(57)【要約】【課題】高動作速度がロードロックのために使用されるときの温度効果を制限することができる装置を提供する。【解決手段】基板処理装置は、真空室と気体除去のためのロードロックを有する。ロードロックは、基板を支持するために支持テーブルを有する。カバープレートは、ロードロック内に設けられ、カバープレートは、支持テーブルの上方表面に面する下方表面を有する。開口が、カバープレートの下方表面に設けられ、下方表面に対して実質的に垂直な方向に基板上方から気体の除去を可能にする。一実施形態において、支持テーブルの上方表面内の開口を有する気体除去構成が設けられ、支持テーブルの上方表面と基板との間の気体圧力を、初期的に開口を介してロードロックの残り内の同時ロードロック圧力より低い所定圧力に低減する。ロードロックの残り内のロードロック圧力が所定より低く低下されるとき、支持テーブルの上方表面と基板との間の気体圧力はロードロックの残り内のロードロック圧力とともに低減される。【選択図】図２ａ
2012009883.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバを有する基板処理装置であって、
基板が入ることを可能にする第１のドア、および前記処理チャンバへ直接的または間接的に前記基板が出ることを可能にする第２のドアを有する気体除去のためのロードロックと、
前記基板を支持するために上表面を有する、前記ロードロック内の支持テーブルと、
前記支持テーブルの前記上表面に面する下表面を有する、前記ロードロック内のカバープレートとを備え、
前記カバープレートの前記下表面に開口が設けられて、前記下表面に対して実質的に垂直方向に前記基板上方から気体の除去を可能にする、基板処理装置。
【請求項２】
前記開口は、前記ロードロックの残りへの、または前記ロードロックの前記残りと同一の気体圧力を有する空間への気体の除去を可能にする、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記カバープレートは前記基板の幅より大きい幅を有し、前記支持テーブルおよび／または前記カバープレートの縁部に沿って、前記支持テーブルの前記上表面および／または前記カバープレートの前記下表面から延びるリッジが設けられ、前記基板が前記リッジにはめ込まれる、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記支持テーブルの前記上表面および／または前記カバープレートの前記下表面をこれら表面に対して実質的に垂直方向に互いに対して移動する駆動機構を備える、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記カバープレートは温度安定化される、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記支持テーブルは温度安定化される、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記基板を支持するための、前記支持テーブルの前記上表面上の複数の等しい高さのバンプと、
前記支持テーブルの前記上表面内に開口を備える気体除去構成とを備え、
前記気体除去構成は、前記支持テーブルの前記上表面と前記基板との間の気体圧力を、前記支持テーブルの前記上表面内の前記開口を初期的に通して、前記ロードロックの残り内の同時ロードロック圧力より低い所定の圧力に低減し、かつ、前記ロードロックの前記残り内の前記ロードロック圧力が前記所定の圧力より低く低下したときに、前記ロードロックの前記残り内の前記ロードロック圧力とともに、前記支持テーブルの前記上表面と前記基板との間の前記気体圧力を低減する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記支持テーブル内の孔を通って延びる支持ピンと、駆動機構とを備え、前記駆動機構は、少なくとも、前記支持ピンが前記支持テーブルから上方に延びる第１の位置と、前記支持テーブルの上表面が前記支持ピンの頂部または前記支持ピンの頂部上の上昇したレベルにある第２の位置との間で、前記支持ピンに対して前記支持テーブルを移動する、請求項７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
基板処理装置はリソグラフィ装置であり、前記基板処理装置は、
パターニングされた放射ビームを形成するために、前記放射ビームの断面にパターンを与えることができるパターニングデバイスを支持するサポートと、
前記処理チャンバ内に基板を保持する基板テーブルと、
前記処理チャンバ内の前記基板のターゲット部分上に前記パターニングされた放射ビームを投影する投影システムとを備える、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
処理チャンバを有する基板処理装置であって、
基板が入ることを可能にする第１のドア、および前記処理チャンバへ直接的または間接的に前記基板が出ることを可能にする第２のドアを有する気体除去のためのロードロックと、
支持ケーブルの上表面上に複数の等しい高さのバンプを備え、前記基板を支持するために前記ロードロック内の温度安定化された支持テーブルと、
前記支持テーブルの前記上表面内に開口を備える気体除去構成とを備え、
前記気体除去構成は、前記支持テーブルの前記上表面と前記基板との間の気体圧力を、前記開口を初期的に通して、前記ロードロックの残り内の同時ロードロック圧力より低い所定の圧力に低減し、かつ、前記ロードロックの前記残り内の前記ロードロック圧力が前記所定の圧力より低く低下したときに、前記ロードロックの前記残り内の前記ロードロック圧力とともに、前記支持テーブルの前記上表面と前記基板との間の気体圧力を低減する、基板処理装置。
【請求項１１】
前記支持テーブル内の孔を通って延びる支持ピンと、駆動機構とを備え、前記駆動機構は、少なくとも、前記支持ピンが前記支持テーブルから上方に延びる第１の位置と、前記支持テーブルの上表面が前記支持ピンの頂部または前記支持ピンの頂部上の上昇したレベルにある第２の位置との間で、前記支持ピンに対して前記支持テーブルを移動する、請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記支持テーブルは前記基板の幅より大きい幅を有する、請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
基板処理装置はリソグラフィ装置であり、前記基板処理装置は、
パターニングされた放射ビームを形成するために、前記放射ビームの断面にパターンを与えることができるパターニングデバイスを支持するサポートと、
前記処理チャンバ内に基板を保持する基板テーブルと、
前記処理チャンバ内の前記基板のターゲット部分上に前記パターニングされた放射ビームを投影する投影システムとを備える、請求項１０に記載の基板処理装置。
【請求項１４】
処理チャンバを有する基板処理装置であって、
基板が入ることを可能にする第１のドア、および前記処理チャンバへ直接的または間接的に前記基板が出ることを可能にする第２のドアを有するロードロックと、
前記ロードロックが通気されたときに気体を提供するために前記ロードロックに結合されたバッファ容器であって、前記ロードロックの容積より大きい、および／または拡散器を介して前記ロードロックに結合された容積を有するバッファ容器と、
前記バッファ容器に結合された圧力安定器と、
前記バッファ容器と前記ロードロックとの間に結合された弁と、
前記圧力安定器に、前記弁が閉鎖されている間に前記バッファ容器内の気体圧力を安定化させ、かつ前記ロードロックが通気されたときに前記弁を開放させせる制御ユニットとを備える、基板処理装置。
【請求項１５】
処理チャンバを有するリソグラフィ装置であって、
パターニングされた放射ビームを形成するために、前記放射ビームにその断面にパターンを与えることができるパターニングデバイスを支持するサポートと、
前記処理チャンバ内に基板を保持する基板テーブルと、
前記処理チャンバ内の前記基板のターゲット部分上に前記パターニングされた放射ビームを投影する投影システムと、
前記基板にコーティングを施すように構成されたコーティング塗布デバイスと、
前記コーティング塗布デバイスから搬送するための第１のドアおよび前記処理チャンバに向けて搬送するための第２のドアを有し、前記コーティング塗布デバイスと前記処理チャンバとの間のロードロックと、
コーティング後でありかつ前記ロードロック内に入る前に、前記パターニングされたビームを使用してパターニングされていない前記基板の少なくとも一部を検査する基板インスペクションシステムとを備える、リソグラフィ装置。
【請求項１６】
検査の間に前記基板を支持する温度安定構造、および／または検査の間に前記基板と接触する気体の温度を調整する気体温度レギュレータとを備える、請求項１５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項１７】
処理チャンバを有するリソグラフィ装置であって、
パターニングされた放射ビームを形成するために、前記放射ビームにその断面にパターンを与えることができるパターニングデバイスを支持するサポートと、
前記処理チャンバ内に基板を保持する基板テーブルと、
前記処理チャンバ内の前記基板のターゲット部分上に前記パターニングされた放射ビームを投影する投影システムと、
前記基板にコーティングを施すためのコーティング塗布デバイスと、
前記コーティング塗布デバイスと前記処理チャンバとの間のロードロックであって、前記コーティング塗布デバイスに向かう第１のドア、および前記処理チャンバに向かう第２のドアを有し、かつ前記コーティング塗布デバイスを通って進むことなく基板を入れるための第３のドアを有するロードロックとを備える、リソグラフィ装置。
【請求項１８】
デバイス製造方法であって、
処理チャンバ内で基板を処理するステップと、
ロードロックを通して前記処理チャンバへ前記基板を通過させるステップと、
支持テーブルとカバープレートとの間の前記ロードロック内に前記基板を挿入するステップと、
前記ロードロックから気体を取り除くステップと、
前記カバープレート内の開口を通じて、前記基板の表面に対して実質的に垂直な方向に、前記基板と前記カバープレートとの間の領域から前記ロードロックへ気体を取り除くステップとを含むデバイス製造方法。
【請求項１９】
前記基板の周辺へ、または前記基板の周辺から前記基板の中心に向かう気体流れを妨げるステップを含む、請求項１８に記載のデバイス製造方法。
【請求項２０】
前記基板が、前記支持テーブルの上表面上に配置された後、前記支持テーブルの前記上表面および／または前記カバープレートの下表面を互いに向かって移動させるステップを含む請求項１８に記載のデバイス製造方法。
【請求項２１】
デバイス製造方法であって、
処理チャンバ内で基板を処理するステップと、
ロードロックを通して前記処理チャンバへ前記基板を通過させるステップと、
温度安定化支持テーブル上の前記ロードロック内に前記基板を挿入するステップであって、前記支持テーブルは前記基板を支持する前記支持テーブルの上表面上に複数の等しい高さのバンプを備え、前記支持テーブルの前記上表面に開口が存在する、前記基板を挿入するステップと、
前記基板が前記バンプ上に載るとき、前記支持テーブルの前記上表面と前記基板との間の空間から前記開口を通じて気体を取り除くことによって、前記ロードロックの残り内の同時ロードロック圧力より低い所定の圧力に、初期的に前記支持テーブルの前記上表面と前記基板との間の気体圧力を低減するステップと、
前記ロードロックの前記残り内の前記ロードロック圧力が前記所定の圧力より低く低下したときに、前記ロードロックの前記残り内の前記ロードロック圧力とともに、前記支持テーブルの前記上表面と前記基板との間の気体圧力を低減するステップとを含むデバイス製造方法。
【請求項２２】
前記基板の上表面に面する下表面を有する前記カバープレートを有する前記ロードロック内に配置されたカバープレートを提供するステップを含む、請求項２１に記載のデバイス製造方法。
【請求項２３】
前記基板が前記支持テーブルの前記上表面上に配置された後、前記支持テーブルの前記上表面および／または前記カバープレートの前記下表面を互いに向けて移動させるステップを含む、請求項２２に記載のデバイス製造方法。
【請求項２４】
前記カバープレートの前記下表面内の開口を通じて前記基板上の空間から気体を取り除くステップを含む、請求項２２に記載のデバイス製造方法。
【請求項２５】
前記基板の周辺から前記基板の中心に向かう気体流れを妨げるステップを含む、請求項２４に記載のデバイス製造方法。
【請求項２６】
前記処理チャンバ内の前記基板上にパターニングされたビームを投影するステップを含む、請求項２１に記載のデバイス製造方法。
【請求項２７】
デバイス製造方法であって、
処理チャンバ内で基板を処理するステップと、
ロードロックを通して前記処理チャンバから前記基板を通過させるステップと、
少なくともバッファ容器が前記ロードロックと連通していない間に、前記バッファ容器内の気体圧力を調整するステップと、
前記バッファ容器と前記ロードロックとの間に気体流れ接続を提供することによって前記ロードロックを通気するステップとを含む、デバイス製造方法。
【請求項２８】
デバイス製造方法であって、
基板にフォトレジストコーティングを施すステップと、
前記基板がコーティングされた後、ロードロックを介して処理チャンバへ前記基板を通過させるステップと、
前記処理チャンバ内の前記基板のターゲット部分上にパターニングされた放射ビームを投影するステップと、
コーティング後でありかつ前記ロードロック内に入る前に、前記パターニングされたビームを使用してパターニングされていない前記基板の少なくとも一部を自動的に検査するステップとを含む、デバイス製造方法。
【請求項２９】
検査の間に前記基板の温度を安定化させるステップを含む、請求項２８に記載のデバイス製造方法。
【請求項３０】
デバイス製造方法であって、
基板にフォトレジストコーティングを施すステップと、
前記基板がコーティングされた後、ロードロックの第１のドアを介して前記ロードロックへ前記基板を通過させるステップと、
前記基板がコーティングされた後、ロードロックの第２のドアを介して前記ロードロックから処理チャンバへ前記基板を通過させるステップと、
前記処理チャンバ内の前記基板のターゲット部分上にパターニングされた放射ビームを投影するステップと、
前記ロードロックの第３のドアを介して、それからデバイスが製造されないさらなる基板を導入しかつ／または取り除くことによって、前記デバイスを製造するために使用される装置を洗浄しかつ／または較正するステップとを含む、デバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、リソグラフィ装置などの基板処理装置、およびデバイスを製造するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上に、通常は基板のターゲット部分上に与える機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造で使用されることができる。そのような場合、代わりにマスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスは、ＩＣの個別層上に形成されるべき回路パターンを生成するために使用されることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、１つまたは複数のダイの一部を含む）上に転写されることができる。パターンの転写は、一般に、基板上に設けられる放射感応性材料（レジスト）の層上への結像を介する。一般に、単一の基板は、連続してパターニングされる隣接するターゲット部分のネットワークを含む。知られているリソグラフィ装置は、各ターゲット部分が、一回でターゲット部分上にパターン全体を露光することによって放射されるいわゆるステッパと、各ターゲット部分が、所定の方向（「スキャニング」方向）の放射ビームを介してパターンをスキャニングし、一方、同時にこの方向と平行または反平行に基板をスキャニングすることによって放射されるいわゆるスキャナとを含む。また、基板上のパターンをインプリントすることによって、パターンニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  真空環境においてパターンで基板を放射することが望ましい。高い処理レートを達成するために、基板が真空環境と非真空環境との間で搬送されなければならないときでも、連続してこの真空環境を維持することが望ましい。欧州特許出願公開第１４５７８３０号は、この目的のためにロードロックの使用を記載する。ロードロックは、運河における船舶のためのロックのように作用し、交互に２つの環境に対して開放されることができる比較的小さい空間を提供し、ドアの他方側への圧力が実質的に影響を受けないままである一方、小さな空間内で圧力が上昇されまたは低下されることを可能にする。
【０００４】
[0004]  欧州特許出願公開第１４５７８３０号は、排気の間にロードロック内で気体の断熱冷却が、基板の望ましくない冷却を生じ得ることを記載する。基板は、支持ユニットの上部表面のバンプ上に載る。一般的に、非常に狭いバンプは、基板の汚染を最小化するために使用される。残念なことに、そのようなバンプは、冷却を妨げない不十分な熱接触を導くことがある。冷却する問題を対処するために、様々な処置が提案された。一つの処置において、温度安定化された支持ユニットは、ロードロック内の基板に提供される。温度安定化された流体循環回路は、支持ユニットを通って延びる。基板と支持ユニットとの間の熱伝導を改善するために、気体が、バンプの周囲の空間内に導入される。基板下の気体がロードロック内へ流れることを妨げるために、リムが、支持ユニットの縁部に提供される。ロードロックが排気されたとき、基板が下方の気体によって吹き払われることができないように、基板は、支持ユニットにクランプされる。
【０００５】
[0005]  欧州特許出願公開第１４５７８３０号は、基板上のロードロック内にカバープレートを提供する。一実施形態において、支持ユニットおよびカバープレートは、基板が支持ユニット上に配置された後、互いに向かって移動される。カバープレートは、温度に影響を及ぼすことができる、基板上の気体流れを低減するように機能する。一実施形態において、カバープレートは、支持ユニットへ固定して提供され、流体循環回路は、同様にカバープレートを通って延びる。
【０００６】
[0006]  さらに、欧州特許出願公開第１４５７８３０号は、中間期間が続くロードロック内の気体圧力の初期的な部分低減を使用することを提案し、圧力は、ロードロックが完全に排気される前のある時間について一定に維持される。この中間期間は、初期的な圧力低減に起因する初期的な断熱冷却の後に、基板とロードロックの温度安定化された壁との間の熱伝導の拡張された期間を提供する。
【発明の概要】
【０００７】
[0007]  ロードロックは、基板が、例えばリソグラフィ装置の露光部分へ入るまたは露光部分から取り除かれる速度を制限する。それは、リソグラフィ装置のスループットに関する制限要因を形成する。基板がロードロックで費やさなければならない時間間隔を最小化することが望ましい。しかしながら、増大された排気速度は、温度安定性と妥協する。またあるいは代わりに、カバープレートに対する距離は、それを、熱安定器として効果を無くさせることがある。
【０００８】
[0008]  例えば、高動作速度がロードロックのために使用されるとき、温度効果を制限することが望ましい。
【０００９】
[0009]  本発明の一態様によれば、処理チャンバを有する基板処理装置が提供され、該装置は、
基板が入ることを可能にする第１のドア、および処理チャンバへ直接的または間接的に基板が出ることを可能にする第２のドアを有する気体除去のためのロードロックと、
基板を支持するために上表面を有する、ロードロック内の支持テーブルと、
支持テーブルの上表面に面する下表面を有する、ロードロック内のカバープレートとを備え、
カバープレートの下表面に開口が設けられて、下表面に対して実質的に垂直方向に基板上方から気体の除去を可能にする。
【００１０】
[0010]  本発明の一態様によれば、処理チャンバを有する基板処理装置が提供され、該装置は、
基板が入ることを可能にする第１のドア、および処理チャンバへ直接的または間接的に基板が出ることを可能にする第２のドアを有する気体除去のためのロードロックと、
支持ケーブルの上表面上に複数の等しい高さのバンプを備え、基板を支持するためにロードロック内の温度安定化された支持テーブルと、
支持テーブルの上表面内に開口を備える気体除去構成とを備え、
気体除去構成は、支持テーブルの上表面と基板との間の気体圧力を、開口を初期的に通して、ロードロックの残り内の同時ロードロック圧力より低い所定の圧力に低減し、かつ、ロードロックの残り内のロードロック圧力が所定の圧力より低く低下したときに、ロードロックの残り内のロードロック圧力とともに、支持テーブルの上表面と基板との間の気体圧力を低減する。
【００１１】
[0011]  本発明の一態様によれば、処理チャンバを有する基板処理装置が提供され、装置は、
基板が入ることを可能にする第１のドア、および処理チャンバへ直接的または間接的に基板が出ることを可能にする第２のドアを有するロードロックと、
ロードロックが通気されたときに気体を提供するためにロードロックに結合され、ロードロックの容積より大きく、かつ／または拡散器を介してロードロックに結合された容積を有するバッファ容器と、
バッファ容器に結合された圧力安定器と、
バッファ容器とロードロックとの間に結合された弁と、
圧力安定器に、弁が閉鎖された間にバッファ容器内の気体圧力を安定化させ、かつロードロックが通気されたときに弁を開放する制御ユニットとを備える。
【００１２】
[0012]  本発明の一態様によれば、処理チャンバを有するリソグラフィ装置が提供され、該装置は、
パターニングされた放射ビームを形成するために、放射ビームの断面にパターンを与えることができるパターニングデバイスを支持するサポートと、
処理チャンバ内に基板を保持する基板テーブルと、
処理チャンバ内の基板のターゲット部分上にパターニングされた放射ビームを投影する投影システムと、
基板にコーティングを施すコーティング塗布デバイスと、
コーティング塗布デバイスから搬送するための第１のドア、および処理チャンバに向けて搬送するための第２のドアを有し、コーティング塗布デバイスと処理チャンバとの間のロードロックと、
コーティング後でありかつロードロック内に入る前に、パターニングされたビームを使用してパターニングされていない基板の少なくとも一部を検査する基板インスペクションシステムとを備える。
【００１３】
[0013]  本発明の一態様によれば、処理チャンバを有するリソグラフィ装置が提供され、装置は、
パターニングされた放射ビームを形成するために、放射ビームの断面にパターンを与えることができるパターニングデバイスを支持するサポートと、
処理チャンバ内に基板を保持する基板テーブルと、
処理チャンバ内の基板のターゲット部分上にパターニングされた放射ビームを投影する投影システムと、
基板にコーティングを施すためのコーティング塗布デバイスと、
コーティング塗布デバイスと処理チャンバとの間のロードロックであって、コーティング塗布デバイスに向かう第１のドア、および処理チャンバに向かう第２のドアを有し、かつコーティング塗布デバイスを通って進むことなく基板を入れるための第３のドアを有する、ロードロックとを備える。
【００１４】
[0014]  本発明の一態様によれば、デバイス製造方法が提供され、該方法は、
処理チャンバ内で基板を処理するステップと、
ロードロックを通して処理チャンバへ基板を通過させるステップと、
支持テーブルとカバープレートとの間のロードロック内に基板を挿入するステップと、
ロードロックから気体を取り除くステップと、
カバープレート内の開口を通じて、基板の表面に対して実質的に垂直な方向に、基板とカバープレートとの間の領域からロードロックへ気体を取り除くステップとを含む。
【００１５】
[0015]  本発明の一態様によれば、デバイス製造方法が提供され、
処理チャンバ内で基板を処理するステップと、
ロードロックを通して処理チャンバへ基板を通過させるステップと、
温度安定化支持テーブル上のロードロック内に基板を挿入するステップであって、支持テーブルは、基板を支持する支持テーブルの上表面上に複数の等しい高さのバンプを備え、開口が、支持テーブルの上表面に存在する、基板を挿入するステップと、
基板がバンプ上に載るとき、支持テーブルの上表面と基板との間の空間から開口を通じて気体を取り除くことによって、ロードロックの残り内の同時ロードロック圧力より低い所定の圧力に、初期的に支持テーブルの上表面と基板との間の気体圧力を低減するステップと、
ロードロックの残り内のロードロック圧力が、所定の圧力より低く低下したとき、ロードロックの残り内のロードロック圧力とともに、支持テーブルの上表面と基板との間の気体圧力を低減するステップとを含む。
【００１６】
[0016]  本発明の一態様によれば、デバイス製造方法が提供され、
処理チャンバ内で基板を処理するステップと、
ロードロックを通して処理チャンバから基板を通過させるステップと、
少なくともバッファ容器がロードロックと連通していない間に、バッファ容器内の気体圧力を調整するステップと、
バッファ容器とロードロックとの間に気体流れ接続を提供することによってロードロックを通気するステップとを含む。
【００１７】
[0017]  本発明の一態様によれば、デバイス製造方法が提供され、
基板にフォトレジストコーティングを施すステップと、
基板がコーティングされた後、ロードロックを介して処理チャンバへ基板を通過させるステップと、
処理チャンバ内の基板のターゲット部分上にパターニングされた放射ビームを投影するステップと、
コーティング後でありかつロードロック内に入る前に、パターニングされたビームを使用してパターニングされていない基板の少なくとも一部を自動的に検査するステップとを含む。
【００１８】
[0018]  本発明の一態様によれば、デバイス製造方法が提供され、
基板にフォトレジストコーティングを施すステップと、
基板がコーティングされた後、ロードロックの第１のドアを介してロードロックへ基板を通過させるステップと、
基板がコーティングされた後、ロードロックの第２のドアを介してロードロックから処理チャンバへ基板を通過させるステップと、
処理チャンバ内の基板のターゲット部分上にパターニングされた放射ビームを投影するステップと、
ロードロックの第３のドアを介して、それからデバイスが製造されないさらなる基板を導入しかつ／または取り除くことによって、デバイスを製造するために使用される装置を洗浄しかつ／または較正するステップとを含む。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
[0019]  本発明の実施形態は、対応する参照符号が対応する部品を示す添付の概略図を参照して、例示だけとして以下に記載される。
【００２０】
【図１】[0020]リソグラフィ装置を示す図である。
【図２ａ】[0021]ロードロックを示す図である。
【図２ｂ】[0021]ロードロックを示す図である。
【図２ｃ】[0021]ロードロックを示す図である。
【図２ｄ】[0021]ロードロックを示す図である。
【図３】[0022]支持テーブルの詳細を示す図である。
【図４】[0023]気体除去接続を有する支持テーブルを示す図である。
【図５】[0024]支持テーブルおよびカバープレートを示す図である。
【図６】[0025]インスペクションシステムを有するリソグラフィ装置を示す図である。
【図７】[0026]ロードロックを示す図である。
【図８】[0027]バッファ容器を有するロードロックを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
[0028]  図１は、本発明の一実施形態によるリソグラフィ装置の概略を示す。装置は、
放射のビームＢ（例えば、ＵＶ放射またはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、
パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを支持するように構成され、かつ所定のパラメータにしたがってパターニングデバイスを正確に位置決めするように構成された第１のポジショナＰＭに接続される支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、
基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ所定のパラメータにしたがって基板を正確に位置決めするように構成された第２のポジショナＰＷに接続される基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴと、
基板Ｗのターゲット部分Ｃ（例えば、１つ以上のダイを含む）上に、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに与えられたパターンを投影するように構成される投影システム（例えば、屈折投影レンズシステム）ＰＳとを含む。
【００２２】
[0029]  照明システムは、放射を方向付け、成形し、または制御するための、屈折、反射、磁気、電磁気、静電、および他のタイプの光学構成部品、またはそれらの任意の組み合わせなどの様々なタイプの光学構成部品を含むことができる。
【００２３】
[0030]  支持構造は、パターニングデバイスを、パターニングデバイスの向き、リソグラフィ装置の設計、および例えばパターニングデバイスが真空環境で保持されるかどうかなどの他の状態に応じる方法で保持する。支持構造は、パターニングデバイスを保持するために、機械的、真空、静電、または他のクランピング技術を使用することができる。支持構造は、必要に応じて固定または可動であり得る、例えばフレームまたはテーブルであり得る。支持構造は、パターニングデバイスが、例えば投影システムに対して所望の位置にあることを確実にすることができる。本明細書における用語「レチクル」または「マスク」の任意の使用は、より一般的な用語「パターニングデバイス」と同義語であると考えられることができる。
【００２４】
[0031]  本明細書で使用される用語「パターニングデバイス」は、基板のターゲット部分にパターンを作るように、放射ビームにその断面にパターンを与えるために使用されることができる任意のデバイスを参照すると広範に解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、例えば、パターンが、位相シフト特徴またはいわゆるアシスト特徴を含むなら、基板のターゲット部分に所望のパターンに正確には対応しないことがあることに留意すべきである。一般に、放射ビームに与えられるパターンは、集積回路など、ターゲット部分に作られるデバイス内の特定の機能層に対応する。
【００２５】
[0032]  パターニングデバイスは、透過性または反射性であり得る。パターニングデバイスの例は、マスク、プログラム可能なミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルを含む。マスクは、リソグラフィにおいて良く知られており、バイナリ、レベンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated位相シフト、ならびに様々なハイブリッドマスクタイプなどのマスクタイプを含む。プログラマブルミラーアレイの例は、小型ミラーのマトリクス配置を用い、各小型ミラーは、異なる方向に入射する放射ビームを反射するように個別に傾斜されることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリクスによって反射される放射ビームにパターンを与える。
【００２６】
[0033]  本明細書で使用される用語「投影システム」は、使用される露光放射、または液浸液の使用または真空の使用などの他の要因に適切なように、屈折、反射、反射屈折、磁気、電磁気、および静電光学系、または任意のその組み合わせを含む、任意のタイプの投影システムを包含するとして広範に解釈されるべきである。本明細書における用語「投影レンズ」の任意の使用は、より一般的な用語「投影システム」と同義語として考えられることができる。
【００２７】
[0034]  本明細書で示されるように、装置は、反射タイプ（例えば、反射マスクを用いる）である。代わりに、装置は、透過タイプ（例えば、透過マスクを用いる）であり得る。
【００２８】
[0035]  リソグラフィ装置は、２つ（デュアルステージ）またはより多い基板テーブル（および／または２つ以上のパターニングデバイス支持構造）を有するタイプであり得る。そのような「マルチステージ」機械において、追加のテーブルおよび／または支持構造は、並列に使用されることができ、または準備ステップが、１つ以上のテーブルおよび／または支持構造で実行されることができ、一方、１つ以上の他のテーブルおよび／または支持構造が、露光のために使用される。
【００２９】
[0036]  リソグラフィ装置は、少なくとも基板の一部が、投影システムと基板との間の空間を満たすように、比較的高い屈折率を有する液体、例えば水によって覆われることができるタイプであることもできる。液浸液は、例えば、マスクと投影システムとの間などリソグラフィ装置における他の空間に与えられることもできる。液浸技術は、投影システムの開口数を増大するために従来技術で良く知られている。本明細書で使用される用語「液浸」は、基板などの構造が液体内に沈められなければならないことを意味せず、むしろ、液体が、露光の間に投影システムと基板との間に配置されることだけを意味する。
【００３０】
[0037]  図１を参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。放射源およびリソグラフィ装置は、例えば放射源がエキシマレーザであるとき、別個のエンティティであり得る。そのような場合、放射源は、リソグラフィ装置の一部を形成するとは考えられず、放射ビームは、例えば適切な方向付けミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムを用いて、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ通過する。他の場合において、放射源は、例えば放射源が水銀ランプであるとき、リソグラフィ装置の一体部分であり得る。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要であればビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼ばれることができる。
【００３１】
[0038]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタを含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（一般に、それぞれσ−ｏｕｔｅｒおよびσ−ｉｎｎｅｒと呼ばれる）は、調整されることができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータおよびコンデンサなどの様々な他のコンポーネントを備えることができる。イルミネータは、その断面において所望の均一性および強度分布を有するように、放射ビームを調整するために使用されることができる。
【００３２】
[0039]  放射ビームＢは、支持構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射し、パターニングデバイスによってパターニングされる。パターニングデバイスＭＡを横切って、放射ビームＢは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上にビームを集束する投影システムＰＳを通過する。第２のポジショナＰＷおよび位置決めセンサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または容量センサ）を用いて、基板テーブルＷＴは、例えば、放射ビームＢの経路内に異なるターゲット部分Ｃが位置決めされるように、正確に移動されることができる。同様に、第１のポジショナＰＭおよび他の位置決めセンサＩＦ１は、例えば、マスクライブラリから機械的に取り出した後またはスキャンの間に、放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするために使用されることができる。一般に、支持構造ＭＴの移動は、第１のポジショナＰＭの一部を形成する、ロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を用いて実現されることができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２のポジショナＰＷの一部を形成する、ロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを用いて実現されることができる。ステッパ（スキャナとは対照的に）の場合には、支持構造ＭＴは、ショートストロークアクチュエータだけに接続されることができ、または固定されることができる。パターニングデバイスＭＡおよび基板Ｗは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２および基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を使用してアライメントされることができる。示されるように基板アライメントマークは、専用のターゲット部分を占めるが、それらは、ターゲット部分間の空間（これらは、スクライブラインアライメントマークとして知られている）に配置されることができる。同様に、１つ以上のダイがパターニングデバイスＭＡ上に提供される状況において、パターニングデバイスアライメントマークは、ダイ間に配置されることができる。
【００３３】
[0040]  示される装置は、少なくとも１つの以下のモードで使用されることができる。
【００３４】
[0041]  １．ステップモードにおいて、支持構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴは、本質的に静止して維持され、一方、放射ビームに与えられるパターン全体は、一度にターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち、単一の静止露光）。基板テーブルＷＴは、次に異なるターゲット部分Ｃが露光されることができるように、Ｘおよび／またはＹ方向にシフトされる。ステップモードにおいて、露光フィールドの最大サイズが、単一の静止露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズを制限する。
【００３５】
[0042]  ２．スキャンモードにおいて、支持構造ＭＴおよび基板テーブルＷＴは、同期してスキャンされ、一方、放射ビームに与えられるパターンは、ターゲット部分Ｃ上に投影される（すなわち、単一の動的露光）。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小率）倍率および画像反転特徴によって決定されることができる。スキャンモードにおいて、露光フィールドの最大サイズが、単一の動的露光におけるターゲット部分の幅（非スキャンニング方向）を制限し、一方、スキャンニング移動の長さは、ターゲット部分の高さ（スキャンニング方向）を決定する。
【００３６】
[0043]  ３．他のモードにおいて、支持構造ＭＴは、本質的に静止してプログラマブルパターニングデバイスを保持したままであり、基板テーブルＷＴは、移動またはスキャンされ、一方、放射ビームに与えられるパターンは、ターゲット部分Ｃ上に投影される。このモードにおいて、一般にパルス放射源が用いられ、プログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの各移動の後、またはスキャンの間の連続する放射パルスの間に、必要に応じて更新される。動作のこのモードは、上記に参照されたようなタイプのプログラマブルミラーアレイなどのプログラマブルパターニングデバイスを使用するマスクレスリソグラフィに容易に与えられることができる。
【００３７】
[0044]  上述の使用モードまたは全く異なる使用モードの組み合わせおよび／または変形も用いられることができる。
【００３８】
[0045]  基板テーブルＷＴを収容する室内に高真空が維持される。基板Ｗは、雰囲気気体圧力に関連する外側からリソグラフィ装置へ入る。リソグラフィ装置は、真空空間と外側との間の境界面でロードロックが設けられる。ロードロックの気体圧力は、外側圧力（またはわずかにより高い圧力）と真空圧力との間で循環され、一方、リソグラフィ装置の主真空空間は真空のままである。基板は、それぞれロードロックの内部が外側圧力であるときにロードロックに入れられ、かつロードロックの内部が真空圧力であるときに取り出される。
【００３９】
[0046]  ロードロックを通る基板の高いスループット速度が望ましい。スループット速度は、パターンがその上に投影されることができる前に、基板を正確に規定された温度に均一にする必要性によって制限されることがある。高速排気の間にロードロック内の気体の断熱膨張に起因して、基板の温度およびこの温度の均一性が妥協されることができる。これは、真空状況が熱伝達を低減するために、真空状況によって悪化されることがある遅延効果を有することがある。基板温度に対する効果は、気体圧力がまだ高い間ときに、最も強いことがある。
【００４０】
[0047]  前の基板から残る汚染および／または高速気体流の作用によって生じる取り去りの両方に起因して、ロードロックが汚染源であり得るために、問題が生じることがある。ロードロックが、主真空空間に多すぎる汚染を移すなら、製造時間の著しい損失を生じることがある雰囲気圧力に主真空空間に戻す必要性が生じることがある。
【００４１】
[0048]  ロードロックが、異なる気体内容物を有する環境間で使用されるとき、同様の問題が生じることがある。この場合、またはロードロックが低減された圧力を実現するために使用されるとき、ロードロックは、排気され、かつその後異なるタイプの気体で再充填される。以下に記載される実施形態は、同様にそのようなロックロードのために使用されることができる。しかしながら、簡略性のために、真空処理チャンバを有する例が記載される。本明細書に議論される１つ以上の問題は、真空における気体を介する熱伝達の不在に起因する真空処理状況において最も著しいことがある。
【００４２】
[0049]  図２ａ〜図２ｃは、それぞれリソグラフィ装置の外側に向かう第１のドア２１ａ、およびリソグラフィ装置の真空空間に向かう第２のドア２１ｂを有するロードロック２０を示す。ロードロック２０は、それぞれ気体の除去を可能にするポンプ接続２２ａ、および気体の供給を可能にする通気接続２２ｂを有する。動作において、基板Ｗが、リソグラフィ装置内に入れられたとき、基板Ｗは、図２ａに示されるように第１のドア２１ａを介して挿入され、第１のドア２１ａは、その後閉鎖される。ロードロック２０は、その後、十分に低い圧力が到達されるまで、図２ｂに示されるようにポンプ接続２２ａを介して排気される。その後、図２ｃに示されるように、真空空間に対する第２のドア２１ｂが開放され、かつ基板Ｗは、ロードロック２０の外に出される。基板Ｗが、リソグラフィ装置から取り出されたとき、逆の手順が続き、基板Ｗは、第２のドア２１ｂを介して挿入され、第２のドア２１ｂはその後閉鎖される。ロードロック２０は、次に、通気接続２２ｂを介する気体の供給によって外側圧力に戻る。その後、第１のドア２１ａは、外側に対して開放され、基板Ｗは、ロードロック２０の外に出される。
【００４３】
[0050]  図２ａ〜図２ｃに示されるように、ロードロック２０は、支持テーブル２４、支持ピン２６、およびカバープレート２８を備える。ロードロックから基板Ｂを掴みかつ真空空間内へ基板Ｗを移動するためにロボットのグリッパ２９が、例示として示される。移動駆動機構（図示せず）は、支持テーブル２４を支持ピン２６に対して垂直に移動するために、支持テーブル２４に結合される。支持テーブル２４およびカバープレート２８は、温度安定器システム（図示せず）に結合され、かつ支持テーブル２４およびカバープレート２８は、支持構造（図示せず）に結合される。温度安定器システムの構造は、同様に支持テーブル２４およびカバープレート２８のための支持構造として作用することができる。温度安定器システムは、パイプを備えることができ、パイプを通して温度安定化された流体が循環し、かつパイプは、支持テーブル２４およびカバープレート２８と接触し、またはそれら本体を通って延びる。熱ポンプ構造、または加熱抵抗器およびペルチェ素子などの冷却素子、あるいは流体循環、加熱、冷却、および／または熱ポンプの組み合わせが、使用されることができる。
【００４４】
[0051]  支持ピン２６は、垂直方向に支持テーブル２４を通って延びる。支持テーブル２４は、支持ピン２６に対して垂直に移動可能である。支持ピン２６は、簡略性のためにロードロック床上に支持されて示されるが、異なるサポートが使用されることができることは理解されるべきである。カバープレート２８は、支持テーブル２４に面する。支持テーブル２４およびカバープレート２８の両方は、望ましくは、基板Ｗが、支持テーブル２４およびカバープレート２８の両方の周囲内にはまり込むように、基板Ｗの幅より大きな幅を有する。支持ピン２６の先端とカバープレート２８との間の距離は、例えば約１０ｍｍであり得る。
【００４５】
[0052]  動作において、基板が入れられるとき、支持テーブル２４は、図２ａに示されるように支持ピン２６に対して初期的に低い位置にある。これは、基板Ｗの下方に到達するグリッパを用いて、支持ピン２６上に基板Ｗを配置することを可能にする。その後、支持テーブル２４は、基板Ｗが、支持ピン２６に代わりにまたは支持ピン２６に加えて支持テーブル２４上に載るように、支持ピン２６に対して上昇される。実施形態において、カバープレート２８は、支持テーブル２４が上昇されるときに固定位置に維持される。望ましくは、基板Ｗが、基板Ｗをカバープレート２８との接触を強いることなく、それが支持ピン２６上に載るときよりカバープレート２８により近い位置に上昇されるように、支持テーブル２４は、支持ピン２６に対して上昇される。基板Ｗとカバープレート２８との間の距離は、例えば３倍だけ低減されることができる。一実施形態において、それは、１０ｍｍから３ｍｍへ低減される。カバープレート２８は、距離を低減するために低下されることができる。圧力が十分に低減された後、第２のドア２１ｂが開かれ、図２ｃに示されるようにグリッパ２９が基板Ｗの下に延びることを可能にする十分な空間で、基板Ｗが支持ピン２６上に載るように支持ピン２６に対して支持テーブル２４が低下される。
【００４６】
[0053]  圧力の低減の間、支持テーブル２４およびカバープレート２８は、基板Ｗの温度を安定化するためにヒートシンクとして作用する。熱伝達は、支持テーブル２４と、基板Ｗと支持テーブル２４およびカバープレート２８との間の放射との間の接触する、ロードロック２０内の気体を介して生じる。基板Ｗ近傍の気体は、基板Ｗに対する支持テーブル２４およびカバープレート２８の近接性の結果として、支持テーブル２４およびカバープレート２８の安定化された温度近くに維持される。支持テーブル２４は、気体の除去の間に、支持ピン２６に対して支持テーブル２４を上昇することによって基板Ｗにより近い近接性にされる。望ましくは、気体の除去の間に、基板Ｗは、同様に、支持テーブル２４を用いて支持ピン２６に対して基板Ｗを上昇させることによって、カバープレート２８により近い近接性で維持される。
【００４７】
[0054]  基板が、ロードロック２０を介して真空空間の外に出されるとき、基板は、支持テーブル２４上、またはこの支持テーブルを通って延びるピン上に配置されることができる。しかしながら、一実施形態において、さらなるサポートが、移動されて出される基板Ｗを配置するために、ラック（図示せず）などロードロック２０内に設けられる。基板は、雰囲気圧力が到達される間にさらなるサポート上に留まることができる。このサポートは、内部に移動される他の基板が、支持テーブル２４から取り出される前に、外部に移動される基板が、ロードロック２０内に挿入されることができる利点を有する。これは、例えばロボットが、ロードロック２０内に基板を置き、かつその後、入るおよび出る基板の両方が同じ位置を占める場合であり得る空いているロードロックへまたはロードロックから移動しなければならないことなく、ロードロック２０から基板を取り出すことを可能にすることによって、処理の速度を上げることを可能にする。
【００４８】
[0055]  代替として、カバープレート２８は、省略されることができる。この場合に、支持テーブル２４だけが、温度安定化を提供する。しかしながら、カバープレート２８の使用は、例えば支持テーブル２４の側部から半導体基板を介する熱伝導は非常に小さいので、構成をはるかにより効率的にするであろう。
【００４９】
[0056]  図２ｄは、支持ピン２６が省略された実施形態を示す。この実施形態において、基板Ｗは、支持テーブル２４上に直接配置される。基板Ｗの下方に到達するグリッパを可能にするために、この実施形態において、支持テーブル２４の周辺の少なくとも一部上の支持テーブル２４の幅は、基板Ｗの幅より短く、その結果、基板Ｗは、支持テーブル２４上方のとき、例えば両方が互いに反対側部の支持テーブル２４の周囲を越えて水平方向に延びる。望ましくは、例えば、基板Ｗの面積の８０％未満が、支持テーブル２４の周囲を越えて延びるように、延長は、多くとも著しくグリッパが必要である。したがって、良好な熱伝導が、まだ提供されることができる。図２ａ〜図２ｃの実施形態において、支持テーブル２４は、ロードロック２０内の基板Ｗの配置後、カバープレート２８に向かって上昇されることができる。代わりにまたは追加して、カバープレート２８は低下されることができる。
【００５０】
[0057]  図３は、基板Ｗおよび支持テーブル２４の詳細を示す。示される実施形態において、バンプ３０のアレイは、支持テーブル２４上に設けられる。任意に、バンプの集合の周囲に支持テーブル２４から延びるリング３４が、設けられることができ、基板Ｗの幅より小さい幅を有する領域を周辺で囲む。バンプ２０の先端間に延びる面セグメントを有する仮想表面が、バンプ外側の支持テーブル２４の表面に実質的に平行であり（望ましくは平坦な面）、かつ基板Ｗが、バンプ３０上に載ることができるように、全てのバンプ３０は、実質的に等しい高さを有する。例えば、１０ミクロン高さのバンプ３０が使用されることができる（バンプは、誇張された高さで示される）。例えば１ｍｍ〜１０ｍｍの間の選択された相互距離で望ましい数のバンプ３０が設けられることができる。基板Ｗが、バンプ３０上に載るときに、基板Ｗと支持テーブル２４との間の距離は小さくされる。バンプ３０は、支持テーブル２４と基板Ｗとの間に空間を残し、気体が存在し、気体は、基板Ｗに対する支持テーブル２４からの熱伝達を著しく改善する。基板Ｗと支持テーブル２４との間の空間が非常に小さく維持されるので、熱伝達は効果的である。一実施形態において、孔３２（１つの孔が例示によって示される）は、支持テーブル２４と基板Ｗとの間の空間内への気体の供給を可能にするために支持テーブル２４に設けられることができる。低い高さが、気体を介する熱伝達を改善する利点を有するが、低い高さは、気体分布をより困難にする欠点も有する妥協として、バンプ３０の高さは選択される。この問題は、気体の供給を可能にするために、例えば基板の下方に１０個〜５０個の孔である多数の孔３２を使用して低減されることができる。任意のリング３４は、基板Ｗと支持テーブル２４との間の空間からロードロック２０内への側方気体流れを低減することができる。望ましくは、このリングの高さは、基板Ｗとの接触を避けるために、例えば０．２ミクロンメートルと５ミクロンメートル未満との間の高さのバンプ３０の高さよりわずかに低い。
【００５１】
[0058]  図４は、別個のポンプ接続４０が、支持テーブル２４と基板Ｗとの間の空間から気体を部分的に取り除くために提供される実施形態を示す。孔が、気体を取り除くために支持テーブル２４に設けられる。望ましくは、気体の供給および除去を可能にするために別個の孔３２が存在するが、代わりに、気体供給および別個のポンプ接続４０に交互に結合される同一の孔が使用されることができる。弁４４、４６は、ポンプ接続４０とロードロック２０内の空間との間で、気体を取り除くために孔に対する接続を切り替えるように設けられる。気体を取り除く孔は、例えば支持テーブル２４内の空洞を介して、または気体導管を介して弁４４、４６に接続される。別個のポンプは、別個のポンプ接続４０およびロードロックの主ポンプ接続２２ａに接続されることができる。代わりに、同一のポンプが、両方の接続に接続されることができるが、初期的により低い圧力が、別個のポンプ接続４０を介して実現されるように、主ポンプ接続２２ａに対するより多くの別個のポンプ接続に直接接続されることができる。
【００５２】
[0059]  動作において、別個のポンプ接続４０は、支持テーブル２４と基板Ｗとの間の気体の圧力を、所定の非ゼロ圧力レベルへ、初期的に基板Ｗがロードロック２０内に配置され、かつ支持テーブル２４が上昇されたときに、例えば０．５〜０．８バール以下（５０ｋＰａ〜８０ｋＰａ以下）の範囲内の圧力へ低減するために使用される。この圧力は、基板Ｗ上方の圧力より速く低減される。このように、基板Ｗは、圧力差の効果によってバンプ３０上の支持テーブル２４に初期的にクランプされる。これは、基板Ｗを真っ直ぐにし、支持テーブル２４への距離を低減し、それによって基板Ｗと支持テーブル２４との間の熱伝導を増大する。所定の非ゼロ圧力は、熱伝達を促進するように維持される。基板Ｗ上方の圧力が所定の非ゼロ圧力に近づくまで、この所定の非ゼロ圧力は維持される。次に気体を取り除くための孔が、例えば弁４４、４６を切り替えることによって、ロードロック圧力に結合される。このように、支持テーブル２４と基板Ｗとの間の圧力は、次に基板Ｗ上方の圧力とともに、または基板Ｗ上方の圧力を低下することに先立って低下される。これは、基板Ｗが、支持テーブル２４を吹き払うことを妨げる。もちろん、これは、基板Ｗがもはやクランプされず、かつ圧力が低下するので、基板Ｗと支持テーブル２４との間の熱伝導率も低下する効果を有するが、断熱膨張に起因する主熱伝達が、ロードロック２０内、すなわち基板Ｗがまだクランプされるときの最高圧力で生じる。圧力が十分に低減されると、わずかな効果だけが生じる。
【００５３】
[0060]  代わりにまたは追加して、静電クランピングが、支持テーブル２４上に基板Ｗを維持するために使用されることができる。これは、例えば、基板Ｗに面する支持テーブルの異なる部分に異なる電圧をかけることによって達成されることができる。静電クランピングは、気体が、基板Ｗ上方のより高い圧力で支持テーブル２４と基板Ｗとの間に存在するときでも、支持テーブル２４上に基板を維持するように作用する。この場合、孔３２は、支持テーブル２４と基板Ｗとの間の圧力が維持され、または全体としてロードロック２０内の圧力より遅く少なくとも低減されるように、省略されまたは接続されることができる。これは、支持テーブル２４と基板Ｗとの間の熱伝達を改善する。
【００５４】
[0061]  図５は、リッジ５０、５２が、支持テーブル２４およびカバープレート２８の縁部近くに設けられる実施形態を示す。基板Ｗは、支持テーブル２４およびカバープレート２８の正反対側上のリッジ５０、５２間にはまる。本明細書において使用されるように、「はまる」は、リッジが基板Ｗの周囲に延びるときに基板Ｗに関する十分な場所が存在する、または基板が側方に移動して出ることができない意味で実質的にその周囲に存在することを意味する。正確にはまることを必要ではない。
【００５５】
[0062]  孔５４が、カバープレート２８に設けられる。孔５４は、基板Ｗ上方からの気体の除去を可能にするように作用する。リッジ５０、５２は、基板Ｗの周辺からまたは周辺への気体の流れを低減するように作用する。支持テーブル２４およびカバープレート２８の両方上のリッジ５０、５２の代わりに、支持テーブル２４上だけの１つ以上のリッジ５０、またはカバープレート２８上だけの１つ以上のリッジ５２が、気体流れを妨げるように使用されることができる。孔５４は、それぞれ１ｍｍ〜１０ｍｍの幅を有することができ、例えば５個から５０個の間の孔５４が、使用されることができる。一実施形態において、カバープレート２４の表面の１パーセントから５０パーセントが、孔５４で開放されることができる。
【００５６】
[0063]  孔５４は、ロードロックが減圧されるとき、基板Ｗから上方へ気体が流れる効果を有する。このように、基板Ｗの全表面を横切る側方の気体流れが低減される。これは、基板Ｗの温度不均一性および冷却を低減する。孔は、この効果を有するために垂直方向に延びる必要性なく、低い表面で孔での初期的な気体流れが、垂直成分を有するには十分であることを留意されることができる。
【００５７】
[0064]  リッジ５０、５２は任意である。リッジ５０、５２は、ロードロック２０へ向かうかつロードロック２０からの基板Ｗの縁部を超える気体の側方流れを低減する。これは、さらに基板Ｗの温度不均一性および冷却を低減することができる。理解されるように、この効果は、支持テーブル２４およびカバープレート２８の両方上のリッジ５０、５２を用いて、またはそれらの一方だけ上の１つ以上のリッジ５０、５２を用いて達成されることができる。カバープレート２８上でのリッジ５２の使用は、支持テーブル２４上の基板Ｗの配置を妨げない利点を有する。望ましくは、１つ以上のリッジ５０、５２は、周囲全体に沿って延びる。代わりに、わずかな遮断が、リッジ内に存在することができる。これらの遮断が、基板Ｗが側方に入りかつ出て移動されることを可能にする距離など、望ましい距離を越えて延びない限り、温度均一性および安定性の改善が実現されることができる。留意されるように、リッジ５０、５２は任意である。リッジ５０、５２による低減が無くとも、孔５４の使用は、温度安定性を改善することができる、リッジ５０、５２は、さらに温度安定性を改善する。
【００５８】
[0065]  望ましくは、カバープレート２８は、同様に温度安定化された支持テーブル２４であり得る。しかしながら、カバープレート２８の安定化が無くとも、基板Ｗへのカバープレート２８からの熱伝達が、両者の間の比較的大きな距離に起因して小さいので、改善された効果が実現されることができる。熱伝達は、カバープレート２８と基板Ｗとの間の距離が１０ｍｍから３ｍｍへ低減されるように、カバープレート２８と支持テーブル２４との間の距離を低減することによって改善されることができる。リッジ５０、５２は、この低減された距離で互いに接触することができる。
【００５９】
[0066]  孔５４が基板Ｗ上の領域をロードロック２０の残りに接続する実施形態が示されるが、孔５４は、ロードロック２０と同じ圧力である任意の他の空間と同様に接続することができることが理解されるべきである。一実施形態において、カバープレート２４は、ロードロック２０の天井の一部である。孔５４が他の空間に接続するなら、その空間内の圧力は、周辺を横切る気体流れを生じることを避けるために、ロードロック２０と同一であることが望ましい。しかしながら、周辺が密封されるなら、カバープレート２８および支持テーブル２４は、効果的に他のロードロックを形成する。この場合に、他の空間内の圧力は、主ロードロック２０の残り内の圧力より高い、または低いことがあり得る。
【００６０】
[0067]  図６は、リソグラフィ処理システムを示し、リソグラフィ処理システムは、フォトレジストコーティング塗布器６０、インスペクションデバイス６２、ロードロック２０、および真空空間内の基板テーブルＷＴとを備え、ロボット６４、６６は、それぞれロードロッド２０およびコーティング塗布器６０および基板テーブルＷＴ間で、基板Ｗをロードロック２０内へかつ外へ移動させる。インスペクションデバイス６２は、ロードロック２０とコーティング塗布器６０との間、またはコーティング塗布器６０内に配置される。望ましくは、インスペクションデバイス６２は、基板Ｗの後側（すなわち、フォトレジストでコーティングされた側と反対の側）、基板Ｗの縁部、および／または基板Ｗの縁部に隣接する基板Ｗの前側の縁部領域などの、パターニングされたビームＰＢで照明されないが、取り扱いおよび支持デバイスと接触する基板Ｗの選択された部分を検査するように構成される。一実施形態において、インスペクションデバイス６２は、パターニングされた放射で照明される基板Ｗの部分を検査するようにも構成される。インスペクションデバイス６２は、フォトレジスト材料のトレースを検出するように構成された光学インスペクションデバイスであり得る。示されるように、インスペクションデバイス６２は、それぞれ基板Ｗの前側および後側をインスペクションのためのいくつかの部品を有することができる。インスペクションデバイス６２が、基板Ｗの選択された部分上のフォトレジスト材料のトレースが検出しないとき、インスペクションデバイス６２は、基板Ｗがロードロック２０内へ移動されることを可能にするようにロボット６４に信号を送信する。ロードロック２０内への基板Ｗの移動は、フォトレジスト材料の少なくともトレースが、選択された部分の少なくとも一部で検出された検出に応答して妨げられる。このように、長い停止時間を導くことがあるロードロック２０の汚染が低減される。ロボット６４は、信号が、フォトレジスト材料のトレースが、選択された部分の少なくとも一部で検出されたことを示すときに、基板Ｗを排除レセプタクル（図示せず）へ移動するようにプログラムされる。
【００６１】
[0068]  一実施形態において、インスペクションは、ロードロックの外側で実行され、すなわち、基板Ｗの周りの雰囲気を排気する前に実行される。これは、インスペクションを簡単にし、かつ汚染が排気に起因してあいまいになる危険性を低減する。望ましくは、基板は、インスペクションの間および任意に温度安定化された雰囲気内で、温度安定化された構造（図示せず）によって保持されまたは支持される。構造は、支持テーブル２４の温度を安定化するために使用される流体を通過する１つ以上の導管によって、温度安定化されることができる。雰囲気は、インスペクションの位置に隣接する壁を介してこの流体を通過することによって安定化されることができる。インスペクションの間に温度調整を与えることによって、インスペクションのために必要な時間は、基板温度を準備するために使用されることができる。これは、ロードロック２０による温度安定化の必要性を低減することができる。
【００６２】
[0069]  図７は、追加のドア７０に加えて、第１のドア２１ａおよび第２のドア２１Ｂを備えるロードロック２０の上面図を示す。第１のドア２１ａは、ロードロック２０をフォトレジストコーティング塗布器６０に結合する。追加のドア７０は、１つ以上の基板が補助モジュール７２から入れられることを可能にする。動作において、追加のドア７０は、フォトレジストコーティング塗布器６０を通過することなく、洗浄および／または較正などの特定の動作のために基板を入れるために使用される。これは、追加のロードロックを使用することなく、かつフォトレジストコーティング塗布器６０を分離することなく、そのような特定の動作を実行することを可能にする。特に、フォトレジストコーティング塗布器６０が例えば保守のために一時的に使用されないときに、特定の動作が実行されることができる。特定の洗浄動作の一例において、事前洗浄された基板は、追加のドア７０を通って入れられ、基板が、そのような位置から汚染を取り上げるために、処理の間にリソグラフィ装置と通常接触する１つ以上の位置に配置される。これは、ロードロック２０内および／または主真空空間内に複数の位置を含むことができる。このように洗浄が実行されることができる。他のアプリケーションにおいて、較正構造を有する基板が、リソグラフィ装置内で較正測定を実行するために追加のドア７０を通して入れられることができる。そのような動作に使用される基板は、その後、追加のドア７０を通して再び取り除かれることができる。追加のドア７０が、そのようなハンドラへの結合を可能にするように構成されたサイズおよび形状を有する場合に、知られているＦＯＵＰハンドラなどの標準の基板ハンドラ（キャリア）が使用されることができる。各場合に、フォトレジストコーティング塗布器６０のための第１のドア２１ａは、そのような特定の動作のために基板を供給しかつ／または取り除くために必要は無い。典型的に、そのような動作のために基板から製造されるデバイスは無い。
【００６３】
[0070]  図８は、ロードロック２０、バッファ容器８０、弁８２、拡散器８２、および圧力レギュレータ８６を備える装置の実施形態を示す。バッファ容器８０は、連続して弁８２および拡散器８４を介してロードロック２０の通気接続２２ｂに接続される。圧力レギュレータ８６は、バッファ容器８０に結合される。プログラムされたコンピュータなどの制御回路は、弁８２および圧力レギュレータ８６の動作を制御する。動作において、制御回路は、ロードロック２０が通気されるまで弁８２を閉鎖する。弁８２が閉鎖されている間に、圧力レギュレータ８６は作動される。作動時、圧力レギュレータ８６は、例えばバッファ容器８０に気体を追加するまたは気体を取り除くことによって、バッファ容器８０内の気体圧力を所定の圧力に調整する。基板Ｗが、リソグラフィ装置の真空空間からリソグラフィ装置の外側に搬送されるとき、基板Ｗは、ロードロック２０内に挿入される。ロードロック２０のドア２１ａ、ｂが閉鎖されたとき、圧力レギュレータ８６は作動されず、かつ弁８２は開放され、拡散器８４を通してバッファ容器８０からロードロック２０へ気体が流れることを可能にする。このように、ロードロック２０およびバッファ容器８０内の圧力は、均等化される。望ましくは、圧力均等化の後で、ロードロック２０内の圧力が、外側の圧力に等しいまたはわずかに超えるように、バッファ容器８０内の調整された圧力が選択される。一実施形態において、バッファ容器８０の容積は、ロードロック２０の容積と同じ大きさである。これは、強い気体流れを妨げる。代わりに、より高い圧力でより小さな容器が、気体流れ抵抗、および／またはバッファ容器８０とロードロック２０との間に結合される粒子フィルタを組み合わせて使用されることができる。これは、通気速度を増大するために使用されることができる。バッファ容器８０内の圧力調整は、弁８２が閉鎖されるときのほとんどの全時間間隔の間に低速で行われることができ、かつ非常に高圧力を有さないバッファ容器からの気体を用いる圧力均等化も強い流れを避ける。拡散器８４は、さらに流れ速度を低減する。
【００６４】
[0071]  基板を真空空間内の基板テーブルＷＴへ搬送するための１つのロードロックが、図面に示されたが、リソグラフィ装置が、並行に複数の同様のロードロックを有することができることが理解されるべきである。このように、サイクル時間は、１つまたは複数のロードロックが排気されまたは通気される間に、基板を１つのロードロックに入れることによって得られることができる。望ましくは、一旦、基板がロードロックの外に取り出されると、他の基板が、関連するドアが開放されたままでいる間に挿入される。このように、１つの排気通気サイクルが、複数の基板のために使用されることができる。
【００６５】
[0072]  同一のロードロックが、真空空間に基板を搬送するため、および真空空間から基板を搬送するための両方に使用される実施形態が示されたが、代替として、一方向搬送のために特定化されたロードロックが使用されることができることが理解されるべきである。その場合に、支持テーブル２４およびカバープレート２８などの構成部品は、真空空間に向かう搬送のためにロードロック内に設けられることができる。それらは、必ずしも真空空間からの搬送のためにロードロック内で使用される必要は無い。同じことが、インスペクションデバイスの使用に当てはまる。２つの方向の搬送のためのロードロックの使用は、必要であるロードロックが少ない利点を有する。ほとんどのサイクル時間が、全てのロードロックについて実行されなければならないロードロックの排気および通気に使用されるので、これは、結果として処理サイクル時間のわずかな損失を生じる。
【００６６】
[0073]  ロードロックが、真空室内に直接開放される構成が示されたが、１つ以上の中間室が、ロードロックと主真空室との間に存在することができるが理解されるべきである。また複数のロボットが、連続する搬送ステップを実行するために使用されることができる。
【００６７】
[0074]  基板Ｗが、ロードロック２０内に水平方向に載る構成が示されたが、クランピングが使用されるとき、任意の他の方位が使用され得ることが理解されるべきである。これに関して、基板が水平方向に向けられたときに垂直に上方および下方に対応する同様の用語「上方」および「下方」は、上方・下方方向の一般的な意味にしたがって使用され、パターニングされるべき基板の表面は、下方方向である基板の反対表面に対して上方方向である。
【００６８】
[0075]  特定の参照が、ＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用に対して本明細書で行われることができるが、本明細書に記載されるリソグラフィ装置は、集積された光学システム、磁気ドメインメモリのためのガイドおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどの製造などの他のアプリケーションを有することができることは理解されるべきである。当業者は、そのような代わりのアプリケーションに関連して、本明細書における用語「ウェーハ」または「ダイ」の任意の使用は、それぞれより一般的な用語「基板」または「ターゲット部分」と同義であると考えられることができることを理解する。本明細書に参照される基板は、例えばトラック（一般的に基板にレジストの層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジツール、および／またはインスペクションツールで、露光の前または後で処理されることができる。適切な場合、本明細書における開示は、そのような基板処理ツールおよび他の基板処理ツールに与えられることができる。さらに、基板は、本明細書で使用される用語基板は、既に複数の処理された層を含む基板も参照することができるように、例えば複数層ＩＣを作るために１回以上処理されることができる。
【００６９】
[0076]  特定の参照が、光学リソグラフィに関連して本発明の実施形態の使用に対して上記で行われることができるが、本発明が、例えばインプリントリソグラフィなどの他のアプリケーションで使用されることができ、および文脈が可能であれば光学リソグラフィに制限されないことが理解される。インプリントリソグラフィにおいて、パターニングデバイスにおけるトポグラフィは、基板上に作られるパターンを規定する。パターニングデバイスのトポグラフィは、レジストが、電磁気放射、熱、圧力、またはそれらの組み合わせを印加することによって硬化されたとき、基板に供給されるレジストの層に押圧されることができる。パターニングデバイスは、レジストが硬化された後、レジストの外に移動され、その内にパターンを残す。
【００７０】
[0077]  本明細書に使用される用語「放射」または「ビーム」は、紫外（ＵＶ）放射（例えば、３６５、３５５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍの波長、またはほぼそれらの波長を有する）、および極紫外（ＥＵＶ）放射（例えば、５ｎｍから２０ｎｍの範囲の波長を有する）、ならびにイオンビームまたは電子ビームなどの粒子ビームを含む、全てのタイプの電磁放射を包含する。
【００７１】
[0078]  文脈が許容する場合に用語「レンズ」は、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電光学構成部品を含む様々なタイプの光学構成部品の任意の１つまたはそれらの様々な組み合わせを参照することができる。
【００７２】
[0079]  本発明の特定の実施形態が、上述されたが、本発明は、記載されるより他の方法で実施されることができることは理解される。例えば、本発明は、上記で開示される方法を記載する機械読取可能な命令の１つ以上のシーケンスを含むコンピュータプログラム、またはそのようなコンピュータプログラムを内部に記憶するデータ格納媒体（例えば、半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形態をとることができる。
【００７３】
[0080]  上記記載は、限定せず例示されることを目的とする。したがって、修正は、示される請求項の範囲を逸脱することなく、記載された本発明に行われることができることは当業者には明らかである。
【図１】
2012009883.tif 000003
【図２ａ】
2012009883.tif 000004
【図２ｂ】
2012009883.tif 000005
【図２ｃ】
2012009883.tif 000006
【図２ｄ】
2012009883.tif 000007
【図３】
2012009883.tif 000008
【図４】
2012009883.tif 000009
【図５】
2012009883.tif 000010
【図６】
2012009883.tif 000011
【図７】
2012009883.tif 000012
【図８】
2012009883.tif 000013
【手続補正書】
【提出日】平成23年8月16日(2011.8.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバを有する基板処理装置であって、
基板が入ることを可能にする第１のドア、および前記処理チャンバへ直接的または間接的に前記基板が出ることを可能にする第２のドアを有する気体除去のためのロードロックと、
支持ケーブルの上表面上に複数の等しい高さのバンプを備え、前記基板を支持するために前記ロードロック内の温度安定化された支持テーブルと、
前記支持テーブルの前記上表面内に開口を備える気体除去構成とを備え、
前記気体除去構成は、前記支持テーブルの前記上表面と前記基板との間の気体圧力を、前記開口を初期的に通して、前記ロードロックの残り内の同時ロードロック圧力より低い所定の圧力に低減し、かつ、前記ロードロックの前記残り内の前記ロードロック圧力が前記所定の圧力より低く低下したときに、前記ロードロックの前記残り内の前記ロードロック圧力とともに、前記支持テーブルの前記上表面と前記基板との間の気体圧力を低減する、基板処理装置。
【請求項２】
前記支持テーブル内の孔を通って延びる支持ピンと、駆動機構とを備え、前記駆動機構は、少なくとも、前記支持ピンが前記支持テーブルから上方に延びる第１の位置と、前記支持テーブルの上表面が前記支持ピンの頂部または前記支持ピンの頂部上の上昇したレベルにある第２の位置との間で、前記支持ピンに対して前記支持テーブルを移動する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記支持テーブルは前記基板の幅より大きい幅を有する、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項４】
基板処理装置はリソグラフィ装置であり、前記基板処理装置は、
パターニングされた放射ビームを形成するために、前記放射ビームの断面にパターンを与えることができるパターニングデバイスを支持するサポートと、
前記処理チャンバ内に基板を保持する基板テーブルと、
前記処理チャンバ内の前記基板のターゲット部分上に前記パターニングされた放射ビームを投影する投影システムとを備える、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項５】
デバイス製造方法であって、
処理チャンバ内で基板を処理するステップと、
ロードロックを通して前記処理チャンバへ前記基板を通過させるステップと、
温度安定化支持テーブル上の前記ロードロック内に前記基板を挿入するステップであって、前記支持テーブルは前記基板を支持する前記支持テーブルの上表面上に複数の等しい高さのバンプを備え、前記支持テーブルの前記上表面に開口が存在する、前記基板を挿入するステップと、
前記基板が前記バンプ上に載るとき、前記支持テーブルの前記上表面と前記基板との間の空間から前記開口を通じて気体を取り除くことによって、前記ロードロックの残り内の同時ロードロック圧力より低い所定の圧力に、初期的に前記支持テーブルの前記上表面と前記基板との間の気体圧力を低減するステップと、
前記ロードロックの前記残り内の前記ロードロック圧力が前記所定の圧力より低く低下したときに、前記ロードロックの前記残り内の前記ロードロック圧力とともに、前記支持テーブルの前記上表面と前記基板との間の気体圧力を低減するステップとを含むデバイス製造方法。
【請求項６】
前記基板の上表面に面する下表面を有する前記カバープレートを有する前記ロードロック内に配置されたカバープレートを提供するステップを含む、請求項５に記載のデバイス製造方法。
【請求項７】
前記基板が前記支持テーブルの前記上表面上に配置された後、前記支持テーブルの前記上表面および／または前記カバープレートの前記下表面を互いに向けて移動させるステップを含む、請求項６に記載のデバイス製造方法。
【請求項８】
前記カバープレートの前記下表面内の開口を通じて前記基板上の空間から気体を取り除くステップを含む、請求項６に記載のデバイス製造方法。
【請求項９】
前記基板の周辺から前記基板の中心に向かう気体流れを妨げるステップを含む、請求項８に記載のデバイス製造方法。
【請求項１０】
前記処理チャンバ内の前記基板上にパターニングされたビームを投影するステップを含む、請求項５に記載のデバイス製造方法。
【外国語明細書】
2012009883000001.pdf