(57)【要約】【課題】  簡単に取り扱うことができ、複数の加熱工程で半導体ウェーハをそのまま取り扱える半導体ウェーハの取り扱い方法を提供する。【解決手段】  可撓性シート層２とエラストマー層３が一体のサポートシート１を使用し、製造工程で厚さ２００μｍ以下の半導体ウェーハを取り扱う方法であり、可撓性シート層２を５〜２００μｍの厚さにして１２０℃以上の耐熱性を付与し、可撓性シート層２を半導体ウェーハよりも大きく形成して片面にエラストマー層３を形成し、エラストマー層３を５〜２００μｍの厚さにして１２０℃以上の耐熱性を付与し、半導体ウェーハにサポートシート１を粘着する場合、チャックテーブルに吸着固定した半導体ウェーハにエラストマー層３を粘着し、半導体ウェーハの形に沿ってサポートシート１の余剰部を除去し、サポートシート１を剥離する場合、チャックテーブルに吸着固定した半導体ウェーハからサポートシート１を徐々に剥離する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性シート層とエラストマー層とが一体化したサポートシートを使用することにより、加熱工程を含む製造工程で厚さ２００μｍ以下の半導体ウェーハを取り扱う半導体ウェーハの取り扱い方法であって、
サポートシートの可撓性シート層を５〜２００μｍの厚さに形成して少なくとも１２０℃以上の耐熱性を付与し、この可撓性シート層を半導体ウェーハよりも大きく形成してその片面に自己粘着性のエラストマー層を積層形成し、このエラストマー層を５〜２００μｍの厚さにして少なくとも１２０℃以上の耐熱性を付与し、
半導体ウェーハにサポートシートを粘着する場合には、チャックテーブルに半導体ウェーハを吸着固定してその露出した裏面にサポートシートのエラストマー層を粘着し、その後、半導体ウェーハの形状に沿ってサポートシートの余剰部を除去し、
半導体ウェーハからサポートシートを剥離する場合には、チャックテーブルに半導体ウェーハを吸着固定した後、半導体ウェーハからサポートシートをその端部から徐々に剥離することを特徴とする半導体ウェーハの取り扱い方法。
【請求項２】
可撓性シート層とエラストマー層とが一体化したサポートシートと、このサポートシートよりも広い幅で可撓性のセパレータとを使用することにより、加熱工程を含む製造工程で厚さ２００μｍ以下の半導体ウェーハを取り扱う半導体ウェーハの取り扱い方法であって、
サポートシートの可撓性シート層を５〜２００μｍの厚さに形成して少なくとも１２０℃以上の耐熱性を付与し、この可撓性シート層を半導体ウェーハよりも大きく形成してその片面に自己粘着性のエラストマー層を積層形成し、このエラストマー層を５〜２００μｍの厚さにして少なくとも１２０℃以上の耐熱性を付与し、
半導体ウェーハにサポートシートを粘着する場合には、サポートシートを予め取り扱う半導体ウェーハの形状に対応する形状に形成し、このサポートシートの可撓性シート層をセパレータの微粘着層に着脱自在に粘着保持させ、チャックテーブルに吸着固定した半導体ウェーハの露出した裏面にサポートシートのエラストマー層を粘着し、その後、セパレータを変形させてサポートシートから徐々に剥離し、
半導体ウェーハからサポートシートを剥離する場合には、チャックテーブルに半導体ウェーハを吸着固定した後、半導体ウェーハからサポートシートをその端部から徐々に剥離することを特徴とする半導体ウェーハの取り扱い方法。
【請求項３】
サポートシートの可撓性シート層にセパレータの微粘着層を着脱自在に粘着し、サポートシートのエラストマー層に着色されたカバー保護層を着脱自在に粘着する請求項２記載の半導体ウェーハの取り扱い方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加熱工程を含む半導体の製造工程で薄い半導体ウェーハを取り扱う半導体ウェーハの取り扱い方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、バックグラインドにより２００μｍ以下の厚さに薄化された脆い半導体ウェーハを半導体の製造工程で取り扱う場合には、そのままの状態では半導体ウェーハに欠けや割れが生じやすいので、例えば図示しない保持リングの粘着層上に薄化された半導体ウェーハを粘着支持させて強度を確保し、この半導体ウェーハに所定の加工や処理を施している（特許文献１、２、３、４、５、６参照）。
【０００３】
保持リングは、例えば硬質の材料により半導体ウェーハよりも拡径のリングに形成され、周壁の周面に粘着層の周縁部が接着されたり、挟持されることにより、緊張して支持されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０‐２７７２０号公報
【特許文献２】特開２００８‐６０２５５号公報
【特許文献３】特開２００７‐２５０７３８号公報
【特許文献４】特開２００６‐３２４８８号公報
【特許文献５】特開２００３‐７７８６９号公報
【特許文献６】特開２００２‐５９３６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来における保持リングは、以上のように構成され、優れた効果が期待できるものの、半導体ウェーハよりも大きい拡径で広いスペースを必要以上に占有するので、簡単な取り扱いが期待できない場合が考えられる。また、半導体の製造工程には、ドライエッチング工程、ＣＶＤ工程、メッキ工程、ハンダリフロー工程等の加熱工程があるが、従来の保持リングは、これらの加熱工程のいずれかで使用することができるものの、複数の加熱工程を通じてそのまま使用することが困難な場合がある。その場合、専用の保持治具に半導体ウェーハを移し替える必要があり、作業の遅延を招くおそれがある。
【０００６】
本発明は上記に鑑みなされたもので、簡単な取り扱いが期待でき、しかも、複数の加熱工程で半導体ウェーハをそのまま取り扱うことのできる半導体ウェーハの取り扱い方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明においては上記課題を解決するため、可撓性シート層とエラストマー層とが一体化したサポートシートを使用することにより、加熱工程を含む製造工程で厚さ２００μｍ以下の半導体ウェーハを取り扱う半導体ウェーハの取り扱い方法であって、
サポートシートの可撓性シート層を５〜２００μｍの厚さに形成して少なくとも１２０℃以上の耐熱性を付与し、この可撓性シート層を半導体ウェーハよりも大きく形成してその片面に自己粘着性のエラストマー層を積層形成し、このエラストマー層を５〜２００μｍの厚さにして少なくとも１２０℃以上の耐熱性を付与し、
半導体ウェーハにサポートシートを粘着する場合には、チャックテーブルに半導体ウェーハを吸着固定してその露出した裏面にサポートシートのエラストマー層を粘着し、その後、半導体ウェーハの形状に沿ってサポートシートの余剰部を除去し、
半導体ウェーハからサポートシートを剥離する場合には、チャックテーブルに半導体ウェーハを吸着固定した後、半導体ウェーハからサポートシートをその端部から徐々に剥離することを特徴としている。
【０００８】
また、本発明においては上記課題を解決するため、可撓性シート層とエラストマー層とが一体化したサポートシートと、このサポートシートよりも広い幅で可撓性のセパレータとを使用することにより、加熱工程を含む製造工程で厚さ２００μｍ以下の半導体ウェーハを取り扱う半導体ウェーハの取り扱い方法であって、
サポートシートの可撓性シート層を５〜２００μｍの厚さに形成して少なくとも１２０℃以上の耐熱性を付与し、この可撓性シート層を半導体ウェーハよりも大きく形成してその片面に自己粘着性のエラストマー層を積層形成し、このエラストマー層を５〜２００μｍの厚さにして少なくとも１２０℃以上の耐熱性を付与し、
半導体ウェーハにサポートシートを粘着する場合には、サポートシートを予め取り扱う半導体ウェーハの形状に対応する形状に形成し、このサポートシートの可撓性シート層をセパレータの微粘着層に着脱自在に粘着保持させ、チャックテーブルに吸着固定した半導体ウェーハの露出した裏面にサポートシートのエラストマー層を粘着し、その後、セパレータを変形させてサポートシートから徐々に剥離し、
半導体ウェーハからサポートシートを剥離する場合には、チャックテーブルに半導体ウェーハを吸着固定した後、半導体ウェーハからサポートシートをその端部から徐々に剥離することを特徴としている。
【０００９】
なお、サポートシートの可撓性シート層にセパレータの微粘着層を着脱自在に粘着し、サポートシートのエラストマー層に着色されたカバー保護層を着脱自在に粘着することができる。
【００１０】
ここで、特許請求の範囲におけるサポートシートの可撓性シート層、エラストマー層、カバー保護層には、必要な着色を適宜施すことができる。可撓性シート層やエラストマー層には、光透過性を付与して透明にすることができる。製造工程の加熱工程には、少なくともドライエッチング工程、ＣＶＤ工程、メッキ工程、ハンダリフロー工程等が含まれる。また、半導体ウェーハには、少なくともφ１５０、２００、３００、４５０ｍｍタイプが含まれる。この半導体ウェーハの裏面にサポートシートのエラストマー層を粘着する際、確実な粘着を得たい場合には、減圧された雰囲気で粘着することが好ましい。
【００１１】
本発明によれば、サポートシートを半導体ウェーハと略同形状に形成し、このサポートシートにより半導体ウェーハをサポートするので、半導体ウェーハの取り扱い中に余分な広いスペースを占有することが少ない。また、サポートシートの可撓性シート層とエラストマー層とが共に１２０℃以上の耐熱性を有するので、複数の加熱工程を通じてサポートシートをそのまま使用することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、簡単な取り扱いが期待でき、しかも、複数の加熱工程で半導体ウェーハをそのまま取り扱うことができるという効果がある。
【００１３】
また、請求項２記載の発明によれば、半導体ウェーハにサポートシートを粘着する前段階で、半導体ウェーハに対応する形状に加工されたサポートシートを半導体ウェーハに適切に粘着することができる。
また、請求項３記載の発明によれば、カバー保護層により、エラストマー層の半導体ウェーハに粘着する粘着面の汚染を防ぐことができる。さらに、カバー保護層の着色を利用すれば、視覚による把握が容易になるので、半導体ウェーハにサポートシートやカバー保護層を適切に位置決めすることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明に係る半導体ウェーハの取り扱い方法の実施形態におけるサポートシートとセパレータとを模式的に示す斜視説明図である。
【図２】本発明に係る半導体ウェーハの取り扱い方法の実施形態におけるサポートシートとセパレータとを模式的に示す説明図である。
【図３】本発明に係る半導体ウェーハの取り扱い方法の実施形態におけるチャックテーブルの表面に半導体ウェーハを吸着固定し、この半導体ウェーハにサポートシートを粘着する状態を模式的に示す部分断面説明図である。
【図４】図３の半導体ウェーハの形状に沿ってサポートシートの余剰部を切断して除去した状態を模式的に示す部分断面説明図である。
【図５】本発明に係る半導体ウェーハの取り扱い方法の実施形態におけるチャックテーブルにサポートシート付きの半導体ウェーハを真空吸着固定する状態を模式的に示す部分断面説明図である。
【図６】図５の半導体ウェーハからサポートシートをめくるよう引き上げて剥離する状態を模式的に示す部分断面説明図である。
【図７】本発明に係る半導体ウェーハの取り扱い方法の実施形態におけるチャックテーブルに半導体ウェーハを吸着固定し、サポートシートの可撓性シート層をセパレータの微粘着層に粘着保持させた状態を模式的に示す部分断面説明図である。
【図８】本発明に係る半導体ウェーハの取り扱い方法の実施形態における半導体ウェーハにサポートシートのエラストマー層を押圧ローラを介して粘着する状態を模式的に示す部分断面説明図である。
【図９】図８のセパレータを変形させてサポートシートから徐々に剥離する状態を模式的に示す部分断面説明図である。
【図１０】本発明に係る半導体ウェーハの取り扱い方法の実施形態におけるチャックテーブルにサポートシート付きの半導体ウェーハを配置して吸着固定する状態を模式的に示す部分断面説明図である。
【図１１】本発明に係る半導体ウェーハの取り扱い方法の実施形態におけるサポートシートの周縁部に粘着剥離テープを粘着した状態を模式的に示す部分断面説明図である。
【図１２】図１１の半導体ウェーハからサポートシートを端部から徐々に剥離する状態を模式的に示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明すると、本実施形態における半導体ウェーハの取り扱い方法は、図１ないし図１２に示すように、屈曲可能な可撓性を有するサポートシート１とセパレータ４のうち、少なくともサポートシート１を使用して着脱することにより、加熱工程を有する半導体の製造工程で薄化された脆い半導体ウェーハ１０を取り扱うようにしている。
【００１６】
サポートシート１は、図１や図２等に示すように、基本的には可撓性シート層２と、この可撓性シート層２に形成されて半導体ウェーハ１０に着脱自在に粘着するエラストマー層３とを一体的な二層構造に備え、可撓性シート層２の露出した表面に着脱自在のセパレータ４が状況に応じて粘着されるとともに、エラストマー層３の半導体ウェーハ１０に粘着する表面に着脱自在のカバー保護層７が必要に応じて粘着される。
【００１７】
サポートシート１、換言すれば、可撓性シート層２とエラストマー層３とは、当初は取り扱う半導体ウェーハ１０よりも大きく形成される（図３参照）が、最終的には、エラストマー層３が半導体ウェーハ１０に粘着する粘着作業の前後で半導体ウェーハ１０の形状に略対応するよう平面円形に加工される。具体的には、半導体ウェーハ１０の周縁部付近から食み出す余剰部が打ち抜きや切断等で除去されることにより、半導体ウェーハ１０と同じ大きさに整合されるか、あるいは僅かに１ｍｍ程度小さな円形にカットされる。
【００１８】
可撓性シート層２は、図１や図２等に示すように、所定の成形材料を使用して薄いシートに成形され、作業の便宜を図る観点から白色、黄色、橙色等の彩色が選択的に着色されており、少なくとも１２０℃以上の耐熱性が付与される。この可撓性シート層２は、例えば２８０℃の耐熱性を有するポリイミド、２８０℃の耐熱性を有する液晶ポリマー（ＬＣＰ）、１６０℃の耐熱性を有するポリエチレンテレフタレート、１８０℃の耐熱性を有するポリエチレンナフタレート、１６０℃の耐熱性を有するポリブチレンテレフタレート、１８０℃の耐熱性を有するＰＢＮ、２３０℃の耐熱性を有するポリエーテルイミド、２００℃の耐熱性を有するポリエーテルエーテルケトン、２００℃の耐熱性を有するポリフェニレンスルフィド、１２０℃の耐熱性を有するポリカーボネート、１６０℃の耐熱性を有するポリエーテルスルホン、１２０℃の耐熱性を有するＡＢＳ樹脂、１５０℃の耐熱性を有するガラス等の補強フィラーが配合されたポリイミド、２００℃の耐熱性を有するポリフェニレンエーテル等を単独あるいは複数種使用して成形される。
【００１９】
可撓性シート層２の厚さは、５〜２００μｍ、好ましくは１２〜５０μｍ、より好ましくは２０〜２５μｍの範囲に調整される。これは、可撓性シート層２の厚さが５μｍ未満の場合には、サポートシート１としての強度や剛性に欠けるからである。逆に、可撓性シート層２の厚さが２００μｍを越える場合には、半導体ウェーハ１０からサポートシート１を剥離する際、サポートシート１が十分に変形せず、薄い半導体ウェーハ１０の破損を招くおそれがあるからである。
【００２０】
エラストマー層３は、図１や図２等に示すように、例えば耐熱性を有するシリコーン系やフッ素系のエラストマーを使用して可撓性シート層２の片面である被積層面に積層形成され、半導体ウェーハ１０に対する良好な粘着性を確保する観点から、自己粘着性が付与されるとともに、少なくとも１２０℃以上の耐熱性が付与される。
【００２１】
エラストマー層３を可撓性シート層２に積層形成する方法としては、例えば（１）可撓性シート層２の被積層面に未硬化で液状のエラストマー材料をコーティングして加熱硬化する方法、（２）未硬化でミラブルのエラストマー材料をカレンダーロールで薄く延ばして可撓性シート層２の被積層面にトッピングし、エラストマー材料を加熱硬化する方法等があげられる。
【００２２】
可撓性シート層２とエラストマー層３との一体性を向上させたい場合には、可撓性シート層２の被積層面にプライマー処理や粗面化処理が選択的に施される。また、エラストマー層３の表面は、自己粘着性を得る観点から鏡面処理されることが好ましいが、自己粘着性を調整したい場合には、フィラーが添加されたり、粗面化処理が適宜施される。
【００２３】
エラストマー層３の厚さは、５〜２００μｍ、好ましくは３０〜６０μｍ、より好ましくは４０〜５０μｍの範囲に調整される。これは、エラストマー層３の厚さが５μｍ未満の場合には、エラストマー層３に十分な自己密着性が発現しないからである。逆に、エラストマー層３の厚さが２００μｍを越える場合には、加熱工程で用いられる際、エラストマー層３が熱膨張の影響で半導体ウェーハ１０を変形させ、半導体ウェーハ１０の破損を招くという理由に基づく。また、厚さが２００μｍを越える場合、エラストマー層３の周面の露出面積が拡大し、溶剤を使用する製造工程で用いられる際、エラストマー層３の周面が侵されやすくなるという理由に基づく。
【００２４】
セパレータ４は、図１や図２等に示すように、サポートシート１よりも広く大きい平面矩形で透明の樹脂シート５を備え、この樹脂シート５の表面に、サポートシート１の可撓性シート層２に着脱自在に粘着する微粘着層６が積層して形成される。樹脂シート５の材料は、特に限定されるものではないが、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル、ポリエチレン、これらの複合体や混合体が好適に使用される。このようなセパレータ４は、半導体ウェーハ１０にサポートシート１のエラストマー層３が粘着する前に、サポートシート１が半導体ウェーハ１０に対応する平面円形に加工される場合等に使用される。
【００２５】
カバー保護層７は、同図に示すように、例えば樹脂シートや合成紙等を使用して半導体ウェーハ１０の形状に対応する平面円形に形成され、目視による取り扱い作業を容易にする観点から着色（例えば白色、黄色、橙色等）が適宜施されており、エラストマー層３の表面に着脱自在に粘着してこれを汚染等から保護する。このカバー保護層７は、エラストマー層３を保護する場合の他、例えば半導体ウェーハ１０にサポートシート１のエラストマー層３が粘着する前に、サポートシート１が半導体ウェーハ１０に対応する平面円形に加工される場合に位置決め用に使用される。
【００２６】
半導体の製造工程には加熱工程が含まれ、この加熱工程には、１２０℃、１５０℃、２００℃等の温度で加熱するドライエッチング工程、１５０℃、１８０℃、２８０℃等の温度で加熱するＣＶＤ工程、８０℃や１２０℃等の温度で加熱するメッキ工程、２００℃、２３０℃、２６０℃等の温度で加熱するハンダリフロー工程等が該当する。
【００２７】
このような複数の加熱工程を含む半導体の製造工程でサポートシート１はそのまま利用することが求められるので、半導体ウェーハ１０に影響される可撓性シート層２とエラストマー層３とには、上記したように少なくとも１２０℃以上、好ましくは１５０℃以上、より好ましくは２３０℃以上の耐熱性が付与される。
【００２８】
半導体ウェーハ１０は、例えばφ１５０ｍｍのシリコンウェーハからなり、バックグラインド工程で裏面１１がバックグラインドされることにより、２００μｍ以下に薄化されており、回路パターンが形成された表面が図示しないバックグラインドテープにより保護される。このバックグラインドテープは、半導体ウェーハ１０の加工処理に応じて着脱される。
【００２９】
上記において、半導体の製造工程で薄化された脆い半導体ウェーハ１０を取り扱うため、薄化された半導体ウェーハ１０にサポートシート１を粘着する場合には、先ず、真空ポンプに接続されたチャックテーブル２０の平坦な表面に半導体ウェーハ１０を配置して真空吸着固定（図３参照）し、この半導体ウェーハ１０の露出した裏面１１に大き目のサポートシート１のエラストマー層３を粘着し、その後、半導体ウェーハ１０の形状に沿ってサポートシート１の余剰部を切断等で除去すれば、半導体ウェーハ１０にサポートシート１を粘着することができる（図４参照）。
【００３０】
この際、半導体ウェーハ１０の裏面１１にサポートシート１のエラストマー層３を押圧ローラ等を介して徐々に粘着すれば、半導体ウェーハ１０とサポートシート１との間に空気が侵入するのを簡易に防止することができる。また、サポートシート１の余剰部は、チャックテーブル２０に半導体ウェーハ１０を真空吸着固定した状態で除去しても良いし、チャックテーブル２０から半導体ウェーハ１０を取り外した状態で除去しても良い。
【００３１】
このようにしてサポートシート１と一体化された半導体ウェーハ１０は、サポートシート１により強度が確保されて欠けや割れが未然に防止され、加熱工程を含む半導体の製造工程に供されて所定の加工や処理が施される。
【００３２】
所定の加工や処理が施された半導体ウェーハ１０からサポートシート１を剥離する場合には、チャックテーブル２０に半導体ウェーハ１０を真空吸着固定（図５参照）し、露出したサポートシート１をその周縁部からめくるよう徐々に引き上げて剥離（図６参照）すれば、半導体ウェーハ１０の裏面１１を露出させることができる。この際、サポートシート１を摘み、直接引き上げて剥離しても良いが、剥離作業が困難な場合には、サポートシート１の可撓性シート層２に粘着剥離テープを粘着し、これを利用してサポートシート１を剥離すれば良い。
【００３３】
次に、薄化された半導体ウェーハ１０にサポートシート１をセパレータ４を使用して粘着する場合には、先ず、サポートシート１のエラストマー層３にカバー保護層７を粘着し、チャックテーブル２０の平坦な表面に半導体ウェーハ１０を配置して真空吸着固定した後、チャックテーブル２０の表面にサポートシート１を重ねて半導体ウェーハ１０の露出した裏面１１にサポートシート１のカバー保護層７を位置決めする。
【００３４】
この際、半導体ウェーハ１０の裏面１１にサポートシート１のエラストマー層３をいきなり粘着すると、正確な位置合わせに支障を来たすことがあるので、半導体ウェーハ１０の裏面１１にカバー保護層７を先に位置決めすることが望ましい。サポートシート１は、予め半導体ウェーハ１０の形状に対応する形にカットしておくのが良い。このサポートシート１の可撓性シート層２やカバー保護層７が有彩色の場合、視覚的な把握が容易になるので、簡単に位置合わせすることができる。
【００３５】
半導体ウェーハ１０の裏面１１にサポートシート１のカバー保護層７を位置決めしたら、サポートシート１の可撓性シート層２をセパレータ４の微粘着層６に着脱自在に粘着保持（図７参照）させ、サポートシート１からカバー保護層７を剥離してエラストマー層３を露出させる。
【００３６】
次いで、セパレータ４に支持されたサポートシート１のエラストマー層３を半導体ウェーハ１０の裏面１１に押圧ローラ２１を介して端部から徐々に粘着（図８参照）し、その後、不要となったセパレータ４のみを変形させてサポートシート１から徐々に剥離（図９参照）すれば、半導体ウェーハ１０にサポートシート１を粘着することができる。
【００３７】
半導体ウェーハ１０の裏面１１にサポートシート１を粘着する際、減圧された雰囲気で粘着すれば、空気等を巻き込みにくいので、確実な粘着が大いに期待でき、ＣＶＤ等の減圧工程に用いる場合に実に有益である。このようにしてサポートシート１と一体化された半導体ウェーハ１０は、サポートシート１により強度が確保されて欠けや割れが未然に防止され、加熱工程を含む半導体の製造工程に供されて所定の加工や処理が施される。
【００３８】
所定の加工や処理が施された半導体ウェーハ１０からサポートシート１を剥離する場合には、チャックテーブル２０に半導体ウェーハ１０を真空吸着固定（図１０参照）し、露出したサポートシート１の周縁部、具体的には可撓性シート層２の周縁部に粘着剥離テープ２２を粘着（図１１参照）してめくるよう引き上げ、半導体ウェーハ１０の裏面１１からサポートシート１を端部から徐々に剥離（図１２参照）すれば、半導体ウェーハ１０からサポートシート１を変形させて剥離し、半導体ウェーハ１０の裏面１１を露出させることができる。
【００３９】
上記によれば、サポートシート１を取り扱う半導体ウェーハ１０と同形状に形成し、このサポートシート１により薄く脆い半導体ウェーハ１０をサポートするので、半導体ウェーハ１０の取り扱い中にサポートシート１が余分な広いスペースを占有することがない。したがって、簡単な取り扱いが期待でき、作業の円滑化、簡素化、容易化を図ることができる。
【００４０】
また、サポートシート１の可撓性シート層２とエラストマー層３とが共に１２０℃以上の耐熱性を有するので、複数の加熱工程を通じてサポートシート１をそのまま使用することができる。したがって、専用の保持治具に半導体ウェーハ１０を移し替える必要が全くなく、作業の遅延を防止して作業の円滑化や迅速化が期待できる。
【００４１】
なお、上記実施形態では半導体ウェーハ１０にサポートシート１を手動操作で着脱したが、自動操作で着脱しても良い。また、カバー保護層７の位置決めの便宜等を向上させたい場合には、サポートシート１のエラストマー層３に光透過性を付与して透明や半透明にしても良い。また、半導体の製造工程で酸、アルカリ、有機溶剤等が使用されることにより、サポートシート１のエラストマー層３の汚染等が問題になる場合には、エラストマー層３をパーフロロエラストマー等で形成してエラストマー層３の耐性を向上させても良い。
【００４２】
また、セパレータ４を長尺の巻物として複数のサポートシート１を所定の間隔で粘着保持させ、このセパレータ４を順次繰り出すような場合には、セパレータ４に位置決めマークを形成したり、サポートシート１を粘着保持する面とは反対側の面に離型処理を施し、カバー保護層７を省略することができる。さらに、透明のセパレータ４に半導体ウェーハ１０の周縁部に対応する輪郭線を形成し、この輪郭線を活用して半導体ウェーハ１０にサポートシート１やそのカバー保護層７を適切に位置決めすることもできる。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明に係る半導体ウェーハの取り扱い方法は、半導体の製造分野で使用することができる。
【符号の説明】
【００４４】
１        サポートシート
２        可撓性シート層
３        エラストマー層
４        セパレータ
５        樹脂シート
６        微粘着層
７        カバー保護層
１０      半導体ウェーハ
１１      裏面
２０      チャックテーブル
２１      押圧ローラ
２２      粘着剥離テープ
【図１】
2012243952.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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