(57)【要約】【課題】ビルドアップ基板の製造に好適な基板を提供すること。【解決手段】本発明のハイブリッド基板は、複数のセラミック基板から成るセラミック基板集合体、セラミック基板集合体の両面に対向配置され、補強材と樹脂とから少なくとも構成された絶縁樹脂層、および、絶縁樹脂層上に配置された金属層を有して成る。特に本発明のハイブリッド基板においては、複数のセラミック基板が、対向配置された絶縁樹脂層間の同一平面上に沿ってタイリングされている。【選択図】図１
2012009850.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のセラミック基板から成るセラミック基板集合体、
前記セラミック基板集合体の両面に対向配置された絶縁樹脂層であって、補強材と樹脂とから少なくとも構成された絶縁樹脂層、および
前記絶縁樹脂層上に配置された金属層
を有して成り、
前記複数のセラミック基板が、前記対向配置された前記絶縁樹脂層間の同一平面に沿ってタイリングされていることを特徴とする、ハイブリッド基板。
【請求項２】
前記複数のセラミック基板が相互に離隔していることを特徴とする、請求項１に記載のハイブリッド基板。
【請求項３】
前記対向配置された前記絶縁樹脂層間に枠部材が設けられており、
前記相互に離隔している前記複数のセラミック基板が前記枠部材に填め込まれていることを特徴とする、請求項２に記載のハイブリッド基板。
【請求項４】
前記複数のセラミック基板が相互に密接していることを特徴とする、請求項１に記載のハイブリッド基板。
【請求項５】
前記複数のセラミック基板の少なくとも１つがインナービアを有して成ることを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載のハイブリッド基板。
【請求項６】
前記インナービアを有する少なくとも２つのセラミック基板につき、インナービア配置構造が相互に異なっていることを特徴とする、請求項５に記載のハイブリッド基板。
【請求項７】
前記複数のセラミック基板の少なくとも１つが、その表面または内部に少なくとも１層の配線層を有して成ることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載のハイブリッド基板。
【請求項８】
前記配線層を有する少なくとも２つのセラミック基板につき、配線層数または配線形状が相互に異なっていることを特徴とする、請求項７に記載のハイブリッド基板。
【請求項９】
セラミック基板集合体、補強材と樹脂とから少なくとも構成された絶縁樹脂層および金属層を有して成るハイブリッド基板を製造する方法であって、
（ｉ）第１金属箔上に第１絶縁樹脂層前駆体を配置する工程、
（ｉｉ）前記第１絶縁樹脂層前駆体上に複数のセラミック基板から成るセラミック基板集合体を配置する工程、
（ｉｉｉ）前記セラミック基板集合体上に第２絶縁樹脂層前駆体を配置した後、該第２絶縁樹脂層前駆体上に第２金属箔を配置し、それによって、ハイブリッド基板前駆体を形成する工程、および
（ｉｖ）加熱条件下にて前記ハイブリッド基板前駆体をプレス処理し、ハイブリッド基板を得る工程
を含んで成り、
前記工程（ｉｉ）では、前記複数のセラミック基板を同一平面に沿って敷き詰めるようにタイリング配置することを特徴とする、ハイブリッド基板の製造方法。
【請求項１０】
相互に間隔を空けて前記複数のセラミック基板をタイリング配置することを特徴とする、請求項９に記載のハイブリッド基板の製造方法。
【請求項１１】
前記タイリング配置に際して枠部材を用いており、該枠部材の中空部に対して前記複数のセラミック基板を填め込むことによって、前記複数のセラミック基板の相互の間隔を空けることを特徴とする、請求項１０に記載のハイブリッド基板の製造方法。
【請求項１２】
相互に密接するように前記複数のセラミック基板をタイリング配置することを特徴とする、請求項９に記載のハイブリッド基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハイブリッド基板およびその製造方法に関する。より詳細には、本発明は、セラミック基板と絶縁樹脂層と金属層とから主に構成されるハイブリッド基板に関すると共に、かかるハイブリッド基板を製造するための方法にも関する。
【背景技術】
【０００２】
セラミック基板は、耐熱性・耐湿性に優れており、また、高周波回路において良好な周波数特性を有し得る。従って、セラミック基板は、モバイル機器のＲＦ（Radio Frequency）モジュールや放熱性を利用したパワーＬＥＤ（Light Emitting Diode ： 発光ダイオード）用の基板、液晶のバックライト向けＬＥＤ用の基板、また、自動車搭載用の電子制御回路用基板として用いられている。
【０００３】
現在、セラミック基板の主面寸法は、下記特許文献１に示されるように、約１００ｍｍ角程度である。セラミック基板一枚あたりの面積が大きくなりすぎると、セラミック基板の製造に際して基板反りが大きくなってしまうので、現状のセラミック基板では主面一辺の寸法が１００ｍｍ程度となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００９／０８７８４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
無機材料を主体とするセラミック基板と、有機樹脂を絶縁材とするプリント基板の複合基板が良く知られている。特にセラミック基板をコアとし、その両面に樹脂絶縁層を積層したビルドアップ基板は、次世代の高密度実装用基板として有望である。このように、セラミック基板はビルドアップ基板の製造に用いることができるものの、両者にはサイズの相違があり、例えば１００ｍｍ×１００ｍｍ程度のセラミック基板サイズに対して、ビルドアップ基板を代表例とするプリント基板サイズが３４０ｍｍ×５１０ｍｍ程度となっている。このような基板サイズの相違はビルドアップ基板の製造に影響を与えることになる。特に、ビルドアップ基板の製造がセラミック基板サイズに実質的に左右されることになり、生産性の点で必ずしも十分とはいえない。
【０００６】
つまり、セラミック基板が一辺１００ｍｍ程度の“小サイズ”であるので、かかるセラミック基板を用いたビルドアップ基板の生産性は、そのような小さな基板単位で行わなければならず、その結果、ビルドアップ基板の生産性は高くない。
【０００７】
この点、セラミック基板サイズを単に大きくすることが考えられるものの、大型セラミック基板の製造に用いる焼成用セッターは、そもそも製作困難である。また、そのような焼成用セッターを仮に製作できたとしても、非常に高価となるか、あるいは、平滑性問題で厳密性が要求される。更にいえば、セラミック基板サイズを単に大きくすると、基板の割れや欠けを引き起こす原因となり、そのような割れ・欠けを防止しようとするとプロセス上搬送が困難となってしまう。
【０００８】
本発明はかかる事情に鑑みて為されたものである。つまり、本発明の主たる目的は、ビルドアップ基板の製造に好適な基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明では、
複数のセラミック基板から成るセラミック基板集合体、
セラミック基板集合体の両面に対向配置された絶縁樹脂層であって、補強材（例えば織布または不織布）と樹脂とから少なくとも構成された絶縁樹脂層、および
絶縁樹脂層の表面上に配置された金属層
を有して成り、
複数のセラミック基板が、対向配置された絶縁樹脂層間の同一平面に沿ってタイリングされていることを特徴とする、ハイブリッド基板が提供される。
【００１０】
本発明に係るハイブリッド基板の特徴の１つは、対向配置された絶縁樹脂層間に敷き詰められるようにセラミック基板集合体がタイリング（平面配置）されていることである。換言すれば、本発明のハイブリッド基板においては、補強材と樹脂とから構成された絶縁樹脂層に挟まれた形態で複数のセラミック基板が同一平面上にタイル貼りされるように配置されている。
【００１１】
ここで、本明細書における“ハイブリッド”といった用語は、本発明の対象となる基板が、セラミック基板、絶縁樹脂層および金属層と複数の材質（即ち、無機材、有機材および金属材）から構成されている態様に鑑みて用いている。
【００１２】
また、本明細書の「タイリング」という用語は、同一平面上にセラミック基板を敷き詰めるように配置する態様に鑑みて用いている。特に本発明における「タイリング」は、２つの絶縁樹脂層の間に位置する同一平面に沿って複数のセラミック基板が相互に重ならないように配置される態様に鑑みている。
【００１３】
ある好適な態様では、複数のセラミック基板が相互に離隔するようにタイリングされている。かかる態様では、対向配置された絶縁樹脂層間に枠部材が設けられ、複数のセラミック基板が枠部材に填め込まれることでタイリングされていてよい。
【００１４】
別のある好適な態様では、複数のセラミック基板が相互に密接するようにタイリングされている。つまり、個々のセラミック基板の側面が相互に接触した状態でタイリングされている。
【００１５】
更に別のある好適な態様では、タイリングされる複数のセラミック基板の少なくとも１つがインナービアを有して成る。かかる場合、インナービアを有する複数のセラミック基板（特に少なくとも２つのセラミック基板）のインナービア配置構造が互いに異なっていてもよい。
【００１６】
更に別のある好適な態様では、タイリングされる複数のセラミック基板の少なくとも１つが、その表面または内部に少なくとも１層の配線層を有して成る。かかる場合、配線層を有する複数のセラミック基板（特に少なくとも２つのセラミック基板）の配線層数または配線形状が互いに異なっていてもよい。
【００１７】
更に別のある好適な態様では、複数のセラミック基板のそれぞれの主面が相互に“面一”になっている。つまり、複数のセラミック基板（「離隔タイリングされた複数のセラミック基板」または「密接タイリングされた複数のセラミック基板」）の上側主面および／または下側主面が全て同一平面内に位置している。
【００１８】
本発明では、上述のハイブリッド基板を製造するための方法も提供される。かかる本発明のハイブリッド基板の製造方法は、
（ｉ）第１金属箔上に第１絶縁樹脂層前駆体を配置する工程、
（ｉｉ）第１絶縁樹脂層前駆体上に複数のセラミック基板から成るセラミック基板集合体を配置する工程、
（ｉｉｉ）セラミック基板集合体上に第２絶縁樹脂層前駆体を配置した後、その第２絶縁樹脂層前駆体上に第２金属箔を配置し、それによって、ハイブリッド基板前駆体を形成する工程、および
（ｉｖ）加熱条件下にてハイブリッド基板前駆体をプレス処理してハイブリッド基板を得る工程
を含んで成り、
工程（ｉｉ）では、複数のセラミック基板を同一平面に沿って敷き詰めるようにタイリング配置することを特徴とする。
【００１９】
かかる本発明に係るハイブリッド基板の製造方法の１つは、同一平面上に敷き詰めるようにセラミック基板集合体をタイリング（平面配置）することである。換言すれば、絶縁樹脂層前駆体で挟まれることになる複数のセラミック基板を同一平面に沿ってタイル状に配置する。
【００２０】
ある好適な態様では、複数のセラミック基板の相互の間隔が空くようにタイリング配置を行う。かかる態様においては、中空部を複数備えた枠部材を用いることが好ましい。枠部材の中空部に対してセラミック基板を各々填め込むことによって複数のセラミック基板の相互の位置付けが可能となるからである。例えば、第１絶縁樹脂層前駆体上に枠部材を設け、その枠部材の複数の中空部に対して複数のセラミック基板をそれぞれ填め込むと、セラミック基板を所定間隔でタイリング配置できる。また、第１絶縁樹脂層前駆体上にセラミック基板集合体を配置した後に、枠部材を絶縁樹脂層前駆体上に設けてもよい。
【００２１】
別のある好適な態様では、複数のセラミック基板が相互に密接するようにタイリング配置する。つまり、個々のセラミック基板の側面が相互に接触するようにタイリング配置を行う。
【発明の効果】
【００２２】
本発明に係るハイブリッド基板は、セラミック基板の集合体を一体化した大型基板として取り扱うことができるので、ビルドアップ基板の生産性向上に好適に寄与する。
【００２３】
具体的には本発明に従えば、比較的小型のセラミック基板をそのまま利用するにも拘わらず、プリント基板の製造インフラを利用してビルドアップ基板の製造を行うことができる。セラミック基板の組合せ次第では任意のサイズの大きな基板も得ることができる。
【００２４】
また、そのように大型基板でありながらも、補強材（例えば織布または不織布）によって基板全体の一体性を向上させているので、高い基板強度がもたらされている。つまり、本発明では、基板の割れや欠けが好適に防止された大型基板が得られる。
【００２５】
更にいえば、大型基板でありながらも、セラミック基板部は、複数のサブ基板から構成されているので（即ち、セラミック基板部が個々に分割された形態となっているので）、基板全体としての反りは減じられている。つまり、本発明に従うことによって、反りが効果的に抑制された大型基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】図１（ａ）は、本発明に係るハイブリッド基板の態様を模式的に表した断面図である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のａ−ａ’に沿ったハイブリッド基板の水平方向断面図である。
【図２】図２は、図１のハイブリッド基板の構成を模式的に表した分解斜視図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｄ）は、セラミック基板の種々のタイリング態様を模式的に示した平面図である。
【図４】図４（ａ）は、本発明に係るハイブリッド基板の態様を模式的に表した断面図である。図４（ｂ）は、図４（ａ）のａ−ａ’に沿ったハイブリッド基板の水平方向断面図である。
【図５】図５は、図４のハイブリッド基板の構成を模式的に表した分解斜視図である。
【図６】図６（ａ）は、枠部材を模式的に表した平面図である。図６（ｂ）は、図６（ａ）のａ−ａ’に沿った枠部材の断面図である。
【図７】図７（ａ）は、枠部材を使用したハイブリッド基板を模式的に表した断面図である。図７（ｂ）は、図７（ａ）のハイブリッド基板の構成を模式的に表した分解斜視図である。
【図８】図８（ａ）は、本発明に係るハイブリッド基板の態様を模式的に表した斜視図である。図８（ｂ）は、図８（ａ）のａ−ａ’に沿ったハイブリッド基板の断面図である。
【図９】図９は、複数のセラミック基板間において「インナービアの配置構造が相互に異なる態様」ならびに「配線層の層数および配線形状が相互に異なる態様」を模式的に示した図である。
【図１０】図１０は、図９のセラミック基板を使用したハイブリッド基板の構成を模式的に表した分解斜視図である。
【図１１】図１１は、本発明の製造方法のプロセス・フローを示している。
【図１２】図１２（ａ）〜（ｅ）は、本発明のハイブリッド基板の製造工程を模式的に示した工程断面図である（密接タイリング）。
【図１３】図１３（ａ）〜（ｂ）は、本発明のハイブリッド基板の製造工程を模式的に示した工程断面図である（密接タイリング）。
【図１４】図１４は、熱プレス工程の別の代替的態様を模式的に表した断面図である。
【図１５】図１５は、本発明の製造方法に使用されるプリプレグの調製態様を模式的に表した図である。
【図１６】図１６（ａ）〜（ｅ）は、本発明のハイブリッド基板の製造工程を模式的に示した工程断面図である（離隔タイリング）。
【図１７】図１７（ａ）〜（ｂ）は、本発明のハイブリッド基板の製造工程を模式的に示した工程断面図である（離隔タイリング）。
【図１８】図１８（ａ）〜（ｆ）は、本発明のハイブリッド基板の製造工程を模式的に示した工程断面図である（枠使用タイリング）。
【図１９】図１９（ａ）〜（ｂ）は、本発明のハイブリッド基板の製造工程を模式的に示した工程断面図である（枠使用タイリング）。
【図２０】図２０は、ハイブリッド基板（またはビルドアップ基板）を切断する態様を模式的に表した図である。
【図２１】図２１（ａ）は、ハイブリッド基板にビルドアップ層を形成した後、セラミック基板サイズに枠部材を用いてカットして得られる基板態様（“個片化したハイブリッド基板２００”の態様）を示す。図２１（ｂ）は、図２１（ａ）の基板を更に個片化してビルドアップ基板とした後、半導体集積回路を実装して得られる半導体集積回路パッケージ３００の態様を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施の形態を説明する。図面においては、説明の簡略化のため、実質的に同一の機能を有する構成要素を同一の参照番号で示している。また、各図における寸法関係（長さ、幅、厚さなど）は実際の寸法関係を反映するものではない。更に、本明細書で説明される“上下方向”は、便宜上、図中における上下方向に対応した方向に相当する。
【００２８】
［本発明のハイブリッド基板］
本発明のハイブリッド基板１００は、図１および図２に示すように、セラミック基板集合体１０、絶縁樹脂層２０および金属層３０から主に構成されている。図示されるように、セラミック基板集合体１０の両面には絶縁樹脂層２０が配置されており、その絶縁樹脂層２０の上に金属層３０が配置されている。つまり、セラミック基板集合体１０が２つの対向する絶縁樹脂層２０で挟み込まれるように設けられていると共に、その２つの絶縁樹脂層２０の各々の主面上には金属層３０が設けられている。
【００２９】
セラミック基板集合体１０は、図１（ｂ）に示すように、複数のセラミック基板１０’から構成されている。特に本発明では、かかる複数のセラミック基板１０’がタイリングされた形態となっている特徴がある。具体的には、本発明においては同一平面上に敷き詰めるように複数のセラミック基板１０’が配置されている。ここでいう「同一平面」とは、２つの絶縁樹脂層２０の間に位置する平面であって、絶縁樹脂層２０の主面と略平行となった平面のことを実質的に意味している。つまり、本発明では、２つの絶縁樹脂層の間に位置する同一平面に沿って複数のセラミック基板が相互に重ならないように隣接した状態で配置されている。ある好適な態様では、複数のセラミック基板の上側主面および／または下側主面が全て同一平面内に位置付けられている。
【００３０】
セラミック基板集合体１０の個々のセラミック基板１０’は、複数のグリーンシートを積層して焼成して得られたセラミック多層基板であってよい。セラミック多層基板の材質や全体寸法などは、電子機器分野（例えば半導体集積回路ＬＳＩのパッケージ配線基板）として常套的に使用・採用されているものであれば特に制限はない。この点、本発明において個々のセラミック基板自体は、特に大サイズでなくてよく、小サイズとなっていてよい。例えば、セラミック基板１０’の横幅Ｌ×縦幅Ｗ×厚みＴが、Ｌ：７５〜１７５ｍｍ×Ｗ：７５〜１７５ｍｍ×Ｔ：２５０〜７００μｍ程度の比較的小さい寸法であってよい（１つ例示すると、Ｌ：約１１０ｍｍ×Ｗ：約１１０ｍｍ×Ｔ：約４００μｍ）。
【００３１】
例えば図１（ａ）に示すように、複数のセラミック基板１０’の少なくとも１つには、インナービア１８および／または配線層１９などが設けられている。特にセラミック多層基板形態では各層の配線層１９がインナービア１８によって電気的に相互接続されている。
【００３２】
複数のセラミック基板１０’の枚数は、所望サイズのハイブリッド基板が得られるのであれば特に制限はない。例えば、１つのハイブリッド基板におけるセラミック基板の枚数は２枚〜４０枚程度、好ましくは４枚〜２０枚程度（１つ例示すれば６枚）であってよい。特段の事情がなければ、個々の基板１０’の全体サイズ・全体形状は相互に同じであることが好ましい。例えば６枚のセラミック基板１０’を用いる場合では、図１（ｂ）に示すように、同じ形状・同じサイズのセラミック基板１０’が縦方向に２枚、横方向に３枚配置され、全体として矩形状を成すセラミック基板集合体１０が構築されることが好ましい。セラミック基板１０’の枚数はハイブリッド基板サイズに直接関係し得るものであり、例えばセラミック基板１０’が６枚使用されていると、ハイブリッド基板１００はセラミック基板１０’の少なくとも６倍のサイズ（主面サイズ）を有することになる。つまり、本発明のハイブリッド基板の主面サイズは、セラミック基板１０’の主面サイズにその使用枚数を乗じた主面サイズを少なくとも有し得る。
【００３３】
複数のセラミック基板１０’のタイリングは、図３（ａ）に示すように相互に密接して配置された形態であってよいし、あるいは、図３（ｂ）に示すように相互に離隔した形態であってもよい。更には、図３（ｃ）および図３（ｄ）に示すように、複数のセラミック基板１０’が列単位で相互にずれることにより構成された“千鳥配置”の形態であってもよい。
【００３４】
ハイブリッド基板に用いられる絶縁樹脂層２０は、補強材と樹脂とから少なくとも構成されており、好ましくは絶縁接着層となっている（熱伝導、弾性率、熱膨脹などを調整する“フィラー材”が付加的に絶縁樹脂層に含まれていてもよい）。本発明のハイブリッド基板では、絶縁接着層２０によってセラミック基板集合体１０と金属層３０とが相互に好適に接合されていると捉えることもできる。絶縁接着層は例えばプリプレグから形成されたものであってよい。
【００３５】
絶縁樹脂層２０の補強材としては、無機系もしくは有機系の織布（織物）または不織布（ペーパー）であってよい。あくまでも一例であるが、「無機系織布」としてガラスクロス（ガラス繊維を編み込んだ布）、「有機系織布」としてアラミド織布、「無機系不織布」としてガラス不織布、「有機系不織布」としてアラミド不織布が用いられる。一方、絶縁樹脂層２０の樹脂は、熱硬化樹脂であることが好ましく、例えばエポキシ樹脂、フェノール樹脂などであってよい。
【００３６】
プリプレグから得られる場合を例にとると、「ガラス繊維を網状に編み込んだガラスクロスに熱硬化樹脂液を含浸させることにより得られる前駆体」から絶縁樹脂層２０が形成されていてよい（前駆体としてのプリプレグが熱処理に付されると絶縁樹脂層２０が形成される）。かかる場合、ガラスクロスの主面（表裏面）近傍には熱硬化樹脂成分が存在し得る。
【００３７】
尚、絶縁樹脂層２０においても、ビアなどの導電部が設けられていることが好ましく、かかる絶縁樹脂層の導電部がセラミック基板集合体１０および／または金属層３０の導電部と電気的に相互接続され得る。
【００３８】
本発明のハイブリッド基板においては、絶縁樹脂層２０によってセラミック基板集合体１０が挟み込まれた形態となっている。従って、絶縁樹脂層２０のサイズについていえば、比較的“大サイズ”となっている。つまり、絶縁樹脂層２０は、複数のセラミック基板１０’を包含できるような大きい主面サイズを有し得る。例えば、絶縁樹脂層２０の横幅Ｌ×縦幅Ｗ×厚みＴが、Ｌ：２５５〜６００ｍｍ×Ｗ：２５５〜６００ｍｍ×Ｔ：３０〜１２０μｍ程度の比較的大きい寸法であってよい（１つ例示すると、Ｌ：約５１０ｍｍ×Ｗ：約５１０ｍｍ×Ｔ：約５０μｍ）。
【００３９】
ハイブリッド基板に用いられる金属層３０は、例えば、銅またはアルミなどの金属成分から成るものであってよい。好ましくは、銅箔またはアルミ箔などの金属箔から金属層３０が構成される。金属層３０の厚さは、２〜５００μｍ程度であり、好ましくは１２〜１２５μｍである（例えば約３５μｍ）。
【００４０】
金属層３０もまた、絶縁樹脂層２０と同様、比較的“大サイズ”となっている。つまり、金属層３０は、複数のセラミック基板１０’を包含できるような大きい主面サイズを有し得る。例えば、金属層３０の主面サイズについていえば、横幅Ｌ×縦幅ＷがＬ：３００〜７００ｍｍ×Ｗ：３００〜７００ｍｍ程度の比較的大きい寸法であってよい（１つ例示すると、Ｌ：約５３０ｍｍ×Ｗ：約５３０ｍｍ）。
【００４１】
以下では、本発明の特徴的部分となる“タイリング”につき詳述する。本発明においては、上述で触れたように、絶縁樹脂層に挟まれた状態で複数のセラミック基板（好ましくは同一サイズおよび同一形状の複数のセラミック基板）が同一平面上にタイル貼りされるように配置されている。ある好適な態様では、複数のセラミック基板の上側主面および／または下側主面が全て同一平面に位置している。このようなタイリングは、図１および図２に示す“密接態様”に限らず、図４および図５に示す“離隔態様”であってもよい。つまり、複数のセラミック基板１０’は、絶縁樹脂層間の同一平面上において、相互に接触した状態で設けられていることに限らず（図１および図２）、相互に間隔を空けた状態で設けられていてもよい（図４および図５）。
【００４２】
図４および図５に示すような“離隔態様”の場合、相互の基板間隔は、好ましくは０．５〜１０．０ｍｍ程度であり、より好ましくは２．０〜５．０ｍｍ程度である。このように基板間隔が設けられていると、ハイブリッド基板又はそれを用いたビルドアップ基板を切断して所望サイズを得る際、基板間部分に沿って容易に切断処理を施すことができる。これは、ハイブリッド基板またはビルドアップ基板のサイズ調整がセミラック基板単位で容易に行うことができることも意味している。
【００４３】
離隔した状態の複数のセラミック基板を含んでいたとしても、本発明のハイブリッド基板は“一体化した大型基板”として扱うことができる。これは、「織布または不織布などの補強材と樹脂とから構成された絶縁樹脂層２０」によって両側から挟み込むように複数のセラミック基板を好適に保持しているからである。
【００４４】
“離隔態様”では、図６に示すような枠部材５０を用いてよい。つまり、ボディ部に中空部５０’を複数備えた枠部材５０を用いてよい。かかる場合、図７（ａ）および（ｂ）に示すように、セラミック基板１０’の各々がそれぞれ別個の中空部５０’に填り込むようにタイリングされる。かかる態様では、複数のセラミック基板１０’と枠部材５０とが一体化しており、対向配置された２つの絶縁樹脂層の間に複数のセラミック基板がより正確に離隔して位置付けられる。セラミック基板１０’が中空部５０’に填り込んで枠部材５０とセラミック基板１０’とが好適に一体化するためには、セラミック基板１０’と中空部５０’とがサイズおよび形状の点で実質同一であることが好ましい。枠部材の材質については、特に制限はなく、例えば枠部材が樹脂成分から成るものであってよい（一例を挙げると、枠部材の材質は絶縁樹脂層２０と同様の材質であってよい）。
【００４５】
枠部材５０が用いられると、複数のセラミック基板１０’の相互の位置精度が向上し得る。また、枠部材５０が用いられると、その枠部分を“認識マーク”に用いることができる。この点、例えば枠部材５０の中空部分を形造っている枠部分に対して穴を形成し、その穴を基準にして金属層３０の加工（例えばエッチング）を行うと、かかる金属層加工を所望箇所に位置ずれなく施すことができる。更には、ハイブリッド基板又はそれを用いたビルドアップ基板を切断して所望サイズを得る際には、枠部分に沿って容易に切断処理することもできる。
【００４６】
図８〜図１０に示されるように、本発明のハイブリッド基板では、複数のセラミック基板の少なくとも１つがインナービアを有して成るものであってよい。これにより、多層構造を好適に構築できるところ、最終的に所望の多層構造のビルドアップ基板や電子回路を得ることができ、高密度化されたビルドアップ基板や電子回路モジュールが実現される。また、図示するように、本発明のハイブリッド基板では、複数のセラミック基板（特に少なくとも２つのセラミック基板）のインナービア１８の配置構造が互いに異なっていてもよい。例えば図８（ｂ）には、セラミック基板１０'Ａとセラミック基板１０'Ｂにおいて、インナービア１８の配置構造が相互に異なる態様が示されている。同様にして、図９においても、セラミック基板１０'Ａ〜１０'Ｄの間で相互に異なるインナービア配置構造１８が示されている。このようにインナービアの配置構造が相互に異なると、基板全体として「ビア、配線層、回路、電極および端子などを含んだ各種パターン」の設計自由度が増すことになる（例えば局所的に高価な部位を有する基板を得ることもできる）。また、インナービアの配置構造が相互に異なることは、多様な基板を生産性良く得ることができることを意味している。例えば、セラミック基板を用いたビルドアップ基板が個片化される場合、種々に異なる構造の個片化基板を同時かつ簡易に得ることができる。
【００４７】
同じく図８〜図１０に示されるように、本発明のハイブリッド基板では、複数のセラミック基板の少なくとも１つが、その表面または内部に少なくとも１層の配線層を有するものであってよい。これにより、多層構造を好適に構築できるところ、最終的に所望の多層構造のビルドアップ基板や電子回路を得ることができ、高密度化されたビルドアップ基板や電子回路モジュールが実現される。また、図示するように、複数のセラミック基板（特に少なくとも２つのセラミック基板）の配線層１９の層数または配線形状が互いに異なっていてもよい。例えば図８（ｂ）には、セラミック基板１０'Ａとセラミック基板１０'Ｂとにおいて、配線層１９の層数および配線形状が相互に異なる態様が示されている。同様にして、図９においても、セラミック基板１０'Ａ〜１０'Ｄの間で相互に異なる配線層数および配線層形状が示されている（参照番号“１９”）。このように配線層の層数および／または配線形状が相互に異なると、基板全体として「ビア、配線層、回路、電極および端子などを含んだ各種パターン」の設計自由度が増すことになる（例えば局所的に高価な部位を有する基板を得ることもできる）。また、配線層の層数および／または配線形状が相互に異なることは、多様な基板を生産性良く得ることができることを意味している。例えば、セラミック基板を用いたビルドアップ基板が個片化される場合、種々に異なる構造の個片化基板を同時かつ簡易に得ることができる。尚、複数のセラミック基板の配線層１９の層数が互いに異なっていても、焼成前のグリーンシート厚みを調整し、焼成後の複数のセラミック基板の厚みが略一致するようにすると、タイリング後の熱プレス時に均一な圧力を掛けることができるので、安定な生産性が得られる。
【００４８】
（本発明のハイブリッド基板の製造方法）
次に、図１１〜図１５を参照して本発明のハイブリッド基板の製造方法について説明する。本発明のハイブリッド基板の製造方法は、図１１のプロセス・フローに示されるように「積層配置ステップ」と「熱プレス・ステップ」とに大きく分けられる。
【００４９】
まず、本発明の製造方法の実施に際しては、積層配置ステップの工程（ｉ）を実施する。つまり、図１２（ａ）に示すように、第１金属箔３０Ａ上に第１絶縁樹脂層前駆体２０Ａを配置する。第１金属箔３０Ａとしては例えば銅箔を用いることができる。第１金属箔は、後刻実施する“セラミック基板集合体のタイリング配置”に適した大サイズを有していることが好ましい。例示すると、第１金属箔２０の横幅Ｌ×縦幅Ｗ×厚みＴが、Ｌ：３７０〜６３０ｍｍ×Ｗ：３７０〜６３０ｍｍ×Ｔ：１２〜１５０μｍ程度の比較的大きい寸法であってよい（１つ例示すると、Ｌ：約３７０ｍｍ×Ｗ：約５３０ｍｍ×Ｔ：約３５μｍ）。
【００５０】
第１絶縁樹脂層前駆体２０Ａは、絶縁性粘着層であってよく、補強材と樹脂前駆体とから少なくとも構成されたプリプレグであってよい。例えば、直径６μｍ〜９μｍ程度のガラス繊維を網状に編み込んだガラスクロス２２に熱硬化樹脂液２４（例えば樹脂成分および有機溶剤成分を含んで成る樹脂液）を含浸させて得られるプリプレグを用いてよい（図１５参照）。
【００５１】
かかるプリプレグも、第１金属箔３０Ａと同様、“セラミック基板集合体のタイリング配置”に適した大サイズを有していることが好ましい。例示すると、プリプレグの横幅Ｌ×縦幅Ｗ×厚みＴが、Ｌ：２５５〜６００ｍｍ×Ｗ：２５５〜６００ｍｍ×Ｔ：３０〜１２０μｍ程度の比較的大きい寸法であってよい（１つ例示すると、Ｌ：約３４０ｍｍ×Ｗ：約５１０ｍｍ×Ｔ：約４０μｍ）。尚、プリプレグは、補強材に熱硬化樹脂液を含浸させて得ることができるので、ドクターブレード法と比べて生産性が非常に高く、それゆえ、“大サイズ”の製造に特に適している（これは、ハイブリッド基板の低コスト製造につながる）。
【００５２】
尚、プリプレグ（即ち、最終的には絶縁樹脂層）によって、セラミックコア基板と金属層間のビア接続を行う場合を想定すると、プリプレグに孔を形成して導電性ペーストを充填しておく。具体的に説明すると、プリプレグに炭酸ガスレーザによるパルスレーザでもって、７０〜１３０μｍ程度の貫通穴加工を行う。パルスレーザは、ガルバノミラーとｆθレンズでスキャンされ得るので、任意の場所に高速（例えば１００穴／秒）で孔形成できる。このようにして形成された貫通孔に対して導電性ペーストを充填する。導電性ペーストとしては、樹脂系の導電性ペーストが好ましい。かかる樹脂系の導電性ペーストは、平均粒子径２〜６μｍの銅粉に銀を１〜４％程度コーティングした複合粉を使用することができる。これら複合粉８０〜９５重量％に液状エポキシ樹脂（ビスフェノールＦ型エポキシ）を４〜１９重量％、さらに潜在性硬化剤粉末を前記液状エポキシ樹脂の１０重量％程度、例えば約０．５〜２．０重量％程度添加したものを、プラネタリーミキサーで混練し、さらに３本ロールで混練することによって、所望の樹脂系導電性ペーストを得ることができる。
【００５３】
工程（ｉ）に引き続いて、積層配置ステップの工程（ｉｉ）を実施する。つまり、複数のセラミック基板１０’から成るセラミック基板集合体１０を第１絶縁樹脂層前駆体２０Ａ上に配置する（図１２（ｂ）参照）。
【００５４】
工程（ｉｉ）で用いるセラミック基板１０’の各々は、セラミック多層基板であってよい。このようなセラミック多層基板は、複数枚から成るグリーンシート積層体を焼成することによって得ることができる。より具体的に説明すると、まず、ＮＣパンチプレス（Numerical Control パンチプレス）または炭酸ガスレーザなどによってグリーンシートに孔（径サイズ：約５０μｍ〜約２００μｍ）を形成して、その孔にインナービアの原料となる導電性ペースト材料を充填する。また、配線層などを含んだ焼成型の回路パターンをグリーンシート上に形成する。次いで、そのようなグリーンシートを所定の枚数重ねて熱圧着することによってグリーンシート積層体を形成し、そして、かかるグリーンシート積層体を焼成に付すことによって、セラミック多層基板が得られることになる。
【００５５】
グリーンシート自体は、セラミック成分、ガラス成分および有機バインダ成分を含んで成るシート状部材であってよい。例えば、セラミック成分としては、アルミナ粉末（平均粒径：０．５〜１０μｍ程度）であってよく、ガラス成分としては、ホウケイ酸塩ガラス粉末（平均粒径：１〜２０μｍ程度）であってよい。そして、有機バインダ成分としては、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、アクリル樹脂、酢酸ビニル共重合体、ポリビニルアルコールおよび塩化ビニル樹脂から成る群から選択される少なくとも１種以上の成分であってよい。あくまでも例示にすぎないが、グリーンシートは、アルミナ粉末４０〜５０ｗｔ％、ガラス粉末を３０〜４０ｗｔ％、および、有機バインダ成分１０〜３０ｗｔ％であってよい（グリーンシートの全重量基準）。また、別の観点で捉えるとすると、グリーンシートは、固体成分（アルミナ粉末５０〜６０ｗｔ％およびガラス粉末を４０〜５０ｗｔ％：固体成分の重量基準）と有機バインダ成分との重量比、即ち、固体成分重量：有機バインダ成分重量が８０〜９０：１０〜２０程度となっているものであってもよい。グリーンシート成分としては、必要に応じてその他の成分が含まれていてよく、例えば、フタル酸エステル、フタル酸ジブチルなどのグリーンシートに柔軟性を付与する可塑剤、グリコールなどのケトン類の分散剤や有機溶剤などが含まれていてよい。各グリーンシートの厚さ自体は３０μｍ〜５００μｍ程度、例えば６０〜３５０μｍ程度であってよい。
【００５６】
特に本発明においては、グリーンシートの主面が特に大サイズである必要がなく、小サイズであってよい。例えば、グリーンシートの主面サイズにつき、横幅Ｌ×縦幅ＷがＬ：７５〜１７５ｍｍ×Ｗ：７５〜１７５ｍｍ程度の比較的小さい寸法であってよい（１つ例示すると、Ｌ：約１１０ｍｍ×Ｗ：約１１０ｍｍ）。
【００５７】
インナービアの原料となる導電性ペースト材料は、グリーンシートに形成された孔に対して各種印刷法などによって充填することができる。また、配線層の原料となる導電性ペースト材料も、各種印刷法によってグリーンシートの表面に供することができる。インナービアや配線層の原料となる導電性ペーストとしては、例えば、Ａｇ粉末と、接着強度を得るためのガラスフリットと、有機ビヒクル（例えばエチルセルロースとターピネオールとの有機混合物）とを含んで成るものであってよい。このような導電性ペースト材料が熱処理に付されることによって当該導電性ペースト材料からインナービアや配線層が形成される。導電性ペースト材料の熱処理自体は、グリーンシート積層体の焼成に際して実施される。尚、グリーンシート積層体の焼成に先立って、導電性ペーストを乾燥処理に付してよい。
【００５８】
グリーンシート積層体におけるグリーンシート枚数は特に制限はなく、例えば総計で３〜５０枚程度であってよく、好ましくは３〜１５枚程度である。
【００５９】
グリーンシート積層体は、焼成に先立って、脱バインダ工程などの有機物の分解脱離処理（バインダのバーンアウト処理）に付すことが好ましい。例えば、脱バインダ工程として、５００℃〜７００℃の温度条件で２０〜５０時間の加熱処理に付してよい。そして、焼成に際しては、例えば８００℃〜１０００℃（好ましくは８５０℃〜９５０℃）の温度条件で０．１時間〜３時間ほどグリーンシート積層体を加熱処理することが好ましい。このような加熱処理は、グリーンシート積層体をメッシュベルト炉などの焼成炉に供することによって行ってよい。以上のような焼成法は、特開平５−１０２６６６号公報に開示されているので必要に応じて参考にされたい。
【００６０】
本発明の工程（ｉｉ）では、図１２（ｂ）に示すように、複数のセラミック基板１０’を同一平面上に敷き詰めるようにタイリング配置する。つまり、第１絶縁樹脂層前駆体２０Ａの主面と略平行となるように同一平面に沿って相互に重ならないように複数のセラミック基板１０’を配置する。タイリング配置に際しては、図３（ａ）に示すように複数のセラミック基板１０’を相互に密接させてもよいし、あるいは、図３（ｂ）に示すように複数のセラミック基板１０’を相互に離隔させてもよい。更には、図３（ｃ）および図３（ｄ）に示すように、複数のセラミック基板１０’を列単位または行単位で相互にずらしてもよい。
【００６１】
個々のセラミック基板の配置手段は、各種の機械的な手段を用いてよい。例えば吸引・吸着機構を備えたハンドリング手段を用いて複数のセラミック基板１０’を第１絶縁樹脂層前駆体２０Ａ上に設けることができる。
【００６２】
工程（ｉｉ）に引き続いて、積層配置ステップの工程（ｉｉｉ）を実施する。具体的には、図１２（ｃ）〜（ｅ）に示すように、セラミック基板集合体１０上に第２絶縁樹脂層前駆体２０Ｂを配置した後、その第２絶縁樹脂層前駆体２０Ｂ上に第２金属箔３０Ｂを配置し、それによって、ハイブリッド基板前駆体１００’を形成する。
【００６３】
換言すれば、積層配置ステップの工程（ｉ）〜（ｉｉｉ）を通じて、タイリング配置される複数のセラミック基板１０’を、第１絶縁樹脂層前駆体２０Ａ（および第１金属層３０Ａ）と第２絶縁樹脂層前駆体２０Ｂ（および第２金属層３０Ｂ）とで両側から挟み込む処理を行う。
【００６４】
工程（ｉｉｉ）で用いられる第２絶縁樹脂層前駆体２０Ｂは、工程（ｉ）の第１絶縁樹脂層前駆体２０Ａと同じものであってよい。つまり、第２絶縁樹脂層前駆体２０Ｂは補強材と樹脂前駆体とから少なくとも構成されたプリプレグであってよい。例えば直径６μｍ〜９μｍ程度のガラス繊維を網状に編み込んだガラスクロス２２に熱硬化樹脂液２４を含浸させて得られるプリプレグを第２絶縁樹脂層前駆体２０Ｂとして用いてよい（図１５参照）。
【００６５】
同様にして、工程（ｉｉｉ）で用いられる第２金属箔３０Ｂは、工程（ｉ）の第１金属箔３０Ａと同じものであってよい。つまり、第２金属箔３０Ｂが銅箔であってよい。
【００６６】
絶縁樹脂層および金属層によって、複数のセラミック基板が好適に挟み込まれるように、第２絶縁樹脂層前駆体２０Ｂおよび第２金属箔３０Ｂの主面サイズは、それぞれ第１絶縁樹脂層前駆体２０Ａおよび第１金属箔３０Ａと実質同一サイズであることが好ましい。
【００６７】
積層配置工程の工程（ｉｉｉ）に引き続いて、熱プレスの工程（ｉｖ）を実施する。具体的には、図１３（ａ）および（ｂ）に示すように、加熱条件下にてハイブリッド基板前駆体１００’をプレス処理してハイブリッド基板１００を得る。
【００６８】
あくまでも例示にすぎないが、工程（ｉｖ）としては、０．２〜４．５ＭＰａ程度の圧力条件および１７０℃〜２３０℃程度の温度条件でもって熱プレス（プレス時間：約０．５〜２時間程度）を実施することが好ましい。尚、かかる熱プレスに先立って積層間の仮接着を実施してよく、例えば真空ラミネータを用いて仮接着を行ってよい。１つ例示すると、真空ラミネータによって、８０〜１２０ｔｏｒｒ程度の真空度にて８０〜１２０℃の温度、０．２〜０．８Ｐａ程度の圧力で仮接着を実施してもよい。
【００６９】
工程（ｉｖ）では、図１３（ａ）に示されるように、加熱されたプレス部材６０を用いてハイブリッド基板前駆体１００’を外側から内側へと押圧してよいものの、図１４に示すように、加熱されたチャンバー７０内にハイブリッド基板前駆体１００’を仕込んだ状態でプレス操作を実施してもよい。
【００７０】
尚、図８（ｂ）に示すように、隣接するセラミック基板間で厚さ寸法が異なって板厚の差が生じていたとしても（厚さ寸法の相違自体はセラミック多層基板の積層数の相違に起因し得る）、本発明においては、工程（ｉｖ）の熱プレスに際して絶縁樹脂層前駆体の樹脂成分が基板内部を隙間なく埋めることになる。
【００７１】
以上のようなプロセスを経ることによって、図１３（ｂ）ないしは図２に示されるようなハイブリッド基板１００を得ることができる。
【００７２】
（離隔形態のタイリング配置）
離隔形態のタイリング配置について、そのプロセス態様を図１６および図１７に示しておく。図１６および図１７には、工程（ｉｉ）において複数のセラミック基板が相互に離隔するようにタイリング配置する製造プロセスが示されている。特に図１６（ｂ）に示す態様から分かるように、第１絶縁樹脂層前駆体２０Ａの主面と略平行となるように同一平面上にて相互に間隔を空けて複数のセラミック基板１０’を配置すること以外は、上記態様（図１２〜１５の態様）と同様であり、前後のプロセスは上記態様（図１２〜１５の態様）と同様に実施される。
【００７３】
尚、タイリングに際しては隣接するセラミック基板間において隙間が生じるが、本発明においては「補強材と樹脂前駆体とから構成されたプリプレグ」が用いられていることに起因して、工程（ｉｖ）の熱プレスに際して樹脂前駆体が基板間の隙間領域を好適に埋めることになり、最終的には空隙の無いハイブリッド基板を得ることができる。尚、基板間の隙間領域を埋めるのは、前駆体中の樹脂成分であり、前駆体中の補強材は流動せず、タイリングしたセラミック基板表面に存在する。これによりセラミック基板間には接着に寄与する樹脂が存在し、セラミック基板表面には補強材が存在するため、セラミック基板間の強固な接着効果と、タイリングの補強効果とが同時に得られるといった格別な効果が奏される。
【００７４】
（枠部材を用いたタイリング配置態様）
「枠部材を用いたタイリング配置態様」を図１８および図１９を参照して説明する。
【００７５】
枠部材を用いたタイリング配置態様では、図１８に示す態様から分かるように、枠部材５０の中空部５０’に対して複数のセラミック基板１０’を填め込むことによって、それらを相互に離隔してタイリング配置する。より具体的には、図１８（ｂ）に示すように第１絶縁樹脂層前駆体２０Ａ上に枠部材５０を設け、次いで、図１８（ｃ）に示すように枠部材の中空部５０’の各々にセラミック基板１０’をそれぞれ填め込む。これにより、間隔を空けて複数のセラミック基板をタイリング配置することができる。かかる特徴的な態様以外は、上記態様（図１２〜１５の態様）と同様であり、前後のプロセスは上記態様（図１２〜１５の態様）と同様に実施される。
【００７６】
枠部材５０を用いると、複数のセラミック基板を精度良く位置付けることが可能となる。ちなみに、枠部材５０とセラミック基板１０’との設置順序を逆にしてもよい。即ち、第１絶縁樹脂層前駆体２０Ａ上に複数のセラミック基板１０’を配置した後に、枠部材５０を絶縁樹脂層前駆体２０Ａ上に設けてもよい。かかる場合、第１絶縁樹脂層前駆体上にて複数のセラミック基板が枠部材の中空部に填まり込むことになるように、セラミック基板と枠部材との相互の位置合わせを行う。更にいえば、複数のセラミック基板１０’と枠部材５０とを一体化させた状態で用いてもよい。つまり、枠部材５０の中空部５０’に複数のセラミック基板１０’を予め填め込んだ状態としておき、その後、枠部材５０とセラミック基板１０’とを一体的に絶縁樹脂層前駆体２０Ａ上に設けてもよい。
【００７７】
枠部材を用いる場合、図２０に示すようにハイブリッド基板１００またはそれを用いたビルドアップ基板２００を切断する工程を付加的に実施してもよい。つまり、得られた基板を切断して個片化基板３００を得る場合にあっては、枠部材の枠部分（中実部分）に沿って切断を施してよい。
【００７８】
以上、本発明について説明してきたが、本発明の適用範囲のうちの典型的態様を例示したにすぎず、特に“タイリング”の例示態様を中心に説明したにすぎない。従って、本発明ではこれに限定されず、種々の態様が付加的または代替的に考えられることを当業者は容易に理解されよう。
【００７９】
例えば、ハイブリッド基板の片面もしくは両表面に更にビルドアップ樹脂層と、銅よりなる配線層を交互にビルドアップすると、より高密度なビルドアップ基板を得ることができる。この点、特に本発明のハイブリッド基板からは高密度な半導体集積回路パッケージ用ビルドアップ基板を得ることができ、ひいては、半導体集積回路パッケージを得ることができる。これについて詳述すると次のようになる。
ハイブリッド基板の両表面に、ビルドアップ樹脂層および配線層となる銅箔をラミネートし加熱硬化させる。ビルドアップ樹脂層としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂などの熱硬化樹脂を利用できる。銅箔は２μｍ〜１２μｍ程度の厚みの電解銅箔が利用される。次いで、銅箔を介してビルドアップ樹脂層の所望の位置に炭酸ガスレーザを用いて約７０〜１５０μｍ程度の直径の加工穴を形成する。その後、デスミア処理、触媒付与、無電解銅めっき、電解銅めっき処理を行いバイアホール接続を完成する。最後に、銅めっき層をフォトリソ法によりエッチングしてビルドアップ配線層を形成する。そして、ビルドアップ層が形成されたハイブリッド基板を枠部材の部分で個片に切断すると、図２１（ａ）に示したように、個片化されたハイブリッド基板２００を得ることができる。最終的には、個片化されたハイブリッド基板を更に半導体集積回路パッケージサイズに個片化することで、半導体集積回路パッケージ用ビルドアップ基板が完成する。このように作製された半導体集積回路パッケージ用ビルドアップ基板に半導体ベアチップをはんだ接続実装法で搭載すると、図２１（ｂ）に示すような半導体集積回路パッケージ３００を得ることができる。
得られる半導体集積回路パッケージ３００は、各種の熱履歴や信頼性試験に対し、極めて安定な接続信頼性を呈する。特にガラス−セラミック焼結体とビルドアップ層間に補強材および熱硬化樹脂層を備えたハイブリッド基板構成となっているので、応力緩和が好適に図られ、剥離などが防止される。そして、セラミック基板と補強材とを有するハイブリッド基板からなるビルドアップ基板は、基板そりが小さく、また、熱履歴による基板そりの変化も抑えられるので、半導体集積回路とはんだバンプ接続実装の接続信頼性が極めて安定する。更にいえば、このようなビルドアップ基板やパッケージは、生産性の点でも好ましい。これは、本発明のハイブリッド基板が複数のセラミックから構成されていることに起因する。つまり、各セラミック基板毎に“ビルドアップ樹脂層および配線層によるビルドアップ”や“半導体ベアチップの搭載”を施す場合と比較すると、本発明ではそれらを一括して行うことができるので、その点で生産性向上を好適に図ることができる。
【実施例】
【００８０】
（ハイブリッド基板の作製試験）
本発明に従ってハイブリッド基板を作製した。具体的には、図１８〜１９に示されるプロセス態様に従って６枚のセラミック基板をタイリング配置し、ハイブリッド基板を得た。
【００８１】
作製条件を以下に示す。
セラミック基板
・ボディ：ＬＴＣＣ
・主面サイズ：１５５ｍｍ×１５６．５ｍｍ
・タイル個数：６個
絶縁樹脂層
・ボディ：ガラス繊維およびエポキシ樹脂のプリプレグから形成
・主面サイズ：３４０ｍｍ×５１０ｍｍ
金属層
・ボディ：銅箔
・主面サイズ：３７０ｍｍ×５４０ｍｍ 
枠部材
・ボディ（枠部分）：ガラスエポキシ材
・中空部サイズ：１５５ｍｍ×１５６．５ｍｍ
・中空部個数：６個
・内部の枠幅：１０ｍｍ
・外周縁部の枠幅：１０ｍｍ
【００８２】
得られたハイブリッド基板は以下のサイズを有しており、本発明によって基板の“大判化”を図ることができることを確認できた。
ハイブリッド基板
全体厚み：５３５μｍ
主面サイズ：３７０ｍｍ×５４０ｍｍ
【００８３】
（ビルドアップ基板への適用試験）
作製されたハイブリッド基板の両表面に、ビルドアップ樹脂層および配線層となる銅箔をラミネートし加熱硬化に付した。ビルドアップ樹脂層としては、エポキシ樹脂をシート状に加工した５０μｍ厚みのプリプレグを用いた。銅箔は約１２μｍ厚さの電解銅箔を用いた。次いで、銅箔を介してビルドアップ樹脂層の所望の位置に炭酸ガスレーザを用いて約１００μｍの直径の加工穴を形成した。その後、デスミア処理、触媒付与、無電解銅めっき、電解銅めっき処理を行ってバイアホール接続部を形成した。そして、フォトリソ法により銅めっき層をエッチングしてビルドアップ配線層を形成した。このようにしてビルドアップ層を設けたハイブリッド基板を枠部材の枠部分を境界にして個片に切断し、個片化したハイブリッド基板２００を得た（図２１（ａ）参照）。そして、個片化されたハイブリッド基板を更に半導体集積回路パッケージサイズに個片化して、半導体集積回路パッケージ用ビルドアップ基板を得た。最終的には、得られた半導体集積回路パッケージ用ビルドアップ基板に半導体ベアチップをはんだ接続実装法で搭載して、半導体集積回路パッケージ３００を得た（図２１（ｂ）参照）。
【００８４】
得られた半導体集積回路パッケージ３００は、各種の熱履歴や信頼性試験に対し、極めて安定な接続信頼性を有していた。特にガラス−セラミック焼結体とビルドアップ層間に補強材および熱硬化樹脂層を備えたハイブリッド基板構成となっていることに起因して、応力緩和が好適に図られ、その結果、剥離などの問題は生じなかった。また、ビルドアップ基板の反りが小さく、また、熱履歴による基板そりの変化も抑えられたので、半導体集積回路とはんだバンプ接続実装の接続信頼性は極めて安定したものとなった。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
本発明に係るハイブリッド基板は、モバイル機器のＲＦモジュールや放熱性を利用したパワーＬＥＤ用の基板や液晶のバックライト向けＬＥＤ用の基板として好適に用いられると共に、電子部品が高密度実装された電子機器の基板などとしても好適に用いられる。
【００８６】
特に本発明に係るハイブリッド基板は、“大判化”が図られているので、ビルドアップ基板の生産に好適に用いられ、それゆえ、コンピューターやサーバーなどのＣＰＵ半導体集積回路を実装する半導体パッケージ用基板として有用である。
【符号の説明】
【００８７】
１０  セラミック基板集合体
１０’  セラミック基板
１８  インナービア
１９  配線層
２０  絶縁樹脂層
２０Ａ  第１絶縁樹脂層前駆体
２０Ｂ  第１絶縁樹脂層前駆体
２２  ガラスクロス
２４  熱硬化樹脂液
３０  金属層
３０’  ビルドアップ配線層
３０Ａ  第１金属箔
３０Ｂ  第２金属箔
５０  枠部材
５０’  枠部材の中空部
６０  プレス部材
６１  金属板（例えばＳＵＳ材）
６２  弾性板（例えばゴム材）
７０  チャンバー
８０  ビルドアップ層
９０  半導体ベアチップ
１００’  ハイブリッド基板前駆体
１００  ハイブリッド基板
２００  個片化されたビルドアップ基板
３００  切断により個片化されたビルドアップ基板（半導体集積回路パッケージ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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