(57)【要約】【課題】封止部を介した伝熱をも利用して半導体素子の冷却性能を向上させることができる電力変換装置を提供すること。【解決手段】半導体モジュール２を複数個積層して構成してなる電力変換装置１。半導体モジュール２は、半導体素子２１と放熱板２２と封止部２３と壁部２４と貫通冷媒流路４１とを有する。複数の半導体モジュール２は放熱面２２１の法線方向に積層されている。積層方向の両端に配される半導体モジュール２には蓋部３が配設されている。隣り合う半導体モジュール２の間及び蓋部３と半導体モジュール２との間であって壁部２４の内側には、沿面冷媒流路４２が形成されている。少なくとも封止部２３における貫通冷媒流路４１に面する側面２３１は、セラミック層２６によって被覆されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を内蔵した半導体モジュールを複数個積層して構成してなる電力変換装置であって、
上記半導体モジュールは、上記半導体素子と、該半導体素子と熱的に接続された放熱板と、該放熱板の放熱面を露出させた状態で上記半導体素子及び上記放熱板を封止する樹脂からなる封止部と、上記放熱面の法線方向に直交する方向における上記封止部の周囲に形成されると共に上記放熱面よりも上記法線方向に突出した壁部と、該壁部と上記封止部との間に形成された貫通冷媒流路とを有し、
複数の上記半導体モジュールは、上記放熱面の法線方向に積層されており、
積層方向の両端に配される上記半導体モジュールには、上記壁部における積層方向の外側の開口部を覆う蓋部が配設されており、
隣り合う上記半導体モジュールの間及び上記蓋部と上記半導体モジュールとの間であって上記壁部の内側には、上記貫通冷媒流路に連通すると共に上記放熱面に沿った沿面冷媒流路が形成されており、
かつ、少なくとも上記封止部における上記貫通冷媒流路に面する側面は、セラミック層によって被覆されていることを特徴とする電力変換装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電力変換装置において、上記封止部の上記側面は、上記放熱板の側端面と同一面又はそれよりも内側に形成されていることを特徴とする電力変換装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電力変換装置において、上記封止部の上記側面は、上記放熱板の側端面よりも内側に形成されていることを特徴とする電力変換装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の電力変換装置において、上記封止部の上記側面には、凹凸部が形成されていることを特徴とする電力変換装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の電力変換装置において、上記セラミック層は、上記放熱板における上記放熱面及び上記側端面をも被覆していることを特徴とする電力変換装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電力変換装置において、上記放熱板は、上記放熱面と上記側端面との間の角部を曲面によって構成してなることを特徴とする電力変換装置。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の電力変換装置において、上記セラミック層は、上記放熱板の少なくとも一部と接触しており、上記放熱板は、上記セラミック層との接触部の少なくとも一部に凹凸部を形成してなることを特徴とする電力変換装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子を内蔵すると共に該半導体素子を冷却するための冷媒流路を内部に設けた半導体モジュールを、複数個積層して構成してなる電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、電気自動車やハイブリッド自動車等に搭載されるインバータ等の電力変換装置として、図１３に示すごとく、半導体素子９２１を内蔵すると共に該半導体素子９２１を冷却するための冷媒流路９４を内部に設けた半導体モジュール９２を、複数個積層して構成してなる電力変換装置９がある（特許文献１）。
【０００３】
この電力変換装置９における半導体モジュール９２は、半導体素子９２１と、該半導体素子９２１と熱的に接続された放熱板９２２と、該放熱板９２２の放熱面９２５を露出させた状態で半導体素子９２１及び放熱板９２２を封止する樹脂からなる封止部９２３と、該封止部９２３の周囲に形成された樹脂からなる壁部９２４とを有する。そして、壁部９２４と封止部９２３との間に冷媒流路９４を有する。
すなわち、半導体モジュール９２は、半導体素子９２１を放熱板９２２と共に樹脂モールドするとともに、その内部に冷媒流路９４となる空間を形成している。
【０００４】
電力変換装置９は、複数の半導体モジュール９２を放熱面９２５の法線方向に積層し、連結して構成されている。これにより、隣り合う半導体モジュール９２における放熱板９２２の放熱面９２５同士の間にも冷媒流路９４が形成される。
そして、冷媒流路９４に冷却媒体Ｗを流通させることにより、半導体素子９２１の冷却を行うことができる。
【０００５】
かかる電力変換装置９は、上記のように複数の半導体モジュール９２を積層することによって、冷媒流路９４を備えた状態で構成されるため、別途冷却器を設ける必要がなく、簡素化、小型化、かつ組立容易化を実現することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−１６５５３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、電力変換装置９が扱う被制御電力の大電流化、高電圧化、或いは電力変換装置９の小型化、高密度化等の要請に伴い、半導体素子の発熱量が大きくなったり、放熱し難くなったりするため、その冷却性能を向上させる必要が生じる場合がある。
かかる場合において、上記電力変換装置９の構成では、冷却性能の向上が困難となる場合もある。
具体的には、上記電力変換装置９においては、半導体素子９２１の熱は、主に放熱板９２２の放熱面９２５を介して冷却媒体Ｗに放熱されるが、樹脂からなる封止部９２３は熱伝導率が低いため、封止部９２３に覆われた部分からは、半導体素子９２１が冷却され難い。
それゆえ、放熱板９２２を介した半導体素子９２１の冷却のみでは充分な冷却性能が得られない場合、半導体素子９２１の温度上昇を招いてしまうおそれがある。
【０００８】
本発明は、かかる問題点に鑑みてなされたもので、封止部を介した伝熱をも利用して半導体素子の冷却性能を向上させることができる電力変換装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、半導体素子を内蔵した半導体モジュールを複数個積層して構成してなる電力変換装置であって、
上記半導体モジュールは、上記半導体素子と、該半導体素子と熱的に接続された放熱板と、該放熱板の放熱面を露出させた状態で上記半導体素子及び上記放熱板を封止する樹脂からなる封止部と、上記放熱面の法線方向に直交する方向における上記封止部の周囲に形成されると共に上記放熱面よりも上記法線方向に突出した壁部と、該壁部と上記封止部との間に形成された貫通冷媒流路とを有し、
複数の上記半導体モジュールは、上記放熱面の法線方向に積層されており、
積層方向の両端に配される上記半導体モジュールには、上記壁部における積層方向の外側の開口部を覆う蓋部が配設されており、
隣り合う上記半導体モジュールの間及び上記蓋部と上記半導体モジュールとの間であって上記壁部の内側には、上記貫通冷媒流路に連通すると共に上記放熱面に沿った沿面冷媒流路が形成されており、
かつ、少なくとも上記封止部における上記貫通冷媒流路に面する側面は、セラミック層によって被覆されていることを特徴とする電力変換装置にある（請求項１）。
【発明の効果】
【００１０】
上記電力変換装置において、少なくとも上記封止部における上記貫通冷媒流路に面する側面は、セラミック層によって被覆されている。これにより、上記貫通冷媒流路に面する部分において、熱伝導性の低くなりやすい樹脂からなる封止部を少なくし、その分、熱伝導性を比較的高くしやすいセラミック層を配置することとなり、貫通冷媒流路を流れる冷却媒体と上記半導体素子との間の熱交換効率を向上させることができる。その結果、封止部を介した伝熱をも利用して半導体素子の冷却性能を向上させることができる。
【００１１】
また、上記封止部の側面に配置するセラミック層は、絶縁性を有するため、上記封止部を減らして上記セラミック層を配置することによる絶縁性の低下を防ぐことができる。
また、上記のように、半導体素子の冷却性能を向上させることができることにより、その高密度化、小型化を図ることもできる。その結果、電力変換装置の小型化を図ることができる。
【００１２】
以上のごとく、本発明によれば、封止部を介した伝熱をも利用して半導体素子の冷却性能を向上させることができる電力変換装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施例１における、電力変換装置の斜視展開図。
【図２】実施例１における、図１のＡ−Ａ線矢視断面相当の電力変換装置の断面図。
【図３】実施例１における、半導体モジュールの斜視図。
【図４】図２のＢ−Ｂ線矢視断面図。
【図５】図４のＣ−Ｃ線矢視断面図。
【図６】実施例１における、電力変換装置の回路図。
【図７】実施例２における、電力変換装置の断面図。
【図８】実施例３における、電力変換装置の断面図。
【図９】実施例４における、電力変換装置の断面図。
【図１０】実施例５における、電力変換装置の断面図。
【図１１】実施例６における、半導体モジュールの断面図。
【図１２】実施例７における、電力変換装置の断面図。
【図１３】背景技術における、電力変換装置の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明において、上記複数の半導体モジュールの積層方向は、上記放熱面の法線方向と略平行であればよく、隣り合う半導体モジュールの上記半導体素子間に、上記放熱面に沿った上記沿面冷媒流路が形成される状態であればよい。
また、上記半導体モジュールにおける上記放熱板は、上記半導体素子を両側から挟持する状態で配設されていることが好ましいが、上記半導体素子の一方の面側のみに配設されていてもよい。
また、上記壁部も樹脂によって成形されていることが好ましい。この場合には、上記封止部、上記壁部、及びこれらの間に形成される上記貫通冷媒流路を容易に形成することができ、電力変換装置の構成の簡素化、小型化、低コスト化を実現することができる。
上記セラミック層は、例えば、アルミナ、窒化珪素等によって構成することが好ましい。この場合には、上記セラミック層の耐電圧性と熱伝導性との双方を高く維持することができる。
【００１５】
また、上記封止部の上記側面は、上記放熱板の側端面と同一面又はそれよりも内側に形成されていることが好ましい（請求項２）。
この場合には、上記封止部の体積を充分小さくして、封止部を介した半導体素子の冷却効率をより向上させることができる。
【００１６】
また、上記封止部の上記側面は、上記放熱板の側端面よりも内側に形成されていることがより好ましい（請求項３）。
この場合には、上記封止部の体積をより小さくして、封止部を介した半導体素子の冷却効率をより向上させることができる。また、上記封止部の側面に形成される上記セラミック層が放熱板の内側に配されることとなるため、封止部の側面からのセラミック層の脱落を効果的に防止することができる。
【００１７】
また、上記封止部の上記側面には、凹凸部が形成されていることが好ましい（請求項４）。
この場合には、封止部の側面からのセラミック層の脱落を効果的に防止することができる。
【００１８】
また、上記セラミック層は、上記放熱板における上記放熱面及び上記側端面をも被覆していることが好ましい（請求項５）。
この場合には、半導体素子の電極間の絶縁性を容易に確保することができる。特に、放熱板が上記半導体素子の電極に電気的に接続されている場合には、放熱板の放熱面や側端面に絶縁層を形成するなど、その絶縁を確保する必要があるが、上記のように封止部の側面に形成するセラミック層を、放熱板の放熱面や側端面にも形成することにより、冷却性能の向上と絶縁性の確保とを一度に実現することができる。
【００１９】
また、上記放熱板は、上記放熱面と上記側端面との間の角部を曲面によって構成してなることが好ましい（請求項６）。
この場合には、上記角部を覆うように形成されたセラミック層に、応力が集中することを防ぎ、割れが生じることを効果的に防ぐことができる。
【００２０】
また、上記セラミック層は、上記放熱板の少なくとも一部と接触しており、上記放熱板は、上記セラミック層との接触部の少なくとも一部に凹凸部を形成してなることが好ましい（請求項７）。
この場合には、放熱板からのセラミック層の脱落を効果的に防止することができる。
【実施例】
【００２１】
（実施例１）
本発明の実施例に係る電力変換装置につき、図１〜図６を用いて説明する。
図１、図２に示すごとく、半導体素子２１を内蔵した半導体モジュール２を複数個積層して構成してなる。
【００２２】
半導体モジュール２は、図２〜図５に示すごとく、半導体素子２１と、放熱板２２と、封止部２３と、壁部２４と、貫通冷媒流路４１とを有する。
放熱板２２は、半導体素子２１と熱的に接続されている。封止部２３は、放熱板２２の放熱面２２１を露出させた状態で半導体素子２１及び放熱板２２を封止している。壁部２４は、放熱面２２１の法線方向に直交する方向における封止部２３の周囲に形成されると共に放熱面２２１よりも法線方向に突出している。貫通冷媒流路４１は、壁部２４と封止部２３との間に形成されている。
【００２３】
図１、図２に示すごとく、複数の半導体モジュール２は、放熱面２２１の法線方向に積層されている。
積層方向の両端に配される半導体モジュール２１には、壁部２４における積層方向の外側の開口部を覆う蓋部３が配設されている。
隣り合う半導体モジュール２の間及び蓋部３と半導体モジュール２との間であって壁部２４の内側には、貫通冷媒流路４１に連通すると共に放熱面２２１に沿った沿面冷媒流路４２が形成されている。
【００２４】
一対の蓋部３のうちの一方には、冷却媒体Ｗを貫通冷媒流路４１及び沿面冷媒流路４２に導入、排出する、冷媒導入管５１及び冷媒排出管５２が配設されている。
少なくとも封止部２３における貫通冷媒流路４１に面する側面２３１は、セラミック層２６によって被覆されている。セラミック層２６は、例えば、アルミナ、窒化珪素等によって構成することができる。
【００２５】
本例においては、セラミック層２６は、放熱板２２における放熱面２２１及び側端面２２３をも被覆している。
封止部２３の側面２３１は、放熱板２２の側端面２２３と同一面に形成されている。つまり、封止部２３は、貫通冷媒流路４１に面する放熱板２２の側端面２２３を覆っていない。そして、封止部２３に覆われていない側端面２２３には、封止部２３の側部２３１及び放熱面２２１と同様に、セラミック層２６が形成されている。
【００２６】
本例の電力変換装置１は、電気自動車やハイブリッド自動車等に搭載され、図６に示すごとく、直流電源（バッテリー１０１）と交流負荷（三相交流の回転電機１０２）との間の電力変換を行うよう構成されている。
半導体モジュール２は、図２に示すごとく、２個の半導体素子２１を備えている。具体的には、半導体モジュール２に内蔵された半導体素子２１の一方は、ＩＧＢＴ（絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ）等からなるスイッチング素子であり、他方は、スイッチング素子に逆並列接続されたＦＷＤ（フリーホイールダイオード）等のダイオードである（図６参照）。
【００２７】
各半導体モジュール２は、図２に示すごとく、半導体素子２１を両側から挟持するように配設された一対の金属製の放熱板２２を有する。そして、これらの放熱板２２は、はんだ２２２を介して半導体素子２１に電気的、熱的に接続されている。２個の半導体素子２１と一対の放熱板２２とは、各放熱板２２の放熱面２２１及び一対の側端面２２３を露出させながら、樹脂製の封止部２３によって一体化されて封止されている。
【００２８】
また、放熱面２２１の法線方向に直交する方向の全周にわたって封止部２３を囲むように、樹脂製の壁部２４が形成されている。
図２、図５に示すごとく、壁部２４は、一対の放熱面２２１よりも、放熱面２２１の法線方向に突出している。
【００２９】
図３〜図５に示すごとく、封止部２３及び壁部２４からは、放熱面２２１の法線方向に直交する方向に、一対の主電極端子２５１が突出し、その反対方向に、複数の制御端子２５２が突出している。主電極端子２５１には、被制御電流用のバスバー（図示略）が接続され、制御端子２５２は、スイッチング素子（半導体素子２１）を制御等するための制御回路（図示略）に接続される。
【００３０】
また、放熱面２２１の法線方向に直交する方向であって、主電極端子２５１及び制御端子２５２の突出方向（以下、「高さ方向」という。）に直交する方向（以下、「横方向」という。）における、封止部２３と壁部２４との間に、一対の貫通冷媒流路４１が形成されている。貫通冷媒流路４１には、放熱板２２の側端面２２３も面している。
【００３１】
また、放熱板２２の高さ方向の両端部には、図４に示すごとく、封止部２３が形成されている。そして、この部分の封止部２３における、放熱面２２１の法線方向を向く面、すなわち沿面冷媒流路４２に面する部分にも、図５に示すごとく、セラミック層２６が形成されている。
したがって、図２〜図５に示すごとく、セラミック層２６は、封止部２３及び放熱板２２における、冷媒流路４（貫通冷媒流路４１及び沿面冷媒流路４２）に面する部分のすべてを覆うように形成してある。
なお、セラミック層２６は、封止部２３及び放熱板２２に対して、例えば溶射によって形成することができる。
【００３２】
図１、図２に示すごとく、電力変換装置１は、複数の半導体モジュール２を、放熱面２２１の法線方向に積層することにより、構成されている。図１、図２においては、半導体モジュール２を３個積層した図を示しているが、実際の電力変換装置１は、より多数の半導体モジュール２を積層してなり、その積層数は特に限定されるものではない。
【００３３】
複数の半導体モジュール２は、壁部２４において互いに連結されている。そして、電力変換装置１における積層方向の両端に、樹脂製の蓋部３が、半導体モジュール２の壁部２４の開口部を塞ぐように取り付けてある。隣り合う半導体モジュール２の壁部２４の間や、半導体モジュール２の壁部２４と蓋部３との間には、水密性を確保するためのシール部材を介在させることができる。
【００３４】
一対の蓋部３のうちの一方には、貫通冷媒流路４１及び沿面冷媒流路４２へ冷却媒体Ｗを導入するための冷媒導入管５１と、冷却媒体Ｗを排出するための冷媒排出管５２とが取り付けてある。これらの冷媒導入管５１及び冷媒排出管５２は、樹脂からなる。
なお、蓋部３、冷媒導入管５１及び冷媒排出管５２は、金属製、或いはセラミック製等、他の材質とすることもできる。
【００３５】
このように、複数の半導体モジュール２と一対の蓋部３とを積層して連結することにより、図２に示すごとく、内部に貫通冷媒流路４１と沿面冷媒流路４２とが連続した冷媒流路４が、壁部２４と蓋部３とによって囲まれた内側の空間に形成される。この状態において、各半導体モジュール２に設けられた一対の貫通冷媒流路４１は、それぞれ一直線上に配列した状態で連結される。沿面冷媒流路４２は、隣り合う半導体モジュール２の放熱面２２１同士の間、及び半導体モジュール２と蓋部３との間に、貫通冷媒流路４１に直交するように、かつこれらに連結するように形成される。
【００３６】
これにより、冷媒導入管５１から冷媒流路４に導入された冷却媒体Ｗは、貫通冷媒流路４１を適宜通過しながら、各半導体モジュール２における一対の放熱面２２１に接触する沿面冷媒流路４２を通過する。ここで、半導体素子２１と熱交換した冷却媒体Ｗは、他方の貫通冷媒流路４１を適宜通過して、冷媒排出管５２から排出される。
なお、冷却媒体Ｗとしては、例えば、水やアンモニア等の自然冷媒、エチレングリコール系の不凍液を混入した水、フロリナート等のフッ化炭素系冷媒、ＨＣＦＣ１２３、ＨＦＣ１３４ａ等のフロン系冷媒、メタノール、アルコール等のアルコール系冷媒、アセトン等のケトン系冷媒等を用いることができる。
【００３７】
本例の電力変換装置１は、図６に示す電力変換回路を構成しており、直流電源（バッテリー１０１）の電圧を昇圧するコンバータ１１と、昇圧した直流電力を交流電力に変換して交流負荷（回転電機１０２）へ出力するインバータ１２とを有する。インバータ１２及びコンバータ１１は、上記の機能と反対の機能、すなわち、交流電力を直流電力へ変換する機能、及び直流電力を降圧する機能をもそれぞれ備えている。
【００３８】
コンバータ１１は、複数の半導体モジュール２、リアクトル１１１、及びフィルタコンデンサ１１２によって構成されている。インバータ１２は、複数の半導体モジュール２、スナバコンデンサ１２１を備えている。さらにコンバータ１１とインバータ１２との間には、平滑コンデンサ１３１、放電抵抗１３２が配線されている。
【００３９】
次に、本例の作用効果につき説明する。
上記電力変換装置１において、少なくとも封止部２３における貫通冷媒流路４１に面する側面２３１は、セラミック層２６によって被覆されている。これにより、貫通冷媒流路４１に面する部分において、熱伝導性の低くなりやすい樹脂からなる封止部２３を少なくし、その分、熱伝導性を比較的高くしやすいセラミック層２６を配置することとなり、貫通冷媒流路４１を流れる冷却媒体Ｗと半導体素子２１との間の熱交換効率を向上させることができる。その結果、封止部２３を介した伝熱をも利用して半導体素子２１の冷却性能を向上させることができる。
【００４０】
また、封止部２３の側面２３１に配置するセラミック層２６は、絶縁性を有するため、封止部２３を減らしてセラミック層２６を配置することによる絶縁性の低下を防ぐことができる。
また、上記のように、半導体素子２１の冷却性能を向上させることができることにより、その高密度化、小型化を図ることもできる。その結果、電力変換装置１の小型化を図ることができる。
【００４１】
また、図２に示すごとく、封止部２３の側面２３１は、放熱板２２の側端面２２３と同一面に形成されているため、封止部２３の体積を充分小さくして、封止部２３を介した半導体素子２１の冷却効率をより向上させることができる。
【００４２】
また、セラミック層２６は、放熱板２２における放熱面２２１及び側端面２２３をも被覆しているため、半導体素子２１の電極間の絶縁性を容易に確保することができる。特に、本例のように、放熱板２２が半導体素子２１の電極に電気的に接続されている場合には、放熱板２２の放熱面２２１や側端面２２３に絶縁層を形成するなど、その絶縁を確保する必要があるが、上記のように封止部２３の側面２３１に形成するセラミック層２６を、放熱板２２の放熱面２２１や側端面２２３にも形成することにより、冷却性能の向上と絶縁性の確保とを一度に実現することができる。
【００４３】
以上のごとく、本例によれば、封止部を介した伝熱をも利用して半導体素子の冷却性能を向上させることができる電力変換装置を提供することができる。
【００４４】
（実施例２）
本例は、図７に示すごとく、封止部２３の側面２３１が放熱板２２の側端面２２３よりも内側に形成されている電力変換装置１の例である。
すなわち、一対の貫通冷媒流路４１にそれぞれ対向する封止部２３の一対の側面２３１が、放熱板２２の側端面２２３よりも内側に形成されている。逆に言うと、各半導体モジュール２における一対の放熱板２２は、封止部２３よりも横方向に突出している。
そして、一対の放熱板２２の間であって、封止部２３の側面２３１の側方には、凹部が形成されることとなる。この凹部には、セラミック層２６の一部が充填される。
その他は、実施例１と同様である。
【００４５】
本例の場合には、封止部２３の体積をより小さくして、封止部２３を介した半導体素子２１の冷却効率をより向上させることができる。また、封止部２３の側面２３１に形成されるセラミック層２６が放熱板２２の内側に配されることとなるため、封止部２３の側面２３１からのセラミック層２６の脱落を効果的に防止することができる。
その他、実施例１と同様の作用効果を有する。
【００４６】
（実施例３）
本例は、図８に示すごとく、一対の放熱板２２と封止部２３の側面２３１との間に形成された凹部に面するように、一対の放熱板２２の内側面に凹凸部２２４を設けた電力変換装置１の例である。
セラミック層２６は、この凹凸部２２４に対して噛み合うように形成されている。
その他は、実施例２と同様である。
本例の場合には、実施例２の場合よりもさらにセラミック層２６の脱落を効果的に防ぐことができる。
その他、実施例２と同様の作用効果を有する。
【００４７】
（実施例４）
本例は、図９に示すごとく、放熱板２２の放熱面２２１に凹凸部２２４を設けた例である。
すなわち、放熱板２２の放熱面２２１に、多数の凹部を設けることによって、凹凸部２２４が形成されている。そして、放熱板２２の放熱面２２１に形成されたセラミック層２６は、凹凸部２２４に対して噛み合うように形成されている。
その他は、実施例２と同様である。
本例の場合には、放熱面２２１からのセラミック層２６の脱落を効果的に防ぐことができる。
その他、実施例２と同様の作用効果を有する。
【００４８】
（実施例５）
本例は、図１０に示すごとく、封止部２３の側面２３１に凹凸部２３４を設けた例である。
そして、封止部２３の側面２３１に形成されたセラミック層２６は、凹凸部２３４に対して噛み合うように形成されている。
その他は、実施例２と同様である。
本例の場合には、封止部２３からのセラミック層２６の脱落をより効果的に防ぐことができる。
その他、実施例２と同様の作用効果を有する。
【００４９】
（実施例６）
本例は、図１１に示すごとく、放熱板２２の高さ方向の両側に形成された封止部２３における、放熱面２２１と平行な面に、凹凸部２３４を設けた例である。
そして、封止部２３を覆うセラミック層２６は、凹凸部２３４に対して噛み合うように形成されている。
その他は、実施例１と同様である。
本例の場合には、封止部２３からのセラミック層２６の脱落をより効果的に防ぐことができる。
その他、実施例１と同様の作用効果を有する。
【００５０】
（実施例７）
本例は、図１２に示すごとく、放熱板２２における放熱面２２１と側端面２２３との間の角部を曲面２２５によって構成した電力変換装置１の例である。
この曲面２２５は、曲率半径が放熱板２２の厚みの半分以下の円弧面であることが好ましく、例えば、曲率半径が０．５〜２．０ｍｍ程度の円弧面とすることが好ましい。
その他は、実施例５と同様である。
【００５１】
本例の場合には、上記角部（曲面２２５）を覆うように形成されたセラミック層２６に、応力が集中することを防ぎ、割れが生じることを効果的に防ぐことができる。
その他、実施例５と同様の作用効果を有する。
なお、放熱板２２における放熱面２２１と側端面２２３との間の角部以外にも、セラミック層２６に向かって凸の状態に形成された、放熱板２２や封止部２３における角部についても、実施例７と同様に、曲面とすることが好ましい。
【００５２】
本発明は、上記実施例以外にも種々の態様をとることができる。
すなわち、本発明に係る電力変換装置として、例えば、上記実施例のうちの複数を適宜組み合わせた態様とすることもできる。
【符号の説明】
【００５３】
１  電力変換装置
２  半導体モジュール
２１  半導体素子
２２  放熱板
２２１  放熱面
２３  封止部
２３１  側面
２４  壁部
２６  セラミック層
３  蓋部
４  冷媒流路
４１  貫通冷媒流路
４２  沿面冷媒流路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2012010543.tif 000007
【図６】
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【図７】
2012010543.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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