(57)【要約】【課題】  超電導素子に電磁波を効率よく吸収させることができる超電導電磁波測定器を提供する。【解決手段】  超電導電磁波測定器１は、電磁波３１を内部に入射させることができる入射窓３を有する断熱容器２と、この断熱容器２内に設けられ、入射窓３と対向する面に凹形状部５ｄを形成する素子基板５と、この素子基板４の凹形状部５ｄの表面に形成される超電導素子６と、この超電導素子６の両端に電極を接続して超電導素子６の抵抗の変化を測定する抵抗測定装置８とを備える。【選択図】  図１
2012229956.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電磁波を内部に入射させることができる入射窓を有する断熱容器と、
この断熱容器内に設けられ、前記入射窓と対向する面に凹形状部を形成する素子基板と、
この素子基板の前記凹形状部の表面に形成される超電導素子と、
この超電導素子の両端に電極を接続して前記超電導素子の抵抗の変化を測定する抵抗測定装置とを備えることを特徴とする超電導電磁波測定器。
【請求項２】
電磁波を内部に入射させることができる入射窓を有する断熱容器と、
この断熱容器内部において入射窓に設けられるステージと、
このステージ上に設けられ、前記入射窓と対向する面に凹形状部を形成した素子基板と、
この素子基板の前記凹形状部の表面に形成される超電導素子と、
この超電導素子の両端に電極を接続して前記超電導素子の抵抗の変化を測定する抵抗測定装置とを備えることを特徴とする超電導電磁波測定器。
【請求項３】
前記素子基板の前記凹形状部は、前記素子基板のうち前記入射窓と対向する面を窪ませて形成した逆円錐形状であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の超電導電磁波測定器。
【請求項４】
前記素子基板の前記凹形状部は、前記素子基板のうち前記入射窓と対向する面を窪ませて形成した逆四角錐形状であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の超電導電磁波測定器。
【請求項５】
前記素子基板の前記凹形状部は、前記素子基板のうち前記入射窓と対向する面を切り欠いて形成され、長手方向の断面がＶ字形状の溝形状であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の超電導電磁波測定器。
【請求項６】
前記溝形状を互いに平行に離間してアレイ状に配置したことを特徴とする請求項５に記載の超電導電磁波測定器。
【請求項７】
前記素子基板の前記凹形状部の前記開口端において、前記入射窓の方向に所定の高さをもった開口枠を設けたことを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れか一項記載の超電導電磁波測定器。
【請求項８】
前記素子基板の前記凹形状部の前記開口端の幅を測定する前記電磁波の波長程度にしたことを特徴とする請求項１乃至請求項７の何れか一項記載の超電導電磁波測定器。
【請求項９】
前記入射窓から入射した電磁波のビーム径を前記素子基板上の前記超電導素子の全幅程度に集光させる集光レンズをさらに設けることを特徴とする請求項１乃至請求項８の何れか一項記載の超電導電磁波測定器。
【請求項１０】
前記入射窓は電磁波のビーム径を前記素子基板上の前記超電導素子の全幅程度に集光させるレンズ形状であることを特徴とする請求項１乃至請求項８の何れか一項記載の超電導電磁波測定器。
【請求項１１】
前記断熱容器内面に入射した電磁波を前記超電導素子に反射させる反射部材をさらに設けることを特徴とする請求項１乃至請求項１０の何れか一項記載の超電導電磁波測定器。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、超電導素子の抵抗変化によって電磁波を測定する超電導電磁波測定器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電磁波のエネルギーを測定する装置として超電導素子を用いた超電導電磁波測定器がある。超電導電磁波測定器は、断熱容器の内部に素子基板が設けられ、この素子基板の上面に超電導素子が設けられる。超電導素子の両端には電極を介して抵抗測定装置が接続される。断熱容器には、電磁波を内部に入射させる入射窓が設けられる。
【０００３】
超電導体素子は、常電導から超電導の転移が生じる転移温度付近での温度変化に対して抵抗値が大きく変化する性質を持つ。超電導電磁波測定器は、断熱容器内部を遷移温度程度に保ち、入射窓から電磁波を断熱容器内部へ入射し超電導素子に照射する。超電導素子は、電磁波を吸収することによって転移温度付近で温度上昇し抵抗変化が生じる。抵抗測定装置は、超電導素子に定電流を印加し、超電導素子の抵抗変化を測定することによって電磁波のエネルギーを測定する。
【０００４】
さらに、超電導素子として窒化ニオブを適用し、数Ｋ程度の温度領域において単一光子を検出することができる超電導電磁波測定器が開発されている（例えば、特許文献１参照）。また、超電導素子に高温超電導体であるＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘを適用し、７０Ｋ付近で電磁波を測定することができる超電導電磁波測定器が開発されている（例えば、特許文献２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−３８１９０号公報
【特許文献２】特開平５−１９０９１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述した特許文献１および特許文献２に記載の技術は、平板形状の素子基板の上面に超電導素子が薄膜状に設けられており、電磁波は超電導素子に照射すると、電磁波の一部は反射して超電導素子から脱出し、超電導素子に電磁波を効率よく吸収させることができず、電磁波のエネルギーの測定効率を高めることができない課題があった。
【０００７】
そこで本発明は、超電導素子に電磁波を効率よく吸収させることができる超電導電磁波測定器の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の超電導電磁波測定器は、電磁波を内部に入射させることができる入射窓を有する断熱容器と、この断熱容器内に設けられ、入射窓と対向する面に凹形状部を形成する素子基板と、この素子基板の凹形状部の表面に形成される超電導素子と、この超電導素子の両端に電極を接続して前記超電導素子の抵抗の変化を測定する抵抗測定装置とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、超電導電磁波測定器の超電導素子に電磁波を効率よく吸収させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る超電導電磁波測定器の概略縦断面図。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る超電導電磁波測定器の超電導素子と抵抗測定装置の接続を示す概略斜視図。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る超電導電磁波測定器の素子基板および超電導素子の形状の変形例を示し、（ａ）は逆円錐形状を示す斜視図、（ｂ）は逆四角錐形状を示す斜視図、（ｃ）は逆円錐の先端がラウンドした形状を示す斜視図、（ｄ）は逆四角錐台形状を示す斜視図。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る超電導電磁波測定器の概略縦断面図。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る超電導電磁波測定器の凹形状部の変形例に開口部枠を適用した例を示し、（ａ）は逆円錐形状への適用例を示す斜視図、（ｂ）は逆四錐形状への適用例を示す斜視図。
【図６】本発明の第３の実施形態に係る超電導電磁波測定器の概略縦断面図。
【図７】本発明の第４の実施形態に係る超電導電磁波測定器の概略縦断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態を説明する。
【００１２】
（第１の実施形態）
（構成）
以下、本発明の第１の実施形態に係る超電導電磁波測定器について図１乃至図３を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る超電導電磁波測定器の概略縦断面図である。図１に示すように、超電導電磁波測定器１は、断熱容器２と、入射窓３と、ステージ４と、素子基板５と、超電導素子６とから構成される。さらに図２に示すように、超電導電磁波測定器１は、上記構成に加え、電極７と、抵抗測定装置８とから構成される。
【００１３】
断熱容器２は、内部を超電導素子６の転移温度付近に冷却することができる容器である。断熱容器２内部で液体窒素や液体ヘリウムを保持する等の手段によって転移温度付近に冷却することができる。また、断熱容器２は内部の圧力変化に耐え得るように円筒形状とすることが望ましい。
【００１４】
入射窓３は、断熱容器２の円筒形状の側周面を切り欠いて設けられる。入射窓３にポリエチレンや石英、サファイヤ等、電磁波３１の透過率が高い材料を適用することによって、可視光や赤外光等を含む外光から測定対象の電磁波３１を選択して透過させることができる。さらに、可視光を反射する白色や、吸収しやすい黒色のフィルタを入射窓３に設けることによって可視光や赤外線の入射を制限することができる。
【００１５】
ステージ４は、断熱容器２内部に設けられ、入射窓３と対向する面において素子基板５を支持することができる平板形状である。さらに、ステージ４に素子基板５の熱を放熱または断熱する作用を持たせることができる。素子基板５の熱を放熱する場合は、ステージ４に熱伝導率が高い材料を適用し、例えば、銅や鉄等の金属やセラミックスを適用する。また、素子基板５の熱を断熱する場合は、ステージ４に熱伝導率が低いアクリル等を適用する。
【００１６】
素子基板５は、ＭｇＯ２、サファイヤ、ＬａＡｌＯ３、いわゆるＬＳＡＴ結晶である（ＬａＡｌＯ３）０．３（Ｓｒ２ＡｌＴａＯ６）０．７等の材料が適用される。照射する電磁波３１の強度が大きい場合には、素子基板５にＭｇＯ２等の熱伝導率が高い材料を適用し熱伝導の時定数を速くすることによって、測定の時計数を速くすることができる。熱伝導の時定数をさらに速くするために素子基板５を金属等の熱伝導率が大きい材料を介してステージ４上に設けてもよい。
【００１７】
一方、照射する電磁波３１の強度が小さい場合には、素子基板５にＬＳＡＴ結晶等の熱伝導率が小さい材料を適用し熱伝導の時定数を長くすることによって、電磁波３１のエネルギーを蓄熱して感度を高めることができる。熱伝導の時定数をさらに長くするために素子基板５を熱伝導率が小さい材料を介してステージ４上面に設けてもよい。
【００１８】
以下、素子基板５の形状について説明する。四角柱形状の素子基板５が長手方向の側面をステージ４の入射窓３と対向する面に沿わせて設けられる。さらに、素子基板５のうち入射窓３を向く長手方向の側面を切り欠いて断面がＶ字となる溝形状が凹形状部５ｄとして形成される。このとき、溝形状の両淵を開口端５ａ、断面のＶ字の先端を底部５ｂ、溝形状の両淵から断面のＶ字の先端にかけて傾斜する面を側面５ｃとして凹形状部５ｄが構成される。さらに、図２のように複数の素子基板５を互いの溝形状を平行に離間してアレイ状に設けることにより、素子基板５をステージ４に密に配置し、単位面積当たりの有感面積を増加させることができる。
【００１９】
超電導素子６は、Ｎｂ３Ｓｎ、ＮｂＴｉ、ＬａＦｅＡｓ、ＳｍＦｅＡｓ等の超電導体材料を適用することができる。さらに、超電導電磁波測定器１を７０Ｋ付近で動作させるときは、イットリウム系銅酸化高温超電導ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７−ｘ（以下、ＹＢＣＯと称す。）や、イットリウムをその他の希土類元素に置換した高温超電導体材料を用いるものとする。以下、超電導素子６としてＹＢＣＯを適用した場合を代表して説明する。
【００２０】
超電導素子６は、蒸着や塗布、吹きつけ等の方法によって素子基板５の凹形状部５ｄの表面に所定の厚みをもって、例えば数μｍ程度の薄膜状に形成され、凹形状部５ｄと該同形状を形成する。また、素子基板５の凹形状部５ｄに沿った形状にあらかじめ加工した超電導素子６を凹形状部５ｄに配置してもよい。
【００２１】
図２は、本発明の第１の実施形態に係る超電導電磁波測定器の超電導素子と抵抗測定装置の接続を示す概略斜視図である。電極７は、２つを組として複数の超電導素子６の各々の両端に設けられる。さらに、複数の超電導素子６の各々の電気抵抗を測定することができるように、電極７は抵抗測定装置８に電気的に接続される。抵抗測定装置８は、定電流または定電圧を電極７に印加する。電流および電圧はパルス電流やパルス電圧としてもよい。
【００２２】
抵抗測定装置８が定電流を電極７に印加する場合には、超電導素子６で生じる抵抗変化を電圧変化として測定し、定電圧を印加する場合は超電導素子６で生じる抵抗変化を電流変化として測定する。超電導素子６であるＹＢＣＯの臨界電流密度は温度に依存し、動作温度で１ｋＡ／ｃｍ２程度である。したがって、数μｍ２程度の断面積の超電導素子６では数μＡを流すものとする。
【００２３】
また、超電導素子６に流す電流によって温度と抵抗との特性が変化する。したがって、超電導素子６の抵抗値の変化が大きくなるときの電流値を流すことができるように電源７の出力は可変であることが望ましい。
【００２４】
（作用）
以下、本発明の第１の実施形態の作用について説明する。超電導電磁波測定器１は、入射窓３から電磁波３１を内部に入射させ、超電導素子６に電磁波３１を照射する。電磁波３１が超電導素子６に吸収され、電磁波３１のエネルギーによって超電導素子６の転移温度付近において上昇すると、大きく抵抗変化が生じる。抵抗測定装置８は、この抵抗変化を測定することで電磁波３１のエネルギーを測定する。
【００２５】
ここで、超電導素子６に照射された電磁波３１の一部は超電導素子６に吸収され、残りの電磁波３１は超電導素子６から反射する。図１に示すように、超電導素子６は、素子基板５の凹形状部５ｄの側面５ｂに沿って内向きに傾斜しているため、超電導素子６から反射した電磁波３１は、再び超電導素子６に照射され吸収される確立が高くなる。超電導素子６への電磁波３１の吸収効率が高まることによって超電導素子６の温度変化が大きくなり、超電導素子６の抵抗変化が増大し、電磁波３１のエネルギーの測定効率が高まる。
【００２６】
さらに、抵抗測定装置８は以下の方法によっても電磁波３１のエネルギーを測定することができる。超電導素子６は、臨界電流密度以上の電流を流すと、転移温度以下であっても超電導または常電導に転移する特性を持つ。したがって、超電導素子６に臨界電流付近の電流を流し、超電導素子６の一部で熱の発生による抵抗値が上昇したとき、流れる電流は超電導素子６のうち抵抗の小さい部分を流れようとする。このとき、抵抗の小さい部分に流れた電流密度が臨界電流密度より大きくなると、超電導から常電導に転移して抵抗値が変化する。この抵抗変化を測定することによって電磁波３１のエネルギーを測定することができる。
【００２７】
さらに、本実施形態は以下の変形が可能である。図３は、本発明の第１の実施形態に係る超電導電磁波測定器の素子基板および超電導素子の形状の変形例を示し、（ａ）は逆円錐形状を示す斜視図、（ｂ）は逆四角錐形状を示す斜視図、（ｃ）は逆円錐の先端がラウンドした形状を示す斜視図、（ｄ）は逆四角錐台形状を示す斜視図である。
【００２８】
図３（ａ）は、素子基板５の入射窓３と対向する面を窪ませた逆円錐形状によって凹形状部５ｄを形成する。このとき、逆円錐形状の底となる円形の淵によって開口端５ａが形成され、逆円錐形状の頂部によって底部５ｂが形成され、逆円錐の側面によって側面５ｃが形成される。凹形状部５ｄの逆円錐形状を素子基板５の上面に等間隔に配置することによって、超電導電磁波測定器１をイメージングセンサとして作用させることができる。
【００２９】
図３（ｂ）は、素子基板５の入射窓３と対向する面を窪ませた逆四角錐形状によって凹形状部５ｄを形成する。このとき、逆四角錐形状の底となる円形の淵によって開口端５ａが形成され、逆四角錐形状の頂部によって底部５ｂが形成され、逆四角錐の側面によって側面５ｃが形成される。凹形状部５ｄの逆四角錐形状を素子基板５の上面に等間隔に配置することによって、超電導電磁波測定器１をイメージングセンサとして作用させることができる。
【００３０】
図３（ｃ）は、素子基板５の入射窓３と対向する面を窪ませた先端がラウンドする逆円錐形状によって凹形状部５ｄを形成する。このとき、底部５ｂは、逆円錐形状のラウンドした先端によって形成される。図３（ｄ）は、素子基板５の入射窓３と対向する面を窪ませた逆四角錐台形状によって凹形状部５ｄを形成する。このとき、底部５ｂとなる逆四角錐台形状の上面は、逆四角錐台形状の底面に比べ十分小さい面積とする。さらに、凹形状部５ｄは上述した変形例に限らず、逆三角錐形状や半球形状に窪ませた形状など、開口端５ａから底部５ｂにかけて側面５ｃが傾斜した形状であれば他の形状を適用することも可能である。
【００３１】
（効果）
本発明の第１の実施形態によれば、素子基板５に凹形状部５ｄを形成し、凹形状部５ｄに超電導素子６を設けることによって、超電導素子６から反射した電磁波３１を再び超電導素子６へ照射させ、電磁波３１の超電導素子６への吸収量を高め、電磁波３１のエネルギーの測定効率を高めることができる。
【００３２】
（第２の実施形態）
（構成）
以下、本発明の第２の実施形態に係る超電導電磁波測定器について図４および図５を参照して説明する。第１の実施形態に係る超電導電磁波測定器の各部と同一部分には同一符号を付し、同一の構成についての説明は省略する。
【００３３】
図４は、本発明の第２の実施形態に係る超電導電磁波測定器の概略縦断面図である。第２の実施形態が第１の実施形態と異なる点は、新たに開口枠９を設けた点である。開口枠９は、電磁波３１が透過しない材料を用いるものとし、例えば、金や銀、アルミなどの金属材料を適用することができる。開口枠９は、凹形状部５ｄの開口端５ａにおいて、入射窓３の方向に所定の高さをもって形成される。図４のように、素子基板５の凹形状部５ｄが断面がＶ字である溝形状であるときは、開口端５ａである２つの平行な溝の淵に沿って２本の開口枠９が設けられる。
【００３４】
図５は、本発明の第２の実施形態に係る超電導電磁波測定器の凹形状部の変形例に開口部枠を適用した例を示し、（ａ）は逆円錐形状への適用例を示す斜視図、（ｂ）は逆四角錐形状への適用例を示す斜視図である。図５（ａ）のように、凹形状部５ｄが逆円錐形状であるときは、開口端５ａの円形状の淵に沿って開口枠９が設けられる。図５（ｂ）のように、凹形状部５ｄが逆四角錐形状であるときは、開口端５ａの四角形状の淵に沿って開口枠９が設けられる。
【００３５】
（作用）
以下、本発明の第２の実施形態の作用について説明する。断熱容器２の内部には超電導素子６の他に、素子基板５や、電極７が設けられ、超電導素子６と同様に電磁波３１の入射によって温度変化が生じ、この温度変化によって生じた熱輻射３２がノイズ源となる。しかし、断熱容器２の内部において生じた熱輻射３２が超電導素子６に対して横または斜め方向から進入したとき、開口枠９はこれを遮断して超電導素子６に輻射３２が入射することを防ぐことができる。
【００３６】
さらに、凹形状部５ｄの開口端５ａおよび開口枠９の幅を測定対象の電磁波３１の波長と同程度とすることもできる。例えば、１ｍｍ程度の波長の電磁波３１を測定するときには、凹形状部５ｄの開口端５ａおよび開口枠９の幅を１ｍｍ程度とする。このとき、開口枠９が電磁シールドの役割を果たし、開口枠９の幅より大きい波長の光の開口枠９内部への進入を抑え、目的とする電磁波３１を選択して凹形状部５ｄ内部へ入射させることができる。
【００３７】
（効果）
本発明の第２の実施形態によれば、開口枠９を素子基板５の凹形状部５ｄの開口端５ａに沿って設けることによって、ノイズとなる輻射が超電導素子６に照射することを防ぐことができる。なお、開口枠９は、開口端５ａの全てに設けられるだけでなく、開口端５ａのうちノイズの発生源を向く方向にのみ設けてもよい。
【００３８】
なお、凹形状部５ｄの開口端５ａの幅を電磁波３１の波長と同程度とすれば、開口枠９を省く構成としても凹形状部５ｄの開口端５ａが電磁シールドとして作用し、開口端５ａの幅より大きな波長の光の進入を抑え、目的とする電磁波３１を選択して凹形状部５ｄ内部へ入射させることができる。
【００３９】
（第３の実施形態）
（構成）
以下、本発明の第３の実施形態に係る超電導電磁波測定器について図６を参照して説明する。第１の実施形態に係る超電導電磁波測定器の各部と同一部分には同一符号を付し、同一の構成についての説明は省略する。
【００４０】
図６は、本発明の第３の実施形態に係る超電導電磁波測定器の概略縦断面図である。第３の実施形態が第１の実施形態と異なる点は、新たに集光レンズ１１を設けた点である。集光レンズ１１は、入射窓３とステージ４の間に設けられる。さらに、入射窓３は複数の超電導素子６が設置されている位置の全幅より大きい径とする。
【００４１】
（作用）
以下、本発明の第３の実施形態の作用について説明する。電磁波３１は、複数の超電導素子６が設置されている位置の全幅より大きいビーム径として入射窓３から入射する。集光レンズ１１は、入射窓３から入射する電磁波３１のビーム径を複数の超電導素子６の全幅程度に集光させる。超電導素子６の全幅より大きいビーム径の電磁波３１を集光して超電導素子６に照射することによって、超電導素子６の全幅と等しい径のビーム径の電磁波３１を照射したときに比べ、超電導素子６に照射する電磁波３１のエネルギー量を高めることができる。
【００４２】
（効果）
本発明の第３の実施形態によれば、集光レンズ１１によって電磁波３１のビーム径を複数の超電導素子６の全幅程度に集光させることによって、超電導素子６に照射する電磁波３１の量を増やすことができる。なお、入射窓３自体の形状をレンズ形状として、入射窓３が集光レンズ１１の作用を兼ねる構成としてもよい。
【００４３】
（第４の実施形態）
（構成）
以下、本発明の第４の実施形態に係る超電導電磁波測定器について図７を参照して説明する。第１の実施形態に係る超電導電磁波測定器の各部と同一部分には同一符号を付し、同一の構成についての説明は省略する。
【００４４】
図７は、本発明の第４の実施形態に係る超電導電磁波測定器の概略縦断面図である。第３の実施形態が第１の実施形態と異なる点は、新たに反射部材１２を設けた点である。反射部材１２は、電磁波３１の反射特性の高い鏡や金属等の材料が用いられ、上部反射部材１２aと下部反射部材１２ｂとから構成される。上部反射部材１２aは、断熱容器２内面であって、超電導素子６より入射窓３側に設けられる。上部反射部材１２aは、焦点を超電導素子６の表面に定めた凹面鏡形状であり、入射した電磁波３１を超電導素子６に反射させることができる。
【００４５】
下面反射部材１２ｂは、断熱容器２内面とステージ４との隙間をふさぐように、超電導素子６より入射窓３と反対側に設けられる。下部反射部材１２ｂは、反射面を上面反射部材１２aに向けた形状であって、入射した電磁波３１を上面反射部材１２aに反射させる形状である。
【００４６】
（作用）
以下、本発明の第４の実施形態の作用について説明する。超電導素子６に照射した電磁波３１は凹凸形状部５ａによって大部分は超電導素子６に吸収されるが、一部は超電導素子６から反射し断熱容器２の内面に入射する。上部反射部材１２aは、入射した電磁波３１を超電導素子６の方向へ反射させ、反射した電磁波３１は再び超電導素子６に照射される。さらに、下部反射部材１２ｂは、入射した電磁波３１を上部反射部材１２aに反射し、下部反射部材１２ｂによって反射された電磁波３１は上部反射部材１２aによって再び超電導素子６に照射される。
【００４７】
また、入射窓６から入射する電磁波３１は、超電導素子６の方向へ入射するものの他、断熱容器２の内面の方向へ入射するものがある。反射部材１２は、断熱容器２の内面に入射した電磁波３１を超電導素子６へ反射させ、超電導素子６に照射する。
【００４８】
（効果）
本発明の第４の実施形態によれば、断熱容器２の内部に反射部材１２を設け、反射部材１２に照射した電磁波３１を超電導素子６の方向へ反射させることによって、より電磁波３１の吸収効率を高めることができる。なお、反射部材１２は上部反射部材１２aのみを設ける構成としてもよい。
【００４９】
なお、本発明の実施形態は上述した実施形態に限られないことは言うまでもない。例えば、超伝導電磁波測定装置１は、電磁波３１としてテラヘルツ波だけなく、紫外線、可視光、赤外線、電波など広帯域の光を測定することもできる。このとき、入射窓３に各々の波長に応じたフィルタを適用するものとする。さらに、超電導素子６としてＹＢＣＯをはじめとする高温超電導体だけでなく、極低温超伝導体を適用することもできる。このとき、断熱容器２は各々の超電導体の常電導から超電導への遷移温度に内部を冷却するものとし、抵抗測定装置８が印加する電流も適宜調整されるものとする。
【００５０】
また、１つの素子基板５につき１つの凹形状部５ｄを形成するだけでなく、１つの素子基板５につき複数の凹形状部５ｄを形成し、複数の凹形状部５ｄの各々に超電導素子６を設けてもよい。さらに、ステージ４の上面において素子基板５を設けるだけでなく、ステージ４の構成を省き、断熱容器２の内面によって素子基板５を支持し、素子基板５上に超電導素子６を設けることも可能である。なお、上述した第１から第４の実施形態は適宜組み合わせることができる。 
【符号の説明】
【００５１】
１・・・超電導電磁波測定器
２・・・断熱容器
３・・・入射窓
４・・・ステージ
５・・・素子基板
５ａ・・・開口端
５ｂ・・・底部
５ｃ・・・側面
５ｄ・・・凹形状部
６・・・超電導素子
７・・・電極
８・・・抵抗測定装置
９・・・開口枠
１１・・・集光レンズ
１２・・・反射部材
１２a・・・上部反射部材
１２ｂ・・・下部反射部材
３１・・・電磁波
３２・・・輻射 
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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