(57)【要約】【課題】簡単な構成で検出信号の強度を確保でき、適切な分光計測結果を得ることができる全反射分光計測装置を提供する。【解決手段】全反射分光計測装置１では、段差部５１Ａ，５１Ｂへの突き当てによって、内部全反射プリズム３１の入射面３１ａに対するテラヘルツ波発生アンテナ３２の位置決め、及び出射面３１ｂに対するテラヘルツ波検出アンテナ３３の位置決めを簡単な構成で精度良く行うことができる。これにより、テラヘルツ波発生アンテナ３２で発生したテラヘルツ波Ｔを内部全反射プリズム３１内で設計通りの伝播経路で伝播させることができる。したがって、検出信号の強度を十分に確保でき、また、テラヘルツ波Ｔを被測定物３４の位置からずらさずに全反射させることができるので、適切な分光計測結果を得ることが可能となる。【選択図】図２
2012083166.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を出射する光源と、
前記光源から出射されたレーザ光をポンプ光とプローブ光とに分岐する分岐部と、
前記分岐部で分岐した前記ポンプ光の入射によってテラヘルツ波を発生させるテラヘルツ波発生アンテナと、
前記テラヘルツ波の入射面及び出射面を有し、前記入射面から入射した前記テラヘルツ波を内部で伝播させると共に反射面で全反射させて前記出射面から出射させる内部全反射プリズムと、
前記内部全反射プリズムの前記出射面から出射した前記テラヘルツ波と、前記分岐部で分岐した前記プローブ光とが入射し、前記テラヘルツ波と前記プローブ光との間の相関を検出するテラヘルツ波検出アンテナと、を備え、
前記内部全反射プリズムの前記反射面に配置された被測定物の光学定数に関する情報を、前記テラヘルツ波の全反射の際に生じる当該テラヘルツ波のエバネッセント成分により取得する全反射分光計測装置であって、
前記内部全反射プリズムの前記入射面及び前記出射面には、位置決め用の段差部がそれぞれ設けられ、
前記テラヘルツ波発生アンテナは、前記段差部に突き当てられた状態で前記入射面に固定され、
前記テラヘルツ波検出アンテナは、前記段差部に突き当てられた状態で前記出射面に固定されていることを特徴とする全反射分光計測装置。
【請求項２】
前記内部全反射プリズムの前記入射面と前記反射面との間には、前記テラヘルツ波発生アンテナで発生した前記テラヘルツ波を前記反射面に向けて平行光化する光学面が設けられていることを特徴とする請求項１記載の全反射分光計測装置。
【請求項３】
前記内部全反射プリズムの前記反射面と前記出射面との間には、前記反射面で全反射した前記テラヘルツ波を前記テラヘルツ波検出アンテナに向けて集光する光学面が更に設けられていることを特徴とする請求項１又は２記載の全反射分光計測装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テラヘルツ波を用いた全反射分光計測装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、テラヘルツ波を用いた全反射分光計測法に関連する技術として、例えば特許文献１に記載の全反射分光計測装置がある。この全反射分光計測装置では、内部全反射プリズムの入射面にテラヘルツ波発生素子が一体に設けられ、内部全反射プリズムの出射面にテラヘルツ波検出素子が一体に設けられている。このような内部全反射プリズムとテラヘルツ波発生素子とテラヘルツ波検出素子とを一体化した一体型プリズムを用いる場合、全反射分光計測装置を小型化しつつ、高い効率でテラヘルツ波の発生を検出できるという利点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２２４４４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述したような一体型プリズムを用いる場合、内部全反射プリズムの入射面に対するテラヘルツ波発生素子の位置決め、及び出射面に対するテラヘルツ波検出素子の位置決めが重要となる。特に、テラヘルツ波発生素子及びテラヘルツ波検出素子として光アンテナを用いる場合、ポンプ光及びプローブ光を光アンテナにおけるアンテナ間ギャップに精度良く整合させる必要がある。
【０００５】
このとき、入射面上でのテラヘルツ波発生素子の位置及び出射面上でのテラヘルツ波検出素子の位置にずれが生じていると、内部全反射プリズム内のテラヘルツ波の伝播経路がずれてしまい、検出信号の強度が低下してしまうおそれがある。また、テラヘルツ波が内部全反射プリズム内で全反射する位置がずれると、テラヘルツ波が全反射する際に放射されるエバネッセント波と被測定物との間の相互作用が弱まり、適切な分光計測結果が得られなくなるおそれもある。内部全反射プリズム内のテラヘルツ波の伝播経路にずれが生じている一体型プリズムを用いた場合、ポンプ光やプローブ光の光学系を調整したとしても、検出信号の強度を確保することは困難と考えられる。
【０００６】
本発明は、上記課題の解決のためになされたものであり、簡単な構成で検出信号の強度を確保でき、適切な分光計測結果を得ることができる全反射分光計測装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題の解決のため、本発明に係る全反射分光計測装置は、レーザ光を出射する光源と、光源から出射されたレーザ光をポンプ光とプローブ光とに分岐する分岐部と、分岐部で分岐したポンプ光の入射によってテラヘルツ波を発生させるテラヘルツ波発生アンテナと、テラヘルツ波の入射面及び出射面を有し、入射面から入射したテラヘルツ波を内部で伝播させると共に反射面で全反射させて出射面から出射させる内部全反射プリズムと、内部全反射プリズムの出射面から出射したテラヘルツ波と、分岐部で分岐したプローブ光とが入射し、テラヘルツ波とプローブ光との間の相関を検出するテラヘルツ波検出アンテナと、を備え、内部全反射プリズムの反射面に配置された被測定物の光学定数に関する情報を、テラヘルツ波の全反射の際に生じる当該テラヘルツ波のエバネッセント成分により取得する全反射分光計測装置であって、内部全反射プリズムの入射面及び出射面には、位置決め用の段差部がそれぞれ設けられ、テラヘルツ波発生アンテナは、段差部に突き当てられた状態で入射面に固定され、テラヘルツ波検出アンテナは、段差部に突き当てられた状態で出射面に固定されていることを特徴としている。
【０００８】
この全反射分光計測装置では、段差部への突き当てによって、内部全反射プリズムの入射面に対するテラヘルツ波発生アンテナの位置決め、及び出射面に対するテラヘルツ波検出アンテナの位置決めを簡単な構成で精度良く行うことができ、テラヘルツ波発生アンテナで発生したテラヘルツ波を内部全反射プリズム内で設計通りの伝播経路で伝播させることができる。これにより、テラヘルツ波検出アンテナでの検出信号の強度を十分に確保でき、また、テラヘルツ波を被測定物の位置からずらさずに全反射させることができるので、適切な分光計測結果を得ることが可能となる。
【０００９】
また、内部全反射プリズムの入射面と反射面との間には、テラヘルツ波発生アンテナで発生したテラヘルツ波を反射面に向けて平行光化する光学面が設けられていることが好ましい。これにより、テラヘルツ波発生アンテナで発生したテラヘルツ波を発散させずに反射面に入射させることができる。
【００１０】
また、内部全反射プリズムの反射面と出射面との間には、反射面で全反射したテラヘルツ波をテラヘルツ波検出アンテナに向けて集光する光学面が更に設けられていることが好ましい。これにより、テラヘルツ波検出アンテナにおける検出信号の強度を一層十分に確保できる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、検出信号の強度を確保でき、適切な分光計測結果を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る全反射分光計測装置を示す図である。
【図２】図１に示した全反射分光計測装置に用いられる一体型プリズムの斜視図である。
【図３】図２の側面図である。
【図４】テラヘルツ波発生アンテナ及びテラヘルツ波検出アンテナの構成を示す斜視図である。
【図５】被測定物の光学定数を導出する手順を示すフローチャートである。
【図６】一体型プリズム内を伝播するテラヘルツ波の様子を示す図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る全反射分光計測装置に用いる一体型プリズムを示す斜視図である。
【図８】本発明の第３実施形態に係る全反射分光計測装置に用いる一体型プリズムを示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照しながら、本発明に係る全反射分光計測装置の好適な実施形態について詳細に説明する。
【００１４】
［第１実施形態］
図１は、本発明の第１実施形態に係る全反射分光計測装置を示す図である。同図に示すように、全反射分光計測装置１は、レーザ光を出射するレーザ光源２と、テラヘルツ波発生アンテナ３２・内部全反射プリズム３１・テラヘルツ波検出アンテナ３３が一体となった一体型プリズム３とを備えている。また、全反射分光計測装置１は、上記構成要素の動作を制御する制御部５と、テラヘルツ波検出アンテナ３３からの出力に基づいてデータ解析を行うデータ解析部６と、データ解析部６における処理結果を表示する表示部７とを備えている。
【００１５】
レーザ光源２は、フェムト秒パルスレーザを発生させる光源である。レーザ光源２からは、例えば平均パワー１２０ｍＷ、繰り返しレート７７ＭＨｚのフェムト秒パルスレーザが出力される。レーザ光源２から出射したフェムト秒パルスレーザは、ミラー１１，１２を経て、ビームスプリッター１３によってポンプ光４８とプローブ光４９とに二分される。プローブ光４９が伝播するプローブ光用光路Ｃ１には、ミラー１４，１５及びレンズ１６が設けられており、プローブ光４９は、レンズ１６で集光されて後述のテラヘルツ波検出アンテナ３３に入射する。
【００１６】
一方、ポンプ光４８が伝播するポンプ光用光路Ｃ２には、遅延部２１と、変調器２２とが設けられている。遅延部２１は、一対のミラー２３，２４と、可動ステージ２６上に設置された反射プリズム２５によって構成され、反射プリズム２５の位置を一対のミラー２３，２４に対して前後させることで、ポンプ光４８の遅延調節が可能となっている。また、変調器２２は、例えば光チョッパによってポンプ光４８の透過と遮断を切り替える部分である。変調器２２は、制御部５からの信号に基づいて、例えば１ｋＨｚでポンプ光４８の透過と遮断の変調を行う。
【００１７】
ポンプ光用光路Ｃ２を伝播したポンプ光４８は、ミラー２８を経てレンズ２７で集光され、一体型プリズム３に入射する。図２及び図３に示すように、一体型プリズム３を構成する内部全反射プリズム３１は、例えばＳｉによって形成されており、入射面３１ａ側にはテラヘルツ波発生アンテナ３２が一体に固定され、出射面３１ｂ側にはテラヘルツ波検出アンテナ３３が一体に固定されている。内部全反射プリズム３１の上面は平坦な反射面３１ｃとなっており、屈折率、誘電率、吸収係数といった各種の光学定数を測定する対象となる被測定物３４が載置される。
【００１８】
また、図３に示すように、内部全反射プリズム３１の底面において、入射面３１ａと反射面３１ｃとの間には、テラヘルツ波発生アンテナ３２で発生したテラヘルツ波Ｔを反射面３１ｃに向けて平行光化する第１光学面３１ｄが設けられている。さらに、反射面３１ｃと出射面３１ｂとの間には、反射面３１ｃで全反射したテラヘルツ波Ｔを出射面３１ｂに向けて集光する第２光学面３１ｅが設けられている。これらの第１光学面３１ｄ及び第２光学面３１ｅは、内部全反射プリズム３１の底面を所定の形状に曲面加工することによって形成されている。
【００１９】
テラヘルツ波発生アンテナ３２及びテラヘルツ波検出アンテナ３３は、例えば図４に示すような光導電アンテナ素子である。このような光導電アンテナ素子は、例えば半絶縁性のＧａＡｓ基板１０１と、ＧａＡｓ基板１０１上に形成されたＧａＡｓ層１０２と、ＧａＡｓ層１０２上に形成された１対の電極１０３及び電極１０４とを有している。ＧａＡｓ層１０２は、例えばＭＢＥによって低温（例えば２００〜２５０℃）でエピタキシャル成長されたものであり、例えば厚さ１μｍ〜３μｍとなっている。電極１０３及び電極１０４は、ＡｕＧｅ／Ａｕ等のオーミック電極である。電極１０３及び電極１０４のアンテナの長さは、例えば２０μｍ〜２ｍｍとなっており、アンテナ間ギャップは例えば３μｍ〜１０μｍとなっている。
【００２０】
テラヘルツ波発生アンテナ３２に所定の電圧が印加された状態でアンテナ間ギャップにポンプ光４８が入射すると、光導電層が励起され、光吸収によって発生したキャリアがアンテナ間ギャップを移動して瞬時電流が流れる。この結果、瞬時電流の時間微分に比例したテラヘルツ波Ｔが発生する。また、テラヘルツ波検出アンテナ３３のアンテナ間ギャップにテラヘルツ波Ｔとプローブ光４９とが入射すると、プローブ光４９によって励起されたキャリアがテラヘルツ波Ｔの電場強度によって加速され、アンテナ間に微弱な電流が流れる。したがって、この電流の大きさの変化を計測することで、テラヘルツ波Ｔを検出することができる。
【００２１】
テラヘルツ波発生アンテナ３２及びテラヘルツ波検出アンテナ３３を内部全反射プリズム３１に固定するにあたり、図２及び図３に示すように、内部全反射プリズム３１の入射面３１ａ及び出射面３１ｂには、位置決め用の段差部５１Ａ，５１Ｂがそれぞれ設けられている。本実施形態では、段差部５１Ａは、入射面３１ａの上側領域が下側領域に比べて凸となるように、テラヘルツ波発生アンテナ３２の厚さよりも大きな厚さで略水平に設けられている。また、段差部５１Ｂも同様に、出射面３１ｂの上側領域が下側領域に比べて凸となるように、テラヘルツ波検出アンテナ３３の厚さよりも大きな厚さで略水平に設けられている。段差部５１Ａ，５１Ｂの形成方法としては、例えば切削、放電、レーザ加工、エッチングなどが挙げられる。
【００２２】
そして、テラヘルツ波発生アンテナ３２は、段差部５１Ａに突き当てられた状態で入射面３１ａに固定され、テラヘルツ波検出アンテナ３３は、段差部５１Ｂに突き当てられた状態で出射面３１ｂに固定されている。なお、テラヘルツ波発生アンテナ３２及びテラヘルツ波検出アンテナ３３の固定には、例えば熱硬化型の接着剤が用いられる。このとき用いられる接着剤は、テラヘルツ波Ｔの波長において透明なものであって、テラヘルツ波発生アンテナ３２及びテラヘルツ波検出アンテナ３３それぞれの屈折率と内部全反射プリズム３１の屈折率との間の中間の屈折率、又は同等の屈折率を有していることが好ましい。
【００２３】
また、接着剤のほか、テラヘルツ波Ｔの波長において透明なワックスを溶融・凝固させて固定する方法や、テラヘルツ波発生アンテナ３２及びテラヘルツ波検出アンテナ３３を入射面３１ａ及び出射面３１ｂにそれぞれ直接接触させた状態で、テラヘルツ波発生アンテナ３２及びテラヘルツ波検出アンテナ３３の縁部を接着剤で固めるようにしてもよい。
【００２４】
テラヘルツ波検出アンテナ３３からの検出信号は、ロックイン増幅器４７によって増幅された後、データ解析部６に入力される。テラヘルツ波検出アンテナ３３にテラヘルツ波Ｔとプローブ光４９とが同時に入射した場合、テラヘルツ波検出アンテナ３３からはテラヘルツ波Ｔの電場強度に比例した強度の検出信号が出力され、テラヘルツ波検出アンテナ３３にテラヘルツ波Ｔとプローブ光４９とが同時に入射しなかった場合、テラヘルツ波検出アンテナ３３からは検出信号が出力されないこととなる。また、テラヘルツ波Ｔが全反射プリズム３１の反射面３１ｃで反射するときに放射されるエバネッセント波は、内部全反射プリズム３１の反射面３１ｃに載置される被測定物３４と相互作用を起こし、被測定物３４が載置されていない場合に比べてテラヘルツ波Ｔの反射率が変化する。したがって、このテラヘルツ波Ｔの反射率の変化を計測することで、被測定物３４の分光特性を評価することができる。
【００２５】
データ解析部６は、例えば全反射分光計測装置１の専用の解析プログラムに基づいて全反射分光計測のデータ解析処理を行う部分であり、物理的には、ＣＰＵ（中央処理装置）、メモリ、入力装置、及び表示部７などを有するコンピュータシステムである。データ解析部６は、ロックイン増幅器４７から入力された信号に基づいてデータ解析処理を実行し、解析結果を表示部７に表示させる。
【００２６】
図５は、被測定物３４の光学定数を導出する手順を示すフローチャートである。なお、以下の説明では、テラヘルツ波Ｔが内部全反射プリズム３１の反射面３１ｃに対しＰ偏光で入射した場合を仮定する。
【００２７】
図５に示すように、まず、全反射分光計測装置１を用いてリファレンス測定及びサンプル測定を実施する（ステップＳ０１，Ｓ０２）。リファレンス測定では、光学定数が既知である物質（例えば空気）について測定し、サンプル測定では光学定数を得たい物質について測定する。そして、リファレンス計測結果Ｔｒｅｆとサンプル測定結果Ｔｓｉｇとをそれぞれフーリエ変換することによって、リファレンス振幅Ｒｒｅｆ、リファレンス位相Φｒｅｆ、サンプル振幅Ｒｓｉｇ、サンプル位相Φｓｉｇをそれぞれ求める（ステップＳ０３）。
【００２８】
次に、リファレンス振幅Ｒｒｅｆとサンプル振幅Ｒｓｉｇとの比Ｐを式（１）によって求め、リファレンス位相Φｒｅｆとサンプル位相Φｓｉｇとの位相差Δを式（２）によって求める（ステップＳ０４）。
【数１】
2012083166.tif 000003
【数２】
2012083166.tif 000004
さらに、上述した比Ｐと位相差Δとを用いて値ｑを式（３）のように定める（ステップＳ０５）。
【数３】
2012083166.tif 000005
【００２９】
ここで、内部全反射プリズム３１に対するテラヘルツ波Ｔの入射角をθｉ（図３参照）とし、リファレンス測定及びサンプル測定においてスネルの法則より求められる屈折角をそれぞれθｒｅｆ，θｓｉｇとする。さらに、フレネルの反射式を用いると、式（３）におけるＰｅ−ｉΔは、以下の式（４）で表すことができる。
【数４】
2012083166.tif 000006
【００３０】
上記式（４）を式（３）に代入し、式の変形を行うと、以下の式（５）が得られる。
【数５】
2012083166.tif 000007
【００３１】
また、内部全反射プリズム３１を構成する物質の複素屈折率をｎｐｒｉｓｍとし、被測定物３４の複素屈折率をｎｓａｍｐｌｅとした場合、スネルの法則は以下の式（６）のようになり、被測定物３４の複素屈折率の２乗は、式（７）で表される。したがって、式（５）を式（７）に代入することで、被測定物３４の複素屈折率を求めることができ、これにより、被測定物３４の所望の光学定数が導出される（ステップＳ０６）。
【数６】
2012083166.tif 000008
【数７】
2012083166.tif 000009
【００３２】
以上説明したように、この全反射分光計測装置１では、段差部５１Ａ，５１Ｂへの突き当てによって、内部全反射プリズム３１の入射面３１ａに対するテラヘルツ波発生アンテナ３２の位置決め、及び出射面３１ｂに対するテラヘルツ波検出アンテナ３３の位置決めを簡単な構成で精度良く行うことができる。これにより、テラヘルツ波発生アンテナ３２で発生したテラヘルツ波Ｔを内部全反射プリズム３１内で設計通りの伝播経路で伝播させることができる。
【００３３】
内部全反射プリズム３１内でのテラヘルツ波Ｔの伝播経路に関し、に示すような理想的な伝播経路をテラヘルツ波Ｔが伝播する場合（図６（ａ）参照）に比べて、例えばテラヘルツ波発生アンテナ３２のアンテナ間ギャップの位置が第１光学面３１ｄに対して下方に０．５ｍｍずれている場合（図６（ｂ）参照）、テラヘルツ波検出アンテナ３３から出力される検出信号は、およそ１／１０に減少してしまう。これに対し、全反射分光計測装置１では、テラヘルツ波発生アンテナ３２及びテラヘルツ波検出アンテナ３３を精度良く位置決めすることによって、検出信号の強度を十分に確保できる。また、テラヘルツ波Ｔを被測定物３４の位置からずらさずに全反射させることができるので、適切な分光計測結果を得ることが可能となる。
【００３４】
また、この全反射分光計測装置１では、内部全反射プリズム３１の入射面３１ａと反射面３１ｃとの間に、テラヘルツ波発生アンテナ３２で発生したテラヘルツ波Ｔを反射面３１ｃに向けて平行光化する第１光学面３１ｄが設けられ、内部全反射プリズム３１の反射面３１ｃと出射面３１ｂとの間に、反射面３１ｃで全反射したテラヘルツ波Ｔをテラヘルツ波検出アンテナ３３に向けて集光する第２光学面３１ｅが設けられている。これにより、テラヘルツ波発生アンテナ３２で発生したテラヘルツ波Ｔを発散させずに反射面３１ｃに入射させることができる。また、反射面３１ｃで全反射したテラヘルツ波Ｔをテラヘルツ波検出アンテナ３３に集光させることにより、検出信号の強度を一層十分に確保できる。
【００３５】
［第２実施形態］
図７は、本発明の第２実施形態に係る全反射分光計測装置に用いる一体型プリズムを示す斜視図である。図７（ａ）に示すように、第２実施形態では、内部全反射プリズム３１の入射面３１ａ及び出射面３１ｂに形成される段差部６１Ａ，６１Ｂの形状が第１実施形態と異なっている。より具体的には、この第２実施形態では、段差部６１Ａは、入射面３１ａの下側領域が上側領域に比べて凸となるように、テラヘルツ波発生アンテナ３２の厚さよりも大きな厚さで略水平に設けられている。また、段差部６１Ｂも同様に、出射面３１ｂの下側領域が上側領域に比べて凸となるように、テラヘルツ波検出アンテナ３３の厚さよりも大きな厚さで略水平に設けられている。
【００３６】
このような構成においても、段差部６１Ａ，６１Ｂへの突き当てによって、内部全反射プリズム３１の入射面３１ａに対するテラヘルツ波発生アンテナ３２の位置決め、及び出射面３１ｂに対するテラヘルツ波検出アンテナ３３の位置決めを簡単な構成で精度良く行うことができ、テラヘルツ波発生アンテナ３２で発生したテラヘルツ波Ｔを内部全反射プリズム３１内で設計通りの伝播経路で伝播させることができる。これにより、テラヘルツ波検出アンテナ３３での検出信号の強度を十分に確保でき、また、テラヘルツ波Ｔを被測定物３４の位置からずらさずに全反射させることができるので、適切な分光計測結果を得ることが可能となる。
【００３７】
また、この第２実施形態では、段差部６１Ａ，６１Ｂによってテラヘルツ波発生アンテナ３２及びテラヘルツ波発生アンテナ３３を支えることができるので、接着時間を要するような場合に有効となる。例えばテラヘルツ波発生アンテナ３２及びテラヘルツ波発生アンテナ３３をワックスなどで内部全反射プリズム３１に固定する際、図７（ｂ）に示すように、内部全反射プリズム３１をヒータ５２に載置し、段差部６１Ａ，６１Ｂによってテラヘルツ波発生アンテナ３２及びテラヘルツ波発生アンテナ３３を支えた状態でワックスの溶融・凝固を行うことが可能である。
【００３８】
［第３実施形態］
図８は、本発明の第３実施形態に係る全反射分光計測装置に用いる一体型プリズムを示す斜視図である。図８に示すように、第３実施形態では、内部全反射プリズム３１の入射面３１ａ及び出射面３１ｂに形成される段差部７１Ａ，７１Ｂの形状が第１実施形態及び第２実施形態と更に異なっている。より具体的には、この第３実施形態では、段差部７１Ａは、入射面３１ａの上側領域が下側領域に比べて凸となり、かつ入射面３１ａの幅方向の一方領域が他方領域に比べて凸となるように、テラヘルツ波発生アンテナ３２の厚さよりも大きな厚さで略水平に設けられている。また、段差部７１Ｂも同様に、出射面３１ｂの上側領域が下側領域に比べて凸となり、かつ出射面３１ｂの幅方向の一方領域が他方領域に比べて凸となるように、テラヘルツ波検出アンテナ３３の厚さよりも大きな厚さで略水平に設けられている。
【００３９】
このような構成によれば、段差部７１Ａ，７１Ｂに対してテラヘルツ波発生アンテナ３２及びテラヘルツ波検出アンテナ３３を２軸で突き当てることが可能となり、内部全反射プリズム３１の入射面３１ａに対するテラヘルツ波発生アンテナ３２の位置決め、及び出射面３１ｂに対するテラヘルツ波検出アンテナ３３の位置決めを簡単な構成で更に精度良く行うことができ、テラヘルツ波発生アンテナ３２で発生したテラヘルツ波Ｔを内部全反射プリズム３１内で設計通りの伝播経路で伝播させることができる。これにより、テラヘルツ波検出アンテナ３３での検出信号の強度を十分に確保でき、また、テラヘルツ波Ｔを被測定物３４の位置からずらさずに全反射させることができるので、適切な分光計測結果を得ることが可能となる。
【符号の説明】
【００４０】
１…全反射分光計測装置、２…レーザ光源、３…一体型プリズム、１３…ビームスプリッター（分岐部）、３１…内部全反射プリズム、３１ａ…入射面、３１ｂ…出射面、３１ｃ…反射面、３１ｄ…第１光学面、３１ｅ…第２光学面、３２…テラヘルツ波発生アンテナ、３３…テラヘルツ波検出アンテナ、３４…被測定物、４８…ポンプ光、４９…プローブ光、５１Ａ，５１Ｂ，６１Ａ，６１Ｂ，７１Ａ，７１Ｂ…段差部。
【図１】
2012083166.tif 000010
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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