(57)【要約】【課題】半導体チップの取り数を減少させずに、半導体ウェーハの周縁部の小片の飛散を防ぐ。【解決手段】第１の直線方向に平行な複数のダイシングラインに沿って半導体ウェーハ１０をダイシングする工程（１）を実施した後、第２の直線方向に平行な複数のダイシングラインに沿って半導体ウェーハ１０をダイシングする工程（２）を実施する。工程（２）は、任意の１つのダイシングラインに沿って、半導体ウェーハ１０の一側端からダイシングを開始し、半導体ウェーハ１０の他側端に到達する前にダイシングを中断する工程と、任意の１つのダイシングラインに沿って、半導体ウェーハ１０の他側端からダイシングを開始し、半導体ウェーハ１０の先に切断済みの部分までダイシングする工程とを、第２の直線方向に平行なすべてのダイシングラインに沿って実施する工程である。【選択図】図１
2012043889.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハを回転するダイシングブレードを用いて、第１の直線方向に平行な複数のダイシングラインに沿ってダイシングする工程（１）を実施した後、前記第１の直線方向と直交する第２の直線方向に平行な複数のダイシングラインに沿ってダイシングする工程（２）を実施して、複数の半導体チップに切断分割する半導体ウェーハのダイシング方法であって、
前記工程（２）は、任意の１つのダイシングラインに沿って、前記半導体ウェーハの一側端からダイシングを開始し、前記半導体ウェーハの他側端に到達する前にダイシングを中断する工程（２−１）と、任意の１つのダイシングラインに沿って、前記半導体ウェーハの前記他側端からダイシングを開始し、前記工程（２−１）によって前記半導体ウェーハの先に切断済みの部分までダイシングする工程（２−２）とを、前記第２の直線方向に平行なすべてのダイシングラインに沿って実施する工程である半導体ウェーハのダイシング方法。
【請求項２】
前記工程（１）は、任意の１つのダイシングラインに沿って、前記半導体ウェーハの一側端からダイシングを開始し、前記半導体ウェーハの他側端に到達する前にダイシングを中断する工程（１−１）と、任意の１つのダイシングラインに沿って、前記半導体ウェーハの前記他側端からダイシングを開始し、前記工程（１−１）によって前記半導体ウェーハの先に切断済みの部分までダイシングする工程（１−２）とを、前記第１の直線方向に平行なすべてのダイシングラインに沿って実施する工程である請求項１に記載の半導体ウェーハのダイシング方法。
【請求項３】
前記工程（１−１）及び前記工程（２−１）におけるダイシング中断位置は前記複数の半導体チップが取れない半導体ウェーハの無効領域よりも内側とする請求項２に記載の半導体ウェーハのダイシング方法。
【請求項４】
前記工程（１）は、任意の１つのダイシングラインに沿って、前記半導体ウェーハの一側端からダイシングを開始し、前記半導体ウェーハの他側端に到達するまでフルダイシングする工程を、前記第１の直線方向に平行なすべてのダイシングラインに沿って実施する工程である請求項１に記載の半導体ウェーハのダイシング方法。
【請求項５】
前記（２−１）におけるダイシング中断位置は前記複数の半導体チップが取れない半導体ウェーハの無効領域よりも内側とする請求項４に記載の半導体ウェーハのダイシング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回転するブレードにより半導体ウェーハを複数の半導体チップにダイシングする半導体ウェーハのダイシング方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体チップの製造においては、集積回路等が形成された半導体ウェーハに対してダイシングブレードを用いて一側端から他側端まで厚さ方向に完全に切断するフルカットを格子状の複数のダイシングライン（ダイシングしようとする予定線）に沿って実施して、複数の半導体チップに分割することがなされている。
【０００３】
半導体ウェーハの裏面側を半導体ウェーハより面積の大きい粘着シートに貼着固定し、この粘着シートの周縁部を固定リングに固定した状態でダイシング装置に載置して、ダイシングが行われる。
【０００４】
初めに半導体ウェーハの一側端にダイシングブレードを当てて、ｘ方向の１つのダイシングラインに沿って内側に向けて直線的にダイシングを開始し、半導体ウェーハの他側端に達したところで切断を終了する。これをｘ方向の全てのダイシングラインについて実施する。
続いて、ｘ方向と直交するｙ方向の１つのダイシングラインに沿って半導体ウェーハの一側端から内側に向けて直線的にダイシングを開始し、半導体ウェーハの他側端に達したところで切断を終了する。これをｙ方向の全てのダイシングラインについて実施する。
以上の作業をもって、ダイシング作業が完了する。
【０００５】
上記のダイシング作業は、ダイシングブレードを高速回転させて半導体ウェーハに接触させ、純水によって冷却及び切削屑の洗い流しを行いながら実施される。
通常、ほとんどのダイシング工程は半導体ウェーハの表面側から裏面側にブレードが回転するダウン(down)カットになるが、カットの最後にダイシングブレードの中心の写像が半導体ウェーハから外れた部分では、ダウンカットをしていたダイシングブレードの前半が半導体ウェーハから外れてしまうため、ダイシングブレードの残りの部分が半導体ウェーハの裏面側から表面側にブレードが回転するアップ(Up)カットの様な状態になってしまう。
【０００６】
上記従来のダイシング方法では、半導体ウェーハの周縁部にある半導体チップが取れない無効領域の切断片、特に粘着シートとの接触面積が小さい無効領域の小片は、粘着シートによって充分に固定されず、ブレードの振動などによって飛散し易い問題がある。飛散した小片はブレードや半導体チップに衝突し、ブレードや半導体チップの破損を引き起こす恐れがある。
【０００７】
上記問題を図４を参照して、より詳しく説明する。
図４はｘ方向のダイシングを終了し、ｙ方向のダイシングを行っている様子を示す半導体ウェーハとダイシングブレード等の正面図である。
図４では、ｘ方向が図示奥行き方向であり、ｙ方向が図示横方向であり、図示左方から右方にダイシングブレードを動かしてダイシングを行っている様子を示している。
図中、符号１１０が半導体ウェーハ、符号１２０がダイシングブレード、符号１３０が粘着シートである。半導体ウェーハ１１０正面の縦方向の複数の直線がｘ方向のダイシング済みの箇所を示している。
【０００８】
図４に示すように、半導体ウェーハ１１０の側端部１１０Ｅは半導体ウェーハ１１０の割れ・欠けの起点とならないようにウェーハメーカで予め断面視円弧状に面取りが施されている。
ダイシング中は、ブレード１２０の冷却・潤滑・洗浄を目的に、ブレード１２０の進行方向より前方からブレード１２０の下端部に向けて純水ノズル１４０より純水Ｗが噴き付けられる。
【０００９】
半導体ウェーハ１１０に対して、ｙ方向の１つのダイシングラインに沿って図示左方の側端からダイシングを開始して、図示するようにダイシングが図示右側端部に差しかかると、面取りされた半導体ウェーハ１１０の側端部１１０Ｅと粘着シート１３０との間隙に純水Ｗが入り込む。面取りされた半導体ウェーハ１１０の側端部１１０Ｅはもともと粘着シート１３０との接触面積が小さい上、粘着シート１３０との間隙に純水Ｗが入り込むので、無効領域の小片は粘着シート１３０から外れやすい。
しかも、ブレード１２０の中心の写像が半導体ウェーハ１１０から外れた時に着目した場合、半導体ウェーハ１１０の裏面側から表面側にブレード１２０を回転するアップカットとなることから、無効領域の小片はブレード１２０の回転方向に飛ばされやすい。そのため、ダイシング終了側ではダイシング開始側に比べ、無効領域の小片が粘着シート１３０から引き剥がされ易く飛散し易い。
特に、高い抗折強度が要求される半導体製品ではチップ厚を薄くできないため半導体ウェーハ１１０の裏面を研削する量を少なくする必要がある。半導体ウェーハは裏面側を粘着シート３０に粘着させるが、この裏面側の面取り幅は裏面研削によって小さくすることができる。しかしながら、高い抗折強度が要求されるチップでは充分な裏面研削ができないためこの方法が採れない。そのため、半導体ウェーハ１１０が元々持っている裏面側の面取り幅を小さくすることができず、上記の小片飛散がより起き易い傾向にある。
【００１０】
小片の飛散を抑制することを目的として、特許文献１には、ｘ方向のダイシングを終了した後、ｙ方向のダイシングの際には、半導体ウェーハの少なくともダイシング終了側の側端部はダイシングを浅くして、裏面側を残すダイシング方法が提案されている（請求項１〜４、図１〜図３等を参照）。
【００１１】
例として、特許文献１の図２及び図３（ｂ）に記載の図面を図５に示す。
図中、符号１１０が半導体ウェーハ、符号１１１が個々の半導体チップ、符号１３０が粘着シート、符号１５０が固定リングであり、半導体ウェーハ１１０及び粘着シート１３０上の複数の直線がダイシング済みの箇所を示している。
この例では、ｘ方向が図示縦方向であり、ｙ方向が図示横方向であり、ｘ方向（図示縦方向）についてフルダイシングを実施した後、ｙ方向（図示横方向）のダイシングを実施している。ｙ方向のダイシングでは、図示左方からダイシングを開始し、図示右側端部をダイシングする際には、ダイシングを途中で止めて裏面側を残すようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開2006-156638号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、特許文献１に記載の方法では、以下のような問題がある。
第一の問題は、半導体チップの取り数が少なくなることである。図示右側端部のダイシングでは、図５の平面図において斜線ハッチングで示す５つの半導体チップ１１１は、図５のＡ−Ａ'断面図に示す通り、表面側は完全に切断されているが、裏面側が繋がっており、製品として使用できない。なお、図５では使用できないチップの数は５つであるが、その数は設計によって異なる。
【００１４】
第二の問題は、ダイシング工程後のエキスパンド工程で各半導体チップ間の間隔を充分に拡げられないことである。何故なら、図５に示す通り、半導体ウェーハの縦方向はフルダイシングされているので横に隣り合う半導体チップ間は拡がるが、半導体ウェーハの横方向では図示右側端部の切断が完全ではなく、図５のＢ−Ｂ'断面図に示す通り、切断が裏面に達していない。従ってこの切断の不完全な領域が、縦に隣り合う半導体チップ間を充分拡げるのに障害となる。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の半導体ウェーハのダイシング方法は、
半導体ウェーハを回転するダイシングブレードを用いて、第１の直線方向に平行な複数のダイシングラインに沿ってダイシングする工程（１）を実施した後、前記第１の直線方向と直交する第２の直線方向に平行な複数のダイシングラインに沿ってダイシングする工程（２）を実施して、複数の半導体チップに切断分割する半導体ウェーハのダイシング方法であって、
前記工程（２）は、任意の１つのダイシングラインに沿って、前記半導体ウェーハの一側端からダイシングを開始し、前記半導体ウェーハの他側端に到達する前にダイシングを中断する工程（２−１）と、任意の１つのダイシングラインに沿って、前記半導体ウェーハの前記他側端からダイシングを開始し、前記工程（２−１）によって前記半導体ウェーハの先に切断済みの部分までダイシングする工程（２−２）とを、前記第２の直線方向に平行なすべてのダイシングラインに沿って実施する工程である半導体ウェーハのダイシング方法である。
【００１６】
工程（２）において、第２の直線方向に平行なすべてのダイシングラインに沿って工程（２−１）を実施した後、第２の直線方向に平行なすべてのダイシングラインに沿って工程（２−２）を実施してもよいし、１つのダイシングラインに沿って工程（２−１）と工程（２−２）とを実施し、これを第２の直線方向に平行なすべてのダイシングラインに沿って実施してもよい。
【００１７】
本発明の半導体ウェーハのダイシング方法では、半導体ウェーハの無効領域の飛散の確率が工程（１）より高い工程（２）において、１つのダイシングラインに着目した場合、一側端からダイシングを開始して他側端に到達する前にダイシングを中断し、未切断の他側端から切断済みの部分までダイシングするようにしている。
かかる方法では、工程（２）において、ダウンカットによるダイシングの力は常に半導体チップや半導体ウェーハの周縁部に形成される小片を押える方向に加わることになり、半導体ウェーハの裏面側への純水の入り込みもなくなることから、小片の飛散を防ぐことができる。
【００１８】
本発明の半導体ウェーハのダイシング方法の好ましい態様として、
前記工程（１）は、任意の１つのダイシングラインに沿って、前記半導体ウェーハの一側端からダイシングを開始し、前記半導体ウェーハの他側端に到達する前にダイシングを中断する工程（１−１）と、任意の１つのダイシングラインに沿って、前記半導体ウェーハの前記他側端からダイシングを開始し、前記工程（１−１）によって前記半導体ウェーハの先に切断済みの部分までダイシングする工程（１−２）とを、前記第１の直線方向に平行なすべてのダイシングラインに沿って実施する工程である態様が挙げられる。
この場合、工程（１）においては、第１の直線方向に平行なすべてのダイシングラインに沿って工程（１−１）を実施した後、第１の直線方向に平行なすべてのダイシングラインに沿って工程（１−２）を実施してもよいし、１つのダイシングラインに沿って工程（１−１）と工程（１−２）とを実施し、これを第１の直線方向に平行なすべてのダイシングラインに沿って実施してもよい。
【００１９】
上記態様では、工程（１）においても、１つのダイシングラインに着目した場合、一側端からダイシングを開始して他側端に到達する前にダイシングを中断し、未切断の他側端から切断済みの部分までダイシングするようにしている。かかる方法では、工程（１）においても、ダウンカットによるダイシングの力は常に半導体チップや半導体ウェーハの周縁部に形成される小片を押える方向に加わることになり、半導体ウェーハの裏面側への純水の入り込みもなくなることから、小片の飛散を防ぐことができる。
上記態様において、前記工程（１−１）及び前記工程（２−１）におけるダイシング中断位置は前記複数の半導体チップが取れない半導体ウェーハの無効領域よりも内側とすることが好ましい。
【００２０】
本発明の半導体ウェーハのダイシング方法の他の好ましい態様として、
前記工程（１）は、任意の１つのダイシングラインに沿って、前記半導体ウェーハの一側端からダイシングを開始し、前記半導体ウェーハの他側端に到達するまでフルダイシングする工程を、前記第１の直線方向に平行なすべてのダイシングラインに沿って実施する工程である態様が挙げられる。
かかる態様において、前記（２−１）におけるダイシング中断位置は前記複数の半導体チップが取れない半導体ウェーハの無効領域よりも内側とすることが好ましい。
【００２１】
上記いずれの態様においても、すべてのダイシングラインに沿って、厚み方向に完全に切断するフルカットを実施するので、半導体チップの取り数が減少することなく、またダイシング工程後のエキスパンド工程において各半導体チップ間の間隔を充分拡げることができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、半導体チップの取り数を減少させることなく、半導体ウェーハの周縁部の無効領域の小片の飛散を防ぐことができ、ダイシング工程後のエキスパンド工程において各半導体チップ間の間隔を充分拡げることができる半導体ウェーハのダイシング方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】（Ａ）〜（Ｈ）は本発明に係る第１実施形態の半導体ウェーハのダイシング方法を示す工程図である。
【図２】本発明に係る第１実施形態の半導体ウェーハのダイシング方法の工程（２−１）を示す断面図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｆ）は本発明に係る第２実施形態の半導体ウェーハのダイシング方法を示す工程図である。
【図４】従来の課題を説明する説明図である。
【図５】特許文献１のダイシング方法とその課題を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
「第１実施形態」
図面を参照して、本発明に係る第１実施形態の半導体ウェーハのダイシング方法について説明する。図１（Ａ）〜（Ｈ）は工程図であり、各図は半導体ウェーハの平面図である。図２は工程（２−１）を示す断面図である。
図面上は視認しやすくするため、ダイシングラインの数や位置は適宜、実際のものとは異ならせてある。
図中、符号１０が半導体ウェーハ、符号１１が個々の半導体チップ、符号１２が無効領域の小片、符号２０がダイシングブレード、符号３０が粘着シートである。半導体ウェーハ上の直線がダイシング済みの箇所を示している。
【００２５】
図２に示すように、集積回路等が形成された半導体ウェーハ１０の裏面側を半導体ウェーハ１０より面積の大きい粘着シート３０に貼着固定し、この粘着シート３０の周縁部を固定リング（図示略、図５を参照）に固定した状態でダイシング装置に載置して、ダイシングが行われる。
【００２６】
本実施形態において、ダイシング作業は、ダイシングブレード２０を高速回転させて半導体ウェーハ１０に接触させ、純水によって冷却及び切削屑の洗い流しを行いながら実施される（純水ノズル及び噴き付ける純水については図４を参照）。
ダイシングブレード２０の進行方向側の半分は半導体ウェーハ１０の表面側から裏面側にブレードが回転したダウン(down)カット状態にあり、ダイシングブレード１０の進行方向と反対側の半分は半導体ウェーハ１０の裏面側から表面側にブレードが回転するアップ(Up)カット状態にある。
【００２７】
本実施形態の半導体ウェーハのダイシング方法では、
半導体ウェーハ１０を回転するダイシングブレード２０を用いて、第１の直線方向に平行な複数のダイシングラインに沿ってダイシングする工程（１）を実施した後、第１の直線方向と直交する第２の直線方向に平行な複数のダイシングラインに沿ってダイシングする工程（２）を実施して、複数の半導体チップ１１に切断分割する。
【００２８】
ここで、工程（１）は、任意の１つのダイシングラインに沿って、半導体ウェーハ１０の一側端からダイシングを開始し、半導体ウェーハ１０の他側端に到達する前にダイシングを中断する工程（１−１）と、半導体ウェーハ１０の他側端からダイシングを開始し、工程（１−１）によって半導体ウェーハ１０の先に切断済みの部分までダイシングする工程（１−２）とを、第１の直線方向に平行なすべてのダイシングラインに沿って実施する工程であり、
工程（２）は、任意の１つのダイシングラインに沿って、半導体ウェーハ１０の一側端からダイシングを開始し、半導体ウェーハ１０の他側端に到達する前にダイシングを中断する工程（２−１）と、半導体ウェーハ１０の他側端からダイシングを開始し、工程（２−１）によって半導体ウェーハ１０の先に切断済みの部分までダイシングする工程（２−２）とを、第２の直線方向に平行なすべてのダイシングラインに沿って実施する工程である。
【００２９】
本実施形態の半導体ウェーハのダイシング方法の一例を図１（Ａ）〜（Ｈ）を参照して、具体的に説明する。
本実施形態では、１つのダイシングブレード２０を備えたシングルブレードのダイシング装置を用いる場合を例として説明する。
ダイシング装置のテーブルにおいて、図示横方向がｘ方向、図示縦方向がｙ方向、ｘｙ平面に垂直な方向がｚ方向である。
本実施形態では、ダイシングブレードがｘ方向とｚ方向に移動自在で、半導体ウェーハを載置するテーブルがｙ方向移動と回転が自在なダイシング装置を用いる場合を例として説明する。
図１（Ａ）〜（Ｈ）では、ダイシングブレード２０の進行方向は図示左方から図示右方に向かう方向（ｘ方向）であり、太い矢印で示してある。
【００３０】
はじめにダイシング装置のテーブルに載置した図１（Ａ）に示す半導体ウェーハ１０において、図示横方向（ｘ方向）が第１の直線方向、図示縦方向（ｙ方向）が第２の直線方向である。
【００３１】
まず、図１（Ａ）、（Ｂ）に示すように、工程（１−１）において、ダイシングブレード２０をｘ方向とｚ方向の所定の切断開始位置に位置決めし、任意の１つのダイシングラインに沿って、半導体ウェーハ１０の一側端（図示左側端）からダイシングを開始し、半導体ウェーハ１０の他側端（図示右側端）に到達する前にダイシングを中断する作業を、第１の直線方向（初期位置のｘ方向）に平行なすべてのダイシングラインに沿って実施する。
【００３２】
図示する例では、ダイシングの中断位置を半導体ウェーハ１０の中央付近としてある。図示する例では、図示手前のダイシングラインから順次ｙ方向の位置を変えて、図示左側端から半導体ウェーハ１０の中央付近までダイシングを行っている。
図示する例では、１つのダイシングラインに沿ったダイシングが終了すると、ダイシングブレード２０を半導体ウェーハ１０より浮かせ、ダイシングの開始位置（図示左側端）に移動させ、続いて図示手前側にテーブルをダイシングラインのピッチだけ移動させることにより、ダイシングブレード２０を隣接するダイシングラインの図示左側端に移動させて、順次ダイシングを行っている。
図１（Ｂ）に示すように、図示する例では、工程（１−１）後、第１の直線方向（初期位置のｘ方向）に平行なすべてのダイシングラインについて、ほぼ半分だけダイシングが終了した状態となっている。
【００３３】
次に、図１（Ｃ）、（Ｄ）に示すように、工程（１−２）において、任意の１つのダイシングラインに沿って、半導体ウェーハ１０の未切断側の他側端（図１（Ｂ）の右側端）からダイシングを開始し、工程（１−１）によって半導体ウェーハ１０の先に切断済みの部分までダイシングする作業を、第１の直線方向（初期位置のｘ方向）に平行なすべてのダイシングラインに沿って実施する。
【００３４】
図示する例では、テーブルを１８０°回転させてから工程（１−２）を実施している。そのため、ダイシングブレード２０の進行方向は工程（１−１）と変わらず、図示左側端から半導体ウェーハ１０の中央付近までダイシングを行っている。
工程（１−１）と同様に、図示する例では、１つのダイシングラインに沿ったダイシングが終了すると、ダイシングブレード２０を半導体ウェーハ１０より浮かせ、ダイシングの開始位置（図示左側端）に移動させ、続いて図示手前側にテーブルをダイシングラインのピッチだけ移動させることにより、ダイシングブレード２０を隣接するダイシングラインの図示左側端に移動させて、工程（１−２）のダイシングを順次行っている。
【００３５】
次に、図１（Ｅ）、（Ｆ）に示すように、工程（２−１）において、任意の１つのダイシングラインに沿って、半導体ウェーハ１０の一側端からダイシングを開始し、半導体ウェーハの他側端に到達する前にダイシングを中断する作業を、第２の直線方向（初期位置のｙ方向）に平行なすべてのダイシングラインに沿って実施する。
【００３６】
図示する例では、テーブルを９０°回転させてから工程（２−１）を実施している。
図示する例では、工程（１−１）と同様に、工程（２−１）におけるダイシングの中断位置を半導体ウェーハの中央付近としてある。図示する例では、図示手前のダイシングラインから順次ｙ方向の位置を変えて、図示左側端から半導体ウェーハ１０の中央付近まで順次ダイシングを行っている。
【００３７】
次に、図１（Ｇ）、（Ｈ）に示すように、工程（２−２）において、任意の１つのダイシングラインに沿って、半導体ウェーハ１０の未切断側の他側端（図１（Ｆ）の右側端）からダイシングを開始し、工程（２−１）によって半導体ウェーハ１０の先に切断済みの部分までダイシングする作業を、第２の直線方向（初期位置のｙ方向）に平行なすべてのダイシングラインに沿って実施する。
【００３８】
図示する例では、テーブルを１８０°回転させてから工程（２−２）を実施している。そのため、ダイシングブレード２０の進行方向は工程（２−１）と変わらず、図示左側端から半導体ウェーハ１０の中央付近までダイシングを行っている。
工程（２−１）と同様に、図示する例では、１つのダイシングラインに沿ったダイシングが終了すると、ダイシングブレード２０を半導体ウェーハ１０より浮かせ、ダイシングの開始位置（図示左側端）に移動させ（図２を参照）、続いて図示手前側にテーブルをダイシングラインのピッチだけ移動させることにより、ダイシングブレード２０を隣接するダイシングラインの図示左側端に移動させて、工程（２−２）のダイシングを順次行っている。
以上のようにして、すべてのダイシングラインに沿ったダイシングが終了する。
【００３９】
本実施形態の半導体ウェーハのダイシング方法では、１つのダイシングラインに着目した場合、一側端からダイシングを開始して他側端に到達する前にダイシングを中断し、未切断の他側端から切断済みの部分までダイシングするようにしている。
かかる方法では、１つのダイシングラインに沿って一側端から他側端まで一気にフルダイシングする従来の方法と異なり、ダウンカットによるダイシングの力は常に半導体チップ１１や半導体ウェーハ１０の周縁部に形成される小片１２を押える方向に加わることになり、半導体ウェーハ１０の裏面側への純水の入り込みもなくなることから、小片の飛散を防ぐことができる（図２を参照）。
本実施形態の半導体ウェーハのダイシング方法では、すべてのダイシングラインに沿って厚み方向に完全に切断するフルカットを実施するので、半導体チップ１１の取り数が減少することなく、またダイシング工程後のエキスパンド工程において各半導体チップ１１間の間隔を充分拡げることができる。
【００４０】
図示する例では、工程（１−１）及び工程（２−１）におけるダイシングの中断位置を半導体ウェーハ１０の中央付近に揃えたが、ダイシングの中断位置はかかる位置に制限されない。
工程（１−１）及び工程（２−１）におけるダイシングの中断位置は、半導体ウェーハ１０の周縁部の小片１２の飛散を良好に防げることから、半導体チップ１１が取れない半導体ウェーハ１０の無効領域よりも内側とすることが好ましい。中断位置はダイシングラインによって変えても構わない。
【００４１】
本実施形態では、ダイシングブレード２０がｘ方向とｚ方向に移動自在で、半導体ウェーハ１０を載置するテーブルがｙ方向移動と回転が自在なダイシング装置を用いる場合を例として説明した。
ダイシングブレード２０がｙ方向とｚ方向に移動自在で、テーブルがｘ方向移動と回転が自在なダイシング装置を用いても、本実施形態と同様にダイシングを実施することができる。
また、テーブルを１８０度回転させずにダイシングブレードの回転の向きを逆転させて他端側から逆方向にダイシングするようにしても、本実施形態と同様にダイシングを実施することができる。
【００４２】
本実施形態では、シングルブレードのダイシング装置を用いる場合について説明したが、２本のスピンドルが並列配置された、いわゆるパラレルデュアルダイシング装置を用いても、本実施形態と同様にダイシングを実施することができる。
【００４３】
本実施形態では、工程（１）において、第１の直線方向に平行なすべてのダイシングラインに沿って工程（１−１）を実施した後、第１の直線方向に平行なすべてのダイシングラインに沿って工程（１−２）を実施し、工程（２）において、第２の直線方向に平行なすべてのダイシングラインに沿って工程（２−１）を実施した後、第２の直線方向に平行なすべてのダイシングラインに沿って工程（２−２）を実施する場合について説明した。
１つのダイシングラインに沿って工程（１−１）と工程（１−２）とを実施し、これを第１の直線方向に平行なすべてのダイシングラインに沿って実施し、１つのダイシングラインに沿って工程（２−１）と工程（２−２）とを実施し、これを第２の直線方向に平行なすべてのダイシングラインに沿って実施してもよい。
【００４４】
「第２実施形態」
図面を参照して、本発明に係る第２実施形態の半導体ウェーハのダイシング方法について説明する。図３（Ａ）〜（Ｆ）は工程図であり、各図は半導体ウェーハの平面図である。図面上は視認しやすくするため、ダイシングラインの数や位置は適宜、実際のものとは異ならせてある。第１実施形態と同じ構成要素には同じ参照符号を付してある。
【００４５】
本実施形態の半導体ウェーハのダイシング方法においても、第１実施形態と同様、
半導体ウェーハ１０を回転するダイシングブレード２０を用いて、第１の直線方向に平行な複数のダイシングラインに沿ってダイシングする工程（１）を実施した後、第１の直線方向と直交する第２の直線方向に平行な複数のダイシングラインに沿ってダイシングする工程（２）を実施して、複数の半導体チップ１１に切断分割する。
本実施形態の半導体ウェーハのダイシング方法においては、工程（１）が第１実施形態と異なっている。
【００４６】
本実施形態において、
工程（１）は、任意の１つのダイシングラインに沿って、半導体ウェーハ１０の一側端からダイシングを開始し、半導体ウェーハ１０の他側端に到達するまでフルダイシングする工程を、第１の直線方向に平行なすべてのダイシングラインに沿って実施する工程であり、
工程（２）は、任意の１つのダイシングラインに沿って、半導体ウェーハ１０の一側端からダイシングを開始し、半導体ウェーハ１０の他側端に到達する前にダイシングを中断する工程（２−１）と、任意の１つのダイシングラインに沿って、半導体ウェーハ１０の他側端からダイシングを開始し、工程（２−１）によって半導体ウェーハ１０の先に切断済みの部分までダイシングする工程（２−２）とを、第２の直線方向に平行なすべてのダイシングラインに沿って実施する工程である。
【００４７】
本実施形態においても、１つのダイシングブレード２０を備えたシングルブレードのダイシング装置を用いる場合を例として説明する。
本実施形態においても、ダイシング装置のテーブルにおいて、図示横方向がｘ方向、図示縦方向がｙ方向、ｘｙ平面に垂直な方向がｚ方向である。本実施形態においても、ダイシングブレードがｘ方向とｚ方向に移動自在で、半導体ウェーハを載置するテーブルがｙ方向移動と回転が自在なダイシング装置を用いる場合を例として説明する。
【００４８】
第１実施形態と同様、はじめにテーブルに載置した図３（Ａ）に示す半導体ウェーハ１０において、図示横方向（ｘ方向）が第１の直線方向、図示縦方向（ｙ方向）が第２の直線方向である。第１実施形態と同様、図３（Ａ）〜（Ｆ）では、ダイシングブレード２０の進行方向は図示左方から図示右方に向かう方向（ｘ方向）であり、太い矢印で示してある。
【００４９】
まず、図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、工程（１−１）において、ダイシングブレード２０をｘ方向とｚ方向の所定の切断開始位置に位置決めし、任意の１つのダイシングラインに沿って、半導体ウェーハ１０の一側端（図示左側端）からダイシングを開始し、半導体ウェーハ１０の他側端（図示右側端）に到達するまでフルダイシングする工程を、第１の直線方向に平行なすべてのダイシングラインに沿って実施する。
【００５０】
図示する例では、図示手前のダイシングラインから順次ｙ方向の位置を変えて、図示左側端から半導体ウェーハ１０の中央付近まで順次ダイシングを行っている。
図示する例では、１つのダイシングラインに沿ったダイシングが終了すると、ダイシングブレード２０を半導体ウェーハ１０より浮かせ、ダイシングの開始位置（図示左側端）に移動させ、続いて図示手前側にテーブルをダイシングラインのピッチだけ移動させることにより、ダイシングブレード２０を隣接するダイシングラインの図示左側端に移動させて、ダイシングを行っている。
【００５１】
次に、図３（Ｃ）、（Ｄ）に示すように、工程（２−１）において、任意の１つのダイシングラインに沿って、半導体ウェーハ１０の一側端からダイシングを開始し、半導体ウェーハの他側端に到達する前にダイシングを中断する作業を、第２の直線方向（初期位置のｙ方向）に平行なすべてのダイシングラインに沿って実施する。
【００５２】
図示する例では、テーブルを９０°回転させてから工程（２−１）を実施している。
図示する例では、第１実施形態と同様に、工程（２−１）におけるダイシングの中断位置を半導体ウェーハの中央付近としてある。図示する例では、図示手前のダイシングラインから順次ｙ方向の位置を変えて、図示左側端から半導体ウェーハ１０の中央付近まで順次ダイシングを行っている。
【００５３】
次に、図３（Ｅ）、（Ｆ）に示すように、工程（２−２）において、任意の１つのダイシングラインに沿って、半導体ウェーハ１０の未切断側の他側端（図３（Ｄ）の右側端）からダイシングを開始し、工程（２−１）によって半導体ウェーハ１０の先に切断済みの部分までダイシングする作業を、第２の直線方向（初期位置のｙ方向）に平行なすべてのダイシングラインに沿って実施する。
【００５４】
図示する例では、テーブルを１８０°回転させてから工程（２−２）を実施している。そのため、ダイシングブレード２０の進行方向は工程（２−１）と変わらず、図示左側端から半導体ウェーハ１０の中央付近までダイシングを行っている。
工程（２−１）と同様に、図示する例では、１つのダイシングラインに沿ったダイシングが終了すると、ダイシングブレード２０を半導体ウェーハ１０より浮かせ、ダイシングの開始位置（図示左側端）に移動させ（図２を参照）、続いて図示手前側にテーブルをダイシングラインのピッチだけ移動させることにより、ダイシングブレード２０を隣接するダイシングラインの図示左側端に移動させて、工程（２−２）のダイシングを行っている。
以上のようにして、すべてのダイシングラインに沿ったダイシングが終了する。
【００５５】
本実施形態の半導体ウェーハのダイシング方法では、工程（１）については従来通りフルダイシングを実施している。図３（Ｂ）に示すように工程（１）終了時は半導体ウェーハ１０は細長い短冊状に切断された状態であり、無効領域の小片１２は発生していない。そのため、工程（１）については従来通りフルダイシングを実施しても、小片１２の飛散は起こらない。
【００５６】
本実施形態の半導体ウェーハのダイシング方法では、小片１２が発生する工程（２）において、１つのダイシングラインに着目した場合、一側端からダイシングを開始して他側端に到達する前にダイシングを中断し、未切断の他側端から切断済みの部分までダイシングするようにしている。
かかる方法では、工程（２）において、ダウンカットによるダイシングの力は常に半導体チップ１１や半導体ウェーハ１０の周縁部に形成される小片１２を押える方向に加わることになり、半導体ウェーハ１０の裏面側への純水の入り込みもなくなることから、小片の飛散を防ぐことができる（図２を参照）。
本実施形態の半導体ウェーハのダイシング方法では、すべてのダイシングラインに沿って、厚み方向に完全に切断するフルカットを実施するので、半導体チップ１１の取り数が減少することなく、またダイシング工程後のエキスパンド工程において各半導体チップ１１間の間隔を充分拡げることができる。
【００５７】
本実施形態では、工程（１）については従来通りフルダイシングを実施しているので、第１実施形態よりも少ない加工時間でダイシングを実施することができる。
ただし、使用する粘着シート、純水圧力、切削スピード、及びブレード回転数等のダイシング条件によっては、工程（１）終了時点では半導体ウェーハ１０は細長い短冊状であるため小片の飛散が起こらないものの、半導体ウェーハ１０と粘着シート３０と間に部分的に剥離を生じ、工程（２−１）または工程（２−２）のダイシング時にその部分で小片１２の飛散が起こる場合があり得る。かかる恐れがある場合には、本実施形態よりも第１実施形態の方が有効である。
【００５８】
図示する例では、工程（２−１）におけるダイシングの中断位置を半導体ウェーハ１０の中央付近に揃えたが、ダイシングの中断位置はかかる位置に制限されない。
工程（２−１）におけるダイシングの中断位置は、半導体ウェーハの周縁部の小片１２の飛散を良好に防げることから、半導体チップ１１が取れない半導体ウェーハ１０の無効領域よりも内側とすることが好ましい。中断位置はダイシングラインによって変えても構わない。
【００５９】
本実施形態では、ダイシングブレードがｘ方向とｚ方向に移動自在で、半導体ウェーハ１０を載置するテーブルがｙ方向移動と回転が自在なダイシング装置を用いる場合を例として説明したが、ダイシングブレードがｙ方向とｚ方向に移動自在で、テーブルがｘ方向移動と回転が自在なダイシング装置を用いても、本実施形態と同様にダイシングを実施することができる。
【００６０】
本実施形態では、シングルブレードのダイシング装置を用いる場合について説明したが、２本のスピンドルが並列配置された、いわゆるパラレルデュアルダイシング装置を用いても、本実施形態と同様にダイシングを実施することができる。
【００６１】
本実施形態では、工程（２）において、第２の直線方向に平行なすべてのダイシングラインに沿って工程（２−１）を実施した後、第２の直線方向に平行なすべてのダイシングラインに沿って工程（２−２）を実施する場合について説明した。
１つのダイシングラインに沿って工程（２−１）と工程（２−２）とを実施し、これを第２の直線方向に平行なすべてのダイシングラインに沿って実施してもよい。
【００６２】
「設計変更」
本発明は上記実施例に限らず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において適宜設計変更可能である。
【符号の説明】
【００６３】
１０  半導体ウェーハ
１１  半導体チップ
１２  無効領域の小片
２０  ダイシングブレード
３０  粘着シート
【図１】
2012043889.tif 000003
【図２】
2012043889.tif 000004
【図３】
2012043889.tif 000005
【図４】
2012043889.tif 000006
【図５】
2012043889.tif 000007