(57)【要約】【課題】本発明は、配線層の端子部と、熱アシスト用素子の端子部との接続信頼性が高いサスペンション用基板を提供することを主目的とする。【解決手段】本発明は、配線層が、金属支持基板側に配置される熱アシスト用素子と接続する熱アシスト用配線層を有し、上記熱アシスト用配線層は、厚さ方向に形成された導体部によって、上記金属支持基板から構成され、周囲の上記金属支持基板とは絶縁され、上記熱アシスト用素子と接続する端子部と、電気的に接続されていることを特徴とするサスペンション用基板を提供することにより、上記課題を解決する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板であって、
前記配線層は、前記金属支持基板側に配置される熱アシスト用素子と接続する熱アシスト用配線層を有し、
前記熱アシスト用配線層は、厚さ方向に形成された導体部によって、前記金属支持基板から構成され、周囲の前記金属支持基板とは絶縁され、前記熱アシスト用素子と接続する端子部と、電気的に接続されていることを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項２】
前記熱アシスト用素子が配置される位置における前記端子部の厚さが、周囲の前記端子部の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
【請求項３】
前記熱アシスト用素子が配置される位置において、前記端子部の表面に、高さ調整用めっき部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のサスペンション用基板。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれかの請求項に記載のサスペンション用基板と、前記サスペンション用基板の前記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンション。
【請求項５】
請求項４に記載のサスペンションと、前記サスペンションに実装された記録再生用素子および熱アシスト用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンション。
【請求項６】
請求項５に記載の素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線層の端子部と、熱アシスト用素子の端子部との接続信頼性が高いサスペンション用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ（ＨＤＤ）も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。
【０００３】
ＨＤＤに用いられるサスペンション用基板（フレキシャ）は、通常、一方の先端部分に形成され、磁気ヘッドスライダ等の記録再生用素子を実装する記録再生用素子実装領域と、他方の先端部分に形成され、外部回路基板との接続を行う外部回路基板接続領域と、記録再生用素子実装領域および外部回路基板接続領域を接続する配線層とを有する。
【０００４】
ＨＤＤの大容量化（高記録密度化）を図る手法の一つとして、熱アシスト記録が知られている（特許文献１〜３）。熱アシスト記録は、記録の直前に記録媒体を加熱することによって、磁性体粒子の保磁力を一時的に下げて記録を行うものである。これにより、保磁力の大きな磁性体粒子を用いた場合であっても、記録媒体に情報を記録することが容易となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−８８９９号公報
【特許文献２】特開２００８−１６５９２２号公報
【特許文献３】特開２０１０−１６０８７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
熱アシスト用素子は、例えば、サスペンション用基板の金属支持基板側に配置される。熱アシスト用素子の端子部と配線層の端子部とは、半田や導電性接着剤を介して接続されるが、配線層の端子部は変形しやすいため、両者の接続信頼性が低いという問題がある。
【０００７】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、配線層の端子部と、熱アシスト用素子の端子部との接続信頼性が高いサスペンション用基板を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明においては、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板であって、上記配線層は、上記金属支持基板側に配置される熱アシスト用素子と接続する熱アシスト用配線層を有し、上記熱アシスト用配線層は、厚さ方向に形成された導体部によって、上記金属支持基板から構成され、周囲の上記金属支持基板とは絶縁され、上記熱アシスト用素子と接続する端子部と、電気的に接続されていることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。
【０００９】
本発明によれば、熱アシスト用配線層の端子部として、配線層よりも機械的強度が強い金属支持基板を用いることにより、端子部の変形を防止できる。その結果、熱アシスト用配線層の端子部と、熱アシスト用素子の端子部との接続信頼性が高いサスペンション用基板とすることができる。
【００１０】
上記発明においては、上記熱アシスト用素子が配置される位置における上記端子部の厚さが、周囲の上記端子部の厚さよりも薄いことが好ましい。端子部に高さ調整機能を付与できるからである。さらに、部分的に端子部を薄くすることで、熱アシスト用素子の位置決めが容易になる。
【００１１】
上記発明においては、上記熱アシスト用素子が配置される位置において、上記端子部の表面に、高さ調整用めっき部が形成されていることが好ましい。端子部に高さ調整機能を付与できるからである。
【００１２】
また、本発明においては、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンションを提供する。
【００１３】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、熱アシスト用配線層の端子部と、熱アシスト用素子の端子部との接続信頼性が高いサスペンションとすることができる。
【００１４】
また、本発明においては、上述したサスペンションと、上記サスペンションに実装された記録再生用素子および熱アシスト用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンションを提供する。
【００１５】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、熱アシスト用配線層の端子部と、熱アシスト用素子の端子部との接続信頼性が高い素子付サスペンションとすることができる。
【００１６】
また、本発明においては、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするハードディスクドライブを提供する。
【００１７】
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明のサスペンション用基板は、配線層の端子部と、熱アシスト用素子の端子部との接続信頼性が高いという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】一般的なサスペンション用基板の一例を示す模式図である。
【図２】本発明のサスペンション用基板における記録再生用素子実装領域を例示する模式図である。
【図３】本発明のサスペンション用基板の一例を示す概略断面図である。
【図４】一般的な記録再生用素子および熱アシスト用素子を説明する概略斜視図である。
【図５】本発明における熱アシスト用配線層を説明する模式図である。
【図６】本発明における端子部周辺を例示する概略断面図である。
【図７】本発明における端子部周辺を例示する概略断面図である。
【図８】熱アシスト用配線層の端子部と、熱アシスト用素子の端子部との接続を説明する概略断面図である。
【図９】本発明における端子部周辺を例示する概略断面図である。
【図１０】本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
【図１１】本発明のサスペンション用基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。
【図１２】本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１３】本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１４】本発明の素子付サスペンションにおける記録再生用素子実装領域の一例を示す概略断面図である。
【図１５】本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明のサスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンションおよびハードディスクドライブについて詳細に説明する。
【００２１】
Ａ．サスペンション用基板
本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板と、上記金属支持基板上に形成された絶縁層と、上記絶縁層上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板であって、上記配線層は、上記金属支持基板側に配置される熱アシスト用素子と接続する熱アシスト用配線層を有し、上記熱アシスト用配線層は、厚さ方向に形成された導体部によって、上記金属支持基板から構成され、周囲の上記金属支持基板とは絶縁され、上記熱アシスト用素子と接続する端子部と、電気的に接続されていることを特徴とするものである。
【００２２】
図１は、一般的なサスペンション用基板の一例を示す模式図である。図１（ａ）はサスペンション用基板の概略平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。なお、図１（ａ）では、便宜上、絶縁層およびカバー層の記載は省略している。図１（ａ）に示されるサスペンション用基板１００は、一方の先端部分に形成された記録再生用素子実装領域１０１と、他方の先端部分に形成された外部回路基板接続領域１０２と、記録再生用素子実装領域１０１および外部回路基板接続領域１０２を電気的に接続する複数の配線層１０３ａ〜１０３ｄとを有するものである。配線層１０３ａおよび配線層１０３ｂは一対の配線層であり、同様に、配線層１０３ｃおよび配線層１０３ｄも一対の配線層である。これらの２つの配線層は、一方がライト用（記録用、書込み用）配線層であり、他方がリード用（再生用、読取り用）配線層である。一方、図１（ｂ）に示すように、サスペンション用基板１００は、金属支持基板１と、金属支持基板１上に形成された絶縁層２と、絶縁層２上に形成された配線層３と、配線層３上に形成されたカバー層４とを有する。
【００２３】
図２は、本発明のサスペンション用基板における記録再生用素子実装領域を例示する模式図である。図２（ａ）は記録再生用素子実装領域の概略平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）における熱アシスト用配線層の拡大図であり、図２（ｃ）は図２（ｂ）のＣ−Ｃ断面図である。なお、図２（ａ）、（ｂ）では、便宜上、絶縁層およびカバー層の記載は省略している。図２（ａ）における記録再生用素子実装領域には、４本の記録再生用配線層３Ａが存在する。４本の記録再生用配線層３Ａのうち、２本の記録再生用配線層３Ａは、ライト用配線層を構成する一対の配線層であり、残りの２本の記録再生用配線層３Ａはリード用配線層を構成する一対の配線層である。記録再生用配線層３Ａは、それぞれ、記録再生用素子に接続する端子部３ａを有する。また、図２（ａ）における記録再生用素子実装領域には、２本の熱アシスト用配線層３Ｂが存在する。
【００２４】
図２（ｂ）、（ｃ）に示すように、熱アシスト用配線層３Ｂは、サスペンション用基板の厚さ方向Ｘに形成された導体部５により、端子部１ａと電気的に接続されている。端子部１ａは、金属支持基板１から構成され、周囲の金属支持基板１とは絶縁されたものである。なお、端子部１ａの表面には、保護用めっき部６が形成されている。
【００２５】
図３は、本発明のサスペンション用基板の一例を示す概略断面図である。図３（ａ）は図２（ａ）のＡ−Ａ断面図であり、図３（ｂ）は図２（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。図３（ａ）に示すように、記録再生用配線層３Ａの端子部３ａは、カバー層４側に配置される記録再生用素子２１０と接続される。また、熱アシスト用素子２２０は、記録再生用素子２１０と、サスペンション用基板の開口部において接触するように配置される。また、図３（ｂ）に示すように、熱アシスト用配線層３Ｂの端子部１ａは、金属支持基板１側に配置される熱アシスト用素子２２０と接続される。
【００２６】
なお、図４は、一般的な記録再生用素子および熱アシスト用素子を説明する概略斜視図である。図４では、記録再生用素子２１０に、レーザーダイオード２１１および光源ユニット２１２から構成される熱アシスト用素子２２０が配置されている。レーザーダイオード２１１から照射される光２１３が、記録再生用素子２１０の近接場光発生素子（図示せず）に至り、熱アシスト記録が行われる。
【００２７】
本発明によれば、熱アシスト用配線層の端子部として、配線層よりも機械的強度が強い金属支持基板を用いることにより、端子部の変形を防止できる。その結果、熱アシスト用配線層の端子部と、熱アシスト用素子の端子部との接続信頼性が高いサスペンション用基板とすることができる。また、熱アシスト用素子は、通常、金属支持基板側に配置される。そのため、従来のように、熱アシスト用配線層の端部を端子部として用いると、その端子部と、熱アシスト用素子の端子部との位置が離れた場合に、両者の接続信頼性が低い場合がある。これに対して、本発明によれば、熱アシスト用素子に近い金属支持基板を端子部として用いることにより、その端子部と、熱アシスト用素子の端子部との位置を近くすることができ、両者の接続信頼性を高く維持できる。
【００２８】
また、例えば、熱アシスト用素子から生じる熱を逃がすために、熱アシスト用素子の部材（電極等）にヒートシンク機能を付与することが考えられる。また、例えば、熱アシスト用素子の消費電力を減らすために、光導波路の距離を短くし、レーザーダイオードからの光の伝搬損失を減少させることが考えられる。このような影響によって、デザイン上、熱アシスト用素子の端子部の位置が従来とは異なる位置（厚さ方向において異なる位置）に移動し、熱アシスト用配線層の端子部と、熱アシスト用素子の端子部との接続信頼性が低くなる場合がある。これに対して、本発明においては、熱アシスト用配線層の端子部に、後述する高さ調整機能を容易に付与することができるため、熱アシスト用配線層の端子部と、熱アシスト用素子の端子部との接続信頼性を高くすることができる。
以下、本発明のサスペンション用基板について、サスペンション用基板の部材と、サスペンション用基板の構成とに分けて説明する。
【００２９】
１．サスペンション用基板の部材
まず、本発明のサスペンション用基板の部材について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属支持基板、絶縁層、配線層、導体部を少なくとも有するものである。
【００３０】
本発明における金属支持基板は、サスペンション用基板の支持体として機能するものである。金属支持基板の材料は、ばね性を有する金属であることが好ましく、具体的にはステンレス鋼等を挙げることができる。また、金属支持基板の厚さは、その材料の種類により異なるものであるが、例えば５μｍ〜４０μｍの範囲内であることが好ましく、１０μｍ〜２０μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００３１】
本発明における絶縁層は、金属支持基板上に形成されるものである。絶縁層の材料は、絶縁性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば樹脂を挙げることができる。上記樹脂としては、例えばポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂およびポリ塩化ビニル樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。絶縁性、耐熱性および耐薬品性に優れているからである。また、絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。絶縁層の厚さは、例えば５μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１８μｍの範囲内であることがより好ましく、５μｍ〜１２μｍの範囲内であることがさらに好ましい。
【００３２】
本発明における配線層は、絶縁層上に形成されるものである。配線層の材料は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、中でも銅（Ｃｕ）が好ましい。また、配線層の材料は、圧延銅であっても良く、電解銅であっても良い。配線層の厚さは、例えば５μｍ〜１８μｍの範囲内であることが好ましく、９μｍ〜１２μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００３３】
本発明における配線層は、少なくとも、金属支持基板側に配置される熱アシスト用素子と接続する熱アシスト用配線層を有する。また、上記配線層は、通常、記録再生用素子（例えば磁気ヘッドスライダ）と接続する、ライト用配線層およびリード用配線層を有する。さらに、上記配線層は、必要に応じて、ノイズシールド用配線層、クロストーク防止用配線層、電源用配線層、グランド用配線層、フライトハイトコントロール用配線層、センサー用配線層、アクチュエータ素子用配線層等を有していても良い。
【００３４】
また、配線層の一部の表面には、保護用めっき部が形成されていることが好ましい。保護用めっき部を設けることにより、配線層の劣化（腐食等）を防止できるからである。特に、本発明においては、素子や外部回路基板との接続を行う端子部に、保護用めっき部が形成されていることが好ましい。保護用めっき部の種類は特に限定されるものではないが、例えば、Ａｕめっき、Ｎｉめっき、Ａｇめっき、Ｃｕめっき等を挙げることができる。中でも、本発明においては、配線層の表面側から、ＮｉめっきおよびＡｕめっきが形成されていることが好ましい。保護用めっき部の厚さは、例えば０．１μｍ〜４μｍの範囲内である。
【００３５】
本発明におけるカバー層は、配線層上に形成されるものである。カバー層を設けることにより、配線層の劣化（腐食等）を防止できる。カバー層の材料としては、例えば、上述した絶縁層の材料として記載したものを挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。カバー層の厚さは、例えば２μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、２μｍ〜１０μｍの範囲内であることがより好ましい。なお、本発明における導体部については、後述することとする。
【００３６】
２．サスペンション用基板の構成
次に、本発明のサスペンション用基板の構成について説明する。図２（ｃ）に示すように、本発明における熱アシスト用配線層３Ｂは、厚さ方向Ｘに形成された導体部５によって、端子部１ａと電気的に接続されている。図２（ｂ）に示すように、端子部１ａは、金属支持基板１から構成され、周囲の金属支持基板１とは絶縁されている。また、端子部１ａは、熱アシスト用配線層３Ｂよりも機械的強度が強い。これは、通常、端子部１ａが、熱アシスト用配線層３Ｂよりも厚いためである。また、本発明においては、端子部１ａの材料がステンレス鋼であり、熱アシスト用配線層３Ｂの材料が銅であることが好ましい。材料面において、ステンレス鋼は、銅に比べて機械的強度が強いからである。なお、材料面に着目すれば、仮に端子部１ａの厚さと熱アシスト用配線層３Ｂの厚さとが同程度であったとしても、端子部１ａの材料に機械的強度のより強い材料を用いることで、端子部１ａの機械的強度を、熱アシスト用配線層３Ｂよりも強くすることは可能である。
【００３７】
また、図２（ｃ）に示すように、熱アシスト用配線層３Ｂの端子部１ａには、保護用めっき部６が形成されていることが好ましい。Galvanic Corrosion（異種金属接合腐食）による端子部１ａの抵抗増加を防止できるからである。例えば端子部の材料がステンレス鋼であって、かつ、銀ペーストにより電気的接合を行う場合、ステンレス鋼の成分であるＦｅ、Ｃｅ、Ｎｉはイオン化傾向が高いため、Galvanic Corrosionが発生しやすくなる。Galvanic Corrosionが発生すると、端子部の接続面に絶縁被膜が形成され、結果として抵抗が増加すると考えられる。イオン化傾向が低く、Galvanic Corrosionを防止できるという観点からは、保護用めっきが、Ａｕめっきであることが好ましい。
【００３８】
図５（ａ）は、本発明における熱アシスト用配線層を例示する概略平面図である。なお、図５（ａ）では、便宜上、絶縁層およびカバー層の記載は省略している。また、図５（ｂ）〜（ｄ）は、図５（ａ）のＡ−Ａ断面図である。ここで、図５（ａ）〜（ｄ）は、導体部５がビアめっき部である態様である。この導体部５は、熱アシスト用配線層３Ｂおよび絶縁層２の開口部に形成されている。ビアめっき部の種類としては、Ｎｉめっき、Ａｕめっき、Ａｇめっき、Ｃｕめっき等を挙げることができ、中でもＮｉめっきが好ましい。導電性および耐腐食性に優れ、かつ、安価だからである。電解Ｎｉめっき法によりビアめっき部を形成する場合、用いられる電解Ｎｉめっき浴としては、例えばワット浴およびスルファミン酸浴等を挙げることができる。また、配線層の材料と、ビアめっき部の材料とは、同じであっても良く、異なっていても良い。
【００３９】
図５（ｂ）では、端子部１ａの端部１１と、端子部１ａの上に存在する絶縁層２の端部２１との位置が一致している。端子部１ａおよび絶縁層２の端部の位置を一致させることにより、端子部１ａの機械的強度を向上させることができる。ここで、本明細書において「端部の位置が一致している」とは、両者の位置のズレが８μｍ以下であることをいい、４μｍ以下であることが好ましい。また、絶縁層２の端部２１と、絶縁層２の上に存在するカバー層４の端部４１との位置は、一致していても良く、一致していなくても良いが、前者が好ましい。端子部１ａの機械的強度をより向上させることができるからである。また、例えば図５（ｂ）に示すように、ビアめっき部５は、カバー層４よりも突出しないことが好ましい。記録再生用素子の平坦性を確保しやすいからである。
【００４０】
図５（ｃ）では、端子部１ａが、絶縁層２側の表面を露出するように形成されている。絶縁層２側の表面を露出させることにより、熱アシスト用素子との接続時に、導電性接着材や半田等が溢れても、絶縁層および配線層の汚染を防止できる。また、例えば端子部の側面にて、熱アシスト用素子との接続を行う場合、絶縁層および配線層が形成された側の端子部の表面に導電性接着材や半田等が溢れても、絶縁層および配線層を汚染することがなく、ビアめっき部とのショートや、熱アシスト用素子との不要な接続面の形成を防くことができる。絶縁層２側の表面で露出する端子部１ａの長さ（Ｌ１）は、例えば１０μｍ以上であることが好ましく、１０μｍ〜５０ｍの範囲内であることが好ましい。
【００４１】
図５（ｄ）では、端子部１ａの上に存在する絶縁層２の端部２１が、端子部１ａの端部１１よりも突出している。絶縁層２の端部２１を突出させることにより、熱アシスト用素子との接続時に、絶縁層および配線層の形成された側のサスペンション用基板の表面に導電性接着材や半田が溢れることを防止できる。また、例えば端子部の側面にて、熱アシスト用素子との接続を行う場合、絶縁層が堰となり、ビアめっき部とのショートや、熱アシスト用素子との不要な接続面の形成を防くことができる。端子部１ａの端部１１から突出した絶縁層２の長さ（Ｌ２）は、例えば１０μｍ以上であることが好ましく、１０μｍ〜５０μｍの範囲内であることが好ましい。
【００４２】
図５（ｅ）は、本発明における熱アシスト用配線層を例示する概略平面図である。なお、図５（ｅ）では、便宜上、絶縁層およびカバー層の記載は省略している。また、図５（ｆ）〜（ｈ）は、図５（ｅ）のＡ−Ａ断面図である。ここで、図５（ｅ）〜（ｈ）は、導体部５が熱アシスト用配線層と連続的に形成された態様である。この導体部５は、例えばアディティブ法により形成することができる。なお、導体部５がビアめっき部である場合は、導体部５は、熱アシスト用配線層３Ｂと連続的に形成されたものとはいえない。また、図５（ｆ）〜（ｈ）の特徴は、それぞれ、図５（ｂ）〜（ｄ）に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【００４３】
また、熱アシスト用配線層の端子部は、熱アシスト用素子の端子部との距離（高さ）を調整する高さ調整機能を有していることが好ましい。上記のように、デザイン上、熱アシスト用素子の端子部の位置が従来とは異なる位置（厚さ方向において異なる位置）に移動した場合であっても、熱アシスト用配線層の端子部と、熱アシスト用素子の端子部との接続信頼性を高く維持できるからである。
【００４４】
図６は、本発明における端子部周辺を例示する概略断面図である。図６（ａ）に示すように、熱アシスト用素子２２０が配置される位置における端子部１ａの厚さＴ１は、周囲の端子部１ａの厚さＴ２よりも薄いことが好ましい。端子部１ａに高さ調整機能を付与できるからである。さらに、部分的に端子部１ａを薄くすることで、熱アシスト用素子２２０の位置決めが容易になる。Ｔ１は、熱アシスト用素子の端子部との距離によって異なるものであるが、例えば５μｍ〜３５μｍの範囲内であることが好ましく、１５μｍ〜２５μｍの範囲内であることが好ましい。また、Ｔ１／Ｔ２は、例えば１２％〜９０％の範囲内であることが好ましく、３５％〜６５％の範囲内であることがより好ましい。なお、熱アシスト用素子の位置決め機能に着目すれば、図６（ｂ）に示すように、端子部１ａの側面が、熱アシスト用素子２２０の側面と接触するように、端子部１ａの側面の位置が調整されていても良い。この場合、平坦な絶縁層２により、熱アシスト用素子２２０の高さを規定できるため、熱アシスト用素子２２０が傾きにくいという利点がある。この利点は、図２（ｃ）のように、平坦な端子部１ａにより、熱アシスト用素子２２０の高さを規定する場合においても同様である。
【００４５】
図７は、本発明における端子部周辺を例示する概略断面図である。図７（ａ）に示すように、熱アシスト用素子２２０が配置される位置において、端子部１ａの表面に、高さ調整用めっき部７が形成されていることが好ましい。端子部１ａに高さ調整機能を付与できるからである。高さ調整用めっき部の種類は、例えば、Ｎｉめっき、Ａｕめっき、Ｎｉめっき、Ｃｕめっき、Ａｇめっき等を挙げることができ、Ｎｉめっきが好ましい。特に、本発明においては、Ｎｉめっき（高さ調整用めっき部）の表面上に、Ａｕめっき（保護用めっき部）が形成されていることが好ましい。また、「高さ調整用めっき部が形成されている」とは、厚さ５μｍ以上のめっき部が形成されているこという。上述した保護用めっき部は、端子部等の保護を目的としたものであり、その厚さは最大で４μｍ程度であった。これに対して、高さ調整用めっき部は、文字通り、熱アシスト用素子の端子部との距離（高さ）を調整するものであり、めっき部に、このよう高さ調整機能を付与することは、従来知られていなかった。Ｔ３は、熱アシスト用素子の端子部との距離によって異なるものであるが、例えば５μｍ〜２０μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１０μｍの範囲内であることが好ましい。また、図７（ａ）では、熱アシスト用素子２２０が配置される位置において、端子部１ａの表面に、高さ調整用めっき部７が全面的に形成されているが、本発明においては、図７（ｂ）に示すように、端子部１ａの表面に、高さ調整用めっき部７が部分的に形成されていても良い。
【００４６】
また、熱アシスト用配線層の端子部と、熱アシスト用素子の端子部とは、通常、導電性接続部を介して接続される。導電性接続部としては、例えば、半田、導電性接着材等を挙げることができる。図８（ａ）では、熱アシスト用配線層３Ｂの端子部１ａの表面と、熱アシスト用素子２２０の側面にある端子部とが、導電性接続部１２により接続されている。図８（ｂ）では、熱アシスト用配線層３Ｂの端子部１ａの表面と、端子部１ａの表面に対向する熱アシスト用素子２２０の表面にある端子部とが、導電性接続部１２により接続されている。図８（ｃ）では、熱アシスト用配線層３Ｂの端子部１ａの側面と、熱アシスト用素子２２０の突起部の側面にある端子部とが、導電性接続部１２により接続されている。
【００４７】
本発明における記録再生用素子としては、例えば磁気発生素子を有するものを挙げることができ、磁気ヘッドスライダであることが好ましい。本発明における熱アシスト用素子としては、記録再生用素子の記録を熱によりアシストできるものであれば特に限定されるものではない。中でも、本発明における熱アシスト用素子は、光を利用した素子であることが好ましい。光ドミナント記録方式による熱アシスト記録を行うことができるからである。光を利用した熱アシスト用素子としては、例えば半導体レーザーダイオード素子を挙げることができる。半導体レーザーダイオード素子は、ｐｎ型の素子であっても良く、ｐｎｐ型またはｎｐｎ型の素子であっても良い。光を利用した熱アシスト用素子は、出力光をスライダ等に設けられた光導波路に導くために、必要に応じて、反射レンズ、集光レンズ等を有していても良い。また、半導体レーザーダイオード素子は、面発光レーザーであっても良く、端面発光レーザーであっても良い。
【００４８】
なお、熱アシスト用配線層の端子部として金属支持基板を用いていないものの、端子部の高さ調整機能に着目すれば、図９のような端子部であっても良い。図９（ａ）では、直線的に形成された熱アシスト用配線層３Ｂが、配線層から構成された端子部３ｂを有し、端子部３ｂにおける、側面、絶縁層２側の表面、カバー層４側の表面に、高さ調整用めっき部７が形成されている。図９（ｂ）では、図９（ａ）と同様の端子部３ｂにおける、側面、絶縁層２側の表面のみに、高さ調整用めっき部７が形成されている。図９（ｃ）では、図９（ａ）と同様の端子部３ｂにおける、絶縁層２側の表面のみに、高さ調整用めっき部７が形成されている。図９（ａ）〜（ｃ）において、熱アシスト用配線層３Ｂの絶縁層２側の表面における高さ調整用めっき部７の厚さは、絶縁層２の厚さよりも大きくても良く、小さくても良い。一方、図９（ｄ）では、熱アシスト用配線層３Ｂが、金属支持基板１側に折れ曲がった部分において、配線層から構成された端子部３ｂを有し、端子部３ｂにおける、側面、絶縁層２側の表面、カバー層４側の表面に、高さ調整用めっき部７が形成されている。図９（ｅ）では、図９（ｄ）と同様の端子部３ｂにおける、側面、絶縁層２側の表面のみに、高さ調整用めっき部７が形成されている。図９（ｆ）では、図９（ｄ）と同様の端子部３ｂにおける、絶縁層２側の表面のみに、高さ調整用めっき部７が形成されている。
【００４９】
次に、本発明のサスペンション用基板の製造方法について説明する。本発明のサスペンション用基板の製造方法は、上述したサスペンション用基板を得ることができる方法であれば特に限定されるものではない。
【００５０】
図１０は、本発明のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。なお、図１０は、図３（ｂ）と同様に、図２（ａ）のＢ−Ｂ断面図に相当する断面図である。図１０においては、まず、金属支持部材１Ｘ、絶縁部材２Ｘおよび導体部材３Ｘがこの順に積層された積層部材を準備する（図１０（ａ））。次に、導体部材３Ｘに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、熱アシスト用配線層３Ｂを有する配線層を形成する（図１０（ｂ））。次に、熱アシスト用配線層３Ｂを覆うようにカバー層４を形成する（図１０（ｃ））。
【００５１】
その後、絶縁部材２Ｘに対して、ウェットエッチングによるパターニングを行い、絶縁層２を形成する（図１０（ｄ））。次に、所定のレジストパターンを形成し、レジストパターンから露出する端子部１ａの表面上に、導体部（ビアめっき部）５を形成する（図１０（ｅ））。次に、金属支持部材１Ｘに対するウェットエッチングを行い、端子部１ａを形成する（図１０（ｆ））。次に、端子部１ａの表面上に、保護用めっき部６を形成する（図１０（ｇ））。最後に、図示しないが、金属支持部材の外形加工を行い、金属支持基板を形成し、サスペンション用基板を得る。
【００５２】
図１１は、本発明のサスペンション用基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。なお、図１１は、図３（ｂ）と同様に、図２（ａ）のＢ−Ｂ断面図に相当する断面図である。図１１においては、まず、金属支持部材１Ｘを準備する（図１１（ａ））。次に、金属支持部材１Ｘの表面上に、パターン状の絶縁層２を形成する（図１１（ｂ））。次に、絶縁層２側の表面にスパッタリング法によりシード層（図示せず）を全面形成し、シード層の上に所定のレジストパターンを形成し、そのレジストパターンから露出する表面に、熱アシスト用配線層３Ｂを有する配線層を形成する（図１１（ｃ））。次に、熱アシスト用配線層３Ｂを覆うようにカバー層４を形成する（図１１（ｄ））。
【００５３】
その後、金属支持部材１Ｘに対するウェットエッチングを行い、端子部１ａを形成する（図１１（ｅ））。次に、端子部１ａの表面上に、保護用めっき部６を形成する（図１１（ｆ））。最後に、図示しないが、金属支持部材の外形加工を行い、金属支持基板を形成し、サスペンション用基板を得る。
【００５４】
Ｂ．サスペンション
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板と、上記サスペンション用基板の上記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするものである。
【００５５】
図１２は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図１２に示されるサスペンション４００は、上述したサスペンション用基板１００と、サスペンション用基板１００の金属支持基板側の表面に設けられたロードビーム３００とを有するものである。
【００５６】
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、熱アシスト用配線層の端子部と、熱アシスト用素子の端子部との接続信頼性が高いサスペンションとすることができる。
【００５７】
本発明のサスペンションは、少なくともサスペンション用基板およびロードビームを有する。本発明におけるサスペンション用基板については、上記「Ａ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。一方、本発明におけるロードビームは、サスペンション用基板の金属支持基板側の表面に設けられるものである。ロードビームの材料は、特に限定されるものではないが、例えば金属を挙げることができ、ステンレス鋼であることが好ましい。
【００５８】
Ｃ．素子付サスペンション
次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。本発明の素子付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションに実装された記録再生用素子および熱アシスト用素子と、を有することを特徴とするものである。
【００５９】
図１３は、本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図１３に示される素子付サスペンション５００は、上述したサスペンション４００と、サスペンション４００（サスペンション用基板１００の記録再生用素子実装領域１０１）に実装された記録再生用素子２１０および熱アシスト用素子（図示せず）とを有するものである。また、図１４は、本発明の素子付サスペンションにおける記録再生用素子実装領域の一例を示す概略断面図である。図１４に示すように、記録再生用素子２１０は、カバー層４側に配置され、記録再生用配線層３Ａの端子部３ａと導電性接続部１２を介して接続されている。一方、熱アシスト用素子２２０は、記録再生用素子２１０とサスペンション用基板の開口部において接するように配置され、熱アシスト用配線層３Ｂの端子部１ａと導電性接続部１２を介して接続されている。
【００６０】
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、熱アシスト用配線層の端子部と、熱アシスト用素子の端子部との接続信頼性が高い素子付サスペンションとすることができる。
【００６１】
本発明の素子付サスペンションは、少なくともサスペンション、記録再生用素子および熱アシスト用素子を有する。本発明におけるサスペンションについては、上記「Ｂ．サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。本発明における記録再生用素子および熱アシスト用素子については、上記「Ａ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
【００６２】
Ｄ．ハードディスクドライブ
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した素子付サスペンションを有することを特徴とするものである。
【００６３】
図１５は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図１５に示されるハードディスクドライブ６００は、上述した素子付サスペンション５００と、素子付サスペンション５００がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク５０１と、ディスク５０１を回転させるスピンドルモータ５０２と、素子付サスペンション５００の素子を移動させるアーム５０３およびボイスコイルモータ５０４と、上記の部材を密閉するケース５０５とを有するものである。
【００６４】
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。
【００６５】
本発明のハードディスクドライブは、少なくとも素子付サスペンションを有し、通常は、さらにディスク、スピンドルモータ、アームおよびボイスコイルモータを有する。素子付サスペンションについては、上記「Ｃ．素子付サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。
【００６６】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００６７】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
【００６８】
［実施例１］
厚さ１８μｍのＳＵＳ３０４である金属支持部材上に、絶縁部材形成材料として非感光性ポリイミドを用い、厚さ１０μｍの絶縁部材を塗工方法にて形成した。さらに、その絶縁部材上にシード層となるＮｉ−Ｃｒ−Ｃｕをスパッタリングで約３００ｎｍコーティングし、それを導通媒体としＣｕめっきにて厚さ９μｍのＣｕめっき層である導体部材を形成し、積層部材を得た（図１０（ａ））。
【００６９】
次に、ＳＵＳ側で位置精度が重要な治具孔と、Ｃｕめっき層側で目的とする配線層を形成できるように、ドライフィルムを用いて同時にパターニングし、レジストパターンを得た。その後、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、エッチング後レジスト剥膜を行った。これにより、導体部材から熱アシスト用配線層を形成し、金属支持部材に、治具孔を形成した（図１０（ｂ））。
【００７０】
次に、非感光性ポリイミド系の液状カバー層形成材料をダイコーターでコーティングし、乾燥後、レジスト製版し現像と同時にエッチングし、その後、硬化させることにより、パターン状のカバー層を形成した（図１０（ｃ））。次に、絶縁部材をエッチングするために、レジスト製版を行い、有機アルカリエッチング液を用いてエッチングし、パターン状の絶縁層を得た（図１０（ｄ））。次に、ビアめっき部を形成するために、レジスト製版を行い、電解Ｎｉめっきを行った。なお、電解Ｎｉめっき浴には標準的なスルファミン酸Ｎｉめっき浴を用い、電解浸漬めっき（０．２Ａ、１４分)を行った（図１０（ｅ））。次に、金属支持部材をエッチングするために、レジスト製版を行い、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、端子部を得た（図１０（ｆ））。
【００７１】
その後、保護用めっき層を形成するために、レジスト製版を行い、電解Ａｕめっきを行い、保護用めっき層を形成した（図１０（ｇ））。最後に、金属支持部材の外形加工を行った。これにより、サスペンション用基板を得た。
【００７２】
［実施例２］
厚さ１８μｍのＳＵＳ３０４である金属支持部材を用意した（図１１（ａ））。金属支持部材に感光性ポリイミド前駆体を塗布し、乾燥後、マスクを介して所望のパターン形状に高圧水銀灯を光源に用い５００〜２０００ｍＪ／ｃｍ２の露光量で露光を行った。その後、最高到達温度が１６０℃〜１９０℃の範囲になり、最高到達温度の保持時間が０．１分〜６０分の範囲になるような条件で加熱を行い、アルカリ水溶液で現像し、ネガ型のパターン像を形成した。その後、窒素雰囲気下で加熱を行い、絶縁層を形成した。金属支持部材上に形成された絶縁層の厚さは１０μｍであった（図１１（ｂ））。
【００７３】
次に、スパッタリング法により、絶縁層側の表面に、Ｃｒ単層のシード層を３５〜４５ｎｍ形成した。その後、レジスト製版を行い、レジストパターンから露出する表面に、熱アシスト用配線層を形成した（図１１（ｃ））。
【００７４】
次に、非感光性ポリイミド系の液状カバー層形成材料をダイコーターでコーティングし、乾燥後、レジスト製版し現像と同時にエッチングし、その後、硬化させることにより、パターン状のカバー層を形成した（図１１（ｄ））。次に、金属支持部材をエッチングするために、レジスト製版を行い、塩化第二鉄液を用いてエッチングし、端子部を形成した（図１１（ｅ））。次に、保護用めっき層を形成するために、レジスト製版を行い、電解Ａｕめっきを行い、保護用めっき層を形成した（図１１（ｆ））。最後に、金属支持部材の外形加工を行った。これにより、サスペンション用基板を得た。
【符号の説明】
【００７５】
１…金属支持基板、１ａ…端子部、  ２…絶縁層、  ３…配線層、  ３Ａ…記録再生用配線層、  ３Ｂ…熱アシスト用配線層、  ３ａ、３ｂ…端子部、  ４…カバー層、  ５…導体部、  ６…保護用めっき部、  １００…サスペンション用基板、  １０１…記録再生用素子実装領域、  １０２…外部回路基板接続領域、  １０３…配線層、  ２１０…記録再生用素子、２２０…熱アシスト用素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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