(57)【要約】【課題】脱塩処理する各流路に均等かつ乱流混合を抑えた状態で原水を流すことができる構造を備えた脱塩処理装置、および脱塩処理する各流路に均等かつ乱流混合を抑えた状態で原水を流すことができる方法を提供すること。【解決手段】塩類を含む原水の流入部１と、下部に形成され流入部１からの原水が流入する原水貯留部２と、原水貯留部２から上方に向かって延在する並列配置された複数の脱塩処理部３と、脱塩処理部３の上端部に設けられた複数の集水部４・５と、を備える脱塩処理装置１０１である。脱塩処理部３の絶縁壁６の内側に原水を上向きに流し、電極７に印加された電圧によって形成される静電界により分離したイオン濃度の低い脱イオン水およびイオン濃縮水を、それぞれオーバーフローにより集水部４・５へ流出させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
塩類を含む原水の流入部と、
下部に形成され、前記流入部からの原水が流入する原水貯留部と、
前記原水貯留部から上方に向かって延在する単一または並列配置された複数の脱塩処理部と、
前記脱塩処理部の上端部に設けられた複数の集水部と、を備え、
前記脱塩処理部は、
対向配置されることで原水の流路を形成する絶縁壁と、
前記絶縁壁の外側に対向配置された板状の電極と、
当該脱塩処理部の上部であって前記絶縁壁の内側に対向配置された仕切壁と、を有し、
前記絶縁壁の内側を原水が上向きに流れ、前記電極に印加された電圧によって形成される静電界により分離したイオン濃度の低い脱イオン水およびイオン濃縮水がそれぞれオーバーフローにより前記集水部へ流出することを特徴とする、脱塩処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の脱塩処理装置において、
前記集水部は、トラフ形状またはパイプ形状とされており、
前記絶縁壁および前記仕切壁を貫通するように前記集水部が設けられていることを特徴とする、脱塩処理装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の脱塩処理装置において、
イオン濃縮水側の前記集水部の越流高さが、脱イオン水側の前記集水部の越流高さと同一またはそれよりも低くされていることを特徴とする、脱塩処理装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の脱塩処理装置において、
上下方向に空間を有することで内部に下降流が生じる前記流入部が、前記複数の脱塩処理部の全てに対して隣接するように配置されていることを特徴とする、脱塩処理装置。
【請求項５】
対向配置されることで原水の流路を形成する絶縁壁、当該絶縁壁の外側に対向配置された板状の電極、および上部であって前記絶縁壁の内側に対向配置された仕切壁を有する単一または並列配置された複数の脱塩処理部へ、当該脱塩処理部の下に設けた原水貯留部から塩類を含む原水を上向きに流して、前記電極に印加された電圧によって形成される静電界により分離したイオン濃度の低い脱イオン水およびイオン濃縮水を、それぞれオーバーフローにより流出させることを特徴とする、脱塩処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界を利用して原水に含まれる塩類を除去する脱塩処理装置、および脱塩処理方法に関する。処理対象とする原水は、例えば海水である。
【背景技術】
【０００２】
この種の技術に関しては、例えば、特許文献１、２に記載されたものが知られている。特許文献１に記載された脱塩処理方法は、塩類を含む原水を略水平方向に流しながら、静電誘導を利用して原水から塩類を除去するというものである。特許文献２に記載された技術も、同様に、塩類を含む原水を略水平方向に流しながら、電界を利用して原水から塩類を除去している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２７２６５０号公報
【特許文献２】特開昭６２−２３７９９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、電界を利用して原水に含まれる塩類を除去する脱塩処理では、印加した電圧によって形成される静電界によりイオンを移動させ、塩分濃度の勾配を作り出す。印加する電圧が高いほど、また電極間の距離が小さいほど強い静電界が得られ塩類の分離性が向上する。例えば、取り扱いが比較的容易な電圧を考慮すると、有資格者でなくとも取り扱える直流７５０Ｖ以下の電圧を採用することが考えられる。電圧を低く設定した場合、電界強度を高く維持するためには、電極間の距離（または流路幅）を狭く設定する必要がある。しかしながら、流路幅を狭くすると、壁面効果による乱流混合で塩類の分離性に問題がでてくる。低電圧下で乱流混合を防止しつつ処理量を上げるためには、狭い幅の流路を並列に多数設けて、１流路当たりの流速を小さく設定する必要がある。特許文献１に記載されているような、複数の流路を直列かつ直線に配置する方法は、処理量増加の観点からは現実的ではない。
【０００５】
ここで、狭い幅の流路を並列に多数設けて、１流路当たりの流速を小さく設定する場合、特許文献１、２に記載されているような水平方向に原水を流す方法では、各流路に均等に原水を流すことが難しい。各流路に均等に原水を流せないと、流量の多い流路では、その流路長で処理時間を確保できず、塩類の分離が不十分な脱イオン水（設計よりも高い濃度の脱イオン水）が流出してしまうことになる。また、流量の多い、すなわち流速の大きい流路では、乱流混合も問題となってくる。
【０００６】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであって、その目的は、脱塩処理する各流路に均等かつ乱流混合を抑えた状態で原水を流すことができる構造を備えた脱塩処理装置、および脱塩処理する各流路に均等かつ乱流混合を抑えた状態で原水を流すことができる方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意検討した結果、原水が流入する原水貯留部からその上に並列配置した脱塩処理部へ原水を上向流で流し、分離したイオン濃度の低い脱イオン水およびイオン濃縮水をオーバーフローにより流出させることにより、前記課題を解決できることを見出し、この知見に基づき本発明が完成するに至ったのである。
【０００８】
すなわち、本発明は、塩類を含む原水の流入部と、下部に形成され、前記流入部からの原水が流入する原水貯留部と、前記原水貯留部から上方に向かって延在する並列配置された複数の脱塩処理部と、前記脱塩処理部の上端部に設けられた複数の集水部と、を備え、前記脱塩処理部は、対向配置されることで原水の流路を形成する絶縁壁と、前記絶縁壁の外側に対向配置された板状の電極と、当該脱塩処理部の上部であって前記絶縁壁の内側に対向配置された仕切壁と、を有し、前記絶縁壁の内側を原水が上向きに流れ、前記電極に印加された電圧によって形成される静電界により分離したイオン濃度の低い脱イオン水およびイオン濃縮水がそれぞれオーバーフローにより前記集水部へ流出することを特徴とする脱塩処理装置である。
【０００９】
この構成によると、原水は、並列配置された複数の脱塩処理部へ向かって原水貯留部から上向流で流れ、その後、分離したイオン濃度の低い脱イオン水およびイオン濃縮水は、オーバーフローにより流出する。この場合、１流路当たりの流速を小さく設定したとしても、各流路（絶縁壁の間スペース）は、全て確実に原水で満たされ、水平方向に原水を流す場合に比べて偏流が生じにくい。結果として、脱塩処理する各流路に均等かつ乱流混合を抑えた状態で原水を流すことができる。なお、脱塩処理部は、１つのみであってもよい。
【００１０】
また本発明において、前記集水部は、トラフ形状またはパイプ形状とされており、前記絶縁壁および前記仕切壁を貫通、もしくは前記絶縁壁および前記仕切壁と直交する壁面にオーバーフロー面が位置するように前記集水部が設けられていることが好ましい。この構成によると、流路幅を狭く設定し易い。
【００１１】
さらに本発明において、イオン濃縮水側の前記集水部の越流高さが、脱イオン水側の前記集水部の越流高さと同等以下、より好ましくは脱イオン水側の前記集水部の越流高さよりも低くされていることが好ましい。
【００１２】
この構成によると、イオン濃縮水側の流路の流速が、脱イオン水側の流路の流速よりも小さくなることを防止でき、イオン濃縮水が脱イオン水側の流路へ流出しにくくなる。
【００１３】
さらに本発明において、上下方向に空間を有することで内部に下降流が生じる前記流入部が、前記複数の脱塩処理部の全てに対して隣接するように配置されていることが好ましい。この構成によると、脱塩処理する各流路により均等に原水を流すことができる。
【００１４】
また本発明の第２の態様は、対向配置されることで原水の流路を形成する絶縁壁、当該絶縁壁の外側に対向配置された板状の電極、および上部であって前記絶縁壁の内側に対向配置された仕切壁を有する並列配置された複数の脱塩処理部へ、当該複数の脱塩処理部の下に設けた原水貯留部から塩類を含む原水を上向きに流して、前記電極に印加された電圧によって形成される静電界により分離したイオン濃度の低い脱イオン水およびイオン濃縮水を、それぞれオーバーフローにより流出させることを特徴とする脱塩処理方法である。
【００１５】
この構成によると、１流路当たりの流速を小さく設定したとしても、各流路（絶縁壁の間スペース）は、全て確実に原水で満たされ、水平方向に原水を流す場合に比べて偏流が生じにくい。結果として、脱塩処理する各流路に均等かつ乱流混合を抑えた状態で原水を流すことができる。なお、脱塩処理部は、１つのみであってもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によると、並列配置された複数の脱塩処理部の各流路は、全て確実に原水で満たされ、水平方向に原水を流す場合に比べて偏流が生じにくい。その結果、従来よりも均等かつ乱流混合を抑えた状態で脱塩処理する各流路に原水を流すことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明に係る脱塩処理装置の第１実施形態を示す模式図である。
【図２】図１に示す脱塩処理装置のＡ−Ａ断面矢視図、およびＢ部拡大図である。
【図３】本発明に係る脱塩処理装置の第２実施形態を示す模式図である。
【図４】本発明に係る脱塩処理装置の第３実施形態を示す模式図である。
【図５】図１に示す脱塩処理装置の変形例を示す模式図である。
【図６】原水の流入部の変形例を示すための脱塩処理装置の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照しつつ説明する。なお、本発明に係る脱塩処理装置の処理対象とする原水は、例えば、塩としてＮａＣｌを含有する海水であるが、本発明に係る脱塩処理装置は、ＮａＣｌ以外の塩を含有する海水以外の水（原水）にも適用することができる。本発明に係る脱塩処理装置を例えば海水淡水化設備に組み込む場合、ＲＯ膜処理の前処理としてＲＯ膜装置の前段にこの脱塩処理装置を組み込むことになる。
【００１９】
（第１実施形態）
（脱塩処理装置の構成）
図１および図２を参照しつつ本発明の第１実施形態に係る脱塩処理装置１０１について説明する。図１に示すように、本実施形態の脱塩処理装置１０１は、全体として直方体状の形状とされている。脱塩処理装置１０１は、流入部１、原水貯留部２、並列配置された複数の脱塩処理部３、および複数の集水部４・５からなる。なお、脱塩処理装置１０１の正面側（図面手前側）の壁は、図面上省略している（他の実施形態においても同様）。
【００２０】
（流入部）
原水の流入部１は、脱塩処理装置１０１の背面側全面に設けられている。換言すれば、原水の流入部１は、複数の脱塩処理部３の全てに対して隣接するように設けられている。この流入部１は、脱塩処理装置１０１の内部に設けられた仕切壁９により区画形成された上下方向に延びる空間であって、例えば上方から原水が供給されることで下降流を内部に形成する。
【００２１】
（原水貯留部）
脱塩処理装置１０１の下部には、その全面にわたって、流入部１からの原水が流入する原水貯留部２が設けられている。原水貯留部２は、流入部１と後述する複数の脱塩処理部３とを単に連通させる部分ではなく、それぞれの脱塩処理部３へ原水を均等に分配するための流速緩和部分でもある。
【００２２】
（脱塩処理部）
並列配置された複数の脱塩処理部３は、原水貯留部２から上方に向かって延在する原水の脱塩処理部である。図１および図２（ａ）に示したように、脱塩処理部３は、それぞれ、対向配置されることで原水の流路を形成する一対の絶縁壁６と、絶縁壁６の外側に対向配置された直流電圧が印加される板状の一対の電極７と、当該脱塩処理部の上部であって絶縁壁６の内側に対向配置された一対の仕切壁８とで構成されている。
【００２３】
ここで、一対の絶縁壁６間の距離は、例えば数ｃｍ〜数１０ｃｍである。電極７の高さ寸法は、例えば数１０ｃｍ〜２ｍである。絶縁壁６間の距離、および電極７の高さ寸法は、印加電圧値、流速、イオン除去率などにより決定される。絶縁壁６および仕切壁８の材質は、合成樹脂、繊維強化合成樹脂（ＦＲＰ）、セラミックなどである。
【００２４】
なお、脱塩処理装置の構造を把握し易くするために、計４つの脱塩処理部３を備える脱塩処理装置１０１を図１に例示している。本発明に係る脱塩処理装置を例えば海水淡水化設備に組み込む場合などを考慮すると、実機は、通常さらに多くの脱塩処理部３を備える脱塩処理装置となる。脱塩処理部３の数は、原水処理量、流路幅（絶縁壁６間の距離）、印加電圧などにより決定される。なお、単一の脱塩処理部３であってもよい。
【００２５】
脱塩処理部３での脱塩原理を簡単に説明する。絶縁壁６間に例えば海水を流すとともに一対の電極７間に直流電圧を印加すると、電極７間に静電界が形成され、その電界強度に応じた速度で、海水中のＮａ＋は絶縁壁６間を流れながら一方の絶縁壁６側に移動し、海水中のＣｌ−は絶縁壁６間を流れながら他方の絶縁壁６側に移動する。その結果、絶縁壁６の表面近傍ではイオン濃度が高くなり、絶縁壁６の中間付近ではイオン濃度が低くなるという塩分濃度の勾配が生じる。そして、一対の仕切壁８間をイオン濃度の低い脱イオン水が流れ、仕切壁８と絶縁壁６との間をイオン濃縮水が流れる。なお、仕切壁８の下端と水面との間の距離は十分に確保しておくことが好ましい。脱イオン水とイオン濃縮水とが混合して、脱イオン水のイオン濃度が高くなることを防止するためである。
【００２６】
（集水部）
複数の脱塩処理部３の上端部には、それぞれ集水部４・５が設けられている。集水部４は、越流壁１０により区画形成された流路である。越流壁１０は、仕切壁８の上部であって当該仕切壁８と直交するように一対の仕切壁８の間に設けられたものである。また、集水部５は、越流壁１１により区画形成された流路である。越流壁１１は、仕切壁８および絶縁壁６の上部であって当該仕切壁８および絶縁壁６と直交するように仕切壁８と絶縁壁６との間に設けられたものである。集水部５は、集水部４の両側に設けられている。集水部４と集水部５とは仕切壁８で仕切られている。
【００２７】
図２（ｂ）に示したように、本実施形態では、越流壁１０の上端レベルＨと、越流壁１１の上端レベルＨとを等しくしている。これにより、脱イオン水側の集水部４の越流高さと、イオン濃縮水側の集水部５の越流高さとは等しくなる。なお、越流壁１０の上端レベルＨを越流壁１１の上端レベルＨよりも高くして、脱イオン水側の集水部４の越流高さをイオン濃縮水側の集水部５の越流高さよりも高くすることが好ましい。こうすることにより、イオン濃縮水側の流路（仕切壁８と絶縁壁６との間）の流速が、脱イオン水側の流路（一対の仕切壁８同士の間）の流速よりも高まり、イオン濃縮水が脱イオン水側の流路へ流出しにくくなる。
【００２８】
なお、電極７の上端から越流壁１０・１１の上端までの距離（または仕切壁８の高さ寸法）は十分に確保しておくことが好ましい。仕切壁８と絶縁壁６との間、あるいは仕切壁８と仕切壁８との間の偏流を防止し、脱イオン水とイオン濃縮水との混合を防止するためである。
【００２９】
（脱塩処理）
次に、脱塩処理装置１０１を用いた脱塩処理について説明する。ポンプ（不図示）などを用いて流入部１に原水を供給する。なお、あらかじめ塩類を含まない水（処理対象が海水の場合は淡水など）で脱塩処理装置１０１内を満たしておいてもよい。
【００３０】
原水は、流入部１内を下降し原水貯留部２に流れ込む。その後、原水は、並列配置された複数の脱塩処理部３に上向きの流れで原水貯留部２から入っていく。ここで、電極７間に直流電圧を印加することで、前記したように、原水は、イオン濃度の低い脱イオン水とイオン濃縮水とに分離していく。脱イオン水およびイオン濃縮水は、それぞれ、脱塩処理部３上部よりオーバーフローして集水部４・５に落下する。集水部４・５に落下した脱イオン水およびイオン濃縮水は、図面手前側に流出していく。なお、変形例を示す図示を省略するが、越流壁１０・１１を越えた（オーバーフローした）脱イオン水およびイオン濃縮水を、そのまま下方に落下させて流出させてもよい。
【００３１】
ここで、脱塩処理装置１０１は完全に水平に設置されるとは限らない。脱塩処理装置１０１が斜めに傾斜して設置されることを考慮すると、越流壁１０・１１の高さをそれぞれ微調整可能にしておくことが好ましい（他の実施形態におけるトラフなどの集水部についても同様）。なお、脱塩処理装置１０１自体の水平度を微調整可能にしておいてもよい。各集水部からの越流量が均一になるように調整するためである。
【００３２】
（効果）
前記したように、原水は、並列配置された複数の脱塩処理部３へ向かって原水貯留部２から上向流で流れ、その後、分離したイオン濃度の低い脱イオン水およびイオン濃縮水は、越流壁１０・１１を越えて（オーバーフローにより）流出する。この場合、１流路当たりの流速を小さく設定したとしても、各流路（絶縁壁６の間スペース）は、全て確実に原水で満たされ、水平方向に原水を流す場合に比べて偏流が生じにくい。結果として、脱塩処理装置１０１によると、脱塩処理する各流路に均等かつ乱流混合を抑えた状態で原水を流すことができる。
【００３３】
脱塩処理を一旦停止する場合、原水の供給を止めるとともに電極７間への直流電圧印加を止める。このとき、複数の脱塩処理部３は原水で満たされた状態となっている。そのため、脱塩処理を再開する場合、偏流が生じにくくスムーズに脱塩処理が立ち上がる。このようなメリットも脱塩処理装置１０１は有する。
【００３４】
また本実施形態では、複数の脱塩処理部３の全てに対して隣接するように流入部１を配置している。これにより、脱塩処理する各流路（絶縁壁６間）により均等に原水を流すことができる。
【００３５】
（第２実施形態）
次に、図３を参照しつつ第２実施形態に係る脱塩処理装置１０２について説明する。第１実施形態と第２実施形態との相違点は、集水部の態様にある。図３に示すように、本実施形態では、脱イオン水エリア（一対の仕切壁８同士の間）およびイオン濃縮水エリア（仕切壁８と絶縁壁６との間）にそれぞれトラフ１４・１５を設けている。このトラフ１４・１５は、いずれも仕切壁８および絶縁壁６に沿って設けている。なお、変形例を示す図示を省略するが、複数の孔を開けたパイプ（集水菅）をトラフ１４・１５の代わりに設けてもよい。
【００３６】
（第３実施形態）
次に、図４を参照しつつ第３実施形態に係る脱塩処理装置１０３について説明する。第２実施形態と第３実施形態との相違点は、トラフの態様にある。図４に示すように、本実施形態では、絶縁壁６および仕切壁８を貫通するようにトラフ１２・１３を設けている。具体的には、絶縁壁６および仕切壁８に対して直交するようにトラフ１２・１３を設けている。
【００３７】
また、脱イオン水エリア（一対の仕切壁８同士の間）のトラフ１２の上端にはＶノッチが形成されている。すなわち、トラフ１２は、脱イオン水を集水するためのトラフである。イオン濃縮水エリア（仕切壁８と絶縁壁６との間）のトラフ１３の上端にはＶノッチが形成されている。すなわち、トラフ１３は、イオン濃縮水を集水するためのトラフである。なお、トラフ１２・１３の上端に必ずしもＶノッチを形成する必要はなく、トラフ１２・１３の上端を、図３に示したトラフ１４・１５のように直線状にしてもよい。この場合、脱イオン水エリアでは、トラフ１２の上端レベルをトラフ１３の上端レベルよりも低くし、イオン濃縮水エリアでは、トラフ１３の上端レベルをトラフ１２の上端レベルよりも低くする。または、イオン濃縮水エリアでは脱イオン水集水のためのトラフ１２上端を開口させず、脱イオン水エリアではイオン濃縮水集水のためのトラフ１３上端を開口させない方法もある。（図示せず）
【００３８】
変形例を示す図示を省略するが、複数の孔を開けたパイプ（集水菅）をトラフ１２・１３の代わりに設けてもよい。この場合、脱イオン水エリアにのみ孔を開けたパイプと、イオン濃縮水エリアにのみ孔を開けたパイプとを、トラフ１２・１３と同様に交互配置する。また、図３に示したトラフ１４・１５の上端にＶノッチを設けてもよい。
【００３９】
第２実施形態の脱塩処理装置１０２では、脱イオン水およびイオン濃縮水の流路幅を決定するのにトラフ幅を考慮する必要があるが、本実施形態では考慮する必要がない。したがって、本実施形態によると、第２実施形態に比べて、流路幅に対する自由度が向上する。これにより、流路幅を狭く設定し易い。
【００４０】
なお、図４にＣ部拡大図を示しているが、トラフ１２のＶノッチの下端レベルＨを、トラフ１３のＶノッチの下端レベルＨよりも高くして、脱イオン水用のトラフ１２の越流高さをイオン濃縮水用のトラフ１３の越流高さよりも高くすることが好ましい。こうすることにより、イオン濃縮水側の流路（仕切壁８と絶縁壁６との間）の流速が、脱イオン水側の流路（一対の仕切壁８同士の間）の流速よりも高まり、イオン濃縮水が脱イオン水側の流路へ流出しにくくなる。
【００４１】
（流入部の位置の変形例）
図５は、図１に示す脱塩処理装置１０１の変形例を示す模式図である。図５に示した脱塩処理装置１０４のように、複数の脱塩処理部３が並ぶ方向の片側に流入部２１を配置してもよい。さらには、変形例を示す図示を省略するが、複数の脱塩処理部３が並ぶ方向の両側に流入部を配置してもよい。
【００４２】
また、本実施形態の流入部配置によると、図５に示したように脱塩処理部３の片側のみに集水部４・５を設けるのではなく、脱塩処理部３の両側に集水部４・５を設けてもよい（図５中奥側に集水部４・５を追加できる）。
【００４３】
（流入部の変形例）
図６は、原水の流入部の変形例を示すための脱塩処理装置の模式図である。図６（ａ）に示したように、流入部２１の所定の位置に多孔板２２を取り付けて、原水流入の勢いを低下させることも好ましい。これにより、脱塩処理する各流路（絶縁壁６間）により均等に原水を流すことができる。本実施形態のように、流入方向に直交するように多孔板２２を取り付けてもよいし、流入方向に対して斜めとなるように多孔板２２を取り付けてもよい。また、複数の多孔板２２を流入部２１に取り付けてもよい。なお、流入部２１に多孔板２２を取り付ける態様は、図１に示した流入部１にも適用することができる。
【００４４】
また、図６（ｂ）に示したように、流入部２１の側壁にパイプ２３を取り付けて、流入部２１へ横から原水を流入させてもよい。この場合、流入部２１とパイプ２３とで原水の流入部を構成する。なお、流入部２１の側壁にパイプ２３を取り付ける態様は、図１に示した流入部１にも適用することができる。
【００４５】
さらには、図６（ｃ）に示したように、脱塩処理装置の側壁下部（原水貯留部２の側壁）に、原水貯留部２の内部へ延在する孔あき菅２４を取り付けて、この孔あき菅２４から原水貯留部２へ原水を流入させてもよい。この場合、孔あき菅２４が原水の流入部となり、図６（ａ）（ｂ）に示したような流入部２１を省略することができる。なお、脱塩処理部３への原水流入の勢いを低下させるために、孔あき菅２４に形成する複数の孔は、斜め下向きの方向などに形成することが好ましい。変形例を示す図示を省略するが、脱塩処理装置の背面壁下部や正面壁下部（原水貯留部２の背面壁や正面壁）に、原水貯留部２の内部へ延在する孔あき菅２４を取り付けてもよい。
【００４６】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上述の実施の形態に限られるものではなく、特許請求の範囲に記載した限りにおいて様々に変更して実施することが可能なものである。
【符号の説明】
【００４７】
１：流入部
２：原水貯留部
３：脱塩処理部
４：脱イオン水の集水部
５：イオン濃縮水の集水部
６：絶縁壁
７：電極
８：仕切壁（絶縁壁間の上部を仕切る壁）
９：仕切壁（流入部と脱塩処理部とを仕切る壁）
１０：脱イオン水用の越流壁
１１：イオン濃縮水用の越流壁
１０１：脱塩処理装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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