(57)【要約】【課題】各種特性（特にＱ値）に優れる弾性表面波共振子の製造方法を提供すること。【解決手段】弾性表面波共振子１は、いわゆる１ポート型と呼ばれるタイプの素子であり、圧電体基板２と、圧電体基板２上に設けられたＩＤＴ（櫛歯電極）３と、ＩＤＴ３の両側に設けられた１対の反射器４、５とを有している。ＩＤＴ３は、複数の電極指３１ａ、３１ｂを有しており、また、圧電体基板２の電極指３１ａ、３１ｂ間には第２の溝２５が形成されている。一方、反射器４、５は、複数の導体ストリップ４１、５１を有しており、また、圧電体基板２の導体ストリップ４１、５１間には第２の溝２５より深い第１の溝２６が形成されている。このような深さの異なる第１の溝２６および第２の溝２５は、特性の異なる２種類のレジスト材料からなるレジスト層を用い、これらの剥離液に対する剥離性の違いを利用して形成される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電体基板の一方の面上に設けられた複数の電極指を備える櫛歯電極と、前記面上に設けられた複数の導体ストリップを備える反射器と、前記圧電体基板の前記導体ストリップ間に形成された第１の溝と、前記圧電体基板の前記電極指間に形成された前記第１の溝よりも浅い第２の溝と、を有する弾性表面波共振子を製造する方法であって、
エッチングにより前記圧電体基板を加工して前記第１の溝および前記第２の溝を形成する際に、互いに特性の異なる前記第１の保護膜と第２の保護膜とを併用し、これらの特性の差を利用して、前記櫛歯電極および前記反射器を保護しつつ、前記第１の溝と前記第２の溝の深さを異ならせるよう前記圧電体基板を部分的に加工することを特徴とする弾性表面波共振子の製造方法。
【請求項２】
前記圧電体基板の一方の面上に導体層を形成する工程と、
前記導体層上のうち、前記電極指を形成する領域および前記導体ストリップを形成する領域にそれぞれ前記第１の保護膜を成膜するとともに、露出している前記導体層をエッチングして前記櫛歯電極および前記反射器を形成する工程と、
前記電極指および前記電極指間を覆うように、前記第２の保護膜を成膜するとともに、露出している前記圧電体基板をエッチングして前記第１の溝を形成するための仮の溝を形成する工程と、
前記第２の保護膜を除去した後、露出している前記圧電体基板をエッチングして前記第２の溝と、前記工程で得られた仮の溝をさらに深くしてなる前記第１の溝とを形成する工程と、を有する請求項１に記載の弾性表面波共振子の製造方法。
【請求項３】
前記圧電体基板の一方の面上に導体層を形成する工程と、
前記導体層上のうち、前記電極指を形成する領域および前記導体ストリップを形成する領域にそれぞれ前記第１の保護膜を成膜するとともに、露出している前記導体層をエッチングして前記櫛歯電極および前記反射器を形成する工程と、
露出している前記圧電体基板をエッチングして前記第２の溝と、前記第１の溝を形成するための仮の溝とを形成する工程と、
前記電極指および前記電極指間を覆うように、前記第２の保護膜を成膜するとともに、露出している前記圧電体基板をエッチングして、前記工程で得られた仮の溝をさらに深くしてなる前記第１の溝を形成する工程と、を有する請求項１に記載の弾性表面波共振子の製造方法。
【請求項４】
圧電体基板の一方の面上に設けられた複数の電極指を備える櫛歯電極と、前記面上に設けられた複数の導体ストリップを備える反射器と、前記圧電体基板の前記導体ストリップ間に形成された第１の溝と、を有する弾性表面波共振子を製造する方法であって、
エッチングにより前記圧電体基板を加工して前記第１の溝を形成する際に、互いに特性の異なる前記第１の保護膜と第２の保護膜とを併用し、これらの特性の差を利用して、前記櫛歯電極および前記反射器を保護しつつ、前記第１の溝が前記導体ストリップ間にのみ形成されるよう前記圧電体基板を部分的に加工することを特徴とする弾性表面波共振子の製造方法。
【請求項５】
前記圧電体基板の一方の面上に導体層を形成する工程と、
前記導体層上のうち、前記電極指を形成する領域および前記導体ストリップを形成する領域にそれぞれ前記第１の保護膜を成膜するとともに、露出している前記導体層をエッチングして前記櫛歯電極および前記反射器を形成する工程と、
前記電極指および前記電極指間を覆うように、前記第２の保護膜を成膜するとともに、露出している前記圧電体基板をエッチングして前記第１の溝を形成する工程と、を有する請求項４に記載の弾性表面波共振子の製造方法。
【請求項６】
前記第１の保護膜と前記第２の保護膜は、溶解可能な溶媒の種類が互いに異なるものである請求項１ないし５のいずれかに記載の弾性表面波共振子の製造方法。
【請求項７】
前記第１の保護膜と前記第２の保護膜は、溶媒に対する溶解性が互いに異なるものである請求項１ないし５のいずれかに記載の弾性表面波共振子の製造方法。
【請求項８】
前記第１の保護膜と前記第２の保護膜は、アッシング処理に対する耐久性が互いに異なるものである請求項１ないし５のいずれかに記載の弾性表面波共振子の製造方法。
【請求項９】
前記第２の保護膜は、その縁部の一部が、前記電極指間に位置しないよう成膜される請求項１ないし８のいずれかに記載の弾性表面波共振子の製造方法。
【請求項１０】
前記複数の電極指のうち、最も外側に位置する前記電極指は、その他の電極指に比べて幅が広くなるよう形成され、
前記第２の保護膜は、その縁部の一部が、前記最も外側に位置する電極指の上方に位置するよう成膜される請求項１ないし９のいずれかに記載の弾性表面波共振子の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の保護膜および前記第２の保護膜は、それぞれ有機材料を主材料として構成されている請求項１ないし１０のいずれかに記載の弾性表面波共振子の製造方法。
【請求項１２】
前記有機材料は、フォトレジスト材料である請求項１１に記載の弾性表面波共振子の製造方法。
【請求項１３】
前記第１の保護膜を構成するフォトレジスト材料は、ノボラック系樹脂を含むものである請求項１２に記載の弾性表面波共振子の製造方法。
【請求項１４】
前記エッチングは、ドライエッチングである請求項１ないし１３のいずれかに記載の弾性表面波共振子の製造方法。
【請求項１５】
前記圧電体基板は、水晶で構成されている請求項１ないし１４のいずれかに記載の弾性表面波共振子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波共振子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
弾性表面波（Surface Acoustic Wave：ＳＡＷ）を利用した弾性表面波共振子は、一般に、圧電体で構成された圧電体基板と、この圧電体基板上に設けられた櫛歯電極（Interdigital Transducer：ＩＤＴ）とを備えている。また、圧電体基板上には、ＩＤＴから発生した弾性表面波の伝播方向においてＩＤＴを挟み込むように、複数の導体ストリップ（ストリップ電極）を備えた一対の反射器が設けられる。
【０００３】
弾性表面波共振子では、櫛歯電極に周期的な電圧が印加されることにより、圧電体基板の表面付近に集中して伝播する波（弾性表面波）が発生する。発生した弾性表面波は、一対の反射器間を往復し、共振を発生させる。
このような弾性表面波共振子の特性として、共振先鋭度Ｑ（Ｑ値）がある。このＱ値を高めることは、弾性表面波共振子の発振安定性（信頼性）の観点から重要であるため、弾性表面波共振子のＱ値を高める様々な試みがなされている。
【０００４】
例えば、特許文献１には、圧電体基板の櫛歯電極間および導体ストリップ間に対応する部位に溝を設け、ＩＤＴにおける溝の深さより、反射器における溝の深さを深くすることで、Ｑ値の向上を図る技術が開示されている。この技術では、上記のような異なる深さの溝を設けることで、反射器の反射特性を向上させ、Ｑ値の向上が試みられている。
従来、このような溝は、リアクティブスパッタエッチング等のドライエッチング法により形成されていた。
しかしながら、ドライエッチング法により溝を形成すると、溝の底部に荒れ（微細な凹凸）が生じ、得られる弾性表面波共振子の特性に悪影響を及ぼすことが問題となっていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特公平２−７２０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、各種特性（特にＱ値）に優れる弾性表面波共振子の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
［適用例１］
本発明の弾性表面波共振子の製造方法は、圧電体基板の一方の面上に設けられた複数の電極指を備える櫛歯電極と、前記面上に設けられた複数の導体ストリップを備える反射器と、前記圧電体基板の前記導体ストリップ間に形成された第１の溝と、前記圧電体基板の前記電極指間に形成された前記第１の溝よりも浅い第２の溝と、を有する弾性表面波共振子を製造する方法であって、
エッチングにより前記圧電体基板を加工して前記第１の溝および前記第２の溝を形成する際に、互いに特性の異なる前記第１の保護膜と第２の保護膜とを併用し、これらの特性の差を利用して、前記櫛歯電極および前記反射器を保護しつつ、前記第１の溝と前記第２の溝の深さを異ならせるよう前記圧電体基板を部分的に加工することを特徴とする。
これにより、各種特性（特にＱ値）に優れる弾性表面波共振子を効率よく製造することができる。
【０００８】
［適用例２］
本発明の弾性表面波共振子の製造方法では、前記圧電体基板の一方の面上に導体層を形成する工程と、
前記導体層上のうち、前記電極指を形成する領域および前記導体ストリップを形成する領域にそれぞれ前記第１の保護膜を成膜するとともに、露出している前記導体層をエッチングして前記櫛歯電極および前記反射器を形成する工程と、
前記電極指および前記電極指間を覆うように、前記第２の保護膜を成膜するとともに、露出している前記圧電体基板をエッチングして前記第１の溝を形成するための仮の溝を形成する工程と、
前記第２の保護膜を除去した後、露出している前記圧電体基板をエッチングして前記第２の溝と、前記工程で得られた仮の溝をさらに深くしてなる前記第１の溝とを形成する工程と、を有することが好ましい。
これにより、各種特性（特にＱ値）に優れる弾性表面波共振子を効率よく製造することができる。
【０００９】
［適用例３］
本発明の弾性表面波共振子の製造方法では、前記圧電体基板の一方の面上に導体層を形成する工程と、
前記導体層上のうち、前記電極指を形成する領域および前記導体ストリップを形成する領域にそれぞれ前記第１の保護膜を成膜するとともに、露出している前記導体層をエッチングして前記櫛歯電極および前記反射器を形成する工程と、
露出している前記圧電体基板をエッチングして前記第２の溝と、前記第１の溝を形成するための仮の溝とを形成する工程と、
前記電極指および前記電極指間を覆うように、前記第２の保護膜を成膜するとともに、露出している前記圧電体基板をエッチングして、前記工程で得られた仮の溝をさらに深くしてなる前記第１の溝を形成する工程と、を有することが好ましい。
これにより、各種特性（特にＱ値）に優れる弾性表面波共振子を効率よく製造することができる。
【００１０】
［適用例４］
本発明の弾性表面波共振子の製造方法は、圧電体基板の一方の面上に設けられた複数の電極指を備える櫛歯電極と、前記面上に設けられた複数の導体ストリップを備える反射器と、前記圧電体基板の前記導体ストリップ間に形成された第１の溝と、を有する弾性表面波共振子を製造する方法であって、
エッチングにより前記圧電体基板を加工して前記第１の溝を形成する際に、互いに特性の異なる前記第１の保護膜と第２の保護膜とを併用し、これらの特性の差を利用して、前記櫛歯電極および前記反射器を保護しつつ、前記第１の溝が前記導体ストリップ間にのみ形成されるよう前記圧電体基板を部分的に加工することを特徴とする。
これにより、各種特性（特にＱ値）に優れる弾性表面波共振子を効率よく製造することができる。
【００１１】
［適用例５］
本発明の弾性表面波共振子の製造方法では、前記圧電体基板の一方の面上に導体層を形成する工程と、
前記導体層上のうち、前記電極指を形成する領域および前記導体ストリップを形成する領域にそれぞれ前記第１の保護膜を成膜するとともに、露出している前記導体層をエッチングして前記櫛歯電極および前記反射器を形成する工程と、
前記電極指および前記電極指間を覆うように、前記第２の保護膜を成膜するとともに、露出している前記圧電体基板をエッチングして前記第１の溝を形成する工程と、を有することが好ましい。
これにより、各種特性（特にＱ値）に優れる弾性表面波共振子を効率よく製造することができる。
【００１２】
［適用例６］
本発明の弾性表面波共振子の製造方法では、前記第１の保護膜と前記第２の保護膜は、溶解可能な溶媒の種類が互いに異なるものであることが好ましい。
これにより、溶媒の種類を変えることで、第１の保護膜および第２の保護膜が、現像および剥離の際に、相互に干渉し合うことがなくなるので、第２の保護膜を現像したり剥離したりしても、そのプロセスが第１の保護膜に悪影響を及ぼすことが防止される。その結果、第１の保護膜がマスクとしての機能を確実に維持することができる。
【００１３】
［適用例７］
本発明の弾性表面波共振子の製造方法では、前記第１の保護膜と前記第２の保護膜は、溶媒に対する溶解性が互いに異なるものであることが好ましい。
これにより、同一の溶媒を使用して現像および剥離を行ったとしても、マスクの機能が失われるまでの時間に差が生じるので、それを利用することで、第２の保護膜を現像したり剥離したりする際に、そのプロセスが第１の保護膜に悪影響を及ぼすことが防止される。その結果、第１の保護膜がマスクとしての機能を確実に維持することができる。
【００１４】
［適用例８］
本発明の弾性表面波共振子の製造方法では、前記第１の保護膜と前記第２の保護膜は、アッシング処理に対する耐久性が互いに異なるものであることが好ましい。
これにより、第２の保護膜をアッシングする際に、そのプロセスが第１の保護膜に悪影響を及ぼすことが防止される。その結果、第１の保護膜がマスクとしての機能を確実に維持することができる。
【００１５】
［適用例９］
本発明の弾性表面波共振子の製造方法では、前記第２の保護膜は、その縁部の一部が、前記電極指間に位置しないよう成膜されることが好ましい。
これにより、電極指間に不本意な段差が生じるのを防止して、弾性表面波共振子の特性に悪影響が及ぶのを防止することができる。
【００１６】
［適用例１０］
本発明の弾性表面波共振子の製造方法では、前記複数の電極指のうち、最も外側に位置する前記電極指は、その他の電極指に比べて幅が広くなるよう形成され、
前記第２の保護膜は、その縁部の一部が、前記最も外側に位置する電極指の上方に位置するよう成膜されることが好ましい。
これにより、第２の保護膜のパターニングを行う際、その位置ズレの許容範囲が電極指の幅が広がった分だけ緩和されるため、弾性表面波共振子の製造を容易に行うことができる。
【００１７】
［適用例１１］
本発明の弾性表面波共振子の製造方法では、前記第１の保護膜および前記第２の保護膜は、それぞれ有機材料を主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、第１の保護膜および第２の保護膜を介してドライエッチング処理を行った際、これらの保護膜が気化して除去されるため、意図しない副生成物が生じ、これが溝の形成に悪影響を及ぼすことが防止される。
【００１８】
［適用例１２］
本発明の弾性表面波共振子の製造方法では、前記有機材料は、フォトレジスト材料であることが好ましい。
これにより、第１の保護膜および第２の保護膜のパターニングを露光によって正確に行うことができる。
【００１９】
［適用例１３］
本発明の弾性表面波共振子の製造方法では、前記第１の保護膜を構成するフォトレジスト材料は、ノボラック系樹脂を含むものであることが好ましい。
これにより、高精度なパターニングが可能であり、かつ、ドライエッチングに対して比較的高い耐性を有する保護膜が得られる。
【００２０】
［適用例１４］
本発明の弾性表面波共振子の製造方法では、前記エッチングは、ドライエッチングであることが好ましい。
ドライエッチングによれば、ウェットエッチングに比べて工数を大幅に削減することができるので、製造工程の簡略化を図ることができる。
【００２１】
［適用例１５］
本発明の弾性表面波共振子の製造方法では、前記圧電体基板は、水晶で構成されていることが好ましい。
水晶は、弾性表面波素子に用いる圧電体として様々な優れた特性を有する。したがって、圧電体基板を水晶で構成することで、優れた特性を有する弾性表面波素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる弾性表面波共振子を模式的に示す平面図である。
【図２】図１に示す弾性表面波共振子に備えられた圧電体基板のカット角および弾性表面波の伝播方向を説明するための図である。
【図３】図１に示す弾性表面波共振子の部分拡大断面図である。
【図４】図３に示す弾性表面波共振子の製造方法を説明するための図である。
【図５】図３に示す弾性表面波共振子の製造方法を説明するための図である。
【図６】図３に示す弾性表面波共振子の製造方法を説明するための図である。
【図７】図３に示す弾性表面波共振子の製造方法を説明するための図である。
【図８】図３に示す弾性表面波共振子の他の構成例を示す部分拡大断面図である。
【図９】図８に示す弾性表面波共振子の製造方法を説明するための図である。
【図１０】本発明の弾性表面波共振子の製造方法の第２実施形態を説明するための図である。
【図１１】本発明の弾性表面波共振子の製造方法の第２実施形態を説明するための図である。
【図１２】本発明の第３実施形態にかかる弾性表面波共振子を模式的に示す部分拡大断面図である。
【図１３】図１２に示す弾性表面波共振子の製造方法を説明するための図である。
【図１４】実施例１（本発明）および比較例（従来）のそれぞれにおける溝の底面の状態を示すＳＥＭ写真である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の弾性表面波共振子の製造方法を好適な実施形態を用いて説明する。
＜第１実施形態＞
まず、本発明の弾性表面波共振子の製造方法の第１実施形態について説明する。
（弾性表面波共振子）
ここでは、製造方法の説明に先立って、本実施形態にかかる弾性表面波共振子の構造について説明する。
【００２４】
図１は、本発明の第１実施形態にかかる弾性表面波共振子を模式的に示す平面図、図２は、図１に示す弾性表面波共振子に備えられた圧電体基板のカット角および弾性表面波の伝播方向を説明するための図、図３は、図１に示す弾性表面波共振子の部分拡大断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００２５】
図１および図２に示す弾性表面波共振子１は、いわゆる１ポート型と呼ばれるタイプの素子であり、圧電体基板２と、圧電体基板２上に設けられたＩＤＴ（櫛歯電極）３と、ＩＤＴ３の両側に設けられた１対の反射器４、５とを有している。
この弾性表面波共振子１は、ＩＤＴ３（後述する各電極３ａ、３ｂ間）に周期的に変化する電圧が入力されると、圧電体基板２の圧電効果により圧電体基板２の表面付近において弾性表面波が励振される。励振された弾性表面波は、１対の反射器４、５間で反射を繰り返して、これらの間に封じ込められる。
【００２６】
以下、このような弾性表面波共振子１を構成する各部を順次詳細に説明する。
圧電体基板２は、弾性表面波の伝搬媒体として機能するものである。
本実施形態では、圧電体基板２は、水晶で構成されている。水晶は、弾性表面波共振子１に用いる圧電体として様々な優れた特性を有する。したがって、圧電体基板２を水晶で構成することで、優れた特性を有する弾性表面波共振子１を提供することができる。
【００２７】
圧電体材料（水晶）の結晶軸は、図２に示すように、互いに直交するＸ軸（電気軸）、Ｙ軸（機械軸）およびＺ軸（光学軸）によって表現される。そして、圧電体材料（水晶）のカット角は、オイラー角（φ，θ，ψ）で表現されるが、Ｚ軸に直角な主面を有するＺカット基板のカット角は、オイラー角（０°，０°，０°）で表わされる。
ここで、オイラー角のφは、Ｚカット基板の第１の回転に関するものであり、Ｚ軸を回転軸とし、＋Ｘ軸側から＋Ｙ軸側へ回転する方向を正の回転角度とした第１の回転角度である。また、オイラー角のθは、Ｚカット基板の第１の回転後に行う第２の回転に関するものであり、第１の回転後のＸ軸（座標軸Ｘ’軸）を回転軸とし、第１の回転後の＋Ｙ軸（座標軸＋Ｙ’軸）側から＋Ｚ軸側へ回転する方向を正の回転角度とした第２の回転角度である。また、オイラー角のψは、Ｚカット基板の第２の回転後に行う第３の回転に関するものであり、第２の回転後のＺ軸（座標軸Ｚ’軸）を回転軸とし、第２の回転後の＋Ｘ軸（座標軸＋Ｘ’軸）側から第２の回転後の＋Ｙ軸（座標軸＋Ｙ”軸）側へ回転する方向を正の回転角度とした第３の回転角度である。
【００２８】
圧電体基板２のカット面は、前述した第１の回転角度φおよび第２の回転角度θで決定される。また、圧電体基板２における弾性表面波の伝播方向は、前述した第２の回転後のＸ軸（座標軸Ｘ’軸）に対する第３の回転角度ψで表わされる。
特に、本実施形態では、圧電体基板２は、図２に示すように、ＳＴカット水晶板１０をＺ’軸周りにψ°回転させたカット角となる面内回転ＳＴカット水晶板２０を用いて形成されている。このような圧電体基板２のカット角は、オイラー角（φ°，θ°，ψ°）による表示で（０°，１１３°〜１３５°，±（４０°〜４９°））となる。圧電体基板２のカット角および弾性表面波の伝播方向をこの範囲にすると、周波数温度特性に優れた弾性表面波共振子１を得ることができる。
【００２９】
また、このような面内回転ＳＴカット水晶板を用いた圧電体基板２においては、結晶の異方性のため、ＩＤＴ３への通電により弾性表面波を発生させた場合、弾性表面波の位相の伝播方向である位相速度の方向Ｂと、波群の伝播方向である群速度の方向Ａが異なる。より具体的には、圧電体基板２は、図１に示すように、弾性表面波の位相速度の方向ＢがＸ”軸に沿っている。そして、群速度の方向Ａは、弾性表面波のエネルギーが進む方向となっていて、位相速度の方向Ｂと角度ＰＦＡをもって交差する。位相速度の方向Ｂと群速度の方向Ａとのなす角度ＰＦＡは、パワーフロー角と言う。
【００３０】
したがって、本実施形態では、群速度の方向Ａに伝播する波群（波束）を効率的に反射し、高いＱ値が得られるように、後述するＩＤＴ３と反射器４、５とを群速度の方向Ａに沿って配列している。また、ＩＤＴ３の電極指３１ａ、３１ｂおよび反射器４、５の導体ストリップ４１、５１は、それぞれ、長手方向が位相速度の方向Ｂ（Ｘ”軸）に直交した方向、すなわちＹ'''軸に沿って形成されている。また、圧電体基板２は、平面視にて、長方形をなし、対向する一対の辺（長辺）２１、２２がＩＤＴ３および反射器４、５の配列方向に沿っており、他の一対の辺（短辺）２３、２４は、弾性表面波の群速度の方向Ａと直交している。これにより、圧電体基板２は、小型化を図るとともに、水晶ウエハーに対する収率を向上することができる。また、圧電体基板２は、二辺（短辺）２３、２４が弾性表面波の位相速度の方向Ｂと直交していないため、反射器４、５から漏れた波群が各辺２３、２４で反射された場合でも、反射波の位相をずらして反射器４、５ひいてはＩＤＴ３に戻すことができる。これにより、圧電体基板２の端面からの反射波に起因するスプリアスの影響を抑圧することができる。
【００３１】
なお、圧電体基板２は、前述したオイラー角をカット角とする水晶基板に限定されるものではない。また、圧電体基板２は、水晶に限定されず、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ３）、ニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ３）、４ホウ酸リチウム（Ｌｉ２Ｂ４Ｏ７）等で構成されていてもよい。
このような圧電体基板２の一方の面（上面）には、ＩＤＴ（櫛歯電極）３および１対の反射器４、５が接合されている。
【００３２】
ＩＤＴ３は、電気信号を受け（電圧が印加され）、これにより、圧電体基板２に弾性表面波を励振させる機能を有するものである。
ＩＤＴ３は、１対の電極３ａ、３ｂで構成されている。そして、電極３ａは、複数の電極指３１ａを備え、電極３ｂは、複数の電極指３１ｂを備えている。このようなＩＤＴ３は、電極３ａの複数の電極指３１ａと、電極３ｂの複数の電極指３１ｂとが互いに噛み合うように構成されている。このようなＩＤＴ３の電極指３１ａ、３１ｂの幅、間隔、厚さ等を調整することにより、弾性表面波の発振周波数の特性を所望のものに設定することができる。
このような電極３ａ、３ｂ間に周期的に変化する電圧を印加すると、圧電体基板２の上面付近に、電極指３１ａ、３１ｂの配列方向に伝播する弾性表面波が励振される。
【００３３】
ＩＤＴ３の構成材料としては、導電性を有する材料であれば、特に限定されないが、金属材料が好適に用いられる。特に、ＩＤＴ３の構成材料としては、ＡｌまたはＡｌを主材料とした合金（Ａｌ系合金）を用いるのが好ましい。Ａｌは、導電性に優れている（電気抵抗が小さい）ため、ＩＤＴ３をＡｌまたはＡｌ系合金を主材料として構成することにより、エネルギー損失が小さくなる。その結果、弾性表面波共振子１の弾性表面波の共振をより鋭くすることができる。
【００３４】
また、ＡｌまたはＡｌを主材料とする合金は、水晶と比重（密度）が同程度であり、前述したような水晶で構成された圧電体基板２の電極指３１ａ、３１ｂ同士の間の部分に第２の溝２５を形成した構成において、良好な特性を得ることができる。
また、Ａｌは比重が小さいので、ＩＤＴ３の膜厚に依存した音速変化が小さく抑えられる。したがって、弾性表面波共振子１の中心周波数のばらつきを抑えることができる。
【００３５】
また、ＩＤＴ３の膜厚の制御が容易となるので、精度の高い弾性表面波共振子１を得ることができる。
また、ＩＤＴ３をＡｌ系合金を主材料として構成する場合、Ａｌに、Ｃｕ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｓｃ等の金属を添加することにより、ＩＤＴ３のマイグレーション耐性を改善することもできる。Ａｌに添加する前記金属の含有割合は、重量比で１０％以下であればよい。
このようなＩＤＴ３を介して対向するように、１対の反射器４、５が配置されている。
１対の反射器４、５は、それぞれ、圧電体基板２を伝播する弾性表面波を反射して、反射器４と反射器５との間に封じ込める機能を有する。
【００３６】
また、反射器４は、所定間隔で並設された複数の導体ストリップ４１を有し、全体としてグレーティング状をなしている。これと同様に、反射器５は、所定間隔で並設された複数の導体ストリップ５１を有し、全体としてグレーティング状をなしている。このような構造の各反射器４、５は、それぞれ、弾性表面波を効率よく反射することができる。
このような導体ストリップ４１、５１の幅、間隔、ピッチ、厚さ等を調整することにより、弾性表面波共振子１において励振される弾性表面波の発振周波数等の特性を所望のものに設定することができる。
【００３７】
また、圧電体基板２の上面のうち、ＩＤＴ３の電極指３１ａ、３１ｂ間に対応する部分には、第２の溝２５が形成されている。
この第２の溝２５は、その横断面形状が矩形状をなしていて、電極指３１ａ、３１ｂの見かけ上の厚さを厚くすることができる。すなわち、第２の溝２５の深さをＨｇＴとし、電極指３１ａ、３１ｂの厚さをＨｍＴとしたとき、見かけ上の電極指３１ａ、３１ｂの厚さＨＴは、（ＨｇＴ＋ＨｍＴ）となる。
【００３８】
そのため、第２の溝２５を設けることにより、実際の電極指３１ａ、３１ｂの厚さ（ＩＤＴ３の厚さ）ＨｍＴを相対的に薄くすることができる。これにより、振動損失に相当するＣＩ（Crystal Impedance）値が低下するため、発振安定性を高めることができる。また、ＩＤＴ３の通電によるストレスマイグレーション等に起因する周波数変動を抑制することができる。さらに、第２の溝２５の深さＨｇＴを調整することで、弾性表面波共振子１の所望の特性に設定することができる。
このような第２の溝２５の底面は、後述する製造方法によって、平坦に形成されている。これにより、エネルギー損失の少ない優れた特性を有する弾性表面波共振子１を提供することができる。
【００３９】
一方、圧電体基板２の上面のうち、反射器４、５の導体ストリップ４１、５１間に対応する部分には、第１の溝２６が形成されている。
この第１の溝２６は、その横断面形状が矩形状をなしていて、導体ストリップ４１、５１の見かけ上の厚さを厚くすることができる。すなわち、第１の溝２６の深さをＨｇＲとし、導体ストリップ４１、５１の厚さをＨｍＲとしたとき、見かけ上の導体ストリップ４１、５１の厚さＨＲは、（ＨｇＲ＋ＨｍＲ）となる。
そのため、第１の溝２６を設けることにより、反射器４、５の反射特性が向上し、Ｑ値を高めることができる。その結果、発振安定性の高い弾性表面波共振子１が得られる。
ここで、弾性表面波共振子１のＣＩ値の低下とＱ値の向上とを両立するという観点から、ＩＤＴ３で励振される弾性表面波の波長をλとしたとき、ＨｇＴおよびＨｇＲは、ＨｇＴ／λ＜ＨｇＲ／λの関係を満たし、かつ、ＨＴおよびＨＲは、ＨＴ／λ＜ＨＲ／λの関係を満たすことが好ましい。
【００４０】
弾性表面波共振子１が上記のような関係を満たすことにより、反射器４、５の反射特性が向上してストップバンド上端モードのＳＡＷのエネルギー閉じ込め効果がより顕著になり、Ｑ値のさらなる向上が図られる。また、相対的にＩＤＴ３の電極指３１ａ、３１ｂの膜厚が減少するため、ＩＤＴ３の電気機械結合係数を高めることができ、ＣＩ値をさらに下げることができる。
また、Ｑ値の向上等の観点からは、さらに、電極指３１ａ、３１ｂの厚さ（ＩＤＴ３の厚さ）ＨｍＴと、導体ストリップ４１、５１の厚さＨｍＲとが、ＨｍＴ／λ＜ＨｍＲ／λの関係を満たすことが好ましい。
【００４１】
（弾性表面波共振子の製造方法）
次に、本発明の弾性表面波共振子の製造方法について、図３に示す弾性表面波共振子１を製造する場合を例に説明する。
図４〜７は、それぞれ、図３に示す弾性表面波共振子の製造方法を説明するための図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図４〜７の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００４２】
弾性表面波共振子１の製造方法は、［Ａ］圧電体基板２Ａ上に導体層３Ａを形成する工程と、［Ｂ］導体層３Ａにエッチングを施してＩＤＴ３および反射器４、５を形成する工程と、［Ｃ］圧電体基板２Ａの反射器４、５の導体ストリップ４１、５１間にエッチングを施して溝２６Ａを形成する工程と、［Ｄ］圧電体基板２Ａのうち、ＩＤＴ３の電極指３１ａ、３１ｂ間にエッチングを施して第２の溝２５を形成するとともに、反射器４、５の導体ストリップ４１、５１間にエッチングを施し、溝２６Ａをさらに深くすることで第１の溝２６を形成する工程と、を有する。以下、各工程を順次説明する。
【００４３】
［Ａ］導体層３Ａの形成
−Ａ１−
まず、図４（ａ）に示すように、圧電体基板２Ａを用意する。
この圧電体基板２Ａは、例えば、前述した第１の溝２６および第２の溝２５を形成する前の水晶基板である。
【００４４】
−Ａ２−
そして、図４（ｂ）に示すように、圧電体基板２Ａの一方の面上に、導体層３Ａを形成する。
導体層３Ａの構成材料としては、前述したＩＤＴ３の構成材料と同様のものを用いることができる。
【００４５】
また、導体層３Ａの形成方法としては、特に限定されず、例えば、ディッピング法、印刷法、電解メッキ、浸漬メッキ、無電解メッキ等の湿式メッキ法、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ、レーザーＣＶＤのような化学蒸着法（ＣＶＤ）、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング等の乾式メッキ法、溶射、導体箔の接合等を用いることができるが、中でも、乾式メッキ法が好適に用いられる。
【００４６】
［Ｂ］ＩＤＴ３および反射器４、５の形成
−Ｂ１−
次いで、図４（ｃ）に示すように、導体層３Ａの圧電体基板２Ａとは反対側の面上にレジスト材料を塗布し、レジスト層６Ａを成膜する。レジスト材料としては、露光された部分が現像によって除去されるポジ型（例えば、ノボラック系樹脂を主とするフォトレジスト材料）のものと、露光された部分が現像液に対して不溶になり残存するネガ型（例えば、ゴム系材料を主とするフォトレジスト材料）のものがあるが、いずれのものも用いることができる。
【００４７】
−Ｂ２−
次いで、レジスト層６Ａの所定の領域に露光した後、現像を行い、ＩＤＴ３の電極指３１ａ、３１ｂに対応する領域のレジスト層６Ａを残存させる。また、同様に、反射器４、５の導体ストリップ４１、５１に対応する領域のレジスト層６Ａを残存させる。これにより、図５（ｄ）に示す第１のレジスト層（第１の保護膜）６を得る。
【００４８】
−Ｂ３−
次いで、第１のレジスト層６をマスクとして導体層３Ａをエッチングする。これにより、図５（ｅ）に示すＩＤＴ３および反射器４、５が得られる。なお、得られたＩＤＴ３が有する電極指３１ａ、３１ｂおよび反射器４、５が有する導体ストリップ４１、５１は、横断面形状が矩形状をなしており、それぞれの上面には第１のレジスト層６が積層された状態となる。また、形成されたＩＤＴ３の電極指３１ａ、３１ｂ間、および、反射器４、５の導体ストリップ４１、５１間では、それぞれ圧電体基板２Ａの上面が露出している。
本工程で用いるエッチングとしては、特に限定されないが、リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）、プラズマエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチング等のドライエッチングが好適に用いられる。ドライエッチングによれば、ウェットエッチングに比べて工数を大幅に削減することができるので、製造工程の簡略化を図ることができる。
【００４９】
［Ｃ］仮の溝２６Ａの形成
−Ｃ１−
次いで、図５（ｆ）に示すように、第１のレジスト層６の上面および露出した圧電体基板２Ａの上面を覆うようにレジスト材料を塗布し、レジスト層７Ａを成膜する。本工程で用いるレジスト材料としては、レジスト層６Ａを構成するレジスト材料と特性の異なるものが用いられる。
【００５０】
−Ｃ２−
次いで、レジスト層７Ａの所定の領域に露光した後、現像を行い、ＩＤＴ３の形成領域、すなわち、電極指３１ａ、３１ｂに対応する領域および電極指３１ａ、３１ｂ間の領域のレジスト層７Ａを残存させる。これにより、図６（ｇ）に示す第２のレジスト層（第２の保護膜）７を得る。なお、この現像の結果、反射器４、５の形成領域、すなわち、導体ストリップ４１、５１に対応する領域および導体ストリップ４１、５１間において圧電体基板２Ａの上面が露出した領域では、レジスト層７Ａが除去され、露出した状態となる。
【００５１】
ここで、第２のレジスト層７は、図６（ｇ）に示すように、その縁部の一部が、電極指３１ａ、３１ｂの間に位置しないよう成膜される。換言すれば、第２のレジスト層７は、その縁部の一部が、最も外側にある電極指３１ａ、３１ｂの形成領域（電極指３１ａ、３１ｂ上）に位置するようパターニングされる。仮に第２のレジスト層７がこの領域からはみ出して電極指３１ａ、３１ｂの間に位置してしまうと、後述する工程Ｃ３においてエッチングを行う際、この位置にエッチング領域と非エッチング領域との境界ができてしまい、溝の底面に不本意な段差が生じる。この段差は、弾性表面波共振子１の特性に悪影響を及ぼす。したがって、第２のレジスト層７の縁部の一部が電極指３１ａ、３１ｂの形成領域（電極指３１ａ、３１ｂ上）に位置していれば、上述したような不本意な段差の形成が防止される。
【００５２】
−Ｃ３−
次いで、第２のレジスト層７をマスクとして、導体ストリップ４１、５１間において露出した圧電体基板２Ａの上面をエッチングする。これにより、図６（ｈ）に示す圧電体基板２Ａの上面の導体ストリップ４１、５１間に溝（仮の溝）２６Ａが形成される。
この際、溝２６Ａの深さは、形成しようとする第１の溝２６の深さと第２の溝２５の深さとの差に相当する深さとされる。すなわち、例えば第１の溝２６の深さが第２の溝２５の深さよりＤだけ深い場合、本工程において形成する溝２６Ａの深さをＤとすればよい。
【００５３】
［Ｄ］第１の溝２６および第２の溝２５の形成
−Ｄ１−
次いで、第２のレジスト層７を除去する。これにより、図６（ｉ）に示すように、第２のレジスト層７で覆われていたＩＤＴ３の形成領域、すなわち、電極指３１ａ、３１ｂに対応する領域に積層された第１のレジスト層６と、圧電体基板２Ａの上面の電極指３１ａ、３１ｂ間とがそれぞれ露出する。
【００５４】
−Ｄ２−
次いで、ＩＤＴ３の電極指３１ａ、３１ｂ上、および、反射器４、５の導体ストリップ４１、５１上に積層された第１のレジスト層６をマスクとして、露出している圧電体基板２Ａの上面をエッチングする。これにより、電極指３１ａ、３１ｂ間に露出している圧電体基板２Ａの上面がエッチングされ、図７（ｊ）に示す第２の溝２５が形成される。また、導体ストリップ４１、５１間に露出している圧電体基板２Ａの上面がエッチングされ、溝２６Ａがさらに深くなる。その結果、図７（ｊ）に示す、第２の溝２５より深い第１の溝２６が形成される。
なお、本工程においては、第２の溝２５が形成される際のエッチング量と、第１の溝２６が形成される際のエッチング量とは、ほぼ同じである。したがって、第１の溝２６の深さと第２の溝２５の深さとの差は、前述した溝２６Ａの深さＤがそのまま保持されることとなる。
【００５５】
−Ｄ３−
次いで、ＩＤＴ３上および反射器４、５上に残存した第１のレジスト層６を除去する。これにより、図７（ｋ）に示す弾性表面波共振子１が得られる。
以上のような本発明の弾性表面波共振子の製造方法では、圧電体基板２Ａの上面をエッチングする際、圧電体基板２Ａが露出した領域がエッチングされる一方、それ以外の領域はレジスト材料からなる層で覆われている。例えば、工程Ｃ３では、圧電体基板２Ａの上面がエッチングされて溝２６Ａを形成するが、この際、溝２６Ａを形成する領域以外は、第１のレジスト層６または第２のレジスト層７で覆われている。
【００５６】
一方、従来の製造方法では、ＩＤＴ３や反射器４、５をマスクとして利用していた。このため、ＩＤＴ３や反射器４、５が直接エッチングに曝されることになり、膜厚が減少する等して特性が低下することがあった。また、ＩＤＴ３や反射器４、５がエッチングされると、これらを構成する導体成分（主に金属）が飛散し、飛散物粒子が周囲の圧電体基板２の表面に付着、堆積する。このようにして付着、堆積した導体成分は、その領域における圧電体基板２Ａのエッチングを局所的に阻害するため、エッチングが阻害される領域と阻害されない領域とでエッチングレートに差が生じてしまう。その結果、第１の溝２６や第２の溝２５の底面に荒れが生じていた。
【００５７】
本発明者は、上述したような底面の荒れの原因を突き止めるとともに、かかる底面の荒れが弾性表面波共振子１の特性を悪化させていることを見出し、底面の荒れを防止し得る製造方法について鋭意検討を重ねた。そして、エッチングの際のマスクにその原因があることを突き止めるとともに、第１の溝２６や第２の溝２５の底面に荒れを生じさせない方法を見出し、本発明を完成するに至った。
また、本実施形態では、溝を形成するにあたり、深さの異なる溝を形成する必要があることから、それを実現する手段も見出したものである。
【００５８】
本発明によれば、ドライエッチングを施した際に、例えばＩＤＴ３や反射器４、５等がエッチングされてしまうことを防止するとともに、第１の溝２６や第２の溝２５の底面が荒れるのを防止して、設計通りの本来の特性を発揮する弾性表面波共振子１を効率よく製造することができる。
また、第１のレジスト層６および第２のレジスト層７として、有機材料を主材料とするレジスト層を用いることにより、これらのレジスト層６、７は、ドライエッチングによって気体となるという特徴を有するものとなる。そのため、前述した飛散物粒子のような副生成物の生成が確実に防止され、これにより第１の溝２６や第２の溝２５の底面が荒れるのを確実に防止される。
また、樹脂材料は、有機材料の中でもドライエッチングに対して比較的高い耐性を有する。したがって、第１のレジスト層６および第２のレジスト層７は、ＩＤＴ３や反射器４、５を確実に保護することができる。
【００５９】
ここで、本発明では、２種類のレジスト層を用いて深さの異なる溝を形成している。このため、２種類のレジスト層の間では、現像プロセス、剥離プロセスが相互に影響を及ぼさないよう、レジスト材料の特性が異なっている。具体的には、第１のレジスト層６を構成するレジスト材料と第２のレジスト層７を構成するレジスト材料とは、（ｉ）溶解可能な溶媒（例えば現像液、剥離液等）の種類が異なる、（ii）同じ溶媒（例えば現像液、剥離液等）に対する溶解性が異なる、（iii）アッシング（剥離）処理に対する耐久性が異なる、といった特性の違いが存在している。
【００６０】
第１のレジスト層６と第２のレジスト層７との間に上述したような差異が存在していると、工程［Ｃ］のＣ２や、工程［Ｄ］のＤ１において、レジスト層７Ａを現像したり、第２のレジスト層７をアッシング（剥離）したりする際に、第１のレジスト層６に損傷を及ぼすおそれがなくなる。したがって、このような特性の違いを利用することで、各レジスト層６、７のマスクとしての機能がそれぞれ確実に保持され、その後のエッチング処理において処理領域の正確な制御が可能になる。すなわち、各レジスト層６、７の現像および剥離に際して、その独立性が確保されることで、各レジスト層６、７による処理領域の制御が確実に行われる。
【００６１】
（ｉ）の場合、第１のレジスト層６と第２のレジスト層７とで溶解可能な現像液の種類を変えることにより、例えば、工程Ｃ２におけるレジスト層７Ａの現像の際、下地の第１のレジスト層６は、レジスト層７Ａ用の現像液に対する溶解性がなくなる。このため、レジスト層７Ａを現像している間も、第１のレジスト層６はマスクとしての機能を確実に維持することができる。
またこの場合、工程Ｄ１における第２のレジスト層７の剥離の際、下地の第１のレジスト層６は、第２のレジスト層７用の剥離液に対する剥離性がなくなる。このため、第２のレジスト層７を剥離している間も、第１のレジスト層６はマスクとしての機能を確実に維持することができる。
【００６２】
上記の観点から、（ｉ）の場合、第１のレジスト層６を構成するレジスト材料は、それを現像可能な現像液および剥離可能な剥離液に対して溶解し、第２のレジスト層７用の現像液および剥離液に対しては不溶となるよう、その組成が適宜選択される。同様に、第２のレジスト層７を構成するレジスト材料は、第２のレジスト層７用の現像液および剥離液に対して溶解し、第１のレジスト層６用の現像液および剥離液に対しては不溶となるよう、その組成が適宜選択される。
【００６３】
なお、工程Ｃ２におけるレジスト層７Ａの現像の際、下地の第１のレジスト層６はすでに現像済みであるため、多くの現像液に対して十分な耐久性を有している。したがって、この第１のレジスト層６がレジスト層７Ａ用の現像液に触れたとしても、溶解する可能性は非常に低いといえる。かかる観点から、（ｉ）の場合、少なくとも、工程Ｄ１における第２のレジスト層７の剥離の際に、下地の第１のレジスト層６が剥離してしまわないようにすることの方が重要である。
【００６４】
ここで、溶解可能な溶媒（剥離液）の種類が異なるレジスト材料の組み合わせとしては、例えば、ポジ型レジスト材料とネガ型レジスト材料の組み合わせが挙げられる。このうち、ポジ型レジスト材料としては、例えば、ノボラック系樹脂を含むフォトレジスト材料が好ましく用いられる。フォトレジスト材料を用いることにより、レジスト層６Ａ、７Ａのパターニングを正確に行うことができる。
【００６５】
また、ノボラック系樹脂には、例えば、フェノールまたはｏ−、ｍ−またはｐ−クレゾール、キシレノールまたはこれらのフェノール系化合物の混合物とホルムアルデヒドとの縮合反応により得られるノボラック系樹脂が好ましく用いられる。ノボラック系樹脂は、高精度なパターニングが可能であり、かつ、ドライエッチングに対して比較的高い耐性を有することから、レジスト材料として好適である。
また、用いられるノボラック系樹脂としては、その重量平均分子量が、２，０００〜２０，０００程度であるものが好ましく、５，０００〜１５，０００程度であるものがより好ましい。
【００６６】
一方、ネガ型レジスト材料としては、例えば、ゴム系レジスト材料が好ましく用いられる。このゴム系レジスト材料は、環化ポリイソプレンや環化ポリブタジエン等のゴム成分および芳香族ビスアジド等の感光剤を、キシレンなどの芳香族炭化水素等の溶媒に溶解したものであり、露光により感光剤から発生するラジカルによりゴム成分が架橋、不溶化するものである。
これらのポジ型レジスト材料およびネガ型レジスト材料では、これらの材料からなるレジスト層を剥離する際に用いる剥離液の種類が互いに異なっている。
具体的には、ポジ型レジスト材料からなるレジスト層の剥離液としては、例えば、エタノールアミン類のような有機アミンと極性溶媒との混合物が挙げられる。
【００６７】
一方、ネガ型レジスト材料からなるレジスト層の剥離液としては、例えば、アルキルベンゼンスルホン酸などを成分とした有機酸系の薬液が用いられる。
ポジ型レジスト材料は、上述したネガ型レジスト材料用の剥離液に対して比較的不溶であり、ネガ型レジスト材料は、上述したポジ型レジスト材料に対して比較的不溶であることから、これらのレジスト材料からなるレジスト層は、それぞれ選択的な剥離が可能になり、本発明の効果が発生する。
なお、上記不溶とは、全くの溶解しないことを必要とするものではなく、第１のレジスト層６と第２のレジスト層７との間で溶解性に十分な差ができていれば、ある程度の溶解は許容される。
【００６８】
また、例えば、ポジ型レジスト材料からなるレジスト層の剥離液と、ネガ型レジスト材料からなるレジスト層の剥離液とは、その剥離性の強さを考慮して適用する工程を適宜選択する。例えば、前者の剥離液は、後者の剥離液に比べてその剥離性が比較的弱いことから、ネガ型レジスト材料からなるレジスト層を第１のレジスト層６とし、ポジ型レジスト材料からなるレジスト層を第２のレジスト層７とすれば、第２のレジスト層７を除去する際に、それに伴って第１のレジスト層６が剥離してしまうのをより確実に防止することができる。
【００６９】
また、ポジ型レジスト材料は露光部が除去される性質のものであり、ネガ型レジスト材料は露光部が残存する性質のものであることから、ネガ型レジスト材料からなるレジスト層を第１のレジスト層６とし、ポジ型レジスト材料からなるレジスト層を第２のレジスト層７とすれば、第２のレジスト層７を形成する際の露光の際に、仮に第１のレジスト層６に光が当たったとしても、悪影響を及ぼすおそれがないという利点がある。
【００７０】
（ii）の場合、第１のレジスト層６を構成するレジスト材料と、第２のレジスト層７を構成するレジスト材料については、同じ溶媒（現像液および剥離液）に対して溶解性が互いに異なるよう、その組成を適宜選択すればよい。これにより、例えば工程Ｃ２におけるレジスト層７Ａの現像の際、下地の第１のレジスト層６を、レジスト層７Ａ用の現像液に対する溶解性が相対的に小さいものにすることができる。これにより、レジスト層７Ａの現像を終えた時点でも第１のレジスト層６を溶解せずに残存させ、この時点で速やかに現像液を除去することにより、第１のレジスト層６を失うことなくレジスト層７Ａの現像を行うことができる。
【００７１】
またこの場合、工程Ｄ１における第２のレジスト層７の剥離の際、下地の第１のレジスト層６は、第２のレジスト層７用の剥離液に対する溶解性が小さい。このため、第２のレジスト層７を剥離している間も、第１のレジスト層６はわずかしか溶解しないので、第２のレジスト層７を剥離し終えた後でも、第１のレジスト層６はマスクとしての機能を確実に維持することができる。
【００７２】
なお、（ｉ）の場合と同様、工程Ｃ２におけるレジスト層７Ａの現像の際、下地の第１のレジスト層６はすでに現像済みであるため、多くの現像液に対して十分な耐久性を有している。したがって、この第１のレジスト層６がレジスト層７Ａ用の現像液に触れたとしても、溶解する可能性は非常に低いといえる。かかる観点から、（ii）の場合も、少なくとも、工程Ｄ１における第２のレジスト層７の剥離の際に、下地の第１のレジスト層６が剥離してしまわないようにすることの方が重要である。
【００７３】
このような溶解性の差を生じるレジスト材料の組み合わせとしては、例えば、同一組成のレジスト材料であって、その分子量、ガラス転移点、溶解性を左右する官能基の含有量が互いに異なるレジスト材料の組み合わせ等が挙げられる。このようなレジスト材料からなるレジスト層は、それぞれ同じ溶媒に対して溶解性が異なることから、それを利用することで、選択的な溶解が可能になる。
【００７４】
なお、第１のレジスト層６と第２のレジスト層７とで、その厚さを大きく異ならせることで、各々が完全に剥離に至るまでの時間を大きく異ならせることができる。例えば、第２のレジスト層７に比べて第１のレジスト層６の厚さを十分に厚くすることで、第２のレジスト層７を剥離し終えた後でも、第１のレジスト層６を十分に残存させることができる。このようにしても、第１のレジスト層６と第２のレジスト層７の選択的な剥離が可能になる。
【００７５】
（iii）の場合、第１のレジスト層６を構成するレジスト材料と、第２のレジスト層７を構成するレジスト材料については、同じアッシング処理（特にドライアッシング）に対してアッシング耐性（耐久性）が互いに異なるよう、その組成を適宜選択すればよい。例えば工程Ｄ１における第２のレジスト層７の剥離の際、下地の第１のレジスト層６を、第２のレジスト層７を剥離する際のアッシング処理に対するアッシング耐性よりも相対的に大きくすればよい。これにより、第２のレジスト層７を剥離している間も、第１のレジスト層６はわずかしか剥離しないので、第２のレジスト層７を剥離し終えた後でも、第１のレジスト層６はマスクとしての機能を確実に維持することができる。
このようなアッシング耐性の異なるレジスト材料の組み合わせとしては、例えば、ポジ型フォトレジスト材料と、これに水素イオンを照射することによってドライアッシング耐性を高め、これによりアッシング耐性に差を設けたレジスト材料との組み合わせ等が挙げられる。
【００７６】
なお、ドライアッシング耐性の向上は、例えば、水素プラズマから放出されるイオン流にレジスト層を暴露することにより行うことができる。
ここで、図３に示す弾性表面波共振子の他の構成例を説明する。
図８は、図３に示す弾性表面波共振子の他の構成例を示す部分拡大断面図である。
図８に示す弾性表面波共振子１は、ＩＤＴ３の構成が異なる以外、図３に示す弾性表面波共振子１と同様である。
【００７７】
図８に示すＩＤＴ３は、それに含まれる複数の電極指３１ａ、３１ｂのうち、最も外側に位置するものが、その他のものに比べて幅が広くなるよう形成されている点で、図３に示す弾性表面波共振子１と異なっている。
このような弾性表面波共振子１は、その製造時に第２のレジスト層７を成膜する際、成膜領域の制御が容易になるという点で有用なものである。
図９は、図８に示す弾性表面波共振子の製造方法を説明するための図である。
図８に示す弾性表面波共振子１を成膜する際、まず、前述したように、ＩＤＴ３および反射器４、５とその上に積層された第１のレジスト層６とを形成する（図９（ａ）参照）。
【００７８】
次いで、前述したように、第１のレジスト層６の上面および露出した圧電体基板２の上面を覆うようにレジスト材料を塗布し、レジスト層７Ａを成膜する（図９（ｂ）参照）。レジスト材料としては、前述したレジスト層６Ａの構成材料と同様のものが用いられる。
そして、レジスト層７Ａの所定の領域に露光した後、現像を行い、ＩＤＴ３の形成領域、すなわち、電極指３１ａ、３１ｂに対応する領域および電極指３１ａ、３１ｂ間の領域のレジスト層７Ａを残存させる。これにより、図９（ｃ）に示す第２のレジスト層（第２の保護膜）７を得る。
【００７９】
第２のレジスト層７は、その縁部の一部が、最も外側に位置する電極指３１ａ、３１ｂの形成領域に位置するようパターニングされるが、この際、パターニングの境界は前記形成領域に合わせられる。前述したように、最も外側に位置する電極指３１ａ、３１ｂは、その幅が相対的に広くなっていることから、この形成領域にパターニングの境界を合わせることは、図３に示す弾性表面波共振子１の場合に比べて容易である。すなわち、パターニングの位置ズレの許容範囲Ｓが緩和されるという点で、図８に示す弾性表面波共振子１は、製造容易性の高いものであるといえる。このようにして第２のレジスト層７の位置が制御されることにより、圧電体基板２の上面に不本意な段差が形成されてしまうのを防止し、弾性表面波共振子１の特性に悪影響が及ぶのを防止することができる。
【００８０】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の弾性表面波共振子の製造方法の第２実施形態について説明する。
以下、第２実施形態について説明するが、第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
（弾性表面波共振子の製造方法）
図１０、１１は、本発明の弾性表面波共振子の製造方法の第２実施形態を説明するための図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１０、１１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００８１】
第２実施形態にかかる弾性表面波共振子の製造方法は、工程の順序が異なる以外は、第１実施形態と同様である。
すなわち、本実施形態では、まず第１実施形態と同様にして、ＩＤＴ３および反射器４、５とその上に積層された第１のレジスト層６とを形成する（図１０（ａ）、（ｂ）参照）。
【００８２】
次いで、第１のレジスト層６をマスクとして、電極指３１ａ、３１ｂ間および導体ストリップ４１、５１間において露出した圧電体基板２Ａの上面をエッチングする。これにより、図１０（ｃ）に示すように、圧電体基板２Ａの上面の電極指３１ａ、３１ｂ間に第２の溝２５が形成される。また、図１０（ｃ）に示すように、圧電体基板２Ａの上面の導体ストリップ４１、５１間に溝（仮の溝）２６Ａが形成される。
【００８３】
次いで、図１１（ｄ）に示すように、第１のレジスト層６の上面および露出した圧電体基板２Ａの上面を覆うようにレジスト材料を塗布し、レジスト層７Ａを成膜する。本工程で用いるレジスト材料としては、第１のレジスト層６を構成するレジスト材料と特性の異なるものが用いられる。
次いで、レジスト層７Ａの所定の領域に露光した後、現像を行い、ＩＤＴ３の形成領域、すなわち、電極指３１ａ、３１ｂに対応する領域および電極指３１ａ、３１ｂ間の領域のレジスト層７Ａを残存させる。これにより、図１１（ｅ）に示す第２のレジスト層（第２の保護膜）７を得る。なお、この現像の結果、反射器４、５の形成領域、すなわち、導体ストリップ４１、５１に対応する領域および導体ストリップ４１、５１間において圧電体基板２Ａの上面が露出した領域では、レジスト層７Ａが除去され、露出した状態となる。
【００８４】
次いで、第２のレジスト層７をマスクとして、導体ストリップ４１、５１間において露出した溝２６Ａをさらにエッチングする。これにより、溝２６Ａがさらに掘り込まれ、図１１（ｆ）に示す、第２の溝２５より深い第１の溝２６が形成される。
その後、第２のレジスト層７および第１のレジスト層６を順次除去する。これにより、弾性表面波共振子１が得られる。
以上のような製造方法においても、前記第１実施形態と同様の効果が得られる。
【００８５】
＜第３実施形態＞
次に、本発明の弾性表面波共振子の製造方法の第３実施形態について説明する。
以下、第３実施形態について説明するが、第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項についてはその説明を省略する。
（弾性表面波共振子）
まず、本実施形態にかかる弾性表面波共振子の構造について説明する。
【００８６】
図１２は、本発明の第３実施形態にかかる弾性表面波共振子を模式的に示す部分拡大断面図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
図１２に示す弾性表面波共振子１’は、ＩＤＴ３の電極指３１ａ、３１ｂ間に設けられる第２の溝２５が省略された以外は、第１実施形態にかかる弾性表面波共振子１と同様である。すなわち、図１２に示す弾性表面波共振子１’は、溝として第１の溝２６のみを有している。このような弾性表面波共振子１’は、構造が簡単であるため、製造容易性が高いものとなる一方、反射器４、５の反射特性は第１実施形態とあまり変わらないので、Ｑ値の低下は抑制される。その結果、構造が簡単でかつ発振安定性の高い弾性表面波共振子１’が得られる。
【００８７】
（弾性表面波共振子の製造方法）
次に、本発明の弾性表面波共振子の製造方法について、図１２に示す弾性表面波共振子１を製造する場合を例に説明する。
図１３は、図１２に示す弾性表面波共振子の製造方法を説明するための図である。なお、以下の説明では、説明の便宜上、図１３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００８８】
第３実施形態にかかる弾性表面波共振子の製造方法は、第２の溝２５の形成、および溝（仮の溝）２６Ａをさらに深くするエッチング処理を省略した以外は、第１実施形態と同様である。
すなわち、本実施形態では、図１３（ａ）に示すように第２のレジスト層７を形成した後、図１３（ｂ）に示すように第１の溝２６を形成し、続いて図１３（ｃ）に示すように第２のレジスト層７を除去する。これにより、第２の溝２５を有さず、第１の溝２６のみを有する弾性表面波共振子１’が得られる。
【００８９】
以上のように、本発明では、第１の溝２６を形成する領域以外は、常に第１のレジスト層６または第２のレジスト層７で覆われているので、ＩＤＴ３や反射器４、５等がエッチングされてしまうことが防止されるとともに、第１の溝２６の底面が荒れるのを防止して、設計通りの本来の特性を発揮する弾性表面波共振子１’を効率よく製造することができる。
また、本実施形態では、溝を形成するにあたり、部分的に溝を形成する必要があることから、それを実現する手段も見出したものである。
以上説明したような弾性表面波共振子１、１’は、各種の電子機器に適用することができ、得られる電子機器は、信頼性の高いものとなる。
【００９０】
弾性表面波共振子１、１’を備える電子機器としては、特に限定されないが、例えば、パーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、携帯電話機、ディジタルスチルカメラ、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等が挙げられる。
以上、本発明の弾性表面波共振子の製造方法について、図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【００９１】
また、本発明を適用する弾性表面波共振子は、用途に応じて反射器、櫛歯電極の数を変更してもよい。
また、櫛歯電極および反射器を圧電体基板とは反対側から覆うように、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３等で構成された保護膜（温度補償膜）を設けてもよい。この場合、保護膜は、ＩＤＴ３上と反射器４、５上のみに設けられていてもよいし、第１の溝２６および第２の溝２５の底面も覆うように設けられていてもよい。
【００９２】
また、本発明を適用する弾性表面波共振子には、各種機能を有する半導体素子が複合化されていてもよい。
また、保護膜の構成材料は、レジスト材料に限定されず、エッチングのマスクとして機能し得る材料であれば、いかなる材料であってもよい。例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素等のケイ素化合物が用いられる。また、保護膜の形成には、露光・現像を伴う方法以外に、例えばインクジェット法等の局所的に材料を供給する方法を用いるようにしてもよい。
【実施例】
【００９３】
次に、本発明の具体的実施例について説明する。
１．弾性表面波共振子の作製
（実施例１）
まず、圧電体基板として、平均厚さ：０．４ｍｍの水晶基板（面内回転ＳＴカット水晶基板）を用意した。この水晶基板のカット角は、オイラー角（０°，１２７°，４５°）である。
【００９４】
次に、水晶基板上に、真空蒸着法によりアルミニウムを被着させ、アルミニウム膜（導体層）を形成した。このとき、アルミニウム膜の厚さは、２００ｎｍ（２０００Å）であった。
次に、フォトリソグラフィー法により、ＩＤＴ（櫛歯電極）および反射器に対応する形状の第１のマスク（第１のレジスト層）を形成した。このとき、レジスト材料としてゴム系のネガ型フォトレジスト材料を用いた。また、現像液としてキシレン系現像液を用い、第１のマスクの厚さは、９００ｎｍ（９０００Å）であった。
【００９５】
次に、この第１のマスクを用いてドライエッチングを行うことにより、アルミニウム膜の不要部分を除去することにより、ＩＤＴおよび反射器を形成した。このとき、ドライエッチングのエッチングガスとしてＣＦ４を用いた。
次に、フォトリソグラフィー法により、ＩＤＴの電極指に対応する領域および電極指間の領域に第２のマスク（第２のレジスト層）を形成した。このとき、レジスト材料としてノボラック樹脂系のポジ型フォトレジスト材料を用いた。また、現像液としてアルカリ系現像液を用い、第２のマスクの厚さは、９００ｎｍ（９０００Å）であった。
【００９６】
次に、この第２のマスクを用いてドライエッチングを行うことにより、水晶基板のうち、反射器の導体ストリップ間に対応する部分に溝（仮の溝）を形成した。このとき、形成された溝の深さは５００ｎｍ（５０００Å）であった。また、ドライエッチングのエッチングガスとしてＣＦ４を用いた。
次いで、アルキルベンゼンスルホン酸を含む有機酸系剥離液を用いて、第２のマスクを選択的に剥離・除去した。この際、この剥離液は、第１のマスクに対する剥離性は比較的小さいので、第１のマスクを侵すことはなかった。
【００９７】
次に、第１のマスクを介してドライエッチングを行うことにより、ＩＤＴの電極指間に対応する部分に第２の溝を形成した。このとき、形成された第２の溝の深さは５００ｎｍ（５０００Å）であった。また、先に形成していた溝（仮の溝）をさらに掘り込むことにより、第１の溝を形成した。その結果、形成された第１の溝の深さは１μｍ（１００００Å）であった。なお、ドライエッチングのエッチングガスとしてＣＦ４を用いた。
次に、モノエタノールアミンを含む有機アミン系剥離液を用いて、第１のマスクを除去した。これにより、図１に示すような弾性表面波共振子を得た。
【００９８】
（実施例２）
アルカリベンゼンスルホン酸を含む有機酸系剥離液に対して相対的に剥離性が低いノボラック系樹脂を含むポジ型フォトレジスト材料を用いて第１のレジスト層を形成するとともに、前記有機酸系剥離液に対して相対的に剥離性が高いノボラック系樹脂を含むポジ型フォトレジスト材料を用いて第２のレジスト層を形成するようにした以外は、実施例１と同様にして弾性表面波共振子を得た。
【００９９】
（実施例３）
第１のレジスト層として、ノボラック系樹脂を含むポジ型フォトレジスト材料からなるレジスト層に水素イオンを照射（注入）してなるレジスト層を用い、第２のレジスト層として、水素イオンの照射を省略したノボラック系樹脂を含むポジ型フォトレジスト材料からなるレジスト層を用いるようにした以外は、実施例１と同様にして弾性表面波共振子を得た。
【０１００】
（比較例）
ＩＤＴおよび反射器の形成後、第１のレジスト層を除去し、ＩＤＴおよび反射器をマスクとして溝を形成した。これにより、電極指間に第２の溝を形成するとともに、反射器の導体ストリップ間に仮の溝を形成した。
次いで、その上から、ＩＤＴの形成領域に第２のレジスト層を形成し、反射器をマスクとして溝を形成した。これにより、導体ストリップ間の溝をさらに掘り下げ、第１の溝を形成した。
上記のようにした以外は、実施例１と同様にして弾性表面波共振子を得た。
【０１０１】
２．評価
実施例１および比較例の弾性表面波共振子について、それぞれ、圧電体基板の溝の底面付近をＳＥＭにより観察した。そのＳＥＭ写真を図１４に示す。
【０１０２】
図１４から明らかなように、比較例（図１４（ａ））の弾性表面波共振子における溝の底面には、荒れ（微細な凹凸）が生じていた。これに対し、実施例１（図１４（ｂ））の弾性表面波共振子における溝の底面は、極めて平坦であった。
【０１０３】
なお、図示しないものの、実施例２、３の弾性表面波共振子についても、溝の底面は平坦であった。
また、各実施例および比較例の弾性表面波共振子についてＱ値を測定した。
その結果、実施例１の弾性表面波共振子のＱ値は１７０００であったのに対し、比較例の弾性表面波共振子のＱ値は１２０００であった。また、実施例２、３の弾性表面波共振子のＱ値についても実施例１と同様であった。
以上のことから、本発明によれば、溝の底面の平坦性が高く、かつＱ値の高い弾性表面波共振子を製造し得ることが明らかとなった。
【符号の説明】
【０１０４】
１、１’‥‥弾性表面波共振子  １０、２０‥‥ＳＴカット水晶板  ２、２Ａ‥‥圧電体基板  ２１、２２、２３、２４‥‥辺  ２５‥‥第２の溝  ２６‥‥第１の溝  ２６Ａ‥‥溝  ３‥‥ＩＤＴ（櫛歯電極）  ３ａ、３ｂ‥‥電極  ３Ａ‥‥導体層  ３１ａ、３１ｂ‥‥電極指  ４、５‥‥反射器  ４１、５１‥‥導体ストリップ  ６‥‥第１のレジスト層（第１の保護膜）  ６Ａ‥‥レジスト層  ７‥‥第２のレジスト層（第２の保護膜）  ７Ａ‥‥レジスト層
【図１】
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【図２】
2012009946.tif 000004
【図３】
2012009946.tif 000005
【図４】
2012009946.tif 000006
【図５】
2012009946.tif 000007
【図６】
2012009946.tif 000008
【図７】
2012009946.tif 000009
【図８】
2012009946.tif 000010
【図９】
2012009946.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
2012009946.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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