(57)【要約】 【課題】本実施形態は、パターン形成にかかる時間を短縮しつつ、インプリントリソグラフィ法において、硬化性樹脂をパターン形成用テンプレートのパターン溝に充填する際に生じる充填欠陥を低減することができ、加えて、異物によるパターン形成用テンプレートの欠損を避けることができるパターン形成方法を提供する。【解決手段】本実施形態のパターン形成方法は、被加工基板上に硬化性樹脂を塗布し、硬化性樹脂にパターン形成用テンプレートを接触させて、被加工基板上に硬化性樹脂からなるパターンを形成するものであり、硬化性樹脂を塗布する前に、被加工基板上にある異物の位置情報を測定し、記憶し、記憶された異物の位置情報に基づいて、異物粉砕テンプレートを異物に押し付けることにより異物を粉砕し、次いで、粘着膜が貼付けされた除去用テンプレートを粉砕された異物に接触させて粘着することにより異物を除去する。【選択図】図４
2012243805.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工基板上に硬化性樹脂を塗布し、
前記硬化性樹脂に、表面に凹凸形状のパターン溝を有するパターン形成用テンプレートを接触させて、前記硬化性樹脂を前記パターン溝に充填し、
前記硬化性樹脂を硬化させ、
前記硬化性樹脂から前記パターン形成用テンプレートを離して、前記被加工基板上に前記硬化性樹脂からなるパターンを形成する、パターン形成方法であって、
前記硬化性樹脂を塗布する前に、前記被加工基板上にある異物の位置情報を測定し、記憶し、記憶された前記異物の位置情報に基づいて、異物粉砕テンプレートを前記異物に押し付けることにより前記異物を粉砕し、次いで、粘着膜が貼付けされた除去用テンプレートを粉砕された前記異物に接触させて粘着することにより、前記異物を除去することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
被加工基板上に硬化性樹脂を塗布し、
前記硬化性樹脂に、表面に凹凸形状のパターン溝を有するパターン形成用テンプレートを接触させて、前記硬化性樹脂を前記パターン溝に充填し、
前記硬化性樹脂を硬化させ、
前記硬化性樹脂から前記パターン形成用テンプレートを離して、前記被加工基板上に前記硬化性樹脂からなるパターンを形成する、パターン形成方法であって、
前記硬化性樹脂を塗布する前に、前記被加工基板上にある異物の位置情報を測定し、記憶し、次いで、記憶された前記異物の位置情報に基づいて前記異物を除去することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項３】
前記異物の除去は、粘着膜が貼付けされた除去用テンプレートを、前記異物に接触させて粘着することにより行うことを特徴とする請求項２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記異物の除去は、吸引ノズルで前記異物を吸引することにより行うことを特徴とする請求項２に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記異物の除去は、エアー吹き付けノズルで前記異物を吹き飛ばすことにより行うことを特徴とする請求項２に記載のパターン形成方法。
【請求項６】
前記異物の除去の前に、異物粉砕テンプレートを前記異物に押し付けることにより、前記異物を粉砕することを特徴とする請求項３から５のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
【請求項７】
被加工基板上に硬化性樹脂からなるパターンを形成する、インプリント装置であって、
前記硬化性樹脂を塗布する前に前記被加工基板上にある異物の位置情報を測定する検査カメラと、
前記異物の位置情報を記憶する記憶装置と、
前記記憶装置に記憶された前記異物の位置情報に基づいて、前記異物を除去する異物除去装置と、
を備えるインプリント装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置、ハードディスク、フォトアレイの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の製造工程、ハードディスクの製造工程、フォトアレイの製造工程において、微細パターンを形成する手法として、インプリントリソグラフィ法が注目されている。
【０００３】
このインプリントリソグラフィ法は、被加工基板上に硬化性樹脂を塗布し、表面に凹凸形状のパターン溝が形成されたパターン形成用テンプレートを接触させて、硬化性樹脂をパターン溝内に充填させる。その後、紫外線を照射する、あるいは熱を加えることにより硬化性樹脂を硬化させ、次いで、パターン形成用テンプレートを硬化性樹脂から離型することにより、被加工基板上に硬化性樹脂からなるパターンを形成する方法である。
【０００４】
ところが、硬化性樹脂を充填する際に、被加工基板上に異物があると、硬化性樹脂がパターン溝に充填されず、また、パターン形成用テンプレートに損傷を与えることがある。この硬化性樹脂の未充填は、そのままパターンの欠陥となり、製品歩留まりを低減させることとなる。また、異物と接触した事によるパターン形成用テンプレートの損傷は、その後のインプリントにおいて新たなパターン欠陥を生じさせることとなり、そのうえ、パターン形成用テンプレート自体をさらに傷付け、パターン形成用テンプレートの寿命を短くすることになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−７６３００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、インプリントリソグラフィ法において、パターン形成の際にかかる時間を短縮しつつ、硬化性樹脂をパターン形成用テンプレートのパターン溝に充填する際に生じる充填欠陥を低減することができ、加えて、異物によるパターン形成用テンプレートの欠損を避けることができるパターン形成方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の実施形態は、被加工基板上に硬化性樹脂を塗布し、前記硬化性樹脂に、表面に凹凸形状のパターン溝を有するパターン形成用テンプレートを接触させて、前記硬化性樹脂を前記パターン溝に充填し、前記硬化性樹脂を硬化させ、前記硬化性樹脂から前記パターン形成用テンプレートを離して、前記被加工基板上に前記硬化性樹脂からなるパターンを形成するパターン形成方法であって、前記硬化性樹脂を塗布する前に、前記被加工基板上にある異物の位置情報を測定し、記憶し、記憶された前記異物の位置情報に基づいて、異物粉砕テンプレートを前記異物に押し付けることにより前記異物を粉砕し、次いで、粘着膜が貼付けされた除去用テンプレートを粉砕された前記異物に接触させて粘着することにより、前記異物を除去する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態のパターン形成方法を示す図（その１）である。
【図２】第１の実施形態のパターン形成方法を示す図（その２）である。
【図３】第１の実施形態のパターン形成方法を示す図（その３）である。
【図４】第１から第４の実施形態のパターン形成方法を示すフローチャートである。
【図５】第１から第４の実施形態のインプリント装置を示す図である。
【図６】第２の実施形態のパターン形成方法を示す図（その１）である。
【図７】第２の実施形態のパターン形成方法を示す図（その２）である。
【図８】第３の実施形態のパターン形成方法を示す図である。
【図９】第４の実施形態のパターン形成方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照して、実施形態を説明する。ただし、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。なお、全図面にわたり共通する部分には、共通する符号を付すものとし、重複する説明は省略する。また、図面は、実施形態の説明とその理解を促すための模式図であり、その形状や寸法、比などは実際の装置とは異なる個所もあるが、これらは以下の説明と公知の技術とを参酌して適宜、設計変更することができる。
【００１０】
以下に説明する実施形態においては、インプリントリソグラフィ法を用いたパターン形成を例として、詳細には、シリコンなどの半導体基板（基板）に形成されたシリコン酸化膜等の層間絶縁膜（被加工膜）上に、インクジェットを用いて光硬化性樹脂を塗布し、パターンを形成する場合を例として説明を行う。しかし、本発明はこのような実施形態に限定されるものではない。
【００１１】
（第１の実施形態）
本実施形態のパターン形成方法を、図１から図５を用いて説明する。図１から図３は、本実施形態のパターン形成方法を模式的に示すものである。図４は、本実施形態のパターン形成方法を示すフローチャートである。図５は、本実施形態のインプリント装置を示すものである。
【００１２】
まず、図１（ａ）に示されるように、インプリント装置の有する異物検査及び除去ユニットにおいて、基板１と被加工膜２とからなる被加工基板３の被加工膜２の表面上を、検査カメラ４で検査して、異物５の位置を測定し、記憶及び制御装置（図１（ａ）では、不図示）に数値化した位置情報として記憶した。この異物は、例えば１μｍ以上の大きさを有する。また、この異物５は、例えば、前の工程における洗浄において除去することができなかった異物や、前の工程から、パターン形成を行うためにインプリント装置に被加工基板３を搬入するまでの間に、被加工膜２の表面についた異物である。また、異物の検査は、上記のような検査カメラ４を用いた方法に限られず、光学的方法であれば他の方法でも良い。また、例えば、記憶される異物５の位置は、被加工基板３上に基準となる印があれば、その印を基準とした座標の数値データとして記憶することもできる。他の例として、記憶される異物５の位置は、被加工基板３の表面に仮想的に格子を形成して、複数のマス目を仮想的に配置し、どのマス目に異物５が位置しているかという情報として数値化して記憶することもできる。
【００１３】
そして、図１（ｂ）及び図１（ｃ）に示されるように、粘着膜６が貼付けられ、且つ、例えば３ｃｍ四方の大きさを有する除去用テンプレート（異物除去装置）７を、記憶された異物５の位置情報に基づいて異物５の位置にあわせ、次いで、異物５に接触させて粘着し異物５を除去した。すなわち、本実施形態においては、異物５の位置をあらかじめ検知し、その位置情報に基づいて選択的に異物５を除去するのであって、被加工膜２の全体に亘って異物５の除去を行うものではない。このようにすることにより、異物５の除去の際の被加工膜２の汚染や破壊を避け、さらに、パターン形成の際にかかる時間を短縮することができる。
【００１４】
なお、粘着膜６は、異物５を粘着し、且つ、被加工膜２の表面を汚染したり破壊したりすることがないような構成であることが好ましい。例えば、粘着膜６としては、この後に行われるパターン形成に用いられる光硬化性樹脂８からなるものが挙げられる。
【００１５】
その後、図２（ｄ）に示すように、インプリント装置の有するインプリントユニットにおいて、被加工膜２上にインクジェット法を用いて、詳細には、ディスペンサ９から光硬化性樹脂８を滴下することにより、被加工膜２上に光硬化性樹脂８を塗布した。光硬化性樹脂８は、例えばラジカル重合型のアクリル硬化樹脂であり、その粘度は例えば１０ｃＰ（センチポアズ）程度である。
【００１６】
次に、図２（ｅ）に示すように、被加工膜２上の光硬化性樹脂８に、表面に凹凸形状のパターン溝１０を有するパターン形成用テンプレート１１を密着させた。このときのプレス圧力は、例えば０．１ＭＰａである。これにより、光硬化性樹脂８がパターン溝１０に充填された。この際、前の工程において被加工膜２上の異物５を除去したことから、異物５が存在することにより光硬化性樹脂８がパターン溝１０に充填されないという充填欠陥を避けることができた。この際に用いられるパターン形成用テンプレート１１は、光硬化性樹脂８を硬化させるＵＶ光１２に対して透明性を有する材料からなり、例えば石英から形成される。
【００１７】
そして、図３（ｆ）に示すように、パターン形成用テンプレート１１の裏面から光硬化性樹脂８にＵＶ（Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）光１２を照射した。この際のＵＶ光１２の波長は例えば３６５ｎｍ（ｉ−Ｌｉｎｅ）であり、この際のＵＶ光１２の照射量は例えば２０ｍＪ／ｃｍ２である。このＵＶ光１２を、パターン形成用テンプレート１１を介して光硬化性樹脂８に照射することにより、光硬化性樹脂８中のポリマー同士が架橋し、光硬化性樹脂８が硬化した。
【００１８】
この後、図３（ｇ）に示すように、パターン形成用テンプレート１１を硬化した光硬化性樹脂８から離型することにより、被加工膜２上に、光硬化性樹脂８からなる、パターン形成用テンプレート１１に形成されたパターン溝１０の凹凸を反転した形状を有する所望のパターン１３を得た。
【００１９】
本実施形態のパターン形成方法は、図４のフローチャートで示される。すなわち、本実施形態のインプリント装置の異物検査及び除去ユニットにおいて、異物５が被加工基板３上に存在しているかを検査し、異物５が存在していた場合には異物５の位置情報を記憶し、さらに記憶した異物５の位置に基づいて異物を除去する。その後、インプリント装置のインプリントユニットでインプリントを実行し、パターンを形成する。
【００２０】
また、本実施形態で用いられるインプリント装置２０の一例を図５に示す。インプリント装置２０は、基板搬入ユニット２８と、異物検査及び除去ユニット２２と、インプリントユニット２７と、基板搬出ユニット２９とを有する。被加工基板３は、前の工程から基板搬入ユニット２８に搬入される。次いで、被加工基板３は基板ステージの上に設置され、基板ステージ搬送装置２２により、基板搬入ユニット２８から異物検査及び除去ユニット２２を通ってインプリントユニット２７へと運ばれる。異物検査及び除去ユニット２２においては、記憶及び制御装置２５と接続された検査カメラ２４と異物除去装置２６とを有し、先に説明したように、これらを用いて異物５の検査、除去をおこなう。インプリントユニット２７においては、異物５が除去された被加工基板３に対してインプリントを行う。その後、パターンが形成された被加工基板３は、基板搬出ユニット２９により次の工程へ搬出される。
【００２１】
このように、本実施形態によれば、インプリントリソグラフィ法において、異物５を除去した後にインプリントを行うことから、硬化性樹脂８をパターン形成用テンプレート１１のパターン溝１０に十分に充填することができ、よって硬化性樹脂８の充填欠陥を低減することが可能となる。さらに、本実施形態によれば、異物５を除去した後にインプリントを行うことから、異物５によるパターン形成用テンプレート１１の欠損を避けることができる。これにより、高価であるパターン形成用テンプレート１１の寿命を延ばすことが出来る。また、一度パターン形成用テンプレート１１の一部に欠損が生じると、その後それを用いてインプリントを行った場合には、その欠損によって形成した多くのパターンに充填欠陥が生じてしまう可能性があり、従って歩留まりが悪化することとなる。しかしながら、本実施形態によれば、パターン形成用テンプレート１１の欠損を避けることができることから、歩留まりが悪化することを避けることができる。さらに、異物５の位置をあらかじめ検知し、その位置情報に基づいて、選択的に異物５を被加工膜２の表面を汚染したり破壊したりせずに除去するため、異物５の除去の際の被加工膜２の汚染や破壊を避けつつ、パターン形成の際にかかる時間を短縮することができる。
【００２２】
また、本実施形態は、異物５の除去をするために除去用テンプレート７を用いているが、この除去用テンプレート７は、パターン形成用テンプレート１１と同様の構成であるため、インプリント装置に組み込むことが容易である。
【００２３】
（第２の実施形態）
本実施形態においては、異物５を粉砕し小さくしてから異物５を除去する点で、第１の実施形態と異なる。このように、異物５を小さくすることにより、異物５の除去をさらに容易に行うことができる。
【００２４】
本実施形態のパターン形成方法を図６及び図７を用いて説明する。図６及び図７は、本実施形態のパターン形成方法を模式的に示すものである。ここでは、第１の実施形態と共通する部分については、詳細な説明を省略する。
【００２５】
まず、第１の実施形態と同様に、図６（ａ）に示すように、基板１と被加工膜２とからなる被加工基板３の被加工膜２の表面上を、例えば検査カメラ４で検査し、異物５の位置を測定し記憶した。
【００２６】
そして、図６（ｂ）及び図６（ｃ）に示すように、記憶された異物５の位置情報に基づいて、異物５を破砕することができる破砕層１４が形成された異物破砕テンプレート１５を、被加工膜２上の異物５に押し付けて異物５を破砕した。例えば、数１０μｍの大きさの異物５を、異物破砕テンプレート１５により破砕して１μｍ以下の大きさにした。なお、破砕層１４は、異物５を破砕し、且つ、被加工膜２の表面を破壊したりすることがないような硬度を有する材料からなることが好ましい。
【００２７】
さらに、図７（ｄ）及び図７（ｅ）に示すように、第１の実施形態と同様に、粘着膜６が貼付けされた除去用テンプレート７を、粉砕された異物５に接触させて粘着し、粉砕された異物５を除去した。なお、粘着膜６は、第１の実施形態と同様に、異物５を粘着し、且つ、被加工膜２の表面を汚染したり破壊したりすることがないような構成からなることが好ましい。
【００２８】
この後、被加工膜２上に、光硬化性樹脂８からなる所望のパターン１３を得るために、第１の実施形態と同様に、図２（ｄ）、（ｅ）及び図３（ｆ）、（ｇ）に示されるように、光硬化性樹脂８を塗布し、パターン形成用テンプレート１１を密着させ、光硬化性樹脂８を硬化させ、次いで、パターン形成用テンプレート１１を離型する。従って、第１の実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００２９】
このように、本実施形態によれば、インプリントリソグラフィ法において、異物５を小さくすることにより、異物５の除去をさらに容易に行うことができることから、硬化性樹脂８をパターン形成用テンプレート１１のパターン溝１０に十分に充填することができ、よって硬化性樹脂８の充填欠陥を低減することが可能となる。さらに、異物５によって生じるパターン形成用テンプレート１１の欠損を避けることができ、ひいては歩留まりが悪化することを避けることができる。そして、異物５の位置をあらかじめ検知し、その位置情報に基づいて、選択的に異物５を被加工膜２の表面を汚染したり破壊したりせずに除去するため、異物５の除去の際の被加工膜２の汚染や破壊を避けつつ、パターン形成の際にかかる時間を短縮することができる。
【００３０】
また、本実施形態において、破砕した異物５を完全に除去することができず、被加工膜２の上に小さな異物５が残ってしまった場合であっても、パターン形成用テンプレート１１が押し当てられる被加工膜２の表面上にある異物５は小さいため、異物５によりパターン形成用テンプレート１１が欠損することを避けることができる。
【００３１】
さらに、本実施形態は、異物５の破砕するために異物破砕テンプレート１５を用いているが、この異物破砕テンプレート１５は、パターン形成用テンプレート１１と同様の構成であるため、インプリント装置に組み込むことが容易である。
【００３２】
なお、第２の実施形態のパターン形成方法は、第１の実施形態の説明で用いた図４のフローチャートで示される。また、第２の実施形態のインプリント装置も図５で示される。
【００３３】
（第３の実施形態）
第１の実施形態においては、粘着膜６が貼付けされた除去用テンプレート７に異物５を粘着させて異物５の除去を行っていたが、本実施形態においては、吸引ノズル１６により異物５を吸引して異物５の除去を行う点で、第１の実施形態と異なる。このように、異物５を吸引して除去することにより、第１の実施形態と比べて、粘着膜６の粘着力に依存することなく除去することができ、従って被加工基板３の汚染をより少なくすることができる。
【００３４】
本実施形態のパターン形成方法を、図８を用いて説明する。図８は、本実施形態のパターン形成方法を模式的に示すものである。ここでは、第１の実施形態と共通する部分については、詳細な説明を省略する。
【００３５】
まず、第１の実施形態と同様に、図８（ａ）に示すように、基板１と被加工膜２とからなる被加工基板３の被加工膜２の表面上を、例えば検査カメラ４で検査し、異物５の位置を測定し、記憶した。
【００３６】
そして、図８（ｂ）に示すように、記憶された異物５の位置情報に基づいて、吸引ノズル１６を異物５の位置に移動させて異物５を吸引し、異物５を除去した。すなわち、第１の実施形態と同様に、異物５の位置をあらかじめ検知し、その位置情報に基づいて選択的に異物５を除去するのであって、被加工膜２の全体に亘って異物５の除去を行うものではない。このようにすることにより、異物５の除去の際の被加工膜２の汚染や破壊を避け、さらに、パターン形成の際にかかる時間を短縮することができる。
【００３７】
なお、吸引ノズル１６は、異物５を吸引し、且つ、被加工膜２の表面を汚染したり破壊したりすることがないような吸引パワーを有することが好ましい。
【００３８】
この後、被加工膜２上に、光硬化性樹脂８からなる所望のパターン１３を得るために、第１の実施形態と同様に、図２（ｄ）、（ｅ）及び図３（ｆ）、（ｇ）に示されるように、光硬化性樹脂８を塗布し、パターン形成用テンプレート１１を密着させ、光硬化性樹脂８を硬化させ、次いで、パターン形成用テンプレート１１を離型する。従って、第１の実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００３９】
このように、本実施形態によれば、吸引ノズル１６により吸引して異物５を除去することから、硬化性樹脂８をパターン形成用テンプレート１１のパターン溝１０に十分に充填することができ、よって硬化性樹脂８の充填欠陥を低減することが可能となる。さらに、異物５によるパターン形成用テンプレート１１の欠損を避けることができ、従って歩留まりが悪化することを避けることができる。さらに、異物５の位置をあらかじめ検知し、その位置情報に基づいて、選択的に異物５を被加工膜２の表面を汚染したり破壊したりせずに除去するため、異物５の除去の際の被加工膜２の汚染や破壊を避けつつ、パターン形成の際にかかる時間を短縮することができる。
【００４０】
なお、本実施形態においても、第２の実施形態と同様に、異物破砕機能を持った破砕層１４が形成された破砕用テンプレート１５を被加工膜２上の異物５に押し付けて異物５を破砕して、異物５を小さくしてから、異物５の除去を行っても良い。
【００４１】
また、第３の実施形態のパターン形成方法についても、第１の実施形態の説明で用いた図４のフローチャートで示される。さらに、第３の実施形態のインプリント装置も図５で示される。
【００４２】
（第４の実施形態）
第１の実施形態においては、粘着膜６が貼付けされた除去用テンプレート７に異物５を粘着させて、異物５の除去を行っていたが、本実施形態においては、エアー吹き付けノズル１７により異物５を吹き飛ばすことにより異物５の除去を行う点で、第１の実施形態と異なる。本実施形態においては、異物５を吹き飛ばすことにより、第１から第３の実施形態に比べて広い範囲に存在する異物５を除去することができるため、検査カメラ等により測定された異物５の位置情報の精度が低い場合であっても、異物５をより確実に除去することができる。
【００４３】
本実施形態のパターン形成方法を、図９を用いて説明する。図９は、本実施形態のパターン形成方法を模式的に示すものである。ここでは、第１の実施形態と共通する部分については、詳細な説明を省略する。
【００４４】
まず、第１の実施形態と同様に、図９（ａ）に示されるように、基板１と被加工膜２とからなる被加工基板３の被加工膜２の表面上を、例えば検査カメラ４で検査し、異物５の位置を測定し、記憶した。
【００４５】
そして、図９（ｂ）に示すように、記憶された異物５の位置情報に基づいて、エアー吹き付けノズル１７を用いて異物５にエアーを吹付けて、異物５を吹き飛ばすことにより除去した。すなわち、第１の実施形態と同様に、異物５の位置をあらかじめ検知し、その位置情報に基づいて選択的に異物５を除去するのであって、被加工膜２の全体に亘って異物５の除去を行うものではない。このようにすることにより、異物５の除去の際の被加工膜２の汚染や破壊を避け、さらに、パターン形成の際にかかる時間を短縮することができる。
【００４６】
なお、エアー吹き付けノズル１７は、異物５を吹き飛ばし、且つ、被加工膜２の表面を汚染したり破壊したりすることがないように、吹き付けガス及びその流量等が最適化されていることが好ましい。さらに、異物５を吹き飛ばした後に、再度、被加工基板３の被加工膜２の表面上を検査カメラ４で検査しても良い。
【００４７】
この後、被加工膜２上に光硬化性樹脂８からなる所望のパターン１３を得るために、第１の実施形態と同様に、図２（ｄ）、（ｅ）及び図３（ｆ）、（ｇ）に示されるように、光硬化性樹脂８を塗布し、パターン形成用テンプレート１１を密着させ、光硬化性樹脂８を硬化させ、次いで、パターン形成用テンプレート１１を離型する。従って、第１の実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００４８】
このように、本実施形態によれば、エアー吹き付けノズル１７により異物５を吹き飛ばして異物５を除去することから、硬化性樹脂８をパターン形成用テンプレート１１のパターン溝１０に十分に充填することができ、よって硬化性樹脂８の充填欠陥を低減することが可能となる。さらに、異物５によるパターン形成用テンプレート１１の欠損を避けることができ、従って歩留まりが悪化することを避けることができる。さらに、異物５の位置をあらかじめ検知し、その位置情報に基づいて、選択的に異物５を被加工膜２の表面を汚染したり破壊したりせずに除去するため、異物５の除去の際の被加工膜２の汚染や破壊を避けつつ、パターン形成の際にかかる時間を短縮することができる。
【００４９】
なお、本実施形態においても、第２の実施形態と同様に、異物破砕機能を持った破砕層１４が形成された破砕用テンプレート１５を被加工膜２上の異物５に押し付けて異物５を破砕して、異物５を小さくしてから、異物５の除去を行っても良い。
【００５０】
また、第４の実施形態のパターン形成方法についても、第１の実施形態の説明で用いた図４のフローチャートで示される。また、第４の実施形態のインプリント装置も図５で示される。
【００５１】
上記の第１から第４の実施形態においては、基板１は、必ずしもシリコンからなる半導体基板でなくてもよく、他の基板でも良い。また、このような種々の基板上に半導体構造等が形成されたものでも良い。
【００５２】
また、上記の第１から第４の実施形態においては、光硬化性樹脂８として、
ＵＶ光により硬化するラジカル重合型のアクリル硬化樹脂を用いるものとして説明したが、硬化性樹脂はこれに限るものではなく、例えば、熱硬化性樹脂等の他の樹脂を用いても良い。熱硬化性樹脂を用いた場合には、ＵＶ光の代わりに、熱を印加することにより熱硬化性樹脂を硬化させることとなる。
【００５３】
本発明の実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５４】
１        基板
２        被加工膜
３        被加工基板
４、２４  検査カメラ
５        異物
６        粘着膜
７        除去用テンプレート
８        光硬化性樹脂
９        ディスペンサ
１０      パターン溝
１１      パターン形成用テンプレート
１２      ＵＶ光
１３      パターン
１４      粉砕層
１５      異物破砕テンプレート
１６      吸引ノズル
１７      エアー吹き付けノズル
２０      インプリント装置
２１      基板ステージ
２２      基板ステージ搬送ユニット
２３      異物検査及び除去ユニット
２５      記憶及び制御装置
２６      異物除去装置
２７      インプリントユニット
２８      基板搬入ユニット
２９      基板搬出ユニット
【図１】
2012243805.tif 000003
【図２】
2012243805.tif 000004
【図３】
2012243805.tif 000005
【図４】
2012243805.tif 000006
【図５】
2012243805.tif 000007
【図６】
2012243805.tif 000008
【図７】
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【図８】
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【図９】
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