(57)【要約】【課題】実施形態は、フレーム面とレンズとの間における気泡の発生を抑制できる構造の半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、リードと、前記リードの一部を覆う本体部であって前記リードの他の一部を露出させた凹部が設けられた本体部を有するフレームと、を備え、前記フレームは、前記凹部を取り囲む壁状体として前記凹部の開口端に立設された枠部であって先端に切り欠き部が形成された枠部を有している。さらに、前記凹部のなかに設けられ前記リードに電気的に接続された光半導体素子と、前記凹部の底部から前記枠部に達する高さまで充填され、前記光半導体素子を覆う封止樹脂と、前記封止樹脂に接合されたレンズと、を備える。【選択図】図１
2012043883.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードと、
前記リードの一部を覆う本体部であって、前記リードの他の一部を露出させた凹部が設けられた本体部と、前記凹部を取り囲む壁状体として前記凹部の開口端に立設された枠部であって先端に切り欠き部が形成された枠部と、を有するフレームと、
前記凹部のなかに設けられ、前記リードに電気的に接続された光半導体素子と、
前記凹部の底部から前記枠部に達する高さまで充填され、前記光半導体素子を覆う封止樹脂と、
前記封止樹脂に接合されたレンズと、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記レンズは、前記枠部の外周を覆うフランジ部を有することを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記フランジ部は、前記フレームに向かって広がるテーパ状に設けられたことを特徴とする請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
リードと、
前記リードの一部を覆う本体部であって、前記リードの他の一部を露出させた凹部が設けられた本体部と、前記凹部を取り囲む壁状体として前記凹部の開口端に立設された枠部と、を有するフレームと、
前記凹部のなかに設けられ、前記リードに電気的に接続された光半導体素子と、
前記凹部の底部から前記枠部に達する高さまで充填され、前記光半導体素子を覆う封止樹脂と、
前記枠部の外周を覆うフランジ部を有し、前記封止樹脂に接合されたレンズと、
を備えたことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
前記枠部の先端に切り欠き部が設けられたことを特徴とする請求項４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記フランジ部は、前記フレームに向かって広がるテーパ状に設けられたことを特徴とする請求項４または５に記載の半導体装置。
【請求項７】
リードと、
前記リードの一部を覆う本体部であって前記リードの他の一部を露出させた凹部が設けられた本体部と、前記凹部を取り囲む壁状体として前記開口端に立設された枠部であって先端に切り欠き部が形成された枠部と、を有するフレームと、
前記凹部のなかに設けられ、前記リードに電気的に接続された光半導体素子と、
を有する半導体装置の製造方法であって、
前記凹部の底部から前記枠部に達する高さまで封止樹脂を充填し、前記光半導体素子を前記封止樹脂で覆う工程と、
前記封止樹脂の一部を前記切り欠きから流出させた後に前記封止樹脂を硬化させ、前記枠部の内側の前記封止樹脂の表面に前記切り欠きに対応する窪みを形成する工程と、
前記封止樹脂の前記表面に接合されたレンズを成形する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
リードと、
前記リードの一部を覆う本体部であって前記リードの他の一部を露出させた凹部が設けられた本体部と、前記凹部を取り囲む壁状体として前記開口端に立設された枠部と、を有するフレームと、
前記凹部の中に設けられ、前記リードに電気的に接続された光半導体素子と、
を有する半導体装置の製造方法であって、
前記凹部の底部から前記枠部に達する高さまで封止樹脂を充填し、前記光半導体素子を前記封止樹脂で覆う工程と、
前記枠部に係合するフランジ部を有するレンズ形状の成形型の内部に樹脂を充填し、前記封止樹脂が充填された前記枠部を前記フランジ部に係合させて前記樹脂の液面が前記フランジ部に至る状態において前記樹脂を硬化させることにより、前記封止樹脂に接合されたレンズを成形する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光半導体素子を内蔵した半導体装置、例えば、プリント基板の上に表面実装が可能なＳＭＤ(Surface Mount Device)タイプのパッケージに高輝度ＬＥＤ(Light Emitting Diode)素子を内蔵した半導体装置は、様々な形式の機器に用いられている。
【０００３】
一方、ＬＥＤの発光光を有効に利用するために、光の放射方向にレンズを設けて指向性を高める工夫もなされている。例えば、ＳＭＤタイプのＬＥＤでは、発光光の放射面となるフレーム面の上に透明樹脂を用いたモールドタイプのレンズを設けることができる。
【０００４】
しかしながら、フレーム面の状態、例えば、形状および凹凸に依存して、モールド時に空気を巻き込み、フレーム面とレンズとの間に気泡が含まれる場合がある。これにより、レンズとフレームとの間の密着強度が弱まり、また、放射パターンのばらつきなどの不具合が生じる場合がある。そこで、フレーム面とレンズとの間における気泡の発生を抑制できる構造の半導体装置、および、その製造方法が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−３２２６８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の実施形態は、フレーム面とレンズとの間における気泡の発生を抑制できる構造の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態に係る半導体装置は、リードと、前記リードの一部を覆う本体部であって前記リードの他の一部を露出させた凹部が設けられた本体部を有するフレームと、を備え、前記フレームは、前記凹部を取り囲む壁状体として前記凹部の開口端に立設された枠部であって先端に切り欠き部が形成された枠部を有している。さらに、前記凹部のなかに設けられ、前記リードに電気的に接続された光半導体素子と、前記凹部の底部から前記枠部に達する高さまで充填され、前記光半導体素子を覆う封止樹脂と、前記封止樹脂に接合されたレンズと、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置の断面を示す模式図である。
【図２】第１の実施形態に係る半導体装置の製造過程を模式的に示す斜視図であり、（ａ）は、封止樹脂が充填される前のフレームを示し、（ｂ）は、封止樹脂を充填した後のフレームを示している。
【図３】図２に続く製造過程を示す模式図である。（ａ）は、フレームに充填された封止樹脂の表面に窪みが形成された状態を示す斜視図であり、（ｂ）は、フレームの平面図である。
【図４】図３に続く製造過程を示す模式図であり、封止樹脂が充填されたフレームを成形型に接合する状態を示す斜視図である。
【図５】図４に続く製造過程を模式的に示す断面図である。
【図６】第１の実施形態の変形例に係る半導体装置の一部を示す模式図である。
【図７】第２の実施形態に係る半導体装置を示す模式図であり、（ａ）は、外形を示す斜視図であり、（ｂ）は、内部構造を示す断面図である。
【図８】第２の実施形態に係る半導体装置の製造過程を示す模式図である。（ａ）は、封止樹脂充填されたフレームを成形型に係合する前の状態を示し、（ｂ）は、フレームが成形型に係合された状態を示す。
【図９】半導体装置の部分断面を示す模式図であり、（ａ）は、第２の実施形態に係る半導体装置を示し、（ｂ）は、比較例に係る半導体装置を示している。
【図１０】第２の実施形態の変形例に係る半導体装置の製造過程を模式的に示す断面図であり、（ａ）は、封止樹脂が充填されたフレームを成形型に接合する前の状態を示し、（ｂ）は、フレームが成形型に接合された状態を示す。
【図１１】第２の実施形態の別の変形例に係る半導体装置を示す模式図であり、（ａ）は、外形を示す斜視図であり、（ｂ）は、内部構造を示す断面図である。
【図１２】比較例に係るレンズを示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態では、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について適宜説明する。
【００１０】
（第１の実施形態）  
図１は、第１の実施形態に係る半導体装置１００の断面を例示する模式図である。
半導体装置１００は、例えば、樹脂成型カップ付リードを用いたＬＥＤ装置であり、リード２と、リード２の一部を覆って設けられたフレーム３と、を備えている。
【００１１】
フレーム３は、本体部３ａと、枠部５と、を有する。本体部３ａには、カップ状の凹部３ｂが設けられ、凹部３ｂの底部には、リード２の他の一部２ａが露出している。そして、本体部３ａの凹部４の開口端３ｃには、枠部５が設けられている。枠部５には、切り欠き部１５（図２（ａ）参照）が設けられている。枠部５は、凹部３ｂを取り囲む壁状体として立設されている。切り欠き部１５は、壁状体の形態を有する枠部５の先端から凹部３ｂの方向に向けて枠部５を切り欠くように形成されている。つまり、開口端３ｃからみた枠部５の高さ（図１において向かって上下の方向の高さ）は、切り欠き部１５において低くなっている。
【００１２】
凹部３ｂの内部には、リード２に電気的に接続された光半導体素子であるＬＥＤチップ７が配置される。
例えば、図１に示すように、凹部３ｂの底部に露出した２つのリード２の一方にＬＥＤチップ７がマウントされ、他方のリード２とＬＥＤチップ７との間は金属ワイヤ９により接続されている。
【００１３】
そして、凹部３ｂの底部から枠部５に達する高さまで封止樹脂１２が充填され、ＬＥＤチップ７が覆われている。凹部３ｂを充填した封止樹脂１２の表面１０は、レンズが設けられるフレーム面であり、その上に、例えば、成形されたレンズ１３が接続されている。
【００１４】
封止樹脂１２には、ＬＥＤチップ７の発光光を透過する透明樹脂を用いる。さらに、レンズ１３も、ＬＥＤチップ７の発光光を透過する透明樹脂を用いて成形することができる。例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂、または、シリコーン樹脂などを用いることができる。
【００１５】
一方、フレーム３は、例えば、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）などの熱可塑性樹脂を用いたインサート成形により形成することができる。さらに、チタン酸カリウムなどの粉末を樹脂に混入することにより、フレーム３がＬＥＤチップ７の発光光を反射するように形成することができる。
【００１６】
以下、図２〜図５を参照して、半導体装置１００の製造方法を説明する。
本実施形態に係る半導体装置１００の製造方法は、フレーム３の本体部３ａに設けられた凹部３ｂの底部から枠部５に達する高さまで封止樹脂１２を充填し、光半導体素子であるＬＥＤチップ７を覆う工程と、封止樹脂１２の一部を切り欠き部１５から流出させた後に封止樹脂１２を硬化させ、枠部５の内側に切り欠き部１５に対応する窪み１２ａを形成する工程と、を備える。さらに、封止樹脂１２の上にレンズ１３を成形する工程を備える。
【００１７】
図２（ａ）に示すように、フレーム３は、カップ状の凹部３ｂの開口端３ｃ（図１参照）に、凹部３ｂを取り囲むように立設された壁状体の枠部５を有し、枠部５には、先端から凹部３ｂの方向に切り欠き部１５が設けられている。
まず、凹部３ｂの底部に、ＬＥＤチップ７を設置する（図１参照）。続いて、凹部３ｂの底部から枠部５の上部まで封止樹脂１２を充填し、さらに、熱処理を施して封止樹脂を硬化させＬＥＤチップ７を封止する。
【００１８】
図２（ｂ）は、封止樹脂１２を充填した後のフレームを示している。ここで、封止樹脂１２は、熱処理を受けて硬化する前の粘性を有する液状である。
例えば、封止樹脂１２に熱硬化性のエポキシ樹脂を用いた場合、エポキシ樹脂は適度な粘性を有するので、充填後に壁状体の枠部５のうちで、他よりも低くなった切り欠き部１５から枠部５の外側へ漏れ出すことはない。
【００１９】
次に、封止樹脂１２を加熱して硬化させた後、封止樹脂１２の上にレンズ１３を形成する。この際、例えば、封止樹脂１２の中央Ｐが盛り上がって凸状になっていることが望ましい。すなわち、硬化後に封止樹脂１２の中央Ｐが窪んだ凹状になると、レンズ１３の形成時に空気を巻き込み、封止樹脂１２とレンズ１３との間に気泡が生じ易くなるからである。
【００２０】
しかしながら、封止樹脂１２の充填量が不足すると、熱硬化時の収縮作用によって樹脂表面は凹状になる。一方、封止樹脂１２の充填量を多くすると、樹脂の粘性により中央Ｐが盛り上がった状態に充填することが可能である。しかしながら、熱硬化の過程で生じる一時的な粘度低下によって樹脂が枠部５の外側に流れ出てしまうため、凸状の表面にならないことがある。すなわち、硬化後の封止樹脂１２の形状は、凹部３ｂおよび枠部５の内部への充填の程度に依存し、その充填量を精密にコントロールすることが求められる。結果として、枠部５の内部に充填された封止樹脂１２の表面を凸状に安定して形成することが難しいという問題がある。
【００２１】
そこで、本実施形態に係る半導体装置１００では、枠部５に切り欠き部１５が設けられている。以下、切り欠き部１５の作用について説明する。
【００２２】
図２（ｂ）に示すように凹部３ｂの内部に封止樹脂１２を充填した後、熱処理を施して封止樹脂１２を硬化させる。
例えば、熱硬化性樹脂を用いた場合、この過程において、封止樹脂１２の粘度が一旦低下し、その後、硬化する。この際、粘度が低下した封止樹脂１２の一部が、枠部５のうちで、他の部分よりも低くなった切り欠き部１５から外側に流出する。そして、図３（ａ）に模式的に示すように、枠部５の内側で硬化した封止樹脂１２の表面に切り欠き部１５に対応した窪み１２ａが形成される。
【００２３】
封止樹脂１２の表面に形成される窪み１２ａの形状および深さは、切り欠き部１５の形状、大きさ、さらに封止樹脂の性質に依存し、例えば、図３（ｂ）に示すように、枠部５の内側から切り欠き部１５につながる溝状に形成することができる。
【００２４】
例えば、切り欠き部１５の幅（凹部３ｂの端に沿った方向）を広くすれば、窪み１２ａの面積が広がり、切り欠き部１５の幅を相対的に狭くし、凹部３ｂ方向への深さを深く形成すれば、溝状の窪み１２ａを形成することが可能である。
【００２５】
図２〜図３に示した切り欠き部１５は、凹部３ｂの方向に椀状に切り欠かれた形状であるが、方形に切り欠かれた形状としても良い。
【００２６】
続いて、封止樹脂１２の上にレンズ１３を成形する。
例えば、図４に示すように、レンズ１３となる樹脂が充填された成形型１７に、封止樹脂１２を充填したフレーム３を係合させる。成形型１７の内部は、レンズ１３の形状に加工されている。
同図中に示すように、成形型１７の開口部１７ａに枠部５を係合（または挿入）させることにより、封止樹脂１２の表面と成形型１７の内部に充填された樹脂を接合させることができる。
【００２７】
図５は、フレーム３の枠部５と成形型１７とを係合させた状態を模式的に示す断面図である。
前述したように、凹部３ｂの内部に充填された封止樹脂１２の表面には、窪み１２ａが設けられている。窪み１２ａは、例えば、切り欠き部１５につながった溝状に形成されている。したがって、成形型１７に充填された樹脂１３ａに封止樹脂１２の表面を接合する際に、封止樹脂１２と樹脂１３ａとの間に残された空気を、窪み１２ａを介して切り欠き部１５から外部へ逃がすことができる。
【００２８】
これにより、例えば、凹部３ｂに充填された封止樹脂１２の量が少なくても、封止樹脂１２と、レンズ１３となる樹脂１３ａと、の間に空気が残ることがなく、レンズ１３と封止樹脂１２と、の間に発生する気泡を抑制することができる。
【００２９】
さらに、図６に示すように、切り欠き部１５の数を増やしても良い。
図６（ａ）は、凹部３ｂの底部から枠部５の上部まで封止樹脂１２を充填した後、熱処理を施し封止樹脂１２を硬化させた状態を模式的に示す斜視図である。図６（ｂ）は、その平面図である。
【００３０】
図６に示す例では、枠部５に４つの切り欠き部１５が設けられている。そして、各切り欠き部１５から枠部５の外側に封止樹脂１２が流れ出し、４つの窪み１２ａが形成されている。これにより、封止樹脂１２と、レンズ１３となる樹脂１３ａと、の間に残された空気を確実に外部へ逃がすことができ、気泡の発生を抑制することが可能である。
【００３１】
枠部５に設けられる切り欠き部１５の数は、上記の実施形態に示した２つ、または４つに限られる訳ではなく、フレーム３および凹部３ｂ、枠部５のサイズに合わせて任意に設けることができる。例えば、１つの切り欠き部１５を設けても良く、３つ、ないし５つ、６つと切り欠き部１５の数を増やしても良い。
【００３２】
（第２の実施形態）  
図７は、第２の実施形態に係る半導体装置２００を示す模式図である。図７（ａ）は、半導体装置２００の外形を示す斜視図であり、図７（ｂ）は、内部構造を示す断面図である。
【００３３】
本実施形態に係る半導体装置２００も、図１に示す半導体装置１００と同じように、リード２と、リード２の一部を覆って設けられたフレーム３を備えている。そして、図７（ａ）に示すように、フレーム３の上にレンズ１３が設けられている。フレーム３に接するレンズ１３の下部には、フランジ部１４が形成されている。
【００３４】
図７（ｂ）に示すように、フレーム３は、本体部３ａと、枠部２５と、を有し、本体部３ａには、リード２の他の一部２ａを露出させた凹部３ｂが設けられ、凹部３ｂの開口端３ｃには、壁状体の枠部２５が立設されている。本実施形態では、枠部２５に切り欠き部１５が形成されていない点で、第１の実施形態に係る半導体装置１００と相違する。
【００３５】
凹部３ｂのなかには、リード２に電気的に接続された光半導体素子であるＬＥＤチップ７が設置されている。そして、凹部３ｂの底部から枠部２５の上部に達する高さまで充填された封止樹脂１２がＬＥＤチップ７を覆っている。
【００３６】
凹部３ｂに充填された封止樹脂１２の上には、レンズ１３が設けられ、レンズ１３は、枠部２５の外周に沿って形成されたフランジ部１４を有している。
【００３７】
次に、図８を参照して半導体装置２００の製造方法について説明する。図８（ａ）は、封止樹脂１２が充填されたフレーム３を成形型１８に係合する前の状態を示す模式断面図である。図８（ｂ）は、フレーム３が成形型１８に係合された状態を示す模式断面図である。
【００３８】
半導体装置２００の製造方法も、凹部３ｂの底部から枠部２５に達する高さまで封止樹脂を充填し、光半導体素子であるＬＥＤチップ７を覆う工程を備える。
図８（ａ）に示すように、フレーム３と成形型１８とを係合する際に、レンズ１３となる樹脂１３ａと、封止樹脂１２と、の間に空気を巻き込んで気泡を生じさせないように、フレーム３の側の封止樹脂１２は多めに充填される。一方、成形型１８に充填される樹脂１３ａの量も、不足して気泡が発生しないように多めに充填される。
【００３９】
さらに、本実施形態では、成形型１８の内面にレンズ１３の形状が加工され、さらに、開口部１８ａの周りに、内径の広がったフランジ部１９が設けられている。
そして、図８（ｂ）に示すように、フレーム３を成形型１８に係合させたときに、フレーム３の枠部２５がフランジ部１９の内側に入り込んで係合する。
【００４０】
成形型１８の内部に充填された樹脂１３ａは、封止樹脂１２の表面に接合し、レンズ１３が成形される。この際、成形型１８の内部に充填された樹脂１３ａの液面が押し上げられ、樹脂１３ａはフランジ部１９に至る高さで硬化する。すなわち、フランジ部１９と枠部２５との間の間隙には、余剰の樹脂１３ａが回り込み、レンズ１３のフランジ部１４が、枠部２５を囲むように外周に沿って成形される。
【００４１】
図９は、半導体装置２００および比較例に係る半導体装置２５０の部分断面を示す模式図である。
図９（ａ）に示すように、半導体装置２００では、成形型１８に設けられたフランジ部１９と、フレーム３の枠部２５と、の間の間隙に余剰となった樹脂１３ｂを収容し、レンズ１３のフランジ１４に成形することができる。
【００４２】
これに対し、図９（ｂ）に示す比較例に係る半導体装置２５０では、フランジ部１９が設けられていない成形型１７の開口部１７ａを枠部２５に係合させる。この場合、余剰となった樹脂を収容する空間が無いため、成形型１７に充填された樹脂１３ａの液面が上昇し、余剰の樹脂１３ｂが枠部２５の外側に漏れ出す。そして、樹脂１３ｂは、レンズ１３の周りで硬化し、バリとなって外観不良を発生させる要因となることがある。
【００４３】
したがって、本実施形態に係る製造方法によれば、フランジ部１９を有する成形型１８を用いることにより、余剰の樹脂がレンズ１３のフランジ部１４に成形され、レンズ１３のバリの発生を低減することができる。これにより、封止樹脂１２の充填量、および、レンズ１３となる樹脂１３ａの充填量のバラツキによる外観不良を防ぐことができる。
【００４４】
例えば、レンズ１３と封止樹脂１２との界面に気泡を発生させないように、封止樹脂１２および樹脂１３ａの充填量を増やしたとしても、余剰となる樹脂１３ｂは、レンズ１３のフランジ部１４に成形され、バリの発生を抑制することができる。
【００４５】
図１０は、第２の実施形態の変形例に係る半導体装置３００の製造過程を模式的に示す断面図である。図１０（ａ）は、封止樹脂１２が充填されたフレーム３を成形型１８に係合させる前の状態を示し、図１０（ｂ）は、フレーム３が成形型１８に係合された状態を示している。
【００４６】
図１０（ａ）に示すように、本変形例に係る半導体装置３００では、フレーム３の凹部３ｂの開口端３ｃに設けられた枠部５に、半導体装置１００と同じように、切り欠き部１５が設けられている。そして、凹部３ｂの内部を充填した封止樹脂１２の表面には、窪み１２ａが形成されている。
【００４７】
そして、図１０（ｂ）に示すように、フレーム３と成形型１８とを係合させ、封止樹脂１２と、レンズ１３となる樹脂１３ａと、を接合させる場合に、封止樹脂１２の窪み１２ａを介して空気を外部に逃がすことができる。さらに、成形型１８に設けられたフランジ部１９により、樹脂１３ａの余剰分の外部への漏れ出しを抑制することができる。これにより、封止樹脂１２とレンズ１３との界面における気泡の発生を抑制し、さらに、レンズ１３のバリの発生を低減することができる。
【００４８】
例えば、フランジ部１４のない半導体装置１００に比べて、封止樹脂１２の充填量、および、成形型１８に充填される樹脂１３ａの充填量を多くすることができる。一方、切り欠き部を有しない半導体装置２００に比べて、封止樹脂１２および樹脂１３ａの充填量を少なくしても、封止樹脂１２とレンズ１３との界面における気泡の発生を抑制することができる。結果として、本変形例に係る半導体装置３００では、封止樹脂１２および樹脂１３ａの充填量の許容範囲を広くすることができる。
【００４９】
図１１は、第２の実施形態の変形例に係る半導体装置４００を示す模式図である。図１１（ａ）は、半導体装置４００の外形を示す斜視図であり、図１１（ｂ）は、内部構造を示す断面図である。
【００５０】
図１１（ａ）に示すように、半導体装置４００は、リード２と、リード２の一部を覆って設けられたフレーム３と、フレーム３の上に設けられたレンズ１３を備えている。そして、レンズ１３は、フレーム３に接する側の下部にフランジ部１４ｂを有している。
本変形例に係る半導体装置４００では、フランジ部１４ｂが、フレーム３に向かって広がるテーパ状に形成されている点で、図７に示す半導体装置２００と相違する。
【００５１】
図１１（ｂ）の断面に示すように、フレーム３およびその内部構造は、半導体装置２００と同じであり、レンズ１３に設けられたフランジ１４ｂの形状だけが相違する。したがって、レンズ１３を成形する成形型１８のフランジ部１９の形状が相違し、開口部１８ａの方向に斜めに拡張した形状を有する（図８参照）。
【００５２】
図１２は、比較例に係るレンズ１３の形状を示す斜視図である。
図１２（ａ）は、半導体装置２００に係るレンズ１３の例を示している。同図に示す例では、レンズ１３を形成する樹脂１３ａの充填量が少なく、フランジ部１４ｃの厚さが薄く形成されている。このように、フランジ部１４ｃが薄く形成された場合、バリと同じようにレンズ１３から剥離する恐れがあり、外観不良の要因となる場合がある。
【００５３】
一方、図１２（ｂ）は、半導体装置４００に係るレンズ１３の例を示している。この場合、フランジ部１４ｄはテーパ形状に設けられるため、樹脂１３ａの充填量が不足したとしてもフランジ部１４ｄのテーパ方向の幅が狭く形成されるだけである。したがって、フランジ部１４ｃのようにバリとなることはなく、外観不良の要因とはならない。すなわち、半導体装置４００のように、フランジ部４ｂをテーパ形状に形成する方が有利な場合がある。
【００５４】
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５５】
２、２ａ・・・リード、  ３・・・フレーム、  ３ａ・・・本体部、  ３ｂ・・・凹部、  ３ｃ・・・開口端、  ５、２５・・・枠部、  ７・・・ＬＥＤチップ、  ９・・・金属ワイヤ、  １２・・・封止樹脂、  １２ａ・・・窪み、  １３・・・レンズ、  １３ａ、１３ｂ・・・樹脂、  １４、１４ｂ、１９・・・フランジ部、  １５・・・切り欠き部、  １７、１８・・・成形型、  １７ａ、１８ａ・・・開口部、  １００、２００、２５０、３００・・・半導体装置
【図１】
2012043883.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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