(57)【要約】  【課題】  成膜ドラムを用いるロール・トゥ・ロールを利用する、ＣＣＰ−ＣＶＤによる機能性フィルムの製造において、高品質な膜を成膜することができ、かつ、高密度なプラズマに起因する基板の熱損傷も防止できる製造方法を提供する。  【解決手段】  所定の中央領域と、この中央領域の外側の領域とで、ドラム表面温度を異なる温度とすることにより、前記課題を解決する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒状のドラムの表面に長尺な基板を巻き掛けて、前記ドラムを回転することにより、前記基板を長手方向に搬送しつつ、
前記基板の幅方向において、所定の中央領域と、この中央領域の外側の外側領域とで、前記ドラムの表面に温度差を生じさせた状態で、
前記ドラムと、このドラムの表面に対面する成膜電極とで電極対を形成して、容量結合プラズマＣＶＤによって前記基板に成膜を行なうことを特徴とする機能性フィルムの製造方法。
【請求項２】
前記中央領域の方が高温となるように、前記中央領域と外側領域とで、前記ドラムの表面に温度差を生じさせる請求項１に記載の機能性フィルムの製造方法。
【請求項３】
前記中央領域と外側領域との境界が、前記基板の幅方向のドラム中央から外方に向かう両側の各々で、プラズマが最高密度になる位置であるプラズマ端部より、内側に設定される請求項１または２に記載の機能性フィルムの製造方法。
【請求項４】
前記中央領域と外側領域との境界を、前記プラズマ端部よりも内側に５０ｍｍ以内の位置に設定する請求項３に記載の機能性フィルムの製造方法。
【請求項５】
前記外側領域を、前記プラズマ端部よりも外側に５０ｍｍ以内の位置まで設定する請求項３または４に記載の機能性フィルムの製造方法。
【請求項６】
前記中央領域と外側領域とのドラム表面の温度差を２０〜６０℃とする請求項１〜５のいずれかに記載の機能性フィルムの製造方法。
【請求項７】
前記外側領域のドラム表面の温度を−２０〜２０℃とする請求項１〜６のいずれかに記載の機能性フィルムの製造方法。
【請求項８】
前記成膜電極を前記基板面方向に囲んで、プラズマを封じ込めるためのアースシールドを配置する請求項１〜７のいずれかに記載の機能性フィルムの製造方法。
【請求項９】
前記成膜電極が、前記ドラムとの対向面に原料ガスを供給する供給孔を複数有する請求項１〜８のいずれかに記載の機能性フィルムの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、長尺な基板を長手方向に搬送しつつ、容量結合プラズマＣＶＤによって成膜を行なってガスバリアフィルム等の機能性フィルムを製造する製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光学素子、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどの表示装置、半導体装置、薄膜太陽電池など、各種の装置に、ガスバリアフィルム、保護フィルム、光学フィルタや反射防止フィルム等の光学フィルムなど、各種の機能性フィルム（機能性シート）が利用されている。
【０００３】
これらの機能性フィルムの製造に、容量結合プラズマＣＶＤ（ＣＣＰ（Capacitively Coupled Plasma）−ＣＶＤ）が利用されている。
周知のように、ＣＣＰ−ＣＶＤとは、電極対にプラズマ励起電力を供給しつつ、この電極間に原料ガスを供給することにより、電極間で原料ガスのプラズマを生成して、電極間に配置した基板に成膜を行なうものである。
【０００４】
また、ＣＣＰ−ＣＶＤに限らず、効率良く、高い生産性を確保して成膜を行なうためには、長尺な基板（ウェブ状の基板）を長手方向に搬送しつつ、連続的に成膜を行なうのが好ましい。
このような成膜方法を実施する装置として、長尺な基板をロール状に巻回してなる基板ロールから基板を送り出し、成膜済みの基板をロール状に巻回する、いわゆるロール・ツー・ロール(Roll to Roll（以下、ＲｔｏＲともいう）)による成膜が知られている。
このＲｔｏＲによる成膜では、成膜位置を含む所定の経路で、基板ロールから巻取り軸まで所定の搬送経路で長尺な基板を通紙し（所定の搬送経路に基板を通し）、基板ロールからの基板の送り出しと、巻取り軸による成膜済の基板の巻取りとを同期して行いつつ、成膜位置において、長手方向に搬送される基板に連続的に成膜を行なう。
【０００５】
さらに、ＣＣＰ−ＣＶＤによってＲｔｏＲでの成膜を行なう際には、表面（周面）に基板を巻き掛けて搬送する円筒状のドラムを用い、このドラムと、ドラムの表面に対面する成膜電極とで電極対を構成するのが好ましい。
このドラムを用いるＲｔｏＲによれば、基板の搬送位置を安定させることができ、成膜電極と基板との位置関係を適正に保って、ＣＣＰ−ＣＶＤによって安定して好適な成膜を行なうことができる。
【０００６】
ここで、ＣＣＰ−ＣＶＤよる成膜では、長尺な基板の幅方向において、成膜電極の端部近傍でプラズマの密度が高くなる。ＲｔｏＲでのＣＣＰ−ＣＶＤよる成膜では、搬送される基板の位置は、幅方向には一定である。そのため、ＲｔｏＲを利用するＣＣＰ−ＣＶＤでは、長尺な基板の幅方向において、成膜電極の端部近傍に位置する領域は、成膜中、常に、高密度のプラズマに曝される。その結果、プラズマの熱によって基板がダメージを受け、基板の軟化や損傷等が生じる場合が有る。
【０００７】
このような問題に対して、開口を有するマスクを基板と成膜電極との間に配置して、成膜範囲を限定することで、プラズマによる熱で基板がダメージを受けるのを防ぐ方法も知られている。
しかしながら、この方法では、プラズマによる熱で高温になったマスクからの輻射熱によって、基板がダメージを受けるので、十分な対策とは言えない。
【０００８】
一方で、特許文献１に示されるように、ドラムを利用するＲｔｏＲによるＣＣＰ−ＣＶＤによる基板への成膜において、ドラムを冷却することにより、基板の熱ダメージを防止する方法も、知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００４−３１４５９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
特許文献１に示されるように、ドラムを利用するＲｔｏＲによるＣＣＰ−ＣＶＤにおいては、ドラムを用いて基板搬送の安定すると共に、ドラムを冷却することにより、基板が高温になることを防止して、プラズマの熱による基板のダメージを防止できる。
【００１１】
しかしながら、その反面、この方法では、プラズマの密度が高くない、幅方向の中央部まで、不要に基板を冷却してしまう。
そのため、基板の中央部は、成膜時における基板温度（成膜温度）が低い事に起因して、例えば膜の密度が低くなってしまい、目的とする品質を有する膜を成膜できなくなってしまう場合が有る。
【００１２】
本発明の目的は、前記従来技術の問題点を解決することにあり、ドラムを用いるＲｔｏＲを利用して、ＣＣＰ−ＣＶＤによって成膜を行なう機能性フィルムの製造において、基板の端部（端部近傍）における高密度プラズマによる基板の熱ダメージを防止でき、しかも、中央部は高密度で高品質な膜を成膜できる、機能性フィルムの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記目的を達成するために、本発明の機能性フィルムの製造方法は、円筒状のドラムの表面に長尺な基板を巻き掛けて、前記ドラムを回転することにより、前記基板を長手方向に搬送しつつ、前記基板の幅方向において、所定の中央領域と、この中央領域の外側の外側領域とで、前記ドラムの表面に温度差を生じさせた状態で、前記ドラムと、このドラムの表面に対面する成膜電極とで電極対を形成して、容量結合プラズマＣＶＤによって前記基板に成膜を行なうことを特徴とする機能性フィルムの製造方法を提供する。
【００１４】
このような本発明の機能性フィルムの製造方法において、前記中央領域の方が高温となるように、前記中央領域と外側領域とで、前記ドラムの表面に温度差を生じさせるのが好ましい。
また、前記中央領域と外側領域との境界が、前記基板の幅方向のドラム中央から外方に向かう両側の各々で、プラズマが最高密度になる位置であるプラズマ端部より、内側に設定されるのが好ましい。
また、前記中央領域と外側領域との境界を、前記プラズマ端部よりも内側に５０ｍｍ以内の位置に設定するのが好ましい。
また、前記外側領域を、前記プラズマ端部よりも外側に５０ｍｍ以内の位置まで設定するのが好ましい。
【００１５】
また、前記中央領域と外側領域とのドラム表面の温度差を２０〜６０℃とするのが好ましい。
また、前記外側領域のドラム表面の温度を−２０〜２０℃とするのが好ましい。
【００１６】
また、前記成膜電極を前記基板面方向に囲んで、プラズマを封じ込めるためのアースシールドを配置するのが好ましい。
さらに、前記成膜電極が、前記ドラムとの対向面に原料ガスを供給する供給孔を複数有するのが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
上記構成を有する本発明の機能性フィルムの製造方法によれば、ドラムを用いるロール・トゥ・ロールを利用して、容量結合プラズマＣＶＤ（ＣＣＰ−ＣＶＤ）によって成膜を行なう際に、プラズマの密度が高くなる、基板の幅方向（ドラム回転軸方向）の端部近傍での基板の熱損傷を好適に防止でき、しかも、高プラズマ密度領域よりも内側の中央領域では、基板の温度を適正に保って成膜を行なうことができる。
そのため、本発明の製造方法によれば、プラズマの熱による基板の軟化や損傷等の熱ダメージを防止した上で、高密度で高品質な膜を成膜することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の機能性フィルムの製造方法の一例を実施するプラズマＣＶＤ装置の一例を概念的に示す図である。
【図２】図１に示すプラズマＣＶＤ装置の成膜電極を概念的に示す図である。
【図３】図１に示すプラズマＣＶＤ装置のドラムを概念的に示す図である。
【図４】本発明の機能性フィルムの製造方法を説明するための概念図である。
【図５】本発明の機能性フィルムの製造方法に利用されるドラムの別の例を概念的に示す図である。
【図６】本発明の機能性フィルムの製造方法に利用されるドラムの別の例を概念的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の機能性フィルムの製造方法について、添付の図面に示される好適例を基に、詳細に説明する。
【００２０】
図１に、本発明の機能性フィルムの製造方法の一例を実施する、プラズマＣＶＤ装置の一例を概念的に示す。
図１に示すプラズマＣＶＤ装置１０（以下、ＣＶＤ装置１０とする）は、長尺な基板Ｚ（ウエブ状のフィルム原反）を長手方向に搬送しつつ、この基板Ｚの表面に、容量結合プラズマＣＶＤ（ＣＣＰ（Capacitively Coupled Plasma）−ＣＶＤ）による成膜を行って、ガスバリアフィルムや各種の光学フィルムなどの機能性フィルムを製造するものである。ここで、本発明の製造方法を実施するＣＶＤ装置１０では、円筒状のドラム３８に基板Ｚを巻き掛けて搬送すると共に、このドラム３８と成膜電極４０とで電極対を構成して、ＣＣＰ−ＣＶＤによる成膜を行なう。
また、このＣＶＤ装置１０は、長尺な基板Ｚをロール状に巻回してなる基板ロール１２から基板Ｚを送り出し、基板Ｚを長手方向に搬送しつつ成膜を行って、成膜済の基板Ｚを巻取り軸１４に、再度、ロール状に巻き取る、いわゆるロール・トゥ・ロール(Roll to Roll  以下、ＲｔｏＲともいう)による成膜を行なう装置である。
【００２１】
本発明の製造方法において、成膜を行う基板（基材／基体）Ｚには、特に限定はなく、プラズマＣＶＤによる成膜が可能な、各種の長尺なシート状物が、全て利用可能である。
具体的には、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリアミド、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリアクリロニトリル、ポリイミド、ポリアクリレート、ポリメタクリレートなどの有機物からなるプラスチック（樹脂）フィルムが、基板Ｚとして、好適に利用可能である。
【００２２】
また、本発明においては、このようなプラスチックフィルム等を支持体として、その上に、保護層、接着層、光反射層、遮光層、平坦化層、緩衝層、応力緩和層等の、各種の機能を得るための層（膜）が形成されているシート状物を基板Ｚとして用いてもよい。
この際においては、基板の上に１層のみが形成されたシート状物を基板Ｚとして用いてもよく、あるいは、基板の上に、複数層が形成されたシート状物を基板Ｚとして用いてもよい。また、基板Ｚが、基板の上に複数層が形成されたシート状物である場合には同じ層を複数層有してもよい。
【００２３】
前述のように、図１に示すＣＶＤ装置１０は、長尺な基板Ｚを巻回してなる基板ロール１２から基板Ｚを送り出し、基板Ｚを長手方向に搬送しつつ成膜を行って、再度、巻取り軸１４によってロール状に巻き取る、ＲｔｏＲによる成膜を行なう装置である。このＣＶＤ装置１０は、供給室１８と、成膜室２０と、巻取り室２４とを有している。
なお、ＣＶＤ装置１０は、図示した部材以外にも、各種のセンサ、搬送ローラ対や基板Ｚの幅方向の位置を規制するガイド部材など、基板Ｚを所定の経路で搬送するための各種の部材（搬送手段）等、長尺な基板Ｚに、ＲｔｏＲによって、プラズマＣＶＤで成膜を行なう装置が有する各種の部材を有してもよい。
【００２４】
供給室１８は、回転軸２８と、ガイドローラ３０と、真空排気手段３２とを有する。
長尺な基板Ｚを巻回した基板ロール１２は、供給室１８の回転軸２８に装填される。
回転軸２８に基板ロール１２が装填されると、基板Ｚが基板ロール１２から引き出され、供給室１８から、成膜室２０を通り、巻取り室２４の巻取り軸１４に至る所定の搬送経路を通紙される（基板Ｚが、所定の搬送経路を通される）。
ＣＶＤ装置１０においては、基板ロール１２からの基板Ｚの送り出しと、巻取り室２４の巻取り軸１４における基板Ｚの巻き取りとを同期して行なって、長尺な基板Ｚを所定の搬送経路で長手方向に搬送しつつ、成膜室２０において、基板Ｚに、ＣＣＰ−ＣＶＤによる成膜を連続的に行なう。
【００２５】
供給室１８は、図示しない駆動源によって回転軸２８を図中時計方向に回転して、基板ロール１２から基板Ｚを送り出し、ガイドローラ３０によって所定の経路を案内して、基板Ｚを、隔壁３４に設けられたスリット３４ａから、成膜室２０に送る。
【００２６】
図示例のＣＶＤ装置１０においては、好ましい態様として、供給室１８に真空排気手段３２を、巻取り室２４に真空排気手段７０を、それぞれ設けている。ＣＶＤ装置１０においては、成膜中は、それぞれの真空排気手段によって、供給室１８および巻取り室２４の圧力を、後述する成膜室２０の圧力（成膜圧力）に応じた、所定の圧力に保つ。これにより、隣接する室の圧力が、成膜室２０の圧力（すなわち、成膜室２０での成膜）に影響を与えることを防止している。
真空排気手段３２には、特に限定はなく、ターボポンプ、メカニカルブースターポンプ、ドライポンプ、ロータリーポンプなどの真空ポンプ、さらには、クライオコイル等の補助手段、到達真空度や排気量の調整手段等を利用する、真空成膜装置に用いられている公知の（真空）排気手段が、各種、利用可能である。この点に関しては、後述する他の真空排気手段６０および７０も同様である。
【００２７】
前述のように、基板Ｚは、ガイドローラ３０によって案内されて、隔壁３４のスリット３４ａから成膜室２０に搬送される。
成膜室２０は、基板Ｚの表面に、ＣＣＰ−ＣＶＤによって成膜（膜を形成）するものである。図示例において、成膜室２０は、ドラム３８と、成膜電極４０と、ガイドローラ４２、４６、４８および５０と、温度調節手段５２と、高周波電源５４と、ガス供給手段５６と、アースシールド５８と、真空排気手段６０とを有する。
【００２８】
成膜室２０のドラム３８は、中空の円筒状の部材で、中心線を前記円筒と一致する回転軸３８ａを中心に、図中矢印方向（反時計方向）に回転する。
ドラム３８は、ガイドローラ４２および４６によって所定の経路に案内された基板Ｚを、表面の所定領域に掛け回して（所定の巻き掛け角で掛け回して）、図示しない駆動減によって回転することにより、基板Ｚを、後述する成膜電極４０に対面する所定位置に位置しつつ、長手方向に搬送する。
【００２９】
本発明の製造方法において、基板Ｚを掛け回して搬送するドラム３８は、ＣＣＰ−ＣＶＤにおける対向電極としても作用する。すなわち、ドラム３８と成膜電極４０とで、ＣＣＰ−ＣＶＤによる成膜を行なうための電極対を形成する。
そのため、ドラム３８には、バイアス電力を供給するためのバイアス電源を接続してもよく、あるいは、接地してもよい。あるいは、バイアス電源との接続と接地とが、切り換え可能であってもよい。
【００３０】
また、図３に概念的に示すように、ドラム３８は、基板Ｚが掛け回される表面（ドラム３８の外周面＝基板Ｚの当接面）の温度を調節するための、誘導加熱コイル６２および温調管６４を内蔵している。この誘導加熱コイル６２および温調管６４は、温度調節手段５２に接続されている。
この点に関しては、後に詳述する。
【００３１】
成膜電極４０は、基板Ｚの対向面から原料ガスを噴射する、ＣＣＰ−ＣＶＤによる成膜に利用される、公知の、いわゆるシャワー電極（シャワープレート）である。
図示例において、成膜電極４０は、一例として、一面がドラム３８（すなわち基板Ｚ）に対面して配置される、内部に空間（ガス供給空間）が形成された、略直方体形状を有する。また、成膜電極４０のドラム３８と対向（対面）する面は、ドラム３８と表面と平行になるように（すなわち、ドラム３８と成膜電極との間隔が全面的に均一になるように）、凹状の曲面となっている。
なお、成膜電極４０も、ドラム３８と同様、公知の温度調節手段を有してもよい。
【００３２】
前述のように、成膜電極４０は、いわゆるシャワー電極であり、図２に概念的に示すように、ドラム３８との対向面には、多数のガス供給４０ａ孔が形成されている。このガス供給孔４０ａは、前述の成膜電極４０の内部空間に連通している。また、後述するガス供給手段５６は、この成膜電極４０の内部空間に原料ガスを供給する。
従って、ガス供給手段５６から供給された原料ガスは、成膜電極４０のガス供給孔４０ａから、ドラム３８（基板Ｚ）と成膜電極４０との間に供給される。
【００３３】
なお、本発明において、成膜電極４０は、図示例のような曲面を有するものに限定はされず、内部ガス供給空間を有する直方体状であってもよく、あるいは、ドラム表面は平行ではない曲面を有するものであってもよい。すなわち、本発明においては、ＣＣＰ−ＣＶＤにおいて使用されている公知のシャワー電極が、全て、利用可能である。
【００３４】
図示例においては、成膜室２０には成膜電極４０（ＣＣＰ−ＣＶＤによる成膜手段）が、１個、配置されているが、本発明は、これに限定はされず、基板Ｚの搬送方向に、複数の成膜電極を配列してもよい。
また、本発明は、シャワー電極を用いる構成にも限定はされず、原料ガスの吹き出し口（原料ガスの供給手段）を有さない成膜電極と、電極対の間に原料ガスを供給するノズル等を用いるＣＣＰ−ＣＶＤであってもよい。
【００３５】
図示例のＣＶＤ装置１０においては、好ましい態様として、成膜室２０には、アースシールド５８が配置される。なお、成膜室２０の構成を明確にするために、図１においては、アースシールド５８は破線で示す。
図２に示すように、アースシールド５８は、基材Ｚの面方向で成膜電極４６を囲むように配置された、筒状（図示例においては、略四角筒状）の部材である。プラズマＣＣＰ−ＣＶＤに用いられる公知のアースシールドと同様、アースシールド５８は、導電性の材料で形成され、かつ、通常、接地（アース）されている。
このようなアースシールド５８を用いることにより、基材Ｚと成膜電極４０との間に、生成されたプラズマを封じ込めることができ、プラズマを有効利用して、効率の良い成膜を行うことができる。
【００３６】
通常、アースシールド５８は、成膜電極４６との間隔（基板面方向の間隔）を狭くして、成膜電極４６との間で放電（プラズマの生成）が生じないように、形成／配置される。
また、図示例においては、好ましい態様として、アースシールド５８も、上端（ドラム３８の端部）が、ドラム３８の表面と平行になる形状を有している。
【００３７】
ガス供給手段５６は、プラズマＣＶＤ装置等の真空成膜装置に用いられる、公知のガス供給手段である。
前述のように、ガス供給手段５６は、成膜電極４０の内部空間に原料ガスを供給する。また、成膜電極４０の表面（ドラム３８との対向面）には、内部空間に連通する多数のガス供給孔４０ａが形成されている。従って、成膜電極４０に供給された原料ガスは、このガス供給孔４０ａから、成膜電極４０とドラム３８との間に供給される。
【００３８】
本発明の機能性フィルムの製造方法において、基板Ｚに成膜する膜（すなわち、製造する機能性フィルム）には、特に限定はなく、ガスバリア膜（水蒸気バリア膜）、光反射防止膜や波長帯域フィルタ膜などの各種の光学的な特性を発現する膜、保護膜等、製造する機能性フィルムに要求される機能を発現する膜が、各種、成膜可能である。
【００３９】
従って、ガス供給手段５６が供給する原料ガス（プロセスガス／材料ガス）は、基板Ｚの表面に成膜する膜に応じた、公知のものでよい。
例えば、ＣＶＤ装置１０が、基板Ｚの表面に窒化ケイ素膜を成膜して、ガスバリアフィルムを製造する場合には、ガス供給手段５６は、ＣＣＰ−ＣＶＤによる窒化ケイ素膜の成膜に利用される公知の原料ガスを、成膜電極４０に供給すればよい。具体的には、窒化ケイ素膜を成膜する場合には、ガス供給手段５６は、原料ガスとして、シランガス、アンモニアガスおよび水素ガスの組み合わせや、シランガス、アンモニアガスおよび窒素ガスの組み合わせ等を供給すればよい。
【００４０】
高周波電源５４は、成膜電極４０に、プラズマ励起電力を供給する電源である。高周波電源５４も、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を供給する電源等、各種のプラズマＣＶＤ装置で利用されている、公知の高周波電源が、全て利用可能である。
なお、高周波電源５４から成膜電極４０への電力供給線は、少なくとも一部が、可撓性を有する線によって行なう。
【００４１】
真空排気手段６０は、プラズマＣＶＤによる成膜のために、成膜室内を排気して、所定の成膜圧力に保つものであり、前述のように、真空成膜装置に利用されている、公知の真空排気手段である。
【００４２】
なお、本発明の製造方法において、基板Ｚの搬送速度、成膜圧力、原料ガスの供給量、プラズマ励起電力の強さなどの成膜条件には、特に限定はない。
すなわち、成膜条件は、通常のプラズマＣＶＤによる成膜と同様、成膜する膜、要求される成膜速度、成膜する膜厚、基板Ｚの種類等に応じて、適宜、設定すればよい。
【００４３】
図３に、ドラム３８の内部を概念的に示す。なお、前述のように、成膜電極４０およびアースシールド５８は、ドラム３８との対向面が、ドラム３８の表面に沿って湾曲しているが、図３では、ドラム３８の回転方向の一部の形状を示している。
図３に示すように、ドラム３８は、ドラム３８の表面温度を調節するための誘導加熱コイル６２および温調管６４を内蔵している。
【００４４】
温調管６４は、後述する外側領域のドラム３８の表面温度を調節するものである。この温調管６４は、基板Ｚの幅方向（図３中矢印ｘ）において、ドラム３８の両端部の近傍に配置される、断面が略長方形で外径がドラム６８の内径よりも、若干小さい、円環状の液体流路である。なお、基板Ｚの幅方向とは、すなわち、ドラム３８の回転軸方向であり、かつ、基板Ｚの搬送方向と直交する方向である。
この温調管６４は、外面がドラム６８の内面と離間していてもよく、あるいは、外面がドラム６８の内面に接触してもよい。
【００４５】
図３に示すように、２つの温調管６４は、各々、循環路６４ａによって温度調節手段５２に接続される。また、２つの温調管６４は、接続路６４ｂによって接続される。
従って、温度調節手段５２から、一方の循環路６４ａに液体状の温度調整媒体（以下、温調媒体とする）を供給することにより、温度調節手段５２と両温調管６４との間で、温調媒体が循環され、ドラム６８の両端部の温調管６４と対面する領域が温度調節される。
【００４６】
一方、誘導加熱コイル６２は、後述する中央領域のドラム３８の表面温度を調節するものである。この誘導加熱コイル６２は、通電されることで誘導加熱によって熱を発生する、公知の螺旋状の誘導加熱用のコイルで、２つの温調管６４の内側（幅方向の内側）に配置される。
誘導加熱コイル６２は、その螺旋の外周を、ドラム６８の内面と、若干、離間して配置され、温度調節手段５２（その電源）に接続されている。従って、誘導加熱コイル６２に通電することにより、温調管６４の内側の誘導加熱コイル６２と対面する領域が、加熱される。
【００４７】
温度調節手段５２は、ドラム３８の表面温度の調節を行なうものである。
前述のように、ドラム３８は、表面の温度を調節するための温調管６４および誘導加熱コイル６２を内蔵している。従って、温度調節手段５２は、温調管６４に供給する温調媒体の温度調節手段、温調媒体を温調管６４に供給／循環する送液ポンプ、誘導加熱コイル６２に発熱のための電力を供給する電源、誘導加熱コイル６２への供給電力の制御手段等を有して構成される。
なお、図示例においては、ドラム３８の回転軸３８ａを介して、循環路６４ａおよび誘導加熱コイル６２と、温度調節手段５２とを接続している。これらの接続は、公知の方法によって行なえばよい。この点に関しては、他の例も同様である。
【００４８】
ここで、本発明の製造方法は、基板Ｚを掛け回して搬送し、かつ、成膜電極４０と共に電極対を構成するドラム３８を用い、ＲｔｏＲを利用するＣＣＰ−ＣＶＤによって、基板Ｚに成膜を行なうことにより、機能性フィルムを製造するものである。
本発明においては、このようなＣＣＰ−ＣＶＤによる成膜において、図中矢印ｘで示す基板Ｚの幅方向に、幅方向中央の所定領域である中央領域と、この中央領域の幅方向両外側の外側領域とを設定し、中央領域と外側領域とで、ドラム３８の表面の温度（以下、単に、『ドラム３８の温度』とも言う）に温度差を生じさせた状態で、成膜を行なう。
好ましくは、中央領域の温度が、外側領域の温度よりも高くなるように、両領域の間に温度差を生じさせる。
【００４９】
図示例のドラム３８においては、誘導加熱コイル６２によって中央領域の温度調節を行ない、温調管６４によって外側領域の温度調節を行なう。これにより、中央領域と外側領域とで、独立して温度調節を行い（独立した温度調節手段を設け）、中央領域と外側領域とでドラム３８に温度差を生じさせた状態で、成膜を行なう。
【００５０】
なお、以下の説明では、特に記載が無い場合には、内側／外側／中央／端部等は、全て、幅方向を示すものとする。
【００５１】
ここで、中央領域と外側領域との境界には、特に限定はない。しかしながら、ドラム３８の幅方向中央から両外側に向かう幅方向の位置において、プラズマの密度が最も高くなる位置（プラズマ端部）よりも内側に、中央領域と外側領域との境界を設けて、中央領域と外側領域とを設定するのが好ましい。
一例として、図４にドラム３８の一方の端部（図中右端）で模式的に示すように、一点鎖線で示すアースシールド５８の内側端部の位置が、幅方向の両側で最もプラズマ密度が高いプラズマ端部Ｐｅである場合には、矢印ｘ１で示す、このプラズマ端部Ｐｅよりも内側に、中央領域と外側領域との境界を設けるのが、好ましい。
【００５２】
ここで、プラズマ端部Ｐｅの位置は、装置構成によって異なる。
一般的には、図示例の装置のようにアースシールド５８を有する場合には、アースシールド５８の内側端部の位置、あるいは、成膜電極４０とアースシールド５８のと間が、最もプラズマの密度が高いプラズマ端部Ｐｅとなる。
【００５３】
しかしながら、プラズマ端部Ｐｅの位置は、成膜領域（あるいはさらに、その近傍）に配置される部材の形状や構造、同部材の位置やサイズ、成膜電極３８とアースシールド４０との間隙などの部材同士の位置関係等、様々な要因に影響を受ける場合がある。例えば、ドラム、成膜電極およびアースシールドの形状や位置関係が一緒でも、図示例のようなシャワー電極を用いる場合と、ノズルによって原料ガスを導入する場合とでは、プラズマ端部Ｐｅの位置が異なる場合が有る。
従って、プラズマ端部Ｐｅの位置は、本発明の機能性フィルムの製造方法を実施する成膜装置に応じて、中央から、両外側に向かう幅方向の両側の位置で、最もプラズマ密度の高い位置を、実験やシミュレーションによって検出すればよい。
なお、基板Ｚを巻き掛けて搬送するドラムを利用するＣＣＰ−ＣＶＤによる成膜では、基板Ｚの搬送方向の位置が異なっても、プラズマ端部Ｐｅの位置は一定である。
【００５４】
本発明は、ドラム３８を用いるＣＣＰ−ＣＶＤによって基板Ｚに成膜を行なう際に、このように、適宜、設定した中央領域と外側領域（好ましくは、プラズマ端部Ｐｅよりも内側に境界を設けて設定した中央領域と外側領域）とで、ドラム３８に温度差を設ける。
これにより、基板Ｚの端部が熱によって軟化や損傷してしまう、基板端部の熱によるダメージを防止し、かつ、中央領域は、高密度な膜の成膜を可能にしたものである。
【００５５】
前述のように、基板Ｚを長手方向に搬送するＲｔｏＲを用いるＣＣＰ−ＣＶＤでは、ドラム３６と電極対を構成する成膜電極３８の幅方向端部の近傍でプラズマの密度が高くなり易い。特に、図示例のように、プラズマを成膜領域に封じ込めるためのアースシールド５８を用いる場合には、一般的に、図３に斜線で示すような成膜電極４０とアースシールド５８との幅方向の間隙付近で、プラズマが非常に高密度になる。
しかも、基板Ｚは、幅方向には、同一の位置を搬送される。そのため、幅方向において、基板Ｚのプラズマ密度が高い領域に位置する部分は、搬送方向において成膜領域に入ってから抜けるまで（搬送方向の成膜電極上流端から下流端まで）、常にプラズマ密度が高い領域に位置して、高密度のプラズマに曝される結果となる。
そのため、ＲｔｏＲを用いるＣＣＰ−ＣＶＤでは、基板Ｚの幅にもよるが、基板Ｚの端部（端部近傍）がプラズマの熱によってダメージを受け、基板Ｚの軟化や損傷等が生じ、甚だしい場合には基板Ｚの端部が溶融してしまう。
【００５６】
ここで、ＲｔｏＲによるＣＣＰ−ＣＶＤでは、ドラム３８を用いることにより、基板Ｚの搬送を安定させて成膜電極４０との距離を適正に保つと共に、特許文献１に示されるように、ドラム３８を冷却することで、基板Ｚの端部の熱ダメージを防止できる。
しかしながら、この場合には、プラズマ密度が高くない（プラズマ密度が適正な）、中央部まで基板Ｚを冷却してしまう。ＣＣＰ−ＣＶＤによる成膜では、一般的に、成膜時の基板温度が高い程、高密度な膜を成膜できる。そのため、ドラム３８を全面的に均一に冷却すると、基板端部の熱ダメージは防止できるが、重要な中央部の膜密度が低くなってしまい、その結果、目的とする性能を発現する膜が、成膜できなくなってしまう。
例えば、ガスバリアフィルムでは、窒化ケイ素膜等のガスバリア膜の密度が高い程、高いガスバリア性を発現するが、中央部の基板温度が低い状態で成膜を行なうと、中央部のガスバリア膜の密度が低くなってしまい、目的とするガスバリア性を得られない。
【００５７】
これに対し、本発明の製造方法では、ドラム３８を利用するＲｔｏＲによるＣＣＰ−ＣＶＤでの成膜において、ドラム３８に、中央領域と、その外側の外側領域とを設定し、両領域で、ドラム３８の温度に差をつける。好ましくは、外側領域よりも、中央領域の方が高温になるように、温度差をつける。
これにより、基板Ｚの端部での熱ダメージを好適に防止し、かつ、基板Ｚの中央部は成膜に好ましい温度に保って、成膜を行なうことができ、端部の熱ダメージが無く、しかも、高密度な膜を成膜した機能性フィルムを、安定して製造できる。例えば、ガスバリアフィルムであれば、端部に損傷がなく、かつ、高密度で高いガスバリア性を有するガスバリア膜を成膜した、高品質なガスバリアフィルムを安定して製造することができる。
【００５８】
前述のように、本発明の製造方法においては、中央領域と外側領域との境界を、幅方向の両端で最もプラズマの密度が高くなるプラズマ端部Ｐｅより内側として、中央領域と、その外側の外側領域とを設定するのが好ましい。
なお、中央領域と外側領域との境界は、通常、互いに対面（あるいは接触）する、内側領域の温度調節手段（図３では誘導加熱コイル６２）の外側端部と、外側領域の温度調節手段（図３では温調管６４）の内側端部との、幅方向の中央である。
【００５９】
プラズマ端部Ｐｅの高密度プラズマによる基板Ｚの熱ダメージの大きさは、プラズマ励起電力、基板Ｚと成膜電極４０との間隔等、様々な条件に影響される。例えば、プラズマ励起電力が大きい程、プラズマによる基板Ｚの熱ダメージは大きくり、また、基板Ｚと成膜電極４０との間隔が近い程、プラズマによる基板Ｚの熱ダメージは大きくなる。
従って、中央領域と外側領域との境界は、プラズマ励起電力、基板Ｚと成膜電極４０との間隔などの各種の条件に応じて、プラズマ端部Ｐｅより内側で、プラズマ端部Ｐｅの高密度プラズマによる基板Ｚの熱ダメージを好適に防止できる位置を、適宜、設定すればよい。
【００６０】
ここで、本発明者らの検討によれば、中央領域と外側領域との境界は、プラズマ端部Ｐｅから内側に５０ｍｍ以内の位置に設定するのが好ましい。言い換えれば、中央領域と外側領域との境界は、プラズマ端部Ｐｅよりも内側で、かつ、プラズマ端部Ｐｅから５０ｍｍを超えて離間しない位置に設定するのが好ましい。
【００６１】
中央領域と外側領域との境界を、プラズマ端部Ｐｅから離間する内側に設定する程、基板Ｚの熱ダメージは確実に防げる。その反面、中央領域と外側領域との境界が内側すぎると、中央部の適正な基板温度で成膜される領域が狭くなってしまう。
ここで、本発明者らの検討によれば、プラズマ端部Ｐｅから内側に５０ｍｍを超える領域では、どのような条件下での成膜であっても、プラズマ端部Ｐｅの近傍での高密度プラズマによる基板Ｚの熱ダメージは、極めて小さい。従って、中央領域と外側領域との境界をプラズマ端部Ｐｅから内側に５０ｍｍ以内の位置に、適宜、設定することにより、不要に中央領域を狭くすることなく、様々な条件に対応して、好適にプラズマによる基板Ｚの熱ダメージを確実に防止できる。
【００６２】
また、本発明者らの検討によれば、中央領域と外側領域との境界は、プラズマ端部Ｐｅよりも内側であれば良いが、殆どの条件下では、プラズマ端部Ｐｅから２０ｍｍ以上、離間した領域では、プラズマ端部Ｐｅ近傍の高密度プラズマによる基板Ｚの熱ダメージは極めて小さい。さらに、通常は、プラズマ端部Ｐｅから１０ｍｍ以上、離間した領域では、プラズマ端部Ｐｅ近傍の高密度プラズマによる基板Ｚの熱ダメージは極めて小さい。
従って、適正な成膜が可能な中央領域の十分な確保と、基板Ｚの熱ダメージ抑制とのバランスを考慮すると、中央領域と外側領域との境界は、プラズマ端部Ｐｅから内側に２０ｍｍ以内、特に、１０ｍｍ以内の位置に、適宜、設定するのが好ましい。
【００６３】
なお、外側領域の幅には特に限定はないが、少なくとも、外側領域の外側端部は、プラズマ端部Ｐｅよりも外側に設定するのが好ましい。すなわち、外側領域は、少なくとも幅方向にプラズマ端部Ｐｅを包含する領域に設定するのが好ましい。
ここで、本発明においては、ドラム３８の端部までを外側領域として、温度調整を行なってもよい。しかしながら。成膜電極４０の幅に対して、ドラム３８の幅が大きい場合には、端部まで温度調整を行なうと、エネルギー効率等の点で、不利である。また、先と同様に、プラズマ端部Ｐｅから外側に５０ｍｍを超えた領域では、条件によらず、プラズマによる基板Ｚの熱ダメージは極めて小さい。さらに、殆どの場合は２０ｍｍ以上、通常は１０ｍｍ以上、プラズマ端部Ｐｅから外側に離間した領域では、プラズマによる基板Ｚの熱ダメージは極めて小さい。
従って、この点を考慮すると、外側領域の外側の端部は、プラズマ端部Ｐｅから外側に５０ｍｍ以内の位置に設定するのが好ましく、さらに、プラズマ端部Ｐｅから外側に２０ｍｍ以内の位置に設定するのが好ましく、特に、プラズマ端部Ｐｅから外側に１０ｍｍ以内の位置に設定するのが好ましい。
【００６４】
外側領域のドラム３８の温度には特に限定はないが、−２０〜２０℃となるように、外側領域の温度調節を行なうのが好ましい。すなわち、図３に示す例であれば、ドラム３８の温度が−２０〜２０℃となるように、温調管６４による温度調節（主に冷却）を制御するのが好ましい。
これにより、プラズマの熱による基板Ｚの熱ダメージを、より確実に防止できると共に、冷やし過ぎに起因するプラズマへの影響や成膜系内の結露等を防止できる。
【００６５】
また、ドラム３８の中央領域と外側領域との温度差は、２０〜６０℃とするのが好ましい。言い換えれば、ドラム３８における、中央領域の最高温度と外側領域の最低温度との差、および、成膜領域における中央領域の最低温度と外側領域の最高温度との差が、共に、２０〜６０℃の範囲内となるようにするのが好ましい。
すなわち、図３に示す例であれば、ドラム３８の中央領域と外側領域との温度差が２０〜６０℃となるように、誘導加熱コイル６２での加熱および温調管６４での温度調節を制御するのが好ましい。
これにより、基板Ｚの熱ダメージを防止しつつ、中央領域での基板温度を適正に保って高密度の成膜が行なえる等の点で、好ましい。
【００６６】
本発明の製造方法において、基板Ｚの幅が小さく、基板Ｚの端部がプラズマ端部Ｐｅよりも内側に位置する場合も有る。この場合には、ドラム３８が、直接、高密度プラズマに曝されてしまい、プラズマによるドラム３８の損傷や異常放電等を生じてしまう。
そのため、基板Ｚの端部がプラズマ端部Ｐｅよりも内側に位置する場合には、図５に模式的に示すように、外側領域のドラム３８の表面に、ドラム保護材７４を貼着するのが好ましい。なお、ドラム保護材７４には、特に限定はなく、カプトンテープ等の公知の絶縁性のシート状物を用いればよい。
【００６７】
これにより、ドラム３８が、高密度なプラズマに、直接、曝されることに起因する、異常放電やドラム３８の損傷を防止できる。
また、従来のドラムを用いるＣＣＰ−ＣＶＤでの成膜では、プラズマの高密度部に曝されるドラム保護材７４が、プラズマの熱によってダメージを受けていた。これに対し、本発明の製造方法によれば、外側領域の温度を中央領域とは異なる温度とするので、プラズマによるドラム保護材７４の熱ダメージを防止して、長期間の使用が可能になる。
【００６８】
また、図３および図５に示す例では、中央領域の温度調整を誘導加熱コイル６２で行なっているが、本発明は、これに限定はされず、各種の温度調整手段が利用可能である。
一例として、図６に示すように、中央領域に対応するドラム３８の内部に、外側領域の温調管６４と同様の、断面が略長方形での外径がドラム６８の内径よりも、若干小さい、円環状の水路である温調管７８を用いる方法も、利用可能である。
この構成では、温調管７８の内面の対向する面に、温度調節手段５２に接続される供給路７８ａと循環路７８ｂとを設け、供給路７８ａを用いて温度調節手段５２から温調管７８に温度調節した液体を供給し、循環路７８ｂから温度調節手段５２に液体を戻す。これにより、温度調節手段５２と温調管７８との間で、温度調節した液体を循環して、中央領域の温度調節をすることができる。
【００６９】
なお、本発明の製造方法において、中央領域および外側領域の温度調整手段は、誘導加熱コイル６２や液体状の温調媒体を用いる方法に限定はされず、ペルチェ素子を用いる方法、各種のヒータを用いる方法等、公知の方法が、各種、利用可能である。
【００７０】
前述のように、ガイドローラ４２および４６によって所定の経路に案内された基板Ｚは、ドラム３８の表面に掛け回されて、所定の位置に保持されつつ長手方向に搬送される。ドラム３８と成膜電極４０とからなる電極対の間では、成膜電極４０へのプラズマ励起電力の供給によってプラズマが励起され、原料ガスからラジカルが生成されて、ドラム３８によって支持されつつ搬送される基板Ｚの表面に、ＣＣＰ−ＣＶＤによって成膜される。
表面に所定の膜を成膜された基板Ｚは、次いで、ガイドローラ４２に案内されて、隔壁６４のスリット６４ａから、巻取り室２４に搬送される。
【００７１】
図示例において、巻取り室２４は、ガイドローラ６８と、巻取り軸１４と、真空排気手段７０とを有する。
巻取り室２４に搬送された基板Ｚは、ガイドローラ６８に案内されて巻取り軸１４に搬送され、巻取り軸１４によってロール状に巻回されガスバリアフィルムなどの機能性フィルムを巻回してなるロールとして、次の工程に供される。
また、先の供給室１８と同様、巻取り室２４にも真空排気手段７０が配置され、成膜中は、巻取り室２４も、成膜室２０における成膜圧力に応じた真空度に減圧される。
【００７２】
以下、ＣＶＤ装置１０の作用を説明する。
回転軸２８に基板ロール１２が装填されると、基板Ｚは、基板ロール１２から引き出される。基板ロール１２から引き出された基板は、ガイドローラ３０によって案内されて成膜室２０に至り、成膜室２０において、ガイドローラ４２および４６に案内されて、ドラム３８の表面の所定領域に掛け回され、次いで、ガイドローラ４８および５０によって案内されて巻取り室２４に至り、巻取り室２４において、ガイドローラ６８に案内されて巻取り軸１４に至る、所定の搬送経路を通紙される。
【００７３】
基板Ｚの通紙が終了すると、供給室１８、成膜室２０および巻取り室２４が閉塞される（密閉される）。次いで、真空排気手段３２、６０、および７０が駆動され、供給室１８、成膜室２０および巻取り室２４が、所定の圧力まで減圧される。各室の圧力が安定したら、成膜室２０では、ガス供給手段５６から成膜電極４０に、原料ガスが供給される。
成膜室２０内が成膜に対応する所定圧力で安定したら、供給室１８から巻取り室２４に向かう基板Ｚの搬送が、開始され、また、高周波電源５４から成膜電極４０へのプラズマ励起電力の供給を開始する。
【００７４】
供給室１８から成膜室２０に搬送された基板Ｚは、ガイドローラ４２および４６によって案内され、ドラム３８に巻き掛けられた状態で搬送されつつ、ドラム３８と成膜電極４０とが対面している領域において、ＣＣＰ−ＣＶＤによって、窒化ケイ素膜等の目的とする機能を発現する膜を成膜される。
【００７５】
ここで、ＣＶＤ装置１０の成膜室２０においては、ドラム４８は、幅方向中央の中央領域の温度が誘導加熱コイル３８によって調整され、他方、中央領域の外側の外側領域の温度が温調管６４によって調整され、ドラム４８の中央領域と外側領域の温度に差が有る状態で、成膜を行なう。好ましくは、中央領域の温度よりも、外側領域の温度が低い状態で、成膜を行なう。
そのため、外側領域に位置する基板Ｚの端部がプラズマの熱によってダメージを受けることを防止しつつ、中央領域では適正な基板温度で高密度な膜を成膜して、基板の熱ダメージが無く、かつ、高密度な膜を成膜した、高品質なガスバリアフィルム等の機能性フィルムを、安定して製造することができる。
【００７６】
所定の膜を成膜された基板Ｚは、ガイドローラ４８および５０によって案内されて、巻取り室２４に搬送される。
巻取り室２４に搬送された基板Ｚは、ガイドローラ６８によって所定の経路に案内され、巻取り軸１４によってロール状に巻回される。
【００７７】
以上、本発明の機能性フィルムの製造方法について詳細に説明したが、本発明は、上記実施例に限定はされず、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、各種の改良や変更を行なってもよいのは、もちろんである。
【実施例】
【００７８】
［実施例１］
図１に示すようなＣＶＤ装置１０を用いて、基板Ｚの表面に、窒化ケイ素膜を成膜して、ガスバリアフィルムを製造した。
ドラム３８は、ステンレス製で、図６に示す、温調管７８および温調管６４を有し、温調媒体によって、中央領域および外側領域の温度調節を行なう構成のものを用いた。
ドラム３８の幅（幅方向のサイズ）は１３０ｃｍ、成膜電極４０の幅は９５ｃｍとした。また、成膜電極４０とアースシールド５８との間隔は１ｍｍとした。
【００７９】
中央領域と外側領域との境界は、成膜電極４０の（幅方向）端部の位置とした。外側領域は、ドラム３８の端部までとし、外側領域の温度調節を行なう温調管６４は、ドラム３８内の端部まで設けた。なお、温調管７８と温調管６４との間は５ｍｍの間隙を有し、この間隙の中心を中央領域と外側領域との境界（成膜電極４０の端部）に一致させた。
さらに、中央領域の温度調節を行なう温調管７８には４０℃の温調媒体を、外側領域の温度調節を行なう温調管７８には−５℃の温調媒体を、それぞれ、循環させた。
【００８０】
基板Ｚは、幅１００ｃｍ、厚さ７０μｍのＰＥＴフィルムを用いた。なお、ドラム３８の基板Ｚで覆われない領域には、端部までカプトンテープを貼着した。
原料ガスは、シランガス(ＳｉＨ4）、アンモニアガス(ＮＨ3）、窒素ガス(Ｎ2）、水素ガス(Ｈ2）、およびヘリウムガス（Ｈｅ）を用いた。供給量は、総量で１．５ｓｌｍとした。また、成膜圧力は７０Ｐａとした。
成膜電極４０には、高周波電源５４から、周波数１３．５ＭＨｚで、１５００Ｗのプラズマ励起電力を供給した。
なお、この条件下でのプラズマ端部Ｐｅは、アースシールド５８の内側端部であった。従って、中央領域と外側領域との境界は、プラズマ端部Ｐｅから１ｍｍ内側である。
【００８１】
上記成膜条件の下、前述のようにして、基板Ｚに厚さ１００ｎｍの窒化ケイ素膜を成膜して、ガスバリアフィルムを製造した。
【００８２】
［実施例２］
中央領域と外側領域との境界を、成膜電極４０の端部から内側９ｍｍの位置に変更した以外は、実施例１と同様にして、ガスバリアフィルムを製造した。
すなわち、本例において、中央領域と外側領域との境界は、プラズマ端部Ｐｅから１０ｍｍ内側である。
【００８３】
［実施例３］
中央領域と外側領域との境界を、成膜電極４０の端部から外側１０ｍｍの位置に変更し、かつ、中央領域の温度調節を行なう温調管７８に流す温調媒体の温度を２０℃、外側領域の温度調節を行なう温調管７８に流す温調媒体の温度を−２０℃に、それぞれ、変更した以外は、実施例１と同様にして、ガスバリアフィルムを製造した。
すなわち、本例において、中央領域と外側領域との境界は、プラズマ端部Ｐｅから９ｍｍ外側である。
【００８４】
［比較例１］
中央領域の温度調節を行なう温調管７８に流す温調媒体の温度、および、外側領域の温度調節を行なう温調管７８に流す温調媒体の温度を、共に、５℃に変更した以外は、実施例１と同様にして、ガスバリアフィルムを製造した。
【００８５】
［比較例２］
中央領域の温度調節を行なう温調管７８に流す温調媒体の温度、および、外側領域の温度調節を行なう温調管７８に流す温調媒体の温度を、共に、４０℃に変更した以外は、実施例１と同様にして、ガスバリアフィルムを製造した。
【００８６】
［比較例３］
中央領域の温度調節を行なう温調管７８にのみ、６０℃の温調媒体を流し、外側領域の温度調節を行なう温調管７８は空のままにした以外は、実施例１と同様にして、ガスバリアフィルムを製造した。
【００８７】
このようにして作製した６種のガスバリアフィルムについて、成膜した窒化ケイ素膜の膜質、および、基板Ｚの端部近傍の熱ダメージを評価した。
なお、膜質は、
密度が２．２以上の物を○：
密度が２．０以上２．２未満の物を△：
密度が２．０以下の物を×：  と評価した。
他方、熱ダメージは、
窒化ケイ素膜の表面が平坦な物を○：
反射光検査で窒化ケイ素膜の表面にシワが確認できた物を△：
成膜中の基板搬送が不安定になった物および／または巻取り形状が悪かった物を×：  と評価した。
結果を、下記表１に示す。
【００８８】
【表１】
2012229477.tif 000003
【００８９】
表１に示されるように、中央領域と外側領域とを独立して温度調節して、両領域のドラムの温度に温度差を生じさせた、本発明の製造方法による実施例１〜３は、いずれも、基板Ｚが熱ダメージを受けておらす、しかも、膜質が良好な窒化ケイ素膜を成膜することができている。なお、プラズマ端部Ｐｅに対する境界の位置が外側である実施例３では、基板Ｚの端部近傍において、若干のムラが確認されたが、このムラは、製品品質に影響を与えない程度のムラであった。これは、境界をプラズマ端部Ｐｅよりも外側に設定しても、外側領域を十分に冷却することにより、プラズマ端部Ｐｅ近傍での基板Ｚに熱ダメージを好適に抑制できたことに起因すると考えられる。
これに対し、ドラム３８の幅方向全域に対して５℃の温調媒体を流した比較例１では、基板Ｚの端部に熱ダメージが認められ、かつ、膜質も良くない。また、ドラム３８の幅方向全域に対して４０℃の温調媒体を流した比較例２では、膜質は良好なものの、基板Ｚの端部に強い熱ダメージが認められた。さらに、中央領域のみ６０℃の温調媒体を流した比較例３では、基板Ｚの端部に熱ダメージが認められた。
以上の結果より、本発明の効果は、明らかである。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
ガスバリアフィルムや反射防止フィルムの製造など、各種の機能性フィルムの製造に、好適に利用可能である。
【符号の説明】
【００９１】
１０  （プラズマ）ＣＶＤ装置
１２  基板ロール
１４  巻取り軸
１８  供給室
２０  成膜室
２４  巻取り室
２８  回転軸
３０，４２，４６，４８，５０，６８  ガイドローラ
３２，６０，７０  真空排気手段
３４，６４  隔壁
３８  ドラム
４０，８０  成膜電極
５２  温度調節手段
５４  高周波電源
５６  ガス供給手段
５８  アースシールド
６２  誘導加熱コイル
６４，７８  温調管
７４  ドラム保護材
【図１】
2012229477.tif 000004
【図２】
2012229477.tif 000005
【図３】
2012229477.tif 000006
【図４】
2012229477.tif 000007
【図５】
2012229477.tif 000008
【図６】
2012229477.tif 000009