(57)【要約】【課題】発光動作に起因したノイズ成分を低減することが可能な発光装置等を提供する。【解決手段】発光装置（発光部）は、発光素子と、第１および第２の抵抗素子とを備えている。第１の抵抗素子は、電源と発光素子の一端側との間に配設され、第２の抵抗素子は、発光素子の他端側と接地との間に配設されている。電子機器は、所定の機能を発揮する動作を行う機能部と、上記発光部とを備えている。【選択図】図６
2012221967.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の機能を発揮する動作を行う機能部と、
発光素子と、第１および第２の抵抗素子とを有する発光部と
を備え、
前記第１の抵抗素子は、電源と前記発光素子の一端との間に配設され、
前記第２の抵抗素子は、前記発光素子の他端側と接地との間に配設されている
電子機器。
【請求項２】
前記発光素子の発光動作の際に、
前記第１および第２の抵抗素子と、前記第１および第２の抵抗素子の各々に対して並列に形成される寄生容量とにより、２次のフィルタ回路が形成される
請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記発光素子がＬＥＤ（発光ダイオード）である
請求項１に記載の電子機器。
【請求項４】
前記第１の抵抗素子は、電源と前記ＬＥＤのアノードとの間の経路上に配設され、
前記第２の抵抗素子は、前記ＬＥＤのカソードと接地との間の経路上に配設されている
請求項３に記載の電子機器。
【請求項５】
前記発光素子は、ＰＷＭ（パルス幅変調）制御による発光動作を行う
請求項１に記載の電子機器。
【請求項６】
前記機能部が、再生部、記録再生部または表示部である
請求項１に記載の電子機器。
【請求項７】
発光素子と、第１および第２の抵抗素子とを備え、
前記第１の抵抗素子は、電源と前記発光素子の一端側との間に配設され、
前記第２の抵抗素子は、前記発光素子の他端側と接地との間に配設されている
発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、例えばＬＥＤ（Light Emitting Diode：発光ダイオード）等の発光素子を有する発光装置、およびそのような発光装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＬＥＤ等の発光素子を用いた発光装置が、種々の電子機器に内蔵されている。そして、この電子機器の各種動作（例えば、起動動作や停止動作、所定の機能動作等）に応じて、発光素子の発光動作がなされるようになっている。
【０００３】
このような発光素子を用いた発光装置における回路構成は、例えば非特許文献１等に開示されている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】トランジスタ技術，２００７年３月号，ｐ．１４３
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、発光素子は一般に、その発光動作の際に、自身からノイズ成分（ノイズ電流等）が発生する。このノイズ成分は、電源ラインやグランド（接地）ラインの安定性を阻害する（不安定にする）ことから、発光装置を内蔵する電子機器に対して様々な悪影響を及ぼしてしまう。
【０００６】
ここで、上記非特許文献１等の従来の回路構成では、そのような発光動作の際に発生するノイズ成分に起因した悪影響を抑えるのが困難であったため、改善する手法の提案が望まれる。
【０００７】
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、発光動作の際に発生するノイズ成分に起因した悪影響を抑えることが可能な発光装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本開示の発光装置は、発光素子と第１および第２の抵抗素子とを備え、第１の抵抗素子が電源と発光素子の一端側との間に配設され、第２の抵抗素子が発光素子の他端側と接地との間に配設されているものである。
【０００９】
本開示の電子機器は、所定の機能を発揮する動作を行う機能部と、上記本開示の発光装置（発光部）とを備えたものである。
【００１０】
本開示の発光装置および電子機器では、電源と発光素子の一端側との間に第１の抵抗素子が配設されると共に、発光素子の他端側と接地との間に第２の抵抗素子が配設されている。これにより、第１および第２の抵抗素子のうちの一方のみが設けられている場合と比べ、発光素子の動作（発光動作）の際に発生するノイズ成分が、効果的に抑えられる。
【発明の効果】
【００１１】
本開示の発光装置および電子機器によれば、電源と発光素子の一端側との間に第１の抵抗素子を配設すると共に、発光素子の他端側と接地との間に第２の抵抗素子を配設するようにしたので、発光動作の際に発生するノイズ成分を効果的に低減することができる。よって、そのようなノイズ成分に起因した悪影響を抑えることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本開示の一実施の形態に係る電子機器（再生装置）の概略構成を表すブロック図である。
【図２】図１に示した再生部の詳細構成を表すブロック図である。
【図３】図１に示した発光部の詳細構成を表す回路図である。
【図４】比較例１に係る発光部の構成を表す回路図である。
【図５】比較例２に係る発光部の構成を表す回路図である。
【図６】図３に示した発光部の作用について説明するための回路図である。
【図７】変形例１に係る電子機器（記録再生装置）の概略構成を表すブロック図である。
【図８】変形例２に係る電子機器（表示装置）の概略構成を表すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（再生装置に適用した例）
２．変形例（記録再生装置，表示装置に適用した例等）
【００１４】
＜実施の形態＞
［再生装置１の概略構成］
図１は、本開示の一実施の形態に係る電子機器（再生装置１）の概略構成をブロック図で表わしたものである。この再生装置１は、データの再生機能を発揮する動作（ここでは、外部から入力した音声信号を増幅して出力する動作）を行う電子機器である。再生装置１は、再生部１１（機能部）、発光部１２（発光装置）および制御部１３を備えている。
【００１５】
（再生部１１）
再生部１１は、上記したデータの再生機能を発揮する動作（再生動作）を行う機能部である。この再生部１１は、例えば図２に示したように、外部入力部１１１、Ａ／Ｄコンバート部１１２、再生制御部１１３、増幅部１１４および外部出力部１１５を有している。
【００１６】
外部入力部１１１は、再生装置１の外部から信号（ここでは音声信号）を入力する部分である。
【００１７】
Ａ／Ｄコンバート部１１２は、外部入力部１１１へ入力された音声信号（アナログ信号）を、デジタル信号に変換する（アナログ／デジタル変換を行う）部分である。
【００１８】
再生制御部１１３は、再生部１１における再生動作（具体的には、ここでは増幅部１１４の動作等）を制御するものであり、例えばマイクロコンピュータ等からなる。
【００１９】
増幅部１１４は、Ａ／Ｄコンバート部１１２から出力される音声信号（デジタル信号）に対する増幅処理（信号の振幅値の増幅動作）を行う部分である。
【００２０】
外部出力部１１５は、増幅部１１４における増幅処理後の音声信号を外部に出力する部分（音声出力部）であり、例えばスピーカ等を用いて構成されている。
【００２１】
（発光部１２）
発光部１２は、例えば、再生部１１における再生動作や、再生装置１の起動動作や停止動作等に応じて、所定の発光動作を行うものである。この発光部１２は、例えば図３に示したように、発光素子１２１、抵抗素子Ｒ１（第１の抵抗素子）、抵抗素子Ｒ２（第２の抵抗素子）、容量素子Ｃ１およびトランジスタＴｒ１を有している。
【００２２】
発光素子１２１は、上記発光動作を行う素子であり、ここではＬＥＤ（発光ダイオード）からなる。
【００２３】
抵抗素子Ｒ１は、発光動作時の電流調整用の抵抗素子であると共に、後述するフィルタ回路を構成する抵抗素子である。この抵抗素子Ｒ１は、電源Ｖｄｄと発光素子１２１の一端（アノード）側との間、具体的には、電源Ｖｄｄと発光素子１２１のアノードとの間の経路上に直列接続されるように配設されている。
【００２４】
抵抗素子Ｒ２もまた、発光動作時の電流調整用の抵抗素子であると共に、後述するフィルタ回路を構成する抵抗素子である。この抵抗素子Ｒ２は、発光素子１２１の他端（カソード）側とグランドＧＮＤ（接地）との間、具体的には、発光素子１２１のカソードとグランドＧＮＤとの間の経路上に直列接続されるように配設されている。詳細には、ここでは後述するトランジスタＴｒ１を介して、抵抗素子Ｒ２がグランドＧＮＤに接続されている。
【００２５】
容量素子Ｃ１は、例えば発光素子１２１の両端間（アノード−カソード間）の電圧を安定化させるための素子であり、ここでは、この発光素子１２１の両端間に並列接続されている。ただし、この容量素子Ｃ１は、場合によっては設けられていなくてもよい。
【００２６】
トランジスタＴｒ１は、抵抗素子Ｒ２とグランドＧＮＤとの間の経路上に配置されており、例えばＭＯＳ−ＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）等からなる。このトランジスタＴｒ１は、制御部１３からゲートに対して供給される制御信号ＣＴＬに応じてオン・オフ動作することにより、ソース−ドレイン間（抵抗素子Ｒ２とグランドＧＮＤとの間）の接続または非接続を制御するスイッチング素子として機能する。これにより、発光素子１２１が、ＰＷＭ（Pulse Width Modulation：パルス幅変調）制御による発光動作（間欠的な発光動作）を行うようになっている。
【００２７】
（制御部１３）
制御部１３は、再生部１１および発光部１２における各動作を制御するものであり、例えばマイクロコンピュータ等からなる。
【００２８】
［再生装置１の作用・効果］
（１．基本動作）
この再生装置１では、制御部１３による制御に応じて、再生部１１において所定の再生動作が行われると共に、発光部１２において所定の発光動作が行われる。具体的には、発光部１２における発光素子１２１は、制御部１３から供給される制御信号ＣＴＬに応じて、ＰＷＭ制御による発光動作がなされる。
【００２９】
（２．発光部１２の作用）
次に、本開示の特徴的部分の１つである発光部１２の作用について、比較例（比較例１，２）と比較しつつ詳細に説明する。
【００３０】
（比較例１，２）
図４は、比較例１に係る発光部（発光部１０２）の回路構成を表わしたものである。この比較例１の発光部１０２は、図３に示した本実施の形態の発光部１２において、２つの抵抗素子Ｒ１，Ｒ２のうちの抵抗素子Ｒ２を設けない（省く）ようにしたものに対応しており、他の構成は同様となっている。
【００３１】
また、図５は、比較例２に係る発光部（発光部２０２）の回路構成を表わしたものである。この比較例２の発光部２０２は、図３に示した本実施の形態の発光部１２において、２つの抵抗素子Ｒ１，Ｒ２のうちの抵抗素子Ｒ１を設けない（省く）ようにしたものに対応しており、他の構成は同様となっている。
【００３２】
ところで、図４および図５中に示したように、発光素子１２の発光動作の際には、発光素子１２自身からノイズ成分（ノイズ電流Ｉｎ等）が発生する。このノイズ電流Ｉｎ等は、電源Ｖｄｄ（電源ライン）やグランドＧＮＤ（接地ライン）の安定性を阻害する（不安定にする，揺らしてしまう）ことから、発光部１０２，２０２を内蔵する電子機器に対して様々な悪影響を及ぼしてしまう。具体的には、例えば図２に示した再生部１１を内蔵する電子機器について考えると、例えば以下のような悪影響が挙げられる。すなわち、例えば上記ノイズ成分が外部からの入力信号に重畳されてしまうと、Ａ／Ｄコンバート部１１２においてＡ／Ｄ変換を行う際に信号の誤り（信号の誤出力）を引き起こすおそれが生じる。また、例えば上記ノイズ成分が増幅部１１４において増幅されてそのまま外部へ出力されると、出力信号におけるＳ／Ｎ比が悪化する（音質が低下する等）のおそれがある。
【００３３】
ここで、比較例１の発光部１０２では、図４に示したように、発光素子１２１の発光動作の際に、電源Ｖｄｄ側に配置された抵抗素子Ｒ１と、この抵抗素子Ｒ１に並列形成される寄生容量Ｃｐ１とにより、１次のフィルタ回路（ローパス・フィルタ回路）が形成される。したがって、そのようなフィルタ回路によって、相対的に周波数の高いノイズ成分（ノイズ電流Ｉｎ等）が低減され、電源Ｖｄｄの不安定性がある程度は改善される。ただし、そのようなフィルタ回路だけでは、電源Ｖｄｄにおける不安定性の改善は不十分であると共に、グランドＧＮＤの不安定性は依然として残ったままである。
【００３４】
一方、比較例２の発光部２０２では、図５に示したように、発光素子１２１の発光動作の際に、グランドＧＮＤ側に配置された抵抗素子Ｒ２と、この抵抗素子Ｒ２に並列形成される寄生容量Ｃｐ２とにより、１次のフィルタ回路（ローパス・フィルタ回路）が形成される。したがって、そのようなフィルタ回路によって、相対的に周波数の高いノイズ成分（ノイズ電流Ｉｎ等）が低減され、グランドＧＮＤの不安定性がある程度は改善される。ただし、そのようなフィルタ回路だけでは、グランドＧＮＤにおける不安定性の改善は不十分であると共に、電源Ｖｄｄの不安定性は依然として残ったままである。
【００３５】
このようにして比較例１，２では、発光動作の際に発生するノイズ成分（ノイズ電流Ｉｎ等）に起因した悪影響を効果的に抑えるのは困難である。
【００３６】
（本実施の形態）
これに対して本実施の形態の発光部１２では、上記比較例１，２とは異なり、電源Ｖｄｄと発光素子１２１の一端（アノード）側との間に抵抗素子Ｒ１が配設されると共に、発光素子１２１の他端（カソード）側とグランドＧＮＤとの間に抵抗素子Ｒ２が配設されている。具体的には、抵抗素子Ｒ１は、電源Ｖｄｄと発光素子１２１のアノードとの間の経路上に配設され、抵抗素子Ｒ２は、発光素子１２１のカソードとグランドＧＮＤとの間の経路上に配設されている。すなわち、発光素子１２１の一方側（電源Ｖｄｄ側またはグランドＧＮＤ側）のみに抵抗素子（抵抗素子Ｒ１または抵抗素子Ｒ２）が配設されている上記比較例１，２とは異なり、発光素子１２１の両側（電源Ｖｄｄ側およびグランドＧＮＤ側の双方）に抵抗素子（抵抗素子Ｒ１，Ｒ２）が配設されている。
【００３７】
これにより発光部１２では、発光素子１２１の発光動作の際に、比較例１，２（１次のフィルタ回路）とは異なり、抵抗素子Ｒ１，Ｒ２とそれらに並列形成される寄生容量Ｃｐ１，Ｃｐ２とにより、２次のフィルタ回路が形成される。具体的には、図６に示したように、電源Ｖｄｄ側の抵抗素子Ｒ１と、この抵抗素子Ｒ１に並列形成される寄生容量Ｃｐ１とにより、フィルタ回路（ローパス・フィルタ回路）が形成される。また、それと共に、グランドＧＮＤ側の抵抗素子Ｒ２と、この抵抗素子Ｒ２に並列形成される寄生容量Ｃｐ２とにより、フィルタ回路（ローパス・フィルタ回路）が形成される。
【００３８】
したがって、このような発光素子１２１の両側に形成されるフィルタ回路によって、相対的に周波数の高いノイズ成分（ノイズ電流Ｉｎ等）が低減され、電源ＶｄｄおよびグランドＧＮＤの双方における不安定性が改善される。また、２つのフィルタ回路全体として２次のフィルタ回路となるため、比較例１，２における１次のフィルタ回路の場合と比べ、カット周波数以上の周波数における信号の減衰率（フィルタ作用）が高くなる。すなわち、本実施の形態では比較例１，２と比べ、発光素子１２１の発光動作の際に発生するノイズ成分（ノイズ電流Ｉｎ等）が、効果的（相乗的）に抑えられる。
【００３９】
以上のように本実施の形態では、電源Ｖｄｄと発光素子１２１の一端側との間に抵抗素子Ｒ１を配設すると共に、発光素子１２１の他端側とグランドＧＮＤとの間に抵抗素子Ｒ２を配設するようにしたので、発光動作の際に発生するノイズ成分を効果的に低減することができる。よって、そのようなノイズ成分に起因した悪影響を抑えることが可能となる（例えば、信号の誤出力を回避したり、出力信号における音質を改善すること等が可能となる）。
【００４０】
＜変形例＞
続いて、上記実施の形態の変形例（変形例１，２）について説明する。なお、上記実施の形態と同一の構成要素については同一符号を付し、その説明を適宜省略する。
【００４１】
［変形例１］
図７は、変形例１に係る電子機器（記録再生装置２）の概略構成をブロック図で表わしたものである。本変形例の記録再生装置２は、データの記録機能および再生機能（記録再生機能）を発揮する動作を行う電子機器である。記録再生装置２は、記録再生部２１（機能部）、発光部１２および制御部２３を備えている。
【００４２】
記録再生部２１は、上記したデータの記録再生機能を発揮する動作（記録再生動作）を行う機能部である。制御部２３は、この記録再生部２１および発光部１２における各動作を制御するものであり、例えばマイクロコンピュータ等からなる。
【００４３】
［変形例２］
図８は、変形例２に係る電子機器（表示装置３）の概略構成をブロック図で表わしたものである。本変形例の表示装置３は、映像の表示機能を発揮する動作を行う電子機器（例えば、テレビ受像機）である。表示装置３は、表示部３１（機能部）、発光部１２および制御部３３を備えている。
【００４４】
表示部３１は、上記した映像の表示機能を発揮する動作（表示動作）を行う機能部であり、例えばＬＣＤ（Liquid Crystal Display）やＰＤＰ（Plasma Display Panel）、有機ＥＬ（Electro Luminescence）ディスプレイ等により構成されている。制御部３３は、この表示部３１および発光部１２における各動作を制御するものであり、例えばマイクロコンピュータ等からなる。
【００４５】
これらの変形例１，２のように、上記実施の形態の発光部１２を内蔵する電子機器としては、再生装置には限られず、例えば記録再生装置および表示装置などの種々の電子機器が挙げられる。換言すると、本開示の発光部（発光装置）は、種々の電子機器に対して適用することが可能である。これらの電子機器においても、上記実施の形態と同様の作用により同様の効果を得ることが可能である。
【００４６】
［その他の変形例］
以上、実施の形態および変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。
【００４７】
例えば、上記実施の形態等では、発光部（発光装置）の回路構成を具体的に挙げて説明したが、発光部の回路構成はこれには限られず、他の回路構成としてもよい。
【００４８】
また、上記実施の形態等では、発光素子（ＬＥＤ）がＰＷＭ制御による発光動作を行う場合について説明したが、発光素子の発光動作はこれには限られない。すなわち、例えば、発光素子に印加される電圧や電流の大きさを制御するパルス振幅変調（ＰＡＭ：Pulse Amplitude Modulation）等の他の制御手法を用いて、発光素子の発光動作を行うようにしてもよい。
【００４９】
更に、上記実施の形態等では、発光素子の一例としてＬＥＤを挙げて説明したが、これには限られず、例えば有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子等の他の発光素子を用いるようにしてもよい。
【００５０】
なお、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）
所定の機能を発揮する動作を行う機能部と、
発光素子と、第１および第２の抵抗素子とを有する発光部と
を備え、
前記第１の抵抗素子は、電源と前記発光素子の一端との間に配設され、
前記第２の抵抗素子は、前記発光素子の他端側と接地との間に配設されている
電子機器。
（２）
前記発光素子の発光動作の際に、
前記第１および第２の抵抗素子と、前記第１および第２の抵抗素子の各々に対して並列に形成される寄生容量とにより、２次のフィルタ回路が形成される
前記（１）に記載の電子機器。
（３）
前記発光素子がＬＥＤ（発光ダイオード）である
前記（１）または（２）に記載の電子機器。
（４）
前記第１の抵抗素子は、電源と前記ＬＥＤのアノードとの間の経路上に配設され、
前記第２の抵抗素子は、前記ＬＥＤのカソードと接地との間の経路上に配設されている
前記（３）に記載の電子機器。
（５）
前記発光素子は、ＰＷＭ（パルス幅変調）制御による発光動作を行う
前記（１）ないし（４）のいずれか１項に記載の電子機器。
（６）
前記機能部が、再生部、記録再生部または表示部である
前記（１）ないし（５）のいずれか１項に記載の電子機器。
（７）
発光素子と、第１および第２の抵抗素子とを備え、
前記第１の抵抗素子は、電源と前記発光素子の一端側との間に配設され、
前記第２の抵抗素子は、前記発光素子の他端側と接地との間に配設されている
発光装置。
【符号の説明】
【００５１】
１…再生装置、１１…再生部、１１１…外部入力部、１１２…Ａ／Ｄコンバート部、１１３…再生制御部、１１４…増幅部、１１５…外部出力部、１２…発光部、１２１…発光素子（ＬＥＤ）、１３…制御部、２…記録再生装置、２１…記録再生部、２３…制御部、３…表示装置、３１…表示部、３３…制御部、Ｒ１，Ｒ２…抵抗素子、Ｃ１…容量素子、Ｃｐ１，Ｃｐ２…寄生容量、Ｔｒ１…トランジスタ、ＣＴＬ…制御信号、Ｉｎ…ノイズ電流、Ｖｄｄ…電源、ＧＮＤ…グランド（接地）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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