(57)【要約】      （修正有）【課題】レジストのような感光材をスプレー方式で現像するに際して、感光材の残渣が発生しないようにする。【解決手段】現像方法は、露光済み感光材６０の下方から露光済み感光材６０に向けて現像液を吹き付ける方法である。半導体装置の製造方法は、支持基材６２上に形成した感光材６０を露光した後、感光材６０の下方から感光材６０に向けて現像液を吹き付けることによって感光材６０に開口６８を形成し、開口６８内の導体層上に外部接続用電極を形成する方法である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光済み感光材の下方から前記露光済み感光材に向けて現像液を吹き付けることを特徴とする現像方法。
【請求項２】
前記露光済み感光材が支持基材上に形成され、前記露光済み感光材を下に向けた状態で前記現像液の吹き付けを行うことを特徴とする請求項１に記載の現像方法。
【請求項３】
前記現像液の吹き付け後に、前記露光済み感光材の下方から前記感光材に向けてリンス液を吹き付けることを特徴とする請求項１又は２に記載の現像方法。
【請求項４】
前記現像液が炭酸ナトリウム水溶液であることを特徴とする請求項１から３の何れか一項に記載の現像方法。
【請求項５】
前記リンス液が純水であることを特徴とする請求項３に記載の現像方法。
【請求項６】
上方を向いた現像液噴射口が搬送ローラより下方に設けられていることを特徴とする現像装置。
【請求項７】
上方を向いたリンス液噴口が搬送ローラより下方に設けられていることを特徴とする請求項６に記載の現像装置。
【請求項８】
導体層上に形成したレジストを露光した後、前記レジストの下方から前記レジストに向けて現像液を吹き付けることによって前記レジストに開口を形成し、前記開口内の前記導体層上に外部接続用電極を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記現像液の吹き付け後、前記レジストの下方から前記レジストに向けてリンス液を吹き付けることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記導体層は、半導体ウエハ上のパッドに重なる位置に開口を有する絶縁膜上に形成されることを特徴とする請求項８又は９に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、現像方法及び現像装置並びに半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップのパッケージ方法として、いわゆるＷＬＰ（Wafer Level Package）法がある。ＷＬＰ法は、半導体ウエハの集積回路が形成された面に配線や電極の形成と樹脂封止を行った後に、その半導体ウエハを封止樹脂とともにチップサイズに個片化する方法である。
【０００３】
配線や電極は、アディティブ法によって形成することがある。つまり、フォトレジスト法によって所定パターンのレジストを半導体ウエハの上に形成した後、レジストの開口内に配線や電極を電解メッキ法等によって形成する。
レジストの形状加工は、露光・現像によって行われる。つまり、半導体ウエハの上にレジストを形成した後、そのレジストをステッパー等によって露光することによってレジストに潜像を形成し、その後、レジストを現像液で現像することによって潜像を顕在化させる。これにより、レジストに開口が形成される。特許文献１には、レジストの露光前にレジストを洗浄する装置が記載されている。
【０００４】
レジストの現像方式には、レジストを現像液に浸漬する浸漬方式と、現像液をレジストに吹き付けるスプレー方式等がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２５１７４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
スプレー方式の現像方法では、図１４に示すように、支持基材２０１の上に形成されたレジスト２０２に現像液が吹き付けられると、レジスト２０２の一部が現像液によって溶解していき、開口２０３が深くなっていく。しかし、既に反応に寄与した現像液が開口２０３内に滞留するから、レジスト２０２の残渣が生じてしまい、現像性の低下や解像度の低下を招いてしまう。特に、レジスト２０２が厚膜であると、レジスト２０２の残渣の発生が顕著に表れてしまう。
そこで、本発明が解決しようとする課題は、レジストのような感光材をスプレー方式で現像するに際して、感光材の残渣が発生しないようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以上の課題を解決するために、本発明に係る現像方法によれば、露光済み感光材の下方から前記露光済み感光材に向けて現像液を吹き付ける。
【０００８】
好ましくは、前記露光済み感光材が支持基材上に形成され、前記露光済み感光材を下に向けた状態で前記現像液の吹き付けを行う。
好ましくは、前記現像液の吹き付け後に、前記露光済み感光材の下方から前記感光材に向けてリンス液を吹き付ける。
好ましくは、前記現像液が炭酸ナトリウム水溶液である。
好ましくは、前記リンス液が純水である。
【０００９】
以上の課題を解決するために、本発明に係る現像装置では、上方を向いた現像液噴射口が搬送ローラより下方に設けられている。
【００１０】
好ましくは、上方を向いたリンス液噴口が搬送ローラより下方に設けられている。
【００１１】
以上の課題を解決するために、半導体装置の製造方法によれば、導体層上に形成したレジストを露光した後、前記レジストの下方から前記レジストに向けて現像液を吹き付けることによって前記レジストに開口を形成し、前記開口内の前記導体層上に外部接続用電極を形成する。
【００１２】
好ましくは、前記現像液の吹き付け後、前記レジストの下方から前記レジストに向けてリンス液を吹き付ける。
好ましくは、前記導体層は、半導体ウエハ上のパッドに重なる位置に開口を有する絶縁膜上に形成される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、現像液が感光材に形成された開口内に浸入しても、現像液が開口から落下するので、現像液が開口内に滞留することがない。そのため、開口内に感光材の残渣が発生することを抑えられる。従って、現像性・解像性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態に係る現像方法に用いる現像装置を示した概略断面図。
【図２】同実施形態に係る現像方法によって感光材が現像される様子を示した断面図。
【図３】本発明の第２実施形態に係る現像方法に用いる現像装置を示した概略断面図。
【図４】本発明の実施形態に係る現像方法を利用した半導体装置の製造方法の一工程における断面図。
【図５】図４の後の工程における断面図。
【図６】図５の後の工程における断面図。
【図７】図６の後の工程における断面図。
【図８】図７の後の工程における断面図。
【図９】図８の後の工程における断面図。
【図１０】図９の後の工程における断面図。
【図１１】図１０の後の工程における断面図。
【図１２】図１１の後の工程における断面図。
【図１３】図１２の後の工程における断面図。
【図１４】従来の現像方法によって感光材が現像される様子を示した断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下に、本発明を実施するための形態について、図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。
【００１６】
〔第１の実施の形態〕
図１は、現像装置１の概略断面図である。図１の紙面中、上から下に向かう方向が、重力の働く方向（鉛直方向）である。図１に示すように、現像装置１は、現像処理槽２、洗浄処理槽８、乾燥室１４、搬送装置２０、現像液噴射ノズル（現像液噴射口）２６、リンス液噴射ノズル（リンス液噴射口）２８及びブロワ３０を有する。
【００１７】
現像処理槽２の側面に入口４が設けられ、反対側の側面に出口６が設けられている。洗浄処理槽８の側面に入口１０が設けられ、反対側の側面に出口１２が設けられている。洗浄処理槽８の入口１０と現像処理槽２の出口６が連通している。乾燥室１４の側面に入口１６が設けられ、反対側の側面に出口１８が設けられている。乾燥室１４の入口１６と洗浄処理槽８の出口１２が連通している。
【００１８】
搬送装置２０は複数の搬送ローラ２２等を有する。これら搬送ローラ２２は、現像処理槽２の入口４の外側から、現像処理槽２、洗浄処理槽８及び乾燥室１４内を経由して、乾燥室１４の出口１８の外側にかけて配列されている。また、これら搬送ローラ２２の軸心が水平になっており、これら搬送ローラ２２が互いに平行に設けられ、隣り合う搬送ローラ２２の間には隙間２４が形成されている。搬送装置２０による搬送方向は、図１の紙面中の左から右に向かう方向である。なお、これら搬送ローラ２２が水平面に沿って配列されているのではなく、これら搬送ローラ２２が図１の紙面中の右上がり又は右下がりの傾斜面に沿って配列されていてもよい。
【００１９】
複数の現像液噴射ノズル２６が現像処理槽２内に配置されている。これら現像液噴射ノズル２６は、現像処理槽２内のうち搬送ローラ２２の高さの位置又はそれよりも下に配置されている。鉛直方向に見て、複数の現像液噴射ノズル２６が、隣り合う搬送ローラ２２の間で、搬送ローラ２２の軸心に平行な方向（図１の紙面に垂直な方向）に配列されている。そのような列のグループが搬送装置２０による搬送方向に沿って配列され、全体として、複数の現像液噴射ノズル２６が格子状に配列されている。現像液噴射ノズル２６は、重力に反する方向（以下、逆鉛直方向という。）に向けて配置され、現像液噴射ノズル２６による現像液のスプレーの向きが上向きとなっている。なお、現像液噴射ノズル２６が昇降するものとしてもよい。
【００２０】
複数のリンス液噴射ノズル２８が洗浄処理槽８内に配置されている。これらリンス液噴射ノズル２８は、洗浄処理槽８内のうち搬送ローラ２２の高さの位置又はそれよりも下に配置されている。鉛直方向に見て、複数のリンス液噴射ノズル２８が、隣り合う搬送ローラ２２の間で、搬送ローラ２２の軸心に平行な方向に配列されている。そのような列のグループが搬送装置２０による搬送方向に沿って配列され、全体として、複数のリンス液噴射ノズル２８が格子状に配列されている。リンス液噴射ノズル２８は逆鉛直方向に向けて配置され、リンス液噴射ノズル２８によるリンス液（例えば、水、純水）のスプレーの向きが上向きとなっている。なお、リンス液噴射ノズル２８が昇降するものとしてもよい。
【００２１】
乾燥室１４内では、ブロワ３０が搬送ローラ２２の上下にそれぞれ配置されている。上方のブロワ３０が下方に向けて送風し、下方のブロワ３０が上方に向けて送風する。
【００２２】
現像装置１を用いて感光材６０を現像する方法について説明する。
感光材（例えば、ドライフィルムレジスト、ウェットレジスト）６０は、支持基材（例えば、半導体ウエハ）６２の表面（right side）６４に形成されている。感光材６０は露光処理されたものであり、感光材６０には潜像が形成されている。
【００２３】
現像処理槽２の入口４の外側の搬送ローラ２２の上に支持基材６２を載置する。この際、感光材６０を鉛直方向に向け、支持基材６２の裏面（reverse side）６６を逆鉛直方向に向ける。複数の搬送ローラ２２が図１の紙面中右上がり又は右下がりの傾斜面に沿って配列されていれば、感光材６０が斜め下に向く。なお、支持基材６２が無い状態で、露光した感光材６０単体を現像処理槽２の入口４の外側の搬送ローラ２２の上に載置してもよい。
搬送装置２０が作動し、搬送ローラ２２が回転すると、支持基材６２が現像処理槽２、洗浄処理槽８、乾燥室１４をこれらの順に通過する。搬送装置２０の動作中には、現像液噴射ノズル２６、リンス液噴射ノズル２８からそれぞれ現像液、リンス液が噴射されているとともに、ブロワ３０によって送風が行われている。
【００２４】
支持基材６２が現像処理槽２内で搬送されている時には、図２に示すように、現像液噴射ノズル２６から逆鉛直方向に噴射された現像液が、感光材６０の下から感光材６０に吹き付けられる。現像液が感光材６０に吹き付けられると、感光材６０に形成された潜像が顕在化する。つまり、感光材６０が部分的に溶解し、感光材６０に開口６８が形成される。
【００２５】
感光材６０が鉛直方向に向けられているから、開口６８内に浸入した現像液が開口６８内に滞留することなく、開口６８から落下する。このように新鮮な現像液が開口６８内に供給されるから、感光材６０の残渣が開口６８内に発生することを防止することができる。そのため、現像性・解像度の向上を図ることができ、アスペクト比（感光材６０の厚さ／開口６８の幅）を大きく取ることができる。特に、感光材６０が厚膜レジストである場合に、開口６８の形成不良を防止することができる。
【００２６】
支持基材６２が洗浄処理槽８内で搬送されている時には、リンス液噴射ノズル２８から逆鉛直方向に噴射されたリンス液が、感光材６０の下から感光材６０に吹き付けられる。これにより感光材６０や支持基材６２が洗浄される。特に、開口６８内に浸入したリンス液が開口６８内に滞留することがないので、感光材６０の残渣や現像液が開口６８内に残留することを防止することができる。
【００２７】
支持基材６２が乾燥室１４内で搬送されている時には、ブロワ３０によって風が感光材６０や支持基材６２に吹き付けられて、感光材６０や支持基材６２が乾燥する。
【００２８】
〔第２の実施の形態〕
図３は、現像装置１Ａの概略断面図である。図３の紙面中、上から下に向かう方向が鉛直方向である。図３に示すように、現像装置１Ａは、処理槽２Ａ、支持具２０Ａ、現像液噴射ノズル２６Ａ及びリンス液噴射ノズル２８Ａを有する。
【００２９】
支持具２０Ａが処理槽２Ａ内に配置されている。この支持具２０Ａは、支持基材６２Ａを下に向けて支持するものである。例えば、支持具２０Ａは、支持基材６２Ａを吸着することによって支持基材６２Ａを支持するものである。
複数の現像液噴射ノズル２６Ａ及び複数のリンス液噴射ノズル２８Ａが処理槽２Ａ内に配置されている。これら現像液噴射ノズル２６Ａ及びリンス液噴射ノズル２８Ａは、処理槽２Ａ内のうち支持具２０Ａよりも下に配置されている。鉛直方向に見て、これら現像液噴射ノズル２６Ａが格子状に配列されている。同様に、リンス液噴射ノズル２８Ａも格子状に配列されている。
現像液噴射ノズル２６Ａは逆鉛直方向に向けて配置され、現像液噴射ノズル２６Ａによる現像液の噴射の向きが上向きとなっている。リンス液噴射ノズル２８Ａも同様である。なお、現像液噴射ノズル２６Ａ及びリンス液噴射ノズル２８Ａが昇降するものとしてもよい。
【００３０】
現像装置１Ａを用いて感光材６０Ａを現像する方法について説明する。
感光材（例えば、ドライフィルムレジスト、ウェットレジスト）６０Ａは、支持基材６２Ａの表面６４Ａに形成されている。感光材６０Ａの露光によって、潜像が感光材６０Ａ形成されている。
【００３１】
支持基材６２Ａを支持具２０Ａに装着する。この際、感光材６０Ａを鉛直方向に向け、支持基材６２Ａの裏面６６Ａを逆鉛直方向に向ける。なお、支持基材６２Ａが無い状態で、露光した感光材６０Ａを支持具２０Ａに装着してもよい。また、感光材６０Ａを横向き、斜め下向き、逆鉛直方向（真上の向き）又は斜め上向きにしてもよい。
その後、まず、現像液噴射ノズル２６Ａが動作し、現像液噴射ノズル２６Ａから逆鉛直方向に噴射された現像液が、感光材６０Ａの下から感光材６０Ａに吹き付けられる。これにより、感光材６０Ａに形成された潜像が顕在化する。第１実施形態の場合と同様に、感光材６０Ａが鉛直方向に向けられているから、感光材６０Ａの残渣が残りにくい。そのため、現像性・解像度の向上を図ることができ、アスペクト比を大きく取ることができる。
【００３２】
その後、現像液噴射ノズル２６Ａを停止し、リンス液噴射ノズル２８Ａが動作する。リンス液噴射ノズル２８Ａから逆鉛直方向に噴射されたリンス液が、感光材６０Ａの下から感光材６０Ａに吹き付けられる。これにより、感光材６０Ａや支持基材６２Ａが洗浄される。特に、感光材６０Ａが鉛直方向に向けられているから、感光材６０Ａの残渣や現像液が感光材６０Ａの開口内に残留することを防止することができる。
【００３３】
洗浄・リンス後、支持基材６２Ａを処理槽２Ａから取り出し、感光材６０Ａや支持基材６２Ａを乾燥させる。
【００３４】
〔応用例〕
半導体装置の製造方法について説明する。
図４に示された半導体ウエハ１０１から半導体装置を製造する。半導体ウエハ１０１は、分割予定線としての格子状の境界線（ダイシングストリート）１０２によって複数のチップ領域１０３に区画されている。これらチップ領域１０３がマトリクス状に配列されている。半導体ウエハ１０１の表側（right side）には、集積回路層１０４が形成されている。集積回路層１０４には、チップ領域１０３ごとに集積回路が形成されている。集積回路層１０４上には、複数のパッド１０９が形成されている。パッド１０９は、集積回路層１０４に形成された導電性パターン（配線）の一部である。集積回路層１０４の上にパッシベーション膜１０５が成膜され、パッシベーション膜１０５の上に絶縁膜１０７が成膜されている。パッシベーション膜１０５のうちパッド１０９に重なる位置には、開口１０６が形成されている。絶縁膜１０７のうちパッド１０９に重なる位置には、開口１０８が形成されている。パッシベーション膜１０５は、無機材料（例えば、酸化シリコン若しくは窒化シリコン又はこれらの両方）を含有する。絶縁膜１０７は、ポリイミド、エポキシ、フェノール、ビスマレイミド、アクリル、合成ゴム、ポリベンゾオキサイド等を主成分とした有機材料を含有する。なお、絶縁膜１０７は、無くてもよい。
【００３５】
図５に示すように、無電解メッキ法若しくは気相成長法（例えば、スパッタ法）又はこれらの組合せによって、絶縁膜１０７（絶縁膜１０７が無い場合には、パッシベーション膜１０５）の上全体や開口１０６，１０８内にシード層１１０を成長させる。シード層１１０は、銅（Ｃｕ）の薄膜、チタン（Ｔｉ）の薄膜、チタンに銅を積層した薄膜その他の金属薄膜である。
次に、感光材であるレジスト１１１をシード層１１０の上全体に形成する。
そして、レジスト１１１をステッパー等で露光することによって、レジスト１１１に潜像を形成する。なお、ここでは、裏側の半導体ウエハ１０１から表側のシード層１１０までの積層体が、支持基材である。
【００３６】
次に、図６に示すように、レジスト１１１を下（鉛直方向）に向け、半導体ウエハ１０１の裏側（reverse side）を上（逆鉛直方向）に向ける。そして、レジスト１１１の下から上方のレジスト１１１に向けて現像液をノズルによって吹き付け、その後、レジスト１１１の下から上方のレジスト１１１に向けてリンス液をノズルによって吹き付ける。これにより、レジスト１１１が現像され、潜像に従った開口１１２がレジスト１１１に形成される。このようなレジスト１１１の現像は、図１に示された現像装置１又は図３に示された現像装置１Ａを用いて行う。なお、現像液には、炭酸ナトリウム等が含まれている炭酸ナトリウム水溶液である。
レジスト１１１を下に向けているから、レジスト１１１に形成された開口１１２の現像性・解像度の向上を図ることができる。
【００３７】
次に、図７に示すように、シード層１１０を電極として電解メッキを行う。これにより、開口１１２内であってシード層１１０の上に所定形状の導体層（導体パターン）１１３を成長させる。導体層１１３は、シード層１１０よりも厚く成長させる。導体層１１３は、銅その他の金属からなる。
【００３８】
次に、剥離剤によってレジスト１１１を除去した後、図８に示すように、シード層１１０及び導体層１１３の上全体に厚膜レジスト１１５を形成する。具体的には、厚膜レジスト１１５がドライフィルムレジストである場合には、厚膜レジスト１１５をシード層１１０及び導体層１１３に貼り付ける。一方、厚膜レジスト１１５が液状レジストである場合には、液状レジストをシード層１１０及び導体層１１３の上に塗布することによって、厚膜レジスト１１５を形成する。厚膜レジスト１１５は、導体層１１３よりも厚い。厚膜レジスト１１５の厚さは１０〜２００μｍであり、好ましくは１１０〜１２０μｍである。
その後、厚膜レジスト１１５をステッパー等で露光することによって、厚膜レジスト１１５に潜像を形成する。なお、ここでは、裏側の半導体ウエハ１０１から表側のシード層１１０や導体層１１３までの積層体が、支持基材である。
【００３９】
次に、図９に示すように、厚膜レジスト１１５を下（鉛直方向）に向け、半導体ウエハ１０１の裏側を上に向ける。そして、厚膜レジスト１１５の下から上方の厚膜レジスト１１５に向けて現像液をノズルによって吹き付け、その後、厚膜レジスト１１５の下から上方の厚膜レジスト１１５に向けてリンス液をノズルによって吹き付ける。リンス液としては、純水等を用いることができる。これにより、厚膜レジスト１１５が現像され、潜像に従った開口１１６が厚膜レジスト１１５に形成される。厚膜レジスト１１５の現像は、図１に示された現像装置１又は図３に示された現像装置１Ａを用いて行う。厚膜レジスト１１５を下に向けているから、厚膜レジスト１１５の残渣が生じにくいとともに、現像液が残留しにくい。
【００４０】
ここで、鉛直方向に見た場合、開口１１６は円形状又は多角形状であることが好ましい。開口１１６が形成される位置は導体層１１３の端部の上である。その端部はランド１１４である。なお、現像液は、炭酸ナトリウム等が含まれた炭酸ナトリウム水溶液である。
【００４１】
次に、図１０に示すように、シード層１１０及び導体層１１３を電極として電解メッキを行う。これにより、開口１１６内であって導体層１１３の上に外部接続用電極１１７を成長させる。外部接続用電極１１７の高さ（厚さ）は、導体層１１３の厚さよりも充分に大きくする。外部接続用電極１１７は、銅その他の金属からなる。
【００４２】
次に、剥離剤によって厚膜レジスト１１５を除去した後、シード層１１０のうち導体層１１３に重なってない部分をエッチングにより除去することによって、シード層１１０を下地金属層１１８に形状加工する（図１１参照）。この際、導体層１１３及び外部接続用電極１１７の表面（surface）がエッチングされるが、これらはシード層１１０と比較して充分に厚いため、導体層１１３及び外部接続用電極１１７が残留する。
【００４３】
次に、図１１に示すように、絶縁膜１０７（絶縁膜１０７が無い場合には、パッシベーション膜１０５）の上全体に封止層１１９を形成する。具体的には、印刷法、液滴吐出法（インクジェット法）、スピンコート法、滴下法その他の塗布法によって封止樹脂を絶縁膜１０７（絶縁膜１０７が無い場合には、パッシベーション膜１０５）上に塗布し、その封止樹脂によって導体層１１３、外部接続用電極１１７及び絶縁膜１０７を覆って、その封止樹脂を硬化させる。封止層１１９は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂その他の絶縁性樹脂を含有し、好ましくは、絶縁性樹脂（エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等）にフィラー（例えば、ガラスフィラー、シリカフィラー）又は繊維（例えば、ガラス繊維）を配合した強化樹脂からなる。なお、プリプレグを絶縁膜１０７（絶縁膜１０７が無い場合には、パッシベーション膜１０５）に貼り付けて、そのプリプレグを硬化させて、そのプリプレグから封止層１１９を形成してもよい。
【００４４】
次に、図１２に示すように、封止層１１９を研削し、外部接続用電極１１７の頭頂面を露出させる。外部接続用電極１１７の頭頂面も研削される。
必要に応じて、半導体ウエハ１０１の裏側も研削し、外部接続用電極１１７の頭頂面を軽くエッチングする。
次に、図１３に示すように、半田バンプ１２０を外部接続用電極１１７の頭頂面に形成した後、半導体ウエハ１０１、集積回路層１０４、パッシベーション膜１０５、絶縁膜１０７及び封止層１１９の積層体を境界線１０２に沿って切断する。これにより、複数の半導体装置１３０が完成する。
【符号の説明】
【００４５】
１、１Ａ  現像装置
２２  搬送ローラ
２６、２６Ａ  現像液噴射ノズル（現像液噴射口）
２８、２８Ａ  リンス液噴射ノズル（リンス液噴射口）
６０、６０Ａ  感光材
６２、６２Ａ  支持基材
１０１  半導体ウエハ（支持基材）
１１０  シード層（支持基材）
１１１  レジスト（感光材）
１１３  導体層
１１５  厚膜レジスト（感光材）
１１６  開口
１１７  外部接続用電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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