(57)【要約】【課題】プローブ痕による動作の不具合を低減し、かつ、小型化を実現する固体撮像装置を提供する。【解決手段】固体撮像装置１００は、半導体基板１に形成された、受光部を有する複数の画素２と、複数の画素２で生じた電気信号を転送するためのシフトレジスタ部３、４と、シフトレジスタ部３、４に接続され、シフトレジスタ部３、４から転送された電気信号を出力する出力部５と、シフトレジスタ部３、４および出力部５のそれぞれに接続された複数のボンディングパッド６とを備え、複数のボンディングパッド６のそれぞれは、ウェハテストを行うためのプローブ針を接触させるための凹部８を有している。【選択図】図３
2012009790.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板に形成された、入射光を電気信号に変換する受光部を有する複数の画素と、
前記複数の画素で生じた電気信号を転送するためのシフトレジスタ部と、
前記シフトレジスタ部に接続され、前記シフトレジスタ部から転送された電気信号を出力する出力部と、
前記シフトレジスタ部および前記出力部のそれぞれに接続された複数のボンディングパッドとを備え、
前記複数のボンディングパッドのそれぞれは、ウェハテストを行うためのプローブ針を接触させるための凹部を有している
固体撮像装置。
【請求項２】
前記凹部の平面形状は、矩形形状である
請求項１に記載の固体撮像装置。
【請求項３】
前記複数のボンディングパッドの前記凹部以外の領域の下の半導体基板内には、所定の機能を有する回路素子が形成され、
前記複数のボンディングパッドの前記凹部の下の半導体基板内には、前記回路素子が形成されていない
請求項１または２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記回路素子は、前記固体撮像装置を高電圧から保護する保護回路の機能を有する
請求項１〜３のいずれかに記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記凹部の深さは、前記半導体基板上に形成された配線の高さとほぼ同一である
請求項１〜４のいずれかに記載の固体撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像装置に関するものであり、特にボンディングパッドを備えた固体撮像装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、固体撮像装置において、固体撮像装置に設けられた画素等の内部構造に外部から電圧を印加したり内部構造と外部の回路や素子とを接続するためのボンディングパッドを備えた構成が提案されている（例えば、特許文献１参照）。このようなボンディングパッドは、上記のように外部電圧の印加や製造時におけるボンディングに使用されるだけでなく、製造時または製造後にウェハテスト用のプローブ針を接触するためのパッドとしても使用されることがある（例えば、特許文献２参照）。
【０００３】
また、近年、固体撮像装置において小型化の要望が高まっている。固体撮像装置の小型化は、例えば固体撮像装置を製造するためのシリコンウェハ１枚あたりのとれ数を増やすことができる。言い換えれば、固体撮像装置の低コスト化に繋がる。固体撮像装置の小型化を実現するための１つの方法として、ボンディングパッドの下部に回路素子を配置して、ボンディングパッドと回路素子が占める領域を一体にした構成が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−３３５６２９号公報
【特許文献２】特開２００５−３０３２７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１には、従来技術における固体撮像装置の構成が示されている。図５は、従来技術における一般的な固体撮像装置２００の構成を示す平面図である。
【０００６】
図５に示す固体撮像装置２００は、半導体基板２０１に入射光を信号に変換するフォトダイオードを有する画素２０２が二次元に複数個配置され、画素２０２に隣接してフォトダイオードから読み出した信号を垂直方向に順次転送する垂直シフトレジスタ２０３と、垂直シフトレジスタ２０３から転送された電荷を水平方向に順次転送する水平シフトレジスタ２０４と、水平シフトレジスタ２０４の一方の端部には水平シフトレジスタ２０４で転送されてきた信号を出力するための出力部２０５を備えている。
【０００７】
また、固体撮像装置２００は、垂直シフトレジスタ２０３や水平シフトレジスタ２０４を動作させるための駆動パルスを外部から入力するためのボンディングパッド２０６を複数個備えている。ボンディングパッド２０６は、画素２０２と、垂直シフトレジスタ２０３と、水平シフトレジスタ２０４と、出力部２０５とにそれぞれ配線されている。
【０００８】
図６は、図５に示した従来技術による固体撮像装置２００に備えられたボンディングパッド２０６の構成を示す平面図である。
【０００９】
ボンディングパッド２０６を備えた固体撮像装置２００は、図６に示すように、ボンディングパッド２０６に隣接して所定の機能回路を有する回路素子を備えた回路素子領域２０７が配置されている。ボンディングパッド２０６と回路素子領域２０７の回路素子とは、配線により接続されている。
【００１０】
この回路素子領域２０７は、半導体基板２０１に、不純物のイオン注入などにより、回路素子として、第１拡散領域（例えばｎ型のコレクタ領域）と、これに選択的に形成された第２拡散領域（例えばｐ型のベース領域）と、さらに選択的に形成された第３の拡散領域（例えばｎ型のエミッタ領域）が形成されている（図示せず）。そして、第１の拡散領域、第２の拡散領域、第３の拡散領域のそれぞれに対応して、各拡散領域の上面に、配線として、第１電極２０９（例えばエミッタ電極）と、第２電極２１０（例えばベース電極）と、第３電極２１１（例えばエミッタ電極）とを配置することでトランジスタを構成し、固体撮像装置２００の保護回路として用いている。
【００１１】
保護回路は、ボンディングパッド２０６を通じて外部からのサージによる高電圧が印加された場合に、固体撮像装置２００に備えられた画素２０２、垂直シフトレジスタ２０３、水平シフトレジスタ２０４、出力部２０５等の内部構造の破壊を防止する機能をもっている。
【００１２】
従来技術の固体撮像装置２００は、ボンディングパッド２０６と回路素子領域２０７が隣接して配置されている。ボンディングパッド２０６と回路素子領域２０７は、ある程度の大きさを有しているため、ボンディングパッド２０６と回路素子領域２０７が隣接する従来技術の構成では、固体撮像装置２００の小型化が困難である。
【００１３】
この課題を解決するために、例えば特許文献２のような構成が提案されている。
【００１４】
図７（ａ）は、特許文献２に示されたボンディングパッド２０６と回路素子の構成を示す平面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）に示すＡ−Ａ'間の構成を示す断面図である。
【００１５】
図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、ボンディングパッド２０６は回路素子の上部に配置されている。
【００１６】
図７（ｂ）に示すように、半導体基板２０１には、拡散領域２２２が形成され、上面にはゲート電極２２３が所定の位置に配置されている。さらに、その上部には絶縁膜層２１６が配置されている。さらに、絶縁膜層２１６の上部には、ボンディングパッド２０６となる金属膜層２１７が配置されている。ゲート電極２２３と金属膜層２１７は電気的に絶縁されているが、絶縁膜層２１６の内部に形成したコンタクト群２２４によって電気的に接続されている。なお、この回路素子を保護回路としての機能をもつ構成にすることもできる。
【００１７】
以上説明したように、図７（ａ）および図７（ｂ）に示すボンディングパッド２０６は、回路素子の上面に形成されているので、ボンディングパッド２０６と回路素子がそれぞれ必要とした領域を一つにすることができるため、固体撮像装置２００の半導体基板２０１上に占めていた面積を削減でき、固体撮像装置２００を小型化することができる。
【００１８】
ところで、ボンディングパッド２０６は、ウェハテスト時にプローブ針を接触させる必要があり、ボンディングパッド２０６に対してある程度の針圧をかけて接触させることで、プローブ針とボンディングパッド２０６の密着性を確保している。
【００１９】
プローブ針に針圧をかけてボンディングパッド２０６と接触させるため、ボンディングパッド２０６は、プローブ針の針圧によって破損しプローブ針の接触痕（プローブ痕）が生じる。
【００２０】
図７（ａ）および図７（ｂ）に示されたボンディングパッド２０６の構成は、ボンディングパッド２０６の下部に回路素子が配置されているため、プローブ針の針圧により生じるプローブ痕がボンディングパッド２０６下部の回路素子にまで達すると、ボンディングパッド２０６と回路素子が電気的にリークしてしまうおそれがある。
【００２１】
ボンディングパッド２０６と回路素子が電気的にリークしていると、回路素子の所定の機能が正常に働かなくなる。これにより、外部からの静電気による高電圧の印加により固体撮像装置２００の内部構造が保護できなくなり、固体撮像装置２００の内部構造が破壊されることで固体撮像装置２００が正常に動作しなくなるという課題がある。
【００２２】
また、固体撮像装置２００のウェハテストでは、固体撮像装置２００の上方から光を照射して検査をする必要があるため、プローブ針を真上からボンディングパッド２０６に接触させることが困難である。このため、プローブ針は斜め方向からボンディングパッド２０６に接触させるのが一般的であるが、プローブ針が斜めからボンディングパッド２０６と接触するため、プローブ針にすべり等による移動が生じる。また、この移動量にはばらつきがあるため、プローブ針の接触により生じるプローブ痕が大きく広がってしまう。
【００２３】
組立工程時のワイヤーボンディング工程では、ボンディングパッド２０６の表面はボンディングの密着性を確保するために平坦であることが望まれる。このため、ボンディングパッド２０６はプローブ針を接触させるプローブ領域とボンディングを行うボンディング領域とに分けられる。しかし、限られた面積のボンディングパッド２０６において、プローブ痕が大きく広がってしまうと、ボンディング領域を十分に確保できなくなり、組立時のワイヤーボンディング工程おいてボンディングとボンディングパッド２０６の密着強度を十分に維持できなくなる。このワイヤーとボンディングパッドとの密着強度が十分に維持できなくなることで、固体撮像装置２００に外部からの駆動パルスが正常に印加できなくなり、固体撮像装置２００の動作に不具合が生じるという課題がある。
【００２４】
また、プローブ痕がボンディングに影響しないように、プローブ領域、もしくはボンディング領域を大きくすることは、ボンディングパッド２０６の大型化になる。言い換えれば、固体撮像装置２００が大きくなるという課題がある。
【００２５】
本発明は、上記課題に鑑みてされたものであり、プローブ痕による動作の不具合を低減し、かつ、小型化を実現する固体撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
上記目的を達成するために、本発明の一形態に係る固体撮像装置は、半導体基板に形成された、入射光を電気信号に変換する受光部を有する複数の画素と、前記複数の画素で生じた電気信号を転送するためのシフトレジスタ部と、前記シフトレジスタ部に接続され、前記シフトレジスタ部から転送された電気信号を出力する出力部と、前記シフトレジスタ部および前記出力部のそれぞれに接続された複数のボンディングパッドとを備え、前記複数のボンディングパッドのそれぞれは、ウェハテストを行うためのプローブ針を接触させるための凹部を有している。
【００２７】
この構成によれば、プローブ針はボンディングパッドに形成された凹部の内側でボンディングパッドと接触するので、ボンディングパッドに形成された凹部の壁面によってプローブ針のすべり等の移動が抑止される。したがって、プローブ針の移動量が制御できるため、プローブ痕が凹部の領域外に達することがない。これにより、プローブ痕がボンディングパッドのボンディング領域に達するのを抑止することができ、ワイヤーをボンディングパッドにボンディングするときに、ワイヤーとボンディングパッドとの密着性を十分維持できる。
【００２８】
また、プローブ痕は凹部の内側のみに形成されボンディング領域には達しないので、プローブ痕が形成されることを考慮してボンディングパッドの大きさを大きくする必要はなく、ボンディングパッドを小型化することができる。これにより、固体撮像装置を小型化することができる。
【００２９】
また、前記凹部の平面形状は、矩形形状であることが好ましい。
【００３０】
このような構成によれば、凹部の形状を、プローブ針を斜め方向から配置したときにプローブ針の移動する方向に長い矩形形状とすることにより、ボンディングパッドに対して凹部を効率よく配置して、凹部およびボンディングパッドの小型化を図ることができる。これにより、固体撮像装置の小型化を図ることができる。
【００３１】
また、前記複数のボンディングパッドの前記凹部以外の領域の下の半導体基板内には、所定の機能を有する回路素子が形成され、前記複数のボンディングパッドの前記凹部の下の半導体基板内には、前記回路素子が形成されていないことが好ましい。
【００３２】
このような構成によれば、ボンディングパッドに配置する凹部の下部は、回路素子を配置しない無効領域であるため、プローブ針の針圧によるボンディングパッドの破損により、ボンディングパッドと回路素子との電気的なリークを防止できるため、固体撮像装置を良好に動作させることができる。
【００３３】
また、前記回路素子は、前記固体撮像装置を高電圧から保護する保護回路の機能を有することが好ましい。
【００３４】
このような構成によれば、ボンディングパッドを通じて外部からのサージによる高電圧が印加された場合に、固体撮像装置に備えられた画素等の内部構造が破壊されるのを防止することができる。
【００３５】
また、前記凹部の深さは、前記半導体基板上に形成された配線の高さとほぼ同一であることが好ましい。
【００３６】
このような構成によれば、凹部の深さは、配線の高さとほぼ同一であるので、ボンディングパッドに形成する凹部は、回路素子領域に設けられた無効領域と回路素子を配置した領域に生じる段差により形成することができる。したがって、凹部を形成するための新たな工程を追加しなくても良いので、固体撮像装置の製造工程を簡略化することができる。
【発明の効果】
【００３７】
本発明によれば、プローブ痕による動作の不具合を低減し、かつ、小型化を実現する固体撮像装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の実施の形態に係る固体撮像装置の概略構成を示す平面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る固体撮像装置のボンディングパッドの概略構成図であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は平面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る固体撮像装置のボンディングパッドの構成を示す断面図であり、（ａ）は図２（ｂ）に示したＡ−Ａ’線における断面図、（ｂ）は図２（ｂ）に示したＢ−Ｂ’線における断面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る固体撮像装置のボンディングパッドのウェハテスト時の状態を示した断面図であり、（ａ）は図２（ｂ）に示したＡ−Ａ’線における断面図、（ｂ）は図２（ｂ）に示したＢ−Ｂ’線における断面図である。
【図５】従来技術における固体撮像装置の概略構成を示す平面図である。
【図６】従来技術における固体撮像装置のボンディングパッドの概略構成を示す平面図である。
【図７】従来技術における固体撮像装置のボンディングパッドの概略構成図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
以下、本発明の実施の形態について図面に基づいて説明する。なお、本発明について、以下の実施の形態および添付の図面を参照しながら説明を行うが、これは例示を目的としており、本発明がこれらに限定されることを意図しない。
【００４０】
本実施の形態に係る固体撮像装置は、半導体基板に形成された、入射光を電気信号に変換する受光部を有する複数の画素と、複数の画素で生じた電気信号を転送するためのシフトレジスタ部と、シフトレジスタ部に接続され、シフトレジスタ部から転送された電気信号を出力する出力部と、シフトレジスタ部および出力部のそれぞれに接続された複数のボンディングパッドとを備え、複数のボンディングパッドのそれぞれは、ウェハテストを行うためのプローブ針を接触させるための凹部を有している。このような構成により、プローブ痕による動作の不具合を低減し、かつ、小型化を実現することができる。
【００４１】
（実施の形態）
図１は、本発明の実施の形態１に係る固体撮像装置１００の概略構成を示す平面図である。
【００４２】
図１に示すように、半導体基板１には、入射光を信号に変換する受光部であるフォトダイオードを有する画素２が二次元に複数個配置され、画素２に隣接してフォトダイオードから読み出した信号を垂直方向に順次転送する垂直シフトレジスタ３と、垂直シフトレジスタ３から転送された電荷を水平方向に順次転送する水平シフトレジスタ４と、水平シフトレジスタ４の一方の端部に設けられ水平シフトレジスタ４で転送されてきた信号を出力するための出力部５とを備えている。なお、垂直シフトレジスタ３および水平シフトレジスタ４は、本発明におけるシフトレジスタ部に相当する。
【００４３】
また、半導体基板１には、垂直シフトレジスタ３や水平シフトレジスタ４を動作させるための駆動パルスを外部から入力するためのボンディングパッド６が複数個設けられている。ボンディングパッド６は、画素２と、垂直シフトレジスタ３と、水平シフトレジスタ４と、出力部５とにそれぞれ配線されている。
【００４４】
図２（ａ）は、図１に示す本実施の形態に係る固体撮像装置１００のボンディングパッド６の構成を示す斜視図であり、図２（ｂ）は、図１に示す本実施の形態における固体撮像装置１００のボンディングパッド６の構成を示す平面図である。
【００４５】
図２（ａ）に示すように、固体撮像装置１００のボンディングパッド６は、半導体基板１に形成された回路素子領域７の上面に配置され、凹部８を有している。凹部８の平面形状は、ボンディングパッド６に対して斜め方向から配置されたプローブ針がボンディングパッド６と接触する部分からプローブ針がすべり等により移動する方向に長い矩形形状の平面形状である。なお、凹部８の平面形状は、上記した矩形形状に限らずその他の形状であってもよい。
【００４６】
また、図２（ｂ）に示すように、回路素子領域７上であり、かつ、ボンディングパッド６の下の領域には、第１電極９、第２電極１０、第３電極１１が形成されている。また、例えばトランジスタなどの回路素子を構成する回路素子領域７内には、凹部８と対応する位置に、回路素子を形成しない無効領域として、凹部８と平面形状が同じ形状である凹部形成領域１９（図３参照）が配置されている。すなわち、凹部８の下部の回路素子領域７には、回路素子が形成されないという構成上の特徴を有している。
【００４７】
図３（ａ）および図３（ｂ）は、図２（ａ）および図２（ｂ）に示した本実施の形態における固体撮像装置１００のボンディングパッド６の構成を示した断面図であり、図３（ａ）は、図２（ｂ）で示したＡ−Ａ'における断面図、図３（ｂ）は、図２（ｂ）で示したＢ−Ｂ'における断面図である。ここで、図３（ａ）中のｘは、凹部８の短辺の長さ、図３（ｂ）中のｙおよびｚは、凹部８の長辺の長さおよび深さをそれぞれ示している。
【００４８】
半導体基板１において回路素子が形成された回路素子領域７は、回路素子を形成する回路形成領域１８と、回路素子を形成しない凹部形成領域１９とを有している。回路形成領域１８には、不純物のイオン注入などにより、回路素子として第１拡散領域１３（例えばｐ型のｐ−ｗｅｌｌ領域）と、その第１拡散領域１３の所定の位置に第２拡散領域１４（例えばｎ型のドレイン領域）と、第３拡散領域１５（例えばｎ型のソース領域）とが形成される。回路素子は、ボンディングパッド６を通じて外部からのサージによる高電圧が印加された場合に、固体撮像装置１００に備えられた画素２、垂直シフトレジスタ３、水平シフトレジスタ４、出力部５等の内部構造の破壊を防止する保護回路の機能をもっている。
【００４９】
半導体基板１の第２拡散領域１４の上面には、パターニングなどにより、配線として第１電極９（例えばドレイン電極）が配置され、第３拡散領域１５の上面には、第２電極１０（例えばソース電極）が配置され、第１電極９と第２電極１０間の所定の位置に第３電極１１（例えばゲート電極）が配置されている。そして、第１電極９、第２電極１０、第３電極１１は、ＭＯＳＦＥＴ型の保護回路の機能を有するように接続されている。すなわち、回路素子として、ＭＯＳＦＥＴ型の保護回路が形成されている。
【００５０】
さらに、第１電極９、第２電極１０、第３電極１１の上面には、絶縁膜層１６が配置されている。さらに、絶縁膜層１６の上面に、ボンディングパッド６を形成する金属膜層１７が配置されている。金属膜層１７と第１電極９、第２電極１０、第３電極１１は、絶縁膜層１６により電気的に絶縁されている。
【００５１】
また、先述したように、ボンディングパッド６に配置する凹部８を形成する凹部形成領域１９には、回路素子領域７を構成する第１拡散領域１３、第２拡散領域１４、第３拡散領域１５、第１電極９、第２電極１０、第３電極１１は形成されない構成である。
【００５２】
これにより、回路形成領域１８と凹部形成領域１９とでは、第１電極９、第２電極１０、第３電極１１の高さｚだけの段差が生じることになる。この段差を有した状態で、回路素子領域７の上面に絶縁膜層１６と金属膜層１７を配置することによって、ボンディングパッド６に第１電極９、第２電極１０、第３電極１１の高さｚに相当する深さの凹部８が形成される。つまり、凹部８の深さは、第１電極９、第２電極１０、第３電極１１の高さとほぼ同一となる。このように、ボンディングパッド６に形成する凹部８は、回路素子領域７に形成された配線のパターンにより実現することができる。
【００５３】
図４（ａ）および図４（ｂ）は、図３（ａ）および図３（ｂ）に示した本実施の形態における固体撮像装置１００のボンディングパッド６におけるウェハテスト時の状態を示す断面図であり、図４（ａ）は、図２に示すＡ−Ａ'間の断面図、図４（ｂ）は、図２に示すＢ−Ｂ'間の断面図である。
【００５４】
図４（ａ）および図４（ｂ）に示すように、ウェハテストを行うためのプローブ針２０は、ボンディングパッド６に形成された凹部８の内側でボンディングパッド６と接触する。そして、図４（ｂ）に示すように、プローブ針２０はすべり等により移動するが、その移動は凹部８の壁面によって抑止される。これにより、プローブ針２０の移動によって生じるプローブ痕２１は、凹部８の内側でのみ生じる。
【００５５】
これにより、ボンディングパッド６においてプローブ針２０の接触するプローブ領域を凹部形成領域１９に限定することが可能となるため、プローブ針２０の移動量のばらつきを考慮して、プローブ針２０が移動するプローブ領域、またはプローブ領域以外のボンディング領域を大きく配置する必要がなくなり、ボンディングパッド６の大きさを従来よりも小さくすることが可能となる。すなわち、固体撮像装置１００の小型化に有効となる。
【００５６】
また、回路素子領域７の凹部形成領域１９には回路素子を形成しないため、プローブ針２０の針圧により凹部８の内側のボンディングパッド６が破損した場合でも、ボンディングパッド６と回路素子の電気的リークによる固体撮像装置１００の動作不具合を防止できる。
【００５７】
図３（ａ）および図３（ｂ）に示した、凹部８を形成するために必要な短辺ｘの長さは、プローブ針２０の径およびプローブ針２０をボンディングパッド６と接触させるためのターゲット位置に対するばらつきで決定される。一般的には、プローブ針２０の径に２〜３μｍ程度加えた長さであれば、凹部８の内側にプローブ針２０を接触させることが可能である。
【００５８】
また、同様に、凹部８の長辺ｙの長さは、プローブ針２０の径とプローブの移動量を鑑みて設定する。一般的には、プローブ針２０の径に３０〜５０μｍ程度加えた程度の長さを確保すれば良い。
【００５９】
以上、説明したように、本実施の形態に係る固体撮像装置１００のボンディングパッド６の構成によれば、プローブ針２０はボンディングパッド６に形成された凹部８の内側でボンディングパッド６と接触し、すべり等によるプローブ針２０の移動量は、凹部８の壁面によってプローブ針２０の移動が抑止されることで制御できるため、プローブ痕が凹部８の領域外に達することがない。すなわち、プローブ痕の広がりを小さく抑えることができるため、プローブ針２０が移動するプローブ領域、またはプローブ領域以外のボンディング領域を大きくする必要がない。したがって、ボンディングパッド６を小型にできるため、固体撮像装置１００の小型化に有効である。
【００６０】
また、ボンディングパッド６に配置する凹部８を形成する凹部形成領域１９には回路素子を配置しないため、プローブ針２０の針圧によるボンディングパッド６の破損によりボンディングパッド６と回路素子が電気的なリークを発生するのを防止できる。したがって、固体撮像装置１００を良好に動作させることができる。
【００６１】
また、回路形成領域１８と凹部形成領域１９の高さの差、つまり、回路素子を構成する配線（第１電極９、第２電極１０、第３電極１１）の段差によって凹部８を実現できるため、凹部形成用の工程を新たに追加する必要がない。よって、固体撮像装置１００の製造工程を簡略化して、コスト増大の抑制にも効果が期待できる。
【００６２】
なお、本発明は、上記した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形を行ってもよい。
【００６３】
例えば、上記した実施の形態では、回路素子としてＭＯＳＦＥＴ型の保護回路を用いた構成を説明したが、ＭＯＳＦＥＴ型の保護回路に限らず、固体撮像装置に所定の電圧を供給するための電圧発生回路などの別の機能をもった回路素子を用いても構わない。
【００６４】
また、ボンディングパッドに設けられた凹部の短辺ｘおよび長辺ｙの大きさは、上記した実施の形態に示した大きさに限らず、プローブ針の径や用途に応じてその他の大きさに変更してもよい。また、凹部の平面形状は、上記した実施の形態に示した矩形形状に限らず、その他の形状であってもよい。
【００６５】
また、本発明に係る固体撮像装置には、上記実施の形態における任意の構成要素を組み合わせて実現される別の実施の形態や、実施の形態に対して本発明の主旨を逸脱しない範囲で当業者が思いつく各種変形を施して得られる変形例や、本発明に係る固体撮像装置を備えた各種デバイスなども本発明に含まれる。例えば、本発明に係る固体撮像装置を備えたムービーカメラも本発明に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明に係る固体撮像装置は、ボンディングパッドを配置する固体撮像装置について有用である。
【符号の説明】
【００６７】
１、２０１  半導体基板
２、２０２  画素
３、２０３  垂直シフトレジスタ（シフトレジスタ部）
４、２０４  水平シフトレジスタ（シフトレジスタ部）
５、２０５  出力部
６、２０６  ボンディングパッド
８  凹部
９  第１電極（回路素子）
１０  第２電極（回路素子）
１１  第３電極（回路素子）
１３  第１拡散領域（回路素子）
１４  第２拡散領域（回路素子）
１５  第３拡散領域（回路素子）
１６  絶縁膜層（ボンディングパッド）
１７  金属膜層（ボンディングパッド）
２０  プローブ針
１００、２００  固体撮像装置
【図１】
2012009790.tif 000003
【図２】
2012009790.tif 000004
【図３】
2012009790.tif 000005
【図４】
2012009790.tif 000006
【図５】
2012009790.tif 000007
【図６】
2012009790.tif 000008
【図７】
2012009790.tif 000009