(57)【要約】【課題】被処理物である基材に形成されたマークの捜索時間を短縮する。【解決手段】被処理物である基材３０と撮像部の相対位置を移動させて、基材３０よりも小さい視野範囲Ｓ２について基材３０を順次撮像し、基材３０に形成されたマーク３１を検出する。ここで、撮像した画像内にマーク３１の一部が含まれている場合は、マーク３１の全体が視野範囲ＳＦ内に位置するように撮像部と基材３０の相対位置を移動させる。そして、再び、マーク３１を撮像部にて撮像し、予め取得しておいたマーク３１の比較対象画像と比較し、マーク３１の位置を検出する。【選択図】図３１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に半導体チップを搭載した半導体装置の製造方法であって、以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）撮像部、およびステージを備えた基材処理装置を準備する工程；
（ｂ）前記（ａ）工程の後、第１面、および前記第１面に形成されたマークを有する前記基材を、前記ステージ上に固定する工程；
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記撮像部を用いて、前記基材の前記第１面における、前記第１面よりも小さい第１視野範囲を撮像することにより第１画像を取得する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程で取得した前記第１画像と、予め取得しておいた前記マークの比較対象画像とを比較し、前記第１視野範囲内に前記マークが含まれているかどうかを判定する工程；
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記基材と前記撮像部の相対位置を移動させ、前記撮像部を用いて、前記基材の前記第１面における、前記第１面よりも小さく、かつ、前記第１視野範囲とは異なる第２視野範囲を撮像し第２画像を取得する工程；
（ｆ）前記マークの位置に基づいて前記基材の被処理部の位置を特定し、位置合わせをする工程； 
ここで、
前記（ｄ）工程では、以下の（ｄ１）〜（ｄ３）のいずれに該当するかを判定し、
（ｄ１）前記第１視野範囲内に前記マークの全体が含まれる；
（ｄ２）前記第１視野範囲内に前記マークの一部が含まれる；
（ｄ３）前記第１視野範囲内に前記マークが含まれない；
前記（ｄ）工程で、前記（ｄ１）と判定された場合には、前記（ｅ）工程を省略して前記（ｆ）工程を実行し、
前記（ｄ）工程で、前記（ｄ２）と判定された場合には、
（ｇ）前記（ｄ）工程の後、前記第１視野範囲とは異なり、かつ、前記マークの全体が含まれる第３視野範囲に向かって前記基材と前記撮像部の相対位置を移動させる工程；
（ｈ）前記（ｇ）工程の後、前記マークを前記撮像部にて撮像して第３画像を取得する工程；
を実行した後、前記（ｅ）工程を省略して前記（ｆ）工程を実行し、
前記（ｄ）工程で、前記（ｄ３）と判定された場合には、
前記（ｄ）工程で、前記（ｄ１）または前記（ｄ２）と判定されるまで、前記（ｃ）工程から前記（ｅ）工程を繰り返し実行する。
【請求項２】
請求項１において、
前記（ｇ）工程では、
前記第１画像から前記マークの中心位置を算出し、算出された前記マークの中心位置が前記第３視野範囲の中心位置と重なるように前記基材と前記撮像部の相対位置を移動させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記第１、第２および第３視野範囲は、平面視においてそれぞれ同じ平面寸法である四角形を成し、
前記第１、第２および第３視野範囲の有する最も短い辺の長さは、前記マークの外縁を構成する２点を結ぶ直線のうち、最も長い直線の距離に対して２倍以下となっていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記基材の前記第１面に形成される前記マークには、第１マークと、前記第１マークとは異なる位置に形成された第２マークとが含まれ、
前記（ｆ）工程では、
前記第１マークおよび前記第２マークの位置に基づいて前記基材の被処理部の位置を特定し、位置合わせをすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記基材は平面視において、４つの角部を有する四角形を成し、
前記第１マークは、前記４つの角部のうちの第１角部に形成され、前記第２マークは、前記第１角部と前記基材の中心を介して対向する第２角部に形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１において、
前記マークの平面形状は円形であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１において、
前記（ｆ）工程の後、前記基材の前記第１面に向かってレーザ光を照射して複数の貫通孔を形成する工程をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１において、
前記基材は、前記第１面とは反対側に位置する第２面、および前記第２面に形成された第２マークを有し、さらに以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ｉ）前記（ｆ）工程の後、前記基材の前記第１面に対して加工処理を施す工程、
（ｊ）前記（ｉ）工程の後、前記基材の前記第１面と前記第２面を反転させる工程、
（ｋ）前記（ｊ）工程の後、前記撮像部を用いて、前記基材の前記第２面における、前記第２面よりも小さい第４視野範囲を撮像し第４画像を取得する工程；
（ｍ）前記（ｋ）工程で取得した前記第４画像と、予め取得しておいた前記第２マークの比較対象画像とを比較し、前記第４視野範囲内に前記第２マークが含まれているかどうかを判定する工程；
（ｎ）前記（ｍ）工程の後、前記基材と前記撮像部の相対位置を移動させ、前記撮像部を用いて、前記基材の前記第２面における、前記第２面よりも小さく、かつ、前記第１視野範囲とは異なる第５視野範囲を撮像し第５画像を取得する工程；
（ｐ）前記第２マークの位置に基づいて前記基材の被処理部の位置を特定し、位置合わせをする工程； 
ここで、
前記（ｍ）工程では、以下の（ｍ１）〜（ｍ３）のいずれに該当するかを判定し、
（ｍ１）前記第４視野範囲内に前記第２マークの全体が含まれる；
（ｍ２）前記第４視野範囲内に前記第２マークの一部が含まれる；
（ｍ３）前記第４視野範囲内に前記第２マークが含まれない；
前記（ｍ）工程で、前記（ｍ１）と判定された場合には、前記（ｎ）工程を省略して前記（ｐ）工程を実行し、
前記（ｍ）工程で、前記（ｍ２）と判定された場合には、
（ｒ）前記（ｍ）工程の後、前記第４視野範囲とは異なり、かつ、前記第２マークの全体が含まれる第６視野範囲に向かって前記基材と前記撮像部の相対位置を移動させる工程；
（ｓ）前記（ｒ）工程の後、前記第２マークを前記撮像部にて撮像して第６画像を取得する工程；
を実行した後、前記（ｎ）工程を省略して前記（ｐ）工程を実行し、
前記（ｍ）工程で、前記（ｍ３）と判定された場合には、
前記（ｍ）工程で、前記（ｍ１）または前記（ｍ２）と判定されるまで、前記（ｋ）工程から前記（ｎ）工程を繰り返し実行する。
【請求項９】
請求項８において、
前記（ｇ）工程では、
前記第１画像から前記マークの中心位置を算出し、算出された前記マークの中心位置が前記第３視野範囲の中心位置と重なるように前記基材と前記撮像部の相対位置を移動させ、
前記（ｒ）工程では、
前記第４画像から前記マークの中心位置を算出し、算出された前記マークの中心位置が前記第６視野範囲の中心位置と重なるように前記基材と前記撮像部の相対位置を移動させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記第１、第２、第３、第４、第５および第６視野範囲は、平面視においてそれぞれ同じ平面寸法である四角形を成し、
前記第１、第２、第３、第４、第５および第６視野範囲の有する最も短い辺の長さは、前記マークおよび前記第２マークの外縁を構成する２点を結ぶ直線のうち、最も長い直線の距離に対して２倍以下となっていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項８において、
前記基材の前記第１面には複数の前記マークが形成され、
前記基材の前記第２面には複数の前記第２マークが形成され、
前記（ｆ）工程では、
前記複数のマークの位置に基づいて前記基材の前記第１面側の被処理部の位置を特定し、位置合わせを行い、
前記（ｐ）工程では、
前記複数の第２マークの位置に基づいて前記基材の前記第２面側の被処理部の位置を特定し、位置合わせをすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項８において、
前記（ｉ）工程では、前記基材の前記第１面に向かってレーザ光を照射して複数の穴を形成し、
前記（ｐ）工程の後、前記基材の前記複数の穴と対向する領域に前記第２面側からレーザ光を照射して複数の貫通孔を形成する工程をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記マークは前記第２マークと一体に形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置または電子装置の製造技術に関し、特に、半導体チップを搭載する基材に処理を施す際に、位置合わせを行うためのアライメントマークを検出する工程に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特開平１０−２２２０１号公報（特許文献１）には、試料（基板）上の一定領域ごとに順次アライメントマークの検索を行い、アライメントマークが存在する領域を認識するための撮像装置を備えたアライメントマーク検出装置が記載されている。特許文献１には、認識されたアライメントマークの存在領域を記憶して、記憶されたアライメントマークの存在領域のデータに基づいて次の試料の検索領域を変更することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−２２２０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体装置などの電子装置は、例えば配線基板などの基材上に半導体チップや電子部品を搭載して使用する。近年、電子装置に対する小型化、高機能化の要求から、半導体チップや電子部品を搭載する基材への種々の加工工程においても微細加工技術が要求される。そして、基材に対して微細加工を施すためには、加工対象である基材に対して加工処理を施す処理ステージ上で、高精度で位置合わせするアライメント技術が必要となる。
【０００５】
本願発明者は、基材（配線基板）に形成されたマーク（アライメントマーク）を、撮像装置（アライメントカメラ）を用いて検出する技術について検討を行い、以下の課題を見出した。
【０００６】
まず、このマークの検出工程では、撮像装置で撮像した画像に含まれる物体の形状と、事前に認識（記憶）しておいたマークの形状とを比較した結果、同じものであると判断した場合に、マークを検出したものと判断する。しかし、高精度で位置合わせを行うためには、マークの公差を小さくする必要があるため、マークの外形サイズは、基材の外形サイズに比較すると極端に小さくなる。また、撮像装置の視野範囲（認識範囲）はマークの外形サイズよりも大きいが、視野範囲を小さくすることで解像度が向上するため、位置合わせ精度を向上させることができる。このため、一回の撮像工程での視野範囲は、基材の外形サイズに比較すると非常に小さくなっている。
【０００７】
また、高精度で位置合わせを行うためには、マークの全体像を取得する必要があるため、仮にマークの一部が視野範囲内に含まれていても、マークの一部の画像に基づいて基材の被処理部の正確な位置を特定することが難しい。このため、視野範囲内にマークの全体が含まれていない場合には、再度、マークを捜索する工程を継続する必要がある。
【０００８】
ここで、予め設定された捜索軌道（走査経路）に沿って、順次視野範囲を移動させてマークの位置を捜索する場合、またはマークの一部が視野範囲内に入っても予め設定された捜索軌道に沿って捜索する場合、マークの全体像を取得するまでの時間（マークの捜索時間）が長い。このため、マークの全体像に基づいて被処理部の正確な位置を特定するまでの時間が長くなり、製造効率が低下する原因となる。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、被処理物である基材に形成されたマークの捜索時間を短縮する技術を提供することにある。
【００１０】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１２】
すなわち、本願発明の一態様である半導体装置の製造方法は、被処理物である基材と撮像部の相対位置を移動させて、前記基材よりも小さい視野範囲について前記基材を順次撮像し、前記基材に形成されたマークを検出する。ここで、撮像した画像内に前記マークの一部が含まれている場合は、前記マークの全体が前記視野範囲内に位置するように前記撮像部と前記基材の相対位置を移動させる。そして、再び、前記マークを前記撮像部にて撮像し、予め取得しておいた前記マークの比較対象画像と比較し、マークの位置を検出するものである。
【発明の効果】
【００１３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下の通りである。
【００１４】
すなわち、本願発明の一態様によれば、被処理物である基材に形成されたマークの捜索時間を短縮できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施の形態である半導体装置の上面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の下面図である。
【図３】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図４】図１に示す封止樹脂を取り除いた状態で、半導体装置の内部構造を示す平面図である。
【図５】本発明の一実施の形態である半導体装置の組み立てフローを示す説明図である。
【図６】図５に示す基板準備工程で準備する配線基板の全体構造を示す平面図である。
【図７】図６のＢ−Ｂ線に沿った拡大断面図である。
【図８】図７に示す配線基板上に、接着材を介して半導体チップを搭載した状態を示す拡大断面図である。
【図９】図８に示す半導体チップと複数のリードを、ワイヤを介して電気的に接続した状態を示す拡大断面図である。
【図１０】図９に示す配線基板の上面側に封止体を形成した状態を示す拡大断面図である。
【図１１】図１０に示す配線基板を反転させて半田ボールを接合した状態を示す拡大断面図である。
【図１２】図１１に示す配線基板および封止体を分割する、個片化工程を示す拡大断面図である。
【図１３】図５に示す基材準備工程で準備する基材の全体構造を示す平面図である。
【図１４】図１３のＣ部の拡大平面図である。
【図１５】図１３のＤ部の拡大平面図である。
【図１６】図１３のＢ−Ｂ線に沿った拡大断面図である。
【図１７】図１６に示す基材の上面および下面に金属膜からなるパターンを形成した状態を示す拡大断面図である。
【図１８】図１７に示す基材に複数の貫通孔を形成した状態を示す拡大断面図である。
【図１９】図１８に示す複数の貫通孔内のそれぞれに層間配線を形成した状態を示す拡大断面図である。
【図２０】図１９に示す基材の上面および下面をそれぞれ絶縁膜で覆った状態を示す拡大断面図である。
【図２１】図２０に示す絶縁膜に開口部を形成した状態を示す拡大断面図である。
【図２２】図５に示す貫通孔形成工程において、基材に貫通孔を形成するための基材処理装置（レーザ加工装置）の概要構成を示す説明図である。
【図２３】図２２に示す処理装置の加工処理部の概要構成を模式的に示す説明図である。
【図２４】図２２に示す基材処理装置を用いた位置合わせ工程のフローを示す説明図である。
【図２５】図１４に示す基材において、マークと捜索領域、および図２３に示す撮像部の視野範囲の平面的位置関係を示す拡大平面図である。
【図２６】図２５に示す第１の視野範囲を撮像して取得した画像データを示す説明図である。
【図２７】図２４に示す判定工程で用いる比較用の画像データを示す説明図である。
【図２８】図２６とは異なる視野範囲で取得した画像データを示す説明図である。
【図２９】図２５に示す視野範囲の変形例を示す拡大平面図である。
【図３０】図２９に示す視野範囲で取得した画像データを示す説明図である。
【図３１】図２４に示すマーク位置算出工程でマークの位置を算出した結果に基づいて移動する視野範囲の位置を示す説明図である。
【図３２】図３１に示す移動後の視野範囲について取得した画像データを示す説明図である。
【図３３】図３１に示すマークの中心位置の算出方法の一例を示す説明図である。
【図３４】図１８に示す貫通孔形成工程の変形例を示す拡大断面図である。
【図３５】図１８に示す貫通孔形成工程の変形例を示す拡大断面図である。
【図３６】図３４および図３５に示す貫通孔形成工程で位置合わせに用いるマークの断面構造の例を示す拡大断面図である。
【図３７】図１４に示すマークの変形例を示す拡大平面図である。
【図３８】図１４に示すマークの図３７とは別の変形例を示す拡大平面図である。
【図３９】図２４に示す位置合わせ工程を適用して製造する電子装置の構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
（本願における記載形式・基本的用語・用法の説明）
本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクション等に分けて記載するが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、記載の前後を問わず、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しの説明を省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
【００１７】
同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、Ａ以外の要素を含むものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。たとえば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、ＳｉＧｅ（シリコン・ゲルマニウム）合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。また、金めっき、Ｃｕ層、ニッケル・めっき等といっても、そうでない旨、特に明示した場合を除き、純粋なものだけでなく、それぞれ金、Ｃｕ、ニッケル等を主要な成分とする部材を含むものとする。
【００１８】
さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。
【００１９】
また、実施の形態の各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
【００２０】
また、添付図面においては、却って、煩雑になる場合または空隙との区別が明確である場合には、断面であってもハッチング等を省略する場合がある。これに関連して、説明等から明らかである場合等には、平面的に閉じた孔であっても、背景の輪郭線を省略する場合がある。更に、断面でなくとも、空隙でないことを明示するため、あるいは領域の境界を明示するために、ハッチングやドットパターンを付すことがある。
【００２１】
（実施の形態１）
本実施の形態では、半導体装置の一例として、配線基板上に半導体チップを搭載した半導体装置を取り上げて説明する。図１は本実施の形態の半導体装置の上面図、図２は、図１に示す半導体装置の下面図、図３は図１のＡ−Ａ線に沿った断面図、図４は、図１に示す封止樹脂を取り除いた状態で、半導体装置の内部構造を示す平面図である。
【００２２】
＜半導体装置＞
まず、本実施の形態の半導体装置１の構成について、図１〜図４を用いて説明する。図１〜図４に示すように、本実施の形態の半導体装置１は、配線基板（基材、インタポーザ基板）１０（図２〜図４参照）および配線基板１０上（上面１０ａ上）に搭載された半導体チップ３（図３、図４参照）を備えている。また、半導体装置１は、半導体チップ３を封止する封止体４（図１、図３参照）を備えている。また、配線基板１０の下面１０ｂ側には、半導体装置１の外部端子である複数の半田ボール（電極、端子、外部端子）５が、行列状に配置されている。
【００２３】
半導体チップ３は、図４に示すように平面視において四角形を成し、図３に示すように表面（上面、主面）３ａ、表面３ａの反対側に位置する裏面（下面、主面）３ｂを有している。半導体チップ３の表面３ａ側には、複数の半導体素子が形成され、図示しない複数の配線（チップ配線）を介して、表面３ａに形成された複数のパッド（電極、チップ電極）３ｃと電気的に接続されている。これら複数の半導体素子、複数のパッド３ｃおよび複数の半導体素子と複数のパッド３ｃを電気的に接続する複数の配線は、半導体集積回路を構成する。
【００２４】
また、図２および図４に示すように配線基板１０は平面視において四角形を成し、図３に示すように上面（表面、チップ搭載面）１０ａおよび上面１０ａの反対側に位置する下面（裏面、実装面）１０ｂを有している。また、図３に示すように半導体チップ３は、配線基板１０の上面１０ａ上に接着材（ダイボンド材）６を介して固定されている。本実施の形態では、半導体チップ３の裏面３ｂが配線基板１０の上面１０ａと対向した状態で搭載する、所謂、フェイスアップ実装方式に搭載された例を示している。ただし、半導体チップ３の実装方式はフェイスアップ実装方式に限定されず、例えば、表面３ａと配線基板１０の上面１０ａを対向させた状態で搭載する、フェイスダウン実装方式（フリップチップ接続方式）とすることもできる。また、上面１０ａ側には、配線基板１０と半導体チップ３を電気的に接続するための複数の端子（ボンディングリード、チップ接続端子）１１が形成されている。半導体チップ３の複数のパッド３ｃと配線基板１０の複数の端子１１は、複数のワイヤ（導電性部材）７を介して電気的に接続されている。また、半導体装置１を図示しない実装基板に実装する際に実装面となる配線基板１０の下面１０ｂ側には、複数のランド（端子、外部端子）１２が形成され、各ランド１２には半田ボール（電極、端子、外部端子）５がそれぞれ接合される。複数のランド１２は、配線基板１０が備える複数の配線１３を介して複数の端子１１と電気的に接続されている。この複数の配線１３には、図３に示すように配線基板１０の上面１０ａ側に形成された複数の配線（上面側配線）１３ａ、下面１０ｂ側に形成された複数の配線（下面側配線）１３ｂおよび配線１３ａと配線１３ｂを電気的に接続するビア（配線、層間配線）１３ｃが含まれる。詳しくは、配線基板１０は、例えば樹脂から成り、上面（表面）１４ａおよび上面１４ａの反対側に位置する下面（裏面）１４ｂを有する絶縁層であるコア材（コア層、コア板、基材）１４を備えている。そしてコア材１４の上面１４ａには、複数の配線１３ａおよび複数の端子１１が形成されている。一方、コア材１４の下面１４ｂには、複数の配線１３ｂおよび複数のランド１２が形成される。また、コア材１４には上面１４ａ、下面１４ｂのうち、一方の面から他方の面に向かって貫通する複数の貫通孔（ビア孔）が形成され、複数の貫通孔に埋め込まれた導体から成る複数のビア１３ｃを介して配線１３ａ、１３ｂが電気的に接続されている。また、コア材１４の上面１４ａ上および下面１４ｂの下は、それぞれソルダレジスト膜（保護膜、絶縁膜）１５に覆われ、ソルダレジスト膜１５に形成された複数の開口部のそれぞれにおいて、端子１１およびランド１２がソルダレジスト膜１５から露出する。これにより、端子１１にワイヤ７を、ランド１２に半田ボール５をそれぞれ接合し、電気的に接続することができる。つまり、半導体装置１は、半導体チップ３が配線基板１０に形成された複数の配線１３を介して外部端子である複数の半田ボール５と電気的に接続される。
【００２５】
また、図２に示すように、半導体装置１の外部端子である複数の半田ボール５は、行列状に配置されている。このように、半導体装置１の実装面に複数の外部端子が行列状に配置される半導体装置は、エリアアレイ型の半導体装置と呼ばれ、外部端子数が増加した場合であっても、実装面積の増大を抑制することができる点で優れている。なお、図１〜図４に示す半導体装置１のように外部端子として半田ボール５などの導電性部材を用いる半導体装置は、ＢＧＡ（Ball Grid Array）と呼ばれる。また、エリアアレイ型の半導体装置の変形例としては、ＬＧＡ（Land Grid Array）と呼ばれる半導体装置がある。ＬＧＡの場合、実装面側に配置される複数のランドに半田ボールを接合しない、あるいは半田ボールよりも少ない半田材をランドの露出面に形成する。
【００２６】
＜半導体装置の製造工程＞
次に、図１〜図４に示す半導体装置１の製造工程について、説明する。まず、図５に示す組立てフローに沿って、半導体装置１の製造工程の概要について説明した後、基板準備工程の詳細について説明する。図５は、本実施の形態の半導体装置の組み立てフローを示す説明図である。
【００２７】
１．基板準備工程；
図６は、図５に示す基板準備工程で準備する配線基板の全体構造を示す平面図、図７は図６のＢ−Ｂ線に沿った拡大断面図である。まず、図５に示す基板準備工程では、図６および図７に示す配線基板を準備する。
【００２８】
図６に示すように、本工程で準備する配線基板２０は、枠部（枠体）２０ｂの内側に複数の製品形成領域２０ａを備えている。詳しくは、複数の製品形成領域２０ａが行列状に配置されている。配線基板２０は、図３に示す配線基板１０に相当する複数の製品形成領域２０ａと、各製品形成領域２０ａの間にダイシング領域２０ｃ（図７参照）を有する、所謂、多数個取り基板である。このように、複数の製品形成領域２０ａを備える多数個取り基板を用いることで、製造効率を向上させることができる。また、図７に示すように各製品形成領域２０ａには、図３を用いて説明した配線基板１０の構成部材がそれぞれ形成されている。詳しくは、配線基板２０は、例えば樹脂から成り、上面１４ａおよび上面１４ａの反対側の下面１４ｂを有するコア材（基材）１４を備えている。また、配線基板２０の各製品形成領域２０ａは、上面１０ａ側に配置される複数の端子１１、下面１０ｂ側に配置される複数のランド１２および複数の端子１１とランド１２を電気的に接続する複数の配線１３を備えている。また、コア材１４の上面１４ａ上および下面１４ｂの下は、それぞれソルダレジスト膜１５に覆われ、ソルダレジスト膜１５に形成された複数の開口部のそれぞれにおいて、端子１１およびランド１２がソルダレジスト膜１５から露出する。なお、本実施の形態では、簡単のため、コア材１４の上面１４ａおよび下面１４ｂにそれぞれ配線層を備えた二層の配線層構造の配線基板２０を用いて説明するが、配線基板２０の配線層数はこれには限定されない。例えば、コア材１４の上面１４ａおよび下面１４ｂに複数層の配線層を積層し、二層以上の配線層構造とすることができる。本工程で準備する配線基板２０の製造方法については、後で詳細に説明する。
【００２９】
２．チップ搭載工程；
図８は、図７に示す配線基板上に、接着材を介して半導体チップを搭載した状態を示す拡大断面図である。次に、図５に示すチップ搭載工程では、図８に示すように配線基板２０の各製品形成領域２０ａ上に半導体チップ３を搭載する。本実施の形態では、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂である接着材６を介して半導体チップ３を搭載する。半導体チップ３の搭載方法は、ペースト状の樹脂から成る接着材６を配線基板２０の製品形成領域２０ａ上に塗布し、半導体チップ３で押し広げる方法、あるいは、両面に接着層を備えるテープ材（フィルム材）である接着材６を、予め半導体チップ３の裏面３ｂに貼り付けておく方法を用いることができる。
【００３０】
３．ワイヤボンディング工程；
図９は、図８に示す半導体チップと複数のリードを、ワイヤを介して電気的に接続した状態を示す拡大断面図である。次に、図５に示すワイヤボンディング工程では、図９に示すように、半導体チップ３の複数のパッド３ｃと複数の端子１１とを、例えば金（Ａｕ）から成る複数のワイヤ７を介して、それぞれ電気的に接続する。なお、本実施の形態では、前記したようにフェイスアップ実装方式について説明しているので、ワイヤボンディング工程を行うが、フェイスダウン実装方式で半導体チップ３を実装する場合には、ワイヤ７に代えて、例えば半導体チップ３のパッド３ｃ上に形成されたバンプ電極（図示は省略）を介してパッド３ｃと端子１１を電気的に接続する。この場合、前記したチップ搭載工程において半導体チップ３を配線基板２０上に搭載する際に、パッド３ｃと端子１１を電気的に接続し、本工程は省略することができる。
【００３１】
４．モールド工程；
図１０は、図９に示す配線基板の上面側に封止体を形成した状態を示す拡大断面図である。次に、図５に示すモールド工程では、図１０に示すように、封止体４を形成し、半導体チップ３および複数のワイヤ７を封止する。図１０に示す封止体４は、例えばレジンおよびフィラー材（粒子）から成り、成形金型を用いて形成する。封止体の形成方法としては、種々の変形例を適用することができるが、図１０に示す例では、例えば、成形金型内に配線基板２０を配置して、軟化（可塑化）させた熱硬化性樹脂（封止用樹脂）を、成形金型のキャビティに圧入して成形し、その後加熱硬化させる、所謂トランスファモールド方式を用いている。
【００３２】
５．ボールマウント工程；
図１１は、図１０に示す配線基板を反転させて半田ボールを接合した状態を示す拡大断面図である。次に、図５に示すボールマウント工程では、図１１に示すように、配線基板２０の下面１０ｂにおいて露出する複数のランド１２に複数の半田ボール５を接合する。本工程では、図１０に示す配線基板２０を反転させた状態で複数のランド１２のそれぞれの上に半田ボール５を配置した後、加熱することで半田ボール５とランド１２を接合する。本工程により、複数の半田ボール５は、配線基板２０を介して半導体チップ３と電気的に接続される。
【００３３】
６．個片化工程；
図１２は、図１１に示す配線基板および封止体を分割する、個片化工程を示す拡大断面図である。次に、図５に示す個片化工程では、図１２に示すように、配線基板２０および封止体４を製品形成領域２０ａ毎に分割する。分割方法は、例えば図１２に示すように、ダイシングブレード（切断刃）２１をダイシング領域（ダイシングライン）２０ｃに沿って走らせることで、ダイシング領域２０ｃを切削して切断する。
【００３４】
以上の各工程により、図１〜図４を用いて説明した半導体装置１が得られる。その後、外観検査や電気的試験など、必要な検査、試験を行い、出荷、あるいは、図示しない実装基板に実装する。
【００３５】
＜基板準備工程の詳細＞
次に、図５に示す基板準備工程の詳細について説明する。図１３は、図５に示す基材準備工程で準備する基材の全体構造を示す平面図、図１４は図１３のＣ部の拡大平面図、図１５は図１３のＤ部の拡大平面図である。また、図１６は、図１３のＢ−Ｂ線に沿った拡大断面図である。まず、基材準備工程では、例えば、図１３に示すように、配線基板２０の基材となる基材３０を準備する。図６に示す配線基板２０の複数枚分（図１３では４枚分）が一体に形成された平面形状を成す。また、基材３０は、例えば樹脂から成り、図７に示すコア材１４に相当する。また、基材３０は、複数のマーク（アライメントマーク）３１を備えている。マーク３１は、図５に示す基板準備工程の各工程で基材に加工処理を施す前に行う位置合わせ工程において、加工領域の位置を正確に特定するための識別マーク（アライメントマーク）である。本実施の形態では、基材３０の上面１４ａおよび下面１４ｂ（図１６参照）のそれぞれに、複数個（図１３では２個）のマーク３１が形成されている。また、図１３に示すように基材３０は平面視において、四角形を成すが、４箇所の角部のうちの一つ（図１４に拡大して示す角部領域）に一つのマーク３１ａが、基材３０の中心を介して該角部と対向する角部（図１５に拡大して示す角部領域）に別のマーク３１ｂが形成されている。また、位置合わせ工程での精度を向上させる観点からマーク３１の平面寸法は小さくすることが好ましい。マーク３１の平面寸法を小さくすることで、マーク３１を形成する際の公差を小さくすることができるからである。本実施の形態では、円形の平面形状を成すマーク３１の直径は例えば２．４ｍｍである。
【００３６】
次に図５に示す金属膜形成工程では、図１７に示すように、基材３０の上面１４ａおよび下面１４ｂのそれぞれに、金属膜からなるパターン（金属パターン、導体パターン）を形成する。本工程では、例えば銅（Ｃｕ）からなる金属膜を形成し、これをパターニングすることで金属パターンを形成する。図１７は、図１６に示す基材の上面および下面に金属膜からなるパターンを形成した状態を示す拡大断面図である。この金属膜形成工程により、基材３０の上面１４ａ側には、複数の配線１３ａおよび配線１３ａと一体に形成された複数の端子１１が形成される。また、基材３０の下面１４ｂ側には、複数の配線１３ｂおよび配線１３ｂと一体に形成された複数のランド１２が形成される。
【００３７】
次に図５に示す貫通孔形成工程では、図１８に示すように基材３０の上面１４ａ、下面１４ｂのうち、一方の面から他方の面に向かって貫通する複数の貫通孔（ビア孔）１３ｄを形成する。図１８は図１７に示す基材に複数の貫通孔を形成した状態を示す拡大断面図である。本実施の形態では、例えば基材３０にレーザ光３２を照射することにより複数の貫通孔１３ｄを形成する。レーザ光３２により貫通孔１３ｄを形成する方法は、例えばドリルなどの切削治具により形成する方法と比較して加工精度が高いため、基材３０における貫通孔１３ｄの形成位置の位置合わせを高精度で行うことができれば、隣り合う貫通孔１３ｄ間の配置ピッチを低減することができる。
【００３８】
次に、図５に示すビア形成工程では、図１９に示すように複数の貫通孔１３ｄ内に導体膜を形成し、上面１４ａ側の配線１３ａと下面１４ｂ側の配線１３ｂを電気的に接続する。図１９は、図１８に示す複数の貫通孔内のそれぞれに層間配線を形成した状態を示す拡大断面図である。本実施の形態では、例えば銅（Ｃｕ）からなる金属膜をめっき法で貫通孔１３ｄ内に形成することで、上面１４ａ側の配線１３ａと下面１４ｂ側の配線１３ｂを電気的に接続するビア１３ｃを形成する。
【００３９】
次に、図５に示す絶縁膜形成工程では、図２０に示すように基材３０の上面１４ａ上および下面１４ｂの下に、それぞれソルダレジスト膜（保護膜、絶縁膜）１５を形成する。図２０は、図１９に示す基材の上面および下面をそれぞれ絶縁膜で覆った状態を示す拡大断面図、図２１は、図２０に示す絶縁膜に開口部を形成した状態を示す拡大断面図である。この時点では、図２０に示すように複数の端子１１および複数のランド１２のそれぞれはソルダレジスト膜１５に覆われた状態になる。そして、図５に示す開口部形成工程では、ソルダレジスト膜１５に複数の開口部１５ａを形成する。これにより、基材３０の上面１４ａ側では、開口部１５ａにおいて複数の端子１１がソルダレジスト膜１５から露出する。また、基材３０の下面１４ｂ側では、開口部１５ａにおいて複数のランド１２がソルダレジスト膜１５から露出する。開口部１５ａの形成方法は特に限定されないが、例えばレジスト膜を用いたエッチングにより形成することができる。
【００４０】
次に、図５に示す切断工程では、図１３に示す切断ライン３０ａに沿って基材３０を切断し、図６に示す配線基板２０を取得する。
【００４１】
ここで、図５に示す基板準備工程に含まれる、上記の各工程では、基材３０に対して加工処理を施すための処理ステージ上に基材３０を固定した状態で加工処理を施す。この時、基材３０に対して微細加工を施すためには、処理ステージ上で、高精度で位置合わせすることが重要である。以下、図５に示す基板準備工程に含まれる各工程のうち、特に高精度な位置合わせが要求される貫通孔形成工程を例に取り上げて、位置合わせの詳細について説明する。
【００４２】
＜貫通孔形成工程の詳細＞
まず、図５に示す貫通孔形成工程において、図１３に示す基材３０の製品形成領域２０ａのそれぞれに孔開け加工処理を施すレーザ加工装置（処理装置）の構成について説明する。図２２は、図５に示す貫通孔形成工程において、基材に貫通孔を形成するための基材処理装置（レーザ加工装置）の概要構成を示す説明図である。また、図２３は、図２２に示す処理装置の加工処理部の概要構成を模式的に示す説明図である。
【００４３】
本実施の形態のレーザ加工装置（基材処理装置）３５は、図２２に示すように処理前の基材３０を配置するローダ部ＬＤ、孔開け加工処理を施す処理部（レーザ加工部）ＰＴＵ、および処理後の基材３０を取り出すアンローダ部ＵＬＤを備えている。また、レーザ加工装置３５は、レーザ加工装置３５に電源を供給する電源部ＰＳＵ、およびレーザ加工装置３５の動作を制御する制御部ＣＴＵを備えている。
【００４４】
貫通孔形成工程では、まず、基材３０をローダ部ＬＤに配置する。ローダ部ＬＤには、例えば複数枚の基材３０を積み重ねてストックすることができる。次に、レーザ加工装置３５が備える搬送部ＣＶＵを用いて、基材３０をローダ部ＬＤから処理部ＰＴＵに搬送する。詳しくは、図２３に示す処理部ＰＴＵのステージ（処理ステージ）ＴＳ上に、例えば１枚ずつ搬送する。ステージＴＳは、搬送された基材３０を保持し、固定する保持部（図示は省略）を備えており、基材３０は、ステージＴＳ上に固定される。
【００４５】
次に、処理部ＰＴＵ内で基材３０の位置合わせを行う（位置合わせ工程）。図２３に示すようにステージＴＳは、Ｘ方向、Ｘ方向と直交するＹ方向、およびＸ−Ｙ平面内における回転角度であるθ方向に移動可能な状態で処理部ＰＴＵ内に固定されており、基材３０を固定した状態でＸ−Ｙ平面の位置およびＸ−Ｙ平面内における回転角度を調整することができる。また、レーザ加工装置３５は、基材３０のマーク３１の位置を認識することにより基材３０の位置合わせをする位置合わせ部（位置合わせ装置、アライメント部）３６を備えている。位置合わせ部３６には、基材３０を撮像する撮像部（アライメントカメラ）３６ａ、撮像部３６ａが撮像した画像信号を取り込んで処理を施し、画像データを形成する画像処理部３６ｂ、および画像処理部３６ｂから画像データを取り込んで画像データ内におけるマークの有無を判定し、該判定結果に基づいてステージＴＳの移動方向および移動距離の命令信号を出力する制御部３６ｃが含まれる。撮像部３６ａ、画像処理部３６ｂ、制御部３６ｃはそれぞれ電気的に接続されており、画像信号や画像データを伝送することができる。また、制御部３６ｃはステージＴＳの移動方向および移動距離を制御するステージ制御回路（図示は省略）と電気的に接続されており、ステージ制御回路は制御部３６ｃの命令信号に基づいて、ステージの移動方向（Ｘ方向、Ｙ方向、およびθ方向）および移動距離を制御する。つまり、位置合わせ部３６は、撮像部３６ａを用いて基材３０のマーク３１の位置を検出し、検出されたマーク３１の位置データに基づいて基材３０の被処理部（孔開け加工を行う領域）の位置を特定して、位置合わせを行う。
【００４６】
次に、位置合わせ後の基材３０にレーザ照射部（基材加工処理部）３７を用いてレーザ光３２（図２３参照）を照射して、基材３０に孔開け加工を施す。図２３に示すようにレーザ照射部３７は、レーザ光３２の光源であるレーザ発振器３７ａ、レーザ光３２の照射角度を調整するミラー３７ｂ、および基材３０に照射されるレーザ光３２の強度、焦点距離や光線の太さ等を調整するレンズ３７ｃを含む。また、本実施の形態では、基材３０は、Ｘ方向、Ｙ方向、およびθ方向に移動可能なステージＴＳに固定されており、孔開け加工を施す領域（被処理部）の位置は、上記した位置合わせ工程により特定されている。このため、例えばレーザ照射部３７は固定した状態でステージＴＳを順次移動させながらレーザ光３２を断続的に照射することにより、基材３０に複数の貫通孔１３ｄ（図１８参照）を形成することができる。なお、変形例として、レーザ照射部３７を断続的に移動させて、複数の貫通孔１３ｄ（図１８参照）を形成することもできるが、レーザ光３２の焦点距離などにズレが生じることを防止する観点からは、レーザ照射部３７は固定した状態で孔開け加工を行うことが好ましい。
【００４７】
次に、加工処理後の基材３０、すなわち、図１８に示すように各製品形成領域２０ａに複数の貫通孔１３ｄが形成された基材３０をアンローダ部ＵＬＤに移動させる。アンローダ部ＵＬＤは、例えば複数枚の基材３０を積み重ねてストックすることができ、搬送部ＣＶＵを用いて処理後の基材３０を順次積み重ね、所定の枚数に到達したらレーザ加工装置３５の外部に搬出する。そして、次工程（例えば図５に示すビア形成工程）の基板処理装置（例えばめっき装置）に搬送される。
【００４８】
＜位置合わせ工程の詳細＞
次に、前記した位置合わせ工程の詳細について説明する。図２４は、図２２に示す基材処理装置を用いた位置合わせ工程のフローを示す説明図である。また、図２５は、図１４に示す基材において、マークと捜索領域、および図２３に示す撮像部の視野範囲の平面的位置関係を示す拡大平面図である。また、図２６は、図２５に示す第１の視野範囲を撮像して取得した画像データを示す説明図である。また、図２７は、図２４に示す判定工程で用いる比較用の画像データを示す説明図である。また、図２８は図２６とは異なる視野範囲で取得した画像データを示す説明図である。また、図２９は、図２５に示す視野範囲の変形例を示す拡大平面図、図３０は、図２９に示す視野範囲で取得した画像データを示す説明図である。また、図３１は、図２４に示すマーク位置算出工程でマークの位置を算出した結果に基づいて移動する視野範囲の位置を示す説明図、図３２は図３１に示す移動後の視野範囲について取得した画像データを示す説明図である。
【００４９】
本実施の形態の位置合わせ工程では、図２３に示す撮像部３６ａを用いて基材３０に形成されたマーク３１の位置データ（座標データ）を取得し、該位置データに基づいて被処理部の位置（貫通孔形成工程の場合、貫通孔を形成する領域の位置）を特定し、処理装置（貫通孔形成工程の場合、レーザ照射部３７）と被処理部の相対的位置関係を調整する。詳しくは、例えば、マーク３１の外縁（エッジ、輪郭）の位置データ（座標データ）を取得してマーク３１の位置を特定し、マーク３１の位置と被処理部の位置の関係（予め決定された設計データ）から被処理部の位置を特定する。マーク３１の位置は、取得する位置データの数が多いほど正確に特定することができる。このため高精度で位置合わせを行う観点からは、マーク３１の外縁の位置データを数多く取得する程好ましい。例えば、本実施の形態では、撮像部３６ａとしてＶＧＡ（Video Graphics Array）モード（６４０画素×４８０画素）でプログレッシブ走査方式のカメラを用いている。このＶＧＡモードのカメラ（撮像部３６ａ）は、種々の用途に汎用されており、コスト、入手容易性、あるいは画像処理装置と接続するインターフェースの選択性など設計の自由度の観点で好ましい。ＶＧＡモードのカメラ（撮像部３６ａ）を用いた場合、一つの画像データＰ（図２６参照）には、Ｘ方向に６８０本、Ｙ方向に４８０本の表示ラインを含み、画素（ピクセル）数は、約３３万画素となっている。この約３３万画素のうち、マーク３１の外縁（エッジ、輪郭）の位置データとして取得する画素数が多いほど、解像度が向上するのでマーク３１の位置が高精度で特定可能になる。
【００５０】
以下、図２４に示すフローに沿って位置合わせ工程の詳細を説明する。図２４に示す基材ロード工程では、ローダ部ＬＤ（図２２参照）から処理前の基材３０を図２３に示す処理部ＰＴＵのステージ（処理ステージ）ＴＳ上に搬送し、ステージＴＳ上に固定する。この時、ステージＴＳ上における基材３０の位置および向きを所定の範囲内に配置するため、ガイド３９（図２２参照）などの位置合わせ治具を用いて基材３０の位置および向きを位置合わせしておくことが好ましい。この時点での位置合わせは、撮像部３６ａを用いた位置合わせよりも要求精度は低く、例えば図２５に示すように基材３０に形成されたマーク３１が、マーク３１を捜索する予定領域である捜索領域４０内に収まる程度の精度で良い。このため、例えば図２２に示すようにローダ部ＬＤにおいて、ガイド３９により、ある程度の位置合わせを行った後、搬送部ＣＶＵにより、基材３０の向きを維持しながらステージＴＳ上に搬送すれば良い。また、変形例として、ステージＴＳ上にガイドを設ければさらに位置合わせ精度が向上させることができる。ただし、ステージＴＳは、基材３０にレーザ加工処理を施す処理ステージなので、加工時にガイドが邪魔になる場合には、図２２に示すようにローダ部ＬＤで位置合わせする方が好ましい。図２２および図２３に示す例では、基材３０は、ローダ部ＬＤ（図２２参照）でガイド３９（図２２参照）により位置合わせされ、搬送部ＣＶＵ（図）により基材３０の向きを維持しながらステージＴＳ上に搬送され、ステージＴＳ上に吸着（真空吸着）固定される。また、この時、図２３に示す基材３０が撮像部３６ａと接触することを防止する観点から、ステージＴＳへの基材３０の固定は、撮像部３６ａから離れた位置で行うことが好ましい。
【００５１】
次に、図２４に示すステージ移動工程では、基材３０（図２３参照）と撮像部３６ａ（図２３参照）の相対位置を移動させて、図２５に示すように基材３０に形成されたマーク３１が捜索領域４０内に収まるように配置する。本実施の形態では、図２３に示す撮像部３６ａを固定した状態で、基材３０を保持するステージＴＳを移動させる。なお、ステージ移動工程では、基材３０と撮像部３６ａの相対位置を移動させることができれば良く、ステージＴＳのみを移動させる態様には限定されない。例えば撮像部３６ａを移動させる態様、あるいは、ステージＴＳと撮像部３６ａの双方を移動させる態様を適用することができる。
【００５２】
次に、撮像工程では、始めに、撮像部３６ａを制御部３６ｃ（図２３参照）に格納されているマーク位置データに基づいてマーク３１があると推測される任意の位置まで移動させる。その後、撮像部３６ａ（図２３参照）を用いて、基材３０の視野範囲Ｓ１（図２５参照）を撮像し、視野範囲Ｓ１内の画像データ（画像）Ｐ１（図２６参照）を取得する。詳しくは、図２３に示す撮像部３６ａが検出した画像信号（例えば画素毎の明るさの濃淡の程度を信号化したデータ）を画像処理部３６ｂに伝送し、画像処理部３６ｂで画像処理を施すことにより図２６に示す画像データＰ１が得られる。図２５に示す例では、視野範囲Ｓ１には、マーク３１は含まれていないため、得られる画像データＰ１には、マーク３１の画像は含まれない。
【００５３】
なお、マーク位置データに基づいて撮像部３６ａをマーク３１の近傍まで移動させることにより最初の視野範囲Ｓ１にマーク３１が含まれる可能性は格段に向上する。しかし、必ずしも最初の視野範囲Ｓ１にマーク３１が含まれるわけではない。その理由は、マーク３１に対する解像度の低下を抑制するために、視野範囲内におけるマーク３１の寸法を大きくしているためである。これにより、基板３０を高精度で位置合わせを行うことができるが、一方、撮像部３６ａの視野範囲が狭いため、最初の視野範囲Ｓ１でマーク３１を撮像できない場合もある。本実施の形態では、最初の視野範囲Ｓ１にマーク３１が含まれないケースに関して説明する。
【００５４】
次に、判定工程では、撮像工程で取得した画像データＰ１と図２７に示す比較対象用の画像データ（比較対象画像）ＰＣを比較し、図２５に示す視野範囲Ｓ１内にマーク３１が含まれているかどうかを判定する。詳細には、例えば図２３に示す画像処理部３６ｂで形成された画像データＰ１（図２６参照）は、制御部３６ｃに伝送される。制御部３６ｃは、図２７に示す比較用の画像データＰＣを記憶する記憶部、および記憶部から伝送された画像データＰＣと画像処理部３６ｂ（図２３参照）から伝送された画像データＰを比較して、マーク３１の有無、およびマーク３１の全体が含まれているかどうかを判定する判定処理回路を備えている。そして制御部３６ｃでは、判定処理回路において、画像データＰ、ＰＣを比較することで、マーク３１の有無を判定する。つまり、本実施の形態では、制御部３６ｃは視野範囲内におけるマーク３１の有無を判定する判定部として機能する。また、図２７に示す画像データＰＣは、マーク３１の全体が画像データＰ内に表示される状態で撮像し、画像処理を施した画像データＰであって、図５に示す貫通孔形成工程を行う前に予め取得されている。図２７に示すように、視野範囲内にマーク３１が含まれている場合には、マーク３１はマーク３１の周囲よりも濃く表示される。なお、図２７では、マーク３１が周囲よりも濃く表示される実施態様を示しているが、撮像方法によっては、マーク３１が周囲よりも薄く表示される場合もある。また、本実施の形態では制御部３６ｃで判定処理を行う実施態様について説明するが、判定処理を行う判定部は制御部３６ｃには限定されず、例えば画像処理部３６ｂを判定部とすることもできる。
【００５５】
また、本実施の形態の判定工程では、画像データＰの比較結果が、以下の（１）〜（３）のいずれに該当するかを判定する。すなわち、（１）図２５に示す視野範囲Ｓ１内にマーク３１の全体が含まれる場合、（２）視野範囲Ｓ１内にマーク３１の一部が含まれる場合、または（３）視野範囲Ｓ１内に、マーク３１が含まれない場合、のいずれに該当するかを判定する。例えば本実施の形態では、図２４に示すように、まず、一次判定工程で、マーク検出の有無を判定する。すなわち、視野範囲Ｓ１内にマーク３１の少なくとも一部が含まれているか否かを判定する。図２５に示す例では、視野範囲Ｓ１内にはマーク３１が含まれていないので、この一次判定工程で、上記した（３）視野範囲Ｓ１内に、マーク３１が含まれない、と判定される。
【００５６】
判定工程で、マーク３１が検出されなかった場合、図２４に示すようにステージ移動工程が再び実行され、図２３に示す基材３０と撮像部３６ａの相対位置、言い換えれば基材３０における視野範囲の位置を移動させる。視野範囲を移動させる方向および移動距離は予め設定されており、例えば図２５に示す捜索軌道４１に沿って移動させる。図２５に示す例では、最初に撮像する視野範囲Ｓ１を中心として螺旋状に視野範囲を移動させる。言い換えれば、予め設定された捜索軌道４１は視野範囲Ｓ１を中心として螺旋状に視野範囲を移動させ、視野範囲Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、Ｓ４、・・・の順で移動する。したがって、視野範囲Ｓ１でマーク３１が検出されなかった場合には、視野範囲Ｓ１に隣接し、かつ視野範囲Ｓ１とは異なる視野範囲Ｓ２上に図２３に示す撮像部３６ａが位置するように移動させる。なお、視野範囲Ｓ１〜視野範囲Ｓ２６のそれぞれ、および後述する図３１に示す視野範囲ＳＦは、同じ平面寸法となっている。
【００５７】
次に、第２回目の撮像工程として、撮像部３６ａ（図２３参照）を用いて、基材３０の視野範囲Ｓ２（図２５参照）を撮像し、視野範囲Ｓ２内の画像データ（画像）Ｐ２（図２８参照）を取得し、画像データＰ２を用いて第２回目の判定工程を行う。図２５に示す例では、視野範囲Ｓ２内にマーク３１の一部が含まれているので、第２回目の判定工程では、一次判定工程でマーク３１が含まれている、と判定され、続く二次判定工程に移行する。なお、視野範囲Ｓ２内にもマーク３１が含まれていない場合には、少なくともマーク３１の一部が含まれる視野範囲を検出するまで、ステージ移動工程から判定工程を繰り返し実行する。
【００５８】
二次判定工程では、視野範囲内にマーク３１の全体が含まれているかどうかを判定する。位置合わせ工程では、前記したようにマーク３１の外縁（エッジ、輪郭）の位置データを取得してマーク３１の位置を特定する。前記したようにマーク３１の位置は、取得する位置データの数が多いほど正確に特定することができる。このため、視野範囲内にマーク３１の全体が含まれている場合、マーク３１の一部のみが含まれている場合よりも取得する位置データの数が多くなるので、マーク３１の位置をより正確に特定できる。また、例えばマーク３１の一部に欠損が発生している場合であっても、マーク３１全体が含まれる画像データを取得すれば、欠損箇所を認識することで、欠損箇所以外の位置データからマーク３１全体の正確な位置を特定することができる。このため、本実施の形態では、二次判定工程で、視野範囲Ｓ２内にマーク３１の全体が含まれているかどうかを判定し、視野範囲Ｓ２内にマーク３１の一部のみが含まれている場合には、マーク３１の捜索を継続する。
【００５９】
ここで、二次判定工程で、視野範囲Ｓ２内にマーク３１の一部のみが含まれている、と判定された場合、図２３に示す基材３０と撮像部３６ａの相対位置を再び移動させるが、単に予め設定された捜索軌道４１（図２５参照）に沿って移動させると、マーク３１の全体が含まれた画像を取得することができない。例えば図２５に示す例では、視野範囲Ｓ２および視野範囲Ｓ９にはそれぞれマーク３１の一部が含まれるが、マーク３１の全体が含まれる視野範囲は存在しない。また、捜索軌道４１に沿って視野範囲を移動させる場合、マーク３１の大部分が含まれる視野範囲Ｓ９に至るまでには、視野範囲Ｓ１〜視野範囲Ｓ８までを順次撮像するので、捜索時間が長くなる。
【００６０】
このような状態を回避する方法として、例えば、図２９に示すように視野範囲ＳＺを広くする方法が考えられる。マーク３１の平面形状に対して視野範囲ＳＺを十分に広くすれば、マーク３１の全体が視野範囲ＳＺ内に含まれる確率が上がる。しかし、図２９に示す例では、マーク３１の平面寸法に対する視野範囲ＳＺの平面寸法が大きいので、例えマーク３１の全体が含まれていても、画像データＰＺ（図３０参照）から取得できるマーク３１の外縁の位置データの数が少なくなる。このため、図２９に示す例では、マーク３１に対する解像度が低下するため、位置合わせ精度が低下する。つまり、マーク３１の全体が含まれる画像データを取得するためには視野範囲の平面寸法は、マーク３１の平面寸法よりも大きくする必要があるが、マーク３１に対する解像度の低下を抑制する観点からは、マーク３１の平面寸法に対する視野範囲の平面寸法は出来る限り小さくすることが好ましい。本願発明者の検討によれば、マーク３１の平面最大寸法に対する視野範囲の平面最小寸法は、１倍以上、２倍以下とすることが好ましい。ここで、マーク３１の平面最大寸法とは、マーク３１の外縁を構成する２点を結ぶ直線のうち、最も長い直線の距離をいう。本実施の形態ではマーク３１は円形の平面形状を成すので、マーク３１の直径（例えば図２５では２．４ｍｍ）が平面最大寸法に相当する。一方、視野範囲の平面最小寸法とは、視野範囲が四角形を成す場合には、最も短い辺の長さをいう。本実施の形態では、例えば各視野範囲Ｓ１〜Ｓ２６は、それぞれ長方形を成すので、短辺の長さ（例えば図２５では４．８ｍｍ）が平面最小寸法に相当する。このように、マーク３１の平面最大寸法に対する視野範囲の平面最小寸法を小さく、言い換えれば視野範囲内におけるマーク３１の寸法を大きくすれば、マーク３１に対する解像度の低下を抑制できるため、高精度で位置合わせを行うことができる。しかし、視野範囲内におけるマーク３１の寸法が大きくなると、図２５に示すように、複数の視野範囲に跨ってマーク３１が配置される可能性が高くなる。
【００６１】
そこで、本願発明者は、複数の視野範囲に跨ってマーク３１が配置される場合であっても、短時間でマーク３１全体が含まれる画像データを取得する方法について検討を行い、以下の構成を見出した。すなわち、前記した二次判定工程で、視野範囲Ｓ２内にマーク３１の一部のみが含まれている場合には、図３１に示すようにマーク３１の全体が含まれる視野範囲ＳＦの位置を算出し（図２４に示すマーク位置算出工程）、視野範囲ＳＦに向かって基材３０（図２３参照）と撮像部３６ａ（図２３参照）の相対位置を移動させる。言い換えれば、マーク３１の一部を含む画像データＰ２（図２８参照）に基づいて、予め設定されたマーク３１の捜索軌道４１（図２５参照）を変更し、マーク３１の全体が収まる視野範囲ＳＦに向かって撮像部３６ａ（図２３参照）と基材３０の相対位置を移動させる。そして、視野範囲ＳＦの画像を撮像し、図３２に示すようにマーク３１の全体が含まれる画像データ（画像）ＰＦを取得する。マーク３１の全体が含まれる視野範囲ＳＦの位置を算出する方法は、例えば、図２８に示す画像データＰ２のようにマーク３１の一部が含まれる画像データＰ２からマーク３１の中心位置（推定位置）を算出する。そして、マーク３１の中心位置が図３１に示す視野範囲ＳＦの中心となるように撮像部３６ａ（図２３参照）と基材３０（図２３参照）の相対位置を移動させれば、マーク３１の平面寸法は、視野範囲ＳＦの平面寸法よりも小さいので視野範囲ＳＦ内にマーク３１の全体が収まることとなる。つまり、本実施の形態では、図２８に示す画像データＰ２からマーク３１の中心位置を算出し、平面視においてマーク３１の中心位置と視野範囲ＳＦの中心位置が重なるように撮像部３６ａ（図２３参照）と基材３０（図２３参照）の相対位置を移動させることで、マーク３１の全体が含まれる視野範囲ＳＦの位置を算出する。マーク３１の中心位置は、マーク３１の外形寸法が既知であれば、マーク３１の外縁の位置データが２箇所以上取得することにより容易に算出することができる。
【００６２】
例えばマーク３１のように平面形状が円形を成す場合には、マーク３１の中心位置を以下のように算出することができる。図３３は、図３１に示すマークの中心位置の算出方法の一例を示す説明図である。図３１に示すように、マーク３１の外縁を構成する座標点のうち、任意の２つの点Ａ、Ｂを選択する。また、線分ＡＢの中心を点Ｄとすると、線分ＡＢと直交し、かつ、点Ｄを通過する直線Ｅを引く事が出来る。また、この直線Ｅと、マーク３１の外縁との交点を点Ｆとすると、点Ｆから直線Ｅに沿って半径ｒの位置にある点Ｃがマーク３１の中心位置なので、マーク３１の中心位置の座標点を算出することができる。なお、マーク位置算出工程では、マーク３１の全体が含まれる視野範囲ＳＦの位置が判れば良いので、マーク３１の中心位置を厳密に特定する必要はなく、例えば、マーク３１を形成する際の加工精度の影響により、中心位置の算出結果が僅かにずれていても良い。そして、マーク３１の中心位置が視野範囲ＳＦの中心位置となるように、基材３０（図２３参照）と撮像部３６ａ（図２３参照）の相対位置を移動させれば、視野範囲ＳＦ内にマーク３１の全体が含まれることとなる。この結果、図３２に示すようにマーク３１の全体を含む画像データＰＦを取得することができる。なお、図２５に示す視野範囲Ｓ１〜視野範囲Ｓ２６のいずれかに、マーク３１の全体が含まれている場合には、図２４に示すマーク位置算出工程を行うことなく、次のマーク位置データ取得工程に進むことができる。
【００６３】
次に、マーク位置データ取得工程では、画像データＰＦに含まれるマーク３１の外縁（エッジ、輪郭）の位置データ（座標データ）を取得する。図２３に当てはめて説明すると、例えば画像処理部３６ｂで画像データＰＦ（図３２参照）を形成し、制御部３６ｃに伝送する。そして、制御部３６ｃにおいて、画像データＰＦに含まれるマーク３１の外縁の座標点を特定し、位置データを得る。ここで、高精度で位置合わせを行う観点から、本工程で取得するマーク３１の位置データ数は多い程好ましいが、画像データＰＦには、マーク３１の全体が含まれる。また、マーク３１の平面最大寸法に対する視野範囲の平面最小寸法は、１倍以上、２倍以下となっているため、多数の位置データを取得することができる。
【００６４】
ところで、図１３に示すように本実施の形態では、基材３０には複数のマーク３１が形成されている。この複数のマークのうち、少なくとも一つのマーク３１の位置が正確に特定されれば、基材３０の被処理部の位置を概略特定することはできる。しかし、より高精度で被処理部の位置を特定する観点からは、複数のマーク３１の位置データを取得することが好ましい。特に図２３に示すように、Ｘ方向、Ｙ方向に加え、Ｘ−Ｙ平面における回転角度であるθ方向の位置合わせを行う場合には、マーク３１間の距離を出来る限り離して形成することが好ましい。そこで、本実施の形態では、図１３に示すように基材３０の４箇所の角部のうちの一つ（図１４に拡大して示す角部領域）に一つのマーク３１ａが、基材３０の中心を介して該角部と対向する角部（図１５に拡大して示す角部領域）に別のマーク３１ｂを形成している。そして、図２４に示すマーク位置データ取得工程では、例えば第１のマークであるマーク３１ａ（図１３参照）の位置データを取得し、第２マーク位置データ取得工程では、マーク３１ａとは別の第２のマークであるマーク３１ｂ（図１３参照）の位置データを取得する。そして、マーク３１ａとマーク３１ｂの位置データ（座標データ）のずれに基づいて、図２３に示すθ方向の位置ずれを特定する。なお、図２４では図示を省略するが、マーク３１ｂの位置データを取得する手順は、マーク３１ａの位置データを取得する手順と同様である。すなわち、前記した基材ロード工程から判定工程までの手順をマーク３１ａ、３１ｂについてそれぞれ行うことにより、それぞれの位置データを取得することができる。
【００６５】
次に、被処理部位置特定工程では、マーク３１の位置データに基づいて、被処理部の位置（貫通孔形成工程の場合、貫通孔を形成する領域の位置）を特定する。被処理部の位置は、マーク３１の位置と被処理部の位置を規定する設計データと、測定したマーク３１の位置データに基づいて特定することができる。この被処理部の位置の特定は、例えば図２３に示す制御部３６ｃで、予め記憶された設計データと、測定したマーク３１の位置データから、被処理部の位置データとして算出する。ここで、狭い領域内に多数の貫通孔を形成するためには、被処理部の位置を高い精度で特定する必要があるが、本実施の形態によれば、前記したようにマーク３１の位置を高精度で特定することができるため、被処理部の位置の特定精度も向上させることができる。
【００６６】
次に、図２４に示す位置合わせ工程では、被処理部と、処理装置（貫通孔形成工程の場合、図２３に示すレーザ照射部３７）と被処理部の相対的位置関係を調整する。相対的位置関係の調整方法は、例えば、図２３に示すステージＴＳを、被処理部の位置データに応じてＸ方向、Ｙ方向、およびθ方向に移動させて調整する。言い換えれば、レーザ照射部３７から照射されるレーザ光３２が被処理部上に照射されるようにステージＴＳを移動させる。その後、ステージＴＳの移動と、レーザ光３２の照射を交互に繰り返すことで、多数の貫通孔を基材３０に形成することができる。
【００６７】
このように、本実施の形態によれば、例えば図３１に示すように視野範囲Ｓ２にマーク３１の一部が含まれていれば、マーク３１の一部を含む画像データＰ２（図２８参照）に基づいて、予め設定された捜索軌道４１（図２５参照）を変更するので、マーク３１の全体を含む画像データＰＦ（図３２参照）を取得するまでの時間を短縮することができる。また、マーク３１の位置を算出し、算出結果に基づいて視野範囲ＳＦに向かって移動させるので、視野範囲ＳＦの平面寸法を小さくしても、マーク３１の全体を含む画像データＰＦを確実に取得することができる。また、マーク３１の平面寸法に対する視野範囲の平面寸法を小さくすることができるので、マーク３１の解像度を向上させることができる。この結果、高精度で位置合わせを行うことができる。
【００６８】
＜変形例＞
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００６９】
例えば、前記実施の形態では、貫通孔形成工程において、図１８に示す基材３０の上面１４ａ、下面１４ｂのうち、一方の面から他方の面に向かって貫通する複数の貫通孔（ビア孔）１３ｄを形成する実施態様について説明した。この実施態様の変形例として、図３４および図３５に示すように基材３０の上面１４ａおよび下面１４ｂの対向する位置からそれぞれ基材の内部に向かって貫通孔１３ｄ（図３５参照）を形成する実施態様に適用することができる。図３４および図３５は図１８に示す貫通孔形成工程の変形例を示す拡大断面図である。また、図３６は、図３４および図３５に示す貫通孔形成工程で位置合わせに用いるマークの断面構造の例を示す拡大断面図である。レーザ光３２を照射することにより貫通孔１３ｄを形成する方式では、レーザ光３２の照射時間に応じて、形成される貫通孔１３ｄの開口径が大きくなる。このため、一方の面のみからレーザ光３２を照射すると、レーザ光３２の照射面（例えば図１８に示す上面１４ａ）の開口径は、その反対面（例えば図１８に示す下面１４ｂ）よりも大きくなる。特に、基材３０の厚さ（上面１４ａ、下面１４ｂ間の距離）が厚い場合には、開口径の差が大きくなる。ここで、図３４および図３５に示すように、基材３０の上面１４ａおよび下面１４ｂの対向する位置からそれぞれ基材の内部に向かってレーザ光３２を照射して基材３０の内部で貫通させる方法（以下、両面照射方式と記載する）の場合、貫通孔１３ｄの開口径の差を小さくすることができる。
【００７０】
この両面照射方式を行う場合、基材３０の上面１４ａ側、下面１４ｂ側のそれぞれにおいて、図２４を用いて説明した位置合わせ工程を行う。例えば、上面１４ａ側に対してレーザ光３２を照射して図３４に示すように複数の穴１３ｅを形成し、その後、図３５に示すように上面１４ａと下面１４ｂを反転させる。次に、下面１４ｂに形成されたマーク３１を用いて再び位置合わせ工程を行う。そして、基材３０の複数の穴１３ｅと対向する領域に下面１４ｂ側からレーザ光３２を照射することで、複数の貫通孔１３ｄを形成する。このため、図２３に示すマーク３１は、上面１４ａ、下面１４ｂのそれぞれに形成する。この時、上面１４ａに形成されたマーク３１と下面１４ｂに形成されたマーク３１の位置ずれを防止する観点から、図３６に示すように基材３０を貫通する貫通孔３３を形成し、貫通孔３３内に例えば導体膜を埋め込む事でマーク３１を形成することが好ましい。言い換えれば、上面１４ａ側のマーク３１下面１４ｂ側のマーク３１を一体に形成することが好ましい。マーク３１の位置ずれを防止することができれば、前記実施の形態で説明した位置合わせ工程を上面１４ａ、下面１４ｂのそれぞれで適用することにより、マーク３１の位置を高精度で特定できるので、図３５に示すように基材３０を厚さ方向に貫通する貫通孔１３ｄを確実に形成することができる。
【００７１】
また、前記実施の形態では、円形の平面形状を成すマーク３１を用いた位置合わせ工程について説明したが、マーク３１の平面形状は、例えば図３７や図３８に示すように円形以外の形状であっても良い。図３７および図３８は、図１４に示すマークの変形例を示す拡大平面図である。例えば図３７に示すマーク４２は、正方形の平面形状を成し、図３８に示すマーク４３は、三角形の頂点を対向配置した、バタフライ型と呼ばれる平面形状を成す。図３７や図３８に示すように、角部を有する平面形状のマーク４２、４３の場合、図２４を用いて説明した位置合わせ工程で、取得した画像データに、角部が含まれていれば、角部の成す角度、および角部からマーク４２、４３の中心位置までの距離に基づいてマーク４２、４３の中心位置を算出することができる。ただし、前記実施の形態で説明したマーク３１のように円形の平面形状とした場合、マーク３１の外縁を構成する任意の２点から中心位置を算出することができるので、容易に中心位置を算出する観点からは、マーク３１のように円形の平面形状とすることが好ましい。また、マーク３１の方が容易に形成できるので、寸法公差を低減する観点からも好ましい。
【００７２】
また、前記実施の形態では、基材３０の一方の面（上面１４ａまたは下面１４ｂ）に複数のマーク３１を形成する実施態様について説明したが、例えば、図３８に示すマーク４３のように、θ方向の傾きを識別することが可能な形状である場合には、一つのマーク４３の位置データに基づいて、θ方向の位置合わせを行う方法も考えられる。ただし、高精度でθ方向の位置合わせを行う観点からは、前記実施の形態で説明したように離間して配置される複数のマーク３１の位置データのずれに基づいてθ方向の位置ずれを特定する方法の方が好ましい。
【００７３】
また、前記実施の形態では、図２８に示す画像データＰ２からマーク３１の中心位置を算出し、平面視においてマーク３１の中心位置と視野範囲ＳＦの中心位置が重なるように撮像部３６ａ（図２３参照）と基材３０（図２３参照）の相対位置を移動させることで、マーク３１の全体が含まれる視野範囲ＳＦの位置を算出する実施態様について説明した。しかし、マーク３１の全体が含まれる視野範囲ＳＦの位置を算出する方法はこれに限定されない。例えば、図２８に示す画像データＰ２と図２７に示す比較用の画像データＰＣを比較して画像データＰ２に含まれるマーク３１の一部がマーク３１全体のどの部分に該当するのかを判定し、その判定結果からマーク３１の外縁を構成する各座標点をそれぞれ算出する。そして、各座標点の全てを含む視野範囲を算出すれば、マーク３１の全体が含まれる視野範囲の位置を算出することとなる。ただし、前記実施の形態で説明したようにマーク３１の中心位置を算出する方法の方が、算出処理を単純化することができる点で好ましい。
【００７４】
また、前記実施の形態では、位置合わせ工程の適用例として、レーザ光３２を照射して貫通孔１３ｄを形成する貫通孔形成工程に適用した実施態様について説明したが、位置合わせ工程を適用する工程は、これに限定されない。例えば、図５に示す各工程のうち、基板準備工程に含まれる金属膜形成工程や開口部形成工程では、基材３０の上面１４ａや下面１４ｂに微細なパターンを形成する必要があるため、前記実施の形態で説明した位置合わせ工程を適用し、高精度で位置合わせを行うことが好ましい。
【００７５】
また、前記実施の形態では、配線基板１０上に半導体チップを搭載した半導体装置１の製造方法に適用した実施態様について説明したが、高い精度で基材の位置合わせ工程を行う必要がある他の実施態様に適用することができる。例えば、図３９に示すように複数の電子部品４４が実装基板４５に搭載された電子装置４６に適用することができる。図３９は、図２４を用いて説明した位置合わせ工程を適用して製造する電子装置の構造を示す断面図である。図３９に示す電子装置４６では、基材である実装基板４５に複数の電子部品４４が搭載されている。電子部品４４には、例えば半導体装置や、抵抗、コンデンサなどの受動部品が含まれ、これらを実装基板４５に搭載して電気的に接続することで電気回路を構成する。近年、例えば携帯電話など、携帯型電子機器の需要増加に伴い、電子機器、およびこれに組み込む電子装置４６に対する小型化の要求がある。この要求に応えるため、実装基板４５に対して微細加工を施す必要が生じる。そこで、図３９に示す実装基板４５を前記実施の形態で説明した図３に示す配線基板１０に対応させて、前記実施の形態で説明した図５に示す基板準備工程を適用することにより、実装基板４５に対して、微細な配線パターンを高精度で形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明は、半導体装置の製造方法に広く適用可能である。
【符号の説明】
【００７７】
１  半導体装置
３  半導体チップ
３ａ  表面
３ｂ  裏面
３ｃ  パッド
４  封止体
５  半田ボール
６  接着材
７  ワイヤ
１０  配線基板
１０ａ  上面
１０ｂ  下面
１１  端子
１２  ランド
１３  配線
１３ａ  配線
１３ｂ  配線
１３ｃ  ビア
１３ｄ  貫通孔
１３ｅ  穴
１４  コア材
１４ａ  上面
１４ｂ  下面
１５  ソルダレジスト膜
１５ａ  開口部
２０  配線基板
２０ａ  製品形成領域
２０ｂ  枠部（枠体）
２０ｃ  ダイシング領域
３０  基材
３０ａ  切断ライン
３１、３１ａ、３１ｂ、４２、４３  マーク
３２  レーザ光
３３  貫通孔
３５  レーザ加工装置
３６  位置合わせ部
３６ａ  撮像部
３６ｂ  画像処理部
３６ｃ  制御部
３７  レーザ照射部
３７ａ  レーザ発振器
３７ｂ  ミラー
３７ｃ  レンズ
３９  ガイド
４０  捜索領域
４１  捜索軌道
４４  電子部品
４５  実装基板
４６  電子装置
ＣＴＵ  制御部
ＣＶＵ  搬送部
ＬＤ  ローダ部
ＰＳＵ  電源部
ＰＴ  処理部
ＰＴＵ  処理部
ＴＳ  ステージ
ＵＬＤ  アンローダ部
Ｐ、Ｐ１、Ｐ２、ＰＦ、ＰＺ  画像データ
Ｓ１〜Ｓ２６、ＳＦ、ＳＺ  視野範囲
Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄ、Ｆ  点
Ｅ  直線
ｒ  半径
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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