(57)【要約】【課題】プローブカードに用いられる配線基板においてセラミックグリーンシートの収縮時における複数の表面ビア導体の位置ずれの影響を低減させつつ複数の表面配線の配線密度を増大させること。【解決手段】配線基板１は、絶縁基体１１と、絶縁基体１１の下面に形成された複数の外部電極１２と、複数の外部電極１２に接続されているとともに絶縁基体１１の上面に導出された第１の複数の内部配線１３と、絶縁基体１１の上面に形成された第１の複数の表面配線１４とを備えている。第１の複数の表面配線１４は、複数の仮想基準線１１１ｂ〜１１１ｆのうち一つの仮想基準線１１ｂ上に突出した突出部１４ａをそれぞれ有しており、一つの仮想基準線１１１ｂを挟んで仮想基準点１１１ａから外側へ向かって交互に配置されているとともに、複数の仮想基準線１１１ｃ〜１１１ｆのうち異なる仮想基準線上にそれぞれ配置されている。【選択図】図２
2012032166.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックスから成るとともに互いに積層された複数の絶縁層を含む絶縁基体と、
該絶縁基体の下面に形成された複数の外部電極と、
該複数の外部電極に接続されているとともに前記絶縁基体の上面に導出されており、前記複数の絶縁層のうち最上層に位置する前記絶縁層に形成された複数の表面ビア導体を含む第１の複数の内部配線と、
前記絶縁基体の前記上面に形成されており、前記複数の表面ビア導体に接続されており、前記絶縁基体の前記上面の仮想基準点から放射状に延びる複数の仮想基準線に沿った形状を有している第１の複数の表面配線とを備えた配線基板であって、
前記第１の複数の表面配線が、前記複数の仮想基準線のうち一つの仮想基準線上に突出した突出部をそれぞれ有しており、前記一つの仮想基準線を挟んで前記仮想基準点から外側へ向かって交互に配置されているとともに、前記複数の仮想基準線のうち異なる仮想基準線上にそれぞれ配置されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記仮想基準点が、前記絶縁基体の前記上面の中心点であることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記絶縁基体の前記上面に設けられた樹脂配線層をさらに備えており、該樹脂配線層が、前記第１の複数の表面配線の前記突出部に接続された複数の下部ビア導体を含む第２の複数の内部配線と、該第２の複数の内部配線に接続された第２の複数の表面配線とを含んでいることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載された配線基板と、
該配線基板の前記第１の複数の表面配線のそれぞれの前記突出部に接続されたプローブピンとを備えたことを特徴とするプローブカード。
【請求項５】
請求項３に記載された配線基板と、
該配線基板の前記第２の複数の表面配線のそれぞれに接続されたプローブピンとを備えたことを特徴とするプローブカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブカードに用いられる配線基板およびプローブカードに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の検査時間を低減させることを目的に、半導体素子の検査には、半導体ウエハの状態において複数の半導体素子を一括的に検査するためのプローブカードが用いられる。このプローブカードに用いられる配線基板として、例えばセラミック基体の上面に複数の表面配線が形成されたものがある。複数の表面配線は、複数の半導体素子の検査を行う際に、半導体ウエハに形成された複数の端子に電気的に接続されるものである。複数の表面配線は、セラミック基体の内部に形成された複数のビア導体に接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−２８９６５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
今後、半導体ウエハはさらに大型化される傾向にあり、半導体ウエハに形成される端子数はさらに増加する傾向にある。このような状況において、半導体ウエハの検査時間を短縮するためには、セラミックグリーンシートの収縮時における複数のビア導体の位置ずれによる影響を低減させつつ配線基板の複数の表面配線の配線密度を増大させる必要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一つの態様によれば、配線基板は、絶縁基体と、絶縁基体の下面に形成された複数の外部電極と、複数の外部電極に接続されているとともに絶縁基体の上面に導出された第１の複数の内部配線と、絶縁基体の上面に形成された第１の複数の表面配線とを備えている。絶縁基体は、セラミックスから成るとともに互いに積層された複数の絶縁層を含んでいる。第１の複数の内部配線は、複数の絶縁層のうち最上層に位置する絶縁層に形成された第１の複数の表面ビア導体を含んでいる。第１の複数の表面配線は、複数の表面ビア導体に接続されており、絶縁基体の上面の仮想基準点から放射状に延びる複数の仮想基準線に沿った形状を有している。第１の複数の表面配線は、複数の仮想基準線のうち一つの仮想基準線上に突出した突出部をそれぞれ有しており、一つの仮想基準線を挟んで仮想基準点から外側へ向かって交互に配置されているとともに、複数の仮想基準線のうち異なる仮想基準線上にそれぞれ配置されている。
【０００６】
本発明の他の態様によれば、プローブカードは、上記配線基板と、配線基板の第１の複数の表面配線のそれぞれの突出部に接続されたプローブピンとを備えている。
【０００７】
本発明の他の態様によれば、プローブカードは、上記配線基板の構成に加えて、絶縁基体の上面に設けられた樹脂配線層と、さらに備えている。樹脂配線層は、第１の複数の表面配線の突出部に接続された複数の下部ビア導体を含む第２の複数の内部配線と、第２の複数の内部配線に接続された第２の複数の表面配線とを含んでいる。プローブカードは、第２の複数の表面配線のそれぞれに接続されたプローブピンをさらに備えている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の一つの態様によれば、配線基板は、絶縁基体の上面に形成された第１の複数の表面配線を備えている。第１の複数の表面配線は、複数の表面ビア導体に接続されており、絶縁基体の上面の仮想基準点から放射状に延びる複数の仮想基準線に沿った形状を有している。第１の複数の表面配線は、複数の仮想基準線のうち一つの仮想基準線上に突出した突出部をそれぞれ有しており、一つの仮想基準線を挟んで仮想基準点から外側へ向かって交互に配置されているとともに、複数の仮想基準線のうち異なる仮想基準線上にそれぞれ配置されている。このような構成を含んでいることによって、本発明の一つの態様による配線基板は、セラミックグリーンシートの収縮時における複数の表面ビア導体の位置ずれによる影響を低減させつつ配線基板の第１の複数の表面配線の配線密度を増大させることができる。
【０００９】
本発明の他の態様によれば、プローブカードは、上記配線基板と、配線基板の第１の複数の表面配線のそれぞれの突出部に接続されたプローブピンとを備えていることによって、単位面積あたりのプローブピンの数に関して増大されている。従って、本発明の他の態様によれば、プローブカードは、ウエハの検査時間を短縮することができる。
【００１０】
本発明の他の態様によれば、プローブカードは、上記配線基板の構成に加えて、絶縁基体の上面に設けられた樹脂配線層をさらに備えている。樹脂配線層は、第１の複数の表面配線の突出部に接続された複数の下部ビア導体を含む第２の複数の内部配線と、第２の複数の内部配線に接続された第２の複数の表面配線とを含んでいる。プローブカードは、第２の複数の表面配線のそれぞれに接続されたプローブピンをさらに備えている。本発明の他の態様によるプローブカードは、このような構成を含んでいることによって、単位面積あたり第２の複数の表面配線の数に関して増大されている。従って、本発明の他の態様によれば、プローブカードは、ウエハの検査時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】（ａ）は本発明の第１の実施形態におけるプローブカードの平面図を示しており、（ｂ）は（ａ）に示されたプローブカードのＡ−Ａにおける縦断面図を示している。
【図２】（ａ）は図１（ａ）に示されたプローブカードの領域Ｂにおける複数の表面配線１４を示す図であり、（ｂ）は（ａ）に示された構造に対する比較例を示す図である。
【図３】（ａ）は本発明の第２の実施形態におけるプローブカードの平面図を示しており、（ｂ）は（ａ）に示されたプローブカードのＡ−Ａにおける縦断面図を示している。
【図４】図３（ａ）および（ｂ）に示されたプローブカードにおける配線基板１および複数の下部ビア導体３３ｂを示している平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明のいくつかの例示的な実施形態について図面を参照して説明する。
【００１３】
（第１の実施形態）
図１（ａ）および（ｂ）に示されているように、本実施形態におけるプローブカードは、配線基板１と、配線基板１に設けられた複数のプローブピン２とを含んでいる。図１（ａ）および（ｂ）において、上方向とは、仮想のｚ軸の正方向のことをいう。
【００１４】
配線基板１は、絶縁基体１１と、絶縁基体１１の下面に形成された複数の外部電極１２と、絶縁基体１１の内部に形成された第１の複数の内部配線１３（以下、複数の内部配線１３という）と、絶縁基体１１の上面に形成された第１の複数の表面配線１４（以下、複数の表面配線１４という）とを含んでいる。
【００１５】
絶縁基体１１は、セラミックスから成るとともに互いに積層された複数の絶縁層１１ａを含んでいる。セラミックスは、例えば、酸化アルミニウム（アルミナ：Ａｌ２Ｏ３）質焼結体、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結体、炭化珪素（ＳｉＣ）質焼結体、ムライト質（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）焼結体、またはガラスセラミックス等である。配線基板１がプローブカードに用いる場合、半導体ウエハの材料に含まれるシリコン（Ｓｉ）の熱膨張係数に近づけることを目的に、セラミックスは、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）質焼結体、ムライト質（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）焼結体、またはガラスセラミックスが好ましい。複数の絶縁層１１ａがこのようなセラミックスから成る場合、プローブカードの複数のプローブピン２と半導体ウエハの複数の端子との位置ずれが低減される。
【００１６】
複数の外部電極１２のそれぞれは、焼成によって絶縁基体１１と一体的に形成されており、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデン−マンガン（Ｍｏ−Ｍｎ）合金、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、または銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）合金等の金属を主成分とするメタライズ層から成るものである。
【００１７】
複数の内部配線１３は、複数の外部電極１２に接続されているとともに絶縁基体１１の上面に導出されている。複数の内部配線１３は、絶縁基体１１の下面よりも絶縁基体１１の上面における間隔が小さくなるような構造を有している。複数の内部配線１３は、配線基板１の下面に形成された複数の外部電極１２と配線基板１の上面に形成された複数の表面配線１４とを電気的に接続している。複数の内部配線１３のそれぞれは、複数の絶縁層１１ａの間に設けられた内部配線層と、絶縁層１１ａを上下方向に貫通するように設けられた複数のビア導体とを含んでいる。複数のビア導体は、内部配線層間および内部配線層と外部電極１２とを接続している内部ビア導体、および内部配線層と表面配線１４とを接続している表面ビア導体１３ａを含んでいる。表面ビア導体１３ａは、複数の絶縁層１１ａのうち最上層に位置する絶縁層１１ａに形成されている。図１（ｂ）には３つの絶縁層１１ａを含む例示的な構造が示されており、表面ビア導体１３ａは、下から３層目に位置する絶縁層１１ａに形成されている。複数の内部配線１３のそれぞれは、焼成によって絶縁基体１１と一体的に形成されており、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデン−マンガン（Ｍｏ−Ｍｎ）合金、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、または銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）合金等の金属を主成分とするメタライズ層から成るものである。
【００１８】
複数の表面配線１４のそれぞれは、表面ビア導体１３ａに接続されている。図２（ａ）に示されているように、複数の表面配線１４は、絶縁基体１１の上面の仮想基準点１１１ａから放射状に延びる複数の仮想基準線１１１ｂ〜１１１ｆに沿った形状を有している。仮想基準点１１１ａは、絶縁基体１１用のセラミックグリーンシートを焼成するときの平面方向における収縮の基準となる点のことをいう。平面方向とは、仮想のｘｙ平面方向のことをいう。仮想基準線に沿った形状とは、仮想基準線の方向における長さが仮想基準線に対して垂直な方向における長さよりも大きい形状のことをいう。表面配線１４において、仮想基準線に対して垂直な方向における長さとは、幅のことである。
【００１９】
本実施形態において、仮想基準点１１１ａは、絶縁基体１１の上面における中心点である。ここでいう中心点とは、セラミックグリーンシートの収縮ばらつきを考慮した実質的な中心点のことであり、寸法上の中心点からセラミックグリーンシートの収縮ばらつき範囲である±０．２％の範囲を含むものである。例えば、直径３００ｍｍの基板であれば、実質的な中心点は、寸法上の中心点を基準に直径１．２ｍｍの円内に含まれる。
【００２０】
複数の表面配線１４は、複数の仮想基準線１１１ｂ〜１１１ｆのうち一つの仮想基準線１１１ｂ上に突出した突出部１４ａをそれぞれ有している。複数の表面配線１４は、一つ
の仮想基準線１１１ｂを挟んで仮想基準点１１ａから外側へ向かって交互に配置されている。複数の表面配線１４は、複数の仮想基準線１１１ｃ〜１１１ｆのうち異なる仮想基準線上にそれぞれ配置されている。
【００２１】
配線基板１は、例えば、絶縁層１１ａが酸化アルミニウム質焼結体から成る場合には、以下の方法により製作される。まず、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウム、および酸化カルシウムの原材料粉末に適当な有機バインダおよび溶媒を添加混合して泥漿状となすとともに、これをドクターブレード法等によってシート状に成形し、絶縁層１１ａとなる複数のセラミックグリーンシートを作製する。
【００２２】
次に、セラミックグリーンシートのビア導体が形成される所定位置に金型等を用いた打ち抜き加工やレーザ加工によって貫通孔を形成するとともに、貫通孔に導体ペーストを充填する。また、スクリーン印刷法等によってセラミックグリーンシートの所定位置に内部配線層あるいは外部電極１２となる導体ペースト層を１０〜２０μｍの厚みに形成する。導体ペーストは、タングステン、モリブデン、またはモリブデン−マンガン合金等の融点の高い金属粉末と適当な樹脂バインダおよび溶剤とを混練することにより作製される。レーザ加工によって貫通孔を形成する場合は、金型による加工のように耐久性を考慮した形状とする必要が無く、用途に応じて最適の形状を決定することができるので好ましい。
【００２３】
最後に、これらセラミックグリーンシートを重ね合わせて圧着して積層体を作製し、この積層体を１５００℃〜１６００℃程度の高温で焼成することによって配線基板１が作製される。
【００２４】
絶縁層１１ａがガラスセラミックスから成る場合であれば、セラミックグリーンシートが焼結する温度では焼結収縮しないアルミナ等を主成分とする拘束グリーンシートを積層体の両面に積層して焼成すると、拘束グリーンシートによりセラミックグリーンシートの積層面方向の焼結収縮が抑えられて収縮ばらつきの小さい配線基板１が得られる。これによって、表面ビア導体１３ａの位置ばらつきを小さいものとなるので、表面配線１４をより小型化でき、また高密度に形成できるので好ましい。
【００２５】
配線基板１の上面の複数の表面配線１４は、絶縁基体１１を作製して、その上面を研磨するなどして平坦にした後に、蒸着法、スパッタリング法、またはイオンプレーティング法等の薄膜形成法によって形成する。下面の外部電極１２も同様に、薄膜形成法によって形成してもよい。具体的には、絶縁基体１１の上面の全面に、０．１μｍ〜３μｍ程度の厚みの、例えばクロム−銅（Ｃｒ−Ｃｕ）合金層またはチタン−銅（Ｔｉ−Ｃｕ）合金層から成る下地導体層を形成し、その上に接続配線のパターン形状の開口を有するレジスト膜を形成して、このレジスト膜をマスクとしてめっき等で銅または金等の金属から成る、２μｍ〜１０μｍ程度の厚みの主導体層を形成する。そして、レジスト膜を剥離除去し、下地導体層の露出した部分をエッチングにより除去することで表面配線１４が形成される。その表面には、さらに、めっき法によりニッケルまたは金のめっき層を形成するとよい。
【００２６】
再び図１（ａ）を参照して、複数のプローブピン２は、マトリクス状に配置されている。複数のプローブピン２の少なくとも一部は、複数の表面配線１４それぞれの突出部１４ａに接続されている。
【００２７】
本実施形態の配線基板１において、複数の表面配線１４が、絶縁基体１１の上面の仮想基準点１１１ａから放射状に延びる複数の仮想基準線１１１ｂ〜１１１ｆに沿った形状を有していることによって、本実施形態における配線基板１は、複数の表面配線１４それぞれの面積に関して低減されており、複数の表面配線１４の配線密度に関して増大されてい
る。配線密度とは、単位面積あたりの配線数のことをいう。
【００２８】
本実施形態の配線基板１において、複数の表面配線１４が、複数の仮想基準線１１１ｂ〜１１１ｆのうち一つの仮想基準線１１１ｂ上に突出した突出部１４ａをそれぞれ有していることによって、本実施形態における配線基板１は、絶縁基体１１の上面の利用効率に関して向上されており、複数の表面配線１４の配線密度に関して増大されている。
【００２９】
本実施形態の配線基板１において、複数の表面配線１４が、一つの仮想基準線１１ｂを挟んで仮想基準点１１ａから外側へ向かって交互に配置されていることによって、本実施形態における配線基板１は、複数の表面配線１４の間隔を小さくすることができ、複数の表面配線１４の配線密度を増大させることができる。
【００３０】
本実施形態の配線基板１において、複数の表面配線１４は、絶縁基体１１の上面の仮想基準点１１１ａから放射状に延びる複数の仮想基準線１１１ｃ〜１１１ｆに沿った形状を有している。複数の表面配線は、複数の仮想基準線１１１ｂ〜１１１ｆのうち一つの仮想基準線１１１ｂ上に突出した突出部１４ａをそれぞれ有しており、一つの仮想基準線１１１ｂを挟んで仮想基準点１１１ａから外側へ向かって交互に配置されているとともに、複数の仮想基準線１１１ｃ〜１１１ｆのうち異なる仮想基準線上にそれぞれ配置されている。従って、本実施形態における配線基板１は、絶縁基体１１用のセラミックグリーンシートの収縮時における複数の表面ビア導体１３ａの位置ずれによる影響を低減させつつ複数の表面配線１４の配線密度を増大させることができる。図２（ａ）に示された本実施形態における配線基板１は、図２（ｂ）に示された比較例に比べて複数の表面配線１４の配線密度を増大させることができる。図２（ｂ）に示されているように、比較例において、複数の表面配線２１４は、仮想基準点２１１ａから延びる基準線２１１ｂ上に配置されている。
【００３１】
本実施形態のプローブカードにおいて、複数の表面配線１４が、絶縁基体１１の上面の仮想基準点１１１ａから放射状に延びる複数の仮想基準線１１１ｂ〜１１１ｆに沿った形状を有していることによって、本実施形態におけるプローブカードは、複数の表面配線１４の配線密度に関して増大されており、ウエハの検査時間を短縮することができる。
【００３２】
本実施形態のプローブカードにおいて、複数の表面配線１４が、複数の仮想基準線１１１ｂ〜１１１ｆのうち一つの仮想基準線１１１ｂ上に突出した突出部１４ａをそれぞれ有しており、プローブピン２が、突出部１４ａに接続されていることによって、本実施形態におけるプローブカードは、複数の表面配線１４の配線密度に関して増大されており、ウエハの検査時間を短縮することができる。
【００３３】
本実施形態のプローブカードにおいて、複数の表面配線１４が、一つの仮想基準線１１１ｂを挟んで仮想基準点１１１ａから外側へ向かって交互に配置されていることによって、本実施形態におけるプローブカードは、複数の表面配線１４の配線密度を向上させることができ、ウエハの検査時間を短縮することができる。
【００３４】
本実施形態のプローブカードにおいて、複数の表面配線１４は、絶縁基体１１の上面の仮想基準点１１１ａから放射状に延びる複数の仮想基準線１１１ｃ〜１１１ｆに沿った形状を有している。複数の表面配線は、複数の仮想基準線１１１ｂ〜１１１ｆのうち一つの仮想基準線１１１ｂ上に突出した突出部１４ａをそれぞれ有しており、一つの仮想基準線１１１ｂを挟んで仮想基準点１１１ａから外側へ向かって交互に配置されているとともに、複数の仮想基準線１１１ｃ〜１１１ｆのうち異なる仮想基準線上にそれぞれ配置されている。従って、本実施形態におけるプローブカードは、絶縁基体１１用のセラミックグリーンシートの収縮時における複数の表面ビア導体１３ａの位置ずれによる影響を低減させ
つつ複数の表面配線１４の配線密度を増大させることができる。従って、本実施形態におけるプローブカードは、ウエハの検査時間を短縮することができる。
【００３５】
（第２の実施形態）
図３（ａ）および（ｂ）に示されているように、本実施形態のプローブカードにおいて、第１の実施形態におけるプローブカードと異なる点は、配線基板１が樹脂配線層３をさらに含んでいること、および複数のプローブピン２が樹脂配線層３の上に設けられていることである。その他の構成は、第１の実施形態におけるプローブカードと同様である。
【００３６】
樹脂配線層３は、樹脂基体３１と、樹脂基体３１の内部に形成された第２の複数の内部配線３３（以下、複数の内部配線３３という）と、樹脂基体３１の上面に形成された第２の複数の表面配線３４（以下、複数の表面配線３４という）とを含んでいる。
【００３７】
樹脂基体３１は、樹脂から成るとともに互いに積層された複数の絶縁層３１ａを含んでいる。複数の絶縁層３１ａの材料例は、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、全芳香族ポリエステル樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）樹脂、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリキノリン樹脂、またはフッ素樹脂等である。
【００３８】
複数の絶縁層３１ａが、例えば、ポリイミド樹脂からなる場合には、ワニス状のポリイミド前駆体を絶縁基体１１の上面にスピンコート法、ダイコート法、カーテンコート法、または印刷法等の塗布法によって塗布し、しかる後、４００℃程度の熱で硬化させてポリイミド化させることによって、１０μｍ〜５０μｍ程度の厚みに形成する。あるいは、上記樹脂から成る１０μｍ〜５０μｍ程度のフィルムの下面に、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、またはエポキシ樹脂等の樹脂接着剤を乾燥厚みで５μｍ〜２０μｍ程度にドクターブレード法等の塗布法にて塗布して乾燥させることで接着剤層を形成し、これを絶縁基体１１の上に重ねて加熱プレスすることで形成する。
【００３９】
複数の内部配線３３は、複数の表面配線１４に接続されているとともに樹脂基体３１の上面に導出されている。複数の内部配線３３は、樹脂基体３１の下面よりも樹脂基体３１の上面における間隔が小さくなるような構造を有している。複数の内部配線３３は、複数の表面配線１４と樹脂基体３１の上面に形成された複数の表面配線３４とを電気的に接続している。複数の内部配線層３３のそれぞれは、複数の絶縁層３１ａの間に設けられた内部配線層と、絶縁層３１ａを上下方向に貫通するように設けられた複数のビア導体とを含んでいる。複数のビア導体は、内部配線層と表面配線３４とを接続している内部ビア導体、および内部配線層と表面配線１４とを接続している下部ビア導体３３ｂを含んでいる。下部ビア導体３３ｂは、複数の絶縁層３１ａのうち最下層に位置する絶縁層３１ａに形成されている。図３（ｂ）には２つの絶縁層３１ａを含む例示的な構造が示されており、下部ビア導体３３ｂは、下から１層目に位置する絶縁層３１ａに形成されている。図４に示されているように、複数の下部ビア導体３３ｂは、マトリクス状に配置されている。複数の下部ビア導体３３ｂの少なくとも一部は、複数の表面配線１４の突出部１４ａに接続されている。
【００４０】
内部配線３３の内部配線層の形成は、まず、蒸着法、スパッタリング法、またはイオンプレーティング法等の薄膜形成法によって、絶縁層３１ａの主面の全面に、０．１μｍ〜３μｍ程度の厚みの、例えばクロム−銅（Ｃｒ−Ｃｕ）合金層またはチタン−銅（Ｔｉ−Ｃｕ）合金層から成る下地導体層を形成する。次に、下地導体層の上に内部配線層のパターン形状の開口を有するレジスト膜を形成して、このレジスト膜をマスクとしてめっき等で銅または金等の電気抵抗の小さい金属から成る、２μｍ〜１０μｍ程度の厚みの主導体
層を形成する。そして、レジスト膜を剥離除去し、下地導体層の露出した部分をエッチングにより除去することで、内部配線層が形成される。または、ＲＩＥ（Reactive Ion Etching：反応性イオンエッチング）等を用いて形成した内部配線層の形状の凹部を充填して内部配線層を形成することによって、内部配線層が絶縁層３１ａに埋め込まれた形にしてもよい。最上層の絶縁層３１ａの上の表面配線３４はプローブピン２が接続されるので、めっき法によりニッケルまたは金のめっき層を形成するとよい。
【００４１】
次に、内部配線層が形成された絶縁層３１ａの上に、さらに別の絶縁層３１ａを形成する。絶縁層３１ａを形成する方法は、上述したワニス状の樹脂を塗布する方法、または樹脂フィルムに接着剤層を形成して加熱プレスする方法のどちらを用いてもよい。いずれの方法においても、絶縁層３１ａにビア導体を含む樹脂配線層３を形成して上記工程を必要な絶縁層３１ａの数だけ繰り返すことで、複数の絶縁層３１ａが形成される。フィルムの樹脂を用いる方法は、複数のフィルムを一括してプレスすることが可能であり、１層毎に塗布および硬化を行なう必要がないので、製造工程を短くすることができる。
【００４２】
絶縁層３１ａには、絶縁層３１ａを貫通するビア導体が形成されるので、この部分には例えば、直径２０μｍ〜１００μｍの貫通孔が形成される。この貫通孔の形成方法は、絶縁層３１ａに開口を有するレジスト膜を形成するとともにこのレジスト膜の開口に位置する絶縁層３１ａをエッチングすることによって、あるいはレーザを使って直接絶縁層３１ａの一部を除去することによって形成される。このときのレーザにはエキシマレーザまたはＣＯ２レーザ等を用いることができるが、貫通孔の内壁の形状を垂直に近く調整でき、さらに貫通孔の内壁面を滑らかに加工できる紫外線レーザで形成しておくのが望ましい。あるいは、絶縁層３１ａの形成方法がワニス状の樹脂を塗布する方法の場合であれば、感光性の樹脂を用いて、例えば露光によって貫通孔が形成される部分以外を硬化させて、貫通孔が形成される部分の樹脂をエッチングにより除去することによって貫通孔を有する絶縁層３１ａを形成してもよい。
【００４３】
ビア導体は、内部配線層を形成する前に、例えば、銅等の金属粉末と樹脂を主成分とする導体ペーストを絶縁層３１ａの貫通孔に充填しておくことによって、図３（ｂ）に示された例のような、貫通孔が導体により充填されたものが形成される。あるいは、内部配線層を形成する際に、貫通孔の内面にも下地導体層および主導体層を形成することにより、内部配線層と同時に形成してもよい。この場合のビア導体は、絶縁層３１ａの貫通孔の内面に被着して形成され、貫通孔は導体により充填されたものとはならない。主導体層を形成する際のめっき厚みを厚くすると、図３（ｂ）に示された例のような、貫通孔が導体により充填されたものとすることができる。ビア導体を内部配線層と同時に形成する場合は、貫通孔の内面に薄膜により下地導体層を良好に形成することができるように、貫通孔は絶縁層３１ａの上面側の方が大きくなるような形状にするのが好ましい。このような形状の貫通孔は、エッチングにより貫通孔を形成する場合はエッチング条件により、レーザにより貫通孔を形成する場合はレーザの出力等の調節により、感光性樹脂を用いる場合は露光条件またはエッチング条件により形成することができる。
【００４４】
このような絶縁層３１ａおよび内部配線３３の形成を必要な数だけ繰り返すことによって、絶縁基体１１の上に樹脂配線層３が形成される。
【００４５】
複数の表面配線３４のそれぞれは、内部配線３３に接続されている。図３（ａ）に示されているように、複数の表面配線３４は、マトリクス状に配置されている。
【００４６】
複数のプローブピン２は、複数の表面配線３４に接続されている。
【００４７】
本実施形態における配線基板１は、絶縁基体１１上面に設けられた樹脂配線層３をさら
に備えており、樹脂配線層３が、複数の表面配線１４の突出部１４ａに接続された複数の下部ビア導体３３ｂを含む複数の内部配線３３と、複数の内部配線３３に接続された複数の表面配線３４とを含んでいることによって、単位面積あたりの下部ビア導体３３ｂの数に関して増大されている。
【００４８】
本実施形態におけるプローブカードは、複数の表面配線３４のそれぞれに接続されたプローブピン２を備えており、ウエハの検査時間を短縮することができる。
【００４９】
なお、第１の実施形態および第２の実施形態において、複数の表面配線１４は、同じ長さで形成された例で示されているが、仮想基準点から表面配線１４までの距離に応じて焼成時の収縮ばらつき寸法範囲が決まるために仮想基準点１１１ａからの距離に応じて長さを変えて形成されても良い。それによって、複数の表面配線１４ａの配線密度を増大させることができ、単位面積あたりの複数のプローブピン２の数を増大させることができる。
【符号の説明】
【００５０】
１  配線基板
１１  絶縁基体
１２  外部電極
１３  第１の内部配線
１３ａ  表面ビア導体
１４  第１の表面配線
２  プローブピン
３  樹脂配線層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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