(57)【要約】【課題】ポジゴーストが抑制された電子写真感光体、ならびに、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供する。【解決手段】電子写真感光体の下引き層が、特定の繰り返し構造単位を有する重合体を含有する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体、該支持体上に形成された下引き層、ならびに、該下引き層上に形成された電荷発生物質および正孔輸送物質を含有する感光層を有する電子写真感光体において、
該下引き層が、下記式（１）で示される繰り返し構造単位を有する重合体（ただし、該重合体が下記式（２）で示される繰り返し構造単位をさらに有する場合を除く。）を含有することを特徴とする電子写真感光体。
【化１】
2012032790.tif 000034
（式（１）および（２）中、Ｚ１〜Ｚ４は、それぞれ独立に、単結合、アルキレン基、アリーレン基、アルキル基で置換されたアリーレン基、または、アラルキレン基を示す。Ｗ１〜Ｗ４は、それぞれ独立に、単結合、ウレタン結合、または、尿素結合を示す。Ｂ１はカルボキシル基もしくはスルホ基で置換されたアリーレン基、カルボキシル基およびアルキル基で置換されたアリーレン基、または、カルボキシル基もしくはスルホ基で置換されたアルキレン基を示す。Ｂ２はアリーレン基、アルキレン基、アラルキレン基、アルキル基もしくはハロゲン原子もしくはシアノ基もしくはニトロ基で置換されたアリーレン基、ハロゲン原子もしくはシアノ基もしくはニトロ基で置換されたアルキレン基、アルキル基もしくはハロゲン原子もしくはシアノ基もしくはニトロ基で置換されたアラルキレン基、エーテルもしくはスルホニルで中断されているアリーレン基、または、エーテルで中断されているアルキレン基を示す。Ａ１およびＡ２は、それぞれ独立に、下記式（Ａ−１）〜（Ａ−８）のいずれかで示される２価の基である。
【化２】
2012032790.tif 000035
（式（Ａ−１）中、Ｒ１０１〜Ｒ１０４は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、または、シアノ基、あるいは、結合部位を示す。Ｒ１０５およびＲ１０６は、それぞれ独立に、アリール基、アルキル基もしくはハロゲン原子で置換されたアリール基、または、アルキル基、あるいは、結合部位を示す。ただし、Ｒ１０１〜Ｒ１０６のうちの２つは結合部位である。
式（Ａ−２）中、Ｒ２０１〜Ｒ２０８は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、または、シアノ基、あるいは、結合部位を示す。Ｒ２０９およびＲ２１０は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、アルキル基もしくはハロゲン原子で置換されたアリール基、または、アルキル基、あるいは、結合部位を示す。ただし、Ｒ２０１〜Ｒ２１０のうちの２つは結合部位である。
式（Ａ−３）中、Ｒ３０１〜Ｒ３０８は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、または、ニトロ基、あるいは、結合部位を示す。Ｒ３０９は、酸素原子、または、ジシアノメチレン基を示す。Ｒ３１０およびＲ３１１は、それぞれ独立に、炭素原子、または、窒素原子を示し、Ｒ３１０が窒素原子である場合、Ｒ３０４は存在せず、Ｒ３１１が窒素原子である場合、Ｒ３０５は存在しない。ただし、Ｒ３０１〜Ｒ３０８のうちの２つは結合部位である。
式（Ａ−４）中、Ｒ４０１〜Ｒ４０６は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、または、ニトロ基、あるいは、結合部位を示す。Ｒ４０７は、酸素原子、または、ジシアノメチレン基を示す。ただし、Ｒ４０１〜Ｒ４０６のうちの２つは結合部位である。
式（Ａ−５）中、Ｒ５０１〜Ｒ５０８は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、または、ニトロ基、あるいは、結合部位を示す。Ｒ５０９およびＲ５１０は、それぞれ独立に、酸素原子、または、ジシアノメチレン基を示す。Ｒ５１１およびＲ５１２は、それぞれ独立に、炭素原子、または、窒素原子を示し、Ｒ５１１が窒素原子である場合、Ｒ５０１は存在せず、Ｒ５１２が窒素原子である場合、Ｒ５０５は存在しない。ただし、Ｒ５０１〜Ｒ５０８のうちの２つは結合部位である。
式（Ａ−６）中、Ｒ６０１〜Ｒ６０８は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、ニトロ基、または、カルボン酸エステル基、あるいは、結合部位を示す。Ｒ６１０およびＲ６１１は、それぞれ独立に、炭素原子、または、窒素原子を示し、Ｒ６１０が窒素原子である場合、Ｒ６０４は存在せず、Ｒ６１１が窒素原子である場合、Ｒ６０５は存在しない。Ｒ６０９は、ジシアノメチレン基を示す。ただし、Ｒ６０１〜Ｒ６０８のうちの２つは結合部位である。
式（Ａ−７）中、Ｒ７０１〜Ｒ７１３は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、ニトロ基、または、カルボン酸エステル基、あるいは、結合部位を示す。Ｒ７１４およびＲ７１５は、それぞれ独立に、炭素原子、または、窒素原子を示し、Ｒ７１４が窒素原子である場合、Ｒ７０４は存在せず、Ｒ７１５が窒素原子である場合、Ｒ７０５は存在しない。ただし、Ｒ７０１〜Ｒ７１３のうちの２つは結合部位である。
式（Ａ−８）中、Ｒ８０１〜Ｒ８０８は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、または、ニトロ基、あるいは、結合部位を示す。ただし、Ｒ８０１〜Ｒ８０８のうちの２つは結合部位である。））
【請求項２】
前記電荷発生物質および正孔輸送物質を含有する感光層が、前記支持体側から前記電荷発生物質を含有する電荷発生層および前記正孔輸送物質を含有する正孔輸送層をこの順に積層してなる感光層である請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
請求項１または２に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジ。
【請求項４】
請求項１または２に記載の電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体、ならびに、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真感光体の中でも、有機光導電性物質を用いた電子写真感光体は、成膜性が良く、塗工によって生産できるため、生産性が高く、安価な電子写真感光体を提供できる利点を有している。
また、電子写真感光体は、その表面を帯電する際の電荷の極性により、正帯電用の電子写真感光体と負帯電用の電子写真感光体に大別されるが、有機光導電性物質を用いた電子写真感光体の場合、負帯電用のものが多い。
【０００３】
電子写真感光体は、一般的に、支持体および支持体上に形成された感光層を有するが、負帯電用の電子写真感光体の感光層には、電荷発生物質および正孔輸送物質を含有する感光層（以下単に「感光層」ともいう。）が用いられる。電荷発生物質および正孔輸送物質を含有する感光層には、支持体側から電荷発生物質を含有する電荷発生層と正孔輸送物質を含有する正孔輸送層をこの順に積層してなるものと、電荷発生物質と正孔輸送物質を同一の層に含有させてなるものとがある。
【０００４】
また、支持体上に感光層（電荷発生層）を直接設けると、感光層（電荷発生層）の剥がれが生じたり、支持体の表面の欠陥（傷などの形状的欠陥または不純物などの材質的欠陥）が画像にそのまま反映され、黒点状や白抜け状の画像欠陥が生じたりする場合がある。
【０００５】
これらの問題を解消するため、多くの電子写真感光体では、下引き層と呼ばれる層（中間層とも呼ばれる。）が感光層と支持体との間に設けられている。
【０００６】
しかしながら、下引き層が原因と考えられる電子写真感光体の特性の悪化が見られる場合もある。
そこで、従来、下引き層に電子輸送物質を含有させて下引き層を電子輸送層化することによって下引き層の特性を改良しようとする試みがなされている（特許文献１および２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−８３７２６号公報
【特許文献２】特開２００３−３４５０４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
近年、電子写真画像の品質に対する要求は高まる一方である。例えば、ポジゴーストに対する許容範囲が格段に厳しくなってきている。ポジゴーストとは、１枚の画像を形成する中で、光が照射された部分が電子写真感光体の次回転目にハーフトーン画像になる場合において、光が照射された部分のみの濃度が濃くなる現象である。
このポジゴーストの抑制（低減）に関して、上記の従来技術には、まだ改良の余地がある。
【０００９】
本発明の目的は、ポジゴーストが抑制された電子写真感光体、ならびに、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、鋭意検討を行った結果、特定の構造を有する重合体を電子写真感光体の下引き層に含有させることで、ポジゴーストの抑制を高いレベルで達成することが可能になることを見出した。
【００１１】
すなわち、本発明は、支持体、該支持体上に形成された下引き層、ならびに、該下引き層上に形成された電荷発生物質および正孔輸送物質を含有する感光層を有する電子写真感光体において、
該下引き層が、下記式（１）で示される繰り返し構造単位を有する重合体（ただし、該重合体が下記式（２）で示される繰り返し構造単位をさらに有する場合を除く。）を含有することを特徴とする電子写真感光体である。
【化１】
2012032790.tif 000002
（式（１）および（２）中、Ｚ１〜Ｚ４は、それぞれ独立に、単結合、アルキレン基、アリーレン基、アルキル基で置換されたアリーレン基、または、アラルキレン基を示す。Ｗ１〜Ｗ４は、それぞれ独立に、単結合、ウレタン結合、または、尿素結合を示す。Ｂ１はカルボキシル基もしくはスルホ基で置換されたアリーレン基、カルボキシル基およびアルキル基で置換されたアリーレン基、または、カルボキシル基もしくはスルホ基で置換されたアルキレン基を示す。Ｂ２はアリーレン基、アルキレン基、アラルキレン基、アルキル基もしくはハロゲン原子もしくはシアノ基もしくはニトロ基で置換されたアリーレン基、ハロゲン原子もしくはシアノ基もしくはニトロ基で置換されたアルキレン基、アルキル基もしくはハロゲン原子もしくはシアノ基もしくはニトロ基で置換されたアラルキレン基、エーテルもしくはスルホニルで中断されているアリーレン基、または、エーテルで中断されているアルキレン基を示す。Ａ１およびＡ２は、それぞれ独立に、下記式（Ａ−１）〜（Ａ−８）のいずれかで示される２価の基である。
【００１２】
【化２】
2012032790.tif 000003
【００１３】
（式（Ａ−１）中、Ｒ１０１〜Ｒ１０４は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、または、シアノ基、あるいは、結合部位を示す。Ｒ１０５およびＲ１０６は、それぞれ独立に、アリール基、アルキル基もしくはハロゲン原子で置換されたアリール基、または、アルキル基、あるいは、結合部位を示す。ただし、Ｒ１０１〜Ｒ１０６のうちの２つは結合部位である。
【００１４】
式（Ａ−２）中、Ｒ２０１〜Ｒ２０８は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、または、シアノ基、あるいは、結合部位を示す。Ｒ２０９およびＲ２１０は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、アルキル基もしくはハロゲン原子で置換されたアリール基、または、アルキル基、あるいは、結合部位を示す。ただし、Ｒ２０１〜Ｒ２１０のうちの２つは結合部位である。
【００１５】
式（Ａ−３）中、Ｒ３０１〜Ｒ３０８は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、または、ニトロ基、あるいは、結合部位を示す。Ｒ３０９は、酸素原子、または、ジシアノメチレン基を示す。Ｒ３１０およびＲ３１１は、それぞれ独立に、炭素原子、または、窒素原子を示し、Ｒ３１０が窒素原子である場合、Ｒ３０４は存在せず、Ｒ３１１が窒素原子である場合、Ｒ３０５は存在しない。ただし、Ｒ３０１〜Ｒ３０８のうちの２つは結合部位である。
【００１６】
式（Ａ−４）中、Ｒ４０１〜Ｒ４０６は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、または、ニトロ基、あるいは、結合部位を示す。Ｒ４０７は、酸素原子、または、ジシアノメチレン基を示す。ただし、Ｒ４０１〜Ｒ４０６のうちの２つは結合部位である。
【００１７】
式（Ａ−５）中、Ｒ５０１〜Ｒ５０８は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、または、ニトロ基、あるいは、結合部位を示す。Ｒ５０９およびＲ５１０は、それぞれ独立に、酸素原子、または、ジシアノメチレン基を示す。Ｒ５１１およびＲ５１２は、それぞれ独立に、炭素原子、または、窒素原子を示し、Ｒ５１１が窒素原子である場合、Ｒ５０１は存在せず、Ｒ５１２が窒素原子である場合、Ｒ５０５は存在しない。ただし、Ｒ５０１〜Ｒ５０８のうちの２つは結合部位である。
【００１８】
式（Ａ−６）中、Ｒ６０１〜Ｒ６０８は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、ニトロ基、または、カルボン酸エステル基、あるいは、結合部位を示す。Ｒ６１０およびＲ６１１は、それぞれ独立に、炭素原子、または、窒素原子を示し、Ｒ６１０が窒素原子である場合、Ｒ６０４は存在せず、Ｒ６１１が窒素原子である場合、Ｒ６０５は存在しない。Ｒ６０９は、ジシアノメチレン基を示す。ただし、Ｒ６０１〜Ｒ６０８のうちの２つは結合部位である。
【００１９】
式（Ａ−７）中、Ｒ７０１〜Ｒ７１３は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、ニトロ基、または、カルボン酸エステル基、あるいは、結合部位を示す。Ｒ７１４およびＲ７１５は、それぞれ独立に、炭素原子、または、窒素原子を示し、Ｒ７１４が窒素原子である場合、Ｒ７０４は存在せず、Ｒ７１５が窒素原子である場合、Ｒ７０５は存在しない。ただし、Ｒ７０１〜Ｒ７１３のうちの２つは結合部位である。
【００２０】
式（Ａ−８）中、Ｒ８０１〜Ｒ８０８は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、または、ニトロ基、あるいは、結合部位を示す。ただし、Ｒ８０１〜Ｒ８０８のうちの２つは結合部位である。））
【００２１】
上記ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子などが挙げられる。上記アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などが挙げられる。上記ハロゲン化アルキル基としては、例えば、トリフルオロメチル基などが挙げられる。上記アリール基としては、例えば、フェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基などが挙げられる。上記アルキレン基としては、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、ブチレン基などが挙げられる。上記アリーレン基としては、例えば、フェニレン基、ナフチレン基、ビフェニリレン基などが挙げられる。上記アラルキレン基（アルカリーレン基とも呼ばれる。）は、アルキレン基とアリーレン基とが結合してなる２価の基を意味し、例えば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基もしくはブチレン基と、フェニレン基、ナフチレン基もしくはビフェニリレン基とが結合してなる２価の基が挙げられる。
【００２２】
また、本発明は、上記電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジである。
【００２３】
また、本発明は、上記電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置である。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、ポジゴーストが抑制された電子写真感光体、ならびに、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することができる。
【００２５】
上記式（１）で示される繰り返し構造単位を有する重合体を含有する下引き層を有する電子写真感光体がポジゴーストの抑制効果に優れる理由について、本発明者らは、以下のように推測している。
【００２６】
すなわち、上記式（１）で示される繰り返し構造単位を有する重合体は、電子輸送性を有する部位（−Ｚ１−Ａ１−Ｚ２−、特にＡ１。）と、電子輸送性を有さずカルボキシル基またはスルホ基を含有する部位（−Ｗ１−Ｂ１−Ｗ２−、特にＢ１。）が交互に存在している構造を有する重合体である。このような重合体は、電子輸送性の構造が比較的偏在していない。また、カルボキシル基またはスルホ基同士の相互作用により、該重合体を含有する下引き層において該重合体中の電子輸送性の構造が適正な配置を取りやすくなる。そのため、優れたポジゴーストの抑制効果が得られるのではないかと本発明者らは推測している。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成を示す図である。
【図２】ゴースト評価用画像（ゴースト評価用印字）を説明する図である。
【図３】１ドット桂馬パターン画像を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
本発明の電子写真感光体は、支持体、支持体上に形成された下引き層、ならびに、下引き層上に形成された電荷発生物質および正孔輸送物質を含有する感光層を有する。
【００２９】
〔支持体〕
支持体としては、導電性を有するもの（導電性支持体）であることが好ましく、例えば、アルミニウム、ニッケル、銅、金、鉄などの金属または合金製の支持体や、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ガラスなどの絶縁性支持体上にアルミニウム、銀、金などの金属の薄膜または酸化インジウム、酸化スズなどの導電性材料の薄膜を形成してなるものが挙げられる。
【００３０】
支持体の表面には、電気的特性の改善や、半導体レーザーなどコヒーレント光照射時に発生しやすい干渉縞の抑制のため、陽極酸化などの電気化学的な処理や、湿式ホーニング、ブラスト、切削などの処理を施してもよい。
【００３１】
〔下引き層〕
本発明においては、支持体上には、下記式（１）で示される繰り返し構造単位を有する重合体（ただし、該重合体が下記式（２）で示される繰り返し構造単位をさらに有する場合を除く。）を含有する下引き層が設けられる。以下、この重合体を「本発明に係る重合体」ともいう。
【化３】
2012032790.tif 000004
（式（１）および（２）中、Ｚ１〜Ｚ４は、それぞれ独立に、単結合、アルキレン基、アリーレン基、アルキル基で置換されたアリーレン基、または、アラルキレン基を示す。Ｗ１〜Ｗ４は、それぞれ独立に、単結合、ウレタン結合、または、尿素結合を示す。Ｂ１はカルボキシル基もしくはスルホ基で置換されたアリーレン基、カルボキシル基およびアルキル基で置換されたアリーレン基、または、カルボキシル基もしくはスルホ基で置換されたアルキレン基を示す。Ｂ２はアリーレン基、アルキレン基、アラルキレン基、アルキル基もしくはハロゲン原子もしくはシアノ基もしくはニトロ基で置換されたアリーレン基、ハロゲン原子もしくはシアノ基もしくはニトロ基で置換されたアルキレン基、アルキル基もしくはハロゲン原子もしくはシアノ基もしくはニトロ基で置換されたアラルキレン基、エーテルもしくはスルホニルで中断されているアリーレン基、または、エーテルで中断されているアルキレン基を示す。Ａ１およびＡ２は、それぞれ独立に、下記式（Ａ−１）〜（Ａ−８）のいずれかで示される２価の基である。
【化４】
2012032790.tif 000005
（式（Ａ−１）中、Ｒ１０１〜Ｒ１０４は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、または、シアノ基、あるいは、結合部位を示す。Ｒ１０５およびＲ１０６は、それぞれ独立に、アリール基、アルキル基もしくはハロゲン原子で置換されたアリール基、または、アルキル基、あるいは、結合部位を示す。ただし、Ｒ１０１〜Ｒ１０６のうちの２つは結合部位である。
式（Ａ−２）中、Ｒ２０１〜Ｒ２０８は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、または、シアノ基、あるいは、結合部位を示す。Ｒ２０９およびＲ２１０は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、アルキル基もしくはハロゲン原子で置換されたアリール基、または、アルキル基、あるいは、結合部位を示す。ただし、Ｒ２０１〜Ｒ２１０のうちの２つは結合部位である。
式（Ａ−３）中、Ｒ３０１〜Ｒ３０８は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、または、ニトロ基、あるいは、結合部位を示す。Ｒ３０９は、酸素原子、または、ジシアノメチレン基を示す。Ｒ３１０およびＲ３１１は、それぞれ独立に、炭素原子、または、窒素原子を示し、Ｒ３１０が窒素原子である場合、Ｒ３０４は存在せず、Ｒ３１１が窒素原子である場合、Ｒ３０５は存在しない。ただし、Ｒ３０１〜Ｒ３０８のうちの２つは結合部位である。
式（Ａ−４）中、Ｒ４０１〜Ｒ４０６は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、または、ニトロ基、あるいは、結合部位を示す。Ｒ４０７は、酸素原子、または、ジシアノメチレン基を示す。ただし、Ｒ４０１〜Ｒ４０６のうちの２つは結合部位である。
式（Ａ−５）中、Ｒ５０１〜Ｒ５０８は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、または、ニトロ基、あるいは、結合部位を示す。Ｒ５０９およびＲ５１０は、それぞれ独立に、酸素原子、または、ジシアノメチレン基を示す。Ｒ５１１およびＲ５１２は、それぞれ独立に、炭素原子、または、窒素原子を示し、Ｒ５１１が窒素原子である場合、Ｒ５０１は存在せず、Ｒ５１２が窒素原子である場合、Ｒ５０５は存在しない。ただし、Ｒ５０１〜Ｒ５０８のうちの２つは結合部位である。
式（Ａ−６）中、Ｒ６０１〜Ｒ６０８は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、ニトロ基、または、カルボン酸エステル基、あるいは、結合部位を示す。Ｒ６１０およびＲ６１１は、それぞれ独立に、炭素原子、または、窒素原子を示し、Ｒ６１０が窒素原子である場合、Ｒ６０４は存在せず、Ｒ６１１が窒素原子である場合、Ｒ６０５は存在しない。Ｒ６０９は、ジシアノメチレン基を示す。ただし、Ｒ６０１〜Ｒ６０８のうちの２つは結合部位である。
式（Ａ−７）中、Ｒ７０１〜Ｒ７１３は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、ニトロ基、または、カルボン酸エステル基、あるいは、結合部位を示す。Ｒ７１４およびＲ７１５は、それぞれ独立に、炭素原子、または、窒素原子を示し、Ｒ７１４が窒素原子である場合、Ｒ７０４は存在せず、Ｒ７１５が窒素原子である場合、Ｒ７０５は存在しない。ただし、Ｒ７０１〜Ｒ７１３のうちの２つは結合部位である。
式（Ａ−８）中、Ｒ８０１〜Ｒ８０８は、それぞれ独立に、水素原子、アリール基、ハロゲン原子もしくはニトロ基もしくはシアノ基もしくはアルキル基もしくはハロゲン化アルキル基で置換されたアリール基、アルキル基、シアノ基、または、ニトロ基、あるいは、結合部位を示す。ただし、Ｒ８０１〜Ｒ８０８のうちの２つは結合部位である。））
下引き層における本発明に係る重合体の含有量は、下引き層の全質量に対して５０質量％以上１００質量％以下であることが好ましく、８０質量％以上１００質量％以下であることがより好ましい。
【００３２】
以下に、上記式（１）および（２）中のＺ１〜Ｚ４の具体例を示す。なお、上記式（１）および（２）の左右の向きと表１−１中の各基の左右の向きは同じである。
【００３３】
【表１】
2012032790.tif 000006
【００３４】
以下に、上記式（１）および（２）中のＷ１およびＷ２の単結合以外の具体例を示す。なお、上記式（１）および（２）の左右の向きと表１−２中の各基の左右の向きは同じである。
【００３５】
【表２】
2012032790.tif 000007
【００３６】
以下に、上記式（１）中のＢ１の具体例を示す。なお、上記式（１）の左右の向きと表１−３中の各基の左右の向きは同じである。
【００３７】
【表３】
2012032790.tif 000008
【００３８】
以下に、上記式（１）中のＡ１（上記式（Ａ−１）〜（Ａ−８）のいずれかで示される２価の基）の具体例を示す。なお、上記式（１）および（２）の左右の向きと表３−１〜３−８中の各基の左右の向きは同じである。また、表３−１〜３−８中、「ｂｏ」は結合部位を意味し、「Ｈ」は水素原子を意味し、「Ｃｌ」は塩素原子を意味し、「Ｎ」は窒素原子を意味し、「Ｏ」は酸素原子を意味し、「Ｃ」は炭素原子を意味し、「ｄｃｙｍｅ」はジシアノメチレン基を意味し、「ｍｅ」はメチル基を意味し、「ｅｔ」はエチル基を意味し、「ｃｈｅ」はシクロヘキシル基を意味し、「ｃｙ」はシアノ基を意味し、「ｎｉ」はニトロ基を意味し、「ｐｈ」はフェニル基を意味し、「４ｆｌｐｈ」は４−フルオロフェニル基を意味し、「ｐｆｌｐｈ」はパーフルオロフェニル基を意味し、「４ｃｌｐｈ」は４−クロロフェニル基を意味し、「４ｍｅｐｈ」は４−メチルフェニル基を意味し、「３ｍｅ４ｆｌｐｈ」は３−メチル−４−フルオロフェニル基を意味し、「４ｔｆｌｍｅｐｈ」は４−（トリフルオロメチル）フェニル基を意味し、「４ｃｙｐｈ」は４−シアノフェニル基を意味し、「２ｎｉｐｈ」は２−ニトロフェニル基を意味し、「３ｎｉｐｈ」は３−ニトロフェニル基を意味する。
【００３９】
【表４】
2012032790.tif 000009
【００４０】
【表５】
2012032790.tif 000010
【００４１】
【表６】
2012032790.tif 000011
【００４２】
【表７】
2012032790.tif 000012
【００４３】
【表８】
2012032790.tif 000013
【００４４】
【表９】
2012032790.tif 000014
【００４５】
【表１０】
2012032790.tif 000015
【００４６】
【表１１】
2012032790.tif 000016
【００４７】
以下に、上記式（１）で示される繰り返し構造単位の具体例を示す。なお、上記式（１）の左右の向きと表４−１〜４−４中の各基の左右の向きは同じである。また、表４−１〜４−４中、「ｂｏ」は結合部位を意味する。
【００４８】
【表１２】
2012032790.tif 000017
【００４９】
【表１３】
2012032790.tif 000018
【００５０】
【表１４】
2012032790.tif 000019
【００５１】
【表１５】
2012032790.tif 000020
【００５２】
下引き層は、本発明に係る重合体以外にも、成膜性や電気的特性を高めるために、他の樹脂、架橋剤、有機粒子、無機粒子、レベリング剤などを含有してもよい。ただし、下引き層におけるそれらの含有量は、下引き層の全質量に対して５０質量％未満であることが好ましく、２０質量％未満であることがより好ましい。
【００５３】
また、本発明に係る重合体は、上記式（１）で示される繰り返し構造単位以外の繰り返し構造単位をさらに有していてもよい（ただし、該重合体が上記式（２）で示される繰り返し構造単位をさらに有する場合を除く。）。ただし、本発明に係る重合体における上記式（１）で示される繰り返し構造単位の割合は、重合体中の全繰り返し構造単位に対して５０ｍｏｌ％以上１００ｍｏｌ％以下であることが好ましく、７０ｍｏｌ％以上１００ｍｏｌ％以下であることがより好ましい。
【００５４】
以下に、上記式（１）で示される繰り返し構造単位以外の繰り返し構造単位の具体例を示す。
【化５】
2012032790.tif 000021
【００５５】
本発明に係る重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）は、５０００〜１５０００の範囲であることが好ましい。
【００５６】
本発明に係る重合体の上記式（１）中のＷ１の構造を形成するためには、例えば、以下のような反応過程を経ればよい。
【００５７】
Ｗ１がウレタン結合である場合には、例えば、水酸基を有する化合物とイソシアネート基を有する化合物とを反応させることで形成することができる（「ポリウレタンの基礎と応用」、シーエムシー出版、ｐ．３（１９８６））。
【００５８】
Ｗ１が尿素結合である場合には、例えば、アミノ基を有する化合物とイソシアネート基を有する化合物とを反応させることで形成することができる（「高分子の合成と反応（２）」共立出版，ｐ．３２６（１９９１））。
【００５９】
Ｗ１が単結合である場合には、例えば、ハロゲン化物とボロン酸誘導体とを原料に、塩基性条件下、パラジウム触媒（例えば、テトラキストリフェニルホスフィンパラジウムなど）を用いたカップリング反応により形成することができる（Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．２００５，４４，４４４２）。また、単結合は、その他種々の反応で生じることも知られている。
【００６０】
本発明に係る重合体は、アミノ基、水酸基、イソシアネート基、ハロゲン基、ボロン酸基、カルボン酸無水物基などの重合性官能基を有する化合物同士の重合によって合成することができる。このようにして重合体を合成する場合には、重合性官能基およびＡ１に対応する骨格を有する化合物と、重合性官能基およびＢ１に対応する骨格を有する化合物を準備し、これらを用いてＷ１の単結合、ウレタン結合または尿素結合を形成する重合反応を行う必要がある。
【００６１】
（Ａ−１）の構造を主骨格とする誘導体（重合性官能基および上記式（Ａ−１）に対応する骨格を有する化合物を意味する。以下同様。）は、例えば、米国特許第４４４２１９３号公報、米国特許第４９９２３４９号公報、米国特許第５４６８５８３号公報、Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ｏｆ  ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｖｏｌ．１９，Ｎｏ．１１，２７０３−２７０５（２００７）に記載の合成方法を用いて合成することができる。例えば、東京化成工業（株）やシグマアルドリッチジャパン（株）やジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から試薬として購入可能なナフタレンテトラカルボン酸二無水物とモノアミン誘導体との反応で合成することができる。
【００６２】
重合性官能基を有させるためには、例えば、上記式（Ａ−１）に対応する骨格を合成した後、重合性官能基を導入する方法のほか、重合性官能基もしくは重合性官能基の前駆体となる官能基を有する、または、重合性官能基を有する他の化合物と結合しうる官能基を有するナフタレンテトラカルボン酸二無水物誘導体もしくはモノアミン誘導体を用いる方法がある。
【００６３】
また、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物誘導体とジアミン誘導体とを反応させることで直接的に本発明に係る重合体を合成する方法もある。この場合には、上記式（１）中のＺ１、Ｚ２およびＷ１は単結合となる。
【００６４】
（Ａ−２）の構造を主骨格とする誘導体は、例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｓｏｃｉｅｔｙ，Ｖｏｌ．１２９，Ｎｏ．４９，１５２５９−７８（２００７）に記載の合成方法を用いて合成することできる。例えば、東京化成工業（株）やシグマアルドリッチジャパン（株）やジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から試薬として購入可能なペリレンテトラカルボン酸二無水物誘導体とモノアミン誘導体との反応で合成することができる。
【００６５】
重合性官能基を有させるためには、例えば、上記式（Ａ−２）に対応する骨格を合成した後、重合性官能基を導入する方法のほか、重合性官能基もしくは重合性官能基の前駆体となる官能基を有する、または、重合性官能基を有する他の化合物と結合しうる官能基を有するペリレンテトラカルボン酸二無水物誘導体もしくはモノアミン誘導体を用いる方法がある。
【００６６】
また、ペリレンテトラカルボン酸二無水物誘導体とジアミン誘導体とを反応させることで直接的に本発明に係る重合体を合成する方法もある。この場合には、上記式（１）中のＺ１およびＷ１は単結合となる。
【００６７】
（Ａ−３）の構造を主骨格とする誘導体は、例えば、東京化成工業（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）またはジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から試薬として購入可能である。また、購入可能なフェナントレン誘導体またはフェナントロリン誘導体を基に、Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，Ｖｏｌ．６５，１１６−１０１１（１９９２）、Ｃｈｅｍ．Ｅｄｕｃａｔｏｒ  Ｎｏ．６，２２７−２３４  （２００１）、有機合成化学協会誌，ｖｏｌ．１５，２９−３２（１９５７）、有機合成化学協会誌，ｖｏｌ．１５，３２−３４（１９５７）に記載の合成方法で合成することもできる。マロノニトリルとの反応によりジシアノメチレン基を導入することもできる。
【００６８】
重合性官能基を有させるためには、例えば、上記式（Ａ−３）に対応する骨格を合成した後、重合性官能基を導入する方法のほか、重合性官能基もしくは重合性官能基の前駆体となる官能基を有する構造を導入する方法（例えば、フェナントレン誘導体やフェナントロリン誘導体のハロゲン化物を基に、パラジウム触媒を使用したクロスカップリング反応を用いる方法）がある。
【００６９】
（Ａ−４）の構造を主骨格とする誘導体は、例えば、東京化成工業（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）またはジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から試薬として購入可能である。また、購入可能なアセナフテンキノン誘導体を基にＴｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，４３（１６），２９９１−２９９４（２００２）、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，４４（１０），２０８７−２０９１（２００３）に記載の合成方法で合成することもできる。マロノニトリルとの反応により、ジシアノメチレン基を導入することもできる。
【００７０】
重合性官能基を有させるためには、例えば、上記式（Ａ−４）に対応する骨格を合成した後、重合性官能基を導入する方法のほか、重合性官能基もしくは重合性官能基の前駆体となる官能基を有する構造を導入する方法（例えば、アセナフテンキノン誘導体のハロゲン化物を基に、パラジウム触媒を使用したクロスカップリング反応を用いる方法）がある。
【００７１】
（Ａ−５）の構造を主骨格とする誘導体は、例えば、東京化成工業（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）またはジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から試薬として購入可能である。また、購入可能な化合物を用い、Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ，Ｖｏｌ．５，ｐ．３８８−３８９（１９８８）に記載の合成方法を用いて合成することもできる。マロノニトリルとの反応により、ジシアノメチレン基を導入することもできる。
【００７２】
重合性官能基を有させるためには、例えば、上記式（Ａ−５）に対応する骨格を合成した後、重合性官能基を導入する方法のほか、重合性官能基もしくは重合性官能基の前駆体となる官能基を有する構造を導入する方法（例えば、アントラキノン誘導体のハロゲン化物を基に、パラジウム触媒を使用したクロスカップリング反応を用いる方法）がある。
【００７３】
（Ａ−６）の構造を主骨格とする誘導体は、例えば、東京化成工業（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）またはジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から試薬として購入可能なフルオレノン誘導体とマロノニトリルを用い、米国特許第４５６２１３２号公報に記載の合成方法を用いて合成することができる。
【００７４】
重合性官能基を有させるためには、例えば、上記式（Ａ−６）に対応する骨格を合成した後、重合性官能基を導入する方法のほか、重合性官能基もしくは重合性官能基の前駆体となる官能基を有する構造を導入する方法がある。
【００７５】
（Ａ−７）の構造を主骨格とする誘導体は、例えば、東京化成工業（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）またはジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から購入可能なフルオレノン誘導体およびアニリン誘導体を用い、特開平５−２７９５８２号公報、特開平７−７００３８号公報に記載の合成方法を用いて合成することもできる。
【００７６】
重合性官能基を有させるためには、例えば、上記式（Ａ−７）に対応する骨格を合成した後、重合性官能基を導入する方法のほか、重合性官能基もしくは重合性官能基の前駆体となる官能基を有する構造を導入する方法や、アニリン誘導体として重合性官能基もしくは重合性官能基の前駆体となる官能基を有する、または、重合性官能基を有する他の化合物と結合しうる官能基を有するアニリン誘導体を用いる方法がある。
【００７７】
（Ａ−８）の構造を主骨格とする誘導体は、特開平１−２０６３４９号公報、ＰＰＣＩ／Ｊａｐａｎ  Ｈａｒｄ  Ｃｏｐｙ  ’９８  予稿集  ｐ．２０７（１９９８）に記載の合成方法を用いて合成することができる。例えば、東京化成工業（株）またはシグマアルドリッチジャパン（株）から試薬として購入可能なフェノール誘導体を原料として合成することができる。
【００７８】
重合性官能基を有させるためには、例えば、上記式（Ａ−８）に対応する骨格を合成した後、重合性官能基を導入する方法のほか、重合性官能基もしくは重合性官能基の前駆体となる官能基を有する構造を導入する方法がある。
【００７９】
重合性官能基を有するＢ１の構造を主骨格とする誘導体は、例えば、東京化成工業（株）またはシグマアルドリッチジャパン（株）またはジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から試薬として購入可能である。また、購入可能な試薬を用いて合成することもできる。
【００８０】
本発明に係る重合体等の確認は、以下の方法によって行った。
【００８１】
・重合体を合成するための原料の確認
質量分析による確認を行った。質量分析計（ＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ  ＭＳ：ブルカー・ダルトニクス（株）製  ｕｌｔｒａｆｌｅｘ）を用い、加速電圧：２０ｋＶ、モード：Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ、分子量標準品：フラーレンＣ６０の条件で、分子量を測定した。得られたピークトップ値で確認した。
【００８２】
・重合体の確認
構造の確認はＮＭＲによって行った。１，１，２，２−テトラクロロエタン（ｄ２）もしくは、ジメチルスルホキシド（ｄ６）中、１２０℃にて１Ｈ−ＮＭＲ、１３Ｃ−ＮＭＲ分析（ＦＴ−ＮＭＲ：日本電子（株）製ＪＮＭ−ＥＸ４００型）により構造を確認した。また、カルボキシル基の定量はＦＴ−ＩＲを用い、ＫＢｒ−ｔａｂ法を用いＫＢｒ紛に対して安息香酸添加量を変化させたサンプルでカルボキシル基の吸収に基づいた検量線を作成して重合体中のカルボキシル基量を定量した。
【００８３】
〔感光層〕
下引き層上には、電荷発生物質および正孔輸送物質を含有する感光層が設けられる。
電荷発生物質および正孔輸送物質を含有する感光層には、支持体側から電荷発生物質を含有する電荷発生層と正孔輸送物質を含有する正孔輸送層をこの順に積層してなるもの（以下「積層型感光層」ともいう。）と、電荷発生物質と正孔輸送物質を同一の層に含有させてなるもの（以下「単層型感光層」ともいう。）がある。電荷発生層や正孔輸送層は、それぞれ複数設けてもよい。
【００８４】
電荷発生物質としては、例えば、モノアゾ、ビスアゾ、トリスアゾなどのアゾ顔料や、ペリレン酸無水物、ペリレン酸イミドなどのペリレン顔料や、アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導体、ジベンズピレンキノン誘導体、ピラントロン誘導体、ビオラントロン誘導体、イソビオラントロン誘導体などのキノン顔料や、インジゴ誘導体、チオインジゴ誘導体などのインジゴイド顔料や、金属フタロシアニン、無金属フタロシアニンなどのフタロシアニン顔料や、ビスベンズイミダゾール誘導体などのペリノン顔料などが挙げられる。これらの中でも、アゾ顔料、フタロシアニン顔料が好ましい。フタロシアニン顔料の中でも、オキシチタニウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニンが好ましい。
【００８５】
オキシチタニウムフタロシアニンとしては、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）の９．０°、１４．２°、２３．９°および２７．１°に強いピークを有する結晶形のオキシチタニウムフタロシアニン結晶や、ブラッグ角（２θ±０．２°）の９．５°、９．７°、１１．７°、１５．０°、２３．５°、２４．１°および２７．３°に強いピークを有する結晶形のオキシチタニウムフタロシアニン結晶が好ましい。
【００８６】
クロロガリウムフタロシアニンとしては、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）の７．４°、１６．６°、２５．５°および２８．２°に強いピークを有する結晶形のクロロガリウムフタロシアニン結晶や、ブラッグ角（２θ±０．２°）の６．８°、１７．３°、２３．６°および２６．９°に強いピークを有する結晶形のクロロガリウムフタロシアニン結晶や、ブラッグ角（２θ±０．２°）の８．７°、９．２°、１７．６°、２４．０°、２７．４°および２８．８°に強いピークを有する結晶形のクロロガリウムフタロシアニン結晶が好ましい。
【００８７】
ヒドロキシガリウムフタロシアニンとしては、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）の７．３°、２４．９°および２８．１°に強いピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶や、ブラッグ角（２θ±０．２°）の７．５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１８．６°、２５．１°および２８．３°に強いピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶が好ましい。
【００８８】
本発明において、フタロシアニン結晶の結晶形のＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角は、以下の条件で測定した。
測定装置：（株）マック・サイエンス製全自動Ｘ線回折装置（商品名：ＭＸＰ１８）
Ｘ線管球：Ｃｕ
管電圧：５０ｋＶ
管電流：３００ｍＡ
スキャン方法：２θ／θスキャン
スキャン速度：２°／ｍｉｎ
サンプリング間隔：０．０２０°
スタート角度（２θ）：５°
ストップ角度（２θ）：４０°
ダイバージェンススリット：０．５°
スキャッタリングスリット：０．５°
レシービングスリット：０．３°
湾曲モノクロメーター使用
【００８９】
感光層が積層型感光層である場合、電荷発生層に用いられる結着樹脂としては、例えば、スチレン、酢酸ビニル、塩化ビニル、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、フッ化ビニリデン、トリフルオロエチレンなどのビニル化合物の重合体および共重合体や、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリスルホン、ポリフェニレンオキサイド、ポリウレタン、セルロース樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ケイ素樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリビニルアセタールが好ましく、これらの中でも、ポリビニルアセタールがより好ましい。
【００９０】
電荷発生層において、電荷発生物質と結着樹脂との比率（電荷発生物質／結着樹脂）は、１０／１〜１／１０の範囲であることが好ましく、５／１〜１／５の範囲であることがより好ましい。
【００９１】
電荷発生層の膜厚は、０．０５μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。
【００９２】
正孔輸送物質としては、例えば、多環芳香族化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物、トリフェニルアミンなどが挙げられる。また、これらの化合物から誘導される基を主鎖または側鎖に有するポリマーも挙げられる。
【００９３】
感光層が積層型感光層である場合、正孔輸送層に用いられる結着樹脂としては、例えば、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸エステル、ポリアリレート、ポリサルホン、ポリスチレンなどが挙げられる。これらの中でも、ポリカーボネート、ポリアリレートが好ましい。また、これらの重量平均分子量（Ｍｗ）は、１０，０００〜３００，０００の範囲であることが好ましい。
【００９４】
正孔輸送層において、正孔輸送物質と結着樹脂との比率（正孔輸送物質／結着樹脂）は、１０／５〜５／１０の範囲であることが好ましく、１０／８〜６／１０の範囲であることがより好ましい。
【００９５】
正孔輸送層の膜厚は、５μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましい。
【００９６】
なお、支持体と上記下引き層との間や上記下引き層と感光層との間に、金属酸化物やカーボンブラックなどの導電性粒子を樹脂中に分散してなる導電層や、本発明に係る重合体を含有しない第２の下引き層などの別の層を設けてもよい。
【００９７】
また、感光層（正孔輸送層）上には、導電性粒子または正孔輸送物質と結着樹脂とを含有する保護層（表面保護層）を設けてもよい。保護層には、潤滑剤などの添加剤をさらに含有させてもよい。また、保護層の樹脂（結着樹脂）自体に導電性や正孔輸送性を有させてもよく、その場合、保護層には、当該樹脂以外の導電性粒子や正孔輸送物質を含有させなくてもよい。また、保護層の結着樹脂は、熱可塑性樹脂でもよいし、熱、光、放射線（電子線など）などにより硬化させてなる硬化性樹脂であってもよい。
【００９８】
下引き層、電荷発生層、正孔輸送層などの電子写真感光体を構成する各層を形成する方法としては、各層を構成する材料を溶剤に溶解および／または分散させて得られた塗布液を塗布し、得られた塗膜を乾燥および／または硬化させることによって形成する方法が好ましい。塗布液を塗布する方法としては、例えば、浸漬塗布法（浸漬コーティング法）、スプレーコーティング法、カーテンコーティング法、スピンコーティング法などが挙げられる。これらの中でも、効率性および生産性の観点から、浸漬塗布法が好ましい。
【００９９】
〔プロセスカートリッジおよび電子写真装置〕
図１に、本発明の電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成を示す。
【０１００】
図１において、１はドラム状の本発明の電子写真感光体であり、回転軸２を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。電子写真感光体１の表面（周面）は、回転過程において、帯電手段３（例えば、接触系一次帯電器、非接触系一次帯電器など）により、正または負の所定電位に帯電される。次いで、スリット露光やレーザービーム走査露光などの露光手段（画像露光手段）（不図示）からの露光光（画像露光光）４（例えば、レーザー光）を受ける。こうして電子写真感光体１の表面に静電潜像が順次形成されていく。
【０１０１】
形成された静電潜像は、次いで現像手段５（例えば、接触型現像器、非接触型現像機など）のトナーにより現像される。得られたトナー像は、転写材７（例えば、紙）に、転写手段６により順次転写されていく。転写材７は、不図示の転写材供給部から電子写真感光体１の回転と同期して取り出され、電子写真感光体１と転写手段６（例えば、転写帯電器）との間に給送される。
【０１０２】
トナー像が転写された転写材７は、電子写真感光体１の表面から分離されて定着手段８へ導入されて像定着を受けることにより複写物（コピー）として電子写真装置外へプリントアウトされる。
【０１０３】
トナー転写後の電子写真感光体１の表面は、クリーニング手段９によって転写残りトナーの除去を受けて清浄化され、さらに前露光手段（不図示）からの前露光光により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。
【０１０４】
帯電手段３は、コロナ放電を利用したスコロトロン帯電器やコロトロン帯電器を用いてもよいし、ローラー形状、ブレード形状、ブラシ形状などの帯電部材を備える接触型帯電器を用いてもよい。
【０１０５】
本発明においては、電子写真感光体１と、帯電手段３、現像手段５、転写手段６およびクリーニング手段９などの構成要素から選択される少なくとも１つの手段とをプロセスカートリッジとして一体に結合して構成し、このプロセスカートリッジを複写機やレーザービームプリンターなどの電子写真装置本体に対して着脱自在に構成してもよい。例えば、帯電手段３、現像手段５およびクリーニング手段９の少なくとも１つの手段を電子写真感光体１とともに一体に支持してカートリッジ化して、電子写真装置本体のレール１１および１２などの案内手段を用いて電子写真装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ１０とすることができる。
【０１０６】
また、露光光４は、電子写真装置が複写機やプリンターである場合には、原稿からの反射光や透過光、あるいは、センサーで原稿を読み取り、信号化し、この信号にしたがって行われるレーザービームの走査、ＬＥＤアレイの駆動または液晶シャッターアレイの駆動などにより照射される光である。
【実施例】
【０１０７】
以下、実施例により、本発明をより詳細に説明する。なお、実施例中の「部」は「質量部」を意味する。
【０１０８】
まず、本発明に係る重合体の合成例を示す。
【０１０９】
なお、合成後の重合体の重量平均分子量（Ｍｗ）の測定はＧＰＣにより行った（東ソー（株）製のゲルパーミエーションクロマトグラフィー「ＨＬＣ−８１２０」で測定し、ポリスチレン換算で計算。）
【０１１０】
（合成例１）
繰り返し構造単位（１０１）を有する重合体の合成
ジメチルアセトアミド２００部に、窒素雰囲気下で、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物５．４部、３，５−ジアミノ安息香酸３．０部を加え、室温で１時間撹拌した。原料が溶解した後、８時間還流を行い、析出物を濾別し、アセトンで洗浄を行い、目的物たる重合体を６．２部得た。得られたものは粒子状であった。
【０１１１】
（合成例２）
繰り返し構造単位（２０１）を有する重合体の合成
ジメチルアセトアミド２００部に、窒素雰囲気下で、ペリレンテトラカルボン酸二無水物部７．８部、３，５−ジアミノ安息香酸３．０部を加え、室温で１時間撹拌した。その後、８時間還流を行い、析出物を濾別し、アセトンで洗浄を行い、目的物たる重合体を７．５部得た。得られたものは粒子状であった。
【０１１２】
（合成例３）
繰り返し構造単位（１０９）を有する重合体の合成
ジメチルアセトアミド２００部に、窒素雰囲気下で、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物５．４部および４アミノ安息香酸５．５部を加え、室温で１時間撹拌した。原料が溶解した後、８時間還流を行い、析出物を濾別し、酢酸エチルで再結晶を行い、下記構造式（１１）で示される化合物を７．６部得た。
【化６】
2012032790.tif 000022
【０１１３】
そして、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，ｖｏｌ．１９７４，Ｎｏ．３０，２１５１に記載の方法を用い、上記構造式（１１）で示される化合物５．１部に、ＤＭＦ中、トリエチルアミン存在下、ジフェニルホスホリルアジドを反応させ、イソシアネート化を行った。その中に３，５−ジヒドロキシ安息香酸１．５部を加え、８時間還流を行い、析出物を濾別し、アセトンで洗浄を行い、目的物たる重合体を４．９部得た。得られたものは粒子状であった。
【０１１４】
（合成例４）
繰り返し構造単位（３１８）を有する重合体の合成
トルエン１００部およびエタノール５０部の混合溶剤に、４−カルボキシフェニルボロン酸６．７部を加え、さらに、窒素雰囲気下でＣｈｅｍ．Ｅｄｕｃａｔｏｒ  Ｎｏ．６，２２７−２３４（２００１）に記載の合成方法で合成した３，６−ジブロモ−９，１０−フェナントレンジオン７．４部を加え、２０％炭酸ナトリウム水溶液１００部を滴下した。その後、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）を０．５５部添加した後、２時間還流させた。反応後有機相をクロロホルムで抽出し、水洗後、無水硫酸ナトリウムで乾燥を行った。溶剤を減圧下で除去した後、残留物をシリカゲルクロマトグラフィーで精製を行い、下記構造式（１２）で示される化合物を５．２部得た。
【化７】
2012032790.tif 000023
【０１１５】
そして、上記構造式（１２）で示される化合物４．５部にジシアノメチレンマロノニトリル０．７部を加え、テトラヒドロフラン中、１２時間還流を行った。放冷後、析出した紫色の結晶を濾別し、酢酸エチルで再結晶を行い、下記構造式（１３）で示される化合物を３．７部得た。
【化８】
2012032790.tif 000024
【０１１６】
そして、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，ｖｏｌ．１９７４，Ｎｏ．３０，２１５１に記載の方法を用い、上記構造式（１３）で示される化合物２．５部に、ＤＭＦ中、トリエチルアミン存在下、ジフェニルホスホリルアジドを反応させ、イソシアネート化を行った。その中に３，５−ジアミノ安息香酸０．８部を加え、８時間還流を行い、析出物を濾別し、アセトンで洗浄を行い、目的物たる重合体を２．９部得た。得られたものは粒子状であった。
【０１１７】
（合成例５）
繰り返し構造単位（５１５）を有する重合体の合成
窒素雰囲気下、トルエン１００部およびエタノール５０部の混合溶剤に、２，６ジブロモアントラキノン６．８部および４−カルボキシフェニルボロン酸６．７部を加え、２０％炭酸ナトリウム水溶液１００部を滴下した。その後、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）を０．５５部添加した後、２時間還流させた。反応後、有機相をクロロホルムで抽出し、水洗後、無水硫酸ナトリウムで乾燥を行った。溶剤を減圧下で除去した後、残留物をシリカゲルクロマトグラフィーで精製を行い、下記構造式（１４）で示される化合物を８．２部得た。
【化９】
2012032790.tif 000025
【０１１８】
そして、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，ｖｏｌ．１９７４，Ｎｏ．３０，２１５１に記載の方法を用い、上記構造式（１４）で示される化合物２．５部に、ＤＭＦ中、トリエチルアミン存在下、ジフェニルホスホリルアジドを反応させ、イソシアネート化を行った。その中に３，５−ジアミノ安息香酸０．８部を加え、８時間還流を行い、析出物を濾別し、アセトンで洗浄を行い、目的物たる重合体を２．９部得た。得られたものは粒子状であった。
【０１１９】
（合成例６）
繰り返し構造単位（１０３）を有する重合体の合成
ジメチルアセトアミド２００部に、窒素雰囲気下で、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物５．４部および１，４−フェニレンジアミン−２−スルホン酸３．７部を加え、室温で１時間撹拌した。原料が溶解した後、８時間還流を行い、析出物を濾別し、アセトンで洗浄を行い、目的物たる重合体を５．８部得た。得られたものは粒子状であった。
【０１２０】
（合成例７）
繰り返し構造単位（９０１）および上記構造式（９１）で示される繰り返し構造単位を７：３（モル比）で有する重合体の合成
ジメチルアセトアミド２００部に、窒素雰囲気下で、ナフタレンテトラカルボン酸二無水物３．８部、ピロメリット酸無水物０．７部および３，５−ジアミノ安息香酸３．０部を加え、室温で１時間撹拌した。原料が溶解した後、８時間還流を行い、析出物を濾別し、アセトンで洗浄を行い、目的物たる重合体を５．６部得た。得られたものは粒子状であった。
【０１２１】
次に、電子写真感光体の作製および評価について示す。
【０１２２】
（実施例１）
長さ２６０．５ｍｍおよび直径３０ｍｍのアルミニウムシリンダー（ＪＩＳ−Ａ３００３、アルミニウム合金）を支持体（導電性支持体）とした。
【０１２３】
次に、導電性粒子としての、酸素欠損型酸化スズが被覆されている酸化チタン粒子（粉体抵抗率：１２０Ω・ｃｍ、酸化スズの被覆率：４０％）５０部、結着樹脂としてのフェノール樹脂（プライオーフェンＪ−３２５、大日本インキ化学工業（株）製、樹脂固形分：６０％）４０部、溶剤（分散媒）としてのメトキシプロパノール４０部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、３時間分散処理することによって、導電層用塗布液（分散液）を調製した。
【０１２４】
この導電層用塗布液における酸素欠損型酸化スズが被覆されている酸化チタン粒子の平均粒径を、（株）堀場製作所製の粒度分布計（商品名：ＣＡＰＡ７００）を用い、テトラヒドロフランを分散媒とし、回転数５０００ｒｐｍにて遠心沈降法で測定した。その結果、平均粒径は０．３３μｍであった。
【０１２５】
この導電層用塗布液を支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１４５℃で乾燥・熱硬化させることによって、膜厚が１６μｍの導電層を形成した。
【０１２６】
次に、繰り返し構造単位（１０１）を有する重合体の粒子４０部に、分散媒としての蒸留水３００部、メタノール５００部およびトリエチルアミン８部を加え、これを直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、２時間分散処理することによって、下引き層用塗布液（分散液）を調製した。
【０１２７】
この下引き層用塗布液の調製前後での重合体の粒子の平均粒径を、（株）堀場製作所製の粒度分布計（商品名：ＣＡＰＡ７００）を用い、メタノールを分散媒とし、回転数７０００ｒｐｍにて遠心沈降法で測定した。その結果を表５−１〜５−３に示す。
【０１２８】
この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１０分間１２０℃で加熱し、分散媒を蒸発させるとともに、重合体の粒子を融解、凝集させる（乾燥させる）ことによって、膜厚が１．０μｍの下引き層を形成した。
【０１２９】
次に、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）の７．５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１８．６°、２５．１°および２８．３°に強いピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶（電荷発生物質）１０部、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業（株）製）５部およびシクロヘキサノン２６０部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、１．５時間分散処理した。次に、これに酢酸エチル２４０部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。
【０１３０】
この電荷発生層用塗布液を、下引き層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１０分間９５℃で乾燥させることによって、膜厚が０．１８μｍの電荷発生層を形成した。
【０１３１】
次に、下記構造式（１５）で示されるアミン化合物（正孔輸送物質）７部、
【化１０】
2012032790.tif 000026
および、下記式（１６）で示される繰り返し構造単位を有し、重量平均分子量（Ｍｗ）が１０００００（東ソー（株）製のゲルパーミエーションクロマトグラフィー「ＨＬＣ−８１２０」で測定し、ポリスチレン換算で計算。）であるポリアリレート１０部を、
【化１１】
2012032790.tif 000027
ジメトキシメタン３０部およびクロロベンゼン７０部の混合溶剤に溶解させることによって、正孔輸送層用塗布液を調製した。
【０１３２】
この正孔輸送層用塗布液を、電荷発生層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分間１２０℃で乾燥させることによって、膜厚が１８μｍの正孔輸送層を形成した。
このようにして、支持体上に導電層、下引き層、電荷発生層および正孔輸送層を有する電子写真感光体を作製した。
【０１３３】
作製した電子写真感光体を、２３℃、５０％ＲＨの環境下にて、キヤノン（株）製のレーザービームプリンター（商品名：ＬＢＰ−２５１０）の改造機に装着して、表面電位の評価および出力画像の評価を行った。詳しくは以下のとおりである。
【０１３４】
（表面電位評価）
上記レーザービームプリンターのシアン色用のプロセスカートリッジを改造し、現像位置に電位プローブ（ｍｏｄｅｌ６０００Ｂ−８：トレック・ジャパン（株）製）を装着し、電子写真感光体の中央部の電位を表面電位計（ｍｏｄｅｌ３４４：トレック・ジャパン（株）製）を使用して測定した。また、暗部電位（Ｖｄ）が−５００Ｖ、明部電位（Ｖｌ）が−１００Ｖになるよう、画像露光光の光量を設定した。なお、実施例１以外の実施例および比較例で明部電位を評価する際の光量は、この実施例１で明部電位が−１００Ｖになる光量を用いている。
【０１３５】
（画像評価）
上記レーザービームプリンターのシアン色用のプロセスカートリッジに、作製した電子写真感光体を装着して、そのプロセスカートリッジをシアンのプロセスカートリッジのステーションに装着し、画像を出力した。その際には、暗部電位が−５００Ｖ、明部電位が−１００Ｖになるよう、画像露光光の光量を設定した。
まず、Ａ４サイズの普通紙で、３０００枚のフルカラー画像（各色印字率１％の文字画像）の出力を行った。
その後、ベタ白画像（１枚）、ゴースト評価用画像（５枚）、ベタ黒画像（１枚）、ゴースト評価用画像（５枚）の順に連続して画像出力を行った。
ゴースト評価用画像は図２に示すように、画像の先頭部に白画像中に四角のベタ画像を出した後、図３に示す１ドット桂馬パターンのハーフトーン画像を作成したものである。
ポジゴーストの評価は、１ドット桂馬パターンのハーフトーン画像の画像濃度と、ゴースト部（ポジゴーストが生じうる部分）の画像濃度との濃度差を測定することで行った。分光濃度計（商品名：Ｘ−Ｒｉｔｅ５０４／５０８、Ｘ−Ｒｉｔｅ（株）製）で、１枚のゴースト評価用画像中で濃度差を１０点測定した。この操作をゴースト評価用画像１０枚すべてで行い、合計１００点の平均を算出した。結果を表５−１に示す。ゴースト部の濃度が大きいほど、ポジゴーストが強く生じていることになる。上記濃度差（マクベス濃度差）が小さいほど、ポジゴーストが抑制されたことを意味する。
【０１３６】
（実施例２〜１２２）
実施例１において、下引き層の形成の際に用いた繰り返し構造単位（１０１）を有する重合体を、表５−１〜５−３に示す繰り返し構造単位を有する重合体に変更した以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を作製し、評価を行った。結果を表５−１〜５−３に示す。
【０１３７】
（比較例１）
実施例１において、下引き層の形成を以下のように変更した以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を作製し、評価を行った。結果を表６に示す。
ポリアミド（トレジンＥＦ３０Ｔ：ナガセケムテックス（株）製）４０部を、ｎ−ブタノール３００部およびメタノール５００部の混合溶剤に溶解させることによって、下引き層用塗布液を調製した。この下引き層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１０分間１２０℃で乾燥させることによって、膜厚が０．８μｍの下引き層を形成した。
【０１３８】
（比較例２）
実施例１において、下引き層の形成の際に用いた繰り返し構造単位（１０１）を有する重合体を、特開２００１−８３７２６号公報の合成例Ｉ−２に記載の下記構造式（１７）で示されるブロック共重合体に変更した以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を作製し、評価を行った。結果を表６に示す。
【化１２】
2012032790.tif 000028
（構造式（１７）中、ｋ：ｌ≒３：２であり、ｏ：ｐ≒７：３である。）
【０１３９】
（比較例３）
実施例１において、下引き層の形成の際に用いた繰り返し構造単位（１０１）を有する重合体を、特開２００３−３４５０４４号公報に記載の下記式（１８）で示される繰り返し構造単位を有する重合体に変更した以外は、実施例１と同様に電子写真感光体を作製し、評価を行った。結果を表６に示す。
【化１３】
2012032790.tif 000029
【０１４０】
【表１６】
2012032790.tif 000030
【０１４１】
【表１７】
2012032790.tif 000031
【０１４２】
【表１８】
2012032790.tif 000032
【０１４３】
【表１９】
2012032790.tif 000033
【図１】
2012032790.tif 000036
【図２】
2012032790.tif 000037
【図３】
2012032790.tif 000038