(57)【要約】      （修正有）【課題】電極構造改善を通じて電流密度分布を均一にして高輝度を具現できる半導体発光素子を提供する。【解決手段】基板、基板上に順次形成されたｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層、ｐ型半導体層の一側エッジ上に形成されたｐ型電極パッドと、ｐ型電極パッドに連結されたｐ型補助電極と、を含むｐ型電極、ｐ型電極パッドの反対側でｎ型半導体層の他側エッジ上に形成されたｎ型電極パッドと、ｎ型電極パッドに連結されたｎ型補助電極と、を含むｎ型電極を含み、ｎ型補助電極は、ｐ型電極パッドが形成された一側エッジに向かい、ｐ型補助電極は、ｎ型電極パッドが形成された他側エッジに向かって互いに平行に載置されて、ｐ型電極がｎ型電極を取り囲む半導体発光素子。【選択図】図４
2012009864.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に順次形成されたｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層と、
前記ｐ型半導体層の一側エッジ上に形成されたｐ型電極パッドと、前記ｐ型電極パッドに連結されたｐ型補助電極と、を含むｐ型電極と、
前記ｐ型電極パッドの反対側で前記ｎ型半導体層の他側エッジ上に形成されたｎ型電極パッドと、前記ｎ型電極パッドに連結されたｎ型補助電極と、を含むｎ型電極と、を含み、
前記ｎ型補助電極は、前記ｐ型電極パッドが形成された前記一側エッジに向かい、前記ｐ型補助電極は、前記ｎ型電極パッドが形成された前記他側エッジに向かって互いに平行に載置されて、前記ｐ型電極が前記ｎ型電極を取り囲むことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記ｐ型補助電極と前記ｐ型電極パッドとを連結するために、前記一側エッジに向かって突出している曲線型ｐ型連結電極と、前記ｎ型補助電極と前記ｎ型電極パッドとを連結するために、前記他側エッジと並んでいるｎ型連結電極をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記ｐ型連結電極の突出している部分は、曲線、または曲線と直線との組み合わせであることを特徴とする請求項２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記ｎ型補助電極と前記ｐ型補助電極とは斜線状であることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
横ｘ軸、縦ｙ軸を持つ方形平面状の半導体発光素子であって、
基板と、
前記基板上に順次形成されたｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層と、
前記ｐ型半導体層の縦方向の一側エッジ上に形成されたｐ型電極パッドと、前記ｐ型電極パッドに連結されたｐ型補助電極と、を含むｐ型電極と、
前記ｐ型電極パッドの反対側で前記ｎ型半導体層の縦方向の他側エッジ上に形成されたｎ型電極パッドと、前記ｎ型電極パッドに連結されたｎ型補助電極と、を含むｎ型電極と、を含み、
前記ｎ型補助電極は、前記ｐ型電極パッドが形成された前記一側エッジに向かい、前記ｐ型補助電極は、前記ｎ型電極パッドが形成された前記他側エッジに向かって互いに平行に載置されて、横方向エッジと平行せずに斜線に傾いていることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項６】
前記ｎ型補助電極とｐ型補助電極とが傾いている角度は、横方向に対して０°より大きくて、４５°より小さいかまたは同一であることを特徴とする請求項５に記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記ｐ型補助電極は、横方向の一側エッジに形成された第１ｐ型補助電極と、横方向の他側エッジに形成された第２ｐ型補助電極と、前記第１及び第２ｐ型補助電極の間に形成された第３ｐ型補助電極とを含み、
前記ｎ型補助電極は、前記第１ｐ型補助電極と第３ｐ型補助電極との間に形成された第１ｎ型補助電極と、前記第３ｐ型補助電極と第２ｐ型補助電極との間に形成された第２ｎ型補助電極とを含むことで、前記ｐ型電極が前記ｎ型電極を取り囲みつつ互いにかみ合う構造で形成されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記第１ｐ型補助電極と第３ｐ型補助電極とを連結するための第１ｐ型連結電極、前記第３ｐ型補助電極と第２ｐ型補助電極とを連結するための第２ｐ型連結電極、前記第１ｎ型補助電極と第１ｎ型補助電極とを連結するためのｎ型連結電極をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体発光素子。
【請求項９】
前記第１及び第２ｐ型連結電極は、前記一側エッジに向かって突出している曲線型であり、前記ｎ型連結電極は、前記他側エッジと並んでいることを特徴とする請求項８に記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
前記第１及び第２ｐ型連結電極の突出している部分は、曲線、または曲線と直線との組み合わせであることを特徴とする請求項９に記載の半導体発光素子。
【請求項１１】
前記ｎ型電極パッドは、前記第１ｎ型補助電極とｎ型連結電極との連結部位の内側で、前記第１ｎ型補助電極とｎ型連結電極とに内接して位置し、前記ｐ型電極パッドは、第２ｐ型補助電極と第２ｐ型連結電極との連結部位の外側で、第２ｐ型補助電極と第２ｐ型連結電極とに外接して位置することを特徴とする請求項８に記載の半導体発光素子。
【請求項１２】
前記第１ｐ型補助電極は、前記ｎ型電極パッドに向かう端部が前記他側エッジとほぼ平行に終わる曲線形状を持ち、前記第３ｐ型補助電極は、前記ｎ型電極パッドに近づくほど、前記ｎ型電極パッドとの距離が前記第２ｎ型補助電極との距離とほぼ同一になるように、横方向に対して傾いている角度がさらに大きくなることを特徴とする請求項１１に記載の半導体発光素子。
【請求項１３】
前記ｎ型電極パッドは、前記第２ｎ型補助電極とｎ型連結電極との連結部位の外側で、前記第２ｎ型補助電極に外接して位置し、前記ｐ型電極パッドは、前記第３ｐ型補助電極と第２ｐ型連結電極との連結部位の内側で、前記第３ｐ型補助電極と第２ｐ型連結電極とに内接して位置することを特徴とする請求項８に記載の半導体発光素子。
【請求項１４】
前記第１ｐ型補助電極は、前記他側エッジに向かう端部が、前記第１ｎ型補助電極と前記半導体発光素子の角との間の空間を取り囲んで横方向エッジ側で終わる形状を持つように、部分的に直線と曲線との連結形態を持ち、前記第２ｎ型補助電極は、前記ｐ型電極パッドに近づくほど前記ｐ型電極パッドとの距離が前記第２ｐ型補助電極との距離とほぼ同一になるように、横方向に対して傾いている角度が変化することを特徴とする請求項１３に記載の半導体発光素子。
【請求項１５】
前記ｎ型電極パッドは、前記第１ｎ型補助電極とｎ型連結電極との連結部位の外側で、前記第１ｎ型補助電極に外接して位置し、前記ｐ型電極パッドは、第２ｐ型連結電極に外接して位置することを特徴とする請求項８に記載の半導体発光素子。
【請求項１６】
前記第１ｐ型補助電極は、前記他側エッジに向かう端部が前記ｎ型電極パッドとの間隔が一定になるように曲線形状を持ち、前記第２ｐ型補助電極は、その端部が横方向のエッジに近づけば横方向エッジと平行に一部延び出す部分を持つことを特徴とする請求項１５に記載の半導体発光素子。
【請求項１７】
横ｘ軸、縦ｙ軸を持つ方形平面状の半導体発光素子であって、
基板と、
前記基板上に順次形成されたｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層と、
前記ｐ型半導体層の縦方向の一側エッジ上に形成された複数のｐ型電極パッドと、前記ｐ型電極パッドに連結されたｐ型補助電極と、を含むｐ型電極と、
前記ｐ型電極パッドの反対側で、前記ｎ型半導体層の縦方向の他側エッジ上に形成された複数のｎ型電極パッドと、前記ｎ型電極パッドに連結されたｎ型補助電極と、を含むｎ型電極と、を含み、
前記ｎ型補助電極は、前記ｐ型電極パッドが形成された前記一側エッジに向かい、前記ｐ型補助電極は、前記ｎ型電極パッドが形成された前記他側エッジに向かって互いに平行に載置されて、前記ｐ型電極が前記ｎ型電極を取り囲み、
前記ｐ型電極パッド同士では連結されているが、前記ｎ型電極パッド同士では連結されていないことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項１８】
前記ｐ型補助電極は、横方向の一側エッジに形成された第１ｐ型補助電極と横方向の他側エッジに形成された第２ｐ型補助電極と、前記第１及び第２ｐ型補助電極の間に形成された第３ｐ型補助電極と、を含み、
前記ｎ型補助電極は、第１ｎ型電極パッドから延び出し、前記第１ｐ型補助電極と第３ｐ型補助電極との間に形成された第１ｎ型補助電極と、第２ｎ型電極パッドとから延び出し、前記第３ｐ型補助電極と第２ｐ型補助電極との間に形成された第２ｎ型補助電極とを含むことで、前記ｐ型電極と前記ｎ型電極とが互いにかみ合う構造で形成されていることを特徴とする請求項１７に記載の半導体発光素子。
【請求項１９】
前記第１ｐ型補助電極と第３ｐ型補助電極とを連結するための第１ｐ型連結電極、前記第３ｐ型補助電極と第２ｐ型補助電極とを連結するための第２ｐ型連結電極をさらに含むことを特徴とする請求項１８に記載の半導体発光素子。
【請求項２０】
前記第１及び第２ｐ型連結電極は、前記一側エッジに向かって突出している曲線型であることを特徴とする請求項１９に記載の半導体発光素子。
【請求項２１】
前記ｐ型電極パッドは、前記第１ｐ型連結電極に外接して前記半導体発光素子の角側に位置している第１ｐ型電極パッドと、前記第２ｐ型連結電極に外接して前記半導体発光素子の角側に位置している第２ｐ型電極パッドと、を含むことを特徴とする請求項１９に記載の半導体発光素子。
【請求項２２】
前記第１ｐ型補助電極は、前記他側エッジに向かう端部が前記第１ｎ型電極パッドとの間隔が一定になるように曲線形状を持ち、前記第２ｐ型補助電極は、前記他側エッジに向かう端部が前記第２ｎ型電極パッドとの間隔が一定になるように曲線形状を持つことを特徴とする請求項１８に記載の半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子に係り、さらに詳細には、電極の構造改善を通じて電流密度分布を均一にした半導体発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）及びＬＤ（Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅ）などの半導体発光素子は、電流を光に変換させる固体電子素子の一つであって、通例的にｐ型半導体層とｎ型半導体層との間に挿入された半導体物質の活性層を含む。半導体発光素子でｐ型半導体層とｎ型半導体層との両端に駆動電流を印加すれば、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とから半導体物質の活性層に電子及び正孔が注入される。注入された電子と正孔とは、半導体物質の活性層で再結合して光を生成する。
【０００３】
一般的に半導体発光素子は、ＡｌｘＩｎｙＧａ（１−ｘ−ｙ）Ｎ組成式（ここで、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１である）を持つ窒化物系III−V族半導体化合物で製造されているが、これは短波長光（紫外線ないし緑色光）、特に青色光を出すことができる素子になる。ところが、窒化物系半導体化合物は結晶成長のための格子整合条件を満たすサファイア基板や炭化ケイ素（ｓｉｌｉｃｏｎ  ｃａｒｂｉｄｅ、ＳｉＣ）基板などの絶縁性基板を利用して製造されるので、駆動電流の印加のために、ｐ型半導体層及びｎ型半導体層に連結させる２個の電極が発光構造物の上面にほぼ水平に配列される水平構造を持つ。
【０００４】
最近、かかる水平構造を持つ窒化物系半導体発光素子を照明光源として利用するために高輝度化が要求されており、このような高輝度化を達成するために、電流を均一に拡散させて発光効率を高めることができる構造が要求される。しかし、水平構造を持つ窒化物系半導体発光素子は、２個の電極が発光構造物上下面にそれぞれ配された垂直構造を持つ窒化物系半導体発光素子に比べて、電流のフローが全体発光領域において不均一に分布して発光効率が低いという問題がある。
【０００５】
図１は、従来の窒化物系半導体発光素子１の断面構造である。発光素子１は、絶縁性のサファイア基板２にｎ型半導体層３、活性層４、ｐ型半導体層５及び透明電極６が積層されて構成される。活性層４、ｐ型半導体層５及び透明電極６の一部がメサエッチングされて表れたｎ型半導体層３上には、ｎ型電極１１が形成される。透明電極６上にｐ型電極１５を形成してｐ型電極１５とｎ型電極１１とを通じて電流を流せば、活性層４に電流が流れつつ光が生成される。ところが、一般的にｐ型電極１５とｎ型電極１１とは遠く離れているため、発光素子１の領域によって電流密度が大きく差が出る。なるべく領域別の電流密度が均一であって初めて発光効率に優れ、かつ駆動電圧も低めることができる。
【０００６】
図２は、図１に示した従来発光素子１の電極構造を示すための平面図であるが、図１は、図２のI−I’断面に該当するといえる。図２を参照すれば、ｐ型電極１５の一部としてワイヤーボンディングが行われるｐ型電極パッド１６が透明電極６の上部の一側エッジに形成されている。そして、ｎ型電極１１の一部としてワイヤーボンディングが行われる領域であるｎ型電極パッド１２は、ｐ型電極パッド１６と対向する他側エッジにｎ型半導体層３上に形成されている。
【０００７】
ｐ型電極パッド１６には、ｐ型電極パッド１６の両側から延び出した形態で透明電極６の一側エッジ上に形成されたｐ型補助電極１７が電気的に連結されている。また、ｎ型電極パッド１２には、ｎ型電極パッド１２の両側から延び出した形態でｐ型補助電極１７と平行な方向に形成されたｎ型補助電極１３が電気的に連結されている。
【０００８】
このような構造では、ｐ型電極パッド１６に注入された電流が水平方向に移動してｎ型電極パッド１２に流れねばならないので、電流が流れる長さがかなり長い。発光素子のサイズが大きくなりつつその長さも増大するが、その長さが増大するほど抵抗が大きくなるという問題点があり、かかる抵抗の増大は動作電圧の増大を招く。また、電流分布が不均一であるという問題点がある。電流が不均一に分布されれば、素子の表面で発光強度及び波長の均一度が劣るということを意味する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は従来の問題点を解決するためになされたものであって、本発明が解決しようとする課題は、電流密度分布を均一に形成して光出力特性及び光変換効率などを向上させ、かつ高輝度化を達成できる電極構造を持つ半導体発光素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題を解決するための本発明による半導体発光素子は、基板と、前記基板上に順次形成されたｎ型半導体層、活性層及びｐ型半導体層と、前記ｐ型半導体層の一側エッジ上に形成されたｐ型電極パッドと、前記ｐ型電極パッドに連結されたｐ型補助電極と、を含むｐ型電極と、前記ｐ型電極パッドの反対側で前記ｎ型半導体層の他側エッジ上に形成されたｎ型電極パッドと、前記ｎ型電極パッドに連結されたｎ型補助電極と、を含むｎ型電極と、を含み、前記ｎ型補助電極は、前記ｐ型電極パッドが形成された前記一側エッジに向かい、前記ｐ型補助電極は、前記ｎ型電極パッドが形成された前記他側エッジに向かって互いに平行に載置されて、前記ｐ型電極が前記ｎ型電極を取り囲む。
【００１１】
本発明において、前記基板と前記ｎ型半導体層との間及び前記ｐ型半導体層と前記ｐ型電極との間のうち少なくともいずれか一つに導電層をさらに含むことができる。前記基板と前記ｎ型半導体層との間の導電層はバッファ層、前記ｐ型半導体層と前記ｐ型電極との間の導電層は透明電極でありうる。
【００１２】
また、本発明の半導体発光素子において、前記活性層は、前記ｎ型半導体層上に形成されるが、前記ｎ型半導体層の四方エッジから所定間隔入り込んで形成されたことが望ましい。これは、前記ｎ型電極パッドからｐ型電極に伝えられる電流のフローをｎ型半導体層を通じて円滑にするためである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、発光素子の全面にわたって電流が均一に効率的に分布する電極を持つ。これにより、発光素子内の電流密度分布をさらに均一にする。ｎ型電極を発光素子の内部に位置させ、その周辺をｐ型電極で取り囲むことでｎ型電極の周辺に流れる電流を均一に保持して、光変換効率を高めて駆動電圧を低める。
【００１４】
また電極パッドが複数である場合、電極パッド同士で全部連結する必要はないため、不要な電極を最小化し、実際的な発光面をさらに広く増大させて光変換効率を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】従来の半導体発光素子の断面図である。
【図２】従来の半導体発光素子の平面図である。
【図３】本発明による半導体発光素子の断面図である。
【図４】本発明の実施例１による半導体発光素子の電極構造を示す平面図である。
【図５】本発明の実施例２による半導体発光素子の電極構造を示す平面図である。
【図６】本発明の実施例３による半導体発光素子の電極構造を示す平面図である。
【図７】本発明の実施例４による半導体発光素子の電極構造を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、添付した図面を参照して本発明をさらに詳細に説明する。後述する実施例は色々な他の形態に変形でき、本発明の範囲が後述する実施例に限定されるものではない。本発明の実施例は当業者に本発明をさらに完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面における要素の形状はさらに明確な説明を強調するために誇張されたものであり、図面上で同じ符号で表示された要素は同じ要素を意味する。また、いずれかの層が他の層または基板の“上”にあると記載される場合に、前記いずれかの層は、前記他の層または基板に直接接触して存在でき、または、その間に第３の層が介在されうる。
【００１７】
図３は、本発明による半導体発光素子の断面図である。図３を参照すれば、本発明による半導体発光素子は、基板１００上にｎ型半導体層１２０、活性層１３０及びｐ型半導体層１４０を少なくとも含むエピ層１４２を含んで発光構造物をなしている。ｐ型半導体層１４０上にはｐ型電極１６０が形成されており、ｎ型半導体層１２０上にはｎ型電極１７０が形成されている。
【００１８】
図示のように、基板１００とｎ型半導体層１２０との間、及びｐ型半導体層１４０とｐ型電極１６０との間のうち少なくともいずれか一つに導電層をさらに含むことができる。基板１００とｎ型半導体層１２０との間の導電層はバッファ層１１０、ｐ型半導体層１４０とｐ型電極１６０との間の導電層は透明電極１５０である。
【００１９】
エピ層１４２の一部、例えば、活性層１３０とｐ型半導体層１４０、そして透明電極１５０の一部はメサエッチングで除去されて、底面に形成されたｎ型半導体層１２０の一部上面を露出させている。ｎ型電極１７０は、メサエッチングされて露出されたｎ型半導体層１２０上に形成される。この時、活性層１３０のエッジは、ｎ型半導体層１２０の四方エッジから所定間隔入り込んで形成することもあるが、これは、窒化物系半導体発光素子の駆動時、電流のフローを活性層１３０の全面、すなわち、発光面積全体に均一に拡散させるためである。そして透明電極１５０も、ｐ型半導体層１４０の四方エッジから所定間隔入り込んで形成できる。
【００２０】
基板１００は、窒化物半導体単結晶を成長させるのに適した基板であって、望ましくは、サファイアを含む透明な材料を利用して形成され、サファイア以外に酸化亜鉛（ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ、ＺｎＯ）、窒化ガリウム（ｇａｌｌｉｕｍ  ｎｉｔｒｉｄｅ、ＧａＮ）、ＳｉＣ及び窒化アルミニウム（ＡｌＮ）で形成できる。
【００２１】
バッファ層１１０は、基板１００上にｎ型半導体層１２０を成長させる前に基板１００との格子整合を向上させるための層であって、ＡｌＮ／ＧａＮで形成できる。バッファ層１１０は、本発明による発光素子の必須的な構成要素ではなく、発光素子の特性及び工程条件によって省略できる。
【００２２】
エピ層１４２のｎ型半導体層１２０と活性層１３０及びｐ型半導体層１４０は、ＩｎＸＡｌＹＧａ１−Ｘ−ＹＮ組成式（ここで、０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ≦１）を持つ半導体物質からなりうる。さらに具体的に、ｎ型半導体層１２０は、ｎ型不純物がドーピングされたＧａＮ層またはＧａＮ／ＡｌＧａＮ層からなり、ｎ型不純物としては、例えば、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎなどを使用し、望ましくはＳｉを主に使用する。また、ｐ型半導体層１４０は、ｐ型不純物がドーピングされたＧａＮ層またはＧａＮ／ＡｌＧａＮ層からなり、ｐ型不純物としては、例えば、Ｍｇ、Ｚｎ、Ｂｅなどを使用し、望ましくはＭｇを主に使用する。そして、活性層１３０は、光を生成して放出するための層であって、通常ＩｎＧａＮ層をウェルとし、ＧａＮ層を壁層として多重量子ウェルを形成することでなる。活性層１３０は、一つの量子ウェル層またはダブルヘテロ構造で構成されることもできる。バッファ層１１０、ｎ型半導体層１２０、活性層１３０及びｐ型半導体層１４０は、ＭＯＣＶＤ、ＭＢＥまたはＨＶＰＥなどの蒸着工程を通じて形成される。
【００２３】
透明電極１５０は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）などの導電性金属酸化物だけでなく、発光素子の発光波長に対して透過率が高いならば、導電性が高くてコンタクト抵抗の低い金属薄膜でも形成されうる。透明電極１５０も、本発明による発光素子の必須的な構成要素ではなく、発光素子の特性及び工程条件によって省略できる。
【００２４】
＜実施例１＞
図３及び図４を参照して本発明による半導体発光素子の電極構造について詳細に説明する。
【００２５】
図４は、本発明の第１実施例による半導体発光素子の電極構造を示す平面図である。図４のIII−III’線に沿って切断すれば図３に対応し、図４には、図３の透明電極１５０は省略してｐ型電極１６０とｎ型電極１７０とを示した。
【００２６】
図４から分かるように、ｐ型電極１６０は、ワイヤーボンディングが行われる領域であるｐ型電極パッド１５２を備える。ｐ型電極パッド１５２は、透明電極（図３の１５０）のエッジで一部領域をエッチングしてｐ型半導体層（図３の１４０）を露出させた位置に形成されるか、または透明電極１５０上にそのまま形成される。いかなる場合でも、ｐ型電極パッド１５２は、透明電極１５０下のｐ型半導体層１４０のエッジ上に形成される。ｐ型電極パッド１５２は、発光面積の損失を最小化するために半導体発光素子のエッジに隣接した領域上に形成されることが望ましく、本実施例では、縦（ｙ）＊横（ｘ）サイズが８００＊１０００（任意の単位）比率の長方形平面状の半導体発光素子である場合、なるべくｐ型電極パッド１５２をｙ軸に沿う縦方向の一側エッジ（第１エッジ）に形成し、図４に示す半導体発光素子の左側下端コーナーに近く配する。
【００２７】
ｎ型電極１７０は、ｐ型電極パッド１５２が載置された縦方向の一側エッジと対向する縦方向の他側エッジ（第２エッジ）に、ｎ型半導体層（図３の１２０）上に形成されたｎ型電極パッド１６２を備える。ｎ型電極パッド１６２は、ｐ型電極パッド１５２が位置するコーナーと対角線に置かれたコーナーにさらに近く配する。
【００２８】
ｎ型電極パッド１６２とｐ型電極パッド１５２とから、互いに逆になる極性の補助電極１５４ａ、１５４ｂ、１５４ｃ、１６４ａ、１６４ｂが延び出して互いに平行に載置される。補助電極１５４ａ、１５４ｂ、１５４ｃ、１６４ａ、１６４ｂは、半導体発光素子のｘ軸に沿う横方向のエッジと平行でなく斜線に傾いており、ほぼ線形である。傾いている角度は、横方向に対して０°より大きくて、４５°より小さいかまたは同じ角（θ）をなすことができる。
【００２９】
ｎ型電極パッド１６２から延び出した第１及び第２ｎ型補助電極１６４ａ、１６４ｂは、反対側のｐ型電極パッド１５２が置かれた縦方向の一側エッジに向かい、ｐ型電極パッド１５２から延び出した第１ないし第３ｐ型補助電極１５４ａ、１５４ｂ、１５４ｃは、反対側のｎ型電極パッド１６２が置かれた縦方向の他側エッジに向かっている。第１ｐ型補助電極１５４ａは、半導体発光素子のｘ軸に沿う横方向の一側エッジ（第３エッジ）に形成され、第３ｐ型補助電極１５４ｃは、半導体発光素子のｘ軸に沿う横方向の他側エッジ（第４エッジ）に形成され、第２ｐ型補助電極１５４ｂは、第１ｐ型補助電極１５４ａと第３ｐ型補助電極１５４ｃとの間に形成される。第１ｎ型補助電極１６４ａは、第１ｐ型補助電極１５４ａと第２ｐ型補助電極１５４ｂとの間に形成され、第２ｎ型補助電極１６４ｂは、第２ｐ型補助電極１５４ｂと第３ｐ型補助電極１５４ｃとの間に形成される。すなわち、互いに逆になる極性の補助電極１５４ａ、１５４ｂ、１５４ｃ、１６４ａ、１６４ｂの間の距離が一定に平行な構造を持ち、第１及び第２ｎ型補助電極１６４ａ、１６４ｂは、第１ないし第３ｐ型補助電極１５４ａ、１５４ｂ、１５４ｃの間に配され、ｐ型電極１６０とｎ型電極１７０とは互いにかみ合う構造で形成されている。
【００３０】
第１及び第２ｎ型補助電極１６４ａ、１６４ｂとｎ型電極パッド１６２とを連結するためにｎ型連結電極１６６が必要であり、第１ないし第３ｐ型補助電極１５４ａ、１５４ｂ、１５４ｃとｐ型電極パッド１５２とを連結するために第１及び第２ｐ型連結電極１５６ａ、１５６ｂが必要である。第１及び第２ｐ型連結電極１５６ａ、１５６ｂは、縦方向の一側エッジに向かって突出している曲線型に形成される。ｎ型連結電極１６６は、縦方向の他側エッジに沿って直線型に形成される。
【００３１】
本実施例でｎ型電極パッド１６２は、第１ｎ型補助電極１６４ａとｎ型連結電極１６６との連結部位の内側で、第１ｎ型補助電極１６４ａとｎ型連結電極１６６とに内接して位置する。ｐ型電極パッド１５２は、第３ｐ型補助電極１５４ｃと第２ｐ型連結電極１５６ｂとの連結部位の外側で、第３ｐ型補助電極１５４ｃと第２ｐ型連結電極１５６ｂとに外接して位置する。
【００３２】
第１ｐ型補助電極１５４ａはほぼ線形であるが、ｎ型電極パッド１６２に向かう端部は、図４に示した半導体発光素子の右側上端コーナーを取り囲んでｎ型電極パッド１６２が置かれる縦方向の他側エッジとほぼ平行に終わる曲線形状を持つ。第２ｐ型補助電極１５４ｂもほぼ線形であるが、ｎ型電極パッド１６２に近づくほどｎ型電極パッド１６２との距離が第２ｎ型補助電極１６４ｂとの距離とほぼ同一になるように、横方向に対して傾いている角度がさらに大きくなる。
【００３３】
ｐ型電極パッド１５２とｎ型電極パッド１６２との形態やサイズは同一にすることができ、補助電極１５４ａ、１５４ｂ、１５４ｃ、１６４ａ、１６４ｂと連結電極１５６ａ、１５６ｂ、１６６との線幅も同一にすることができる。線幅が大きい場合には電流を効果的に拡散させることができるが、光をさらに多く吸収するか、または遮断する。同様に、補助電極１５４ａ、１５４ｂ、１５４ｃ、１６４ａ、１６４ｂ間の間隔を短くするほど電流拡散が良くなるが、光吸収及び遮断が増大する。したがって、適正な線幅と間隔とを維持せねばならない。実際製造に当たっては、基板（図３の１００）上にエピ層１４２を形成して透明電極１５０を形成した後、透明電極１５０上にフォトレジストを利用したリフトオフ方式で金属を蒸着した後、剥離してｐ型電極１６０を形成する。次いで、活性層１３０、ｐ型半導体層１４０及び透明電極１５０をエッチングして、ｎ型電極１７０の形状に溝を掘ってｎ型電極１７０を形成する。ｐ型電極１６０とｎ型電極１７０との厚さを増大させれば抵抗は低減するが、コストアップ及び光吸収の問題があって、やはり適正な厚さを持つようにせねばならない。
【００３４】
本実施例によれば、図１及び図２を参照して説明した既存の発光素子１とは異なってｐ型電極１６０がｎ型電極１７０を包んでおり、ｐ型電極１６０とｎ型電極１７０との距離がほぼ均一である。このような構造を通じて電流密度がさらに均一になりうる。ｐ型電極１６０は、活性層１３０全体を通じて均一にｎ型電極１７０に電流を流して、活性層１３０の内部に電子及び正孔がほぼ均一に注入されうる。したがって、電子及び正孔が活性層１３０の内部で再結合してほぼ均一かつ高効率的に光を生成でき、発光面積全体にわたって電流の均一な拡散を図ることができる。
【００３５】
本発明によれば、不要な電極部位なしに実際的な発光面をさらに広げて発光効率をさらに向上させることができるという利点があり、かつ電流拡散に優れ、これにより動作電圧が低くなって発光効率が良くなる。
【００３６】
＜実施例２＞
図５は、本発明の第２実施例による半導体発光素子の電極構造を示す平面図である。図５に示したｐ型電極２６０とｎ型電極２７０とは、図４に図示したｐ型電極１６０とｎ型電極１７０とを代替して図３の半導体発光素子に適用できる。
【００３７】
図５に示したように、ｐ型電極２６０は、ワイヤーボンディングが行われる領域であるｐ型電極パッド２５２を備える。ｐ型電極パッド２５２は、透明電極（図３の１５０）のエッジで一部領域をエッチングしてｐ型半導体層（図３の１４０）を露出させた位置に形成されるか、または透明電極１５０上にそのまま形成される。いかなる場合でもｐ型電極パッド２５２は、透明電極１５０下のｐ型半導体層１４０エッジ上に形成される。ｐ型電極パッド２５２は、発光面積の損失を最小化するために半導体発光素子のエッジに隣接した領域上に形成されることが望ましく、本実施例では、縦（ｙ）＊横（ｘ）サイズが８００＊１０００（任意の単位）比率の長方形平面状を持つ半導体発光素子である場合、なるべくｐ型電極パッド２５２をｙ軸に沿う縦方向の一側エッジに形成しつつほぼ中央に配する。
【００３８】
ｎ型電極２７０は、ｐ型電極パッド２５２が置かれた縦方向の一側エッジと対向する縦方向の他側エッジに、ｎ型半導体層（図３の１２０）上に形成されたｎ型電極パッド２６２を備える。ｎ型電極パッド２６２は、図５に示す半導体発光素子の右側下端コーナーにさらに近く配する。
【００３９】
ｎ型電極パッド２６２とｐ型電極パッド２５２とから、互いに逆になる極性の補助電極２５４ａ、２５４ｂ、２５４ｃ、２６４ａ、２６４ｂが延び出して互いに平行に置かれる。補助電極２５４ａ、２５４ｂ、２５４ｃ、２６４ａ、２６４ｂは、半導体発光素子のｘ軸に沿う横方向エッジと平行せずに斜線に傾いており、線形である。
【００４０】
ｎ型電極パッド２６２から延び出した第１及び第２ｎ型補助電極２６４ａ、２６４ｂは、反対側のｐ型電極パッド２５２が置かれた縦方向の一側エッジに向かい、ｐ型電極パッド２５２から延び出した第１ないし第３ｐ型補助電極２５４ａ、２５４ｂ、２５４ｃは、反対側のｎ型電極パッド２６２が置かれた縦方向の他側エッジに向かっている。第１ｐ型補助電極２５４ａは、半導体発光素子のｘ軸に沿う横方向の一側エッジに形成され、第３ｐ型補助電極２５４ｃは、半導体発光素子のｘ軸に沿う横方向の他側エッジに形成され、第２ｐ型補助電極２５４ｂは、第１ｐ型補助電極２５４ａと第３ｐ型補助電極２５４ｃとの間に形成される。第１ｎ型補助電極２６４ａは、第１ｐ型補助電極２５４ａと第２ｐ型補助電極２５４ｂとの間に形成され、第２ｎ型補助電極２６４ｂは、第２ｐ型補助電極２５４ｂと第３ｐ型補助電極２５４ｃとの間に形成される。すなわち、互いに逆になる極性の補助電極２５４ａ、２５４ｂ、２５４ｃ、２６４ａ、２６４ｂ間の距離が一定に平行な構造を持ち、第１及び第２ｎ型補助電極２６４ａ、２６４ｂは第１ないし第３ｐ型補助電極２５４ａ、２５４ｂ、２５４ｃの間に配され、ｐ型電極２６０とｎ型電極２７０とは互いにかみ合う構造で形成されている。
【００４１】
第１及び第２ｎ型補助電極２６４ａ、２６４ｂとｎ型電極パッド２６２とを連結するために、ｎ型連結電極２６６が必要であり、第１ないし第３ｐ型補助電極２５４ａ、２５４ｂ、２５４ｃとｐ型電極パッド２５２とを連結するために、第１及び第２ｐ型連結電極２５６ａ、２５６ｂが必要である。第１及び第２ｐ型連結電極２５６ａ、２５６ｂは、縦方向の一側エッジに向かって突設される。第１及び第２ｐ型連結電極２５６ａ、２５６ｂの形態は互いに異なる。突設部分が曲線型である場合もあり、曲線と直線との組み合わせである場合もある。ｎ型連結電極２６６は、縦方向の他側エッジに沿って直線型に形成される。
【００４２】
本実施例でｎ型電極パッド２６２は、第２ｎ型補助電極２６４ｂとｎ型連結電極２６６との連結部位の外側で、第２ｎ型補助電極２６４ｂに外接して位置する。ｐ型電極パッド２５２は、第２ｐ型補助電極２５４ｂと第２ｐ型連結電極２５６ｂとの連結部位の内側で、第２ｐ型補助電極２５４ｂと第２ｐ型連結電極２５６ｂとに内接して位置する。
【００４３】
第１ｐ型補助電極２５４ａは、ほぼ線形であるが、縦方向の他側エッジに向かう端部は、第１ｎ型補助電極２６４ａと図５に示す半導体発光素子の右側上端コーナーとの間の空間を取り囲んで横方向のエッジで終わる形状を持つように、部分的に直線と曲線との連結形態を持つ。第２ｎ型補助電極２６４ｂは第２ｐ型補助電極２５４ｂとほぼ平行であるが、ｐ型電極パッド２５２に近づくほどｐ型電極パッド２５２との距離が第３ｐ型補助電極２５４ｃとの距離とほぼ同一になるように、横方向に対して傾いている角度が変化する。第３ｐ型補助電極２５４ｃは、第２ｎ型補助電極２６４ｂとほぼ平行を維持できるように形成される。
【００４４】
＜実施例３＞
図６は、本発明の第３実施例による半導体発光素子の電極構造を示す平面図である。図６に示したｐ型電極３６０とｎ型電極３７０とは、図４に図示したｐ型電極１６０とｎ型電極１７０とを代替して図３の半導体発光素子に適用できる。
【００４５】
図６に示したように、ｐ型電極３６０は、ワイヤーボンディングが行われる領域であるｐ型電極パッド３５２を備える。ｐ型電極パッド３５２は、透明電極（図３の１５０）のエッジで一部領域をエッチングしてｐ型半導体層（図３の１４０）を露出させた位置に形成されるか、または透明電極１５０上にそのまま形成される。いかなる場合でも、ｐ型電極パッド３５２は、透明電極１５０下のｐ型半導体層１４０エッジ上に形成される。ｐ型電極パッド３５２は、発光面積の損失を最小化するために半導体発光素子のエッジに隣接した領域上に形成されることが望ましく、本実施例では、縦（ｙ）＊横（ｘ）サイズが８００＊１０００（任意の単位）比率の長方形平面状を持つ半導体発光素子である場合、なるべくｐ型電極パッド３５２をｙ軸に沿う縦方向の一側エッジに形成し、ほぼ中央に配する。
【００４６】
ｎ型電極３７０は、ｐ型電極パッド３５２が置かれた縦方向の一側エッジと対向する縦方向の他側エッジに、ｎ型半導体層（図３の１２０）上に形成されたｎ型電極パッド３６２を備える。ｎ型電極パッド３６２は、図６に示す半導体発光素子の右側上端コーナーにさらに近く配する。
【００４７】
ｎ型電極パッド３６２とｐ型電極パッド３５２とから、互いに逆になる極性の補助電極３５４ａ、３５４ｂ、３５４ｃ、３６４ａ、３６４ｂが延び出して互いに平行に置かれる。補助電極３５４ａ、３５４ｂ、３５４ｃ、３６４ａ、３６４ｂは、半導体発光素子のｘ軸に沿う横方向エッジと平行せずに斜線に傾いており、ほぼ線形である。
【００４８】
ｎ型電極パッド３６２から延び出した第１及び第２ｎ型補助電極３６４ａ、３６４ｂは、反対側のｐ型電極パッド３５２が置かれた縦方向の一側エッジに向かい、ｐ型電極パッド３５２から延び出した第１ないし第３ｐ型補助電極３５４ａ、３５４ｂ、３５４ｃは、反対側のｎ型電極パッド３６２が置かれた縦方向の他側エッジに向かっている。第１ｐ型補助電極３５４ａは、半導体発光素子のｘ軸に沿う横方向の一側エッジに形成され、第３ｐ型補助電極３５４ｃは、半導体発光素子のｘ軸に沿う横方向の他側エッジに形成され、第２ｐ型補助電極３５４ｃは、第１ｐ型補助電極３５４ａと第３ｐ型補助電極３５４ｃとの間に形成される。第１ｎ型補助電極３６４ａは、第１ｐ型補助電極３５４ａと第２ｐ型補助電極３５４ｃとの間に形成され、第２ｎ型補助電極３６４ｂは、第２ｐ型補助電極３５４ｃと第３ｐ型補助電極３５４ｃとの間に形成される。すなわち、互いに逆になる極性の補助電極３５４ａ、３５４ｂ、３５４ｃ、３６４ａ、３６４ｂ間の距離が一定に平行な構造を持ち、第１及び第２ｎ型補助電極３６４ａ、３６４ｂは第１ないし第３ｐ型補助電極３５４ａ、３５４ｂ、３５４ｃの間に配され、ｐ型電極３６０とｎ型電極３７０とは互いにかみ合う構造で形成されている。
【００４９】
第１及び第２ｎ型補助電極３６４ａ、３６４ｂとｎ型電極パッド３６２とを連結するために、ｎ型連結電極３６６が必要であり、第１ないし第３ｐ型補助電極３５４ａ、３５４ｂ、３５４ｃとｐ型電極パッド３５２とを連結するために、第１及び第２ｐ型連結電極３５６ａ、３５６ｂが必要である。第１及び第２ｐ型連結電極３５６ａ、３５６ｂは、縦方向の一側エッジに向かって突設される。第１及び第２ｐ型連結電極３５６ａ、３５６ｂの形態は互いに異なっている。突出している部分が曲線型である場合もあり、曲線と直線との組み合わせである場合もある。ｎ型連結電極３６６は、縦方向の他側エッジに沿って直線型に形成される。
【００５０】
本実施例でｎ型電極パッド３６２は、第１ｎ型補助電極３６４ａとｎ型連結電極３６６との連結部位の外側で第１ｎ型補助電極３６４ａに外接して位置する。ｐ型電極パッド３５２は、第２ｐ型連結電極３５６ｂに外接して位置する。
【００５１】
第１ｐ型補助電極３５４ａはほぼ線形であるが、縦方向の他側エッジに向かう端部は、ｎ型電極パッド３６２との間隔が一定になるように曲線形状を持つ。これと類似した形態で第３ｐ型連結電極３５６ｃが、図６に示した半導体発光素子の左側下端コーナーに形成される。第３ｐ型補助電極３５４ｃの端部が横方向エッジに近づけば、図４の第３ｐ型補助電極１５４ｃのように縦断されてもよいが、図６に図示したように横方向エッジと平行に一部延び出す部分を持ってもよい。
【００５２】
＜実施例４＞
図７は、本発明の第４実施例による半導体発光素子の電極構造を示す平面図である。図７に示したｐ型電極４６０とｎ型電極４７０とは、図４に図示したｐ型電極１６０とｎ型電極１７０とを代替して図３の半導体発光素子に適用できる。
【００５３】
図７に示したように、ｐ型電極４６０は、ワイヤーボンディングが行われる領域である第１及び第２ｐ型電極パッド４５２ａ、４５２ｂを備える。第１及び第２ｐ型電極パッド４５２ａ、４５２ｂは、透明電極（図３の１５０）のエッジで一部領域をエッチングしてｐ型半導体層（図３の１４０）を露出させた位置に形成されるか、または透明電極１５０上にそのまま形成される。いかなる場合でも第１及び第２ｐ型電極パッド４５２ａ、４５２ｂは、透明電極１５０下のｐ型半導体層１４０エッジ上に形成される。第１及び第２ｐ型電極パッド４５２ａ、４５２ｂは、発光面積の損失を最小化するために半導体発光素子のエッジに隣接した領域上に形成されることが望ましく、本実施例では、縦（ｙ）＊横（ｘ）サイズが８００＊１０００（任意の単位）比率の長方形平面状を持つ半導体発光素子である場合、なるべく第１及び第２ｐ型電極パッド４５２ａ、４５２ｂをｙ軸に沿う縦方向の一側エッジに形成し、それぞれコーナーに配する。
【００５４】
ｎ型電極４７０は、第１及び第２ｐ型電極パッド４５２ａ、４５２ｂが置かれた縦方向の一側エッジと対向する縦方向の他側エッジに、ｎ型半導体層（図３の１２０）上に形成された第１及び第２ｎ型電極パッド４６２ａ、４６２ｂを備える。第１及び第２ｎ型電極パッド４６２ａ、４６２ｂは、図７に示したように両コーナーよりは中央にさらに近く配する。
【００５５】
第１及び第２ｎ型電極パッド４６２ａ、４６２ｂと第１及び第２ｐ型電極パッド４５２ａ、４５２ｂとから、互いに逆になる極性の補助電極４５４ａ、４５４ｂ、４５４ｃ、４６４ａ、４６４ｂが延び出して互いに平行に置かれる。補助電極４５４ａ、４５４ｂ、４５４ｃ、４６４ａ、４６４ｂは、半導体発光素子のｘ軸に沿う横方向エッジと平行し、ほぼ線形である。
【００５６】
第１及び第２ｎ型電極パッド４６２ａ、４６２ｂから延び出した第１及び第２ｎ型補助電極４６４ａ、４６４ｂは、反対側の第１及び第２ｐ型電極パッド４５２ａ、４５２ｂが置かれた縦方向の一側エッジに向かい、第１及び第２ｐ型電極パッド４５２ａ、４５２ｂから延び出した第１ないし第３ｐ型補助電極４５４ａ、４５４ｂ、４５４ｃは、反対側の第１及び第２ｎ型電極パッド４６２ａ、４６２ｂが置かれた縦方向の他側エッジに向かっている。第１ｐ型補助電極４５４ａは、半導体発光素子のｘ軸に沿う横方向の一側エッジに形成され、第３ｐ型補助電極４５４ｃは、半導体発光素子のｘ軸に沿う横方向の他側エッジに形成され、第２ｐ型補助電極４５４ｂは、第１ｐ型補助電極４５４ａと第３ｐ型補助電極４５４ｃとの間に形成される。第１ｎ型補助電極４６４ａは、第１ｐ型補助電極４５４ａと第２ｐ型補助電極４５４ｂとの間に形成され、第２ｎ型補助電極４６４ｂは、第２ｐ型補助電極４５４ｂと第３ｐ型補助電極４５４ｃとの間に形成される。すなわち、互いに逆になる極性の補助電極４５４ａ、４５４ｂ、４５４ｃ、４６４ａ、４６４ｂ間の距離が一定に平行な構造を持ち、第１及び第２ｎ型補助電極４６４ａ、４６４ｂは第１ないし第３ｐ型補助電極４５４ａ、４５４ｂ、４５４ｃの間に配され、ｐ型電極４６０とｎ型電極４７０とは互いにかみ合う構造で形成されている。
【００５７】
本実施例では、第１及び第２ｎ型電極パッド４６２ａ、４６２ｂを互いに連結するためのｎ型連結電極がない。第１ないし第３ｐ型補助電極４５４ａ、４５４ｂ、４５４ｃと第１及び第２ｐ型電極パッド４５２ａ、４５２ｂとを連結するために、第１及び第２ｐ型連結電極４５６ａ、４５６ｂが必要である。第１及び第２ｐ型連結電極４５６ａ、４５６ｂは、縦方向の一側エッジに向かって突設される。第１及び第２ｐ型連結電極４５６ａ、４５６ｂの形態は互いに異なっている。突出している部分が曲線型である場合もあり、曲線と直線との組み合わせである場合もある。
【００５８】
本実施例で第１及び第２ｐ型電極パッド４５２ａ、４５２ｂは、第１及び第２ｐ型連結電極４５６ａ、４５６ｂに外接して両コーナーにそれぞれ位置する。
【００５９】
第１ｐ型補助電極４５４ａはほぼ線形であるが、縦方向の他側エッジに向かう端部は、第１ｎ型電極パッド４６２ａとの間隔が一定になるように曲線形状を持つ。これと類似した形態で第３ｐ型補助電極４５４ｃもほぼ線形であるが、縦方向の他側エッジに向かう端部は、第２ｎ型電極パッド４６２ｂとの間隔が一定になるように曲線形状を持つ。
【００６０】
本実施例では電極パッドが複数であるが、第１及び第２ｐ型電極パッド４５２ａ、４５２ｂ同士で連結されており、第１及び第２ｎ型電極パッド４６２ａ、４６２ｂ同士では連結されていない。電極パッド同士で全部連結することはしないことで不要な電極を最小化して、実際的な発光面をさらに広げて光変換効率を高めることができる。
【００６１】
コンピューターシミュレーションによれば、実施例１の駆動電圧Ｖｆは約３．２５Ｖであり、光出力Ｐｏは約１４３ｍＷであり、実施例２及び３の駆動電圧と光出力もこれら値とほぼ同一である。駆動電圧は従来技術に比べて非常に低い。したがって、光変換効率（光出力／入力電流）が従来技術に比べてさらに高い。
【００６２】
実施例１と実施例２との差は、ｐ型電極パッドとｎ型電極パッドとの位置選定である。すなわち、実施例１の場合、ｐ型電極パッドがコーナーにあってｎ型電極パッドがほぼ中央にあるが、実施例２の場合はそれと逆に、ｎ型電極パッドがコーナーにあってｐ型電極パッドがほぼ中央にある構造である。実施例１及び２で駆動電圧と光出力とがほぼ同一であることから、実施例１及び２のような電極構造の場合、ｐ型電極パッドとｎ型電極パッドとの位置選定は互いに変わっても、半導体発光素子特性はほとんど変化がないと判断される。一方、実施例１ないし３で基板１００の厚さをさらに薄くすれば、光出力値が約１４０ｍＷになって放熱特性が改善される。
【００６３】
実施例４の場合は、放熱特性を改善するために基板１００の厚さは実施例１ないし３と同一に維持する代わりに、ｐ型電極パッドとｎ型電極パッドとを２個ずつ備えたことである。この場合、駆動電圧は約３．２０Ｖとさらに低くなり、光出力は約１３３ｍＷになる。
【００６４】
一方、実施例では半導体発光素子が長方形平面状を持つ場合を挙げて説明したが、横及び縦サイズの同じ正方形平面状の半導体発光素子にも、本発明による電極構造を利用できる。
【００６５】
以上、本発明を望ましい実施例を挙げて詳細に説明したが、本発明は前記実施例に限定されず、本発明の技術的思想内で当業者によって色々な多くの変形が可能であるということはいうまでもない。本発明の実施例は例示的かつ非限定的にあらゆる観点で考慮され、これは、詳細な説明よりは特許請求の範囲と、その特許請求の範囲の均等範囲及び手段内のあらゆる変形例とにより現れた本発明の範ちゅうを含めようとすることである。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明は、ＬＥＤ及びＬＤなどの半導体発光素子関連の技術分野に好適に用いられる。
【符号の説明】
【００６７】
１５２  ｐ型電極パッド
１５４ａ、１５４ｂ、１５４ｃ  第１ないし第３ｐ型補助電極
１５６ａ、１５６ｂ  第１及び第２ｐ型連結電極
１６０  ｐ型電極
１６２  ｎ型電極パッド
１６４ａ、１６４ｂ  第１及び第２ｎ型補助電極
１６６  ｎ型連結電極
１７０  ｎ型電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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