(57)【要約】【課題】イオン性不純物を周辺電極近傍に確実に引き寄せて、周辺電極近傍に滞留させておくことにより、イオン性不純物に起因する表示品位の低下を確実に防止することができる液晶装置、および当該液晶装置を備えた投射型表示装置を提供すること。【解決手段】液晶装置１００の第１基板１０において、画素領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた周辺領域１０ｂには第１周辺電極９ｓおよび第２周辺電極９ｔが設けられ、第１周辺電極９ｓ、第２周辺電極９ｔ、および対向基板の共通電極に印加される電位の高低は、以下の条件  第２周辺電極９ｔ＜共通電極＜第１周辺電極９ｓを満たしている。このため、第１周辺電極９ｓと共通電極との間、第２周辺電極９ｔと共通電極との間、および第１周辺電極９ｓと第２周辺電極９ｔとの間に電界が形成される。【選択図】図４
2012083513.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方面側に複数の画素電極が配列して構成される画素領域が設けられた第１基板と、
共通電位が印加される共通電極が設けられた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わすシール材と、
前記第１基板と前記第２基板との間において前記シール材で囲まれた領域内に保持された液晶層と、
前記第１基板の一方面側において、前記画素領域と前記シール材とに挟まれた周辺領域に設けられ、前記共通電位と異なる定電位が印加された第１周辺電極と、
を有していることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記周辺領域には、前記第１周辺電極と異なる定電位が印加された第２周辺電極が当該第１周辺電極と隣り合う箇所に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記第１周辺電極に印加される電位、前記第２周辺電極に印加される電位、および前記共通電極に印加される電位は、以下の条件
第２周辺電極＜共通電極＜第１周辺電極
を満たしていることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記画素領域および前記シール材は、全体として四角形状を備え、
前記第１周辺電極および前記第２周辺電極は、前記画素領域の角部分と前記シール材の角部分とに挟まれた角領域に設けられていることを特徴とする請求項２または３に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記第１周辺電極および前記第２周辺電極は、４つの前記角領域のみに設けられていることを特徴とする請求項４に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記第１周辺電極および前記第２周辺電極は、４つの前記角領域の全てに設けられ、
前記４つの角領域のうち、隣り合う２つの角領域に配置された前記第１周辺電極同士は前記画素領域の辺部分に沿って延在する第１延在部によって繋がっており、
前記４つの角領域のうち、隣り合う２つの角領域に配置された前記第２周辺電極同士は前記画素領域の辺部分に沿って延在する第２延在部によって繋がっていることを特徴とする請求項４に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記第１周辺電極は、前記第１延在部よりも幅寸法が大であり、
前記第２周辺電極は、前記第２延在部よりも幅寸法が大であることを特徴とする請求項６に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記第１周辺電極および前記第２周辺電極は、前記画素電極と同一の導電材料からなることを特徴とする請求項２乃至７の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記第１基板には、前記画素領域の外側に前記画素電極と同一の導電材料からなる複数のダミー画素電極が設けられ、
当該複数のダミー画素電極の一部同士が繋がって前記第１周辺電極および前記第２周辺電極が構成されていることを特徴とする請求項２乃至７の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れか一項に記載の液晶装置を備えた投射型表示装置であって、
前記液晶装置に供給される光を出射する光源部と、
前記液晶装置によって変調された光を投射する投射光学系と、
を有していることを特徴とする投射型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の基板間に液晶が保持された液晶装置、および当該液晶装置をライトバルブとして用いた投射型表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、一方面側に複数の画素電極が配列して構成される画素領域が設けられた第１基板と、共通電位が印加される共通電極が設けられた第２基板とがシール材によって貼り合わされ、第１基板と第２基板との間においてシール材で囲まれた領域内には液晶層が保持されている。かかる液晶装置は、直視型表示装置や投射型表示装置のライトバルブとして用いられている。
【０００３】
このような液晶装置において、液晶注入時に混入したイオン性不純物やシール材から溶出したイオン性不純物が、液晶装置の駆動により、画素領域内で凝集すると、画像の焼き付き（シミ）等といった表示品位の低下を招く。そこで、画素領域の外側に周辺電極を設け、かかる周辺電極により、イオン性不純物が画素領域内で凝集することを防止する技術が提案されている（特許文献１〜３参照）。
【０００４】
例えば、特許文献１に記載の技術では、周辺領域の角部分に、共通電極と同一電位が印加される周辺電極（ダミー配線電極）を設け、周辺電極にイオン性不純物を引き寄せる。特許文献２に記載の技術では、画素領域の周りを囲むように第１周辺電極と第２周辺電極とを設け、第１周辺電極および第２周辺電極に異なる電位を印加するとともに、フレーム毎に第１周辺電極および第２周辺電極に印加する電位の極性を反転させ、第１周辺電極と第２周辺電極との間の横電界により、液晶の微小な揺らぎとイオン性不純物の移動とを行わせている。特許文献３に記載の技術では、画素領域の周りを囲むように周辺電極を設け、周辺電極に画素電極に印加する信号よりも周波数の高い電位を印加して、イオン性不純物を周辺領域に移動させる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１７１０３３号公報の段落［００４９］等
【特許文献２】特開２００８−５８４９７号公報の図４等
【特許文献３】特開２００８−２６８２５３号公報の段落［００５３］等
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１〜３のいずれに記載の技術でも、イオン性不純物に起因する表示品位の低下を防止することができないという問題点がある。すなわち、特許文献１に記載の技術のように、第１基板側のダミー配線電極と、第２基板側の共通電極とに同一の電位を印加した場合、ダミー配線電極と共通電極との間に電界を形成できないため、イオン性不純物を十分、引き寄せることができないという問題点がある。また、特許文献２、３に記載の技術のように、周辺電極に印加される電位の極性が変化する場合、イオン性不純物のうち、例えば、アニオン性不純物は、周辺電極の電位が正の極性のときには周辺電極に向けて移動するが、負の極性に切り換わると、周辺電極から離間する方向に向けて移動するため、周辺電極の近傍にイオン性不純物を引き寄せておくことができないという問題点がある。それ故、特許文献１〜３のいずれに記載の技術でも、画素領域内でイオン性不純物が凝集することを確実に防止することは困難であるため、イオン性不純物に起因する表示品位の低下を防止することができないという問題点がある。
【０００７】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、イオン性不純物を周辺電極近傍に確実に引き寄せて、周辺電極近傍に滞留させておくことにより、イオン性不純物に起因する表示品位の低下を確実に防止することができる液晶装置、および当該液晶装置を備えた投射型表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明に係る液晶装置は、一方面側に複数の画素電極が配列して構成される画素領域が設けられた第１基板と、共通電位が印加される共通電極が設けられた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わすシール材と、前記第１基板と前記第２基板との間において前記シール材で囲まれた領域内に保持された液晶層と、前記第１基板の一方面側において、前記画素領域と前記シール材とに挟まれた周辺領域に設けられ、前記共通電位と異なる定電位が印加された第１周辺電極と、を有していることを特徴とする。
【０００９】
本発明に係る液晶装置において、第１基板の周辺領域には、共通電位と異なる定電位が印加された第１周辺電極が設けられているため、第１周辺電極と共通電極との間には、液晶層の層厚方向の電界が生成される。このため、液晶注入時に混入したイオン性不純物やシール材から溶出したイオン性不純物が液晶中に存在し、かかるイオン性不純物が液晶駆動に伴って画素領域の端部に凝集した場合でも、イオン性不純物は、周辺領域において第１周辺電極あるいは共通電極において第１周辺電極と対向する部分に効率よく引き寄せられる。また、第１周辺電極に印加されるのは定電位であるため、第１周辺電極あるいは共通電極において第１周辺電極と対向する部分に引き寄せられたイオン性不純物は、そこで凝集した状態のまま周辺領域に滞留するので、イオン性不純物が画素領域に滲み出ない。それ故、イオン性不純物に起因する表示品位の低下を確実に防止することができる。さらに、第１周辺電極を第１基板側のみに設ければよく、第２基板側には周辺電極を設ける必要がないので、第２基板に対する給電は共通電極のみに対して行えばよいので、基板間導通を追加する必要がない等、簡素な構成で、イオン性不純物に起因する表示品位の低下を確実に防止することができる。さらにまた、第１周辺電極には定電位を印加すればよいので、簡素な回路構成により、イオン性不純物に起因する表示品位の低下を確実に防止することができる。
【００１０】
本発明において、前記周辺領域には、前記第１周辺電極と異なる定電位が印加された第２周辺電極が当該第１周辺電極と隣り合う箇所に設けられていることが好ましい。かかる構成によれば、第１周辺電極と第２周辺電極との間には横電界が発生するので、かかる横電界を利用してイオン性不純物を効率よく引き寄せ、そこに凝集した状態のまま滞留させることができる。それ故、イオン性不純物に起因する表示品位の低下を確実に防止することができる。
【００１１】
本発明において、前記第１周辺電極に印加される電位、前記第２周辺電極に印加される電位、および前記共通電極に印加される電位は、以下の条件
第２周辺電極＜共通電極＜第１周辺電極
を満たしていることが好ましい。かかる構成によれば、第２周辺電極と共通電極との間にも、第１周辺電極と共通電極との間と同様、液晶層の層厚方向の電界が生成されるため、イオン性不純物は、第２周辺電極あるいは共通電極において第２周辺電極と対向する部分に効率よく引き寄せられる。その際、アニオン性不純物およびカチオン性不純物は各々、第１周辺電極および第２周辺電極に引き寄せられ、そこで凝集した状態のまま滞留する。それ故、イオン性不純物に起因する表示品位の低下を確実に防止することができる。
【００１２】
本発明において、前記画素領域および前記シール材は各々、全体として四角形状を備え、前記第１周辺電極および前記第２周辺電極は、前記画素領域の角部分と前記シール材の角部分とに挟まれた角領域に設けられていることが好ましい。液晶駆動の際、イオン性不純物は、画素領域の角部分に偏在しようとするため、角領域に第１周辺電極および第２周辺電極を配置すれば、イオン性不純物を画素領域から効率よく引き寄せ、そこに凝集した状態のまま滞留させることができる。また、シール材の角部分を湾曲させた形状とした場合、画素領域の角部分の外側では、周辺領域の幅寸法が他の箇所に比較して狭くなることが多いため、凝集したイオン性不純物が画素領域の角部分にはみ出やすい傾向があるが、角領域に第１周辺電極および第２周辺電極を配置すれば、イオン性不純物を効率よく引き寄せ、そこに凝集した状態のまま滞留させることができる。それ故、イオン性不純物に起因する表示品位の低下を確実に防止することができる。
【００１３】
本発明において、前記第１周辺電極および前記第２周辺電極は、４つの前記角領域のみに設けられていることが好ましい。イオン性不純物が画素領域内にはみ出やすいのは、角領域であるため、かかる角領域に第１周辺電極および第２周辺電極を設ければ、イオン性不純物に起因する表示品位の低下を効果的に防止することができる。
【００１４】
本発明において、前記第１周辺電極および前記第２周辺電極は、４つの前記角領域の全てに設けられ、前記４つの角領域のうち、隣り合う２つの角領域に配置された前記第１周辺電極同士は前記画素領域の辺部分に沿って延在する第１延在部によって繋がっており、前記４つの角領域のうち、隣り合う２つの角領域に配置された前記第２周辺電極同士は前記画素領域の辺部分に沿って延在する第２延在部によって繋がっている構成を採用することができる。かかる構成によれば、画素領域の周り全体において、イオン性不純物を引き寄せ、そこに凝集した状態のまま滞留させることができる。それ故、イオン性不純物に起因する表示品位の低下を確実に防止することができる。
【００１５】
本発明において、前記第１周辺電極は、前記第１延在部よりも幅寸法が大であり、前記第２周辺電極は、前記第２延在部よりも幅寸法が大であることが好ましい。かかる構成によれば、イオン性不純物が偏在しやすい角部分に位置する第１周辺電極および第２周辺電極の面積が広いので、角領域に引き寄せられたイオン性不純物を第１周辺電極および第２周辺電極の形成領域およびその近傍に大量に滞留させることができる。
【００１６】
本発明において、前記第１周辺電極および前記第２周辺電極は、前記画素電極と同一の導電材料からなることが好ましい。かかる構成によれば、新たな導電膜を追加しなくても、第１基板の上層側に第１周辺電極および第２周辺電極を設けることができる。
【００１７】
本発明において、前記第１基板には、前記画素領域の外側に前記画素電極と同一の導電材料からなる複数のダミー画素電極が設けられ、当該複数のダミー画素電極の一部同士が繋がって前記第１周辺電極および前記第２周辺電極が構成されていることが好ましい。周辺領域にダミー画素電極を設ければ、画素領域と周辺領域との境界部分において第１基板の最上層を連続した平坦面とすることができる等の利点がある。また、ダミー画素電極を利用して第１周辺電極および第２周辺電極を形成すれば、新たな導電膜を追加しなくても、第１基板の上層側に第１周辺電極および第２周辺電極を設けることができる。
【００１８】
本発明に係る液晶装置は、例えば、投射型表示装置のライトバルブや直視型表示装置として用いられる。本発明に係る液晶装置を投射型表示装置に用いる場合、投射型表示装置には、前記液晶装置に供給される光を出射する光源部と、前記液晶装置によって変調された光を投射する投射光学系と、が設けられる。かかる構成によれば、投射型表示装置や直視型表示装置において、イオン性不純物に起因する表示品位の低下を確実に防止することができる。また、投射型表示装置の場合は特に液晶装置に耐熱性が要求されることから、配向膜としてイオン性不純物を吸着しやすい無機配向膜を用いることになって、画素領域内でイオン性不純物が凝集しやすいが、本発明によれば、無機配向膜を用いた場合でも、画素領域内でイオン性不純物が凝集することを確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明を適用した液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】本発明を適用した液晶装置の液晶パネルの説明図である。
【図３】本発明を適用した液晶装置の画素の説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る液晶装置に用いた第１基板の構成を示す説明図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る液晶装置に用いた電極の構成を示す説明図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係る液晶装置に用いた第１基板の構成を示す説明図である。
【図７】本発明の実施の形態２に係る液晶装置に用いた電極の構成を示す説明図である。
【図８】本発明の実施の形態２の改良例に係る液晶装置に用いた電極の構成を示す説明図である。
【図９】本発明の実施の形態３に係る液晶装置に用いた第１基板の構成を示す説明図である。
【図１０】本発明の実施の形態４に係る液晶装置に用いた第１基板の構成を示す説明図である。
【図１１】本発明の実施の形態５に係る液晶装置に用いた第１基板の構成を示す説明図である。
【図１２】本発明の実施の形態６に係る液晶装置に用いた第１基板の構成を示す説明図である。
【図１３】本発明を適用した液晶装置を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、電界効果型トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。
【００２１】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明を適用した液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。図１において、液晶装置１００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを有しており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画素領域１０ａ（画像表示領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する第１基板１０（図２等を参照）では、画素領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００２２】
第１基板１０において、画素領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００２３】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する第２基板２０（図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量５５が付加されている。本形態では、保持容量５５を構成するために、複数の画素１００ａに跨って走査線３ａと並行して延びた容量線５ｂが形成されている。
【００２４】
かかる液晶装置１００において、走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１の形成領域およびその近傍では、共通電位Ｖcomが印加された共通電位線５ｃ、定電位Ｖsが印加された高電位側の第１定電位線６ｓ、および定電位Ｖtが印加された低電位側の第２定電位線６ｔ等の配線が延在しており、容量線５ｂは共通電位線５ｃに電気的に接続されている。また、第１定電位線６ｓおよび第２定電位線６ｔに対しては、後述する周辺電極が電気的に接続されている。
【００２５】
（液晶パネル１００ｐおよび第１基板１０の構成）
図２は、本発明を適用した液晶装置１００の液晶パネル１００ｐの説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した液晶装置１００の液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。図２（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶パネル１００ｐでは、第１基板１０と第２基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は第２基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。
【００２６】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、第１基板１０および第２基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した画素領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と画素領域１０ａの外周縁との間には、略四角形の周辺領域１０ｂが額縁状に設けられている。
【００２７】
第１基板１０において、画素領域１０ａの外側では、第１基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。
【００２８】
詳しくは後述するが、第１基板１０の一方側の基板面において、画素領域１０ａには、図１を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。
【００２９】
また、第１基板１０の一方側の基板面において、周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂ（図２（ｂ）参照）が形成されている。ここで、ダミー画素電極９ｂについては、ダミーの画素トランジスターと電気的に接続された構成、ダミーの画素トランジスターが設けられずに配線に直接、電気的に接続された構成、あるいは電位が印加されていないフロート状態にある構成が採用される。かかるダミー画素電極９ｂは、第１基板１０において配向膜１６が形成される面を研磨により平坦化する際、画素領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。また、ダミー画素電極９ｂを所定の電位に設定すれば、画素領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止することができる。
【００３０】
第２基板２０において第１基板１０と対向する一方の基板面には共通電極２１が形成されており、共通電極２１の上層には配向膜２６が形成されている。共通電極２１は、第２基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。また、第２基板２０において第１基板１０と対向する一方の基板面には、共通電極２１の下層側に遮光層１０８が形成されている。本形態において、遮光層１０８は、画素領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁状に形成されている。ここで、遮光層１０８の外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にあり、遮光層１０８とシール材１０７とは重なっていない。なお、第２基板２０において、遮光層１０８は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた領域と重なる領域等にも形成されることがある。
【００３１】
このように構成した液晶パネル１００ｐにおいて、第１基板１０には、シール材１０７より外側において第２基板２０の角部分と重なる領域に、第１基板１０と第２基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極１０９が形成されており、かかる基板間導通用電極１０９は、共通電位線５ｃに電気的に接続している。また、基板間導通用電極１０９と重なる位置には、いわゆる銀点等の基板間導通材１０９ａが配置されており、第１基板１０の共通電位線５ｃと第２基板２０の共通電極２１とは、基板間導通材１０９ａを介して電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、第１基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。
【００３２】
ここで、シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって第２基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、第２基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極１０９を避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。
【００３３】
かかる構成の液晶装置１００において、画素電極９ａおよび共通電極２１を透光性導電膜により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。これに対して、画素電極９ａおよび共通電極２１の一方を透光性導電膜により形成し、他方を反射性導電膜により形成すると、反射型の液晶装置を構成することができる。液晶装置１００が反射型である場合、第１基板１０および第２基板２０のうち、一方側の基板から入射した光が他方側の基板で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。液晶装置１００が透過型である場合、第１基板１０および第２基板２０のうち、一方側の基板から入射した光が他方側の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００３４】
液晶装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、第２基板２０には、カラーフィルター（図示せず）や保護膜が形成される。また、液晶装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、液晶装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各液晶装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００３５】
本形態において、液晶装置１００が、後述する投射型表示装置においてＲＧＢ用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置であって、第２基板２０から入射した光が第１基板１０を透過して出射される場合を中心に説明する。また、本形態において、液晶装置１００は、液晶層５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えている場合を中心に説明する。
【００３６】
（画素の具体的構成）
図３は、本発明を適用した液晶装置１００の画素の説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した液晶装置１００に用いた第１基板１０において隣り合う画素の平面図、および図３（ａ）のＦ−Ｆ′線に相当する位置で液晶装置１００を切断したときの断面図である。なお、図３（ａ）では、半導体層は細くて短い点線で示し、走査線３ａは太い実線で示し、データ線６ａおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、容量線５ｂは二点鎖線で示し、画素電極９ａは太くて長い点線で示し、後述する下電極層は細い実線で示してある。
【００３７】
図３（ａ）に示すように、第１基板１０上には、複数の画素１００ａの各々に矩形状の画素電極９ａが形成されており、各画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。データ線６ａおよび走査線３ａは各々、直線的に延びており、データ線６ａと走査線３ａとが交差する領域に画素トランジスター３０が形成されている。第１基板１０上には、走査線３ａと重なるように容量線５ｂが形成されている。本形態において、容量線５ｂは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。
【００３８】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、第１基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの液晶層５０側の表面（一方面側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、および配向膜１６を主体として構成されており、第２基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（一方面側）に形成された共通電極２１、および配向膜２６を主体として構成されている。
【００３９】
第１基板１０において、複数の画素１００ａの各々には、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。半導体層１ａは、走査線３ａの一部からなるゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇと、ソース領域１ｂと、ドレイン領域１ｃとを備えており、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、低濃度領域および高濃度領域を備えている。半導体層１ａは、例えば、基板本体１０ｗ上に下地絶縁膜１２を介して形成された多結晶シリコン膜等によって構成され、ゲート絶縁層２は、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる。また、ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化してなるシリコン酸化膜と、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜との２層構造を有する場合もある。走査線３ａには、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜が用いられる。
【００４０】
走査線３ａの上層側にはシリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁膜４１が形成されており、第１層間絶縁膜４１の上層には下電極層４ａが形成されている。下電極層４ａは、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する位置を基点として走査線３ａおよびデータ線６ａに沿って延出する略Ｌ字型に形成されている。下電極層４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなり、コンタクトホール７ｃを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続されている。
【００４１】
下電極層４ａの上層側には、シリコン窒化膜等からなる誘電体層４２が形成されている。誘電体層４２の上層側には、誘電体層４２を介して下電極層４ａと対向するように容量線５ｂ（上電極層）が形成され、かかる容量線５ｂ、誘電体層４２および下電極層４ａによって、保持容量５５が形成されている。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなる。ここで、下電極層４ａ、誘電体層４２および容量線５ｂ（上電極層）は、画素トランジスター３０の上層側に形成され、画素トランジスター３０に対して平面視で重なっている。このため、保持容量５５は、画素トランジスター３０の上層側に形成され、少なくとも画素トランジスター３０に対して平面視で重なっている。
【００４２】
容量線５ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる第２層間絶縁膜４３が形成され、第２層間絶縁膜４３の上層にはデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂが形成されている。データ線６ａはコンタクトホール７ａを介してソース領域１ｂに電気的に接続している。ドレイン電極６ｂはコンタクトホール７ｂを介して下電極層４ａに電気的に接続し、下電極層４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなる。
【００４３】
データ線６ａおよびドレイン電極６ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる第３層間絶縁膜４４が形成されている。第３層間絶縁膜４４には、ドレイン電極６ｂへ通じるコンタクトホール７ｄが形成されている。第３層間絶縁膜４４の上層には、ＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる画素電極９ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール７ｄを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続されている。本形態において、第３層間絶縁膜４４の表面は平坦面になっている。
【００４４】
ここで、第３層間絶縁膜４４の表面には、図２（ｂ）を参照して説明したダミー画素電極９ｂ（図３には図示せず）が形成されており、かかるダミー画素電極９ｂは、画素電極９ａと同時形成された透光性導電膜からなる。また、図１に示す共通電位線５ｃ、第１定電位線６ｓ、および第２定電位線６ｔ等の配線は、データ線６ａ、走査線３ａ、容量線５ｂ等の配線と同時形成された導電膜からなる。
【００４５】
画素電極９ａの表面には配向膜１６が形成されている。配向膜１６は、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）であり、配向膜１６と画素電極９ａとの層間にはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の保護膜１７が形成されている。保護膜１７は、表面が平坦面になっており、画素電極９ａの間に形成された凹部を埋めている。従って、配向膜１６は、保護膜１７の平坦な表面に形成されている。
【００４６】
第２基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗの液晶層５０側の表面（第１基板１０に対向する側の面）に共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように配向膜２６が形成されている。配向膜２６は、配向膜１６と同様、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜２６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）であり、配向膜２６と共通電極２１との層間にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の保護膜２７が形成されている。保護膜２７は、表面が平坦面になっており、かかる平坦面上に配向膜２６が形成されている。かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。
【００４７】
なお、本形態の液晶装置１００では、図１および図２を参照して説明したデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４には、Ｎチャネル型の駆動用トランジスターとＰチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、画素トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、第１基板１０においてデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されている領域も、図３（ｂ）に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。このため、液晶装置１００において、周辺領域１０ｂで、ダミー画素電極９ｂや、後述する周辺電極を下層側の定電位配線に電気的接続するには、絶縁膜に形成したコンタクトホールが利用される。
【００４８】
（周辺電極の構成）
図４は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００に用いた第１基板１０の構成を示す説明図である。図５は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００に用いた電極の構成を示す説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）は、電極全体のレイアウトを示す説明図、および周辺領域の角部分を拡大して示す説明図である。なお、図４および図５において画素電極９ａやダミー画素電極９ｂの数等について少なく示してある。例えば、図４では、周辺領域１０ｂの幅寸法はダミー画素電極２列分として表され、図５では、周辺領域１０ｂの幅寸法はダミー画素電極４列分として表されている。また、図４には、第２基板２０の輪郭も表してある。
【００４９】
図４および図５に示すように、本形態の液晶装置１００において、第１基板１０の略中央位置には、複数の画素電極９ａが配列された画素領域１０ａと、画素領域１０ａとシール材１０７とにより挟まれた周辺領域１０ｂとが設けられており、周辺領域１０ｂには複数のダミー画素電極９ｂが形成されている。また、走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１では、共通電位Ｖcomが印加された共通電位線５ｃ、定電位Ｖsが印加された高電位側の第１定電位線６ｓ、および定電位Ｖtが印加された低電位側の第２定電位線６ｔ等の配線が延在しており、かかる配線に対して、以下に説明する周辺電極が電気的に接続されている。
【００５０】
本形態において、複数のダミー画素電極９ｂのうち、一部のダミー画素電極９ｂ同士は、ダミー画素電極９ｂの幅よりも細く形成された連結部９ｕを介して繋がっており、互いに隣り合う位置に第１周辺電極９ｓ（図４および図５において右上がりの斜線を付した領域）と第２周辺電極９ｔ（図４および図５において右下がりの斜線を付した領域）とを構成している。本形態においては、複数のダミー画素電極９ｂのうち、画素領域１０ａの角部分とシール材１０７の角部分とによって挟まれた４つの角領域１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆに位置する複数のダミー画素電極９ｂは、連結部９ｕを介して連結され、第１周辺電極９ｓと第２周辺電極９ｔとを構成している。本形態においては、第２周辺電極９ｔは、角領域１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆにおいて画素領域１０ａの角部分に沿って延在するＬ字形状に形成され、第１周辺電極９ｓは、角領域１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆにおいて第２周辺電極９ｔと離間して第２周辺電極９ｔの外縁に沿って延在するＬ字形状に形成されている。なお、第１周辺電極９ｓおよび第２周辺電極９ｔについてその位置を入れ換えてもよく、第１周辺電極９ｓが角領域１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆにおいて画素領域１０ａの角部分に沿って延在するＬ字形状に形成され、第２周辺電極９ｔは、角領域１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆにおいて第２周辺電極９ｔの外縁に沿って延在するＬ字形状に形成されている構成を採用してもよい。本形態においては、第１周辺電極９ｓ及び第２周辺電極９ｔは、各角領域１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆにそれぞれ対応して設けられている。また、本実施例では、第１周辺電極９ｓを構成するダミー画素電極９ｂの数が、第２周辺電極９ｔを構成するダミー画素電極９ｂの数よりも多い構成となっている。
【００５１】
ここで、第１周辺電極９ｓは、定電位Ｖsが印加された高電位側の第１定電位線６ｓに電気的に接続し、第２周辺電極９ｔは、定電位Ｖtが印加された低電位側の第２定電位線６ｔに電気的に接続している。また、ダミー画素電極９ｂのうち、第１周辺電極９ｓおよび第２周辺電極９ｔとして利用されていないダミー画素電極９ｂは、電位が印加されずにフロート状態にある。
【００５２】
本形態の液晶装置１００において、液晶層５０を反転駆動するにあたって、共通電極２１に印加された共通電位Ｖcomは０Ｖで一定であり、画素電極９ａに印加される信号の極性が反転する。また、共通電極２１に印加された共通電位Ｖcom、第１周辺電極９ｓに印加された定電位Ｖs、および第２周辺電極９ｔに印加された定電位Ｖtは、以下の関係
定電位Ｖt＜Ｖcom＝０Ｖ＜定電位Ｖs
にある。従って、第１周辺電極９ｓに印加された定電位Ｖsは、共通電極２１に印加された共通電位Ｖcomと相違する。また、第２周辺電極９ｔに印加された定電位Ｖtは、第１周辺電極９ｓに印加された定電位Ｖsと相違し、かつ、共通電極２１に印加された共通電位Ｖcomとも相違する。
【００５３】
このように構成した液晶装置１００では、液晶装置１００を駆動中、共通電極２１には共通電位Ｖcomが印加され、第１周辺電極９ｓには定電位Ｖsが印加され、第２周辺電極９ｔには定電位Ｖtが印加された状態にある。このため、以下に説明するように、液晶装置１００を製造する際の液晶注入時に混入したイオン性不純物やシール材１０７から溶出したイオン性不純物が液晶層５０内に存在しても、かかるイオン性不純物は周辺領域１０ｂに引き寄せられるので、イオン性不純物に起因する画像の焼き付き（シミ）等といった表示品位の低下が発生しない。
【００５４】
すなわち、液晶装置１００を製造する際の液晶注入時に混入したイオン性不純物やシール材１０７から溶出したイオン性不純物が液晶層５０に存在しても、液晶装置１００において検査用の通電を行えば、画素領域１０ａから角領域１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆに向かってイオン性不純物を引き寄せてそこに滞留させておくことができる。また、液晶装置１００を製造した後、液晶装置１００に表示動作を実行させれば、画素領域１０ａから角領域１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆに向かってイオン性不純物を引き寄せてそこに滞留させておくことができる。
【００５５】
より具体的には、第２基板２０側において共通電極２１に共通電位Ｖcomが印加され、第１基板１０側において第１周辺電極９ｓおよび第２周辺電極９ｔに定電位Ｖs、Ｖtが印加されると、第１周辺電極９ｓと共通電極２１との間、および第２周辺電極９ｔと共通電極２１との間には、液晶層５０の層厚方向の電界が生成される。また、第１周辺電極９ｓと第２周辺電極９ｔとの間には、横方向の電界が発生する。このため、液晶注入時に混入したイオン性不純物やシール材１０７から溶出したイオン性不純物が液晶層５０中に存在していても、かかるイオン性不純物は、第１周辺電極９ｓ、第２周辺電極９ｔ、共通電極２１において第１周辺電極９ｓと対向する部分、および共通電極２１において第２周辺電極９ｔと対向する部分に効率よく引き寄せられる。また、液晶装置１００が表示動作を行った際、液晶層５０に用いた液晶分子の姿勢が切り換わり、それに伴う液晶分子の微小な揺らぎによって、液晶層５０中のイオン性不純物が画素領域１０ａの角部分に集中しようとした場合でも、イオン性不純物は、第１周辺電極９ｓ、第２周辺電極９ｔ、共通電極２１において第１周辺電極９ｓと対向する部分、および共通電極２１において第２周辺電極９ｔと対向する部分に引き寄せられ、そこで凝集した状態のまま滞留するので、イオン性不純物が画素領域１０ａにおいて凝集することがない。さらに、液晶装置１００を反転駆動した際の直流成分のアンバランスにより、液晶層５０中のイオン性不純物が画素領域１０ａの角部分に集中しようとした場合でも、イオン性不純物は、第１周辺電極９ｓ、第２周辺電極９ｔ、共通電極２１において第１周辺電極９ｓと対向する部分、および共通電極２１において第２周辺電極９ｔと対向する部分に引き寄せられ、そこで凝集した状態のまま滞留するので、イオン性不純物が画素領域１０ａにおいて凝集することがない。
【００５６】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の液晶装置１００において、第１基板１０の周辺領域１０ｂには、共通電極２１と異なる定電位Ｖsが印加された第１周辺電極９ｓが設けられているため、第１周辺電極９ｓと共通電極２１との間には、液晶層５０の層厚方向の電界が生成される。このため、液晶注入時に混入したイオン性不純物やシール材から溶出したイオン性不純物が液晶中に存在し、かかるイオン性不純物が液晶駆動に伴って画素領域１０ａの端部に凝集した場合でも、イオン性不純物は、第１周辺電極９ｓあるいは共通電極２１において第１周辺電極９ｓと対向する部分に効率よく引き寄せられる。また、第１周辺電極９ｓに印加されるのは定電位であるため、第１周辺電極９ｓあるいは共通電極２１において第１周辺電極９ｓと対向する部分に引き寄せられたイオン性不純物は、そこで凝集した状態のまま滞留するので、イオン性不純物が画素領域１０ａに滲み出ない。それ故、イオン性不純物に起因する表示品位の低下を確実に防止することができる。しかも、第１周辺電極９ｓについては第１基板１０側のみに設ければよく、第２基板２０側には周辺電極を設ける必要がないので、第２基板２０に対する給電は共通電極２１のみに対して行えばよいので、基板間導通を追加する必要がない等、簡素な構成で、イオン性不純物に起因する表示品位の低下を確実に防止することができる。
【００５７】
また、周辺領域１０ｂには、第１周辺電極９ｓと異なる定電位Ｖtが印加された第２周辺電極９ｔが第１周辺電極９ｓと隣り合う箇所に設けられている。このため、第１周辺電極９ｓと第２周辺電極９ｔとの間には横電界が発生するので、かかる横電界を利用してイオン性不純物を効率よく引き寄せ、そこに凝集した状態のまま滞留させることができる。それ故、イオン性不純物に起因する表示品位の低下を確実に防止することができる。
【００５８】
しかも、第１周辺電極９ｓに印加される定電位Ｖs、第２周辺電極９ｔに印加される定電位Ｖt、および共通電極２１に印加される共通電位Ｖcomの高低関係は、以下の条件
第２周辺電極９ｔ＜共通電極２１＜第１周辺電極９ｓ
であり、第２周辺電極９ｔに印加される定電位Ｖtと、共通電極２１に印加される共通電位Ｖcomは相違している。このため、第２周辺電極９ｔと共通電極２１との間にも、第１周辺電極９ｓと共通電極２１との間と同様、液晶層５０の層厚方向の電界が生成されるため、イオン性不純物は、第２周辺電極９ｔあるいは共通電極２１において第２周辺電極９ｔと対向する部分に効率よく引き寄せられる。また、アニオン性不純物およびカチオン性不純物は各々、第１周辺電極９ｓおよび第２周辺電極９ｔに引き寄せられ、そこで凝集した状態のまま滞留する。それ故、イオン性不純物に起因する表示品位の低下を確実に防止することができる。さらに、第１周辺電極９ｓおよび第２周辺電極９ｔには定電位（定電位Ｖs、Ｖt）を印加すればよいので、簡素な回路構成により、イオン性不純物に起因する表示品位の低下を確実に防止することができる。
【００５９】
さらに、第１周辺電極９ｓおよび第２周辺電極９ｔは、画素領域１０ａの角部分とシール材１０７の角部分とに挟まれた角領域１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆに設けられているため、イオン性不純物に起因する表示品位の低下を確実に防止することができる。すなわち、液晶駆動の際、イオン性不純物は、画素領域１０ａの角部分に偏在しやすいため、角領域１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆに第１周辺電極９ｓおよび第２周辺電極９ｔを配置すれば、イオン性不純物を画素領域１０ａから効率よく引き寄せ、そこに凝集した状態のまま滞留させることができる。
【００６０】
また、シール材１０７の角部分を湾曲させた円弧形状とした場合、画素領域１０ａの角部分の外側では、周辺領域１０ｂの幅寸法が他の箇所に比較して狭くなることが多いため、凝集したイオン性不純物が画素領域１０ａの角部分にはみ出やすい傾向があるが、角領域１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆに第１周辺電極９ｓおよび第２周辺電極９ｔを配置すれば、イオン性不純物を効率よく引き寄せ、そこに凝集した状態のまま滞留させることができる。それ故、イオン性不純物に起因する表示品位の低下を確実に防止することができる。
【００６１】
特に、ＶＡモードの液晶装置１００の場合、液晶分子が垂直姿勢と水平に平伏した姿勢とに切り換わる際の流動によって、プレチルトの方位に対応する対角の角領域（例えば、角領域１０ｃ、１０ｅ）にイオン性不純物が偏在しやすい。しかるに本形態のように、第１周辺電極９ｓおよび第２周辺電極９ｔを少なくとも角領域１０ｃ、１０ｅに設ければ、液晶分子の姿勢が切り換わる際の流動に起因して角領域１０ｃ、１０ｅに偏在するイオン性不純物を周辺領域１０ｂで凝集させ、そこに滞留させることができるという利点がある。
【００６２】
また、第１周辺電極９ｓおよび第２周辺電極９ｔはＬ字形状を有しているので、その分、面積が広い。従って、引き寄せたイオン性不純物を凝集した状態のまま大量に滞留させることができる。それ故、イオン性不純物が画素領域１０ａに滲み出ないので、イオン性不純物に起因する表示品位の低下を確実に防止することができる。
【００６３】
なお、液晶分子の姿勢が切り換わる際の流動に起因するイオン性不純物の偏在が表示品位の低下の主原因である場合、４つの角領域１０ｃ〜１０ｆのうち、プレチルトの方位に対応する対角の角領域のみに第１周辺電極９ｓおよび第２周辺電極９ｔを設けた構成を採用してもよい。
【００６４】
［実施の形態２］
図６は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置１００に用いた第１基板１０の構成を示す説明図である。図７は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置１００に用いた電極の構成を示す説明図であり、図７（ａ）、（ｂ）は、電極全体のレイアウトを示す説明図、および周辺領域の角部分を拡大して示す説明図である。なお、図６および図７において画素電極９ａやダミー画素電極９ｂの数等について少なく示してある。例えば、図６では、周辺領域１０ｂの幅寸法はダミー画素電極２列分として表され、図７では、周辺領域１０ｂの幅寸法はダミー画素電極４列分として表されている。また、図６には、第２基板２０の輪郭も表してある。また、本形態の基本的な構成は実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００６５】
図６および図７に示すように、本形態の液晶装置１００も、実施の形態１と同様、第１基板１０の略中央位置には、複数の画素電極９ａが配列された画素領域１０ａと、画素領域１０ａとシール材１０７とにより挟まれた周辺領域１０ｂとが設けられており、周辺領域１０ｂにはダミー画素電極９ｂが形成されている。
【００６６】
本形態では、実施の形態１と同様、複数のダミー画素電極９ｂのうち、周辺領域１０ｂの４つの角領域１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆに位置する一部のダミー画素電極９ｂ同士は、連結部９ｕを介して繋がって第１周辺電極９ｓおよび第２周辺電極９ｔを構成している。本形態においては、第１周辺電極９ｓおよび第２周辺電極９ｔは、画素領域１０ａの角部分に沿って延在するＬ字形状に形成され、互いに隣り合っている。
【００６７】
また、４つの角領域１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆのうち、互いに隣り合う角領域に形成された第１周辺電極９ｓ同士は、画素領域１０ａの辺部分に沿って延在する第１延在部９ｓａによって繋がっており、互いに隣り合う角領域に形成された第２周辺電極９ｔ同士は、画素領域１０ａの辺部分に沿って延在する第２延在部９ｔａによって繋がっている。第１延在部９ｓａおよび第２延在部９ｔａは、画素領域１０ａの辺部分に沿って配列され、ダミー画素電極９ｂ同士が連結部９ｕを介して繋がった構造になっている。
【００６８】
このように構成した液晶装置１００においても、実施の形態１と同様、第１周辺電極９ｓは、定電位Ｖsが印加された高電位側の第１定電位線６ｓに電気的に接続し、第２周辺電極９ｔは、定電位Ｖtが印加された低電位側の第２定電位線６ｔに電気的に接続している。また、ダミー画素電極９ｂのうち、第１周辺電極９ｓおよび第２周辺電極９ｔとして利用されていないダミー画素電極９ｂは、電位が印加されずにフロート状態にある。また、液晶装置１００では液晶層５０を反転駆動するが、共通電極２１に印加された共通電位Ｖcomは０Ｖで一定である。また、共通電極２１に印加された共通電位Ｖcom、第１周辺電極９ｓに印加された定電位Ｖs、および第２周辺電極９ｔに印加された定電位Ｖtは、以下の関係
定電位Ｖt＜共通電位Ｖcom＝０Ｖ＜定電位Ｖs
にある。
【００６９】
従って、実施の形態１と同様、液晶装置１００を製造する際の液晶注入時に混入したイオン性不純物や、シール材１０７から溶出したイオン性不純物が液晶層５０内に存在しても、かかるイオン性不純物は、第１周辺電極９ｓ、第２周辺電極９ｔ、共通電極２１において第１周辺電極９ｓと対向する部分、および共通電極２１において第２周辺電極９ｔと対向する部分に効率よく引き寄せられ、そこで凝集した状態のまま滞留する。それ故、イオン性不純物が画素領域１０ａに滲み出ないので、イオン性不純物に起因する表示品位の低下を確実に防止することができる等、実施の形態１と同様な効果を奏する。
【００７０】
［実施の形態２の改良例］
図８は、本発明の実施の形態２の改良例に係る液晶装置１００に用いた電極の構成を示す説明図であり、図８（ａ）、（ｂ）は、電極全体のレイアウトを示す説明図、および周辺領域の角部分を拡大して示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は実施の形態２と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００７１】
図８に示すように、本形態の液晶装置１００でも、実施の形態１と同様、第１基板１０の略中央位置には、複数の画素電極９ａが配列された画素領域１０ａと、画素領域１０ａとシール材１０７とにより挟まれた周辺領域１０ｂとが設けられており、周辺領域１０ｂにはダミー画素電極９ｂが形成されている。また、複数のダミー画素電極９ｂのうち、周辺領域１０ｂの４つの角領域１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆに位置する一部のダミー画素電極９ｂ同士は、連結部９ｕを介して繋がって第１周辺電極９ｓおよび第２周辺電極９ｔを構成している。また、本形態の液晶装置１００でも、実施の形態２と同様、４つの角領域１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆのうち、互いに隣り合う角領域に形成された第１周辺電極９ｓ同士は、画素領域１０ａの辺部分に沿って延在する第１延在部９ｓａによって繋がっており、互いに隣り合う角領域に形成された第２周辺電極９ｔ同士は、画素領域１０ａの辺部分に沿って延在する第２延在部９ｔａによって繋がっている。ここで、第１延在部９ｓａおよび第２延在部９ｔａは、画素領域１０ａの辺部分に沿って配列されたダミー画素電極９ｂ同士が連結部９ｕを介して繋がった構造になっている。
【００７２】
また、本形態の液晶装置１００においても、実施の形態１、２と同様、第１周辺電極９ｓは、定電位Ｖsが印加された高電位側の第１定電位線６ｓに電気的に接続し、第２周辺電極９ｔは、定電位Ｖtが印加された低電位側の第２定電位線６ｔに電気的に接続している。また、ダミー画素電極９ｂのうち、第１周辺電極９ｓおよび第２周辺電極９ｔとして利用されていないダミー画素電極９ｂは、電位が印加されずにフロート状態にある。また、液晶装置１００では液晶層５０を反転駆動するが、共通電極２１に印加された共通電位Ｖcomは０Ｖで一定である。また、共通電極２１に印加された共通電位Ｖcom、第１周辺電極９ｓに印加された定電位Ｖs、および第２周辺電極９ｔに印加された定電位Ｖtは、以下の関係
定電位Ｖt＜共通電位Ｖcom＝０Ｖ＜定電位Ｖs
にある。従って、本形態でも、実施の形態１、２と同様、液晶装置１００を製造する際の液晶注入時に混入したイオン性不純物や、シール材１０７から溶出したイオン性不純物が液晶層５０内に存在しても、かかるイオン性不純物は、第１周辺電極９ｓ、第２周辺電極９ｔ、共通電極２１において第１周辺電極９ｓと対向する部分、および共通電極２１において第２周辺電極９ｔと対向する部分に効率よく引き寄せられ、そこで凝集した状態のまま滞留する。それ故、イオン性不純物が画素領域１０ａに滲み出ないので、イオン性不純物に起因する表示品位の低下を確実に防止することができる等、実施の形態１、２と同様な効果を奏する。
【００７３】
ここで、周辺領域１０ｂの角領域１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆに位置する第１周辺電極９ｓの幅寸法は、第１延在部９ｓａの幅寸法より大であり、角領域１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆに位置する第２周辺電極９ｔの幅寸法は、第２延在部９ｔａの幅寸法より大である。すなわち、角領域１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆにおける第１周辺電極９ｓおよび第２周辺電極９ｔの画素領域１０ａとシール材１０７との間の寸法（および形成された面積）が、角領域以外における画素領域１０ａとシール材１０７との間の寸法（および形成された面積）よりも太く形成されている。かかる幅寸法の差は、第１周辺電極９ｓ、第１延在部９ｓａ、第２周辺電極９ｔおよび第２延在部９ｔａを構成するのに利用したダミー画素電極９ｂの数の違いによる。
【００７４】
このような構成の液晶装置１００によれば、周辺領域１０ｂの角領域１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆに位置する第１周辺電極９ｓおよび第２周辺電極９ｔの面積が広いので、引き寄せたイオン性不純物を凝集した状態のまま大量に滞留させることができる。それ故、イオン性不純物が画素領域１０ａに滲み出ないので、イオン性不純物に起因する表示品位の低下を確実に防止することができる。
【００７５】
［実施の形態３］
図９は、本発明の実施の形態３に係る液晶装置１００に用いた第１基板１０の構成を示す説明図である。なお、図９には、第２基板２０の輪郭も表してある。また、本形態の基本的な構成は実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００７６】
図９に示すように、本形態の液晶装置１００でも、実施の形態１と同様、第１基板１０の略中央位置には、複数の画素電極９ａが配列された画素領域１０ａと、画素領域１０ａとシール材１０７とにより挟まれた周辺領域１０ｂとが設けられており、周辺領域１０ｂにはダミー画素電極９ｂが形成されている。また、複数のダミー画素電極９ｂのうち、周辺領域１０ｂの４つの角領域１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆに位置する一部のダミー画素電極９ｂ同士は、連結部を介して繋がって第１周辺電極９ｓおよび第２周辺電極９ｔを構成している。
【００７７】
ここで、第１周辺電極９ｓおよび第２周辺電極９ｔは、Ｌ字形状ではなく、ストライプ状に直線的に延在する形状で対として設けられている。本実施例では、第１周辺電極９ｓを構成するダミー画素電極９ｂの数と、第２周辺電極９ｔを構成するダミー画素電極９ｂの数は同じとされている。
【００７８】
このように構成した液晶装置１００においても、実施の形態１と同様、第１周辺電極９ｓは、定電位Ｖsが印加された高電位側の第１定電位線６ｓに電気的に接続し、第２周辺電極９ｔは、定電位Ｖtが印加された低電位側の第２定電位線６ｔに電気的に接続している。また、ダミー画素電極９ｂのうち、第１周辺電極９ｓおよび第２周辺電極９ｔとして利用されていないダミー画素電極９ｂは、電位が印加されずにフロート状態にある。また、液晶装置１００では液晶層５０を反転駆動するが、共通電極２１に印加された共通電位Ｖcomは０Ｖで一定である。また、共通電極２１に印加された共通電位Ｖcom、第１周辺電極９ｓに印加された定電位Ｖs、および第２周辺電極９ｔに印加された定電位Ｖtは、以下の関係
定電位Ｖt＜共通電位Ｖcom＝０Ｖ＜定電位Ｖs
にある。従って、本形態でも、実施の形態１と同様、液晶装置１００を製造する際の液晶注入時に混入したイオン性不純物や、シール材１０７から溶出したイオン性不純物が液晶層５０内に存在しても、かかるイオン性不純物は、第１周辺電極９ｓ、第２周辺電極９ｔ、共通電極２１において第１周辺電極９ｓと対向する部分、および共通電極２１において第２周辺電極９ｔと対向する部分に効率よく引き寄せられ、そこで凝集した状態のまま滞留する。それ故、イオン性不純物が画素領域１０ａに滲み出ないので、イオン性不純物に起因する表示品位の低下を確実に防止することができる等、実施の形態１、２と同様な効果を奏する。
【００７９】
［実施の形態４］
図１０は、本発明の実施の形態４に係る液晶装置１００に用いた第１基板１０の構成を示す説明図である。なお、図１０には、第２基板２０の輪郭も表してある。また、本形態の基本的な構成は実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００８０】
図１０に示すように、本形態の液晶装置１００でも、実施の形態１と同様、第１基板１０の略中央位置には、複数の画素電極９ａが配列された画素領域１０ａと、画素領域１０ａとシール材１０７とにより挟まれた周辺領域１０ｂとが設けられており、周辺領域１０ｂにはダミー画素電極９ｂが形成されている。
【００８１】
また、複数のダミー画素電極９ｂのうち、周辺領域１０ｂの４つの角領域１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆに位置する一部のダミー画素電極９ｂ同士は、連結部を介して繋がってＬ字形状の第１周辺電極９ｓを構成している。
【００８２】
このように構成した液晶装置１００において、第１周辺電極９ｓは、定電位Ｖsが印加された高電位側の第１定電位線６ｓに電気的に接続している。
【００８３】
ここで、ダミー画素電極９ｂのうち、第１周辺電極９ｓとして利用されていないダミー画素電極９ｂは、共通電位Ｖcomが印加された共通電位線５ｃに接続されている。このため、第１周辺電極９ｓとして利用されていないダミー画素電極９ｂは、第１周辺電極９ｓに対して横電界を構成する第２周辺電極９ｔとして機能する。その際、ダミー画素電極９ｂ同士については連結部９ｕを介して繋がった構造とすれば、複数のダミー画素電極９ｂの各々を共通電位線５ｃに接続する必要がない。
【００８４】
このように構成した液晶装置１００において、本形態では、液晶層５０を反転駆動するが、共通電極２１に印加された共通電位Ｖcomは０Ｖで一定である。従って、共通電極２１に印加された共通電位Ｖcom、第１周辺電極９ｓに印加された定電位Ｖs、および第１周辺電極９ｓとして利用されていないダミー画素電極９ｂ（第２周辺電極９ｔ）の共通電位Ｖcomは、以下の関係
定電位Ｖs≠共通電位Ｖcom＝０Ｖ
にある。従って、本形態でも、実施の形態１と略同様、液晶装置１００を製造する際の液晶注入時に混入したイオン性不純物や、シール材１０７から溶出したイオン性不純物が液晶層５０内に存在しても、かかるイオン性不純物は、第１周辺電極９ｓと共通電極２１との間に形成された電界、および第１周辺電極９ｓと第２周辺電極９ｔとの間に形成された電界によって引き寄せられ、そこで凝集した状態のまま滞留する。それ故、イオン性不純物が画素領域１０ａに滲み出ないので、イオン性不純物に起因する表示品位の低下を確実に防止することができる等、実施の形態１と略同様な効果を奏する。
【００８５】
［実施の形態５］
図１１は、本発明の実施の形態５に係る液晶装置１００に用いた第１基板１０の構成を示す説明図である。なお、図１１には、第２基板２０の輪郭も表してある。また、本形態の基本的な構成は実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００８６】
図１１に示すように、本形態の液晶装置１００でも、実施の形態１と同様、第１基板１０の略中央位置には、複数の画素電極９ａが配列された画素領域１０ａと、画素領域１０ａとシール材１０７とにより挟まれた周辺領域１０ｂとが設けられており、周辺領域１０ｂにはダミー画素電極９ｂが形成されている。
【００８７】
また、複数のダミー画素電極９ｂのうち、周辺領域１０ｂの４つの角領域１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆに位置する一部のダミー画素電極９ｂ同士は、連結部を介して繋がってＬ字形状の第１周辺電極９ｓを構成している。
【００８８】
このように構成した液晶装置１００において、第１周辺電極９ｓは、定電位Ｖsが印加された高電位側の第１定電位線６ｓに電気的に接続している。また、ダミー画素電極９ｂのうち、第１周辺電極９ｓとして利用されていないダミー画素電極９ｂは、電位が印加されずにフロート状態にある。従って、本形態では、第１周辺電極９ｓに対して横電界を構成する第２周辺電極９ｔが構成されていない。
【００８９】
また、液晶装置１００では液晶層５０を反転駆動するが、共通電極２１に印加された共通電位Ｖcomは０Ｖで一定である。また、共通電極２１に印加された共通電位Ｖcom、および第１周辺電極９ｓに印加された定電位Ｖsは、以下の関係
定電位Ｖs≠共通電位Ｖcom＝０Ｖ
にある。従って、本形態でも、実施の形態１と略同様、液晶装置１００を製造する際の液晶注入時に混入したイオン性不純物や、シール材１０７から溶出したイオン性不純物が液晶層５０内に存在しても、かかるイオン性不純物は、第１周辺電極９ｓと共通電極２１との間に形成された電界によって引き寄せられ、そこで凝集した状態のまま滞留する。それ故、イオン性不純物が画素領域１０ａに滲み出ないので、イオン性不純物に起因する表示品位の低下を防止することができる等、実施の形態１と略同様な効果を奏する。
【００９０】
［実施の形態６］
図１２は、本発明の実施の形態６に係る液晶装置１００に用いた第１基板１０の構成を示す説明図である。なお、図１２には、第２基板２０の輪郭も表してある。また、本形態の基本的な構成は実施の形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００９１】
図１２に示すように、本形態の液晶装置１００でも、実施の形態１と同様、第１基板１０の略中央位置には、複数の画素電極９ａが配列された画素領域１０ａと、画素領域１０ａとシール材１０７とにより挟まれた周辺領域１０ｂとが設けられている。
【００９２】
ここで、周辺領域１０ｂにはダミー画素電極９ｂが形成されていない。但し、周辺領域１０ｂの４つの角領域１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆには、画素電極９ａと同時形成された導電膜によって、Ｌ字形状の第１周辺電極９ｓおよび第２周辺電極９ｔが形成されている。
【００９３】
このように構成した液晶装置１００において、第１周辺電極９ｓは、定電位Ｖsが印加された高電位側の第１定電位線６ｓに電気的に接続し、第２周辺電極９ｔは、定電位Ｖtが印加された低電位側の第２定電位線６ｔに電気的に接続している。また、液晶装置１００では液晶層５０を反転駆動するが、共通電極２１に印加された共通電位Ｖcomは０Ｖで一定である。また、共通電極２１に印加された共通電位Ｖcom、第１周辺電極９ｓに印加された定電位Ｖs、および第２周辺電極９ｔに印加された定電位Ｖtは、以下の関係
定電位Ｖt＜共通電位Ｖcom＝０Ｖ＜定電位Ｖs
にある。従って、本形態でも、実施の形態１、２と同様、液晶装置１００を製造する際の液晶注入時に混入したイオン性不純物や、シール材１０７から溶出したイオン性不純物が液晶層５０内に存在しても、かかるイオン性不純物は、第１周辺電極９ｓ、第２周辺電極９ｔ、共通電極２１において第１周辺電極９ｓと対向する部分、および共通電極２１において第２周辺電極９ｔと対向する部分に効率よく引き寄せられ、そこで凝集した状態のまま滞留する。それ故、イオン性不純物が画素領域１０ａに滲み出ないので、イオン性不純物に起因する表示品位の低下を確実に防止することができる等、実施の形態１と同様な効果を奏する。なお、ダミー画素を利用せずに、第１周辺電極９ｓおよび第２周辺電極９ｔを形成する構成は、実施の形態２等に適用してもよい。
【００９４】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、画素電極９ａ等をＩＴＯ等の透光性導電膜によって形成したが、画素電極９ａ等をアルミニウムや銀等といった反射性導電膜によって形成し、液晶装置１００を反射型として構成してもよい。
【００９５】
上記実施の形態では、液晶層５０を反転駆動するにあたって、共通電極２１に印加された共通電位Ｖcomを０Ｖで一定とし、画素電極９ａに印加される電位の極性を反転させたが、共通電極２１に印加された共通電位Ｖcomの極性を反転させるコモン反転方式を採用してもよい。かかる方式を採用した場合でも、共通電極２１に印加された共通電位Ｖcom、第１周辺電極９ｓに印加された定電位Ｖs、および第２周辺電極９ｔに印加された定電位Ｖtが、以下の関係
定電位Ｖt＜共通電位Ｖcom＜定電位Ｖs
を満たせば、各電極の相対的な極性が変化しない。それ故、引き寄せたイオン性不純物をそこで凝集した状態のまま滞留させることができる。
【００９６】
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る液晶装置１００を適用した電子機器について説明する。図１３は、本発明を適用した液晶装置を用いた投射型表示装置の概略構成図であり、図１３（ａ）、（ｂ）は各々、透過型の液晶装置１００を用いた投射型表示装置の説明図、および透過型の液晶装置１００を用いた投射型表示装置の説明図である。
【００９７】
（投射型表示装置の第１例）
図１３（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７（液晶装置１００）と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９と、リレー系１２０とを備えている。
【００９８】
光源１１２は、赤色光、緑色光及び青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光を透過させると共に緑色光及び青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光及び青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。
【００９９】
ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２１及び偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
【０１００】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、液晶パネル１１５ｃ及び第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【０１０１】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１５ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する構成となっている。
【０１０２】
なお、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【０１０３】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、液晶パネル１１６ｃ及び第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、液晶パネル１１６ｃは、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する構成となっている。
【０１０４】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、液晶パネル１１７ｃ及び第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光は、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
【０１０５】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１７ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ及び第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【０１０６】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光をリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光を液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。
【０１０７】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。したがって、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系１１８に向けて射出するように構成されている。
【０１０８】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光及び青色光をｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光をｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
【０１０９】
（投射型表示装置の第２例）
図１３（ｂ）に示す投射型表示装置１０００において、光源部８９０は、システム光軸Ｌに沿って光源８１０、インテグレーターレンズ８２０および偏光変換素子８３０が配置された偏光照明装置８００を有している。また、光源部８９０は、システム光軸Ｌに沿って、偏光照明装置８００から出射されたＳ偏光光束をＳ偏光光束反射面８４１により反射させる偏光ビームスプリッター８４０と、偏光ビームスプリッター８４０のＳ偏光光束反射面８４１から反射された光のうち、青色光（Ｂ）の成分を分離するダイクロイックミラー８４２と、青色光が分離された後の光束のうち、赤色光（Ｒ）の成分を反射させて分離するダイクロイックミラー８４３とを有している。
【０１１０】
また、投射型表示装置１０００は、各色光が入射する３つの反射型の液晶装置１００（液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ）を備えており、光源部８９０は、３つの液晶装置１００（液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ）に所定の色光を供給する。
【０１１１】
かかる投射型表示装置１０００においては、３つの液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにて変調された光をダイクロイックミラー８４２、８４３、および偏光ビームスプリッター８４０にて合成した後、この合成光を投射光学系８５０によってスクリーン８６０等の被投射部材に投射する。
【０１１２】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【０１１３】
（他の電子機器）
本発明を適用した液晶装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【０１１４】
９ａ・・画素電極、９ｂ・・ダミー画素電極、９ｓ・・第１周辺電極、９ｓａ・・第１延在部、９ｔ・・第２周辺電極、９ｔａ・・第２延在部、１０・・第１基板、１０ａ・・画素領域、１０ｂ・・周辺領域、１０ｃ、１０ｄ、１０ｅ、１０ｆ・・角領域、２０・・第２基板、２１・・共通電極、５０・・液晶層、１０７・・シール材、１０８・・遮光層、１０９ａ・・基板間導通材、１１０、１０００・・投射型表示装置、Ｖcom・・共通電位、Ｖs・・第１周辺電極に印加された定電位、Ｖt・・第２周辺電極に印加された定電位
【図１】
2012083513.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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