(57)【要約】【課題】リッジ型半導体レーザにおいて、活性層内においてリッジ部から比較的に離れた箇所の結晶欠陥に起因して特性劣化が生じる半導体レーザ素子を、比較的に短い試験時間で行うスクリーニング試験によって効果的に選別し、信頼性の高い半導体レーザと、スクリーニング試験方法とを提供すること。【解決手段】ｎ型半導体層３、ｐ型半導体層７及びリッジ部１７を有するリッジ型の半導体レーザ１ａの活性層５は第１の領域５ａ〜第３の領域５ｃからなり、第１の領域５ａ〜第３の領域５ｃはｎ型半導体層３の表面に沿って順に配置され、リッジ部１７とｐ型半導体層７とは第２の領域５ｂの上において接続されており、第２の領域５ｂはリッジ部１７に沿って延びており、半導体レーザ１ａのｐ側電極１３ｂはリッジ部１７に接続しており、スクリーニング用電極１３ａとｐ型半導体層７とは第１の領域５ａの上において接続されており、スクリーニング用電極１３ｃとｐ型半導体層７とは第３の領域５ｃの上において接続されている。【選択図】図１
2012238663.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リッジ型半導体レーザであって、
ｎ型半導体を含む第１の半導体層と、
前記第１の半導体層の一方の表面に設けられた第１の電極と、
前記第１の半導体層の他方の表面の上に設けられておりレーザ光を発する活性層と、
前記活性層の上に設けられｐ型半導体を含む第２の半導体層と、
前記第２の半導体層の上に設けられ半導体を含むリッジ部と、
前記活性層及び前記第２の半導体層の上に設けられており前記活性層に電流を供給するための第２の電極、第３の電極及び第４の電極と、
を備え、
前記活性層は、第１の領域、第２の領域及び第３の領域からなり、
前記第１の領域、第２の領域及び第３の領域は、前記第１の半導体層の表面に沿って順に配置されており、
前記リッジ部と前記第２の半導体層とは、前記第２の領域の上において接続されており、
前記第２の領域は、前記リッジ部に沿って延びており、
前記第３の電極は、前記リッジ部に接続しており、
前記第２の電極と前記第２の半導体層とは、前記第１の領域の上において接続されており、
前記第４の電極と前記第２の半導体層とは、前記第３の領域の上において接続されている、
ことを特徴とするリッジ型半導体レーザ。
【請求項２】
前記第２の半導体層の上に設けられ半導体を含む第１の凸部及び第２の凸部を更に備え、
前記第１の凸部と前記第２の半導体層とは、前記第１の領域の上において接続されており、
前記第２の凸部と前記第２の半導体層とは、前記第３の領域の上において接続されており、
前記第２の電極は、前記第１の凸部に接続し、
前記第４の電極は、前記第２の凸部に接続している、
ことを特徴とする請求項１に記載のリッジ型半導体レーザ。
【請求項３】
前記活性層の材料は、アルミニウムを含む、ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のリッジ型半導体レーザ。
【請求項４】
請求項１〜請求項３の何れか一項に記載のリッジ型半導体レーザに対するスクリーニング試験方法であって、
前記リッジ型半導体レーザを光通信モジュールの支持部に実装するステップと、
前記リッジ型半導体レーザに設けられたスクリーニング試験用の前記第２の電極及び前記第３の電極と、前記支持部に設けられており電流源と電気的に接続されたスクリーニング試験用の導体パターンとを、ワイヤを介して接続するステップと、
前記導体パターン及び前記ワイヤを介して前記リッジ型半導体レーザに電流を供給することによって前記リッジ型半導体レーザに対するスクリーニング試験を実施するステップと、
スクリーニング試験の終了後に、前記導体パターンを切断することによって、前記第２の電極及び前記第３の電極と前記電流源とを電気的に絶縁するステップと、
を備える、ことを特徴とするスクリーニング試験方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リッジ型半導体レーザ、及び、スクリーニング試験方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、半導体レーザ素子の信頼度を初期特性検査で判定するための技術が記載されている。特許文献１の半導体レーザ素子は、半導体基板と、活性層と、リッジと、絶縁膜と、電極とを有する。活性層は、半導体基板上に設けられている。リッジは、クラッド層とコンタクト層とを含む。クラッド層は、活性層の上に設けられている。コンタクト層は、クラッド層の上に設けられている。絶縁膜は、リッジの側面を覆うようにして設けられている。電極は、リッジを覆うようにして絶縁膜の上に設けられ、かつ、コンタクト層に接続されている。そして、電極は、Ｔｉ膜とＡｕ膜とを含む。Ｔｉ膜は、絶縁膜の上に設けられている。Ａｕ膜は、Ｔｉ膜の上に設けられている。Ｔｉ膜のリッジ側面における膜厚は、１０ｎｍ以下である。
【０００３】
特許文献２には、動作初期時の動作電流の変動がなく、比較的に低い動作電流で安定的に動作させることができ、そして、比較的に寿命の長い半導体レーザ装置についての技術が記載されている。特許文献２に記載されている半導体レーザ装置は、第１のクラッド層と、活性層と、第２のクラッド層と、電流注入領域と、第１及び第２の電流注入部とを有する。第１のクラッド層は、第１導電型である。活性層は、第１のクラッド層の上に設けられている。第２のクラッド層は、活性層の上に設けられている。電流注入領域は、リッジ状の形状を有する。リッジ上の電流注入領域は、レーザ発光のために第２のクラッド層を介して活性層に電流注入を行う領域である。リッジ状の電流注入領域は、電流注入領域の上からみて、第１の電流注入部と第２の電流注入部との間に配置されている。第１の電流注入部及び第２の電流注入部は、何れも、電流注入領域の近傍にある第２のクラッド層に電流を注入する。
【０００４】
特許文献３には、スクリーニング試験によって半導体レーザを選別する方法が記載されている。この選別方法は、特に発光波長が１μｍ帯の半導体レーザ装置であって比較的に長寿命の半導体レーザ装置を選別するための方法である。
【０００５】
従来、半導体レーザのスクリーニング試験（エージング試験）には、通電による特性（Ｉｔｈ等）変動に対する規格が設けられている。スクリーニング試験を行うことによって、特性変動の規格に適合している半導体レーザと、適合していない半導体レーザとを選別できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−６３７１１号公報
【特許文献２】特開２００７−２５８５７９号公報
【特許文献３】特開昭６０−１９８７９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
半導体レーザ等の半導体光素子の通電による特性変動は、活性層にある結晶欠陥が成長することによって生じる場合がある。リッジ型の半導体レーザの場合、活性層は、基板の表面に沿って順に配置されている第１の領域、第２の領域及び第３の領域からなる。リッジ部は第２の領域の上に設けられている。第１の領域は第２の領域に接し、第２の領域は第３の領域に接している。基板の表面及びリッジ部の上から見て、第２の領域と、第２の領域の上に設けられたリッジ部とは重なっており、そして、第１の領域と第３の領域との間にある。活性層において、第１の領域及び第３の領域は、第２の領域と比較して、リッジ部から離れている。リッジ部から活性層に電流を流入すると、第２の領域だけでなく、リッジ部から比較的に離れている第１の領域及び第３の領域にも、電流が流れ、よって、第１の領域及び第３の領域においても発光が生じる。このため、半導体レーザの長期通電によって、第１の領域及び第３の領域にある結晶欠陥が成長して第２の領域に到達し、半導体レーザの特性劣化の原因となる場合がある。従来のリッジ型半導体レーザのスクリーニング試験においては、リッジ部上に設けられた電極を介して活性層に電流を流入し、スクリーング試験前後での特性変動を観察することで、長期通電により特性劣化を引き起こす信頼性に低い素子を選別する。しかし、この方法では、リッジ部から比較的に離れている第１の領域及び第３の領域に結晶欠陥が存在したとしても、この結晶欠陥に起因して特性劣化する素子を選別することは困難である。
【０００８】
すなわち、リッジ型半導体レーザの長期寿命を保証するためには、第２の領域にある結晶欠陥の他に、第１の領域及び第３の領域にある結晶欠陥に起因して特性劣化が生じる素子を、あらかじめ選別し、取り除く必要がある。このような第１の領域及び第３の領域にある結晶欠陥に起因して特性劣化が生じる素子を選別する方法としては、例えば、従来行われているスクリーニング試験において、適用される温度、電流、及び光出力を、比較的に高い値に設定することが考えられる。つまり、スクリーニング試験において、リッジ型半導体レーザに比較的高い負荷を印加することで、リッジ型半導体レーザの第１の領域及び第３の領域まで電流を注入し、加速試験する。この結果、これらの第１〜第３の領域に存在する結晶欠陥に起因して特性劣化が生じる素子を選別することができると考えられる。しかしながら、スクリーニング試験に適用される温度、電流及び光出力が比較的に高い値に設定されている状況において、試験時間を比較的に長い値に設定すると、第１の領域及び第３の領域にある結晶欠陥が成長して第２の領域に至る、という複合的な特性劣化の現象が生じる可能性がある。さらに、この現象とは異なる他の現象も誘引される可能性もある。すなわち、このような高い負荷を半導体レーザ素子に印加するスクリーニング試験では、かえって本来の特性劣化を引き起こすメカニズムとは異なる、より複雑な劣化モードを誘引する可能性がある。また、従来行われているスクリーニング試験と同じ条件で試験した場合は、第１の領域及び第３の領域にある結晶欠陥に起因して特性劣化が生じる素子を選別するためには、試験時間を相当長い時間に設定する必要があると考えられる。そこで、本発明の目的は、上記の事項を鑑みてなされたものであり、リッジ型半導体レーザにおいて、活性層内においてリッジ部から比較的に離れた箇所の結晶欠陥に起因して特性劣化が生じる半導体レーザ素子を、比較的に短い試験時間で行うスクリーニング試験によって効果的に選別し、信頼性の高い半導体レーザと、スクリーニング試験方法とを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係るリッジ型半導体レーザは、ｎ型半導体を含む第１の半導体層と、前記第１の半導体層の一方の表面に設けられた第１の電極と、前記第１の半導体層の他方の表面の上に設けられておりレーザ光を発する活性層と、前記活性層の上に設けられｐ型半導体を含む第２の半導体層と、前記第２の半導体層の上に設けられ半導体を含むリッジ部と、前記活性層及び前記第２の半導体層の上に設けられており前記活性層に電流を供給するための第２の電極、第３の電極及び第４の電極と、を備え、前記活性層は、第１の領域、第２の領域及び第３の領域からなり、前記第１の領域、第２の領域及び第３の領域は、前記第１の半導体層の表面に沿って順に配置されており、前記リッジ部と前記第２の半導体層とは、前記第２の領域の上において接続されており、前記第２の領域は、前記リッジ部に沿って延びており、前記第３の電極は、前記リッジ部に接続しており、前記第２の電極と前記第２の半導体層とは、前記第１の領域の上において接続されており、前記第４の電極と前記第２の半導体層とは、前記第３の領域の上において接続されている、ことを特徴とする。
【００１０】
第３の電極を介してリッジ部から活性層の第２の領域に電流が流入すると、第２の領域において発光が生じる。また、第２の電極を介して活性層の第１の領域に電流が流入すると、第１の領域において発光が生じる。更に、第４の電極を介して活性層の第３の領域に電流が流入すると、第３の領域において発光が生じる。従って、スクリーニング試験において、第２〜第４の電極に電流を流せば、リッジ部に比較的に近い位置にある第２の領域だけでなく、第２の電極及び第４の電極を介して、リッジ部から比較的に離れた位置にある第１の領域及び第３の領域にも、独立して電流を流入することができる。従ってリッジ部に比較的に近い位置にある第２の領域に結晶欠陥が存在する場合だけでなく、第２の領域の両側に設けられておりリッジ部から比較的に離れた位置にある第１の領域及び第３の領域に結晶欠陥が存在する場合でも、これらの結晶欠陥に起因して引き起こされる特性劣化を特定することができる。第２の領域に存在する結晶欠陥の他に、これらの第１の領域及び第３の領域に存在する結晶欠陥も、リッジ型半導体レーザの長期信頼性に影響を与える。故に、本発明に係るリッジ型半導体レーザでは、スクリーニング試験において、第２〜第４の電極を介して、第１〜第３の領域の活性層に電流を流すことにより、リッジ部に比較的に近い位置にある第２の領域に存在する結晶欠陥に起因して特性劣化を引き起こすレーザ素子の他に、リッジ部から比較的に離れた位置にある第１の領域及び第３の領域に存在する結晶欠陥に起因して特性劣化を引き起こすレーザ素子を容易に選別することができる。また、第２〜第４の電極を介して、第１〜第３の領域の活性層に、独立に電流を流し、その電流値を制御すことができるので、第１〜第３の領域の活性層に流すべき最適な電流値を選択することができる。
【００１１】
本発明に係る半導体レーザでは、前記第２の半導体層の上に設けられ半導体を含む第１の凸部及び第２の凸部を更に備え、前記第１の凸部と前記第２の半導体層とは、前記第１の領域の上において接続されており、前記第２の凸部と前記第２の半導体層とは、前記第３の領域の上において接続されており、前記第２の電極は、前記第１の凸部に接続し、前記第４の電極は、前記第２の凸部に接続している構成であることができる。第１の凸部及び第２の凸部上に設けられた第２の電極及び第４の電極から、第１の凸部及び第２の凸部を介して、活性層の第１の領域および第３の領域に電流が注入されるので、より確実に、かつ精度よく第１の領域および第３の領域にそれぞれ電流を注入することができ、また、他の領域に広がることを制限することができる。従って、第１〜第３の領域の活性層に存在する結晶欠陥の特定およびこの結晶欠陥に起因して特性劣化を引き起こすレーザ素子を、少ない負荷で、かつ短い時間で、確実に選別することができる。さらに、第２の電極及び第４の電極から注入された電流が、他の領域に広がって、新たな劣化モードを誘引することも回避することができる。
【００１２】
本発明に係る半導体レーザでは、前記活性層の材料は、アルミニウムを含むことができる。アルミニウムを含有する活性層の場合、結晶欠陥の成長が比較的に多く発生することが知られている。本発明に係る半導体レーザによれば、活性層における結晶欠陥の存在の検出が効果的に行えるので、このような活性層の材料にアルミニウムを含むリッジ型半導体レーザに好適である。
【００１３】
本発明に係るスクリーニング試験方法は、上記の何れかのリッジ型半導体レーザに対するスクリーニング試験方法であって、前記リッジ型半導体レーザを光通信モジュールの支持部に実装するステップと、前記リッジ型半導体レーザに設けられたスクリーニング試験用の前記第２の電極及び前記第３の電極と、前記支持部に設けられており電流源と電気的に接続されたスクリーニング試験用の導体パターンとを、ワイヤを介して接続するステップと、前記導体パターン及び前記ワイヤを介して前記リッジ型半導体レーザに電流を供給することによって前記リッジ型半導体レーザに対するスクリーニング試験を実施するステップと、スクリーニング試験の終了後に、前記導体パターンを切断することによって、前記第２の電極及び前記第３の電極と前記電流源とを電気的に絶縁するステップと、を備える。従って、スクリーニング試験終了後に、リッジ型半導体レーザを駆動する際は、リッジ型半導体レーザのスクリーニング用の第１及び第２の電極には電流源からの電流の供給が遮断される。更に、導体パターンの切断部は、支持部に固定されているので、導体パターンを切断する際に、他のワイヤや導体パターン等に接触し、これらのワイヤや導体パターン等を破損等することを回避することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、リッジ型半導体レーザにおいて、活性層内においてリッジ部から比較的に離れた箇所の結晶欠陥に起因して特性劣化が生じる半導体レーザ素子を、比較的に短い試験時間で行うスクリーニング試験によって効果的に選別し、信頼性の高い半導体レーザと、スクリーニング試験方法とを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、実施形態に係る第１の半導体レーザの構成を説明するための図である。
【図２】図２は、実施形態に係る第２の半導体レーザの構成を説明するための図である。
【図３】図３は、実施形態に係る第３の半導体レーザの構成を説明するための図である。
【図４】図４は、実施形態に係る第４の半導体レーザの構成を説明するための図である。
【図５】図５は、実施形態に係る第５の半導体レーザの構成を説明するための図である。
【図６】図６は、実施形態に係る半導体レーザを実装する光通信モジュールの構成を説明するための図である。
【図７】図７は、実施形態に係る半導体レーザを支持する支持部の構成を示す図である。
【図８】図８は、実施形態に係る半導体レーザを支持する他の支持部の構成を示す図である。
【図９】図９は、スクリーニング試験を用いた半導体レーザの検査処理を説明するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照して、本発明に係る好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において、可能な場合には、同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１７】
（第１の実施形態）図１は、実施形態に係る半導体レーザ１ａの構成を説明するための図である。図１の（ａ）部は、半導体レーザ１ａのｐ側の表面の構成を示す図である。図１の（ａ）部に示すｐ側の表面は、図中に示すｘ−ｙ平面に沿って延びている。図１の（ｂ）部は、図１の（ａ）部に示す面Ａ１に沿ってとられた半導体レーザ１ａの断面の構成を矢印に示す向きに見た図である。図１の（ｂ）部に示す断面は、図中に示すｚ−ｘ平面に沿って延びている。
【００１８】
半導体レーザ１ａは、リッジ型半導体レーザである。半導体レーザ１ａは、ｎ型半導体層３（第１の半導体層）、活性層５、ｐ型半導体層７（第２の半導体層）、コンタクト層９ａ、コンタクト層９ｂ、コンタクト層９ｃ、絶縁膜１１ａ、絶縁膜１１ｂ、絶縁膜１１ｃ、絶縁膜１１ｄ、スクリーニング用電極１３ａ（第２の電極）、ｐ側電極１３ｂ（第３の電極）、スクリーニング用電極１３ｃ（第４の電極）、及び、ｎ側電極１５（第１の電極）、及び、リッジ部１７を備える。ｎ側電極１５、ｎ型半導体層３、活性層５、及び、ｐ型半導体層７は、ｚ軸方向に沿って、順に配置されている。ｎ型半導体層３は、基板（図示略）とｎ型半導体のクラッド層（図示略）とを含む。ｎ側電極１５は、ｎ型半導体層３の一方の表面に設けられている。活性層５は、ｎ型半導体層３の他方の表面の上に設けられておりレーザ光を発する。活性層５は、半導体からなり、活性層５の材料は、アルミニウムを含むことができる。活性層５の上には、ｐ型半導体層７が設けられている。ｐ型半導体層７は、ｐ型半導体のクラッド層を含む。リッジ部１７は、ｐ型半導体層７の上に設けられ半導体を含む。リッジ部１７の幅は、例えば、１．５μｍ程度である。
【００１９】
スクリーニング用電極１３ａ、ｐ側電極１３ｂ、及び、スクリーニング用電極１３ｃは、活性層５及びｐ型半導体層７の上に設けられている。スクリーニング用電極１３ａ、ｐ側電極１３ｂ、及び、スクリーニング用電極１３ｃは、活性層５に電流を供給するために設けられている。特に、スクリーニング用電極１３ａ及びスクリーニング用電極１３ｃは、半導体レーザ１ａに対するスクリーニング試験に用いられる。スクリーニング試験の後には、スクリーニング用電極１３ａ及びスクリーニング用電極１３ｃに電流は流されない。
【００２０】
活性層５は、第１の領域５ａ、第２の領域５ｂ及び第３の領域５ｃからなる。第１の領域５ａ、第２の領域５ｂ及び第３の領域５ｃは、ｎ型半導体層３の表面に沿って順に配置されている。第１の領域５ａは第２の領域５ｂに接しており、第２の領域５ｂは第３の領域５ｃに接している。リッジ部１７は、第２の領域５ｂの上に設けられている。リッジ部１７とｐ型半導体層７とは、第２の領域５ｂの上において接続されている。第２の領域５ｂは、リッジ部１７に沿って延びている。リッジ部１７の上から見て（ｚ軸の方向から見て）、第２の領域５ｂと、第２の領域５ｂの上に設けられたリッジ部１７とは重なっており、そして、第１の領域５ａと第３の領域５ｃとの間にある。活性層５において、第１の領域５ａ及び第３の領域５ｃは、第２の領域５ｂと比較して、リッジ部１７から離れている。
【００２１】
ｐ側電極１３ｂは、リッジ部１７に接続している。ｐ側電極１３ｂは、コンタクト層９ｂを介してリッジ部１７に電気的に接続している。ｐ側電極１３ｂは、コンタクト層９ｂ及びリッジ部１７を介して、ｐ型半導体層７に電気的に接続している。
【００２２】
スクリーニング用電極１３ａとｐ型半導体層７とは、第１の領域５ａの上において接続されている。スクリーニング用電極１３ａとｐ型半導体層７とは、コンタクト層９ａを介して電気的に接続されている。スクリーニング用電極１３ａとｐ型半導体層７との接続部Ｐ１は、第１の領域５ａの上にある。接続部Ｐ１（絶縁膜１１ａおよび１１ｂの開口部）とリッジ部１７との距離、及び接続部Ｐ１の開口部の幅は、半導体レーザ１ａの動作時に活性層に電流を注入したときに、リッジ部１７を介して、電流が第２の領域５ｂの両側に拡がる範囲および電流注入により発光する範囲を考慮して決定される。例えば、接続部Ｐ１（絶縁膜１１ａおよび１１ｂの開口部）とリッジ部１７との距離は、例えば、０．２μｍ以上１．５μｍ以下である。また、接続部Ｐ１において、絶縁膜が設けられていない開口部の幅は、例えば、０．５μｍ以上１０μｍ以下である。
【００２３】
スクリーニング用電極１３ｃとｐ型半導体層７とは、第３の領域５ｃの上において接続されている。スクリーニング用電極１３ｃとｐ型半導体層７とは、コンタクト層９ｃを介して電気的に接続されている。スクリーニング用電極１３ｃとｐ型半導体層７との接続部Ｐ２は、第３の領域５ｃの上にある。接続部Ｐ２（絶縁膜１１ｃおよび１１ｄの開口部）とリッジ部１７との距離、及び接続部Ｐ２の開口部の幅は、接続部Ｐ１と同様に、半導体レーザ１ａの動作時に活性層に電流を注入したときに、リッジ部１７を介して、電流が第２の領域５ｂの両側に拡がる範囲および電流注入により発光する範囲を考慮して決定される。例えば、接続部Ｐ２（絶縁膜１１ｃおよび１１ｄの開口部）とリッジ部１７との距離は、例えば、０．２μｍ以上１．５μｍ以下である。また、接続部Ｐ２において、絶縁膜が設けられていない開口部の幅は、例えば、０．５μｍ以上１０μｍ以下である。
【００２４】
更に、詳細に半導体レーザ１ａの構成を説明する。コンタクト層９ａは、第１の領域５ａの上において、ｐ型半導体層７の表面に設けられている。コンタクト層９ａは、リッジ部１７の上から見て、第１の領域５ａを覆うように設けられている。コンタクト層９ａは、リッジ部１７に沿って（ｙ軸に沿って）延びている。スクリーニング用電極１３ａとｐ型半導体層７とは、コンタクト層９ａを介して、第１の領域５ａの上の接続部Ｐ１において、電気的に接続されている。接続部Ｐ１において、コンタクト層９ａの表面には、絶縁膜１１ａ、絶縁膜１１ｂ及び絶縁膜１１ｃ等の絶縁膜が設けられていない。
【００２５】
コンタクト層９ｂは、第２の領域５ｂの上において、リッジ部１７の表面に設けられている。コンタクト層９ｂは、リッジ部１７の上からみて、第２の領域５ｂ及びリッジ部１７を覆うように設けられている。コンタクト層９ｂは、リッジ部１７に沿って（ｙ軸に沿って）延びている。ｐ側電極１３ｂは、コンタクト層９ｂを介してリッジ部１７に電気的に接続されている。ｐ側電極１３ｂは、コンタクト層９ｂ及びリッジ部１７を介して、第２の領域５ｂの上において、ｐ型半導体層７に電気的に接続されている。
【００２６】
コンタクト層９ｃは、第１の領域５ｃの上において、ｐ型半導体層７の表面に設けられている。コンタクト層９ｃは、リッジ部１７の上から見て、第１の領域５ｃを覆うように設けられている。コンタクト層９ｃは、リッジ部１７に沿って（ｙ軸に沿って）延びている。スクリーニング用電極１３ｃとｐ型半導体層７とは、コンタクト層９ｃを介して、第１の領域５ｃの上の接続部Ｐ２において、電気的に接続されている。接続部Ｐ２において、コンタクト層９ｃの表面には、絶縁膜１１ａ、絶縁膜１１ｂ及び絶縁膜１１ｃ等の絶縁膜が設けられていない。
【００２７】
第２の領域５ｂ及びリッジ部１７は、何れも、第１の領域５ａ（及びコンタクト層９ａ）と、第３の領域５ｃ（及びコンタクト層９ｃ）と、の間にある。
【００２８】
絶縁膜１１ａ及び絶縁膜１１ｂは、第１の領域５ａの上において、接続部Ｐ１を除き、コンタクト層９ａを覆う。絶縁膜１１ｃ及び絶縁膜１１ｄは、第３の領域５ｃの上において、接続部Ｐ２を除き、コンタクト層９ｃを覆う。絶縁膜１１ｂ及び絶縁膜１１ｃは、リッジ部１７及びコンタクト層９ｂの側面（ｚ軸に沿って延びている面）を覆う。
【００２９】
リッジ部１７及び第２の領域５ｂは、ｙ軸に沿って延びている。リッジ部１７と第２の領域５ｂとは、リッジ部１７の上から見て（ｚ軸方向からみて）、重なっている。ｐ側電極１３ｂは、第２の領域５ｂ及びリッジ部１７の上に設けられており、リッジ部１７に沿って延びている。スクリーニング用電極１３ａは、第１の領域５ａの上に設けられており、リッジ部１７に沿って延びている。スクリーニング用電極１３ｃは、第３の領域５ｃの上に設けられており、リッジ部１７に沿って延びている。
【００３０】
スクリーニング試験において、ｐ側電極１３ｂを介してリッジ部１７から活性層５の第２の領域５ｂに電流が流入すると、リッジ部１７から比較的に離れている第１の領域５ａ及び第３の領域５ｃにも、電流が流れ、よって、第１の領域５ａ及び第３の領域５ｃにおいても発光が生じる。また、スクリーニング試験において、スクリーニング用電極１３ａを介して活性層５の第１の領域５ａに電流が流入すると、第１の領域５ａにおいて発光が生じる。更に、スクリーニング試験において、スクリーニング用電極１３ｃを介して活性層５の第３の領域５ｃに電流が流入すると、第３の領域５ｃにおいて発光が生じる。
【００３１】
このように、半導体レーザ１ａによれば、スクリーニング試験の実施により、リッジ部１７に比較的に近い位置にある第２の領域５ｂだけでなく、第１の領域５ａの上のスクリーニング用電極１３ａ、及び、第３の領域５ｃの上のスクリーニング用電極１３ｃ、を介して、リッジ部１７から比較的に離れた位置にある第１の領域５ａ及び第３の領域５ｃにも電流を、それぞれ独立に流入することができる。故に、リッジ部に比較的に近い位置にある第２の領域に結晶欠陥が存在する場合だけでなく、第２の領域の両側に設けられておりリッジ部から比較的に離れた位置にある第１の領域及び第３の領域に結晶欠陥が存在する場合でも、これらの結晶欠陥に起因して引き起こされる特性劣化を特定することができる。第２の領域に存在する結晶欠陥の他に、これらの第１の領域及び第３の領域に存在する結晶欠陥も、リッジ型半導体レーザの長期信頼性に影響を与える。本実施形態の半導体レーザ１ａにおいては、スクリーニング試験の際に、ｐ側電極１３ｂ、スクリーニング用電極１３ａ、及び、スクリーニング用電極１３ｃを介して、第１の領域５ａ、第２の領域５ｂ、及び第３の領域５ｃの活性層に電流を流すことができる。これにより、リッジ部に比較的に近い位置にある第２の領域５ｂに存在する結晶欠陥に起因して特性劣化を引き起こすレーザ素子の他に、リッジ部から比較的に離れた位置にある第１の領域５ａ及び第３の領域５ｃに存在する結晶欠陥に起因して特性劣化を引き起こすレーザ素子を容易に選別することができる。また、ｐ側電極１３ｂ、スクリーニング用電極１３ａ、及び、スクリーニング用電極１３ｃを介して、第１の領域５ａ、第２の領域５ｂ、及び第３の領域５ｃの活性層に、独立に電流を流し、その電流値を制御すことができる。これにより、第１〜第３の領域の活性層に流すべき最適な電流値を選択することができる。また、例えば、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体からなる活性層のように、アルミニウムを含有する活性層の場合、結晶欠陥の成長が比較的に多く発生することが知られている。本実施形態の半導体レーザ１ａによれば、アルミニウムを含有する活性層５における結晶欠陥の存在の検出が効果的に行える。スクリーニング用電極１３ａ、ｐ側電極１３ｂ、及びスクリーニング用電極１３ｃは、例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕからなるオーミック電極である。ｎ型半導体層３は、例えばｎ型ＩｎＰからなる。なお、ｎ型半導体層３は、ｎ型の半導体基板であることができる。活性層５は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）元素を含むＡｌＧａＩｎＡｓ半導体からなる量子井戸構造を有する。また、ＧａＩｎＡｓＰ半導体からなる量子井戸構造を有していてもよい。また、ＡｌＧａＩｎＡｓ半導体、またはＧａＩｎＡｓＰ半導体からなる単層の半導体層から構成されていてもよい。ｐ型半導体層７は、例えば、ｐ型ＩｎＰからなる。コンタクト層９ａ、コンタクト層９ｂ、コンタクト層９ｃは、例えば、ｐ型ＩｎＧａＡｓからなる。絶縁膜１１ａ、絶縁膜１１ｂ、絶縁膜１１ｃ及び絶縁膜１１ｄは、例えば、ＳｉＯ２，ＳｉＮ等の誘電体膜からなることができる。
【００３２】
（第２の実施形態）図２は、実施形態に係る半導体レーザ１ｂの構成を説明するための図である。図２の（ａ）部は、半導体レーザ１ｂのｐ側の表面の構成を示す図である。図２の（ａ）部に示すｐ側の表面は、図中に示すｘ−ｙ平面に沿って延びている。図２の（ｂ）部は、図１の（ａ）部に示す面Ａ２に沿ってとられた半導体レーザ１ｂの断面の構成を矢印に示す向きに見た図である。図２の（ｂ）部に示す断面は、図中に示すｚ−ｘ平面に沿って延びている。
【００３３】
半導体レーザ１ｂは、リッジ型半導体レーザである。半導体レーザ１ｂは、ｎ型半導体層３（第１の半導体層）、活性層５、ｐ型半導体層７（第２の半導体層）、コンタクト層９ｂ、絶縁膜１１ａ、絶縁膜１１ｂ、絶縁膜１１ｃ、絶縁膜１１ｄ、スクリーニング用電極１３ａ（第２の電極）、ｐ側電極１３ｂ（第３の電極）、スクリーニング用電極１３ｃ（第４の電極）、及び、ｎ側電極１５（第１の電極）、及び、リッジ部１７を備える。
【００３４】
図２に示す半導体レーザ１ｂは、図１に示す半導体レーザ１ａのコンタクト層９ａ及びコンタクト層９ｃを含まない。半導体レーザ１ａの構成と半導体レーザ１ｂの構成とは、この点においてのみ、相違する。半導体レーザ１ｂの場合、ｐ型半導体層７とスクリーニング用電極１３ａとは、コンタクト層９ａを介さずに、第１の領域５ａの上の接続部Ｐ３において、直接に接している。半導体レーザ１ｂの場合、ｐ型半導体層７とスクリーニング用電極１３ｃとは、コンタクト層９ｃを介さずに、第３の領域５ｃの上の接続部Ｐ４において、直接に接している。半導体レーザ１ｂの場合、絶縁膜１１ａとｐ型半導体層７とは、コンタクト層９ｃを介さずに、直接に接している。半導体レーザ１ｂの場合、絶縁膜１１ｄとｐ型半導体層７とは、コンタクト層９ｃを介さずに、直接に接している。
【００３５】
スクリーニング試験において、ｐ側電極１３ｂを介してリッジ部１７から活性層５の第２の領域５ｂに電流が流入すると、リッジ部１７から比較的に離れている第１の領域５ａ及び第３の領域５ｃにも、電流が流れ、よって、第１の領域５ａ及び第３の領域５ｃにおいても発光が生じる。また、スクリーニング試験において、スクリーニング用電極１３ａを介して活性層５の第１の領域５ａに電流が流入すると、第１の領域５ａにおいて発光が生じる。更に、スクリーニング試験において、スクリーニング用電極１３ｃを介して活性層５の第３の領域５ｃに電流が流入すると、第３の領域５ｃにおいて発光が生じる。
【００３６】
このように、半導体レーザ１ｂによれば、スクリーニング試験の実施により、リッジ部１７に比較的に近い位置にある第２の領域５ｂだけでなく、第１の領域５ａの上のスクリーニング用電極１３ａ、及び、第３の領域５ｃの上のスクリーニング用電極１３ｃ、を介して、リッジ部１７から比較的に離れた位置にある第１の領域５ａ及び第３の領域５ｃにも電流が流入するので、リッジ部１７に比較的に近い位置にある第２の領域５ｂの結晶欠陥の存在だけでなく、第２の領域５ｂの両側に設けられておりリッジ部１７から比較的に離れた位置にある第１の領域５ａ及び第３の領域５ｃの結晶欠陥の存在も、比較的に短時間で検出可能となる。また、アルミニウムを含有する活性層の場合、結晶欠陥の成長が比較的に多く発生することが知られているが、半導体レーザ１ｂによれば、アルミニウムを含有する活性層５における結晶欠陥の存在の検出が効果的に行える。
【００３７】
（第３の実施形態）図３は、実施形態に係る半導体レーザ１ｃの構成を説明するための図である。図３の（ａ）部は、半導体レーザ１ｃのｐ側の表面の構成を示す図である。図３の（ａ）部に示すｐ側の表面は、図中に示すｘ−ｙ平面に沿って延びている。図３の（ｂ）部は、図３の（ａ）部に示す面Ａ３に沿ってとられた半導体レーザ１ｃの断面の構成を矢印に示す向きに見た図である。図３の（ｃ）部は、図３の（ａ）部に示す面Ａ４に沿ってとられた半導体レーザ１ｃの断面の構成を矢印に示す向きに見た図である。図３の（ｂ）部に示す断面、及び、（ｃ）部に示す断面は、図中に示すｚ−ｘ平面に沿って延びている。
【００３８】
半導体レーザ１ｃは、リッジ型半導体レーザである。半導体レーザ１ｃは、ｎ型半導体層３（第１の半導体層）、活性層５、ｐ型半導体層７（第２の半導体層）、コンタクト層９ａ１、コンタクト層９ｂ１、コンタクト層９ｃ１、絶縁膜１１ａ１、絶縁膜１１ｂ１、絶縁膜１１ｃ１、スクリーニング用電極１３ａ１（第２の電極）、ｐ側電極１３ｂ１（第３の電極）、スクリーニング用電極１３ｃ１（第４の電極）、及び、ｎ側電極１５（第１の電極）、リッジ部１７、凸部１７ａ（第１の凸部）、凸部１７ｂ（第２の凸部）、埋め込み部１９ａ、埋め込み部１９ｂ、及び、埋め込み部１９ｃを備える。
【００３９】
スクリーニング用電極１３ａ１、ｐ側電極１３ｂ１、及び、スクリーニング用電極１３ｃ１は、活性層５及びｐ型半導体層７の上に設けられている。スクリーニング用電極１３ａ１、ｐ側電極１３ｂ１、及び、スクリーニング用電極１３ｃ１は、活性層５に電流を供給するために設けられている。特に、スクリーニング用電極１３ａ１及びスクリーニング用電極１３ｃ１は、半導体レーザ１ｃに対するスクリーニング試験に用いられる。スクリーニング試験の後には、スクリーニング用電極１３ａ１及びスクリーニング用電極１３ｃ１に電流は流されない。
【００４０】
凸部１７ａ及び凸部１７ｂは、半導体を含み、ｐ型半導体層７の上に設けられている。凸部１７ａとｐ型半導体層７とは、第１の領域５ａの上において接続されている。凸部１７ｂとｐ型半導体層７とは、第３の領域５ｃの上において接続されている。スクリーニング用電極１３ａ１は、凸部１７ａに接続している。スクリーニング用電極１３ｃ１は、凸部１７ｂに接続している。リッジ部１７と凸部１７ａとの距離は、例えば、０．２μｍ以上１．５μｍ以下である。また、凸部１７ａの幅は、例えば、０．５μｍ以上１０μｍ以下とすることができる。同様に、リッジ部１７と凸部１７ｂとの距離は、例えば、０．２μｍ以上１．５μｍ以下である。また、凸部１７ｂの幅は、例えば、０．５μｍ以上１０μｍ以下とすることができる。
【００４１】
凸部１７ａ及び凸部１７ｂの構成を更に詳しく説明する。凸部１７ａは、第１の領域５ａの上において、ｐ型半導体層７の上に設けられている。凸部１７ａは、リッジ部１７に沿って（ｙ軸に沿って）延びている。凸部１７ａの上にはコンタクト層９ａ１が設けられている。コンタクト層９ａ１の表面は、第１の領域５ａの上において、絶縁膜１１ａ１、絶縁膜１１ｂ１、絶縁膜１１ｃ１、埋め込み部１９ａ、埋め込み部１９ｂ及び埋め込み部１９ｃ等の絶縁膜及び埋め込み部の何れも設けられていない部分（接続部Ｐ５）を有する。コンタクト層９ａ１の表面において、絶縁膜及び埋め込み部の何れも設けられていない接続部Ｐ５には、スクリーニング用電極１３ａ１の一部が充填されている。スクリーニング用電極１３ａ１は、接続部Ｐ５にあるコンタクト層９ａ１を介して、凸部１７ａ及びｐ型半導体層７に電気的に接続されている。
【００４２】
凸部１７ｂは、第３の領域５ｃの上において、ｐ型半導体層７の上に設けられている。凸部１７ｂは、リッジ部１７に沿って（ｙ軸に沿って）延びている。凸部１７ｂの上にはコンタクト層９ｃ１が設けられている。コンタクト層９ｃ１の表面は、絶縁膜１１ａ１、絶縁膜１１ｂ１、絶縁膜１１ｃ１、埋め込み部１９ａ、埋め込み部１９ｂ及び埋め込み部１９ｃ等の絶縁膜及び埋め込み部の何れも設けられていない。絶縁膜及び埋め込み部の何れも設けられていないコンタクト層９ｃ１の表面には、スクリーニング用電極１３ｃ１が直接に接している（接続部Ｐ６）。スクリーニング用電極１３ｃ１は、接続部Ｐ６にあるコンタクト層９ｃ１を介して、凸部１７ｂ及びｐ型半導体層７に電気的に接続されている。リッジ部１７は、凸部１７ａと凸部１７ｂとの間に配置されている。
【００４３】
ｐ側電極１３ｂ１は、リッジ部１７に接続している。ｐ側電極１３ｂ１は、コンタクト層９ｂ１を介してリッジ部１７に電気的に接続している。ｐ側電極１３ｂ１は、コンタクト層９ｂ１及びリッジ部１７を介して、ｐ型半導体層７に電気的に接続している。スクリーニング用電極１３ａ１とｐ型半導体層７とは、凸部１７ａ及びコンタクト層９ａ１を介して、第１の領域５ａの上において電気的に接続されている。スクリーニング用電極１３ａ１と凸部１７ａとの接続部Ｐ５は、第１の領域５ａの上にある。スクリーニング用電極１３ｃ１とｐ型半導体層７とは、凸部１７ｂ及びコンタクト層９ｃ１を介して、第３の領域５ｃの上において電気的に接続されている。スクリーニング用電極１３ｃ１と凸部１７ｂとの接続部Ｐ６は、第３の領域５ｃの上にある。
【００４４】
絶縁膜１１ａ１は、第１の領域５ａの上において、接続部Ｐ５を除き、ｐ型半導体層７の表面、及び、凸部１７ａの表面（凸部１７ａの側面（ｚ軸に沿って延びている面）を含む）、を覆う。絶縁膜１１ｂ１及び絶縁膜１１ｃ１は、第３の領域５ｃの上において、接続部Ｐ６を除き、ｐ型半導体層７の表面、及び、凸部１７ｂの表面（凸部１７ｂの側面（ｚ軸に沿って延びている面）を含む）、を覆う。絶縁膜１１ａ１及び絶縁膜１１ｂ１は、リッジ部１７の側面（ｚ軸に沿って延びている面）を覆う。
【００４５】
埋め込み部１９ａは、第１の領域５ａの上において、少なくとも、スクリーニング用電極１３ａ１及びｐ側電極１３ｂ１と、絶縁膜１１ａ１との間に設けられている。埋め込み部１９ｂは、第３の領域５ｃの上において、絶縁膜１１ｂ１の上に設けられている。埋め込み部１９ｃは、第３の領域５ｃの上において、少なくとも、スクリーニング用電極１３ｃ１と絶縁膜１１ｃ１との間に設けられている。
【００４６】
ｐ側電極１３ｂ１は、第１の領域５ａの上に張り出している張り出し領域Ｋ１を有する。ｐ側電極１３ｂ１にワイヤを接続する場合、この張り出し領域Ｋ１にワイヤが接続される。スクリーニング用電極１３ｃ１は、第３の領域５ｃの上に張り出している張り出し領域Ｋ２を有する。スクリーニング用電極１３ｃ１にワイヤを接続する場合、この張り出し領域Ｋ２にワイヤが接続される。
【００４７】
スクリーニング試験において、ｐ側電極１３ｂ１を介してリッジ部１７から活性層５の第２の領域５ｂに電流が流入すると、リッジ部１７から比較的に離れている第１の領域５ａ及び第３の領域５ｃにも、電流が流れ、よって、第１の領域５ａ及び第３の領域５ｃにおいても発光が生じる。また、スクリーニング試験において、スクリーニング用電極１３ａ１を介して活性層５の第１の領域５ａに電流が流入すると、第１の領域５ａにおいて発光が生じる。更に、スクリーニング試験において、スクリーニング用電極１３ｃ１を介して活性層５の第３の領域５ｃに電流が流入すると、第３の領域５ｃにおいて発光が生じる。
【００４８】
このように、半導体レーザ１ｃによれば、スクリーニング試験の実施により、リッジ部１７に比較的に近い位置にある第２の領域５ｂだけでなく、第１の領域５ａの上のスクリーニング用電極１３ａ１、及び、第３の領域５ｃの上のスクリーニング用電極１３ｃ１、を介して、リッジ部１７から比較的に離れた位置にある第１の領域５ａ及び第３の領域５ｃにも電流が流入するので、リッジ部１７に比較的に近い位置にある第２の領域５ｂの結晶欠陥の存在だけでなく、第２の領域５ｂの両側に設けられておりリッジ部１７から比較的に離れた位置にある第１の領域５ａ及び第３の領域５ｃの結晶欠陥の存在も、比較的に短時間で検出可能となる。特に、凸部１７ａ及び凸部１７ｂ上に設けられたスクリーニング用電極１３ａ１及びスクリーニング用電極１３ｃ１から、凸部１７ａ及び凸部１７ｂを介して、活性層の第１の領域５ａおよび第３の領域５ｃに電流が注入されるので、より確実に、かつ精度よく、第１の領域５ａおよび第３の領域５ｃにそれぞれ電流を注入することができとともに、他の領域に広がることを制限することができる。従って、第１の領域５ａ、第２の領域５ｂ、及び第３の領域５ｃの活性層に存在する結晶欠陥の特定およびこの結晶欠陥に起因して特性劣化を引き起こすレーザ素子を、少ない負荷で、かつ短い時間で、確実に選別することができる。さらに、スクリーニング用電極１３ａ１及びスクリーニング用電極１３ｃ１から注入された電流が、他の領域に広がって、新たな劣化モードを誘引することも回避することができる。また、アルミニウムを含有する活性層の場合、結晶欠陥の成長が比較的に多く発生することが知られているが、半導体レーザ１ｃによれば、アルミニウムを含有する活性層５における結晶欠陥の存在の検出が効果的に行える。スクリーニング用電極１３ａ１、ｐ側電極１３ｂ１、及びスクリーニング用電極１３ｃ１は、例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕからなるオーミック電極である。コンタクト層９ａ１、コンタクト層９ｂ１、及びコンタクト層９ｃ１は、例えば、ｐ型ＩｎＧａＡｓからなる。絶縁膜１１ａ１、絶縁膜１１ｂ１、絶縁膜１１ｃ１は、例えば、ＳｉＯ２，ＳｉＮ等の誘電体膜からなる。埋め込み部１９ａ、埋め込み部１９ｂ、及び埋め込み部１９ｃは、例えば、ポリイミド樹脂やＢＣＢ樹脂（ベンゾシクロブテン樹脂）等の樹脂からなることができる。
【００４９】
（第４の実施形態）図４は、実施形態に係る半導体レーザ１ｄの構成を説明するための図である。図４の（ａ）部は、半導体レーザ１ｄのｐ側の表面の構成を示す図である。図４の（ａ）部に示すｐ側の表面は、図中に示すｘ−ｙ平面に沿って延びている。図４の（ｂ）部は、図４の（ａ）部に示す面Ａ５に沿ってとられた半導体レーザ１ｄの断面の構成を矢印に示す向きに見た図である。図４の（ｃ）部は、図４の（ａ）部に示す面Ａ６に沿ってとられた半導体レーザ１ｄの断面の構成を矢印に示す向きに見た図である。図４の（ｂ）部に示す断面、及び、（ｃ）部に示す断面は、図中に示すｚ−ｘ平面に沿って延びている。
【００５０】
半導体レーザ１ｄは、リッジ型半導体レーザである。半導体レーザ１ｄは、ｎ型半導体層３（第１の半導体層）、活性層５、ｐ型半導体層７（第２の半導体層）、コンタクト層９ａ２、コンタクト層９ｂ２、コンタクト層９ｃ２、絶縁膜１１ａ２、絶縁膜１１ｂ２、絶縁膜１１ｃ２、スクリーニング用電極１３ａ２（第２の電極）、ｐ側電極１３ｂ２（第３の電極）、スクリーニング用電極１３ｃ２（第４の電極）、及び、ｎ側電極１５（第１の電極）、リッジ部１７、凸部１７ａ１（第１の凸部）、凸部１７ｂ１（第２の凸部）、埋め込み部１９ａ１、埋め込み部１９ｂ１、及び、埋め込み部１９ｃ１を備える。
【００５１】
スクリーニング用電極１３ａ２、ｐ側電極１３ｂ２、及び、スクリーニング用電極１３ｃ２は、活性層５及びｐ型半導体層７の上に設けられている。スクリーニング用電極１３ａ２、ｐ側電極１３ｂ２、及び、スクリーニング用電極１３ｃ２は、活性層５に電流を供給するために設けられている。特に、スクリーニング用電極１３ａ２及びスクリーニング用電極１３ｃ２は、半導体レーザ１ｄに対するスクリーニング試験に用いられる。スクリーニング試験の後には、スクリーニング用電極１３ａ２及びスクリーニング用電極１３ｃ２に電流は流されない。
【００５２】
凸部１７ａ１及び凸部１７ｂ１は、半導体を含み、ｐ型半導体層７の上に設けられている。凸部１７ａ１とｐ型半導体層７とは、第１の領域５ａの上において接続されている。凸部１７ｂ１とｐ型半導体層７とは、第３の領域５ｃの上において接続されている。スクリーニング用電極１３ａ２は、第１の領域５ａの上の接続部Ｐ７において、コンタクト層９ａ２を介して、凸部１７ａ１に電気的に接続している。接続部Ｐ７には、絶縁膜１１ａ２及び埋め込み部１９ａ１が設けられていない。スクリーニング用電極１３ｃ２は、第３の領域５ｃの上の接続部Ｐ８において、コンタクト層９ｃ２を介して、凸部１７ｂ１に電気的に接続している。接続部Ｐ８には、絶縁膜１１ｃ２及び埋め込み部１９ｃ１は設けられていない。
【００５３】
凸部１７ａ１及び凸部１７ｂ１の構成を更に詳しく説明する。凸部１７ａ１は、第１の領域５ａの上において、ｐ型半導体層７の上に設けられている。凸部１７ａ１は、リッジ部１７に沿って（ｙ軸に沿って）延びている。凸部１７ａ１の上にはコンタクト層９ａ２が設けられている。コンタクト層９ａ２の表面は、第１の領域５ａの上において、絶縁膜１１ａ２、絶縁膜１１ｂ２、絶縁膜１１ｃ２、埋め込み部１９ａ１、埋め込み部１９ｂ１及び埋め込み部１９ｃ１等の絶縁膜及び埋め込み部の何れも設けられていない部分（接続部Ｐ７）を有する。コンタクト層９ａ２の表面において、絶縁膜及び埋め込み部の何れも設けられていない接続部Ｐ７には、スクリーニング用電極１３ａ２の一部が充填されている。スクリーニング用電極１３ａ２は、接続部Ｐ７にあるコンタクト層９ａ２を介して、凸部１７ａ１及びｐ型半導体層７に電気的に接続されている。
【００５４】
凸部１７ｂ１は、第３の領域５ｃの上において、ｐ型半導体層７の上に設けられている。凸部１７ｂ１は、リッジ部１７に沿って（ｙ軸に沿って）延びている。凸部１７ｂ１の上にはコンタクト層９ｃ２が設けられている。コンタクト層９ｃ２の表面は、絶縁膜１１ａ２、絶縁膜１１ｂ２、絶縁膜１１ｃ２、埋め込み部１９ａ１、埋め込み部１９ｂ１及び埋め込み部１９ｃ１等の絶縁膜及び埋め込み部の何れも設けられていない部分（接続部Ｐ８）を有する。コンタクト層９ｃ２の表面において、絶縁膜及び埋め込み部の何れも設けられていない接続部Ｐ８には、スクリーニング用電極１３ｃ２の一部が充填されている。スクリーニング用電極１３ｃ２は、接続部Ｐ８にあるコンタクト層９ｃ２を介して、凸部１７ｂ１及びｐ型半導体層７に電気的に接続されている。リッジ部１７は、凸部１７ａ１と凸部１７ｂ１との間に配置されている。
【００５５】
ｐ側電極１３ｂ２は、リッジ部１７に接続している。ｐ側電極１３ｂ２は、コンタクト層９ｂ２を介してリッジ部１７に電気的に接続している。ｐ側電極１３ｂ２は、コンタクト層９ｂ２及びリッジ部１７を介して、ｐ型半導体層７に電気的に接続している。スクリーニング用電極１３ａ２とｐ型半導体層７とは、凸部１７ａ１及びコンタクト層９ａ２を介して、第１の領域５ａの上において電気的に接続されている。スクリーニング用電極１３ａ２と凸部１７ａ１との接続部Ｐ７は、第１の領域５ａの上にある。スクリーニング用電極１３ｃ２とｐ型半導体層７とは、凸部１７ｂ１及びコンタクト層９ｃ２を介して、第３の領域５ｃの上において電気的に接続されている。スクリーニング用電極１３ｃ２と凸部１７ｂ１との接続部Ｐ８は、第３の領域５ｃの上にある。
【００５６】
絶縁膜１１ａ２は、第１の領域５ａの上において、接続部Ｐ７を除き、ｐ型半導体層７の表面、及び、凸部１７ａ１の表面（凸部１７ａ１の側面（ｚ軸に沿って延びている面）を含む）、を覆う。絶縁膜１１ｂ２及び絶縁膜１１ｃ２は、第３の領域５ｃの上において、接続部Ｐ８を除き、ｐ型半導体層７の表面、及び、凸部１７ｂ１の表面（凸部１７ｂ１の側面（ｚ軸に沿って延びている面）を含む）、を覆う。絶縁膜１１ａ２及び絶縁膜１１ｂ２は、リッジ部１７の側面（ｚ軸に沿って延びている面）を覆う。
【００５７】
埋め込み部１９ａ１は、第１の領域５ａの上において、少なくとも、スクリーニング用電極１３ａ２及びｐ側電極１３ｂ２と、絶縁膜１１ａ２との間に設けられている。埋め込み部１９ｂ１は、第３の領域５ｃの上において、絶縁膜１１ｂ２の上に設けられている。埋め込み部１９ｃ１は、第３の領域５ｃの上において、少なくとも、スクリーニング用電極１３ｃ２と絶縁膜１１ｃ２との間に設けられている。
【００５８】
ｐ側電極１３ｂ２は、第１の領域５ａの上に張り出している張り出し領域Ｋ３を有する。ｐ側電極１３ｂ２にワイヤを接続する場合、この張り出し領域Ｋ３にワイヤが接続される。スクリーニング用電極１３ｃ２は、第３の領域５ｃの上に張り出している張り出し領域Ｋ４を有する。スクリーニング用電極１３ｃ２にワイヤを接続する場合、この張り出し領域Ｋ４にワイヤが接続される。
【００５９】
スクリーニング試験において、ｐ側電極１３ｂ２を介してリッジ部１７から活性層５の第２の領域５ｂに電流が流入すると、リッジ部１７から比較的に離れている第１の領域５ａ及び第３の領域５ｃにも、電流が流れ、よって、第１の領域５ａ及び第３の領域５ｃにおいても発光が生じる。また、スクリーニング試験において、スクリーニング用電極１３ａ２を介して活性層５の第１の領域５ａに電流が流入すると、第１の領域５ａにおいて発光が生じる。更に、スクリーニング試験において、スクリーニング用電極１３ｃ２を介して活性層５の第３の領域５ｃに電流が流入すると、第３の領域５ｃにおいて発光が生じる。
【００６０】
このように、半導体レーザ１ｄによれば、スクリーニング試験の実施により、リッジ部１７に比較的に近い位置にある第２の領域５ｂだけでなく、第１の領域５ａの上のスクリーニング用電極１３ａ２、及び、第３の領域５ｃの上のスクリーニング用電極１３ｃ２、を介して、リッジ部１７から比較的に離れた位置にある第１の領域５ａ及び第３の領域５ｃにも電流が流入するので、リッジ部１７に比較的に近い位置にある第２の領域５ｂの結晶欠陥の存在だけでなく、第２の領域５ｂの両側に設けられておりリッジ部１７から比較的に離れた位置にある第１の領域５ａ及び第３の領域５ｃの結晶欠陥の存在も、比較的に短時間で検出可能となる。また、アルミニウムを含有する活性層の場合、結晶欠陥の成長が比較的に多く発生することが知られているが、半導体レーザ１ｄによれば、アルミニウムを含有する活性層５における結晶欠陥の存在の検出が効果的に行える。スクリーニング用電極１３ａ２、ｐ側電極１３ｂ２、及びスクリーニング用電極１３ｃ２は、例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕからなるオーミック電極である。コンタクト層９ａ２、コンタクト層９ｂ２、及びコンタクト層９ｃ２は、例えば、ｐ型ＩｎＧａＡｓからなる。絶縁膜１１ａ２、絶縁膜１１ｂ２、及び絶縁膜１１ｃ２は、例えば、ＳｉＯ２，ＳｉＮ等の誘電体膜からなる。埋め込み部１９ａ１、埋め込み部１９ｂ１、及び、埋め込み部１９ｃ１は、例えば、ポリイミド樹脂やＢＣＢ樹脂（ベンゾシクロブテン樹脂）等の樹脂からなることができる。
【００６１】
（第５の実施形態）図５は、実施形態に係る半導体レーザ１ｅの構成を説明するための図である。図５の（ａ）部は、半導体レーザ１ｅのｐ側の表面の構成を示す図である。図５の（ａ）部に示すｐ側の表面は、図中に示すｘ−ｙ平面に沿って延びている。図５の（ｂ）部は、絶縁膜の形状を示す図である。図５の（ｂ）部に示す絶縁膜の形状は、図５の（ａ）部に示す表面と平行な面における形状である。図５の（ｃ）部は、図５の（ａ）部に示す面Ａ７に沿ってとられた半導体レーザ１ｅの断面の構成を矢印に示す向きに見た図である。図５の（ｄ）部は、図５の（ａ）部に示す面Ａ８に沿ってとられた半導体レーザ１ｅの断面の構成を矢印に示す向きに見た図である。図５の（ｅ）部は、図５の（ａ）部に示す面Ａ９に沿ってとられた半導体レーザ１ｅの断面の構成を矢印に示す向きに見た図である。図５の（ｃ）部、（ｄ）部、及び、（ｅ）部に示す断面は、図中に示すｚ−ｘ平面に沿って延びている。
【００６２】
半導体レーザ１ｅは、リッジ型半導体レーザである。半導体レーザ１ｅは、ｎ型半導体層３（第１の半導体層）、活性層５、ｐ型半導体層７（第２の半導体層）、コンタクト層９ａ３、コンタクト層９ｂ３、コンタクト層９ｃ３、絶縁膜１１ａ３、絶縁膜１１ｂ３、スクリーニング用電極１３ａ３（第２の電極、及び、第４の電極）、ｐ側電極１３ｂ３（第３の電極）、及び、ｎ側電極１５（第１の電極）、リッジ部１７、凸部１７ａ２（第１の凸部）、凸部１７ｂ２（第２の凸部）、埋め込み部１９ａ２、及び、埋め込み部１９ｂ２を備える。
【００６３】
スクリーニング用電極１３ａ３、及び、ｐ側電極１３ｂ３は、活性層５及びｐ型半導体層７の上に設けられている。スクリーニング用電極１３ａ３、及び、ｐ側電極１３ｂ３は、活性層５に電流を供給するために設けられている。特に、スクリーニング用電極１３ａ３は、半導体レーザ１ｄに対するスクリーニング試験に用いられる。スクリーニング試験の後には、スクリーニング用電極１３ａ３に電流は流されない。
【００６４】
凸部１７ａ２及び凸部１７ｂ２は、半導体を含み、ｐ型半導体層７の上に設けられている。凸部１７ａ２とｐ型半導体層７とは、第１の領域５ａの上において接続されている。凸部１７ｂ２とｐ型半導体層７とは、第３の領域５ｃの上において接続されている。スクリーニング用電極１３ａ３は、第１の領域５ａの上の接続部Ｐ９において、コンタクト層９ａ３を介して、凸部１７ａ２に電気的に接続している。接続部Ｐ９には、絶縁膜１１ａ３及び埋め込み部１９ａ２が設けられていない。スクリーニング用電極１３ａ２は、第３の領域５ｃの上の接続部Ｐ１０において、コンタクト層９ｃ３を介して、凸部１７ｂ２に電気的に接続している。接続部Ｐ１０には、絶縁膜１１ｂ３及び埋め込み部１９ｂ２は設けられていない。
【００６５】
凸部１７ａ２及び凸部１７ｂ２の構成を更に詳しく説明する。凸部１７ａ２は、第１の領域５ａの上において、ｐ型半導体層７の上に設けられている。凸部１７ａ２は、リッジ部１７に沿って（ｙ軸に沿って）延びている。凸部１７ａ２の上にはコンタクト層９ａ３が設けられている。コンタクト層９ａ３の表面は、第１の領域５ａの上において、絶縁膜１１ａ３、絶縁膜１１ｂ３、埋め込み部１９ａ２及び埋め込み部１９ｂ２等の絶縁膜及び埋め込み部の何れも設けられていない部分（接続部Ｐ９）を有する。コンタクト層９ａ３の表面において、絶縁膜及び埋め込み部の何れも設けられていない接続部Ｐ９には、スクリーニング用電極１３ａ３の一部が充填されている。スクリーニング用電極１３ａ３は、接続部Ｐ９にあるコンタクト層９ａ３を介して、凸部１７ａ２及びｐ型半導体層７に電気的に接続されている。
【００６６】
凸部１７ｂ２は、第３の領域５ｃの上において、ｐ型半導体層７の上に設けられている。凸部１７ｂ２は、リッジ部１７に沿って（ｙ軸に沿って）延びている。凸部１７ｂ２の上にはコンタクト層９ｃ３が設けられている。コンタクト層９ｃ３の表面は、絶縁膜１１ａ３、絶縁膜１１ｂ３、埋め込み部１９ａ２及び埋め込み部１９ｂ２等の絶縁膜及び埋め込み部の何れも設けられていない部分（接続部Ｐ１０）を有する。コンタクト層９ｃ３の表面において、絶縁膜及び埋め込み部の何れも設けられていない接続部Ｐ１０には、スクリーニング用電極１３ａ３の一部が充填されている。スクリーニング用電極１３ａ３は、接続部Ｐ１０にあるコンタクト層９ｃ３を介して、凸部１７ｂ２及びｐ型半導体層７に電気的に接続されている。
【００６７】
リッジ部１７は、第２の領域５ｂの上において、ｐ型半導体層７の上に設けられている。リッジ部１７の上にはコンタクト層９ｂ３が設けられている。コンタクト層９ｂ３の表面は、絶縁膜１１ａ３、絶縁膜１１ｂ３、埋め込み部１９ａ２及び埋め込み部１９ｂ２等の絶縁膜及び埋め込み部の何れも設けられていない部分（接続部Ｐ１１）を有する。コンタクト層９ｂ３の表面において、絶縁膜及び埋め込み部の何れも設けられていない接続部Ｐ１１には、ｐ側電極１３ｂ３の一部が充填されている。ｐ側電極１３ｂ３は、接続部Ｐ１１にあるコンタクト層９ｂ３を介して、リッジ部１７及びｐ型半導体層７に電気的に接続されている。リッジ部１７は、凸部１７ａ２と凸部１７ｂ２との間に配置されている。
【００６８】
ｐ側電極１３ｂ３は、リッジ部１７に接続している。ｐ側電極１３ｂ３は、コンタクト層９ｂ３を介してリッジ部１７に電気的に接続している。ｐ側電極１３ｂ３は、コンタクト層９ｂ３及びリッジ部１７を介して、ｐ型半導体層７に電気的に接続している。スクリーニング用電極１３ａ３とｐ型半導体層７とは、凸部１７ａ２及びコンタクト層９ａ３を介して、第１の領域５ａの上において電気的に接続されている。スクリーニング用電極１３ａ３と凸部１７ａ２との接続部Ｐ９は、第１の領域５ａの上にある。スクリーニング用電極１３ａ３とｐ型半導体層７とは、凸部１７ｂ２及びコンタクト層９ｃ３を介して、第３の領域５ｃの上において電気的に接続されている。スクリーニング用電極１３ａ３と凸部１７ｂ２との接続部Ｐ１０は、第３の領域５ｃの上にある。
【００６９】
絶縁膜１１ａ３は、第１の領域５ａの上において、接続部Ｐ９を除き、ｐ型半導体層７の表面、及び、凸部１７ａ２の表面（凸部１７ａ２の側面（ｚ軸に沿って延びている面）を含む）、を覆う。絶縁膜１１ａ３及び絶縁膜１１ｂ３は、第３の領域５ｃの上において、接続部Ｐ１０を除き、ｐ型半導体層７の表面、及び、凸部１７ｂ２の表面（凸部１７ｂ２の側面（ｚ軸に沿って延びている面）を含む）、を覆う。絶縁膜１１ａ３は、第２の領域５ｂの上において、接続部Ｐ１１を除き、リッジ部１７の表面（リッジ部１７の側面（ｚ軸に沿って延びている面）を含む）を覆う。
【００７０】
埋め込み部１９ａ２は、第１の領域５ａの上において、少なくとも、スクリーニング用電極１３ａ３及びｐ側電極１３ｂ３と、絶縁膜１１ａ３との間に設けられている。埋め込み部１９ａ２は、第２の領域５ｂの上において、少なくとも、スクリーニング用電極１３ａ３と絶縁膜１１ａ３との間に設けられている。埋め込み部１９ａ２は、第３の領域５ｃの上において、少なくとも、スクリーニング用電極１３ａ３と絶縁膜１１ａ３との間に設けられている。埋め込み部１９ｂ２は、第３の領域５ｃの上において、少なくとも、スクリーニング用電極１３ａ３と絶縁膜１１ｂ３との間に設けられている。
【００７１】
ｐ側電極１３ｂ３は、第１の領域５ａの上に張り出している張り出し領域Ｋ５を有する。ｐ側電極１３ｂ３にワイヤを接続する場合、この張り出し領域Ｋ５にワイヤが接続される。スクリーニング用電極１３ａ３は、第３の領域５ｃの上に張り出している張り出し領域Ｋ６を有する。スクリーニング用電極１３ａ３にワイヤを接続する場合、この張り出し領域Ｋ６にワイヤが接続される。
【００７２】
スクリーニング試験において、ｐ側電極１３ｂ３を介してリッジ部１７から活性層５の第２の領域５ｂに電流が流入すると、リッジ部１７から比較的に離れている第１の領域５ａ及び第３の領域５ｃにも、電流が流れ、よって、第１の領域５ａ及び第３の領域５ｃにおいても発光が生じる。また、スクリーニング試験において、スクリーニング用電極１３ａ３を介して活性層５の第１の領域５ａに電流が流入すると、第１の領域５ａにおいて発光が生じる。更に、スクリーニング試験において、スクリーニング用電極１３ａ３を介して活性層５の第３の領域５ｃに電流が流入すると、第３の領域５ｃにおいて発光が生じる。
【００７３】
このように、半導体レーザ１ｅによれば、スクリーニング試験の実施により、リッジ部１７に比較的に近い位置にある第２の領域５ｂだけでなく、第１の領域５ａ及び第３の領域５ｃの上のスクリーニング用電極１３ａ３、を介して、リッジ部１７から比較的に離れた位置にある第１の領域５ａ及び第３の領域５ｃにも電流が流入するので、リッジ部１７に比較的に近い位置にある第２の領域５ｂの結晶欠陥の存在だけでなく、第２の領域５ｂの両側に設けられておりリッジ部１７から比較的に離れた位置にある第１の領域５ａ及び第３の領域５ｃの結晶欠陥の存在も、比較的に短時間で検出可能となる。また、アルミニウムを含有する活性層の場合、結晶欠陥の成長が比較的に多く発生することが知られているが、半導体レーザ１ｅによれば、アルミニウムを含有する活性層５における結晶欠陥の存在の検出が効果的に行える。スクリーニング用電極１３ａ３、及びｐ側電極１３ｂ３は、例えば、Ｔｉ／Ｐｔ／Ａｕからなるオーミック電極である。コンタクト層９ａ３、コンタクト層９ｂ３、コンタクト層９ｃ３は、例えば、ｐ型ＩｎＧａＡｓからなる。絶縁膜１１ａ３、及び絶縁膜１１ｂ３は、例えば、ＳｉＯ２，ＳｉＮ等の誘電体膜からなる。埋め込み部１９ａ２、及び埋め込み部１９ｂ２は、例えば、ポリイミド樹脂やＢＣＢ樹脂（ベンゾシクロブテン樹脂）等の樹脂からなることができる。
【００７４】
以上のように、第１〜第５の実施形態のそれぞれに係る半導体レーザ１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅの構成について説明したが、以下では、半導体レーザが光通信モジュールに搭載された場合の構成について、説明する。図６は、一例として、半導体レーザ１ａを搭載する光通信モジュール５１の構成を説明するための図である。半導体レーザ１ａに対するスクリーニング試験は、半導体レーザ１ａが光通信モジュール５１に搭載された後に行われる。なお、半導体レーザ１ａだけではなく、半導体レーザ１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅのそれぞれに対するスクリーニング試験も、半導体レーザ１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅのそれぞれが光通信モジュール５１に搭載された後に行われる。
【００７５】
光通信モジュール５１は、ステム３１、リード端子３３ａ、リード端子３３ｂ、リード端子３３ｃ、支持部３５、ベース３７、フォトダイオード３９、及び、半導体レーザ１ａを備える。リード端子３３ａ、リード端子３３ｂ及びリード端子３３ｃは、ステム３１に設けられている。支持部３５、ベース３７、フォトダイオード３９、及び、半導体レーザ１ａは、ステム３１の上に搭載されている。リード端子３３ａは、ワイヤＷａ等を介して、半導体レーザ１ａのｎ側電極１５と電気的に接続されている。リード端子３３ｂは、ワイヤＷｂを介してフォトダイオード３９の一方の電極に接続されている。リード端子３３ｃは、ワイヤＷｃ等を介してフォトダイオード３９の他方の電極と電気的に接続されている。フォトダイオード３９は、支持部４１に固定されており、支持部４１は、ステム３１に固定されている。半導体レーザ１ａは、支持部３５の表面に固定されており、支持部３５は、ベース３７に固定されており、ベース３７は、ステム３１の表面に固定されている。半導体レーザ１ａは、支持部３５の表面に設けられた導体パターンＬ１に固定されている。導体パターンＬ１は、半導体レーザ１ａのｎ側電極１５に接している。また、支持部３５が固定されているベース３７の表面は、半導体レーザ１ａに電流を供給する電流源と電気的に接続された導体となっており、後述するワイヤＷ４等を介して、支持部３５の導体パターンＬ３と電気的に接続されている。
【００７６】
半導体レーザ１ａが支持部３５に搭載されている態様を図７に示す。支持部３５の一の表面には、導体パターンＬ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４が設けられている。半導体レーザ１ａは、導体パターンＬ１に接続されている。導体パターンＬ１には、半導体レーザ１ａのｎ側電極１５が接している。半導体レーザ１ａのスクリーニング用電極１３ａは、ワイヤＷ２を介して導体パターンＬ２と電気的に接続されている。半導体レーザ１ａのｐ側電極１３ｂは、ワイヤＷ１を介して、導体パターンＬ３と電気的に接続されている。半導体レーザ１ａのスクリーニング用電極１３ｃは、ワイヤＷ３を介して、導体パターンＬ２と電気的に接続されている。導体パターンＬ４は、導体パターンＬ２と導体パターンＬ３とを接続する。
【００７７】
スクリーニング試験の実行時には、ワイヤＷ４、導体パターンＬ３、導体パターンＬ４、導体パターンＬ２、ワイヤＷ２、ワイヤＷ３を介して、スクリーニング用電極１３ａ及びスクリーニング用電極１３ｃに対して、スクリーニング試験用の電流が電流源から流される。スクリーニング試験の実行時には、ｐ側電極１３ｂに対しても、ワイヤＷ４、導体パターンＬ３、ワイヤＷ１を介して、スクリーニング試験用の電流が電流源から流される。スクリーニング試験の終了後、導体パターンＬ４の一部（図中符号Ｅ１に示す箇所）は切断され、導体パターンＬ２と導体パターンＬ３とは電気的に絶縁される。よって、スクリーニング試験の終了後には、スクリーニング用電極１３ａ及びスクリーニング用電極１３ｃに電流は供給されない。従って、図６及び図７に示す光通信モジュール５１の構成は、スクリーニング用電極１３ａ及びスクリーニング用電極１３ｃが、スクリーニング試験のためにのみ利用できる構成となる。
【００７８】
なお、支持部３５に替えて、図８に示す支持部３５ａを用いることができる。支持部３５と支持部３５ａとは、導体パターンの形状が異なっており、この点を除けば、支持部３５と支持部３５ａの構成は同じである。支持部３５ａの一の表面には、導体パターンＬ１，Ｌ５，Ｌ６，Ｌ７が設けられている。半導体レーザ１ａは、導体パターンＬ１に接続されている。導体パターンＬ１には、半導体レーザ１ａのｎ側電極１５が接している。半導体レーザ１ａのスクリーニング用電極１３ａは、ワイヤＷ２を介して導体パターンＬ５と電気的に接続されている。半導体レーザ１ａのｐ側電極１３ｂは、ワイヤＷ１を介して、導体パターンＬ６と電気的に接続されている。半導体レーザ１ａのスクリーニング用電極１３ｃは、ワイヤＷ３を介して、導体パターンＬ７と電気的に接続されている。導体パターンＬ７は、導体パターンＬ５と導体パターンＬ６とを接続する。
【００７９】
スクリーニング試験の実行時には、ワイヤＷ４、導体パターンＬ６、導体パターンＬ７、導体パターンＬ５、ワイヤＷ２、ワイヤＷ３を介して、スクリーニング用電極１３ａ及びスクリーニング用電極１３ｃに対して、スクリーニング試験用の電流が電流源から流される。スクリーニング試験の実行時には、ｐ側電極１３ｂに対しても、ワイヤＷ４、導体パターンＬ６、ワイヤＷ１を介して、スクリーニング試験用の電流が電流源から流される。スクリーニング試験の終了後、導体パターンＬ７の一部（図中符号Ｅ２に示す箇所）は切断され、導体パターンＬ５と導体パターンＬ６とは電気的に絶縁される。よって、スクリーニング試験の終了後には、スクリーニング用電極１３ａ及びスクリーニング用電極１３ｃに電流は供給されない。従って、図６及び図７に示す光通信モジュール５１の構成は、スクリーニング用電極１３ａ及びスクリーニング用電極１３ｃがスクリーニング試験のためにのみ利用できる構成となる。
【００８０】
なお、上記で述べた本実施の形態では、共通の導体パターンＬ２，Ｌ３，Ｌ４、または、導体パターンＬ５，Ｌ６，Ｌ７から、ワイヤＷ１、ワイヤＷ２、及びワイヤＷ３を介して、スクリーニング用電極１３ａ、ｐ側電極１３ｂ、及びスクリーニング用電極１３ｃに対して、スクリーニング試験用の電流が流されるように構成されるが、スクリーニング用電極１３ａ、ｐ側電極１３ｂ、及びスクリーニング用電極１３ｃに対して、それぞれ配線パターン（図示せず）を設け、それぞれの電極に別個にスクリーニング試験用の電流を流すようにすることもできる。また、ワイヤＷ１、ワイヤＷ２、ワイヤＷ３と、スクリーニング用電極１３ａ、ｐ側電極１３ｂ、及びスクリーニング用電極１３ｃとの間に抵抗を挿入し、抵抗の値を適宜調整することで、それぞれの電極に流れる電流の分岐比を調整することもできる。
【００８１】
図９の（ａ）部に示すフローチャートを参照して、スクリーニング試験を用いた半導体レーザ１ａの検査処理（スクリーニング試験方法）を説明する。ステップＳ１では、ＬＤチップとして半導体レーザ１ａを光通信モジュール５１の支持部３５（又は支持部３５ａ）及びベース３７に実装する（ステップＳ１）。ステップＳ１において、半導体レーザ１ａを支持部３５（又は支持部３５ａ）に実装した後、ステップＳ２において、ワイヤＷ１，Ｗ２，Ｗ３の接続、及び、ワイヤＷａ，Ｗｂ，Ｗｃ，Ｗ４の接続を行う（ステップＳ２）。ステップＳ２において、特に、半導体レーザ１ａに設けられたスクリーニング試験用電極１３ａ，１３ｃのそれぞれを、ワイヤＷ２，Ｗ３のそれぞれを介して、支持部３５（又は支持部３５ａ）に設けられたスクリーニング試験用の導体パターンＬ４（又は導体パターンＬ７）に接続する。導体パターンＬ４（又は導体パターンＬ７）は、半導体レーザ１ａに電流を供給する電流源と電気的に接続されている。
【００８２】
ステップＳ３では、導体パターンＬ４（又は導体パターンＬ７）及びワイヤＷ２，Ｗ３を介して半導体レーザ１ａに電流を供給することによって半導体レーザ１ａに対するスクリーニング試験を実施する。スクリーニング試験の条件は、例えば、摂氏１００度の恒温槽の中で、電流４００ｍＡを２４時間通電することで行われる。ステップＳ４では、スクリーニング試験を終了し、スクリーニング試験による結晶欠陥の評価を行い、半導体レーザ１ａの状態を判定する（ステップＳ４）。半導体レーザ１ａの状態の判定は、例えば、スクリーニング試験前後で、室温にて、半導体レーザのしきい値電流（Ｉｔｈ）の変化を評価することで行われる。具体的には、スクリーニング試験後のしきい値電流の変動率が、スクリーニング試験前のしきい値電流に比較して、５％以上のものを、不良品として選別することにより行われる。
【００８３】
ステップＳ５では、スクリーニング試験の終了後に、導体パターンＬ４（特に図中符号Ｅ１に示す箇所であり、また、図８に示す支持部３５ａの場合には導体パターンＬ７（特に図中符号Ｅ２に示す箇所））を切断することによって、半導体レーザ１ａのスクリーニング用電極１３ａ，１３ｃと電流源とを電気的に絶縁する（ステップＳ５）。ステップＳ５の処理によって、半導体レーザ１ａのスクリーニング用電極１３ａ，１３ｃには電流源からの電流の供給が遮断される。更に、導体パターンＬ４（又は導体パターンＬ７）の切断部は、支持部３５（又は支持部３５ａ）に固定されているので、導体パターンＬ４を切断する際に、他のワイヤや導体パターン等に接触し、これらのワイヤや導体パターン等を破損等することを回避することができる。
【００８４】
ステップＳ６では、光通信モジュール５１にキャップ（図示略）を実装し（ステップＳ６）、この後、他の特性検査を実行する（ステップＳ７）。以上の通りに、ステップＳ１〜Ｓ７に従って、半導体レーザ１ａに対する検査処理が行われることができる。
【００８５】
なお、スクリーニング試験を用いた半導体レーザ１ａの検査処理（スクリーニング試験方法）は、図９の（ａ）部に示すフローチャートに替えて、図９の（ｂ）部に示すフローチャートに従って行われることができる。ステップＳ８では、ＬＤチップとして半導体レーザ１ａを光通信モジュール５１の支持部３５（又は支持部３５ａ）及びベース３７に実装する（ステップＳ８）。ステップＳ８において、半導体レーザ１ａを支持部３５（又は支持部３５ａ）に実装した後、ステップＳ９において、ワイヤＷ１，Ｗ２，Ｗ３の接続、及び、ワイヤＷａ，Ｗｂ，Ｗｃ，Ｗ４の接続を行う（ステップＳ９）。ステップＳ９において、特に、半導体レーザ１ａに設けられたスクリーニング試験用電極１３ａ，１３ｃのそれぞれを、ワイヤＷ２，Ｗ３のそれぞれを介して、支持部３５（又は支持部３５ａ）に設けられたスクリーニング試験用の導体パターンＬ４（又は導体パターンＬ７）に接続する。導体パターンＬ４（又は導体パターンＬ７）は、半導体レーザ１ａに電流を供給する電流源と電気的に接続されている。
【００８６】
ステップＳ１０では、光通信モジュール５１にキャップ（図示略）を実装する（ステップＳ１０）。ステップＳ１１では、スクリーニング試験を行う（ステップＳ１１）。ステップＳ１１では、導体パターンＬ４（又は導体パターンＬ７）及びワイヤＷ２，Ｗ３を介して半導体レーザ１ａに電流を供給することによって半導体レーザ１ａに対するスクリーニング試験を実施する。スクリーニング試験の条件は、例えば、摂氏１００度の恒温槽の中で、電流４００ｍＡを２４時間通電することで行われる。ステップＳ１２では、スクリーニング試験を終了し、スクリーニング試験による結晶欠陥の評価を行い、半導体レーザ１ａの状態を判定し（ステップＳ１２）、この後、他の特性検査を実行する（ステップＳ１３）。以上の通りに、ステップＳ８〜Ｓ１３に従って、半導体レーザ１ａに対する検査処理が行われることができる。
【００８７】
また、図９の（ａ）部及び（ｂ）部のそれぞれのフローチャートに示す処理は、半導体レーザ１ａに替えて、半導体レーザ１ｂ，１ｃ，１ｄが用いられてもよい。半導体レーザ１ｂが用いられる場合、ワイヤＷ１は半導体レーザ１ｂのｐ側電極１３ｂに接続され、ワイヤＷ２は半導体レーザ１ｂのスクリーニング用電極１３ａに接続され、ワイヤＷ３は半導体レーザ１ｂのスクリーニング用電極１３ｃに接続される。半導体レーザ１ｃが用いられる場合、ワイヤＷ１は半導体レーザ１ｃのｐ側電極１３ｂ１に接続され、ワイヤＷ２は半導体レーザ１ｃのスクリーニング用電極１３ａ１に接続され、ワイヤＷ３は半導体レーザ１ｃのスクリーニング用電極１３ｃ１に接続される。半導体レーザ１ｄが用いられる場合、ワイヤＷ１は半導体レーザ１ｄのｐ側電極１３ｂ２に接続され、ワイヤＷ２は半導体レーザ１ｄのスクリーニング用電極１３ａ２に接続され、ワイヤＷ３は半導体レーザ１ｄのスクリーニング用電極１３ｃ２に接続される。
【００８８】
以上、好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【符号の説明】
【００８９】
１１ａ，１１ａ１，１１ａ２，１１ａ３，１１ｂ，１１ｂ１，１１ｂ２，１１ｂ３，１１ｃ，１１ｃ１，１１ｃ２，１１ｄ…絶縁膜、１３ａ，１３ａ１，１３ａ２，１３ａ３，１３ｃ，１３ｃ１，１３ｃ２…スクリーニング用電極、１３ｂ，１３ｂ１，１３ｂ２，１３ｂ３…ｐ側電極、１５…ｎ側電極、１７…リッジ部、１７ａ，１７ａ１，１７ａ２，１７ｂ，１７ｂ１，１７ｂ２…凸部、１９ａ，１９ａ１，１９ａ２，１９ｂ，１９ｂ１，１９ｂ２，１９ｃ，１９ｃ１…埋め込み部、１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ…半導体レーザ、３…ｎ型半導体層、３１…ステム、３３ａ，３３ｂ，３３ｃ…リード端子、３５，３５ａ…支持部、３７…ベース、３９…フォトダイオード、４１…支持部、５…活性層、５１…光通信モジュール、５ａ…第１の領域、５ｂ…第２の領域、５ｃ…第３の領域、７…ｐ型半導体層、９，９ａ，ａ１，９ａ２，９ａ３，９ｂ，９ｂ１，９ｂ２，９ｂ３，９ｃ，９ｃ１，９ｃ２，９ｃ３…コンタクト層、Ｅ１，Ｅ２…領域、Ｋ１，Ｋ２，Ｋ３，Ｋ４，Ｋ５，Ｋ６…張り出し領域、Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５，Ｌ６，Ｌ７…導体パターン、Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３，Ｗ４，Ｗａ，Ｗｂ，Ｗｃ…ワイヤ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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