(57)【要約】【課題】画素の開口領域における開口率を確保しつつ、所望の電気容量を確保可能な保持容量を備えた電気光学装置、およびこれを備えた電子機器を提供すること。【解決手段】電気光学装置としての液晶装置は、透光性の画素電極１５と、画素電極１５に対応して設けられたＴＦＴ３０および保持容量と、ＴＦＴ３０に電気的に接続され第１方向に延在する遮光性のデータ線６ａと、データ線６ａと交差する第２方向に延在する遮光性の走査線３ａと、を備え、保持容量は、ＴＦＴ３０を覆うように設けられた遮光性の第１電極１６ｂと、第１電極１６ｂに対向し、第１方向および第２方向の一方に延在する本線部と第１方向および第２方向の他方に突出する突出部とを有する透光性の第２電極１６ａと、を有し、本線部は第１電極１６ｂおよびデータ線６ａよりも幅広に設けられ、突出部は第１電極１６ｂおよび走査線３ａよりも幅広に設けられている。【選択図】図４
2012078624.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透光性の画素電極と、
前記画素電極に対応して設けられたトランジスターおよび保持容量と、
前記トランジスターに電気的に接続され第１方向に延在する遮光性のデータ線と、
前記データ線と交差する第２方向に延在する遮光性の走査線と、
を備え、
前記保持容量は、
前記トランジスターを覆うように設けられた遮光性の第１電極と、
前記第１電極に対向し、前記第１方向および前記第２方向の一方に延在する本線部と前記第１方向および前記第２方向の他方に突出する突出部とを有する透光性の第２電極と、を有し、
前記本線部は、前記第１電極および前記データ線よりも幅広に設けられ、前記突出部は前記第１電極および前記走査線よりも幅広に設けられている
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第２電極は、透光性の誘電体層を介して前記第１電極の側面の少なくとも一部を覆うように設けられていることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１電極は、前記画素電極に電気的に接続されており、前記第２電極は、前記第１電極が前記画素電極と電気的に接続される部分を除いて、前記第１電極を平面的に覆うように設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記保持容量は、マトリクス状に設けられた複数の画素ごとに設けられ、前記第２電極は、前記第１方向および／または前記第２方向に延在して前記複数の画素に跨って設けられると共に、固定電位に接続されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電気光学装置として、例えば画素電極をスイッチング制御する薄膜トランジスターを備えたアクティブ駆動型の液晶装置が知られている。このような液晶装置は、駆動回路として上記薄膜トランジスターを介して上記画素電極に与えられた電位を保持するための保持容量を備えている。
【０００３】
例えば、特許文献１〜特許文献３には、薄膜トランジスターや画素電極が設けられる基板上において、画素の開口率を考慮した保持容量の構成について具体例が示されている。
【０００４】
上記特許文献１には、画素間の非開口領域に蓄積容量（保持容量の１つ）を有し、該蓄積容量の上部容量電極と開口領域に設けられた画素電極とが、層間絶縁膜に設けられ開口領域に一部が延出した透明な導電膜（中継層）を介して電気的に接続された電気光学装置が開示されている。
【０００５】
上記特許文献２には、ゲートラインとデータラインとにより区画された画素領域内に液晶容量を含む合計３個の保持容量を有し、その１つは共通容量線と透明な上部電極とで構成され、他の１つが画素電極に接続した容量電極と共通容量線とで構成された液晶表示素子が開示されている。
【０００６】
上記特許文献３には、基板上に第１の透明導電膜を少なくとも画素電極が配置される範囲全体を覆うように設け、上記第１の透明導電膜と上記画素電極との間に第１の透明絶縁膜を挟んで蓄積容量を形成したアクティブマトリクス型液晶表示装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−１９２９７５号公報
【特許文献２】特開平１１−１１９２６０号公報
【特許文献３】特開２０００−２６７１３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記特許文献１の電気光学装置では、蓄積容量が設けられる非開口領域の幅つまり画素間の幅が狭くなると蓄積容量における電気容量が小さくなってしまう課題があった。
また、上記特許文献２や上記特許文献３では、画素の開口領域に画素電極以外の透明導電膜からなる容量電極を設けるので、開口領域に入射した光が該容量電極により吸収あるいは反射され開口領域における光の透過率が低下するおそれがあるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【００１０】
［適用例１］本適用例の電気光学装置は、透光性の画素電極と、前記画素電極に対応して設けられたトランジスターおよび保持容量と、前記トランジスターに電気的に接続され第１方向に延在する遮光性のデータ線と、前記データ線と交差する第２方向に延在する遮光性の走査線と、を備え、前記保持容量は、前記トランジスターを覆うように設けられた遮光性の第１電極と、前記第１電極に対向し、前記第１方向および前記第２方向の一方に延在する本線部と前記第１方向および前記第２方向の他方に突出する突出部とを有する透光性の第２電極と、を有し、前記本線部は、前記第１電極および前記データ線よりも幅広に設けられ、前記突出部は前記第１電極および前記走査線よりも幅広に設けられていることを特徴とする。
【００１１】
この構成によれば、保持容量を構成する遮光性の第１電極に平面的に重なる第２電極が透光性を有してる。また、第２電極の本線部は第１電極およびデータ線よりも幅広く、第２電極の本線部から突出する突出部は第１電極および走査線よりも幅広となっている。したがって、第２電極におけるデータ線および走査線ならびに第１電極よりも幅広に設けられた部分が、画素電極を有する画素の開口領域にはみ出していても開口率を低下させない。また、遮光性の第１電極の電極面積を有効に活用して所望の電気容量を確保することができる。すなわち、画素の開口率を確保しつつ、安定した動作品質が得られる電気光学装置を提供できる。
【００１２】
［適用例２］上記適用例の電気光学装置において、前記第２電極は、透光性の誘電体層を介して前記第１電極の側面の少なくとも一部を覆うように設けられていることが好ましい。
この構成によれば、第１電極に対して第２電極を単に対向配置する場合に比べて、保持容量における実質的な電気容量を増やすことができる。
【００１３】
［適用例３］上記適用例の電気光学装置において、前記第１電極は、前記画素電極に電気的に接続されており、前記第２電極は、前記第１電極が前記画素電極と電気的に接続される部分を除いて、前記第１電極を平面的に覆うように設けられていることを特徴とする。
この構成によれば、遮光性の第１電極の電極面積をより有効に活用して所望の電気容量を確保することができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例の電気光学装置において、前記保持容量は、マトリクス状に設けられた複数の画素ごとに設けられ、前記第２電極は、前記第１方向および／または前記第２方向に延在して前記複数の画素に跨って設けられると共に、固定電位に接続されていることが好ましい。
この構成によれば、第２電極を容量線として機能させ、簡素な構成で画素電極ごとに印加された電位を保持することができる。また、マトリクス状に設けられた複数の画素間の非開口領域（遮光領域）を有効に活用して保持容量を構成できる。言い換えれば、非開口領域（遮光領域）の面積が小さくなっても所望の電気容量を確保することができる。
【００１５】
［適用例５］本適用例の電子機器は、上記適用例の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、安定した動作品質が得られる電気光学装置を備えた電子機器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った概略断面図。
【図２】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】画素の構造を示す概略平面図。
【図４】実施例の画素の構成を示す概略平面図。
【図５】実施例の保持容量における電極の配置を示す概略平面図。
【図６】図４のＢ−Ｂ’線で切った画素の構造を示す概略断面図。
【図７】比較例の保持容量における電極の配置を示す概略平面図。
【図８】図７のＣ−Ｃ’線で切った画素の構造を示す概略断面図。
【図９】電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００１８】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００１９】
本実施形態では、薄膜トランジスター（Thin  Film  Transistor；ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えた電気光学装置としてのアクティブマトリクス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２０】
＜液晶装置＞
まず、本実施形態の電気光学装置としての液晶装置について、図１および図２を参照して説明する。図１（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った概略断面図、図２は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【００２１】
図１（ａ）および（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、一対の基板のうちの一方の基板としての素子基板１０と、他方の基板としての対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを有する。素子基板１０および対向基板２０は、透明な例えば石英などのガラス基板が用いられている。
【００２２】
素子基板１０は対向基板２０よりも一回り大きく、両基板は、額縁状に配置されたシール材４０を介して接合され、その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０を構成している。シール材４０は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材４０には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００２３】
額縁状に配置されたシール材４０の内側には、同じく額縁状に遮光膜２１が設けられている。遮光膜２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜２１の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。なお、図１では図示省略したが、表示領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光部が設けられている。
【００２４】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材４０との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材４０の内側に検査回路１０３が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材４０の内側に走査線駆動回路１０２が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部のシール材４０の内側には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続端子１０４に接続されている。
以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。
なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１と表示領域Ｅとの間のシール材４０の内側に沿った位置に設けてもよい。
【００２５】
図１（ｂ）に示すように、素子基板１０の液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた光透過性を有する画素電極１５およびスイッチング素子としての薄膜トランジスター（ＴＦＴ；Thin  Film  Transistor）３０と、信号配線と、これらを覆う配向膜１８とが形成されている。
【００２６】
対向基板２０の液晶層５０側の表面には、遮光膜２１と、これを覆うように成膜された層間膜層２２と、層間膜層２２を覆うように設けられた共通電極２３と、共通電極２３を覆う配向膜２４とが設けられている。
【００２７】
遮光膜２１は、図１（ａ）に示すように平面的にデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置において額縁状に設けられている。これにより対向基板２０側から入射する光を遮蔽して、これらの駆動回路を含む周辺回路の光による誤動作を防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００２８】
層間膜層２２は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜２１を覆うように設けられている。このような層間膜層２２の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００２９】
共通電極２３は、例えばＩＴＯなどの透明導電膜からなり、層間膜層２２を覆うと共に、図１（ａ）に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００３０】
画素電極１５を覆う配向膜１８および共通電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、ポリイミドなどの有機材料を成膜して、その表面をラビングすることにより、液晶分子に対して略水平配向処理が施されたものや、ＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を気相成長法を用いて成膜して、液晶分子に対して略垂直配向させたものが挙げられる。
【００３１】
図２に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号線としての複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、データ線６ａ沿って平行するように配置された容量線３ｂとを有する。
データ線６ａが延在する方向がＹ方向（第１方向）であり、走査線３ａが延在する方向がＸ方向（第２方向）である。
【００３２】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、保持容量１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００３３】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。画素電極１５はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
データ線６ａはデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣接する複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００３４】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された共通電極２３との間で一定期間保持される。
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と共通電極２３との間に形成される液晶容量と並列に保持容量１６が接続されている。保持容量１６は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。詳しくは、後述するが、保持容量１６は、遮光性の第１電極と透光性の第２電極との間に透光性の誘電体層を有するものであって、上記第２電極が上記容量線３ｂを構成している。容量線３ｂは、固定電位に接続されている。固定電位としては例えばＧＮＤや共通電極２３に与えられる共通電位（ＬＣＣＯＭ）である。
【００３５】
なお、図１（ａ）に示した検査回路１０３には、データ線６ａが接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図２の等価回路では省略している。また、検査回路１０３は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線６ａに供給するサンプリング回路、データ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。
【００３６】
このような液晶装置１００は透過型であって、画素Ｐが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
【００３７】
図３は画素の構造を示す概略平面図である。図３に示すように、液晶装置１００における画素Ｐは、例えば平面的に略四角形の開口領域を有する。開口領域は、Ｘ方向とＹ方向とに延在し格子状に設けられた遮光性の非開口領域により囲まれている。
【００３８】
Ｘ方向に延在する非開口領域には、図２に示した走査線３ａが設けられている。言い換えれば、低抵抗配線材料からなる走査線３ａによって非開口領域の少なくとも一部が構成されている。
【００３９】
同じく、Ｙ方向に延在する非開口領域には、図２に示したデータ線６ａと容量線３ｂが設けられている。言い換えれば、低抵抗配線材料からなるデータ線６ａによって非開口領域の少なくとも一部が構成されている。
【００４０】
非開口領域は、素子基板１０側に設けられた上記信号線類によって構成されるだけでなく、対向基板２０側において格子状にパターニングされた遮光膜２１によっても構成することができる。
【００４１】
非開口領域の交差部付近には、図２に示したＴＦＴ３０や保持容量１６が設けられている。遮光性を有する非開口領域の交差部付近にＴＦＴ３０を設けることにより、ＴＦＴ３０の光誤動作を防止すると共に、開口領域における開口率を確保している。詳しい画素Ｐの構造については後述するが、交差部付近にＴＦＴ３０や保持容量１６を設ける関係上、交差部付近の非開口領域の幅は、他の部分に比べて広くなっている。
【００４２】
次に、このような液晶装置１００におけるより具体的な画素Ｐの構造について、実施例を挙げて説明する。
図４は実施例の画素の構成を示す概略平面図、図５は実施例の保持容量における電極の配置を示す概略平面図、図６は図４のＢ−Ｂ’線で切った画素の構造を示す概略断面図、図７は比較例の保持容量における電極の配置を示す概略平面図、図８は図７のＣ−Ｃ’線で切った画素の構造を示す概略断面図である。
【００４３】
図４に示すように、実施例の画素Ｐは、走査線３ａとデータ線６ａの交差部にＴＦＴ３０が設けられている。ＴＦＴ３０は、ソース領域３０ｓとドレイン領域３０ｄとの間にチャンネル領域３０ｃを有するＬＤＤ（Lightly  Doped  Drain）構造の半導体層３０ａを有している。半導体層３０ａは上記交差部を通過して、走査線３ａと重なるように配置されている。走査線３ａはデータ線６ａとの交差部において、Ｘ，Ｙ方向に拡張された平面視で四角形の拡張部を有している。当該拡張部に平面的に重なるようにしてＹ方向に延在した部分がＸ方向に屈曲した形状のゲート電極３０ｇが設けられている。ゲート電極３０ｇは、Ｙ方向に延在した部分が平面的にチャンネル領域３０ｃと重なっている。また、折り曲げられてＸ方向に延在し、互いに対向する部分がそれぞれ走査線３ａの拡張部との間に設けられたコンタクト部３３，３４によって、電気的に走査線３ａと接続している。
【００４４】
データ線６ａは、Ｙ方向に延在すると共に、Ｘ方向に突出して走査線３ａと平面的に重なる部分を有し、当該部分に設けられたコンタクトホールＣＮＴ１によってソース領域３０ｓと電気的に接続している。コンタクトホールＣＮＴ１を含む部分がソース電極３１となっている。一方、ドレイン領域３０ｄの端部にもコンタクトホールＣＮＴ２が設けられており、コンタクトホールＣＮＴ２を含む部分がドレイン電極３２となっている。コンタクトホールＣＮＴ２に隣り合うようにコンタクトホールＣＮＴ３が設けられており、コンタクトホールＣＮＴ２とコンタクトホールＣＮＴ３とは島状に設けられた導体部６ｂによって電気的に接続している。
【００４５】
画素電極１５は、走査線３ａやデータ線６ａと一部が重なるように設けられており、本実施例では走査線３ａと重なる位置に設けられた２つのコンタクトホールＣＮＴ３，４を介してドレイン電極３２に電気的に接続している。
【００４６】
保持容量１６は、遮光性の第１電極１６ｂと、第１電極１６ｂに対向するように配置された透光性の第２電極１６ａとを有している。第１電極１６ｂは、走査線３ａの拡張部と重なる部分と、該拡張部と重なった部分から走査線３ａの延在方向とデータ線６ａの延在方向とに延出された部分とを有しており、非開口領域（図３参照）に配置されている。
また、第１電極１６ｂは、図５に示すように、画素Ｐごとに独立して島状に設けられている。１つの画素Ｐを囲むようにして当該画素Ｐの第１電極１６ｂと隣り合う画素Ｐの第１電極１６ｂとが配置され、遮光性の非開口領域を構成している。
これに対して、第２電極１６ａは、図４および図５に示すように、第１電極１６ｂと平面的に重なると共に、Ｙ方向において複数の画素Ｐに跨って設けられた本線部１６ａｍと本線部１６ａｍからＸ方向に突出した突出部１６ａｐとを有している。本線部１６ａｍはＸ方向において第１電極１６ｂおよびデータ線６ａよりも幅広に設けられている。突出部１６ａｐはＹ方向において第１電極１６ｂおよび走査線３ａよりも幅広に設けられている。すなわち、第２電極１６ａは、画素電極１５が第１電極１６ｂと電気的に接続するコンタクトホールＣＮＴ４を含む領域を除いて、第１電極１６ｂをほぼ覆うように設けられ、且つ、その一部が隣り合う画素Ｐの開口領域（図３参照）にはみ出るように設けられている。
【００４７】
次に、図６を参照して、実施例の画素Ｐの構造について、さらに詳しく説明する。
図６に示すように、素子基板１０上には、まず走査線３ａが形成される。走査線３ａは、例えばＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏなどの金属のうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらを積層したものからなり、遮光性を有している。
【００４８】
走査線３ａを覆うように例えば酸化シリコンなどからなる第１絶縁膜１１ａが形成され、第１絶縁膜１１ａ上に島状に半導体層３０ａが形成される。半導体層３０ａは例えば多結晶シリコン膜からなり、不純物イオンが注入されて、前述したソース領域３０ｓ、チャンネル領域３０ｃ、ドレイン領域３０ｄを有するＬＤＤ構造が形成されている。
【００４９】
半導体層３０ａを覆うように第２絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１ｂが形成される。さらに第２絶縁膜１１ｂを挟んでチャンネル領域３０ｃに対応する位置にゲート電極３０ｇが形成される。
【００５０】
ゲート電極３０ｇと第２絶縁膜１１ｂとを覆うようにして第３絶縁膜１１ｃが形成され、半導体層３０ａのそれぞれの端部と重なる位置に第２絶縁膜１１ｂと第３絶縁膜１１ｃとを貫通する２つの孔が形成される。そして、２つの孔を埋めると共に第３絶縁膜１１ｃを覆うようにＡｌなどの低抵抗配線材料を用いて導電膜を成膜し、これをパターニングすることによって、ソース領域３０ｓに繋がるコンタクトホールＣＮＴ１およびデータ線６ａ並びにソース電極３１が形成される。同時に島状に導体部６ｂをパターニングすることにより、コンタクトホールＣＮＴ２およびドレイン電極３２が形成される。
【００５１】
データ線６ａ（ソース電極３１）とドレイン電極３２と第３絶縁膜１１ｃとを覆うように第１層間絶縁膜１２が形成される。第１層間絶縁膜１２は、例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生ずる表面の凹凸を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的研磨処理（Chamical  Mechanical  Polishing；ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。
【００５２】
第１層間絶縁膜１２上には、走査線３ａやデータ線６ａと平面的に重なるようにパターニングされたシールド層３５が形成されている。シールド層３５は、例えばＡｌなどの低抵抗配線材料からなり、遮光性を有すると共に侵入する電磁波を遮蔽してＴＦＴ３０を保護している。なお、図４の平面図では、シールド層３５は図示省略されているが、平面的には図３に示した非開口領域内に形成されている。
【００５３】
シールド層３５と第１層間絶縁膜１２とを覆うように第２層間絶縁膜１３が形成されている。第２層間絶縁膜１３も例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、第１層間絶縁膜１２と同様に平坦化処理を施してもよい。
【００５４】
第１層間絶縁膜１２および第２層間絶縁膜１３を貫通する孔がドレイン電極３２と重なる位置に形成され、この孔を埋めるようにして遮光性を有する導電膜が成膜される。この導電膜をパターニングして第１電極１６ｂが形成される。
上記遮光性の導電膜としては、低抵抗配線材料であるＡＬ（アルミニウム）、ＴｉＮ（窒化チタン）などからなる単層膜あるいはこれらが積層された多層膜を用いることができる。本実施例における第１電極１６ｂの膜厚はおよそ１００ｎｍ〜１０００ｎｍである。
【００５５】
第１電極１６ｂと第２層間絶縁膜１３とを覆うように透光性の誘電体膜が成膜され、誘電体膜のうち第１電極１６ｂのコンタクトホールＣＮＴ４と重なる部分を除くようにパターニングして誘電体層１６ｃが形成される。透光性の誘電体膜としては、シリコン窒化膜や、酸化ハウニュウム（ＨｆＯ2）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）などの単層膜、またはこれらの単層膜のうち少なくとも２種の単層膜を積層した多層膜を用いてもよい。
【００５６】
誘電体層１６ｃと第１電極１６ｂの一部と第２層間絶縁膜１３とを覆うようにＩＴＯなどの透明導電膜が成膜され、この透明導電膜をパターニングして透光性を有する第２電極１６ａが形成される。このとき、第２電極１６ａは、コンタクトホールＣＮＴ４と重なる部分が除かれると共に、図６の円形の破線で囲んだ第１電極１６ｂの端部では、誘電体層１６ｃを介して第１電極１６ｂの側面も覆うようにパターニングされている。また、平面的には、図５に示したように、隣り合う画素Ｐの開口領域（図３参照）にはみ出るようにパターニングされている。言い換えれば、開口領域にはみ出た部分では、第１電極１６ｂの側面を誘電体層１６ｃを介して覆っている。第２電極１６ａの膜厚はおよそ数百ｎｍである。
【００５７】
保持容量１６は、上記のように形成された遮光性の第１電極１６ｂと、透光性の第２電極１６ａと、これらの電極に挟まれた誘電体層１６ｃとから構成されている。
【００５８】
保持容量１６と第２層間絶縁膜１３とを覆うように第３層間絶縁膜１４が形成されている。第３層間絶縁膜１４も例えばシリコンの酸化物や窒化物からなり、第２層間絶縁膜１３と同様に平坦化処理を施してもよい。
【００５９】
第３層間絶縁膜１４を貫通する孔が第１電極１６ｂと重なる位置に形成され、この孔を埋めるようにしてＩＴＯなどの透明導電膜が成膜される。この透明導電膜をパターニングして画素電極１５と、第１電極１６ｂと画素電極１５とを電気的に接続させるコンタクトホールＣＮＴ４とが形成される。
【００６０】
保持容量１６において、上述したように第１電極１６ｂはコンタクトホールＣＮＴ３を介してＴＦＴ３０のドレイン電極３２と電気的に接続すると共に、コンタクトホールＣＮＴ４を介して画素電極１５と電気的に接続している。第２電極１６ａの本線部１６ａｍは上述したようにデータ線６ａの延在方向（Ｙ方向）において複数の画素Ｐに跨るように形成され、等価回路（図２参照）における容量線３ｂとしても機能している。第２電極１６ａには固定電位が与えられる。これにより、ＴＦＴ３０のドレイン電極３２を介して画素電極１５に与えられた電位を第２電極１６ａと第１電極１６ｂとの間において保持することができる。
【００６１】
次に、比較例の画素の構成と構造について、図７および図８を参照して説明する。なお、実施例の画素Ｐと同じ構成については同じ符号を付して詳細の説明は省略する。比較例の画素は、実施例の画素に対して画素回路のうち保持容量の構成が異なるものである。
【００６２】
図７に示すように、比較例の画素ＰＢは、画素ＰＢごとに独立して設けられた遮光性の第１電極１６ｂと、Ｙ方向（データ線６ａの延在方向）において複数の画素ＰＢに跨ると共に第１電極１６ｂに重なるように設けられた同じく遮光性の第２電極１６ｄとを有している。つまり、第１電極１６ｂと第２電極１６ｄとはいずれも非開口領域（図３参照）内に設けられている。
【００６３】
図８に示すように、第２層間絶縁膜１３の表面を覆うと共に、第２層間絶縁膜１３に設けられた貫通孔とを埋めるように導電膜が成膜され、この導電膜をパターニングして第１電極１６ｂが形成される。
【００６４】
次に、第１電極１６ｂと第２層間絶縁膜１３とを覆うように例えばシリコンの酸化物からなる保護膜を成膜する。この保護膜のうち誘電体層１６ｃが形成される領域を除くように保護膜をパターニングする。保護膜を部分的に除去してパターニングする方法としては、例えば成膜された保護膜を部分的にドライエッチングする方法や、予め除去したい第１電極１６ｂの表面をレジストなどによってマスキングした状態で保護膜を成膜した後にレジストを除去するリフトオフ法が挙げられる。これにより、第１電極１６ｂの外縁部分を覆うと共に第２層間絶縁膜１３の表面を覆う保護層３７が形成される。
【００６５】
次に、第１電極１６ｂと保護層３７とを覆うように誘電体層１６ｃをパターニング形成する。さらに、誘電体層１６ｃとほぼ重なるように第２電極１６ｄをパターニング形成する。例えば、第１電極１６ｂと第２電極１６ｄとが共に同じ材料で構成されていたとしても、第２電極１６ｄをパターニングする際には、第１電極１６ｂは保護層３７と誘電体層１６ｃとによって完全に覆われているので、第１電極１６ｂがエッチングされてしまうなどの不具合が防止されている。
【００６６】
比較例の画素ＰＢにおける保持容量１６’は、上述したように形成された、第１電極１６ｂと、誘電体層１６ｃと、第２電極１６ｄとによって構成されている。
【００６７】
そして、保持容量１６’と保護層３７とを覆うように第３層間絶縁膜１４を形成する。もちろん、第３層間絶縁膜１４に平坦化処理を施してもよい。第３層間絶縁膜１４と保護層３７とを貫通する孔を第１電極１６ｂと重なる位置に設け、この孔を埋めるように透明導電膜を成膜してパターニングすることにより画素電極１５とコンタクトホールＣＮＴ４とが形成される。
【００６８】
このような比較例の画素ＰＢと本実施形態の実施例の画素Ｐとを比べると、以下の点で実施例の画素Ｐのほうが優れている。すなわち、実施例における効果は以下の通りである。
【００６９】
（１）実施例の画素Ｐにおける保持容量１６は、第１電極１６ｂに対して平面的に重なると共に一部が開口領域にはみ出した透光性を有する第２電極１６ａを有している。したがって、開口領域における開口率を維持した状態で、非開口領域に設けられた第１電極１６ｂの面積を有効に活用できる。具体的には、図５には実施例の保持容量１６の平面的な電極面積をハッチングして示し、図７には比較例の保持容量１６’の平面的な電極面積を同じくハッチングして示しているが、実施例の方が大きな電極面積を確保できる。
言い換えれば、画素Ｐが高精細となり、非開口領域の面積が少なくなっても所望の電気容量を有する保持容量１６を備えた液晶装置１００を提供できる。
【００７０】
（２）実施例の画素Ｐにおける保持容量１６の第２電極１６ａは、図６に示したように、第１電極１６ｂの側面を誘電体層１６ｃを介して覆った部分を有している。つまり、比較例に比べて、第１電極１６ｂの側面も保持容量１６の電極の一部として有効活用できる。
【００７１】
（３）実施例の画素Ｐにおける保持容量１６の一対の電極は互いに異なる材料系を用いて形成されている。したがって、誘電体層１６ｃ上において第２電極１６ａをパターニングする際に第１電極１６ｂが損傷しないパターニング条件を選択可能である。言い換えれば、比較例のように第１電極１６ｂを保護する保護層３７を設けなくてもよいので、液晶装置１００の構造並びに液晶装置１００の製造工程を簡略化できる。
【００７２】
＜電子機器＞
図９は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。図９に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００７３】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００７４】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００７５】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【００７６】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００７７】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【００７８】
このような投射型表示装置１０００によれば、画素Ｐごとに所望の電気容量が確保された保持容量１６を有し安定した動作品質が得られる液晶装置１００を備え、高い表示品位が実現されている。
【００７９】
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【００８０】
（変形例１）上記液晶装置１００におけるＴＦＴ３０の半導体層３０ａは、走査線３ａに沿って配置されることに限定されない。例えば、半導体層３０ａを走査線３ａとデータ線６ａとの交差部において屈曲させ、走査線３ａとデータ線６ａのそれぞれに平面的に重なるように配置してもよい。
【００８１】
（変形例２）上記保持容量１６における透光性の第２電極１６ａは、Ｙ方向（データ線６ａの延在方向）において複数の画素Ｐに跨るように設けられることに限定されない。例えば、Ｘ方向（走査線３ａの延在方向）において複数の画素Ｐに跨るように設けてもよい。また、Ｘ方向およびＹ方向において複数の画素Ｐに跨るように設けてもよい。言い換えれば画素電極１５と第１電極１６ｂとを電気的に接続させる領域を除いて、突出部１６ａｐを走査線３ａの延在方向（Ｘ方向）に連続させてもよい。これによれば、透光性の第２電極１６ａをＩＴＯなどの透明導電膜により形成しても、本線部１６ａｍをＸ方向またはＹ方向に延在させる場合に比べて電気抵抗を小さくすることができる。これによれば、第２電極１６ａに固定電位を与えたときに画素Ｐごとの固定電位が抵抗成分によって変動することを抑制することができる。
【００８２】
（変形例３）上記保持容量１６における透光性の第２電極１６ａの構成は、これに限定されない。例えば、透光性の第２電極１６ａにさらに遮光性の導電膜を非開口領域の範囲内で積層する構成としてもよい。これによれば、第２電極１６ａにおける電気抵抗をさらに低下させることができ、第２電極１６ａに固定電位を与えたときに画素Ｐごとの固定電位が抵抗成分によって変動することをさらに抑制することができる。
【００８３】
（変形例４）上記液晶装置１００が適用される電子機器は、投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００８４】
３ａ…走査線、６ａ…データ線、１５…画素電極、１６…保持容量、１６ａ…第２電極、１６ａｍ…本線部、１６ａｐ…突出部、１６ｂ…第１電極、１６ｃ…誘電体層、３０…薄膜トランジスター（ＴＦＴ）、３０ａ…半導体層、１００…電気光学装置としての液晶装置、１０００…電子機器としての投射型表示装置、Ｐ…画素。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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