(57)【要約】      （修正有）【課題】十分高い検出感度を有する新規なピクセル型の放射線検出器、及びその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁部材２１１の第１の面上に形成されるとともに、円形状の複数の開口部２１２Ａを有する第１の電極パターン２１２と、前記絶縁部材の前記第１の面と相対向する第２の面上に形成されるとともに、前記絶縁部材を貫通し、前記第１の電極パターンの前記開口部の略中心部に先端が露出し、前記絶縁部材に端部が埋設されてなる凸状部２１４を有する第２の電極パターン２１３とを具え、前記第１の電極パターンと前記第２の電極パターンとは所定の電位差を有するようにして放射線検出器を構成する。【選択図】図３
2012013483.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁部材の第１の面上に形成されるとともに、円形状の複数の開口部を有する第１の電極パターンと、
前記絶縁部材の前記第１の面と相対向する第２の面上に形成されるとともに、前記絶縁部材を貫通し、前記第１の電極パターンの前記開口部の略中心部に先端が露出し、前記絶縁部材に端部が埋設されてなる凸状部を有する第２の電極パターンとを具え、
前記第１の電極パターンと前記第２の電極パターンとは所定の電位差を有するように設定されたことを特徴とする、ガス増幅を用いた放射線検出器。
【請求項２】
前記凸状部の前記先端は、凸状の連続した曲面状に形成されてなることを特徴とする、請求項１に記載のガス増幅を用いた放射線検出器。
【請求項３】
前記凸状部の前記先端は、前記絶縁部材の前記第１の面と平行な平面状に形成されてなることを特徴とする、請求項１に記載のガス増幅を用いた放射線検出器。
【請求項４】
前記凸状部は、ビアフィルメッキ法で形成されてなることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一に記載のガス増幅を用いた放射線検出器。
【請求項５】
絶縁部材の第１の面上に第１の電極層を形成するとともに、前記絶縁部材の前記第１の面と相対向する第２の面上に第２の電極層を形成する第１の工程と、
前記第１の電極層に対してレジスト塗布、露光、現像、及びエッチング処理を施し、前記第１の電極層において複数の加工用開口部を形成する第２の工程と、
前記第１の電極層の前記複数の加工用開口部を介して、前記絶縁部材にエネルギー線照射、又は前記絶縁部材を感光性絶縁部材とし、レジスト塗布、露光、及び現像を施すことによって、前記絶縁部材の厚さ方向において貫通孔を形成する第３の工程と、
前記貫通孔内にビアフィルメッキを施し、前記貫通孔を埋設するようにして金属メッキ層を形成する第４の工程と、
前記第１の電極層の上方において、前記金属メッキ層を除く領域にマスクを配置して、前記第１の電極層及び前記金属メッキ層に対してエッチング処理を行うことにより、前記第１の電極層において前記金属メッキ層を中心とした円形状の開口部を形成して、第１の電極パターンを形成するとともに、前記金属メッキ層からなり、前記第１の電極パターンの前記開口部の略中心部に先端が露出し、前記絶縁部材に端部が埋設されてなる凸状部と前記第２の電極層とからなる第２の電極パターンを形成する第５の工程と、  
を具えることを特徴とする、ガス増幅を用いた放射線検出器の製造方法。
【請求項６】
前記第５の工程におけるエッチング処理の時間を制御することによって、前記凸状部の前記先端を、凸状の連続した曲面状に形成することを特徴とする、請求項５に記載のガス増幅を用いた放射線検出器の製造方法。
【請求項７】
前記第５の工程におけるエッチング処理の時間を制御することによって、前記凸状部の前記先端を、前記絶縁部材の前記第１の面と平行な平面状に形成することを特徴とする、請求項５に記載のガス増幅を用いた放射線検出器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ピクセル型電極によるガス増幅を用いた放射線検出器、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガス増幅を利用した放射線検出器として、従来、ピクセル型の放射線検出器が用いられてきた。この放射線検出器は、例えば両面プリント基板の表面にストリップ状陰極電極が形成されるとともに、裏面に陽極ストリップが形成され、ストリップ状陰極電極には、一定間隔に開口部が形成されるとともに、開口部の中心には裏面の前記陽極ストリップと接続されている円柱状陽極電極、すなわちピクセル電極が形成されたような構成を採っている。
【０００３】
なお、放射線検出器は、例えばＡｒとエタンとの混合ガス中に配置される。また、ピクセル電極とストリップ状陰極電極との間には例えば６００Ｖの電圧が印加されている。
【０００４】
上記放射線検出器においては、所定の放射線が前記検出器内に入射すると、前記ガスが電離して電子を生成し、この電子は、上記ストリップ状陰極電極と上記ピクセル電極との間に印加された高電圧、及び上記ピクセル電極の点電極としての形態（形状異方性）に起因して生成される強力な電場によって、電子雪崩増幅を引き起こす。一方、電子雪崩増幅によって生じた正イオンは、周囲の前記ストリップ状陰極電極に向けてドリフトする。
【０００５】
この結果、ストリップ状陰極電極及びピクセル電極に、それぞれ正孔と電子とがチャージされる。そして、この電荷が生成されたストリップ状陰極電極及びピクセル電極の位置を検出することによって、放射線の、検出器における入射位置を特定することができ、放射線の検出が可能となる（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−６０４７号
【０００７】
上述した放射線検出器では、ピクセル電極に印加する電圧を高くすると、生成される電場の強度も増大し、上述した電子雪崩増幅が顕著になるので、ストリップ状陰極電極及びピクセル電極にチャージされる電荷量が増大して、放射線の検出感度が向上する。一方、ピクセル電極に印加する電圧を高くすると、特に、ピクセル電極とストリップ状陰極電極の、前記開口部に露出した端部との間に連続した放電が生じてしまい、これら電極を破損してしまうという問題が生じる場合がある。
【０００８】
また、ピクセル電極とストリップ状陰極電極との間に連続した放電が生じると、ピクセル電極とストリップ状陰極電極とはほぼ等電位となってしまうため、上述した電子雪崩増幅が生じず、この電子雪崩増幅に起因した放射線の検出を実質的に生ぜしめることが不可能となり、放射線検出器として機能させることができないという問題が生じていた。
【０００９】
以上のように、放射線検出器の検出感度を向上させる目的でピクセル電極に印加する電圧を高くしても、結果的に連続した放電等が生じてしまい、放射線検出器の検出感度を増大させるどころか、放射線検出器を機能させることができなくなってしまうという問題が生じてしまう場合がある。
【００１０】
一方、ピクセル電極に印加する電圧を小さくすると、上述した連続した放電は減少するが、上述した電子雪崩増幅の度合いも小さくなり、放射線の検出感度が低下してしまう。
【００１１】
かかる観点より、ピクセル電極に印加する電圧の大きさを調整する代わりに、ピクセル電極を狭小化して、生成する電場の強度を向上させることが試みられている。しかしながら、ピクセル電極はプリント基板内に形成した貫通孔内にビアフィルメッキによって形成するため、ピクセル電極を狭小化するためには、前記貫通孔も狭小化する必要がある。
【００１２】
一方、貫通孔を狭小化すると、貫通孔内に均一にビアフィルメッキを行うことができず、均一なピクセル電極を形成できずに、ピクセル電極において異常放電や絶縁破壊などの問題が生じる。したがって、ピクセル電極の狭小化は、その製造方法に依存して自ずと制限されてしまう。
【００１３】
この結果、現状では、ピクセル電極に対する印加電圧を十分に向上できないばかりか、ピクセル電極の狭小化も十分に行うことができず、上記ピクセル型の放射線検出器の検出感度を十分に向上させることができないという問題があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は、十分高い検出感度を有する新規なピクセル型の放射線検出器、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記目的を達成すべく、本発明は、
絶縁部材の第１の面上に形成されるとともに、円形状の複数の開口部を有する第１の電極パターンと、
前記絶縁部材の前記第１の面と相対向する第２の面上に形成されるとともに、前記絶縁部材を貫通し、前記第１の電極パターンの前記開口部の略中心部に先端が露出し、前記絶縁部材に端部が埋設されてなる凸状部を有する第２の電極パターンとを具え、
前記第１の電極パターンと前記第２の電極パターンとは所定の電位差を有するように設定されたことを特徴とする、放射線検出器に関する。
【００１６】
また、本発明は、
絶縁部材の第１の面上に第１の電極層を形成するとともに、前記絶縁部材の前記第１の面と相対向する第２の面上に第２の電極層を形成する第１の工程と、
前記第１の電極層に対してレジスト塗布、露光、現像、及びエッチング処理を施し、前記第１の電極層において複数の加工用開口部を形成する第２の工程と、
前記第１の電極層の前記複数の加工用開口部を介して、前記絶縁部材にエネルギー線照射、又は前記絶縁部材を感光性絶縁部材とし、レジスト塗布、露光、及び現像を施すことによって、前記絶縁部材の厚さ方向において貫通孔を形成する第３の工程と、
前記貫通孔内にビアフィルメッキを施し、前記貫通孔を埋設するようにして金属メッキ層を形成する第４の工程と、
前記第１の電極層の上方において、前記金属メッキ層を除く領域にマスクを配置して、前記第１の電極層及び前記金属メッキ層に対してエッチング処理を行うことにより、前記第１の電極層において前記金属メッキ層を中心とした円形状の開口部を形成して、第１の電極パターンを形成するとともに、前記金属メッキ層からなり、前記第１の電極パターンの前記開口部の略中心部に先端が露出し、前記絶縁部材に端部が埋設されてなる凸状部と前記第２の電極層とからなる第２の電極パターンを形成する第５の工程と、  
を具えることを特徴とする、放射線検出器の製造方法に関する。
【００１７】
本発明者らは、上記目的を達成すべく鋭意検討を実施した。その結果、従来のピクセル型放射線検出器においては、第２の電極パターンにおける凸状部から構成されるピクセル電極と、第１の電極パターンから構成されるストリップ状陰極電極との間に、例えば４００Ｖ〜７００Ｖの電圧を印加すると、第１の電極パターンの開口部に露出したピクセル電極の矩形状の端部に電界が集中し、その結果、ピクセル電極とストリップ状陰極電極との間に連続した放電が生じることを見出した。
【００１８】
したがって、本発明では、上述のようなピクセル電極を構成する第２の電極パターンにおける凸状部の端部を、第１の電極パターン及び第２の電極パターン間に存在し、その内部を凸状部が貫通する絶縁部材に埋設させるようにしている。したがって、第２の電極パターンの凸状部、すなわちピクセル電極の端部が、第１の電極パターンの開口部内に露出しなくなるので、ピクセル電極の端部に電界が集中するのを抑制することができ、その結果、ピクセル電極とストリップ状陰極電極との間の連続した放電を抑制できることを見出した。
【００１９】
このため、第１の電極パターンと第２の電極パターンの凸状部との間、すなわちストリップ状陰極電極とピクセル電極との間に高電圧を印加した場合においても、それらの間に連続した放電が生じるのを抑制することができるので、放射線検出器の検出感度を向上させることができる。
【００２０】
なお、本発明における、“第２の電極パターンの凸状部の端部を絶縁部材に埋設させる”とは、基本的には、凸状部の端部位置が、絶縁部材の第１の面の平面レベルと同一であることを意味するが、凸状部の端部位置が、絶縁部材の第１の面の平面レベルから最大で３５μｍの範囲で下方に位置する場合をも包含するものである。いずれの場合においても、上述した本発明の作用効果を同様に奏することができる。なお、後者の方が、加工上の自由度が高くなるので、製造工程をより簡易化できるという利点がある。
【００２１】
また、このような要件を満足する第２の電極パターンの凸状部は、上記製造方法で規定されているように、第５の工程におけるエッチング処理によって形成することができる。すなわち、従来、第１の電極層に対して円形状の開口部を形成して第１の電極パターン（ストリップ状陰極電極）を形成する際には、後に上記凸状部を構成することになる金属メッキ層をエッチングしないように、金属メッキ層上を覆うようなマスクを形成して配置し、エッチング処理を実施していた。
【００２２】
しかしながら、本発明では、敢えて金属メッキ層をマスクで覆うことなく露出させ、上記エッチング処理を行うようにしている。したがって、当該エッチング処理によって、第１の電極層が部分的にエッチング除去されて円形状の開口部が形成されると同時に、金属メッキ層の上部もエッチング除去されることになり、結果として、第２の電極パターンにおける凸状部の、特に端部が絶縁部材に埋設され、上記放射線検出器を製造することができるものである。
【００２３】
第５の工程で使用するエッチング処理は、ウエットエッチング処理であることが好ましい。この場合、金属材料と絶縁材料とのエッチングに際して選択制を付与することができ、上述のように、第１の電極層及び金属メッキ層のみをエッチングして、下方に位置する絶縁部材はエッチングしないようなエッチング制御を簡易に行うことができる。
【００２４】
なお、一般に、第１の電極層と金属メッキ層とのエッチング速度は異なるので、この差を利用して、例えば  第２の電極パターンにおける凸状部の先端は、凸状の連続した曲面状に形成することができ、絶縁部材の前記第１の面と平行な平面状に形成することができる。いずれの場合においても、その端部が絶縁部材に埋設されている限りにおいて、上述した本発明の作用効果を奏することができる。
【００２５】
一般には、第１の電極層のエッチング速度に対して金属メッキ層のエッチング速度が小さくなるので、例えばエッチング時間を第１の電極層に対して開口部を形成するような時間に合わせると、凸状部の先端は凸状の連続した曲面となる。また、エッチング時間を第２の電極パターンにおける凸状部の先端が平坦となるような時間に合わせると、第１の電極層に形成される開口部の大きさが設計値より大きくなってしまう場合がある。
【００２６】
この場合は、形成すべき第１の電極層の開口部に相当するマスクの開口部を小さくすることによって、マスク開口部の端に位置する部分のエッチング速度を低減させ、第１の電極層に形成される開口部の大きさを設計値通りに設定することができる。
【００２７】
なお、第２の電極パターンにおける凸状部の先端を平坦とするには、上述のようにマスクの開口部の大きさなどを制御することなく、凸状の連続した曲面状の凸状部が形成された時点でレーザ照射加工を行い、平坦な形状とすることもできる。
【００２８】
また、上記説明では、第１の電極パターンをストリップ状陰極電極とし、第１の電極パターンがアノード、ピクセル電極を構成する凸状部を有する第２の電極パターンがカソードとして記載しているが、これは背景技術に合わせて記載したことに由来するものであって、以下に説明するように、実際には、使用態様に応じて、第１の電極パターンをカソードとし、第２の電極パターンをアノードとすることもできる。
【発明の効果】
【００２９】
以上説明したように、本発明によれば、十分高い検出感度を有する新規なピクセル型の放射線検出器、及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の放射線検出器の一例における概略構成を示す平面図である。
【図２】図１に示すピクセル型放射線検出器を拡大して示す図である。
【図３】図１及び図２に示すピクセル型放射線検出器のピクセル電極周辺部分を拡大して示す断面図である。
【図４】同じく、図１及び図２に示すピクセル型放射線検出器のピクセル電極周辺部分を拡大して示す断面図である。
【図５】同じく、図１及び図２に示すピクセル型放射線検出器のピクセル電極周辺部分を拡大して示す断面図である。
【図６】同じく、図１及び図２に示すピクセル型放射線検出器のピクセル電極周辺部分を拡大して示す断面図である。
【図７】本発明の製造方法の一例における工程図である。
【図８】同じく、本発明の製造方法の一例における工程図である。
【図９】同じく、本発明の製造方法の一例における工程図である。
【図１０】同じく、本発明の製造方法の一例における工程図である。
【図１１】同じく、本発明の製造方法の一例における工程図である。
【図１２】同じく、本発明の製造方法の一例における工程図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３１】
以下、本発明の特徴及びその他の利点について、発明を実施するための最良の形態に基づいて説明する。
【００３２】
図１は、本発明の放射線検出器の一例における概略構成を示す平面図であり、図２は、図１に示すピクセル型放射線検出器を拡大して示す図であり、図３は、図１及び図２に示すピクセル型放射線検出器のピクセル電極周辺部分を拡大して示す断面図である。
【００３３】
図１に示すように、本例の放射線検出器１０は、ピクセル型放射線検出器２０を含むとともに図示しない電流検出回路等を含む。図２に示すように、ピクセル型放射線検出器２０は、検出パネル２１と、この検出パネル２１の上方において相対向するようにして設けられた電極板２２とを含んでいる。
【００３４】
図２に示すように、検出パネル２１は、絶縁部材２１１の主面２１１Ａ上に形成された、円形状の複数の開口部２１２Ａを有する第１の電極パターン２１２と、絶縁部材２１１の裏面２１１Ｂ上に形成された第２の電極パターン２１３とを含んでいる。第２の電極パターン２１３は、絶縁部材２１１を貫通し、第１の電極パターン２１２の開口部２１２Ａの略中心部に先端が露出してなる凸状部２１４を有する。なお、凸状部２１４はピクセル電極を構成する。
【００３５】
また、図３に示すように、凸状部２１４は、その先端２１４Ａが開口部２１２Ａの略中心部に露出しており、その端部２１４Ｂが絶縁部材２１１に埋設されている。具体的に、図３においては、凸状部２１４の端部２１４Ｂの位置が絶縁部材２１１の第１の面２１１Ａの平面レベルと同一となっている。
【００３６】
なお、凸状部２１４の端部２１４Ｂは絶縁部材２１１に埋設されていればよく、絶縁部材２１１の第１の面２１１Ａの平面レベルと必ずしも同一である必要はない。具体的には、凸状部２１４の端部２１４Ｂの位置が、絶縁部材２１１の第１の面２１１Ａの平面レベルから最大で３５μｍの範囲で下方に位置する場合をも包含するものである。いずれの場合においても、上述した本発明の作用効果を同様に奏することができる。なお、後者の方が、加工上の自由度が高くなるので、製造工程をより簡易化できるという利点がある。
【００３７】
したがって、第２の電極パターン２１３の凸状部２１４は、図３に示す凸状部２１４の先端２１４Ａの全体が下降して、図４に示すような態様を採ってもよい。また、以下に説明する製造方法に応じて（第１の電極パターンを構成する電極層のエッチング速度よりも凸状部を構成する金属メッキ層のエッチング速度の方が小さい）、図５に示すように、凸状部２１４の端部２１４Ｂの位置が絶縁部材２１１の第１の面２１１Ａの平面レベルと同一であり、先端２１４Ａが凸状の連続した曲面となっていてもよい。さらに、このような形状の先端２１４Ａを有する凸状部２１４の全体が下降して、図６に示すような態様を採ってもよい。
【００３８】
絶縁部材２１１の厚さｔ１は、例えば２０μｍ〜１００μｍとすることができる。また、第１の電極パターン２１２の厚さｔ２及び第２の電極パターン２１３の厚さｔ３は、それぞれ５μｍ〜１８μｍとすることができる。さらに、凸状部２１４の高さＬ１は、上述した加工誤差の範囲内で絶縁部材２１１の厚さｔ１と同じに設定することができる。また、開口部２１２Ａの直径Ｄは、例えば８０μｍ〜３００μｍとすることができ、凸状部２１４の直径ｄは、１５μｍ〜７０μｍとすることができる。
【００３９】
第１の電極パターン２１２及び第２の電極パターン２１３は、銅、金、銀、ニッケル、アルミニウム等の導電性部材から構成することができる。また、絶縁部材２１１は、絶縁性樹脂のフィルムあるいはシートから構成することができる。
【００４０】
なお、図２に示すピクセル型放射線検出器２０の検出パネル２１では、簡略化して、第１の電極パターン２１２において合計８個の開口部２１２Ａが形成され、４個づつ２列に配列されるとともに、各開口部２１２Ａ内に凸状部２１４の先端が露出し、これによって合計８個の検出電極が形成されるようにしている。しかしながら、検出電極の数及び配列方法（第１の電極パターン２１２における開口部２１２Ａ及び凸状部２１４の数及び配列方法）は、必要に応じて任意に設定することができる。
【００４１】
また、図では特に明示していないが、第２の電極パターン２１３も、第１の電極パターン２１２の配列方向と略垂直となるような方向において、ストリップ状にパターニングされている。但し、第２の電極パターン２１３は、第１の電極パターン２１２と平行でなければ、いずれの方向にパターニングされていても良い。
【００４２】
なお、第１の電極パターン２１２及び第２の電極パターン２１３間には所定の電圧、例えば４００Ｖ〜７００Ｖ程度の電圧を印加する。この場合、第１の電極パターン２１２をカソードとし、第２の電極パターン２１３をアノードとすることもできるし、第１の電極パターン２１２をアノードとし、第２の電極パターン２１３をカソードとすることもできる。
【００４３】
但し、以下に説明する電子の電子雪崩増幅を引き起こすには、第２の電極パターン２１３の凸状部２１４の点電極としての形状が極めて重要な役割を果たすようになるので、第１の電極パターン２１２をカソードとし、第２の電極パターン２１３をアノードとすることが好ましい。したがって、以下においては、第１の電極パターン２１２をカソードとし、第２の電極パターン２１３をアノードとした場合について説明する。
【００４４】
なお、検出パネル２１及び電極板２２間には、所定のガス、例えばＡｒとエタンとの混合ガスが充満している。さらに、電極板２２は所定の電圧にバイアスされている。
【００４５】
図１に示す放射線検出器１０に放射線が入射すると、放射線は混合ガスと衝突することによって前記混合ガスを電離し、電子を生成する。生成した電子は、ピクセル型放射線検出器２０における電極板２２のバイアス電圧を受けて検出パネル２１に導かれ、第１の電極パターン２１２と、第２の電極パターン２１３の凸状部２１４との間に印加された電圧に起因して生成された大きな電場によって、電子雪崩を引き起こし、凸状部２１４に溜まるようになる。一方、電子雪崩によって生じた正イオンは、凸状部２１４から周囲の第１の電極パターン２１２に向けてドリフトする。
【００４６】
この結果、第１の電極パターン２１２及び第２の電極パターン２１３の凸状部２１４にそれぞれ正孔と電子がチャージされるようになるので、凸状部２１４、すなわちピクセル電極の位置を図示しない電荷検出回路で検出することによって、放射線のピクセル型放射線検出器２０における入射位置を特定することができ、放射線の検出が可能となる。
【００４７】
一方、第２の電極パターン２１３における凸状部２１４の端部２１４Ｂは、図３又は図４〜図６に示すように、絶縁部材２１１中に埋設されている。したがって、第２の電極パターン２１３の凸状部２１４の端部２１４Ｂが、第１の電極パターン２１２の開口部２１２Ａ内に露出しなくなるので、第１の電極パターン２１２及び第２の電極パターン２１３間に高電圧を印加した場合においても、凸状部２１４の端部２１４Ｂに電界が集中するのを抑制することができる。
【００４８】
その結果、凸状部２１４の端部２１４Ｂと第１の電極パターン２１２の、特に開口部２１２Ａに露出した端面との間の連続した放電を抑制でき、放射線検出器１０の検出感度を向上させることができる。
【００４９】
次に、本発明の放射線検出器の製造方法について説明する。図７〜図１２は、図１〜図３に示す放射線検出器１０の、特にピクセル型放射線検出器２０の製造方法の一例を示す工程図である。なお、本実施形態では、図２に示すＰ−Ｐ方向に沿った断面について示している。
【００５０】
最初に、図７に示すように、例えば熱硬化性樹脂のフィルムあるいはシート等からなる絶縁部材２１１の主面２１１Ａ及び裏面２１１Ｂに、銅などの導電性部材からなる第１の電極層２１７及び第２の電極層２１８を形成する。
【００５１】
次いで、図８に示すように、第１の電極層２１７に対して、レジスト塗布、露光、現像、及びエッチング処理を施し、第１の電極層２１７において複数の加工用開口部２１７Ａを形成すると同時に電極層２１８をストリップ状とする。
【００５２】
次いで、図９に示すように、第１の電極層２１７の複数の加工用開口部２１７Ａを介して絶縁部材２１１にエネルギー線を照射し、絶縁部材２１１の厚さ方向において貫通孔２１１Ｈを形成する。なお、エネルギー線としては例えばレーザ光線を用いることができ、好ましくは炭酸ガスレーザを用いる。このガスレーザは、その波長特性から絶縁部材２１１のみに加工を施し、電極層２１８は加工しない。
【００５３】
なお、絶縁部材２１１が感光性絶縁部材からなる場合は、レジスト塗布、露光及び現像を施すことによっても、貫通孔２１１Ｈを形成することができる。
【００５４】
次いで、図１０に示すように、貫通孔２１１Ｈ内に銅などのビアフィルメッキを施し、貫通孔２１１Ｈを埋設するようにして金属メッキ層２１９を形成する。
【００５５】
次いで、図１１に示すように、金属メッキ層２１９を除くようにして、マスク部材３０を第１の電極層２１７上に形成する。例えば、マスク部材３０の開口部３０Ａが金属メッキ層２１９に位置するようにしてマスク部材３０を配置する。その後、マスク部材３０を介して、第１の金属層２１７及び金属メッキ層２１９に対してエッチング処理を施すことにより、図１２に示すように、金属メッキ層２１９を中心とした円形状の開口部２１２Ａを形成して、第１の電極パターン２１２を形成するとともに、金属メッキ層２１９からなる凸状部２１４と第２の電極層２１８とからなる第２の電極パターン２１３を形成する。
【００５６】
この際、開口部２１２Ａの形成と同時に金属メッキ層２１９の上部がエッチング除去されるので、図１２（図３）に示すように、第２の電極パターン２１２の凸状部２１４は、その端部２１４Ｂが絶縁層２１１に埋設されるようにして形成される。
【００５７】
図１１に関連する工程で使用するエッチング処理は、ウエットエッチング処理であることが好ましい。この場合、第１の金属層２１７及び金属メッキ層２１９と絶縁部材２１１とのエッチングに際して選択制を付与することができ、第１の電極層２１７及び金属メッキ層２１９のみをエッチングして、下方に位置する絶縁部材２１１はエッチングしないようなエッチング制御を簡易に行うことができる。
【００５８】
また、第１の電極層２１７と金属メッキ層２１９とのエッチング速度は異なり、一般に第１の電極層２１７のエッチング速度に対して金属メッキ層２１９のエッチング速度は小さくなる。したがって、例えばエッチング時間を第１の電極層２１７に対して開口部２１２Ａを形成するような時間に合わせると、凸状部２１４の先端２１４Ａは、図５又は図６に示すように、凸状の連続した曲面となる。また、図３又は図４に示すように、エッチング時間を第２の電極パターン２１３における凸状部２１４の先端２１４Ａが平坦となるような時間に合わせると、第１の電極層２１７に形成される開口部２１２Ａの大きさが設計値より大きくなってしまう場合がある。
【００５９】
この場合は、形成すべき第１の電極層２１７の開口部２１２Ａに相当するマスク３０の開口部３０Ａを小さくすることによって、第１の電極層２１７の、マスク開口部３０Ａの端に位置する部分のエッチング速度を低減させ、第１の電極層２１７に形成される開口部２１２Ａの大きさを設計値通りに設定することができる。
【００６０】
なお、特に図示しないものの、第２の電極パターン２１３における凸状部２１４の先端２１４Ａを平坦とするには、上述のようにマスク３０の開口部３０Ａの大きさなどを制御することなく、凸状の連続した曲面状の凸状部２１４が形成された時点で、その先端２１４Ａにレーザ照射を行って加工し、平坦な形状とすることもできる。この場合のレーザのスポット径は、先端２１４Ａの大きさ（面積の約１／４）とし、先端２１４Ａ上を複数回スキャンすることによって行う。
【００６１】
また、このような加工を行うレーザ光としては、高レーザ光強度のＹＡＧレーザなどを使用することができる。
【００６２】
以上、本発明を上記具体例に基づいて詳細に説明したが、本発明は上記具体例に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいて、あらゆる変形や変更が可能である。
【符号の説明】
【００６３】
１０  放射線検出器
２０  ピクセル型放射線検出器
２１  検出パネル
２２  電極板
２１１  絶縁部材
２１２  第１の電極パターン
２１２Ａ  第１の電極パターンの円形状開口部
２１３  第２の電極パターン
２１４  第２の電極パターンの凸状部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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