(57)【要約】【課題】ディスプレイパネル内部のリークを抑制した幅の狭い封着層を形成可能なディスプレイパネルの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】封着層３０で封着された一対の基板を備えたディスプレイパネルの製造方法であって、一対の基板のうち少なくとも一方の基板上に封着ペーストを塗布することにより、第１の封着ペースト層３５を形成し、第１の封着ペースト層３５上に封着ペーストを塗布することにより、第２の封着ペースト層３７を形成し、第１の封着ペースト層３５および第２の封着ペースト層３７を少なくとも乾燥させることにより、封着層３０を形成する、ことを備える。【選択図】図８
2012238527.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
封着層で封着された一対の基板を備えたディスプレイパネルの製造方法であって、
前記一対の基板のうち少なくとも一方の基板上に封着ペーストを塗布することにより、第１の封着ペースト層を形成し、
前記第１の封着ペースト層上に前記封着ペーストを塗布することにより、第２の封着ペースト層を形成し、
前記第１の封着ペースト層および前記第２の封着ペースト層を少なくとも乾燥させることにより、前記封着層を形成する、
ことを備えたディスプレイパネルの製造方法。
【請求項２】
前記基板上に前記封着ペーストを塗布し、かつ、塗布された封着ペーストのうち前記基板と接触する接触領域の流動性を低下させることにより、前記第１の封着ペースト層を形成する、
ことを備えた請求項１に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項３】
前記封着ペーストは、有機成分を含み、
前記基板を昇温し、
昇温された基板上に前記封着ペーストを塗布し、かつ、前記接触領域に含まれる前記有機成分を除去する、
ことを備えた請求項２に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項４】
前記基板の一部の領域を昇温し、
前記基板の昇温された領域に、前記封着ペーストを塗布する、
ことを備えた請求項３に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項５】
前記基板上にレーザー光を照射することにより、前記基板の一部の領域を昇温する、
ことを備えた請求項４に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項６】
前記封着ペーストは、有機成分を含み、
前記基板上に前記封着ペーストを塗布し、かつ、前記接触領域にレーザー光を照射することにより、前記接触領域に含まれる前記有機成分を除去する、
ことを備えた請求項２に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
前記封着ペーストは、紫外線硬化性成分を含み、
前記基板上に前記封着ペーストを塗布し、かつ、前記接触領域に紫外線を照射することにより、前記接触領域に含まれる前記紫外線硬化性成分を硬化させる、
ことを備えた請求項２に記載のディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示技術は、表示デバイスなどに用いられるディスプレイパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
ディスプレイパネルの一つであるプラズマディスプレイパネル（以下、ＰＤＰと称する）は、前面板と背面板とが封着層によって貼り合わされ、内部に放電ガスが封入されている。ＰＤＰの製造方法において、前面板または背面板の少なくとも一方の基板上に封着層が形成される。そして、封着工程において、まず、前面板と背面板とが重ね合わせられる。この状態で封着層が軟化点温度にまで加熱させられ、溶融させられる。その後、封着層が冷却されて固化することにより、前面板と背面板とが貼り合わされる。また、ＰＤＰ内部は加熱されながら内部を排気され、その後、放電ガスがＰＤＰ内部へ封入される（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
近年、このＰＤＰを用いた画像表示装置において、画面周囲の非表示領域である額縁部を狭くすることが求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２００１１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、封着層の幅を狭くするために、封着層の塗布幅を狭くすると、封着層の高さが足りなくなってしまう。封着層の高さが足りないと、封着工程において、前面板と背面板とが気密状態で封着されず、ＰＤＰ内部のリークが発生してしまう。
【０００６】
そこで、本開示技術は、ディスプレイパネル内部のリークを抑制した幅の狭い封着層を形成可能なディスプレイパネルの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示技術は、封着層で封着された一対の基板を備えたディスプレイパネルの製造方法であって、一対の基板のうち少なくとも一方の基板上に封着ペーストを塗布することにより、第１の封着ペースト層を形成し、第１の封着ペースト層上に封着ペーストを塗布することにより、第２の封着ペースト層を形成し、第１の封着ペースト層および第２の封着ペースト層を少なくとも乾燥させることにより、封着層を形成する、ことを備える。
【発明の効果】
【０００８】
上記の製造方法によれば、ディスプレイパネル内部のリークを抑制した幅の狭い封着層を形成可能なディスプレイパネルの製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本実施の形態におけるＰＤＰの概略構造を示す斜視図である。
【図２】本実施の形態における背面板の概略構造を示す平面図である。
【図３】本実施の形態におけるＰＤＰの前面板側から見た概略構造を示す平面図である。
【図４】本実施の形態におけるＰＤＰを背面板側から見た図である。
【図５】図４におけるＡ−Ａ断面図である。
【図６】本実施の形態における塗布ヘッドの概略構造を示す図である。
【図７】本実施の形態における封着ペーストの塗布状態を示す図である。
【図８】本実施の形態における封着層形成工程を示す図である。
【図９】一般的な塗布ヘッドで形成された封着層を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本実施の形態では、ディスプレイパネルの一例として、ＰＤＰ１００を用いて、本開示技術が説明される。
【００１１】
まず、ＰＤＰ１００の構成について説明する。図１に示すように、ＰＤＰ１００は、前面板１０と背面板２０とを対向配置している。
【００１２】
前面板１０は、長方形でガラス製の前面ガラス基板１１上に、平行に配置された走査電極１２と維持電極１３とで対をなす表示電極１４が複数形成されている。本実施の形態では、走査電極１２および維持電極１３は、走査電極１２、維持電極１３、維持電極１３、走査電極１２の順で配列されている。走査電極１２は、幅の広い透明電極１２ａの上に幅の狭いバス電極１２ｂが積層されている。維持電極１３も同様に、幅の広い透明電極１３ａの上に幅の狭いバス電極１３ｂが積層されている。透明電極１２ａ、１３ａは、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）などの導電性の金属酸化物を含む。バス電極１２ｂ、１３ｂは、導電性を高めるために形成され、銀（Ａｇ）などの金属を含む。
【００１３】
前面ガラス基板１１上には、表示電極１４を覆う誘電体層１５が形成されている。誘電体層１５は、膜厚が約４０μｍである。誘電体層１５は、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）系低融点ガラスまたは酸化亜鉛（ＺｎＯ）系低融点ガラスで形成されている。
【００１４】
誘電体層１５上には、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護層１６が形成されている。保護層１６は、膜厚が約０．８μｍである。保護層１６は、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を主体とするアルカリ土類金属酸化物からなる薄膜層である。保護層１６は、誘電体層１５をイオンスパッタから保護するために形成される。また、保護層１６は、放電開始電圧などの放電特性を安定させるために形成される。
【００１５】
背面板２０は、長方形でガラス製の背面ガラス基板２１上に、平行に配置された複数のアドレス電極２２が形成されている。背面ガラス基板２１の短辺は、前面ガラス基板１１の短辺と平行でかつ前面ガラス基板１１の短辺より長く、背面ガラス基板２１の長辺は、前面ガラス基板１１の長辺より短い。アドレス電極２２は、銀（Ａｇ）などを主成分とする導電性の高い材料を含む金属電極である。前面ガラス基板１１と背面ガラス基板２１との基板の形状が異なるのは、基板の端部に電極端子が形成されるためである。これらの電極端子より、それぞれの電極に画像表示のための電圧が印加される。
【００１６】
アドレス電極２２上には、アドレス電極２２を被覆するように下地誘電体層２３が形成されている。下地誘電体層２３は、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）系低融点ガラスなどである。下地誘電体層２３には、可視光を反射させるために酸化チタン（ＴｉＯ2）粒子が混合されてもよい。
【００１７】
下地誘電体層２３上には隔壁２４が形成されている。隔壁２４は、縦隔壁２４ａと縦隔壁２４ａに直交する横隔壁２４ｂとにより井桁状に構成されている。隔壁２４には、低融点ガラス材料などが含まれる。画面サイズが４２インチのフルハイビジョンテレビに合わせると、例えば、隔壁２４の高さは０．１ｍｍ〜０．１５ｍｍ、隣接する縦隔壁２４ａのピッチは０．１５ｍｍである。
【００１８】
下地誘電体層２３の表面と隔壁２４の側面とには、蛍光体層２５が形成されている。蛍光体層２５は、赤色に発光する赤色蛍光体層２５ａ、緑色に発光する緑色蛍光体層２５ｂおよび青色に発光する青色蛍光体層２５ｃを含む。赤色蛍光体層２５ａ、緑色蛍光体層２５ｂおよび青色蛍光体層２５ｃは、縦隔壁２４ａを介して、順に形成されている。
【００１９】
前面板１０と背面板２０とは、表示電極１４とアドレス電極２２とが交差するように対向配置されている。前面板１０と背面板２０との外周部は、フリットなどの封着層３０によって封着されている。封着された前面板１０と背面板２０との間には、放電空間が形成されている。放電空間には、例えば、キセノン（Ｘｅ）などを含む放電ガスが約６×１０４Ｐａの圧力で封入されている。放電空間は隔壁２４によって複数の区画に仕切られている。表示電極１４とアドレス電極２２とが交差する部分に放電セル２６が形成されている。各色の蛍光体層２５を有する放電セル２６内で放電を発生させることより、各色の蛍光体層２５が発光する。これによりＰＤＰ１００が画像を表示することができる。なお、ＰＤＰ１００の構造は上述したものに限られるわけではなく、例えば、隔壁２４の形状がストライプ状であってもよい。
【００２０】
次に、ＰＤＰ１００の製造方法について説明する。ＰＤＰ１００の製造方法は、前面ガラス基板１１上に表示電極１４などを形成する前面板形成工程と、背面ガラス基板２１上にアドレス電極２２などを形成する背面板形成工程と、前面板１０と背面板２０とを組み立てる封着工程と、がある。
【００２１】
前面板形成工程では、前面ガラス基板１１上に、表示電極１４、誘電体層１５および保護層１６が形成される。
【００２２】
まず、前面ガラス基板１１上に、走査電極１２および維持電極１３が形成される。例えば、スパッタ法などによって、ＩＴＯ薄膜が前面ガラス基板１１に形成される。そして、リソグラフィ法によって所定のパターンの透明電極１２ａ、１３ａが形成される。バス電極１２ｂ、１３ｂの材料には、Ａｇ、Ａｇを結着させるためのガラスフリット、感光性樹脂および溶剤等を含むペーストが用いられる。バス電極ペーストは、スクリーン印刷法などによって、透明電極１２ａ、１３ａを覆うように前面ガラス基板１１上に塗布される。次に乾燥炉によって、バス電極ペースト中の溶剤が除去される。次に所定のパターンのフォトマスクを介して、バス電極ペーストが露光される。次にバス電極ペーストが現像され、バス電極パターンが形成される。次に焼成炉によって、バス電極パターンが所定の温度で焼成される。これにより、バス電極パターン中の感光性樹脂が除去される。また、バス電極パターン中のガラスフリットが溶融する。溶融したガラスフリットは、焼成後に再びガラス化する。
【００２３】
透明電極１２ａと透明電極１３ａとの間の相対的に狭い領域は、放電が発生するメインギャップである。透明電極１２ａと透明電極１３ａとの間の相対的に広い領域は、放電が発生しないインターピクセルギャップである。
【００２４】
次に、表示電極１４を覆う誘電体層１５が形成される。誘電体層１５の材料には、誘電体ガラスフリットと樹脂と溶剤などを含む誘電体ペーストが用いられる。例えば、ダイコート法によって、所定の厚みで走査電極１２および維持電極１３を覆うように、誘電体ペーストが前面ガラス基板１１上に塗布される。次に、乾燥炉によって、誘電体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、誘電体ペーストが所定の温度で焼成される。これにより、誘電体ペースト中の樹脂が除去される。また、誘電体ガラスフリットが溶融する。溶融したガラスフリットは、焼成後に再びガラス化する。ここで、誘電体ペーストをダイコートする方法以外にも、スクリーン印刷法、スピンコート法などが用いられてもよい。また、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法などによって、誘電体層１５となる膜が形成されてもよい。
【００２５】
次に、誘電体層１５上に保護層１６が形成される。保護層１６は、ＭｇＯのペレットを用いて真空蒸着法によって形成される。真空蒸着法の他にも、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等を用いることができる。
【００２６】
以上の前面板形成工程により、前面ガラス基板１１上に表示電極１４、誘電体層１５および保護層１６が形成される。
【００２７】
背面板形成工程では、背面ガラス基板２１上に、アドレス電極２２、下地誘電体層２３、隔壁２４、蛍光体層２５および封着層３０が形成される。
【００２８】
まず、図２に示すように、背面ガラス基板２１上に、アドレス電極２２が形成される。アドレス電極２２の材料には、少なくとも銀（Ａｇ）粒子と、ガラス成分と、感光性有機バインダ成分と、からなる感光性ペーストが用いられる。銀（Ａｇ）粒子の含有量は、７０重量％〜９０重量％である。ガラス成分の含有量は、１重量％〜１５重量％である。感光性有機バインダ成分の含有量は、８重量％〜１５重量％である。ガラス成分には、少なくとも酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）が２０重量％〜５０重量％含まれる。ガラス成分は、結着ガラスの軟化点が５５０℃を超えるように構成されている。感光性有機バインダ成分には、感光性ポリマー、感光性モノマー、光重合開始剤、溶剤などが含まれる。この感光性ペーストが、例えば、スクリーン印刷法によって、厚み５μｍ、幅１００μｍで背面ガラス基板２１上に塗布される。次に、乾燥炉によって、感光性ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、感光性ペーストが露光される。次に、感光性ペーストが現像され、アドレス電極パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、アドレス電極パターンが５５０℃〜５７０℃で焼成される。これにより、アドレス電極パターン中の感光性樹脂が除去される。また、アドレス電極パターン中のガラスフリットが溶融する。溶融したガラスフリットは、焼成後に再びガラス化する。ここで、スクリーン印刷する方法以外に、スパッタ法、蒸着法などを用いてアドレス電極２２が形成されてもよい。
【００２９】
次に、アドレス電極２２上に下地誘電体層２３が形成される。下地誘電体層２３の材料には、誘電体ガラスフリットと樹脂と溶剤などを含む下地誘電体ペーストが用いられる。下地誘電体ペーストには、ガラス成分が２５重量％〜３５重量％、フィラーが２５重量％〜３５重量％、バインダが１０重量％〜２０重量％、溶剤が２０重量％〜３０重量％の比率で配合されたものが用いられている。ガラス成分には実質的に鉛成分が含まれていない。ガラス成分は、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を０．１モル％〜２５モル％、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を１０モル％〜３０モル％、酸化チタン（ＴｉＯ2）を０．１モル％〜２５モル％で含む。また、ガラス成分は、酸化タングステン（ＷＯ3）、マンガン（Ｍｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、バリウム（Ｂａ）を０．１モル％以下で含む。この下地誘電体ペーストが、例えば、スクリーン印刷法によって、背面ガラス基板２１上にアドレス電極２２を覆うように所定の厚みで塗布される。次に、乾燥炉によって、下地誘電体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、下地誘電体ペーストが５７０℃〜６３０℃程度で焼成される。これにより、下地誘電体ペースト中の樹脂が除去される。また、誘電体ガラスフリットが溶融する。溶融したガラスフリットは、焼成後に再びガラス化する。下地誘電体層２３の膜厚は焼成工程後で８μｍ〜１５μｍである。なお、下地誘電体ペーストが、ダイコート法、スピンコート法などを用いて塗布されてもよい。また、ＣＶＤ法などによって、下地誘電体層２３となる膜が形成されてもよい。
【００３０】
また、下地誘電体層２３を形成するのと同時に、アドレス電極側引出部２７が形成される。アドレス電極側引出部２７は、下地誘電体層２３で被覆されない領域に形成される。アドレス電極側引出部２７には、アドレス電極２２に回路基板からの信号を伝達する複数のアドレス電極端子２８が形成されている。なお、前面ガラス基板１１には、表示電極端子が形成される。これらの電極端子より、それぞれの電極に画像表示のための電圧が印加される。
【００３１】
次に、フォトリソグラフィ法によって、下地誘電体層２３上に隔壁２４が形成される。隔壁２４の材料には、フィラーと、フィラーを結着させるためのガラスフリットと、感光性樹脂と、溶剤などを含む隔壁ペーストが用いられる。例えば、ダイコート法によって、隔壁ペーストが所定の厚みで下地誘電体層２３上に塗布される。次に、乾燥炉によって、隔壁ペースト中の溶剤が除去される。次に、所定のパターンのフォトマスクを介して、隔壁ペーストが露光される。次に、隔壁ペーストが現像され、隔壁パターンが形成される。最後に、焼成炉によって、隔壁パターンが所定の温度で焼成される。これにより、隔壁パターン中の感光性樹脂が除去される。また、隔壁パターン中のガラスフリットが溶融する。溶融したガラスフリットは、焼成後に再びガラス化する。隔壁の高さは、例えば、１２０μｍである。ここで、フォトリソグラフィ法以外にも、サンドブラスト法などが用いられてもよい。なお、本実施の形態では、隔壁の高さは、約１２０μｍである。また、前面板１０の長辺側の端部から最も外側の隔壁２４までの距離は、約１０ｍｍである。
【００３２】
次に、下地誘電体層２３上および隔壁２４の側面上に蛍光体層２５が形成される。蛍光体層２５の材料には、蛍光体材料とバインダと溶剤などとを含む蛍光体ペーストが用いられる。例えば、ディスペンス法によって、蛍光体ペーストが隣接する隔壁２４間に所定の厚みで塗布される。つまり、隔壁２４間の下地誘電体層２３上および隔壁２４の側面に蛍光体ペーストが塗布される。次に、乾燥炉によって、蛍光体ペースト中の溶剤が除去される。最後に、焼成炉によって、蛍光体ペーストが所定の温度で焼成される。これにより、蛍光体ペースト中の樹脂が除去される。ここで、ディスペンス法以外にも、スクリーン印刷法、インクジェット法などが用いられてもよい。
【００３３】
最後に、ディスペンス法によって、背面ガラス基板２１上に封着層３０が形成される。封着層３０には、ガラス成分と、耐熱性のフィラーと、有機バインダ成分と、有機溶剤と、ビーズ材とを含む封着ペーストが用いられる。
【００３４】
ガラス成分は、例えば、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を７０重量％〜８５重量％、酸化亜鉛（ＺｎＯ）を８重量％〜１０重量％、酸化硼素（Ｂ2Ｏ3）を４重量％〜６重量％、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）を６重量％〜８重量％の配合比で含む。また、ガラス成分は、酸化モリブデン（ＭｏＯ3）または酸化タングステン（ＷＯ3）を含む。
【００３５】
フィラーは、封着層３０の熱膨張係数を調整する。また、フィラーは、ガラスの流動状態を制御する。フィラーには、例えば、コージライト、フォルステライト、β−ユークリプタイト、ジルコン、ムライト、チタン酸バリウム、チタン酸アルミニウム、酸化チタン、酸化モリブデン、酸化スズ、酸化アルミニウム、石英ガラスなどが用いられる。
【００３６】
有機溶剤にはビークルが添加されている。ビークルにはニトロセルロースが０．７重量％〜１．２重量％含有されている。ビークル中の他の成分としては、酢酸イソアミル、ターピネオールなどが用いられる。ここで、ニトロセルロースとは、ニトロセルロースと２−プロパノールなどの揮発成分を２８〜３２重量％含む混合物である。ニトロセルロース混合物の粘度は、１００〜１４５ｍＰａ・ｓである。本発明の実施形態では、ガラスフリットに対するビークルの比率は１０重量％〜１３重量％である。
【００３７】
ビーズ材には、例えば、酸化硼素（Ｂ2Ｏ3）、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）などからなる球形のガラスビーズ材が用いられる。ビーズ材の平均粒径（Ｄ５０）は、例えば４２インチサイズのＰＤＰ１００で、１１０μｍ〜１８０μｍである。
【００３８】
封着ペーストの粘度は、０．６Ｐａ・ｓ以上１．２５Ｐａ・ｓ以下であることが好ましい。封着ペーストの粘度が０．６Ｐａ・ｓより小さくなると、塗布後に封着ペーストの高さが保持することが困難になる。そのため、前面板１０と背面板２０が封着される際に封着層３０が前面板１０と不均一に接触することにより、ＰＤＰ１００の内部の気密性を保つことが困難になる。一方、封着ペーストの粘度が１．２５Ｐａ・ｓより大きくなると、塗布される封着ペーストにおける始終端の形状が不安定になることがある。そのため、上記同様、封着層３０が前面板１０と不均一に接触することにより、ＰＤＰ１００の内部の気密性を保つことが困難になる。なお、封着ペーストの粘度は、回転粘度計で測定される。具体的には、コーンプレート型と呼ばれるＥ型回転粘度計が用いられる。内筒回転型というコーン側は、０．５〜１００回転で回転される。プレート側は、循環水によるウォータージャケットにより、試料の温度を一定に保つ。
【００３９】
上記の封着ペーストが、背面ガラス基板２１における前面板１０と背面板２０とが重なる領域の周縁部に、例えば、ディスペンサー法で塗布される。封着ペースト塗布工程の詳細は後述される。その後、封着ペーストが塗布された背面ガラス基板２１が、乾燥炉などにより、約１２０℃程度で一定時間乾燥させられることにより、有機溶剤が除去される。その後、背面ガラス基板２１が、４００℃程度で仮焼成されることにより、有機バインダ成分が焼失除去される。このようにして、背面ガラス基板２１上に封着層３０が形成される。
【００４０】
なお、本実施の形態では、この焼成工程において、蛍光体層２５も同時に焼成されている。封着ペーストは、インクジェット法で塗布されてもよい。本実施の形態では、背面ガラス基板２１上に封着層３０が形成されたが、前面ガラス基板１１上に形成されてもよい。また、封着層３０が、背面ガラス基板２１および前面ガラス基板１１のどちらにも形成されてもよい。
【００４１】
以上の背面板形成工程により、背面ガラス基板２１上に、アドレス電極２２、下地誘電体層２３、隔壁２４、蛍光体層２５および封着層３０が形成される。
【００４２】
封着工程では、前面板１０と、背面板２０と、が組み立てられる。
【００４３】
まず、図３に示すように、前面板１０と背面板２０とが、表示電極１４とアドレス電極２２とが直交するように、対向配置される。そして、前面板１０と背面板２０とは、例えばクリップなどで固定される。固定された前面板１０と背面板２０とは、封着炉内に搬送される。図４および図５に示すように、背面板２０には、排気孔３１が形成されている。排気孔３１には排気管３２が配置されている。排気管３２は排気孔３１を通じて放電空間と導通している。排気管３２は、ＰＤＰ１００内排気装置および放電ガス導入装置に接続されている。封着層３０の軟化点温度は、例えば、３８０℃である。前面板１０と背面板２０とは、封着層３０の軟化点温度を超える温度、例えば４２０℃程度、になるまで昇温される。前面板１０と背面板２０とは、その温度で１０分間程度保持される。これにより、封着層３０が十分に溶融する。そして、封着層３０の軟化点温度以下の例えば３００℃まで降温させることによって、前面板１０と背面板２０とが封着される。次に、放電空間内が１×１０−４Ｐａ程度となるまで排気される。その後、放電ガス導入装置によって放電空間に放電ガスが導入される。放電ガスとしては、例えばＮｅとＸｅの混合ガスが約６×１０４Ｐａの圧力で封入される。最後に、排気管３２が封止される。そして、前面板１０と背面板２０とが封着炉から取り出される。
【００４４】
以上の工程によって、ＰＤＰ１００が完成する。
【００４５】
次に、本実施の形態における封着ペースト塗布工程の詳細について説明する。図６に示すように、封着ペースト塗布工程には、封着ペーストを吐出する吐出穴が少なくとも２つ設けられた塗布ヘッド３３が用いられる。吐出穴は、塗布ヘッド３３の進行方向Ｘに対して、直列に設けられている。塗布ヘッド３３は、吐出穴に連結されたシリンジを有する。シリンジ内には、封着ペーストが充填されている。封着ペーストがピストンで押圧されることより吐出穴から吐出される。本実施の形態では、直列に設けられた第１の吐出穴３４と第２の吐出穴３６とを備えた塗布ヘッド３３が用いられる。塗布ヘッド３３の進行方向Ｘに対して、前方に位置する第１の吐出穴３４から、封着ペーストが吐出されることにより、第１の封着ペースト層３５が形成される。そして、塗布ヘッド３３の進行方向Ｘに対して、第１の吐出穴３４の後方に位置する第２の吐出穴３６から、封着ペーストが吐出されることにより、第１の封着ペースト層３５上に、第２の封着ペースト層３７が形成される。これにより、吐出される封着ペーストは、背面ガラス基板２１上に少なくとも二重に塗布される。そして、第１の封着ペースト層３５および第２の封着ペースト層３７が乾燥され、その後、焼成されることにより、封着層３０が形成される。
【００４６】
これにより、本実施の形態におけるＰＤＰ１００の製造方法は、幅の狭い封着ペーストを高く塗布することができるため、幅の狭い封着層３０を高く形成することができる。よって、本実施の形態におけるＰＤＰ１００の製造方法は、ＰＤＰ１００内部のリークを抑制した幅の狭い封着層３０を形成することができる。
【００４７】
また、図６および図７に示すように、塗布ヘッド３３とは別に、レーザー装置３８が設けられてもよい。レーザー装置３８は、レーザー光３９を照射でき、例えば、塗布ヘッド３３と同時に走査される。レーザー装置３８は、例えば、背面ガラス基板２１における封着ペーストが塗布された面の裏面から、塗布された封着ペーストのうち背面ガラス基板２１と接触する接触領域４０にレーザー光３９を照射することができる。それより、接触領域４０が昇温される。本実施の形態における封着ペーストは、有機成分である有機溶剤を含む。そのため、背面ガラス基板２１上に封着ペーストを塗布し、かつ、接触領域４０がレーザー光３９で照射されることにより、接触領域４０に含まれる有機溶剤が蒸発して除去される。特に、接触領域４０のうち封着ペーストの塗布方向に対して両側の端部領域４１に含まれる有機溶剤が速く蒸発する。このようにして、第１の封着ペースト層３５が形成されることにより、第１の封着ペースト層３５の幅が広がることが抑制される。また、第１の封着ペースト層３５上に、第２の封着ペースト層３７が形成されても、第１の封着ペースト層３５の幅が広がることが抑制される。
【００４８】
このように、背面ガラス基板２１上に封着ペーストを塗布し、かつ、塗布された封着ペーストのうち背面ガラス基板２１と接触する接触領域４０の流動性を低下させることにより、第１の封着ペースト層を形成することが好ましい。第１の封着ペースト層３５の幅が広がることが抑制されるため、幅の狭い封着ペーストがより高く塗布される。
【００４９】
本実施の形態では、穴径が１ｍｍの第１の吐出穴３４と、穴径が０．８ｍｍの第２の吐出穴３６と、レーザー装置３８とを備えた塗布ヘッド３３が用いられる。封着ペーストは、第１の吐出穴３４および第２の吐出穴３６から、０．８ｃｍ3／ｓ〜１．２ｃｍ3／ｓの速度で吐出される。塗布ヘッド３３は、３００ｍｍ／ｓ〜４００ｍｍ／ｓの速度で走査される。レーザー装置３８は、例えば、炭酸ガスレーザーが用いられる。波長は例えば１０μｍ程度に設定され、強度は例えば数十Ｗ〜数百Ｗ程度に設定される。背面ガラス基板２１上のレーザー光３９の光径は、１０ｍｍ程度である。
【００５０】
本実施の形態では、図８に示すように、背面ガラス基板２１の周縁部に、塗布ヘッド３３が走査されて、第１の封着ペースト層３５が塗布される。このとき、塗布ヘッド３３と同時にレーザー装置３８が走査される。レーザー装置３８により、背面ガラス基板２１における封着ペーストが塗布された面の裏面から、塗布された封着ペーストのうち背面ガラス基板２１と接触する接触領域４０にレーザー光３９が照射される。それにより、塗布された封着ペーストが６０℃程度まで昇温される。そのため、封着ペーストに含まれる有機溶剤のうち背面ガラス基板２１と接触する接触領域４０に含まれる有機溶剤が蒸発して除去される。それにより、塗布された封着ペーストの流動性が低下する。このようにして、第１の封着ペースト層３５が形成される。第１の封着ペースト層３５の幅は、３ｍｍ程度である。第１の封着ペースト層３５の高さは、２５０〜３００μｍ程度である。そして、第１の封着ペースト層３５上に第２の封着ペースト層３７が形成される。第２の封着ペースト層３７の幅は、２ｍｍ程度である。第２の封着ペースト層３７の高さは、２００〜２５０μｍ程度である。そして、第１の封着ペースト層３５上に第２の封着ペースト層３７が形成されることにより、第１の封着ペースト層３５の幅も少し広がる。そのため、塗布後の封着ペースト全体としては、幅が４ｍｍ程度、高さが３５０μｍ以上４５０μｍ以下となる。
【００５１】
このとき、第１の封着ペースト層３５の頂上部が乾燥していないことが好ましい。第１の封着ペースト層３５の頂上部が乾燥していると、第２の封着ペースト層３７が第１の封着ペースト層３５上に適正に塗布されないからである。第１の封着ペースト層３５の頂上部が乾燥していないと、第１の封着ペースト層３５と第２の封着ペースト層３７との親和性が保持される。そのため、第１の封着ペースト層３５と第２の封着ペースト層３７とが接着することにより、第２の封着ペースト層３７が第１の封着ペースト層３５上から垂れ落ちない。
【００５２】
また、第１の封着ペースト層３５の幅は、第２の封着ペースト層３７の幅と同等、または、第２の封着ペースト層３７の幅より広いことが好ましい。また、第２の吐出穴３６から吐出される封着ペーストの吐出量は、第１の吐出穴３４から吐出される封着ペーストの吐出量より少ないことが好ましい。それらは、第２の封着ペースト層３７が第１の封着ペースト層３５の幅よりも外側にはみ出したり、垂れ落ちたりしないようにするためである。そのため、第２の吐出穴３６の穴径は、第１の吐出穴３４の穴径より小さいことが好ましい。
【００５３】
そして、塗布された第１の封着ペースト層３５および第２の封着ペースト層３７は、その後、乾燥、焼成されることにより、封着層３０となる。封着ペーストは、焼成されることにより高さが低くなる。そのため、塗布後の封着ペーストの高さが３５０μｍ以上であることが好ましい。また、塗布後の封着ペーストの高さが４５０μｍ以上であると、前面板１０と背面板２０とが封着される際に溶融した封着層３０の幅が広がってしまう。そのため、塗布後の封着ペーストの高さが４５０μｍ以下であることが好ましい。
【００５４】
ここで、吐出穴が一つの一般的な塗布ヘッドを用いて形成される封着層５０について説明する。図９には、一般的な塗布後の封着層が点線で示されている。また、封着層の幅を狭くするために、封着ペーストの吐出速度を遅くした場合、または、塗布ヘッドの走査速度を速くした場合の封着層５０の断面図が実線で示されている。図９に示すように封着層５０の幅を狭くしようとすると、封着層５０の高さまで低くなってしまう。具体的には、封着層５０の幅を４ｍｍ程度とすると、封着層５０の高さが２５０μｍ〜３５０μｍ程度となってしまう。そして、前面板１０と背面板２０が封着される際に封着層３０が前面板１０と不均一に接触する。それにより、ＰＤＰ１００の内部の気密性を保つことが困難になり、封着工程においてＰＤＰ１００内部のリークが発生することある。
【００５５】
本実施の形態における封着層３０の断面積は、塗布幅が狭くなっているが高さが高くなるため、封着層５０の断面積とほぼ変わらない。しかし、封着層３０は、表面張力によって、前面板１０と背面板２０とに接着されるため、ＰＤＰ１００内部のリークを抑制することができる。
【００５６】
また、レーザー光３９の光径は、第１の封着ペースト層３５の幅よりも大きくする必要がある。レーザー光３９の強度は、第１の封着ペースト層３５の幅の広がりを抑制しつつ、第１の封着ペースト層３５の頂上部の有機溶剤が蒸発しない温度に設定されることが好ましい。封着ペーストに含まれる有機溶剤に応じて設定されるが、本実施の形態では、レーザー光３９により第１の封着ペースト層３５が５０℃以上１５０℃以下の範囲で昇温される。
【００５７】
これにより、第１の封着ペースト層３５上に第２の封着ペースト層３７が形成されたとしても、第１の封着ペースト層３５の幅の拡大が抑制される。したがって、このＰＤＰ１００の製造方法は、幅の狭い封着ペーストをより高く塗布することができるため、幅の狭い封着層３０をより高く形成することができる。よって、本実施の形態におけるＰＤＰ１００の製造方法は、ＰＤＰ１００内部のリークを抑制した幅の狭い封着層３０を形成することができる。
【００５８】
なお、本実施の形態では、第１の吐出穴３４および第２の吐出穴３６が設けられた塗布ヘッド３３が用いられたが、吐出穴が一つの塗布ヘッド３３が用いられてもよい。しかし、その場合、例えば、封着ペーストを二重に塗布するには塗布ヘッド３３を同一箇所に二度走査する必要があるため、タクトタイムが長くなる。そのため、封着ペーストが一度で多重に塗布するために、塗布ヘッド３３に少なくとも２つの吐出穴が設けられることが好ましい。
【００５９】
また、本実施の形態では、レーザー光３９を背面ガラス基板２１の裏面から照射したが、接触領域４０の流動性を低下させる方法は、この方法に限られない。
【００６０】
また、接触領域４０の流動性を低下させる方法として、背面ガラス基板２１を昇温し、昇温された背面ガラス基板２１上に封着ペーストを塗布し、かつ、接触領域４０に含まれる有機成分を除去してもよい。背面ガラス基板２１を昇温する方法として、例えば、ヒーター等により背面ガラス基板２１の全面が昇温されてもよい。
【００６１】
また、背面ガラス基板２１の一部の領域を昇温し、背面ガラス基板２１の昇温された領域に、封着ペーストを塗布してもよい。例えば、背面ガラス基板２１上にレーザー光を照射することにより、背面ガラス基板２１の一部の領域を昇温してもよい。この場合、レーザー装置３８は、例えば、炭酸ガスレーザーが用いられる。波長は例えば１０μｍ程度に設定され、強度は例えば数十Ｗ〜数百Ｗ程度に設定される。背面ガラス基板２１上のレーザー光３９の光径は、１０ｍｍ程度である。
【００６２】
これらの方法によっても、第１の封着ペースト層３５の幅が広がることが抑制されるため、幅の狭い封着ペーストがより高く塗布される。
【００６３】
さらに、封着ペーストに紫外線硬化性成分である紫外線硬化樹脂が含まれ、背面ガラス基板２１上に封着ペーストを塗布し、かつ、接触領域４０に紫外線を照射することにより、接触領域４０に含まれる紫外線硬化性樹脂を硬化させてもよい。
【００６４】
この方法によっても、第１の封着ペースト層３５の幅が広がることが抑制されるため、幅の狭い封着ペーストがより高く塗布される。
【００６５】
以上の実施の形態においては、ＰＤＰ１００が例示されたが、本開示技術は、封着、排気工程を行う表示パネルすべてに適用することができる。
【００６６】
以上のように、本実施の形態のＰＤＰ１００の製造方法は、封着層３０で封着された前面ガラス基板１１と背面ガラス基板２１とを備えたＰＤＰ１００の製造方法であって、背面ガラス基板２１上に封着ペーストを塗布することにより、第１の封着ペースト層３５を形成し、第１の封着ペースト層３５上に封着ペーストを塗布することにより、第２の封着ペースト層３７を形成し、第１の封着ペースト層３５および第２の封着ペースト層３７を少なくとも乾燥させることにより、封着層３０を形成する、ことを備える。
【００６７】
この方法によれば、幅の狭い封着ペーストを高く塗布することができるため、幅の狭い封着層３０を高く形成することができる。よって、本実施の形態におけるＰＤＰ１００の製造方法は、ＰＤＰ１００内部のリークを抑制した幅の狭い封着層３０を形成することができる。
【００６８】
また、背面ガラス基板２１上に封着ペーストを塗布し、かつ、塗布された封着ペーストのうち背面ガラス基板２１と接触する接触領域の流動性を低下させることにより、第１の封着ペースト層を形成することが好ましい。
【００６９】
封着ペーストは、有機成分を含み、背面ガラス基板２１を昇温し、昇温された背面ガラス基板２１上に封着ペーストを塗布し、かつ、接触領域に含まれる有機成分を除去してもよい。
【００７０】
背面ガラス基板２１の一部の領域を昇温し、背面ガラス基板２１の昇温された領域に、封着ペーストを塗布してもよい。
【００７１】
背面ガラス基板２１上にレーザー光を照射することにより、背面ガラス基板２１の一部の領域を昇温してもよい。
【００７２】
また、封着ペーストは、有機成分を含み、背面ガラス基板２１上に封着ペーストを塗布し、かつ、接触領域にレーザー光を照射することにより、接触領域に含まれる有機成分を除去してもよい。
【００７３】
また、封着ペーストは、紫外線硬化性成分を含み、背面ガラス基板２１上に封着ペーストを塗布し、かつ、接触領域に紫外線を照射することにより、接触領域に含まれる紫外線硬化性成分を硬化させてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００７４】
本開示技術は、画像表示装置等において額縁を狭くする際に有用である。
【符号の説明】
【００７５】
１０    前面板
１１    前面ガラス基板
１２    走査電極
１３    維持電極
１２ａ，１３ａ    透明電極
１２ｂ，１３ｂ    バス電極
１４    表示電極
１５    誘電体層
１６    保護層
２０    背面板
２１    背面ガラス基板
２２    アドレス電極
２３    下地誘電体層
２４    隔壁
２４ａ    縦隔壁
２４ｂ    横隔壁
２５    蛍光体層
２５ａ    赤色蛍光体層
２５ｂ    緑色蛍光体層
２５ｃ    青色蛍光体層
２６    放電セル
２７    アドレス電極側引出部
２８    アドレス電極端子
３０，５０    封着層
３１    排気孔
３２    排気管
３３    塗布ヘッド
３４    第１の吐出穴
３５    第１の封着ペースト層
３６    第２の吐出穴
３７    第２の封着ペースト層
３８    レーザー装置
３９    レーザー光
４０    接触領域
４１    端部領域
１００    ＰＤＰ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2012238527.tif 000009
【図８】
2012238527.tif 000010
【図９】
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