(57)【要約】【課題】厚みが薄く、放射線の１回照射で２つの放射線画像を得ることができる。【解決手段】主に低エネルギーの放射線Ｘ１に感応し、放射線Ｘを第１波長の光２６Ａに変換する第１蛍光材料２６と、主に高エネルギーの放射線Ｘに感応し、放射線Ｘをピークが第１波長と異なる第２波長の光２８Ａに変換する第２蛍光材料２８とが混合されたシンチレータ層２４と、有機材料で構成され、第２波長の光２８Ａに比べ第１波長の光２６Ａを多く吸収して電荷Ｑ１に変換する第１光検出センサ４０と、前記有機材料とは異なる有機材料で構成され、第１波長の光２６Ａに比べ第２波長の光２８Ａを多く吸収して電荷Ｑ２に変換する第２光検出センサ４２と、が同一面内に複数配置された有機光電変換層３０と、を放射線Ｘの入射方向に積層して構成した。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
入射した放射線のうち主に低エネルギーの放射線に感応し、前記放射線を第１波長の光に変換する第１蛍光材料と、前記放射線のうち主に前記低エネルギーよりも高エネルギーの放射線に感応し、前記放射線を前記第１波長と異なる第２波長の光に変換する第２蛍光材料とが混合された第１シンチレータ層と、
有機材料で構成され、前記第２波長の光に比べ前記第１波長の光を多く吸収して電荷に変換する第１光検出センサと、前記有機材料とは異なる有機材料で構成され、前記第１波長の光に比べ前記第２波長の光を多く吸収して電荷に変換する第２光検出センサと、が同一面内に複数配置された有機光電変換層と、
前記有機光電変換層に配設され、前記有機光電変換層で発生した電荷を読み出すトランジスタが形成された基板と、
が前記放射線の入射方向に積層して構成された放射線検出器。
【請求項２】
前記基板は光透過性であり、
前記基板には、前記第１シンチレータと同一の材料で構成された第２シンチレータ層が配設されている、
請求項１に記載の放射線検出器。
【請求項３】
前記基板側を前記放射線の入射面とした、
請求項１に記載の放射線検出器。
【請求項４】
前記第１光検出センサ及び前記第２光検出センサの総受光面積は、同一である、
請求項１〜請求項３の何れか１項に記載の放射線検出器。
【請求項５】
前記第１光検出センサ及び前記第２光検出センサは、それぞれ被写体を透過した前記放射線により現される放射線画像の１画素を構成する、
請求項４に記載の放射線検出器。
【請求項６】
前記第１光検出センサと前記第２光検出センサは、互いに隣り合うように１対１の割合で複数配置されている、
請求項５に記載の放射線検出器。
【請求項７】
前記第１光検出センサは、前記第２光検出センサに比べて多く配置されている、
請求項５に記載の放射線検出器。
【請求項８】
前記第２光検出センサは、四方が複数の前記第１光検出センサに囲まれて配置されている、
請求項７に記載の放射線検出器。
【請求項９】
前記第１光検出センサは、前記第２波長の光を透過して前記第１波長の光を吸収し、
前記第２光検出センサは、前記第１波長の光を透過して前記第２波長の光を吸収する、
請求項１〜請求項８の何れか１項に記載の放射線検出器。
【請求項１０】
前記第１波長は青色の光の波長であり、前記第２波長は緑色の光の波長である、
請求項１〜請求項９の何れか１項に記載の放射線検出器。
【請求項１１】
前記第１シンチレータ層及び前記第２シンチレータ層は、前記第１蛍光材料及び前記第２蛍光材料として、前記放射線を緑色の光に変換するＴｂをドープしたＧｄ２Ｏ２Ｓ、及び前記放射線を青色の光に変換するＥｕをドープしたＢａＦＸ（Ｘはハロゲン元素）が混合されている、
請求項１０に記載の放射線検出器。
【請求項１２】
前記トランジスタの活性層は非晶質酸化物で構成され、
前記基板は、プラスチック樹脂で構成される、
請求項１〜請求項１１の何れか１項に記載の放射線検出器。
【請求項１３】
請求項１〜請求項１２の何れか１項に記載の放射線検出器の製造方法であって、
前記有機光電変換層の前記第１光検出センサと前記第２光検出センサをインクジェット方式で前記基板上の同一面内に複数配置する、
放射線検出器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線検出器及び放射線検出器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＴＦＴ（Thin film transistor）アクティブマトリックス基板上にＸ線感応層を配置し、Ｘ線情報を直接デジタルデータに変換できるＦＰＤ（flat panel detector）等の放射線検出器が実用化されている。この放射線検出器は、従来のイメージングプレートに比べて、即時に画像を確認でき、動画も確認できるといったメリットがあり、急速に普及が進んでいる。
【０００３】
この種の放射線検出器は、種々のタイプのものが提案されており、例えば、Ｘ線を直接、半導体層で電荷に変換して蓄積する直接変換方式や、Ｘ線を一度ＣｓＩ：Ｔｌ、ＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）などのシンチレータ（波長変換部）で光に変換し、変換した光をフォトダイオードなどの光検出センサで電荷に変換して蓄積する間接変換方式がある。
【０００４】
ところで、放射線画像の撮影において、被写体の同一の部位を異なる管電圧で撮影し、各管電圧での撮影によって得られた放射線画像に重みを付けて差分を演算する画像処理（以下、「サブトラクション画像処理」と呼ぶ）を行うことで、画像中の骨部等の硬部組織に相当する画像部、及び軟部組織に相当する画像部の一方を強調して他方を除去した放射線画像（以下、「エネルギーサブトラクション画像」と呼ぶ）を得る技術が知られている。例えば、胸部の軟部組織に相当するエネルギーサブトラクション画像を用いると、肋骨で隠れていた病変を見ることが可能になり、診断性能を向上させることができる。
【０００５】
しかしながら、管電圧を変えて撮影する場合は、放射線の照射が２回になるため、被写体の体動等があったときに、診断性能の良い画像が得られない虞がある。
【０００６】
そこで、特許文献１には、放射線を１回照射することにより、被写体を透過した放射線のうち低エネルギーの放射線が現す軟部組織の画像（以下、低圧画像という）と、高エネルギーの放射線が現す硬部組織の画像（以下、高圧画像という）と、の２つの放射線画像を得ることが可能な放射線検出器が開示されている。
具体的に、この放射線検出器は、放射線を吸収して第１の波長の光に変換する第１シンチレータ層と、放射線を吸収して第２の波長の光に変換する第２シンチレータ層と、第１の波長の光には応答せず第２の波長の光に応答（光電変換）する第１光検出センサと、第２の波長の光には応答せず第１の波長の光に応答（光電変換）する第２光検出センサと、を積層して構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特表２００９-５１１８７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１の構成では、第１光検出センサと第２光検出センサとが２層構造のため、放射線検出器の厚みが大きくなる。そして、放射線検出器の厚みが大きくなると、サイズの関係上電子カセッテ等に組み込めなくなる虞がある。
【０００９】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、厚みが薄く、放射線の１回照射で２つの放射線画像を得ることができる放射線検出器及び放射線検出器の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１態様に係る放射線検出器は、入射した放射線のうち主に低エネルギーの放射線に感応し、前記放射線を第１波長の光に変換する第１蛍光材料と、前記放射線のうち主に前記低エネルギーよりも高エネルギーの放射線に感応し、前記放射線を前記第１波長と異なる第２波長の光に変換する第２蛍光材料とが混合された第１シンチレータ層と、有機材料で構成され、前記第２波長の光に比べ前記第１波長の光を多く吸収して電荷に変換する第１光検出センサと、前記有機材料とは異なる有機材料で構成され、前記第１波長の光に比べ前記第２波長の光を多く吸収して電荷に変換する第２光検出センサと、が同一面内に複数配置された有機光電変換層と、前記有機光電変換層に配設され、前記有機光電変換層で発生した電荷を読み出すトランジスタが形成された基板と、が前記放射線の入射方向に積層して構成されている。
【００１１】
この構成によれば、被写体を透過した放射線が照射されると、まず、第１シンチレータ層の第１蛍光材料が、入射した放射線のうち主に低エネルギーの放射線に感応して放射線を第１波長の光に変換し、また第１シンチレータ層の第２蛍光材料が、入射した放射線のうち主に前記低エネルギーよりも高エネルギーの放射線に感応して放射線を第２波長の光に変換する。次に、第１光検出センサが第１シンチレータ層からの第１波長の光を第２波長の光よりも多く吸収し電荷に変換することによって、低エネルギーの放射線により現される被写体の軟部組織の低圧画像が得られる。また、第２光検出センサが第１シンチレータ層からの第２波長の光を第１波長の光よりも多く吸収し電荷に変換することによって、高エネルギーの放射線により現される被写体の硬部組織の高圧画像が得られる。
従って、放射線を１回照射することにより、低圧画像と高圧画像の２つの放射線画像を得ることが可能となる。
そして、第１波長の光を吸収する第１光検出センサと、第２波長の光を吸収する第２光検出センサと、が同一面内に複数配置されて有機光電変換層が構成されているので、第１光検出センサと第２光検出センサとが２層構造の場合に比べて、有機光電変換層の厚みが薄くなり、もって放射線検出器全体を薄くすることができる。
【００１２】
本発明の第２態様に係る放射線検出器は、前記基板は光透過性であり、前記基板には、前記第１シンチレータと同一の材料で構成された第２シンチレータ層が配設されている。
【００１３】
この構成によれば、第２シンチレータ層で発光した光は、光透過性の基板を透過して、有機光電変換層に当たることになる。よって、第２シンチレータ層は第１シンチレータ層と同一の役割を果たすことになり、第２シンチレータ層を基板側に配設した分だけ第１シンチレータ層の厚みを薄くできる。そして、第１シンチレータ層の厚みが薄ければ、仮に放射線が、第１シンチレータ層、有機光電変換層、基板、第２シンチレータ層の順で照射されても、第１シンチレータ層の中で主に放射線を吸収して発光するシンチレータ部分と有機光電変換層との距離が近くなり、有機光電変換層がより多くの光を吸収して感度が向上する。
【００１４】
本発明の第３態様に係る放射線検出器は、前記基板側を前記放射線の入射面とした。
【００１５】
この構成によれば、放射線は、基板、有機光電変換層、第１シンチレータ層の順で照射される。このとき、放射線は、第１シンチレータ層の中では、まず有機光電変換層側のシンチレータ部分に照射されるので、当該有機光電変換層側のシンチレータ部分が主に放射線を吸収して発光することになる。そして、第１シンチレータ層の中で主に放射線を吸収して発光するシンチレータ部分が有機光電変換層側であると、当該シンチレータ部分と有機光電変換層との距離が近くなり、有機光電変換層がより多くの光を吸収して感度が向上する。
【００１６】
本発明の第４態様に係る放射線検出器は、前記第１光検出センサ及び前記第２光検出センサの総受光面積は、同一である、
【００１７】
この構成によれば、第１光検出センサと第２光検出センサの受光量を同一にすることができる。
【００１８】
本発明の第５態様に係る放射線検出器は、前記第１光検出センサ及び前記第２光検出センサは、それぞれ被写体を透過した前記放射線により現される放射線画像の１画素を構成する。
【００１９】
この構成によれば、１つの光検出センサで放射線画像の１画素が得られることになる。
【００２０】
本発明の第６態様に係る放射線検出器は、前記第１光検出センサと前記第２光検出センサは、互いに隣り合うように１対１の割合で複数配置されている。
【００２１】
この構成によれば、解像度が同じ低圧画像と高圧画像が得られる。
【００２２】
本発明の第７態様に係る放射線検出器は、前記第１光検出センサは、前記第２光検出センサに比べて多く配置されている。
【００２３】
この構成によれば、入射した放射線のうち主に低エネルギーの放射線に感応して放射線から変換された第１波長の光を吸収して電荷に変換する第１光検出センサの数が多くなることで、第１光検出センサから得られる低圧画像用の画素数が増え、低圧画像の解像度を高めることができる。このように、上記第６態様の構成と比べて、被写体の軟部組織が現されている低圧画像の解像度を高めると、軟部組織の微細な部分を確実に視認することができるようになる。
【００２４】
本発明の第８態様に係る放射線検出器は、前記第２光検出センサは、四方が複数の前記第１光検出センサに囲まれて配置されている。
【００２５】
この構成によれば、四方の複数の第１光検出センサにより得られる画素を用いて、低圧画像用の画素として、四方に囲まれた中心部分の画素を精度よく補完できる。
【００２６】
本発明の第９態様に係る放射線検出器は、前記第１光検出センサは、前記第２波長の光を透過して前記第１波長の光を吸収し、前記第２光検出センサは、前記第１波長の光を透過して前記第２波長の光を吸収する。
【００２７】
この構成によれば、第１光検出センサが第１シンチレータ層からの第２波長の光は透過して吸収せず、第１波長の光を吸収して電荷に変換することによって、高エネルギーの放射線により現される高圧画像を含まない形で、低エネルギーの放射線により現される低圧画像をより鮮明に得ることができる。また、第２光検出センサが第１シンチレータ層からの第１波長の光は透過して吸収せず、第２波長の光を吸収して電荷に変換することによって、低エネルギーの放射線により現される低圧画像を含まない形で、高エネルギーの放射線により現される高圧画像をより鮮明に得ることができる。
【００２８】
本発明の第１０態様に係る放射線検出器は、前記第１波長は青色の光の波長であり、前記第２波長は緑色の光の波長である。
【００２９】
このように、シンチレータ層が発光する第１波長の光と第２波長の光の色を分けることで、互いの光の発光波長域が重なることを防止し、ノイズの発生を抑制することができる。
【００３０】
本発明の第１１態様に係る放射線検出器は、前記第１シンチレータ層及び前記第２シンチレータ層は、前記第１蛍光材料及び前記第２蛍光材料として、前記放射線を緑色の光に変換するＴｂをドープしたＧｄ２Ｏ２Ｓ、及び前記放射線を青色の光に変換するＥｕをドープしたＢａＦＸ（Ｘはハロゲン元素）が混合されている。
【００３１】
この構成によれば、第１シンチレータ層からシャープな波長の光、すなわち緑色及び青色以外の色をほとんど含まない光を発光するので、有機光電変換層が余計な光を吸収することが抑制することができる。
【００３２】
本発明の第１２態様に係る放射線検出器は、前記トランジスタの活性層は非晶質酸化物で構成され、前記基板は、プラスチック樹脂で構成される。
【００３３】
この構成によれば、有機光電変換層が有機材料で構成され、トランジスタの活性層が非晶質酸化物で構成されるため、全てのプロセスにおいて低温で放射線検出器の製造が可能となり、基板を一般的に耐熱性が低く、可撓性のあるプラスチック樹脂で構成することができる。そして、このようなプラスチック製の可撓性基板を用いれば、軽量化を図ることもでき、例えば持ち運び等に有利となる。
【００３４】
本発明の第１３態様に係る放射線検出器の製造方法は、上記放射線検出器の製造方法であって、前記有機光電変換層の前記第１光検出センサと前記第２光検出センサをインクジェット方式で前記基板上の同一面内に複数配置する。
【００３５】
この方法によれば、放射線検出器の光電変換層を有機材料で構成するため、光電変換層を配置（形成）する際にインクジェット方式を用いることができ、このインクジェット方式を用いると、異なる有機材料で構成された第１光検出センサと第２光検出センサとを同一面内に容易に配置することができる。また、インジェット方式で有機材料を含んだ液体を重ね打ちすることで、第１光検出センサと第２光検出センサの厚みを調整できる。
【発明の効果】
【００３６】
本発明によれば、厚みが薄く、放射線の１回照射で２つの放射線画像を得ることができる放射線検出器及び放射線検出器の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】放射線画像撮影時における電子カセッテの配置を示す概略図である。
【図２】電子カセッテの内部構造を示す概略斜視図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る放射線検出器の断面構成を示した断面図である。
【図４】波長とスペクトル特性の関係を示す図である。
【図５】図３に示す放射線検出器の詳細構成を示した断面図である。
【図６】ＴＦＴスイッチの構成を概略的に示す図である。
【図７】ＴＦＴ基板の配線構造を示す図である。
【図８】本発明の第１実施形態に係る放射線検出器の作用を説明する図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る放射線検出器の断面構成を示した断面図である。
【図１０】本発明の第１実施形態に係る放射線検出器における第１光検出センサと第２光検出センサの配置割合を示す図である。
【図１１】本発明の第１実施形態に係る放射線検出器における第１光検出センサと第２光検出センサの配置割合の変形例を示す図である。
【図１２】本発明の第１実施形態に係る放射線検出器における第１光検出センサと第２光検出センサの配置割合の変形例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
（第１実施形態）
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の第１実施形態に係る放射線検出器及び放射線検出器の製造方法について具体的に説明する。なお、図中、同一又は対応する機能を有する部材（構成要素）には同じ符号を付して適宜説明を省略する。
【００３９】
−放射線画像撮影装置の構成−
まず、本発明の第１実施形態に係る放射線画像撮影装置の一例としての電子カセッテの構成を説明する。
【００４０】
本発明の第１実施形態に係る電子カセッテは、可搬性を有し、被写体を透過した放射線源からの放射線を検出し、その検出した放射線により表わされる放射線画像の画像情報を生成し、その生成した画像情報を記憶可能な放射線画像撮影装置であり、具体的には以下に示すように構成されている。なお、電子カセッテは、生成した画像情報を記憶しない構成であっても良い。
【００４１】
図１は、放射線画像撮影時における電子カセッテの配置を示す概略図である。
【００４２】
電子カセッテ１０は、放射線画像の撮影時において、放射線Ｘを発生させる放射線源としての放射線発生部１２と間隔を空けて配置される。このときの放射線発生部１２と電子カセッテ１０との間は、被写体としての患者１４が位置するための撮影位置とされており、放射線画像の撮影が指示されると、放射線発生部１２は予め与えられた撮影条件等に応じた放射線量の放射線Ｘを射出する。放射線発生部１２から射出された放射線Ｘは、撮影位置に位置している患者１４を透過することで画像情報を担持した後に電子カセッテ１０に照射される。
【００４３】
図２は、電子カセッテ１０の内部構造を示す概略斜視図である。
【００４４】
電子カセッテ１０は、放射線Ｘを透過させる材料から成り、所定の厚みを有する平板状の筐体１６を備えている。そして、この筐体１６の内部に、放射線Ｘが照射される筐体１６の入射面１８側から、患者１４を透過した放射線Ｘを検出する放射線検出器２０、及び当該放射線検出器２０を制御する制御基板２２が順に設けられている。
【００４５】
−放射線検出器２０の構成−
次に、本発明の第１実施形態に係る放射線検出器２０の構成について説明する。図３は、本発明の第１実施形態に係る放射線検出器２０の断面構成を示した断面図である。
【００４６】
本発明の第１実施形態に係る放射線検出器２０は、矩形平板状とされ、上述のように患者１４を透過した放射線Ｘを検出して、放射線Ｘにより現される放射線画像を撮影するものであり、後述する光検出基板２３上にシンチレータ層２４が形成されている。
【００４７】
このシンチレータ層２４は、放射線Ｘに対する感度（Ｋ吸収端及び発光波長）が互い異なる２種類の蛍光材料が混合されて構成される。具体的には、患者１４を透過した放射線Ｘのうち低エネルギーの放射線が現す軟部組織の低圧画像を撮影するため、放射線吸収率μが高エネルギー部分にＫ吸収端を持たない、すなわち高エネルギー部分で吸収率μが不連続的に増加することのない第１蛍光材料２６と、患者１４を透過した放射線Ｘのうち高エネルギーの放射線が現す硬部組織の高圧画像を撮影するため、高エネルギー部分の放射線吸収率μが第１蛍光材料２６よりも高くなっている第２蛍光材料２８と、が混合されている。
なお、「軟部組織」とは、筋肉、内臓等を含み、皮質骨及び／又は海綿骨等の骨組織以外の組織を意味する。また、「硬部組織」とは、硬組織とも呼ばれ、皮質骨及び／又は海綿骨等の骨組織を意味する。
【００４８】
第１蛍光材料２６と第２蛍光材料２８は、放射線Ｘに対する感度が互い異なる蛍光材料であれば、シンチレータとして一般的に用いられるもの全てから適宜選択できるが、例えば以下の表１に列挙した蛍光材料から２種類選択することができる。なお、第１蛍光材料２６と第２蛍光材料２８は、撮影により得られる低圧画像と高圧画像の区別を明確にする観点から、放射線Ｘに対する感度が互い異なるだけなく、発光色も互いに異なることが好ましい。
【００４９】
【表１】
2012032170.tif 000003
【００５０】
なお、表１の蛍光材料の他にも、ＣｓＢｒ：Ｅｕ、ＺｎＳ：Ｃｕ、Ｇｄ2 Ｏ2 Ｓ：Ｅｕ、Ｌｕ2Ｏ2Ｓ:Ｔｂ等も選択可能である。
ただし、潮解性がなく形成し易いという観点から、上述の中でも母体材料がＣｓＩ、ＣｓＢｒ以外のものを選択することが好ましい。
また、所定の波長の光を吸収（遮光）するカラーフィルターが無くても撮影した放射線画像にノイズを与えないという観点から、上述の材料の中でもＣｓＩ：Ｔｌ、（Ｚｎ,Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、ＣａＷＯ４：Ｐｂ、Ｌａ２ＯＢｒ：Ｔｂ、ＺｎＳ：Ａｇ、ＣｓＩ：Ｎａ以外の、ブロードでないシャープ（発光波長の狭い）な波長の光を発光するものが好ましい。このようなシャープな波長の光を発光する蛍光材料としては、例えば緑発光のＧｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、Ｌａ2Ｏ2Ｓ：Ｔｂ、青発光のＢａＦＸ：Ｅｕ（ただし、Ｘは、Ｂｒ、Ｃｌ等のハロゲン元素）が挙げられる。この中でも、特に、第１蛍光材料２６と第２蛍光材料２８は、緑発光のＧｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂと青発光のＢａＦＸ：Ｅｕの組み合わせが好ましい。
【００５１】
そして、第１蛍光材料２６と第２蛍光材料２８とは、放射線Ｘに対する感度が互い異なる蛍光材料が選択されて、光のピークの発光波長が互いに異なり、図４に示すように、第１蛍光材料２６は、入射した放射線Ｘのうち主に低エネルギーの放射線に感応して放射線Ｘをピークが第１波長の光２６Ａに変換し、第２蛍光材料２８は、放射線Ｘのうち主に前記低エネルギーよりも高エネルギーの放射線に感応して放射線Ｘをピークが第１波長と異なる第２波長の光２８Ａに変換する。
なお、図４では、第１蛍光材料２６が緑発光のＧｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂであり、第２蛍光材料２８が青発光のＢａＦＢｒ：Ｅｕである場合の各蛍光材料２６,２８のスペクトル特性の一例を示しているが、第１蛍光材料２６と第２蛍光材料２８のスペクトル特性は、上記の趣旨を逸脱しない限り、他の如何なる形のスペクトル特性であってもよい。また、図４では第１波長は、第２波長よりも波長が長いが、短い場合であってもよい。さらにまた、図４中の横軸は、光の波長を示し、縦軸はスペクトル特性、すなわち光の相対発光強度を示している。
【００５２】
図３に戻って、シンチレータ層２４が発光した光は、光検出基板２３が受光する。光検出基板２３は、有機光電変換層３０と、ＴＦＴアクティブマトリクス基板３２（以下、ＴＦＴ基板という）と、を備えている。
【００５３】
有機光電変換層３０は、シンチレータ層２４とＴＦＴ基板３２との間に配設されており、シンチレータ層２４が発光した光を受光して電荷に変換するものである。具体的には、光吸収特性が互いに異なる有機材料で少なくとも一部が構成された第１光検出領域３０Ａと第２光検出領域３０Ｂと、を同一面内に複数配置して構成されている。これら複数の第１光検出領域３０Ａと第２光検出領域３０Ｂの配置は、例えば同一平面内において、互いに隣り合うように１対１の割合とされた千鳥状の配置である。
【００５４】
図５は、図３に示す放射線検出器２０の詳細構成を示した断面図である。
【００５５】
図５に示すように、有機光電変換層３０の第１光検出領域３０Ａには、第１光検出センサ４０が形成され、有機光電変換層３０の第２光検出領域３０Ｂには、第１光検出センサ４０の総受光面積と同一の総受光面積を有した第２光検出センサ４２が形成されている。そして、これら第１光検出センサ４０及び第２光検出センサ４２は、それぞれ患者１４を透過した放射線Ｘにより現される放射線画像の１画素を構成している。
【００５６】
第１光検出センサ４０は、上部電極５０、下部電極５２、及び該上下の電極間に配置された第１有機光電変換膜５４を有している。また、第２光検出センサ４２は、上部電極６０、下部電極６２、及び該上下の電極間に配置され、第１有機光電変換膜５４と光吸収特性が異なる第２有機光電変換膜６４を有している。
【００５７】
第１有機光電変換膜５４は、シンチレータ層２４の第１蛍光材料２６から発光する第１波長の光２６Ａを第２波長の光２８Ａよりも多く吸収し、吸収した光に応じた電荷に変換、すなわち電荷を発生するものである。このような第１有機光電変換膜５４の光吸収特性は、例えば図４に示すような特性５４Ａである。このような構成にすれば、第２波長の光２８Ａは第１波長の光２６Ａに比べて吸収されないので、第２波長の光２８Ａが第１有機光電変換膜５４で吸収されることによって発生するノイズを効果的に抑制することができる。
【００５８】
また、第２有機光電変換膜６４は、シンチレータ層２４の第２蛍光材料２８から発光する第２波長の光２８Ａを第１波長の光２６Ａよりも多く吸収し、吸収した光に応じた電荷に変換、すなわち電荷を発生するものである。このような第２有機光電変換膜６４の光吸収特性は、例えば図４に示すような特性６４Ａである。このような構成にすれば、第１波長の光２６Ａは第２波長の光２８Ａに比べて吸収されないので、第１波長の光２６Ａが第２有機光電変換膜６４で吸収されることによって発生するノイズを効果的に抑制することができる。
【００５９】
なお、上記ノイズをより抑制するという観点から、第１有機光電変換膜５４は、第２波長の光２８Ａを例えば９５％以上透過して第１波長の光２６Ａを選択的に吸収し、第２有機光電変換膜６４は、第１波長の光２６Ａを例えば９５％以上透過して第２波長の光２８Ａを選択的に吸収することが好ましい。さらに、第１有機光電変換膜５４は、第２波長の光２８Ａを全て透過して第１波長の光２６Ａを選択的に吸収し、第２有機光電変換膜６４は、第１波長の光２６Ａを全て透過して第２波長の光２８Ａを選択的に吸収することが好ましい。
また、図４では、第１有機光電変換膜５４が緑吸収のキナクリドンで構成され、第２有機光電変換膜６４が青吸収のルブレンを含むＰ型物質とフラーレン又は高次フラーレンを含むｎ型物質の組み合わせで構成される場合の各有機光電変換膜５４,６４のスペクトル特性の一例を示しているが、第１有機光電変換膜５４と第２有機光電変換膜６４のスペクトル特性は、上記の趣旨を逸脱しない限り、他の如何なる形のスペクトル特性であってもよい。また、図４中の横軸は、光の波長を示し、縦軸はスペクトル特性、すなわち光の吸収特性を示している。
【００６０】
上述のような機能は、第１有機光電変換膜５４及び第２有機光電変換膜６４を、有機材料の中から適宜選択した材料で構成することによって実現が可能となる。
第１有機光電変換膜５４及び第２有機光電変換膜６４の材料としては、上述のキナクリドンや、ルブレンを含むＰ型物質とフラーレン又は高次フラーレンを含むｎ型物質の組み合わせの他に、赤吸収のフタロシアニンや、青吸収のアントラキノン等が挙げられる。
第１有機光電変換膜５４及び第２有機光電変換膜６４の形成方法としては、上述のように第１有機光電変換膜５４及び第２有機光電変換膜６４を有機材料で構成するため、一般的に用いられる蒸着法に変えてインクジェット方式を用いることができる。このインクジェット方式を用いると、異なる有機材料で構成された第１有機光電変換膜５４と第２有機光電変換膜６４とを同一面内に容易に配置することができる。また、インジェット方式で有機材料を含む液体を重ね打ちすることで、第１有機光電変換膜５４と第２有機光電変換膜６４の厚みを調整できる。
【００６１】
また、第１有機光電変換膜５４と第２有機光電変換膜６４との間には、互いに発生した電荷が行き来しないように、隙間が形成されている。そして、この隙間には、ＴＦＴ基板３２上を平坦化するために、平坦化膜６６が埋められている。
【００６２】
また、第１有機光電変換膜５４と第２有機光電変換膜６４で発生した電荷は、ＴＦＴ基板３２によって読み出される。このＴＦＴ基板３２は、支持基板６８上に複数のＴＦＴスイッチ７０,７２が形成されて構成される。ＴＦＴスイッチ７０は、第１有機光電変換膜５４から下部電極５２に移動した電荷を電気信号に変換して出力するものである。一方、ＴＦＴスイッチ７２は、第２有機光電変換膜６４から下部電極６２に移動した電荷を電気信号に変換して出力するものである。
【００６３】
図６は、ＴＦＴスイッチ７０の構成を概略的に示す図である。なお、ＴＦＴスイッチ７２については、ＴＦＴスイッチ７０の構成と同様であるので、説明を省略する。
【００６４】
ＴＦＴスイッチ７０の形成された領域は、平面視において下部電極５２と重なる部分を有しており、このような構成とすることで、各画素部におけるＴＦＴスイッチ７０と第１光検出センサ４０とが厚さ方向で重なりを有することとなる。なお、放射線検出器２０（画素部）の平面積を最小にするために、ＴＦＴスイッチ７０の形成された領域が下部電極５２によって完全に覆われていることが望ましい。
【００６５】
ＴＦＴスイッチ７０は、ゲート電極１００、ゲート絶縁膜１０２、及び活性層（チャネル層）１０４が積層され、さらに、活性層１０４上にソース電極１０６とドレイン電極１０８が所定の間隔を開けて形成されている。また、ＴＦＴスイッチ７０と下部電極５２との間には、絶縁膜１１０が設けられている。
ここで、ＴＦＴスイッチ７０の活性層１０４は、非晶質酸化物により形成されていることが好ましい。この非晶質酸化物としては、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎのうちの少なくとも１つを含む酸化物（例えばＩｎ−Ｏ系）が好ましく、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎのうちの少なくとも２つを含む酸化物（例えばＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｇａ系、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系）がより好ましく、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎを含む酸化物が特に好ましい。Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非晶質酸化物としては、結晶状態における組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）で表される非晶質酸化物が好ましく、特に、ＩｎＧａＺｎＯ４がより好ましい。
【００６６】
ＴＦＴスイッチ７０の活性層１０４を非晶質酸化物で構成したものとすれば、Ｘ線等の放射線を吸収せず、あるいは吸収したとしても極めて微量に留まるため、ノイズの発生を効果的に抑制することができる。
【００６７】
また、非晶質酸化物や第１有機光電変換膜５４及び第２有機光電変換膜６４を構成する有機材料は、いずれも低温での形成が可能である。従って、活性層１０４を非晶質酸化物で構成すれば、支持基板６８としては、半導体基板、石英基板、及びガラス基板等の耐熱性の高い基板に限定されず、プラスチック等の可撓性基板、アラミド、バイオナノファイバを用いることもできる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の可撓性基板を用いることができる。このようなプラスチック製の可撓性基板を用いれば、軽量化を図ることもでき、例えば持ち運び等に有利となる。なお、支持基板６８には、絶縁性を確保するための絶縁層、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、平坦性あるいは電極等との密着性を向上するためのアンダーコート層等を設けてもよい。
【００６８】
アラミドは、２００度以上の高温プロセスを適用できるために、透明電極材料を高温硬化させて低抵抗化でき、また、ハンダのリフロー工程を含むドライバＩＣの自動実装にも対応できる。また、アラミドは、ＩＴＯ（indium tin oxide）やガラス基板と熱膨張係数が近いため、製造後の反りが少なく、割れにくい。また、アラミドは、ガラス基板等と比べて薄く基板を形成できる。なお、超薄型ガラス基板とアラミドを積層して支持基板６８を形成してもよい。
【００６９】
バイオナノファイバは、バクテリア(酢酸菌、Acetobacter Xylinum)が産出するセルロースミクロフィブリル束（バクテリアセルロース）と透明樹脂とを複合したものである。セルロースミクロフィブリル束は、幅５０ｎｍと可視光波長に対して１／１０のサイズで、かつ、高強度、高弾性、低熱膨である。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸・硬化させることで、繊維を６０−７０％も含有しながら、波長５００nmで約９０％の光透過率を示すバイオナノファイバが得られる。バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数（３−７ｐｐｍ）を有し、鋼鉄並の強度(４６０ＭＰa)、高弾性(３０ＧＰａ)で、かつフレキシブルであることから、ガラス基板等と比べて薄く支持基板６８を形成できる。
【００７０】
図７は、ＴＦＴ基板３２の配線構造を示す図である。
【００７１】
ＴＦＴ基板３２には、図７に示すように、上述の第１光検出センサ４０と、ＴＦＴスイッチ７０と、を含んで構成される画素１２０と、上述の第２光検出センサ４２と、ＴＦＴスイッチ７２と、を含んで構成される画素１２２と、が一定方向（図７の行方向）及び当該一定方向に対する交差方向（図７の列方向）に２次元状に交互に複数設けられている。
【００７２】
また、ＴＦＴ基板３２は、一定方向の各画素列毎に走査配線１２４が並列に設けられ、交差方向の各画素列毎に信号配線１２６が並列に設けられている。この信号配線１２６は、画素１２０に対応する第１信号配線１２６Ａと、画素１２２に対応する第２信号配線１２６Ｂと、の２本の信号配線で構成されている。
【００７３】
そして、ＴＦＴスイッチ７０は、ソースが第１光検出センサ４０に接続され、ドレインが第１信号配線１２６Ａに接続され、ゲートが走査配線１２４に接続されている。また、ＴＦＴスイッチ７２は、ソースが第２光検出センサ４２に接続され、ドレインが第２信号配線１２６Ｂに接続され、ゲートが走査配線１２４に接続されている。
【００７４】
各第１信号配線１２６Ａには、当該第１信号配線１２６Ａに接続された何れかのＴＦＴスイッチ７０がＯＮされることにより第１光検出センサ４０に発生して蓄積された電荷量に応じた電気信号が流れ、各第２信号配線１２６Ｂには、当該第２信号配線１２６Ｂに接続された何れかのＴＦＴスイッチ７２がＯＮされることにより第２光検出センサ４２に発生して蓄積された電荷量に応じた電気信号が流れる。
【００７５】
各第１信号配線１２６Ａ及び各第２信号配線１２６Ｂには、これらの配線に流れ出した電気信号を検出する信号検出回路２００が接続されており、各走査配線１２４には、各走査配線１２４にＴＦＴスイッチ７０,７２をＯＮ／ＯＦＦするための制御信号を出力するスキャン信号制御回路２０２が接続されている。なお、これら信号検出回路２００及びスキャン信号制御回路２０２は、制御基板２２（図２参照）に設けられている。
【００７６】
信号検出回路２００は、第１信号配線１２６Ａ及び第２信号配線１２６Ｂのそれぞれ毎に、入力される電気信号を増幅する増幅回路を内蔵している。信号検出回路２００では、各第１信号配線１２６Ａ及び各第２信号配線１２６Ｂより入力される電気信号を各増幅回路により増幅して検出することにより、低圧画像を構成する各画素の情報として、各画素１２０の第１光検出センサ４０に発生した電荷量及び、高圧画像を構成する各画素の情報として、各画素１２２の第２光検出センサ４２に発生した電荷量をそれぞれ検出する。
【００７７】
この信号検出回路２００及びスキャン信号制御回路２０２には、信号検出回路２００において検出された各画素の情報を各第１信号配線１２６Ａによる画像情報と各第２信号配線１２６Ｂによる画像情報とに分けて所定の処理を施すとともに、信号検出回路２００に対して信号検出のタイミングを示す制御信号を出力し、スキャン信号制御回路２０２に対してスキャン信号の出力のタイミングを示す制御信号を出力する信号処理装置２０４が接続されている。
【００７８】
信号処理装置２０４は、制御基板２２（図２参照）に設けられており、上記所定の処理として、例えば第１信号配線１２６Ａから得られる画像情報において、足りない画素の情報を当該画素の周囲の画素１２０を用いて補完し低圧画像を得る処理を行う。また、例えば第２信号配線１２６Ｂから得られる画像情報において、足りない画素の情報を当該画素の周囲の画素１２２を用いて補完し高圧画像を得る処理を行う。さらに、必要がある場合に、得られた低圧画像と高圧画像を用いてサブトラクション画像処理を行うことにより、エネルギーサブトラクション画像を得る処理を行う。
【００７９】
−作用−
次に、本発明の第１実施形態に係る放射線検出器２０の作用について説明する。
【００８０】
図８は、本発明の第１実施形態に係る放射線検出器２０の作用を説明する図である。
本発明の第１実施形態に係る放射線検出器２０の構成は、上記で説明したように、入射した放射線Ｘのうち主に低エネルギーの放射線に感応し、前記放射線Ｘをピークが第１波長の光２６Ａに変換する第１蛍光材料２６と、前記放射線Ｘのうち主に前記低エネルギーよりも高エネルギーの放射線に感応し、前記放射線Ｘをピークが前記第１波長と異なる第２波長の光２８Ａに変換する第２蛍光材料２８とが混合されたシンチレータ層２４と、前記シンチレータ層２４に配設されており、有機材料で構成され、前記第２波長の光２８Ａに比べ前記第１波長の光２６Ａを多く吸収して電荷に変換する第１光検出センサ４０と、前記有機材料とは異なる有機材料で構成され、前記第１波長の光２６Ａに比べ前記第２波長２８Ａの光を多く吸収して電荷に変換する第２光検出センサ４２と、が同一面内に複数配置された有機光電変換層３０と、前記有機光電変換層３０に配設され、前記有機光電変換層３０で発生した電荷を読み出すトランジスタが形成されたＴＦＴ基板３２と、が前記放射線Ｘの入射方向に積層して構成されている。
【００８１】
このような構成において、放射線画像を撮影する場合、放射線検出器２０に患者１４を透過した放射線Ｘが照射される。この患者１４を透過した放射線Ｘには、低エネルギーな成分と高エネルギーな成分が含まれる。以下、放射線Ｘのうち低エネルギーな成分の放射線を低エネルギーの放射線Ｘ１と呼称し、放射線Ｘのうち高エネルギーな成分の放射線を高エネルギーの放射線Ｘ２と呼称する。
【００８２】
本発明の第１実施形態に係る放射線検出器２０では、放射線検出器２０のうち、ＴＦＴ基板３２側を放射線Ｘの入射面とするため、照射された放射線Ｘは、ＴＦＴ基板３２及び有機光電変換層３０を透過した後、シンチレータ層２４に当たる。
【００８３】
放射線Ｘがシンチレータ層２４に当たると（入射すると）、シンチレータ層２４の第１蛍光材料２６が、入射した放射線Ｘのうち主に低エネルギーの放射線Ｘ１に感応して放射線Ｘをピークが第１波長の光２６Ａに変換する。また、シンチレータ層２４の第２蛍光材料２８が、入射した放射線Ｘのうち主に前記低エネルギーよりも高エネルギーの放射線Ｘ２に感応して放射線Ｘをピークが第２波長の光２８Ａに変換する。そして、シンチレータ層２４から発光された第１波長の光２６Ａと第２波長の光２８Ａは、有機光電変換層３０に当たる。
【００８４】
第１波長の光２６Ａと第２波長の光２８Ａが有機光電変換層３０に当たると、第１光検出領域３０Ａの第１光検出センサ４０が第１波長の光２６Ａを第２波長の光２８Ａよりも多く吸収し電荷Ｑ１に変換する。また、第２光検出領域３０Ｂの第２光検出センサ４２が第２波長の光２８Ａを第１波長の光２６Ａよりも多く吸収し電荷Ｑ２に変換する。
【００８５】
次に、図７に示すように、ＴＦＴスイッチ７０,７２のゲートに走査配線１２４を介して順次ＯＮ信号が印加される。これにより、ＴＦＴスイッチ７０,７２は順次ＯＮされ、第１信号配線１２６Ａには、第１光検出センサ４０に発生した電荷Ｑ１が電気信号として流れ、第２信号配線１２６Ｂには、第２光検出センサ４２に発生した電荷Ｑ２が電気信号として流れる。
【００８６】
信号検出回路２００は、第１信号配線１２６Ａ及び第２信号配線１２６Ｂに流れ出した電気信号に基づいて第１光検出センサ４０及び第２光検出センサ４２に発生した電荷量を、画像を構成する各画素１２０,１２２の情報として検出する。信号処理装置２０４は、信号検出回路２００において検出された各画素１２０,１２２の情報を各第１信号配線１２６Ａによる画像情報と各第２信号配線１２６Ｂによる画像情報とに分けて所定の処理を施す。これにより、放射線検出器２０に入射した低エネルギーの放射線Ｘ１により現される放射線画像（低圧画像）を示す画像情報と、高エネルギーの放射線Ｘ２により現される放射線画像（高圧画像）を示す画像情報と、を同時に得ることができる。
従って、放射線Ｘを１回照射することにより、低圧画像と高圧画像の２つの放射線画像を得ることが可能となる。
【００８７】
そして、上述のような第１波長の光２６Ａを吸収する第１光検出センサ４０と、第２波長の光２８Ａを吸収する第２光検出センサ４２と、が同一面内に複数配置されているので、第１光検出センサ４０と第２光検出センサ４２とが２層構造の場合に比べて、有機光電変換層３０の厚みが薄くなり、もって放射線検出器２０全体を薄くすることができる。
また、第１光検出センサ４０の第１有機光電変換膜５４と第２光検出センサ４２の第２有機光電変換膜６４を有機材料で構成するので、他の材料に比べて、より薄く第１光検出センサ４０と第２光検出センサ４２を同一面内に配置することができる。
【００８８】
また、本発明の第１実施形態に係る放射線検出器２０は、ＴＦＴ基板３２側を放射線Ｘの入射面としているので、放射線Ｘは、ＴＦＴ基板３２、有機光電変換層３０、シンチレータ層２４の順で照射される。このとき、放射線Ｘは、シンチレータ層２４の中では、まず有機光電変換層３０側のシンチレータ部分に照射されるので、当該有機光電変換層３０側のシンチレータ部分が主に放射線Ｘを吸収して発光することになる。そして、シンチレータ層２４の中で主に放射線Ｘを吸収して発光するシンチレータ部分が有機光電変換層３０側であると、当該シンチレータ部分と有機光電変換層３０との距離が近くなり、有機光電変換層３０がより多くの光を吸収して感度が向上する。
【００８９】
また、有機光電変換層３０が二層構造である場合に比べて、製造工程数が減るので歩留まりが向上する。また、有機光電変換層３０が二層構造の場合、何れか一方の層が他方の層に比べて光の受光率が低下することになるが、本第１実施形態のように１層構造の場合、第１光検出センサ４０と第２光検出センサ４２の光の受光率は同一となる。また、二層構造の場合に比べ、電気特性が良くなりノイズの発生が少なくなる。
【００９０】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る放射線検出器について説明する。
【００９１】
−放射線検出器の構成−
図９は、本発明の第２実施形態に係る放射線検出器３００の断面構成を示した断面図である。
同図に示すように、本発明の第２実施形態に係る放射線検出器３００の構成は、第１実施形態で説明した図３に示す構成と同様の構成を備えているが、ＴＦＴ基板３２が放射線透過性で且つ光透過性であり、シンチレータ層２４が二層に分割された構成である。具体的には、放射線検出器３００は、有機光電変換層３０の上面に配設された第１シンチレータ層２４Ａと、光透過性のＴＦＴ基板３２の下面に配置された第２シンチレータ層２４Ｂと、を備えている。
なお、本実施形態で「放射線透過性」とは、入射した放射線Ｘの線量の少なくとも１％以上の線量を透過させる性質をいう。また、「光透過性」とは、第２シンチレータ層２４Ｂから発光された光量の少なくとも１％以上の光量を透過させる性質を言う。
【００９２】
−作用−
この構成によれば、第１シンチレータ層２４Ａで発光した光は、有機光電変換層３０に直に当たり、第２シンチレータ層２４Ｂで発光した光は、光透過性のＴＦＴ基板３２を透過した後、有機光電変換層３０に当たることになる。よって、第２シンチレータ層２４Ｂは第１シンチレータ層２４Ｂと同様の役割を果たすことになり、第２シンチレータ層２４ＢをＴＦＴ基板３２側に配設した分だけ第１シンチレータ層２４Ａの厚みを薄くできる。そして、第１シンチレータ層２４Ａの厚みが薄ければ、仮に放射線Ｘが、第１シンチレータ層２４Ａ、有機光電変換層３０、ＴＦＴ基板３２、第２シンチレータ層２４Ｂの順で入射されても、第１シンチレータ層２４Ａの中で主に放射線Ｘを吸収して発光するシンチレータ部分と有機光電変換層３０との距離が近くなり、有機光電変換層３０がより多くの光を吸収して感度が向上する。
【００９３】
（変形例）
なお、本発明を特定の第１,第２実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内にて他の種々の実施形態が可能であることは当業者にとって明らかであり、例えば上述の複数の実施形態は、適宜、組み合わされて実施可能である。また、以下の変形例同士を、適宜、組み合わせてもよい。
【００９４】
例えば、本発明の第１実施形態では、第１光検出センサ４０と第２光検出センサ４２は、図１０に示すように、互いに隣り合うように１対１の割合で複数配置されているので、解像度が同じ低圧画像と高圧画像を得ることになる。しかしながら、第１光検出センサ４０と第２光検出センサ４２の配置割合は、変更することができ、例えば第１光検出センサ４０は、第２光検出センサ４２に比べて多く配置されていても良い。よって、第１光検出センサと第２光検出センサ４２の配置割合を、図１１に示すような３対１の割合や、図１２に示すような８対１の割合にすることもできる。
【００９５】
このように、入射した放射線Ｘのうち主に低エネルギーの放射線Ｘ１に感応して放射線Ｘから変換された第１波長の光２６Ａを吸収して電荷Ｑ１に変換する第１光検出センサ４０の数が多くなることで、第１光検出センサ４０から得られる低圧画像用の画素数が増え、低圧画像の解像度を高めることができる。そして、患者１４の軟部組織が現されている低圧画像の解像度を高めると、軟部組織の微細な部分を確実に視認することができるようになる。
また、図１２に示す配置にすると、第２光検出センサ４２は、四方が複数の第１光検出センサ４０に囲まれて配置されることとなる。したがって、低圧画像の足りない画素の補完をする場合、足りない画素が四方の中心にある画素となるので、当該中心画素の四方の画素１２０を用いて精度のよい補完を行うことができる。
【００９６】
また、図７に示す信号配線１２６は、画素１２０に対応する第１信号配線１２６Ａと、画素１２２に対応する第２信号配線１２６Ｂと、の２本の信号配線で構成されている場合を説明したが、１本の信号配線であってもよい。この場合は、信号処理装置２０４が、信号検出回路２００において検出された各画素１２０,１２２の情報から、画素１２０と画素１２２とを仕分けする処理を行う。
また、図７では、各第１信号配線１２６Ａ及び各第２信号配線１２６Ｂを１つの信号検出回路２００に接続したが、信号検出回路２００を２つ設け、第１信号配線１２６Ａと第２信号配線１２６Ｂを別な信号検出回路２００に接続するようにしてもよい。これにより、従来の１つの放射線画像を検出する光検出基板２３に使用される信号検出回路を使用することができる。
【００９７】
また、１つの第１光検出センサ４０又は第２光検出センサ４２が、それぞれ患者１４を透過した放射線Ｘにより現される放射線画像の１画素を構成する場合を説明したが、複数の画素を構成するようにしてもくよく、逆に、複数の第１光検出センサ４０又は第２光検出センサ４２が放射線画像の１画素を構成するようにしてもよい。
【００９８】
また、第１実施形態では、筐体１６の内部には、放射線Ｘが照射される筐体１６の入射面１８側から、患者１４を透過した放射線Ｘを検出する放射線検出器２０、及び制御基板２２が順に設けられている場合を説明したが、放射線Ｘが照射される入射面１８側から順に、患者１４を透過することに伴って生ずる放射線Ｘの散乱線を除去するグリッド、放射線検出器２０、及び放射線Ｘのバック散乱線を吸収する鉛板が収容されていてもよい。
【００９９】
また、第１実施形態では、筐体１６の形状が矩形平板状である場合を説明したが、特に限定されるものではなく、例えば正面視が正方形や円形になるようにしてもよい。
【０１００】
また、第１実施形態では、制御基板２２を１つで形成した場合について説明したが、本発明はかかる実施形態に限定されるものではなく、制御基板２２が機能毎に複数に分かれていてもよい。さらに、制御基板２２を、放射線検出器２０と垂直方向（筐体１６の厚み方向）に並んで配置する場合を説明したが、放射線検出器２０と水平方向に並んで配置するようにしてもよい。
【０１０１】
また、放射線Ｘは、Ｘ線だけに限られず、α線，β線，γ線，電子線又は紫外線等であってもよい。
【０１０２】
また、放射線画像撮影装置が可搬性のある電子カセッテ１０である場合を説明したが、放射線画像撮影装置は、可搬性のない大型の放射線画像撮影装置であってもよい。
また、第１実施形態では、放射線Ｘの入射面を基板３２側としたが、シンチレータ層２４側としてもよい。
また、第１実施形態では、放射線Ｘの入射面としてのＴＦＴ基板３２から順に、有機光電変換層３０、シンチレータ層２４が積層されている場合を説明したが、積層の順番は適宜変更でき、例えば放射線Ｘの入射面をシンチレータ層２４とし、ＴＦＴ基板３２、有機光電変換層３０が積層されていてもよい。
【符号の説明】
【０１０３】
１４   患者（被写体）
２０   放射線検出器
２４   シンチレータ層（第１シンチレータ層）
２４Ａ 第１シンチレータ層
２４Ｂ 第２シンチレータ層
２６   第１蛍光材料
２６Ａ ピークが第１波長の光
２８   第２蛍光材料
２８Ａ ピークが第２波長の光
３０   有機光電変換層
３２   アクティブマトリクス基板、ＴＦＴ基板（基板）
４０   第１光検出センサ
４２   第２光検出センサ
７０   ＴＦＴスイッチ（トランジスタ）
７２   ＴＦＴスイッチ（トランジスタ）
１０４ 活性層
１２０ 画素
１２２ 画素
３００ 放射線検出器
Ｑ１   電荷
Ｑ２   電荷
Ｘ     放射線
Ｘ１   低エネルギーの放射線
Ｘ２   高エネルギーの放射線
【図１】
2012032170.tif 000004
【図２】
2012032170.tif 000005
【図３】
2012032170.tif 000006
【図４】
2012032170.tif 000007
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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