(57)【要約】【課題】調整対象とする各マーク長のエッジ位置を同時に変化させる試し書きを行う従来手法よりも正確なライトストラテジ調整を実現する。【解決手段】調整対象とされたマーク長ごとの最適エッジシフト量を求めるための試し書きを、上記調整対象とされたマーク長について予めグループ分けされたマーク長の組ごとに分けて実行する。これにより調整のための試し書きは評価値の干渉が少なくなるようにグループ分けされたマーク長の組ごとに分けて行うということができ、その結果、調整対象とされたマーク長ごとの最適エッジシフト量は、従来手法とする場合よりも正確に求めることができる。すなわち、これによって従来手法よりも正確なライトストラテジ調整を実現することができる。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光記録媒体に対してレーザ光を照射して、光記録媒体上でマーク及びスペースで表現される情報の書込及び読出を行う光学ヘッド部と、
記録する情報に応じたレーザ駆動パルスを生成して上記光学ヘッド部に供給し、上記光学ヘッド部に、記録のためのレーザ光照射を実行させるレーザ駆動パルス生成部と、
上記光学ヘッド部により上記光記録媒体から読み出した信号に基づき、上記マークのエッジ位置の誤差を表す評価値を測定する評価値測定部と、
上記レーザ駆動パルスの各マーク長のうち調整対象とされた複数のマーク長について予めグループ分けされたマーク長の組ごとに、その組に属するマーク長についてのレーザ駆動パルスのエッジ位置のシフト量を変化させた試し書きをそれぞれ分けて実行させると共に、それにより記録された信号の読み出しを実行させて上記評価値測定部にそれぞれの上記シフト量の設定下での評価値を測定させ、測定されたそれぞれの評価値に基づき、上記調整対象とされたマーク長ごとの上記レーザ駆動パルスの最適エッジシフト量を求める制御・演算部と
を備える記録再生装置。
【請求項２】
上記制御・演算部は、
上記評価値の干渉が少なくなるようにグループ分けされたマーク長の組ごとに、その組に属するマーク長についてのレーザ駆動パルスのエッジ位置のシフト量を変化させた試し書きをそれぞれ分けて実行させる
請求項１に記載の記録再生装置。
【請求項３】
上記グループ分けは、
候補グループとして組み合わされた複数のマーク長の各組について、その組に属するそれぞれのマーク長についてのエッジ位置のシフト量を同時に変化させたときにそれらの各マーク長について測定される上記評価値と、それら複数のマーク長の個々についてそのエッジ位置のシフト量を単独で変化させたときにそれら個々のマーク長について測定される上記評価値との差分が小さくなるようにして行われたものである
請求項２に記載の記録再生装置。
【請求項４】
上記調整対象とされた複数のマーク長は、２Ｔ（Ｔはチャネルビット）、３Ｔ、４Ｔの３種のマーク長である請求項１に記載の記録再生装置。
【請求項５】
上記制御・演算部は、
２Ｔ及び４Ｔのマーク長の組と、３Ｔ単独のマーク長の組とに分けて、その組に属するマーク長についてのレーザ駆動パルスのエッジ位置のシフト量を変化させた試し書きをそれぞれ分けて実行させる
請求項４に記載の記録再生装置。
【請求項６】
上記制御・演算部は、上記最適エッジシフト量を計算により求める請求項１に記載の記録再生装置。
【請求項７】
上記制御・演算部は、
上記グループ分けされたマーク長の各組について、その組に属する各マーク長についての各レーザ駆動パルスのエッジ位置のうちで調整対象とされたエッジ位置の種類をｑ種類（ｑは２以上の整数）とおき、上記評価値の測定対象とすべき上記マークのエッジ位置の種類をｐ種類（ｐは２以上の整数）とおいたとき、
上記ｑ種類のそれぞれのエッジ位置の初期ストラテジとして予め設定されたエッジ位置からのシフト量をベクトルｗとし、
上記ｐ種類のそれぞれの上記マークのエッジ位置について測定される上記評価値をベクトルｍとし、
上記初期ストラテジとしてのエッジ位置の設定状態にて測定される上記ｐ種類のそれぞれの上記マークのエッジ位置についての上記評価値をｍinitとし、
さらに上記レーザ駆動パルスのエッジ位置のシフト量に対する上記マークの各エッジ位置についての上記評価値の挙動を表す干渉感度をｐ×ｑの行列Ｃで表したときに、
【数１】
2012014753.tif 000006
による関係が成り立つと仮定して、各エッジ位置についてｑ＋１通りのエッジ位置のシフト量の設定状態でそれぞれ試し書きを実行させ、それにより記録された信号のそれぞれについて読み出しを実行させて上記ｐ種類の上記マークのエッジ位置についての上記評価値を上記評価値測定部に測定させ、測定された評価値と上記各エッジ位置についての上記ｑ＋１通りのシフト量の情報とに基づき上記干渉感度としての行列Ｃと上記評価値ｍinitとを求めた上で、これら評価値ｍinitと上記干渉感度の逆行列又は疑似逆行列Ｃ#とを用いて、
【数２】
2012014753.tif 000007
による演算を行って、上記ｑ種類の各エッジ位置についての最適エッジシフト量を求める
請求項６に記載の記録再生装置。
【請求項８】
光記録媒体に対してレーザ光を照射して、光記録媒体上でマーク及びスペースで表現される情報の書込及び読出を行う光学ヘッド部と、記録する情報に応じたレーザ駆動パルスを生成して上記光学ヘッド部に供給し、上記光学ヘッド部に、記録のためのレーザ光照射を実行させるレーザ駆動パルス生成部と、上記光学ヘッド部により上記光記録媒体から読み出した信号に基づき、上記マークのエッジ位置の誤差を表す評価値を測定する評価値測定部とを備えた記録再生装置におけるレーザ駆動パルス調整方法であって、
上記レーザ駆動パルスの各マーク長のうち調整対象とされた複数のマーク長について予めグループ分けされたマーク長の組ごとに、その組に属するマーク長についてのレーザ駆動パルスのエッジ位置のシフト量を変化させた試し書きをそれぞれ分けて実行させると共に、それにより記録された信号の読み出しを実行させて上記評価値測定部にそれぞれの上記シフト量の設定下での評価値を測定させ、測定されたそれぞれの評価値に基づき、上記調整対象とされたマーク長ごとの上記レーザ駆動パルスの最適エッジシフト量を求める
レーザ駆動パルス調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光記録媒体についての記録再生装置とそのレーザ駆動パルス調整方法とに関するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００２】
【特許文献１】特許第４２７４１８３号公報
【特許文献２】特開２００８−４７１８１号公報
【背景技術】
【０００３】
例えばＤＶＤ（Digital Versatile Disc）やＢＤ（Blu-ray Disc：登録商標）等の光記録媒体の記録技術において、いわゆるライトストラテジとして知られているように記録のためのレーザ駆動パルスの調整を行うことが知られている。
【０００４】
近年では、このようなライトストラテジ調整を挿入されたディスクごとに実行する技術が用いられている。
例えば上記特許文献１では、調整したいエッジ種別の数（ｑ）に対し、ｑ＋１の条件の試し書きを行ってその挙動を学習し、その学習結果に基づき上記調整したいエッジ種別ごとの最適エッジシフト量を計算により求めるという技術が提案されている。
【０００５】
なお、上記特許文献２には、ライトストラテジ調整の評価値として用いられるべきマークエッジ位置のずれ量の測定技術として、ＢＤなどの高密度光ディスクで符号間干渉が生じる場合にも２Ｔ（Ｔはチャネルビット）などの短マークについてのエッジ位置のずれ量を正確に測定することのできる技術が開示されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ここで、上記特許文献１のライトストラテジ調整手法では、或るパルスエッジ位置についての調整が他のマークエッジ位置に与える影響（相互干渉と呼ぶ）を考慮したライトストラテジ調整を行っている。
このとき、相互干渉としては主にフロントエッジ・リアエッジ間の干渉が支配的であり、異なるマーク長間での干渉は無視できるレベルである。従って特許文献１では、試し書き時に、調整対象とする各マーク長のエッジ位置を同時に変化させるということを行っている。具体的に、調整対象とするマーク長が例えば２Ｔ，３Ｔ，４Ｔとされる場合には、これら２Ｔ，３Ｔ，４Ｔの全てのパルスエッジ位置を同時に変化させて試し書きを行うというものである。このように各マーク長のパルスエッジ位置を同時に変化させて試し書きを行うようにすれば、その分調整時間の短縮化も図られる。
【０００７】
しかしながら、このように各マーク長のエッジ位置を同時に変化させる試し書きを行ったときには、その試し書きした信号についての評価値（マークエッジ位置のずれ量）のうち特に最短マーク長など短いマーク長についての評価値に干渉が生じてしまうこととなる。すなわち、短いマーク長のマークエッジ位置の評価値が、他のマーク長についてのパルスエッジ位置を変化させたことによるマークエッジ位置の変化の影響を受け、本来測定されるべき値とずれた値に測定されてしまうものである。
このような特に短いマーク長についての評価値の干渉は、上記特許文献２に記載されるような符号間干渉の生じる系に対応した手法で計算される評価値であっても生じることとなる。
【０００８】
上記のような評価値の干渉により短いマーク長についての評価値がずれて測定されてしまう虞があったことから、上記特許文献１の手法では、その調整結果にもずれが生じてしまう可能性があった。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そこで、本発明では上記のような問題点に鑑み、記録再生装置として以下のように構成することとした。
すなわち、光記録媒体に対してレーザ光を照射して、光記録媒体上でマーク及びスペースで表現される情報の書込及び読出を行う光学ヘッド部を備える。
また、記録する情報に応じたレーザ駆動パルスを生成して上記光学ヘッド部に供給し、上記光学ヘッド部に、記録のためのレーザ光照射を実行させるレーザ駆動パルス生成部を備える。
また、上記光学ヘッド部により上記光記録媒体から読み出した信号に基づき、上記マークのエッジ位置の誤差を表す評価値を測定する評価値測定部を備える。
さらに、上記レーザ駆動パルスの各マーク長のうち調整対象とされた複数のマーク長について予めグループ分けされたマーク長の組ごとに、その組に属するマーク長についてのレーザ駆動パルスのエッジ位置のシフト量を変化させた試し書きをそれぞれ分けて実行させると共に、それにより記録された信号の読み出しを実行させて上記評価値測定部にそれぞれの上記シフト量の設定下での評価値を測定させ、測定されたそれぞれの評価値に基づき、上記調整対象とされたマーク長ごとの上記レーザ駆動パルスの最適エッジシフト量を求める制御・演算部を備えるようにした。
【００１０】
上記のように、調整対象とされたマーク長ごとの最適エッジシフト量を求めるための試し書きを、上記調整対象とされたマーク長について予めグループ分けされたマーク長の組ごとに分けて実行するものとすれば、当該試し書きは、評価値の干渉が少なくなるようにグループ分けされたマーク長の組ごとに分けて行うということができる。
このように評価値の干渉が少なくなるようにグループ分けされたマーク長の組ごとに上記試し書きを行うことができれば、調整対象とされたマーク長ごとの最適エッジシフト量は、上記特許文献１に記載される従来手法（調整対象とする各マーク長のエッジ位置を同時に変化させる試し書きを行う従来手法）とする場合よりも正確に求めることができる。つまりこれにより、上記従来手法よりも正確なライトストラテジ調整を実現することができる。
【発明の効果】
【００１１】
上記のように本発明によれば、調整対象とする各マーク長のエッジ位置を同時に変化させる試し書きを行う従来のライトストラテジ調整手法よりも正確なライトストラテジ調整を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施の形態の記録再生装置の要部のブロック図である。
【図２】レーザ駆動パルスとその記録エッジ位置の説明図である。
【図３】調整処理におけるストラテジ設定の説明図である。
【図４】従来手法としてのストラテジ調整処理のフローチャートである。
【図５】実施の形態としてのストラテジ調整手法について説明するための図である。
【図６】実施の形態のストラテジ調整手法における各調整用記録の記録条件についての説明図である。
【図７】実施の形態としてのストラテジ調整手法を実現するための具体的な処理の手順を示したフローチャートである。
【図８】評価値の干渉の少ない組み合わせの導出の大まかな手順を示したフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態を次の順序で説明する。
＜１．記録再生装置の構成＞
＜２．従来手法としてのストラテジ調整＞
［2-1．基本となる考え方］
［2-2．具体的な調整手法］
＜３．実施の形態としてのストラテジ調整手法＞
＜４．処理手順＞
＜５．評価値の干渉の少ない組み合わせの導出手法＞
＜６．変形例＞
【００１４】
＜１．記録再生装置の構成＞
図１は実施の形態の記録再生装置の要部のブロック図を示している。
先ず、図中の光ディスク１は、ディスク状の光記録媒体とされ、レーザ光の照射により情報の記録／再生が行われる。
本例の場合、光ディスク１は例えばＢＤ（Blu-ray Disc：登録商標）などの高密度ディスクであるとする。
【００１５】
光ディスク１は、記録／再生時にはスピンドルモータ２によって回転される。
光学ヘッド（光学ピックアップ）３は、レーザダイオードから出射されたレーザ光を、所定の光学系により対物レンズから光ディスク１に照射する。また光ディスク１からの反射光を、所定の光学系を介してフォトディテクタに導き、反射光量に応じた電気信号を得る。また複数のフォトディテクタで検出された各光量信号に対して演算処理を行い、記録された情報の再生信号ｓＡ（再生ＲＦ信号）や、トラッキング、フォーカスなどの各種サーボエラー信号を生成する。
【００１６】
記録時には、レーザドライバ１０からレーザ駆動パルスが光学ヘッド３に供給され、光学ヘッド３内のレーザダイオードはレーザ駆動パルスに応じて発光駆動される。
記録時には、光ディスク１に記録しようとする記録データが、記録データエンコーダ８で、例えばＲＬＬ（１，７）変調等のエンコード処理が施され、そのエンコード信号がライトストラテジ回路９に供給される。ライトストラテジ回路９では、エンコード信号に応じたレーザ駆動パルス（記録パルス）を生成する。ライトストラテジ回路９で生成されるレーザ駆動パルスのパルスレベルやパルスエッジ位置（以下、記録エッジ位置とも称する）は、システムコントローラ１１からの設定値により調整される。
ライトストラテジ回路９で生成され、ストラテジ調整されたレーザ駆動パルスが、レーザドライバ１０を介して光学ヘッド３内のレーザダイオードの駆動信号となる。
【００１７】
再生時には、光学ヘッド３で読み出された再生信号ｓＡが再生クロック生成／サンプリング回路４に供給される。再生クロック生成／サンプリング回路４では、ＰＬＬ（Phase Locked Loop）回路を用いて再生信号ｓＡに同期した再生クロックＣＫを生成し、また再生信号ｓＡのサンプリングを行ってサンプリング信号（デジタル再生信号）ＤＳを出力する。再生クロックＣＫはＰＲＭＬ（Partial Response Maximum Likelihood）デコーダ５、再生データデコーダ６、評価値演算部７での処理に用いられる。
サンプリング信号ＤＳは、ＰＲＭＬデコーダ５に供給され、パーシャルレスポンス等化処理やビタビ復号処理が行われる。
【００１８】
ここで、本例におけるＰＲＭＬデコーダ５は、評価値演算部７が後述するｄＳＡＭと呼ばれる評価値を演算することができるように、ＰＲ等化のためのイコライザとして、いわゆる適応等化型のイコライザを備えて構成される。
後述もするように評価値演算部７は当該適応等化型のイコライザにて得られる等化誤差を表す信号（等化誤差信号と呼ぶ）に基づき評価値を演算することになる。
【００１９】
ＰＲＭＬデコーダ５での復号処理で得られた復号データ（２値データ列）ＤＴは、再生データデコーダ６に供給され、ＲＬＬ（１，７）変調等に対する復調処理やエラー訂正処理、デインターリーブなどの処理が施され、これによって復調された再生データが得られる。
【００２０】
評価値演算部７は、ＰＲＭＬデコーダ５にて得られる上述した等化誤差信号を入力し、その値を用いて２つの差メトリックの差としての評価値を算出する。この評価値は、２つの差メトリック（ＳＡＭ）の差分に相当するものであり、「ｄＳＡＭ」と呼ばれる。
【００２１】
ここで、この評価値（ｄＳＡＭ）は、先に挙げた特許文献２に記載される評価値「ｄＳＡＭ」と同様のものである。具体的に当該ｄＳＡＭとしての評価値は、ビットシフト方向及びシフト量を定量的に表す値であり、マークエッジ位置の本来の位置からの誤差を表す。
具体的にｄＳＡＭは、ＰＲイコライザにより得られる等化信号と最尤パスとのユークリッド距離と、上記等化信号とビット進み方向で考えた対抗パスとのユークリッド距離との差分を第１の差メトリックとし、上記等化信号と最尤パスとのユークリッド距離と上記等化信号とビット進み方向で考えた対抗パスとのユークリッド距離との差分を第２の差メトリックとしたとき、これら第１、第２の差メトリックの差を表すものとなる。
特許文献２に記載されるように、このｄＳＡＭは、上述した等化誤差信号の値に基づき算出することができ（特許文献２における［数７］や図３を参照）、本例の評価値演算部７としても同様に等化誤差信号に基づき算出する構成を採るものとしている。
【００２２】
また、本例の評価値演算部７としても、特許文献２の場合と同様に、ＰＲＭＬデコーダ５からの復号データＤＴについてのパターンマッチングを行った結果に基づき、評価値（ｄＳＡＭ）をフロント／リアの各エッジごとや、マーク長ごと、さらには直前のスペース長や直後のスペース長との組み合わせごとに算出するように構成されている。
具体的には、復号データＤＴと予め設定された所定スペース長と所定マーク長との組み合わせパターンとのマッチングを行うことで、各マーク長の始端側のエッジ位置についてはその直前のスペース長との組み合わせごとに評価値を算出し、また終端側のエッジ位置についてはその直後のスペース長との組み合わせごとに評価値を算出する。
なお、本例の場合、評価値としては、少なくとも各マーク長ごとにその始端側マークエッジ／終端側マークエッジについての値を分けて測定できるようにされていれば足る。
【００２３】
評価値演算部７で得られた評価値（ｄＳＡＭ）は、システムコントローラ１１に供給される。
【００２４】
システムコントローラ１１は、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）やＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）などのメモリ装置を備えて成るマイクロコンピュータで構成される。
システムコントローラ１１は、記録再生装置の制御部として各部を制御するが、特に本例においては、評価値演算部７より取得した評価値に基づいて後述するようにして最適なストラテジ設定を算出し、ライトストラテジ回路９に設定する処理を実行する。
【００２５】
なお、図１に示す記録再生装置において、図示は省略したが、光学ヘッド３が照射するレーザ光についてのフォーカスサーボ、トラッキングサーボ動作や光学ヘッド３の移送（スレッド移動）動作などは、サーボ回路やサーボ駆動機構（光学ヘッド３内の二軸機構やスレッド機構など）によって行われることになる。
またスピンドルモータ２の回転制御もサーボ回路によって行われる。システムコントローラ１１は、サーボ回路に指示を行って、記録動作、再生動作のためのスピンドルモータ２の駆動や光学ヘッド３の挙動を制御し、光ディスク１に対する記録動作や再生動作を実行させる。
【００２６】
＜２．従来手法としてのストラテジ調整＞
以下、実施の形態としてのストラテジ調整手法についての説明に先立ち、先ずはその基となる従来手法としてのストラテジ調整の手法について説明しておく。
なお、本項で説明する従来手法としてのストラテジ調整の手法とは、先に挙げた特許文献１において開示される手法と同様のものとなる。
【００２７】
先ず、ライトストラテジ調整に関して、最も単純なエッジ位置の調整手法としては、個々のエッジ位置についてマークエッジ位置のずれ量を表す評価値を測定し、そのずれ量に応じた分だけ個々のエッジ位置を調整するという調整手法を挙げることができる。
例えば、或るマーク長の終端側のマークエッジ位置が本来の位置よりもプラス方向に「１」だけずれている場合には、そのマーク長についての記録パルスの終端側エッジ位置を「−１」だけ補正するというものである。
【００２８】
しかしながら、特許文献１にも記載されるように、ライトストラテジ調整においては、或る記録エッジ位置（記録パルスのエッジ位置）の調整が他のマークエッジ位置に与える影響（以下、相互干渉と称する）を考慮すべきものとなる。
つまり、このような相互干渉が生じる結果、上記のような単純な調整手法を採った場合には、調整に多くの時間を要したり、また調整自体を適正に行うことができない虞がある。具体的に、上記調整手法のようにひとつのマークエッジ位置を確認しながら記録エッジ位置をひとつずつ調整していく場合は、その対象とする記録エッジ位置のシフトに伴い対象とするマークエッジ位置のみがシフトするのではなく、実際には他のマークエッジ位置もシフトしてしまうため、一旦最適に調整したはずの記録エッジ位置についてのマークエッジ位置が、他の記録エッジ位置の調整をしたことでずれてしまうことがある。従って時間がかかるだけでなく、調整精度も悪化する傾向となるものである。
【００２９】
そこで、先に本出願人は、相互干渉の影響を考慮したより高精度なライトストラテジ調整の実現のため、特許文献１において、以下で説明するような調整手法（従来手法）を提案するものとした。
【００３０】
［2-1．基本となる考え方］
以下、従来手法としてのストラテジ調整の基本となる考え方について述べる。
なお以下の説明において、エッジシフト量の調整対象とされるマーク長は、２Ｔ，３Ｔ，４Ｔの３種であるとする。ここで「Ｔ」はチャネルビットを表す。
【００３１】
先ず、ストラテジ調整においては、予め定められた基準となるストラテジ（初期ストラテジと呼ぶ）を基準としてストラテジを調整する。ここで初期ストラテジは、例えば光ディスク１に予め記録されている管理情報に含まれているストラテジ推奨情報であったり、或いは記録再生装置に記憶されているストラテジ設定情報である。記録再生装置によっては、例えば光ディスク１の製造メーカーやディスク種別などに応じて、それぞれ対応する初期ストラテジを記憶している場合もある。
【００３２】
ストラテジ調整では、初期ストラテジを基準として、複数の異なるストラテジ設定状態でそれぞれ調整用の記録を行う。
具体的な構成に照らせば、システムコントローラ１１が、初期ストラテジを基準にして選定したストラテジ設定をライトストラテジ回路９に設定し、その状態で記録データエンコーダ８にランダムデータを供給する。そのランダムデータは、記録データエンコーダ８で例えばＲＬＬ（１，７）方式等の変調処理が施され、ライトストラテジ回路９に供給される。ライトストラテジ回路９は、そのときのストラテジ設定に基づいて、ランダムデータの変調データに応じたレーザ駆動パルスを生成する。このレーザ駆動パルスがレーザドライバ１０に供給され、光学ヘッド３のレーザダイオードを駆動することで、光ディスク１に調整のための試し記録（試し書き）が行われる。
【００３３】
また、システムコントローラ１１は、記録したランダムデータを再生させ、そのときに評価値演算部７で算出（測定）された評価値（マークエッジ位置の誤差を表す）を取得する。
このような処理を、複数のストラテジ設定状態で実行し、それぞれのストラテジ設定状態で記録したデータを再生したときに測定される評価値を取得していく。そして各ストラテジ設定状態での評価値の挙動を学習して、評価値が０になるようにする最適なストラテジ設定を算出し、当該最適なストラテジ設定をライトストラテジ回路９に設定する。
【００３４】
従来手法としてのストラテジ調整において、測定される評価値からの最適ストラテジの算出は、以下の考え方に基づき行う。
先ず、評価値と記録エッジ位置のシフト量との関係が線形であると仮定する。
ここで、エッジシフト量の調整対象する記録エッジ位置はｑ種類あり、ベクトルｗで表す。例えば図２には、２Ｔマーク、３Ｔマーク、４Ｔマークのそれぞれの場合のレーザ駆動パルスを示している。図２では主にファーストパルスの記録エッジ位置である始端記録エッジ位置のシフトをｗF、主にラストパルスの記録エッジ位置である終端記録エッジ位置のシフトをｗRで表し、特にこの図ではこれを２Ｔ、３Ｔ、４Ｔの別に応じて、ｗ2F、ｗ2R、ｗ3F、ｗ3R、ｗ4F、ｗ4Rというように示している。
後述する「具体的な調整手法」では、２Ｔマーク、３Ｔマーク、４Ｔマークのマーク長について個別に、ファーストパルスとラストパルスのエッジを調整すべき記録エッジ位置とするが、その場合、調整対象とする記録エッジ位置はｗFとｗRの２種類となる。つまり上記ｑ＝２である。そしてこの場合は、２Ｔマークのレーザ駆動パルスについて調整のために算出する記録エッジ位置はｗFとｗRであり、同様に３Ｔマーク、４Ｔマークについても、それぞれ調整のために算出する記録エッジ位置はｗFとｗRである。
【００３５】
調整すべき記録エッジ位置は具体的な手法に応じて適切に決定すればよいが、まず考え方として、上記のように調整のために算出すべき記録エッジ位置をｑ種類とし、ベクトルｗで表す。
一方、マークエッジ位置誤差はｐ種類あるとし、ベクトルｍで表す。また、上述した初期ストラテジでのマークエッジ位置誤差をｍinitで表す。
このとき、次の（数１）に示すｐ×ｑの行列Ｃは、ｑ種類の記録エッジ位置のシフト量に対するｐ種類のマークエッジ位置についての評価値の挙動を表すものであり、以下、「干渉感度」とも呼ぶ。
【数１】
2012014753.tif 000003
この（数１）のように、記録エッジ位置のシフト量とマークエッジ位置誤差（評価値）との関係は線形であると仮定する。
【００３６】
ここで、ｐ≧ｑと選び、ｑ＋１通りのストラテジ設定状態で調整のための試し記録を行い、マークエッジ位置誤差を取得することで、行列Ｃとベクトルｍinitを求めることができる。例えば、計算方法として求めた行列とベクトルから、次の（数２）の計算をすることで最適な記録エッジシフト量ｗ0を求める方法などがある。
【数２】
2012014753.tif 000004
この場合、Ｃ#はｐ＞ｑの場合は擬似逆行列となり、ｐ＝ｑの場合は逆行列となる。
【００３７】
なお、ｑ＋１通りでの試し記録が必要な理由は、上記（数１）の行列Ｃとベクトルｍinitを求めるために必要最小限の試し記録数がｑ＋１通りであるためである。
また、ｑ＋１通りの試し記録におけるエッジ位置のシフト量ｗtestは、適当に選んだひとつの記録エッジシフト量ｗ0に対して、ｗ0を基準としたｑ種類のベクトルが１次独立なベクトルとなるように選べばよい。つまり、適当な記録エッジシフト量ｗ0を選び、ｗ1＋ｗ0、ｗ2−ｗ0、・・・ ｗq+1−ｗ0のベクトルが１次独立になるように選ぶ。
例えば、ｐ＝２，ｑ＝２の場合は４ｗ0を[0 0]Tと選び、1次独立なベクトル[1 0]T、 [0 1]Tを選べばよい。
【００３８】
ここで、後述する「具体的な調整手法」で用いる評価値と記録エッジ位置とについて説明しておく。
まず、直前のスペース長と直後のマーク長の組み合わせからなるマークエッジ位置を始端マークエッジ位置と呼ぶ。また直前のマーク長と直後のスペース長の組み合わせからなるマークエッジ位置を終端マークエッジ位置と呼ぶ。
後述する具体的な調整手法では、マーク長とスペース長を２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ，５Ｔ以上という分け方により分類した。
【００３９】
次に評価値を定義する。
後述する具体的な調整手法では、評価値として、２Ｔ，３Ｔ，４Ｔの各マーク長についてそれらの始端マークエッジ位置側の評価値、終端マークエッジ位置側の評価値をそれぞれ測定する。
以下の説明においては、始端マークエッジ位置側の評価値については「始端マークエッジ位置誤差ｍF」と表記する。
同様に、終端マークエッジ位置側の評価値については「終端マークエッジ位置誤差ｍR」と表記する。
この場合におけるストラテジ調整では、これらマークエッジ位置誤差が０になるように記録エッジ位置を調整するものである。
【００４０】
続いて、ストラテジ調整では、マークエッジ位置を移動させるために記録エッジ位置を動かす。
例えば、始端マークエッジ位置を調整する部分を始端記録エッジ位置と呼び、始端マークエッジ位置を調整する部分を終端記録エッジ位置とすると、調整すべき記録エッジ位置は、先の図２のようなエッジ位置シフト（ｗ2F、ｗ2R、ｗ3F、ｗ3R、ｗ4F、ｗ4R）が行われればよい。
【００４１】
［2-2．具体的な調整手法］
上記の前提を踏まえた上で、従来手法としての具体的なストラテジ調整手法について説明する。
ここで説明する従来手法としてのストラテジ調整手法は、エッジ前後のマーク長／スペース長を考慮せず、他のＴのマーク／スペースの干渉が少ないと考えた場合に適合する手法となり、調整時間の短縮化が要求される場合に好適となる。
端的に言えば、或る記録エッジ位置を動かすと、その動かした側のエッジ位置のみでなく、他端側のエッジ位置も連動して動くという点を主に考慮した調整手法となる。
【００４２】
ここでは前述の通り、マーク長については２Ｔ，３Ｔ，４Ｔという分類をするものとする。すなわち、２Ｔマーク、３Ｔマーク、４Ｔマークのそれぞれについて始端記録エッジ位置、終端記録エッジ位置を求めるものである。
【００４３】
ここで、各マーク長の別を区別しない形で、記録エッジ位置を移動したときのマークエッジ位置誤差の始端部をｍF、終端部をｍRと表す。
同様に各マーク長を区別しない形で、記録エッジ位置のシフト量を始端と終端に区別してそれぞれｗF, ｗRで表す。なお確認のため述べておくと、これら始端側のシフト量ｗF, 終端側のシフト量ｗRは、それぞれ初期ストラテジとして設定された始端記録エッジ位置、終端記録エッジ位置からのシフト量を表すものである。
また、初期ストラテジで記録したときのマークエッジ位置誤差の始端部をｍF_init、終端部をｍR_initで示す。
このときの記録エッジ位置のシフト量ｗF, ｗRに対するマークエッジ位置誤差ｍF、ｍRは、先の（数１）の考え方から、次の（数３）のように表される。
【数３】
2012014753.tif 000005
【００４４】
つまりこの場合、始端記録エッジ位置のシフト量ｗF、終端記録エッジ位置のシフト量ｗRとして、ｑ＝２種類の記録エッジ位置を求めるために、ｑ＋１＝３通りのストラテジ設定で調整のための試し記録を行う。そして、それを再生したときに得られる始端マークエッジ位置誤差ｍF、終端マークエッジ位置誤差ｍRを０にできるような始端記録エッジ位置シフト量ｗF、終端記録エッジ位置シフト量ｗRを算出すればよい。
２種類の記録エッジ位置シフト量ｗF, ｗRと２種類以上のマークエッジ位置誤差ｍF、ｍRとの関係が線形であると仮定し、３通りのストラテジ設定で試し記録を行う。このときに行列Ｃ（Ｃ11、Ｃ12，Ｃ21，Ｃ22）とベクトルｍinit（ｍF_init、ｍR_init）を求めることで、先の（数２）から最適ストラテジを求めることができる。
【００４５】
従来のストラテジ調整手法において、調整のための試し記録は次のように行う。
先ず、試し記録にあたっては、図３に示されるような３通りのストラテジ設定ＳＴ１，ＳＴ２，ＳＴ３が事前に設定される。
すなわちこれらストラテジ設定ＳＴ１，ＳＴ２，ＳＴ３としては、図示するように初期ストラテジを原点として記録波形移動量（エッジシフト量）を（始端記録波形移動量，終端記録波形移動量)のように表すと、（１[ns]，１[ns]）、（−１[ns]，１[ns]）、（−１[ns]，−１[ns]）の３点となる。ここで[ns]はnano sec（ナノ秒）の略である。
【００４６】
これら３つのストラテジ設定ＳＴ１，ＳＴ２，ＳＴ３により記録エッジ位置をそれぞれ変化させて試し記録を行う。
試し記録には、ランダムデータを用い、該ランダムデータ中の該当するマーク長（この場合は２Ｔ、３Ｔ、４Ｔ）の記録エッジ位置シフト量ｗF, ｗRをそれぞれ上記ストラテジ設定ＳＴ１，ＳＴ２，ＳＴ３に変化させて、これらストラテジ設定ごとの計３種の試し記録を行う。
【００４７】
このようにストラテジ設定ＳＴ１，ＳＴ２，ＳＴ３のそれぞれの設定下で試し記録を行った信号について、それらのマークエッジ位置誤差（評価値）を測定することにより、先の（数３）の行列Ｃとベクトルｍinitが求まる。そこから（数２）の計算より調整すべきレーザ駆動パルスの記録エッジ位置移動量が計算される。
【００４８】
従来手法としてのストラテジ調整手法の具体的な処理手順について、図５のフローチャートを参照して説明する。
ここでは、図５に示す処理が、図１に示したシステムコントローラ１１により実行されるものとして説明する。
【００４９】
先ずステップＳ１０１では、変数ｉを１にセットする。そしてステップＳ１０２で、ライトストラテジ回路９を第ｉのストラテジ設定（ＳＴｉ）に制御する。例えば上記ストラテジ設定ＳＴ１の状態、つまり始端記録波形移動量を１[ns]、終端記録波形移動量を１[ns]に設定する。
システムコントローラ１１は、この状態でステップＳ１０３の記録を実行させる。この場合システムコントローラ１１は、調整のための試し記録用のデータとしてランダムデータを発生させ、記録データエンコーダ８に与える。このランダムデータが記録データエンコーダ８で変調され、変調されたデータに応じてライトストラテジ回路９においてレーザ駆動パルスとしての波形が成形される。このときストラテジ設定ＳＴ１に従って、始端記録エッジ位置シフト量ｗF＝１[ns]、終端記録エッジ位置シフト量ｗR＝１[ns]としてレーザ駆動パルスが生成される。そしてこのレーザ駆動パルスがレーザドライバ１０に供給され、光学ヘッド３内のレーザダイオードが発光駆動されて記録が行われる。
【００５０】
続いてステップＳ１０４では、変数ｉを確認し、ｉ≧ｑ＋１（つまりこの場合はｉ≧３）でなければ、ステップＳ１０５で変数ｉをインクリメントしてステップＳ１０２、Ｓ１０３の処理を同様に実行する。
すなわち、始端記録エッジ位置シフト量ｗF＝−１[ns]、終端記録エッジ位置シフト量ｗR＝１[ns]とする第２のストラテジ設定ＳＴ２でレーザ駆動パルスを生成させ、ランダムデータの記録を実行させる。
さらに、ステップＳ１０４からＳ１０５に進み、変数ｉをインクリメントしてステップＳ１０２、Ｓ１０３の処理を同様に実行する。
つまり、始端記録エッジ位置シフト量ｗF＝−１[ns]、終端記録エッジ位置シフト量ｗR＝−１[ns]とする第３のストラテジ設定ＳＴ３でレーザ駆動パルスを生成させ、ランダムデータの記録を実行させる。
【００５１】
そしてステップＳ１０４において、変数ｉについてｉ≧ｑ＋１（ｉ≧３）であるとの肯定結果が得られた場合は、ステップＳ１０６に進み、ｉ＝１〜ｑ＋１の記録部分の評価値測定処理を実行する。すなわち、システムコントローラ１１は、光学ヘッド３及び再生系各部を制御して上記ステップＳ１０２〜Ｓ１０５によるループ処理で記録させた部分についての再生動作を実行させ、このとき評価値演算部７でｄＳＡＭとしての評価値（マークエッジ位置誤差Mepe）を測定（演算）させる。具体的には、２Ｔマーク、３Ｔマーク、４Ｔマークのそれぞれについて、ストラテジ設定ＳＴ１〜ＳＴ３の各設定下での始端マークエッジ位置誤差ｍF、終端マークエッジ位置誤差ｍRを測定させるものである。
【００５２】
ステップＳ１０６の処理で、２Ｔマーク、３Ｔマーク、４Ｔマークのそれぞれについてストラテジ設定ＳＴ１〜ＳＴ３の各設定下での始端マークエッジ位置誤差ｍF、終端マークエッジ位置誤差ｍRを測定させたら、ステップＳ１０７に処理を進める。
ステップＳ１０７では、それぞれのストラテジ設定における始端記録エッジ位置シフト量ｗF、終端記録エッジ位置シフト量ｗRと、測定された始端マークエッジ位置誤差ｍF、終端マークエッジ位置誤差ｍRとを用いて、感度計算を行う。
これは、２Ｔマーク、３Ｔマーク、４Ｔマークのそれぞれについて、先の（数３）における行列Ｃ（Ｃ11、Ｃ12，Ｃ21，Ｃ22）とベクトルｍinit（ｍF_init、ｍR_init）を求める処理となる。具体的には、これらの各マーク長ごとに、（数３）に、第１〜３のストラテジ設定としての始端記録エッジ位置シフト量ｗF、終端記録エッジ位置シフト量ｗRとそれらの設定区間で測定された始端マークエッジ位置誤差ｍF、終端マークエッジ位置誤差ｍRとをそれぞれ代入し、それにより得られる３式の連立方程式を解くことで、行列Ｃ（Ｃ11、Ｃ12，Ｃ21，Ｃ22）とベクトルｍinit（ｍF_init、ｍR_init）とを求める。
【００５３】
行列Ｃ（Ｃ11、Ｃ12，Ｃ21，Ｃ22）とベクトルｍinit（ｍF_init、ｍR_init）を求めたら、ステップＳ１０８において、先の（数２）を計算して各マーク長ごとの最適ストラテジを算出する。つまり、始端マークエッジ位置誤差ｍF、終端マークエッジ位置誤差ｍRがそれぞれ０となるような始端記録エッジ位置シフト量ｗF、終端記録エッジ位置シフト量ｗRを求めるものである。
確認のため述べておくと、（数２）は、（数１）においてｍ＝０とした「０＝Ｃｗ＋ｍinit」より導出されたものである。
【００５４】
具体的に、上記ステップＳ１０８では、先ずはステップＳ１０７にて求めた行列Ｃ（干渉感度Ｃ）について、その逆行列Ｃ#を計算し、該逆行列Ｃ#と上記ベクトルｍinit（ｍF_init、ｍR_init）とを用いて（数２）を解くことで、始端マークエッジ位置誤差ｍF、終端マークエッジ位置誤差ｍRをそれぞれ０とする始端記録エッジ位置シフト量ｗF、終端記録エッジ位置シフト量ｗRを求める。
このように算出された始端記録エッジ位置シフト量ｗF、終端記録エッジ位置シフト量ｗRは、初期ストラテジに対する補正量となる。従って、初期ストラテジについて始端記録エッジ位置シフト量ｗF、終端記録エッジ位置シフト量ｗRの補正を行ったストラテジ設定を、最適ストラテジとすることもできる。
【００５５】
そして、システムコントローラ１１は、次のステップＳ１０９で、算出した各マーク長ごとの最適ストラテジをライトストラテジ回路９に設定する。
以上で、従来手法によるストラテジ調整処理は完了となる。
【００５６】
上記のような従来手法としてのストラテジ調整手法により、或る記録エッジ位置の調整が他のマークエッジ位置に与える影響としての「相互干渉」を考慮した適切なライトストラテジの調整を実現できる。
また、上記の従来手法では、試し記録として、調整対象とする各マーク長（２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ）のストラテジ設定ＳＴを同時に変化させる試し書きを行うものとしていることで、試し書きの回数はストラテジ設定ＳＴ１〜ＳＴ３に対応した計３回に抑えることができ、それにより調整時間の短縮化が図られるものとなる。
【００５７】
＜３．実施の形態としてのストラテジ調整手法＞
ここで、上記説明からも理解されるように、相互干渉を考慮したストラテジ調整の実現にあたっては、調整対象とすべき記録エッジ位置の１つ１つについて独立して試し書き・評価値測定を行うのではなく、複数の記録エッジ位置を同時に変化させた試し記録を行い、その結果測定される評価値に基づき最適ストラテジを求めるものとすればよい。
【００５８】
上記により例示した従来手法では、このように複数の記録エッジ位置を同時に変化させる試し書きを、上述のように調整時間の短縮化という点を考慮して、調整対象とする全てのマーク長（２Ｔ、３Ｔ、４Ｔ）について、それらの各始端記録エッジ位置及び各終端記録エッジ位置を同時に変化させる試し記録を行うものとしている。
【００５９】
しかしながら、このように調整対象とする全てのマーク長の記録エッジ位置を同時に変化させる試し書きを行ってしまうと、当該試し書きした信号について測定される評価値のうち特に最短マーク長など短いマーク長についての評価値に干渉が生じてしまう。
換言すれば、短いマーク長のマークエッジ位置についての評価値が、他のマーク長についての記録エッジ位置を変化させたことによるそのマークエッジ位置の変化の影響を受けて、本来測定されるべき値とずれた値に測定されてしまうというものである。
【００６０】
ここで、このような評価値の干渉は、特にＢＤなどの高密度ディスクにおいて顕著となる。
具体的に、このような評価値の干渉は、光ディスク１上に形成されたマークに対しレーザ光のビームスポットのサイズが相対的に大であることに起因して生じるものとされており、特に短いマーク長のときにこれと隣接するマークについてエッジをずらした分がスポット内に観測されてしまい（つまり再生信号ｓＡに検出されてしまい）、その結果、特に短いマーク長についての評価値に本来測定されるべき値からの誤差が生じてしまうものである。
なお、本実施の形態では、符号間干渉が生じる場合に対応した評価値として、先の特許文献２に記載されるものと同様のｄＳＡＭを用いるものとしているが、評価値の干渉は、上記の発生原理からも理解されるように、このようなｄＳＡＭとしての評価値を用いた場合にも生じるものである。
【００６１】
上記のようにして、調整対象とする全てのマーク長についてのエッジ位置を同時に動かす試し書きを行うようにされた従来手法では、特に短いマーク長に関して、適正な評価値を得ることが困難とされ、その結果最適ストラテジを正確に求めることができない虞があった。すなわち、ストラテジ調整の精度が低下する傾向にあった。
【００６２】
そこで本実施の形態では、このような評価値の干渉による影響を抑制してより高精度なストラテジ調整を実現すべく、以下で説明するようなストラテジ調整手法を提案する。
【００６３】
図５は、実施の形態としてのストラテジ調整手法について説明するための図として、図５（ｂ）は光ディスク１に対し調整のための試し書き（調整用記録）を行った部分を模式的に示し、また図５（ａ）は、図５（ｂ）に示される各調整用記録部分を光ディスク１の線方向に並べて示している。
また図６は、実施の形態のストラテジ調整手法における各調整用記録の記録条件についての説明図である。
【００６４】
先ず、本実施の形態においても、調整対象とするマーク長は２Ｔ，３Ｔ，４Ｔであるものとする。すなわち本実施の形態においても、これら２Ｔ，３Ｔ，４Ｔの各マーク長の始端記録エッジ位置及び終端記録エッジ位置についての最適ストラテジを求めるようにされる。
【００６５】
本実施の形態では、調整のための試し書きは、従来手法のように調整対象とする全てのマーク長の記録エッジ位置を同時に変化させて行うものとはせず、予め求めておいた「評価値の干渉が少ない組み合わせ」となる各マーク長の組ごとに分けて行うものとしている。
具体的に本例の場合、当該「評価値の干渉が少ない組み合わせ」としては、後述する導出手法によって「評価値の干渉が最も少ない組み合わせ」を求めるものとし、その結果、「２Ｔ，４Ｔ」の組と、「３Ｔ単独」の組とによる組み合わせが決定されたものとする。
なお、このような評価値の干渉の少ない組み合わせは、システムが採用する記録／再生の条件（例えば記録再生波長や対物レンズの開口数、光ディスク１の記録膜の材料など）の違いに応じて異なる組み合わせが導出され得るものである。
ここで、このような評価値の干渉が少ない組み合わせを求めるための具体的な導出手法の例については、後に改めて説明する。
【００６６】
上記のように本実施の形態では、「評価値の干渉が最も少ない組み合わせ」として、「２Ｔ，４Ｔ」の組と、「３Ｔ単独」の組とに分けて、調整のための試し書きを行う。
図５及び図６を参照して理解されるように、この場合、試し書きとしては先ず「２Ｔ，４Ｔ」の組についての試し書きを実行し、その後、「３Ｔ単独」の組についての試し書きを行うものとしている。
なお、図５及び図６において、変数ｉは先の図４にて説明した変数ｉと同じものであり、ストラテジ設定ＳＴの別を表す。
また変数ｊは、マーク長の組の別を表す変数となる。つまりこの場合、ｊ＝１は「２Ｔ，４Ｔ」の組を表し、ｊ＝２は「３Ｔ単独」の組を表すものである。
【００６７】
より具体的に説明すると、この場合の試し書きとしては、先ず、調整用記録＜１＞として、「２Ｔ，４Ｔ」の組について先に述べたストラテジ設定ＳＴ１（始端記録エッジ位置シフト量ｗF＝１[ns]、終端記録エッジ位置シフト量ｗR＝１[ns]）としての設定状態による試し書きを行う。
次いで、調整用記録＜２＞、調整用記録＜３＞として、同様に「２Ｔ，４Ｔ」の組について、それぞれストラテジ設定ＳＴ２（始端記録エッジ位置シフト量ｗF＝−１[ns]、終端記録エッジ位置シフト量ｗR＝１[ns]）による試し書き、ストラテジ設定ＳＴ３（始端記録エッジ位置シフト量ｗF＝−１[ns]、終端記録エッジ位置シフト量ｗR＝−１[ns]）による試し書きを行う。
【００６８】
さらに、これら「２Ｔ，４Ｔ」の組についての調整用記録＜１＞〜＜３＞（つまりｊ＝１の試し書き）とは別途に、ｊ＝２の試し書きとして、「３Ｔ単独」の組についての試し書きを行う。
すなわち先ず、調整用記録＜４＞として、「３Ｔ単独」の組についてストラテジ設定ＳＴ１による試し書きを行い、次いで調整用記録＜２＞、調整用記録＜３＞として、同様に「３Ｔ単独」の組についてそれぞれストラテジ設定ＳＴ２による試し書き、ストラテジ設定ＳＴ３による試し書きを行う。
【００６９】
また、ストラテジ調整では、これら調整用記録＜１＞〜＜３＞、及び調整用記録＜４＞〜＜６＞としてそれぞれ記録された部分を対象として、評価値演算部７による評価値の演算（測定）が行われるようにする。
ここで、本実施の形態の場合、これら調整用記録＜１＞〜＜３＞、調整用記録＜４＞〜＜６＞についての評価値の測定は、それらの記録の完了ごとに分けて行うようにしている。具体的には、調整用記録＜１＞〜＜３＞を行った直後に、これら調整用記録＜１＞〜＜３＞についての評価値の測定を行い、その後、調整用記録＜４＞〜＜６＞を行うものとし、その直後にこれら調整用記録＜４＞〜＜６＞についての評価値の測定を行うというものである。
【００７０】
確認のため述べておくと、調整用記録＜１＞〜＜３＞としてのｊ＝１による記録部分についての評価値の測定では、２Ｔマーク，４Ｔマークについての始端マークエッジ位置誤差ｍF、終端マークエッジ位置誤差ｍRをそれぞれ測定することになる。
また、調整用記録＜４＞〜＜６＞としてのｊ＝２による記録部分については、３Ｔマークについての始端マークエッジ位置誤差ｍF、終端マークエッジ位置誤差ｍRのみを測定することになる。
【００７１】
なお、本例において、図５のように調整用記録＜１＞〜＜３＞を外周側から内周側にかけて順に行い、さらに調整用記録＜４＞〜＜６＞を調整用記録＜３＞の内周側に隣接する領域から同様に内周側から外周側にかけて順に行うようにしているのは、ＢＤの規格上、試し書き領域は外周詰めで使用するものとして規定されていることによる。従って、規格が異なる場合にはこの限りではない。
【００７２】
上記のようにして評価値の測定を行うことで、２Ｔ〜４Ｔの各マーク長についての始端マークエッジ位置誤差ｍF、終端マークエッジ位置誤差ｍRのそれぞれが測定されたことになる。
このように測定対象とされる２Ｔ〜４Ｔの各マーク長についての始端マークエッジ位置誤差ｍF、終端マークエッジ位置誤差ｍRのそれぞれが測定された後は、先に説明した従来手法としてのストラテジ調整手法と同様に、これら２Ｔ〜４Ｔのマーク長ごとに、行列Ｃ（Ｃ11、Ｃ12，Ｃ21，Ｃ22）とベクトルｍinit（ｍF_init、ｍR_init）とを求め、さらに求めた行列Ｃについての逆行列Ｃ#を計算し、該逆行列Ｃ#と上記ベクトルｍinit（ｍF_init、ｍR_init）とを用いて（数２）を解くことで始端マークエッジ位置誤差ｍF、終端マークエッジ位置誤差ｍRをそれぞれ０とする始端記録エッジ位置シフト量ｗF、終端記録エッジ位置シフト量ｗRを求める。
このようにマーク長ごとに算出した始端記録エッジ位置シフト量ｗF、終端記録エッジ位置シフト量ｗRは、初期ストラテジに対する補正量としての最適ストラテジとなる。
この場合もシステムコントローラ１１は、このようにマーク長ごとに求めた最適ストラテジをライトストラテジ回路９に対して設定する。
【００７３】
上記のように本実施の形態のストラテジ調整手法では、評価値の干渉が少なくなるようにグループ分けされたマーク長の組ごとに、調整のための試し書きを分けて行うものとしている。
これにより、調整対象とする全マーク長の記録エッジ位置を同時に変化させる従来手法とする場合と比較して、短マークについて生じるものとされる評価値の干渉を効果的に抑制することができ、結果、従来手法よりも正確なライトストラテジ調整を実現することができる。
【００７４】
また本実施の形態のストラテジ調整手法は、調整対象とする記録エッジ位置の１つ１つを独立して調整するものではなく、複数の記録エッジ位置を同時に変化させるものとしているので、この面で、調整処理の短縮化が図られるものとなる。
また、調整対象とするマーク長ごとに独立して調整処理を行う場合と比較しても、調整時間の短縮化を図ることができる。
【００７５】
＜４．処理手順＞
図７は、上記により説明した実施の形態としてのストラテジ調整手法を実現するための具体的な処理の手順を示したフローチャートである。
なお、この図７に示す処理は、図１に示したシステムコントローラ１１が例えば自らが備えるＲＯＭ等に格納されたプログラムに基づき実行するものである。
【００７６】
先ず、ステップＳ２０１では、変数ｊを１にセットする。
続くステップＳ２０２では、先の図５に示したステップＳ１０１と同様に、変数ｉを１にセットする。
【００７７】
そして、次のステップＳ２０３では、グループｊの対象Ｔについて第ｉのストラテジ設定（ＳＴｉ）が為されるようにライトストラテジ回路９を制御する。すなわち、ｊ＝１であれば、「２Ｔ，４Ｔ」の各マークについてのストラテジ設定ＳＴがＳＴｉとなるように制御し、ｊ＝２であれば３Ｔマークについてのストラテジ設定ＳＴがＳＴｉとなるように制御するものである。
【００７８】
ステップＳ２０３によるストラテジ設定処理を実行した後は、ステップＳ２０４において、記録を実行させる。この場合もシステムコントローラ１１は、調整のための試し書き用のデータとしてランダムデータを発生させ、記録データエンコーダ８に与える。
このランダムデータが記録データエンコーダ８で変調され、変調されたデータに応じてライトストラテジ回路９においてレーザ駆動パルスとしての波形が成形されるが、このとき上記ストラテジ設定ＳＴｉに従った始端記録エッジ位置シフト量ｗF、終端記録エッジ位置シフト量ｗRによるレーザ駆動パルスが生成され、これにより上記ストラテジ設定ＳＴｉによる試し書きが実行されることになる。
【００７９】
続くステップＳ２０５では、先のステップＳ１０４と同様に変数ｉを確認し、ｉ≧ｑ＋１（この場合もｉ≧３）でなければ、ステップＳ２０６で変数ｉをインクリメントしてステップＳ２０３に戻る。これにより、グループｊの対象Ｔについて、それぞれストラテジ設定ＳＴ１〜ＳＴ３を設定した試し書きが実行されるものとなる。
【００８０】
一方、ステップＳ２０５において、変数ｉについてｉ≧ｑ＋１（ｉ≧３）であるとの肯定結果が得られた場合は、ステップＳ２０７に進み、ｉ＝１〜ｑ＋１の記録部分の評価値測定処理を実行する。すなわち、ｊ＝１により調整用記録＜１＞〜＜３＞としての試し書きが実行されたのであれば、それら調整用記録＜１＞〜＜３＞としての試し書き部分についての再生動作を実行させ、評価値演算部７により２Ｔマーク及び４Ｔマークそれぞれのストラテジ設定ＳＴ１〜ＳＴ３の各設定下での始端マークエッジ位置誤差ｍF、終端マークエッジ位置誤差ｍRを測定させる。
また、ｊ＝２により調整用記録＜４＞〜＜６＞としての試し書きが実行されたのであれば、それら調整用記録＜４＞〜＜６＞としての試し書き部分についての再生動作を実行させ、評価値演算部７により３Ｔマークについてのストラテジ設定ＳＴ１〜ＳＴ３の各設定下での始端マークエッジ位置誤差ｍF、終端マークエッジ位置誤差ｍRを測定させる。
【００８１】
ステップＳ２０７の評価値測定処理を実行した後は、ステップＳ２０８において、グループｊの対象Ｔについての感度計算を行う。
つまり、ｊ＝１であれば、２Ｔ，４Ｔの各マークについて、ＳＴ１〜ＳＴ３のそれぞれのストラテジ設定における始端記録エッジ位置シフト量ｗF、終端記録エッジ位置シフト量ｗRと測定された始端マークエッジ位置誤差ｍF、終端マークエッジ位置誤差ｍRとを用いて感度計算を行う。
或いはｊ＝２であれば、３Ｔマークについて、ＳＴ１〜ＳＴ３のそれぞれのストラテジ設定における始端記録エッジ位置シフト量ｗF、終端記録エッジ位置シフト量ｗRと測定された始端マークエッジ位置誤差ｍF、終端マークエッジ位置誤差ｍRとを用いて感度計算を行う。
そして続くステップＳ２０９において、グループｊの対象Ｔの最適ストラテジを計算する。
なお、ステップＳ２０８における対象Ｔについての感度計算（行列ＣとベクトルｍF_init、ｍR_initの計算）の具体的な手法、及び感度計算結果に基づくステップＳ２０９による最適ストラテジの計算の具体的な手法については、先に説明した従来手法としてのストラテジ調整手法の場合と同様となる。
【００８２】
ステップＳ２０９において対象Ｔについての最適ストラテジを計算したら、ステップＳ２１０において、ｊ＝ｊＭＡＸであるか否かを判別する。ここでｊＭＡＸは、ｊの最大値の意であり、マーク長の組数の上限値（つまり本例の場合は「２」）となる。つまり本例の場合、ステップＳ２０９ではｊ＝２であるか否かを判別することになる。
【００８３】
ステップＳ２０９において、ｊ＝ｊＭＡＸではない（つまり本例の場合のｊ＝１である）として否定結果が得られた場合は、ステップＳ２１１において変数ｊの値をインクリメントした後、ステップＳ２０３に戻る。つまりこれにより、新たなグループｊについて（つまりｊ＝１であった場合にｊ＝２のグループについて）、試し書きから最適ストラテジの計算までの処理が実行されることになる。
【００８４】
一方ステップＳ２０９において、ｊ＝ｊＭＡＸである（つまり本例ではｊ＝２である）として肯定結果が得られた場合は、ステップＳ２１２において、計算した最適ストラテジをライトストラテジ回路９に設定する。すなわち、調整対象とされた２Ｔ〜４Ｔの各マーク長について計算した最適ストラテジを、ライトストラテジ回路９に設定する。
【００８５】
なお、上記の例では、調整用記録＜１＞〜＜３＞（ｊ＝１の試し書き）、調整用記録＜４＞〜＜６＞（ｊ＝２の試し書き）についての評価値の測定は、それらの記録の完了ごとにそれぞれ分けて行うものとしたが、調整用記録＜１＞〜＜６＞をまとめて行った上で、これら調整用記録＜１＞〜＜６＞についての評価値測定も１度にまとめて行う（つまり一度の再生動作により行う）ようにすることも勿論可能である。
【００８６】
＜５．評価値の干渉の少ない組み合わせの導出手法＞
以下、「評価値の干渉が少ない組み合わせ」を導出するための具体的な手法の一例について説明しておく。
先ず、導出の基本的な考え方としては、複数のマーク長の記録エッジ位置を動かしたときに評価値の干渉が少ないマーク長同士を、同じグループとするということになる。
そのために、調整対象とする全てのマーク長の組み合わせとして考えられ得るものを予めグループ候補として設定しておき、それら各グループ候補について、そのグループ候補に属する各マーク長のストラテジ設定を同時に変化させた際の評価値を測定し、該評価値を基準に、評価値の干渉が最も少ないとされる候補グループを導出する。具体的にこの場合の導出手法では、このように複数のマーク長を組み合わせてシフトさせた場合の評価値が、リファレンス条件として個々のマーク長を単独でシフトさせたときに測定された評価値にできるだけ近いものを選択するということを行う。
【００８７】
図８のフローチャートは、導出の大まかな手順を示している。
図８において、本例の導出の手順としては、大まかにステップＳ３０１〜Ｓ３０４に大別することができる。
【００８８】
先ず、ステップＳ３０１では、リファレンス条件についての評価値測定を行う。
リファレンス条件についての評価値とは、具体的には、調整対象とする各マーク長の個々について独立してその始端／終端の各記録エッジ位置を変化させてそれら個々のマーク長の始端／終端の各マークエッジ位置の評価値を取得したときの、それらマーク長ごとの始端／終端の各マークエッジ位置の評価値を指す。
【００８９】
ここで、以下、マーク長の別を表す変数を「m」（この場合は２〜４）とおき、ストラテジ設定ＳＴの別を表す変数を「n」（この場合はｉ＝１〜３）とおく。
その上で、始端マークエッジ位置についての評価値の測定結果をErF（m,n）、終端マークエッジ位置についての評価値の測定結果をErR（m,n）と表記するものとすると、実施の形態の場合のように調整対象とするマーク長が２Ｔ〜４Ｔの３種、記録条件（ストラテジ設定）がＳＴ１〜ＳＴ３の３種とされる場合、リファレンス条件についての評価値としては、
”２Ｔマークについて”
ErF(2,1)、ErR(2,1)、ErF(2,2)、ErR(2,2)、ErF(2,3)、ErR(2,3）、
”３Ｔマークについて”
ErF(3,1)、ErR(3,1)、ErF(3,2)、ErR(3,2)、ErF(3,3)、ErR(3,3）、
”４Ｔマークについて”
ErF(4,1)、ErR(4,1)、ErF(4,2)、ErR(4,2)、ErF(4,3)、ErR(4,3）、
をそれぞれ測定しておくことになる。
【００９０】
なお、上記のように導出時におけるストラテジ設定を実際の調整時におけるストラテジ設定と同様にすることで、「評価値の干渉の少ない組み合わせ」として、実際の調整時に対応したより正確な組み合わせを求めることができる。
【００９１】
続いて、ステップＳ３０２では、グループ候補条件ごとの評価値測定を行う。
本例の場合、グループ候補として考えられ得る組み合わせは、機械的に全ての組み合わせを求める。具体的に本例の場合、調整対象とするマーク長は２Ｔ〜４Ｔの３種であるので、その組み合わせは
Σ3Ｃi
となる。ここでiは「２〜調整対象マーク長の数」であり、この場合は２，３となる。なお、iを「２〜調整対象マーク長の数」としているのは、i＝１による評価値測定結果は上述のリファレンス条件での評価値と同じとなるためである。
結局、この場合においてグループ候補として考えられ得る組み合わせは、「２Ｔ，３Ｔ」、「２Ｔ，４Ｔ」、「３Ｔ，４Ｔ」、「２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ」の計４種となる。
【００９２】
ここで、このようなグループ候補の別を表す変数を「l」とおく。具体的には、
「２Ｔ，３Ｔ」 ・・・ l＝１
「２Ｔ，４Ｔ」 ・・・ l＝２
「３Ｔ，４Ｔ」 ・・・ l＝３
「２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ」 ・・・ l＝４
とする。
【００９３】
これらグループ候補lごとに測定すべき評価値を、EcF(l,m,n)、EcR(l,m,n)と表記することとすると、この場合においてグループ候補lごとに測定すべき評価値は、以下のようになる。
”l＝１のグループ候補について”
m＝２：EcF(1,2,1)、EcR(1,2,1)、EcF(1,2,2)、EcR(1,2,2)、EcF(1,2,3)、EcR(1,2,3）、
m＝３：EcF(1,3,1)、EcR(1,3,1)、EcF(1,3,2)、EcR(1,3,2)、EcF(1,3,3)、EcR(1,3,3）、
”l＝２のグループ候補について”
m＝２：EcF(2,2,1)、EcR(2,2,1)、EcF(2,2,2)、EcR(2,2,2)、EcF(2,2,3)、EcR(2,2,3）、
m＝４：EcF(2,4,1)、EcR(2,4,1)、EcF(2,4,2)、EcR(2,4,2)、EcF(2,4,3)、EcR(2,4,3）、
”l＝３のグループ候補について”
m＝３：EcF(3,3,1)、EcR(3,3,1)、EcF(3,3,2)、EcR(3,3,2)、EcF(3,3,3)、EcR(3,3,3）、
m＝４：EcF(4,2,1)、EcR(4,2,1)、EcF(4,2,2)、EcR(4,2,2)、EcF(4,2,3)、EcR(4,2,3）、
”l＝４のグループ候補について”
m＝２：EcF(4,2,1)、EcR(4,2,1)、EcF(4,2,2)、EcR(4,2,2)、EcF(4,2,3)、EcR(4,2,3）、
m＝３：EcF(4,3,1)、EcR(4,3,1)、EcF(4,3,2)、EcR(4,3,2)、EcF(4,3,3)、EcR(4,3,3）、
m＝４：EcF(4,4,1)、EcR(4,4,1)、EcF(4,4,2)、EcR(4,4,2)、EcF(4,4,3)、EcR(4,4,3）、
すなわち、グループ候補lごとに測定すべき評価値は、そのグループ候補に属する各マーク長のストラテジ設定を同時に変化させたときのそれらマーク長のマークエッジ位置についての評価値となる。具体的に本例の場合であれば、l＝１であればm＝２，３のみ、l＝２であればm＝２，４のみ、l＝３であればm＝３，４のみ、l＝４であればm＝２，３，４の全てとなる。
【００９４】
ステップＳ３０３では、グループ候補条件ごとにリファレンス条件との評価値差分を計算する。
すなわち、例えばグループ候補l＝１については、
EcF(1,2,1)−ErF(2,1)、EcR(1,2,1)−ErR(2,1)、
EcF(1,2,2)−ErF(2,2)、EcR(1,2,2)−ErR(2,2)、
EcF(1,2,3)−ErF(2,3)、EcR(1,2,3)−ErR(2,3)、
EcF(1,3,1)−ErF(3,1)、EcR(1,3,1)−ErR(3,1)、
EcF(1,3,2)−ErF(3,2)、EcR(1,3,2)−ErR(3,2)、
EcF(1,3,3)−ErF(3,3)、EcR(1,3,3)−ErR(3,3)、
をそれぞれ計算するといったように、グループ候補ごとに測定したEcF(l,m,n)、EcR(l,m,n)の個々について、それと対応するリファレンス条件での評価値ErF(m,n)、ErR(m,n)との差分をそれぞれ計算するものである。
【００９５】
このようにして計算される評価値差分に関し、始端マークエッジ位置についての評価値差分をEdF(l,m,n)とおき、終端マークエッジ位置についての評価値差分をEdR(l,m,n)とおく。これら評価値差分EdF(l,m,n)、EdR(l,m,n)は、計算式で表せば以下のようになる。
EdF(l,m,n)＝EcF(l,m,n)−ErF(m,n)
EdR(l,m,n)＝EcR(l,m,n)−ErR(m,n)
但し上式において、l＝１の場合m＝２，３のみとなり、l＝２の場合m＝２，４のみとなる。またl＝３の場合m＝３，４のみ、l＝４の場合m＝２，３，４である。
【００９６】
ステップＳ３０４では、評価値差分に基づき、干渉の影響の少ないグループを決定する。
具体的には、先ず、各グループ候補ごとに、計算した評価値差分の値を合算してグループ候補ごとの評価指標（以下、グループ候補評価値Edsum(l)と表記する）を得る。その上で、このようにグループ候補ごとに計算したグループ候補評価値Edsum(l)の値に基づき、「評価値の干渉が少ない組み合わせ」を決定するものである。
ここで、上記グループ候補評価値Edsum(l)は、計算式で表せば以下のようになる。
Edsum(l)＝Σ｛EdF(l,m,n)＋EdR(l,m,n)｝
なお、当該グループ候補評価値Edsum(l)の計算式においても、l＝１の場合m＝２，３のみ、l＝２の場合m＝２，４のみ、l＝３の場合m＝３，４のみ、l＝４の場合m＝２，３，４となる。
【００９７】
本例の場合、評価値の干渉が少ないグループ候補として、このように計算されるグループ候補評価値Edsum(l)の値が最小となるグループ候補を選択する。本例においては、このようにグループ候補評価値Edsum(l)の値が最小となるグループ候補として、l＝２の「２Ｔ，４Ｔ」が導出された。このとき、調整対象とされたマーク長のうち当該l＝２のグループ候補に入らないマーク長は３Ｔのみであるので、その結果、「評価値の干渉が少ない組み合わせ」としては、「２Ｔ，４Ｔ」の組と「３Ｔ単独」の組とが決定されるものとなる。
【００９８】
なお、調整対象とするマーク長の種類が４種以上である場合には、「評価値の干渉が少ない組み合わせ」として複数のマーク長の組み合わせで成るグループ候補同士の組み合わせもあり得る。その場合は、グループ候補評価値Edsum(l)の値が最小のグループ候補を選択した上で、当該選択したグループ候補に属するマーク長以外のマーク長の組み合わせで成るグループ候補のうちから、そのグループ候補評価値Edsum(l)の値が最小となるグループ候補をさらに選択すればよい。
【００９９】
ここで、本実施の形態では、上記のようにして導出した「評価値の干渉が少ない組み合わせ」の情報を、予め個々の記録再生装置に記憶させておくものとしている。
図１に示した記録再生装置は、このようにして予め記憶された「評価値の干渉が少ない組み合わせ」の情報（本例の場合は「２Ｔ，４Ｔ」／「３Ｔ」の組み合わせ情報）に基づき、先に説明した実施の形態としてのストラテジ調整を実行する。
なお勿論、記録再生装置が自ら図８に示した手順に従って「評価値の干渉が少ない組み合わせ」を導出することも可能である。
【０１００】
なお、上記による説明では、「評価値の干渉が少ない組み合わせ」を導出するにあたり、グループ候補評価値Edsum(l)の値が最小となるグループ候補を選択するものとしたが、特に調整対象とするマーク長の種類が４種以上とされる場合には、例えばグループ候補評価値Edsum(l)の値が準最小で、その分、調整時における試し書き回数が少なくなるような組み合わせを選択するようにしてもよい。
【０１０１】
また上記説明において、グループ候補評価値Edsum(l)を計算するにあたっては各グループ候補ごとに評価値差分（EdF(l,m,n)、EdR(l,m,n)）を単純に積算するものとしたが、例えばマーク長ごとに評価値の重要度が異なる場合には、グループ候補評価値Edsum(l)の計算時において、マーク長ごとの評価値差分EdF(l,m,n)、EdR(l,m,n)に対し以下に示すようにそれぞれ異なる係数Cmを与えるようにすることもできる。
Edsum(l)＝Σ｛Cm・EdF(l,m,n)＋Cm・EdR(l,m,n)｝
【０１０２】
＜６．変形例＞
以上、実施の形態について説明してきたが、本発明は上記により説明した具体例に限定されず、具体的な装置構成やストラテジ調整の処理手順、調整する記録エッジ位置の設定、評価値の測定手法などにおいて多様な変形例が考えられる。
【０１０３】
例えば、評価値としては、ｓＳＡＭ以外にも、特許文献１において「マークエッジ位置誤差」として定義される評価値を用いることもできる。すなわち、再生信号ｓＡの波形と所定のスライスレベルとのクロス点の位置とクロックＣＫのタイミングの中間位置との誤差を測定するものである。
或いはこのマークエッジ位置誤差としての評価値は、例えば特許文献１に記載されるように、或るマーク長（例えば５Ｔ以上などの符号間干渉の影響を受け難いマーク長）のマークエッジ位置を基準とし、その基準となるマークエッジ位置からの差分として求めたものでもよい。
【０１０４】
また、これまでの説明では、行列Ｃを学習する際の記録エッジ位置の動かし方（ストラテジ設定ＳＴ１、ＳＴ２，ＳＴ３）に関して、初期ストラテジは除外するものとしていたが、初期ストラテジの設定をストラテジ設定ＳＴの１つとしてもよい。
【０１０５】
またこれまでの説明では、ストラテジ調整にあたって考慮すべき相互干渉として、各マーク長の始端側／終端側のエッジ位置間の相互干渉のみを考慮することを前提とし、調整対象する記録エッジ位置はｑ＝２種類であるものとしたが、特許文献１に記載されるように、相互干渉として異なるマーク長のエッジ位置の調整による干渉がさらに生じることも考慮して、スペース長／マーク長の組み合わせごとに最適ストラテジを求めるようにすることもできる。
つまり、例えば特許文献１における「第２の調整例」のように、２Ｔ、３Ｔ、４Ｔ、５Ｔ以上と分けた上で、調整すべき始端側の記録エッジ位置としてはその直前のスペース長と直後のマーク長により１５通りに分類し、終端側の記録エッジ位置としてもその直前のマーク長と直後のスペース長により同様に１５通りに分類し、調整対象とする記録エッジ位置を合計でｑ＝３０種類とするものである。
この場合、行列Ｃは３０×３０の行列となる。
またこの場合は、ｑ＋１＝３１通りのストラテジ設定ＳＴ１〜ＳＴ３１で試し書きを行うことになる。
【０１０６】
また、これまでの説明では、光記録媒体としてＢＤに対応する場合を例示したが、本発明は、例えばＣＤ（Compact Disc）やＤＶＤ（Digital Versatile Disc）などの他の光記録媒体に対しても好適に適用できる。
【符号の説明】
【０１０７】
１  光ディスク、２  スピンドルモータ、３  光学ヘッド、４  再生クロック生成／サンプリング回路、５  ＰＲＭＬデコーダ、６  再生データデコーダ、７  評価値演算部、８  記録データエンコーダ、９  ライトストラテジ回路、１０  レーザドライバ、１１  システムコントローラ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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