(57)【要約】【課題】フォトリソグラフィー法を利用した有機ＥＬ層のパターニングの際に、素子と素子との間の領域に設けられる部材を損傷させないようにする有機ＥＬ装置の製造方法を提供する。【解決手段】少なくとも第一下部電極上に第一有機ＥＬ層を形成する工程と、前記第一有機ＥＬ層上に第一保護層を形成する工程と、前記第一有機ＥＬ層及び前記第一保護層の加工工程と、少なくとも第二下部電極上に第二有機ＥＬ層を形成する工程と、前記第二有機ＥＬ層上に第二保護層を形成する工程と、前記第二有機ＥＬ層及び前記第二保護層の加工工程と、を有し、前記第二有機ＥＬ層及び前記第二保護層の加工工程によって加工された前記第二有機ＥＬ層及び前記第二保護層が、前記第一有機ＥＬ層及び前記第一保護層の加工工程によって加工された前記第一有機ＥＬ層の端部及び前記第一保護層の端部を被覆していることを特徴とする、有機ＥＬ装置の製造方法。【選択図】図２
2012209166.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも第一有機ＥＬ素子と、第二有機ＥＬ素子と、を有し、
前記第一有機ＥＬ素子が、第一下部電極と、第一有機ＥＬ層と、上部電極と、を有し、
前記第二有機ＥＬ素子が、第二下部電極と、第二有機ＥＬ層と、上部電極と、を有し、
前記第一有機ＥＬ素子の発光色が、前記第二の有機発光素子の発光色と異なる有機ＥＬ装置の製造方法において、
前記有機ＥＬ装置の製造方法が、少なくとも前記第一下部電極上に前記第一有機ＥＬ層を形成する工程と、
前記第一有機ＥＬ層上に第一保護層を形成する工程と、
前記第一有機ＥＬ層及び前記第一保護層を所定のパターンに加工する工程と、
少なくとも前記第二下部電極上に前記第二有機ＥＬ層を形成する工程と、
前記第二有機ＥＬ層上に第二保護層を形成する工程と、
前記第二有機ＥＬ層及び前記第二保護層を所定のパターンに加工する工程と、を有し、
前記第二有機ＥＬ層及び前記第二保護層を所定のパターンに加工する工程によって加工された前記第二有機ＥＬ層及び前記第二保護層が、前記第一有機ＥＬ層及び前記第一保護層を所定のパターンに加工する工程によって加工された前記第一有機ＥＬ層の端部及び前記第一保護層の端部を被覆していることを特徴とする、有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
前記第一保護層及び前記第二保護層は、それぞれ少なくとも水溶性材料からなる第一層と、非水溶性材料からなる第二層と、からなる積層体であることを特徴とする、請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に知られている有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）を搭載した表示装置とは、有機ＥＬ素子を単数あるいは複数有する画素を所定のパターンで配列してなる装置である。またこの画素により、表示装置内の表示領域は２次元的に高精細に分割されている。ここでこの画素に含まれる有機ＥＬ素子は、例えば、赤、緑又は青のいずれかの光を出力する電子素子である。有機ＥＬ素子を搭載した表示装置は、所望の色を出力する有機ＥＬ素子を所望の発光強度で駆動させることでフルカラーの画像を得ている。
【０００３】
ところで、表示装置の構成要素である有機ＥＬ素子において、素子に含まれる有機化合物層は、蒸着等により有機材料からなる薄膜を成膜することにより形成される薄膜層である。ここで蒸着により表示装置内の有機ＥＬ素子に含まれる有機化合物層を素子ごとに形成する際には、高精細なパターニング技術が必要とされる。そしてパターニングを行う際には、パターニングの精細度に応じた精細度の高いメタルマスクが必要となる。しかし、メタルマスクは、繰り返し蒸着に用いると、付着する蒸着膜によってマスクの開口部が狭くなったり、応力でマスクの開口部が歪んだりする。従って、一定回数の成膜を行った後で使用したマスクを洗浄する必要があり、これが生産コストの点で不利な要因となっていた。また、マスクの加工精度の制約もあってピクセルサイズは百μｍ程度が限界であり、高精細化に対しても不利であった。さらに基板サイズに関しても、高精細メタルマスクを大型化するとマスクの開口部の位置精度を確保するためにマスクのフレームの剛性を高める必要がある。しかしマスクの剛性を高めるとその分だけマスク自体の重量の増加を引き起こす。このため、加工性、ハンドリングの両面から第４世代以降の大判サイズの表示装置を製作する場合では、高精細化された有機ＥＬ素子及びこの有機ＥＬ素子を搭載した表示装置の最適な作製プロセスについては現在のところ具体化できていないという状況にある。
【０００４】
このような状況の中、メタルマスクを使用しない方法で高精細化された有機ＥＬ素子を有する表示装置を作製する方法が提案されている。その具体的な方法として、例えば、特許文献１及び２に提案されている方法がある。ここで特許文献１及び２にて提案されている方法とは、基板全面に成膜した有機化合物層をフォトリソグラフィー法によりパターニングを行い所定の場所にのみ当該有機化合物層を残す工程を３色分繰り返した後に共通電極を成膜する方法である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１６４９９３号公報
【特許文献２】特許第３８３９２７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで特許文献１及び２にて提案されている方法（製造方法）では、下記に示されるプロセスにより有機ＥＬ層のパターニングが行われる。
（ａ）下部電極が形成された基板上の発光領域の全面に、有機ＥＬ層と、フォトレジスト層と、をこの順に形成する工程
（ｂ）有機ＥＬ層のパターンに沿ってフォトレジスト層の一部を露光する工程
（ｃ）現像処理によって露光されていないフォトレジスト層を除去する工程
（ｄ）エッチング処理によって有機ＥＬ素子を設ける領域以外の領域に設けられている有機ＥＬ層を除去する工程
【０００７】
このプロセスによれば、パターニングの際に設けたフォトレジスト層が、パターニングされた有機ＥＬ層上にのみ設けられている状態になるので、このフォトレジスト層を容易に剥離することができる。フォトレジスト層を剥離した後には、上部電極（共通電極）が形成される。
【０００８】
ところで、上記（ａ）乃至（ｄ）のプロセスによって製造される有機ＥＬ装置が発光色が異なる複数種類の有機ＥＬ素子を有する場合、その種類ごとに上記（ａ）乃至（ｄ）のプロセスを繰り返すことになる。そうすると、有機ＥＬ素子を設けない領域、例えば、素子と素子との間に設けられる素子分離膜（バンク）においては、複数回上記工程（ｄ）によるエッチングに晒されることになる。ここで、素子と素子との間の領域に設けられる素子分離膜（バンク）等はフォトレジスト層で保護されていない領域であるため、上記工程（ｄ）によるエッチングによってオーバーエッチングされることが考えられる。ここでＲＧＢの３色の有機ＥＬ素子を配置するディスプレイにおいては、上記パターニング工程（工程（ａ）乃至工程（ｄ））が３回行われるので、素子分離膜（バンク）等の部材は最大で３回オーバーエッチングされることになる。
【０００９】
一方で、素子と素子との間の領域に設けられる素子分離膜（バンク）等の部材は、ポリイミド系樹脂材料やアクリル系樹脂材料等といった絶縁性の樹脂材料で構成されているのが一般的である。ここで上述した樹脂材料は、ヘテロ原子（酸素原子、窒素原子等）含有あるいはヘテロ原子非含有の炭化水素系材料である。このため、上記工程（ｄ）におけるエッチングにより有機ＥＬ層と同等のエッチング速度でエッチングされることがある。そうすると、素子分離膜等の部材の一部が掘り込まれ、溝が形成される。この溝が形成されると、有機ＥＬ層の形成後に表示領域全面に設ける上部電極（共通電極）を成膜・形成する際に、当該溝によって生じる段差によって当該上部電極の一部が断線する可能性がある。
【００１０】
また、有機ＥＬ素子を表示装置内に高密度に配置する場合には、各有機ＥＬ素子のそれぞれに駆動信号を入力するための配線を、素子分離膜等の絶縁体層の下に形成し、この配線と各有機ＥＬ素子を駆動する回路等を電気接続させることが好ましい。このように当該絶縁体層の下方に電極層や配線層等の導電層が形成されている場合において、オーバーエッチングにより当該絶縁体層が局所的に深く除去されてしまうと、当該絶縁体層の下方に配置されている電極層や導電層が露出することになる。そうすると、上部電極を形成する際に当該上部電極との間で短絡が発生する可能性がある。
【００１１】
本発明は上述した課題を解決するためになされるものであり、その目的は、フォトリソグラフィー法を利用した有機ＥＬ層のパターニングの際に、素子と素子との間の領域に設けられる部材を損傷させないようにする有機ＥＬ装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、少なくとも第一有機ＥＬ素子と、第二有機ＥＬ素子と、を有し、
前記第一有機ＥＬ素子が、第一下部電極と、第一有機ＥＬ層と、上部電極と、を有し、
前記第二有機ＥＬ素子が、第二下部電極と、第二有機ＥＬ層と、上部電極と、を有し、
前記第一有機ＥＬ素子の発光色が、前記第二の有機発光素子の発光色と異なる有機ＥＬ装置の製造方法において、
前記有機ＥＬ装置の製造方法が、少なくとも前記第一下部電極上に前記第一有機ＥＬ層を形成する工程と、
前記第一有機ＥＬ層上に第一保護層を形成する工程と、
前記第一有機ＥＬ層及び前記第一保護層を所定のパターンに加工する工程と、
少なくとも前記第二下部電極上に前記第二有機ＥＬ層を形成する工程と、
前記第二有機ＥＬ層上に第二保護層を形成する工程と、
前記第二有機ＥＬ層及び前記第二保護層を所定のパターンに加工する工程と、を有し、
前記第二有機ＥＬ層及び前記第二保護層を加工する工程によって加工された前記第二有機ＥＬ層及び前記第二保護層が、前記第一有機ＥＬ層及び前記第一保護層を所定のパターンに加工する工程によって加工された前記第一有機ＥＬ層の端部及び前記第一保護層の端部を被覆していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、フォトリソグラフィー法を利用した有機ＥＬ層のパターニングの際に、素子と素子との間の領域に設けられる部材を損傷させないようにする有機ＥＬ装置の製造方法を提供することができる。
【００１４】
即ち、本発明の製造方法を採用することで、有機ＥＬ層のエッチング工程の際に、素子と素子との間に設けられる素子分離膜等の絶縁性部材がオーバーエッチングされる回数を少なくすることができる。このため上記絶縁性部材の下方に電極層や導電層が形成されている場合においても、有機ＥＬ層のエッチング工程の際に、当該電極層や当該導電層の露出による上部電極との短絡や上記絶縁性部材の損傷（溝の形成）による上部電極の断線を防止することができる。
【００１５】
また、素子分離膜等の絶縁性部材からなる層の下層に電極層や導電層が形成されている場合でも、フォトレジスト層のパターニング位置を選定するに当たって電極層や導電層の位置を考慮する必要はないので位置合わせ精度のマージンが少なくて済む。これにより絶縁体層の幅を広く確保する必要がないので容易に高精細化することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ装置の例を示す断面模式図である。
【図２】本発明の有機ＥＬ装置の製造方法における実施形態の例を示す断面模式図である。
【図３】第一有機ＥＬ層及び第一保護層の加工領域の具体例を示す平面模式図である。
【図４】第二有機ＥＬ層及び第二保護層の加工領域の具体例を示す平面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、有機ＥＬ装置（の発光領域）内に少なくとも第一有機ＥＬ素子と、第二有機ＥＬ素子と、を有する有機ＥＬ装置の製造方法である。ここで第一有機ＥＬ素子は、第一下部電極と、第一有機ＥＬ層と、上部電極と、を有している。また第二有機ＥＬ素子は、第二下部電極と、第二有機ＥＬ層と、上部電極と、を有している。上部電極は、第一有機ＥＬ素子と第二有機ＥＬ素子にわたって電気的に共通な電極である。尚、本発明において第一有機ＥＬ素子の発光色が、前記第二の有機発光素子の発光色と異なっている。
【００１８】
ここで本発明の有機ＥＬ装置の製造方法には、少なくとも下記（Ａ）乃至（Ｆ）の工程を有している。
（Ａ）少なくとも第一下部電極上に第一有機ＥＬ層を形成する工程
（Ｂ）第一有機ＥＬ層上に第一保護層を形成する工程
（Ｃ）第一有機ＥＬ層及び第一保護層を所定のパターンに加工する工程
（Ｄ）少なくとも第二下部電極上に第二有機ＥＬ層を形成する工程
（Ｅ）第二有機ＥＬ層上に第二保護層を形成する工程
（Ｆ）第二有機ＥＬ層及び第二保護層を所定のパターンに加工する工程
【００１９】
本発明においては、工程（Ｆ）、即ち、第二有機ＥＬ層及び第二保護層を所定のパターンに加工する工程によって加工された第二有機ＥＬ層及び第二保護層は、前記第一有機ＥＬ層及び前記第一保護層を所定のパターンに加工する工程によって加工された第一有機ＥＬ層の端部及び第一保護層の端部を被覆している。
【００２０】
以下、図面を参照しながら、本発明について詳細に説明する。尚、以下の説明において特に説明がないもの又は図面において図示されていないものに関しては、当該技術分野の周知又は公知の技術を適用することができる。また以下に説明する実施形態は、あくまでも本発明の有機ＥＬ装置の製造方法における実施形態の例であり、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００２１】
図１は、本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ装置の例を示す断面外略図である。
【００２２】
図１の有機ＥＬ装置１は、基板１０上に二種類の有機ＥＬ素子、即ち、第一有機ＥＬ素子２０ａと、第二有機ＥＬ素子２０ｂと、が設けられている。また基板上１０には、素子分離膜３０が設けられており、この素子分離膜３０により、二種類の有機ＥＬ素子（２０ａ、２０ｂ）は、離間して基板１０上に設けられている。
【００２３】
図１の有機ＥＬ装置１において、基板１０は、基材１１と、基材１１上に設けられている導電層１２と、基材１１上に設けられ導電層１２を被覆する平坦化膜１３と、を有している。
【００２４】
図１の有機ＥＬ装置１において、第一有機ＥＬ素子２０ａは、平坦化膜１３上に設けられる第一下部電極２１ａと、第一下部電極２１ａ上に設けられる第一有機ＥＬ層２２ａと、第一有機ＥＬ層２２ａ上に設けられる上部電極２３と、から構成される。
【００２５】
図１の有機ＥＬ装置１において、第二有機ＥＬ素子２０ｂは、平坦化膜１３上に設けられる第二下部電極２１ｂと、第二下部電極２１ｂ上に設けられる第二有機ＥＬ層２２ｂと、第二有機ＥＬ層２２ｂ上に設けられる上部電極２３と、から構成される。上部電極２３は、第一有機ＥＬ素子２０ａと第二有機ＥＬ素子２０ｂにわたって共通に形成されている。
【００２６】
尚、図１の有機ＥＬ装置１は、アクティブマトリクス型の表示装置であるが、本発明はパッシブマトリクス型の表示装置においても適用することができる。
【００２７】
次に、図１の有機ＥＬ装置１の構成部材について説明する。
【００２８】
（基材）
基板１０の構成部材である基材１１としては、ガラス等からなる支持体が好適に用いられる。
【００２９】
（導電層）
基板１０を構成する導電層１２は、絶縁体層（平坦化膜１３、素子分離膜３０）よりも下層に配置され、導電材料からなる薄膜層である。ここで導電層１２には、例えば、有機ＥＬ素子を素子単位で個別に駆動させるのを可能にするＴＦＴ回路等の駆動回路、この駆動回路と下部電極（２１ａ、２１ｂ）とを電気接続するための配線層、駆動回路あるいは配線層と下部電極（２１ａ、２１ｂ）とを電気接続するためのコンタクトホール等が含まれる。
【００３０】
また導電層１２の構成材料としては、Ａｌ等の金属材料が好適に用いられる。
【００３１】
（平坦化層）
平坦化層１３は、導電層１２を設けることによって生じた凹凸を埋めつつ基板１０を平坦化するために設けられる。平坦化層１３の構成材料としては、絶縁性の材料を使用することができる。具体的には、ポリイミド系やアクリル系等の樹脂系材料、窒化シリコン等の無機系材料が挙げられる。
【００３２】
（下部電極）
基板１０上の設けられる有機ＥＬ素子（２０ａ、２０ｂ）がトップエミッション型の有機ＥＬ素子である場合、下部電極（２１ａ、２１ｂ）は、光を反射する電極（反射電極）にする必要がある。下部電極（２１ａ、２１ｂ）を反射電極とする場合、下部電極（２１ａ、２１ｂ）は金属電極であり、その構成材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｇ等の金属材料あるいは当該金属材料を複数種組み合わせてなる合金が挙げられる。尚、有機ＥＬ表示装置の製造プロセスの中にウェットプロセス（例えば、レジストの現像工程、ウェットエッチング等）が含まれる場合は、上述した金属材料あるいは合金からなる薄膜層と、ＩＴＯ等の導電性酸化膜と、からなる積層電極も好適に用いられる。また基板１０上の設けられる有機ＥＬ素子（２０ａ、２０ｂ）がボトムエミッション型の有機ＥＬ素子である場合、下部電極（２１ａ、２１ｂ）は、光を透過する電極（光透過性電極）にする必要がある。下部電極（２１ａ、２１ｂ）を光透過性電極とする場合、その構成材料として、例えばＩＴＯ等の光透過性を有する導電性材料が挙げられる。
【００３３】
（有機ＥＬ層）
下部電極（２１ａ、２１ｂ）上にそれぞれ設けられる有機ＥＬ層（２２ａ、２２ｂ）は、それぞれ所定の色を発光する発光層（不図示）を含む単一の層又は複数の層からなる積層体である。各有機ＥＬ層（２２ａ、２２ｂ）は、発光層が含まれてさえいればその層構成は特に限定されるものではない。ここで有機ＥＬ層が複数の層からなる積層体である場合、有機ＥＬ層（２２ａ、２２ｂ）に含まれる層として、発光層の他に、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層等が挙げられる。また、各有機ＥＬ層（２２ａ、２２ｂ）に含まれる発光層の発光色の組み合わせは、特に限定されないが、赤色、緑色及び青色の３色の組み合わせが最も一般的である。
【００３４】
（上部電極）
有機ＥＬ素子（２０ａ、２０ｂ）を構成する上部電極２３は、当該有機ＥＬ素子の性質に応じて構成材料を適宜選択することができる。有機ＥＬ素子（２０ａ、２０ｂ）がトップエミッション型の有機ＥＬ素子である場合、上部電極２３は、光透過性電極にする必要がある。係る場合、上部電極２３の構成材料としては、ＩＴＯ等の光透過性を有する導電性材料が挙げられる。またＡｌ、Ａｇ等の金属材料を光透過性を有する程度の膜厚で形成した薄膜も使用することができる。
【００３５】
一方、有機ＥＬ素子（２０ａ、２０ｂ）がボトムエミッション型の有機ＥＬ素子である場合、上部電極２３は、反射電極にする必要がある。係る場合、上部電極２３の構成材料としては、Ａｌ、Ａｇ等の金属材料あるいは当該金属材料を複数種組み合わせてなる合金が挙げられる。
【００３６】
（素子分離膜）
素子分離膜３０は、有機ＥＬ装置に含まれる複数の有機ＥＬ素子を素子ごとに区画するために設けられる。素子分離膜３０の構成材料としては、絶縁性の材料を使用することができる。具体的には、ポリイミド系やアクリル系等の樹脂系材料、窒化シリコン等の無機系材料が挙げられる。
【００３７】
次に、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。既に説明しているが、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法には、少なくとも下記（Ａ）乃至（Ｆ）の工程を有している。
（Ａ）少なくとも第一下部電極上に第一有機ＥＬ層を形成する工程
（Ｂ）第一有機ＥＬ層上に第一保護層を形成する工程
（Ｃ）第一有機ＥＬ層及び第一保護層を所定のパターンに加工する工程
（Ｄ）少なくとも第二下部電極上に第二有機ＥＬ層を形成する工程
（Ｅ）第二有機ＥＬ層上に第二保護層を形成する工程
（Ｆ）第二有機ＥＬ層及び第二保護層を所定のパターンに加工する工程
【００３８】
以下、図面を参照しながら、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法について説明する。図２は、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法における実施形態の例を示す断面模式図である。
【００３９】
（１）電極付基板の作製工程
まず基材１１と、導電層１２と、平坦化層１３と、がこの順で積層されている基板１０上に、下部電極２１ａ及び２１ｂをそれぞれパターニング形成する。パターニングの方法としては、公知の方法を採用することができる。次に、発光領域全体に絶縁性材料からなる薄膜を形成して、基板１０、下部電極２１ａ及び２１ｂを当該薄膜で被覆する。この後、所定のパターニングを行うことで各有機ＥＬ素子（２０ａ、２０ｂ）を区画する素子分離膜３０を形成する。素子分離膜３０をパターニング形成する際にその具体的な方法としては、公知の方法を採用することができる。
【００４０】
以上の工程を経て下部電極２１ａ、２１ｂが形成されている電極付基板が得られる。
【００４１】
（２）第一有機ＥＬ層の形成工程（工程（Ａ））
次に、少なくとも第一下部電極２１ａ上に、第一発光層（不図示）を含む第一有機ＥＬ層２２ａを形成する。ここで第一有機ＥＬ層２２ａは、有機ＥＬ装置内の発光領域の全面に渡って形成してもよい。第一有機ＥＬ層２２ａの形成方法として、真空蒸着法、スピンコート法等が好適に用いられる。
【００４２】
（３）第一保護層の形成工程（工程（Ｂ））
次に、第一有機ＥＬ層２２ａ上に、第一保護層４１を形成する（図２（ａ））。第一保護層４１は、フォトリソグラフィーを利用した第一有機ＥＬ層２２ａのパターニング工程（第一有機ＥＬ層２２ａの加工工程）において、第一有機ＥＬ層２２ａを保護する層である。具体的には、フォトレジスト層の形成工程、現像工程、エッチング工程の各工程において第一有機ＥＬ層２２ａが溶解、膨潤、エッチング等の影響を受けないように第一有機ＥＬ層２２ａを保護する層である。
【００４３】
ところで有機ＥＬ層上に接して形成される保護層は、後の工程で有機ＥＬ層が溶解、膨潤等の影響を与えることなく、かつ保護層単独で容易に剥離できるようにする必要がある。剥離性を考慮すると、保護層の構成材料は、有機ＥＬ層の構成材料を溶解しない溶媒に溶解可能な材料が好適に用いられる。ここで、有機ＥＬ層の構成材料が、一部を除いて水に不要な材料であることを考慮すると、保護層の構成材料としては、例えば、水に溶解する水溶性高分子や水溶性の無機塩等が挙げられる。しかし、保護層が水溶性材料からなる薄膜のみの場合では、フォトレジスト層の形成工程や現像工程において保護層自体が溶解、膨潤等を起こすことが懸念される。そのため保護層を、少なくとも水溶性材料からなる第一層（下層）と、この第一層上に形成される非水溶性材料からなる第二層（上層）と、からなる積層体にするのが好ましい。つまり、水溶性材料からなる層（第一層）を設けることにより、保護層自体を水あるいは水系溶媒によって容易に除去することができる。一方で、非水溶性材料からなる層（第二層）を上記第一層上に設けることで、フォトレジスト層の形成・現像を行う際に、上記第一層の溶解、膨潤等が起こらなくなる。また保護層を、上記第一層と、上記第二層と、からなる積層体とすることによって、後述するレジストの除去工程及び保護層の除去工程において有機ＥＬ層がエッチングされるのを防止することができる。
【００４４】
第一保護層４１の成膜方法としては、第一保護層４１の構成材料として使用する材料に応じて適宜適した方法を公知・周知の方法から選択することができる。ここで第一保護層４１を上述した積層体とする場合、第一層として水溶性高分子からなる層を形成する際にはスピンコート法やディップコート法等を採用することができる。水溶性無機塩からなる層を形成する際には真空蒸着法等を用いることもできる。また、第二層として非水溶性材料からなる層を形成する際にはスピンコート法、真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ法等から適宜選択することができる。
【００４５】
（４）第一有機ＥＬ層及び第一保護層の加工工程（工程（Ｃ））
第一保護層４１を形成した後、第一有機ＥＬ層２２ａと第一保護層４１とをそれぞれ所定のパターンになるように加工する。第一有機ＥＬ層２２ａと第一保護層４１との加工方法としては、フォトリソグラフィー法等が挙げられる。
【００４６】
以下、フォトリソグラフィー法を利用した第一有機ＥＬ層２２ａ及び第一保護層４１の加工の具体例について説明する。
【００４７】
まず、第一保護層４１上にポジ型のレジスト材料の薄膜を成膜しフォトレジスト層４３を形成する。ここでフォトレジスト層４３の形成の際に使用されるレジスト材料としては、公知のものを使用することができる。またフォトレジスト層４３の成膜方法としては、スピンコート法、ディップコート法、インクジェット法等、既存の方法を用いることができる。
【００４８】
次に、第一有機ＥＬ層２２ａの加工領域（除去領域）に開口を有するフォトマスクを使用して紫外線５１を照射する。即ち、紫外線５１の照射領域は、第一有機ＥＬ層２２ａ及び第一保護層４１の加工領域に相当する。
【００４９】
紫外線５１の照射は、既存の装置を用いて行うことができる。また使用されるフォトマスク５０は紫外線を遮光できればよく、例えば、一般的なフォトマスクに用いられる、Ｃｒ薄膜からなるフォトマスクを使用することができる。
【００５０】
ここで、素子分離膜３０で被覆されていない第一下部電極２１ａ（第一有機ＥＬ素子２０ａを設ける領域）上には第一有機ＥＬ層２２ａが設けられるようにする必要がある。このため、第一有機ＥＬ層２２ａ及び第一保護層４１の加工領域は、最大で表示領域全体から第一有機ＥＬ素子２０ａを設ける領域を除いた領域となる。またエッチング時における素子分離膜の保護を考慮すると、第一有機ＥＬ層２２ａ及び第一保護層４１の加工領域をなるべく小さくするのが望ましい。ただし素子分離膜３０で被覆されていない第二下部電極２１ｂ（第二有機ＥＬ素子２０ｂを設ける領域）上に第二有機ＥＬ層２２ｂが設けられるようにする必要がある。このため、第一有機ＥＬ層２２ａ及び第一保護層４１の加工領域は、最小で第二有機ＥＬ素子２０ｂを設ける領域となる。ただし第一有機ＥＬ層２２ａ及び第一保護層４１の加工領域を第二有機ＥＬ素子２０ｂを設ける領域のみとすると、フォトリソグラフィーの加工精度におけるマージンの確保が困難となることがある。このため、第一有機ＥＬ層２２ａ及び第一保護層４１の加工領域は、第二有機ＥＬ素子２０ｂを設ける領域にその周縁を含めるのが好ましい。
【００５１】
以下、図面を参照しながら、第一有機ＥＬ層２２ａ及び第一保護層４１の加工領域についてより具体的に説明する。
【００５２】
図３は、第一有機ＥＬ層２２ａ及び第一保護層４１の加工領域の具体例を示す平面模式図である。尚、説明の簡略化のために、図３では第一有機ＥＬ層２２ａ及び第一保護層４１の図示を省略している。
【００５３】
ところで図３に示される態様では、素子分離膜３０で被覆されていない第一下部電極２１ａ及び第二下部電極２１ｂがそれぞれストライプ状に配列している。つまり、二種類の有機ＥＬ素子の配列態様がそれぞれストライプ配列である場合を示している。この場合、第一有機ＥＬ層２２ａ及び第一保護層４１の加工工程で使用されるフォトマスク５０は、第二下部電極２１ｂ及びその周縁が紫外線の照射領域になるように開口５０ａが設定されている。ここで、開口５０ａの幅の寸法を図３に示すようにＤaとする。そして素子分離膜３０で被覆されていない第二下部電極２１ｂの幅をｄ2とし、素子分離膜３０の幅をｄ3とすると、Ｄaの範囲は、以下に示す通りである。
ｄ2≦Ｄa≦ｄ2＋２ｄ3
【００５４】
ただし、第一有機ＥＬ層２２ａ及び第一保護層４１が第二有機ＥＬ層２２ｂ及び第二保護層４２に被覆されるようにすることと、上述したフォトリソグラフィーの加工精度におけるマージンの確保と、を考慮すると、Ｄaの好適な範囲は、以下に示す通りである。
ｄ2＜Ｄa＜ｄ2＋ｄ3
【００５５】
尚、以上の説明は、二種類の有機ＥＬ素子の配列態様がストライプ配列の場合を示すものであるが、本発明の製造方法は、二種類の有機ＥＬ素子の配列態様がストライプ配列以外の配列（デルタ配列等）の場合であっても適用することができる。係る場合は、第二の有機ＥＬ素子２０ｂが設けられる領域を考慮しながら第一有機ＥＬ層２２ａ及び第一保護層４１の加工領域を定める。上述したように、第二の有機ＥＬ素子２０ｂが設けられる領域及びその周縁を第一有機ＥＬ層２２ａ及び第一保護層４１の加工領域とするのが好ましい。
【００５６】
次に、フォトレジスト層４３の現像を行い、前工程において紫外光に曝された領域のフォトレジスト層４３を除去する。フォトレジスト層４３の現像の際に使用される現像液は、公知のものを用いることができる。例えば、フォトレジスト材料がポリイミド系の材料である場合には、アルカリ水溶液系の現像液を用いることができる。
【００５７】
次に、エッチングを行い、フォトレジスト層４３が除去された領域に設けられている第一保護層４１と第一有機ＥＬ層２２ａとをそれぞれ除去する。エッチングを行う際には、ウェットエッチング、ドライエッチング等の既存の方法を用いることができる。尚、第一保護層４１が、上述した積層構造である場合は、各層に対応した除去方法をそれぞれの層に適用して順次除去する方法を採用することができるが、積層構造を一括除去する方法を採用してもよい。
【００５８】
また、フォトレジスト層で被覆されていない領域の第一保護層４１を除去する際には、フォトレジスト層４３とその下層にある第一保護層４１の一部を同時に除去してもよい。そうすることによって第一保護層４１の剥離をより容易に行うことができる。
【００５９】
一方、第一有機ＥＬ層２２ａの除去方法は特に限定されるものではなく、ウェットエッチング、ドライエッチング等の既存の方法を用いることができるが、溶媒によるサイドエッチングの懸念がないドライエッチングが好ましい。
【００６０】
このエッチングにより、第二下部電極２１ｂ及び第二下部電極２１ｂの周縁にある素子分離膜３０を被覆する第一有機ＥＬ層２２ａと第一保護層４１とが除去される（図２（ｃ））。
【００６１】
（５）第二有機ＥＬ層及び第二保護層の形成工程（工程（Ｄ）〜（Ｅ））
次に、基板上の発光領域の全面に渡って第二発光層（不図示）を含む第二有機ＥＬ層２２ｂを形成する。第二有機ＥＬ層２１ｂの形成方法として、第一有機ＥＬ層と同様の方法（真空蒸着法、スピンコート法等）が好適に用いられる。
【００６２】
次に、第二有機ＥＬ層２２ｂ上に、第二保護層４２を形成する（図２（ｄ））。第二保護層４２を形成する際には、第一保護層４１の形成方法と同様の方法で形成することができる。
【００６３】
（６）第二有機ＥＬ層及び第二保護層の加工工程（工程（Ｆ））
第二保護層４２を形成した後、第二有機ＥＬ層２２ｂと第二保護層４２とをそれぞれ所定のパターンになるように加工する。第二有機ＥＬ層２２ｂ及び第二保護層４２の加工方法としては、第一有機ＥＬ層２２ａ及び第一保護層４１と同様に、フォトリソグラフィー法等が挙げられる。
【００６４】
以下、フォトリソグラフィー法を利用した第二有機ＥＬ層２２ｂ及び第二保護層４２の加工の具体例について説明する。
【００６５】
まず、第二保護層４２上にポジ型のレジスト材料の薄膜を成膜しフォトレジスト層４４を形成する。次に、第二有機ＥＬ層２２ｂの加工領域（除去領域）に開口を有するフォトマスク５０を使用して紫外線５２を照射する。即ち、紫外線５２の照射領域は、第二有機ＥＬ層２２ｂ及び第二保護層４２の加工領域に相当する。
【００６６】
ここで第二有機ＥＬ層２２ｂ及び第二保護層４２の加工領域は、第一有機ＥＬ層２２ａ及び第一保護層４１の加工領域から相対的に定めることができる領域である。また第二有機ＥＬ層２２ｂ及び第二保護層４２が第一有機ＥＬ層２２ａ及び第一保護層４１の端部を被覆してさえいれば、第二有機ＥＬ層２２ｂ及び第二保護層４２の加工領域は、特に限定されるものではない。
【００６７】
以下、図面を参照しながら、第二有機ＥＬ層２２ｂ及び第二保護層４２の加工領域についてより具体的に説明する。
【００６８】
図４は、第二有機ＥＬ層２２ｂ及び第二保護層４２の加工領域の具体例を示す平面模式図である。尚、説明の簡略化のために、図４では第二有機ＥＬ層２２ｂ及び第二保護層４２の図示を省略している。
【００６９】
ところで図４に示される態様では、素子分離膜３０で被覆されていない第一下部電極２１ａ及び第二下部電極２１ｂがそれぞれストライプ状に配列している。この場合、第二有機ＥＬ層及び第二保護層の加工工程で使用されるフォトマスクは、少なくとも第一下部電極２１ａの一部の領域が紫外線５２の照射領域になるように開口５０ｂが設定されている。ここで、開口５０ｂの幅の寸法を図４に示すようにＤbとすると、Ｄbは、第二有機ＥＬ層２２ｂ及び第二保護層４２が第一有機ＥＬ層２２ａ及び第一有機ＥＬ層４１の端部を被覆することができる範囲で適宜設定される。例えば、図４に示されるように開口５０ｂを素子分離膜３０で被覆されていない第一下部電極２１ａとその周縁を含めた領域に設定することができるが、本発明ではこれに限定されるものではない。
【００７０】
ところで、開口５０ｂの幅の寸法（Ｄb）は、第一有機ＥＬ層２２ａ及び第一保護層４１の加工工程の際に現れる第一保護層４１のパターンを観察した上で設定することができる。ただし、この第一保護層４１のパターンの観察に代えて、第一有機ＥＬ層２２ａ及び第一保護層４１の加工工程の際に使用したフォトマスクの開口（図３中の５０ａ）の寸法及びフォトリソグラフィーの加工精度を考慮した設計によって予めＤbを設定してもよい。本発明の製造方法を有機ＥＬ装置の製造ラインに適用する際は、上記設計によって予めＤbを設定するのが好ましい。
【００７１】
次に、フォトレジスト層４４の現像を行い、前工程において紫外光に曝された領域のフォトレジスト層４４を除去する。次に、エッチングを行い、フォトレジスト層４４が除去された領域に設けられている第二保護層４２と第二有機ＥＬ層２２ｂとをそれぞれ除去する。尚、エッチングを行う際に、フォトマスク５０で遮蔽された領域に設けられているフォトレジスト層４４と第二保護層４２の一部を同時に除去してもよい。このエッチングにより、第二保護層４２、第二有機ＥＬ層２２ｂ及び第一保護層４１の一部が除去される（図２（ｆ））。
【００７２】
（７）保護層の剥離工程
次に、保護層（第一保護層４１、第二保護層４２）を有機ＥＬ層から剥離する工程を行う。第二保護層４２及び第二有機ＥＬ層２２ｂの加工工程を終了すると、図２（ｆ）のように有機ＥＬ層（第一有機ＥＬ層２２ａ、第二有機ＥＬ層２２ｂ）上に、保護層（第一保護層４１、第二保護層４２）が全面で残った状態となる。この状態から保護層（第一保護層４１、第二保護層４２）を除去する（図２（ｇ））。保護層の具体的な除去方法としては、ウェットエッチング、ドライエッチング等の既存の方法を用いることができる。尚、保護層上にフォトレジスト層が残っている場合は、この剥離工程で同時に除去してもよいし、予めフォトレジスト層をエッチング等で除去してからこの剥離工程を行ってもよい。ただし第二保護層４２が第一保護層４１を被覆している領域において保護層の剥離がより容易にできるように、保護層の加工工程においてフォトレジスト層を予め除去しておくのが好ましい。
【００７３】
（８）上部電極の形成工程
最後に有機ＥＬ層（２２ａ、２２ｂ）上に上部電極２３を形成することにより、有機ＥＬ装置が完成する（図２（ｈ））。ここで上部電極２３は、各有機ＥＬ素子に同時に形成される電極であってもよいし、互いに電気的に接続されていれば各有機ＥＬ素子に個別に形成される電極であってもよい。
【００７４】
以上に説明した製造方法は、発光色が異なる二種類の有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ装置を製造する方法であるが、本発明は、これに限定されるものではない。発光色が３色以上の場合では、図２（ｄ）乃至（ｆ）にて示される有機ＥＬ層及び保護層の形成工程及び有機ＥＬ層及び保護層の加工工程を繰り返し行うことによって作製することができる。ここで本発明の製造方法を採用すると、有機ＥＬ層及び保護層の加工の際に、素子分離膜３０が少なくとも１回保護層によって保護されるので、素子分離膜３０の損傷を軽減することができる。
【実施例】
【００７５】
以下、実施例により本発明の有機ＥＬ装置の製造方法について詳細に説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。
【００７６】
［実施例１］
図１に示される有機ＥＬ装置を、図２に示される製造方法により作製した。ここで本実施例において使用した材料の一部を以下に例示する。
【００７７】
【化１】
2012209166.tif 000003
【００７８】
（１）基板の形成工程
まず基材１１と、基材１１上に設けられるＴＦＴ回路（不図示）と、ＴＦＴ回路上に形成される層間絶縁膜（平坦化膜１３）と、ＴＦＴ回路や配線層（導電層１２）と下部電極とを電気的に接続するコンタクトホール（不図示）と、を有する基板を作製した。具体的には、まず表面にＴＦＴ回路（不図示）が形成されている基材１１上に、Ａｌを成膜してＡｌ層を形成した。次に、既知のフォトリソグラフィー工程によりＡｌ層のパターニングを行い、配線層（導電層１２）を形成した。次に、ポリイミドを成膜してポリイミド膜を成膜した。次に、既知のフォトリソグラフィー工程によりポリイミド膜のパターニングを行った。これにより絶縁材料からなる平坦化膜１３を形成した。
【００７９】
（２）下部電極の形成工程
次に、ＡｌとＩＴＯとを順次成膜して、Ａｌ膜及びＩＴＯ膜をそれぞれ形成した。ここでＡｌ膜及びＩＴＯ膜の膜厚をそれぞれ１００ｎｍと３０ｎｍとした。次に、Ａｌ膜とＩＴＯ膜とからなる積層膜について既知のフォトリソグラフィー工程によりパターニングを行った。これにより第一有機ＥＬ素子２０ａの構成部材である下部電極２１ａと、第二有機ＥＬ素子２０ｂの構成部材である下部電極２１ｂと、をそれぞれ形成した。
【００８０】
（３）素子分離膜の形成工程
次に、ポリイミド系樹脂を基板１０や下部電極（２１ａ、２１ｂ）上に成膜して絶縁体層を形成した。次に、既知のフォトリソグラフィー工程によりこの絶縁体層を加工して素子分離膜３０を形成した。
【００８１】
（４）第一有機ＥＬ層の形成工程
次に、真空蒸着法により、下部電極（２１ａ、２１ｂ）上に、第一ホール輸送層と、第一発光層と、第一電子輸送層と、からなる第一有機ＥＬ層２２ａを発光領域の全面にわたって形成した。具体的には、まず下部電極（２１ａ、２１ｂ）上に、化合物１を成膜して第一ホール輸送層を形成した。このとき第一ホール輸送層の膜厚を１００ｎｍとし、真空度を１×１０-4Ｐａとし、蒸着レートを０．２ｎｍ／ｓｅｃとした。
【００８２】
次に、第一ホール輸送層上に、化合物２（ホスト）と化合物３（ゲスト）とを、重量比にして８０：２０となるように共蒸着して第一発光層を形成した。このとき第一発光層の膜厚を３５ｎｍとし、蒸着時の真空度を１×１０-4Ｐａとし、成膜速度を０．１ｎｍ／ｓｅｃの条件とした。尚、第一発光層は青色を発する発光層である。
【００８３】
次に、第一発光層上に、化合物４を真空蒸着して第一電子輸送層を形成した。このとき第一電子輸送層の膜厚を１０ｎｍとし、蒸着時の真空度を１×１０-4Ｐａとし、成膜速度を０．１ｎｍ／ｓｅｃの条件とした。
【００８４】
（５）第一保護層の形成工程
次に、第一有機ＥＬ層２２ａを保護するための第一保護層４１を形成した。まず、第一有機ＥＬ層２２ａ上に、ポリビニルピロリドンと水とを混合したポリビニルピロリドン水溶液をスピンコート法によって成膜してＰＶＰ膜（下層）を形成した。このときＰＶＰ膜の膜厚は１μｍであった。次に、ＣＶＤ法により、ＰＶＰ膜上に窒化シリコンを成膜してＳｉＮ膜（上層）を形成した。このときＳｉＮ膜の膜厚は１μｍであった。
【００８５】
（６）第一有機ＥＬ層及び第一保護層の加工工程
次に、スピンコート法により、第一保護層４１上に、ポジ型のフォトレジスト材料（ＡＺ社製、ＡＺ１５００）からなる膜を成膜してフォトレジスト層４３を形成した。ここでフォトレジスト層４３の膜厚は１０００ｎｍであった。
【００８６】
次に、以下に説明するようにフォトレジスト層４３のパターニングを行った。具体的には、キヤノン製露光装置ＭＰＡ６００を用い、第一保護層４１及び第一有機ＥＬ層２２ａの加工領域に開口を有するフォトマスクを用いて、フォトレジスト層４３への露光を行った（図２（ｂ））。このとき露光時間は４０秒とした。ここで使用したフォトマスク５０は、第一有機ＥＬ素子に隣接する第二有機ＥＬ素子との中間線より外側まで遮蔽できる開口パターンを有するメタルマスクを用いることにより、フォトレジスト層４３を除去する領域が他の発光色と重複しないようにした。次に、現像液（ＡＺ社製、３１２ＭＩＦ溶液の５０％水溶液）を使用して１分間現像を行い、紫外線照射された感光性樹脂を現像液に溶解させることでフォトレジスト層のパターニングを行った。このとき、フォトレジスト層４３が残っている領域は、フォトマスクの遮蔽領域に対応して隣接する第２の画素（第二有機ＥＬ素子）との中間線より外側まで広がる領域とした。
【００８７】
次に、ドライエッチングにより、前工程でフォトレジスト層４３を除去した領域に設けられている第一保護層４１と第一有機ＥＬ層２２ａとを除去した。このとき、フォトレジスト層４３が残っていた領域でもエッチングが進行し、フォトレジスト層４３及び第一保護層４１の一部の層（ＳｉＮ層）が除去されるようにした。尚、ドライエッチングは、第一保護層４１を構成する窒化シリコンと反応するガス（ＣＦ4）の存在下で行った後、第一保護層４１を構成する水溶性高分子膜及び第一有機ＥＬ層２２ａと反応するガス（酸素）の存在下で行った。またエッチングを行う際に、ガスの流量２０ｓｃｃｍとし、圧力を８Ｐａとし、出力を１５０Ｗとし、処理時間を５分の条件で行った。
【００８８】
以上の工程により、図２（ｃ）のように、少なくとも第一有機ＥＬ素子２０ａを設ける領域に第一有機ＥＬ層２２ａがパターニングされている一方で、第二下部電極２１ｂ（アノード）が露出している基板を作製した。
【００８９】
（７）第二有機ＥＬ層の形成工程
次に、真空蒸着法により、第二ホール輸送層と、第二発光層と、第二電子輸送層と、からなる第二有機ＥＬ層２２ｂを、発光領域の全面にわたって形成した。具体的には、まず化合物１を成膜して第二ホール輸送層を形成した。このとき第二ホール輸送層の膜厚を２００ｎｍとし、真空度を１×１０-4Ｐａとし、蒸着レートを０．２ｎｍ／ｓｅｃとした。
【００９０】
次に、第二ホール輸送層上に、化合物２（ホスト）と赤色発光材料（ゲスト）とを、重量比にして８０：２０となるように共蒸着して第二発光層を形成した。このとき第二発光層の膜厚を２０ｎｍとし、蒸着時の真空度を１×１０-4Ｐａとし、成膜速度を０．１ｎｍ／ｓｅｃの条件とした。尚、第二発光層は赤色を発する発光層である。
【００９１】
次に、第二発光層上に、化合物４を真空蒸着して第二電子輸送層を形成した。このとき第二電子輸送層の膜厚を１０ｎｍとし、蒸着時の真空度を１×１０-4Ｐａとし、成膜速度を０．１ｎｍ／ｓｅｃの条件とした。
【００９２】
（８）第二保護層の形成工程
次に、第二有機ＥＬ層２２ｂ上に、第二保護層４２を形成した（図２（ｄ））。尚、第二保護層４２の形成方法は、第一保護層４１と同様である。
【００９３】
（９）第二有機ＥＬ層及び第二保護層の加工工程
次に、スピンコート法により、第二保護層４２上に、ポジ型のフォトレジスト材料（ＡＺ社製、ＡＺ１５００）からなる膜を成膜してフォトレジスト層４４を形成した。ここでフォトレジスト層４４の膜厚は１０００ｎｍであった。
【００９４】
次に、以下に説明するようにフォトレジスト層４４のパターニングを行った。具体的には、キヤノン製露光装置ＭＰＡ６００を用い、第二保護層４２及び第二有機ＥＬ層２２ｂの加工領域に開口を有するフォトマスクを用いて、フォトレジスト層４４への露光を行った（図２（ｅ））。このとき露光時間は４０秒とした。ここで使用したフォトマスク５０は、第二有機ＥＬ素子に隣接する第一有機ＥＬ素子との中間線より外側まで遮蔽できるパターンを用いることにより、フォトレジスト層を除去する領域が他の発光色と重複しないようにした。次に、現像液（ＡＺ社製、３１２ＭＩＦ溶液の５０％水溶液）を使用して１分間現像を行い、紫外線照射された感光性樹脂を現像液に溶解させることでフォトレジスト層４４のパターニングを行った。この時、フォトレジスト層４４が残っている領域はフォトマスクの遮蔽領域に対応して隣接する第１の画素（第一有機ＥＬ素子）との中間線より外側まで広がる領域とした。
【００９５】
次に、ドライエッチングにより、前工程でフォトレジスト層を除去した領域に設けられている第二保護層４２と第２有機ＥＬ層２２ｂとを除去した。このとき、フォトレジスト層４４が残っていた領域でもエッチングが進行し、フォトレジスト層４４及び第二保護層４２の一部（ＳｉＮ層）が除去されるようにした。尚、ドライエッチングは、第二保護層４２を構成する窒化シリコンと反応するガス（ＣＦ4）の存在下で行った後、第二保護層４２を構成する水溶性高分子膜及び第二有機ＥＬ層２２ｂと反応するガス（酸素）の存在下で行った。またエッチングを行う際に、ガスの流量２０ｓｃｃｍとし、圧力を８Ｐａとし、出力を１５０Ｗとし、処理時間を５分の条件で行った。
【００９６】
以上の工程により、図２（ｆ）のように基板上の全面に有機ＥＬ層が形成され、その上に保護層が残っており、絶縁体層（素子分離膜３０）上の一部で保護層が重なっている状態となった。
【００９７】
（１０）保護層の剥離工程
次に、ドライエッチングにより保護層（４１、４２）を構成するＳｉＮ膜を除去した後、保護層（４１、４２）を構成するＰＶＰ膜を水で２分間洗浄して除去した。この時、保護層（４１、４２）を、ＳｉＮ膜を上層とし、ＰＶＰ膜を下層とする２層構成にすることで、絶縁体層（素子分離膜）上で２種類の保護層（４１、４２）が重なっていたにも関わらず容易に剥離を行うことができた。
【００９８】
以上の工程により図２（ｇ）のように基板上に有機ＥＬ層が露出した状態とした。
【００９９】
（１１）上部電極の形成工程等
最後に、図２（ｈ）のように、有機ＥＬ層の上に上部電極２３としてＡｇＭｇ合金を膜厚２０ｎｍで成膜し、ガラスキャップによる封止を行うことにより、有機ＥＬ装置を完成させた。
【０１００】
（１２）装置の評価
完成した有機ＥＬ装置を駆動させた結果、絶縁体層が除去されることによる短絡や段切れは発生せず、良好な２色発光が得られた。
【０１０１】
［実施例２］
発光色が異なる二種類の有機ＥＬ素子がストライプ状に配列されている有機ＥＬ装置を作製した。尚、基本的な作製プロセスについては、実施例１と同様である。即ち、本実施例は、図２の製造プロセスに基づいて行われる。以下、実施例１との相違点を中心に説明する。
【０１０２】
（１）第一有機ＥＬ層及び第一保護層の加工工程
まず実施例１と同様の方法により、基板１０上に、下部電極（２１ａ、２１ｂ）と、素子分離膜３０と、第一有機ＥＬ層２２ａと、第一保護層４１と、を順次形成した。次に、スピンコート法により、第一保護層４１上に、ポジ型のフォトレジスト材料（ＡＺ社製、ＡＺ１５００）からなる膜を成膜してフォトレジスト層４３を形成した。ここでフォトレジスト層４３の膜厚は１０００ｎｍであった。
【０１０３】
次に、以下に説明するようにフォトレジスト層４３のパターニングを行った。具体的には、キヤノン製露光装置ＭＰＡ６００を用い、第一保護層４１及び第一有機ＥＬ層２２ａの加工領域に開口を有するフォトマスクを用いて、フォトレジスト層４３への露光を行った。尚、本工程で使用したフォトマスクは、図３に示されるように、幅がＤa（ｄ2＜Ｄa＜ｄ2＋ｄ3）である開口５０ａがストライプ状に配列されたフォトマスクを使用した。またフォトレジスト層４３への露光を行う際には、図３に示されるように、第二下部電極２１ｂが設けられる領域の全てが開口５０ａに含まれるようにフォトマスクを配置した。次に、実施例１と同様の方法で第一有機ＥＬ層２２ａ及び第一保護層４１の加工を行った。
【０１０４】
（２）第二有機ＥＬ層及び第二保護層の加工工程
次に、実施例１と同様の方法により、第二有機ＥＬ層２２ｂと、第二保護層４２と、を順次形成した。次に、スピンコート法により、第二保護層４２上に、ポジ型のフォトレジスト材料（ＡＺ社製、ＡＺ１５００）からなる膜を成膜してフォトレジスト層４４を形成した。ここでフォトレジスト層４４の膜厚は１０００ｎｍであった。
【０１０５】
次に、以下に説明するようにフォトレジスト層４４のパターニングを行った。具体的には、キヤノン製露光装置ＭＰＡ６００を用い、第二保護層４２及び第二有機ＥＬ層２２ｂの加工領域に開口を有するフォトマスクを用いて、フォトレジスト層４４への露光を行った。尚、本工程で使用したフォトマスクは、図４に示されるように、幅がＤb（ｄ1＜Ｄb＜ｄ1＋ｄ3）である開口５０ｂがストライプ状に配列されたフォトマスクを使用した。またフォトレジスト層４４への露光を行う際には、図４に示されるように、第一下部電極２１ａが設けられる領域の全てが開口５０ｂに含まれるようにフォトマスクを配置した。次に、実施例１と同様の方法で第二有機ＥＬ層２２ｂ及び第二保護層４２の加工を行った。
【０１０６】
（３）保護層の剥離工程等
次に、実施例１と同様の方法により、保護層の剥離工程と、上部電極の形成工程と、を行い、ガラスキャップによる封止を行うことにより、有機ＥＬ装置を完成させた。
【０１０７】
（４）装置の評価
完成した有機ＥＬ装置を駆動させた結果、実施例１と同様に、絶縁体層が除去されることによる短絡や段切れは発生せず、良好な２色発光が得られた。
【符号の説明】
【０１０８】
１：有機ＥＬ装置、１０：基板、１１：基材、１２：導電層、１３：平坦化膜（絶縁体層）、２０ａ：第一有機ＥＬ素子、２０ｂ：第二有機ＥＬ素子、２１ａ：第一下部電極、２１ｂ：第二下部電極、２２ａ：第一有機ＥＬ層、２３：上部電極、３０：絶縁体層（素子分離膜）、４１：第一保護層、４２：第二保護層、４３（４４）：フォトレジスト層、５０：フォトマスク、５１（５２）：紫外線
【図１】
2012209166.tif 000004
【図２】
2012209166.tif 000005
【図３】
2012209166.tif 000006
【図４】
2012209166.tif 000007