(57)【要約】      （修正有）【課題】電気的に安定接続でき、着脱時に破損することがない回路基板接続構造体を提供する。【解決手段】第１電極１２１を有するリジッド回路基板１０１と異方導電性部材１２０と、第２電極１２２を回路基板上に形成されたランドとして有するフレキシブル回路基板１０２とを、フレキシブル回路基板１０２のリジッド回路基板１０１に面していない他方の平面の少なくとも一部に支持板１１４が直接接触して配置され、異方導電性部材１２０を前記リジッド回路基板１０１とフレキシブル回路基板１０２とに前記支持板１１４を介して押圧するための押圧部材１１０を用いて接続した回路基板接続構造体１００。【選択図】図１
2012078222.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極を有するリジッド回路基板と
異方導電性部材と、
第２電極を回路基板上に形成されたランドとして有するフレキシブル回路基板とが設けられ、フレキシブル回路基板のリジッド回路基板に面していない他方の平面の少なくとも一部に支持板が直接接触して配置され、
異方導電性部材を、前記リジッド回路基板とフレキシブル回路基板とに前記支持板を介して押圧するための押圧部材を用いて接続した、回路基板接続構造体であって、
前記異方導電性部材が、絶縁性基材中に、導電性部材からなる複数の導通路が互いに絶縁された状態で前記絶縁性基材を厚さ方向に貫通し、かつ、前記各導通路の一端が前記絶縁性基材の一方の面において突出する第１突出部を有し、前記各導通路の他端が前記絶縁性基材の他方の面において突出する第２突出部を有し、該第２突出部の高さＨ２ａが、５μｍ以上で、かつ、前記ランドのフレキシブル回路基板表面からの厚さの２倍以下であり、
前記導通路の第１突出部がリジッド回路基板の第１電極の少なくとも一部と接触し、第１突出部と導通路で連続する第２突出部がフレキシブル回路基板上に形成されたランド表面の少なくとも一部に接触してリジッド回路基板とフレキシブル回路基板との電気的な接続がされ、前記異方導電性部材の絶縁性基材がフレキシブル回路基板には直接接触しないように押圧され、
前記ランドの面積当たりの押圧力が３００ＭＰａ以上１０００ＭＰａ以下である回路基板接続構造体。
【請求項２】
前記請求項１に記載の回路基板接続構造体を電気的に接続し、さらに、前記押圧部材の押圧を解除して、前記回路基板接続構造体を電気的に非接続にできる請求項１に記載の回路基板接続構造体。
【請求項３】
前記導通路の直径が２００ｎｍ以下である請求項１または２に記載の回路基板接続構造体。
【請求項４】
前記絶縁性基材がマイクロポアを有するアルミニウム基板の陽極酸化皮膜からなる構造体である請求項１〜３のいずれかに記載の回路基板接続構造体。
【請求項５】
前記電気的接続状態で、前記異方導電性部材の第１突出部および第２突出部と絶縁性基材との合計厚さが、前記電気的非接続状態での第１突出部および第２突出部と絶縁性基材との合計厚さ以下である請求項１〜４のいずれかに記載の回路基板接続構造体。
【請求項６】
前記導通路の第１突出部の高さと、第２突出部の高さとが略同一であり、
前記導電性部材を構成する金属が、ニッケルである請求項１〜５のいずれかに記載の回路基板接続構造体。
【請求項７】
前記異方導電性部材が、前記電極と接しない表面または側面部分に位置合わせ部を持ち、リジッド回路基板および・またはフレキシブル回路基板が有する位置合わせ部と位置合わせ出来る請求項１〜６のいずれかに記載の回路基板接続構造体。
【請求項８】
第１電極を有するリジッド回路基板と
第２電極を回路基板上に形成されたランドとして有するフレキシブル回路基板とを、フレキシブル回路基板のリジッド回路基板に面していない他方の平面の少なくとも一部に支持板を直接接触して配置し、
絶縁性基材中に、導電性部材からなる複数の導通路を互いに絶縁された状態で前記絶縁性基材を厚み方向に貫通し、かつ、前記各導通路の一端が前記絶縁性基材の一方の面において突出し、前記各導通路の他端が前記絶縁性基材の他方の面において突出した状態で設けられ、該他方の突出部の高さＨ２ａが、５μｍ以上で、かつ前記ランドの該フレキシブル回路基板表面からの厚さの２倍以下である、異方導電性部材を、前記リジッド回路基板と前記フレキシブル回路基板とに支持板を介して押圧するための押圧部材を用いて、
前記異方導電性部材の絶縁性基材がフレキシブル回路基板には直接接触せずに、前記ランドの面積当たりの押圧力が３００ＭＰａ以上１０００ＭＰａ以下となるように、リジッド回路基板の第１電極の少なくとも一部と、フレキシブル回路基板の第２電極の少なくとも一部とを前記異方導電性部材の導通路を介して電気的に接続する、回路基板の接続方法。
【請求項９】
前記押圧部材の押圧を解除して、前記リジッド回路基板の第１電極の少なくとも一部と、前記フレキシブル回路基板の第２電極の少なくとも一部とを電気的に非接続にし、前記フレキシブル回路基板を他のフレキシブル回路基板に交換して、再度前記リジッド回路基板の第１電極の少なくとも一部と、前記他のフレキシブル回路基板の第２電極の少なくとも一部とを電気的に接続する、フレキシブル回路基板の交換方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、着脱可能に回路基板同士を電気的に接続できる回路基板接続構造体に関し、液晶パネル、集積回路等の平板状検査体を検査するプローブ装置などに用いられる。
【背景技術】
【０００２】
集積回路、液晶表示パネル等の平板状被検査体は、一般に、プローブカードやプローブユニット等のプローブ装置を用いて検査される。
【０００３】
液晶表示パネルのような表示用基板の通電試験に用いられるプローブ装置の１つとして特許文献１に記載されたものがある。
【０００４】
特許文献１に記載のプローブ装置１０は、図７に示すように、左右方向に間隔をおいて前後方向に平行に伸びる複数の配線をフォトリソグラフィー技術により電気絶縁性フィルム３８の一方の面に形成したシートを複数接続する。第１の接続シート２０は、複数の配線３４及び３６を印刷配線技術によりポリイミドのような電気絶縁性フィルム３８の一方の面に形成し、配線３４、３６に電気的に接続された駆動用タブ（ＴＡＢ、集積回路）４０を一方の面に有する。駆動用タブ（ＴＡＢ、集積回路）４０はプローブシート１８に接続され、第１の接続シート２０は、第２の接続シート２２と電気的に接続されている。
図６に示すように通電試験時（検査時）、プローブシート１８の各配線の先端部に設けられた突起電極３０が液晶パネル４２の表示用基板の電極４４に押圧された状態で、検査用の信号が配線部材４６、第２の接続シート２２及び第１の接続シート２０を介してタブ（ＴＡＢ、集積回路）４０に供給される。
【０００５】
プローブシート１８は、プローブホルダ２４の下側に装着されてプローブブロックに組み立てられている。プローブホルダ２４は、プローブベース４８に対し前後方向に移動させることによりプローブベース４８の先端部下側に着脱可能とされており、またねじ部材４９によりプローブベース４８に取り外し可能に組み付けられている。
【０００６】
図６に示すように、プローブシート１８の各配線は、プローブホルダ２４の下側に配置された第１の接続シート２０及び第２の接続シート２２の配線を介して、プローブベース４８の下側に配置された配線部材４６の配線に電気的に接続されている。
【０００７】
これにより、液晶パネル４２の表示用基板は、駆動信号がタブ（ＴＡＢ、集積回路）４０から第１の接続シート２０及びプローブシート１８を介して入力信号により特定される電極４４に供給されることにより、動作する。
【０００８】
しかし、上記の従来装置では、プローブ、特に突起電極３０の摩耗や破損によりプローブシート１８の交換を時々行わなければならないにもかかわらず、第１の接続シート２０としてタブ（ＴＡＢ、集積回路）４０を用い、しかもタブの前端部をプローブシート１８に接着している。
【０００９】
このため、プローブシート１８の交換時に、プローブシート１８を第１の接続シート２０から剥がす必要があり、その際に第１の接続シート２０の配線を損傷することが多く、その結果第１の接続シート２０自体も交換しなければならない。
【００１０】
ＴＡＢに代わり、図４に示すように、第１の接続シートである回路基板５８とプローブシートである回路基板７０とのそれぞれの電極を電気的に接続する際に、樹脂５０中に導電性粒子５２を微細分散させ、圧着により電気的な接続を図る異方導電膜（導電性粒子含有樹脂型）５４を利用する事も検討されている。しかしながら樹脂製の異方導電膜５４はその性質上非電極部分に熱可塑性樹脂５０が侵入することで接続が完了しているため、上記のプローブシートの交換を行う際に樹脂５０と回路基板７０であるプローブシートが接着５６してしまっており、剥がす際に破損を伴う事が多かった。上記課題を解決すべくプローブシートと異方導電膜５４の樹脂を接着しないようにすると、例えば実装する際に図７のプローブシート１８の配線と第１の接続シート２０の配線とが電気的に遮断状態となってしまう。
【００１１】
特許文献２では、無機質の絶縁性素材の皮膜中に導電部材が貫通林立した異方導電性部材が提案されている。
また、図５に示すように、特許文献３では、無機質の絶縁性膜中に貫通型電極を有する異方導電膜６０を用いた回路基板５８と電子部品６８との接続技術が考えられることが記載されている。
しかし、本発明者は、無機質膜を用いる異方導電膜を回路基板の接続に用いるには、以下の問題があることを知見した。
各回路基板の電極高さには実際にはバラツキ６２が存在している。硬質な無機質膜のみではこの高さバラツキを吸収するには膜自身がたわむ事が必要となる。これは異方導電膜６０に生じる歪６６となり、皮膜の破壊に繋がる要因となる。また、更に狭ピッチ化の進展で隣接した電極間距離が小さくなっている現状では、異方導電膜に生じる歪６６を異方導電膜のたわみで追随することも限界があると考えられる。
【００１２】
上記課題について本発明者らが樹脂製異方導電膜と無機質異方導電膜について詳細に検討した。
図４に示す回路基板７０の異方導電膜５４からの剥がれにくさを発現している原因は回路基板７０と異方導電膜５４との接触が主要因であり、特に樹脂製の異方導電膜を利用した場合回路基板表面を形成している樹脂層との親和性が高く長時間密着した状態に置かれると、接着状態になってしまう事が原因である。この状態を回避するためには非電極部分に異方導電膜樹脂が廻りこまないよう異方導電膜厚みを電極厚みより小さくする必要がある。接続信頼性を確保しつつ異方導電膜厚みを小さく実現するためには導電性粒子の密度を上げることが必要であり、現状以上に高密度化することは困難である。
【００１３】
樹脂の硬質化も手段の一つであるが、導電性粒子による接続の確率が低下し接続信頼性に問題が発生する。
これに対し、元々硬質な皮膜をマトリックスとして構成されている無機質の異方導電膜を用いる異方性導電材料はその特性上金属電極とのみ接触し、回路基板との接触は回避されるため上記問題の回避には有効である。しかしながら、電極高さのバラツキには対応できないという問題が存在する。電極高さバラツキに対応するには塑性変形するパーツが必要となる。高さバラツキは１つの電極表面内での高さの変化即ちメッキ表面の粗さに起因するものと、個々の電極毎のメッキ処理バラツキに起因するものの２種類があり、そのレベルは前者が約１μｍ程度、後者では２〜５μｍの高さバラツキが存在する。前者に対しては電極のサイズに対する膜の弾性能が影響し、後者に対しては電極間距離に対する膜の弾性能が関係すると考えられる。
後者の場合には特に狭ピッチ化で電極間距離が小さくなり、電極間距離（Ｌ）に対してメッキ処理バラツキ長さ（Ｒ）の比（Ｒ/Ｌ）が大きくなり無機質膜では対応が困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２００１−１４１７４７号公報
【特許文献２】特開２００８−２７０１５８号公報
【特許文献３】特開２００９−２２４１４６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明の目的は、フレキシブル回路基板とリジッド回路基板とを電気的に接続し、必要な場合は回路基板を交換して繰り返し使用する際に、回路基板が容易に剥がれ、異方導電膜の破損が無く繰り返し使用出来、接続の際には電極の高さのバラツキを吸収することが可能で、接続信頼性が高く狭ピッチ電極構造に対応可能な接続方法を提供する事である。そこで鋭意検討した結果、異方導電性部材の導体として充填させている金属（銅、ニッケルなど）の突出量を大きくし、その突出した金属の塑性変形領域を活かすことで電極の高さのバラツキに対応できる事を見出した。
【００１６】
更に上記接続を確実なものとし、接続信頼性を確保するために接続状態における押し付け圧力を制御する必要があることを見出した。
一定の押付圧力に達していないと突出金属と金属電極(ランド)とは接触するのみであり、抵抗値が高くなってしまう。逆に押し付け圧力が高すぎると無機質皮膜そのものが破壊してしまい繰り返し使用が出来なくなってしまう。
具体的な手段としては電極以外の回路基板部分との接触を抑制し剥離時の剥がれを容易にするとともに、電極高さバラツキを吸収する塑性変形層として導体突出部分を５μｍ以上にした。更に電気的接続信頼性を確保するために上記突出部分が完全に回路基板の電極と密着するために押付圧力(押圧力)を制御する事が重要である事を見出し本発明に至った。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
すなわち、本発明は、以下を提供する。
第１電極１２１を有するリジッド回路基板１０１と
異方導電性部材１２０と、
第２電極を回路基板上に形成されたランド１２２として有するフレキシブル１０２回路基板とが設けられ、フレキシブル回路基板のリジッド回路基板に面していない他方の平面の少なくとも一部に支持板１１４が直接接触して配置され、
異方導電性部材１２０を、前記リジッド回路基板とフレキシブル回路基板とに前記支持板１１４を介して押圧するための押圧部材１１０を用いて接続した、回路基板接続構造体１００であって、
前記異方導電性部材１２０が、絶縁性基材１０９中に、導電性部材からなる複数の導通路１１１が互いに絶縁された状態で前記絶縁性基材１０９を厚さ方向に貫通し、かつ、前記各導通路の一端が前記絶縁性基材の一方の面において突出する第１突出部１１３を有し、前記各導通路の他端が前記絶縁性基材の他方の面において突出する第２突出部１１５を有し、該第２突出部１１５の高さＨ２ａが、５μｍ以上で、かつ、前記ランド１２２のフレキシブル回路基板１０２表面からの厚さの２倍以下であり、
前記導通路１１１の第１突出部１１３がリジッド回路基板１０１の第１電極１２１の少なくとも一部と接触し、第１突出部と導通路で連続する第２突出部１１５がフレキシブル回路基板上に形成されたランド１２２表面の少なくとも一部に接触してリジッド回路基板１０１とフレキシブル回路基板１０２との電気的な接続がされ、前記異方導電性部材１２０の絶縁性基材１０９がフレキシブル回路基板１０２には直接接触しないように押圧され、
前記ランド１２２の面積当たりの押圧力が３００ＭＰａ以上１０００ＭＰａ以下である回路基板接続構造体。
上記の部材に記載する数字は本発明を限定するものではなく、理解を容易にするために例示として、記載するものである。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の回路基板接続構造体をリジッド回路基板とフレキシブル回路基板との電気的接続に用いれば、微細化された配線構造を持つ回路基板同士を、低抵抗で安定に電気的に接続することができ、接続の際に非電極部材との不要な接着等がおきず、着脱時に負荷がかからなくなり破損することが低減される。異方導電性部材は、繰り返し使用可能でありコストダウンできるとともに、狭ピッチの電極にも対応でき接続信頼性が高い。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１（Ａ)は、本発明の回路基板接続構造体の断面図である。図１（Ｂ）は、図１（Ａ)の異方導電性部材と電極との関係を拡大して説明する模式図である。
【図２】図２は、異方導電性部材の好適な実施態様の一例を示す簡略図であり、図２（Ａ）は正面図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）の切断面線ＩＢ−ＩＢからみた断面図である。
【図３】図３（Ａ）、図３（Ｂ）は、マイクロポアの規則化度を算出する方法の説明図である。
【図４】従来技術の導電性粒子含有樹脂製の異方導電膜による回路基板の接続状態を説明する断面模式図である。
【図５】従来技術の無機質絶縁膜に貫通導通部を有する異方導電膜による回路基板と電子部品との接続状態を説明する断面模式図である。
【図６】従来技術のプローブ装置を説明する断面図である。
【図７】従来技術のプローブ装置を説明する図である。
【図８】本発明の回路基板接続構造体を利用した液晶パネル検査装置を説明する模式図である。
【図９】回路基板接続構造体の評価に用いた配線パターンを説明する模式図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に、本発明の回路基板接続構造体１００について、図１〜図３を用いて説明する。
図１（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の回路基板接続構造体の好適な実施態様の概略構成を示す断面図である。  図１（Ｂ）は、導通路の接続状態を説明できるように図１（Ａ）の導通路を拡大して示している。
本発明の回路基板接続構造体１００は、図１（Ａ）および（Ｂ）に示すように、
第１電極１２１を有するリジッド回路基板１０１と
異方導電性部材１２０と、
第２電極を回路基板上に形成されたランド１２２として有するフレキシブル回路基板１０２とを、電気的に接続、非接続に出来る回路基板接続構造体１００である。
電気的接続時には、フレキシブル回路基板のリジッド回路基板に面していない他方の平面の少なくとも一部に支持板１１４が直接接触して配置され、異方導電性部材１２０をリジッド回路基板とフレキシブル回路基板とに支持板１１４を介して押圧するための押圧部材１１０を用いて接続されている。
【００２１】
本発明の回路基板接続構造体１００は、電気的接続時に押圧力で加圧されるので、電気的接続時と非接続時とで突出部の高さが異なることが特徴である。
以下の記載で、距離、高さ、厚さ等の長さの単位は特に断らない限りμｍである。
Ｈ１ａは、第１突出部１１３の非接続時の高さ、Ｈ１ｂは、第１突出部１１３の接続時の高さである。非接続時とは電気的に接続していない場合を意味し、接続時とは電気的に接続している場合を意味する。
Ｈ２ａは、第２突出部１１５の非接続時の高さ、Ｈ２ｂは、第２突出部１１５の接続時の高さである。
図１（Ｂ）に示すように、異方導電性部材１２０は、絶縁性基材１０９中に、導電性部材からなる複数の導通路１１１が互いに絶縁された状態で前記絶縁性基材１０９を厚さ方向に貫通し、かつ、前記各導通路１１１の一端が前記絶縁性基材の一方の面において突出する第１突出部１１３を有し、前記各導通路１１１の他端が前記絶縁性基材の他方の面において突出する第２突出部１１５を有する。
ここで、第２突出部１１５の非接続時の高さＨ２ａは、５μｍ以上で、かつ、ランド１２２のフレキシブル回路基板１０２表面からの厚さＷ２の２倍以下である。
５μｍ≦Ｈ２ａ（μｍ）≦２×Ｗ２（μｍ）・・・式（１）
第２突出部１１５の非接続時の高さＨ２ａが、この範囲であると、電極高さと各導通路の突出部の高さのバランスがよく電極と導通路の突出部が安定して接続できる。
好ましくは第１突出部１１３の非接続時の高さＨ１ａは、５μｍ以上で、かつ、電極１２１のリジッド回路基板１０１表面からの厚さＷ１の２倍以下である。
５μｍ≦Ｈ１ａ（μｍ）≦２×Ｗ１（μｍ）・・・式（２）
一般的にリジッド回路基板のＷ１は上限３０μｍ程度であり、フレキシブル回路基板で形成される電極バンプ高さＷ２は上限１００μｍ程度である。
第１突出部１１３は、異方導電性部材がリジッド回路基板と接続する側の突出部を示し、第２突出部１１５は、異方導電性部材がフレキシブル回路基板と接続する側の突出部を示している。第１突出部１１３の高さと第２突出部１１５の高さは同一でも異なっていてもよい。
ここで、好ましくは、
Ｈ１ａ−Ｈ１ｂ≦Ｗ１・・・式（３)
Ｈ２ａ−Ｈ２ｂ≦Ｗ２・・・式（４）である。
Ｗ１は，電極１２１のリジッド回路基板の表面からの突出高さ、Ｗ２は、ランド１２２のフレキシブル回路基板表面からの突出高さである。
より好ましくは、
Ｈ１ａ−Ｈ１ｂ＜Ｗ１・・・式（５)
Ｈ２ａ−Ｈ２ｂ＜Ｗ２・・・式（６）である。
【００２２】
電気的接続は、導通路１１１の第１突出部１１３がリジッド回路基板１０１の第１電極１２１の少なくとも一部と接触し、第１突出部と導通路で連続する第２突出部１１５がフレキシブル回路基板上に形成されたランド１２２表面の少なくとも一部に接触してリジッド回路基板１０１とフレキシブル回路基板１０２との電気的な接続がされ、異方導電性部材１２０の絶縁性基材１０９がフレキシブル回路基板１０２には直接接触しないように押圧されている。この状態でのランド１２２の面積当たりの押圧力は３００ＭＰａ以上１０００ＭＰａ以下である。
【００２３】
ランド面積当たりの押圧力が３００ＭＰａ以上１０００ＭＰａ以下である電気的接続時の押圧部材１１０のリジッド回路基板１０１の電極１２１を有する側の平面から、フレキシブル回路基板１０２のランド１２２を有する側の平面との距離Ｌ１０１−Ｌ１０２は、好ましくは、
Ｌ１０１−Ｌ１０２≦Ｌ１０９＋Ｗ１＋Ｗ２＋Ｈ１ａ＋Ｈ２ａ・・・式（７）である。
ここで：Ｌ１０９は、絶縁性基材の厚さである。
【００２４】
式（７）の関係は、図１（Ｂ）に示すように第１突出部および第２突出部が非接続状態である場合の高さより接続状態の高さが低くなる。つまり電気的接続状態では、異方導電性部材１２０の導通路の第１、第２突出部が圧縮された状態を示している。
圧縮による突出部の高さの低下分Δは、
Δ≦（Ｌ１０９＋Ｗ１＋Ｗ２＋Ｈ１ａ＋Ｈ２ａ）−（Ｌ１０１−Ｌ１０２）・・・式（８）であり、
ここでΔは、０〜１０μｍが好ましく、１〜６μｍがさらに好ましい。
【００２５】
［押圧力］
押圧力は、異方導電性部材１２０の絶縁性基材１０９がフレキシブル回路基板１０２には直接接触しないように押圧される状態で、異方導電性部材１２０を、前記リジッド回路基板とフレキシブル回路基板とに前記支持板１１４を介して押圧する、押圧力（Ｐａ）は電極単位面積（ｍ２）当たりの力（Ｎ）である。
第２電極であるランド１２２の面積当たりの押圧力は、第１電極の面積当たりの押圧力と理論上は同一である。押圧力がこの範囲であると低抵抗で安定に電気的に接続することができ、接続の際に非電極部材との不要な接着等がおきず、着脱時に不要な負荷がかからず回路基板が破損することが低減される。
【００２６】
以下に、本発明の回路基板接続構造体を詳細に説明する。
１．［リジッド回路基板］
リジッド回路基板は、リジッドプリント配線回路基板が好ましく、本発明の回路基板接続構造体において、平板状に保持して使用される。リジッド基板の意味は、押圧力がかかる場合に、特に支持板や押さえ板を使用しなくても均一に圧力がかかる程度の剛性を有する材料または厚さで作られている板を意味する。通常は水平状、垂直状に保持されるが、斜めの状態で保持されてもよい。基板厚さは、好ましくは厚さ０．３ｍｍから１．６ｍｍである。紙フェノール基板、紙エポキシ基板、ガラスコンポジット基板、ガラスエポキシ基板、テフロン(登録商標)基板、アルミナ(セラミックス)基板、低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）基板、コンポジット基板など種々が開発されており市販されているものが利用可能である。本発明においてはいずれの基板を利用する事も可能であるが、特別な押さえ板を用いずに、異方導電性部材を介して押圧により電気的に接続することを前提とした場合には反りの小さいガラスエポキシ基板、セラミックス基板、ＬＴＣＣ基板を用いる事が好適である。
特に本発明の回路基板接続構造体をプローブカード接続構造体として用いる場合は検査対象が集積素子などの場合には高周波特性が求められるため、セラミック基板、ＬＴＣＣ基板を用いる事が望ましい。
ガラスエポキシ基板はガラス繊維製の布（クロス）を重ねたものに、エポキシ樹脂を含浸させたものであり電気的特性・機械的特性ともに優れており、表面実装用のリジッドプリント回路基板として最も一般的に使われている。
アルミナ(セラミックス)基板はグリーンシートと呼ばれるアルミナ（酸化アルミニウム）にタングステンなどでパターンを形成／積層したものを焼成して製造する。高周波特性や熱伝導率に優れる。但しその製法(高温焼結)が配線形成を困難にしており、解決策として開発されたのが低温同時焼成セラミックス（ＬＴＣＣ）基板である。ガラスにセラミックを混合して８００℃の低温で焼成するため配線に銅が使用可能となった。熱膨張率が小さく、絶縁特性に優れるという特性を有する。
【００２７】
２．［フレキシブル回路基板］
フレキシブル回路基板は、好ましくはフレキシブルプリント配線基板であり、柔軟性があり大きく変形させることが可能なプリント基板でありＦＰＣ（Flexible printed circuits）とも略称される。
一般的なフレキシブル基板及びフレキシブル配線の構造、性質及び材質は、厚み１２μｍから５０μｍのフィルム状の絶縁体（ベースフィルム）の上に接着層を形成し、さらにその上に厚み１２μmから５０μm程度の導体箔を形成した構造であり、一般的なリジッド基板の総厚み０．３ｍｍから１．６ｍｍと比較して薄いことが特徴である。本発明の回路基板接続構造体においては、支持板（押さえ板）等の平板状に保持するための補助具と共に使用される。本発明の接続構造体以外の部材と電気的、機械的に接続する場合は可とう性を利用して必要な場合は任意の形状に湾曲したり、巻回したり、Ｓ字状、Ｌ字状に配置したりして用いることができる。ベースのフィルムとしてはデュポンが開発したポリイミドが最も適しており用いられている。端子部やはんだ付け部以外にはカバーレイと呼ばれるポリイミド膜もしくはフォトソルダーレジスト膜を素材とする絶縁体を被せて保護している。
【００２８】
フレキシブルプリント回路基板内の配線を形成する導体としては銅が一般的に用いられる。小さい力で繰り返し変形させることが可能であり、変形した場合にもその電気的特性を維持する特徴によりプローブカードに用いるプローブシートとして多く利用されている。本発明に用いるフレキシブルプリント回路基板は限定されないが、従来公知、あるいは市販のフレキシブル回路基板を用いることができる。
【００２９】
上記フレキシブルプリント回路基板の接続部分には一定の面積を持つ接続電極である“ランド”が形成されている。フレキシブル基板上に形成された１０-５０μｍ厚みの導体箔がそのまま用いられる場合もあるし、カバーレイと呼ばれる絶縁被覆層の厚みも考慮し接続信頼性を確保するために導体箔で形成されたランドパターン上に更にメッキ法などを用いてＣｕあるいはＡｕを１〜２０μｍ程度堆積させて作る場合もある。メッキしたままの状態のランド表面は微小な凹凸が存在するが、接続信頼性を高めるために特殊な加工装置、例えば、サーフェスプレーナー(ディスコ社製))で平坦化、ディンプルレス化することができる。平坦化加工すれば、電極高さ（ランド高さ）が揃い、本発明の異方導電性部材との有効接触面積を確保しやすくなり有効である。一方、処理時間がかかり非常に高コストになる事から量産適性に難点がある。
【００３０】
３．［押圧部材］
押圧部材１１０は、支持板１１４と、押圧機構１１２とから構成される。
押圧機構は、公知の押圧機構が使用でき、限定されない。例えば、ねじとナット、ねじとナットにスプリングを組み合わせた機構、クランプ、プランジャ(弾性留め具、ボールとばね）、嵌め合い、等が例示できる。
支持板１１４は、押さえ板（ガラス等の透明板、プローブ装置の水平板）とも呼ばれ、絶縁性であり、剛性が高く、表面の平滑性が高い板状態の部材が好ましい。ガラス板、セラミック板、のようなものが好ましく。ガラスエポキシ樹脂板などを用いる事も出来る。ステンレス基板に樹脂をコートして絶縁性を付与したものを用いる事も出来る。支持板は特定の板ではなくプローブ装置の壁面や底部面等の本発明の回路基板接続構造体をその一部に設置できる装置の一部であってもよい。
押圧機構は、押圧力が調整可能である機構が好ましいが、すでに回路基板接続構造体を設計して押圧力が予めわかっている場合は、必要な押圧力が適用できる構造であれは調整可能な機構は必要はない。
【００３１】
４．［異方導電性部材］
図２は、異方導電性部材の好適な実施態様の一例を示す簡略図であり、図２（Ａ）は平面図、図２（Ｂ）は図２（Ａ）の切断面線ＩＢ−ＩＢからみた断面図である。
異方導電性部材１２０は、絶縁性基材１０９および導電性部材からなる複数の導通路１１１を具備するものである。
この導通路１１１は、軸線方向の長さが絶縁性基材１０９の厚み方向Ｚ（Ｚ１、Ｚ２）の長さ（厚み）以上で、かつ、互いに絶縁された状態で絶縁性基材１０９を貫通して設けられる。
また、この導通路１１１は、各導通路１１１の一端が絶縁性基材１０９の一方の面において突出し、各導通路１１１の他端が絶縁性基材１０９の他方の面において突出した状態で設けられる。即ち、各導通路１１１の両端は、絶縁性基材１０９の一方の主面１０９ａおよび他方の主面１０９ｂから突出する第１突出部１１３および第２突出部１１５を有する。
更に、この導通路１１１は、少なくとも絶縁性基材１０９内の部分（以下、「基材内導通部１１１」ともいう。）が、該絶縁性基材１０９の厚み方向Ｚ（Ｚ１、Ｚ２）と略平行（図２においては平行）となるように設けられるのが好ましい。具体的には、上記絶縁性基材の厚みに対する上記導通路の中心線の長さ（長さ／厚み）が、１．０〜１．２であるのが好ましく、１．０〜１．０５であるのがより好ましい。
次に、絶縁性基材および導通路のぞれぞれについて、材料、寸法、形成方法等について説明する。
【００３２】
＜絶縁性基材＞
上記異方導電性部材を構成する上記絶縁性基材は、マイクロポアを有するアルミニウム基板の陽極酸化皮膜からなる構造体である。
このような構造体を用いることにより、高温に曝された後においても接続安定性が良好であり、繰り返し使用後においても本発明の回路基板接続構造体の各部の接続・接触に位置ずれが生じにくくなる。
これは、上記絶縁性基材が、無機材料であるアルミナ（熱膨張率：４．５×１０-6Ｋ-1）を主成分とするものとなるため、耐熱性に優れ、かつ、一般的な検査用回路基板の材質（セラミック等）と熱膨張率が近いためであると考えられる。
【００３３】
本発明においては、上記マイクロポアについて下記式（ｉ）により定義される規則化度が５０％以上であるのが好ましく、７０％以上であるのがより好ましく、８０％以上であるのが更に好ましい。
規則化度が上記範囲であると、特に１００ｋＨｚ以上の高周波信号での異方導電性基材１２０の平面方向の絶縁性をより確実に担保することができる。
【００３４】
規則化度（％）＝Ｂ／Ａ×１００    （ｉ）
【００３５】
上記式（ｉ）中、Ａは、測定範囲におけるマイクロポアの全数を表す。Ｂは、一のマイクロポアの重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円を描いた場合に、その円の内部に上記一のマイクロポア以外のマイクロポアの断面上の重心を６個含むことになる上記一のマイクロポアの測定範囲における数を表す。
【００３６】
図３は、マイクロポアの規則化度を算出する方法の説明図である。図３を用いて、上記式（ｉ）をより具体的に説明する。
図３（Ａ）に示されるマイクロポア１は、マイクロポア１の重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円３（マイクロポア２に内接している。）を描いた場合に、円３の内部にマイクロポア１以外のマイクロポアの重心を６個含んでいる。したがって、マイクロポア１は、Ｂに算入される。
図３（Ｂ）に示されるマイクロポア４は、マイクロポア４の重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円６（マイクロポア５に内接している。）を描いた場合に、円６の内部にマイクロポア４以外のマイクロポアの重心を５個含んでいる。したがって、マイクロポア４は、Ｂに算入されない。
また、図３（Ｂ）に示されるマイクロポア７は、マイクロポア７の重心を中心とし、他のマイクロポアの縁に内接する最も半径が短い円９（マイクロポア８に内接している。）を描いた場合に、円９の内部にマイクロポア７以外のマイクロポアの重心を７個含んでいる。したがって、マイクロポア７は、Ｂに算入されない。
【００３７】
更に、後述する導通路を直管構造とする観点から、上記マイクロポアが分岐構造を有しないこと、即ち、陽極酸化皮膜の一方の表面の単位面積あたりのマイクロポア数Ｘと、別表面の単位面積あたりのマイクロポア数Ｙの比率が、Ｘ／Ｙ＝０．９０〜１．１０であるのが好ましく、Ｘ／Ｙ＝０．９５〜１．０５であるのがより好ましく、Ｘ／Ｙ＝０．９８〜１．０２であるのが特に好ましい。
【００３８】
更にまた、アルミニウムの陽極酸化皮膜の素材であるアルミナは、従来公知の異方導電性フィルム等を構成する絶縁性基材（例えば、熱可塑性エラストマー等）と同様、電気抵抗率は１０14Ω・ｃｍ程度である。
【００３９】
本発明においては、上記絶縁性基材の厚み（図２（Ｂ）においては符号１２で表される部分）は、１〜１０００μｍであるのが好ましく、５〜５００μｍであるのがより好ましく、１０〜３００μｍであるのが更に好ましい。絶縁性基材の厚みがこの範囲であると、絶縁性基材の取り扱い性が良好となる。
【００４０】
また、本発明においては、上記絶縁性基材における上記導通路間の幅（図２（Ｂ）においては符号１３で表される部分）は、１０ｎｍ以上であるのが好ましく、２０〜２００ｎｍであるのがより好ましい。絶縁性基材における導通路間の幅がこの範囲であると、絶縁性基材が絶縁性の隔壁として十分に機能する。
【００４１】
また、本発明においては、隣接する各導通路の中心間距離（図２（Ｂ）においては符号１５で表される部分。以下、「ピッチ」ともいう。）は、２０〜５００ｎｍであるのが好ましく、４０〜２００ｎｍであるのがより好ましく、５０〜１４０ｎｍであるのが更に好ましい。ピッチがこの範囲であると、導通路直径と導通路間の幅（絶縁性の隔壁厚）とのバランスがとりやすいため接続信頼性が良好となる。
【００４２】
本発明においては、上記絶縁性基材は、例えば、アルミニウム基板を陽極酸化し、陽極酸化により生じたマイクロポアを貫通化することにより製造することができる。
ここで、陽極酸化および貫通化の処理工程については、後述する異方導電性部材の製造方法において説明する。
【００４３】
＜導通路＞
上記異方導電性部材を構成する上記導通路は導電性部材からなるものである。
上記導電性部材は、電気抵抗率が１０3Ω・ｃｍ以下の材料であれば特に限定されず、その具体例としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、コバルト（Ｃｏ）、ロジウム（Ｒｈ）、スズ酸化物、インジウムがドープされたスズ酸化物（ＩＴＯ）、これらの金属を主成分とする合金等が好適に例示される。
中でも、電気伝導性の観点から、銅、ニッケルおよび金からなる群から選択されるいずれか１種の金属、または、これらの金属を主成分とする合金からなるのが好ましい。
本発明の回路基板接続構造体の異方導電性部材が有する導通路は、特定の機能を発揮する突出部を備えるため、導体金属自身の剛性が高いものが好ましく、Ｎｉが特に好ましい。
また、コストの観点から、導通路の上記絶縁性基材から突出した突出部の表面または回路基板の電極と接触する部分だけが金で形成されるのも好ましい。
【００４４】
本発明においては、上記導通路は柱状であり、その直径（図２（Ｂ）においては符号１４で表される部分）は１μｍ以下であるのが好ましく、５〜５００ｎｍであるのがより好ましく、２０〜４００ｎｍであるのがさらに好ましく、４０〜２００ｎｍであるのが特に好ましく、５０〜１００ｎｍであるのが最も好ましい。導通路の直径がこの範囲であると、電気信号を流した際に十分な応答が得ることができるため、本発明の回路基板接続構造体を用いた半導体パッケージの信頼性をより高くすることができる。
また、上述したように、上記絶縁性基材の厚みに対する上記導通路（上記絶縁性基材内の部分に限る。以下、本段落において同様。）の中心線の長さ（長さ／厚み）は１．０〜１．２であるのが好ましく、１．０〜１．０５であるのがより好ましい。上記絶縁性基材の厚みに対する上記導通路の中心線の長さがこの範囲であると、上記導通路が直管構造であると評価でき、電気信号を流した際に１対１の応答を確実に得ることができるため、本発明の回路基板接続構造体を用いた装置の信頼性をより高くすることができる。
【００４５】
また、本発明においては、上記導通路の両端が上記絶縁性基材の両面から突出している場合、その突出した部分（図２（Ｂ）においては符号１１３および１１５で表される部分。以下、「突出部」ともいう。）の高さは、電気的に非接続状態で５μｍ以上であるのが好ましく、８〜１５μｍであるのがさらに好ましい。突出部分の高さがこの範囲であると、回路基板の電極との接合性が向上する。
突出部の形状は半球状、円錐状、角錐状、円柱状、多角柱状等、特に限定されず、異形状であってもよい。
【００４６】
本発明においては、上記導通路は上記絶縁性基材によって互いに絶縁された状態で存在するものであるが、その密度は２００万個／ｍｍ2以上であるのが好ましく、５０００万個／ｍｍ2以上であるのが更に好ましく、１億個／ｍｍ2以上であるのが特に好ましい。導通路の密度がこの範囲であると、電気信号を流した際に１対１の応答を確実に得ることができるため、本発明の回路基板接続構造体を用いた装置の信頼性を更に高くすることができる。
【００４７】
更に、本発明においては、上記導通路は、例えば、上記絶縁性基材における貫通化したマイクロポアによる孔の内部に導電性部材である金属を充填することにより製造することができる。
ここで、金属を充填する処理工程については、後述する異方導電性部材の製造方法において説明する。
【００４８】
このような絶縁性基材と導通路を具備する上記異方導電性部材は、上述したように、上記絶縁性基材の厚みが１〜１０００μｍ、であり、かつ、上記導通路の直径が５〜５００ｎｍであるのが、高い絶縁性を維持しつつ、かつ、高密度で導通が確認できる理由から好ましい。
【００４９】
［異方導電性部材の製造方法］
以下に、上記異方導電性部材を製造する方法について記載する。
本発明においては、このような絶縁性基材および導通路を有する上記異方導電性部材は、例えば、特許文献２（特開２００８−２７０１５８号公報）の［００４０］段落に記載された製造方法、すなわち、少なくとも、
アルミニウム基板を陽極酸化する陽極酸化処理工程、
上記陽極酸化処理工程の後に、上記陽極酸化により生じたマイクロポアによる孔を貫通化して上記絶縁性基材を得る貫通化処理工程、および、
上記貫通化処理工程の後に、得られた上記絶縁性基材における貫通化した孔の内部に導電性部材である金属を充填して上記異方導電膜を得る金属充填工程、を具備する方法、および、上記金属充填工程の後に、形成された上記導通路の端部を上記絶縁性基材の表面から突出させて上記異方導電性部材を得る突出部形成工程を具備する方法；等により製造することができる。
本発明においては、上記異方導電膜の製造方法に用いられるアルミニウム基板ならびにアルミニウム基板に施す各処理工程については、同号公報の［００４１］〜［０１４１］段落に記載したものと同様のものを採用することができる。
【００５０】
用いるアルミニウム板は限定されないが、アルミニウム純度が、９９．５質量％以上であるのが好ましく、９９．９質量％以上であるのがより好ましく、９９．９９質量％以上であるのが更に好ましい。アルミニウム純度が上記範囲であると、マイクロポア配列の規則性が十分となる。
【００５１】
異方導電部材製法における陽極酸化処理は、従来公知の方法を用いることができるが、上記絶縁性基材が上記式（ｉ）により定義される規則化度が５０％以上となるように配列するマイクロポアを有するアルミニウム基板の陽極酸化皮膜であるのが好ましいため、自己規則化法や定電圧陽極酸化処理を用いるのが好ましい。
自己規則化法によりマイクロポアを形成するには、陽極酸化処理、酸化皮膜溶解処理および再陽極酸化処理をこの順に施す方法や、陽極酸化処理と酸化皮膜溶解処理とを複数回行った後に再陽極酸化処理する方法が例示できる。
【００５２】
定電圧陽極酸化処理は、長時間（例えば、数時間から十数時間）かけて、低速で陽極酸化皮膜を形成させる処理方法である。
【００５３】
［貫通化処理工程］
貫通化処理工程は、上記陽極酸化処理工程の後に、上記陽極酸化により生じたマイクロポアによる孔を貫通化して上記絶縁性基材を得る工程である。具体的には、例えば、上記陽極酸化処理工程の後に、アルミニウム基板を溶解し、陽極酸化皮膜の底部を除去する方法；陽極酸化処理工程の後に、アルミニウム基板およびアルミニウム基板近傍の陽極酸化皮膜を切断する方法；等が挙げられる。
【００５４】
［金属充填工程］
異方導電部材製法においては、金属の充填方法として、電解めっき法または無電解めっき法を用いることができる。
異方導電部材製法においては、電解めっき法により金属を充填する場合は、時間経時に従って一定速度で電位を走査する電位走査法（電位走査電解）、常に一定の電流値となるように電解する定電流法（定電位電解）による電解めっきが好ましい。
【００５５】
［表面平滑化処理］
異方導電部材製法においては、上記金属充填工程の後に、機械研磨、特に、化学機械研磨処理によって異方導電性部材の表面および裏面を平滑化する表面平滑処理工程を具備するのが好ましい。
【００５６】
［突出部形成工程］
突出部形成工程は、上記金属充填工程（上記ＣＭＰ処理を施した場合は上記表面平滑処理工程。以下、本工程において同様。）の後に、形成された上記導通路の端部を上記絶縁性基材の表面から突出させて上記異方導電性部材を得る工程である。
具体的には、以下に示すトリミング処理および／または電着処理を施すことにより、上記導通路の端部を上記絶縁性基材の表面から突出させることができるが、上記導通路のピッチや径によっては、上記導通路の端部に塗布により半田を形成させてもよい。
【００５７】
＜トリミング処理＞
トリミング処理は、上記金属充填工程の後に、異方導電性部材表面の絶縁性基材のみを一部除去し、導通路を突出させる処理である。
【００５８】
＜電着処理＞
異方導電部材製法においては、上記トリミング処理工程に代えてまたは上記トリミング処理工程の後に、導通路８の表面にのみ、更に同一のまたは異なる導電性金属を析出させる電着処理を施してもよい。
【００５９】
［保護膜形成処理］
一方、異方導電部材製法においては、アルミナで形成された絶縁性基材が、空気中の水分との水和により、経時により孔径が変化してしまうことから、上記金属充填工程前に、保護膜形成処理を施すことが好ましい。
【００６０】
保護膜としては、Ｚｒ元素および／またはＳｉ元素を含有する無機保護膜、あるいは、水不溶性ポリマーを含有する有機保護膜が挙げられる。
【００６１】
異方導電部材製法においては、加熱処理を施すことにより、硬度および耐ヒートサイクル性を制御することができる。
例えば、１００℃以上で加熱することが好ましく、２００℃以上がより好ましく、４００℃以上が特に好ましい。また加熱時間としては、１０秒〜２４時間が好ましく、１分〜１２時間がより好ましく、３０分〜８時間が特に好ましい。このような加熱処理により硬度が向上し、ヒートサイクル時においても伸縮が抑制される。
【００６２】
５．［回路基板接続構造体の位置合わせ］
上記の異方導電性部材は、好ましくは表面または側面部分に位置合わせ部を持ち、リジッド配線基板および・またはフレキシブル配線基板が有する位置合わせ部と位置合わせ出来る構成とすれば、電気的接続や電気的に非接続状態で繰り返し使用するのに有用である。また、回路基板接続構造体のフレキシブル回路基板を交換する場合に有用である。
例えば、押圧部材１１０に設けられた、異方導電性部材を挿入する凹所１１８の水平断面形状は、リジッド配線基板側の箇所ほど小さい。このため異方導電性部材を凹所１１８に挿入するだけでリジッド配線基板の電極に対する位置決めが行われ、異方導電性部材の交換作業が容易になる。フレキシブル回路基板と異方導電性性部材との間に位置合わせ部を有していてもよい。フレキシブル基板の側端に開けられた穴と異方導電性性部材につけられたマーカーとの位置合わせ部であってもよい。前記異方導電性部材が、電極と接しない表面または側面部分に位置合わせ部を持ち、側面の位置合わせ部は導通路そのものであってもよいし導通路の一部を切り欠いたものでもよい。
【００６３】
６．［電気的接続方法］
本発明の回路基板接続構造体の製造方法である、回路基板の接続方法は、以下である。
１）第１電極を有するリジッド回路基板と
２）第２電極を回路基板上に形成されたランドとして有するフレキシブル回路基板とを、フレキシブル回路基板のリジッド回路基板に面していない他方の平面の少なくとも一部に支持板１１４を直接接触して配置し、
３）絶縁性基材中に、導電性部材からなる複数の導通路を互いに絶縁された状態で前記絶縁性基材を厚み方向に貫通し、かつ、前記各導通路の一端が前記絶縁性基材の一方の面において突出し、前記各導通路の他端が前記絶縁性基材の他方の面において突出した状態で設けられ、該他方の突出部の高さＨが、５μｍ以上で、かつ前記ランドの該フレキシブル回路基板表面からの厚さの２倍以下である、異方導電性部材を、前記リジッド回路基板と前記フレキシブル回路基板とに支持板を介して押圧するための押圧部材を用いて、
４）前記異方導電性部材の絶縁性基材がフレキシブル回路基板には直接接触しないで、前記ランドの面積当たりの押圧力が３００ＭＰａ以上１０００ＭＰａ以下となるように、リジッド回路基板の第１電極の少なくとも一部と、フレキシブル基板の第２電極の少なくとも一部とを前記異方導電性部材の導通路を介して電気的に接続する、回路基板の接続方法。
【００６４】
７．［回路基板接続構造体のフレキシブル回路基板の交換方法］
さらに、回路基板接続構造体中のフレキシブル回路基板が、劣化したり、他の構造の回路基板と変えるために、フレキシブル回路基板交換する場合は、以下の方法を用いることができる。
１）回路基板接続構造体中の前記押圧部材の押圧を解除して、前記リジッド回路基板の第１電極の少なくとも一部と、前記フレキシブル回路基板の第２電極の少なくとも一部とを電気的に非接続にし、
２）前記フレキシブル回路基板を他のフレキシブル回路基板に交換して、再度前記リジッド回路基板の第１電極の少なくとも一部と、前記他のフレキシブル回路基板の第２電極の少なくとも一部とを電気的に接続する、フレキシブル回路基板の交換方法。
【００６５】
本発明の回路基板接続構造体を、液晶パネルの検査装置に用いる場合を図８の模式図を用いて説明する。
図８に示す、液晶デスプレイパネル（ＬＣＤ）検査用プローブユニット９０は、制御・検査用装置８８で制御されるＬＣＤ駆動ドライバＩＣ８６を備えている。ＬＣＤ駆動ドライバＩＣ８６は、リジッド回路基板１０１の電極に電気的に接続している。リジッド回路基板１０１と検査用プローブ８４に接続しているフレキシブル回路基板１０２とを本発明の回路基板接続構造体１００で異方導電性部材を介して電気的に接続している。検査用プローブ８４は、ＬＣＤ駆動ドライバＩＣからの信号を受けて、液晶パネル駆動電極８２を介して、液晶デスプレイパネル８０を駆動し、同パネルからの信号を受けて、本発明の回路基板接続構造体１００を介して、制御・検査用装置８８に検査結果の信号を送ることができる。制御・検査用装置８８は検査結果を表示することもできる。
本発明の回路基板接続構造体は、液晶パネルの検査装置に用いるプローブユニットのみならず、集積回路のような他の平板状被検査体の検査に用いるプローブ装置にも適用することができる。
【実施例】
【００６６】
以下に実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明は実施例に限定されるものではない。
＜異方導電性部材の製造＞
（Ａ）鏡面仕上げ処理（電解研磨処理）
高純度アルミニウム基板（住友軽金属社製、純度９９．９９質量％、厚さ０．４ｍｍ）を１０ｃｍ四方の面積で陽極酸化処理できるようカットし、以下組成の電解研磨液を用い、電圧２５Ｖ、液温度６５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で電解研磨処理を施した。
陰極はカーボン電極とし、電源は、ＧＰ０１１０−３０Ｒ（高砂製作所社製）を用いた。また、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２−１０ＰＣＷ（ＡＳ  ＯＮＥ製）を用いて計測した。
【００６７】
（電解研磨液組成）
・８５質量％リン酸（和光純薬社製試薬）    ６６０ｍＬ
・純水    １６０ｍＬ
・硫酸    １５０ｍＬ
・エチレングリコール    ３０ｍＬ
【００６８】
（Ｂ）陽極酸化処理工程（自己規則化法）
次いで、電解研磨処理後のアルミニウム基板に、０．５ｍｏｌ／Ｌシュウ酸の電解液で、電圧４０Ｖ、液温度１５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で、１０時間のプレ陽極酸化処理を施した。
その後、プレ陽極酸化処理後のアルミニウム基板を、０．２ｍｏｌ／Ｌ無水クロム酸、０．６ｍｏｌ／Ｌリン酸の混合水溶液（液温：５０℃）に１２時間浸漬させる脱膜処理を施した。
その後、０．５ｍｏｌ／Ｌシュウ酸の電解液で、電圧４０Ｖ、液温度１５℃、液流速３．０ｍ／ｍｉｎの条件で、１５時間の再陽極酸化処理を施した。
なお、プレ陽極酸化処理および再陽極酸化処理は、いずれも陰極はステンレス電極とし、電源はＧＰ０１１０−３０Ｒ（高砂製作所社製）を用いた。また、冷却装置にはＮｅｏＣｏｏｌ  ＢＤ３６（ヤマト科学社製）、かくはん加温装置にはペアスターラー  ＰＳ−１００（ＥＹＥＬＡ社製）を用いた。更に、電解液の流速は渦式フローモニターＦＬＭ２２−１０ＰＣＷ（ＡＳ  ＯＮＥ製）を用いて計測した。
【００６９】
（Ｃ）貫通化処理工程
次いで、２０％塩酸水溶液に０．１ｍｏｌ／Ｌの塩化銅をブレンドした処理液を用い、液温１５℃で、目視によりアルミニウムが除去されるまで浸漬させることによりアルミニウム基板を溶解し、更に、５質量％リン酸に３０℃、３０分間浸漬させることにより陽極酸化皮膜の底部を除去し、ポア径を拡大したマイクロポアを有する陽極酸化皮膜からなる構造体（絶縁性基材）を作製した。貫通化処理後の構造体の厚みは１２０μｍであった。
【００７０】
（Ｄ）加熱処理
次いで、上記で得られた構造体に、温度４００℃で１時間の加熱処理を施した。
【００７１】
（Ｅ）金属充填処理工程
次いで、上記加熱処理後の構造体の一方の表面に金を０．１μｍ厚で蒸着して金電極を形成した。この金電極を陰極にし、ニッケルボールを正極にして電解メッキを行なった。
３００ｇ／Ｌのスルファミン酸ニッケル水溶液を６０℃に保った状態で電解液として使用し、直流電解を実施することにより、マイクロポアからなる孔にニッケルが充填された構造体を製造した。
ここで、直流電解には、山本鍍金社製のメッキ装置を使用し、ＡＭＥＬ社製のポテンショスタット／ガルバノスタット（Ｍｏｄｅｌ ７０６０）を使用した。また、標準電極はＡｇ／ＡｇＣｌタイプを使用した。
電解は、Ｎｉ：０Ｖから負側に１ｍＶ／ｓｅｃの走査速度で走査し、電気量が４０００Ｃ／ｄｍ2になるまで行った。
金属充填処理後の構造体の破断面を光学顕微鏡にて観察したところ、マイクロポアの内部にニッケルが金電極側からの高さが約７０μｍとなる量で充填されていた。
【００７２】
（Ｆ）表面平滑化処理
次いで、金属充填処理後の構造体の金電極側の表面を１０μｍ研磨し、その反対の面を６０μｍ研磨する表面平滑化処理を施した。
具体的には、研磨剤の種類がシリコンカーバイトのシート（＃1200）でラッピング研磨を行なった後、粒子径２μｍのダイヤモンドスラリーでポリッシングを行い、さらに、粒子径０．２５μｍのダイヤモンドスラリーでポリッシングを行なって鏡面状態とした。
表面平滑化処理後の構造体の破断面を光学顕微鏡で観察したところ、導通路（ニッケル）および絶縁性基材（陽極酸化皮膜）の厚さがいずれも５０μｍとなる平滑な構造体であることが分かった。
【００７３】
（Ｇ）突出部形成工程（突出部高さの異なる異方導電性部材の製造）
次いで、表面平滑化処理後の構造体を濃度１質量％のＫＯＨ水溶液中に浸漬し、浸漬時間を変えることでアルミナ皮膜のみの溶解量を制御してニッケル導通路の突出部高さを表１に記載の高さで変えた実施例、比較例の異方導電性部材を製造した。
さらに、テトラクロロ金の硫酸溶液を用い、交流電解でめっきを行なった。処理後のＥＳＣＡ分析の結果、ニッケルが金で被覆されていた。
【００７４】
なお、上記金属充填処理工程（Ｅ）から上記突出部形成工程（Ｇ）までの処理は、ニッケルのめっき開始から金のめっき終了までの間、そのめっき部分を大気に触れさせることなく施し、時間をあけず連続にて処理を行った。
【００７５】
次いで、水洗し、乾燥した後に、ＦＥ−ＳＥＭで観察した。
その結果、下記１表に示すように、導通路の突出部の高さが表１に示す高さであり、電極部サイズである導通路の直径が６０ｎｍであることを確認した。また、部材の厚みに対する導通路の中心線の長さ（長さ／厚み）は１．０１であることを確認した。
【００７６】
また、得られた異方導電性部材の規則化度は、得られた異方銅導電性部材についてＦＥ−ＳＥＭにより表面写真（倍率２００００倍）を撮影し、２μｍ×２μｍの視野で、マイクロポアについて上記式（ｉ）により定義される規則化度を測定した。なお、規則化度の測定は、１０箇所において行い、平均値を算出した。実施例、比較例いずれも７０〜９５％の範囲であった。
異方導電膜種類が陽極酸化皮膜タイプのものは、実施例、比較例とも、周期は、導通路の中心間距離（ピッチ）をいい、得られた異方銅導電性部材（フィルム）についてＦＥ−ＳＥＭにより表面写真（倍率５００００倍）を撮影し、５０点測定した平均値で５０〜９０ｎｍの範囲であり、マイクロポアの密度は約１．５憶／ｍｍ２であった。
【００７７】
＜リジッド回路基板とフレキシブル回路基板＞
（テストパターン）
図９に示す、テスト用のパターンを設けたリジッド回路基板(５ｃｍ□)とフレキシブル回路基板（ＦＰＣ基板）（５ｃｍ×１０ｃｍ）を用意して使用した。テスト用のパターンは、リジッド回路基板、フレキシブル回路基板双方に同じパターンを作成して用いた。
図９に示すように、フレキシブル回路基板は評価用端子９２として方形の銅配線パターンを用い、評価用端子９２から配線幅１０μｍの銅配線を各第２電極まで接続した。各第１電極は、リジッド回路基板上の２０μｍ×１００μｍ×１０個の方形の電極９６であり、金めっきされている。電極間スペースは５０μｍであった。上記で製造した実施例、比較例の異方導電性部材を介してフレキシブル回路基板の各第２電極とリジッド回路基板の各第１電極とを接続し、押圧部材で表１の押圧力をかけた。
【００７８】
（電極）
組み合わせるリジッド回路基板とフレキシブル回路基板との電極高さは同じとし、表１に示す高さとした。実施例５、比較例５については１６μｍ高さの電極を設けたリジッド回路基板とフレキシブル回路基板との組合せを用い、その他の実施例、比較例では８μｍ高さの電極を設けたリジッド回路基板とフレキシブル回路基板との組合せを用いた。
更に参考例７についてはリジッド回路基板、フレキシブル回路基板両方のランドをディスコ社製サーフェイスプレーナーＤＡＳ８９２０を用い表面平坦化とランド高さの均一化を図った。この処理により電極の高さバラツキを３μｍから０．６μｍに低減し、電極面の表面粗さをＲａで１．２μｍから０．０４μｍに低減しこれを用いた。
＜押圧部材＞
ねじとナットから構成される押圧機構と、フレキシブル回路基板に直接接して１ｍｍ厚さの半透明のセラミックス製の支持板を用いた。
実装試験装置(ハイソル社製・MODEL6000)の下側サンプルステージにリジッド基板を取り付け、上記で準備したフレキシブル配線基板を装着したセラミック製押圧ジグを上側のサンプルステージに取り付けアライメント調整を行なった。その後、下側のリジッド基板上に上記で作成した異方導電膜を所定位置に乗せた後、圧接した。押圧は表示を見ながら、電極（ランド）面積あたりの所望の圧力がかかるよう調整した。
【００７９】
＜接続状態の評価＞
圧接した際の接続状態については別途ガラス基板上に同一形状の金バンプを設け、実施例、比較例で製造した異方導電性部材を押し付けたときの状態を観察して評価した。
表１に示す押圧力で締め付けた後、３日間放置し、取り外し、再度同じ異方導電膜を挟み込むという作業を繰り返し１０回目および５０回目に取り外した際のＦＰＣ基板表面の観察を行なって評価した。
＜評価基準＞
（１）接続抵抗の評価基準  ○＝1Ω未満  ×＝1Ω以上
（２）接続状態の評価基準
Ａ＝絶縁層がフレキシブル回路基板（ＦＰＣ基板）と離れている
Ｂ＝絶縁層がフレキシブル回路基板（ＦＰＣ基板）に接触している
Ｃ＝絶縁層が破損してフレキシブル回路基板（ＦＰＣ基板）に接触している。
（３）フレキシブル回路基板（ＦＰＣ基板）配線部ダメージ評価
取り付け取り外しを表１に示す回数で繰り返した際のＦＰＣ基板の配線部分の状況を目視評価した。
○＝変化が見られない
△＝表面に付着物が有る
×＝配線部にキズが観察される。
【００８０】
表１の結果から、実施例１〜７は、回路基板同士を、低抵抗で安定に電気的に接続することができ、接続の際に非電極部材との不要な接着等がおきず、着脱時に負荷がかからなくなり破損することが低減されていることがわかる。
比較例４、５は、突出部の高さが電極高さの２倍以上であり、突出部と電極との接続が不安定で、着脱時に負荷がかかり回路基板の電極を含む表面である配線部にキズが出来ることがわかる。参考例７は、実施例同様の性能が得られるが高コストである。
【００８１】
【表１】
2012078222.tif 000003
【符号の説明】
【００８２】
１、２、４、５、７、８  マイクロポア
３、６、９  円
１０  プローブ装置
１２  絶縁性基材の厚み
１３  導通路間の幅
１４  導通路の直径
１５  導通路の中心間距離（ピッチ）
１８  プローブシート
２０  第１の接続シート
２２  第２の接続シート
３０  突起電極
３４  配線
３６  配線
３８  電気絶縁性フィルム
４０  タブ（ＴＡＢ，集積回路）
４２  液晶パネル
４４  電極
４６  配線部材
４８  プローブベース
４９  ねじ
５０  樹脂
５２  導電性粒子
５４  異方導電膜（導電性粒子含有樹脂型）
５６  樹脂と基板の接触部分
５８  回路基板
６０  異方導電膜（貫通構造型）
６２  電極の高低差
６６  異方導電膜に生じる歪
６８  電子部品
７０  回路基板
８０  液晶デスプレイ（ＬＣＤ）パネル
８２  液晶パネル駆動電源
８４  検査用プローブ
８６  液晶デスプレイ（ＬＣＤ）駆動ドライバＩＣ
８８  制御・検査用装置
９０  検査用プローブユニット
９２  評価用端子
９４  銅配線
９６  接続部電極
１００  回路基板接続構造体
１０１  リジッド基板
１０２  フレキシブル基板
１０９  絶縁性基材、１０９ａ  一方の主面  、１０９ｂ  他方の主面
１１０  押圧部材
１１１  導通路
１１２  ナット
１１３  第１突出部、１１３ａ  非接続時第１突出部、１１３ｂ  接続時第１突出部
Ｈ１  第１突出部高さ、Ｈ１ａ  非接続時第１突出部高さ、
Ｈ１ｂ  接続時第１突出部高さ、
１１４  支持板
１１５  第２突出部、１１５ａ  非接続時第２突出部、１１５ｂ  接続時第２突出部
Ｈ２  第２突出部高さ、Ｈ２ａ  非接続時第２突出部高さ、
Ｈ２ｂ  接続時第１突出部高さ、
１１８  凹所
１２０  異方導電性部材
１２１  第１電極、Ｗ１  第１電極高さ
１２２  第２電極（ランド）、Ｗ２第２電極高さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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