(57)【要約】 【課題】精度よく不良を検出可能なプリント配線板およびその検査方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、プリント配線板は、電子機器に実装される製品部と、前記製品部と離れて形成される検査用のクーポン部とを備える。前記クーポン部は、第１の絶縁層と、第１のランドと、第２の絶縁層と、第２のランドと、第３の絶縁層と、導電性材料と、配線とを有する。前記第１のランドは、前記第１の絶縁層上の一部に設けられる。前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層および前記第１のランド上に設けられる。前記第２のランドは、前記第２の絶縁層上の一部に、前記第１のランドと対向して設けられる。前記第３の絶縁層は、前記第２のランド上および前記第２の絶縁層上に設けられる。前記導電性材料は、底部が前記第２のランドに達するように前記第３の絶縁層を貫通した、第１のレーザビアの前記底部および側面に形成される。前記配線は、前記第３の絶縁層および前記第２の絶縁層を貫通して、前記第１のランドと電気的に接続される。【選択図】図１
2012243994.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子機器に実装される製品部と、前記製品部と離れて形成される検査用のクーポン部と、を備えるプリント配線板であって、
前記クーポン部は、
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の一部に設けられた第１のランドと、
前記第１の絶縁層および前記第１のランド上に設けられた第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の一部に、前記第１のランドと対向して設けられた第２のランドと、
前記第２のランド上および前記第２の絶縁層上に設けられた第３の絶縁層と、
底部が前記第２のランドに達するように前記第３の絶縁層を貫通した、第１のレーザビアの前記底部および側面に形成される導電性材料と、
前記第３の絶縁層および前記第２の絶縁層を貫通して、前記第１のランドと電気的に接続される配線と、を有するプリント配線板。
【請求項２】
前記第２のランドは、前記第１のランドより大きい請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項３】
前記製品部は、前記第２の絶縁層上の一部に形成される第３のランドを備え、かつ、前記第３の絶縁層を貫通し、底部が前記第３のランドに達するように第２のレーザビアが形成され、
前記第２のランドは、前記第３のランドより大きい請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項４】
前記第１のレーザビアは、プリント配線板の縁から所定値以上離れた位置に形成される請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項５】
前記底部の全面が前記第２のランド上に達する前記第１のレーザビア内に形成された前記導電性材料と前記第１のランドとの間の電気特性は、
前記底部の一部が前記第２のランド上に達し、他の一部が前記第２の絶縁層に達する前記第１のレーザビア内に形成された前記導電性材料と前記第１のランドとの間の電気特性と異なる請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項６】
前記電気特性は抵抗値または容量値である請求項５に記載のプリント配線板。
【請求項７】
前記製品部は電子機器に実装される請求項１に記載のプリント配線板。
【請求項８】
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の一部に設けられた第１のランドと、
前記第１の絶縁層および前記第１のランド上に設けられた第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の一部に、前記第１のランドと対向して設けられた第２のランドと、
前記第２のランド上および前記第２の絶縁層上に設けられた第３の絶縁層と、
前記第２のランドに達するように前記第３の絶縁層を貫通した、レーザビア内に設けられた導電性材料と、を備えるプリント配線板。
【請求項９】
第１の絶縁層と、
前記第１の絶縁層上の一部に設けられた第１のランドと、
前記第１の絶縁層および前記第１のランド上に設けられた第２の絶縁層と、
前記第２の絶縁層上の一部に、前記第１のランドと対向して設けられた第２のランドと、
前記第２のランド上および前記第２の絶縁層上に設けられた第３の絶縁層と、
前記第２のランドに達するように前記第３の絶縁層を貫通した、レーザビア内に設けられた導電性材料と、を備えるプリント配線板の検査方法であって、
前記第１のランドと前記導電性材料との間の電気特性を測定するステップと、
その測定結果に基づいて、前記プリント配線板が正常か否かを判定するステップと、を有するプリント配線板の検査方法。
【請求項１０】
前記電気特性は、前記第１のランドと前記導電性材料との間の抵抗値または容量値である請求項９に記載のプリント配線板の検査方法。
【請求項１１】
前記プリント配線板に開放異常および短絡異常があるか否かを検査するステップを有し、
開放異常または短絡異常があると判定されたプリント配線板について、前記第１のランドと前記導電性材料との間の電気特性を測定する請求項９に記載のプリント配線板の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、プリント配線板およびその検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パーソナルコンピュータでは、ＣＰＵ等を実装したマザーボードとしてプリント配線板が用いられる。多層構造のプリント配線板では、製造工程でのばらつき等に起因して内層に対して表層がずれ、不良を生じることがある。例えば、内層に形成されるレーザビア受けランドに対して、表面に形成されるレーザビアがずれてしまうと、ビアの形状が変形して局所的にめっきが薄くなり、クラックを引き起こしたり半田ボイドの原因となったりする。
【０００３】
そのため、プリント配線板上に検査用のクーポン部を形成し、いわゆるオープン・ショートテストを行ってレーザビアのずれが生じていないか検査する。しかしながら、従来の検査では、エラーを正確に検出できなかったり、擬似エラーが多発したりするという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１６６４２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
精度よく不良を検出可能なプリント配線板およびその検査方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態によれば、プリント配線板は、電子機器に実装される製品部と、前記製品部と離れて形成される検査用のクーポン部とを備える。前記クーポン部は、第１の絶縁層と、第１のランドと、第２の絶縁層と、第２のランドと、第３の絶縁層と、導電性材料と、配線とを有する。前記第１のランドは、前記第１の絶縁層上の一部に設けられる。前記第２の絶縁層は、前記第１の絶縁層および前記第１のランド上に設けられる。前記第２のランドは、前記第２の絶縁層上の一部に、前記第１のランドと対向して設けられる。前記第３の絶縁層は、前記第２のランド上および前記第２の絶縁層上に設けられる。前記導電性材料は、底部が前記第２のランドに達するように前記第３の絶縁層を貫通した、第１のレーザビアの前記底部および側面に形成される。前記配線は、前記第３の絶縁層および前記第２の絶縁層を貫通して、前記第１のランドと電気的に接続される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】一実施形態に係るプリント配線板２０の上面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ’断面図。
【図３】プリント配線板２０の製造工程図。
【図４】プリント配線板２０の製造工程断面図。
【図５】図４に続くプリント配線板２０の製造工程断面図。
【図６】図５に続くプリント配線板２０の製造工程断面図。
【図７】図６に続くプリント配線板２０の製造工程断面図。
【図８】図７に続くプリント配線板２０の製造工程断面図。
【図９】図８に続くプリント配線板２０の製造工程断面図。
【図１０】図９に続くプリント配線板２０の製造工程断面図。
【図１１】図１０に続くプリント配線板２０の製造工程断面図。
【図１２】図１１に続くプリント配線板２０の製造工程断面図。
【図１３】図１２に続くプリント配線板２０の製造工程断面図。
【図１４】図１３に続くプリント配線板２０の製造工程断面図。
【図１５】図１４に続くプリント配線板２０の製造工程断面図。
【図１６】図１５に続くプリント配線板２０の製造工程断面図。
【図１７】図１６に続くプリント配線板２０の製造工程断面図。
【図１８】図１５で、コンフォールマスクＣＭがずれて形成された場合のプリント配線板２０の製造工程断面図。
【図１９】図１７で、コンフォールマスクＣＭがずれて形成された場合のプリント配線板２０の製造工程断面図。
【図２０】図２の一点鎖線で囲まれたクーポン部２の拡大図。
【図２１】図２０の斜視図。
【図２２】図１９の一点鎖線で囲まれたクーポン部２の拡大図。
【図２３】プリント配線板２０の検査手法の一例を示すフローチャート。
【図２４】プリント配線板２０の検査手法の別の一例を示すフローチャート。
【図２５】図２１の第１の変形例。
【図２６】図２２の第１の変形例。
【図２７】プリント配線板２０を搭載したパーソナルコンピュータ１０の斜視図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、実施形態について、図面を参照しながら具体的に説明する。
【０００９】
図１は、一実施形態に係るプリント配線板２０の上面図である。同図に示すように、プリント配線板２０は製品部１およびクーポン部２を備えている。基板メーカは図１の状態のプリント配線板２０を製造し、クーポン部２を用いて検査を行った後、セットメーカへ出荷する。セットメーカは製品部１とクーポン部２との間で割断し、製品部１を電子機器等のセットに実装する一方、クーポン部２を廃棄する。割断しやすいよう、クーポン部２は製品部１から離れて形成されるのが望ましいが、製品部１内に面積の余裕がある場合、クーポン部２を製品部１内に設けてもよい。
【００１０】
図２は、図１のＡ−Ａ’断面図である。同図は、８層１段ビルドアップ構造のプリント配線板２０、すなわち、８つの配線層Ｌ１〜Ｌ８を有し、上面および下面の１段ずつがビルドアップ層であるプリント配線板２０を例示している。
【００１１】
プリント配線板２０は、コアＣｔ，Ｃｂと、プリプレグＰ０，Ｐ１ｔ，Ｐ２ｔ，Ｐ１ｂ，Ｐ２ｂと、配線Ｗ１〜Ｗ８と、レーザビアＬＶと、ブラインドスルーホールＢＴＨと、スルーホールＴＨと、ソルダーレジストＳＲとを備えている。プリント配線板２０は、プリプレグＰ０を中心とし、その上方と下方は類似した構造を有する。
【００１２】
プリプレグＰ０は、例えば樹脂およびガラスクロスからなる厚さ５０〜１００μｍの絶縁材料である。プリプレグＰ０の上面に形成されるコアＣｔは、例えば樹脂およびガラスクロスからなる厚さ７０〜２００μｍの絶縁材料である。コアＣｔの上面および下面はそれぞれ配線層Ｌ３，Ｌ４であり、例えば銅箔からなる厚さ１０〜３５μｍの配線Ｗ３，Ｗ４が形成される。また、クーポン部２の配線層Ｌ３には、後述する検査用ランドＬＤ１が形成される。配線層Ｌ３はプリプレグＰ１ｔにより覆われる。プリプレグＰ１ｔは、例えば樹脂およびガラスクロスからなる厚さ５０〜１００μｍの絶縁材料である。
【００１３】
プリプレグＰ１ｔの上面は配線層Ｌ２であり、例えば上面が金属Ｍ１によりめっき処理された銅箔からなる厚さ２０〜５０μｍの配線Ｗ２が形成される。また、配線層Ｌ２には、レーザビアＬＶの底部となる、略円形のレーザビア受けランドＬＤ２が形成される。レーザビア受けランドＬＤ２は、配線層Ｌ２上の他の配線Ｗ２（不図示）と接続されている。
【００１４】
配線層Ｌ２はプリプレグＰ２ｔにより覆われる。プリプレグＰ２ｔはレーザビアＬＶにより層間接続が行われるビルドアップ層であり、例えば樹脂およびガラスクロスからなる厚さ５０〜１００μｍの絶縁材料である。なお、プリプレグに代えて、樹脂のみを材料とする層を形成してビルドアップ層としてもよい。
【００１５】
プリプレグＰ２ｔの上面は配線層Ｌ１であり、例えば上面が金属Ｍ２によりめっき処理された厚さ２０〜５０μｍの銅箔からなる配線Ｗ１が形成される。さらに、配線層Ｌ１上の配線と配線層Ｌ２上の配線とを接続するためのレーザビアＬＶがプリプレグＰ２ｔ中に形成される。レーザビアＬＶは、プリプレグＰ２ｔ中に空けられた、レーザ受けランドＬＤ２を底部とする円形の微細な穴であり、穴の周囲のプリプレグＰ２ｔ上には配線Ｗ１ａが形成され、その配線Ｗ１ａ上面およびレーザビアＬＶ側の側面と、レーザビアＬＶの側面および底部は金属Ｍ２によりめっき処理されている。レーザビアＬＶは、ブラインドスルーホールＢＴＨやスルーホールＴＨと比べて穴の径を小さくでき、配線自由度が高く、高密度化にも有利である。
【００１６】
一方、プリプレグＰ０の下方には、配線層Ｌ５、コアＣｂ、配線層Ｌ６、プリプレグＰ１ｂ、配線層Ｌ７、プリプレグＰ２ｂおよび配線層Ｌ８が、プリプレグＰ０の上方と同様に形成される。コアＣｔとコアＣｂは、配線層Ｌ４，Ｌ５を覆うプリプレグＰ０を挟んで対向する。配線層Ｌ１，Ｌ８は表層とも呼ばれ、配線層Ｌ２〜Ｌ７は内層とも呼ばれる。
【００１７】
また、配線層Ｌ２から配線層Ｌ７までを貫通するブラインドスルーホールＢＴＨが形成される。ブラインドスルーホールＢＴＨは円形の穴であり、その側面は金属Ｍ１によりめっき処理されて配線層Ｌ２〜Ｌ７の配線を接続する。ブラインドスルーホールＢＴＨの内部は樹脂Ｒ等で埋められている。なお、ブラインドスルーホールＢＴＨは、プリプレグＰ２ｔ，Ｐ２ｂを貫通しているわけではないので、プリント配線板２０の外部からは見ることができない。
【００１８】
さらに、配線層Ｌ１から配線層Ｌ８までを貫通するスルーホールＴＨが形成される。スルーホールＴＨは円形の穴であり、その側面は金属Ｍ２によりめっき処理されていて、配線層Ｌ１〜Ｌ８の配線を接続する。スルーホールＴＨおよびレーザビアＬＶの表面は、酸化を防ぐために表面処理がされており、例えば水溶性プリフラックスの塗布、あるいは銀めっきまたは金めっき処理されている。
【００１９】
スルーホールＴＨおよび表層に形成される配線Ｗ１，Ｗ８の一部は互いに接続されたり、電子部品が実装されたりする。その他の部分の表層にはソルダーレジストＳＲが形成される。ソルダーレジストＳＲは表層の配線Ｗ１，Ｗ８等を保護する絶縁膜である。
【００２０】
次に、図２のプリント配線板２０の製造工程を説明する。図３は、プリント配線板２０の製造工程図である。
【００２１】
まず、２つのコア材を用いて配線層Ｌ３〜Ｌ６に配線Ｗ３〜Ｗ６および検査用ランドＬＤ１を形成する（ステップＳ１）。図４は、コア材の断面図である。コア材は、コアＣｔ（Ｃｂ）となる絶縁材料の両面に銅箔Ｃｕ１，Ｃｕ２をそれぞれ貼り付けたものである。初めに、銅箔上Ｃｕ１，Ｃｕ２上に塗布された感光性レジスト（不図示）を配線Ｗ３〜Ｗ６および検査用ランドＬＤ１のパターンに露光する。そして、パターン以外のレジストを除去して現像する。さらに、コア材を塩化第２鉄、塩化第２銅あるいはアルカリエッチャント等のエッチング液に浸して不要な部分の銅箔Ｃｕ１，Ｃｕ２を除去する。
【００２２】
以上により、配線Ｗ３〜Ｗ６および検査用ランドＬＤ１が形成され、図５に示す断面形状が得られる。なお、同図５（ａ）は配線層Ｌ３，Ｌ４用のコアＣｔであり、同図５（ｂ）は配線層Ｌ５，Ｌ６用のコアＣｂである。このように、検査用ランドＬＤ１は配線Ｗ３と同時に配線層Ｌ３に形成できるため、検査用ランドＬＤ１を形成するための追加の工程は不要である。
【００２３】
次に、図６に示すように、銅箔Ｃｕ３、プリプレグＰ１ｔ、配線Ｗ３，Ｗ４等が形成されたコアＣｔ、プリプレグＰ０、配線Ｗ５，Ｗ６が形成されたコアＣｂ、プリプレグＰ１ｂおよび銅箔Ｃｕ４をこの順に積層し、加熱しながら加圧する（ステップＳ２）。加熱前のプリプレグＰ０，Ｐ１ｔ，Ｐ１ｂは反硬化状態であるが、加熱によって硬化するため、図７に示すように、配線Ｗ３〜Ｗ６および検査用ランドＬＤ１がプリプレグで覆われた断面形状が得られる。
【００２４】
続いて、ドリルを用いて上面の銅箔Ｃｕ３から下面の銅箔Ｃｕ４まで貫通する穴を機械的に空けて、ブラインドスルーホールＢＴＨを形成する（ステップＳ３）。その後、ブラインドスルーホールＢＴＨの内側は洗浄（デスミア）され、穴をあける際に生じた粉等が除去される。これにより、図８に示す断面形状が得られる。
【００２５】
その後、銅箔Ｃｕ３，Ｃｕ４の表面およびブラインドスルーホールＢＴＨの内部を金属Ｍ１によりめっき処理（無電解めっきおよび電解めっき）し、ブラインドスルーホールＢＴＨを導通させる。そして、ブラインドスルーホールＢＴＨ内を樹脂Ｒで埋める（ステップＳ４）。これにより、図９に示す断面形状が得られる。なお、必ずしもブラインドスルーホールＢＴＨ内を樹脂Ｒで埋めなくてもよい。
【００２６】
さらに、ステップＳ１と同様の処理を行って金属Ｍ１および銅箔Ｃｕ３，Ｃｕ４をエッチングし、配線層Ｌ２，Ｌ７に配線Ｗ２，Ｗ７およびレーザ受けランドＬＤ２を形成する（ステップＳ５）。なお、配線Ｗ２，Ｗ７およびレーザ受けランドＬＤ２は、金属Ｍ１によりめっき処理された銅箔Ｃｕ３，Ｃｕ４をそれぞれ含む。これにより、図１０に示す断面形状が得られる。
【００２７】
次に、図１１に示すように、銅箔Ｃｕ５、プリプレグＰ２ｔ、ステップＳ５で得られた配線層Ｌ２〜Ｌ７、プリプレグＰ２ｂおよび銅箔Ｃｕ６をこの順に積層し、加熱しながら加圧する（ステップＳ６）。これにより、図１２に示す断面形状が得られる。
【００２８】
続いて、後にレーザビアＬＶが形成される部分の銅箔Ｃｕ５，Ｃｕ６を円形に除去してコンフォールマスクＣＭを、レーザビア受けランドＬＤ２と対向する位置に形成するとともに、ドリルを用いて銅箔Ｃｕ５から銅箔Ｃｕ６までを貫通する穴を機械的にあけて、スルーホールＴＨを形成する（ステップＳ７）。これにより、図１３に示す断面形状が得られる。
【００２９】
その後、図１４に示すようにコンフォールマスクＣＭの上方からレーザを照射して、プリプレグＰ２ｔ，Ｐ２ｂを貫通する穴をあけて、レーザビアＬＶを形成する（ステップＳ８）。レーザビアＬＶの内側は洗浄される。レーザはレーザ受けランドＬＤ２を貫通しないため、レーザビア受けランドＬＤ２の上面がレーザビアＬＶの底部となる。これにより、図１５に示す断面形状が得られる。
【００３０】
さらに、銅箔Ｃｕ５，Ｃｕ６の表面およびレーザビアＬＶの内側、スルーホールＴＨの内側を金属Ｍ２によりめっき処理（無電解めっきおよび電解めっき）する（ステップＳ９）。この処理によりスルーホールＴＨが導通するとともに、銅箔Ｃｕ５とレーザ受けランドＬＤ２も導通する。これにより、図１６に示す断面形状が得られる。
【００３１】
次に、ステップＳ１と同様の処理を行って銅箔Ｃｕ５，Ｃｕ６をエッチングし、配線層Ｌ１，Ｌ８に配線Ｗ１（Ｗ１ａ，Ｗ１ｂを含む），Ｗ８を形成する（ステップＳ１０）。なお、配線Ｗ１，Ｗ８は、金属Ｍ２によりめっき処理された銅箔Ｃｕ５，Ｃｕ６をそれぞれ含む。これにより、図１７に示す断面形状が得られる。
【００３２】
続いて、他の電子部品等が実装されない部分の表層にソルダーレジストＳＲを印刷し硬化させる。さらに、配線Ｗ１，Ｗ８を形成する銅箔Ｃｕ５，Ｃｕ６が露出した部分が参加するのを防ぐために表面処理をする（ステップＳ１１）。より具体的に水溶性プリフラックスの塗布や、銀めっきあるいは金めっき処理を行う。これにより、図２に示す断面形状のプリント配線板２０が得られる。
【００３３】
なお、図３のステップＳ７で、コンフォールマスクＣＭの位置がずれて、図１８に示すようにレーザビア受けランドＬＤ２の斜め上方に形成されることがある。この場合、ステップＳ８において、レーザがレーザビア受けランドＬＤ２の外側にも照射されるため、プリプレグＰ２ｔの一部にも穴があけられる。結果として、図１９に示すように、レーザビアＬＶの底部の一部あるいは全部がレーザビア受けランドＬＤ２から外れてしまう。このようなレーザビアＬＶが形成されると、クラックや半田ボイドの原因となるため、不良品として取り除かなければならない。
【００３４】
そこで、上述のようにして形成されたクーポン部２を用いて以下の検査を行う。
【００３５】
図２０は、図２の一点鎖線で囲まれたクーポン部２の拡大図であり、図２１は、図２０の斜視図である。なお、図２１では簡略化して描いている。同図に示すように、クーポン部２は、プリプレグ（第１の絶縁層）Ｐ０と、検査用ランド（第１のランド）ＬＤ１と、プリプレグ（第２の絶縁層）Ｐ１ｔと、レーザビア受けランド（第２のランド）ＬＤ２と、プリプレグ（第３の絶縁層）Ｐ２ｔと、配線Ｗ１ａ，Ｗ１ｂと、スルーホールＴＨとを有する。
【００３６】
検査用ランドＬＤ１は、レーザビア受けランドＬＤ２より大きな略円形であり、配線層Ｌ３に形成される。検査用ランドＬＤ１は、プリント配線板２０の各層を貫通するスルーホールＴＨ内に形成された金属Ｍ２（配線）を介して、配線Ｗ１ｂと電気的に接続されている。なお、配線Ｗ１ａと配線Ｗ１ｂは接続されていない。
【００３７】
一方、レーザ受けランドＬＤ２はプリプレグＰ１ｔを介して検査用ランドＬＤ１と対向して配線層Ｌ２に形成される。レーザビアＬＶはプリプレグＰ２ｔを貫通し、レーザ受けランドＬＤ２が底部となる。また、プリプレグＰ２ｔ上では、レーザビアＬＶの周囲に配線Ｗ１ａが形成される。また、レーザビアＬＶの側面および底部はめっき処理されて、銀や金などの金属Ｍ２（導電性材料）が堆積されている。
【００３８】
なお、クーポン部２内のレーザビアＬＶは、より確実に検査を行うため、プリント配線板２０の縁から所定距離以上離れた位置に形成されるのが望ましい。
【００３９】
図２２は、図１９の一点鎖線で囲まれたクーポン部２の拡大図であり、レーザビアＬＶがずれて、底部の一部がレーザビア受けランドＬＤ２を外れて形成されている。この場合、レーザビアＬＶの底部に形成される金属Ｍ２と検査用ランドＬＤ１との距離が短くなるため、レーザビア受けランドＬＤ２と検査用ランドＬＤ１との間の電気特性（すなわち、金属Ｍ２と検査用ランドＬＤ１との間の電気特性）は、図２０と異なる。例えば、図２０と比べて、レーザビアＬＶがずれた図２２では、２つのランドＬＤ１，ＬＤ２間の絶縁抵抗は小さくなるし、電気容量は大きくなる。したがって、この電気特性を測定することでプリント配線板２０が不良か否かを検査できる。
【００４０】
なお、検査用ランドＬＤ１は、レーザビア受けランドＬＤ２より大きく形成するのが望ましい。その理由は、検査用ランドＬＤ１をレーザ受けランドＬＤ２の外側にも形成することで、レーザビアＬＶの位置がずれた場合に検査用ランドＬＤ１とレーザビアＬＶの底部との距離がより短くなり、レーザビアＬＶの位置がずれない場合と比べて電気特性が大きく変化するからである。
【００４１】
加えて、クーポン部２のレーザビア受けランドＬＤ２は、製品部１のレーザビア受けランドＬＤ２より大きく形成するのが望ましい。これにより、製品部１でのレーザビアＬＶの位置のずれが小さい場合でも、クーポン部２では大きくずれることになり、電気特性の変化を検出しやすいためである。
【００４２】
図２３は、プリント配線板２０の検査手法の一例を示すフローチャートである。
【００４３】
まず、プリント配線板２０の各端子について開放異常または短絡異常がないかの電気検査を行う（ステップＳ２１）。より具体的には、表層の配線Ｗ１，Ｗ８およびスルーホールＴＨについて、設計上開放されるべき箇所が解放されているか、および、短絡されるべき箇所が短絡されているかを、テスタを用いて検査する。電気検査をパスしたプリント配線板２０は正常と判定される（ステップＳ２１のＹＥＳ，Ｓ２）。
【００４４】
電気検査をパスできなかったプリント配線板２０（ステップＳ２１のＮＯ）であっても擬似エラーの可能性があるため、即座に不良とは判定しない。そして、次の検査を行うために、レーザビア受けランドＬＤ２と、検査用ランドＬＤ１と電気的に接続されるスルーホールＴＨとの間の抵抗値を測定する（ステップＳ２３）。
【００４５】
上述のように、レーザビアＬＶの位置がずれていなければ、図２０に示すようにレーザビアＬＶ底部に形成される金属Ｍ２と検査用ランドＬＤ１との距離が長いため、抵抗値は大きくなるはずである。そこで、測定された抵抗値が予め定めた閾値以上であれば（ステップＳ２４のＹＥＳ）、不良はなく正常と判定される（ステップＳ２２）。一方、抵抗値が閾値未満であれば（ステップＳ２４のＮＯ）、図２２に示すように、レーザビアＬＶがずれて形成されている可能性が高いため不良と判定される。
【００４６】
なお、ステップＳ２１の電気検査を省略してもよい。しかしながら、電気検査は基板メーカによるプリント配線板２０の検査として通常行われるものであるので、まず電気検査を行うことで、追加工程が必要となるステップＳ２３以降の処理を行うプリント配線板２０の数を減らすことができ、検査の効率が向上する。
【００４７】
図２４は、プリント配線板２０の検査手法の別の一例を示すフローチャートである。同図では、抵抗値に代えて容量値を測定する（ステップＳ２３’）。レーザビアＬＶの位置がずれていなければ、レーザビアＬＶの底部に形成される金属Ｍ２と検査用ランドＬＤ１との距離が長いため、容量値は小さくなるはずである。そこで、測定された容量値が予め定めた閾値未満であれば（ステップＳ２４’のＹＥＳ）、不良はなく正常と判定される（ステップＳ２２）。一方、容量値が閾値以上であれば（ステップＳ２４’のＮＯ）、不良と判定される。
【００４８】
このように、本実施形態では、レーザビア受けランドＬＤ２に対向して検査用ランドＬＤ１を設ける。そのため、両ランド間の電気特性を測定することで、簡易かつ高精度にレーザビアＬＶの位置がずれた不良のプリント配線板２０を検出できる。
【００４９】
なお、図２等では８層１段ビルドアップ構造のプリント配線板２０を例示したため、検査用ランドは配線層Ｌ３に形成されるが、例えば８層２段ビルドアップ構造であって、配線層Ｌ２，Ｌ３間に形成されるレーザビアＬＶの位置ずれについて検査する場合、配線層Ｌ４に検査用ランドを形成すればよい。
【００５０】
また、スルーホールＴＨに代えて、図２５に示すようにバンプ接続を用いてもよいし、図２６に示すように検査用レーザビアＬＶ２を用いてもよい。図２６の場合、検査用レーザビアＬＶ２がずれてしまうと正確な検査ができないため、検査用レーザビアＬＶ２のレーザビア受けランドＬＤ３は、レーザビアＬＶのレーザビア受けランドＬＤ２より大きくするのが望ましい。また、検査用レーザビアＬＶ２は、２段のレーザビアをずらして層間接続するスタッガード構造であってもよい。
【００５１】
上述したプリント配線板２０は、例えばパーソナルコンピュータに搭載される。図２７は、プリント配線板２０を搭載したパーソナルコンピュータ１０の斜視図である。パーソナルコンピュータ１０は、コンピュータ本体１１およびディスプレイユニット１２を備える。
【００５２】
コンピュータ本体１１は、薄い箱型の筐体を有し、この筐体の上面中央部には入力部としてのキーボード１３が設けられる。コンピュータ本体１１の内部にプリント配線板２０が設けられる。プリント配線板２０は、いわゆるシステム基板であり、ＣＰＵ（Central Processing Unit）をはじめとする各種電子部品を実装している。
【００５３】
ディスプレイユニット１２には、表示部としてのＬＣＤ（Liquid Crystal Display）１４が組み込まれている。ディスプレイユニット１２は、コンピュータ本体１１に対して、開閉軸１５を中心として矢印Ｘの方向に開閉自在となるように、連結部（ヒンジ）１６を介して連結される。
【００５４】
もちろん、プリント配線板をテレビなど他の電子機器に搭載してもよい。
【００５５】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
【符号の説明】
【００５６】
１  製品部
２  クーポン部
１０  パーソナルコンピュータ
２０  プリント配線板
ＬＤ１  検査用ランド
ＬＤ２  レーザビア受けランド
ＬＶ  レーザビア
Ｐ０，Ｐ１ｔ，Ｐ２ｔ，Ｐ１ｂ，Ｐ２ｂ  プリプレグ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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