(57)【要約】【課題】電子放出素子で発生する放電を減少させ、かつ放電時の画像劣化を防ぐ画像表示装置を提供する。【解決手段】情報配線、走査配線、絶縁層及び電子放出素子が設けられたリアプレートと、アノード電極及び発光部材が設けられリアプレートに対向配置されたフェースプレートと、を備えた画像表示装置であって、電子放出素子は隣り合う一方と他方の走査配線の間に配置されており、一方と他方の走査配線の間に配置された電子放出素子のうち、一方の走査配線が選択状態、他方の走査配線が非選択状態で駆動される電子放出素子に対し、絶縁層に覆われた一端部が絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して他方の走査配線に電気的に接続された放電誘導電極の他端が、絶縁層より露出して、絶縁層より近い位置まで延出していることを特徴とする画像表示装置。【選択図】図１
2012028213.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数本の情報配線と、該情報配線上の該情報配線との交差方向に設けられた複数本の走査配線と、前記情報配線と前記走査配線の間を通って、前記走査配線に沿って設けられた絶縁層と、各々前記情報配線と前記走査配線とに電気的に接続された複数の電子放出素子とが設けられたリアプレートと、
アノード電極と、該アノード電極上に設けられ、前記電子放出素子から放出された電子が照射される発光部材とが設けられ、前記リアプレートに対向配置されたフェースプレートと、を備えた画像表示装置であって、
前記電子放出素子は隣り合う一方と他方の走査配線の間に配置されており、該一方と他方の走査配線の間に配置された電子放出素子のうち、一方の走査配線が選択状態、他方の走査配線が非選択状態で駆動される電子放出素子に対し、前記絶縁層に覆われた一端部が前記絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して前記他方の走査配線に電気的に接続された放電誘導電極の他端が、前記絶縁層より露出して、前記絶縁層より近い位置まで延出していることを特徴とする画像表示装置。
【請求項２】
前記放電誘導電極は、下記式（ａ）〜（ｃ）を満たすことを特徴とする請求項１に記載の画像表示装置。
Ｅｅ＝Ｐ×Ｃｐ×ρ×Ｔｍ      （ａ）
Ｅａ＝Ｒ×Ｉ2×ｔ1            （ｂ）
Ｅｅ＞Ｅａ                    （ｃ）
Ｐ：体積［ｍ3］
Ｃｐ：定圧比熱［Ｊ／ｋｇＫ］
ρ：密度［ｋｇ／ｍ3］
Ｔｍ：融点［Ｋ］
Ｒ：配線との接続部位から該接続部位に相対する端部までの抵抗［Ω］
Ｉ：許容電流値［Ａ］
ｔ1：放電持続時間［ｓｅｃ］
【請求項３】
選択状態と非選択状態の前記走査配線が隣り合うように前記走査配線を順次選択しながら前記電子放出素子をマトリクス駆動することを特徴とする請求項１又は２に記載の画像表示装置。
【請求項４】
前記電子放出素子は更に、隣り合う一方と他方の情報配線の間に配置されており、該一方と他方の情報配線の間に配置された電子放出素子と、一方の情報配線との間に、前記放電誘導電極の、前記絶縁層より露出している部分が延びて設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【請求項５】
前記電子放出素子は更に、隣り合う一方と他方の情報配線の間に配置されており、該一方と他方の情報配線の間に配置された電子放出素子と、一方と他方の情報配線の各々との間に、前記放電誘導電極の、前記絶縁層より露出している部分が延びて設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の画像表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子放出素子を用いた平面型の画像表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、電子放出素子を用いた平面型の画像表示装置として、電子放出素子を多数形成した電子源基板（リアプレート）と、アノード電極及び発光部材を具備した対向基板（フェースプレート）と、を対向配置させた画像表示装置が知られている。この画像表示装置では、電子放出素子のカソード電極−ゲート電極間に電圧を印加することにより電子放出素子から電子が放出される。放出された電子は発光部材に照射され発光が起こる。ここで、高輝度の発光を得るためには、アノード電極の電位と電子放出素子のカソード電極−ゲート電極間の電位との差を大きくするのが好ましい。しかし、前記電位差を大きくすると、アノード電極と電子放出素子との間の電界が高電界になるため、アノード電極と電子放出素子との間で放電が発生し易くなる。前記放電が発生すると、放電の影響により電子放出素子が破壊されることがある。
【０００３】
特許文献１には、放電が発生した電子放出素子の電子放出部と、隣接素子の電子放出部と、を結ぶように発生する二次放電（沿面放電）を、付加電極で遮り吸収することにより、隣接素子の損傷を防止する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−２０９９９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では、放電により発生した放電電流は付加電極で吸収されるが、付加電極を電子放出素子が接続されている走査配線に接続しているため、電子放出素子が接続されている走査配線にも付加電極から放電電流が流れる。このため、電子放出素子の駆動電圧が下がり、放電時の画像劣化が生じた。
【０００６】
また、特許文献１では、付加電極を絶縁層の上に配置しているため、付加電極は絶縁層が形成されている領域よりも小さく設けなければならず、付加電極を素子に近づけることができない。このため、付加電極は避雷針としての役割を果たしにくく、電子放出素子で発生する放電を減少させることができなかった。
【０００７】
そこで、本発明は、電子放出素子で発生する放電を減少させ、かつ放電時の画像劣化を防ぐ画像表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は、複数本の情報配線と、該情報配線上の該情報配線との交差方向に設けられた複数本の走査配線と、前記情報配線と前記走査配線の間を通って、前記走査配線に沿って設けられた絶縁層と、各々前記情報配線と前記走査配線とに電気的に接続された複数の電子放出素子とが設けられたリアプレートと、
アノード電極と、該アノード電極上に設けられ、前記電子放出素子から放出された電子が照射される発光部材とが設けられ、前記リアプレートに対向配置されたフェースプレートと、を備えた画像表示装置であって、
前記電子放出素子は隣り合う一方と他方の走査配線の間に配置されており、該一方と他方の走査配線の間に配置された電子放出素子のうち、一方の走査配線が選択状態、他方の走査配線が非選択状態で駆動される電子放出素子に対し、前記絶縁層に覆われた一端部が前記絶縁層に設けられたコンタクトホールを介して前記他方の走査配線に電気的に接続された放電誘導電極の他端が、前記絶縁層より露出して、前記絶縁層より近い位置まで延出していることを特徴とする画像表示装置を提供するものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、電子放出素子で発生する放電を減少させ、かつ放電時の画像劣化を防ぐ画像表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明に好適に用いられるリアプレートの一例を示す図である。
【図２】本発明の画像表示装置を示す図である。
【図３】本発明の画像表示装置の各電極の電位を示す図である。
【図４−１】図１のリアプレートの作製工程を示す図である。
【図４−２】図１のリアプレートの作製工程を示す図である。
【図５】実施例２のリアプレートを示す図である。
【図６】実施例３のリアプレートを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の好適な実施形態について説明する。
【００１２】
本発明に用いられる電子放出素子としては、電界放出型素子、ＭＩＭ型素子、表面伝導型電子放出素子があり、特に放電が発生し易いという点から、数ｋＶ以上の電圧が印加される、表面伝導型電子放出素子が好適に用いられる。
【００１３】
（リアプレートの構成）
図１は、本発明に係る電子放出素子を設けたリアプレートの一実施形態を示す模式図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’における断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’における断面図である。
【００１４】
本発明に係る電子放出素子１３の基本構成は、絶縁基板１上にカソード電極５とゲート電極４が形成された構成である。隣り合うカソード電極５とゲート電極４は対をなしており、交互かつ互いに平行に配列されている［図１（ａ）］。以下、カソード電極５から対をなすゲート電極４へ向かう方向をｘ方向とする。また、ｘ方向と直交し、かつ絶縁基板１の表面に平行な方向をｙ方向とする。更に、ｘ方向及びｙ方向の両方と直交する方向をｚ方向とする。
【００１５】
本発明に係る電子放出素子においては、カソード電極５とゲート電極４の間に閾値電圧以上の電圧を印加することにより電子が放出される。放出される電子の量は、電極間に印加されるパルス状電圧の波高値とパルス幅とで制御される。一方、閾値電圧以下ではほとんど電子が放出されないため、ｘ方向配線及びｙ方向配線に対してパルス状の電圧を印加することにより、必要な電子放出素子を選択して電子放出量の制御を行うことができる。
【００１６】
ゲート電極４は絶縁基板１上に積層された第１絶縁層２及び第２絶縁層３の上に形成されており、ゲート電極４のｙ方向の辺のうち、対をなすカソード電極５側の辺の一部に突起部４ａを有している［図１（ｂ）］。更に、ゲート電極の突起部４ａは、対をなすカソード電極５側の辺からゲート電極４に沿って立ち下がり、先端部４ｂに達している。ゲート電極４とゲート電極の突起部４ａは一つの部材として一体形成しても良いし、別々の部材として個別に形成しても良い。また、ゲート電極４はゲート接続電極８を介して情報配線１０と電気的に接続されており［図１（ａ）］、電子放出素子１３の駆動時には図３のように情報配線１０からゲート電位ＶGが印加される。
【００１７】
カソード電極５は絶縁基板１上に形成されており、カソード電極５のｙ方向の辺のうち、対をなすゲート電極４側の辺の一部に突起部５ａを有している［図１（ｂ）］。更に、カソード電極５の突起部５ａは、対をなすゲート電極４側の辺から突出しており、途中で第１絶縁層２に沿って立ち上がり、先端部５ｂに達している。カソード電極の突起部の先端部５ｂは、対をなすゲート電極の突起部の先端部４ｂと、微小なギャップ部６を介して対向するように配置される。カソード電極５とカソード電極の突起部５ａは一つの部材として一体で形成しても良いし、別々の部材として個別に形成しても良い。また、カソード電極５はカソード接続電極７を介して走査配線１２ａと電気的に接続されており［図１（ａ）］、電子放出素子１３の駆動時には図３のように走査配線１２ａからカソード電位ＶCが印加される。カソード電位ＶCはゲート電位ＶGよりも低い電位である。
【００１８】
電子放出素子１３の駆動時には、カソード電極の突起部の先端部５ｂと、対をなすゲート電極の突起部の先端部４ｂと、からなるギャップ部６に、ゲート電位ＶGとカソード電位ＶCの差分の電位が印加されることになる。このため、ギャップ部６では電界が発生し、その電界によりカソード電極の突起部の先端部５ｂから電子が発生する。即ち、ギャップ部６は電子放出部として機能する。なお、カソード電極の突起部５ａ及びゲート電極の突起部４ａは、例えば図１（ａ）のように一対のカソード電極５とゲート電極４の中に複数形成されていても良い。
【００１９】
情報配線１０はｙ方向に沿って並べて設けられ、走査配線１２は情報配線１０上の情報配線１０との交差方向に設けられ、絶縁層１１は情報配線１０と走査配線１２の間を通って、走査配線１２に沿って設けられている［図１（ａ）］。なお、情報配線１０をｘ方向に沿って並べて設け、走査配線１２をｙ方向に沿って並べて設けても良い。
【００２０】
電子放出素子１３は複数設けられ、複数の電子放出素子１３は各々情報配線１０と走査配線１２とに電気的に接続されている。また、電子放出素子１３は隣り合う一方の走査配線１２ａと他方の走査配線１２ｂとの間に配置されている［図１（ａ）］。
【００２１】
放電誘導電極９は導電性材料からなり、放電誘導電極９の一端部は絶縁層１１に覆われている。また、放電誘導電極９の、絶縁層１１に覆われた一端部は絶縁層１１に設けられたコンタクトホールを介して他方の走査配線１２ｂに電気的に接続されている［図１（ｃ）］。これは、放電により発生した放電電流を放電誘導電極９から走査配線１２ｂに逃がすためである。放電誘導電極９の他端は一方と他方の走査配線の間に配置された電子放出素子のうち、一方の走査配線１２ａが選択状態、他方の走査配線１２ｂが非選択状態で駆動される電子放出素子１３に対し、絶縁層１１より露出して絶縁層１１より近い位置まで延出している。これは、アノード電極と電子放出素子との間で起こる放電を放電誘導電極９に誘導して、放電誘導電極９の前記露出している部分（以下、「放電誘導電極９の露出部」ということもある。）で放電させるためである。こうすることにより、本発明では、電子放出素子で発生する放電を減少させることができる。なお、放電誘導電極９の露出部が多いほど、放電誘導電極９の露出部で放電が発生する割合は高くなるため、電子放出素子で発生する放電を減少させる効果はより高くなる。
【００２２】
放電が発生すると、放電の進行に伴って陰極点が発生する。陰極点とは、放電時に発生する電子放出点のことであり、アノード電極からの放電電流の注入点である〔参考文献：Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，ｖｏｌ．５１，Ｎｏ．３，１４１４（１９８０）〕。陰極点は低電位側に移動するため、放電誘導電極９の露出部で放電が発生した場合、陰極点は放電誘導電極９の露出部から走査配線１２ｂに向かって進む。陰極点は走査配線１２ｂに向かう途中で、絶縁層１１の端部に到達するが、絶縁層１１があるため、その端部よりも先には進めない。このため、陰極点はその端部に滞留する。陰極点がその端部に滞留すると、放電誘導電極９が加熱され溶融し、放電誘導電極９が切れる場合がある。よって、放電誘導電極９の溶融及び切断の防止を考慮すると、下記式（ａ）〜（ｃ）を満たす放電誘導電極９を設けるのがより好ましい。
Ｅｅ＝Ｐ×Ｃｐ×ρ×Ｔｍ      （ａ）
Ｅａ＝Ｒ×Ｉ2×ｔ1            （ｂ）
Ｅｅ＞Ｅａ                    （ｃ）
Ｐは体積［ｍ3］、Ｃｐは定圧比熱［Ｊ／ｋｇＫ］、ρは密度［ｋｇ／ｍ3］、Ｔｍは融点［Ｋ］、Ｒは配線との接続部位から該接続部位に相対する端部までの抵抗［Ω］、Ｉは許容電流値［Ａ］、ｔ1は放電持続時間［ｓｅｃ］である。上記式（ａ）〜（ｃ）は、放電誘導電極９が溶融して消失するエネルギーＥｅが放電誘導電極９に流れる放電電流のエネルギーＥａより大きいことを示している。
【００２３】
本発明に係る電子放出素子１３を用いた画像表示装置では、電子放出素子をマトリクス状に配置することができる。マトリクス状に配置された電子放出素子１３を駆動させる方法としては、電子放出素子１３を複数本の情報配線、複数本の走査配線によりマトリクス駆動するのが好ましい。マトリクス駆動とは、ｘ方向又はｙ方向に沿って並べて設けられた走査配線１２の中から１本以上の走査配線１２を順に選択して電圧を印加し、選択した走査配線１２により電子放出素子１３から順に電子を放出させる駆動をいう。
【００２４】
ここで、図１のように放電誘導電極９が走査配線１２ｂと電気的に接続され、電子放出素子１３がマトリクス状に配置された画像表示装置において、選択状態と非選択状態の走査配線が隣り合うように走査配線を順次選択しながらマトリクス駆動した場合を考える。走査配線１２ａが選択され電子放出素子が駆動されたときに放電誘導電極９の露出部で放電が発生した場合、放電電流は選択されていない走査配線１２ｂに誘導されることになる。このとき、走査配線１２ｂと、走査配線１２ｂに走査配線１２ａとは反対側で隣り合う不図示の走査配線との間に配置されている不図示の電子放出素子は駆動していない。このため、放電電流により電位が持ち上がっても前記不図示の電子放出素子から電子は放出されない。
【００２５】
次に、放電誘導電極９が走査配線１２ａと電気的に接続され、電子放出素子１３がマトリクス状に配置された画像表示装置においてマトリクス駆動した場合を考える。走査配線１２ａが選択され電子放出素子が駆動されたときに放電誘導電極９の露出部で放電が発生した場合、放電電流は選択された走査配線１２ａに流れることになる。このとき、駆動電圧が小さくなるため輝度が小さくなる。例えば、選択された走査配線１２ａに放電電流が流れることにより電子放出素子１３の駆動電圧が１Ｖ低くなり、表示面での輝度が半分程度に下がってしまった場合には、輝度劣化として視認できてしまう。
【００２６】
従って、本発明では、図１（ａ）のように、隣り合う２本の走査配線１２ａ、１２ｂの間に電子放出素子１３を設けている。また、放電誘導電極９は、絶縁層１１に覆われた一端部が絶縁層１１に設けられたコンタクトホールを介して他方の走査配線１２ｂに電気的に接続されている。放電誘導電極９の他端は一方と他方の走査配線の間に配置された電子放出素子のうち、一方の走査配線１２ａが選択状態、他方の走査配線１２ｂが非選択状態で駆動される電子放出素子１３に対し、絶縁層１１より露出して絶縁層１１より近い位置まで延出している。
【００２７】
このように、本発明の画像表示装置は図１の構成を有するため、電子放出素子の駆動時に放電誘導電極で放電が発生した場合、選択された走査配線に放電電流が流れず、放電時の輝度劣化を防ぐことができる。また、走査配線を情報配線よりも低抵抗とすれば、情報配線に流れる放電電流を軽減できるため、情報配線の電位の持ち上がりによる情報配線上の他の駆動していない電子放出素子の破壊を防止する効果が高くなる点でより好ましい。
【００２８】
ここで、図１の構成を有する本発明の画像表示装置において、仮に電子放出素子１３で放電が発生した場合を考える。電子放出素子１３で放電が発生した場合、陰極点が発生し、電子放出部の材料や材料に含まれるガスが蒸発、電離しアークが生じる。このアークは両極性拡散により一定の加速度で広がるが、図１の構成をとると、両極性拡散により広がるアークが放電誘導電極９に誘導され吸収される。放電誘導電極９に吸収されたアークはその後消滅する。このため、電子放出素子１３で発生した陰極点を消滅させることができる。なお、ギャップ部６と放電誘導電極９の距離を２００μｍ以内にするのが好ましい。
【００２９】
（リアプレートの製造方法）
次に、本発明に係る電子放出素子を設けたリアプレートの製造方法について、図１の構成を例に挙げ、図４−１及び図４−２を用いて説明する。図４−１（ａ）〜（ｄ）及び図４−２（ｅ）〜（ｉ）は平面図であり、図４−１（ａ’）〜（ｄ’）及び図４−２（ｅ’）〜（ｉ’）は図４−１（ａ）〜（ｄ）及び図４−２（ｅ）〜（ｉ）のＡ−Ａ’における断面図及びＢ−Ｂ’における断面図である。
【００３０】
まず、図４−１（ａ）及び（ａ’）に示すように、基板１上に絶縁層２１、２２及び導電層２３を順次積層する。
【００３１】
基板１は電子放出素子１３、情報配線１０、走査配線１２等を機械的に支えるための強度を有する絶縁性基板であり、石英ガラス、Ｎａ等の不純物含有量を減少させたガラス、青板ガラス、アルミナ、セラミックス等の絶縁性材料から適宜選択される。基板１に必要な機能としては、機械的強度の他、ドライエッチング、ウェットエッチング、現像液として用いられるアルカリ・酸に対する耐性があることが望ましい。
【００３２】
絶縁層２１、２２は加工性に優れる材料からなる絶縁性の膜であり、ＳｉＮ（ＳｉxＮy）、ＳｉＯ2等が用いられ、スパッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法等の一般的な真空成膜技術により形成される。また、絶縁層２１、２２の厚さとしては、それぞれ５ｎｍ乃至５０μｍの範囲で設定され、好ましくは１０ｎｍ乃至１μｍの範囲で選択される。絶縁層２１、２２の厚さは同じであっても構わない。また、絶縁層２１と絶縁層２２とは、エッチングの際に異なるエッチングスピードを持つような材料を選択することが好ましい。絶縁層２１と絶縁層２２との間のエッチング時の選択比としては１０以上が望ましく、できれば５０以上取れることが望ましい。具体的には、例えば絶縁層２１にはＳｉxＮyを用い、絶縁層２２にはＳｉＯ2等の絶縁性材料、或いはリン濃度の高いＰＳＧ、ホウ素濃度の高いＢＳＧ膜等を用いることができる。
【００３３】
導電層２３は図１（ａ）のゲート電極４及びゲート接続電極８となるものであり、スパッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法等の一般的な真空成膜技術により形成される。導電層２３としては、導電性に加えて高い熱伝導率があり、融点が高い材料が望ましい。例えば、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ等の金属又は合金材料、ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＴａＣ，ＳｉＣ，ＷＣ等の炭化物が挙げられる。また、ＨｆＢ2，ＺｒＢ2，ＣｅＢ6，ＹＢ4，ＧｄＢ4等の硼化物、ＴｉＮ，ＺｒＮ，ＨｆＮ、ＴａＮ等の窒化物、Ｓｉ，Ｇｅ等の半導体、有機高分子材料も挙げられる。更に、アモルファスカーボン、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボン、ダイヤモンドを分散した炭素及び炭素化合物等も挙げられ、これらの中から適宜選択される。また、導電層２３の厚さとしては、５ｎｍ乃至５００ｎｍの範囲で設定され、好ましくは２０ｎｍ乃至５００ｎｍの範囲で選択される。
【００３４】
次に、図４−１（ｂ）及び（ｂ’）に示すように、導電層２３上に放電誘導電極９及び情報配線１０を形成する。放電誘導電極９を形成する工程と情報配線１０を形成する工程は、同一工程で実施しても良い。形成方法としては、スパッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法等の一般的な真空成膜技術、フォトペースト法等の一般的な印刷技術、メッキ法等及びフォトリソグラフィ等の技術を用いることができる。
【００３５】
放電誘導電極９の材料としては、導電性に加えて高い熱伝導率があり、融点が高い材料が望ましい。例えば、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ等の金属又は合金材料、ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＴａＣ，ＳｉＣ，ＷＣ等の炭化物が挙げられる。また、ＨｆＢ2，ＺｒＢ2，ＣｅＢ6，ＹＢ4，ＧｄＢ4等の硼化物、ＴｉＮ，ＺｒＮ，ＨｆＮ、ＴａＮ等の窒化物、Ｓｉ，Ｇｅ等の半導体、有機高分子材料も挙げられる。更に、グラファイト、カーボンナノチューブ等の炭素化合物等も挙げられ、これらの中から適宜選択される。また、放電誘導電極９の厚さとしては、例えば放電電流が１Ａ程度、放電誘導電極９の材料としてＣｕを用いたときは１０ｎｍ乃至数十ｍｍの範囲で選択され、好ましくは１００ｎｍ乃至１００μｍの範囲で選択される。上記式（ａ）〜（ｃ）を満たす放電誘導電極９を用いると、放電誘導電極９の溶融及び切断を防止できる点でより好ましい。
【００３６】
情報配線１０の材料としては、導電性に加えて高い熱伝導率があり、融点が高い材料が望ましい。例えば、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ等の金属又は合金材料、ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＴａＣ，ＳｉＣ，ＷＣ等の炭化物が挙げられる。また、ＨｆＢ2，ＺｒＢ2，ＣｅＢ6，ＹＢ4，ＧｄＢ4等の硼化物、ＴｉＮ，ＺｒＮ，ＨｆＮ，ＴａＮ等の窒化物、Ｓｉ，Ｇｅ等の半導体、有機高分子材料も挙げられる。更に、グラファイト、カーボンナノチューブ等の炭素化合物等も挙げられ、これらの中から適宜選択される。また、情報配線１０の厚さとしては、１０ｎｍ乃至数十ｍｍの範囲で設定され、好ましくは１００ｎｍ乃至１００μｍの範囲で選択される。
【００３７】
続いて、図４−１（ｃ）及び（ｃ’）に示すように、フォトリソグラフィ技術により導電層２３上にレジストパターンを形成した後、エッチング手法を用いて導電層２３、絶縁層２２、絶縁層２１を順次加工する。これにより、ゲート電極４とゲート接続電極８、第２絶縁層３及び第１絶縁層２が得られる。このようなエッチング加工では一般的にエッチングガスをプラズマ化して材料に照射することで材料の精密なエッチング加工が可能なＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）が用いられる。この時の加工ガスとしては、加工する対象部材がフッ化物を作る場合はＣＦ4、ＣＨＦ3、ＳＦ6のフッ素系ガスが選ばれ、加工する対象部材がＳｉやＡｌのように塩化物を作る場合はＣｌ2、ＢＣｌ3等の塩素系ガスが選ばれる。また、レジストとの選択比を取るため、エッチング面の平滑性の確保のため、或いはエッチングスピードを上げるために、水素や酸素、アルゴンガス等が随時添加される。このエッチング加工は、基板１の上面までで停止しても良いし、基板１の一部がエッチングされても良いし、絶縁層２１の途中までで停止しても良い。絶縁層２１の途中まででエッチングを停止した場合には、残った絶縁層２１と基板１とを併せて、以後基板１とみなすことができる。また、ゲート電極４のｘ方向の長さや、隣り合うゲート電極との間隔は、電子放出素子のサイズや適用する画像形成装置のサイズに応じて適宜変更することが可能である。
【００３８】
次に、図４−１（ｄ）及び（ｄ’）に示すように、スパッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法等の一般的な真空成膜技術により絶縁層１１を形成する。絶縁層１１は、下配線である情報配線１０の一部又は全部を覆うようにして形成することが重要である。特に、情報配線１０と走査配線１２との交差部にはこれらを電気的に絶縁するために必要である。絶縁層１１の材料としては、絶縁性或いは高抵抗を保てるものであれば良く、ＳｉＮ（ＳｉxＮy）、ＳｉＯ2等が用いられる。また、絶縁層１１の厚さとしては、５ｎｍ乃至５０μｍの範囲で設定され、好ましくは１０ｎｍ乃至１μｍの範囲で選択される。
【００３９】
続いて、図４−２（ｅ）及び（ｅ’）に示すように、フォトリソグラフィ技術により絶縁層１１上にレジストパターンを形成した後、エッチング手法を用いて走査配線１２と放電誘導電極９とを電気的に接続するためのコンタクトホール１５を形成する。
【００４０】
次に、図４−２（ｆ）及び（ｆ’）に示すように、コンタクトホール１５を埋めるように、絶縁層１１の一部の上に走査配線１２を形成する。形成方法としては、スパッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法等の一般的な真空成膜技術、フォトペースト法等の一般的な印刷技術、メッキ法等及びフォトリソグラフィ等の技術を用いることができる。走査配線１２の材料としては、導電性に加えて高い熱伝導率があり、融点が高い材料が望ましい。例えば、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ等の金属又は合金材料、ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＴａＣ，ＳｉＣ，ＷＣ等の炭化物が挙げられる。また、ＨｆＢ2，ＺｒＢ2，ＣｅＢ6，ＹＢ4，ＧｄＢ4等の硼化物、ＴｉＮ，ＺｒＮ，ＨｆＮ，ＴａＮ等の窒化物、Ｓｉ，Ｇｅ等の半導体、有機高分子材料も挙げられる。更に、グラファイト、カーボンナノチューブ等の炭素化合物等も挙げられ、これらの中から適宜選択される。また、走査配線１２の厚さとしては、１０ｎｍ乃至数十ｍｍの範囲で設定され、好ましくは１００ｎｍ乃至１００μｍの範囲で選択される。
【００４１】
続いて、図４−２（ｇ）及び（ｇ’）に示すように、エッチング手法を用いて、第１絶縁層２、第２絶縁層３、ゲート電極４からなる積層体の一側面において第２絶縁層３の側面のみを一部除去し、凹部１４を形成する。また、エッチング手法を用いて、絶縁層１１を一部除去し、放電誘導電極９の露出部を形成する。エッチング手法は例えば第２絶縁層３及び絶縁層１１がＳｉＯ2からなる材料であれば通称バッファーフッ酸（ＢＨＦ）と呼ばれるフッ化アンモニウムとフッ酸との混合溶液を用いることができる。第２絶縁層３及び絶縁層１１がＳｉxＮyからなる材料であれば熱リン酸系エッチング液を用いることができる。凹部１４の深さ、即ち凹部における第２絶縁層３の側面と第１絶縁層２の側面との距離は、深いほど駆動時のリーク電流を低減させる効果が高くなり望ましい。しかし、一方で深くなりすぎるとゲート電極４の変形や崩壊の可能性が高くなるため、そうした点を考慮して適宜設定される。凹部１４の深さは、一般的には３０ｎｍ乃至２００ｎｍ程度で形成することが好ましい。図４−１及び図４−２では、第１絶縁層２と第２絶縁層３を積層した形態を示したが、本発明に係る電子放出素子はこれに限定されるものではない。一層の絶縁層の一部を除去することで凹部１４を形成しても構わないし、第１絶縁層２と第２絶縁層３とがそれぞれ多層構造になっていても構わない。
【００４２】
次に、図４−２（ｈ）及び（ｈ’）に示すように、カソード電極５及びカソード接続電極７を形成する。カソード電極５の材料としては、導電性に加えて高い熱伝導率があり、融点が高い材料が望ましい。例えば、Ｂｅ，Ｍｇ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ等の金属又は合金材料、ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＴａＣ，ＳｉＣ，ＷＣ等の炭化物が挙げられる。また、ＨｆＢ2，ＺｒＢ2，ＣｅＢ6，ＹＢ4，ＧｄＢ4等の硼化物、ＴｉＮ，ＺｒＮ，ＨｆＮ、ＴａＮ等の窒化物、Ｓｉ，Ｇｅ等の半導体、有機高分子材料も挙げられる。更に、アモルファスカーボン、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボン、ダイヤモンドを分散した炭素及び炭素化合物等も挙げられ、これらの中から適宜選択される。また、カソード電極５の厚さとしては、５ｎｍ乃至５００ｎｍの範囲で設定され、好ましくは２０ｎｍ乃至５００ｎｍの範囲で選択される。カソード電極５のｘ方向の長さは適宜変更することが可能である。
【００４３】
続いて、図４−２（ｉ）及び（ｉ’）に示すように、カソード電極の突起部５ａ及びゲート電極の突起部４ａを形成する。カソード電極の突起部５ａ及びゲート電極の突起部４ａは、スパッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法等の一般的な真空成膜技術により導電性の薄膜を成膜した後に、フォトリソグラフィ等の技術を用いて形成することができる。このとき凹部１４が形成されていることにより、カソード電極の突起部５ａとゲート電極の突起部４ａとの先端部の間に微小なギャップ部６が自動的に形成される。導電性材料としては、導電性があり、電界放出する材料であれば良く、一般的には２０００℃以上の高融点、５ｅＶ以下の仕事関数材料であり、酸化物等の化学反応層の形成しづらい、或いは簡易に化学反応層を除去可能な材料が好ましい。このような材料としては、例えばＨｆ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｍｏ，Ｗ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｐｄ等の金属又は合金材料、ＴｉＣ，ＺｒＣ，ＨｆＣ，ＴａＣ，ＳｉＣ，ＷＣ等の炭化物、ＨｆＢ2，ＺｒＢ2，ＣｅＢ6，ＹＢ4，ＧｄＢ4等の硼化物が挙げられる。また、ＴｉＮ，ＺｒＮ，ＨｆＮ、ＴａＮ等の窒化物、アモルファスカーボン、グラファイト、ダイヤモンドライクカーボン、ダイヤモンドを分散した炭素及び炭素化合物等が挙げられる。導電性材料の堆積方法としては、スパッタ法、ＣＶＤ法、真空蒸着法等の一般的な真空成膜技術が用いられ、ＥＢ蒸着が好ましく用いられる。
【００４４】
（画像表示装置の構成）
次に、本発明に係るリアプレートを備えた画像表示装置について説明する。
【００４５】
一般的に、画像表示装置においては、電子放出素子をｘ方向及びｙ方向にマトリクス状に複数配置する。そして、同じ行に配置された複数の電子放出素子のカソード電極或いはゲート電極をｘ方向の共通の配線に電気的に接続し、同じ列に配置された複数の電子放出素子のゲート電極或いはカソード電極をｙ方向の共通の配線に電気的に接続する。このようないわゆる単純マトリクス配置の電子放出素子を電子源として用いて構成した画像表示装置について、図２を用いて説明する。
【００４６】
図２は、本発明の画像表示装置の一実施形態を示す斜視図であり、その内部構造を示すために一部を切り欠いて示している。基板１はリアプレートであり、その表面にｍ本のｘ方向配線１２（走査配線）と、ｎ本のｙ方向配線１０（情報配線）が設けられている。ここで、ｍ、ｎはともに正の整数である。ｍ本の走査配線１２とｎ本の情報配線１０との間には、絶縁層１１が設けられており、両者を電気的に絶縁している。電子放出素子１３は隣り合う一方と他方の走査配線１２の間に設けられ、合計ｍ×ｎ個の電子放出素子１３が単純マトリクス状に配置されている。放電誘導電極９は、絶縁層１１に覆われた一端部が絶縁層１１に設けられたコンタクトホールを介して他方の走査配線に電気的に接続されている。放電誘導電極９の他端は一方と他方の走査配線１２の間に配置された電子放出素子のうち、一方の走査配線が選択状態、他方の走査配線が非選択状態で駆動される電子放出素子１３に対し、絶縁層１１より露出して絶縁層１１より近い位置まで延出している。ｍ本の走査配線１２は各々端子Ｄｘ１，Ｄｘ２，…，Ｄｘｍと、ｎ本の情報配線１０は各々端子Ｄｙ１，Ｄｙ２，…，Ｄｙｎと接続されており、それらを通じて外部に配置された駆動回路に接続されている。
【００４７】
フェースプレート４６は、ガラス基板４３と、その内面に形成された、電子の照射を受けて発光する蛍光体等の発光部材４４、ブラックマトリクス４８、メタルバック４５等の部材を有している。メタルバック４５はアノード電極としての機能を有し、高圧端子ＨＶに接続され、例えば１０［ｋＶ］の直流電圧Ｖａが供給される。発光部材４４はメタルバック４５上（アノード電極上）に設けられる。ブラックマトリクス４８は黒色部材とも呼ばれ、ｍ×ｎ個の電子放出素子に対応したマトリクス状に形成されており、各々が対応する電子放出素子１３から電子の照射を受ける各発光部材４４の開口部の外縁を規定している。ブラックマトリクス４８は、蛍光体の混色を防止し、外光を吸収することで画像のコントラストを向上させる。
【００４８】
本実施形態の画像表示装置においては、電子放出素子が設けられた基板１（リアプレート）とリアプレートに対向配置されたフェースプレート４６とが、フリットガラス等の封止部材を介して支持枠４２に接続されており外囲器４７を形成している。外囲器４７は大気中或いは窒素中で４００℃乃至５００℃の温度範囲で１０分以上焼成することで封止される。封止された外囲器４７の内部を真空に排気し、メタルバック４５にＶａを印加した状態で、走査配線１２、情報配線１０にそれぞれ走査信号、変調信号を印加することで、電子放出素子から放出された電子を加速し発光部材４４に照射させて画像表示を実現する。また、必要に応じて、フェースプレート４６とリアプレートとの間に、スペーサと呼ばれる不図示の支持体を設置することにより、大気圧に対して十分な強度を持たせた構成とすることもできる。
【実施例】
【００４９】
以下、具体的な実施例を挙げて本発明を詳しく説明する。なお、本発明は下記実施例の構成や形態に限定されるものではない。
【００５０】
［実施例１］
（リアプレートの作製）
本実施例では、図１に示すリアプレートを作製した。以下で各工程を説明する。図４−１及び図４−２は、本実施例におけるリアプレートの作製工程を示すものである。
【００５１】
まず、基板１として青板ガラスを用い、十分に洗浄した後にスパッタ法により絶縁層２１として厚さ３００ｎｍのＳｉ3Ｎ4膜を堆積し、次に、スパッタ法により絶縁層２２として厚さ２０ｎｍのＳｉＯ2を堆積した。その後、スパッタ法により導電層２３として３０ｎｍのＴａＮを堆積した［図４−１（ａ）］。
【００５２】
次に、Ｃｕをメッキ法にて５μｍの厚さになるように形成し、フォトリソグラフィ工程でパターニングすることにより放電誘導電極９及び情報配線１０を形成した［図４−１（ｂ）］。ここで、放電誘導電極９の幅は２５μｍとした。
【００５３】
続いて、ポジ型フォトレジストをスピンコーティングし、フォトマスクパターンを露光、現像し、ゲート電極及びゲート接続電極に対応したレジストパターンを形成した。その際ゲート電極の幅は１０μｍ、ゲート電極の長さは１００μｍとした。その後、パターニングしたフォトレジストをマスクとして、導電層２３、絶縁層２２、絶縁層２１を、ＣＦ4ガスを用いてドライエッチングした。ドライエッチングを基板１で停止させ、第１絶縁層２、第２絶縁層３、及びゲート接続電極８を含むゲート電極４からなる積層体を形成した［図４−１（ｃ）］。
【００５４】
次に、ＣＶＤ法により絶縁層１１として厚さ５μｍのＳｉＯ2を成膜した［図４−１（ｄ）］。
【００５５】
続いて、ポジ型フォトレジストをスピンコーティングし、フォトマスクパターンを露光、現像し、走査配線１２と放電誘導電極９とを電気的に接続するためのコンタクトホール１５を除く部分にレジストパターンを形成した。そして、バッファーフッ酸（ＢＨＦ）（ＬＡＬ１００／ステラケミファ社製）をエッチング液としてウェットエッチング法によりＳｉＯ2膜を除去してコンタクトホール１５を形成した［図４−２（ｅ）］。
【００５６】
次に、走査配線１２をメッキ法によりＣｕを５μｍの厚さとなるように形成した［図４−２（ｆ）］。
【００５７】
続いて、ポジ型フォトレジストをスピンコーティングし、フォトマスクパターンを露光、現像し、電子源部を除く部分にレジストパターンを形成した。そして、ゲート電極４と放電誘導電極９の一部の領域上のＳｉＯ2膜をバッファーフッ酸（ＢＨＦ）（ＬＡＬ１００／ステラケミファ社製）をエッチング液としてウェットエッチング法により除去した。こうすることにより、第１絶縁層２、第２絶縁層３及びゲート電極４からなる積層体のパターンと放電誘導電極９の一部を露出させた。また、同時に第２絶縁層３も選択的にエッチングされることにより、凹部１４を形成した［図４−２（ｇ）］。このときの放電誘導電極９の長さは走査配線１２からｙ方向に６０μｍとした。上記式（ａ）〜（ｃ）においてＥｅ＝２．８×１０-5、Ｅａ＝８．１×１０-5となり、Ｅｅ＞Ｅａを満たしていることが分かる。
【００５８】
次に、Ｍｏを厚さ５０ｎｍになるようにスパッタ法で形成し、フォトリソグラフィ工程によりカソード接続電極７を含むカソード電極５を形成した［図４−２（ｈ）］。
【００５９】
続いて、ＥＢ斜方蒸着により１０ｎｍのＭｏを斜め４５°上方から選択的に堆積した。その後、フォトリソグラフィ工程でレジストパターンを形成し、ＣＦ4ガスを用いてＭｏをドライエッチングすることによって、カソード電極の突起部５ａ及びゲート電極の突起部４ａのパターンを形成した。このとき、走査配線１２ａ側に最も近いカソード電極、ゲート電極の突起部５ａ、４ａと放電誘導電極９の距離Ｌは１５０μｍ以内となるように形成した［図４−２（ｉ）］。
【００６０】
（画像表示装置の作製）
上記方法で作製した電子放出素子を７２０×１６０のマトリクス状に配置して図２に示す画像表示装置を作製した。電子放出素子１３は隣り合う一方と他方の走査配線の間に設けた。放電誘導電極９は、絶縁層１１に覆われた一端部を、絶縁層１１に設けられたコンタクトホールを介して他方の走査配線に電気的に接続した。放電誘導電極９の他端は一方と他方の走査配線の間に配置された電子放出素子のうち、一方の走査配線が選択状態、他方の走査配線が非選択状態で駆動される電子放出素子１３に対し、絶縁層１１より露出し絶縁層１１より近い位置まで延出した。基板１の２ｍｍ上方に、ガラス基板４３と、その内面に形成された発光部材４４、ブラックマトリクス４８、メタルバック４５を有するフェースプレート４６を、支持枠４２を介して真空中で封着し、外囲器４７を形成した。基板１とフェースプレート４６の間には、厚さ２ｍｍ、幅２００μｍのスペーサ（不図示）を２本配置し、大気圧に耐えられる構造とした。基板１と支持枠４２、及びフェースプレート４６の接合にはインジウムを用いた。更に、同様の方法で評価用の画像表示装置を作製した。
【００６１】
また、放電誘導電極９を有していない比較用の画像表示装置も作製した。比較用の画像表示装置は、放電誘導電極９を有していないこと以外は本実施例の評価用の画像表示装置と同様の構成であり、製造方法もリアプレートの作製時に放電誘導電極９を設けないこと以外は本実施例の評価用の画像表示装置と同様であるため説明を省略する。
【００６２】
（画像表示装置の評価）
以上のようにして作製した評価用の画像表示装置及び比較用の画像表示装置において、マトリクス駆動を行い、選択された走査配線（以下、「選択走査配線」という。）により駆動される、ある１つの電子放出素子に過電圧を印加することによって放電を誘発した。そして、放電を誘発させた電子放出素子を駆動する選択走査配線の電流値、及び放電を誘発させた電子放出素子側で選択走査配線に隣り合う走査配線（以下、「非選択走査配線」という。）の電流値を計測した。その他、選択走査配線で駆動され、放電を誘発させない電子放出素子の輝度を計測した。輝度計測には高速カメラ（ＶＦＣ−３００／朋栄製）を使用した。カソード電極５とゲート電極４との間には各配線を通じて電圧を印加した。放電を誘発させる電子放出素子には情報配線１０に０〜＋２０Ｖの電圧、走査配線１２に０〜−１０Ｖのパルス電圧を印加し、放電を誘発させない電子放出素子には情報配線１０に０〜＋１０Ｖの電圧、走査配線１２に０〜−１０Ｖのパルス電圧を印加した。また、同時にフェースプレート４６のメタルバック４５には１２ｋＶの直流高電圧を印加した。
【００６３】
上記方法で計測した結果、比較用の画像表示装置では、選択走査配線の電流は約１Ａ、非選択走査配線の電流は０Ａ、放電を誘発させない電子放出素子の、放電時における輝度低下は８％程度であった。一方、評価用の画像表示装置では、選択走査配線の電流は約０．５Ａ、非選択走査配線の電流は約０．５Ａ、放電を誘発させない電子放出素子の、放電時における輝度低下は４％程度であった。以上から、本実施例の構成のように放電誘導電極９を配置することによって、放電誘導電極９で放電を発生させ、放電電流を非選択走査配線に誘導でき、画像の乱れを低減できた。
【００６４】
［実施例２］
（リアプレートの作製）
本実施例では、図５に示すリアプレートを作製した。本実施例の電子放出素子は、ゲート電極４の長さが異なることと、放電誘導電極９の形状が異なること以外は実施例１と同様の構成であり、実施例１と同様の方法にて作製した。本実施例では、ゲート電極４の長さを２００μｍとし、放電誘導電極９として、長さ２１０μｍの放電誘導電極９’を追加した。即ち、隣り合う一方と他方の情報配線１０の間に設けられた電子放出素子１３と、一方の情報配線１０との間に、放電誘導電極９の露出部を延ばした。このとき、各微小なギャップ部６と放電誘導電極９の距離は１５０μｍ以内になるように作製した。
【００６５】
（画像表示装置の作製）
上記方法で作製した電子放出素子を７２０×１６０のマトリクス状に配置して図２に示す画像表示装置を実施例１と同様の方法で作製した。更に、同様の方法で評価用の画像表示装置を作製した。
【００６６】
また、放電誘導電極９を有していない比較用の画像表示装置も作製した。比較用の画像表示装置は、放電誘導電極９を有していないこと以外は本実施例の評価用の画像表示装置と同様の構成であり、製造方法もリアプレートの作製時に放電誘導電極９を設けないこと以外は本実施例の評価用の画像表示装置と同様であるため説明を省略する。
【００６７】
（画像表示装置の評価）
以上のようにして作製した評価用の画像表示装置及び比較用の画像表示装置において、実施例１と同様の条件でマトリクス駆動を行った。そして、実施例１と同様の方法で、放電を誘発させた電子放出素子を駆動する選択走査配線の電流値、放電を誘発させた電子放出素子側で選択走査配線に隣り合う走査配線の電流値、及び選択走査配線で駆動され、放電を誘発させない電子放出素子の輝度を計測した。
【００６８】
上記方法で計測した結果、比較用の画像表示装置では、選択走査配線の電流は約１Ａ、非選択走査配線の電流は０Ａ、放電を誘発させない電子放出素子の、放電時における輝度低下は約２％程度であった。一方、評価用の画像表示装置では、選択走査配線の電流は０．５μＡ、非選択走査配線の電流は０．５Ａ、放電を誘発させない電子放出素子の、放電時における輝度低下は約４％程度であった。以上から、本実施例の構成をとることにより、放電誘導電極９で放電を発生させ、放電電流を非選択走査配線に誘導でき、画像の乱れを低減できた。
【００６９】
［実施例３］
（リアプレートの作製）
本実施例では、図６に示すリアプレートを作製した。本実施例の電子放出素子は、ゲート電極４及びカソード電極５が２つずつ設けられていることと、放電誘導電極９の形状が異なること以外は実施例２と同様の構成であり、実施例２と同様の方法にて作製した。本実施例では、ゲート電極４の長さを２００μｍとし、放電誘導電極９として、長さ２１０μｍの放電誘導電極９’を２つのゲート電極４それぞれの各微小なギャップ部６から１５０μｍ以内の距離に追加した。即ち、隣り合う一方と他方の情報配線１０の間に設けられた電子放出素子１３と、一方と他方の情報配線１０の各々との間に、放電誘導電極９の露出部を延ばした。このとき、各微小なギャップ部６と放電誘導電極９の距離は１５０μｍ以内になるように作製した。
【００７０】
（画像表示装置の作製）
上記方法で作製した電子放出素子を７２０×１６０のマトリクス状に配置して図２に示す画像表示装置を実施例２と同様の方法で作製した。更に、同様の方法で評価用の画像表示装置を作製した。
【００７１】
また、放電誘導電極９を有していない比較用の画像表示装置も作製した。比較用の画像表示装置は、放電誘導電極９を有していないこと以外は本実施例の評価用の画像表示装置と同様の構成であり、製造方法もリアプレートの作製時に放電誘導電極９を設けないこと以外は本実施例の評価用の画像表示装置と同様であるため説明を省略する。
【００７２】
（画像表示装置の評価）
以上のようにして作製した評価用の画像表示装置及び比較用の画像表示装置において、実施例２と同様の条件でマトリクス駆動を行った。そして、実施例２と同様の方法で、放電を誘発させた電子放出素子を駆動する選択走査配線の電流値、放電を誘発させた電子放出素子側で選択走査配線に隣り合う走査配線の電流値、及び選択走査配線で駆動され、放電を誘発させない電子放出素子の輝度を計測した。
【００７３】
上記方法で計測した結果、比較用の画像表示装置では、選択走査配線の電流は約１Ａ、非選択走査配線の電流は０Ａ、放電を誘発させない電子放出素子の、放電時における輝度低下は約８％程度であった。一方、評価用の画像表示装置では、選択走査配線の電流は０．５μＡ、非選択走査配線の電流は０．５Ａ、放電を誘発させない電子放出素子の、放電時における輝度低下は約４％程度であった。以上から、本実施例の構成をとることにより、放電誘導電極９で放電を発生させ、放電電流を非選択走査配線に誘導でき、画像の乱れを低減できた。
【００７４】
以上、本発明の実施形態及び実施例について具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではない。本発明は技術的思想に基づく各種の変形が可能である。例えば、上述の実施形態において挙げた数値、構成要素はあくまでも一例に過ぎない。必要に応じてこれと異なる数値、構成要素を用いても良い。例えば、上述の実施形態において、映像情報受信装置（不図示）に音響装置（不図示）等を接続して、画像信号生成回路（不図示）、駆動回路（不図示）及び画像表示装置４７を有するテレビジョンセットを構成することも可能である。
【符号の説明】
【００７５】
１：基板、４：ゲート電極、５：カソード電極、６：ギャップ部、９：放電誘導電極、１０：情報配線、１１：絶縁層、１２：走査配線、１３：電子放出素子、１５：コンタクトホール、４４：蛍光部材、４５：メタルバック、４６：フェースプレート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４−１】
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【図４−２】
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【図５】
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【図６】
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