(57)【要約】【課題】配線基板に貫通孔を有さず、電気メッキ用の給電リードが小さな切断径で切断されたフレキシブル配線基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基板の少なくとも一方の面に形成される配線パターンと、前記配線パターンが形成される面に、前記配線パターンと電気的に接続され形成される電気メッキ用の給電リードと、を備えるフレキシブル配線基板において、前記給電リードの前記配線パターンとの接続部分はレーザ光により切断され、切断箇所の直下に位置する前記絶縁基板には前記レーザ光により除去された有底の孔を有する。【選択図】図１
2012243836.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板の少なくとも一方の面に形成される配線パターンと、
前記配線パターンが形成される面に、前記配線パターンと電気的に接続され形成される電気メッキ用の給電リードと、を備えるフレキシブル配線基板において、
前記給電リードの前記配線パターンとの接続部分はレーザ光により切断され、切断箇所の直下に位置する前記絶縁基板には前記レーザ光により除去された有底の孔を有することを特徴とするフレキシブル配線基板。
【請求項２】
絶縁基板の少なくとも一方の面に形成される配線パターンと、
前記配線パターンが形成される面に、前記配線パターンに電気的に接続され形成される電気メッキ用の給電リードと、を備えるフレキシブル配線基板において、
前記給電リードの前記配線パターンとの接続部分はレーザ光により切断され、切断箇所の直下に位置する前記絶縁基板には前記レーザ光により除去された孔を有し、前記絶縁基板の他方の面側には前記孔に対応する位置にレーザ光を受け止める受けパッドを有することを特徴とするフレキシブル配線基板。
【請求項３】
請求項２に記載のフレキシブル配線基板において、前記絶縁基板の両面の金属導体層がエッチングされて、配線パターンおよび前記受けパッドが形成されるとともに、前記絶縁基板の両面に形成される前記配線パターン間がブラインドビアで導通していることを特徴とするフレキシブル配線基板。
【請求項４】
絶縁基板の少なくとも一方の面に形成される金属導体層をエッチングして配線パターンを形成するとともに、前記配線パターンが形成される面に、前記配線パターンに電気的に接続される電気メッキ用の給電リードを形成する工程と、
前記配線パターンから前記給電リードを切断する切断工程と、を含むフレキシブル配線基板の製造方法において、
前記切断工程は、前記給電リードの前記配線パターンとの接続部分をレーザ光により切断するとともに、切断箇所の直下に位置する前記絶縁基板に前記レーザ光により除去された有底の孔を形成することを特徴とするフレキシブル配線基板の製造方法。
【請求項５】
両面に金属導体層を有する絶縁基板の少なくとも一方の面をエッチングして、配線パターンを形成するとともに、前記配線パターンが形成される面に、前記配線パターンに電気的に接続される電気メッキ用の給電リードを形成する形成工程と、
前記配線パターンから前記給電リードを切断する切断工程と、を含むフレキシブル配線基板の製造方法において、
前記形成工程は、前記配線パターンを形成するとともに、前記絶縁基板の他方の面側の前記金属導体層をエッチングして、前記給電リードの前記配線パターンとの接続部分がレーザ光により切断される位置の直下に、レーザ光を受け止める受けパッドを形成する工程を有し、
前記切断工程は、前記受けパッドに対応する位置の前記給電リードにレーザ光を照射し、レーザ光の照射により前記給電リードを切断するとともに、切断箇所の直下に位置する前記絶縁基板に前記レーザ光により除去された孔を形成することを特徴とするフレキシブル配線基板の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載のフレキシブル配線基板の製造方法において、前記絶縁基板の両面に形成される前記金属導体層間を導通するブラインドビアを形成することを特徴とするフレキシブル配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フレキシブル配線基板に関し、特に、電気メッキ用の給電リードを有するフレキシブル配線基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＬＳＩなどの半導体装置を搭載するフレキシブル配線基板においては、電子機器の小型化にともなって配線の微細化や高密度化が急速に進んでいる。また、電子機器には小型化とともに高速化が要求されるようになり、一定時間により多くの情報を伝達するため、配線基板に伝送する信号の周波数が増加する傾向にある。
【０００３】
信号の周波数増加（信号の高周波数化）においては、信号を伝送する配線パターン以外に存在する余分な配線における信号の反射が問題となっている。余分な配線は、例えば、メッキ処理に際して、配線パターンに接続されて電気メッキ用の電流を外部から配線パターンに供給する電気メッキ用の給電リードなどがある。
このような余分な配線が配線パターンに接続されている場合、信号は、余分な配線に流れ、その終端で反射することにより位相がずれる。位相のずれた信号が本来の信号に干渉することにより、本来の配線経路で伝送される信号のＳＮ比（Signal-Noise Ratio）が悪化する。すなわち、伝送における雑音量が増大し、信号量に対する雑音量の比が大きくなる。
【０００４】
高周波数の信号を伝送する配線基板においては、メッキ処理方法として、電気メッキ用の給電リードを必要としない無電解メッキが考えられる。無電解メッキは、メッキ溶液中の金属イオンの還元による析出や、基材金属との置換作用による析出などの化学反応による表面メッキであるため、析出速度が非常に遅く、プロセスコストが高くなり、汎用的な配線基板に使用するには適していない。
【０００５】
一方、電気メッキ用の給電リードを用いて電気メッキ処理を行った後に、給電リードを配線パターンから切断し除去する方法がある。その切断方法として、電気メッキ用の給電リードの配線パターンとの接続部分をパンチングにより打ち抜いて切断する方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この給電リードをパンチングにより切断する方法によれば、無電解メッキと比較して大幅にコストを削減することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−２７３５４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述したパンチングにより打ち抜いて電気メッキ用の給電リードを切断する方法では、以下の２点が問題となる。
【０００８】
第一に、パンチングによる打ち抜き径の大きさには限界があることである。一般的に、打ち抜き径は、銅、ポリイミド、ソルダーレジストなどの複合材からなるフレキシブル配線基板の場合、最小でも２００μｍ程度と考えられており、パンチングの打ち抜き精度を考慮すると、打ち抜きエリア径は３００μｍ径以上の大きさが必要である。ところが、この大きさの打ち抜きエリアを配線基板上に確保することは、配線の微細化のため困難となっている。すなわち、例えば、図４に示すような配線基板においては、給電リード４が配
線パターン３の端部の接続パッド１３に電気的に接続されるが、配線パターン３の微細化にともない接続パッド１３間の距離Ｄは縮小し３００μｍよりも小さくなる傾向にある。このため、パンチングにより打ち抜く場合、パンチング切断時の位置公差も考慮した打ち抜きエリアＴは配線パターン３や接続パッド１３までも含むことになる。したがって、パンチングにより打ち抜く方法では余分な配線である給電リード４のみを切断することは困難である。
【０００９】
第二に、パンチングにより打ち抜く場合、給電リードの切断とともに配線基板に打ち抜き貫通孔が形成されることである。半導体装置用などの配線基板においては、ＩＣの搭載後に樹脂などによりその搭載面を樹脂封止する。この際、その配線基板の機能部である接続パッドなどのすぐ近傍に貫通孔が存在すると、貫通孔から封止樹脂が反対面側に漏れだすため、半導体装置の樹脂封止が困難となる。
【００１０】
一方、上記２点を回避するために、打ち抜き貫通孔を樹脂封止エリア外に位置させることも考えられるが、余分な配線の配線長が増大することになり、信号の反射防止の効果が得られなくなる。
【００１１】
本発明は、配線基板に貫通孔を有さず、電気メッキ用の給電リードが小さな切断径で切断されたフレキシブル配線基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の第１の態様は、絶縁基板の少なくとも一方の面に形成される配線パターンと、前記配線パターンが形成される面に、前記配線パターンと電気的に接続され形成される電気メッキ用の給電リードと、を備えるフレキシブル配線基板において、前記給電リードの前記配線パターンとの接続部分はレーザ光により切断され、切断箇所の直下に位置する前記絶縁基板には前記レーザ光により除去された有底の孔を有することを特徴とするフレキシブル配線基板である。
【００１３】
本発明の第２の態様は、絶縁基板の少なくとも一方の面に形成される配線パターンと、前記配線パターンが形成される面に、前記配線パターンに電気的に接続され形成される電気メッキ用の給電リードと、を備えるフレキシブル配線基板において、前記給電リードの前記配線パターンとの接続部分はレーザ光により切断され、切断箇所の直下に位置する前記絶縁基板には前記レーザ光により除去された孔を有し、前記絶縁基板の他方の面側には前記孔に対応する位置にレーザ光を受け止める受けパッドを有することを特徴とするフレキシブル配線基板である。
【００１４】
上記第２の態様において、前記絶縁基板の両面の金属導体層がエッチングされて配線パターンおよび前記受けパッドが形成されるとともに、前記絶縁基板の両面に形成される前記配線パターン間がブラインドビアで導通していることが好ましい。
【００１５】
本発明の第３の態様は、絶縁基板の少なくとも一方の面に形成される金属導体層をエッチングして配線パターンを形成するとともに、前記配線パターンが形成される面に、前記配線パターンに電気的に接続される電気メッキ用の給電リードを形成する工程と、前記配線パターンから前記給電リードを切断する切断工程と、を含むフレキシブル配線基板の製造方法において、前記切断工程は、前記給電リードの前記配線パターンとの接続部分をレーザ光により切断するとともに、切断箇所の直下に位置する前記絶縁基板に前記レーザ光により除去された有底の孔を形成することを特徴とするフレキシブル配線基板の製造方法である。
【００１６】
本発明の第４の態様は、両面に金属導体層を有する絶縁基板の少なくとも一方の面をエ
ッチングして、配線パターンを形成するとともに、前記配線パターンが形成される面に、前記配線パターンに電気的に接続される電気メッキ用の給電リードを形成する形成工程と、前記配線パターンから前記給電リードを切断する切断工程と、を含むフレキシブル配線基板の製造方法において、前記形成工程は、前記配線パターンを形成するとともに、前記絶縁基板の他方の面側の前記金属導体層をエッチングして、前記給電リードの前記配線パターンとの接続部分がレーザ光により切断される位置の直下に、レーザ光を受け止める受けパッドを形成する工程を有し、前記切断工程は、前記受けパッドに対応する位置の前記給電リードにレーザ光を照射し、レーザ光の照射により前記給電リードを切断するとともに、切断箇所の直下に位置する前記絶縁基板に前記レーザ光により除去された孔を形成することを特徴とするフレキシブル配線基板の製造方法である。
【００１７】
上記第４の態様において、前記絶縁基板の両面に形成される前記金属導体層間を導通するブラインドビアを形成することが好ましい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、配線基板に貫通孔を有さず、電気メッキ用の給電リードを小さな切断径で切断されたフレキシブル配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】（ａ）は、本発明の一実施形態であるフレキシブル配線基板の切断工程前の平面図であり、（ｂ）は、（ａ）の断面図であり、（ｃ）は切断工程後の断面図である。
【図２】（ａ）は、本発明の他の実施形態であるフレキシブル配線基板の切断工程前の平面図であり、（ｂ）は、（ａ）の断面図であり、（ｃ）は切断工程後の断面図である。
【図３】本発明の他の実施形態である多層のフレキシブル配線基板の断面図である。
【図４】フレキシブル配線基板に対する従来のパンチング方式による給電リードの切断を説明する平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
（第１の実施形態のフレキシブル配線基板）
以下に、本発明の第１の実施形態にかかるフレキシブル配線基板として、半導体装置用のフレキシブル配線基板およびその製造方法について、図面を用いて説明する。図１（ａ）は、本発明の一実施形態であるフレキシブル配線基板の切断工程前の平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）の断面図であり、図１（ｃ）は切断工程後の断面図である。
【００２１】
本実施形態にかかるフレキシブル配線基板は、絶縁基板２と、絶縁基板２の両面に形成される配線パターン３と、配線パターン３に接続されるメッキ用配線であってメッキ後に配線パターン３から切断された給電リード４と、給電リード４の切断箇所５の直下に位置する絶縁基板２に形成された有底の孔６と、配線パターン３を被覆保護するソルダーレジスト１０と、配線パターン３の一部および接続パッド１３に形成されるメッキ層１１と、両面の配線パターン３を接続するメッキスルーホール１４と、を備えている。
【００２２】
配線パターン３は、図１（ｃ）に示すように、絶縁基板２の両面に形成されており、その一端には外部接続用の実装端子（図示せず）を有し、他端には半導体チップ接続用の接続パッド１３を有する。接続パッド１３には、電気メッキによってメッキ層１１が形成されている。給電リード４は、配線パターン３との接続部分が除去され、配線パターン３と電気的に切断されている。なお、絶縁基板２の両面に形成される配線パターン３はメッキスルーホール１４で導通している。
【００２３】
電気メッキ用の給電リード４は、電気メッキにより配線パターン３および接続パッド１
３の表面にメッキ層１１を形成する際に、配線パターン３へメッキ用電流を供給するために用いられる配線である。給電リード４はメッキ層１１の形成後には余分な配線となり、上述したように信号を反射して雑音量（ＳＮ比）を増加させるため、給電リード４の配線パターン３との接続部分で切断され、配線パターン３から除去されることになる。
【００２４】
本実施形態においては、図１（ｃ）に示すように、給電リード４の配線パターン３との切断箇所５の直下の絶縁基板２には、有底の孔６が形成される。有底の孔６は、レーザ光で配線パターン３から給電リード４を切断する際に形成されて、絶縁基板２を貫通せず、絶縁基板２内に留まる孔である。厚さ５０μｍ程度の絶縁基板２の場合、レーザ光の出力調整により、レーザ光で切削除去される領域が絶縁基板２を貫通せず絶縁基板２中に留まる有底の孔６とすることができる。この孔６の形状は、レーザ光の照射方向に先細ったテーパ状の形状となっている。また、レーザ光が照射され切削される切削加工領域は、図４に示すようなパンチング方式による打ち抜き領域と比較して小さく、レーザ光による切断箇所５を十分に小さく形成できる。切断箇所５は、給電リード４と配線パターン３との電気的接続を切断できる箇所であればいずれでもよいが、余分な配線の配線長が信号の反射（ＳＮ比の増加）に影響を及ぼすことを考慮すれば、給電リード４の配線パターン３（または接続パッド１３）の近傍であることが好ましい。
【００２５】
このように、本実施形態にかかるフレキシブル配線基板は、給電リード４の配線パターン３との接続部分がレーザ光で切断され、切断箇所５の直下の絶縁基板２にはレーザ光で除去された有底の孔６となっている。このため、切断箇所５を配線パターン３の近傍とすることが可能となり、配線パターン３に接続されて残存する余分な配線の配線長を縮小することができる。すなわち、余分な配線における信号の反射によるＳＮ比の増加を抑制することができる。さらに、切断箇所５を小さくできるので、高周波の信号を伝送する微細な配線パターン３を有するフレキシブル配線基板に好適である。
また、レーザ光で切断して絶縁基板２を貫通する貫通孔が形成されないため、半導体装置を実装し、樹脂封止する際の樹脂の漏れ出しを防止できるとともに、絶縁基板２の強度低下を抑制することができる。
【００２６】
（第１の実施形態のフレキシブル配線基板の製造方法）
次に、上記実施形態におけるフレキシブル配線基板の製造方法について、工程順に説明する。
【００２７】
フレキシブル配線基板の製造方法は、絶縁基板２の両面に金属導体層を貼り合わせる工程と、両面の金属導体層を導通する工程と、絶縁基板２の一方の金属導体層をエッチングして配線パターン３および配線パターン３に接続される給電リード４を形成する工程と、絶縁基板２の他方の金属導体層をエッチングして配線パターン３を形成する工程と、給電リード４の配線パターン３との接続部分をレーザ光で切断する工程と、を含む。
【００２８】
まず、絶縁基板２を用意する。この絶縁基板２としては、例えば、ポリイミド系材料からなる基板であって、５０μｍ程度の厚さの基板を用いることができる。この絶縁基板２の表裏両面に、金属導体層としての銅箔を貼り合せる。この貼り合わせには、接着剤を用いる方法や、絶縁基板の表面粗度を所定の値に調整した後、その表面に銅箔積層材を熱圧着する方法などが適用可能である。
【００２９】
銅箔が表裏両面に貼り合わされた絶縁基板２の所望の位置に、レーザ法、パンチ法、ドリル法などにより絶縁基板２の厚さ方向に貫通するスルーホール（貫通孔）を形成する。そして、無電解銅メッキなどの公知の方法により、スルーホールの内壁面に銅メッキ処理を施し、絶縁基板２の両面の銅箔をメッキスルーホール１４で導通させる。この銅メッキ処理において、絶縁基板２の両面に形成される銅箔上には、さらに銅メッキ層が形成され
、その厚さが増加する。なお、表裏両面の金属導体層（配線パターン３）の導通はメッキスルーホール１４に限定されず、公知の方法により導通することができる。
【００３０】
続いて、絶縁基板２に貼り合わされた銅箔の表面に配線パターン３、電気メッキ用の給電リード４、接続パッド１３などの電気回路をパターニングする。また、裏面の銅箔に配線パターン３をパターニングする。そして、サブトラクティブ法により、銅箔をエッチングして、絶縁基板２の表面には配線パターン３、給電リード４が電気的に接続されるようなパターンを形成し、絶縁基板２の裏面側には表面側の配線パターン３などに接続される配線パターン３を形成する。
【００３１】
続いて、上記工程で形成されたパターンのうち、接続パッド１３などが外部に露出するように、絶縁基板２の両面にソルダーレジスト１０を塗布する。その後、外部から給電リード４を通して、配線パターン３へメッキ用電流を供給し、接続パッド１３上にメッキ層１１を形成する。
【００３２】
そして、図１（ｂ）に示すように、給電リード４の配線パターン３との接続部分にレーザ光１２を照射し配線パターン３から給電リード４を切断することによって、フレキシブル配線基板を得る。本実施形態においては、図１（ａ）に示すように、レーザ光が照射され切断される切断箇所５が、給電リード４の、接続パッド１３の近傍の位置となっている。切断箇所５を上記の位置とすることにより、余分な配線となる給電リード４の配線長が増加することを抑制している。また、レーザ光で切削される領域は、絶縁基板２を貫通せず、絶縁基板２中に留まるため、切断に際して形成される孔は有底の孔６となっている。
【００３３】
上述したレーザ光による切断箇所は、給電リード４の配線パターン３との接続部分であればどこでもよいが、配線パターン３に接続されて残存する給電リード４の配線長が短いほど信号の反射の影響が低減することから、配線パターン３または接続パッド１３などの近傍であることが好ましい。ただし、用いるレーザ機器の位置決め精度によるが、一般的なカメラアライメント方式の場合、位置決め精度が±１０μｍであるため、配線パターン３または接続パッド１３から少なくとも１５μｍ離れた位置を切断箇所５とすることが好ましい。
【００３４】
レーザ光の出力は、レーザ光の照射により金属導体層である銅箔などを完全に除去し、かつ絶縁基板２を厚さ方向に貫通しない範囲に調整される。すなわち、切断箇所５を完全に切断して、レーザ光で切削される領域が絶縁基板２を貫通しないように、レーザ光の出力が調整される。この調整においては、レーザ光の照射される金属導体層の種類や厚さ、絶縁基板２の種類や厚さによって切断に必要とされるエネルギー量が異なるため、レーザ光の波長、ビーム径、ショット数、１ショットにおけるエネルギー密度などの諸条件を適宜設定することが好ましい。
【００３５】
照射されるレーザ光の波長は、１５７ｎｍ以上５３２ｎｍ以下の紫外光〜緑色光の領域であることが好ましい。レーザ光は、その波長が５３２ｎｍよりも大きくなると金属導体層に用いられる銅箔などには吸収されず、給電リード４の切断が困難となる。一方、波長が１５７ｎｍよりも小さい場合、この波長域の現存するレーザ加工機を採用することは設備的に実用性がない。
【００３６】
また、照射されるレーザ光のビーム径は、１μｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。ビーム径が１μｍよりも小さい場合、切断するエリアに対して、ビーム径が小さすぎるため、切断に要する時間が増加する。一方、２０μｍよりも大きい場合、切断するために十分なエネルギー密度を得られなくなるためである。
【００３７】
また、レーザ光のエネルギー量は、レーザ光の照射エリアの銅箔などの給電リード４を完全に除去し、かつ絶縁基板２中に留まり貫通孔を形成しない範囲に設定する。
【００３８】
上述したように、本実施形態においては、余分な配線となる給電リード４を配線パターンから切断する際に、レーザ光による切削領域が絶縁基板２を貫通しない有底の孔６となるようにレーザ光を照射している。この構成によれば、レーザ光で配線パターン３から余分な配線を切断できるため、配線の微細化や切断領域の確保の可否に関わらず、ＳＮ比の増加を抑制することが可能となる。しかも、レーザ光による切削領域が有底の孔６であるため、樹脂封止に際して、塗布した樹脂が流れ出すことなく封止することが可能となる。
また、パンチング方式により給電リードを切断する場合と比較して専用の金型などを必要としないためコストを削減できるばかりか、長い処理時間を必要とする無電解メッキと比較して時間などのプロセスコストを大幅に低減することが可能となる。
さらに、従来、高温のメッキ溶液を使用する無電解メッキなどにおいては、塗布されるソルダーレジストには高い耐熱性や耐薬品性が求められ、高い架橋密度を有する高分子材料が用いられたため、フレキシブル配線基板などの薄い絶縁基板では反りなどの問題があったが、本実施形態では無電解メッキを用いていないため、ソルダーレジストの選択が制限されず、反りなどを防止することが可能となる。
【００３９】
なお、上記実施形態においては、絶縁基板の両面に配線パターンを有するフレキシブル配線基板について説明したが、本発明はこれに限定されず、絶縁基板の片面に配線パターンが形成される片面フレキシブル配線基板とすることもできる。
【００４０】
また、上記実施形態においては、メッキ層を形成する工程の直後に、切断工程を設けているが、切断工程はメッキ層を形成する工程以降であれば特に限定されない。また、レーザ光による切断工程後に、切断時に生じる加工残渣を除去するデスミア工程を設けてもよい。
【００４１】
（第２の実施形態のフレキシブル配線基板）
本発明の第２の実施形態にかかるフレキシブル配線基板として、薄型のフレキシブル配線基板について図を用いて説明する。この第２の実施形態においては、絶縁基板の両面の配線パターンがブラインドビアで導通されていること、レーザ光を受け止める受けパッドが形成されること、が第１の実施形態と異なる点である。そのほかの構造については第１の実施形態と同様であるので、ここでは第１の実施形態と異なる点について説明する。
【００４２】
本実施形態にかかるフレキシブル配線基板は、図２（ｃ）に示すように、絶縁基板２と、絶縁基板２の両面に形成される配線パターン３と、配線パターン３から切断された電気メッキ用の給電リード４と、配線パターン３を被覆保護するソルダーレジスト１０と、絶縁基板２に形成される孔６と、配線パターン３上に形成されるメッキ層１１と、絶縁基板２の給電リード４の形成される面とは反対側の面に、孔６に対応する位置に形成される受けパッド７と、両面の配線パターン３を接続するブラインドビア１５と、を備えている。
【００４３】
孔６はレーザ光の出力を調整して、比較的に厚い絶縁基板を用いた場合には、第１の実施形態のように有底の孔とすることができるが、図２に示すような薄い絶縁基板２を用いると、出力を調整しても、形成される孔６が絶縁基板２を貫通する貫通孔となりやすい。図２（ｃ）には、切断に際して絶縁基板２に形成される孔６が貫通孔となった場合を示している。なお、孔６が貫通していない有底の孔の場合であっても良い。
【００４４】
本実施形態においては、図２（ｃ）に示すように、絶縁基板２の給電リード４の形成される面とは反対側の、レーザ光を照射する位置に受けパッド７が形成されている。受けパッド７は、レーザ光による切削を絶縁基板２で留めることができない場合において、切削
される絶縁基板２に貫通孔が形成されることを防止するためのストッパーである。受けパッド７は、絶縁基板２が貫通した場合には、レーザ光を受け止めるとともにレーザ光により形成された貫通孔における底となる。すなわち、レーザ光の切削によって絶縁基板２に形成される孔６が貫通しているかにかかわらず、受けパッド７が孔６の底または底側に位置し、レーザ光で切削される絶縁基板２には結果的に有底の孔６が形成される。
なお、受けパッド７は、配線パターン３と同様に金属導体層から形成されるが、配線パターン３とは接続されない導体パターンである。また、受けパッド７の形状は、例えば、図２（ａ）に示すような角型形状とすることができる。また、受けパッド７の大きさは、レーザ光による配線基板２の切削面が厚さ方向に先細るため、レーザ光が照射される領域である切削加工径の０．９倍以上の大きさであればよい。ただし、用いるレーザ加工機の位置決め精度によるが、レーザ光を照射する箇所と受けパッド７との相対位置ずれを考慮して、受けパッド７の大きさは、レーザ光による切削加工径の外径の３０μｍ以上の大きさであることが好ましい。
【００４５】
本実施形態にかかるフレキシブル配線基板は、上述した受けパッド７を設ける構成とすることによって、絶縁基板２の厚さに関わらず、レーザ光による給電リード４の切断によって絶縁基板２に貫通孔が形成されることを防止できる。
【００４６】
（第２の実施形態のフレキシブル配線基板の製造方法）
続いて、上記第２の実施形態におけるフレキシブル配線基板の製造方法を第１の実施形態と異なる点について説明する。
【００４７】
まず、絶縁基板２として、例えば厚さ１２．５μｍのポリイミド基板を用意して、その両面に金属導体層としての銅箔を貼り合わせる。その後、絶縁基板２の所望の位置における表面側の銅箔を除去し絶縁基板２を露出させ、その露出面にレーザ光を照射して絶縁基板２に貫通孔を形成することによって、ブラインドビアホールを形成する。このブラインドビアホールは、絶縁基板２の裏面側の銅箔により塞がれている。そして、無電解銅メッキなどの公知の方法により、ブラインドビアホール内を銅メッキで充填したブラインドビア１５により、両面に形成される金属導体層を導通させる。
ブラインドビア１５の形成においては、銅メッキ処理が、給電リード４が形成される表面側の銅箔には行われず、ブラインドビアホールの開口面および裏面側の銅箔に行われる。このため、表面側の銅箔から形成される給電リード４における切断箇所５の厚さは変化しないのに対して、裏面側の銅箔から形成される受けパッド７の厚さは増加することになる。すなわち、ブラインドビア１５を形成する際の銅メッキ処理によって、レーザ光の切断に対して除去されにくい受けパッド７を形成し、貫通孔が形成されることをさらに防止することができる。したがって、レーザ光の出力調整だけでは切断工程が困難となる薄い絶縁基板２では、両面の金属導体層をブラインドビア１５で導通することが好ましい。また、受けパッド７の厚さが給電リード４の厚さの１．５倍以上となることが好ましい。この構成にすることにより絶縁基板２の厚さに関わらず、レーザ光による貫通を防止することができる。
【００４８】
続いて、上記第１の実施形態と同様にして、絶縁基板２の表面側には配線パターン３、および給電リード４を形成し、裏面側には配線パターン３とともに、配線パターン３に電気的に接続されない受けパッド７を形成する。受けパッド７は、図２（ｂ）に示すように、絶縁基板２の裏面側の、給電リード４と配線パターン３との切断箇所５の直下に位置している。
【００４９】
続いて、絶縁基板２の表面側の配線パターン３の一部をソルダーレジストで被覆した後、配線パターン３および接続パッド１３上にメッキ層１１を形成し、給電リード４の配線パターン３との接続部分（切断箇所５）にレーザ光を照射し配線パターン３から給電リー
ド４を切断することによって、フレキシブル配線基板を得る。本実施形態においては、レーザ光で形成される孔６は、絶縁基板２を貫通しているが、受けパッド７が貫通孔の底となるため、有底の孔６となっている。
【００５０】
上述したように、本実施形態においては、受けパッド７を設けることにより、絶縁基板２の厚さに関わらず、貫通孔を形成することなく、レーザ光で配線パターン３から余分な配線を切断でき、信号の反射にともなうＳＮ比の増加を抑制することができる。しかも、レーザ光による切削領域が有底の孔６となるため、樹脂封止に際して、塗布した樹脂が流れ出すことなく封止することが可能となる。
さらに、本実施形態においては、絶縁基板２の両面の金属導体層を導通するときに、ブラインドビア１５を形成し、その形成の際の銅メッキ処理により、受けパッド７の厚さを切断箇所となる給電リード４の厚さよりも大きくすることで、受けパッド７がレーザ光で貫通されることを防止することができる。
【００５１】
また、上記実施形態においては、単層のフレキシブル配線基板について説明したが、本発明はこれに限定されず、多層の配線基板に適用することも可能である。例えば、図３は、絶縁基板２ａ、２ｂ、２ｃが積層された３層からなる多層の配線基板に適用した例を示す。３層のうち最上層に位置する絶縁基板２ａの表面には、配線パターン３と、配線パターン３から切断された電気メッキ用の給電リード４と、切断箇所５の直下に位置する有底の孔６と、が形成されている。また、最中層の絶縁基板２ｂには、有底の孔６に対応する位置に受けパッド７が形成されている。なお、各配線基板は導通ビア１６により電気的に接続されている。
【実施例】
【００５２】
次に、本発明について実施例を用いて具体的に説明する。
【００５３】
（実施例１）
絶縁基板２としての厚さ５０μｍのポリイミド基板の両面に厚さ９μｍの銅箔を貼り合わせる。銅箔の貼り合わされたポリイミド基板に、スルーホールを設け、スルーホールの内壁面を銅メッキ処理することによりメッキスルーホール１４を形成し、表裏両面の銅箔を電気的に導通させる。この銅メッキ処理の際に、銅箔と形成される銅メッキ層との合計厚さは１８μｍとなる。そして、エッチングにより、表面に配線パターン３（配線幅３０μｍ）、電気メッキ用の給電リード４（配線幅３０μｍ）、接続パッド１３としてのボールパッドなどを形成するとともに、裏面に配線パターン３および受けパッド７（６０μｍ角）を形成する。受けパッド７は、レーザ光による切断箇所５の直下、つまりレーザ光による切削面の中心に位置するように形成されている。続いて、接続パッド１３が表面に露出するように、接続パッド１３以外の配線パターン３に対してソルダーレジスト１０を塗布して被覆保護する。そして、給電リード４によりメッキ用電流を供給して、配線パターン３の先端に接続される接続パッド１３に、下地メッキとしてのＮｉメッキ層（厚さ２μｍ）を形成する。さらに、Ｎｉメッキ層上に金メッキ層（厚さ０．５μｍ）を形成する。最後に、接続パッド１３から３５μｍ離れた給電リード４上に、波長３５５ｎｍの紫外光を発するエキシマレーザを用い、ビーム径１０μｍのレーザ光により直径４０μｍの円形にトレパニング加工により切断する。そして、本発明の一実施形態にかかるフレキシブル配線基板を得る。
【００５４】
実施例１では、給電リード４が配線パターン３から切断され、ポリイミド基板上に有底の孔６が形成されている。実施例１では、用いたポリイミド基板の厚さが大きいため、レーザ光による切断に際してもポリイミド基板が貫通することはないが、貫通したとしても受けパッド７が孔６の底となっている。このように、実施例１では、給電リード４を配線パターン３の近傍から切断することが可能となるため、残存する余分な配線によるＳＮ比
の増加を抑制することができる。また、給電リード４を切断するためのレーザ光による切削領域が貫通孔とならないため、半導体装置を搭載して樹脂封止する妨げとなることがない。しかも、ポリイミド基板上に貫通孔がないため、ポリイミド基板の強度を過度に低減することを抑制できる。
【００５５】
（実施例２）
実施例２では、厚さ１２．５μｍのポリイミド基板を用いて、両面の銅箔の導通にブラインドビア１５とした点が実施例１と異なる以外は、実施例１と同様にフレキシブル配線基板を製造した。
【００５６】
実施例２では、ブラインドビア１５によりポリイミド基板の両面の配線パターン３を導通したため、導通する際の銅メッキ処理により、給電リード４の切断箇所５の銅厚を、受けパッド７の厚さよりも薄く維持している。具体的には、切断箇所５の銅箔の厚さが９μｍから工程中の酸洗などによる自然減で７μｍとなるのに対して、受けパッド７の厚さは銅メッキ処理による厚みの増加で１８μｍとなっている。すなわち、実施例２では、受けパッド７の厚さが切断される給電リード４の厚さの２倍となっているため、厚さの薄いポリイミド基板を用いても、レーザ光による切削で貫通孔を形成することなく、給電リード４を配線パターンから切断することができる。
【符号の説明】
【００５７】
１  フレキシブル配線基板
２（２ａ、２ｂ）  絶縁基板
３  配線パターン
４  給電リード
５  切断箇所
６  孔
７  受けパッド
１０  ソルダーレジスト
１１  メッキ層
１２  レーザ光
１３  接続パッド
１４  メッキスルーホール
１５  ブラインドビア
１６  導通ビア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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