(57)【要約】【課題】現在、製品コストを下げるため、リードフレーム形状は、シングルフレーム（単列型多連）からマトリクスフレーム（多列多連）に移行する製品が多くを占めるようになってきている。これに伴い、モールド金型の流路も複雑になるため、モールド後のタイバー内のレジン未充填不良が多発している。【解決手段】本願発明は、ダイパッド、前記ダイパッドの周囲に配置された複数のリード、前記複数のリードを連結するタイバー、および、これらの周辺にあって、これらを支持する枠部を有する複数の単位デバイス領域を備えたリードフレームを用いた半導体装置の製造方法において、レジンモールド（たとえば、トランスファ・モールド）後のレジン封止体の外周のダム内樹脂部材（タイバー内樹脂体）の状態をタイバーの切断より前に、透過照明の下でカメラによって観測するものである。【選択図】図１７
2012009740.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ダイパッド、前記ダイパッドの周囲に配置された複数のリード、前記複数のリードを連結するタイバー、および、これらの周辺にあって、これらを支持する枠部を有する複数の単位デバイス領域を備えたリードフレームを準備する工程；
（ｂ）表側面に複数の電極パッドを有する半導体チップの裏面を各ダイパッド上に固定する工程；
（ｃ）前記複数のリードと前記複数の電極パッド間をワイヤで接続する工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、モールド装置内において、前記リードフレームを第１金型と第２金型の間に挟んだ状態で、各単位デバイス領域に対応した位置であって、前記タイバーの内側に形成されるモールドキャビティおよび、その外周の前記タイバーの内側の領域にモールド樹脂を注入することにより、前記モールドキャビティに対応した樹脂封止体およびタイバー内樹脂体を形成する工程；
（ｅ）前記モールド装置内において、前記樹脂封止体が形成された前記リードフレームを前記第１金型および前記第２金型の間から取り出す工程；
（ｆ）前記工程（ｅ）の後、前記リードフレームの一方の面側に照明を配置した状態で、他方の面側からカメラにより前記樹脂封止体の周辺の前記タイバー内樹脂体の状態を観測する工程；
（ｇ）前記工程（ｆ）の後、各単位デバイス領域内の前記タイバーを切断する工程。
【請求項２】
前記１項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｆ）における前記カメラによる単位観測領域は、前記複数の単位デバイス領域の内の少なくとも一つの単位デバイス領域を内包する。
【請求項３】
前記１項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｆ）における前記カメラによる単位観測領域は、前記複数の単位デバイス領域の内の少なくとも一つの単位デバイス領域内の検査対象領域を内包する。
【請求項４】
前記１項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｆ）における前記カメラによる単位観測領域は、前記複数の単位デバイス領域の内の少なくとも近接する複数の単位デバイス領域を内包する。
【請求項５】
前記１項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｆ）における前記カメラによる単位観測領域は、前記複数の単位デバイス領域の内の少なくとも近接する複数の単位デバイス領域内の各検査対象領域を内包する。
【請求項６】
前記１項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｆ）における前記カメラによる単位観測領域は、前記複数の単位デバイス領域の内の少なくとも近接する４個の単位デバイス領域を内包する。
【請求項７】
前記１項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｆ）における前記カメラによる単位観測領域は、前記複数の単位デバイス領域の内の少なくとも近接する４個の単位デバイス領域内の各検査対象領域を内包する。
【請求項８】
前記５項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｆ）は、前記モールド装置内において実行される。
【請求項９】
前記８項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｆ）は、前記モールド装置内において、前記リードフレームをアンロードストッカに収納する前に、実行される。
【請求項１０】
前記９項の半導体装置の製造方法において、前記照明は、前記リードフレームの前記一方の面側の前記単位観測領域に対応する領域全体を照明する。
【請求項１１】
前記１０項の半導体装置の製造方法において、前記一方の面側は下側であり、前記他方の面側は上側である。
【請求項１２】
前記１１項の半導体装置の製造方法において、前記カメラの焦点面は前記リードフレームの属する平面又はその近傍にある。
【請求項１３】
前記１２項の半導体装置の製造方法において、更に以下の工程を含む：
（ｈ）前記工程（ｆ）の後であって前記工程（ｇ）の前に、前記工程（ｆ）において取得した画像データと、参照データを比較することにより、封止樹脂の未充填の有無を判定する工程。
【請求項１４】
前記１３項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｆ）において、前記観測は、フローキャビティ部に対しても実行される。
【請求項１５】
前記１項の半導体装置の製造方法において、前記第１金型は、下金型であり、前記第２金型は、上金型である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置（または半導体集積回路装置）の製造方法におけるプラスチックモールド技術に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
日本特開平７−２３１００５号公報（特許文献１）には、リードフレームを用いた半導体装置のプラスチックパッケージのトランスファ・モールド工程において、封止レジンの充填不足の有無をリードフレームの搬送速度を遅くすることなく検出するため、エアベントに隣接する部分に空洞があるか否かを光透過センサにより検出する技術が開示されている。
【０００３】
日本特開２００９−２０６３２８号公報（特許文献２）には、配線基板上の半導体チップをプラスチックにより封止するトランスファ・モールド工程において、エアベントの詰まりをモニタするため、エアベントに対応するパッケージのコーナ外部に検査用のレジンパターンが形成されるようにしておき、その検査用のレジンパターンを反射により検出する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−２３１００５号公報
【特許文献２】特開２００９−２０６３２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
現在、製品コストを下げるため、リードフレーム形状は、シングルフレーム（単列型多連）からマトリクスフレーム（多列多連）に移行する製品が多くを占めるようになってきている。これに伴い、モールド金型の流路も複雑になるため、モールド後のタイバー内のレジン未充填不良が多発している。
【０００６】
ここで、前記特許文献１に示されているような局所的な透過光を利用して、封止体周辺部のレジンの有無を検出して、封止レジンの充填不足の有無を判定することも考えられるが、封止体周辺部のレジンは、樹脂バリ状の構造（フィラーを含まない、あるいは含んでいたとしてもほぼ０に近い、所謂、樹脂のみの状態）を呈することが多く、光を通しやすい。従って、充填されている場合においても、未充填と誤判定する可能性が高い。
【０００７】
一方、前記特許文献２に示されているような反射光方式を転用することも考えられる。しかし、封止体を搭載したリードフレームを反射で観察する場合には、十分なコントラストを得ることが、困難であり、その結果、未充填箇所の特定精度を上げることが困難となる。
【０００８】
この点に関して、本願発明者が各種のレジン未充填検査方法について検討したところによると、一般に行われている方法は、特定箇所の観察により、全体の状況を推測するものであり、不良モードが多様化している現状においては、定点モニタベースの検査手法は、本課題には適合しないことが明らかとなった。
【０００９】
本願発明は、これらの課題を解決するためになされたものである。
【００１０】
本発明の目的は、信頼性の高い半導体装置の製造プロセスを提供することにある。
【００１１】
本発明の前記並びにその他の目的と新規な特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記の通りである。
【００１３】
すなわち、本願の一つの発明は、ダイパッド、前記ダイパッドの周囲に配置された複数のリード、前記複数のリードを連結するタイバー、および、これらの周辺にあって、これらを支持する枠部を有する複数の単位デバイス領域を備えたリードフレームを用いた半導体装置の製造方法において、レジンモールド（たとえば、トランスファ・モールド）後のレジン封止体の外周のダム内樹脂部材（タイバー内樹脂体）の状態をタイバーの切断より前に、透過照明の下でカメラによって観測するものである。
【発明の効果】
【００１４】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記のとおりである。
【００１５】
すなわち、ダイパッド、前記ダイパッドの周囲に配置された複数のリード、前記複数のリードを連結するタイバー、および、これらの周辺にあって、これらを支持する枠部を有する複数の単位デバイス領域を備えたリードフレームを用いた半導体装置の製造方法において、レジンモールド（たとえば、トランスファモールド）後のレジン封止体の外周のダム内樹脂部材（タイバー内樹脂体）の状態をタイバーの切断より前に、透過照明の下でカメラによって観測することで、レジンモールドにおけるレジン未充填欠陥を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法のアウトラインを説明するための樹脂未充填検査時のリードフレームの全体上面模式図（樹脂充填完了時点）である。
【図２】組み立てプロセスを説明するための図１の単位観測領域５１におけるリードフレームの斜視模式図（リードフレーム準備工程）である。
【図３】組み立てプロセスを説明するための図１の単位観測領域５１におけるリードフレームの斜視模式図（ダイボンディング工程）である。
【図４】組み立てプロセスを説明するための図１の単位観測領域５１におけるリードフレームの斜視模式図（ワイヤボンディング工程）である。
【図５】図４のコーナ切り出し領域Ｒ１におけるリードフレームの拡大上面図（ワイヤボンディング工程）である。
【図６】図４のコーナ切り出し領域Ｒ１におけるリードフレームの拡大上面図（樹脂充填工程途中）である。
【図７】図１の単位デバイス領域５の拡大上面図（樹脂充填完了時点）である。
【図８】図４のコーナ切り出し領域Ｒ１におけるリードフレームの拡大上面図（樹脂充填完了時点）である。
【図９】図８のＸ−Ｘ’断面における金型の局所模式断面図である。
【図１０】モールド装置内での流れの概要を示すブロックフローおよび樹脂未充填検査時のコーナ切り出し領域Ｒ１の状況を示す局所斜視模式図を含む複合図である。
【図１１】組み立てプロセスを説明するための図１の単位観測領域５１におけるリードフレームの斜視模式図（樹脂未充填検査時）である。
【図１２】タイバー切断＆検査装置内での流れの概要を示すブロックフローおよびタイバー切断完了時点のコーナ切り出し領域Ｒ１の状況を示す局所斜視模式図を含む複合図である。
【図１３】図４のコーナ切り出し領域Ｒ１におけるリードフレームの拡大上面図（タイバー切断完了時点）である。
【図１４】マーク＆リード成形装置内での流れの概要を示すブロックフローおよび外形完成時点の単位パッケージの状況を示す斜視模式図を含む複合図である。
【図１５】外形完成時点の単位パッケージの状況を示す拡大斜視模式図である。
【図１６】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法において使用するモールド装置の上面模式図である。
【図１７】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部である樹脂未充填検査の様子を示す樹脂未充填検査部の要部斜視模式図である。
【図１８】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部である樹脂未充填検査の様子を示す樹脂未充填検査部の要部模式断面図である。
【図１９】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部である樹脂未充填検査における単位デバイス領域、単位観測領域および充填有無判定対象領域の相互関係を示す模式平面図（例１）である。
【図２０】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部である樹脂未充填検査における単位デバイス領域、単位観測領域および充填有無判定対象領域の相互関係を示す模式平面図（例２）である。
【図２１】本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセスにおける詳細な流れを示す処理ブロックフロー図である。
【図２２】図４のコーナ切り出し領域Ｒ１を例にとった樹脂未充填不良の実態を例示するリードフレームの局所上面図（コーナ集中型不良）である。
【図２３】図４のコーナ切り出し領域Ｒ１を例にとった樹脂未充填不良の実態を例示するリードフレームの局所上面図（分散型不良）である。
【図２４】図２２及び図２３の部分にほぼ対応する良品画像（参照画像）である。
【図２５】図２２の部分にほぼ対応する不良画像（コーナ集中型不良）である。
【図２６】図２３の部分にほぼ対応する不良画像（分散型不良）である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
〔実施の形態の概要〕
先ず、本願において開示される発明の代表的な実施の形態について概要を説明する。
【００１８】
１．以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）ダイパッド、前記ダイパッドの周囲に配置された複数のリード、前記複数のリードを連結するタイバー、および、これらの周辺にあって、これらを支持する枠部を有する複数の単位デバイス領域を備えたリードフレームを準備する工程；
（ｂ）表側面に複数の電極パッドを有する半導体チップの裏面を各ダイパッド上に固定する工程；
（ｃ）前記複数のリードと前記複数の電極パッド間をワイヤで接続する工程；
（ｄ）前記工程（ｃ）の後、モールド装置内において、前記リードフレームを第１金型と第２金型の間に挟んだ状態で、各単位デバイス領域に対応した位置であって、前記タイバーの内側に形成されるモールドキャビティおよび、その外周の前記タイバーの内側の領域にモールド樹脂を注入することにより、前記モールドキャビティに対応した樹脂封止体およびタイバー内樹脂体を形成する工程；
（ｅ）前記モールド装置内において、前記樹脂封止体が形成された前記リードフレームを前記第１金型および前記第２金型の間から取り出す工程；
（ｆ）前記工程（ｅ）の後、前記リードフレームの一方の面側に照明を配置した状態で、他方の面側からカメラにより前記樹脂封止体の周辺の前記タイバー内樹脂体の状態を観測する工程；
（ｇ）前記工程（ｆ）の後、各単位デバイス領域内の前記タイバーを切断する工程。
【００１９】
２．前記１項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｆ）における前記カメラによる単位観測領域は、前記複数の単位デバイス領域の内の少なくとも一つの単位デバイス領域を内包する。
【００２０】
３．前記１項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｆ）における前記カメラによる単位観測領域は、前記複数の単位デバイス領域の内の少なくとも一つの単位デバイス領域内の検査対象領域を内包する。
【００２１】
４．前記１項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｆ）における前記カメラによる単位観測領域は、前記複数の単位デバイス領域の内の少なくとも近接する複数の単位デバイス領域を内包する。
【００２２】
５．前記１項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｆ）における前記カメラによる単位観測領域は、前記複数の単位デバイス領域の内の少なくとも近接する複数の単位デバイス領域内の各検査対象領域を内包する。
【００２３】
６．前記１項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｆ）における前記カメラによる単位観測領域は、前記複数の単位デバイス領域の内の少なくとも近接する４個の単位デバイス領域を内包する。
【００２４】
７．前記１項の半導体装置の製造方法において、前記工程（ｆ）における前記カメラによる単位観測領域は、前記複数の単位デバイス領域の内の少なくとも近接する４個の単位デバイス領域内の各検査対象領域を内包する。
【００２５】
８．前記１から７項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｆ）は、前記モールド装置内において実行される。
【００２６】
９．前記１から７項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｆ）は、前記モールド装置内において、前記リードフレームをアンロードストッカに収納する前に、実行される。
【００２７】
１０．前記１から９項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記照明は、前記リードフレームの前記一方の面側の前記単位観測領域に対応する領域全体を照明する。
【００２８】
１１．前記１から１０項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記一方の面側は下側であり、前記他方の面側は上側である。
【００２９】
１２．前記１から１１項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記カメラの焦点面は前記リードフレームの属する平面又はその近傍にある。
【００３０】
１３．前記１から１２項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、更に以下の工程を含む：
（ｈ）前記工程（ｆ）の後であって前記工程（ｇ）の前に、前記工程（ｆ）において取得した画像データと、参照データを比較することにより、封止樹脂の未充填の有無を判定する工程。
【００３１】
１４．前記１から１３項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記工程（ｆ）において、前記観測は、フローキャビティ部に対しても実行される。
【００３２】
１５．前記１から１４項のいずれか一つの半導体装置の製造方法において、前記第１金型は、下金型であり、前記第２金型は、上金型である。
【００３３】
〔本願における記載形式、基本的用語、用法の説明〕
１．本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクション等に分けて記載するが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、記載の前後を問わず、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しを省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
【００３４】
２．同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、Ａ以外の要素を主要な構成要素のひとつとするものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。たとえば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、SiGe合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。また、金メッキ、銅層、ニッケル・メッキ等といっても、そうでない旨、特に明示した場合を除き、純粋なものだけでなく、それぞれ金、銅、ニッケル等を主要な成分とする部材を含むものとする。
【００３５】
３．同様に、図形、位置、属性等に関して、好適な例示をするが、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、厳密にそれに限定されるものではないことは言うまでもない。まとえば、「矩形」または「ほぼ矩形」というときは、厳密な正方形又は長方形のみでなく、それらに類似したものを含む。たとえば、四隅を面取りした又は丸みを帯びさせた変形された正方形は矩形である。正方形を例にとれば、一般的に面取り等により、理想的正方形から除外された部分の面積が、前記理想的正方形の面積の１５％未満である場合は、変形された正方形は矩形である。
【００３６】
４．さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。
【００３７】
５．「ウエハ」というときは、通常は半導体装置（半導体集積回路装置、電子装置も同じ）をその上に形成する単結晶シリコンウエハを指すが、ＳＯＩウエハ、エピタキシャルウエハ、絶縁基板と半導体層等の複合ウエハ等も含むことは言うまでもない。
【００３８】
６．「半導体チップ」というときは、一般的にはウエハ分割工程(ブレードダイシング、レーザダイシングその他のペレタイズ工程)後の半導体デバイス又は半導体集積回路を形成したダイ等を指す。ここでは主としてシリコン系のチップを、例にとって説明するが、GaAs系その他のデバイス・チップであってもよい。
【００３９】
７．本願で主に取り扱うトランスファ・モールドでは、金型は上金型（たとえば第２金型）、および下金型（たとえば第１金型）が閉じたときにできる空間にできた各種の空間領域を用いてレジンを溶融、転送（移動）、注入（充填）、キュア進行（圧縮モールドの場合は文字通りの意味での溶融、転送、注入はない）によって、レジン封止物を形成する。この過程を説明する際、前記各種の空間領域、すなわち、レジンタブレットを収容するポット部、このポット部に対向して設けられたカル(Cull)部、カル部とキャビティ部をつなぐランナ部、ランナ部とキャビティ部の境界領域に形成されたゲート等の金型に関する部分と、封止レジンによる封止体（配線基板上の領域を含む）のそれらに対応する部分の間で参照番号を共用する場合がある。なお、封止技術においては、金型の金属部分が意味を持つのではなく、その空隙部に意味があるので、図に表示する場合に、一部で、金型の金属部分を省略して、充填部材のみを明示する場合がある。
【００４０】
〔実施の形態の詳細〕
実施の形態について更に詳述する。各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
【００４１】
また、添付図面においては、却って、煩雑になる場合または空隙との区別が明確である場合には、断面であってもハッチング等を省略する場合がある。これに関連して、説明等から明らかである場合等には、平面的に閉じた孔であっても、背景の輪郭線を省略する場合がある。更に、断面でなくとも、空隙でないことを明示するために、ハッチングを付すことがある。
【００４２】
１．本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法のアウトライン等の説明（主に図１）
ここでは、パッケージ形状の一例として、ほぼ正方形に近い矩形の平面形状を有する薄板状の樹脂封止パッケージを例に取り説明するが、典型的長方形またはそれに近い平面形状を有するものでも良い。また、金型セット（すなわち、金型）を構成する二つの金型（たとえば上下金型）の内面の両方にキャビティに対応した凹部を有する例について説明するが、一方のみにキャビティに対応した凹部を有するものでもよいことはいうまでもない。
【００４３】
また、パッケージのマトリクス配列については、以下では説明の都合上、２ｘ６の例を示すが、３ｘ１０、４ｘ１２程度のものが汎用されている。なお、リードフレームの平面寸法の一例を示すとすれば、たとえば、４０ｘ１２０ミリメートル程度である。
【００４４】
更に、以下に例示するリードフレームはフローキャビティ開口を有するものであるが、これは、必ずしも必要なものではなく、通常のエアベントに対応した形状でもよいことはいうまでもない。
【００４５】
なお、以下の斜視図や全体図等においては、図示の都合上、リードフレーム等の２次的な構造は省略している。
【００４６】
図１は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法のアウトラインを説明するための樹脂未充填検査時のリードフレームの全体上面模式図（樹脂充填完了時点）である。これに基づいて、本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法のアウトライン等を説明する。
【００４７】
図１に一例として、単位デバイス領域５を、１２個を２ｘ６型のマトリクス状に配列したリードフレーム１（正確には、たとえば、銅を主要な成分とするリードフレーム本体１と、そこに形成された樹脂封止体３等から構成されたリードフレーム＆樹脂封止体複合体）を示す。ここで、複数の単位デバイス領域５は、枠部６によって一体に保持されており、半導体チップ２は、リードフレーム１の各単位デバイス領域５のチップ搭載面１ａに搭載されている。樹脂封止体３の４辺からは、多数のリード４（すなわち、アウタリード部４ｐ）が突出しており、各単位デバイス領域５の左下コーナ（注入ゲートの対角的位置に当たる）には、フローキャビティ開口７が設けられている。
【００４８】
ここで、従来、主に用いられてきた高粘度のエポキシ系封止樹脂であれば、フローキャビティ開口７が設けられているコーナ部（すなわち、注入ゲート対角コーナ部）の充填状況をスポット的にモニタすることで、安定的な充填特性を確保することができた。しかし、本願発明者等の分析結果によれば、ハロゲンフリー化の流れの中で、高流動性封止樹脂（たとえば、多環芳香族系エポキシ樹脂の使用、可撓化剤の増量、シリカ等の充填材の微細化および球形化など）が多用されるようになると、溶融樹脂の流れの性質が分散的となり、より流路の性質に状態に依存するようになり、従来のように、樹脂未充填不良も特定の箇所に集中せず、予測不可能な場所に、ばらばらに出現する傾向が強くなっている。
【００４９】
従って、一つの単位デバイス領域５についてみても、常に注入ゲート対角コーナ部に出現するとは限らず、どの辺のどのあたりに出現するかを事前に予測することは困難である。また、同一の製品においても、時間が異なれば、その出現位置の再現性は比較的低い。また、このことは、リードフレーム１全体についても言え、複数の単位デバイス領域５に出現するかを予測することもまた困難である。
【００５０】
更に、昨今のデバイスの微細化に伴う検査装置の限界を超えたリードフレーム寸法及び金型寸法の急激な微細化も、このような溶融樹脂の流れの予測を困難にしている（たとえば、一般的な検査方法の検出可能限界寸法は２００マイクロメートル程度である）。以下に、最新のリードフレーム及び金型の主要部の寸法をまとめて例示する。
【００５１】
リードフレーム寸法等は：
（１）アウタリード間ピッチ：たとえば４００マイクロメートル程度、
（２）レジン封止体本体（タイバー内樹脂体を除く）からタイバー内側までの距離：たとえば１５０マイクロメートル程度、
（３）ピン数：たとえば１２８ピン程度、
（４）全体サイズ：たとえば６６ミリメートルｘ２３０ミリメートル程度であり、
金型寸法及び封止樹脂に関しては：
（５）球形フィラー等を含む流動性の良いエポキシ樹脂ベースの封止樹脂の導入、
（６）注入ゲート幅：０．３ミリメートル程度、
（７）注入ゲート深さ：０．１５ミリメートル程度、
（８）エアベント幅：０．２ミリメートル程度、
（９）エアベント深さ：０．０２から０．０３ミリメートル程度である。
【００５２】
そのため、一般的な単一又は複数のビームや局所的な画像観測では、モールド工程の安定的な管理は困難であるので、コントラストの強い透過照明の下、より大域的な領域の画像データをＣＣＤカメラ（たとえば、２００万画素）等により、一括して取得して、その画像データと参照データ（良品データ）を比較して（たとえば、差分画像を取得して）、封止樹脂の充填状況を観測＆判定することが有効である。このようなやり方のよって、検出可能限界寸法を５０マイクロメートル程度に向上させることができる。また、観測幅が、リードフレームのフルサイズ幅である８０ミリメートル以上に取れるので、カメラを固定した状態でも観測することができ、精度向上に有効である。
【００５３】
具体的には、たとえば、図１に示すように、観測対象であるリードフレーム全体を複数の単位観測領域５１，５１ａ，５１ｂ，５１ｃに分割して、その中に少なくとも一つの単位デバイス領域５の全体、または、その充填有無判定対象領域５３（図１９又は図２０）の全部が含まれるようにしている。更に、観測の高速化の観点から、複数の単位デバイス領域５（具体的には、たとえば、４個）に対する画像取得を単位観測領域５１として観測することが有効である。更に、ＣＣＤカメラの画素数が許せば、リードフレーム全体を、画像取得を単位観測領域５１として観測することが更に有効である。
【００５４】
以下、これに関して、詳細を説明する。
【００５５】
２．本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法における組み立てプロセスの説明（主に図２から図１５）
このセクションでは、トランスファ・モールドの一例として、半導体チップ２がリードフレーム１の上面にある場合について説明するが、この位置は、プロセスの必要に応じて、リードフレーム１の下面にあってもよいことはいうまでもない。
【００５６】
なお、この例では、ダイパッドの面積がチップ面積よりも小さい、いわゆる「小ダイパッド型リードフレーム」の例について説明するが、ダイパッドの面積がチップ面積よりも大きいもの（いわゆる「大ダイパッド型リードフレーム」）等にも適用できることは言うまでもない。
【００５７】
図２は組み立てプロセスを説明するための図１の単位観測領域５１におけるリードフレームの斜視模式図（リードフレーム準備工程）である。図３は組み立てプロセスを説明するための図１の単位観測領域５１におけるリードフレームの斜視模式図（ダイボンディング工程）である。図４は組み立てプロセスを説明するための図１の単位観測領域５１におけるリードフレームの斜視模式図（ワイヤボンディング工程）である。図５は図４のコーナ切り出し領域Ｒ１におけるリードフレームの拡大上面図（ワイヤボンディング工程）である。図６は図４のコーナ切り出し領域Ｒ１におけるリードフレームの拡大上面図（樹脂充填工程途中）である。図７は図１の単位デバイス領域５の拡大上面図（樹脂充填完了時点）である。図８は図４のコーナ切り出し領域Ｒ１におけるリードフレームの拡大上面図（樹脂充填完了時点）である。図９は図８のＸ−Ｘ’断面における金型の局所模式断面図である。図１０はモールド装置内での流れの概要を示すブロックフローおよび樹脂未充填検査時のコーナ切り出し領域Ｒ１の状況を示す局所斜視模式図を含む複合図である。図１１は組み立てプロセスを説明するための図１の単位観測領域５１におけるリードフレームの斜視模式図（樹脂未充填検査時）である。図１２はタイバー切断＆検査装置内での流れの概要を示すブロックフローおよびタイバー切断完了時点のコーナ切り出し領域Ｒ１の状況を示す局所斜視模式図を含む複合図である。図１３は図４のコーナ切り出し領域Ｒ１におけるリードフレームの拡大上面図（タイバー切断完了時点）である。図１４はマーク＆リード成形装置内での流れの概要を示すブロックフローおよび外形完成時点の単位パッケージの状況を示す斜視模式図を含む複合図である。図１５は外形完成時点の単位パッケージの状況を示す拡大斜視模式図である。これらに基づいて、本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法における組み立てプロセスを説明する。
【００５８】
まず、図２に示すように、リードフレーム１を準備する。同図よりわかるように、リードフレーム１の枠部６によって複数の単位デバイス領域５が一体的に保持されており、各単位デバイス領域５の中心部には、ダイパッド８が配置されている。このダイパッド８は、ダイパッドサポートバー９（ダイパッド吊りリード）により周辺の枠部６に連結されており、ダイパッド８の周りには、リード４が配置されている。
【００５９】
次に、ダイボンディング装置内において、図３に示すように、各ダイパッド８上に、接着剤層等の仲介膜を介して、半導体チップ２を固定（または搭載）する。具体的には、半導体チップ２の裏面２ｂを、接着剤層等を介してダイパッド８に接着する。その後、リードフレーム１はダイボンディング装置からワイヤボンディング装置へ移送される。
【００６０】
次に、ワイヤボンディング装置内において、図４または図５に示すように、半導体チップ２の表側主面２ａ（電極パッド形成面）上に形成された多数の電極パッド１２（ボンディングパッド）と半導体チップ２の外部の多数のリード４（より正確には、インナリード部４ｉ）の間をボンディングワイヤ１１で相互接続する。図５より、この時点では、インナリード部４ｉとアウタリード部４ｐの接続部周辺で、多数のリード４はタイバー１４によって、相互に連結されていることがわかる。また、図５に示すように、隣接するアウタリード部４ｐ間にはアウタリード間開口１０があり、その外側には、リードフレーム１全体の反りを防止するためのスリット１５が設けられている。また、同図には、参考までに、モールド金型にセットした場合のモールドキャビティ外縁５２を破線で示している。
【００６１】
次に、リードフレーム１は、モールド装置に移送される。まず、リードフレーム１は、単位デバイス領域５とキャビティ５２が対応する位置に来る状態で、両金型の間に挟まれるようにセットされる。次に、樹脂モールド工程における樹脂充填の途中段階における状況を図６に示す。図６より、溶融封止樹脂１６が注入されて、徐々にリード間ダム領域２０にタイバー内樹脂体１７が形成されて行くのがわかる。
【００６２】
次に、樹脂モールド工程における樹脂充填の完了段階及び、それにいたる状況を図７、図８及び図９に示す。ここで、まず、単位デバイス領域５の全体構造とともに、トランスファ・モールドにおける樹脂充填の完了段階に至る樹脂の流れについて説明する。金型７８のポット部に挿入されたレジンタブレット５８（図１６）は、金型の熱により溶融して、溶融封止樹脂１６（図６）となり、金型７８のカル部およびランナ部８０を通して、リードフレーム１のゲート開口２１の部分に至る。そこから、注入ゲート２２を通して、モールドキャビティ５２に注入され、徐々にモールドキャビティ５２（下金型７８ａと上金型７８ｂの間に形成された空間）を充填して行き、最終的にモールドキャビティ５２を満たした後、リード間ダム領域２０も充填して、タイバー内樹脂体１７を形成する。更に、このとき、過剰の封止樹脂はフローゲート２３を通して、ボイドとともに、フローキャビティ７９に移送され、そこを満たし、フローキャビティ開口部の封止樹脂体１８を形成する（同様に、ランナ部８０やリードフレーム１のゲート開口２１部分にも封止樹脂体１９すなわちゲートレジンが形成される）。フローキャビティ７９は、下金型（図９における下側の金型、または、たとえば第１金型）７８ａと上金型（図９における上側の金型、または、たとえば第２金型）７８ｂの間に形成されたモールドキャビティ５２よりも小さく、リードフレーム１のフローキャビティ開口７を含む空間である（このキャビティは、通常、封止体３の上面側３ａと下面側の両凹部から構成されるが、一方の凹部から構成されるようにしても良い）。
【００６３】
一方、注入ゲート２２とフローゲート２３を結ぶ対角線の両側のコーナ部には、通常、不所望なエアを排出するためのエアベント２４が設けられ、それに対応して、リードフレーム１には、エアとともに排出される少量の樹脂を収容するためのベント開口２５が設けられている。
【００６４】
図７、図８及び図９に示すように、樹脂充填の完了段階（正常時）においては、樹脂封止体３は、半導体チップ２の表面側主面２ａ、裏面２ｂおよびダイパッド８を完全にカバーしている。もっとも、製品によっては、チップ２の裏面２ｂまたはダイパッド８の裏面が露出しているものもある。
【００６５】
次に、トランスファ・モールド（図１０のモールド工程１０１）が完了すると、リードフレーム１は、金型７８から取り出され、ゲートレジン等が除去されるが（ゲートブレーク工程）、その後の状態を図１０及び図１１に示す。ここで、たとえば、図１０に示す充填有無判定対象領域５３について、未充填検査１０２が実行される。充填有無判定対象領域５３には、通常、樹脂封止体３の全周のタイバー内樹脂体１７（リード間ダム領域２０）を含む。なお、フローキャビティ開口７がある場合は、必須ではないが、その封止樹脂体１８の検査も含めることが望ましい。
【００６６】
その後、パッケージずれ検査１０３等が実行された後、正常なリードフレーム１は、アンロードストッカ６４（図１６）に収容され（ストッカ収納工程１０４）、その後、モールド装置５４から排出され、たとえば摂氏１７５度程度で数時間程度、ポストキュア（完全硬化処理）を実行した後、アウタリード部４ｐへの半田メッキ等のメッキ処理が実施される。その後、リードフレーム１は、タイバー切断装置６０（図１２）に移送される。このように、タイバー切断前に、樹脂の未充填検査を実施するので、大量の不良品を作り出すことを回避できるほか、樹脂未充填リードフレームに対して、ポストキュア、メッキ処理等を実施しないで済むメリットがある。
【００６７】
次に、タイバー切断装置６０内において、図１２及び図１３に示すように、タイバー１４（ダムバー）を切断するとともに、タイバー内樹脂体１７およびフローキャビティ開口部の封止樹脂体１８等の不要な封止体を除去する（タイバー切断工程１０５）。続いて、タイバー切断検査１０６を実行する。その後、リードフレーム１は、タイバー切断装置６０からマーク＆リード成形装置７０に移送される。
【００６８】
次に、マーク＆リード成形装置７０内において、図１４に示すように、レジン封止体３の上面３ａへのマーキングが実行される（マーキング工程１０７）。続いて、アウタリード部４ｐの成形工程１０８、リードフレーム１からの分離、マーク検査及びリード成形検査１０９等が実行される。ここで、個々のパッケージに分離された半導体装置は、マーク＆リード成形装置７０から外観検査装置へ移送され、そこで、たとえば、自動外観検査１１０等が実行され、図１５に示すような最終的な樹脂封止された半導体デバイスとなる。
【００６９】
３．本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法において使用するモールド装置の説明（主に図１６）
このセクションでは、セクション２で説明したモールド工程に使用する装置及びその中でのリードフレーム１の流れについて説明する。この装置は、一例であり、各種の変更が可能であることはいうまでもない。
【００７０】
図１６は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法において使用するモールド装置の上面模式図である。これに基づいて、本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法において使用するモールド装置を説明する。
【００７１】
ワイヤボンディング装置から樹脂モールド装置５４（自動樹脂モールド装置）に移送されたリードフレーム１は、まず、リードフレームロードストッカ５５（通常、数十枚から数百枚収容される）に収容される。
【００７２】
次に、リードフレーム１は搬送機構５６によって、移送され、樹脂タブレット供給部５７からの樹脂タブレット５８とともに、プレス部５９内の金型７８（上金型７８ｂおよび下金型７８ａ）間に供給され、リードフレーム１が上金型７８ｂおよび下金型７８ａの間に挟まれた状態で、樹脂の注入が実行される。キャビティ５２（図７）への樹脂の充填等が完了すると、金型７８が開き、リードフレーム１が搬送機構５６によって、金型７８間から搬出され、ゲートブレーク部６１において、ゲートブレーク（図２１のゲートブレーク工程１０１ｃ）が実行される。
【００７３】
次に、リードフレーム１は、搬送機構５６によって、パッケージ未充填検査部６２に移送され、そこで、パッケージ未充填検査１０２（図２１）が実行される。
【００７４】
次に、リードフレーム１は、搬送機構５６によって、パッケージ位置ずれ検査部６３に移送され、そこで、パッケージ位置ずれ検査１０３（図２１）が実行される（パッケージ未充填検査１０２とパッケージ位置ずれ検査１０３を同一の部分で実行しても良い）。その後、パッケージ未充填検査１０２およびパッケージ位置ずれ検査１０３をパスしたリードフレーム１は、搬送機構５６によって、リードフレームアンロードストッカ６４（通常、数十枚から数百枚収容される）すなわち良品ストッカに移送され、樹脂モールド装置５４外に排出される。一方、パッケージ未充填検査１０２またはパッケージ位置ずれ検査１０３をパスしなかったリードフレーム１は、搬送機構５６によって、不良マーク付け部６５へ移送され、そこで、不良マーク付けが行われた後、搬送機構５６によって、不良品ストッカ６６に収容される。
【００７５】
４．本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法において使用するパッケージ未充填検査装置の説明（主に図１７から図２０、図１を参照）
このセクションでは、セクション１、２及び３で説明したパッケージ未充填検査に使用するパッケージ未充填検査装置について説明する。ここに例示した装置は、パッケージ未充填検査を実現するための一手段に過ぎず、種々変更可能であることはいうまでもない。
【００７６】
図１７は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部である樹脂未充填検査の様子を示す樹脂未充填検査部の要部斜視模式図である。図１８は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部である樹脂未充填検査の様子を示す樹脂未充填検査部の要部模式断面図である。図１９は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部である樹脂未充填検査における単位デバイス領域、単位観測領域および充填有無判定対象領域の相互関係を示す模式平面図（例１）である。図２０は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法の要部である樹脂未充填検査における単位デバイス領域、単位観測領域および充填有無判定対象領域の相互関係を示す模式平面図（例２）である。これらに基づいて、本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法において使用する検査装置を説明する。
【００７７】
図１７及び図１８に示すように、パッケージ未充填検査装置６２（パッケージ未充填検査部）は、下方の２次元照明装置６７、上方のカメラ６９、その間のリードフレーム搬送機構７１等によって構成されており、リードフレーム搬送機構７１によって、各単位観測領域５１ａ，５１ｂ，５１ｃ単位で水平方向にシフトさせて、リードフレーム１の全領域を検査する構造となっている。２次元照明装置６７は、リードフレーム１の裏面１ｂ側にあって、たとえば、白色ＬＥＤ２次元マトリクスアレー７２、拡散板６８等から構成されており、２次元の均一な白色照明を提供するようになっている。一方、カメラ６９（撮像系）は、カメラレンズ７３（レンズ系）、２次元撮像素子７４等から構成されており、リードフレーム１を透過した照明光をリードフレーム１の像として、撮像面７５に結像するようになっている。すなわち、カメラの物焦点面は、リードフレームの属する平面又はその近傍にある。
【００７８】
ここで、照明領域７６（均一な照明が得られる領域）は、各単位観測領域５１，５１ａ，５１ｂ，５１ｃよりも大きい（すなわち、観測時には、図１８に示すように、照明領域７６が、たとえば単位観測領域５１ｂを内包する）ことが望ましい（すなわち、リードフレームの下面等の単位観測領域全体を照明する）。また、各単位観測領域５１ａ，５１ｂ，５１ｃは、ここでは、相互に、若干、重なりを持たせているが、端部には充填有無判定対象領域５３やその他観察すべき領域がない場合には、相互に分離した領域としてもよい。
【００７９】
図１９及び図２０に、単位デバイス領域５、単位観測領域５１、および充填有無判定対象領域５３の相互関係の具体例を示す。通常は、図１９に示すように、検査対象となる複数の単位デバイス領域５の全部を単位観測領域５１の内部に含む、すなわち、内包する構成とするのが好適である。しかし、取得した画像を当該検査以外に使用する意図がないのであれば、図２０に示すように、検査対象となる複数の単位デバイス領域５の全部を単位観測領域５１に内包せず、検査対象となる複数の単位デバイス領域５の充填有無判定対象領域５３（検査対象領域）の全部を内包するようにしてもよい。なお、ここでは、単位観測領域５１に関係する（内包等される）単位デバイス領域５の数を２とする場合（図１９、図２０）、および４とする場合（図１、図１７）を主に説明したが、１とする場合、３とする場合、または、５以上とする場合でもよいことはいうまでもない。
【００８０】
５．本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセスの説明（主に図２１）
このセクションでは、セクション２及び３で説明した広義のモールドプロセス（モールド装置５４内での処理全般）の内、リードフレーム１の金型７８へのセット以降の処理プロセスについて詳述する。
【００８１】
図２１は本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセスにおける詳細な流れを示す処理ブロックフロー図である。これに基づいて、本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法におけるモールドプロセスを説明する。
【００８２】
図２１に示すように、リードフレーム１の金型７８へのセットが完了すると、下金型７８ａおよび上金型７８ｂが閉じて、樹脂の充填１０１ａ（トランスファ・モールド）が実行される。樹脂の充填１０１ａが完了すると、下金型７８ａおよび上金型７８ｂが開き、リードフレーム１が取り出される（製品取り出し工程１０１ｂ）。続いて、不必要なゲートレジン１９やランナ８０のレジン等をリードフレーム１から除去するゲートブレーク１０１ｃを実行する。これで、狭義のモールド工程（樹脂充填工程１０１ａ、製品取り出し工程１０１ｂ、ゲートブレーク１０１ｃ）が完了したことになる。
【００８３】
その後、モールド装置５４内で、パッケージ樹脂未充填検査１０２が実行される。この検査をパスしたリードフレーム１に対しては、続いて、モールド装置５４内で、パッケージずれ検査１０３が実行される。この検査もパスしたリードフレーム１は、良品アンロードストッカ６４に収容される（良品ストッカ収納工程１０４）。
【００８４】
一方、パッケージ樹脂未充填検査１０２またはパッケージずれ検査１０３で不良が発見された場合には、アラームが送出され（装置アラーム送出工程１２１）、当該リードフレーム１には不良マークが印字され（不良マーク印字工程１２２）、不良品ストッカ６６に収容される（不良リードフレーム収容工程１２３）。更に、更に不良品を製造しないようにモールド装置５４が停止される（装置停止工程１２４）。
【００８５】
装置停止工程１２４に引き続いて、金型７８の検査、すなわちモールド金型チェック工程１２５（主に樹脂のつまり等がチェックされる）が実行される。この結果、問題がない場合は、再びモールド装置５４が起動され、モールド工程１０１等が再開される。一方、問題が発見された場合には、問題箇所のクリーニング等の金型処理工程１２６が実行される。その後、必要に応じて、トライアルモールド処理１２７（いわゆる試し打ち）等が実行され、その結果が問題なければ（トライアルモールド処理１２７の結果封止された製品に対してパッケージ樹脂未充填検査１０２およびパッケージずれ検査１０３を実行して、その結果をみる製品チェック工程１２８）、再びモールド装置５４が起動され、モールド工程１０１等が再開される。この検査の結果に問題があるときは、再び、モールド金型チェック工程１２５を実行する。
【００８６】
このように、モールド装置５４内で未充填検査を実行するので（すなわち、アンロードストッカにリードフレームを収容する前に実施）、大量の不良リードフレームが後の工程に供給する前に、対策を実施することができるメリットがある。また、不良発見後、速やかにモールド装置を停止できるので、大量に不良リードフレーム（不良リードフレーム＆封止体複合体）を産出することを回避することができる。
【００８７】
６．本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂未充填検査の具体例の説明（主に図２２から図２６）
このセクションでは、セクション１から５で説明した未充填検査工程１０２の具体的実例を説明するが、ここに上げた画像の判定等の方法は、単なる一例であり、種々変更可能であることはいうまでもない。
【００８８】
図２２は図４のコーナ切り出し領域Ｒ１を例にとった樹脂未充填不良の実態を例示するリードフレームの局所上面図（コーナ集中型不良）である。図２３は図４のコーナ切り出し領域Ｒ１を例にとった樹脂未充填不良の実態を例示するリードフレームの局所上面図（分散型不良）である。図２４は図２２及び図２３の部分にほぼ対応する良品画像（参照画像）である。図２５は図２２の部分にほぼ対応する不良画像（コーナ集中型不良）である。図２６は図２３の部分にほぼ対応する不良画像（分散型不良）である。これらに基づいて、本願の一実施の形態の半導体装置の製造方法における樹脂未充填検査の具体例を説明する。
【００８９】
図２２に示す樹脂未充填不良モードは、旧来型（注入ゲート対角コーナ近傍不良モード）に属する。すなわち、注入ゲート２２に対して対角的位置にあるコーナ部の充填が滞るケースである（未充填不良部２６ａ）。この場合は、フローキャビティ開口７の充填状態を見ることによって、明確に判定することができる。ここで、リード間ダム領域２０の部分の充填が見かけ上、問題がない場合であっても、フローキャビティ開口７の充填状態が十分でない場合には、キャビティ５２の内部でも十分な加圧下でキュアされていないことになるので、製品としては、不良となる場合があるので、留意する必要がある。ただし、フローキャビティ開口７の充填状態の検査は必須ではなく、リード間ダム領域２０の重点状態だけを見るのであれば、フローキャビティ開口７を検査から除外しても良い。また、フローキャビティ等がない金型も多い。
【００９０】
この注入ゲート対角コーナ近傍不良モードの場合の取得画像の例を図２５に示す。これと、図２４に示す参照画像（良品の標準画像）を比較又は差分画像を取得して、検査を実行する。この場合は、たとえば、差分をとると、リード間ダム領域の部分の画像２０とフローキャビティ開口の部分の画像７が、不良画像として抽出される。
【００９１】
次に、分散型不良モードの一例を図２３に示す。このモードの特徴は、場所が予測できない点にある。すなわち、注入ゲート２２に対して対角的位置にあるコーナ部が有する二辺に限らず、注入ゲート２２が有する二辺にも出現するので、封止体３の全周に渡り、検査を実行することが有効である。この例では、未充填不良部２６ｂ，２６ｃにおいて、モールドキャビティの外縁５２を跨ぐように、未充填が発生しており、その部分のリード間ダム領域２０の未充填によって、不良の存在を検出することができる。このときの取得画像は、図２６に示すような状態となっている。この場合も、たとえば、先と同様に、図２４との差分を取ると、リード間ダム領域の部分の画像２０が、不良画像として抽出される。
【００９２】
なお、これらの画像において、常に光が透過しない領域７７（たとえば封止体３の部分）は、画像のコントラストを高める作用がある。
【００９３】
７．サマリ
以上本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能であることは言うまでもない。
【００９４】
例えば、前記実施の形態では、注入ゲートがコーナ部にある例について具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、注入ゲートが封止体の中央部にある方式（いわゆるトップゲート方式）にも適用できることは言うまでもない。
【００９５】
また、前記実施の形態では、トランスファ・モールドを例にとり具体的に説明したが、本発明はそれに限定されるものではなく、圧縮モールド等にも適用できることは言うまでもない。
【００９６】
更に、前記実施の形態では、単一の半導体チップを単位デバイス領域に固定する例を示したが、これは単なる一例であり、単位デバイス領域に複数の半導体チップをマウントするものでも良いことは言うまでもない。この際、ワイヤボンディング以外の方法でチップ外との接続を取るものがあってもよいことは言うまでもない。
【符号の説明】
【００９７】
１  リードフレーム
１ａ  リードフレームのチップ搭載面
１ｂ  リードフレームの裏面
１ｄ  良品リードフレーム
１ｐ  不良品リードフレーム
２  半導体チップ
２ａ  半導体チップの表側主面（電極パッド形成面）
２ｂ  半導体チップの裏面
３  樹脂封止体（本体）
３ａ  レジン封止体の上面
４  リード
４ｉ  インナリード部
４ｐ  アウタリード部
５  単位デバイス領域
６  リードフレームの枠部
７  フローキャビティ開口（又はその画像）
８  ダイパッド
９  ダイパッドサポートバー（ダイパッド吊りリード）
１０  アウタリード間開口（又はその画像）
１１  ボンディングワイヤ
１２  ボンディングパッド（電極パッド）
１４  タイバー（ダムバー）
１５  スリット
１６  溶融封止樹脂
１７  タイバー内樹脂体
１８  フローキャビティ開口部の封止樹脂体
１９  ゲート開口部の封止樹脂体（ゲートレジン）
２０  リード間ダム領域（又はその画像）
２１  ゲート開口
２２  注入ゲート
２３  フローゲート
２４  エアベント
２５  ベント開口
２６ａ、２６ｂ，２６ｃ  未充填不良部
５１，５１ａ，５１ｂ，５１ｃ  単位観測領域
５２  モールドキャビティ（またはその外縁）
５３  充填有無判定対象領域（検査対象領域）
５４  樹脂モールド装置
５５  リードフレームロードストッカ
５６  搬送機構
５７  樹脂タブレット供給部
５８  樹脂タブレット
５９  プレス部
６０  タイバー切断＆検査装置
６１  ゲートブレーク部
６２  パッケージ未充填検査部
６３  パッケージ位置ずれ検査部
６４  リードフレームアンロードストッカ（良品ストッカ）
６５  不良マーク付け部
６６  不良品ストッカ
６７  照明装置
６８  拡散板
６９  カメラ
７０  マーク＆リード成形装置
７１  リードフレーム搬送機構
７２  白色ＬＥＤマトリクスアレー
７３  カメラレンズ
７４  ２次元撮像素子
７５  撮像面
７６  照明領域
７７  常に光が透過しない領域
７８  金型（上下金型）
７８ａ  下金型
７８ｂ  上金型
７９  フローキャビティ
８０  ランナ
１０１  モールド工程
１０１ａ  樹脂充填工程
１０１ｂ  リードフレーム取り出し工程
１０１ｃ  ゲートブレーク工程
１０２  未充填検査工程
１０３  パッケージずれ検査工程
１０４  良品ストッカ収納工程
１０５  タイバー切断工程
１０６  タイバー切断検査工程
１０７  マーク工程
１０８  リード成形工程
１０９  マーク＆リード成形検査工程
１１０  自動外観検査工程
１２１  装置不良アラーム工程
１２２  不良マーク印字工程
１２３  不良品ストッカ収容工程
１２４  装置停止工程
１２５  モールド金型チェック工程
１２６  金型処理工程
１２７  モールドトライアル工程
１２８  製品チェック工程
Ｒ１  コーナ切り出し領域
【図１】
2012009740.tif 000003
【図２】
2012009740.tif 000004
【図３】
2012009740.tif 000005
【図４】
2012009740.tif 000006
【図５】
2012009740.tif 000007
【図６】
2012009740.tif 000008
【図７】
2012009740.tif 000009
【図８】
2012009740.tif 000010
【図９】
2012009740.tif 000011
【図１０】
2012009740.tif 000012
【図１１】
2012009740.tif 000013
【図１２】
2012009740.tif 000014
【図１３】
2012009740.tif 000015
【図１４】
2012009740.tif 000016
【図１５】
2012009740.tif 000017
【図１６】
2012009740.tif 000018
【図１７】
2012009740.tif 000019
【図１８】
2012009740.tif 000020
【図１９】
2012009740.tif 000021
【図２０】
2012009740.tif 000022
【図２１】
2012009740.tif 000023
【図２２】
2012009740.tif 000024
【図２３】
2012009740.tif 000025
【図２４】
2012009740.tif 000026
【図２５】
2012009740.tif 000027
【図２６】
2012009740.tif 000028