(57)【要約】【課題】簡易的な構成で、しかも、検出頻度を落としながら高精度のレーザ点灯履歴を記録し、精度良くレーザの劣化判定が可能となる光書込装置を提供すること。【解決手段】記録媒体に光書込みを行う発光素子１１を備えた光書込装置において、発光素子１１の発光を検出する光検出部１１ｂと、光検出部より取り出す前記発光素子の発光量に比例した電気量を平滑化する電気量平滑化手段１７と、電気量累積値を記憶するメモリ１６と、制御部１３とを備え、制御部１３は、電気量平滑化手段１７によって平滑化された電気量について定期的にサンプリングを行い、サンプリングにより取得した電気量とメモリ１６に記憶している電気量累積値とを足し算し、新しい電気量累積値をメモリ１６に再記録する機能を有する。【選択図】図１
2012244036.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録媒体に光書込みを行う発光素子を備えた光書込装置において、
前記発光素子の発光を検出する光検出部と、
前記光検出部より取り出す前記発光素子の発光量に比例した電気量を平滑化する電気量平滑化手段と、
電気量累積値を記憶するメモリと、
制御部とを備え、
前記制御部は、
前記電気量平滑化手段によって平滑化された電気量について前記定期的にサンプリングを行い、当該サンプリングにより取得した電気量と前記メモリに記憶している電気量累積値とを足し算し、新しい電気量累積値を前記メモリに再記録する機能を有する、
ことを特徴とする光書込装置。
【請求項２】
前記発光素子の発光時の温度を検出する発光素子温度センサを更に備え、
前記メモリには、前記発光素子の発光時の温度とこの温度に対応した温度補正係数との一覧表であるテーブルが記憶され、
前記制御部は、
前記テーブルから前記発光素子温度センサが検出した前記発光素子の発光時の温度に対応した温度補正係数を読み出して、この温度補正係数を前記サンプリングした平滑化された電気量に乗算し補正後の電気量と前記メモリに記録している電気量の累積値を読み出して足し算を行い当該電気量累積値を前記メモリに再記録する機能を備えている、
ことを特徴とする請求項１に記載の光書込装置。
【請求項３】
表示手段を更に備え、
前記メモリには、前記発光素子の想定寿命到達時の想定寿命対応発光量累積値が記憶され、
前記制御部は、
前記電気量累積値が前記想定寿命対応発光量累積値を超えるまでの前記発光素子の残り寿命を算出し当該残り寿命を前記表示手段に表示する機能を有する、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の光書込装置。
【請求項４】
前記制御部は、
前記新しい電気量累積値を前記メモリに記録するとき、当該電気量累積値と前記想定寿命対応発光量累積値とを比較することにより、前記発光素子の劣化判定を行い、前記発光量累積値が前記想定寿命対応発光量累積値を超えているときには、前記発光素子の劣化到達の報知出力を前記表示手段及び／又は他の報知手段に行う機能を有する、
ことを特徴とする請求項３に記載の光書込装置。
【請求項５】
前記発光素子はレーザダイードを有するレーザ素子であり、前記光検出部は前記レーザ素子に内蔵され前記フォトダイードのチップ背面から出る光を受光するモニタ用フォトダイオードであることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の光書込装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子を用いた光書込装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、レーザ素子を用いた光書込装置を搭載したカラープリンタ等の画像形成装置の回収時にレーザ素子の残り寿命を見積もった上で当該画像形成装置をリユースすることが可能か否か、もしくはどの位の期間であればリユースすることが可能か否かを判断に用いる技術として、レーザ素子の点灯時間・光量を記録することが既に知られている。
【０００３】
特許文献１には、画像を表す画像データに応じて、レーザ光をパルス変調して出力するＬＤ（Laser Diode）を有する発光素子を備え、該発光素子が出力するレーザ光によって記録媒体上に画像を形成する画像形成装置が開示されている。この画像形成装置には、発光時間と光量をそれぞれ検出して点灯履歴を記録し、発光素子の劣化判定を行う技術が開示されている。
【０００４】
特許文献２には、発光素子から発せられ検出対象物を透過又は反射して到来するパルス光を、外部に設けられたパルス光を受光する受光素子で受光し、この受光素子の受光出力の値に応じて発光素子の発光状態を制御することに基づいて、発光素子の実発光時間の積算値に相当する消耗度相関データを算出し、ＬＤ実発光時間に相当すると見なし、残寿命を見積もる光電センサ装置が開示されている。
【０００５】
なお、レーザ素子の発振ディレイに対応したオーバーシュート補正量を算出する目的で、内蔵ＰＤ（Photo Diode）端子の信号をＬＰＦ（Low Pass Filter）で鈍らせた値を検出する技術が特許文献３に開示されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に開示された技術は、劣化判定を行うための点灯履歴の記録対象であるＬＤ光量について、基準光量に対し大小比較しかできず連続的な光量の差異を検出できない、また、常に検出し続けるため、制御が煩雑となるという問題が存在する。
【０００７】
特許文献２に開示された技術は、外部にレーザ光を受光する受光素子を設けるため、構成が複雑となる問題が存在する。
【０００８】
本発明は、上述した点に鑑み案出されたもので、レーザ光を受光する受光素子を外部に設けることを廃止しうると共に検出頻度を落とすことができる簡単な構成を実現し、かつ検出の都度に高精度の発光量を検出し得て、これにより発光量の累積記録を高精度に行い得る、レーザ素子を用いた光書込装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明は、記録媒体に光書込みを行う発光素子を備えた光書込装置において、前記発光素子の発光を検出する光検出部と、前記光検出部より取り出す前記発光素子の発光量に比例した電気量を平滑化する電気量平滑化手段と、電気量累積値を記憶するメモリと、制御部とを備え、前記制御部は、前記電気量平滑化手段によって平滑化された電気量について前記定期的にサンプリングを行い、当該サンプリングにより取得した電気量と前記メモリに記憶している電気量累積値とを足し算し、新しい電気量累積値を前記メモリに再記録する機能を有する、ことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
上記構成によれば、レーザ素子のＰＤ端子に生じる電圧をＬＰＦで鈍らせた波形を定期的にモニタリングする構成としたので、簡易な構成でありながら、ＬＤの点灯時間と光量の両方が含まれた情報を記録できる。また、鈍らせて擬似的にＤＣ波形としたＰＤ電圧を測定するため、検出頻度を減らすことができる。測定したＰＤ電圧情報をメモリに累積して行き、ＬＤ仕様規定条件での想定値と比較することで、劣化判定が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係る光書込装置の概略のブロック図である。
【図２】レーザ素子がアノードコモンＬＤである場合のＬＤ光量とＰＤ端子電圧の関係を示すグラフである。
【図３】温度補正も加味したメモリ累積値の演算を示す図である。
【図４】図１に示す光書込装置の電気量平滑化手段の、規則的な矩形波であるＰＤ端子電圧のときの電気量（電圧）を平滑化することを説明する図である。
【図５】図１に示す光書込装置の電気量平滑化手段の、不規則的な波形であるＰＤ端子電圧のときの電気量（電圧）を平滑化することを説明する図である。
【図６】図１に示す光書込装置の制御部の発光量検出・演算・記憶機能１３ｂの動作工程を示すフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明に係る光書込装置を実施するための形態を図面に基づいて説明する。
本発明に係る光書込装置は、この実施形態では、例えばカラープリンタ等の画像形成装置のＹ，Ｍ，Ｃ，Ｋの４色の（４つの）作像プロセス部の内の１色の作像プロセス部を構成する光書込装置への適用例について説明する。すなわち、１つの光書込装置は、当該光書込装置が搭載される図示しない画像形成装置の１つの作像プロセス部を構成し、この作像プロセス部を構成する露光ドラムに書込み光（パルス光）を照射して潜像を形成する機能を有する。
【００１３】
（全体の概要）
図１は、本発明の実施形態の光書込装置に係る概略のブロック図を示す。
図１に示すように、光書込装置１００は、発光素子１１と、発光素子駆動手段１２と、制御部１３と、ＲＯＭ１４と、ＲＡＭ１５と、外部メモリ１６と、を備えてなる。さらに、光書込装置１００は、発光素子１１が付属して備えている「光検出部」としてのモニタ用フォトダイオード（Photo Diode：ＰＤ）１１ｂと、発光素子１１が書込発光しているときにＰＤ端子電圧を書込光の発光時間と光量の両方を含む電気量に対応したアナログ電気量を検出して平滑化する電気量平滑化手段１７と、電気量平滑化手段１７により平滑化したアナログ電気量をデジタル電気量に変換するＡ／Ｄ変換器１８と、発光素子１１の劣化到達時間（寿命）に関係する当該発光素子１１の発光しているときの温度を検出する温度センサ１９と、図３に示すデータテーブル２３を表示する表示手段２０と、寿命がきたことを報知するブザー等の報知手段（図示しない）とを備えてなる。モニタ用フォトダイオード１１ｂのＰＤ端子と発光素子駆動手段１２とを接続しているパルス電流供給線２１の中点と、制御部１３のデジタル入力端子と、を接続するＰＤ端子電圧取出線（発光量検出線）２２が設けられ、このＰＤ端子電圧取出線２２の回路中に電気量平滑化手段１７とＡ／Ｄ変換器１８が配設されている。
【００１４】
制御部１３は、ＲＯＭ１４に格納された第１，２，３のプログラムをリードすることにより自身に、第１のプログラムに基づく光書込機能１３ａと、第２のプログラムに基づく発光量検出・演算・記憶機能１３ｂと、第３のプログラムに基づくデータ表示・報知機能１３ｃを有する。第１のプログラムは、従来の同一で足りる。第２、第３のプログラムは、本発明特有のものである。
【００１５】
光書込装置１００は、制御部１３が形成する光書込機能１３ａによって、原画・原稿についてスキャナーで読み込んだ画像データを入力してＲＡＭ１５に一時的に記憶し、この画像データを画像処理して画像書込み用制御信号を生成し発光素子駆動手段１２に出力し、発光素子駆動手段１２が画像書込み用制御信号に基づいて発光素子駆動信号を生成して発光素子１１に出力し、発光素子１１が発光素子駆動信号により書込光を記録媒体に照射して画像を記録する。この光書込機能１３ａは、従来技術と同一であるので、より詳細な説明は行わない。
【００１６】
光書込装置１００は、制御部１３が形成する発光量検出・演算・記憶機能１３ｂによって、発光素子１１の発光時間と光量の両方が含まれた情報を検出し記録（記憶）し、温度補正及び累積発光量の演算を行い値を外部メモリ１６に記録する。この機能は、光検出部１１ｂと、電気量平滑化手段１７と、Ａ／Ｄ変換器１８と、温度センサ１９と、表示手段２０と、報知手段（図示しない）及び制御部１３が担持している。
【００１７】
光書込装置１００は、制御部１３が形成するデータ表示・報知機能１３ｃによって、表示要求の外部信号が入力したときには、表示手段２０に、上記の発光量検出・演算・記憶機能１３ｂによって記録した各種データを掲載した図３に示すデータテーブル２３を表示し、かつ、発光量累積値が劣化到達時の想定寿命対応発光量累積値を超えているときには、発光素子１１が劣化に到達したことを表示手段２０に表示（報知）すると共に報知出力をブザー等の報知手段（図示しない）により報知する。これによって、発光素子１１の劣化の度合い−劣化到達（寿命）−リユースの可否判断が行える。なお、想定寿命対応発光量累積値はレーザ素子の仕様で寿命規定を行っている規定条件の温度、点灯時間、光量での想定累積値を用いる。
以下、分説する。
【００１８】
発光素子１１は、この実施形態においてレーザ素子を用いているが、限定する趣旨ではない。このレーザ素子１１は、書込み光（パルス光）を発光するレーザダイオード（Laser Diode：ＬＤ）１１ａを有すると共に、チップ背面側にレーザダイオード１１ａの発光時のバックライト１１ｃを受光しこのときモニタ電流が流れるアノードコモンタイプのモニタ用フォトダイオード（Photo Diode：ＰＤ）１１ｂを内蔵している。図２に示すように、アノードコモンタイプのレーザ素子１１は、レーザダイオード１１の発光時間と発光量と、モニタ用フォトダイオード（Photo Diode：ＰＤ）１１ｂのＰＤ電圧とが比例する関係にある。この実施形態において、このＰＤ電圧をりようするため、モニタ用フォトダイオード１１ｂを光検出器としている。ＰＤを内蔵するレーザ素子１１を用いることで、構成が簡素化される。
【００１９】
発光素子駆動手段１２は、従来の光書込装置に採用されている同一の構成で足りる。発光素子１１がレーザ素子であれば、発光素子駆動手段１２は、レーザドライバである。
【００２０】
ＲＡＭ１５は、制御部１３が行う各種の処理作業において、作業エリアとして機能し、電気量等の各種の演算を行い、あるいは数値等を一次記憶する。
【００２１】
外部メモリ１６は、図３に示すデータテーブル２３中の各種数値データが記憶する。
表示手段２０には、図３に示す、経過時間ａと、ＰＤ電圧読み取り値ｂと、温度ｃと、温度補正係数ｄと、ＰＤ電圧読み取り値ｂと温度補正係数ｄとを乗算した補正後ＰＤ電圧値ｅと、補正後ＰＤ電圧値ｅを累積した電気量累積値ｆとを一覧表にしたデータテーブル２３が表示される。
【００２２】
経過時間ａは、レーザ素子１１の発光開始から各発光量検出時までの経過時間であり、ここでは、１時間単位で検出している。ＰＤ電圧読み取り値ｂは、電気量平滑化手段１７で検出し平滑化したアナログ電圧をサンプリングしてデジタル値に変換したＰＤ端子電圧であり、レーザ素子１１の発光時間と発光量に比例する量である。温度ｃは、発光素子１１が発光しているときに温度センサ１９が検出する発光素子１１の温度である。
【００２３】
温度補正係数ｄは、発光素子１１の発光温度ｃが影響を発光素子１１の劣化到達時間に及ぼすので、ＰＤ電圧読み取り値ｂを発光温度を加味して補正する係数である。すなわち、レーザ素子１１の劣化到達時間（寿命）の長短はレーザ素子１１の発光温度にも依存する。発光温度が高い方が劣化が加速される。図３の例では、温度補正係数ｄについて、２５℃を基準にして値を１．００とし、２５℃よりも高温の時はＬＤの劣化が促進されるので、温度に対応して１．００よりも大きい値とし、２５℃よりも低温の時はＬＤの劣化が緩和されるので温度に対応して１．００よりも小さい値として設定されている。発光素子１１の発光時の温度ｃと、各温度ｃに対応する温度補正係数ｄとは、図示しない別のテーブルデータとして外部メモリ１６に記憶されていて、制御部１３が、外部メモリ１６に対し検出温度ｃを指定することで検出温度に対応した温度補正係数ｄをリードできるようになっている。
【００２４】
電気量平滑化手段１７は、ローパス・フィルタ（Low Pass Filter：ＬＰＦ）を用いることができる。ＬＰＦ１７は、光検出部１１ｂより取り出すＰＤ端子電圧を鈍らせて発光素子１１の発光時間及び発光量に比例した電気量を平滑化する役目を果たす。
図４は、ＰＤ端子電圧が規則的な矩形波である場合のＬＰＦ１７による電気量の平滑化を示す図である。図５は、ＰＤ端子電圧が不規則的な波形である場合のＬＰＦ１７による電気量の平滑化を示す図である。図４、図５において、それぞれ実線で示す波形はＬＰＦ１７に通す前のＰＤ端子電圧値を示し、レーザ素子１１の発光に対応した波形となる。点線は実線で示す規則的な矩形波をＬＰＦ１７に通して電圧値を鈍らせた後のＰＤ端子電圧値を示す。このＰＤ端子電圧値は、ＰＤ端子に発生した電圧レベルの時間積分値が等しくなるようなＤＣ電圧値となるため、検出頻度を低くすることが可能であり、常に検出し続ける必要が無い。
【００２５】
Ａ／Ｄ変換器１８は、電気量平滑化手段１７で平滑化された電気量（アナログ量）を制御部１３が入力して取り扱うことができる所定の分解能のデジタル量に変換する。なお、制御部１３が、アナログ入力端子を有するＣＰＵあるいはマイクロコンピュータを用いて、このアナログ入力端子にＰＤ端子電圧取出線（発光量検出線）２２を接続する場合には、Ａ／Ｄ変換器１８は不要である。
【００２６】
温度センサ１９は、サーミスタ、熱電対、あるいは放射温度計などを用いることができ、レーザ素子１１に接触または近接して設けられている。温度センサ１９にてレーザ素子１１の発光時の温度を測定し、制御部１３に入力して温度補正係数ｄを用いて演算することで、より精度の高い劣化判定が可能となる構成とされている。なお、本願の最も広い発明は、温度補正を行わない場合も含んでいる。
【００２７】
制御部１３は、レーザ素子１１の発光時間及び発光量に対応した電気量を取り出して平滑化したＰＤ電圧読み取り値ｂを外部メモリ１６に記憶すると共に、温度センサ１９が検出するレーザ素子１１の発光温度のデジタルデータを入力し、この温度データに対応する温度補正係数ｄを外部メモリ１６からリードし、平滑化電気量に対して温度補正係数ｄを乗じることで、その結果値である補正後ＰＤ電圧値ｅを電気量累積値ｆとして記録していく。この結果、温度によるＬＤ劣化への影響も加味されたより高い精度での劣化判定が可能となり、予め定めた基準値を累積値が超えるかどうかで、劣化の○×判定が可能となる。累積値を用いて、劣化の進み具合、寿命を超えたかどうか、寿命までの残り時間を演算することができるが、それを表示する機能を持つことで、ユーザーが劣化に気付くこと、寿命に到達する前に予めサービスマンに連絡する等、便利となる。
【００２８】
以下、制御部１３の動作の詳細を図６に示すフロー図を参照し説明する。
図６は、制御部１３がＲＯＭ１４に記憶された第２のプログラムをリードして、制御部自身が形成する発光量検出・演算・記憶機能１３ｂの動作工程を示すフロー図である。このプログラムは、発光素子１１の発光時間及び発光量を検出するために、一定時間毎に起動（スタート）し、以下に説明する一連のステップで示す動作を行って終了（エンド）する。
【００２９】
まず、ステップＳ１で、発光素子１１の最初の発光時点から当該検査時までの一定時間（この例では１時間としている。）経過毎に当該経過時間をデータテーブル２３の記録となるように外部メモリ１６に記録する。
【００３０】
ステップＳ２で、ＰＤ端子電圧取出線（発光量検出線）２２に配設された電気量平滑化手段１７が、発光素子１１の発光時間及び発光量に対応するＰＤ端子電圧を入力して平滑化し制御部１３のデジタル入力端子に常時入力している電気量をサンプリングしその値をＰＤ電圧読み取り値ｂとしてデータテーブル２３の記録となるように外部メモリ１６に記録する。
【００３１】
ステップＳ３で、温度センサ１９が発光素子１１の発光時の温度を測定しその温度に対応してデジタル信号に変換され制御部１３のデジタル入力端子に常時入力しているデジタルな温度値ｃをサンプリングし、当該サンプリングした温度値ｃをデータテーブル２３の記録となるように外部メモリ１６に記憶する。
【００３２】
ステップＳ４で、外部メモリ１６の別のデータテーブルから検出温度ｃに対応した温度補正係数ｄをリードし、データテーブル２３の記録となるように外部メモリ１６に記憶する。
【００３３】
ステップＳ５で、ＰＤ電圧読み取り値ｂと温度補正係数ｄとを乗算し、補正後ＰＤ電圧値ｅを算出しデータテーブル２３の記録となるようにデータテーブル２３に記録する。
【００３４】
ステップＳ６で、補正後ＰＤ電圧値ｅとそれまでの最新の累積ＰＤ電圧値ｆとを加算し、加算結果値を最新の累積ＰＤ電圧値ｆとしてデータテーブル２３に記録する。この場合、最初の記録前の累積ＰＤ電圧値ｅはゼロである。
【００３５】
ステップＳ７で、累積ＰＤ電圧値ｆが劣化到達時の想定寿命対応発光量累積値を超えているか否かを判断する。想定寿命対応発光量累積値は、外部メモリ１６に予め記録されており、このステップＳ７のときにリードする。
【００３６】
ステップＳ７で、累積ＰＤ電圧値ｆが劣化到達時の想定寿命対応発光量累積値を超えている（ＹＥＳ）と判断する場合、ステップＳ８に進んで、表示手段２０に、劣化到達を表示しかつデータテーブル２３を表示すると共に、ブザーや振動子などの報知手段（図示しない）により音声や振動によって劣化到達を報知して、エンドに進む。このように、劣化を検知すると装置が自らその情報を報知するので、使用者が注意していなくてもＬＤの劣化に気付くことができる。定期的に累積値を確認する必要がなく、また寿命が来たらいきなり知らせるのではなく、残り寿命を常に表示することでユーザー、サービスが早めの対応が可能となる。さらに、劣化情報を通信でサービスマンが遠方にて確認する手段があれば、タイムリーなサービスが可能となるメリットも備えることになる。
【００３７】
ステップＳ７で、累積ＰＤ電圧値ｆが劣化到達時の想定寿命対応発光量累積値を超えていない（ＮＯ）と判断する場合、エンドに進む。
【００３８】
続いて、制御部１３がＲＯＭ１４に記憶された第３のプログラムをリードして、制御部自身が形成する表示・報知機能１３ｃの動作について説明する。
この表示・報知機能１３ｃについては、特にフロー図を示していない。この表示・報知機能１３ｃは、入力装置（図示しない）を介してデータテーブル２３の表示を要求する外部命令が制御部１３に入力したときにスタートし、表示手段２０に図１に示すデータテーブル２３を表示する。データテーブル２３の表示の消去を要求する外部命令が制御部１３に入力したときにエンドとなる。従って、いつでも何回でも表示手段２０に図１に示すデータテーブル２３を表示して、経過時間（累積使用時間）及び累積ＰＤ電圧値ｅと想定寿命対応発光量累積値ｆの割合を見ることによって、レーザ素子１１の劣化の度合い、寿命までの残り時間が分かり、カラープリンタ等の画像形成装置の回収時にリユースが可能であるか否かを判断することができる。すなわち、マシン回収時の累積ＰＤ電圧値ｅの想定寿命対応発光量累積値ｆとの差分が、装置を市場でもう１サイクル使用しても問題無い程度に大きければリユース可能である、といったリユース可否判断の基準にも利用できる。
【００３９】
要するに、上記構成の光書込装置によれば、レーザのＰＤ端子に生じる電圧をLow Pass Filterで鈍らせ、その波形を定期的にモニタリングすることで、ＬＤの点灯時間と光量の両方が含まれた情報を簡易的な構成で記録でき、尚且つ読み取った値をメモリに累積して行き、ＬＤ仕様規定条件での想定値と比較することにより、劣化判定を行うことが特徴になっている。そして、ＬＰＦ後のＰＤ電圧を定期的に読み取った値を、メモリに累積して行く。この累積値はＬＤの点灯時間と発光量両方の情報を持つトータルの発光エネルギーと相関があり、この累積値が大きければ大きいほどレーザの劣化が進んでいると判断できる。この累積値（累積ＰＤ電圧値ｅ）を予め定めた基準値（想定寿命対応発光量累積値ｆ）と比較することで、レーザが寿命を迎えたかどうかを判定可能である。予め定める基準値はレーザ素子の仕様で寿命規定を行っている規定条件の温度、点灯時間、光量での想定累積値を用いる。累積値がこの基準値を超えればＬＤは寿命を迎えたと考えられる。また、マシン回収時の累積値の基準値との差分が、装置を市場でもう１サイクル使用しても問題無い程度に大きければリユース可能である、といったリユース可否判断の基準にもできる。
【００４０】
＜その他の実施形態＞
本発明は、上記の実施形態に限定されるものでなく、特許請求の範囲の技術的範囲には、発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々、設計変更した形態が含まれる。
上記実施形態では、発光素子としてアノードコモンタイプのレーザ素子を用いた構成について説明した。カソードコモンのレーザ素子では光量が高くなると、ＰＤ電圧が下がる。しかし、本発明の思想は、カソードコモンのレーザ素子でも適用可能である。
上記実施形態では、温度センサを備えて発光素子の発光時の温度を検出し検出温度に対応した温度補正係数を用いて発光量を補正し補正した発光量を累積した値を用いて劣化の度合いを判断しているが、本発明は、温度センサを備えていない簡素な構成とした場合も含む。この場合には、制御部１３は、温度補正を行わないで発光量を累積し、想定値と比較して劣化に到達しているか否かを判断する。
さらに本発明は、累積発光量が想定値を超えたときに劣化に到達したことを報知する報知手段を備えていない一層簡素な構成とした場合も含む。この場合には、制御部１３は、累積発光量が想定値を超えたか否かの演算を行わない。
【００４１】
本発明は、以下の形態を含んでいる。
＜付記１＞（請求項１対応：電気量累積値を記録する機能）
記録媒体に光書込みを行う発光素子を備えた光書込装置において、前記発光素子の発光を検出する光検出部と、前記光検出部より取り出す前記発光素子の発光量に比例した電気量を平滑化する電気量平滑化手段と、電気量累積値を記憶するメモリと、制御部とを備え、前記制御部は、前記電気量平滑化手段によって平滑化された電気量について前記定期的にサンプリングを行い、当該サンプリングにより取得した電気量と前記メモリに記憶している電気量累積値とを足し算し、新しい電気量累積値を前記メモリに再記録する機能を有する、ことを特徴とする。
この構成によれば、ＬＤ素子の内蔵ＰＤ電圧をＬＰＦで鈍らせた電圧値を定期的に読み取り、累積するので、簡易的な構成、制御にて精度良く積み上げられた劣化情報を知り得るから、簡単な構成精度良くレーザの劣化判定が可能となる。
【００４２】
＜付記２＞（請求項２対応：発光素子の発光温度を加味し補正した電気量累積値を記録する機能）
付記１に記載の光書込装置について、前記発光素子の発光時の温度を検出する発光素子温度センサを更に備え、前記メモリには、前記発光素子の発光時の温度とこの温度に対応した温度補正係数との一覧表であるテーブルが記憶され、前記制御部は、前記テーブルから前記発光素子温度センサが検出した前記発光素子の発光時の温度に対応した温度補正係数を読み出して、この温度補正係数を前記サンプリングした平滑化された電気量に乗算し補正後の電気量と前記メモリに記録している電気量の累積値を読み出して足し算を行い当該電気量累積値を前記メモリに再記録する機能を備えている、ことを特徴とする。
この構成によれば、温度係数にて補正したPD電圧を累積する事で、より精度の高い劣化判定が可能となる。
【００４３】
＜付記３＞（請求項１又は２対応：発光素子の残り寿命の表示）
付記１又は２の光書込装置について、
表示手段を更に備え、前記メモリには、前記発光素子の想定寿命到達時の想定寿命対応発光量累積値が記憶され、前記制御部は、前記電気量累積値が前記想定寿命対応発光量累積値を超えるまでの前記発光素子の残り寿命を算出し当該残り寿命を前記表示手段に表示する機能を有する、ことを特徴とする。
この構成によれば、事前に定めた基準値を累積値が超えるかどうかで、劣化の○×判定が可能となち、寿命が来たらいきなり知らせるのではなく、残り寿命を常に表示する事でユーザー、サービスが早めの対応が可能となる。
【００４４】
＜付記４＞（請求項３対応：劣化到達の報知）
付記３の光書込装置について、
前記制御部は、前記新しい電気量累積値を前記メモリに記録するとき、当該電気量累積値と前記想定寿命対応発光量累積値とを比較することにより、前記発光素子の劣化判定を行い、前記発光量累積値が前記想定寿命対応発光量累積値を超えているときには、前記発光素子の劣化到達の報知出力を前記表示手段及び／又は他の報知手段に行う機能を有する、ことを特徴とする。
この構成によれば、劣化を検知すると装置が自らその情報を発信するので、使用者が注意していなくてもLDの劣化に気付く事ができる。定期的に累積値を確認する必要もない。
【００４５】
＜付記５＞（請求項１ないし４対応：発光素子と光検出部の構成）
付記１ないし４の光書込装置について、前記発光素子はレーザダイードを有するレーザ素子であり、前記光検出部は前記レーザ素子に内蔵され前記フォトダイードのチップ背面から出る光を受光するモニタ用フォトダイオードであることを特徴とする。
この構成によれば、簡易的な構成でレーザ点灯時間と発光量の両方を踏まえた点灯履歴を見積もり、精度良くＬＤ劣化判定をすることができる。
【符号の説明】
【００４６】
１００    光書込装置
１１    発光素子
１１ｂ    光検出部
１２    発光素子駆動手段
１３    制御部
１４    ＲＯＭ
１５    ＲＡＭ
１６    外部メモリ（メモリ）
１７    電気量平滑化手段
１９    温度センサ
２０    表示手段
【先行技術文献】
【特許文献】
【００４７】
【特許文献１】特開２００１−２８７４０１号公報
【特許文献２】特開２００５−２５７５３１号公報
【特許文献３】特許第４３５３３５３号公報
【図１】
2012244036.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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