(57)【要約】【課題】  本発明は、静電チャックと反射型マスクとの間に異物を挟んでしまった場合であっても、反射型マスクが歪んでしまうことを防止して、高いパターン転写精度を実現し、さらに、静電チャックおよび反射型マスクの双方の損傷を防止することができる反射型マスクブランクス、反射型マスク、反射型マスクブランクスの製造方法、および、反射型マスクの製造方法を提供することを目的とするものである。【解決手段】  異物に対して軟らかい材料からなり、厚みのある導電層を反射型マスクの裏面に形成することで、静電チャックへの吸着時に、異物を前記導電層内部に取り込むことにより、上記課題を解決する。【選択図】      図２
2012009537.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の一方の面に形成された多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成されたキャッピング層と、前記キャッピング層の上に形成された吸収層と、前記基板の他方の面に形成された導電層と、を少なくとも有するＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクスであって、
前記導電層を構成する材料が、金を含むことを特徴とする反射型マスクブランクス。
【請求項２】
前記導電層が、材料の異なる複数層からなり、前記複数層の最外層を構成する材料が金を含むことを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクブランクス。
【請求項３】
前記導電層の厚みが、６００ｎｍ〜１μｍであることを特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載の反射型マスクブランクス。
【請求項４】
基板と、前記基板の一方の面に形成された多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成されたキャッピング層と、前記キャッピング層の上に形成された吸収体パターンと、前記基板の他方の面に形成された導電層と、を少なくとも有するＥＵＶ露光用の反射型マスクであって、
前記導電層を構成する材料が、金を含むことを特徴とする反射型マスク。
【請求項５】
前記導電層が、材料の異なる複数層からなり、前記複数層の最外層を構成する材料が金を含むことを特徴とする請求項４に記載の反射型マスク。
【請求項６】
前記導電層の厚みが、６００ｎｍ〜１μｍであることを特徴とする請求項４〜５のいずれかに記載の反射型マスク。
【請求項７】
基板と、前記基板の一方の面に形成された多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成されたキャッピング層と、前記キャッピング層の上に形成された吸収層と、前記基板の他方の面に形成された導電層と、を少なくとも有するＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクスの製造方法であって、
前記導電層が、少なくとも、真空成膜法により形成された第１の導電層と、電解めっき法により形成された第２の導電層を有することを特徴とする反射型マスクブランクスの製造方法。
【請求項８】
前記第２の導電層の材料が、金を含むことを特徴とする請求項７に記載の反射型マスクブランクスの製造方法。
【請求項９】
基板と、前記基板の一方の面に形成された多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成されたキャッピング層と、前記キャッピング層の上に形成された吸収体パターンと、前記基板の他方の面に形成された導電層と、を少なくとも有するＥＵＶ露光用の反射型マスクの製造方法であって、
前記導電層が、少なくとも、真空成膜法により形成された第１の導電層と、電解めっき法により形成された第２の導電層を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法。
【請求項１０】
前記第２の導電層の材料が、金を含むことを特徴とする請求項９に記載の反射型マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、極端紫外光（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ：以後、ＥＵＶと記す）を用いてマスクパターンをウェハ上に転写するためのＥＵＶ露光用の反射型マスクに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体産業において、半導体デバイスの微細化に伴い、ＥＵＶ光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィが有望視されている。なお、ここで、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域又は真空紫外線領域の波長帯の光を指し、具体的には波長が０．２〜１００ｎｍ程度の光のことである。このＥＵＶリソグラフィにおいて用いられるマスクとしては、例えば特許文献１に記載された露光用反射型マスクが提案されている。
【０００３】
このような反射型マスクは、少なくとも、基板上にＥＵＶ光を反射する多層膜からなる反射層を有し、前記反射層の上に形成されたＥＵＶ光を吸収する吸収層を、部分的に除去することにより吸収体パターンが形成されたものである。ＥＵＶ露光機に搭載された反射型マスクに入射したＥＵＶ光は、吸収体のある部分では吸収され、吸収体のない部分では反射層により反射され、光像が反射光学系を通して被転写体上に転写される。
【０００４】
ＥＵＶ露光機は内部が真空であるため、反射型マスクをＥＵＶ露光機に搭載する際には、反射型マスクの吸収体パターンが形成された面とは反対側の面（裏面）を静電チャックに静電吸着させる方法が、一般的に採用されている。
【０００５】
それゆえ、図４に示すように、通常、従来の反射型マスク５０は、吸収体パターン５１が形成された面とは反対側の面（裏面）に、導電層５７が設けられている。静電チャックから反射型マスクを取り外す際に、反射型マスク裏面の電荷を除電するためである（特許文献２）。
【０００６】
導電層５７は、導電性を示す金属や金属窒化物などの薄膜であって、例えば、Ｃｒ（クロム）やＣｒＮ（窒化クロム）などからなり、２０ｎｍ〜１５０ｎｍ程度の厚さのものが用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開昭６３−２０１６５６号公報
【特許文献２】特開２０１０−１２２３０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述のような反射型マスクを用いて被転写体（一般には、レジスト塗布されたＳｉウェハ）にパターン転写を行う場合、反射型マスクの表面形状が平坦でないと、被転写体上に転写されるパターンが歪んでしまうという問題や、位置ずれを生じてしまうという問題がある。それゆえ、反射型マスクには高い平坦性が求められている。
【０００９】
しかしながら、例えば、図５に示すように、静電チャック６１と反射型マスク５０との間に異物６２を挟んでしまった場合には、硬く薄い導電層を有する従来の反射型マスク５０は歪んでしまい、このままＥＵＶ露光してパターン転写を行うと、被転写体上に転写されるパターンは歪み、また、位置ずれも生じてしまうことになる。
【００１０】
さらに、一度、静電チャック６１と反射型マスク５０との間に異物６２を挟んでしまうと、静電チャック６１および反射型マスク５０の双方が損傷してしまい、さらなる異物発生を引き起こす恐れもある。
【００１１】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、静電チャックと反射型マスクとの間に異物を挟んでしまった場合であっても、反射型マスクが歪んでしまうことを防止して、高いパターン転写精度を実現し、さらに、静電チャックおよび反射型マスクの双方の損傷を防止することができる反射型マスクブランクス、反射型マスク、反射型マスクブランクスの製造方法、および、反射型マスクの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者は、種々研究した結果、異物に対して軟らかい材料からなり、厚みのある導電層を反射型マスクの裏面に形成することにより、静電チャックへの吸着時に、異物を前記導電層内部に取り込むことで上記課題を解決できることを見出して本発明を完成したものである。
【００１３】
すなわち、本発明の請求項１に係る発明は、基板と、前記基板の一方の面に形成された多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成されたキャッピング層と、前記キャッピング層の上に形成された吸収層と、前記基板の他方の面に形成された導電層と、を少なくとも有するＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクスであって、前記導電層を構成する材料が、金を含むことを特徴とする反射型マスクブランクスである。
【００１４】
また、本発明の請求項２に係る発明は、前記導電層が、材料の異なる複数層からなり、前記複数層の最外層を構成する材料が金を含むことを特徴とする請求項１に記載の反射型マスクブランクスである。
【００１５】
また、本発明の請求項３に係る発明は、前記導電層の厚みが、６００ｎｍ〜１μｍであることを特徴とする請求項１〜２のいずれかに記載の反射型マスクブランクスである。
【００１６】
また、本発明の請求項４に係る発明は、基板と、前記基板の一方の面に形成された多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成されたキャッピング層と、前記キャッピング層の上に形成された吸収体パターンと、前記基板の他方の面に形成された導電層と、を少なくとも有するＥＵＶ露光用の反射型マスクであって、前記導電層を構成する材料が、金を含むことを特徴とする反射型マスクである。
【００１７】
また、本発明の請求項５に係る発明は、前記導電層が、材料の異なる複数層からなり、前記複数層の最外層を構成する材料が金を含むことを特徴とする請求項４に記載の反射型マスクである。
【００１８】
また、本発明の請求項６に係る発明は、前記導電層の厚みが、６００ｎｍ〜１μｍであることを特徴とする請求項４〜５のいずれかに記載の反射型マスクである。
【００１９】
また、本発明の請求項７に係る発明は、基板と、前記基板の一方の面に形成された多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成されたキャッピング層と、前記キャッピング層の上に形成された吸収層と、前記基板の他方の面に形成された導電層と、を少なくとも有するＥＵＶ露光用の反射型マスクブランクスの製造方法であって、
前記導電層が、少なくとも、真空成膜法により形成された第１の導電層と、電解めっき法により形成された第２の導電層を有することを特徴とする反射型マスクブランクスの製造方法である。
【００２０】
また、本発明の請求項８に係る発明は、前記第２の導電層の材料が、金を含むことを特徴とする請求項７に記載の反射型マスクブランクスの製造方法である。
【００２１】
また、本発明の請求項９に係る発明は、基板と、前記基板の一方の面に形成された多層膜からなる反射層と、前記反射層の上に形成されたキャッピング層と、前記キャッピング層の上に形成された吸収体パターンと、前記基板の他方の面に形成された導電層と、を少なくとも有するＥＵＶ露光用の反射型マスクの製造方法であって、前記導電層が、少なくとも、真空成膜法により形成された第１の導電層と、電解めっき法により形成された第２の導電層を有することを特徴とする反射型マスクの製造方法である。
【００２２】
また、本発明の請求項１０に係る発明は、前記第２の導電層の材料が、金を含むことを特徴とする請求項９に記載の反射型マスクの製造方法である。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、反射型マスクを静電チャックに吸着する際に、静電チャック上、および／または、反射型マスク裏面に付着した異物を、反射型マスク裏面に形成した導電層の内部に取り込むことで、反射型マスクが歪むことを防止することができ、高いパターン転写精度を実現することができる。また、静電チャックおよび反射型マスクの双方の損傷を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明に係る反射型マスクブランクスの例を示す概略断面図である。
【図２】本発明に係る反射型マスクの例を示す概略断面図である。
【図３】本発明に係る反射型マスクを静電チャックに吸着させた状態を示す説明図である。
【図４】従来の反射型マスクの例を示す概略断面図である。
【図５】従来の反射型マスクを静電チャックに吸着させた状態を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明に係る反射型マスクブランクス、反射型マスク、反射型マスクブランクスの製造方法、および、反射型マスクの製造方法について説明する。
【００２６】
図１は、本発明に係る反射型マスクブランクスの例を示す概略断面図である。ここで、図１（ａ）は、導電層が同一の材料の単層からなる例を、図１（ｂ）は、導電層が材料の異なる複数層からなる例を、各々示す。
【００２７】
図１（ａ）に示す反射型マスクブランクス１は、基板２の一方の面上に、多層膜構造でＥＵＶ光を反射する反射層３を有し、その上に反射層３の酸化防止やマスク洗浄時における保護のための保護層として作用するキャッピング層４が設けられ、次いでマスクパターン形成時のエッチング停止層として作用するバッファ層５が設けられ、さらにその上にＥＵＶ光を吸収する吸収層６を有し、基板２の他方の面には導電層７が設けられた構成になっている。
【００２８】
一方、図１（ｂ）に示す反射型マスクブランクス１は、図１（ａ）における導電層７が、基板２の面上に形成された第１の導電層８と、第１の導電層８の上に形成された第２の導電層９の２層構造になっている。
【００２９】
図２は、本発明に係る反射型マスクの例を示す概略断面図である。ここで、図２（ａ）は、導電層が同一の材料の単層からなる例を、図２（ｂ）は、導電層が材料の異なる複数層からなる例を、各々示す。
【００３０】
反射型マスク２０は、例えば、反射型マスクブランクス１の吸収層６、およびバッファ層５をパターン状に加工することで製造することができる。
【００３１】
また、本発明に係る導電層が形成されていない、従来の反射型マスクブランクスを準備し、その裏面側に本発明に係る導電層を形成し、吸収層、およびバッファ層をパターン状に加工することで、本発明に係る反射型マスクを製造しても良い。また、吸収層、およびバッファ層をパターン状に加工した後に、本発明に係る導電層を形成しても良い。
【００３２】
本発明に係る反射型マスクブランクス、または反射型マスクの裏面の最外層として形成される導電層は、静電チャック等に付着している異物に対して軟らかい材料からなり、異物を取り込むのに十分な厚みを有するものである。
【００３３】
それゆえ、図３に示すように、静電チャック３１と反射型マスク２０との間に異物３２を挟んでしまった場合であっても、異物３２は導電層７の内部に取り込まれ、反射型マスクが歪んでしまうことを阻止することができる。
【００３４】
また、異物３２は導電層７の内部に取り込まれるため、静電チャック３１および反射型マスク２０の双方の損傷を防止することができる。
【００３５】
より具体的に述べると、例えば、反射型マスク２０の吸着前に静電チャック３１の上に異物３２が付着しており、この状態で反射型マスク２０を静電チャック３１に静電吸着させた場合、静電吸着力により、反射型マスク２０裏面の導電層７は静電チャック３１に密着していくことになる。そして、この密着していく力によって、異物３２は、軟らかい導電層７に押し込まれ、最終的に、図３に示すように、異物３２は導電層７の内部に取り込まれた状態になる。このため、反射型マスク２０は、図５に示す従来の反射型マスク５０のように歪むことはなく、高いパターン転写精度を実現することができる。
【００３６】
また、異物３２は導電層７の内部に取り込まれるため、静電チャック３１を傷付けることもなく、かつ、反射型マスク２０の基板２を傷付けることもない。
【００３７】
そして、ＥＵＶ露光が完了し、反射型マスク２０を取り外す際には、異物３２は反射型マスク２０と共に静電チャック３１の上から持ち去られる。
【００３８】
上述のような効果を奏する導電層７を構成する材料としては、例えば、金（Ａｕ）を挙げることができる。
【００３９】
また、導電層７の厚みは、異物を内部に取り込む必要があることから、一定以上の厚みが必要であるが、厚くし過ぎると、膜応力により反射型マスクが歪んでしまう等の悪影響を及ぼす恐れがあることから、この厚みは必要最低限にするべきである。種々の検討をした結果、異物に十分配慮した環境でのマスクハンドリングにおいて、反射型マスク裏面に付着する異物は最大寸法が概ね５００ｎｍ以下であり、このサイズの異物を導電層内部に取り込むことが出来れば、ハンドリング時に付着した異物がパターン転写に影響を及ぼさないことを確認した。
【００４０】
それゆえ、現在の技術に即して、導電層７の厚みは、６００ｎｍ〜１μｍの範囲とすることが好ましい。この範囲であれば、上述のような異物付着による弊害を効果的に除去することができるからである。なお、将来、ハンドリング技術が向上して、付着する異物サイズが小さくなれば、取り込まなければならない異物サイズも小さくなることから、この導電膜７の厚みは、さらに薄くすることが出来る。
【００４１】
金（Ａｕ）を含む導電層７を、反射型マスクブランクス、または反射型マスクの裏面側に形成するには、例えば、スパッタリング法などの真空成膜法を用いることができる。
【００４２】
また、電解めっき法を用いて金（Ａｕ）を含む導電層７を形成しても良い。電解めっき法を用いれば、従来の反射型マスクに用いられてきた導電層よりも厚膜の導電層を得ることも容易である。
【００４３】
例えば、図１（ｂ）の反射型マスクブランクスや、図２（ｂ）の反射型マスクのように、まず、基板２の上に、Ｃｒ（クロム）やＣｒＮ（窒化クロム）などからなる第１の導電層８を真空成膜法で形成し、この第１の導電層８を金（Ａｕ）めっきのシード層として用い、電解めっきすることで、金（Ａｕ）を含む第２の導電層９を形成することができる。
【００４４】
また、平坦性を向上するために、第２の導電層９を所望の厚さよりも厚く形成しておき、その後、研磨することにより所望の厚さに加工してもよい。
【００４５】
次に、本発明に係る反射型マスクブランクス、または反射型マスクを構成するその他の要素について説明する。
（基板）
本発明の反射型マスクブランクス、または反射型マスクを構成する基板２としては、パターン位置精度を高精度に保持するために低熱膨張係数を有し、高反射率および転写精度を得るために平滑性、平坦度が高く、マスク製造工程の洗浄などに用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましく、石英ガラス、ＳｉＯ2−ＴｉＯ2系の低熱膨張ガラス、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスなどのガラス基板、さらにはシリコンを用いることもできる。マスクブランクスの平坦度としては、例えば、パターン領域において５０ｎｍ以下が求められている。
（反射層）
反射層３は、ＥＵＶ露光に用いられるＥＵＶ光を高い反射率で反射する材料が用いられ、Ｍｏ（モリブデン）層とＳｉ（シリコン）層からなる多層膜が多用されており、例えば、２．８ｎｍ厚のＭｏ層と４．２ｎｍ厚のＳｉ層を各４０層積層した多層膜よりなる反射層が挙げられる。それ以外には、特定の波長域で高い反射率が得られる材料として、Ｒｕ／Ｓｉ、Ｍｏ／Ｂｅ、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物、Ｓｉ／Ｎｂ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層膜およびＳｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜なども用いることができる。ただし、材料によって最適な膜厚は異なる。Ｍｏ層とＳｉ層からなる多層膜の場合、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、まずＳｉターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気下でＳｉ層を成膜し、その後、Ｍｏターゲットを用いて、Ａｒガス雰囲気下でＭｏ層を成膜し、これを１周期として、３０〜６０周期、好ましくは４０周期積層されて、多層膜の反射層が得られる。上記のように、ＥＵＶ光を高い反射率で反射させるために、１３．５ｎｍのＥＵＶ光を入射角６．０度で入射したときの反射層３の反射率は、通常、６０％以上を示すように設定されている。
（キャッピング層）
反射層３の反射率を高めるには屈折率の大きいＭｏ層を最上層とするのが好ましいが、Ｍｏは大気で酸化され易く、反射率が低下するので、酸化防止やマスク洗浄時における保護のための保護層として、スパッタリング法などによりＳｉやＲｕ（ルテニウム）を成膜し、キャッピング層４を設けることが行われている。例えば、キャッピング層４としてＳｉを用いる場合は、反射層３の最上層に１１ｎｍの厚さで設けられる。
（バッファ層）
ＥＵＶ露光に用いられるＥＵＶ光を吸収する吸収層６をドライエッチングなどの方法でパターンエッチングするときに、下層の反射層３に損傷を与えるのを防止するために、通常、反射層３と吸収層６との間にバッファ層５が設けられる。バッファ層５の材料としてはＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｃｒ、ＣｒＮなどが用いられる。ＣｒＮを用いる場合は、ＲＦマグネトロンスパッタ法によりＣｒターゲットを用いてＮ2ガス雰囲気下で、上記の反射層の上にＣｒＮ膜を５ｎｍ〜１５ｎｍ程度の膜厚で成膜するのが好ましい。
（吸収層）
マスクパターンを形成し、ＥＵＶ光を吸収する吸収層６の材料としては、Ｔａ、ＴａＢ、ＴａＢＮなどのＴａを主成分とする材料、Ｃｒ、Ｃｒを主成分としＮ、Ｏ、Ｃから選ばれる少なくとも１つの成分を含有する材料などが、膜厚２０ｎｍ〜１００ｎｍ程度の範囲で用いられる。
（ハードマスク層）
吸収層６の上には、吸収層のエッチングマスクとしてハードマスク層を設けても良い。ハードマスク層の材料としては、吸収層６のエッチングに耐性をもつものであって、反射型マスクの転写パターンに応じた微細加工に適したものを用いる必要がある。例えば、クロム（Ｃｒ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニュウム（Ｈｆ）およびその窒化物、酸化物などである。
【００４６】
また、ハードマスク層の材料は、バッファ層５と同一の材料であることが好ましい。この場合、吸収層６のエッチングの後に、ハードマスク層の除去とバッファ層５の除去とを同一工程で除去できる。
【００４７】
ハードマスク層の厚さは、その材料のエッチング耐性や転写パターンのサイズに応じた加工精度にもよるが、例えば５ｎｍ〜１５ｎｍである。
【００４８】
ハードマスク層は、例えば、Ａｒと窒素の混合ガス雰囲気下で、Ｃｒをスパッタ成膜することで、ＣｒＮからなるハードマスク層を設けることができる。
【００４９】
以上、本発明に係る反射型マスクブランクス、反射型マスク、反射型マスクブランクスの製造方法、および、反射型マスクの製造方法について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００５０】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
（実施例１）
基板２として、光学研磨された大きさ６インチ角（厚さ０．２５インチ）の合成石英基板を用い、その一方の主面（表面）上に、イオンビームスパッタ法により、Ｓｉターゲットを用いてＳｉ膜を４．２ｎｍ成膜し、続いてＭｏターゲットを用いてＭｏ膜を２．８ｎｍ成膜し、これを１周期として４０周期積層してＭｏとＳｉの多層膜よりなる反射層３を形成した後、最表面のＭｏ膜の上にＳｉ膜を１１ｎｍ成膜してキャッピング層４を形成した。
【００５１】
次に、上記のＳｉ膜の上に、ＲＦマグネトロンスパッタ法によりＣｒターゲットを用いてＮ2雰囲気下で、ＣｒＮ膜をバッファ層５として１０ｎｍの厚さに成膜し、続いて、上記のＣｒＮ膜上に、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、ＴａおよびＢを含むターゲットを用いて、Ａｒと窒素の混合ガス雰囲気下で、ＴａＢＮ膜を８０ｎｍの厚さで形成し、ＥＵＶ光を吸収する吸収層６を形成した。
【００５２】
次に、基板２の反対側の面（裏面）に、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、Ａｒガス雰囲気下で、金（Ａｕ）ターゲットを用いて、金（Ａｕ）からなる導電層７を７００ｎｍの厚さで形成し、本発明に係る反射型マスクブランクスを得た。
【００５３】
次に、この反射型マスクブランクスを用い、ＥＢレジストを塗布し、ＥＢ描画してレジストパターンを形成した。次いで、ＴａＢＮの吸収層６をＣｌ2ガスでドライエッチングし、さらにＣｒＮのバッファ層５をＣｌ2と酸素との混合ガスでドライエッチングしてキャッピング層４を露出させ、レジストパターンを剥膜して、本発明に係る反射型マスクを得た。
（実施例２）
基板２として、光学研磨された大きさ６インチ角（厚さ０．２５インチ）の合成石英基板を用い、その一方の主面（表面）上に、イオンビームスパッタ法により、Ｓｉターゲットを用いてＳｉ膜を４．２ｎｍ成膜し、続いてＭｏターゲットを用いてＭｏ膜を２．８ｎｍ成膜し、これを１周期として４０周期積層してＭｏとＳｉの多層膜よりなる反射層３を形成した後、最表面のＭｏ膜の上にＳｉ膜を１１ｎｍ成膜してキャッピング層４を形成した。
【００５４】
次に、上記のＳｉ膜の上に、ＲＦマグネトロンスパッタ法によりＣｒターゲットを用いてＮ2雰囲気下で、ＣｒＮ膜をバッファ層５として１０ｎｍの厚さに成膜し、続いて、上記のＣｒＮ膜上に、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、ＴａおよびＢを含むターゲットを用いて、Ａｒと窒素の混合ガス雰囲気下で、ＴａＢＮ膜を８０ｎｍの厚さで形成し、ＥＵＶ光を吸収する吸収層６を形成した。
【００５５】
次に、基板２の反対側の面（裏面）に、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、Ａｒガス雰囲気下で、Ｃｒターゲットを用いて、Ｃｒからなる第１の導電層８を２０ｎｍ成膜し、次に、この第１の導電層８をシード層として用い、電解めっき法により、金（Ａｕ）からなる第２の導電層９を７００ｎｍの厚さで形成し、本発明に係る反射型マスクブランクスを得た。
【００５６】
次に、この反射型マスクブランクスを用い、ＥＢレジストを塗布し、ＥＢ描画してレジストパターンを形成した。次いで、ＴａＢＮの吸収層６をＣｌ2ガスでドライエッチングし、さらにＣｒＮのバッファ層５をＣｌ2と酸素との混合ガスでドライエッチングしてキャッピング層４を露出させ、レジストパターンを剥膜して、本発明に係る反射型マスクを得た。
【符号の説明】
【００５７】
１  反射型マスクブランクス
２、５２  基板
３、５３  反射層
４、５４  キャッピング層
５、５５  バッファ層
６、５６  吸収層
７、５７  導電層
８  第１の導電層
９  第２の導電層
２０、５０  反射型マスク
２１、５１  吸収体パターン
３１、６１  静電チャック
３２、６２  異物
【図１】
2012009537.tif 000003
【図２】
2012009537.tif 000004
【図３】
2012009537.tif 000005
【図４】
2012009537.tif 000006
【図５】
2012009537.tif 000007