(57)【要約】【課題】特殊な記録動作や特殊な再生動作への対応を容易とすること。【解決手段】半導体集積回路は、再生ＥＣＣ回路１８と記録ＥＣＣ回路１７とホストインターフェース回路１９とメモリ制御回路２０を具備して、メモリ制御回路２０は調停回路２００とカウント回路２０２を含む。事前設定の優先順位で調停回路２００は、ＥＣＣアクセスをホスト機器２とのホストインターフェースのアクセスより高い優先順位で調停する。カウント回路２０２はＥＣＣリクエストの出力回数をカウントして、カウント出力回数が動作モードの所定の出力回数と一致すると、カウント回路２０２はカウント終了信号を生成する。調停回路２００では優先順位の切り替えが実行され、ＥＣＣよりもホストを高い優先順位で調停される。所定の出力回数は、１個のＥＣＣブロック又はその整数倍のデータに関係して半導体メモリ２２のアクセスに必要なＥＣＣアクセスリクエストの出力回数に対応する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスクから情報を読み出すことによって再生動作を実行して、前記光ディスクに情報を書き込むことによって記録動作を実行する光ディスク記録再生装置に内蔵可能な光ディスク記録再生用半導体集積回路であって、
前記光ディスク記録再生用半導体集積回路は、前記再生動作のための再生誤り訂正処理回路と、前記記録動作のための記録誤り訂正処理回路と、ホスト機器に接続可能なホストインターフェース回路と、半導体メモリに接続可能なメモリ制御回路とを具備して、
前記メモリ制御回路は、調停回路とカウント回路とを含み、
前記調停回路は、前記再生誤り訂正処理回路と前記記録誤り訂正処理回路の誤り訂正処理に関係して前記半導体メモリをアクセスするためのＥＣＣアクセスリクエストと、前記ホスト機器とのホストインターフェースに関係して前記ホストインターフェース回路が前記半導体メモリをアクセスするためのホストインターフェースアクセスリクエストとを、事前に設定された優先順位によって調停可能とされ、
前記事前に設定された優先順位によって前記調停回路は、前記ＥＣＣアクセスリクエストを前記ホストインターフェースアクセスリクエストよりも高い優先順位で調停して、
前記カウント回路には、前記再生動作と前記記録動作とに関係した動作モード信号が供給可能とされ、
前記カウント回路は、前記再生誤り訂正処理回路と前記記録誤り訂正処理回路から出力される前記ＥＣＣアクセスリクエストの出力回数をカウントして、
前記カウント回路がカウントした前記ＥＣＣアクセスリクエストの前記出力回数が前記動作モード信号によって指定された動作モードにおける所定の出力回数と一致することに応答して、前記カウント回路はカウント終了信号を生成して、
前記所定の出力回数は、前記光ディスクの１個のＥＣＣブロックまたは当該１個のＥＣＣブロックの整数倍のデータに関係して前記半導体メモリをアクセスするために必要な前記ＥＣＣアクセスリクエストの出力回数に対応して、
前記カウント回路から生成される前記カウント終了信号に応答して、前記調停回路は前記事前に設定された優先順位からアクセス調停の優先順位の切り替えを実行して、
前記切り替え後の前記アクセス調停の優先順位によって前記調停回路は、前記ＥＣＣアクセスリクエストよりも前記ホストインターフェースアクセスリクエストを高い優先順位で調停する
ことを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路。
【請求項２】
請求項１において、
前記１個のＥＣＣブロックは、前記再生誤り訂正処理回路と前記記録誤り訂正処理回路の前記誤り訂正処理の最小単位である
ことを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路。
【請求項３】
請求項２において、
前記光ディスク記録再生装置に内蔵されるピックアップの再生信号が前記光ディスク記録再生装置に内蔵される復調回路に供給されることにより、前記復調回路から生成される再生データが前記再生誤り訂正処理回路に供給可能とされ、
前記再生誤り訂正処理回路は、前記復調回路から生成される前記再生データに関して再生誤り訂正処理を実行可能とされ、
前記記録誤り訂正処理回路は前記メモリ制御回路を介して前記半導体メモリから読み出される記録情報に関して記録誤り訂正処理を実行可能とされ、前記記録誤り訂正処理の後の記録データは前記光ディスク記録再生装置に内蔵される変調回路を介して前記ピックアップに供給可能とされる
ことを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路。
【請求項４】
請求項３において、
前記再生動作時において、前記カウント回路は、前記１個のＥＣＣブロックの先頭を示す再生クラスタ同期信号を前記復調回路から受信するものであり、
前記記録動作時において、前記カウント回路は、前記１個のＥＣＣブロックの先頭を示す記録クラスタ同期信号を前記変調回路から受信するものであり、
前記再生クラスタ同期信号と前記記録クラスタ同期信号のうち前記カウント回路に早期に供給される同期信号によって、前記カウント回路がカウントした前記ＥＣＣアクセスリクエストの前記出力回数がカウント初期値にリセット可能とされる
ことを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路。
【請求項５】
請求項４において、
早期に供給される前記同期信号によって前記カウント回路がリセットされることに応答して、前記調停回路は前記切り替え後の前記アクセス調停の優先順位から前記事前に設定された優先順位に復帰する
ことを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路。
【請求項６】
請求項５において、
前記光ディスク記録再生用半導体集積回路は、前記メモリ制御回路に接続された中央処理ユニットを更に具備して、
前記中央処理ユニットは、前記再生動作としての一般再生と特殊再生と前記記録動作としての一般記録と特殊記録を指定する前記動作モード信号を前記カウント回路に供給可能とされた
ことを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路。
【請求項７】
請求項６において、
前記復調回路から生成される前記再生データと前記変調回路に供給される前記記録データとに関するチャネルアクセスリクエストと、前記中央処理ユニットからのＣＰＵアクセスリクエストとを、前記調停回路は調停可能とされた
ことを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路。
【請求項８】
請求項７において、
前記事前に設定された優先順位と前記切り替え後の前記アクセス調停の優先順位のいずれにおいても、前記調停回路は前記チャネルアクセスリクエストを両方の優先順位の１番目に設定して、前記調停回路は前記ＣＰＵアクセスリクエストを前記両方の優先順位の２番目に設定して、前記調停回路は前記ＥＣＣリクエストと前記ホストインターフェースアクセスリクエストとを前記両方の優先順位の３番目以下に設定する
ことを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路。
【請求項９】
請求項７において、
前記半導体メモリは、ダイナミックランダムアクセスメモリである
ことを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路。
【請求項１０】
請求項９において、
前記光ディスク記録再生用半導体集積回路の半導体チップと、前記半導体メモリとしての前記ダイナミックランダムアクセスメモリの半導体チップとは、単一の封止パッケージに内蔵された
ことを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路。
【請求項１１】
光ディスクから情報を読み出すことによって再生動作を実行して、前記光ディスクに情報を書き込むことによって記録動作を実行する光ディスク記録再生装置に内蔵可能な光ディスク記録再生用半導体集積回路の動作方法であって、
前記光ディスク記録再生用半導体集積回路は、前記再生動作のための再生誤り訂正処理回路と、前記記録動作のための記録誤り訂正処理回路と、ホスト機器に接続可能なホストインターフェース回路と、半導体メモリに接続可能なメモリ制御回路とを具備して、
前記メモリ制御回路は、調停回路とカウント回路とを含み、
前記調停回路は、前記再生誤り訂正処理回路と前記記録誤り訂正処理回路の誤り訂正処理に関係して前記半導体メモリをアクセスするためのＥＣＣアクセスリクエストと、前記ホスト機器とのホストインターフェースに関係して前記ホストインターフェース回路が前記半導体メモリをアクセスするためのホストインターフェースアクセスリクエストとを、事前に設定された優先順位によって調停可能とされ、
前記事前に設定された優先順位によって前記調停回路は、前記ＥＣＣアクセスリクエストを前記ホストインターフェースアクセスリクエストよりも高い優先順位で調停して、
前記カウント回路には、前記再生動作と前記記録動作とに関係した動作モード信号が供給可能とされ、
前記カウント回路は、前記再生誤り訂正処理回路と前記記録誤り訂正処理回路から出力される前記ＥＣＣアクセスリクエストの出力回数をカウントして、
前記カウント回路がカウントした前記ＥＣＣアクセスリクエストの前記出力回数が前記動作モード信号によって指定された動作モードにおける所定の出力回数と一致することに応答して、前記カウント回路はカウント終了信号を生成して、
前記所定の出力回数は、前記光ディスクの１個のＥＣＣブロックまたは当該１個のＥＣＣブロックの整数倍のデータに関係して前記半導体メモリをアクセスするために必要な前記ＥＣＣアクセスリクエストの出力回数に対応して、
前記カウント回路から生成される前記カウント終了信号に応答して、前記調停回路は前記事前に設定された優先順位からアクセス調停の優先順位の切り替えを実行して、
前記切り替え後の前記アクセス調停の優先順位によって前記調停回路は、前記ＥＣＣアクセスリクエストよりも前記ホストインターフェースアクセスリクエストを高い優先順位で調停する
ことを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路の動作方法。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記１個のＥＣＣブロックは、前記再生誤り訂正処理回路と前記記録誤り訂正処理回路の前記誤り訂正処理の最小単位である
ことを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路の動作方法。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記光ディスク記録再生装置に内蔵されるピックアップの再生信号が前記光ディスク記録再生装置に内蔵される復調回路に供給されることにより、前記復調回路から生成される再生データが前記再生誤り訂正処理回路に供給可能とされ、
前記再生誤り訂正処理回路は、前記復調回路から生成される前記再生データに関して再生誤り訂正処理を実行可能とされ、
前記記録誤り訂正処理回路は前記メモリ制御回路を介して前記半導体メモリから読み出される記録情報に関して記録誤り訂正処理を実行可能とされ、前記記録誤り訂正処理の後の記録データは前記光ディスク記録再生装置に内蔵される変調回路を介して前記ピックアップに供給可能とされる
ことを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路の動作方法。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記再生動作時において、前記カウント回路は、前記１個のＥＣＣブロックの先頭を示す再生クラスタ同期信号を前記復調回路から受信するものであり、
前記記録動作時において、前記カウント回路は、前記１個のＥＣＣブロックの先頭を示す記録クラスタ同期信号を前記変調回路から受信するものであり、
前記再生クラスタ同期信号と前記記録クラスタ同期信号のうち前記カウント回路に早期に供給される同期信号によって、前記カウント回路がカウントした前記ＥＣＣアクセスリクエストの前記出力回数がカウント初期値にリセット可能とされる
ことを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路の動作方法。
【請求項１５】
請求項１４において、
早期に供給される前記同期信号によって前記カウント回路がリセットされることに応答して、前記調停回路は前記切り替え後の前記アクセス調停の優先順位から前記事前に設定された優先順位に復帰する
ことを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路の動作方法。
【請求項１６】
請求項１５において、
前記光ディスク記録再生用半導体集積回路は、前記メモリ制御回路に接続された中央処理ユニットを更に具備して、
前記中央処理ユニットは、前記再生動作としての一般再生と特殊再生と前記記録動作としての一般記録と特殊記録を指定する前記動作モード信号を前記カウント回路に供給可能とされた
ことを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路の動作方法。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記復調回路から生成される前記再生データと前記変調回路に供給される前記記録データとに関するチャネルアクセスリクエストと、前記中央処理ユニットからのＣＰＵアクセスリクエストとを、前記調停回路は調停可能とされた
ことを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路の動作方法。
【請求項１８】
請求項１７において、
前記事前に設定された優先順位と前記切り替え後の前記アクセス調停の優先順位のいずれにおいても、前記調停回路は前記チャネルアクセスリクエストを両方の優先順位の１番目に設定して、前記調停回路は前記ＣＰＵアクセスリクエストを前記両方の優先順位の２番目に設定して、前記調停回路は前記ＥＣＣリクエストと前記ホストインターフェースアクセスリクエストとを前記両方の優先順位の３番目以下に設定する
ことを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路の動作方法。
【請求項１９】
請求項１７において、
前記半導体メモリは、ダイナミックランダムアクセスメモリである
ことを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路の動作方法。
【請求項２０】
請求項１９において、
前記光ディスク記録再生用半導体集積回路の半導体チップと、前記半導体メモリとしての前記ダイナミックランダムアクセスメモリの半導体チップとは、単一の封止パッケージに内蔵された
ことを特徴とする光ディスク記録再生用半導体集積回路の動作方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスク記録再生用半導体集積回路およびその動作方法に関し、特に特殊な記録動作や特殊な再生動作への対応を容易とするのに有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＤＶＤ(Digital Versatile Disc)やＢＤ(Blu-Ray Disc)等の光ディスクの読み出し動作(再生動作)と書き込み動作(記録動作)とを実行可能な光ディスク記録再生装置では、光ディスク等の記録媒体から読み出したデータをＳＤＲＡＭ(同期型ダイナミックランダムアクセスメモリ)等の大容量半導体メモリに一次記憶して誤り訂正等の処理を実行して、更に誤り訂正の後のデータはＳＤＲＡＭ等のメモリに書き戻される。ＳＤＲＡＭ等のメモリが光ディスク記録再生装置の復調部とＥＣＣデコーダとマイクロプロセッサとホストデータ転送部とによってアクセスされる際には、アービタはアクセスの調停を実行する。このアービタによるアクセス調停が事前に設定された優先順序によって決定され優先順序の最下位にＥＣＣ処理が設定されると、その他の高い優先順位のバスマスタからの読み出し要求が生じた場合には優先順序の低いＥＣＣ処理が長期間停止されると言う問題がある。
【０００３】
下記特許文献１には、この問題を解決するために、ディスク再生クロックを分周カウンタにより分周して分周クロックをＥＣＣデコーダに供給してＥＣＣデコーダからの割り込み要求がアービタにより受信されると、アービタは次のアクセス許容タイミングにおいてＥＣＣデコーダからのアクセス要求を許容してＥＣＣデコーダのアクセス権を最下位から最上位に引き上げることが記載されている。
【０００４】
下記特許文献２には、波長４０５ｎｍのレーザ(いわゆる、青色レーザ)を使用して情報記録と情報再生とが可能な高密度ディスクとしてのＢＤ(Blu-Ray Disc)のユーザデータと管理データについてのＥＣＣフォーマットが記載され、ＥＣＣ(エラー訂正コード)としてはロングディスタンスコード(ＬＤＣ：Long Distance Code)とバーストインディケータサブコード(ＢＩＳ：Burst Indicator Subcode)との２つがあることも記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−７５８６１号  公報
【特許文献２】特開２００４−１４０８８号  公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明者等は本発明に先立って、ＤＶＤやＢＤ等の光ディスクの書き込み動作(記録動作)と読み出し動作(再生動作)とを実行可能な光ディスク記録再生用半導体集積回路の開発に従事した。
【０００７】
この光ディスク記録再生用半導体集積回路には、通常の記録動作と通常の再生動作だけではなく、リード・アフター・ライト動作やフル記録やベリファイ再生等の特殊な記録動作や特殊な再生動作が必要とされた。このリード・アフター・ライト動作は、記憶媒体へのデータの書き込みを行なった直後に記録されたデータを再生して再生データと記録元データを比較して両方のデータが一致しない場合には、書き込みが失敗したと判定して再書き込みを実行する動作である。フル記録は、記録途中で記録停止を行った場合に未記録のスクランブルデータを記録ＥＣＣ回路が再スクランブルを行い再スクランブルデータとパリティとをＳＤＲＡＭ等のメモリへ転送する動作である。ベリファイ再生は、ＥＣＣチェック結果のみ出力する再生動作である。
【０００８】
このようにリード・アフター・ライト動作やフル記録やベリファイ再生等の特殊な記録動作や特殊な再生動作が必要とされる光ディスク記録再生用半導体集積回路において、ＳＤＲＡＭ等のメモリのアクセス調停方式を検討するために、本発明に先立って本発明者等は上記特許文献１に記載された方式を詳細に検討したものである。
【０００９】
上記特許文献１に記載された方式では、記録媒体を記録または再生する際に分周カウンタは記録クロックまたは再生クロックを分周してこの分周クロックからアクセス要求を上位に繰り上げるための割り込み要求を出力するものである。しかしながら、上記特許文献１に記載の方式を上述の特殊な記録動作や特殊な再生動作が必要とされる光ディスク記録再生用半導体集積回路に適用する際に、分周カウンタの分周数をどのような値に設定すべきかと言う具体的なインプリメンテーションが明確でないと言う問題が本発明に先立った本発明者による検討によって明らかとされた。
【００１０】
本発明は、以上のような本発明に先立った本発明者等による検討の結果、なされたものである。
【００１１】
従って、本発明の目的とするところは、光ディスク記録再生用半導体集積回路において、特殊な記録動作や特殊な再生動作への対応を容易とすることにある。
【００１２】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本願において開示される発明のうちの代表的なものについて簡単に説明すれば下記のとおりである。
【００１４】
すなわち、本発明の代表的な実施の形態は、光ディスク(１１)から情報を読み出して再生動作を実行して、前記光ディスクに情報を書き込んで記録動作を実行する光ディスク記録再生装置に内蔵可能な光ディスク記録再生用半導体集積回路(ＬＳＩ)である。
【００１５】
前記光ディスク記録再生用半導体集積回路(ＬＳＩ)は、再生誤り訂正処理回路(１８)と、記録誤り訂正処理回路(１７)と、ホスト機器(２)に接続可能なホストインターフェース回路(１９)と、半導体メモリ(２２)に接続可能なメモリ制御回路(２０)とを具備する。
【００１６】
前記メモリ制御回路(２０)は、調停回路(２００)とカウント回路(２０２)とを含む。
【００１７】
前記調停回路(２００)は、前記再生誤り訂正処理回路(１８)と前記記録誤り訂正処理回路(１７)の誤り訂正処理に関係して前記半導体メモリ(２２)をアクセスするＥＣＣアクセスリクエストと、前記ホスト機器(２)とのホストインターフェースに関係して前記ホストインターフェース回路(１９)が前記半導体メモリ(２２)をアクセスするホストインターフェースアクセスリクエストとを、事前に設定された優先順位によって調停する。
【００１８】
前記事前に設定された優先順位によって前記調停回路(２００)は、前記ＥＣＣアクセスリクエストを前記ホストインターフェースアクセスリクエストよりも高い優先順位で調停する。
【００１９】
前記カウント回路(２０２)には、前記再生動作と前記記録動作とに関係した動作モード信号が供給される。
【００２０】
前記カウント回路は、前記再生誤り訂正処理回路(１８)と前記記録誤り訂正処理回路(１７)から出力される前記ＥＣＣアクセスリクエストの出力回数をカウントする。
【００２１】
前記カウント回路がカウントした前記ＥＣＣアクセスリクエストの前記出力回数が前記動作モード信号によって指定された動作モードにおける所定の出力回数と一致することに応答して、前記カウント回路はカウント終了信号を生成する。
【００２２】
前記所定の出力回数は、前記光ディスクの１個のＥＣＣブロックまたは当該１個のＥＣＣブロックの整数倍のデータに関係して前記半導体メモリをアクセスするために必要な前記ＥＣＣアクセスリクエストの出力回数に対応する。
【００２３】
前記カウント回路から生成される前記カウント終了信号に応答して、前記調停回路は前記事前に設定された優先順位からアクセス調停の優先順位の切り替えを実行する。
【００２４】
前記切り替え後の前記アクセス調停の優先順位によって前記調停回路(２００)は、前記ＥＣＣアクセスリクエストよりも前記ホストインターフェースアクセスリクエストを高い優先順位で調停することを特徴とする(図１参照)。
【発明の効果】
【００２５】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記の通りである。
【００２６】
すなわち、本発明によれば、特殊な記録動作や特殊な再生動作への対応を容易とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１による光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩを内蔵した光ディスク記録再生装置１の構成を示す図である。
【図２】図２は、図１に示した本発明の実施の形態１の光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩに内蔵された再生ＥＣＣ処理回路１８と記録ＥＣＣ処理回路１７とのＥＣＣ処理に関係したＢＤ(Blu-Ray Disc)である光ディスク１１の１個のＥＣＣブロックの構成を示す図である。
【図３】図３は、図１に示す本発明の実施の形態１による光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩを内蔵した光ディスク記録再生装置１のＳＤＲＡＭのメモリ２２に、複数のＥＣＣブロックが格納される様子を示す図である。
【図４】図４は、図１に示した本発明の実施の形態１の光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩに内蔵されたメモリ制御回路２０の調停回路２００によるアクセス調停の優先順位を説明する図である。
【図５】図５は、図１に示した本発明の実施の形態１の光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩに内蔵されたメモリ制御回路２０の調停回路２００におけるアクセス調停の優先順位の切り替えを説明する図である。
【図６】図６は、図１に示した本発明の実施の形態１による光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩを内蔵した光ディスク記録再生装置１が、一般的な再生のフル再生fulldecと特殊再生のベリファイ再生verifydecと特殊記録のフル記録fullencと一般的な記録のパリティ付加記録parityencの各動作を実行する際に、１個のＥＣＣブロックの記録動作や再生動作に必要なＳＤＲＡＭのメモリ２２へのアクセスリクエスト回数を示す図である。
【図７】図７は、図１に示した本発明の実施の形態１の光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩにおける再生ＥＣＣ処理期間信号と記録ＥＣＣ処理期間信号と再生動作と記録動作の種々な動作モードと１個のＥＣＣブロック中のＥＣＣアクセスリクエストの出力回数を示す図である。
【図８】図８は、図１に示した本発明の実施の形態１の光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩにおいて実行される特殊な記録再生動作であるリード・アフター・ライト動作を説明する図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態２による光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩに内蔵されたその他のメモリ制御回路２０の構成を示す図である。
【図１０】図１０は、図９に示した他のメモリ制御回路２０を内蔵する本発明の実施の形態２による光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩの動作を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
１．実施の形態の概要
まず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。代表的な実施の形態についての概要説明で括弧を付して参照する図面の参照符号は、それが付された構成要素の概念に含まれるものを例示するに過ぎない。
【００２９】
〔１〕本発明の代表的な実施の形態は、光ディスク(１１)から情報を読み出すことによって再生動作を実行して、前記光ディスクに情報を書き込むことによって記録動作を実行する光ディスク記録再生装置に内蔵可能な光ディスク記録再生用半導体集積回路(ＬＳＩ)である。
【００３０】
前記光ディスク記録再生用半導体集積回路(ＬＳＩ)は、前記再生動作のための再生誤り訂正処理回路(１８)と、前記記録動作のための記録誤り訂正処理回路(１７)と、ホスト機器(２)に接続可能なホストインターフェース回路(１９)と、半導体メモリ(２２)に接続可能なメモリ制御回路(２０)とを具備する。
【００３１】
前記メモリ制御回路(２０)は、調停回路(２００)とカウント回路(２０２)とを含む。
【００３２】
前記調停回路(２００)は、前記再生誤り訂正処理回路(１８)と前記記録誤り訂正処理回路(１７)の誤り訂正処理に関係して前記半導体メモリ(２２)をアクセスするためのＥＣＣアクセスリクエストと、前記ホスト機器(２)とのホストインターフェースに関係して前記ホストインターフェース回路(１９)が前記半導体メモリ(２２)をアクセスするためのホストインターフェースアクセスリクエストとを、事前に設定された優先順位によって調停可能とされる。
【００３３】
前記事前に設定された優先順位によって前記調停回路(２００)は、前記ＥＣＣアクセスリクエストを前記ホストインターフェースアクセスリクエストよりも高い優先順位で調停する。
【００３４】
前記カウント回路(２０２)には、前記再生動作と前記記録動作とに関係した動作モード信号が供給可能とされる。
【００３５】
前記カウント回路(２０２)は、前記再生誤り訂正処理回路(１８)と前記記録誤り訂正処理回路(１７)から出力される前記ＥＣＣアクセスリクエストの出力回数をカウントする。
【００３６】
前記カウント回路(２０２)がカウントした前記ＥＣＣアクセスリクエストの前記出力回数が前記動作モード信号によって指定された動作モードにおける所定の出力回数と一致することに応答して、前記カウント回路(２０２)はカウント終了信号を生成する。
【００３７】
前記所定の出力回数は、前記光ディスクの１個のＥＣＣブロックまたは当該１個のＥＣＣブロックの整数倍のデータに関係して前記半導体メモリをアクセスするために必要な前記ＥＣＣアクセスリクエストの出力回数に対応する。
【００３８】
前記カウント回路(２０２)から生成される前記カウント終了信号に応答して、前記調停回路(２００)は前記事前に設定された優先順位からアクセス調停の優先順位の切り替えを実行する。
【００３９】
前記切り替え後の前記アクセス調停の優先順位によって前記調停回路(２００)は、前記ＥＣＣアクセスリクエストよりも前記ホストインターフェースアクセスリクエストを高い優先順位で調停することを特徴とするものである(図１参照)。
【００４０】
前記実施の形態によれば、特殊な記録動作や特殊な再生動作への対応を容易とすることができる。
【００４１】
好適な実施の形態では、前記１個のＥＣＣブロックは、前記再生誤り訂正処理回路と前記記録誤り訂正処理回路の前記誤り訂正処理の最小単位であることを特徴とするものである(図２参照)。
【００４２】
他の好適な実施の形態では、前記光ディスク記録再生装置に内蔵されるピックアップ(１２)の再生信号が前記光ディスク記録再生装置に内蔵される復調回路(１４)に供給されることにより前記復調回路(１４)から生成される再生データが前記再生誤り訂正処理回路(１８)に供給可能とされる。
【００４３】
前記再生誤り訂正処理回路(１８)は、前記復調回路(１４)から生成される前記再生データに関して再生誤り訂正処理を実行可能とされる。
【００４４】
前記記録誤り訂正処理回路(１７)は前記メモリ制御回路(２０)を介して前記半導体メモリ(２２)から読み出される記録情報に関して記録誤り訂正処理を実行可能とされて、前記記録誤り訂正処理の後の記録データは前記光ディスク記録再生装置に内蔵される変調回路(１３)を介して前記ピックアップに供給可能とされることを特徴とするものである。
【００４５】
更に他の好適な実施の形態では、前記再生動作時において、前記カウント回路(２０２)は、前記１個のＥＣＣブロックの先頭を示す再生クラスタ同期信号(ＳＹＮＣ)を前記復調回路(１４)から受信するものである。
【００４６】
前記記録動作時において、前記カウント回路(２０２)は、前記１個のＥＣＣブロックの先頭を示す記録クラスタ同期信号(ＳＹＮＣ)を前記変調回路(１３)から受信するものである。
【００４７】
前記再生クラスタ同期信号と前記記録クラスタ同期信号のうち前記カウント回路に早期に供給される同期信号によって、前記カウント回路がカウントした前記ＥＣＣアクセスリクエストの前記出力回数がカウント初期値にリセット可能とされることを特徴とするものである。
【００４８】
より好適な実施の形態では、早期に供給される前記同期信号によって前記カウント回路がリセットされることに応答して、前記調停回路(２００)は前記切り替え後の前記アクセス調停の優先順位から前記事前に設定された優先順位に復帰することを特徴とするものである(図５参照)。
【００４９】
他のより好適な実施の形態による光ディスク記録再生用半導体集積回路は、前記メモリ制御回路(２０)に接続された中央処理ユニット(２１)を更に具備する。
【００５０】
前記中央処理ユニットは、前記再生動作としての一般再生(fulldec)と特殊再生(verifydec)と前記記録動作としての一般記録(parityenc)と特殊記録(fullenc)を指定する前記動作モード信号を前記カウント回路(２０２)に供給可能とされたことを特徴とするものである。
【００５１】
更に他のより好適な実施の形態では、前記復調回路(１４)から生成される前記再生データと前記変調回路(１３)に供給される前記記録データとに関するチャネルアクセスリクエスト(ＣＨ)と、前記中央処理ユニット(２１)からのＣＰＵアクセスリクエスト(ＣＰＵ)とを、前記調停回路(２００)は調停可能とされたことを特徴とするものである。
【００５２】
別のより好適な実施の形態では、前記事前に設定された優先順位と前記切り替え後の前記アクセス調停の優先順位のいずれにおいても、前記調停回路は前記チャネルアクセスリクエストを両方の優先順位の１番目に設定して、前記調停回路は前記ＣＰＵアクセスリクエストを前記両方の優先順位の２番目に設定して、前記調停回路は前記ＥＣＣリクエストと前記ホストインターフェースアクセスリクエストとを前記両方の優先順位の３番目以下に設定することを特徴とするものである(図４参照)。
【００５３】
具体的な実施の形態では、前記半導体メモリ(２２)は、ダイナミックランダムアクセスメモリであることを特徴とするものである(図１参照)。
【００５４】
最も具体的な実施の形態では、前記光ディスク記録再生用半導体集積回路(ＬＳＩ)の半導体チップと、前記半導体メモリとしての前記ダイナミックランダムアクセスメモリの半導体チップとは、単一の封止パッケージに内蔵されたことを特徴とするものである(図１参照)。
【００５５】
〔２〕本発明の別の観点の代表的な実施の形態は、光ディスク(１１)から情報を読み出すことによって再生動作を実行して、前記光ディスクに情報を書き込むことによって記録動作を実行する光ディスク記録再生装置に内蔵可能な光ディスク記録再生用半導体集積回路(ＬＳＩ)の動作方法である。
【００５６】
前記光ディスク記録再生用半導体集積回路(ＬＳＩ)は、前記再生動作のための再生誤り訂正処理回路(１８)と、前記記録動作のための記録誤り訂正処理回路(１７)と、ホスト機器(２)に接続可能なホストインターフェース回路(１９)と、半導体メモリ(２２)に接続可能なメモリ制御回路(２０)とを具備する。
【００５７】
前記メモリ制御回路(２０)は、調停回路(２００)とカウント回路(２０２)とを含む。
【００５８】
前記調停回路(２００)は、前記再生誤り訂正処理回路(１８)と前記記録誤り訂正処理回路(１７)の誤り訂正処理に関係して前記半導体メモリ(２２)をアクセスするためのＥＣＣアクセスリクエストと、前記ホスト機器(２)とのホストインターフェースに関係して前記ホストインターフェース回路(１９)が前記半導体メモリ(２２)をアクセスするためのホストインターフェースアクセスリクエストとを、事前に設定された優先順位によって調停可能とされる。
【００５９】
前記事前に設定された優先順位によって前記調停回路(２００)は、前記ＥＣＣアクセスリクエストを前記ホストインターフェースアクセスリクエストよりも高い優先順位で調停する。
【００６０】
前記カウント回路(２０２)には、前記再生動作と前記記録動作とに関係した動作モード信号が供給可能とされる。
【００６１】
前記カウント回路(２０２)は、前記再生誤り訂正処理回路(１８)と前記記録誤り訂正処理回路(１７)から出力される前記ＥＣＣアクセスリクエストの出力回数をカウントする。
【００６２】
前記カウント回路(２０２)がカウントした前記ＥＣＣアクセスリクエストの前記出力回数が前記動作モード信号によって指定された動作モードにおける所定の出力回数と一致することに応答して、前記カウント回路(２０２)はカウント終了信号を生成する。
【００６３】
前記所定の出力回数は、前記光ディスクの１個のＥＣＣブロックまたは当該１個のＥＣＣブロックの整数倍のデータに関係して前記半導体メモリをアクセスするために必要な前記ＥＣＣアクセスリクエストの出力回数に対応する。
【００６４】
前記カウント回路(２０２)から生成される前記カウント終了信号に応答して、前記調停回路(２００)は前記事前に設定された優先順位からアクセス調停の優先順位の切り替えを実行する。
【００６５】
前記切り替え後の前記アクセス調停の優先順位によって前記調停回路(２００)は、前記ＥＣＣアクセスリクエストよりも前記ホストインターフェースアクセスリクエストを高い優先順位で調停することを特徴とするものである(図１参照)。
【００６６】
前記実施の形態によれば、特殊な記録動作や特殊な再生動作への対応を容易とすることができる。
【００６７】
２．実施の形態の詳細
次に、実施の形態について更に詳述する。尚、発明を実施するための最良の形態を説明するための全図において、前記の図と同一の機能を有する部品には同一の符号を付して、その繰り返しの説明は省略する。
【００６８】
［実施の形態１］
《光ディスク記録再生装置の構成》
図１は、本発明の実施の形態１による光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩを内蔵した光ディスク記録再生装置１の構成を示す図である。
【００６９】
図１に示すように光ディスク記録再生装置１は、本発明の実施の形態１による光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩと光ヘッドピックアップ１２と変調回路１３と復調回路１４とＳＤＲＡＭの半導体メモリ２２によって構成される。光ディスク記録再生装置１は、着脱可能なＤＶＤやＢＤ等の光ディスク１１から読み出しデータを読み出しホストコンピュータ２に供給することによって再生動作を実行する一方、ホストコンピュータ２からの書き込みデータを着脱可能な光ディスク１１に書き込むことによって記録動作を実行するものである。
【００７０】
光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩは、インターリーブ回路１５とデインターリーブ回路１６と記録ＥＣＣ処理回路１７と再生ＥＣＣ処理回路１８とＳｅｒｉａｌ−ＡＴＡＰＩインターフェース回路１９とメモリ制御回路２０と中央処理ユニット(ＣＰＵ)２１とによって構成されている。メモリ制御回路２０は、調停回路２００と自動ＡＴＡＰＩ／ＥＣＣ優先順位切り替え回路２０１とＥＣＣリクエストカウント回路２０２を含んでいる。尚、光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩには、図示しないクロック発生器から生成されるマスタクロックが供給される。尚、ＡＴＡＰＩは、Advanced Technology Attachment Packet Interfaceの略である。特に、光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩとＳＤＲＡＭの半導体メモリ２２とは、ＳＩＰ(System in Package)またはＭＣＰ(Multi Chip Module)と呼ばれる混成半導体集積回路の形態に形成されることが可能である。すなわち、ＳＤＲＡＭの半導体メモリ２２の半導体チップは、光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩの半導体チップを内蔵する樹脂封止パッケージの内部に内蔵されることが可能である。
【００７１】
着脱可能な光ディスク１１は、スピンドルモータ(図示せず)に保持され回転する。光ヘッドピックアップ１２は、情報の記録および再生を行うレーザ光を発光する半導体レーザと、半導体レーザからのレーザ光を光ディスク１１の面上に光スポットとして形成する光学レンズと、光ディスク１０からの反射光を使用して情報の再生および自動焦点およびトラック追跡等の光点制御を実行するための光検出器とによって構成され、光ディスク１１に情報の書き込み動作(記録動作)を実行する一方、光ディスク１１から情報の読み出し動作(再生動作)を実行する。光ディスク記録再生装置１はホストコンピュータ２と接続されることによって、ホストコンピュータ２から供給される命令や情報データが中央処理ユニット(ＣＰＵ)２１に供給されて、中央処理ユニット(ＣＰＵ)２１が情報の記録動作、情報の再生動作およびピックアップ１２のシーク動作を制御する。
【００７２】
《再生動作》
再生動作は、ホストコンピュータ２から中央処理ユニット(ＣＰＵ)２１に再生開始指示を行うことによって実行される。光ヘッドピックアップ１２からの再生信号は、光ディスク１１のデータを抽出する復調回路１４と、図示しないデスクランブル回路と、デインターリーブ回路１６と、再生ＥＣＣ処理回路１８とを介して再生される。光ディスク１１から再生された大量のデータは、メモリ制御回路２０によって一時的にＳＤＲＡＭのメモリ２２に格納される。
【００７３】
復調回路１４の復調出力信号がデインターリーブ回路１６によってデインターリーブされて、図示しないデスクランブル回路によってデスクランブルされることで生成されるチャネル再生データは、ＳＤＲＡＭのメモリ２２にメモリ制御回路２０を介して格納される。一方、ＳＤＲＡＭのメモリ２２からメモリ制御回路２０を介して読み出される再生データは再生ＥＣＣ処理回路１８で誤り訂正処理されて、誤り訂正処理後の再生データは再度メモリ制御回路２０を介してＳＤＲＡＭのメモリ２２に格納される。ＳＤＲＡＭのメモリ２２に格納された再生データは、Ｓｅｒｉａｌ−ＡＴＡＰＩインターフェース回路１９を介して、ホストコンピュータ２に出力される。尚、この再生動作の間には、光ヘッドピックアップ１２の半導体レーザは、比較的低出力のレーザ光を発光する。
【００７４】
《記録動作》
記録動作は、ホストコンピュータ２から中央処理ユニット(ＣＰＵ)２１に記録開始指示を行うことによって実行される。Ｓｅｒｉａｌ−ＡＴＡＰＩインターフェイス回路１９を介して供給されるホストコンピュータ２からの記録データは、記録ＥＣＣ処理回路１７と、図示しないスクランブル回路と、インターリーブ回路１５と、変調回路１３とによってＮＲＺＩ記録データに変換される。尚、ＮＲＺＩは、非ゼロ復帰反転(Non Return to Zero Inversion)すなわち負論理のＮＲＺを意味している。大量の記録データは、メモリ制御回路２０によって一時的にＳＤＲＡＭのメモリ２２に格納される。その際に、インターリーブ回路１５によってインターリーブされたチャネル記録データが、メモリ制御回路２０を介してＳＤＲＡＭのメモリ２２に格納される。一方、ＳＤＲＡＭのメモリ２２からメモリ制御回路２０を介して読み出される記録データは記録ＥＣＣ処理回路１７で記録ＥＣＣ処理され、記録ＥＣＣ処理後の記録データは再度メモリ制御回路２０を介してＳＤＲＡＭのメモリ２２に格納される。このようにして生成されたＮＲＺＩ記録データに応答して光ヘッドピックアップ１２が書き込みレーザ光を光ディスク１１に照射することによって、記録動作が実行される。
【００７５】
《メモリ制御回路》
メモリ制御回路２０は、調停回路２００と自動ＡＴＡＰＩ／ＥＣＣ優先順位切り替え回路２０１とＥＣＣリクエストカウント回路２０２とを含んでいる。
【００７６】
調停回路２００は、ＳＤＲＡＭのメモリ２２へのアクセスを要求する複数のバスマスタとしての変調回路１３と復調回路１４と記録ＥＣＣ処理回路１７と再生ＥＣＣ処理回路１８とＳｅｒｉａｌ−ＡＴＡＰＩインターフェース回路１９と中央処理ユニット(ＣＰＵ)２１とからの複数のアクセスを調停するアービタとして機能する。調停回路２００によるアクセス調停は、通常は事前に設定された優先順位によって決定される。
【００７７】
この事前に設定された優先順位によって決定される通常のアクセス調停では、Ｓｅｒｉａｌ−ＡＴＡＰＩインターフェース回路１９からのＡＴＡＰＩアクセスリクエストが優先順位の最下位に設定され、更に記録ＥＣＣ処理回路１７と再生ＥＣＣ処理回路１８とからのＥＣＣアクセスリクエストが優先順位の最下位より１つ高い順位に設定される。しかしながら、ＡＴＡＰＩアクセスリクエストを優先とする優先順位切り替えフラグ出力信号“１”が自動ＡＴＡＰＩ／ＥＣＣ優先順位切り替え回路２０１から調停回路２００に供給された場合には、調停回路２００によるアクセス調停では優先順位の最下位と最下位より１つ高い順位の切り替えが実行される。すなわち、ＥＣＣアクセスリクエストが優先順位の最下位に設定され、ＡＴＡＰＩアクセスリクエストが優先順位の最下位よりも１つ高い順位に設定される。しかし、ＳＤＲＡＭのメモリ２２の次のアクセスサイクルでの調停回路２００によるアクセス調停は通常の事前設定された優先順位に戻されるので、ＡＴＡＰＩアクセスリクエストが優先順位の最下位に設定されて、ＥＣＣアクセスリクエストが優先順位の最下位よりも１つ高い順位に設定される。アクセス調停で通常の事前設定された優先順位に戻されるＳＤＲＡＭのメモリ２２のアクセスサイクルの開始は、下記に説明する再生クラスタ同期信号ＳＹＮＣと記録クラスタ同期信号ＳＹＮＣのうちＥＣＣリクエストカウント回路２０２に早期に供給される信号によって指定される。
【００７８】
再生動作時に、ＥＣＣリクエストカウント回路２０２は、再生ＥＣＣ処理期間信号を再生ＥＣＣ処理回路１８から受け取る。また記録動作時に、ＥＣＣリクエストカウント回路２０２は、記録ＥＣＣ処理期間信号を記録ＥＣＣ処理回路１７から受け取る。また再生動作時に、ＥＣＣリクエストカウント回路２０２は、１個のＥＣＣブロックの先頭を示す再生クラスタ同期信号ＳＹＮＣを復調回路１４から受け取る。記録動作時に、ＥＣＣリクエストカウント回路２０２は、１個のＥＣＣブロックの先頭を示す記録クラスタ同期信号ＳＹＮＣを変調回路１３から受け取る。
【００７９】
ＥＣＣリクエストカウント回路２０２は、再生ＥＣＣ処理回路１８と記録ＥＣＣ処理回路１７とから出力されるＥＣＣリクエスト信号の出力回数をカウントする。すなわち、ＥＣＣリクエスト信号は、再生ＥＣＣ処理回路１８と記録ＥＣＣ処理回路１７とのＥＣＣ処理に関係してＳＤＲＡＭのメモリ２２へのデータ書き込みアクセスまたはデータ読み出しアクセスのための要求信号である。またＥＣＣリクエストカウント回路２０２のカウンタ値は、復調回路１４からの再生クラスタ同期信号ＳＹＮＣと変調回路１３からの記録クラスタ同期信号ＳＹＮＣとによってリセットされて、カウント初期値“０”に復帰される。またＥＣＣリクエストカウント回路２０２は、中央処理ユニット(ＣＰＵ)２１から供給される記録再生・動作モード切り替え信号に応答して、記録動作と再生動作の種々の動作モードで、各動作モードで相違したＥＣＣリクエスト信号の出力回数のカウント動作を実行する。中央処理ユニット(ＣＰＵ)２１から供給される記録再生・動作モード切り替え信号は、一般的な再生のフル再生fulldecと、特殊再生のベリファイ再生verifydecと、特殊記録のフル記録fullencと、一般的な記録のパリティ付加記録parityencとを指定する。ＥＣＣリクエストカウント回路２０２は、各動作モードで固有の出力回数のＥＣＣリクエスト信号のカウント動作を終了すると、カウント終了信号を出力する。記録動作と再生動作の各動作モードでＥＣＣリクエストカウント回路２０２がカウント終了信号を出力するＥＣＣリクエスト信号の固有の出力回数は、１個のＥＣＣブロックの記録動作や再生動作に必要なＳＤＲＡＭのメモリ２２へのアクセスリクエストの回数に対応する。
【００８０】
自動ＡＴＡＰＩ／ＥＣＣ優先順位切り替え回路２０１は、ＥＣＣリクエストカウント回路２０２から供給されるカウント終了信号に応答して、ＡＴＡＰＩアクセスリクエストを優先とする優先順位切り替えフラグ出力信号“１”を調停回路２００に供給する。従って、調停回路２００によるアクセス調停では優先順位の最下位と最下位より１つ高い順位の切り替えが実行されるので、ＥＣＣアクセスリクエストが優先順位の最下位に設定され、ＡＴＡＰＩアクセスリクエストが優先順位の最下位よりも１つ高い順位に設定される。
【００８１】
《１個のＥＣＣブロック》
図２は、図１に示した本発明の実施の形態１の光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩに内蔵された再生ＥＣＣ処理回路１８と記録ＥＣＣ処理回路１７とのＥＣＣ処理に関係したＢＤ(Blu-Ray Disc)である光ディスク１１の１個のＥＣＣブロックの構成を示す図である。
【００８２】
図２に示した１個のＥＣＣブロックは、ＥＣＣ(エラー訂正コード)による誤り訂正処理の最小単位である。従って、図２に示した１個のＥＣＣブロックを複数のサブブロックに分割したとすると、ＥＣＣによる誤り訂正処理は不可能となる。
【００８３】
図２に示したＢＤ(Blu-Ray Disc)の１個のＥＣＣブロックには、上記特許文献２に記載されているように、６４ＫＢ(＝１セクター２０４８B×３２セクター)のデータサイズのユーザデータが格納される。６４ＫＢのユーザデータは、ロングディスタンスコード(ＬＤＣ：Long Distance Code)と呼ばれるコードと、バーストインディケータサブコード(ＢＩＳ：Burst Indicator Subcode)と呼ばれるコードとで保護されている。
【００８４】
図２に示すように、１個のＥＣＣブロックには、３８Ｂのユーザデータを４個含み１ＢのＢＩＳを３個含む合計１５５Ｂのフレームが４９６行(４９６フレーム)含まれている。１個のＥＣＣブロックの一番左側には、合計１５５Ｂのフレームの先頭を示すフレームシンク(フレーム同期信号)ＦＳが配置されている。
【００８５】
１セクター２０４８Bのユーザデータに４Ｂの誤り検出コード(ＥＤＣ：Error Detection Code)を付加して、３２セクターに対してＬＤＣを符号化する。ＬＤＣは３０４個のコードワードで構成され、２１６Ｂの情報シンボルと３２Ｂのパリティシンボルとから構成される。従って、ＬＤＣは、ＲＳ(２４８，２１６，３３)、すなわち、符号長２４８、データ２１６、ディスタンス３３のＲＳ(Read Solomon)コードであり、１６シンボルまで訂正可能である。
【００８６】
記録データのアドレス情報等の管理データは、ＢＩＳ(Burst Indicator Subcode)を使用してＥＣＣエンコードされる。ＢＩＳは、３０Ｂの情報シンボルと３２Ｂのパリティシンボルとから構成される。従って、ＢＩＳは、ＲＳ(６２、３０、３３)、すなわち符号長６２、データ３０、ディスタンス３３のＲＳ(Read Solomon)コードである。言い換えると、ＢＩＳの情報シンボルは記録データのアドレス情報を含むもので、記録データのアドレス情報の誤り訂正のためにユーザデータとは別個のＲＳ(Read Solomon)コードが用意されている。従って、消失訂正と呼ばれるＢＩＳの訂正結果を元に事前にユーザデータの誤りと推測されるシンボルの場所を特定して訂正する方法を採用することが可能となる。この場所の特定が誤りのシンボルに一致する場合には、最大３２シンボルまで訂正可能である。
【００８７】
《ＳＤＲＡＭ》
図３は、図１に示す本発明の実施の形態１による光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩを内蔵した光ディスク記録再生装置１のＳＤＲＡＭのメモリ２２に、複数のＥＣＣブロックが格納される様子を示す図である。複数のＥＣＣブロックの各ＥＣＣブロックは、ＬＤＣ領域と、ＢＩＳ領域と、ダミー領域(ｄｕｍｍｙ)とを含んでいる。
【００８８】
ＬＤＣ領域には、２１６Ｂの情報シンボルのＬＤＣデータと３２ＢのパリティシンボルのＬＤＣパリティとからなるコードワードが３０４個格納される。
【００８９】
ＢＩＳ領域には、３０Ｂの情報シンボルのＢＩＳデータと３２ＢのパリティシンボルのＢＩＳパリティとからなるコードワードが２４個格納される。
【００９０】
ダミー領域(ｄｕｍｍｙ)には、ステータスやモニタ等の情報が格納され、更に光ディスク記録再生装置のメーカーや設計会社が光ディスク記録再生装置１のファームウェアを開発する際に必要な情報が格納される。
【００９１】
《アクセス調停の優先順位》
図４は、図１に示した本発明の実施の形態１の光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩに内蔵されたメモリ制御回路２０の調停回路２００によるアクセス調停の優先順位を説明する図である。
【００９２】
図４の左には優先順位の順番が示され、図４の中央には事前に設定された優先順位が示され、図４の右には調停回路２００にＡＴＡＰＩアクセスリクエストを優先とする優先順位切り替えフラグ出力信号“１”が自動ＡＴＡＰＩ／ＥＣＣ優先順位切り替え回路２０１から供給されることで調停回路２００によるアクセス調停の優先順位の切り替えが実行された場合の優先順位が示されている。
【００９３】
図４で、まずＣＨは、変調回路１３とインターリーブ回路１５とに供給されるチャネル記録データおよび復調回路１４とデインターリーブ回路１６から供給されるチャネル再生データに関するＳＤＲＡＭのメモリ２２のチャネルアクセスリクエストを示す。また図４で、ＣＰＵは中央処理ユニット(ＣＰＵ)２１によるＳＤＲＡＭのメモリ２２のＣＰＵアクセスリクエストを示し、ＥＣＣは記録ＥＣＣ処理回路１７と再生ＥＣＣ処理回路１８によるＳＤＲＡＭのメモリ２２のＥＣＣアクセスリクエストを示し、ＡＴＡＰＩはＳｅｒｉａｌ−ＡＴＡＰＩインターフェース回路１９によるＳＤＲＡＭのメモリ２２のＡＴＡＰＩアクセスリクエストを示している。
【００９４】
図４の中央の事前に設定された優先順位では、光ディスク１１の読み出し動作と書き込み動作とを最優先とするために、チャネルアクセスリクエストＣＨは、優先順位の最上位の１番目に設定される。その次に、中央処理ユニット(ＣＰＵ)２１はホストコンピュータ２からの割り込み要求に高速に応答する必要性があるので、ＣＰＵアクセスリクエストは、優先順位の２番目に設定される。更にその次に、記録ＥＣＣ処理回路１７と再生ＥＣＣ処理回路１８によるＥＣＣ処理に関するＥＣＣアクセスリクエストは、優先順位の３番目に設定される。最後に、Ｓｅｒｉａｌ−ＡＴＡＰＩインターフェース回路１９によるホストデータ転送に関するＡＴＡＰＩアクセスリクエストは、優先順位の最下位の４番目に設定される。
【００９５】
図４の右の順位切り替え後の優先順位では、ＥＣＣアクセスリクエストは、優先順位の最下位の４番目に設定され、Ｓｅｒｉａｌ−ＡＴＡＰＩインターフェース回路１９によるホストデータ転送に関するＡＴＡＰＩアクセスリクエストは、優先順位の３番目に設定される。
【００９６】
《アクセス調停の優先順位の切り替え》
図５は、図１に示した本発明の実施の形態１の光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩに内蔵されたメモリ制御回路２０の調停回路２００におけるアクセス調停の優先順位の切り替えを説明する図である。
【００９７】
図５に示すように、図４の中央の事前設定された優先順位５０もしくは図１に示した本発明の実施の形態１による光ディスク記録再生装置１がシステムリセットされたリセット状態５１では、ＥＣＣ優先の状態５２に設定される。すなわち、ＥＣＣ優先の状態５２では、ＥＣＣアクセスリクエストは優先順位の３番目に設定され、ＡＴＡＰＩアクセスリクエストは優先順位の最下位の４番目に設定される。
【００９８】
ＥＣＣ優先の状態５２で、ＥＣＣリクエストカウント回路２０２が記録動作と再生動作との種々の動作モードで固有の出力回数のＥＣＣリクエスト信号のカウント動作を終了してカウント終了信号を出力すると(状態５３)、調停回路２００においてアクセス調停の優先順位の切り替えが実行される。従って、調停回路２００でのアクセス調停は、ＥＣＣ優先の状態５２からＡＴＡＰＩ優先の状態５４に遷移する。すなわち、ＡＴＡＰＩ優先の状態５４では、ＥＣＣアクセスリクエストは優先順位の最下位の４番目に設定され、ＡＴＡＰＩアクセスリクエストは優先順位の３番目に設定される。
【００９９】
ＡＴＡＰＩ優先の状態５４で変調回路１３からの記録クラスタ同期信号ＳＹＮＣまたは復調回路１４からの再生クラスタ同期信号ＳＹＮＣの早期に供給される信号に応答して(状態５５)、ＡＴＡＰＩ優先の状態５４からＥＣＣ優先の状態５２に戻される。すなわち、調停回路２００によるアクセス調停は通常の事前に設定された優先順位に戻されるので、ＡＴＡＰＩアクセスリクエストが優先順位の最下位に設定され、ＥＣＣアクセスリクエストが優先順位の最下位よりも１つ高い順位に設定される。
【０１００】
《ＳＤＲＡＭへのアクセスリクエスト回数》
図６は、図１に示した本発明の実施の形態１による光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩを内蔵した光ディスク記録再生装置１が、一般的な再生のフル再生fulldecと特殊再生のベリファイ再生verifydecと特殊記録のフル記録fullencと一般的な記録のパリティ付加記録parityencの各動作を実行する際に、１個のＥＣＣブロックの記録動作や再生動作に必要なＳＤＲＡＭのメモリ２２へのアクセスリクエスト回数を示す図である。
【０１０１】
図６の右側の４列には、一般的な再生のフル再生fulldecのアクセスリクエスト回数と、特殊再生のベリファイ再生verifydecのアクセスリクエスト回数と、特殊記録のフル記録fullencのアクセスリクエスト回数と、一般的な記録のパリティ付加記録parityencのアクセスリクエスト回数が示されている。
【０１０２】
図６の左側の２列には、４種類のＥＣＣアクセスリクエスト名と、それぞれのリクエストの１回のデータ転送量とが示されている。図６の左側の２列の１行目には、図３に示したＳＤＲＡＭのメモリ２２のＬＤＣ領域のデータを読み出すためのＥＣＣアクセスリクエストＥＣＣ  ｒｅａｄ(ＬＤＣ)と１回のデータ転送量の６４Ｂとが示されている。図６の左側の２列の２行目には、図３に示したＳＤＲＡＭのメモリ２２のＢＩＳ領域のデータを読み出すためのＥＣＣアクセスリクエストＥＣＣ  ｒｅａｄ(ＢＩＳ)と１回のデータ転送量の６４Ｂとが示されている。図６の左側の２列の３行目には、図３に示したＳＤＲＡＭのメモリ２２のＬＤＣ領域にデータを書き込むためのＥＣＣアクセスリクエストＥＣＣ  ｗｒｉｔｅ(ＬＤＣ)と１回のデータ転送量の６４Ｂとが示されている。図６の左側の２列の４行目には、図３に示したＳＤＲＡＭのメモリ２２のＢＩＳ領域にデータを書き込むためのＥＣＣアクセスリクエストＥＣＣ  ｗｒｉｔｅ(ＢＩＳ)と１回のデータ転送量の６４Ｂとが示されている。
【０１０３】
《フル再生》
一般的な再生のフル再生fulldecは、１個のＥＣＣブロックのユーザデータと記録データのアドレス情報等の管理データとを再生する必要がある。そのためには、図２に示した構造を有する１個のＥＣＣブロックをＢＤ(Blu-Ray Disc)である光ディスク１１から読み出して、図３に示したＳＤＲＡＭのメモリ２２のＬＤＣ領域とＢＩＳ領域とにデータを書き込む必要がある。その後に、図３に示したＳＤＲＡＭのメモリ２２のＬＤＣ領域とＢＩＳ領域に格納されたデータを再生ＥＣＣ処理回路１８に転送するために、図３に示したＳＤＲＡＭのメモリ２２のＬＤＣ領域とＢＩＳ領域に格納されたデータを読み出す必要がある。そのために、２個のＥＣＣアクセスリクエストＥＣＣ  ｒｅａｄ(ＬＤＣ)、ＥＣＣ  ｒｅａｄ(ＢＩＳ)が使用されて、再生ＥＣＣ処理回路１８からＥＣＣアクセスリクエストＥＣＣ  ｒｅａｄ(ＬＤＣ)が４×３０４回ＥＣＣリクエストカウント回路２０２に出力され、再生ＥＣＣ処理回路１８からＥＣＣアクセスリクエストＥＣＣ  ｒｅａｄ(ＢＩＳ)が２４回ＥＣＣリクエストカウント回路２０２に出力される。更にその後に、再生ＥＣＣ処理回路１８によって誤り訂正処理された誤り訂正処理結果を、図３に示したＳＤＲＡＭのメモリ２２のＬＤＣ領域とＢＩＳ領域とにデータを書き込む必要がある。そのために、２個のＥＣＣアクセスリクエストＥＣＣ  ｗｒｉｔｅ(ＬＤＣ)、ＥＣＣ  ｗｒｉｔｅ(ＢＩＳ)が使用され、再生ＥＣＣ処理回路１８からＥＣＣアクセスリクエストＥＣＣ  ｗｒｉｔｅ(ＬＤＣ)が４×３０４回ＥＣＣリクエストカウント回路２０２に出力され、再生ＥＣＣ処理回路１８からＥＣＣアクセスリクエストＥＣＣ  ｗｒｉｔｅ(ＢＩＳ)が２４回ＥＣＣリクエストカウント回路２０２に出力される。
【０１０４】
従って、一般的な再生のフル再生fulldecでは、再生ＥＣＣ処理回路１８からＥＣＣリクエストカウント回路２０２に出力されるＥＣＣアクセスリクエストの総出力回数は２４８０回となる。一方、中央処理ユニット２１から供給される記録再生・動作モード切り替え信号はフル再生fulldecを示しており、記録再生・動作モード切り替え信号に応答して、ＥＣＣリクエストカウント回路２０２は再生ＥＣＣ処理回路１８から出力されるＥＣＣアクセスリクエストの総出力回数が２４８０回となるとカウント動作を終了してカウント終了出力信号を出力する。
【０１０５】
すると、自動ＡＴＡＰＩ／ＥＣＣ優先順位切り替え回路２０１は、ＥＣＣリクエストカウント回路２０２から供給されるカウント終了信号に応答してＡＴＡＰＩアクセスリクエストを優先とする優先順位切り替えフラグ出力信号“１”を調停回路２００に供給する。従って、調停回路２００によるアクセス調停では優先順位の最下位と最下位よりも１つ高い順位の切り替えが実行されるので、ＥＣＣアクセスリクエストが優先順位の最下位に設定されて、ＡＴＡＰＩアクセスリクエストが優先順位の最下位よりも１つ高い順位に設定される。しかし、復調回路１４から次に出力される再生クラスタ同期信号ＳＹＮＣに応答して調停回路２００によるアクセス調停は通常の事前に設定された優先順位に戻されるので、ＡＴＡＰＩ優先の状態５４からＥＣＣ優先の状態５２に戻される。
【０１０６】
《ベリファイ再生》
特殊再生のベリファイ再生verifydecは、光ディスク１１に記録されたユーザデータに誤りがあるか否かを検証するための再生動作である。この特殊再生のベリファイ再生verifydecでも、１個のＥＣＣブロックのユーザデータと記録データのアドレス情報等の管理データとを再生する必要がある。そのためには、図２に示した構造を有する１個のＥＣＣブロックをＢＤ(Blu-Ray Disc)である光ディスク１１から読み出して、図３に示したＳＤＲＡＭのメモリ２２のＬＤＣ領域とＢＩＳ領域とにデータを書き込む必要がある。その後に、図３に示したＳＤＲＡＭのメモリ２２のＬＤＣ領域とＢＩＳ領域に格納されたデータを再生ＥＣＣ処理回路１８に転送するために、図３に示したＳＤＲＡＭのメモリ２２のＬＤＣ領域とＢＩＳ領域に格納されたデータを読み出す必要がある。そのために、２個のＥＣＣアクセスリクエストＥＣＣ  ｒｅａｄ(ＬＤＣ)、ＥＣＣ  ｒｅａｄ(ＢＩＳ)が使用されて、再生ＥＣＣ処理回路１８からＥＣＣアクセスリクエストＥＣＣ  ｒｅａｄ(ＬＤＣ)が４×３０４回ＥＣＣリクエストカウント回路２０２に出力され、再生ＥＣＣ処理回路１８からＥＣＣアクセスリクエストＥＣＣ  ｒｅａｄ(ＢＩＳ)が２４回ＥＣＣリクエストカウント回路２０２に出力される。更にその後に、再生ＥＣＣ処理回路１８によって誤り訂正処理された誤り訂正処理結果から光ディスク１１に記録されたユーザデータに誤りがあるか否かが判定される。ユーザデータの誤りの有無の判定結果を、図３に示したＳＤＲＡＭのメモリ２２の別のＬＤＣ領域に書き込む必要がある。そのために、ＥＣＣアクセスリクエストＥＣＣ  ｗｒｉｔｅ(ＬＤＣ)が使用されて、再生ＥＣＣ処理回路１８からＥＣＣアクセスリクエストＥＣＣ  ｗｒｉｔｅ(ＬＤＣ)が３２回、ＥＣＣリクエストカウント回路２０２に出力される。
【０１０７】
従って、特殊再生のベリファイ再生verifydecでは、再生ＥＣＣ処理回路１８からＥＣＣリクエストカウント回路２０２に出力されるＥＣＣアクセスリクエストの総出力回数は１２７２回となる。一方、中央処理ユニット２１から供給される記録再生・動作モード切り替え信号はベリファイ再生verifydecを示しており、記録再生・動作モード切り替え信号に応答してＥＣＣリクエストカウント回路２０２は再生ＥＣＣ処理回路１８から出力されるＥＣＣアクセスリクエストの総出力回数が１２７２回となるとカウント動作を終了してカウント終了出力信号を出力する。
【０１０８】
すると、自動ＡＴＡＰＩ／ＥＣＣ優先順位切り替え回路２０１は、ＥＣＣリクエストカウント回路２０２から供給されるカウント終了信号に応答してＡＴＡＰＩアクセスリクエストを優先とする優先順位切り替えフラグ出力信号“１”を調停回路２００に供給する。従って、調停回路２００によるアクセス調停では優先順位の最下位と最下位よりも１つ高い順位の切り替えが実行されるので、ＥＣＣアクセスリクエストが優先順位の最下位に設定されて、ＡＴＡＰＩアクセスリクエストが優先順位の最下位よりも１つ高い順位に設定される。しかし、復調回路１４から次に出力される再生クラスタ同期信号ＳＹＮＣに応答して調停回路２００によるアクセス調停は通常の事前に設定された優先順位に戻されるので、ＡＴＡＰＩ優先の状態５４からＥＣＣ優先の状態５２に戻される。
【０１０９】
《フル記録》
特殊記録のフル記録fullencは、記録途中で記録停止を行った場合に未記録のスクランブルデータを記録ＥＣＣ処理回路１７が再スクランブルを行い再スクランブルデータとパリティとをＳＤＲＡＭのメモリ２２へ転送する動作である。そのためには、図３に示したＳＤＲＡＭのメモリ２２のＬＤＣ領域とＢＩＳ領域とから光ディスク１１に未記録のデータを読み出して記録ＥＣＣ処理回路１７に転送必要がある。そのために、２個のＥＣＣアクセスリクエストＥＣＣ  ｒｅａｄ(ＬＤＣ)、ＥＣＣ  ｒｅａｄ(ＢＩＳ)が使用されて、記録ＥＣＣ処理回路１７からＥＣＣアクセスリクエストＥＣＣ  ｒｅａｄ(ＬＤＣ)が４×３０４回ＥＣＣリクエストカウント回路２０２に出力され、記録ＥＣＣ処理回路１７からＥＣＣアクセスリクエストＥＣＣ  ｒｅａｄ(ＢＩＳ)が２４回ＥＣＣリクエストカウント回路２０２に出力される。更にその後に、記録ＥＣＣ処理回路１７によって再スクランブルされたユーザデータと管理データとを、図３に示したＳＤＲＡＭのメモリ２２のＬＤＣ領域とＢＩＳ領域とにデータを書き込む必要がある。そのために、２個のＥＣＣアクセスリクエストＥＣＣ  ｗｒｉｔｅ(ＬＤＣ)、ＥＣＣ  ｗｒｉｔｅ(ＢＩＳ)が使用され、記録ＥＣＣ処理回路１７からＥＣＣアクセスリクエストＥＣＣ  ｗｒｉｔｅ(ＬＤＣ)が４×３０４回ＥＣＣリクエストカウント回路２０２に出力され、記録ＥＣＣ処理回路１７からＥＣＣアクセスリクエストＥＣＣ  ｗｒｉｔｅ(ＢＩＳ)が２４回ＥＣＣリクエストカウント回路２０２に出力される。
【０１１０】
従って、特殊記録のフル記録fullencでは、記録ＥＣＣ処理回路１７からＥＣＣリクエストカウント回路２０２に出力されるＥＣＣアクセスリクエストの総出力回数は２４８０回となる。一方、中央処理ユニット２１から供給される記録再生・動作モード切り替え信号はフル記録fullencを示しており、記録再生・動作モード切り替え信号に応答して、ＥＣＣリクエストカウント回路２０２は記録ＥＣＣ処理回路１７から出力されるＥＣＣアクセスリクエストの総出力回数が２４８０回となるとカウント動作を終了してカウント終了出力信号を出力する。
【０１１１】
すると、自動ＡＴＡＰＩ／ＥＣＣ優先順位切り替え回路２０１は、ＥＣＣリクエストカウント回路２０２から供給されるカウント終了信号に応答してＡＴＡＰＩアクセスリクエストを優先とする優先順位切り替えフラグ出力信号“１”を調停回路２００に供給する。従って、調停回路２００によるアクセス調停では優先順位の最下位と最下位よりも１つ高い順位の切り替えが実行されるので、ＥＣＣアクセスリクエストが優先順位の最下位に設定されて、ＡＴＡＰＩアクセスリクエストが優先順位の最下位よりも１つ高い順位に設定される。しかし、変調回路１３から次に出力される記録クラスタ同期信号ＳＹＮＣに応答して調停回路２００によるアクセス調停は通常の事前に設定された優先順位に戻されるので、ＡＴＡＰＩ優先の状態５４からＥＣＣ優先の状態５２に戻される。
【０１１２】
《パリティ付加記録》
一般的な記録のパリティ付加記録parityencは、ホストコンピュータ２がＳＤＲＡＭのメモリ２２へ書き込みデータを転送する場合にメモリ制御回路２０がスクランブルを実行する。記録ＥＣＣ処理回路１７は、スクランブルされたデータを読み出して、ＳＤＲＡＭのメモリ２２へユーザデータのパリティと管理データだけを転送する。そのためには、最初に図３に示したＳＤＲＡＭのメモリ２２のＬＤＣ領域とＢＩＳ領域とに書き込みデータを書き込む必要がある。その後に、図３に示したＳＤＲＡＭのメモリ２２のＬＤＣ領域とＢＩＳ領域に格納されたデータを記録ＥＣＣ処理回路１７に転送するために、図３に示したＳＤＲＡＭのメモリ２２のＬＤＣ領域とＢＩＳ領域に格納されたデータを読み出す必要がある。そのために、２個のＥＣＣアクセスリクエストＥＣＣ  ｒｅａｄ(ＬＤＣ)、ＥＣＣ  ｒｅａｄ(ＢＩＳ)が使用されて、記録ＥＣＣ処理回路１７からＥＣＣアクセスリクエストＥＣＣ  ｒｅａｄ(ＬＤＣ)が４×３０４回ＥＣＣリクエストカウント回路２０２に出力され、記録ＥＣＣ処理回路１７からＥＣＣアクセスリクエストＥＣＣ  ｒｅａｄ(ＢＩＳ)が２４回ＥＣＣリクエストカウント回路２０２に出力される。その後に、記録ＥＣＣ処理回路１７によって再スクランブルされたユーザデータのパリティと管理データとを、図３に示したＳＤＲＡＭのメモリ２２のＬＤＣ領域とＢＩＳ領域とにデータを書き込む必要がある。このユーザデータのパリティは、図２に示した１個のＥＣＣブロックの４個のユーザデータＵｓｅｒ  Ｄａｔａの下部に配置されたパリティＰａｒｉｔｙである。そのために、２個のＥＣＣアクセスリクエストＥＣＣ  ｗｒｉｔｅ(ＬＤＣ)、ＥＣＣ  ｗｒｉｔｅ(ＢＩＳ)が使用され、記録ＥＣＣ処理回路１７からＥＣＣアクセスリクエストＥＣＣ  ｗｒｉｔｅ(ＬＤＣ)が１×３０４回ＥＣＣリクエストカウント回路２０２に出力され、記録ＥＣＣ処理回路１７からＥＣＣアクセスリクエストＥＣＣ  ｗｒｉｔｅ(ＢＩＳ)が２４回ＥＣＣリクエストカウント回路２０２に出力される。
【０１１３】
従って、一般的なパリティ付加記録parityencでは、記録ＥＣＣ処理回路１７からＥＣＣリクエストカウント回路２０２に出力されるＥＣＣアクセスリクエストの総出力回数は１５６８回となる。一方、中央処理ユニット２１から供給される記録再生・動作モード切り替え信号はパリティ付加記録parityencを示しており、記録再生・動作モード切り替え信号に応答してＥＣＣリクエストカウント回路２０２は記録ＥＣＣ処理回路１７から出力されるＥＣＣアクセスリクエストの総出力回数が１５６８回となるとカウント動作を終了してカウント終了出力信号を出力する。
【０１１４】
すると、自動ＡＴＡＰＩ／ＥＣＣ優先順位切り替え回路２０１は、ＥＣＣリクエストカウント回路２０２から供給されるカウント終了信号に応答してＡＴＡＰＩアクセスリクエストを優先とする優先順位切り替えフラグ出力信号“１”を調停回路２００に供給する。従って、調停回路２００によるアクセス調停では優先順位の最下位と最下位よりも１つ高い順位との切り替えが実行されるので、ＥＣＣアクセスリクエストが優先順位の最下位に設定されてＡＴＡＰＩアクセスリクエストが優先順位の最下位よりも１つ高い順位に設定される。しかし、変調回路１３から次に出力される記録クラスタ同期信号ＳＹＮＣに応答して調停回路２００によるアクセス調停は通常の事前に設定された優先順位に戻されるので、ＡＴＡＰＩ優先の状態５４からＥＣＣ優先の状態５２に戻される。
【０１１５】
《種々の動作モード》
図７は、図１に示した本発明の実施の形態１の光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩにおける再生ＥＣＣ処理期間信号と記録ＥＣＣ処理期間信号と再生動作と記録動作の種々の動作モードと１個のＥＣＣブロック中のＥＣＣアクセスリクエストの出力回数を示す図である。
【０１１６】
図７の左側の２列の３行には、リード・アフター・ライト動作と記録動作と再生動作とが示されている。すなわち、図７の左側の２列の１行目では、ハイレベル“１”の再生ＥＣＣ処理期間信号が再生ＥＣＣ処理回路１８から出力されるのと同時にハイレベル“１”の記録ＥＣＣ処理期間信号が記録ＥＣＣ処理回路１７から出力されている。従って、図１に示した本発明の実施の形態１の光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩは、ハイレベル“１”の再生ＥＣＣ処理期間信号とハイレベル“１”の記録ＥＣＣ処理期間信号とに応答して、リード・アフター・ライト動作を実行する。
【０１１７】
このリード・アフター・ライト動作には、ベリファイ再生とフル記録との組み合わせと、ベリファイ再生とパリティ付加記録との組み合わせと、フル再生とパリティ付加記録との組み合わせとが存在する。
【０１１８】
ＥＣＣアクセスリクエストの出力回数が１２７２回のベリファイ再生とＥＣＣアクセスリクエストの出力回数が２４８０回のフル記録との組み合わせによるリード・アフター・ライト動作では、２つの出力回数の合計の３７５２回となる。
【０１１９】
ＥＣＣアクセスリクエストの出力回数が１２７２回のベリファイ再生とＥＣＣアクセスリクエストの出力回数が１５６８回のパリティ付加記録の組み合わせによるリード・アフター・ライト動作では、２つの出力回数の合計の２４８０回となる。
【０１２０】
ＥＣＣアクセスリクエストの出力回数が２４８０回のフル再生とＥＣＣアクセスリクエストの出力回数が１５６８回のパリティ付加記録との組み合わせによるリード・アフター・ライト動作では、２つの出力回数の合計の４０４８回となる。
【０１２１】
図７の左側の２列の２行目では、ローレベル“０”の再生ＥＣＣ処理期間信号が再生ＥＣＣ処理回路１８から出力されるのと同時にハイレベル“１”の記録ＥＣＣ処理期間信号が記録ＥＣＣ処理回路１７から出力されている。従って、図１に示した本発明の実施の形態１の光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩは、ローレベル“０”の再生ＥＣＣ処理期間信号とハイレベル“１”の記録ＥＣＣ処理期間信号とに応答して、記録動作を実行する。
【０１２２】
この記録動作には、ＥＣＣアクセスリクエストの出力回数が２４８０回のフル記録とＥＣＣアクセスリクエストの出力回数が１５６８回のパリティ付加記録とが存在する。
【０１２３】
図７の左側の２列の３行目では、ハイレベル“１”の再生ＥＣＣ処理期間信号が再生ＥＣＣ処理回路１８から出力されるのと同時にローレベル“０”の記録ＥＣＣ処理期間信号が記録ＥＣＣ処理回路１７から出力されている。従って、図１に示した本発明の実施の形態１の光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩは、ハイレベル“１”の再生ＥＣＣ処理期間信号とローレベル“０”の記録ＥＣＣ処理期間信号とに応答して、再生動作を実行する。
【０１２４】
この再生動作には、ＥＣＣアクセスリクエストの出力回数が１２７２回のベリファイ再生とＥＣＣアクセスリクエストの出力回数が２４８０回のフル再生とが存在する。
【０１２５】
《リード・アフター・ライト動作》
図８は、図１に示した本発明の実施の形態１の光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩにおいて実行される特殊な記録再生動作であるリード・アフター・ライト動作を説明する図である。
【０１２６】
図８に示したリード・アフター・ライト動作は、光ディスク１１へのデータの書き込みを行なった直後に記録されたデータを再生して再生データと記録元データを比較した後に、次のアドレスに新しい記録データを書き込む動作である。
【０１２７】
図８には、光ディスク１１へのデータの書き込みアドレス情報である記憶アドレスＮ、Ｎ＋１…Ｎ＋７が示されている。記憶アドレスＮ、Ｎ＋１…Ｎ＋７は、記録動作の間に光ヘッドピックアップ１２を駆動する図示されていないピックアップ駆動回路に光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩから供給される。
【０１２８】
各記録アドレスＮ、Ｎ＋１…Ｎ＋７の先頭のタイミングで、記録クラスタの先頭を示す記録クラスタ同期信号ＳＹＮＣが、変調回路１３から光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩに供給される。１個の記録クラスタは、図２に示した１個のＥＣＣブロックと記録クラスタの先頭を示すプリアンブル等の管理データとを含んでいる。従って、２個の記録クラスタ同期信号ＳＹＮＣの間のチャネル転送期間には、１個の記録クラスタが転送される。従って、チャネル転送期間は、クラスタ処理時間となる。
【０１２９】
図８には、判定読み出しのための光ディスク１１へのデータの読み出しアドレス情報である再生アドレスＮ、Ｎ＋１…Ｎ＋７が示されている。再生アドレスＮ、Ｎ＋１…Ｎ＋７は、再生動作の間に光ヘッドピックアップ１２を駆動する図示されていないピックアップ駆動回路に光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩから供給される。
【０１３０】
各再生アドレスＮ、Ｎ＋１…Ｎ＋７の先頭のタイミングで、再生クラスタの先頭を示す再生クラスタ同期信号ＳＹＮＣが、復調回路１４から光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩに供給される。
【０１３１】
再生アドレスＮ、Ｎ＋１…Ｎ＋７に従って光ディスク１１から記録データが読み出されて復調回路１４とデインターリーブ回路１６とデスクランブル回路とによって生成されるチャネル再生データＣＨ再生０、ＣＨ再生１、ＣＨ再生２が、次々にメモリ制御回路２０を介してＳＤＲＡＭのメモリ２２に格納される。ＳＤＲＡＭのメモリ２２からメモリ制御回路２０を介して読み出される再生データは、再生ＥＣＣ処理回路１８にて誤り訂正処理ＤＥＣ＿０、ＤＥＣ＿１、ＤＥＣ＿２を受ける。記録アドレスＮ、Ｎ＋１、Ｎ＋２の再生データのベリファイ処理(再生ＥＣＣ処理回路１８による誤り訂正後の再生データが記録元データと一致しているかを判定する比較処理)を行った後に、次の記録アドレスＮ＋３、Ｎ＋４、Ｎ＋５に次の記録データを記録する。
【０１３２】
記録アドレスＮ、Ｎ＋１、Ｎ＋２の再生データのベリファイ処理によって再生ＥＣＣ処理回路１８の誤り訂正後の再生データが記録元データと一致しない場合には、書き込みが失敗した判定して再書き込みが実行される。記録アドレスＮ、Ｎ＋１、Ｎ＋２のいずれかに再書き込みが必要な場合には、その記録アドレスに戻って再書き込みが行われる。
【０１３３】
ＡＴＡＰＩ記録データＡＴＡＰＩ＿０、ＡＴＡＰＩ＿１、ＡＴＡＰＩ＿２、ＡＴＡＰＩ＿３、ＡＴＡＰＩ＿４が、Ｓｅｒｉａｌ−ＡＴＡＰＩインターフェース回路１９を介してホストコンピュータ２から、次々にメモリ制御回路２０を介してＳＤＲＡＭのメモリ２２に格納される。ＳＤＲＡＭのメモリ２２からメモリ制御回路２０を介して読み出される記録データは、記録ＥＣＣ処理回路１７によって記録ＥＣＣ処理ＥＮＣ＿０、ＥＮＣ＿１、ＥＮＣ＿２、ＥＮＣ＿３、ＥＮＣ＿４を受ける。記録ＥＣＣ処理された記録データは、メモリ制御回路２０を介してＳＤＲＡＭのメモリ２２に格納される。その結果、チャネル記録データＣＨ記録０、ＣＨ記録１、ＣＨ記録２、ＣＨ記録３、ＣＨ記録４が、インターリーブ回路１５と変調回路１３とを介して光ヘッドピックアップ１２に供給される。
【０１３４】
再生処理の誤り訂正処理ＤＥＣ＿０の開始から誤り訂正処理ＤＥＣ＿２の終了までの期間に、ハイレベル“１”の再生ＥＣＣ処理期間信号が、再生ＥＣＣ処理回路１８からＥＣＣリクエストカウント回路２０２に供給される。記録処理の記録ＥＣＣ処理ＥＮＣ＿０の開始から記録ＥＣＣ処理ＥＮＣ＿４の終了までの期間に、ハイレベル“１”の記録ＥＣＣ処理期間信号が記録ＥＣＣ処理回路１７からＥＣＣリクエストカウント回路２０２に供給される。
【０１３５】
図８に示したように、記録ＥＣＣ処理期間信号のハイレベル期間と再生ＥＣＣ処理期間信号のハイレベル期間とが相違している。従って、ＥＣＣ処理は、再生ＥＣＣ処理ＤＥＣＥＣＣのみの単独処理期間と、再生ＥＣＣ処理ＤＥＣＥＣＣと記録ＥＣＣ処理ＥＮＣＥＣＣとの二重処理期間と、記録ＥＣＣ処理ＥＮＣＥＣＣのみの単独処理期間とを含んでいる。
【０１３６】
再生ＥＣＣ処理ＤＥＣＥＣＣのみの単独処理期間では、図７の左側の２列の３行目に示したように、ベリファイ再生の場合には１２７２回の出力回数のＥＣＣアクセスリクエストが再生ＥＣＣ処理回路１８からＥＣＣリクエストカウント回路２０２に供給されるとＥＣＣリクエストカウント回路２０２はカウントを終了して、フル再生の場合には２４８０回の出力回数のＥＣＣアクセスリクエストが再生ＥＣＣ処理回路１８からＥＣＣリクエストカウント回路２０２に供給されるとＥＣＣリクエストカウント回路２０２はカウントを終了する。従って、ＥＣＣリクエストカウント回路２０２でのカウント終了によって、メモリ制御回路２０の調停回路２００は、ＥＣＣ優先の状態“０”からＡＴＡＰＩ優先の状態“１”に遷移する。この遷移以前のＥＣＣ優先の状態“０”の期間では、再生ＥＣＣ処理回路１８がＳＤＲＡＭのメモリ２２をアクセスして誤り訂正処理ＤＥＣ＿０を実行することができる。この遷移以降のＡＴＡＰＩ優先の状態“１”の期間では、Ｓｅｒｉａｌ−ＡＴＡＰＩインターフェース回路１９がＳＤＲＡＭのメモリ２２をアクセスしてＡＴＡＰＩ記録データＡＴＡＰＩ＿０がＳＤＲＡＭのメモリ２２に格納されることができる。尚、その後に、記録アドレスＮ＋２の先頭の記録クラスタ同期信号ＳＹＮＣによって、メモリ制御回路２０の調停回路２００は、ＡＴＡＰＩ優先の状態“１”からＥＣＣ優先の状態“０”に遷移する。
【０１３７】
再生ＥＣＣ処理ＤＥＣＥＣＣと記録ＥＣＣ処理ＥＮＣＥＣＣとの二重処理期間では、図７の左側の２列の１行目に示したように、ベリファイ再生とフル記録との組み合わせの場合には、３７５２回の出力回数のＥＣＣアクセスリクエストが、またはベリファイ再生とパリティ付加記録との組み合わせの場合には、２４８０回の出力回数のＥＣＣアクセスリクエストが、またはフル再生とパリティ付加記録との組み合わせの場合には、４０４８回の出力回数のＥＣＣアクセスリクエストが、記録ＥＣＣ処理回路１７と再生ＥＣＣ処理回路１８からＥＣＣリクエストカウント回路２０２に供給される。
【０１３８】
この二重処理期間では、最初に、フル記録の場合には２４８０回の出力回数のＥＣＣアクセスリクエストが、またはパリティ付加記録の場合には１５６８回の出力回数のＥＣＣアクセスリクエストが記録ＥＣＣ処理回路１７からＥＣＣリクエストカウント回路２０２に供給されると、ＥＣＣリクエストカウント回路２０２は第１回目のカウント動作を終了する。従って、ＥＣＣリクエストカウント回路２０２でのカウント終了によって、メモリ制御回路２０の調停回路２００は、ＥＣＣ優先の状態“０”からＡＴＡＰＩ優先の状態“１”に遷移する。この遷移以前のＥＣＣ優先の状態“０”の期間では、記録ＥＣＣ処理回路１７がＳＤＲＡＭのメモリ２２をアクセスして記録ＥＣＣ処理ＥＮＣ＿０を実行することができる。この遷移以降のＡＴＡＰＩ優先の状態“１”の期間では、Ｓｅｒｉａｌ−ＡＴＡＰＩインターフェース回路１９がＳＤＲＡＭのメモリ２２をアクセスしてＡＴＡＰＩ記録データＡＴＡＰＩ＿１がＳＤＲＡＭのメモリ２２に格納されることができる。尚、その後、記録アドレスＮ＋３の先頭の記録クラスタ同期信号ＳＹＮＣによって、メモリ制御回路２０の調停回路２００は、ＡＴＡＰＩ優先の状態“１”からＥＣＣ優先の状態“０”に遷移する。その次に、ベリファイ再生の場合には１２７２回の出力回数のＥＣＣアクセスリクエストが、またはフル再生の場合には２４８０回の出力回数のＥＣＣアクセスリクエストが再生ＥＣＣ処理回路１８からＥＣＣリクエストカウント回路２０２に供給されると、ＥＣＣリクエストカウント回路２０２は、第２回目のカウント動作を終了する。その結果、ＥＣＣリクエストカウント回路２０２でのカウント終了によって、メモリ制御回路２０の調停回路２００は、ＥＣＣ優先の状態“０”からＡＴＡＰＩ優先の状態“１”に遷移する。この遷移以前のＥＣＣ優先の状態“０”の期間では、再生ＥＣＣ処理回路１８がＳＤＲＡＭのメモリ２２をアクセスして、再生ＥＣＣ処理ＤＥＣ＿１を実行することができる。この遷移以降のＡＴＡＰＩ優先の状態“１”の期間では、Ｓｅｒｉａｌ−ＡＴＡＰＩインターフェース回路１９がＳＤＲＡＭのメモリ２２をアクセスしてＡＴＡＰＩ記録データＡＴＡＰＩ＿２がＳＤＲＡＭのメモリ２２に格納される。尚、その後、記録アドレスＮ＋４の先頭の記録クラスタ同期信号ＳＹＮＣによって、メモリ制御回路２０の調停回路２００はＡＴＡＰＩ優先の状態“１”からＥＣＣ優先の状態“０”に遷移する。
【０１３９】
記録ＥＣＣ処理ＥＮＣＥＣＣのみの単独処理期間では、図７の左側の２列の２行目に示したように、フル記録の場合には２４８０回の出力回数のＥＣＣアクセスリクエストが、またはパリティ付加記録の場合には１５６８回の出力回数のＥＣＣアクセスリクエストが記録ＥＣＣ処理回路１７からＥＣＣリクエストカウント回路２０２に供給されると、ＥＣＣリクエストカウント回路２０２は第１回目のカウント動作を終了する。従って、ＥＣＣリクエストカウント回路２０２でのカウント終了によって、メモリ制御回路２０の調停回路２００は、ＥＣＣ優先の状態“０”からＡＴＡＰＩ優先の状態“１”に遷移する。この遷移の以前のＥＣＣ優先の状態“０”の期間では、記録ＥＣＣ処理回路１７がＳＤＲＡＭのメモリ２２をアクセスして記録ＥＣＣ処理ＥＮＣ＿１を実行する。この遷移以降のＡＴＡＰＩ優先の状態“１”の期間では、Ｓｅｒｉａｌ−ＡＴＡＰＩインターフェース回路１９がＳＤＲＡＭのメモリ２２をアクセスしてＡＴＡＰＩ記録データＡＴＡＰＩ＿３がＳＤＲＡＭのメモリ２２に格納されることができる。尚、その後に、記録アドレスＮ＋５の先頭の記録クラスタ同期信号ＳＹＮＣによって、メモリ制御回路２０の調停回路２００は、ＡＴＡＰＩ優先の状態“１”からＥＣＣ優先の状態“０”に遷移する。その後、フル記録の場合には２４８０回の出力回数のＥＣＣアクセスリクエストが、またはパリティ付加記録の場合には１５６８回の出力回数のＥＣＣアクセスリクエストが記録ＥＣＣ処理回路１７からＥＣＣリクエストカウント回路２０２に供給されると、ＥＣＣリクエストカウント回路２０２は第２回目のカウント動作を終了する。従って、ＥＣＣリクエストカウント回路２０２でのカウント終了によって、メモリ制御回路２０の調停回路２００は、ＥＣＣ優先の状態“０”からＡＴＡＰＩ優先の状態“１”に遷移する。この遷移の以前のＥＣＣ優先の状態“０”の期間では、記録ＥＣＣ処理回路１７がＳＤＲＡＭのメモリ２２をアクセスして記録ＥＣＣ処理ＥＮＣ＿２を実行する。この遷移以降のＡＴＡＰＩ優先の状態“１”の期間では、Ｓｅｒｉａｌ−ＡＴＡＰＩインターフェース回路１９がＳＤＲＡＭのメモリ２２をアクセスしてＡＴＡＰＩ記録データＡＴＡＰＩ＿４がＳＤＲＡＭのメモリ２２に格納されることができる。尚、その後に、記録アドレスＮ＋６の先頭の記録クラスタ同期信号ＳＹＮＣによって、メモリ制御回路２０の調停回路２００は、ＡＴＡＰＩ優先の状態“１”からＥＣＣ優先の状態“０”に遷移する。その後に、フル記録の場合には２４８０回の出力回数のＥＣＣアクセスリクエストが、またはパリティ付加記録の場合には１５６８回の出力回数のＥＣＣアクセスリクエストが記録ＥＣＣ処理回路１７からＥＣＣリクエストカウント回路２０２に供給されると、ＥＣＣリクエストカウント回路２０２は第３回目のカウント動作を終了する。従って、ＥＣＣリクエストカウント回路２０２のカウント終了によって、メモリ制御回路２０の調停回路２００はＥＣＣ優先の状態“０”からＡＴＡＰＩ優先の状態“１”に遷移する。
【０１４０】
また、図８に示したリード・アフター・ライト動作の例では、再生ＥＣＣ処理ＤＥＣＥＣＣと記録ＥＣＣ処理ＥＮＣＥＣＣとの二重処理期間において再生ＥＣＣ処理ＤＥＣ＿１よりも記録ＥＣＣ処理ＥＮＣ＿０の方が優先されて先に実行されている。これは、図１に示す本発明の実施の形態１の光ディスク記録再生装置１のシステムとしては、１個の記録クラスタの光ディスク１１への連続書き込みを可能とするために１個の記録クラスタの生成以前に記録ＥＣＣのエラー訂正コードのデータを生成する必要があるためである。一方、再生ＥＣＣ処理回路１８で誤り訂正処理された再生データは再生ＥＣＣ処理回路１８の内部のＳＲＡＭ等の内部メモリに一次蓄積されることが可能であり、多少の時間はＳｅｒｉａｌ−ＡＴＡＰＩインターフェース回路１９を待たせることができるので、再生ＥＣＣ処理の優先順位が記録ＥＣＣ処理よりも低く設定されている。
【０１４１】
以上で説明したように図８に示したリード・アフター・ライト動作は、再生ＥＣＣ処理ＤＥＣＥＣＣのみの単独処理期間と、再生ＥＣＣ処理ＤＥＣＥＣＣと記録ＥＣＣ処理ＥＮＣＥＣＣとの二重処理期間と、記録ＥＣＣ処理ＥＮＣＥＣＣのみの単独処理期間とで、ＥＣＣリクエストカウント回路２０２がカウント動作を終了する記録ＥＣＣ処理回路１７もしくは再生ＥＣＣ処理回路１８からのＥＣＣアクセスリクエストの出力回数が切り替えられるものである。
【０１４２】
またＥＣＣリクエストカウント回路２０２のカウント動作が終了されるＥＣＣアクセスリクエストの出力回数は、再生動作がベリファイ再生とフル再生とのいずれかと記録動作がフル記録とパリティ付加記録とのいずれかを示すモード切り替え信号によって設定されるものである。
【０１４３】
その結果、１個分のＥＣＣブロックの再生ＥＣＣ処理もしくは記録ＥＣＣ処理が終了したタイミングで、図１に示した本発明の実施の形態１の光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩのメモリ制御回路２０の調停回路２００はＥＣＣ優先の状態からＡＴＡＰＩ優先の状態に切り替えられる。従って、このＡＴＡＰＩ優先の期間に、Ｓｅｒｉａｌ−ＡＴＡＰＩインターフェース回路１９がＳＤＲＡＭのメモリ２２をアクセスすることが可能となる。更に復調回路１４からの再生クラスタ同期信号ＳＹＮＣと変調回路１３からの記録クラスタ同期信号ＳＹＮＣとのうちＥＣＣリクエストカウント回路２０２に早期に供給される信号によって、メモリ制御回路２０の調停回路２００はＡＴＡＰＩ優先の状態からＥＣＣ優先の状態に切り替えられるものである。
【０１４４】
［実施の形態２］
《その他のメモリ制御回路の構成》
図９は、本発明の実施の形態２による光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩに内蔵されたその他のメモリ制御回路２０の構成を示す図である。
【０１４５】
図９に示す本発明の実施の形態２による他のメモリ制御回路２０が図１に示した本発明の実施の形態１によるメモリ制御回路２０と相違するのは、下記の点である。
【０１４６】
すなわち、図９に示す本発明の実施の形態２による他のメモリ制御回路２０には、図１に示した本発明の実施の形態１によるメモリ制御回路２０には含まれていなかったトグルカウント回路２０３と回数一致判定回路２０４とＯＲ回路２０５とが追加されている。
【０１４７】
図９に示した本発明の実施の形態２による他のメモリ制御回路２０では、記録ＥＣＣ処理回路１７と再生ＥＣＣ処理回路１８とからＥＣＣリクエストカウント回路２０２に供給されるＥＣＣアクセスリクエストがトグルカウント回路２０３の入力端子にも供給されている。トグルカウント回路２０３のリセット端子には、Ｓｅｒｉａｌ−ＡＴＡＰＩインターフェース回路１９から生成されるＡＴＡＰＩリクエストが供給される。トグルカウント回路２０３の出力端子から生成されるトグルカウント値は、回数一致判定回路２０４の入力端子に供給される。
【０１４８】
自動ＡＴＡＰＩ／ＥＣＣ優先順位切り替え回路２０１の出力信号と回数一致判定回路２０４の出力信号とはＯＲ回路２０５の一方の入力端子と他方の入力端子にそれぞれ供給され、ＯＲ回路２０５の出力端子から調停回路２００に供給される優先順位切り替えフラグ出力信号が生成される。
【０１４９】
図１０は、図９に示した他のメモリ制御回路２０を内蔵する本発明の実施の形態２による光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩの動作を説明する図である。
【０１５０】
図１０に示したように、トグルカウント回路２０３はリセット端子にＳｅｒｉａｌ−ＡＴＡＰＩインターフェース回路１９から供給されるＡＴＡＰＩリクエストによってリセットされて出力端子のトグルカウント値はゼロとなる一方、入力端子にＥＣＣアクセスリクエストが順次供給されることによってトグルカウント値は順次カウントアップされる。例えば、トグルカウンタ２０３が３ビットカウンタで構成されている場合には、カウンタ値は“０”から“７”までカウントアップされる。
【０１５１】
図１０に示した例では、回数一致判定回路２０４はトグルカウント回路２０３の出力端子のトグルカウント値が所定の値、例えば“４”となることに応答して、ハイレベルの一致判定出力信号を生成する。
【０１５２】
トグルカウント値のこの所定の値は、１ＥＣＣ当たりのＥＣＣリクエストとＡＴＡＰＩリクエストとの比が４：１の場合に４”と設定するものである。それによって、１ＥＣＣ当たりのＥＣＣの処理とＡＴＡＰＩの処理とを略同じタイミングで終了させることが可能となり、ＳＤＲＡＭのメモリ２２を効率的に使用することが可能となる。
【０１５３】
図１０に示したように再生クラスタ同期信号ＳＹＮＣと記録クラスタ同期信号ＳＹＮＣとのうちＥＣＣリクエストカウント回路２０２に早期に供給される信号に応答してＥＣＣリクエストカウント回路２０２がリセットされ、カウント初期値“０”に復帰する。順次供給されるＥＣＣアクセスリクエストに応答してＥＣＣリクエストカウント回路２０２はカウントアップされて、記録動作と再生動作との種々の動作モードの各動作モードで固有の出力回数のＥＣＣアクセスリクエストのカウント動作をＥＣＣリクエストカウント回路２０２が終了することによってカウント終了信号が生成される。ＥＣＣリクエストカウント回路２０２から生成されるカウント終了信号に応答して、自動ＡＴＡＰＩ／ＥＣＣ優先順位切り替え回路２０１の出力信号は、ローレベル“０”のＥＣＣ優先の状態からハイレベル“１”のＡＴＡＰＩ優先の状態に切り替えられる。
【０１５４】
一方、ＥＣＣリクエストカウント回路２０２がカウント動作を終了してカウント終了信号が生成され自動ＡＴＡＰＩ／ＥＣＣ優先順位切り替え回路２０１の出力信号がローレベル“０”のＥＣＣ優先状態からハイレベル“１”のＡＴＡＰＩ優先状態に切り替えられる以前に、回数一致判定回路２０４の出力端子から複数のハイレベルの一致判定出力信号が生成される。回数一致判定回路２０４の出力端子から生成される複数のハイレベルの一致判定出力信号は、ＯＲ回路２０５の他方の入力端子と出力端子とを介して調停回路２００にＥＣＣ優先状態からＡＴＡＰＩ優先状態に切り替えるための優先順位切り替えフラグ出力信号として供給される。
【０１５５】
以上、図９と図１０とを参照して説明した本発明の実施の形態２による光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩによれば、図１乃至図８を参照して説明した本発明の実施の形態１よりも、メモリ制御回路２０の調停回路２００においてＡＴＡＰＩ優先の機会を増加することが可能となる。またＡＴＡＰＩ優先の機会の増加度は、回数一致判定回路２０４がハイレベルの一致判定出力信号を生成するトグルカウント回路２０３の出力端子のトグルカウント値の所定の値を変化することで可能となる。
【０１５６】
以上、本発明者によってなされた発明を種々の実施の形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１５７】
例えば、記録動作と再生動作の種々の動作モードの各動作モーでＥＣＣリクエストカウント回路２０２がカウント終了信号を出力するＥＣＣリクエスト信号の固有の出力回数は、１個のＥＣＣブロックの記録動作や再生動作に必要なＳＤＲＡＭのメモリ２２へのアクセスリクエストの回数に対応する以外に、整数倍のＮ個のＥＣＣブロックの記録動作や再生動作に必要なＳＤＲＡＭのメモリ２２へのアクセスリクエストの回数に対応させることも可能である。
【０１５８】
また例えば、光ディスク記録再生用半導体集積回路ＬＳＩとホストコンピュータ２の間のホストインターフェースは、Ｓｅｒｉａｌ−ＡＴＡＰＩインターフェース回路１９にのみ限定されるものではない。すなわち、ホストインターフェースとしては、Ｓｅｒｉａｌ−ＡＴＡＰＩインターフェース以外にも、ＩＤＥ(Integrated Drive Electronics)やＳＣＳＩ(Small Computer System Interface)等を利用することも可能である。また光ディスク記録再生装置１に使用される半導体メモリ２２には、ＳＤＲＡＭよりも更に高速のＤＤＲ(Double Data Rate)の同期型ダイナミックランダムアクセスメモリを使用することが可能である。
【符号の説明】
【０１５９】
ＬＳＩ…光ディスク記録再生用半導体集積回路
１…光ディスク記録再生装置
２…ホストコンピュータ
１１…光ディスク
１２…光ヘッドピックアップ
１３…変調回路
１４…復調回路
１５…インターリーブ回路
１６…デインターリーブ回路
１７…記録ＥＣＣ処理回路
１８…再生ＥＣＣ処理回路
１９…Ｓｅｒｉａｌ−ＡＴＡＰＩインターフェース回路
２０…メモリ制御回路
２１…中央処理ユニット(ＣＰＵ)
２２…半導体メモリ
２００…調停回路
２０１…自動ＡＴＡＰＩ／ＥＣＣ優先順位切り替え回路
２０２…ＥＣＣリクエストカウント回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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