(57)【要約】【課題】親テンプレートからインプリント法により個別識別マークを備えたテンプレートを容易に作製する。【解決手段】第１のテンプレートからインプリント法により第２のテンプレートを作製するテンプレート作製方法であって、第１のテンプレート上に形成された転写を希望する凹凸パターンに対応する被処理基板上のパターン形成領域に第１のレジストを塗布し、第１のテンプレート上のパターンの形成されていない領域に対応する被処理基板上のマーク形成領域に、所望するパターンとなるように第２のレジストを選択的に塗布する。レジストが塗布された被処理基板上に第１のテンプレートを密着させて、第１のテンプレートの凹部に第１のレジストを浸透させる。第１及び第２のレジストを硬化させ、硬化されたレジストをマスクに用いて被処理基板を加工する。【選択図】      図４
2012009623.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インプリント法を用いて第１のテンプレートから被処理基板にパターンを転写し、該被処理基板にプロセス処理を施すことにより第２のテンプレートを作製するテンプレート作製方法であって、
前記第１のテンプレート上に形成された転写を希望する凹凸パターンに対応する前記被処理基板上のパターン形成領域に第１のレジストを塗布する工程と、
前記第１のテンプレート上のパターンの形成されていない領域に対応する前記被処理基板上のマーク形成領域に、所望するパターンとなるように第２のレジストを選択的に塗布する工程と、
前記第１及び第２のレジストが塗布された前記被処理基板上に前記第１のテンプレートを密着させて、前記第１のテンプレートの凹部に前記被処理基板上に塗布された第１のレジストを浸透させる工程と、
前記第１のレジストを前記第１のテンプレートの凹部に浸透させた後に、前記第１及び第２のレジストを硬化させる工程と、
前記硬化された第１及び第２のレジストをマスクに用いて、前記被処理基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする、テンプレート作製方法。
【請求項２】
インプリント法を用いて第１のテンプレートから被処理基板にパターンを転写し、該被処理基板にプロセス処理を施すことにより第２のテンプレートを作製するテンプレート作製方法であって、
前記第１のテンプレート上に形成された転写を希望する凹凸パターンに対応する、前記被処理基板上のパターン形成領域に第１のレジストを塗布する工程と、
前記被処理基板上に前記第１のテンプレートを密着させて、前記第１のテンプレートの凹部に前記被処理基板上に塗布された第１のレジストを浸透させる工程と、
前記第１のテンプレートの凹部に浸透された第１のレジストを硬化させる工程と、
前記第１のレジストを硬化させた後に、前記第１のテンプレートを前記被処理基板及び前記第１のレジストから剥離する工程と、
前記第１のテンプレート上のパターンの形成されていない領域に対応する、前記被処理基板上のマーク形成領域に、所望するパターン形状となるように第２のレジストを選択的に塗布する工程と、
前記塗布された第２のレジストを硬化させる工程と、
前記硬化された第１及び第２のレジストをマスクに用いて、前記被処理基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする、テンプレート作製方法。
【請求項３】
インプリント法を用いて第１のテンプレートから被処理基板にパターンを転写し、該被処理基板にプロセス処理を施すことにより第２のテンプレートを作製するテンプレート作製方法であって、
前記第１のテンプレート上の転写を希望する凹凸パターンが形成された領域に第１のレジストを塗布する工程と、
前記第１のテンプレート上の凹凸パターンが形成されていない領域に、所望するパターン形状となるように第２のレジストを選択的に塗布する工程と、
前記第１及び第２のレジストが塗布された第１のテンプレートを前記被処理基板上に近接させて、前記第１及び第２のレジストを前記被処理基板に接触させる工程と、
前記被処理基板に接触された第１及び第２のレジストを硬化させる工程と、
前記硬化された第１及び第２のレジストをマスクに用いて、前記被処理基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする、テンプレート作製方法。
【請求項４】
インプリント法を用いて第１のテンプレートから被処理基板にパターンを転写し、該被処理基板にプロセス処理を施すことにより第２のテンプレートを作製するテンプレート作製方法であって、
前記第１のテンプレート上に形成された転写を希望する凹凸パターンに対応する前記被処理基板上のパターン形成領域に、第１のレジストを塗布する工程と、
前記第１のテンプレート上の個別識別マーク形成用に形成された凹凸パターンに対応する前記被処理基板上のマーク形成領域に、前記第１のテンプレートに形成された識別マークパターンの一部又は全部が形成されるように、第２のレジストを選択的に塗布する工程と、
前記第１及び第２のレジストが塗布された前記被処理基板上に前記第１のテンプレートを密着させて、前記第１のテンプレートの凹部に前記被処理基板上に塗布された第１及び第２のレジストを浸透させる工程と、
前記第１及び第２のレジストを前記第１のテンプレートの凹部に浸透させた後に、前記第１及び第２のレジストを硬化させる工程と、
前記硬化された第１及び第２のレジストをマスクに用いて、前記被処理基板を加工する工程と、
を含むことを特徴とする、テンプレート作製方法。
【請求項５】
前記第１及び第２のレジストは、光硬化性樹脂であることを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載のテンプレート作製方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、インプリント法に使用されるテンプレートを作製するためのテンプレート作製方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体集積回路の微細加工を実現するためのパターン転写技術として、光インプリント法（ＳＦＩＬ：Step and Flash Imprint Lithography）が注目されている。この光インプリント法では、同一形状のテンプレートを複数準備し、規定の回数の使用、或いは転写欠陥の発生具合に応じてテンプレートを切り替えて使用するという手順が一般的に用いられている。
【０００３】
しかし、電子ビームリソグラフィーを使用したテンプレート作製方法では、１つのテンプレートを作製するのにも非常に長い描画時間が必要となる。このため、電子ビームリソグラフィーを用いて親テンプレートを作製した後、この親テンプレートを基にインプリント手法により子テンプレートを複数作製するという方法で同一形状の複数のテンプレートを準備する。そして、基板上へのパターン形成は子テンプレートで行うという手法が一般的に用いられている。
【０００４】
一方、光インプリント法を使用してパターン形成を行う製造工程を考えた場合、使用されるテンプレートの種類、履歴などを管理するために、テンプレートには個々の識別を行うことが可能な何らかの固有マークが付与されていることが望ましい。しかし、光インプリント法を使用して作製された子テンプレートは、凹凸が反転する以外は親テンプレートからの忠実な複製となるために、パターン加工時にテンプレート毎に異なるＩＤを付与することができない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１０８９７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
親テンプレートからインプリント法により子テンプレートを作製することができ、且つ個別識別マークを備えたテンプレートを容易に作製する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態によれば、第１のテンプレートからインプリント法により第２のテンプレートを作製するテンプレート作製方法であって、第１のテンプレート上に形成された転写を希望する凹凸パターンに対応する被処理基板上のパターン形成領域に第１のレジストを塗布し、前記第１のテンプレート上のパターンの形成されていない領域に対応する前記被処理基板上のマーク形成領域に、所望するパターンとなるように第２のレジストを選択的に塗布した後、前記第１及び第２のレジストが塗布された前記被処理基板上に前記第１のテンプレートを密着させて、前記第１のテンプレートの凹部に前記第１のレジストを浸透させ、次いで前記第１及び第２のレジストを硬化させ、前記硬化された第１及び第２のレジストをマスクに用いて前記被処理基板を加工する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】光インプリント法で使用されるテンプレートの概略構成を示す斜視図と断面図。
【図２】光インプリント法によるパターン転写工程を示す断面図。
【図３】光インプリント法で使用される親テンプレートの作製工程を示す断面図。
【図４】第１の実施形態に係わるテンプレート作製方法を説明するためのフローチャート。
【図５】第１の実施形態に係わるテンプレートの概略構成を示す断面図。
【図６】第１の実施形態の工程を説明するためのもので、被加工基板上に樹脂が塗布された状態を示す断面図。
【図７】第１の実施形態の工程を説明するためのもので、被加工基板上に樹脂が塗布された状態を示す平面図。
【図８】第１の実施形態の工程を説明するためのもので、第１のテンプレートの凹部に樹脂が浸透した状態を示す断面図。
【図９】第１の実施形態の工程を説明するためのもので、テンプレート剥離後の被加工基板の状態を示す平面図。
【図１０】第２の実施形態に係わるテンプレート作製方法を説明するためのフローチャート。
【図１１】第２の実施形態の第５の工程の被加工基板の状態を示す平面図。
【図１２】第３の実施形態で使用する第１のテンプレート及び被加工基板の例を示す断面図。
【図１３】第４の実施形態に係わるテンプレート作製方法を説明するためのフローチャート。
【図１４】第４の実施形態の工程を説明するためのもので、第１のテンプレート上に形成された個別識別マークを形成するためのパターンを示す平面図。
【図１５】第４の実施形態の工程を説明するためのもので、被加工基板上に塗布された樹脂を示す図。
【図１６】第４の実施形態の工程を説明するためのもので、剥離後に被加工基板上に形成された樹脂のパターンを示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施形態を説明する前に、光インプリント法の基本について説明しておく。
【００１０】
光インプリント法では、図１に示すような所望するパターンを形成するための型となるテンプレートを事前に用意しておく必要がある。図１（ａ）はテンプレートの構成を示す斜視図、図１（ｂ）は図１（ａ）の矢視Ａ−Ａ’断面図である。テンプレートは、石英などの透過性を有する材料からなる基板１１の表面に、所望のパターン１５が凹凸形状で形成されたものである。
【００１１】
図２は、光インプリント法によるパターン形成工程の一例を図示したものである。まず、図２（ａ）に示すように、パターン加工を行う石英等の基板２１上にＣｒ薄膜２２を成膜し、その上に光硬化性樹脂２３を塗布する。次いで、図２（ｂ）に示すように、予め準備したテンプレート１０を光硬化性樹脂２３に押し当てる。この状態で、図２（ｃ）に示すように、毛細管現象によって光硬化性樹脂２３がテンプレート１０の凹部に充填するまで待つ。
【００１２】
次いで、図２（ｄ）に示すように、テンプレート１０の裏面側から光を照射して光硬化性樹脂２３を硬化させる。最後に、図２（ｅ）に示すように、テンプレート１０を基板２１から引き離すと、硬化した樹脂２３により、テンプレート１０上に形成されていたパターンとは凹凸反転した形で基板２１上に樹脂２３のパターンが形成される。
【００１３】
この樹脂２３のパターンをマスクとしてエッチング処理等のプロセス処理を施すことにより、基板２１上にパターンを形成することが可能となる。即ち、樹脂２３のパターンをマスクにＣｒ薄膜２２を選択エッチングし、Ｃｒ薄膜２２のパターンをマスクに基板２１を選択エッチングすることにより、基板２１にテンプレート１０の凹凸と反転したパターンが形成される。
【００１４】
インプリント法としては、光硬化性樹脂の代わりに熱効果性樹脂を使用して加熱によりパターンを形成する手法など幾つかの手法が提案されているが、何れもテンプレート上に形成されたパターンを基板上に転写することにより所望のパターンを形成している。このように、インプリント法においてはテンプレートを作製する技術が重要である。
【００１５】
図３は、光インプリント法で使用されるテンプレートを電子ビームリソグラフィーで作製するフローの例を図示したものである。
【００１６】
まず、図３（ａ）に示すように、テンプレートを作製するテンプレート基板１１を準備する。このテンプレート基板１１の表面にＣｒ薄膜１２を成膜し、その表面に電子ビーム感光性のレジスト１３を塗布する。
【００１７】
テンプレート基板１１の部材としては、合成石英が一般的に用いられている。これは、光硬化性樹脂の硬化工程においてパターン裏面から光を照射して樹脂を硬化させるため、照射光に対して透明性が得られる部材である必要があるためである。
【００１８】
次いで、図３（ｂ）に示すように、準備されたテンプレート基板１１上に電子ビーム露光装置を使用して所望パターンを描画し、テンプレート基板表層のレジスト１３を選択的に露光させる。描画完了したテンプレート基板１１を現像処理し、図３（ｃ）に示すように、電子ビーム露光部のレジスト１３を除去する。
【００１９】
次いで、図３（ｄ）に示すように、レジスト１３をマスクとしてＣｒ薄膜１２をエッチングする。その後、残ったレジスト１３を剥離処理して除去する。
【００２０】
次いで、図３（ｅ）に示すように、パターンが加工されたＣｒ薄膜１２をマスクとして、基板１１を所望の深さまでエッチング処理により掘り込む。最後に、図３（ｆ）に示すように、表面のＣｒ薄膜１３を除去する。これにより、所望のパターンがテンプレート基板１１上の凹凸形状で形成されたテンプレート１０が作製される。
【００２１】
以上のような手順で作製されたテンプレート１０を使用して、前述した光インプリント法によるパターン形成手順を用いることにより、所望の基板２１上には固化した光硬化性樹脂２３によりテンプレート上に形成されたパターンが凹凸反転した形状でパターンが転写される。その後、基板２１上に形成された光硬化性樹脂２３によるパターンをマスクとして、基板２１に対してエッチング等のプロセスを施すことにより、基板２１上に所望のパターンを形成することが可能となる。
【００２２】
前述の光インプリント法によるパターン形成手順で示した通り、インプリント法ではテンプレートを光硬化性樹脂等へ物理的に接触させることによりパターンの形成を行っている。このため、使用頻度に従う磨耗、テンプレート上のパターン凹部の目詰まり、インプリント時に基板とテンプレートとの間に硬質な異物が挟まるなどの原因によるテンプレート１０の破損などといった理由により、正確なパターン転写ができなくなることがある。このため、同一形状のテンプレートを複数準備し、規定の回数の使用、或いは転写欠陥の発生具合に応じてテンプレートを切り替えて使用するという手順が一般的に用いられている。
【００２３】
しかしながら、前記テンプレート作製手順で示した、電子ビームリソグラフィーを使用したテンプレート作製方法では、電子ビームによるパターン描画には非常に長い描画時間が必要となる。例えば、６５ｍｍ×６５ｍｍの領域内にハーフピッチ２０ｎｍのラインアンドスペースパターンを敷き詰めたパターンを、現在広く使用されている加速電圧１００ｋｅＶのガウシャンビーム描画装置を用いて描画すると、約１ヶ月の描画時間を要することとなる。このため、電子ビームリソグラフィーを用いて作製しテンプレートを作製した後、このテンプレートを親テンプレートとして、インプリント手法により子テンプレートを複数作製する、或いは更に子テンプレートから孫テンプレートを複数作製するという方法で同一形状の複数のテンプレートを準備し、基板上へのパターン形成は子テンプレート、孫テンプレートで行うという手法が一般的に用いられている。
【００２４】
一方、インプリント法を使用してパターン形成を行う製造工程を考えた場合、製造工程内で使用されるテンプレートの種類、履歴などを管理するために、テンプレートには個々の識別を行うことが可能な何らかの固有マークが付与されていることが望ましい。このため、テンプレートには識別を行うための固有マーク、固有文字列等のＩＤを刻印する必要がある。
【００２５】
しかしながら、前記インプリント法を使用して作製された子テンプレート、孫テンプレートなどは凹凸が反転する以外は親テンプレートからの忠実な複製となるためにパターン加工時にテンプレート毎に異なるＩＤを付与することができない。テンプレートを保管するケースに識別可能な名称を付与するなど、間接的な手順により識別を行うことは可能であるが、例えば半導体デバイス製造工程のように、多種のパターンを大量に使用するような場合にはテンプレートの取り間違いなどのリスクを起こす可能性が高い。
【００２６】
そこで、テンプレート作製後にテンプレートに追加工してＩＤを刻印するという手法が考案された。しかしながら、この方法ではＩＤ作製のために工程が増加し、テンプレート製造のために要する時間が増大すると共に、追加工を行う際に発生したゴミがパターン上に付着する可能性、追加工の作業自体によってテンプレート上のパターンを傷つけるなどのリスクが発生するという問題があった。
【００２７】
以下、上記の問題を解決し、第１のテンプレート（親テンプレート）から識別マーク付きの第２のテンプレート（子テンプレート）を作製する実施形態を説明する。
【００２８】
（第１の実施形態）
第１の実施形態では、光インプリント法を使用して第１のテンプレートから被加工基板にパターンを転写して、第２のテンプレートを作製する際に、第２のテンプレート上に識別可能なマークを形成する手法を示す。なお、第１のテンプレートを作製する手法については、既存の技術を使用するものとし、本実施形態では詳述しない。また、被加工基板上に光硬化性樹脂によりパターンを形成した後のエッチング処理等のプロセスに関しては、既存の技術を使用するものし、本実施例では詳述しない。
【００２９】
図４は、第１の実施形態で使用する第２のテンプレート作製のためのフローを図示したものである。以降、図４に示されたフローに対応して第１の実施形態の内容を説明する。
【００３０】
第１の工程（Ｓ１１）では、所望のパターンが形成された第１のテンプレート、並びに第２のテンプレートを加工するための被加工基板を準備する。
【００３１】
図５は、第１のテンプレート１０の断面構造を示したものである。一般的には、転写を所望する凹凸で形成されたパターンが存在するパターン領域３１と、パターンの存在しない周辺領域３２では表面高さが異なる構造（メサ構造）となっている。これは、パターン転写のために第１のテンプレート１０を被加工基板２１に近接させた際、第１のテンプレート１０のパターン領域周辺部位が、被加工基板２１側のパターン転写予定領域の周辺に事前に形成されたパターンに接触し、破損することを避けるためである。また、パターン領域３１の最外側の凹部は樹脂がパターン領域の外側にはみ出さないようにするためのストッパ部分である。
【００３２】
なお、メサ構造は第１のテンプレート側、被加工基板側のどちらに形成されていても良い。また、第１のテンプレート側と被加工基板側の両方に形成されていても良い。本実施形態では、第１のテンプレートがメサ構造を有し、被加工基板側にはメサ構造が無いものとする。
【００３３】
第２の工程（Ｓ１２）では、被加工基板の被加工面を上面として配置し、被加工面に光硬化性樹脂を塗布する。この際、一般的な方法では、光硬化性樹脂は被加工面のパターン転写を所望する位置にのみ塗布される。このために、樹脂塗布装置としては塗布位置制御が可能なインクジェット方式の塗布装置が一般的に用いられている。
【００３４】
図６は、被加工基板２１上に光硬化性樹脂２３が塗布された状態を図示したものである。図６中の領域Ａは、被加工基板２１上における、第１のテンプレート１０上に形成されたパターンが転写されるパターン形成領域を示したものである。この領域Ａ内への光硬化性樹脂（第１のレジスト）２３ａの塗布は、転写を所望する第１のテンプレート１０上のパターンの形状に従って塗布量を変化させるなど、必ずしも均一な量ではない。図６中の領域Ｂは、被加工基板２１上における、個別識別が可能なマークが形成されるマーク形成領域である。本実施形態では、この領域Ｂに個別識別マークを形成することが可能となるように選択的に光硬化性樹脂（第２のレジスト）２３ｂを塗布することを特徴とする。
【００３５】
なお、光硬化性樹脂２３ａ，２３ｂは同じ材料であっても良いし、異なる材料であっても良い。即ち、１つの塗布装置を用いて光硬化性樹脂２３ａと光硬化性樹脂２３ｂを塗布形成しても良いし、異なる塗布装置を用いて光硬化性樹脂２３ａと光硬化性樹脂２３ｂを塗布形成しても良い。
【００３６】
図７は、図６のマーク形成領域Ｂに本実施形態の手順に従い光硬化性樹脂２３ｂが塗布された様子を被加工基板２１の上面から見たものである。本実施形態では、個別識別マークとして文字列を用いたが、２Ｄバーコードなど、文字列以外のものを使用しても良い。
【００３７】
第３の工程（Ｓ１３）では、光硬化性樹脂を塗布された被加工基板２１の上面に第１のテンプレート１０を近接させて配置し、被加工基板上２１に塗布された樹脂２３ａが、第１のテンプレート１０上に形成された凹凸形状のパターンに浸透するまで保持する。
【００３８】
図８は、樹脂２３が浸透した状態を図示したものである。パターン形成領域Ａでは樹脂２３ａがテンプレート１０の凹部に浸透し、マーク形成領域Ｂでは樹脂２３ｂはそのままとなる。なお、本実施形態では、個別識別マークが形成される領域が相対する第１のテンプレート１０におけるメサ構造の凹部に設定されているが、メサ構造の凸部であってもよい。
【００３９】
第４の工程（Ｓ１４）では、光硬化性樹脂２３に対して光照射を行って樹脂２３を硬化させる。第５の工程（Ｓ１５）では、第１のテンプレート１０を被加工基板２１から剥離する。
【００４０】
図９は、本工程完了後の被加工基板２１を上面から見た図である。パターン形成領域Ａにおいては第１のテンプレート１０の凹部に相当する部分の樹脂２３ａが凸部として形成され、個別識別マークの形成領域Ｂにおいては、樹脂２３ｂが塗布された形状のまま硬化し、凸形状で個別識別マークが形成されている。
【００４１】
第６の工程（Ｓ１６）では、第５の工程までに形成された樹脂２３によるパターンをマスクパターンとして、エッチング等のプロセス処理を行い、最終的には個別識別マークを有する第２のテンプレートが完成する。
【００４２】
このように本実施形態によれば、親テンプレートからインプリント法により個別識別マークを備えた子テンプレートを容易に作製することができる。そしてこの場合、個別識別マークの作製のために増える工程は、第２の工程でマーク形成領域に樹脂２３ｂを選択的に塗布することのみであるため、テンプレート製造のために要する時間が増大する問題はない。さらに、追加工によりＩＤを刻印する方法とは異なり、ゴミの発生やゴミの付着が生じることもなく、追加工の作業自体によってテンプレート上のパターンを傷つけるなどのリスクもない。
【００４３】
また、本実施形態では、１つの被加工基板に対して、１回のインプリントプロセスしか行っていないが、１つの被加工基板に対して、第２の工程から第５の工程までを複数回実施することにより、同一の被加工基板上に異なる個別識別マークを備えた複数の第２のテンプレートを作製することが可能である。さらに、このような複数回プロセスを実施する際に各回で異なる第１のテンプレートを使用すれば、同一の被加工基板上に異なる個別識別マークを有する、異なる種類の第２のテンプレートを複数作製することが可能である。
【００４４】
（第２の実施形態）
第２の実施形態では、光インプリント法を使用して第１のテンプレートから被加工基板にパターンを転写した後に、第２のテンプレート上に個別識別が可能なマークを形成する方法を示す。
【００４５】
図１０は、第２の実施形態で使用する第２のテンプレート作製のためのフローを図示したものである。以降、図１０に示されたフローに対応して第２の実施形態の内容を説明する。
【００４６】
第１の工程（Ｓ２１）では、第１のテンプレート、並びに第２のテンプレートを形成するための被加工基板を準備する。
【００４７】
第２の工程（Ｓ２２）では、被加工基板の被加工面を上面として配置し、被加工面のパターン転写を所望する位置に光硬化性樹脂を塗布する。
【００４８】
第３の工程（Ｓ２３）では、光硬化性樹脂を塗布された被加工基板の上面に第１のテンプレートを近接させて配置し、被加工基板上に塗布された樹脂が、第１のテンプレート上に形成された凹凸形状のパターンに浸透するまで保持する。
【００４９】
第４の工程（Ｓ２４）では、光硬化性樹脂に対して光照射を行って樹脂を硬化させる。
【００５０】
第５の工程（Ｓ２５）では、第１のテンプレートを被加工基板から剥離する。
【００５１】
図１１は、ここまでの工程により被加工基板２１上に形成されたパターンの形状を示したものである。領域Ａには樹脂２３のパターンが転写されているが、領域Ｂにはパターンは転写されていない。
【００５２】
第６の工程（Ｓ２６）では、被加工基板上のパターンが形成された領域以外の領域に個別識別マークを形成することが可能となるように選択的に光硬化性樹脂を塗布する。
【００５３】
第７の工程（Ｓ２７）では、第６の工程で塗布された光硬化性樹脂に対して光照射を行い樹脂を硬化させる。
【００５４】
第８の工程（Ｓ２８）では、第７の工程までに形成された樹脂によるパターンをマスクパターンとして、エッチング等のプロセス処理を行い、最終的には個別識別マークを有する第２のテンプレートが完成する。
【００５５】
このように、本実施形態においても、親テンプレートからインプリント法により個別識別マークを備えた子テンプレートを容易に作製することができ、先の第１の実施形態と同様の効果が得られる。なお、本実施形態では、光硬化性樹脂を塗布・硬化する工程を２回に分けているものの、樹脂のパターンをマスクとした被加工基板の加工は１回で済むことになり、プロセスの増加は殆どない。
【００５６】
また、本実施形態では、１つの被加工基板に対して、１回のインプリントプロセスしか行っていないが、同一の被加工基板に対して、第２の工程から第５の工程までを複数回行うことにより、同一の被加工基板上に、複数の第２のテンプレートの樹脂によるマスクパターンを形成することが可能である。しかも、第６の工程から第８の工程を施すことにより、同一の被加工基板上に異なる個別識別マークを備えた複数の第２のテンプレートを作製することが可能である。さらに、このような複数回プロセスを実施する際に各回で異なる第１のテンプレートを使用すれば、同一の被加工基板上に異なる個別識別マークを有する、異なる種類の第２のテンプレートを複数作製することが可能である。
【００５７】
（第３の実施形態）
第３の実施形態は、第１及び第２の実施形態と同様の手順を、第１のテンプレート１０を下側に、被加工基板２１を上側に配置して、光硬化性樹脂２３を第１のテンプレート１０に塗布することにより行う。
【００５８】
この場合、図１２に示すように、個別識別マークを形成する領域は、第１のテンプレート１０、被加工基板２１共にメサ構造の凸部である必要がある。それ以外の点では、第１及び第２の実施形態と格段の違いは無い。但し、第１のテンプレート１０に塗布した樹脂２３ｂを被加工基板２１側に付着させるため、周辺領域３２はパターン領域３１と同じ高さになっている。
【００５９】
このような本実施形態においても、親テンプレートからインプリント法により個別識別マークを備えた子テンプレートを容易に作製することができ、先の第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００６０】
（第４の実施形態）
第４の実施形態では、第１のテンプレートに形成された個別識別マーク形成が可能な凹凸パターンの一部、又は、全部を被加工基板に転写することにより個別識別マークを有する第２のテンプレートを作製する。
【００６１】
図１３は、第４の実施形態で使用する第２のテンプレート作製のためのフローを図示したものである。以降、図１３に示されたフローに対応して第４の実施形態の内容を説明する。
【００６２】
第１の工程（Ｓ４１）では、第１のテンプレート、並びに第２のテンプレートを形成するための被加工基板を準備する。第１のテンプレートには個別識別マーク形成が可能な凹凸パターンが形成されていなくてはならない。
【００６３】
図１４は、本実施形態で使用する第１のテンプレートに形成されている個別識別マーク１６を図示したものである。本実施形態では、被加工基板上に２Ｄバーコードを作製することを意図した構造としているが、この構造に限定されるものではない。
【００６４】
第２の工程（Ｓ４２）では、被加工基板の被加工面を上面として配置し、被加工面に光硬化性樹脂を塗布する。この際、第１のテンプレート上に形成されたパターンが転写される領域においては、転写を所望する第１のテンプレート上のパターンの形状に従って従来技術に従って塗布を行う。また、個別識別マークの形成を所望する領域においては、転写後の形状が所望の個別識別マークとなるように選択的に塗布を行う。
【００６５】
図１５は、第２の工程で光硬化性樹脂が塗布された状態を示した図である。識別マーク形成領域Ｂでは、個別識別マーク１６のパターンに応じて、必要な部分のみに被加工基板２１上に樹脂２３が塗布されている。この樹脂２３の塗布に関して、樹脂２３は最終的に第１のテンプレートによる転写により形状が規定されるので、精度良く形成する必要はない。
【００６６】
第３から第５の工程（Ｓ４３〜Ｓ４５）により、被加工基板上に硬化された樹脂によるパターンを形成する。
【００６７】
図１６は、第５の工程までを実施した後に被加工基板２１上に形成された硬化された樹脂２３によるパターンを図示したものである。
【００６８】
第６の工程（Ｓ４６）では、第５の工程までに形成された樹脂によるパターンをマスクパターンとして、エッチング等のプロセス処理を行い、最終的には個別識別マークを有する第２のテンプレートが完成する。
【００６９】
本実施形態では、１つの被加工基板に対して、１回のインプリントプロセスしか行っていないが、１つの被加工基板に対して、第２の工程から第５の工程までを複数回実施することにより、同一の被加工基板上に異なる個別識別マークを備えた複数の第２のテンプレートを作製することが可能である。また、このような複数回プロセスを実施する際に各回で異なる第１のテンプレートを使用すれば、同一の被加工基板上に異なる個別識別マークを有する、異なる種類の第２のテンプレートを複数作製することが可能である。
【００７０】
（変形例）
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。実施形態ではテンプレート基板として石英を用いたが、必ずしも石英に限るものではなく、光インプリント法により用いる光の波長に対して十分な透過性を有するものであればよい。
【００７１】
識別マークは、任意の文字列に限るものではなく、１次元バーコードマークや２次元バーコードマークであっても良いし、これらの組み合わせにより形成されていてもよい。さらに、識別マークとして基板を掘り込む溝の深さは、仕様に応じて適宜定めればよい。
【００７２】
また、実施形態において使用するプロセスは、本発明の内容を拘束するものではない。実施形態において、第１のテンプレートのパターンを形成するために使用するリソグラフィー手段として電子ビーム描画装置を使用しているが、要望される精度等の仕様を満たすものであれば、レーザービーム描画装置、イオンビーム描画装置等の手段を用いても構わない。この場合、使用する描画装置によって、使用するレジストの種類が変化しても構わない。さらに、第２のテンプレートを形成する際のインプリント法は必ずしも光インプリントに限らない。例えば、光硬化性樹脂の代わりに熱硬化性樹脂を用いた熱インプリント法を用いることも可能である。
【００７３】
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００７４】
１０…第１のテンプレート
１１…テンプレート基板
１２…Ｃｒ薄膜
１３…レジスト
１５…パターン
１６…個別識別マーク
２０…第２のテンプレート
２１…被加工基板
２２…Ｃｒ薄膜
２３…光硬化性樹脂
２３ａ…光硬化性樹脂（第１のレジスト）
２３ｂ…光硬化性樹脂（第２のレジスト）
３１…パターン領域
３２…周辺領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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