(57)【要約】      （修正有）【課題】同一基板上で互いに導通させる必要のある電極を標準電極電位が異なる導電材料により形成した場合でも、ウエットプロセス中に電気化学的腐食反応が発生することを防止することができる液晶装置、および当該液晶装置を備えた投射型表示装置を提供する。【解決手段】液晶装置の第１基板１０の一方面側において、第１端子１０２ａおよび基板間導通用第１電極８ｔを構成するアルミニウム膜と、ダミー画素電極９ｂおよび基板間導通用第２電極９ｔを構成するＩＴＯ膜とを絶縁分離した状態に形成する。また、第１基板１０と第２基板２０との間に基板間導通材１０９ａを設け、基板間導通材１０９ａによって、基板間導通用第１電極８ｔ、基板間導通用第２電極９ｔおよび共通電極（第２基板側電極）を導通させる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方面側に画素電極が設けられた第１基板と、
該第１基板の前記一方面側に対向する面側に第２基板側電極が設けられた第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、
前記第１基板の前記一方面側に設けられた端子と、
前記端子と導通し、該端子と同一材料の導電膜で前記第１基板の前記一方面側に形成された基板間導通用第１電極と、
前記端子と異なる材料の導電膜により、前記端子及び前記基板間導通用第１電極と分離して前記第１基板の前記一方面側に形成された第１基板側電極と、
前記第１基板側電極と同一材料の導電膜により、当該第１基板側電極に導通し、前記端子および前記基板間導通用第１電極と分離して前記第１基板の前記一方面側に形成された基板間導通用第２電極と、
前記第１基板と前記第２基板との間に介在することにより、前記第１基板の前記一方面側において分離して形成された前記基板間導通用第１電極と前記基板間導通用第２電極とが導通し、前記基板間導通用第１電極と前記第２基板側電極とが導通し、前記基板間導通用第２電極と前記第２基板側電極とが導通した状態とする基板間導通材と、を有していることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記基板間導通用第１電極と前記基板間導通用第２電極は、互いに間隙を介して隣り合う位置に設けられ、
前記基板間導通用第１電極、前記基板間導通用第２電極、および前記第２基板側電極は、少なくとも前記間隙に配置された同一の前記基板間導通材を介して互いに導通していることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記基板間導通用第１電極および前記基板間導通用第２電極は、前記第１基板の面内において一方側の電極から他方側の電極に向けて突出した凸部が入り込んだ凹部を備えた形状で設けられていることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記第２基板側電極は、複数の前記画素電極に対向する共通電極であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記第１基板側電極は、前記画素電極が設けられた画素領域より外側の周辺領域に設けられたダミー画素電極であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記第１基板側電極および前記基板間導通用第２電極は、導電性の金属酸化物層であり、
前記端子および前記基板間導通用第１電極は、当該金属酸化物層より標準電極電位が低い金属層であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記端子、前記基板間導通用第１電極、前記基板間導通用第２電極、前記第１基板側電極、前記第２基板側電極および前記基板間導通材は、印加される電位が異なる複数組が設けられていることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか一項に記載の液晶装置を備えた投射型表示装置であって、
前記液晶装置に供給される光を出射する光源部と、
前記液晶装置によって変調された光を投射する投射光学系と、
を有していることを特徴とする投射型表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の基板間に液晶が保持された液晶装置、および当該液晶装置をライトバルブとして用いた投射型表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、一方面側に画素電極が配列する画素領域が設けられた第１基板と、共通電位が印加される共通電極が設けられた第２基板とがシール材によって貼り合わされ、第１基板と第２基板との間においてシール材で囲まれた領域内には液晶層が保持されている。かかる液晶装置は、直視型表示装置や投射型表示装置のライトバルブとして用いられている。
【０００３】
このような液晶装置に対する給電や信号入力は、第１基板に形成された端子を介して行われる。このため、第１基板には、端子と、端子に導通する基板間導通電極とを設け、第１基板と第２基板との間に介在させた基板間導通材によって、基板間導通電極と第２基板の共通電極とを導通させた構造が採用されている（特許文献１参照）。
【０００４】
また、第１基板には、画素電極の他に、共通電位が印加されるダミー画素電極を設ける場合がある（特許文献２参照）。
【０００５】
この場合も、端子とダミー画素電極とを導通させ、第１基板の端子に印加された共通電位をダミー画素電極に供給する。
【０００６】
このような構成の液晶装置において、端子、基板間導通電極やダミー画素電極を形成するには、第１基板に形成した導電膜の表面にレジストマスクを形成した状態でエッチングを行い、導電膜をパターニングする。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開ＷＯ９７／３４１９１
【特許文献２】特開２００７−３０４３８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１、２に記載の技術において、端子と基板間導通電極とを標準電極電位が異なる導電膜により形成した場合、端子および基板間導通電極のうち、標準電極電位が低い導電膜からなる電極については精度よく形成できないという問題点がある。すなわち、端子と基板間導通電極とが導通しているにもかかわらず、端子と基板間導通電極とを標準電極電位が異なる導電膜により形成した場合、レジストマスクを剥離するための剥離液（電解液）に端子および基板間導通電極が接触すると、剥離液中で端子と基板間導通電極との間で電気化学的腐食反応（局部電池的な腐食反応）が進行し、標準電極電位が低い導電膜が剥離液中に溶出してしまう。また、レジストマスクを剥離する際に限らず、ウエットエッチングの際に、端子および基板間導通電極がエッチング液に接触した際にも同様に、電気化学的腐食反応が進行し、標準電極電位が低い導電膜がエッチング液（電解液）中に溶出してしまう。かかる問題点は、端子とダミー画素電極とを標準電極電位が異なる導電膜により形成した場合も同様に発生する。
【０００９】
一方、このような問題は、端子と基板間導通電極とを同一の導電膜により形成した構成や、端子とダミー画素電極とを同一の導電膜により形成した構成を採用すれば回避できるが、端子、基板間導通電極、ダミー画素電極は、他の電極と同時形成する場合等においては、同一の導電膜により形成することが困難なことが多い。
【００１０】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、同一基板上で互いに導通させる必要のある電極を標準電極電位が異なる導電材料により形成した場合でも、ウエットプロセス中に電気化学的腐食反応が発生することを防止することができる液晶装置、および当該液晶装置を備えた投射型表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明に係る液晶装置は、一方面側に画素電極が設けられた第１基板と、該第１基板の前記一方面側に対向する面側に第２基板側電極が設けられた第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に保持された液晶層と、前記第１基板の前記一方面側に設けられた端子と、前記端子と導通し、該端子と同一材料の導電膜で前記第１基板の前記一方面側に形成された基板間導通用第１電極と、前記端子と異なる材料の導電膜により、前記端子及び前記基板間導通用第１電極と分離して前記第１基板の前記一方面側に形成された第１基板側電極と、前記第１基板側電極と同一材料の導電膜により、当該第１基板側電極に導通し、前記端子および前記基板間導通用第１電極と分離して前記第１基板の前記一方面側に形成された基板間導通用第２電極と、前記第１基板と前記第２基板との間に介在することにより、前記第１基板の前記一方面側において分離して形成された前記基板間導通用第１電極と前記基板間導通用第２電極とが導通し、前記基板間導通用第１電極と前記第２基板側電極とが導通し、前記基板間導通用第２電極と前記第２基板側電極とが導通した状態とする基板間導通材と、を有していることを特徴とする。
【００１２】
本発明では、第１基板の一方面側には、端子と、端子に導通する基板間導通用第１電極とが形成されており、端子と基板間導通用第１電極とは同一の導電膜により構成されている。また、第１基板の一方面側には、第１基板側電極と、第１基板側電極端子に導通する基板間導通用第２電極とが形成されており、第１基板側電極と基板間導通用第２電極とは、同一の導電膜により構成されている。また、端子および基板間導通用第１電極を構成する導電膜と、第１基板側電極および基板間導通用第２電極を構成する導電膜とは種類が異なるが、第１基板単独の状態では絶縁分離されている。このため、第１基板に対する製造工程において、レジストマスクの剥離液による剥離や、ウエットエッチング等、電解液を用いたウエットプロセスを行った際、端子、基板間導通用第１電極、第１基板側電極端子、および基板間導通用第２電極が同一の電解液に接触しても、電気化学的腐食反応（局部電池的な腐食反応）が発生しないので、標準電極電位が低い方の導電膜が電解液中に溶出するという問題が発生しない。それ故、端子、基板間導通用第１電極、第１基板側電極、および基板間導通用第２電極を高い寸法精度や高い形状精度をもって形成することができる。また、第１基板単独の状態では、端子および基板間導通用第１電極を構成する導電膜と、第１基板側電極および基板間導通用第２電極を構成する導電膜とが絶縁分離されているが、基板間導通材を介して第１基板と第２基板とを貼り合わせた際、基板間導通材によって、基板間導通用第１電極、基板間導通用第２電極および第２基板側電極が導通する。それ故、端子に印加された電位を第１基板側電極および第２基板側電極に供給することができる。
【００１３】
本発明において、前記基板間導通用第１電極と前記基板間導通用第２電極は、互いに間隙を介して隣り合う位置に設けられ、前記基板間導通用第１電極、前記基板間導通用第２電極、および前記第２基板側電極は、少なくとも前記間隙に配置された同一の前記基板間導通材を介して互いに導通していることが好ましい。かかる構成によれば、狭い領域内において、基板間導通材を利用した基板間導通を行うことができる。
【００１４】
ここで、基板間導通材は、樹脂成分中に導電粒子が分散している状態にある。従って、本発明における「同一の基板間導通材」とは、同一の導電粒子によって各電極が互いに導通している構成に加えて、異なる導電粒子によって各電極が互いに導通しているが、同一箇所に設けられた基板間導通材によって各電極が互いに導通している構成を含む意味である。
【００１５】
本発明において、前記基板間導通用第１電極および前記基板間導通用第２電極は、前記第１基板の面内において一方側の電極から他方側の電極に向けて突出した凸部が入り込んだ凹部を備えた形状で設けられていることが好ましい。かかる構成によれば、基板間導通材の位置が多少ずれたときでも、基板間導通用第１電極と基板間導通用第２電極を基板間導通材によって確実に導通させることができる。
【００１６】
本発明において、前記第２基板側電極は、複数の前記画素電極に対向する共通電極である構成を採用することができる。
【００１７】
本発明において、前記第１基板側電極は、前記画素電極が設けられた画素領域より外側の周辺領域に設けられたダミー画素電極である構成を採用することができる。
【００１８】
本発明において、前記第１基板側電極および前記基板間導通用第２電極は、導電性の金属酸化物層であり、前記端子および前記基板間導通用第１電極は、当該金属酸化物層より標準電極電位が低い金属層である構成を採用することができる。
【００１９】
本発明において、前記端子、前記基板間導通用第１電極、前記基板間導通用第２電極、前記第１基板側電極、前記第２基板側電極および前記基板間導通材は、印加される電位が異なる複数組が設けられている構成を採用することができる。
【００２０】
本発明に係る液晶装置は、例えば、投射型表示装置のライトバルブや直視型表示装置として用いられる。本発明に係る液晶装置を投射型表示装置に用いる場合、投射型表示装置には、前記液晶装置に供給される光を出射する光源部と、前記液晶装置によって変調された光を投射する投射光学系と、が設けられる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明を適用した液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】本発明を適用した液晶装置の液晶パネルの説明図である。
【図３】本発明を適用した液晶装置の画素の説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る液晶装置に用いた第１基板の平面構成を示す説明図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る液晶装置の断面構成を示す説明図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る液晶装置における基板間導通材による導通構造を示す説明図である。
【図７】本発明の実施の形態１に係る液晶装置の製造工程のうち、画素電極を形成する工程を示す説明図である。
【図８】本発明の実施の形態２に係る液晶装置における端子とダミー画素電極との電気的な接続構造を模式的に示す説明図である。
【図９】本発明の実施の形態３に係る液晶装置における端子とダミー画素電極等との電気的な接続構造を模式的に示す説明図である。
【図１０】本発明の実施の形態１等の改良例に係る液晶装置における基板間導通部の平面的な構成を模式的に示す説明図である。
【図１１】本発明を適用した液晶装置を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、電界効果型トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。
【００２３】
［実施の形態１］
（全体構成）
図１は、本発明を適用した液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。図１において、液晶装置１００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを有しており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画素領域１０ａ（画像表示領域）を備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する第１基板１０（図２等を参照）では、画素領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００２４】
第１基板１０において、画素領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００２５】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する第２基板２０（図２等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量５５が付加されている。本形態では、保持容量５５を構成するために、複数の画素１００ａに跨って走査線３ａと並行して延びた容量線５ｂが形成されている。本形態において、容量線５ｂは、共通電位Ｖcomが印加された共通電位線５ｃに導通している。
【００２６】
（液晶パネル１００ｐおよび第１基板１０の構成）
図２は、本発明を適用した液晶装置１００の液晶パネル１００ｐの説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した液晶装置１００の液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。図２（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶パネル１００ｐでは、第１基板１０と第２基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は第２基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。
【００２７】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、第１基板１０および第２基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１を参照して説明した画素領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と画素領域１０ａの外周縁との間には、略四角形の周辺領域１０ｂが額縁状に設けられている。第１基板１０において、画素領域１０ａの外側では、第１基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、第１基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００２８】
詳しくは後述するが、第１基板１０の一方側の基板面において、画素領域１０ａには、図１を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。
【００２９】
また、第１基板１０の一方側の基板面において、周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂ（図２（ｂ）参照）が形成されている。本形態において、ダミー画素電極９ｂは、共通電位Ｖcomが印加されており、画素領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。また、ダミー画素電極９ｂは、第１基板１０において配向膜１６が形成される面を研磨により平坦化する際、画素領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を圧縮し、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。
【００３０】
第２基板２０において第１基板１０と対向する一方面側には共通電極２１が形成されており、共通電極２１の上層には配向膜２６が形成されている。共通電極２１は、第２基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。また、第２基板２０において第１基板１０と対向する一方面側には、共通電極２１の下層側に遮光層１０８が形成されている。本形態において、遮光層１０８は、画素領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁状に形成されている。ここで、遮光層１０８の外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にあり、遮光層１０８とシール材１０７とは重なっていない。なお、第２基板２０において、遮光層１０８は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた領域と重なる領域等にも形成されることがある。
【００３１】
このように構成した液晶パネル１００ｐにおいて、第１基板１０には、シール材１０７より外側において第２基板２０の角部分と重なる領域に、第１基板１０と第２基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通部１０９が形成されている。かかる基板間導通部１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９ａが配置されており、第２基板２０の共通電極２１は、基板間導通材１０９ａおよび後述する基板間導通用電極を介して、第１基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、第１基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって第２基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、第２基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通部１０９を避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。
【００３２】
かかる構成の液晶装置１００において、画素電極９ａおよび共通電極２１を透光性導電膜により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。これに対して、画素電極９ａおよび共通電極２１の一方を透光性導電膜により形成し、他方を反射性導電膜により形成すると、反射型の液晶装置を構成することができる。液晶装置１００が反射型である場合、第１基板１０および第２基板２０のうち、一方側の基板から入射した光が他方側の基板で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。液晶装置１００が透過型である場合、第１基板１０および第２基板２０のうち、一方側の基板から入射した光が他方側の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００３３】
液晶装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、第２基板２０には、カラーフィルター（図示せず）や保護膜が形成される。また、液晶装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、液晶装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各液晶装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００３４】
本形態において、液晶装置１００が、後述する投射型表示装置においてＲＧＢ用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置であって、第２基板２０から入射した光が第１基板１０を透過して出射される場合を中心に説明する。また、本形態において、液晶装置１００は、液晶層５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いたＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えている場合を中心に説明する。
【００３５】
（画素の具体的構成）
図３は、本発明を適用した液晶装置１００の画素の説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した液晶装置１００に用いた第１基板１０において隣り合う画素の平面図、および図３（ａ）のＦ−Ｆ′線に相当する位置で液晶装置１００を切断したときの断面図である。なお、図３（ａ）では、半導体層１ａは細くて短い点線で示し、走査線３ａは太い実線で示し、データ線６ａおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、容量線５ｂは二点鎖線で示し、画素電極９ａは太くて長い破線で示し、下電極層４ａは細い実線で示してある。
【００３６】
図３（ａ）に示すように、第１基板１０上には、複数の画素１００ａの各々に矩形状の画素電極９ａが形成されており、各画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。データ線６ａおよび走査線３ａは各々、直線的に延びており、データ線６ａと走査線３ａとが交差する領域に画素トランジスター３０が形成されている。第１基板１０上には、走査線３ａと重なるように容量線５ｂが形成されている。本形態において、容量線５ｂは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。
【００３７】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、第１基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの液晶層５０側の表面（一方面側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、および配向膜１６を主体として構成されており、第２基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶層５０側の表面（一方面側）に形成された共通電極２１、および配向膜２６を主体として構成されている。
【００３８】
第１基板１０において、複数の画素１００ａの各々には、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。半導体層１ａは、走査線３ａの一部からなるゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇと、ソース領域１ｂと、ドレイン領域１ｃとを備えており、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、低濃度領域および高濃度領域を備えている。半導体層１ａは、例えば、基板本体１０ｗ上に、シリコン酸化膜等からなる透光性の下地絶縁膜１２上に形成された多結晶シリコン膜等によって構成され、ゲート絶縁層２は、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる。また、ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化してなるシリコン酸化膜と、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜との２層構造を有する場合もある。走査線３ａには、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜が用いられる。
【００３９】
走査線３ａの上層側にはシリコン酸化膜等からなる透光性の第１層間絶縁膜４１が形成されており、第１層間絶縁膜４１の上層には下電極層４ａが形成されている。下電極層４ａは、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する位置を基点として走査線３ａおよびデータ線６ａに沿って延出する略Ｌ字型に形成されている。下電極層４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなり、コンタクトホール７ｃを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続されている。
【００４０】
下電極層４ａの上層側には、シリコン窒化膜等からなる透光性の誘電体層４２が形成されている。誘電体層４２の上層側には、誘電体層４２を介して下電極層４ａと対向するように容量線５ｂ（上電極層）が形成され、かかる容量線５ｂ、誘電体層４２および下電極層４ａによって、保持容量５５が形成されている。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなる。ここで、下電極層４ａ、誘電体層４２および容量線５ｂ（上電極層）は、画素トランジスター３０の上層側に形成され、画素トランジスター３０に対して平面視で重なっている。このため、保持容量５５は、画素トランジスター３０の上層側に形成され、少なくとも画素トランジスター３０に対して平面視で重なっている。
【００４１】
容量線５ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の第２層間絶縁膜４３が形成され、第２層間絶縁膜４３の上層にはデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂが形成されている。データ線６ａはコンタクトホール７ａを介してソース領域１ｂに電気的に接続している。ドレイン電極６ｂはコンタクトホール７ｂを介して下電極層４ａに電気的に接続し、下電極層４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。データ線６ａおよびドレイン電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなる。
【００４２】
データ線６ａおよびドレイン電極６ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の第３層間絶縁膜４４が形成されている。第３層間絶縁膜４４には、ドレイン電極６ｂへ通じるコンタクトホール７ｄが形成されている。第３層間絶縁膜４４の上層には、金属酸化物層としてのＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜等の透光性導電膜からなる画素電極９ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール７ｄを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続されている。本形態において、第３層間絶縁膜４４の表面は平坦面になっている。
【００４３】
ここで、第３層間絶縁膜４４の表面には、図２（ｂ）を参照して説明したダミー画素電極９ｂ（図３には図示せず）が形成されており、かかるダミー画素電極９ｂは、画素電極９ａと同時形成された透光性導電膜からなる。
【００４４】
画素電極９ａの表面には配向膜１６が形成されている。配向膜１６は、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）であり、配向膜１６と画素電極９ａとの層間にはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の透光性の保護膜１７が形成されている。保護膜１７は、表面が平坦面になっており、画素電極９ａの間に形成された凹部を埋めている。従って、配向膜１６は、保護膜１７の平坦な表面に形成されている。
【００４５】
第２基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗの液晶層５０側の表面（第１基板１０に対向する側の面）に、ＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように配向膜２６が形成されている。配向膜２６は、配向膜１６と同様、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜２６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）であり、配向膜２６と共通電極２１との層間にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の保護膜２７が形成されている。保護膜２７は、表面が平坦面になっており、かかる平坦面上に配向膜２６が形成されている。かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。
【００４６】
なお、図１および図２を参照して説明したデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４には、Ｎチャネル型の駆動用トランジスターとＰチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、画素トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。このため、第１基板１０においてデータ線駆動回路１０１および走査線駆動回路１０４が形成されている領域も、図３（ｂ）に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。
【００４７】
（基板間導通部１０９等の構成）
図４は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００に用いた第１基板１０の平面構成を示す説明図であり、図４（ａ）、（ｂ）は、電極全体のレイアウトを示す説明図、および第２基板２０の角部分の一つを拡大して示す説明図である。なお、図４において画素電極９ａやダミー画素電極９ｂの数等について少なく示してある。図５は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００の断面構成を示す説明図であり、図５（ａ）、（ｂ）は、端子１０２と画素電極９ａとの電気的な接続構造を模式的に示す説明図、および端子１０２とダミー画素電極９ｂとの電気的な接続構造を模式的に示す説明図である。図６は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００における基板間導通材１０９ａによる導通構造を示す説明図である。
【００４８】
図４に示すように、本形態の液晶装置１００において、第１基板１０の略中央位置には、複数の画素電極９ａが配列された画素領域１０ａと、画素領域１０ａとシール材１０７とにより挟まれた周辺領域１０ｂとが設けられており、周辺領域１０ｂには、第１基板側電極としての複数のダミー画素電極９ｂが形成されている。複数のダミー画素電極９ｂにおいて、隣り合うダミー画素電極９ｂ同士は、連結部９ｕを介して繋がっている。
【００４９】
かかる構成のダミー画素電極９ｂ、および第２基板２０において第２基板側電極として形成された共通電極２１に対する共通電位Ｖcomの供給は、図２に示す端子１０２のうち、第１端子１０２ａによって行われ、第２端子１０２ｂからはデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４に対して各種信号等の入力が行われる。
【００５０】
図５（ａ）に示すように、第２端子１０２ｂは、第３層間絶縁膜４４の表面に形成されたアルミニウム膜からなり、かかる第２端子１０２ｂは、第２層間絶縁膜４３の表面等で延在する配線６ｓに対して、第３層間絶縁膜４４に形成されたコンタクトホール７ｓを介して導通している。ここで、第２端子１０２ｂは、画素トランジスター３０やデータ線駆動回路の駆動用トランジスター（図５（ａ）では図示せず）等を介して画素電極９ａに電気的に接続している。
【００５１】
図４および図５（ｂ）に示すように、第１端子１０２ａは、第２層間絶縁膜４３の表面等で延在する配線６ｔに第３層間絶縁膜４４に形成されたコンタクトホール７ｔを介して導通している。なお、配線６ｔは、第２層間絶縁膜４３に形成されたコンタクトホール７ｗを介して共通電位線５ｃに電気的に接続している。
【００５２】
ここで、第２基板２０の４つの角部分１０ｃ〜１０ｆには基板間導通部１０９が形成されている。かかる基板間導通部１０９では、第３層間絶縁膜４４の表面上に、端子１０２と同時形成されたアルミニウム膜からなる基板間導通用第１電極８ｔが形成されており、かかる基板間導通用第１電極８ｔは、第３層間絶縁膜４４に形成されたコンタクトホール７ｕを介して配線６ｔに導通している。このため、基板間導通用第１電極８ｔは、第１端子１０２ａに導通し、かつ、第１端子１０２ａと同一種類の導電膜（アルミニウム膜）からなる。
【００５３】
また、基板間導通部１０９において、第３層間絶縁膜４４の表面上には、ダミー画素電極９ｂと同時形成されたＩＴＯ膜からなる延在部９ｃの先端部に基板間導通用第２電極９ｔが形成されており、かかる基板間導通用第２電極９ｔは、ダミー画素電極９ｂに繋がっている。このため、基板間導通用第２電極９ｔは、ダミー画素電極９ｂに導通し、かつ、ダミー画素電極９ｂと同一種類の導電膜（ＩＴＯ膜）からなる。ここで、基板間導通用第１電極８ｔと基板間導通用第２電極９ｔとは狭いスリット（間隙）８ｓを介して隣り合っている。
【００５４】
このように、本形態では、基板間導通用第２電極９ｔおよびダミー画素電極９ｂは、第１端子１０２ａおよび基板間導通用第１電極８ｔと異なる種類の導電膜からなる。また、基板間導通用第２電極９ｔおよびダミー画素電極９ｂは互いに導通し、第１端子１０２ａおよび基板間導通用第１電極８ｔは互いに導通している。さらに、基板間導通用第２電極９ｔおよびダミー画素電極９ｂを構成する導電膜（ＩＴＯ膜）と、第１端子１０２ａおよび基板間導通用第１電極８ｔを構成する導電膜（アルミニウム膜）とは、第１基板１０の同じ層間絶縁膜（第３層間絶縁膜４４）の表面においてパターンとして分離された状態にある。
【００５５】
ここで、第１基板１０と第２基板２０の間には、基板間導通用第１電極８ｔおよび基板間導通用第２電極９ｔの双方に跨るように、基板間導通材１０９ａが配置されている。かかる基板間導通材１０９ａは、銀粒子等の導電粒子１０９ｂと、樹脂成分１０９ｄとからなり、導電粒子１０９ｂは、スリット（間隙）８ｓを跨いで基板間導通用第１電極８ｔおよび基板間導通用第２電極９ｔの双方に接している。また、導電粒子１０９ｂは、共通電極２１にも接している。従って、基板間導通材１０９ａが存在しない状態では層間絶縁膜（第３層間絶縁膜４４）の表面において電気的に絶縁された状態にあるが、基板間導通材１０９ａがスリット（間隙）８ｓを跨いで配置されることによって、基板間導通用第１電極８ｔ、基板間導通用第２電極９ｔ、および共通電極２１は、同一の基板間導通材１０９ａによって互いに導通している。なお、図においては模式的に一つの導電粒子１０９ｂがスリット（間隙）８ｓに介在することよって基板間導通用第１電極８ｔ、基板間導通用第２電極９ｔ、および共通電極２１を導通させているものとなっているが、スリット（間隙）８ｓにおいて互いに接続して導通し合う複数の導電粒子が介在する構成であってもよいものである。
【００５６】
かかる構成によれば、第１端子１０２ａから供給された共通電位Ｖcomは、共通電位線５ｃに印加されるとともに、基板間導通用第１電極８ｔおよび導電粒子１０９ｂを介して、共通電極２１に印加される。また、第１端子１０２ａから供給された共通電位Ｖcomは、基板間導通用第１電極８ｔ、導電粒子１０９ｂ、および基板間導通用第２電極９ｔを介してダミー画素電極９ｂに印加される。さらに、第１端子１０２ａから供給された共通電位Ｖcomは、基板間導通用第１電極８ｔおよび導電粒子１０９ｂを介して共通電極２１に印加された後、共通電極２１から導電粒子１０９ｂおよび基板間導通用第２電極９ｔを介してダミー画素電極９ｂに印加される状態にある。
【００５７】
なお、本形態において、「同一の基板間導通材１０９ａ」によって、基板間導通用第１電極８ｔ、基板間導通用第２電極９ｔ、および共通電極２１が互いに導通しているとは、図５（ｂ）に示すように、同一の導電粒子１０９ｂによって各電極が互いに導通している構成に加えて、図６に示すように、異なる導電粒子１０９ｂによって各電極が互いに導通しているが、同一箇所に設けられた基板間導通材１０９ａによって各電極が互いに導通している構成を含む意味である。
【００５８】
（液晶装置１００の製造方法）
図７は、本発明の実施の形態１に係る液晶装置１００の製造工程のうち、画素電極９ａを形成する工程を示す説明図であり、図７（ａ）、（ｂ）は、画素領域１０ａに画素電極９ａを形成する工程を示す説明図、および周辺領域１０ｂにダミー画素電極９ｂを形成する工程を示す説明図である。
【００５９】
本形態の液晶装置１００を製造するにあたっては、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、周知の半導体プロセスを利用して、画素トランジスター３０や各種配線、さらには、端子１０２を形成した後、画素電極９ａやダミー画素電極９ｂを形成する。より具体的には、第１基板１０に対してＩＴＯ膜９を形成した後、ＩＴＯ膜９の表面にレジストマスク９０を形成し、この状態で、ＩＴＯ膜９にドライエッチングを行う。しかる後には、第１基板１０をアルカリ性あるいは酸性の剥離液と接触させてレジストマスク９０を除去する。
【００６０】
かかる工程の際、端子１０２および基板間導通用第１電極８ｔを構成するアルミニウム膜と、画素電極９ａ、ダミー画素電極９ｂ、延在部９ｃおよび基板間導通用第２電極９ｔを構成するＩＴＯ膜とは、同一の層間絶縁膜（第３層間絶縁膜４４）上にあって露出した状態にある。アルミニウム膜からなる端子１０２および基板間導通用第１電極８ｔは剥離液に接するとともに、ＩＴＯ膜からなる画素電極９ａ、ダミー画素電極９ｂ、延在部９ｃおよび基板間導通用第２電極９ｔも剥離液に接する。
【００６１】
ここで、アルミニウムの標準電極電位は約−１．７Ｖであるのに対して、ＩＴＯの標準電極電位は約−０．２Ｖであり、アルミニウムは、ＩＴＯに比して標準電極電位が低い。従って、アルミニウム膜とＩＴＯ膜とは導通していると、電気化学的腐食反応（局部電池的な腐食反応）によって、アルミニウム膜が剥離液中に溶出しようとするが、本形態では、アルミニウム膜とＩＴＯ膜とは低抵抗で導通していないため、アルミニウム膜が溶出しようとする電気化学的腐食反応が発生しない。
【００６２】
すなわち、図７（ｂ）において、第１端子１０２ａおよび基板間導通用第１電極８ｔはアルミニウム膜からなる一方、基板間導通用第２電極９ｔおよびダミー画素電極９ｂはＩＴＯ膜からなるが、基板間導通用第１電極８ｔ（アルミニウム膜）と基板間導通用第２電極９ｔ（ＩＴＯ膜）とは、スリット（間隙）８ｓによって絶縁分離されており、導通していない。従って、第２端子１０２ｂが剥離液中に溶出するような電気化学的腐食反応が発生しない。
【００６３】
また、図７（ａ）に示す第２端子１０２ｂは、画素電極９ａに電気的に接続しているが、第２端子１０２ｂと画素電極９ａとは、画素トランジスター３０やデータ線駆動回路の駆動用トランジスター等を介して電気的に接続しており、低抵抗で導通している状態にはない。従って、第２端子１０２ｂが剥離液中に溶出するような電気化学的腐食反応が発生しない。
【００６４】
なお、ＩＴＯ膜９のパターニングにウエットエッチングを行った場合でも同様なことがいえる。すなわち、ウエットエッチングが進行する過程では、アルミニウム膜からなる端子１０２および基板間導通用第１電極８ｔはエッチング液に接するとともに、ＩＴＯ膜からなる画素電極９ａ、ダミー画素電極９ｂ、延在部９ｃおよび基板間導通用第２電極９ｔもエッチング液に接する。このため、アルミニウム膜とＩＴＯ膜とが低抵抗で導通していると、電気化学的腐食反応（局部電池的な腐食反応）によって、アルミニウム膜が剥離液中に溶出しようとする。しかるに、本形態では、アルミニウム膜とＩＴＯ膜とは低抵抗で導通している状態ではないため、アルミニウム膜がエッチング液中に溶出しようとする電気化学的腐食反応が発生しない。
【００６５】
また、工程順序を変えて、ＩＴＯ膜によって画素電極９ａ等を形成した後、アルミニウム膜によって端子１０２を形成する場合でも、アルミニウム膜とＩＴＯ膜とが導通していると、電気化学的腐食反応（局部電池的な腐食反応）が発生するが、本形態の構成によれば、アルミニウム膜とＩＴＯ膜とは低抵抗で導通していないため、アルミニウム膜が溶出しようとする電気化学的腐食反応が発生しない。
【００６６】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の液晶装置１００において、第１基板１０の一方面側には、第１端子１０２ａと、第１端子１０２ａに導通する基板間導通用第１電極８ｔとが形成されているが、第１端子１０２ａと基板間導通用第１電極８ｔとは同一種類の導電膜（アルミニウム膜）により構成されている。また、第１基板１０の一方面側には、ダミー画素電極９ｂ（第１基板側電極）と、ダミー画素電極９ｂに導通する基板間導通用第２電極９ｔとが形成されているが、ダミー画素電極９ｂと基板間導通用第２電極９ｔとは同一種類の導電膜（ＩＴＯ膜）により構成されている。また、第１端子１０２ａおよび基板間導通用第１電極８ｔを構成するアルミニウム膜と、ダミー画素電極９ｂおよび基板間導通用第２電極９ｔを構成するＩＴＯ膜とは、標準電極電位が異なるが、第１基板１０単独の状態では絶縁分離されている。このため、第１基板１０に対する製造工程において、レジストマスクの剥離液による剥離や、ウエットエッチング等、電解液を用いたウエットプロセスを行った際、第１端子１０２ａ、基板間導通用第１電極８ｔ、ダミー画素電極９ｂ、および基板間導通用第２電極９ｔが同一の電解液に接触しても、電気化学的腐食反応が発生しない。従って、標準電極電位が低い方の導電膜（アルミニウム膜）が電解液中に溶出するという問題が発生しない。それ故、端子１０２、基板間導通用第１電極８ｔ、ダミー画素電極９ｂ、および基板間導通用第２電極９ｔを高い寸法精度や高い形状精度をもって形成することができる。
【００６７】
また、第１基板１０単独の状態では、第１端子１０２ａおよび基板間導通用第１電極８ｔを構成する導電膜と、ダミー画素電極９ｂおよび基板間導通用第２電極９ｔを構成する導電膜とは絶縁分離されているが、第１基板１０と第２基板２０との間に基板間導通材１０９ａを設けた際、基板間導通材１０９ａによって、基板間導通用第１電極８ｔ、基板間導通用第２電極９ｔおよび共通電極２１（第２基板側電極）が導通する。それ故、第１端子１０２ａに印加された共通電位Ｖcomをダミー画素電極９ｂおよび共通電極２１に供給することができる。
【００６８】
また、本形態において、基板間導通用第１電極８ｔと基板間導通用第２電極９ｔは、互いに隣り合う位置に設けられ、基板間導通用第１電極８ｔ、基板間導通用第２電極９ｔ、および共通電極２１は、同一の基板間導通材１０９ａを介して互いに導通している。このため、狭い領域内において、基板間導通材１０９ａを利用した基板間導通を行うことができる。
【００６９】
しかも、基板間導通用第１電極８ｔと基板間導通用第２電極９ｔは、互いに近接している。このため、基板間導通用第１電極８ｔ、基板間導通用第２電極９ｔ、および共通電極２１は、基板間導通材１０９ａに含まれる同一の導電粒子１０９ｂに接することになる。それ故、基板間導通用第１電極８ｔ、基板間導通用第２電極９ｔ、および共通電極２１を導電粒子１０９ｂを介して確実に導通させることができる。
【００７０】
［実施の形態２］
図８は、本発明の実施の形態２に係る液晶装置１００における端子１０２とダミー画素電極９ｂとの電気的な接続構造を模式的に示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には、同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００７１】
図８に示すように、本形態の液晶装置１００においても、実施の形態１と同様、基板間導通用第２電極９ｔおよびダミー画素電極９ｂを構成する導電膜（ＩＴＯ膜）と、第１端子１０２ａおよび基板間導通用第１電極８ｔを構成する導電膜（アルミニウム膜）は絶縁分離された状態にある。従って、第１基板１０に対する製造工程において、レジストマスクの剥離液による剥離や、ウエットエッチング等、電解液を用いたウエットプロセスを行った際、第１端子１０２ａ、基板間導通用第１電極８ｔ、ダミー画素電極９ｂ、および基板間導通用第２電極９ｔが同一の電解液に接触しても、電気化学的腐食反応が発生しない。従って、標準電極電位が低い方の導電膜（アルミニウム膜）が電解液中に溶出するという問題が発生しない。
【００７２】
また、第１基板１０単独の状態では、第１端子１０２ａおよび基板間導通用第１電極８ｔを構成する導電膜と、ダミー画素電極９ｂおよび基板間導通用第２電極９ｔを構成する導電膜とは絶縁分離されているが、本形態では、第１基板１０と第２基板２０との間では、基板間導通用第１電極８ｔと重なる位置、および基板間導通用第２電極９ｔと重なる位置の各々に基板間導通材１０９ａが設けられている。このため、基板間導通用第１電極８ｔと共通電極２１とは基板間導通材１０９ａによって導通し、共通電極２１とは基板間導通用第２電極９ｔとは、別の基板間導通材１０９ａによって導通している。このため、第１端子１０２ａに印加された共通電位Ｖcomをダミー画素電極９ｂおよび共通電極２１に供給することができる。
【００７３】
［実施の形態３］
図９は、本発明の実施の形態３に係る液晶装置１００における端子１０２とダミー画素電極９ｂ′等との電気的な接続構造を模式的に示す説明図であり、図９（ａ）、（ｂ）は、角部分１０ｄに設けた基板間導通部等の構成を示す説明図、および角部分１０ｅに設けた基板間導通部等の構成を示す説明図である。なお、本形態の基本的な構成は、実施の形態１と同様であるため、共通する部分には、同一の符号を付してそれらの説明を省略する。
【００７４】
本形態では、以下に説明するように、第１基板１０上に、上記の第１端子１０２ａ、基板間導通用第１電極８ｔ、基板間導通用第２電極９ｔ、第１基板側電極（ダミー画素電極９ｂ）、第２基板側電極（共通電極２１）および基板間導通材１０９ａは、印加される電位が異なる複数組が設けられている。
【００７５】
より具体的には、図９（ａ）に示すように、本形態の液晶装置１００においても、角部分１０ｄでは、実施の形態１と同様、基板間導通用第２電極９ｔおよびダミー画素電極９ｂを構成する導電膜（ＩＴＯ膜）と、第１端子１０２ａおよび基板間導通用第１電極８ｔを構成する導電膜（アルミニウム膜）は絶縁分離された状態にある。また、第１基板１０単独の状態では、第１端子１０２ａおよび基板間導通用第１電極８ｔを構成する導電膜と、ダミー画素電極９ｂおよび基板間導通用第２電極９ｔを構成する導電膜とは絶縁分離されているが、本形態では、角部分１０ｄでは、第１基板１０と第２基板２０との間において基板間導通用第１電極８ｔおよび基板間導通用第２電極９ｔに跨って基板間導通材１０９ａが設けられている。このため、基板間導通用第１電極８ｔと共通電極２１とは基板間導通材１０９ａによって導通し、共通電極２１とは基板間導通用第２電極９ｔとは、別の基板間導通材１０９ａによって導通している。このため、第１端子１０２ａに印加された共通電位Ｖcomをダミー画素電極９ｂおよび共通電極２１に供給することができる。
【００７６】
また、本形態では、図９（ｂ）に示すように、角部分１０ｅでは、第１基板１０上に、別の第１端子１０２ａ′、別の基板間導通用第１電極８ｔ′、別の基板間導通用第２電極９ｔ′、別の第１基板側電極９ｂ′、別の第２基板側電極２１′および別の基板間導通材１０９ａ′が設けられており、第１端子１０２ａ′には、共通電位Ｖcom以外の別の電位が印加される。また、第１端子１０２ａ′および基板間導通用第１電極８ｔ′は、アルミニウム膜からなる一方、基板間導通用第２電極９ｔ′、および第１基板側電極９ｂ′はＩＴＯ膜からなる。なお、本形態では、第２基板側電極２１′もＩＴＯ膜からなる。
【００７７】
ここで、第１基板側電極９ｂ′および第２基板側電極２１′は、例えば、ダミー画素電極９ｂと同時形成されたイオン性不純物除去用の電極からなる。すなわち、液晶注入時に混入したイオン性不純物やシール材から溶出したイオン性不純物が液晶中に存在し、かかるイオン性不純物が液晶駆動に伴って画素領域１０ａの端部に凝集すると、表示品位の低下を招くが、本形態では、第１基板側電極９ｂ′および第２基板側電極２１′に共通電位Ｖcom以外の別の電位が印加される。このため、ダミー画素電極９ｂと第１基板側電極９ｂ′との間、共通電極２１と第２基板側電極２１′との間に横電界が形成されるので、イオン性不純物を引き寄せ、そこで凝集した状態のまま滞留させることができる。それ故、イオン性不純物が画素領域１０ａに滲み出ないので、イオン性不純物に起因する表示品位の低下を確実に防止することができる。
【００７８】
かかる構成の液晶装置１００においても、第１基板１０に対する製造工程において、レジストマスクの剥離液による剥離や、ウエットエッチング等、電解液を用いたウエットプロセスを行った際、第１端子１０２ａ′、基板間導通用第１電極８ｔ′、第１基板側電極９ｂ′、および基板間導通用第２電極９ｔ′が同一の電解液に接触しても、電気化学的腐食反応が発生しない。従って、標準電極電位が低い方の導電膜（アルミニウム膜）が電解液中に溶出するという問題が発生しない。
【００７９】
［実施の形態１等の改良例］
図１０は、本発明の実施の形態１等の改良例に係る液晶装置１００における基板間導通部１０９の平面的な構成を模式的に示す説明図である。
【００８０】
実施の形態１等では、基板間導通部１０９において、基板間導通用第１電極８ｔおよび基板間導通用第２電極９ｔはいずれも、スリット（間隙）８ｓを介して隣り合う矩形形状であった。但し、図１０に示す基板間導通用第１電極８ｔおよび基板間導通用第２電極９ｔのように、一方側の電極から他方側の電極に向けて突出した凸部が入り込んだ凹部を備えている構成を採用してもよい。より具体的には、基板間導通用第１電極８ｔは、基板間導通用第２電極９ｔに向けて突出した複数の凸部８１を備えている結果、凸部８１の間が凹部８２になっている。これに対して、基板間導通用第２電極９ｔは、基板間導通用第１電極８ｔの凹部８２内に向けて突出した複数の凸部９１を備えている結果、凸部９１の間は、凸部８１が入り込んだ凹部９２になっている。また、基板間導通用第１電極８ｔと基板間導通用第２電極９ｔとは、スリット（間隙）８ｓを介して隣り合っている。
【００８１】
このような櫛歯形状を採用すれば、１個所に設けられた同一の基板間導通材１０９ａによって基板間導通用第１電極８ｔと基板間導通用第２電極９ｔとを導通させる際、基板間導通材１０９ａを設ける位置が多少ずれても、基板間導通用第１電極８ｔと基板間導通用第２電極９ｔとを確実に導通させることができる。
【００８２】
［他の実施の形態］
【００８３】
上記実施の形態では、画素電極９ａ等をＩＴＯ等の透光性導電膜によって形成したが、画素電極９ａ等をアルミニウムや銀等といった反射性導電膜によって形成し、液晶装置１００を反射型として構成してもよい。
【００８４】
上記実施の形態では、異なる種類の導電膜として、アルミニウムとＩＴＯとの組み合わせを説明したが、異なる種類の導電膜として、以下に示す金属等
銀（標準電極電位＝＋０．８０Ｖ）
銅（標準電極電位＝＋０．３４Ｖ）
ニッケル（標準電極電位＝−０．２６Ｖ）
とＩＴＯとの組み合わせ、上記の金属やアルミニウム等とＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）との組み合わせ、上記の金属やアルミニウム等の金属同士の組み合わせ等を採用した場合に本発明を適用してもよい。また、上記実施の形態では、第１基板側電極がダミー画素電極９ｂであり、第２基板側電極が共通電極２１であったが、一方の電極を形成する際、他方の電極が露出した状態にあれば、第１基板側電極および第２基板側電極が上記以外の電極である場合に本発明を適用してもよい。
【００８５】
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る液晶装置１００を適用した電子機器について説明する。図１１は、本発明を適用した液晶装置を用いた投射型表示装置の概略構成図であり、図１１（ａ）、（ｂ）は各々、透過型の液晶装置１００を用いた投射型表示装置の説明図、および透過型の液晶装置１００を用いた投射型表示装置の説明図である。
【００８６】
（投射型表示装置の第１例）
図１１（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７（液晶装置１００）と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９と、リレー系１２０とを備えている。
【００８７】
光源１１２は、赤色光、緑色光及び青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光を透過させると共に緑色光及び青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光及び青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。
【００８８】
ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２１及び偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
【００８９】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、液晶パネル１１５ｃ及び第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【００９０】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１５ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する構成となっている。
【００９１】
なお、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【００９２】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、液晶パネル１１６ｃ及び第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、液晶パネル１１６ｃは、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する構成となっている。
【００９３】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、液晶パネル１１７ｃ及び第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光は、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
【００９４】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１７ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて射出する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ及び第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【００９５】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光をリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光を液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。
【００９６】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。したがって、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系１１８に向けて射出するように構成されている。
【００９７】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を有効に合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光及び青色光をｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光をｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
【００９８】
（投射型表示装置の第２例）
図１１（ｂ）に示す投射型表示装置１０００において、光源部８９０は、システム光軸Ｌに沿って光源８１０、インテグレーターレンズ８２０および偏光変換素子８３０が配置された偏光照明装置８００を有している。また、光源部８９０は、システム光軸Ｌに沿って、偏光照明装置８００から出射されたＳ偏光光束をＳ偏光光束反射面８４１により反射させる偏光ビームスプリッター８４０と、偏光ビームスプリッター８４０のＳ偏光光束反射面８４１から反射された光のうち、青色光（Ｂ）の成分を分離するダイクロイックミラー８４２と、青色光が分離された後の光束のうち、赤色光（Ｒ）の成分を反射させて分離するダイクロイックミラー８４３とを有している。
【００９９】
また、投射型表示装置１０００は、各色光が入射する３つの反射型の液晶装置１００（液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ）を備えており、光源部８９０は、３つの液晶装置１００（液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ）に所定の色光を供給する。
【０１００】
かかる投射型表示装置１０００においては、３つの液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにて変調された光をダイクロイックミラー８４２、８４３、および偏光ビームスプリッター８４０にて合成した後、この合成光を投射光学系８５０によってスクリーン８６０等の被投射部材に投射する。
【０１０１】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【０１０２】
（他の電子機器）
本発明を適用した液晶装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【０１０３】
９ａ・・画素電極、９ｂ・・ダミー画素電極（第１基板側電極）、９ｂ′・・別の第１基板側電極、８ｔ、８ｔ′・・基板間導通用第１電極、９ｔ、９ｔ′・・基板間導通用第２電極、１０・・第１基板、１０ａ・・画素領域、２０・・第２基板、２１・・共通電極（第２基板側電極）、２１′・・別の第２基板側電極、５０・・液晶層、１０９・・基板間導通部、１０９ａ・・基板間導通材、１１０、１０００・・投射型表示装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2012098577.tif 000010
【図９】
2012098577.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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