(57)【要約】【課題】本発明は、配線層の端子部と、記録再生用素子（例えば磁気ヘッドスライダ）の端子部との接続信頼性が高いサスペンション用基板を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層上に形成されたカバー層と、を有するサスペンション用基板であって、上記配線層は、記録再生用素子に接続する端子部を有する記録再生用配線層を備え、上記端子部には、めっき部が形成され、上記端子部における上記めっき部の厚さが、上記カバー層の厚さよりも大きいことを特徴とするサスペンション用基板を提供することにより、上記課題を解決する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、前記配線層上に形成されたカバー層と、を有するサスペンション用基板であって、
前記配線層は、記録再生用素子に接続する端子部を有する記録再生用配線層を備え、
前記端子部には、めっき部が形成され、
前記端子部における前記めっき部の厚さが、前記カバー層の厚さよりも大きいことを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項２】
前記端子部の下に存在する前記絶縁層および前記金属支持基板の端部の位置が、一致していることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
【請求項３】
前記端子部が、凹部を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のサスペンション用基板。
【請求項４】
前記配線層が、前記カバー層側に配置される前記記録再生用素子と開口部を介して接するように配置される機能性素子に接続する端子部を有する機能性素子用配線層を備えることを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板。
【請求項５】
前記機能性素子が、熱アシスト用素子であることを特徴とする請求項４に記載のサスペンション用基板。
【請求項６】
請求項１から請求項５までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板と、前記サスペンション用基板の前記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンション。
【請求項７】
請求項６に記載のサスペンションと、前記サスペンションに実装された記録再生用素子および機能性素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンション。
【請求項８】
請求項７に記載の素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブ。
【請求項９】
金属支持部材と、前記金属支持部材上に形成された絶縁部材と、前記絶縁部材上に形成された導体部材とを有する積層部材を準備する積層部材準備工程と、
前記積層部材の前記導体部材をエッチングし、記録再生用素子に接続する端子部を有する記録再生用配線層を備える配線層を形成する配線層形成工程と、
前記配線層上に、カバー層を形成するカバー層形成工程と、
前記絶縁部材をエッチングし、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記端子部に、めっき部を形成するめっき部形成工程と、
前記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程とを有し、
前記めっき部形成工程において、前記端子部における前記めっき部の厚さを、前記カバー層の厚さよりも大きくすることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１０】
金属支持部材を準備する金属支持部材準備工程と、
前記金属支持部材上に、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層上に、記録再生用素子に接続する端子部を有する記録再生用配線層を備える配線層を形成する配線層形成工程と、
前記端子部に、めっき部を形成するめっき部形成工程と、
前記配線層上に、カバー層を形成するカバー層形成工程と、
前記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程とを有し、
前記めっき部形成工程において、前記端子部における前記めっき部の厚さを、前記カバー層の厚さよりも大きくすることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
【請求項１１】
前記配線層形成工程が、めっき法により、第一レジストパターンから露出する表面に前記配線層を形成する工程であり、
前記めっき部形成工程が、前記第一レジストパターンを剥離せずに、第二レジストパターンを追加的に形成し、その後、めっき法により、前記第一レジストパターンおよび前記第二レジストパターンから露出する表面に前記めっき部を形成する工程であることを特徴とする請求項１０に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線層の端子部と、記録再生用素子（例えば磁気ヘッドスライダ）の端子部との接続信頼性が高いサスペンション用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ（ＨＤＤ）も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。
【０００３】
ＨＤＤに用いられるサスペンション用基板（フレキシャ）は、通常、一方の先端部分に形成され、磁気ヘッドスライダ等の記録再生用素子を実装する記録再生用素子実装領域と、他方の先端部分に形成され、外部回路基板との接続を行う外部回路基板接続領域と、記録再生用素子実装領域および外部回路基板接続領域を接続する配線層とを有する。配線層の端子部と、記録再生用素子の端子部とは、例えば半田により電気的に接続される。
【０００４】
一方、ＨＤＤの大容量化（高記録密度化）を図る手法の一つとして、熱アシスト記録が知られている（特許文献１〜３）。熱アシスト記録は、記録の直前に記録媒体を加熱することによって、磁性体粒子の保磁力を一時的に下げて記録を行うものである。これにより、保磁力の大きな磁性体粒子を用いた場合であっても、記録媒体に情報を記録することが容易となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−８８９９号公報
【特許文献２】特開２００８−１６５９２２号公報
【特許文献３】特開２０１０−１６０８７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
例えば、記録再生用素子の高機能化を図るために、記録再生用素子に機能性素子（熱アシスト素子等）を追加的に配置すると、機能性素子を配置した影響により、配線層の端子部と記録再生用素子の端子部との位置が離れ、両者の接続信頼性が低下する場合がある。また、機能性素子（熱アシスト素子等）を追加的に配置しない場合であっても、記録再生用素子の高機能化に伴って、デザイン上、配線層の端子部と記録再生用素子の端子部との位置が離れ、両者の接続信頼性が低下する場合がある。
【０００７】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、配線層の端子部と、記録再生用素子の端子部との接続信頼性が高いサスペンション用基板を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層上に形成されたカバー層と、を有するサスペンション用基板であって、上記配線層は、記録再生用素子に接続する端子部を有する記録再生用配線層を備え、上記端子部には、めっき部が形成され、上記端子部における上記めっき部の厚さが、上記カバー層の厚さよりも大きいことを特徴とするサスペンション用基板を提供する。
【０００９】
本発明によれば、端子部におけるめっき部の厚さが、カバー層の厚さよりも大きいことから、記録再生用配線層の端子部と、記録再生用素子の端子部との接続信頼性が高いサスペンション用基板とすることができる。
【００１０】
上記発明においては、上記端子部の下に存在する上記絶縁層および上記金属支持基板の端部の位置が、一致していることが好ましい。絶縁層の劣化が生じることなく、機械的強度の向上を図ることができるからである。
【００１１】
上記発明においては、上記端子部が、凹部を有することが好ましい。めっきが凹部の形状に追従するように成長することにより、半田が流れにくいめっき部とすることができるからである。
【００１２】
上記発明においては、上記配線層が、上記カバー層側に配置される上記記録再生用素子と開口部を介して接するように配置される機能性素子に接続する端子部を有する機能性素子用配線層を備えることが好ましい。
【００１３】
上記発明においては、上記機能性素子が、熱アシスト用素子であることが好ましい。
【００１４】
また、本発明においては、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンションを提供する。
【００１５】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、記録再生用配線層の端子部と、記録再生用素子の端子部との接続信頼性が高いサスペンションとすることができる。
【００１６】
また、本発明においては、上述したサスペンションと、上記サスペンションに実装された記録再生用素子および機能性素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンションを提供する。
【００１７】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、記録再生用配線層の端子部と、記録再生用素子の端子部との接続信頼性が高い素子付サスペンションとすることができる。
【００１８】
また、本発明においては、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブを提供する。
【００１９】
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。
【００２０】
また、本発明においては、金属支持部材と、上記金属支持部材上に形成された絶縁部材と、上記絶縁部材上に形成された導体部材とを有する積層部材を準備する積層部材準備工程と、上記積層部材の上記導体部材をエッチングし、記録再生用素子に接続する端子部を有する記録再生用配線層を備える配線層を形成する配線層形成工程と、上記配線層上に、カバー層を形成するカバー層形成工程と、上記絶縁部材をエッチングし、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記端子部に、めっき部を形成するめっき部形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程とを有し、上記めっき部形成工程において、上記端子部における上記めっき部の厚さを、上記カバー層の厚さよりも大きくすることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。
【００２１】
本発明によれば、めっき部形成工程において、記録再生用配線層の端子部におけるめっき部の厚さを、カバー層の厚さよりも大きくすることにより、記録再生用配線層の端子部と、記録再生用素子の端子部との接続信頼性が高いサスペンション用基板を得ることができる。
【００２２】
また、本発明においては、金属支持部材を準備する金属支持部材準備工程と、上記金属支持部材上に、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記絶縁層上に、記録再生用素子に接続する端子部を有する記録再生用配線層を備える配線層を形成する配線層形成工程と、上記端子部に、めっき部を形成するめっき部形成工程と、上記配線層上に、カバー層を形成するカバー層形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程とを有し、上記めっき部形成工程において、上記端子部における上記めっき部の厚さを、上記カバー層の厚さよりも大きくすることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法を提供する。
【００２３】
本発明によれば、めっき部形成工程において、記録再生用配線層の端子部におけるめっき部の厚さを、カバー層の厚さよりも大きくすることにより、記録再生用配線層の端子部と、記録再生用素子の端子部との接続信頼性が高いサスペンション用基板を得ることができる。
【００２４】
上記発明においては、上記配線層形成工程が、めっき法により、第一レジストパターンから露出する表面に上記配線層を形成する工程であり、上記めっき部形成工程が、上記第一レジストパターンを剥離せずに、第二レジストパターンを追加的に形成し、その後、めっき法により、上記第一レジストパターンおよび上記第二レジストパターンから露出する表面に上記めっき部を形成する工程であることが好ましい。等方的に成長するめっき部（高さ調整用めっき部）の形状を容易に制御できるからである。
【発明の効果】
【００２５】
本発明のサスペンション用基板は、配線層の端子部と、記録再生用素子の端子部との接続信頼性が高いという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】一般的なサスペンション用基板の一例を示す模式図である。
【図２】本発明のサスペンション用基板における記録再生用素子実装領域を例示する模式図である。
【図３】本発明の効果を説明する概略断面図である。
【図４】本発明における記録再生用素子および機能性素子を説明する概略斜視図である。
【図５】本発明におけるめっき部を説明する概略断面図である。
【図６】本発明におけるめっき部を説明する概略断面図である。
【図７】本発明における端子部およびめっき部を説明する模式図である。
【図８】本発明における端子部を説明する概略平面図である。
【図９】本発明のサスペンション用基板における記録再生用素子実装領域を例示する概略平面図である。
【図１０】本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１１】本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１２】本発明の素子付サスペンションにおける記録再生用素子実装領域の一例を示す概略断面図である。
【図１３】本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。
【図１４】第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
【図１５】第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
【図１６】第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
【図１７】第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明のサスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンション、ハードディスクドライブ、およびサスペンション用基板の製造方法について詳細に説明する。
【００２８】
Ａ．サスペンション用基板
本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、上記配線層上に形成されたカバー層と、を有するサスペンション用基板であって、上記配線層は、記録再生用素子に接続する端子部を有する記録再生用配線層を備え、上記端子部には、めっき部が形成され、上記端子部における上記めっき部の厚さが、上記カバー層の厚さよりも大きいことを特徴とするものである。
【００２９】
図１は、一般的なサスペンション用基板の一例を示す模式図である。図１（ａ）はサスペンション用基板の概略平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。なお、図１（ａ）では、便宜上、カバー層の記載は省略している。図１（ａ）に示されるサスペンション用基板１００は、一方の先端部分に形成された記録再生用素子実装領域１０１と、他方の先端部分に形成された外部回路基板接続領域１０２と、記録再生用素子実装領域１０１および外部回路基板接続領域１０２を電気的に接続する複数の配線層１０３ａ〜１０３ｄとを有するものである。配線層１０３ａおよび配線層１０３ｂは一対の配線層であり、同様に、配線層１０３ｃおよび配線層１０３ｄも一対の配線層である。これらの２つの配線層は、一方がライト用（記録用、書込み用）配線層であり、他方がリード用（再生用、読取り用）配線層である。一方、図１（ｂ）に示すように、サスペンション用基板１００は、金属支持基板１と、金属支持基板１上に形成された絶縁層２と、絶縁層２上に形成された配線層３と、配線層３上に形成されたカバー層４とを有する。
【００３０】
図２は、本発明のサスペンション用基板における記録再生用素子実装領域を例示する模式図である。図２（ａ）は記録再生用素子実装領域における配線層の概略平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ断面図であり、図２（ｃ）は図２（ｂ）におけるめっき部周辺の拡大図である。図２（ａ）における記録再生用素子実装領域には、４本の記録再生用配線層３Ａが存在する。４本の記録再生用配線層３Ａのうち、２本の記録再生用配線層３Ａは、ライト用配線層を構成する一対の配線層であり、残りの２本の記録再生用配線層３Ａはリード用配線層を構成する一対の配線層である。また、図２（ａ）における記録再生用素子実装領域には、２本の機能性素子用配線層３Ｂが存在する。この機能性素子用配線層３Ｂ、例えば、熱アシスト用素子と接続するための配線層である。
【００３１】
また、図２（ｂ）、（ｃ）に示すように、記録再生用配線層３Ａは、記録再生用素子２１０に接続する端子部３ａを有し、機能性素子用配線層３Ｂは、金属支持基板１側の表面で機能性素子（例えば熱アシスト用素子）２２０に接続する端子部３ｂを有する。記録再生用配線層３Ａの端子部３ａには、高さ調整用めっき部５ａと、保護用めっき部５ｂとから構成されるめっき部５が形成されている。一方、機能性素子用配線層３Ｂの端子部３ｂには、保護用めっき部５ｂから構成されるめっき部５が形成されている。本発明においては、記録再生用配線層３Ａの端子部３ａにおけるめっき部５の厚さＴ１が、カバー層４の厚さＴ２よりも大きいことを大きな特徴とする。なお、「記録再生用配線層の端子部におけるめっき部の厚さ」とは、記録再生用配線層の端子部のカバー層側の表面上に形成されためっき部の厚さをいう。また、「カバー層の厚さ」とは、端子部に近接する位置において、記録再生用配線層の表面上に形成されたカバー層の厚さをいう。
【００３２】
本発明によれば、端子部におけるめっき部の厚さが、カバー層の厚さよりも大きいことから、記録再生用配線層の端子部と、記録再生用素子の端子部との接続信頼性が高いサスペンション用基板とすることができる。従来は、図３（ａ）に示すように、端子部３ａの劣化（腐食等）を防止する観点からめっき部５を設けており、めっき部５の厚さは非常に薄いものであった。そのため、記録再生用配線層３Ａの端子部３ａと、記録再生用素子２１０の端子部２０１との位置が離れた場合、両者の接続信頼性が低くなるという問題がある。これに対して、本発明においては、図３（ｂ）に示すように、めっき部５の厚さを厚くすることで、記録再生用配線層３Ａの端子部３ａと、記録再生用素子２１０の端子部２０１との位置が離れた場合であっても、両者の接続信頼性を高くすることができる。さらに、めっき部の厚さを調整することで、記録再生用素子２１０の端子部２０１の高さを問わず、信頼性の高い接続を容易に行うことができる。
【００３３】
また、従来、カバー層の厚さは、端子部におけるめっき部の厚さよりも大きかった。その理由は、以下の通りである。すなわち、めっき部およびカバー層は、いずれも配線層の劣化（腐食等）を防止する機能を有する点で共通する。しかしながら、カバー層には、配線層を他の部材から絶縁する絶縁性が求められているため、通常は、カバー層の材料としてポリイミド樹脂等の樹脂等が用いられている。一方、めっき部には、端子部同士を電気的に接続する導電性が求められるため、めっき部の材料として金属が用いられている。このような機能および材料の相違から、従来、カバー層の厚さは、端子部におけるめっき部の厚さよりも大きかった。これに対して、本発明においては、めっき部に対して、高さ調整機能という機能を付与することで、記録再生用配線層の端子部と、記録再生用素子の端子部との位置が離れた場合であっても、両者の接続信頼性を高くすることができる。
【００３４】
また、機能性素子を配置した影響により、記録再生用配線層の端子部と記録再生用素子の端子部との位置が離れる場合の一例について、図４を用いて説明する。図４では、記録再生用素子（ここでは、磁気ヘッドスライダ）２１０に、レーザーダイオード２１１および光源ユニット２１２から構成される機能性素子（ここでは、熱アシスト用素子）２２０が配置されている。図４では、レーザーダイオード２１１からの光２１３の伝搬損失を減少させ、消費電力を減らすため、記録再生用素子２１０に段差２０２を設け、光導波路を短くしている。なお、この段差２０２は、機能性素子２２０の嵌め込み部としても機能する。このような場合に、記録再生用素子２１０の端子部２０１の位置が、従来に比べて、図４における図面下側（図２、図３における図面上側に相当）にシフトする場合がある。その結果、記録再生用配線層の端子部と記録再生用素子の端子部との位置が離れる場合がある。また、熱アシスト用素子に限らず、記録再生用配線層に、機能性素子を追加配置する場合、デザイン上、記録再生用配線層の端子部と記録再生用素子の端子部との位置が離れる場合がある。さらに、機能性素子を追加配置せず、記録再生用素子のみを実装する場合であっても、記録再生用素子の高機能化に伴って、デザイン上、配線層の端子部と記録再生用素子の端子部との位置が離れ、両者の接続信頼性が低下する場合がある。これらのいずれの場合であっても、本発明のサスペンション用基板は、接続信頼性を高くすることができる。
以下、本発明のサスペンション用基板について、サスペンション用基板の部材と、サスペンション用基板の構成とに分けて説明する。
【００３５】
１．サスペンション用基板の部材
まず、本発明のサスペンション用基板の部材について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板、絶縁層、配線層、めっき部、カバー層を少なくとも有するものである。
【００３６】
本発明における金属支持基板は、サスペンション用基板の支持体として機能するものである。金属支持基板の材料は、ばね性を有する金属であることが好ましく、具体的にはステンレス鋼等を挙げることができる。また、金属支持基板の厚さは、その材料の種類により異なるものであるが、例えば１０μｍ〜２０μｍの範囲内である。
【００３７】
本発明における絶縁層は、金属支持基板上に形成されるものである。絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば樹脂を挙げることができる。上記樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂およびポリ塩化ビニル樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。絶縁性、耐熱性および耐薬品性に優れているからである。また、絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。絶縁層の厚さは、例えば５μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１８μｍの範囲内であることがより好ましく、５μｍ〜１２μｍの範囲内であることがさらに好ましい。
【００３８】
本発明における配線層は、絶縁層上に形成されるものである。配線層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、中でも銅（Ｃｕ）が好ましい。また、配線層の材料は、圧延銅であっても良く、電解銅であっても良い。配線層の厚さは、例えば５μｍ〜１８μｍの範囲内であることが好ましく、９μｍ〜１２μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００３９】
本発明におけるめっき部は、配線層の端子部に形成されるものである。めっき部の種類は特に限定されるものではないが、例えば、Ａｕめっき、Ｎｉめっき、Ｃｕめっき、Ａｇめっき等を挙げることができる。また、めっき部は、配線層と同じ材料であっても良く、異なる材料であっても良い。また、めっき部は、単層構成であっても良く、複層構成であっても良いが、複層構成であることが好ましい。具体的には、図２（ｃ）に示したように、めっき部５が、高さ調整用めっき部５ａと、高さ調整用めっき部５ａの表面に形成された保護用めっき部５ｂとを有することが好ましい。接続信頼性を維持しつつ、劣化しにくいめっき部とすることができるからである。また、高さ調整用めっき部および保護用めっき部は、通常、互いに異なるめっきであり、具体的なめっき部の種類は、上述しためっき部を任意に組み合わせることができる。中でも、高さ調整用めっき部はＮｉめっきであることが好ましく、保護用めっき部はＡｕめっきであることが好ましい。なお、めっき部の厚さについては、後述する。
【００４０】
本発明におけるカバー層は、配線層上に形成されるものである。カバー層を設けることにより、配線層の劣化（腐食等）を防止できる。カバー層の材料としては、例えば、上述した絶縁層の材料として記載したものを挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。なお、カバー層の厚さについては後述する。
【００４１】
２．サスペンション用基板の構成
次に、本発明のサスペンション用基板の構成について説明する。本発明のサスペンション用基板は、記録再生用配線層の端子部におけるめっき部の厚さが、カバー層の厚さよりも大きいことを大きな特徴とする。ここで、図２（ｃ）に示すように、記録再生用配線層３Ａの端子部３ａにおけるめっき部５の厚さをＴ１とし、カバー層４の厚さをＴ２とし、保護用めっき部５ｂの高さをＴ３とする。
【００４２】
Ｔ１の値は、特に限定されるものではないが、６μｍ以上であることが好ましく、８μｍ以上であることがより好ましく、１０μｍ以上であることがさらに好ましい。Ｔ１の値が小さすぎると、接続信頼性を十分に高くすることが困難になるからである。一方、Ｔ１の値は、３０μｍ以下であることが好ましい。Ｔ２の値は、例えば２μｍ〜１０μｍの範囲内であることが好ましく、２μｍ〜６μｍの範囲内であることがより好ましい。Ｔ２の値が小さすぎると、ピンホールの発生等が生じる可能性があり、Ｔ２の値が大きすぎると、サスペンション用基板の剛性が高くなり、反りが生じる可能性があるからである。また、めっき部３ａの厚さとカバー層４の厚さとの差（Ｔ１−Ｔ２）は、例えば２ｍ以上であることが好ましく、４μｍ以上であることがより好ましく、６μｍ以上であることがさらに好ましい。上記の差が小さすぎると、半田の熱がカバー層４まで伝わり、カバー層４に気泡が生じ、信頼性が低下する可能性があるからである。一方、Ｔ１−Ｔ２は、２４μｍ以下であることが好ましい。
【００４３】
Ｔ３の値は、特に限定されるものではないが、例えば０．０５μｍ〜４μｍの範囲内であることが好ましく、０．０５μｍ〜２μｍの範囲内であることがより好ましい。また、高さ調整用めっき部５ａの厚さ（Ｔ１−Ｔ３）は、例えば６μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、８μｍ〜２０μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００４４】
図５（ａ）〜（ｄ）では、いずれも、高さ調整用めっき部５ａが、端子部３Ａの端部３１を覆うように形成されている。このように端部３１を高さ調整用めっき部５ａで覆うことにより、めっき形成の際、電流密度が高くなりやすい端子部の端部における高さ調整用めっきの析出制御が容易となり、めっき高さの制御が容易にできる。図５（ａ）では、端子部３ａの端部３１と、端子部３ａの下に存在する絶縁層２の端部２１との位置が一致している。端子部３ａおよび絶縁層２の端部の位置を一致させることにより、端子部３ａの機械的強度を向上させることができる。ここで、本明細書において「端部の位置が一致している」とは、両者の位置のズレが８μｍ以下であることをいい、４μｍ以下であることが好ましい。図５（ｂ）では、端子部３ａが、絶縁層２側の表面を露出するように形成されている。絶縁層２側の表面を露出させることにより、たとえ半田の熱が絶縁層２に伝わったとしても、熱ダメージを低減できる。絶縁層２側の表面で露出する端子部３ａの長さ（Ｌ１）は、例えば１０μｍ以上であることが好ましく、５μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましい。
【００４５】
また、図５（ｃ）では、端子部３ａの下に存在する絶縁層２の端部２１が、端子部３ａの端部３１よりも突出している。絶縁層２の端部２１を突出させることにより、めっき部５の厚さを厚くしても、他の部材との短絡が生じにくくなる。端子部３ａの端部３１から突出した絶縁層２の長さ（Ｌ２）は、例えば３０μｍ以上であることが好ましく、１０μｍ〜３００μｍの範囲内であることが好ましい。図５（ｄ）では、端子部３ａの下に存在する絶縁層２の端部２１と、めっき部５の端部５１との位置が一致している。絶縁層２およびめっき部５の端部の位置を一致させることにより、他部材との短絡が防止できるとともに、端子部の機械的強度を向上できる。なお、「端部の位置が一致している」ことの定義は上述した通りである。
【００４６】
一方、図５（ｅ）では、高さ調整用めっき部５ａの端部と、端子部３Ａの端部３１との位置が一致し、保護めっき部５ｂが、端子部３Ａの端部３１を覆うように形成されている。このような構成にすることにより、記録再生用素子（磁気ヘッドスライダ）を端子部の端部に突き当て位置決めする際に、記録再生用素子へのダメージを軽減できる。なお、「端部の位置が一致している」ことの定義は上述した通りである。また、図５（ｅ）では、図５（ａ）と同様に、端部３１および端部２１の位置が一致しているが、図５（ｂ）〜（ｄ）と同様に、両端部の位置は一致していなくても良い。
【００４７】
また、本発明は、図６（ａ）〜（ｅ）に示すように、端子部３１の下に存在する、絶縁層２の端部２１と金属支持基板１の端部１１との位置が、一致していることが好ましい。絶縁層の劣化が生じることなく、機械的強度の向上を図ることができるからである。図３（ａ）に示すように、端子部３ａに、一般的なめっき部５のみが形成されている場合、半田の熱が絶縁層２まで伝わり、絶縁層２の劣化（例えば溶解）が生じる場合がある。そのため、絶縁層２に熱が溜まることを防止するため、金属支持基板１側の絶縁層２を露出させることがあり、その結果、機械的強度が低くなる場合がある。これに対して、本発明においては、例えば図６（ａ）に示すように、端子部３ａ上に形成されるめっき部５の厚さが大きいため、めっき部５自体が半田の熱を吸収でき、熱が絶縁層２まで伝わることを抑制できる。その結果、絶縁層２の端部２１と金属支持基板１の端部１１との位置を一致させても、絶縁層の劣化が生じることなく、機械的強度の向上を図ることができる。熱吸収性が高い（熱伝導率が低い）という観点からは、めっき部５（特に、高さ調整用めっき部５ａ）の材料として、Ｎｉめっきを用いることが好ましい。なお、図６（ａ）〜（ｅ）は、それぞれ図５（ａ）〜（ｅ）に対応したものであり、図５について記載した事項は、図６においても同様である。また、「端部の位置が一致している」ことの定義も上述した通りである。特に、図６（ｃ）、（ｄ）のように、端子部３ａの下に存在する絶縁層２の端部２１が、端子部３ａの端部３１よりも突出している場合、めっき部５と金属支持基板１との短絡を効果的に防止できる。
【００４８】
図７は、本発明における端子部およびめっき部を説明する模式図である。図７（ａ）に示すように、記録再生用配線層３Ａの端子部３ａに対してめっき処理を行う場合、めっきは等方的に成長するため、図７（ｂ）に示すように、めっき部５の半田が配置される面は、曲面状になる。特に、本発明におけるめっき部５は、従来のめっき部に比べて厚いため、曲率が大きくなり、半田が流れやすくなる可能性がある。その結果、流れた半田が隣り合うめっき部５に接触し、短絡が生じ可能性が考えられる。また、短絡を防止するために、十分な半田量を確保できない可能性も考えられる。
【００４９】
このような短絡の発生を防止するという観点からは、端子部が凹部を有することが好ましい。めっきが凹部の形状に追従するように成長することにより、半田が流れにくいめっき部とすることができるからである。また、上記凹部は、少なくとも端子部の端部を含むように形成されていることが好ましい。端子部の凹部の一例としては、図７（ｃ）、（ｄ）に示すように、貫通部３２により形成された凹部を挙げることができる。貫通部３２の長さ（Ｌ３）は、例えば３μｍ〜５０μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜２０μｍの範囲内であることがより好ましい。貫通部３２の幅（Ｗ１）は、例えば１０μｍ〜５５μｍの範囲内であることが好ましく、１５μｍ〜２５μｍの範囲内であることがより好ましい。また、端子部の凹部の他の例としては、図７（ｅ）、（ｆ）に示すように、薄肉部３３により形成された凹部を挙げることができる。薄肉部３３により形成された凹部の深さ（Ｄ）は、例えば２μｍ〜５μｍの範囲内であることが好ましく、２μｍ〜３μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００５０】
また、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、貫通部３２または薄肉部３３により形成された凹部は、端子部３ａの端部３１の近傍のみに形成されたものであっても良い。同様の効果を得ることができるからである。端部の近傍とは、端面から１０μｍまでの領域をいう。なお、少なくとも端面から５μｍまでの領域には凹部が形成されていることが好ましい。一方、図８（ｃ）に示すように、端子部３ａは、端部３１に向かって幅が広がる形状を有することが好ましい。端部３１では、記録再生用素子との接続を図るために必要なサイズを確保でき、端部３１とは反対側では、隣り合う端子部３ａ同士がめっき部５により短絡することを防止できるからである。端子部３ａの端部３１の幅をＷ２ａとし、端部３１とは反対側の端子部３ａの幅をＷ２ｂとした場合、Ｗ２ａの値は、例えば３５μｍ〜９０μｍの範囲内であることが好ましく、４０μｍ〜６０μｍの範囲内であることがより好ましい。Ｗ２ｂの値は、例えば１０μｍ〜５０μｍの範囲内であることが好ましく、１５μｍ〜２５μｍの範囲内であることがより好ましい。Ｗ２ａ−Ｗ２ｂの値は、例えば２５μｍ〜８０μｍの範囲内であることが好ましく、２５μｍ〜４５μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００５１】
また、図９は、本発明のサスペンション用基板における記録再生用素子実装領域を例示する概略平面図である。図９（ｂ）〜（ｄ）は、図９（ａ）を部材毎に示すものである。図９（ｄ）に示すように、本発明における配線層は、記録再生用素子に接続する端子部３ａを有する記録再生用配線層３Ａを備える。記録再生用配線層３Ａは、ライト用配線層およびリード用配線層の少なくとも一方であれば良い。本発明における記録再生用素子としては、例えば磁気発生素子を有するものを挙げることができ、磁気ヘッドスライダであることが好ましい。また、図９（ｄ）に示すように、本発明における配線層は、機能性素子に接続する端子部３ｂを有する機能性素子用配線層３Ｂを備えることが好ましい。本発明における機能性素子は、記録再生用素子に何らかの機能を付与する素子であり、例えば、熱アシスト用素子、アクチュエータ素子等を挙げることができる。
【００５２】
熱アシスト用素子は、記録再生用素子の記録を熱によりアシストできるものであれば特に限定されるものではない。中でも、本発明における熱アシスト用素子は、光を利用した素子であることが好ましい。光ドミナント記録方式による熱アシスト記録を行うことができるからである。光を利用した熱アシスト用素子としては、例えば半導体レーザーダイオード素子を挙げることができる。半導体レーザーダイオード素子は、ｐｎ型の素子であっても良く、ｐｎｐ型またはｎｐｎ型の素子であっても良い。光を利用した熱アシスト用素子は、出力光をスライダ等に設けられた光導波路に導くために、必要に応じて、反射レンズ、集光レンズ等を有していても良い。また、半導体レーザーダイオード素子は、面発光レーザーであっても良く、端面発光レーザーであっても良い。
【００５３】
また、図９（ｂ）に示すように、本発明における金属支持基板は、タング部１ａを有することが好ましい。タング部は、磁気ヘッドスライダ等の記録再生用素子を実装する部位である。さらに、金属支持基板は、タング部１ａを支持する支持アーム部１ｂと、支持アーム部１ｂの外側に形成されたアウトリガー部１ｃをさらに有することが好ましい。記録再生用素子の追従性が良好なサスペンション用基板とすることができるからである。さらに、金属支持基板は、タング部１ａに開口部１ｄを有し、この開口部１ｄに、記録再生用配線層３Ａの端子部が位置することが好ましい。また、図９（ａ）、（ｃ）に示すように、本発明における絶縁層２は、支持アーム部１ｂ上を通過するように形成されていることが好ましい。さらに、支持アーム部１ｂおよびアウトリガー部１ｃの間には、絶縁層２と同じ材料から構成されるリミッタ５が形成されていることが好ましい。
【００５４】
Ｂ．サスペンション
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするものである。
【００５５】
図１０は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図１０に示されるサスペンション４００は、上述したサスペンション用基板１００と、サスペンション用基板１００の金属支持基板側の表面に設けられたロードビーム３００とを有するものである。
【００５６】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、記録再生用配線層の端子部と、記録再生用素子の端子部との接続信頼性が高いサスペンションとすることができる。
【００５７】
本発明のサスペンションは、少なくともサスペンション用基板およびロードビームを有する。本発明におけるサスペンション用基板については、上記「Ａ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。一方、本発明におけるロードビームは、サスペンション用基板の金属支持基板側の表面に設けられるものである。ロードビームの材料は、特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、ステンレス鋼であることが好ましい。
【００５８】
Ｃ．素子付サスペンション
次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。本発明の素子付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションに実装された記録再生用素子および機能性素子と、を有することを特徴とするものである。
【００５９】
図１１は、本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図１１に示される素子付サスペンション５００は、上述したサスペンション４００と、サスペンション４００（サスペンション用基板１００の記録再生用素子実装領域１０１）に実装された記録再生用素子２１０および機能性素子（図示せず）とを有するものである。また、図１２は、本発明の素子付サスペンションにおける記録再生用素子実装領域の一例を示す概略断面図である。図１２に示すように、記録再生用素子２１０は、カバー層４側に配置され、記録再生用配線層３Ａの端子部３ａと導電性部材（例えば半田）１２を介して電気的に接続されている。一方、機能性素子２２０は、記録再生用素子２１０とサスペンション用基板の開口部を介して接するように配置され、機能性素子用配線層３Ｂの端子部３ｂと導電性部材（例えば半田）１２を介して電気的に接続されている。
【００６０】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、記録再生用配線層の端子部と、記録再生用素子の端子部との接続信頼性が高い素子付サスペンションとすることができる。
【００６１】
本発明の素子付サスペンションは、少なくともサスペンション、記録再生用素子および機能性素子を有する。本発明におけるサスペンションについては、上記「Ｂ．サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。本発明における記録再生用素子および機能性素子については、上記「Ａ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【００６２】
Ｄ．ハードディスクドライブ
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするものである。
【００６３】
図１３は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図１３に示されるハードディスクドライブ６００は、上述した素子付サスペンション５００と、素子付サスペンション５００がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク５０１と、ディスク５０１を回転させるスピンドルモータ５０２と、素子付サスペンション５００の素子を移動させるアーム５０３およびボイスコイルモータ５０４と、上記の部材を密閉するケース５０５とを有するものである。
【００６４】
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。
【００６５】
本発明のハードディスクドライブは、少なくとも素子付サスペンションを有し、通常は、さらにディスク、スピンドルモータ、アームおよびボイスコイルモータを有する。素子付サスペンションについては、上記「Ｃ．素子付サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。
【００６６】
Ｅ．サスペンション用基板の製造方法
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本発明のサスペンション用基板の製造方法は、２つの実施態様に大別することができる。以下、本発明のサスペンション用基板の製造方法について、第一実施態様および第二実施態様に分けて説明する。
【００６７】
１．第一実施態様
第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法は、いわゆるサブトラクティブ法によるものである。すなわち、金属支持部材と、上記金属支持部材上に形成された絶縁部材と、上記絶縁部材上に形成された導体部材とを有する積層部材を準備する積層部材準備工程と、上記積層部材の上記導体部材をエッチングし、記録再生用素子に接続する端子部を有する記録再生用配線層を備える配線層を形成する配線層形成工程と、上記配線層上に、カバー層を形成するカバー層形成工程と、上記絶縁部材をエッチングし、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記端子部に、めっき部を形成するめっき部形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程とを有し、上記めっき部形成工程において、上記端子部における上記めっき部の厚さを、上記カバー層の厚さよりも大きくすることを特徴とするものである。
【００６８】
図１４は、第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。なお、図１４は、図２（ｂ）と同様に、図２（ａ）のＡ−Ａ断面図に相当する断面図である。図１４においては、まず、金属支持部材１Ｘ、絶縁部材２Ｘおよび導体部材３Ｘがこの順に積層された積層部材を準備する（図１４（ａ））。次に、導体部材３Ｘに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、記録再生用配線層３Ａおよび機能性素子用配線層３Ｂを有する配線層を形成する（図１４（ｂ））。この際、金属支持部材１Ｘに対するウェットエッチングを行い、開口部を同時に形成する。次に、配線層３を覆うようにカバー層４を形成する（図１４（ｃ））。
【００６９】
その後、絶縁部材２Ｘに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、絶縁層２を形成する（図１４（ｄ））。次に、所定のレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出する端子部３ａの表面上に、高さ調整用めっき部５ａを形成する（図１４（ｅ））。図示しないが、この際、配線層および金属支持基板を絶縁層を介して接続するビアを同時に形成しても良い。次に、再びジストパターンを形成し、レジストパターンから露出する、高さ調整用めっき部５ａの表面上、および、端子部３ｂの表面上に、保護めっき部５ｂを形成する（図１４（ｆ））。最後に、図示しないが、金属支持部材１Ｘの外形加工を行い、金属支持基板１を形成し、サスペンション用基板を得ることができる。
【００７０】
第一実施態様によれば、めっき部形成工程において、記録再生用配線層の端子部におけるめっき部の厚さを、カバー層の厚さよりも大きくすることにより、記録再生用配線層の端子部と、記録再生用素子の端子部との接続信頼性が高いサスペンション用基板を得ることができる。
以下、第一実施態様のサスペンション用基板の製造方法の一例について、工程ごとに説明する。
【００７１】
（１）積層部材準備工程
第一実施態様における積層部材準備工程は、金属支持部材と、上記金属支持部材上に形成された絶縁部材と、上記絶縁部材上に形成された導体部材とを有する積層部材を準備する工程である。
【００７２】
第一実施態様においては、積層部材の金属支持部材をエッチングすることにより金属支持基板が得られ、積層部材の絶縁部材をエッチングすることにより絶縁層が得られ、積層体の導体部材をエッチングすることにより配線層が得られる。積層部材は、市販の三層材であっても良く、金属支持部材に対して絶縁部材および導体部材を順次形成して得られたものであっても良い。
【００７３】
（２）配線層形成工程
第一実施態様における配線層形成工程は、上記導体部材をエッチングし、記録再生用素子に接続する端子部を有する記録再生用配線層を備える配線層を形成する工程である。
【００７４】
配線層の形成方法としては、例えば、積層部材の導体部材上に、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する導体部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いられるエッチング液の種類は、導体部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば導体部材の材料がＣｕである場合には、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。
【００７５】
また、第一実施態様においては、導体部材のエッチングと同時に、金属支持部材のエッチングを行っても良い。金属支持部材のエッチングは、例えば、開口部や治具孔の形成のためのエッチングを挙げることができる。また、必要であれば、後述する金属支持基板形成工程で行う加工の少なくとも一部を、導体部材のエッチングと同時に行っても良い。
【００７６】
（３）カバー層形成工程
第一実施態様におけるカバー層形成工程は、上記配線層上にカバー層を形成する工程である。
【００７７】
カバー層の形成方法は、特に限定されるものではなく、カバー層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、カバー層の材料が感光性材料である場合には、全面形成したカバー層に露光現像を行うことによりパターン状のカバー層を得ることができる。また、カバー層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成したカバー層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状のカバー層を得ることができる。
【００７８】
（４）絶縁層形成工程
第一実施態様における絶縁層形成工程は、上記絶縁部材をエッチングし、絶縁層を形成する工程である。
【００７９】
絶縁層の形成方法としては、例えば、絶縁部材に対して、ドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）等を用いてレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する絶縁部材をウェットエッチングする方法を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、絶縁部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば絶縁部材の材料がポリイミド樹脂である場合は、アルカリ系エッチング液等を用いることができる。
【００８０】
（５）めっき部形成工程
第一実施態様におけるめっき部形成工程は、上記端子部にめっき部を形成する工程である。第一実施態様においては、めっき部形成工程において、記録再生用配線層の端子部におけるめっき部の厚さを、カバー層の厚さよりも大きくすることを大きな特徴とする。
【００８１】
めっき部の形成方法としては、所望のめっき部を得ることができる方法であれば特に限定されるものではないが、例えば電解めっき法を挙げることができる。例えば、Ｎｉめっきのめっき部を形成する場合、用いられる電解Ｎｉめっき浴としては、例えば、ワット浴およびスルファミン酸浴等を挙げることができる。また、めっき条件は、特に限定されるものではなく、所望の条件（めっき時間、印加電圧等）を選択すれば良い。
【００８２】
また、めっき部が、高さ調整用めっき部および保護めっき部を有する場合、それぞれを別工程で形成することが好ましい。具体的には、高さ調整用めっき部の形成を、例えば、金属支持基板および配線層を絶縁層を介して接続するビアを形成する工程と同時に行うことが好ましく、保護めっき部の形成を、例えば、記録再生用配線層以外の配線層の端子部にめっき部を形成する工程と同時に行うことが好ましい。なお、ビアを形成する工程とは別工程で、高さ調整用めっき部のみを形成しても良い。いずれも、ＤＦＲ等を用いて所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する表面に、めっきを析出させれば良い。
【００８３】
（６）金属支持基板形成工程
第一実施態様における金属支持基板形成工程は、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する工程である。本工程において、通常は、金属支持基板の外形加工を行う。
【００８４】
金属支持部材をエッチングする方法は特に限定されるものでないが、具体的には、ウェットエッチング等を挙げることができる。ウェットエッチングに用いるエッチング液の種類は、金属支持部材の種類に応じて適宜選択することが好ましく、例えば金属支持部材の材料がステンレス鋼である場合は、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。
【００８５】
２．第二実施態様
第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法は、いわゆるアディティブ法によるものである。すなわち、金属支持部材を準備する金属支持部材準備工程と、上記金属支持部材上に、絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記絶縁層上に、記録再生用素子に接続する端子部を有する記録再生用配線層を備える配線層を形成する配線層形成工程と、上記端子部に、めっき部を形成するめっき部形成工程と、上記配線層上に、カバー層を形成するカバー層形成工程と、上記金属支持部材をエッチングし、金属支持基板を形成する金属支持基板形成工程とを有し、上記めっき部形成工程において、上記端子部における上記めっき部の厚さを、上記カバー層の厚さよりも大きくすることを特徴とするものである。
【００８６】
図１５、図１６は、第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。なお、図１５、図１６は、図２（ｂ）と同様に、図２（ａ）のＡ−Ａ断面図に相当する断面図である。図１５においては、まず、金属支持部材１Ｘを準備する（図１５（ａ））。次に、金属支持部材１Ｘの表面上に、パターン状の絶縁層２を形成する（図１５（ｂ））。次に、絶縁層２側の表面にスパッタリング法によりシード層（図示せず）を全面形成し、シード層側および金属支持部材１Ｘ側の両面に、第一レジストパターン１５を形成する（図１５（ｃ））。次に、電解めっき法により、第一レジストパターン１５から露出する表面に、記録再生用配線層３Ａおよび機能性素子用配線層３Ｂを有する配線層を形成する（図１５（ｄ））。次に、第一レジストパターン１５を剥離し、高さ調整用めっき部を形成するために、第二レジストパターン１６を形成する（図１５（ｅ））。次に、電解めっき法により、第二レジストパターン１６から露出する表面に、高さ調整用めっき部５ａを形成する。
【００８７】
その後、第二レジストパターン１６を剥離し（図１６（ａ））、カバー層４を形成する（図１６（ｂ））。次に、金属支持部材１Ｘに対するウェットエッチングを行い、開口部を形成する（図１６（ｃ））。次に、再びレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出する、高さ調整用めっき部５ａの表面上、および、端子部３ｂの表面上に、保護めっき部５ｂを形成する（図１６（ｄ））。最後に、図示しないが、金属支持部材１Ｘの外形加工を行い、金属支持基板１を形成し、サスペンション用基板を得る。
【００８８】
第二実施態様によれば、めっき部形成工程において、記録再生用配線層の端子部におけるめっき部の厚さを、カバー層の厚さよりも大きくすることにより、記録再生用配線層の端子部と、記録再生用素子の端子部との接続信頼性が高いサスペンション用基板を得ることができる。
以下、第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法の一例について、工程ごとに説明する。
【００８９】
（１）金属支持部材準備工程
第二実施態様における金属支持部材準備工程は、金属支持部材を準備する工程である。金属支持部材には、例えば市販の金属支持部材を用いることができる。
【００９０】
（２）絶縁層形成工程
第二実施態様における絶縁層形成工程は、上記金属支持部材上に、絶縁層を形成する工程である。
【００９１】
絶縁層の形成方法は、特に限定されるものではなく、絶縁層の材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、絶縁層の材料が感光性材料である場合には、全面形成した絶縁層に露光現像を行うことによりパターン状の絶縁層を得ることができる。また、絶縁層の材料が非感光性材料である場合は、全面形成した絶縁層の表面に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出した部分を、ウェットエッチングにより除去することによりパターン状の絶縁層を得ることができる。
【００９２】
（３）配線層形成工程
第二実施態様における配線層形成工程は、上記絶縁層上に、記録再生用素子に接続する端子部を有する記録再生用配線層を備える配線層を形成する工程である。配線層の形成方法としては、例えば電解めっき法等を挙げることができる。電解めっき法を用いる場合、第二配線層の形成前に、スパッタリング法等により絶縁層の表面にシード層を形成することが好ましい。
【００９３】
（４）めっき部形成工程
第二実施態様におけるめっき部形成工程は、上記端子部にめっき部を形成する工程である。第二実施態様においては、めっき部形成工程において、記録再生用配線層の端子部におけるめっき部の厚さを、カバー層の厚さよりも大きくすることを大きな特徴とする。なお、めっき部の形成方法等については、上述した第一実施態様に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【００９４】
また、第二実施態様においては、配線層形成工程が、めっき法により、第一レジストパターンから露出する表面に上記配線層を形成する工程であり、めっき部形成工程が、第一レジストパターンを剥離せずに、第二レジストパターンを追加的に形成し、その後、めっき法により、第一レジストパターンおよび第二レジストパターンから露出する表面に上記めっき部を形成する工程であることが好ましい。等方的に成長するめっき部の形状を容易に制御できるからである。
【００９５】
この具体例について、図１７を用いて説明する。図１７は、第二実施態様のサスペンション用基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。なお、図１７は、図２（ｂ）と同様に、図２（ａ）のＡ−Ａ断面図に相当する断面図である。図１７におけるサスペンション用基板の製造方法は、基本的には、図１５におけるサスペンション用基板の製造方法と同様であるが、図１７（ｅ）において、第一レジストパターン１５を剥離せずに、第二レジストパターン１６を追加的に形成する。これにより、等方的に成長するめっき部５（高さ調整用めっき部５ａ）の形状を容易に制御できる。また、これにより、例えば、上述した図５（ｅ）、図６（ｅ）のようなめっき部５を形成することができる。
【００９６】
また、めっき部が、高さ調整用めっき部および保護めっき部を有する場合、それぞれを別工程で形成することが好ましい。具体的には、高さ調整用めっき部の形成を、例えば、金属支持基板および配線層を絶縁層を介して接続するビアを形成する工程と同時に行うことが好ましく、保護めっき部の形成を、例え、ば記録再生用配線層以外の配線層の端子部にめっき部を形成する工程と同時に行うことが好ましい。なお、ビアを形成する工程とは別工程で、高さ調整用めっき部のみを形成しても良い。いずれも、ＤＦＲ等を用いて所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する表面に、めっきを析出させれば良い。
【００９７】
（５）カバー層形成工程および金属支持基板形成工程
第二実施態様におけるカバー層形成工程および金属支持基板形成工程については、第一実施態様に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【００９８】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００９９】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
【０１００】
［実施例１］
厚さ１８μｍのＳＵＳ３０４である金属支持部材上に、絶縁部材形成材料として第１の非感光性ポリイミドを用い、厚さ１０μｍの絶縁部材を塗工方法にて形成した。さらに、その絶縁部材上にシード層となるＮｉ−Ｃｒ−Ｃｕをスパッタリングで約３００ｎｍコーティングし、それを導通媒体としＣｕめっきにて厚さ９μｍのＣｕめっき層である導体部材を形成し、積層部材を得た（図１４（ａ））。
【０１０１】
次に、ＳＵＳ側で位置精度が重要な治具孔と、Ｃｕめっき層側で目的とする配線層を形成できるように、ドライフィルムを用いて同時にパターニングし、レジストパターンを得た。その後、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った。これにより、導体部材から記録再生用配線層および機能性素子用配線層を形成し、金属支持部材に開口部を形成した（図１４（ｂ））。
【０１０２】
次に、非感光性ポリイミド系の液状カバー層形成材料をダイコーターでコーティングし、乾燥後、レジスト製版し現像と同時にエッチングし、その後、硬化させることにより、パターン状のカバー層を形成した（図１４（ｃ））。次に、絶縁部材をエッチングするために、レジスト製版を行い、有機アルカリエッチング液を用いてエッチングし、パターン状の絶縁層を得た（図１４（ｄ））。次に、金属支持基板および配線層を絶縁層を介して接続するビアを形成するために、レジスト製版を行い、電解Ｎｉめっきを行った。なお、電解Ｎｉめっき浴には標準的なスルファミン酸Ｎｉめっき浴を用い、電解浸漬めっき（０．２Ａ、１４分)を行った。
【０１０３】
端子部表面のプラズマクリーニング処理後、高さ調整用めっき部を形成するために、レジスト製版を行った。その後、端子部の表面に膜厚が０．０１〜０．０５μｍと極めて薄いニッケルストライクめっき層を形成し、このニッケルストライクめっき層を下地に電解Ｎｉめっきを行い、高さ調整用めっき部を形成した（図１４（ｅ））。なお、電解Ｎｉめっき浴には標準的なスルファミン酸Ｎｉめっき浴を用い、電解浸漬めっき（０．０３Ａ、１０分)を行った。
【０１０４】
高さ調整用めっき部の酸洗浄処理後、保護めっき層を形成するために、レジスト製版を行い、電解Ａｕめっきを行い、保護めっき層を形成した（図１４（ｆ））。最後に、金属支持基板の外形加工を行った。これにより、サスペンション用基板を得た。
【０１０５】
［実施例２］
厚さ１８μｍのＳＵＳ３０４である金属支持部材を用意した（図１５（ａ））。金属支持部材に感光性ポリイミド前駆体を塗布し、乾燥後、マスクを介して所望のパターン形状に高圧水銀灯を光源に用い５００〜２０００ｍＪ／ｃｍ２の露光量で露光を行った。その後、最高到達温度が１６０℃〜１９０℃の範囲になり、最高到達温度の保持時間が０．１分〜６０分の範囲になるような条件で加熱を行い、アルカリ水溶液で現像し、ネガ型のパターン像を形成した。その後、窒素雰囲気下で加熱を行い、絶縁層を形成した。金属支持部材上に形成された絶縁層の厚さは１０μｍであった（図１５（ｂ））。
【０１０６】
次に、スパッタリング法により、絶縁層側の表面に、Ｃｒ単層のシード層を３５〜４５ｎｍ形成した。その後、レジスト製版を行い、第一レジストパターンを形成した（図１５（ｃ））。その後、シード層を導通媒体とし、第一レジストパターンから露出する表面に、記録再生用配線層および機能性素子用配線層を形成した（図１５（ｄ））。その後、第一レジストパターンを剥離した。
【０１０７】
端子部表面のプラズマクリーニング処理後、高さ調整用めっき部を形成するために、レジスト製版を行い、第二のレジストパターンを形成した（図１５（ｅ））。その後、端子部の表面に膜厚が０．０１〜０．０５μｍと極めて薄いニッケルストライクめっき層を形成し、このニッケルストライクめっき層を下地に電解Ｎｉめっきを行い、高さ調整用めっき部を形成した（図１５（ｆ））。なお、電解Ｎｉめっき浴には標準的なスルファミン酸Ｎｉめっき浴を用い、電解浸漬めっき（０．０３Ａ、１０分)を行った。その後、第二レジストパターンを剥離した（図１６（ａ））。
【０１０８】
次に、非感光性ポリイミド系の液状カバー層形成材料をダイコーターでコーティングし、乾燥後、レジスト製版し現像と同時にエッチングし、その後、硬化させることにより、パターン状のカバー層を形成した（図１６（ｂ））。次に、金属支持部材をエッチングするために、レジスト製版を行い、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、開口部を形成した（図１６（ｃ））。次に、保護めっき層を形成するために、レジスト製版を行い、電解Ａｕめっきを行い、保護めっき層を形成した（図１６（ｄ））。最後に、金属支持基板の外形加工を行った。これにより、サスペンション用基板を得た。
【０１０９】
［実施例３］
第一レジストパターンを剥離せずに、第二レジストパターンを形成したこと以外は、実施例２と同様にして、サスペンション用基板を得た（図１７）。
【符号の説明】
【０１１０】
１…金属支持基板、  ２…絶縁層、  ３…配線層、  ３Ａ…記録再生用配線層、  ３Ｂ…機能性素子用配線層、  ３ａ、３ｂ…端子部、  ４…カバー層、  ５…めっき部、  ５ａ…高さ調整用めっき部、  ５ｂ…保護用めっき部、  １５…第一レジストパターン、  １６…第二レジストパターン、  １００…サスペンション用基板、  １０１…記録再生用素子実装領域、  １０２…外部回路基板接続領域、  １０３…配線層、  ２０１…端子部、  ２１０…記録再生用素子、２２０…機能性素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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