(57)【要約】【課題】長手方向に発光素子を並べた露光ヘッドにおいて、各発光素子の平均的な温度を検出可能とする技術を提供する。【解決手段】光を結像して被露光面に照射する結像光学系と、結像光学系により結像される光を発光する発光素子を第１の方向に配設した基板と、発光素子が配設された範囲を第１の方向に含み且つ当該範囲よりも第１の方向に広い領域に渡って基板に配設され、温度により抵抗が変化する抵抗部材と、抵抗部材の抵抗値から温度を求める温度測定部と、を備える。【選択図】図４
2012006230.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を結像して被露光面に照射する結像光学系と、
前記結像光学系により結像される光を発光する発光素子を第１の方向に配設した基板と、
前記発光素子が配設された範囲を前記第１の方向に含み且つ当該範囲よりも前記第１の方向に広い領域に渡って前記基板に配設され、温度により抵抗が変化する抵抗部材と、
前記抵抗部材の抵抗値から温度を求める温度測定部と、
を備えたことを特徴とする露光ヘッド。
【請求項２】
前記基板に配設されて、前記発光素子を駆動する薄膜トランジスターを備え、
前記抵抗部材は金属を基材とし、前記薄膜トランジスターの金属配線層と同じ層に形成される請求項１に記載の露光ヘッド。
【請求項３】
前記抵抗部材は、前記発光素子が配設された範囲を前記第１の方向に含み且つ当該範囲よりも前記第１の方向に広い領域に渡って配設された、温度により抵抗が変化する線状の抵抗線を有し、
前記温度測定部は、前記抵抗線の抵抗値に基づいて温度を求める請求項１または２に記載の露光ヘッド。
【請求項４】
前記抵抗線は、前記第１の方向の一端で折り返して、前記発光素子が配設された範囲を前記第１の方向に含み且つ当該範囲よりも前記第１の方向に広い領域を往復するように配設されている請求項３に記載の露光ヘッド。
【請求項５】
前記抵抗部材は、前記発光素子が配設された範囲を前記第１の方向に含み且つ当該範囲よりも前記第１の方向に広い領域に渡って配設された、温度により抵抗が変化する線状の第１の抵抗線および第２の抵抗線を有し、
前記温度測定部は、前記第１の抵抗線および前記第２の抵抗線の抵抗値から温度を求める請求項１に記載の露光ヘッド。
【請求項６】
前記第１の抵抗線は、前記第２の抵抗線との境界で折り返して往復するように配設され、前記第２の抵抗線は、前記第１の抵抗線との境界で折り返して往復するように配設される請求項５に記載の露光ヘッド。
【請求項７】
潜像担持体と、
光を結像して前記潜像担持体に照射する結像光学系、前記結像光学系により結像される光を発光する発光素子を第１の方向に配設した基板、および、前記発光素子が配設された範囲を前記第１の方向に含み且つ当該範囲よりも前記第１の方向に広い領域に渡って前記基板に配設され、温度により抵抗が変化する抵抗部材を有する露光ヘッドと、
前記抵抗部材の抵抗値から温度を求める温度測定部と、
を備えたことを特徴とする画像形成装置。
【請求項８】
前記露光ヘッドは、前記基板に配設されて前記発光素子を駆動する薄膜トランジスター、および、前記薄膜トランジスターの発光素子の駆動を制御するドライバーＩＣを備え、
前記ドライバーＩＣは、前記抵抗部材の抵抗値を電圧値に変換して前記温度測定部に出力し、
前記温度測定部は、前記ドライバーＩＣより受け取った電圧値に基づいて温度を求める請求項７に記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、発光素子が発光する光により被露光面を露光する露光ヘッドに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、長手方向に並ぶ複数の発光素子を備え、各発光素子からの光を結像することで、複数の光のスポットを被露光面に形成する露光ヘッドが提案されている。このような露光ヘッドを用いて適切な露光を実行するにあたっては、スポットの光量を所定の適正範囲に収めることが求められる。しかしながら、発光素子の光量は温度によって変化するといった性質を持つため、温度変化に応じて発光素子の光量が変化してしまい、スポットの光量が適正範囲から外れてしまう場合があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−０１７４７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
そこで、例えば、特許文献１に記載されている技術を露光ヘッドに応用することが考えられる。すなわち、この特許文献１の技術では温度センサーが設けられており、温度センサーの検出温度に基づいて発光素子の発光を制御することで、発光素子の光量変化の抑制が試みられている。
【０００５】
しかしながら、このような温度センサーによる方法は、露光ヘッドにおける発光素子の光量制御には必ずしも適さないおそれがあった。つまり、この方法では、温度センサーの配設位置近傍の局所的な温度を検出することになるため、この検出温度が、露光ヘッド内で長手方向に配設された複数の発光素子の温度を適切に反映しているとは限らない。言い換えれば、これら発光素子全体の平均的な温度から検出温度が大きくずれてしまっていることも想定され、このような場合、検出温度に基づいて光量制御することで、逆に発光素子の光量が不適切なものになるおそれがある。そこで、露光ヘッドが備える各発光素子の平均的な温度を検出可能とする技術が望まれていた。
【０００６】
この発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、長手方向に発光素子を並べた露光ヘッドにおいて、各発光素子の平均的な温度を検出可能とする技術の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明にかかる露光ヘッドは、上記目的を達成するために、光を結像して被露光面に照射する結像光学系と、結像光学系により結像される光を発光する発光素子を第１の方向に配設した基板と、発光素子が配設された範囲を第１の方向に含み且つ当該範囲よりも第１の方向に広い領域に渡って基板に配設され、温度により抵抗が変化する抵抗部材と、抵抗部材の抵抗値から温度を求める温度測定部と、を備えたことを特徴とする露光ヘッド。
【０００８】
このように構成された発明（露光ヘッド）では、温度センサーではなく、温度により抵抗が変化する抵抗部材が用いられている。しかも、この抵抗部材は、発光素子が配設された範囲を第１の方向（発光素子の配設方向）に含み且つ当該範囲よりも第１の方向に広い領域に渡って基板に配設されている。したがって、この抵抗部材の抵抗値から温度を求めることで、第１の方向に配設された各発光素子の平均的な温度を検出することが可能となっている。
【０００９】
なお、基板に配設されて、発光素子を駆動する薄膜トランジスターを備えることができるが、このような場合では、抵抗部材は金属を基材とし、薄膜トランジスターの金属配線層と同じ層に形成されるように構成しても良い。これにより、抵抗部材と薄膜トランジスターの金属配線を同時に形成することができ、抵抗部材用に新たにプロセスやフォトマスクを用意する必要がなく、製造工程の簡素化やコストアップの抑制を図ることが可能となる。
【００１０】
また、抵抗部材は、発光素子が配設された範囲を第１の方向に含み且つ当該範囲よりも第１の方向に広い領域に渡って配設された、温度により抵抗が変化する線状の抵抗線を有し、温度測定部は、抵抗線の抵抗値に基づいて温度を求めるように構成しても良い。このように線状の抵抗線を用いることで、抵抗部材の抵抗値を高くすることができ、温度検出の感度を向上させることができる。
【００１１】
この際、抵抗線は、第１の方向の一端で折り返して、発光素子が配設された範囲を第１の方向に含み且つ当該範囲よりも第１の方向に広い領域を往復するように配設されているように構成しても良い。このように、抵抗線を往復させることで、抵抗線を長くとって抵抗部材の抵抗値をさらに高くすることができ、温度検出の感度を向上させることができる。
【００１２】
また、抵抗部材は、発光素子が配設された範囲を第１の方向に含み且つ当該範囲よりも第１の方向に広い領域に渡って配設された、温度により抵抗が変化する線状の第１の抵抗線および第２の抵抗線を有し、温度測定部は、第１の抵抗線および第２の抵抗線の抵抗値から温度を求めるように構成しても良い。このように線状の抵抗線を用いることで、抵抗部材の抵抗値を高くすることができ、温度検出の感度を向上させることができる。
【００１３】
また、第１の抵抗線は、第２の抵抗線との境界で折り返して往復するように配設され、第２の抵抗線は、第１の抵抗線との境界で折り返して往復するように配設されるように構成しても良い。このように、抵抗線を往復させることで、抵抗線を長くとって抵抗部材の抵抗値をさらに高くすることができ、温度検出の感度を向上させることができる。
【００１４】
また、この発明にかかる画像形成装置は、上記目的を達成するために、潜像担持体と、光を結像して潜像担持体に照射する結像光学系、結像光学系により結像される光を発光する発光素子を第１の方向に配設した基板、および、発光素子が配設された範囲を第１の方向に含み且つ当該範囲よりも第１の方向に広い領域に渡って基板に配設され、温度により抵抗が変化する抵抗部材を有する露光ヘッドと、抵抗部材の抵抗値から温度を求める温度測定部と、を備えたことを特徴としている。
【００１５】
このように構成された発明（画像形成装置）では、温度センサーではなく、温度により抵抗が変化する抵抗部材が用いられている。しかも、この抵抗部材は、発光素子が配設された範囲を第１の方向（発光素子の配設方向）に含み且つ当該範囲よりも第１の方向に広い領域に渡って基板に配設されている。したがって、この抵抗部材の抵抗値から温度を求めることで、第１の方向に配設された各発光素子の平均的な温度を検出することが可能となっている。
【００１６】
また、露光ヘッドは、基板に配設されて発光素子を駆動する薄膜トランジスター、および、薄膜トランジスターの発光素子の駆動を制御するドライバーＩＣを備えることができるが、このような場合では、ドライバーＩＣは、抵抗部材の抵抗値を電圧値に変換して温度測定部に出力し、温度測定部は、ドライバーＩＣより受け取った電圧値に基づいて温度を求めるように構成しても良い。このように、ドライバーＩＣで抵抗値を電圧値に変換することで、抵抗部材を温度測定部まで引き出す必要がなくなり、抵抗部材に乗るノイズを低減して、高精度な温度検出を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本実施形態にかかる画像形成装置の一実施形態を示す図。
【図２】図１の画像形成装置の電気的構成を示す図。
【図３】ラインヘッドの構造を示す部分斜視図。
【図４】ヘッド基板およびその周辺の構成を模式的に示す部分平面図。
【図５】金属抵抗線の抵抗値を測定する回路を示す回路図。
【図６】図５の電圧Ｖを増幅するアンプを示す回路図。
【図７】ヘッド基板およびその周辺の別の構成を模式的に示す部分平面図。
【図８】ヘッド基板およびその周辺のさらに別の構成を模式的に示す部分平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
第１実施形態
図１は本実施形態にかかる画像形成装置の一実施形態を示す図である。図２は図１の画像形成装置の電気的構成を示す図である。この装置は、イエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）およびブラック（Ｋ）の４色のトナーを重ね合わせてカラー画像を形成するカラーモードと、ブラック（Ｋ）のトナーのみを用いてモノクロ画像を形成するモノクロモードとを選択的に実行可能な画像形成装置である。この画像形成装置では、ホストコンピュータなどの外部装置から画像形成指令がＣＰＵやメモリーなどを有するメインコントローラーＭＣに与えられると、このメインコントローラーＭＣがエンジンコントローラーＥＣに制御信号を与え、これに基づき、エンジンコントローラーＥＣがエンジン部ＥＮＧおよびヘッドコントローラーＨＣなど装置各部を制御して所定の画像形成動作を実行し、複写紙、転写紙、用紙およびＯＨＰ用透明シートなどの記録材たるシートに画像形成指令に対応する画像を形成する。
【００１９】
この実施形態にかかる画像形成装置が有するハウジング本体（図示省略）の内部には、電源回路基板、メインコントローラーＭＣ、エンジンコントローラーＥＣおよびヘッドコントローラーＨＣを内蔵する電装品ボックス（図示省略）が設けられている。また、画像形成ユニット２、転写ベルトユニット８および二次転写ユニット１２もハウジング本体内に配設されている。
【００２０】
画像形成ユニット２は、複数の異なる色の画像を形成する４個の画像形成ステーション２Ｙ（イエロー用）、２Ｍ（マゼンタ用）、２Ｃ（シアン用）および２Ｋ（ブラック用）を備えている。なお、図１においては、画像形成ユニット２の各画像形成ステーションは構成が互いに同一のため、図示の便宜上一部の画像形成ステーションのみに符号を付し、他の画像形成ステーションについては符号を省略する。
【００２１】
各画像形成ステーション２Ｙ、２Ｍ、２Ｃおよび２Ｋには、それぞれの色のトナー像がその表面に形成される感光体ドラム２１が設けられている。各感光体ドラム２１はそれぞれ専用の感光体カートリッジに保持されており、感光体カートリッジと一体的に装置本体に対して着脱自在に構成されている。さらに、感光体カートリッジそれぞれには、当該感光体カートリッジに関する情報を記憶するための不揮発性のメモリーが設けられている。そして、エンジンコントローラーＥＣと各感光体カートリッジとの間で無線通信が行なわれる。こうすることで、各感光体カートリッジに関する情報がエンジンコントローラーＥＣに伝達されるとともに、必要に応じて各メモリーの情報が更新記憶される。これらの情報に基づき各感光体カートリッジの使用履歴や消耗品の寿命が管理される。
【００２２】
また、感光体カートリッジが装着された状態において、各感光体ドラム２１はその回転軸が主走査方向ＭＤ（図１の紙面に対して垂直な方向）に平行もしくは略平行となるように配置されている。また、各感光体ドラム２１の回転軸はそれぞれ専用の駆動モーターＤＭに接続され図中矢印Ｄ21の方向に所定速度で回転駆動される。これにより、感光体ドラム２１表面が、主走査方向ＭＤに直交もしくは略直交する副走査方向ＳＤに搬送される。このように本実施形態では、感光体ドラム２１の回転軸と駆動モーターＤＭとの間にギア等の動力伝達機構を設けること無く、感光体ドラム２１の回転軸を駆動モーターＤＭで直接駆動するダイレクトドライブ方式が採用されている。
【００２３】
また、感光体ドラム２１の周囲には、その回転方向に沿って帯電部２３、ラインヘッド２９、現像部２５、スクイーズローラーＳＱ1、ＳＱ2および感光体クリーナ２７が配設されている。そして、これらの機能部によって帯電動作、潜像形成動作およびトナー現像動作等が実行される。カラーモード実行時は、全ての画像形成ステーション２Ｙ、２Ｍ、２Ｃおよび２Ｋで形成されたトナー像を転写ベルトユニット８に設けた転写ベルト８１に重ね合わせてカラー画像を形成する。また、モノクロモード実行時は、画像形成ステーション２Ｋのみを動作させてブラック単色画像を形成する。
【００２４】
帯電部２３はいわゆるコロナ帯電器で構成されており、感光体ドラム２１表面に接触しない非接触型の帯電器である。この帯電部２３は、帯電電圧発生部（図示省略）に接続されており、帯電電圧発生部からの給電を受けて帯電部２３が感光体ドラム２１に対向する帯電位置で感光体ドラム２１の表面を所定の表面電位に帯電させる。
【００２５】
ラインヘッド２９は、その長手方向ＬＧＤが主走査方向ＭＤに平行もしくは略平行となるように、かつ、その幅方向ＬＴＤが副走査方向ＳＤに平行もしくは略平行となるように配置されている。ラインヘッド２９は、長手方向ＬＧＤに配列された複数の発光素子を備えており、感光体ドラム２１に対向配置されている。そして、帯電部２３により帯電された感光体ドラム２１の表面に、発光素子からの光を結像して静電潜像を形成する。
【００２６】
図３はラインヘッドの構造を示す部分斜視図である。ラインヘッド２９が有するヘッド基板２９４の裏面には、複数の発光素子Ｅが解像度に応じたピッチで長手方向ＬＧＤに並んでいる。各発光素子Ｅはヘッド基板２９４の裏面に形成された有機ＥＬ素子であり、いわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬ素子である。また、ヘッド基板２９４の表面には、屈折率分布型ロッドレンズアレイ２９７が対向して配置されている。したがって、発光素子Ｅが射出した光ビームは、ヘッド基板２９４の裏面から表面へと透過した後、ロッドレンズアレイ２９７により正立等倍で結像される。これにより、感光体ドラム２１の表面にスポットＳＰが形成されて、感光体ドラム２１表面に潜像が形成される。
【００２７】
このようなラインヘッド２９による潜像形成動作は、メインコントローラーＭＣおよびヘッドコントローラーＨＣにより制御される。なお、メインコントローラーＭＣ、ヘッドコントローラーＨＣおよび各ラインヘッド２９はそれぞれ別ブロックとして構成され、これらは互いにシリアル通信線を介して接続されている。各ブロック間でのデータのやりとり動作について、図２を参照しながら説明する。外部装置からメインコントローラーＭＣに画像形成指令が与えられると、メインコントローラーＭＣは、エンジンコントローラーＥＣにエンジン部ＥＮＧを起動させるための制御信号を送信する。また、メインコントローラーＭＣに設けられた画像処理部１００が、画像形成指令に含まれる画像データに対して所定の信号処理を行い、各トナー色ごとのビデオデータＶＤを生成する。
【００２８】
一方、制御信号を受けたエンジンコントローラーＥＣは、エンジン部ＥＮＧ各部の初期化およびウォームアップを開始する。これらが完了して画像形成動作を実行可能な状態になると、エンジンコントローラーＥＣは、各ラインヘッド２９を制御するヘッドコントローラーＨＣに対し画像形成動作の開始のきっかけとなる同期信号Ｖsyncを出力する。
【００２９】
ヘッドコントローラーＨＣには、各ラインヘッド２９を制御するヘッド制御モジュール４００と、メインコントローラーＭＣとのデータ通信を司るヘッド側通信モジュール３００とが設けられている。一方、メインコントローラーＭＣにはメイン側通信モジュール２００が設けられている。メイン側通信モジュール２００は、ヘッド側通信モジュール３００からの要求毎に１ライン分のビデオデータＶＤをヘッド側通信モジュール３００に出力する。ヘッド側通信モジュール３００は、このビデオデータＶＤをヘッド制御モジュール４００に受け渡す。そして、ヘッド制御モジュール４００は受け取ったビデオデータＶＤに基づいて各ラインヘッド２９の発光素子を発光させることで、形成すべき画像の幅を主走査方向ＭＤに有する１ライン分のライン潜像を形成する。このライン潜像形成は、感光体ドラム２１表面の副走査方向ＳＤへの移動に応じて順次実行され、その結果、２次元の潜像が感光体ドラム２１表面に形成される。こうして形成された潜像は現像部２５（図１）によりトナー像として現像される。
【００３０】
以上が、本発明を適用可能なラインヘッド２９および画像形成装置の概要である。続いて、このラインヘッド２９のより詳細な構成について説明する。図４は、ラインヘッドが備えるヘッド基板およびその周辺の構成を模式的に示す部分平面図である。上述したような主走査方向ＭＤに画像幅を有するライン潜像を形成するために、ラインヘッド２９が備える複数の発光素子Ｅは、画像幅に応じた幅を長手方向ＬＧＤに有する素子形成領域ＡＲeに渡って並んでいる。より詳しくは、これら発光素子Ｅは、所定の発光素子ピッチで２行千鳥で長手方向ＬＧＤへ並んでいる。
【００３１】
これら発光素子Ｅに対して幅方向ＬＴＤの一方側には、駆動トランジスター２９４１として機能する薄膜トランジスター（ＴＦＴ、thin film transistor）が形成されており、各発光素子Ｅは駆動トランジスター２９４１と配線によって電気的に接続されている。そして、発光素子Ｅは、駆動トランジスター２９４１からの駆動信号の供給を受けて、この駆動信号の大きさに応じた光量で発光する。
【００３２】
この駆動トランジスター２９４１による発光素子Ｅの駆動の制御は、転送制御回路２９４３、フレキシブルプリント基板２９４５およびドライバーＩＣ２９４７の協働により行なわれる。転送制御回路２９４３は、駆動トランジスター２９４１に対して幅方向ＬＴＤの一方側に配置されており、駆動トランジスター２９４１と配線によって電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板２９４５は、ヘッド基板２９４から引き出されるようにして取り付けられており、ヘッド制御モジュール４００（図２）との信号の送受信機能を果たす。また、ドライバーＩＣ２９４７は、フレキシブルプリント基板２９４５の上に搭載されている。
【００３３】
ヘッド制御モジュール４００が出力したビデオデータＶＤは、フレキシブルプリント基板２９４５上のドライバーＩＣ２９４７を介して、転送制御回路２９４３に受け渡される。そして、転送制御回路２９４３は、ビデオデータＶＤが示す光量で発光素子Ｅを発光させるように駆動トランジスター２９４１を制御し、この制御下で駆動トランジスター２９４１が発光素子Ｅを発光させる。
【００３４】
また、ヘッド基板２９４には、温度により抵抗が変化する、線幅数μｍ〜数十μｍを有する線状の金属抵抗線ＭＲ（抵抗部材）が、複数の発光素子Ｅに添って形成されている。この際、このような線幅の細い金属抵抗線ＭＲを形成するために、ヘッド基板２９４は、ガラス基板やセラミック基板であることが望ましい。この金属抵抗線ＭＲは、素子形成領域ＡＲeを長手方向ＬＧＤに含み且つ当該素子形成領域ＡＲeよりも長手方向ＬＧＤに広い抵抗配線領域ＡＲrに渡って形成されている。換言すれば、金属抵抗線ＭＲは、長手方向ＬＧＤにおいて素子形成領域ＡＲeの両端からはみ出すようにして形成されている。
【００３５】
より詳しくは、この金属抵抗線ＭＲは、素子形成領域ＡＲeの長手方向ＬＧＤ一方側において、ドライバーＩＣ２９４７から幅方向ＬＴＤに階段状に引き出されている。こうして複数の発光素子Ｅの幅方向ＬＴＤの他方側にまで引き出された金属抵抗線ＭＲは、素子形成領域ＡＲeの長手方向ＬＧＤの他方側から一方側にまで引き出された後に折り返されて、再び素子形成領域ＡＲeの長手方向ＬＧＤの他方側に引き戻される。そして、素子形成領域ＡＲeの長手方向ＬＧＤの他方側に戻った金属抵抗線ＭＲは、素子形成領域ＡＲeの長手方向ＬＧＤ一方側において、ドライバーＩＣ２９４７にまで幅方向ＬＴＤに階段状に引き戻される。こうして、金属抵抗線ＭＲは、長手方向ＬＧＤの一方端で折り返して、素子形成領域ＡＲeよりも広い抵抗配線領域ＡＲrを往復するように形成されている。
【００３６】
ちなみに、この金属抵抗線ＭＲは、アルミあるいはアルミと銅の合金を基材とするものであり、数十kΩの抵抗値を持ち、温度１℃あたり０．１〜１％程度の抵抗上昇を示す。また、この金属抵抗線ＭＲは、駆動トランジスター２９４１（薄膜トランジスター）の金属配線層（具体的には、ゲート電極あるいはソース電極の配線層）と同じ層に形成されている。これにより、金属抵抗線ＭＲと駆動トランジスター２９４１（薄膜トランジスター）の金属配線を同時に形成することができ、金属抵抗線ＭＲ用に新たにプロセスやフォトマスクを用意する必要がなく、製造工程の簡素化やコストアップの抑制を図ることが可能となる。また、このような金属配線層を多層に設ける場合は、他の層との交差を考慮して、ヘッド基板２９４からフレキシブルプリント基板２９４５への引き出しが容易になる配線層に金属抵抗線ＭＲを設ければ良い。
【００３７】
図５は、金属抵抗線の抵抗値を測定する回路を示す回路図であり、図６は、図５の電圧Ｖを増幅するアンプを示す回路図である。図５に示すように、金属抵抗線ＭＲは、値が既知の３つの抵抗Ｒ1〜Ｒ3とホイートストンブリッジを構成しており、このホイートストンブリッジの中間点の電位差Ｖが、金属抵抗線ＭＲの抵抗値に対応する電圧値となる。なお、金属抵抗線ＭＲ以外の図５に示す構成は、ドライバーＩＣ２９４７に内蔵されている。この電位差Ｖは、ドライバーＩＣ２９４７内の図６に示すアンプにより増幅された後に、同じくドライバーＩＣ２９４７内のＡ／Ｄコンバーターに受け渡される。このＡ／Ｄコンバーターは、金属抵抗線ＭＲの抵抗値に対応する電圧値をデジタル信号に変換してヘッド制御モジュール４００（図２）に出力する。
【００３８】
一方、ヘッド制御モジュール４００は、受け取ったデジタル信号が示す金属抵抗線ＭＲの抵抗値から温度を求める。具体的には、ある特定の温度における金属抵抗線ＭＲの抵抗値を記憶するとともに、温度変化に対する金属抵抗線ＭＲの抵抗値の変化率を予め記憶しておけば、金属抵抗線ＭＲの抵抗値から温度を求めることができる。そして、ヘッド制御モジュール４００は、この求めた温度において発光素子Ｅを所望の光量で発光させるための駆動信号値を求め、以後の潜像形成動作では当該駆動信号値を発光素子Ｅに供給するように、ドライバーＩＣ２９４７、転送制御回路２９４３および駆動トランジスター２９４１を制御する。
【００３９】
以上のように第１実施形態では、温度センサーではなく、温度により抵抗が変化する金属抵抗線ＭＲが用いられている。しかも、この金属抵抗線ＭＲは、素子形成領域ＡＲeを長手方向ＬＧＤに含み且つ当該素子形成領域ＡＲeよりも長手方向ＬＧＤに広い領域ＡＲrに渡ってヘッド基板２９４に配設されている。したがって、この金属抵抗線ＭＲの抵抗値から温度を求めることで、長手方向ＬＧＤに形成された各発光素子Ｅの平均的な温度を正確に検出することが可能となっている。
【００４０】
また、第１実施形態は、線状の金属抵抗線ＭＲの抵抗値に基づいて温度を求めるように構成しており、好適である。なぜなら、このように線状の抵抗線ＭＲを用いることで、抵抗線ＭＲの抵抗値を高くすることができ、温度検出の感度を向上させることができるからである。
【００４１】
また、第１実施形態では、金属抵抗線ＭＲは、長手方向ＬＧＤの一端で折り返して、素子形成領域ＡＲeよりも長手方向ＬＧＤに広い領域ＡＲrを往復するように形成されており、好適である。なぜなら、このように抵抗線を往復させることで、抵抗線を長くとって抵抗部材の抵抗値をさらに高くすることができ、温度検出の感度を向上させることができるからである。さらには、往復させることで金属抵抗線ＭＲの引き出し位置を一箇所にまとめることができるといった利点もある。
【００４２】
また、第１実施形態では、ドライバーＩＣ２９４７は、金属抵抗線ＭＲの抵抗値を電圧値に変換してヘッド制御モジュール４００に出力しており好適である。なぜなら、このように、ドライバーＩＣ２９４７で抵抗値を電圧値に変換することで、金属抵抗線ＭＲをヘッド制御モジュール４００まで引き出す必要がなくなり、金属抵抗線ＭＲに乗るノイズを低減して、高精度な温度検出を図ることができるからである。
【００４３】
また、第１実施形態のように、有機ＥＬ素子を発光素子Ｅとして用いたラインヘッド２９に対しては本発明を適用することが特に好適である。つまり、有機ＥＬ素子は温度によって光量が顕著に変化するという性質を有する。これに対して、本発明を適用すれば、平均的な温度を正確に検出することができるため、温度変化に伴う光量補正を確実に行うことができる。
【００４４】
また、第１実施形態のように、駆動トランジスター２９４１により発光素子Ｅを駆動するラインヘッド２９に対しては本発明を適用することが特に好適である。つまり、駆動トランジスター２９４１は動作することで発熱するため、これによって発光素子Ｅの光量が変化するおそれがある。これに対して、本発明を適用すれば、平均的な温度を正確に検出することができるため、温度変化に伴う光量補正を確実に行うことができる。
【００４５】
第２実施形態
図７は、ラインヘッドが備えるヘッド基板およびその周辺の別の構成を模式的に示す部分平面図である。なお、第２実施形態と第１実施形態の違いは、金属抵抗線ＭＲの配設態様とこの周囲構成のみであるので、以下ではこの違いについて主に説明することとし、共通点については相当符号を付して説明を省略する。なお、共通する構成から、第１実施形態と同様の作用効果が奏されることは言うまでも無い。
【００４６】
第２実施形態では、素子形成領域ＡＲeを長手方向ＬＧＤに含み且つ当該素子形成領域ＡＲeよりも長手方向ＬＧＤに広い抵抗配線領域ＡＲrに渡って、２つの金属抵抗線ＭＲa、ＭＲb（抵抗部材）が長手方向ＬＧＤに若干の隙間を空けて並んでいる。換言すれば、長手方向ＬＧＤにおいて、金属抵抗線ＭＲaの他方端が素子形成領域ＡＲeからはみ出すとともに、金属抵抗線ＭＲbの一方端が素子形成領域ＡＲeからはみ出すように、２つの金属抵抗線ＭＲa、ＭＲbは形成されている。
【００４７】
金属抵抗線ＭＲaは、素子形成領域ＡＲeの長手方向ＬＧＤ一方側において、ドライバーＩＣ２９４７から幅方向ＬＴＤに階段状に引き出されている。こうして複数の発光素子Ｅの幅方向ＬＴＤの他方側にまで引き出された金属抵抗線ＭＲaは、素子形成領域ＡＲeの長手方向ＬＧＤの他方側から略中央にまで引き出された後に折り返されて、再び素子形成領域ＡＲeの長手方向ＬＧＤの他方側に引き戻される。そして、素子形成領域ＡＲeの長手方向ＬＧＤの他方側に戻った金属抵抗線ＭＲaは、素子形成領域ＡＲeの長手方向ＬＧＤ一方側において、ドライバーＩＣ２９４７にまで幅方向ＬＴＤに階段状に引き戻される。一方、金属抵抗線ＭＲbは、金属抵抗線ＭＲaと左右対称となる配設態様を有する。こうして、金属抵抗線ＭＲaは、金属抵抗線ＭＲbとの境界で折り返して往復するように形成され、金属抵抗線ＭＲbは、金属抵抗線ＭＲaとの境界で折り返して往復するように形成されている。また、金属抵抗線ＭＲa、ＭＲbの引き出し位置に対応して、長手方向ＬＧＤの２箇所にフレキシブルプリント基板２９４５a、２９４５bが設けられるとともに、各フレキシブルプリント基板２９４５a、２９４５bにはドライバーＩＣ２９４７a、２９４７bが搭載されている。
【００４８】
以上のように第２実施形態では、温度センサーではなく、温度により抵抗が変化する金属抵抗線ＭＲa、ＭＲbが用いられている。しかも、この金属抵抗線ＭＲa、ＭＲbは、素子形成領域ＡＲeを長手方向ＬＧＤに含み且つ当該素子形成領域ＡＲeよりも長手方向ＬＧＤに広い領域ＡＲrに渡ってヘッド基板２９４に配設されている。したがって、この金属抵抗線ＭＲa、ＭＲbの抵抗値から温度を求めることで、長手方向ＬＧＤに形成された各発光素子Ｅの平均的な温度を検出することが可能となっている。
【００４９】
また、第２実施形態は、線状の金属抵抗線ＭＲa、ＭＲbの抵抗値に基づいて温度を求めるように構成しており、好適である。なぜなら、このように線状の抵抗線ＭＲa、ＭＲbを用いることで、抵抗線ＭＲa、ＭＲbの抵抗値を高くすることができ、温度検出の感度を向上させることができるからである。
【００５０】
また、第２実施形態では、金属抵抗線ＭＲa、ＭＲbは、互いとの境界で折り返して往復するように形成されており、好適である。なぜなら、このように抵抗線ＭＲa、ＭＲbを往復させることで、抵抗線ＭＲa、ＭＲbを長くとって抵抗線ＭＲa、ＭＲbの抵抗値をさらに高くすることができ、温度検出の感度を向上させることができるからである。
【００５１】
第３実施形態
上記実施形態では、正立等倍の屈折率分布型のロッドレンズアレイを結像光学系として用いたラインヘッド２９に対して本発明を適用した場合について説明した。しかしながら、ラインヘッド２９で用いられる光学系はこれに限られず、例えば、特開２００９−１１３２０４号公報に記載のように、正立等倍でないレンズを長手方向ＬＧＤに千鳥状に配置した光学系を用いることもできる。そこで、第３実施形態では、このようなラインヘッド２９に対して本発明を適用する場合について説明する。なお、共通する構成から、上記実施形態と同様の作用効果が奏されることは言うまでも無い。
【００５２】
図８は、ラインヘッドが備えるヘッド基板およびその周辺のさらに別の構成を模式的に示す部分平面図である。同図では、レンズＬＳが一点鎖線で記されているが、これは、ヘッド基板２９４上の構成とレンズＬＳの位置関係を示すためのものであり、ヘッド基板２９４上にレンズＬＳが配置されていることを示すものではない。
【００５３】
このラインヘッド２９では、１２個の発光素子Ｅが１つの発光素子グループＥＧとしてグループ化されており、さらに、レンズＬＳの２行千鳥配列に対応して、複数の発光素子グループＥＧが長手方向ＬＧＤに２行千鳥で並んでいる。各発光素子グループＥＧに対しては、幅方向ＬＴＤの両側に駆動トランジスター２９４１が形成されており、これらは電気的に接続されている。また、複数の発光素子グループＥＧを幅方向ＬＴＤ両側から挟むようにして転送制御回路２９４３が設けられるとともに、さらに幅方向ＬＴＤの両外側にフレキシブルプリント基板２９４５が設けられている。
【００５４】
そして、第３実施形態では、金属抵抗線ＭＲは、２行千鳥で並ぶ複数のレンズＬＳの１行目のレンズＬＳと２行目のレンズＬＳの間を通り抜けるようにして形成されている。より詳しくは、金属抵抗線ＭＲは、素子形成領域ＡＲeを長手方向ＬＧＤに含み且つ当該素子形成領域ＡＲeよりも長手方向ＬＧＤに広い抵抗配線領域ＡＲrに渡って形成されている。
【００５５】
以上のように第３実施形態では、温度センサーではなく、温度により抵抗が変化する金属抵抗線ＭＲa、ＭＲbが用いられている。しかも、この金属抵抗線ＭＲa、ＭＲbは、素子形成領域ＡＲeを長手方向ＬＧＤに含み且つ当該素子形成領域ＡＲeよりも長手方向ＬＧＤに広い領域ＡＲrに渡ってヘッド基板２９４に配設されている。したがって、この金属抵抗線ＭＲa、ＭＲbの抵抗値から温度を求めることで、長手方向ＬＧＤに形成された各発光素子Ｅの平均的な温度を検出することが可能となっている。
【００５６】
その他
以上のように、上記実施形態では、ラインヘッド２９が本発明の「露光ヘッド」に相当し、感光体ドラム２１が本発明の「潜像担持体」に相当し、主走査方向ＭＤあるいは長手方向ＬＧＤが本発明の「第１の方向」に相当し、ヘッド基板２９４が本発明の「基板」に相当し、ヘッド制御モジュール４００が本発明の「温度測定部」に相当している。また、第１・第３実施形態では、金属抵抗線ＭＲが本発明の「抵抗部材」に相当し、第２実施形態では、２つの金属抵抗線ＭＲa、ＭＲbが協働して本発明の「抵抗部材」として機能している。また、第１・第２実施形態では、レンズアレイ２９７が本発明の「結像光学系」として機能し、第３実施形態では、レンズＬＳが本発明の「結像光学系」として機能している。
【００５７】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したものに対して種々の変更を加えることが可能である。例えば、上記実施形態では、ヘッド基板２９４上の全ての発光素子Ｅが、結像光学系に結像されて露光（潜像形成）に供する光を射出するとして説明した。しかしながら、露光に供する光を射出することのないダミー発光素子Ｅをヘッド基板２９４に設けておくこともできる。ただし、このような場合は、金属抵抗線ＭＲで測定する温度にダミー発光素子Ｅ近傍の温度を反映させなくても良い。したがって、結像光学系に結像されて露光に供する光を射出する発光素子Ｅが形成された領域を素子形成領域ＡＲeと定めて、金属抵抗線ＭＲの形成位置を決めれば良く、ダミー発光素子Ｅの位置にまで素子形成領域ＡＲeを拡張しなくても良い。
【００５８】
また、上記実施形態では、素子形成領域ＡＲeにおいて金属抵抗線ＭＲがまっすぐに形成されているが、例えば、ジグザグ状に形成することもできる。
【００５９】
また、上記実施形態では、複数の発光素子Ｅの幅方向ＬＴＤの他方側で、金属抵抗線ＭＲ、は往復配置されているが、例えば、複数の発光素子Ｅ（や駆動トランジスター２９４１、転送制御回路２９４３）を取り囲むようにして、金属抵抗線ＭＲを引き回しても良い。
【００６０】
また、上記実施形態では、金属抵抗線ＭＲ、ＭＲa、ＭＲbは交差しないように引き回されているが、多層配線可能なヘッド基板２９４を用いた場合には、これらを交差させることもできる。
【００６１】
また、上記実施形態では、薄膜トランジスター２９４１（駆動トランジスター２９４１）により発光素子Ｅを駆動するように構成したが、発光素子Ｅを駆動する構成はこれに限られず、種々の変更が可能である。
【００６２】
また、上記実施形態では、金属抵抗線ＭＲ、ＭＲa、ＭＲbを往復させていたが、このように構成することは必須ではない。
【００６３】
また、上記実施形態では、ドライバーＩＣ２９４７をフレキシブルプリント基板２９４５上に搭載していたが、ドライバーＩＣ２９４７の搭載位置はこれに限られず、ヘッド基板２９４の上に搭載してもよく、この際、ドライバーＩＣ２９４７と転送制御回路２９４３を一体的に構成しても良い。
【００６４】
また、上記実施形態では、ホイートストンブリッジにより金属抵抗線ＭＲ、ＭＲa、ＭＲbの抵抗値を測定していたが、抵抗値の測定方法はこれに限られない。
【００６５】
また、上記実施形態では、抵抗値に相当する電圧値ＶをＡ／Ｄ変換していたが、これは必須ではなく、アナログ信号のまま電圧値Ｖのやりとりを行なうように構成しても良い。
【００６６】
また、上述の有機ＥＬ素子以外に、ＬＥＤ（Light Emitting Diode)等の光源を、発光素子Ｅとして用いることもできる。
【符号の説明】
【００６７】
２９７…レンズアレイ、  ＬＧＤ…長手方向、  ＭＤ…主走査方向、  ２９４…ヘッド基板、  ＭＲ、ＭＲa、ＭＲb…金属抵抗線、  ４００…ヘッド制御モジュール、  ２９４１…駆動トランジスター、  ２９４３…転送制御回路、  ２９４５…フレキシブルプリント基板、  ２９４７…ドライバーＩＣ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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