(57)【要約】【課題】透光性の蓄積容量を構成するにあたって、透光性の電極に対してエッチングストッパー層を設けても、エッチングストッパー層周辺から出射される表示光の光量低下を防止することのできる液晶装置、および当該液晶装置を備えた投射型表示装置を提供すること。【解決手段】液晶装置において、蓄積容量５５では、第１電極５１ａ、誘電体膜５２および第２電極５３ａが透光性を備えている。第１電極５１ａと第２電極５３ａとの層間には、第２電極５３ａの端部に全周にわたって重なるエッチングストッパー層５４ａが設けられている。エッチングストッパー層５４ａは、第１電極５１ａおよび第２電極５３ａを構成するＩＴＯ膜と同等の屈折率を備えている。このため、エッチングストッパー層５４ａを透過しない光と、エッチングストッパー層５４ａを透過した光との間において干渉が発生しない。【選択図】図１
2012083514.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光が透過可能な開口領域を備えた複数の画素と、
前記開口領域で透光性の第１電極、透光性の誘電体膜、および透光性の第２電極が順に積層された蓄積容量と、
前記第１電極および前記第２電極のうちの少なくとも一方を構成する透光性導電膜の屈折率に対して±２０％の屈折率を有する透光膜からなり、前記第１電極と前記第２電極との層間において前記第２電極の端部に重なるエッチングストッパー層と、
を有していることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記第１電極および前記第２電極はいずれもＩＴＯ膜であり、
前記エッチングストッパー層は、窒素を含んだシリコン化合物であることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
光が透過可能な開口領域を備えた複数の画素と、
前記開口領域で透光性の第１電極、透光性の誘電体膜、および透光性の第２電極が順に積層された蓄積容量と、
前記第１電極と前記第２電極との層間において前記第２電極の端部に重なる遮光性のエッチングストッパー層と、
を有していることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
前記エッチングストッパー層は、前記誘電体膜と前記第２電極との層間に設けられていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記エッチングストッパー層は、前記第１電極と前記誘電体膜との層間に設けられていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記第２電極より上層側に、当該第２電極に電気的に接続する透光性の画素電極を備え、
前記第１電極は、前記複数の画素のうち、隣り合う複数の画素に跨って延在する容量線であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記第２電極と前記画素電極との層間には、表面が平坦な透光性の層間絶縁膜が設けられ、
当該層間絶縁膜には、前記エッチングストッパー層と重なる位置に前記第２電極と前記画素電極とを電気的に接続するコンタクトホールが形成されていることを特徴とする請求項６に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記第２電極は、画素電極であり、
前記第１電極は、前記複数の画素のうち、隣り合う複数の画素に跨って延在する容量線であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記画素は、画素トランジスターを備え、
当該画素トランジスターより上層側に前記蓄積容量が設けられていることを特徴とする請求項１乃至８の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れか一項に記載の液晶装置を備えた投射型表示装置であって、
前記液晶装置に供給される光を出射する光源部と、
前記液晶装置によって変調された光を投射する投射光学系と、
を有していることを特徴とする投射型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透過型の液晶装置、および当該液晶装置をライトバルブとして備えた投射型表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
透過型の液晶装置は、一方面側に画素電極、画素トランジスターおよび蓄積容量を備えた画素が複数設けられた透光性の第１基板と、共通電極が設けられた透光性の第２基板とがシール材によって貼り合わされ、第１基板と第２基板との間においてシール材で囲まれた領域内には液晶層が保持されている。かかる液晶装置は、直視型表示装置や投射型表示装置等の電子機器に用いられている。透過型の液晶装置において、画素電極および共通電極は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透光性導電膜によって構成されており、各画素において、配線、画素トランジスター、蓄積容量等の遮光部分で囲まれた領域は、表示光が透過する開口領域になっている。従って、液晶装置において表示光量を増大して明るい画像を表示するには、画素内において開口領域が占める割合（画素開口率）を高める必要がある。一方、画像の高精細化等を図るには、画素ピッチを狭めて画素数を増やす必要があるが、画素ピッチを狭めると、画素開口率が低下してしまう。
【０００３】
そこで、蓄積容量を構成する第１電極、誘電体膜および第２電極を透光膜により形成し、蓄積容量が形成されている領域を透光領域とすることにより、画素開口率を高めた構造が提案されている（特許文献１、２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１１７３９９号公報
【特許文献２】特開平１１−５２４２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１、２に記載の構成では、図１２を参照して以下に説明するような問題点がある。図１２（ｅ）に示すような蓄積容量５５ｘを形成するには、図１２（ａ）に示すように、層間絶縁膜等といった下地４０の上にＩＴＯ膜５６を形成した後、図１２（ｂ）に示すように、ＩＴＯ膜５６をパターニングして第１電極５６ａ（下電極）を形成し、次に、図１２（ｃ）に示すように、透光性の誘電体膜５７を形成する。次に、図１２（ｄ）に示すように、誘電体膜５７の上にＩＴＯ膜５８を形成した後、レジストマスク５８０を形成し、この状態でエッチングした後、レジストマスク５８０を除去する。その結果、図１２（ｅ）に示すように、第１電極５６ａ、誘電体膜５７、第２電極５８ａ（上電極）が順に積層された蓄積容量５５ｘが形成される。かかる製造方法において、第２電極５８ａをパターニング形成する際にドライエッチングを行うと、エッチング選択性が低いため、誘電体膜５７もエッチングされ、第１電極５６ａが露出する。このため、蓄積容量５５ｘの端部では、第１電極５６ａと第２電極５８ａの端部とが薄い誘電体膜５７のみで隔てられた構造となるため、導電性の異物によって、第１電極５６ａと第２電極５８ａの端部とが短絡しやすいという問題点がある。
【０００６】
ここに本願発明者は、図１３（ａ）に示す蓄積容量５５ｘのように、誘電体膜５７と第２電極形成用のＩＴＯ膜５８（図１２（ｄ）参照）との間に酸化シリコン膜からなるエッチングストッパー層５９ａを設けておくことを提案するものである。かかる構成によれば、ＩＴＯ膜５８をエッチングして第２電極５８ａを形成した際、エッチングストッパー層５９ａが多少エッチングされたとしても、蓄積容量５５ｘの端部では、第１電極５６ａと第２電極５８ａの端部との間には、厚いエッチングストッパー層５９ａと誘電体膜５７とが介在するので、第１電極５６ａと第２電極５８ａの端部とが短絡するのを防止することができる。また、図１３（ｂ）に示す蓄積容量５５ｘのように、第１電極５６ａと誘電体膜５７との間に酸化シリコン膜からなるエッチングストッパー層５９ａを設けた構成を採用すれば、例え、誘電体膜５７がエッチングされても、蓄積容量５５ｘの端部では、第１電極５６ａと第２電極５８ａの端部との間に厚いエッチングストッパー層５９ａが介在することになるので、第１電極５６ａと第２電極５８ａの端部とが短絡するのを防止することができる。
【０００７】
しかしながら、図１３（ａ）、（ｂ）に示すように、酸化シリコン膜からなるエッチングストッパー層５９ａを設けると、以下の理由から、エッチングストッパー層５９ａ周辺から出射される表示光の光量が大幅に低下するという知見を得た。すなわち、図１３（ａ）に矢印Ｌ１１で示す光は、第２電極５８ａ、誘電体膜５７、第１電極５６ａを透過するのに対して、図１３（ａ）に矢印Ｌ１２で示す光は、第２電極５８ａ、エッチングストッパー層５９ａ、誘電体膜５７、第１電極５６ａを透過し、図１３（ａ）に矢印Ｌ１３で示す光は、エッチングストッパー層５９ａ、誘電体膜５７を透過する。また、図１３（ｂ）に矢印Ｌ２１で示す光は、第２電極５８ａ、誘電体膜５７、第１電極５６ａを透過するのに対して、図１３（ａ）に矢印Ｌ２２で示す光は、第２電極５８ａ、誘電体膜５７、エッチングストッパー層５９ａ、第１電極５６ａを透過し、図１３（ａ）に矢印Ｌ２３で示す光は、エッチングストッパー層５９ａを透過する。このため、ＩＴＯ膜に比して屈折率がかなり低い酸化シリコン膜（屈折率＝１．５／エッチングストッパー層５９ａ）を透過する光（矢印Ｌ１２、Ｌ１３、Ｌ２２、Ｌ２３で示す光）と、ＩＴＯ膜に比して屈折率がかなり低い酸化シリコン膜（エッチングストッパー層５９ａ）を透過しない光（矢印Ｌ１１、Ｌ２１で示す光）との間において干渉が発生し、エッチングストッパー層５９ａの周辺から出射される表示光の光量が大幅に低下するのである。
【０００８】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、透光性の蓄積容量を構成するにあたって、透光性の電極に対してエッチングストッパー層を設けても、エッチングストッパー層周辺から出射される表示光の光量低下を防止することのできる液晶装置、および当該液晶装置を備えた投射型表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、本発明に係る液晶装置は、光が透過可能な開口領域を備えた複数の画素と、前記開口領域で透光性の第１電極、透光性の誘電体膜、および透光性の第２電極が順に積層された蓄積容量と、前記第１電極および前記第２電極のうちの少なくとも一方を構成する透光性導電膜の屈折率に対して±２０％の屈折率を有する透光膜からなり、前記第１電極と前記第２電極との層間において前記第２電極の端部に重なるエッチングストッパー層と、を有していることを特徴とする。
【００１０】
本発明では、第１電極と第２電極との層間において第２電極の端部に重なるエッチングストッパー層が設けられているため、第２電極をパターニング形成する際、オーバーエッチングが起こっても、蓄積容量の端部では、第１電極と第２電極の端部との間に、エッチングストッパー層あるいは誘電体膜が必ず介在するので、第１電極と第２電極の端部とが短絡するのを防止することができる。ここで、エッチングストッパー層は、第１電極および第２電極のうちの少なくとも一方を構成する透光性導電膜の屈折率に対して±２０％の屈折率を有する透光膜からなり、第１電極または第２電極と同等の屈折率を備えている。このため、開口領域を光が透過する際、エッチングストッパー層を通過する光と、エッチングストッパー層を通過しない光との間に干渉が発生しないので、第２電極に対してエッチングストッパー層を設けても、エッチングストッパー層周辺から出射される表示光の光量低下を防止することができる。
【００１１】
本発明において、前記第１電極および前記第２電極はいずれもＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜であり、前記エッチングストッパー層は、窒素を含んだシリコン化合物（ＳｉＯxＮy、ＳｉＮ：窒化シリコン）膜であることが好ましい。かかる構成によれば、エッチングストッパー層を構成する際、液晶装置の分野で広く使用されている窒化シリコン膜を用いればよいという利点がある。また、ＳｉＯxＮy膜やＳｉＮ膜であれば、金属酸化物に比して屈折率が安定しているという利点がある。
【００１２】
本発明の別の形態に係る液晶装置は、光が透過可能な開口領域を備えた複数の画素と、前記開口領域で透光性の第１電極、透光性の誘電体膜、および透光性の第２電極が順に積層された蓄積容量と、前記第１電極と前記第２電極との層間において前記第２電極の端部に重なる遮光性のエッチングストッパー層と、を有していることを特徴とする。
【００１３】
本発明では、第１電極と第２電極との層間において第２電極の端部に重なるエッチングストッパー層が設けられているため、第２電極をパターニング形成する際、オーバーエッチングが起こっても、蓄積容量の端部では、第１電極と第２電極の端部との間に、エッチングストッパー層あるいは誘電体膜が必ず介在するので、第１電極と第２電極の端部とが短絡するのを防止することができる。ここで、エッチングストッパー層は遮光性を有しているため、開口領域を光が透過した際、エッチングストッパー層に向けて進行した光は、エッチングストッパー層で遮光される。このため、エッチングストッパー層の周辺では、エッチングストッパー層を通過する光と、エッチングストッパー層を通過しない光との干渉が発生しないので、エッチングストッパー層周辺から出射される表示光の光量低下を防止することができる。
【００１４】
本発明において、前記エッチングストッパー層は、前記誘電体膜と前記第２電極との層間に設けられている構成を採用することができる。かかる構成によれば、オーバーエッチングが起こってエッチングストッパー層の表面がエッチングされても、第１電極と第２電極の端部との間には、エッチングストッパー層に加えて、誘電体膜が必ず残るため、エッチングストッパー層が絶縁材料あるいは導電材料のいずれであっても、第１電極と第２電極の端部とが短絡するのを防止することができる。
【００１５】
本発明において、前記エッチングストッパー層は、前記第１電極と前記誘電体膜との層間に設けられている構成を採用してもよい。
【００１６】
本発明において、前記第２電極より上層側に、当該第２電極に電気的に接続する透光性の画素電極を備え、前記第１電極は、前記複数の画素のうち、隣り合う複数の画素に跨って延在する容量線である構成を採用することができる。
【００１７】
この場合、前記第２電極と前記画素電極との層間には、表面が平坦な層間絶縁膜が設けられ、当該層間絶縁膜には、前記エッチングストッパー層と重なる位置に前記第２電極と前記画素電極とを電気的に接続するコンタクトホールが形成されていることが好ましい。かかる構成によれば、エッチングストッパー層が設けられている領域では、層間絶縁膜の膜厚がエッチングストッパー層の膜厚分だけ薄いので、層間絶縁膜に第２電極と画素電極とを接続するためのコンタクトホールを従来よりも浅く、かつ、容易に形成することができる。容易に形成することができるメリットともなる。
【００１８】
本発明において、前記第２電極は、画素電極であり、前記第１電極は、前記複数の画素のうち、隣り合う複数の画素に跨って延在する容量線である構成を採用することができる。
【００１９】
本発明において、前記画素は、画素トランジスターを備え、当該画素トランジスターより上層側に前記蓄積容量が設けられていることが好ましい。
【００２０】
本発明に係る液晶装置は、例えば、投射型表示装置のライトバルブや直視型表示装置として用いられる。本発明に係る液晶装置を投射型表示装置に用いる場合、投射型表示装置には、前記液晶装置に供給される光を出射する光源部と、前記液晶装置によって変調された光を投射する投射光学系と、が設けられる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施の形態１に係る液晶装置に設けた蓄積容量の説明図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る液晶装置に設けた蓄積容量の説明図である。
【図３】本発明を適用した液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図４】本発明を適用した液晶装置の液晶パネルの説明図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る液晶装置の具体的構成例１の説明図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る液晶装置の具体的構成例１における画素構成要素の説明図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係る液晶装置の具体的構成例２の説明図である。
【図８】本発明の実施の形態１に係る液晶装置の具体的構成例２における画素構成要素の説明図である。
【図９】本発明の実施の形態２に係る液晶装置の具体的構成例１の説明図である。
【図１０】本発明の実施の形態２に係る液晶装置の具体的構成例２の説明図である。
【図１１】本発明を適用した液晶装置を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【図１２】参考例に係る液晶装置の説明図である。
【図１３】別の参考例に係る液晶装置の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００２３】
［実施の形態１］
（液晶装置の蓄積容量の構成）
図１は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置に設けた蓄積容量の説明図である。図１（ｇ）に示す蓄積容量５５は、後述する透過型の液晶装置の第１基板（素子基板）において液晶容量に並列に電気的に接続しており、液晶容量に保持された電圧変動を抑制する。また、第１基板の各画素においては、遮光性の配線、画素トランジスター等の遮光部分で囲まれた領域は、表示光が透過する開口領域になっており、本形態では、開口領域に形成された透光膜によって蓄積容量５５が構成されている。
【００２４】
より具体的には、蓄積容量５５は、層間絶縁膜等の下地４０上に、第１電極５１ａ（下電極）、誘電体膜５２、第２電極５３ａ（上電極）が順に積層された構造になっており、本形態では、第１電極５１ａとして透光性導電膜が用いられ、誘電体膜５２として透光性誘電体膜が用いられ、第２電極５３ａとして透光性導電膜が用いられている。
【００２５】
また、本形態では、図１（ａ）〜（ｆ）を参照して以下に説明する方法で蓄積容量５５を形成する際、第１電極５１ａと第２電極５３ａとの層間には、第２電極５３ａの端部に重なるエッチングストッパー層５４ａが設けられている。より具体的には、第１電極５１ａと第２電極５３ａとの層間のうち、誘電体膜５２と第２電極５３ａとの層間には、第２電極５３ａの端部に全周にわたって重なるエッチングストッパー層５４ａが設けられている。
【００２６】
ここで、エッチングストッパー層５９ａは、第１電極５１ａおよび第２電極５３ａのうちの少なくとも一方を構成する透光性導電膜の屈折率に対して±２０％の屈折率を有する透光性絶縁膜からなり、第１電極５１ａまたは第２電極５３ａと同等の屈折率を備えている。より具体的には、本形態において、第１電極５１ａおよび第２電極５３ａはＩＴＯ膜からなり、ＩＴＯ膜の屈折率は１．９である。従って、エッチングストッパー層５４ａとしては、屈折率が１．５２〜２．２８（１．９±２０％）の透光性絶縁膜が用いられており、かかる透光絶縁膜としては、窒化シリコン膜（屈折率＝２．０）、酸窒化シリコン膜（屈折率＝１．６）、酸化マグネシウム（屈折率＝１．７５）が挙げられる。また、金属酸化物の場合、酸素含有量によって屈折率が変動するので、屈折率が１．５２〜２．２８の範囲に入るように酸素含有量を調整したニオブ酸化膜等の金属酸化膜についても、エッチングストッパー層５４ａを構成する透光性絶縁膜として利用可能である。なお、屈折率は、光の波長によってシフトするが、エッチングストッパー層５９ａは、可視域における屈折率がＩＴＯ膜と同等であればよい。
【００２７】
本形態では、エッチングストッパー層５４ａとして窒化シリコン膜が用いられている。エッチングストッパー層５４ａが窒化シリコン膜であれば、エッチングストッパー層５４ａを構成する際、液晶装置の分野で広く使用されている窒化シリコン膜を用いればよいという利点がある。また、窒化シリコン膜であれば、金属酸化物に比して屈折率が安定しているという利点がある。
【００２８】
また、誘電体膜５２としては、酸化シリコン膜（誘電率＝３．９）、窒化シリコン膜（誘電率＝６．５）、酸化アルミニウム膜（誘電率＝９）、酸化ジルコニウム膜（誘電率＝３１）、酸化ハフニウム膜（誘電率＝４１）、酸化ニオブ膜（誘電率＝４７）を用いることができる。これらの誘電体膜のうち、酸化シリコン膜より誘電率が大きな誘電体膜を誘電体膜５２として用いれば、静電容量の大きな蓄積容量５５を形成することができる。本形態では、誘電体膜５２として、酸化アルミニウム膜が用いられている。
【００２９】
（液晶装置の製造方法／蓄積容量５５の製造方法）
液晶装置の製造方法において、図１（ｇ）に示す蓄積容量５５を製造するには、図１（ａ）に示すように、層間絶縁膜等といった下地４０の上に、ＩＴＯ膜からなる第１電極形成用透光性導電膜５１を形成した後、図１（ｂ）に示すように、第１電極形成用透光性導電膜５１をパターニングして第１電極５１ａを形成する。次に、図１（ｃ）に示すように、第１電極５１ａの上層側に酸化アルミニウム膜等からなる透光性の誘電体膜５２を形成する。
【００３０】
次に、図１（ｄ）に示すように、窒化シリコン膜等からなるエッチングストッパー用絶縁膜５４を形成した後、エッチングストッパー用絶縁膜５４をパターニングし、図１（ｅ）に示すように、エッチングストッパー層５４ａを形成する。
【００３１】
次に、図１（ｆ）に示すように、ＩＴＯ膜からなる第２電極形成用透光性導電膜５３を形成した後、第２電極形成用透光性導電膜５３の上にレジストマスク５３０を形成し、この状態でエッチングした後、レジストマスク５３０を除去する。その結果、図１（ｇ）に示すように、第１電極５１ａ、誘電体膜５２、第２電極５３ａが順に積層された蓄積容量５５が形成される。かかる第２電極形成用透光性導電膜５３のエッチング工程でドライエッチングを行うと、エッチング選択性が低いので、エッチングストッパー層５４ａの表面が多少エッチングされる。それでも、第１電極５６ａと第２電極５８ａの端部との間には、窒化シリコン膜からなる厚いエッチングストッパー層５４ａ、および酸化アルミニウム膜からなる誘電体膜５２が残ることになる。
【００３２】
（本形態の効果）
以上説明したように、本形態の液晶装置において、蓄積容量５５では、第１電極５１ａ、誘電体膜５２および第２電極５３ａが透光性を備えているため、蓄積容量５５が形成されている領域も光が透過する。従って、画素において蓄積容量５５が形成されている領域を開口領域として利用することができる。それ故、画像の高精細化等を図る目的で、画素ピッチを狭めて画素数を増やした場合でも、画素開口率が高いので、表示光量を増大させることができ、明るい画像を表示することができる。
【００３３】
また、第１電極５１ａと第２電極５３ａとの層間のうち、誘電体膜５２と第２電極５３ａとの層間には、第２電極５３ａの端部に全周にわたって重なるエッチングストッパー層５４ａが設けられている。このため、蓄積容量５５の端部では、ドライエッチング時、オーバーエッチングが起こっても、第１電極５１ａと第２電極５３ａの端部との間には、絶縁性のエッチングストッパー層５４ａ、および絶縁性の誘電体膜５２が介在するので、第１電極５１ａと第２電極５３ａの端部とが導電性の異物によって短絡するのを防止することができる。
【００３４】
さらに、本形態では、エッチングストッパー層５４ａは、第１電極５１ａおよび第２電極５３ａを構成するＩＴＯ膜と同等の屈折率を備えたエッチングストッパー用絶縁膜５９（窒化シリコン膜）からなる。このため、エッチングストッパー層５４ａ周辺から出射される表示光の光量が、表示光の干渉が原因で大幅に低下することを防止することができる。すなわち、図１（ｇ）に矢印Ｌ１１で示す光は、第２電極５３ａ、誘電体膜５２、第１電極５１ａを透過するのに対して、図１（ｇ）に矢印Ｌ１２で示す光は、第２電極５３ａ、エッチングストッパー層５４ａ、誘電体膜５２、第１電極５１ａを透過し、図１（ｇ）に矢印Ｌ１３で示す光は、エッチングストッパー層５４ａ、誘電体膜５２を透過する。それでも、第２電極５３ａ、第１電極５１ａおよびエッチングストッパー層５４ａは同等の屈折率を有するため、エッチングストッパー層５４ａを透過しない光と、エッチングストッパー層５４ａを透過した光との間において干渉が発生しない。それ故、第２電極５３ａに対してエッチングストッパー層５４ａを設けても、エッチングストッパー層５４ａ周辺から出射される表示光の光量低下を防止することができる。
【００３５】
また、本形態では、エッチングストッパー層５４ａは、誘電体膜５２と第２電極５３ａとの層間に設けられているため、蓄積容量５１の端部では、ドライエッチング時、オーバーエッチングになっても、第１電極５１ａと第２電極５３ａの端部との間には、エッチングストッパー層５４ａに加えて、誘電体膜５２が必ず残ることになる。それ故、エッチングストッパー層５４ａについては、絶縁材料および導電材料のいずれであってもよいという利点がある。
【００３６】
なお、本形態では、エッチングストッパー層５４ａの屈折率を第１電極５１ａまたは第２電極５３ａの屈折率と同等とするにあたって、各種評価の結果、エッチングストッパー層５４ａの屈折率を第１電極５１ａまたは第２電極５３ａの屈折率の±２０％としたが、かかる範囲内であれば、屈折率の差が小さいので、光の干渉の影響を低く抑えることができる。これに対して、エッチングストッパー層５４ａの屈折率が第１電極５１ａまたは第２電極５３ａの屈折率の８０％未満あるいは１２０％を超える場合には、各種評価の結果、光の干渉の影響を抑えることができないという結果が得られている。
【００３７】
［実施の形態２］
（液晶装置の蓄積容量の構成）
図２は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置に設けた蓄積容量の説明図である。図２（ｇ）に示す蓄積容量５５も、実施の形態１と同様、後述する透過型の液晶装置の第１基板（素子基板）において液晶容量に並列に電気的に接続しており、液晶容量に保持された電圧変動を抑制する。かかる蓄積容量５５を画素に形成するにあたって、本形態でも、実施の形態１と同様、第１電極５１ａとして透光性導電膜が用いられ、誘電体膜５２として透光性誘電体膜が用いられ、第２電極５３ａとして透光性導電膜が用いられている。また、本形態でも、実施の形態１と同様、第１電極５１ａと第２電極５３ａとの層間には、第２電極５３ａの端部に重なる絶縁性のエッチングストッパー層５４ａが設けられている。
【００３８】
本形態では、第１電極５１ａと第２電極５３ａとの層間のうち、第１電極５１ａと誘電体膜５２との層間には、第２電極５３ａの端部に全周にわたって重なるエッチングストッパー層５４ａが設けられている。ここで、エッチングストッパー層５４ａは、第１電極５１ａおよび第２電極５３ａのうちの少なくとも一方を構成する透光性導電膜の屈折率に対して±２０％の屈折率を有する透光膜からなり、第１電極５１ａまたは第２電極５３ａと同等の屈折率を備えている。より具体的には、本形態においても、実施の形態１と同様、第１電極５１ａおよび第２電極５３ａはＩＴＯ膜からなり、ＩＴＯ膜の屈折率は１．９である。従って、エッチングストッパー層５４ａとしては、屈折率が１．５２〜２．２８（１．９±２０％）の透光性絶縁膜が用いられており、かかる透光性絶縁膜としては、上記の絶縁膜が挙げられる。本形態では、エッチングストッパー層５４ａとして、窒化シリコン膜が用いられている。また、誘電体膜５２としては、上記の誘電体膜を用いることができ、本形態では、酸化アルミニウム膜等、誘電率が高い絶縁膜が用いられている。
【００３９】
（液晶装置の製造方法／蓄積容量５５の製造方法）
液晶装置の製造方法において、図２（ｇ）に示す蓄積容量５５を製造するには、図２（ａ）に示すように、層間絶縁膜等といった下地４０の上に、ＩＴＯ膜からなる第１電極形成用透光性導電膜５１を形成した後、図２（ｂ）に示すように、第１電極形成用透光性導電膜５１をパターニングして第１電極５１ａを形成する。
【００４０】
次に、図２（ｃ）に示すように、窒化シリコン膜等からなるエッチングストッパー用絶縁膜５４を形成した後、エッチングストッパー用絶縁膜５４をパターニングし、図２（ｄ）に示すように、エッチングストッパー層５４ａを形成する。
【００４１】
次に、図２（ｅ）に示すように、酸化アルミニウム膜等からなる透光性の誘電体膜５２を形成する。次に、図２（ｆ）に示すように、ＩＴＯ膜からなる第２電極形成用透光性導電膜５３を形成した後、第２電極形成用透光性導電膜５３の上にレジストマスク５３０を形成し、この状態でエッチングした後、レジストマスク５３０を除去する。その結果、図２（ｇ）に示すように、第１電極５１ａ、誘電体膜５２、第２電極５３ａが順に積層された蓄積容量５５が形成される。かかる第２電極形成用透光性導電膜５３のエッチングにドライエッチングを行うと、エッチング選択性が低いので、誘電体膜５２において第２電極５３ａから露出している部分、およびエッチングストッパー層５４ａの表面がエッチングされる。それでも、第１電極５１ａと第２電極５３ａの端部との間に厚いエッチングストッパー層５４ａが残ることになる。
【００４２】
（本形態の効果）
以上説明したように、本形態の液晶装置においても、実施の形態１と同様、蓄積容量５５では、第１電極５１ａ、誘電体膜５２および第２電極５３ａが透光性を備えているため、蓄積容量５５が形成されている領域も光が透過する。従って、蓄積容量５５が形成されている領域を開口領域として利用することができる。それ故、画像の高精細化等を図る目的で、画素ピッチを狭めて画素数を増やした場合でも、画素開口率が高いので、表示光量を増大させることができ、明るい画像を表示することができる。
【００４３】
また、第１電極５１ａと第２電極５３ａとの層間のうち、第１電極５１ａと誘電体膜５２との層間には、第２電極５３ａの端部に全周にわたって重なるエッチングストッパー層５４ａが設けられている。このため、蓄積容量５１の端部では、ドライエッチング時、オーバーエッチングになっても、第１電極５１ａと第２電極５３ａの端部との間にエッチングストッパー層５４ａが介在するので、第１電極５１ａと第２電極５３ａの端部とが導電性の異物によって短絡するのを防止することができる。
【００４４】
さらに、本形態では、エッチングストッパー層５４ａは、第１電極５１ａおよび第２電極５３ａを構成するＩＴＯ膜と同等の屈折率を備えたエッチングストッパー用絶縁膜５９（窒化シリコン膜）からなる。このため、エッチングストッパー層５４ａ周辺から出射される表示光の出射光量が、表示光の干渉が原因で大幅に低下することを防止することができる。すなわち、図２（ｇ）に矢印Ｌ２１で示す光は、第２電極５３ａ、誘電体膜５２、第１電極５１ａを透過するのに対して、図２（ｇ）に矢印Ｌ２２で示す光は、第２電極５３ａ、誘電体膜５２、エッチングストッパー層５４ａ、第１電極５１ａを透過し、図２（ｇ）に矢印Ｌ２３で示す光は、誘電体膜５４、エッチングストッパー層５４ａを透過する。それでも、第２電極５３ａ、第１電極５１ａおよびエッチングストッパー層５４ａは同等の屈折率を有するため、エッチングストッパー層５４ａを透過しない光と、エッチングストッパー層５４ａを透過した光との間において干渉が発生しない。それ故、第２電極５３ａに対してエッチングストッパー層５４ａを設けても、エッチングストッパー層５４ａ周辺から出射される表示光の光量低下を防止することができる。
【００４５】
なお、本形態では、エッチングストッパー層５４ａは、第１電極５１ａと誘電体膜５２との層間に設けられているため、蓄積容量５１の端部では、ドライエッチング時、オーバーエッチングが発生すると、誘電体膜５２が除去されてしまう。それ故、エッチングストッパー層５４ａについては、絶縁材料を用いる必要がある。
【００４６】
なお、本形態では、エッチングストッパー層５４ａの屈折率を第１電極５１ａまたは第２電極５３ａの屈折率と同等とするにあたって、各種評価の結果、エッチングストッパー層５４ａの屈折率を第１電極５１ａまたは第２電極５３ａの屈折率の±２０％としたが、かかる範囲内であれば、屈折率の差が小さいので、光の干渉の影響を低く抑えることができる。これに対して、エッチングストッパー層５４ａの屈折率が第１電極５１ａまたは第２電極５３ａの屈折率の８０％未満あるいは１２０％を超える場合には、各種評価の結果、光の干渉の影響を抑えることができないという結果が得られている。
【００４７】
［実施の形態３］
本発明の実施の形態３に係る液晶装置に設けた蓄積容量は、基本的には、図１を参照して説明した蓄積容量５５と同様な構成を有しており、エッチングストッパー層５４ａを構成する材料のみが相違する。すなわち、本形態でも、図１に示すように、蓄積容量５５では、実施の形態１と同様、第１電極５１ａとして透光性導電膜（ＩＴＯ膜）が用いられ、誘電体膜５２として透光性誘電体膜が用いられ、第２電極５３ａとして透光性導電膜（ＩＴＯ膜）が用いられている。また、誘電体膜５２としては、上記の誘電体膜を用いることができ、本形態では、酸化アルミニウム膜等、誘電率が高い絶縁膜が用いられている。
【００４８】
また、本形態でも、実施の形態１と同様、誘電体膜５２と第２電極５３ａとの層間には、第２電極５３ａの端部に重なるエッチングストッパー層５４ａが設けられている。
【００４９】
ここで、エッチングストッパー層５９ａは、モリブデン、チタン、タンタル等金属膜、モリブデン、チタン、タンタル等の酸化膜、モリブデン、チタン、タンタル等のシリサイド膜等、光吸収性を備えた遮光膜からなる。なお、本形態の蓄積容量５５については、図１を参照して説明した方法で形成できるので、説明を省略する。
【００５０】
このような構成の蓄積容量５５を備えた液晶装置において、蓄積容量５５では、第１電極５１ａ、誘電体膜５２および第２電極５３ａが透光性を備えているため、蓄積容量５５が形成されている領域も光が透過する。従って、蓄積容量５５が形成されている領域を開口領域として利用することができる。それ故、画像の高精細化等を図る目的で、画素ピッチを狭めて画素数を増やした場合でも、画素開口率が高いので、表示光量を増大させることができ、明るい画像を表示することができる。また、第１電極５１ａと第２電極５３ａとの層間のうち、誘電体膜５２と第２電極５３ａとの層間において第２電極５３ａの端部に全周にわたって重なるエッチングストッパー層５４ａが設けられている。このため、蓄積容量５１の端部では、ドライエッチング時、オーバーエッチングになっても、第１電極５１ａと第２電極５３ａの端部との間に少なくとも誘電体膜７２が介在するので、第１電極５１ａと第２電極５３ａの端部とが導電性の異物によって短絡するのを防止することができる。
【００５１】
さらに、本形態では、エッチングストッパー層５４ａは遮光性を備えているため、エッチングストッパー層５４ａに向けて進行した光は、エッチングストッパー層５４ａで遮光される。このため、エッチングストッパー層５４ａの周辺では、エッチングストッパー層５４ａを通過する光と、エッチングストッパー層５４ａを通過しない光との干渉が発生しないので、エッチングストッパー層５４ａ周辺から出射される表示光の光量低下を防止することができる。また、エッチングストッパー層５４ａは光吸収性を備えているため、エッチングストッパー層５４ａで光が反射して迷光となることがない。
【００５２】
また、本形態では、エッチングストッパー層５４ａは、誘電体膜５２と第２電極５３ａとの層間に設けられているため、蓄積容量５１の端部では、ドライエッチング時、オーバーエッチングになっても、第１電極５１ａと第２電極５３ａの端部との間には、エッチングストッパー層５４ａに加えて、誘電体膜５２も残ることになる。それ故、エッチングストッパー層５４ａについては、絶縁材料および導電材料のいずれであってもよいという利点がある。
【００５３】
［実施の形態４］
本発明の実施の形態４に係る液晶装置に設けた蓄積容量は、基本的には、図２を参照して説明した蓄積容量５５と同様な構成を有しており、エッチングストッパー層５４ａを構成する材料のみが相違する。すなわち、図２に示すように、本形態でも、蓄積容量５５では、実施の形態１と同様、第１電極５１ａとして透光性導電膜（ＩＴＯ膜）が用いられ、誘電体膜５２として透光性誘電体膜が用いられ、第２電極５３ａとして透光性導電膜（ＩＴＯ膜）が用いられている。また、誘電体膜５２としては、上記の誘電体膜を用いることができ、本形態では、酸化アルミニウム膜等、誘電率が高い絶縁膜が用いられている。
【００５４】
また、本形態でも、実施の形態２と同様、第１電極５１ａと誘電体膜５２との層間には、第２電極５３ａの端部に重なるエッチングストッパー層５４ａが設けられている。
【００５５】
ここで、エッチングストッパー層５９ａは、モリブデン、チタン、タンタルの酸化膜等、光吸収性および絶縁性を備えた遮光膜からなる。なお、本形態の蓄積容量５５については、図２を参照して説明した方法で形成できるので、説明を省略する。
【００５６】
このような構成の蓄積容量５５を備えた液晶装置において、蓄積容量５５では、第１電極５１ａ、誘電体膜５２および第２電極５３ａが透光性を備えているため、蓄積容量５５が形成されている領域も光が透過する。従って、蓄積容量５５が形成されている領域を開口領域として利用することができる。それ故、画像の高精細化等を図る目的で、画素ピッチを狭めて画素数を増やした場合でも、画素開口率が高いので、表示光量を増大させることができ、明るい画像を表示することができる。また、第１電極５１ａと第２電極５３ａとの層間のうち、第１電極５１ａと誘電体膜５２との層間には、第２電極５３ａの端部に全周にわたって重なるエッチングストッパー層５４ａが設けられている。このため、蓄積容量５１の端部では、ドライエッチング時、オーバーエッチングになっても、第１電極５１ａと第２電極５３ａの端部との間に絶縁性のエッチングストッパー層５４ａが厚く介在するので、第１電極５１ａと第２電極５３ａの端部とが導電性の異物によって短絡するのを防止することができる。
【００５７】
さらに、本形態では、エッチングストッパー層５４ａは遮光性を備えているため、エッチングストッパー層５４ａに向けて進行した光は、エッチングストッパー層５４ａで遮光される。このため、エッチングストッパー層５４ａの周辺では、エッチングストッパー層５４ａを通過する光と、エッチングストッパー層５４ａを通過しない光との干渉が発生しないので、エッチングストッパー層５４ａ周辺から出射される表示光の光量低下を防止することができる。また、エッチングストッパー層５４ａは光吸収性を備えているため、エッチングストッパー層５４ａで光が反射して迷光となることがない。
【００５８】
なお、本形態では、エッチングストッパー層５４ａは、第１電極５１ａと誘電体膜５２との層間に設けられているため、蓄積容量５１の端部では、ドライエッチング時、オーバーエッチングが発生すると、誘電体膜５２が除去されてしまう。それ故、エッチングストッパー層５４ａについては、絶縁材料を用いる必要がある。
【００５９】
［実施の形態１に係る液晶装置の具体的構成例１］
（全体構成）
図３は、本発明を適用した液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。図３において、液晶装置１００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを有しており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画素領域１０ａ（画像表示領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する第１基板１０（図４等を参照）では、画素領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００６０】
第１基板１０において、画素領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００６１】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する第２基板２０（図４等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に蓄積容量５５が付加されている。本形態では、蓄積容量５５を構成するために、複数の画素１００ａに跨って走査線３ａと並行して延びた容量線５ｂが形成されており、容量線５ｂは、共通電位Ｖcomが印加された共通電位線５ｃに電気的に接続されている。
【００６２】
（液晶パネル１００ｐおよび第１基板１０の構成）
図４は、本発明を適用した液晶装置１００の液晶パネル１００ｐの説明図であり、図４（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した液晶装置１００の液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。図４（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶パネル１００ｐでは、第１基板１０と第２基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は第２基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。
【００６３】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、第１基板１０および第２基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図３を参照して説明した画素領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と画素領域１０ａの外周縁との間には、略四角形の周辺領域１０ｂが額縁状に設けられている。第１基板１０において、画素領域１０ａの外側では、第１基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。
【００６４】
詳しくは後述するが、第１基板１０の一方側の基板面において、画素領域１０ａには、図３を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。
【００６５】
また、第１基板１０の一方側の基板面において、周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂ（図４（ｂ）参照）が形成されている。ここで、ダミー画素電極９ｂについては、ダミーの画素トランジスターと電気的に接続された構成、ダミーの画素トランジスターが設けられずに配線に直接、電気的に接続された構成、あるいは電位が印加されていないフロート状態にある構成が採用される。かかるダミー画素電極９ｂは、第１基板１０において配向膜１６が形成される面を研磨により平坦化する際、画素領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。また、ダミー画素電極９ｂを所定の電位に設定すれば、画素領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止することができる。
【００６６】
第２基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗを有している。第２基板２０において、第１基板１０と対向する一方の基板面には共通電極２１が形成されており、共通電極２１の上層には配向膜２６が形成されている。共通電極２１は、第２基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。また、第２基板２０において第１基板１０と対向する一方の基板面には、共通電極２１の下層側に遮光層１０８が形成されている。本形態において、遮光層１０８は、画素領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁状に形成されている。ここで、遮光層１０８の外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にあり、遮光層１０８とシール材１０７とは重なっていない。なお、第２基板２０において、遮光層１０８は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた領域と重なる領域等にも形成されることがある。
【００６７】
このように構成した液晶パネル１００ｐにおいて、第１基板１０には、シール材１０７より外側において第２基板２０の角部分と重なる領域に、第１基板１０と第２基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極１０９が形成されており、かかる基板間導通用電極１０９は、共通電位線５ｃに電気的に接続している。また、基板間導通用電極１０９と重なる位置には、いわゆる銀点等の基板間導通材１０９ａが配置されており、第１基板１０の共通電位線５ｃと第２基板２０の共通電極２１とは、基板間導通材１０９ａを介して電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、第１基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。
【００６８】
かかる構成の液晶装置１００において、第１基板１０の基板本体１０ｗ、第２基板２０の基板本体２０ｗ、画素電極９ａおよび共通電極２１を透光性導電膜により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。かかる透過型の液晶装置１００の場合、第１基板１０および第２基板２０のうち、一方側の基板から入射した光が他方側の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００６９】
液晶装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、第２基板２０には、カラーフィルター（図示せず）や保護膜が形成される。また、液晶装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、液晶装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各液晶装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００７０】
本形態において、液晶装置１００が、後述する投射型表示装置においてＲＧＢ用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置であって、第２基板２０から入射した光が第１基板１０を透過して出射される場合を中心に説明する。また、本形態において、液晶装置１００は、液晶層５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えている場合を中心に説明する。
【００７１】
（画素の具体的構成）
図５は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００の具体的構成例１の説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）は各々、第１基板１０において隣り合う画素の平面図、および図５（ａ）のＦ１−Ｆ１′線に相当する位置で第１基板１０を切断したときの断面図である。図６は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００の具体的構成例１における画素構成要素の説明図であり、図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、右上がりの斜線によって蓄積容量５５の形成領域を示す説明図、右上がりの斜線によって第１電極５１ａ（容量線５ｂ）の形成領域を示す説明図、右上がりの斜線によって第２電極５３ａの形成領域を示す説明図、および右上がりの斜線によってエッチングストッパー層５４ａの形成領域を示す説明図である。なお、図５（ａ）および図６では、半導体層１ａは細くて短い点線で示し、走査線３ａは細い実線で示し、データ線６ａおよびそれと同時形成された薄膜は細い一点鎖線で示し、容量線５ｂは太い実線で示し、画素電極９ａは太くて長い破線で示し、第２電極５３ａは細くて長い破線で示し、エッチングストッパー層５４ａは太い二点鎖線で示してある。
【００７２】
本形態の液晶装置１００においては、図１を参照して説明した構成要素のうち、第１電極５１ａが容量線５ｂに相当する。なお、図５および図６においても、図１に示す形態との対応が分かりやすいように、第２電極については符号５３ａを付し、誘電体膜については符号５２を付し、エッチングストッパー層については符号５４ａを付して説明する。
【００７３】
図５（ａ）に示すように、第１基板１０上には、複数の画素１００ａの各々に矩形状の画素電極９ａが形成されており、各画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。データ線６ａおよび走査線３ａは各々、直線的に延びており、データ線６ａと走査線３ａとが交差する領域に画素トランジスター３０が形成されている。画素トランジスター３０を構成する半導体層１は、データ線６ａと重なる位置でデータ線６ａに沿って延在した後、途中から走査線３ａに沿って延在するように屈曲している。本形態では、データ線６ａ、走査線３ａ、画素トランジスター３０等により囲まれた領域が、光が透過可能な開口領域１００ｃになっている。
【００７４】
また、第１基板１０では、走査線３ａに沿って容量線５ｂが延在しており、容量線５ｂは、隣り合う複数の画素１００ａに跨って延在している。本形態において、容量線５ｂは、蓄積容量５５の第１電極５１ａとして用いられている。このため、容量線５ｂは、全体がＩＴＯ膜（透光性導電膜）によって構成されている。但し、容量線５ｂを金属配線により形成し、かかる金属配線に電気的に接続されたＩＴＯ膜が第１電極５１ａとして各画素１００ａに設けられた構成を採用してもよい。
【００７５】
図５および図６において、第１基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの液晶層５０側の表面（一方面側）に、画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、蓄積容量５５、および配向膜１６等が以下に説明するように構成されている。
【００７６】
まず、第１基板１０において、複数の画素１００ａの各々には、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。半導体層１ａは、走査線３ａの一部からなるゲート電極３ｃに対して透光性のゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇと、ソース領域１ｂと、ドレイン領域１ｃとを備えており、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、低濃度領域および高濃度領域を備えている。半導体層１ａは、例えば、基板本体１０ｗ上に透光性の下地絶縁膜１２を介して形成された多結晶シリコン膜等によって構成され、ゲート絶縁層２は、ＣＶＤ法等により形成された酸化シリコン膜や窒化シリコン膜からなる。また、ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化してなる酸化シリコン膜と、ＣＶＤ法等により形成された酸化シリコン膜や窒化シリコン膜との２層構造を有する場合もある。走査線３ａには、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜が用いられる。
【００７７】
走査線３ａの上層側には酸化シリコン膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成されており、層間絶縁膜４１の上層には、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂが形成されている。データ線６ａは、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール７ａを介してソース領域１ｂに電気的に接続され、ドレイン電極６ｂは、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール７ｂを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続されている。データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなる。
【００７８】
（蓄積容量５５等の構成）
データ線６ａおよびドレイン電極６ｂの上層側には酸化シリコン膜等からなる透光性の層間絶縁膜４２が形成されている。層間絶縁膜４２の表面には容量線５ｂが、図１に示す第１電極５１ａとして形成されており、かかる容量線５ｂ（第１電極５１ａ）はＩＴＯ膜（透光性導電膜）からなる。このため、層間絶縁膜４２は、図１に示す下地４０に相当する。なお、層間絶縁膜４２の表面は研磨により平坦面になっている。
【００７９】
容量線５ｂの上層側には誘電体膜５２が形成されており、かかる誘電体膜５２の表面には第２電極５３ａが形成されている。本形態において、第２電極５３ａは、容量線５ｂと重なる位置に四角形状に形成されている。
【００８０】
ここで、誘電体膜５２は、実施の形態１で説明した透光性の誘電体膜からなり、本形態では、誘電体膜５２として、酸化アルミニウム膜が用いられている。第２電極５３ａはＩＴＯ膜（透光性導電膜）からなる。
【００８１】
このようにして、本形態では、ＩＴＯ膜からなる容量線５ｂ（第１電極５１ａ）、酸化アルミニウム膜からなる透光性の誘電体膜５２、およびＩＴＯ膜からなる第２電極５３ａによって蓄積容量５５が構成されている。
【００８２】
また、第１基板１０では、容量線５ｂと第２電極５３ａとの層間のうち、誘電体膜５２と第２電極５３ａとの層間には、第２電極５３ａの端部に全周にわたって重なるエッチングストッパー層５４ａが設けられている。ここで、エッチングストッパー層５４ａは、図１を参照して説明したように、容量線５ｂ（第１電極５１ａ）および第２電極５３ａのうちの少なくとも一方を構成する透光性導電膜の屈折率に対して±２０％の屈折率を有する透光膜からなり、容量線５ｂまたは第２電極５３ａと同等の屈折率を備えている。より具体的には、本形態においても、実施の形態１と同様、容量線５ｂおよび第２電極５３ａはＩＴＯ膜からなり、ＩＴＯ膜の屈折率は１．９である。従って、エッチングストッパー層５４ａとしては、屈折率が１．５２〜２．２８（１．９±２０％）の透光性絶縁膜が用いられており、かかる透光性絶縁膜としては、上記の絶縁膜が挙げられる。本形態では、エッチングストッパー層５４ａとして、窒化シリコン膜が用いられている。なお、本形態において、第２電極５３ａは、一部が容量線３ｂから張り出しているが、略３辺に相当する端部が容量線３ｂと重なっている。
【００８３】
本形態において、第２電極５３ａは、容量線５ｂにおいて切欠きが形成されている領域等、容量線５ｂが形成されていない領域において、誘電体膜５２および層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール７ｇを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続されている。
【００８４】
第２電極５３ａの上層側には酸化シリコン膜等からなる透光性の層間絶縁膜４３が形成されており、かかる層間絶縁膜４３の表面に透光性の画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａはＩＴＯ膜（透光性導電膜）からなる。画素電極９ａは、層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール７ｆを介して第２電極５３ａに電気的に接続されており、画素電極９ａは、第２電極５３ａおよびドレイン電極６ｂを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続されている。本形態において、層間絶縁膜４３の表面は研磨により平坦面になっている。
【００８５】
ここで、コンタクトホール７ｆは、エッチングストッパー層５４ａと重なる位置に形成されており、かかるエッチングストッパー層５４ａと重なる領域では、他の領域に比して、層間絶縁膜４３の厚さが薄い。すなわち、層間絶縁膜４３は、ＣＶＤ法等により形成された後、表面が研磨されているため、エッチングストッパー層５４ａと重なる領域では、他の領域に比して、層間絶縁膜４３の厚さが薄い。
【００８６】
画素電極９ａの表面には配向膜１６が形成されている。配向膜１６は、ポリイミド等の樹脂膜、あるいは酸化シリコン膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）であり、配向膜１６と画素電極９ａとの層間には酸化シリコン膜や窒化シリコン膜等の保護膜１７が形成されている。保護膜１７は、表面が平坦面になっており、画素電極９ａの間に形成された凹部を埋めている。従って、配向膜１６は、保護膜１７の平坦な表面に形成されている。なお、図４（ｂ）に示す第２基板２０側の配向膜２６も、配向膜１６と同様、ポリイミド等の樹脂膜、あるいは酸化シリコン膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜２６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）であり、配向膜２６と共通電極２１との層間に酸化シリコン膜や窒化シリコン膜等の保護膜（図示せず）が形成されている。かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。
【００８７】
（本例の主な効果）
以上説明したように、本形態の液晶装置１００において、画素トランジスター３０の上側には蓄積容量５５が形成されており、かかる蓄積容量５５では、容量線５ｂ（第１電極５１ａ）、誘電体膜５２および第２電極５３ａが透光性を備えている。このため、蓄積容量５５が形成されている領域も光が透過するので、画素１００ａにおいて蓄積容量５５が形成されている領域も開口領域１００ｃとして利用することができる。それ故、画像の高精細化等を図る目的で、画素ピッチを狭めて画素数を増やした場合でも、画素開口率が高いので、表示光量を増大させることができ、明るい画像を表示することができる。
【００８８】
また、本形態では、容量線５ｂと第２電極５３ａとの層間のうち、誘電体膜５２と第２電極５３ａとの層間には、第２電極５３ａの端部に全周にわたって重なるエッチングストッパー層５４ａが設けられている。このため、蓄積容量５１の端部では、第２電極５３ａを形成する際のドライエッチング時にオーバーエッチングが発生しても、容量線５ｂと第２電極５３ａの端部との間には、窒化シリコン膜からなる絶縁性のエッチングストッパー層５４ａ、および酸化アルミニウム膜からなる絶縁性の誘電体膜５２が介在するので、容量線５ｂと第２電極５３ａの端部とが導電性の異物によって短絡するのを防止することができる。
【００８９】
さらに、本形態では、エッチングストッパー層５４ａは、容量線５ｂおよび第２電極５３ａを構成するＩＴＯ膜と同等の屈折率を備えたエッチングストッパー用絶縁膜（窒化シリコン膜）からなる。このため、図１を参照して説明したように、エッチングストッパー層５４ａ周辺から出射される表示光の光量が、表示光の干渉が原因で大幅に低下することを防止することができる。
【００９０】
また、本形態では、エッチングストッパー層５４ａは、誘電体膜５２と第２電極５３ａとの層間に設けられているため、蓄積容量５１の端部では、ドライエッチング時、オーバーエッチングが発生して、容量線５ｂと第２電極５３ａの端部との間には、エッチングストッパー層５４ａに加えて、誘電体膜５２が必ず残ることになる。それ故、エッチングストッパー層５４ａについては、絶縁材料および導電材料のいずれであってもよいという利点がある。
【００９１】
さらに、本形態では、第２電極５３ａの上層側には、表面が平坦な層間絶縁膜４３が形成されており、かかる層間絶縁膜４３には、エッチングストッパー層５４ａと重なる位置に、画素電極９ａと第２電極５３ａとを電気的に接続するコンタクトホール７ｆが形成されている。このようなエッチングストッパー層５４ａと重なる領域では、他の領域に比して、層間絶縁膜４３の厚さが薄いため、コンタクトホール７ｆを層間絶縁膜４３に容易に形成することができる。
【００９２】
［実施の形態１に係る液晶装置１００の具体的構成例２］
図７は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００の具体的構成例２の説明図であり、図７（ａ）、（ｂ）は各々、第１基板１０において隣り合う画素の平面図、および図７（ａ）のＦ２−Ｆ２′線に相当する位置で第１基板１０を切断したときの断面図である。図８は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００の具体的構成例２における画素構成要素の説明図であり、図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、右上がりの斜線によって蓄積容量５５の形成領域を示す説明図、右上がりの斜線によって第１電極５１ａ（容量線５ｂ）の形成領域を示す説明図、右上がりの斜線によって第２電極５３ａ（画素電極９ａ）の形成領域を示す説明図、および右上がりの斜線によってエッチングストッパー層５４ａの形成領域を示す説明図である。なお、図７（ａ）および図８では、半導体層１ａは細くて短い点線で示し、走査線３ａは細い実線で示し、データ線６ａおよびそれと同時形成された薄膜は細い一点鎖線で示し、容量線５ｂは太い実線で示し、画素電極９ａは太くて長い破線で示し、エッチングストッパー層５４ａは太い二点鎖線で示してある。
【００９３】
本形態の液晶装置１００においては、図１を参照して説明した構成要素のうち、第１電極５１ａが容量線５ｂに相当し、第２電極５３ａが画素電極９ａに相当する。なお、図７および図８においても、図１と同様、誘電体膜については符号５２を付し、エッチングストッパー層については符号５４ａを付して説明する。また、本例の基本的な構成は、図３〜図６を参照して説明した構成例と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００９４】
図７および図８に示すように、本形態の液晶装置１００に用いた第１基板１０でも、構成例１と同様、複数の画素１００ａの各々に矩形状の画素電極９ａが形成されており、各画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。データ線６ａおよび走査線３ａは各々、直線的に延びており、データ線６ａと走査線３ａとが交差する領域に画素トランジスター３０が形成されている。本形態では、データ線６ａ、走査線３ａ、画素トランジスター３０等により囲まれた領域が、光が透過可能な開口領域１００ｃになっている。
【００９５】
また、第１基板１０では、走査線３ａに沿って容量線５ｂが延在しており、容量線５ｂは、隣り合う複数の画素１００ａに跨って延在している。本形態において、容量線５ｂは、蓄積容量５５の第１電極５１ａとして用いられている。このため、容量線５ｂは、全体がＩＴＯ膜（透光性導電膜）によって構成されている。但し、容量線５ｂを金属配線により形成し、かかる金属配線に電気的に接続されたＩＴＯ膜が第１電極５１ａとして各画素１００ａに設けられた構成を採用してもよい。
【００９６】
第１基板１０は、図５および図６を参照して説明した構成例１と同様、複数の画素１００ａの各々には、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。また、走査線３ａの上層側には酸化シリコン膜等からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成されており、層間絶縁膜４１の上層には、データ線６ａおよびドレイン電極６ｂが形成されている。データ線６ａおよびドレイン電極６ｂの上層側には酸化シリコン膜等からなる透光性の層間絶縁膜４２が形成されており、層間絶縁膜４２の表面は、研磨により平坦面になっている。
【００９７】
層間絶縁膜４２の表面には容量線５ｂが、図１に示す第１電極５１ａとして形成されており、かかる容量線５ｂ（第１電極５１ａ）はＩＴＯ膜（透光性導電膜）からなる。このため、層間絶縁膜４２は、図１に示す下地４０に相当する。
【００９８】
容量線５ｂの上層側には誘電体膜５２が形成されている。本形態において、誘電体膜５２は、実施の形態１で説明した透光性の誘電体膜からなり、本形態では、誘電体膜５２として、酸化アルミニウム膜が用いられている。
【００９９】
誘電体膜５２の表面には、ＩＴＯ膜からなる画素電極９ａが形成されており、画素電極９ａは、第２電極５３ａとして、誘電体膜５２を介して容量線５ｂに対向している。
【０１００】
このようにして、本形態では、ＩＴＯ膜からなる容量線５ｂ（第１電極５１ａ）、酸化アルミニウム膜からなる透光性の誘電体膜５２、およびＩＴＯ膜から画素電極９ａ（第２電極５３ａ）によって蓄積容量５５が構成されている。
【０１０１】
また、第１基板１０では、容量線５ｂ（第１電極５１ａ）と画素電極９ａ（第２電極５３ａ）との層間のうち、誘電体膜５２と画素電極９ａとの層間には、画素電極９ａの端部に全周にわたって重なるエッチングストッパー層５４ａが設けられている。ここで、エッチングストッパー層５４ａは、容量線５ｂおよび画素電極９ａのうちの少なくとも一方を構成する透光性導電膜の屈折率に対して±２０％の屈折率を有する透光膜からなり、容量線５ｂまたは画素電極９ａと同等の屈折率を備えている。より具体的には、本形態においても、実施の形態１と同様、容量線５ｂおよび画素電極９ａはＩＴＯ膜からなり、ＩＴＯ膜の屈折率は１．９である。従って、エッチングストッパー層５４ａとしては、屈折率が１．５２〜２．２８（１．９±２０％）の透光性絶縁膜が用いられており、かかる透光性絶縁膜としては、上記の絶縁膜が挙げられる。本形態では、エッチングストッパー層５４ａとして、窒化シリコン膜が用いられている。なお、本形態では、エッチングストッパー層５４ａは、画素電極９ａの端部に全周にわたって重なるように形成されているため、隣り合う画素１００ａの境界に沿って形成されており、隣り合う画素電極９ａの端部に跨るように形成されている。
【０１０２】
本形態において、画素電極９ａは、容量線５ｂにおいて切欠きが形成されている領域等、容量線５ｂが形成されていない領域において、誘電体膜５２および層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール７ｈを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続されている。なお、画素電極９ａの表面には、斜方蒸着膜からなる配向膜１６（無機配向膜／垂直配向膜）が形成されている。保護膜１７は、表面が平坦面になっており、画素電極９ａの間に形成された凹部を埋めている。従って、配向膜１６は、保護膜１７の平坦な表面に形成されている。
【０１０３】
（本例の主な効果）
以上説明したように、本形態の液晶装置１００において、画素トランジスター３０の上側には蓄積容量５５が形成されており、かかる蓄積容量５５では、容量線５ｂ（第１電極５１ａ）、誘電体膜５２および第２電極５３ａが透光性を備えている。このため、蓄積容量５５が形成されている領域も光が透過するので、画素１００ａにおいて蓄積容量５５が形成されている領域を開口領域１００ｃとして利用することができる。それ故、画像の高精細化等を図る目的で、画素ピッチを狭めて画素数を増やした場合でも、画素開口率が高いので、表示光量を増大させることができ、明るい画像を表示することができる。
【０１０４】
また、容量線５ｂと画素電極９ａとの層間のうち、誘電体膜５２と画素電極９ａとの層間には、画素電極９ａの端部に全周にわたって重なるエッチングストッパー層５４ａが設けられている。このため、蓄積容量５１の端部では、画素電極９ａを形成する際のドライエッチング時、オーバーエッチングになっても、容量線５ｂと画素電極９ａの端部との間には、窒化シリコン膜からなる絶縁性のエッチングストッパー層５４ａ、および酸化アルミニウム膜からなる絶縁性の誘電体膜５２が介在するので、容量線５ｂと画素電極９ａの端部とが導電性の異物によって短絡するのを防止することができる。
【０１０５】
さらに、本形態では、エッチングストッパー層５４ａは、容量線５ｂおよび画素電極９ａを構成するＩＴＯ膜と同等の屈折率を備えたエッチングストッパー用絶縁膜（窒化シリコン膜）からなる。このため、図１を参照して説明したように、エッチングストッパー層５４ａ周辺から出射される表示光の光量が、表示光の干渉が原因で大幅に低下することを防止することができる。
【０１０６】
また、本形態では、エッチングストッパー層５４ａは、誘電体膜５２と画素電極９ａとの層間に設けられているため、蓄積容量５１の端部では、ドライエッチング時、オーバーエッチングが発生して、容量線５ｂと第２電極５３ａの端部との間には、エッチングストッパー層５４ａに加えて、誘電体膜５２が必ず残ることになる。それ故、エッチングストッパー層５４ａについては、絶縁材料および導電材料のいずれであってもよいという利点がある。
【０１０７】
［実施の形態２に係る液晶装置１００の具体的構成例１］
図９は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置１００の具体的構成例１の説明図であり、図９（ａ）、（ｂ）は各々、第１基板１０において隣り合う画素の平面図、および図９（ａ）のＦ３−Ｆ３′線に相当する位置で第１基板１０を切断したときの断面図である。なお、図９（ａ）では、図５（ａ）と同様、半導体層１ａは細くて短い点線で示し、走査線３ａは細い実線で示し、データ線６ａおよびそれと同時形成された薄膜は細い一点鎖線で示し、容量線５ｂは太い実線で示し、画素電極９ａは太くて長い破線で示し、第２電極５３ａは細くて長い破線で示し、エッチングストッパー層５４ａは太い二点鎖線で示してある。また、本例の基本的な構成は、図３〜図６を参照して説明した構成例と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【０１０８】
図９（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の液晶装置１００に用いた第１基板１０でも、図３〜図６を参照して説明した構成例と同様、蓄積容量５５では、容量線５ｂ（第１電極５１ａ）、誘電体膜５２および第２電極５３ａが透光性を備えている。また、容量線５ｂと第２電極５３ａとの層間には、第２電極５３ａの端部に全周にわたって重なるエッチングストッパー層５４ａが設けられている。かかるエッチングストッパー層５４ａは、容量線５ｂおよび第２電極５３ａを構成するＩＴＯ膜と同等の屈折率を備えた窒化シリコン膜からなる。
【０１０９】
ここで、エッチングストッパー層５４ａは、図３〜図６を参照して説明した構成例と違って、容量線５ｂと誘電体膜５２との層間に構成されている。その他の構成は、図３〜図６を参照して説明した構成例と同様であるため、説明を省略する。
【０１１０】
かかる構成の液晶装置１００でも、図３〜図６を参照して説明した構成例と略同様な効果を奏する。但し、エッチングストッパー層５４ａは、容量線３ｂと誘電体膜５２との層間に設けられているため、蓄積容量５１の端部では、ドライエッチング時、オーバーエッチングが発生すると、誘電体膜５２が除去されてしまう。それ故、エッチングストッパー層５４ａについては、絶縁材料を用いる必要がある。
【０１１１】
［実施の形態２に係る液晶装置１００の具体的構成例２］
図１０は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置１００の具体的構成例２の説明図であり、図１０（ａ）、（ｂ）は各々、第１基板１０において隣り合う画素の平面図、および図１０（ａ）のＦ４−Ｆ４′線に相当する位置で第１基板１０を切断したときの断面図である。なお、図１０（ａ）では、図７（ａ）と同様、半導体層１ａは細くて短い点線で示し、走査線３ａは細い実線で示し、データ線６ａおよびそれと同時形成された薄膜は細い一点鎖線で示し、容量線５ｂは太い実線で示し、画素電極９ａは太くて長い破線で示し、エッチングストッパー層５４ａは太い二点鎖線で示してある。また、本例の基本的な構成は、図７および図８を参照して説明した構成例と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【０１１２】
図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の液晶装置１００に用いた第１基板１０でも、図７および図８を参照して説明した構成例と同様、蓄積容量５５では、容量線５ｂ（第１電極５１ａ）、誘電体膜５２および画素電極９ａ（第２電極５３ａ）が透光性を備えている。また、容量線５ｂと画素電極９ａとの層間には、画素電極９ａの端部に全周にわたって重なるエッチングストッパー層５４ａが設けられている。かかるエッチングストッパー層５４ａは、容量線５ｂおよび画素電極９ａを構成するＩＴＯ膜と同等の屈折率を備えた窒化シリコン膜からなる。
【０１１３】
ここで、エッチングストッパー層５４ａは、図７および図８を参照して説明した構成例と違って、容量線５ｂと誘電体膜５２との層間に構成されている。その他の構成は、図７および図８を参照して説明した構成例と同様であるため、説明を省略する。
【０１１４】
かかる構成の液晶装置１００でも、図３〜図６を参照して説明した構成例と略同様な効果を奏する。但し、エッチングストッパー層５４ａは、容量線５ｂと誘電体膜５２との層間に設けられているため、蓄積容量５１の端部では、ドライエッチング時、オーバーエッチングが発生すると、誘電体膜５２が除去されてしまう。それ故、エッチングストッパー層５４ａについては、絶縁材料を用いる必要がある。
【０１１５】
［実施の形態３、４に係る液晶装置１００の具体的構成例］
実施の形態１、２に係る液晶装置１００の具体的構成例では、エッチングストッパー層５４ａとして透光膜を用いたが、実施の形態３、４で説明したように、エッチングストッパー層５４ａとして、光吸収性の遮光膜を用いてもよい。かかる構成によれば、エッチングストッパー層５４ａに向けて進行した光は、エッチングストッパー層５４ａで遮光される。このため、エッチングストッパー層５４ａの周辺では、エッチングストッパー層５４ａを通過する光と、エッチングストッパー層５４ａを通過しない光との干渉が発生しないので、エッチングストッパー層５４ａ周辺から出射される表示光の光量低下を防止することができる。
【０１１６】
［液晶装置への他の適用例］
上記実施の形態では、下層側の第１電極５１ａが容量線５ｂあるいは容量線５ｂに電気的に接続する電極であって、上層側の第２電極５３ａが画素電極９ａ自身または画素電極９ａに電気的に接続する電極であった。但し、下層側の第１電極５１ａが画素電極９ａに電気的に接続する電極であって、上層側の第２電極５３ａが容量線５ｂまたは容量線５ｂに電気的に接続する電極である場合に本発明を適用してもよい。
【０１１７】
［他の実施の形態］
上記実施の形態１、２においては、第２電極５３ａの端部に対して全周で重なるようにエッチングストッパー層５４ａを設けたが、第２電極５３ａと第１電極５１ａとの位置関係等によって、第２電極５３ａの一部の端部が第１電極５１ａと重なり、他の端部が第１電極５１ａと重ならない場合がある。このような場合、第２電極５３ａの端部のうち、第１電極５１ａと重なる端部のみに対してエッチングストッパー層５４ａを設けてもよい。かかる構成によれば、エッチングストッパー層５４ａに起因する表示光量の低下を最小限に抑えることができる。また、上記実施の形態１、２において、エッチングストッパー層５４ａの光学特性として屈折率が第１電極５１ａあるいは第２電極５３ａが同等であるとしたが、さらに、エッチングストッパー層５４ａの吸収係数が第１電極５１ａあるいは第２電極５３ａの吸収係数以下であることが好ましい。すなわち、エッチングストッパー層５４ａは、第１電極５１ａあるいは第２電極５３ａに比して同等以上の光透過性を有している。かかる構成によれば、エッチングストッパー層５４ａを透過する光の減衰を低く抑えることができる。
【０１１８】
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る液晶装置１００を適用した電子機器について説明する。図１１は、本発明を適用した液晶装置を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【０１１９】
図１１に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７（液晶装置１００）と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９と、リレー系１２０とを備えている。
【０１２０】
光源１１２は、赤色光、緑色光及び青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光を透過させると共に緑色光及び青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光及び青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。
【０１２１】
ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２１及び偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
【０１２２】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、液晶パネル１１５ｃ及び第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【０１２３】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１５ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する構成となっている。
【０１２４】
なお、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【０１２５】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、液晶パネル１１６ｃ及び第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、液晶パネル１１６ｃは、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する構成となっている。
【０１２６】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、液晶パネル１１７ｃ及び第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光は、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
【０１２７】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１７ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ及び第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【０１２８】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光をリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光を液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。
【０１２９】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。したがって、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系１１８に向けて射出するように構成されている。
【０１３０】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光及び青色光をｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光をｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
【０１３１】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【０１３２】
（他の電子機器）
本発明を適用した液晶装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【０１３３】
５ｂ・・容量線、９ａ・・画素電極、１０・・第１基板、２０・・第２基板、２１・・共通電極、３０・・画素トランジスター、５０・・液晶層、５１ａ・・第１電極、５２・・誘電体膜、５３ａ・・第２電極、５４ａ・・エッチングストッパー層、５５・・蓄積容量、１００・・液晶装置、１００ａ・・画素、１００ｃ・・開口領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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