(57)【要約】【課題】  ウエハ内にテスト専用チップを設けることなく、一度に測定できるチップ数を増加させてテスト時間の短縮化を図る。【解決手段】  複数の半導体チップ１１が形成された半導体ウエハ１０と、複数の半導体チップ１１の各々に形成された複数のボンディングパッド１２と、複数のボンディングパッド１２の各々に設けられた双方向バッファ２０と、複数の半導体チップ１１の双方向バッファ２０を共通に接続する共通バス２１を有する半導体装置のテスト方法である。複数の半導体チップの中からベース半導体チップ１３を予め選択し、ベース半導体チップ１３のボンディングパッド１２にプローブ針を接触させ、複数の半導体チップ１１に対して共通バス２１を介して信号を供給し、複数の半導体チップ１１の電気的特性を測定する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プローブテストが実施される半導体装置であって、
複数の半導体チップが形成された半導体ウエハと、
前記複数の半導体チップの各々に形成された複数のボンディングパッドと、
前記複数のボンディングパッドの各々に設けられた双方向バッファと、
前記複数の半導体チップの前記双方向バッファを共通に接続する共通バスを有することを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記共通バスに接続された前記複数の半導体チップは、レチクルの１ショット分に対応することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記双方向バッファは、イネーブル／ディセーブル可能な出力バッファであることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
複数の半導体チップが形成された半導体ウエハと、
前記複数の半導体チップの各々に形成された複数のボンディングパッドと、
前記複数のボンディングパッドの各々に設けられた双方向バッファと、
前記複数の半導体チップの前記双方向バッファを共通に接続する共通バスを有する半導体装置のテスト方法であって、
前記複数の半導体チップの中からベース半導体チップを予め選択し、
この選択したベース半導体チップのボンディングパッドにプローブ針を接触させ、
前記複数の半導体チップに対して前記共通バスを介して信号を供給し、
前記複数の半導体チップの電気的特性を測定することを特徴とする半導体装置のテスト方法。
【請求項５】
前記共通バスに接続された前記複数の半導体チップは、レチクルの１ショット分に対応することを特徴とする請求項４に記載の半導体装置のテスト方法。
【請求項６】
前記双方向バッファをイネーブル／ディセーブル可能にすることにより、必要時のみ前記半導体チップ間で信号の送受信を行うことを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体装置のテスト方法。
【請求項７】
前記ベース半導体チップ以外の半導体チップのボンディングパッドにも前記プローブ針を接触可能にしたことを特徴とする請求項６に記載の半導体装置のテスト方法。
【請求項８】
前記レチクルの１ショット内のボンディングパッドを前記共通バスで接続することにより、テスト専用パッドを設けることなく、前記複数の半導体チップの電気的特性を測定することを特徴とする請求項５〜７のいずれか１項に記載の半導体装置のテスト方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び半導体装置のテスト方法に関し、特に、ウエハ状態で各半導体チップの電気的特性を測定するプローブテストに好適な半導体装置及び半導体装置のテスト方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハに形成された複数の半導体チップは、テスターと連動したプローブ装置（プローバ）によってその電気的特性が測定される（プローブテスト）。具体的には、半導体チップのボンディングパッドにプローブ針を順次接触させることにより、複数の半導体チップの電気的特性を測定する。
【０００３】
半導体チップのボンディングパッドは、最近の高集積化及び多ピン化に伴い、ピッチが小さくなっているため、プローブ針のレイアウトが複雑になっている。このため、同時測定個数の制限を受けている。
【０００４】
このようなプローブ針の針立て制限により、１回のタッチダウンで測定できるチップ数が決まってしまう。このため、ウエハ１枚当たりのチップ数が多い小容量品はタッチダウン回数が増えてしまいテスト時間が長くなってしまう。
【０００５】
上記プローブテストの一つの方法として、ウエハ内に複数のチップのボンディングパッドと接続されたテスト専用チップを設け、そのテスト専用チップにプローブすることにより複数のチップを同時に測定する方法がある(特開平８−３７２１４号公報（特許文献１）参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平８−３７２１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１の方法だと、ウエハ内にテスト専用チップを設けなければならないため、１ウエハあたりのチップ数を減らすことになってしまう。
【０００８】
本発明の目的は、ウエハ内にテスト専用チップを設けることなく、一度に測定できるチップ数を増加させてテスト時間の短縮化を図ることが可能な半導体装置及び半導体装置のテスト方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る半導体装置は、
プローブテストが実施される半導体装置であって、
複数の半導体チップが形成された半導体ウエハと、
前記複数の半導体チップの各々に形成された複数のボンディングパッドと、
前記複数のボンディングパッドの各々に設けられた双方向バッファと、
前記複数の半導体チップの前記双方向バッファを共通に接続する共通バスを有することを特徴とする。
【００１０】
また、本発明に係る半導体装置のテスト方法は、
複数の半導体チップが形成された半導体ウエハと、
前記複数の半導体チップの各々に形成された複数のボンディングパッドと、
前記複数のボンディングパッドの各々に設けられた双方向バッファと、
前記複数の半導体チップの前記双方向バッファを共通に接続する共通バスを有する半導体装置のテスト方法であって、
前記複数の半導体チップの中からベース半導体チップを予め選択し、
この選択したベース半導体チップのボンディングパッドにプローブ針を接触させ、
前記複数の半導体チップに対して前記共通バスを介して信号を供給し、
前記複数の半導体チップの電気的特性を測定することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ウエハ内にテスト専用チップを設けることなく、一度に測定できるチップ数を増加させてテスト時間の短縮化を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】レチクルの１ショット分に対応する複数の半導体チップが形成された半導体ウエハの上面図である。
【図２】ベース半導体チップの拡大図である。
【図３】双方向バッファの回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００１４】
図１を参照して、本発明の実施の形態に係る半導体装置の構成について説明する。
【００１５】
図１は、レチクルの１ショット分に対応する複数の半導体チップが形成された半導体ウエハの上面図である。
【００１６】
図１に示すように、半導体ウエハ１０には、複数の半導体チップ１１が形成されている。各半導体チップ１１には、複数のボンディングパッド１２が形成されている。ここで、半導体ウエハ１０に形成されている複数の半導体チップ１１は、レチクルの１ショット分に対応している。そして、複数の半導体チップ１１は、予め選択されたベース半導体チップ（Ｂａｓｅ  Ｃｈｉｐ）１３を含んでいる。
【００１７】
次に、図２を参照して、ベース半導体チップ１３を含めた半導体チップ１１の構成について説明する。
【００１８】
ベース半導体チップ１３及び半導体チップ１１に形成された複数のボンディングパッド１２には、双方向バッファ２０がそれぞれ設けられている。そして、複数の双方向バッファ２０を共通に接続するために共通バス２１が設けられている。
【００１９】
図３に示すように、双方向バッファ２０は、イネーブル／ディセーブル（Ｅｎａｂｌｅ／Ｄｉｓａｂｌｅ）可能な出力バッファである。ここで、双方向バッファ２０は、イネーブル／ディセーブル（Ｅｎａｂｌｅ／Ｄｉｓａｂｌｅ）信号がそれぞれ入力される複数のトランスファーゲート３１〜３４で構成されている。
【００２０】
次に、本発明の実施の形態に係る半導体装置のテスト方法について説明する。
【００２１】
最初に、複数の半導体チップ１１の中からベース半導体チップ１３を予め選択する。
【００２２】
次に、この選択したベース半導体チップ１３のボンディングパッド１２にプローブ針（図示せず）を接触させる。
【００２３】
次に、複数の半導体チップ１１に対して共通バス２１を介して信号を供給する。具体的には、１ショット分のレチクル内の半導体チップ１１を共通バス２１を介して信号を供給できるようにする。ただし、ベース半導体チップ１３以外も双方向バッファ２０のイネーブル／ディセーブル（Ｅｎａｂｌｅ／Ｄｉｓａｂｌｅ）は可能にする（図２参照）。
【００２４】
このようにして、複数の半導体チップ１１、１３の電気的特性を測定する。つまり、レチクルの１ショット内のボンディングパッド１２を共通バス２１で接続することにより、テスト専用パッドを設けることなく、複数の半導体チップ１１、１３の電気的特性を測定する。
【００２５】
この際、双方向バッファ２０を、イネーブル／ディセーブル（Ｅｎａｂｌｅ／Ｄｉｓａｂｌｅ）可能にすることにより、必要時のみ半導体チップ１１間で信号の送受信を行うようにする。
【００２６】
このように、ボンディングパッド１２に、イネーブル／ディセーブル（Ｅｎａｂｌｅ／Ｄｉｓａｂｌｅ）可能な双方向バッファ２０を設け、レチクルの１ショット分の半導体チップ１１、１３間を、双方向バッファ２０を介して共通バス２１を通し信号を供給できるようにする。
【００２７】
双方向バッファ２０をイネーブル／ディセーブル（Ｅｎａｂｌｅ／Ｄｉｓａｂｌｅ）可能にすることにより、必要時のみ半導体チップ１１、１３間の信号のやりとりができるようになる。これにより、ベース半導体チップ１３のみボンディングパッド１２にプローブ針（図示せず）を接触させ、その他の半導体チップ１１は必要電源、双方向バッファ２０の出力Ｅｎａｂｌｅ／Ｄｉｓａｂｌｅ  ＰＡＤのみプローブ針（図示せず）を接触させれば良い（図２参照）。よって、１回のタッチダウンで測定できるチップ数を増加させることができる。
【００２８】
本発明の実施の形態では、レチクル１ショット分のボンディングパッド１２間を、双方向バッファ２０を介した共通バス２１で信号を供給できるようにし、プローブ針（図示せず）は任意に決定したベース半導体チップ１３のみに当てる。これにより、小容量品のプローブテストにおいてテスト専用チップ等を設けることなくレチクル１ショットあたりの必要針立て本数を減らすことができ、一度に測定できるチップ数を増加させテスト時間の短縮化を図ることができる。
【００２９】
また、ベース半導体チップ１３以外の半導体チップ１１には共通バス２１を介して信号を供給する。ただし、ベース半導体チップ１３以外の半導体チップ１１にも必要電源と双方向バッファ２０のイネーブル／ディセーブル（Ｅｎａｂｌｅ／Ｄｉｓａｂｌｅ）信号は個別にプローブする。これにより、すべての半導体チップ１１のボンディングパッド１２にプローブ針（図示せず）を当てる必要がないため、１回のタッチダウンで測定できるチップ数を増加させることができ、ウエハ１枚あたりのタッチダウン回数を減らすことができる。
【００３０】
このように、レチクル１ショット内の半導体チップ１１にはベース半導体チップ１３から信号が供給でき、プローブテストで一度に測定できるチップ数が増やせるためテスト専用チップ等を設けることなくタッチダウン回数を減らすことが可能になる。
【００３１】
以上、本発明者によってなされた発明を実施例に基づき説明したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００３２】
１０  半導体ウエハ
１１  半導体チップ
１２  ボンディングパッド
１３  ベース半導体チップ
２０  双方向バッファ
２１  共通バス
３１  トランスファーゲート
３２  トランスファーゲート
３３  トランスファーゲート
３４  トランスファーゲート
【図１】
2012098160.tif 000003
【図２】
2012098160.tif 000004
【図３】
2012098160.tif 000005