(57)【要約】【課題】応力の緩和に優れた半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】リードフレーム１と、リードフレーム１のダイパッド部１Ｂ上に実装された半導体素子３と、半導体素子３の少なくとも一部を被覆する保護膜５と、半導体素子３及び保護膜５を封止している封止樹脂６とを備え、保護膜５と封止樹脂６との間に、保護膜５と封止樹脂６が密着していない空隙層７が少なくとも１箇所存在する、半導体装置である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に実装された半導体素子と、
前記半導体素子の少なくとも一部を被覆する保護膜と、
前記半導体素子及び前記保護膜を封止している封止樹脂とを備え、
前記保護膜と前記封止樹脂との間に、前記保護膜と前記封止樹脂が密着していない空隙が少なくとも１箇所存在する、半導体装置。
【請求項２】
前記保護膜は、撥水性を有している、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記保護膜は、界面張力エネルギーが１５ｍＮ／ｍ以上３０ｍＮ／ｍ以下のシリコーンゴム材料で形成されており、
前記封止樹脂は、界面張力エネルギーが４０ｍＮ／ｍ以上６０ｍＮ／ｍ以下である、請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記保護膜は、厚みが１０μｍ以上２０００μｍ以下であり、
摂氏２５度から摂氏２６０度にわたり、弾性率が０．５ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下の範囲内である、請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記保護膜は、シリコーンゴム材料で形成されており、
前記シリコーンゴム材料の前駆体が、オルガノポリシロキサン骨格を有し、
前記前駆体は、ヒドロシリル化反応による熱硬化反応で、シロキサン骨格を有するシリコーンゴムへと硬化する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記空隙の厚みが、０．１μｍ以上１００μｍ以下である、請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
基板に実装された半導体素子の少なくとも一部を被覆するように、保護膜の前駆体を載せる載置工程と、
前記前駆体が重合することによって前記保護膜が形成される重合工程と、
前記半導体素子及び前記保護膜を封止樹脂で封止し、前記保護膜と前記封止樹脂との間に、前記保護膜と前記封止樹脂が少なくとも１箇所以上密着していない空隙を形成する封止工程とを備えた、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記載置工程では、前記保護膜の前駆体であるシリコーンゴムモノマーが載置され、
前記重合工程では、前記シリコーンゴムモノマーの重合によるゴム化により、前記保護膜が形成される、請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記封止工程では、
前記封止樹脂との濡れ性が悪い材料を用いて、前記保護膜が形成される、請求項７記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
基板と、
前記基板上に実装された半導体素子と、
前記半導体素子の少なくとも一部を被覆する保護膜と、
前記半導体素子及び前記保護膜を封止している封止樹脂とを備え、
前記封止樹脂は、エポキシ樹脂であり、
前記保護膜は、シリコーンゴム材料で形成されており、
前記シリコーンゴム材料の前駆体が、オルガノポリシロキサン骨格を有し、
前記前駆体は、ヒドロシリル化反応による熱硬化反応で、シロキサン骨格を有するシリコーンゴムへと硬化する、半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置とその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の軽薄短小化に伴い、内部の半導体パッケージにも高密度化と高性能化が求められている。半導体パッケージの高密度化により、微細な接合箇所が増大し、パッケージそのものも薄型化している。このような高密度化半導体パッケージは従来の半導体パッケージよりも熱応力等に対して耐性が低くなり、信頼性を維持するためのさらなる工夫が求められるようになった。
【０００３】
このような要求を満たす構造として、図１０に示す構造が提案されている（例えば、特許文献１参照。）。図１０に示す構造では、回路基板１０２上にマウント材１０６によって半導体素子１０１が配置されている。半導体素子１０１は、基板電極１０５と金属ワイヤー１０３でボンディングされている。この半導体素子１０１の一部がシリコーンゴム１０７で覆われ、保護されている。そして、シリコーンゴム１０７及び半導体素子１０１の上側には、封止樹脂１０８で形成された封止用樹脂層１０４が形成されている。
【０００４】
すなわち、基板上に半導体素子を実装した後に、シリコーンゴムのモノマー材料を、半導体素子の一部を覆うように載置し、加熱硬化させることで保護膜とし、さらに樹脂で封止し、封止樹脂と保護膜を密着させ、半導体装置が構成されている。
【０００５】
このような半導体パッケージでは、それを構成する各材料の熱膨張係数差により発生する応力を、周囲の材料よりも弾性率の低いシリコーンゴムが変形することにより緩和させるため、剥離などの発生を抑制することが出来る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平９−３２１１８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１では、シリコーンゴムとしてエポキシ・シリコーンエラストマー樹脂組成物が使用され、表面に存在する反応性官能基が、エポキシ基、アルコキシ基、シラノール基、ヒドロキシル基、アミノ基の少なくとも一種からなっているため、エポキシ樹脂組成物との密着性に優れている。
【０００８】
このため、半導体素子の一部を被覆するシリコーンゴム１０７の保護膜と、封止用樹脂が密着し、応力緩和には限界があった。
【０００９】
本発明は、上記従来の半導体装置の課題を考慮し、応力の緩和に優れた半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、第１の本発明は、
基板と、
前記基板上に実装された半導体素子と、
前記半導体素子の少なくとも一部を被覆する保護膜と、
前記半導体素子及び前記保護膜を封止している封止樹脂とを備え、
前記保護膜と前記封止樹脂との間に、前記保護膜と前記封止樹脂が密着していない空隙が少なくとも１箇所存在する、半導体装置である。
【００１１】
第２の本発明は、
前記保護膜は、撥水性を有している、第１の本発明の半導体装置である。
【００１２】
第３の本発明は、
前記保護膜は、界面張力エネルギーが１５ｍＮ／ｍ以上３０ｍＮ／ｍ以下のシリコーンゴム材料で形成されており、
前記封止樹脂は、界面張力エネルギーが４０ｍＮ／ｍ以上６０ｍＮ／ｍ以下である、第１又は２の本発明の半導体装置である。
【００１３】
第４の本発明は、
前記保護膜は、厚みが１０μｍ以上２０００μｍ以下であり、
摂氏２５度から摂氏２６０度にわたり、弾性率が０．５ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下の範囲内である、第１〜３のいずれかの本発明の半導体装置である。
【００１４】
第５の本発明は、
前記保護膜は、シリコーンゴム材料で形成されており、
前記シリコーンゴム材料の前駆体が、オルガノポリシロキサン骨格を有し、
前記前駆体は、ヒドロシリル化反応による熱硬化反応で、シロキサン骨格を有するシリコーンゴムへと硬化する、第１の本発明の半導体装置である。
【００１５】
第６の本発明は、
前記空隙の厚みが、０．１μｍ以上１００μｍ以下である、第１〜５のいずれかの本発明の半導体装置である。
【００１６】
第７の本発明は、
基板に実装された半導体素子の少なくとも一部を被覆するように、保護膜の前駆体を載置する載置工程と、
前記前駆体が重合することによって前記保護膜が形成される重合工程と、
前記半導体素子及び前記保護膜を封止樹脂で封止し、前記保護膜と前記封止樹脂との間に、前記保護膜と前記封止樹脂が少なくとも１箇所以上密着していない空隙を形成する封止工程とを備えた、半導体装置の製造方法である。
【００１７】
第８の本発明は、
前記載置工程では、前記保護膜の前駆体であるシリコーンゴムモノマーが載置され、
前記重合工程では、前記シリコーンゴムモノマーの重合によるゴム化により、前記保護膜が形成される、第７の本発明の半導体装置の製造方法である。
【００１８】
第９の本発明は、
前記封止工程では、
前記封止樹脂との濡れ性が悪い材料を用いて、前記保護膜が形成される、第７の本発明の半導体装置の製造方法である。
【００１９】
第１０の本発明は、
基板と、
前記基板上に実装された半導体素子と、
前記半導体素子の少なくとも一部を被覆する保護膜と、
前記半導体素子及び前記保護膜を封止している封止樹脂とを備え、
前記封止樹脂は、エポキシ樹脂であり、
前記保護膜は、シリコーンゴム材料で形成されており、
前記シリコーンゴム材料の前駆体が、オルガノポリシロキサン骨格を有し、
前記前駆体は、ヒドロシリル化反応による熱硬化反応で、シロキサン骨格を有するシリコーンゴムへと硬化する、半導体装置である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、応力の緩和に優れた半導体装置及びその製造方法を提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明にかかる実施の形態１における半導体装置の断面構成図
【図２】（ａ）〜（ｅ）  本発明にかかる実施の形態１における半導体装置の製造方法を説明するための断面構成図
【図３】本発明にかかる実施の形態２における半導体装置の断面構成図
【図４】（ａ）〜（ｅ）  本発明にかかる実施の形態２における半導体装置の製造方法を説明するための断面構成図
【図５】本発明にかかる実施の形態３における半導体装置の断面構成図
【図６】（ａ）〜（ｅ）  本発明にかかる実施の形態３における半導体装置の製造方法を説明するための断面構成図
【図７】本発明にかかる実施の形態１の変形例における半導体装置の断面構成図
【図８】本発明にかかる実施の形態２の変形例における半導体装置の断面構成図
【図９】本発明にかかる実施の形態１の変形例における半導体装置の断面構成図
【図１０】従来の半導体素子保護膜を有する樹脂封止型半導体装置の断面図
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明にかかる実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
【００２３】
（実施の形態１）
図１は、本発明にかかる実施の形態１における半導体装置の構造を示す断面構成図である。図１に示すように、本実施の形態１の半導体装置は、ダイパッド部１Ｂと外部端子１Ａを有するリードフレーム１と、ダイパッド部１Ｂにペースト材料２を介して搭載された半導体素子３と、半導体素子３と外部端子１Ａを接続する金属ワイヤー４とを備えている。更に、本実施の形態１の半導体装置では、半導体素子３が撥水性シリコーンゴムの保護膜５で被覆されており、リードフレーム１の外部端子１Ａが露出され、且つダイパッド部１Ｂ、及び半導体素子３、保護膜５及び金属ワイヤー４を覆うように、封止樹脂６で封止されている。尚、金属ワイヤー４の半導体素子３との接続部分４ａも撥水性シリコーンゴムの保護膜５に覆われている。そして、保護膜５と封止樹脂６の間に、本発明の空隙の一例に対応する空隙層７が形成されている。尚、本発明の基板の一例は、本実施の形態のリードフレーム１に対応する。又、図１の空隙層７は、その厚みを誇張して図示されており、以下の図面においても同様である。
【００２４】
リードフレーム１は、銅などの熱伝導性および電気伝導性に優れた材料から形成されている。封止樹脂６は特に限定するものではなく、たとえば主剤としてオルトクレゾールノボラック型のエポキシ、硬化剤として主剤を硬化させることのできるフェノール樹脂が配合され、無機充填剤比率が７０重量部から９０重量部程度配合された公知の熱硬化性エポキシ樹脂とすることができる。
【００２５】
上述した撥水性シリコーンゴムの保護膜５およびそれによって構成される空隙層７は本発明を構成する重要な部分であり、その詳細を以下に述べる。
【００２６】
保護膜５を形成する材料は限定するものではないが、疎水性官能基を有するシリコーンゴム前駆体を硬化して形成される硬化後の界面張力エネルギーが１５ｍＮ／ｍ以上３０ｍＮ／ｍ以下であるシリコーンゴムが望ましい。保護膜５は無機充填材を含有していても良い。この場合には、その体積抵抗率が上昇することにより、金属ワイヤー４間のショートやマイグレーションといった不良をより確実に防止することができる。
【００２７】
液状シリコーンゴムの前駆体としては、例えば文献（Origin Technical Journal No. 67 (2004) III-7）に記載されたビニル基含有オルガノポリシロキサンとオルガノポリシロキサンと白金などの硬化触媒の混合物などの公知のものを使用することができ、１液型か２液型かは限定するものではない。すなわちその基本的な化学構造としては、主鎖構造がシロキサン骨格構造であり、アルキル基もしくはフルオロアルキル基あるいはその両方がシリコン原子に結合している。さらに、シロキサン骨格の末端にはビニル基などシロキサン骨格同士の結合に必要な反応部位が結合している。
【００２８】
上記混合物を公知の方法で熱による付加硬化させる際には、ヒドロシリル化反応がおこり、前駆体は、本発明における重要な部位であるところの、化学的に安定、且つ低弾性率、且つ欠陥のない緻密な構造をもつ保護膜を形成することとなる。シリコン原子に結合する官能基は、撥水性となる必要に応じて、炭化水素系官能基であることが特に好ましい。
【００２９】
このようなシリコーンゴムの前駆体であるオルガノポリシロキサンは、例えばオルガノシロキサンを強酸の存在下で重合させた後、水と特定の有機珪素化合物とを添加するなどといった公知の方法により製造することが出来る。
【００３０】
このように形成された保護膜５は、硬化後の界面張力エネルギーが１５ｍＮ／ｍ以上３０ｍＮ／ｍ以下の範囲内にあり、撥水性を示す。エポキシ系熱硬化性樹脂である封止樹脂６の界面張力エネルギーは４０ｍＮ／ｍ以上６０ｍＮ／ｍ以下であり、保護膜５は封止とそれに続く硬化の工程において封止樹脂６とは密着せず、その界面には空隙層７が形成されることになる。
【００３１】
尚、保護膜５の界面張力エネルギーが１５ｍＮ／ｍより小さいと、保護膜自身の形状維持が困難となり、樹脂の封止工程において形が崩れてしまい好ましくない。また界面張力エネルギーが３０ｍＮ／ｍより大きいと、十分な撥水性を得られず、封止樹脂６と密着性を示すようになり、当該実施例の構成をとることができなくなる。
【００３２】
ただし、封止樹脂６は硬化時に金属表面の官能基と反応することにより、金属への密着性に優れているため、保護膜５以外のリードフレーム１、具体的にはダイパッド部１Ｂの保護膜５と接触していない部分やリードフレーム１の外部端子１Ａとは密着している。従って保護膜５およびそれによって被覆された半導体素子３はパッケージ内において固定され、パッケージ全体としては十分な強度を維持することが可能である。
【００３３】
又、硬化後の弾性率は、摂氏２５℃（室温）〜２６０℃（リフロー温度）にわたり、０．５ＭＰａ以上１０ＭＰａ以下の範囲になっている。
【００３４】
又、上記空隙層７の厚みは、０．１μｍ以上１００μｍ以下となっている。
【００３５】
次に、本発明の実施の形態１の半導体装置の製造方法について説明する。
【００３６】
図２（ａ）〜（ｅ）は、本実施の形態１の半導体装置の製造方法を説明するための断面構成図である。
【００３７】
図２（ａ）のように、リードフレーム１のダイパッド部１Ｂ上にペースト材料２が、適当量塗布される。さらに、図２（ｂ）に示すように、ペースト材料２上に半導体素子３が搭載される。ペースト材料２の塗布には公知のディスペンサーを、半導体素子３の搭載には公知のダイボンダーを使用することが可能である。
【００３８】
その後、図２（ｃ）に示すように、半導体素子３と、リードフレーム１の外部端子１Ａとが、金線ワイヤー４を使用し電気的かつ機械的に接合される。金線ワイヤー４の接続には公知のワイヤボンダを使用することができる。
【００３９】
その後、図２（ｄ）に示すように、保護膜５の前駆体であるシリコーンゴムモノマー５ａが、半導体素子３とペースト材料２の空気と接触している部分上に適量滴下される。その際、金線ワイヤー４の半導体素子３との接続部分４ａ上にもシリコーンゴムモノマー５ａは滴下される。この滴下量としては、後述する方法でシリコーンゴムへと硬化した際の厚さが１０μｍより大きく、２０００μｍより小さくなることが望ましい。厚さが１０μｍより小さいと、リフロー工程など加熱時に発生する熱応力の十分な緩和が期待できず、２０００μｍより大きいと、後に述べる封止樹脂６の厚みが小さくなり、封止樹脂６の厚みが小さくなった部分の強度が不足することとなる。尚、本実施の形態１の半導体装置全体の厚みは、５ｍｍである。
【００４０】
又、シリコーンゴムモノマーとしては、シリコン原子にアルキル基が結合したオルガノポリシロキサンと白金などの硬化触媒の混合物とすることができる。シリコーンゴムモノマーを滴下した後、１５０℃で４時間程度加熱することにより、保護膜５とすることができる。尚、上記のようにシリコーンゴムモノマーを滴下する工程が、本発明の載置工程の一例に対応する。又、上記のように加熱する工程が、本発明の重合工程の一例に対応する。
【００４１】
このようにして半導体素子３上に保護膜５が形成されたものが、適当な温度に加熱した封止金型内に設置され、図２（ｅ）に示すように、エポキシ系熱硬化樹脂である封止樹脂６が公知のトランスファーモールド法により押圧充填され、硬化される。このように、封止樹脂を押圧充填し、硬化させる工程が、本発明の封止工程の一例に対応する。エポキシ系熱硬化性樹脂（封止樹脂６）を硬化させる際、エポキシ系熱硬化性樹脂の界面張力エネルギーが４０ｍＮ／ｍ以上６０ｍＮ／ｍ以下であることにより、保護膜５を形成するシリコーンゴム硬化体とは、その表面が完全には密着しない。このように保護膜５の材料として封止樹脂６に対する濡れ性が悪いものを用いることによって、完全に密着せず、空隙層７が形成され、図１に示す本発明の実施の形態１の半導体装置が製造される。
【００４２】
本実施の形態１の半導体装置では、上述したように、保護膜５と封止樹脂６の間に、空隙層７が形成されていることにより、封止樹脂とその他部材の線膨張係数差に起因する内部応力を極めて効果的に緩和することが出来る。
【００４３】
ところで、従来の特許文献１に示したシリコーンゴムは、エポキシ・シリコーンエラストマー樹脂組成物が使用され、表面に存在する反応性官能基が、エポキシ基、アルコキシ基、シラノール基、ヒドロキシル基、アミノ基の少なくとも一種からなっているが、以上の官能基はいずれも親水性であり、エポキシ樹脂組成物との間のわずかな剥離であっても、その親水性のためにエポキシ樹脂（封止用樹脂層１０４）とシリコーンゴム１０７の間に水を滞留させることとなり、リフロー工程時などにおける信頼性の低下をまねくという課題があった。
【００４４】
しかしながら、本実施の形態１では、撥水性シリコーンゴムの保護膜５を用いていることにより、外部からの水の浸入によるリフロー時の不良の発生の低減を図ることが可能となる。
【００４５】
すなわち、シリコーンゴム硬化体で形成される保護膜５の界面張力エネルギーが１５ｍＮ／ｍ以上３０ｍＮ／ｍであるのに対して、水の界面張力エネルギーは約７２ｍＮ／Ｎであるために、シリコーンゴム硬化体で形成される保護膜５は撥水性を有することになる。そのため、エポキシ系熱硬化性樹脂である封止樹脂６とシリコーンゴム硬化体で形成される保護膜５の間の空隙層７には水が滞留しない。あるいは滞留したとしても、水は界面張力の低いシリコーンゴム硬化体中には浸入することができない。
【００４６】
このように、外部からの水の侵入による信頼性の低下が抑制され、各部材の熱変形による応力の発生も空隙層７により緩和される。すなわち、本発明の半導体装置は、水の浸入および熱応力による信頼性の低下を同時に抑制することにより長寿命とすることができる。
【００４７】
尚、本実施の形態では、保護膜５を形成する材料として熱により硬化するシリコーンゴムモノマーを用いたが、光あるいは熱と光の両方で硬化が可能なシリコーンゴムモノマーが用いられてもよい。
【００４８】
（実施の形態２）
次に、本発明にかかる実施の形態２について説明する。本実施の形態２の半導体装置では、実施の形態１と異なり半導体素子３が回路基板上に配置されている。尚、実施の形態１と対応する構成については同一の符号が付されている。
【００４９】
図３は本発明にかかる実施の形態２における半導体装置の断面構成図である。
【００５０】
本実施の形態２の半導体装置は、回路基板８と、回路基板８にペースト材料２を介して搭載された半導体素子３と、半導体素子３と回路基板８上の電極部８ａとを接続する金属ワイヤー４とを備えている。更に、本実施の形態２の半導体装置では、半導体素子３が撥水性シリコーンゴムの保護膜５で被覆されている。その際、金属ワイヤー４の半導体素子３の接続部分４ａもまた撥水性シリコーンゴムの保護膜５に覆われ、撥水性シリコーンゴムと密着している。さらに、半導体素子３、金属ワイヤー４、撥水性シリコーンゴムの保護膜５全体が封止樹脂６で封止されている。尚、本発明の基板の一例は、本実施の形態２の回路基板８に対応し、図３では多層基板として示されているが、多層に限らなくても良い。
【００５１】
本実施の形態２の半導体装置では、実施の形態１と同様に、保護膜５と封止樹脂６の間に空隙層７が形成されている。このように、空隙層７が形成されていることにより、各材料の熱変形による応力の発生を緩和することが出来る。又、撥水性シリコーンゴムの保護膜５を用いていることにより、外部からの水の浸入による信頼性の低下が抑制される。このため、長寿命な半導体装置とすることができる。
【００５２】
次に、本発明にかかる実施の形態２における半導体装置の製造方法について説明する。
【００５３】
図４（ａ）〜（ｅ）は、本実施の形態２の半導体装置の製造方法を説明するための断面構成図である。
【００５４】
図４（ａ）のように、回路基板８上に、導電性のペースト材料２が、適当量塗布される。さらに、図４（ｂ）に示すように、ペースト材料２上に半導体素子３が搭載される。ペースト材料２の塗布には公知のディスペンサーを、半導体素子３の搭載には公知のダイボンダーを使用することが可能である。
【００５５】
その後、図４（ｃ）に示すように、半導体素子３と、回路基板の電極部８ａとが、金線ワイヤー４を使用し、電気的かつ機械的に接合される。金線ワイヤー４の接続には公知のワイヤボンドを使用することができる。
【００５６】
その後、図４（ｄ）に示すように、保護膜５の前駆体であるシリコーンゴムモノマー５ａが、半導体素子３とペースト材料２の空気と接触している部分上に適量滴下される。その際、金線ワイヤー４の半導体素子３との接続部分４ａ上にもシリコーンゴムモノマー５ａは滴下される。この滴下量としては、後述する方法でシリコーンゴムへと硬化した際の厚さが１０μｍより大きく、２０００μｍより小さくなることが望ましい。厚さが１０μｍより小さいと、リフロー工程など加熱時に発生する熱応力の十分な緩和が期待できず、２０００μｍより大きいと、後に述べる封止樹脂６の厚みが小さくなり、封止樹脂６の厚みが小さくなった部分の強度が不足することとなる。
【００５７】
又、シリコーンゴムモノマーとしては、上記実施の形態１の半導体装置の製造方法の説明で述べたものと同様とすることができる。シリコーンゴムモノマーを滴下した後、１５０℃で４時間程度加熱することにより、保護膜５を形成することができる。尚、上記のようにシリコーンゴムモノマーを滴下する工程が、本発明の載置工程の一例に対応する。又、上記のように加熱する工程が、本発明の重合工程の一例に対応する。
【００５８】
このように保護膜５が形成されたものが、適当な温度に加熱した封止金型内に設置され、図４（ｅ）に示すように、回路基板８の半導体素子を搭載した面にのみエポキシ系熱硬化樹脂である封止樹脂６が公知のトランスファーモールド法により押圧充填され、硬化される。このように、封止樹脂を押圧充填し、硬化させる工程が、本発明の封止工程の一例に対応する。エポキシ系熱硬化性樹脂を硬化させる際、エポキシ系熱硬化性樹脂の界面張力エネルギーが４０ｍＮ／ｍ以上６０ｍＮ／ｍ以下であることにより、保護膜５を形成するシリコーンゴム硬化体とはその表面が完全には密着しない。このように保護膜５の材料として封止樹脂６に対する濡れ性が悪いものを用いることによって、完全に密着せず、空隙層７が形成され、図３に示す本発明の実施の形態２の半導体装置が製造される。
【００５９】
このような実施の形態２では、次に説明するように、外部からの水の浸入によるリフロー時の不良や、樹脂とその他部材の線膨張係数差により発生する内部応力の緩和に優れた信頼性の高いものとすることができる。
【００６０】
すなわち、シリコーンゴム硬化体である保護膜５の界面張力エネルギーが１５ｍＮ／ｍ以上３０ｍＮ／ｍであるのに対して、水の界面張力エネルギーは約７２ｍＮ／Ｎであるために、シリコーンゴム硬化体である保護膜５は撥水性を有することになる。そのため、エポキシ系熱硬化性樹脂である封止樹脂６とシリコーンゴム硬化体である保護膜５の間の空隙層７には水が滞留しない。あるいは滞留したとしても、水は界面張力の低いシリコーンゴム硬化体中には浸入することができない。
【００６１】
さらに、空隙層７の存在により、各部材の線膨張係数差に起因する内部応力は極めて効果的に緩和されることとなり、当該実施形態では長寿命の信頼性の高い半導体装置を提供することとなる。
【００６２】
（実施の形態３）
次に、本発明にかかる実施の形態３について説明する。本実施の形態３の半導体装置では、実施の形態２と異なり、半導体素子３が回路基板と半田によって電気的及び機械的に接続されている点が異なっている。尚、実施の形態２と対応する構成については同一の符号が付されている。
【００６３】
図５は本発明にかかる実施の形態３における半導体装置の断面構成図である。
【００６４】
本実施の形態３の半導体装置では、回路基板８０と、半導体素子３と、回路基板８０の電極パッド９と半導体素子３の電極パッド１０を電気的かつ機械的に接続する半田接続部１１を備えている。この半田接続部１１が配置された領域は、アンダーフィル樹脂１２で充填されている。さらに半導体素子３および、アンダーフィル樹脂１２のフィレット部１２ａが撥水性シリコーンゴムの保護膜５で被覆されている。さらに、半導体素子３、アンダーフィル樹脂１２のフィレット部１２ａ、撥水性シリコーンゴムの保護膜５全体が封止樹脂６で封止されている。尚、本発明の基板の一例は、本実施の形態３の回路基板８０に対応する。
【００６５】
そして、保護膜５と封止樹脂６の間に空隙層７が形成されており、アンダーフィル樹脂１２のフィレット部１２ａと封止樹脂６の間に空隙層７１が形成されている。
【００６６】
このように、空隙層７が形成されていることにより、各材料の熱変形による応力の発生が緩和され、本実施の形態３では、空隙層７１が形成されることにより、更に応力の発生が緩和される。又、外部からの水の浸入による信頼性の低下も抑制され、さらに長寿命な半導体装置とすることができる。
【００６７】
次に、本発明にかかる実施の形態３における半導体装置の製造方法について説明する。
【００６８】
図６（ａ）〜（ｅ）は、本実施の形態３の半導体装置の製造方法を説明するための断面構成図である。
【００６９】
図６（ａ）に示すように、回路基板８０上には電極パッド９が設けられており、半導体素子３上には電極パッド１０が設けられている。さらに電極パッド９および電極パッド１０上には半田ボール１１ａが配置されている。
【００７０】
次に、図６（ｂ）に示すように、電極パッド９と電極パッド１０を半田ボール１１ａで接続するが、接続方法としては次のように接続する。公知のフリップチップボンダーで、接続前の回路基板８０及び半導体素子３の設定温度は摂氏１７０度とする。その後、画像認識による位置合わせとそれに続く接続工程に移行するが、加圧する際、加圧力を０．１Ｎとし、３秒間の間に回路基板８０及び半導体素子３を装置設定温度として摂氏１７０度から摂氏３００度まで昇温加熱させることで、接続が可能である。
【００７１】
次に、図６（ｃ）に示すように、フリップチップ接続された回路基板８０と半導体素子３の間隙にアンダーフィル樹脂１２が充填され、硬化させられる。アンダーフィル樹脂１２の充填には公知のディスペンサーを使用し、公知の方法で充填することができる。すなわち、回路基板８０と半導体素子３の間隙の端部における少なくとも１箇所に適量のアンダーフィル材料が滴下される。その後、毛細管現象によりアンダーフィル材料は半田接続部１１と回路基板８０と半導体素子３の間隙を過不足なく満たしながら充填される。充填された後、例えば１６５℃で２時間加熱し、アンダーフィル材料が熱硬化することでアンダーフィル材料の充填工程が完了する。
【００７２】
その後、図６（ｄ）に示すように、半導体素子３およびアンダーフィル樹脂１２のフィレット部１２ａを覆うように保護膜５の前駆体であるシリコーンゴムモノマー５ａが適量滴下される。滴下量としては、後述する方法でシリコーンゴムへと硬化した際の厚さが１０μｍより大きく、２０００μｍより小さくなることが望ましい。厚さが１０μｍより小さいと、リフロー工程など加熱時に発生する熱応力の十分な緩和が期待できず、２０００μｍより大きいと、後に述べる封止樹脂６の厚みが小さくなり、封止樹脂６の厚みが小さくなった部分の強度が不足することとなる。
【００７３】
又、シリコーンゴムモノマーとしては、上記実施の形態１の半導体装置の製造方法の説明で述べたものと同様とすることができる。シリコーンゴムモノマーを滴下した後、１５０℃で４時間程度加熱することにより、保護膜５を形成することができる。尚、上記のようにシリコーンゴムモノマーを滴下する工程が、本発明の載置工程の一例に対応する。又、上記のように加熱する工程が、本発明の重合工程の一例に対応する。
【００７４】
このように保護膜５が形成されたものが、適当な温度に加熱した封止金型内に設置され、図６（ｅ）に示すように、回路基板８０の半導体素子を搭載した面にのみエポキシ系熱硬化樹脂である封止樹脂６が公知のトランスファーモールド法により押圧充填され、硬化される。このように、封止樹脂６を押圧充填し、硬化させる工程が、本発明の封止工程の一例に対応する。エポキシ系熱硬化性樹脂である封止樹脂６を硬化させる際、エポキシ系熱硬化性樹脂の界面張力エネルギーが４０ｍＮ／ｍ以上６０ｍＮ／ｍ以下であるであることにより、保護膜５を形成するシリコーンゴム硬化体とはその表面が完全には密着しない。このように保護膜５の材料として封止樹脂６に対する濡れ性が悪いものを用いることによって、完全に密着せず、空隙層７が形成される。尚、充填硬化されたアンダーフィル樹脂１２としては、エポキシ樹脂が用いられているため、その後、図６（ｄ）、（ｅ）に示すように保護膜５を形成する際に、界面張力エネルギーの差により、空隙層７１が形成されることになる。
【００７５】
以上のように、図５に示す本発明の実施の形態３の半導体装置が製造される。
【００７６】
このような実施の形態３では、次に説明するように、外部からの水の浸入によるリフロー時の不良や、樹脂とその他部材の線膨張係数差により発生する内部応力の緩和に優れた信頼性の高いものとすることができる。
【００７７】
すなわち、シリコーンゴム硬化体である保護膜５の界面張力エネルギーが１５ｍＮ／ｍ以上３０ｍＮ／ｍであるのに対して、水の界面張力エネルギーは約７２ｍＮ／Ｎであるために、前記シリコーンゴム硬化体である保護膜５は撥水性を有することになる。そのため、エポキシ系熱硬化性樹脂である封止樹脂６とシリコーンゴム硬化体である保護膜５の間の空隙層７には水が滞留しない。あるいは滞留したとしても、水は界面張力の低いシリコーンゴム硬化体中には浸入することができない。
【００７８】
さらに、空隙層７および空隙層７１の存在により、各部材の線膨張係数差に起因する内部応力は極めて効果的に緩和されることとなり、当該実施の形態では長寿命の信頼性の高い半導体装置を提供することとなる。
【００７９】
尚、上記実施の形態１〜３では、半導体素子３の全体を覆うように保護膜５が形成されているが、図７の実施の形態１の変形例の半導体装置の断面構成図に示すように、保護膜５が半導体素子３の一部を覆うように形成されていてもよい。図７に示す半導体装置では、金属ワイヤー４の半導体素子３との接続部分４ａと、ペースト材料２の端部分２ａ（露出部分）と、半導体素子３の端部３ａが、保護膜５０によって覆われている。この保護膜５０は、実施の形態１の保護膜５と材料及び製造方法は同じものである。そして、保護膜５と封止樹脂６の間に、空隙層７２が形成されている。この構成では、接続部分４ａ近傍にかかる応力は低減出来、水の滞留も防止することが出来る。
【００８０】
又、実施の形態２では、金属ワイヤー４の半導体素子３との接触部分４ａが保護膜５によって覆われていたが、図８の実施の形態２の変形例の半導体装置の断面構成図に示すように、金属ワイヤー４の電極部８ａとの接続部分４ｂを覆うように保護膜が形成されていても良い。図８に示す半導体装置では、半導体素子３の端部３ａから電極部８ａまでが保護膜５２によって覆われており、保護膜５２と封止樹脂６の間には空隙層７３が形成されている。この構成では、少なくとも接続部分４ｂにかかる応力は低減出来、水の滞留も防止することが出来る。更に、図７に示すように、接続部分４ａも覆うように保護膜を形成しても良い。
【００８１】
又、上記実施の形態１〜３では、保護膜５と封止樹脂６の間の境界全域に渡って空隙層７が形成されているが、全域に渡って形成されていなくてもよい。更に、空隙が層状に形成されていなくてもよく、例えば、図９に示す実施の形態１の変形例の半導体装置のように、少なくとも１箇所に空隙７４が形成されておりさえすれば、従来の構成と比較して応力を緩和することが出来る。尚、本発明における空隙は、封止樹脂６に対する濡れ性が悪い材料により保護膜５を形成することによって封止樹脂６と保護膜５の密着性が悪くなり、応力緩和の効果が発揮される程度に形成されている。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
本発明の半導体装置及びその製造方法によれば、応力の緩和に優れた効果を有し、高密度化半導体パッケージなどとして有用である。
【符号の説明】
【００８３】
１      リードフレーム
１Ａ    外部端子
１Ｂ    ダイパッド部
２      ペースト材料
３      半導体素子
４      金属ワイヤー
５、５０、５２      保護膜
６      封止樹脂
７、７１、７２、７３      空隙層
８      回路基板
９      電極パッド
１０    電極パッド
１１    半田接続部
１１ａ  半田ボール
１２    アンダーフィル樹脂
１２ａ  フィレット部
７４  空隙
１０１  半導体素子
１０２  回路基板
１０３  金属ワイヤー
１０４  封止用樹脂層
１０５  基板電極
１０６  マウント材
１０７  シリコーンゴム
１０８  封止樹脂
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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