(57)【要約】【課題】  キャリア応答速度より高速の伝送信号で変調する場合の光信号波形のなまりを改善する。【解決手段】  ＨＰＦ（１２）は、伝送信号のパルスエッジ成分を抽出する。整流回路（１４Ａ，１４Ｂ）はそれぞれ、抽出されたパルスエッジ成分の、正方向成分と負方向成分を抽出し、増幅器（１６Ａ，１６Ｂ）が整流回路（１４Ａ，１４Ｂ）の出力を増幅する。加算器（１８，２２）は、伝送信号に増幅器（１６Ａ，１６Ｂ）の出力及びバイアス電流を加算し、半導体光デバイス（２４）を駆動する。品質測定装置（３０）は、半導体光デバイス（２４）の出力光の信号品質を測定する。制御装置（３２）は、測定された信号品質が向上するように、ＨＰＦ（１２）のカットオフ周波数及び増幅器（１６Ａ，１６Ｂ）の利得を制御する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体光デバイスを駆動する半導体光デバイス駆動装置であって。
伝送信号のパルスエッジ成分を抽出するフィルタ手段と、
当該フィルタ手段により抽出されるパルスエッジ成分の内の正方向パルスエッジ成分の振幅を調整する第１のレベル調整手段と、
当該フィルタ手段により抽出されるパルスエッジ成分の内の負方向パルスエッジ成分の振幅を調整する第２のレベル調整手段と、
当該伝送信号に、当該第１のレベル調整手段の出力、当該第２のレベル調整手段の出力、及び当該半導体光デバイスのバイアスを加算する加算手段と、
当該加算手段の出力により駆動されて当該半導体光デバイスから出力される光信号の信号品質を測定する品質測定手段と、
当該品質測定手段の測定結果に従い、当該信号品質が改善する方向に当該フィルタ手段のカットオフ周波数、並びに、当該第１及び第２のレベル調整手段による当該正方向パルスエッジ成分及び当該負方向パルスエッジ成分の各振幅の調整量を制御する制御手段
とを具備することを特徴とする半導体光デバイス駆動装置。
【請求項２】
当該第１のレベル調整手段が、
当該フィルタ手段の出力を整流して当該正方向パルスエッジ成分を分離する第１の整流手段と、
当該第１の整流手段で分離された当該正方向パルスエッジ成分を、当該制御手段により制御される利得で増幅する第１の増幅手段
とを具備し、
当該第２のレベル調整手段が、
当該フィルタ手段の出力を整流して当該負方向パルスエッジ成分を分離する第２の整流手段と、
当該第２の整流手段で分離された当該負方向パルスエッジ成分を、当該制御手段により制御される利得で増幅する第２の増幅手段
とを具備することを特徴とする請求項１に記載の半導体光デバイス駆動装置。
【請求項３】
当該品質測定手段が、当該光信号を受信する受信装置に配置されることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体光デバイス駆動装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体光デバイスを高速で駆動する半導体光デバイス駆動装置に関し、より具体的には、半導体光デバイスをそのキャリア応答速度以上の高速で駆動する半導体光デバイス駆動装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体技術を用いた光デバイス、すなわち半導体光デバイスの駆動電流をデータ信号で変調することで、当該データ信号で変調された光信号を生成できる。このような変調法は直接変調と呼ばれ、広く用いられている。半導体光デバイスは例えば、半導体レーザ（ＬＤ）、半導体光増幅器（ＳＯＡ：Semiconductor Optical Amplifier）及び反射型半導体増幅器（ＲＳＯＡ：Reflective SOA））等である。半導体光デバイスは、素子長が数１００μｍ程度と短く、また消費電力も数１０ｍＷ程度と桁違いに小さいことから、光送信装置の小型化と低消費電力化に寄与する。
【０００３】
半導体内部のキャリア応答速度と比べて低速度から中速度のビットレートを想定した場合、ＬＤの直接変調による光信号の生成では、図１０に示すように、送信データが“０”から“１”に遷移する際の緩和振動によって、光波形は立ち上がり部分にオーバーシュートを生じ、以後、リンギングを持つ波形となる。図１０（ａ）は駆動信号を示し、図１０（ｂ）は、光出力波形を示す。リンギングが大きいとアイ開口度が低下し、通信品質が劣化する。このようなリンギングは、駆動電流の立ち上がりを遅くすることで、解消できる。
【０００４】
半導体光デバイスを直接変調する手法では、変調速度に限界がある。例えば半導体レーザを直接変調する場合、変調帯域の限界は、半導体内部のキャリア応答速度により数ＧＨｚに制限される。このため、高速（例えば１０Ｇｂｉｔ／ｓ）な光信号を直接変調で実現することは困難である。例えば、半導体内部のキャリア応答速度より高速度のビットレートで駆動する場合、リンギングは発生しないものの、図１１に示すように、生成される光信号は本来の波形から鈍ったような、歪みの大きい波形になり、十分なアイ開口度を得られない。図１１（ａ）はＬＤの駆動電流波形を示し、図１１（ｂ）は光出力波形を示す。
【０００５】
このような光出力波形の劣化を解消又は低減する技術として、レーザダイオードを駆動する、データ伝送信号で変調される駆動信号を事前に強調処理することが知られている。特許文献１には、パルス信号を増幅するドライバ回路に並列に、当該パルス信号を所定時間τだけ遅延して反転するプリエンファシスドライバ回路を設け、ドライバ回路の出力電流とプリエンファシスフォライバ回路の出力電流を加算してレーザダイオードに印加する構成が記載されている。また、レーザダイオードの出力する光信号をモニタするフォトダイオードを設け、当該フォトダイオードのモニタ値の平均値により当該レーザダイオードのバイアス電流値を負帰還制御し、当該モニタ値のピーク値により変調電流を負帰還制御することが記載されている。
【０００６】
特許文献２には、ＬＤ駆動回路の前段に配置される前置増幅回路の駆動電流に一定電流（補償電流）を追加する補償回路を設け、スルーレート（Slew Rate）を可変とし、信号の立ち上がり／立ち下り時間を短くし、高速伝送を実現することが記載されている。
【０００７】
また、ＬＤを駆動する駆動パルスの立下りの時間変化率を立ち上がりの時間変化率よりも大きくすることで、光信号のリンギングを抑制し、オーバーシュートを制御することが特許文献３に記載されている。しかし、この技術は、そもそも、リンギングが発生しないような、半導体内部のキャリア応答速度と比べて高速度のビットレートの信号光を発生する場合には、有効ではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１０−０９７９８８号公報
【特許文献２】特開２００６−１００５５５号公報
【特許文献３】特開２００４−２７３６３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
一般的に、半導体光デバイスでは、半導体内部のキャリア応答速度τは、当該半導体内部のキャリア密度Ｎに依存し、近似的には、
τ＝１／（Ａ＋ＢＮ＋ＣＮ２）
で表される。Ａ，Ｂ，Ｃは、材料等に依存して決定される定数である。駆動パルスの立ち上がり直前とパルスの立ち下り直前では、半導体内部のキャリア密度Ｎが異なるので、両者に対する半導体光デバイスの応答特性が異なってくる。
【００１０】
ところが、特許文献１に記載の技術では、駆動パルス信号のパルス立ち上がり部分とパルス立ち下り部分に同一のプリエンファシスしか与えることができない。その結果、生成される光パルスの立ち上がり／立ち下がりは異なるスロープを持つことになり、ビットレートが高速になるほどアイパターンを改善することが難しい。
【００１１】
特許文献２に記載の技術では、ドライバ出力強度が高周波側で低下するか、ＬＤ駆動回路の帯域制限があると、高周波成分の光信号強度が低下する。従って、前置増幅回路のスルーレートを改善するだけではアイパターンを改善することは難しい。
【００１２】
本発明は、上述した実情に鑑みてなされたもので、キャリア応答速度よりも高速な伝送速度の信号による直接変調の場合でも良好なアイパターンを有する光信号を生成できる半導体光デバイス駆動装置を提示することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る半導体光デバイス駆動装置は、半導体光デバイスを駆動する半導体光デバイス駆動装置であって。伝送信号のパルスエッジ成分を抽出するフィルタ手段と、当該フィルタ手段により抽出されるパルスエッジ成分の内の正方向パルスエッジ成分の振幅を調整する第１のレベル調整手段と、当該フィルタ手段により抽出されるパルスエッジ成分の内の負方向パルスエッジ成分の振幅を調整する第２のレベル調整手段と、当該伝送信号に、当該第１のレベル調整手段の出力、当該第２のレベル調整手段の出力、及び当該半導体光デバイスのバイアスを加算する加算手段と、当該加算手段の出力により駆動されて当該半導体光デバイスから出力される光信号の信号品質を測定する品質測定手段と、当該品質測定手段の測定結果に従い、当該信号品質が改善する方向に当該フィルタ手段のカットオフ周波数、並びに、当該第１及び第２のレベル調整手段による当該正方向パルスエッジ成分及び当該負方向パルスエッジ成分の各振幅の調整量を制御する制御手段とを具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明により、信号の伝送速度を高速とした場合でも、半導体光デバイスの直接変調で良好な品質を有する光信号を生成できる。これにより、小型および低消費電力の光送信装置及び光通信システムを実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施例の概略構成ブロック図である。
【図２】本実施例の各部の波形例である。
【図３】本実施例における駆動信号、キャリ密度及び光信号の波形例である。
【図４】従来技術における駆動信号、キャリ密度及び光信号の波形例である。
【図５】本実施例により生成される駆動信号の波形説明図である。
【図６】半導体光デバイスの具体例１の概略構成ブロック図である。
【図７】半導体光デバイスの具体例２の概略構成ブロック図である。
【図８】半導体光デバイスの具体例３の概略構成ブロック図である。
【図９】本発明の第２実施例の概略構成ブロック図である。
【図１０】キャリア応答速度に対して低速乃至中速で変調したときの、半導体光デバイスの駆動電流及び出力光信号の波形例である。
【図１１】キャリア応答速度に対して高速で変調したときの、半導体光デバイスの駆動電流及び出力光信号の波形例である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照して、本発明の実施例を詳細に説明する。
【実施例１】
【００１７】
図１は、本発明の一実施例の概略構成ブロック図を示し、図２は、送信データ”０１０１１０”に対する各部の波形例を示す。
【００１８】
入力端子１０には、ＲＺ（Return Zero）形式又はＮＲＺ（None-Return Zero）形式の伝送信号が入力する。図２（ｂ）は、図２（ａ）に示す送信データに対応する伝送信号波形を示す。入力端子１０に入力した伝送信号は、ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）１２と、加算器１８に入力する。ＨＰＦ１２は、入力する伝送信号のパルスエッジ成分を分離抽出する。ＨＰＦ１２のカットオフ周波数は、伝送信号の高域成分を抽出するように設定され、外部制御可能である。図２（ｃ）は、ＨＰＦ１２の出力波形例を示す。ＨＰＦ１２の代わりに、伝送信号のパルスエッジ成分又はエッジ成分を代表する高周波成分を抽出するエッジ抽出回路又は微分回路を採用してもよい。
【００１９】
整流回路１４Ａは、ＨＰＦ１２の出力から正方向パルスエッジ成分を抽出し、整流回路１４Ｂは、ＨＰＦ１２の出力から負方向パルスエッジ成分を抽出する。図２（ｄ）は、整流回路１４Ａの出力波形例を示し、図２（ｅ）は、整流回路１４Ｂの出力波形例を示す。増幅器１６Ａ，１６Ｂはそれぞれ、整流回路１４Ａ，１４Ｂの出力を増幅する。詳細は後述するが、増幅器１６Ａ，１６Ｂの利得、即ち振幅の調整量は一般には異なり、最終的な光信号の品質に応じて帰還制御される。増幅器１６Ａ，１６Ｂは整流回路１４Ａ，１４Ｂの出力の振幅を調整するレベル調整手段の一例であり、一方又は両方を可変減衰器としてもよい。
【００２０】
加算器１８は、入力端子１０からの伝送信号に、増幅器１６Ａ，１６Ｂの出力を加算する。図２（ｆ）は、加算器１８の出力波形例を示す。図２（ｆ）から明らかなように、加算器１８の出力は、伝送信号の立ち上がり部分にそのエッジ成分を重畳し、伝送信号の立ち下がり部分にそのエッジ成分を重畳することで、伝送信号の立ち上がり部分と立ち下がり部分の両方について高域を強調したものになっている。
【００２１】
バイアス電流源２０は、伝送信号で直接変調された光信号を生成する半導体光デバイス２４のためのバイアス電流を発生する。半導体光デバイス２４がレーザダイオードである場合、バイアス電流は、レーザダイオードをレーザ発振させるのに必要な電流量である。加算器２２は、バイアス電流源２０からのバイアス電流を加算器１８の出力電流に加算し、加算結果で半導体光デバイス２４を駆動する。図２（ｇ）は加算器２２の出力電流波形例を示す。加算器２２の出力波形が、バイアス電流源２０の出力するバイアス電流量だけかさ上げされる。
【００２２】
半導体光デバイス２４は加算器２２の出力電流により駆動されて、光信号を発生する。図３は、図２に示す送信データ例に対する半導体光デバイス２４のキャリア密度変化と光出力信号波形の例を示す。図３（ａ）は送信データを示し、図３（ｂ）は、図２（ｇ）に示したのと同じ、加算器２２の出力電流（駆動信号）の波形例を示す。図３（ｃ）は半導体光デバイス２４のキャリア密度変化を示し、図３（ｄ）は半導体光デバイス２４から出力される光信号の波形例を示す。参考のために、変調信号のみで半導体光デバイス２４を駆動した場合の波形例を図４に示す。図４（ａ）は送信データを示し、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示す送信データを示す駆動信号の波形例を示す。図４（ｃ）は図４（ｂ）に示す駆動信号で駆動された場合の半導体光デバイス２４のキャリア密度変化を示し、図４（ｄ）は半導体光デバイス２４から出力される光信号の波形例を示す。
【００２３】
図３及び図４から容易に理解できるように、本実施例では、駆動信号のパルス立ち上がりを強調することで、キャリア密度の立ち上がりが良くなり、光信号のパルス立ち上がりが改善する。他方、駆動信号のパルス立ち下がりを強調することで、送信データのスペース部分に対してキャリア密度を下げることができ、光信号のスペース部分のレベルをより下げることができる。
【００２４】
光カプラ２６は半導体光デバイス２４の出力光のほとんどを光出力信号として光伝送路に出力し、残りを光／電気変換器である受光素子２８に供給する。
受光素子２８は入力する光信号を電気信号に変換し、品質測定装置３０は、受光素子２８の出力電気信号から信号品質、例えば、アイ開口、ビット誤り率、Ｑ値又はジッタ等を測定する。
【００２５】
制御装置３２は、品質測定装置３０により計測された信号品質に従い、ＨＰＦ１２のカットオフ周波数及び増幅器１６Ａ，１６Ｂの利得を帰還制御する。具体的には、制御装置３２のカットオフ周波数制御部３４が、品質測定装置３０により計測された信号品質に従い、ＨＰＦ１２のカットオフ周波数を制御する。また、制御装置３２の利得制御部３６が、品質測定装置３０により計測された信号品質に従い、増幅器１６Ａ，１６Ｂの利得を制御する。制御装置３２は、ＨＰＦ１２のカットオフ周波数及び増幅器１６Ａ，１６Ｂの利得を制御する前後の、品質測定装置３０により測定された信号品質の変化に従い、当該信号品質が好ましい方向に変化するように、ＨＰＦ１２のカットオフ周波数及び増幅器１６Ａ，１６Ｂの利得を逐次的に制御する。制御装置３２による制御は、インサービス中でも、アウトオブサービス中でも良いし、間欠的に行っても良い。
【００２６】
図５は、本実施例により生成される駆動信号の波形を示す。本実施例では、伝送信号の立ち上がり部分に、時間軸方向の強調幅Ｔｕと振幅の正方向の立ち上がり強調量Ａｕの強調が付加され、立ち下がり部分には、時間軸方向の強調幅Ｔｄと振幅の負方向の立ち下がり強調量Ａｄの強調が付加される。強調幅Ｔｕ，ＴｄはＨＰＦ１２のカットオフ周波数により制御可能であり、強調量Ａｕ，Ａｄはそれぞれ増幅器１６Ａ，１６Ｂの利得により制御可能である。
【００２７】
本実施例では、半導体光デバイス２４から出力される光信号の品質に応じて、当該品質が良くなる方向にＨＰＦ１２のカットオフ周波数及び増幅器１６Ａ，１６Ｂの利得を帰還制御することにより、光信号をより好ましい信号品質の波形に制御できる。例えば、光信号品質が良くなる方向に、立ち上り強調量、立ち下り強調量及び強調幅を循環的に微調整することで、これら３つのパラメータに関して光信号品質を最も良い値に制御できる。アイ開口の場合はそれが最大になるように、また、ビット誤り率の場合はそれが最小になるように、これら３つのパラメータを制御する。
【００２８】
特に、半導体光デバイス２４の駆動信号の立ち上がりの強調度とパルス立ち下がりの強調度とを増幅器１６Ａ，１６Ｂにより個別に制御するので、キャリア応答速度が活性層内のキャリア密度依存性を有する半導体光デバイスにおいても、パルスの立ち上がり部分と立ち下がり部分の応答特性を個別に調整可能となり、伝送信号と光出力信号の波形がほぼ一致するよう制御できる。しかも、信号品質が良くなる方向に増幅器１６Ａ，１６Ｂにより個別に制御するので、入力端子１０に印加される伝送信号が歪みを有している場合や、立ち上がり部分と立ち下がり部分がそれぞれ異なるスロープを持つ場合であっても、より好ましい信号品質の光信号を生成できる。また、カットオフ周波数を制御することにより、半導体光デバイス２４の活性層内のキャリア密度の変化速度が、駆動信号の瞬時変化量に依存する特性を有する場合であっても、駆動信号とバイアス電流との差に対する積分値に依存する特性を有する場合であっても、いずれの場合も光信号をより好ましい信号品質の波形に制御できる。
【００２９】
図６、図７及び図８は、半導体光デバイス２４の構成例を示す。図６に示す構成では、半導体光デバイス２４は半導体レーザ４０からなり、加算器２２の出力信号が駆動信号として半導体レーザ４０に印加される。図７に示す構成では、半導体光デバイス２４は、ＣＷレーザ光源４２と、ＣＷレーザ光源４２の出力ＣＷ光の強度又は光位相を加算器２２の出力する変調信号に従って変調する半導体光増幅器４４からなる。図８に示す構成では、半導体光デバイス２４は、ＣＷレーザ光源４６と、光サーキュレータ４８及び反射型半導体光増幅器５０からなる。光サーキュレータ４８は、ＣＷレーザ光源４２の出力ＣＷ光を反射型半導体光増幅器５０の一面に供給する。反射型半導体光増幅器５０の他面は反射面となっている。反射型半導体光増幅器５０は、一面に入射した光サーキュレータ４８からのＣＷレーザ光を他面で反射して再度、光サーキュレータ４８に向けて出力する間に、そのＣＷレーザ光の強度又は光位相を、加算器２２の出力する変調信号に従って変調する。反射型半導体光増幅器５０から出力される光信号は、駆動信号により変調されており、光サーキュレータ４８は、反射型半導体光増幅器５０で反射された光信号を外部に出力する。
【実施例２】
【００３０】
図１に示す実施例では、光送信側のみで強調量を制御したが、受信側で品質を測定し、その測定結果を送信側に伝送して、強調量を制御するようにしてもよい。図９は、そのような実施例の概略構成ブロック図を示す。
【００３１】
光送受信装置１００は、双方向伝送媒体である光ファイバ１４０を介して光送受信装置１５０と通信する。ここでは、光送受信装置１００から光送受信装置１５０への信号を下り信号と呼び、逆方向の信号を上り信号と呼ぶことにする。
【００３２】
光送受信装置１００の入力端子１１０には、外部から下り伝送信号が入力する。入力端子１１０〜半導体光デバイス１２４、制御装置１３２、カットオフ周波数制御部１３４及び利得制御部１３６の機能はそれぞれ、図１に示す実施例の、入力端子１０〜半導体光デバイス２４、制御装置３２、カットオフ周波数制御部３４及び利得制御部３６と同様の機能を果たすので、これらの機能の詳細な説明は省略する。
【００３３】
合分波器１２６は、半導体光デバイス１２４から出力される光信号（下り光信号）を光ファイバ１４０に出力する。この下り光信号は、光ファイバ１４０を伝搬して光送受信装置１５０の合分波器１５２に入射する。
【００３４】
光送受信装置１５０では、合分波器１５２は、光ファイバ１４０からの下り光信号を受信装置１５４に供給する。受信装置１５４は、入射する下り光信号を電気信号に変換し、下り光信号で搬送された下り伝送信号を図示しない端末に出力すると共に、品質測定のために品質測定装置にも供給する。
【００３５】
品質測定装置１５６は、品質測定装置３０と同様の機能からなり、受信装置１５４から出力される下り伝送信号の信号品質を測定し、測定結果を信号重畳装置１５８に出力する。信号重畳装置１５８は、図示しない端末からの上り伝送信号に品質測定装置１５６からの測定結果を重畳し、送信装置１６０に供給する。送信装置１６０は、信号重畳装置からの信号を光信号（上り光信号）に変換し、合分波器１５２に供給する。合分波器１５２は、送信装置１６０からの上り光信号を光ファイバ１４０に転送する。
【００３６】
下り光信号と上り光信号の波長を異ならせると、合分波器１２６，１５２として波長分割多重（ＷＤＭ）光フィルタを使用できる。各所での反射を無視できる場合、合分波器１２６，１５２として光サーキュレータを使用することも可能である。
【００３７】
光ファイバ１４０を伝搬する上り光信号は、光送受信装置１００の合分波器１２６に入射する。合分波器１２６は、光ファイバ１４０からの上り光信号を受信装置１２８に供給する。受信装置１２８は、入射する上り光信号を電気信号に変換し、信号分離装置１３０は、受信装置１２８からの上り信号のうち、信号品質の測定結果を示す信号を制御装置に１３２に、上り伝送信号を出力端子１３８に供給する。
【００３８】
制御装置１３２のカットオフ周波数制御部１３４は、カットオフ周波数制御部３４と同様に、品質測定結果に従いＨＰＦ１１２のカットオフ周波数を制御し、利得制御部１３６は、利得制御部３６と同様に、品質測定結果に従い増幅器１１６Ａ，１１６Ｂの利得を制御する。
【実施例３】
【００３９】
図９に示す実施例では、単一の光ファイバ１４０を双方向に使用したが、上り用の伝送路と下り用の伝送路を別々に用意しても良いことは明らかである。また、双方向の信号伝送システムでなく、片方向の信号伝送システムにおいて、受信側での信号品質の測定結果を送信側に伝送する伝送系を設けても、伝送後の光信号の品質に応じた強調度（カットオフ周波数と利得）の制御を実現できる。
【００４０】
特定の説明用の実施例を参照して本発明を説明したが、特許請求の範囲に規定される本発明の技術的範囲を逸脱しないで、上述の実施例に種々の変更・修整を施しうることは、本発明の属する分野の技術者にとって自明であり、このような変更・修整も本発明の技術的範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４１】
１０：入力端子
１２：ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）
１４Ａ，１４Ｂ：整流回路
１６Ａ，１６Ｂ：増幅器
１８：加算器
２０：バイアス電流源
２２：加算器
２４：半導体光デバイス
２６：光カプラ
２８：受光素子
３０：品質測定装置
３２：制御装置
３４：カットオフ周波数制御部
３６：利得制御部
４０：半導体レーザ
４２：ＣＷレーザ光源
４４：半導体光増幅器
４６：ＣＷレーザ光源
４８：光サーキュレータ
５０：反射型半導体光増幅器
１００：光送受信装置
１１０：入力端子
１１２：ハイパスフィルタ（ＨＰＦ）
１１４Ａ，１１４Ｂ：整流回路
１１６Ａ，１１６Ｂ：増幅器
１１８：加算器
１２０：バイアス電流源
１２２：加算器
１２４：半導体光デバイス
１２６：合分波器
１２８：受信装置
１３０：信号分離装置
１３２：制御装置
１３４：カットオフ周波数制御部
１３６：利得制御部
１３８：出力端子
１４０：光ファイバ
１５０：光送受信装置
１５２：合分波器
１５４：受信装置
１５６：品質測定装置
１５８：信号重畳装置
１６０：送信装置
【図１】
2012256773.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2012256773.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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