(57)【要約】【課題】欠陥を低減できる光ディスク原盤、成型用スタンパ、光ディスク、及びこれらの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】所定の凹凸パターンが形成された基板部材１と、基板部材１の凹凸パターン上に形成され、酸素の原子組成百分率比をＸ、タングステンの原子組成百分率比をＹとすると、５５（atomic %）＜Ｘ＜６０(atomic %)かつＹ＝１００−Ｘ(atomic %)である酸化タングステン膜２と、を含んで光ディスク原盤１００を構成する。また、この光ディスク原盤１００上に金属層５を形成し、これを剥離することにより成型用スタンパ２００を製造する。また、この成型用スタンパ２００を用いて、ディスク基板６を成型し、ディスク基板６上に反射膜７、保護膜８を形成することにより、光ディスク３００を製造する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の凹凸パターンが形成された基板部材と、
前記基板部材の凹凸パターン上に形成され、酸素の原子組成百分率比をＸ、タングステンの原子組成百分率比をＹとすると、５５（atomic %）＜Ｘ＜６０(atomic %)かつＹ＝１００−Ｘ(atomic %)である酸化タングステン膜と、
を含む
光ディスク原盤。
【請求項２】
前記酸化タングステン膜の膜厚は、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下である請求項１に記載の光ディスク原盤。
【請求項３】
前記凹凸パターンは、遷移金属の不完全酸化物によるレジストによって形成される請求項１に記載の光ディスク原盤。
【請求項４】
基板と、
前記基板上に形成され、所定の凹凸パターンが形成された基板部材と、前記基板部材の凹凸パターン上に形成され、酸素の原子組成百分率比をＸ、タングステンの原子組成百分率比をＹとすると、５５（atomic %）＜Ｘ＜６０(atomic %)かつＹ＝１００−Ｘ(atomic %)である酸化タングステン膜と、を備える光ディスク原盤の前記凹凸パターンの反転形状が転写されたパターンと、
を含む
成型用スタンパ。
【請求項５】
所定の凹凸パターンが形成された基板部材と、前記基板部材の凹凸パターン上に形成され、酸素の原子組成百分率比をＸ、タングステンの原子組成百分率比をＹとすると、５５（atomic %）＜Ｘ＜６０(atomic %)かつＹ＝１００−Ｘ(atomic %)である酸化タングステン膜と、を備える光ディスク原盤の前記凹凸パターンの反転形状が転写された成型用スタンパにより成型されたディスク基板と、
前記ディスク基板上に形成された反射膜と、
前記反射膜上に形成された保護膜と、
を含む
光ディスク。
【請求項６】
酸素の原子組成百分率比をＸ、タングステンの原子組成百分率比をＹとすると、５５（atomic %）＜Ｘ＜６０(atomic %)かつＹ＝１００−Ｘ(atomic %)である酸化タングステンからなる
スパッタターゲット。
【請求項７】
基板の一方の面上に、無機レジスト層を成膜するステップと、
前記無機レジストを露光及び現像し、所定の凹凸パターンを形成するステップと、
前記凹凸パターン上に、酸素の原子組成百分率比をＸ、タングステンの原子組成百分率比をＹとすると、５５（atomic %）＜Ｘ＜６０(atomic %)かつＹ＝１００−Ｘ(atomic %)である酸化タングステン膜を形成するステップと、
を含む
光ディスク原盤の製造方法。
【請求項８】
所定の凹凸パターンが形成された基板部材と、前記基板部材の凹凸パターン上に形成され、酸素の原子組成百分率比をＸ、タングステンの原子組成百分率比をＹとすると、５５（atomic %）＜Ｘ＜６０(atomic %)かつＹ＝１００−Ｘ(atomic %)である酸化タングステン膜と、を含む光ディスク原盤の前記酸化タングステン膜上に金属層を形成するステップと、
形成した前記金属層を前記酸化タングステン膜から剥離するステップと、
を含む
成型用スタンパの製造方法。
【請求項９】
所定の凹凸パターンが形成された基板部材と、前記基板部材の凹凸パターン上に形成され、酸素の原子組成百分率比をＸ、タングステンの原子組成百分率比をＹとすると、５５（atomic %）＜Ｘ＜６０(atomic %)かつＹ＝１００−Ｘ(atomic %)である酸化タングステン膜と、を含む光ディスク原盤の前記酸化タングステン膜上に金属層を形成するステップと、
形成した前記金属層を前記酸化タングステン膜から剥離して成型用スタンパを作製するステップと、
作製した前記成型用スタンパを用いてディスク基板を成型するステップと、
前記成型用スタンパにより前記ディスク基板に転写された凹凸パターン上に反射膜を形成するステップと、
前記反射膜上に保護膜を形成するステップと、
を含む
光ディスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、光ディスクの製造に用いられる光ディスク原盤、成型用スタンパとそれらの製造方法、またこれらを用いて製造される光ディスク並びに光ディスク原盤の製造に用いるスパッタターゲットに関する。
【背景技術】
【０００２】
光ディスクの製造には、光ディスク原盤と、量産用の型となる成型用スタンパとが用いられる（例えば下記特許文献１参照）。
例えば、下記特許文献１では、基板上にまず無機レジストを塗布し、次いでこの無機レジストを露光、現像することにより、記録情報に応じた凹凸パターンを有する光ディスク原盤を製造する手法が開示されている。
【０００３】
また、この光ディスク原盤の凹凸パターン上に例えば金属層を形成し、この金属層を剥離することにより、凹凸パターンが転写された成型用スタンパが製造される。
そして、このスタンパを用いて例えば樹脂等を成型した後、樹脂に転写された凹凸パターン上に反射膜、保護膜等が設けられる。これにより、光ディスクを製造することが可能である。
【０００４】
特に、下記特許文献１では、光ディスク原盤に用いる無機レジストとして、遷移金属の不完全酸化物が用いられる。遷移金属の不完全酸化物は、紫外線又は可視光を吸収することにより化学的性質が変化するため、現像時において露光部と未露光部との間にエッチング速度の選択比が得られる。
また、遷移金属の不完全酸化物は膜材料の粒子サイズが小さいので、露光部と未露光部とのエッジパターンが明瞭となり、分解能を高めることが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１５２４６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述のように、光ディスク原盤の凹凸パターンは、基板上にまず無機レジストを塗布し、この無機レジストを露光、現像することで形成される。
しかし、無機レジストの酸素含有量が多いと、この光ディスク原盤を用いて製造されたスタンパ表面には微小な陥没状の欠陥が生じやすくなる。このため、このスタンパにより製造された光ディスクには、例えばエラーレートが高くなる等の不具合が起きる。
【０００７】
上述のような点を鑑みて、本技術は、欠陥を低減した光ディスク原盤とその製造方法、並びにこの光ディスク原盤の製造に用いるスパッタターゲットを提供することを目的とする。また、この光ディスク原盤を用いることにより、品質の高い成型用スタンパ、光ディスク及びこれらの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本技術の光ディスク原盤は、所定の凹凸パターンが形成された基板部材と、基板部材の凹凸パターン上に形成された酸化タングステン膜と、を備える。
特に、上述の酸化タングステン膜は、酸素の原子組成百分率比をＸ、タングステンの原子組成百分率比をＹとすると、原子組成百分率比で５５＜Ｘ＜６０かつＹ＝１００−Ｘを満たす組成とするものである。
【０００９】
また、本技術の光ディスク原盤の製造方法は、基板の主面上に、無機レジスト層を成膜するステップと、この無機レジストを露光及び現像し、所定の凹凸パターンを形成するステップを含む。
また、この凹凸パターン上に、酸素の原子組成百分率比をＸ、タングステンの原子組成百分率比をＹとすると、５５（atomic %）＜Ｘ＜６０(atomic %)かつＹ＝１００−Ｘ(atomic %)である酸化タングステン膜を形成するステップを含む。
【００１０】
また、本技術の成型用スタンパは、上述の光ディスク原盤を用いて製造されたものであり、上述の光ディスク原盤の酸化タングステン膜上に金属層を形成するステップと、形成した金属層を酸化タングステン膜から剥離するステップと、によって製造できる。
【００１１】
また、本技術の光ディスクは、この成型用スタンパによって成型されたディスク基板と、このディスク基板上に形成された反射膜と、反射膜上に形成された保護膜を備える。
この光ディスクは、上述の成型用スタンパにより、ディスク基板を成型するステップと、ディスク基板上に反射膜を形成するステップと、反射膜上に保護膜を形成するステップとにより製造することができる。
【００１２】
また、本技術のスパッタターゲットは、酸素の原子組成百分率比をＸ、タングステンの原子組成百分率比をＹとすると、５５（atomic %）＜Ｘ＜６０(atomic %)かつＹ＝１００−Ｘ(atomic %)である酸化タングステンによって構成される。
【００１３】
本技術の光ディスク原盤及びこの製造方法によれば、その所定の凹凸パターン上に上述の組成の酸化タングステン膜が形成される。このため、凹凸パターンの表面における酸化状態を均一にすることができる。
【００１４】
また、本技術の成型用スタンパ、及びこの製造方法によれば、上述の光ディスク原盤を用いて成型用スタンパが製造される。すなわち、成型用スタンパは、その製造時において、光ディスク原盤の上述の酸化タングステン膜にのみ接触する。この酸化タングステン膜は酸化状態が均一であるため、成型用スタンパの表面に欠陥が生じるのを抑制することができる。
【００１５】
また、本技術の光ディスク及びその製造方法によれば、欠陥が低減された上述の成型用スタンパを用いてディスク基板が形成される。このため、記録信号を精度良く光ディスク基板に記録することができる。
【００１６】
また、本技術のスパッタターゲットによれば、上述の組成による酸化タングステン膜をスパッタリングにより形成することが可能である。
【発明の効果】
【００１７】
本技術の光ディスク原盤、成型用スタンパ、スパッタターゲットによれば、成型用スタンパ表面に生じる欠陥を低減できる。また、この成型用スタンパを用いることにより、高品質の光ディスクを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本技術の一実施形態の光ディスク原盤の概略断面図である。
【図２】本技術の一実施形態の光ディスク原盤の製造方法を説明する図である。
【図３】本技術の一実施形態の成型用スタンパの製造方法を説明する図である。
【図４】本技術の一実施形態の光ディスクの製造方法を説明する図である。
【図５】本技術の一実施形態による成型用スタンパ表面の拡大写真である。
【図６】比較例の成型用スタンパの表面の拡大写真である。
【図７】比較例の成型用スタンパの表面の拡大写真である。
【図８】本技術の一実施形態による成型用スタンパ表面の拡大写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本技術を実施するための形態の例を説明するが、本技術は以下の例に限定されるものではない。
説明は以下の順で行う。
１．光ディスク原盤の構成
２．光ディスク原盤、成型用スタンパ及び光ディスクの製造方法
３．実施例
４．評価結果
【００２０】
１．光ディスク原盤の構成
図１は、本技術の一実施形態に係る光ディスク原盤１００を示す概略構成断面図である。
本実施形態の光ディスク原盤１００は、所定の凹凸パターンが形成された基板部材１と、基板部材１の凹凸パターン上に成膜された酸化タングステン膜２とを有する。
【００２１】
基板部材１は、基板３と、基板３の主面上に形成された無機レジスト層４を備える。
基板３は、例えばシリコン、石英ガラス、ポリカーボネート等のプラスチック、アルミナチタンカーバイド、ニッケル等の材料で形成される。
基板３上に、無機レジスト層４が部分的に形成されており、この無機レジスト層４によって凹凸パターンが形成されている。
無機レジスト層４は、光ディスクにおける例えばランドのパターンに対応し、無機レジスト層４の配設されていない領域は、光ディスクにおける例えばピットのパターンに相当する。
【００２２】
無機レジスト層４は、遷移金属の不完全酸化物によるレジストによって構成される。この遷移金属には、例えばＴｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｎｂ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｗ，Ｚｒ，Ｒｕ，Ａｇ等が挙げられる。
この中でも、Ｍｏ，Ｗ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｎｂを用いることが好ましく、紫外線又は可視光により大きな化学的変化を得られるといった見地から特にＭｏ，Ｗを用いることが好ましい。
また他にも、無機レジスト層４を構成する材料として、上記特許文献１に記載された各種材料を用いることが用いることが可能である。
【００２３】
なお、遷移金属の不完全酸化物は、遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成より酸素含有量が少ない方向にずれた化合物のことを指す。
すなわち、本技術において、遷移金属の不完全酸化物における酸素の含有量が、上記遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成の酸素含有量より小さい化合物のことを不完全酸化物として定義する。
【００２４】
また、遷移金属では１つの元素が価数の異なる酸化物を形成可能なものがあるが、この場合には、遷移金属のとりうる価数に応じた化学量論組成より実際の酸素含有量が不足している酸化物を不完全酸化物とする。
例えばＭｏを例に挙げると、３価の酸化物（ＭｏＯ３）が最も安定であるが、その他に１価の酸化物（ＭｏＯ）も存在する。この場合には、酸素の原子組成百分率比が０（atomic %）より大きく５０（atomic %）未満の範囲内であるとき化学量論組成より酸素含有量が不足した不完全酸化物であるといえる。
【００２５】
図１に戻ると、無機レジスト層４によって形成された凹凸パターン上には、酸化タングステン膜２が形成される。この酸化タングステン膜２は、タングステンの原子組成百分率比をＹ、酸素の原子組成百分率比をＸとすると、その組成ＷＹＯＸが下記式１によって表される。
５５＜Ｘ＜６０  atomic % （Ｙ＝１００−Ｘ）      ・・・（１）
【００２６】
このように、本実施の形態では、無機レジスト層４上に、タングステン（一種類の遷移金属）の酸化物膜が形成される。後に詳述するように、光ディスク原盤の表面材料を単純化することで、光ディスク原盤１００の表面の酸化状態を均一にすることが可能である。このため、この光ディスク原盤１００を用いて成型用スタンパを製造することにより、成型用スタンパの表面に微小な陥没状の欠陥が生じるのを抑制することができる。
また、酸化タングステン膜２の膜厚は、約５ｎｍ〜約７０ｎｍの膜厚に形成することが好ましい。
膜厚5nm以上である理由としては、無機レジスト膜とポストスパッタ膜との密着力が稼げる必要な膜厚以上必要である点、めっき時に減少する膜厚以上でなければならない点、無機レジストの膜質からポストスパッタ膜への膜質の改質が必要な点である。
膜厚70nm以下である理由としては、厚膜を付けた場合にHF信号特性(特に、Asymmetry値)が変化するが、BD-ROMのBook規格を満たす上限値という点を挙げる。 
【００２７】
２．光ディスク原盤、成型用スタンパ及び光ディスクの製造方法。
以下、図２Ａ〜２Ｃ及び図３Ａ〜３Ｃを参照して、本実施形態の光ディスク原盤１００、及び、成型用スタンパ２００の製造方法を説明する。
まず、図２Ａに示すように、基板３の一方の面上に、例えばスパッタリングや蒸着等を用いて無機レジスト層４を形成する。例えば上述の遷移金属からなるスパッタターゲットを用い、チャンバー内の酸素濃度を調整することで、遷移金属の不完全酸化物の全体としての酸化度合いを調整することが可能である。
【００２８】
また、所望量の酸素を含有するターゲットを予め用意しておき、このターゲットを用いてスパッタリングを行うことにより、無機レジスト層４を形成することも可能である。
無機レジスト層４の酸化比率は、所望の露光感度やピット形状、未露光部の現像液耐性が得られるように、適宜選択してよい。
【００２９】
次に、図２Ｂに示すように、所定の凹凸パターンに応じた光信号を光源１０から無機レジスト層４に照射して、露光を行う。この際、所定の凹凸パターンの凹部に対応する領域に光を照射して露光する。
この光源１０には、例えば波長４０５ｎｍのＢｌｕｅ  Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅを用いることができる。
基板３は図示を省略するスピンドルモータによって回転され、さらに基板３を径方向に送りながらレーザ光の照射を行うことにより、基板３の周方向（トラック方向）に沿って露光が行われる。
【００３０】
そして、図２Ｃに示すように、露光を終えた無機レジスト層４を現像することにより、露光部における無機レジスト層４が除去され、基板３上に、レーザ光の照射に応じた凹凸パターンが形成される。
現像液には、例えば、ＮＭＤ−３等の有機アルカリ現像液や、ＫＯＨ、ＮａＯＨ、燐酸系等の無機アルカリ現像液を用いることができる。また、無機レジスト層４の材料構成に応じて、例えば塩酸、硝酸、硫酸、燐酸等の酸現像液を用いてもよい。
無機レジスト層４の現像手法には、例えば上述の現像液内に無機レジスト層４を浸漬するディッピング法を用いてもよいし、基板３をスピナーに固定し、基板３を回転させながら無機レジスト層４上に現像液を塗布する手法を用いてもよい。
【００３１】
次いで、図３Ａに示すように、無機レジスト層４及び基板３上に酸化タングステン膜２を成膜し、凹凸パターン上を酸化タングステン膜２によって被覆する。
酸化タングステン膜２は、例えばスパッタリングによって形成することができる。例えば、上記式１に示す原子組成百分率比の酸化タングステンターゲットを予め焼結により作製して、このターゲットを用いてスパッタリングを行うことにより、酸化タングステン膜２を形成可能である。
また、反応性スパッタリングを用いる場合には、純タングステンターゲットを用意し、チャンバー内の酸素流量を適宜調整することにより、上述の原子組成百分率比の酸化タングステン膜２を成膜することができる。そして、これにより、光ディスク原盤１００が完成する。
【００３２】
なお、形成された酸化タングステン膜２の組成は、シート抵抗を測定することにより評価することも可能である。例えば、Ｓｉ基板上に７０ｎｍの膜厚で酸化タングステン膜２を成膜した場合、上記式１のＸの値、すなわちタングステンの原子組成百分率比が６０（atomic %）よりも大きくなると、シート抵抗が１３０Ω／ｓｑよりも大きくなる。したがって、シート抵抗が１３０Ω／ｓｑ以下となるようにスパッタリングの成膜条件を設定することで、酸化タングステン膜２の組成を調整できる。
【００３３】
こうして完成した光ディスク原盤１００に対して電鋳処理を施すことにより、成型用スタンパ２００を製造することができる。
例えば、図３Ｂに示すように、電鋳によって、光ディスク原盤１００の凹凸パターン上に例えばＮｉ等の金属を析出して、金属層５を形成する。
そして、図３Ｃに示すように、析出した金属層５を光ディスク原盤１００から剥離することで、成型用スタンパ２００が完成する。この成型用スタンパ２００は、例えば基板部５ａ上に、光ディスク原盤１００の凹凸パターンの反転形状が転写されたパターン５ｂが形成された構成となる。
また、電鋳処理を行う前に、例えば光ディスク原盤１００の凹凸パターン側の表面に紫外線を照射してもよい。これにより、光ディスク原盤１００と成型用スタンパ２００との離型性を向上させることができる。
【００３４】
従来においては、光ディスク原盤から成型用スタンパを剥離する際に、光ディスク原盤の無機レジストが成型用スタンパに付着することで、スタンパ表面に微小な陥没状の欠陥を引き起こしていた。
本実施の形態では、光ディスク原盤１００の凹凸パターンの表面は、上記の式１の組成を有する酸化タングステン膜２によって覆われている。この酸化タングステン膜２は、成型用スタンパ２００の表面に付着したとしても、上述のような欠陥を引き起こさないので、成型用スタンパ２００の品質を向上させることができる。
【００３５】
より具体的に説明すると、これは、酸化タングステン膜２の酸化状態が単純かつ均一になっているためであると考えることもできる（Ｗ，ＷＯ，ＷＯ２，ＷＯ３のみが分散している）。
一方、Ｗ、ＷＯ３及びＭｏＯ３を焼結したスパッタターゲットを用い、酸化タングステン膜２の代わりに、タングステンとモリブデンの合金酸化物膜を形成した場合、Ｗ，ＷＯ，ＷＯ２，ＷＯ３及び、Ｍｏの単体、ＭｏＯ，ＭｏＯ２，ＭｏＯ３といった酸化状態の異なる金属酸化物、また、ＷとＭｏ合金及び合金酸化物（１価、２価、３価）など多種類の金属及び合金酸化物が複数の酸化状態の状態で膜中に存在すると考えられる。
【００３６】
このように、金属および金属酸化物が複数存在し、かつ酸化状態に偏りが存在している場合には、部分的に酸素含有量が多い領域が生じる。したがって、成型用スタンパを光ディスク原盤から剥離する際に、この領域が成型用スタンパに付着すると、付着した酸化物が成型用スタンパに影響して欠陥が生じやすくなる。  
【００３７】
これに対し、本実施の形態では、酸化タングステン膜２を形成している。すなわち、Ｍｏを除いて材料構成を単純化したことにより、形成される金属酸化物の種類を少なくすることができる。
【００３８】
また、焼結ターゲットを製造する際には、１元素の酸化物ターゲットを製造するときよりも、２元素の合金酸化物ターゲットを製造するときの方が、ターゲット成分の凝集が起こりやすい（モリブデン酸化物は、タングステン酸化物に比べて凝集しやすい）傾向があるため、そのターゲットを使用して成膜した膜の膜質の均一性が損なわれる可能性があると推測される。
一方、本実施形態では、モリブデンを除いた酸化タングステンのみのスパッタターゲットを用いることにより、スパッタターゲット自身の酸化状態が均一となるため、形成した酸化タングステン膜２の酸化状態をより均一にしやすい。
【００３９】
ところで、光ディスク原盤を用いて成型用スタンパを製造した後に一定期間、光ディスク原盤を保管しておき、再び同じ光ディスク原盤を用いて成型用スタンパを製造することがある。このような場合には、再び成型用スタンパを製造する前に、光ディスク原盤１００に対して酸化タングステン膜２をもう一度成膜するか、または、表面改質処理（例えば、UV-O3洗浄や、プラズマ処理）を施すことが好ましい。
例えば、一度光ディスク原盤１００を成型用スタンパ２００の製造に用いた後、一定期間が経過すると、酸化タングステン膜２の表面状態及び組成が変化（有機被膜形成、水分吸着層生成、酸化膜形成）する。すると、Ｎｉ原盤の電鋳工程において、めっき被膜の濡れ性が悪くなる事により、パターン表面において精密にめっき被膜が成長できず、電鋳時に欠陥が生じやすくなる。
【００４０】
光ディスク原盤１００に対して酸化タングステン膜２を再び成膜することで、一定期間後であっても、成型用スタンパ２００の表面に欠陥が生じるのを抑制することができる。
ただし、再び成膜する酸化タングステン膜２の膜厚が厚いと、光ディスク原盤１００の凹凸形状がくずれ、ＨＦ（high-frequency）信号やエラーレート等の信号特性が変化する恐れがある。このため、膜厚は５〜７０ｎｍとするのが好ましい。
また、最初に形成する酸化タングステン膜２も、上述の膜厚に形成することにより、光ディスク原盤１００の凹凸パターンをくずすこと無く、無機レジスト層４上を被覆することができる。
本実施形態の光ディスク原盤１００では、上述の薄い膜厚であっても、成型用スタンパ２００の表面に生じる欠陥を防ぐ効果が得られるので、コストを抑えることも可能である。
【００４１】
続いて、上述の成型用スタンパ２００を用いて光ディスク３００を製造する方法について、図４Ａ〜４Ｃを参照して説明する。
図４Ａに示すように、まず、成型用スタンパ２００を金型内（図示を省略）に取り付ける。そして、例えばポリカーボネート等の熱可塑性樹脂を金型内に射出することによって、成型用スタンパ２００の凹凸パターン上にディスク基板６を成型する。これにより、ディスク基板６には、成型用スタンパ２００の凹凸パターンが反転して転写される。
【００４２】
次いで、このディスク基板６を成型用スタンパ２００から剥離した後、図４Ｂに示すように、ディスク基板６に転写された凹凸パターン上に、反射膜７を成膜する。この反射膜７は、例えばＡｇやＡｇ合金によって構成され、例えばスパッタリングにより成膜することができる。
そして、図４Ｃに示すように、反射膜７上に、例えば紫外線硬化樹脂をスピンコート法によって塗布し、この紫外線硬化樹脂に紫外線を照射して硬化させることで、保護膜８を形成する。以上の工程により光ディスク３００を製造することが可能である。
また、この保護膜８の表面にハードコート層を形成したり、ディスク基板６の凹凸パターンが形成されていない側の表面に、防湿膜を形成したりしてもよい。
【００４３】
なお、本実施形態の光ディスク３００は、成型用スタンパ２００を用いてディスク基板６を成型すればよく、その他の構成や製造工程は上記例に限定するものではない。
本実施形態の光ディスク３００では、上述の成型用スタンパ２００によってディスク基板６の成型が行われるため、記録情報に対応した凹凸パターンが正確に形成される。このため、本実施形態では、光ディスク３００に記録された情報を精度良く再生することができる。
【００４４】
３．実施例
＜実施例１＞
以下に、本技術の光ディスク原盤及び成型用スタンパの実施例について説明する。
（１）光ディスク原盤の作製
まず、シリコン基板を準備し、このシリコン基板上に、Ｗ及びＭｏの不完全酸化物からなる無機レジストをスパッタリングにより７０ｎｍ成膜した。そして、波長４０５ｎｍのＢｌｕｅ  Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅによってこの無機レジストを露光した後、現像することにより、照射した光信号に応じた凹凸パターンをシリコン基板上に形成した。
次いで、スパッタターゲットとして、酸素の原子組成百分率比が５８（atomic %）である酸化タングステン（Ｗ４２Ｏ５８）を用い、スパッタリングにより膜厚３５μｍの酸化タングステン膜を凹凸パターン上に形成した。なお、形成された酸化タングステン膜の酸素原子組成百分率比は、スパッタターゲットと同様に５８（atomic %）であった。以上の工程により、光ディスク原盤を作製した。
【００４５】
（２）成型用スタンパの作製
浴組成がスルファミン酸ニッケルからなるめっき溶液中に、上記工程により作製した光ディスク原盤を浸漬し、約１時間通電することによって、光ディスク原盤の凹凸パターン上にＮｉ層を析出させた。そして、析出したＮｉ層を光ディスク原盤から剥離することにより、成型用スタンパを作製した。
また、引き続き同じ光ディスク原盤を用いて、上記工程と同様にしてＮｉ層の析出、及びＮｉ層の剥離を繰り返すことで、合計１０枚の成型用スタンパを連続して同日中に作製した。
なお、光ディスク原盤１００は、大気中で保管されると最表面の酸化状態が促進し、めっき不良を生じやすくなる事が分かっている。
この酸化状態が促進され、めっき不良が生じやすい状態を作り出すために、故意に、２枚のめっき原盤を作製するたびに、（２枚目、４枚目、６枚目、８枚目の成型用スタンパをそれぞれ作製した後において、）光ディスク原盤表面に照度１０ｍＷ／ｃｍ２の紫外線を７．５分間照射して、光ディスク原盤を作製した。そして、この紫外線の照射を行った後の光ディスク原盤を用いて、３枚目、５枚目、７枚目、９枚目の成型用スタンパをそれぞれ作製した後、それぞれの成型用スタンパの表面を観察した。
【００４６】
また、３枚目に作製した成型用スタンパに対して、温純水洗浄（乾燥）に対する耐性を調べた。
温純水乾燥は、スタンパー洗浄プロセスの最終（乾燥）工程で行ない、有機溶剤を用いないため、環境負荷がない理想的なプロセスである。
温純水洗浄耐性試験では、温度６０℃の温純水に成型用スタンパを３０秒間浸漬し、その後、速度２０ｃｍ／ｍｉｎで成型用スタンパを温純水から引き上げた。そして、この動作を５回繰り返した後、成型用スタンパの表面を観察した。
なお、比較例では、比較例の成型用スタンパに対してこの動作を５回繰り返した後、成型用スタンパの表面を観察した。
【００４７】
＜比較例１＞
スパッタターゲットに遷移金属であるＷ及びＭｏの不完全酸化物であって、ＡをＷ及びＭｏとし、Ｏの含有比をｘとして該不完全酸化物の組成割合をＡ100-XＯx表したとき、酸素の原子組成百分率比ｘがｘ＝５２．５の不完全酸化物を用いたこと以外は、実施例１と同様にして光ディスク原盤を作製した。また、この光ディスク原盤を用いて、実施例１と同様にしてそれぞれ成型用スタンパを作製した後、この成型用スタンパの表面を観察した。
また、この光ディスク原盤を用いて３枚目に作製された成型用スタンパに対して、上述の温純水耐性試験を行った。ただし、この温純水洗浄耐性試験では、温純水に成型用スタンパを浸漬した後、成型用スタンパを温純水から引き上げる動作を５回繰り返した後、成型用スタンパの表面を観察した。
【００４８】
＜比較例２＞
酸化タングステン膜の成膜に用いるスパッタターゲットに、酸素の原子組成百分率比が６０（atomic %）の酸化タングステンを用いたこと以外は、実施例１と同様にして光ディスク原盤、及び成型用スタンパを作製した。
【００４９】
＜比較例３＞
酸化タングステン膜の成膜に用いるスパッタターゲットに、酸素の原子組成百分率比が５５（atomic %）の酸化タングステンを用いたこと以外は、実施例１と同様にして光ディスク原盤、及び成型用スタンパを作製した。
【００５０】
４．評価結果
表１に、実施例１、２及び比較例１〜３において作製された成型用スタンパ（温純水洗浄試験を行う前の成型用スタンパ）の表面状態を観察して評価した結果を示す。
表１において、光ディスク原盤から転写された成型用スタンパの凹凸パターンに、亀裂もしくは陥没状の欠陥がほとんど見受けられない場合に「○」と表記した。
また、成型用スタンパの表面に陥没状の欠陥が見受けられるものの、その大きさが微小で光ディスクのエラーレートに対して影響を及ぼさない場合には、「△」と表記した。
また、光ディスクのエラーレートに対して、影響を与える程の欠陥が成型用スタンパに生じている場合には、「×」と表記した。
【００５１】
【表１】
2012243373.tif 000003
【００５２】
なお、表１中の光ディスク原盤の判定は、その光ディスク原盤を用いて作製された成型用スタンパにおいて、光ディスクのエラーレートに対して、影響を与える欠陥が生じた（表１の×）場合にはＮＧとした。また、欠陥がほとんど見受けられない、又はあったとしてもエラーレートに影響が無い（表１の○又は△）成型用スタンパのみを作製できた場合には、ＯＫとした。
【００５３】
表１に示すように、原子組成百分率比が上記式１によって表される範囲内の酸化タングステン膜２を形成した実施例１では、光ディスクのエラーレートに影響を及ぼすような欠陥が無い成型用スタンパを作製することができた。
例えば、実施例１において、３枚目に作製した成型用スタンパの凹凸パターンを撮影した拡大写真を図５に示す。図５に示すように、表面に欠陥の無い、きれいな凹凸パターンを光ディスク原盤から成型用スタンパに転写できることが確認できた。
【００５４】
一方、無機レジストによって形成された凹凸パターン上に、Ａ４７．５Ｏ５２．５（Ａ＝Ｗ及びＭｏの合金）の膜を形成した比較例２において、３枚目に作製した成型用スタンパの凹凸パターンの拡大写真を図６に示す。例えば、図６の領域Ｔに示すように、比較例２の成型用スタンパには、一部が欠けて陥没した欠陥が無数に生じてしまっている。これは、２枚目の成型用スタンパを作成した後、光ディスク原盤に対して紫外線の照射を行ったため、光ディスク原盤に形成したＡ４７．５Ｏ５２．５（Ａ＝Ｗ及びＭｏの合金）の膜の酸化が局所的にかつ過剰に進み、膜の組成が変化してしまったためであると推測する。
【００５５】
酸素の原子組成百分率比が６０（atomic %）である酸化タングステン膜を形成した比較例２では、表１に示すように、９枚目の成型用スタンパに無視できない欠陥が生じた。これは、酸化タングステン膜の酸素含有量が多いためであり、このことから、酸素の原子組成百分率比は６０（atomic %）未満とすることが好ましいといえる。
なお、酸素の原子組成百分率比が６０（atomic %）の酸化タングステン膜であっても、少なくとも８枚の成型用スタンパを作製可能であり、作製する成型用スタンパの数が少ない場合には、この組成の酸化タングステン膜を用いることも可能である。
【００５６】
また、酸素の原子組成百分率比が５５（atomic %）である酸化タングステン膜を形成した比較例３では、酸素の含有量が少なかったため、成型用スタンパが光ディスク原盤に強く固着して、成型用スタンパを光ディスク原盤からうまく剥離することができなかった。
したがって、このことから酸素の原子組成百分率比は、５５（atomic %）よりも大きくすることが望ましいことがわかった。
【００５７】
シリコン基板上にＡ４７．５Ｏ５２．５（Ａ＝Ｗ及びＭｏの合金）の膜を形成した比較例１では、光ディスク原盤から作製した３枚目の成型用スタンパ（表１の比較例１）において、エラーレートに影響を及ぼす欠陥が発生した。
一方で、この比較例１における成型用スタンパを上述の温純水洗浄にかけた後、その表面を観察した拡大写真を図７に示す。
図７は、１枚目の光ディスク原盤（表１の比較例１）を用いて作製した３枚目の成型用スタンパに対して、温純水洗浄を行った後に観察したものである。
【００５８】
図７に示すように、比較例１の成型用スタンパでは、温純水洗浄によって、表面に陥没状の欠陥が大きく生じ、温純水に対する耐性が弱いことが確認された。
これに対して、実施例１における３枚目の成型用スタンパを６回温純水洗浄し、その表面を観察した拡大写真を図８に示す。
図８に示すように、実施例１の成型用スタンパでは、エラーレートに影響を及ぼすような欠陥はほとんどみられなかった。すなわち、本技術の酸化タングステン膜を無機レジストの凹凸パターン上に形成した光ディスク原盤を用いることで、温純水に対する耐性の高い成型用スタンパを製造することが可能であることが分かった。
【００５９】
このように、本技術によれば、光ディスク原盤の凹凸パターン上に所定の組成からなる酸化タングステン膜を形成することにより、成型用スタンパの表面に生じる欠陥を低減することができる。
特に、短期〜長期保管した光ディスク原盤が、UV-O3洗浄によって局部的に過剰な酸化を起こす事無く、均一にかつ適度な酸化が起こすことが可能であり、また、その原盤から作製した成形用スタンパの温水に対する耐性を向上させることができる。このため、成型用スタンパを長期に渡って光ディスクの製造に用いることが可能であり、コストの低減を図ることもできる。
また、光ディスク原盤に形成した記録情報パターンを精度良く成型用スタンパに転写できるので、この成型用スタンパを用いて製造された光ディスクの品質も向上する。
【００６０】
以上、光ディスク原盤、成型用スタンパ、光ディスク、スパッタターゲット、光ディスク原盤の製造方法、成型用スタンパの製造方法、及び光ディスクの製造方法の実施の形態について説明した。本技術は上記実施の形態にとらわれることなく、特許請求の範囲に記載した本技術の要旨を逸脱しない限りにおいて、考えられる種々の形態を含むものである。
【００６１】
また、本技術は、以下のような構成を取ることもできる。
（１）
所定の凹凸パターンが形成された基板部材と、
前記基板部材の凹凸パターン上に形成され、酸素の原子組成百分率比をＸ、タングステンの原子組成百分率比をＹとすると、５５（atomic %）＜Ｘ＜６０(atomic %)かつＹ＝１００−Ｘ(atomic %)である酸化タングステン膜と、
を含む
光ディスク原盤。
（２）
前記酸化タングステン膜の膜厚は、５ｎｍ以上５０ｎｍ以下である
（１）に記載の光ディスク原盤。
（３）
前記凹凸パターンは、遷移金属の不完全酸化物によるレジストによって形成される
（１）または（２）に記載の光ディスク原盤。
（４）
基板と、
前記基板上に形成され、所定の凹凸パターンが形成された基板部材と、前記基板部材の凹凸パターン上に形成され、酸素の原子組成百分率比をＸ、タングステンの原子組成百分率比をＹとすると、５５（atomic %）＜Ｘ＜６０(atomic %)かつＹ＝１００−Ｘ(atomic %)である酸化タングステン膜と、を備える光ディスク原盤の前記凹凸パターンの反転形状が転写されたパターンと、
を含む
成型用スタンパ。
（５）
所定の凹凸パターンが形成された基板部材と、前記基板部材の凹凸パターン上に形成され、酸素の原子組成百分率比をＸ、タングステンの原子組成百分率比をＹとすると、５５（atomic %）＜Ｘ＜６０(atomic %)かつＹ＝１００−Ｘ(atomic %)である酸化タングステン膜と、を備える光ディスク原盤の前記凹凸パターンの反転形状が転写された成型用スタンパにより成型されたディスク基板と、
前記ディスク基板上に形成された反射膜と、
前記反射膜上に形成された保護膜と、
を含む
光ディスク。
（６）
酸素の原子組成百分率比をＸ、タングステンの原子組成百分率比をＹとすると、５５（atomic %）＜Ｘ＜６０(atomic %)かつＹ＝１００−Ｘ(atomic %)である酸化タングステンからなる
スパッタターゲット
（７）
基板の一方の面上に、無機レジスト層を成膜するステップと、
前記無機レジストを露光及び現像し、所定の凹凸パターンを形成するステップと、
前記凹凸パターン上に、酸素の原子組成百分率比をＸ、タングステンの原子組成百分率比をＹとすると、５５（atomic %）＜Ｘ＜６０(atomic %)かつＹ＝１００−Ｘ(atomic %)である酸化タングステン膜を形成するステップと、
を含む
光ディスク原盤の製造方法。
（８）
所定の凹凸パターンが形成された基板部材と、前記基板部材の凹凸パターン上に形成され、酸素の原子組成百分率比をＸ、タングステンの原子組成百分率比をＹとすると、５５（atomic %）＜Ｘ＜６０(atomic %)かつＹ＝１００−Ｘ(atomic %)である酸化タングステン膜と、を含む光ディスク原盤の前記酸化タングステン膜上に金属層を形成するステップと、
形成した前記金属層を前記酸化タングステン膜から剥離するステップと、
を含む
成型用スタンパの製造方法。
（９）
所定の凹凸パターンが形成された基板部材と、前記基板部材の凹凸パターン上に形成され、酸素の原子組成百分率比をＸ、タングステンの原子組成百分率比をＹとすると、５５（atomic %）＜Ｘ＜６０(atomic %)かつＹ＝１００−Ｘ(atomic %)である酸化タングステン膜と、を含む光ディスク原盤の前記酸化タングステン膜上に金属層を形成するステップと、
形成した前記金属層を前記酸化タングステン膜から剥離して成型用スタンパを作製するステップと、
作製した前記成型用スタンパを用いてディスク基板を成型するステップと、
前記成型用スタンパにより前記ディスク基板に転写された凹凸パターン上に反射膜を形成するステップと、
前記反射膜上に保護膜を形成するステップと、
を含む
光ディスクの製造方法。
【符号の説明】
【００６２】
１・・・基板部材、２・・・酸化タングステン膜、３・・・基板、４・・・無機レジスト層、５・・・金属層、６・・・ディスク基板、７・・・反射膜、８・・・保護膜、１０・・・光源、３５・・・膜厚、１００・・・光ディスク原盤、２００・・・成型用スタンパ、３００・・・光ディスク
【図１】
2012243373.tif 000004
【図２】
2012243373.tif 000005
【図３】
2012243373.tif 000006
【図４】
2012243373.tif 000007
【図５】
2012243373.tif 000008
【図６】
2012243373.tif 000009
【図７】
2012243373.tif 000010
【図８】
2012243373.tif 000011