(57)【要約】【課題】樹脂成形を必要としない構成で、簡易な構造で所望の層同士を導通できる積層バスバー及びその製造方法を提供する。【解決手段】Ｐバス用導体７１とＮバス用導体７３とは、小径スルーホール（８１）と、小径スルーホール（８１）よりも大径の大径スルーホール（８２）とを備え、Ｐバス用導体７１の小径スルーホール（８１）とＮバス用導体７３の大径スルーホール（８２）とが同軸に配置されるとともに、Ｐバス用導体７１の大径スルーホール（８２）とＮバス用導体７３の小径スルーホール（８１）とが同軸に配置され、同軸に並ぶ小径スルーホール（８１）と大径スルーホール（８２）とには、小径スルーホール（８１）を露出させつつ大径スルーホール（８２）を絶縁材７５で覆った状態で積層方向に連なる貫通孔８１Ａを設け、貫通孔８１Ａに導電性めっき８７が施されるようにした。【選択図】図３
2012043686.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｐバス用導体とＮバス用導体とを絶縁材を介して積層し、Ｐバス用導体を互いに導通させ、Ｎバス用導体を互いに導通させた積層バスバーにおいて、
各導体は、小径スルーホールと、小径スルーホールよりも大径の大径スルーホールとを備え、前記Ｐバス用導体の小径スルーホールと前記Ｎバス用導体の大径スルーホールとが同軸に配置されるとともに、前記Ｐバス用導体の大径スルーホールと前記Ｎバス用導体の小径スルーホールとが同軸に配置され、
同軸に並ぶ前記小径スルーホールと前記大径スルーホールとには、前記小径スルーホールを露出させつつ前記大径スルーホールを前記絶縁材で覆った状態で積層方向に連なる貫通孔を設け、前記貫通孔に導電性めっきが施されていることを特徴とする積層バスバー。
【請求項２】
前記貫通孔には、導電性を有する締結部材がそれぞれ通され、これら締結部材を介して当該積層バスバーが、連結先の回路モジュールに連結されるとともに、当該バスバーのＰバス用導体及びＮバス用導体が各々前記回路モジュールに電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の積層バスバー。
【請求項３】
前記導体は、基板用プレートであり、
最端の前記導体上に、前記Ｐバス用導体と前記Ｎバス用導体との間に設ける電気部品を実装したことを特徴とする請求項１又は２に記載の積層バスバー。
【請求項４】
前記絶縁材は、高誘電率の材料であり、
積層方向で対向する前記Ｐバス用導体と前記Ｎバス用導体との間の対向距離と対向面積、及び、前記絶縁材の誘電率により、前記Ｐバス用導体と前記Ｎバス用導体との間の静電容量値を設定していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の積層バスバー。
【請求項５】
Ｐバス用導体とＮバス用導体とを絶縁材を介して積層し、Ｐバス用導体を互いに導通させ、Ｎバス用導体を互いに導通させた積層バスバーの製造方法において、
各導体に、小径スルーホールと、小径スルーホールよりも大径の大径スルーホールとを設け、各導体を前記絶縁材を介して積層して、前記Ｐバス用導体の小径スルーホールと前記Ｎバス用導体の大径スルーホールとを同軸に並べるとともに、前記Ｐバス用導体の大径スルーホールと前記Ｎバス用導体の小径スルーホールとを同軸に並べ、
熱プレスして前記絶縁材を溶融させ、各導体及び前記絶縁材を互いに接合させるとともに、各スルーホール内に前記絶縁材を入り込ませ、
同軸に並ぶ前記小径スルーホールと前記大径スルーホールとには、前記小径スルーホールを露出させつつ前記大径スルーホールを前記絶縁材で覆った状態で積層方向に連なる貫通孔を設け、前記貫通孔に導電性めっきを施したことを特徴とする積層バスバーの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器の電源配線等に使用可能な積層バスバー及びその製造方法に関し、特に電源電圧をスイッチング制御する装置の電源配線に好適な積層バスバー及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、インバーターやコンバーター等の電源電圧をスイッチング制御する装置では、電源配線にハーネスの代わりに平面バスバーを用いる場合がある。その理由は、スイッチングを行うため、電流変化率が大きく、電流変化と電源ラインのインダクタンス値の積で電圧が発生しノイズとなるが、平面バスバーにすることで面積が拡がって低インダクタンス化し、ノイズ軽減できるからである。
この種の平面バスバーには、電流が流れることで発生した磁界を打ち消して他のパターンへの影響を回避するため、＋側（Ｐバス側）のラインと−側（Ｎバス側）のラインとを重ねた積層バスバーが知られている。この種の積層バスバーをモジュール化する際には、バスバーを樹脂で固める。そのため、バスバーを打ち抜くための金型と、樹脂成形するための金型とが必要となり、コストアップを招いてしまう。
また、積層バスバーには、打ち抜いたバスバーを絶縁材とエポキシ樹脂とで積層し、接続用ピンで所望の層間を導通させることで、樹脂成形するための金型が不要な構成が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平７−１０６００１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の構成では、接続用ピンが所望の層同士を選択的に短絡させる導電部を有する構成であり、ピンの構造が複雑になるとともに、ピンを精度よく位置決めする必要があり、組み立て性に難がある。
また、従来、スイッチング回路のノイズ対策として、スナバ回路があり、このスナバ回路には、Ｃスナバ回路がある。このＣスナバ回路は、積層バスバーにコンデンサモジュールを接続することによって構成することができ、コンデンサには、周波数特性の良いフィルムコンデンサ等が用いられる。
しかしながら、この構成では、コンデンサモジュールを別途用意する必要があり、部品点数が増えてしまい、また、コンデンサモジュールを樹脂で固めるための金型が必要となり、これによってもコストアップを招いてしまう。
【０００５】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、樹脂成形を必要としない構成で、簡易な構造で所望の層同士を導通できる積層バスバー及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明は、Ｐバス用導体とＮバス用導体とを絶縁材を介して積層し、Ｐバス用導体を互いに導通させ、Ｎバス用導体を互いに導通させた積層バスバーにおいて、各導体は、小径スルーホールと、小径スルーホールよりも大径の大径スルーホールとを備え、前記Ｐバス用導体の小径スルーホールと前記Ｎバス用導体の大径スルーホールとが同軸に配置されるとともに、前記Ｐバス用導体の大径スルーホールと前記Ｎバス用導体の小径スルーホールとが同軸に配置され、同軸に並ぶ前記小径スルーホールと前記大径スルーホールとには、前記小径スルーホールを露出させつつ前記大径スルーホールを前記絶縁材で覆った状態で積層方向に連なる貫通孔を設け、前記貫通孔に導電性めっきが施されていることを特徴とする。
この構成によれば、各導体及び絶縁材を積層した状態で、孔加工とめっき処理とを行えば、Ｐバス用導体同士、及び、Ｎバス用導体同士を互いに導通させることができる。従って、樹脂成形を必要としない構成で、簡易な構造で所望の層同士を導通することができる。
【０００７】
上記構成において、前記貫通孔には、導電性を有する締結部材がそれぞれ通され、これら締結部材を介して当該積層バスバーが、連結先の回路モジュールに連結されるとともに、当該バスバーのＰバス用導体及びＮバス用導体が各々前記回路モジュールに電気的に接続されるようにしてもよい。この構成によれば、連結・導通を行う部材を別々に設ける場合に比して、部品点数を低減でき、構成を簡易にできるとともに、積層バスバーの小型化を図ることができる。
【０００８】
また、上記構成において、前記積層バーは、各導体を前記絶縁材を介して積層した後に、熱プレスして前記絶縁材を溶融させることによって、各導体及び前記絶縁材が互いに接合されるようにしてもよい。この構成によれば、接合作業が容易であり、大量生産に好適である。
また、上記構成において、前記導体はエッチング処理で形成されるようにしてもよい。この構成によれば、従来の配線基板のエッチング装置を利用して導体を形成することができ、これによっても、積層バスバーの大量生産に好適である。
【０００９】
また、上記構成において、前記導体は、基板用プレートであり、最端の前記導体上に、前記Ｐバス用導体と前記Ｎバス用導体との間に設ける電気部品を実装してもよい。この構成によれば、電気部品を容易に追加することができ、例えば、簡単に容量や抵抗の調整が可能であり、また、基板搭載品であるセラミックコンデンサを容易に追加実装することができる。
また、上記構成において、前記絶縁材は、高誘電率の材料であり、積層方向で対向する前記Ｐバス用導体と前記Ｎバス用導体との間の対向距離と対向面積、及び、前記絶縁材の誘電率により、前記Ｐバス用導体と前記Ｎバス用導体との間の静電容量値を設定するようにしてもよい。この構成によれば、静電容量の設定が容易である。この場合、前記静電容量値は、当該積層バスバーをＣスナバ回路として機能させる値に設定すれば、コンデンサを設けることなく、積層バスバーにＣスナバ回路の機能を付加することができる。
【００１０】
また、本発明は、Ｐバス用導体とＮバス用導体とを絶縁材を介して積層し、Ｐバス用導体を互いに導通させ、Ｎバス用導体を互いに導通させた積層バスバーの製造方法において、各導体に、小径スルーホールと、小径スルーホールよりも大径の大径スルーホールとを設け、各導体を前記絶縁材を介して積層して、前記Ｐバス用導体の小径スルーホールと前記Ｎバス用導体の大径スルーホールとを同軸に並べるとともに、前記Ｐバス用導体の大径スルーホールと前記Ｎバス用導体の小径スルーホールとを同軸に並べ、熱プレスして前記絶縁材を溶融させ、各導体及び前記絶縁材を互いに接合させるとともに、各スルーホール内に前記絶縁材を入り込ませ、同軸に並ぶ前記小径スルーホールと前記大径スルーホールとには、前記小径スルーホールを露出させつつ前記大径スルーホールを前記絶縁材で覆った状態で積層方向に連なる貫通孔を設け、前記貫通孔に導電性めっきを施したことを特徴とする。
この構成によれば、樹脂成形を必要としない構成で、簡易な構造で所望の層同士を導通可能な積層バスバーを得ることができる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明では、樹脂成形を必要としない構成で、簡易な構造で所望の層同士を導通することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１実施形態に係る積層バスバーを使用したモーター駆動装置の電気的構成を示す図である。
【図２】積層バスバーを周辺構成とともに示す図である。
【図３】積層バスバーの断面構造を模式的に示す図である。
【図４】導体のエッチングの説明に供する図である。
【図５】各導体を積層して一体化する行程の概要を示す図である。
【図６】第２実施形態に係る積層バスバーを周辺構成とともに示す図である。
【図７】第３実施形態に係る積層バスバーを周辺構成とともに示す図である。
【図８】図７の積層バスバーを含むモーター駆動装置の電気的構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して本発明の一実施の形態について説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る積層バスバーを使用したモーター駆動装置の電気的構成を示す図である。
このモーター駆動装置１００は、電気自動車或いはハイブリッド自動車に搭載される車載装置であり、制御装置（能動部）として機能する電子制御ユニット（Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｃｏｎｔｒｏｌ  Ｕｎｉｔ：ＥＣＵ）１０と、実際に、車両駆動用のモーター（駆動源）３０を駆動する能動部（パワーモジュールとも称する）として機能するパワードライブユニット（Ｐｏｗｅｒ  Ｄｒｉｖｅ  Ｕｎｉｔ：ＰＤＵ）２０とを備え、電子制御ユニット１０とパワードライブユニット２０との接続は、複数本（本構成では６本）のハーネス（配線）ＵＨ，ＵＬ，ＶＨ，ＶＬ，ＷＨ，ＷＬで行われる。
【００１４】
パワードライブユニット２０は、電子制御ユニット１０の制御の下、スイッチング素子（トランジスタ３１Ｈ，３１Ｌ）を用いた電流制御により駆動源であるモーター３０を駆動する電力変換ユニットであり、入力側の高圧側入力端子１３と低圧側入力端子１４とに、車載バッテリーである外部電源１２が接続され、出力側のＵ相出力端子１５、Ｖ相出力端子１６及びＷ相出力端子１７に、三相交流式のモーター３０が接続される。
このパワードライブユニット２０は、高圧側入力端子１３と低圧側入力端子１４との間に設けられ、外部電源１２から供給された直流電源の平滑化を行う平滑コンデンサ２２と、外部電源１２から供給される直流電流を、交流のモーター駆動電流に変換し、モーター３０に出力するインバーター回路２３と、インバーター回路２３のトランジスタ３１Ｈ，３１Ｌを各々駆動するゲート駆動回路２４を配置したゲート駆動基板２５とを備えている。
【００１５】
インバーター回路２３は、パルス幅変調（ＰＷＭ）によるＰＷＭインバーターであり、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相の相毎に対をなす高電位側トランジスタ３１Ｈと低電位側トランジスタ３１Ｌとをブリッジ接続し、複数（本構成では６個）のトランジスタ３１Ｈ，３１Ｌを、ゲート駆動回路２４によってオン／オフする。
各トランジスタ３１Ｈ，３１Ｌには、パワー半導体である絶縁ゲート型トランジスタ（ＩＧＢＴ）、ＭＯＳＦＥＴなどのスイッチングトランジスタ（スイッチング素子）が用いられる。
【００１６】
各相の高電位側トランジスタ３１Ｈは、高電位側に接続されてハイサイドアームを構成し、各相の低電位側トランジスタ３１Ｌは、低電位側に接続されてローサイドアームを構成する。
各トランジスタ３１Ｈ，３１Ｌのコレクタ−エミッタ間には、転流ダイオード３２Ｈが接続され、転流ダイオード３２Ｈには、トランジスタ３１Ｈ，３１Ｌがオフの間にトランジスタ３１Ｈ，３１Ｌのエミッタ側からコレクタ側に電流が流れるように構成される。
【００１７】
ゲート駆動回路２４には、電子制御ユニット１０からの制御信号が入力される。より具体的には、ゲート駆動回路２４は、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相の相毎に対で設けられており、Ｕ相のゲート駆動回路２４には、ハーネスＵＨ，ＵＬを介してＵ相の制御信号が入力され、Ｖ相のゲート駆動回路２４には、ハーネスＶＨ，ＶＬを介してＶ相の制御信号が入力され、Ｗ相のゲート駆動回路２４には、ハーネスＷＨ，ＷＬを介してＷ相の制御信号が入力される。
【００１８】
各ゲート駆動回路２４は、トランジスタ３１Ｈ，３１Ｌの各々にゲート電圧を供給可能であり、入力された制御信号により各トランジスタ３１Ｈ，３１Ｌのゲート電圧をオン（Ｈｉレベル）／オフ（Ｌｏｗレベル）に制御することで、各トランジスタ３１Ｈ，３１Ｌをスイッチングさせ、Ｕ相出力端子１５からＵ相電流を出力させ、Ｖ相出力端子１６からＶ相電流を出力させ、Ｗ相出力端子１７からＷ相電流を出力させる。
つまり、パワードライブユニット２０には、相毎に２本のハーネスＵＨ〜ＷＬが接続され、これらハーネスＵＨ〜ＷＬを介して、相毎に対の制御信号ＳＢが入力されて各相の電流が生成出力されるようになっている。
【００１９】
本実施形態では、モーター駆動装置１００の電源配線ＰＬ、ＮＬ（図１参照）に積層バスバー５０を使用している。積層バスバー５０を使用することによって、電源配線ＰＬ、ＮＬにハーネスを使用する場合に比して、電源配線ＰＬ、ＮＬの面積を拡げて低インダクタンス化でき、スイッチングにより電流変化率が大きくてもノイズ軽減を図ることができる。
また、このモーター駆動装置１００は、電源配線ＰＬ、ＮＬ間にスナバ回路（電源配線ＰＬ、ＮＬ間の静電容量（キャパシタ）Ｃ１に相当する）を備えている。このスナバ回路は、スイッチングのノイズ低減を図り、かつ、スイッチング時の電圧・電流サージがパワー半導体デバイス（トランジスタ３１Ｈ，３１Ｌ）のＳＯＡ（Ｓａｆｅｔｙ  Ｏｐｅｒａｔｉｏｎ  Ａｒｅａ：安全動作領域）を超えないようにするＣスナバ回路であり、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相の相毎の静電容量Ｃ１で構成されている。
【００２０】
ここで、図２は、積層バスバー５０を周辺構成とともに示す図である。
パワードライブユニット２０は、矩形形状の単一の回路モジュールに形成されており、積層バスバー５０は、パワードライブユニット２０よりも小型の矩形形状に形成されている。積層バスバー５０は、パワードライブユニット２０上に載置され、複数の締結部材６１（本構成では、符号６１Ｐ，６１Ｎで示す６本の金属ねじ）によって、パワードライブユニット２０に締結固定されている。
また、パワードライブユニット２０には、Ｕ相出力端子１５、Ｖ相出力端子１６及びＷ相出力端子１７が間隔を空けて設けられており、これら端子１５，１６，１７の各々にモーター３０から延びる各相のモーター配線１５Ｌ，１６Ｌ，１７Ｌが接続される。なお、図２中、符号６５，６６，６７は、各相のモーター配線１５Ｌ〜１７Ｌに流れる電流を検出するための電流センサーである。
【００２１】
図３は、積層バスバー５０の断面構造を模式的に示す図である。
この積層バスバー５０は、複数（本例では３枚）のＰバス用導体７１と、複数（本例では３枚）のＮバス用導体７３とを、絶縁層を構成する絶縁材７５を介して積層し、一体構造とした積層ラミネートバスバーに構成されている。
各導体７１，７３は、矩形の平板形状を有し、互いに一定の間隔を空けて平行に配置され、導体７１，７３間の絶縁材７５の厚さは一定とされている。
【００２２】
これら導体７１，７３には、プリント配線基板の配線に用いられる銅プレート（基板用プレート）が使用される。この銅プレートの厚さ（導体厚）は、通電する電流に合わせて調整され、つまり、導体厚は、通電する電流を許容できる値に調整される。
例えば、定格電流が５０Ａだとすると、電源サイズで５ｓｑ相当が求められるため、この５ｓｑを満足する断面積となるように導体厚が設定される。この場合、５ｓｑの断面積は約５立方ｍｍなので、導体厚が５００μｍで導体幅が４０ｍｍの導体を３枚使用すれば、０．５ｍｍ×３枚×４０ｍｍ＝６．０立方ｍｍとなり、導体を流れる電流を許容できる。
本構成の導体７１，７３は、基板の配線に用いられる銅プレートであるため、その厚さ（導体厚）が数百μｍまで存在し、通電する電流に合わせて適切な厚さの銅プレートを容易に選定することができ、厚さ調整が容易である。
【００２３】
また、各導体７１，７３において、パワードライブユニット（連結先の回路モジュール）２０側の端子１５〜１６、及び、Ｐバス用導体７１とＮバス用導体７３との絶縁のための絶縁距離（沿面距離）を設ける箇所は、エッチング処理で不必要の銅が除去される。
また、絶縁材７５には、高誘電率の材料（本実施形態ではチタン酸バリウム）が用いられる。この絶縁材７５は、図３に示すように、Ｐバス用導体７１間、Ｐバス用導体７１とＮバス用導体７３との間、Ｎバス用導体７３間に配置されるので、隣接する導体７１，７３間でのリーク電流の発生を確実に防止できるようになっている。
【００２４】
上記各導体７１，７３は、積層方向に貫通する第１スルーホール（小径スルーホール）８１と、この第１スルーホール８１よりも大径の第２スルーホール（大径スルーホール）８２とを各々有するパターンを有し、この導体パターンはエッチング処理で形成されている。なお、図２に示すように、第１スルーホール８１及び第２スルーホール８２は、Ｕ相、Ｖ相及びＷ相の相毎に一対ずつ形成され、合計３対形成されている。
すなわち、図４（Ａ）に示すように、厚さが均一な平板状の銅プレート（図示の例では導体７１に相当する銅プレート）を、上記絶縁材７５となる基材（絶縁材７５と同材料）に積層したものを原板とし、図４（Ｂ）に示すように、この原板上を、エッチング用のレジスト（フォトレジスト）８５でマスクし、（Ｃ）紫外線露光を行い、露光されない部分（硬化していないレジスト８５）を除去して現像（パターン形成）し、図４（Ｄ）に示すように、エッチング液を用いてレジストが残っていない部分の導体（銅プレート）を除去し、図４（Ｅ）に示すように、レジストの除去処理が可能な溶液を用いてレジストを除去する。
これによって、エッチングで不要な銅を除去し、各層の導体７１，７３を絶縁材７５付きで形成することができる。なお、Ｕ相、Ｖ相及びＷ相の各相に対応する部分は同形状であるため、図４では１つの相に対応する部分だけを示している。
【００２５】
図５は、各導体７１，７３を積層して一体化する行程の概要を示している。
まず、図５（Ａ）（Ｂ）に示すように、６枚の導体７１，７３を積層した場合に、Ｐバス用導体７１は、互いに同じ位置に第１スルーホール８１及び第２スルーホール８２を有する形状に形成されている。また、Ｎバス用導体７３も、互いに同じ位置に第１スルーホール８１及び第２スルーホール８２を有する形状に形成されているが、Ｎバス用導体７３は、Ｐバス用導体７１の第１スルーホール８１と同軸位置に第２スルーホール８２を有し、Ｐバス用導体の第２スルーホール８２と同軸位置に第１スルーホール８１を有する形状となっている。
図５（Ｂ）に示すように、複数（３枚）のＰバス用導体７１は、絶縁材７５を介して連続してまとめて重ねられ、これらＰバス用導体７１の下方に、複数（３枚）のＮバス用導体７３が、絶縁材７５を介してまとめて重ねられる（積層行程）。このとき、中間層を構成するＰバス用導体７１とＮバス用導体７３とは、各導体７３の背面に設けられた絶縁材７５が向かい合うように重ねられる。
【００２６】
このように重ねた後、図５（Ｃ）に示すように、上下から熱プレスして各絶縁材７５を溶融させ、導体７１，７３及び絶縁材７５を接着により一体化させる（熱プレス行程）。つまり、絶縁材７５に用いられるチタン酸バリウムは熱可塑性であるため、熱により溶融し、導体７１，７３及び絶縁材７５を互いに接着させる。
この絶縁材７５は、熱可塑性で、金属に密着する材料であり、給水性が低い材料であることが前提である。この条件を満たす絶縁材７５の材料として、チタン酸バリウム以外に、熱可塑性ポリイミド、エポキシ樹脂、ポリテトラフルオロエチレン等を用いることができる。
【００２７】
熱可塑性ポリイミドは、通常の高分子に比べて破格の高強度、耐熱性を有し、電気絶縁性にも優れており、電子回路の絶縁材料に用いられている。線膨張係数は、有機物としては非常に低く、金属に近いため、本構成の積層バスバー５０に適用したときに導体７１，７３との熱膨張による歪みが生じにくく、高い精度で加工が可能である、といったメリットがある。
本実施形態では、図５（Ｄ）に示すように、熱プレスした後、外部に露出する導体７１，７３の露出面に対し、各導体７１，７３を保護する絶縁膜となるレジスト（ソルダーレジスト）８６を塗布している（レジスト塗布行程）。このレジスト８６には、例えば、熱可塑性ポリイミドが使用される。熱可塑性ポリイミドをコーティング剤として用いる場合には、ポリアミド酸の溶液をコーティング剤として用い、塗布乾燥後に熱処理でイミド化させて絶縁膜（絶縁層）とすることができる。
【００２８】
また、エポキシ樹脂は、寸法安定性や耐水性・耐薬品性及び電気絶縁性が高く、電子回路の基板やＩＣパターンの封入剤として汎用されている。エポキシ樹脂は、接着剤、塗料、積層剤としても利用されるため、本構成の積層バスバー５０に適用したときには、導体７１，７３と絶縁材７５との接合や、積層バスバー５０の一体化にその特性が好適である。なお、接着剤、塗料及び積層剤の多くは２液型で混合して使用される。
また、ポリテトラフルオロエチレンは、高周波特性に優れるメリットがある。特にポリテトラフルオロエチレンは、フッ素樹脂で化学的に安定で耐熱性、耐薬品性に優れ、強い溶解性をもつフッ化水素酸にも溶けない特性を有している。
【００２９】
ここで、図５（Ｃ）に示すように、絶縁材７５は熱プレス時に溶解するため、各導体７１，７３に設けられた第１スルーホール８１内及び第２スルーホール８２内にも入り込む。その状態で導体７１，７３及び絶縁材７５が一体化した後、図５（Ｄ）に示すように、積層バスバー５０を積層方向に連なって貫通し、かつ、小径スルーホールである第１スルーホール８１を開口させる貫通孔８１Ａをあける孔加工を行う（孔加工行程）。
この貫通孔８１Ａは、第１スルーホール８１と略同径を有する一定径の孔とされ、各導体７１，７３の第１スルーホール８１を塞ぐ絶縁材７５（図５（Ｃ）参照）を除去する。これによって、各導体７１，７３の第１スルーホール８１を露出させつつ、第２スルーホール８２を絶縁材７５で覆った状態にすることができる。
この場合、第２スルーホール８２は所定厚さ（第２スルーホール８２と第１スルーホール８１の径の差に相当する厚さ）の絶縁材７５で覆われるので、確実に外部に露出しないようにすることができる。
【００３０】
続いて、図５（Ｅ）に示すように、各貫通孔８１Ａには、導電性めっきの一種である金属めっき８７が内面全体に施され（めっき行程）、この金属めっき８７により、各導体７１，７３の第１スルーホール８１の部分が積層方向で電気的に接続される。これにより、Ｐバス用導体７１が互いに導通し、かつ、Ｎバス用導体７３が互いに導通し、積層バスバー５０の製造が完了する。
【００３１】
上記金属めっき８７が施された貫通孔８１Ａは、図３に示すように、積層バスバー５０をパワードライブユニット２０に連結するための締結部材６１Ｐ，６１Ｎ（図２参照）の通し孔に利用される。すなわち、各貫通孔８１Ａに締結部材６１Ｐ，６１Ｎを各々通し、その先端を、パワードライブユニット２０に締結することによって、積層バスバー５０をパワードライブユニット２０に容易に連結することができる。
【００３２】
また、この締結部材６１Ｐ，６１Ｎは、導電性を有する金属ねじであり、パワードライブユニット２０に締結された場合に、パワードライブユニット２０に形成された回路に電気的に接続される。
この場合、締結部材６１Ｐ，６１Ｎは、金属製めっき８７を介してＰバス用導体７１、Ｎバス用導体７３の各々に導通しているため、パワードライブユニット２０の回路に電気的に接続されることで、各導体７１，７３の各々を、パワードライブユニット２０の回路に電気的に接続する。
すなわち、締結部材６１Ｐ，６１Ｎは、積層バスバー５０とパワードライブユニット２０との間の連結及び導通を行う部材として機能する。このため、連結・導通を行う部材を別々に設ける場合に比して、部品点数を低減でき、構成を簡易にできるとともに、積層バスバー５０の小型化を図ることができる。
【００３３】
さらに、この積層バスバー５０では、図３に示すように、中間層を構成するＰバス用導体７１とＮバス用導体７３とが絶縁材７５を介して向かい合うように配置され、これによって、Ｐバス用導体７１とＮバス用導体７３との間に静電容量が得られる。
この場合、隣接する一対の締結部材６１Ｐ，６１Ｎ間に各々静電容量が得られるので、電源配線ＰＬ、ＮＬ間であって、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相の相毎に静電容量が得られる。
上記静電容量は、Ｐバス用導体７１とＮバス用導体７３との間の対向距離Ｌ、対向面積Ｓ、及び、絶縁材７５の誘電率εｓとを調整することによって、図１に示す静電容量Ｃ１に設定されている。
【００３４】
具体的には、静電容量Ｃは、以下の式（１）によって求められるので、この式（１）を用いて、Ｃスナバ回路に必要な静電容量Ｃ１が得られるように値Ｌ、Ｓ、εｓ（絶縁材７５の材料）を設定している。
Ｃ＝ε０×εｓ×Ｓ／Ｌ・・・・式（１）
ここで、ε０は、真空の誘電率である。
この場合、対向距離Ｌの調整は、その間の絶縁材７５の厚さ調整で可能であり、対向面積Ｓの調整は、導体７１，７３やスルーホール８１，８２の形状や孔径の調整で可能であり、誘電率の調整は、絶縁材７５の材料選定で可能である。これによって、この積層バスバー５０は、コンデンサ部品を別途配置しなくても、Ｃスナバ回路としても機能することができ、コンデンサモジュールを別途容易する場合に比して大幅に小型化が可能である。
【００３５】
以上説明したように、本実施の形態の積層バスバー５０は、図５に示すように、Ｐバス用導体７１とＮバス用導体７３とに、第１スルーホール（小径スルーホール）８１と、この第１スルーホール８１より大径の第２スルーホール８２とを設け（図５（Ａ））、各導体７１，７３を絶縁材７５を介して積層し、Ｐバス用導体７１の第１スルーホール８１とＮバス用導体７３の第２スルーホール８２とを同軸に並べるとともに、Ｐバス用導体７１の第２スルーホール８２とＮバス用導体７３の第１スルーホール８１とを同軸に並べ（図５（Ｂ））、熱プレスして絶縁材７５を溶融させ、各導体７１，７３及び絶縁材７５を互いに接合させるとともに、各スルーホール８１，８２内に絶縁材７５を入り込ませ（図５（Ｃ）、同軸に並ぶ第１スルーホール８１と第２スルーホール８２とには、第１スルーホール８１を露出させつつ第２スルーホール８２を絶縁材７５で覆った状態で積層方向に連なる貫通孔８１Ａを設け、各貫通孔８１Ａに金属めっき７８を施して製造される。
このため、本構成では、樹脂成形を必要とせず、各導体７１，７３及び絶縁材７５を積層した状態で、孔加工とめっき処理とを行えば、Ｐバス用導体７１同士、及び、Ｎバス用導体７３同士を互いに導通させることができる。
【００３６】
このめっき処理を行う際、第２スルーホール８２が絶縁材７５で覆われているので、積層方向に並ぶ導体７１，７３のうち、積層方向で第１スルーホール８１を設けた導体だけを、つまり、Ｐバス用導体７１又はＮバス用導体７３のいずれか一方だけを金属めっき７８で容易に導通させることが可能である。
従って、本構成では、従来のような、所望の導体同士を選択的に短絡させる接続ピンといった特殊部品を用いる必要がなく、所望の導体同士を容易に短絡させることができる。これにより、積層バスバー５０の部品点数の低減、構造の簡易化、組み立て容易化が可能である。
【００３７】
また、本構成では、貫通孔８１Ａには、導電性を有する締結部材６１（６１Ｐ，６１Ｎ）がそれぞれ通され、これら締結部材６１を介して当該積層バスバー５０が、パワードライブユニット（連結先の回路モジュール）２０に連結されるとともに、パワードライブユニット２０に電気的に接続されるので、連結・導通を行う部材を別々に設ける場合に比して、部品点数を低減でき、構成を簡易にできるとともに、積層バスバー５０の小型化を図ることができる。
【００３８】
また、本構成では、熱プレスで各導体７１，７３及び絶縁材７５を互いに接合するので、接合作業が容易であり、大量生産に好適である。しかも、この熱プレスで第２スルーホール８２を絶縁材７５で覆った状態にすることができる。
さらに、本構成では、各導体７１，７３をエッチング処理で形成するので、従来の配線基板のエッチング装置を利用して導体７１，７３を形成することができ、これによっても、積層バスバー５０の大量生産に好適である。
【００３９】
しかも、本構成では、絶縁材７５が、高誘電率の材料であり、積層方向で対向するＰバス用導体７１とＮバス用導体７３との間の対向距離Ｌと対向面積Ｓ、及び、絶縁材７５の誘電率により、Ｐバス用導体７１とＮバス用導体７３との間の静電容量値を設定しているので、静電容量の設定が容易である。この場合、絶縁材７５にチタン酸バリウムを用いることで、所望の静電容量を得やすくなり、Ｃスナバ回路として十分な静電容量Ｃ１を確保することができる。
これらにより、本構成では、樹脂成形を必要とせず、コンデンサモジュールを別途用意する必要がなく、積層バスバー５０を薄くでき、小型化できる。しかも、各導体７１，７３を配線基板と同様に生産できるので、大きな原板に各導体７１，７３を同時に多数作ることもでき、積層バスバー５０の大量生産に好適である。
【００４０】
＜第２実施形態＞
図６は第２実施形態を示している。第２実施形態では、積層バスバー５０の最短（最上層）に位置する導体であるＰバス用導体７１上に、３つのコンデンサＣ２を実装している。このコンデンサＣ２は、隣接する一対の締結部材６１Ｐ，６１Ｎ間に各々設けられる電気部品であり、つまり、電源配線ＰＬ、ＮＬ間におけるＵ相、Ｖ相、Ｗ相の相毎の静電容量を構成している。なお、それ以外の構成については、第１実施形態と略同一である。
本構成では、各導体７１，７３にプリント配線基板の配線に用いられる銅プレート（基板用プレート）を用い、エッチング処理で形成するので、コンデンサＣ２等の電気部品を実装することが容易である。従って、簡単にスナバ回路としての容量調整が可能である。
なお、図７中、符号９１は、スルーホールであり、このスルーホールを介してコンデンサＣ２と内部のＮバス用導体７３とがリード線などで導通される。但し、コンデンサＣ２と各導体７１，７３とを電気的に接続する構造は、プリント配線基板で用いられる公知の構造を適用可能である。
【００４１】
従来、コンデンサには、様々なタイプが存在し、電解コンデンサ＜フィルムコンデンサ＜セラミックコンデンサ、といった順で周波数特性が良好となる。周波数特性に優れたセラミックコンデンサは、一般に基板搭載品しか存在しないが、本構成の積層バスバー５０であれば、基板搭載品であるセラミックコンデンサを容易に追加実装することが可能である。
つまり、第２実施形態では、周波数特性が良好なセラミックコンデンサをコンデンサＣ２として実装し、このコンデンサＣ２の静電容量と、積層バスバー５０自体の静電容量Ｃとの合成容量が、Ｃスナバ回路として十分な静電容量Ｃ１となるように構成されており、これによって、周波数特性が良好で、かつ、適切な静電容量を有するスナバ回路を容易に構成することができる。
【００４２】
＜第３実施形態＞
図７及び図８は第３実施形態を示している。第３実施形態では、積層バスバー５０にＲＣスナバ回路を構成しており、図７は、積層バスバー５０を周辺構成とともに示す図であり、図８は、この積層バスバー５０を含むモーター駆動装置１００の電気的構成を示す図である。なお、それ以外の構成については、第１実施形態と略同一である。
図７及び図８に示すように、積層バスバー５０の最上層の導体７１上には、３つのトランジスタ３１Ｈのコレクタ−エミッタ間に直列に接続されるコンデンサ（電気部品）ＣＨ及び抵抗（電気部品）ＲＨが各々実装されるとともに、３つのトランジスタ３１Ｌのコレクタ−エミッタ間に直列に接続されるコンデンサ（電気部品）ＣＬ及び抵抗（電気部品）ＲＬが各々実装される。
本構成では、各導体７１，７３にプリント配線基板の配線に用いられる銅プレート（基板用プレート）を用い、エッチング処理で形成するので、上記導体７１上に、コンデンサＣＨ及び抵抗ＲＨの直列回路部分や、コンデンサＣＬ及び抵抗ＲＬの直列回路部分の配線パターンの形成が容易である。従って、簡単に容量や抵抗の調整が可能であり、積層バスバー５０にＲＣスナバ回路を容易に構成することができる。
【００４３】
なお、上述した実施形態は、あくまでも本発明の一態様を示すものであり、本発明の範囲内で任意に変形可能である。例えば、上記実施形態では、各導体７１，７３を矩形形状に形成する場合について説明したが、これに限らない。また、上記実施形態では、電気自動車或いはハイブリッド自動車に搭載される積層バスバー５０に本発明を適用する場合を説明したが、これに限らず、電動アシスト自転車や電動バイク等の他の車両に搭載される積層バスバー、或いは、車両に限定されず、モーター等の駆動源を駆動する装置（産業設備を含む）の積層バスバー等に本発明を広く適用してもよい。
【符号の説明】
【００４４】
２０  パワードライブユニット（連結先の回路モジュール）
５０  積層バスバー
６１，６１Ｐ，６１Ｎ  締結部材
７１  Ｐバス用導体
７３  Ｎバス用導体
７５  絶縁材
８１  第１スルーホール（小径スルーホール）
８１Ａ  貫通孔
８２  第２スルーホール（大径スルーホール）
８７  金属めっき（導電性めっき）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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