(57)【要約】【課題】高い放熱性と、ダイパッドと放熱板との間の高い絶縁性を両立させた半導体モジュールを得る。【解決手段】モールド層６０の下面側では凹部が形成されている。この凹部の底面においては、ダイパッド３０等の下面が露出している。また、この底面において、隣接するダイパッド間では、ダイパッドの下面を構成する平面よりも下側に突出した凸部６１が構成される。４つの凸部６１の頂部は、同一平面を構成するように構成される。モールド層６０の下面側における上記の凹部中には、絶縁層７０を介して放熱板８０が接合されている。放熱板８０の上面は、４つの凸部６１の頂部で支持され、放熱板８０とダイパッド１０、２０、３０、４０、５０との間隔は凸部６１によって定まる。この空隙は絶縁層７０で充填される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ダイパッドの上面にチップが搭載された構造がモールド層の中に封止された構成を具備する半導体モジュールであって、
前記モールド層における前記ダイパッドの下面側には、前記ダイパッドの下面が露出し、かつ各々の頂部が構成する平面が前記ダイパッドの下面よりも下側となるように形成された複数の凸部が設けられた底面を具備する凹部が形成され、
当該凹部には、絶縁層を介して放熱板が埋め込まれたことを特徴とする半導体モジュール。
【請求項２】
複数のダイパッドが用いられ、
前記モールド層は、前記凹部の底面において前記複数のダイパッドの下面が露出するように構成され、
前記凸部は、隣接する前記ダイパッドの間に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体モジュール。
【請求項３】
前記モールド層における前記ダイパッドの上面側に第２の凹部が形成され、当該第２の凹部に、第２の絶縁層を介して第２の放熱板が埋め込まれたことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体モジュール。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載の半導体モジュールの製造方法であって、
前記ダイパッドの上面に前記チップが搭載された構造を内部に封止した前記モールド層を形成するモールド層形成工程と、
樹脂材料で構成され軟化状態にある前記絶縁層と、前記放熱板とを前記凹部に順次挿入した後に、前記絶縁層の硬化処理を行う放熱板接合工程と、
を具備することを特徴とする半導体モジュールの製造方法。
【請求項５】
前記放熱板接合工程において、
平面視において前記絶縁層を前記凹部よりも大きく、かつ前記放熱板を前記凹部よりも小さくすることを特徴とする請求項４に記載の半導体モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップをダイパッド上に搭載した構造がモールド層中に封止された構成を具備する半導体モジュールの構造に関する。また、その製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップが使用される際には、金属で構成されたダイパッド上に半導体チップが搭載された構造が、絶縁性の高い樹脂材料で構成されたモールド層中に封止された構成の半導体モジュールとされる場合が多い。モールド層は、半導体チップの機械的保護や耐湿性の向上、信頼性向上のために用いられる。このモールド層中からは半導体チップの入出力端子となるリードが突出した形態とされ、このリードが折り曲げられてプリント基板等にはんだ付けされて固定されて使用される。
【０００３】
半導体チップに大電流が流されて動作するパワー半導体モジュールにおいては、半導体チップの放熱が効率的になされることが特に重要である。ダイパッドは一般には厚く熱伝導率の高い金属板（銅板等）で構成されるため、半導体チップが発する熱はこのダイパッドに伝わる。しかしながら、一般にはモールド層を構成する樹脂材料の熱伝導率は低いため、放熱効率を高めるための各種の構造が用いられている。
【０００４】
特許文献１には、ダイパッドが露出するようにモールド層に開口部を設けた構成の半導体モジュールが記載されている。この構造においては、放熱効率は向上するものの、外部からダイパッドまで、あるいは半導体チップにまで水分等が侵入しやすくなる。このため、特にパワー半導体チップを搭載した場合においては、水分等に起因した耐圧の劣化等が発生しやすい。このため、信頼性は劣化する。
【０００５】
このため、特許文献１には、この開口部においてダイパッドに放熱板を接合してこの開口を塞ぐことも記載されている。また、特許文献２には、特許文献１と同様の構造において、高熱伝導性接着剤を用いて放熱板をダイパッドに接合した構成の半導体モジュールが記載されている。この際、これらの接合部分に凹凸を形成して放熱効率を高めている。この半導体モジュールがプリント基板等に搭載された後に、この放熱板に更に別の放熱板を接合して更に放熱効率を高めることも可能である。
【０００６】
こうした技術を用いて、高い放熱効率を持った半導体モジュールを得ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】実開昭６２−１３１４４９号公報
【特許文献２】特開平０６−００５７３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
例えば、単一の半導体モジュール中で複数のダイパッドが用いられ、それぞれのダイパッド上に半導体チップが設けられる場合も多い。こうした場合に、１枚の大きな放熱板を用いることが放熱効率の向上のためには好ましいことは明らかである。一方、ダイパッド同士の間の絶縁性（絶縁耐圧）を高く保つことも必要である。しかしながら、ダイパッドと同様に、放熱板は熱伝導率の高い銅等で構成されるため、その電気伝導率も高い。このため、ダイパッドと放熱板とが近接していた場合、放熱効果は高まるが、ダイパッド同士の絶縁性は低下する。
【０００９】
こうした場合、特許文献２等に記載の構造においては、この絶縁は接着剤によってなされる。しかしながら、接着剤の厚さは一般には不均一であるため、絶縁性を安定して確保することは困難である。
【００１０】
すなわち、高い放熱性と、ダイパッドと放熱板との間の高い絶縁性を両立させた半導体モジュールを得ることは困難であった。
【００１１】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたものであり、上記問題点を解決する発明を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、上記課題を解決すべく、以下に掲げる構成とした。
本発明の半導体モジュールは、ダイパッドの上面にチップが搭載された構造がモールド層の中に封止された構成を具備する半導体モジュールであって、前記モールド層における前記ダイパッドの下面側には、前記ダイパッドの下面が露出し、かつ各々の頂部が構成する平面が前記ダイパッドの下面よりも下側となるように形成された複数の凸部が設けられた底面を具備する凹部が形成され、当該凹部には、絶縁層を介して放熱板が埋め込まれたことを特徴とする。
本発明の半導体モジュールは、複数のダイパッドが用いられ、前記モールド層は、前記凹部の底面において前記複数のダイパッドの下面が露出するように構成され、前記凸部は、隣接する前記ダイパッドの間に形成されたことを特徴とする。
本発明の半導体モジュールは、前記モールド層における前記ダイパッドの上面側に第２の凹部が形成され、当該第２の凹部に、第２の絶縁層を介して第２の放熱板が埋め込まれたことを特徴とする。
本発明の半導体モジュールの製造方法は、前記半導体モジュールの製造方法であって、前記ダイパッドの上面に前記チップが搭載された構造を内部に封止した前記モールド層を形成するモールド層形成工程と、樹脂材料で構成され軟化状態にある前記絶縁層と、前記放熱板とを前記凹部に順次挿入した後に、前記絶縁層の硬化処理を行う放熱板接合工程と、を具備することを特徴とする。
本発明の半導体モジュールの製造方法は、前記放熱板接合工程において、平面視において前記絶縁層を前記凹部よりも大きく、かつ前記放熱板を前記凹部よりも小さくすることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明は以上のように構成されているので、高い放熱性と、ダイパッドと放熱板との間の高い絶縁性を両立させた半導体モジュールを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体モジュールの上面図（ａ）、そのＡ−Ａ方向の断面図（ｂ）、下面図（ｃ）である。
【図２】本発明の実施の形態に係る半導体モジュールのＢ−Ｂ方向における断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法において用いられるリードフレームの形態を示す下面図（ａ）、そのＣ−Ｃ方向の断面図（ｂ）、そのＤ−Ｄ方向の断面図（ｃ）である。
【図４】本発明の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法におけるチップ搭載工程が行われた直後の形態を示す下面図（ａ）、その断面図（ｂ）（ｃ）である。
【図５】本発明の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法におけるモールド層形成工程が行われた直後の形態を示す下面図（ａ）、その断面図（ｂ）（ｃ）である。
【図６】本発明の実施の形態に係る半導体モジュールの製造方法における放熱板接合工程が行われた直後の形態を示す下面図（ａ）、その断面図（ｂ）（ｃ）である。
【図７】放熱板接合工程の詳細を示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る半導体モジュールの変形例を製造する際のモールド層形成工程（ａ）と放熱板接合工程（ｂ）における形態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態となる半導体モジュール、及びその製造方法について説明する。この半導体モジュールにおいては、チップがダイパッド上に搭載された構造がモールド層中に複数設けられている。更に、このチップからの放熱効率を高めるために、この構造に対して放熱板が接合されている。ここで、放熱板とダイパッドとは共に熱伝導率及び電気伝導率の高い金属で構成されているが、放熱板と、ダイパッドあるいはダイパッド上のチップとの絶縁性が確保される。
【００１６】
図１は、この半導体モジュール１００の構成を示す上面図（ａ）、そのＡ−Ａ方向の断面図（ｂ）、下面図（ｃ）である。また、図２は、そのＢ−Ｂ方向の断面図である。この半導体モジュール１００においては、５つのダイパッド１０、２０、３０、４０、５０が用いられており、これらのダイパッドの上にはチップが搭載されている。ダイパッド１０、２０、３０、４０、５０の下面（図１（ｃ）における下側の面）は、同一平面を形成する。各ダイパッド上の構成は同様であるため、ダイパッド上の構成については、以下では中央のダイパッド３０についてのみ説明する。
【００１７】
ダイパッド３０は、第１ダイパッド３０ａ、第２ダイパッド３０ｂに分割されている。第１ダイパッド３０ａには、チップ３１ａ、チップ３１ｂが搭載されており、第２ダイパッド３０ｂにはチップ３１ｃが搭載されている。また、ダイパッド３０の図１（ａ）（ｃ）中の上下方向には２本ずつのリード３２〜３５が形成されている。リード３２は第１ダイパッド３０ａと一体化されているが、リード３３と隣接する第１ダイパッド３０ａとは電気的に分離されている。同様に、リード３５は第２ダイパッド３０ｂと一体化されているが、リード３４と隣接する第２ダイパッド３０ｂとは電気的に分離されている。なお、後述するように、全てのダイパッド、リードはこの半導体モジュール１００の製造時には一体化された状態で金属板（例えば銅板）を加工することによって形成されており、後で切断されることによって図１の形態とされる。
【００１８】
チップ３１ａ〜３１ｃの間、あるいはチップ３１ｂとリード３３との間、チップ３１ｃとリード３４との間は、ボンディングワイヤ３６で接続されている。これにより、チップ３１ａ〜３１ｃを用いた電気回路が構成され、この電気回路の入出力端子としてリード３２〜３５が用いられる。なお、この構成は他のダイパッド１０、２０、４０、５０においても同様であり、隣接するダイパッド間、あるいは隣接するダイパッド上のチップ間もボンディングワイヤ３６で接続することも可能である。なお、図１においてはボンディングワイヤ３６の記載は省略されている。
【００１９】
チップ３１ａ、３１ｂ、３１ｃとしては、電源回路を構成する半導体チップとして、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＦＲＤ（Ｆａｓｔ  Ｒｅｃｏｖｅｒｙ  Ｄｉｏｄｅ）、制御用ＩＣがそれぞれ用いられる。これらのチップは、はんだによってダイパッド３０（第１ダイパッド３０ａ、第２ダイパッド３０ｂ）と接合されている。これらのチップにおける接合される側の面には電極が形成されており、この電極は、はんだによって第１ダイパッド３０ａや第２ダイパッド３０ｂに電気的に接続される。
【００２０】
ここで、最も動作時の発熱量が大きいのはダイパッド３０の中央部に配置されたチップ３１ａ（ＩＧＢＴ）であり、次いでチップ３１ｂ（ＦＲＤ）である。一方、チップ３１ｃ（制御用ＩＣ）の発熱量は小さく、かつ制御用ＩＣは熱によって特性劣化を生ずることがある。このため、チップ３１ａ、３１ｂからの発熱を伝えにくくするために、第２ダイパッド３０ｂと第１ダイパッド３０ａとを分離している。ダイパッド３０（第１ダイパッド３０ａ）を用いてチップ３１ａ、３１ｂからの放熱を効率的に行わせるために、図２に示されるように、このチップ３１ａ等を搭載する箇所における第１ダイパッド３０ａは、下面側で厚くされている。一方、第１ダイパッド３０ａ、第２ダイパッド３０ｂの上面側は平面形状とされ、リード３２〜３５の上面側と同一平面を構成している。
【００２１】
接続に用いられるボンディングワイヤ３６の材料としては、要求される配線長、抵抗、強度等に応じアルミニウムや金を適宜用いることができる。
【００２２】
上記の構造が、リード３２〜３５が図１（ａ）（ｃ）中の上下方向に突出するようにモールド層６０中に封止されている。モールド層６０は、絶縁性であり透湿性が低く、かつ図１に示される形態に成形することが容易である熱硬化性樹脂（例えばエポキシ樹脂）で構成される。ただし、こうした樹脂材料の熱伝導率は、ダイパッド３０等を構成する金属と比べて無視できる程度に小さい。
【００２３】
モールド層６０は、上面側（図１（ｂ）の上側、図２の左側）では、チップ３１ａ〜３１ｃ、ボンディングワイヤ３６等が封止されるように形成されている。一方、モールド層６０の下面側では凹部が形成されている。この凹部の底面（図１（ｂ）においては上側の面）においては、ダイパッド３０等の下面が露出している。また、この底面において、隣接するダイパッド（ダイパッド１０とダイパッド２０、ダイパッド２０とダイパッド３０、ダイパッド３０とダイパッド４０、ダイパッド４０とダイパッド５０）間では、ダイパッドの下面を構成する平面よりも下側に突出した凸部６１が構成される。４つの凸部６１の頂部は、同一平面を構成するように構成される。すなわち、４つの凸部６１の頂部が構成する平面は、ダイパッド１０〜５０の下面が構成する平面よりも下側に位置する。
【００２４】
モールド層６０の下面側における上記の凹部中には、絶縁層７０を介して放熱板８０が接合されている。絶縁層７０は、絶縁性があり透湿性が低い樹脂材料として、例えばエポキシ樹脂で構成される。放熱板は、熱伝導率の高い金属（例えば銅）で構成される。硬化前の軟化した状態にある絶縁層７０と放熱板８０とを図１（ｂ）の下側から圧着することにより、図１の形態とすることができる。この場合、放熱板８０の上面は、４つの凸部６１の頂部で支持され、放熱板８０とダイパッド１０、２０、３０、４０、５０との間隔は凸部６１によって定まる。この空隙は絶縁層７０で充填される。
【００２５】
以下に、この半導体モジュール１００の製造方法について説明する。この半導体モジュール１００は、複数の半導体モジュール１００に対応したダイパッドとリードとが配列して一体化された構成を具備するリードフレームを用いて製造される。図１の構造が配列して形成された後で、隣接する半導体モジュール１００の間が切断されることによって、個々の半導体モジュール１００が得られる。このリードフレームは、１枚の金属板を加工することによって製造することができる。
【００２６】
図３は、このリードフレームにおける半導体モジュール１００の１個分に対応した箇所の下面図（ａ）、そのＣ−Ｃ方向に対応した断面図（ｂ）、Ｄ−Ｄ方向に対応した断面図（ｃ）である。この下面図（ａ）は、図１（ｃ）に対応している。図３（ａ）においては、第１ダイパッド３０ａとリード３２、第２ダイパッド３０ｂとリード３５とはそれぞれ一体化され、リード３３、３４はこれらと別体とされている。実際には図３（ａ）の構造が２次元配列され、図３（ａ）に示された範囲外でこの構造は接続されて一体化されている。
【００２７】
図３（ｃ）に示されるように、ダイパッド３０（第１ダイパッド３０ａ）は、下面側ではリード３２〜３５と比べて厚くされており、上面側ではリード３２〜３５と同一平面を構成する。
【００２８】
図４〜６は、以降の工程をこのリードフレームを用いて行った際の形態を図３（ａ）（ｂ）（ｃ）に対応させて示す図である。まず、図４に示すように、このダイパッド３０の上面側に、チップ３１ａ〜３１ｃ等を搭載し、この半導体モジュール１００における電気回路が構成されるように、ボンディングワイヤ３６を接続する（チップ搭載工程）。なお、動作時の発熱量が最も大きなチップ３１ａは、ダイパッド３０（第１ダイパッド３０ａ）における下面側が厚くされた箇所に搭載する。チップ３１ａ〜３１ｃとダイパッド３０との間の接合は、はんだ付けや接着剤を用いて行うことができる。なお、ここではダイパッド３０周囲の箇所についてのみ説明したが、他のダイパッド周囲についても同様である。
【００２９】
次に、図５に示されるように、ダイパッド１０、２０、３０、４０、５０周囲を取り囲み、チップ３１ａ〜３１ｃ、ボンディングワイヤ３６等を封止する形態でモールド層６０を形成する（モールド層形成工程）。このためには、例えばトランスファーモールド法を用いることができる。この場合においては、図４の構造を金型にセットし、内部にモールド層６０となる樹脂材料（例えばエポキシ樹脂）を加熱充填した後に、これを成形硬化させる。この際、モールド層６０の下面側において、ダイパッド１０、２０、３０、４０、５０を含む広い範囲で凹部９０が形成される。この凹部９０の底面ではダイパッド３０等において厚くされた下面が露出する構成とされる。また、図５（ｂ）に示されるように、凹部９０の底面において隣接するダイパッド間には、凸部６１が形成される。凸部６１の頂部（図５（ｂ）における最下部）は、同一平面を構成するような設定とされ、この平面は、露出したダイパッド３０よりも図５（ｂ）において下側に来るように設定される。
【００３０】
次に、モールド層６０の下面側における凹部９０の底面に、絶縁層７０を挟んで放熱板８０を接合する（放熱板接合工程）。ここで、樹脂材料で構成された凸部６１（モールド層６０）は既に硬化しているため、軟化状態にある絶縁層７０と放熱板８０をこの凹部９０に嵌合させてから圧着することにより、図６の形態とすることができる。その後、絶縁層７０を硬化させることにより、放熱板８０は、凸部６１の頂部に当接した状態で固定される。この硬化は、熱硬化等により行われる。
【００３１】
この放熱板接合工程における形態を詳細に示したのが図７である。図７（ａ）（ｂ）は、図６（ｂ）におけるモールド層６０の凹部９０における両端部と凸部６１付近を拡大して示す断面図である。図７（ａ）は、絶縁層７０、放熱板８０を圧着する前の形態であり、図７（ｂ）は、圧着した後の形態を示す。ここで、絶縁層７０によってこの開口が塞がれていない箇所が存在すると、この半導体モジュール１００を使用する際に、水分等が入り込む可能性があるため、好ましくない。このため、絶縁層７０は、モールド層６０の開口よりも平面視においてやや大きな形状とすることが好ましい。放熱板８０を圧着する段階で絶縁層７０が軟化状態にあれば、この状態で、絶縁層７０、放熱板８０を圧着することができ、かつ、この凹部９０を絶縁層７０で閉塞させることができる。なお、放熱板８０を、このモールド層６０の凹部９０中に挿入するためには、図７に示されるように、平面視においてこの凹部９０よりもやや小さな形状とすることが好ましい。なお、図７においては、接合後の放熱板８０の下面が凹部９０が形成されていないモールド層６０の下面よりも下側になっている、すなわち、接合後において放熱板８０がモールド層６０から突出している形態としている。しかしながら、放熱板８０の下面と凹部９０が形成されていないモールド層６０の下面との間の位置関係は任意であり、放熱板８０がモールド層６０から突出しない形態としてもよい。
【００３２】
その後、リードフレームにおける隣接する半導体モジュール１００間を切断することにより、図１の形態の半導体モジュール１００を複数個得ることができる。ただし、モールド層形成工程（図５）まではリードフレームを切断しないで行い、その後、この切断を行った後に放熱板接合工程を行うことも可能である。
【００３３】
この半導体モジュール１００においては、放熱板８０とダイパッド３０等との間の絶縁性は、モールド層６０と絶縁層７０によって確保される。特にこの絶縁性に大きな影響があるのは、絶縁距離が近い（薄い）絶縁層７０である。上記の構成においては、凸部６１は、トランスファーモールドによって容易かつ高い精度で形成することが可能である。このため、放熱板８０とダイパッド１０、２０、３０、４０、５０との間隔を高い精度で維持することができる。また、この空隙部には絶縁層７０が充填されるため、放熱板８０とダイパッド１０、２０、３０、４０、５０との間の絶縁性を保つことができる。これにより、ダイパッド間の絶縁性も維持することができる。また、モールド層６０に形成された凹部９０は絶縁層７０によって閉塞されるため、ダイパッドやチップ等が外気に曝されることはなく、信頼性も確保される。
【００３４】
一方で、絶縁層７０の熱伝導率は低いものの、上記の構造によれば、絶縁層７０を、凸部６１の高さで規定される厚さで薄く保つことができる。このため、放熱板８０への熱伝導を効率的に行うことができる。すなわち、この半導体モジュール１００の放熱効率を高くすることができる。
【００３５】
ただし、放熱板８０が用いられた半導体モジュール１００においては、下面側には大きな放熱板８０が存在し、この上にモールド層６０が形成されている。放熱板８０は例えば銅で構成され、モールド層６０は例えばエポキシ樹脂で構成される。前者の熱膨張係数は１７ｐｐｍ／Ｋ程度であり、後者は２２ｐｐｍ／Ｋ程度であり、大きく異なる。このため、この半導体モジュール１００における熱膨張は上下方向で大きく異なり、放熱板接合工程後や、この半導体モジュール１００の使用時において、この半導体モジュール１００は反りを生じやすい。
【００３６】
この点を改善するために、前記の半導体モジュール１００における上面側にも放熱板を接合することができる。図８（ａ）（ｂ）は、この構成を用いた半導体モジュールの製造方法を示す断面図である。ここで、図８における（ａ）、（ｂ）は、それぞれモールド層形成工程（図５（ｂ））、放熱板接合工程（図６（ｂ））に対応した断面図である。
【００３７】
この半導体モジュールにおいては、モールド層形成工程（図８（ａ））において、下面側だけでなく、モールド層６０の上面側にも凹部（第２の凹部）９１が設けられる。ただし、この凹部９１の深さは、ボンディングワイヤ３６やチップ３１ａ〜３１ｃ等に達しない深さとする。この凹部９１においては、下面側の凹部９０とは異なり、底面に凸部は形成されておらず、その底面は平坦とされる。
【００３８】
その後、放熱板接合工程（図８（ｂ））において、下面側と同様に、絶縁層（第２の絶縁層）７１を介して放熱板（第２の放熱板）８１が凹部９１中で接合される。絶縁層７１と絶縁層７０の硬化処理は、同時に行うことが可能である。
【００３９】
この構成においては、上下面から放熱を行うことが可能となる。ただし、一般には、ダイパッド３０等と近接する放熱板８０が設けられた下側における放熱の効果の方が大きく、放熱板８１による放熱の効果はこれよりも小さい。しかしながら、上面側に設けられた放熱板８１の存在により、この半導体モジュールの上下方向の構造は上下対称に近づくため、反りを低減することができる。この場合、放熱板８０と放熱板８１の構成（平面形状、厚さ）は同一とすることが特に好ましい。
【００４０】
なお、図１等の構成においては、各ダイパッド上におけるチップの構成を同一としているが、この構成は任意である。また、前記の例ではダイパッドの下面側を局所的に厚くした構成としたが、搭載されるチップの放熱を効率的に行うことができ、隣接するダイパッド間におけるモールド層に凸部を形成できる構成であれば、ダイパッド（リードフレーム）の構成についても任意である。
【００４１】
凸部の形状も、複数の凸部の頂部が構成する面がダイパッドの下面よりも下側となり、放熱板とダイパッドとの間の位置関係が固定できる限りにおいて、任意である。例えば、矩形形状の凹部の底面の４隅に４つの凸部を形成することもできる。また、凸部は複数個必要であるが、各々の形状が同一である必要はない。また、放熱板とダイパッドとの間の位置関係を固定できる限りにおいて、凸部の頂部が厳密に同一平面を構成する必要もない。
【００４２】
また、上記の例では、電気的に独立とされたダイパッドが複数用いられた構成としたが、ダイパッドが単一の場合でも、例えばこの両側に凸部を形成できる場合であれば、同様の効果を奏することは明らかである。すなわち、ダイパッドは複数に限定されない。
【００４３】
逆に、上記の例では、下面側の放熱板を単一としたが、これを複数に分割した場合でも同様である。この場合には、放熱効果は上記の例よりも劣るものの、反りは小さくなる。上面側の放熱板についても同様である。
【００４４】
また、放熱板は単純な平板形状であるとしたが、少なくとも接合される側と反対側の形状は、平坦である必要はない。この面の形状を、放熱効果が高くなるような形状とすることも可能である。また、放熱のためにこの放熱板に更に別の放熱構造を接合することもできる。
【００４５】
また、放熱板８０を構成する材料と絶縁層７０を構成する材料とを積層した後に打ち抜き加工することによって、放熱板８０と絶縁層７０の積層構造を得ることができる。この場合においては、図７の例では絶縁層７０を凹部９０よりも大きくしたのに対し、圧着前の状態においては放熱板８０と絶縁層７０は同一形状となる。しかしながら、圧着によって絶縁層７０が広がるため、凹部９０を絶縁層７０で閉塞させることが可能である。この場合、打ち抜き加工時における絶縁層７０は、この広がりを考慮した分だけ厚くすることが好ましい。すなわち、絶縁層７０の形状は、放熱板接合工程凹部９０を閉塞することができる限りにおいて、任意である。
【符号の説明】
【００４６】
１０、２０、３０、４０、５０  ダイパッド
３０ａ  第１ダイパッド（ダイパッド）
３０ｂ  第２ダイパッド（ダイパッド）
３１ａ〜３１ｃ  チップ
３２〜３５  リード
３６  ボンディングワイヤ
６０  モールド層
６１  凸部
７０  絶縁層
７１  第２の絶縁層（絶縁層）
８０  放熱板
８１  第２の放熱板（放熱板）
９０  凹部
９１  第２の凹部（凹部）
１００  半導体モジュール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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