(57)【要約】【課題】チャック、パターニングデバイスおよび／または基板における製造の影響および操作上の変形を最小限にする静電チャックシステムおよび方法を提供する。【解決手段】基板と、物体を支持するサポート層と、電極を含みかつ基板とサポート層との間に配置された電極層であって、電極の通電の際に物体に静電引力を加えるように構成された電極層と、サポート層を変形させる複数のアクチュエータとを含む、静電チャック。【選択図】図３
2012028770.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
物体を支持するサポート層と、
電極を含みかつ前記基板と前記サポート層との間に配置された電極層であって、前記電極の通電の際に前記物体に静電引力を加える電極層と、
前記サポート層を変形させる複数のアクチュエータと
を含む、静電チャック。
【請求項２】
前記複数のアクチュエータは前記電極層と前記基板との間にある、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項３】
前記複数の電極は、前記電極層とは反対側の前記基板の側面にある、請求項１に記載の静電チャック。
【請求項４】
前記複数のアクチュエータは、前記物体が支持されている前記サポート層の表面の平面と実質的に垂直である方向に延在および収縮するように構成されている、請求項１、２または３に記載の静電チャック。
【請求項５】
前記複数のアクチュエータは、前記物体が支持されている前記サポート層の表面と実質的に平行である平面に二次元アレイで構成されている、請求項１〜４のうちのいずれかに記載の静電チャック。
【請求項６】
前記複数のアクチュエータは第１方向に延在する一次元アレイで構成されている、請求項１〜５のうちのいずれかに記載の静電チャック。
【請求項７】
前記アクチュエータは、前記第１方向に対して垂直方向に延びる前記サポート層の細長部分を変形させるように構成されている、請求項６に記載の静電チャック。
【請求項８】
前記複数のアクチュエータは複数のピエゾアクチュエータである、請求項１〜７のうちのいずれかに記載の静電チャック。
【請求項９】
補償データセットに基づいて前記複数のアクチュエータを制御するコントローラをさらに含む、請求項１〜８のうちのいずれかに記載の静電チャック。
【請求項１０】
前記静電チャックによって補正されるエラーの測定から前記補償データセットを生成する補償データセットジェネレータをさらに含む、請求項９に記載の静電チャック。
【請求項１１】
前記補償データセットは、スキャン位置に依存して前記アクチュエータに適用される、請求項９または１０に記載の静電チャック。
【請求項１２】
前記物体はパターニングデバイスである、請求項１〜１１のうちのいずれかに記載の静電チャック。
【請求項１３】
前記物体は基板である、請求項１〜１２のうちのいずれかに記載の静電チャック。
【請求項１４】
リソグラフィシステムであって、
レチクルがパターン付きビームを生成するように前記レチクルを放射ビームのパス内でクランプするレチクルサポートと、
前記パターン付きビームを基板のターゲット部分上に投影する投影システムと、
リソグラフィプロセス中に前記基板を支持する基板サポートと、
前記レチクルサポートに結合された静電チャックとを含み、前記静電チャックは、
基板と、
物体を支持するサポート層と、
電極を含みかつ前記基板と前記サポート層との間に配置された電極層であって、前記電極の通電の際に前記物体に静電引力を加える電極層と、
前記サポート層を変形させる複数のアクチュエータと
を含む、リソグラフィシステム。
【請求項１５】
物体の表面凹凸を決定することと、
前記凹凸に基づいて複数の補償値を決定することと、
前記複数の補償値を複数のマトリックスポイントと相関させることであって、各マトリックスポイントは、チャックの基板とサポート層との間に配置された複数のアクチュエータのうちの１つによって形成される、ことと、
前記複数のマトリックスポイントの各々における前記物体に適用される関連付けられた補償値に対応する各アクチュエータに対する作動レベルを決定することと、
前記物体が前記サポート層上にクランプされる間、各マトリックスポイントにおける前記補償値に従って前記サポート層を変形させるために前記アクチュエータの各々に前記作動レベルを適用することと
を含む、方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、一般には、リソグラフィに関し、より詳細には、物体（例えば、マスクなどのパターニングデバイスまたは基板）をサポートにクランプするように構成された静電チャックシステムに関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィは、集積回路（ＩＣ）、ならびに他のデバイスおよび／または構造を製造するための重要なプロセスとして広く認識されている。リソグラフィ装置は、リソグラフィ中に使用される、所望のパターンを基板上、例えば、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置を用いたＩＣの製造中、パターニングデバイス（マスクまたはレチクルとも呼ばれる）は、ＩＣにおける個々の層上に形成される回路パターンを生成する。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（例えば、レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。ＩＣの異なる層を製造することは、多くの場合、異なるレチクルを有する異なる層上に異なるパターンを結像することを要求する。したがって、リソグラフィプロセス中にレチクルを交換する必要がある。
【０００３】
[0003]  良好な結像品質を保証するためには、パターニングデバイスおよび基板をチャックによって適切な位置にしっかりと保持する必要がある。チャックは、非平面の原因となるエラーまたは凹凸(irregularities)を有して製造されるか、または何らか他の幾何変形を有し得る。同様に、パターニングデバイスおよび／または基板の両方も、非平面の原因となる類似の製造エラーといった損害を受け得る。パターニングデバイスおよび基板に関して、そのような変形は、熱吸収などの変動要因によってリソグラフィシステムの動作中に生じ得る。パターニングデバイスは、パターンを放射ビームに付与し、その後これは基板上に結像される。この投影された放射ビームのイメージ品質は、イメージ湾曲、焦点、歪みおよび非点収差などのイメージエラーによって影響され得る。
【０００４】
[0004]  チャックは、パターニングデバイスおよび／または基板を保持する一連の真空ポイントを有して形成されてよいが、極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィは真空環境を必要とする。したがって、ＥＵＶシステムにおいて一般的に行われていることは、静電チャックを用いてパターニングデバイスおよび／または基板を保持することである。
【０００５】
[0005]  市場では、リソグラフィ装置がリソグラフィプロセスをできる限り効率的に行って生産力を最大にして１つのデバイス当たりのコストを低く保つことが要求されている。これは、製造欠陥を最小に保つことを意図しているので、チャック、パターニングデバイスおよび基板における非平面変形による影響、ならびにフィールド湾曲、焦点、歪み、非点収差などによる結像エラーおよびスキャンエラーをできる限り最小限にする必要がある。
【発明の概要】
【０００６】
[0006]  上記を踏まえると、チャック、パターニングデバイスおよび／または基板における製造の影響および操作上の変形を最小限にする静電チャックシステムおよび方法が必要とされる。この要求を満たすためには、本発明の実施形態は、イメージ補償のアドレス可能な静電チャックシステムおよび方法に関する。
【０００７】
[0007]  本発明の一実施形態によると、基板と、物体を支持するサポート層と、電極を含みかつ基板とサポート層との間に配置された電極層であって、電極の通電の際に物体に静電引力を加えるように構成された電極層と、サポート層を変形させるように構成された複数のアクチュエータとを含む、静電チャックが提供される。
【０００８】
[0008]  本発明の別の実施形態によると、リソグラフィシステムが提供される。このリソグラフィシステムは、レチクルがパターン付きビームを生成するようにレチクルを放射ビームのパス内でクランプするように構成されたレチクルサポートと、パターン付きビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、リソグラフィプロセス中に基板を支持するように構成された基板サポートと、レチクルサポートに結合された静電チャックとを含み、静電チャックは、基板と、物体を支持するサポート層と、電極を含みかつ基板とサポート層との間に配置された電極層であって、電極の通電の際に物体に静電引力を加えるように構成された電極層と、サポート層を変形させるように構成された複数のアクチュエータとを含む。
【０００９】
[0009]  本発明の別の実施形態によると、（物体の表面凹凸マップを得るために）物体の表面凹凸を決定することと、凹凸に基づいて複数の補償値（すなわち、補償データセット）を決定することと、複数の補償値を複数のマトリックスポイントと相関させることであって、各マトリックスポイントは、静電チャックの基板とサポート層との間に配置された複数のアクチュエータのうちの１つによって形成される、ことと、複数のマトリックスポイントの各々における物体に適用される関連付けられた補償値に対応する各アクチュエータに対する作動レベルを決定することと、物体がサポート層上にクランプされる間、各マトリックスポイントにおける補償値に従ってサポート層を変形させるためにアクチュエータの各々に作動レベルを適用することとを含む方法が提供される。
【００１０】
[0010]  本発明の別の実施形態によると、結像された物体のイメージ品質に影響を与える複数のイメージエラーを決定するためにイメージ品質評価システムを利用することと、複数のイメージエラーに基づいて複数の静電補償力値を決定することと、複数の静電補償力値を、静電チャックのサポート層の下の基板に配置された第１および第２の等間隔に配置された電極のセットによって形成される複数のマトリックスポイントと相関させることであって、第１および第２の電極のセットは他方のセットと略直交する向きである、ことと、複数のマトリックスポイントの各々における物体に適用される関連付けられた補償力値に対応する第１および第２の電極のセットにおける各電極に対する通電レベルを決定することと、複数のマトリックスポイントの各々で物体に対して静電補償力を生成するために第１および第２の電極のセットにおける各電極に通電レベルを適用することとを含む、方法が提供される。
【００１１】
[0011]  物体の表面凹凸を決定するために干渉計を利用することと、凹凸に基づいて複数の補償値を決定することと、複数の補償値を複数のマトリックスポイントと相関させることであって、各マトリックスポイントは、静電チャックの基板とサポート層との間に配置された複数のアクチュエータのうちの１つによって形成される、ことと、複数のマトリックスポイントの各々における物体に適用される関連付けられた補償値に対応する各アクチュエータに対する作動レベルを決定することと、物体がサポート層上にクランプされる間、各マトリックスポイントにおける補償値に従ってサポート層を変形させるためにアクチュエータの各々に作動レベルを適用することと、各アクチュエータに対する作動レベルの適用の後に残る物体の表面凹凸を、干渉計を用いて決定することとを含む、方法が提供される。
【００１２】
[0012]  本発明のさらなる特徴および利点、ならびに本発明の様々な実施形態の構造および動作を、添付の図面を参照しながら以下に詳細に説明する。本発明は、本明細書で説明する特定の実施形態に限定されないことに留意されたい。このような実施形態は、本明細書では例示のためにのみ提示されている。本明細書に含まれる教示に基づき、当業者には追加の実施形態が明白になるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
[0013]  本明細書に組み込まれ、本明細書の一部を形成する添付の図面は、本発明を図示し、さらに、記述とともに本発明の原理を説明し、当業者が本発明を作成して使用できるように役立つ。
【図１Ａ】[0014]  図１Ａは、反射型リソグラフィ装置を示す。
【図１Ｂ】[0014]  図１Ｂは、透過型リソグラフィ装置を示す。
【図２】[0015]  図２は、例示的ＥＵＶリソグラフィ装置を示す。
【図３】[0016]  図３は、静電チャックアセンブリ（すなわち、静電チャックシステム）および関連テーブルの拡大斜視図を示す。
【図４】[0017]  図４は、アクチュエータの二次元アレイを示す。
【図５】[0018]  図５は、アクチュエータの一次元アレイを示す。
【図６Ａ】[0019]  図６Ａは、空間的補償変形力を物体の不規則な表面上に加えるためにアクチュエータマトリックスポイントを作動させることを示す。
【図６Ｂ】[0019]  図６Ｂは、空間的補償変形力を物体の不規則な表面上に加えるためにアクチュエータマトリックスポイントを作動させることを示す。
【図７Ａ】[0020]  図７Ａは、イメージ補償静電チャックシステムのための方法のフローチャートを示す。
【図７Ｂ】[0021]  図７Ｂは、表面凹凸マップを、図７Ａにおける凹凸を補償するために必要とされる補償値に変換する方法の詳細フローチャットを示す。
【図８Ａ】[0022]  図８Ａは、イメージを能動的に測定することによってイメージ補償静電チャックシステムのための方法の一般化されたフローチャートを示す。
【図８Ｂ】[0023]  図８Ｂは、測定されたイメージエラーを、図８Ａにおけるイメージの凹凸を補償するために必要とされる補償値に変換する方法の詳細フロー図を示す。
【図９Ａ】[0024]  図９Ａは、イメージエラー補償方法を示すフローチャートである。
【図９Ｂ】[0025]  図９Ｂは、測定されたイメージエラーを、図９Ａにおけるイメージの凹凸を補償するために必要とされる補償値に変換する方法の詳細フローチャートを示す。
【図１０】[0026]  図１０は、ステージスキャン方向における結像フィールドの弧状照明を示す。
【図１１】[0027]  図１１は、ステージスキャン方向における結像フィールドの線形スリット照明を示す。
【図１２】[0028]  図１２は、補正の実施の階層を示すフローチャートである。
【００１４】
[0029]  本発明の特徴および利点は、以下に述べる詳細な説明を図面と組み合わせて考慮することによりさらに明白になるであろう。ここで、同様の参照文字は全体を通して対応する要素を識別する。図面では、同様の参照番号は全体的に同一、機能的に類似する、および／または構造的に類似する要素を示す。要素が最初に現れた図面を、対応する参照番号の最も左側の（１つ以上の）桁で示す。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
Ｉ．概要
[0030]  本発明は、イメージ補償のアドレス可能な静電チャックシステム（便宜上、本明細書中、静電チャック、あるいは単にチャックまたはチャック／クランプとも呼ぶ）に関する。本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ１つ以上の実施形態を開示する。開示される(１つ以上の)実施形態は、本発明を例示するにすぎない。本発明の範囲は開示される（１つ以上の）実施形態に限定されない。本発明は添付の特許請求の範囲によって限定される。
【００１６】
[0031]  記載される（１つ以上の）実施形態、および「一実施形態」、「実施形態」、「例示的実施形態」などへの本明細書における言及は、記載される（１つ以上の）実施形態が特定の特徴、構造または特性を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定の特徴、構造または特性を含まないことを示す。さらに、そのようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。さらに、一実施形態に関連して特定の特徴、構造または特性について記載している場合、明示的に記載されているか記載されていないかにかかわらず、そのような特徴、構造、または特性を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識にあることが理解される。
【００１７】
[0032]  本発明の実施形態はハードウェア、ファームウェア、ソフトウェアまたはその任意の組合せで実施することができる。本発明の実施形態は、１つ以上のプロセッサで読み取り、実行することができる機械読取可能媒体に記憶した命令としても実施することができる。機械読取可能媒体は、機械（例えば計算デバイス）で読取可能な形態で情報を記憶するかまたは伝送する任意の機構を含むことができる。例えば、機械読取可能媒体は、リードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光または音響デバイスなどを含んでよい。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令を、本明細書では特定の行為を実行するものとして記述することができる。しかしながら、そのような記述は便宜的なものにすぎず、そのような行為は実際には計算デバイス、プロセッサ、コントローラ、またはファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行する他のデバイスの結果であることを認識されたい。
【００１８】
[0033]  イメージ補償静電チャックシステムおよびその使用方法の実施形態を以下に詳述する。一実施形態では、イメージ補償静電チャック自体は、基板と、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ（または結像対象の基板Ｗなどの他のクランプ物体）などの物体を支持するサポート層と、サポート層を変形させるように構成された複数のアクチュエータを含むアクチュエータ層とを含む。それによって、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ（または結像対象の基板Ｗなどの他のクランプ物体）は、電極の通電の際に物体に電極引力を加えるように構成された電極を含む静電チャックの電極層によってパターニングデバイスがサポート層に静電力によって引き寄せられたときに、制御可能に変形することができる。複数のアクチュエータは、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ（または結像対象の基板Ｗなどの他のクランプ物体）が支持されているサポート層の表面と実質的に平行である平面に二次元アレイで構成されてよい。あるいは、複数のアクチュエータは、第１方向に延在する一次元アレイで構成される。計算された作動レベルが各々のアクチュエータに適用されてサポート層を変形させ、それによってパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ（または結像対象の基板Ｗなどの他のクランプ物体）は、少なくともマトリックスポイントがスキャンされている間、すなわち、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ（または結像対象の基板Ｗなどの他の物体）がスキャン動作中に照明スリットに対して所定の位置にある間、各マトリックスポイントで必要な分だけ変形される。
【００１９】
[0034]  さらに、イメージ品質を高めるためにイメージ補償静電チャックを用いる実施形態が提供される。各方法は、サポート層にチャックされるパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ（または結像対象の基板Ｗなどの他の物体）をサポート層上に配置すること、既知または測定／結像されたエラーを複数の補償値に変換すること、およびそれらの値を複数のアクチュエータのうちの１つによって形成された複数のマトリックスポイントのうちの１つと関連付けることを含んでよい。その後、各マトリックスポイントにおける適用される関連付けられた補償値という結果となるために必要な作動レベルを計算および適用する。少なくとも１つの実施形態は、関連する構成部品（例えば、パターニングデバイスチャック、パターニングデバイス、基板チャック、基板など）の表面凹凸を受けること、および表面凹凸を補正値に変換することを含む。この実施形態は、関連する構成部品の能動的測定またはイメージ品質にフィードバックを提供するための結像システムの使用を含まない。
【００２０】
[0035]  別の実施形態は、干渉計システムを利用して物体の表面凹凸を決定する。この実施形態は、上記したものと同じ変換、関連付け、計算、および適用方法を行うが、補償値の適用の後に残留表面凹凸が存在するか否かを判断するために干渉計を使用することできる。残留表面凹凸が存在する場合、適用された補償値が修正されて残留凹凸を補償する。
【００２１】
[0036]  さらに、別の実施形態は、イメージ品質評価システムを利用して結像されたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ（または結像対象の基板Ｗなどの他のクランプ物体）のイメージ品質に影響を与える複数のイメージエラーを決定する。この手順は、システムで行われるあらゆる結像の前に行われてよい。同様に、イメージ品質評価は、リソグラフィツール自体の結像およびイメージ評価能力を利用してリソグラフィツール内その場で生じる。チャック、レチクルおよび基板ウェーハの可能な表面凹凸に加えて、イメージ品質評価システムは複数のイメージエラー（例えば、イメージ湾曲、イメージ焦点、イメージ歪み、イメージ非点収差など）を補正できる。この実施形態は、補償値の適用の後、残留イメージ品質エラーが存在するか否かを決定するためにイメージ品質評価システムを使用することもできる。残留イメージ品質エラーが存在している場合、残留エラーを補償するように、適用された補償値を修正する。
【００２２】
[0037]  さらなる別の実施形態では、イメージ品質に影響を与えるパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ（または結像対象の基板Ｗなどの他のクランプ物体）と垂直の位置エラーを生成するスキャン不正確性を補正するために上記の方法を利用することができる。電極は、典型的に、チャックされるパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ（または結像対象の基板Ｗなどの他のクランプ物体）のスキャン方向と垂直なラインにアドレスされる。別の実施形態では、電極は、チャックされるパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ（または結像対象の基板Ｗなどの他のクランプ物体）のスキャン方向と垂直な弧状でアドレスされてよい。
【００２３】
[0038]  そのような実施形態をより詳細に記載する前に、本発明の実施形態を実施することができる例示的環境を示すことが有益である。
【００２４】
ＩＩ．例示的リソグラフィ環境
Ａ．例示的反射型および透過型リソグラフィシステム
[0039]  図１Ａおよび図１Ｂは、それぞれリソグラフィ装置１００およびリソグラフィ装置１００’を概略的に示す。リソグラフィ装置１００およびリソグラフィ装置１００’の各々は、放射ビームＢ（例えば、ＤＵＶまたはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク、レチクルまたは動的パターニングデバイス）ＭＡを支持するように構成され、かつパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されているサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結されている基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴとを備える。リソグラフィ装置１００および１００’は、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分（例えば、１つ以上のダイを含む）Ｃ上に投影するように構成された投影システムＰＳも有する。リソグラフィ装置１００では、パターニングデバイスＭＡおよび投影システムＰＳは反射型であり、リソグラフィ装置１００’では、パターニングデバイスＭＡおよび投影システムＰＳは透過型である。
【００２５】
[0040]  照明システムＩＬとしては、放射Ｂを誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００２６】
[0041]  サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置１００および１００’の設計、および、パターニングデバイスＭＡが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。サポート構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスを、例えば、投影システムＰＳに対して所望の位置に確実に置くことができる。 
【００２７】
[0042]  「パターニングデバイス」ＭＡという用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃ内にパターンを作り出すように、放射ビームＢの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。放射ビームＢに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分Ｃ内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応してもよい。
【００２８】
[0043]  パターニングデバイスＭＡは、透過型（図１Ｂのリソグラフィ装置１００’のように）であっても、反射型（図１Ａのリソグラフィ装置１００のように）であってもよい。パターニングデバイスＭＡの例としては、レチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レベンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームＢにパターンを付ける。
【００２９】
[0044]  「投影システム」ＰＳという用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。ＥＵＶまたは電子ビーム放射に対しては真空環境が使用されてもよい。というのは、他のガスは放射または電子を吸収しすぎてしまう場合があるからである。したがって、真空環境は、真空壁および真空ポンプを用いてビームパス全体に提供されてよい。
【００３０】
[0045]  リソグラフィ装置１００および／またはリソグラフィ装置１００’は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）ＷＴを有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加の基板テーブルＷＴを並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上の基板テーブルＷＴを露光用に使うこともできる。
【００３１】
[0046]  図１Ａおよび図１Ｂを参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源ＳＯがエキシマレーザである場合、放射源ＳＯとリソグラフィ装置１００および１００’は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置１００または１００’の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームＢは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤ（図１Ｂ）を使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源ＳＯが水銀ランプである場合、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置１００および１００’の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００３２】
[0047]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタＡＤ（図１Ｂ）を含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネント（図１Ｂ）を含むことができる。イルミネータＩＬを使って放射ビームＢを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００３３】
[0048]  図１Ａを参照すると、放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。リソグラフィ装置１００では、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから放射ビームＢが反射される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に放射ビームＢの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。
【００３４】
[0049]  図１Ｂを参照すると、放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に放射ビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１Ｂには明示的に示されていない）を使い、例えば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。
【００３５】
[0050]  通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００３６】
[0051]  リソグラフィ装置１００および１００’は、以下に説明するモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。 
１．ステップモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームＢに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。
２．スキャンモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームＢに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。
３．別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームＢに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。パルス放射源ＳＯが採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３７】
[0052]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００３８】
[0053]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００３９】
[0054]  さらなる実施形態においては、リソグラフィ装置１００は、ＥＵＶリソグラフィのためのＥＵＶ放射ビームを生成するように構成された極端紫外線（ＥＵＶ）源を含む。一般には、ＥＵＶ源は放射システム内に構成されており（下記参照）、対応する照明システムはＥＵＶ源のＥＵＶ放射ビームを調整するように構成されている。
【００４０】
Ｂ．例示的ＥＵＶリソグラフィ装置
[0055]  図２は、本発明の一実施形態による例示的ＥＵＶリソグラフィ装置２００を概略的に示す。図２では、ＥＵＶリソグラフィ装置２００は、放射システム４２、照明光学ユニット４４および投影システムＰＳを含む。放射システム４２は、放射ビームが放電プラズマによって形成され得る放射源ＳＯを含む。一実施形態では、ＥＵＶ放射は、電磁スペクトルのＥＵＶ範囲内の放射を放出するために非常に高温のプラズマが生成される、例えば、Ｘｅガス、Ｌｉ蒸気あるいはＳｎ蒸気などのガスまたは蒸気によって生成され得る。非常に高温のプラズマは、少なくとも部分的にイオン化されたプラズマを、例えば、放電で生成することによって作り出すことができる。例えば、１０ＰａのＸｅ、Ｌｉ、Ｓｎ蒸気、あるいは任意の他の適したガスまたは蒸気の分圧が、放射の効率的な生成のために必要とされることがある。放射源ＳＯによって放出される放射は、放射源チャンバ４７から、放射源チャンバ４７における開口部内またはその後方に位置決めされたガスバリアまたは汚染物質トラップ４９を介してコレクタチャンバ４８へと進む。一実施形態では、ガスバリア４９はチャネル構造を含んでもよい。
【００４１】
[0056]  コレクタチャンバ４８は、かすめ入射コレクタによって形成され得る放射コレクタ５０（集光ミラーまたはコレクタとも呼ぶ）を含む。放射コレクタ５０は、上流放射コレクタ側５０ａおよび下流放射コレクタ側５０ｂを有する。コレクタ５０を通った放射は、格子スペクトルフィルタ５１から反射してコレクタチャンバ４８内のアパーチャにおける仮想放射源ポイント５２に合焦することができる。放射コレクタ５０は、当業者には周知である。
【００４２】
[0057]  放射ビーム５６は、集光チャンバ４８から、法線入射リフレクタ５３および５４を介してレチクルまたはマスクテーブルＭＴ上に位置決めされたレチクルまたはマスク（図示せず）上へと照明光学ユニット４４内で反射する。パターン付きビーム５７が形成され、これは、投影システムＰＳにおいて反射要素５８および５９を介してウェーハステージまたは基板テーブルＷＴ上で支持された基板（図示せず）上に結像される。様々な実施形態では、照明光学ユニット４４および投影システムＰＳは、図２に示されたものよりも多くの（または少ない）要素を含んでもよい。例えば、格子スペクトルフィルタ５１は、リソグラフィ装置のタイプによって任意的に存在してもよい。さらに、一実施形態では、照明光学ユニット４４および投影システムＰＳは、図２に示されたものよりも多くのミラーを含んでもよい。例えば、投影システムＰＳは、反射要素５８および５９に加えて１〜４個の反射要素を組み入れてもよい。図２では、参照番号１８０は２つのリフレクタ間の空間、例えば、リフレクタ１４２とリフレクタ１４３との間の空間を示す。
【００４３】
[0058]  一実施形態では、集光ミラー５０は、かすめ入射ミラーの代わりにまたはそれに加えて法線入射コレクタを含んでもよい。さらに、集光ミラー５０は、リフレクタ１４２、１４３および１４６を有する入れ子化されたコレクタについて記述されているが、本明細書中、コレクタの一例としてさらに使用されている。
【００４４】
[0059]  さらに、図２に概略的に示すような格子５１の代わりに、透過型光フィルタが適用されてもよい。ＥＵＶが透過する光フィルタ、ならびにＵＶ放射があまり透過せず、またはＵＶ放射を実質的に吸収までもする光フィルタは、当業者には周知である。したがって、「格子スペクトル純度フィルタ」は、本明細書中、格子または透過型フィルタを含む「スペクトル純度フィルタ」としてほぼ同じ意味でさらに示される。図２には示されていないが、ＥＵＶ透過型光フィルタは、例えば集光ミラー５０の上流に構成された追加の光学要素、あるいは照明ユニット４４および／または投影システムＰＳにおける光ＥＵＶ透過型フィルタとして含まれてもよい。
【００４５】
[0060]  光学要素に対する「上流」および「下流」という用語は、それぞれ、１つ以上の追加の光学要素の「光学的上流」および「光学的下流」である１つ以上の光学要素の位置を示す。放射ビームがリソグラフィ装置２００を通り抜ける光路に従って、第２光学要素より放射源ＳＯに近い第１光学要素は第２光学要素の上流に構成され、第２光学要素は第１光学要素の下流に構成される。例えば、集光ミラー５０がスペクトルフィルタ５１の上流に構成されるのに対して、光学要素５３はスペクトルフィルタ５１の下流に構成される。
【００４６】
[0061]  図２に示される全ての光学要素（および本実施形態の概略図に示されていない追加の光学要素）は、例えばＳｎなどの放射源ＳＯによって生成される汚染物質の堆積を受けやすいことがある。これは放射コレクタ５０にも当てはまり、スペクトル純度フィルタ５１が存在した場合にも当てはまる。したがって、洗浄デバイスがこれらの光学要素のうちの１つ以上を洗浄するために採用されるとともに洗浄方法がそれらの光学要素に適用されてもよいが、法線入射リフレクタ５３および５４、ならびに反射要素５８および５９、または追加のミラー、格子等の他の光学要素に適用されてもよい。
【００４７】
[0062]  放射コレクタ５０はかすめ入射コレクタであってもよく、そのような実施形態では、コレクタ５０は光軸Ｏに沿って位置合わせされる。放射源ＳＯまたはその像は、光軸Ｏに沿って配置されてもよい。放射コレクタ５０は、リフレクタ１４２、１４３および１４６（「シェル)」またはいくつかのＷｏｌｔｅｒ型リフレクタを含むＷｏｌｔｅｒ型リフレクタとしても公知である）を含んでもよい。リフレクタ１４２、１４３および１４６は、入れ子化され、光軸Ｏの周りで回転対称であってもよい。図２では、内側リフレクタは参照番号１４２で示され、中間リフレクタは参照番号１４３で示され、かつ外側リフレクタは参照番号１４６で示される。放射コレクタ５０は、ある体積（すなわち（１つ以上の）外側リフレクタ１４６内の体積）を囲む。通常、（１つ以上の）外側リフレクタ１４６内の体積は、小さな開口部が存在してもよいが、円周方向で閉じられている。
【００４８】
[0063]  リフレクタ１４２、１４３および１４６のそれぞれは、その少なくとも一部が１層の反射層または多数の反射層を表す表面を含んでよい。したがって、リフレクタ１４２、１４３および１４６（あるいは３つより多いリフレクタまたはシェルを有する放射コレクタの実施形態における追加のリフレクタ）は、放射源ＳＯからＥＵＶ放射を反射および集光するように少なくとも部分的に設計され、かつリフレクタ１４２、１４３および１４６の少なくとも一部は、ＥＵＶ放射を反射および集光するように設計されないことがある。例えば、リフレクタの裏面の少なくとも一部は、ＥＵＶ放射を反射および集光するように設計されない。これらの反射層の表面上には、保護のためのキャップ層または反射層の表面の少なくとも一部の上に設けられる光フィルタが存在してもよい。
【００４９】
[0064]  放射コレクタ５０は、放射源ＳＯまたは放射源ＳＯの像の付近に配置されてよい。リフレクタ１４２、１４３および１４６の各々は、少なくとも２つの隣接する反射面を含んでよく、放射源ＳＯから離れたほうに位置する反射面は、放射源ＳＯに近いほうに位置する反射面よりも、光軸Ｏに対して小さな角度で配置される。このようにして、かすめ入射コレクタ５０は、光軸Ｏに沿って伝搬する（Ｅ）ＵＶ放射ビームを生成するように構成される。少なくとも２つのリフレクタは、実質的に同軸に配置され、光軸Ｏの周りで実質的に回転対称に延在してもよい。放射コレクタ５０が、外側リフレクタ１４６の外面上にさらなるフィーチャ、または外側リフレクタ１４６の周りにさらなるフィーチャ、例えば保護ホルダやヒータなどを有してもよいことが理解されたい。
【００５０】
[0065]  本明細書中に記載する実施形態において、「レンズ」および「レンズ要素」という用語は、文脈によっては、屈折、反射、磁気、電磁気、および静電型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【００５１】
[0066]  本明細書で使用する「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５、２４８、１９３、１５７、または１２６ｎｍの波長λを有する）、極端紫外線（ＥＵＶまたは軟Ｘ線）（例えば、５〜２０ｎｍの範囲の波長、例えば１３．５ｎｍの波長を有する）または５ｎｍ未満で働く硬Ｘ線、ならびにイオンビームや電子ビームなどの粒子ビームを含めた全てのタイプの電磁放射を包含する。一般に、約７８０〜３０００ｎｍ（以上）の間の波長を有する放射がＩＲ放射とみなされる。ＵＶは、約１００〜４００ｎｍの波長を有する放射を指す。リソグラフィにおいて、ＵＶは、水銀放電ランプによって生成することができる波長、すなわちＧ線４３６ｎｍ、Ｈ線４０５ｎｍおよび／またはＩ線３６５ｎｍにも当てはまる。真空ＵＶまたはＶＵＶ（すなわち、空気によって吸収されるＵＶ）は、約１００〜２００ｎｍの波長を有する放射を指す。深ＵＶ(ＤＵＶ)は、通常、１２６ｎｍ〜４２８ｎｍの範囲の波長を有する放射を指し、一実施形態では、エキシマレーザがリソグラフィ装置内で使用されるＤＵＶ放射を生成することができる。例えば５〜２０ｎｍの範囲内の波長を有する放射は、少なくとも一部が５〜２０ｎｍの範囲内にある特定の波長帯域を有する放射に関係することを当業者は理解されたい。
【００５２】
ＩＩＩ．イメージ補償静電チャック（またはクランプ））
[0067]  図３は、本発明の一実施形態による拡大された静電チャックアセンブリ３００および関連テーブル４００を概略的に示す。図３では、静電チャックアセンブリ３００は、チャック基板３１０、少なくとも１つの電極層３１５および３２０、サポート層３３０（例えば、ピンチャックの形態を有する）およびアクチュエータ層３５０を含む。静電チャックアセンブリ３００は、リソグラフィ動作中、パターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）を適切な位置で支持（すなわち、クランプ）するように構成される。
【００５３】
[0068]  一例では、チャック基板３１０は、アセンブリ全体に支持およびサポートを提供し、電極層３１５および３２０ならびにサポート層３３０の設置面積を超えてもよい。
【００５４】
[0069]  一例では、チャック基板３１０の上に直接あるかまたはその中に配置され得る電極層３２０自体は、少なくとも１つの電極からなる。電極層３２０は、基板３１０とサポート層３３０との間に配置される。電極層３２０の電極に電圧を加えると、静電引力がパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに加えられる。したがって、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを、例えば静電力によって、チャック３００に取り外し可能に取り付けることができる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡは静電チャック３００およびテーブル４００とは独立している。パターニングデバイスはアクチュエータを全く含まない。パターニングデバイスは受動的な物体であってよい。
【００５５】
[0070]  電極層３２０は１つより多い電極を含んでよい。電極の数、サイズおよび形状は、多数の要素、例えば、所望の静電クランプ力の全体的な面積（すなわち、サイズ）、必要な静電力を実現するための所要の密度（すなわち、平行電極間の間隔）および所要の静電力場の設計特性などに依存してよい。
【００５６】
[0071]  一実施形態では、チャック３００は、チャック３００を移動可能テーブル４００に取り付けるように構成された少なくとも１つの電極を含むさらなる電極層３１５を含んでよい。移動可能テーブル４００はテーブル電極４１０を含んでよい。さらなる電極層３１５とテーブル電極４１０との間に生成される静電場は、チャック３００をテーブル４００にクランプするのに効果的である。チャック３００をテーブル４００に取り付ける代替的な方法、例えば機械的固定が提供されてもよい。
【００５７】
[0072]  一例では、サポート層３３０は、電極層３２０の封入を完了し、チャックにクランプされているあらゆる物体に物理的サポートを提供する。例えば、サポート層３３０は、通常、平坦な端部を有する複数の非常に小さいガラス突出部からなる。チャック基板３１０、電極層３１５および３２０、サポート層３３０およびアクチュエータ層３５０の全てまたはいくつかは、例えば、積層、接着、結合または固定することによって一緒に取り付けられる。
【００５８】
[0073]  一例では、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを、サポート層３３０の外側表面上に配置して完全に支持することができる。一例では、サポート層３３０はガラスからなり、それによってピンチャック３３０は導電性を有さず、電極層３２０からパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡへの静電力結合に対して全く影響を与えない。サポート層３３０は、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡをクランプ（すなわち、適切な場所で保持）しない。むしろクランプは、電極層３２０を含む電極に電圧を加えることによって生成される静電場によって提供され、サポート層３３０は、単に物理的接触サポートを提供する。静電場が生成される電極層３２０の上の領域は、イメージ補償のアドレス可能な静電チャックの静電クランプ領域と呼ぶことができる。
【００５９】
[0074]  一例では、チャック３００には、複数のアクチュエータ３５１を含むアクチュエータ層３５０が設けられる。一例では、アクチュエータ３５１はサポート層３３０を変形させるように構成される。サポート層３３０を変形させることにより、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡが電極層３２０によって生成される静電力によってサポート層３３０にクランプされた場合、サポート層３３０の変形はパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに伝達される。したがって、複数のアクチュエータ３５０を用いてパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを変形させることができる。
【００６０】
[0075]  一実施形態では、アクチュエータ層３５０は、電極層３２０とは反対側である基板３１０の側面に配置される。しかしながら、アクチュエータ層３５０は、サポート層３３０を変形することができる限りあらゆる場所に位置決めされてよい。例えば、アクチュエータ層３５０は、電極層３２０とサポート層３３０との間、電極層３２０と基板３１０との間、さらなる電極３１５とテーブル４００との間、テーブル４００におけるテーブル電極４１０のいずれか側といった非限定の場所のうちの任意の場所に位置決めされてよい。
【００６１】
[0076]  アクチュエータ層３５０のアクチュエータ３５１の数、サイズおよび位置は、必要に応じて選択される。一例では、アクチュエータ３５１はピエゾアクチュエータである。
【００６２】
[0077]  隣接するアクチュエータ３５１間の間隔は１つまたは両方の直交方向において均一または不均一であってよい。一例では、アクチュエータ３５１は、作動の方向および／または作動の大きさにおいて制御可能であってよい。これは、例えば、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡの凹状および凸状の両方の部分を、その凹状および／または凸状部分の下で複数のアクチュエータ３５１を用いて平坦に補正することを可能にする。
【００６３】
[0078]  したがって、クランプおよび補償機能は独立していて最大のクランプ力を達成することができる。＋Ｚおよび−Ｚの両方の補正が可能である。高密度のアクチュエータ３５１が可能であり、アクチュエータ３５１および制御部品は（例えば、プリンタヘッドに使用するために）容易に利用可能である。
【００６４】
[0079]  図４および図５は、アクチュエータ３５１の異なる実施形態を概略的に平面図で示す。図４は、二次元アレイの複数のアクチュエータのアクチュエータ３５１を示す。限定的ではなく説明の便宜上、アクチュエータ３５１は、平面図において円形であって、互いに直交する２つの主軸によって二次元アレイにおいて規則的間隔で示される。各アクチュエータ３５１は、アナログマルチプレクサ３５５によってアクチュエータ３５１に電圧を印加することによって個別にアドレス可能である。論理スイッチ３５７は正しい列のアクチュエータ３５１を選択する。一実施形態では、複数のアクチュエータ３５０の主軸は、互いに直交するｘ方向およびｙ方向である。代替の実施形態では、各々のアクチュエータ３５１は、個別にアドレス可能であってよい。これは製造および電気的接続がより困難になることもあるが、より簡単な作動レベルの制御という結果となる。逆に、図４の実施形態では、正確な通電レベルを各アクチュエータに適用することが重要であり得る。なぜなら、特定のｘ,ｙ点は同じｘまたはｙ電極を示す他の点と作動レベルを共有するからである。
【００６５】
[0080]  サポート層３３０の所望の変形が一度計算されると、アクチュエータ層３５０のアクチュエータ３５１は、サポート層３３０を所要の領域内の所要の量によって変形させるように制御されてよい。これは、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ３４０が電極層３２０によってサポート層３３０に取り付けられた後またはパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡがサポート３３０に取り付けられるかまたはクランプされる前に行われてよい。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡは、サポート層３３０と類似の形状を有する。これは、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを変形させることを可能にし、それによって、例えば、サポート層３３０を変形させるアクチュエータ層３５０のアクチュエータ３５１が存在しない場合と比較してパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡをより完全に平坦にする。スキャン動作中、各アクチュエータ３５１の作動レベルを一定に維持することができ、それによって簡単な制御を提供する。
【００６６】
[0081]  図５では、電極３５１ａ〜３５１ｘは一次元アレイで構成される。複数の電極３５１ａ〜３５１ｘは、ｙ方向（照明スリット１１２０に対するチャック３００のスキャン方向）に延びたサポート層３３０の一部を変形させるように構成される。一次元アレイはｘ方向（第１方向に）延在する。スキャン中、チャック３００は矢印３０１で示されるｙ方向に移動する。論理モジュール３５７には、照明スリット１１２０に対するｙ方向におけるチャック３００の位置に関連するデータ３５９が提供される。ｘおよびｙ方向におけるパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡの各位置の所要の作動レベルを知ることによって、アクチュエータ３５１ａ〜３５１ｘの各々は、照明スリット１１２０の下に位置決めされた物体の一部のマトリックスポイントに対する所要のレベルによって適切なときに作動されてよい。
【００６７】
[0082]  したがって、図４の実施形態と比較して、アクチュエータ層３５０のアクチュエータ３５１ａ〜３５１ｘの各々は複数のマトリックスポイントを形成する。複数のマトリックスポイントは、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡのスキャン動作と実質的に平行なラインにある（すなわち、ｙ方向にアラインされる）。相関中、各々のアクチュエータに対する複数のマトリックスポイントの所要の補償値は、マトリックスポイントが照明スリット１１２０の下にあるときまたはパターニングデバイス（たとえば、マスク）ＭＡ（またはチャック）が照明スリット１１２０に対するスキャン動作中に所定の位置にあるときのスキャン動作の期間に相関される。
【００６８】
[0083]  したがって、作動値は少なくとも部分的にスキャン動作中に適用され、そしてその適用中、各々のアクチュエータ３５１ａ〜３５１ｘに適用される作動レベルは、スキャン動作の期間および／または照明スリット１１２０に対する物体の位置に対する補償値によって変化する。
【００６９】
[0084]  少なくとも一実施形態では、クランプされるパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡはかなり一貫した変形を有する。特に、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡは、多くの場合、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡの端に沿って変形される（例えば、湾曲される）。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡは、中心がパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡの外端の上または下である弓の形状をとることができる。したがって、チャック３００は、望ましくは、チャック３００面積の端における変形のより正確な制御を提供する。アクチュエータ３５１は、これを達成するために静電クランプ領域の端により密接に配置される。
【００７０】
[0085]  本発明の少なくとも一実施形態では、静電チャック３００はパターニングデバイスとは異なる物体を支持してよい。例えば、チャック３００は、結像対象の基板Ｗを支持してよい。
【００７１】
[0086]  チャック３００は静電チャックとは別のチャックであってもよい。例えば、チャック３００は、加圧クランプ（例えば、真空クランプ）の使用などといった異なる方法によってパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ（または結像対象の基板Ｗなどの他のクランプ物体）をサポート層３３０に保持してもよい。
【００７２】
[0087]  本明細書中、その全体が参考として援用されるＪＰ２００９−１６４２８４号は、チャックに取り付け可能であるパターン形成ボードを開示する。パターン形成ボードは、基板に転写されるパターンを形成するために反射層および吸収層を有する。反射層および吸収層は、基体部およびピエゾ素子と積層される。ピエゾ素子に電圧を加えて反射層および吸収層を変形することができる。このシステムは、結像される異なるパターンの各々に個別のアレイのピエゾ素子を提供する必要があるという不利な点を有する。すなわち、ＪＰ２００９−１６４２８４号のシステムは、ピエゾ素子を組み込むためにパターニングデバイスの特別な製造を必要とする一方、本発明は、従来のパターニングデバイス（例えば、マスク）および基板などの他のさらなる物体と共に使用することができる（これは、ピエゾ素子アレイは各基板に積層される必要があるため、ＪＰ２００９−１６４２８４のシステムでは実用的ではない）。
【００７３】
[0088]  図６Ａは、チャック上に設置された非平坦なレチクルの断面を概略的に示す。
【００７４】
[0089]  図６Ｂは、本発明の一実施形態による、各アクチュエータ３５１が電気的に個別にアドレス可能であるチャック３００の断面を概略的に示す。図６Ａの非平坦性は補正された。要素６１０は、１１個の例示的アクチュエータ３５１への１１個の例示的電気的接続の一連である（ここでは、断面が示されている）。電気的接続６１０は、図６に示すように、電圧Ｖ１〜Ｖ１１の作動レベルが与えられる。本発明のアクチュエータ３５１に対する作動レベルの最も一般的な測定基準は電圧であるが、作動レベルは電圧のみで規定されることに限定されない。作動レベルの電気的接続を介するアクチュエータ３５１への適用は、作動レベルに比例するアクチュエータの拡張（または収縮）を生成し、それによってサポート層３１０の変形、よってパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡの所望の変形を生成する。
【００７５】
[0090]  パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡは、アクチュエータ層３５０のアクチュエータ３５１によって誘導される変形によって補正することができる表面凹凸（例示的パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡの湾曲によって図６Ａに示す）を含み得る。複数の作動レベル（Ｖ１〜Ｖ１１）を複数の電気的接続６１０を介して複数のアクチュエータ３５１に伝達することができるため、複数の変形をサポート層３３０に生成することができる。これは、１つ以上のアクチュエータが、周囲のサポート表面と比較してサポート層３３０のサポート表面において正または負のずれ（＋ｚまたは−ｚ）を生成することができるということを意味する。一例では、この原理は上記の図４および図５に開示される二次元の実施形態に当てはめることができ、ここでは、変形は、複数の直交に配置されたアクチュエータ３５１または一次元アクチュエータアレイに適用される作動レベル基づいて二次元でパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに適用される。しかしながら、本発明は、単に変形エラーの補正を提供することに限定されない。
【００７６】
[0091]  一例では、クランプされたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ（または結像対象の基板Ｗなどの他のクランプ物体）に変形を適用させてチャック／クランプの表面凹凸、投影システムの結像エラー、ターゲット基板の変形／凹凸、およびスキャン方向と垂直であるスキャンエラーを補正することができる。したがって、複数のアクチュエータ３５１は、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ（または基板Ｗ）変形を補正するためだけに使用されるのではなく、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ（または基板Ｗ）変形が様々な他のリソグラフィシステムエラーのイメージを補償するように誘導し、それによって全イメージ品質を向上させ、その結果、製造欠陥を最小限にして効率を上げる、ということに留意することが重要である。
【００７７】
[0092]  図７Ａは、本発明の一実施形態による、上手く結像されるデバイスの量を高めることによって製造効率を最大にするために静電チャックを使用する方法を示す。静電チャックシステムを使用する一方法は、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ７１０をクランプすることおよび凹凸７３０を補償することといった２つのステップを含む。さらなるステップを採用してもよい。
【００７８】
[0093]  図７Ｂの実施形態は、クランプすること（ステップ７１０）と補償すること（ステップ７３０）との間にさらに５つのステップを含む。これら５つのステップとは、表面凹凸マップを受けること７１２、凹凸マップを複数の補償値７１４に変換すること７１４、補償値を、各々が複数のアクチュエータのうちの１つによって形成されるマトリックスポイントと関連付けまたは相関させること７１６、適用される関連付けられた補償値という結果となるアクチュエータ３５１の作動レベルを決定する（例えば、計算する）こと７１８、および計算した作動レベル７２０を適用することである。
【００７９】
[0094]  一例では、補償値は、仮想平面（例えば、ｚ軸と垂直である）からのマトリックスポイントの変位を示し得る変位値である。一実施形態では、関連付けられるマトリックスポイントにおける補償値を達成するために対応するアクチュエータ３５１によって必要とされる補償値の方向および／または大きさに比例する信号であり得る。したがって、パターニングデバイス（たとえば、マスク）ＭＡがサポート層３３０上にクランプされる一方、各々のアクチュエータ３５１に作動レベルを適用させて各マトリックスポイントにおける補償値に従ってサポート層３０を変形させる。
【００８０】
[0095]  図５の実施形態の場合、相関中、各々のアクチュエータ３５１に対する複数のマトリックスポイントの複数の補償値は、スキャン動作中にマトリックスポイントがスキャンされる期間および／または照明スリット１１２０に対するスキャン動作中のチャック３００の位置と相関される。その後、適用は少なくとも部分的にスキャン動作中に行われる。適用中、各々のアクチュエータ３５１に適用される作動レベルは、スキャン動作の期間および／または照明スリットに対するパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡの位置に対する補償値による期間／位置によって変化する。
【００８１】
[0096]  本発明の一実施形態では、適切な位置で保持される（すなわち、「チャックされる」）パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡは、まず初めに、標準の均一なカスタム化されていない静電場を介して（例えば、図３に示すような）イメージ補償のアドレス可能な静電チャック３００にクランプされる（ステップ７１０）。表面凹凸マップを動的変形コントローラ（図示せず）によって受ける（ステップ７１２）。コントローラは、（ステップ７１２から）受けたマップを複数の補償値（例えば、表面凹凸を補償するために必要とされる変形の量）に変換する（ステップ７１４）ための内部論理を含む。ステップ７１６では、コントローラは、各々の補償値を、各々が複数のアクチュエータ３５１のうちの１つによって形成されるマトリックスポイントと関連付ける。その後、ステップ７１８では、各アクチュエータ３５１に対する作動レベルは、補償値がクランプされたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに適用されるように計算される。最後に、ステップ７２０では、計算された作動レベルは、コントローラによって静電チャック３００のアクチュエータ３５１に適用される。作動レベルをアクチュエータ３５１に適用することによって、凹凸を補償するステップ７３０が達成される。アドレス可能な作動レベルが静電チャックアクチュエータ３５１に適用された後、変形は不均一であってよく、複数のアクチュエータ３５１の各々は異なる作動レベルで保持されてよい。異なる作動レベルは、チャックされているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡに対して異なる変形力を生成する。この空間的に異なる変形は、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡの表面凹凸を補正するように、保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡをチャック３００が再整形することを可能にする。
【００８２】
[0097]  イメージ補償のアドレス可能なチャック３００は、クランプされているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ（または結像対象の基板Ｗなどの他のクランプ物体）の表面凹凸を補正することに限定されない。イメージ補償のアドレス可能な静電チャックは、サポート層３３０および／または下層のチャック基板３１０が、クランプされているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ（または結像対象の基板Ｗなどの他のクランプ物体）が変形することをもたらす製造欠陥を有する場合、変形を補正することもできる。クランプされるパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ（または結像対象の基板Ｗなどの他のクランプ物体）の変形をもたらす製造凹凸は、補正の前に予めマッピングされる（すなわち、識別される）必要がある。同様に、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ（または結像対象の基板Ｗなどの他のクランプ物体）および基板／ピンチャックの両方のマッピングされた凹凸が存在する場合、コントローラは２つのデータセットを組み合わせ、イメージの両方のタイプのエラーを補償する補正を作り出すことができる。
【００８３】
[0098]  別の実施形態では、投影システムによって作り出されるイメージエラー（例えば、イメージ湾曲、イメージ焦点、イメージ歪み、非点収差など）が存在しており、非均一な変形をパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ（または結像対象の基板Ｗなどの他のクランプ物体）に適用することは、イメージエラーを補償する。ある実施形態では、イメージエラーの詳細は予め定量化されている。このデータは、イメージエラーを補償するためだけに、あるいは、チャック基板／ピンチャックの製造欠陥および／またはパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ（または結像対象の基板Ｗなどの他のクランプ物体）自体の表面凹凸を補正することと組み合わせて、コントローラによって使用されてよい。別の実施形態では、スキャン方向と垂直である繰り返しのスキャンエラーを補償することができる。スキャンエラーに関するデータは、コントローラによって受けることができ、かつスキャン中の適切な時点でパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ（または結像対象の基板Ｗなどの他のクランプ物体）に加えられる静電力を修正することによって補償することもできる。スキャンエラーを補正することは、それのみで行われてもよく、または、チャック基板／ピンチャック製造エラー、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ（または結像対象の基板Ｗなどの他のクランプ物体）表面凹凸、および投影システムによって導入されるイメージエラーを補償することと組み合わせて行われてもよい。
【００８４】
[0099]  図８Ａは、補償作動値がアクチュエータ３５１に適用された後、イメージの残留エラーが検査され、その後これはアクチュエータ３５１のさらなる補償作動によって補償することができるようにフィードバックを有する静電チャックを用いる本発明の別の方法を示す。図８Ａは、以下のステップ、すなわち、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ（または結像対象の基板Ｗなどの他のクランプ物体）が静電チャック８１０にクランプされること８１０、凹凸が測定されること８２０、凹凸が補償されること８３０、適切な補償が適用されたか否かを検証するためにイメージが監視されること８４０、およびエラーが１つでも残っている場合、これらの残留エラーは補償されること８５０を含む。リソグラフィシステムは、凹凸／エラー８２０を多数の方法によって測定することができる（例えば、凹凸／エラーは、干渉計システムを用いて測定することができ、またはリソグラフィ装置の既存の結像システムを上手く利用するイメージ品質評価システムを用いて測定することができる）。適切な補償を検証するためには（ステップ８４０）、凹凸／エラーに対する初期測定と同一の測定が行われる。残留エラーのさらなる補償の適用は、イメージを既に補償している不均一な変形に加えられる。
【００８５】
[0100]  図８Ｂに示す実施形態では、（図７Ｂに示すように）補償される凹凸／エラーを受ける代わりに凹凸／エラーが測定される。例えば、図７Ａおよび図７Ｂのようにさらなるステップを採用してもよい。図８Ｂは、クランプすること（ステップ８１０）と補償すること（ステップ８３０）との間にさらに５つのステップを含む。これらの５つのステップとは、凹凸を測定すること８２０（図８Ａおよび図８Ｂに示す）、凹凸を複数の補償値に変換すること８２２、補償値をアクチュエータによって形成されるマトリックスポイントと関連付けること８２４、適用される関連付けられた補償値という結果となるアクチュエータの作動レベルを計算すること８２６、および計算された作動レベル８２８を適用する８２８ことである。
【００８６】
[0101]  本発明の一実施形態では、適切な位置で保持される（すなわち、「チャックされる」）パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ（または結像対象の基板Ｗなどの他のクランプ物体）は、標準の均一なカスタム化されていない静電場を介して（例えば、図３に示すような）イメージ補償のアドレス可能な静電チャック３００にクランプされる（ステップ８１０）。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ（または結像対象の基板Ｗなどの他のクランプ物体）凹凸の測定をとり（ステップ８２０）、これを動的変形コントローラ（図示せず）に送る。コントローラは、（ステップ８２０からの）測定された凹凸を複数の補償値（すなわち、表面凹凸を補償するために必要とされる変形の量）に変換する（ステップ８２２）ための内部論理を含む。ステップ８２４では、コントローラは、各々の補償値をマトリックスポイントと関連付ける。ステップ８２６では、各アクチュエータ３５１に対する作動レベルは、関連付けられた補償値がクランプされたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ（または結像対象の基板Ｗなどの他のクランプ物体）に適用されるように計算される。ステップ８２８では、計算された作動レベルは、コントローラによって静電チャック３００のアクチュエータ３５１に適用される。作動レベルをアクチュエータ３５１に適用する（ステップ８２８）ことによって、凹凸を補償するステップ８３０が達成される。アドレス可能な作動レベルを静電チャック３００に適用することは不均一であってよく、アクチュエータの各々は異なる通電レベルで保持されてよい。異なる作動レベルは、チャックされているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ（または結像対象の基板Ｗなどの他のクランプ物体）に対して変形を生成する。この変形は、物体の表面凹凸を補正するように、保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ（または結像対象の基板Ｗなどの他のクランプ物体）をチャックが再整形することを可能にする。
【００８７】
[0102]  一例では、ステップ８２０から８２８はステップ８４０および８５０で繰り返され、第１補償方法によって元々測定または生成されていないあらゆる残留エラーを補償する。残留補償は初期補償に累積される。一実施形態では、残留凹凸／エラーの測定およびフィードバックを使用する補償は連続的ではなく、ユーザ定義の通過回数の後に完了したものとみなされる。
【００８８】
[0103]  図９Ａは、本発明の一実施形態による、イメージ品質フィードバックイメージ補償のアドレス可能な静電チャックを用いて静電チャックを使用する方法を示す。この実施形態では、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ（または結像対象の基板Ｗなどの他のクランプ物体）は、均一な静電場有しかつ全てのアクチュエータ３５１が中性位置にある静電チャック上にクランプされる（ステップ９１０）。イメージ品質評価システムを用いてパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）（または結像対象の基板Ｗなどの他のクランプ物体）に像が形成される（ステップ９２０）。一実施形態では、イメージ品質評価システムは、追加の装置を必要とすることなくリソグラフィシステムのイメージ部品および性能を使用することができる。イメージの品質は測定される（ステップ９３０）。イメージが良好であるか否かについての判断がされる（ステップ９４０）。イメージが「良好」であるか否かを決定することは、ユーザの考え次第による主観テストである。しかしながら、本発明の最終的な目的はリソグラフィデバイス欠陥を最小にしかつリソグラフィプロセスのスループットを最大にすることであるため、テストにはいくつかの目的要素がある。これらの目的要素としては、イメージアライメント、イメージ湾曲、イメージ焦点、イメージ歪みおよび非点収差などを排他的に含む。イメージが良好とみなされた場合（ステップ９４０）、方法は、イメージ品質が許容可能であるためステップ９６０で止まる。しかしながら、答えが否定的であった場合、すなわちイメージ品質が良好ではなかった場合（ステップ９４０）、ステップ９５０、すなわちイメージ品質の補償が行われ、これは、物体内へと誘導される変形という結果となる。
【００８９】
[0104]  図９Ｂは、イメージ品質を補償することであるステップ９５０の詳細図である。
【００９０】
[0105]  図９Ｂに示す一実施形態では、適切な位置で保持される（すなわち、「チャックされる」）パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ（または結像対象の基板Ｗなどの他のクランプ物体）は、標準の均一なカスタム化されていない静電場を介して（例えば、図３に示すような）イメージ補償のアドレス可能な静電チャック３００にクランプされる（ステップ９１０）。ステップ９２０でイメージ品質（すなわち、イメージアライメント、イメージ湾曲、イメージ焦点、イメージ歪みおよび非点収差）の測定を行い、これを動的変形コントローラ（図示せず）に送る。コントローラは、イメージ品質が十分に良いか否かを決定する（ステップ９４０）。イメージ品質が良好ではないと決定された場合、コントローラは、測定された凹凸（ステップ９２０）を複数の補償値（すなわち、表面凹凸を補償するために必要とされる変形の量）に変換する（ステップ９５２）ための内部論理を含む。ステップ９５４では、コントローラは、各々の補償値をマトリックスポイントと関連付ける。ステップ９５６では、各アクチュエータ３５１に対する作動レベルは、関連付けられた補償値がクランプされたパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ（または結像対象の基板Ｗなどの他のクランプ物体）に適用されるように計算される。ステップ９５８では、計算された作動レベルは、コントローラによって静電チャック３００のアクチュエータ３５１に適用される。作動レベルをアクチュエータ３５１に適用する（ステップ９５８）ことによって、イメージ品質を補償するステップ９３０が達成される。異なる変形は、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ（または結像対象の基板Ｗなどの他のクランプ物体）の表面凹凸を補正するように、保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ（または結像対象の基板Ｗなどの他のクランプ物体）を静電チャックが再整形することを可能にする。
【００９１】
[0106]  一例では、イメージ補償のアドレス可能な静電チャックは、スキャンエラー、例えば、スキャン方向（ｙ）と垂直であるｚ方向の非平坦性エラーを補正することもできる。図１０および図１１は、ステージのスリット照明に基づいて静電チャックをアドレスする方法の２つの別々の実施形態を示す。図１０は、アドレス可能な静電チャックマトリックス１０１０およびＸ方向の弧状照明スリット１０２０を示す。Ｙ方向のスキャンエラーは、弧状の照明スリット１０２０などの照明スリットの形状に基づいて適切なときに補償することができる。図１１は、Ｘ方向の線形照明スリット１１２０に対して補償を行うアドレス可能な静電チャックマトリックス１１１０を示す。
【００９２】
[0107]  イメージ補償は、本発明の一実施形態による、ターゲット基板（すなわち、ウェーハ）のアドレス可能な静電チャックのクランプによって達成することもできる。イメージ品質における残留凹凸／エラーは、不均一な静電力をイメージ基板に適用することによって補償することもできる。
【００９３】
[0108]  本発明の別の実施形態では、別のタイプのエラー／凹凸を測定および補償する前に特定のタイプのエラー／凹凸を測定および補償することによってイメージエラー／パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ／基板Ｗ凹凸を補償する方法が行われる。イメージエラー／パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ／基板Ｗ凹凸のタイプは、リソグラフィシステム内の異なる周波数で生じ、リソグラフィシステムの効率を上げるためには、エラー／凹凸を似たような順序でアドレスする必要がある。
【００９４】
[0109]  図１２は、本発明の一実施形態による、異なるエラー／凹凸および補償の実施の順序の階層チャートである。実施されるべき第１の補償はチャック／クランプエラー１２１０の補償である。チャック／クランプ部品はリソグラフィ装置の不変の部分であり、チャック／クランプのエラー／凹凸はまれに（温度限界および摩損のみによって）変化する。次に実施されるべき補償は、少なくともパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを取り替えるごとによって測定されるパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡエラー１２２０である。実施されるべき第３の補償は、Ｘ方向の照明１２３０における光学結像エラーである。これらのエラーは、リソグラフィシステムとの多数の変動要因により、チャック／クランプ凹凸およびパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡエラーより僅かに多く生じる。実施されるべき次の補償は、Ｙ方向スキャン１２４０における光学結像エラーであり、このＹ方向スキャン１２４０は、Ｘ方向照明１２３０と同様、リソグラフィシステムとの多数の変動要因により僅かに多く生じる。実施されるべき第５の補償は、より一層多く生じるステージスキャンエラー１２５０である。スキャンエラー１２５０は、多くの場合、決定論的ではなく、測定／定量化することがより困難である。決定論的であるステージスキャンエラー１２５０は、他の４つの補償がイメージ品質を高めるために使用された後に補償される。そして最後に、基板Ｗエラー１２６０の補償である。エラーは、頻繁に起こる基板Ｗの取替えごとに存在する。しかしながら、基板Ｗのエラーの補償は、他のタイプの補償と比較して全体のイメージ品質に対してあまり影響を与えない。したがって、最も頻繁に起きるのは基板Ｗエラーであることにかかわらず、通常、他の補償がイメージ品質を適切に高めることができる。
【００９５】
[0110]  一例では、これらの異なるタイプの補償が、イメージ品質が満足できるものになるまでバラバラに行われる。例えば、一部の場合、チャック／クランプエラー１２１０のみを補償する必要があるが、他の場合、許容可能なイメージ品質を達成するために各タイプのエラーを補償する必要がある。補償は、各レベルがイメージ品質全体をさらに高めるように累積的であり、イメージ品質が一度許容レベルを達成すると、さらなる補償は必要とされない。
【００９６】
[0111]  上記の説明は、限定ではなく例示を意図するものである。本発明が以下に述べる項目によって表されるものであることも明らかになるであろう。
１．リソグラフィシステムであって、
レチクルがパターン付きビームを生成するように前記レチクルを放射ビームのパス内でクランプするように構成されたレチクルサポートと、
前記パターン付きビームを基板のターゲット部分上に投影するように構成された投影システムと、
リソグラフィプロセス中に前記基板を支持するように構成された基板サポートと、
前記レチクルサポートに結合された静電チャックとを含み、前記静電チャックは、
基板と、
物体を支持するサポート層と、
電極を含みかつ前記基板と前記サポート層との間に配置された電極層であって、前記電極の通電の際に前記物体に静電引力を加えるように構成された電極層と、
前記サポート層を変形させるように構成された複数のアクチュエータと
を含む、リソグラフィシステム。
２．前記複数のアクチュエータは、前記レチクルサポートのスキャン方向と実質的に垂直な方向に延在する一次元アレイで構成されている、前記１に記載のリソグラフィシステム。
３．結像された物体のイメージ品質に影響を与える複数のイメージエラーを決定するためにイメージ品質評価システムを利用することと、
前記複数のイメージエラーに基づいて複数の静電補償力値を決定することと、
前記複数の静電補償力値を、チャックの前記サポート層の下の基板に配置された第１および第２の等間隔に配置された電極のセットによって形成される複数のマトリックスポイントと相関させることであって、前記第１および第２の電極のセットは他方のセットと略直交する向きである、ことと、
前記複数のマトリックスポイントの各々における前記物体に適用される関連付けられた補償力値に対応する前記第１および第２の電極のセットにおける各電極に対する通電レベルを決定することと、
前記複数のマトリックスポイントの各々で前記物体に対して静電補償力を生成するために前記第１および第２の電極のセットにおける各電極に前記通電レベルを適用することと
を含む、方法。
４．前記複数のイメージエラーは、イメージフィールド湾曲、イメージ焦点品質、イメージ歪みおよび非点収差のうちの少なくとも１つを含む、前記３に記載の方法。
５．前記アクチュエータの各々に対する前記作動レベルの適用の後に残る前記結像された物体の前記イメージ品質に影響を与える前記イメージエラーを、前記イメージ品質評価システムを用いて決定することをさらに含む、前記３に記載の方法。
６．前記補償値は、ステージ、チャック、物体基板またはイメージ基板と垂直な位置エラーを生成するスキャン不正確性のためのものである、前記３に記載の方法。
７．前記イメージ品質評価は、リソグラフィツールにおける結像の前に生じる、前記３に記載の方法。
８．前記イメージ品質評価は、リソグラフィツールの結像およびイメージ評価性能を利用してリソグラフィツール内その場で生じる、前記３に記載の方法。
９．前記複数のアクチュエータの各々は前記複数のマトリックスポイントを形成する、前記１５または前記３〜８のうちのいずれかに記載の方法。
１０．前記複数のマトリックスポイントは、前記物体のスキャン動作と実質的に平行なラインにある、前記９に記載の方法。
１１．前記相関中、前記アクチュエータの各々に対する前記複数のマトリックスポイントの前記補償値は、スキャン動作の期間および／または照明スリットに対するスキャン動作中の前記物体の位置と相関される、前記９または１０に記載の方法。
１２．前記適用は少なくとも部分的にスキャン動作中に行われ、前記適用中、前記アクチュエータの各々に適用される前記作動レベルは、前記スキャン動作の期間および／または前記照明スリットに対する前記物体の位置に対する前記補償値によって変化する、前記１１に記載の方法。
１３．物体の表面凹凸を決定するために干渉計を利用することと、
前記凹凸に基づいて複数の補償値を決定することと、
前記複数の補償値を複数のマトリックスポイントと相関させることであって、各マトリックスポイントは、チャックの基板とサポート層との間に配置された複数のアクチュエータのうちの１つによって形成される、ことと、
前記複数のマトリックスポイントの各々における前記物体に適用される関連付けられた補償値に対応する各アクチュエータに対する作動レベルを決定することと、
前記物体が前記サポート層上にクランプされる間、各マトリックスポイントにおける前記補償値に従って前記サポート層を変形させるために前記アクチュエータの各々に前記作動レベルを適用することと、
各アクチュエータに対する前記作動レベルの適用の後に残る前記物体の前記表面凹凸を、前記干渉計を用いて決定すること
を含む、方法。
１４．補償が決定される前記表面凹凸は、前記チャックされる物体に存在せず、むしろ前記チャックされる物体が結像される表面上に存在する、前記１３に記載の方法。
１５．前記チャックされる物体は、チャックすることの前には最小限および所定の表面凹凸を有しており、それにより、チャックすることによって誘導される前記表面凹凸は、チャック表面凹凸または空間的に不均一なクランプに起因する、前記１３に記載の方法。
【００９７】
結論
[0112]  発明の概要および要約の項目は、（一人以上の）発明者が想定するような本発明の１つ以上の例示的実施形態について述べることができるが、全ての例示的実施形態を述べることはできず、したがって、本発明および添付の請求の範囲をいかなる意味でも制限しないものとする。
【００９８】
[0113]  本発明は、特定の機能の実施を例示する機能的構成要素およびその関係を用いて上記に記載してきた。これらの機能的構成要素の境界は、説明の便宜性のために本明細書中に任意に画定されている。特定の機能およびその関係が適切に行われる限り、代替的な境界を画定することができる。
【００９９】
[0114]  特定の実施形態の前述の説明は、本発明の全体的性質を十分に明らかにしているので、当技術分野の知識を適用することにより、過度の実験をせず、本発明の全体的な概念から逸脱することなく、このような特定の実施形態を容易に変更および／またはこれを様々な用途に適応させることができる。したがって、このような適応および変更は、本明細書に提示された教示および案内に基づき、開示された実施形態の同等物の意味および範囲に入るものとする。本明細書の表現または用語は説明のためのもので、制限するものではなく、したがって本明細書の用語または表現は、当業者には教示および案内の観点から解釈されるべきことを理解されたい。
【０１００】
[0115]  本発明の幅および範囲は、上述した例示的実施形態のいずれによっても制限されず、以下の特許請求の範囲およびその同等物によってのみ規定されるものである。
【図１Ａ】
2012028770.tif 000003
【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
2012028770.tif 000017
【図１１】
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【図１２】
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【外国語明細書】
2012028770000001.pdf