(57)【要約】      （修正有）【課題】配線パターンに対する電子ビーム露光のスループットを向上させること。【解決手段】ネットリストおよび所定の配線ルールにしたがって生成された第１の多層配線パターンが有する各層の層パターンを、所定のサブフィールドごとに分割するパターン分割工程と、前記所定の配線ルールにしたがって前記所定のサブフィールドに生成される第２の多層配線パターンが有する配線層のサブフィールドパターンおよび前記サブフィールドパターンに対応するパターン識別子が登録されているパターン・データベースを参照して、前記第１の多層配線パターンの前記分割された層パターンに対応する前記サブフィールドパターンの前記パターン識別子を抽出する抽出工程と、抽出された前記パターン識別子と当該抽出されたパターン識別子に対応する前記サブフィールドパターンの露光位置とを有する露光データを生成する露光データ生成工程を有すること。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の配線層を有する第１の多層配線パターンを、ネットリストおよび所定の配線ルールにしたがって生成するパターン生成工程と、
生成された前記第１の多層配線パターンが有する各層の層パターンを、所定のサブフィールドごとに分割するパターン分割工程と、
前記所定の配線ルールにしたがって前記所定のサブフィールドに生成される第２の多層配線パターンが有する配線層のサブフィールドパターンおよび前記サブフィールドパターンに対応するパターン識別子が登録されているパターン・データベースを参照して、前記第１の多層配線パターンの前記分割された層パターンに対応する前記サブフィールドパターンの前記パターン識別子を抽出する抽出工程と、
抽出された前記パターン識別子と抽出された当該パターン識別子に対応する前記サブフィールドパターンの露光位置とを有する露光データを生成する露光データ生成工程を有することを
特徴とする露光データの生成方法。
【請求項２】
請求項１に記載の露光データの生成方法において、
前記第１の多層配線パターンおよび前記第２の多層配線パターンは、更に前記複数の配線層に挟まれたビア層を有し、
前記パターン・データベースには、更に前記第２の多層配線パターンが有するビア層のサブフィールドパターンを形成する部分パターンおよび前記部分パターンに対応するパターン識別子が登録され、
前記抽出工程では、更に前記第１の多層配線パターンの前記分割された層パターンのうちのビア層のパターンに対応する部分パターンのパターン識別子を抽出し、
前記露光データ生成工程では、更に抽出された前記部分パターンのパターン識別子と抽出された前記部分パターンの露光位置とを有する露光データを生成することを、
特徴とする特徴とする露光データの生成方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の露光データの生成方法において、
前記所定の配線ルールは、第１の配線層、第２の配線層、および第１の配線層と第２の配線層の間のビア層を有する多層配線パターンを生成するルールであって、
前記所定の配線ルールにしたがって生成される多層配線パターンは、
前記第１の配線層において、第１の方向に延在する第１のトラックに第１のストライプパターンを配置して、前記第１の配線層の層パターンを生成し、
前記第２の配線層において、前記第１の方向に交差する第２の方向に延在する第２のトラックに第２のストライプパターンを配置して、前記第２の配線層の層パターンを生成し、
前記ビア層において、前記第１のトラックと前記第２のトラックが立体的に交差する格子点にビアパターンを配置して、前記第１のストライプパターンと前記第２のストライプパターンを接続することで生成されること
特徴とする露光データの生成方法。
【請求項４】
複数の配線層を有する第１の多層配線パターンを、ネットリストおよび所定の配線ルールにしたがって生成するパターン生成工程と、
生成された前記第１の多層配線パターンが有する各層の層パターンを、所定のサブフィールドごとに分割するパターン分割工程と、
前記所定の配線ルールにしたがって前記所定のサブフィールドに生成される第２の多層配線パターンが有する各層のサブフィールドパターンを形成する部分パターンおよび前記部分パターンに対応するパターン識別子が登録されているパターン・データベースを参照して、前記第１の多層配線パターンの前記分割された層パターンに対応する部分パターンの前記パターン識別子を抽出する抽出工程と、
抽出された前記パターン識別子と抽出された当該パターン識別子に対応する部分パターンの露光位置とを有する露光データを生成する露光データ生成工程を有することを
特徴とする露光データの生成方法。
【請求項５】
請求項４に記載の露光データの生成方法において、
前記所定の配線ルールは、第１の配線層、第２の配線層、および第１の配線層と第２の配線層の間のビア層を有する多層配線パターンに含まれる各層の層パターンを生成するルールであって、
前記所定の配線ルールにしたがって生成される多層配線パターンは、
前記第１の配線層において、第１の方向に延在する第１のトラック上に第１のストライプパターンを配置して、前記第１の配線層の層パターンを生成し、
前記第２の配線層において、前記第１の方向に交差する第２の方向に延在する第２のトラック上に第２のストライプパターンを配置して、前記第２の配線層の層パターンを生成し、
前記ビア層において、前記第１のトラックと前記第２のトラックが立体的に交差する格子点にビアパターンを配置して、前記第１のストライプパターンと前記第２のストライプパターンを接続することで生成されること
特徴とする露光データの生成方法。
【請求項６】
請求項５に記載の露光データの生成方法において、
前記所定の配線ルールにしたがって生成される多層配線パターンは、
更に、前記第１の配線層が有する前記格子点のうち前記配置された第１のストライプパターンに含まらない格子点に、ダミーパターンを配置し、
前記第２の配線層が有する前記格子点のうち前記配置された第２のストライプパターンに含まらない格子点に、ダミーパターンを配置することで生成されること
特徴とする露光データの生成方法。
【請求項７】
請求項５または６に記載の露光データの生成方法において、
前記所定の配線ルールにしたがって生成される多層配線パターンは、
更に、前記ビア層において、前記ビアパターンに隣接する格子点に補助ビアパターンを配置し、
前記ビアパターンにより接続される前記第１のストライプパターンおよび前記第２のストライプパターンのうちの前記補助ビアパターンに接続されないストライプパターンと当該補助ビアが配置される格子点の間の領域および当該補助ビアが配置される格子点を有する領域に第３のストライプパターンを配置することで生成されること
特徴とする露光データの生成方法。
【請求項８】
請求項７に記載の露光データの生成方法において、
前記所定の配線ルールにしたがって生成される多層配線パターンは、
前記補助ビアパターンが配置される格子点を、前記第１のトラックのうちの一部のトラックに含まれる格子点に制限し、
或いは、前記補助ビアパターンが配置される格子点を、前記第２のトラックのうちの一部のトラックに含まれる格子点に制限することで生成されること
特徴とする露光データの生成方法。
【請求項９】
請求項５乃至８に記載の露光データの生成方法において、
前記第１の配線層の前記サブフィールドパターンを形成する部分パターンは、前記格子点に配置された第１の孤立パターンを有する第１のベースパターン、および第１の孤立パターンの間または前記第１のベースパターンの外周と前記第１の孤立パターンの間に配置される連結パターンを有する第１の配線形成パターンであり、
前記第２の配線層の前記サブフィールドパターンを形成する部分パターンは、前記第１のベースパターン、および前記第１の孤立パターンの間または前記外周と前記第１の孤立パターンの間に配置される連結パターンを有する第２の配線形成パターンであり、
前記第１の配線形成パターンおよび前記第２の配線形成パターンは、前記サブフィールドより狭いことを
特徴とする露光データの生成方法。
【請求項１０】
請求項５乃至８に記載の露光データの生成方法において、
前記第１の配線層の前記サブフィールドパターンを形成する部分パターンは、前記第１の方向に延在し前記格子点を両端に含む第４のストライプパターンおよび前記第４のストライプパターンの延長線上で第４のストライプパターンに隣接する前記格子点に配置される第２の孤立パターンを有するパターン対が前記第１の方向および前記第２の方向に周期的に配置された第２のベースパターン、および前記第４のストライプパターンと前記第２の孤立パターンの間または前記第２のベースパターンの外周と前記パターン対の間に配置される連結パターンを有する第３の配線形成パターンであり、
前記第２の配線層の前記サブフィールドパターンを形成する部分パターンは、前記格子点それぞれに配置された第３の孤立パターンを有する第３のベースパターン、および第３の孤立パターンの間または前記第３のベースパターンの外周と前記第３の孤立パターンの間に配置される連結パターンを有する第４の配線形成パターンであり、
前記第３の配線形成パターンおよび前記第４の配線形成パターンは、前記サブフィールドより狭いことを
特徴とする露光データの生成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光データの生成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体集積回路（Integrated Circuit; 以下、ICと呼ぶ）の製造過程では、半導体基板上のレジスト膜を露光して、レジスト膜に所望のパターンを形成する。
【０００３】
このような露光プロセスの一方法として、電子ビームによって所望のパターンをレジスト膜に描画する電子ビーム露光法がある。電子ビーム露光法としては、可変矩形ビームでパターンを１つ１つ塗りつぶしていく可変矩形描画(Variable Shaped Beam; VSB)法がよく知られている。しかし、ＶＳＢ法には、露光回数が多いため、スループットが低いという問題点がある。
【０００４】
そこで、このような問題を解決するために、キャラクタープロジェクション（Character Projection；以下、CPと呼ぶ）法が開発された。ＣＰ法では、描画パターンに対応する開口部を有するブロックマスクが用いられる。このブロックマスクに電子ビームが照射されると、開口部を透過した電子ビームによりレジスト膜が露光され、描画パターンが転写される。ＣＰ法により、電子ビーム露光法のスループットは向上した。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１２９２６５号公報
【特許文献２】特許第３８８６６９９５号公報
【特許文献１】特開２００３−１７３８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ブロックマスクに設けられる開口部の形状（以下、ブロックパターン）としては、ＩＣのレイアウトパターンに頻出するパターンが選択される。
【０００７】
ＩＣのレイアウトパターンは、ゲート回路（以下、ゲートと呼ぶ）やメモリセルのパターンとこれらのパターンを接続する配線のパターンを有している。
【０００８】
ゲートやメモリセルのパターンは、同一形状のパターンを多数含んでいる。このためゲートパターンやメモリセルパターンの露光には、ＣＰ法が適している。
【０００９】
しかし、配線パターンの形状は多様であり、ＩＣの配線パターンから適切なブロックパターンを抽出することは容易ではない。そこで配線パターンの露光には、ＶＳＢ法が用いられている。このため、電子ビーム露光法には、ＩＣのレイアウトパターン全体に対するスループットが十分に高くはないという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の問題を解決するために、本方法の一観点によれば、パターン生成工程と、パターン分割工程と、抽出工程と、および露光データ生成工程を有する露光データの生成方法が提供される。
【００１１】
ここで、パターン生成工程は、複数の配線層を有する第１の多層配線パターンを、ネットリストおよび所定の配線ルールにしたがって生成する工程である。パターン分割工程は、生成された前記第１の多層配線パターンが有する各層の層パターンを、所定のサブフィールドごとに分割する工程である。抽出工程は、前記所定の配線ルールにしたがって前記所定のサブフィールドに生成される第２の多層配線パターンが有する配線層のサブフィールドパターンおよび前記サブフィールドパターンに対応する前記パターン識別子が登録されているパターン・データベースを参照して、前記第１の多層配線パターンの前記分割された層パターンに対応する前記サブフィールドパターンのパターン識別子を抽出する工程である。露光データ生成工程は、抽出された前記パターン識別子と抽出された当該パターン識別子に対応する前記サブフィールドパターンの露光位置とを有する露光データを生成する露光データ生成工程である。
【発明の効果】
【００１２】
本実施の形態によれば、配線パターンに対する電子ビーム露光のスループットが向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施の形態１で生成する露光データを用いて、レジスト膜に配線パターンを描画する電子ビーム露光装置の構成図である。
【図２】ブロックマスクの平面図である
【図３】ブロックエリアの平面図である。
【図４】実施の形態１の露光データの生成方法を実行する露光データ生成装置の構成図である。
【図５】実施の形態1の露光パターン生成方法のフローチャートである。
【図６】配置配線工程で生成される多層配線パターンの一例である。
【図７】第１の配線層の一例を示す平面図である。
【図８】第２の配線層の一例を示す平面図である。
【図９】ビア層の一例を示す平面図である。
【図１０】標準配線ルールにしたがって生成される第１の配線層の一例である。
【図１１】標準配線ルールにしたがって生成される第２の配線層の一例である。
【図１２】標準配線ルールにしたがって生成されるビア層の一例である。
【図１３】露光データの生成工程のフローチャートである。
【図１４】実施の形態１のパターン・データベースの一例である。
【図１５】実施の形態１のパターン・データベースの一例である。
【図１６】実施の形態１のパターン・データベースの一例である。
【図１７】実施の形態１の露光データの一例である。
【図１８】第１の配線層に対応するブロックエリアの部分拡大図である。
【図１９】第１の配線層のレイアウトパターンが転写されたレジスト膜の平面図である。
【図２０】ビア層の層パターンが転写されたレジスト膜である。
【図２１】実施の形態２のパターン・データベースの一例である。
【図２２】第１のベースパターンと第１の配線形成パターンから、第１の配線層に対応するサブフィールドパターンを形成するルールを説明する図である。
【図２３】図２１の部分パターンに対応するブロックを有するブロックマスクの部分拡大図である。
【図２４】サブフィールドパターンがレジスト膜に転写される過程を説明する図である。
【図２５】第２の配線層の部分パターンを説明する図である。
【図２６Ａ】第１のストライプパターンと第２のストライプパターンが一つのビアパターンで接続された状態の第１の配線層の一例である。
【図２６Ｂ】第１のストライプパターンと第２のストライプパターンが一つのビアパターンで接続された状態の第２の配線層の一例である。
【図２６Ｃ】第１のストライプパターンと第２のストライプパターンが一つのビアパターンで接続された状態のビア層の一例である。
【図２７】実施の形態３の配線ルールの説明図である。
【図２８】実施の形態３の配線ルールの説明図である。
【図２９Ａ】実施の形態３の第１の配線層のサブフィールドパターンを形成する部分パターンの説明図である。
【図２９Ｂ】実施の形態３の第１の配線層のサブフィールドパターンを形成する部分パターンの説明図である。
【図２９Ｃ】実施の形態３の第１の配線層のサブフィールドパターンを形成する部分パターンの説明図である。
【図２９Ｄ】実施の形態３の第１の配線層のサブフィールドパターンを形成する部分パターンの説明図である。
【図３０】実施の形態３の第２の配線層のサブフィールドパターンを形成する部分パターンの説明図である。
【図３１】実施の形態３のビア層のサブフィールドパターンを形成する部分パターンの一例である。
【図３２】ベースパターンの変形例を示す図である。
【図３３】第２のベースパターンに対応する第３の配線形成パターンを説明する図である。
【図３４】ライン＆スペース・パターンの一例である。
【図３５】ライン＆スペース・パターンの変形例である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面にしたがって本発明の実施の形態について説明する。但し、本発明の技術的範囲はこれらの実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。尚、図面が異なっても対応する部分には同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００１５】
（実施の形態１）
図１は、本実施の形態で生成する露光データを用いて、レジスト膜に多層配線パターンを描画する電子ビーム露光装置２の構成図である。尚、露光パターンとは、電子ビームによりレジスト膜１４に描画されるパターンのことである。
【００１６】
図１に示すように、電子ビーム露光装置２は、電子銃４、コリメート磁気レンズ６ａ、第１のアパーチャ８ａ、第１の偏向器１０ａ、第２のアパーチャ８ｂ、および第２の偏向器１０ｂを有している。第１のアパーチャ８ａおよび第２のアパーチャ８ｂの開口部の形状は、矩形である。
【００１７】
更に、電子ビーム露光装置２は、ブロックマスク１２、フォーカシング磁気レンズ６ｂ、第３の偏向器１０ｃ、および可動ステージ１８を有している。可動ステージ１８には、レジスト膜１４が形成された半導体基板１６が載置される。
【００１８】
電子銃４から放射された電子ビーム２０は、コリメート磁気レンズ６ａにより平行ビームに変換される。電子ビーム２０は、第１のアパーチャ８ａ、第１の偏向器１０ａ、および第２のアパーチャ８ｂにより、ブロックパターンと同程度のサイズを有する矩形ビームに成形される。
【００１９】
その後、電子ビーム２０は、第２の偏向器１０ｂにより、ブロックマスク１２に設けられた所定のブロック（ブロックパターンに対応する開口部を有する領域）に照射される。ブロックマスク１２を透過した電子ビーム２０はフォーカシング磁気レンズ６ｂと第３の偏向器１０ｃにより、レジスト膜１４の所定の領域に結像される。その結果、ブロックパターンがレジスト膜１４に結像される。このような露光プロセスは、ＩＣのレイアウトパターンに含まれる全てのパターンがレジスト膜１４に転写されるまで繰り返される。
【００２０】
電子ビーム露光装置２は、後述する露光データに基づいて、露光制御装置（図示せず）により制御される。尚、露光データは、露光制御装置が有する記録媒体に記録される。
【００２１】
レジスト膜１４は、例えばポジ型レジストで形成されている。従って、ブロックパターンに対応する開口部を有するレジスト膜が形成される。実施の形態２および３においても、同様である。
【００２２】
このようなレジスト膜は、ダマシン法による多層配線パターンの形成に適している。尚、レジスト膜１４は、ネガ型レジストで形成されてもよい。ネガ型レジスト膜は、非ダマシン法による多層配線パターンの形成に適している。
【００２３】
図２は、ブロックマスク１２の平面図である。ブロックマスク１２の平面形状は、例えば１辺が５ｃｍ程度の正方形である。図２に示すように、ブロックマスク１２には、複数のブロックエリア２２が設けられている。図３は、ブロックエリア２２の平面図である。
【００２４】
ブロックエリア２２は、例えば対角線が４.４ｍｍ程度の矩形領域である。ブロックエリア２２の中心部には、図３に示すように、複数のブロック２４が設けられている。ブロック２４は、例えば一辺が１.５μｍ×１.５μｍ程度（或いは、１．２８μｍ×４０ｎｍ程度）の矩形領域である。ブロック２４には、露光パターンに対応する開口部が設けられている。
【００２５】
各ブロックエリア２２には、ＩＣのレイアウトパターンが有する層（例えば、ゲート層、配線層、ビア層）ごとに、それぞれの層の描画に用いられるブロックが設けられている。各ブロックエリア２２には、例えば４０００個程度のブロック２４が設けられている。ブロックエリア２２の四隅には、ＶＳＢ法に用いられる矩形スリット２６が設けられている。
【００２６】
図４は、本実施の形態の露光データの生成方法を実行するコンピュータ２８の構成図である。図４に示すように、コンピュータ２８は、ＣＰＵ（Central Processing Unit）２８ａ、ＲＯＭ（Read Only Memory）２８ｂ、ＲＡＭ（Random Access Memory）２８ｃを有している。更に、コンピュータ２８は、第１のＨＤＤ（Hard Disk Drive）２８ｄ、第２のＨＤＤ２８ｅ、ＧＢ（Graphics Board）２８ｆ、Ｉ／Ｆ（Interface）２８ｇ、バス２８ｈ、表示装置２８ｉ、および入力装置２８ｊを有している。
【００２７】
ＣＰＵ２８ａは、コンピュータ２８の各ハードウェアを制御するプロセッサである。ＣＰＵ２８は、第１のハードディスク２８ｄに記録されたプログラムをＲＡＭ２８ｃにロードし、ロードされたプログラムを実行する。第１のハードディスク２８ｄには、本実施の形態の露光データ生成方法をコンピュータ２８に実行させる露光データ生成プログラム３０等が記録されている。ＣＰＵ２８ａがこの露光データ生成プログラム３０を実行することで、コンピュータ２８は露光データ生成装置になる。
【００２８】
ＲＯＭ２８ｂには、ＣＰＵ２８ａが実行する基本的なプログラム等が記録されている。ＲＡＭ２８ｃには、プログラム以外にも、ＣＰＵ２８ａが各種演算処理を実行する際に、演算途中のデータが一時的に記録される。
【００２９】
第２のハードディスク２８ｅには、後述するパターン・データベース３２とスタンダードセル・ライブラリ３４が記録されている。スタンダードセル・ライブラリ３４には、スタンダードセル（標準的な機能ブロック、以下セルと呼ぶ）の機能やスタンダードセルのセルパターンが記録されている。
【００３０】
ＧＢ２８ｆは、ＣＰＵ２８ａから受け取った描画命令に従って描画処理を実行し、得られた画像データを映像信号に変換して表示装置２８ｊに供給する。Ｉ／Ｆ２８ｇは、入力装置２８ｉに入力されたデータの表現形式を変更してＣＰＵ２８ａ等に送出する。
【００３１】
バス２８ｈには、ＣＰＵ２８ａ、ＲＯＭ２８ｂ、ＲＡＭ２８ｃ、第１のＨＤＤ２８ｄ、第２のＨＤＤ２８ｅ、ＧＢ２８ｆ、およびＩ／Ｆ２８ｇが接続されている。これらハードウエアの間のデータの受け渡しは、バス２８ｈを介して行われる。
【００３２】
表示装置２８ｊは、例えばＬＣＤ（Liquid Crystal Display）モニタであり、ＧＢ２８ｆが供給する映像信号を表示する。入力装置２８ｉは、例えばキーボードやマウスを有しており、ユーザの操作に応じてデータを生成して、Ｉ／Ｆ（Interface）２８ｇに供給する。
【００３３】
図５は、本実施の形態の露光パターン生成方法のフローチャートである。本実施の形態の露光パターン生成方法は、図５に示すように、論理設計工程（Ｓ２）、論理合成工程（Ｓ４）、配置配線工程（Ｓ６）、パターンデータ生成工程（Ｓ８）、および露光データ生成工程（Ｓ１０）を有している。
【００３４】
―論理設計（Ｓ２）および論理合成（Ｓ４）―
コンピュータ２８は、まずＩＣの仕様を論理式で記述する（Ｓ２）。
【００３５】
次に、コンピュータ２８は、生成した論理式をネットリストに変換する（Ｓ４）。ネットリストは、セルとセルの接続関係を示すデータである。本工程では、スタンダードセル・ライブラリ３４に登録されているセルを用いて、ネットリストが生成される。
【００３６】
スタンダードセル・ライブラリ３４は、論理合成（Ｓ２）のための情報、後述する配置配線（Ｓ４）すなわち回路配線のための情報、およびブロック情報を有している。論理合成のための情報は、例えばスタンダードセルの大きさ、機能、性能などである。配置配線のための情報は、例えばセルの具体的な形（セルパターン）、配線が接続される入端子や出力端子の位置、セルパターンのパターン識別子などである。ブロック情報は、例えば各セルパターンに対応するブロックの位置（ブロックマスク上の位置）を示す情報である。
【００３７】
―配置配線（Ｓ６）―
コンピュータ２８は、論理合成工程（Ｓ４）で生成したネットリストにしたがって、ＩＣのレイアウトパターンを生成する（Ｓ６）。このレイアウトパターンには、所定の配線ルールにしたがって生成される第１の多層配線パターンが含まれている。多層配線パターンは、複数の層を有するパターンである。
【００３８】
また、このレイアウトパターンには、ゲート層のパターンが含まれている。ゲート層には、ネットリストが有するセルのパターン（セルパターン）が配置される。このセルパターンは、スタンダードセル・ライブラリ３４から抽出されるパターンである。
【００３９】
（i）多層配線パターン
図６は、本工程で生成される第１の多層配線パターン３６の一例である。第１の多層配線パターン３６は、第１の配線層、第２の配線層、および第１の配線層と第２の配線層の間のビア層を有している。図６には、これらの層が積層された状態で示されている。図７は、第１の配線層３８の一例を示す平面図である。図８は、第２の配線層４０の一例を示す平面図である。図９は、ビア層４２の一例を示す平面図である。
【００４０】
第１の配線層３８は、層間絶縁膜の一面に接する配線のパターン４６ａを有している。第２の配線層４０は、層間絶縁膜の他面に接する配線のパターン４６ｂを有している。ビア層４２は、層間絶縁膜に形成される孔（ビア）のパターン（ビアパターン４８）を有している。ビアは、層間絶縁膜の一面に設けられる配線と他面に設けられる配線を接続する導電材が充填される孔である。
【００４１】
第１の配線層３８は、図７に示された領域の外側に、セルパターンの一部（例えば、セルの入力端子や出力端子）を含む領域を有していてもよい。第２の配線層４０およびビア層４２についても、同様である。
【００４２】
尚、図６乃至９には、各層のパターンと共に、第１のトラック５０ａおよび第２のトラック５０ｂのいずれか一方または双方が示されている。トラックは、配線パターン４６ａ,４６ｂが配置される帯状の領域である。
【００４３】
（ii）配線ルール
本実施の形態の配線ルールは、第１の配線層３８、第２の配線層４０、および第１の配線層と第２の配線層の間のビア層４２を有する第１の多層配線パターン３６が有する各層のパターン（以下、層パターンと呼ぶ）を生成するルールである。層パターンは、多層配線パターンの１層分のパターンである。
【００４４】
この所定の配線ルールに従って、コンピュータ２８は、図７に示すように、第１の配線層３８において、第１の方向５６に延在する第１のトラック５０ａに第１のストライプパターン５２ａを配置して、第１の配線層３８の層パターン５４ａを生成する。第１のストライプパターン５２ａは第１のトラック５０ａに配置されて、第１の配線パターン４６ａになる。
【００４５】
セルパターンの一部等が第１の配線層３８に含まれる場合には、コンピュータ２８は、更に第１の配線層３８の層パターン５４ａにこれらのパターンを配置する。第２の配線層４０およびビア層４２についても、同様である。
【００４６】
図７には、後述する第２のトラック５０ｂの輪郭５８も示されている。第１の配線層３８の層パターン５４ａには、第１のトラック５０ａおよび第２のトラック５０ｂの輪郭５８は含まれない。同様に、他の図面中のトラックおよびトラックの輪郭も、それぞれの図面に示された層パターンに含まれない。
【００４７】
また、コンピュータ２８は、図８に示すように、上記配線ルールに従って、第２の配線層４０において、第２の方向５８に延在する第２のトラック５０ｂに第２のストライプパターン５２ｂを配置して、第２の配線層４０の層パターン５４ｂを生成する。第２のストライプパターン５２ｂは第２のトラック５０ｂに配置されて、第２の配線パターン４６ｂになる。ここで、第２の方向５８は、第１の方向５６に交差（好ましくは、直交）する方向である。
【００４８】
更に、コンピュータ２８は、図９に示すように、上記配線ルールにしたがって、ビア層４２において、格子点６２にビアパターン４８を配置して、第１のストライプパターン５２ａと第２のストライプパターン５２ｂを接続する。
【００４９】
ここで、格子点６２は、第１のトラック５０ａと第２のトラック５０ｂが立体的に交差する領域である。
【００５０】
いま、図７の第１の配線層３８の上から１番目ストライプパターン５２ａの左端ＬＥ１に、第１のセルの出力端子（図示せず）が接続されているとする。２番目ストライプパターン５２ａの左端ＬＥ２に、第２のセルの出力端子（図示せず）が接続されているとする。
【００５１】
一方、３番目ストライプパターン５２ａの右端ＲＥ１には、第３のセルの入力端子（図示せず）が接続されているとする。４番目ストライプパターン５２ａの右端ＲＥ２には、第４のセルの入力端子（図示せず）が接続されているとする。
【００５２】
図６乃至８に示すように、第１の配線層３８のストライプパターン５２ａは、第２の配線層４０のストライプパターン５２ｂおよびビアパターン４８を介して、第１の配線層３８の他のストライプパターン５２ａに立体的に接続される。従って、上記所定の配線ルールに従えば、第１のセルの出力端子（左端ＬＥ１）は、第３のセルの入力端子（右端ＲＥ１）および第４のセルの入力端子（右端ＲＥ２）のいずれにも接続することができる。同様に、上記所定の配線ルールに従えば、第２のセルの出力端子（左端ＬＥ２）は、第３のセルの入力端子（右端ＲＥ１）および第４のセルの入力端子（右端ＲＥ２）のいずれにも接続することができる。すなわち、上記配線ルールに従えば、所望の接続関係を実現できる。
【００５３】
本実施の形態の配線ルールは、更に格子点６２にダミーパターンを配置する工程を有していてもよい。ダミーパターンとは、ダマシン法におけるCMP（Chemical Mechanical Polishing）が均一に行われるように、層間絶縁膜に設けられる孤立パッドのパターンのことである。この孤立パッドは、層間絶縁膜に設けられる配線と共に形成される。
【００５４】
図１０は、ダミーパターンを配置するように定められた配線ルール（以下、標準配線ルールと呼ぶ）にしたがって生成される第１の配線層３８ａの一例である。図１１は、この標準配線ルールにしたがって生成される第２の配線層４０ａの一例である。図１２は、標準配線ルールにしたがって生成されるビア層４２ａの一例である。尚、図１０乃至１２には、後述する分割工程の説明に用いる分割ライン６４も示されている。
【００５５】
標準配線ルールにしたがって多層配線パターンを生成する場合、コンピュータ２８は、図１０に示すように、第１の配線層３８ａが有する格子点６２のうち（配置された）第１のストライプパターン５２ａに含まらない格子点に、ダミーパターン６６を配置する。
【００５６】
また、コンピュータ２８は、図１１に示すように、第２の配線層４０ａが有する格子点６２のうち（配置された）第２のストライプパターン５２ｂに含まらない格子点に、ダミーパターン６６を配置する。以下の説明は、ダミーパターンを有する図１０乃至１２の層パターンについて行われる。
【００５７】
―パターンデータの生成工程（Ｓ８）―
次に、コンピュータ２８は、配置配線工程で生成したレイアウトパターンを、ＧＤＳ(Graphic Data System)形式のパターンデータに変換する。
【００５８】
―露光データの生成工程（Ｓ１０）―
図１３は、露光データの生成工程のフローチャートである。
【００５９】
（i）サブフィールド分割工程（Ｓ２０）
コンピュータ２８は、図１０乃至１２に示すように、配置配線工程（Ｓ６）で生成される第１の多層配線パターン３６が有する各層３８ａ,４０ａ,４２ａの層パターン５４Ａ,５４Ｂ,５4Ｃを、分割ライン６４に沿って所定のサブフィールド６８ごとに分割する（Ｓ２０）。すなわち、層パターン５４Ａ,５４Ｂ,５4Ｃが設けられている領域を、所定のサブフィールド６８ごとに分割する。
【００６０】
サブフィールド６８は、例えば図１２に示すように、第１の方向５６の反対方向に位置する辺が第２のトラック５０ｂに接し、第２の方向５８に位置する辺が第１のトラック５０ａに接する領域である。
【００６１】
また、サブフィールド６８は、所定のサイズを有する領域である。所定のサイズとは、例えば第１の方向５６におけるサイズが第２のトラック５０ｂの周期の第１の整数倍（例えば、２倍）であり、第２の方向５８におけるサイズが第１のトラック５０ａの周期の第２の整数倍（例えば、２倍）であることである。
【００６２】
（ii）パターン識別子の抽出工程（Ｓ２２）
その後、コンピュータ２８は、分割された層パターン５４Ａ（第１の配線層３８ａの分割パターン）に対応するサブフィールドパターンのパターン識別子を、パターン・データベース３２を参照して抽出する。サブフィールドパターンは、サブフィールドに分割された領域が有するパターンである。
【００６３】
ここで、サブフィールドパターンは、パターン・データベース３２に登録（記録）された図形データである。また、サブフィールドパターンは、パターン識別子に対応付けられた登録パターンである。パターン・データベース３２の登録パターンについては、後述する。
【００６４】
同様に、コンピュータ２８は、分割された層パターン５４Ｂ（第２の配線層４０ａの分割パターン）に対応するサブフィールドパターンのパターン識別子を、パターン・データベース３２を参照して抽出する。
【００６５】
この時、コンピュータ２８は、分割された層パターン５４Ｂをキーとしてパターン・データベース３２を検索し、分割された層パターン５４Ｂにマッチ（或いは、一致）するサブフィールドパターンを検出する。そして、コンピュータ２８は、検出したサブフィールドパターンに対応付けられているパターン識別子を抽出する。
【００６６】
更に、コンピュータ２８は、分割された層パターンのうちのビア層４２ａの層パターン５４Ｃを生成する部分パターンに対応するパターン識別子を、パターン・データベース３２を参照して抽出する。
【００６７】
図１４乃至１６は、パターン・データベース３２の一例である。図１４には、パターン・データベース３２のうち第１の配線層３８に対応する部分が示されている。図１５には、パターン・データベース３２のうち第２の配線層４０に対応する部分が示されている。図１６には、パターン・データベース３２のうちビア層４２に対応する部分が示されている。
【００６８】
図１４に示すように、パターン・データベース３２の第１の配線層に対応する部分には、サブフィールドパターン７０ａおよびサブフィールドパターン７０ａに対応するパターン識別子７２ａが登録されている。サブフィールドパターン７０ａは、上述した配線ルールにしたがってサブフィールド６８に各層のパターンが生成される第２の多層配線パターンが有する第１の配線層の層パターンである。パターン・データベース３２には、このサブフィールドパターン７０ａのバリエーション（すなわち、複数の互いに異なるサブフィールドパターン７０ａ）が登録されている。
【００６９】
同様に、第２の配線層に対応する部分（図１５参照）には、サブフィールドパターン７０ｂおよびサブフィールドパターン７０ｂに対応するパターン識別子７２ｂが登録されている。サブフィールドパターン７０ｂは、上記第２の多層配線パターンが有する第２の配線層の層パターンである。パターン・データベース３２には、このサブフィールドパターン７０ｂのバリエーションが登録されている。
【００７０】
一方、ビア層に対応する部分（図１６参照）には、上記第２の多層配線パターンが有するビア層のサブフィールドパターンを形成する部分パターン７４およびそのパターン識別子７２ｃが登録されている。パターン・データベース３２には、この部分パターン７４のバリエーションが登録されている。尚、パターン・データベース３２にと登録されたパターン（サブフィールパターンおよび部分パターン）は、そのパターン識別子と対応付けられている。
【００７１】
図１４に示すサブフィールドパターン７０ａは、第１の方向および第２の方向にそれぞれ、トラック２周期分の幅を有する領域である。このような領域に形成可能なサブフィールドパターン７０ａの数は、１６通り（＝２４、２の指数４はサブフィールドに含まれる格子点の数）しか存在しない。第２の配線層のサブフィールドパターン７０ｂについても、同様である。
【００７２】
電子ビーム露光装置２に装着可能なブロックマスク１２の面積は、限られている。しかし、ブロックマスク１２に、このような少数のパターンに対応するブロックを設けることは容易である。
【００７３】
ビア層のサブフィールドパターンも、１６通りしか存在しない。しかも、これら層パターンは、僅か３通り（＝２２-1、２の指数は一つのトラックに含まれる格子点の数）の部分パターン７４で形成される。このような少数のパターンに対応するブロックを、ブロックマスク１２に設けることは更に容易である。
【００７４】
サブフィールドパターンのバリエーション数は、サブフィールド６８のサイズに依存している。上述したように、第１の方向５６におけるサブフィールドのサイズは、第２のトラック５０ｂの周期の第１の整数倍（例えば、２倍）である。また、第２の方向５８におけるサブフィールドのサイズは、第１のトラック５０ａの周期の第２の整数倍（例えば、２倍）である。
【００７５】
この第１の整数および第２の整数は、２以上４以下が好ましい。１倍では露光回数が多くなり、スループットが向上しない。一方、第１の整数および第２の整数が、４倍より多いと、サブフィールドパターンに対応する全てのブロックをブロックエリア２４に設けることが困難になる。因みに、第１の整数および第２の整数が、それぞれ３および４の場合、サブフィールドパターンのバリエーションは４０９６通り（＝２３×４）である。
【００７６】
尚、パターン・データベースは、ブロック情報を有していてもよい。このブロック情報は、サブフィールドパターンおよび部分パターンに対応するブロックの位置（ブロックマスク上の位置）を示す情報である。
【００７７】
（iii）露光データの形成工程（Ｓ２４）
最後に、コンピュータ２８は露光データを形成する。図１７は、本工程で形成する露光データ７５の一例である。
【００７８】
図１７に示すように、露光データ７５は、パターン識別子の抽出工程Ｓ２２で抽出されるパターン識別子７２と、抽出されたパターン識別子７２に対応するサブフィールドパターンの露光位置７６とを有している。露光位置７６は、パターン識別子７２に対応付けられている。
【００７９】
露光位置７６は、例えば、半導体基板１６上に転写されたブロックパターンの頂点座標である。この座標は、パターンデータの生成工程（Ｓ８）で生成されるＧＤＳデータに基づいて導出される。
【００８０】
また、露光データ７５は、ゲート層等に配置されたセルパターンのパターン識別子７２ａおよびその露光位置７６ａを有している。このパターン識別子７２ａは、スタンダードセル・ライブラリに記録された識別子である。
【００８１】
コンピュータ２８は、パターン・データベース３２およびスタンダードセル・ライブラリ４２のいずれにも登録されていないパターンをVSB法で生成する。露光データ７５は、このVSB法で生成されるパターンの露光データ（図示せず）も有している。
【００８２】
ところで、サブフィールドパターンに対応するブロック２２は、層別にブロックエリア２４に設けられている（図２および３参照）。部分パターンに対応するブロック２２についても、同様である。
【００８３】
図１８は、第１の配線層に対応するブロックエリア２２の部分拡大図である。各ブロック２４にはサブフィールドパターン７０ａ,７０ｂまたは部分パターン７４に対応する開口部７８が設けられている。尚、図１８には、第１の配線層に対応するブロックが示されている。また、ブロックエリア２２には、スタンダードセル・ライブラリ３４のセルパターンに対応するブロック（図示せず）も設けられている。
【００８４】
電子ビーム露光装置２の露光制御装置は、パターン・データベース３２に登録された登録パターンに対応するブロックの位置（ブロックマスク上の位置）およびこの登録パターンのパターン識別子を有するブロック位置データベースを有している。
【００８５】
電子ビーム露光装置２の露光制御装置は、露光データ７５が有するパターン識別子７２,７２ａをキーとしてブロック位置データベースを検索し、パターン識別子７２,７２ａに対応するブロックの位置を検出する。
【００８６】
電子ビーム露光装置２は、検出したブロックの位置および露光データ７５が有する露光位置７６,７６ａに基づいて、配置配線工程（Ｓ６）で生成したＩＣのレイアウトパターンを層ごとにレジスト膜１４に転写する。
【００８７】
図１９は、第１の配線層３８ａの層パターン５４Ａ（図１０参照）が転写されたレジスト膜１４ａの平面図である。図２０は、ビア層４２の層パターン（図１２参照）が転写されたレジスト膜１４ｂの平面図である。図１９および２０のレジスト膜は、ポジ型のレジストである。従って、レジスト膜１４ａ,１４ｂには、それぞれの層の層パターンに対応する開口部７８ａが形成される。
【００８８】
以上のように、本実施の形態によれば、ブロックマスクを用いて所望の配線パターンを形成することができる。従って、配線パターンに対する電子ビーム露光のスループットが向上する。
【００８９】
以上の例では、パターン・データベース３２に、ビア層の部分パターンが登録されている。しかし、パターン・データベース３２には、ビア層のサブフィールドパターンが登録されてもよい。
【００９０】
この場合コンピュータ２８は、パターン識別子抽出工程（Ｓ２２）において、分割されたビア層パターンに対応するパターン識別子を抽出する。そして、コンピュータ２８は、露光データ形成工程（Ｓ２４）で、抽出したビア層のパターン識別子とその露光位置を有する露光データを形成する。
【００９１】
図１２に示すようにサブフィール６８に含まれるビアパターンの数は、多くない。従って、ビア層の層パターンは、ＶＳＢ法で形成されてもよい。
【００９２】
（実施の形態２）
サブフィールド６８のサイズが大きくなると一回の露光で描画される面積が広くなるので、レイアウトパターンをレジスト膜に転写するための露光回数が少なくなる。その結果、電子ビーム露光のスループットが向上する。
【００９３】
一方、サブフィールド６８のサイズが大きくなると、サブフィールドパターンの数が増加する。その結果、全てのサブフィールドパターンに対応するブロックを、一つのブロックマスクに設けることが困難になる。
【００９４】
そこで、本実施の形態では、第１の配線層３８ａの層パターンについても、ビア層と同様、部分パターンを用いてブロック数を少なくする。第２の配線層４０ａの層パターンについても同様である。尚、本実施の形態は、実施の形態１と共通する部分を有している。従って、共通する部分の説明は省略する。
【００９５】
―パターン・データベース―
図２１は、本実施の形態のパターン・データベース３２の一例である。図２１には、パターン・データベース３２のうち第１の配線層３８ａに対応する部分が示されている。
【００９６】
パターン・データベース３２の第１の配線層に対応する部分には、第１の配線層（第２の多層配線パターンの配線層）の部分パターン８０ａ，８２ａおよびこの部分パターンに対応するパターン識別子７２Ａが登録されている。第２の配線層およびビア層に対応する部分についても、同様である。
【００９７】
第１の配線層の部分パターンは、図２１に示すように、第１のベースパターン８０ａおよび複数の第１の配線形成パターン８２ａである。ここで、第１の配線層の部分パターン８０ａ,８２ａは、第２の多層配線パターンが有する第１の配線層のサブフィールドパターン（第１の配線層に生成されるサブフィールドパターン）７０ａを形成する部分パターンである。
【００９８】
第２の多層配線パターンは、実施の形態１で説明したように、所定の配線ルール（例えば、標準配線ルール）にしたがってサブフィールド６８に生成される多層配線パターンである。
【００９９】
第１のベースパターン８０ａは、図２１に示すように、サブフィールド６８内の格子点それぞれに配置された第１の孤立パターン８４ａを有するパターンである。第１の配線形成パターン８２ａは、第１の孤立パターン８４ａの間（または第１のベースパターン８０ａの外周と第１の孤立パターン８４ａの間）に配置される連結パターン８６を有する部分パターンである。
【０１００】
第１の配線形成パターン８２ａは、中心線（直線）８８上に配列された連結８６を有する。中心線（直線）８８の方向は、第１の方向５６または第２の方向５８が好ましい。
【０１０１】
図２２は、第１のベースパターン８０ａおよび複数の第１の配線形成パターン８２ａ１,８２ａ２から、第１の配線層に対応するサブフィールドパターン７０ａを形成するルールを説明する図である。図２２には、第１のトラック５０ａおよび第２のトラック５０ｂが破線で示されている。
【０１０２】
図２２に示すように、第１のベースパターン８０ａ内の第２のトラック５０ｂに挟まれたトラック間領域９０ａ,９０ｂのうち左から１番目の領域９０ａに、第１の配線形成パターン８２ａ１が配置される。
【０１０３】
更に、トラック間領域９０ａ,９０ｂのうち２番目の領域９０ｂに、第１の配線形成パターン８２ａ２が配置される。この時、第１の配線形成パターン８２ａ２は、第１の孤立パターン８４ａと第１のベースパターン８０ａの外周の間に配置される。
【０１０４】
以上により、第１の孤立パターン８４ａが連結されて、２つのストライプパターン５２ａが形成される。すなわち、第１の配線層のサブフィールドパターン７０ａが、第１のベースパターン８０ａと第１の配線形成パターン８０ａ１,８０ａ２により形成される。
【０１０５】
図２２に示す例では、第１の配線形成パターン８０ａ１,８０ａ２の延在方向（中心８８の方向）は、第２の方向５８である。従って、第１の方向５６に延在する第１のストライプパターン５２ａは、複数の第１の配線形成パターンにより形成される。
【０１０６】
第１の配線形成パターン８０ａ１,８０ａ２は、第１の方向５６に延在していてもよい。この場合には、第１のストライプパターン５２ａは、一つの第１の配線形成パターンで形成される。
【０１０７】
サブフィールド６８の幅がトラック２周期分の場合、第１の配線形成パターン８２ａ１〜８２ａ３は、図２１に示す３つのパターンだけである。また、第１のベースパターン８４ａは、図２１に示す１つのパターンだけである。
【０１０８】
従って、４つ（＝３＋１）の部分パターンで、サブフィールド６８に形成される１６通りのサブフィールドパターン（第１の配線層のサブフィールドパターン）を全て形成することができる。このため本実施の形態によれば、ブロックマスクに設けるブロックの数を、実施の形態１より更に少なくすることができる。或いは、サブフィールドのサイズを大きくして、露光回数を減らすことができる。
【０１０９】
第１の配線形成パターンの長手方向（例えば、第２の方向５８）のサイズが第２のトラック５０ｂの周期の１６倍の場合、第１の配線形成パターンのパターン数は６５，５２６通り（＝２１６）存在する。第１の配線形成パターンに対応するブロックの幅は、例えば４０ｎｍ程度と狭い。従って、６５，５２６通り程度のブロック２４をブロックエリア２２に設けることは容易である。
【０１１０】
すなわち、サブフィールド６８の一辺（例えば、第２の方向に延在する辺）が交差するトラック（例えば、第１のトラック）の周期の１６倍程度であれば、第１の配線形成パターンが多くなり過ぎることはない。一方、サブフィールド６８の一辺が１トラック周期では、露光回数が多くなり過ぎる。尚、サブフィールド６８の他方の辺のサイズが大きくなっても、第１の配線形成パターンの数は変わらない。
【０１１１】
従って、サブフィールド６８の１辺は、交差するトラックの周期の２倍以上１６倍以下が好ましい。サブフィールド６８の１辺は、交差するトラックの周期の５倍以上１０倍以下が好ましい。
【０１１２】
図２３は、図２１の部分パターンに対応するブロック２４ａ，２４ｂを有するブロックエリアの部分拡大図である。図２３には、第１のベースパターン８０ａに対応するブロック２４ａおよび第１の配線形成パターン８２ａに対応する３つのブロック２４ｂが示されている。
【０１１３】
図２４は、サブフィールドパターン７０ａがレジスト膜１４に転写される過程を説明する図である。まず、第１のベースパターン８０ａがレジスト膜１４に転写される。次に、パターン識別子ＷＬ／Ｐ１に対応する第１の配線形成パターン８２ａ１が、レジスト膜１４に転写される。最後に、パターン識別子ＷＬ／Ｐ２に対応する第１の配線形成パターン８２ａ２が転写されて、サブフィールドパターン７０ａがレジスト膜１４に転写される。
【０１１４】
また、パターン・データベース３２には、第２の配線層の部分パターンおよびこの部分パターンに対応するパターン識別子が登録されている。
【０１１５】
図２５は、第２の配線層の部分パターンを説明する図である。第２の配線層の部分パターンは、第１の配線層の部分パターンと同様、サブフィールドに生成される第２の多層配線パターンが有する第２の配線層のサブフィールドパターン（第２の配線層に生成されるサブフィールドパターン）７０ｂを形成する部分パターンである。
【０１１６】
第２の配線層の部分パターンは、図２５に示すように、第１のベースパターン８０ａおよび複数の第２の配線形成パターン８２ｂである。
【０１１７】
第１のベースパターン８０ａは、図２２を参照して説明したベースパターンである。第２の配線形成パターン８２ｂは、第１の孤立パターン８４ａの間（または第１のベースパターン８０ａの外周と第１の孤立パターン８４ａの間）に配置される連結パターン８６を有する部分パターンである。
【０１１８】
また、パターン・データベース３２には、ビア層の部分パターンおよびこの部分パターンに対応するパターン識別子が登録されている。ビア層の部分パターンは、上記第２の多層配線パターンが有するビア層のサブフィールドパターン（ビア層に生成されるサブフィールドパターン）を形成する部分パターンである。
【０１１９】
ビア層の部分パターンは、図１６に示す部分パターン７４（以下、ビア層形成パターンと呼ぶ）である。すなわち、ビア層を形成する部分パターンは格子点６２に配置されたビアパターン４８を有するパターンである。
【０１２０】
図１６および２１に示すように、第１の配線形成パターン、第２の配線形成パターン、およびビア層形成パターンは、サブフィールド６８より狭いパターンである。但し、第１の配線形成パターン、第２の配線形成パターン、およびビア層生成パターンは、一方の方向（例えば、第２の方向５８）に、他方の方向（例えば、第１の方向５６）に延在するトラック（例えば、第１のトラック５０ａ）の周期の２以上延在するパターンである。
【０１２１】
―露光データの生成工程（Ｓ１０）―
本実施の形態の露光データの生成工程は、実施の形態１の露光データの生成工程と略同じである。但し、パターン識別子の抽出工程（Ｓ２２）が、一部異なっている。
【０１２２】
実施の形態１では、サブフィールド分割工程（Ｓ２０）で分割された配線層の層パターンに対応するサブフィールドパターンのパターン識別子が抽出される。
【０１２３】
一方、本実施の形態では、分割された全ての層パターン（第１の配線層のパターン、第２の配線層のパターン、およびビア層のパターン）に対応する部分パターンのパターン識別子が抽出される。その他の工程は、実施の形態１と略同じである。
【０１２４】
（実施の形態３）
実施の形態１および２の配線ルールでは、第１の配線層に配置される第１のストライプパターン５２ａと、第２の配線層に配置される第２のストライプパターン５２ｂが一つのビアパターンで接続される。一方、本実施の形態では、第１のストライプパターン５２ａと第２のストライプパターン５２ｂが複数（具体的には、２つ）のビアパターンで接続される。本実施の形態は、実施の形態１および２と共通する部分を有している。従って、共通する部分の説明は省略する。
【０１２５】
図２６Ａは、第１のストライプパターン５２ａと第２のストライプパターン５２ｂが一つのビアパターン４８で接続された状態の第１の配線層３８ｂの一例である。第１の配線層３８ｂは、ネットリストおよび所定の配線ルール（例えば、標準配線ルール）にしたがって生成される多層配線パターンの層パターンである。
【０１２６】
図２６Ａには、参考のため、ビア層に形成されるビアパターン４８が白抜きで表されている。下記図２６Ｂにおいても、同様である。図２６Ａ乃至２６Ｃに示す層パターンは、サブフィールドに生成される層パターンである。
【０１２７】
図２６Ｂは、第１のストライプパターン５２ａと第２のストライプパターン５２ｂが一つのビアパターン４８で接続された状態の第２の配線層４０ｂの一例である。また、図２６Ｃは、第１のストライプパターン５２ａと第２のストライプパターン５２ｂが一つのビアパターン４８で接続された状態のビア層４２ｂの一例である。
【０１２８】
―配線ルール―
図２７および２８は、本実施の形態の配線ルールの説明図である。本実施の形態の配線ルールでは、まず実施の形態１の配線ルールで規定された手順が実行される。その結果、図２６Ａ乃至２６Ｃに示すような層パターンが生成される。
【０１２９】
本実施の形態の配線ルールでは、更に図２７に示すようにビア層４２ｂにおいて、ビアパターン４８に隣接する格子点に補助ビアパターン４８ａが配置される。
【０１３０】
この時、第２のストライプパターン５２Ｂ（図２６Ｂ参照）は、補助ビアパターン４８ａに接続される。一方、第１のストライプパターン５２Ａは、補助ビアパターン４８ａには接続されない（図２６Ａ参照）。
【０１３１】
次に、図２７および２８に示すように、第１のストライプパターン５２Ａと補助ビア４８ａが配置される格子点６２ａの間の領域９２およびこの格子点６２ａを有する矩形領域９４に、第３のストライプパターン５２ｃが配置される。尚、上記説明から明らかように、第１のストライプパターン５２Ａは、ビアパターン４８により接続される第１のストライプパターン５２Ａおよび第２のストライプパターン５２Ｂのうちの補助ビアパターン４８ａに接続されないストライプパターンである。
【０１３２】
第３のストライプパターン５２ｃを介して、第１のストライプパターン５２Ａも、補助ビアパターン４８ａに接続される。すなわち、第１のストライプパターン５２Ａと第２のストライプパターン５２Ｂは、複数のビアパターンで接続される。
【０１３３】
―部分パターン―
本実施の形態のパターン・データベース３２には、実施の形態２と同様、サブフィールドパターンを形成する部分パターンが登録されている。図２９Ａ乃至２８Ｄは、本実施の形態の第１の配線層のサブフィールドパターン（図２６Ａ参照）を形成する部分パターンの説明図である。
【０１３４】
今、図２８に示すサブフィールドパターン７０Ａが、サブフィールド６８に生成されたとする。このサブフィールドパターン７０Ａは、第１の配線層のサブフィールドパターンである。
【０１３５】
サブフィールドパターン７０Ａを形成する部分パターンは、第１のベースパターン８０ａＩと複数の第１の配線形成パターン８２ａＩである（図２９Ａ乃至２８Ｄ参照）。図２９Ａ乃至２８Ｄに示すように、サブフィールドパターン７０Ａは、第１のベースパターン８０ａＩに第１の配線形成パターン８０ａＩを順次重ねることで形成される。
【０１３６】
図２９Ａおよび２８Ｄに示す第１の配線形成パターン８２ａＩは、第１のストライプパターン５２ａを形成するパターンである。
【０１３７】
図２９Ｂに示す第１の配線形成パターン８２ａＩは、第１のストライプパターン５２ａと第３のストライプパターン５２ｃ（図２８参照）を形成するとパターンである。ここで、第２の方向５８を向いた一対の孤立パターン８４ａが連結パターン８６ａｈにより連結されて、第３のストライプパターン５２ｃが形成される。
【０１３８】
図２９Ｃに示す第１の配線形成パターン８２ａ１は、第３のストライプパターン５２ｃを形成するパターンである。
【０１３９】
図２９Ａ，２９Ｂ，２９Ｄに示す第１の配線形成パターン８２ａＩは、第２のトラック５２ｂの周期の１.５倍分の幅を有している（第１の配線形成パターン８２ａＩは、一対の第２のトラック５２ｂを有している。）。このように配線形成パターンの幅を広くすることで、第１の配線形成パターンに対応するブロックの数を少なくすることができる。
【０１４０】
図３０は、第２の配線層４０ｂのサブフィールドパターン（図２６Ｂ参照）を形成する部分パターンの説明図である。この部分パターンは、第１のベースパターン８０ａＩおよび複数の第２の配線形成パターン８２ｂＩである。
【０１４１】
第１のベースパターン８０ａＩは、図２９Ａを参照して説明したベースパターンである。第２の配線形成パターン８２ｂＩは、第１の孤立パターン８４の間（または第１のベースパターン８０ａＩの外周と第１の孤立パターン８４の間）に配置される連結パターン８６を有するパターンである。尚、図２６Ｂに示す第２の配線層のサブフィールドパターンは、補助ビアパターンを有してない。しかし、第２の配線層のサブフィールドパターンも、補助ビアパターンを有してもよい。
【０１４２】
図３１は、ビア層のサブフィールドパターン（図２７参照）を形成する部分パターンの一例である。この部分パターン７４ａは、ビアパターン４８および補助ビアパターン４８ａを有している。この部分パターン７４ａをサブフィールド６８の第２のトラックＢ（図２９Ａ参照）に配置することで、ビア層のサブフィールドパターンが形成される。
【０１４３】
ところで、第１の配線形成パターンが複数のトラックを含む場合、第１の配線形成パターンのバリエーションが増加する。このため、第１の配線形成パターンに対応するブロック２４をブロックエリア２２に配置しきれない場合がある。第２の配線形成パターンについても、同様である。
【０１４４】
このような場合には、上記配線ルールにおいて、更に補助ビアパターン４８ａが配置される格子点が、第１のトラック５２ａのうちの一部のトラックに含まれる格子点に制限されてもよい。これにより、第１の配線形成パターンのバリエーションが少なくなり、ブロック数の増加が抑制される。
【０１４５】
或いは、補助ビアパターン４８ａが配置される格子点が、第２のトラック５２ｂのうちの一部のトラックに含まれる格子点に制限されてもよい。図３２は、この場合に用いられるベースパターンの変形例（第２のベースパターン）を示す図である。図３３は、第２のベースパターン８０ａＩＩに対応する第３の配線形成パターン８２ｃを説明する図である。図３３には、第２のベースパターン８０ａＩＩが破線で示されている。
【０１４６】
図３３に示すように、第２のベースパターン８０ａＩＩに第３の配線形成パターン８２ｃを重ねることで、第１の配線層のサブフィールドパターンが形成される。
【０１４７】
第２のベースパターン８０ａＩＩは、図３２に示すように、第４のストライプパターン５２ｄおよび第２の孤立パターン８４ｂを有するパターン対９６が、第１の方向５６および第２の方向５８に周期的に配置されたベースパターンである。第４のストライプパターン５２ｄは、第１の方向５６に延在し格子点を両端に含むストライプパターンである。第２の孤立パターン８４ｂは、第４のストライプパターン５２ｄの延長線上で第４のストライプパターン５２ｄに隣接する格子点に配置される孤立パターンである。
【０１４８】
第３の配線形成パターン８２ｃは、図３３に示すように、第４のストライプパターン５２ｄと第２の孤立パターン８４ｂの間（または第２のベースパターン８０ａＩＩの外周とパターン対９６の間）に配置される連結パターン８６を有するパターンである。
【０１４９】
第２のベースパターン８０ａＩＩおよび第３の配線形成パターン８２ｃによれば、補助ビアパターン４８ａが配置される格子点を有するトラックを、第２のトラック５２ｂのうちの一部のトラック５２Ｂに制限することができる。
【０１５０】
第２の配線層のサブフィールドを形成する部分パターンは、第３のベースパターンおよび第４の配線形成パターンを有している。第３のベースパターンは、図３０を参照して説明した第１のベースパターン８０ａＩと略同じである。また、第４の配線形成パターンは、図３０を参照して説明した第２の配線形成パターン８２ｂＩと略同じである。
【０１５１】
すなわち、第３のベースパターン８０ｃは、サブフィールド内のそれぞれの格子点に配置された第３の孤立パターン８４ｃを有する。第４の配線形成パターンは、第３の孤立パターンの間（または第３のベースパターン８０ｃの外周と第３の孤立パターン８４ｃの間）に配置される連結パターン８６を有する。
【０１５２】
本実施の形態では、第１の配線パターンと第２の配線パターンが２つのビアで接続される。しかし、第１の配線パターンと第２の配線パターンは、３つ以上のビアで接続されてもよい。その場合には、補助ビアが配置された格子点に隣接する格子に、更に別の補助ビアが配置される。
【０１５３】
ところで、多層配線パターンの配線層を分割すると、所謂ライン＆スペース構造になる場合がある。このような場合に対応するため、パターン・データベース３２に、ライン＆スペース構造のパターン（以下、ＬＳパターンと呼ぶ）およびそのパターン識別子を登録しておいてもよい。
【０１５４】
サブフィールド分割工程（Ｓ２０）でＬＳパターンが抽出された場合、コンピュータ２８は、パターン識別子抽出工程（Ｓ２２）でＬＳパターンに対応するパターン識別子を抽出し、抽出したパターン識別子に基づいて露光データを生成する。
【０１５５】
図３４は、ＬＳパターンの一例である。ＬＳパターンは、図３４に示すように、サブフィールド６８ａの一端から他端に延在するストライプパターン５２ｅを有するパターンである。図３４に示す例では、ストライプパターン５２ｅは、第１のトラック５０ａの上に配置されている。しかし、ストライプパターン５２ｅは、第２のトラック５０ｂの上に配置されてもよい。
【０１５６】
図３５は、ＬＳパターンの変形例である。図３５に示す変形例では、ラインパターンが配置されないトラックに、ダミーパターン６６ｃが配置されている。
【０１５７】
以上の実施の形態１乃至３に関し、更に以下の付記を開示する。
【０１５８】
（付記１）
複数の配線層を有する第１の多層配線パターンを、ネットリストおよび所定の配線ルールにしたがって生成するパターン生成工程と、
生成された前記第１の多層配線パターンが有する各層の層パターンを、所定のサブフィールドごとに分割するパターン分割工程と、
前記所定の配線ルールにしたがって前記所定のサブフィールドに生成される第２の多層配線パターンが有する配線層のサブフィールドパターンおよび前記サブフィールドパターンに対応するパターン識別子が登録されているパターン・データベースを参照して、前記第１の多層配線パターンの前記分割された層パターンに対応する前記サブフィールドパターンの前記パターン識別子を抽出する抽出工程と、
抽出された前記パターン識別子と当該抽出されたパターン識別子に対応する前記サブフィールドパターンの露光位置とを有する露光データを生成する露光データ生成工程を有することを
特徴とする露光データの生成方法。  
【０１５９】
（付記２）
付記１に記載の露光データの生成方法において、
前記第１の多層配線パターンおよび前記第２の多層配線パターンは、更に前記複数の配線層に挟まれたビア層を有し、
前記パターン・データベースには、更に前記第２の多層配線パターンが有するビア層のサブフィールドパターンを形成する部分パターンおよび前記部分パターンに対応するパターン識別子が登録され、
前記抽出工程では、更に前記第１の多層配線パターンの前記分割された層パターンのうちのビア層のパターンに対応する部分パターンのパターン識別子を抽出し、
前記露光データ生成工程では、更に抽出された前記部分パターンのパターン識別子と抽出された前記部分パターンの露光位置とを有する露光データを生成することを、
特徴とする特徴とする露光データの生成方法。
【０１６０】
（付記３）
付記１または２に記載の露光データの生成方法において、
前記所定の配線ルールは、第１の配線層、第２の配線層、および第１の配線層と第２の配線層の間のビア層を有する多層配線パターンを生成するルールであって、
前記所定の配線ルールにしたがって生成される多層配線パターンは、
前記第１の配線層において、第１の方向に延在する第１のトラックに第１のストライプパターンを配置して、前記第１の配線層の層パターンを生成し、
前記第２の配線層において、前記第１の方向に交差する第２の方向に延在する第２のトラックに第２のストライプパターンを配置して、前記第２の配線層の層パターンを生成し、
前記ビア層において、前記第１のトラックと前記第２のトラックが立体的に交差する格子点にビアパターンを配置して、前記第１のストライプパターンと前記第２のストライプパターンを接続することで生成されること
特徴とする露光データの生成方法。
【０１６１】
（付記４）
付記３に記載の露光データの生成方法において、
前記所定の配線ルールにしたがって生成される多層配線パターンは、
更に、前記第１の配線層が有する前記格子点のうち前記第１のストライプパターンに含まらない格子点に、ダミーパターンを配置し、
前記第２の配線層が有する前記格子点のうち前記配置された第２のストライプパターンに含まらない格子点に、ダミーパターンを配置することで生成されること
特徴とする露光データの生成方法。
【０１６２】
（付記５）
複数の配線層を有する第１の多層配線パターンを、ネットリストおよび所定の配線ルールにしたがって生成するパターン生成工程と、
生成された前記第１の多層配線パターンが有する各層の層パターンを、所定のサブフィールドごとに分割するパターン分割工程と、
前記所定の配線ルールにしたがって前記所定のサブフィールドに生成される第２の多層配線パターンが有する各層のサブフィールドパターンを形成する部分パターンおよび前記部分パターンに対応するパターン識別子が登録されているパターン・データベースを参照して、前記第１の多層配線パターンの前記分割された層パターンに対応する部分パターンの前記パターン識別子を抽出する抽出工程と、
抽出された前記パターン識別子と抽出された当該パターン識別子に対応する部分パターンの露光位置とを有する露光データを生成する露光データ生成工程を有することを
特徴とする露光データの生成方法。
【０１６３】
（付記６）
付記５に記載の露光データの生成方法において、
前記所定の配線ルールは、第１の配線層、第２の配線層、および第１の配線層と第２の配線層の間のビア層を有する多層配線パターンに含まれる各層の層パターンを生成するルールであって、
前記所定の配線ルールにしたがって生成される多層配線パターンは、
前記第１の配線層において、第１の方向に延在する第１のトラック上に第１のストライプパターンを配置して、前記第１の配線層の層パターンを生成し、
前記第２の配線層において、前記第１の方向に交差する第２の方向に延在する第２のトラック上に第２のストライプパターンを配置して、前記第２の配線層の層パターンを生成し、
前記ビア層において、前記第１のトラックと前記第２のトラックが立体的に交差する格子点にビアパターンを配置して、前記第１のストライプパターンと前記第２のストライプパターンを接続することで生成されること
特徴とする露光データの生成方法。
【０１６４】
（付記７）
付記６に記載の露光データの生成方法において、
前記所定の配線ルールにしたがって生成される多層配線パターンは、
更に、前記第１の配線層が有する前記格子点のうち前記配置された第１のストライプパターンに含まらない格子点に、ダミーパターンを配置し、
前記第２の配線層が有する前記格子点のうち前記配置された第２のストライプパターンに含まらない格子点に、ダミーパターンを配置することで生成されること
特徴とする露光データの生成方法。
【０１６５】
（付記８）
付記６または７に記載の露光データの生成方法において、
前記所定の配線ルールにしたがって生成される多層配線パターンは、
更に、前記ビア層において、前記ビアパターンに隣接する格子点に補助ビアパターンを配置し、
前記ビアパターンにより接続される前記第１のストライプパターンおよび前記第２のストライプパターンのうちの前記補助ビアパターンに接続されないストライプパターンと当該補助ビアが配置される格子点の間の領域および当該補助ビアが配置される格子点を有する領域に第３のストライプパターンを配置することで生成されること
特徴とする露光データの生成方法。
【０１６６】
（付記９）
付記８に記載の露光データの生成方法において、
前記所定の配線ルールにしたがって生成される多層配線パターンは、
前記補助ビアパターンが配置される格子点を、前記第１のトラックのうちの一部のトラックに含まれる格子点に制限し、
或いは、前記補助ビアパターンが配置される格子点を、前記第２のトラックのうちの一部のトラックに含まれる格子点に制限することで生成されること
特徴とする露光データの生成方法。
【０１６７】
（付記１０）
付記６乃至９に記載の露光データの生成方法において、
前記第１の配線層の前記サブフィールドパターンを形成する部分パターンは、前記格子点に配置された第１の孤立パターンを有する第１のベースパターン、および第１の孤立パターンの間または前記第１のベースパターンの外周と前記第１の孤立パターンの間に配置される連結パターンを有する第１の配線形成パターンであり、
前記第２の配線層の前記サブフィールドパターンを形成する部分パターンは、前記第１のベースパターン、および前記第１の孤立パターンの間または前記外周と前記第１の孤立パターンの間に配置される連結パターンを有する第２の配線形成パターンであり、
前記第１の配線形成パターンおよび前記第２の配線形成パターンは、前記サブフィールドより狭いことを
特徴とする露光データの生成方法。
【０１６８】
（付記１１）
付記６乃至９に記載の露光データの生成方法において、
前記第１の配線層の前記サブフィールドパターンを形成する部分パターンは、前記第１の方向に延在し前記格子点を両端に含む第４のストライプパターンおよび前記第４のストライプパターンの延長線上で第４のストライプパターンに隣接する前記格子点に配置される第２の孤立パターンを有するパターン対が前記第１の方向および前記第２の方向に周期的に配置された第２のベースパターン、および前記第４のストライプパターンと前記第２の孤立パターンの間または前記第２のベースパターンの外周と前記パターン対の間に配置される連結パターンを有する第３の配線形成パターンであり、
前記第２の配線層の前記サブフィールドパターンを形成する部分パターンは、前記格子点それぞれに配置された第３の孤立パターンを有する第３のベースパターン、および第３の孤立パターンの間または前記第３のベースパターンの外周と前記第３の孤立パターンの間に配置される連結パターンを有する第４の配線形成パターンであり、
前記第３の配線形成パターンおよび前記第４の配線形成パターンは、前記サブフィールドより狭いことを
特徴とする露光データの生成方法。
【符号の説明】
【０１６９】
２・・・・電子ビーム露光装置
１２・・・ブロックマスク
２４・・・ブロック
２８・・・コンピュータ
３０・・・露光データ生成プログラム
３２・・・パターン・データベース
３８・・・第１の配線層
４０・・・第２の配線層
４２・・・ビア層
４８・・・ビアパターン
５０ａ・・・第１のトラック
５０ｂ・・・第２のトラック
５２ａ・・・第１のストライプパターン
５２ｂ・・・第２のストライプパターン
５６・・・第１の方向
５８・・・第２の方向
６２・・・格子点
６８・・・サブフィールド
７４・・・部分パターン
８０ａ・・・第１のベースパターン
８２ａ・・・第１の配線形成パターン
【図１】
2012244082.tif 000003
【図２】
2012244082.tif 000004
【図３】
2012244082.tif 000005
【図４】
2012244082.tif 000006
【図５】
2012244082.tif 000007
【図６】
2012244082.tif 000008
【図７】
2012244082.tif 000009
【図８】
2012244082.tif 000010
【図９】
2012244082.tif 000011
【図１０】
2012244082.tif 000012
【図１１】
2012244082.tif 000013
【図１２】
2012244082.tif 000014
【図１３】
2012244082.tif 000015
【図１４】
2012244082.tif 000016
【図１５】
2012244082.tif 000017
【図１６】
2012244082.tif 000018
【図１７】
2012244082.tif 000019
【図１８】
2012244082.tif 000020
【図１９】
2012244082.tif 000021
【図２０】
2012244082.tif 000022
【図２１】
2012244082.tif 000023
【図２２】
2012244082.tif 000024
【図２３】
2012244082.tif 000025
【図２４】
2012244082.tif 000026
【図２５】
2012244082.tif 000027
【図２６Ａ】
2012244082.tif 000028
【図２６Ｂ】
2012244082.tif 000029
【図２６Ｃ】
2012244082.tif 000030
【図２７】
2012244082.tif 000031
【図２８】
2012244082.tif 000032
【図２９Ａ】
2012244082.tif 000033
【図２９Ｂ】
2012244082.tif 000034
【図２９Ｃ】
2012244082.tif 000035
【図２９Ｄ】
2012244082.tif 000036
【図３０】
2012244082.tif 000037
【図３１】
2012244082.tif 000038
【図３２】
2012244082.tif 000039
【図３３】
2012244082.tif 000040
【図３４】
2012244082.tif 000041
【図３５】
2012244082.tif 000042