(57)【要約】【課題】所期の特性を有する塗布膜を形成することができる加熱装置、塗布装置及び加熱方法を提供すること。【解決手段】塗布膜を有する基板が配置される基板位置を前記塗布膜の膜厚方向に挟む第一加熱部及び第二加熱部と、前記基板位置と前記第一加熱部との第一距離、及び、前記基板位置と前記第二加熱部との第二距離、のうち少なくとも一方を調整する距離調整部とを備える。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
塗布膜を有する基板が配置される基板位置を前記塗布膜の膜厚方向に挟む第一加熱部及び第二加熱部と、
前記基板位置と前記第一加熱部との第一距離、及び、前記基板位置と前記第二加熱部との第二距離、のうち少なくとも一方を調整する距離調整部と
を備える加熱装置。
【請求項２】
前記距離調整部は、前記第一加熱部及び前記第二加熱部のうち少なくとも一方を前記膜厚方向に移動させる移動部を有する
請求項１に記載の加熱装置。
【請求項３】
前記第一加熱部及び前記第二加熱部は、鉛直方向に並んで配置されている
請求項１又は請求項２に記載の加熱装置。
【請求項４】
前記基板位置に配置される前記基板を保持する基板保持部を更に備える
請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の加熱装置。
【請求項５】
前記第一加熱部及び前記第二加熱部のうち、前記基板位置に対して鉛直方向の下側に配置される一方の加熱部は、前記基板保持部を兼ねている
請求項３に記載の加熱装置。
【請求項６】
前記距離調整部は、前記第一加熱部及び前記第二加熱部のうち前記基板位置に対して鉛直方向の上側に配置される他方の加熱部が前記塗布膜に接触しないように、前記第一距離及び前記第二距離のうち少なくとも一方を調整する
請求項４又は請求項５に記載の加熱装置。
【請求項７】
前記基板位置、前記第一加熱部及び前記第二加熱部を囲うチャンバーを更に備える
請求項１から請求項６のうちいずれか一項に記載の加熱装置。
【請求項８】
前記チャンバーは、気体を導入する気体導入部を有する
請求項７に記載の加熱装置。
【請求項９】
前記気体導入部は、前記基板位置との間で前記第一加熱部及び前記第二加熱部のうち少なくとも一方を挟む位置に設けられる
請求項８に記載の加熱装置。
【請求項１０】
前記チャンバーは、気体を排出する気体排出部を有する
請求項７から請求項９のうちいずれか一項に記載の加熱装置。
【請求項１１】
前記チャンバーは、気体を導入する気体導入部及び前記気体を排出する気体排出部を有し、
前記気体導入部及び前記気体排出部は、前記基板位置を挟む位置に設けられている
請求項７から請求項１０のうちいずれか一項に記載の加熱装置。
【請求項１２】
易酸化性の金属及び溶媒を含む液状体の塗布膜を基板に形成する塗布部と、
前記塗布膜が形成された前記基板を加熱する加熱部と、
前記塗布部と前記加熱部との間で前記基板を搬送する搬送部と
を備え、
前記加熱部として、請求項１から請求項１１のうちいずれか一項に記載の加熱装置が用いられる
塗布装置。
【請求項１３】
塗布膜を有する基板が配置される基板位置を前記塗布膜の膜厚方向に挟む第一加熱部及び第二加熱部を用いて前記基板を加熱する加熱ステップと、
前記基板位置と前記第一加熱部との第一距離、及び、前記基板位置と前記第二加熱部との第二距離、のうち少なくとも一方を調整する距離調整ステップと
を含む加熱方法。
【請求項１４】
前記基板の加熱が行われている間に前記距離調整ステップを行う
請求項１３に記載の加熱方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、加熱装置、塗布装置及び加熱方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｃｕ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｓｂ、Ｂｉ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｚｎおよびこれらの組合せなどの金属と、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、およびこれらの組合せなどの元素カルコゲンとを含む半導体材料を用いたＣＩＧＳ型太陽電池やＣＺＴＳ型太陽電池は、高い変換効率を有する太陽電池として注目されている（例えば特許文献１〜特許文献３参照）。
【０００３】
ＣＩＧＳ型太陽電池は、光吸収層（光電変換層）として例えば上記、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅの４種類の半導体材料からなる膜を用いる構成になっている。また、ＣＺＴＳ型太陽電池は、光吸収層（光電変換層）として、例えばＣｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｓｅの４種類の半導体材料からなる膜を用いる構成になっている。このような太陽電池の構成として、例えばガラスなどからなる基板上にモリブデンなどからなる裏面電極が設けられ、当該裏面電極の上に上記光吸収層が配置される構成が知られている。
【０００４】
ＣＩＧＳ型太陽電池やＣＺＴＳ型太陽電池は、従来型の太陽電池に比べて光吸収層の厚さを薄くすることができるため、曲面への設置や運搬が容易となる。このため、高性能でフレキシブルな太陽電池として、広い分野への応用が期待されている。光吸収層を形成する手法として、従来、例えば蒸着法やスパッタリング法などを用いて形成する手法が知られていた（例えば、特許文献２〜特許文献５参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−３４０４８２号公報
【特許文献２】特開２００５−５１２２４号公報
【特許文献３】特表２００９−５３７９９７号公報
【特許文献４】特開平１−２３１３１３号公報
【特許文献５】特開平１１−２７３７８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
これに対して、本発明者は、光吸収層を形成する手法として、上記半導体材料を液状体で基板上に塗布する手法を提案する。光吸収層を液状体の塗布によって形成する場合、以下の課題が挙げられる。
【０００７】
液状体を塗布した後、塗布膜を加熱する焼成工程が行われる。この焼成工程は、塗布膜の光吸収層としての特性に影響を与えるため、より最適な条件で加熱することが必要となる。所期の特性を有する塗布膜を形成するためには、加熱条件を調整可能な構成が求められている。
【０００８】
上記のような事情に鑑み、本発明は、所期の特性を有する塗布膜を形成することができる加熱装置、塗布装置及び加熱方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第一の態様に係る加熱装置は、塗布膜を有する基板が配置される基板位置を前記塗布膜の膜厚方向に挟む第一加熱部及び第二加熱部と、前記基板位置と前記第一加熱部との第一距離、及び、前記基板位置と前記第二加熱部との第二距離、のうち少なくとも一方を調整する距離調整部とを備える。
【００１０】
本発明によれば、塗布膜を有する基板が配置される基板位置を塗布膜の膜厚方向に挟む第一加熱部及び第二加熱部と、基板位置と第一加熱部との第一距離、及び、基板位置と第二加熱部との第二距離、のうち少なくとも一方を調整する距離調整部とを備えるので、基板位置と第一加熱部及び第二加熱部との距離を調整することで、塗布膜に対する加熱条件を調整することができる。これにより、所期の特性を有する塗布膜を形成することができる。
【００１１】
上記の加熱装置において、前記距離調整部は、前記第一加熱部及び前記第二加熱部のうち少なくとも一方を前記膜厚方向に移動させる移動部を有する。  
本発明によれば、第一加熱部及び第二加熱部のうち少なくとも一方を膜厚方向に移動させることができるので、加熱条件を柔軟に変更することができる。
【００１２】
上記の加熱装置において、前記第一加熱部及び前記第二加熱部は、鉛直方向に並んで配置されている。  
本発明によれば、第一加熱部及び第二加熱部が鉛直方向に並んで配置されているので、基板を第一加熱部及び第二加熱部の間に配置させやすい構成となる。
【００１３】
上記の加熱装置は、前記基板位置に配置される前記基板を保持する基板保持部を更に備える。  
本発明によれば、基板位置に配置される基板を保持する基板保持部を備えるので、基板の位置や姿勢が安定した状態で塗布膜の加熱を行うことができる。
【００１４】
上記の加熱装置において、前記第一加熱部及び前記第二加熱部のうち、前記基板位置に対して鉛直方向の下側に配置される一方の加熱部は、前記基板保持部を兼ねている。  
本発明によれば、第一加熱部及び第二加熱部のうち、基板位置に対して鉛直方向の下側に配置される一方の加熱部が基板保持部を兼ねているので、別途基板保持部を配置させる場合に比べて、省スペース化を図ることができる。
【００１５】
上記の加熱装置において、前記距離調整部は、前記第一加熱部及び前記第二加熱部のうち前記基板位置に対して鉛直方向の上側に配置される他方の加熱部が前記塗布膜に接触しないように、前記第一距離及び前記第二距離のうち少なくとも一方を調整する。  
本発明によれば、第一加熱部及び第二加熱部のうち基板位置に対して鉛直方向の上側に配置される他方の加熱部が塗布膜に接触しないように加熱を行うことができるので、塗布膜の破損を回避することができる。
【００１６】
上記の加熱装置は、前記基板位置、前記第一加熱部及び前記第二加熱部を囲うチャンバーを更に備える。  
本発明によれば、基板位置、第一加熱部及び第二加熱部を囲うチャンバーを備えるので、雰囲気の調整を行いやすい環境下で効率的に加熱を行うことができる。
【００１７】
上記の加熱装置において、前記チャンバーは、気体を導入する気体導入部を有する。  
本発明によれば、チャンバーが、気体を導入する気体導入部を有するので、気体導入部からの気体の導入によりチャンバー内部の雰囲気を維持したり、変更したりすることが可能となる。
【００１８】
上記の加熱装置において、前記気体導入部は、前記基板位置との間で前記第一加熱部及び前記第二加熱部のうち少なくとも一方を挟む位置に設けられる。  
本発明によれば、気体導入部が、基板位置との間で第一加熱部及び第二加熱部のうち少なくとも一方を挟む位置に設けられるので、基板に対して気体が直接噴射されるのを防ぐことができる。
【００１９】
上記の加熱装置において、前記チャンバーは、気体を排出する気体排出部を有する。  
本発明によれば、チャンバーが、気体を排出する気体排出部を有するので、気体排出部からの気体の排出によりチャンバー内部の雰囲気を維持したり、変更したりすることが可能となる。
【００２０】
上記の加熱装置において、前記チャンバーは、気体を導入する気体導入部及び前記気体を排出する気体排出部を有し、前記気体導入部及び前記気体排出部は、前記基板位置を挟む位置に設けられている。  
本発明によれば、チャンバーが、気体を導入する気体導入部及び気体を排出する気体排出部を有し、気体導入部及び気体排出部は、基板位置を挟む位置に設けられているので、気体の導入時及び気体の排出時において、基板に対して気流が直接影響を及ぼすのを防ぐことができる。
【００２１】
本発明の第二の態様に係る塗布装置は、易酸化性の金属及び溶媒を含む液状体の塗布膜を基板に形成する塗布部と、前記塗布膜が形成された前記基板を加熱する加熱部と、前記塗布部と前記加熱部との間で前記基板を搬送する搬送部とを備え、前記加熱部として、本発明の第一の態様に係る加熱装置が用いられる。  
本発明によれば、易酸化性の金属及び溶媒を含む液状体の塗布膜を基板に形成する塗布部と、塗布膜が形成された基板を加熱する加熱部と、塗布部と加熱部との間で基板を搬送する搬送部とを備え、加熱部として、塗布膜に対する加熱条件を調整する加熱装置が用いられるので、所期の特性を有する塗布膜を安定的に形成することができる。
【００２２】
本発明の第三の態様に係る加熱方法は、塗布膜を有する基板が配置される基板位置を前記塗布膜の膜厚方向に挟む第一加熱部及び第二加熱部を用いて前記基板を加熱する加熱ステップと、前記基板位置と前記第一加熱部との第一距離、及び、前記基板位置と前記第二加熱部との第二距離、のうち少なくとも一方を調整する距離調整ステップとを含む。
【００２３】
本発明によれば、塗布膜を有する基板が配置される基板位置を塗布膜の膜厚方向に挟む第一加熱部及び第二加熱部を用いて基板を加熱し、基板位置と第一加熱部との第一距離、及び、基板位置と第二加熱部との第二距離、のうち少なくとも一方を調整することとしたので、塗布膜に対する加熱条件を調整することができる。これにより、所期の特性を有する塗布膜を形成することができる。
【００２４】
上記の加熱方法において、前記基板の加熱が行われている間に前記距離調整ステップを行う。  
本発明によれば、基板の加熱が行われている間に、塗布膜に対する加熱条件を調整することができるので、所期の特性を有する塗布膜をより確実に形成することができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、所期の特性を有する塗布膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の実施の形態に係る塗布装置の全体構成を示す図。
【図２】本実施形態に係る塗布装置の全体構成を示す図。
【図３】本実施形態に係るノズルの構成を示す図。
【図４】本実施形態に係るノズルの構成を示す図。
【図５】本実施形態に係る塗布部の一部の構成を示す図。
【図６】本実施形態に係る減圧乾燥部の構成を示す図。
【図７】本実施形態に係る焼成部の一部の構成を示す図。
【図８】本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図。
【図９】本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図。
【図１０】本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図。
【図１１】本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図。
【図１２】本実施形態に係る塗布装置の塗布処理の過程を示す図。
【図１３】本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図。
【図１４】本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図。
【図１５】本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図。
【図１６】本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図。
【図１７】本実施形態に係る塗布装置の焼成処理の過程を示す図。
【図１８】本発明の変形例に係る加熱装置の構成を示す図。
【図１９】本発明の変形例に係る加熱装置の動作を示す図。
【図２０】本発明の変形例に係る加熱装置の構成を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。  
図１は、本実施形態に係る塗布装置ＣＴＲの構成を示す概略図である。  
図１に示すように、塗布装置ＣＴＲは、基板Ｓに液状体を塗布する装置である。塗布装置ＣＴＲは、基板供給回収部ＬＵ、塗布部ＣＴ、減圧乾燥部ＶＤ、焼成部ＢＫ及び制御部ＣＯＮＴを有している。
【００２８】
塗布装置ＣＴＲは、例えば工場などの床面ＦＬに載置されて用いられる。塗布装置ＣＴＲは、一つの部屋に収容される構成であっても構わないし、複数の部屋に分割して収容される構成であっても構わない。塗布装置ＣＴＲは、基板供給回収部ＬＵ、塗布部ＣＴ、減圧乾燥部ＶＤ及び焼成部ＢＫがこの順で一方向に並んで配置されている。
【００２９】
なお、装置構成については塗布装置ＣＴＲは、基板供給回収部ＬＵ、塗布部ＣＴ、減圧乾燥部ＶＤ及び焼成部ＢＫがこの順で一方向に並んで配置されることに限られることは無い。例えば、基板供給回収部LUが不図示の基板供給部と不図示の基板回収部に分割されても構わないし、減圧乾燥部VDが省略されても構わない。勿論、一方向に並んで配置されていなくてもよく、不図示のロボットを中心とした上下に積層する配置や、左右に配置する構成でもよい。
【００３０】
以下の各図において、本実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するにあたり、表記の簡単のため、ＸＹＺ座標系を用いて図中の方向を説明する。当該ＸＹＺ座標系においては、床面に平行な平面をＸＹ平面とする。このＸＹ平面において塗布装置ＣＴＲの各構成要素（基板供給回収部ＬＵ、塗布部ＣＴ、減圧乾燥部ＶＤ及び焼成部ＢＫ）が並べられた方向をＸ方向と表記し、ＸＹ平面上でＸ方向に直交する方向をＹ方向と表記する。ＸＹ平面に垂直な方向はＺ方向と表記する。Ｘ方向、Ｙ方向及びＺ方向のそれぞれは、図中の矢印の方向が＋方向であり、矢印の方向とは反対の方向が−方向であるものとして説明する。
【００３１】
本実施形態では、基板Ｓとして、例えばガラスや樹脂などからなる板状部材を用いている。本実施形態では更に、基板Ｓ上に裏面電極としてスパッタにてモリブデンを形成している。勿論、裏面電極として、他の導電性物質を用いる構成としても構わない。基板Ｓとして、Ｚ方向視における寸法が３３０ｍｍ×３３０ｍｍの基板を例に挙げて説明する。なお、基板Ｓの寸法については、上記のような３３０ｍｍ×３３０ｍｍの基板に限られることは無い。例えば、基板Ｓとして、寸法が１２５ｍｍ×１２５ｍｍの基板を用いても構わないし、寸法が１ｍ×１ｍの基板を用いても構わない。勿論、上記寸法よりも大きい寸法の基板や小さい寸法の基板を適宜用いることができる。
【００３２】
本実施形態では、基板Ｓに塗布する液状体として、例えばヒドラジンなどの溶媒に、銅（Ｃｕ）、インジウム（Ｉｎ）、ガリウム（Ｇａ）、セレン（Ｓｅ）または銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、スズ（Ｓｎ）、セレン（Ｓｅ）といった易酸化性の金属材料を含有する液状組成物を用いている。この液状組成物は、ＣＩＧＳまたはＣＺＴＳ型太陽電池の光吸収層（光電変換層）を構成する金属材料を含んでいる。
【００３３】
本実施形態では、この液状組成物は、ＣＩＧＳまたはＣＺＴＳ太陽電池の光吸収層のグレインサイズを確保するための物質を含んでいる。勿論、液状体として、他の易酸化性の金属を分散させた液状体を用いる構成としても構わない。
【００３４】
（基板供給回収部）  
基板供給回収部ＬＵは、塗布部ＣＴに対して未処理の基板Ｓを供給すると共に、塗布部ＣＴからの処理済の基板Ｓを回収する。基板供給回収部ＬＵは、チャンバー１０を有している。チャンバー１０は、直方体の箱状に形成されている。チャンバー１０の内部には、基板Ｓを収容可能な収容室１０ａが形成されている。チャンバー１０は、第一開口部１１、第二開口部１２及び蓋部１４を有している。第一開口部１１及び第二開口部１２は、収容室１０ａとチャンバー１０の外部とを連通する。
【００３５】
第一開口部１１は、チャンバー１０の＋Ｚ側の面に形成されている。第一開口部１１は、Ｚ方向視で基板Ｓの寸法よりも大きく形成されている。チャンバー１０の外部に取り出される基板Ｓや、収容室１０ａへ収容される基板Ｓは、第一開口部１１を介して基板供給回収部ＬＵに出し入れされる。
【００３６】
第二開口部１２は、チャンバー１０の＋Ｘ側の面に形成されている。第二開口部１２は、Ｘ方向視で基板Ｓの寸法よりも大きく形成されている。塗布部ＣＴへ供給される基板Ｓや塗布部ＣＴから戻される基板Ｓは、第二開口部１２を介して基板供給回収部ＬＵに出し入れされる。
【００３７】
蓋部１４は、第一開口部１１を開放又は閉塞させる。蓋部１４は、矩形の板状に形成されている。蓋部１４は、不図示のヒンジ部を介して第一開口部１１の＋Ｘ側の辺に取り付けられている。このため、蓋部１４は、第一開口部１１の＋Ｘ側の辺を中心としてＹ軸周りに回動する。第一開口部１１は、蓋部１４をＹ軸周りに回動させることで開閉可能となっている。
【００３８】
収容室１０ａには、基板搬送部１５が設けられている。基板搬送部１５は、複数のローラー１７を有している。ローラー１７は、Ｙ方向に一対配置されており、当該一対のローラー１７がＸ方向に複数並んでいる。
【００３９】
各ローラー１７は、Ｙ軸方向を中心軸方向としてＹ軸周りに回転可能に設けられている。複数のローラー１７は、それぞれ等しい径となるように形成されており、複数のローラー１７の＋Ｚ側の端部はＸＹ平面に平行な同一平面上に配置されている。このため、複数のローラー１７は、基板ＳがＸＹ平面に平行な姿勢になるように当該基板Ｓを支持可能である。
【００４０】
各ローラー１７は、例えば不図示のローラー回転制御部によって回転が制御されるようになっている。基板搬送部１５は、複数のローラー１７が基板Ｓを支持した状態で各ローラー１７をＹ軸周りに時計回り又は反時計回りに回転させることにより、基板ＳをＸ方向（＋Ｘ方向又は−Ｘ方向）に搬送する。基板搬送部１５としては、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送部を用いても構わない。
【００４１】
（塗布部）  
塗布部ＣＴは、基板Ｓに対して液状体の塗布処理を行う。塗布部ＣＴは、チャンバー２０及び基台ＢＣを有している。塗布部ＣＴは、床面ＦＬに載置された基台ＢＣ上にチャンバー２０が配置された構成である。
【００４２】
チャンバー２０は、直方体の箱状に形成されている。チャンバー２０の内部には、処理室２０ａが形成されている。チャンバー２０は、第一開口部２１及び第二開口部２２を有している。第一開口部２１及び第二開口部２２は、処理室２０ａとチャンバー２０の外部とを連通する。
【００４３】
第一開口部２１は、チャンバー２０の−Ｘ側の面に形成されている。第二開口部２２は、チャンバー２０の＋Ｘ側の面に形成されている。第一開口部２１及び第二開口部２２は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板Ｓは、第一開口部２１及び第二開口部２２を介してチャンバー２０に出し入れされる。
【００４４】
処理室２０ａには、吐出部３１、メンテナンス部３２、液状体供給部３３、洗浄液供給部３４、廃液貯留部３５、気体供給排出部３７及び基板搬送部２５が設けられている。
【００４５】
吐出部３１は、ノズルＮＺ、処理ステージ２８及びノズル駆動部ＮＡを有している。  
図３ノズルＮＺの構成を示す図である。  
図３に示すように、ノズルＮＺは、長尺状に形成されており、長手方向がＸ方向に平行になるように配置されている。ノズルＮＺは、本体部ＮＺａ及び突出部ＮＺｂを有している。本体部ＮＺａは、内部に液状体を収容可能な筐体である。本体部ＮＺａは、例えばチタン又はチタン合金を含んだ材料を用いて形成されている。突出部ＮＺｂは、本体部ＮＺａに対して＋Ｘ側及び−Ｘ側にそれぞれ突出して形成されている。突出部ＮＺｂは、ノズル駆動部ＮＡの一部に保持される。
【００４６】
図４は、−Ｚ側からノズルＮＺを見たときの構成を示している。  
図４に示すように、ノズルＮＺは、本体部ＮＺａの−Ｚ側の端部（先端ＴＰ）に吐出口ＯＰを有している。吐出口ＯＰは、液状体が吐出される開口部である。吐出口ＯＰは、Ｘ方向に長手となるようにスリット状に形成されている。吐出口ＯＰは、例えば長手方向が基板ＳのＸ方向の寸法とほぼ同一となるように形成されている。
【００４７】
ノズルＮＺは、例えば上記のＣｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅの４種類の金属が所定の組成比で混合された液状体を吐出する。ノズルＮＺは、接続配管（不図示）などを介して、それぞれ液状体供給部３３に接続されている。ノズルＮＺは、内部に液状体を保持する保持部を有している。なお、上記保持部に保持された液状体の温度を調整する温調部が配置されていても構わない。
【００４８】
図１及び図２に戻って、処理ステージ２８は、塗布処理の対象となる基板Ｓを載置する。処理ステージ２８の＋Ｚ側の面は、基板Ｓを載置する基板載置面となっている。当該基板載置面は、ＸＹ平面に平行に形成されている。処理ステージ２８は、例えばステンレスなどを用いて形成されている。
【００４９】
ノズル駆動部ＮＡは、ノズルＮＺをＸ方向に移動させる。ノズル駆動部ＮＡは、リニアモータ機構を構成する固定子４０及び可動子４１を有している。なお、ノズル駆動部ＮＡとしては、例えばボールスクリュー機構など、他の駆動機構が用いられた構成であっても構わない。固定子４０は、Ｙ方向に延在されている。固定子４０は、支持フレーム３８に支持されている。支持フレーム３８は、第一フレーム３８ａ及び第二フレーム３８ｂを有している。第一フレーム３８ａは、処理室２０ａの−Ｙ側端部に配置されている。第二フレーム３８ｂは、処理室２０ａのうち第一フレーム３８ａとの間で処理ステージ２８を挟む位置に配置されている。
【００５０】
可動子４１は、固定子４０の延在方向（Ｙ方向）に沿って移動可能である。可動子４１は、ノズル支持部材４２及び昇降部４３を有する。ノズル支持部材４２は、門型に形成されており、ノズルＮＺの突出部ＮＺｂを保持する保持部４２ａを有している。ノズル支持部材４２は、昇降部４３と共に固定子４０に沿って第一フレーム３８ａと第二フレーム３８ｂとの間をＹ方向に一体的に移動する。このため、ノズル支持部材４２に保持されるノズルＮＺは、処理ステージ２８をＹ方向に跨いで移動する。ノズル支持部材４２は、昇降部４３の昇降ガイド４３ａに沿ってＺ方向に移動する。可動子４１は、ノズル支持部材４２をＹ方向及びＺ方向に移動させる不図示の駆動源を有している。
【００５１】
メンテナンス部３２は、ノズルＮＺのメンテナンスを行う部分である。メンテナンス部３２は、ノズル待機部４４及びノズル先端管理部４５を有している。  
ノズル待機部４４は、ノズルＮＺの先端ＴＰが乾燥しないように当該先端ＴＰをディップさせる不図示のディップ部と、ノズルＮＺを交換する場合やノズルＮＺに供給する液状体を交換する場合にノズルＮＺ内に保持された液状体を排出する不図示の排出部とを有している。
【００５２】
ノズル先端管理部４５は、ノズルＮＺの先端ＴＰ及びその近傍を洗浄したり、ノズルＮＺの吐出口ＯＰから予備的に吐出したりすることで、ノズル先端のコンディションを整える部分である。ノズル先端管理部４５は、ノズルＮＺの先端ＴＰを払拭する払拭部４５ａと、当該払拭部４５ａを案内するガイドレール４５ｂと、を有している。ノズル先端管理部４５には、ノズルＮＺから排出された液状体や、ノズルＮＺの洗浄に用いられた洗浄液などを収容する廃液収容部３５ａが設けられている。
【００５３】
図５は、ノズルＮＺ及びノズル先端管理部４５の断面形状を示す図である。図５に示すように、払拭部４５ａは、断面視においてノズルＮＺの先端ＴＰ及び先端ＴＰ側の斜面の一部を覆う形状に形成されている。
【００５４】
ガイドレール４５ｂは、ノズルＮＺの吐出口ＯＰをカバーするようにＸ方向に延びている。払拭部４５ａは、不図示の駆動源などにより、ガイドレール４５ｂに沿ってＸ方向に移動可能に設けられている。払拭部４５ａがノズルＮＺの先端ＴＰに接触した状態でＸ方向に移動することで、先端ＴＰが払拭されることになる。
【００５５】
液状体供給部３３は、第一液状体収容部３３ａ及び第二液状体収容部３３ｂを有している。第一液状体収容部３３ａ及び第二液状体収容部３３ｂには、基板Ｓに塗布する液状体が収容される。また、第一液状体収容部３３ａ及び第二液状体収容部３３ｂは、それぞれ異なる種類の液状体を収容可能である。
【００５６】
洗浄液供給部３４は、塗布部ＣＴの各部、具体的にはノズルＮＺの内部やノズル先端管理部４５などを洗浄する洗浄液が収容されている。洗浄液供給部３４は、不図示の配管やポンプなどを介して、これらノズルＮＺの内部やノズル先端管理部４５などに接続されている。
【００５７】
廃液貯留部３５は、ノズルＮＺから吐出された液体のうち再利用しない分を回収する。なお、ノズル先端管理部４５のうち、予備吐出を行う部分と、ノズルＮＺの先端ＴＰを洗浄する部分とが別々に設けられた構成であっても構わない。また、ノズル待機部４４において予備吐出を行う構成であっても構わない。
【００５８】
気体供給排出部３７は、気体供給部３７ａ及び排気部３７ｂを有している。気体供給部３７ａは、処理室２０ａに窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスを供給する。排気部３７ｂは、処理室２０ａを吸引し、処理室２０ａの気体をチャンバー２０の外部に排出する。
【００５９】
基板搬送部２５は、処理室２０ａにおいて基板Ｓを搬送する。基板搬送部２５は、複数のローラー２７を有している。ローラー２７は、処理室２０ａのＹ方向の中央部をＸ方向に横切るように二列に配置されている。各列に配置されるローラー２７は、それぞれ基板Ｓの＋Ｙ側端辺及び−Ｙ側端辺を支持する。
【００６０】
基板Ｓを支持した状態で各ローラー２７をＹ軸周りに時計回り又は反時計回りに回転させることにより、各ローラー２７によって支持される基板ＳがＸ方向（＋Ｘ方向又は−Ｘ方向）に搬送される。なお、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送部を用いても構わない。
【００６１】
（減圧乾燥部）
減圧乾燥部ＶＤは、基板Ｓ上に塗布された液状体を乾燥させる。減圧乾燥部ＶＤは、チャンバー５０、基台ＢＶ及びゲートバルブＶ２及びＶ３を有している。減圧乾燥部ＶＤは、床面ＦＬに載置された基台ＢＶ上にチャンバー５０が配置された構成である。
【００６２】
チャンバー５０は、直方体の箱状に形成されている。チャンバー５０の内部には、処理室５０ａが形成されている。チャンバー５０は、第一開口部５１及び第二開口部５２を有している。第一開口部５１及び第二開口部５２は、処理室５０ａとチャンバー５０の外部とを連通する。
【００６３】
第一開口部５１は、チャンバー５０の−Ｘ側の面に形成されている。第二開口部５２は、チャンバー５０の＋Ｘ側の面に形成されている。第一開口部５１及び第二開口部５２は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板Ｓは、第一開口部５１及び第二開口部５２を介してチャンバー５０に出し入れされる。
【００６４】
処理室５０ａには、基板搬送部５５及び気体供給部５８、排気部５９及び加熱部５３が設けられている。  
基板搬送部５５は、複数のローラー５７を有している。ローラー５７は、Ｙ方向に一対配置されており、当該一対のローラー５７がＸ方向に複数並んでいる。複数のローラー５７は、第一開口部２１を介して処理室５０ａに配置された基板Ｓを支持する。
【００６５】
基板Ｓを支持した状態で各ローラー５７をＹ軸周りに時計回り又は反時計回りに回転させることにより、各ローラー５７によって支持される基板ＳがＸ方向（＋Ｘ方向又は−Ｘ方向）に搬送される。なお、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送部を用いても構わない。
【００６６】
図６は、減圧乾燥部ＶＤの構成を示す模式図である。  
図６に示すように、気体供給部５８は、処理室５０ａに窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスを供給する。気体供給部５８は、第一供給部５８ａ及び第二供給部５８ｂを有している。第一供給部５８ａ及び第二供給部５８ｂは、ガスボンベやガス管などのガス供給源５８ｃに接続されている。処理室５０ａへのガスの供給は主として第一供給部５８ａを用いて行われる。第二供給部５８ｂは、第一供給部５８ａによる気体の供給量を微調整する。
【００６７】
排気部５９は、処理室５０ａを吸引し当該処理室５０ａの気体をチャンバー５０の外部に排出して、処理室５０ａを減圧させる。処理室５０ａを減圧させることにより、基板Ｓの液状体に含まれる溶媒の蒸発を促進させ、液状体を乾燥させる。排気部５９は、第一吸引部５９ａ及び第二吸引部５９ｂを有している。第一吸引部５９ａ及び第二吸引部５９ｂは、ポンプなどの吸引源５９ｃ及び５９ｄに接続されている。処理室５０ａからの吸引は主として第一吸引部５９ａを用いて行われる。第二吸引部５９ｂは、第一吸引部５９ａによる吸引量を微調整する。
【００６８】
加熱部５３は、処理室５０ａに配置された基板Ｓ上の液状体を加熱する。加熱部５３としては、例えば赤外線装置やホットプレートなどが用いられる。加熱部５３の温度は、例えば室温〜１００℃程度に調整可能である。加熱部５３を用いることにより、基板Ｓ上の液状体に含まれる溶媒の蒸発を促進させ、減圧下での乾燥処理をサポートする。
【００６９】
（焼成部）  
焼成部ＢＫは、基板Ｓ上に塗布された塗布膜を焼成する。焼成部ＢＫは、チャンバー６０及び基台ＢＢを有している。焼成部ＢＫは、床面ＦＬに載置された基台ＢＢ上にチャンバー６０が配置された構成である。
【００７０】
チャンバー６０は、直方体の箱状に形成されている。チャンバー６０の内部には、処理室６０ａが形成されている。チャンバー６０は、開口部６１を有している。開口部６１は、処理室６０ａとチャンバー６０の外部とを連通する。開口部６１は、チャンバー６０の−Ｘ側の面に形成されている。開口部６１は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。基板Ｓは、開口部６１を介してチャンバー６０に出し入れされる。
【００７１】
処理室６０ａには、基板搬送部６５及び気体供給部６８、排気部６９及び加熱部７０が設けられている。  
基板搬送部６５は、複数のローラー６７と、アーム部７１とを有している。ローラー６７は、基板案内ステージ６６をＹ方向に挟んで一対配置されており、当該一対のローラー６７がＸ方向に複数並んでいる。複数のローラー６７は、開口部６１を介して処理室６０ａに配置された基板Ｓを支持する。
【００７２】
基板Ｓを支持した状態で各ローラー６７をＹ軸周りに時計回り又は反時計回りに回転させることにより、各ローラー６７によって支持される基板ＳがＸ方向（＋Ｘ方向又は−Ｘ方向）に搬送される。なお、基板を浮上させて搬送する不図示の浮上搬送部を用いても構わない。
【００７３】
アーム部７１は、架台７４上に配置されており、複数のローラー６７と加熱部７０との間で基板Ｓの受け渡しを行う。アーム部７１は、搬送アーム７２及びアーム駆動部７３を有している。搬送アーム７２は、基板支持部７２ａ及び移動部７２ｂを有している。基板支持部７２ａは、基板Ｓの＋Ｙ側及び−Ｙ側の辺を支持する。移動部７２ｂは、基板支持部７２ａに連結されており、Ｘ方向に移動可能であり、かつθＺ方向に回動可能である。
【００７４】
アーム駆動部７３は、移動部７２ｂをＸ方向又はθＺ方向に駆動する。アーム駆動部７３によって移動部７２ｂを＋Ｘ方向に移動させた場合には、基板支持部７２ａが加熱部７０内に挿入されると共に、基板Ｓが加熱部７０のＺ方向視中央部に配置されるようになっている。
【００７５】
図７は、加熱部７０の構成を示す断面図である。  
図７に示すように、加熱部７０は、架台７４上に配置されており、第一収容部８１、第二収容部８２、第一加熱板８３、第二加熱板８４、リフト部８５、封止部８６、気体供給部８７、排気部８８及び距離調整部８９を有している。  
第一収容部８１は、Ｚ方向視において矩形の枡状に形成されており、開口部が＋Ｚ側を向くようにチャンバー６０の底部に載置されている。第二収容部８２は、Ｚ方向視において矩形の枡状に形成されており、開口部が第一収容部８１に対向するように配置されている。第二収容部８２は、不図示の昇降機構を用いてＺ方向に移動可能である。第二収容部８２の縁部８２ａを第一収容部８１の縁部８１ａに重ねることにより、当該第一収容部８１及び第二収容部８２の内部が密閉される。
【００７６】
第一加熱板８３は、第一収容部８１に収容されている。第一加熱板８３は、基板Ｓを載置させた状態で当該基板Ｓを加熱する。第一加熱板８３は、例えば石英などを用いて形成されており、内部には赤外線装置やホットプレートなどの加熱装置が設けられている。第一加熱板８３の温度は、例えば２００℃〜８００℃程度に調整可能である。第一加熱板８３には複数の貫通孔８３ａが形成されている。貫通孔８３ａは、リフト部８５の一部を貫通させる。
【００７７】
第二加熱板８４は、第二収容部８２に収容されている。第二加熱板８４は、例えば金属材料を用いて形成されており、内部には赤外線装置やホットプレートなどの加熱装置が設けられている。第二加熱板８４の温度は、例えば２００℃〜８００℃程度に調整可能である。
【００７８】
第一加熱板８３及び第二加熱板８４は、それぞれＸＹ平面に平行に配置されている。また、第一加熱板８３及び第二加熱板８４は、塗布膜Ｆが形成された基板Ｓが配置される基板位置ＳｐをＺ方向（塗布膜Ｆの膜厚方向）に挟むように、Ｚ方向（鉛直方向）に並んで配置されている。
【００７９】
リフト部８５は、アーム部７１と第一加熱板８３との間で基板Ｓを移動させる。リフト部８５は、複数の支持ピン８５ａと、当該支持ピン８５ａを保持してＺ方向に移動可能な移動部８５ｂとを有している。図示を判別しやすくするため、図７では支持ピン８５ａが２つ設けられた構成が示されているが、実際には例えば１６個（図７参照）配置させることができる。第一加熱板８３に設けられる複数の貫通孔８３ａは、Ｚ方向視で複数の支持ピン８５ａに対応する位置に配置されている。
【００８０】
封止部８６は、第一収容部８１の縁部８１ａに形成されている。封止部８６としては、例えば樹脂材料などを用いて形成されたＯリングを用いることができる。封止部８６は、第二収容部８２の縁部８２ａが第一収容部８１の縁部８１ａに重ねられた状態で、当該第一収容部８１と第二収容部８２との間を封止する。このため、第一収容部８１及び第二収容部８２の内部を密閉することができる。
【００８１】
気体供給部８７は、処理室６０ａに水素ガス、アルゴンガス、窒素ガスなどを供給する。気体供給部８７は、チャンバー６０の＋Ｚ側の面に接続されている。気体供給部８７は、ガスボンベやガス管などの気体供給源８７ａと、当該気体供給源８７ａとチャンバー６０とを接続する接続管８７ｂとを有している。
【００８２】
排気部８８は、処理室６０ａを吸引し、処理室６０ａの気体をチャンバー６０の外部に排出する。排気部８８は、チャンバー６０の−Ｚ側の面に接続されている。排気部８８は、ポンプなどの吸引源８８ａと、当該吸引源８８ａとチャンバー６０とを接続する接続管８８ｂとを有している。
【００８３】
距離調整部８９は、第一加熱板８３及び第二加熱板８４を個別にＺ方向に移動させる移動機構である。距離調整部８９としては、例えばモーター機構やエアシリンダー機構などが用いられている。距離調整部８９は、第一加熱板８３及び第二加熱板８４をＺ方向に移動させることにより、第一加熱板８３と基板Ｓとの第一距離ｄ１を調整すると共に、第二加熱板８４と基板Ｓとの第二距離ｄ２を調整する。
【００８４】
また、本実施形態では、溶媒濃度センサＳＲ３及びＳＲ４が設けられている。溶媒濃度センサＳＲ３及びＳＲ４は、上記の溶媒濃度センサＳＲ１及びＳＲ２と同様に、周囲の雰囲気中における液状体の溶媒（本実施形態ではヒドラジン）の濃度を検出し、検出結果を制御部ＣＯＮＴに送信する。溶媒濃度センサＳＲ３は、処理室６０ａのうち架台７４上の加熱部７０の＋Ｙ側に配置されている。溶媒濃度センサＳＲ３は、加熱部７０から外れた位置に配置されている。溶媒濃度センサＳＲ４はチャンバー６０の外部に配置されている。本実施形態では、空気よりも比重が大きいヒドラジンの濃度を検出するため、溶媒濃度センサＳＲ３及びＳＲ４は、上記溶媒濃度センサＳＲ１及びＳＲ４と同様に、それぞれ基板Ｓの搬送経路よりも鉛直方向の下側に配置されている。また、チャンバー６０の外部にも溶媒濃度センサＳＲ４を配置することにより、チャンバー６０からのヒドラジンの漏出があった場合にも検出可能である。
【００８５】
（基板搬送経路）  
基板供給回収部ＬＵの第二開口部１２、塗布部ＣＴの第一開口部２１並びに第二開口部２２、減圧乾燥部ＶＤの第一開口部５１並びに第二開口部５２、焼成部ＢＫの開口部６１は、Ｘ方向に平行な直線上に並んで設けられている。このため、基板Ｓは、Ｘ方向に直線上に移動する。また、基板供給回収部ＬＵから焼成部ＢＫの加熱部７０に収容されるまでの経路においては、Ｚ方向の位置が保持されている。このため、基板Ｓによる周囲の気体の攪拌が抑制される。
【００８６】
（アンチチャンバー）
図１に示すように、チャンバー２０には、アンチチャンバーＡＬ１〜ＡＬ３が接続されている。  
アンチチャンバーＡＬ１〜ＡＬ３は、チャンバー２０の内外を連通して設けられている。アンチチャンバーＡＬ１〜ＡＬ３は、それぞれ処理室２０ａの構成要素をチャンバー２０の外部へ取り出したり、チャンバー２０の外部から処理室２０ａに当該構成要素を入れ込んだりするための経路である。
【００８７】
アンチチャンバーＡＬ１は、吐出部３１に接続されている。吐出部３１に設けられるノズルＮＺは、アンチチャンバーＡＬ１を介して処理室２０ａへの出し入れが可能となっている。アンチチャンバーＡＬ２は、液状体供給部３３に接続されている。液状体供給部３３は、アンチチャンバーＡＬ２を介して処理室２０ａへの出し入れが可能となっている。
【００８８】
アンチチャンバーＡＬ３は、液状体調合部３６に接続されている。液状体調合部３６では、アンチチャンバーＡＬ３を介して液体を処理室２０ａに出し入れ可能となっている。また、アンチチャンバーＡＬ３は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。このため、例えば塗布部ＣＴにおいて液状体の試し塗りを行う場合、アンチチャンバーＡＬ３から未処理の基板Ｓを処理室２０ａに供給することが可能である。また、試し塗りを行った後の基板ＳをアンチチャンバーＡＬ３から取り出すことが可能である。また、緊急時などにアンチチャンバーＡＬ３から臨時に基板Ｓを取り出すことも可能である。
【００８９】
また、チャンバー６０には、アンチチャンバーＡＬ４が接続されている。  
アンチチャンバーＡＬ４は、加熱部７０に接続されている。アンチチャンバーＡＬ４は、基板Ｓが通過可能な寸法に形成されている。このため、例えば加熱部７０において基板Ｓの加熱を行う場合、アンチチャンバーＡＬ４から基板Ｓを処理室６０ａに供給することが可能である。また、加熱処理を行った後の基板ＳをアンチチャンバーＡＬ４から取り出すことが可能である。
【００９０】
（グローブ部）  
図１に示すように、チャンバー２０には、グローブ部ＧＸ１が接続されている。また、チャンバー６０には、グローブ部ＧＸ２が接続されている。  
グローブ部ＧＸ１及びＧＸ２は、作業者がチャンバー２０及び６０内にアクセスするための部分である。作業者がグローブ部ＧＸ１及びＧＸ２内に手を挿入することにより、チャンバー２０及び６０内のメンテナンス動作などを行うことができるようになっている。グローブ部ＧＸ１及びＧＸ２は、袋状に形成されている。グローブ部ＧＸ１及びＧＸ２は、それぞれチャンバー２０及び６０の複数個所に配置されている。グローブ部ＧＸ１及びＧＸ２内に作業者が手を入れたか否かを検出するセンサなどがチャンバー２０及び６０内に配置されていても構わない。
【００９１】
（ゲートバルブ）  
基板供給回収部ＬＵの第二開口部１２と塗布部ＣＴの第一開口部２１との間には、ゲートバルブＶ１が設けられている。ゲートバルブＶ１は、不図示の駆動部によってＺ方向に移動可能に設けられている。ゲートバルブＶ１をＺ方向に移動させることで、基板供給回収部ＬＵの第二開口部１２と塗布部ＣＴの第一開口部２１とが同時に開放又は閉塞される。第二開口部１２及び第一開口部２１が同時に開放されると、これら第二開口部１２と第一開口部２１との間で基板Ｓの移動が可能となる。
【００９２】
塗布部ＣＴの第二開口部２２と減圧乾燥部ＶＤの第一開口部５１との間には、ゲートバルブＶ２が設けられている。ゲートバルブＶ２は、不図示の駆動部によってＺ方向に移動可能に設けられている。ゲートバルブＶ２をＺ方向に移動させることで、塗布部ＣＴの第二開口部２２と減圧乾燥部ＶＤの第一開口部５１とが同時に開放又は閉塞される。第二開口部２２及び第一開口部５１が同時に開放されると、これら第二開口部２２と第一開口部５１との間で基板Ｓの移動が可能となる。
【００９３】
減圧乾燥部ＶＤの第二開口部５２と焼成部ＢＫの開口部６１との間には、ゲートバルブＶ３が設けられている。ゲートバルブＶ３は、不図示の駆動部によってＺ方向に移動可能に設けられている。ゲートバルブＶ３をＺ方向に移動させることで、減圧乾燥部ＶＤの第二開口部５２と焼成部ＢＫの開口部６１とが同時に開放又は閉塞される。第二開口部５２及び開口部６１が同時に開放されると、これら第二開口部５２と開口部６１との間で基板Ｓの移動が可能となる。
【００９４】
（制御装置）  
制御部ＣＯＮＴは、塗布装置ＣＴＲを統括的に制御する部分である。具体的には、基板供給回収部ＬＵ、塗布部ＣＴ、減圧乾燥部ＶＤ、焼成部ＢＫにおける動作、ゲートバルブＶ１〜Ｖ３の動作などを制御する。一例として、制御部ＣＯＮＴは、焼成部ＢＫの第一加熱板８３と基板Ｓとの第一距離ｄ１の調整や、第二加熱板８４と基板Ｓとの第二距離ｄ２の調整などを行わせる。また、例えば、溶媒濃度センサＳＲ１〜ＳＲ４による検出結果に基づいて、気体供給部３７ａの供給量を調整する。制御部ＣＯＮＴは、処理時間の計測等に用いる不図示のタイマーなどを有している。
【００９５】
（塗布方法）  
次に、本実施形態に係る塗布方法を説明する。本実施形態では、上記のように構成された塗布装置ＣＴＲを用いて基板Ｓ上に塗布膜を形成する。塗布装置ＣＴＲの各部で行われる動作は、制御部ＣＯＮＴによって制御される。
【００９６】
制御部ＣＯＮＴは、まず、外部から基板供給回収部ＬＵに基板Ｓを搬入させる。この場合、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を閉塞された状態として、蓋部１４を開けて基板Ｓをチャンバー１０の収容室１０ａに収容させる。基板Ｓが収容室１０ａに収容された後、制御部ＣＯＮＴは、蓋部１４を閉じさせる。
【００９７】
蓋部１４が閉じられた後、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を開放させ、チャンバー１０の収容室１０ａと塗布部ＣＴのチャンバー２０の処理室２０ａとを連通させる。ゲートバルブＶ１を開放させた後、制御部ＣＯＮＴは、基板搬送部１５を用いて基板ＳをＸ方向へ搬送する。
【００９８】
塗布部ＣＴの処理室２０ａに基板Ｓの一部が挿入された後、制御部ＣＯＮＴは、基板搬送部２５を用いて基板Ｓを処理室２０ａに完全に搬入させる。基板Ｓが搬入された後、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を閉塞させる。制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を閉塞させた後、基板Ｓを処理ステージ２８へと搬送する。
【００９９】
図８は、塗布部ＣＴの構成を簡略化し一部の構成を省略して示す図である。以下、図９〜図１２においても同様である。図８に示すように、基板Ｓが処理ステージ２８上に載置されると、塗布部ＣＴにおいて塗布処理が行われる。当該塗布処理に先立って、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１及びＶ２が閉塞された状態とし、気体供給部３７ａ及び排気部３７ｂを用いて不活性ガスの供給及び吸引を行わせる。
【０１００】
この動作により、処理室２０ａの雰囲気及び圧力が調整される。処理室２０ａの雰囲気及び圧力の調整後、制御部ＣＯＮＴは、ノズル駆動部ＮＡ（図８では不図示）を用いてノズルＮＺをノズル待機部４４からノズル先端管理部４５へと移動させる。制御部ＣＯＮＴは、以後塗布処理の間、処理室２０ａの雰囲気及び圧力の調整動作を継続して行わせる。
【０１０１】
ノズルＮＺがノズル先端管理部４５に到達した後、制御部ＣＯＮＴは、図９に示すように、ノズルＮＺに対して予備吐出動作を行わせる。予備吐出動作では、制御部ＣＯＮＴは、吐出口ＯＰから液状体Ｑを吐出させる。予備吐出動作の後、制御部ＣＯＮＴは、図１０に示すように、払拭部４５ａをガイドレール４５ｂに沿ってＸ方向に移動させ、ノズルＮＺの先端ＴＰ及びその近傍の傾斜部を払拭させる。
【０１０２】
ノズルＮＺの先端ＴＰを払拭させた後、制御部ＣＯＮＴは、ノズルＮＺを処理ステージ２８へ移動させる。ノズルＮＺの吐出口ＯＰが基板Ｓの−Ｙ側端部に到達した後、制御部ＣＯＮＴは、図１１に示すように、ノズルＮＺを＋Ｙ方向に所定速度で移動させつつ、吐出口ＯＰから基板Ｓへ向けて液状体Ｑを吐出させる。この動作により、基板Ｓ上には液状体Ｑの塗布膜が形成される。
【０１０３】
基板Ｓの所定領域に液状体Ｑの塗布膜を形成した後、制御部ＣＯＮＴは、基板搬送部２５を用いて基板Ｓを処理ステージ２８から第二ステージ２６Ｂへと＋Ｘ方向に移動させる。また、制御部ＣＯＮＴは、ノズルＮＺを−Ｙ方向へ移動させ、ノズル待機部４４へと戻す。
【０１０４】
基板Ｓがチャンバー２０の第二開口部２２に到達した後、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ２を開放させ、基板Ｓを塗布部ＣＴから減圧乾燥部ＶＤへと搬送させる。基板Ｓが減圧乾燥部ＶＤに設けられるチャンバー５０の処理室５０ａに収容された後、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ２を閉塞させ、処理室５０ａにおいて基板Ｓの減圧乾燥処理を行わせる。
【０１０５】
減圧乾燥処理において、制御部ＣＯＮＴは、気体供給部５８を用いて処理室５０ａの雰囲気を調整させると共に、排気部５９を用いて処理室５０ａを減圧させる。この動作により処理室５０ａが減圧すると、基板Ｓに形成された液状体Ｑの塗布膜に含まれる溶媒の蒸発が促進され、塗布膜が乾燥する。なお、制御部ＣＯＮＴは、加熱部５３を用いることにより、基板Ｓ上の液状体に含まれる溶媒の蒸発を促進させ、減圧下での乾燥処理をサポートさせても構わない。この処理により、基板Ｓ上に塗布膜Ｆ（図１３参照）が形成される。
【０１０６】
減圧乾燥処理が行われた後、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ３を開放させ、基板Ｓを減圧乾燥部ＶＤから焼成部ＢＫへと搬送させる。基板Ｓが焼成部ＢＫに設けられるチャンバー６０の処理室６０ａに収容された後、制御部ＣＯＮＴはゲートバルブＶ３を閉塞させる。
【０１０７】
基板支持部７２ａの移動により基板Ｓが第一加熱板８３上の中央部に配置された後、制御部ＣＯＮＴは、リフト部８５を＋Ｚ方向に移動させる。この動作により、基板Ｓは搬送アーム７２の基板支持部７２ａから離れ、リフト部８５の複数の支持ピン８５ａに支持される。このようにして基板Ｓが基板支持部７２ａからリフト部８５へと渡される。基板Ｓがリフト部８５の支持ピン８５ａによって支持された後、制御部ＣＯＮＴは、基板支持部７２ａを加熱部７０の外部へ−Ｘ方向に退避させる。
【０１０８】
基板支持部７２ａを退避させた後、制御部ＣＯＮＴは、図１５に示すように、リフト部８５を−Ｚ方向に移動させると共に、第二収容部８２を−Ｚ方向に移動させる。この動作により、第二収容部８２の縁部８２ａが第一収容部８１の縁部８１ａに重なり、縁部８２ａと縁部８１ａとの間で封止部８６が挟まれた状態となる。このため、第一収容部８１、第二収容部８２及び封止部８６によって密閉された焼成室８０が形成される。
【０１０９】
焼成室８０を形成した後、制御部ＣＯＮＴは、図１６に示すように、リフト部８５を−Ｚ方向へ移動させて基板Ｓを第一加熱板８３上に載置させる。基板Ｓが第一加熱板８３上に載置された後、制御部ＣＯＮＴは、第二加熱板８４を−Ｚ方向に移動させ、第二加熱板８４と基板Ｓとを近づける。また、このとき制御部ＣＯＮＴは、距離調整部８９を用いて、第一加熱板８３及び第二加熱板８４のＺ方向の位置を調整させる。
【０１１０】
なお、本実施形態では、基板Ｓを第一加熱板８３上に載置させるため、基板Ｓと第一加熱板８３との第一距離ｄ１は０のまま固定される。したがって、当該調整により、第二加熱板８４と基板Ｓとの第二距離ｄ２が調整されることになる。
【０１１１】
第二加熱板８４のＺ方向の位置を調整させた後、図１７に示すように、気体供給部８７を用いて焼成室８０に窒素ガスもしくは硫化水素ガスを供給すると共に、排気部８８を用いて焼成室８０を吸引させる。この動作により、焼成室８０の雰囲気及び圧力が調整されると共に、第二収容部８２から第一収容部８１にかけて窒素ガスもしくは硫化水素ガスの気流が形成される。
【０１１２】
制御部ＣＯＮＴは、窒素ガスもしくは硫化水素ガスの気流が形成された状態で、第一加熱板８３及び第二加熱板８４を作動させ、基板Ｓの焼成動作を行わせる。この動作により、基板Ｓの塗布膜Ｆから蒸発する溶媒成分などが気流によって押し流され、排気部８８から吸引される。また、窒素ガスもしくは硫化水素ガスの気流が基板Ｓに直接噴射されず、第二加熱板８４を介して供給されるため、塗布膜Ｆの形状に影響が及ぶのを防ぐことができる。
【０１１３】
制御部ＣＯＮＴは、第一加熱板８３及び第二加熱板８４による加熱動作を行わせつつ、距離調整部８９を用いて第二加熱板８４のＺ方向の位置を調整させても構わない。この動作により、第二加熱板８４と基板Ｓとの間の第二距離ｄ２が調整され、塗布膜Ｆに対する最適な加熱状態が形成される。また、第一加熱板８３と排気部８８との距離、及び、第二加熱板８４と気体供給部８７との距離が調整されるため、窒素ガスもしくは硫化水素ガスの気流についても調整されることになる。
【０１１４】
焼成動作が完了した後、制御部ＣＯＮＴは、基板Ｓを−Ｘ方向へ搬送させる。具体的には、加熱部７０からアーム部７１、基板案内ステージ６６を経て焼成部ＢＫから搬出され、減圧乾燥部ＶＤ、塗布部ＣＴを経て基板供給回収部ＬＵへ戻される。基板Ｓが基板供給回収部ＬＵへ戻された後、制御部ＣＯＮＴは、ゲートバルブＶ１を閉塞させた状態で蓋部１４を開放させる。その後、作業者は、チャンバー１０内の基板Ｓを回収し、新たな基板Ｓをチャンバー１０の収容室１０ａに収容させる。
【０１１５】
なお、基板Ｓが基板供給回収部ＬＵへ戻された後、基板Ｓに形成された塗布膜Ｆ上に更に別の塗布膜を重ねて形成する場合、制御部ＣＯＮＴは、再度基板Ｓを塗布部ＣＴへ搬送させ、塗布処理、減圧乾燥処理及び焼成処理を繰り返して行わせる。このようにして基板Ｓ上に塗布膜Ｆが形成される。
【０１１６】
以上のように、本実施形態では、塗布膜Ｆを有する基板Ｓが配置される基板位置Ｓｐを塗布膜Ｆの膜厚方向に挟む第一加熱板８３及び第二加熱板８４と、基板位置Ｓｐと第一加熱板８３との第一距離ｄ１、及び、基板位置Ｓｐと第二加熱板８４との第二距離ｄ２を調整する距離調整部８９とを備えるので、基板位置Ｓｐと第一加熱板８３及び第二加熱板８４との距離を調整することで、塗布膜Ｆに対する加熱条件を調整することができる。これにより、所期の特性を有する塗布膜Ｆを形成することができる。
【０１１７】
また、本実施形態では、易酸化性の金属及び溶媒を含む液状体の塗布膜Ｆを基板Ｓに形成する塗布部ＣＴと、塗布膜Ｆが形成された基板Ｓを加熱する焼成部ＢＫと、塗布部ＣＴと焼成部ＢＫとの間で基板を搬送する基板搬送部５５、６５及びアーム部７１とを備え、焼成部ＢＫとして、塗布膜Ｆに対する加熱条件を調整する上記の構成が用いられるので、所期の特性を有する塗布膜Ｆを安定的に形成することができる。
【０１１８】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
上記実施形態においては、塗布部ＣＴの構成として、スリット型のノズルＮＺを用いた構成としたが、これに限られることは無く、例えば中央滴下型の塗布部を用いても構わないし、インクジェット型の塗布部を用いても構わない。また、例えば基板Ｓ上に配置される液状体をスキージなどを用いて拡散させて塗布する構成であっても構わない。
【０１１９】
また、上記実施形態において、塗布装置ＣＴＲが一つの部屋に収容される構成である場合、当該部屋の雰囲気を調整する気体供給排出部が設けられた構成であっても構わない。この場合、当該気体供給排出部を用いて部屋の雰囲気中のヒドラジンを排出することができるため、より確実に塗布環境の変化を抑制することができる。
【０１２０】
また、上記実施形態においては、基板ＳがＸＹ平面に平行に配置される場合において第一加熱板８３及び第二加熱板８４が基板ＳをＺ方向に挟むように鉛直方向に並んで配置された構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。  
例えば、図１８に示すように、基板ＳがＹＺ平面に平行に配置される場合においては、第一加熱板８３及び第二加熱板８４が基板ＳをＸ方向に挟むように水平方向に並んで配置された構成であっても構わない。
【０１２１】
また、上記実施形態においては、焼成動作を行う際、基板Ｓを第一加熱板８３上に載置させた状態で加熱を行う態様を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。  
例えば、図１９に示すように、基板Ｓがリフト部８５の支持ピン８５ａに支持された状態で加熱を行うようにしても構わない。この場合、基板Ｓに対して、第一加熱板８３及び第二加熱板８４の両方をＺ方向に移動させることができ、第一距離ｄ１及び第二距離ｄ２の両方を調整することができる。このため、基板Ｓに対して最適な加熱状態を形成することができる。
【０１２２】
また、上記実施形態では、基板Ｓの鉛直方向の上側（＋Ｚ側）から下側へ気体を流通させる構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。  
例えば、図２０に示すように、第一収容部８１に気体供給部８７が設けられ、第二収容部８２に排気部８８が設けられた構成であっても構わない。この場合、気体供給部８７から供給される気体としては、空気よりも軽い水素ガスなどが好ましい。
【０１２３】
また、上記実施形態では、距離調整部８９が第一加熱板８３及び第二加熱板８４の両方を移動させる態様を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば、第一加熱板８３及び第二加熱板８４のいずれか一方のみを移動させ、他方を固定させておく態様であっても構わない。
【符号の説明】
【０１２４】
ＣＴＲ…塗布装置  Ｓ…基板  ＣＴ…塗布部  ＢＫ…焼成部  ＣＯＮＴ…制御部  ＮＺ…ノズル  Ｆ…塗布膜  Ｓｐ…基板位置  ｄ１…第一距離  ｄ２…第二距離  ８０…焼成室  ８１…第一収容部  ８３…第一加熱板  ８４…第二加熱板  ８５ａ…支持ピン  ８７…気体供給部  ８８…排気部  ８９…距離調整部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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