半導体装置、及び、本発明の第１の態様に係る半導体装置の製造方法）
３．実施例２（実施例１の変形であり、本発明の第２の態様に係る半導体装置の製造方法）
４．実施例３（実施例１の変形であり、本発明の第３の態様に係る半導体装置の製造方法）
５．実施例４（実施例１の変形であり、本発明の第４の態様に係る半導体装置の製造方法）、その他
【００２２】
［本発明の電子デバイス及びその製造方法、並びに、半導体装置、及び、第１の態様〜第４の態様に係る半導体装置の製造方法、全般に関する説明］
本発明の電子デバイス、あるいは、本発明の電子デバイスの製造方法によって得られる電子デバイスにおいては、制御電極に印加される電圧によって、第１電極から第２電極に向かって能動層に流れる電流が制御される。具体的には、電子デバイスは、制御電極がゲート電極に相当し、第１電極及び第２電極がソース／ドレイン電極に相当し、絶縁層がゲート絶縁層に相当し、能動層がチャネル形成領域に相当する電界効果トランジスタから成る構成とすることができる。あるいは又、制御電極、第１電極及び第２電極への電圧の印加によって能動層が発光する発光素子（有機発光素子、有機発光トランジスタ）から成る構成とすることができる。ここで、発光素子において、能動層を構成する有機半導体材料は、制御電極に印加される電圧に基づく変調による電荷の蓄積や、注入された電子と正孔（ホール）との再結合に基づく発光機能を有する。能動層を構成する有機半導体材料として、広くは、ｐ型導電性を有する有機半導体材料あるいはノン・ドープ有機半導体材料を用いることができる。ｐ型導電性を有する有機半導体材料から能動層が構成された発光素子（有機発光トランジスタ）において、発光強度は、ドレイン電流の絶対値に比例し、ゲート電圧とソース／ドレイン電極間の電圧によって変調することができる。尚、電子デバイスが、電界効果トランジスタとしての機能を発揮するか、発光素子として機能するかは、第１電極及び第２電極への電圧印加状態（バイアス）に依存する。先ず、第２電極からの電子注入が起こらない範囲のバイアスを加えた上で制御電極を変調することにより、第１電極から第２電極へ電流が流れる。これがトランジスタ動作である。一方、正孔が十分に蓄積された上で第１電極及び第２電極へのバイアスが増加されると電子注入が始まり、正孔との再結合によって発光が起こる。あるいは又、能動層への光の照射によって第１電極と第２電極との間に電流が流れる光電変換素子から成る構成とすることができる。電子デバイスから光電変換素子を構成する場合、光電変換素子によって、具体的には、太陽電池やイメージセンサーを構成することができ、この場合、制御電極への電圧の印加は行わなくともよいし、行ってもよく、後者の場合、制御電極への電圧の印加によって、流れる電流の変調を行うことが可能となる。尚、電子デバイスを発光素子や光電変換素子とする場合、発光素子や光電変換素子の構成、構造は、例えば、上述した４種類の電界効果トランジスタの構成、構造のいずれかと同様とすることができる。
【００２３】
上記の好ましい構成を含む本発明の電子デバイスあるいはその製造方法、本発明の半導体装置、本発明の第１の態様〜第４の態様に係る半導体装置の製造方法にあっては、前記式（１）、式（２）又は式（３）にて示される材料及び硬化剤を含む溶液を塗布した後、加熱することで、少なくともチャネル形成領域と接触するゲート絶縁層の部分（あるいは、少なくとも能動層と接触する絶縁層の部分）を形成する形態とすることができる。更には、上記の好ましい構成、形態を含む本発明の電子デバイスあるいはその製造方法、本発明の半導体装置、あるいは、本発明の第１の態様〜第４の態様に係る半導体装置の製造方法にあっては、有機半導体材料を含む溶液を塗布した後、乾燥させることで、有機半導体材料層を形成する形態とすることができる。
【００２４】
以上に説明した好ましい構成、形態を含む本発明の電子デバイスあるいはその製造方法、本発明の半導体装置、本発明の第１の態様〜第４の態様に係る半導体装置の製造方法（以下、これらを総称して、単に『本発明』と呼ぶ場合がある）において、少なくとも能動層と接触する絶縁層の部分あるいは少なくともチャネル形成領域と接触するゲート絶縁層の部分は、式（１）、式（２）又は式（３）にて示される材料を硬化して成る層から構成されているが、絶縁層あるいはゲート絶縁層（以下、これらを総称して、『ゲート絶縁層等』と呼ぶ場合がある）は、単層であってもよいし、多層であってもよい。後者の場合、多層構成のゲート絶縁層等の最も能動層あるいはチャネル形成領域に近い層（能動層あるいはチャネル形成領域に隣接した層）を、式（１）、式（２）又は式（３）にて示される材料を硬化して成る層から構成すればよく、ゲート絶縁層等におけるそれ以外の層を構成する絶縁材料は、適宜、決定すればよく、例えば、酸化ケイ素系材料、窒化ケイ素（ＳｉＮY）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）やＨｆＯ2等の金属酸化物高誘電絶縁膜にて例示される無機系絶縁材料だけでなく、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）やポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリスチレン、Ｎ−２（アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＡＥＡＰＴＭＳ）、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（ＭＰＴＭＳ）、オクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）等のシラノール誘導体（シランカップリング剤）、オクタデカンチオール、ドデシルイソシアネイト等の一端に制御電極やゲート電極と結合可能な官能基を有する直鎖炭化水素類にて例示される有機系絶縁材料（有機ポリマー）にて例示される有機系絶縁材料を挙げることができるし、これらの組み合わせを用いることもできる。ここで、酸化ケイ素系材料として、酸化シリコン（ＳｉＯX）、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低誘電率ＳｉＯ2系材料（例えば、ポリアリールエーテル、シクロパーフルオロカーボンポリマー及びベンゾシクロブテン、環状フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、アモルファスカーボン、有機ＳＯＧ）を例示することができる。
【００２５】
本発明におけるゲート絶縁層等は、エポキシ樹脂（プレポリマー）を硬化剤によって硬化させて成るエポキシ樹脂組成物（エポキシ樹脂硬化物）から構成されているが、このエポキシ樹脂（プレポリマー）は、グリシジル基を有する単量体と、アルキルスチレンより選ばれる共重合が可能な単量体から成る共重合体とから形成されており、例えば、ナフタレン骨格型４官能エポキシ樹脂である。
【００２６】
ゲート絶縁層等の形成方法として、塗布法以外にも；リフト・オフ法；ゾル−ゲル法；電着法；及び、シャドウマスク法の内のいずれかと、必要に応じてパターニング技術との組合せを挙げることができる。ここで、塗布法として、スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、オフセット印刷法、反転オフセット印刷法、グラビア印刷法、マイクロコンタクト法といった各種印刷法；スピンコート法；エアドクタコーター法、ブレードコーター法、ロッドコーター法、ナイフコーター法、スクイズコーター法、リバースロールコーター法、トランスファーロールコーター法、グラビアコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレーコーター法、スリットオリフィスコーター法、カレンダーコーター法、キャスティング法、キャピラリーコーター法、浸漬法といった各種コーティング法；スプレー法；ディスペンサーを用いる方法：スタンプ法といった、液状材料を塗布する方法を挙げることができる。
【００２７】
塗布するための溶液調製に使用する溶媒として、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン等の芳香族類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等のケトン類、ＰＧＭＥＡ、デカリン等の炭化水素類の溶媒を例示することができる。これらより２種類以上を、適宜、選択して、混合溶媒として使用してもよい。
【００２８】
ゲート絶縁層等を形成するとき、式（１）、式（２）又は式（３）にて示される材料を単独にて使用してもよいし、他の樹脂（例えば、他のエポキシ系樹脂や、アクリル系樹脂等、溶液調製時に分離しない樹脂）と混合して使用してもよい。
【００２９】
硬化剤として、以下の（１１）〜（２５）の熱硬化型触媒（熱硬化型の硬化剤）、（３１）〜（３８）のエネルギ―線硬化型触媒（エネルギ―線硬化型の硬化剤）を好ましく例示することができ、これらの中から、１種を単独で使用することができるし、あるいは又、２種以上を混合して使用することもできる。
【００３０】
［熱硬化型触媒］
（１１）ポリメチレンジアミン、ジプロピレンジアミン、トリメチルヘキサメチレンジアミン等の鎖状脂肪族第一ジアミン
（１２）イミノビスプロピルアミン、１，３，６−トリスアミノメチルヘキサン、テトラエチレンペンタミン等の鎖状脂肪族第一ポリアミン
（１３）Ｎ−アミノエチルピペラジン、ビス（４−アミノ−３−メチルシクロヘキシル）メタン等の脂環式ポリアミン
（１４）メタキシリレンジアミン等の芳香族含有脂肪族第一アミン
（１５）メタフエニレンジアミン、２，４−ジアミノジフエニルアミン、ジアミノジフエニルスルホン等の芳香族第一アミン
（１６）ジメチルアミン、ジエチルアミン等の第二アミン
（１７）ジメチルシクロヘキシルアミン、ピリジン、α−ピコリン等の第三アミン
（１８）フタル酸無水物、ピロメリツト酸無水物、グリレロ―ルトリス（アンヒドロトリメリテ―ト）等の芳香族系酸無水物
（１９）マレイン酸無水物、メチルテトラヒドロフタル酸無水物、メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸無水物等の環状脂肪族酸無水物
（２０）ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物等の脂肪族酸無水物
（２１）ダイマ―酸とポリアミンの縮合反応により得られるポリアミド樹脂
（２２）２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フエニルイミダゾリニウム・トリメリテ―ト等のイミダゾール類
（２３）三フツ化ホウ素−アミン錯体、有機酸ヒドラジツド、ポリアミンの塩等の潜在性硬化剤
（２４）液状ポリメルカプタン、ポリスルフイド等のポリメルカプタン
（２５）ノボラツク型フエノ―ル樹脂、ポリビニルフエノ―ル等の合成樹脂初期縮合物
【００３１】
［エネルギ―線硬化型触媒］
（３１）フエニルジアゾニウムテトラフルオロボレ―ト、４−メトキシフエニルジアゾニウムヘキサフルオロホスフエ―ト等のアリ―ルジアゾニウム塩
（３２）ジフエニルヨウドニウムテトラフルオロボレ―ト、ジ（４−ブチルフエニル）ヨウドニウムヘキサフル
オロホスフエ―ト等のジアリ―ルヨウドニウム塩
（３３）トリフエニルスルホニウムヘキサフルオロホスフエ―ト、トリフエニルスルホニウムテトラフルオロボレ―ト、トリス（４−メトキシフエニル）スルホニウムヘキサフルオロホスフエ―ト等のトリアリ―ルスルホニウム塩
（３４）ジメチルフエナシルスルホニウムヘキサフルオロホスフエ―ト、フエナシルテトラメチレンスルホニウムテトラフルオロボレ―ト等のジアルキルフエナシルスルホニウム塩
（３５）３，５−ジメチル−４−ヒドロキシフエニルスルホニウムテトラフルオロボレ―ト、３，５−ジブチル−４−ヒドロキシフエニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネ―ト等のジアルキル−４−ヒドロキシフエニルスルホニウム塩
（３６）α−ヒドロキシメチルベンゾインスルホン酸エステル、Ｎ−ヒドロキシイミドスルホネ―ト、α−スルホニロキシケトン等のスルホン酸エステル
（３７）２−（４−メトキシフエニル）−４，６−ジ（トリクロロメチル）トリアジン等のトリアジン化合物
（３８）オルソジアゾナフトキノン−４−スルホン酸エステル、オルソジアゾナフトキノン−５−スルホン酸エステル等のジアゾナフトキノン化合物
【００３２】
硬化剤の使用量は、共重合体のエポキシ基当量とすればよく、エポキシ樹脂（プレポリマー）１００重量部当たり、０．０１重量部〜５０重量部、好ましくは０．１重量部〜２０重量部を例示することができる。特に、前記の（１１）〜（２５）の熱硬化型触媒を用いる場合、エポキシ樹脂（プレポリマー）１００重量部当たり、０．０１重量部〜５重量部、前記の（３１）〜（３８）のエネルギ―線硬化型触媒を用いる場合、エポキシ樹脂（プレポリマー）１００重量部当たり、１重量部〜５０重量部とすればよい。
【００３３】
本発明におけるエポキシ樹脂組成物（エポキシ樹脂硬化物）は、上記の共重合体及び硬化剤の２成分から構成されるが、その他、本発明における効果を損なわない範囲内で、硬化促進剤、離型剤、可撓化剤、カツプリング剤、充填剤等の添加剤を、適宜、添加してもよい。
【００３４】
本発明において、有機半導体材料として、ポリチオフェン、ポリチオフェンにヘキシル基を導入したポリ−３−ヘキシルチオフェン［Ｐ３ＨＴ］、ペンタセン［２，３，６，７−ジベンゾアントラセン］、ペリキサンテノキサンテン等を含むジオキサアンタントレン系化合物、ポリアントラセン、ナフタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレン、サーカムアントラセン、ベンゾピレン、ジベンゾピレン、トリフェニレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリフェニレン、ポリフラン、ポリインドール、ポリビニルカルバゾール、ポリセレノフェン、ポリテルロフェン、ポリイソチアナフテン、ポリカルバゾール、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンビニレン、ポリフエニレンスルフィド、ポリビニレンスルフィド、ポリチエニレンビニレン、ポリナフタレン、ポリピレン、ポリアズレン、銅フタロシアニンで代表されるフタロシアニン、メロシアニン、ヘミシアニン、ポリエチレンジオキシチオフェン、ピリダジン、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸［ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ］、キナクリドンを例示することができる。あるいは又、本発明における有機半導体材料として、縮合多環芳香族化合物、ポルフィリン系誘導体、フェニルビニリデン系の共役系オリゴマー、及び、チオフェン系の共役系オリゴマーから成る群から選択された化合物を挙げることができる。具体的には、例えば、アセン系分子（ペンタセン、テトラセン等）といった縮合多環芳香族化合物、ポルフィリン系分子、共役系オリゴマー（フェニルビニリデン系やチオフェン系）を挙げることができる。
【００３５】
あるいは又、本発明における有機半導体材料として、例えば、ポルフィリン、４，４’−ビフェニルジチオール（ＢＰＤＴ）、４，４’−ジイソシアノビフェニル、４，４’−ジイソシアノ−ｐ−テルフェニル、２，５−ビス（５’−チオアセチル−２’−チオフェニル）チオフェン、２，５−ビス（５’−チオアセトキシル−２’−チオフェニル）チオフェン、４，４’−ジイソシアノフェニル、ベンジジン（ビフェニル−４，４’−ジアミン）、ＴＣＮＱ（テトラシアノキノジメタン）、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）−ＴＣＮＱ錯体、ビスエチレンテトラチアフルバレン（ＢＥＤＴＴＴＦ）−過塩素酸錯体、ＢＥＤＴＴＴＦ−ヨウ素錯体、ＴＣＮＱ−ヨウ素錯体に代表される電荷移動錯体、ビフェニル−４，４’−ジカルボン酸、１，４−ジ（４−チオフェニルアセチリニル）−２−エチルベンゼン、１，４−ジ（４−イソシアノフェニルアセチリニル）−２−エチルベンゼン、デンドリマー、Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８４等のフラーレン、１，４−ジ（４−チオフェニルエチニル）−２−エチルベンゼン、２，２”−ジヒドロキシ−１，１’：４’，１”−テルフェニル、４，４’−ビフェニルジエタナール、４，４’−ビフェニルジオール、４，４’−ビフェニルジイソシアネート、１，４−ジアセチニルベンゼン、ジエチルビフェニル−４，４’−ジカルボキシレート、ベンゾ［１，２−ｃ；３，４−ｃ’；５，６−ｃ”］トリス［１，２］ジチオール−１，４，７−トリチオン、アルファ−セキシチオフェン、テトラチオテトラセン、テトラセレノテトラセン、テトラテルルテトラセン、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリ（３−チオフェン−β−エタンスルホン酸）、ポリ（Ｎ−アルキルピロール）ポリ（３−アルキルピロール）、ポリ（３，４−ジアルキルピロール）、ポリ（２，２’−チエニルピロール）、ポリ（ジベンゾチオフェンスルフィド）を例示することができる。
【００３６】
有機半導体材料溶液を調製するための溶媒として、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン等の芳香族類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等のケトン類、デカリン等の炭化水素類等を例示することができる。なかでも、メシチレン、テトラリン、デカリン等の沸点が比較的高い溶媒を用いることが、トランジスタ特性の観点から、また、有機半導体材料層の成膜時に有機半導体材料層が急激に乾燥することを防止するといった観点から、好ましい。
【００３７】
能動層やチャネル形成領域（有機半導体材料層）には、有機半導体材料以外にも、必要に応じてポリマーが含まれていてもよい。ポリマーは、有機溶剤に溶解すればよい。具体的には、ポリマー（有機結合剤）として、ポリスチレン、ポリアルファメチルスチレン、ポリオレフィンを例示することができる。更には、場合によっては、添加物（例えば、ｎ型不純物やｐ型不純物といった、所謂ドーピング材料）を加えることもできる。
【００３８】
以上に説明した好ましい構成を含む本発明の電子デバイスの製造方法あるいは本発明の第１の態様〜第４の態様に係る半導体装置の製造方法における能動層、チャネル形成領域、あるいは、チャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部の形成方法として、塗布法を挙げることができる。ここで、塗布法は、一般的な塗布方法をいずれも問題なく使用することができ、具体的には、例えば、上述した各種の塗布法としてを挙げることができる。
【００３９】
基体は、酸化ケイ素系材料（例えば、ＳｉＯXやスピンオンガラス（ＳＯＧ））；窒化ケイ素（ＳｉＮY）；酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）；金属酸化物高誘電絶縁膜から構成することができる。基体をこれらの材料から構成する場合、基体を、以下に挙げる材料から適宜選択された支持体上に（あるいは支持体の上方に）形成すればよい。即ち、支持体として、あるいは又、上述した基体以外の基体として、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）やポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）に例示される有機ポリマーから構成された可撓性を有するプラスチック・フィルムやプラスチック・シート、プラスチック基板を挙げることができ、あるいは又、雲母を挙げることができる。このような可撓性を有する有機ポリマー、高分子材料から構成された基体を使用すれば、例えば曲面形状を有するディスプレイ装置や電子機器への電子デバイスや半導体装置の組込みあるいは一体化が可能となる。あるいは又、基体として、各種ガラス基板や、表面に絶縁膜が形成された各種ガラス基板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁膜が形成されたシリコン基板、サファイヤ基板、ステンレス等の各種合金や各種金属から成る金属基板を挙げることができる。電気絶縁性の支持体としては、以上に説明した材料から適切な材料を選択すればよい。支持体として、その他、導電性基板（金やアルミニウム等の金属から成る基板、高配向性グラファイトから成る基板、ステンレス基板等）を挙げることができる。また、半導体装置の構成、構造によっては、半導体装置が支持体上に設けられているが、この支持体も上述した材料から構成することができる。
【００４０】
制御電極や第１電極、第２電極、ゲート電極、ソース／ドレイン電極を構成する材料として、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）等の金属、あるいは、これらの金属元素を含む合金、これらの金属から成る導電性粒子、これらの金属を含む合金の導電性粒子、不純物を含有したポリシリコン等の導電性物質を挙げることができるし、これらの元素を含む層の積層構造とすることもできる。更には、制御電極や第１電極、第２電極、ゲート電極、ソース／ドレイン電極を構成する材料として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸［ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ］やポリアニリンといった有機材料（導電性高分子）を挙げることもできる。制御電極や第１電極、第２電極、ゲート電極、ソース／ドレイン電極を構成する材料は、同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。
【００４１】
制御電極や第１電極、第２電極、ゲート電極、ソース／ドレイン電極の形成方法として、これらを構成する材料にも依るが、上述した各種の塗布方法；物理的気相成長法（ＰＶＤ法）；ＭＯＣＶＤ法を含む各種の化学的気相成長法（ＣＶＤ法）；リフト・オフ法；シャドウマスク法；及び、電解メッキ法や無電解メッキ法あるいはこれらの組合せといったメッキ法の内のいずれかと、必要に応じてパターニング技術との組合せを挙げることができる。尚、ＰＶＤ法として、（ａ）電子ビーム加熱法、抵抗加熱法、フラッシュ蒸着、ルツボを加熱する方法等の各種真空蒸着法、（ｂ）プラズマ蒸着法、（ｃ）２極スパッタリング法、直流スパッタリング法、直流マグネトロンスパッタリング法、高周波スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、バイアススパッタリング法等の各種スパッタリング法、（ｄ）ＤＣ（direct current）法、ＲＦ法、多陰極法、活性化反応法、電界蒸着法、高周波イオンプレーティング法、反応性イオンプレーティング法等の各種イオンプレーティング法を挙げることができる。
【００４２】
本発明の電子デバイス、半導体装置を、ディスプレイ装置や各種の電子機器に適用、使用する場合、基体や支持体に多数の電子デバイスや半導体装置を集積したモノリシック集積回路としてもよいし、各電子デバイスや半導体装置を切断して個別化し、ディスクリート部品として使用してもよい。また、電子デバイスや半導体装置を樹脂にて封止してもよい。
【実施例１】
【００４３】
実施例１は、本発明の電子デバイス及びその製造方法、並びに、本発明の半導体装置及び本発明の第１の態様に係る半導体装置の製造方法に関し、より具体的には、ボトムゲート・ボトムコンタクト型の有機電界効果トランジスタ（以下、『有機ＦＥＴ』と呼ぶ場合がある）及びその製造方法に関する。
【００４４】
図３の（３）に模式的な一部断面図を示すように、実施例１の電子デバイスは、
（Ａ）制御電極１２、
（Ｂ）第１電極１４及び第２電極１４、並びに、
（Ｃ）第１電極１４と第２電極１４との間であって、絶縁層１３を介して制御電極１２と対向して設けられた、有機半導体材料層１５から成る能動層１６、
を備えて成る。また、実施例１の半導体装置は、基体上に、ゲート電極１２、ゲート絶縁層１３、ソース／ドレイン電極１４、及び、有機半導体材料層１５から成るチャネル形成領域１６を備えている。
【００４５】
あるいは又、実施例１の半導体装置（具体的には、ボトムゲート・ボトムコンタクト型の半導体装置、より具体的には、ボトムゲート・ボトムコンタクト型電界効果トランジスタ，ＦＥＴであり、ボトムゲート・ボトムコンタクト型薄膜トランジスタ，ＴＦＴ）は、
（Ａ）基体１１上に形成されたゲート電極１２、
（Ｂ）ゲート電極１２及び基体１１上に形成されたゲート絶縁層１３、
（Ｃ）ゲート絶縁層１３上に形成されたソース／ドレイン電極１４、並びに、
（Ｄ）ソース／ドレイン電極１４の間であってゲート絶縁層１３上に形成されたチャネル形成領域１６、
を備えており、
少なくともチャネル形成領域１６と接触するゲート絶縁層１３の部分は、上記の式（１）にて示される材料を硬化して成る層から構成されている。ここで、チャネル形成領域１６は、具体的には、有機半導体材料層１５から構成され、ソース／ドレイン電極１４とソース／ドレイン電極１４との間に位置するゲート絶縁層１３の部分の上にゲート電極１２と対向して形成されている。また、有機半導体材料層１５はソース／ドレイン電極１４上に延在している。
【００４６】
そして、少なくとも能動層１６と接触する絶縁層１３の部分、あるいは又、少なくともチャネル形成領域１６と接触するゲート絶縁層１３の部分は、以下の式（１）にて示される材料（絶縁層あるいはゲート絶縁層の出発物質あるいは前駆体物質）を硬化して成る層（ナフタレン骨格型４官能エポキシ樹脂から成る層）から構成されている。具体的には、ゲート絶縁層１３（あるいは絶縁層１３）は、単層構成であり、ゲート絶縁層１３（あるいは絶縁層１３）の全体が、以下の式（１）にて示される材料を硬化して成る層から構成されている。尚、式（１）にて示される材料と、硬化剤として２−メチルイミダゾールとを混合して（混合重量比率＝１００：５）、ゲート絶縁層形成用溶液（溶媒：シクロペンタノン）としている。
【００４７】
2012049225.tif 000006
【００４８】
実施例１、あるいは、後述する実施例２〜実施例４において、基体１１はポリエーテルサルホン（ＰＥＳ）基板から成り、ゲート電極１２及びソース／ドレイン電極１４は金薄膜から成り、有機半導体材料層１５は、ペリキサンテノキサンテン（peri-xanthenoxanthene，ＰＸＸ）誘導体、より具体的には、以下の式（４）から成る。
【００４９】
2012049225.tif 000007
【００５０】
以下、基体等の模式的な一部断面図である図１の（Ａ）〜（Ｄ）、図２の（Ａ）〜（Ｃ）、及び、図３の（Ａ）〜（Ｂ）を参照して、実施例１の電子デバイスの製造方法、半導体装置の製造方法を説明する。
【００５１】
［工程−１００］
先ず、基体１１上にゲート電極１２を形成する。具体的には、基体１１上に、レジスト層３１に基づきゲート電極形成用のパターンを形成する（図１の（Ａ）参照）。次いで、密着層としてのＴｉ層、及び、ゲート電極１２としてのＡｕ層を、順次、基体１１及びレジスト層３１上に真空蒸着法によって形成する（図１の（Ｂ）参照）。図面においては、密着層の図示を省略した。蒸着を行う際、基体１１は温度を調整することができる基体ホルダー（図示せず）に載置されており、蒸着中の基体温度の上昇を抑制することができるので、基体１１の変形を最小限に抑えた成膜を行うことができる。その後、リフトオフ法によりレジスト層３１を除去することで、Ａｕ層から成るゲート電極１２を得ることができる（図１の（Ｃ）参照）。
【００５２】
［工程−１１０］
次に、全面にゲート絶縁層１３を形成する。即ち、基体１１及びゲート電極１２上にゲート絶縁層１３を形成する。
【００５３】
そのために、上述したゲート絶縁層形成用溶液を準備する。具体的には、溶媒であるシクロペンタノンに式（１）にて示される材料（絶縁層あるいはゲート絶縁層の出発物質あるいは前駆体物質）を溶解した溶液に、硬化剤として２−メチルイミダゾールを混合して、ゲート絶縁層形成用溶液を調製する。硬化剤混合量は、使用する共重合体のエポキシ基等量に相当する量に、適宜、調整すればよいが、実施例１にあっては、混合重量比率を１００：５とした。
【００５４】
そして、このゲート絶縁層形成用溶液を基体１１上に塗布した後、加熱・硬化させることで、全面に（具体的には、基体１１及びゲート電極１２上に）にゲート絶縁層（絶縁層）１３を形成する。より具体的には、このゲート絶縁層形成用溶液をスピンコート法にて塗布した後、乾燥するといった操作を２回、繰り返した後、大気雰囲気中で１５０゜Ｃ、２時間の加熱を行う。これによって硬化反応が生じる。即ち、共重合体と硬化剤とが反応し、式（１）にて示される材料を硬化して成る層（ナフタレン骨格型４官能エポキシ樹脂から成る層）から構成されたゲート絶縁層（絶縁層）１３を得ることができる。尚、ゲート絶縁層形成用溶液を塗布法にて塗布した後、乾燥するといった操作を複数回、繰り返すことで、最終的に得られるゲート絶縁層（絶縁層）１３にピンホール等の欠陥が発生することを確実に防止することができる。
【００５５】
［工程−１２０］
その後、ゲート絶縁層１３上にソース／ドレイン電極１４を形成する。具体的には、全面に、レジスト層３２に基づきソース／ドレイン電極形成用のパターンを形成する（図１の（Ｄ）参照）。次いで、密着層としてのＴｉ層、及び、ソース／ドレイン電極としてのＡｕ層を、順次、ゲート絶縁層１３及びレジスト層３２上に真空蒸着法によって形成する（図２の（Ａ）参照）。図面においては、密着層の図示を省略した。蒸着を行う際、基体１１は温度を調整することができる基体ホルダー（図示せず）に載置されており、蒸着中の基体温度の上昇を抑制することができるので、基体１１の変形を最小限に抑えた成膜を行うことができる。その後、リフトオフ法によりレジスト層３２を除去することで、Ａｕ層から成るソース／ドレイン電極１４を得ることができる（図２の（Ｂ）参照）。
【００５６】
［工程−１３０］
次に、少なくとも、ソース／ドレイン電極１４の間に位置するゲート絶縁層１３の上に、有機半導体材料層１５から成るチャネル形成領域１６を形成する（図２の（Ｃ）参照）。具体的には、スピンコート法に基づき、式（４）に示したＰＸＸ誘導体から成る有機半導体材料層１５をソース／ドレイン電極１４及びゲート絶縁層１３の上に形成し、乾燥する。その後、必要に応じて、有機半導体材料層１５のパターニングを行う（図３の（Ａ）参照）。
【００５７】
［工程−１４０］
次いで、周知の方法に基づき、全面にＳｉＯ2から成る絶縁層２０を形成した後、ゲート電極１２及びソース／ドレイン電極１４の上方の絶縁層２０の部分に開口部を形成し、これらの開口部内を含む絶縁層２０上に配線材料層を形成し、この配線材料層をパターニングすることで、ゲート電極１２に接続された配線（図示せず）、及び、ソース／ドレイン電極１４に接続された配線２１を形成することができる（図３の（Ｂ）参照）。こうして、実施例１の有機ＦＥＴを得ることができる。
【００５８】
［比較例１］
比較例として、ゲート絶縁層を、メタクリル酸グリシジル単量体のみで構成されている材料を硬化して成る層から構成した。尚、硬化剤として、２−メチルイミダゾールを使用し、混合重量比率を、共重合体：硬化剤＝１００：５とした。この点を除き、実施例１と同様にして半導体装置を作製した。
【００５９】
表１に、実施例１及び比較例１の半導体装置のトランジスタ特性を示す。
【００６０】
［表１］
実施例１      比較例１
移動度（ｃｍ2／Ｖ・秒）     ０．６        ０．０１
オン／オフ比                １×１０7     １×１０2
ヒステリシス                なし          あり
【００６１】
実施例１にあっては、少なくとも能動層と接触する絶縁層あるいは少なくともチャネル形成領域と接触するゲート絶縁層の部分を、上記の式（１）にて示される材料を硬化させることで形成するが、硬化に必要とされる温度は１５０゜Ｃといった、従来よりも低い温度である。従って、有機デバイスである電子デバイスあるいは半導体装置を可撓性を有する樹脂基板上に設けることができ、安価に高い量産性にて、しかも、高い信頼性を有する電子デバイスあるいは半導体装置を提供することが可能となる。しかも、少なくとも能動層と接触する絶縁層あるいは少なくともチャネル形成領域と接触するゲート絶縁層の部分を、上記の式（１）にて示される材料を硬化させることで形成するので、能動層あるいはチャネル形成領域が接する絶縁層あるいはゲート絶縁層の界面に高い平滑性を付与することができる結果、また、スピンコート法に基づき式（４）に示したＰＸＸ誘導体から成る有機半導体材料層を成膜する際のゲート絶縁層に対する濡れ性が良い結果、更には、絶縁層あるいはゲート絶縁層の界面が有機半導体材料層の配向状態に寄与していると考えられ、優れた有機半導体材料層を成膜することができ、有機デバイスである電子デバイスや半導体装置は高移動度を示す。次の実施例２においても同様である。
【実施例２】
【００６２】
実施例２は、本発明の電子デバイス及びその製造方法、並びに、本発明の半導体装置及び本発明の第２の態様に係る半導体装置の製造方法に関し、より具体的には、ボトムゲート・トップコンタクト型の有機ＦＥＴ及びその製造方法に関する。
【００６３】
実施例２のボトムゲート・トップコンタクト型の半導体装置（具体的には、ボトムゲート・トップコンタクト型の電界効果トランジスタ，ＦＥＴであり、より具体的には、ボトムゲート・トップコンタクト型の薄膜トランジスタ，ＴＦＴ）は、模式的な一部断面図を図４の（Ｃ）に示すように、
（Ａ）基体１１上に形成されたゲート電極１２、
（Ｂ）ゲート電極１２及び基体１１上に形成されたゲート絶縁層１３、
（Ｃ）ゲート絶縁層１３上に形成されたチャネル形成領域１６及びチャネル形成領域延在部１７、並びに、
（Ｄ）チャネル形成領域延在部１７上に形成されたソース／ドレイン電極１４、
を備えており、
少なくともチャネル形成領域１６と接触するゲート絶縁層１３の部分は、上記の式（１）にて示される材料を硬化して成る層から構成されている。尚、チャネル形成領域１６及びチャネル形成領域延在部１７は、有機半導体材料層１５から構成され、チャネル形成領域１６はゲート電極１２と対向している。
【００６４】
実施例２の有機ＦＥＴは、このように、ソース／ドレイン電極１４及び有機半導体材料層１５の垂直方向の配置状態が実施例１の有機ＦＥＴと逆になっているが、その他の点は実施例１の有機ＦＥＴと同じとすることができる。それ故、実施例２の有機ＦＥＴの詳細な説明は省略する。
【００６５】
以下、基体等の模式的な一部断面図である図４の（Ａ）〜（Ｃ）を参照して、実施例２の半導体装置の製造方法を説明する。
【００６６】
［工程−２００］
先ず、実施例１の［工程−１００］と同様にして、基体１１上にゲート電極１２を形成する。
【００６７】
［工程−２１０］
次に、実施例１の［工程−１１０］と同様にして、全面に（具体的には、基体１１及びゲート電極１２上に）、ゲート絶縁層１３を形成する。
【００６８】
［工程−２２０］
その後、実施例１の［工程−１３０］と同様にして、絶縁層１３上に有機半導体材料層１５から成るチャネル形成領域１６及びチャネル形成領域延在部１７を形成する（図４の（Ａ）及び図４の（Ｂ）参照）。
【００６９】
［工程−２３０］
その後、有機半導体材料層１５上に、Ａｕ層から成るソース／ドレイン電極１４を形成する。具体的には、有機半導体材料層１５の一部及びゲート絶縁層１３をハードマスクで覆った状態で、密着層としてのＴｉ層、及び、ソース／ドレイン電極としてのＡｕ層を、順次、有機半導体材料層１５上に真空蒸着法によって形成する。図面においては、密着層の図示を省略した。こうして、Ａｕ層から成るソース／ドレイン電極１４をフォトリソグラフィ・プロセス無しで形成することができる。
【００７０】
［工程−２４０］
次いで、周知の方法に基づき、実施例１の［工程−１４０］と同様にして、全面にＳｉＯ2から成る絶縁層２０を形成した後、ゲート電極１２及びソース／ドレイン電極１４の上方の絶縁層２０の部分に開口部を形成し、これらの開口部内を含む絶縁層２０上に配線材料層を形成し、この配線材料層をパターニングすることで、ゲート電極１２に接続された配線（図示せず）、及び、ソース／ドレイン電極１４に接続された配線２１を形成することができる（図４の（Ｃ）参照）。こうして、実施例２の有機ＦＥＴを得ることができる。
【実施例３】
【００７１】
実施例３は、本発明の電子デバイス及びその製造方法、並びに、本発明の半導体装置及び本発明の第３の態様に係る半導体装置の製造方法に関し、より具体的には、トップゲート・ボトムコンタクト型の有機ＦＥＴ及びその製造方法に関する。
【００７２】
実施例３のトップゲート・ボトムコンタクト型の半導体装置（具体的には、トップゲート・ボトムコンタクト型の電界効果トランジスタ，ＦＥＴであり、より具体的には、トップゲート・ボトムコンタクト型の薄膜トランジスタ，ＴＦＴ）は、模式的な一部断面図を図５の（Ｃ）に示すように、
（Ａ）基体１１上に形成されたソース／ドレイン電極１４、
（Ｂ）ソース／ドレイン電極１４の間の基体１１上に形成された、有機半導体材料層１５から成るチャネル形成領域１６、
（Ｃ）チャネル形成領域１６上に形成されたゲート絶縁層１３、並びに、
（Ｄ）ゲート絶縁層１３上に形成されたゲート電極１２、
を備えており、
少なくともチャネル形成領域１６と接触するゲート絶縁層１３の部分は、上記の式（１）にて示される材料を硬化して成る層から構成されている。尚、チャネル形成領域１６はゲート電極１２と対向している。
【００７３】
以下、基体等の模式的な一部断面図である図５の（Ａ）〜（Ｃ）を参照して、実施例３の有機ＦＥＴの製造方法を説明する。
【００７４】
［工程−３００］
先ず、実施例１の［工程−１２０］と同様にして、基体１１上にソース／ドレイン電極１４を形成する。
【００７５】
［工程−３１０］
次に、全面に、実施例１の［工程−１３０］と同様にして、有機半導体材料層１５から成るチャネル形成領域１６を形成する（図５の（Ａ）及び（Ｂ）参照）。
【００７６】
［工程−３２０］
その後、全面に、実施例１の［工程−１１０］と同様にして、ゲート絶縁層１３を形成する。
【００７７】
［工程−３３０］
次いで、チャネル形成領域１６の上のゲート絶縁層１３の部分にゲート電極１２を形成する。具体的には、実施例１の［工程−１００］と同様にして、ゲート絶縁層１３上に、Ｔｉ層から成る密着層、及び、Ａｕ層から成るゲート電極１２を形成する。図面においては、密着層の図示を省略した。あるいは又、ゲート絶縁層１３の一部をハードマスクで覆った状態で、密着層としてのＴｉ層、及び、ゲート電極としてのＡｕ層を、順次、ゲート絶縁層１３上に真空蒸着法によって形成してもよく、これによって、ゲート電極１２をフォトリソグラフィ・プロセス無しで形成することができる。
【００７８】
［工程−３４０］
次いで、周知の方法に基づき、実施例１の［工程−１４０］と同様にして、全面にＳｉＯ2から成る絶縁層２０を形成した後、ゲート電極１２及びソース／ドレイン電極１４の上方の絶縁層２０の部分に開口部を形成し、これらの開口部内を含む絶縁層２０上に配線材料層を形成し、この配線材料層をパターニングすることで、ゲート電極１２に接続された配線（図示せず）、及び、ソース／ドレイン電極１４に接続された配線２１を形成することができる（図５の（Ｃ）参照）。こうして、実施例３の有機ＦＥＴを得ることができる。
【実施例４】
【００７９】
実施例４は、本発明の電子デバイス及びその製造方法、並びに、本発明の半導体装置及び本発明の第４の態様に係る半導体装置の製造方法に関し、より具体的には、トップゲート・トップコンタクト型の有機ＦＥＴ及びその製造方法に関する。
【００８０】
実施例４のトップゲート・トップコンタクト型の半導体装置（具体的には、トップゲート・トップコンタクト型の電界効果トランジスタ，ＦＥＴであり、より具体的には、トップゲート・トップコンタクト型の薄膜トランジスタ，ＴＦＴ）は、模式的な一部断面図を図６の（Ｃ）に示すように、
（Ａ）基体１１上に形成された、有機半導体材料層１５から成るチャネル形成領域１６及びチャネル形成領域延在部１７、
（Ｂ）チャネル形成領域延在部１７上に形成されたソース／ドレイン電極１４、
（Ｃソース／ドレイン電極１４及びチャネル形成領域１６上に形成されたゲート絶縁層１３、並びに、
（Ｄ）ゲート絶縁層１３上に形成されたゲート電極１２、
を備えている。
【００８１】
実施例４の有機ＦＥＴは、ソース／ドレイン電極１４及び有機半導体材料層１５の垂直方向の配置状態が実施例３の有機ＦＥＴと逆になっているが、その他の点は実施例３の有機ＦＥＴと同じとすることができる。それ故、実施例４の有機ＦＥＴの詳細な説明は省略する。
【００８２】
以下、基体等の模式的な一部断面図である図６の（Ａ）〜（Ｃ）を参照して、実施例４の半導体装置の製造方法を説明する。
【００８３】
［工程−４００］
先ず、実施例１の［工程−１３０］と同様にして、基体１１上に有機半導体材料層１５から成るチャネル形成領域１６及びチャネル形成領域延在部１７を形成する（図６の（Ａ）及び（Ｂ）参照）。
【００８４】
［工程−４１０］
その後、実施例１の［工程−１２０］と同様にして、チャネル形成領域延在部１７上にソース／ドレイン電極１４を形成する。
【００８５】
［工程−４２０］
次いで、全面に、実施例１の［工程−１１０］と同様にして、ゲート絶縁層１３を形成する。
【００８６】
［工程−４３０］
その後、実施例１の［工程−１００］と同様にして、チャネル形成領域１６の上のゲート絶縁層１３の部分にゲート電極１２を形成する。
【００８７】
［工程−４４０］
その後、ゲート絶縁層１３上に、Ｔｉ層から成る密着層、及び、Ａｕ層から成るゲート電極１２を形成する。図面においては、密着層の図示を省略した。あるいは又、ゲート絶縁層１３の一部をハードマスクで覆った状態で、密着層としてのＴｉ層、及び、ゲート電極としてのＡｕ層を、順次、ゲート絶縁層１３上に真空蒸着法によって形成してもよく、これによって、ゲート電極１２をフォトリソグラフィ・プロセス無しで形成することができる。
【００８８】
［工程−４５０］
次いで、周知の方法に基づき、実施例１の［工程−１４０］と同様にして、全面にＳｉＯ2から成る絶縁層２０を形成した後、ゲート電極１２及びソース／ドレイン電極１４の上方の絶縁層２０の部分に開口部を形成し、これらの開口部内を含む絶縁層２０上に配線材料層を形成し、この配線材料層をパターニングすることで、ゲート電極１２に接続された配線（図示せず）、及び、ソース／ドレイン電極１４に接続された配線２１を形成することができる（図６の（Ｃ）参照）。こうして、実施例４の有機ＦＥＴを得ることができる。
【００８９】
以上、本発明を好ましい実施例に基づき説明したが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。電子デバイスや半導体装置の構造や構成、形成条件、製造条件は例示であり、適宜変更することができる。実施例においては、少なくとも能動層と接触する絶縁層の部分を式（１）にて示される材料を硬化して成る層から構成したが、その代わりに、少なくとも能動層と接触する絶縁層の部分を、以下の式（２）あるいは式（３）にて示される材料を硬化して成る層から構成しても、硬化に必要とされる温度が１５０゜Ｃといった、従来よりも低い温度であり、実施例と同様の効果を得ることができた。本発明によって得られた電子デバイス（半導体装置）を、例えば、ディスプレイ装置や各種の電子機器に適用、使用する場合、基体や支持体、支持部材に多数の電子デバイス（半導体装置）を集積したモノリシック集積回路としてもよいし、各電子デバイス（半導体装置）を切断して個別化し、ディスクリート部品として使用してもよい。
【００９０】
2012049225.tif 000008
2012049225.tif 000009
【符号の説明】
【００９１】
１１・・・基体、１２・・・ゲート電極（制御電極）、１３・・・ゲート絶縁層（絶縁層）、１４・・・ソース／ドレイン電極（第１電極、第２電極）、１５・・・有機半導体材料層、１６・・・チャネル形成領域（能動層）、１７・・・チャネル形成領域延在部、２０・・・絶縁層、２１・・・配線、３１，３２・・・レジスト層
【図１】
2012049225.tif 000032
【図２】
2012049225.tif 000033
【図３】
2012049225.tif 000034
【図４】
2012049225.tif 000035
【図５】
2012049225.tif 000036
【図６】
2012049225.tif 000037