(57)【要約】【課題】搬送される基板に対して、ホスト材料とゲスト材料とを同時蒸着させる蒸着装置において、微量のゲスト材料を蒸着させる場合であっても精度良く成膜を行う。【解決手段】搬送される基板１００に対して薄膜を形成する真空蒸着装置２００であって、基板１００に対向して搬送方向Ａに直交する幅方向に延在し、第１蒸着材料を放出する第１蒸着源２０３と、搬送方向Ａに直交する幅方向に延在し、第１蒸着源２０３に対して搬送方向Ａにずれて配置され、放出された第１蒸着材料に重なり合うように第２蒸着材料を放出する第２蒸着源２０４と、第２蒸着源２０４が延在する方向と同一の方向に延在し、放出された第２蒸着材料に重なる位置であって、放出された第１蒸着材料に重ならない位置に設けられた遮蔽部材２３０と、を備え、遮蔽部材２３０は、放出された第２蒸着材料の一部を通過する開口部２３１を有する。【選択図】図１
2012153959.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空処理室内において、搬送される基板に対して蒸着材料を蒸着させて薄膜を形成する真空蒸着装置であって、
前記基板に対向して前記基板の搬送方向に直交する幅方向に延在し、前記基板に向けて第１蒸着材料を放出する第１蒸着源と、
前記基板に対向して前記搬送方向に直交する幅方向に延在し、前記第１蒸着源に対して前記搬送方向にずれて配置され、前記第１蒸着源から放出された前記第１蒸着材料に重なり合うように前記基板に向けて第２蒸着材料を放出する第２蒸着源と、
前記第２蒸着源が延在する方向と同一の方向に延在し、前記第２蒸着源から放出された前記第２蒸着材料に重なる位置であって、前記第１蒸着源から放出された前記第１蒸着材料に重ならない位置に設けられた遮蔽部材と、を備え、
前記遮蔽部材は、前記第２蒸着源から放出された前記第２蒸着材料の一部を通過する開口部を有することを特徴とする真空蒸着装置。
【請求項２】
前記開口部は、前記遮蔽部材が延在する方向に延びるスリット状に形成され、前記遮蔽部材が延在する方向に直交する幅方向に複数配列されていることを特徴とする請求項１に記載の真空蒸着装置。
【請求項３】
前記開口部は、前記遮蔽部材が延在する方向に対して傾斜する方向に延びるスリット状に形成され、前記遮蔽部材が延在する方向に複数配列されていることを特徴とする請求項１に記載の真空蒸着装置。
【請求項４】
前記遮蔽部材は、前記第２蒸着源が延在する方向と同一の方向を中心軸方向として延在する円筒形状に形成されるとともに、当該中心軸回りに回転可能に構成され、
前記遮蔽部材の内側に前記第２蒸着源が配置されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の真空蒸着装置。
【請求項５】
前記開口部は、複数設けられた貫通孔であることを特徴とする請求項１に記載の真空蒸着装置。
【請求項６】
前記遮蔽部材は、前記遮蔽部材が延在する方向に揺動可能に構成されていることを特徴とする請求項５に記載の真空蒸着装置。
【請求項７】
前記真空処理室内において、前記第１蒸着源から放出された前記第１蒸着材料と前記第２蒸着源から放出された前記第２蒸着材料とが重なり合う領域を制限する制限部を更に備えることを特徴とする請求項１から６の何れか一項に記載の真空蒸着装置。
【請求項８】
前記遮蔽部材は、脱着自在に構成されていることを特徴とする請求項１から７の何れか一項に記載の真空蒸着装置。
【請求項９】
前記遮蔽部材は、所定の脱着装置により自動交換されることを特徴とする請求項８に記載の真空蒸着装置。
【請求項１０】
前記基板に対向して前記搬送方向に直交する幅方向に延在し、前記第１蒸着源に対して前記搬送方向にずれて配置され、前記第１蒸着源から放出された前記第１蒸着材料に重なり合うように前記基板に向けて第３蒸着材料を放出する第３蒸着源を更に備えることを特徴とする請求項１から９の何れか一項に記載の真空蒸着装置。
【請求項１１】
前記基板上に薄膜を形成することにより有機エレクトロルミネッセンス素子を製造することを特徴とする請求項１から１０の何れか一項に記載の真空蒸着装置。
【請求項１２】
請求項１から１１の何れか一項に記載の真空蒸着装置を用いて、
前記基板上に薄膜を形成することにより有機エレクトロルミネッセンス素子を製造することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法により製造されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空蒸着装置、有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光型の電子ディスプレイデバイスとして、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（以下、ＥＬＤと略記する）がある。ＥＬＤの構成要素としては、無機エレクトロルミネッセンス素子（以下、無機ＥＬ素子という）や有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、有機ＥＬ素子という）が挙げられる。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、発光する化合物を含有する発光層を、陰極と陽極で挟んだ構成を有し、発光層に電子及び正孔を注入して、再結合させることにより励起子（エキシトン）を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出（蛍光・燐光）を利用して発光する素子である。有機ＥＬ素子は、数Ｖ〜数十Ｖ程度の電圧で発光が可能であり、更に自己発光型であるために視野角に富み、視認性が高く、薄膜型の完全固体素子であるために省スペース、携帯性等の観点から注目されている。
【０００４】
また、有機ＥＬ素子は、従来実用に供されてきた主要な光源、例えば、発光ダイオードや冷陰極管と異なり、面光源であることも大きな特徴である。この特性を有効に活用できる用途として、照明用光源や様々なディスプレイのバックライトがある。特に近年、需要の増加が著しい液晶フルカラーディスプレイのバックライトとして用いることも好適である。
【０００５】
有機ＥＬ素子をこのような照明用光源、あるいはディスプレイのバックライトとして実用する為の課題として発光効率の向上が挙げられる。発光効率の向上の為には、有機ＥＬ素子を構成する有機機能層の一部においてそれぞれ別個の機能を有する材料を複数混合して構成する所謂ホスト／ゲスト構造を組み入れることが一般的となりつつある。例えば、発光層におけるホスト材料／発光ドーパント（赤色ドーパント、緑色ドーパント、青色ドーパント）の組み合わせ、電子輸送層における電子輸送材料／アルカリ金属材料の組み合わせ等が挙げられる。
【０００６】
発光層内に、赤色ドーパント、緑色ドーパント及び青色ドーパントが共存する場合、赤色ドーパント、緑色ドーパント、青色ドーパントの順で発光する。つまり、始めに赤色ドーパントや緑色ドーパントのみが発光し、青色ドーパントが共存していても青色ドーパントは赤色ドーパントや緑色ドーパントと同時には発光しない。そこで、赤色ドーパントや緑色ドーパントを青色ドーパントよりも低濃度にして、赤色ドーパントと緑色ドーパントを青色ドーパントと同時に発光させることが知られている。
しかしながら、赤色ドーパント、緑色ドーパントを低濃度とすると、小さな濃度バラツキも色度バラツキ（色ムラ）に繋がるという問題がある。そこで、色ムラを少なくするために、低濃度ドーパントの濃度均一性が重要となる。これに対して、青色ドーパントは、赤色ドーパントや緑色ドーパントに比べて濃度が数十％であるため、濃度バラツキの影響を受けにくくなっている。
【０００７】
ところで、基板に対してホスト材料とゲスト材料とを同時蒸着させる蒸着装置において、ゲスト材料のドープ量を制御する場合には、蒸着材料を基板に蒸着させる速度をコントロールすることにより行うのが一般的である。具体的には、蒸着源の温度制御を行うことにより、蒸着材料が蒸発する量を制御し、これにより蒸着速度をコントロールする。
しかし、ドープするゲスト材料が微量である場合、蒸着材料を測定する測定手段に測定限界があること、温度制御により蒸着材料の放出量を微量に保つことは困難であること、等の問題から、蒸着源から放出される蒸着材料の放出量を微量にすることは困難である。一方、搬送される基板に対して成膜を行う場合、基板の搬送速度を大きくすればゲスト材料の蒸着量を低減させることができるが、ホスト材料の耐熱温度の上限の問題からホスト材料の蒸着速度を向上させることはできず、搬送される基板に対して必要量のホスト材料を蒸着させることができない。
【０００８】
これに対し、ゲスト材料のドープ量を低減させる方法として、ゲスト材料を収容した坩堝を蒸着源とし、その蒸着源と基板との間に取り付けられた回転式遮蔽板を回転させて、蒸着源から放出されたゲスト材料が基板に到達するまでの経路を所定のタイミングで遮ることにより、ゲスト材料の基板への蒸着量を低減することが知られている（例えば、特許文献１及び特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００３−１９３２１７号公報
【特許文献２】特開２００９−１２７０７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記従来の技術では、搬送される基板に対して搬送中に成膜を行うこととすると、基板の搬送方向に直行する幅方向におけるゲスト材料の蒸着量を制御することができず、基板の搬送方向に直行する幅方向において基板の品質にバラツキが生じる。
【００１１】
そこで、本発明は、搬送される基板に対して、微量のゲスト材料を蒸着させる場合であっても精度良く成膜を行うことができる真空蒸着装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
以上の課題を解決するため、本発明の一態様によれば、
真空処理室内において、搬送される基板に対して蒸着材料を蒸着させて薄膜を形成する真空蒸着装置であって、
前記基板に対向して前記基板の搬送方向に直交する幅方向に延在し、前記基板に向けて第１蒸着材料を放出する第１蒸着源と、
前記基板に対向して前記搬送方向に直交する幅方向に延在し、前記第１蒸着源に対して前記搬送方向にずれて配置され、前記第１蒸着源から放出された前記第１蒸着材料に重なり合うように前記基板に向けて第２蒸着材料を放出する第２蒸着源と、
前記第２蒸着源が延在する方向と同一の方向に延在し、前記第２蒸着源から放出された前記第２蒸着材料に重なり、前記第１蒸着源から放出された前記第１蒸着材料に重ならない位置に設けられた遮蔽部材と、を備え、
前記遮蔽部材は、前記第２蒸着源から放出された前記第２蒸着材料の一部を通過する開口部を有することを特徴とする真空蒸着装置が提供される。
【００１３】
本発明の他の態様によれば、
上記真空蒸着装置を用いて、
前記基板上に薄膜を形成することにより有機エレクトロルミネッセンス素子を製造することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法が提供される。
【００１４】
本発明の更に他の態様によれば、
上記有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法により製造されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子が提供される。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、搬送される基板に対して、微量のゲスト材料を精度良く蒸着させて成膜を行うことができる。したがって、基板の搬送方向において、基板に蒸着されるゲスト材料の蒸着量を均一にすることができ、品質のバラツキの発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本実施形態に係る真空蒸着装置の概略構成図である。
【図２】図１に示す真空蒸着装置の遮蔽部材の概略斜視図である。
【図３】図１に示されたIII-III線に沿った面の矢視断面図であって、真空蒸着装置に設けられた脱着装置を模式的に示した図である。
【図４】脱着装置の一部を示した概略斜視図である。
【図５】本実施形態の変形例１に係る遮蔽部材の概略斜視図である。
【図６】本実施形態の変形例２に係る遮蔽部材の概略斜視図である。
【図７】変形例２に係る真空蒸着装置に設けられた脱着装置を模式的に示した図である。
【図８】変形例２に係る真空蒸着装置に設けられた脱着装置の概略斜視図である。
【図９】本実施形態の変形例３に係る遮蔽部材の概略斜視図である。
【図１０】本実施形態の変形例４に係る遮蔽部材の概略斜視図である。
【図１１】本実施形態の変形例５に係る真空蒸着装置の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に、本発明を実施するための形態について図面を用いて説明する。ただし、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。
【００１８】
本発明に係る真空蒸着装置２００は、有機ＥＬ素子の各層を形成する際に用いられる装置であり、特に、有機ＥＬ素子の発光層を形成する場合に好適に用いられる。この真空蒸着装置２００について、図１及び図２を参照して以下説明する。
【００１９】
図１は、本発明を適用した一実施形態の真空蒸着装置２００の概略構成図である。
真空蒸着装置２００は、搬送される基板１００に対して二以上の蒸着材料（例えば、ホスト化合物とゲスト化合物）を同時に蒸着させて薄膜（例えば、有機ＥＬ素子の発光層）を形成することができる真空蒸着装置である。
真空蒸着装置２００は、内部に真空処理室２０１が形成された真空容器２０２と、基板１００に対してホスト化合物（第１蒸着材料）を放出する第１蒸着源２０３と、基板１００に対してゲスト化合物（第２蒸着材料）を放出する第２蒸着源２０４と、真空処理室２０１内に放出される蒸着材料が拡散する領域を制限し、それらの蒸着材料が重なり合う領域を調整する仕切板（制限部）２０５と、基板１００上に堆積される蒸着材料の堆積量（膜厚）及びその蒸着速度を測定する膜厚計２０６と、第２蒸着源２０４から放出されるゲスト化合物の基板１００への蒸着量を調整する遮蔽部材２３０と、遮蔽部材２３０を脱着する脱着装置２８０と、基板１００を水平方向に搬送する基板搬送手段（図示略）と、を備えている。
【００２０】
基板１００は、搬送手段（図示略）によって搬送方向Ａ（図１参照）に搬送されながら、真空蒸着装置２００により成膜処理が施される被処理基板である。基板１００は、図１に示すように、枚葉基板であって、基板搬送手段により間欠的に真空処理室２０１内に搬入される。
なお、基板１００は、長尺ロールから搬送方向Ａに向けて連続的に巻き出される基板であって、基板搬送手段により連続的に真空処理室２０１内に搬入されるものであっても良い。
【００２１】
真空容器２０２は、内部に形成された真空処理室２０１を所定の真空状態に保持する。真空処理室２０１には、第１蒸着源２０３、第２蒸着源２０４、膜厚計２０６、仕切板２０５及び遮蔽部材２３０等の各部材が設けられている。また、真空容器２０２の側壁２１０には、基板１００を搬入する搬入部２２４が設けられ、真空容器２０２の側壁２１１には、基板１００を搬出する搬出部２２５及び真空処理室２０１内を真空排気する排気口２２６が設けられている。排気口２２６は、真空容器２０２の外部に設けられた真空ポンプ（図示略）等の所定の真空排気手段に接続されている。
【００２２】
第１蒸着源２０３は、搬送される基板１００の下面に対向して、搬送方向Ａに直交する幅方向（図１の奥行き方向）に延在する直線状の蒸着源（ラインソース）である。第１蒸着源２０３の基板１００に対向する面には、第１蒸着源２０３の延在方向に配列された複数の放出口２０３ａが設けられている。また、第１蒸着源２０３は、ホスト化合物が収容された加熱ボートを具備し、放出口２０３ａから基板１００に向けてホスト化合物の蒸気（第１蒸着材料）を放出する。放出口２０３ａから放出されるホスト化合物の蒸気は所定の広がりをもって真空処理室２０１内に拡散する。
【００２３】
第２蒸着源２０４は、搬送される基板１００の下面に対向して、搬送方向Ａに直交する幅方向（図１の奥行き方向）に延在する直線状の蒸着源（ラインソース）であって、第１蒸着源２０３に対して搬送方向Ａの前方側にずれて配置されている。第２蒸着源２０４の基板１００に対向する面には、第２蒸着源２０４の延在方向に配列された複数の放出口２０４ａが設けられている。第２蒸着源２０４の放出口２０４ａは、第１蒸着源２０３の放出口２０３ａが向いた方向に対して、基板１００の表面近傍で交差する方向を向いて配置されている。第２蒸着源２０４は、ゲスト化合物が収容された加熱ボートを具備し、放出口２０４ａからゲスト化合物の蒸気（第２蒸着材料）を放出する。放出口２０４ａから放出されるゲスト化合物の蒸気は所定の広がりをもって真空処理室２０１内に拡散する。このゲスト化合物の蒸気は、基板１００の表面近傍において、第１蒸着源２０３から放出されるホスト化合物の蒸気に重なり合う。
【００２４】
なお、第１蒸着源２０３及び第２蒸着源２０４は、基板１００に対向して搬送方向Ａに直交する幅方向に延在する直線状の単一の蒸着源としたが、当該方向に複数配列された蒸着源からなるものであっても良い。また、第１蒸着源２０３の複数の放出口２０３ａ及び第２蒸着源２０４の複数の放出口２０４ａは、第１蒸着源２０３又は第２蒸着源２０４の延在方向に配列された複数の放出口としたが、当該方向に沿って一直線に延びる単一の放出口であってもよい。
また、第１蒸着源２０３に収容されるホスト化合物及び第２蒸着源２０４に収容されるゲスト化合物としては、有機ＥＬ素子の発光層の材料として用いられる公知のホスト化合物及びゲスト化合物（発光ドーパント）を用いることができる。
【００２５】
また、第１蒸着源２０３及び第２蒸着源２０４は、蒸着材料が収容された加熱ボートを具備するものとして説明したが、一例であってこれに限られるものではなく、蒸着材料を加熱する加熱手段と、蒸着材料の蒸気を放出する蒸気放出チャンバーとが別体として設けられる構成であっても良い。具体的には、加熱手段と蒸気放出チャンバーとが導入配管を介して連結されており、加熱手段による加熱によって発生した蒸着材料の蒸気が導入配管を介して蒸気放出チャンバーに流入し、蒸気放出チャンバーから蒸着材料の蒸気が放出されるよう構成されている。この場合、本実施形態の第１蒸着源２０３及び第２蒸着源２０４が蒸気放出チャンバーに相当し、加熱手段が別体として設けられていることとなる。
【００２６】
仕切板２０５は、第１蒸着源２０３又は第２蒸着源２０４から所定の広がりをもって放出されるホスト化合物又はゲスト化合物の蒸気を所定領域に制限するために設けられる平板状の仕切部材である。
仕切板２０５ａは、真空容器２０２の側壁２１０から真空処理室２０１側に垂直に延出して設けられ、その先端部分が第１蒸着源２０３から放出されるホスト化合物の蒸気の広がりを制限している。また、仕切板２０５ｂは、真空容器２０２の下面２１２から上方に垂直に延出して設けられ、その先端部分が第１蒸着源２０３から放出されるホスト化合物の蒸気の広がりを制限している。これら仕切板２０５ａ，２０５ｂにより、第１蒸着源２０３から放出されるホスト化合物の蒸気の広がりが拡散領域Ｌ１（図１参照）に制限されている。
仕切板２０５ｃは、真空容器２０２の側壁２１１から真空処理室２０１側に垂直に延出して設けられ、その先端部分が第２蒸着源２０４から放出されるゲスト化合物の蒸気の広がりを制限している。また、仕切板２０５ｄは、真空容器２０２の下面２１２から上方に垂直に延出して設けられ、その先端部分が第２蒸着源２０４から放出されるゲスト化合物の蒸気の広がりを制限している。したがって、仕切板２０５ｃ，２０５ｄにより、第２蒸着源２０４から放出されるゲスト化合物の蒸気の広がりが拡散領域Ｌ２（図１参照）に制限されている。この拡散領域Ｌ１と拡散領域Ｌ２が基板１００の近傍で重なり合っている。
【００２７】
なお、仕切板２０５ａ〜２０５ｄは、可動式に構成されていても良く、その場合には、拡散領域Ｌ１，Ｌ２が調整可能となる。
また、仕切板２０５ａ〜２０５ｄは、板状の部材として説明したが、これに限られるものではなく、蒸着材料の拡散領域を制限することができる形状であれば如何なる形状であっても良い。
【００２８】
膜厚計２０６は、第１蒸着源２０３及び第２蒸着源２０４の近傍にそれぞれ設けられ、各蒸着源により形成された薄膜の膜厚及び蒸着速度をそれぞれ独立して測定する。第１膜厚計２０６ａは、第１蒸着源２０３の近傍であって、仕切板２０５ａ，２０５ｂにより制限された拡散領域Ｌ１に重ならない位置に設けられている。また、第２膜厚計２０６ｂは、第２蒸着源２０４の近傍であって、仕切板２０５ｃ，２０５ｄにより制限された拡散領域Ｌ２に重ならない位置に設けられている。これらの膜厚計２０６ａ，２０６ｂとして、例えば、水晶振動子方式の膜厚計が好適に用いられる。
【００２９】
ここで、図１及び図２を参照して遮蔽部材２３０について説明する。図２は、遮蔽部材２３０の概略斜視図である。
【００３０】
遮蔽部材２３０は、ゲスト化合物の基板１００への蒸着量を調整する部材であって、脱着自在に構成されている。この遮蔽部材２３０は、第２蒸着源２０４が延在する方向と同一の方向に延在し、第２蒸着源２０４から放出されるゲスト化合物の蒸気の拡散領域Ｌ２に重なる位置であって、第１蒸着源２０３から放出されるホスト化合物の蒸気の拡散領域Ｌ１に重ならない位置に設けられている。遮蔽部材２３０は、第２蒸着源２０４側に向かって凹となるように湾曲する円弧板状部材であり、その円弧の内側の面を第２蒸着源２０４の放出口２０４ａに対向させて配置されている。また、図１に示すように、この遮蔽部材２３０の内側の領域に第２膜厚計２０６ｂが配置されている。
【００３１】
図２に示すように、遮蔽部材２３０には、その厚さ方向に貫通する開口部２３１が形成されている。開口部２３１は、遮蔽部材２３０が延在する方向に延びるスリット状に形成され、遮蔽部材２３０が延在する方向に直交する幅方向に複数配列されている。
なお、開口部２３１の数、大きさ等は、図示例に限られるものではなく、ゲスト化合物の蒸着量や真空蒸着装置の構成等に応じて適宜変更可能である。また、遮蔽部材２３０は、第２蒸着源２０４が延在する方向に延びる櫛歯状に形成されていても良い。
【００３２】
遮蔽部材２３０は、ゲスト化合物の蒸気の拡散領域Ｌ２に重なる位置であって、ホスト化合物の蒸気の拡散領域Ｌ１に重ならない位置に設けられているので、第２蒸着源２０４から放出されるゲスト化合物の蒸気の進行のみを遮蔽する。また、遮蔽部材２３０には複数の開口部２３１が設けられているので、ゲスト化合物の蒸気のうちの一部が、開口部２３１を通って遮蔽部材２３０を通過する。このように、遮蔽部材２３０により、第２蒸着源２０４から放出されるゲスト化合物の蒸気のうちの一部を遮蔽し、一部を通過させることによって、基板１００に到達する蒸気の量を低減させることができる。つまり、ゲスト化合物の蒸着量を微量にすることができる。
【００３３】
ここで、脱着装置２８０について、図３及び図４を参照して説明する。図３は、図１におけるIII-III線に沿った面の矢視断面図であって、真空蒸着装置２００に設けられる脱着装置２８０を模式的に示した図である。図４は、脱着装置２８０の一部及び遮蔽部材２３０を示した概略斜視図である。なお、図３においては、脱着装置２８０及び遮蔽部材２３０以外の装置構成を省略して示している。
脱着装置２８０は、遮蔽部材２３０を脱着する装置であって、定期的に、真空処理室２０１内に取り付けられた遮蔽部材２３０を、未使用の遮蔽部材２３０に交換する作業を行う。
【００３４】
図３に示すように、脱着装置２８０は、シリンダ２８１、ストッカ２８２、アーム２８３等から構成されている。
シリンダ２８１は、真空容器２０２の外壁において、基板１００の搬送方向Ａに直行する方向Ｆ（図３及び図４参照）に延在して設けられている。シリンダ２８１の先端部は真空容器２０２の外壁を貫通して真空処理室２０１内に設けられ、そのシリンダ２８１の先端部にはアーム２８３が設けられている。アーム２８３は、方向Ｆに延在する２本の棒状に形成され、真空処理室２０１内において遮蔽部材２３０を支持している。遮蔽部材２３０は、その内側の面を第２蒸着源２０４に対向させて配置されるため、図３及び図４において、遮蔽部材２３０は傾きを持った状態でアーム２８３に支持されている。アーム２８３は、シリンダ２８１の動作によって、遮蔽部材２３０を支持した状態で、方向Ｆに移動可能に構成されている。このアーム２８３により、遮蔽部材２３０を真空処理室２０１内とストッカ２８２内との間で搬送可能となっている。
【００３５】
ストッカ２８２は、真空処理室２０１に連通し、アーム２８３の方向Ｆの前方側に設けられている。ストッカ２８２は、複数の遮蔽部材２３０を上下方向に多段に収容している。また、ストッカ２８２は、上下方向に移動可能に構成されている。
【００３６】
このような脱着装置２８０を用いて、遮蔽部材２３０の交換作業を行う際には、まず、シリンダ２８１によって、遮蔽部材２３０を支持しているアーム２８３を方向Ｆ前方側に移動させる。アーム２８３の前方側にはストッカ２８２が設けられており、遮蔽部材２３０はストッカ２８２内に搬送される。遮蔽部材２３０をストッカ２８２内に収容したら、シリンダ２８１によってアーム２８３を方向Ｆ後方側に移動させる。そして、ストッカ２８２を、上方向又は下方向に移動させて、アーム２８３の方向Ｆ前方側に未使用の遮蔽部材２３０を配置する。ストッカ２８２を移動させたら、再びアーム２８３を方向Ｆ前方側に移動させて、ストッカ２８２内に進入させる。ストッカ２８２内の未使用の遮蔽部材２３０をアーム２８３に支持させ、アーム２８３を方向Ｆ後方側に移動させる。遮蔽部材２３０が第２蒸着源２０４の放出口２０４ａに対向する位置までアーム２８３を移動させて、アーム２８３を固定する。これにより、遮蔽部材２３０の交換作業が終了する。
なお、上記した脱着装置２８０の構成は、一例であってこれに限られるものではなく、遮蔽部材２３０を交換可能に構成された装置であれば何れの構成であっても良い。
【００３７】
以上、本実施形態によれば、所定の開口部２３１を有する遮蔽部材２３０が、第２蒸着源２０４が延在する方向と同一の方向に延在し、第２蒸着源２０４から放出される第２蒸着材料に重なり、第１蒸着源２０３から放出される第１蒸着材料に重ならない位置に設けられているので、搬送される基板に対して基板の幅方向に放出される第２蒸着材料の蒸着量を均一に低減させることができる。したがって、搬送される基板に対して微量のゲスト材料を均一に蒸着させることができ、精度の高い成膜処理を行うことができる。
また、直線状の蒸着源２０３，２０４を用いていることにより、被処理基板が大型であっても容易に成膜処理を行うことができる。
更に、例えば、坩堝等のように一点から蒸着材料を放出する蒸着源で基板全体を成膜する場合、基板に均一な成膜を行うためには蒸着源から基板までの距離を長く取る必要があるが、本発明では、直線状の蒸着源２０３，２０４を用いているので、蒸着源から基板までの距離を短くしても均一な成膜を行うことができ、蒸着材料のロスを抑えることができる。
【００３８】
また、遮蔽部材２３０は、脱着自在に構成され、所定の脱着装置により自動交換されるので、遮蔽部材２３０の開口部２３１の目詰まりを防止し、均一な薄膜形成を継続して行うことができる。
【００３９】
以下に、遮蔽部材２３０の変形例及び真空蒸着装置２００の変形例について、図５〜図１１を参照して説明する。なお、変形例に係る遮蔽部材２３０及び真空蒸着装置２００にあっては、以下に説明する構成以外の構成は上記実施形態の遮蔽部材２３０及び真空蒸着装置２００と略同様であり、その詳細な説明は省略する。
【００４０】
＜変形例１＞
図５は、変形例１に係る遮蔽部材２４０の概略斜視図である。変形例１に係る遮蔽部材２４０は、上記した遮蔽部材２３０と略同一に形成されており、開口部２４１の形状のみが異なる。
即ち、遮蔽部材２４０は、第２蒸着源２０４が延在する方向と同一の方向に延在し、第２蒸着源２０４から放出されるゲスト化合物の蒸気の拡散領域Ｌ２に重なる位置であって、第１蒸着源２０３から放出されるホスト化合物の蒸気の拡散領域Ｌ１に重ならない位置に設けられている。遮蔽部材２４０は、第２蒸着源２０４側に向かって凹となるように湾曲する円弧板状部材であり、その円弧の内側の面を第２蒸着源２０４の放出口２０４ａに対向させて配置されている。
【００４１】
図５に示すように、遮蔽部材２４０には、その厚さ方向に貫通する開口部２４１が形成されている。開口部２４１は、遮蔽部材２４０が延在する方向に対して傾斜する方向に延びるスリット状に形成され、遮蔽部材２４０が延在する方向に複数配列されている。
なお、開口部２４１の数、大きさ、向き等は、図示例に限られるものではなく、ゲスト化合物の蒸着量や真空蒸着装置の構成等に応じて適宜変更可能である。
【００４２】
以上のように、変形例１の遮蔽部材２４０によれば、上記した遮蔽部材２３０と同様、第２蒸着源２０４から放出されるゲスト化合物の蒸着量を微量にすることができる。
また、開口部２４１が、第２蒸着源２０４が延在する方向に対して傾斜して設けられているため、第２蒸着源２０４の延在方向において蒸気が遮蔽部材２４０を通過する位置を異ならせることができる。これにより、基板１００に対してゲスト化合物をより均一に蒸着させることができる。
【００４３】
＜変形例２＞
図６は、変形例２に係る遮蔽部材２５０の概略斜視図である。
遮蔽部材２５０は、第２蒸着源２０４が延在する方向と同一の方向を中心軸方向として延在する円筒形状部材である。遮蔽部材２５０は、第２蒸着源２０４から放出されるゲスト化合物の蒸気の拡散領域Ｌ２に重なる位置であって、第１蒸着源２０３から放出されるホスト化合物の蒸気の拡散領域Ｌ１に重ならない位置に設けられ、その遮蔽部材２５０の内側に第２蒸着源２０４が配置されている。
【００４４】
遮蔽部材２５０には、その厚さ方向に貫通する開口部２５１が形成されている。この開口部２５１は、遮蔽部材２５０が延在する方向に延びるスリット状に形成され、遮蔽部材２５０の円周方向に複数配列されている。
なお、開口部２５１の数、大きさ等は、図示例に限られるものではなく、ゲスト化合物の蒸着量や真空蒸着装置の構成等に応じて適宜変更可能である。
【００４５】
また、遮蔽部材２５０の中心軸方向の一端部側には、回転機構２５２が設けられている。回転機構２５２は、遮蔽部材２５０の中心軸方向一端部に固定された従動ギア２５３、従動ギア２５３と噛み合う駆動ギア２５４、駆動ギア２５４を回転駆動する駆動モータ２５５等から構成されている。駆動モータ２５５が駆動することにより、遮蔽部材２５０が回転方向Ｂ（図６参照）に回転する。なお、駆動モータ２５５による遮蔽部材２５０の回転速度は適宜設定可能となっている。
【００４６】
ここで、変形例２に係る遮蔽部材２５０を脱着する脱着装置２９０について、図７及び図８を参照して説明する。図７は、上記した実施形態における図３に対応する図であって、脱着装置２９０を模式的に示した図である。図８は、変形例２に係る真空蒸着装置２００に設けられた脱着装置２９０を示した概略斜視図である。なお、図７及び８においては、脱着装置２９０及び遮蔽部材２５０以外の装置構成を省略して示している。
【００４７】
図７及び図８に示すように、脱着装置２９０は、シリンダ２９１、ストッカ２９２、アーム２９３等から構成されている。
真空容器２０２の外壁には、基板１００の搬送方向Ａに直行する方向Ｇ（図７及び図８参照）を中心軸方向とする円筒形状に形成されたストッカ２９２が設けられている。ストッカ２９２は、真空処理室２０１に連通し、中心軸周りに回転方向Ｈ（図８参照）に回転可能に構成されている。また、このストッカ２９２内には、複数の遮蔽部材２５０が収容されている。
【００４８】
シリンダ２９１は、ストッカ２９２の側壁において方向Ｇに延在して設けられている。また、シリンダ２９１のストッカ２９２側の端部には、方向Ｇに延在するアーム２９３が設けられている。アーム２９３は、ストッカ２９２の側壁を貫通してストッカ２９２内に設けられている。アーム２９３は、シリンダ２９１の動作により方向Ｇに移動可能に構成され、これにより、ストッカ２９２内と真空処理室２０１内とを相互に移動可能となっている。
【００４９】
このような脱着装置２９０を用いて、遮蔽部材２５０の交換作業を行う際には、まず、シリンダ２９１によって、アーム２９３を方向Ｇにおいて前方側に移動させて、アーム２９３を真空処理室２０１内に進入させる。そして、このアーム２９３に、真空処理室２０１内に設けられた遮蔽部材２５０の一端をチャッキングする。続いて、シリンダ２９１によって、アーム２９３を方向Ｇ後方側に移動させて、遮蔽部材２５０をストッカ２９２内に搬送する。遮蔽部材２５０をストッカ２９２内に収容したら、アーム２９３を遮蔽部材２５０から取り外す。そして、ストッカ２９２を回転方向Ｈに回転させて、アーム２９３の方向Ｇ前方側に未使用の遮蔽部材２５０を配置する。シリンダ２９１によりアーム２９３を前方に移動させて、アーム２９３に、アーム２９３の前方に配置された未使用の遮蔽部材２５０の一端をチャッキングする。再びシリンダ２９１によりアーム２９３を方向Ｇ前方側に移動させて、未使用の遮蔽部材２５０を真空処理室２０１内に搬送する。未使用の遮蔽部材２５０を真空処理室２０１内の所定位置に固定したら、シリンダ２９１によりアーム２９３を方向Ｇ後方側に移動させ、ストッカ２９２内に配置させる。これにより、遮蔽部材２５０の交換作業が終了する。
なお、上記した脱着装置２９０の構成は、一例であってこれに限られるものではなく、遮蔽部材２５０を交換可能に構成された装置であれば何れの構成であっても良い。
【００５０】
以上のように、変形例２の遮蔽部材２５０によれば、上記した遮蔽部材２３０と同様、第２蒸着源２０４から放出されるゲスト化合物の蒸着量を微量にすることができる。
更に、回転機構２５２により遮蔽部材２５０を回転させることにより、第２蒸着源２０４の放出口２０４ａに対する開口部２５１の位置を経時的に変化させることができ、遮蔽部材２５０を通過するゲスト化合物の蒸気を分散させることができる。したがって、搬送方向Ａにおいて基板１００に対してゲスト化合物を均一に蒸着させることができる。
【００５１】
＜変形例３＞
図９は、変形例３に係る遮蔽部材２６０の概略斜視図である。変形例３に係る遮蔽部材２６０は、上記した変形例２に係る遮蔽部材２５０と略同一に構成されており、開口部２６１の形状のみが異なる。
即ち、遮蔽部材２６０は、第２蒸着源２０４が延在する方向と同一の方向を中心軸方向として延在する円筒形状部材である。遮蔽部材２６０は、第２蒸着源２０４から放出されるゲスト化合物の蒸気の拡散領域Ｌ２に重なる位置であって、第１蒸着源２０３から放出されるホスト化合物の蒸気の拡散領域Ｌ１に重ならない位置に設けられ、その遮蔽部材２６０の内側に第２蒸着源２０４が配置されている。
【００５２】
遮蔽部材２６０には、その厚さ方向に貫通する開口部２６１が形成されている。この開口部２６１は、遮蔽部材２６０の中心軸回りに螺旋状に延びるスリット状に形成されて、複数設けられている。
なお、開口部２６１の数、大きさ、向き等は、図示例に限られるものではなく、ゲスト化合物の蒸着量や真空蒸着装置の構成等に応じて適宜変更可能である。
【００５３】
また、遮蔽部材２６０の中心軸方向の一端部側には、回転機構２６２が設けられている。回転機構２６２は、上記した変形例２における回転機構２５２と同じように構成され、従動ギア２６３、駆動ギア２６４及び駆動モータ２６５等から構成されている。駆動モータ２６５が駆動することにより、遮蔽部材２６０が回転方向Ｃ（図９参照）に回転する。なお、駆動モータ２６５による遮蔽部材２６０の回転速度は適宜設定可能となっている。また、変形例３に係る遮蔽部材２６０を脱着する脱着装置については、上記した変形例２に係る脱着装置２９０と同様に構成されているものであっても良いし、他の構成であっても良い。
【００５４】
以上のように、変形例３の遮蔽部材２６０によれば、上記した変形例２に係る遮蔽部材２５０と同様、第２蒸着源２０４から放出されるゲスト化合物の蒸着量を微量にすることができるとともに、搬送される基板１００に対してより均一にゲスト化合物を蒸着させることができる。
【００５５】
＜変形例４＞
図１０は、変形例４に係る遮蔽部材２７０の概略斜視図である。
遮蔽部材２７０は、第２蒸着源２０４が延在する方向と同一の方向に延在し、第２蒸着源２０４から放出されるゲスト化合物の蒸気の拡散領域Ｌ２に重なる位置であって、第１蒸着源２０３から放出されるホスト化合物の蒸気の拡散領域Ｌ１に重ならない位置に設けられている。遮蔽部材２７０は、第２蒸着源２０４側に向かって凹となるように湾曲する円弧板状部材であり、その円弧の内側の面を第２蒸着源２０４の放出口２０４ａに対向させて配置されている。
【００５６】
遮蔽部材２７０には、その厚さ方向に貫通する開口部２７１が形成されている。この開口部２７１は、円形の孔部であり、遮蔽部材２７０に複数点在して設けられている。
なお、開口部２７１の数、大きさ等は、図示例に限られるものではなく、ゲスト化合物の蒸着量や真空蒸着装置の構成等に応じて適宜変更可能である。
【００５７】
この遮蔽部材２７０の近傍には、遮蔽部材２７０が延在する方向（揺動方向Ｄ；図１０参照）に遮蔽部材２７０を揺動する揺動機構２７２が設けられている。揺動機構２７２は、次のように構成されている。
遮蔽部材２７０の揺動方向Ｄの一端部には当該方向に延びる軸２７３が設けられ、遮蔽部材２７０の揺動方向Ｄの他端部には当該方向に延びる軸２７４が設けられている。軸２７３は、揺動方向Ｄに摺動自在に支持具２７５に支持されている。軸２７４には、揺動方向Ｄに延びる長孔２７４ａが形成され、この長孔２７４ａに固定具２７６が挿通している。したがって、軸２７４は、長孔２７４ａの長さの分だけ揺動方向Ｄに揺動可能に構成されている。また、遮蔽部材２７０の軸２７３側には駆動モータ２７７が設けられ、駆動モータ２７７は駆動クランクホイール２７８を具備している。この駆動クランクホイール２７８と軸２７３とは、連結具２７９によって連結されて、駆動クランクホイール２７８の駆動回転によって軸２７３が揺動方向Ｄにおいて揺動する。したがって、駆動モータ２７７が駆動することにより、遮蔽部材２７０が揺動方向Ｄに揺動する。なお、駆動モータ２７７により遮蔽部材２７０が揺動する速度は適宜設定可能となっている。
【００５８】
以上のように、変形例４の遮蔽部材２７０によれば、上記した遮蔽部材２３０と同様、第２蒸着源２０４から放出されるゲスト化合物の蒸着量を微量にすることができる。
更に、揺動機構２７２により遮蔽部材２７０を揺動させることにより、第２蒸着源２０４の放出口２０４ａに対する開口部２７１の位置を経時的に変化させることができ、遮蔽部材２７０を通過するゲスト化合物の蒸気を分散させることができる。したがって、搬送方向Ａにおいて基板１００に均一にゲスト化合物を蒸着させることができる。
【００５９】
なお、変形例４における揺動機構２７２は、上記の構成に限られるものではなく、遮蔽部材２７０を揺動させることができれば何れの構成であっても良い。
【００６０】
＜変形例５＞
図１１は、変形例５に係る真空蒸着装置３００の概略構成図である。
真空蒸着装置３００は、ホスト化合物の蒸気を放出する第１蒸着源３０３と、ゲスト化合物の蒸気を放出する第２蒸着源３０４との他に、第２蒸着源３０４とは別のゲスト化合物の蒸気を放出する第３蒸着源３２０を更に備えている。第３蒸着源３２０は、第１蒸着源３０３や第２蒸着源３０４と同様に構成された直線状の蒸着源（ラインソース）である。第３蒸着源３２０は、第１及び第２蒸着源３０３，３０４と同様、基板１００に対向して基板１００の搬送方向Ａに直交する方向（図１１の奥行き方向）に延在して設けられている。
各蒸着源３０３，３０４，３２０は、搬送方向Ａに沿って第１蒸着源３０３、第２蒸着源３０４、第３蒸着源３２０の順番に配置されている。
【００６１】
搬送方向Ａにおいて、第１蒸着源３０３と第２蒸着源３０４との間には、仕切板３０５ｂが設けられている。また、搬送方向Ａにおいて、第２蒸着源３０４と第３蒸着源３２０との間には、仕切板３０５ｃが設けられている。仕切板３０５ａ，３０５ｂにより第１蒸着源３０３から放出されるホスト化合物の蒸気の広がりが拡散領域Ｌ１に制限され、仕切板３０５ｂ，３０５ｃにより第２蒸着源３０４空放出されるゲスト化合物の蒸気の広がりが拡散領域Ｌ２に制限され、仕切板３０５ｃ，３０５ｄにより第３蒸着源３２０から放出されるゲスト化合物の蒸気の広がりが拡散領域Ｌ３に制限されている。第１蒸着源３０３、第２蒸着源３０４及び第３蒸着源３２０は、各放出口３０３ａ，３０４ａ，３２０ａを拡散領域Ｌ１，Ｌ２，Ｌ３が基板１００の近傍で重なり合うような方向を向けて配置されている。
【００６２】
遮蔽部材３３０は、上記した変形例２に係る遮蔽部材２５０と同一に構成されている。即ち、遮蔽部材３３０は、第３蒸着源３２０が延在する方向と同一の方向を中心軸方向として延在する円筒形状に形成され、その厚さ方向に貫通する開口部３３１が形成されている。開口部３３１は、遮蔽部材３３０が延在する方向に延びるスリット状に形成され、遮蔽部材３３０の円周方向に複数配列されている。そして、この遮蔽部材３３０は、変形例２と同一の回転機構（図示略）により回転方向Ｅに回転可能に構成されている。
【００６３】
この遮蔽部材３３０は、第３蒸着源３２０から放出されるゲスト化合物の蒸気の拡散領域Ｌ３に重なる位置であって、第１蒸着源３０３から放出されるホスト化合物の拡散領域Ｌ１及び第２蒸着源３０４から放出されるゲスト化合物の拡散領域Ｌ２に重ならない位置に設けられ、その遮蔽部材３３０の内側に第３蒸着源３２０が配置されている。また、遮蔽部材３３０の内側であって、拡散領域Ｌ３に重ならない位置に第３膜厚計３０６ｃが設けられている。
【００６４】
遮蔽部材３３０は、第３蒸着源３２０から放出されるゲスト化合物の蒸気の拡散領域Ｌ３に重なり、第１蒸着源３０３から放出されるホスト化合物の蒸気の拡散領域Ｌ１及び第２蒸着源３０４から放出されるゲスト化合物の蒸気の拡散領域Ｌ２に重ならない位置に設けられているので、第３蒸着源３２０から放出されるゲスト化合物の蒸気のみを遮蔽する。したがって、第３蒸着源３２０から放出されるゲスト化合物の蒸着量のみを微量にすることができる。
【００６５】
以上のように、変形例５によれば、搬送される基板１００に対して３種の蒸着材料を同時蒸着させる場合であっても、第３蒸着源３２０から放出されるゲスト化合物の蒸着量を微量にすることができる。
【００６６】
なお、変形例５においては、遮蔽部材３３０を、第３蒸着源３２０のみに設けているが、遮蔽部材３３０を第２蒸着源２０４と第３蒸着源３２０の両方に対して設けても良い。その場合、何れか一方の遮蔽部材３３０の構成（開口部３３１の大きさや数）を適宜変更することで、一方のゲスト化合物の蒸着量を低減させることができる。
【００６７】
なお、上記実施形態では、枚葉基板に対して成膜処理を行うものとして説明したが、これに限られるものではなく、帯状連続フレキシブル基板に対して所謂ロールツーロール方式により成膜処理を行うものであっても良い。
【００６８】
また、上記実施形態では、ホスト化合物とゲスト化合物を同時蒸着させて有機ＥＬ素子の発光層を形成する場合について説明したが、これに限られるものではなく、二以上の蒸着材料を同時蒸着させて薄膜を形成する場合であれば何れの態様にも適用可能である。
【００６９】
また、上記実施形態では、遮蔽部材は円弧板状又は円筒形状として説明したが、これらの形状に限られるものではなく、第２蒸着源が延在する方向と同一の方向に延在し、第２蒸着源から放出される第２蒸着材料に重なる位置であって、第１蒸着源から放出される第１蒸着材料に重ならない位置に設けられていれば、何れの形状であっても良い。例えば、平板状、角筒形状、直方体形状等が挙げられる。
【実施例】
【００７０】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。以下の実施例では、本発明に係る上記真空蒸着装置３００（図１１参照）を使用して有機ＥＬ素子を製造する方法について説明する。なお、実施例において「％」の表示を用いるが、特に断りがない限り「質量％」を表す。
また、ここでは、有機ＥＬ素子の一例として、ガラス基板上に、透明電極（陽極）／正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／反射電極（陰極）を積層して構成される白色発光有機ＥＬ素子の製造に関して説明を行う。
【００７１】
まず、所定の基板上に透明電極（陽極）を形成する工程を行う。３００ｍｍ×４００ｍｍ×０．７ｍｍ（厚み）のガラス基板上にＩＴＯ（Indium tin oxide）を１００ｎｍ成膜した基板に対して、フォトリソグラフィー法によりＩＴＯ膜をパターニングする。即ち、非導電性領域以外の部分をレジストでマスクした後、２５％塩酸水溶液に浸漬し非導電性領域部分（露出部分）のＩＴＯ膜を除去する。この後、１．５％水酸化ナトリウム水溶液に浸してレジストを除去し、更に水洗と乾燥を行い、透明電極（陽極）パターン基板を作製する。
この基板を、ｉｓｏ−プロピルアルコールによる超音波洗浄、乾燥窒素ガスによる乾燥及びＵＶオゾン洗浄を一貫して行う一貫洗浄ラインにより洗浄した後、表面をマスクで覆って基板ホルダーに固定する。
【００７２】
次に、この基板に対して次の各機能層を順次形成する。
正孔注入層（ＣｕＰｃ：１０ｎｍ）／正孔輸送層（α−ＮＰＤ：３０ｎｍ）／発光層（Ｈ−Ａ、Ｄ−Ａ、Ｄ−Ｂ：４０ｎｍ）／電子輸送層（Ｅ−Ａ：４５ｎｍ）／電子注入層（ＣｅＦ：４ｎｍ）／反射電極（陰極）（Ａｌ：１００ｎｍ）。
【００７３】
【化１】
2012153959.tif 000003
【化２】
2012153959.tif 000004
【００７４】
上記各層の形成は、所定の真空成膜装置（図示略）を用いて行う。この真空成膜装置は、６槽の真空容器を直列に連結して構成され、各真空容器内を搬送される基板に対し、各種の機能層の形成を行う装置である。また、この真空成膜装置を構成する６槽の真空容器のうちの３番目の真空容器が、上記した本発明に係る真空蒸着装置３００である。なお、基板の搬送速度は、０．１２ｍ／ｍｉｎとして行う。
【００７５】
真空成膜装置の各真空容器内を４×１０−４Ｐａ以下に減圧し、減圧した真空成膜装置内に上記した洗浄後の基板を搬送する。まず、この基板を１番目の真空容器内に搬入し、当該基板上にＣｕＰｃを蒸着させて膜厚１０ｎｍの正孔注入層を形成する。次いで、この基板を２番目の真空容器内に搬入し、当該基板上にα−ＮＰＤを蒸着させて膜厚３０ｎｍの正孔輸送層を形成する。
【００７６】
正孔輸送層が形成された基板は、３番目の真空容器として真空蒸着装置３００に搬入される。この真空蒸着装置３００において、第１蒸着源３０３にはホスト化合物としてはＨ−Ａが収容され、第２蒸着源３０４にはゲスト化合物としてＤ−Ａが収容され、第３蒸着源３２０にはゲスト化合物としてＤ−Ｂが収容されている。
また、真空蒸着装置３００の遮蔽部材３３０に形成される開口部３３１は、基板に対するゲスト化合物Ｄ−Ｂの蒸着量が、遮蔽部材３３０がないとした場合の２０％となるような大きさに設定されている。
【００７７】
真空蒸着装置３００は、搬入された基板に対して、第１蒸着源３０３、第２蒸着源３０４及び第３蒸着源３２０からそれぞれ蒸着材料を同時に放出して各蒸着材料を同時に蒸着させ、所望の発光層を形成する。本実施例では、各蒸着材料の蒸着速度の比率が、Ｈ−Ａ：Ｄ−Ａ：Ｄ−Ｂ＝１００：１０：０．２となるように各蒸着源の温度調整等を行う。具体的には、ホスト化合物Ｈ−Ａの蒸着速度が０．３０ｎｍ／秒、ゲスト化合物Ｄ−Ａの蒸着速度が０．０３０ｎｍ／秒、ゲスト化合物Ｄ−Ｂの蒸着速度が０．０００６ｎｍ／秒となるように設定する。これにより、膜厚４０ｎｍの発光層を形成する。
【００７８】
発光層が形成された基板を４番目の真空容器内に搬入し、当該基板上にＥ−Ａを蒸着させて膜厚４５ｎｍの電子輸送層を形成する。そして、この基板を５番目の真空容器内に搬入し、当該基板上にＣｅＦを蒸着させて膜厚４ｎｍの電子注入層を形成する。電子注入層の形成後、基板に取り付けられたマスクを取り外して、陰極用のマスクに交換する。この基板を６番目の真空容器に搬入し、当該基板上にＡｌを蒸着させて膜厚１００ｎｍの反射電極（陰極）を形成する。
更に、この後、マスク取り外し工程、封止工程、ガラス分断工程、電極取り出し工程を経ることで有機ＥＬ素子が完成する。
【００７９】
＜比較例＞
比較例として、所定の真空成膜装置（図示略）を用いて有機ＥＬ素子を製造した。比較例で用いた真空成膜装置は、上記実施例で用いた真空成膜装置とほぼ同じ構成であるが、真空蒸着装置３００において遮蔽部材３３０が設けられていない点のみが異なる。また、比較例において、有機ＥＬ素子の製造方法及び各成膜材料は、上記実施例と同様である。
【００８０】
＜有機ＥＬ素子の評価＞
有機ＥＬ素子においては、色度のバラツキがドーパント（ゲスト化合物）の濃度のバラツキを表すため、色度の変動幅を求めることにより有機ＥＬ素子の評価を行った。
【００８１】
まず、実施例及び比較例で製造した有機ＥＬ素子に対して、基板の幅方向中央部において搬送方向に沿って５ｃｍおきに７点で色度測定を行った。そして、正面輝度３００ｃｄ／ｍ２〜１５００ｃｄ／ｍ２におけるＣＩＥ１９３１色度座標において、色度測定により得られた色度のｘ値、ｙ値から、次式（１）により変動最大距離ΔＥを求めた。
ΔＥ＝（Δｘ２＋Δｙ２）１／２・・・（１）
実施例で製造した有機ＥＬ素子の変動最大距離ΔＥは０．０１未満であり、良好な結果であったが、比較例で製造した有機ＥＬ素子の変動最大距離ΔＥは０．０１以上であり、色度変動が大きいことが確認された。
【００８２】
有機ＥＬ素子の評価の結果から、比較例で製造した有機ＥＬ素子よりも、本実施例で製造した有機ＥＬ素子の方がドーパント（ゲスト化合物）の濃度のバラツキが小さいことが分かる。したがって、本発明によれば微量のゲスト化合物を均一に蒸着させることができると言える。
【符号の説明】
【００８３】
１０１  基板
２００  真空蒸着装置
２０１  真空処理室
２０３  第１蒸着源
２０４  第２蒸着源
２０５  仕切板（制限部）
２３０  遮蔽部材
２３１  開口部
２８０  脱着装置
【図１】
2012153959.tif 000005
【図２】
2012153959.tif 000006
【図３】
2012153959.tif 000007
【図４】
2012153959.tif 000008
【図５】
2012153959.tif 000009
【図６】
2012153959.tif 000010
【図７】
2012153959.tif 000011
【図８】
2012153959.tif 000012
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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