(57)【要約】      （修正有）【課題】デバイス基板とキャップ基板とを圧着接合する際に、圧着圧力を大きくしても、接合樹脂層の開口部形状が変形しにくく、該変形に基づく品質低下を抑制した半導体パッケージを提供する。【解決手段】半導体パッケージ１Ａ（１）は、機能領域を有する機能素子２が一面側に設けられた第一基板１０と、前記第一基板１０の前記一面上に配され、前記機能素子２の機能領域が露出するように設けられた開口部を有する接合樹脂層３０と、前記接合樹脂層３０を介して前記第一基板１０と貼り合わせられてなる第二基板２０と、を備え、前記第一基板１０と前記第二基板２０の重なり方向から見た前記開口部の形状が、複数の直線及び／又は曲線によって囲まれた形状であり、隣接する位置にある直線同士のなす内角、あるいは隣接する位置にある直線と曲線の接線とのなす内角が、鈍角であること、を特徴とする。【選択図】図１
2012043866.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
機能領域を有する機能素子が一面側に設けられた第一基板と、
前記第一基板の前記一面上に配され、前記機能素子の機能領域が露出するように設けられた開口部を有する接合樹脂層と、
前記接合樹脂層を介して前記第一基板と貼り合わせられてなる第二基板と、を備え、
前記第一基板と前記第二基板の重なり方向から見た前記開口部の形状が、
複数の直線及び／又は曲線によって囲まれた形状であり、
隣接する位置にある直線同士のなす内角、あるいは隣接する位置にある直線と曲線の接線とのなす内角が、鈍角であること、を特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
前記第一基板と前記第二基板の重なり方向から見た前記開口部の位置が、前記第一基板の中心部にあること、を特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記第一基板と前記第二基板の重なり方向から見た前記開口部の位置が、前記第一基板の中心部からはずれていること、を特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
前記第一基板と前記第二基板の重なり方向から見た前記機能素子の機能領域の位置が、前記開口部の中心からはずれていること、を特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の半導体パッケージの製造方法であって、
機能領域を有する機能素子が一面側に設けられた前記第一基板の全面を覆うように接合樹脂層を形成する工程と、
前記接合樹脂層をパターン加工し、前記機能素子の機能領域が露出するように前記開口部を形成する工程と、
前記接合樹脂層上に前記第二基板を配するとともに、熱圧着することにより該接合樹脂層を介して前記第一基板と前記第二基板とを張り合わせる工程と、を少なくとも順に備えたこと、を特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体パッケージ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＣＤカメラ、ＣＭＯＳカメラ、光ピックアップモジュールに代表されるような受光半導体デバイスでは、市場からのパッケージサイズの縮小要求により、チップサイズパッケージ(ＣＳＰ)を応用したパッケージ形態が注目されている。
図１０は、ＣＳＰ技術を応用した従来の受光半導体デバイスの一例を模式的に示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は機能素子１０２と接合層１３０との関係を示す上面図である。現在、これらのＣＳＰにはデバイス基板１１０とガラス板等からなるキャップ基板１２０を接合層１３０にて貼り合わせ、必要に応じてデバイス基板１１０の裏面側に貫通電極を介してプリント基板と接続するための配線を形成するようなパッケージが開発されている。
【０００３】
また、光学特性を向上させるために、デバイスの受光部に中空構造を設けたものも開発されている（例えば、特許文献１参照）。
この中空構造は、例えば図１０に示すように、キャップ基板１２０とデバイス基板１１０を接合するための接合層１３０に開口部１３１を形成した後に接合するような方法が用いられている。接合層１３０の材料としては多様であるが、光学デバイス側の耐熱温度の問題(マイクロレンズの劣化等)やデバイス側の凹凸への柔軟性から主に接合層１３０には樹脂を用いる場合が多い。
【０００４】
デバイス基板１１０とキャップ基板１２０の接合方法としては、樹脂材料とデバイス／ガラス基板への密着、デバイス側の凹凸への樹脂追従性の面から熱圧着が用いられる。この熱圧着時のパラメーターとしては、圧着前後の雰囲気(真空度)、圧着温度、圧着圧力等が挙げられる。
【０００５】
例えば図１０に示すように、従来、受光デバイスの受光部１０２の形状は一般的に四角形である(例えば、非特許文献１参照)。これに対して、従来、開口部１３１の形状も受光部１０２の形状に合わせた四角形状となっている。
しかし、この形状で圧着接合を用いる場合、開口部１３１の角部に応力集中箇所が存在し、この部分で接合樹脂の変形が発生する。
【０００６】
開口部を形成後、接合する際において、問題となる品質については、（１）デバイス基板およびキャップ基板と樹脂の密着性、（２）圧着前後による開口部の変形が挙げられる。両者は主に圧着圧力に起因する品質であり、（１）では樹脂の接合強度を十分に引き出すために、接着力が発育されるまでの圧力(圧着圧力が大きいほど良い)にすることが望ましく、（２）では樹脂が塑性変形領域に入らない程度の圧着圧力にすること(圧着圧力は小さいほど良い）で寸法変化をさせないことが望ましい。よって、この２つの条件を満足するような設計が必要となる。具体的には、圧着圧力を大きくしても変形しにくいような構造が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第４３８１２７４号
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】シャープ株式会社技法、第９１号２００５年４月、青色レーザー対応ＯＰＩＣ受光素子
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて考案されたものであり、デバイス基板とキャップ基板とを圧着接合する際に、圧着圧力を大きくしても、接合樹脂層の開口部形状が変形しにくく、該変形に基づく品質低下を抑制した半導体パッケージを提供することを第一の目的とする。
また、本発明は、デバイス基板とキャップ基板とを圧着接合する際に、圧着圧力を大きくしても、接合樹脂層の開口部形状が変形しにくく、該変形に基づく品質低下を抑制した半導体パッケージを簡便に製造することが可能な半導体パッケージの製造方法を提供することを第二の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の請求項１に記載の半導体パッケージは、機能領域を有する機能素子が一面側に設けられた第一基板と、前記第一基板の前記一面上に配され、前記機能素子の機能領域が露出するように設けられた開口部を有する接合樹脂層と、前記接合樹脂層を介して前記第一基板と貼り合わせられてなる第二基板と、を備え、前記第一基板と前記第二基板の重なり方向から見た前記開口部の形状が、複数の直線及び／又は曲線によって囲まれた形状であり、隣接する位置にある直線同士のなす内角、あるいは隣接する位置にある直線と曲線の接線とのなす内角が、鈍角であること、を特徴とする。
本発明の請求項２に記載の半導体パッケージは、請求項１において、前記第一基板と前記第二基板の重なり方向から見た前記開口部の位置が、前記第一基板の中心部にあること、を特徴とする。
本発明の請求項３に記載の半導体パッケージは、請求項１において、前記第一基板と前記第二基板の重なり方向から見た前記開口部の位置が、前記第一基板の中心部からはずれていること、を特徴とする。
本発明の請求項４に記載の半導体パッケージは、請求項１において、前記第一基板と前記第二基板の重なり方向から見た前記機能素子の機能領域の位置が、前記開口部の中心からはずれていること、を特徴とする。
本発明の請求項５に記載の半導体パッケージの製造方法は、請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の半導体パッケージの製造方法であって、機能領域を有する機能素子が一面側に設けられた前記第一基板の全面を覆うように接合樹脂層を形成する工程と、前記接合樹脂層をパターン加工し、前記機能素子の機能領域が露出するように前記開口部を形成する工程と、前記接合樹脂層上に前記第二基板を配するとともに、熱圧着することにより該接合樹脂層を介して前記第一基板と前記第二基板とを張り合わせる工程と、を少なくとも順に備えたこと、を特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の半導体パッケージでは、前記機能素子の機能領域が露出するように設けられた開口部を有する接合樹脂層において、前記第一基板（デバイス基板）と前記第二基板（キャップ基板）の重なり方向から見た前記開口部の形状が、複数の直線及び／又は曲線によって囲まれた形状であり、隣接する位置にある直線同士のなす内角、あるいは隣接する位置にある直線と曲線の接線とのなす内角が、鈍角となされているので、前記第一基板と前記第二基板とを圧着接合する際に、圧着圧力を大きくしても、接合樹脂層が変形するとき、機能素子が露出している開口部の内角部分において力が分散されるため、前記開口部の形状が変化しにくい。これにより本発明の半導体パッケージでは、前記開口部の変形に基づく品質低下を抑制することが可能である。
また、本発明の半導体パッケージの製造方法では、機能領域を有する機能素子が一面側に設けられた第一基板の全面を覆うように形成された接合樹脂層をパターン加工し、前記機能素子の機能領域が露出するように前記開口部を形成している。そして本発明では、熱圧着することにより前記接合樹脂層を介して前記第一基板と前記第二基板とを張り合わせる際に、圧着圧力を大きくしても、接合樹脂層が変形するとき、機能素子が露出している開口部の内角部分において力が分散されるため、前記開口部の形状が変形しにくい。これにより本発明の半導体パッケージの製造方法では、前記開口部の変形に基づく品質低下を抑制した半導体パッケージを簡便に製造することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の半導体パッケージの一例を模式的に示す図。
【図２】本発明の半導体パッケージの他の一例を模式的に示す図。
【図３】本発明の半導体パッケージの他の一例を模式的に示す図。
【図４】本発明の半導体パッケージの他の一例を模式的に示す図。
【図５】従来の半導体パッケージにおいて、開口部にかかる応力を示した図。
【図６】本発明の半導体パッケージにおいて、開口部にかかる応力を示した図。
【図７】本発明の半導体パッケージにおいて、開口部にかかる応力を示した図。
【図８】開口部の形状と開口部にかかる応力との関係を示した図。
【図９】本発明の半導体パッケージの製造方法を工程順に示した断面図。
【図１０】従来の半導体パッケージの一例を模式的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の半導体パッケージ及びその製造方法の好適な形態について説明する。
【００１４】
図１は、本発明の半導体パッケージの一例を模式的に示す図であり、（ａ）は断面図、（ｂ）は機能素子と接合樹脂層との関係を示す上面図である。また、図２〜図４は、本発明の半導体パッケージの他の一例を模式的に示す図であり、機能素子と接合樹脂層との関係を示す上面図である。
図１に示すように、本発明の半導体パッケージ１Ａ（１）は、機能領域２ａを有する機能素子２が一面側に設けられた第一基板（デバイス基板）１０と、前記第一基板１０の前記一面上に配され、前記機能素子２の機能領域２ａが露出するように設けられた開口部３１を有する接合樹脂層３０と、前記接合樹脂層３０を介して前記第一基板１０と貼り合わせられてなる第二基板（キャップ基板）２０と、を備える。
【００１５】
そして発明の半導体パッケージ１Ａ（１）は、前記第一基板１０と前記第二基板２０の重なり方向から見た前記開口部３１の形状が、複数の直線及び／又は曲線によって囲まれた形状であり、隣接する位置にある直線同士のなす内角（図１中αで示す）、あるいは隣接する位置にある直線と曲線の接線とのなす内角（図３中βで示す）が、鈍角であること、を特徴とする。
なお、図１では、開口部３１として、多角形、特に六角形のものを一例として示している。
【００１６】
本発明の半導体パッケージ１Ａ（１）では、前記機能素子２の機能領域２ａが露出するように設けられた開口部３１を有する接合樹脂層３０において、前記第一基板１０と前記第二基板２０の重なり方向から見た前記開口部３１の形状が、複数の直線及び／又は曲線によって囲まれた形状であり、隣接する位置にある直線同士のなす内角、あるいは隣接する位置にある直線と曲線の接線とのなす内角が、鈍角となされているので、前記第一基板１０と前記第二基板２０とを圧着接合する際に、圧着圧力を大きくしても、接合樹脂層３０が変形するとき、機能素子２が露出している開口部３１の内角部分において力が分散されるため、前記開口部３１の形状が変化しにくい。これにより本発明の半導体パッケージ１Ａ（１）では、前記開口部３１の変形に基づく品質低下を抑制することが可能である。
【００１７】
本発明を適用することが可能な半導体パッケージ（デバイス）としては、イメージセンサやＭＥＭＳデバイスといった、基板表面に三次元構造を持つアクティブエリア（例えばイメージセンサにおけるマイクロレンズ等、ＭＥＭＳデバイスにおける可動電極等）を有するデバイスが挙げられる。本発明の半導体パッケージ１は、ウェハレベルパッケージ技術を用いた製造にも好適に用いることができる。
【００１８】
第一基板（デバイス基板）１０は、Ｓｉの他に、ＳｉＧｅ，ＧａＡｓ等の化合物半導体からなる半導体ウェハでもよく、半導体ウェハをチップ寸法に切断（ダイシング）した半導体チップであってもよい。半導体基板が半導体チップである場合は、まず、半導体ウェハの上に、各種半導体素子やＩＣ等を複数組、形成した後、チップ寸法に切断することで複数の半導体チップを得ることができる。第一基板１０の厚さは、例えば５０〜５００μｍである。
【００１９】
機能素子２は、本実施形態では、例えばＩＣチップや、ＦＥＴトランジスタからなる。また、機能素子２の他の例としては、例えば、ＣＣＤ素子等の光素子、マイクロリレー、マイクロスイッチ、圧力センサ、加速度センサ、高周波フィルタ、マイクロミラー、マイクロリアクター、μ−ＴＤＳ、ＤＮＡチップ、ＭＥＭＳデバイス、マイクロ燃料電池等が挙げられる。
【００２０】
第二基板（キャップ基板）２０は、ガラス基板やシリコン基板など、半導体パッケージ１の用途によって選択することが可能である。イメージセンサなどの光学デバイスをパッケージングする場合は、ガラス基板などの透明な基板が一般的に使用される。
また、第二基板２０は、ＭＥＭＳ制御用など各種のＩＣや、別のＭＥＭＳ素子が形成されたウェハであってもよい。
【００２１】
接合樹脂層３０は、第一基板１０と第二基板２０との間隔を確保するともに、第二基板２０を第一基板１０と接合するものである。接合樹脂層３０は、第二基板２０を第一基板１０と接合したときに、機能素子２の周囲を切れ目なく囲い、かつ、機能素子２の上を覆わないような所定位置に設けられる。これにより、機能素子２の周囲の空間が第一基板１０と第二基板２０と接合樹脂層３０とにより気密に封止される。
【００２２】
接合樹脂層３０としては、例えば、例えば感光性もしくは非感光性の液状樹脂やドライフィルム樹脂が挙げられる。これらの樹脂は、紫外光、可視光、赤外光、熱などのエネルギーにより硬化反応を生ずることが好ましい。樹脂の種類としては、エポキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等が利用でき、半導体パッケージ１の使用環境に応じて適宜選択すればよい。
【００２３】
接合樹脂層３０を形成するには、例えば液状樹脂を使用して印刷法により所定位置に塗布したり、感光性の液状樹脂やドライフィルム樹脂を貼り付けて、これをフォトリソグラフィ技術により所定位置のみ残してパターニングする方法等が利用できる。
【００２４】
接合樹脂層３０の厚みは、特に限定されるものではなく、機能素子２から要求される仕様などの条件に応じて自由に選択可能であるが、例えば数μｍ〜数百μｍの範囲であれば、機能素子２の周囲に十分なキャビティを確保することができるとともに、半導体パッケージ１全体の寸法を抑制することができる。接合樹脂層３０の厚みは、例えば、５〜７５μｍとする。
【００２５】
そして特に本発明では、前記接合樹脂層３０において、前記第一基板１０と前記第二基板２０の重なり方向から見た前記開口部３１の形状が、複数の直線及び／又は曲線によって囲まれた形状であり、隣接する位置にある直線同士のなす内角（図１中αで示す）、あるいは隣接する位置にある直線と曲線の接線とのなす内角（図３中βで示す）が、鈍角となされている。
【００２６】
従来、接合樹脂層３０に設けられる開口部３１の形状は、通常、四角形とされていたが、この場合、第一基板１０と第二基板２０とを接合樹脂層３０を介して圧着接合する際に、開口部３１の角部に応力が集中し、この部分で接合樹脂層３０が変形してしまい、品質の低下につながるという問題があった。ここで、図５は、従来の半導体パッケージにおいて、四角形状の開口部にかかる応力を示した図である。開口部の角部に応力が集中していることがわかる。
【００２７】
そこで本発明では、図１〜図４に示すように、開口部３１の形状を、複数の直線及び／又は曲線によって囲まれた形状とし、隣接する位置にある直線同士のなす内角（図１中αで示す）、あるいは隣接する位置にある直線と曲線の接線とのなす内角（図３中βで示す）を、鈍角とした。
開口部３１が多角形（複数の直線によって囲まれた形状）の場合、角部を増やすことで、応力集中部が増え、それにより一つ一つの角部に負荷される応力が分散されて小さくなるため、それぞれの角部にかかる応力を緩和させることが可能である。多角形として、少なくとも六角形以上であることが好ましい。なお、開口部３１が多角形の場合、各辺の長さは一様(正多角形)にすることが特に好ましい。各辺の長さを一様にすることで、各角部において均一に応力が分散される。
【００２８】
また、図３に示すように開口部３１が円形状（曲線によって囲まれた形状）の場合、四角形のように角がないため、応力集中部が存在しないため、応力を緩和させることが可能である。開口部３１の形状が円形に近いほど(多角形の角が多いほど)圧着時の応力が減少する傾向にある。
【００２９】
ここで、図６は、本発明の半導体パッケージ１において、多角形状（六角形）の開口部３１にかかる応力を示した図であり、図７は、円形状の開口部３１にかかる応力を示した図である。また、図８は、開口部３１の形状と開口部３１にかかる応力との関係を示した図である。図５〜図８から明らかなように、開口部３１の内角を鈍角とすることで、一部に応力が集中せず、応力が分散されていることがわかる。
【００３０】
開口部３１の形状としては特に限定されるものではないが、円形状、多角形ともに機能素子２の機能領域２ａがこれらの開口部３１内に入る大きさ、かつ開口部３１がデバイスの大きさからがずれなければどのような設計にも適用できる（デバイス中の機能領域２ａの位置によらない）。
例えば開口部３１の形状として、図３に示すような複数の直線及び曲線によって囲まれた形状のものも一例として挙げることができるが、これらの例に限定されるものではない。
【００３１】
また、図２に示すように開口部３１を円形状とした場合、前記第一基板１０と前記第二基板２０の重なり方向から見た前記開口部３１の位置が、前記第一基板１０の中心部にある構造とすることができる。
機能領域２ａがデバイスの中央部にある場合、機能領域２ａの対角線の長さがデバイスの短辺より短い場合にはどのような設計に対しても適用可能である。
この場合、第一基板１０は第二基板２０をバランスよく安定して支持することができるので、第一基板１０と第二基板２０との接合強度を大きくすることができる。
【００３２】
また、図４に示すように前記第一基板１０と前記第二基板２０の重なり方向から見た前記開口部３１の位置が、前記第一基板１０の中心部からはずれた構造とすることもできる。
この場合、機能領域２ａを露出する開口部３１と半導体パッケージ１外部との間で、接合樹脂層３０を透過してガス置換し易いので、開口部３１内でのガス成分の析出（水分の結露など）が起こりにくい。また、開口部３１の内部に、ガス成分を吸着し易いガス吸着膜を形成することによって、よりガス成分の析出を低減することも可能である。
さらに、機能領域２ａが開口部３１の中心からはずれている場合、開口部３１の内部に広いスペースを設けることができる。このスペースに前記ガス吸着膜等を、より大きな面積で配置することができる。
【００３３】
次に、このような半導体パッケージ１の製造方法について説明する。
図９は、本発明の半導体パッケージの製造方法を工程順に示した断面図である。
本発明の半導体パッケージの製造方法は、機能領域２ａを有する機能素子２が一面側に設けられた前記第一基板１０の全面を覆うように接合樹脂層３０を形成する工程と、前記接合樹脂層３０をパターン加工し、前記機能素子２の機能領域２ａが露出するように前記開口部３１を形成する工程と、前記接合樹脂層３０上に前記第二基板２０を配するとともに、熱圧着することにより該接合樹脂層３０を介して前記第一基板１０と前記第二基板２０とを張り合わせる工程と、を少なくとも順に備えたこと、を特徴とする。
【００３４】
本発明では、機能領域２ａを有する機能素子２が一面側に設けられた第一基板１０の全面を覆うように形成された接合樹脂層３０をパターン加工し、前記機能素子２の機能領域２ａが露出するように前記開口部３１を形成している。そして本発明では、熱圧着することにより前記接合樹脂層３０を介して前記第一基板１０と前記第二基板２０とを張り合わせる際に、圧着圧力を大きくしても、接合樹脂層３０が変形するとき、機能素子２が露出している開口部３１の内角部分において力が分散されるため、前記開口部３１の形状が変形しにくい。これにより本発明の半導体パッケージの製造方法では、前記開口部３１の変形に基づく品質低下を抑制した半導体パッケージ１を簡便に製造することが可能である。
以下、工程順に説明する。
【００３５】
（１）まず、図９（ａ）に示すように、機能領域２ａを有する機能素子２が一面側に設けられた前記第一基板１０の全面を覆うように接合樹脂層３０を形成する。
シリコン等からなる第一基板１０（半導体基板）の一面１０ａ側に、例えば光デバイス等の所望の機能素子２を通常の半導体製造プロセスを利用して形成する。
そして、図９（ａ）に示すように、第一基板１０の全面を覆うように接合樹脂層３０を形成する。
接合樹脂層３０を形成するには、例えば液状樹脂を使用した場合にはスピンコート法や印刷法により塗布したり、フィルム状樹脂を使用した場合は、フィルムラミネート法により貼り付けることができる。
【００３６】
（２）次に、図９（ｂ）に示すように、前記接合樹脂層３０をパターン加工し、前記機能素子２の機能領域２ａが露出するように前記開口部３１を形成する。
接合樹脂層３０をパターン加工し、機能素子２の機能領域２ａを露出させる。
接合樹脂層３０に感光性樹脂を用いた場合は、フォトリソグラフィ技術を用いてパターン加工することができる。
また、接合樹脂層３０が非感光性樹脂からなる場合は、接合層上にレジストパターンを形成し、そのレジストパターンをマスクとして接合層のエッチング（ドライエッチング、ウェットエッチングなど適切な方法）することによりパターン加工することができる。
このとき、開口部３１の形状を、複数の直線及び／又は曲線によって囲まれた形状であり、隣接する位置にある直線同士のなす内角、あるいは隣接する位置にある直線と曲線の接線とのなす内角が、鈍角であるような形状とする。
【００３７】
（３）次に、前記接合樹脂層３０上に前記第二基板２０を配するとともに、熱圧着することにより該接合樹脂層３０を介して前記第一基板１０と前記第二基板２０とを張り合わせる。
まず、図９（ｃ）に示すように、接合樹脂層３０が形成された第一基板１０を接合装置のステージ５０上に固定する。ステージ５０は加熱されており、それによって第一基板１０も加熱された状態となる。
また、接合樹脂層３０上に第二基板２０を非接触の状態で配置する。また、第二基板２０上に天板５１を配置する。
【００３８】
そして、図９（ｄ）に示すように、第二基板２０と第一基板１０とを接合樹脂層３０を介して接触させ、ステージと天板で挟み込んで熱圧着する。
このとき、前記接合樹脂層３０の開口部３１の形状が、複数の直線及び／又は曲線によって囲まれた形状であり、隣接する位置にある直線同士のなす内角、あるいは隣接する位置にある直線と曲線の接線とのなす内角が、鈍角となされている（図１（ｂ）、図２〜図４参照）。
【００３９】
ウェハの状態で第一基板１０（デバイス基板）と第二基板２０（キャップ基板）を貼り合わせるためには、基板面に加わる荷重を、基板面内において均一にすることが求められる。接合時の荷重は、接合品質を決定する重要な因子であり、例えば、接合樹脂の変形(開口部３１の形状)に関わる。
【００４０】
例えば、荷重の面内バラツキが大きな状態で接合した場合、基板面内において接合強度の異なる領域や開口部３１形状の異なる領域が生じる。接合後、基板を切削しチップ状にしたとき、チップ毎に品質バラツキが異なり、安定した半導体パッケージ１の製造が困難となる。このような事態を回避するためには、精密に荷重制御が可能な製造装置を用いる必要があり、製造コストを増大させる一因となっていた。
【００４１】
本発明によれば、前記接合樹脂層３０の開口部３１の形状が上記のようになされているので、熱圧着することにより前記接合樹脂層３０を介して前記第一基板１０と前記第二基板２０とを張り合わせる際に、圧着圧力を大きくしても、接合樹脂層３０が変形するとき、機能素子２が露出している開口部３１の内角部分において力が分散されるため、前記開口部３１の形状が変形しにくい。
また、接合時の荷重の均一性が劣る場合においても、開口部３１の変形バラツキを抑えることが可能となる。ひいては、接合時の荷重マージンが広がり、半導体パッケージ１を容易に製造することができる。これにより本発明では、前記開口部３１の変形に基づく品質低下を抑制した半導体パッケージ１を簡便に製造することが可能である。
【００４２】
一定時間圧着させた後、ステージ５０及び天板５１を解放し、挟み込みを解除する。
貼り合わせられた基板を加熱処理し、接合樹脂の硬化処理を行う。この加熱処理により、第一基板１０と第二基板２０が接合樹脂層３０を介して安定して接合された状態となる。
その後、必要に応じて、第二基板２０の他面側（第一基板１０と接着された側と反対側）を薄板化してもよい。
【００４３】
次に、前記第一基板１０、前記第二基板２０及び前記接合部３０を一括して切削し（ダイシングを行い）、半導体パッケージ１を個片化する。
以上のようにして、図１に示すような半導体パッケージ１Ａ（１）が得られる。
このようにして製造された半導体パッケージ１は、接合樹脂層３０に設けられた開口部３１の形状の変化が抑えられるため、該変形に基づく品質低下が抑制され、高品質のものとなる。
【００４４】
以上、本発明の半導体パッケージ及びその製造方法について説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜変更が可能である。
例えば、前述した実施形態では、半導体基板上の機能素子１つに対応する部分のみを図示したが、本発明は、複数の機能素子を備えた半導体パッケージに適用することもできる。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明は、半導体パッケージ及びその製造方法に広く適用可能である。
【符号の説明】
【００４６】
１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ（１）  半導体パッケージ、２  機能素子、１０  第一基板、２０第二基板、３０  接合樹脂層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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