(57)【要約】【課題】十分に優れた信頼性を有するセラミック電子部品を提供すること。【解決手段】本発明は、内部電極９が埋設されたセラミック素体１と、内部電極９が露出するセラミック素体１の両端面１１をそれぞれ覆うように設けられる一対の端子電極３と、を備えるセラミック電子部品１００であって、端子電極３は、セラミック素体１側から第１の電極層と、第１の電極層よりもガラス成分の含有量が多い第２の電極層と、を有するセラミック電子部品１００を提供する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
内部電極が埋設されたセラミック素体と、前記内部電極が露出する前記セラミック素体の両端面をそれぞれ覆うように設けられる一対の端子電極と、を備えるセラミック電子部品であって、
前記端子電極は、前記セラミック素体側から第１の電極層と、前記第１の電極層よりもガラス成分の含有量が多い第２の電極層と、を有するセラミック電子部品。
【請求項２】
前記第２の電極層は、前記端面に直交する前記セラミック素体の側面に回りこむようにして前記側面の一部を覆っており、前記第２の電極層は前記側面に接している、請求項１に記載のセラミック電子部品。
【請求項３】
前記端子電極は、前記第２の電極層を覆うようにめっき層からなる第３の電極層を有する、請求項１又は２に記載のセラミック電子部品。
【請求項４】
前記第１の電極層の厚みは前記第２の電極層の厚みよりも薄い、請求項１〜３のいずれか一項に記載のセラミック電子部品。
【請求項５】
内部電極が埋設されたセラミック素体と、前記内部電極が露出する前記セラミック素体の両端面をそれぞれ覆うように設けられる一対の端子電極と、を備えるセラミック電子部品の製造方法であって、
有機バインダと金属成分とを含む導体グリーンシートを前記セラミック素体の端面を覆うように貼付する貼付工程と、
前記端面に貼付された前記導体グリーンシートを覆うように、ガラス成分と金属成分とを含む導体ペーストを付着させて、前記端面の上に前記導体グリーンシートと前記導体ペーストとを有する電極グリーン体を形成する付着工程と、
前記電極グリーン体を焼付けして、前記セラミック素体側から第１の電極層と前記第１の電極層よりもガラス成分の含有量が多い第２の電極層とを有する前記端子電極を形成する焼付け工程と、を有するセラミック電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記焼付け工程において、前記導体ペーストの前記ガラス成分の一部を前記導体グリーンシートに拡散させる、請求項５に記載のセラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミック電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
セラミック素体とその端面上に端子電極とを有する積層セラミックコンデンサ（ＭＬＣＣ）などのセラミック電子部品が、様々な電子機器等に用いられている。最近、電子機器の小型化、高性能化が進展しており、それに伴って、セラミック電子部品に対する小型化及び高容量化への要求が益々高まりつつある。
【０００３】
セラミック電子部品に設けられる端子電極は、通常、下地金属層と下地金属層の上に形成される上部電極層とから構成される。下地金属層は、一般的に、セラミック素体上に、銀及びパラジウムなどの貴金属粉末や銅及びニッケルなどの卑金属粉末と、ガラスフリットとを含む導体ペーストを塗布し、焼き付けることによって形成される。この下地電極層の上に、通常電気めっき処理を施し、上部電極層としてめっき層が設けられる。
【０００４】
このように上部電極層を形成する際にめっき処理を行うことから、下地電極層は、めっき層を容易に形成できるような特性を有することが求められる。例えば、特許文献１では、下地電極層である焼付電極層の表面に均一な金属めっき層を形成するために、金属成分とガラス成分とを含む導体ペーストを焼き付けて焼付電極層を形成し、当該焼付電極層を、ガラス成分を含まない材料を用いて形成されるコート層で被覆することが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２４３２４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述の特許文献１のように、セラミック素体の表面上に直接塗布して焼付けされる端子電極の焼付電極層は、通常、端子電極とセラミック素体との密着性を確保させるために、他の電極層（コート層）よりも、ガラス成分をより多く含有する導体ペーストを用いて形成される。しかしながら、ガラス成分を多く含有する導体ペーストを用いると、焼付電極層を十分に緻密にすることは困難である。このように、十分に緻密な組織となっていない焼付電極層にめっき処理を施すと、めっき液の成分やめっき時に発生する水素等の生成物がセラミック素体にまで浸透して、内部電極や誘電体層などのセラミック層が腐食してしまい、セラミック電子部品の絶縁抵抗が低下したり、内部電極の抵抗が上昇したりしてしまうことが懸念される。
【０００７】
端子電極における焼付電極層の緻密化を図る手法として、焼付電極層におけるガラス成分の含有量を低減することが考えられる。しかしながら、ガラス成分の含有量を低減して焼付電極層を緻密にすると、端子電極とセラミック素体との密着性が損なわれて、セラミック電子部品の信頼性が損なわれてしまうことが懸念される。
【０００８】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、十分に優れた信頼性を有するセラミック電子部品を提供することを目的とする。また、十分に優れた信頼性を有するセラミック電子部品を製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明では、内部電極が埋設されたセラミック素体と、内部電極が露出するセラミック素体の両端面をそれぞれ覆うように設けられる一対の端子電極と、を備えるセラミック電子部品であって、端子電極は、セラミック素体側から第１の電極層と、第１の電極層よりもガラス成分の含有量が多い第２の電極層と、を有するセラミック電子部品を提供する。
【００１０】
このようなセラミック電子部品は、第１の電極層におけるガラス成分の含有量が第２の電極層におけるガラス成分の含有量よりも少なくなっている。このため、第１の電極層における金属成分の比率を十分に高くすることができる。これによって、内部電極が露出するセラミック素体の両端面を、十分に緻密な第１の電極層で覆うことできる。その結果、めっき処理時におけるセラミック素体の腐食が抑制され、十分に優れた信頼性を有するセラミック電子部品とすることができる。
【００１１】
本発明のセラミック電子部品の第２の電極層は、端面に直交するセラミック素体の側面に回りこむようにして側面の一部を覆い、且つ側面に接していることが好ましい。これによって、第１の電極層よりもガラス成分の含有量が多い第２の電極層がセラミック素体と直接接することとなり、端子電極とセラミック素体との密着性を向上することができる。したがって、一層優れた信頼性を有するセラミック電子部品とすることができる。また、第２の電極層は、端面に直交するセラミック素体の側面に回りこむようにして側面の一部を覆っている。その結果、他の部品（例えば、回路基板や電子部品等）に対する実装性が確保される。
【００１２】
本発明のセラミック電子部品における端子電極は、第２の電極層を覆うようにめっき層からなる第３の電極層を有することが好ましい。これによって、回路に実装する際のハンダによる電極食われを十分に抑制することができる。
【００１３】
本発明のセラミック電子部品における端子電極の第１の電極層の厚みは、第２の電極層の厚みよりも薄いことが好ましい。このように、従来は厚みが最も厚かったセラミック素体側に設けられる第１の電極層の厚みを薄くしても、第１の電極層が緻密であることから、めっき液による腐食を十分に抑制することができる。これによって、端子電極の厚みが薄くなるとともに寸法精度が向上し、小型化しても十分に信頼性に優れたセラミック電子部品を提供することができる。また、セラミック電子部品のセラミック素体のサイズを相対的に大きくして高容量化を図ることもできる。
【００１４】
本発明ではまた、内部電極が埋設されたセラミック素体と、内部電極が露出するセラミック素体の両端面をそれぞれ覆うように設けられる一対の端子電極と、を備えるセラミック電子部品の製造方法を提供する。この製造方法は、以下の工程を有する。
（ｉ）有機バインダと金属成分とを含む導体グリーンシートをセラミック素体の端面を覆うように貼付する貼付工程
（ｉｉ）セラミック素体の端面に貼付された導体グリーンシートを覆うように、ガラス成分と金属成分とを含む導体ペーストを付着させて、端面の上に導体グリーンシートと導体ペーストとを有する電極グリーン体を形成する付着工程
（ｉｉｉ）電極グリーン体を焼付けして、セラミック素体側から第１の電極層と、第１の電極層よりもガラス成分の含有量が多い第２の電極層と、を有する焼付電極層を形成する焼付け工程
【００１５】
このようなセラミック電子部品の製造方法によれば、内部電極が露出するセラミック素体の端面を、第２の電極層よりもガラス成分の含有量が少ない緻密な第１の電極層で覆うことができる。これによって、めっき処理時のセラミック素体の腐食が抑制され、十分に優れた信頼性を有するセラミック電子部品を得ることができる。
【００１６】
また、第１の電極層を所望の厚みのシート状である導体グリーンシートを用いて形成していることから、端子電極の厚みを薄くして、セラミック電子部品の小型化を図ることができる。また、製造ロット毎の端子電極の厚みやサイズのばらつきを十分に小さくすることができる。
【００１７】
上述の焼付け工程において、導体ペーストのガラス成分の一部を導体グリーンシートに拡散させることが好ましい。これによって、導体グリーンシートから形成される第１の電極層の緻密さを損なうことなく、第１の電極層とセラミック素体との密着性を向上することができる。したがって、一層優れた信頼性を有するセラミック電子部品を得ることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、めっき処理等に伴うセラミック素体の腐食を抑制することによって、十分に優れた信頼性を有するセラミック電子部品を提供することができる。また、めっき処理等に伴うセラミック素体の腐食を抑制することによって、十分に優れた信頼性を有するセラミック電子部品を製造する方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明のセラミック電子部品の好適な一実施形態を示す斜視図である。
【図２】図１に示すセラミック電子部品のＩＩ−ＩＩ線の切断面を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明のセラミック電子部品の製造方法の好適な一実施形態における一工程を模式的に示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、場合により図面を参照して、本発明の好適な実施形態について説明する。なお、図面の説明において、同一又は同等の要素には同一符号を用い、重複する説明を省略する。
【００２１】
図１は、本発明のセラミック電子部品の好適な一実施形態を示す斜視図である。本実施形態のセラミック電子部品１００は、チップ状の積層型セラミックコンデンサである。このセラミック電子部品１００は、略直方体形状を有しており、例えば、長手方向（横）の長さが２．０ｍｍ程度、幅方向の長さ及び奥行き方向の長さが１．２ｍｍ程度である。
【００２２】
セラミック電子部品１００は、略直方体形状のセラミック素体（チップ素体）１と、セラミック素体１の両端部にそれぞれ形成された一対の端子電極３と、を備えている。セラミック素体１は、互いに対向する端面１１ａ及び端面１１ｂ（以下、纏めて「端面１１」という。）と、端面１１に直交し互いに対向する側面１３ａ及び１３ｂ（以下、纏めて「側面１３」という。）と、端面１１に直交し互いに対向する側面１５ａ及び側面１５ｂ（以下、纏めて「側面１５」という。）とを有する。側面１３と側面１５とは互いに直交する。
【００２３】
セラミック素体１は、端面１１と側面１３ａとの間の稜部Ｒ１３、端面１１と側面１３ｂとの間の稜部Ｒ１４、端面１１と側面１５ａとの間の稜部Ｒ１５、端面１１と側面１５ｂとの間の稜部Ｒ１６、側面１３ａと側面１５ａとの間の稜部Ｒ３３、側面１５ａと側面１３ｂとの間の稜部Ｒ３４、側面１３ｂと側面１１ｂとの間の稜部Ｒ３５、及び、側面１５ｂと側面１３ａとの間の稜部Ｒ３６を有している。
【００２４】
稜部Ｒ１３，Ｒ１４，Ｒ１５，Ｒ１６（以下、纏めて「Ｒ１３〜Ｒ１６」という。）、稜部Ｒ３３，Ｒ３４，Ｒ３５，Ｒ３６（以下、纏めて「Ｒ３３〜Ｒ３６」という。）は、セラミック素体１が研磨されてＲ形状をなしている部分である。このようなＲ形状を有することによって、セラミック素体１の稜部Ｒ１３〜Ｒ１６、Ｒ３３〜Ｒ３６における破損の発生を抑制することができる。セラミック素体１における稜部の曲率半径は、例えば、セラミック電子部品１００の幅方向の長さの３〜１５％とすることができる。
【００２５】
端子電極３は、セラミック素体１における端面１１、稜部Ｒ１３〜Ｒ１６を覆うとともに、側面１３，１５の端面１１側の一部を一体的に覆うように設けられている。したがって、端子電極３は、セラミック素体１の頂部２２を覆うように設けられている。
【００２６】
図２は、図１に示すセラミック電子部品のＩＩ−ＩＩ線の切断面を模式的に示す断面図である。すなわち、図２は、図１に示すセラミック電子部品１００を、側面１３に垂直で側面１５に平行な面で切断した場合の断面構造を示す図である。
【００２７】
セラミック素体１は、複数の誘電体層７とその間に内部電極９が埋設された積層構造を有している。端子電極３は、セラミック素体１の端面１１の上において、セラミック素体１側から順に第１の電極層４、第２の電極層５及び第３の電極層６がこの順で積層された積層構造を有する。第１の電極層４は、第２の電極層５よりもガラス成分の含有量が少なくなっている。
【００２８】
第１の電極層４は、例えば、Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｓｎ及びＮｉから選ばれる少なくとも一つの元素を含む金属又は合金（纏めて、「金属成分」という。）を主成分として含有する。このように、第１の電極層４は、例えば全体の６０〜９０質量％が金属成分であるため、十分に緻密な組織となっており、高いシールド性を有する。このため、めっき液の成分やめっき処理に伴って生成する水素などの生成物が、セラミック素体１の端面１１に浸透することを十分に抑制することができる。したがって、端面１１に露出する誘電体層７及び内部電極９の腐食が十分に抑制されて、十分に信頼性に優れたセラミック電子部品１００とすることができる。
【００２９】
第１の電極層４は、副成分として、ガラス成分を含有していてもよく、含有していなくてもよい。第１の電極層４は、ガラス成分を、好ましくは０〜２５質量％、より好ましくは１０〜２５質量％含有すれば、十分に緻密な組織を維持しつつ、端子電極３とセラミック素体１との密着性を十分に高くすることができる。このような第１の電極層４は、金属成分とそれ以外の成分（ガラス成分、有機バインダ、分散剤又は溶剤など）を含む導体グリーンシートを用いて形成することができる。
【００３０】
第１の電極層４は、セラミック素体１の端面１１に露出する全ての内部電極９を覆うように、端面１１上に固着している。すなわち、第１の電極層４は、セラミック素体１の最も外側に配置される内部電極９を覆うように設けられている。これによって、めっき液等の侵入による内部電極９の腐食を十分に抑制することができる。また、第１の電極層４は、稜部Ｒ１３〜Ｒ１６の一部を覆うように設けられている。これによって、めっき液等の侵入による内部電極９の腐食をより確実に抑制することができる。なお、セラミック素体１の側面１３及び側面１５上には、第１の電極層４は実質的に設けられていない。
【００３１】
第１の電極層４の厚みは好ましくは１〜１５μｍであり、より好ましくは３〜１０μｍである。第１の電極層４の厚みが薄くなり過ぎると、十分に高いシールド性が得難くなる傾向にある。一方、第１の電極層４の厚みが厚くなり過ぎると、端子電極３の厚みが厚くなって、セラミック電子部品１００を小型化することが困難になる傾向にある。
【００３２】
第２の電極層５は、例えば、Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｓｎ及びＮｉから選ばれる少なくとも一つの元素を含む金属又は合金（纏めて、「金属成分」という。）を含有する。第２の電極層５は、金属成分とガラス成分とバインダ、分散剤及び溶剤の少なくとも一つとを含む導体ペーストを用いて形成される。第２の電極層５は、第１の電極層４よりも、ガラス成分の含有量が多く且つ金属成分の含有量が少なくなっている。
【００３３】
第２の電極層５は、第１の電極層４の外側表面の全体を覆うとともに、その端部がセラミック素体１の側面１３及び側面１５の上に回りこむように設けられている。したがって、第２の電極層５は、セラミック素体１の稜部Ｒ１３〜Ｒ１６、並びに側面１３及び側面１５の一部を覆っている。このため、第２の電極層５は、稜部Ｒ１３〜Ｒ１６と、側面１３及び側面１５と、において、セラミック素体１に直接固着している。このように、第１の電極層４よりもガラス成分の含有量が多い第２の電極層５がセラミック素体１に直接固着していることから、端子電極３とセラミック素体１とは、強固に固着されることとなる。また、第２の電極層５は、端面１１に直交するセラミック素体１の側面１３，１５に回りこむようにして側面１３，１５の一部を覆っている。その結果、他の部品（例えば、回路基板や電子部品等）に対する実装性が確保される。
【００３４】
第２の電極層５の厚みは好ましくは５〜３０μｍであり、より好ましくは１０〜２０μｍである。第２の電極層５の厚みが薄くなり過ぎると、十分に高いシールド性が得難くなる傾向にある。一方、第２の電極層５の厚みが厚くなり過ぎると、端子電極３の厚みが厚くなって、セラミック電子部品１００を小型化することが困難になる傾向にある。
【００３５】
第３の電極層６は、例えば、Ｎｉ層（ニッケル層）及びＳｎ層（スズ層）が積層されためっき層であり、めっき液を用いて形成することができる。このめっき層は、例えば、Ｐｄ，Ａｕ，Ｎｉ及びＳｎから選ばれる少なくとも一つの元素を含む金属又は合金を含有する。第３の電極６は、第２の電極層５の外側表面の全体を覆うように設けられる。
【００３６】
第３の電極層６の厚みは好ましくは４〜１２μｍであり、より好ましくは６〜１０μｍである。第３の電極層６の厚みが薄くなり過ぎると、回路に実装する際に、ハンダによる電極食われが発生する傾向にある。一方、第３の電極層６の厚みが厚くなり過ぎると、端子電極３の厚みが厚くなって、セラミック電子部品１００を小型化することが困難になる傾向にある。
【００３７】
セラミック素体１は、複数の誘電体層７と複数の内部電極９とが交互に積層されて構成されている。この積層方向は、端子電極３が設けられている一対の端面１１の対向方向に垂直であり、一対の側面１３の対向方向に平行である。なお、説明の都合上、図２では、誘電体層７及び内部電極９の積層数を図面上で容易に視認できる程度の数としているが、所望の電気特性に応じて、誘電体層７及び内部電極９の積層数を適宜変更してもよい。積層数は、例えば、誘電体層７及び内部電極９を、それぞれ数十層としてもよく、１００〜５００層程度としてもよい。また、誘電体層７は、互いの間の境界が視認できない程度に一体化されていてもよい。
【００３８】
内部電極９ａは、一方の端面１１ａ側の端子電極３と電気的に接続されており、他方の端面１１ｂ側の端子電極３とは電気的に絶縁されている。また、内部電極９ｂは、他方の端面１１ｂ側の端子電極３と電気的に接続されており、一方の端面１１ａ側の端子電極３とは電気的に絶縁されている。内部電極９ａ及び内部電極９ｂは、誘電体層７を挟んで交互に積層されている。本実施形態のセラミック電子部品１００は、端面１１ａ側の端子電極３と内部電極９ｂとの絶縁信頼性、及び端面１１ｂ側の端子電極３と内部電極９ａとの絶縁信頼性に優れている。
【００３９】
端子電極３は、セラミック素体１の端面１１及び側面１３（側面１５）上において、それぞれ最大厚みＴ及びＨを有する。また、端子電極３は、最も外側に配置される内部電極９ｂの端面１１ａに向かう延長線上において、厚みＦを有する。優れた絶縁信頼性や接続信頼性を確保する観点からは、セラミック素体１の頂部２２付近における端子電極の厚み（図２中の厚みＦ）を厚くすることが好ましい。しかしながら、従来のセラミック電子部品のように端子電極３の焼付電極層８を導体ペーストのみを用いて形成する場合では、厚みＦを厚くすると、結果的に端面及び側面の上における端子電極３の厚み（図２中の厚みＴと厚みＨ）が厚くなり、小型化を図ることが困難であった。
【００４０】
本実施形態のセラミック電子部品１００では、第１の電極層４がセラミック素体１の端面１１上に設けられており、側面１３，１５上には第１の電極層４が設けられていない。このため、端子電極３の厚みＨを薄くしつつ、厚みＦを十分厚くすることができる。したがって、十分な小型化を図りつつ優れた信頼性を有するセラミック電子部品１００とすることができる。
【００４１】
セラミック電子部品の小型化を図りつつ十分に高い信頼性を確保する観点から、セラミック電子部品１００における端子電極３の厚みＨは、好ましくは１０〜６０μｍであり、より好ましくは１０〜４０μｍである。同様の観点から、セラミック電子部品１００における端子電極３の厚みＦ及びＴは、好ましくは１０〜６０μｍであり、より好ましくは１０〜４０μｍである。また、同様の観点から、端子電極３の厚みＴに対する厚みＦの比率は、好ましくは０．６以上であり、より好ましくは０．７〜１．０である。
【００４２】
端子電極３は、Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ａｌ、Ｓｎ及びＮｉから選ばれる少なくとも一種の元素を含有する金属又は合金を含有することが好ましい。これによって、優れた接続信頼性を有するセラミック電子部品とすることができる。内部電極９は、Ｎｉ，Ｃｕなどの卑金属を含有することが好ましい。誘電体層７は、例えば、チタン酸バリウムを含有する。
【００４３】
本発明のセラミック電子部品の製造方法の好適な実施形態を以下に説明する。本実施形態の製造方法は、図１及び図２に示すセラミック電子部品１００の製造方法である。セラミック電子部品１００の製造方法は、セラミック素体の形成工程、導体グリーンシートの形成工程、導体グリーンシートをセラミック素体に貼り付ける貼付工程、導体ペーストを塗布して導体グリーンシートと導体ペーストとを有する電極グリーン体を形成する付着工程、電極グリーン体を焼付けして焼付電極層を形成する焼付け工程、及び焼付電極層にめっき処理を施すめっき工程を有する。以下、各工程の詳細を説明する。
【００４４】
セラミック素体の形成工程では、セラミック素体１を形成する。セラミック素体１を形成するために、まず、誘電体層７となるセラミックグリーンシートを形成する。セラミックグリーンシートは、ドクターブレード法等を用いてセラミックスラリーをＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に、塗布後、乾燥させて形成することができる。セラミックスラリーは、例えば、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体材料に、溶剤及び可塑剤を加え、混合することによって得ることができる。形成したセラミックグリーンシートに、内部電極９となる電極パターンをスクリーン印刷し、乾燥させる。電極パターンのスクリーン印刷には、ニッケル粉末、パラジウム粉末、銀粉末及び銅粉末から選ばれる少なくとも一種の粉末にバインダや溶剤等を混合した電極ペーストを用いることができる。
【００４５】
このようにして複数の電極パターン付グリーンシート形成し、積層する。続いて、電極パターン付グリーンシートの積層体を積層方向と垂直に切断して直方体形状の積層チップを形成し、加熱処理を行って脱バインダを行う。加熱処理は、１８０〜４００℃で０．５〜３０時間行うことが好ましい。加熱処理して得られた積層チップを８００〜１４００℃で０．５〜８．０時間焼成し、バレル研磨して面取りを行い、直方体形状の稜部をＲ状にする。これによって、略直方体形状のセラミック素体１を得ることができる。
【００４６】
導体グリーンシートの形成工程では、まず、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムなどの支持体の上に、コーター等を用いて、導体グリーンシート用のペーストを７０μｍ程度の厚みで塗布する。導体グリーンシート用のペーストは、Ｃｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｓｎ及びＮｉから選ばれる少なくとも一種の元素を含む金属又は合金の粉末と、アクリル樹脂などの熱可塑性樹脂を含むバインダと、有機溶剤と、を混合したものを用いることができる。
【００４７】
次に、支持体上に塗布したペーストを乾燥させて、導体グリーンシートを形成する。導体グリーンシートの厚さは、例えば、1０〜５０μｍ程度とすることができる。乾燥後、導体グリーンシートを支持体上で所望のサイズに切断して、導体グリーンシート３１（図３）を形成する。ここで、導体グリーンシート３１は、セラミック素体１に貼り合わせる面３１ｓが、セラミック素体１の端面１１とほぼ同じ大きさとなるように切断する。切断後、導体グリーンシート３１から支持体を剥離する。このようにして、導体グリーンシート３１を得ることができる。
【００４８】
図３は、本実施形態のセラミック電子部品の貼付工程を模式的に示す概要図である。図３に示すように、セラミック素体１の一方の端面１１ａと、導体グリーンシート３１の面３１ｓとが向かい合うようにして、セラミック素体１を導体グリーンシート３１に押し当てる。そして、１０〜１００ｋＰａ程度の圧力でセラミック素体１を導体グリーンシート３１に押し当てた状態で、導体グリーンシート３１に含まれる熱可塑性樹脂が粘着性を有するようになる温度まで導体グリーンシート３１を加熱する。このときの加熱温度は、例えば５０〜２００℃とする。これによって、導体グリーンシート３１がセラミック素体１の端面１１ａに固着する。上述の圧力及び加熱温度で、セラミック素体１を導体グリーンシート３１に押し当てることによって、導体グリーンシート３１を、セラミック素体１に強固に固着させることができる。
【００４９】
導体グリーンシート３１の面３１ｓと、セラミック素体１の端面１１ａとは、ほぼ同じ大きさを有していることから、セラミック素体１の端面１１ａのみが導体グリーンシート３１に覆われることとなる。このように、導体グリーンシート３１がセラミック素体１の側面１３及び側面１５上には設けられないことから、側面１３及び側面１５上における端子電極３の厚みＨを十分に薄くすることができる。
【００５０】
導体ペーストの付着工程では、セラミック素体１の端面１１ａ上に貼付した導体グリーンシート３１全体と、導体グリーンシート３１が貼り付けられていない稜部Ｒ１３，Ｒ１４と、側面１３，１５の端面１１ａ側の一部の領域と、に導体ペーストを付着させる。導体ペーストとしては、導体グリーンシート用のペーストが含有する成分にガラスフリットを加えたものを用いることもできる。導体ペーストを付着させる方法は、導体グリーンシート３１、及び該導体グリーンシート３１が貼付されたセラミック素体１の一部を、導体ペースト中に浸す方法（ディップ法）や、導体ペーストを印刷する方法などが挙げられる。
【００５１】
ディップ法で導体ペーストを付着させる場合、セラミック素体１の一方の端面１１ａを下方にして、端面１１ａに貼付した導体グリーンシート３１全体と、稜部Ｒ１３〜Ｒ１６と、側面１３，１５の端面１１ａ側の部分と、を導体ペースト中に浸漬する。これにより、セラミック素体１の端面１１ａ上の導体グリーンシート３１、稜部Ｒ１３〜Ｒ１６、及び側面１３，１５の端面１１側の部分に、導体ペーストを付着させる。導体ペーストを付着させた後、導体ペーストが付着した付着面を、金属板上などに押し付けて、導体ペーストの厚みを調整してもよい。
【００５２】
セラミック素体１の他方の端面１１ｂ側にも、端面１１ａ側と同様に導体グリーンシートの貼付工程及び導体ペーストの付着工程を行う。このようにしてセラミック素体１の両端面上に導体ペーストを付着させた後、導体ペーストを乾燥して、導体グリーンシート３１と、セラミック素体１の端面１１と、稜部Ｒ１３〜Ｒ１６と、側面１３，１５の一部とを覆うように、導体グリーンシート３１と導体ペーストとからなる電極グリーン体（電極の前駆体層）を形成する。その後、３００〜６００℃の温度範囲で、０．２〜１．５時間加熱して、電極グリーン体からバインダを除去する。
【００５３】
焼付け工程では、セラミック素体１の端面１１上及び側面１３，１５上に形成された電極グリーン体を焼付けして、焼付電極層８を形成する。焼付けは、例えば４５０〜８５０℃で０．２〜１．５時間行なうことが好ましい。このような温度範囲で焼付けすることによって、セラミック素体１の熱によるダメージを回避しつつ、焼付電極層８をセラミック素体１に十分に密着させることができる。
【００５４】
焼付電極層８は、セラミック素体１の端面１１の上に、セラミック素体１側から、第１の電極層４と第２の電極層５とが積層された積層構造を有する。第１の電極層４は、導体グリーンシート３１を焼付けして形成されたものであるため、第２の電極層５よりもガラス成分の含有量が低く、金属成分の含有量が高くなっている。このため、第２の電極層５よりも十分に緻密であり、後述するめっき工程において、めっき液の成分やめっき工程で発生する水素などの生成物がセラミック素体１の端面１１に侵入することを十分に抑制することができる。
【００５５】
焼付電極層８の第１の電極層４の外側に設けられる第２の電極層５は、セラミック素体１の端面１１の上のみならず、稜部Ｒ１３〜Ｒ１６及び側面１３，１５の端面１１側の部分の上にも設けられる。第２の電極層５は、第１の電極層４よりもガラス成分の含有量が多いため、セラミック素体１の稜部Ｒ１３〜Ｒ１６及び側面１３，１５の上において、セラミック素体１に強固に固着することができる。このように、焼付電極層８は、互いにガラス成分の含有量が異なる第１の電極層４と第２の電極層５とを有していることから、セラミック素体１との密着性に優れるとともに、セラミック素体１の端面１１における誘電体層７及び内部電極９の腐食を抑制することができる。
【００５６】
めっき工程は、セラミック素体１上に設けられた焼付電極層８に電気めっきを施して、焼付電極層８の上にめっき層である第３の電極層６を形成する工程である。めっき層は、Ｎｉめっき浴（例えば、ワット浴）、Ｓｎめっき浴（例えば、中性Ｓｎめっき浴）を用いた、例えばバレルめっき法により、Ｎｉめっき層とＳｎめっき層とを順次形成する方法によって得ることができる。
【００５７】
めっき工程によって、図２に示すような、第１の電極層４、第２の電極層５、及び第３の電極層６からなる積層構造を有する端子電極３が得られる。第３の電極層６であるめっき層は、焼付電極層８の表面に沿って薄く形成されるので、端子電極３と焼付電極層８とは同様の形状を有する。以上の工程を有する製造方法によって、セラミック電子部品１００を製造することできる。
【００５８】
上述の製造方法によって得られるセラミック電子部品１００は、端子電極３における第１の電極層４が、導体グリーンシート３１を用いて形成される。このため、導体ペーストのみを用いて端子電極３の焼付電極層８を形成する場合に比べて、端子電極３の厚みＴを薄く維持しつつ、厚みＦを厚くすることができる。さらに、セラミック素体１の側面１３及び側面１５の上には、第１の電極層４が設けられていないことから、端子電極３の厚みＨも十分に薄くすることができる。このように、端子電極３の厚みＨや厚みＴを薄くしても、厚みＦが厚いために、めっき液の侵入やめっき時に発生する水素の拡散等による腐食を十分に抑制することができる。さらに、端子電極３の第１の電極層４は、ガラス成分が少なく十分に緻密な組織を有しているため、めっき液に含まれる成分やめっきに伴って発生する水素などの生成物がセラミック素体１の端面１１に到達することを十分に抑制することができる。これらの要因によって、小型化が可能であり、優れた信頼性と寸法精度とを有するセラミック電子部品を得ることができる。
【００５９】
なお、本明細書における「略直方体形状」とは、立方体形状や直方体形状のみならず、本実施形態におけるセラミック素体１のように、直方体の稜線部分に面取りが施されて、稜部がＲ形状となっている形状を含むことはいうまでもない。すなわち、本実施形態におけるセラミック電子部品のセラミック素体は、実質的に立方体形状又は直方体形状を有していればよい。
【００６０】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に何ら限定されるものではない。例えば、上記実施形態では、セラミック電子部品１００をコンデンサとして説明したが、これに限定されるものではない。本発明のセラミック電子部品は、バリスタ、インダクタ、又はＬＣＲ（インダクタ、コンデンサ、抵抗の複合電子部品）であってもよい。また、セラミック素体１は、上述した誘電体層７に代えてバリスタ層又は磁性体層を有するものであってもよい。
【実施例】
【００６１】
以下、実施例及び比較例に基づき本発明をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の実施例に何ら限定されるものではない。
【００６２】
（実施例１）
＜セラミック素体の形成＞
市販のＢａＴｉＯ３系誘電体材料粉末、バインダ、有機溶剤、可塑剤等を混合してセラミックスラリーを調製した。このセラミックスラリーを、ドクターブレード法等を用いて、ＰＥＴフィルム上に塗布した後、乾燥させてセラミックグリーンシートを形成した。
【００６３】
形成したセラミックグリーンシート上に、ニッケル粉末にバインダや溶剤等を混合した電極ペーストをスクリーン印刷し、乾燥させて電極パターン付グリーンシートを形成した。
【００６４】
同じ方法を繰り返して行い、複数の電極パターン付グリーンシートを形成して積層し積層体を作製した。この積層体を積層方向と垂直に切断し、加熱処理を施して脱バインダを行い、直方体形状の積層チップを得た。加熱処理は、１８０〜４００℃で０．５時間行った。この積層チップを８００〜１４００℃で０．５〜８．０時間焼成した。その後、バレル研磨して面取りを行い、直方体形状の稜部をＲ状に加工して、図１に示すような略直方体形状を有するセラミック素体１を得た。
【００６５】
＜導体グリーンシートの形成＞
市販の銅粉末とアクリル樹脂を含む樹脂バインダと有機溶剤とを混合してペーストを調製した。このペーストにはガラスフリット等のガラス成分を含有させなかった。このペーストを市販のＰＥＴフィルム上に塗布して乾燥し、所定のサイズに切断して導体グリーンシート３１を形成した。なお、導体グリーンシート３１のセラミック素体１の端面１１と貼り合わされる面３１ｓは、導体グリーンシート３１のセラミック素体１の端面１１と同じ大きさとした。
【００６６】
＜導体グリーンシートをセラミック素体に貼り付ける貼付工程＞
図３に示すように、セラミック素体１の一方の端面１１ａを下方に向けて、導体グリーンシート３１の面３１ｓにセラミック素体１の端面１１ａを５０ｋＰａの圧力で押し付けた。この状態で、導体グリーンシート３１を、導体グリーンシート３１の下方に配置したヒータを用いて１００℃に加熱することによって、導体グリーンシート３１をセラミック素体１の端面１１ａ上に固着した。
【００６７】
＜導体ペーストを塗布して、導体グリーンシートと導体ペーストとを有する電極グリーン体を形成する付着工程＞
市販の銅粉末と樹脂性バインダ（アクリル樹脂バインダ）とガラスフリットと有機溶剤とを含有する導体ペーストを調製した。この導体ペーストにおけるガラスフリットと銅粉末の合計に対するガラスフリットの比率は、５質量％であった。上述の通り、導体グリーンシート３１を貼り合わせたセラミック素体の一方の端面１１ａ側を下方に向けて、導体グリーンシート３１と、導体グリーンシート３１を貼り合わせた端面１１ａに隣接する稜部Ｒ１３〜Ｒ１６と、側面１３，１５の端面１１ａ側の部分と、を導体ペースト中に浸漬した。これにより、セラミック素体１の一方の端面１１ａに貼り合わせた導体グリーンシート３１、稜部Ｒ１３〜Ｒ１６、及び側面１３，１５の端面１１ａ側の部分に、導体ペーストを付着させた。その後、導体ペーストを乾燥させて、セラミック素体１の端面１１ａ、稜部Ｒ１３〜Ｒ１６、及び側面１３，１５の端面１１ａ側の部分の上に、電極グリーン体を形成した。
【００６８】
続いて、セラミック素体１の端面１１ｂ側にも、端面１１ａ側と同様にして、電極グリーン体を形成した。
【００６９】
＜電極グリーン体を焼付けして焼付電極層を形成する焼付け工程＞
次に、セラミック素体１の端面１１上及び側面１３，１５上に形成された電極グリーン体を、電気炉中、４００〜８５０℃で０．２〜５．０時間の条件で焼き付けて、焼付電極層８を有するセラミック電子部品を作製した。
【００７０】
焼付電極層８は、セラミック素体１の端面１１及び端面１１側の稜部Ｒ１３〜Ｒ１６の上において、セラミック素体側から、導体グリーンシート３１から形成された第１の電極層４と、導体ペーストから形成された第２の電極層５とが順次積層された積層構造を有していた。また、側面１３，１５側の稜部Ｒ１３〜Ｒ１６、及び、側面１３，１５の端子１１側の一部には、第２の電極層５が直接接触していた。
【００７１】
上述の通り作製したセラミック電子部品の焼付電極層８の厚みを、以下の通りにして測定した。セラミック電子部品を側面１３に垂直で側面１５に平行な方向に切断して、図２に示すようなセラミック電子部品の切断面を得た。この切断面における焼付電極層８の厚みＴ（Ｔ寸法）及び厚みＦ（Ｆ寸法）を顕微鏡観察によって測定した（なお、図２では、第３の電極層６が形成されているが、本実施例では、第３の電極層６を形成せずに焼付電極層８の厚みを測定した）。また、厚みＴの測定においては、第１の電極層４と第２の電極層５の厚みも併せて求めた。これらの結果を纏めて表１に示す。
【００７２】
（比較例１）
実施例１と同様にしてセラミック素体を作製し、このセラミック素体の一方の端面と該端面に隣接する稜部と側面の該端面側の部分とを実施例１と同じ導体ペースト中に浸漬し、セラミック素体の端面上、稜部上、及び側面の端面側の部分の上に導体ペーストを付着させた。その後、セラミック素体に付着した導体ペーストを乾燥させた。
【００７３】
上述の導体ペーストの付着と乾燥を、合計で３回繰り返して行い、セラミック素体の端面、稜部、及び側面の端面側の部分の上に、３層構造を有する電極グリーン体を備えるセラミック素体を得た。セラミック素体の他方の端面についても、同様の工程を行って、両端面上に一対の電極グリーン体が形成されたセラミック素体を得た。
【００７４】
セラミック素体上に形成された電極グリーン体を、電気炉中、４００〜８５０℃で０．２〜５．０時間の条件で焼き付けて、焼付電極層を有するセラミック電子部品を作製した。このセラミック電子部品は、導体ペーストを用いて形成された焼付電極層８を有していた。
【００７５】
実施例１と同様にして、セラミック電子部品の焼付電極層８の厚みを測定した。結果を表１に示す。
【００７６】
【表１】
2012009556.tif 000003
【００７７】
表１に示すように、第１の電極層を、導体グリーンシートを用いて形成した実施例１のセラミック電子部品では、焼付電極層８の厚みＴ（Ｔ寸法）を十分に薄くしつつ、焼付電極層８の厚みＦ（Ｆ寸法）を厚くすることができた。一方、導体グリーンシートを用いずに導体ペーストのみを用いて焼付電極層８を形成した比較例１のセラミック電子部品では、実施例１のセラミック電子部品の焼付電極層８よりも厚みＴを厚くしたにもかかわらず、厚みＦが薄かった。
【００７８】
上述の結果から、実施例１のセラミック電子部品は、小型化しても、十分に優れた信頼性を有すると考えられる。
【符号の説明】
【００７９】
１…セラミック素体、３…端子電極、４…第１の電極層、５…第２の電極層、６…第３の電極層（めっき層）、７…誘電体層、８…焼付電極層、９…内部電極、１１…端面、１３，１５…側面、２２…頂部、３１…導体グリーンシート、１００…セラミック電子部品（チップコンデンサ）、Ｒ１３〜Ｒ１６，Ｒ３３〜Ｒ３６…稜部。
【図１】
2012009556.tif 000004
【図２】
2012009556.tif 000005
【図３】
2012009556.tif 000006