(57)【要約】【課題】  順方向電圧の低減と静電耐圧の向上とを両立させることができる半導体素子を提供することを目的とする。【解決手段】  一実施態様に係る半導体発光素子は、ｎ側コンタクト層と、活性層と、ｐ側コンタクト層と、を順に備える。ｎ側コンタクト層と活性層との間には、ｎ側コンタクト層側から順に、ＧａＮ又はＩｎＧａＮからなる第１障壁層及びＩｎＧａＮからなる第１井戸層を含む第１超格子構造体と、ＧａＮ又はＩｎＧａＮからなる第２障壁層及びＩｎＧａＮからなる第２井戸層を含む第２超格子構造体と、が設けられている。さらに、第２超格子構造体の平均Ｉｎ混晶比は、第１超格子構造体の平均Ｉｎ混晶比よりも小さい。【選択図】  図１
2012028476.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ側コンタクト層と、活性層と、ｐ側コンタクト層と、を順に備える半導体発光素子であって、
前記ｎ側コンタクト層と前記活性層との間には、前記ｎ側コンタクト層側から順に、ＧａＮ又はＩｎＧａＮからなる第１障壁層及びＩｎＧａＮからなる第１井戸層を含む第１超格子構造体と、ＧａＮ又はＩｎＧａＮからなる第２障壁層及びＩｎＧａＮからなる第２井戸層を含む第２超格子構造体と、が設けられ、
前記第２超格子構造体の平均Ｉｎ混晶比は、前記第１超格子構造体の平均Ｉｎ混晶比よりも小さいことを特徴とする半導体発光素子。
ｎ側コンタクト層と、活性層と、ｐ側コンタクト層と、を順に備える半導体発光素子であって、
【請求項２】
前記ｎ側コンタクト層と前記活性層との間には、前記ｎ側コンタクト層側から順に、ＧａＮからなる第１障壁層及びＩｎＧａＮからなる第１井戸層を含む第１超格子構造体と、ＧａＮからなる第２障壁層及びＩｎＧａＮからなる第２井戸層を含む第２超格子構造体と、が設けられ、
前記第１井戸層の膜厚と前記第２井戸層の膜厚とは実質的に同じであると共に、前記第１障壁層の膜厚と前記第２障壁層の膜厚とは実質的に同じであり、
前記第２井戸層のＩｎ混晶比は、前記第１井戸層のＩｎ混晶比よりも小さいことを特徴とする半導体発光素子。
【請求項３】
前記第１超格子構造体の膜厚は、前記第２超格子構造体の膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記第１井戸層の膜厚は、前記第１障壁層の膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の半導体発光装置。
【請求項５】
前記第２障壁層の膜厚は、前記第２井戸層の膜厚よりも厚いことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の半導体発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザダイオード（ＬＤ）等の半導体発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ｎ型コンタクト層と活性層との間に超格子構造を備える半導体発光素子が知られている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１９７２９２公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の半導体発光素子は、順方向電圧の低減と静電耐圧の向上を両立することが困難であるという問題があった。
【０００５】
つまり、半導体発光素子の順方向電圧を低減するためには、素子内部に電流を流しやすくする必要がある。しかし、素子内部に電流を流しやすくすると、所定の電圧がかかったときに素子内部に流れる電流が大きくなるので、静電耐圧が低下してしまう。このように、順方向電圧の低減及び静電耐圧の向上は、本来相反する特性であり、それらを両立させることは容易ではない。
そこで本願発明は、順方向電圧の低減と静電耐圧の向上とを両立させることができる半導体素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一実施態様に係る半導体発光素子は、ｎ側コンタクト層と、活性層と、ｐ側コンタクト層と、を順に備える。ｎ側コンタクト層と活性層との間には、ｎ側コンタクト層側から順に、ＧａＮ又はＩｎＧａＮからなる第１障壁層及びＩｎＧａＮからなる第１井戸層を含む第１超格子構造体と、ＧａＮ又はＩｎＧａＮからなる第２障壁層及びＩｎＧａＮからなる第２井戸層を含む第２超格子構造体と、が設けられている。さらに、第２超格子構造体の平均Ｉｎ混晶比は、第１超格子構造体の平均Ｉｎ混晶比よりも小さい。
【０００７】
他の実施形態に係る半導体発光素子は、ｎ側コンタクト層と、活性層と、ｐ側コンタクト層と、を順に備える。ｎ側コンタクト層と活性層との間には、ｎ側コンタクト層側から順に、ＧａＮからなる第１障壁層及びＩｎＧａＮからなる第１井戸層を含む第１超格子構造体と、ＧａＮからなる第２障壁層及びＩｎＧａＮからなる第２井戸層を含む第２超格子構造体と、が設けられている。１井戸層の膜厚と第２井戸層の膜厚とは実質的に同じであると共に、第１障壁層の膜厚と第２障壁層の膜厚とは実質的に同じである。さらに、第２井戸層のＩｎ混晶比は、第１井戸層のＩｎ混晶比よりも小さい。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、実施の形態１に係る半導体発光素子の構造を説明するための図である。
【図２】図２は、実施例１に係る半導体発光素子の構造を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、本願発明を実施するための形態を、図面を参照しながら説明する。ただし、以下に示す形態は、本願発明の技術思想を具体化するための半導体発光素子を例示するものであって、本願発明を以下に限定するものではない。また、実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は、特定的な記載がない限り、本願発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる例示にすぎない。なお、各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするために誇張していることがある。
【００１０】
［実施の形態１］
図１に、本実施形態係る半導体発光素子の断面図を示す。本実施形態の半導体発光素子は、基板１と、バッファ層２、ｎ側コンタクト層５と、活性層１３と、ｐ側コンタクト層１７と、を順に備える。ｎ側コンタクト層５と活性層１３との間には、ｎ側コンタクト層５側から順に、ＧａＮ又はＩｎＧａＮからなる第１障壁層１１ａ及びＩｎＧａＮからなる第１井戸層１１ｂを含む第１超格子構造体１１と、ＧａＮ又はＩｎＧａＮからなる第２障壁層１２ａ及びＩｎＧａＮからなる第２井戸層１２ｂを含む第２超格子構造体１２と、が設けられている。さらに、第２超格子構造体１２の平均Ｉｎ混晶比は、第１超格子構造体１１の平均Ｉｎ混晶比よりも小さい。
【００１１】
これにより、再現性よく半導体発光素子の順方向電圧を低下させることができると共に、静電耐圧を向上させることができる。以下、詳細に述べる。
【００１２】
一般に、ＩｎＧａＮの結晶性はＧａＮの結晶性よりも劣り、同じＩｎＧａＮでもＩｎ混晶比が大きくなるほどその結晶性は劣る。また、エピタキシャル成長では結晶性は引き継がれるので、例えば、結晶性の悪いＩｎＧａＮの上にＧａＮを成長させても、ＩｎＧａＮ上に直ちに結晶性の良いＧａＮを成長させることはできず、ＩｎＧａＮ直上の所定の膜厚のＧａＮの結晶性はさらに上の領域のＧａＮの結晶性よりも劣るものと考えられる。したがって、半導体発光素子において、ＩｎＧａＮの膜厚及び／又はＩｎＧａＮのＩｎ混晶比が大きくなるほど、ＩｎＧａＮ自体及び／又はその後に成長させるＧａＮ等の他の層の結晶性が低下し電気抵抗が下がるので、結果として順方向電圧は低下する。結晶性が低下することにより電流が流れやすくなるメカニズムの詳細は不明だが、おそらく転位等の結晶欠陥を介して電流が流れるためであると考えられる。
【００１３】
しかし、順方向電圧を低下させるために結晶性を低下させると、半導体発光素子の出力が低下してしまう。さらに、電流が流れやすいと、所定の電圧がかかったときに半導体発光素子に流れる電流も多くなってしまうので、結果として、重要な一特性である静電耐圧が低下してしまう。
【００１４】
そこで、本実施の形態では、第２超格子構造体１２の平均Ｉｎ混晶比を第１超格子構造体１１の平均Ｉｎ混晶比よりも小さくすることにより、第２超格子構造体１２の結晶性を第１超格子構造体１１の結晶性よりも向上させている（逆に言うと、第１超格子構造体１１の結晶性を第二超格子構造体４の結晶性よりも低下させている。）。第１超格子構造体１１においては、その結晶性を第２超格子構造体１２の結晶性よりも低下させることで、その領域において電流を流れやすくし、半導体発光素子としての順方向電圧を低下させている。一方、第２超格子構造体１２においては、その結晶性を第１超格子構造体１１よりも向上させることで、半導体発光素子としての出力を低下させずに、静電耐圧を向上させることができる。
【００１５】
ここで、活性層１３から遠い第１超格子構造体１１の結晶性を向上させるのではなく、活性層１３に近い第２超格子構造体１２の結晶性を向上させることが、出力を維持しつつ、順方向電圧を低下させ静電耐圧を向上させるポイントであると考えられる。つまり、活性層１３は第２超格子構造体１２上に配置されるので、第２超格子構造体１２の良い結晶性が引き継がれる。その結果、出力の低下を伴わずに、静電耐圧を効果的に向上させることができると考えられる。
【００１６】
第２超格子構造体１２の平均Ｉｎ混晶比が第１超格子構造体１１の平均Ｉｎ混晶比よりも小さいか否かは、ＳＩＭＳ（２次イオン質量分析）等で確認することができる。例えば、第２超格子構造体１２のＩｎレベルが第１超格子構造体１１のＩｎレベルより低ければ、第２超格子構造体１２の平均Ｉｎ混晶比が第１超格子構造体１１の平均Ｉｎ混晶比よりも小さいということができる。
【００１７】
以下、本実施形態の主な構成要素について説明する。
【００１８】
（基板１）
基板１は、その上面に半導体層を成長させることができればよく、その材料等は限定されない。基板１としては、例えば、サファイア、スピネル、ＳｉＣ、ＺｎＳ、ＺｎＯ、ＧａＡｓ、Ｓｉ、及びＧａＮ等が挙げられる。一般的には、サファイアを基板として用いることが多い。基板１は最終的に研磨等により薄くしたり、除去したりすることもできる。
【００１９】
（バッファ層２）
サファイア等の異種基板を用いる場合には、低温成長層であるバッファ層２を設けることが好ましい。バッファ層２を介在させることで、その上に成長させる半導体層の結晶性が良好なものとなる。一方、異種基板ではなく例えばＧａＮを基板として用いる場合は、必ずしもバッファ層２を設ける必要はない。バッファ層２は最終的に除去することもできる。
【００２０】
（ｎ側コンタクト層５）
ｎ側コンタクト層５は、最終的にｎ電極１８が設けられる層である。その材料等は限定されないが、例えばｎ型のＧａＮ又はＡｌＧａＮとすることができる。一般的には、ＳｉドープＧａＮからなるｎ型層をｎ側コンタクト層として用いることが多い。
【００２１】
ｎ電極１８の材料及び構成は限定されない。ｎ電極１８としては、例えば、ｎ側コンタクト層５の一部に設けられたＴｉ／Ｒｈ／Ｗ／Ａｕとすることができる。
【００２２】
（第１超格子構造体１１）
第１超格子構造体１１は、ＧａＮ又はＩｎＧａＮからなる第１障壁層１１ａ及びＩｎＧａＮからなる第１井戸層１１ｂを含む。つまり、第１障壁層１１ａ及び第１井戸層１１ｂを１ペアとして、それが順に複数積層された構造である。ただし、最初の層（ｎ側コンタクト層５から最も近い層）及び最後の層（ｎ側コンタクト層５から最も遠い層）は限定されず、いずれも第１障壁層１１ａでも第１井戸層１１ｂでもよい。
【００２３】
第１超格子構造体１１をバルクではなく超格子構造とすることで、本実施形態における上記効果を再現性良く得ることができるものと考えられる。つまり、第１超格子構造体１１を超格子構造とすることで、臨界膜厚の効果により必要以上の結晶性の低下（例えばクラックの発生）を伴うことなく、一定のレベルで第１超格子構造体１１全体としての結晶性を低下させることができる。さらに、第１超格子構造体１１の代わりに、第１超格子構造体１１の平均Ｉｎ混晶比を有するバルク（単層）のＩｎＧａＮを形成しても良いように思えるが、低濃度でＩｎ混晶比を一定に保ったまま厚膜となるバルクのＩｎＧａＮを再現性良く成長させることは困難である。したがって、第１超格子構造体１１は、バルクではなく、超格子構造であることが必須である。
【００２４】
第１井戸層１１ｂの膜厚は第１障壁層１１ａの膜厚よりも厚いことが好ましい。これにより、第１井戸層１１ｂ及びその上に成長される層の結晶性が低下する結果として第１超格子構造体１１全体としての結晶性を容易に低下させることができるので、半導体発光素子としての順方向電圧を効果的に低下させることができる。
【００２５】
第１障壁層１１ａの膜厚としては、好ましくは０．３ｎｍ以上６ｎｍ以下、より好ましくは０．３ｎｍ以上３ｎｍ以下、さらに好ましくは０．５ｎｍ以上１．５ｎｍ以下とすることができる。第１井戸層１１ｂの膜厚としては、好ましくは０．５ｎｍ以上８ｎｍ以下、より好ましくは０．５ｎｍ以上４ｎｍ以下、さらに好ましくは１ｎｍ以上２．５ｎｍ以下とすることができる。これにより、上記効果をより容易にえることができる。
【００２６】
なお、第１障壁層１１ａは障壁層であり、第１井戸層１１ｂは井戸層であるので、例え第１障壁層１１ａがＩｎＧａＮからなる場合であっても、第１障壁層１１ａのＩｎ混晶比が第１井戸層１１ｂのＩｎ混晶比よりも小さくなることは言うまでもない。
【００２７】
第１超格子構造体１１の膜厚は、第２超格子構造体１２の膜厚よりも厚いことが好ましい。具体的には、第１超格子構造体１１の膜厚は、第２超格子構造体１２の膜厚の好ましくは２倍〜２０倍、より好ましくは３倍〜１５倍、さらに好ましくは５倍〜１０倍とすることができる。これにより、順方向電圧の低減と静電耐圧の向上とを再現性良く実現することができる。
【００２８】
上記特性を再現性良く得るためには、第１障壁層１１ａと第１井戸層１１ｂには、ｎ型不純物を実質的にドープしないこと（アンドープ）が好ましい。ただし、第１障壁層１１ａと第１井戸層１１ｂのうち少なくとも一方に特性を損なわない程度にｎ型不純物をドープすることもできる。本明細書において「アンドープ」とは、1×１０１７／ｃｍ３以下とする。
【００２９】
（第２超格子構造体１２）
第２超格子構造体１２は、ＧａＮ又はＩｎＧａＮからなる第２障壁層１２ａ及びＩｎＧａＮからなる第２井戸層１２ｂを含む。つまり、第２障壁層１２ａ及び第２井戸層１２ｂを１ペアとして、それが順に複数積層された構造である。ただし、最初の層（第１超格子構造体１１から最も近い層）及び最後の層（第１超格子構造体１１から最も遠い層）は限定されず、いずれも第２障壁層１２ａでも第２井戸層１２ｂでもよい。
【００３０】
第２超格子構造体１２をバルクではなく超格子構造とすることで、本実施形態における上記効果を再現性良く得ることができるものと考えられる。つまり、第２超格子構造体１２の代わりに、第２超格子構造体１２の平均Ｉｎ混晶比を有するバルク（単層）のＩｎＧａＮを形成しても良いように思えるが、低濃度でＩｎ混晶比を一定に保ったまま厚膜となるバルクのＩｎＧａＮを再現性良く成長させることは困難である。したがって、第１超格子構造体１１は、バルクではなく、超格子構造であることが必須である。
【００３１】
第２障壁層１２ａの膜厚は第２井戸層１２ｂの膜厚よりも厚いことが好ましい。これにより、第２障壁層１２ａ及びその上に成長される層の結晶性が向上する結果として第２超格子構造体１２全体としての結晶性を容易に向上させることができるので、半導体発光素子全体としての静電耐圧を効果的に向上させることができる。
【００３２】
第２障壁層１２ａの膜厚としては、好ましくは０．５ｎｍ以上８ｎｍ以下、より好ましくは０．５ｎｍ以上４ｎｍ以下、さらに好ましくは１ｎｍ以上２．５ｎｍ以下とすることができる。第２井戸層１２ｂの膜厚としては、好ましくは０．３ｎｍ以上６ｎｍ以下、より好ましくは０．３ｎｍ以上３ｎｍ以下、さらに好ましくは０．５ｎｍ以上１．５ｎｍ以下とすることができる。これにより、上記効果をより容易にえることができる。
【００３３】
なお、第２障壁層１２ａは障壁層であり、第２井戸層１２ｂは井戸層であるので、例え第２障壁層１２ａがＩｎＧａＮからなる場合であっても、第２障壁層１２ａのＩｎ混晶比が第２井戸層１２ｂのＩｎ混晶比よりも小さくなることは言うまでもない。
【００３４】
上記特性を得るためには、第２障壁層１２ａと第２井戸層１２ｂには、ｎ型不純物を実質的にドープしないこと（アンドープ）が好ましい。ただし、第２障壁層１２ａと第２井戸層１２ｂのうち少なくとも一方に特性を損なわない程度にｎ型不純物をドープすることもできる。
【００３５】
（活性層１３）
活性層１３の構造は限定されないが、単一の井戸層を有する単一量子井戸構造（ＳＱＷ）、又は複数の井戸層及び障壁層を有する多重量子井戸構造（ＭＱＷ）とするが好ましい。活性層１３がＭＱＷの場合、その積層順は特に問わず、井戸層または障壁層から積層することもできるし、同様に井戸層または障壁層で終わることもできる。
【００３６】
（ｐ側コンタクト層１７）
ｐ側コンタクト層１７は、最終的にｐ電極１９が設けられる層である。その材料等は限定されないが、例えば、ｐ型のＧａＮ又はＡｌＧａＮとすることができる。一般的には、ＭｇドープＧａＮからなるｐ型層をｐ側コンタクト層として用いることが多い。
【００３７】
ｐ電極１９の材料及び構成は限定されない。ｐ電極１９としては、例えば、ｐ側コンタクト層１７の略全面に設けられたＩＴＯからなる透光性電極１９ａと、透光性部の一部に設けられたＴｉ／Ｒｈ／Ｗ／Ａｕからなるパッド電極１９ｂと、から構成することができる。
【００３８】
本実施の形態においては、基板１乃至ｐ側コンタクト層１７が隣接する層又は超格子構造体と直接接する構成としたが、それらの間に他の層を設けることもできる。しかし、第１超格子構造体１１、第２超格子構造体１２及び活性層１３は、互いに直接接することが好ましい。これにより、順方向電圧の低減及び静電耐圧の向上を再現性良く得ることができる。
【００３９】
［実施の形態２］
本実施形態の半導体発光素子は、基板１と、ｎ側コンタクト層５と、活性層１３と、ｐ側コンタクト層１７と、を順に備える。ｎ側コンタクト層５と活性層１３との間には、ｎ側コンタクト層５側から順に、ＧａＮからなる第１障壁層１１ａ及びＩｎＧａＮからなる第１井戸層１１ｂを含む第１超格子構造体１１と、ＧａＮからなる第２障壁層１２ａ及びＩｎＧａＮからなる第２井戸層１２ｂを含む第２超格子構造体１２と、が設けられている。
【００４０】
ここで、第１井戸層１１ｂの膜厚と第２井戸層１２ｂの膜厚とは実質的に同じであり、第１障壁層１１ａの膜厚と第２障壁層１２ａの膜厚とは実質的に同じであり、第２井戸層１２ｂのＩｎ混晶比を第１井戸層１１ｂのＩｎ混晶比よりも小さい。これにより、第１超格子構造体１１の結晶性を第２超格子構造体１２の結晶性よりも低下させることができるので、半導体発光素子の順方向電圧を低下させることができる。さらに、第２超格子構造体１２の結晶性を第１超格子構造体１１の結晶性よりも向上させることができるので、半導体発光素子としての出力を低下させることなく、静電耐圧を向上させることができる。
【００４１】
上記効果が得られるメカニズムや各構成要素については、実施の形態１で説明した内容と同様である。よって、ここでは繰り返さない。
【００４２】
本実施の形態において、好ましくは第１井戸層１１ｂのＩｎ混晶比は０．０５以上０．１５未満で第２井戸層１２ｂのＩｎ混晶比は０．０１以上０．０５未満であり、より好ましくは第１井戸層１１ｂのＩｎ混晶比は０．０５以上０．１０未満で第２井戸層１２ｂのＩｎ混晶比は０．０２以上０．０５未満とすることができる。これにより、順方向電圧の低減と静電耐圧の向上とを再現性良く実現することができる。
【００４３】
本明細書において、膜厚が「実質的に同じ」とは、一方の膜厚が他方の膜厚のプラスマイナス２０％以内であることをいう。
【００４４】
＜実施例１＞
図２に基づいて本実施例の半導体発光素子について説明する。本実施例の半導体発光素子は、半導体成長面に凹凸（図示せず）が形成されたサファイア基板１、Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎからなる膜厚２０ｎｍのバッファ層２、ＳｉドープＧａＮからなる膜厚２μｍの第１ｎ側層３、ＡｌＮからなる膜厚４ｎｍの第２ｎ側層４、ＳｉドープＧａＮからなる膜厚２μｍの第３ｎ側層５（ｎ側コンタクト層）、アンドープＧａＮからなる膜厚１５０ｎｍの第４ｎ側層６、ＳｉドープＧａＮからなる膜厚１０ｎｍの第５ｎ側層７、アンドープＧａＮからなる膜厚１５０ｎｍの第６ｎ側層８、ＳｉドープＧａＮからなる膜厚３０ｎｍの第７ｎ側層９、アンドープＧａＮからなる膜厚５ｎｍの第８ｎ側層１０、アンドープＧａＮからなる膜厚０．８ｎｍの第１障壁層１１ａ及びアンドープＩｎ０．０６Ｇａ０．９４Ｎからなる膜厚１．７ｎｍの第１井戸層１１ｂを１ペアとしてこれを２７回繰り返した第１超格子構造体１１、アンドープＧａＮからなる膜厚０．８ｎｍの第２障壁層１２ａ及びアンドープＩｎ０．０３Ｇａ０．９７Ｎからなる膜厚１．７ｎｍムの第１井戸層１２ｂを１ペアとしてこれを３回繰り返した後に第２障壁層１２ａで終わる第２超格子構造体１２、ＳｉドープＧａＮからなる膜厚５ｎｍの障壁層で始まりＩｎ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる膜厚３ｎｍの井戸層とアンドープＧａＮからなる膜厚５ｎｍの障壁層を１ペアとしてこれを９回繰り返した多重量子井戸構造の活性層１３、ＭｇドープＡｌＧａＮよりなる膜厚１５ｎｍの第１ｐ側層１４、アンドープＧａＮよりなる膜厚１５０ｎｍの第２ｐ側層１５、ＭｇドープＧａＮ（Ｍｇ低濃度）よりなる膜厚１５０ｎｍの第３ｐ側層１６、ＭｇドープＧａＮ（Ｍｇ高濃度）よりなる膜厚１５ｎｍの第４ｐ側層１７（ｐ側コンタクト層）を順に備える。
【００４５】
本実施例の半導体発光素子の２０ｍＡにおける順方向電圧は、約２．８０Ｖであり、比較例１に比較して約０．０５Ｖ低下した。さらに、静電耐圧は約１１５０Ｖであり、比較例１に比べて約１５０Ｖ向上しした。これらの結果より、第１超格子構造体１１及び第２超格子構造体１２を設けることで、順方向電圧の低下と静電耐圧の向上とを両立することが可能であることがわかる。
【００４６】
ここで、第１ｎ側層３、第２ｎ側層４、第４ｎ側層６〜第８ｎ側層１０、第１ｐ側層１４〜第３ｐ側層１６は必ずしも必要でない。しかし、これらを設けることにより、出力を維持しつつ、順方向電圧の低下及び静電耐圧の向上の両者を達成しやすくなるので好ましい。
【００４７】
＜比較例１＞
実施例１において、第１超格子構造体１１及び第２超格子構造体１２の代わりに、ＧａＮからなる膜厚０．８ｎｍの障壁層及びＩｎ０．０６Ｇａ０．９４Ｎからなる膜厚１．７ｎｍの井戸層を１ペアとしてこれを３０回繰り返した後に同様の障壁層で終わらせた超格子構造体を設けた以外は、実施例１と同様の半導体発光素子を作製した。
【００４８】
本比較例の半導体発光素子の２０ｍＡにおける順方向電圧は、約２．８５Ｖであった。さらに、静電耐圧は約１０００Ｖであった。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明に係る発光装置の製造方法は、照明用光源、各種インジケーター用光源、車載用光源、ディスプレイ用光源、液晶のバックライト用光源、センサー用光源、信号機等、種々の発光装置の製造方法に使用することができる。
【符号の説明】
【００５０】
１・・・基板
２・・・バッファ層
３・・・第１ｎ側層
４・・・第２ｎ側層
５・・・第３ｎ側層（ｎ側コンタクト層）
６・・・第４ｎ側層
７・・・第５ｎ側層
８・・・第６ｎ側層
９・・・第７ｎ側層
１０・・・第８ｎ側層
１１・・・第１超格子構造体
１１ａ・・・第１障壁層
１１ｂ・・・第１井戸層
１２・・・第２超格子構造体
１２ａ・・・第２障壁層
１２ｂ・・・第２井戸層
１３・・・活性層
１４・・・第１ｐ側層
１５・・・第２ｐ側層
１６・・・第３ｐ側層
１７・・・第４ｐ側層（ｐ側コンタクト層）
１８・・・ｎ電極
１９・・・ｐ電極
【図１】
2012028476.tif 000003
【図２】
2012028476.tif 000004