(57)【要約】      （修正有）【課題】導電性または半導体材料（Ｍ）の表面にレセプター分子（Ｒ）を共有グラフトさせることによって、導電性または半導体材料（Ｍ）を官能基化する方法を提供する。【解決手段】次のステップにより官能化する。（ｉ）材料（Ｍ）の両側に配置したソース電極およびドレイン電極の端子間に、分子（Ｒ）のグラフト反応に対して材料（Ｍ）を熱活性化するのに十分な電位差を印加するステップ；ならびに（ｉｉ）こうして活性化された材料（Ｍ）を、レセプター分子（Ｒ）を含有する液体またはガス状の媒体に接するように置き、それによって、共有グラフトされたレセプター分子（Ｒ）で官能基化された材料（Ｍ）を得るステップを含む方法に関する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性または半導体材料（Ｍ）の表面にレセプター分子（Ｒ）を共有グラフトさせることによって、導電性または半導体材料（Ｍ）を官能基化する方法であって、
ｉ）材料（Ｍ）の両側に配置したソース電極およびドレイン電極の端子間に、分子（Ｒ）のグラフト反応に対して材料（Ｍ）を熱活性化するのに十分な電位差を印加するステップ；ならびに
ｉｉ）こうして活性化された材料（Ｍ）を、レセプター分子（Ｒ）を含有する液体またはガス状の媒体に接するように置き、それによって、共有グラフトされたレセプター分子（Ｒ）で官能基化された材料（Ｍ）を得るステップ
を含む方法。
【請求項２】
材料（Ｍ）が、半導体である、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
半導体が、炭素、ケイ素、ゲルマニウム、亜鉛、ガリウム、インジウム、もしくはカドミウムベースの材料、または有機半導体である、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
半導体が、ケイ素ベースである、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
材料（Ｍ）が、シリコンナノワイヤまたはナノシートを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
材料（Ｍ）が、炭素ベースである、請求項３に記載の方法。
【請求項７】
材料（Ｍ）が、カーボンナノチューブまたはシートを含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
レセプター分子（Ｒ）が、−Ｃ≡Ｃ−または−ＨＣ＝ＣＨ−基を含む、請求項４に記載の方法。
【請求項９】
レセプター分子が、エチニルフェロセンまたは４−エチニルタビノールから選択される、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
レセプター分子が、ジアゾニウム塩、トリアゼン、またはジエンを含む、請求項６または７に記載の方法。
【請求項１１】
レセプター分子が、ジアゾニウムフェロセンまたは４−ジアゾベンジルタビノールから選択される、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
請求項１から１１に記載の方法を使用して得られるレセプター官能基（Ｒ）をグラフトさせることによって官能基化された導電性または半導体材料（Ｍ）。
【請求項１３】
導電性または半導体材料（Ｍ）によって隔離されたドレイン電極およびソース電極を含む化学センサであって、材料（Ｍ）が請求項１２に記載の材料である、化学センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電性または半導体材料を選択的に官能基化する方法、この方法を使用して得られる材料、ならびに対象となる分子を検出および／または定量するためのデバイス（化学センサ）におけるこれらの材料の使用に関する。
【背景技術】
【０００２】
ナノワイヤベースの化学センサには、ここ数年間、大きな関心が寄せられており、多くの開発がなされて、文献に報告されている。具体的には、シリコンナノワイヤを使用するセンサは、タンパク質溶液のｐＨ（Ｙ．Ｃｕｉ；Ｑ．Ｗｅｉ；Ｈ．Ｐａｒｋ；Ｃ．Ｍ．Ｌｉｅｂｅｒ；Ｓｃｉｅｎｃｅ、２００１年、２９３、１２８９〜１２９２頁）、あるいはガス分子（Ｘ．Ｔ．Ｚｈｏｕ；Ｊ．Ｑ．Ｈｕ；Ｃ．Ｐ．Ｌｉ；Ｄ．Ｄ．Ｍａ；Ｃ．Ｓ．Ｌｅｅ；Ｓ．Ｔ．Ｌｅｅ；Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．、２００３年、３６９、２２０〜２２４頁）、および対象となる他の分子の検出に関して記載されている。これらのシリコンナノワイヤベースのセンサの検出メカニズムは、一般に、帯電した化学的分子または生物学的分子がナノワイヤ表面上に存在する状態でのこれらのナノワイヤの導電率の変化に基づいている。
【０００３】
これらの標的分子の検出は、一般に、シリコンナノワイヤ表面が、検出される標的分子と特異的に相互作用することができる「プローブ」分子によって適切に化学的官能基化された後でのみ可能になる。通常、これらのセンサは、マトリクスの形をとり、この場合、ナノワイヤの選択的官能基化が不可欠である。
【０００４】
表面官能基化の局在化を目的とするいくつかの方法は、文献に記載されており、具体的には、プローブ分子（またはレセプター分子）とナノワイヤとの間の静電引力に基づく方法：疎水性フィルムのフォトリソグラフィー；マイクロコンタクトプリンティング；ディップペンナノリソグラフィー；および電気化学的方法である。
【０００５】
しかし、静電引力に基づく方法では、表面修飾の高選択性を周囲領域に対して得ることができず、中性または弱帯電性のレセプター分子のグラフトに使用することはできない。
【０００６】
フォトリソグラフィー方法およびマイクロコンタクトプリンティング方法では、超微細な、特にナノスケールの局在化はできない。
【０００７】
さらに、プリンティング技術はまた、組立て式マイクロ／ナノ構造を正確に配列させる必要がある。ディップペンナノリソグラフィーは、選択的表面官能基化の局在化、およびグラフトされ得る分子に関して優れた適応性をもたらす。しかし、この技術は、高価な装置を使用する必要があり、大規模な表面官能基化には適していない。最後に、電気化学的方法は、官能基の選択によって制限されており、酸化還元的性質を有していなければならない。
【０００８】
より最近では、ジュール効果を使用してシリコンナノワイヤを選択的に官能基化する方法が報告されている。より正確には、この方法は、シリコンナノワイヤの端子間に電界を印加したときに生じる非常に局在的なナノスケールのジュール加熱に基づいている（Ｉｎｋｙｕ  Ｐａｒｋ；Ｚｈｉｙｏｎｇ  Ｌｉ；Ａｌｂｅｒｔ  Ｐ．ＰｉｓａｎｏおよびＲ．Ｓｔａｎｌｅｙ  Ｗｉｌｌｉａｍｓ；Ｎａｎｏ  Ｌｅｔｔ．、２００７年、７（１０）、３１０６〜３１１１頁）。この非常に局在的な加熱は、シリコンナノワイヤの事前選択した部分を覆う保護ポリマーフィルムを選択的に除去するのに使用することができる。適切な後続処理後、こうして露出させた表面を化学的分子で官能基化することができ、一方、ナノワイヤの他の隣接部分は、化学的に不活性なポリマーフィルムによって保護され続ける。
【０００９】
しかし、この表面官能基化方法は、シリコンナノワイヤをポリマーフィルムでコーティングする事前ステップと、必要に応じて、表面官能基化を行った後に保護ポリマーフィルムを除去するステップとが必要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】仏国特許出願公開第２９３４６８５号
【非特許文献】
【００１１】
【非特許文献１】Ｙ．Ｃｕｉ；Ｑ．Ｗｅｉ；Ｈ．Ｐａｒｋ；Ｃ．Ｍ．Ｌｉｅｂｅｒ；Ｓｃｉｅｎｃｅ、２００１年、２９３、１２８９〜１２９２頁
【非特許文献２】Ｘ．Ｔ．Ｚｈｏｕ；Ｊ．Ｑ．Ｈｕ；Ｃ．Ｐ．Ｌｉ；Ｄ．Ｄ．Ｍａ；Ｃ．Ｓ．Ｌｅｅ；Ｓ．Ｔ．Ｌｅｅ；Ｃｈｅｍ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．、２００３年、３６９、２２０〜２２４頁
【非特許文献３】Ｉｎｋｙｕ  Ｐａｒｋ；Ｚｈｉｙｏｎｇ  Ｌｉ；Ａｌｂｅｒｔ  Ｐ．ＰｉｓａｎｏおよびＲ．Ｓｔａｎｌｅｙ  Ｗｉｌｌｉａｍｓ；Ｎａｎｏ  Ｌｅｔｔ．、２００７年、７（１０）、３１０６〜３１１１頁
【非特許文献４】Ｉｎｋｙｕ  Ｐａｒｋ；Ｚｈｉｙｏｎｇ  Ｌｉ；Ａｌｂｅｒｔ  Ｐ．ＰｉｓａｎｏおよびＲ．Ｓｔａｎｌｅｙ  Ｗｉｌｌｉａｍｓ；Ｎａｎｏ  Ｌｅｔｔ．、２００７年、７（１０）、３１０６〜３１１１頁
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【００１２】
今回、新規な方法を開発したことにより、導電性または半導体材料の表面を、ナノスケールで選択的に官能基化することが可能になった。より正確には、この方法は、ジュール加熱によって局在的に生成される熱エネルギーを使用して、導電性または半導体材料を化学反応に対して活性化させる。
【００１３】
したがって、シリコンナノワイヤなどの半導体材料の両側に配置した２個の電極端子に電位差を印加したとき、電気エネルギーの一部は、ジュール加熱によって熱エネルギーに変換される。次いで、グラフトされるレセプター分子を含有する溶液またはガスを局在的に加熱して、ナノワイヤを抵抗器に変換する。
【００１４】
有利なことに、この方法により、電気的に、したがって熱的に活性化されたナノワイヤしかレセプター分子によって官能基化されないという点で非常に選択的な表面官能基化が可能になる。
【００１５】
さらに、この容易に実施される方法は、少数のステップで行うことができる。したがって、この方法は、選択的に官能基化される材料上にポリマーフィルムを事前付着させる必要は特にない。さらに、この方法は、容易に工業規模に拡大することができる。
【００１６】
したがって、本発明の第１の主題は、導電性または半導体材料（Ｍ）の表面にレセプター分子（Ｒ）を共有グラフトさせることによって、導電性または半導体材料（Ｍ）を官能基化する方法であって、前記方法が、次のステップ：
ｉ）材料（Ｍ）の両側に配置したソース電極およびドレイン電極の端子間に、分子（Ｒ）のグラフト反応に対して材料（Ｍ）を熱活性化するのに十分な電位差を印加するステップ；ならびに
ｉｉ）こうして活性化された材料（Ｍ）を、レセプター分子（Ｒ）を含有する液体またはガス状の媒体に接するように置き、それによって、共有グラフトされたレセプター分子（Ｒ）で官能基化された材料（Ｍ）を得るステップ
を含む方法に関する。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明による表面官能基化方法の概略図を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
導電性または半導体材料（Ｍ）
一態様によれば、材料（Ｍ）は、ナノ材料、すなわち、少なくとも１つのナノスケールな形態的特徴を有する材料、すなわち、材料の一次元が１００ｎｍ未満のものである。典型的なナノ材料として、ナノワイヤ、ナノシート、またはナノチューブ、具体的には、シリコンナノワイヤおよびカーボンナノチューブを挙げることができる。
【００１９】
材料（Ｍ）は、導電性材料でも半導体材料でもよい。
【００２０】
好ましい一態様によれば、材料（Ｍ）は、半導体、特に、炭素、ケイ素、ゲルマニウム、亜鉛、ガリウム、インジウム、もしくはカドミウムベースの材料、または有機半導体である。
【００２１】
好ましい一態様によれば、半導体は、ケイ素ベースの材料、特に、１種もしくは複数のシリコンナノワイヤもしくはナノシートを含む、またはそれから形成されている材料、あるいは炭素ベースの材料、特に、カーボンナノチューブもしくはカーボンシートを含む、またはそれから形成されている材料である。
【００２２】
好ましくは、材料（Ｍ）は、その材料の総質量に対してシリコンを少なくとも３０ｗｔ％、好ましくは少なくとも５０ｗｔ％、より好ましくは７５ｗｔ％含む材料である。
【００２３】
より好ましくは、半導体材料は、ＳＯＩ（シリコンオンインシュレータ）表面にエッチングされたもう１つのシリコンナノワイヤから形成されている。
【００２４】
特に好ましい一実施形態によれば、材料（Ｍ）は、いくつかの他のシリコンナノワイヤを含有するマトリクス中にあるシリコンナノワイヤである。有利なことに、本発明の方法は、様々なシリコンナノワイヤを区別し、これらのナノワイヤの１本または複数を選択的に官能基化することを可能にする。
【００２５】
有機半導体の場合、材料（Ｍ）は、オリゴマー、ポリマー、または小分子の有機半導体とすることができる。例えば、それらは、チオフェンおよびその誘導体、好ましくは、Ｐ３ＨＴ（ポリ（３−ヘキシルチオフェン））；ポリピロールおよびその誘導体；アリールアミンおよびその誘導体、好ましくは、ＰＴＡ（ポリトリアリールアミン）；イソクロマノンおよびその誘導体；ポルフィリンなどの複素環大環状物；またはフタロシアニンおよびその誘導体などの複素環芳香族化合物とすることができる。有機半導体材料はまた、多環式芳香族アセンおよびその誘導体、好ましくは、アントラセンもしくはペンタセン；アリーレンおよびその誘導体、例えば、ペリレン、ポリパラフェニレン、ポリ（ｐ−フェニレンビニレン）、もしくはポリフルオレン；またはポリシランおよびその誘導体とすることができる。
レセプター分子のグラフト反応
ここで使用する表現「レセプター分子」は、標的分子、例えば、生物学的分子または分析物と相互作用することができる分子を意味すると理解されたい。レセプター分子は、特に、検出される標的分子を確実に認識することができる部分（Ａ）と、材料（Ｍ）が活性化されたときに材料（Ｍ）の表面と共有結合することができる反応性官能基（Ｘ）とを含むことができる。特異的認識を確実にする部分（Ａ）は、特に、ポリヌクレオチド、ポリペプチド、アプタマー、生物学的なレセプターまたはリガンドを含むことができる。
【００２６】
表現「分子（Ｒ）のグラフト反応に対して材料（Ｍ）を熱活性化するのに十分な電位差」は、ここでは、ジュール加熱によって生成された熱エネルギーが、材料（Ｍ）を、材料（Ｍ）上に分子（Ｒ）をグラフトさせる反応を活性化させるのに十分高い温度（Ｔ）に加熱することを意味すると理解されたい。ステップ（ｉｉ）では、この電位差は、ステップ（ｉ）で活性化させた材料（Ｍ）を、レセプター分子（Ｒ）を含有する媒体と、前記活性化温度（Ｔ）以上の温度において接触させるように維持される。
【００２７】
前記電位差を印加することによって材料（Ｍ）を活性化させるステップ（ｉ）は、ステップ（ｉｉ）、すなわち、レセプター分子（Ｒ）を含有する媒体との接触の前、後、または同時に行うことができる。
【００２８】
好ましくは、材料（Ｍ）を、レセプター分子（Ｒ）を含有する液体媒体、特に、メシチレンなどの有機溶媒における（Ｒ）の溶液と接触させる。
【００２９】
材料（Ｍ）がケイ素ベースの場合、グラフト反応は、特に、ヒドロシリル化、すなわち、ヒドロシラン（Ｓｉ−Ｈ）官能基を、不飽和の有機官能基Ｘ、具体的には、エチレン（Ｃ＝Ｃ二重結合）またはアセチレン（Ｃ≡Ｃ三重結合）官能基を含むレセプター分子に加える反応である。次いで、グラフト反応は、一般に、材料（Ｍ）とレセプター分子との間で形成されているＳｉ−Ｃ共有結合をもたらす。材料（Ｍ）が２００℃超の温度に局所的に達したとき、ヒドロシリル化は特に活性化され得る。
【００３０】
好ましくは、材料がシリコンナノワイヤをベースとする場合、電位差の絶対値は、２〜１０Ｖ、特に約５Ｖである。
【００３１】
好ましい一変形によれば、レセプター分子（Ｒ）は、−Ｃ≡Ｃ−および−ＨＣ＝ＣＨ−基から選択される基Ｘ、好ましくは、Ａｒ−Ｃ≡Ｃ−基（ＡｒはＣ５〜Ｃ１０アリールを表す）を含む。レセプター分子は、好ましくは、エチニルフェロセンおよび４−エチニルタビノール（ｅｔｈｙｎｙｌｔａｂｉｎｏｌ）から選択される。
【００３２】
別の一変形によれば、レセプター分子は、ジアゾニウム塩、トリアゼン、またはジエンを含む。この状況では、レセプター分子は、好ましくは、ジアゾニウムフェロセンまたは４−ジアゾベンジルタビノール（ｄｉａｚｏｂｅｎｚｙｌｔａｂｉｎｏｌ）から選択される。
【００３３】
これは、４−エチニルタビノールが有機リン化合物の特異的なレセプターだからである。このレセプター分子を有機リン化合物に触れさせると、第一級アルコールと有機リン化合物との間の反応によって形成される不安定な中間体のリン酸エステルが生じる。中間体リン酸エステルの第三級アミンによる求核置換、および第四級アンモニウムの形成を経て、分子内環化が続く。環化反応中に塩が形成され、その結果、分離された電荷（陽イオンおよび陰イオン）が生じる。アンモニウム官能基の生成を介した電荷の発生によって、分子の静電環境を急激に変えることが可能になる。したがって、「レセプター」分子が半導体材料上にグラフトされている電気的デバイスの抵抗、導電率、または相互導電率における変化を分析して、局在的な静電環境の変化を視覚化することによって、有機リン化合物の存在が実証される。有機リン化合物とレセプター分子との間の反応によって生成された少なくとも１種の電荷の存在が、この電気的デバイスを使用して検出される。
【００３４】
【化１】
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【００３５】
こうしたデバイスは、特に、２０１０年２月５日出願の仏国特許出願公開第２９３４６８５号に記載されている。
【００３６】
第２の主題によれば、本発明は、本発明の方法を使用して得られるレセプター官能基（Ｒ）をグラフトさせることによって官能基化された導電性または半導体材料（Ｍ）に関する。
【００３７】
第３の態様によれば、本発明は、導電性または半導体材料（Ｍ）によって隔離されたドレイン電極およびソース電極を含む電気的デバイス（化学センサ）に関するものであり、材料（Ｍ）は、本発明の方法を使用して得られる材料である。
【００３８】
材料（Ｍ）の表面にグラフトさせたレセプター分子が標的分子と相互作用すると、電気的信号が変化する。この変化は、導電率、電流、相互導電率、静電容量、閾電圧、またはその組合せにおける変化であり得る。
【００３９】
電気的デバイスは、抵抗デバイスでも、あるいは電界効果トランジスタ型デバイスでもよい。
【００４０】
例えば、電気的デバイスが抵抗デバイスである場合、ソース電極とドレイン電極との間の電流の変化が検出され、必要に応じて測定される。
【００４１】
例を挙げると、４−エチニルタビノールをグラフトさせることによって官能基化された材料（Ｍ）の場合、ソース電極とドレイン電極との間に印加した所与および周知の電圧において、レセプター分子が有機リン化合物と接触したとき、レセプター分子の環化中に正電荷が生成して、電流の変化が引き起こされる。この電流変化は、導電率変化をもたらす。
【００４２】
電気的デバイスがトランジスタ型である場合、半導体部分は、誘電性半導体材料から形成され、さらにゲートを含む。
【００４３】
この場合も同様に、例えば、ソース電極とドレイン電極との間に印加した所与および周知の電圧において、トランジスタを通過する電流の変化が検出され、必要に応じて測定される。次いで、電流はゲートの電圧の関数なので、これから、トランジスタの相互導電率を算出することが可能になる。
【００４４】
両方の場合において、導電率の変化または相互導電率の変化は、検出される化合物が存在しているという証拠であり、それらの濃度に比例している。
定義
用語「ナノワイヤ」または「ナノチューブ」は、１００ｎｍ未満、特に２０〜５０ｎｍの直径を有するワイヤまたはチューブをそれぞれ意味すると理解されたい。
【００４５】
用語「ナノシート」は、１００ｎｍ未満、特に２０〜７０ｎｍの厚さを有するシートを意味すると理解されたい。他の２つの次元は、比が２超である。
【００４６】
表現「導電性材料（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｍａｔｅｒｉａｌ）」は、導電性材料（ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｍａｔｅｒｉａｌ）、すなわち、１個または複数の可動電荷を含有する材料を意味すると理解されたい。好ましくは、導電性材料は、その加熱が使用されるのに十分高い抵抗を有する。より好ましくは、導電性材料の抵抗は、１０００Ω以上である。
【００４７】
表現「半導体材料」は、金属の導電率と絶縁体の導電率との間にある導電率を有する材料を意味すると理解されたい。
【実施例】
【００４８】
［実施例１］
シリコンナノシートの選択的官能基化
・シリコンナノシートの製造
シリコンナノワイヤは、ＳＯＩ（シリコンオンインシュレータ）ウエハを使用して作製した。ＳＯＩウエハは、厚さ１４０ｎｍの埋込み酸化物上に厚さ７０ｎｍのホウ素ドープ（１０１５ａｔ・ｃｍ−３）単結晶シリコンの層を備えていた。Ｓｉワイヤは、電子ビームリソグラフィーおよびＲＩＥ（反応性イオンエッチング）を使用して製造した。厚さ４５ｎｍの薄層のネガ型レジスト（ＨＳＱ  ＦＯＸ  １２）を、清浄かつ脱酸素済みのＳＯＩウエハ上にスピンコーティングした。電子ビームへの曝露後、基板を２５％水酸化テトラメチルアンモニウム（ＴＭＡＯＨ）水溶液中に１分間浸漬させて、レジストを現像した。
【００４９】
反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）の後、１５ｓｃｃｍのＳＦ６／１０ｓｃｃｍのＮ２／１０ｓｃｃｍのＯ２プラズマ（Ｏｘｆｏｒｄ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ  Ｐｌａｓｍａｌａｂシステムにおいて、１０ｍＴ、５０Ｗ、８０秒）を使用して、ソースおよびドレインコンタクトに関して、３０μｍ×３０μｍのシリコンの正方形パッドに接続された様々な長さおよび幅（４×４μｍ、４×１μｍ、２×１μｍ、および２×０．２μｍ）のナノシートを得た。最後に、化学エッチング法（ＨＦ１％、１分）によって、ＨＳＱレジストを除去した。このステップにより、曝露済みＳｉＯ２の厚さが１３４ｎｍに減じた。電子ビームリソグラフィー、ならびに厚さがそれぞれ６１０ｎｍおよび６０ｎｍの２つのスパンコーティング済みのレジスト層（１０％ＥＬ−１７．５％ＭＭＡコポリマーおよび３％４９５Ｋ  ＰＭＭＡ）を使用して、大きな（１００μｍ×１００μｍ）金属コンタクトを３０μｍ×３０μｍのシリコンパッド上に画定した。電子ビームへの曝露後、レジストを、１／３がメチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、２／３がイソプロパノールの溶液において６０秒間現像した。次いで、真空用電子ビームエバポレータを使用して、金属層（チタン１０ｎｍおよび金１００ｎｍ）を付着させた。次いで、リフトオフ工程をアセトン浴中で行った。
・エチニルフェロセンを使用するナノシートの選択的官能基化
ナノシートのソース電極とドレイン電極との間に電位５Ｖを印加した。次いで、デバイスをエチニルフェロセン（１０ｍＭ）のメシチレン溶液に浸漬させた。電極の隔離に応じて、印加した電圧は、２〜１０Ｖであった。
【００５０】
【化２】
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【００５１】
メシチレンおよびジクロロメタン中で濯いだ後、ＡｕｇｅｒのＸＰＳおよびＩＲ分光法を使用した分析により、接続しているナノシートだけが官能基化されたことが示された。
・有機リンガスに特異的なレセプターによるナノシートの選択的官能基化
ナノシートのソース電極とドレイン電極との間に電位５Ｖを印加し、デバイスを４−エチニルタビノール（１ｍＭ）（上記構造）のメシチレン溶液に浸漬させた。
【００５２】
【化３】
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【００５３】
メシチレンおよびジクロロメタン中で濯いだ後、ＡｕｇｅｒのＸＰＳおよびＩＲ分光法を使用した分析により、接続しているナノシートだけが官能基化されたことが示された。
【図１】
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【外国語明細書】
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2012032396000003.pdf
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