(57)【要約】【課題】液晶装置の位相差を広範囲で補償することが可能な位相差補償素子、位相差補償素子の製造方法を提供する。【解決手段】無機膜６２ａに対して、イオンビーム、原子ビーム、分子ビーム、プラズマビームのうち少なくとも一つのビームを斜めから照射することで、無機膜６２ａの表面６２ｓに対して斜めに交差しかつビームの照射方向Ｄに沿った長手を有する複数の空孔６２ｂが形成された層６２を含む。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
無機膜に対して、イオンビーム、原子ビーム、分子ビーム、プラズマビームのうち少なくとも一つのビームを斜めから照射することで、前記無機膜の表面に対して斜めに交差しかつ前記ビームの照射方向に沿った長手を有する複数の空孔が形成された層を含むことを特徴とする位相差補償素子。
【請求項２】
前記無機膜は、内部に複数の微細孔を有する多孔質膜であることを特徴とする請求項１に記載の位相差補償素子。
【請求項３】
前記層は、シランカップリング剤による表面処理を行うことで形成された撥水性の被膜を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の位相差補償素子。
【請求項４】
前記無機膜は、基板上に形成されており、
前記無機膜と前記基板とは、いずれもシリコン酸化物または金属酸化物によって形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の位相差補償素子。
【請求項５】
基板上に無機膜を形成する工程と、
前記無機膜に対して、イオンビーム、原子ビーム、分子ビーム、プラズマビームのうち少なくとも一つのビームを斜めから照射して、前記無機膜の表面に対して斜めに交差しかつ前記ビームの照射方向に沿った長手を有する複数の空孔を形成する工程と、
を含むことを特徴とする位相差補償素子の製造方法。
【請求項６】
前記無機膜は、内部に複数の微細孔を有する多孔質膜であることを特徴とする請求項５に記載の位相差補償素子の製造方法。
【請求項７】
前記多孔質膜を形成する工程は、
前記基板上に界面活性剤及び無機材料を含む溶液を塗布し、前記溶液を加熱処理して前記界面活性剤を除去させることで前記無機膜の内部に複数の微細孔を形成することを特徴とする請求項６に記載の位相差補償素子の製造方法。
【請求項８】
前記複数の空孔が形成された層の表面にシランカップリング剤を供給して撥水性の被膜を形成する工程を含むことを特徴とする請求項５〜７のいずれか一項に記載の位相差補償素子の製造方法。
【請求項９】
一対の基板間に液晶を挟持する液晶パネルと、
前記液晶パネルにより射出された光の光路上に配置された、請求項１〜４のいずれか一項に記載の位相差補償素子と、
を備えていることを特徴とする液晶装置。
【請求項１０】
光を射出する照明光学系と、
前記光を変調する請求項９に記載の液晶装置と、
前記液晶装置で変調された光を被投射面に投射する投射光学系と、
を備えていることを特徴とするプロジェクター。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、位相差補償素子、位相差補償素子の製造方法、液晶装置及びプロジェクターに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置の位相差を補償するための位相差補償素子として、特許文献１に記載の位相差補償素子が知られている。特許文献１の位相差補償素子は、基板上に無機材料を斜方蒸着することで形成した二軸性複屈折体である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−７５４５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の位相差補償素子では、位相差補償素子が斜方蒸着により形成されているため、位相差補償素子のカラム構造が傾斜する方向（傾斜方向）は、蒸着材料の飛来方向（蒸着方向）に大きく依存する。このカラム構造の傾斜方向と蒸着方向とは一致せず、経験的に、カラム構造の長軸と基板の法線とのなす角度（傾斜角度）は、蒸着方向と基板の法線とのなす角度（蒸着角度）の約半分となることが知られている。そのため、斜方蒸着により形成された位相差補償素子では、液晶装置の位相差を広範囲で補償することは困難となる。
【０００５】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、液晶装置の位相差を広範囲で補償することが可能な位相差補償素子、位相差補償素子の製造方法、液晶装置及びプロジェクターを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するため、本発明の位相差補償素子は、無機膜に対して、イオンビーム、原子ビーム、分子ビーム、プラズマビームのうち少なくとも一つのビームを斜めから照射することで、前記無機膜の表面に対して斜めに交差しかつ前記ビームの照射方向に沿った長手を有する複数の空孔が形成された層を含むことを特徴とする。
【０００７】
この位相差補償素子によれば、無機膜に対してビームを斜めから照射することで、無機膜の表面に対して斜めに交差しかつビームの照射方向に沿った長手を有する複数の空孔が形成された層を含んでいる。すなわち、無機膜に形成された空孔の長手方向はビームの照射方向と概ね等しく、空孔の傾斜角度はビームの照射角度と概ね等しくなっている。そのため、特許文献１に示す斜方蒸着により形成された位相差補償素子のように、位相差補償素子のカラム構造の傾斜方向が蒸着材料の蒸着方向に大きく依存すること（カラム構造の傾斜角度が蒸着材料の蒸着角度の約半分となること）はない。したがって、液晶装置の位相差を広範囲で補償することが可能な位相差補償素子を提供することができる。
【０００８】
前記位相差補償素子において、前記無機膜は、内部に複数の微細孔を有する多孔質膜であってもよい。
【０００９】
この位相差補償素子によれば、無機膜が多孔質膜であるので、多孔質膜に対してビームが斜めから照射されると、多孔質膜内部の微細孔の密度が相対的に大きい部分がビームによって掘り込まれ易くなる。そのため、多孔質膜内部の微細孔の密度が相対的に大きい部分においてビームの照射方向に沿った長手を有する空孔が形成される。一方、無機膜が緻密な膜であると、内部に殆ど微細孔が形成されていないため、ビームによって掘り込まれ難くなる。よって、位相差補償素子の製造が容易となる。
【００１０】
前記位相差補償素子において、前記層は、シランカップリング剤による表面処理を行うことで形成された撥水性の被膜を含んでいてもよい。
【００１１】
この位相差補償素子によれば、層の表面に撥水性の被膜が形成されるので、層の表面に水分が吸着したり層の内部に水分が浸入したりすることを抑制することができる。これに対して、層の表面に水分が吸着したり層の内部に水分が浸入したりすると、補償すべき位相差がずれてしまうことがある。よって、信頼性に優れた位相差補償素子が得られる。
【００１２】
前記位相差補償素子において、前記無機膜は、基板上に形成されており、前記無機膜と前記基板とは、いずれもシリコン酸化物または金属酸化物によって形成されていてもよい。
【００１３】
この位相差補償素子によれば、基板と無機膜とが同種の材料によって形成されるので、基板と無機膜との密着性が良好となる。よって、信頼性に優れた位相差補償素子が得られる。
【００１４】
本発明の位相差補償素子の製造方法は、基板上に無機膜を形成する工程と、前記無機膜に対して、イオンビーム、原子ビーム、分子ビーム、プラズマビームのうち少なくとも一つのビームを斜めから照射して、前記無機膜の表面に対して斜めに交差しかつ前記ビームの照射方向に沿った長手を有する複数の空孔を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【００１５】
この位相差補償素子の製造方法によれば、無機膜に対してビームを斜めから照射することで、無機膜の表面に対して斜めに交差しかつビームの照射方向に沿った長手を有する複数の空孔が形成される。すなわち、無機膜に形成された空孔の長手方向はビームの照射方向と概ね等しく、空孔の基板に対する傾斜角度はビームの基板に対する照射角度と概ね等しくなる。したがって、液晶装置の位相差を広範囲で補償することが可能となる。
【００１６】
前記位相差補償素子の製造方法において、前記無機膜は、内部に複数の微細孔を有する多孔質膜であってもよい。
【００１７】
この位相差補償素子の製造方法によれば、無機膜が多孔質膜であるので、多孔質膜に対してビームが斜めから照射されると、多孔質膜内部の微細孔の密度が相対的に大きい部分がビームによって掘り込まれ易くなる。よって、位相差補償素子の製造が容易となる。
【００１８】
前記位相差補償素子の製造方法において、前記多孔質膜を形成する工程は、前記基板上に界面活性剤及び無機材料を含む溶液を塗布し、前記溶液を加熱処理して前記界面活性剤を除去させることで前記無機膜の内部に複数の微細孔を形成してもよい。
【００１９】
この位相差補償素子の製造方法によれば、多孔質膜は基板上に界面活性剤及び無機材料を含む溶液を塗布して形成されるので、下地に凹凸が存在しても、その凹凸の段差を平坦化することができる。そのため、層の表面が平坦となり、液晶装置の位相差を確実に補償することが可能となる。また、溶質から界面活性剤を除去させることで多孔質膜が形成されるので、界面活性剤の材料を適宜変更することにより、多孔質膜内部の微細孔の大きさを適宜変更することができる。したがって、位相差補償素子の製造効率を向上させることができる。
【００２０】
前記位相差補償素子の製造方法において、前記複数の空孔が形成された層の表面にシランカップリング剤を供給して撥水性の被膜を形成する工程を含んでいてもよい。
【００２１】
この位相差補償素子の製造方法によれば、層の表面に撥水性の被膜が形成されるので、層の表面に水分が吸着したり層の内部に水分が浸入したりすることを抑制することができる。よって、信頼性に優れた位相差補償素子が得られる。
【００２２】
本発明の液晶装置は、一対の基板間に液晶を挟持する液晶パネルと、前記液晶パネルにより射出された光の光路上に配置された、上述した位相差補償素子と、を備えていることを特徴とする。
【００２３】
この液晶装置によれば、上述した位相差補償素子を備えているので、表示品質が高く、信頼性に優れた液晶装置を提供することができる。
【００２４】
本発明のプロジェクターは、光を射出する照明光学系と、前記光を変調する上述した液晶装置と、前記液晶装置で変調された光を被投射面に投射する投射光学系と、を備えていることを特徴とする。
【００２５】
このプロジェクターによれば、上述した液晶装置を備えているので、表示品質が高く、信頼性に優れたプロジェクターを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明に係るプロジェクターの概略構成を示す模式図である。
【図２】画像形成系の概略構成を示す模式図である。
【図３】液晶装置の概略構成を示す模式図である。
【図４】位相差補償素子の微視的構造を説明するための模式図である。
【図５】位相差補償素子の光学的異方性を説明するための斜視図である。
【図６】液晶分子の傾き方向と位相差補償素子の光学的異方性の関係を示す図である。
【図７】位相差補償素子の製造工程を示すフローチャートである。
【図８】イオンビーム照射と斜方蒸着における光軸方位を比較したグラフである。
【図９】位相差補償素子の補償層の表面を示すＳＥＭ写真である。
【図１０】斜方蒸着膜の表面を示すＳＥＭ写真である。
【図１１】位相差補償素子の補償層の断面を示すＳＥＭ写真である。
【図１２】斜方蒸着膜の断面を示すＳＥＭ写真である。
【図１３】斜方蒸着を説明するための斜視図である。
【図１４】斜方蒸着のシミュレーション結果である。
【図１５】斜方蒸着におけるカラム構造の傾斜角度と蒸着角度の関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、図面を参照して、本発明の位相差補償素子を備えた液晶装置とこれを備えたプロジェクターについて説明する。かかる実施の形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。
【００２８】
図１は、本発明の液晶装置を光変調手段として備えた投射型表示装置の一例としての、液晶プロジェクター（プロジェクター）の概略構成を示す模式図である。
【００２９】
プロジェクター１は、光源装置２、インテグレーター光学系３、色分離光学系４、３系統の画像形成系５、色合成素子６、投射光学系７を有している。３系統の画像形成系５として、第１の画像形成系５ａ、第２の画像形成系５ｂ、および第３の画像形成系５ｃが設けられている。
【００３０】
光源装置２から射出された光束は、インテグレーター光学系３に入射する。インテグレーター光学系３に入射した光束は、照度が均一化されるとともに偏光状態が揃えられる。
インテグレーター光学系３から射出された光束は、色分離光学系４により複数の色光束に分離され、色光束ごとに異なる系統の画像形成系５に入射する。３系統の画像形成系５の各々に入射した色光束は、表示すべき画像の画像データに基づいて変調されて変調光束となる。３系統の画像形成系５から出射された３色の変調光束は、色合成素子６により合成されて多色光束となり、第１のレンズ部７１及び第２のレンズ部７２を含む投射光学系７に入射する。そして、スクリーン等の被投射面（図示略）に投射される。これにより、被投射面にフルカラーの画像が表示される。
【００３１】
次に、プロジェクター１の構成要素について詳しく説明する。
光源装置２は、光源ランプ２１および放物面リフレクター２２を有している。光源ランプ２１から放射された光は、放物面リフレクター２２により一方向に反射されて略平行な光束となり、インテグレーター光学系３に入射する。光源ランプ２１は、例えばメタルハライドランプ、キセノンランプ、高圧水銀ランプ、ハロゲンランプ等によって構成されている。また、放物面リフレクター２２の代わりに楕円リフレクター、球面リフレクター等によってリフレクターを構成してもよい。リフレクターの形状に応じて、リフレクターから射出された光を平行化する平行化レンズが用いられることもある。
【００３２】
インテグレーター光学系３は、第１のレンズアレイ３１、第２のレンズアレイ３２、偏光変換素子３４、および重畳レンズ３５を有している。インテグレーター光学系３の光軸３０は、光源２の光軸２０と略一致しており、前記のインテグレーター光学系３の構成要素の各々は、中心位置がインテグレーター光学系３の光軸３０上に並ぶように配置されている。
【００３３】
第１のレンズアレイ３１は、光源２の光軸２０に略直交する面に配列された複数のレンズ要素３１１を有している。第２のレンズアレイ３２は、レンズ要素３１１と同様に複数のレンズ要素３２１を有している。レンズ要素３１１、３２１は、例えばマトリックス状に配列されている。
【００３４】
偏光変換素子３４は、複数の偏光変換ユニット３４１を有している。偏光変換ユニット３４１は、その詳細な構造を図示しないが、偏光ビームスプリッター膜（以下、ＰＢＳ膜という）、１／２位相板および反射ミラーを有して構成されている。
第１のレンズアレイ３１のレンズ要素３１１は、第２のレンズアレイ３２のレンズ要素３２１と１対１で対応しており、第２のレンズアレイ３２のレンズ要素３２１は、偏光変換素子３４の偏光変換ユニット３４１と１対１で対応している。互いに対応関係にあるレンズ要素３１１、３２１および偏光変換ユニット３４１は、光軸３０と略平行な軸に沿って並んで配置されている。
【００３５】
インテグレーター光学系３に入射した光束は、第１のレンズアレイ３１の複数のレンズ要素３１１に空間的に分かれて入射し、レンズ要素３１１に入射した光束ごとに集光される。レンズ要素３１１により集光された光束は、レンズ要素３１１と対応するレンズ要素３２１に結像する。すなわち、第２のレンズアレイ３２の複数のレンズ要素３２１の各々に二次光源像が形成される。レンズ要素３２１に形成された二次光源像からの光束は、このレンズ要素３２１に対応する偏光変換ユニット３４１に入射する。
【００３６】
偏光変換ユニット３４１に入射した光束は、ＰＢＳ膜に対するＰ偏光光束とＳ偏光光束とに分離される。分離された一方の偏光光束は、反射ミラーで反射した後に１／２位相板を通り、他方の偏光光束と偏光状態が揃えられる。ここでは、偏光変換ユニット３４１を通った光束の偏光状態が、Ｐ偏光光束に揃えられるようになっている。複数の偏光変換ユニット３４１の各々から出射された光束は、重畳レンズ３５に入射して屈折し、反射型光変調装置（液晶装置）８の被照明領域に重畳される。
【００３７】
このように第１のレンズアレイ３１により空間的に分割された複数の光束の各々が、被照明領域の略全域を照明することにより、複数の光束で照度分布が平均化され、被照明領域での照度が均一化されるようになっている。
ここで、前記の反射型光変調装置８は本発明の液晶装置の一実施形態を構成するものであり、液晶パネル８０と、この液晶パネル８０の前方に配置された位相差補償素子６０（６０ａ、６０ｂ、６０ｃ）と、を備えて構成されている。なお、この反射型光変調装置８（液晶装置）については後に詳述する。
【００３８】
色分離光学系４は、波長選択面を有する第１〜第３のダイクロイックミラー４１〜４３、および第１、第２の反射ミラー４４、４５を有して構成されている。第１のダイクロイックミラー４１は、赤色光束を反射させるとともに、緑色光束および青色光束を透過させる特性を有している。第２のダイクロイックミラー４２は、赤色光束を透過させるとともに、緑色光束および青色光束を反射させる特性を有している。第３のダイクロイックミラー４３は、緑色光束を反射させるとともに、青色光束を透過させる特性を有している。第１、第２のダイクロイックミラー４１、４２は、各々の波長選択面を互いに略直交するように、かつ各々の波長選択面がインテグレーター光学系３の光軸３０と略４５度の角度をなすように配置されている。
【００３９】
色分離光学系４に入射した光束に含まれる赤色光束Ｌ１０、緑色光束Ｌ２０および青色光束Ｌ３０は、以下のようにして分離され、分離された色光束ごとに対応する画像形成系５に入射する。光束Ｌ１０は、第２のダイクロイックミラー４２を透過するとともに第１のダイクロイックミラー４１で反射した後に、第１の反射ミラー４４で反射して、第１の画像形成系５ａに入射する。光束Ｌ２０は、第１のダイクロイックミラー４１を透過するとともに第２のダイクロイックミラー４２で反射した後に、第２の反射ミラー４５で反射し、次いで第３のダイクロイックミラー４３で反射して、第２の画像形成系５ｂに入射する。光束Ｌ３０は、第１のダイクロイックミラー４１を透過するとともに第２のダイクロイックミラー４２で反射した後に、第２の反射ミラー４５で反射し、次いで第３のダイクロイックミラー４３を透過して、第３の画像形成系５ｃに入射する。
【００４０】
第１〜第３の画像形成系５ａ〜５ｃは、同様の構成になっている。ここでは、第１〜第３の画像形成系５ａ〜５ｃを代表して、第２の画像形成系５ｂの構成について説明する。
図２は、第２の画像形成系５ｂの概略構成を示す図である。図２に示すように、第２の画像形成系５ｂは、入射側偏光板９１ｂ、ワイヤーグリッド偏光ビームスプリッター（以下、ＷＧ−ＰＢＳと記す）９３ｂ、位相差補償素子６０ｂ（６０）、液晶パネル８０ｂ（８０）、および出射側偏光板９２ｂを有して構成されている。なお、液晶パネル８０ｂ（８０）と、液晶パネル８０ｂ（８０）により射出された光の光路上に配置された位相差補償素子６０ｂ（６０）とによって反射型光変調装置８ｂ（８）が形成されており、これによって本発明の液晶装置の一実施形態が構成されている。
【００４１】
図１に示すように色分離光学系４から射出される光束の一部である緑色光束Ｌ２０は、入射側偏光板９１ｂに入射する。入射側偏光板９１ｂは、直線偏光を通すものであり、ＷＧ−ＰＢＳ９３ｂの偏光分離面に対するＰ偏光光束を通すように、透過軸が設定されている。以下、ＷＧ−ＰＢＳ９３ｂの偏光分離面に対するＰ偏光光束を単にＰ偏光光束と称し、ＷＧ−ＰＢＳ９３ｂの偏光分離面に対するＳ偏光光束を単にＳ偏光光束と称する。前述のように、インテグレーター光学系３を通った光束は、偏光状態がＰ偏光光束に揃えられており、光束Ｌ２０のほとんどが入射側偏光板９１ｂを通り、ＷＧ−ＰＢＳ９３ｂの偏光分離面（図示せず）に入射する。
【００４２】
ＷＧ−ＰＢＳ９３ｂの偏光分離面に入射した光Ｌ２０のうちで、偏光方向が反射軸方向であるＳ偏光は偏光分離面で反射し、偏光方向が透過軸方向であるＰ偏光は偏光分離面を透過する。インテグレーター光学系３から出射された緑色の光束Ｌ２０は、概ねＰ偏光になっており、偏光分離面を通って反射型光変調装置８ｂに入射する。ここで、ＷＧ−ＰＢＳ９３ｂは、その透過軸が後述する液晶パネル８０ａの液晶層の遅相軸に対して交差するように、液晶パネル８０ｂに対して配置されている。
反射型光変調装置８ｂに入射した光束Ｌ２０は、位相差補償素子６０ｂを透過し、液晶パネル８０ｂで変調された後、反射されて再度位相差補償素子６０ｂに入射する。
【００４３】
位相差補償素子６０ｂに入射した光束Ｌ２０（変調光）は、位相差補償素子６０ｂによって光学補償がなされた後、ＷＧ−ＰＢＳ９３ｂに再度入射する。そして、偏光状態が変更された光束Ｌ２０はＷＧ−ＰＢＳ９３ｂで反射され、出射側偏光板９２ｂを選択的に透過して色合成素子６に入射する。同様にして、赤色光束Ｌ１０、青色光束Ｌ３０もそれぞれ光学補償等がなされた後、色合成素子６に入射する。
そして、色合成素子６に入射した光はここで合成されて多色光束となり、前述したように投射光学系７に入射し、さらにスクリーン等の被投射面（図示略）に投射される。
【００４４】
次に、反射型光変調装置８（８ａ、８ｂ、８ｃ）を構成する液晶パネル８０（８０ａ、８０ｂ、８０ｃ）、および位相差補償素子６０（６０ａ、６０ｂ、６０ｃ）について詳述する。
図３は、反射型光変調装置（液晶装置）８の概略構成を示す模式図である。
液晶パネル８０は、図３に示すように、対向基板８１とＴＦＴ基板８２とがシール材８３で貼り合わされ、これら基板８１、８２間に液晶層８４が挟持・封入された反射型ＶＡモードのものである。
【００４５】
ＴＦＴ基板８２は、例えばガラス基板やシリコン基板からなる。ＴＦＴ基板８２の上には、図示しないゲート線とソース線とを縦横に配し、その交点部に薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を介して画素電極（反射層）８５が形成されている。画素電極８５は、鏡面反射層を兼ねた金属製のもので、ＡｌやＡｇ、またはその合金が好適に用いられている。また、画素電極８５上には配向膜８６が設けられている。なお、フリッカーや焼き付きを防止するため画素電極８５と配向膜８６との間に絶縁膜を設けてもよい。
【００４６】
対向基板８１は、例えばガラス基板やシリコン基板からなる。対向基板８１上には、ＩＴＯからなる共通電極（透明電極）８７が設けられており、さらに共通電極８７上に配向膜８８が設けられている。
配向膜８６、８８は、例えば、真空蒸着法によってＳｉＯ２が斜方蒸着されて形成されている。具体的には、蒸着開始時の真空度が５×１０−３Ｐａ、基板温度が１００℃の条件で形成されている。斜方蒸着については、例えば、基板の法線から４０度傾いた方向から蒸着を行うことにより、蒸着と同じ方位に基板の法線から２０度傾いた方向にＳｉＯ２のカラムを成長させ、これによって配向膜８６、８８に異方性を付与している。なお、対向基板８１側の配向膜８８とＴＦＴ基板８２側の配向膜８６とでは、それぞれのカラムの傾き方向が非平行となるようにしている。
【００４７】
これら対向基板８１、ＴＦＴ基板８２は、例えば１．８μｍのギャップに保持されて貼り合わされている。対向基板８１とＴＦＴ基板８２の間に誘電率異方性が負の液晶（Δｎ＝０．１２）が注入されたことにより、液晶セルが形成されている。液晶分子８９は、配向膜８６、８８間において、これら配向膜８６、８８のカラムの傾き方向と同じ方向で基板の法線から５度傾くように、すなわちプレチルト角が８５度に、配向させられている。このようにプレチルト角が付与されることにより、液晶分子８９は光学的な異方性を有し、液晶分子８９からなる液晶層８８は遅相軸を有したものとなっている。
【００４８】
液晶層８８の遅相軸は、液晶分子８９を対向基板８１、ＴＦＴ基板８２の法線方向から見て、対向基板８１上あるいはＴＦＴ基板８２上に投影された楕円形状の液晶分子８９の、長軸の長さ方向に一致する。また、液晶分子８９は、付与されたプレチルト角により、長軸の一端側に対し他端側が傾いている。この液晶分子８９の長軸の傾き方向は、ＴＦＴ基板８２側から対向基板８１側に向かうに連れて、ＴＦＴ基板８２の法線から傾く方向が、本実施形態では図６中矢印ＬＣで示すように（液晶パネル８０の中央から左下側に向かうように）傾いた方向となっている。つまり、液晶パネル８０の対向基板８１の外側に配置される偏光板の偏光軸（図６中破線で示す）に対して４５度（１３５度）傾いている。
【００４９】
位相差補償素子６０は、図３に示すように、液晶パネル８０の対向基板８１の外側、すなわち液晶パネル８０の前方に配設されたものである。つまり、位相差補償素子６０は、液晶パネル８０により射出された光の光路上に配置されている。
【００５０】
ところで、特許文献１の位相差補償素子では、位相差補償素子が斜方蒸着により形成されているため、位相差補償素子のカラム構造が傾斜する方向（傾斜方向）は、蒸着材料の飛来方向（蒸着方向）に大きく依存するものとなっていた。このカラム構造の傾斜方向と蒸着方向とは一致せず、経験的に、カラム構造の長軸と基板の法線とのなす角度（傾斜角度）は、蒸着方向と基板の法線とのなす角度（蒸着角度）の約半分となることが知られている。そのため、斜方蒸着により形成された位相差補償素子では、液晶装置の位相差を広範囲で補償することは困難であった。
【００５１】
図１３は、斜方蒸着を説明するための斜視図である。図１３において、斜方蒸着基板１０１０の横軸をＸ軸、斜方蒸着基板の縦軸をＹ軸とする。斜方蒸着基板１０１０は、蒸着源１００１に対して斜めに傾いて配置されており、斜方蒸着基板１０１０の蒸着源１００１に近い側が−Ｙ、斜方蒸着基板１０１０の蒸着源１００１に遠い側が＋Ｙである。
【００５２】
図１３に示すように、斜方蒸着基板１０１０の表面には、蒸着装置１０００により無機膜１０１１が形成される。無機膜１０１１は、蒸着材料が斜方蒸着基板１０１０に対して斜め方向に結晶成長した斜方蒸着膜である。蒸着装置１０００は、酸化シリコン等の無機膜の形成材料を含む蒸着源１００１を有する。斜方蒸着基板１０１０の表面には、蒸着源１００１と斜方蒸着基板１０１０との間に配置された遮蔽板１００２によって、蒸着源１００１から放出された蒸着材料のうち斜方蒸着基板１０１０の法線に対して所定の角度で入射する蒸着材料のみが選択的に蒸着される。遮蔽板１００２には、スリット１００２ａが形成されており、スリット１００２ａを通過する蒸着材料のみが、斜方蒸着基板１０１０に到達する。
【００５３】
図１４は、蒸着源から５４０ｍｍの位置に設置した斜方蒸着基板へ斜方蒸着の傾斜方位方向のシミュレーション結果である。蒸着角度は４５度としている。図１４において、横軸は斜方蒸着基板のＸ軸、縦軸は斜方蒸着基板のＹ軸を示す。Ｘ軸、Ｙ軸は、それぞれ図１３に示した斜方蒸着基板１０１０のＸ軸、Ｙ軸に対応している。また、斜方蒸着基板は基板の法線方向から視て正方形状となっており、斜方蒸着基板の一辺の長さは３０ｍｍである。
【００５４】
図１４に示すように、斜方蒸着基板に形成された無機膜のカラム構造が傾斜する方位方向（傾斜方位方向）は、蒸着材料の飛来方向（蒸着方向）に大きく依存することがわかる。斜方蒸着では蒸着源から放射状に蒸着材料が放出されるため、斜方蒸着基板には蒸着源からの距離によってカラムの傾斜方位方向の基準からのずれ角が異なる。斜方蒸着基板におけるカラムの傾斜方位方向の基準からのずれ角は、蒸着源に近くなるにつれて大きくなる。このずれ角が大きくなると、位相差補償に面内むらが生じてしまうことになる。
【００５５】
図１５は、斜方蒸着におけるカラム構造の傾斜角度θｘ２と蒸着角度θｘ１の関係を示す図である。ここで、カラム構造の傾斜角度θｘ２は、カラム構造の長軸と基板の法線とのなす角度である。蒸着角度θｘ１は、蒸着材料の飛来方向と基板の法線とのなす角度である。
【００５６】
図１５に示すように、斜方蒸着におけるカラム構造の傾斜方向と蒸着方向とは一致しないことがわかる。このカラム構造の傾斜角度は、蒸着角度の約半分となる。
したがって、斜方蒸着により形成された位相差補償素子では、液晶装置の位相差を広範囲で補償することは困難である。
【００５７】
一方、斜方蒸着基板を蒸着源から遠い位置に配置することでカラムの傾斜方位方向の基準からのずれ角を小さくする構成も考えられるが、蒸着装置の大型化や単位時間当たりの処理能力（スループット）の低下といった問題がある。
【００５８】
そこで、本発明の位相差補償素子では、無機膜に対して、イオンビームを斜めから照射することで、無機膜の表面に対して斜めに交差しかつイオンビームの照射方向に沿った長手を有する複数の空孔を形成している。これにより、液晶装置の位相差を広範囲で補償することを可能にしている。
【００５９】
図４は、本発明の位相差補償素子６０の微視的構造を説明するための模式図である。
図４に示すように、位相差補償素子６０は、基板６１と、基板６１上に形成された補償層（層）６２と、補償層６２の上面に形成された撥水性の被膜６３と、を有して構成されている。
【００６０】
補償層６２は、図４に示すように微視的に見て、無機膜６２ａに対して、イオンビームを斜め（図４に示す斜め方向Ｄ）から照射することで形成された複数の空孔６２ｂを有している。空孔６２ｂは、無機膜６２ａの表面６２ｓに対して斜めに交差しかつビームの照射方向Ｄに沿った長手を有している。空孔６２ｂの長手方向は、基板６１の法線に対して所定の傾斜角度θ１をなしている。ここで、傾斜角度θ１は、空孔６２ｂの長手方向が基板６１の法線となす角度である。このような構造からなる補償層６２は、その微細構造に起因して、大なり小なり位相差を生じさせるようになっている。なお、照射ビームとしては、イオンビームを用いることもできるし、原子ビームや分子ビーム、プラズマビームを用いることもできる。
【００６１】
無機膜６２ａは、内部に複数の微細孔（図示略）を有する多孔質膜である。無機膜６２ａの微細孔の大きさは、照射ビームのイオンが無機膜６２ａを掘り込んで空孔６２ｂを形成することができる程度の大きさ（例えば、空孔の直径は数ｎｍ〜数１０ｎｍ）となっている。
【００６２】
無機膜６２ａは、基板６１上に形成されており、無機膜６２ａと基板６１とは、いずれもシリコン酸化物または金属酸化物によって形成されている。なお、本実施形態では、無機膜６２ａと基板６１とは、いずれもシリコン酸化物（例えばＳｉＯ２）によって形成されている。
【００６３】
撥水性の被膜６３は、補償層６２の上面に形成されている。撥水性の被膜６３は、補償層６２にシランカップリング剤による表面処理を行うことで形成された膜である。例えば、シランカップリング剤としては、メチルトリメトキシシラン（Ｃ１）、ヘキサメチルシラザン（ＨＭＤＳ）、デシルトリメトキシシラン（Ｃ１０）等を用いることができる。
【００６４】
（位相差補償素子の製造方法）
次に、本発明の位相差補償素子の製造方法について、一例を挙げて説明する。
図７は、本発明の位相差補償素子の製造工程を示すフローチャートである。
【００６５】
先ず、基板上に多孔質膜を形成する。具体的には、多孔質膜は、基板上に界面活性剤及び無機材料を含む溶液を塗布し、基板上に形成された塗布膜を乾燥させた後、焼成により界面活性剤を除去することで形成する。
【００６６】
基板上に多孔質膜を形成するに際しては、先ず、基板上に界面活性剤及び無機材料を含む溶液を塗布して無機膜を成膜する（塗布成膜、図７のステップＳ１）。例えば、塗布液は、アルコキシシラン類、触媒、水、溶媒を混合して混合溶液を調整し、アルコキシシラン類を一部加水分解、脱水縮合させ、さらに界面活性剤と環状シロキサン類と溶媒との混合溶液を添加したものを用いる。
【００６７】
塗布液の調整に用いられるアルコキシシラン類は、例えば、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトライソプロポキシシラン、テトラブチルシラン等の４級アルコキシシラン、トリメトキシフルオロシラン、トリエトキフルオロシラン、トリイソプロポキシフルオロシラン、トリブトキシフルオロシラン等の３級アルコキシフルオロシラン、トリメトキシメチルシラン、トリエトキシメチルシラン、トリメトキシエチルシラン、トリエトキシエチルシラン、トリメトキシプロピルシラン、トリエトキシプロピルシラン等の３級アルコキシアルキルシラン等がある。本実施形態では、テトラエトキシシランを用いる。
【００６８】
環状シロキサン類は、例えば、トリ（３，３，３−トリフルオロプロピル）トリメチルシクロトリシロキサン、トリフェニルトリメチルシクロトリシロキサン、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、１，３，５，７−テトラメチル−１，３，５，７−テトラフェニルシクロテトラシロキサン、テトラエチルシクロテトラシロキサン、ペンタメチルシクロペンタシロキサン等があり、あるいはこれらの中から２種以上を組み合わせて用いることもできる。本実施形態では、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサンを用いる。
【００６９】
触媒としては、酸が使用され、例えば、塩酸、臭酸、硝酸、硫酸等がある。溶媒は、メタノール、エタノール、１−プロパノール等の１級アルコール、２−プロパノール、２−ブタノール等の２級アルコール、ターシャリーブチルアルコール等の３級アルコール、アセトン、アセトニトリル等があり、あるいはこれらの中から２種以上を組み合わせて用いることもできる。
【００７０】
界面活性剤は、例えば、４級アンモニウム塩、アミノ基、ニトロソ基、ヒドロキシル基、カルボキシル基等がある。また、界面活性剤としては、ポリアルキレンオキサイド構造を有する化合物も使用できる。界面活性剤は、水中でミセルを形成し、規則的に配列する。本実施形態では、このミセルをテンプレートとして、シリカと複合体をつくり、テンプレートを除去すると均一で規則的な微細孔を有する多孔質シリカフィルム（多孔質膜）を調整することができる。
【００７１】
基板に塗布液を塗布する方法としては、例えば、スピンコート法、ディップ法、インクジェット法、スプレー法等がある。スピンコート法の場合、スピナー上に基板を置き、基板上に試料を滴下し、５００〜１００００ｒｐｍで回転させる。
【００７２】
次に、塗膜を加熱して溶媒を除去し、無機膜を形成する（プレベーク、図７のステップＳ２）。塗膜の加熱は、例えば、温度８０〜２５０℃の範囲で行う。
【００７３】
次に、無機膜を焼成して界面活性剤を除去し、内部に複数の微細孔を形成する（本焼成、図７のステップＳ３）。無機膜の焼成は、例えば、温度２５０〜４５０℃の範囲で行う。この温度範囲であれば、界面活性剤が除去されるとともに、環状シロキサン類の重合物が多孔質シリカフィルムの微細孔内部に形成される。
以上の工程を経ることにより、基板上に多孔質膜が形成される。
【００７４】
次に、基板上に形成された多孔質膜にＵＶ光を照射し、多孔質膜表面に存在する汚染物（有機物など）を分解除去する（ＵＶ照射、図７のステップＳ４）。例えば、照射するＵＶ光は、波長２５４ｎｍにピーク強度を有する低圧水銀ランプや、波長１７２ｎｍにピーク強度を有するエキシマランプを用いる。この波長領域の光は、酸素分子（Ｏ２）をオゾン（Ｏ３）に分解し、更に、このオゾンを酸素ラジカル（Ｏ＊）に分解するので、ここで生成された活性度の高いオゾンや酸素ラジカルを利用することにより、基板表面に付着した有機物を効率的に除去することが可能となる。
【００７５】
次に、多孔質膜に対して、イオンビームを斜めから照射する（イオンビーム照射、図７に示すステップＳ５）。例えば、イオンビームの照射条件は、イオン種：Ａｒ、入射角度（基板の法線とイオンビームの照射方向とのなす角度）：３０〜７０度、加速電圧：５００〜２０００Ｖ、ドーズ量：１×１０１５〜１×１０１6ｉｏｎｓ／ｃｍ２とする。これにより、基板の法線に対して斜めに交差しかつイオンビームの照射方向に沿った長手を有する複数の空孔が形成される。
【００７６】
すなわち、多孔質膜に形成された空孔の長手方向はビームの照射方向と概ね等しく、空孔の傾斜角度（基板の法線と空孔の長手方向とのなす角度）はイオンビームの入射角度と概ね等しくなる。ここで、「概ね等しい」とは、空孔の傾斜角度とイオンビームの入射角度とが完全に同一ではなく、わずかな角度の差（例えば±５％程度の角度の差）があっても、本発明の許容範囲であることを意味している。
【００７７】
次に、複数の空孔が形成された層（図４に示す補償層６２）の表面にシランカップリング剤を供給して撥水性の被膜を形成する（表面処理、図７に示すステップＳ６）。例えば、シランカップリング剤としては、メチルトリメトキシシラン（Ｃ１）、ヘキサメチルシラザン（ＨＭＤＳ）、デシルトリメトキシシラン（Ｃ１０）等を用いる。
以上の工程を経ることにより、本発明の位相差補償素子が得られる。
【００７８】
図９は、本発明の位相差補償素子の補償層の表面を示すＳＥＭ写真である。図９の矢印は、イオンビームの照射方向を補償層の表面に投影した方向である。図１０は、比較例の斜方蒸着膜の表面を示すＳＥＭ写真である。図１０の矢印は、蒸着方向を斜方蒸着膜の表面に投影した方向である。
【００７９】
図９に示すように、補償層の表面にはイオンビームの照射によって掘り込まれたと認められる複数の空孔が形成されている。これに対して、図１０の斜方蒸着膜の表面には空孔が形成されていない。このように、本発明の位相差補償素子の補償層の表面形状と斜方蒸着膜の表面形状とは異なっている。よって、イオンビームの照射による位相差補償素子の補償層と斜方蒸着による斜方蒸着膜とは、判別することが可能である。
【００８０】
図１１は、本発明の位相差補償素子の補償層の断面を示すＳＥＭ写真である。図１１の矢印は、イオンビームの照射方向である。図１２は、比較例の斜方蒸着膜の断面を示すＳＥＭ写真である。図１２の矢印は、蒸着方向である。なお、図１１と図１２とで矢印の向きが反対向きとなっているが、図１１のイオンビーム照射と図１２の斜方蒸着とは処理角度（基板の法線とのなす角度）が同じである。
【００８１】
図１１に示すように、補償層にはイオンビームの照射によって掘り込まれたと認められる複数の空孔が形成されている。この空孔は、補償層の表面に対して斜めに交差しかつビームの照射方向に沿った長手を有している。これに対して、図１１の斜方蒸着膜にはカラム構造が形成されている。このカラム構造（長軸）は、斜方蒸着膜の表面に対して斜めに交差しているものの、カラム構造の傾斜方向と蒸着方向とは一致していない。このカラム構造の傾斜角度は、蒸着角度の約半分となっている。
このように、本発明の位相差補償素子の補償層の断面形状と斜方蒸着膜の断面形状とは異なっている。よって、イオンビームの照射による位相差補償素子の補償層と斜方蒸着による斜方蒸着膜とは、判別することが可能である。
【００８２】
本実施形態では、図４に示すように、基板６１の一方の面に複数の空孔６２ｂを有する補償層６２が形成されたことにより、位相差補償素子６０が形成されている。そして、このような構成からなる位相差補償素子６０は、液晶パネル８０側に補償層６２が位置するように、液晶パネル８０により射出される光の光路上に配置されている。
【００８３】
図５は、位相差補償素子（補償層）の光学異方性を説明するための模式図である。図６は、液晶分子の傾き方向と位相差補償素子（補償層）の光学的異方性の関係を示す図である。
【００８４】
図５には、位相差補償素子６０を構成する補償層６２の屈折率楕円体における光軸方向の主屈折率が示されている。本実施形態では、補償層６２において主屈折率ｎｘ、ｎｙ、ｎｘはｎｘ＜ｎｙ＜ｎｚなる関係を満たす構成（二軸性の屈折率楕円体）とされている。すなわち、補償層６２において、基板の法線方向から傾いた方向の屈折率ｎｚが他の方向の屈折率ｎｘ、ｎｙより大きく、屈折率楕円体では米粒型となる。このように、補償層６２の屈折率楕円体を二軸性の屈折率楕円体としてもよいし、これに替えて、補償層６２において主屈折率ｎｘ、ｎｙ、ｎｘはｎｘ＝ｎｙ＜ｎｚなる関係を満たす構成（一軸性の屈折率楕円体）としてもよい。
【００８５】
位相差補償素子６０は、複数の空孔６２ｂを有する補償層６２により、遅相軸６０Ｌを有したものとなっている。遅相軸６０Ｌは、図５に示した楕円体を、基板の法線方向から視て基板上面に投影した楕円形の、長軸の長さ方向に一致する。
【００８６】
補償層６２に形成された、ビームの照射方向に沿った長手を有する空孔６２ｂは、前記長軸（遅相軸６０Ｌ）の一端側に対し、他端側が傾いている。この空孔６２ｂの傾き方向は、基板６１側からその反対側に向かうに連れて、基板６１の法線から傾く方向が、本実施形態では図６中矢印Ｔで示すように（液晶パネル８０の中央から左上側に向かうように）傾いた方向となっている。
【００８７】
図６に示すように、前記空孔６２ｂの傾き方向Ｔは、前記液晶分子８９の傾き方向ＬＣと一定の関係性を持って配置されている。図６では、例えば、空孔６２ｂの長手方向を基板の上面に投影したときの基板の上面上における長手の向きを空孔６２ｂの傾き方向Ｔとしたときに、空孔６２ｂの傾き方向Ｔは、前記液晶分子８９の傾き方向ＬＣに対して、時計回りで概ね９０度となる位置となっている。すなわち、本実施形態では、液晶パネル８０に対して位相差補償素子６０を、その補償層６２の空孔６２ｂの傾き方向Ｔが、液晶パネル８０における液晶分子８９の傾き方向ＬＣに対して、時計回りで概ね９０度となるように配置している。
【００８８】
ここで、概ね９０度とは、９０度±１０％、すなわち８１度以上９９度以下の範囲を意味している。このように９０度に対して１０％の範囲内でずれていても、位相差補償素子６０は、液晶パネル８０を反射してきた光に対して、面内回転による良好な位相差補償をなすようになる。
【００８９】
本実施形態の位相差補償素子６０、並びに本実施形態の位相差補償素子の製造方法によれば、無機膜６２ａに対してイオンビームを斜めから照射することで、無機膜６２ａの表面６２ｓに対して斜めに交差しかつイオンビームの照射方向に沿った長手を有する複数の空孔６２ｂが形成される。すなわち、無機膜６２ａに形成された空孔６２ｂの長手方向はビームの照射方向と概ね等しく、空孔の傾斜角度θ１はビームの照射角度と概ね等しくなる。そのため、特許文献１に示す斜方蒸着により形成された位相差補償素子のように、位相差補償素子のカラム構造の傾斜方向が蒸着材料の蒸着方向に大きく依存すること（カラム構造の傾斜角度が蒸着材料の蒸着角度の約半分となること）はない。したがって、液晶パネル（液晶装置）の位相差を広範囲で補償することが可能となる。
【００９０】
また、この構成、並びに、この製造方法によれば、無機膜６２ａが多孔質膜であるので、多孔質膜に対してビームが斜めから照射されると、多孔質膜内部の微細孔の密度が相対的に大きい部分がビームによって掘り込まれ易くなる。そのため、多孔質膜内部の微細孔の密度が相対的に大きい部分においてビームの照射方向に沿った長手を有する空孔６２ｂが形成される。一方、無機膜が緻密な膜であると、内部に殆ど微細孔が形成されていないため、ビームによって掘り込まれ難くなる。よって、位相差補償素子６０の製造が容易となる。
【００９１】
また、この構成、並びに、この製造方法によれば、補償層６２の表面に撥水性の被膜６３が形成されるので、補償層６２の表面に水分が吸着したり層の内部に水分が浸入したりすることを抑制することができる。これに対して、層の表面に水分が吸着したり層の内部に水分が浸入したりすると、補償すべき位相差がずれてしまうことがある。よって、信頼性に優れた位相差補償素子６０が得られる。
【００９２】
また、この構成によれば、基板６１と無機膜６２ａとが同種の材料によって形成されるので、基板６１と無機膜６２ａとの密着性が良好となる。よって、信頼性に優れた位相差補償素子６０が得られる。
【００９３】
また、この製造方法によれば、多孔質膜は基板上に界面活性剤及び無機材料を含む溶液を塗布して形成されるので、下地に凹凸が存在しても、その凹凸の段差を平坦化することができる。そのため、補償層の表面が平坦となり、液晶装置の位相差を確実に補償することが可能となる。また、溶質から界面活性剤を除去させることで多孔質膜が形成されるので、界面活性剤の材料を適宜変更することにより、多孔質膜内部の微細孔の大きさを適宜変更することができる。よって、位相差補償素子６０の製造効率を向上させることができる。
【００９４】
本実施形態の反射型光変調装置（液晶装置）８によれば、上述した位相差補償素子６０を備えているので、表示品質が高く、信頼性に優れた反射型光変調装置（液晶装置）８を提供することができる。
【００９５】
本実施形態のプロジェクター１によれば、上述した反射型光変調装置（液晶装置）８を備えているので、表示品質が高く、信頼性に優れたプロジェクター１を提供することができる。
【００９６】
本発明者は、本実施形態の位相差補償素子６０の効果を実証するために、イオンビーム照射と斜方蒸着における光軸方位を比較するためのシミュレーションを行った。
図８は、イオンビーム照射と斜方蒸着における光軸方位を比較したグラフである。なお、図８において、横軸は基板センターからの距離（ｍｍ）、縦軸は光軸方位（ｄｅｇ）である。また、図８の横軸は、図１３に示した斜方蒸着基板のＸ軸に対応している。
ここで、イオンビーム照射における光軸方位とは、イオンビーム照射によって形成された位相差補償素子の補償層の空孔の傾斜方向の基準からのずれ角である（実測値）。斜方蒸着における光軸方位とは、斜方蒸着によって形成された斜方蒸着膜のカラムの傾斜方位方向の基準からのずれ角である（計算値）。
【００９７】
図８に示すように、イオンビーム照射における光軸方位は、基板センターからの距離によって殆ど変動しないことがわかる。これに対して、斜方蒸着における光軸方位は、基板センターからの距離と比例関係にあり、基板センターからの距離が大きくなるにつれて大きく変動することがわかる。
このように、本発明のイオンビーム照射によって形成された位相差補償素子によれば、光軸方位が殆ど変動しないことがわかった。したがって、イオンビーム照射による位相差補償素子の製造方法では、斜方蒸着のように光軸方位を小さくするために斜方蒸着基板を蒸着源から遠い位置に配置する必要はなく、蒸着装置の大型化や単位時間当たりの処理能力（スループット）の低下といった問題が生じることもない。
【００９８】
なお、前記実施形態では、偏光ビームスプリッターとして、ワイヤーグリッド偏光ビームスプリッター（ＷＧ−ＰＢＳ）を用いたが、これに代えて、例えば直角プリズムの斜面に誘電体多層膜をコーティングした２つのプリズムを、互いの斜面で接着して形成した偏光ビームスプリッターを用いてもよい。
【００９９】
また、前記実施形態では、本発明に係る位相差補償素子を備えた液晶装置の一例として、液晶プロジェクターにおける反射型光変調装置に適用した例について説明したが、本発明の液晶装置はこれに限定されない。例えば、他の液晶装置であるヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ）やビューファインダ（ＥＶＦ）に、本発明の液晶装置を適用することも可能である。また、携帯情報端末の表示画面のような直視型のディスプレイに本発明を適用してもよい。
【０１００】
上記各実施の形態の液晶装置は、液晶プロジェクターのライトバルブ、高温ポリシリコンＴＦＴ液晶（ＨＴＰＳ）、反射型高温ポリシリコンＴＦＴ液晶（Ｒ−ＨＴＰＳ）、ＬＣＯＳ（Liquid crystal on silicon）、デジタルサイネージとして用いることができる。また、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、テレビジョン受像機、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、かかる構成とすることで、表示品質が高く、信頼性に優れた表示部を備えた電子機器を提供できる。
【符号の説明】
【０１０１】
１…プロジェクター、７…投射光学系、８…反射型光変調装置（液晶装置）、６０…位相差補償素子、６１…基板、６２…補償層（層）、６２ａ…無機膜、６２ｓ…無機膜の表面、６２ｂ…空孔、６３…撥水性の被膜、８０…液晶パネル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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