(57)【要約】【課題】受光面積あたりのエネルギー変換効率の向上が可能な集積型薄膜太陽電池を得ることを目的とする。【解決手段】透明絶縁基板と、その上に形成され互いに並行した複数の第１スクライブ溝によって分断された透明電極と、第１スクライブ溝を埋め込みつつ透明電極上に形成され複数の第１スクライブ溝にそれぞれ並行した複数の第２および第３スクライブ溝によって分断された光電変換ユニットと、第２スクライブ溝を埋め込みつつ光電変換ユニット上に形成され複数の第３スクライブ溝によって分断された裏面電極と、透明絶縁基板上に第１乃至第３スクライブ溝を含まずに透明電極と光電変換ユニットと裏面電極が順次積層された複数の発電領域とを備え、第２スクライブ溝の開口部両縁に形成されているテーパのうち幅の広い方のテーパと第３スクライブ溝の開口部両縁に形成されているテーパのうち幅の広い方のテーパとが発電領域を侵食しないように隣接している。【選択図】図２
2012243864.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明絶縁基板と、
前記透明絶縁基板上に形成され、互いに並行した複数の第１のスクライブ溝によって分断された透明電極層と、
前記第１のスクライブ溝を埋め込みつつ前記透明電極層上に形成され、複数の前記第１のスクライブ溝にそれぞれ並行した複数の第２および第３のスクライブ溝によって分断された光電変換ユニット層と、
前記第２のスクライブ溝を埋め込みつつ前記光電変換ユニット層上に形成され、複数の前記第３のスクライブ溝によって分断された裏面電極層と、
前記透明絶縁基板上に前記第１乃至第３のスクライブ溝を含まずに前記透明電極層と前記光電変換ユニット層と前記裏面電極層とが順次積層された、複数の発電領域と、
を備え、
前記第２のスクライブ溝の開口部両縁に形成されているテーパのうち幅の広い方のテーパと前記第３のスクライブ溝の開口部両縁に形成されているテーパのうち幅の広い方のテーパとが前記発電領域を侵食しないように隣接している
ことを特徴とする集積型薄膜太陽電池。
【請求項２】
透明絶縁基板と、
前記透明絶縁基板上に形成され、互いに並行した複数の第１のスクライブ溝によって分断された透明電極層と、
前記第１のスクライブ溝を埋め込みつつ前記透明電極層上に形成され、複数の前記第１のスクライブ溝にそれぞれ並行した複数の第２および第３のスクライブ溝によって分断された光電変換ユニット層と、
前記第２のスクライブ溝を埋め込みつつ前記光電変換ユニット層上に形成され、複数の前記第３のスクライブ溝によって分断された裏面電極層と、
前記透明絶縁基板上に前記第１乃至第３のスクライブ溝を含まずに前記透明電極層と前記光電変換ユニット層と前記裏面電極層とが順次積層された、複数の発電領域と、
を備え、
前記第３のスクライブ溝は前記発電領域の側壁を形成しており、前記第３のスクライブ溝の開口部両縁に形成されているテーパのうち当該側壁側のテーパが他方のテーパより狭い
ことを特徴とする集積型薄膜太陽電池。
【請求項３】
透明絶縁基板と、
前記透明絶縁基板上に形成され、互いに並行した複数の第１のスクライブ溝によって分断された透明電極層と、
前記第１のスクライブ溝を埋め込みつつ前記透明電極層上に形成され、複数の前記第１のスクライブ溝にそれぞれ並行した複数の第２および第３のスクライブ溝によって分断された光電変換ユニット層と、
前記第２のスクライブ溝を埋め込みつつ前記光電変換ユニット層上に形成され、複数の前記第３のスクライブ溝によって分断された裏面電極層と、
前記透明絶縁基板上に前記第１乃至第３のスクライブ溝を含まずに前記透明電極層と前記光電変換ユニット層と前記裏面電極層とが順次積層された、複数の発電領域と、
を備え、
前記第２のスクライブ溝を埋め込んだ前記裏面電極が前記発電領域に接続されており、前記第２のスクライブ溝の開口部両縁に形成されているテーパのうち当該発電領域側のテーパが他方のテーパより狭い
ことを特徴とする集積型薄膜太陽電池。
【請求項４】
透明絶縁基板と、
前記透明絶縁基板上に形成され、互いに並行した複数の第１のスクライブ溝によって分断された透明電極層と、
前記第１のスクライブ溝を埋め込みつつ前記透明電極層上に形成され、複数の前記第１のスクライブ溝にそれぞれ並行した複数の第２および第３のスクライブ溝によって分断された光電変換ユニット層と、
前記第２のスクライブ溝を埋め込みつつ前記光電変換ユニット層上に形成され、複数の前記第３のスクライブ溝によって分断された裏面電極層と、
前記透明絶縁基板上に前記第１乃至第３のスクライブ溝を含まずに前記透明電極層と前記光電変換ユニット層と前記裏面電極層とが順次積層された、複数の発電領域と、
を備え、
前記第２のスクライブ溝を埋め込んだ前記裏面電極が第１の前記発電領域に接続されており、前記第２のスクライブ溝の開口部両縁に形成されているテーパのうち第１の前記発電領域側のテーパが他方のテーパより狭く、
前記第３のスクライブ溝は第２の前記発電領域の側壁を形成しており、前記第３のスクライブ溝の開口部両縁に形成されているテーパのうち当該側壁側のテーパが他方のテーパより狭く、
前記第２のスクライブ溝の他方のテーパと前記第３のスクライブ溝の他方のテーパとが隣接している
ことを特徴とする集積型薄膜太陽電池。
【請求項５】
前記光電変換ユニット層は、
前記透明電極層上に形成された非晶質系光電変換ユニット層と、
前記非晶質系光電変換ユニット層上に形成された結晶質系光電変換ユニット層と、
を備える
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の集積型薄膜太陽電池。
【請求項６】
透明絶縁基板の主表面上に第１方向に向けて透明電極層を形成する工程と、
前記透明電極層に第１レーザを照射して、前記第１方向と垂直な第２方向に向かって互いに並行な複数の第１のスクライブ溝を形成する工程と、
前記透明電極層の上に、前記第１のスクライブ溝を閉塞しつつ光電変換ユニット層を形成する工程と、
前記光電変換ユニット層に前記透明絶縁基板の主表面の反対側から、ビーム強度分布のピークが前記第１および第２方向に垂直な第３方向に沿って偏った第２レーザを照射して前記第１のスクライブ溝に並行な複数の第２のスクライブ溝を形成する工程と、
前記光電変換ユニット層の上に、前記第２のスクライブ溝を閉塞しつつ、裏面電極層を形成する工程と、
前記第１および第２のスクライブ溝の上を除いた領域上の前記光電変換ユニット層および前記裏面電極層に、前記透明絶縁基板の主表面の反対側から、ビーム強度分布のピークが前記第３方向に沿って前記第２レーザとは反対側に偏った第３レーザを照射して前記第１および第２のスクライブ溝に並行な複数の第３のスクライブ溝を形成する工程と、
を備えることを特徴とする集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項７】
前記第３のスクライブ溝を形成する工程の後に前記透明絶縁基板上に前記第１乃至第３のスクライブ溝を含まずに前記透明電極層と前記光電変換ユニット層と前記裏面電極層が順次積層されて形成される発電領域の、前記第３方向に沿った幅を減少させない方向に前記第３レーザのビーム強度分布のピークが偏っている
ことを特徴とする請求項６に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項８】
前記第２および第３レーザは、前記第２方向に沿ってビーム強度分布が上下対象である
ことを特徴とする請求項６または７に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項９】
前記第２および第３レーザは、前記第２方向に沿ってビーム強度分布が顕著なピークを有さない
ことを特徴とする請求項６または７に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項１０】
前記光電変換ユニット層を形成する工程は、
前記第１のスクライブ溝を閉塞しつつ非晶質光電変換ユニット層を形成する工程と、
前記前記非晶質光電変換ユニット層の上に結晶質系光電変換ユニット層を形成する工程と、
を備える
ことを特徴とする請求項６〜９のいずれか１項に記載の集積型薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項１１】
透明基板の裏面側から当該透明基板の主表面上に第１方向に積層された光電変換ユニット層を備えた薄膜へレーザビームを透過照射し、照射位置を前記第１方向とは垂直な第２方向に走査することにより当該薄膜を分断するレーザ加工方法であって、
前記第１および第２方向に垂直な第３方向に沿って、ビーム強度分布のピークが前記光電変換ユニット層を侵食しない側に偏らせるように前記レーザビームを整形するビーム整形工程と、
前記ビーム整形工程において整形された前記レーザビームを、前記薄膜に透過照射しながら走査して、前記薄膜を分断加工する工程と、
を備える
ことを特徴とする集積型薄膜太陽電池のレーザ加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜太陽電池、液晶、有機ＥＬ、プラズマディスプレイ等のフラットパネル機器における基板上の薄膜分断加工（スクライブ）を行うレーザ加工方法及び装置に関し、特に集積型薄膜太陽電池とその製造方法及びそのレーザ加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、薄膜シリコン太陽電池は透明絶縁基板上に透明電極層、１つ以上の光電変換ユニット層、裏面電極層をこの順に積層して製造され、透明絶縁基板側から透明導電膜を透過した光を、光電変換層で吸収して透明電極層及び裏面電極層に電流を発生させる構造になっている。
【０００３】
１つの光電変換ユニット層は、ｐ型半導体からなるｐ型層とｎ型半導体からなるｎ型層を用いて真性半導体からなるｉ型層を挟みこむ構造となっており、光電変換作用は主にこのｉ型層内で生じる。
【０００４】
ｐ型層とｎ型層が非晶質シリコンか結晶質シリコンであるかないかにはかかわらず、ｉ型層が非晶質シリコンからなる光電変換ユニットを非晶質系光電変換ユニット、ｉ型層が結晶質シリコンからなる光電変換ユニットを結晶質系光電変換ユニットと称する。
【０００５】
非晶質ｉ型層は主に可視域の波長の光を吸収するのに対して、結晶質ｉ型層は赤外域の波長まで吸収すること可能であるため、結晶質系光電変換ユニットは非晶質系光電変換ユニットと比較すると、長波長の光まで光電変換に利用することができるという利点を持つ。
【０００６】
ただし、非晶質ｉ型層の光吸収係数が約３×１０４であるのに対して、結晶質ｉ型層の光吸収係数は約３×１０３であるため、結晶質系光電変換ユニットのｉ型層は非晶質系光電変換ユニットのｉ型層と比べると約１０倍程度の厚さが必要とされる。
【０００７】
この非晶質系光電変換ユニットと結晶質系光電変換ユニットの吸収波長域の違いを利用して薄膜シリコン太陽電池の変換効率を向上させる試みがなされている。光入射側に１以上の非晶質系光電変換ユニットを配置し、その後ろに１ユニット以上の結晶質系光電変換ユニットを配置するという手法である。このとき、さらなる発電効率の向上ため、非晶質系光電変換ユニットと結晶質系光電変換ユニットの間にシリコンとゲルマンの合金を配置する場合もある。
【０００８】
このような２以上の光電変換ユニットを積層させた薄膜シリコン太陽電池をタンデム型薄膜シリコン太陽電池と称する。
【０００９】
薄膜シリコン太陽電池の製造においては、１枚の基板を複数のセルに分割し各セルを直列接続させる（以降、直列接続させた薄膜シリコン太陽電池を“集積型薄膜シリコン太陽電池”と記し、直列接続させることを“集積化”と記す）ことにより、透明電極層の抵抗に起因する電流のロスを抑制している。
【００１０】
従来、集積型薄膜シリコン太陽電池の製造において、薄膜シリコン太陽電池を１枚の基板内で直列接続するためには、まず透明絶縁基板上に成膜された透明電極層を絶縁分離する溝（以下、層を分離するための溝を“スクライブ溝”と記す）を形成する（以降、スクライブ溝を形成することを“スクライブする”と記す）。この第１のスクライブ溝は直線状に延びている。
【００１１】
次に、透明電極層上に成膜された光電変換ユニット層をスクライブし、最上層の裏面電極層と透明電極層をコンタクトさせるための第２のスクライブ溝を形成する。第２のスクライブ溝も第１のスクライブ溝と平行な方向に直線状に延びており、第１のスクライブ溝と交差させないように形成する。
【００１２】
さらに、光電変換ユニット層上に成膜された裏面電極層をスクライブし、各セルを絶縁分離するための第３のスクライブ溝を形成する。第３のスクライブ溝は裏面電極層のみならず光電変換ユニット層も同時に除去している。第３のスクライブ溝は、第１のスクライブ溝に対して第２のスクライブ溝をずらした方向と同じ方向にずらして形成する。第３のスクライブ溝も第１のスクライブ溝と平行な方向に直線状に延びており、第２のスクライブ溝と交差させないように形成する。以上により薄膜シリコン太陽電池の１枚の基板内の直列接続は形成される。
【００１３】
このとき、第１のスクライブ溝、および第３のスクライブ溝に短絡が発生すると太陽電池として機能しなくなるため、薄膜太陽電池の直列接続形成において、基板に形成された透明電極層、光電変換ユニット層、裏面電極層などの薄膜をスクライブする技術は極めて重要である。
【００１４】
一般的に、上述したような集積型薄膜シリコン太陽電池を製造するためのスクライブには、フォトエッチングと比較して工程数を減らすことができるなどの理由から、レーザ加工が用いられている。レーザを用いた薄膜シリコン太陽電池のスクライブ（以降、“レーザスクライブ法”と記す）では、薄膜の光吸収波長に合わせたレーザを用いて、薄膜を加熱、あるいは、薄膜に含まれる一部の成分の気化を利用して、レーザ照射部の薄膜を取り除いている（例えば、特許文献１参照。）。
【００１５】
このとき、例えば、上記第２のスクライブ溝の形成の際は、光電変換ユニット層側からのレーザの照射では清浄なスクライブ溝を形成することが困難なので、透明絶縁基板側からレーザを照射し、光電変換ユニット層にビームエネルギを吸収させ加熱することにより光電変換ユニット層内に含まれる水素原子の気化による爆発を利用して光電変換ユニット層を吹き飛ばすことにより第２のスクライブ溝を形成する。
【００１６】
また、第３のスクライブ溝の形成の際も、裏面電極層側からのレーザの照射では清浄なスクライブ溝を形成することが困難であり、また裏面電極層が光反射性を有していることから高い照射エネルギー密度が必要となるため、透明絶縁基板側からレーザを照射し、光電変換ユニット層にビームエネルギを吸収させ光電変換ユニット層に含まれる水素原子の気化による爆発を利用して、光電変換ユニット層および光電変換ユニット層上に成膜された裏面電極層を同時に吹き飛ばすことにより第３のスクライブ溝を形成する。
【００１７】
このようにして作製された集積型薄膜太陽電池において、発電に寄与するのはスクライブ溝が存在しない発電領域であり、上記スクライブ溝が形成されている接続領域は発電には寄与しない。よって、接続領域が拡大すると受光面積あたりの発電効率が低下するため、接続領域はできる限り小さくすることが望まれる。
【００１８】
また、集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池に関しても、上述の薄膜シリコン太陽電池の集積化と同じ手順により集積化が実現される技術が開示されている（例えば、特許文献２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１９】
【特許文献１】特開２００２-３３４９５号公報
【特許文献２】特開２００１-１７７１３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
ところで、集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池の製造においては、光電変換ユニット層において厚さ３００ｎｍ程度の非晶質系光電変換ユニット層の上部に厚さ３μｍ程度の結晶質系光電変換ユニット層が積層されている。このため、従来の技術によれば、上記した第２のスクライブ溝および第３のスクライブ溝を形成する際、透明絶縁基板側から照射されたレーザは非晶質系光電変換ユニットで約９５％程度吸収されることとなり、結晶質系光電変換ユニットへは入射エネルギーの約５％程度しか到達しないこととなる。
【００２１】
そのため、結晶質系光電変換ユニット層を吹き飛ばすほど結晶質系光電変換ユニット層に含まれる水素原子を加熱することができず、結晶質系光電変換ユニット層のスクライブは、下部層の非晶質系光電変換ユニット層の爆発によりなされることとなる。
【００２２】
しかしこのとき、ビーム径３０〜６０μｍ程度のビームを用いてレーザスクライブを行うと、結晶質系光電変換ユニット層は非晶質系光電変換ユニット層の１０倍程度の厚みを持っているため、非晶質系光電変換ユニット層に含まれる水素原子の爆発では結晶質系光電変換ユニット層を吹き飛ばすのに十分な力を加えることができない。
【００２３】
従って、結晶質系光電変換ユニット層で膜はがれが発生する。その結果、第２のスクライブ溝および第３のスクライブ溝の側面には横方向の長さが１０〜２０μｍ程度のテーパが発生し、非晶質系光電変換ユニット層のみで構成された薄膜シリコン太陽電池（以降、“非晶質系薄膜シリコン太陽電池”と記す）のスクライブ溝幅と比較してスクライブ溝幅が拡がることとなる。
【００２４】
以上のことから、集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池のテーパ部を含めたスクライブ溝の幅は非晶質系薄膜シリコン太陽電池のスクライブ溝の幅と比較して約２０〜４０μｍ程度拡がることとなり、接続領域を縮小することが困難となり、タンデム型薄膜シリコン太陽電池は集積化に起因して受光面積あたりのエネルギー変換効率が低下してしまうという問題があった。
【００２５】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池における接続領域の拡大という問題を解決するものであり、タンデム型薄膜シリコン太陽電池の集積化にともなう受光面積あたりのエネルギー変換効率の向上を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明は、透明絶縁基板と、前記透明絶縁基板上に形成され、互いに並行した複数の第１のスクライブ溝によって分断された透明電極層と、前記第１のスクライブ溝を埋め込みつつ前記透明電極層上に形成され、複数の前記第１のスクライブ溝にそれぞれ並行した複数の第２および第３のスクライブ溝によって分断された光電変換ユニット層と、前記第２のスクライブ溝を埋め込みつつ前記光電変換ユニット層上に形成され、複数の前記第３のスクライブ溝によって分断された裏面電極層と、前記透明絶縁基板上に前記第１乃至第３のスクライブ溝を含まずに前記透明電極層と前記光電変換ユニット層と前記裏面電極層とが順次積層された、複数の発電領域と、を備え、前記第２のスクライブ溝の開口部両縁に形成されているテーパのうち幅の広い方のテーパと前記第３のスクライブ溝の開口部両縁に形成されているテーパのうち幅の広い方のテーパとが前記発電領域を侵食しないように隣接していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、スクライブ溝の両側面に発生するテーパのうち片面では幅の広いテーパを形成し、もう一方の面においては幅の狭いテーパを形成し、その際、光電変換ユニット層スクライブでは透明電極層スクライブ溝側の面、裏面電極層スクライブでは発電領域側の面において幅の狭いテーパが形成されるよう制御することにより、タンデム型薄膜シリコン太陽電池の構成に起因するスクライブ溝におけるテーパの発生による非発電領域の拡大を防ぎ、タンデム型薄膜シリコン太陽電池の集積化にともなう受光面積あたりのエネルギー変換効率を向上させることが可能になるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１−１】図１−１は、本発明の実施の形態１に係るレーザスクライブ方法により形成されたスクライブ溝の加工痕形状図である。
【図１−２】図１−２は、図１−１のＡ−Ａ’に沿った断面図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態１に係るレーザスクライブ方法により加工した集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池の構造を示す断面図である。
【図３−１】図３−１は、本発明の実施の形態１に係るレーザスクライブ方法に使用したレーザビームのビーム形状の一例を示した図である。
【図３−２】図３−２は、図３−１に示したビーム形状のＢ−Ｂ’に沿った面におけるレーザビームの強度分布を、横軸を位置、縦軸を強度として示した図である。
【図４−１】図４−１は、本発明の実施の形態１に係るレーザスクライブ方法によりスクライブ溝の片側においてテーパ量が抑制されるメカニズムの一過程を示す図である。
【図４−２】図４−２は、本発明の実施の形態１に係るレーザスクライブ方法によりスクライブ溝の片側においてテーパ量が抑制されるメカニズムの一過程を示す図である。
【図４−３】図４−３は、本発明の実施の形態１に係るレーザスクライブ方法によりスクライブ溝の片側においてテーパ量が抑制されるメカニズムの一過程を示す図である。
【図４−４】図４−４は、本発明の実施の形態１に係るレーザスクライブ方法によりスクライブ溝の片側においてテーパ量が抑制されるメカニズムの一過程を示す図である。
【図４−５】図４−５は、本発明の実施の形態１に係るレーザスクライブ方法によりスクライブ溝の片側においてテーパ量が抑制されるメカニズムの一過程を示す図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態１に係るレーザ加工装置の一例を示す図である。
【図６−１】図６−１は、本発明の実施の形態２に係るレーザスクライブ方法に使用したレーザビームのビーム形状の一例を示した図である。
【図６−２】図６−２は、図６−１に示したビーム形状のＣ−Ｃ’に沿った面におけるレーザビームの強度分布を、横軸を位置、縦軸を強度として示した図である。
【図６−３】図６−３は、図６−１に示したビーム形状のＤ−Ｄ’に沿った面におけるレーザビームの強度分布を、横軸を位置、縦軸を強度として示した図である。
【図７】図７は、従来の技術により加工した集積型薄膜シリコン太陽電池の構造を示す断面図である。
【図８】図８は、従来の技術により加工した集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池の構造を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下に、本発明にかかる集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池とその製造方法及びそのレーザ加工方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。
【００３０】
実施の形態１．
本発明の実施の形態１にかかる集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池とその製造方法及びそのレーザ加工方法について図面を参照して説明する。図１−１および図１−２は、実施の形態１のレーザスクライブ法による集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池１の加工痕形状図（図１−１）およびその断面図（図１−２）である。図１−２は、図１−１のＡ−Ａ’に沿った断面図である。
【００３１】
図２は、実施の形態１のレーザスクライブ法により加工された集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池１の構造を示す断面図である。図３−１は、実施の形態１のレーザスクライブ法に用いたレーザビームのビーム形状の一例を示す図である。図３−２は、図３−１に示したビーム形状の一断面のレーザビームの強度分布を、横軸を位置、縦軸を強度として示した図である。
【００３２】
図４−１〜図４−５は、スクライブ溝の片側においてテーパ量が抑制されるメカニズムの各過程を説明する図である。図５は、実施の形態１のレーザスクライブ法を用いた加工装置８００の一例を示す図である。
【００３３】
図１−１および図１−２は、本実施の形態におけるレーザスクライブ法を裏面電極層１４のスクライブ（以降“Ｐ３スクライブ”と称す）において実施した場合の集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池１の加工痕形状図（図１−１）およびその断面図（図１−２）である。
【００３４】
図１−２に示すように、集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池１は、下から順に、透明絶縁基板１１、透明電極層１２、非晶質系光電変換ユニット層２１および結晶質系光電変換ユニット層２２を含む光電変換ユニット層１３、さらに裏面電極層１４の各層を備えている。さらに、裏面電極層１４（１４ａ、１４ｂ、１４ｃ・・・）にはスクライブ溝２０３（２０３ａ、２０３ｂ・・）が形成されている。スクライブ溝２０３（２０３ａ、２０３ｂ、・・）は紙面に直交する方向に直線状に延びている。
【００３５】
図１−１に示すように、スクライブの進行方向は矢印５００の方向であり、裏面電極層１４のスクライブ溝２０３の一側面では幅１０〜２０μｍ程度の幅の広いテーパ３０２が形成され、もう一方の面では幅５μｍ程度の幅の狭いテーパ３０１が形成されている。スクライブ溝２０３、幅の広いテーパ３０２、および幅の狭いテーパ３０１を図１−１のＡ−Ａ’に沿った断面図でみると図１−２のようになる。この幅の狭いテーパ３０１が発電領域側に形成されるよう制御することにより、裏面電極層１４の１本のスクライブ溝２０３につき幅５〜１５μｍ程度の接続領域の低減が可能となる。また、このときスクライブ溝底面４０１の形状はビーム形状とほぼ同じ形状および大きさとなる。
【００３６】
同様のことは、集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池１の光電変換ユニット層１３のスクライブ（以降“Ｐ２スクライブ”と称す）にて形成したスクライブ溝２０２についても言える。ただし、スクライブ溝２０２の幅の狭いテーパ３０１を形成する面は裏面電極層１４のスクライブ溝２０３とは反対側の側面になるよう制御する。即ち、以下に述べるようにＰ２スクライブの後にＰ３スクライブを実行するが、Ｐ２スクライブにて形成したスクライブ溝２０２の開口部両縁のテーパのうち幅の広い方のテーパとＰ３スクライブにて形成したスクライブ溝２０３の開口部両縁のテーパのうち幅の広い方のテーパとが隣接するようにする。
【００３７】
図２は、本実施の形態にかかるレーザスクライブ法を、集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池１のＰ２スクライブおよびＰ３スクライブにて実施した場合の集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池１の断面図である。透明電極層１２の第１のスクライブ溝２０１（２０１ａ、２０１ｂ・・）、光電変換ユニット層１３の第２のスクライブ溝２０２（２０２ａ、２０２ｂ・・）、裏面電極層１４の第３のスクライブ溝２０３（２０３ａ、２０３ｂ・・）が形成されていることにより発電領域１０１（１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃ・・・）が直列接続されている。
【００３８】
図２に示したように集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池１を１枚の基板内で直列接続するためには以下の工程を経る。まず、透明絶縁基板１１の主表面上に成膜された透明電極層１２ａ、１２ｂ、１２ｃ（以下まとめて、透明電極層１２とも記す）を絶縁分離するスクライブ溝２０１ａ、２０１ｂ（以下まとめて、スクライブ溝２０１とも記す）を形成する。スクライブ溝２０１（２０１ａ、２０１ｂ）は紙面に垂直な方向に互いに並行に直線状に延びている。
【００３９】
次に、図２に示すように透明電極層１２上にスクライブ溝２０１を埋め尽くして非晶質系光電変換ユニット層２１（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ・・・）を成膜し、さらにその上に結晶質系光電変換ユニット層２２（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ・・・）を成膜する。成膜された非晶質系光電変換ユニット層２１および結晶質系光電変換ユニット層２２からなる光電変換ユニット層１３ａ、１３ｂ、１３ｃ（以下まとめて、光電変換ユニット層１３と記す）をスクライブ（Ｐ２スクライブ）し、裏面電極層１４と透明電極層１２をコンタクトさせるためのスクライブ溝２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ（以下まとめて、スクライブ溝２０２と記す）を形成する。
【００４０】
スクライブ溝２０２（２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ）も紙面に垂直な方向に互いに並行に直線状に延びており、スクライブ溝２０１（２０１ａ、２０１ｂ、２０１ｃ）と交差させないように形成する。スクライブ溝２０２（２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ）のそれぞれが直接接続する発電領域１０１（１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃ）に近い方のテーパは狭く、隣接する発電領域１０１ｂ、１０１ｃ、１０１ｄに近い方のテーパは広い。
【００４１】
さらに、光電変換ユニット層１３上に成膜された裏面電極層１４をスクライブ（Ｐ３スクライブ）し、各セルを絶縁分離するためのスクライブ溝２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃ（以下まとめて、スクライブ溝２０３と記す）を形成する。スクライブ溝２０３（２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃ）は裏面電極層１４のみならず光電変換ユニット層１３も同時に除去している。スクライブ溝２０３（２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃ）それぞれに隣接する発電領域１０１ｂ、１０１ｃ、１０１ｄに近い方のテーパは狭く、それぞれが隣接するスクライブ溝２０２（２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ）に近い方のテーパは広い。即ち、Ｐ２スクライブにて形成したスクライブ溝２０２の開口部両縁のテーパのうち幅の広い方のテーパとＰ３スクライブにて形成したスクライブ溝２０３の開口部両縁のテーパのうち幅の広い方のテーパとが隣接することにより、それぞれの発電領域１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃ、および１０１ｄを侵食しないようにする。
【００４２】
スクライブ溝２０３（２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃ）は、スクライブ溝２０１（２０１ａ、２０１ｂ、２０１ｃ）に対してスクライブ溝２０２（２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ）をずらした方向と同じ方向にスクライブ溝２０２に対してずらして形成する。スクライブ溝２０３（２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃ）も紙面に垂直な方向に互いに並行に直線状に延びており、スクライブ溝２０２（２０２ａ、２０２ｂ、２０２ｃ）と交差させないように形成する。以上により薄膜シリコン太陽電池の１枚の基板内の直列接続は形成される。
【００４３】
上記した工程において、太陽電池として機能させるためには、スクライブ溝２０１（２０１ａ、２０１ｂ、２０１ｃ）とスクライブ溝２０３（２０３ａ、２０３ｂ、２０３ｃ）に短絡を発生させないようにしなければならない。
【００４４】
上述の工程においては、スクライブ溝２０２の形成後にスクライブ溝２０３を形成する。このとき、光電変換ユニット層１３のスクライブ溝２０２における幅の広いテーパ（図１−２の幅の広いテーパ３０２に相当するテーパ）と裏面電極層１４のスクライブ溝２０３における幅の広いテーパ３０２とが互いにオーバーラップするようにそれぞれ形成する。即ち、図２の構成においては、スクライブ溝２０２ａとスクライブ溝２０３ａの幅の広いテーパ同士が、スクライブ溝２０２ｂとスクライブ溝２０３ｂの幅の広いテーパ同士が、スクライブ溝２０２ｃとスクライブ溝２０３ｃの幅の広いテーパ同士が、それぞれオーバーラップするように形成する。
【００４５】
このような構成とすることにより、光電変換ユニット層１３のスクライブ溝２０２および裏面電極層１４のスクライブ溝２０３においてそれぞれ１本あたり５〜１５μｍ程度のスクライブ幅を低減することができる。即ち、発電領域１０１（１０１ａ、１０１ｂ、１０１ｃ・・・）の割合を広くとることが可能となる。これにより、集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池１全体では約１０００〜３０００ｍｍ2の発電無効領域の低減となり、約０．０１〜０．０５％の変換効率の向上が見込まれる。
【００４６】
このとき、Ｐ２スクライブおよびＰ３スクライブを行う際は、ビームエネルギを吸収させ加熱することにより光電変換ユニット層１３内に含まれる水素原子の気化による爆発を利用して光電変換ユニット層１３を吹き飛ばすことによりスクライブ溝２０２、２０３を形成するため、レーザは透明電極基板１１側から照射される。
【００４７】
レーザは、スクライブの対象物の光吸収特性により選択される。一般的に、透明電極層１２のスクライブでは、ＹＡＧ等の固体レーザ、ファイバーレーザの基本波（波長１μｍ程度）が用いられ、光電変換ユニット層１３および裏面電極層１４のスクライブでは、ＹＡＧ等の固体レーザ、ファイバーレーザの第二高調波（波長０．５μｍ程度）、第三高調波（波長０．３〜０．４μｍ程度）が使用される。
【００４８】
図３−１および図３−２は、実施の形態１におけるレーザスクライブ法において使用したレーザビーム６００のビーム形状（図３−１）および強度分布（図３−２）の１例を示す図である。図３−２は、図３−１に示したビーム形状のＢ−Ｂ’に沿った面におけるレーザビーム６００の強度分布６０２を、横軸を位置、縦軸を強度として示した図である。図３−２におけるビーム強度分布６０２のピーク６０１（図３−１、図３−２）はスクライブ溝の中心軸５０１に対して左右どちらかの側に偏らせている。このときビーム強度分布６０２のピーク６０１は、幅の狭いテーパ３０１（図１−１、図１−２）の形成を所望する側とは逆方向、即ち、幅の広いテーパ３０２が形成される方向に偏らせる必要がある。
【００４９】
ビーム形状は円形である必要は無く、楕円形や矩形など任意の形状を選択することができる。このとき繰り返し周波数を上げるか、スキャン速度を遅らせるなどしてスクライブにおけるビームのオーバーラップ率を上げると、片側の面におけるテーパ発生抑制効果が顕著に得られる。同様の効果はスクライブ溝に対して横長のビーム形状を用いても得られる。図３−１および図３−２において所望のレーザビーム６００は、マスク転写、ＨＯＥなどを使用することによるビームホモジナイズなどによって得られる。
【００５０】
図４−１〜図４−５は、レーザによる裏面電極層１４のスクライブにおいてスクライブ溝の片側においてテーパ量が抑制されるメカニズムを説明するための各過程を示す図である。
【００５１】
まず、図４−１に示すように、スクライブ溝の中心軸５０１に対してビーム強度分布６０２に示すようにピーク６０１を左右方向どちらかに偏らせたレーザビーム６００を透明絶縁基板１１側から照射すると、照射されたレーザビーム６００は非晶質系光電変換ユニット層２１においてほぼ全て吸収される。
【００５２】
次に、図４−２に示すように、吸収されたレーザビーム６００は熱となり非晶質ユニット層２１に含まれる水素原子の爆発７０１を引き起こし、非晶質系光電変換ユニット層２１の上部層である結晶質系光電変換ユニット層２２および裏面電極層１４（以降“上部層”と称す）へ圧力が加えられる。
【００５３】
さらに、図４−３において、水素爆発７０１により上部層へ加えられた圧力は、亀裂Ａ７０２をビーム強度分布６０２のピーク６０１の存在する側に発生させ、また亀裂Ｂ７０３、亀裂Ｃ７０４を発生させる。このとき、亀裂Ａ７０２から亀裂Ｂ７０３までの距離よりも、亀裂Ａ７０２から亀裂Ｃ７０４までの距離のほうが長くなるため、水素爆発７０１の圧力により亀裂Ｂ７０３に加わるせん断応力は、亀裂Ｃ７０４に加わるせん断応力よりも大きなものとなる。
【００５４】
ここで、亀裂Ｂ７０３に加わるせん断応力が上部層のせん断抵抗値よりも小さい場合には、図４−４に示すように上部層の膜はがれ７０５が発生する。このときさらに、亀裂Ｃ７０４に加わるせん断応力が上部層のせん断抵抗値よりも大きい場合には、図４−５に示すように亀裂Ｂ７０３からは幅の広いテーパ３０２が形成され、亀裂Ｃ７０４からは幅の狭いテーパ３０１が形成されることになる。即ち、片側のテーパの発生を抑制できる。同様のことはＰ２スクライブにおいても言える。
【００５５】
図５に示すレーザ加工装置８００は、本実施の形態におけるレーザスクライブ法を用いたレーザ加工装置８００の１例であり、レーザ源および制御系８０１から出射されたレーザビーム８０２をビーム整形光学系８０３によりビーム整形し、加工点８０４において図３−１および図３−２に示したようなレーザビーム６００となるように調整する。
【００５６】
スクライブの実施時には、Ｘステージ８０５およびＹステージ８０６をＸステージ移動方向８０７およびＹステージ移動方向８０８へと移動させることにより、基板８０９の全面にわたってスクライブ溝８１０が形成されることとなる。
【００５７】
以上説明したように、本実施の形態においては、スクライブ溝の両側面に発生するテーパのうち片面では幅の広いテーパ３０２を形成し、もう一方の面においては幅の狭いテーパ３０１を形成する。その際、Ｐ２スクライブでは透明電極層１２のスクライブ溝２０１側の面において幅の狭いテーパが形成され、裏面電極層１４のＰ３スクライブでは発電領域１０１の側の面において幅の狭いテーパ３０１が形成されるよう制御する。即ち、集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池１の製造において、接続領域において隣接して平行に形成されたそれぞれのスクライブ溝に形成される幅の広いテーパが発電領域１０１を侵食しないように互いにオーバーラップするようにスクライブする。
【００５８】
ここで、従来の技術による集積型薄膜シリコン太陽電池の製造方法について説明する。図７は、集積型薄膜シリコン太陽電池の模式的な断面図であり、透明絶縁基板１１側を下側、裏面電極層１４（１４ａ、１４ｂ、１４ｃ・・・）側を上側とする。また、この例においては、太陽光は透明絶縁基板１１側から照射される。薄膜シリコン太陽電池を１枚の基板内で直列接続するためには、まず透明絶縁基板１１上に成膜された透明電極層１２（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ・・・）を絶縁分離する溝２０１（２０１ａ、２０１ｂ、・・）を形成する。スクライブ溝２０１（２０１ａ、２０１ｂ、・・）は紙面に直交する方向に直線状に延びている。
【００５９】
次に、透明電極層１２（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ・・）上に成膜された光電変換ユニット層１３をスクライブし、裏面電極層１４と透明電極層１２（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ・・）をコンタクトさせるためのスクライブ溝２０２（２０２ａ、２０２ｂ、・・）を形成する。スクライブ溝２０２（２０２ａ、２０２ｂ、・・）も紙面に直交する方向に直線状に延びており、スクライブ溝２０１（２０１ａ、２０１ｂ、・・）と交差させないように形成する。
【００６０】
さらに、光電変換ユニット層１３（１３ａ、１３ｂ、１３ｃ・・）上に成膜された裏面電極層１４をスクライブし、各セルを絶縁分離するためのスクライブ溝２０３（２０３ａ、２０３ｂ、・・）を形成する。スクライブ溝２０３（２０３ａ、２０３ｂ、・・）は裏面電極層１４のみならず光電変換ユニット層１３も同時に除去している。スクライブ溝２０３（２０３ａ、２０３ｂ、・・）は、スクライブ溝２０１（２０１ａ、２０１ｂ、・・）に対してスクライブ溝２０２（２０２ａ、２０２ｂ、・・）をずらした方向と同じ方向にずらして形成する。スクライブ溝２０３（２０３ａ、２０３ｂ、・・）も紙面に直交する方向に直線状に延びており、スクライブ溝２０２（２０２ａ、２０２ｂ、・・）と交差させないように形成する。以上により薄膜シリコン太陽電池の１枚の基板内の直列接続は形成される。
【００６１】
このとき、スクライブ溝２０１（２０１ａ、２０１ｂ、・・）、２０３（２０３ａ、２０３ｂ、・・）に短絡が発生すると太陽電池として機能しなくなるため、薄膜太陽電池の直列接続形成において、基板に形成された透明電極層１２、光電変換ユニット層１３、裏面電極層１４などの薄膜をスクライブする技術は極めて重要である。
【００６２】
一般的に図７に示すような集積型薄膜シリコン太陽電池を製造するためのスクライブにおいては、フォトエッチングと比較して工程数を減らすことができるなどの理由から、レーザ加工が用いられている。レーザを用いた薄膜シリコン太陽電池のスクライブでは、薄膜の光吸収波長に合わせたレーザを用いて、薄膜を加熱、あるいは、薄膜に含まれる一部の成分の気化を利用して、レーザ照射部の薄膜を取り除いている（例えば、特許文献１参照。）。
【００６３】
このとき、スクライブ溝２０２（２０２ａ、２０２ｂ・・）の形成の際は、光電変換ユニット層１３側からのレーザの照射では清浄なスクライブ溝２０２（２０２ａ、２０２ｂ・・）を形成することが困難なので、透明絶縁基板１１側から（透明絶縁基板１１の主表面の反対側から）レーザを照射し、光電変換ユニット層１３にビームエネルギを吸収させ加熱することにより光電変換ユニット層１３内に含まれる水素原子の気化による爆発を利用して光電変換ユニット層１３を吹き飛ばすことによりスクライブ溝２０２（２０２ａ、２０２ｂ・・）を形成する。
【００６４】
また、スクライブ溝２０３（２０３ａ、２０３ｂ・・）の形成の際も、裏面電極層１４側からのレーザの照射では清浄なスクライブ溝２０３（２０３ａ、２０３ｂ・・）を形成することが困難であり、また裏面電極層１４が光反射性を有していることから高い照射エネルギー密度が必要となるため、透明絶縁基板１１側からレーザを照射し、光電変換ユニット層１３にビームエネルギを吸収させ光電変換ユニット層１３に含まれる水素原子の気化による爆発を利用して、光電変換ユニット層１３および光電変換ユニット層１３上に成膜された裏面電極層１４を同時に吹き飛ばすことによりスクライブ溝２０３（２０３ａ、２０３ｂ・・）を形成する。
【００６５】
このようにして作製された集積型薄膜太陽電池において、発電に寄与するのは図７に示す発電領域Ａであり、接続領域Ｂは発電には寄与しない。よって、接続領域Ｂが拡大すると受光面積あたりの発電効率が低下するため、接続領域Ｂはできる限り小さくすることが望まれていた。
【００６６】
また、図８に従来の技術による集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池の断面図を示す。タンデム型薄膜シリコン太陽電池に関しても、上述の薄膜シリコン太陽電池の集積化と同じ手順により集積化がなされる技術が開示されている（例えば、特許文献２参照。）。
【００６７】
しかしながら従来の技術によれば、図８のタンデム型薄膜シリコン太陽電池の製造においては、光電変換ユニット層１３において厚さ３００ｎｍ程度の非晶質系光電変換ユニット層２１の上部に厚さ３μm程度の結晶質系光電変換ユニット層２２が積層されているため、スクライブ溝２０２（２０２ａ、２０２ｂ・・）およびスクライブ溝２０３（２０３ａ、２０３ｂ・・）を形成する際、透明絶縁基板１１側から照射されたレーザは非晶質系光電変換ユニットで約９５％程度吸収されることとなり、結晶質系光電変換ユニットへは入射エネルギーの約５％程度しか到達しないこととなる。そのため、結晶質系光電変換ユニット層２２を吹き飛ばすほど結晶質系光電変換ユニット層２２に含まれる水素原子を加熱することができず、結晶質系光電変換ユニット層２２のスクライブは、下部層の非晶質系光電変換ユニット層２１の爆発によりなされることとなる。
【００６８】
しかしこのとき、ビーム径３０〜６０μm程度のビームを用いてレーザスクライブを行うと、結晶質系光電変換ユニット層２２は非晶質系光電変換ユニット層２１の１０倍程度の厚みを持っているため、非晶質系光電変換ユニット層２１に含まれる水素原子の爆発では結晶質系光電変換ユニット層２２を吹き飛ばすのに十分な力を加えることができず、結晶質系光電変換ユニット層２２で膜はがれが発生する。その結果、スクライブ溝２０２（２０２ａ、２０２ｂ・・）およびスクライブ溝２０３（２０３ａ、２０３ｂ・・）の側面には、図８の幅Ｄで示すように横方向の長さが１０〜２０μｍ程度のテーパが発生し、非晶質系光電変換ユニット層２１のみで構成された薄膜シリコン太陽電池のスクライブ溝幅Ｌ（図８）と比較してスクライブ溝幅が拡がることとなる。
【００６９】
しかしながら、本実施の形態においては上述したように、集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池１の製造において、ビーム強度分布６０２のピーク６０１が偏ったレーザビーム６００を用いてスクライブすることにより、接続領域において隣接して平行に形成されたそれぞれのスクライブ溝に形成される幅の広いテーパが発電領域１０１を侵食しないように互いにオーバーラップするようにスクライブする。これにより、タンデム型薄膜シリコン太陽電池の構造に起因するスクライブ溝のテーパの発生による非発電領域の拡大を防ぎ、タンデム型薄膜シリコン太陽電池の集積化にともなう受光面積あたりのエネルギー変換効率の向上を可能にする。
【００７０】
実施の形態２．
図６−１は、実施の形態２におけるレーザスクライブ法において使用したレーザビームのビーム形状の一例を示す図である。図６−２および図６−３は、図６−１に示したビーム形状の一断面のレーザビームの強度分布を、横軸を位置、縦軸を強度として示した図である。図６−２は、図６−１に示したビーム形状のＣ−Ｃ’に沿った面におけるレーザビーム６００の強度分布６０３を示した図であり、図６−３は、図６−１に示したビーム形状のＤ−Ｄ’に沿った面におけるレーザビーム６００の強度分布６０４を示した図である。
【００７１】
図６−１に示すようにビーム形状は矩形であり上下対称な形状になっている。また、図６−２に示すように、スクライブの進行方向５００に対して垂直方向断面のビーム強度分布６０３のピーク６０１はスクライブ溝の中心軸５０１に対して左右どちらかの側に偏っているが、図６−３に示すように、スクライブの進行方向５００に対して水平方向断面のビーム強度分布６０４には顕著なピークが存在せず均一となっている。
【００７２】
本実施の形態におけるその他の構成および動作に関しては、実施の形態１と同様であり、説明を省略する。
【００７３】
実施の形態２においては、スクライブの進行方向５００に対して水平方向のビーム強度分布６０４において顕著なピークが存在しないよう構成することにより、スクライブの進行方向５００が逆転したとしても、ビームのオーバーラップ率などを調整せずに、逆転する前と同様のスクライブ溝片側におけるテーパ発生抑制効果を得ることができる。従って、繰り返し周波数を変化させても片側のテーパ発生抑制効果を得ることができる。ビーム形状は上下対称の形状であれば矩形でなくてもよく、任意の形状を選択することができる。
【００７４】
上記各実施の形態においては、薄膜シリコン太陽電池のレーザスクライブを例として説明したが、これに限定されることはなく、透明基板上に積層された薄膜に透明基板を透過してレーザビームを照射して行う薄膜の分断加工全般に適用することが可能である。例えば、液晶パネルや有機ＥＬパネル、プラズマディスプレイパネル等における基板上の薄膜分断加工にも適用することが可能である。
【００７５】
更に、本願発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で種々に変形することが可能である。また、上記実施の形態には種々の段階の発明が含まれており、開示される複数の構成要件における適宜な組み合わせにより種々の発明が抽出されうる。
【００７６】
例えば、上記実施の形態１または２それぞれに示される全構成要件からいくつかの構成要件が削除されても、発明が解決しようとする課題の欄で述べた課題が解決でき、発明の効果の欄で述べられている効果が得られる場合には、この構成要件が削除された構成が発明として抽出されうる。更に、上記実施の形態１または２における構成要件を適宜組み合わせてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
以上のように、本発明にかかる集積型薄膜太陽電池とその製造方法及びそのレーザ加工方法は、透明基板上に積層された薄膜に透明基板を透過してレーザビームを照射して行う薄膜の分断加工全般に有用であり、特に、集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池のレーザスクライブに適している。
【符号の説明】
【００７８】
１  集積型タンデム型薄膜シリコン太陽電池
１１  透明絶縁基板
１２  透明電極層
１３  光電変換ユニット層
１４  裏面電極層
２１  非晶質系光電変換ユニット層
２２  結晶質系光電変換ユニット層
１０１  発電領域
２０１  （透明電極層の）第１のスクライブ溝
２０２  （光電変換ユニットの）第２のスクライブ溝
２０３  （裏面電極層の）第３のスクライブ溝
３０１  幅の狭いテーパ
３０２  幅の広いテーパ
４０１  スクライブ溝底面
５００  スクライブの進行方向
５０１  スクライブ溝の中心軸
６００  レーザビーム
６０１  ピーク
６０２  ビーム強度分布
７０１  水素爆発
７０２  亀裂Ａ
７０３  亀裂Ｂ
７０４  亀裂Ｃ
７０５  膜はがれ
８００  レーザ加工装置
８０１  レーザ源および制御系
８０２  レーザビーム
８０３  ビーム整形光学系
８０４  加工点
８０５  Ｘステージ
８０６  Ｙステージ
８０７  Ｘステージ移動方向
８０８  Ｙステージ移動方向
８０９  基板
８１０  スクライブ溝
【図１−１】
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【図１−２】
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【図２】
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【図３−１】
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【図３−２】
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【図４−１】
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【図４−２】
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【図４−３】
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【図４−４】
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【図４−５】
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【図５】
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【図６−１】
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【図６−２】
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【図６−３】
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【図７】
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【図８】
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