(57)【要約】【課題】幅方向の占有面積を拡大することなく、高い遅波効果を得ることができる高周波伝送線路を得ることを目的とする。【解決手段】接地導体３，４が信号線導体１と交差する交差位置ＣＰから＋ｘ方向に距離Ｄ１だけ離れている位置に配置されて、手前からｎ番目の接地導体３と手前からｎ番目の接地導体４とを短絡させる柱状導体５や、接地導体３，４が信号線導体１と交差する交差位置ＣＰから＋ｘ方向に距離Ｄ２だけ離れている位置に配置されて、手前からｎ番目の接地導体３と手前からｎ＋１番目の接地導体４とを短絡させる柱状導体７などを設ける。【選択図】図１
2012209940.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁体の第１層に配置されている信号線導体と、上記絶縁体の第２層に配置され、上記信号線導体の延伸方向と異なる方向に延伸している複数の第１地導体板と、上記絶縁体の第３層に配置され、上記信号線導体の延伸方向と異なる方向に延伸し、かつ、上記第１地導体板と略平行に延伸している複数の第２地導体板とを備え、
上記第２層は上記第１層と上記第３層の間に配置されており、
上記複数の第１地導体板における手前からｎ番目の第１地導体板とｎ+１番目の第１地導体板との間の領域に、上記第２地導体板における手前からｎ番目の第２地導体板の一部が配置されており、
上記第１地導体板及び上記第２地導体板が上記信号線導体と交差する交差位置から右方向に第１の距離だけ離れている位置で、上記複数の第１地導体板における手前からｎ番目の第１地導体板と上記複数の第２地導体板における手前からｎ番目の第２地導体板とを短絡させる複数の第１地導体と、
上記交差位置から左方向に第２の距離だけ離れている位置で、上記複数の第１地導体板における手前からｎ番目の第１地導体板と上記複数の第２地導体板における手前からｎ番目の第２地導体板とを短絡させる複数の第２地導体と、
上記交差位置から右方向に第３の距離だけ離れている位置で、上記複数の第２地導体板における手前からｎ番目の第２地導体板と上記複数の第１地導体板における手前からｎ＋１番目の第１地導体板とを短絡させる複数の第３地導体と、
上記交差位置から左方向に第４の距離だけ離れている位置で、上記複数の第２地導体板における手前からｎ番目の第２地導体板と上記複数の第１地導体板における手前からｎ＋１番目の第１地導体板とを短絡させる複数の第４地導体とを設け、
上記第１の距離と上記第３の距離が異なる箇所、あるいは、上記第２の距離と上記第４の距離が異なる箇所が少なくとも１以上存在していることを特徴とする高周波伝送線路。
【請求項２】
絶縁体の第４層に配置され、上記信号線導体の延伸方向と異なる方向に延伸している複数の第３地導体板と、上記絶縁体の第５層に配置され、上記信号線導体の延伸方向と異なる方向に延伸し、かつ、上記第３地導体板と略平行に延伸している複数の第４地導体板とを備え、
上記第４層は上記第１層と上記第５層の間に配置されており、
上記複数の第３地導体板における手前からｍ番目の第３地導体板とｍ+１番目の第３地導体板との間の領域に、上記第４地導体板における手前からｍ番目の第４地導体板の一部が配置されており、
上記第３地導体板及び上記第４地導体板が上記信号線導体と交差する交差位置から右方向に第５の距離だけ離れている位置で、上記複数の第３地導体板における手前からｍ番目の第３地導体板と上記複数の第４地導体板における手前からｍ番目の第４地導体板とを短絡させる複数の第５地導体と、
上記交差位置から左方向に第６の距離だけ離れている位置で、上記複数の第３地導体板における手前からｍ番目の第３地導体板と上記複数の第４地導体板における手前からｍ番目の第４地導体板とを短絡させる複数の第６地導体と、
上記交差位置から右方向に第７の距離だけ離れている位置で、上記複数の第４地導体板における手前からｍ番目の第４地導体板と上記複数の第３地導体板における手前からｍ＋１番目の第３地導体板とを短絡させる複数の第７地導体と、
上記交差位置から左方向に第８の距離だけ離れている位置で、上記複数の第４地導体板における手前からｍ番目の第４地導体板と上記複数の第３地導体板における手前からｍ＋１番目の第３地導体板とを短絡させる複数の第８地導体とを設け、
上記第５の距離と上記第７の距離が異なる箇所、あるいは、上記第６の距離と上記第８の距離が異なる箇所が少なくとも１以上存在していることを特徴とする請求項１記載の高周波伝送線路。
【請求項３】
絶縁体の第１層に配置されている信号線導体と、上記絶縁体の第２層に配置され、上記信号線導体の延伸方向と異なる方向に延伸している複数の第１地導体板とを備え、
上記第１地導体板が上記信号線導体と交差する交差位置から右方向に第１の距離だけ離れている位置で、上記複数の第１地導体板における手前から奇数番目の第１地導体板と偶数番目の第１地導体板とを短絡させる複数の第１地導体と、
上記交差位置から左方向に第２の距離だけ離れている位置で、上記複数の第１地導体板における手前から奇数番目の第１地導体板と偶数番目の第１地導体板とを短絡させる複数の第２地導体と、
上記交差位置から右方向に第３の距離だけ離れている位置で、上記複数の第１地導体板における手前から偶数番目の第１地導体板と奇数番目の第１地導体板とを短絡させる複数の第３地導体と、
上記交差位置から左方向に第４の距離だけ離れている位置で、上記複数の第１地導体板における手前から偶数番目の第１地導体板と奇数番目の第１地導体板とを短絡させる複数の第４地導体とを設け、
上記第１の距離と上記第３の距離が異なる箇所、あるいは、上記第２の距離と上記第４の距離が異なる箇所が少なくとも１以上存在していることを特徴とする高周波伝送線路。
【請求項４】
絶縁体の第３層に配置され、上記信号線導体の延伸方向と異なる方向に延伸している複数の第２地導体板を備え、
上記第２地導体板が上記信号線導体と交差する交差位置から右方向に第５の距離だけ離れている位置で、上記複数の第２地導体板における手前から奇数番目の第２地導体板と偶数番目の第２地導体板とを短絡させる複数の第５地導体と、
上記交差位置から左方向に第６の距離だけ離れている位置で、上記複数の第２地導体板における手前から奇数番目の第２地導体板と偶数番目の第２地導体板とを短絡させる複数の第６地導体と、
上記交差位置から右方向に第７の距離だけ離れている位置で、上記複数の第２地導体板における手前から偶数番目の第２地導体板と奇数番目の第２地導体板とを短絡させる複数の第７地導体と、
上記交差位置から左方向に第８の距離だけ離れている位置で、上記複数の第２地導体板における手前から偶数番目の第２地導体板と奇数番目の第２地導体板とを短絡させる複数の第８地導体とを設け、
上記第５の距離と上記第７の距離が異なる箇所、あるいは、上記第６の距離と上記第８の距離が異なる箇所が少なくとも１以上存在していることを特徴とする請求項３記載の高周波伝送線路。
【請求項５】
第１の距離と第２の距離が同じで、第３の距離と第４の距離が同じであることを特徴とする請求項１から請求項４のうちのいずれか１項記載の高周波伝送線路。
【請求項６】
第１の距離と第２の距離の和と、第３の距離と第４の距離の和とが同じである箇所が少なくとも１以上存在していることを特徴とする請求項１から請求項４のうちのいずれか１項記載の高周波伝送線路。
【請求項７】
第１の距離が第２の距離の半分以上で２倍以下、あるいは、第３の距離が第４の距離の半分以上で２倍以下の箇所が少なくとも１以上存在していることを特徴とする請求項１から請求項４のうちのいずれか１項記載の高周波伝送線路。
【請求項８】
絶縁体の第１層に配置されている信号線導体と、上記絶縁体の第２層に配置され、上記信号線導体の延伸方向と異なる方向に延伸している複数の第１地導体板と、上記絶縁体の第３層に配置され、上記信号線導体の延伸方向と異なる方向に延伸し、かつ、上記第１地導体板と略平行に延伸している複数の第２地導体板とを備え、
上記第２層は上記第１層と上記第３層の間に配置されており、
上記複数の第１地導体板における手前からｎ番目の第１地導体板とｎ+１番目の第１地導体板との間の領域に、上記第２地導体板における手前からｎ番目の第２地導体板の一部が配置されており、
上記第１地導体板及び上記第２地導体板が上記信号線導体と交差する交差位置から右方向に第１の距離だけ離れている位置で、上記複数の第１地導体板における手前からｎ番目の第１地導体板と上記複数の第２地導体板における手前からｎ番目の第２地導体板とを短絡させる複数の第１地導体と、
上記交差位置から左方向に第２の距離だけ離れている位置で、上記複数の第１地導体板における手前からｎ番目の第１地導体板と上記複数の第２地導体板における手前からｎ番目の第２地導体板とを短絡させる複数の第２地導体と、
上記交差位置から右方向に第３の距離だけ離れている位置で、上記複数の第２地導体板における手前からｎ番目の第２地導体板と上記複数の第１地導体板における手前からｎ＋１番目の第１地導体板とを短絡させる複数の第３地導体と、
上記交差位置から左方向に第４の距離だけ離れている位置で、上記複数の第２地導体板における手前からｎ番目の第２地導体板と上記複数の第１地導体板における手前からｎ＋１番目の第１地導体板とを短絡させる複数の第４地導体とを設け、
上記第２層にて上記複数の第１地導体板における手前からｎ番目の第１地導体板とｎ+１番目の第１地導体板が短絡せず、かつ、上記第３層にて上記複数の第２地導体板における手前からｎ番目の第１地導体板とｎ+１番目の第１地導体板が短絡していないことを特徴とする高周波伝送線路。
【請求項９】
絶縁体の第１層に配置されている信号線導体と、上記絶縁体の第２層に配置され、上記信号線導体の延伸方向と異なる方向に延伸している複数の第１地導体板と、上記絶縁体の第３層に配置され、上記信号線導体の延伸方向と異なる方向に延伸し、かつ、上記第１地導体板と略平行に延伸している複数の第２地導体板と、上記第１層に配置され、上記信号線導体と短絡していない複数の第３地導体板（複数の第３−１地導体板、複数の第３−２地導体板、複数の第３−３地導体板、複数の第３−４地導体板）とを備え、
上記第１層は上記第２層と上記第３層の間に配置されており、
上記複数の第１地導体板における手前からｎ番目の第１地導体板とｎ+１番目の第１地導体板との間の領域に、上記第２地導体板における手前からｎ番目の第２地導体板の一部が配置されており、
上記第１地導体板及び上記第２地導体板が上記信号線導体と交差する交差位置から右方向に第１の距離だけ離れている位置で、上記複数の第１地導体板における手前からｎ番目の第１地導体板と上記複数の第３地導体板における手前からｎ番目の第３−１地導体板とを短絡させる複数の第１ａ地導体と、
上記交差位置から右方向に第１の距離だけ離れている位置で、上記複数の第３地導体板における手前からｎ番目の第３−１地導体板と上記複数の第２地導体板における手前からｎ番目の第２地導体板とを短絡させる複数の第１ｂ地導体と、
上記交差位置から左方向に第２の距離だけ離れている位置で、上記複数の第１地導体板における手前からｎ番目の第１地導体板と上記複数の第３地導体板における手前からｎ番目の第３−２地導体板とを短絡させる複数の第２ａ地導体と、
上記交差位置から左方向に第２の距離だけ離れている位置で、上記複数の第３地導体板における手前からｎ番目の第３−２地導体板と上記複数の第２地導体板における手前からｎ番目の第２地導体板とを短絡させる複数の第２ｂ地導体と、
上記交差位置から右方向に第３の距離だけ離れている位置で、上記複数の第２地導体板における手前からｎ番目の第２地導体板と上記複数の第３地導体板における手前からｎ番目の第３−３地導体板とを短絡させる複数の第３ａ地導体と、
上記交差位置から右方向に第３の距離だけ離れている位置で、上記複数の第３地導体板における手前からｎ番目の第３−３地導体板と上記複数の第１地導体板における手前からｎ＋１番目の第１地導体板とを短絡させる複数の第３ｂ地導体と、
上記交差位置から左方向に第４の距離だけ離れている位置で、上記複数の第２地導体板における手前からｎ番目の第２地導体板と上記複数の第３地導体板における手前からｎ番目の第３−４地導体板とを短絡させる複数の第４ａ地導体と、
上記交差位置から左方向に第４の距離だけ離れている位置で、上記複数の第３地導体板における手前からｎ番目の第３−４地導体板と上記複数の第１地導体板における手前からｎ＋１番目の第１地導体板とを短絡させる複数の第４ｂ地導体とを設け、
上記第１の距離と上記第３の距離が異なる箇所、あるいは、上記第２の距離と上記第４の距離が異なる箇所が少なくとも１以上存在していることを特徴とする高周波伝送線路。
【請求項１０】
第１の距離と第２の距離が同じで、第３の距離と第４の距離が同じであることを特徴とする請求項９記載の高周波伝送線路。
【請求項１１】
第１の距離と第２の距離の和と、第３の距離と第４の距離の和とが同じである箇所が少なくとも１以上存在していることを特徴とする請求項９記載の高周波伝送線路
【請求項１２】
第１の距離が第２の距離の半分以下で２倍以上の箇所が少なくとも１以上存在し、あるいは、第３の距離が第４の距離の半分以下で２倍以上の箇所が少なくとも１以上存在していることを特徴とする請求項９記載の高周波伝送線路。
【請求項１３】
絶縁体の第１層に配置されている信号線導体と、上記絶縁体の第２層に配置され、上記信号線導体の延伸方向と異なる方向に延伸している複数の第１地導体板と、上記絶縁体の第３層に配置され、上記信号線導体の延伸方向と異なる方向に延伸し、かつ、上記第１地導体板と略平行に延伸している複数の第２地導体板と、上記第１層に配置され、上記信号線導体と短絡していない複数の第３地導体板（複数の第３−１地導体板、複数の第３−２地導体板、複数の第３−３地導体板、複数の第３−４地導体板）とを備え、
上記第１層は上記第２層と上記第３層の間に配置されており、
上記複数の第１地導体板における手前からｎ番目の第１地導体板とｎ+１番目の第１地導体板との間の領域に、上記第２地導体板における手前からｎ番目の第２地導体板の一部が配置されており、
上記第１地導体板及び上記第２地導体板が上記信号線導体と交差する交差位置から右方向に第１の距離だけ離れている位置で、上記複数の第１地導体板における手前からｎ番目の第１地導体板と上記複数の第３地導体板における手前からｎ番目の第３−１地導体板とを短絡させる複数の第１ａ地導体と、
上記交差位置から右方向に第１の距離だけ離れている位置で、上記複数の第３地導体板における手前からｎ番目の第３−１地導体板と上記複数の第２地導体板における手前からｎ番目の第２地導体板とを短絡させる複数の第１ｂ地導体と、
上記交差位置から左方向に第２の距離だけ離れている位置で、上記複数の第１地導体板における手前からｎ番目の第１地導体板と上記複数の第３地導体板における手前からｎ番目の第３−２地導体板とを短絡させる複数の第２ａ地導体と、
上記交差位置から左方向に第２の距離だけ離れている位置で、上記複数の第３地導体板における手前からｎ番目の第３−２地導体板と上記複数の第２地導体板における手前からｎ番目の第２地導体板とを短絡させる複数の第２ｂ地導体と、
上記交差位置から右方向に第３の距離だけ離れている位置で、上記複数の第２地導体板における手前からｎ番目の第２地導体板と上記複数の第３地導体板における手前からｎ番目の第３−３地導体板とを短絡させる複数の第３ａ地導体と、
上記交差位置から右方向に第３の距離だけ離れている位置で、上記複数の第３地導体板における手前からｎ番目の第３−３地導体板と上記複数の第１地導体板における手前からｎ＋１番目の第１地導体板とを短絡させる複数の第３ｂ地導体と、
上記交差位置から左方向に第４の距離だけ離れている位置で、上記複数の第２地導体板における手前からｎ番目の第２地導体板と上記複数の第３地導体板における手前からｎ番目の第３−４地導体板とを短絡させる複数の第４ａ地導体と、
上記交差位置から左方向に第４の距離だけ離れている位置で、上記複数の第３地導体板における手前からｎ番目の第３−４地導体板と上記複数の第１地導体板における手前からｎ＋１番目の第１地導体板とを短絡させる複数の第４ｂ地導体とを設け、
上記第２層にて上記複数の第１地導体板における手前からｎ番目の第１地導体板とｎ+１番目の第１地導体板が短絡せず、かつ、上記第３層にて上記複数の第２地導体板における手前からｎ番目の第１地導体板とｎ+１番目の第１地導体板が短絡していないことを特徴とする高周波伝送線路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、高い遅波効果が得られる高周波伝送線路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
遅波効果が得られる高周波伝送線路は、コプレーナ導波路又はマイクロストリップ線路の信号線と接続しない状態で、その信号線と直交するように配置されている導体板を周期的に設けることで、高い遅波効果を得ている（例えば、特許文献１，２を参照）。
また、複数の層に導体板を配置している高周波伝送線路も提案されている（例えば、非特許文献１を参照）。
また、信号線導体の上下にそれぞれ導体板を配置している高周波伝送線路も提案されている（例えば、特許文献３を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】ＵＳ  ６９５０５９０  Ｂ２
【特許文献２】ＷＯ  ２００４／１１２１８５  Ａ１
【特許文献３】特開２００７−３０６２９０号公報
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】Jae Jin Lee, “A Slow-Wave Microstrip Line With a High-Q and a High Dielectric Constant for Millimeter-Wave CMOS Application”, IEEE MTT letters, Vol. 20, No. 7, July 2010.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の高周波伝送線路は以上のように構成されているので、高い遅波効果を得るには、信号線と直交する方向の導体板の長さを長くする必要がある。そのため、高周波伝送線路の幅方向の占有面積を拡大する必要があるなどの課題があった。
【０００６】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、幅方向の占有面積を拡大することなく、高い遅波効果を得ることができる高周波伝送線路を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明に係る高周波伝送線路は、絶縁体の第１層に配置されている信号線導体と、絶縁体の第２層に配置され、信号線導体の延伸方向と異なる方向に延伸している複数の第１地導体板と、絶縁体の第３層に配置され、信号線導体の延伸方向と異なる方向に延伸し、かつ、第１地導体板と略平行に延伸している複数の第２地導体板とを備え、複数の第１地導体板における手前からｎ番目の第１地導体板とｎ＋１番目の第１地導体板との間の領域に、第２地導体板における手前からｎ番目の第２地導体板の一部が配置されており、第１地導体板及び第２地導体板が信号線導体と交差する交差位置から右方向に第１の距離だけ離れている位置で、複数の第１地導体板における手前からｎ番目の第１地導体板と複数の第２地導体板における手前からｎ番目の第２地導体板とを短絡させる複数の第１地導体と、上記交差位置から左方向に第２の距離だけ離れている位置で、複数の第１地導体板における手前からｎ番目の第１地導体板と複数の第２地導体板における手前からｎ番目の第２地導体板とを短絡させる複数の第２地導体と、上記交差位置から右方向に第３の距離だけ離れている位置で、複数の第２地導体板における手前からｎ番目の第２地導体板と複数の第１地導体板における手前からｎ＋１番目の第１地導体板とを短絡させる複数の第３地導体と、上記交差位置から左方向に第４の距離だけ離れている位置で、複数の第２地導体板における手前からｎ番目の第２地導体板と複数の第１地導体板における手前からｎ＋１番目の第１地導体板とを短絡させる複数の第４地導体とを設け、第１の距離と第３の距離が異なる箇所、あるいは、第２の距離と第４の距離が異なる箇所が少なくとも１以上存在しているようにしたものである。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、絶縁体の第１層に配置されている信号線導体と、絶縁体の第２層に配置され、信号線導体の延伸方向と異なる方向に延伸している複数の第１地導体板と、絶縁体の第２層に対する第１層と逆方向の位置にある絶縁体の第３層に配置され、信号線導体の延伸方向と異なる方向に延伸し、かつ、第１地導体板と略平行に延伸している複数の第２地導体板とを備え、複数の第１地導体板における手前からｎ番目の第１地導体板とｎ＋１番目の第１地導体板との間の領域に、第２地導体板における手前からｎ番目の第２地導体板の一部が配置されており、第１地導体板及び第２地導体板が信号線導体と交差する交差位置から右方向に第１の距離だけ離れている位置で、複数の第１地導体板における手前からｎ番目の第１地導体板と複数の第２地導体板における手前からｎ番目の第２地導体板とを短絡させる複数の第１地導体と、上記交差位置から左方向に第２の距離だけ離れている位置で、複数の第１地導体板における手前からｎ番目の第１地導体板と複数の第２地導体板における手前からｎ番目の第２地導体板とを短絡させる複数の第２地導体と、上記交差位置から右方向に第３の距離だけ離れている位置で、複数の第２地導体板における手前からｎ番目の第２地導体板と複数の第１地導体板における手前からｎ＋１番目の第１地導体板とを短絡させる複数の第３地導体と、上記交差位置から左方向に第４の距離だけ離れている位置で、複数の第２地導体板における手前からｎ番目の第２地導体板と複数の第１地導体板における手前からｎ＋１番目の第１地導体板とを短絡させる複数の第４地導体とを設け、第１の距離と第３の距離が異なる箇所、あるいは、第２の距離と第４の距離が異なる箇所が少なくとも１以上存在しているように構成したので、幅方向の占有面積を拡大することなく、高い遅波効果を得ることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】この発明の実施の形態１による高周波伝送線路を示す斜視図である。
【図２】図１の上面透過図である。
【図３】図２におけるＡ−Ａ’面の断面図である。
【図４】図２におけるＢ−Ｂ’面の断面図である。
【図５】図２におけるＣ−Ｃ’面の断面図である。
【図６】図２におけるＤ−Ｄ’面の断面図である。
【図７】（ａ）は図４８に示した従来の高周波伝送線路における接地導体の電流経路の上面図、（ｂ）はこの発明の実施の形態１による高周波伝送線路における接地導体の電流経路の上面図である。
【図８】効果を確認するために行われたシミュレーションの結果を示す説明図である。
【図９】この発明の実施の形態２による高周波伝送線路を示す斜視図である。
【図１０】図９の上面透過図である。
【図１１】図１０におけるＡ−Ａ’面の断面図である。
【図１２】図１０におけるＢ−Ｂ’面の断面図である。
【図１３】図１０におけるＣ−Ｃ’面の断面図である。
【図１４】図１０におけるＤ−Ｄ’面の断面図である。
【図１５】この発明の実施の形態２による高周波伝送線路における接地導体の電流経路図である。
【図１６】効果を確認するために行われたシミュレーションの結果を示す説明図である。
【図１７】この発明の実施の形態３による高周波伝送線路を示す斜視図である。
【図１８】図１７の上面透過図である。
【図１９】図１８におけるＡ−Ａ’面の断面図である。
【図２０】図１８におけるＢ−Ｂ’面の断面図である。
【図２１】図１８におけるＣ−Ｃ’面の断面図である。
【図２２】この発明の実施の形態４による高周波伝送線路を示す斜視図である。
【図２３】図２２の上面透過図である。
【図２４】図２３におけるＡ−Ａ’面の断面図である。
【図２５】図２３におけるＢ−Ｂ ’面の断面図である。
【図２６】図２３におけるＣ−Ｃ ’面の断面図である。
【図２７】図２３におけるＤ−Ｄ ’面の断面図である。
【図２８】図２２の側面図である。
【図２９】（ａ）は図４８に示した従来の高周波伝送線路における接地導体の電流経路の側面図、（ｂ）はこの発明の実施の形態４による高周波伝送線路における接地導体の電流経路の側面図である。
【図３０】この発明の実施の形態５による高周波伝送線路を示す斜視図である。
【図３１】図３０の上面透過図である。
【図３２】図３１におけるＡ−Ａ’面の断面図である。
【図３３】図３１におけるＢ−Ｂ’面の断面図である。
【図３４】図３１におけるＣ−Ｃ’面の断面図である。
【図３５】図３１におけるＤ−Ｄ’面の断面図である。
【図３６】Ｄ３がＤ１に対して小さいほど、信号線導体と信号線導体の±ｘ方向の接地導体から成るキャパシタンス成分Ｃｓが大きくなる旨を示す説明図である。
【図３７】従来構造、実施の形態１に係る高周波伝送線路、実施の形態５（その１）に係る高周波伝送線路及び実施の形態５（その２）に係る高周波伝送線路の遅波率のシミュレーション結果を示す説明図である。
【図３８】この発明の実施の形態６による高周波伝送線路を示す斜視図である。
【図３９】図３８の上面透過図である。
【図４０】図３９におけるＡ−Ａ’面の断面図である。
【図４１】図３９におけるＢ−Ｂ’面の断面図である。
【図４２】図３９におけるＣ−Ｃ’面の断面図である。
【図４３】図３９におけるＤ−Ｄ’面の断面図である。
【図４４】図３８の側面図である。
【図４５】（ａ）は図４９に示した従来の高周波伝送線路における接地導体の電流経路の側面図、（ｂ）はこの発明の実施の形態６における接地導体の電流経路の側面図である。
【図４６】（ａ）は図４９に示した従来の高周波伝送線路における中央断面図、（ｂ）は図４５（ａ）に示した従来の高周波伝送線路における分布定数回路図である。
【図４７】（ａ）はこの発明の実施の形態６における中央断面図、（ｂ）は図４５（ｂ）に示した実施の形態６における分布定数回路図である。
【図４８】非特許文献１のＦｉｇ.１.（ａ）に記載されている従来の高周波伝送線路の俯瞰図である。
【図４９】特許文献３の図１に記載されている従来の高周波伝送線路の俯瞰図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
実施の形態１．
図１はこの発明の実施の形態１による高周波伝送線路を示す斜視図であり、図２は図１の上面透過図である。
図３は図２におけるＡ−Ａ’面の断面図であり、図４は図２におけるＢ−Ｂ’面の断面図である。
また、図５は図２におけるＣ−Ｃ’面の断面図であり、図６は図２におけるＤ−Ｄ’面の断面図である。
【００１１】
最初に、高周波伝送線路の構造を簡単に説明する。
図１〜６において、絶縁体である誘電体１には、内部に信号線導体２や接地導体３などが配置されている。
信号線導体２は高周波信号を伝送する線路であり、誘電体１の内層であるＬ１層（第１層）に配置されている。
第１地導体板である接地導体３は誘電体１の内層であるＬ２層（第２層）に配置され、信号線導体１の延伸方向と異なる方向に延伸している。なお、接地導体３は信号線導体１の延伸方向にＮ（Ｎは２以上の整数）個配置されている。
【００１２】
第２地導体板である接地導体４はＬ２層に対するＬ１層と逆方向の位置にある誘電体１のＬ３層（第３層）に配置され、信号線導体１の延伸方向と異なる方向に延伸し、かつ、地導体板３と略平行に延伸している。
なお、接地導体４は信号線導体１の延伸方向にＮ個又はＮ＋１個配置されているが（図１の例では、Ｎ＋１個配置されている）、Ｎ個の接地導体３における手前からｎ（ｎ＝１，２，・・・，Ｎ）番目の接地導体３とｎ＋１番目の接地導体３との間の領域に、地導体板４におけるｎ番目の地導体板４の一部が配置されている。
例えば、図２の上面透過図は、図中、下側が「手前」である。
【００１３】
第１地導体である柱状導体５は接地導体３，４が信号線導体１と交差する交差位置ＣＰから＋ｘ方向（右方向）に距離Ｄ１（第１の距離）だけ離れている位置に配置されて、手前からｎ番目の接地導体３と手前からｎ番目の接地導体４とを短絡させている。
第２地導体である柱状導体６は接地導体３，４が信号線導体１と交差する交差位置ＣＰから−ｘ方向（左方向）に距離Ｄ１（第２の距離）だけ離れている位置に配置されて、手前からｎ番目の接地導体３と手前からｎ番目の接地導体４とを短絡させている。
【００１４】
第３地導体である柱状導体７は接地導体３，４が信号線導体１と交差する交差位置ＣＰから＋ｘ方向に距離Ｄ２（第３の距離）だけ離れている位置に配置されて、手前からｎ番目の接地導体３と手前からｎ＋１番目の接地導体４とを短絡させている。
第４地導体である柱状導体８は接地導体３，４が信号線導体１と交差する交差位置ＣＰから−ｘ方向に距離Ｄ２（第４の距離）だけ離れている位置に配置されて、手前からｎ番目の接地導体３と手前からｎ＋１番目の接地導体４とを短絡させている。
【００１５】
次に、高周波伝送線路の構造を具体的に説明する。
図３に示すように、誘電体１の内層であるＬ１層には、信号線導体２が配置されており、誘電体１の内層であるＬ３層には、接地導体４が配置されている。
また、誘電体１の内層であるＬ２層には、交差位置ＣＰ（信号線導体２の幅方向の中心）から＋ｘ方向に距離Ｄ１だけ離れている位置に接地導体３が配置され、また、交差位置ＣＰから−ｘ方向に距離Ｄ１だけ離れている位置に接地導体３が配置されている。
接地導体３と接地導体４は、交差位置ＣＰから＋ｘ方向及び−ｘ方向に距離Ｄ１だけ離れている位置において、柱状導体５，６によって電気的に接続されている。
【００１６】
図４に示すように、誘電体１の内層であるＬ１層には、信号線導体２が配置されており、誘電体１の内層であるＬ２層には、接地導体３が配置されている。
また、誘電体１の内層であるＬ３層には、交差位置ＣＰから＋ｘ方向に距離Ｄ１だけ離れている位置に接地導体４が配置され、また、交差位置ＣＰから−ｘ方向に距離Ｄ１だけ離れている位置に接地導体４が配置されている。
接地導体３と接地導体４は、交差位置ＣＰから＋ｘ方向及び−ｘ方向に距離Ｄ１だけ離れている位置において、柱状導体５，６によって電気的に接続されている。
【００１７】
図５に示すように、誘電体１の内層であるＬ１層には、信号線導体２が配置されており、誘電体１の内層であるＬ２層には、接地導体３が配置されている。
また、誘電体１の内層であるＬ３層には、交差位置ＣＰから＋ｘ方向に距離Ｄ２だけ離れている位置に接地導体４が配置され、また、交差位置ＣＰから−ｘ方向に距離Ｄ２だけ離れている位置に接地導体４が配置されている。
接地導体３と接地導体４は、交差位置ＣＰから＋ｘ方向及び−ｘ方向に距離Ｄ２だけ離れている位置において、柱状導体７，８によって電気的に接続されている。
【００１８】
図６に示すように、誘電体１の内層であるＬ１層には、信号線導体２が配置されており、誘電体１の内層であるＬ３層には、接地導体４が配置されている。
また、誘電体１の内層であるＬ２層には、交差位置ＣＰから＋ｘ方向に距離Ｄ２だけ離れている位置に接地導体３が配置され、また、交差位置ＣＰから−ｘ方向に距離Ｄ２だけ離れている位置に接地導体３が配置されている。
接地導体３と接地導体４は、交差位置ＣＰから＋ｘ方向及び−ｘ方向に距離Ｄ２だけ離れている位置において、柱状導体７，８によって電気的に接続されている。
【００１９】
次に、高周波伝送線路の作用効果を説明する。
図４８は非特許文献１のＦｉｇ.１.（ａ）に記載されている従来の高周波伝送線路の俯瞰図である。
図７（ａ）は図４８に示した従来の高周波伝送線路における接地導体の電流経路の上面図であり、（ｂ）はこの発明の実施の形態１による高周波伝送線路における接地導体の電流経路の上面図である。
両者共に高周波伝送線路の幅は２×Ｄ１である。
図７（ｂ）における点線の枠組みＦ１は図３及び図４に示す部分に相当し、点線の枠組みＦ２は図５及び図６に示す部分に相当する。
【００２０】
従来の高周波伝送線路における接地導体の電流経路Ｒ１は、図７（ａ）に示すように、直線状になるが、この実施の形態１では、図７（ｂ）に示すように、接地導体の電流経路Ｒ２がウェーブ状になるため、従来の高周波伝送線路における接地導体の電流経路Ｒ１より長くすることができる。
このように、この実施の形態１では、単位長さあたりのインダクタンス成分を増大させることができ、また、単位長さあたりのキャパシタンス成分の大半は信号線導体に近接する接地導体により決定するため、例えば、非特許文献１に記載の従来の高周波伝送線路と同等になる。よって、単位長さあたりのインダクタンス成分とキャパシタンス成分の積が大きくなるため、高周波伝送線路の遅波率は高くなる。
よって、従来の高周波伝送線路よりも遅波効果を高めることができ、伝送線路の実効比誘電率を高くすることができる。
この結果、高い遅波効果を得るために、従来の高周波伝送線路のように幅方向の占有面積を拡大する必要がないため、高周波伝送線路の小型化を図ることができる。
【００２１】
ここで、図８は上記の効果を確認するために行われたシミュレーションの結果を示す説明図である。
図８には、従来の高周波伝送線路の実効比誘電率のシミュレーション結果と、実施の形態１による高周波伝送線路の実効比誘電率のシミュレーション結果とを示している。
このシミュレーションは、有限要素法を用いる３次元電磁界シミュレーションであり、誘電体１の比誘電率を４．０、信号線導体２、接地導体３，４、柱状導体５〜８を導体、距離Ｄ１を４０［ｕｍ］、距離Ｄ２を１０，２０，３０［ｕｍ］として、シミュレーションを行っている。
図８のシミュレーション結果より、実施の形態１による高周波伝送線路の実効比誘電率が、従来の高周波伝送線路の実効比誘電率より高くなることが分かり、遅波効果の向上を確認することができる。
【００２２】
この実施の形態１では、全ての柱状導体５，６の配置位置が交差位置ＣＰから距離Ｄ１だけ離れている位置であり、全ての柱状導体７，８の配置位置が交差位置ＣＰから距離Ｄ２だけ離れている位置であるものを示したが、少なくとも１以上の柱状導体７又は柱状導体８の配置位置が交差位置ＣＰから距離Ｄ２だけ離れている位置であれば（残りの柱状導体７，８の配置位置は交差位置ＣＰから距離Ｄ１だけ離れている位置）、従来の高周波伝送線路における接地導体の電流経路Ｒ１より長くすることができる。
あるいは、少なくとも１以上の柱状導体５又は柱状導体６の配置位置が交差位置ＣＰから距離Ｄ１だけ離れている位置であれば（残りの柱状導体５，６の配置位置は交差位置ＣＰから距離Ｄ２だけ離れている位置）、従来の高周波伝送線路における接地導体の電流経路Ｒ１より長くすることができる。
【００２３】
この実施の形態１では、信号線導体１が配置されているＬ１層より下の層であるＬ２層、Ｌ３層に接地導体３，４が配置されている例を示しているが、更に、信号線導体１が配置されているＬ１層より上の層であるＬ４層（第４層）に接地導体３（第３地導体板）を配置して、Ｌ４層より上の層であるＬ５層（第５層）に接地導体４（第４地導体板）を配置するようにしてもよい。
あるいは、Ｌ２層、Ｌ３層に接地導体３，４を配置する代わりに、Ｌ４層、Ｌ５層に接地導体３，４を配置するようにしてもよい。
【００２４】
Ｌ２層、Ｌ３層に接地導体３，４を配置するとともに、Ｌ４層、Ｌ５層に接地導体３，４を配置する場合、Ｌ４層に配置する接地導体３の個数はＭ個であるが、このＭ（Ｍは２以上の整数）個は、Ｌ２層に配置する接地導体３の個数であるＮ個と同じでもよいし、異なっていてもよい。Ｌ５層に配置する接地導体４の個数はＭ個又はＭ＋１個である。
Ｌ４層に配置する接地導体３とＬ５層に配置する接地導体４を電気的に接続する柱状導体５の配置位置は、交差位置ＣＰから＋ｘ方向に距離Ｄ５（第５の距離）だけ離れている位置であるが、この距離Ｄ５は、距離Ｄ１と同じでもよいし、異なっていてもよい。
また、Ｌ４層に配置する接地導体３とＬ５層に配置する接地導体４を電気的に接続する柱状導体６の配置位置は、交差位置ＣＰから−ｘ方向に距離Ｄ６（第６の距離）だけ離れている位置であるが、この距離Ｄ６は、距離Ｄ１と同じでもよいし、異なっていてもよい。
【００２５】
Ｌ４層に配置する接地導体３とＬ５層に配置する接地導体４を電気的に接続する柱状導体７の配置位置は、交差位置ＣＰから＋ｘ方向に距離Ｄ７（第７の距離）だけ離れている位置であるが、この距離Ｄ７は、距離Ｄ２と同じでもよいし、異なっていてもよい。
また、Ｌ４層に配置する接地導体３とＬ５層に配置する接地導体４を電気的に接続する柱状導体８の配置位置は、交差位置ＣＰから−ｘ方向に距離Ｄ８（第８の距離）だけ離れている位置であるが、この距離Ｄ８は、距離Ｄ２と同じでもよいし、異なっていてもよい。
【００２６】
この実施の形態１では、Ｌ１層に信号線導体２が配置され、Ｌ２層，Ｌ３層に接地導体３，４が配置されるマイクロストリップ線路形式の高周波伝送線路を示したが、他の線路形式でもよいし、他の材料構成を用いてもよい。
例えば、Ｌ１層に接地導体を有するコプレーナ導波路形式、誘電体１を複数の材料で構成されているサスペンディッド線路形式、Ｌ１層より上層に接地導体が配置されているストリップ線路形式や、信号線導体２が誘電体１の表層に配置されている伝送線路形式でもよい。
また、誘電体１は絶縁性を有していればよく、誘電体１の一部又は全てが空気であってもよい。
【００２７】
実施の形態２．
上記実施の形態１では、全ての柱状導体５，６の配置位置が交差位置ＣＰから距離Ｄ１だけ離れている位置であり、全ての柱状導体７，８の配置位置が交差位置ＣＰから距離Ｄ２だけ離れている位置であるものを示したが、柱状導体５に係る距離Ｄ１（第１の距離）と柱状導体６に係る距離Ｄ１（第２の距離）の和と、柱状導体７に係る距離Ｄ２（第３の距離）と柱状導体８に係る距離Ｄ２（第４の距離）の和とが同じであるように、高周波伝送線路を構成してもよい。なお、その和が同じである箇所は、少なくとも１以上存在していればよい。
【００２８】
図９はこの発明の実施の形態２による高周波伝送線路を示す斜視図であり、図１０は図９の上面透過図である。
図１１は図１０におけるＡ−Ａ’面の断面図であり、図１２は図１０におけるＢ−Ｂ’面の断面図である。
また、図１３は図１０におけるＣ−Ｃ’面の断面図であり、図１４は図１０におけるＤ−Ｄ’面の断面図である。
【００２９】
高周波伝送線路の構造を具体的に説明する。
図１１に示すように、誘電体１の内層であるＬ１層には、信号線導体２が配置されており、誘電体１の内層であるＬ３層には、接地導体４が配置されている。
また、誘電体１の内層であるＬ２層には、交差位置ＣＰから＋ｘ方向に距離Ｄ１だけ離れている位置に接地導体３が配置され、また、交差位置ＣＰから−ｘ方向に距離Ｄ２だけ離れている位置に接地導体３が配置されている。
接地導体３と接地導体４は、交差位置ＣＰから＋ｘ方向に距離Ｄ１だけ離れている位置において、柱状導体５によって電気的に接続され、また、交差位置ＣＰから−ｘ方向に距離Ｄ２だけ離れている位置において、柱状導体８によって電気的に接続されている。
【００３０】
図１２に示すように、誘電体１の内層であるＬ１層には、信号線導体２が配置されており、誘電体１の内層であるＬ２層には、接地導体３が配置されている。
また、誘電体１の内層であるＬ３層には、交差位置ＣＰから＋ｘ方向に距離Ｄ１だけ離れている位置に接地導体４が配置され、また、交差位置ＣＰから−ｘ方向に距離Ｄ２だけ離れている位置に接地導体４が配置されている。
接地導体３と接地導体４は、交差位置ＣＰから＋ｘ方向に距離Ｄ１だけ離れている位置において、柱状導体５によって電気的に接続され、また、交差位置ＣＰから−ｘ方向に距離Ｄ２だけ離れている位置において、柱状導体８によって電気的に接続されている。
【００３１】
図１３に示すように、誘電体１の内層であるＬ１層には、信号線導体２が配置されており、誘電体１の内層であるＬ２層には、接地導体３が配置されている。
また、誘電体１の内層であるＬ３層には、交差位置ＣＰから＋ｘ方向に距離Ｄ２だけ離れている位置に接地導体４が配置され、また、交差位置ＣＰから−ｘ方向に距離Ｄ１だけ離れている位置に接地導体４が配置されている。
接地導体３と接地導体４は、交差位置ＣＰから＋ｘ方向に距離Ｄ２だけ離れている位置において、柱状導体７によって電気的に接続され、また、交差位置ＣＰから−ｘ方向に距離Ｄ１だけ離れている位置において、柱状導体６によって電気的に接続されている。
【００３２】
図１４に示すように、誘電体１の内層であるＬ１層には、信号線導体２が配置されており、誘電体１の内層であるＬ３層には、接地導体４が配置されている。
また、誘電体１の内層であるＬ２層には、交差位置ＣＰから＋ｘ方向に距離Ｄ２だけ離れている位置に接地導体３が配置され、また、交差位置ＣＰから−ｘ方向に距離Ｄ１だけ離れている位置に接地導体３が配置されている。
接地導体３と接地導体４は、交差位置ＣＰから＋ｘ方向に距離Ｄ２だけ離れている位置において、柱状導体７によって電気的に接続され、また、交差位置ＣＰから−ｘ方向に距離Ｄ１だけ離れている位置において、柱状導体６によって電気的に接続されている。
【００３３】
次に、高周波伝送線路の作用効果を説明する。
図１５はこの発明の実施の形態２による高周波伝送線路における接地導体の電流経路図である。
この高周波伝送線路の幅は２×Ｄ１である。
図１５における点線の枠組みＦ３は図１１及び図１２に示す部分に相当し、点線の枠組みＦ４は図１３及び図１４に示す部分に相当する。
【００３４】
従来の高周波伝送線路における接地導体の電流経路Ｒ１は、図７（ａ）に示すように、直線状になるが、この実施の形態２では、図１５に示すように、接地導体の電流経路Ｒ３がウェーブ状になるため、従来の高周波伝送線路における接地導体の電流経路Ｒ１より長くすることができる。
このように、この実施の形態２では、単位長さあたりのインダクタンス成分を増大させることができ、また、単位長さあたりのキャパシタンス成分の大半は信号線導体に近接する接地導体により決定するため、例えば、非特許文献１に記載の従来の高周波伝送線路と同等になる。よって、単位長さあたりのインダクタンス成分とキャパシタンス成分の積が大きくなるため、高周波伝送線路の遅波率は高くなる。
また、上記実施の形態１では、図７（ｂ）に示す点線の枠組みＦ１と点線の枠組みＦ２でのインピーダンスが不連続であるが、この実施の形態２では、点線の枠組みＦ３と点線の枠組みＦ４でのインピーダンスが連続である。
よって、上記実施の形態１と同様に、従来の高周波伝送線路よりも遅波効果を高めることができるとともに、上記実施の形態１よりも、高周波伝送線路の各断面において整合を広帯域に取ることができる。
この結果、例えば、５０Ω線路との整合を取ることができ、挿入損失を低減することが可能になる。
【００３５】
ここで、図１６は上記の効果を確認するために行われたシミュレーションの結果を示す説明図である。
図１６には、上記実施の形態１の高周波伝送線路の前後に５０Ω線路が接続された際の挿入損失のシミュレーション結果と、この実施の形態２の高周波伝送線路の前後に５０Ω線路が接続された際の挿入損失のシミュレーション結果とを示している。
このシミュレーションは、有限要素法を用いる３次元電磁界シミュレーションであり、誘電体１の比誘電率を４．０、信号線導体２、接地導体３，４、柱状導体５〜８を導体、距離Ｄ１を４０［ｕｍ］、距離Ｄ２を１０，２０，３０［ｕｍ］として、シミュレーションを行っている。
図１６のシミュレーション結果より、この実施の形態２による高周波伝送線路では、上記実施の形態１による高周波伝送線路よりも、反射特性と通過特性がよくなっていることが分かり、挿入損失の低減を確認することができる。
【００３６】
実施の形態３．
図１７はこの発明の実施の形態３による高周波伝送線路を示す斜視図であり、図１８は図１７の上面透過図である。
図１９は図１８におけるＡ−Ａ’面の断面図であり、図２０は図１８におけるＢ−Ｂ’面の断面図である。
また、図２１は図１８におけるＣ−Ｃ’面の断面図である。
【００３７】
最初に、高周波伝送線路の構造を簡単に説明する。
図１７〜２１において、図１〜５と同一符号は同一または相当部分を示すので説明を省略する。
第１地導体板である接地導体１１は誘電体１の内層であるＬ２層（第２層）に配置され、信号線導体１の延伸方向と異なる方向に延伸している。なお、接地導体１１は信号線導体１の延伸方向にＮ（Ｎは２以上の整数）個配置されている。
【００３８】
第１地導体である接地導体１２は接地導体１１が信号線導体１と交差する交差位置ＣＰから＋ｘ方向に距離Ｄ１（第１の距離）だけ離れている位置に配置されて、手前から奇数番目の接地導体１１と偶数番目の接地導体１１とを短絡させている。
例えば、図１８の上面透過図は、図中、下側が「手前」であり、１番下の接地導体１１が１番目の接地導体１１である。
第２地導体である接地導体１３は接地導体１１が信号線導体１と交差する交差位置ＣＰから−ｘ方向に距離Ｄ１（第２の距離）だけ離れている位置に配置されて、手前から奇数番目の接地導体１１と偶数番目の接地導体１１とを短絡させている。
【００３９】
第３地導体である接地導体１４は接地導体１１が信号線導体１と交差する交差位置ＣＰから＋ｘ方向に距離Ｄ２（第３の距離）だけ離れている位置に配置されて、手前から偶数番目の接地導体１１と奇数番目の接地導体１１とを短絡させている。
第４地導体である接地導体１５は接地導体１１が信号線導体１と交差する交差位置ＣＰから−ｘ方向に距離Ｄ２（第４の距離）だけ離れている位置に配置されて、手前から偶数番目の接地導体１１と奇数番目の接地導体１１とを短絡させている。
【００４０】
次に、高周波伝送線路の構造を具体的に説明する。
図１９に示すように、誘電体１の内層であるＬ１層には、信号線導体２が配置されており、誘電体１の内層であるＬ２層には、長さ２×Ｄ１の接地導体１１が配置されている。
図２０に示すように、誘電体１の内層であるＬ１層には、信号線導体２が配置されており、誘電体１の内層であるＬ２層には、交差位置ＣＰから＋ｘ方向に距離Ｄ１だけ離れている位置に接地導体１２が配置され、また、交差位置ＣＰから−ｘ方向に距離Ｄ１だけ離れている位置に接地導体１３が配置されている。
【００４１】
図２１に示すように、誘電体１の内層であるＬ１層には、信号線導体２が配置されており、誘電体１の内層であるＬ２層には、交差位置ＣＰから＋ｘ方向に距離Ｄ２だけ離れている位置に接地導体１４が配置され、また、交差位置ＣＰから−ｘ方向に距離Ｄ２だけ離れている位置に接地導体１５が配置されている。
これにより、手前から奇数番目の接地導体１１と偶数番目の接地導体１１は、交差位置ＣＰから＋ｘ方向及び−ｘ方向に距離Ｄ１だけ離れている位置において、接地導体１２，１３によって電気的に接続されている。
また、手前から偶数番目の接地導体１１と奇数番目の接地導体１１は、交差位置ＣＰから＋ｘ方向及び−ｘ方向に距離Ｄ２だけ離れている位置において、接地導体１４，１５によって電気的に接続されている。
【００４２】
次に、高周波伝送線路の作用効果を説明する。
上記実施の形態１，２では、２つの層（Ｌ２層、Ｌ３層）に接地導体３，４を配置し、柱状導体５〜８を介して、接地導体３と接地導体４を電気的に接続しているものを示したが、この実施の形態３では、複数の接地導体１１を１つの層に配置して、各々の接地導体１１を同層の接地導体１２〜１５を介して電気的に接続するようにしている点で相違している。
この実施の形態３の効果は、上記実施の形態１の効果と同じであるが、接地導体１１を１つの層だけに配置すればよいため、構造の簡略化が可能になる。
【００４３】
この実施の形態３では、全ての接地導体１２，１３の配置位置が交差位置ＣＰから距離Ｄ１だけ離れている位置であり、全ての接地導体１４，１５の配置位置が交差位置ＣＰから距離Ｄ２だけ離れている位置であるものを示したが、少なくとも１以上の接地導体１４又は接地導体１５の配置位置が交差位置ＣＰから距離Ｄ２だけ離れている位置であれば（残りの接地導体１４，１５の配置位置は交差位置ＣＰから距離Ｄ１だけ離れている位置）、従来の高周波伝送線路における接地導体の電流経路Ｒ１より長くすることができる。
あるいは、少なくとも１以上の接地導体１２又は接地導体１３の配置位置が交差位置ＣＰから距離Ｄ１だけ離れている位置であれば（残りの接地導体１２，１３の配置位置は交差位置ＣＰから距離Ｄ１だけ離れている位置）、従来の高周波伝送線路における接地導体の電流経路Ｒ１より長くすることができる。
【００４４】
この実施の形態１では、信号線導体１が配置されているＬ１層より下の層であるＬ２層に接地導体１１が配置されている例を示しているが、更に、信号線導体１が配置されているＬ１層より上の層であるＬ３層（第３層）に接地導体１１（第２地導体板）を配置するようにしてもよい。
あるいは、Ｌ２層に接地導体１１を配置する代わりに、Ｌ３層に接地導体１１を配置するようにしてもよい。
【００４５】
Ｌ２層に接地導体１１を配置するとともに、Ｌ３層に接地導体１１を配置する場合、Ｌ３層に配置する接地導体１１の個数はＭ個であるが、このＭ（Ｍは２以上の整数）個は、Ｌ２層に配置する接地導体１１の個数であるＮ個と同じでもよいし、異なっていてもよい。
手前から奇数番目の接地導体１１と偶数番目の接地導体１１とを電気的に接続する接地導体１２の配置位置は、交差位置ＣＰから＋ｘ方向に距離Ｄ５（第５の距離）だけ離れている位置であるが、この距離Ｄ５は、距離Ｄ１と同じでもよいし、異なっていてもよい。
また、手前から奇数番目の接地導体１１と偶数番目の接地導体１１とを電気的に接続する接地導体１３の配置位置は、交差位置ＣＰから−ｘ方向に距離Ｄ６（第６の距離）だけ離れている位置であるが、この距離Ｄ６は、距離Ｄ１と同じでもよいし、異なっていてもよい。
【００４６】
手前から偶数番目の接地導体１１と奇数番目の接地導体１１とを電気的に接続する接地導体１４の配置位置は、交差位置ＣＰから＋ｘ方向に距離Ｄ７（第７の距離）だけ離れている位置であるが、この距離Ｄ７は、距離Ｄ２と同じでもよいし、異なっていてもよい。
また、手前から偶数番目の接地導体１１と奇数番目の接地導体１１とを電気的に接続する接地導体１５の配置位置は、交差位置ＣＰから−ｘ方向に距離Ｄ８（第８の距離）だけ離れている位置であるが、この距離Ｄ７は、距離Ｄ２と同じでもよいし、異なっていてもよい。
【００４７】
この実施の形態３では、全ての接地導体１２，１３の配置位置が交差位置ＣＰから距離Ｄ１だけ離れている位置であり、全ての接地導体１４，１５の配置位置が交差位置ＣＰから距離Ｄ２だけ離れている位置であるものを示したが、接地導体１３の配置位置が交差位置ＣＰから距離Ｄ２だけ離れている位置であり、接地導体１５の配置位置が交差位置ＣＰから距離Ｄ１だけ離れている位置であるようにしてもよい。
あるいは、接地導体１２の配置位置が交差位置ＣＰから距離Ｄ２だけ離れている位置であり、接地導体１４の配置位置が交差位置ＣＰから距離Ｄ１だけ離れている位置であるようにしてもよい。
【００４８】
上記実施の形態１〜３では、距離Ｄ１が距離Ｄ２より大きい例を示したが、距離Ｄ１が距離Ｄ２の半分以上で２倍以下であるようにしてもよい。なお、距離Ｄ１が距離Ｄ２の半分以上で２倍以下である箇所は、少なくとも１以上存在していればよい。
【００４９】
実施の形態４．
図２２はこの発明の実施の形態４による高周波伝送線路を示す斜視図である。
図２３は図２２の上面透過図、図２４は図２３におけるＡ−Ａ’面の断面図、図２５は図２３におけるＢ−Ｂ ’面の断面図、図２６は図２３におけるＣ−Ｃ ’面の断面図、図２７は図２３におけるＤ−Ｄ ’面の断面図、図２８は図２２の側面図である。
【００５０】
高周波伝送線路の構造を具体的に説明する。
図２４に示すように、誘電体３０１の内層Ｌ１層に信号線導体１０１が配置され、誘電体３０１の内層Ｌ３層に接地導体２０２が配置される。
図２５に示すように、誘電体３０１の内層Ｌ１層に信号線導体１０１が配置され、誘電体３０１の内層Ｌ２層に接地導体２０１が配置され、誘電体３０１の内層Ｌ３層に接地導体２０２が配置され、接地導体２０１と接地導体２０２は１本または複数の柱状導体２１１を介して電気的に接続されている。
【００５１】
図２６に示すように、誘電体３０１の内層Ｌ１層に信号線導体１０１が配置され、誘電体３０１の内層Ｌ２層に接地導体２０１が配置される。
図２７に示すように、誘電体３０１の内層Ｌ１層に信号線導体１０１が配置され、誘電体３０１の内層Ｌ２層に接地導体２０１が配置され、誘電体３０１の内層Ｌ３層に接地導体２０２が配置され、接地導体２０１と接地導体２０２は１本または複数の柱状導体２１１を介して電気的に接続されている。
【００５２】
次に、高周波伝送線路の作用効果を説明する。
図２９（ａ）は図４８に示した従来の高周波伝送線路における接地導体の電流経路の側面図であり、（ｂ）はこの発明の実施の形態４による高周波伝送線路における接地導体の電流経路の側面図である。
従来の高周波伝送線路における接地導体の電流経路Ｉ１およびＩ１’は、図２９（ａ）に示すように、直線状になるが、この実施の形態４では、図２９（ｂ）に示すように、接地導体の電流経路Ｉ２がウェーブ状になるため、従来の高周波伝送線路における接地導体の電流経路Ｉ１およびＩ１’より長くすることができる。
【００５３】
このように、この実施の形態４では、単位長さあたりのインダクタンス成分を増大させることができ、また、単位長さあたりのキャパシタンス成分の大半は信号線導体に近接する接地導体により決定するため、例えば、非特許文献１に記載の従来の高周波伝送線路と同等になる。よって、単位長さあたりのインダクタンス成分とキャパシタンス成分の積が大きくなるため、高周波伝送線路の遅波率は高くなる。
よって、従来の高周波伝送線路よりも遅波効果を高めることができる。
この結果、高い遅波効果を得るために、従来の高周波伝送線路のように幅方向の占有面積を拡大する必要がないため、高周波伝送線路の小型化を図ることができる。
【００５４】
実施の形態５．
図３０はこの発明の実施の形態５による高周波伝送線路を示す斜視図である。
図３１は図３０の上面透過図、図３２は図３１におけるＡ−Ａ’面の断面図、図３３は図３１におけるＢ−Ｂ’ 面の断面図、図３４は図３１におけるＣ−Ｃ’ 面の断面図、図３５は図３１におけるＤ−Ｄ’ 面の断面図である。
【００５５】
高周波伝送線路の構造を具体的に説明する。
図３２に示すように、誘電体３０１の内層Ｌ１層に信号線導体１０１が配置され、誘電体３０１の内層Ｌ３層に接地導体２０２が配置される。
誘電体３０１の内層Ｌ１層に中心面ＣＰから＋ｘ方向へＤ１の距離に接地導体２０３が配置され、誘電体３０１の内層Ｌ１層に中心面ＣＰから−ｘ方向へＤ２の距離に接地導体２０３が配置され、誘電体３０１の内層Ｌ２層に中心面ＣＰから＋ｘ方向へＤ１の距離に接地導体２０１が配置され、誘電体３０１の内層Ｌ２層に中心面ＣＰから−ｘ方向へＤ２の距離に接地導体２０１が配置される。
また、中心面ＣＰから＋ｘ方向に位置する接地導体２０１と接地導体２０３は１本または複数の柱状導体２１１ａを介して電気的に接続され、中心面ＣＰから−方向に位置する接地導体２０１と接地導体２０３は１本または複数の柱状導体２１２ａを介して電気的に接続され、中心面ＣＰから＋ｘ方向に位置する接地導体２０３と接地導体２０２は１本または複数の柱状導体２１１ｂを介して電気的に接続され、中心面ＣＰから−方向に位置する接地導体２０３と接地導体２０２は１本または複数の柱状導体２１２ｂを介して電気的に接続されている。
【００５６】
図３３に示すように、誘電体３０１の内層Ｌ１層に信号線導体１０１が配置され、誘電体３０１の内層Ｌ３層に接地導体２０２が配置される。
誘電体３０１の内層Ｌ１層に中心面ＣＰから＋ｘ方向へＤ１の距離に接地導体２０３が配置され、誘電体３０１の内層Ｌ１層に中心面ＣＰから−ｘ方向へＤ２の距離に接地導体２０３が配置され、誘電体３０１の内層Ｌ３層に中心面ＣＰから＋ｘ方向へＤ１の距離に接地導体２０２が配置され、誘電体３０１の内層Ｌ３層に中心面ＣＰから−ｘ方向へＤ２の距離に接地導体２０２が配置される。
また、中心面ＣＰから＋ｘ方向に位置する接地導体２０１と接地導体２０３は１本または複数の柱状導体２１１ａを介して電気的に接続され、中心面ＣＰから−方向に位置する接地導体２０１と接地導体２０３は１本または複数の柱状導体２１２ａを介して電気的に接続され、中心面ＣＰから＋ｘ方向に位置する接地導体２０３と接地導体２０２は１本または複数の柱状導体２１１ｂを介して電気的に接続され、中心面ＣＰから−方向に位置する接地導体２０３と接地導体２０２は１本または複数の柱状導体２１２ｂを介して電気的に接続されている。
【００５７】
図３４に示すように、誘電体３０１の内層Ｌ１層に信号線導体１０１が配置され、誘電体３０１の内層Ｌ３層に接地導体２０２が配置される。
誘電体３０１の内層Ｌ１層に中心面ＣＰから＋ｘ方向へＤ３の距離に接地導体２０３が配置され、誘電体３０１の内層Ｌ１層に中心面ＣＰから−ｘ方向へＤ４の距離に接地導体２０３が配置され、誘電体３０１の内層Ｌ３層に中心面ＣＰから＋ｘ方向へＤ３の距離に接地導体２０２が配置され、誘電体３０１の内層Ｌ３層に中心面ＣＰから−ｘ方向へＤ４の距離に接地導体２０２が配置される。
また、中心面ＣＰから＋ｘ方向に位置する接地導体２０１と接地導体２０３は１本または複数の柱状導体２１３ａを介して電気的に接続され、中心面ＣＰから−方向に位置する接地導体２０１と接地導体２０３は１本または複数の柱状導体２１４ａを介して電気的に接続され、中心面ＣＰから＋ｘ方向に位置する接地導体２０３と接地導体２０２は１本または複数の柱状導体２１３ｂを介して電気的に接続され、中心面ＣＰから−方向に位置する接地導体２０３と接地導体２０２は１本または複数の柱状導体２１４ｂを介して電気的に接続されている。
【００５８】
図３５に示すように、誘電体３０１の内層Ｌ１層に信号線導体１０１が配置され、誘電体３０１の内層Ｌ３層に接地導体２０２が配置される。
誘電体３０１の内層Ｌ１層に中心面ＣＰから＋ｘ方向へＤ３の距離に接地導体２０３が配置され、誘電体３０１の内層Ｌ１層に中心面ＣＰから−ｘ方向へＤ４の距離に接地導体２０３が配置され、誘電体３０１の内層Ｌ２層に中心面ＣＰから＋ｘ方向へＤ３の距離に接地導体２０１が配置され、誘電体３０１の内層Ｌ２層に中心面ＣＰから−ｘ方向へＤ４の距離に接地導体２０１が配置される。
また、中心面ＣＰから＋ｘ方向に位置する接地導体２０１と接地導体２０３は１本または複数の柱状導体２１３ａを介して電気的に接続され、中心面ＣＰから−方向に位置する接地導体２０１と接地導体２０３は１本または複数の柱状導体２１４ａを介して電気的に接続され、中心面ＣＰから＋ｘ方向に位置する接地導体２０３と接地導体２０２は１本または複数の柱状導体２１３ｂを介して電気的に接続され、中心面ＣＰから−方向に位置する接地導体２０３と接地導体２０２は１本または複数の柱状導体２１４ｂを介して電気的に接続されている。
【００５９】
ここで、図３２〜図３５では、Ｄ１＝Ｄ２、Ｄ３＝Ｄ４、Ｄ１＞Ｄ３となっており、図３２〜図３５の断面が周期的に配置された構造をなしている。
次に、高周波伝送線路の作用効果を説明する。
上記実施の形態１では、２層の接地導体が信号線導体より下層に位置する場合について説明しているが、この実施の形態５では、２層の接地導体が信号線導体より上層と下層にそれぞれ位置する場合について説明する。
【００６０】
上記構造により、この実施の形態５の電流経路のうち、上面から見た経路は、上記実施の形態１の図７（ｂ）に示す電流経路と同様になる。
また、この実施の形態５の電流経路のうち、側面から見た経路は、上記実施の形態４の図２９（ｂ）に示す電流経路と同様になり、上下に隣接する各層間の距離が一定と考えた場合、この実施の形態５のＬ２層とＬ３層間の距離は、上記実施の形態１のＬ２層とＬ３層間の距離より長くなるため、この実施の形態５では、上記実施の形態１より単位長さあたりのインダクタンス成分が大きくなる。
【００６１】
また、この実施の形態５の接地導体は、上記実施の形態１の接地導体と比べて、信号線導体に近接させることが可能であるため、単位長さあたりのキャパシタンス成分が大きくなる。さらに、図３６に示すように、Ｄ３がＤ１に対して小さいほど、信号線導体と信号線導体の±ｘ方向の接地導体から成るキャパシタンス成分Ｃｓが大きくなる。
よって、単位長さあたりのインダクタンス成分とキャパシタンス成分の積が大きくなるため、高周波伝送線路の遅波率は高くなる。
したがって、従来の高周波伝送線路よりも遅波効果を高めることができる。
この結果、高い遅波効果を得るために、従来の高周波伝送線路のように幅方向の占有面積を拡大する必要がないため、高周波伝送線路の小型化を図ることができる。
【００６２】
上記の効果を確認するために、シミュレーションを実施しており、図３７はシミュレーション結果を示す説明図である。
図３７は従来構造、実施の形態１に係る高周波伝送線路、実施の形態５（その１）に係る高周波伝送線路及び実施の形態５（その２）に係る高周波伝送線路の遅波率のシミュレーション結果を示している。シミュレーションには有限要素法を用いている。
誘電体３０１の比誘電率を４．２、誘電体３０１の誘電正接を０．００１６、信号線導体と接地導体と柱状導体の導電率を３．８×１０＾７、信号線導体の±ｘ方向の太さを３ｕｍ、信号線導体の±ｚ方向の厚さを２ｕｍ、信号線導体と接地導体の±ｚ方向の間隔を１ｕｍとしシミュレーションを行っている。
【００６３】
また、実施の形態５（その１）に係る高周波伝送線路は、Ｄ１＝Ｄ２＝４０ｕｍ、Ｄ３＝Ｄ４＝３０ｕｍとし、実施の形態５（その２）に係る高周波伝送線路は、Ｄ１＝Ｄ２＝４０ｕｍ、Ｄ３＝Ｄ４＝３．５ｕｍとしている。
図３７より、この実施の形態５に係る高周波伝送線路は、従来構造や上記実施の形態１に係る高周波伝送線路と比べて遅波率が高く、この実施の形態５に係る高周波伝送線路のうち、信号線導体と信号線導体の±ｘ方向の接地導体が近接するほど遅波率が高くなることが分かる。
以上より、この実施の形態５に係る高周波伝送線路は高い遅波効果を得ることができる。
【００６４】
ここで、この実施の形態５では、信号線より下層に接地導体が１層、信号線より上層に接地導体が１層の場合について説明したが、信号線より下層に接地導体が２層以上、または、信号線より上層に接地導体が２層以上配置してもよい。
また、導体は信号線導体と接地導体のみを用いた場合について説明したが、信号線導体と接地導体が１つ以上あればよく、その他の導体は接地していなくてもよい。また、他の材料構成を用いてもよい。例えば、図３０〜図３６における誘電体３０１は絶縁性を有していればよく、誘電体の一部及び全てが空気の場合でもよい。
【００６５】
実施の形態６．
図３８はこの発明の実施の形態６による高周波伝送線路を示す斜視図である。
図３９は図３８の上面透過図、図４０は図３９におけるＡ−Ａ’面の断面図、図４１は図３９におけるＢ−Ｂ’面の断面図、図４２は図３９におけるＣ−Ｃ’面の断面図、図４３は図３９におけるＤ−Ｄ’面の断面図、図４４は図３８の側面図である。
【００６６】
高周波伝送線路の構造を具体的に説明する。
図４０に示すように、誘電体３０１の内層Ｌ１層に信号線導体１０１が配置され、誘電体３０１の内層Ｌ３層に接地導体２０２が配置される。
図４１に示すように、誘電体３０１の内層Ｌ１層に信号線導体１０１が配置され、誘電体３０１の内層Ｌ３層に接地導体２０２が配置される。
また、誘電体３０１の内層Ｌ１層に中心面ＣＰから＋ｘ方向へＤ１の距離に接地導体２０３が配置され、誘電体３０１の内層Ｌ１層に中心面ＣＰから−ｘ方向へＤ２の距離に接地導体２０３が配置され、誘電体３０１の内層Ｌ３層に中心面ＣＰから＋ｘ方向へＤ１の距離に接地導体２０２が配置され、誘電体３０１の内層Ｌ３層に中心面ＣＰから−ｘ方向へＤ２の距離に接地導体２０２が配置される。
また、中心面ＣＰから＋ｘ方向に位置する接地導体２０１と接地導体２０３は１本または複数の柱状導体２１１ａを介して電気的に接続され、中心面ＣＰから−方向に位置する接地導体２０１と接地導体２０３は１本または複数の柱状導体２１２ａを介して電気的に接続され、中心面ＣＰから＋ｘ方向に位置する接地導体２０３と接地導体２０２は１本または複数の柱状導体２１１ｂを介して電気的に接続され、中心面ＣＰから−方向に位置する接地導体２０３と接地導体２０２は１本または複数の柱状導体２１２ｂを介して電気的に接続されている。
【００６７】
図４２に示すように、誘電体３０１の内層Ｌ１層に信号線導体１０１が配置され、誘電体３０１の内層Ｌ２層に接地導体２０１が配置される。
図４３に示すように、誘電体３０１の内層Ｌ１層に信号線導体１０１が配置され、誘電体３０１の内層Ｌ３層に接地導体２０２が配置される。
また、誘電体３０１の内層Ｌ１層に中心面ＣＰから＋ｘ方向へＤ３の距離に接地導体２０３が配置され、誘電体３０１の内層Ｌ１層に中心面ＣＰから−ｘ方向へＤ４の距離に接地導体２０３が配置され、誘電体３０１の内層Ｌ２層に中心面ＣＰから＋ｘ方向へＤ３の距離に接地導体２０１が配置され、誘電体３０１の内層Ｌ２層に中心面ＣＰから−ｘ方向へＤ４の距離に接地導体２０１が配置される。
また、中心面ＣＰから＋ｘ方向に位置する接地導体２０１と接地導体２０３は１本または複数の柱状導体２１３ａを介して電気的に接続され、中心面ＣＰから−方向に位置する接地導体２０１と接地導体２０３は１本または複数の柱状導体２１４ａを介して電気的に接続され、中心面ＣＰから＋ｘ方向に位置する接地導体２０３と接地導体２０２は１本または複数の柱状導体２１３ｂを介して電気的に接続され、中心面ＣＰから−方向に位置する接地導体２０３と接地導体２０２は１本または複数の柱状導体２１４ｂを介して電気的に接続されている。
【００６８】
ここで、図４０〜図４３では、Ｄ１＝Ｄ２＝Ｄ３＝Ｄ４となっており、図４０〜図４３の断面が周期的に配置された構造をなしている。
次に、高周波伝送線路の作用効果を説明する。
図４９は特許文献３の図１に記載されている従来の高周波伝送線路の俯瞰図である。
図４５（ａ）は図４９に示した従来の高周波伝送線路における接地導体の電流経路の側面図であり、（ｂ）はこの発明の実施の形態６における接地導体の電流経路の側面図である。
【００６９】
従来の高周波伝送線路における接地導体の電流経路Ｉ１は、図４５（ａ）に示すように直線状になるが、この実施の形態６では、図４５（ｂ）に示すように、接地導体の電流経路Ｉ２がウェーブ状になるため、従来の高周波伝送線路における接地導体の電流経路Ｉ１より長くすることができる。このように、この実施の形態６では、単位長さあたりのインダクタンス成分を増大させることができる。
よって、単位長さあたりのインダクタンス成分とキャパシタンス成分の積が大きくなるため、高周波伝送線路の遅波率は高くなる。
したがって、従来の高周波伝送線路よりも遅波効果を高めることができる。
【００７０】
この結果、高い遅波効果を得るために、従来の高周波伝送線路のように幅方向の占有面積を拡大する必要がないため、高周波伝送線路の小型化を図ることができる。
図４６（ａ）は図４９に示した従来の高周波伝送線路における中央断面図であり、（ｂ）は図４５（ａ）に示した従来の高周波伝送線路における分布定数回路図である。
図４７（ａ）はこの発明の実施の形態６における中央断面図であり、（ｂ）は図４５（ｂ）に示した実施の形態６における分布定数回路図である。
【００７１】
ここで、導体の最小幅と導体の最小間隔のそれぞれの値を、従来の高周波伝送線路と実施の形態６とで同一としている。
図４６（ｂ）より、従来の高周波伝送線路のセクション１’は、シリーズの抵抗成分がＲ’1、シリーズのインダクタンス成分がＬ’1、シャントのコンダクタンス成分がＧ’1、シャントのキャパシタンス成分がＣ’1からなり、セクション２’は、シリーズの抵抗成分がＲ’2、シリーズのインダクタンスが成分Ｌ’2、シャントのコンダクタンス成分がＧ’2、シャントのキャパシタンス成分がＣ’2からなる。
ただし、Ｒ’1とＲ’2は同じであるが、Ｌ’1とＬ’2、Ｇ’1とＧ’2、Ｃ’1とＣ’2はそれぞれ異なる。従来の高周波伝送線路の１周期長はセクション１’とセクション２’を足した距離となるため、導体の最小幅と導体の最小間隔を足した値となる。
【００７２】
図４７（ｂ）より、この実施の形態６のセクション１は、シリーズの抵抗成分がＲ1、シリーズのインダクタンス成分がＬ1、シャントのコンダクタンス成分がＧ1、シャントのキャパシタンス成分がＣ1からなり、セクション２は、シリーズの抵抗成分がＲ2、シリーズのインダクタンスが成分Ｌ2、シャントのコンダクタンス成分がＧ2、シャントのキャパシタンス成分がＣ2からなる。
ただし、Ｒ1とＲ2は同じであり、セクション１とセクション２は信号線導体の中心ｘｙ面を中心に上下対称となっているため、Ｌ1とＬ2、Ｇ1とＧ2、Ｃ1とＣ2はそれぞれ同じ値となる。
【００７３】
この実施の形態６の１周期長は、セクション１とセクション２を足した距離の半分となるため、導体の最小幅と導体の最小間隔を足した値の半分となる。
よって、この実施の形態６では、従来の高周波伝送線路と比べて１周期長を半分にすることができ、そのため、遮断周波数を高くすることができる。
また、上記実施の形態５は、この実施の形態６と同様の分布定数回路図が書けるが、セクション１のシリーズのインダクタンスと、セクション２のシリーズのインダクタンスが異なる。このため、この実施の形態６では、上記実施の形態５と比べて１周期長を半分にすることができ、遮断周波数を高くすることができる。
この結果、高周波伝送線路の適応可能となる周波数範囲を広くすることができる。
【００７４】
ここで、この実施の形態６では、図４０〜図４３において、Ｄ１＝Ｄ２＝Ｄ３＝Ｄ４の場合を例に説明したが、Ｄ１＋Ｄ２＝Ｄ３＋Ｄ４を満足していればよく、例えば、Ｄ１＋Ｄ２＝Ｄ３＋Ｄ４、かつ、Ｄ１＝Ｄ３の場合、また、Ｄ１＋Ｄ２＝Ｄ３＋Ｄ４、かつ、Ｄ１＝Ｄ４の場合でもよい。
【００７５】
なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。
【符号の説明】
【００７６】
１  誘電体（絶縁体）、２  信号線導体、３，１１  接地導体（第１地導体板）、４  接地導体（第２地導体板）、５  柱状導体（第１地導体）、６  柱状導体（第２地導体）、７  柱状導体（第３地導体）、８  柱状導体（第４地導体）、１２  接地導体（第１地導体）、１３  接地導体（第２地導体）、１４  接地導体（第３地導体）、１５  接地導体（第４地導体）、１０１  信号線導体、２０１，２０２，２０３  接地導体、２１１，２１１ａ，２１１ｂ，２１２ａ，２１２ｂ，２１３ａ，２１３ｂ，２１４ａ，２１４ｂ  柱状導体、３０１  誘電体。
【図１】
2012209940.tif 000003
【図２】
2012209940.tif 000004
【図３】
2012209940.tif 000005
【図４】
2012209940.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
2012209940.tif 000009
【図８】
2012209940.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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