(57)【要約】【課題】実装部品の配置に制約を生じさせず、利得低減を防止することができる高周波半導体パッケージを得る。【解決手段】パッケージ本体１０のキャビティ１２内に、入力側フィードスルー１４、マイクロ波帯又はミリ波帯用の半導体電力増幅器１８、及び出力側フィードスルー２２が設けられている。出力側フィードスルー２２は、キャビティ１２内で入力側フィードスルー１４に対向している。キャビティ１２は蓋２４により密封されている。半導体電力増幅器１８の入力端子は入力側フィードスルー１４に接続され、半導体電力増幅器１８の出力端子は出力側フィードスルー２２に接続されている。蓋２４は、接地導体からなる突起２８を有する。この突起２８は、入力側フィードスルー１４と出力側フィードスルー２２の間に配置されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャビティを有するパッケージ本体と、
前記パッケージ本体の前記キャビティ内に配置されたマイクロ波帯又はミリ波帯用の半導体電力増幅器と、
前記半導体電力増幅器の入力端子に接続された入力側フィードスルーと、
前記キャビティ内で前記入力側フィードスルーに対向し、前記半導体電力増幅器の出力端子に接続された出力側フィードスルーと、
前記キャビティを密封する蓋とを備え、
前記蓋は、前記入力側フィードスルーと前記出力側フィードスルーの間に配置された接地導体からなる突起を有することを特徴とする高周波半導体パッケージ。
【請求項２】
キャビティを有するパッケージ本体と、
前記パッケージ本体の前記キャビティ内に配置されたマイクロ波帯又はミリ波帯用の半導体電力増幅器と、
前記半導体電力増幅器の入力端子に接続された入力側フィードスルーと、
前記キャビティ内で前記入力側フィードスルーに対向し、前記半導体電力増幅器の出力端子に接続された出力側フィードスルーと、
前記キャビティの底面に設けられ、前記パッケージ本体を貫通しないネジ穴と、
前記入力側フィードスルーと前記出力側フィードスルーの間に配置され、前記ネジ穴に取り付けられた導電性のネジと、
前記キャビティを密封する蓋とを備えることを特徴とする高周波半導体パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ波帯又はミリ波帯用の半導体電力増幅器を備える高周波半導体パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体電力増幅器の使用周波数帯域の高帯域化に伴い、パッケージの共振周波数と増幅器の使用周波数との重複に起因した入出力アイソレーション劣化による利得低減が問題となる。従来は、この利得低減を回避するため、パッケージのサイズを変更してパッケージの共振周波数を変化させていた。しかし、対象周波数毎にそれに適したサイズのパッケージを準備する必要があった。
【０００３】
また、パッケージのサイズを変更しない場合、入力側フィードスルーと出力側フィードスルーがキャビティ内で対向しているため、入力信号の一部が出力側フィードスルーに漏洩する。これにより、パッケージの入出力アイソレーションが悪化し、増幅器としての性能が落ちてしまう。
【０００４】
そこで、キャビティ内に仕切り板や支柱を設けること（例えば、特許文献１参照）や、蓋を貫通するネジ穴にネジを取り付けること（例えば、特許文献２参照）により、パッケージの共振周波数を制御することが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平９−１８６２５９号公報
【特許文献２】特開平１１−１５４８２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、キャビティ内に仕切り板や支柱を設けると、キャビティ内の実装部品の配置に制約が生じる。また、蓋を貫通するネジ穴にネジを取り付けると、ネジ穴とネジの間に隙間が生じるため、キャビティ内を気密状態に保つことができなかった。
【０００７】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、第１の目的は、実装部品の配置に制約を生じさせず、利得低減を防止することができる高周波半導体パッケージを得るものである。第２の目的は、キャビティ内を気密状態に保ちつつ、利得低減を防止することができる高周波半導体パッケージを得るものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
第１の発明に係る高周波半導体パッケージは、キャビティを有するパッケージと、前記パッケージの前記キャビティ内に配置されたマイクロ波帯又はミリ波帯用の半導体電力増幅器と、前記半導体電力増幅器の入力端子に接続された入力側フィードスルーと、前記キャビティ内で前記入力側フィードスルーに対向し、前記半導体電力増幅器の出力端子に接続された出力側フィードスルーと、前記キャビティを密封する蓋とを備え、前記蓋は、前記入力側フィードスルーと前記出力側フィードスルーの間に配置された接地導体からなる突起を有する。
【０００９】
第２の発明に係る高周波半導体パッケージは、キャビティを有するパッケージと、前記パッケージの前記キャビティ内に配置されたマイクロ波帯又はミリ波帯用の半導体電力増幅器と、前記半導体電力増幅器の入力端子に接続された入力側フィードスルーと、前記キャビティ内で前記入力側フィードスルーに対向し、前記半導体電力増幅器の出力端子に接続された出力側フィードスルーと、前記キャビティの底面に設けられ、前記パッケージを貫通しないネジ穴と、前記入力側フィードスルーと前記出力側フィードスルーの間に配置され、前記ネジ穴に取り付けられた導電性のネジと、前記キャビティを密封する蓋とを備える。
【発明の効果】
【００１０】
第１の発明により、実装部品の配置に制約を生じさせず、利得低減を防止することができる。第２の発明により、キャビティ内を気密状態に保ちつつ、利得低減を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施の形態１に係る高周波半導体パッケージの内部を示す上面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ´に沿った断面図である。
【図３】実施の形態１に係るパッケージと蓋を示す斜視図である。
【図４】実施の形態２に係る高周波半導体パッケージの内部を示す上面図である。
【図５】図１のＡ−Ａ´に沿った断面図である。
【図６】図１のＢ−Ｂ´に沿った断面図である。
【図７】実施の形態２に係るパッケージと蓋を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の実施の形態に係る高周波半導体パッケージについて図面を参照して説明する。同じ構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
【００１３】
実施の形態１．
図１は、実施の形態１に係る高周波半導体パッケージの内部を示す上面図である。図２は図１のＡ−Ａ´に沿った断面図である。図３は、実施の形態１に係るパッケージと蓋を示す斜視図である。
【００１４】
パッケージ本体１０はキャビティ１２を有する。このパッケージ本体１０のキャビティ１２内に、入力側フィードスルー１４、回路基板１６、マイクロ波帯又はミリ波帯用の半導体電力増幅器１８、回路基板２０、及び出力側フィードスルー２２などの実装部品が設けられている。出力側フィードスルー２２は、キャビティ１２内で入力側フィードスルー１４に対向している。キャビティ１２は導電性の蓋２４により密封されている。
【００１５】
半導体電力増幅器１８の入力端子は、ワイヤ２６及び回路基板１６を介して入力側フィードスルー１４に接続されている。半導体電力増幅器１８の出力端子は、ワイヤ２６及び回路基板２０を介して出力側フィードスルー２２に接続されている。入力側フィードスルー１４と出力側フィードスルー２２はパッケージ本体１０の側壁を貫通し、パッケージ本体１０内外で信号を伝達する。
【００１６】
本実施の形態では、蓋２４は、接地導体からなる波型の突起２８を有する。この突起２８は、入力側フィードスルー１４と出力側フィードスルー２２の間に配置されている。この導電性の突起２８によりキャビティ１２の長さは短くなる。従って、パッケージ本体１０の共振周波数は高くなり、半導体電力増幅器１８の使用周波数帯との重複を防ぐことができる。この結果、パッケージ本体１０の形状、サイズ、及び材質を変えることなく、入出力間のアイソレーションを改善することができる。よって、所望の周波数での利得低減を防止することができる。また、蓋２４に突起２８を設けても、キャビティ１２内の実装部品の配置に制約は生じない。
【００１７】
実施の形態２．
図４は、実施の形態２に係る高周波半導体パッケージの内部を示す上面図である。図５は図１のＡ−Ａ´に沿った断面図であり、図６は図１のＢ−Ｂ´に沿った断面図である。図７は、実施の形態２に係るパッケージと蓋を示す斜視図である。
【００１８】
実施の形態１とは異なり、蓋２４に突起２８は設けられていない。その代わりに、キャビティ１２の底面に、パッケージ本体１０を貫通しないネジ穴３０が設けられている。ネジ穴３０の個数は例えば１０個以下である。そして、ネジ穴３０に導電性のネジ３２が取り付けられている。このネジ３２は、入力側フィードスルー１４と出力側フィードスルー２２の間に配置されている。この導電性のネジ３２により、実施の形態１と同様に所望の周波数での利得低減を防止することができる。また、ネジ３２はパッケージ本体１０を貫通していないため、キャビティ１２内を気密状態に保つことができる。
【符号の説明】
【００１９】
１０  パッケージ本体
１２  キャビティ
１４  入力側フィードスルー
１８  半導体電力増幅器
２２  出力側フィードスルー
２４  蓋
２８  突起
３０  ネジ穴
３２  ネジ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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