(57)【要約】【課題】半導体ウェハ等の被検査体の端部の欠陥の種類を効率的に自動判別することが可能な検査装置を提供する。【解決手段】  被検査体の端部を第１の偏光状態の光で照明する照明部と、前記端部で拡散反射される反射光の第２の偏光状態の成分を透過する透過部と、前記透過部を透過した成分により前記端部の第１の像を形成する第１の像形成部と、を有することを特徴とする端部検査装置である。【選択図】図１
2012083125.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査体の端部を第１の偏光状態の光で照明する照明部と、
前記端部で拡散反射される反射光の第２の偏光状態の成分を透過する透過部と、
前記透過部を透過した成分により前記端部の第１の像を形成する第１の像形成部と、
を有することを特徴とする端部検査装置。
【請求項２】
前記照明部は複数の方向から前記端部を照明することを特徴とする請求項１に記載の端部検査装置。
【請求項３】
前記第１の偏光状態と前記第２の偏光状態とは互いにクロスニコルの関係にあることを特徴とする請求項１または２に記載の端部検査装置。
【請求項４】
前記端部で反射される正反射を含む反射光を前記透過部を経由せず直接受光し、前記端部の第２の像を形成する第２の像形成部をさらに有することを特徴とする請求項１−３のいずれかに記載の端部検査装置。
【請求項５】
前記第１の像から前記照明部の光の偏光状態に変化を与える欠陥の情報を検出し、前記第２の像から前記照明部の光の偏光状態に変化を与えない欠陥の情報を検出する情報処理部をさらに有することを特徴とする請求項４に記載の端部検査装置。
【請求項６】
前記情報処理部は、前記第１の像に存在する前記端部の欠陥と前記第２の像に存在する前記端部の欠陥とを比較することにより前記端部の欠陥を自動的に分類することを特徴とする請求項４に記載の端部検査装置。
【請求項７】
前記照明部は拡散照明光源と、落射照明光源と、を有することを特徴とする請求項１−６のいずれかに記載の端部検査装置。
【請求項８】
前記照明部は前記第１の偏光状態の光を作り出す偏光子を有することを特徴とする請求項１−７のいずれかに記載の端部検査装置。
【請求項９】
前記透過部は前記拡散反射された反射光を検光する検光子を有することを特徴とする請求項１−８のいずれかに記載の端部検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被検査物体の端部の表面における欠陥を検査する装置に関し、特に半導体ウェハの端部における斜め曲線部（ＢＥＢＥＬ）を含む表面欠陥検査する検査装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年需要の拡大する半導体の製造工程において、特に線幅の微細化が最大の課題であり、最近では液浸露光工程が行われるようになった。この液浸露光を行うために、ウェハの端部における欠陥の発見、除去がウェハの製造工程において重要な技術的課題となってきた。またウェハの様々な処理工程において、処理材がウェハ端部に残存し、また傷や異物が残るという問題があり、それらの欠陥を検査したいというニーズも従来からあった。しかし、従来の検査対象であったウェハの平坦な中央部分と異なり、端部はＢＥＢＥＬと呼ばれる斜め曲線形状部及びＡＰＥＸと呼ばれる頭頂部からなり、ウェハの上下または左右からの平行光線の照射による明視野での撮像では欠陥の種類の判定が効率的に行えないという問題があった。
【０００３】
従来例における半導体ウェハの端面の検査装置の２つの構成を図１０、１１に示す。図１０は第１の構成を示し、保持テーブル２上に保持される半導体ウェハ１と、保持テーブル２を回転させる回転駆動部３、回転駆動部を保持し水平移動させる水平駆動部６と、検査対象となるウェハ端部を拡散照明により照明する拡散照明部５と、落射照明により照明する落射照明装置を内蔵するカメラユニット４と、制御部７および画像処理部８から構成される。図１０の構成では、光学系は１つのカメラユニットと２つの拡散照明部から構成され、カメラユニットは半導体ウェハの端面の側面に対向して配置される。一方、図１１の第２の構成では、光学系は２つのカメラユニット４と１つの拡散照明部５から構成され、カメラユニットは半導体ウェハの端面の上面および下面に対向して配置される。
また検査対象となる半導体ウェハの端部は図１２に示されるように、頭頂部（ＡＰＥＸ）９、それに続く斜め曲線部（ＢＥＶＥＬ）１０，さらにそれに続きウェハ中心方向に延在する平坦部１１からなる。
【０００４】
上記従来例では、拡散照明および落射照明（カメラユニット４に内蔵）からの反射光をカメラユニットで捉え、画像処理部で処理する。
例として図１５の模式図にウェハ１の端面の斜め曲線部（ＢＥＶＥＬ）１０に存在する主な４つの欠陥、即ち、「膜残り」欠陥Ａ、「欠け」欠陥Ｂ、「異物」欠陥Ｃ、および「傷」欠陥Ｄを示す。図１６−１から１６−４は、それぞれウェハを横断する線ａ，ｂ，ｃ，ｄでウェハを切断した断面図を示す。
また矢印Ｇは「異物」欠陥Ｃおよび「傷」欠陥Ｄで照明光が乱反射される様子を示す。「膜残り」欠陥は半導体製造工程において除去されるはずのレジストやトップコート等の膜が部分的に残ったもの、「欠け」欠陥は比較的広範囲に渡ってウェハが欠けたもの、「異物」欠陥は小さな異物が残ったもの、「傷」欠陥はウェハ上の小さな傷である。
これらの欠陥Ａ−Ｄを図１０（第１の構成）および図１１（第２の構成）の構成で撮影した画像をそれぞれ図１３、図１４の画像でしめす。しかしこれらの画像から得られる２次元の形状情報だけでは、欠陥Ａ−Ｄの欠陥の種類の判別は難しい。
【０００５】
このような被検査体の端部の傾斜部分に存在する欠陥を精度良く検査するため、特許文献１には平板形状の被検査物体の上方または下方から撮像し、事前に準備された参照画像と比較することにより検査の精度を向上させる検査装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−３０３８５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記の従来技術による検査装置では、明視野のみの検査なので、「膜残り」と「異物」の違いなどのように、欠陥の種類が判別しにくいという課題があった。
そこで、本発明は、半導体ウェハ等の被検査体の端部における欠陥の種類を判別することが可能な検査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するための本発明は、被検査体の端部を第１の偏光状態の光で照明する照明部と、前記端部で拡散反射される反射光の第２の偏光状態の成分を透過する透過部と、前記透過部を透過した成分により前記端部の第１の像を形成する第１の像形成部と、を有することを特徴とする端部検査装置である。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、半導体ウェハ等の被検査体の端部における欠陥の種類を効率的に自動判別する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施例１における第１の動作状態の概念図である。
【図２】本発明の実施例１における第２の動作状態の概念図である。
【図３】本発明の実施例２における第１の動作状態の概念図である。
【図４】本発明の実施例２における第２の動作状態のである。
【図５】本発明のクロスニコル検査時のウェハの側面方向からの撮像画像である。
【図６】本発明のクロスニコル検査時のウェハの上方向からの撮像画像である。
【図７】本発明の検査実施手順のうち、条件出し工程の詳細フロー図である。
【図８】本発明の実施例１における検査手順フロー図である。
【図９】本発明の実施例２における検査手順フロー図である。
【図１０】従来例の端部検査装置の第１の動作状態の概念図である。
【図１１】従来例の端部検査装置の第２の動作状態の概念図である。
【図１２】ウェハ端部の各検査領域を示す側面図である。
【図１３】従来例のウェハ端部の側面方向からの撮像画像である。
【図１４】従来例のウェハ端部の上方向からの撮像画像である。
【図１５】ウェハ端部のＢＥＶＥＬ部の欠陥の模式図である。
【図１６】ウェハ端部のＢＥＶＥＬ部の欠陥の断面図である。
【図１７】乱反射による偏光状態の変化を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
図１および図２は本発明に基づく実施例１の２つの動作状態を示す側面から見た概念図である。被検査体は半導体ウェハ１である。図１は第１の動作状態を示し、照明光源として、拡散照明部５をウェハ１の上下に２つ備え、また落射照明光源１９を、照明光の光軸がウェハ１の上面または下面に対して直交するように１つ備える。像形成部であるカメラ２０はウェハ１の頭頂部（ＡＰＥＸ）９に対向し、落射照明光源１９の光軸と撮像光軸が直交するように１台配置される。落射照明光源１９とカメラ２０のそれぞれの光軸が直角に交わる交点には１つのハーフミラー１７が照明光の光軸が撮像光軸と一致するように配置され、ハーフミラー１７とウェハ１の頭頂部（ＡＰＥＸ）９の間の光軸上には１つの対物レンズ１８が配置される。また上下２つの拡散照明部５の前面には偏光子１５ａ、落射照明光源１９の前面には偏光子１５ｂが配置され、照明光を１つの偏光面内に直線偏光させる。一方、受光側のカメラ２０の前面には、偏光子１５ａ、１５ｂとクロスニコルの関係に設定された透過部である検光子１６が配置される。なお、検光子は不図示の駆動機構によって挿抜および回転可能に配置されている。
【００１２】
拡散照明部５から照射される拡散光は偏光子１５ａを通った後、前述図３に示すウェハ１の端部の上面と下面の平坦部１１、斜め曲線部（ＢＥＶＥＬ）１０および頭頂部（ＡＰＥＸ）９を照射する。そこで拡散反射および正反射した反射光の一部は対物レンズ１８、ハーフミラー１７および検光子１６を経由してカメラ２０に入射し、像を形成する。
また落射照明光源１９から出た光は偏光子１５ｂを通り、ハーフミラー１７で反射しウェハ１の頭頂部（ＡＰＥＸ）９方向に方向を変えられた後、対物レンズ１８を通過してウェハ１の頭頂部（ＡＰＥＸ）９付近に焦点を結ぶ。そこで正反射した反射光および拡散反射した反射光の一部は対物レンズ１８を通過した後ハーフミラー１７を透過して、検光子１６を通りカメラ２０に入射して像を形成する。カメラ２０で撮像された画像は、そこに欠陥が存在する場合、情報処理部２１においてその欠陥が種類別に自動分類される。
このように撮像された前記欠陥Ａ−Ｄの画像を図５にしめす。図５に示すように、実施例１の第１の動作状態ではウェハ１の斜め曲線部（ＢＥＶＥＬ）１０及び頭頂部（ＡＰＥＸ）９を撮像することが出来る。
【００１３】
次に、図２に本発明の実施例１の第２の動作状態の概略側面図を示す。図１の第１の動作状態ではカメラ２０がウェハ１の側面に対向して配置されるのに対し、第２の動作状態ではカメラ２０がウェハ１の上面および下面にそれぞれ対向して配置される。落射照明光源１９、ハーフミラー１７および対物レンズ１８の構成要素は、図１の第１の動作状態と実質的に同じ相対的位置関係でカメラ２０に対し配置される。
このような構成の光学系において、上記拡散照明部５及び落射照明光源１９からの光により上面に配置されたカメラ２０で撮像された欠陥Ａ−Ｄを図６に示す。この図６から明らかなように、実施例１の第２の動作状態ではウェハの斜め曲線部（ＢＥＶＥＬ）１０および平たん部１１を撮像することが出来る。
【００１４】
本発明の実施例１の端部検査装置は上記図１に示す動作状態１と図２に示す動作状態２を取ることができる。動作状態１と動作状態２の共通光学要素、例えば拡散照明部５、落下照明光源１９、カメラ２０等は共有してもよい。また、動作状態１の端部検査装置と動作状態２の端部検査装置との両方をそれぞれ別に備えることもできる。その場合は、動作状態１の端部検査装置と動作状態２の端部検査装置とウェハ外周上の位置をずらして配置する。
このように動作状態１および動作状態２を取ることのできる本発明の実施例１の端部検査装置は、拡散照明及び落射照明の２つの種類の光源から発せられる複数の方向からの照明光により、ウェハの端部の全体、即ち頭頂部（ＡＰＥＸ）９、斜め曲線部（ＢＥＶＥＬ）１０および平坦部１１を一括して撮像することが出来、そこに存在する欠陥の画像を一括して表示することが出来る。
なお、検査対象のウェハ１は不図示の回転駆動機構によりウェハの円中心を回転駆動軸として回転可能となっている。回転駆動機構によりウェハの検査位置をずらしながら検査することによりウェハ全周の検査が可能となっている。また、ウェハが偏芯して置かれる場合は不図示の端部位置検出装置で回転中心とウェハ端部位置との距離を求めて、観察位置（撮像光軸方向および撮像光軸方向と直交する軸方向）が所望の位置となるように、端部検査装置とウェハとを相対移動することもできる。
【００１５】
ここで、従来例で既述した図１５、図１６に記載される欠陥Ａ−Ｄがウェハの端部の表面にある場合を想定する。欠陥Ａのような「膜残り」あるいは欠陥Ｂのような大きな凹みである「欠け」の場合は、表面は比較的滑らかであり、光は乱反射されない。一方、欠陥Ｃのような「異物」および欠陥Ｄのような「傷」の場合は、光は乱反射（拡散反射）される。乱反射された反射光は、偏光方向が乱れ、偏光子１５による直線偏光方向と直交する偏光方向成分を有するようになり、その成分が偏光子１５とクロスニコルに設定された検光子１６を透過して「漏れ光」としてカメラ２０に撮像される。
【００１６】
この乱反射により反射光の偏光方向が乱れる様子を図１７に概念的に示す。図１７の縦軸は電界成分（振動方向）が入射面に平行なＰ波の偏光方向を示し、横軸は電界成分（振動方向）が入射光に垂直なＳ波の偏光方向を示す。各照明部即ち拡散照明部５および落射照明光源１９から発し、それぞれ偏光子１５ａ，１５ｂを通過した照明光の偏光状態（以下「第１の偏光状態」と呼ぶ）はある１つの偏光面内にある。欠陥Ａからの反射光の偏光状態は、正反射（鏡面反射）のため偏光方向が変わらず第１の偏光状態と同じ偏光状態にある。これらの偏光面はＰ偏光とＳ偏光の混ざった縦軸と横軸との間にあり、第１の実線の矢印で示される。一方欠陥Ｃからの反射光は欠陥Ｃにおける乱反射（拡散反射）により偏光状態が変化し、第１の偏光状態の偏光面と直交する偏光状態（以下「第２の偏光状態」と呼ぶ）の成分を有するようになる。この欠陥Ｃで乱反射した反射光の偏光方向を第２の実線の矢印で示す。この２つの実線の矢印の間の変化が欠陥Ｃにおける乱反射による反射光の偏光状態の変化、「ずれ」を示す。
【００１７】
検光子１６は偏光子１５ａ，１５ｂとクロスニコルの関係（偏光透過軸が略直交する関係）に設定されているため、検光子の偏光方向（偏光透過軸の方向、以下適宜偏光方向と呼ぶ）は第１の実線の矢印と直交する方向であり、点線の矢印で示される。第２の実線の矢印の点線の矢印方向（検光子１６の偏光方向）への成分が太い実線矢印で示される。この太い実線矢印が乱反射した反射光の第２の偏光状態の成分であり、この成分は検光子の偏光方向と同じため、検光子を透過してカメラ２０において「漏れ光」として撮像される。一方欠陥Ａからの反射光は、正反射のため反射により偏光方向が変わらず、検光子１６の偏光方向（点線の矢印）への成分を持たないため、撮像されない。
【００１８】
このように図１、図２の動作状態において第１の像形成部として機能するカメラ２０により暗視野で撮像された欠陥Ａ−Ｄの第１の像をそれぞれ図５、図６に示す。これらの図から明らかなように「異物」欠陥Ｃおよび「傷」欠陥Ｄのみが明るく撮像され、検出されている。
カメラ２０にて撮像された画像に存在する欠陥は、情報処理部２１においてその種類を「異物」や［傷」のように入射光を乱反射する欠陥と、「膜残り」や「欠け」のように入射光を乱反射しない欠陥に自動分類される。
従って実施例１の端部検査装置は、図１、図２に示す動作状態による暗視野検査により、被検査体の端部の欠陥を、入射光を乱反射する「異物」及び「傷」の欠陥と、入射光を乱反射しない「膜残り」及び「欠け」の欠陥に自動分類することが出来る。また、乱反射する欠陥について形状解析を行い、「異物」と「傷」に分類することができる。同様に、乱反射しない欠陥についても形状解析を行い「膜残り」と「欠け」に自動分類することができる。
【００１９】
また、実施例１の図１と図２の動作状態において偏光子と検光子をオープンニコルな関係（偏光子の偏光方向と検光子の偏光方向が略一致する関係）に設定し、あるいは偏光子と検光子の一方または両方を取り除いた構成において第２の像形成部として機能するカメラ２０により第２の像を撮像し、様々な欠陥の明視野での画像を得ることが可能である。これらは例えば、欠陥Ａ−Ｄに対する従来例の撮像画像、図１３、図１４と同じである。これらの明視野での欠陥の第２の像と、上記の暗視野での欠陥の第１の像とを情報処理部２１において比較することにより、効率的に欠陥の種類を自動判定することが可能となる。
【００２０】
本発明の実施例１の端面検査装置は、第１の動作状態（図１）および第２の動作状態（図２）を取ることが出来るため、第１の動作状態（図１）では頭頂部（ＡＰＥＸ）９、斜め曲線部（ＢＥＶＥＬ）１０を一度に一括して撮像でき、第２の動作状態（図２）では平坦部１１と斜め曲線部（ＢＥＢＥＬ）を一度に一括して撮像することが出来る。このように、ウェハ１の端部の全域、即ち頭頂部（ＡＰＥＸ）９、斜め曲線部（ＢＥＶＥＬ）１０及び平坦部１１をして撮像し、端部の欠陥を検査することが可能である。
また偏光子１５ａ、１５ｂと検光子１６をクロスニコルとオープンニコルの両方の関係となるように調整することにより、暗視野と明視野の両方における欠陥の画像を得ることが出来、それらの比較によりウェハ端部の欠陥を効率的に自動分類することができる。
【００２１】
本発明に基づく実施例２の概略側面図の２つの動作状態を図３および図４に示す。図３はその第１の動作状態を示す。実施例１の第１の動作状態（図１）との違いは受光側の検光子１６の手前に第２のハーフミラー１７ｂを設け、光路を２つに分け、それぞれの光路の先に２つのカメラ２０ａ，２０ｂを配置して撮像することである。この２つのカメラ２０ａ，２０ｂのうち、ウェハの頭頂部（ＡＰＥＸ）９に対向する第１の像形成部である第１のカメラ２０ａにのみ前面に検光子を配置し、ウェハ１に対し落射照明光源１９と平行して配置される、第２の像形成部である第２のカメラ２０ｂには検光子を設けない。
【００２２】
拡散照明部５からの光は偏光子１５ａを通りウェハ１の端部の上面と下面の平坦部１１、斜め曲線部（ＢＥＶＥＬ）１０および頭頂部（ＡＰＥＸ）９を照明する。そこで正反射または乱反射した反射光の一部は対物レンズ１８、第１のハーフミラー１７ａを経由して、一部は第２のハーフミラー１７ｂを透過し検光子１６を通過して第１のカメラ２０ａに入射し、一部は第２のハーフミラー１７ｂで反射して第２のカメラ２０ｂに入射し、それぞれ像を形成する。
落射照明光源１９から出た光は偏光子１５ｂを通り、第１のハーフミラー１７ａで直角に方向を変えられて、対物レンズ１８を通過してウェハ１の頭頂部（ＡＰＥＸ）９付近に焦点を結ぶ。そこで正反射または乱反射した反射光の一部は対物レンズ１８を通り第１のハーフミラー１７ａを透過して、一部は第２のハーフミラー１７ｂを透過し検光子１６を通り第１のカメラ２０ａに入射し、一部は第２のハーフミラーで反射して検光子を持たない第２のカメラ２０ｂに入射し、それぞれ第１の像（第１のカメラ２０ａの像）及び第２の像（第１のカメラ２０ｂの像）を形成する。第１のカメラ２０ａと第２のカメラ２０ｂで撮像された画像に存在する欠陥は情報処理部２１において欠陥の種類が自動分類される。
【００２３】
図４は実施例２の第２の動作状態を示す図である。この動作状態では実施例２の第１の動作状態において第１のカメラ２０ａがウェハ１の頭頂部（ＡＰＥＸ）９に対向しているのに対し、ウェハ１の端部の上面および下面に対向するようにそれぞれ１つの第１のカメラ２０ａを配置し、その他の光学系構成要素即ち，第２のカメラ２０ｂ，落射照明光源１９、対物レンズ１８、第１および第２のハーフミラー１７ａ，１７ｂおよび検光子１６は、図３の第１の動作状態と実質的に同じ相対的位置関係でカメラ２０ａに対し配置される。
この第２の動作状態では撮像範囲はウェハの斜め曲線部（ＢＥＶＥＬ）１０および平たん部１１を網羅する。
【００２４】
この検光子１６を前面に持つ第１のカメラ２０ａは、検光子１６を拡散照明部５と落射照明光源１９のそれぞれの偏光子１５ａ，１５ｂとクロスニコルの関係に設定して撮像可能であり、一方検光子１６を持たない第２のカメラ２０ｂはオープンニコルの関係で撮像可能である。
従って実施例２は、実施例１において、偏光子と検光子の関係をクロスニコルに設定して一度カメラ２０で撮像し、次にオープンニコルに設定して再び撮像するという２段階の撮像ステップを、２つのカメラ２０ａ，２０ｂを設けることにより１度に撮像することを可能とした構成であり、ウェハ１の端部検査の工程が省力化されるという利点を有する。
【００２５】
（検査フロー）
ここで各実施例におけるウェハ端部の検査手順を述べる。図８は本発明の実施例１の検査フロー図であり、図７はその第１のステップであるステップ１１の「条件出し」に関する詳細フロー図である。
まず図８のステップ１１において、ウェハ１の斜め曲線部（ＢＥＶＥＬ）１０の範囲内で品質が良好である箇所を選定し、その良品箇所において偏光子１５ａ，１５ｂおよび検光子１６の条件出しを行う。ここにおいて、良品箇所とは異物、傷、欠け、膜残りなどの欠陥が存在しない場所である。ウェハ端部の検査では、様々な方向から曲面を照明するため、実際には位置によって照明光の偏光方向が若干異なっている。そのため、ウェハの端部の全域において照明光を直線偏光する偏光子の偏光方向と検光子の偏光方向がほぼクロスニコルになるように偏光子と検光子を調整する。即ち、偏光子および検光子を使用した状態で、ウェハ端部の良品箇所全域からの正反射の反射光の平均輝度で表示される信号が最小になる、偏光子と検光子の偏光面方向の角度の組合せを求めることとなる。
【００２６】
このステップ１１は詳細には図７に示される以下のステップからなる；
ステップ１０２：偏光子および検光子の偏光方向を所定の角度に設定する。
ステップ１０３：検光子の偏光方向を所定の角度ずつ回転させながら、その角度でのウェハ端部全域の平均輝度を算出する。
ステップ１０４：平均輝度が局所的に最小（極小）となる検光子偏光方向の角度、および平均輝度の極小値を求める。
ステップ１０５：平均輝度の極小値と閾値を比較する。
ステップ１０６：平均輝度の極小値が閾値より小さい場合、平均輝度が極小になる偏光子と検光子の偏光方向の角度の組合せを検査可能条件とし、条件出しを終了する。
ステップ１０７：平均輝度の極小値が閾値以上である場合、偏光子を所定の角度だけ回転して、ステップ１０３に戻る。
ここにおいて、閾値、偏光子及び検光子の偏光方向の回転角度ピッチは個別に設定することが出来る。
ここで得られた偏光子と検光子の条件、即ち偏光子の偏光方向の角度と検光子の偏光方向の角度の組み合わせを、本検査装置内または外部の記憶装置（不図示）に記憶し、次回の検査時に使用して調整を省略することが出来る。また検査ごとに調整を実施してもよい。
【００２７】
次に図８に戻り、ステップ１２において偏光子と検光子の偏光方向がクロスニコルな状態で撮像し、ステップ１３において「漏れ光」のある部分を欠陥として検出する。次にステップ１４において「漏れ光」の明るさ、及び形状等に基づいて欠陥を異物欠陥、傷欠陥、欠け欠陥、膜残り欠陥等に自動分類する。次にステップ１５において偏光子と検光子の偏光方向の関係をオープンニコルにするか、又は偏光子または検光子を外して撮像を行い、ステップ１６において撮像結果を画像処理して欠陥を検出する。最後にステップ１７において、ステップ１２、１３において検出、分類された欠陥（クロスニコル状態での欠陥）以外の、ステップ１６で検出された欠陥について、形状等に基づいて自動分類する。
【００２８】
実施例２の検査フローを図９に示す。実施例１の検査フロー（図８）との  違いは、図８のステップ１２におけるクロスニコル状態での撮像とステップ  １５におけるオープンニコル状態での撮像を並行して同時に行う点である。  
即ち、ステップ１１においてウェハの斜め曲線部（ＢＥＶＥＬ）１０の良  品箇所において偏光子１５ａ，１５ｂおよび検光子１６の条件出しを行う。  次にステップ１２において偏光子と検光子の偏光方向がクロスニコルな関係  で撮像し、ステップ１３において「漏れ光」のある部分を欠陥として検出す  る。ステップ１２と同時に並行してステップ１４において偏光子と検光子の  偏光方向の関係をオープンニコルにするか又は偏光子又は検光子を外して撮  像を行い、ステップ１５においてその撮像結果を画像処理して欠陥を検出す  る。
【００２９】
ステップ１３及びステップ１５の終了後、ステップ１６においてステップ  １２およびステップ１３でクロスニコル状態において撮像、検出された「漏  れ光」の明るさ、及び形状等に基づいて欠陥を異物欠陥、傷欠陥、欠け欠陥  、膜残り欠陥等に自動分類する。次にステップ１７において、ステップ１６  において分類された欠陥（クロスニコル状態での欠陥）以外の、ステップ１  ４およびステップ１５でオープンニコル状態において撮像、検出された欠陥  について、形状等に基づいて自動分類する。
【００３０】
本発明の実施例では半導体ウェハを被検査体の例として説明して来たが、本発明の被検査体は半導体ウェハに限らず、液晶ガラス基板などの平面形状の被検査体や球状やその他の形状の被検査体を含む。
【符号の説明】
【００３１】
１    半導体ウェハ
５    拡散照明部
９    頭頂部（ＡＰＥＸ）
１０    斜め曲線部（ＢＥＶＥＬ）
１１    平坦部
１５    偏光子
１６    検光子
１７    ハーフミラー
１９    落射照明光源
２０    カメラ
２１    情報処理部
【図１】
2012083125.tif 000003
【図２】
2012083125.tif 000004
【図３】
2012083125.tif 000005
【図４】
2012083125.tif 000006
【図５】
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【図６】
2012083125.tif 000008
【図７】
2012083125.tif 000009
【図８】
2012083125.tif 000010
【図９】
2012083125.tif 000011
【図１０】
2012083125.tif 000012
【図１１】
2012083125.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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