(57)【要約】【課題】巻き取りを行っても傷や損傷が発生し難い構成、構造を有する薄膜素子組立体を提供する。【解決手段】薄膜素子組立体にあっては、可撓性を有する基材２０の第１面２１上に複数の薄膜素子１０が備えられており、基材２０において、複数の薄膜素子１０が備えられた第１領域の外側に、薄膜素子を備えていない第２領域が設けられており、基材２０の第１面２１の第２領域、又は、第２面２２の第２領域、又は、第１面２１及び第２面２２の第２領域に凸部３１が形成されている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する基材の第１面上に複数の薄膜素子が備えられており、
基材において、複数の薄膜素子が備えられた第１領域の外側に、薄膜素子を備えていない第２領域が設けられており、
基材の第１面の第２領域、又は、第２面の第２領域、又は、第１面及び第２面の第２領域に凸部が形成されている薄膜素子組立体。
【請求項２】
基材は、対向する２辺が第１の方向に延び、対向する他の２辺が第２の方向に延びる矩形形状を有し、
凸部は、第１の方向に延びる２辺に沿った第２領域に形成されている請求項１に記載の薄膜素子組立体。
【請求項３】
基材は、第２の方向と平行な軸線を中心として巻くことが可能である請求項２に記載の薄膜素子組立体。
【請求項４】
凸部のそれぞれには、第２の方向と平行に延びる切欠部が設けられている請求項２又は請求項３に記載の薄膜素子組立体。
【請求項５】
基材の第２面の第２領域、又は、基材の第１面及び第２面の第２領域に凸部が形成されており、
基材の第２面の少なくとも第１領域には、第２の方向に延びる補強部材が形成されており、
補強部材の高さは、基材の第２面の第２領域に形成された凸部の高さよりも低い請求項２乃至請求項４のいずれか１項に記載の薄膜素子組立体。
【請求項６】
基材の第１面の第２領域、又は、基材の第１面及び第２面の第２領域に凸部が形成されており、
凸部は、更に、第２の方向に延びる２辺に沿った基材の第１面の第２領域に形成されている請求項２乃至請求項４のいずれか１項に記載の薄膜素子組立体。
【請求項７】
凸部は、発泡材料、ゲル状材料及びゴム状材料から成る群から選択された少なくとも１種類の材料から成る請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の薄膜素子組立体。
【請求項８】
凸部には帯電防止剤が含まれている請求項７に記載の薄膜素子組立体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、薄膜素子組立体に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）やマイクロカプセル型電気泳動ディスプレイ素子を備えた表示装置、あるいは、液晶表示装置といった種々の画像表示装置にあっては、可撓性を有する画像表示装置の実現が切望されている。可撓性を有する画像表示装置は、大画面でありながら、薄く、軽く、巻き取ることが可能となり、携帯して搬送することができる。しかしながら、一方で、巻き取り時、接触面における摩擦に起因した傷の発生、摩耗といった問題が発生し易い。
【０００３】
このような問題に対処するために、例えば、特開２００８−１８５８５３号公報には、フレキシブルな基体の上に発光素子が形成されており、収納の際に発光面側の表面と裏面側の表面とが接触するように巻き取られるフレキシブル表示装置において、発光面側の表面の硬さは、裏面側の表面の硬さより大きいことを特徴とするフレキシブル表示装置の発明が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１８５８５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、この特許公開公報に開示されたフレキシブル表示装置において、一層の耐久性の向上が望まれる。
【０００６】
従って、本開示の目的は、一層の耐久性の向上を図ることができる構成、構造を有する薄膜素子組立体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するための本開示の薄膜素子組立体にあっては、
可撓性を有する基材の第１面上に複数の薄膜素子が備えられており、
基材において、複数の薄膜素子が備えられた第１領域の外側に、薄膜素子を備えていない第２領域が設けられており、
基材の第１面の第２領域、又は、第２面の第２領域、又は、第１面及び第２面の第２領域に凸部が形成されている。
【発明の効果】
【０００８】
本開示の薄膜素子組立体にあっては、基材の薄膜素子を備えていない第２領域に凸部が形成されているので、薄膜素子組立体の巻き取りを行っても、基材の第２面が第１面上に形成された複数の薄膜素子と接触することを確実に防止することができ、薄膜素子組立体に一層の耐久性を付与することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１の薄膜素子組立体を第１の方向から眺めた模式的な側面図、及び、薄膜素子組立体を第２面側から眺めた模式的な斜視図である。
【図２】図２の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例１の薄膜素子組立体を第１面側から眺めた模式的な斜視図、及び、実施例２の薄膜素子組立体を第２面側から眺めた模式的な斜視図である。
【図３】図３の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例３の薄膜素子組立体を第１の方向から眺めた模式的な側面図、及び、薄膜素子組立体を第２面側から眺めた模式的な斜視図である。
【図４】図４の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例４の薄膜素子組立体を第１の方向から眺めた模式的な側面図、及び、薄膜素子組立体を第１面側から眺めた模式的な斜視図である。
【図５】図５は、実施例５の薄膜素子組立体を第１面側から眺めた模式的な斜視図である。
【図６】図６の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例６及びその変形例の薄膜素子組立体を第１の方向から眺めた模式的な側面図である。
【図７】図７の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例７及び実施例８の薄膜素子の模式的な一部断面図である。
【図８】図８の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例９及び実施例１０の薄膜素子の模式的な一部断面図である。
【図９】図９は、実施例１１の薄膜素子の模式的な一部断面図である。
【図１０】図１０の（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、実施例の薄膜素子組立体の変形の模式的な一部断面図、及び、実施例の薄膜素子組立体の製造方法を説明するための支持基板等の模式的な一部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の薄膜素子組立体、全般に関する説明
２．実施例１（本開示の薄膜素子組立体）
３．実施例２（実施例１の変形）
４．実施例３（実施例１の別の変形）
５．実施例４（実施例１の更に別の変形）
６．実施例５（実施例４の変形）
７．実施例６（実施例１及び実施例４の変形）
８．実施例７（実施例１〜実施例６の変形）
９．実施例８（実施例１〜実施例６の別の変形）
１０．実施例９（実施例１〜実施例６の別の変形）
１１．実施例１０（実施例１〜実施例６の別の変形）
１２．実施例１１（実施例１〜実施例６の別の変形）、その他
【００１１】
［本開示の薄膜素子組立体、全般に関する説明］
本開示の薄膜素子組立体において、
基材は、対向する２辺が第１の方向に延び、対向する他の２辺が第２の方向に延びる矩形形状を有し、
凸部は、第１の方向に延びる２辺に沿った第２領域に形成されている構成とすることができる。そして、このような好ましい構成にあっては、基材は、第２の方向と平行な軸線を中心として巻くことが可能である、即ち、第１の方向に沿って巻くことが可能である。更には、これらの好ましい構成において、凸部のそれぞれには、第２の方向と平行に延びる切欠部が設けられている構成とすることができる。更には、これらの好ましい構成において、
基材の第２面の第２領域、又は、基材の第１面及び第２面の第２領域に凸部が形成されており、
基材の第２面の少なくとも第１領域には、第２の方向に延びる補強部材が形成されており、
補強部材の高さは、基材の第２面の第２領域に形成された凸部の高さよりも低い形態とすることができる。更には、これらの好ましい構成、形態を含む本開示の薄膜素子組立体にあっては、
基材の第１面の第２領域、又は、基材の第１面及び第２面の第２領域に凸部が形成されており、
凸部は、更に、第２の方向に延びる２辺に沿った基材の第１面の第２領域に形成されている形態とすることもできる。即ち、このような形態において、凸部は、基材の第１面において、第１領域を取り囲んで、第２領域に額縁状に設けられている。
【００１２】
更には、以上に説明した好ましい構成、形態を含む本開示の薄膜素子組立体において、凸部は、発泡材料、ゲル状材料及びゴム状材料から成る群から選択された少なくとも１種類の材料から成ることが好ましく、この場合、凸部には帯電防止剤が含まれていることが一層好ましい。
【００１３】
以上に説明した好ましい構成、形態を含む本開示の薄膜素子組立体（以下、これらを総称して、単に、『本開示の薄膜素子組立体』と呼ぶ）において、基材は可撓性を有するが、ここで、「基材が可撓性を有する」とは、基材厚さが１ｍｍ以下の場合には半径５ｃｍ、基材厚さが１ｍｍ以上の場合には半径２０ｃｍの円柱に巻きつけても折れない性質を有することことを意味する。また、本開示の薄膜素子組立体、全体としても可撓性を有するが、ここで、「薄膜素子組立体が可撓性を有する」とは、半径２０ｃｍの円柱に巻きつけても折れない性質を有することことを意味する。
【００１４】
本開示の薄膜素子組立体において、発泡材料として、ウレタンフォームやアクリルフォームを挙げることができるし、ゲル状材料として、シリコーンゲルやアクリルゲルを挙げることができるし、ゴム状材料として、シリコーンゴム、エチレン−プロピレン−ジエンゴム（ＥＰＤＭ）、クロロプレンゴム（ＣＲ）、ＮＢＲ、ＳＢＲ、イソプレンゴム（ＩＲ）、天然ゴムを挙げることができるし、帯電防止剤として、カーボン、酸化チタン、カーボンナノチューブ、銅、アルミニウム、界面活性剤、イオン導電機構、電子導電機構を挙げることができる。但し、凸部を構成する材料は、上記の材料に限定するものではなく、後述する基材を構成するプラスチック材料とすることもでき、この場合、基材を構成するプラスチック材料と凸部を構成するプラスチック材料とは同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。補強部材を構成する材料として、上記の材料を挙げることができるし、あるいは又、後述する基材を構成するプラスチック材料とすることもでき、この場合、基材を構成するプラスチック材料と補強部材を構成するプラスチック材料とは同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。あるいは又、補強部材を構成する材料として、ポリエチレン（ＰＥ）樹脂、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）樹脂、エチレン酢酸ビニル・コポリマー（ＥＶＡ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）樹脂、ポリプロピレン（ＰＰ）樹脂、ポリスチレン（ＰＳ）樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合樹脂（ＡＢＳ）、環状オレフィン・コポリマー（ＣＯＣ）、ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂、ポリアミド（ＰＡ）樹脂、フェノール樹脂、ＴＰＥを挙げることができる。
【００１５】
凸部や補強部材の作製方法として、シート状にした部材を型で抜く方法、射出成形法、押出成形法といった方法を挙げることができる。そして、作製された凸部や補強部材を、基材に、接着剤を用いて接着すればよいし、あるいは又、作製された凸部や補強部材を、基材に、熱融着法や、光硬化法、テープによる固定といった方法に基づき固定することもできる。あるいは又、凸部や補強部材を、直接、基材に形成してもよい。また、凸部と補強部材とを一体に形成することもできるし、凸部や補強部材を基材と一体に形成することもできる。凸部の形状として、帯状の形状、線分が集合した形状、点が集合した形状を挙げることができる。第１の方向に延びる１つの辺に沿った第２領域における凸部の数は、１つであってもよいし、複数であってもよい。尚、基材の第１面の第２領域に形成された凸部を、便宜上、『第１凸部』と呼び、基材の第２面の第２領域に形成された凸部を、便宜上、『第２凸部』と呼ぶ場合がある。
【００１６】
本開示の薄膜素子組立体において、基材を構成する材料として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエーテルスルホン、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル，ＰＭＭＡ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリスルホンイミドから成る群から選択された少なくとも１種類の樹脂（プラスチック材料、プラスチックフィルム）、あるいは又、薄膜ガラスや、ステンレス鋼箔、アルミニウム箔といった金属箔、合金箔を挙げることができる。
【００１７】
本開示の薄膜素子組立体において、凸部の高さをＨ、基材の第１の方向と平行な対向する２辺の間の距離をＷとしたとき、Ｈの値はＷの値よりも十分に小さいことが望ましい。また、本開示の薄膜素子組立体において、補強部材の高さをＨ3とし、第２凸部の高さをＨ2としたとき、Ｈ3＜Ｈ2を満足することが望ましい。また、薄膜素子の厚さをＨ0、第１凸部の高さをＨ1としたとき、Ｈ0＜Ｈ1，Ｈ0＜Ｈ2を満足する必要がある。
【００１８】
本開示の薄膜素子組立体において、薄膜素子は、有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）から成る構成とすることができるし、あるいは又、マイクロカプセル型電気泳動ディスプレイ素子、半導体発光素子（半導体レーザ素子やＬＥＤ）から成る構成とすることができるし、あるいは又、液晶表示装置から成る構成とすることができる。尚、有機ＥＬ素子、マイクロカプセル型電気泳動ディスプレイ素子、半導体発光素子、液晶表示装置は、周知の構成、構造とすることができる。
【００１９】
あるいは又、本開示の薄膜素子組立体において、薄膜素子は、
第１電極及び第２電極、
第１電極と第２電極との間に形成された能動層、並びに、
絶縁層を介して能動層と対向した制御電極、
を備えている形態とすることができ、この場合、具体的には、
薄膜素子は、有機トランジスタ、より具体的には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を含む電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）といった３端子デバイスから成る形態とすることができ、
第１電極及び第２電極はソース／ドレイン電極に該当し、
制御電極はゲート電極に該当し、
絶縁層はゲート絶縁層に該当し、
能動層はチャネル形成領域に該当する構成とすることができる。あるいは又、薄膜素子は、
第１電極及び第２電極、並びに、
第１電極と第２電極との間に形成された能動層、
を備えている形態とすることができ、この場合、より具体的には、薄膜素子は、光電変換素子、太陽電池、イメージセンサー、光センサーを含む各種センサーといった２端子デバイスから成る形態とすることができる。尚、これらの場合、能動層は、例えば、有機半導体材料から成る構成とすることができる。
【００２０】
本開示の薄膜素子組立体が組み込まれた画像表示装置として、所謂デスクトップ型のパーソナルコンピュータ、ノートブック型のパーソナルコンピュータ、モバイル型のパーソナルコンピュータ、ＰＤＡ（パーソナル・デジタル・アシスト）、携帯電話、ゲーム機、電子ブック、電子新聞等の電子ペーパー、看板、ポスター、黒板等の掲示板、コピー機、プリンター用紙代替のリライタブルペーパー、電卓、家電製品の表示部、ポイントカード等のカード表示部、電子広告、電子ＰＯＰ等の各種画像表示装置を挙げることができる。また、各種照明装置を挙げることもできる。
【００２１】
薄膜素子をボトムゲート・ボトムコンタクト型の薄膜トランジスタから構成する場合、係る薄膜トランジスタは、
（ａ）基材上にゲート電極を形成した後、全面にゲート絶縁層を形成し、次いで、
（ｂ）ゲート絶縁層上にソース／ドレイン電極を形成した後、
（ｃ）少なくとも、ソース／ドレイン電極の間に位置するゲート絶縁層の上に、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域を形成する、
各工程から製造することができる。ボトムゲート・ボトムコンタクト型薄膜トランジスタは、
（Ａ）基材上に形成されたゲート電極、
（Ｂ）ゲート電極及び基材上に形成されたゲート絶縁層、
（Ｃ）ゲート絶縁層上に形成されたソース／ドレイン電極、並びに、
（Ｄ）ソース／ドレイン電極の間であってゲート絶縁層上に形成された、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域、
を備えている。
【００２２】
また、薄膜素子をボトムゲート・トップコンタクト型の薄膜トランジスタから構成する場合、係る薄膜トランジスタは、
（ａ）基材上にゲート電極を形成した後、全面にゲート絶縁層を形成し、次いで、
（ｂ）ゲート絶縁層上に、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部を形成した後、
（ｃ）チャネル形成領域延在部上にソース／ドレイン電極を形成する、
各工程から製造することができる。ボトムゲート・トップコンタクト型薄膜トランジスタは、
（Ａ）基材上に形成されたゲート電極、
（Ｂ）ゲート電極及び基材上に形成されたゲート絶縁層、
（Ｃ）ゲート絶縁層上に形成された、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部、並びに、
（Ｄ）チャネル形成領域延在部上に形成されたソース／ドレイン電極、
を備えている。
【００２３】
更には、薄膜素子をトップゲート・ボトムコンタクト型の薄膜トランジスタから構成する場合、係る薄膜トランジスタは、
（ａ）基材上にソース／ドレイン電極を形成し、次いで、
（ｂ）全面に、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域を形成した後、
（ｃ）全面にゲート絶縁層を形成し、次いで、チャネル形成領域の上のゲート絶縁層の部分にゲート電極を形成する、
各工程から製造することができる。トップゲート・ボトムコンタクト型薄膜トランジスタは、
（Ａ）基材上に形成されたソース／ドレイン電極、
（Ｂ）ソース／ドレイン電極の間の基材上に形成された、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域、
（Ｃ）チャネル形成領域上に形成されたゲート絶縁層、並びに、
（Ｄ）ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極、
を備えている。
【００２４】
また、薄膜素子をトップゲート・トップコンタクト型の薄膜トランジスタから構成する場合、係る薄膜トランジスタは、
（ａ）基材上に、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部を形成し、次いで、
（ｂ）チャネル形成領域延在部上にソース／ドレイン電極を形成した後、
（ｃ）全面にゲート絶縁層を形成し、次いで、チャネル形成領域の上のゲート絶縁層の部分にゲート電極を形成する、
各工程から製造することができる。トップゲート・トップコンタクト型薄膜トランジスタは、
（Ａ）基材上に形成された、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部、
（Ｂ）チャネル形成領域延在部上に形成されたソース／ドレイン電極、
（Ｃ）ソース／ドレイン電極及びチャネル形成領域上に形成されたゲート絶縁層、並びに、
（Ｄ）ゲート絶縁層上に形成されたゲート電極、
を備えている。
【００２５】
薄膜素子においては、制御電極に印加される電圧によって、第１電極から第２電極に向かって能動層に流れる電流が制御される形態とすることができる。具体的には、薄膜素子は、上述したとおり、制御電極がゲート電極に相当し、第１電極及び第２電極がソース／ドレイン電極に相当し、絶縁層がゲート絶縁層に相当し、能動層がチャネル形成領域に相当する電界効果トランジスタ（薄膜トランジスタを含む）から成る構成とすることができる。あるいは又、制御電極、第１電極及び第２電極への電圧の印加によって能動層が発光する発光素子（有機発光素子、有機発光トランジスタ）から成る構成とすることができる。ここで、発光素子において、能動層を構成する有機半導体材料は、制御電極に印加される電圧に基づく変調による電荷の蓄積や、注入された電子と正孔（ホール）との再結合に基づく発光機能を有する。能動層を構成する有機半導体材料として、広くは、ｐ型導電性を有する有機半導体材料あるいはノン・ドープ有機半導体材料を用いることができる。ｐ型導電性を有する有機半導体材料から能動層が構成された発光素子（有機発光トランジスタ）において、発光強度は、ドレイン電流の絶対値に比例し、ゲート電圧とソース／ドレイン電極間の電圧によって変調することができる。尚、薄膜素子が、電界効果トランジスタとしての機能を発揮するか、発光素子として機能するかは、第１電極及び第２電極への電圧印加状態（バイアス）に依存する。先ず、第２電極からの電子注入が起こらない範囲のバイアスを加えた上で制御電極を変調することにより、第１電極から第２電極へ電流が流れる。これがトランジスタ動作である。一方、正孔が十分に蓄積された上で第１電極及び第２電極へのバイアスが増加されると電子注入が始まり、正孔との再結合によって発光が起こる。あるいは又、能動層への光の照射によって第１電極と第２電極との間に電流が流れる光電変換素子から成る構成とすることができる。薄膜素子から光電変換素子を構成する場合、光電変換素子によって、具体的には、太陽電池やイメージセンサーを構成することができ、この場合、制御電極への電圧の印加は行わなくともよいし、行ってもよく、後者の場合、制御電極への電圧の印加によって、流れる電流の変調を行うことが可能となる。尚、薄膜素子を発光素子や光電変換素子とする場合、発光素子や光電変換素子の構成、構造は、例えば、上述した４種類の薄膜トランジスタの構成、構造のいずれかと同様とすることができる。
【００２６】
有機半導体材料として、ポリチオフェン、ポリチオフェンにヘキシル基を導入したポリ−３−ヘキシルチオフェン［Ｐ３ＨＴ］、ペンタセン［２，３，６，７−ジベンゾアントラセン］、ペリキサンテノキサンテン等を含むジオキサアンタントレン系化合物、ポリアントラセン、ナフタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレン、サーカムアントラセン、ベンゾピレン、ジベンゾピレン、トリフェニレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリフェニレン、ポリフラン、ポリインドール、ポリビニルカルバゾール、ポリセレノフェン、ポリテルロフェン、ポリイソチアナフテン、ポリカルバゾール、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンビニレン、ポリフェニレンスルフィド、ポリビニレンスルフィド、ポリチエニレンビニレン、ポリナフタレン、ポリピレン、ポリアズレン、銅フタロシアニンで代表されるフタロシアニン、メロシアニン、ヘミシアニン、ポリエチレンジオキシチオフェン、ピリダジン、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸［ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ］、キナクリドンを例示することができる。あるいは又、有機半導体材料として、縮合多環芳香族化合物、ポルフィリン系誘導体、フェニルビニリデン系の共役系オリゴマー、及び、チオフェン系の共役系オリゴマーから成る群から選択された化合物を挙げることができる。具体的には、例えば、アセン系分子（ペンタセン、テトラセン等）といった縮合多環芳香族化合物、ポルフィリン系分子、共役系オリゴマー（フェニルビニリデン系やチオフェン系）を挙げることができる。
【００２７】
あるいは又、有機半導体材料として、例えば、ポルフィリン、４，４’−ビフェニルジチオール（ＢＰＤＴ）、４，４’−ジイソシアノビフェニル、４，４’−ジイソシアノ−ｐ−テルフェニル、２，５−ビス（５’−チオアセチル−２’−チオフェニル）チオフェン、２，５−ビス（５’−チオアセトキシル−２’−チオフェニル）チオフェン、４，４’−ジイソシアノフェニル、ベンジジン（ビフェニル−４，４’−ジアミン）、ＴＣＮＱ（テトラシアノキノジメタン）、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）−ＴＣＮＱ錯体、ビスエチレンテトラチアフルバレン（ＢＥＤＴＴＴＦ）−過塩素酸錯体、ＢＥＤＴＴＴＦ−ヨウ素錯体、ＴＣＮＱ−ヨウ素錯体に代表される電荷移動錯体、ビフェニル−４，４’−ジカルボン酸、１，４−ジ（４−チオフェニルアセチリニル）−２−エチルベンゼン、１，４−ジ（４−イソシアノフェニルアセチリニル）−２−エチルベンゼン、デンドリマー、Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８４等のフラーレン、１，４−ジ（４−チオフェニルエチニル）−２−エチルベンゼン、２，２”−ジヒドロキシ−１，１’：４’，１”−テルフェニル、４，４’−ビフェニルジエタナール、４，４’−ビフェニルジオール、４，４’−ビフェニルジイソシアネート、１，４−ジアセチニルベンゼン、ジエチルビフェニル−４，４’−ジカルボキシレート、ベンゾ［１，２−ｃ；３，４−ｃ’；５，６−ｃ”］トリス［１，２］ジチオール−１，４，７−トリチオン、アルファ−セキシチオフェン、テトラチオテトラセン、テトラセレノテトラセン、テトラテルルテトラセン、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリ（３−チオフェン−β−エタンスルホン酸）、ポリ（Ｎ−アルキルピロール）ポリ（３−アルキルピロール）、ポリ（３，４−ジアルキルピロール）、ポリ（２，２’−チエニルピロール）、ポリ（ジベンゾチオフェンスルフィド）を例示することができる。
【００２８】
能動層やチャネル形成領域（有機半導体材料層）には、必要に応じてポリマーが含まれていてもよい。ポリマーは有機溶剤に溶解すればよい。具体的には、ポリマー（有機結合剤、バインダー）として、ポリスチレン、ポリアルファメチルスチレン、ポリオレフィンを例示することができる。更には、場合によっては、添加物（例えば、ｎ型不純物やｐ型不純物といった、所謂ドーピング材料）を加えることもできる。
【００２９】
有機半導体材料溶液を調製するための溶媒として、トルエン、キシレン、メシチレン、テトラリン等の芳香族類、シクロペンタノン、シクロヘキサノン等のケトン類、デカリン等の炭化水素類等を例示することができる。なかでも、メシチレン、テトラリン、デカリン等の沸点が比較的高い溶媒を用いることが、トランジスタ特性の観点から、また、有機半導体材料層の成膜時に有機半導体材料層が急激に乾燥することを防止するといった観点から、好ましい。
【００３０】
能動層、チャネル形成領域、あるいは、チャネル形成領域及びチャネル形成領域延在部の形成方法として、塗布法を挙げることができる。ここで、塗布法は、一般的な塗布法をいずれも問題なく使用することができ、具体的には、例えば、以下の各種の塗布法を挙げることができる。即ち、塗布法として、スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、オフセット印刷法、反転オフセット印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、凸版印刷、フレキソ印刷、マイクロコンタクト法といった各種印刷法；スピンコート法；エアドクタコーター法、ブレードコーター法、ロッドコーター法、ナイフコーター法、スクイズコーター法、リバースロールコーター法、トランスファーロールコーター法、グラビアコーター法、キスコーター法、キャストコーター法、スプレーコーター法、スリットコーター法、スリットオリフィスコーター法、カレンダーコーター法、キャスティング法、キャピラリーコーター法、バーコーター法、浸漬法といった各種コーティング法；スプレー法；ディスペンサーを用いる方法：スタンプ法といった、液状材料を塗布する方法を挙げることができる。
【００３１】
制御電極や第１電極、第２電極、ゲート電極、ソース／ドレイン電極を構成する材料として、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、インジウム（Ｉｎ）、錫（Ｓｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）等の金属、あるいは、これらの金属元素を含む合金、これらの金属から成る導電性粒子、これらの金属を含む合金の導電性粒子、不純物を含有したポリシリコン等の導電性物質を挙げることができるし、これらの元素を含む層の積層構造とすることもできる。更には、制御電極や第１電極、第２電極、ゲート電極、ソース／ドレイン電極を構成する材料として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸［ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ］やポリアニリンといった有機材料（導電性高分子）を挙げることもできる。制御電極や第１電極、第２電極、ゲート電極、ソース／ドレイン電極を構成する材料は、同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。
【００３２】
制御電極や第１電極、第２電極、ゲート電極、ソース／ドレイン電極の形成方法として、これらを構成する材料にも依るが、上述した各種の塗布法、物理的気相成長法（ＰＶＤ法）、パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ）、アーク放電法、ＭＯＣＶＤ法を含む各種の化学的気相成長法（ＣＶＤ法）、リフト・オフ法、シャドウマスク法、及び、電解メッキ法や無電解メッキ法あるいはこれらの組合せといったメッキ法の内のいずれかと、必要に応じてパターニング技術との組合せを挙げることができる。尚、ＰＶＤ法として、（ａ）電子ビーム加熱法、抵抗加熱法、フラッシュ蒸着、ルツボを加熱する方法等の各種真空蒸着法、（ｂ）プラズマ蒸着法、（ｃ）２極スパッタリング法、直流スパッタリング法、直流マグネトロンスパッタリング法、高周波スパッタリング法、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法、バイアススパッタリング法等の各種スパッタリング法、（ｄ）ＤＣ（direct current）法、ＲＦ法、多陰極法、活性化反応法、電界蒸着法、高周波イオンプレーティング法、反応性イオンプレーティング法等の各種イオンプレーティング法を挙げることができる。レジストパターンを形成する場合、例えば、レジスト材料を塗布してレジスト膜を形成した後、フォトリソグラフィ技術、レーザ描画技術、電子線描画技術あるいはＸ線描画技術等を用いてレジスト膜をパターニングする。レジスト転写法等を用いてレジストパターンを形成してもよい。制御電極や第１電極、第２電極、ゲート電極、ソース／ドレイン電極をエッチング方法に基づき形成する場合、ドライエッチング法やウェットエチング法を採用すればよく、ドライエッチング法として、例えば、イオンミリングや反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を挙げることができる。また、制御電極や第１電極、第２電極、ゲート電極、ソース／ドレイン電極を、レーザアブレーション法、マスク蒸着法、レーザ転写法等に基づき形成することもできる。
【００３３】
絶縁層あるいはゲート絶縁層（以下、これらを総称して、『ゲート絶縁層等』と呼ぶ場合がある）は、単層であってもよいし、多層であってもよい。ゲート絶縁層等を構成する材料として、酸化ケイ素系材料、窒化ケイ素（ＳｉＮY）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）やＨｆＯ2等の金属酸化物高誘電絶縁膜にて例示される無機系絶縁材料だけでなく、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）やポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリイミド、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリスチレン、Ｎ−２（アミノエチル）３−アミノプロピルトリメトキシシラン（ＡＥＡＰＴＭＳ）、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（ＭＰＴＭＳ）、オクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）等のシラノール誘導体（シランカップリング剤）、オクタデカンチオール、ドデシルイソシアネイト等の一端に制御電極やゲート電極と結合可能な官能基を有する直鎖炭化水素類にて例示される有機系絶縁材料（有機ポリマー）にて例示される有機系絶縁材料を挙げることができるし、これらの組み合わせを用いることもできる。ここで、酸化ケイ素系材料として、酸化シリコン（ＳｉＯX）、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低誘電率ＳｉＯ2系材料（例えば、ポリアリールエーテル、シクロパーフルオロカーボンポリマー及びベンゾシクロブテン、環状フッ素樹脂、ポリテトラフルオロエチレン、フッ化アリールエーテル、フッ化ポリイミド、アモルファスカーボン、有機ＳＯＧ）を例示することができる。
【００３４】
ゲート絶縁層等の形成方法として、上述した塗布法以外にも、リフト・オフ法、ゾル−ゲル法、電着法、及び、シャドウマスク法の内のいずれかと、必要に応じてパターニング技術との組合せを挙げることができる。
【００３５】
あるいは又、ゲート絶縁層は、制御電極やゲート電極の表面を酸化あるいは窒化することによって形成することができるし、制御電極やゲート電極の表面に酸化膜や窒化膜を成膜することで得ることもできる。制御電極やゲート電極の表面を酸化する方法として、制御電極やゲート電極を構成する材料にも依るが、Ｏ2プラズマを用いた酸化法、陽極酸化法を例示することができる。また、制御電極やゲート電極の表面を窒化する方法として、制御電極やゲート電極を構成する材料にも依るが、Ｎ2プラズマを用いた窒化法を例示することができる。あるいは又、例えば、Ａｕ電極に対しては、一端をメルカプト基で修飾された直鎖状炭化水素のように、制御電極やゲート電極と化学的に結合を形成し得る官能基を有する絶縁性分子によって、浸漬法等の方法で自己組織的に制御電極やゲート電極表面を被覆することで、制御電極やゲート電極の表面にゲート絶縁層を形成することもできる。あるいは又、制御電極やゲート電極の表面をシラノール誘導体（シランカップリング剤）により修飾することで、ゲート絶縁層を形成することもできる。
【実施例１】
【００３６】
実施例１は、本開示の薄膜素子の組立体に関する。実施例１の薄膜素子組立体を第１の方向から眺めた模式的な側面図を図１の（Ａ）に示し、薄膜素子組立体を第２面側から眺めた模式的な斜視図を図１の（Ｂ）に示し、薄膜素子組立体を第１面側から眺めた模式的な斜視図を図２の（Ａ）に示す。
【００３７】
実施例１の薄膜素子組立体にあっては、可撓性を有する基材２０の第１面２１上に複数の薄膜素子１０が備えられている。そして、基材２０において、複数の薄膜素子１０が備えられた第１領域の外側に、薄膜素子１０を備えていない第２領域が設けられている。また、実施例１にあっては、第２面２２の第２領域に凸部（第２凸部３１）が形成されている。
【００３８】
ここで、基材２０は、ポリイミド樹脂から成り、対向する２辺２０Ａ，２０Ｃが第１の方向に延び、対向する他の２辺２０Ｂ，２０Ｄが第２の方向に延びる矩形形状を有する。辺２０Ａ，２０Ｃの長さを１４０ｍｍ、辺２０Ｂ，２０Ｄの長さ（基材２０の第１の方向と平行な対向する２辺２０Ａ，２０Ｃの間の距離Ｗ）を７６ｍｍとした。第２凸部３１は、シート状にした部材を型で抜く方法で作製されており、第２凸部３１は、第１の方向に延びる２辺２０Ａ，２０Ｃに沿った第２領域に形成されている。第２凸部３１は帯状の形状を有し、その幅は５ｍｍであり、長さは辺２０Ａ，２０Ｃの長さと同じである。また、第２凸部の３１高さＨ2を０．０５ｍｍとした。即ち、Ｈ／Ｗ＝Ｈ2／Ｗ＝０．０５／７６である。第２凸部３１は、基材２０に、アクリル系接着剤から成る接着剤（図示せず）を用いて接着されている。第２凸部３１には帯電防止剤が含まれていてもよい。
【００３９】
そして、基材２０は、第２の方向と平行な軸線を中心として巻くことが可能である、即ち、第１の方向に沿って巻くことが可能である。実施例１の薄膜素子組立体にあっては、基材の薄膜素子を備えていない第２領域に凸部が形成されているので、薄膜素子組立体の巻き取りを行っても、基材の第２面が第１面上に形成された複数の薄膜素子と接触することを確実に防止することができ、薄膜素子に傷や損傷が発生することが無く、薄膜素子組立体に一層の耐久性を付与することができる。尚、特開２００８−１８５８５３号公報に開示されたフレキシブル表示装置において、繰り返し、巻き取り試験を行ったところ、発光面側の表面と裏面側の表面との接触に起因して発光面側の表面に傷や損傷が発生することが皆無ではないことが、本発明者らの検討によって判明した。
【実施例２】
【００４０】
実施例２は、実施例１の変形である。実施例２の薄膜素子組立体にあっては、薄膜素子組立体を第２面側から眺めた模式的な斜視図を図２の（Ｂ）に示すように、凸部（第２凸部３２）のそれぞれには、第２の方向と平行に延びる切欠部３３が設けられている。この点を除き、実施例２の薄膜素子組立体の構成、構造は、実施例１において説明した薄膜素子組立体の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。尚、凸部が切欠部を有する実施例２の薄膜素子組立体の構成、構造を、以下に説明する各種実施例に適用することができる。
【実施例３】
【００４１】
実施例３も、実施例１の変形である。実施例３の薄膜素子組立体にあっては、薄膜素子組立体を第１の方向から眺めた模式的な側面図を図３の（Ａ）に示し、薄膜素子組立体を第２面側から眺めた模式的な斜視図を図３の（Ｂ）に示すように、
基材２０の第２面２２の少なくとも第１領域には（実施例３にあっては、第１領域及び第２領域には）、第２の方向に延びる補強部材３４が形成されており、
補強部材３４の高さＨ3は、基材２０の第２面２２の第２領域に形成された凸部（第２凸部３１）の高さＨ2よりも低い。具体的には、Ｈ3／Ｈ2＝１／３である。補強部材３４は、金属材料から成り、基材２０に、アクリル系接着剤から成る接着剤（図示せず）を用いて接着されている。補強部材３４と第２凸部３１の組み合わされた形状は梯子状であり、２つの第２凸部３１が梯子の枠に相当し、補強部材３４が格（こ）又は段に相当する。
【００４２】
以上の点を除き、実施例３の薄膜素子組立体の構成、構造は、実施例１において説明した薄膜素子組立体の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。尚、補強部材が基材の第２面に設けられた実施例３の薄膜素子組立体の構成、構造を、以下に説明する、基材の第２面に凸部が設けられた各種実施例に適用することができる。
【実施例４】
【００４３】
実施例４も、実施例１の変形である。実施例４の薄膜素子組立体を第１の方向から眺めた模式的な側面図を図４の（Ａ）に示し、薄膜素子組立体を第１面側から眺めた模式的な斜視図を図４の（Ｂ）に示す。実施例４の薄膜素子組立体にあっては、基材２０の第１面２１の第２領域に凸部（第１凸部４１）が形成されている。この点を除き、実施例４の薄膜素子組立体の構成、構造は、実施例１において説明した薄膜素子組立体の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。尚、第１凸部４１は、第１の方向に延びる２辺２０Ａ，２０Ｃに沿った第２領域に形成されている。
【実施例５】
【００４４】
実施例５は、実施例４の変形である。実施例５の薄膜素子組立体を第１面側から眺めた模式的な斜視図を図５に示すように、実施例５の薄膜素子組立体にあっては、凸部（第１凸部４２）は、更に、第２の方向に延びる２辺２０Ｂ，２０Ｄに沿った基材２０の第１面２１の第２領域にも形成されている。即ち、実施例５において、（第１凸部４２）は、基材２０の第１面２１において、第１領域を取り囲んで、第２領域に額縁状に設けられている。この点を除き、実施例５の薄膜素子組立体の構成、構造は、実施例４において説明した薄膜素子組立体の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【実施例６】
【００４５】
実施例６は、実施例１及び実施例４の変形、あるいは、実施例３及び実施例４の変形である。実施例６の薄膜素子組立体を第１の方向から眺めた模式的な側面図を図６の（Ａ）あるいは図６の（Ｂ）に示すように、実施例６の薄膜素子組立体にあっては、凸部は、実施例４の第１凸部４１及び実施例１の第２凸部３１から構成されている。この点を除き、実施例６の薄膜素子組立体の構成、構造は、実施例１、実施例３、実施例４において説明した薄膜素子組立体の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。
【実施例７】
【００４６】
実施例７、及び、後述する実施例８〜実施例１１にあっては、薄膜素子についての説明を行う。
【００４７】
模式的な一部断面図を図７の（Ａ）に示すように、実施例７において、薄膜素子１０Ａは、
第１電極及び第２電極、
第１電極と第２電極との間に形成された能動層、並びに、
絶縁層を介して能動層と対向した制御電極、
を備えている。より具体的には、
薄膜素子１０Ａは、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、具体的には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）から成り、
第１電極及び第２電極はソース／ドレイン電極５３に該当し、
制御電極はゲート電極５１に該当し、
絶縁層はゲート絶縁層５２に該当し、
能動層はチャネル形成領域５４に該当する。そして、制御電極に印加される電圧によって、第１電極から第２電極に向かって能動層に流れる電流が制御される。
【００４８】
ここで、ＴＦＴから成る薄膜素子１０Ａは、より具体的には、ボトムゲート・ボトムコンタクト型のＴＦＴから構成されており、
（Ａ）基材２０上に形成されたゲート電極５１（制御電極に相当する）、
（Ｂ）ゲート電極５１及び基材２０上に形成されたゲート絶縁層５２（絶縁層に相当する）、
（Ｃ）ゲート絶縁層５２上に形成されたソース／ドレイン電極５３（第１電極及び第２電極に相当する）、並びに、
（Ｄ）ソース／ドレイン電極５３の間であってゲート絶縁層５２上に形成され、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域５４（能動層に相当する）、
を備えている。
【００４９】
実施例７〜実施例１０において、制御電極（ゲート電極５１）、第１電極及び第２電極（ソース／ドレイン電極５３）は、金（Ａｕ）から成り、絶縁層（ゲート絶縁層５２）はＳｉＯ2から成り、能動層（チャネル形成領域５４）は、ＴＩＰＳ（triisopropylsilyl，トリイソプロピルシリル）−ペンタセンから成る。
【００５０】
以下、実施例７の薄膜素子の製造方法、画像表示装置の製造方法を説明するが、以下の説明において、制御電極とゲート電極とを総称してゲート電極と呼び、第１電極及び第２電極並びにソース／ドレイン電極を総称してソース／ドレイン電極と呼び、絶縁層及びゲート絶縁層を総称してゲート絶縁層と呼び、能動層及びチャネル形成領域を総称してチャネル形成領域と呼ぶ。
【００５１】
［工程−７００］
先ず、基材２０の上にゲート電極５１を形成する。具体的には、基材２０上に、ゲート電極５１を形成すべき部分が除去されたレジスト層（図示せず）を、リソグラフィ技術に基づき形成する。その後、密着層としてのチタン（Ｔｉ）層（図示せず）、及び、ゲート電極５１としての金（Ａｕ）層を、順次、真空蒸着法にて全面に成膜し、その後、レジスト層を除去する。こうして、所謂リフト・オフ法に基づき、ゲート電極５１を得ることができる。
【００５２】
［工程−７１０］
次に、全面に、具体的には、ゲート電極５１を含む基材２０上に、ゲート絶縁層５２を形成する。具体的には、ＳｉＯ2から成るゲート絶縁層５２を、スパッタリング法に基づきゲート電極５１及び基材２０上に形成する。ゲート絶縁層５２の成膜を行う際、ゲート電極５１の一部をハードマスクで覆うことによって、ゲート電極５１の取出部（図示せず）をフォトリソグラフィ・プロセス無しで形成することができる。
【００５３】
［工程−７２０］
その後、ゲート絶縁層５２の上に、金（Ａｕ）層から成るソース／ドレイン電極５３を形成する。具体的には、密着層としての厚さ約０．５ｎｍのチタン（Ｔｉ）層（図示せず）、及び、ソース／ドレイン電極５３として厚さ約２５ｎｍの金（Ａｕ）層を、順次、真空蒸着法に基づき形成する。これらの層の成膜を行う際、ゲート絶縁層５２の一部をハードマスクで覆うことによって、ソース／ドレイン電極５３をフォトリソグラフィ・プロセス無しで形成することができる。
【００５４】
［工程−７３０］
次いで、少なくとも、ソース／ドレイン電極５３の間に位置するゲート絶縁層５２の上に、有機半導体材料溶液を塗布、乾燥することで、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域５４を形成する。ここで、予め、有機半導体材料溶液を調製しておく。具体的には、有機半導体材料としてＴＩＰＳ−ペンタセン１グラムを、有機溶剤である１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン１００グラムに溶解しておく。そして、この有機半導体材料溶液を用いてスピンコート法にて有機半導体材料層を成膜した後、９０゜Ｃ、１時間といった条件にて、成膜された有機半導体材料層を乾燥する。こうして、チャネル形成領域５４（能動層）を得ることができる。
【００５５】
あるいは又、上述した有機半導体材料溶液を用いて、インクジェット印刷法にて有機半導体材料層を成膜した後、９０゜Ｃ、１時間といった条件にて、成膜された有機半導体材料層を乾燥することで、チャネル形成領域５４（能動層）を得ることもできる。
【００５６】
［工程−７４０］
その後、全面にパッシベーション膜（図示せず）を形成し、ゲート電極５１及びソース／ドレイン電極５３に接続された配線（図示せず）を形成する。こうして、ボトムゲート・ボトムコンタクト型のＦＥＴ（具体的には、ＴＦＴ）を得ることができる（図７の（Ａ）参照）。
【００５７】
尚、画像表示装置の製造にあっては、この工程に引き続き、薄膜素子１０Ａの上あるいは上方に、画像表示部（具体的には、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子あるいはマイクロカプセル型電気泳動ディスプレイ素子、半導体発光素子から成る画像表示部）を、周知の方法に基づき形成すればよい。
【実施例８】
【００５８】
実施例８は、実施例７の変形である。実施例８にあっては、薄膜素子１０Ｂを、ボトムゲート・トップコンタクト型のＦＥＴ（具体的には、ＴＦＴ）とした。実施例８の電界効果トランジスタは、図７の（Ｂ）に模式的な一部断面図を示すように、
（Ａ）基材２０上に形成されたゲート電極５１（制御電極に相当する）、
（Ｂ）ゲート電極５１及び基材２０上に形成されたゲート絶縁層５２（絶縁層に相当する）、
（Ｃ）ゲート絶縁層５２上に形成された、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域５４（能動層に相当する）及びチャネル形成領域延在部５５、並びに、
（Ｄ）チャネル形成領域延在部５５上に形成されたソース／ドレイン電極５３（第１電極及び第２電極に相当する）、
を備えている。
【００５９】
以下、実施例８の薄膜素子の製造方法の概要を説明する。
【００６０】
［工程−８００］
先ず、実施例７の［工程−７００］〜［工程−７１０］と同様にして、基材２０上に、ゲート電極５１及びゲート絶縁層５２を形成する。
【００６１】
［工程−８１０］
次いで、実施例７の［工程−７３０］と同様にして、ゲート絶縁層５２上に、有機半導体材料溶液を塗布、乾燥することで、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域５４及びチャネル形成領域延在部５５を形成する。
【００６２】
［工程−８２０］
その後、チャネル形成領域延在部５５の上に、チャネル形成領域５４を挟むようにソース／ドレイン電極５３を形成する。具体的には、実施例７の［工程−７２０］と同様にして、密着層としてのチタン（Ｔｉ）層（図示せず）、及び、ソース／ドレイン電極５３としての金（Ａｕ）層を、順次、真空蒸着法に基づき形成する。これらの層の成膜を行う際、チャネル形成領域延在部５５の一部をハードマスクで覆うことによって、ソース／ドレイン電極５３をフォトリソグラフィ・プロセス無しで形成することができる。
【００６３】
［工程−８３０］
次いで、パッシベーション膜（図示せず）の形成、配線（図示せず）の形成を、実施例７と同様に行うことで、実施例８の薄膜素子１０Ｂを完成させることができる。
【実施例９】
【００６４】
実施例９も、実施例７の変形である。実施例９にあっては、薄膜素子１０Ｃを、トップゲート・ボトムコンタクト型のＦＥＴ（具体的には、ＴＦＴ）とした。実施例９の電界効果トランジスタは、図８の（Ａ）に模式的な一部断面図を示すように、
（Ａ）基材２０上に形成されたソース／ドレイン電極５３（第１電極及び第２電極に相当する）、
（Ｂ）ソース／ドレイン電極５３の間の基材２０上に形成された、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域５４（能動層に相当する）、
（Ｃ）チャネル形成領域５４上に形成されたゲート絶縁層５２（絶縁層に相当する）、並びに、
（Ｄ）ゲート絶縁層５２上に形成されたゲート電極５１（制御電極に相当する）、
を備えている。
【００６５】
以下、実施例９の薄膜素子の製造方法の概要を説明する。
【００６６】
［工程−９００］
先ず、実施例７の［工程−７２０］と同様にして、基材２０上にソース／ドレイン電極５３を形成した後、実施例７の［工程−７３０］と同様にして、全面に、具体的には、ソース／ドレイン電極５３を含む基材２０上に、有機半導体材料溶液を塗布、乾燥することで、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域（能動層）５４を形成する。
【００６７】
［工程−９１０］
次いで、全面に、ゲート絶縁層５２を、実施例７の［工程−７１０］と同様の方法で形成する。その後、チャネル形成領域５４の上のゲート絶縁層５２の部分に、実施例７の［工程−７００］と同様の方法で、ゲート電極５１を形成する。
【００６８】
［工程−９２０］
次いで、パッシベーション膜（図示せず）の形成、配線（図示せず）の形成を、実施例７と同様に行うことで、実施例９の薄膜素子１０Ｃを完成させることができる。
【実施例１０】
【００６９】
実施例１０も、実施例７の変形である。実施例１０にあっては、薄膜素子１０Ｄを、トップゲート・トップコンタクト型のＦＥＴ（具体的には、ＴＦＴ）とした。実施例１０の電界効果トランジスタは、図８の（Ｂ）に模式的な一部断面図を示すように、
（Ａ）基材２０上に形成された、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域５４（能動層に相当する）及びチャネル形成領域延在部５５、
（Ｂ）チャネル形成領域延在部５５上に形成されたソース／ドレイン電極５３（第１電極及び第２電極に相当する）、
（Ｃ）ソース／ドレイン電極５３及びチャネル形成領域５４上に形成されたゲート絶縁層５２（絶縁層に相当する）、並びに、
（Ｄ）ゲート絶縁層５２上に形成されたゲート電極５１（制御電極に相当する）、
を備えている。
【００７０】
以下、実施例１０の薄膜素子の製造方法の概要を説明する。
【００７１】
［工程−１０００］
先ず、実施例７の［工程−７３０］と同様にして、基材２０上に、有機半導体材料溶液を塗布、乾燥することで、有機半導体材料層から成るチャネル形成領域５４及びチャネル形成領域延在部５５を形成する。
【００７２】
［工程−１０１０］
次いで、実施例７の［工程−７２０］と同様の方法で、チャネル形成領域延在部５５上にソース／ドレイン電極５３を形成する。
【００７３】
［工程−１０２０］
その後、全面にゲート絶縁層５２を実施例７の［工程−７１０］と同様の方法で形成する。次いで、チャネル形成領域５４の上のゲート絶縁層５２の部分に、実施例７の［工程−７００］と同様の方法でゲート電極５１を形成する。
【００７４】
［工程−１０３０］
次いで、パッシベーション膜（図示せず）の形成、配線（図示せず）の形成を、実施例７と同様に行うことで、実施例１０の薄膜素子１０Ｄを完成させることができる。
【実施例１１】
【００７５】
実施例１１も、実施例７の変形であるが、実施例１１において、薄膜素子１０Ｅは、具体的には２端子デバイスから成り、より具体的には、模式的な一部断面図を図９に示すように、
第１電極６１及び第２電極６２、並びに、
第１電極６１と第２電極６２との間に形成された能動層６３、
を備えている。尚、能動層６３は有機半導体材料から成る。そして、能動層６３への光の照射によって電力が生成する。即ち、実施例１１の薄膜素子１０Ｅは、光電変換素子あるいは太陽電池として機能する。あるいは又、第１電極６１及び第２電極６２への電圧の印加によって能動層６３が発光する発光素子として機能する。
【００７６】
以上の点を除き、実施例１１の薄膜素子の構成、構造は、基本的に、実施例７において説明した薄膜素子の構成、構造と同様とすることができるので、詳細な説明は省略する。実施例１１の薄膜素子は、第１電極６１、能動層６３及び第２電極６２の形成を、実施例７の［工程−７２０］、［工程−７３０］、［工程−７２０］と実質的に同様に行い、更に、実施例７の［工程−７４０］と同様にして配線の形成を行うことで得ることができる。
【００７７】
以上、本開示を好ましい実施例に基づき説明したが、本開示はこれらの実施例に限定されるものではない。薄膜素子組立体の構造や構成、形成条件、製造条件は例示であり、適宜変更することができる。実施例においては、薄膜素子を、専ら、３端子デバイスあるいは２端子デバイスから構成したが、例えば、周知の構成、構造を有する有機エレクトロルミネッセンス素子やマイクロカプセル型電気泳動ディスプレイ素子、半導体発光素子から構成することもでき、これらの有機エレクトロルミネッセンス素子やマイクロカプセル型電気泳動ディスプレイ素子、半導体発光素子の製造方法、それ自体も、周知の製造方法とすればよい。
【００７８】
実施例にあっては、基材を１層構成としたが、基材の第２面に別種の材料（例えば、凸部を構成する材料と同じ材料）から成る第２の基材、更には、第３の基材、第４の基材、・・・を貼り合わせてもよい。場合によっては、基材の第２面に別種の材料（例えば、凸部を構成する材料と同じ材料）から成る第２の基材を貼り合わせ、この第２の基材に対して、例えば、エッチング加工を施すことで、基材の第２面に凸部を形成してもよい。
【００７９】
あるいは又、実施例の薄膜素子組立体の変形の模式的な一部断面図、及び、実施例の薄膜素子組立体の変形例の製造方法を説明するための支持基板等の模式的な一部断面図を、それぞれ、図１０の（Ａ）及び（Ｂ）に示すように、凸部に対応する凹部が形成された支持基板２５を準備しておく。そして、
支持基板２５上に樹脂材料から成る第１基材２３を塗布法にて形成した後、
第１基材２３上に、熱によって又はエネルギー線の照射によって硬化する樹脂から成る第２基材２４を形成し、次いで、
第２基材２４上に薄膜素子１０Ａ〜１０Ｄ（あるいは薄膜素子１０，１０Ｅ）を形成し（図１０の（Ｂ）参照）、その後、
支持基板２５を第１基材２３から剥離する（図１０の（Ａ）参照）、
各工程に基づき薄膜素子組立体を製造することもできる。ここで、支持基板２５を第１基材２３から剥離したとき、支持基板２５に設けられた凹部に対応して、第１基材２３の第２面には凸部（第２凸部）が設けられる。また、第１基材２３の第１面と第２基材２４の第２面とが接合されており、第２基材２４の第２面に薄膜素子が形成される。尚、第１基材２３を構成する樹脂材料のガラス転移温度は１８０゜Ｃ以上であることが望ましく、あるいは又、第１基材２３を構成する樹脂材料のガラス転移温度は、薄膜素子を形成するときのプロセス温度の最高温度よりも高いことが望ましい。例えば、ゲート電極及びソース／ドレイン電極に接続された配線を銀ペーストの印刷及び焼成に基づき形成するときの銀ペーストの焼成温度が、一連の薄膜素子あるいは画像表示装置の製造工程におけるプロセス温度の最高温度、具体的には、１５０゜Ｃである。あるいは又、
支持基板２５上に非晶性熱可塑性樹脂から成る第１基材２３を塗布法にて形成した後、
第１基材２３上に、熱硬化型樹脂又は紫外線硬化型樹脂から成る第２基材２４を形成し、次いで、
第２基材２４上に薄膜素子を形成し、その後、
支持基板２５を第１基材２３から剥離する、
各工程に基づき薄膜素子組立体を製造することもできる。
【００８０】
このように、第１基材と第２基材の２層構成の基材の上に薄膜素子を形成した後、支持基板を第１基材から剥離すれば、大掛かりな製造装置を必要とすることなく、簡素、簡易な方法にて薄膜素子を製造することができる。また、後述する樹脂材料から第１基材を構成することで、支持基板から第１基材を確実に剥離することができる。しかも、第１基材が第２基材によって覆われ、保護された状態で、薄膜素子を第２基材上に形成するので、薄膜素子の形成時、第１基材に損傷が発生することを確実に防止することができる。また、支持基板上に第１基材を塗布法にて形成するので、第１基材を容易に形成することができるし、支持基板と第１基材との間に気泡等が発生し難い。
【００８１】
尚、支持基板に対する剥離強度（具体的には、９０度剥離接着強さ）は、１．０Ｎ／ｃｍ（０．１ｋｇｆ／ｃｍ）乃至４．９Ｎ／ｍ（０．５ｋｇｆ／ｃｍ）であることが好ましい。９０度剥離接着強さは、ＪＩＳ  Ｋ６８５４−１：１９９９によって規定されている。第１基材を構成する樹脂材料として、具体的には、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂又はポリスルホンイミド樹脂を挙げることができるし、第２基材を構成する材料として、例えばエポキシ系樹脂といった熱硬化型樹脂や、紫外線硬化型樹脂を挙げることができる。即ち、（第１基材を構成する材料，第２基材を構成する材料）の好ましい組合せとして、具体的には、（ポリスルホン樹脂，エポキシ系樹脂）、（ポリエーテルスルホン樹脂，エポキシ系樹脂）、（ポリスルホンイミド樹脂，エポキシ系樹脂）を例示することができる。樹脂材料から成る第１基材を支持基板上に形成するために、樹脂材料を溶解した溶液を調製する必要があるが、溶媒として、水；エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール等のアルコール類；トルエン、キシレン等の芳香族；アセトン、２−ブタノン等のケトン類；ＰＧＭＥＡ等の炭化水素類等を単独あるいは混合して適宜使用することができる。また、有機溶剤以外にも、界面活性剤、レベリング剤等の添加剤を添加してもよい。更には、塗布性能やその他の特性を付与する目的に応じて、高分子材料以外の材料を含有させてもよく、具体的には、シリカフィラー、ガラスファイバー等を挙げることができる。第１基材を構成する樹脂材料は、支持基板と化学的に反応しないことが望ましい。また、支持基板を第１基材から剥離するが、剥離は機械的に行うことができ、具体的には、機械を使用して、あるいは、人手によって、支持基板上の第２基材及び第１基材に切れ目を入れ、機械を使用して、あるいは、人手によって、支持基板を第１基材から剥離し、あるいは又、第１基材を支持基板から剥離することができる。あるいは又、機械を使用して、あるいは、人手によって、支持基板上の第２基材及び第１基材に切れ目を入れ、切れ目から水を侵入させることで、支持基板を第１基材から剥離し、あるいは又、第１基材を支持基板から剥離することもできる。第１基材の厚さとして、薄膜素子を確実に支持することができ、しかも、必要に応じて薄膜素子に可撓性（柔軟性）を付与することができる厚さであればよく、また、第２基材の厚さとして、第１基材をケトン系溶剤から確実に保護することができ、しかも、必要に応じて薄膜素子に可撓性（柔軟性）を付与することができる厚さであればよい。第２基材は、その上に薄膜素子を形成するので、絶縁性を有することが好ましい。第１基材上に第２基材を形成する方法として、前述した各種の塗布法を挙げることができるが、これに限定するものではなく、シート状の第２基材を予め作製しておき、第１基材に積層する方法を採用してもよい。支持基板（支持基材）として、各種ガラス基板や、表面に絶縁膜が形成された各種ガラス基板、石英基板、表面に絶縁膜が形成された石英基板、表面に絶縁膜が形成されたシリコン基板、サファイヤ基板、ステンレス等の各種合金や各種金属から成る金属基板を挙げることができる。
【符号の説明】
【００８２】
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ・・・薄膜素子、２０・・・基材、２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃ，２０Ｄ・・・基材の辺、２１・・・基材の第１面、２２・・・基材の第２面、２３・・・第１基材、２４・・・第２基材、２５・・・支持基板、３１，３２・・・凸部（第２凸部）、３３・・・切欠部、３４・・・補強部材、４１，４２・・・凸部（第１凸部）、５１・・・ゲート電極、５２・・・ゲート絶縁層、５３・・・ソース／ドレイン電極、５４・・・チャネル形成領域、５５・・・チャネル形成領域延在部、６１・・・第１電極、６２・・・第２電極、６３・・・能動層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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