(57)【要約】【課題】  トレンチゲート側端部への電解集中が抑制された半導体装置を提供する。【解決手段】  半導体装置は、セル領域と、非セル領域を有する半導体基板と、少なくとも半導体基板のセル領域に形成されており、トレンチと、トレンチの内壁に形成されているゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜に覆われた状態でトレンチ内に充填されているゲート電極とを有するトレンチゲートを備えている。この半導体装置では、トレンチゲートの長手方向の端部は、セル領域側から非セル領域側に向かう方向にトレンチ深さが浅くなっている。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セル領域と、非セル領域を有する半導体基板と、
少なくとも半導体基板のセル領域に形成されており、トレンチと、トレンチの内壁に形成されているゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜に覆われた状態でトレンチ内に充填されているゲート電極とを有するトレンチゲートを備えた半導体装置であって、
トレンチゲートの長手方向の端部は、セル領域側から非セル領域側に向かう方向にトレンチ深さが浅くなっている、半導体装置。
【請求項２】
トレンチゲートの長手方向の端部は、セル領域側から非セル領域側に向かう方向にトレンチ幅が狭くなるとともに、セル領域側から非セル領域側に向かう方向にトレンチ深さが浅くなっている、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
トレンチゲートの長手方向の端面とトレンチゲートの底面によってトレンチゲートの内側に成される角の角度はθ１であり、
前記端面と半導体基板の表面によってトレンチゲートの外側に成される角の角度はθ２であり、
トレンチゲートの長手方向に沿って伸びる側面と半導体基板の表面によってトレンチゲートの外側に成される角の角度はθ３であり、
θ１およびθ２は、θ３よりも大きい、請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
トレンチゲートの長手方向の端面の上端は曲面である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
トレンチゲートの長手方向の端面の下端は曲面である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
セル領域側から非セル領域側に向かう方向に減少するトレンチ幅の減少率は、セル領域側で大きく、非セル領域側で小さい、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項７】
セル領域側から非セル領域側に向かう方向に減少するトレンチ幅の減少率は一定である、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項８】
トレンチゲートの長手方向の端面のゲート絶縁膜は、その他の部分のゲート絶縁膜よりも厚くなっており、
トレンチゲートの長手方向の端面に接する半導体層は、その周囲の半導体層よりも不純物濃度が高い、請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トレンチゲート型の半導体素子を有する半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
トレンチゲート型の半導体素子を有する半導体装置では、トレンチゲートの長手方向の端部（トレンチゲート側端部）に電解集中が発生し易く、半導体装置の特性低下を引き起こす要因となる。このため、トレンチゲート側端部に電解集中が発生することを防ぐ技術が提案されている。例えば特許文献１では、トレンチゲート側端部の端面の上端角部のゲート絶縁膜を厚くするとともに、上端角部に接する半導体層の不純物濃度を高くしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平７−２４９７６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
トレンチゲート側端部での電解集中は、端面の上端角部のみならず下端角部でも発生し易い。特許文献１では、下端角部での電解集中を緩和することができないという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本願に係る半導体装置は、セル領域と、非セル領域を有する半導体基板と、少なくとも半導体基板のセル領域に形成されており、トレンチと、トレンチの内壁に形成されているゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜に覆われた状態でトレンチ内に充填されているゲート電極とを有するトレンチゲートを備えている。この半導体装置では、トレンチゲートの長手方向の端部は、セル領域側から非セル領域側に向かう方向にトレンチ深さが浅くなっている。
【０００６】
上記の半導体装置では、トレンチゲートの長手方向の端部（本明細書では、トレンチゲート側端部という）のトレンチ深さがセル領域側から非セル領域側に向かう方向に浅くなっており、トレンチゲートの長手方向の端面（本明細書では、トレンチゲート側端面という）がトレンチゲートの底面および半導体基板の表面に対して傾斜している。これによって、トレンチゲート側端面から半導体基板の表面側に連なるトレンチゲート側端部の上端曲がり部、およびトレンチゲートの底面からトレンチゲート側端面に連なるトレンチゲート側端部の下端曲がり部が、緩やかに湾曲した状態となるため、トレンチゲート側端部の下端曲がり部または上端曲がり部に電解が集中することが抑制される。
【０００７】
上記の半導体装置では、セル領域側から非セル領域側に向かう方向にトレンチ幅が狭くなるとともに、トレンチゲート側端部のトレンチ幅は、セル領域側から非セル領域側に向かう方向に狭くなっていてもよい。エッチングによってトレンチを形成する場合、トレンチ幅が狭いほど、トレンチ深さが浅くなる性質を利用して、簡易にトレンチゲート側端面を傾斜させることができる。簡易な製造工程で製造可能な、電解集中を抑制できるトレンチゲートを備えた半導体装置を提供することができる。
【０００８】
トレンチゲートの長手方向の端面とトレンチゲートの底面によってトレンチゲートの内側に成される角の角度はθ１であり、トレンチゲートの長手方向の端面と半導体基板の表面によってトレンチゲートの外側に成される角の角度はθ２であり、トレンチゲートの長手方向に沿って伸びる側面と半導体基板の表面によってトレンチゲートの外側に成される角の角度はθ３である場合に、θ１およびθ２は、θ３よりも大きいことが好ましい。
【０００９】
トレンチゲートの長手方向の端面の上端（上端曲がり部）は曲面であってもよい。また、トレンチゲートの長手方向の端面の下端（下端曲がり部）は曲面であってもよい。
【００１０】
セル領域側から非セル領域側に向かう方向に減少するトレンチ幅の減少率は、セル領域側で大きく非セル領域側で小さくてもよいし、一定であってもよい。
【００１１】
トレンチゲートの長手方向の端面のゲート絶縁膜は、その他の部分のゲート絶縁膜よりも厚くなっており、トレンチゲートの長手方向の端面に接する半導体層は、その周囲の半導体層よりも不純物濃度が高くてもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本願によれば、トレンチゲート側端部の上端部分および下端部分への電解集中が抑制された半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施例１の半導体装置の平面図である。
【図２】図１のセル領域と非セル領域の境界近傍を拡大した図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線断面図である。
【図４】図２のＩＶ−ＩＶ線断面図である。
【図５】図２のＶ−Ｖ線断面図である。
【図６】図２のＶＩ−ＶＩ線断面図である。
【図７】実施例２の半導体装置の一部を示す平面図である。
【図８】図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線断面図である。
【図９】変形例の半導体装置の断面図である。
【図１０】変形例の半導体装置の製造方法を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本願が開示する半導体装置は、セル領域と、非セル領域を有する半導体基板と、少なくとも半導体基板のセル領域に形成されているトレンチゲートを備えている。トレンチゲートは、トレンチと、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有している。ゲート絶縁膜は、トレンチの内壁に形成されており、ゲート電極は、ゲート絶縁膜に覆われた状態でトレンチ内に充填されている。トレンチゲートの長手方向の端部（トレンチゲート側端部）は、セル領域側から非セル領域側に向かう方向にトレンチ深さが浅くなっている。
【００１５】
上記の半導体装置では、トレンチゲート側端部のトレンチ深さがセル領域側から非セル領域側に向かう方向に浅くなっている。トレンチゲート側端面は、トレンチゲート側端部の非セル領域側の端面であり、半導体基板に接している。トレンチゲート側端面は、トレンチゲートの底面および半導体基板の表面に対して傾斜している。トレンチゲート側端面は、セル領域側から非セル領域側に向かう方向に直線状、曲面状または多段の階段状に傾斜し、上昇する面である。
【００１６】
また、上記の半導体装置では、トレンチゲート側端部のトレンチ幅がセル領域側から非セル領域側に向かう方向に狭くなっていてもよい。この場合、セル領域側から非セル領域側に向かう方向にトレンチ幅が狭くなっている部分は、セル領域側から非セル領域側に向かう方向にトレンチ深さが浅くなっている部分と一致している。セル領域側から非セル領域側に向かう方向に減少するトレンチ幅の減少率は、セル領域側から非セル領域側に向かう方向に浅くなるトレンチ深さの減少率に応じて設計され、トレンチ深さが浅い部分ほど、トレンチ幅が狭くなっている。セル領域側から非セル領域側に向かう方向に減少するトレンチ幅の減少率は、特に限定されないが、セル領域側で大きく、非セル領域側で小さくてもよく、一定であってもよい。なお、トレンチ幅の減少率が、セル領域側で大きく非セル領域側で小さいという形態は、例えば、トレンチゲート側端部において、セル領域側から非セル領域側に向かう方向に、トレンチ幅の減少率が連続的に小さくなっていくものであってもよいし、トレンチゲート側端部が、トレンチ幅の減少率が互いに相違する複数の部分（それぞれの部分におけるトレンチ幅の減少率は一定である）を有しており、この複数の部分が、トレンチ幅の減少率が大きいものほどセル領域側に、トレンチ幅の減少率が小さいものほど非セル領域側に配置されているものであってもよい。半導体基板を平面視したときに、トレンチゲート側端部のセル領域側から非セル領域側に向かう方向にトレンチ幅が狭くなっている部分の輪郭は、直線状、曲線状または多段の階段状であってよい。
【００１７】
半導体装置の製造工程においてエッチングを行うと、トレンチ幅が広い部分ほど、トレンチ深さが深くなる。上記のようにトレンチゲート側端部において、セル領域側から非セル領域側に向かう方向にトレンチ幅が狭くなるとともに、セル領域側から非セル領域側に向かう方向にトレンチ深さが浅くなっている半導体装置を製造する場合、セル領域側から非セル領域側に向かう方向にトレンチ深さを浅くするために、数段階のエッチングを行う必要がない。少ない回数のエッチングによってトレンチゲート側端面を傾斜させることが可能となる。
【００１８】
トレンチゲートは、セル領域側にのみ形成されていてもよいし、セル領域側から非セル領域側まで延びていてもよい。セル領域側から非セル領域側に向かう方向にトレンチ幅が狭くなっており、トレンチ深さが浅くなっているトレンチゲート側端部は、セル領域内に形成されていてもよいし、非セル領域内に形成されていてもよい。
【００１９】
トレンチゲートの側端面とトレンチゲートの底面によってトレンチゲートの内側（ゲート電極側）に成される角の角度はθ１であり、トレンチゲートの側端面と半導体基板の表面によってトレンチゲートの外側（トレンチゲートに接する半導体基板側）に成される角の角度はθ２であり、トレンチゲートの長手方向に沿って伸びる側面と半導体基板の表面によってトレンチゲートの外側（トレンチゲートに接する半導体基板側）に成される角の角度はθ３である場合に、θ１およびθ２は、θ３よりも大きいことが好ましい。トレンチゲートの底面からトレンチゲート側端面に連なるトレンチゲート側端部の下端曲がり部、およびトレンチゲート側端面から半導体基板の表面側に連なるトレンチゲート側端部の上端曲がり部が、緩やかに湾曲した状態となるため、トレンチゲート側端部の下端曲がり部または上端曲がり部に電解が集中することが抑制される。
【００２０】
上端曲がり部は曲面であってもよい。また、下端曲がり部は曲面であってもよい。これによって、上端曲がり部または下端曲がり部をより緩やかな形状とすることができる。すなわち、上端曲がり部が曲面である場合、トレンチゲートの側端面と半導体基板の表面が成す角度θ２をより大きくすることができる。同様に、下端曲がり部が曲面である場合、トレンチゲートの側端面とトレンチゲートの底面が成す角度θ１を大きくすることができる。このため、上端曲がり部または下端曲がり部への電解集中を抑制する効果をより高くすることができる。
【００２１】
トレンチゲート側端面のゲート絶縁膜は、その他の部分のゲート絶縁膜よりも厚くなっていてもよい。トレンチゲートの側端面に接する半導体層は、その周囲の半導体層よりも不純物濃度が高くてもよい。このような構成によれば、トレンチゲート側端部への電解集中を抑制する効果が大きくなる。また、高濃度の不純物層に接するゲート絶縁膜は厚くなることから、ゲート絶縁膜の厚みを変えても簡易な製造工程で製造することができる。
【００２２】
本願に係る半導体装置は、トレンチゲート型の半導体装置であればよい。トレンチゲート型の半導体装置としては、例えば、ＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴ等が挙げられる。また、半導体装置を平面視したときのトレンチゲートの全体的な形状や配置について特に限定されない。例えば、略直線状の複数のトレンチゲートが平行に配置されていてもよいし、曲線部分を含むトレンチゲートであってもよい。例えば、トレンチゲートが曲線状である場合には、トレンチゲートが描く曲線ベクトルの方向が長手方向である。
【実施例１】
【００２３】
図１に示すように、実施例１に係る半導体装置１０は、セル領域１１０と、非セル領域１０１とを含む半導体基板１００を備えている。セル領域１１０は、半導体基板１００の中央部に配置されており、非セル領域１０１はセル領域１１０の周囲を取り囲んでいる。半導体装置１０のセル領域１１０には、トレンチゲート型のＩＧＢＴが形成されている。非セル領域１０１の表面には、ゲート配線１０３およびゲートパッド１０５が形成されている。
【００２４】
図２に示すように、セル領域１１０には、複数のトレンチゲート１２０が形成されている。複数のトレンチゲート１２０は、半導体装置１０を平面視したときに線状であり、いずれも同じ大きさ、同じ形状である。複数のトレンチゲート１２０は、長手方向がｘ軸に平行になるように配置されている。なお、図１および図２では、半導体基板１００の表面に形成された絶縁層１１６および表面電極（エミッタ電極）については、図示を省略している。
【００２５】
図３〜図６に示すように、半導体基板１００は、ｎ型のドリフト層１１１、ｐ型のボディ層１１２、ｎ＋型のエミッタ層１１７、ｐ型の周辺層１３０を備えている。図示しないが、半導体基板１００の裏面側には、ｐ＋型のコレクタ層がさらに備えられている。トレンチゲート１２０は、トレンチ１１５と、トレンチ１１５の内壁に形成されたゲート絶縁膜１１４と、ゲート絶縁膜１１４に覆われた状態でトレンチ１１５内に充填されているゲート電極１１３とを備えている。ゲート電極１１３は、ゲート配線１０３およびゲートパッド１０５と電気的に接続している。トレンチゲート１２０は、セル領域１１０から非セル領域１０１まで伸びている。セル領域１１０では、トレンチゲート１２０は、半導体基板１００の表面側から、ボディ層１１２およびエミッタ層１１７を貫通してドリフト層１１１に達している。エミッタ層１１７は、トレンチゲート１２０の長手方向（ｘ軸方向）に沿って延びており、トレンチゲート１２０のゲート絶縁膜１１４と接している。非セル領域１０１では、トレンチゲート１２０のトレンチ深さは、周辺層１３０よりも浅く、トレンチゲート１２０は、周辺層１３０の下方に位置するドリフト層１１１には到達していない。周辺層１３０は、ボディ層１１２よりも半導体基板１００の深い位置まで形成されている。周辺層１３０は、セル領域１１０内には形成されていない。半導体基板１００の上面には、絶縁層１１６が形成されている。なお、図３〜図６では、半導体基板１００の表面に形成された表面電極（エミッタ電極）および裏面に形成された裏面電極（コレクタ電極）についても、図示を省略している。
【００２６】
図３〜図６に示すように、トレンチゲート１２０は、トレンチ深さが略一定である第１領域１２１と、セル領域１１０側から非セル領域１０１側に向かう方向（ｘ軸方向）にトレンチ深さが浅くなっている第２領域１２２とを備えている。第２領域１２２は、非セル領域１０１内に形成されており、周辺層１３０に接している。第１領域１２１では、トレンチ幅（ｙ軸方向の幅）は略一定であり、第２領域１２２では、トレンチ幅はセル領域１１０側から非セル領域１０１側に向かう方向に狭くなっている。すなわち、第２領域１２２は、トレンチゲート側端部であり、セル領域側から非セル領域側に向かう方向にトレンチ幅が狭くなるとともに、セル領域側から非セル領域側に向かう方向にトレンチ深さが浅くなっている。図２に示すように、第２領域１２２におけるトレンチ幅減少率は一定であり、直線的にトレンチ幅が狭くなっている。第２領域１２２において、トレンチ幅の減少率は、トレンチ深さの減少率に応じて設計されており、トレンチ深さが浅い部分ほど、トレンチ幅が狭くなっている。
【００２７】
図３に示すように、トレンチゲート１２０の側端面１４２は略直線状に傾斜している。トレンチゲート１２０の側端面１４２とトレンチゲート１２０の底面１４１が成す角（トレンチゲート１２０の内側に成される角）の角度はθ１である。角度θ１は、トレンチゲート１２０の底面１４１から側端面１４２に連なる下端曲がり部１４７（側端面１４２の下端）の角度を示している。周辺層１３０の表面１４３は半導体基板１００の表面１４４と一致しており、側端面１４２と半導体基板１００の表面１４４が成す角（トレンチゲート１２０の外側に成される角）は、側端面１４２と周辺層１３０の表面１４３が成す角に等しく、その角度はθ２である。角度θ２は、トレンチゲート１２０の側端面１４２から半導体基板１００の表面側に連なる上端曲がり部１４８（側端面１４２の上端）の角度を示している。図４に示すように、セル領域１１０において、トレンチゲート１２０の長手方向（ｘ軸方向）に沿って伸びる側面１４５と半導体基板１００の表面１４４が成す角（トレンチゲート１２０の内側に成される角）の角度はθ３である。図３に示すように、本実施例では、θ１およびθ２は、鈍角であり、θ３は、ほぼ直角である。θ１およびθ２は、θ３よりも大きい（θ１，θ２＞θ３）。
【００２８】
上記のとおり、本実施例に係る半導体装置１０では、トレンチゲート１２０は、トレンチゲート側端部である第２領域１２２を備えており、第２領域１２２では、トレンチ深さがセル領域１１０側から非セル領域１０１側に向かう方向に浅くなっている。これによって、トレンチゲート１２０の側端面１４２がトレンチゲート１２０の底面１４１および半導体基板１００の表面１４４に対して直線状に傾斜している。従来のようにトレンチゲートの側端面が底面１４１および表面１４４に対してほぼ垂直に形成されていた半導体装置と比較すると、本実施例に係る半導体装置１０では、トレンチゲート１２０の下端曲がり部１４７の角度θ１および上端曲がり部１４８の角度θ１は鈍角となっており、従来よりも明らかに大きい。このため、下端曲がり部１４７および上端曲がり部１４８に電解が集中することを抑制することができる。
【００２９】
また、第２領域１２２では、さらに、トレンチ幅がセル領域１１０側から非セル領域１０１側に向かう方向に狭くなっており、トレンチ幅の減少率は、トレンチ深さの減少率に応じて設計されている。このように設計されているため、エッチングによってトレンチを形成する場合に、トレンチ幅が狭いほどトレンチ深さが浅くなる性質を利用して、簡易に側端面１４２を傾斜させることができる。本実施例によれば、簡易な製造工程で製造可能な、電解集中を抑制できるトレンチゲート１２０を備えた半導体装置１０を提供することができる。
【実施例２】
【００３０】
実施例２に係る半導体装置２０は、図７，８に示すように、トレンチゲート２２０の側端部２２２，２２３の形状およびこれに接する周辺層２３０の形状が実施例１と相違している。その他の構成については、実施例１において説明した半導体装置１０と同様であるから、重複説明を省略する。
【００３１】
トレンチゲート２２０は、トレンチ深さが略一定である第１領域２２１と、セル領域１１０側から非セル領域１０１側に向かう方向にトレンチ深さが浅くなっている第２領域２２２および第３領域２２３を備えている。第１領域１２１では、トレンチ幅（ｙ軸方向の幅）は略一定であり、第２領域２２２および第３領域２２３では、トレンチ幅はセル領域１１０側から非セル領域１０１側に向かう方向に狭くなっている。すなわち、第２領域２２２および第３領域２２３は、トレンチゲート側端部である。図７に示すように、第２領域２２２におけるトレンチ幅減少率は一定であり、直線的にトレンチ幅が狭くなっている。また、第３領域２２３におけるトレンチ幅減少率は一定であり、直線的にトレンチ幅が狭くなっている。第２領域２２２におけるトレンチ幅減少率ａ１は、第３領域２２３におけるトレンチ幅減少率ａ２よりも大きい。第２領域２２２および第３領域２２３において、トレンチ幅の減少率はトレンチ深さの減少率に応じて設計されている。
【００３２】
上記のようにトレンチゲート側端部２２２，２２３を設計すると、図８に示すように、側端面２４２を緩やかな曲面状にすることができる。トレンチゲート２２０の側端部の下端曲がり部２４７（側端面２４２の下端）および上端曲がり部２４８（側端面２４２の上端）の形状をより緩やかにすることができる。
【００３３】
上記のとおり、実施例２に係る半導体装置２０は、トレンチゲート２２０の側端部２２２，２２３の下端曲がり部２４７および上端曲がり部２４８の形状が実施例１に係る半導体装置１０より緩やかな形状となっている。図８において、トレンチゲート２２０の側端面２２４とトレンチゲート２２０の底面１４１が成す角（トレンチゲート２２０の内側に成される角）の角度は、図３に示すθ１より大きい。同様に、図８において、側端面２２４と半導体基板１００の表面１４４が成す角（トレンチゲート２２０の外側に成される角）の角度は、図３に示すθ２より大きい。このため、実施例２によれば、実施例１よりも、下端曲がり部２４７および上端曲がり部２４８への電解集中を抑制する効果を高くすることができる。
【００３４】
（変形例）
上記の実施例１，２において、トレンチゲート側端面のゲート絶縁膜の一部または全部を、その他の部分のゲート絶縁膜よりも厚くしてもよい。さらに、トレンチゲートの側端面に接する半導体層は、その周囲の半導体層よりも不純物濃度が高くてもよい。このような構成によれば、トレンチゲート側端部への電解集中がより抑制された半導体装置を、簡易な製造工程で製造することができる。
【００３５】
例えば、図９に示すように、側端面３４２のゲート絶縁膜３１４が、トレンチゲート１２０のゲート絶縁膜１１４よりも厚くなっていてもよい。また、側端面３４２に接する位置に、不純物濃度が高い半導体層である高濃度層３３０が形成されていてもよい。高濃度層３３０は、ｐ型の半導体層であってもよく、ｎ型の半導体層であってもよい。ｐ型、ｎ型のいずれの半導体層である場合においても、高濃度層３３０の不純物濃度は、周辺層１３０のｐ型の不純物濃度よりも高い。その他の構成については、実施例１において説明した半導体装置１０と同様であるから、重複説明を省略する。
【００３６】
図９に示す高濃度層３３０は、図１０に示すように、半導体装置の製造工程において、周辺層１３０の傾斜する部分３３２にイオン注入を行うことによって容易に形成することができる。従来のように、トレンチゲートの側端面が半導体基板の表面に対してほぼ垂直である場合と比較すると、斜面である部分３３２にイオン注入を行うことは、明らかに容易である。
【００３７】
熱酸化によってゲート絶縁膜を形成する場合、不純物濃度が高い半導体層に接する部分では、不純物濃度が低い半導体層に接する部分よりもゲート絶縁膜が厚く形成される。このため、側端面３４２に接する部分に高濃度層３３０が存在する状態で熱酸化によってゲート絶縁膜を形成すると、側端面３４２の厚いゲート絶縁膜３１４と底面１４１等の薄いゲート絶縁膜１１４を同じ工程で形成することができる。なお、図９では、実施例１に係る半導体装置１０に高濃度層３３０等を形成した場合を例示して説明したが、実施例２に係る半導体装置２０にも同様に高濃度層３３０を適用できることは明らかである。
【００３８】
以上、本発明の実施例について詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。
【００３９】
本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００４０】
１０，２０      半導体装置
１００ 半導体基板
１０１ 非セル領域
１０３ ゲート配線
１０５ ゲートパッド
１１０ セル領域
１１１ ドリフト層
１１２ ボディ層
１１３ ゲート電極
１１４，３１４       ゲート絶縁膜
１１５ トレンチ
１１６ 絶縁層
１１７ エミッタ層
１２０，２２０       トレンチゲート
１２１，２２１       第１領域
１２２，２２２       第２領域
１３０ 周辺層
１４１ 底面
１４２，２４２，３４２      側端面
１４３ 周辺層の表面
１４４ 半導体基板の表面
１４５ 側面
１４７，２４７  下端曲がり部
１４８，２４８  上端曲がり部
２３０ 周辺層
３３０ 高濃度層
３３２ 部分
【図１】
2012209344.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2012209344.tif 000007
【図６】
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【図７】
2012209344.tif 000009
【図８】
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【図９】
2012209344.tif 000011
【図１０】
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