(57)【要約】【課題】  簡単な回路構成であり、かつ、正確に、電源電圧のパンピング現象、および、出力電圧の直流成分を検出すること。【解決手段】  トランジスタＱ１は、スイッチングアンプの出力電圧に正の直流電圧が含まれることを検出する機能と、正側電源電圧＋ＶＢにパンピング現象が生じていることを検出する機能とを兼有する。トランジスタＱ２は、スイッチングアンプの出力電圧に負の直流電圧が含まれることを検出する機能と、負側電源電圧−ＶＢにパンピング現象が生じていることを検出する機能とを兼有する。パンピング現象が生じていない場合、ツェナーダイオードＤ１、Ｄ２は共にオフ状態である。従って、抵抗Ｒ４、Ｒ５が、直流電圧検出の精度の低下を防止できる。【選択図】図２
2012256989.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチングアンプにおける電源電圧のパンピング現象を検出し、かつ、前記スイッチングアンプの出力電圧に直流電圧が含まれることを検出する検出回路であって、
前記スイッチングアンプの出力電圧の振幅値を調整し、かつ、交流成分を除去して直流電圧を抽出する直流電圧抽出部と、
前記直流電圧抽出部から正の直流電圧が供給されたことを検出する第１トランジスタと、
前記直流電圧抽出部から負の直流電圧が供給されたことを検出する第２トランジスタと、
正側電源電圧ラインに接続されたパンピング現象検出用第１抵抗と、
前記パンピング現象検出用第１抵抗と前記第１トランジスタとの間に接続された第１定電圧素子と、
負側電源電圧ラインに接続されたパンピング現象検出用第２抵抗と、
前記パンピング現象検出用第２抵抗と前記第２トランジスタとの間に接続された第２定電圧素子とを備え、
前記正側電源電圧ラインの電圧がパンピング現象に伴い第１所定電圧以上になると、前記第１定電圧素子が導通することで、前記第１トランジスタが、前記正側電源電圧ラインの電圧にパンピング現象が生じていることを検出し、
前記負側電源電圧ラインの電圧がパンピング現象に伴い第２所定電圧以下になると、前記第２定電圧素子が導通することで、前記第２トランジスタが、前記負側電源電圧ラインの電圧にパンピング現象が生じていることを検出する、検出回路。
【請求項２】
前記第１定電圧素子および前記第２定電圧素子がツェナーダイオードであり、
前記第１定電圧素子のカソードが前記パンピング現象検出用第１抵抗に接続され、前記第１定電圧素子のアノードが前記第２定電圧素子のカソードと、前記第１トランジスタに接続され、
前記第２定電圧素子のアノードが前記パンピング現象検出用第２抵抗に接続され、前記第２定電圧素子のカソードが前記第２トランジスタに接続されている、請求項１に記載の検出回路。
【請求項３】
請求項１または２に記載の前記検出回路を備える、前記スイッチングアンプ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スイッチングアンプに関する。
【背景技術】
【０００２】
図３に示すように、スイッチングアンプ１００は、パルス幅変調回路６０、ドライバ１１、スイッチング出力回路１２、および、ＬＰＦ（Low Pass Filter）１３を備える。パルス幅変調回路６０は、入力信号をパルス幅変調して、ＰＷＭ信号ＯＵＴを生成する。
【０００３】
スイッチング出力回路１２は、正の電源電圧＋ＶＢと負の電源電圧−ＶＢとの間に接続され、駆動信号に応答して正の電源電圧＋ＶＢまたは負の電源電圧−ＶＢを出力する。スイッチング出力回路１２は、駆動信号ＤＲＶ１によってオンオフされるスイッチ素子（例えばＭＯＳＦＥＴ）１５、および、駆動信号ＤＲＶ２によってオンオフされるスイッチ素子（例えばＭＯＳＦＥＴ）１６を有する。
【０００４】
ドライバ１１は、ＭＯＳＦＥＴ１５をオンオフする駆動信号ＤＲＶ１，ＭＯＳＦＥＴ１６をオンオフする駆動信号ＤＲＶ２を出力する。駆動信号ＤＲＶ１、ＤＲＶ２は、ＭＯＳＦＥＴ１５、１６を交互にオンオフさせるように生成されている。すなわち、ＭＯＳＦＥＴ１５が駆動信号ＤＲＶ１によってオンされるとき、ＭＯＳＦＥＴ１６は駆動信号ＤＲＶ２によってオフされる。ＭＯＳＦＥＴ１５が駆動信号ＤＲＶ１によってオフされるとき、ＭＯＳＦＥＴ１６は駆動信号ＤＲＶ２によってオンされる。
【０００５】
ＬＰＦ１３は、スイッチング出力回路１２の出力端とスイッチングアンプ１０の出力端との間に接続され、スイッチング出力回路１２から供給される信号から高周波成分を除去して、スピーカー等の負荷ＲＬに出力する。ＬＰＦ１３は、コイルＬ１０およびコンデンサＣ１０を有する。
【０００６】
正の電源電圧＋ＶＢを生成するコンデンサＣ１１は、正の電源ラインと接地電位との間に接続され、コンデンサＣ１１には波線矢印Ｘ１に示す経路で図示しない電源回路から電流が流れる場合に、電荷が充電される。また、ＭＯＳＦＥＴ１５がオンし、ＭＯＳＦＥＴ１６がオフし、波線矢印Ｘ２に示す経路に電流が流れる場合に、電荷が放電される。このように、コンデンサＣ１１は、通常、充電及び放電する期間が存在し、正の電源電圧＋ＶＢが生成されている。同様に、負の電源電圧−ＶＢを生成するコンデンサＣ１２は、負の電源ラインと接地電位との間に接続され、コンデンサＣ１２には波線矢印Ｙ１に示す経路で図示しない電源回路から電流が流れる場合に、電荷が充電される。また、ＭＯＳＦＥＴ１５がオフし、ＭＯＳＦＥＴ１６がオンし、波線矢印Ｙ２に示す経路に電流が流れる場合に、電荷が放電される。このように、コンデンサＣ１２は、通常、充電及び放電する期間が存在し、負の電源電圧−ＶＢが生成されている。
【０００７】
図３を参照し、ＭＯＳＦＥＴ１５がオンしている期間が非常に長くなると、コイルＬ１０にはＭＯＳＦＥＴ１５側から負荷ＲＬ側へと電流が流れる時間が非常に長くなる。従って、次にＭＯＳＦＥＴ１６がオンするとき、コイルＬ１０に蓄積されるエネルギーにより、波線矢印Ｙ２の経路で電流が流れず、波線矢印Ｙ３の経路で電流が流れ、波線矢印Ｙ１の場合と同様にコンデンサＣ１２は負の電源電圧−ＶＢとは関係なく電荷が充電される。この状態が続くと、コンデンサＣ１２は、負の電源電圧−ＶＢとは関係無く電荷を充電し続けることになり、コンデンサＣ１２の電圧は負の電源電圧−ＶＢよりも低下する（絶対値が大きくなる）。つまり、コンデンサＣ１２は、絶対定格電圧以上の電圧が充電され、破損する可能性がある。このことをパンピング現象という。
【０００８】
図３を参照して、ＭＯＳＦＥＴ１６がオンしている期間が非常に長くなると、コイルＬ１０には負荷ＲＬ側からＭＯＳＦＥＴ１６側へと電流が流れる時間が非常に長くなる。従って、次に、ＭＯＳＦＥＴ１５がオンするとき、コイルＬ１０に蓄積されるエネルギーにより、波線矢印Ｘ２の経路で電流が流れず、波線矢印Ｘ３の経路で電流が流れ、波線矢印Ｘ１の場合と同様にコンデンサＣ１１は正の電源電圧＋ＶＢとは関係無く電荷が充電される。この状態が続くと、コンデンサＣ１２は、正の電源電圧＋ＶＢとは関係無く電荷を充電し続けることになり、コンデンサＣ１２の電圧は正の電源電圧＋ＶＢよりも大きくなる。つまり、コンデンサＣ１１は、絶対定格電圧以上の電圧が充電され、破損する可能性がある。このことをパンピング現象という。
【０００９】
上記のようなパンピング現象を検出して、スイッチングアンプの電源をオフ状態にするなどのプロテクト動作を実行する必要がある。また、スイッチングアンプにおいて、出力電圧に直流成分が含まれていることを検出し、同様にスイッチングアンプの電源をオフ状態にするなどのプロテクト動作を実行する必要がある。従って、スイッチングアンプには、電源電圧を監視してパンピング現象を検出する回路と、スイッチングアンプの出力電圧を監視して直流成分を検出する回路との双方が必要であり、回路規模が大きくなるという問題がある。
【００１０】
そこで、下記特許文献１には、その図１にパンピング現象を検出する回路と、直流成分を検出する回路とを共通化した回路が記載されている。しかし、この回路によると、パンピング現象検出用の抵抗Ｒ１１、Ｒ１２が、出力電圧の直流成分を検出する抵抗Ｒ１３に常時接続されているので、パンピング現象が生じていないときにも、抵抗Ｒ１１、Ｒ１２が抵抗Ｒ１３の負荷として機能して、正確に出力電圧の直流成分を検出することが困難であるという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００６―６０２７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は上記従来の課題を解決するためになされたものであり、その目的は、簡単な回路構成であり、かつ、正確に、電源電圧のパンピング現象、および、出力電圧の直流成分を検出することができるスイッチングアンプを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の好ましい実施形態による検出回路は、スイッチングアンプにおける電源電圧のパンピング現象を検出し、かつ、前記スイッチングアンプの出力電圧に直流電圧が含まれることを検出する検出回路であって、前記スイッチングアンプの出力電圧の振幅値を調整し、かつ、交流成分を除去して直流電圧を抽出する直流電圧抽出部と、前記直流電圧抽出部から正の直流電圧が供給されたことを検出する第１トランジスタと、前記直流電圧抽出部から負の直流電圧が供給されたことを検出する第２トランジスタと、正側電源電圧ラインに接続されたパンピング現象検出用第１抵抗と、前記パンピング現象検出用第１抵抗と前記第１トランジスタとの間に接続された第１定電圧素子と、負側電源電圧ラインに接続されたパンピング現象検出用第２抵抗と、前記パンピング現象検出用第２抵抗と前記第２トランジスタとの間に接続された第２定電圧素子とを備え、前記正側電源電圧ラインの電圧がパンピング現象に伴い第１所定電圧以上になると、前記第１定電圧素子が導通することで、前記第１トランジスタが、前記正側電源電圧ラインの電圧にパンピング現象が生じていることを検出し、前記負側電源電圧ラインの電圧がパンピング現象に伴い第２所定電圧以下になると、前記第２定電圧素子が導通することで、前記第２トランジスタが、前記負側電源電圧ラインの電圧にパンピング現象が生じていることを検出する。
【００１４】
第１トランジスタは、スイッチングアンプの出力電圧に正の直流電圧が含まれることを検出する機能と、正側電源電圧ラインの電圧にパンピング現象が生じていることを検出する機能とを兼有する。第２トランジスタは、スイッチングアンプの出力電圧に負の直流電圧が含まれることを検出する機能と、負側電源電圧ラインの電圧にパンピング現象が生じていることを検出する機能とを兼有する。従って、回路構成を簡易化することができる。また、正側電源電圧ラインの電圧にパンピング現象が生じておらず、かつ、負側電源電圧ラインの電圧にパンピング現象が生じていない場合、第１定電圧素子および第２定電圧素子は共にオフ状態である。従って、パンピング現象検出用第１抵抗およびパンピング現象検出用第２抵抗が、直流電圧が含まれているか否かの検出の精度を低下させることを防止することができる。
【００１５】
好ましい実施形態においては、前記第１定電圧素子および前記第２定電圧素子がツェナーダイオードであり、前記第１定電圧素子のカソードが前記パンピング現象検出用第１抵抗に接続され、前記第１定電圧素子のアノードが前記第２定電圧素子のカソードと、前記第１トランジスタに接続され、前記第２定電圧素子のアノードが前記パンピング現象検出用第２抵抗に接続され、前記第２定電圧素子のカソードが前記第２トランジスタに接続されている。
本発明の好ましい実施形態によるスイッチングアンプは、上記検出回路を備える。
【発明の効果】
【００１６】
簡単な回路構成であり、かつ、正確に、電源電圧のパンピング現象、および、出力電圧の直流成分を検出することができるスイッチングアンプを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の好ましい実施形態によるスイッチングアンプ１０を示す概略ブロック図である。
【図２】本発明の好ましい実施形態による検出回路２５を示す回路図である。
【図３】パンピング現象を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の好ましい実施形態について、図面を参照して具体的に説明するが、本発明はこれらの実施形態には限定されない。図１に示すように、スイッチングアンプ１０は、パルス幅変調回路２０、ドライバ１１、スイッチング出力回路１２、ＬＰＦ（Low Pass Filter）１３、および、検出手段２５を備える。パルス幅変調回路２０は、入力信号をパルス幅変調して、ＰＷＭ信号ＯＵＴを生成する。
【００１９】
スイッチング出力回路１２は、正の電源電圧＋ＶＢと負の電源電圧−ＶＢとの間に接続され、駆動信号に応答して正の電源電圧＋ＶＢまたは負の電源電圧−ＶＢを出力する。スイッチング出力回路１２は、駆動信号ＤＲＶ１によってオンオフされるスイッチ素子（例えばＭＯＳＦＥＴ）１５、および、駆動信号ＤＲＶ２によってオンオフされるスイッチ素子（例えばＭＯＳＦＥＴ）１６を有する。
【００２０】
ドライバ１１は、ＭＯＳＦＥＴ１５をオンオフする駆動信号ＤＲＶ１，ＭＯＳＦＥＴ１６をオンオフする駆動信号ＤＲＶ２を出力する。駆動信号ＤＲＶ１、ＤＲＶ２は、ＭＯＳＦＥＴ１５、１６を交互にオンオフさせるように生成されている。すなわち、ＭＯＳＦＥＴ１５が駆動信号ＤＲＶ１によってオンされるとき、ＭＯＳＦＥＴ１６は駆動信号ＤＲＶ２によってオフされる。ＭＯＳＦＥＴ１５が駆動信号ＤＲＶ１によってオフされるとき、ＭＯＳＦＥＴ１６は駆動信号ＤＲＶ２によってオンされる。また、適度なデッドタイムが設けられてもよい。ＭＯＳＦＥＴ１５がオンのとき、スイッチング出力回路１２は正の電源電圧＋ＶＢをＬＰＦ１３に出力する。ＭＯＳＦＥＴ１６がオンのとき、スイッチング出力回路１２は負の電源電圧−ＶＢをＬＰＦ１３に出力する。
【００２１】
ＬＰＦ１３は、スイッチング出力回路１２の出力端とスイッチングアンプ１０の出力端との間に接続され、スイッチング出力回路１２から出力される出力信号から高周波成分を除去して、スピーカー等の負荷ＲＬに出力する。ＬＰＦ１３は、コイルＬ１０およびコンデンサＣ１０を有する。
【００２２】
正の電源電圧＋ＶＢを生成しＭＯＳＦＥＴ１５に供給するコンデンサＣ１１は、正の電源ライン（図では＋ＶＢと記載する。）と接地電位との間に接続されている。同様に、負の電源電圧−ＶＢを生成しＭＯＳＦＥＴ１６に供給するコンデンサＣ１２は、負の電源ライン（図では−ＶＢと記載する。）と接地電位との間に接続されている。
【００２３】
検出手段（以下、検出回路という。）２５は、スイッチングアンプ１０の出力電圧（ＬＰＦ１３の出力電圧）に直流電圧（直流成分）が含まれていることを検出する。検出回路２５は、スイッチングアンプ１０の出力電圧に直流電圧が含まれていることを検出すると、直流電圧が含まれていることを示す信号を制御部（マイコン）２６に供給する。
【００２４】
検出回路２５は、正側電源電圧ラインの電圧＋ＶＢが第１所定値以上であるか否かを検出する。つまり、検出回路２５は、正側電源電圧ラインの電圧＋ＶＢにパンピング現象が生じていることを検出する。検出回路２５は、正側電源電圧ラインの電圧＋ＶＢにパンピング現象が生じていることを検出すると、パンピング現象が生じていることを示す信号を制御部（マイコン）２６に供給する。検出回路２５は、負側電源電圧ラインの電圧−ＶＢが第２所定値（第１所定値よりも小さい）以下であるか否かを検出する。つまり、検出回路２５は、負側電源電圧ラインの電圧−ＶＢにパンピング現象が生じていることを検出する。検出回路２５は、負側電源電圧ラインの電圧−ＶＢにパンピング現象が生じていることを検出すると、パンピング現象が生じていることを示す信号を制御部（マイコン）２６に供給する。
【００２５】
図２は、検出回路２５を示す回路図である。検出回路２５は、直流電圧抽出部２７と、第１トランジスタ（以下、単にトランジスタという。）Ｑ１と、第２トランジスタ（以下、単にトランジスタという。）Ｑ２と、パンピング現象検出用第１抵抗（以下、単に抵抗という。）Ｒ４と、第１定電圧素子（以下、単にツェナーダイオードという。）Ｄ１と、パンピング現象検出用第２抵抗（以下、単に抵抗という。）Ｒ５と、第２定電圧素子（以下、単にツェナーダイオードという。）Ｄ２とを概略備える。
【００２６】
直流電圧抽出部２７は、スイッチングアンプ１０の出力電圧の振幅を調整し、かつ、交流成分を除去して直流電圧を抽出し、トランジスタＱ１、Ｑ２に供給する。直流電圧抽出部２７は、抵抗Ｒ１、Ｒ２と、コンデンサＣ１とを含む。抵抗Ｒ１は一端がＬＰＦ１３の出力端に接続され、他端が抵抗Ｒ２の一端とコンデンサＣ１の一端とに接続されている。抵抗Ｒ２の他端とコンデンサＣ１の他端とは、接地電位に接続されている。直流電圧抽出部２７においては、抵抗Ｒ１およびＲ２によって、スイッチングアンプ１０の出力電圧の振幅が調整され、コンデンサＣ１によって交流成分が除去されて、直流電圧が抽出されて出力される。
【００２７】
トランジスタＱ１は、直流電圧抽出部２７から正の直流電圧が供給されたことを検出する。トランジスタＱ１は、例えばｎｐｎ型トランジスタであり、ベース（制御端子）が直流電圧抽出部２７の出力（つまり抵抗Ｒ１、Ｒ２、コンデンサＣ１の接続点）に接続され、エミッタが接地電位に接続され、コレクタが抵抗Ｒ６を介してトランジスタＱ３のベースに接続されている。トランジスタＱ１は、ベースに正の直電流圧が供給されないときオフ状態であり、ベースに正の直流電圧が供給されるときオン状態となる。
【００２８】
また、トランジスタＱ１は、正側電源電圧ラインの電圧＋ＶＢにパンピング現象が生じていることを検出する。すなわち、トランジスタＱ１は、スイッチングアンプ１０の出力電圧に正の直流電圧が含まれることを検出する機能と、正側電源電圧ラインの電圧＋ＶＢにパンピング現象が生じていることを検出する機能とを兼有する。そのため、トランジスタＱ１のベースは、ツェナーダイオードＤ１とツェナーダイオードＤ２との接続点にも接続されている。
【００２９】
トランジスタＱ２は、直流電圧抽出部２７から負の直流電圧が供給されたことを検出する。トランジスタＱ２は、例えばｎｐｎ型トランジスタであり、エミッタが直流電圧抽出部２７の出力（つまり抵抗Ｒ１、Ｒ２、コンデンサＣ１の接続点）に接続され、ベース（制御端子）が抵抗Ｒ３を介して接地電位に接続され、コレクタが抵抗Ｒ６を介してトランジスタＱ３のベースに接続されている。トランジスタＱ２は、エミッタに負の直電流圧が供給されないときオフ状態であり、エミッタに負の直流電圧が供給されるときオン状態となる。
【００３０】
また、トランジスタＱ２は、負側電源電圧ラインの電圧−ＶＢにパンピング現象が生じていることを検出する。すなわち、トランジスタＱ２は、スイッチングアンプ１０の出力電圧に負の直流電圧が含まれることを検出する機能と、負側電源電圧ラインの電圧−ＶＢにパンピング現象が生じていることを検出する機能とを兼有する。そのため、トランジスタＱ２のエミッタは、ツェナーダイオードＤ１とツェナーダイオードＤ２との接続点にも接続されている。
【００３１】
抵抗Ｒ４、および、ツェナーダイオードＤ１は、正の電源電圧ラインの電圧＋ＶＢのパンピング現象を検出する。抵抗Ｒ４は、一端が正の電源電圧ライン（すなわちコンデンサＣ１１）に接続され、他端がツェナーダイオードＤ１のカソードに接続されている。ツェナーダイオードＤ１のアノードは、ツェナーダイオードＤ２のカソードとトランジスタＱ１のベースとに接続されている。正側電源電圧ラインの電圧＋ＶＢがパンピング現象に伴い第１所定電圧（ツェナーダイオードＤ１のツェナー電圧＋トランジスタＱ１のベース−エミッタ間電圧＝＋２７．６Ｖ）以上になると、ツェナーダイオードＤ１が導通することで、トランジスタＱ１がオン状態になり、正側電源電圧ラインの電圧＋ＶＢにパンピング現象が生じていることが検出される。
【００３２】
抵抗Ｒ５、および、ツェナーダイオードＤ２は、負の電源電圧ラインの電圧−ＶＢのパンピング現象を検出する。抵抗Ｒ５は、一端が負の電源電圧ライン（すなわちコンデンサＣ１２）に接続され、他端がツェナーダイオードＤ２のアノードに接続されている。ツェナーダイオードＤ２のカソードは、ツェナーダイオードＤ１のアノードとトランジスタＱ２のエミッタとに接続されている。負側電源電圧ラインの電圧−ＶＢがパンピング現象に伴い第２所定電圧（ツェナーダイオードＤ２のツェナー電圧＋トランジスタＱ２のベース−エミッタ間電圧＝−２７．６Ｖ）以下になると、ツェナーダイオードＤ２が導通することで、トランジスタＱ２がオン状態になり、負側電源電圧ラインの電圧にパンピング現象が生じていることが検出される。
【００３３】
正の電源電圧ラインの電源＋ＶＢにパンピング現象が生じておらず、かつ、負の電源電圧ラインの電源−ＶＢにパンピング現象が生じていないとき、ツェナーダイオードＤ１、Ｄ２は共に導通していない（オフ状態である）。従って、このとき、直流電圧抽出部２７の抵抗Ｒ１、Ｒ２が、抵抗Ｒ４、Ｒ５には接続されていない状態であるので、抵抗Ｒ４、Ｒ５の影響によりスイッチングアンプ１０の出力電圧に直流電圧が含まれていることを正常に検出できなくなるといった問題を解決できる。
【００３４】
トランジスタＱ３は、トランジスタＱ１、Ｑ２による上記の各検出結果をマイコン２６に供給するトランジスタである。トランジスタＱ３は、ベースが抵抗Ｒ６を介してトランジスタＱ１、Ｑ２の各コレクタに接続され、エミッタが＋５Ｖ電源電圧ラインに接続され、コレクタがマイコンに接続されている。従って、トランジスタＱ１またはＱ２がオン状態になると、トランジスタＱ３がオン状態になり、マイコン２６にハイレベルの電圧を供給する。マイコン２６はハイレベルの電圧が供給されると、スイッチングアンプ１０の電源をオフ状態にする等のプロテクト処理を実行する。一方、トランジスタＱ１およびＱ２がオフ状態のときは、トランジスタＱ３がオフ状態になり、マイコン２６にローレベルの電圧を供給する。
【００３５】
以上の構成を有する検出回路２５についてその動作を説明する。
［スイッチングアンプ１０の出力電圧に正の直流電圧が含まれる場合］
スイッチングアンプ１０の出力電圧に正の直流電圧が含まれる場合、トランジスタＱ１のベースに正の直流電圧が供給されるので、トランジスタＱ１はオン状態になる。一方、トランジスタＱ２は、エミッタに正の直流電圧が供給されるので、オフ状態である。トランジスタＱ１がオン状態になると、トランジスタＱ３のベースが接地電位に接続された状態になるので、トランジスタＱ３がオン状態になる。トランジスタＱ３がオン状態になると、マイコン２６にハイレベルの電圧が供給され、マイコン２６はプロテクト処理を実行する。
【００３６】
［スイッチングアンプ１０の出力電圧に負の直流電圧が含まれる場合］
スイッチングアンプ１０の出力電圧に負の直流電圧が含まれる場合、トランジスタＱ２のエミッタに負の直流電圧が供給されるので、トランジスタＱ２はオン状態になる。一方、トランジスタＱ１は、ベースに負の直流電圧が供給されるので、オフ状態である。トランジスタＱ２がオン状態になると、トランジスタＱ３のベースに負の直流電圧が供給された状態になるので、トランジスタＱ３がオン状態になる。トランジスタＱ３がオン状態になると、マイコン２６にハイレベルの電圧が供給され、マイコン２６はプロテクト処理を実行する。
【００３７】
［正の電源電圧ラインの電圧＋ＶＢにパンピング現象が生じる場合］
コンデンサＣ１１の電圧値が増加し、ツェナーダイオードＤ１のカソード電圧が第１所定電圧（例えば＋２７．６Ｖ）以上になると、ツェナーダイオードＤ１がオン状態になる。従って、トランジスタＱ１のベースにハイレベル（プラス）の電圧が供給され、トランジスタＱ１はオン状態になる。一方、トランジスタＱ２は、エミッタにハイレベルの電圧が供給されるので、オフ状態である。トランジスタＱ１がオン状態になると、トランジスタＱ３のベースが接地電位に接続された状態になるので、トランジスタＱ３がオン状態になる。トランジスタＱ３がオン状態になると、マイコン２６にハイレベルの電圧が供給され、マイコン２６はプロテクト処理を実行する。
【００３８】
なお、正の電源電圧ラインの電圧＋ＶＢにパンピング現象が生じない場合、つまり、ツェナーダイオードＤ１のカソード電圧が第１所定電圧未満の場合、ツェナーダイオードＤ１がオフ状態になる。従って、抵抗Ｒ１、Ｒ２に対して抵抗Ｒ４は開放された状態になるので、スイッチングアンプ１０の出力電圧に直流電圧が含まれていることを正確に検出することができる。
【００３９】
［負の電源電圧ラインの電圧−ＶＢにパンピング現象が生じる場合］
コンデンサＣ１２の電圧値がマイナス方向に増加し、ツェナーダイオードＤ２のアノード電圧が第２所定電圧（例えば−２７．６Ｖ）以下になると、ツェナーダイオードＤ２がオン状態になる。従って、トランジスタＱ２のエミッタにローレベル（マイナス）の電圧が供給され、トランジスタＱ２はオン状態になる。一方、トランジスタＱ１は、ベースにローレベルの電圧が供給されるので、オフ状態である。トランジスタＱ２がオン状態になると、トランジスタＱ３のベースにローレベルの電圧が供給された状態になるので、トランジスタＱ３がオン状態になる。トランジスタＱ３がオン状態になると、マイコン２６にハイレベルの電圧が供給され、マイコン２６はプロテクト処理を実行する。
【００４０】
なお、負の電源電圧ラインの電圧−ＶＢにパンピング現象が生じない場合、つまり、ツェナーダイオードＤ２のアノード電圧が第２所定電圧より大きい場合、ツェナーダイオードＤ２がオフ状態になる。従って、抵抗Ｒ１、Ｒ２に対して抵抗Ｒ５は開放された状態になるので、スイッチングアンプ１０の出力電圧に直流電圧が含まれていることを正確に検出することができる。
【００４１】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態には限定されない。例えば、トランジスタＱ１、Ｑ２の極性や接続構成は上記に限定されない。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明は、例えばオーディオ用のスイッチングアンプとして特に好適に採用され得る。
【符号の説明】
【００４３】
１０      スイッチングアンプ
１２      スイッチング出力回路
１５      スイッチ素子（ＭＯＳＦＥＴ）
１６      スイッチ素子（ＭＯＳＦＥＴ）
２０      パルス幅変調回路
２５      検出手段
２６      制御部
【図１】
2012256989.tif 000003
【図２】
2012256989.tif 000004
【図３】
2012256989.tif 000005