(57)【要約】【課題】アモルファスシリコン太陽電池を構成する各層を同一波長のレーザー光線によって分割することを可能とし、各単位セルを直列に接続したアモルファスシリコン太陽電池を製造する方法を提供する。【解決手段】透明絶縁基板に積層された透明電極層を単位セル透明電極に分割する透明電極層分割工程と、単位セル透明電極に積層されたアモルファスシリコン層を単位セルアモルファスシリコン層に分割するアモルファスシリコン層分割工程と、単位セルアモルファスシリコン層に積層された金属電極層を単位セル金属電極に分割する金属電極層分割工程は、グリーン光領域または近赤外線領域の同一波長を有しパルス幅が５０ps以下または３０ps以下のパルスレーザー光線を各層に対応した出力にそれぞれ調整して照射することにより、透明電極層とアモルファスシリコン層と金属電極層を単位セルに分割する。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明絶縁基板と、該透明絶縁基板に積層されn型半導体層を兼ねる透明電極層と、該透明電極層に積層されp型半導体層となるアモルファスシリコン層と、該アモルファスシリコン層に積層される金属電極層とから構成されるアモルファスシリコン太陽電池の製造方法であって、
該透明絶縁基板に該透明電極層を積層する透明電極層積層工程と、
該透明絶縁基板に積層された該透明電極層を、複数の単位セル透明電極に分割する透明電極層分割工程と、
該複数の単位セル透明電極に該アモルファスシリコン層を積層するアモルファスシリコン層積層工程と、
該複数の単位セル透明電極に積層された該アモルファスシリコン層を、隣接する単位セル透明電極に僅かに跨るように複数の単位セルアモルファスシリコン層に分割するアモルファスシリコン層分割工程と、
該複数の単位セルアモルファスシリコン層に金属電極層を積層する金属電極層積層工程と、
該複数の単位セルアモルファスシリコン層に積層された該金属電極層を、隣接する該単位セル透明電極に僅かに跨るように該単位セルアモルファスシリコン層の一方の側面を覆い該単位セル透明電極に連結するように該金属電極層の一部を残し該単位セルアモルファスシリコン層の他方の側面には該金属電極層を残さないように複数の単位セル金属電極に分割する金属電極層分割工程と、を含み、
該透明電極層分割工程と該アモルファスシリコン層分割工程および該金属電極層分割工程は、グリーン光領域の同一波長を有しパルス幅が５０ps以下のパルスレーザー光線を各層に対応した出力にそれぞれ調整して照射することにより、該透明電極層と該アモルファスシリコン層と該金属電極層を単位セルに分割する、
ことを特徴とするアモルファスシリコン太陽電池の製造方法。
【請求項２】
該パルスレーザー光線の波長は、５１５nmまたは５３２nmに設定されている、請求項１記載のアモルファスシリコン太陽電池の製造方法。
【請求項３】
該透明電極層分割工程において照射するパルスレーザー光線の１パルス当たりの出力は１０〜２５μJに設定され、上記アモルファスシリコン層分割工程において照射するパルスレーザー光線の１パルス当たりの出力は２５〜３５μJに設定され、上記金属電極層分割工程において照射するパルスレーザー光線の１パルス当たりの出力は２５〜４０μJに設定されている、請求項１または２記載のアモルファスシリコン太陽電池の製造方法。
【請求項４】
透明絶縁基板と、該透明絶縁基板に積層されn型半導体層を兼ねる透明電極層と、該透明電極層に積層されp型半導体層となるアモルファスシリコン層と、該アモルファスシリコン層に積層される金属電極層とから構成されるアモルファスシリコン太陽電池の製造方法であって、
該透明絶縁基板に該透明電極層を積層する透明電極層積層工程と、
該透明絶縁基板に積層された該透明電極層を、複数の単位セル透明電極に分割する透明電極層分割工程と、
該複数の単位セル透明電極に該アモルファスシリコン層を積層するアモルファスシリコン層積層工程と、
該複数の単位セル透明電極に積層された該アモルファスシリコン層を、隣接する単位セル透明電極に僅かに跨るように複数の単位セルアモルファスシリコン層に分割するアモルファスシリコン層分割工程と、
該複数の単位セルアモルファスシリコン層に金属電極層を積層する金属電極層積層工程と、
該複数の単位セルアモルファスシリコン層に積層された該金属電極層を、隣接する該単位セル透明電極に僅かに跨るように該単位セルアモルファスシリコン層の一方の側面を覆い該単位セル透明電極に連結するように該金属電極層の一部を残し該単位セルアモルファスシリコン層の他方の側面には該金属電極層を残さないように複数の単位セル金属電極に分割する金属電極層分割工程と、を含み、
該透明電極層分割工程と該アモルファスシリコン層分割工程および該金属電極層分割工程は、近赤外線領域の同一波長を有しパルス幅が３０ps以下のパルスレーザー光線を各層に対応した出力にそれぞれ調整して照射することにより、該透明電極層と該アモルファスシリコン層と該金属電極層を単位セルに分割する、
ことを特徴とするアモルファスシリコン太陽電池の製造方法。
【請求項５】
該パルスレーザー光線の波長は、１０３０nmまたは１０６４nmに設定されている、請求項４記載のアモルファスシリコン太陽電池の製造方法。
【請求項６】
該透明電極層分割工程において照射するパルスレーザー光線の１パルス当たりの出力は２．５〜７．５μJに設定され、上記アモルファスシリコン層分割工程において照射するパルスレーザー光線の１パルス当たりの出力は１０〜２０μJに設定され、上記金属電極層分割工程において照射するパルスレーザー光線の１パルス当たりの出力は２０〜３０μJに設定されている、請求項４または５記載のアモルファスシリコン太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽エネルギーを電力に変換するアモルファスシリコン太陽電池の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アモルファスシリコン太陽電池は、ガラス板または透明高分子フィルム等の透明絶縁基板と、該透明絶縁基板に積層されn型半導体層を兼ねる透明電極層と、該透明電極層に積層されp型半導体層となるアモルファスシリコン層と、該アモルファスシリコン層に積層される金属電極層とから構成されている。
【０００３】
上述したアモルファスシリコン太陽電池は、効率よく電力を取り出すために図９に示すように複数の単位セルに分割し、それぞれの単位セルを直列に接続して構成されている。即ち、図９に示すようにガラス板または透明高分子フィルム等の透明絶縁基板２の表面に酸化亜鉛(ZnO) 等の透明導電材料からなる単位セル透明電極３１，３２，３３・・・を短冊状に形成し、該単位セル透明電極３１，３２，３３・・・の表面に光起電力発生部である単位セルアモルファスシリコン層４１，４２，４３・・・を形成し、該単位セルアモルファスシリコン層４１，４２，４３・・・の表面に銀(Ag)等の金属膜からなる単位セル金属電極５１，５２，５３・・・形成してアモルファスシリコン太陽電池を構成する。このように構成されたアモルファスシリコン太陽電池は、単位セルアモルファスシリコン層４１，４２，４３・・・が隣接する単位セル透明電極３１，３２，３３・・・に僅かに跨るように形成され、単位セル金属電極５１，５２，５３・・・が隣接する単位セル透明電極３１，３２，３３・・・に僅かに跨るように単位セルアモルファスシリコン層４１，４２，４３・・・の一方の側面を覆い単位セル金属電極５１，５２，５３・・・に連結するように形成することにより、各単位セルアモルファスシリコン太陽電池２０-１，２０-２，２０-３・・・は直列に接続された構造となる。（例えば、特許文献１参照。）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平６−１０４４６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した各単位セルを直列に接続したアモルファスシリコン太陽電池を構成するには、各層を全面に被覆した後に、その都度レーザースクライビング法により各層に分割溝を形成する。しかるに、各層の特性に合わせて波長の異なるレーザー光線を照射することによりレーザースクライビングしており、生産性が悪いという問題がある。即ち、レーザー光線を発振するレーザー光線発振器は所定の波長に特定されており、波長が異なるレーザー光線によってレーザー加工を行う場合には、レーザー光線発振器を交換するか別のレーザー加工装置によって実施しなければならない。
【０００６】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、アモルファスシリコン太陽電池を構成する各層を同一波長のレーザー光線によって分割することを可能とし、各単位セルを直列に接続したアモルファスシリコン太陽電池を製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、透明絶縁基板と、該透明絶縁基板に積層されn型半導体層を兼ねる透明電極層と、該透明電極層に積層されp型半導体層となるアモルファスシリコン層と、該アモルファスシリコン層に積層される金属電極層とから構成されるアモルファスシリコン太陽電池の製造方法であって、
該透明絶縁基板に該透明電極層を積層する透明電極層積層工程と、
該透明絶縁基板に積層された該透明電極層を、複数の単位セル透明電極に分割する透明電極層分割工程と、
該複数の単位セル透明電極に該アモルファスシリコン層を積層するアモルファスシリコン層積層工程と、
該複数の単位セル透明電極に積層された該アモルファスシリコン層を、隣接する単位セル透明電極に僅かに跨るように複数の単位セルアモルファスシリコン層に分割するアモルファスシリコン層分割工程と、
該複数の単位セルアモルファスシリコン層に金属電極層を積層する金属電極層積層工程と、
該複数の単位セルアモルファスシリコン層に積層された該金属電極層を、隣接する該単位セル透明電極に僅かに跨るように該単位セルアモルファスシリコン層の一方の側面を覆い該単位セル透明電極に連結するように該金属電極層の一部を残し該単位セルアモルファスシリコン層の他方の側面には該金属電極層を残さないように複数の単位セル金属電極に分割する金属電極層分割工程と、を含み、
該透明電極層分割工程と該アモルファスシリコン層分割工程および該金属電極層分割工程は、グリーン光領域の同一波長を有しパルス幅が５０ps以下のパルスレーザー光線を各層に対応した出力にそれぞれ調整して照射することにより、該透明電極層と該アモルファスシリコン層と該金属電極層を単位セルに分割する、
ことを特徴とするアモルファスシリコン太陽電池の製造方法が提供される。
【０００８】
上記パルスレーザー光線の波長は、５１５nmまたは５３２nmに設定されている。
また、上記透明電極層分割工程において照射するパルスレーザー光線の１パルス当たりの出力は１０〜２５μJに設定され、上記アモルファスシリコン層分割工程において照射するパルスレーザー光線の１パルス当たりの出力は２５〜３５μJに設定され、上記金属電極層分割工程において照射するパルスレーザー光線の１パルス当たりの出力は２５〜４０μJに設定されている。
【０００９】
また、本発明によれば、透明絶縁基板と、該透明絶縁基板に積層されn型半導体層を兼ねる透明電極層と、該透明電極層に積層されp型半導体層となるアモルファスシリコン層と、該アモルファスシリコン層に積層される金属電極層とから構成されるアモルファスシリコン太陽電池の製造方法であって、
該透明絶縁基板に該透明電極層を積層する透明電極層積層工程と、
該透明絶縁基板に積層された該透明電極層を、複数の単位セル透明電極に分割する透明電極層分割工程と、
該複数の単位セル透明電極に該アモルファスシリコン層を積層するアモルファスシリコン層積層工程と、
該複数の単位セル透明電極に積層された該アモルファスシリコン層を、隣接する単位セル透明電極に僅かに跨るように複数の単位セルアモルファスシリコン層に分割するアモルファスシリコン層分割工程と、
該複数の単位セルアモルファスシリコン層に金属電極層を積層する金属電極層積層工程と、
該複数の単位セルアモルファスシリコン層に積層された該金属電極層を、隣接する該単位セル透明電極に僅かに跨るように該単位セルアモルファスシリコン層の一方の側面を覆い該単位セル透明電極に連結するように該金属電極層の一部を残し該単位セルアモルファスシリコン層の他方の側面には該金属電極層を残さないように複数の単位セル金属電極に分割する金属電極層分割工程と、を含み、
該透明電極層分割工程と該アモルファスシリコン層分割工程および該金属電極層分割工程は、近赤外線領域の同一波長を有しパルス幅が３０ps以下のパルスレーザー光線を各層に対応した出力にそれぞれ調整して照射することにより、該透明電極層と該アモルファスシリコン層と該金属電極層を単位セルに分割する、
ことを特徴とするアモルファスシリコン太陽電池の製造方法が提供される。
【００１０】
上記パルスレーザー光線の波長は、１０３０nmまたは１０６４nmに設定されている。
また、上記透明電極層分割工程において照射するパルスレーザー光線の１パルス当たりの出力は２．５〜７．５μJに設定され、上記アモルファスシリコン層分割工程において照射するパルスレーザー光線の１パルス当たりの出力は１０〜２０μJに設定され、上記金属電極層分割工程において照射するパルスレーザー光線の１パルス当たりの出力は２０〜３０μJに設定されている。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によるアモルファスシリコン太陽電池の製造方法においては、透明電極層分割工程とアモルファスシリコン層分割工程および金属電極層分割工程は、グリーン光領域の同一波長を有しパルス幅が５０ps以下のパルスレーザー光線を各層に対応した出力にそれぞれ調整して照射することにより、透明電極層とアモルファスシリコン層と金属電極層を単位セルに分割するので、同一波長を有するパルスレーザー光線によって各層の分割が可能となり、生産性を向上することができる。
また、本発明によるアモルファスシリコン太陽電池の製造方法においては、透明電極層分割工程とアモルファスシリコン層分割工程および金属電極層分割工程は、近赤外線領域の同一波長を有しパルス幅が３０ps以下のパルスレーザー光線を各層に対応した出力にそれぞれ調整して照射することにより、透明電極層とアモルファスシリコン層と金属電極層を単位セルに分割するので、同一波長を有するパルスレーザー光線によって各層の分割が可能となり、生産性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】アモルファスシリコン太陽電池を構成する基板としての透明絶縁基板の斜視図。
【図２】本発明によるアモルファスシリコン太陽電池の製造方法における透明電極層積層工程の説明図。
【図３】本発明によるアモルファスシリコン太陽電池の製造方法における透明電極層分割工程の説明図。
【図４】本発明によるアモルファスシリコン太陽電池の製造方法におけるアモルファスシリコン層積層工程の説明図。
【図５】本発明によるアモルファスシリコン太陽電池の製造方法におけるアモルファスシリコン層分割工程の説明図。
【図６】本発明によるアモルファスシリコン太陽電池の製造方法における金属電極層積層工程の説明図。
【図７】本発明によるアモルファスシリコン太陽電池の製造方法における金属電極層分割工程の説明図。
【図８】本発明によるアモルファスシリコン太陽電池の製造方法によって製造されたアモルファスシリコン太陽電池の断面図。
【図９】アモルファスシリコン太陽電池の要部を拡大して示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明によるアモルファスシリコン太陽電池の製造方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して更に詳細に説明する。
図１には、アモルファスシリコン太陽電池を構成する基板としての透明絶縁基板の斜視図が示されている。図１に示す透明絶縁基板２は、ガラス板または透明高分子フィルムからなり、矩形状に形成されている。
【００１４】
上記透明絶縁基板２を用いてアモルファスシリコン太陽電池を構成するには、先ず透明絶縁基板２にn型半導体層を兼ねる透明電極層を積層する透明電極層積層工程を実施する。即ち、図２に示すように透明絶縁基板２の表面に酸化亜鉛(ZnO)等の透明導電材料の薄膜からなる透明電極層３を形成する。この透明電極層３は、１μmの厚みで形成する。
【００１５】
上述した透明電極層積層工程を実施したならば、透明絶縁基板２に積層された透明電極層３を、単位セルに分割する透明電極層分割工程を実施する。この透明電極層分割工程はレーザースクライブ法によって実施する。即ち、図３に示すように透明絶縁基板２に積層された透明電極層３にレーザー光線照射手段１０からパルスレーザー光線LBを照射し、透明電極層３を短冊状の複数の単位セル透明電極３１，３２，３３，３４に分割する。この透明電極層分割工程においてレーザー光線照射手段１０から照射するレーザー光線LBは、グリーン光領域の波長（図示の実施形態においては５１５nmまたは５３２nm）または近赤外線領域の波長（図示の実施形態においては１０３０nmまたは１０６４nm）のパルスレーザー光線を用いることができる。グリーン光領域の波長（図示の実施形態においては５１５nmまたは５３２nm）のパルスレーザー光線を用いる場合には、パルス幅を５０ps以下（５０ps〜１ps）に設定し、１パルス当たりの出力を１０〜２５μJに設定することが望ましい。また、近赤外線領域の波長（図示の実施形態においては１０３０nmまたは１０６４nm）のパルスレーザー光線を用いる場合には、パルス幅を３０ps以下（３０ps〜１ps）に設定し、１パルス当たりの出力を２．５〜７．５μJに設定することが望ましい。なお、本発明者等の実験によると、グリーン光領域の波長（図示の実施形態においては５１５nmまたは５３２nm）のパルスレーザー光線を用いる場合には、パルス幅を５０psより大きくすると透明電極層３にクラックが発生するとともに透明絶縁基板２の表面が溶融することが判った。また、近赤外線領域の波長（図示の実施形態においては１０３０nmまたは１０６４nm）のパルスレーザー光線を用いる場合には、パルス幅を３０psより大きくすると透明電極層３にクラックが発生するとともに透明絶縁基板２の表面が溶融することが判った。
【００１６】
次に、複数の単位セル透明電極３１，３２，３３，３４にp型半導体層となるアモルファスシリコン層を積層するアモルファスシリコン層積層工程を実施する。即ち、図４に示すように複数単位セル透明電極３１，３２，３３，３４の表面にアモルファスシリコン層４を形成する。このアモルファスシリコン層４は、１μmの厚みで形成する。このとき、アモルファスシリコン層４は、単位セル透明電極３１，３２，３３，３４の各電極間の隙間にも充填して形成される。
【００１７】
上述したアモルファスシリコン層積層工程を実施したならば、複数の単位セル透明電極に積層されたアモルファスシリコン層４を、隣接する単位セル透明電極に僅かに跨るように複数の単位セルアモルファスシリコン層に分割するアモルファスシリコン層分割工程を実施する。即ち、図５に示すように複数の単位セル透明電極に積層されたアモルファスシリコン層４にレーザー光線照射手段１０からパルスレーザー光線LBを照射し、アモルファスシリコン層４を隣接する単位セル透明電極３２，３３，３４（図５において右側に隣接する単位セル透明電極）に僅かに跨るように短冊状の複数の単位セルアモルファスシリコン層４１，４２，４３，４４に分割する。このアモルファスシリコン層分割工程においてレーザー光線照射手段１０から照射するレーザー光線LBは、グリーン光領域の波長（図示の実施形態においては５１５nmまたは５３２nm）または近赤外線領域の波長（図示の実施形態においては１０３０nmまたは１０６４nm）のパルスレーザー光線を用いることができる。グリーン光領域の波長（図示の実施形態においては５１５nmまたは５３２nm）のパルスレーザー光線を用いる場合には、パルス幅を５０ps以下（５０ps〜１ps）に設定し、１パルス当たりの出力を２５〜３５μJに設定することが望ましい。また、近赤外線領域の波長（図示の実施形態においては１０３０nmまたは１０６４nm）のパルスレーザー光線を用いる場合には、パルス幅を３０ps以下（３０ps〜１ps）に設定し、１パルス当たりの出力を１０〜２０μJに設定することが望ましい。本発明者等の実験によると、上述した設定範囲のパルスレーザー光線によりアモルファスシリコン層分割工程を実施したところ、アモルファスシリコン層４にクラックが発生することはなかった。
【００１８】
次に、複数の単位セルアモルファスシリコン層４１，４２，４３，４４に金属電極層を積層する金属電極層積層工程を実施する。即ち、図６に示すように複数の単位セルアモルファスシリコン層４１，４２，４３，４４の表面に銀(Ag)薄膜からなる金属電極層５を形成する。この金属電極層５は、１μmの厚みで形成する。このとき、金属電極層５は、単位セルアモルファスシリコン層４１，４２，４３，４４の各単位セル間の隙間にも充填して形成される。
【００１９】
上述した金属電極層積層工程を実施したならば、複数の単位セルアモルファスシリコン層４１，４２，４３，４４に積層された金属電極層５を、隣接する単位セル透明電極に僅かに跨るように単位セルアモルファスシリコン層の一方の側面を覆い単位セル透明電極に連結するように金属電極層の一部を残し単位セルアモルファスシリコン層の他方の側面には金属電極層を残さないように複数の単位セル金属電極に分割する金属電極層分割工程を実施する。即ち、図７に示すように複数の単位セルアモルファスシリコン層４１，４２，４３，４４に積層された金属電極層５にレーザー光線照射手段１０からパルスレーザー光線LBを照射し、金属電極層５を短冊状の複数の単位セル金属電極５１，５２，５３，５４に分割する。この金属電極層分割工程においては、複数の単位セルアモルファスシリコン層４１，４２，４３，４４に積層された金属電極層５を、隣接する単位セル透明電極３２，３３，３４（図５において右側に隣接する単位セル透明電極）に僅かに跨るように単位セルアモルファスシリコン層４１，４２，４３，４４の一方の側面（図５において右側の側面）を覆い単位セル透明電極３２，３３，３４に連結するように金属電極層の一部を残し単位セルアモルファスシリコン層４１，４２，４３，４４の他方の側面（図５において左側の側面）には金属電極層を残さないように複数の単位セル金属電極５１，５２，５３，５４に分割する。この金属電極層分割工程においてレーザー光線照射手段１０から照射するレーザー光線LBは、グリーン光領域の波長（図示の実施形態においては５１５nmまたは５３２nm）と近赤外線領域の波長（図示の実施形態においては１０３０nmまたは１０６４nm）のパルスレーザー光線を用いることができる。グリーン光領域の波長（図示の実施形態においては５１５nmまたは５３２nm）のパルスレーザー光線を用いる場合には、パルス幅を５０ps以下（５０ps〜１ps）に設定し、１パルス当たりの出力を２５〜４０μに設定することが望ましい。また、近赤外線領域の波長（図示の実施形態においては１０３０nmまたは１０６４nm）のパルスレーザー光線を用いる場合には、パルス幅を３０ps以下（３０ps〜１ps）に設定し、１パルス当たりの出力を２０〜３０μJに設定することが望ましい。本発明者等の実験によると、上述した設定範囲のパルスレーザー光線により金属電極層分割工程を実施したところ、金属電極層５にクラックが発生することはなかった。
上述した各加工工程を実施することにより、透明絶縁基板２上には、図８に示すように各単位セルアモルファスシリコン太陽電池２０-１，２０-２，２０-３，２０-４が直列に接続された状態で構成される。
【００２０】
以上のように上述した実施形態におけるアモルファスシリコン太陽電池の製造方法においては、透明電極層分割工程とアモルファスシリコン層分割工程と金属電極層分割工程は、グリーン光領域の同一波長を有しパルス幅が５０ps以下のパルスレーザー光線を各層に対応した出力にそれぞれ調整して照射することにより、透明電極層分割工程とアモルファスシリコン層と金属電極層を単位セルに分割するので、同一波長を有するパルスレーザー光線によって各層の分割が可能となり、生産性を向上することができる。また、透明電極層分割工程とアモルファスシリコン層分割工程と金属電極層分割工程は、近赤外線領域の同一波長を有しパルス幅が３０ps以下のパルスレーザー光線を各層に対応した出力にそれぞれ調整して照射することにより、透明電極層分割工程とアモルファスシリコン層と金属電極層を単位セルに分割するので、同一波長を有するパルスレーザー光線によって各層の分割が可能となり、生産性を向上することができる。
【００２１】
以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲で種々の変形は可能である。例えば、上述した実施形態においては上記透明電極層分割工程とアモルファスシリコン層分割工程と金属電極層分割工程を各層の表面側からレーザー光線を照射する例を示したが、上記各分割工程は透明絶縁基板２の裏面側から透明絶縁基板２を透過してレーザー光線を照射してもよい。
【符号の説明】
【００２２】
２：透明絶縁基板
３：透明電極層
３１，３２，３３，３４：単位セル透明電極
４：アモルファスシリコン層
４１，４２，４３，４４：単位セルアモルファスシリコン層
５：金属電極層
５１，５２，５３，５４：単位セル金属電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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