(57)【要約】【課題】  放熱性がよく、ボンディング強度およびボンディング精度を損なうことのない半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】  半導体レーザ装置１は、少なくとも１つ以上のレーザ発光部１２を含む半導体レーザ素子１０と、半導体レーザ素子１０が実装されるサブマウント２０と、サブマウント２０が搭載される搭載面３１ａを有するパッケージ３０とを含み、サブマウント２０の厚み方向Ｚ２の一方の表面部は、半導体レーザ素子１０が実装される平坦な実装面２１ａを有し、他方の表面部である接合側表面部２１ｂは、その周縁の部分であって、平坦な表面を有する枠状の平坦部分２５ａと、平坦部分２５ａに囲繞される部分であって、平坦部分２５ａの表面よりも窪んだ凹部２６を有する凹凸部分２５ｂとから成り、接合側表面部２１ｂを介して、サブマウント２０がパッケージ３０に接合される。【選択図】      図４
2012243960.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板および該半導体基板の一表面上に形成される少なくとも１つ以上のレーザ発光部を含む半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子が実装されるサブマウントであって、
その厚み方向の一方の表面部が、前記半導体レーザ素子が実装される平坦な実装面を有し、
その厚み方向の他方の表面部が、該表面部における周縁の部分であって、平坦な表面を有する枠状の平坦部分と、該平坦部分に囲繞される部分であって、該平坦部分の表面よりも窪んだ凹部を有する凹凸部分とから成るサブマウントと、
前記サブマウントの他方の表面部を介して該サブマウントが搭載される搭載面を有する被搭載体とを含むことを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記凹凸部分には、前記凹部として前記レーザ発光部のレーザ光の出射方向に平行に延びる複数の凹溝が設けられることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記凹凸部分には、前記凹部として前記レーザ発光部のレーザ光の出射方向に垂直に延びる複数の凹溝が設けられることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記凹凸部分には、前記凹部として格子状に形成された複数の凹溝が設けられることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記凹部は、前記サブマウントの厚み方向の他方の表面部における、前記平坦部分の表面に面一な表面の面積が、前記搭載面において前記他方の表面部が臨む領域の面積の半分以上となるように形成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記レーザ発光部は、発振波長が互いに異なる複数のレーザ光、または発振波長が同一の複数のレーザ光を出射可能な構成にされてなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ装置に関し、特に光ピックアップ装置などの光情報処理機器に用いられる半導体レーザ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＣＤ（Compact Disc）・ＤＶＤ（Digital Versatile Disc）の２種類の光ディスクに対して情報の記録・再生が可能な光ピックアップ装置や、ＣＤ・ＤＶＤ・ＢＤ（Blu-ray Disc：登録商標）の３種類の光ディスクに対して情報の記録・再生が可能な光ピックアップ装置が広く普及している。
【０００３】
従来から、このような複数種類の光ディスクに対応した光ピックアップ装置では、各光ディスクに対応した波長のレーザ光を出射可能な半導体レーザ装置が搭載されている。近年の光ピックアップ装置では、高速記録を可能とするために、半導体レーザ装置の高出力化が求められており、そのためにも、半導体レーザ装置の放熱特性をいかに改善するかが課題となっている。
【０００４】
このような課題を解決するための従来技術が、たとえば特許文献１に提案されている。特許文献１には、放熱性に優れたフレームタイプの半導体レーザ装置が開示されており、図８にその平面図を示す。
【０００５】
図８に示す半導体レーザ装置は、金属製のリードフレーム７０と、電極となる複数のリード７１と、リードフレーム７０および複数のリード７１を一体的に保持する樹脂製の保持部７２とを備え、リードフレーム７０は、素子搭載部７０ａ、リード７０ｂおよびタイバー部７０ｃを有している。素子搭載部７０ａには、ダイボンドペースト７３およびサブマウント部材７４を介して半導体レーザ素子７５が搭載され、半導体レーザ素子７５は、ワイヤ７６によってリード７０ｂ、７１と電気的に接続されている。
【０００６】
かかる半導体レーザ装置は、素子搭載部７０ａの裏面が保持部７２から露出するように構成されるとともに、素子搭載部７０ａの裏面に沿って素子搭載部７０ａから突出するようにタイバー部７０ｃが設けられている。これにより、半導体レーザ素子７５の動作時に、素子搭載部７０ａおよびタイバー部７０ｃが放熱のために機能し、半導体レーザ装置の放熱特性を向上させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−３１１１４７号公報
【特許文献２】特開２００５−２５９８５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来から、半導体レーザ装置の実装工程においては、半導体レーザ素子とサブマウントとは、サブマウント上面に設けられた金錫（ＡｕＳｎ）から成るろう材によって接合され、サブマウントとパッケージとは、パッケージに塗布された銀（Ａｇ）を主成分とするダイボンドペーストによって接合されている。
【０００９】
半導体レーザ装置の高出力化を行う場合、レーザチップとサブマウント、およびサブマウントとパッケージが、それぞれ放熱性を損なうことなく接合されていることが好ましい。放熱性が低下してしまうと、半導体レーザ装置を駆動させた場合に、発熱によって半導体レーザ素子の発光効率が低減し、レーザ出力の低下が引き起こされてしまうからである。そして、半導体レーザ装置においてレーザ出力の低下してしまうと、それを備える電子機器では、機能が低下したり、誤作動が発生したりするという不具合が発生するおそれがある。
【００１０】
そこで放熱性を高めるために、パッケージにおけるサブマウント搭載部に塗布するダイボンドペーストのペースト量を増やすことが考えられる。しかしながら、ペースト量を増やしてサブマウントとパッケージとを接合すると、ダイボンドペーストがサブマウント搭載部に広範囲に拡がってしまうという問題がある。これにより、サブマウント搭載部にワイヤボンディングする必要がある場合に、拡がったダイボンドペーストによってワイヤボンディング領域が侵食されてしまい、ワイヤボンディングを行ったときのボンディング強度やボンディング精度の低下が懸念される。
【００１１】
特許文献２には、半導体レーザ素子が実装されるサブマウントと、サブマウントが搭載される搭載面を有するヒートブロックとを備える半導体レーザ装置において、サブマウントにおけるヒートブロックへの接合面に櫛歯状の溝加工を施すことによって、サブマウント上に搭載した半導体レーザ素子の湾曲の度合いを低減する技術が開示されている。しかしながら、かかる従来技術では、深さの大きな溝がサブマウントの幅方向両端に亘って形成されているため、放熱性を損なわずにサブマウントをヒートブロックへ接合しようとすると、ダイボンドペーストが搭載面に広範囲に拡がってしまうおそれがある。
【００１２】
本発明の目的は、半導体レーザ素子がサブマウントを介してパッケージに実装された半導体レーザ装置において、放熱性とボンディング強度およびボンディング精度とを損なうことのない半導体レーザ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、半導体基板および該半導体基板の一表面上に形成される少なくとも１つ以上のレーザ発光部を含む半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子が実装されるサブマウントであって、
その厚み方向の一方の表面部が、前記半導体レーザ素子が実装される平坦な実装面を有し、
その厚み方向の他方の表面部が、該表面部における周縁の部分であって、平坦な表面を有する枠状の平坦部分と、該平坦部分に囲繞される部分であって、該平坦部分の表面よりも窪んだ凹部を有する凹凸部分とから成るサブマウントと、
前記サブマウントの他方の表面部を介して該サブマウントが搭載される搭載面を有する被搭載体とを含むことを特徴とする半導体レーザ装置である。
【００１４】
また本発明は、前記凹凸部分には、前記凹部として前記レーザ発光部のレーザ光の出射方向に平行に延びる複数の凹溝が設けられることを特徴とする。
【００１５】
また本発明は、前記凹凸部分には、前記凹部として前記レーザ発光部のレーザ光の出射方向に垂直に延びる複数の凹溝が設けられることを特徴とする。
【００１６】
また本発明は、前記凹凸部分には、前記凹部として格子状に形成された複数の凹溝が設けられることを特徴とする。
【００１７】
また本発明は、前記凹部は、前記サブマウントの厚み方向の他方の表面部における、前記平坦部分の表面に面一な表面の面積が、前記搭載面において前記他方の表面部が臨む領域の面積の半分以上となるように形成されることを特徴とする。
【００１８】
また本発明は、前記レーザ発光部は、発振波長が互いに異なる複数のレーザ光、または発振波長が同一の複数のレーザ光を出射可能な構成にされてなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、サブマウントにおいて、被搭載体であるパッケージに接合される側の表面部には、凹凸部分が設けられているので、該表面部が平坦に形成されている場合と比較して、サブマウントとパッケージとをダイボンドペーストを用いて接合するときの、サブマウントとダイボンドペーストとの接触面積を増加させることができる。これにより、放熱性を損なうことなく、サブマウントをパッケージに実装することができ、発熱による半導体レーザ素子のレーザ出力低下を抑制することができる。
【００２０】
また、凹凸部分を設けることにより、サブマウントとパッケージとをダイボンドペーストを用いて接合するときに、ダイボンドペーストの表面張力によって、ダイボンドペーストをパッケージの搭載面に拡がりにくくすることができる。これにより、パッケージの搭載面上へワイヤボンディングする場合であっても、ワイヤボンディング領域へのダイボンドペーストの拡がりを防止することができ、ワイヤボンディングを不自由なく行うことができる。したがって、ワイヤボンディング領域へのワイヤボンディングにおける、ボンディング強度およびボンディング精度を損なうことを防止することができる。
【００２１】
また、周縁の部分よりも内側に凹部が形成されているので、この凹部と搭載面との間に充填されるダイボンドペーストによって、サブマウントとパッケージとの接合強度を十分に保つことができ、したがって、周縁の平坦部分と搭載面との間に介在されるダイボンドペーストの分量を低減することができる。これにより、接合時に、サブマウントの周辺に、ダイボンドペーストがはみ出して拡がることを防止できる。
【００２２】
さらに、凹凸部分の周囲を囲繞するように平坦部分が形成されているので、サブマウントをパッケージに実装する際に、サブマウントが搭載面に対して傾いて搭載されてしまうことを防止し、より安定した実装が可能となる。
【００２３】
また本発明によれば、サブマウントに半導体レーザ素子を実装するときに、凹凸部分におけるストライプ形状により、外形認識による位置合わせを精度良く行うことができる。つまり、レーザ出射方向と平行のストライプを認識することで、実装時における半導体レーザ素子とサブマウントとの、平行度の精度を向上させることができる。これにより、特に、複数のレーザ発光部が電気的に分離して配置されたモノリシックタイプの半導体レーザ素子をサブマウントに実装する際に、各レーザ発光部の短絡を効果的に防止することができる。
【００２４】
また本発明によれば、サブマウントに半導体レーザ素子を実装するときに、凹凸部分におけるストライプ形状により、外形認識による位置合わせを精度良く行うことができる。つまり、レーザ出射方向と垂直のストライプを認識することで、実装時における半導体レーザ素子とサブマウントとの、レーザ出射方向における位置精度を向上させることができる。
【００２５】
これは、レーザ発光部がサブマウントに対向するような姿勢で実装する、いわゆるジャンクションダウン方式の半導体レーザ装置を製造する際に効果的である。ジャンクションダウン方式の半導体レーザ装置では、レーザ光とサブマウントとが干渉しないように、半導体レーザ素子におけるレーザ光の出射側の端部が、サブマウントから突出した状態で実装される。このとき、半導体レーザ素子のサブマウントからの突出量が多すぎると、レーザ発光部で発生した熱を効率よく放散することができず、半導体レーザ素子の温度上昇が引き起こされてしまう。そのため、レーザ出射方向と垂直のストライプを認識することによって、レーザ出射方向における位置精度を向上させることにより、半導体レーザ素子の突出量を制御することができ、半導体レーザ素子の放熱性を損なうことなくサブマウントへ実装することができる。
【００２６】
また本発明によれば、凹凸部分には、レーザ出射方向に対して平行と垂直のストライプの凹凸が形成されているので、複数のレーザ発光部を有するモノリシックタイプの半導体レーザ装置、およびジャンクションダウン方式の半導体レーザ装置の両方の実装精度向上に効果がある。また凹凸加工数が増えるものの、サブマウントの前記表面部における表面積を増加させることができるため、ダイボンドペーストとの接触面積が増え、より放熱性を高めた実装が可能となる。
【００２７】
また本発明によれば、サブマウントの前記表面部において、平坦部分の表面に面一な表面の面積が、凹部が形成される領域の面積よりも広いため、パッケージとの接合面が十分に確保された状態で、放熱性を高めることができる。
【００２８】
また本発明によれば、近年広く採用されている、ＤＶＤおよびＣＤの記録・読み込みが可能な赤色／赤外モノリシック２波長１チップ半導体レーザ素子を備える半導体レーザ装置において、放熱性を高めることができる。なお、単一波長光を出射するレーザ発光部が１つだけ備えられている場合であっても、放熱性の改善は同様に期待できる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装置１の構成を概略的に示す斜視図である。
【図２】第１の実施形態に係る半導体レーザ装置１に備えられる半導体レーザ素子１０の構成を示す斜視図である。
【図３】第１の実施形態に係る半導体レーザ装置１に備えられるサブマウント２０の構成を示す斜視図である。
【図４】第１の実施形態に係る半導体レーザ装置１に備えられるサブマウント２０の底面図である。
【図５】図４の切断面線Ｖ−Ｖから見た断面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザ装置１Ａに備えられるサブマウント２０Ａの底面図である。
【図７】本発明の第３の実施形態に係る半導体レーザ装置１Ｂに備えられるサブマウント２０Ｂの底面図である。
【図８】従来技術に係るフレームタイプの半導体レーザ装置の構成を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体レーザ装置１の構成を概略的に示す斜視図である。図２は、本実施形態に係る半導体レーザ装置１に備えられる半導体レーザ素子１０の構成を示す斜視図である。図３は、本実施形態に係る半導体レーザ装置１に備えられるサブマウント２０の構成を示す斜視図である。
【００３１】
半導体レーザ装置１は、レーザ光Ｌを出射する半導体レーザ素子１０と、半導体レーザ素子１０が実装されるサブマウント２０と、サブマウント２０が搭載されるパッケージ３０とによって構成される。
【００３２】
半導体レーザ素子１０は、略直方体形状に形成される半導体基板１１と、半導体基板１１の厚み方向Ｚ１の一表面上に形成されるレーザ発光部１２と、半導体基板１１の厚み方向Ｚ１の他表面の表面全体に形成される金属電極１３と、レーザ発光部１２において、半導体基板１１とは反対側の表面上に形成される金属電極１４とによって構成される。
【００３３】
半導体基板１１は、Ｎ型のＧａＡｓによって略直方体形状に形成され、本実施形態では、幅方向Ｘ１の寸法が２５０μｍ、出射方向Ｙ１の寸法が１５００μｍ、厚み方向Ｚ１の寸法が８５μｍとなるように形成されている。
【００３４】
レーザ発光部１２は、本実施形態では、図２に示すように、半導体基板１１における厚み方向Ｚ１の一表面上に２つ形成されている。２つのレーザ発光部１２は、出射方向Ｙ１に平行に延設され、溝底が半導体基板１１に形成される分離溝１５によって分離されて、ストライプ状に設けられている。各レーザ発光部１２は、出射方向Ｙ１に沿ってレーザ光Ｌを出射する。
【００３５】
２つのレーザ発光部１２は、その形状および大きさが互いに略等しくなるように形成され、本実施形態では、互いに発振波長の異なるレーザ光を出射するように構成されている。具体的には、一方のレーザ発光部１２が、ＡｌＧａＩｎＰ系の層構成によって、発振波長が７８５ｎｍのレーザ光を出射するように構成され、他方のレーザ発光部１２が、ＡｌＧａＩｎＰ系の層構成によって、発振波長が６６０ｎｍのレーザ光を出射するように構成されている。すなわち、本実施形態に係る半導体レーザ素子１０は、２波長型のレーザチップである。また、図２に示すように、各レーザ発光部１２は、リッジ導波路型に形成されている。
【００３６】
２つのレーザ発光部１２は、半導体基板１１の厚み方向Ｚ１の一表面に収まる範囲内で、各発光点の間隔Ｔ１が２００μｍ以下となるように形成されるのが好ましい。本実施形態では、各発光点の間隔Ｔ１が１１０μｍとなるように、２つのレーザ発光部１２が形成されている。このように発光点の間隔Ｔ１を２００μｍ以下にすることによって、レーザ発光部１２で発生した熱を、効率よくサブマウント２０へ逃がすことができる。
【００３７】
各レーザ発光部１２には、リッジ部１２ａにおけるコンタクト層を露出するように誘電体層１６が積層され、該コンタクト層および誘電体層１６上に、金（Ａｕ）から成るめっき電極を含む金属電極１４が設けられる。各金属電極１４は、互いに電気的に分離して設けられている。
【００３８】
サブマウント２０は、直方体形状に形成される基体２１を備え、基体２１の厚み方向Ｚ２の一方の表面部は、半導体レーザ素子１０が実装される実装面２１ａを有している。また、この実装面２１ａ上には、接続電極２２とボンディングパッド２３とが設けられている。
【００３９】
基体２１は、たとえば、幅方向Ｘ２の寸法が６００μｍ、長手方向Ｙ２の寸法が１５００μｍ、厚み方向Ｚ２の寸法が３００μｍとなるように形成されている。基体２１は、電気絶縁性を有し、かつ熱伝導性の良好な材料から成り、たとえば窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、窒化シリコン（ＳｉＮ）およびシリコン（Ｓｉ）のうちのいずれか１つから成る。
【００４０】
ＡｌＮ、ＳｉＮおよびＳｉは、熱伝導性に優れているので、これらの材料から成るサブマウント２０は、実装される半導体レーザ素子１０において発生する熱を、効率良く放散させることができる。
【００４１】
接続電極２２は、本実施形態では２つ形成され、半導体レーザ素子１０に設けられる金属電極１４がそれぞれ接合される。２つの接続電極２２は、実装面２１ａにおける幅方向Ｘ２の中間部分に、長手方向Ｙ２に平行に延び、所定の間隔Ｔ２を空けてストライプ状に設けられ、形状および大きさが互いに等しくなるようにそれぞれ形成されている。
【００４２】
接続電極２２は、本実施形態では、ろう材として使用するＡｕＳｎはんだから成り、いずれも幅方向Ｘ２の寸法が２００μｍ、長手方向Ｙ２の寸法が１５００μｍとなるように形成されている。
【００４３】
また、各接続電極２２間の間隔Ｔ２は、半導体レーザ素子１０に形成される金属電極１４間の間隔、すなわち分離溝１５の溝幅に応じて決定される。各接続電極２２は、この間隔Ｔ２が８０μｍ以下となるように形成されるのが好ましく、本実施形態では、間隔Ｔ２が２０μｍとなるように形成されている。このように電極間の間隔Ｔ２を８０μｍ以下にすることによって、レーザ発光部１２で発生した熱を、効率よくサブマウント２０へ逃がすことができる。
【００４４】
ボンディングパッド２３は、接続電極２２ごとに設けられ、図１に示すように、ボンディングワイヤ３３ａがそれぞれ固着される。ボンディングパッド２３は、本実施形態では、接続電極２２の長手方向Ｙ２の一端部から他端部に亘って、接続電極２２に接触するように設けられている。
【００４５】
被搭載体であるパッケージ３０は、サブマウント２０が搭載される平坦な搭載面３１ａを有する保持台３１と、搭載面３１ａ上に設けられるパッケージ端子３２とを有する。保持台３１の搭載面３１ａには、図１に示すように、ダイボンドペースト３４を介してサブマウント２０がダイボンディングされる。またこの搭載面３１ａは、ダイボンディングされたサブマウント２０上の半導体レーザ素子１０から、ボンディングワイヤ３３ｂによってワイヤボンディングが行われる。すなわち、搭載面３１ａは、ワイヤボンディングされる領域（以下、「ワイヤボンディング領域」と称する）を含んでいる。
【００４６】
パッケージ端子３２は、ダイボンディングされたサブマウント２０の実装面２１ａにおける各ボンディングパッド２３から、ボンディングワイヤ３３ａによってワイヤボンディングが行われる。
【００４７】
図４は、本実施形態に係る半導体レーザ装置１に備えられるサブマウント２０の底面図を示し、図５は、図４の切断面線Ｖ−Ｖから見た断面図である。本実施形態に係るサブマウント２０には、パッケージ３０の搭載面３１ａに接合される側の表面部、すなわち基体２１の厚み方向Ｚ２において、実装面２１ａを有する表面部とは反対側の表面部（以下、「接合側表面部」と称する）２１ｂにおいて、中央寄りの部分に凹凸が設けられている。
【００４８】
具体的には、サブマウント２０の接合側表面部２１ｂは、その周縁の部分であって、平坦な表面を有する矩形枠状の平坦部分２５ａと、平坦部分２５ａに囲繞される部分であって、平坦部分２５ａの表面よりも窪んだ凹部２６を有する凹凸部分２５ｂとによって構成されている。凹凸部分２５ｂにおいて、凹部２６が形成される領域以外の領域は、平坦部分２５ａにおける表面と面一の表面を有している。
【００４９】
凹凸部分２５ｂには、本実施形態では、凹部２６としてサブマウント２０の長手方向Ｙ２に平行に延びる複数の凹溝が設けられている。この長手方向Ｙ２は、サブマウント２０に実装される半導体レーザ素子１０におけるレーザ光Ｌの出射方向Ｙ１に一致する方向である。
【００５０】
かかる凹溝は、マイクロブラスト加工、機械研削加工、およびプラズマ溶射による加工などの加工方法により形成することができる。本実施形態では、図４および図５に示すように、４本の凹溝が形成され、各凹溝は、幅方向Ｘ２の寸法が５０μｍ、長手方向Ｙ２の寸法が１０００μｍ、厚み方向Ｚ２の寸法（すなわち、平坦部分２５ａの表面からの深さ）が１０μｍ程度となるように形成されている。
【００５１】
凹溝の深さは、サブマウント２０の厚み方向Ｚ２の寸法（すなわち、板厚）や加工条件などに応じて適宜決定され、数ミクロン〜１００μｍ程度が適当な範囲である。凹溝の深さは、あまり深くしすぎると、ダイボンドペースト３４のペースト量が多く必要となってしまう、サブマウント２０と保持台３１との接合強度が落ちる、および、サブマウント２０が不所望に反ってしまうといった問題が生じてしまう。
【００５２】
本実施形態に係る半導体レーザ装置１は、ジャンクションダウン方式で、すなわち半導体レーザ素子１０のレーザ発光部１２がサブマウント２０に対向するような姿勢で、半導体レーザ素子１０をサブマウント２０の実装面２１ａに実装するとともに、サブマウント２０の接合側表面部２１ｂを、ダイボンドペースト３４によって、パッケージ３０における保持台３１の搭載面３１ａにダイボンディングすることによって作製される。
【００５３】
これにより、レーザ発光部１２で発生する熱は、サブマウント２０によって効率よく放散され、レーザ発光部１２の温度上昇が抑制される。このように構成された半導体レーザ装置１は、ＯＡ（Office Automation）機器（たとえば、レーザプリンタ）および光情報処理機器（たとえば、光ファイバ通信システム、光計測システムおよび光ディスク装置）などの電子機器に好適に用いられる。
【００５４】
以下、本実施形態に係る半導体レーザ装置１の製造工程について詳細に説明する。まず、実装面２１ａが鉛直上方に臨むような姿勢で、サブマウント２０の幅方向Ｘ２の両側を一対のヒータブロックによって保持する。一方、半導体レーザ素子１０は、図示しないロボットによって、各金属電極１４が鉛直下方に臨むような姿勢で吸着把持され、サブマウント２０の上方まで搬送される。そして、半導体レーザ素子１０は、各金属電極１４が各接続電極２２にそれぞれ対向するように位置合わせされる。
【００５５】
この位置合わせは、一対のヒータブロックによって保持されたサブマウント２０の鉛直上方および鉛直下方、ならびに、半導体レーザ素子１０の出射方向Ｙ１にそれぞれ設置されたＣＣＤ（Charge Coupled Device）カメラによって、サブマウント２０の接続電極２２および半導体レーザ素子１０を撮像し、この撮像画像を画面上で視認しながら作業者によって行われる。
【００５６】
具体的には、作業者は、まずサブマウント２０の鉛直上方に設置されたＣＣＤカメラによる撮像画像に基づいて、半導体レーザ素子１０の出射方向Ｙ１とサブマウント２０の長手方向Ｙ２とが平行になるように、前記ロボットを操作して、半導体レーザ素子１０を鉛直軸線まわりに回転させる。このとき、半導体レーザ素子１０の出射方向Ｙ１とサブマウント２０の長手方向Ｙ２とが平行になっているか否かは、半導体レーザ素子１０の金属電極１３表面における出射方向Ｙ１に平行な一縁辺と、接続電極２２の延びる方向とが平行になっているかによって判断する。
【００５７】
本実施形態に係るサブマウント２０の接合側表面部２１ｂには、図４に示されるように、凹部２６として、複数の凹溝がストライプ状に形成されている。したがって、サブマウント２０の鉛直下方に設置したＣＣＤカメラによる撮像画像に基づいてストライプ形状を認識させることで、半導体レーザ素子１０とサブマウント２０との平行度の精度を向上させて位置合わせを行うことができる。
【００５８】
このようにして平行度についての位置合わせが行われると、次に作業者は、半導体レーザ素子１０の出射方向Ｙ１に設置されたＣＣＤカメラによる撮像画像に基づいて、接続電極２２の位置と金属電極１４の位置とが、半導体レーザ装置１の幅方向Ｘ１において一致するように、前記ロボットを操作して、半導体レーザ素子１０を水平移動させる。
【００５９】
半導体レーザ素子１０を搬送および位置合わせしている間に、一対のヒータブロックを、ろう材から成る接続電極２２を溶融するための予め定める温度に加熱しておく。予め定める温度とは、たとえば３００℃である。各接続電極２２が溶融したところで、位置合わせされた半導体レーザ素子１０を鉛直下方に降下させて、溶融した各接続電極２２に各金属電極１４を押し付け、接続電極２２と金属電極１４におけるめっき電極とを合金化させて、急冷固着させる。急冷に際しては、一対のヒータブロックの加熱を停止すると共に、エアー噴出装置によってめっき電極と接続電極２２との接合部分に、局所的にエアーを当てて空冷する。
【００６０】
半導体レーザ素子１０をサブマウント２０に実装する際、サブマウント２０の接合側表面部２１ｂには平坦部分２５ａが設けられているので、ヒータブロックに対して傾くことなく安定して接することができ、サブマウント２０の表面上の温度斑や、個々の半導体レーザ装置１の実装温度差の発生を防ぐことができる。サブマウント２０の表面上の温度斑の防止によって、半導体レーザ素子１０を面内で均一の状態で実装できるため、信頼性の低下を抑止できる。また、個々の半導体レーザ装置１の実装温度差を防ぐことによって、半導体レーザ装置１の特性ばらつきを抑えることができる。
【００６１】
次に、半導体レーザ素子１０が実装されたサブマウント２０を一対のヒータブロックから取り出して、ロボットなどの搬送装置によって、半導体レーザ素子１０が実装されたサブマウント２０を収容すべきパッケージ３０まで搬送し、このパッケージ３０の搭載面３１ａ上に、銀ペーストから成るダイボンドペースト３４を用いて固着する。このパッケージ３０は銅、鉄などの材料によって構成され、特に、熱伝導性に優れかつ絶縁性を有する材料である銅によって形成されることが好ましい。
【００６２】
サブマウント２０の接合側表面部２１ｂには、前述するように凹凸部分２５ｂが設けられているので、サブマウント２０の接合側表面部２１ｂが平坦な表面により構成される場合と比較して、サブマウント２０の接合側表面部２１ｂにおける表面積が増加し、ダイボンドペースト３４との接触面積を増加させることができる。
【００６３】
これにより、サブマウント２０とパッケージ３０とは放熱性を損なうことなくダイボンディングすることができ、半導体レーザ素子１０の発熱によるレーザ出力低下を抑えることができる。また、接合側表面部２１ｂの周縁には、凹凸が形成されていない平坦部分２５ａが設けられているので、サブマウント２０がパッケージ３０の搭載面３１ａに対して傾いて設置されることを防止し、安定した実装が可能となる。
【００６４】
次に、サブマウント２０上の各ボンディングパッド２３と、パッケージ３０に設けられるパッケージ端子３２とをボンディングワイヤ（金線）３３ａによって個別にワイヤボンディングすると共に、半導体レーザ素子１０の金属電極１３と搭載面３１ａに規定したワイヤボンディング領域とを、ボンディングワイヤ３３ｂによってワイヤボンディングする。
【００６５】
サブマウント２０の接合側表面部２１ｂには、前述するように凹凸部分２５ｂが設けられているので、サブマウント２０とパッケージ３０とをダイボンドペースト３４を用いて接合するときに、ダイボンドペースト３４の表面張力によって、ダイボンドペースト３４をパッケージ３０の搭載面３１ａに拡がりにくくすることができる。これにより、パッケージ３０の搭載面３１ａ上にワイヤボンディング領域が存在したとしても、ワイヤボンディング領域へのダイボンドペースト３４の拡がりが小さく抑えられ、ワイヤボンディングを不自由なく行うことができる。
【００６６】
以上の工程を経て半導体レーザ装置１の製造工程が終了し、独立駆動の可能な発光点の間隔が１１０μｍである２波長型の半導体レーザ素子１０を備える半導体レーザ装置１を製造することができる。なお、最後にサブマウント２０および半導体レーザ素子１０を、透光性を有する合成樹脂材料などによって封止しても構わない。
【００６７】
以上のように本実施形態に係る半導体レーザ装置１は、サブマウント２０における接合側表面部２１ｂに、複数の平行に延びる凹溝によってストライプ状に凹凸部分２５ｂが形成されているので、半導体レーザ素子１０とサブマウント２０との平行度の精度を向上させて、半導体レーザ素子１０をサブマウント２０に実装することができる。また、凹凸部分２５ｂが形成されているので、サブマウント２０の接合側表面部２１ｂにおける表面積が増加することによって、ダイボンドペースト３４との接触面積が増加し、放熱性を損なうことなくサブマウント２０をパッケージ３０に搭載することができる。また、凹凸部分２５ｂによるサブマウント２０の接合側表面部２１ｂにおける表面積の増加により、ダイボンドペースト３４が表面張力によって搭載面３１ａに拡がりにくくなり、ダイボンドペースト３４の拡がりを抑え、ワイヤボンディングを不自由なく行うことが可能となる。したがって、ワイヤボンディング領域へのワイヤボンディングにおける、ボンディング強度およびボンディング精度を損なうことを防止することができる。
【００６８】
さらに、サブマウント２０における接合側表面部２１ｂの周縁に平坦部分２５ａが設けられているので、半導体レーザ素子１０が実装されたサブマウント２０において、サブマウント２０表面上の温度斑や、個々の半導体レーザ装置１の実装温度差の発生を防ぐことができる。これにより、半導体レーザ装置１の信頼性の低下や、特性ばらつきを抑えることができる。また、パッケージ３０への実装時には、サブマウント２０がパッケージ３０の搭載面３１ａに対して傾いて設置されることを防止し、安定した実装が可能となる。
【００６９】
図６は、本発明の第２の実施形態に係る半導体レーザ装置１Ａに備えられるサブマウント２０Ａの底面図である。本実施形態に係る半導体レーザ装置１Ａは、サブマウント２０Ａを除く残余の構成については、第１の実施形態に係る半導体レーザ装置１と同様に構成される。本実施形態に係るサブマウント２０Ａは、接合側表面部２１ｂの構成を除く残余の構成については、第１の実施形態におけるサブマウント２０と同様に構成されており、同一の構成については同じ参照符を付して説明を省略する。
【００７０】
本実施形態に係るサブマウント２０Ａは、凹凸部分２５ｂには、凹部２６Ａとしてサブマウント２０Ａの長手方向Ｙ２に垂直に延びる複数の凹溝が設けられている。本実施形態では、図６に示すように、５本の凹溝が形成され、各凹溝は、幅方向Ｘ２の寸法が５００μｍ、長手方向Ｙ２の寸法が１００μｍ、厚み方向Ｚ２の寸法が１０μｍ程度となるように形成されている。
【００７１】
したがって本実施形態では、半導体レーザ装置１Ａの製造工程において、サブマウント２０Ａの鉛直下方に設置したＣＣＤカメラによる撮像画像に基づいてストライプ形状を認識させることで、半導体レーザ素子１０とサブマウント２０とのレーザ出射方向における位置精度を向上させることができる。
【００７２】
ジャンクションダウン方式で半導体レーザ素子１０を実装する際には、レーザ光Ｌとサブマウント２０Ａとが干渉しないように、半導体レーザ素子１０のレーザ光出射側の端部が、サブマウント２０Ａの長手方向Ｙ２の一端部から突出した状態で実装される。このとき、半導体レーザ素子１０のサブマウント２０Ａからの突出量が多すぎると、レーザ発光部１２で発生した熱を効率よく放散することができず、半導体レーザ素子１０の温度上昇が引き起こされてしまう。本実施形態では、レーザ出射方向と垂直のストライプ形状を認識させることによって、半導体レーザ素子１０とサブマウント２０Ａとの位置合わせを行う際に、幅方向Ｘ２に垂直な長手方向Ｙ２の位置精度を向上できる。その結果、半導体レーザ素子１０の突出量を精度良く調整することができ、半導体レーザ素子１０の放熱性を損なうことなくサブマウント２０Ａへ実装することができる。
【００７３】
図７は、本発明の第３の実施形態に係る半導体レーザ装置１Ｂに備えられるサブマウント２０Ｂの底面図である。本実施形態に係る半導体レーザ装置１Ｂは、サブマウント２０Ｂを除く残余の構成については、第１の実施形態に係る半導体レーザ装置１と同様に構成される。本実施形態に係るサブマウント２０Ｂは、接合側表面部２１ｂの構成を除く残余の構成については、第１の実施形態におけるサブマウント２０と同様に構成されており、同一の構成については同じ参照符を付して説明を省略する。
【００７４】
本実施形態に係るサブマウント２０Ｂは、凹凸部分２５ｂには、凹部２６Ｂとして格子状に形成された複数の凹溝が設けられている。したがって、本実施形態では、半導体レーザ装置１Ｂの製造工程において、第１の実施形態におけるサブマウント２０と同様に、半導体レーザ素子１０とサブマウント２０Ｂとの、平行度の精度を向上させて位置合わせを行うことができるとともに、第２の実施形態におけるサブマウント２０Ａと同様に、半導体レーザ素子１０とサブマウント２０Ｂとの、レーザ出射方向における位置精度を向上させることができる。
【００７５】
以上の各実施形態において、サブマウント２０，２０Ａ，２０Ｂに凹部２６，２６Ａ，２６Ｂを形成する際には、平坦部分２５ａの表面に面一な表面の面積が、保持台３１の搭載面３１ａにおいて接合側表面部２１ｂが臨む矩形領域の面積の半分以上となるように形成するのが好ましい。これにより、平坦部分２５ａの表面に面一な表面を有する領域が、凹部２６が形成される領域よりも広くなるため、サブマウント２０，２０Ａ，２０Ｂとパッケージ３０との接合面が十分に確保された状態で、放熱性を高めることができる。
【００７６】
以上の各実施形態では、互いに発振波長の異なるレーザ光を出射するように構成された２波長型の半導体レーザ素子１０を備えた半導体レーザ装置１，１Ａ，１Ｂを例示したが、それぞれ発振波長が同一のレーザ光を出射するように構成されていてもよい。また、半導体レーザ素子１０としては、レーザ発光部１２を２つ備えるものに限らず、少なくとも１つ以上のレーザ発光部１２を備えるものであればよい。また半導体レーザ素子１０におけるレーザ発光部１２は、リッジ構造を有するものに限定されず、埋め込み型であってもよい。
【００７７】
また半導体レーザ素子１０を構成する各層の厚さ、材料、発光点の間隔などについても前述の構成に限定されるものではなく、必要とする半導体レーザ装置１，１Ａ，１Ｂの特性に応じて適宜設計変更することができる。たとえば半導体レーザ素子１０としては、特定の材料系に限定されるものではなく、ＧａＡｓ系、ＡｌＧａＡｓ系、ＧａＩｎＡｓ系、ＧａＩｎＡｓＰ系、ＡｌＧａＩｎＰ系、ＧａＮ系のいずれの材料系であっても適用可能である。
【符号の説明】
【００７８】
１  半導体レーザ装置
１０  半導体レーザ素子
１１  半導体基板
１２  レーザ発光部
２０  サブマウント
２１ａ  実装面
２１ｂ  接合側表面部
２５ａ  平坦部分
２５ｂ  凹凸部分
３０  パッケージ
３１ａ  搭載面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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