(57)【要約】【課題】電極パターン形成時の露光不良を防止し、信頼性、および歩留まりの高い屈曲振動片を提供する。【解決手段】基部１４と、基部１４を基端として延設された振動腕１６（１６ａ〜１６ｃ）と、振動腕１６上に配置され、少なくとも第１電極２０と第１電極２０と電位の異なる電圧が印加される第２電極３８、および第１電極２０と第２電極３８との間に設けられる圧電体層２８を含む積層体とを有し、振動腕１６の基端部には拡幅部が設けられ、少なくとも前記拡幅部の側面には金属膜を備えることを特徴とする。前記金属膜は、第１電極２０の一部で構成すると良い。【選択図】図６
2012029024.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基部と、
前記基部を基端として延設された振動腕と、
前記振動腕上に配置され、第１電極、前記第１電極と電位の異なる電圧が印加される第２電極、および前記第１電極と前記第２電極との間に設けられる圧電体層を少なくとも含む積層体と、を有し、
前記振動腕の前記基端には拡幅部が設けられ、前記拡幅部の側面には遮光膜を備えることを特徴とする屈曲振動片。
【請求項２】
請求項１に記載の屈曲振動片であって、
前記遮光膜を前記第１電極で構成したことを特徴とする屈曲振動片。
【請求項３】
請求項１に記載の屈曲振動片であって、
前記遮光膜は、電気的に浮いている金属膜であることを特徴とする屈曲振動片。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の屈曲振動片と、
前記振動片を内部に実装するパッケージと、を有することを特徴とする振動子。
【請求項５】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の屈曲振動片と、
前記屈曲振動片の発振を制御する発振回路と、
を有することを特徴とする発振器。
【請求項６】
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の屈曲振動片を搭載したことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は振動片屈曲、振動子、発振器、および電子機器に係り、特に面外方向（主面に対して法線方向）の屈曲振動を励振する振動片、並びにこの振動片を搭載した振動子、ならびに発振器、およびこれらの振動子や発振器を搭載した電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
屈曲振動を励起する振動片では、振動腕の圧縮応力が作用する圧縮部と引張応力が作用する伸張部との間で温度差が生じ、この温度差を緩和しようとして作用する熱伝導によっても振動エネルギーの損失が発生する。この熱伝導によって発生するＱ値の低下は熱弾性損失効果（以下熱弾性損失）とよばれている。そこで、熱弾性損失を考慮した設計が必要となってくる。例えば特許文献１に開示されている技術によれば、水晶振動子の腕部分に溝を設けることで、共振の安定度を示すＱ値を向上させることができることが解る。
しかし、電子デバイスの小型化や薄型化に伴い、振動片の小型化や薄型化が進むと、振動部に精度良く溝を形成することは非常に困難となる。
【０００３】
このような問題点を回避する手段として、振動部を薄型化し、この振動部に圧電体層を形成することが考案されている（特許文献２−４）。このような構成の振動片では、圧電体層の表裏に、電位の異なる電界を印加することで、圧電体層の形成面と交差する方向（面外方向または法線方向）の振動を励起させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】実開平２−３２２２９号公報
【特許文献２】特開２００９−５０２２号公報
【特許文献３】特開２００９−５０２３号公報
【特許文献４】特開２００９−５０２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献２−４に開示されているような構成の振動片を用いると、振動部の屈曲に伴う熱弾性損失を抑制することができる。ところで、特許文献２−４に開示されているような構成の振動片は、屈曲振動の際に振動腕の基端部において応力が大きくなり、振動効率が悪くなる問題がある。このような問題を解決するために、振動腕の基端部の幅を広くして拡幅部を形成し応力を緩和する手段が一般的にとられている。特許文献２−４に開示されているような構成の振動片は、基板に透光性を有する部材、特に水晶を用い、電極は、圧電体層を形成する第１面のみに形成する構成としている。このため、フォトリソグラフィー法によるパターン形成時には、反応光を第１面の上方から照射して露光を行なうが、上記のように振動腕に拡幅部を形成した場合、基端部の水晶の結晶構造が複雑となり、それに伴い拡幅部の金属膜の表面は複数の方向に傾斜することになる。この金属膜の上にレジストを塗布し露光した場合、基板の側面、特に振動腕の拡幅部に照射された反応光が金属膜より乱反射し、側面方向からレジスト膜に照射されることがある（図１３参照）。なお、図１３において、図１３（Ａ）は振動片の平面構成を示す図であり、図１３（Ｂ）は同図（Ａ）における円形部分の部分拡大斜視を示す図である。また、図１４には、図１４（Ａ）に図１３（Ｂ）におけるＡ−Ａ′断面を、図１４（Ｂ）に図１３（Ｂ）におけるＢ−Ｂ′断面をそれぞれ示す。
【０００６】
上記説明を詳細すると、次のように説明することができる。振動片の形成工程ではまず、図１４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、振動腕の全周に亙って金属膜が形成され、その上部にレジスト膜が形成される。そして、第１電極（下地電極）として残したい部分にマスクをあてて露光する。このとき、通常は図１４（Ｂ）に示すように、レジスト膜においてマスクによる影となっている部分には反応光は照射されない。このため、当該影になっている部分は露光されず、現像された後にも保護膜として残留することとなる。一方、拡幅部となっている図１４（Ａ）に示す拡幅部では、複雑な結晶面に沿って形成された金属膜に乱反射した反応光が、マスクによる影となっている部分のレジスト膜に対し、側面方向から入射する場合があり、レジスト膜に予期せぬ露光を生じさせる。
【０００７】
このような現象は特に、第１電極（圧電体層形成前に形成する電極）をパターニングする際に生ずることが多く、現像時に、電極形成部分の金属膜を保護すべきレジスト膜が除去されてしまうと、電極の断線等の不具合が生ずることがある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
［適用例１］基部と、前記基部を基端として延設された振動腕と、前記振動腕上に配置され、第１電極、前記第１電極と電位の異なる電圧が印加される第２電極、および前記第１電極と前記第２電極との間に設けられる圧電体層を少なくとも含む積層体と、を有し、前記振動腕の前記基端には拡幅部が設けられ、前記拡幅部の側面には遮光膜を備えることを特徴とする屈曲振動片。
【０００９】
このような構成とすることにより、乱反射の影響によるレジスト膜の不要な露光を防止することができ、電極パターンの形状不良を抑制することができる。これにより、寄生的振動モードの増長を抑制し、信頼性の高い振動片とすることができる。また、形状不良が抑制されることより、歩留まりも向上させることができる。
【００１０】
［適用例２］適用例１に記載の屈曲振動片であって、前記遮光膜を前記第１電極で構成したことを特徴とする屈曲振動片。
このような構成とすることで、第１電極には、電極としての役割と遮光膜としての役割の双方を持たせることができる。よって、遮光膜を別途形成する必要性が無く、高い生産性を維持することができる。
【００１１】
［適用例３］適用例１に記載の屈曲振動片であって、前記遮光膜は、電気的に浮いている金属膜であることを特徴とする屈曲振動片。
このような構成とすることで、遮光膜は第１電極と同時に作成しつつ、電気的に切り離すことで電位不定とすることができる。これにより、第１電極の形状は遮光膜の配置系統にとらわれる必要性が無くなり、設計自由度を向上させることができる。
【００１２】
［適用例４］適用例１乃至適用例３のいずれか１例に記載の屈曲振動片と、前記振動片を内部に実装するパッケージと、を有することを特徴とする振動子。
このような構成とすることによれば、屈曲振動片における寄生的振動モードを抑制し、高性能で高い信頼性を得ることができる。
【００１３】
［適用例５］適用例１乃至適用例３のいずれか１例に記載の屈曲振動片と、前記屈曲振動片の発振を制御する発振回路と、少なくとも前記振動片、および前記電子部品とを内部に実装するパッケージを有することを特徴とする発振器。
このような構成とすることによれば、屈曲振動片における寄生的振動モードを抑制し、高性能で高い信頼性を得ることができる。
【００１４】
［適用例６］適用例１乃至適用例３のいずれか１例に記載の屈曲振動片を搭載したことを特徴とする電子機器。
このような構成とすることにより、電子機器の小型化にも対応することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１の実施形態に係る振動片の構成を示す図である。
【図２】第１の実施形態に係る振動片の構成を示す分解斜視図である。
【図３】第１の実施形態に係る振動片における部分拡大斜視図である。
【図４】第１層励振電極を形成する際の露光時の形態を示す部分拡大斜視図である。
【図５】実施形態に係る振動片の製造工程を説明するための図である。
【図６】第２の実施形態に係る振動片の構成を示す図である。
【図７】第２の実施形態に係る振動片における部分拡大斜視図である。
【図８】第３の実施形態に係る振動片の構成を示す図である。
【図９】実施形態に係る振動片を実装した振動子の構成を示す図である。
【図１０】実施形態に係る振動片と、この振動片を発振させる回路を備えた電子部品を実装した発振器の構成を示す図である。
【図１１】実施形態に係る振動子、または発振器のうちの少なくとも一方を搭載する電子機器の一例としての携帯電話を示す図である。
【図１２】実施形態に係る振動子、または発振器のうちの少なくとも一方を搭載する電子機器の一例としてのパーソナルコンピュータを示す図である。
【図１３】レジスト膜に照射される反応光と乱反射の様子を示す図である。
【図１４】図１３におけるＡ−Ａ′断面、Ｂ−Ｂ′断面における露光時の様子を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の屈曲振動片、振動子、発振器、および電子機器に係る実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
まず、図１〜図３を参照して、第１の実施形態に係る振動片について説明する。なお、図１において、図１（Ａ）は振動片の平面図であり、図１（Ｂ）は同図（Ａ）におけるＡ−Ａ´断面の一部を示す図であり、図１（Ｃ）は同図（Ａ）におけるＢ−Ｂ´断面の一部を示す図である。また、図２は、振動片の分解斜視図である。さらに図３は、振動片における振動腕の基端部を示す部分拡大斜視図である。本実施形態に係る屈曲振動片（以下、単に振動片１０と称す）は、図２に示すように、基板１２と、圧電体層２８、および第１電極２０ならびに第２電極３８とを有する。
【００１７】
基板１２は、例えば水晶により構成され、基部１４と、この基部１４を基端として延設された複数（図１、２に示す形態においては３つ）の振動腕１６（１６ａ〜１６ｃ）とから成る。実施形態に係る例の場合、基部１４は、振動腕１６に比べて肉厚に形成され、実装時の機械的強度を保つことが可能な形態とされている。一方振動腕１６は、基部１４に比べて肉薄に形成され、振動時における熱弾性損失の抑制が図られている。また、振動腕１６は、基部１４との接続部である基端部に拡幅部３００（３００ａ〜３００ｃ）を有し、屈曲振動により生ずる応力に対する耐性を確保している。基部１４と振動腕１６との間で厚みを異ならせる構成とされる実施形態に係る基板１２は、基部１４と振動腕１６とを平坦に連続させた第１面と、基部１４と振動腕１６との間に段差を形成した第２面とを有する。このように形成される第１面は、振動腕１６の屈曲方向と交差（直交）する方向に沿った面であり、第２面は、当該第１面に対向する面となる。なお、基板１２を水晶により構成する場合、基板１２を形成する際の素板１２ａ（図５参照）のカット角はＺカットとすることが望ましいが、ＸカットやＡＴカットによるものであっても良い。実施形態に係る基板１２は、直接的に電圧が印加される対象とはならないため、基本的にはカット角が振動特性に影響を及ぼすことは無い。しかし、Ｚカットで切り出された素板１２ａを用いた場合には、加工が容易になるといった特性を得ることができる。尚、基板１２は、水晶だけでなく、シリコン基板、石英基板、ガラス基板など同等の材料を用いた基板であっても良い。
【００１８】
第１電極２０、圧電体層２８、および第２電極３８は、基板１２における第１面を主体として積層形成される。なおここで、第１電極２０とは圧電体層２８を形成する前に形成される電極であり、第２電極３８とは圧電体層２８を形成した後に形成される電極とする。よって、第１電極２０と第２電極３８といった表現と、各電極における電位とは関係が無い。第１電極２０、第２電極３８の形成材料としては、基板１２である水晶との密着性が良く、圧電体層３８の配向性を促しやすいものとすると良い。電極部材として汎用性のある材料としては、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｗ、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｚｎ、Ｚｒなどを挙げることができる。本実施形態では、第１電極２０、第２電極３８共に、下層にＣｒ、上層にＡｕとした２層構造の金属層により形成することとする。また、圧電体層２８としては、ＺｎＯやＡｌＮ、ＰＺＴ、ＬｉＮｂＯ３、ＫＮｂＯ３などを挙げることができ、本実施形態では主にＡｌＮを採用することとする。
【００１９】
第１電極２０は例えば、第１層励振電極２２ａ，２２ｂ，２２ｃと、第１層引出電極２４，２６、および入出力電極４２とより構成される。実施形態に係る振動片１０の場合、第１層励振電極２２ａ，２２ｂ，２２ｃは、振動腕１６の中腹部近傍から基端部に設けられた拡幅部３００ａ、３００ｂ、３００ｃにかけて、振動腕１６の周囲を取り囲むように形成されている。このような構成とすると、拡幅部の側面３１０ａ、３１０ｂ、３１０ｃはマスクにより覆われるため、露光の反応光が入射することがない。即ち、拡幅部の側面３１０ａ〜３１０ｃから回り込む光の乱反射を防止することが可能となる。ここで、第１層励振電極２２ａと第１層励振電極２２ｃ、および入出力電極４２とは同電位であり、第１層引出電極２４により接続されている。一方、第１層励振電極２２ｂは電気的に浮いた状態となり、詳細を後述する第２電極３８との接続のための第１層引出電極２６と接続されている。
【００２０】
圧電体層２８は、上述した第１電極２０における第１面形成部分を覆うように形成される。具体的には、振動腕１６ａ，１６ｂ，１６ｃに形成される励振電極被覆部３０ａ，３０ｂ，３０ｃと、基部１４に形成される引出電極被覆部３２とより成る。引出電極被覆部３２には、上述した第１電極２０と、詳細を後述する第２電極３８とを電気的に接続するための開口部３４，３６が設けられている。なお、圧電体層２８は、その表裏面に対して電位の異なる電圧を印加されることで、面外方向（圧電体層２８形成面と交差する方向：圧電体層形成面に対する法線方向）へと屈曲する特性を持つ。
【００２１】
第２電極３８は例えば、第２層励振電極４０ａ，４０ｂ，４０ｃと、第２層引出電極４６，４８、および入出力電極４４とより構成される。ここで、第２層励振電極４０ｂは、第２層引出電極４６と接続され、第２層引出電極４６は、上述した圧電体層２８に形成した開口部３４を介して、第１層引出電極２４と電気的に接続されることとなる。よって、第１層励振電極２２ａ，２２ｃと第２層励振電極４０ｂとは、同電位の電圧が印加されることとなる。一方、第２層励振電極４０ａ，４０ｃと入出力電極４４とは同電位の電圧が印加されることとなるが、第２層引出電極４８は、第２層引出電極４６を介して寸断されており、直接的には接続されていない。しかし、第２層引出電極４８は、上述した圧電体層２８に形成した開口部３６を介して第１層引出電極２６と電気的に接続されており、第１層引出電極２６と第２層引出電極４８を介して第２層励振電極４０ａ，４０ｃ、および第１層励振電極２２ｂと、入出力電極４４とが電気的に接続されることとなる。なお、図１、図２においては、電位の異なる電圧が印加されることとなる第１層引出電極２４，２６の一部と第２層引出電極４６，４８の一部とが重複する形態として示されているが、実際には電位の異なる引出電極は、圧電体層２８の表裏面において重複しないように設計する。振動腕１６以外の箇所での励振を抑制するためである。
【００２２】
このような構成の振動片１０では、振動腕１６における励振電極形成部分は、第１層励振電極２２により覆われることとなる。このため、電極パターン形成時のフォトリソグラフィー工程において、乱反射による光の回り込みによりレジスト膜が不必要に露光されるといった虞が無く、電極パターンの形状不良や、これに伴う寄生的振動モードの増長などを抑えることができる。従って、良好な振動特性を備えた高歩留まり、低コストの振動片を提供することが可能となる。
【００２３】
上記構成の振動片１０における振動腕１６の基端部の構成についての部分拡大斜視図を図３に示し、第１層励振電極２２の形成工程の図を図４に示す。図３、４によれば、第１層励振電極２２は、振動腕１６の拡幅部３００ａ〜３００ｃの側面３１０ａ〜３１０ｃをマスクによる影が覆うこととなる。このため、複雑な結晶構造に沿って形成される拡幅部３００ａ〜３００ｃに形成された金属膜での乱反射が抑制され、反応光の回り込みを確実に抑制することが可能であることが解る。
【００２４】
次に、図５を参照して、本実施形態に係る振動片１０の製造工程について説明する。まず、振動片１０の基礎となる素板１２ａを用意する。本実施形態では、素板１２ａとして水晶を採用する。素板１２ａは、シリコン、石英、ガラス、等であっても良い。素板１２ａを水晶とした場合における厚みは、５０〜１００μｍ程度とすることが望ましい（図５（Ａ）参照）。
【００２５】
次に、素板１２ａの一部を肉薄化し、肉薄部１２ｂを形成する。肉薄化は、バッファードフッ酸（ＢＨＦ）等を用いたエッチングにより行なうようにすれば良い。エッチングは、第２面となる面から行なうようにする（図５（Ｂ）参照）。
【００２６】
肉薄化をした後、基板１２の外形形成を行う。外形形成を行う場合には第１面側からエッチングを行なうようにすることが望ましい。なお、エッチングには、ＢＨＦを用いれば良い（図５（Ｃ）参照）。
【００２７】
基板１２の外形形成を終了した後、第１面および振動腕１６ａ，１６ｂ，１６ｃの外周面に第１電極２０を形成する。第１電極２０の形成はまず、基板１２における第１面と第２面、および側面の全面に金属層を形成する。金属層の形成は、マグネトロンスパッタリング等の手法を用いれば良い。金属層を形成した後、レジストを全面に塗布する。その後、フォトリソグラフィー法により、金属層をエッチングし、第１電極２０の形状に沿った金属パターンを得る。この際に、振動腕１６ａ〜１６ｃに設けられた拡幅部の側面３１０ａ〜３１０に対して金属パターンを残しておくのは、すでに述べたとおりである。
【００２８】
第１電極２０を形成した後、所望箇所に対する圧電体層２８の形成を行う。まず、第１電極２０を含む基板の第１面の全面に、圧電体層を形成する。圧電体層の形成は、反応性ＲＦスパッタリング法を用いて行なうようにする。圧電体層をＡｌＮとする場合、圧電体層の膜厚は、２０００Å〜１００００Å程度の範囲とすると良い（図５（Ｄ）参照）。
【００２９】
次に、フォトリソグラフィー法によるレジストのパターニングとウエットエッチングにより、圧電体層を所望のパターンに形成する。圧電体層をＡｌＮとする場合には、ウエットエッチングのエッチング液には、強アルカリ水溶液を用いるようにする。強アルカリ水溶液の例としては、水酸化テトラメチルアンモニウム等である。或いは、酸系のエッチング液として、リン酸を加熱したものなどを用いても良い。
【００３０】
圧電体層２８の形状形成が終了した後、第２電極３８（図２参照）の形成を行う。第２電極３８の形成は、第１電極２０の形成と同様に、第１面の全面に金属層を形成し、フォトリソグラフィー法によるレジストのパターニング、およびウエットエッチングによる形状形成を行えば良い（図５（Ｅ）参照）。
【００３１】
上記実施形態では、基板１２を水晶により構成する旨記載した。しかしながら本実施形態に係る振動片１０は、圧電体層２８により面外方向の振動を励起することとしている。このため、基板１２の材料としては水晶以外の部材であっても良い。具体的には、水晶以外の圧電体であっても良いし、シリコンなどの半導体等であっても良い。
【００３２】
また、上記実施形態においては、圧電体層２８の上面に直接第２電極３８を形成していた。しかしながら、本実施形態に係る振動片１０は、圧電体層２８と第２電極３８との間に絶縁体層（絶縁膜）を形成するようにしても良い（不図示）。このような構成とすることにより、圧電体層２８に貫通孔が形成されていた場合であっても、第１電極２０と第２電極３８との間における短絡を防止することが可能となる。なお、絶縁体層の膜厚としては、短絡防止の観点からは５０ｎｍ以上とすることが望ましい。一方、圧電体層２８の特性低下を抑制する観点からは、５００ｎｍ以下とすることが望ましい。ここで、絶縁体層は、ＳｉＯ２やＳｉＮＸにより構成すれば良い。
【００３３】
さらに、上記実施形態に係る振動片１０における振動腕１６の第２面に対し、保護層（無機膜）を形成するようにしても良い（不図示）。特に二酸化シリコン（ＳｉＯ２）は負の温度特性を持つことが知られており、これを用いて周波数温度特性を補正することができる。
【００３４】
次に、本発明の振動片に係る第２の実施形態について、図６を参照して詳細に説明する。本実施形態に係る振動片の基本的な構成は、上述した第１の実施形態に係る振動片１０と同様である、よって、その機能を同一とする箇所には、図面に１００を足した符号を付して、詳細な説明は省略することとする。なお、図６において、図６（Ａ）は振動片の平面図であり、図６（Ｂ）は同図（Ａ）におけるＡ−Ａ´断面の一部を示す図であり、図６（Ｃ）は同図（Ａ）におけるＢ−Ｂ´断面の一部を示す図である。
【００３５】
本実施形態に係る振動片１１０も、基板１１２と、第１電極１２０、圧電体層１２８、第２電極１３８を基本として構成される。基板１１２の構成は、上述した第１の実施形態に係る振動片１１０と同様である。
【００３６】
本実施形態に係る振動片１１０では、第１の実施形態に係る振動片１０よりも、圧電体層１２８の形成範囲を狭くしている。具体的には、各振動腕１１６ａ，１１６ｂ，１１６ｃにおける中間部から拡幅部にかけての第１面を被覆する構成としている。
【００３７】
圧電体層１２８をこのような構成とする事に伴い、第１電極１２０、第２電極１３８の配置形態も異ならせた。具体的には、図６（Ｂ）に示すように、拡幅部である振動腕１１６ａ，１１６ｂ，１１６ｃの基端部では、第１電極１２０を振動腕１１６ａ，１１６ｂ，１１６ｃの両側面に配する構成としている。このような構成とすることにより、フォトリソグラフィー工程における反応光の乱反射による周り込みに伴うレジスト膜の不要な露光を防ぐことができる。ここで、振動腕１１６ａ，１１６ｂ，１１６ｃの両側面に形成される２つの第１電極１２０は、電極としての電位を異ならせることとなる。例えば図６（Ｂ）において、図中左側の第１電極１２０にプラスの電位の電圧が印加されている時には、図中右側の第１電極１２０にはマイナスの電位の電圧が印加されることとなる。
【００３８】
このような電極パターンの配置を実現するために、基板１１２の基部１１４では電位の異なる電圧が印加される引出電極１２４と引出電極１４６の一部が交差することとなる。このため、当該交差部分には、絶縁膜１３１が配置されることとなる。これにより、電位の異なる電極パターン間における短絡を防止することができるからである。
【００３９】
基端部における第２電極１３８は、図中右側に配置された第１電極１２０に積層するように配置される（図６（Ｂ）参照）。このような構成とすることで、詳細を後述するように圧電体層１２８を形成した後に形成する第２電極１３８と、圧電体層１２８の形成前に形成する第１電極１２０とを電気的に接続することができる。
【００４０】
振動腕１１６ａ，１１６ｂ，１１６ｃにおける励振部近傍では、図６（Ｃ）に示すように、第１電極１２０が、振動腕１１６ａ，１１６ｂ，１１６ｃにおける図中左側を被覆しつつ、第１層励振電極１２２ａ，１２２ｂ，１２２ｃを構成している。一方、第２電極１３８は、振動腕１１６ａ，１１６ｂ，１１６ｃにおける図中右側を被覆しつつ、第２層励振電極１４０ａ，１４０ｂ，１４０ｃを構成している。このような構成の振動片１１０における振動腕１１６ａ，１１６ｂ，１１６ｃの基端部の構成についての部分拡大斜視図を図７に示す。図７によれば、第１電極１２０が振動腕１１６ａ，１１６ｂ，１１６ｃの拡幅部３００ａ〜３００ｃの側面３１０ａ〜３１０ｃを被覆しており、乱反射による反応光の回り込みを確実に抑制することが可能であることが解る。
その他の構成、作用、効果については、上述した第１の実施形態に係る振動片１０と同様である。
【００４１】
次に、本発明の振動片に係る第３の実施形態について、図８を参照して詳細に説明する。本実施形態に係る振動片の殆どの構成は、上述した第１の実施形態に係る振動片１０と同様である。よって、その機能を同様とする箇所には図面に２００を足した符号を付して、詳細な説明は省略することとする。なお、図８において、図８（Ａ）は振動片の平面図であり、図８（Ｂ）は同図（Ａ）におけるＡ−Ａ´断面の一部を示す図であり、図８（Ｃ）は同図（Ａ）におけるＢ−Ｂ´断面の一部を示す図である。
【００４２】
本実施形態に係る振動片２１０では、振動腕２１６ａ，２１６ｂ，２１６ｃの基端部に形成する第１電極２２０を分割し、その一方を電気的に浮いた状態（不定電位）の金属膜２２１とした点を特徴とする。具体的には、図８（Ｂ）において図中右側の電極を入出力電極２４２または入出力電極２４４と電気的に接続した第１電極２２０とする。一方、図中左側に配した金属膜２２１は、入出力電極２４２，２４４のいずれにも電気的に接続されない不定電位の金属膜となる。
【００４３】
第２電極２３８は、圧電体層２２８の上部に形成され、第１の実施形態に係る振動片１０における第２電極３８と略同じ形状とすることができる。なお、本実施形態に係る振動片２１０では、振動腕２１６ａ，２１６ｂ，２１６ｃにおける励振部分では、第１電極２２０を第１面側のみに引き回して第１層励振電極２２２ａ，２２２ｂ，２２２ｃを形成すると共に、圧電体層２２８を介してその上面に第２層励振電極２４０ａ，２４０ｂ，２４０ｃを形成し、金属膜による振動腕２１６ａ，２１６ｂ，２１６ｃ側面の被覆を無くすようにしている。乱反射の最も生じやすい叉の部分を第１電極２２０と金属膜２２１で被覆することで、フォトリソグラフィー工程時における乱反射に起因する不具合の殆どは解消することができる。よって、このような構成とした場合であっても、上述した第１、第２の実施形態に係る振動片１０，２１０と同様な効果を奏することができる。
【００４４】
次に、本発明の振動子に係る実施の形態について、図９を参照して説明する。本実施形態に係る振動子５０は、振動片と、この振動片を内部に実装するパッケージ５２とより構成される。
振動片は、上記第１〜第３の実施形態に係る振動片（本実施形態では、振動片１０，１１０，２１０を代表して振動片１０と称す）を採用する。パッケージ５２は、パッケージベース５４と蓋体５６とを基本として構成される。パッケージベース５４は、箱型形状を成し、内部に振動片実装端子６０を備えるようにする。一方、パッケージベース５４の外部底面には、振動片実装端子６０と電気的に接続された外部実装端子６２を備えるようにする。
【００４５】
このような構成のパッケージベース５４は、絶縁部材により構成すれば良く、例えば、平板、および枠状のセラミックグリーンシートを積層し、これを焼成することで、形成することができる。なお、振動片実装端子６０、および外部実装端子６２は、セラミックグリーンシート上へのスクリーン印刷により形成することができる。
【００４６】
蓋体５６は、金属またはガラス等により構成される平板であれば良い。蓋体５６の構成材料としては、パッケージベース５４の構成材料と、線膨張率が近似するものが望ましい。温度変化によるクラックや剥離の発生を抑制するためである。パッケージベース５４をセラミックにより構成した場合には、コバール（合金）や、ソーダガラスなどとすると良い。
【００４７】
パッケージベース５４と蓋体５６との接合には、ロウ材５８を用いた溶接を行なう。蓋体５６を金属とした場合には、ロウ材５８を低融点金属、蓋体５６をガラスとした場合には、ロウ材５８を低融点ガラスとすれば良い。
【００４８】
このような構成部材から成る本実施形態に係る振動子５０の製造は、まず、パッケージベース５４の内部に振動片１０を搭載する。振動片１０の搭載は、接着剤６４によれば良い。振動片１０をパッケージベース５４に搭載した後、金線６６などを用いてワイヤボンディングを行い、振動片実装端子６０と振動片１０における入出力端子４２，４４（図１参照）とを電気的に接続する。このようにして振動片１０の実装を終了した後、パッケージベース５４に蓋体５６を接合し、開口部を封止する。
【００４９】
このような構成の振動子５０によれば、振動片１０における寄生的振動モードを抑制し、高性能で高い信頼性を得ることができる。なお、本実施形態に係る振動子５０では、パッケージベース５４を箱型、蓋体５６を平板状としていたが、パッケージベースを平板状とし、蓋体をキャップ形状としても良い。
【００５０】
次に、本発明の発振器に係る実施の形態について、図１０を参照して説明する。本実施形態に係る発振器７０は、振動片と、この振動片を発振させるための電子部品８２、および振動片と電子部品８２を内部に実装するパッケージ７２とを基本として構成される。
【００５１】
振動片は、上記第１〜第３の実施形態に係る振動片（本実施形態では、振動片１０，１１０，２１０を代表して振動片１０と称す）を採用する。パッケージ７２は、パッケージベース７４と蓋体７６とを基本として構成される。本実施形態に係るパッケージベース７４は、実装用のセンター基板７４ａを基点として、その上下にキャビティを備え、上部キャビティを振動片実装領域７５ａ、下部キャビティを電子部品実装領域７５ｂとしている。
【００５２】
センター基板７４における振動片実装領域７５ａ側には、振動片実装端子６０が設けられ、電子部品実装領域７５ｂ側には、電子部品実装端子８０が設けられている。また、パッケージベース７４の底面に当たる部位には、電子部品実装端子８０と電気的に接続された外部実装端子８６が設けられている。なお、構成部材、および製造方法については、上述した振動子５０におけるパッケージベース５４と同様である。また、蓋体７６についても、本実施形態では、金属またはガラスにより構成される平板であれば良く、ロウ材７８を用いてパッケージベース７４における振動片実装領域７５を封止する構成とする。
【００５３】
電子部品８２としては、例えば集積回路を備えたＩＣなどであれば良く、電子部品実装端子８０に対しては、バンプ８４を用いたフリップチップボンディングなどで実装すると良い。
このような構成の発振器７０も、振動子５０と同様に、振動片１０における寄生的振動モードを抑制し、高性能で高い信頼性を得ることができる。
【００５４】
本発明に係る電子機器の一例として、図１１に示す携帯電話１００や、図１２に示すパーソナルコンピュータ２００等を挙げることができる。いずれも上記実施形態に示した振動子５０や発振器７０のうちの少なくとも一方を、クロック源や信号の変調や復調に用いる局部発振器として搭載していることを特徴とする。このような特徴を有することにより、電子機器の小型化、薄型化に対応することができる。また、小型化を行なった場合であっても、電子機器の機能に合わせた通信等の高精度化を図ることができる。
【符号の説明】
【００５５】
１０………振動片、１２………基板、１４………基部、１６（１６ａ〜１６ｃ）………振動腕、２０………第１電極、２２（２２ａ〜２２ｃ）………第１層励振電極、２４………第１層引出電極、２６………第１層引出電極、２８………圧電体層、３０（３０ａ〜３０ｃ）………励振電極被覆部、３２………引出電極被覆部、３４………開口部、３６………開口部、３８………第２電極、４０（４０ａ〜４０ｂ）………第２層励振電極、４２………入出力電極、４４………入出力電極、４６………第２層引出電極、４８………第２層引出電極、５０………振動子、７０………発振器。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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