(57)【要約】【課題】研削時のチャックテーブル吸着性に優れ、薄厚研削においても半導体ウエハが割れることがなく、また、そのときの反り量や撓み量についても抑制することが可能となる半導体ウエハ加工用粘着テープを提供する。【解決手段】基材上に粘着剤層が積層されており、前記基材が、ポリエステル層および、ポリオレフィン層を含む２層以上からなり、前記基材の最外層がポリオレフィン層であることを特徴とする半導体ウエハ加工用粘着テープである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に粘着剤層が積層されており、
前記基材が、ポリエステル層およびポリオレフィン層を含む２層以上からなり、
前記基材の最外層が前記ポリオレフィン層であることを特徴とする半導体ウエハ加工用粘着テープ。
【請求項２】
前記ポリオレフィン層の外表面の表面粗さが、０．０１〜２μｍであることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエハ加工用粘着テープ。
【請求項３】
前記ポリエステル層の２５℃における引張弾性率が、２〜１０ＧＰａであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体ウエハ加工用粘着テープ。
【請求項４】
前記ポリエステル層が、ポリエチレンテレフタレートからなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体ウエハ加工用粘着テープ。
【請求項５】
前記ポリオレフィン層の２５℃における引張弾性率が、０．０１〜１ＧＰａであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体ウエハ加工用粘着テープ。
【請求項６】
前記ポリエステル層の厚さが、２０〜１００μｍであることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体ウエハ加工用粘着テープ。
【請求項７】
前記ポリオレフィン層の厚さが、５〜２００μｍであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体ウエハ加工用粘着テープ。
【請求項８】
前記基材の合計厚さが、８０〜３００μｍであることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体ウエハ加工用粘着テープ。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体ウエハ加工用粘着テープを半導体ウエハのパターン形成面に貼合する工程と、
前記半導体ウエハを１０〜１００μｍ厚まで裏面を研削する工程と、を
具備することを特徴とする半導体ウエハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウエハ等の半導体装置を製造するにあたり、ウエハの加工のために使用される半導体ウエハ加工用粘着テープであって、特に、バックグラインディング工程において半導体ウエハを薄厚化する際に用いる半導体ウエハ表面保護用粘着テープに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハの製造工程においては、パターン形成後のウエハは、通常、その厚さを薄くするため、ウエハ裏面にバックグライディング、エッチング等の処理を施す。この際、半導体ウエハ表面のパターンを保護する目的で該パターン面に表面保護用粘着テープが用いられる。
【０００３】
また、近年の高密度実装技術の進歩に伴い、半導体チップを小型化させることを目的とした半導体ウエハ薄厚化技術が進んでおり、半導体ウエハを１００μｍ以下に、場合によっては５０μｍ以下まで薄厚化することが要求されるようになってきている。しかし、薄厚化したウエハはそれ自体が剛性に乏しく、ウエハ研削時の残留応力による反り量が大きくなり、場合によっては反りが原因でウエハを損傷させてしまうことや、撓み量が大きいことによりウエハカセット収納や加工時の搬送が困難となるという問題点が発生する可能性がある。このような反りや撓みを矯正するには剛性の高い半導体ウエハ表面保護テープを用いることが有力であり、その基材としては剛性が高く、ハンドリング性に優れるポリエステル系フィルムを用いることが好まれる（特許文献１、２を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−０６７４５４号公報
【特許文献２】特開２０１０−０８３９３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ポリエステル系基材はその剛性および表面の平滑性ゆえ、バックグラインディングを行う際の固定具であるチャックテーブルへの負圧吸着性が悪く、バックグラインディング時の加工応力により半導体ウエハが十分に固定されないことによる半導体ウエハの損傷が懸念される。特に薄厚研削時にはそれが原因でウエハを損傷させてしまう可能性があるため、薄厚研削を行った場合においても半導体ウエハの割れがなく、研削後の反り量や撓み量を抑制することが望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記のような課題を解決すべくなされたものであり、その目的とすることは、チャックテーブル吸着性に優れ、薄厚研削を行った場合においても半導体ウエハの割れがなく、研削後の反り量を抑制することができ、カセット収納や搬送に問題ないレベルにまで半導体ウエハの撓み量を抑制することが可能な半導体ウエハ加工用粘着テープを提供することである。
【０００７】
本発明者等は、上記目的を達成するために鋭意検討した結果、剛性に優れるポリエステル層の外層に、チャックテーブル吸着性に優れるポリオレフィン層を積層した複層基材を適用することで、薄膜研削においてもウエハが割れることなく、また、そのときの反り量や撓み量も抑制することが可能となることを見出した。本発明は、この知見に基づきなされたものである。
【０００８】
すなわち本発明は、以下の半導体ウエハ加工用粘着テープなどを提供するものである。
（１）基材上に粘着剤層が積層されており、前記基材が、ポリエステル層およびポリオレフィン層を含む２層以上からなり、前記基材の最外層が前記ポリオレフィン層であることを特徴とする半導体ウエハ加工用粘着テープ。
（２）前記ポリオレフィン層の外表面の表面粗さが、０．０１〜２μｍであることを特徴とする（１）に記載の半導体ウエハ加工用粘着テープ。
（３）前記ポリエステル層の２５℃における引張弾性率が、２〜１０ＧＰａであることを特徴とする（１）または（２）に記載の半導体ウエハ加工用粘着テープ。
（４）前記ポリエステル層が、ポリエチレンテレフタレートからなることを特徴とする（１）〜（３）のいずれかに記載の半導体ウエハ加工用粘着テープ。
（５）前記ポリオレフィン層の２５℃における引張弾性率が、０．０１〜１ＧＰａであることを特徴とする（１）〜（４）のいずれかに記載の半導体ウエハ加工用粘着テープ。
（６）前記ポリエステル層の厚さが、２０〜１００μｍであることを特徴とする（１）〜（５）のいずれかに記載の半導体ウエハ加工用粘着テープ。
（７）前記ポリオレフィン層の厚さが、５〜２００μｍであることを特徴とする（１）〜（６）のいずれかに記載の半導体ウエハ加工用粘着テープ。
（８）前記基材の合計厚さが、８０〜３００μｍであることを特徴とする（１）〜（７）のいずれかに記載の半導体ウエハ加工用粘着テープ。
（９）（１）〜（８）のいずれかに記載の半導体ウエハ加工用粘着テープを半導体ウエハのパターン形成面に貼合する工程と、前記半導体ウエハを１０〜１００μｍ厚まで裏面を研削する工程と、を具備することを特徴とする半導体ウエハの加工方法。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の半導体ウエハ加工用粘着テープは、研削時のチャックテーブル吸着性に優れ、薄厚研削においても半導体ウエハが割れることがなく、また、そのときの反り量や撓み量についても抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の半導体ウエハ加工用粘着テープの一実施態様を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態を詳細に説明する。本発明の半導体ウエハ加工用粘着テープ１は、ポリエステル層７とポリオレフィン層９を含む２層以上からなる基材５上に粘着剤層３が積層され、必要に応じて、更に粘着剤層３上に剥離フィルムが積層してなる。半導体ウエハ加工用粘着テープ１は、例えば、剥離フィルム上に粘着剤層組成物を塗布、乾燥して得られる粘着剤層３を、基材５上へと転写することや、粘着剤層組成物を基材５へと直接塗布することにより製造することができる。
【００１２】
〔基材〕
本発明の半導体ウエハ加工用粘着テープを構成する基材について説明する。本発明における基材は、ポリエステル層およびポリオレフィン層を含む２層以上からなり、ポリオレフィン層を最外層に有することを特徴とする。なお、ポリオレフィン層が最外層にあり、ポリエステル層を有する限り、基材は他の層を含んでも良い。
【００１３】
［ポリエステル層］
ポリエステル層を構成するポリエステルとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリブチレンテレフタレート等が挙げられる。また、これらを複層にしたものを用いてもよい。ポリエステル層の２５℃における引張弾性率としては２〜１０ＧＰａとすることが好ましく、２〜５ＧＰａとすることがより好ましい。引張弾性率が２ＧＰａ以上であれば薄厚化した半導体ウエハの反りの矯正に十分であり、また半導体ウエハからの半導体ウエハ加工用粘着テープの剥離性の面から引張弾性率が１０ＧＰａ以下であることが好ましい。特に、コストや剛性の面からポリエチレンテレフタレートを用いることが望ましい。
ポリエステル層の厚みは、反りおよび撓みの強制力、紫外線透過性、テープのカット性、熱による収縮の観点から２０〜１００μｍが適当であり、更に２０〜５０μｍであるものが好ましく、２５〜４０μｍであることがより好ましい。
【００１４】
ポリエステル層の片面もしくは両面に、粘着剤層との接着性を向上させるために、コロナ処理、あるいはプライマー層を設ける等の処理を適宜施すことが望ましい。
【００１５】
［ポリオレフィン層］
本発明においてはポリエステル層を含む基材の最外層としてポリオレフィン層を有する。ポリオレフィン層としてはチャックテーブルへの吸着性が優れるものがよく、研削性に悪影響を及ぼさないものが望ましい。例えば、ポリオレフィンとしてはポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマー等のα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物等を挙げることができる。ポリオレフィン層の２５℃における引張弾性率としては０．０１〜１ＧＰａとすることが好ましく、０．０５〜１ＧＰａとすることがより好ましい。
ポリオレフィン層の厚みは、紫外線透過性、テープのカット性、熱による収縮の観点から、５〜２００μｍが適当であり、更に４０〜１００μｍが好ましい。
【００１６】
ポリオレフィン層の、ポリエステル層が設けられない側の表面をシボ加工もしくは滑剤コーティングすることが好ましく、これによって、ブロッキング防止等の効果が得られる。さらに、チャックテーブル吸着性の面から、ポリオレフィン層の、ポリエステル層が設けられない側の表面（ポリオレフィン層の外表面）における表面粗さ（算術平均粗さ、Ｒａ）が０．０１〜２μｍであることが好ましく、０．１〜１．２μｍがより好ましい。
【００１７】
積層基材は、例えば、ポリエステル層とポリオレフィン層を粘着剤もしくはドライラミネートにより積層することができる。粘着剤により積層する場合にはポリエステル層およびポリオレフィン層の積層される面にコロナ処理あるいはプライマー層を設ける等の処理を適宜施すことが望ましい。また、積層した基材の合計厚さが（厚さに剥離フィルムは含まない）、８０〜３００μｍであることが好ましく、８０〜２５０μｍがより好ましく、８０〜２２５μｍがさらに好ましい。
【００１８】
［中間樹脂層］
また積層基材と後述の粘着剤層との間に中間樹脂層を設けてもよい。
本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、例えば、剥離フィルム上に中間樹脂層を構成する組成物を塗布、乾燥して得られる中間樹脂層を、基材上へ転写することや、中間樹脂層組成物を基材へ直接塗布することで中間樹脂層を形成し、その後、中間樹脂層上へ同様にして粘着剤層を転写することや、直接塗布することにより製造することができる。
【００１９】
本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着テープの中間樹脂層により、基材に対してクッション性を持たせることができる。中間樹脂層は、好ましくは粘着剤層より高弾性率であるものがよい。中間樹脂層の８０℃における貯蔵弾性率は、粘着剤層の８０℃における貯蔵弾性率よりも大きいことが好ましい。
常温での剛性をもたせるために中間樹脂層のＤＳＣによるガラス転移点（Ｔｇ）の好ましい範囲は、−３０℃〜５０℃であり、より好ましくは−１５℃〜２０℃である。中間樹脂層は、例えば、粘着剤成分と硬化剤成分とを含む中間樹脂層組成物を基材上に塗工した後、硬化させることによって設けることができる。中間樹脂層組成物には、室温で１週間程度放置することによって徐々に硬化し、好ましい範囲の弾性率となるような材料を用いることが好ましい。中間樹脂層を硬くする方法としては、中間樹脂層組成物に使用される粘着成分のガラス転移点（Ｔｇ）を高くする、中間樹脂層組成物に添加される硬化成分量を多く配合する、中間樹脂層組成物に無機化合物フィラーを加える等の方法が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
また、中間樹脂層組成物に放射線照射によって硬化する材料を使用し、放射線照射によって硬化させて中間樹脂層の硬さを調整してもよい。中間樹脂層の厚さは、裏面研削工程でのクッション性の観点から、好ましくは１０〜２００μｍであり、更に好ましくは２０〜１００μｍであり、より好ましくは３０〜８０μｍである。中間樹脂層が薄すぎると裏面研削工程時のクッション性が小さくなり、中間樹脂層が厚すぎると本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着テープを剥離する際に問題が生じる場合があるため、好ましくない。なお、中間樹脂層は複数の層が積層された構成であってもよい。
【００２０】
中間樹脂層組成物のベース樹脂は、耐熱性の観点から、アクリル系重合体を用いることが好ましい。アクリル系重合体としては、例えば、（メタ）アクリル酸エステル単量体や（メタ）アクリル酸誘導体から導かれる構成単位とからなる（メタ）アクリル酸エステル共重合体が挙げられる。ここで（メタ）アクリル酸エステル単量体としては、例えば、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、（メタ）アクリル酸ベンジルエステル、アルキル基の炭素数が１〜１８である（メタ）アクリル酸アルキルエステルが挙げられる。特に、架橋点間距離増大による可とう性向上の観点からメタクリル酸ｎ−ブチル（ｎ−ＢＭＡ）が好ましい。また、（メタ）アクリル酸誘導体としては、例えば、水酸基を有するヒドロキシエチルアクリレートを挙げることができる。中間樹脂層組成物は、アクリル系重合体を主成分とすることが好ましい。主成分とは、樹脂組成物中５０質量％を越えるものをいう。アクリル系重合体は、中間樹脂層組成物中７０質量％以上であることが好ましい。残りの成分としては、粘着剤成分と相溶性がよく、粘着性に問題が生じないものであれば、他の樹脂を配合することができる。
【００２１】
前記のアクリル系重合体を主成分とするベース樹脂を架橋することにより、前記中間樹脂層に凝集力を付加することができる。そのため、中間樹脂層組成物には、架橋剤を配合することが好ましい。架橋剤としては、ベース樹脂に対応して、例えばイソシアネート系架橋剤、イソシアヌレート系架橋剤、エポキシ系架橋剤、金属キレート系架橋剤、アジリジン系架橋剤及びアミン樹脂などが挙げられる。さらに、中間樹脂層組成物には、本発明の目的が損なわれない範囲で、所望により、各種添加成分を含有させることができる。
【００２２】
〔粘着剤層〕
積層基材に粘着剤層が形成され、本発明の半導体ウエハ加工用粘着テープが製造される。本発明における粘着剤組成物は、特に限定されるものではないが、バックグラインディング工程時にウエハ割れを起こさない、パターン表面が研削時のダスト浸入で汚染されない程度の密着性をもっているものが好ましい。更には、半導体ウエハの薄厚化に伴って粘着剤の紫外線硬化収縮によりウエハ割れが発生する危険もあるため、紫外線硬化後の収縮が小さいもの、加熱工程により発生するガスが少ないもの、放射線硬化型粘着テープの場合には、加熱工程を経た後でも放射線照射により十分に粘着力が低下するものがよい。例えば、本発明実施例に挙げたような、分子中にヨウ素価０．５〜２０の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）と、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれる化合物（Ｂ）とを含むアクリル系粘着剤を用いることができる。
【００２３】
粘着剤層の主成分の１つである化合物（Ａ）について説明する。前記化合物（Ａ）の放射線硬化性炭素−炭素二重結合の好ましい導入量は、ヨウ素価で０．５〜２０、より好ましくは０．８〜１０である。ヨウ素価が０．５以上であると、放射線照射後の粘着力の低減効果を得ることができ、ヨウ素価が２０以下であれば、化合物（Ａ）そのものに安定性があり、製造が容易となる。上記化合物（Ａ）は、ガラス転移点（Ｔｇ）が−７０℃〜０℃であることが好ましい。ガラス転移点（Ｔｇ）が−７０℃以上であれば、放射線照射に伴う熱に対する耐熱性が十分である。
【００２４】
上記化合物（Ａ）はどのようにして製造されたものでもよいが、例えば、アクリル系共重合体またはメタクリル系共重合体等の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有し、かつ、官能基をもつ化合物（（１））と、その官能基と反応し得る官能基をもつ化合物（（２））とを反応させて得たものが用いられる。このうち、前記の放射線硬化性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物（（１））は、アクリル酸アルキルエステルまたはメタクリル酸アルキルエステル等の放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体（（１）−１）と、官能基を有する単量体（（１）−２）とを共重合させて得ることができる。
【００２５】
単量体（（１）−１）としては、炭素数６〜１２のヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレート、または炭素数５以下の単量体である、ペンチルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、エチルアクリレート、メチルアクリレート、またはこれらと同様のメタクリレート等を列挙することができる。単量体（（１）−１）として、炭素数の大きな単量体を使用するほどガラス転移点は低くなるので、所望のガラス転移点のものを作製することができる。また、ガラス転移点の他、相溶性と各種性能を上げる目的で酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等の炭素−炭素二重結合をもつ低分子化合物を配合することも単量体（（１）−１）の総質量の５質量％以下の範囲内で可能である。
【００２６】
単量体（（１）−２）が有する官能基としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基等を挙げることができ、単量体（（１）−２）の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基および放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したもの等を列挙することができる。
【００２７】
化合物（（２））において、用いられる官能基としては、化合物（（１））、つまり単量体（（１）−２）の有する官能基が、カルボキシル基または環状酸無水基である場合には、水酸基、エポキシ基、イソシアネート基等を挙げることができ、水酸基である場合には、環状酸無水基、イソシアネート基等を挙げることができ、アミノ基である場合には、エポキシ基、イソシアネート基等を挙げることができ、エポキシ基である場合には、カルボキシル基、環状酸無水基、アミノ基等を挙げることができ、具体例としては、単量体（（１）−２）の具体例で列挙したものと同様のものを列挙することができる。
【００２８】
化合物（（１））と化合物（（２））の反応において、未反応の官能基を残すことにより、酸価または水酸基価等の特性に関して、本発明で規定するものを製造することができる。上記の化合物（Ａ）の合成において、反応を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトン等の、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点６０〜１２０℃の溶剤が好ましく、重合開始剤としては、α，α′−アゾビスイソブチルニトリル等のアゾビス系、ベンゾイルペルオキシド等の有機過酸化物系等のラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の化合物（Ａ）を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。なお、この反応は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合など別の方法でもさしつかえない。
【００２９】
以上のようにして、化合物（Ａ）を得ることができるが、本発明において、化合物（Ａ）の分子量は、３０万〜１５０万程度が好ましい。３０万未満では、低分子量成分によるウエハ表面汚染が生じやすくなる。この汚染を、極力防止するためには、分子量が、４０万以上である方が好ましい。また、分子量が１５０万を越えると、合成時および塗工時にゲル化する可能性がある。なお、化合物（Ａ）が、水酸基価５〜１００となるＯＨ基を有すると、放射線照射後の粘着力を減少することによりテープ剥離不良の危険性を更に低減することができるので好ましい。なお、ヨウ素価は、Ｗｉｊｓ法に基づき算出したものであり、分子量は、テトラヒドロフランに溶解して得た１％溶液を、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ウオータース社製、商品名：１５０−Ｃ  ＡＬＣ／ＧＰＣ）により測定した値をポリスチレン換算の質量平均分子量として算出したものである。また、水酸基価は、ＦＴ−ＩＲ法にて算出したものであり、酸価は、ＪＩＳ  Ｋ  ５４０７の１１．１に準じて算出したものである。
【００３０】
次に、粘着剤層のもう１つの主成分である化合物（Ｂ）について説明する。化合物（Ｂ）は、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれる化合物であり、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することができる。この化合物（Ｂ）は架橋剤として働き、化合物（Ａ）と反応した結果できる架橋構造により、化合物（Ａ）および（Ｂ）を主成分とした粘着剤の凝集力を、粘着剤塗布後に向上することができる。ポリイソシアネート類としては、特に制限がなく、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４′−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート、４，４′−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４′−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４′−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等を挙げることができ、具体的には、市販品として、コロネートＬ（日本ポリウレタン（株）製）等を用いることができる。また、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、具体的には、市販品として、ニカラックＭＸ−４５（三和ケミカル社製）、メラン（日立化成工業株式会社製）等を用いることができる。更に、エポキシ樹脂としては、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ（三菱化学株式会社製）等を用いることができる。本発明においては、特にポリイソシアネート類を用いることが好ましい。（Ｂ）の添加量としては、化合物（Ａ）１００質量部に対して０．１〜１０質量部とすることが好ましく、０．４〜３質量部とすることがより好ましい。その量が０．１質量部未満では凝集力向上効果が十分でない傾向があり、１０質量部を越えると粘着剤の配合および塗布作業中に硬化反応が急速に進行し、架橋構造が形成される傾向があるため、作業性が損なわれるおそれがある。
【００３１】
また、本発明において、粘着剤層には、必要に応じて光重合開始剤（Ｃ）を含むことができる。粘着剤層に含まれる光重合開始剤（Ｃ）には基材および中間樹脂層を透過する放射線により反応するものであれば、特に制限はなく、従来知られているものを用いることができる。例えば、ベンゾフェノン、４，４′−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４′−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４′−ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、２−クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体（ロフィン二量体）、アクリジン系化合物等を挙げることができ、これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。（Ｃ）の添加量としては、化合物（Ａ）１００質量部に対して０．１〜１０質量部とすることが好ましく、０．５〜５質量部とすることがより好ましい。
【００３２】
更に本発明に用いられる中間樹脂層や粘着剤層には必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤等、あるいはその他の改質剤等を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。粘着剤層は厚さ５〜１００μｍであるものが好ましく、５〜５０μｍであるものがより好ましく、１０μｍ〜３０μｍであるものが更に好ましい。更には、中間樹脂層と粘着剤層を合わせた厚さが２５〜２００μｍであることが好ましい。なお、粘着剤層は複数の層が積層された構成であってもよい。
【００３３】
〔剥離フィルム〕
剥離フィルムは、セパレーターや剥離層、剥離ライナーとも呼ばれ、粘着剤層３を保護する目的のため、また粘着剤を平滑にする目的のために、必要に応じて設けられる。剥離フィルムの構成材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルムや紙などが挙げられる。剥離フィルムの表面には粘着剤層３からの剥離性を高めるため、必要に応じてシリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の剥離処理が施されていても良い。また、必要に応じて、粘着剤層３が環境紫外線によって反応してしまわないように、紫外線防止処理が施されていてもよい。剥離フィルムの厚みは、通常１０〜１００μｍ、好ましくは２５〜５０μｍ程度である。
【００３４】
〔半導体ウエハの加工方法〕
本発明に係る半導体ウエハ加工用粘着テープを用いた半導体ウエハの加工方法について説明する。まず、半導体ウエハ加工用粘着テープから、必要に応じて剥離フィルムを剥離する。その後、半導体ウエハのパターンが形成された面に、粘着テープを貼合する。半導体ウエハの粘着テープが貼り付けられた面を真空チャックテーブルに固定し、ダイヤモンドホイールにより、半導体ウエハの裏面（パターン形成面の反対側の面）を研削し、半導体ウエハの厚さを１０〜１００μｍに薄くする。
【実施例】
【００３５】
以下、本発明を実施例に基づき、詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００３６】
〔粘着剤層組成物の調製〕
［粘着剤層組成物２Ａ］
溶媒のトルエン４００ｇ中に、ｎ−ブチルアクリレート１２８ｇ、２−エチルヘキシルアクリレート３０７ｇ、メチルメタアクリレート６７ｇ、メタクリル酸１．５ｇ、重合開始剤としてベンゾイルペルオキシドの混合液を、適宜、滴下量を調整し、反応温度および反応時間を調整し、官能基をもつ共重合体（ａ１）の溶液を得た。次にこの共重合体溶液に、放射線硬化性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物（ａ２）として、別にメタクリル酸とエチレングリコールから合成した２−ヒドロキシエチルメタクリレート２．５ｇを加え、反応温度および反応時間を調整して、放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する化合物（Ａ）の溶液を得た。続いて、溶液中の化合物（Ａ）１００質量部に対してポリイソシアネート（Ｂ）としてコロネートＬ（日本ポリウレタン社製）を、２質量部、および光重合開始剤としてＳＰＥＥＤＣＵＲＥ  ＴＰＯ（ＤＫＳＨジャパン株式会社製）を０．５質量部、ＳＰＥＥＤＣＵＲＥ  ＢＫＬ（商品名、ＤＫＳＨジャパン株式会社製）を５．０質量部、重合抑制剤としてメトキノンを０．１質量部及び溶媒として酢酸エチル１５０質量部を化合物（Ａ）溶液に加えて混合して、粘着剤層組成物２Ａを調製した。
【００３７】
［中間樹脂組成物３Ａ］
アクリル樹脂（メタクリル酸ｎブチル）１００質量部、硬化剤としてイソシアヌレート型イソシアネート（旭化成ケミカルズ（株）製、商品名：ＴＫＡ−１００）を２０質量部混合して中間樹脂組成物３Ａを得た。
【００３８】
［半導体ウエハ表面保護用粘着テープの作製］
［実施例１］
内層基材（ポリエステル層）として厚さ４０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを、外層基材（ポリオレフィン層）として厚さ１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルムを用い、厚さ１０μｍの感圧型粘着剤にて貼り合わせ、厚さ１５０μｍの積層基材を作製した。該積層基材上の内層基材側に粘着剤層組成物２Ａを３０μｍ（ｄｒｙ）の厚さで塗布乾燥させ、厚さ１８０μｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
【００３９】
［実施例２］
内層基材（ポリエステル層）として厚さ４０μｍのポリエチレンナフタレートフィルムを、外層基材（ポリオレフィン層）として厚さ１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルムを用い、厚さ１０μｍの感圧型粘着剤にて貼り合わせ、厚さ１５０μｍの積層基材を作製した。該積層基材上の内層基材側に粘着剤層組成物２Ａを３０μｍ（ｄｒｙ）の厚さで塗布乾燥させ、厚さ１８０μｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
【００４０】
［実施例３］
内層基材（ポリエステル層）として厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを、外層基材（ポリオレフィン層）として厚さ２００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルムを用い、厚さ１０μｍの感圧型粘着剤にて貼り合わせ、厚さ２３５μｍの積層基材を作製した。該積層基材上の内層基材側に粘着剤層組成物２Ａを３０μｍ（ｄｒｙ）の厚さで塗布乾燥させ、厚さ２６５μｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
【００４１】
［実施例４］
内層基材（ポリエステル層）として厚さ４０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを、外層基材（ポリオレフィン層）として厚さ１００μｍの低密度ポリエチレンフィルムを用い、厚さ１０μｍの感圧型粘着剤にて貼り合わせ、厚さ１５０μｍの積層基材を作製した。該積層基材上の内層基材側に粘着剤層組成物２Ａを３０μｍ（ｄｒｙ）の厚さで塗布乾燥させ、厚さ１８０μｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
【００４２】
［実施例５］
内層基材（ポリエステル層）として厚さ４０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを、外層基材（ポリオレフィン層）として厚さ１００μｍの高密度ポリエチレンフィルムを用い、厚さ１０μｍの感圧型粘着剤にて貼り合わせ、厚さ１５０μｍの積層基材を作製した。該積層基材上の内層基材側に粘着剤層組成物２Ａを３０μｍ（ｄｒｙ）の厚さで塗布乾燥させ、厚さ１８０μｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
【００４３】
［実施例６］
内層基材（ポリエステル層）として厚さ４０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを、外層基材（ポリオレフィン層）として厚さ４０μｍのポリプロピレンフィルムを用い、厚さ１０μｍの感圧型粘着剤にて貼り合わせ、厚さ９０μｍの積層基材を作製した。該積層基材上の内層基材側に粘着剤層組成物２Ａを３０μｍ（ｄｒｙ）の厚さで塗布乾燥させ、厚さ１２０μｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
【００４４】
［比較例１］
内層基材として厚さ１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルムを、外層基材として厚さ４０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い、厚さ１０μｍの感圧型粘着剤にて貼り合わせ、厚さ１５０μｍの積層基材を作製した。該積層基材上の内層基材側に粘着剤層組成物２Ａを３０μｍ（ｄｒｙ）の厚さで塗布乾燥させ、厚さ１８０μｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
【００４５】
［比較例２］
内層基材として厚さ２００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルムを、外層基材として厚さ２５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い、厚さ１０μｍの感圧型粘着剤にて貼り合わせ、厚さ２３５μｍの積層基材を作製した。該積層基材上の内層基材側に粘着剤層組成物２Ａを３０μｍ（ｄｒｙ）の厚さで塗布乾燥させ、厚さ２６５μｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
【００４６】
［比較例３］
内層基材として厚さ１００μｍの高密度ポリエチレンフィルムを、外層基材として厚さ４０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い、厚さ１０μｍの感圧型粘着剤にて貼り合わせ、厚さ１５０μｍの積層基材を作製した。該積層基材上の内層基材側に粘着剤層組成物２Ａを３０μｍ（ｄｒｙ）の厚さで塗布乾燥させ、厚さ１８０μｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
【００４７】
［比較例４］
基材として厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い、基材上に中間樹脂組成物３Ａを５０μｍ（ｄｒｙ）の厚さで塗布乾燥させ、さらにその上に粘着剤層組成物２Ａを３０μｍ（ｄｒｙ）の厚さで塗布乾燥させ、厚さ１３０μｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
【００４８】
［比較例５］
基材として厚さ１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルムを用い、基材上に粘着剤層組成物２Ａを３０μｍ（ｄｒｙ）の厚さで塗布乾燥させ、厚さ１３０μｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
【００４９】
［比較例６］
基材として厚さ２００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルムを用い、基材上に粘着剤層組成物２Ａを３０μｍ（ｄｒｙ）の厚さで塗布乾燥させ、厚さ２３０μｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
【００５０】
［比較例７］
基材として厚さ１００μｍの高密度ポリエチレンフィルムを用い、基材上に粘着剤層組成物２Ａを３０μｍ（ｄｒｙ）の厚さで塗布乾燥させ、厚さ１３０μｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
【００５１】
［比較例８］
基材として厚さ７５μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムを用い、基材上に粘着剤層組成物２Ａを３０μｍ（ｄｒｙ）の厚さで塗布乾燥させ、厚さ１０５μｍの半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
【００５２】
実施例１〜６、比較例１〜８の半導体ウエハ加工用粘着テープについて、特性評価試験を下記のように行った。
［ウエハ研削後の割れの有無および反り量の評価］
直径８インチで７２５μｍ厚さのミラーウエハに、半導体ウエハ加工用粘着テープをラミネータを用いて貼り合わせ、ＤＩＳＣＯ社製フルオートグラインダＤＧＰ８７６０を用いて、ウエハを４０μｍ厚さまで研削した後、ウエハ面を観察し、割れ（クラック）の有無を確認。さらに、割れのなかったウエハについて、１００μｍ以上のエッジチッピングの有無確認、および、ウエハ端部の定盤からの高さにて研削後の反り量を測定した。
【００５３】
各テープサンプルについて５枚のウエハで実験を行い、全てのウエハで割れがなく加工可能であり、ウエハ１枚あたりにおける１００μｍ以上大きさのエッジチッピング平均個数が１．０個以下であり、かつ、ウエハの平均反り量が２０μｍ以下のものを合格とした。ウエハが割れた場合には、そのウエハのエッジチッピングおよび反り量は平均から除外して求めた。また、エッジチッピングの大きさは、ウエハ外周部を光学顕微鏡にて観察し、チッピングが発生している箇所の両端の距離にて求めた。
【００５４】
それぞれの実施例、比較例における各材料の特性、ウエハの反り量、研削後の割れ、エッジチッピングの平均個数についての結果を表１に示す。
【００５５】
【表１】
2012209429.tif 000003
【００５６】
【表２】
2012209429.tif 000004
【００５７】
表１に示すように、ポリエステル系フィルムの外層にポリオレフィン系フィルムを積層した積層基材を用いた実施例１〜６ではいずれも、ウエハの割れがなく、エッジチッピングが少なく、かつ、ウエハの反り量を小さくすることができた。
【００５８】
表２に示すように、外層基材にポリエステル系フィルムを用いた比較例１〜４においてはウエハ割れや、平均１．０個より多いエッジチッピングが確認された。ポリオレフィン系フィルム単層の比較例５〜７においては反り量が多くなったため、研削加工中にウエハの搬送エラーが確認され、ＰＥＴ基材単層の比較例８においてはクッション性が不足しており全てのウエハで割れが確認された。
【００５９】
このように、最外層にポリオレフィン系フィルムを用い、ポリエステル系フィルムと積層した積層基材を用いることで、薄膜研削においてもウエハへの研削によるダメージが少なく、ウエハに割れもチッピングも生じさせずにすみ、さらに反り量を小さくすることも可能となる。
【００６０】
以上、添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は係る例に限定されない。当業者であれば、本願で開示した技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到しえることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【００６１】
１………半導体ウエハ加工用粘着テープ
３………粘着剤層
５………基材
７………ポリエステル層
９………ポリオレフィン層
【図１】
2012209429.tif 000005