(57)【要約】【課題】インダクタンス値に関する所望の多段形状の直流重畳特性を得ることができ、しかも、簡単な構造のインダクタを提供する。【解決手段】インダクタ１は、ボビン状のコア２と巻線９とを備えている。コア２は、２つの分割コア部２−１，２−２に分割されている。分割コア部２−１の透磁率は分割コア部２−２の透磁率よりも大きく設定されいる。これら分割コア部２−１，２−２は、非磁性の接着剤である非磁性層６で接合されている。巻線９は、コア２の鍔部４側から鍔部５側に向かって巻芯部３に複数ターンで巻回されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１対の鍔部が巻芯部の両端部にそれぞれ設けられたボビン状のコアと、このコアの一方の鍔部側から他方の鍔部側に向かって巻芯部に巻回された巻線とを備えたインダクタにおいて、
上記一方の鍔部の外面上であって且つ当該鍔部の内面に連結している上記巻芯部の端面と重なる領域内に分割点を設定し、コア全体を上記鍔部の外面側から見て当該分割点を中心に円周方向に所定中心角度毎に分割して、複数の分割コア部を形成し、
上記複数の分割コア部の透磁率の大きさを、全て異ならせると共に、隣り合う分割コア部の間全体に非磁性層を設けた、
ことを特徴とするインダクタ。
【請求項２】
請求項１に記載のインダクタにおいて、
上記分割点を、上記巻芯部の中心軸上に設定した、
ことを特徴とするインダクタ。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載のインダクタにおいて、
上記非磁性層を、隣り合う分割コア部同士を接着するための非磁性の接着剤で形成した、
ことを特徴とするインダクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、大電流を扱うＤＣ−ＤＣコンバータ等に用いるためのインダクタに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
この種のインダクタを用いたＤＣ−ＤＣコンバータとしては、例えば図１２に示すようなものがある（特許文献１参照）。
このＤＣ−ＤＣコンバータは、入力直流電圧源２０１をスイッチング素子であるトランジスタ２００のコレクタに接続し、インダクタ１００とコンデンサ２０２とで成る平滑回路とダイオード２０３とを、このトランジスタ２００のエミッタに接続した構成になっている。
これにより、トランジスタ２００のオン時には、コンデンサ２０２が充電されると共に、負荷２０４に電流が流れる。そして、トランジスタ２００のオフ時には、チョークコイル１００に貯えられていたエネルギーにより、電流がダイオード２０３を通じて流れて、コンデンサ２０２が放電される。負荷２０４に加わる出力直流電圧の安定化は、制御部２０５によって、トランジスタ２００のスイッチング動作を制御することより行う。
このようなＤＣ−ＤＣコンバータに用いられるインダクタでは、インダクタの電力ロスの低減化や電圧変換効率の向上の観点から、出力電流が小さな領域では、インダクタンス値が高くなり、出力電流が大きな領域では、インダクタンス値が低くなるという特性を有していることが好ましい。
【０００３】
このようなインダクタとして、図１３に示すような構造のものがある（例えば、特許文献２参照）。
このインダクタは、図１３に示すように、巻線コイル１０１が巻回された第１のコア１０２と、この第１のコア１０２全体を内包した第２のコア１０３とで構成されている。第１及び第２のコア１０２，１０３は、図の上下方向に２分割されている。
そして、第２のコア１０３の透磁率は、第１のコア１０２のそれより大きく設定され、また、第１のコア１０２の中央部にはギャップ１０４が設けられている。
これにより、直流重畳電流が小さい領域では、第２のコア１０３による大きなインダクタンス値を持つことができ、また、直流重畳電流が大きい領域では、第２のコア１０３は飽和するが、第１のコア１０２によるインダクタンス値を持続することができるようになっている。
【０００４】
透磁率が異なるコアを組み合わせたインダクタとしては、上記のインダクタの他に、図１４及び図１５に示すようなものがある（例えば、特許文献３及び特許文献４参照）。
図１４に示すインダクタは、コアが、磁性層である第１、第２の材料層１０５ａ、１０５ｂとこれら両者１０５ａ、１０５ｂ間に介在する非磁性層の第３の材料層１０５ｃとで形成され、巻線１０６がこのコアに巻き付けられた構造になっている。そして、第１の材料層１０５ａの透磁率が第２の材料層１０５ｂより透磁率よりも大きく設定されている。
他方、図１５に示すインダクタは、可変インダクタであり、図示しない巻線を巻回したドラム型コア１０７と、このドラム型コア１０７に近接してこれに回転可能に配設されたキャップ型コア１０８とで構成されている。そして、ドラム型コア１０７（キャップ型コア１０８）に、その回転軸に垂直な断面内で透磁率の高い部分１０７ａ（１０８ａ）と低い部分１０７ｂ（１０８ｂ）とが設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開昭６１−２７７３７０号公報
【特許文献２】特開平０８−１３８９４７号公報
【特許文献３】特開２００８−２７０２６９号公報
【特許文献４】実開昭５９−０８１００９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、上記した従来のインダクタでは、次のような問題がある。
図１３に示したインダクタにおいては、第２のコア１０３が、第１のコア１０２を内包する密閉型のコアであるため、閉磁路を形成し、小さい直流重畳電流による磁束Ｈ２が第２のコア１０３内に高密度で閉じ込められた状態になる。このため、高い透磁率を有する第２のコア１０３は、小さな直流重畳電流で直ちに磁気飽和してしまい、大きなインダクタンス値を維持することができないおそれがある。つまり、所望の高いインダクタンス値を保持する小さな直流重畳電流の領域として、Ｉ１〜Ｉ３（Ｉ１＜Ｉ３）の領域が必要であるにも拘わらず、第２のコア１０３が小さな直流重畳電流値で磁気飽和してしまうため、Ｉ１から僅かに増えた直流重畳電流Ｉ２（Ｉ１＜Ｉ２＜＜Ｉ３）で、インダクタンス値が急激に低くなり、高いインダクタンス値を所望の直流重畳電流領域で維持することができなくなるおそれがある。
また、第１及び第２のコア１０２，１０３の形状が複雑であるので、製造に手間と時間が必要となり、その分製造コストが高くなるおそれがある。また、巻線コイル１０１を２分割された第１のコア１０２に巻き付ける作業は、非常に煩雑であり、実際に製品化することは難しい。
【０００７】
また、図１４に示したインダクタでは、巻線１０６によって発生した磁束が、非磁性の第３の材料層１０５ｃを挟んだ異なる透磁率の第１及び第２の材料層１０５ａ，１０５ｂを貫いた状態で、ループを描く。このため、直流電流重畳時のインダクタンス値の変化特性が、第１及び第２の材料層１０５ａ，１０５ｂの２つの材料を混ぜ合わせたような特性となる。この結果、インダクタが、直流重畳電流のほぼ全領域で、同じ高さのインダクタンス値を有し、インダクタンス値が、電流が小さな領域で高くなり、電流が大きな領域で低くなるという２段形状の特性を有しない。したがって、このインダクタでは、使用領域での多段のインダクタンス値調整が不可能である。
また、図１５に示したインダクタでは、磁路は高透磁率のみの領域、高透磁率と低透磁率の部分を縦断する領域、低透磁率のみの領域が存在し、それらが合成した特性となる。このため、インダクタンス値の直流重畳特性は、電流増加に伴い連続的に低下するカーブとなり、２段形状の直流重畳特性を有しない。
【０００８】
この発明は、上述した課題を解決するためになされたもので、インダクタンス値に関する所望の多段形状の直流重畳特性を得ることができ、しかも、簡単な構造のインダクタを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するために、請求項１の発明は、１対の鍔部が巻芯部の両端部にそれぞれ設けられたボビン状のコアと、このコアの一方の鍔部側から他方の鍔部側に向かって巻芯部に巻回された巻線とを備えたインダクタにおいて、一方の鍔部の外面上であって且つ当該鍔部の内面に連結している巻芯部の端面と重なる領域内に分割点を設定し、コア全体を鍔部の外面側から見て当該分割点を中心に円周方向に所定中心角度毎に分割して、複数の分割コア部を形成し、複数の分割コア部の透磁率の大きさを、全て異ならせると共に、隣り合う分割コア部の間全体に非磁性層を設けた構成とする。
かかる構成により、インダクタの巻線に通電すると、磁束がコアに発生する。このとき、コアが複数の分割コア部で成り、非磁性層が隣り合う分割コア部の間全体に設けられているので、一の分割コア部の磁束が他の分割コア部に入り込むという事態を非磁性層によって抑制することができる。このため、一の分割コア部で発生した磁束は当該一の分割コア部内でループするので、この磁束が他の分割コア部に入り込むという事態を抑制することができる。つまり、磁束の磁路が、非磁性層によって分離され、磁路が、透磁率の異なる各分割コア部毎に形成される。
したがって、巻線に通電する直流重畳電流を低い値から高い値に漸次増加させていくと、直流重畳電流が低い領域では、透磁率の最も高い分割コア部のインダクタンス値が効いて、インダクタ全体のインダクタンス値が高くなる。そして、直流重畳電流がある値にまで増加すると、透磁率の最も高い分割コア部が磁気飽和して、当該分割コア部のインダクタンス値が低下する。しかし、当該電流値から次のある電流値まで増加する間は、透磁率の次に高い分割コア部のインダクタンス値が効いているので、インダクタ全体がそのインダクタンス値になる。同様にして、直流重畳電流を最も高い領域まで上げていくと、透磁率の最も低い分割コア部のインダクタンス値のみが効いて、インダクタ全体がそのインダクタンス値まで下がる。したがって、この発明のインダクタでは、直流重畳電流を漸次大きくしていくに従って、高いインダクタンス値から低いインダクタンス値へと段階的に変化するので、分割コア部の数に対応した多段形状の直流重畳特性を得ることができる。しかも、各分割コア部の磁路が非磁性層によってほぼ完全に分離されているので、各高さのインダクタンス値を所望の電流領域範囲で維持することができる。
【００１０】
請求項２の発明は、請求項１に記載のインダクタにおいて、分割点を、巻芯部の中心軸上に設定した構成とする。
【００１１】
請求項３の発明は、請求項１又は請求項２に記載のインダクタにおいて、非磁性層を、隣り合う分割コア部同士を接着するための非磁性の接着剤で形成した構成とする。
【発明の効果】
【００１２】
以上詳しく説明したように、この発明のインダクタによれば、インダクタンス値に対する所望の多段形状の直流重畳特性を得ることができ、この結果、電力ロスの低減化と高電圧変換効率化とを図ることができるという優れた効果がある。しかも、非磁性層を介して隣り合う複数の分割コア部と巻線とで構成された簡単な構造のインダクタであるので、インダクタの製造コストを低く抑えることができるという効果もある。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】この発明の第１実施例に係るインダクタを示す斜視図である。
【図２】インダクタの側面図である。
【図３】インダクタの平面図である。
【図４】コアの分割状態を示す斜視図である。
【図５】図３の矢視Ａ−Ａ断面図である。
【図６】インダクタの直流重畳特性を示す線図である。
【図７】比較実験で用いたインダクタの斜視図である。
【図８】比較実験の結果を示す直流重畳特性図である。
【図９】この発明の第２実施例に係るインダクタを示す斜視図である。
【図１０】インダクタの直流重畳特性図である。
【図１１】分割点の変形例を示す平面図である。
【図１２】インダクタを用いたＤＣ−ＤＣコンバータの一例を示す回路図である。
【図１３】第１従来例に係るインダクタを示す断面図である。
【図１４】第２従来例に係るインダクタを示す断面図である。
【図１５】第３従来例に係るインダクタの分解斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、この発明の最良の形態について図面を参照して説明する。
【００１５】
（実施例１）
図１は、この発明の第１実施例に係るインダクタを示す斜視図であり、図２は、インダクタの側面図であり、図３は、インダクタの平面図である。
【００１６】
図１及び図２に示すように、インダクタ１は、ボビン状のコア２と巻線９とを備えている。
コア２は、矩形状の１対の鍔部４，５を円柱状の巻芯部３の両端部に有した構成になっている。このようなコア２は、分割点Ｐを中心として、２つの分割コア部２−１，２−２に分割されている。
【００１７】
分割点Ｐは、図１〜図３に示すように、鍔部４の外面４ａ上であって且つこの鍔部４の内面４ｂ（図２参照）に連結している巻芯部３の端面と重なる領域Ｄ内に設定されている。この領域Ｄは、図３において、破線の円形内の領域を示す。この実施例では、分割点Ｐを、領域Ｄ内の中心、つまり、巻芯部３の中心軸Ｍ（図２参照）上に設定した。
【００１８】
図１に示すように、分割コア部２−１は、コア２を鍔部４の外面４ａ側から見て、分割点Ｐを中心に円周方向（図３の領域Ｄの円周方向）にθ１の中心角で分割することで形成されている。そして、分割コア部２−２は、分割点Ｐを中心に円周方向にθ２の中心角で分割することで、形成されている。この実施例では、分割コア部２−１の中心角θ１を９０°に設定し、分割コア部２−２の中心角θ２を２７０°に設定した。
【００１９】
図４は、コア２の分割状態を示す斜視図である。
上記したように、コア２を中心角９０°，２７０°でそれぞれ分割して、分割コア部２−１，２−２を形成した。これにより、図４に示すように、分割コア部２−１は、１対の矩形状の分割鍔部４１，５１を断面が中心角９０°の扇形の分割巻芯部３１の両端に有した構造になり、分割コア部２−２は、１対のＬ字状の分割鍔部４２，５２を断面が中心角２７０°の扇形の分割巻芯部３２の両端に有した構造になっている。
【００２０】
分割コア部２−１，２−２の透磁率の大きさは、異なっている。この実施例では、分割コア部２−１の透磁率を、分割コア部２−２の透磁率よりも大きく設定した。
これら分割コア部２−１，２−２が、図１に示すように、組み合わされて、コア２が形成されるが、組み合わせの際には、図４に示すように、非磁性層６が分割コア部２−１，２−２の間全体に介設される。この実施例では、非磁性の接着剤である非磁性層６を用いることにより、分割コア部２−１，２−２同士を一体に接合している。
【００２１】
巻線９は、図１及び図２に示すように、コア２の鍔部４側から鍔部５側に向かって巻芯部３に複数ターン巻回されている。つまり、１本の巻線９が、透磁率の異なる２つの分割コア部２−１，２−２の分割巻芯部３１，３２の外側に巻回された状態になっている。
【００２２】
次に、この実施例のインダクタが示す作用及び効果について説明する。
図５は、図３の矢視Ａ−Ａ断面図であり、図６は、インダクタの直流重畳特性を示す線図である。
図５に示すように、直流重畳電流Ｉをインダクタ１の巻線９に通電すると、磁束Ｈ１，Ｈ２がコア２の分割コア部２−１，２−２にそれぞれ発生する。
このとき、磁束Ｈ１，Ｈ２は、互いに混じり合おうとするが、非磁性層６が隣り合う分割コア部２−１，２−２の間全体に介在しているので、分割コア部２−１（２−２）から分割コア部２−２（２−１）に向かおうとする磁束Ｈ１（Ｈ２）が非磁性層６によって遮蔽され、磁束Ｈ１は分割コア部２−１にのみ納められ、磁束Ｈ２は分割コア部２−２にのみ納められる。具体的には、分割コア部２−１の分割鍔部４１，５１と分割巻芯部３１とが、磁束Ｈ１に対する開磁路を形成し、分割コア部２−２の分割鍔部４２，５２と分割巻芯部３２とが、磁束Ｈ２に対する開磁路を形成する。
このように、分割コア部２−１，２−２の磁路は、非磁性層６によって分離され、磁束Ｈ１，Ｈ２は、透磁率が異なる分割コア部２−１，２−２にそれぞれに納まる。
【００２３】
したがって、図６に示すように、直流重畳電流Ｉを低いＩ１から高いＩ３に漸次増加させていくと、一点鎖線曲線Ｓ１で示すように、大きい透磁率を有する分割コア部２−１のインダクタンス値が高い「Ｌ１」となると共に、二点鎖線曲線Ｓ２で示すように、小さい透磁率を有する分割コア部２−２によるインダクタンス値が低い「Ｌ２」となる。この結果、インダクタ１は、電流領域Ｉ１〜Ｉ３において、高い「Ｌ１」のインダクタンス値を有するインダクタとして機能する。
このとき、図１３に示したインダクタのように、コアが磁束を閉じ込める閉磁路を形成していると、図６の破線曲線Ｓ０で示すように、電流が「Ｉ１」から「Ｉ２」（Ｉ１＜Ｉ２＜＜Ｉ３）へと、電流が僅かに増えただけで、磁気飽和により、インダクタンス値が急激に低くなってしまう。
しかし、この実施例のインダクタ１のコア２は、上記したように開磁路を形成するので、一点鎖線曲線Ｓ１で示すように、直流重畳電流Ｉが所望値「Ｉ３」になるまで、高いインダクタンス値「Ｌ１」を維持する。
【００２４】
そして、直流重畳電流Ｉを所望値「Ｉ３」にまで増加させると、透磁率の大きい分割コア部２−１が、磁気飽和して、そのインダクタンス値が急低下する。これに対して、透磁率が小さい分割コア部２−２は、二点鎖線曲線Ｓ２で示すように、高い電流でも磁気飽和せず、そのインダクタンス値「Ｌ２」を高い電流値「Ｉ４」まで維持する。
【００２５】
以上のように、低い直流電流領域Ｉ１〜Ｉ３では、分割コア部２−１のインダクタンス値Ｌ１が効き、高い直流電流領域Ｉ３〜Ｉ４では、分割コア部２−２のインダクタンス値Ｌ２が効くので、この実施例のインダクタ１では、図６の太実線曲線Ｓで示すように、高いＬ１値から低いＬ２値へと段階的に変化する２段形状の直流重畳特性を得ることができる。しかも、分割コア部２−１，２−２の磁路が非磁性層６によってほぼ完全に分離されているので、各段のＬ１，Ｌ２値を、所望の電流領域範囲Ｉ１〜Ｉ３，Ｉ３〜Ｉ４でそれぞれ維持することができる。
【００２６】
上記のような作用及び効果を有するこの実施例のインダクタ１を、図１２に示したＤＣ−ＤＣコンバータのインダクタ１００として用いると、トランジスタ２００からの出力電流が小さい電流領域では、インダクタ１は高いインダクタンス値Ｌ１を維持するので、トランジスタ２００のスイッチングによるインダクタ１に加わる電流振幅が小さくなり、インダクタ１の電力ロスは小さくなる。
そして、出力電流の大きな電流領域では、インダクタ１のインダクタンス値がＬ２に低下するので、スイッチングによるインダクタ１の電流振幅が大きくなり  出力電流の変動に対する追従性が良くなる。
【００２７】
発明者は、かかる効果を確認すべく、次のような比較実験を行った。
図７は、比較実験で用いたインダクタの斜視図であり、図８は、比較実験の結果を示す直流重畳特性図である。
図７の（ａ）は、この実施例のインダクタ１であり、この実験では、巻芯部３の直径ｄ及び長さｈ２をそれぞれ４ｍｍ及び１．３ｍｍ、矩形の鍔部４（５）の一辺ｗを８ｍｍ、インダクタ１全体の厚みｈ１を３ｍｍに設定した。そして、中心角９０°の分割コア部２−１の比透磁率を、２５０に設定すると共に、中心角２７０°の分割コア部２−２の比透磁率を、６５に設定した。そして、０．３ｍｍのギャップがこれら分割コア部２−１，２−２の間にできるように、分割コア部２−１，２−２同士を接着剤である非磁性層６で一体に接合した。しかる後、５．５ターンの巻線９を巻芯部３に巻回した。
一方、図７の（ｂ）は、分割しない通常のインダクタであり、巻芯部３の直径及び長さ、鍔部４（５）の一辺、インダクタ全体の厚みは、上記インダクタ１と同値に設定され、巻線９のターン数も同数に設定されている。このインダクタは分割されていないので、非磁性層６を有さず、且つ比透磁率は単一である。この実験では、比透磁率２５０のインダクタと比透磁率６５のインダクタとの２つのインダクタを用いた。
【００２８】
まず、直流重畳電流を、大きな比透磁率２５０のインダクタに通電して、実験したところ、図８の一点鎖線曲線Ｖ１で示すような直流重畳特性を得た。
この結果から明らかなように、大きな比透磁率単体のインダクタでは、低電流時に、約１．９μＨという高いインダクタンス値を得ることができるが、電流を僅かに高くしただけで、インダクタンス値が急激に減少し、インダクタンス値が必要以上に低くなってしまう。このため、高い電流範囲においては、インダクタンス値が低くなって、電流振幅が大きくなり、インダクタの電力ロスが増加してしまう。したがって、このようなインダクタをＤＣ−ＤＣコンバータに用いると、ＤＣ−ＤＣコンバータのスイッチング動作が不安定になり、安定した出力電圧を得ることができないおそれがある。
次に、直流重畳電流を、小さな比透磁率６５のインダクタに通電して、実験したところ、図８の二点鎖線曲線Ｖ２で示すような直流重畳特性を得た。
この結果から明らかなように、小さな比透磁率単体のインダクタでは、低電流から高電流まで広い範囲で、約１．５μＨという一定のインダクタンス値を得ることができるが、低電流時のインダクタンス値と高電流時のインダクタンス値とがほとんど変わらないため、このインダクタをＤＣ−ＤＣコンバータに用いると、ＤＣ−ＤＣコンバータの電圧変換効率が低下するおそれがある。
【００２９】
次いで、図７の（ａ）に示したインダクタ１に直流重畳電流を通電して、実験したところ、図８の実線曲線Ｖで示すような直流重畳特性を得た。
この結果から明らかなように、このインダクタ１では、電流０Ａ〜８Ａの領域で、直流重畳特性が２段になる。このため、このインダクタをＤＣ−ＤＣコンバータに用いると、低出力電流時はインダクタの電流振幅が抑えられて、高効率になり、大出力電流時には、電流振幅が大きくとれて、出力電流の急変時の応答性が良くなると考えられる。
【００３０】
図７の（ｃ）は、この実施例のインダクタにおいて、分割コア部２−１，２−２の中心角θ１，θ２を共に１８０°に設定したインダクタである。
このように分割コア部２−１，２−２の比率を異ならせたインダクタに直流重畳電流を通電して、実験したところ、図８の破線線曲線Ｖ３で示すような直流重畳特性を得た。
この結果から明らかなように、分割コア部２−２に対する分割コア部２−１の割合を高くして、大きな比透磁率の比率を高くしたことにより、低電流領域におけるインダクタンス値が約１．７μＨに増加した。つまり、大きな比透磁率の比率を１／４から１／２に上げることで、低電流領域におけるインダクタンス値を約１．６μＨから約１．７μＨに高めることができた。
この結果、分割コア部２−１，２−２の比率を変化させることで、２段形状のインダクタンス値を調整することができるということを確認することができた。
【００３１】
（実施例２）
次に、この発明の第２実施例について説明する。
図９は、この発明の第２実施例に係るインダクタを示す斜視図であり、図１０は、インダクタの直流重畳特性図である。
この実施例は、インダクタのコア２を３分割した点が、上記第１実施例と異なる。
具体的には、第１実施例の分割コア部２−２をさらに２分割して、分割コア部２−３，２−４を形成し、分割コア部２−３，２−４を非磁性の接着剤である非磁性層６で接合した。すなわち、コア２を、中心角９０°の分割コア部２−１と、中心角１３５°の分割コア部２−３と、同じく中心角１３５°の分割コア部２−４とで構成した。
そして、分割コア部２−１の透磁率を最も大きくし、分割コア部２−３の透磁率を分割コア部２−１よりも小さくし、分割コア部２−４の透磁率を最も小さく設定した。
【００３２】
かかる構成により、図１０の一点鎖線曲線Ｓ１で示すように、直流重畳電流Ｉが低い電流領域Ｉ１〜Ｉ３の間では、分割コア部２−１のインダクタンス値である最も高い「Ｌ１」値が維持される。そして、中間の電流領域Ｉ３〜Ｉ５の間では、二点鎖線曲線Ｓ３で示すように、分割コア部２−３のインダクタンス値である次に高い「Ｌ３」値が維持され、最も高い電流領域Ｉ５〜Ｉ６では、破線曲線Ｓ４で示すように、分割コア部２−４のインダクタンス値である最も低い「Ｌ４」値が維持されることとなる。
したがって、この実施例のインダクタ１では、図１０の太実線曲線Ｓで示すように、高いＬ１値から中間のＬ３値へ、そして低いＬ４値へと段階的に変化する３段形状の直流重畳特性を得ることができる。
その他の構成、作用及び効果は、上記第１実施例と同様であるので、その記載は省略する。
【００３３】
なお、この発明は、上記実施例に限定されるものではなく、発明の要旨の範囲内において種々の変形や変更が可能である。
例えば、上記第１実施例では、図３に示したように、分割点Ｐを、領域Ｄ内の中心、つまり、巻芯部３の中心軸Ｍ上に設定したが、図１１に示す点Ｐ１や点Ｐ２のように、分割点は領域Ｄ内にあればよい。このように、分割点Ｐの位置を中心軸Ｍからずらすことにより、分割コア部２−１のインダクタンス値を調整することができる。
また、上記実施例では、複数の分割コア部を接着剤である非磁性層６で接合した例を示したが、アルミナ等のセラミックで形成した非磁性板を非磁性層６として隣り合う分割コア部間に介在結合させても良い。
【符号の説明】
【００３４】
１…インダクタ、  ２…コア、  ２−１〜２−４…分割コア部、  ３…巻芯部、  ４，５…鍔部、  ４ａ…外面、  ４ｂ…内面、  ６…非磁性層、  ９…巻線、  ３１，３２…分割巻芯部、  ４１，４２，５１，５２…分割鍔部、  Ｈ１，Ｈ２…磁束、  Ｍ…中心軸、  Ｐ…分割点。
【図１】
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【図２】
2012119543.tif 000004
【図３】
2012119543.tif 000005
【図４】
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【図５】
2012119543.tif 000007
【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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