(57)【要約】【課題】コレットによる半導体チップのピックアップミスを抑制しつつ、ボイドを抑制する。【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体チップ１が搭載される搭載領域３を有する基板４を、搭載領域３が凸となるように湾曲させる工程と、半導体チップ１をコレット９により保持し、半導体チップ１をマウント材２を介して搭載領域３に接着及び搭載する工程を有する。半導体チップ１を接着及び搭載する工程では、搭載領域３が湾曲された状態で搭載領域３上への半導体チップ１の搭載を開始し、搭載領域３の湾曲を徐々に解消しながら搭載領域３に対する半導体チップ１の接着面積を徐々に拡大させる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップが搭載される搭載領域を有する基板を、前記搭載領域が凸となるように湾曲させる工程と、
前記半導体チップをコレットにより保持し、前記半導体チップをマウント材を介して前記搭載領域に接着及び搭載する工程と、
を有し、
前記半導体チップを接着及び搭載する工程では、前記搭載領域が湾曲された状態で前記搭載領域上への前記半導体チップの搭載を開始し、前記搭載領域の湾曲を徐々に解消しながら前記搭載領域に対する前記半導体チップの接着面積を徐々に拡大させることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記基板の、前記搭載領域に対する裏面を、基板固定部に固定する工程を更に有し、
前記基板を湾曲させる工程では、前記基板固定部に形成された開口を介して、前記基板固定部に固定された前記基板の前記裏面を突くことにより、前記搭載領域を凸に湾曲させることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記半導体チップの中心と、湾曲された前記搭載領域の凸部の中心と、を位置合わせする工程を更に有し、
前記半導体チップを接着及び搭載する工程では、前記凸部に対して位置合わせされた前記半導体チップを前記搭載領域側に移動させることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記基板を湾曲させる工程では、前記搭載領域の裏面を接触部によって突くことにより、前記搭載領域を湾曲させ、
前記半導体チップを接着及び搭載する工程では、前記半導体チップが前記マウント材を介して前記搭載領域に接した後、前記半導体チップを前記搭載領域側に移動させるとともに前記接触部を前記半導体チップの移動とは反対方向に移動させることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記基板を湾曲させる工程では、付勢部によって接触部を付勢することにより、前記搭載領域の裏面を前記接触部により突いて、前記搭載領域を湾曲させ、
前記半導体チップを接着及び搭載する工程では、前記半導体チップが前記マウント材を介して前記搭載領域に接した後、前記半導体チップを前記付勢部による付勢に抗して前記搭載領域側に移動させることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記マウント材はフィルム状であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
半導体チップがマウント材を介して搭載される搭載領域を有する基板の、前記搭載領域に対する裏面が固定される基板固定部と、
前記基板固定部に形成された開口を介して、前記基板固定部に固定された前記基板の前記裏面を突くことにより、前記搭載領域が凸となるように前記基板を湾曲させる基板湾曲部と、
前記半導体チップを保持し、前記半導体チップを前記搭載領域に搭載するコレットと、
前記コレット及び前記基板湾曲部を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記搭載領域が湾曲された状態で前記搭載領域上への前記半導体チップの搭載を開始させ、前記搭載領域の湾曲を徐々に解消しながら前記搭載領域に対する前記半導体チップの接着面積を徐々に拡大させる制御を行うことを特徴とする半導体装置の製造装置。
【請求項８】
前記基板湾曲部は、
前記基板に接触して該基板を突く接触部と、
前記接触部を前記基板が湾曲する方向及び前記湾曲が解消される方向に移動させる移動部と、
を有し、
前記制御部は、前記基板湾曲部により湾曲された前記搭載領域に前記半導体チップが前記マウント材を介して接触した後、前記移動部を制御することによって、前記基板の湾曲が徐々に解消されるように前記接触部を移動させることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項９】
前記制御部は、前記基板が所定の反り量になるまで前記接触部を移動させた後で、前記コレットにより前記半導体チップの搭載を開始させることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１０】
前記半導体チップが前記マウント材を介して前記基板に接した否かを判別する判別部を有することを特徴とする請求項８又は９に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１１】
前記制御部は、前記判別部により前記半導体チップが前記マウント材を介して前記基板に接したと判定された後で、前記基板の湾曲が徐々に解消するように前記接触部を移動させることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１２】
前記基板湾曲部は、
前記基板に接触して該基板を突く接触部と、
前記接触部を前記基板が湾曲する方向に付勢する付勢部と、
を有し、
前記制御部は、前記基板湾曲部により湾曲された前記搭載領域に前記半導体チップが前記マウント材を介して接触した後、前記付勢部による付勢に抗して前記基板の湾曲が徐々に解消されるように前記コレットにより前記半導体チップを移動させることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１３】
前記接触部において前記基板に接触する面は、前記基板側に向けて凸形状の丸め加工が施されていることを特徴とする請求項７乃至１２の何れか一項に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１４】
前記基板固定部は、前記基板を吸着することによって固定させることを特徴とする請求項７乃至１３の何れか一項に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１５】
前記開口の周囲にて前記基板を前記基板保持部に押し付ける押し付け部を更に備えることを特徴とする請求項７乃至１４の何れか一項に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１６】
前記マウント材はフィルム状であることを特徴とする請求項７乃至１５の何れか一項に記載の半導体装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップを実装基板上に接着するために、フィルム状に形成されたマウント材（フィルムマウント材）が用いられる場合がある。
【０００３】
特許文献１には、コレットを用いて半導体素子を実装基板上に搭載することが記載されている。同文献のコレットは、弾性体により形成され、中央下部を頂点として湾曲状に形成された吸着面を有し、吸着面の四隅には半導体素子を吸着する真空孔が形成されている。同文献の技術では、先ず、コレットにより半導体素子を吸着することによって、半導体素子を下に凸に湾曲させる。一方、半導体素子の実装対象面にフィルム状接着材を設ける。その後、コレットを下降させることにより、半導体素子の中央部から周縁部に向けて徐々に実装対象面に接着する。特許文献１には、この構成により、ボイドが抑制される旨の記載がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−３２２８１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１のように凸状のコレットを用い、半導体素子をコレットに沿って湾曲させる場合、半導体素子の復元力のために、コレットによる半導体チップのピックアップ（保持）力が不足し、ピックアップミスが発生しやすくなる。
【０００６】
このように、コレットによる半導体チップのピックアップミスを抑制しつつ、ボイドを抑制することは困難だった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、半導体チップが搭載される搭載領域を有する基板を、前記搭載領域が凸となるように湾曲させる工程と、
前記半導体チップをコレットにより保持し、前記半導体チップをマウント材を介して前記搭載領域に接着及び搭載する工程と、
を有し、
前記半導体チップを接着及び搭載する工程では、前記搭載領域が湾曲された状態で前記搭載領域上への前記半導体チップの搭載を開始し、前記搭載領域の湾曲を徐々に解消しながら前記搭載領域に対する前記半導体チップの接着面積を徐々に拡大させることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【０００８】
この半導体装置の製造方法によれば、半導体チップを接着及び搭載する工程では、搭載領域が湾曲された状態で搭載領域上への半導体チップの搭載を開始し、搭載領域の湾曲を徐々に解消しながら搭載領域に対する半導体チップの接着面積を徐々に拡大させる。これにより、マウント材と基板との間、或いは、マウント材と半導体チップとの間の空気を逃がしながら、半導体チップを搭載領域へ搭載することができる。よって、マウント材と搭載領域との間、或いは、マウント材と半導体チップとの間におけるボイドの発生を抑制することができる。特に、マウント材としてフィルム状のものを用いた場合であっても、ボイドの発生を抑制することができる。
しかも、半導体チップを湾曲させる技術と比べて、コレットによる半導体チップの保持力（ピックアップ力）を十分に確保でき、保持ミス（ピックアップミス）を低減できる。
このように、コレットによる半導体チップのピックアップミスを抑制しつつ、マウント材と基板との間、或いは、半導体チップとマウント材との間のボイドを抑制することができる。
【０００９】
また、本発明は、半導体チップがマウント材を介して搭載される搭載領域を有する基板の、前記搭載領域に対する裏面が固定される基板固定部と、
前記基板固定部に形成された開口を介して、前記基板固定部に固定された前記基板の前記裏面を突くことにより、前記搭載領域が凸となるように前記基板を湾曲させる基板湾曲部と、
前記半導体チップを保持し、前記半導体チップを前記搭載領域に搭載するコレットと、
前記コレット及び前記基板湾曲部を制御する制御部と、
を有し、
前記制御部は、前記搭載領域が湾曲された状態で前記搭載領域上への前記半導体チップの搭載を開始させ、前記搭載領域の湾曲を徐々に解消しながら前記搭載領域に対する前記半導体チップの接着面積を徐々に拡大させる制御を行うことを特徴とする半導体装置の製造装置を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、コレットによる半導体チップのピックアップミスを抑制しつつ、ボイドを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置の製造装置を示す模式的な正面断面図である。
【図２】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す模式的な正面断面図である。
【図３】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す模式的な正面断面図である。
【図４】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す模式的な正面断面図である。
【図５】第１の実施形態に係る半導体装置の製造装置のブロック図である。
【図６】変形例に係る半導体装置の製造装置を示す模式的な正面断面図である。
【図７】変形例に係る半導体装置の製造装置のブロック図である。
【図８】第２の実施形態に係る半導体装置の製造装置を示す模式的な正面断面図である。
【図９】第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す模式的な正面断面図である。
【図１０】第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す模式的な正面断面図である。
【図１１】第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法の一連の工程を示す模式的な正面断面図である。
【図１２】第２の実施形態に係る半導体装置の製造装置のブロック図である。
【図１３】基板の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様の構成要素には同一の符号を付し、適宜に説明を省略する。
【００１３】
〔第１の実施形態〕
図１は第１の実施形態に係る半導体装置の製造装置１００（以下、単に製造装置１００）を示す模式的な正面断面図、図５は製造装置１００のブロック図である。
【００１４】
本実施形態に係る製造装置１００は、半導体チップ１がマウント材２を介して搭載される搭載領域３を有する基板４の、搭載領域３に対する裏面５が固定される基板固定部６と、基板固定部６に形成された開口７を介して、基板固定部６に固定された基板４の裏面５を突くことにより、搭載領域３が凸となるように基板４を湾曲させる基板湾曲部８と、半導体チップ１を保持し、半導体チップ１を搭載領域３に搭載するコレット９と、コレット９及び基板湾曲部８を制御する制御部１０と、を有し、制御部１０は、搭載領域３が湾曲された状態で搭載領域３上への半導体チップ１の搭載を開始させ、搭載領域３の湾曲を徐々に解消しながら搭載領域３に対する半導体チップ１の接着面積を徐々に拡大させる制御を行う。以下、詳細に説明する。
【００１５】
基板固定部６は、上面が平坦に形成され、この上面は、基板４を支持するステージとなっている。基板固定部６には、基板４の裏面５を吸着するための吸気孔１１が、該基板固定部６の上面に一端が開放するように形成されている。吸気孔１１の他端は、真空ポンプ１４（図５）へ導かれている。基板固定部６上に基板４を載置した状態で、真空ポンプ１４により吸気孔１１を介して吸気を行うことによって、基板４を基板固定部６上に吸着させて固定することができるようになっている。
【００１６】
基板固定部６には、開口７が形成されている。この開口７は具体的には、例えば、基板固定部６の上面に形成された凹部となっている。そして、この凹部の底部に基板湾曲部８が設けられている。
【００１７】
基板湾曲部８は、例えば、基板４に接触して該基板４を突く接触部１２と、接触部１２を基板４が湾曲する方向及び湾曲が解消される方向に移動させる移動部１３と、を有している。
【００１８】
接触部１２は、例えば、円柱形状に形成されている。そして、接触部１２の上端面、すなわち、接触部１２において基板４の裏面５に接触する面には、基板４側に向けて凸形状の丸め加工が施されている。このため、接触部１２が基板４を傷つけてしまうことが抑制されるようになっている。
【００１９】
移動部１３は、例えば、シリンダ等により構成され、該移動部１３の一端部は接触部１２の下端部に固定され、他端部は開口７の底部に固定されている。従って、移動部１３を構成するシリンダが伸縮するのに伴って、接触部１２が昇降するようになっている。
【００２０】
基板固定部６に基板４を固定した状態で、接触部１２を上昇させることにより、開口７を介して基板４の裏面５を突いて、基板４が上に凸となるように、基板４を湾曲させることができる（図３（ａ）参照）。
【００２１】
ここで、基板４は、例えば、図１３に示すように、その一方の面に複数の搭載領域３が例えばマトリクス状の配置で形成されている。そして、そのうち何れか１つの搭載領域３が開口７と対応する位置となるように、基板４の裏面５が基板固定部６に固定される。この状態で基板湾曲部８によって基板４を湾曲させることにより、搭載領域３が上に凸となるようにすることができる。
【００２２】
コレット９は、例えば、その下面が平坦に形成され、その下面において半導体チップ１の上面を吸着保持する。コレット９には、図示しない吸気路が形成され、この吸気路の一端は、コレット９の下面に開放している。また、吸気路の他端は、真空ポンプ１６（図５）へ導かれている。コレット９の下面を半導体チップ１の上面に当てた状態で、真空ポンプ１６によって、吸気路を介して吸気を行うことにより、コレット９により半導体チップ１を吸着保持できるようになっている。
【００２３】
また、コレット９は、コレット移動機構１７（図５）によって、昇降、水平移動、及び鉛直軸周りの回転移動が可能となっている。
【００２４】
制御部１０は、コレット移動機構１７の動作制御を行うことによって、コレット９の動作制御を行う。また、制御部１０は、移動部１３及び真空ポンプ１４、１６の動作制御を行う。
【００２５】
制御部１０は、基板湾曲部８により湾曲された搭載領域３に半導体チップ１がマウント材２を介して接触した後、移動部１３を制御することによって、基板４の湾曲が徐々に解消されるように接触部１２を移動させる。
【００２６】
ここで、半導体チップ１がマウント材２を介して基板４に接した否かの判定は、接触検出部１５（図５）と制御部１０との協働により行う。つまり、接触検出部１５と制御部１０とにより、判別部が構成される。
接触検出部１５は、例えば、圧力センサ、或いは、光学式センサ等のセンサにより構成され、半導体チップ１がマウント材２を介して基板４に接した場合に、その旨を示す信号を制御部１０に出力する。
例えば、接触検出部１５が圧力センサの場合、例えば、コレット９に接触検出部１５を設けることが挙げられる。そして、半導体チップ１がマウント材２を介して基板４に接したときの圧力変化により、半導体チップ１がマウント材２を介して基板４に接したことを検出することができる。
或いは、接触検出部１５が光学式センサの場合、例えば、半導体チップ１の下面に予め設けたマウント材２と、基板４と、の隙間の有無を検出することが挙げられる。そして、その無くなったときに、半導体チップ１がマウント材２を介して基板４に接したことを検出することができる。
【００２７】
次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。図２乃至図４はこの製造方法を説明するための一連の工程図であり、それぞれ模式的な正面断面図である。
【００２８】
この製造方法は、半導体チップ１が搭載される搭載領域３を有する基板４を、搭載領域３が凸となるように湾曲させる工程と、半導体チップ１をコレット９により保持し、半導体チップ１をマウント材２を介して搭載領域３に接着及び搭載する工程と、を有し、半導体チップ１を接着及び搭載する工程では、搭載領域３が湾曲された状態で搭載領域３上への半導体チップ１の搭載を開始し、搭載領域３の湾曲を徐々に解消しながら搭載領域３に対する半導体チップ１の接着面積を徐々に拡大させる。
以下、詳細に説明する。
【００２９】
先ず、図２（ａ）に示す状態では、まだ基板４が基板固定部６上に固定されていない。なお、この段階で、接触部１２は下げられており、接触部１２の上端の位置（高さ）が、基板固定部６の上端面の位置（高さ）以下となっている。
【００３０】
次に、図２（ｂ）に示すように、基板固定部６上に基板４を載置する。ここで、搭載領域３が開口７と対応する位置となるように、基板４を基板固定部６に対して位置合わせして載置する。より具体的には、平面視において、接触部１２の中心と、搭載領域３の中心とが一致するように、位置合わせする。そして、真空ポンプ１４によって基板４を基板固定部６の上面に吸着させて、該基板４を基板固定部６上に固定させる。
【００３１】
次に、図２（ｃ）に示すように、半導体チップ１を吸着保持したコレット９を基板４の上方へ移動させる。ここで、例えば、半導体チップ１の下面（基板４上に接着される面）には、予め、フィルム状のマウント材２が設けられている。
【００３２】
次に、図３（ａ）に示すように、接触部１２を上昇させることにより、基板固定部６に固定された基板４の裏面５を開口７を介して突いて、搭載領域３が凸となるように基板４を湾曲させる。ここで、制御部１０は、基板４が所定の反り量になるまで接触部１２を上昇させる。なお、湾曲後も、基板４は真空ポンプ１４による吸着によって基板固定部６に固定されたままである。
【００３３】
次に、コレット９を適宜移動させて、半導体チップ１の中心と、湾曲された搭載領域３の凸部の中心と、を位置合わせする。次に、コレット９を下降させることにより、半導体チップ１を搭載領域３側に移動させる。
【００３４】
その後、図３（ｂ）に示すように、半導体チップ１がマウント材２を介して基板４の搭載領域３に接すると、接触検出部１５がその旨を検出する。すると、制御部１０は、基板４の湾曲が徐々に解消するように接触部１２を下降させる。ここで、コレット９の下降は未だ継続している。このため、半導体チップ１が搭載領域３側に移動するとともに、接触部１２を半導体チップ１の移動とは反対方向に移動する。これらの移動に伴い、搭載領域３に対する半導体チップ１の接着面積が徐々に拡大する。ここで、半導体チップ１の移動速度と、接触部１２の移動速度とは、互いに等しいことが好ましい。
【００３５】
その後、図４（ａ）に示すように基板４が再び平坦となった段階で、コレット９及び接触部１２の移動を停止させる。この段階で、半導体チップ１はマウント材２を介して搭載領域３上に接着及び搭載されている、すなわちダイボンドされている。
【００３６】
ここで、図３（ｂ）から図４（ａ）までの動作の好ましい例をより詳しく説明する。先ず、図３（ｂ）の段階では、半導体チップ１の中心がマウント材２を介して搭載領域３の中心に接触する。すなわち、搭載領域３の中心が湾曲した凸部の頂点となっている。その後、徐々に搭載領域３に対する半導体チップ１の接着面積が拡大する。この過程で、マウント材２と搭載領域３との間の空気を、徐々に半導体チップ１の中央部から外側に逃がすことができるため、マウント材２と搭載領域３との間に空気が閉じ込められることによるボイドの発生を好適に抑制することができる。
【００３７】
図４（ａ）のように半導体チップ１の搭載が完了すると、次に、真空ポンプ１６の運転を停止し、コレット９による半導体チップ１の吸着状態を解除し、コレット９を上昇させる。すると、半導体チップ１はコレット９から分離し、搭載領域３上に残留する（図４（ｂ））。
【００３８】
ここで、半導体チップ１の基板４への接着、固定には、銀ペースト等のペースト状のマウント材が使用される場合がある。この銀ペーストからは、ペーストの溶剤成分や低分子成分が周辺に染み出すことがある。
近年、半導体装置の小型化が進み、半導体装置の外形サイズを小さくするために、半導体チップ１上の電極（パッド）とボンディングワイヤで接続される基板４上の電極（ステッチ）を半導体チップ１の近傍に配置するようになってきた。
このように半導体チップ１とステッチとの距離が狭まることにより、わずかな銀ペースト成分の染み出しでも、基板４上のステッチを汚染してしまうという問題が顕在化してきた。
このため、成分の染み出しが少ないフィルム状のマウント材２を適用するケースが増えてきた。しかしながら、基板４の表面には凹凸があるため、一般的なステージ上に載置した基板４に対して一般的なコレットにより半導体チップ１と搭載する場合には、フィルム状のマウント材２と基板４との間に巻き込みボイドが発生してしまうことがある。この巻き込みボイドが発生すると、半導体装置の信頼性が低下する。
【００３９】
これに対し、本実施形態では、半導体チップ１を接着及び搭載する工程で、搭載領域３が湾曲された状態で搭載領域３上への半導体チップ１の搭載を開始し、搭載領域３の湾曲を徐々に解消しながら搭載領域３に対する半導体チップ１の接着面積を徐々に拡大させる。これにより、マウント材２と基板４との間の空気を逃がしながら、半導体チップ１を搭載領域３へ搭載することができる。よって、マウント材２と搭載領域３との間におけるボイドの発生を抑制することができる。特に、マウント材２としてフィルム状のものを用いた場合であっても、ボイドの発生を抑制することができる。
しかも、半導体チップ１を湾曲させる技術と比べて、コレット９による半導体チップ１の保持力（ピックアップ力）を十分に確保でき、保持ミス（ピックアップミス）を低減できる。
このように、コレット９による半導体チップ１のピックアップミスを抑制しつつ、マウント材２と基板４との間、或いは、半導体チップ１とマウント材２との間のボイドを抑制することができる。
【００４０】
また、特許文献１のように、弾性体で凸状のコレットを用いる場合、コレットが弾性体であるため、平面寸法が小さいサイズの半導体チップ、或いは厚い半導体チップの場合には、半導体チップがコレットと同じ凸形状には変形しにくいため、ボイドの抑制効果が不十分となる。
これに対し、本実施形態では、半導体チップ１ではなく基板４を湾曲させるため、半導体チップ１の平面寸法及び厚さにかかわらず、ボイドを抑制することができる。
【００４１】
＜変形例＞
図６は変形例に係る半導体装置の製造装置１５０（以下、単に製造装置１５０）を示す模式的な正面断面図、図７は製造装置１５０のブロック図である。図６に示すように、この製造装置１５０は、開口７の周囲にて基板４を基板固定部６に押し付ける押し付け部１８を更に備えている。押し付け部１８は、例えば、枠状（環状）の平面形状に形成されていても良いし、或いは、開口７の周囲の複数箇所にそれぞれ配置されていても良い。この変形例の場合、製造装置１５０は、更に、押し付け部１８を移動（具体的には昇降）させる押し付け機構１９（図７）を更に備え、制御部１０は、この押し付け機構１９の動作制御も更に行う。図６（ａ）、（ｂ）の何れも、基板固定部６に基板４を固定し、更に、押し付け機構１９によって押し付け部１８を下降させることにより、押し付け部１８によって基板４を基板固定部６に押し付けた状態を示す。このうち図６（ａ）は、基板４を湾曲させる前の状態を示し、図６（ｂ）は基板４を湾曲させた後の状態を示す。この変形例によれば、上記の第１の実施形態の効果が得られる他に、基板湾曲部８によって基板４を湾曲させる際に、基板４が基板固定部６から脱落する可能性を低減することができる。
【００４２】
〔第２の実施形態〕
図８は第２の実施形態に係る半導体装置の製造装置２００（以下、単に製造装置２００）を示す模式的な正面断面図、図１２は製造装置２００のブロック図である。
【００４３】
製造装置２００は、基板湾曲部８の構成が以下に説明する点で上記の製造装置１００と相違する。また、製造装置２００は、接触検出部１５を有していない。また、製造装置２００は、上記の変形例と同様の押し付け部１８及び押し付け機構１９を有している。製造装置２００は、その他の点では製造装置１００と同様に構成されている。
【００４４】
本実施形態の場合、基板湾曲部８は、移動部１３の代わりに、付勢部２０を有している。この付勢部２０は、接触部１２を基板４が湾曲する方向に付勢する。付勢部２０は、例えば、圧縮型のコイルスプリングにより構成することができる。この場合、コイルスプリングの一端部は接触部１２の下端部に固定され、他端部は開口７の底部に固定されている。なお、接触部１２が基板４を付勢していないときには、接触部１２は基板固定部６の上面よりも上方に突出している。
【００４５】
次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。図９乃至図１１はこの製造方法を説明するための一連の工程図であり、それぞれ模式的な正面断面図である。
【００４６】
先ず、図９（ａ）及び（ｂ）に示すように、付勢部２０による付勢に抗して、基板４を基板固定部６側に押さえ付ける。つまり、基板４を押さえ付けることによって、基板４により付勢部２０を押さえ付ける。この際には、上記の変形例で説明したのと同様の押し付け部１８を用いて、基板４を押さえ付けることができる。そして、図９（ｂ）に示すように、基板４を吸着することによって基板固定部６上に固定させる。これにより、付勢部２０による付勢によって、基板４が上記の第１の実施形態と同様に湾曲した状態となる。なお、上記の第１の実施形態と同様に、搭載領域３が開口７と対応する位置となるように位置合わせする。
【００４７】
次に、図１０（ａ）に示すように、半導体チップ１を吸着保持したコレット９を基板４の上方へ移動させる。ここで、例えば、第１の実施形態と同様に、半導体チップ１の下面には、予め、フィルム状のマウント材２が設けられている。
更に、第１の実施形態と同様に、コレット９を適宜移動させて、半導体チップ１の中心と、湾曲された搭載領域３の凸部の中心と、を位置合わせする。次に、コレット９を下降させることにより、半導体チップ１を搭載領域３側に移動させる。
【００４８】
その後、図１０（ｂ）に示すように、半導体チップ１がマウント材２を介して基板４の搭載領域３に接した後は、引き続きコレット９を下降させることにより、半導体チップ１を付勢部２０による付勢に抗して搭載領域３側に移動させる。その結果、搭載領域３の湾曲を徐々に解消しながら搭載領域３に対する半導体チップ１の接着面積を徐々に拡大させることができる。
【００４９】
その後、図１１（ａ）に示すように基板４が再び平坦となった段階で、コレット９の移動を停止させる。この段階で、半導体チップ１はマウント材２を介して搭載領域３上に接着及び搭載されている。
【００５０】
このように半導体チップ１の搭載が完了すると、次に、真空ポンプ１６の運転を停止し、コレット９による半導体チップ１の吸着状態を解除し、コレット９を上昇させる。すると、半導体チップ１はコレット９から分離し、搭載領域３上に残留する（図１１（ｂ））。
【００５１】
以上のような第２の実施形態によれば、上記の第１の実施形態と同様の効果が得られる。また、移動部１３の代わりに付勢部２０を有しているので、制御部１０は移動部１３の動作制御を行う必要がない。
【００５２】
上記においては、マウント材２がシート状である例を説明したが、本発明は、ペースト状のマウント材２を用いる場合にも適用することができる。
【００５３】
また、上記においては、マウント材２が予め半導体チップ１に設けられている例を説明したが、マウント材２を予め半導体チップ１ではなく基板４の搭載領域３に設けておいても良い。この場合、半導体チップ１とマウント材２との間におけるボイドの発生を抑制することができる。
【００５４】
また、上記においては、基板４に複数の搭載領域３が形成されている例を説明したが、基板４に搭載領域３が１つのみ形成されていても良い。
【符号の説明】
【００５５】
１ 半導体チップ
２ マウント材
３ 搭載領域
４ 基板
５ 裏面
６ 基板固定部
７ 開口
８ 基板湾曲部
９ コレット
１０ 制御部
１１ 吸気孔
１２ 接触部
１３ 移動部
１４ 真空ポンプ
１５ 接触検出部
１６ 真空ポンプ
１７ コレット移動機構
１８ 押し付け部
１９ 押し付け機構
２０ 付勢部
１００ 半導体装置の製造装置
１５０ 半導体装置の製造装置
２００ 半導体装置の製造装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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