(57)【要約】【課題】半導体基板と貫通電極との絶縁を確実とする半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置１０の一方の面１４から他方の面１６に形成された電極パッド２４の裏面に到達する貫通電極１３を形成した半導体装置１０であって、他方の面１６側には第１の絶縁膜２０を介して電極パッド２４が設けられ、貫通電極１３を構成する貫通孔２１と第１の絶縁膜２０との境界面に、一方の面１４側の開口よりも大きい開口を有し、貫通電極１３を形成する際、他方の面１６側の貫通孔２１開口部内周に貫通電極１３を構成する導電材料と電極パッド２４との間に第２の絶縁膜２３を備え、貫通孔２１内壁面および第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜２２が設けられる。【選択図】図１
2012209440.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の一方の面から他方の面に貫通孔が形成され、前記貫通孔は前記他方の面側に第１の絶縁膜を介して形成された電極パッドの裏面に到達し、前記貫通孔に導電材料が充填された貫通電極を有する半導体装置であって、
前記貫通孔の前記他方の面側の開口の大きさが前記一方の面側の開口より大きくなるように形成された開口部を有し、
前記開口部の外周に第２の絶縁膜を備え、
前記貫通孔の内壁面および前記第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜が設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記第２の絶縁膜は樹脂で形成された樹脂絶縁膜により設け、前記第３の絶縁膜は化学蒸着により設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の半導体装置であって、
前記第２の絶縁膜は前記貫通孔の深さの１／２以下であり、かつ前記他方の面側の開口部の高さより高く設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１または請求項２に記載の半導体装置であって、
前記第２の絶縁膜の形成により前記一方の面の開口よりも前記他方の面側の開口を狭くし、傾斜面が設けられることを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置を実装したことを特徴とする回路基板。
【請求項６】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置を搭載したことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に係り、特に貫通電極を形成した半導体装置、この半導体装置を搭載した回路基板、および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話に代表されるように、電子情報機器では、小型化・軽量化と共に機能の高度化、高速化が進んでいる。その心臓部となるＩＣにも小型、軽量化と高機能化が求められると共に短ＴＡＴ（Ｔｕｒｎ  Ａｒｏｕｎｄ  Ｔｉｍｅ）、低コスト化を含めた高付加価値化が必要となっている。
【０００３】
一般的にシステムＬＳＩと呼ばれているものは、製品化に時間や費用を要する。また、デバイス素子、例えばＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）素子などとのデバイス素子とＩＣ融合の実装領域においても小型、軽量化が進んでおり、システム化における対応が難しくなってきている。
【０００４】
これまでのシステムパッケージング技術は、ワイヤボンディング技術を用いて三次元的にチップを積層させ実装面積の低減、パッケージの軽薄短小化を図り、合わせて高機能を実現してきたが、ワイヤボンディング技術に依存したままでは、さらなる軽薄短小化、高機能化を図ることは困難とされてきた。
【０００５】
このような実状の下、近年では、ＴＳＶ（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｓｉ  Ｖｉａ）と呼ばれる技術により、ＩＣ及びデバイス素子を構成する半導体基板に貫通孔を形成し、この貫通孔を利用して貫通電極を形成することにより、積層チップ間の電気的導通を図る上での配線距離を最短化し、システムパッケージの軽薄短小化を実現している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第３８７９８１６号公報
【特許文献２】特許第３９７０２１１号公報
【特許文献３】特開２００７−３１１５８４号公報
【特許文献４】特開２００６−１２８１７２号公報
【特許文献５】米国特許第６１８７６８５Ｂ１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記特許文献のうち、特許文献１に開示されている技術は貫通孔内面への絶縁膜の形成が困難となる可能性があり、また、中間部が拡大されている事により微細化よる配置形態の狭ピッチ化には不向きである。これに対して特許文献２に開示されている技術は、貫通孔内面への絶縁膜の形成は容易となるが、開口部が大きいためにやはり、微細化による配置形態の狭ピッチ化には不向きである。
【０００８】
また、特許文献３に開示されている技術では、量産化に際してはエッチングレートのばらつき等により、貫通孔形成時のオーバーエッチングが必須となることが考えられる。この場合、特許文献４に開示されているように、貫通孔底部と絶縁膜との間に外側に向けたエッチング隙間（以下、ノッチという）が形成されることとなる。この絶縁膜界面部分のノッチは開口部からは影となるため、貫通孔内壁面への絶縁膜形成が困難となる。また、Ｓｉ基板（シリコン基板）の厚みばらつきやエッチングレートのばらつきによりオーバーエッチング量は変動するため、ノッチ形状を制御することが難しいという問題がある。特許文献５には、ドライエッチング施工時におけるノッチの原因となる絶縁膜界面部分でのチャージをリリースする方法が提案されているが、積層チップのような貼り合せ基板では、パルス印加面と被エッチング体が同一ではないため、その効果が期待できない。
【０００９】
そこで本発明では、Ｓｉ基板に貫通電極を備えた半導体装置において、半導体基板と貫通電極との絶縁を確実とする半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【００１１】
［適用例１］本適用例にかかる半導体装置は、半導体基板の一方の面から他方の面に貫通孔が形成され、前記貫通孔は前記他方の面側に第１の絶縁膜を介して形成された電極パッドの裏面に到達し、前記貫通孔に導電材料が充填された貫通電極を有する半導体装置であって、前記貫通孔の前記他方の面側の開口の大きさが前記一方の面側の開口より大きくなるように形成された開口部を有し、前記開口部の外周に第２の絶縁膜を備え、前記貫通孔の内壁面および前記第２の絶縁膜上に第３の絶縁膜が設けられることを特徴とする。
【００１２】
本適用例によれば、貫通孔の他方の面側の開口の大きさが一方の面側の開口より大きくなるように形成された開口部を有している。この貫通孔と第１の絶縁膜との境界面にできた大きな開口部を第２の絶縁膜で埋め込み、貫通孔内壁面は第３の絶縁膜で形成することによって、貫通孔のノッチ部の絶縁性を確保し、半導体基板と貫通電極との絶縁性を確実なものとすることができる。
【００１３】
［適用例２］上記適用例にかかる半導体装置において、前記第２の絶縁膜は樹脂で形成された樹脂絶縁膜により設け、前記第３の絶縁膜は化学蒸着により設けられることが好ましい。
【００１４】
本適用例によれば、樹脂絶縁膜により、電極パッドと貫通孔の接点に形成されるノッチ部の形状によることなく、絶縁膜形成ができる。貫通孔内壁面には化学蒸着（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により良質な絶縁膜形成ができ、ノッチ部形状に依存することなく、貫通孔に絶縁膜を形成できる。
【００１５】
［適用例３］上記適用例にかかる半導体装置において、前記第２の絶縁膜は前記貫通孔の深さの１／２以下であり、かつ前記他方の面側の開口部の高さより高く設けられることが好ましい。
【００１６】
本適用例によれば、樹脂絶縁膜の流動性によりノッチ部への埋め込みが可能である。ただし、膜応力が高いため貫通孔への成膜を１／２以下にすることによって貫通孔内壁面への減らし、膜応力による膜はがれを防止することができる。従って密着力を損なわず貫通孔内壁部への絶縁膜形成ができる。
【００１７】
［適用例４］上記適用例にかかる半導体装置において、前記第２の絶縁膜の形成により前記一方の面の開口よりも前記他方の面側の開口を狭くし、傾斜面が設けられることが好ましい。
【００１８】
本適用例によれば、前記第２の絶縁膜が貫通孔内壁面および傾斜面にそって、段差が無く絶縁膜の連続性が保たれ、半導体基板と貫通電極との絶縁性を確実なものとすることができる。
【００１９】
［適用例５］本適用例にかかる回路基板は、上記適用例に記載の半導体装置を実装したことを特徴とする。
【００２０】
本適用例によれば、半導体基板と貫通電極との絶縁性を確実なものとする半導体装置が回路基板に実装され、信頼性の高い回路基板を提供できる。
【００２１】
［適用例６］本適用例にかかる電子機器は、上記適用例に記載の半導体装置を搭載したことを特徴とする。
【００２２】
本適用例によれば、半導体基板と貫通電極との絶縁性を確実なものとする半導体装置が電子機器に搭載され、信頼性が高い電子機器を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】実施形態に係る半導体装置の特徴的構成を示す部分拡大断面図である。
【図２】実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する図であって、集積回路を形成する工程を示す図である。
【図３】実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図であって、ガラスサポート接合とＳｉ基板の薄型化を示す図である。
【図４】実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図であって、Ｓｉ基板に対するレジストマスクの形成を示す図である。
【図５】実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図であって、Ｓｉ基板に対するエッチング工程を示す図である。
【図６】実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図であって、貫通孔開口の拡大を示す図である。
【図７】実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図であって、貫通孔と電極パッドを連通させる工程を示す図である。
【図８】実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図であって、貫通孔底面に樹脂絶縁膜の形成を示す図である。
【図９】実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図であって、貫通孔底面の樹脂絶縁膜を除去する工程を示す図である。
【図１０】実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図であって、貫通孔内壁面に絶縁膜を形成する工程を示す図である。
【図１１】実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図であって、貫通孔内壁面に形成した絶縁膜のボトムエッチングの様子を示す図である。
【図１２】実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図であって、貫通電極と電極パッドの形成を説明するための図である。
【図１３】実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図であって、第１の樹脂層の形成を示す図である。
【図１４】実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図であって、配線パターンを形成する様子を示す図である。
【図１５】実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための図であって、第２の樹脂層の形成を示す図である。
【図１６】ボッシュプロセスの様子を説明する図である。
【図１７】実装形態に係る半導体装置を実装した回路基板を示す図である。
【図１８】実装形態に係る半導体装置を搭載する電子機器の一例としてパーソナルコンピューターを示す図である。
【図１９】実施形態に係る半導体装置を搭載する電子機器の一例としての携帯電話を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の半導体装置、および半導体装置の製造方法、回路基板、並びに電子機器に係る実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
まず、図１を参照して本発明の半導体装置に係る第１の実施形態について説明する。なお図１は、第１の実施形態に係る半導体装置の要部を示す部分拡大断面図である。
【００２５】
本実施形態に係る半導体装置１０は、半導体基板としてのＳｉ基板（シリコン基板）１２と、このＳｉ基板１２に設けられた貫通電極（以下、ＴＳＶと称す）１３、および集積回路（不図示）の能動面に形成された再配置配線層を基本として構成されている。
【００２６】
Ｓｉ基板１２は、シリコン単結晶の（１００）面を主面として構成された基板であり、一方の面１４と他方の面１６を有する。一方の面１４と他方の面１６にはそれぞれ絶縁膜１８、第１の絶縁膜２０が形成されている。絶縁膜１８、第１の絶縁膜２０の種類は例えば酸化シリコン（ＳｉＯ2）であれば良く、場合によっては他の絶縁材料であっても良い。
【００２７】
他方の面１６には、第１の絶縁膜２０を介して電極パッド２４が形成されている。電極パッド２４の構成材料は、再配置配線層２６を構成する配線パターンに使用される金属であれば良く、例えばアルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金（Ａｌ合金）、または銅（Ｃｕ）などを挙げることができる。
【００２８】
ＴＳＶ１３は一方の面１４から電極パッド２４の裏面にかけて形成されている。ＴＳＶ１３は貫通孔２１と第２の絶縁膜２３、第３の絶縁膜２２、および導電性金属２７により構成されている。貫通孔２１はＳｉ基板１２に対し、一方の面１４から他方の面１６に形成された第１の絶縁膜２０にかけて形成されている。貫通孔２１の他方の面１６の開口部は一方の面１４側の開口より大きな開口が形成される。
【００２９】
貫通孔２１は上述した電極パッド２４と垂直方向に重なる位置に形成され、一方の面１４から他方の面１６にかけて貫通孔２１の内壁面に沿って第２の絶縁膜２３、第３の絶縁膜２２が形成されている。絶縁膜は、第２の絶縁膜２３は樹脂で形成された樹脂絶縁膜により設け、第３の絶縁膜２２は化学蒸着（ＣＶＤ）等の蒸着法とすることが望ましい。なお、樹脂絶縁膜の材料としてポリイミド系の樹脂が用いられる。
このようにすれば、一方の面１４から先に第２の絶縁膜２３を形成することで他方の面１６の大きな開口部に隙間なく絶縁膜を形成することができる。次に第３の絶縁膜２２を内壁面に形成するが、先の第２の絶縁膜２３により他方の面１６の大きな開口部の形状に依存することなく確実に絶縁膜を形成することが可能となる。
【００３０】
貫通孔２１の内部に形成された第３の絶縁膜２２の内側には、導電材料としてＣｕなどの導電性金属２７が配置されている。導電性金属２７は、一方の面１４側の開口部では、絶縁膜１８を介して電極パッド２８を形成し、実装側電極を構成するためのパターンの基点を構成する。一方、他方の面１６側の開口部では、電極パッド２４に接続されており、その役割として一方の面１４に形成した電極パッド２８と、他方の面１６に形成された電極パッド２４との電気的導通を図ることとなる。
【００３１】
一方の面１４側に形成された電極パッド２８の周囲には、第１の樹脂層３０が形成され、半導体装置１０の仕様に応じた再配置配線を行うための配線パターン３２が形成された後、実装用の外部パッドを除く全面に第２の樹脂層３４が形成されて、配線パターン３２の保護を図っている。ここで、第１の樹脂層３０と第２の樹脂層３４は共にパッシベーション膜としての役割を担い、その構成材料としては例えば、第１の樹脂層３０としてポリイミド系の樹脂、第２の樹脂層３４としてソルダーレジストを採用することを挙げることができる。
【００３２】
次に、上記のような特徴的構成を持つ半導体装置の製造方法について図２〜図１５を参照して説明する。
【００３３】
まず、図２に示すように、Ｓｉ基板１２の他方の面１６に集積回路（不図示）を形成する。集積回路の外側領域であって、Ｓｉ基板１２の縁辺近傍に第１の絶縁膜２０を介して電極パッド２４を形成し、再配置配線層２６を形成する。第１の絶縁膜２０の形成はＣＶＤによれば良い。
次に図３に示すように他方の面１６に再配置配線層２６を形成したＳｉ基板１２に対し、再配置配線層２６の上面に樹脂層（不図示）を形成してガラスサポート５０を接合する。ここで、ガラスサポート５０はＳｉ基板１２を加工する際の機械的強度を補う役割を担い、樹脂層はＳｉ基板１２とガラスサポート５０との接合に加え、再配置配線層２６の凹凸を平坦化して接合時に負荷される応力を分散させる応力緩和層としての役割を担う。
【００３４】
Ｓｉ基板１２にガラスサポート５０を接合後、Ｓｉ基板１２を反転させ、研削または研磨により、Ｓｉ基板１２を薄型化する。これにより、Ｓｉ基板の厚みがボッシュプロセスを利用した垂直孔開け加工の許容厚み範囲内とすることができる。
【００３５】
Ｓｉ基板１２の薄型化が終了した後、図４に示すようにＳｉ基板１２における一方の面１４に対してレジストマスク５２を形成する。レジストマスク５２の形成は、スピンコート法、ディッピング法、スプレーコート法等の方法によりフォトレジスト、電子線レジスト、Ｚ線レジスト等のレジスト材料による膜をＳｉ基板１２上に形成しこれをパターン形成すれば良い。レジストマスクのパターニングは、プリベークして溶剤を飛ばしたレジスト膜に対して所望するパターンに合ったマスクを利用してレジスト膜を感光、現像することにより成される。感光、現像に際しては、それぞれのレジスト材料に合ったエネルギーの照射、およびレジスト材料にあったエッチング液によるエッチングによれば良い。
【００３６】
次に図５に示すように、レジストマスク５２の開口部に晒されたＳｉ基板１２をエッチングガスによりドライエッチングし、Ｓｉ基板１２に貫通孔形成開口部２１ａを形成する。
【００３７】
ドライエッチングのプロセスは、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）で行えば良く、さらに具体的には、深堀ＲＩＥ（ＤｅｅｐＲＩＥ）を行うためのボッシュプロセス（Ｂｏｓｃｈ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）を用いることが望ましい。ボッシュプロセスは、エッチングとエッチングにより形成した開口部の側壁保護を繰り返しながら行うエッチングプロセスであり、アスペクト比の高いエッチングが可能となる。
【００３８】
ボッシュプロセスの具体的な工程について図１６を参照して説明する。まず、Ｓｉ基板のエッチングを行うチャンバー内にＳＦ6ガスを充填し、電磁波などを与えてプラズマ化する（ステップ１：図１６（ａ））。プラズマ化したＳＦ6ガス中のラジカル種が、レジストマスクの開口部に晒されたＳｉ基板を等方性エッチングし、イオン種がＳｉ基板の厚み方向へ向かう異方性エッチングを行うことでエッチング部を構成する（ステップ２：図１６（ｂ））。次にチャンバー内にＣ4Ｆ8などのポリテトラフルオロエチレン（ＰＥＦＥ）系ガス（ＣＦ系ガス）を充填してエッチング部に保護膜を形成する（ステップ３：図１６（ｃ））。次いでＳＦ6ガスによるドライエッチングでは、プラズマ化したＳＦ6ガス中のイオン種がスパッタリングによりエッチング部底面に形成された保護膜を破壊し、等方性エッチングと異方性エッチングとによるエッチング部の形成が成される（ステップ４：図１６（ｄ））。この後、ステップ３と同様に、Ｃ4Ｆ8ガスによる保護膜の形成を行い（ステップ５：図１６（ｅ））、さらにＳＦ6ガスによるエッチング工程を繰り返すことで、アスペクト比の高い深堀が実現される（ステップ６：図１６（ｆ））。
【００３９】
このような工程によれば、エッチングと側壁保護の繰り返し回数と１回のエッチングでのエッチングレートに基づきＳｉ基板のエッチング深さを算出することができる。なお、ボッシュプロセスによらないドライエッチングでＳｉ基板のエッチングを行う場合には、エッチングガスに依存したＳｉ基板のエッチングレートによりＳｉ基板のエッチング深さを算出することができる。
【００４０】
Ｓｉ基板１２を薄型化した際のＳｉ基板１２の厚みばらつき、ならびにドライエッチングのエッチレートのばらつきにより貫通孔２１の形成時において他方の面に到達する時間には差がある。貫通孔２１の底面が先に晒された開口はエッチングが図６のように第１の絶縁膜２０の界面にそってエッチングし、Ｓｉ基板１２の一方の面の開口に比べ開口が大きくなる。
【００４１】
次に、貫通孔２１を形成した後は、貫通孔２１の底面として晒された他方の面１６側の第１の絶縁膜２０をエッチングし、貫通孔２１の底面に電極パッドを晒させる。本実施形態のように、絶縁膜をＳｉＯ2とした場合、エッチングはＣＦ系ガス（例えばＣＦ4ガス）を用いたドライエッチングとすれば良い。
【００４２】
そして、図７に示すように一方の面１４に形成したレジストマスク５２を剥離する。
【００４３】
続いて、図８に示すように一方の面から樹脂をスピンコート法、インクジェット法などにより流し込み、貫通孔２１の底面に第２の絶縁膜２３を形成する。樹脂の流動性のある特性によりＳｉのエッチングばらつきにより形成された第１の絶縁膜２０の界面にそった開口に絶縁膜を隙間なく形成するとともに貫通孔２１の内側に向けて凸となる傾斜を形成できる。
【００４４】
次に、図９に示すように貫通孔２１底面の第２の絶縁膜２３を除去し電極パッド２４を晒す。貫通孔２１底面の第２の絶縁膜２３の除去は第２の絶縁膜２３樹脂を感光性樹脂にすることでパターニング法が可能となる。また、異方性のあるドライエッチング法でも除去することが可能である。貫通孔２１内壁の第２の絶縁膜２３の樹脂は貫通孔の深さの１／２以下が望ましく、先のドライエッチング法により可能となる。
【００４５】
次に第３の絶縁膜２２の形成は、ＣＶＤによれば良い。ＣＶＤにより形成される第３の絶縁膜２２は図１０に示すように、Ｓｉ基板における一方の面１４、貫通孔２１の側壁、および貫通孔２１の底面に形成されることとなる。なお、ＣＶＤで形成する第３の絶縁膜２２は、ＳｉＯ2であれば良い。図１０に示すように貫通孔の側面に形成された絶縁膜は、他方の面における開口部付近では先の第２の絶縁膜２３により形成された傾斜部に沿って形成されることとなり、微小狭隘な貫通孔２１の底部においても確実に形成が成されることになる。
【００４６】
形成した第３の絶縁膜２２に対し、貫通孔底面の絶縁膜をエッチングするボトムエッチングを施す。これにより図１１に示すように、電極パッド２４と貫通孔２１を連通させつつＳｉ基板１２と電極パッド２４との間の絶縁を図ることができる。なお、ボトムエッチングは上記と同様に、ＣＦ系ガスによるドライエッチングによれば良い。
【００４７】
次に図１２に示すように、第３の絶縁膜２２を形成した貫通孔２１の内部にメッキを施し、導電性金属２７を形成し、貫通電極１３を構成する。貫通孔２１の内部に対するメッキは、物理蒸着（ＰＶＤ：Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）イオンプレーティングやスパッタリングによれば良い。このような技術を用いてＳｉ基板１２における一方の面１４側全面に金属膜を形成し、必要な電極パッド２８形成部分のみを残すようにエッチングを施すことで導電性金属２７および電極パッド２８を有する貫通電極１３を形成することができる。
【００４８】
電極パッド２８を形成した一方の面１４側の開口部周囲には、図１３に示すように第１の樹脂層３０を形成する。第１の樹脂層３０の形成は、例えばスピンコート法による膜形成と、エッチングによるパターン形成によれば良い。
その後、図１４に示すように、樹脂層上には半導体装置の仕様に応じた配線パターン３２を形成する。
配線パターンを形成した後、図１５に示すように、第２の樹脂層３４による保護膜の形成が成される。
【００４９】
なお、本発明に係る半導体装置１０としては、上記実施形態に示したような特徴を有する半導体装置１０を複数積層してチップ化したものであっても良い。
【００５０】
以上、本実施形態の半導体装置１０は、貫通孔２１と第１の絶縁膜２０との境界面にできた大きな開口部を第２の絶縁膜２３で埋め込み、貫通孔２１内壁面は第３の絶縁膜２２で形成することによって、貫通孔２１のノッチ部の絶縁性を確保し、Ｓｉ基板１２と貫通電極１３との絶縁性を確実なものとすることができる。
【００５１】
また、樹脂絶縁膜により貫通孔２１のノッチ部の形状によることなく絶縁膜形成ができる。貫通孔２１内壁面にはＣＶＤにより良質な絶縁膜形成ができ、ノッチ部形状に依存することなく、貫通孔２１に絶縁膜を形成できる。
さらに、樹脂絶縁膜の流動性によりノッチ部への埋め込みが可能である。ただし、膜応力が高いため貫通孔２１への成膜を１／２以下にすることによって貫通孔２１内壁面への減らし、膜応力による膜はがれを防止することができる。従って密着力を損なわず貫通孔２１内壁部への絶縁膜形成ができる。
【００５２】
図１７は、本発明に係る半導体装置１０を実装した回路基板１００を示す図である。回路基板１００には、例えばガラスエポキシ基板等の有機系基板を用いることができる。回路基板１００には、銅やアルミ、金などの導電性金属からなる配線パターン（不図示）が形成されており、これらの配線パターンと半導体装置１０とをバンプ１１０等を介して電気的、物理的に接続することにより構成される。
【００５３】
本発明に係る電子機器の一例として、図１８に示すパーソナルコンピューター１５０や、図１９に示す携帯電話１６０等を挙げることができる。いずれも上記実施形態に示した半導体装置１０を内部機器として搭載していることを特徴とする。
【符号の説明】
【００５４】
１０…半導体装置、１２…Ｓｉ基板、１３…貫通電極、１４…一方の面、１６…他方の面、１８…絶縁膜、２０…第１の絶縁膜、２１…貫通孔、２２…第３の絶縁膜、２３…第２の絶縁膜、２４…電極パッド、２６…再配置配線層、２７…導電性金属、２８…電極パッド（上部）、３０…第１の樹脂層、３２…配線パターン、３４…第２の樹脂層、５０…ガラスサポート、５２…レジストマスク。
【図１】
2012209440.tif 000003
【図２】
2012209440.tif 000004
【図３】
2012209440.tif 000005
【図４】
2012209440.tif 000006
【図５】
2012209440.tif 000007
【図６】
2012209440.tif 000008
【図７】
2012209440.tif 000009
【図８】
2012209440.tif 000010
【図９】
2012209440.tif 000011
【図１０】
2012209440.tif 000012
【図１１】
2012209440.tif 000013
【図１２】
2012209440.tif 000014
【図１３】
2012209440.tif 000015
【図１４】
2012209440.tif 000016
【図１５】
2012209440.tif 000017
【図１６】
2012209440.tif 000018
【図１７】
2012209440.tif 000019
【図１８】
2012209440.tif 000020
【図１９】
2012209440.tif 000021