(57)【要約】【課題】  電子写真感光体用の円筒状基体表面において微小な切削切り粉やダストといった異物を、感光層形成工程前に除去し、異物に起因するポチをなくして高画質を実現する電子写真感光体を、装置コスト及び製造タクトを抑えて製造する。【解決手段】  外気の温度よりも高い温度の洗浄液に円筒状基体を浸漬することによって前記円筒状基体を洗浄する洗浄工程と、前記表面に付着した異物を検知する異物検知工程と、前記円筒状基体上に感光層を形成する感光層形成工程とを有する電子写真感光体の製造方法において、前記異物検知工程は、前記円筒状基体の前記洗浄液からの引上げ乾燥時に前記円筒状基体と前記外気の温度との間に温度差が設けられている間に前記円筒状基体の表面の温度分布を測定する測定工程と、前記円筒状基体の表面の温度分布の低温領域に基づいて、前記表面に付着した異物を検知する検知工程と、前記検知工程の結果に基づいて前記円筒状基体を前記感光層形成工程に送るか否かを判断する判断工程を有する。【選択図】  図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
外気の温度よりも高い温度の洗浄液に円筒状基体を浸漬することによって前記円筒状基体を洗浄する洗浄工程と、前記円筒状基体の表面に付着した異物を検知する異物検知工程と、前記円筒状基体の上に感光層を形成する感光層形成工程とを有する電子写真感光体の製造方法において、
前記異物検知工程は、前記円筒状基体の前記洗浄液からの引上げ乾燥時であって、前記円筒状基体と前記外気の温度との間に温度差が生じている間に前記円筒状基体の表面の温度分布を測定する測定工程と、前記温度分布の低温領域に基づいて、前記表面に付着した異物を検知する検知工程と、前記検知工程の結果に基づいて前記円筒状基体を前記感光層形成工程に送るか否かを判断する判断工程を有することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項２】
前記円筒状基体はアルミニウムまたはアルミニウム合金であることを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項３】
前記測定工程における前記温度差は１０℃以上３５℃以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項４】
前記円筒状基体を前記洗浄液の液面から引上げてから、前記測定工程において、前記温度分布の測定を開始するまでの時間が、１０秒以上かつ３０秒以下であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項５】
前記異物検知工程は、前記円筒状基体の表面の単位時間あたりの温度変化分布の高変化率領域に基づいて、前記表面に付着した異物を検知することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項６】
前記引上げ乾燥時に、前記円筒状基体を回転させながら前記異物検知工程をおこなうことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項７】
前記判断工程において前記感光層形成工程に送らないと判断された前記円筒状基体を再度洗浄液に浸漬させることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【請求項８】
前記円筒状基体は切削されたものであることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電子写真感光体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子写真感光体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
複写機やレーザビームプリンタなどの電子写真装置における感光層を有する電子写真感光体用の材料として、従来、セレン、酸化亜鉛、硫化カドミウム、アモルファスシリコン等の無機感光体や、有機感光体（ＯＰＣ）が用いられてきた。中でも、水素やハロゲン原子等の一価の元素でダングリングボンドが修飾されたアモルファスシリコン（以後、「ａ−Ｓｉ」とも表記する）は、高いＳＮ比［光電流（Ｉｐ／Ｉｄ）］を有し、光応答性が速く、良好な暗抵抗値を有する。さらには高硬度であるため耐久性に優れ、人体に無害であり、残像を所定時間内に処理できる特性を有する。そのため電子写真において一般的に用いられているＯＰＣ感光体に比べて、画質、安定性、耐久性に優れた特性を備えており、特に高信頼性が要求される高速機において好ましいことが知られている。
ａ−Ｓｉ感光体は、さまざまな性能要求に合わせ、種々の層構成を有するものが提案されている。例えばａ−Ｓｉを主成分とする感光層の上にケイ素原子及び炭素原子を含む非光導電性のアモルファス材料で構成された表面層を設けた層構成等がよく知られている。
【０００３】
このようなａ−Ｓｉ感光層を形成する方法として、スパッタリング法、熱により原料ガスを分解する方法（熱ＣＶＤ法）、光により原料ガスを分解する方法（光ＣＶＤ法）、プラズマにより原料ガスを分解する方法（プラズマＣＶＤ法）といった方法が知られている。
中でもプラズマＣＶＤ法、すなわち、原料ガスを直流または高周波、マイクロ波グロー放電等によって分解し、円筒状基体の上に堆積膜を形成する方法は、電子写真感光体の製造等、現在実用化が最も進んでいる。
【０００４】
このような従来の電子写真感光体形成方法により、ある程度実用的な特性と均一性を有する電子写真感光体を得ることが可能となった。しかし、これら電子写真感光体のように大面積で比較的厚い堆積膜が要求される製品については、従来の電子写真感光体形成方法では、画像形成時に画像欠陥の少ない堆積膜を高収率で得るのは難しいという解決すべき問題が残存している。
【０００５】
特に、ａ−Ｓｉ膜は円筒状基体の表面に数μｍオーダーのダストが付着していた場合、成膜中にそのダストを核として異常成長、いわゆる「球状突起」が成長してしまうという性質を持っている。球状突起は円筒状基体の上のダストを起点とした円錐形を逆転させた形をしており、正常成長部分と球状突起部分との界面では局在準位が多いために低抵抗化し、帯電電荷が界面を通って円筒状基体側に抜けてしまう。このため、球状突起のある部分は、画像上ではベタ黒画像で白い点となって現れる（反転現像の場合はベタ白画像に黒い点となって現れる）。このいわゆる「白ポチ」は年々規格が厳しくなっており、大きさによってはＡ３用紙に数個存在していても不良として扱われることがある。
【０００６】
ａ−Ｓｉ感光体の製造においては、感光層形成の前に円筒状基体に対し鏡面切削加工を行ない、鏡面切削加工によって付着した切削油を、脱脂洗浄によって取り除いた後に感光層形成が行われる。切削工程において発生した切り粉は、脱脂洗浄の際に取り除かれるが、微小な切り粉については、洗浄後に残る場合があった。
このような微小な切り粉やダストといった異物は、感光層形成の際に核となって球状突起となるため、近年の要求画質の高まりによって、低減する必要が生じてきている。
この課題に関連する従来技術として、特許文献１、２がある。
【０００７】
特許文献１に記載の技術は、切削時に円筒状基体を光学式カメラで検査する検査装置を切削装置に備えることにより、切削処理と同時に切削された円筒状基体の表面を並行して検査するものである。
この検査によって切削後の円筒状基体の表面における切り粉の巻きつきや切削痕の不整の有無が検査される。また切削装置に検査装置を併せ持つ事によって、本来は次工程にて必要な、検査要員の配置または自動検査装置への切削加工された円筒状基体の搬送機構を必要とせず、コストアップや製造タクトの上昇を抑えることができる。しかし本文献に開示の技術では、切削された円筒状基体の表面上における切り粉の巻きつきや切削痕の不整は検査されるが、円筒状基体の表面に付着する微小な切り粉の判定までは行われていない。
【０００８】
また特許文献２に記載の技術は、試料に温度変化を与えつつ、試料中の微小部分の温度変化を赤外線測定手段で測定し、温度変化に基づいて熱分析を行う技術である。しかし、本文献では試料の比熱や熱伝導率といった熱的特性を測定することが記載されているだけで、円筒状基体の上に付着する異物の検知については一切記載されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００５−１４１０２８号公報
【特許文献２】特開２００４−３２５１４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述のように、プラズマＣＶＤ法による感光層形成においては、円筒状基体の上に異物が付着していた場合、それを核として異常成長し「球状突起」が形成されてしまう。
そのため、感光層を形成する真空容器内のダスト量およびクリーンルームにおけるクリーン度を厳格に管理するとともに、生産装置の可動部における発塵を抑え、さらには円筒状基体の支持体を精密に洗浄することで、円筒状基体の上へのダストの付着を抑えている。また切削工程後の洗浄工程を最適化することにより、円筒状基体の表面に付着している油分や切り粉の確実な除去を進めているが、限られた製造タクトや僅かな条件の変化、および装置の経時変化により、微小な異物に関しては完全には除去しきれない場合があった。
【００１１】
このような異物に起因するポチは、従来、感光層形成後に電子写真感光体を電子写真装置に搭載したうえで画像形成し、形成された画像上のポチを検査する検知工程で見つけ出していた。そして規格外のポチを生じる電子写真感光体を不良品として出荷品から取り除くことで市場における画質を維持していた。
以上のような状況のため、異物が付着した状態で感光層形成工程が行われ、不良品として廃棄されるといった無駄なコストが生じていた。この課題を解決するため、あらかじめ円筒状基体から異物を取り除いた後に感光層形成を行う電子写真感光体の製造方法が必要になっていた。
【００１２】
そのためには、感光層形成工程前に円筒状基体の表面上に付着する異物を検知することで、確実に異物を取り除いたうえで感光層形成工程に送る必要がある。
しかし円筒状基体の表面上に付着する異物を検知する手段として、特許文献１のように光学式カメラによって円筒状基体の表面を観察する場合、鏡面切削加工処理の後に残る切削スジや円筒状基体の表面上の微小な凹凸形状と微小な異物との区別が難しい。
【００１３】
特に電子写真感光体における円筒状基体の好適な材料であるアルミニウムを用いる場合、鏡面切削されたアルミニウムの円筒状基体の上に付着する微小なアルミニウムの切り粉の検知は、円筒状基体の表面と切り粉の光沢や色味が同一のため、区別がさらに困難となる。
そのため、アルミニウムの円筒状基体の表面上に付着した微小なアルミニウムの切り粉を光学式カメラによって検知することは困難であり、このような光学的な手段による異物の検知方法の欠点を克服しなければならなかった。
【００１４】
本出願の目的は、装置コスト及び製造タクトを抑えつつ、上述したようにアルミニウムの円筒状基体の表面上に付着した異物を感光層形成前に検知することである。
さらに、異物を取り除いたうえで感光層形成することによって、感光層形成工程後の不良品を無くし、さらなる高画質な画像の供給を最小のコストで達成する、電子写真感光体の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成するため、本発明の第１の特徴は、
外気の温度よりも高い温度の洗浄液に円筒状基体を浸漬することによって前記円筒状基体を洗浄する洗浄工程と、前記円筒状基体の表面に付着した異物を検知する異物検知工程と、前記円筒状基体の上に感光層を形成する感光層形成工程とを有する電子写真感光体の製造方法において、
前記異物検知工程は、前記円筒状基体の前記洗浄液からの引上げ乾燥時であって、前記円筒状基体と前記外気の温度との間に温度差が生じている間に前記円筒状基体の表面の温度分布を測定する測定工程と、前記温度分布の低温領域に基づいて、前記表面に付着した異物を検知する検知工程と、前記検知工程の結果に基づいて前記円筒状基体を前記感光層形成工程に送るか否かを判断する判断工程を有することにある。
【発明の効果】
【００１６】
以上説明したように、本発明によれば、電子写真感光体の製造方法において、装置コストと製造タクトを抑えて、かつ高画質な画像を得ることのできる電子写真感光体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】旋盤加工を実施する際のヤトイへの組み付けを示した模式図である。
【図２】本発明の電子写真感光体の製造方法に適用可能な切削工程を説明する図である。
【図３】本発明の電子写真感光体の製造方法に適用可能な洗浄工程を説明する図である。
【図４】本発明の電子写真感光体の製造方法に適用可能な円筒状基体の検査方法を説明する図である。
【図５】本発明の電子写真感光体の製造方法に適用可能な円筒状基体の検査方法のフローを説明する図である。
【図６】本発明の電子写真感光体の製造方法に適用可能な感光層形成工程を説明する図である。
【図７】本発明の電子写真感光体の製造方法に適用可能な円筒状基体の検査方法のフローを説明する図である。
【図８】本発明の電子写真感光体の製造方法における円筒状基体および異物の時間の経過に伴う温度変化を示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の具体的な実施形態について説明する。
本発明者らは、円筒状基体上の異物の光学的検知方法において、円筒状基体と異物の光沢や色味に差がないこと、さらに円筒状基体の表面の微小な凹凸形状からの乱反射等に起因する困難を、円筒状基体の表面の温度分布測定に変更することによって改善を試みた。
すなわち温度分布測定においては、円筒状基体と異物の光沢や色味、さらに円筒状基体の表面の微小な凹凸形状の測定への影響が小さく、こうした光学的な検知方法に伴う困難を低減できると考えた。
【００１９】
しかしながら、たとえば室温中において熱的平衡状態の円筒状基体の表面の温度分布を測定する場合には、円筒状基体および異物の温度はともに室温であるため、円筒状基体と異物の温度差が出ず、測定不能であった。
そこで、円筒状基体の内部に加熱ヒーターを設けて、例えば４０℃〜５０℃に加熱した状態で円筒状基体の表面の温度分布を測定してみた。すると円筒状基体は一定の温度に保たれるが、周りの温度は室温であるため、表面からは熱が放射されている状態となる。表面に付着した異物は円筒状基体に密着しているわけではないため、両者の間の熱伝導率が悪く、異物の温度は低下する。このため、円筒状基体の温度に対して異物部分は温度が低下し、温度分布測定により検出可能となる。
【００２０】
しかし、実際の生産において、切削、洗浄を終えた円筒状基体に加熱ヒーターを設置し、円筒状基体の表面の温度分布を測定する、ということは工数が多くなり、コストアップ要因となる。また、これらの作業は人手に頼ることになるため、その間に発塵したダストが円筒状基体に付着する確率も高まり、画像欠陥を悪化させる要因となる可能性があった。
そこで、本発明者らは、この円筒状基体の加熱、及び温度分布測定を後述する洗浄工程に設けることを考えた。
【００２１】
すなわち、後述の洗浄工程において円筒状基体を外気に対して高温に保たれた洗浄槽の液中に浸漬した後、洗浄槽からの引上げ乾燥時に、赤外線カメラによって円筒状基体の表面の温度分布を測定した。
このような測定方法では、円筒状基体と異物は共に時間の経過にしたがって液温から室温に冷却され、熱的平衡状態に近づいてゆく。
【００２２】
このとき、異物は体積が小さいため熱容量が小さく、さらに円筒状基体の表面に密着しているわけではなく熱的接触が小さいため、円筒状基体を室温中に移動した後、異物は円筒状基体よりも速く温度低下する。
従って、洗浄槽から円筒状基体を引上げた後のある程度の時間において、円筒状基体に対して異物の温度は低い状態となっているため、円筒状基体の温度分布を赤外線カメラで測定すると、異物は温度が局所的に低下した領域として捉えることができる。
【００２３】
すなわち図８（ａ）に示すように、洗浄槽から引上げられ外気に曝された円筒状基体および異物は時間の経過に従って温度低下するが、ある時間においては円筒状基体と異物との温度差８０１が生じるため、温度分布の測定により異物を確実に検知することができる。
このような測定方法においては、前述した円筒状基体の内部に設ける加熱ヒーターや、ヒーターと熱電対とによる温度制御系、さらには、洗浄後の円筒状基体をそれら装置系に搬送する搬送装置が不要となる。
【００２４】
さらには、円筒状基体をそれら装置系へ搬送する時間や円筒状基体に対し温度変化を与えるタクトが不要となるだけでなく、搬送および検査に伴う円筒状基体の表面への新たなダストの付着の確率を抑え、工数増加によるコストアップも避けることが出来る。
また本発明者らは、円筒状基体の引上げ直後においては、熱容量の大きな違いによって円筒状基体と異物の単位時間あたりの温度変化量が大きく異なることに着目した。即ち、円筒状基体の引上げ方向に複数段の赤外線カメラを設置し、冷却中の温度分布の時間経過を捉えることで、単位時間あたりの温度変化分布を測定した。
【００２５】
この場合、図８（ｂ）に示すように円筒状基体と異物との単位時間あたりの温度変化の差８０２が冷却初期で大きくなる。そのため単位時間あたりの温度変化分布を示す画像において異物の有る箇所と無い箇所とで大きなコントラストが得られ、前述の円筒状基体の温度差を測定する方法と比較して、より高い検知感度が得られる。
すなわち、引上げ乾燥時に生じる円筒状基体と異物の熱的非平衡状態を積極的に利用することで、微小な異物の有無を感度良く検知できる。
【００２６】
さらに、上述した円筒状基体の表面の検査において、円筒状基体の表面上に所定の長さ（例えば５μｍ）以上の異物があると判定された円筒状基体に対しては、再度、後述する洗浄工程を実施することによって異物を除去した上で感光層形成を行う。
その結果、感光層形成後の不良品の発生を抑制できるのみならず、円筒状基体の無駄も抑制できる。
【００２７】
このように本発明者らは、上述の異物の検知方法では、円筒状基体の表面の熱的非平衡状態における温度分布を測定するため、光学的検査方法において生じる欠点がなく、かつ円筒状基体の上の微小な異物を感度良く検知できることを見出した。そして洗浄工程における乾燥引上げ時に実施するため、低コストかつ短い検査タクトで異物の検知が可能となること、さらには感光層形成後の良品率が向上し、円筒状基体の無駄を抑制することができることを見出した。
【００２８】
以下、切削工程、洗浄工程、異物検知工程、感光層形成工程について順に述べる。
（切削工程）
本発明の実施の形態において洗浄工程の前に行われる切削工程について説明する。
図１は、旋盤加工を実施するためのヤトイへの組み付けを示した模式図である。
円筒状金属素管１０１はヤトイ１０３の台座１０７と押さえ座１０４によって固定され、更に押さえネジ１０５によって台座１０７と押さえ座１０４に挟み込まれた状態でヤトイ１０３に固定される。
【００２９】
図２は本発明の実施の形態において適用可能な旋盤加工機を示した模式図である。
以下、切削工程の手順を説明する。
まず、精密切削用のエアダンパー付旋盤の回転機構（チャック）２０１、２０３にヤトイ１０３の軸１０６をセットする。次いで、所定の回転数でヤトイ１０３を周速１０００ｍ／分で回転させながらダイヤモンドバイト（商品名：ミラクルバイト、東京ダイヤモンド製）２０２を円筒状金属素管１０１に当て、切り込みながら矢印方向に移動させることで所定の外径に鏡面切削加工する。
【００３０】
円筒状金属素管１０１は、加工雰囲気温度による膨張および収縮があり、特にアルミニウムまたはアルミニウム合金は膨張量および収縮量が大きい。そのため、高精度な円筒状基体を製造する場合、加工雰囲気温度の変動を２℃以内に管理して加工を行うことが望ましい。
電子写真感光体用の円筒状基体の材料としては、実用的には帯電、露光、現像、転写、クリーニングといった電子写真プロセスに耐え、また画質を維持すべく常に位置精度を高く保つため、金属が用いられる場合が多い。例えば、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ａｕ，Ｉｎ，Ｎｂ，Ｔｅ，Ｖ，Ｔｉ，Ｐｔ，Ｐｄ，Ｆｅ等の金属、およびこれらの合金が挙げられる。
【００３１】
中でもＡｌまたはＡｌ合金は、加工性が良好で、材料コストも安く、ａ−Ｓｉ膜の密着性も高く、重量が軽い点から電子写真感光体の円筒状基体として最適な材料の１つである。Ａｌ合金としては、例えばＡｌ−Ｍｇ系合金、Ａｌ−Ｍｎ系合金のいずれかを用いることが好ましい。
【００３２】
（洗浄工程）
次いで、前述の切削工程を経て作製された電子写真感光体用の円筒状基体は、以下に説明する洗浄工程に送られる。
図３は円筒状基体の洗浄を実施する洗浄装置を示した模式図である。
洗浄装置は、処理部３１０と搬送機構３５０よりなる。
処理部３１０は、投入台３１１、脱脂槽３１２、珪酸塩処理槽３１３、リンス槽３１４、乾燥槽３１５、搬出台３１６よりなる。
【００３３】
搬送機構３５０は、搬送レール３５１と搬送アーム３５２よりなる。
搬送アーム３５２は、搬送レール３５１の上を移動する移動機構３５３、円筒状基体３０１を保持するチャッキング機構３５４及びチャッキング機構３５４を上下させるためのエアーシリンダー３５５よりなる。
エアーシリンダー３５５はチャッキング機構３５４を上下動作させるとともに、上下動作時にチャッキング機構３５４を中心として円筒状基体３０１を回転させる機構をもつ。
【００３４】
切削後、投入台３１１の上に置かれた円筒状基体３０１は、搬送機構３５０により脱脂槽３１２に搬送される。脱脂槽３１２には界面活性剤含有の純水３１７が満たされている。円筒状基体３０１を界面活性剤含有の純水３１７に浸漬し、超音波処理することにより、表面に付着している油脂の脱脂洗浄が行なわれるとともに、円筒状基体の表面に付着した異物も取り除かれる。
【００３５】
また珪酸塩処理槽３１３には、珪酸カリウムを腐食防止剤として水に溶解させた被膜形成剤３１８が満たされている。特にケイ素（Ｓｉ）原子を含むアルミニウムの場合、ケイ素原子が局所的に多い部分を中心に水によって腐食されることが有り、その腐食を防ぐ目的で珪酸塩処理槽３１３にて被膜形成処理が行われる。この被膜形成剤３１８によって円筒状基体３０１のアルミニウム表面にＡｌ−Ｓｉ−Ｏ被膜が形成される。その結果アルミニウム表面の腐食を防ぐことができ、感光層形成時おける膜の欠陥の発生を抑えることができる。珪酸塩処理槽３１３における超音波処理時間は製造タクトとの兼ね合いから決定されるが、８０秒以上であることが被膜形成の点で好ましい。
【００３６】
次いで円筒状基体３０１は、搬送機構３５０によりリンス槽３１４へ搬送され、純水３１９によって界面活性剤のリンスを行う。
次に、円筒状基体３０１は搬送機構３５０により乾燥槽３１５へ移動され、二酸化炭素がバブリングによって含有された純水３２０に浸漬された後、引き上げ乾燥が行われる。
引上げ乾燥によって確実に乾燥させるためには、乾燥槽の液温を４３℃以上に調節する。
しかし、円筒状基体の材質としてアルミニウムまたはアルミニウム合金を使用する場合は、液温が高く浸漬時間が長いと円筒状基体に腐食が発生する可能性がある。
そのため乾燥槽の液温を５５℃以下に調節し、浸漬時間を数十秒とすることが好ましい。
【００３７】
乾燥槽３１５と搬送機構３５０との間には、円筒状基体表面検査部３７０が設置され、引上げ乾燥時に円筒状基体３０１が円筒状基体表面検査部３７０を通過するときに、円筒状基体の表面における異物の有無の検査が行われる。
この検知工程の結果に基づいて円筒状基体の処理を実施するために、検査後搬送制御部３７１によって、検知工程後の円筒状基体の搬送が制御される。
【００３８】
脱脂槽３１２、珪酸塩処理槽３１３、リンス槽３１４、乾燥槽３１５とも液温を一定に保つための温度調節装置（図示せず）が付いている。また液の電気導電率は工業用導電率計（商品名：α９００Ｒ／Ｃ、堀場製作所製）（不図示）により測定され、一定に制御される。
脱脂槽３１２の液温は３９℃以上４５℃以下、珪酸塩処理槽３１３の液温は２４℃以上３０℃以下、リンス槽３１４の液温は１０℃以上２５℃以下に調節することが好ましい。
【００３９】
（異物検知工程）
異物検知工程は前述のように洗浄工程における引上げ乾燥時において行われる。
乾燥槽の液温と外気の温度差は大きいほうが望ましいが、前述したように円筒状基体の材質がアルミニウムまたはアルミニウム合金の場合、乾燥槽の液温が高すぎると腐食を生じ、感光層形成時において膜の欠陥が発生する可能性がある。このため、乾燥槽の液温は前述したように４３℃から５５℃が好ましい。
一方、外気の温度は、エアーコンディショナーにより低くすることが望ましいが、あまり低いと乾燥工程に支障があるため２０℃以上であることが望ましい。
【００４０】
異物検知工程は、円筒状基体の表面の温度分布を測定する測定工程と、得られた温度分布の低温領域に基づいて異物の有無を検知する検知工程と、検知工程の結果に基づいて円筒状基体を感光層形成工程に送るか否かを判断する判断工程よりなる。
以下、測定工程、検知工程、判断工程を順に説明する。
【００４１】
（測定工程）
引上げ乾燥時、円筒状基体の表面は乾燥槽の液温から外気温へ冷却される。この冷却と並行して円筒状基体表面検査部３７０によって円筒状基体の表面の温度分布を測定する。なおこの引上げ乾燥時に、円筒状基体の表面に対しエアブローすることにより、円筒状基体の表面の冷却速度を速めてもよい。
前述したように乾燥槽の液中から外気に露出した際、円筒状基体の表面上に付着する異物は、熱容量の違いから円筒状基体の表面よりも早く温度低下する。そのため円筒状基体の表面の温度分布において、異物がある領域は、温度が局所的に低下した領域として、円筒状基体表面検査部３７０によって捉えられる。
【００４２】
測定は、引上げ乾燥中における円筒状基体表面から放射される赤外線を、非接触型の測定手段で受光することで行われる。
非接触型の測定手段の一例として、赤外線レンズと赤外線センサから構成される赤外線カメラを利用できる。測定は、赤外線を赤外線レンズで拡大し、赤外線センサに集光することで行われる。赤外線の波長としては１．０μｍ以上１２．０μｍ以下の赤外線を利用することができる。
【００４３】
赤外線レンズと赤外線センサの性能については、異物を検知できる分解能があればよく、たとえば、赤外線レンズの倍率を６倍、赤外線センサの各画素サイズを３０μｍとすることで、５μｍの分解能の温度分布画像データを得ることができる。また赤外線センサの撮像領域の形式としては、ラインセンサ型およびエリアセンサ型を使用できる。
円筒状基体表面検査部３７０における赤外線カメラの配置、および円筒状基体の引上げ方法については、円筒状基体の表面の全域において、異物の有無を判定できれば、特に制限はない。
【００４４】
円筒状基体表面検査部３７０における赤外線カメラの配置の一例としては、図４（ａ）に示すように、赤外線カメラ（赤外線ラインセンサ）４１１が、円筒状基体３０１の周方向に一周分にわたる領域を撮影できるように複数個配置されてもよい。
この赤外線カメラの配置においては、引上げ時に円筒状基体３０１の表面のすべての箇所が、進行方向３０２に従って、赤外線カメラ４１１の撮像領域４１２を通過する。そのため円筒状基体３０１の表面上に付着するすべての異物を検知できる。
【００４５】
また図４（ｂ）に示すように、円筒状基体３０１の引上げ方向に、赤外線カメラ群を複数個設置してもよい。この図４（ｂ）の場合は、２つの赤外線カメラ群４１０と４２０とが設置されている。
このような配置では、円筒状基体の表面の各位置が、円筒状基体の引き上げ中に複数回、赤外線ラインセンサの撮像領域を通過するため、複数時刻における温度分布が得られる。そのため時間あたりの温度分布をとることで単位時間あたりの温度変化分布を作成することができる。この場合後述するように検知感度を高めることができる。
【００４６】
また図４（ｃ）に示すように、赤外線ラインセンサの各素子を円筒状基体３０１の軸方向に配列させた赤外線カメラ４３１を配置し、引上げ時に円筒状基体を回転させてもよい。この場合、円筒状基体の表面の全領域が赤外線カメラ４３１の撮像領域４３２を通過するように、円筒状基体３０１の引上げ速度と回転速度とから、円筒状基体表面のらせん状進行方向３０３を調整する。
【００４７】
図４（ｃ）に示すような配置の場合、設置する赤外線カメラの個数が少なく済むため、装置コストを抑えることができる。また図４（ｄ）に示すように、複数個の赤外線カメラ４３１、４４１、４５１を配置してもよい。この場合、後述するように単位時間あたりの温度変化分布を得ることができ、検知感度を高めることができる。
【００４８】
（検知工程）
上述の測定工程で得られた温度分布から、検知工程において例えば長さ５μｍ以上の異物の個数を判定する。
図７（ａ）は検知工程のフローチャートの一例であり、ステップＳ７１１から７１４はそれぞれ検知工程におけるデータ処理を示す。
まず測定工程で得られた温度分布を処理ステップＳ７１１によって画像データ化する。
【００４９】
次いで処理ステップＳ７１１で得られた温度分布画像データ中における、温度が周囲の温度よりも低くなっている低温領域を、処理ステップＳ７１２によって切り分ける。
具体的には、温度分布画像データのある領域内（例えば１センチ四方の領域内）における平均温度に対し、ある温度差（例えば５℃）以上低くなっている低温領域を切り分ける。
この温度分布画像データから切り分けられた低温領域が異物を示す。
【００５０】
そして処理ステップＳ７１３において切り分けられた低温領域の大きさの判定を行う。その後、処理ステップＳ７１４において長さ５μｍ以上と判定された低温領域の個数を導出する。この個数をもって、円筒状基体の表面に付着した長さ５μｍ以上の異物の個数と判定する。
処理ステップＳ７１２で用いられる適切な温度差は、円筒状基体の熱容量や、乾燥槽の液温、外気温、エアブローの有無、さらに円筒状基体の表面が乾燥槽の液面から外気に露出した時点から温度分布を測定するまでの時間に依存する。
【００５１】
アルミニウム製の直径８０ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚３ｍｍの円筒状基体について、乾燥槽の液温４８℃、外気温２５℃、乾燥槽から引き上げて測定開始するまでの時間を２０秒とした場合、温度差の一例としては３℃以上８℃以下とすることができる。
また図４（ｂ）、図４（ｄ）に示すような赤外線カメラの配置では、時間経過に対する温度分布の差分の画像データ（または単位時間あたりの温度変化分布画像データ）を得ることが出来る。
【００５２】
円筒状基体表面と異物の冷却速度は、引上げ乾燥開始直後で大きく異なる。すなわち単位時間あたりの温度変化分布画像データにおいては、円筒状基体の表面と異物とのコントラストを大きくできる。そのため、単位時間あたりの温度変化分布画像データを得ることによって検知感度を高めることが出来る。
【００５３】
図７（ｂ）はこの場合における検知工程のフローチャートの一例であり、ステップＳ７３１から７３６はデータ処理を示す。
まず処理ステップＳ７３１と７３２で各温度分布測定から温度分布画像データを作成する。次いで処理ステップＳ７３３で各温度分布画像データにおいて各測定間の時間に対する差分をとることで、単位時間あたりの温度変化分布画像を作成する。
単位時間あたりの温度変化分布画像は、各測定位置に関して、（ΔTemp／Time）によって算出される単位時間あたりの温度変化を示す。なお、ΔTempは１回目の測定時に測定された温度と２回目の測定時に測定された温度との差、Timeは１回目の測定時から２回目の測定時までに経過した時間、を示す。
【００５４】
得られた単位時間あたりの温度変化分布画像に対し、処理ステップＳ７３４において高変化率領域を切り分ける。すなわち円筒状基体の表面全体を１ｃｍ平方領域に分割し、各１ｃｍ平方領域における単位時間あたりの温度変化の面積平均値よりも単位時間あたりの温度変化量が絶対値として大きくなる領域を、高変化率領域として切り分ける。この切り分けられた領域が異物を示す。
【００５５】
そして処理ステップＳ７３５で切り分けられた領域の長さ（大きさ）判定を行ない、その後、処理ステップＳ７３６において長さ５μｍ以上と判定された高変化率領域の個数を導出する。この個数をもって、円筒状基体表面に付着した長さ５μｍ以上の異物の個数として判定する。
処理ステップＳ７３４における高変化率領域の切り分け方法としては、例えば、分割された１ｃｍ平方領域における単位時間あたりの温度変化の面積平均値に対し、絶対値で１．０℃／秒以上となる領域を切り分ける方法でもよい。
【００５６】
（判断工程）
以上述べた検知工程の後、図５（ａ）に示す判断工程のフローチャートに従って円筒状基体を処理する。
図５（ａ）に示す判断工程のフローチャートにおいて、ステップＳ５１１は判断ステップであり、ステップＳ５２１、５３１は判断ステップによる判断後の円筒状基体の処理である。
【００５７】
まず判断ステップＳ５１１によって前述の検知工程で長さ５μｍ以上の異物が円筒状基体の表面上に残っていないと判定された場合、処理ステップＳ５２１に従って円筒状基体を排出ストッカーに保管した後、感光層形成工程へ送る。
一方、判断ステップ５１１によって前述の検知工程で長さ５μｍ以上の異物が円筒状基体の表面上に１個以上あると判定された場合は、処理ステップＳ５３１に従って、感光層形成工程へ送らず廃棄する。
【００５８】
以上の判断工程によって、感光層形成工程後において、不良を発生させる大きさのポチの発生を確実に抑えることができる。
こうして低コストで高画質な画像を提供できる電子写真感光体を製造することができる。
さらに、以上のような判断工程のフローチャートの他に、円筒状基体の本数に対する、電子写真感光体の歩留まり向上のために、検査工程で長さ５μｍ以上の切り粉が１個以上付着していると判定された円筒状基体に対して、再度洗浄を行う（再度洗浄液に浸漬させる）フローを実施することが好ましい。
その一例として、図５（ｂ）の判断工程フローチャートを示す。
【００５９】
図５（ｂ）に示すフローチャートにおいて、ステップＳ５１１、５１２、５１３は判断ステップであり、ステップＳ５２１、５２２、５２３、５３１は判断ステップによる判断後の円筒状基体処理である。
図５（ｂ）に示すフローチャートでは、まず判断ステップＳ５１１によって不良を発生させる異物が円筒状基体表面上に１個以上残っていると判定された場合は、判断ステップＳ５１２によって直前に実施された検知工程が１回目か否かの判定が行われる。
【００６０】
直前に実施された検知工程が１回目であると判定された場合、処理ステップＳ５２２に従って搬送機構によって円筒状基体は脱脂槽に戻され、再度洗浄が実施される。
一方、直前に実施された検知工程が１回目でない場合、すなわち複数回の洗浄が実施されているにもかかわらず、不良を発生させる大きさのポチを生じる長さ以上の異物があると判定された場合は、判断ステップ５１３が実施される。
【００６１】
判断ステップ５１３では、直前に実施された検査と、その前に実施された検査とで、検知された異物の円筒状基体表面上における位置を比較する。
この比較によって、円筒状基体表面上の同じ位置に同じ長さおよび形状の異物があると判定された場合、その異物は、洗浄で取り除くことができない可能性が高い。その場合は処理ステップＳ５３１に従って、円筒状基体を感光層形成工程に送らず廃棄する。
【００６２】
一方、直前に実施された検査と、その前に実施された検査とで、検知された異物の位置が異なっている場合、直前の洗浄において異物が除去されているものの、槽内に残留していた異物がたまたま付着した可能性が高い。
この場合は処理ステップＳ５２３に従って、脱脂槽、珪酸塩処理槽、リンス槽、または乾燥槽の液交換または洗浄を実施した上で、再び脱脂槽へ円筒状基体を搬送し洗浄を実施する。
【００６３】
以上示した図５（ｂ）に示すフローチャートによって、検査後の円筒状基体を再処理することによって、切削から洗浄工程で生じる不良の円筒状基体の発生を抑制し、良好な歩留まりを得ることができる。また、ポチのない高画質な画像を提供できる電子写真感光体を製造することができる。
【００６４】
（成膜工程）
次に、アモルファスシリコン感光体（アモルファスシリコン材料からなる堆積膜を有する電子写真感光体）を作製する成膜工程について詳述する。
図６は、本発明に係る電子写真感光体を作成するために供される、１３．５６ＭＨzの高周波電源を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法による感光層形成装置の一例を模式的に示した図である。
【００６５】
この装置は大別すると、堆積室６０１、堆積室内を減圧する為の排気装置６０８から構成されている。堆積室６０１の内部には、円筒状基体加熱用ヒーター６０３、アースに接続されている円筒状基体受け台６１４、原料ガス導入管６０５が設置されている。又、堆積室の炉壁を兼ねる高周波印加電極６０６は導電性材料からなり、絶縁碍子６１３、６１７によって絶縁されている。高周波印加電極にはマッチングボックス６１１を介して１３．５６ＭＨzの高周波電源６１２が接続されている。
不図示の原料ガス供給装置のボンベは原料ガス導入バルブ６０９を介して堆積室６０１の内部の原料ガス導入管６０５に接続されている。
【００６６】
以下、感光層形成工程について具体的に説明する。
前述の切削工程により鏡面加工を施した円筒状基体６０２と補助基体６０７、６１６をホルダー６０４にセットし、堆積室６０１の内部の円筒状基体加熱ヒーター６０３を包含するように円筒状基体受け台６１４に設置する。
【００６７】
次に、ガス供給装置内の排気を兼ねて、原料ガス導入バルブ６０９を開き、メインバルブ６１５を開いて堆積室６０１及び原料ガス導入管６０５を排気する。真空計６１０の読みが０．６７Ｐa以下になった時点で原料ガス導入バルブ６０９から加熱用の不活性ガス、一例としてアルゴンを原料ガス導入管６０５より堆積室６０１に導入する。次に、堆積室６０１の内部が所望の圧力になるように加熱用ガスの流量および、メインバルブ６１５の開口あるいは排気装置６０８の排気速度を調整する。その後、不図示の温度コントローラーを作動させて円筒状基体６０２を円筒状基体加熱ヒーター６０３により加熱し、円筒状基体６０２の温度を２００℃〜４５０℃の所定の温度に制御する。円筒状基体６０２が所望の温度に加熱されたところで、不活性ガスを徐々に止める。同時に、感光層形成用の所定の原料ガス、例えばＳiＨ４、Ｓｉ２Ｈ６、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ６などの材料ガスを、またＢ２Ｈ６、ＰＨ３などのドーピングガスを不図示のミキシングパネルにより混合した後に堆積室６０１の内部に徐々に導入する。次に、不図示のマスフローコントローラーによって、各原料ガスが所定の流量になるように調整する。その際、堆積室６０１の内部が０．１Ｐaから数１００Ｐaの圧力に維持するよう真空計６１０を見ながらメインバルブ６１５の開口あるいは排気装置６０８の排気速度を調整する。
【００６８】
以上の手順によって感光層形成準備を完了した後、円筒状基体６０２の上に感光層形成を行う。内圧が安定したのを確認後、高周波電源６１２を所望の電力に設定して高周波電力を高周波印加電極６０６に供給し高周波グロー放電を生起させる。このときマッチングボックス６１１を調整し、反射波が最小となるように調整し、高周波の入射電力から反射電力を差し引いた値を所望の値に調整する。この放電エネルギーによって堆積室６０１の内部に導入させた各原料ガスが分解され、円筒状基体６０２の上に所定の堆積膜が形成される。なお、膜形成を行っている間は円筒状基体６０２を駆動装置（不図示）によって所定の速度で回転させても良い。
【００６９】
以上で、感光層形成を終えるが、複数の堆積層（たとえば下部電荷注入阻止層と光導電層など）を形成する場合、再び上記の手順を繰り返してそれぞれの層を形成すれば良い。原料ガス流量や、圧力等を光導電層形成用の条件に一定の時間で変化させて、中間層の形成を行うこともできる。
すべての堆積膜形成が終わったのち、メインバルブ６１５を閉じ、堆積室６０１の内部に不活性ガスを導入し大気圧に戻した後、円筒状基体６０２を取り出す。
【実施例】
【００７０】
以下に、実施例により本発明を詳細に説明するが、本発明の技術的範囲はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
［実施例１］
アルミニウムよりなる直径８０.５ｍｍ、長さ３５８ｍｍ、肉厚３ｍｍの円筒状基体１本を前述の手順に従って切削工程を施した。
図１に示す用にヤトイにセットした後、精密切削用のエアダンパー付旋盤（PNEUMO PRECLSION  INC製）に、ダイヤモンドバイト（商品名：ミラクルバイト、東京ダイヤモンド製）を、シリンダー中心角に対して５゜の角のすくい角を得るようにセットする。
次に、この旋盤の回転フランジにヤトイを真空チャックし、付設したノズルからの切削油の噴霧、同じく付設した真空ノズルからの切り粉の吸引を併用しつつ、周速１０００ｍ／分、送り速度０．０１ｍｍ／Ｒの条件で外形が８０ｍｍとなるように鏡面切削を行った。
【００７１】
鏡面加工を終えた円筒状基体に対し、図３に示した洗浄装置で、前述の手順により洗浄工程を実施した。すなわち円筒状基体を脱脂洗浄し、珪酸塩被膜処理を行う。次いでリンス槽での洗浄を経て、乾燥槽にて引上げ乾燥させる。
このとき乾燥槽の液温は４８℃に制御しており、外気の温度は２０℃に制御した。
乾燥槽からの引上げ乾燥と並行して、前述のように円筒状基体表面検査部によって円筒状基体表面の異物の有無を検査する異物検知工程を行った。
【００７２】
異物検知工程の測定工程として、円筒状基体表面検査部における円筒状基体表面を検査する赤外線カメラの配置は、図４（ａ）に示す配置とした。
赤外線カメラはラインセンサ型とし、ラインセンサの配列方向が、円筒状基体表面の円周方向と平行となるように赤外線カメラを設置し、円筒状基体の周方向の全周にわたって表面を測定できるようにした。
また測定する時刻は、円筒状基体表面が乾燥槽液面から外気に露出してから２０秒後となるようにカメラの配置位置を調整した。
【００７３】
測定工程を実施したのち、得られた温度分布の低温領域に基づいて、検知工程を実施した。
すなわち赤外線カメラから得られた円筒状基体表面の温度分布を画像データ化した後、１ｃｍ平方の領域に分割し、それぞれの１ｃｍ平方領域内において、平均温度より５℃以上低い低温領域を切り分ける。次いで、切り分けられた各々の低温領域の長さを求めた。
次いで、判定工程を行い、長さ５μｍ以上となる低温領域が検出されない円筒状基体を５本抽出した。そして、図６に示す感光層形成装置に設置し、前述の手順に従ってＲＦプラズマＣＶＤ法により表１に示す製造条件にて感光層の形成を実施した。
【００７４】
【表１】
2012078728.tif 000003
【００７５】
作製した電子写真感光体を、キヤノン製複写機ｉＲ６０００改造機に設置し、暗電位４５０Ｖ（コロナ帯電方式）、現像バイアス絶対値３００Ｖ（ジャンピング現像方式）の条件にて、正規現像方式で全面ベタ黒画像を出力した。その後ルーペにて形成した画像を観察し、白ポチの有無および大きさを調べた。なお上記条件は、通常市場で使用される条件よりも白ポチが大きくなりやすい条件であり、本発明の効果を確認するために用いた特別な条件である。
【００７６】
なお、表１の条件で作製した電子写真感光体のポチ径と異物の大きさの対応取りをあらかじめ行った。その結果、画像上において大きさ０．２ｍｍ以上のポチに対応する異物の大きさはおおむね１０μｍ以上であった。また、大きさ０．１ｍｍ以上０．２ｍｍ未満のポチに対応する異物の大きさはおおむね５μｍ以上１０μｍ未満であった。
従って、本実施例の検査方法で異物がすべて誤検知なく検知できていれば、画像上に０．１ｍｍ以上の大きさのポチは生じないはずである。
【００７７】
［実施例２］
実施例１と同様に切削および洗浄を実施した。
本実施例では、引上げ乾燥と並行して実施される測定工程において、円筒状基体表面検査部における赤外線カメラの配置を、図４（ｂ）に示す配置とした。図４（ｂ）において円筒状基体表面の各箇所は、赤外線カメラ群４１０と４２０によって２度測定される。赤外線カメラ群４１０と４２０との各々は、乾燥引上げによって円筒状基体の表面が乾燥槽の液面から外気に露出して３秒後と１０秒後にそれぞれ温度分布測定するように設置した。配置された各赤外線カメラ自体は実施例１と同様である。
【００７８】
検知工程は上記赤外線カメラ群４１０と４２０とによって測定された円筒状基体の表面の温度分布に対し、各測定間の時間に対する差分をとることで、単位時間あたりの温度変化分布画像を作成する。
得られた温度変化分布画像に対し、円筒状基体表面全体を１ｃｍ平方領域に分割し、各１ｃｍ平方領域における温度変化の面積平均値よりも絶対値で１．０℃／秒以上となる領域を、高変化率領域として切り分ける。次いで切り分けられた高変化率領域の長さ判定を行った。
そして、長さ５μｍ以上となる高変化率領域が検出されない円筒状基体を５本抽出した後、抽出した円筒状基体を感光層形成工程に送り、実施例１と同様の条件にて感光層を形成した。次いで得られた電子写真感光体の評価を、実施例１と同様に行った。
【００７９】
［比較例１］
実施例１と同様に切削および洗浄を実施した。
本比較例では、洗浄工程を経た後の円筒状基体を、別途用意した光学式カメラによる円筒状基体表面測定装置に搬送した後、円筒状基体の表面上に付着する異物の有無の検査を行った。検査は光学式カメラで取得した円筒状基体の表面の画像データを作業員がモニタ上で観察し、異物の有無を確認することで実施した。
【００８０】
そして長さ５μｍ以上の異物がないと判断した円筒状基体を５本抽出した後、抽出した円筒状基体を感光層形成工程に送り、実施例１と同様の条件にて感光層を形成した。次いで得られた電子写真感光体の評価を、実施例１と同様に行った。
実施例１と２及び比較例１の結果を表２にまとめて示す。
【００８１】
【表２】
2012078728.tif 000004
【００８２】
表２に示されるように実施例１および実施例２ともに規格外となる大きさ０．２ｍｍ以上のポチは無く良品の感光体が得られた。これは温度差で検査する実施例１、および温度差の時間変化で検査する実施例２ともに、長さ１０μｍ以上の異物が、漏れなく検知できていることを示している。
さらに大きさ０．１ｍｍ以上０．２ｍｍ未満のポチについては、実施例２には無い。これは長さ５μｍ以上１０μｍ未満といった、さらに微小な異物でさえ、温度差の時間変化で検査する実施例２では漏れなく検知できていることを示しており、検知精度が向上していることが分かる。
一方、光学式カメラで測定した比較例１ではポチの発生個数が多く、検知工程で異物の見逃しが起きていることが分かる。
【００８３】
［実施例３］
円筒状基体に対し、実施例１と同様に切削を実施した。
次いで切削工程を経た円筒状基体を洗浄工程に送り、図３に示した洗浄装置で、実施例１と同様の手順により洗浄工程を実施した。このとき乾燥槽の液温を２８℃、３０℃、４０℃、５０℃、５５℃、６０℃のいずれかの温度に制御した。一方、外気の温度を２０℃に制御した。
【００８４】
各々の乾燥槽の液温条件および外気の温度条件にて、円筒状基体に対し検知工程を実施例１と同様の方法にて実施した。検知工程において赤外線カメラで捉えられた低温領域の判断はそれぞれ、円筒状基体の表面の平均温度より２℃、３℃、４℃、５℃、５℃、６℃以上低くなっている領域とした。
以上の検知工程により、長さ５μｍ以上となる低温領域が検出されない円筒状基体を５本抽出して感光層形成工程に送り、実施例１と同様の条件にて感光層を形成した。
得られた電子写真感光体のポチの評価は実施例１と同様に行い、それぞれの感光体について、大きさ０．１ｍｍ以上０．２ｍｍ未満のポチ数を測定した。そして５本の平均個数を算出した。結果を表３に示す。
さらに、検知工程において５μｍ以上の低温領域を検出し、不良と判断された円筒状基体の本数を評価し、同時に表３に示した。
【００８５】
【表３】
2012078728.tif 000005
【００８６】
表３に示されるように、円筒状基体と外気温の温度差を１０℃以上にすれば、０．１ｍｍ以上０．２ｍｍ未満のポチ数は３個以下に抑えられることが分かる。
また、乾燥槽の液温を５５℃以下にし、円筒状基体と外気温の温度差を３５℃以下にすれば、不良と判断された円筒状基体は１本以下に抑えられることが分かる。
以上の結果から、円筒状基体と外気温の温度差は１０℃以上３５℃以下であることが好ましいことが分かる。
【００８７】
［実施例４］
円筒状基体に対し、実施例１と同様に切削を実施した。
次いで切削工程を経た円筒状基体を洗浄工程に送り、図３に示した洗浄装置で、実施例１と同様の手順により洗浄工程を実施した。このとき乾燥槽の液温を４５℃に制御し、外気の温度を２０℃に制御した。
【００８８】
次に異物検知工程における測定工程において、円筒状基体を洗浄液の液面から引上げてから、円筒状基体の表面の温度分布の測定を開始するまでの時間が、５、１０、１５、２０、２５、３０、３５秒となるように赤外線カメラの引上げ方向の配置を調整した。尚、赤外線カメラの円周方向の配置、ならびに検知工程は実施例１と同様とした。
上記各々の測定条件において、長さ５μｍ以上の低温領域が検出されない円筒状基体を５本抽出した後、抽出した円筒状基体を感光層形成工程に送り、実施例１と同様の条件にて感光層を形成した。次いで得られた電子写真感光体の評価を実施例１と同様に行った。
大きさ０．１ｍｍ以上０．２ｍｍ未満のポチ数の平均値を表４に示す。
【００８９】
【表４】
2012078728.tif 000006
【００９０】
表４に示すように、円筒状基体を洗浄液の液面から引上げてから、円筒状基体の表面の温度分布の測定を開始するまでの時間が１０秒以上３０秒以下において、大きさ０．１ｍｍ以上０．２ｍｍ未満のポチ数を３個以下に抑えられている。
１０秒以上では、熱容量の違いによって円筒状基体の表面に対する異物の冷却が充分されることで、測定時の温度差を大きくできるため、長さ５μｍ以上１０μｍ未満の異物の検知感度が向上する。
また３０秒以下では、円筒状基体の表面の温度が外気に対して高い状態で測定できるため、異物との温度差が大きくできるため、長さ５μｍ以上１０μｍ未満の異物の検知感度が向上する。
そのため本発明の検知工程では１０秒以上３０秒以下で行うこと望ましいことが分かる。
【００９１】
［実施例５］
円筒状基体２０本に対し、実施例１と同様に切削を実施した。
次いで切削工程を経た円筒状基体２０本を洗浄工程に送り、図３に示した洗浄装置で、実施例１と同様の手順により洗浄工程を実施した。
そして乾燥槽からの引上げ乾燥と並行して、円筒状基体表面検査部によって円筒状基体表面上の異物の有無を検査する異物検知工程を行った。異物検知工程における測定工程は実施例１と同様に行った。
【００９２】
次いで、本実施例における検知工程は、図７（ａ）のフローチャートに従って実施した。
すなわち赤外線カメラから得られた円筒状基体の表面の温度分布を画像データ化した後（Ｓ７１１）、１ｃｍ平方の領域に分割し、それぞれの１ｃｍ平方領域内において、平均温度より５℃以上低い低温領域を切り分ける（Ｓ７１２）。次いで切り分けられた各々の低温領域の長さを求めた（Ｓ７１３）。
そして、長さ５μｍ以上となる低温領域の個数を、異物の個数として判定した（Ｓ７１４）。
【００９３】
次いで検知工程で得られた長さ５μｍ以上の異物の個数についての導出結果に基づいて、図５（ａ）に示すフローチャートに従って判断工程を実施し、長さ５μｍ以上の異物が１個でも検知された場合、感光層形成工程に円筒状基体を送らずに廃棄した（Ｓ５３１）。
判断工程において検知工程で長さ５μｍ以上の異物がないと判断された円筒状基体を、図６に示す感光層形成装置に設置し、実施例１と同様の条件にて感光層を形成した（Ｓ５２１）。
感光層形成後、実施例１と同様の方法にて、ベタ黒画像を出力し、ルーペにて形成した画像を観察し、白ポチの有無および大きさを調べた。
【００９４】
以上の評価を円筒状基体に対し実施し、大きさ０．２ｍｍ以上のポチのある感光体の本数を、大きさ０．２ｍｍ以上のポチ不良品数として、以下のようにランク付けした。
Ａ      ０本
Ｂ      １本〜４本
Ｃ      ５本以上
【００９５】
また大きさ０．１ｍｍ以上のポチのある感光体の本数を、大きさ０．１ｍｍ以上のポチ不良品数として、以下のようにランク付けした。
Ａ      ０本
Ｂ      １本〜４本
Ｃ      ５本以上
【００９６】
また成膜工程に送らずに廃棄された円筒状基体の本数を評価した。その結果を、円筒状基体の廃棄本数として、以下のようにランク付けした。
Ａ      ０本
Ｂ      １本〜４本
Ｃ      ５本以上
【００９７】
［比較例２］
円筒状基体２０本に対し、実施例１と同様に切削を実施した。
次いで切削工程を経た円筒状基体２０本を洗浄工程に送り、図３に示した洗浄装置で、前述の手順により洗浄工程を実施した。
次いで別途用意した光学式カメラによる円筒状基体表面測定装置に搬送した後、円筒状基体の表面上に付着する異物の有無の検査を行った。検査は光学式カメラで取得した円筒状基体の表面の画像データを作業員が観察し、異物の有無を確認することで実施した。
【００９８】
次いで観察された長さ５μｍ以上の異物の個数に基づいて、図５（ａ）に示すフローチャートに従って判断工程を実施した。
判断工程において長さ５μｍ以上の異物がないと判断された円筒状基体を、感光層形成工程に送り、円筒状基体に対し実施例１の表１と同様の条件にて感光層を形成した。次いで得られた電子写真感光体の評価を、実施例５と同様に行った。
【００９９】
また、装置コストや人件費など、検査にかかったコストについて、実施例５の場合を１００％とした相対評価を行ない、以下のようにランク付けした。
Ａ      ８０％未満
Ｂ      １２０％未満８０％以上
Ｃ      １２０％以上
【０１００】
［実施例６］
円筒状基体２０本に対し、実施例５と同様に切削および洗浄を実施し、次いで引上げ乾燥時の円筒状基体表面に付着する異物の有無の検査を実施した。
本実施例では、異物検知工程における測定工程及び検知工程は実施例５と同様に行った後、判断工程を図５（ｂ）に示すフローチャートに従って行うことで、検知工程後の円筒状基体の処理を行った。
以上の判断工程を経て、感光層形成工程に送られた円筒状基体に対し、実施例１の表１と同様の条件にて感光層を形成した。次いで得られた電子写真感光体の評価を、実施例５及び比較例２と同様に行った。
【０１０１】
［実施例７］
円筒状基体２０本に対し、実施例５と同様に切削および洗浄を実施した。
本実施例では、引上げ乾燥と並行して実施される異物検知工程での測定工程において、赤外線カメラの配置は図４（ｃ）に示す配置とした。
配置される各赤外線カメラは実施例１と同様の仕様であるが、ラインセンサの配列方向が、円筒状基体表面の引上げ方向と平行となるように赤外線カメラを設置した。
【０１０２】
図４（ｃ）において円筒状基体の表面の各箇所は、赤外線カメラ４３１によって、乾燥引上げ時において円筒状基体の表面が乾燥槽液面から外気に露出して２０秒後に温度分布測定されるように設置した。
次いで実施例５と同様に検知工程を実施した後、判断工程を図５（ｂ）に示すフローチャートに従って行った。
そして判断工程を経て、感光層形成工程に送られた円筒状基体に対し、実施例１の表１と同様の条件にて感光層を形成した。次いで得られた電子写真感光体の評価は、実施例５及び比較例２と同様に行った。
【０１０３】
［実施例８］
円筒状基体２０本に対し、実施例５と同様に切削および洗浄を実施した。
本実施例では、引上げ乾燥と並行して実施される異物検知工程での測定工程において、赤外線カメラの配置は図４（ｂ）に示す配置とした。
配置される各赤外線カメラは実施例１と同様の仕様であるが、赤外線カメラ群４１０と４２０とによって２度、円筒状基体表面の各箇所の温度分布を測定する。
【０１０４】
それぞれの赤外線カメラ群は、乾燥引上げによって円筒状基体の表面が乾燥槽の液面から外気に露出して１０秒後と１５秒後にそれぞれ温度分布を測定するように設置した。
測定工程に引き続いて行われる検知工程はフローチャート図７（ｂ）に従って実施した。その後、図５（ｂ）に示すフローチャートに従って判断工程を実施し、検知工程後の円筒状基体の処理を行った。
そして判断工程を経て、感光層形成工程に送られた円筒状基体に対し、実施例１の表１と同様の条件にて感光層を形成した。次いで得られた電子写真感光体の評価は、実施例５及び比較例２と同様に行った。
【０１０５】
［実施例９］
円筒状基体２０本に対し、実施例５と同様に切削および洗浄を実施した。
本実施例では、引上げ乾燥と並行して実施される異物検知工程での測定工程において、赤外線カメラの配置は図４（ｄ）に示す配置とした。
配置される各赤外線カメラは実施例１と同様の仕様であるが、ラインセンサの配列方向が、円筒状基体の引上げ方向と平行となるように各赤外線カメラを３段設置した。
図４（ｄ）において円筒状基体の表面の各箇所は、赤外線カメラ４３１、４４１、４５１によって３回測定される。それぞれの赤外線カメラは、乾燥引上げによって円筒状基体の表面が乾燥槽の液面から外気に露出して１０秒後と１５秒後と２０秒後にそれぞれ温度分布測定するように設置した。
測定工程に引き続いて行われる検知工程はフローチャート図７（ｂ）に従って実施した。その後、実施例６と同様に図５（ｂ）に示すフローチャートに従って判断工程を実施し、検知工程後の円筒状基体の処理を行った。
そして判断工程を経て、感光層形成工程に送られた円筒状基体に対し、実施例１の表１と同様の条件にて感光層を形成した。次いで得られた電子写真感光体の評価は、実施例５及び比較例２と同様に行った。
実施例５から９および比較例２の結果を表５にまとめて示す。
【０１０６】
【表５】
2012078728.tif 000007
【０１０７】
実施例５〜９においては、判断工程によって長さ５μｍ以上の異物が付着している円筒状基体を感光層形成工程に送らない。そのため、感光層形成工程後において、大きさ０．２ｍｍ以上のポチ（長さ１０μｍ以上の異物に対応）が画像上に生じる電子写真感光体が製造されてしまうことを防止できており、表５に示すように大きさ０．２ｍｍ以上ポチ不良品数がＡランクとなっている。
【０１０８】
実施例６〜９においては、判断工程において、一旦は長さ５μｍ以上の異物が付着していると判定された円筒状基体に対し、再度洗浄を実施するフローを行っている。そのため不良円筒状基体が削減され、円筒状基体の廃棄本数が減り、切削した円筒状基体の本数に対する歩留まりが実施例５に対して改善されている。
【０１０９】
実施例８、９については単位時間あたりの温度変化分布からの異物検知が実施できる構成となっている。そのため、大きさ０．２ｍｍ以上のポチのみならず、大きさ０．１ｍｍ以上０．２ｍｍ未満のポチも正確に検知され、大きさ０．１ｍｍ以上ポチ不良品数がＡランクに改善されて居る。このため、将来、ポチの規格がさらに厳しくなっても対応可能な検出能力を有しており、さらに好ましい。
【０１１０】
実施例７、９については、円筒状基体を回転させながら、少数の赤外線センサで円筒状基体の表面の全体を測定することにより、装置コストを下げることができており、表５に示すように検査にかかったコスト（装置コストを含む）がＡランクとなっている。
【符号の説明】
【０１１１】
３０１・・・円筒状基体  ３０２・・・円筒状基体乾燥引上げ方向
３０３・・・回転引上げ時における円筒状基体表面の移動方向
３１０・・・処理部  ３１１・・・投入台
３１２・・・脱脂槽  ３１３・・・珪酸塩処理槽
３１４・・・リンス槽  ３１５・・・乾燥槽
３１６・・・搬出台  ３１７・・・界面活性剤含有の純水
３１８・・・被膜形成剤  ３１９・・・純水
３２０・・・二酸化炭素がバブリングによって含有された純水
３５０・・・搬送機構  ３５１・・・搬送レール
３５２・・・搬送アーム  ３５３・・・移動機構
３５４・・・チャッキング機構  ３５５・・・エアーシリンダー
３７０・・・円筒状基体表面検査部  ３７１・・・検査後搬送制御部
４１０・・・赤外線カメラ群  ４１１・・・赤外線カメラ  ４１２・・・撮像領域
４２０・・・赤外線カメラ群  ４２１・・・赤外線カメラ  ４２２・・・撮像領域
４３１・・・赤外線カメラ  ４３２・・・撮像領域
４４１・・・赤外線カメラ  ４４２・・・撮像領域
４５１・・・赤外線カメラ  ４５２・・・撮像領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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