(57)【要約】【課題】原料収率の向上を図ることができるコールドウォール型ＣＶＤ装置を提供する。【解決手段】原料ガスを化学反応させることにより、テープ状基材の表面に超電導層を成膜するＣＶＤ装置において、原料ガスを１０ｍ／ｓ以上の噴出速度で噴出する原料ガス噴出部と、テープ状基材を支持するとともに伝熱により加熱するサセプタと、サセプタを加熱するヒータと、ヒータが原料ガスと接触するのを防止するために不活性ガスを導入する不活性ガス導入部とを有する反応室に、原料ガス噴出部から噴出された原料ガスをテープ状基材の表面に案内する原料ガス輸送路を、サセプタから所定間隔だけ離間して配設する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
原料ガスを１０ｍ／ｓ以上の噴出速度で噴出する原料ガス噴出部と、
テープ状基材を支持するとともに伝熱により加熱するサセプタと、
前記サセプタを加熱するヒータと、
前記ヒータが前記原料ガスと接触するのを防止するために不活性ガスを導入する不活性ガス導入部と、を有する反応室を備え、前記原料ガスを化学反応させることにより、前記テープ状基材の表面に超電導層を成膜するＣＶＤ装置であって、
前記原料ガス噴出部から噴出された前記原料ガスを前記テープ状基材の表面に案内する原料ガス輸送路を、前記サセプタから所定間隔だけ離間して配設したことを特徴とするＣＶＤ装置。
【請求項２】
前記反応室の長手方向に沿って前記サセプタが配設され、このサセプタの直下にヒータが配設され、前記サセプタの幅方向両側縁部に沿って前記不活性ガス導入部の導入口が形成されており、
前記原料ガス輸送路が、前記サセプタの幅よりも狭い開口端を有し、前記サセプタの幅方向中央に形成される前記テープ状基材の走行領域に沿って配設されていることを特徴とする請求項１に記載のＣＶＤ装置。
【請求項３】
前記原料ガス輸送路と前記サセプタとの離間距離が、前記原料ガス輸送路の開口端の幅より小さいことを特徴とする請求項２に記載のＣＶＤ装置。
【請求項４】
前記原料ガス輸送路の開口端に、前記サセプタ面と平行に幅方向外側に延び、先端が前記サセプタの側縁部より幅方向中央側に位置するフランジが形成されていることを特徴とする請求項２又は３に記載のＣＶＤ装置。
【請求項５】
前記反応室が、前記原料ガス輸送路を通過する原料ガスの温度を制御する温度制御部を有することを特徴とする請求項１から４の何れか一項に記載のＣＶＤ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、超電導薄膜をテープ状基材の表面に形成するコールドウォール型（内熱型）のＣＶＤ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、液体窒素温度（７７Ｋ）以上で超電導を示す高温超電導体の一種として、ＲＥ系超電導体（ＲＥ：希土類元素）が知られている。特に、化学式ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-yで表されるイットリウム系酸化物超電導体（以下、ＹＢＣＯ）が代表的である。このＹＢＣＯ薄膜の形成には、例えば、基材の表面に原料ガスを供給して化学反応させることにより超電導層を成膜する化学気相成長法（ＣＶＤ法：Chemical Vapor Deposition method）が利用される。
【０００３】
ＣＶＤ法を利用して超電導線材を製造する場合、ＣＶＤ装置の反応室内で長尺のテープ状基材を一定速度（１〜１００ｍ／ｈ）で走行させながら、このテープ状基材の表面に原料ガスを供給し化学反応させることにより超電導層を成膜する。例えば、テープ状基材にＹＢＣＯ薄膜を形成する場合は、Ｙ、Ｂａ、Ｃｕそれぞれのβジケトン金属錯体をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）などに溶解させ、これらの溶液を所定量ずつ混合して気化した原料ガスをテープ状基材の表面に吹き付けることになる。
【０００４】
このような超電導線材を製造するためのＣＶＤ装置としては、反応室全体を加熱して反応室壁体からの輻射熱によりテープ状基材を加熱するホットウォール型（外熱型）と、テープ状基材を支持するサセプタを加熱してサセプタからの伝熱によりテープ状基材を加熱するコールドウォール型（内熱型）がある（例えば特許文献１）。
ホットウォール型ＣＶＤ装置は、コールドウォール型ＣＶＤ装置に比較してメンテナンス性が悪く、また運転コスト及び原料コストでも劣るため、発明者等は超電導線材の製造にコールドウォール型ＣＶＤ装置を採用している。このコールドウォール型ＣＶＤ装置については特許文献１の図１０に開示されているが、特許文献１に記載の構造では、導入される原料ガス（Ｏ2を含む）がヒータ（ＳｉＣ製）に接触するため、化学反応によりヒータが劣化してしまうという問題がある。そこで、発明者等は、原料ガスがヒータに接触するのを防止すべく、反応室の底壁にヒータを埋設した構造のＣＶＤ装置を発案した（図６、７参照）。
【０００５】
図６は従来のコールドウォール型ＣＶＤ装置の反応室の内部構造を示す平面図で、図７は図６のＢ−Ｂ断面の模式図である。
図６、７に示すように、反応室１０Ｃ内には、テープ状基材Ｔを支持するサセプタ１４、サセプタ１４を加熱するヒータ１５、原料ガスの長手方向の噴出領域を制限する第１遮蔽板１６等が配設されている。反応室１０Ｃの上壁には原料ガス導入部１１が配設され、反応室１０の底壁には排気部１３が配設されている。また、反応室１０Ｃの底壁には開口部１２が形成されており、この開口部１２にサセプタ１４及びヒータ１５が収容されるようになっている。
【０００６】
ここで、テープ状基材に超電導体層を成膜する際、サセプタ１４を７００〜８００℃で保持する必要があるが、反応室１０Ｃの底壁とサセプタ１４が密接していると、伝熱によりサセプタ１４の高温保持が困難となる。そのため、反応室１０Ｃの底壁から所定の間隙１２ａをもって離間した状態でサセプタ１４は配設される。そして、この間隙１２ａからヒータ１５の設置空間に原料ガスが流入するとヒータ１５が劣化するため、間隙１２ａを不活性ガス導入口として反応室１０Ｃ内に向けて不活性ガスを導入するようにしている（カウンターフロー）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−２５６１６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、図６、７に示す反応室１０Ｃにおいては、反応室１０Ｃ内が高温かつ低圧であるために、原料ガス噴出部１１から噴出するガス速度は１０ｍ／ｓ以上の高速となる。そのため、原料ガス噴出部１１から噴出された原料ガスが、テープ状基材Ｔへ到達する前に間隙１２ａから導入される不活性ガスと接触することにより、不活性ガスの巻き込み現象が生じる。そして、不活性ガスが巻き込まれると、原料ガスが拡散されて濃度が低下し、テープ状基材Ｔへの成膜に寄与する原料ガスの量が低下するため、原料収率が低下してしまう。
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、原料収率の向上を図ることができるＣＶＤ装置を提供することをと目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
請求項１に記載の発明は、原料ガスを１０ｍ／ｓ以上の噴出速度で噴出する原料ガス噴出部と、
テープ状基材を支持するとともに伝熱により加熱するサセプタと、
前記サセプタを加熱するヒータと、
前記ヒータが前記原料ガスと接触するのを防止するために不活性ガスを導入する不活性ガス導入部と、を有する反応室を備え、前記原料ガスを化学反応させることにより、前記テープ状基材の表面に超電導層を成膜するＣＶＤ装置であって、
前記原料ガス噴出部から噴出された前記原料ガスを前記テープ状基材の表面に案内する原料ガス輸送路を、前記サセプタから所定間隔だけ離間して配設したことを特徴とする。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載のＣＶＤ装置において、前記反応室の長手方向に沿って前記サセプタが配設され、このサセプタの直下にヒータが配設され、前記サセプタの幅方向両側縁部に沿って前記不活性ガス導入部の導入口が形成されており、
前記原料ガス輸送路が、前記サセプタの幅よりも狭い開口端を有し、前記サセプタの幅方向中央に形成される前記テープ状基材の走行領域に沿って配設されていることを特徴とする。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載のＣＶＤ装置において、前記原料ガス輸送路と前記サセプタとの離間距離が、前記原料ガス輸送路の開口端の幅より小さいことを特徴とする。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、請求項２又は３に記載のＣＶＤ装置において、前記原料ガス輸送路の開口端に、前記サセプタ面と平行に幅方向外側に延び、先端が前記サセプタの側縁部より幅方向中央側に位置するフランジが形成されていることを特徴とする。
【００１４】
請求項５に記載の発明は、請求項１から４の何れか一項に記載のＣＶＤ装置において、前記反応室が、前記原料ガス輸送路を通過する原料ガスの温度を制御する温度制御部を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、ヒータの劣化を防止するために反応室内に導入される不活性ガスが原料ガスに巻き込まれるのを抑制できるので、テープ状基材に超電導体層を成膜する際の原料収率を格段に向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施形態のＣＶＤ装置の概略構成を示す図である。
【図２】実施形態のＣＶＤ装置を構成する反応室の内部構造を示す平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ断面の模式図である。
【図４】変形例１に係る反応室１０Ａの内部構造を示す平面図である。
【図５】変形例２に係る反応室１０Ａの内部構造を示す平面図である。
【図６】従来のコールドウォール型ＣＶＤ装置を構成する反応室の内部構造を示す平面図である。
【図７】図６のＢ−Ｂ断面の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
図１は、本実施形態のＣＶＤ装置の概略構成を示す図である。図１に示すように、ＣＶＤ装置１は、テープ状基材Ｔを巻き取り走行させる基材搬送部４０、超電導薄膜の原料を供給する原料溶液供給部３０、原料溶液を気化させて反応室１０へ供給する気化器２０、テープ状基材Ｔの表面に薄膜を形成する反応室１０等を備えて構成されている。
【００１８】
原料溶液供給部３０は、テープ状基材Ｔの表面に形成される薄膜の原料溶液（例えば、ＹＢＣＯの原料であるＹ、Ｂａ、Ｃｕのジケトンによるそれぞれの金属錯体を適宜な分量のテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）に溶解させた溶液）を各々所定の分量ずつ混合して気化器２０へと供給する。
気化器２０は、原料溶液供給部３０から供給された原料溶液をキャリアガス（例えばＡｒ）とともに噴霧して加熱することにより、気化させる。その後、気化した原料ガスをＯ２と混合して、反応室１０へと供給する。
基材搬送部４０は、テープ状基材Ｔを往復搬送可能に構成されており、反応室１０内においてテープ状基材Ｔを所定速度で搬送する。
テープ状基材Ｔは、幅１０ｍｍ程度のテープ形状を有し、例えば、金属基板上に超電導体の結晶粒を二軸配向して成膜させるための中間層を形成したものが用いられる。
【００１９】
反応室１０は、気化器２０から供給された原料ガスを、内部を走行するテープ状基材Ｔに向けて噴出して化学反応させることにより、テープ状基材の表面に超電導体層を成膜する。また、反応室１０は、テープ状基材Ｔを支持するとともに伝熱により加熱するサセプタ１４と、サセプタ１４を加熱するヒータ１５を備えている。すなわち、ＣＶＤ装置１は、コールドウォール型ＣＶＤ装置である。
【００２０】
図２は反応室１０の内部構造を示す平面図、図３は図２のＡ−Ａ断面の模式図である。なお、反応室１０は横長の直方体形状を有しているものとし、反応室１０の短手方向（テープ状基材Ｔの走行方向に直交する方向）を幅方向と呼ぶ。
図２、３に示すように、反応室１０の底壁には、テープ状基材Ｔの走行方向（反応室１０の長手方向）に延びる開口部１２が形成されており、この開口部１２にサセプタ１４が配設されている。サセプタ１４は、走行するテープ状基材Ｔを支持するとともに、伝熱により加熱する熱伝導プレートである。サセプタ１４の幅方向中央の領域が、テープ状基材Ｔの走行領域となる。
サセプタ１４は、周縁部が反応室１０の底壁から所定の間隙１２ａをもって離間した状態で配設される。テープ状基材Ｔに超電導体層を成膜する際、サセプタ１４を７００〜８００℃で保持する必要があるが、反応室１０の底壁とサセプタ１４が密接していると、伝熱によりサセプタ１４の高温保持が困難となるためである。
【００２１】
サセプタ１４の直下には、サセプタ１４より一回り小さいヒータ（例えばＳｉＣ製のセラミックヒータ）１５が配設されている。このヒータ１５でサセプタ１４が所定の温度に加熱されることにより、テープ状基材Ｔの表面が適切な温度（超電導体層の成膜温度）に保持される。
また、反応室１０の底壁とサセプタ１４の間隙１２ａからは不活性ガス（例えばＮ２）が導入される。この不活性ガスは、原料ガスが間隙１２ａからヒータ１５の設置空間に流入することにより、ヒータ１５が劣化するのを防止するために導入される。つまり、反応室１０は、間隙１２ａを導入口とする不活性ガス導入部を有している。
【００２２】
反応室１０の上壁には、原料ガス噴出部１１が配設されている。原料ガス噴出部１１は、反応室１０の上壁の幅方向中央に長手方向に沿って形成された矩形状の原料ガス噴出口１１ａを有している。この原料ガス噴出口１１ａには、多数の細孔（例えばφ１．５ｍｍ）が形成されたメッシュ板が配設され、このメッシュ板の細孔から原料ガス及びキャリアガスが所定の噴出速度で噴出される。テープ状基材Ｔに超電導体層を成膜する場合、原料ガスの噴出速度は１０ｍ／ｓ以上に設定される。
【００２３】
また、反応室１０の上壁には、サセプタ１４とほぼ同一幅で矩形状の第１遮蔽板１６、１６が、原料ガス噴出口１１ａの長手方向両端に垂設されている。この第１遮蔽板１６は、超電導体層を成膜するための成膜温度に対して耐熱性を有するとともに、原料ガスと反応しない材料（例えばＳＵＳ）で構成される。また、第１遮蔽板１６は、テープ状基材Ｔを走行可能とするため、サセプタ１４の上面（テープ状基材Ｔの走行面）から所定間隔だけ離間して配設されている。
２枚の第１遮蔽板１６、１６で挟まれた領域（成膜領域）において、テープ状基材Ｔに超電導体層が成膜される。つまり、第１遮蔽板１６、１６で原料ガスの長手方向の拡散を抑制することにより、成膜領域において良質な超電導体層が成膜されるようにしている。
【００２４】
なお、第１遮蔽板１６の下端部に、トンネル状に切欠部を形成して、この切欠部をテープ状基材Ｔが通過するようにしてもよい。また、第１遮蔽板１６の下端面から、又は第１遮蔽板１６に沿って下方に、遮蔽ガス（例えばＡｒ）を噴出して、成膜領域と非成膜領域（予熱領域）との境界にガスカーテンを形成するようにしてもよい。
【００２５】
反応室１０の底壁において、サセプタ１４の幅方向両側には、成膜領域に対応する長さの排気口１３ａを有する排気部１３が配設されている。排気部１３は、排気ポンプ（図示略）を備え、未反応の原料ガスやキャリアガス等を反応室１０の外部に排気する。
【００２６】
さらに、本実施形態では、反応室１０の上壁に、成膜領域の長さ（第１遮蔽板１６、１６の配置間隔に相当）とほぼ同一幅で矩形状の第２遮蔽板１７、１７が、原料ガス噴出口１１ａの幅方向両側に長手方向に沿って垂設されている。この第２遮蔽板１７は、第１遮蔽板１６と同様に、超電導体層を成膜するための成膜温度に対して耐熱性を有するとともに、原料ガスと反応しない材料（例えばＳＵＳ）で構成される。また、原料ガス等を排気部１３に向けて排気するため、第２遮蔽板１７はサセプタ１４の上面から所定間隔だけ離間して配設されている。
そして、第２遮蔽版１７、１７の両端が第１遮蔽板１６、１６に接合されることにより、原料ガス輸送路ＬGが形成されている。つまり、原料ガス噴出部１１から噴出された原料ガスは、原料ガス輸送路ＬGによってテープ状基材Ｔの表面に案内される。
【００２７】
このように、反応室１０は、原料ガスを所定の噴出速度で噴出する原料ガス噴出部１１、テープ状基材Ｔを支持するとともに伝熱により加熱するサセプタ１４、サセプタ１４を加熱するヒータ１５を有し、更に、ヒータ１５の設置空間に原料ガスが流入するのを防止するため、反応室１０内に不活性ガスを導入する不活性ガス導入部（不活性ガス導入口）１２ａを有している。そして、原料ガス噴出部１１からテープ状基材Ｔの表面に原料ガスを案内する原料ガス輸送路ＬGが配設されている。
【００２８】
具体的には、反応室の長手方向に沿ってサセプタ１４が配設され、このサセプタ１４の直下にヒータ１５が配設され、サセプタ１４の幅方向両側縁部に沿って不活性ガス導入部の導入口（間隙１２ａ）が形成されている。そして、原料ガス輸送路ＬGが、サセプタ１４の幅よりも狭い開口端を有し、サセプタ１４の幅方向中央に形成されるテープ状基材Ｔの走行領域に沿って配設されている。
【００２９】
原料ガスは、第１遮蔽板１６及び第２遮蔽版１７によって形成された原料ガス輸送路ＬGによってテープ状基材Ｔの近傍まで輸送されるので、テープ状基材Ｔに到達するまでに間隙１２ａ（不活性ガス導入部）から導入された不活性ガスと接触しにくくなる。つまり、ヒータ１５の劣化を防止するために反応室１０内に導入される不活性ガスが、原料ガスに巻き込まれるのを抑制できるので、テープ状基材Ｔに超電導体層を成膜する際の原料収率を格段に向上することができる。
【００３０】
ここで、原料ガス輸送路ＬGとサセプタ１４との離間距離、特に、第２遮蔽版１７とサセプタ１４の離間距離は、原料ガス輸送路ＬGの開口端の幅（第２遮蔽版１７、１７の配置間隔に相当）より小さいことが望ましい。
これにより、原料ガス輸送路ＬGからの原料ガスの排気速度が増大するので、不活性ガスが原料ガスに巻き込まれるのをさらに抑制でき、原料収率の向上を図ることができる。
【００３１】
［実施例１］
実施例１では、図３に示す成膜装置において、原料ガス噴出口１１ａからサセプタ１４までの距離を６０ｍｍ、第２遮蔽板１７とサセプタ１４との離間距離を３０ｍｍ、原料ガス輸送路ＬGの開口端の幅を１８ｍｍとした。この成膜装置を用いて、中間層が形成された０．１ｍｍ厚の金属基板テープ上に、ＹＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-yからなる超電導層を１μｍ成膜した。このときの反応温度は７７０℃、反応圧力は１０Ｔｏｒｒとした。
また、比較例１として、第２遮蔽板１７のない成膜装置（図７参照）を用いて、実施例１と同様にＹＢＣＯ層を成膜した。
表１に示すように、実施例１では比較例１に比べて、超電導層１μｍ厚の製造速度すなわち原料収率に改善がみられた。
【００３２】
【表１】
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【００３３】
なお、原料ガス輸送路ＬGとサセプタ１４とが近すぎると、原料ガス輸送路ＬGがサセプタ１４からの輻射熱により加熱されやすくなる。そうすると、原料ガス輸送路ＬGを通過する原料ガスがテープ状基材Ｔに到達する前に反応してしまう虞があり、原料収率が低下する要因となる。そこで、原料ガス輸送路ＬGとサセプタ１４との離間距離は、４ｍｍ以上であることが望ましい。
【００３４】
［変形例１］
図４は、変形例１に係る反応室１０Ａの内部構造を示す平面図である。
図４に示す反応室１０Ａの構成は、実施形態の反応室１０とほぼ同様であるので、重複する部分についての説明は省略する。なお、反応室１０Ａにおいて、実施形態の反応室１０と同一の構成要素には同一の符号を付している。
【００３５】
図４に示すように、反応室１０Ａでは、原料ガス輸送路ＬGの開口端に、サセプタ１４の上面と平行に幅方向外側に延びるフランジ１７ａが形成されている。また、フランジ１７ａの先端は、サセプタ１４の側縁部（不活性ガス導入口となる間隙１２ａの端部）より幅方向中央側に位置している。フランジ１７ａの先端が間隙１２ａまで覆っていると、不活性ガスが原料ガス輸送路ＬG内に流入しやすくなるためである。
【００３６】
このように、原料ガス輸送路ＬGの開口端にフランジ１７ａを形成することにより、不活性ガスが原料ガスに巻き込まれるのを効率よく抑制することができるので、さらに原料収率の向上を図ることができる。
例えば、フランジ１７ａの長さを１０ｍｍ以上、かつフランジ１７ａの先端を、サセプタ１４の側縁部より１０ｍｍ以上の範囲で幅方向中央側に位置させた場合に、原料収率の向上が顕著となる。
【００３７】
［変形例２］
図５は、変形例２に係る反応室１０Ｂの内部構造を示す平面図である。
図５に示す反応室１０Ｂの構成は、実施形態の反応室１０とほぼ同様であるので、重複する部分についての説明は省略する。なお、反応室１０Ｂにおいて、実施形態の反応室１０と同一の構成要素には同一の符号を付している。
【００３８】
図５に示すように、反応室１０Ｂでは、原料ガス噴出部１１の近傍に、原料ガス輸送路ＬGを通過する原料ガスの温度を制御する温度制御部１８が配設されている。原料ガス噴出部１１の近傍とは、例えば反応室１０Ｂの上壁における原料ガス噴出口１１ａの周縁領域である。また、温度制御部１８としては、例えば冷却オイルまたは冷却水を反応室構造体内部または原料ガス噴出部１１の近傍に設置した冷媒管に循環させる方法が好適である。また、第２遮蔽板１７の内部または第２遮蔽板１７に接触している冷媒管に冷却オイルを循環させる方法も有効である。
【００３９】
［実施例２］
実施例２では、図５に示す成膜装置において、温度制御部１８となる冷却オイルを７０℃で導入して、実施例１と同様にＹＢＣＯ層の成膜を行った。温度制御部１８が設けられている以外は、実施例１で用いた成膜装置と寸法を含め同じである。また、第２遮蔽板１７とサセプタ１４との離間距離を８ｍｍとし、離間距離の影響についても調べた。
【００４０】
【表２】
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【００４１】
表２に示すように、実施例１と比較して実施例２−１では、わずかではあるが、１μｍ厚の製造速度すなわち原料収率に改善が見られた。また、実施例１では第２遮蔽板１７の原料ガス輸送路ＬG側に原料付着が認められたが、実施例２−１では原料付着は確認されなかった。
また、実施例２−２では、サセプタ１４との離間距離を８ｍｍとすることで、超電導層１μｍ厚の製造速度（原料収率）が格段に向上した。このように、温度制御部１８を設けるとともに、サセプタ１４との離間距離を近づけることで、よりいっそう原料収率が向上することを確認できた。
【００４２】
なお、実施形態のように原料ガス輸送路ＬGを配設すると、原料ガス輸送路ＬG（第１遮蔽板１６、第２遮蔽版１７）がサセプタ１４からの輻射熱により加熱される。そのため、原料ガス輸送路ＬGを通過する原料ガスがテープ状基材Ｔに到達する前に反応してしまい、特に高温となる原料ガス噴出口１１ａで目詰まり等の不具合が生じる虞がある。
【００４３】
変形例２の反応室１０Ｂでは、温度制御部１８により原料ガスが適正な温度（例えば３００℃）に保持されるので、原料ガス輸送路ＬG内が高温となり原料ガスが反応してしまうのを効果的に抑制することができる。
なお、変形例２の反応室１０Ｂにおいて、変形例１のように原料ガス輸送路ＬGの開口端にフランジ１７ａを設けるようにしてもよい。
【００４４】
以上、本発明者によってなされた発明を実施形態に基づいて具体的に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で変更可能である。
例えば、反応室１０内におけるサセプタ１４やヒータ１５の配置態様は実施形態に示したものに制限されない。すなわち、原料ガスがヒータに接触するのを防止するために、反応室に不活性ガスを導入するようにした構造であれば、反応室内にサセプタ及びヒータが配設された構造のＣＶＤ装置にも本発明を適用できる。
【００４５】
また、実施形態では、第１遮蔽板１６と第２遮蔽板１７により原料ガス輸送路ＬGを構成するようにしているが、断面矩形の一つの管状部材で原料ガス輸送路ＬGを構成するようにしてもよい。
【００４６】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００４７】
１  ＣＶＤ装置
１０  反応室
１１  原料ガス噴出部
１１ａ  原料ガス噴出口
１２  開口部
１２ａ  間隙
１３  排気部
１３ａ  排気口
１４  サセプタ
１５  ヒータ
１６  第１遮蔽板
１７  第２遮蔽板
１７ａ  フランジ
１８  温度制御部
２０  気化器
３０  原料溶液供給部
４０  基材搬送部
ＬG  原料ガス輸送路
Ｔ  テープ状基材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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