(57)【要約】【課題】光ディスクの高記録密度化を実現するために、不定形の酸化物の析出を抑えることが可能な光ディスク形成用のスタンパ、および光ディスク形成用のスタンパ製造方法を提供する。【解決手段】凹凸パターン１１ａが形成されたニッケル層１１と、このニッケル層１１における凹凸パターン１１ａの形成面を覆う酸化被膜１３とを備えた光ディスク形成用のスタンパである。特に、酸化被膜１３における酸素濃度は５ｗｔ％以上である。酸化被膜は、凹凸パターンが形成されたニッケル層を１６０℃未満の温度で熱処理することで成膜される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
凹凸パターンが形成されたニッケル層と、
前記ニッケル層における凹凸パターンの形成面を覆う酸化被膜とを備え、
前記酸化被膜における酸素濃度が５ｗｔ％以上である
光ディスク形成用のスタンパ。
【請求項２】
前記酸化被膜は、前記凹凸パターンが形成されたニッケル層を１６０℃未満の温度で熱処理することで成膜された
請求項１記載の光ディスク形成用のスタンパ。
【請求項３】
前記凹凸パターンは、０．２μｍ以下の幅のパターンが０．４μｍ以下のトラックピッチで配列されてなる
請求項１または２に記載の光ディスク形成用のスタンパ。
【請求項４】
樹脂成型用に用いられる
請求項１記載の光ディスク形成用のスタンパ。
【請求項５】
凹凸パターンが形成されたニッケル層を熱処理することにより、当該ニッケル層の凹凸パターンの形成面に酸素濃度が５ｗｔ％以上の酸化被膜を成膜する工程を行う
光ディスク形成用のスタンパ製造方法。
【請求項６】
前記酸化被膜を成膜するための熱処理は、１６０℃未満の温度で行われる
請求項５記載の光ディスク形成用のスタンパ製造方法。
【請求項７】
前記凹凸パターンとして、０．２μｍ以下の幅のパターンが０．４μｍ以下のトラックピッチで形成される
請求項５記載の光ディスク形成用のスタンパの製造方法。
【請求項８】
基板上に無機レジスト材料からなる凹凸パターンを形成し、当該基板における凹凸パターンの形成面上に電鋳法によって前記ニッケル層を形成する工程と、
前記凹凸パターンが形成された前記基板から当該凹凸パターンが転写された前記ニッケル層を剥離する工程とを行い、
その後、前記ニッケル層の凹凸パターンの形成面に前記酸化被膜を成膜する工程を行う
請求項５〜７の何れかに記載の光ディスク形成用のスタンパ製造方法。
【請求項９】
前記基板における凹凸パターンの形成面の全面は、無機レジストからなる薄膜で覆われており、当該薄膜を電極にして前記電鋳法による前記ニッケル層の形成が行われる
請求項８記載の光ディスク形成用のスタンパ製造方法。
【請求項１０】
凹凸パターンが形成されたニッケル層を熱処理することにより、前記凹凸パターンの形成面において結晶粒を成長させる工程を行う
光ディスク形成用のスタンパ製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ディスクを形成するためのスタンパおよび、このスタンパの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光ディスクを形成するために用いるスタンパは、次のように作製される。先ず基板上に、リソグラフィ法によってレジスト材料からなる凹凸パターンを形成する。次に、基板における凹凸パターンの形成面上に、無電解めっき法またはスパッタリング法によってニッケル薄膜を成膜する。その後、ニッケル薄膜を電極とした電鋳法により、ニッケル薄膜上にニッケル層を形成する。その後、凹凸パターンが形成された基板上から、ニッケル層と共にニッケル薄膜を引き剥がす。これにより、ニッケル層の一表面側に、基板上の凹凸パターンが転写されたスタンパが形成される。
【０００３】
以上のようなスタンパ製造方法においては、当該スタンパを用いた樹脂成型によって光ディスクを作製する前に、１６０℃〜３００℃の温度で熱処理を加えることでスタンパの内部応力を緩和する方法が提案されている。これにより、スタンパを用いた樹脂成型において、スタンパの内部応力と光ディスク樹脂の収縮との不調和によって引き起こされる、スタンパと光ディスク樹脂との剥離不良が防止されるとしている（下記特許文献１参照）。
【０００４】
また作製したスタンパが、実際の光ディスクの樹脂成型に用いるスタンパ（いわゆるワークスタンパ）ではなく、このワークスタンパを形成するためのマスタスタンパやマザースタンパである場合、凹凸パターンの形成面に酸化膜を設ける構成が提案されている。これにより、マスタスタンパやマザースタンパ上に電鋳法によってワークスタンパを形成する際の、電鋳液による凹凸パターン形状の腐食溶解を防止するとしている（下記特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−３４６３９１号公報
【特許文献２】特開平９−１５７８８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、光ディスクの高記録密度化の進展にともない、光ディスクに形成されるピットやグルーブ等の凹凸パターンの微細化が求められている。
【０００７】
このような微細化を達成するために、光ディスク形成用のスタンパの製造には、無機レジストが用いられている。無機レジストは、有機のレジスト材料と比較して分子構造単位が微小であることにより、露光部と未露光部との境界部で明瞭なパターンを得ることができるため、高精度の微細加工が可能である。
【０００８】
しかしながら、無機レジスト材料を用いて光ディスク形成用のスタンパを作製した場合、長期保存においてスタンパの表面に極微細な不定形(例えば針状)の酸化物が析出することが分かった。そしてこのような不定形の酸化物を有するスタンパを用いて、Ｂｌｕ−ｒａｙ  Ｄｉｓｃ（登録商標：以下ＢＤと記す）のような凹凸パターンの微細化が進んだ光ディスクを作製した場合、得られた光ディスクは信号特性の劣化が発生し不良ディスクとなっていた。
【０００９】
そこで本発明は、光ディスクの高記録密度化を実現するために、不定形の酸化物の析出を抑えることが可能な光ディスク形成用のスタンパ、および光ディスク形成用のスタンパ製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このような目的を達成するための本発明の光ディスク形成用のスタンパは、凹凸パターンが形成されたニッケル層と、このニッケル層における凹凸パターンの形成面を覆う酸化被膜とを備えている。特に、酸化被膜における酸素濃度は５ｗｔ％（重量％）以上であることとする。
【００１１】
また本発明の光ディスク形成用のスタンパ製造方法は、凹凸パターンが形成されたニッケル層を熱処理することにより、凹凸パターンの形成面に酸素濃度が５ｗｔ％以上の酸化被膜を成膜する。
【００１２】
このような光ディスク形成用のスタンパおよびスタンパの製造方法においては、酸素濃度５ｗｔ％以上の酸化被膜で凹凸パターンの形成面が覆われることにより、凹凸パターンの形成面における不定形の酸化物の析出が防止されることが分かった。
【００１３】
また本発明の光ディスク形成用のスタンパ製造方法の他の方法は、凹凸パターンが形成されたニッケル層を熱処理することにより、当該凹凸パターンの形成面において結晶粒を成長させる工程を行う。
【００１４】
このような光ディスク形成用のスタンパおよびスタンパの製造方法においては、凹凸パターンの形成面を構成する物質の結晶粒を成長させて大型化することにより、凹凸パターンの形成面における不定形の酸化物の析出が防止されることが分かった。
【発明の効果】
【００１５】
以上説明したように本発明の光ディスク形成用のスタンパ、および光ディスク形成用のスタンパ製造方法によれば、不定形の酸化物の析出を抑えたスタンパを得ることが可能である。これにより、このスタンパを用いた樹脂成型により、表面状態の良好な光ディスクを形成することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施形態の光ディスク形成用のスタンパの概略断面図である。
【図２】実施形態の光ディスク形成用のスタンパの製造工程図（その１）である。
【図３】実施形態の光ディスク形成用のスタンパの製造工程図（その２）である。
【図４】ニッケル層の熱処理温度と表面の酸素濃度との関係を示すグラフである。
【図５】加熱処理後のニッケル層の２次電子像および反射電子像（その１）である。
【図６】加熱処理後のニッケル層の２次電子像および反射電子像（その２）である。
【図７】加熱処理後のニッケル層の２次電子像および反射電子像（その３）である。
【図８】加熱処理後のニッケル層の２次電子像および反射電子像（その４）である。
【図９】スタンパを用いた光ディスクの作製手順を示す断面工程図である。
【図１０】ニッケル層を各温度で熱処理した後の表面硬さ（ビッカーズ硬度）を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下本発明の実施の形態を図面に基づいて、次に示す順に実施の形態を説明する。
１．光ディスク形成用のスタンパの構成
２．光ディスク形成用のスタンパの製造方法
３．スタンパを用いた光ディスクの作製手順
【００１８】
≪１．光ディスク形成用のスタンパの構成≫
図１には、実施形態の光ディスク形成用のスタンパの概略断面図を示す。この図に示す光ディスク形成用のスタンパ（以下、単にスタンパと記す）１は、樹脂成型によって光ディスクを形成する際に用いられるスタンパであって、ニッケル層１１と、酸化被膜１３とで構成されている。ニッケル層１１は、ニッケルを主成分とする層であって、必要に応じて他の成分を含んでいても良い。ニッケル層１１に含まれるニッケル以外の成分としては、例えばリン、コバルト、タングステンが例示される。
【００１９】
ニッケル層１１は、一方の主面側に凹凸パターン１１ａを備えている。この凹凸パターン１１ａは光ディスクに設けられる記録用のピットまたは溝状のグルーブに対応するものである。例えば、このスタンパ１が、光ディスクとしてＢＤを樹脂成型する際に用いるものである場合、ニッケル層１１に設けられる凹凸パターン１１ａは、幅０．２μｍ以下のパターンが、トラックピッチ０．４μｍ以下（例えば０．３２μｍ）で配列される。尚、ＢＤを樹脂成型するためのスタンパ１である場合、凹凸パターン１１ａが極微細であるため、その製造プロセスに起因して断面形状の凸角部及び凹角部が丸みを持って形成される。
【００２０】
酸化被膜１３は、ニッケル層１１における凹凸パターン１１ａの形成面を覆う状態で設けられている。この酸化被膜１３は、ニッケル酸化膜からなり、酸素濃度が５ｗｔ％以上であることが特徴的である。酸化被膜１３の膜厚が規定されることはないが、全面を覆う連続膜であることが好ましく、さらに凹凸パターン１１ａの形状に倣って成膜され、かつニッケル層１１に形成された凹凸パターン１１ａのパターンサイズに影響のない程度の極薄膜であることが好ましい。
【００２１】
以上のような酸化被膜１３は、次のスタンパ１の製造方法で詳細に説明するように、ニッケル層１１を熱処理することで成膜される。この際の加熱温度は１６０℃未満で行われることが重要である。
【００２２】
またスタンパ１は、凹凸パターン１１ａの形成面の結晶粒が、電鋳処理によって形成したニッケル層１１の表面の結晶粒よりも粒径が大きいものとなっている。このような結晶粒径の大型化は、次に説明する製造方法によってなされる。
【００２３】
≪２．光ディス形成のスタンパの製造方法≫
図２および図３には、以上のスタンパ１の製造工程図を示す。以下にこれらの図に基づいてスタンパの製造方法の実施形態を説明する。
【００２４】
先ず図２（１）に示すように、ガラス基板やシリコンウェハ等からなる基板２１上に、レジスト膜２３を成膜する。このレジスト膜２３は、無機レジスト材料を用いて構成され、光ディスクに形成する凹凸に対応する高さを備えて成膜される。無機レジスト材料としては、タングステン（Ｗ）やモリブデン（Ｍｏ）等の遷移金属の酸化物が用いられる。これらの酸化物は、酸化比率によって露光感度や現像液耐性が調整される。このため、レジスト膜２３を構成する無機レジスト材料は、次に行うレーザー露光工程及び現像工程によって所望の形状のパターンが形成されるように、酸化比率が設定される。
【００２５】
このような無機レジスト材料からなるレジスト膜２３の成膜は、スパッタリング法または蒸着法によって成膜される。
【００２６】
次に図２（２）に示すように、レジスト膜２３に対してパターン露光を行う。露光光には、青色ダイオードを光源として露光波長４０５ｎｍのレーザ光を用いる。露光光を照射するパターンは、光ディスクに形成するピットやグルーブに対応するパターンである。図示したように、レジスト膜２３を構成する無機レジスト材料がポジ型であれば、次の現像処理でレジスト膜２３を除去する部分を露光部２３ａとして光照射を行う。一方、レジスト膜２３を構成する無機レジスト材料がネガ型であれば、次の現像処理でレジスト膜２３を残す部分に光照射を行う。
【００２７】
次いで図２（３）に示すように、レジスト膜２３の現像処理を行い、レジスト膜２３における未露光部（または露光部）のみを残して露光部２３ａを除去する。現像液としては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液等の有機アルカリ現像液、水酸化カリウム（ＫＯＨ）や水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）さらにはリン酸系等の無機アルカリ現像液が用いられる。これらの現像液を用いた現像処理は、浸漬によるディッピング法、スピナーにて回転する基盤に薬液を塗布する方法などが適用される。
【００２８】
以上により、基板２１の表面側に、無機レジスト材料からなるレジスト膜２３をパターニングしてなる凹凸パターン２５を形成する。尚、現像処理の後には、純水による洗浄処理と乾燥処理とを行う。
【００２９】
その後、図２（４）に示すように、基板２１の凹凸パターン２５の形成面上に、無機レジストからなる薄膜（無機レジスト膜）２７を成膜する。この無機レジスト膜２７は、凹凸パターン１１ａの形状に追従する膜厚で成膜される。そして、無機レジスト膜２７が成膜された状態での凹凸パターン２５の寸法が、光ディスクに形成する凹凸パターンと同じになるように設定されていることとする。
【００３０】
この無機レジスト膜２７を構成する無機レジスト材料は、凹凸パターン２５を構成する無機レジスト材料と同様に遷移金属の酸化物が用いられる。ただし、凹凸パターンを構成する無機レジスト材料（遷移金属の酸化物）と比較して、酸素含有量が少なく、化学反応し難い遷移金属の酸化物を用いることが好ましい。これにより、後述する電鋳法によって形成したニッケル層を剥離した場合に、無機レジスト材料がニッケル層に付着したしても、その表面に微小な陥没状の欠陥が発生することを軽減できる。ただし、この無機レジスト膜２７は、次に行う電鋳法において電極として用いられる。このため、全面を覆う連続膜であることが好ましく、また無機レジスト膜２７を構成する無機レジスト材料の酸化比率はこれを考慮して設定される。この際、例えば、シリコンウェハ基板上に７０ｎｍの厚さで成膜した場合のシート抵抗値(面抵抗)が１００Ω／square以下となるように酸化比率が設定されることとする。
【００３１】
以上により、基板２１において無機レジストからなる凹凸パターン２５の形成面側が無機レジスト膜２７で覆われたディスク原盤２９を得る。尚、必要に応じて、無機レジスト膜２７の成膜面側に対して、次に成膜するニッケル層との離型性を改善するための離型処理を施しても良い。
【００３２】
次に、図２（５）に示すように、無機レジスト膜２７を電極にした電鋳法により、ディスク原盤２９における凹凸パターン２５の形成面側にニッケル層１１を成膜する。ここでは、ディスク原盤２９の凹凸パターン２５が十分に埋め込まれる膜厚でニッケル層１１を成膜する。これにより、ディスク原盤２９の凹凸パターン２５が、一主面側に転写されたニッケル層１１が得られる。
【００３３】
その後、図２（６）に示すように、ディスク原盤２９からニッケル層１１を剥離する。このニッケル層１１は、一主面側にディスク原盤２９の凹凸パターン２５が転写された凹凸パターン１１ａを有する。この凹凸パターン１１ａは、幅０．２μｍ以下のパターンが、トラックピッチ０．４μｍ以下（例えば０．３２μｍ）で配列される。
【００３４】
次に、図３（１）に示すように、ニッケル層１１を熱処理する。この場合、例えばオーブン３１を用いた熱処理を行う。この熱処理においては、酸素含有雰囲気中での加熱温度を設定することにより、ニッケル層１１の凹凸パターン１１の形成面を強制的に酸化させる。加熱温度は、ニッケル層１１に内部応力が残留するように、１６０℃未満の範囲で行うこととする。
【００３５】
これにより、図３（２）に示すように、ニッケル層１１の凹凸パターン１１ａの形成面側に、酸素濃度５ｗｔ％以上の酸化被膜１３を成膜する。尚、酸化被膜１３はニッケル層１１の露出面の全面に成膜されるが、ここでは凹凸パターン１１ａの形成面のみに成膜された酸化被膜１３を図示した。
【００３６】
以上のような酸化被膜１３を成膜するための熱処理においては、酸化被膜１３の酸素濃度が５ｗｔ％以上となるように、加熱温度、加熱時間、および処理雰囲気等の処理条件が適宜設定されることとする。ただし、加熱温度は、１６０℃未満の範囲で設定されることが重要である。
【００３７】
一例として図４には、温度以外の条件を固定して熱処理したニッケル層表面の酸素濃度を、熱処理の温度毎に示す。
【００３８】
ここでの加熱温度以外の熱処理の条件は、加熱時間２０分での加熱とした。より詳しくは、クリーンな大気雰囲気に保たれたオーブン内を各温度にまで加熱した後、このオーブン内にニッケル層１１を投入して２０分間の熱処理を行い、処理時間が経過した時点でオーブン内からニッケル層１１を取り出して常温放置した。また酸素濃度の測定は、エネルギー分散型Ｘ線元素分析装置（Energy Dispersive X-ray Spectrometer：ＥＤＳ）を用い、加速電圧を２ｋＶとすることで極表面のみの酸素濃度が検出されるようにして行った。
【００３９】
図４に示したように、上述した熱処理の条件では、加熱温度が８０℃未満では、ニッケル層１１の表面状態は未処理と同程度の酸素濃度しか得られないことがわかる。また、加熱温度が１４０℃以上では、未処理と同程度からさらに低い酸素濃度しか得られないことがわかる。
【００４０】
したがって、上述した処理条件においては、加熱温度を８５℃〜１４０℃の範囲に設定した熱処理を行う。これにより、ニッケル層１１における凹凸パターン１１ａの形成面を強制的に酸化させ、酸素濃度５ｗｔ％以上の酸化被膜１３を成膜する。
【００４１】
以上のようにして、図３（２）に示すように、ニッケル層１１の凹凸パターン１１ａの形成面が酸素濃度５ｗｔ％以上の酸化被膜１３で覆われたスタンパ１が得られる。
【００４２】
ここで、図３（１）および図３（２）を用いて説明した熱処理は、凹凸パターン１１ａの形成面において結晶粒を成長させる熱処理として行っても良い。
【００４３】
一例として、図５〜図８には、温度以外の条件を固定して熱処理したニッケル層表面の２次電子像と反射電子像とを、熱処理の温度毎に示す。
【００４４】
ここでの加熱温度以外の熱処理の条件は、加熱時間２０分での加熱とした。より詳しくは、クリーンな大気雰囲気に保たれたオーブン内を各温度にまで加熱した後、このオーブン内にニッケル層１１を投入して２０分間の熱処理を行い、処理時間が経過した時点でオーブン内からニッケル層１１を取り出して常温放置にて冷却した。
【００４５】
これらの図５〜図８に示したように、上述した熱処理の条件では、加熱温度が１００℃以下では、ニッケル層１１の表面状態は未処理と同様であって、結晶粒の粒径は大きく変化しないことがわかる、一方、加熱温度が１２０℃以上では、加熱温度の上昇と共に結晶粒がより大きな粒径に成長していることがわかる。
【００４６】
したがって、上述した冷却も含む加熱処理条件においては、加熱温度を１２０℃以上の範囲に設定した熱処理を行う。これにより、ニッケル層１１における凹凸パターン１１ａの形成面において結晶粒を成長させたスタンパ１が得られる。尚、このスタンパ１は、ニッケル層１１の凹凸パターン１１ａの形成面が酸化被膜１３で覆われたものとなり、この酸化被膜１３で覆われた凹凸パターン１１ａの形成面において、結晶粒が大粒径化した状態となる。
【００４７】
≪スタンパを用いた光ディスクの作製手順≫
図９は、以上のようにして得られたスタンパ１を用いた光ディスクの製造を説明する断面工程図である。以下、図９に基づいて光ディスクの製造を説明する。
【００４８】
先ず、図９（１）に示すように、スタンパ１において酸化被膜１３で覆われた凹凸パターン１１ａの形成面側に樹脂４１を供給し、これを硬化させることで樹脂４１の一主面側にスタンパ１の凹凸パターン１１ａを転写する。ここでは例えば金型を用いた樹脂成型を行う。この場合、先ずスタンパ１を装着した金型を加熱し、この内部に未硬化の樹脂４１を充填し、金型の加熱温度を引き下げて樹脂４１を硬化させる。樹脂４１を硬化させた後には、金型からスタンパ１と樹脂４１とを取り出す。
【００４９】
次に図９（２）に示すように、硬化した樹脂４１からスタンパ（１）を引き剥がし、スタンパ（１）の凹凸パターン（１１ａ）を一主面側に転写した樹脂ディスク４１ａを得る。
【００５０】
その後、図９（３）に示すように、樹脂ディスク４１ａの凹凸パターン形成面上に、凹凸パターンの形状に倣って極薄膜の反射膜４３を成膜する。
【００５１】
次いで、図９（４）に示すように、樹脂ディスク４１ａの凹凸パターンを埋め込む状態で、反射膜４３上に保護膜４５を成膜し、光ディスク４７を得る。
【００５２】
以上説明した実施形態においては、ニッケル層１１の凹凸パターン１１ａの形成面を酸素濃度５ｗｔ％以上の酸化被膜１３で覆い結晶粒を成長させたことにより、凹凸パターン１１ａの形成面における不定形の酸化物の析出が防止されることが分かった。具体的には、図４および図５〜８を用いて説明したと同様の条件（加熱時間２０分、大気中）で、加熱温度１３０℃の熱処理による強制酸化を行うことでニッケル層１１ａの表面に酸素被膜１３を形成し、表面の酸素濃度５．４％とした。また、凹凸パターン１１ａの形成面において結晶粒を再結晶化によって成長させて大粒径化した。このようにして作製したスタンパ１は、大気中で３か月保管した場合であっても、スタンパの凹凸表面に不定形の酸化物の析出は見られなかった。したがって、酸素濃度５ｗｔ％以上の酸化被膜１３で凹凸パターン１１ａの形成面を覆うことにより、また凹凸パターン１１ａの形成面において結晶粒を成長させて大粒径化したことにより、不定形の酸化物の析出を防止できていることが確認された。特にこのような酸化物の析出の抑制は、結晶粒の大粒径化により、もともと多数点在した粒界点の数が減少し、これによって局所的な酸化が抑制されたためと考えられる。これにより、従来では１０日以上の保管後にはスタンパをアルカリ洗浄することによって不定形の析出物の除去を行っていた。しかしながら、このような洗浄の必要がなくなるため、メンテナンスフリーのスタンパを得ることが可能である。
【００５３】
また以上のスタンパ１を用いて作製されたＢＤ（光ディスク）について信号特性を測定したところ、良好な信号特性が得られることが確認された。
【００５４】
以上から、微細な凹凸パターンを有するＢＤのような光ディスク形成用のスタンパの製造において、解像度の高い無機レジストをディスク原盤２９に用いた場合であっても、不定形の酸化物の析出を恒久的に抑えたスタンパ１を得ることが可能なことが確認された。
【００５５】
この結果、例えば不定形の酸化物を除去するための洗浄等を定期的に行うことなく、スタンパ１を用いた樹脂成型により、ＢＤレベルの微細な凹凸パターンであっても表面状態の良好な光ディスクを形成することが可能になる。
【００５６】
またさらに、このスタンパ１を用いた樹脂成型によって作製したＢＤ（光ディスク）には、樹脂流れによるパターン不良の発生は見られなかった。これは、スタンパ１を形成する際の酸化被膜形成のための熱処理において、加熱温度を１６０℃未満にしてスタンパ１に内部応力を残したことにより、図９（１）で示した樹脂成型においての硬化に際しての樹脂流れが防止されることに起因していると考えられる。ここで樹脂流れは、樹脂成型時のスタンパ１と樹脂ディスク４１ａとの密着性に依存する。このため、ピットやグルーブ等の凹凸パターンが幅０．２μｍ以下、トラックピッチ０．４μｍ以下にまで微細化された光ディスクの形成においては、これよりも凹凸パターンのサイズが大きい光ディスクと比較して、密着性を強めることで樹脂流れが防止される。したがって、ＣＤ（Compact Disc）やＤＶＤ（Digital Versatile Disc）よりもピットやグルーブ等の凹凸パターンの深さを含むサイズが微細化したＢＤの作製においては、スタンパとディスク樹脂との密着性を高めることで樹脂流れが防止されるのである。
【００５７】
ここで図１０には、ニッケル層に酸化被膜を形成するための熱処理を行う前後においての表面硬度を測定した結果を示す。熱処理を行ったものは、加熱温度以外の条件として図４を用いて説明したと同様の条件（加熱時間２０分、大気中）を採用し、加熱温度１２０℃の熱処理と、加熱温度２００℃での熱処理を行った。図４を参照すれば、ニッケル層（スタンパ）表面の酸素濃度は、熱処理なし（Ｒｅｆ）５．０ｗｔ％未満、加熱温度１２０℃で５．８ｗｔ％、加熱温度２００℃で２．０ｗｔ％である。また、図５〜図８を参照すれば、処理なし（Ｒｅｆ）に対して、加熱温度１２０℃および２００℃共にニッケル層（スタンパ）表面の結晶粒径が成長して大粒径化している。
【００５８】
図１０から、熱処理前（Ｒｅｆ）の硬度２０６．２に対して、１２０℃での熱処理後にも硬度２０６．２に保たれ、２００℃での熱処理後には硬度２０１．２に低下していることが分かる。これにより、１６０℃以上の温度（２００℃）での熱処理を施したて得られたスタンパは、光ディスクの繰り返しの樹脂成型において凹凸パターンの形状変形を起こし易く、スタンパの寿命が低下する。これに対して、１６０℃以下の温度(１２０℃)での熱処理を施して得られたスタンパは、表面硬度が保たれたことによって繰り返しの樹脂成型に用いた場合の寿命特性を保つことが可能である。
【符号の説明】
【００５９】
１…スタンパ（光ディスク形成用）、１１…ニッケル層、１１ａ…凹凸パターン、１３…酸化被膜、２１…基板、２５…凹凸パターン（無機レジスト）、２７…無機レジスト膜、４７…光ディスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図９】
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【図１０】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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