(57)【要約】【課題】パワー半導体素子の動特性と、静特性たる飽和電圧とを１台の装置で精密に検査すること。【解決手段】パワー半導体素子たるスイッチング素子６をスイッチング動作させて電気的な動特性を検査するとともに、検査時の短絡電流の発生に伴って前記スイッチング素子６を電気的に遮断するトランジスタ５３を備えた半導体検査装置１において、前記トランジスタ５３を定電流出力動作させる定電流回路６０を構成し、前記定電流回路６０によって前記トランジスタ５３が出力する定電流を前記スイッチング素子６に与えて飽和電圧Ｖｃｅ（ｓａｔ）を検査する構成とした。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パワー半導体素子をスイッチング動作させて電気的な動特性を検査する半導体検査装置において、
検査対象である前記パワー半導体素子に電流を供給する電源回路と、
前記パワー半導体素子に制御信号を与え、電気特性を測定する測定部と、
前記パワー半導体素子に供給する電流を検出する電流検出器と、
前記電流検出器で検出された電流に基づいて前記パワー半導体素子に供給する電流を遮断する機能と、定められた時間に亘り定電流を供給する機能とを備えた電気制御回路と、
を備えることを特徴とする半導体検査装置。
【請求項２】
前記電気制御回路は、前記電気特性を測定する前記測定部の検出時間と同等時間以上に亘り定電流を供給することを特徴とする請求項１に記載の半導体検査装置。
【請求項３】
前記電気制御回路は、前記測定部による測定時の短絡電流を前記電流検出器で検出し遮断信号をトランジスタへ与えて前記電流を遮断し、前記トランジスタで前記定電流を前記パワー半導体素子に供給し飽和電圧を検査可能にした
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体検査装置。
【請求項４】
前記動特性、及び前記飽和電圧の検査に応じて、前記トランジスタでの定電流の供給をオン／オフする切替スイッチを備えたことを特徴とする請求項３に記載の半導体検査装置。
【請求項５】
パワー半導体素子をスイッチング動作させて電気的な動特性を検査するとともに、前記パワー半導体素子での短絡電流の発生に伴って前記パワー半導体素子を電気的に遮断するトランジスタを備えた半導体検査装置を用いた半導体検査方法において、
前記トランジスタを定電流出力動作させるように構成した定電流回路によって、前記トランジスタを定電流出力動作させ、当該定電流を前記パワー半導体素子に与えて飽和電圧を検査する
ことを特徴とする半導体検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワー半導体素子を検査する半導体検査装置、及び半導体検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
大電流を制御するためのパワーモジュールの製造工程においては、パワーモジュールの完成前に、当該パワーモジュール、或いは、パワーモジュールを構成するパワー半導体素子に対して電気的特性の検査を行うことが一般的である。この電気的特性の検査項目としては、パワー半導体素子に大電流を与えてスイッチング試験を行う動特性検査と飽和電圧測定等を行う静特性検査とがある。
【０００３】
従来のパワーモジュールの製造工程では、これら動特性検査と静特性検査ごとに別々の検査装置を用意し、それぞれの検査装置を用いて検査を行っている。このようなパワーモジュールの製造においては、検査項目ごとに複数の検査装置を配置した製造ラインが必要となるが、並列的な検査を可能にすることで、検査時間を短縮してスループットの向上を図ろうとする場合、さらに多くの検査装置を併設する必要がある。このため、検査装置や装置間で検査対象たる被試験デバイス（いわゆる、ＤＵＴ）を搬送する搬送装置が必要となりコストが高くなる、という問題があった。
そこで従来、パワー半導体素子のスイッチング試験や熱抵抗試験等の検査項目に必要となる誘導負荷や抵抗負荷、容量負荷、受動負荷、能動負荷といった各種負荷を１台の検査装置に設け、検査項目に個別に用意していた検査装置を１台に統合した技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１０７４３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、特許文献１に開示の技術において、パワー半導体素子の動特性検査時に、静特性である飽和電圧を合わせて検査する場合、誘導負荷を通じてパワー半導体素子に与えられる通電電流に基づいて飽和電圧を検査することとなる。
しかしながら、動特性検査時には、通電電流が誘導負荷と通電時間に応じて変化することから、高精度に飽和電圧を測定することが困難となる。
そこで、例えば通電電流を一定にする定電流電源を検査装置に別途に設け、この定電流電源の電流をパワー半導体素子に与えて飽和電圧を検査する構成も考え得るが、検査装置の複雑化や高コスト化を招く、という問題がある。
【０００６】
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであり、パワー半導体素子の動特性と、静特性たる飽和電圧とを１台の装置で精密に検査することができる半導体検査装置、及び半導体検査方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明は、パワー半導体素子をスイッチング動作させて電気的な動特性を検査する半導体検査装置において、検査対象である前記パワー半導体素子に電流を供給する電源回路と、前記パワー半導体素子に制御信号を与え、電気特性を測定する測定部と、前記パワー半導体素子に供給する電流を検出する電流検出器と、前記電流検出器で検出された電流に基づいて前記パワー半導体素子に供給する電流を遮断する機能と、定められた時間に亘り定電流を供給する機能とを備えた電気制御回路と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、定められた時間に亘り定電流を供給する電気制御回路を備えるため、この回路で定電流を供給することにより、パワー半導体素子の動特性と静特性たる飽和電圧を１台の装置で精密に検査することができる。
【０００９】
また本発明は、上記半導体検査装置において、前記電気制御回路は、前記電気特性を測定する前記測定部の検出時間と同等時間以上に亘り定電流を供給することを特徴とする。
【００１０】
本発明によれば、測定部が測定に要する十分な時間に亘り定電流を供給することができる。
【００１１】
また本発明は、上記半導体検査装置において、前記電気制御回路は、前記測定部による測定時の短絡電流を前記電流検出器で検出し遮断信号をトランジスタへ与えて前記電流を遮断し、前記トランジスタで前記定電流を前記パワー半導体素子に供給し飽和電圧を検査可能にしたことを特徴とする。
【００１２】
本発明によれば、短絡電流発生時にパワー半導体素子を遮断するトランジスタを定電流出力動作させることで、前記トランジスタが出力する定電流を前記パワー半導体素子に与えて飽和電圧を検査可能になるため、別途に定電流回路を装置に組み込まなくとも定電流をパワー半導体素子に与えることができ、１台の装置で動特性と飽和電圧とを精密に検査することができる。
【００１３】
また本発明は、上記半導体検査装置において、前記動特性、及び前記飽和電圧の検査に応じて、前記トランジスタでの定電流の供給をオン／オフする切替スイッチを備えたことを特徴とする。
【００１４】
本発明によれば、切替スイッチを作動させるだけで、動特性と飽和電圧の検査を簡単に切り替え、これらを連続して検査することができることから、検査工程におけるタクトの短縮化、及びスループットの向上が図られる。
【００１５】
また上記目的を達成するために、本発明は、パワー半導体素子をスイッチング動作させて電気的な動特性を検査するとともに、前記パワー半導体素子での短絡電流の発生に伴って前記パワー半導体素子を電気的に遮断するトランジスタを備えた半導体検査装置を用いた半導体検査方法において、前記トランジスタを定電流出力動作させるように構成した定電流回路によって、前記トランジスタを定電流出力動作させ、当該定電流を前記パワー半導体素子に与えて飽和電圧を検査することを特徴とする。
【００１６】
本発明によれば、上述した半導体検査装置と同様に、定電流回路を別途に装置に組み込まなくとも定電流をトランジスタで供給することができ、１台の装置で動特性と飽和電圧とを精密に検査することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、定められた時間に亘り定電流を供給する電気制御回路を備えるため、この回路で定電流を供給することにより、パワー半導体素子の動特性と静特性たる飽和電圧を１台の装置で精密に検査することができる。
また本発明において、前記電気制御回路は、前記電気特性を測定する前記測定部の検出時間と同等時間以上に亘り定電流を供給する構成を備えることで、測定部が測定に要する十分な時間に亘り定電流を供給することができる。
また本発明において、前記電気制御回路は、前記測定部による測定時の短絡電流を前記電流検出器で検出し遮断信号をトランジスタへ与えて前記電流を遮断し、前記トランジスタで前記定電流を前記パワー半導体素子に供給し飽和電圧を検査可能にすることで、別途に定電流回路を装置に組み込まなくとも定電流をパワー半導体素子に与えることができ、１台の装置で動特性と飽和電圧とを精密に検査することができる。
また本発明において、前記動特性、及び前記飽和電圧の検査に応じて、前記トランジスタでの定電流の供給をオン／オフする切替スイッチを備える構成とすることで、切替スイッチを作動させるだけで、動特性と飽和電圧の検査を簡単に切り替え、これらを連続して検査することができることから、検査工程におけるタクトの短縮化、及びスループットの向上が図られる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施形態に係る検査装置の電気的構成を示す回路図である。
【図２】動特性たるスイッチング特性検査時のコレクタ電流及びコレクタ−エミッタ間電圧の時間波形変化の説明図であり、（Ａ）は時間波形を示し、（Ｂ）は（Ａ）の一部の期間を拡大して示す図である。
【図３】トランジスタの静特性の一例を示す図である。
【図４】半導体検査装置の検査フローを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。なお、以下の説明では、パワーモジュールとして、直流を交流に変換する電力変換装置たるインバータ装置のアームを例示し、当該アームを被試験デバイス（いわゆる、ＤＵＴ）として検査する半導体検査装置について説明する。
【００２０】
図１は、半導体検査装置１の電気的構成を示す回路図である。
半導体検査装置１は、インバータ装置が備える１相分のアーム２を検査する装置である。アーム２は、逆並列接続されたダイオード４を有する２つのスイッチング素子６を直列接続して構成されており、電位が高圧側（「Ｐ側」）のラインと、低圧側（「Ｎ側」）のラインとの間に接続され、アーム２の中点Ｐから出力が得られる。スイッチング素子６には、パワー半導体素子の一例たるＩＧＢＴが用いられている。アーム２は、インバータモジュールに組み込む前のベアチップ状態で検査され、スイッチング素子６のそれぞれには、ゲート端子に制御信号としてのゲート電圧を与えて駆動するゲートドライブ回路ＧＤと、コレクタ−エミッタ間電圧Ｖｃｅを測定する電圧測定器８が接続されている。これらゲートドライブ回路ＧＤと電圧測定器８とを含んで、パワー半導体素子たるスイッチング素子６に制御信号を与えて電気的特性を測定する測定部３が構成されている。
【００２１】
この半導体検査装置１は、アーム２の各スイッチング素子６をゲートドライブ回路ＧＤにより実際の動作状態に則してスイッチング動作させたときの出力を評価可能に構成されており、直流電源１２を有した電源回路１４と、この電源回路１４の高圧側に接続されるＰ側バスライン１６と、低圧側に接続されるＮ側バスライン１８と、負荷回路１９とを備え、これらＰ側バスライン１６及びＮ側バスライン１８にアーム２が電気的に接続されている。
【００２２】
電源回路１４は、電解コンデンサ２０、逆流防止ダイオード２２、及びスイッチング素子２４を有する放電回路２８を備えて構成されており、直流電源１２で電解コンデンサ２０に電荷を蓄積させて大電流を出力する。
負荷回路１９は、疑似誘導負荷３１と、疑似誘導負荷３１を流れる電流の向きを切り替えるための切替スイッチ３２を備え、インバータ装置が駆動する交流モータ（例えば電気自動車の車両駆動モータ）の負荷を擬似的に再現する。この負荷回路１９に上記アーム２の中点Ｐが接続され、アーム２が負荷回路１９を駆動する際の性能試験がスイッチング特性試験（動特性の検査）として行われる。
負荷回路１９とアーム２の間には、スナバコンデンサ４６及び抵抗４７を有すスナバ回路４８が設けられている。
【００２３】
また、この半導体検査装置１は、検査を通じてアーム２を構成するスイッチング素子６が短絡破壊された時に生じる短絡電流から半導体検査装置１を保護するための短絡保護回路５０を備えている。
短絡保護回路５０は、Ｐ側バスライン１６を通じてスイッチング素子６に供給される電流を検出する電流検出器としてのカレントトランス５１と、逆並列接続されたダイオード５２を有しＰ側バスライン１６に介挿された半導体スイッチとしてのトランジスタ５３と、カレントトランス５１に基づいて短絡電流を検出したときにトランジスタ５３のゲートドライブ回路ＧＤを制御して当該トランジスタ５３をオフし、Ｐ側バスライン１６からアーム２を電気的に切断する短絡保護制御部５４とを有している。上記トランジスタ５３には、大電流を高速にスイッチングして遮断する必要があることから、本実施形態ではＩＧＢＴを用いることとしている。
【００２４】
ところで、スイッチング素子６のコレクタ−エミッタ間電圧Ｖｃｅの飽和電圧Ｖｃｅ（）ｓａｔを静特性として半導体検査装置１を用いて測定しようとした場合、最も単純には、スイッチング特性の検査時のアーム２への通電を利用して、アーム２のＮ側のスイッチング素子６を対象に飽和電圧Ｖｃｅ（ｓａｔ）を測定することが考え得る。
ただし、この場合、Ｎ側のスイッチング素子６には、負荷コイルたる疑似誘導負荷３１からアーム２の中点Ｐを通じて通電電流が供給されることから、この通電電流が通じ通電時間に応じて変化し、この結果、Ｎ側のスイッチング素子６に流れるコレクタ電流Ｉｃも変化することになる。
【００２５】
図２は、動特性たるスイッチング特性検査時のコレクタ電流Ｉｃ及びコレクタ−エミッタ間電圧Ｖｃｅの時間波形変化の説明図であり、図２（Ａ）は時間波形を示し、図２（Ｂ）は図２（Ａ）の一部の期間を拡大して示す図である。
コレクタ電流Ｉｃを利用して飽和電圧Ｖｃｅ（ｓａｔ）を測定する場合には、コレクタ電流Ｉｃが流れている期間Ｔにおいて、コレクタ電流Ｉｃに対するコレクタ−エミッタ間電圧Ｖｃｅを測定する。
しかしながら、スイッチング特性の検査時には、疑似誘導負荷３１の両端の極性を交互に変えるため、この疑似誘導負荷３１を通じて流れる通電電流が変化することで、コレクタ電流Ｉｃは、図２（Ａ）に示すように三角波状に変化し、これに伴いコレクタ−エミッタ間電圧Ｖｃｅも変化する。このため、コレクタ電流Ｉｃの測定タイミングに時間差Δｔが生じると、図２（Ｂ）に示すように、コレクタ電流Ｉｃにも電流差ΔＩｃが生じることから、この電流差ΔＩｃに伴いコレクタ−エミッタ間電圧Ｖｃｅも変わる。したがって、コレクタ電流Ｉｃの検出タイミングと、コレクタ−エミッタ間電圧Ｖｃｅの検出タイミングとが正確に同期していないと、この検出タイミングのズレである時間差Δｔにより、コレクタ−エミッタ間電圧Ｖｃｅに誤差が生じることとなり、正確な測定が不可能となる。
また飽和電圧Ｖｃｅ（ｓａｔ）の測定は、線形領域で測定する必要があるため、スイッチング素子６に大電流（例えば１００Ａ）を印加して測定する必要があるが、上記のように、通電電流が変化することから、かかる大電流が流れているタイミングを図って測定を行うことは困難であり測定精度を得にくい。
【００２６】
そこで、例えば疑似誘導負荷３１を通じて通電電流をスイッチング素子６に与えるのではなく、一定の通電電流をスイッチング素子６に与える定電流回路を別途に設ける構成とすれば、コレクタ電流Ｉｃが一定に維持されるため、コレクタ−エミッタ間電圧Ｖｃｅに発生する誤差を防止できる。
しかしながら、定電流回路を別途に設ける分、半導体検査装置１の複雑化や高コスト化を招くことになる。
【００２７】
そこで、本実施形態では、前掲図１に示すように、上記短絡保護回路５０が備えるトランジスタ５３を用いて定電流回路６０を構成することとしている。
詳述すると、ＩＧＢＴに代表されるトランジスタ５３は、図３に示すように、活性領域において、定電流を出力する動作をする定電流特性を有し、このときの電流値（コレクタ電流）は、ゲート電圧Ｖｇｅに依存する。したがって、トランジスタ５３のゲート端子に接続したゲートドライブ回路ＧＤを通じて、所定のゲート電圧Ｖｇｅを印加することで、静特性の検査に必要な電流値の定電流をトランジスタ５３から出力させることができる。
【００２８】
定電流回路６０は、短絡保護回路５０が備えるトランジスタ５３を定電流動作させて、当該トランジスタ５３とともに定電流を出力する回路を構成するものであり、このトランジスタ５３のゲート端子にゲートドライブ回路ＧＤを介して接続されたオペアンプ６１と、トランジスタ５３の出力電流Ｉｏの電流値を設定する電流設定値出力回路６２とを備えている。静特性の検査時には、これら定電流回路６０がトランジスタ５３を定電流動作させることで、トランジスタ５３のエミッタ端子から、電流設定値出力回路６２の設定に基づく一定電流値の出力電流Ｉｏが出力される。
【００２９】
なお、トランジスタ５３が定電流動作をしている間も、このトランジスタ５３のゲート端子には上記短絡保護制御部５４が接続されて短絡保護回路５０として機能する。すなわち、トランジスタ５３が定電流動作をしている間であっても、何らかの理由で短絡電流が生じた場合には、短絡保護制御部５４がトランジスタ５３をオフし、アーム２を電気的に遮断して切断する。
これら短絡保護回路５０、及び定電流回路６０を含んで、カレントトランス５１で検出された電流に基づいてスイッチング素子６に供給する電流を遮断する機能と、定められた時間に亘り、電流値可変の定電流を供給する機能とを備えた電気制御回路８０が構成されている。
【００３０】
上記定電流回路６０について更に詳述すると、電流設定値出力回路６２は、トランジスタ５３の出力電流Ｉｏの電流値を規定する設定電圧Ｖｉをオペアンプ６１の非反転入力（＋）に入力する。このオペアンプ６１の反転入力（−）には、トランジスタ５３のエミッタ端子が切替スイッチ６３を介して接続されている。この切替スイッチ６３にはアーム２が接続されており、また、切替スイッチ６３とアーム２の間に、抵抗６４が設けられている。この抵抗６４の出力側には、オペアンプ６１の非反転入力（＋）が接続されており、切替スイッチ６３がオンして閉状態になると、非反転入力（＋）と反転入力（−）の電位差ΔＶは、次式のようになる。
【００３１】
電位差ΔＶ＝設定電圧Ｖｉ−（抵抗６４の抵抗値Ｒ１×出力電流Ｉｏ）
【００３２】
オペアンプ６１は、電位差ΔＶを「ゼロ」にするようにゲートドライブ回路ＧＤを通じてトランジスタ５３のゲート端子にゲート電圧Ｖｇｅを印加することから、結果として、出力電流Ｉｏ＝（設定電圧Ｖｉ／抵抗値Ｒ１）によって規定される一定の出力電流Ｉｏが出力されることとなる。
【００３３】
一方、Ｐ側バスライン１６には、切替スイッチ６３と排他的にオン／オフして電源回路１４とアーム２との接続／遮断するスイッチ７０が設けられている。これら切替スイッチ６３、及びスイッチ７０は、動特性検査及び飽和電圧検査のどちらの検査を実施するかによってオン／オフが切り替えられる。
すなわち、動特性検査時には、切替スイッチ６３がオフして定電流回路６０の動作を停止しつつ、スイッチ７０がオンすることで、電源回路１４の電力が負荷回路１９及びアーム２に供給されてスイッチング特性の検査が行われる。一方、飽和電圧検査時には、スイッチ７０がオフすることで電源回路１４が負荷回路１９及びアーム２から切り離されつつ、切替スイッチ６３がオンすることで定電流回路６０が作動するとともに定電流回路６０がアーム２に接続され、トランジスタ５３から定電流の出力電流Ｉｏがアーム２に供給されることとなる。
【００３４】
図４は、半導体検査装置１の検査フローを示す図である。
アーム２の検査時には、先ず、動特性としてのスイッチング特性を検査すべく、半導体検査装置１は、スイッチ７０をオンして電源回路１４を負荷回路１９及びアーム２に接続しつつ、切替スイッチ６３をオフして定電流回路６０を遮断した状態で、電源回路１４から通電からアーム２（スイッチング素子６）に通電し（ステップＳ１）、スイッチング特性の測定を行う（ステップＳ２）。
次いで、静特性としての飽和電圧を測定すべく、半導体検査装置１は、スイッチ７０をオフするとともに切替スイッチ６３をオンして定電流回路６０をアーム２に接続する（ステップＳ３）。そして、半導体検査装置１は、電流設定値出力回路６２の設定に基づく一定の出力電流Ｉｏをトランジスタ５３から出力してアーム２のスイッチング素子６に印加して（ステップＳ４）、飽和電圧Ｖｃｅ（ｓａｔ）を測定することとなる（ステップＳ５）。
なお、この検査フローにおいて、飽和電圧Ｖｃｅ（ｓａｔ）を検査した後に、スイッチング特性を検査しても良いことは勿論である。
【００３５】
このように、本実施形態によれば、検査対象のパワー半導体素子たるスイッチング素子６の短絡破壊等によって短絡電流が発生した時に、当該スイッチング素子６を電気的に遮断する短絡保護回路５０が備えるトランジスタ５３を定電流出力動作させる定電流回路６０を構成し、この定電流回路６０によってトランジスタ５３が出力する定電流をスイッチング素子６に与えて飽和電圧Ｖｃｅ（ｓａｔ）を検査する構成とした。これにより、別途に定電流回路を装置に組み込まなくとも定電流をスイッチング素子６に与えることができ、１台の装置で動特性と飽和電圧Ｖｃｅ（ｓａｔ）とを精密に検査することができる。また、半導体検査装置１自身の大型化、複雑化、高コスト化を抑制することができる。
【００３６】
また本実施形態によれば、動特性、及び飽和電圧Ｖｃｅ（ｓａｔ）の検査に応じて、定電流回路６０によるトランジスタ５３の定電流動作をオン／オフする切替スイッチ６３を備える構成としたため、切替スイッチ６３を作動させるだけで、動特性と飽和電圧の検査を簡単に切り替え、これらを連続して検査することができる。これにより検査工程におけるタクトの短縮化、及びスループットの向上が図られる。
【００３７】
なお、上述した実施形態は、あくまでも本発明の一態様を示すものであり、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で任意に変形及び応用が可能である。
例えば上述した実施形態において、定電流回路６０としては、短絡保護回路５０が備えるトランジスタ５３を活性領域で動作させて一定の出力電流Ｉｏを出力する定電流動作をさせる回路であれば、任意の回路を採用することができる。
【００３８】
例えば、上述した実施形態では、被試験デバイスとしてインバータ装置のアーム２を検査する検査装置を例示したが、これに限らず、ＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴ等のパワー半導体素子、或いは、当該パワー半導体素子を用いて構成したモジュールデバイスの検査装置として広く用いることができる。
特に、上述した実施形態において、スイッチング素子６に並置されている逆流防止用のダイオード４の特性もスイッチング素子６と同様にして検査することができる。なお、この場合には、ダイオード４はスイッチング素子６に対して逆並列接続されることから、ダイオード４への通電方向を変える手段が半導体検査装置１に設けられる。
【符号の説明】
【００３９】
１  半導体検査装置
２  アーム（パワーモジュール）
３  測定部
６  スイッチング素子（パワー半導体素子）
１４  電源回路
１９  負荷回路
５０  短絡保護回路
５１  カレントトランス（電流検出器）
５３  トランジスタ
５４  短絡保護制御部
６０  定電流回路
６１  オペアンプ
６２  電流設定値出力回路
６３  切替スイッチ
６４  抵抗
７０  スイッチ
８０  電気制御回路
Ｉｃ  コレクタ電流
Ｉｏ  出力電流（定電流）
Ｖｃｅ（ｓａｔ）  飽和電圧
Ｖｇｅ  ゲート電圧
Ｖｉ  設定電圧
【図１】
2012229971.tif 000003
【図２】
2012229971.tif 000004
【図３】
2012229971.tif 000005
【図４】
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