(57)【要約】【課題】レーザートリミングの際に半導体基板のダメージを極力抑えながら導電体を溶断することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板１０上にＬＯＣＯＳ絶縁膜１１を覆う第１の絶縁膜１２が形成され、第１の絶縁膜１２上には、ＬＯＣＯＳ絶縁膜１１の平坦部１１Ｆ上を通って、レーザートリミングにより溶断される導電体２０が形成されている。第１の絶縁膜１２及び導電体２０を覆って、ＬＯＣＯＳ絶縁膜１１の平坦部１１Ｆと重畳する領域内に凸レンズ状の凸部１３Ｃを有した第２の絶縁膜１３が形成されている。レーザートリミングの際、ＬＯＣＯＳ絶縁膜１１の平坦部１１Ｆの両側の傾斜部１１Ｓでは、レーザー光が半導体基板１０の表面に斜めに入射するように反射されるため、半導体基板１０のダメージを回避できる。また、第２の絶縁膜１３の凸部１３Ｃは、レーザー光を屈折させて導電体２０に集光させる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成され、平坦部と該平坦部の両側に傾斜部を有したＬＯＣＯＳ絶縁膜と、
前記ＬＯＣＯＳ絶縁膜の全体を覆う第１の絶縁膜と、
前記ＬＯＣＯＳ絶縁膜の平坦部上を通って前記第１の絶縁膜上に形成されたレーザートリミングにより溶断される導電体と、
前記第１の絶縁膜及び前記導電体を覆うと共に、前記ＬＯＣＯＳ絶縁膜の平坦部と重畳する領域内で、凸レンズ状の曲面を含んで前記導電体上を覆う凸部を有した第２の絶縁膜と、を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第２の絶縁膜の平端部と前記凸部の側面を覆い、前記第２の絶縁膜の平端部上では厚く形成され、前記凸部の側面では、前記凸部の最上部に近づくに従って薄く形成された膜を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成されたレーザートリミングにより溶断される導電体と、
前記第１の絶縁膜及び前記導電体を覆うと共に、前記導電体と重畳する領域を含む領域で、凹レンズ状の曲面を含む凹部を有した第２の絶縁膜と、を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
前記第２の絶縁膜の平端部と前記凹部内の側壁を覆い、前記第２の絶縁膜の平端部上では厚く形成され、前記凹部内では、前記凹部の底部に近づくに従って薄く形成された膜を有することを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
半導体基板と、
前記半導体基板上に形成された第１の絶縁膜と、
前記第１の絶縁膜上に形成されたレーザートリミングにより溶断される導電体と、
前記導電体と重畳する領域を含む領域で凸レンズ状の第１の曲面を含む凸部を有し、前記凸部の外縁部から外側に向かって隆起する第２の曲面を有し、前記第１の曲面と前記第２の曲面からなる環状の溝部を有した第２の絶縁膜と、を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜の間に形成され、内壁に曲面が形成され底部で前記第１の絶縁膜の一部を露出する開口部を有した第３の絶縁膜と、を備え、
前記導電体は、前記開口部の底部で露出する前記第１の絶縁膜上に形成されていることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特にレーザー光でトリミングされる導電体を有した半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の回路定数等を変更するトリミングを行うため、例えば薄膜抵抗として形成された導電体の一部にレーザー光を照射して溶断し、所望の抵抗値を得るレーザートリミングが知られている。また、半導体装置に含まれる複数のトランジスタの中、特定のトランジスタを選択して接続又は非接続を調整するトリミングを行う場合にも、トランジスタに接続する配線として形成された導電体の一部に対し、レーザートリミングが行われることもある。
【０００３】
レーザートリミングされる導電体の近傍の一例を、図７（Ａ）の平面図及び図７（Ｂ）の断面図に示す。図７（Ｂ）は図７（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿った断面に対応している。半導体基板１１０上に、シリコン酸化膜等の第１の絶縁膜１１２を介して、導電体１２０が形成されている。導電体１２０は、ＴＥＯＳ膜等の第２の絶縁膜１１３に覆われている。第２の絶縁膜１１３は、導電体１２０と重畳する領域に、導電体１２０の幅よりも広い開口部１１３Ａを有している。レーザートリミングの際には、開口部１１３Ａ内の導電体１２０は、レーザー光（第２の絶縁膜１１３の薄い部分を透過して入射する）のエネルギーを吸収して高温で発熱することにより溶断される。その際、導電体１２０上の第２の絶縁膜１１３の薄い部分は破裂する。
【０００４】
なお、薄膜抵抗を構成する導電体に対するレーザートリミングについては、特許文献１、２に記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−３３２７１０号公報
【特許文献２】特開２００４−１１１６８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
レーザートリミングでは、レーザー光の照射レベルが小さい場合、導電体１２０に到達して吸収されるエネルギーが小さくなり、導電体１２０の発熱量が小さくなって、導電体１２０の溶断不良が生じていた。そこでレーザー光の照射レベルを高くして、導電体１２０の溶断不良を回避することも考えられる。
【０００７】
しかしながら、レーザー光は、主に開口部１１３Ａ内の導電体１２０に照準を合わせてスポット照射されるが、スポット径の制約により、導電体１２０の近傍、さらには開口部１１３Ａの近傍の範囲にも照射される。つまり照射されたレーザー光は、第２の絶縁膜１３における開口部１１３Ａ内の平坦部において、導電体１２０と重畳しない領域では、第１の絶縁膜１１２及び第２の絶縁膜１１３を透過して、半導体基板１１０の表面に到達する。また、開口部１１３Ａの外側の平坦部においても、レーザー光は、第１の絶縁膜１１２及び第２の絶縁膜１１３を透過して、半導体基板１１０の表面に到達する。半導体基板１１０の表面に到達したレーザー光は、半導体基板１１０に高いエネルギーを与えることになり、その箇所の半導体基板１１０にダメージを与えることになる。
【０００８】
さらに、この半導体基板１１０のダメージを起因として、半導体基板１１０上の第１の絶縁膜１１２及び第２の絶縁膜１１３にクラックが生じ、そのクラックから水分が浸入するといった問題が生じてしまう。すなわち、導電体１２０の確実な溶断と、半導体基板１１０のダメージの回避を両立させることは困難であった。
【０００９】
そこで本発明は、レーザートリミングの際に、半導体基板１１０のダメージを極力抑えながら導電体１２０を確実に溶断することが可能な半導体装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、平坦部と該平坦部の両側に傾斜部を有したＬＯＣＯＳ絶縁膜と、前記ＬＯＣＯＳ絶縁膜の全体を覆う第１の絶縁膜と、前記ＬＯＣＯＳ絶縁膜の平坦部上を通って前記第１の絶縁膜上に形成されたレーザートリミングにより溶断される導電体と、前記第１の絶縁膜及び前記導電体を覆うと共に、前記ＬＯＣＯＳ絶縁膜の平坦部と重畳する領域内で、凸レンズ状の曲面を含んで前記導電体上を覆う凸部を有した第２の絶縁膜と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の半導体装置は、上記構成において、前記第２の絶縁膜の平端部と前記凸部の側面を覆い、前記第２の絶縁膜の平端部上では厚く形成され、前記凸部の側面では、前記凸部の最上部に近づくに従って薄く形成された膜を有することを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成されたレーザートリミングにより溶断される導電体と、前記第１の絶縁膜及び前記導電体を覆うと共に、前記導電体と重畳する領域を含む領域で、凹レンズ状の曲面を含む凹部を有した第２の絶縁膜と、を備えることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の半導体装置は、上記構成において、前記第２の絶縁膜の平端部と前記凹部内の側壁を覆い、前記第２の絶縁膜の平端部上では厚く形成され、前記凹部内では、前記凹部の底部に近づくに従って薄く形成された膜を有することを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第１の絶縁膜と、前記第１の絶縁膜上に形成されたレーザートリミングにより溶断される導電体と、前記導電体と重畳する領域を含む領域で凸レンズ状の第１の曲面を含む凸部を有し、前記凸部の外縁部から外側に向かって隆起する第２の曲面を有し、前記第１の曲面と前記第２の曲面からなる環状の溝部を有した第２の絶縁膜と、を備えることを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の半導体装置は、上記構成において、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜の間に形成され、内壁に曲面が形成され底部で前記第１の絶縁膜の一部を露出する開口部を有した第３の絶縁膜と、を備え、前記導電体は、前記開口部の底部で露出する前記第１の絶縁膜上に形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明の半導体装置によれば、レーザートリミングの際に、半導体基板のダメージを極力抑えながら導電体を溶断することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の第１の実施形態による半導体装置の平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態による半導体装置の断面図である。
【図３】本発明の第２の実施形態による半導体装置の断面図である。
【図４】本発明の第３の実施形態による半導体装置の断面図である。
【図５】本発明の第４の実施形態による半導体装置の断面図である。
【図６】本発明の第５の実施形態による半導体装置の断面図である。
【図７】従来例による半導体装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の第１の実施形態による半導体装置について図１及び図２に基づいて説明する。図１は、シリコン基板である半導体基板１０に形成された半導体装置のうち、レーザートリミングされる箇所の導電体２０の近傍を示す平面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【００１９】
半導体基板１０の表面上には、ＬＯＣＯＳ絶縁膜１１が形成されている。ＬＯＣＯＳ絶縁膜１１は、その中央に半導体基板１０の表面と略平行な平坦部１１Ｆを有し、その平坦部１１Ｆの両側には、バーズビーク状の傾斜部１１Ｓを有している。半導体基板１０の表面及びＬＯＣＯＳ絶縁膜１１を覆って、例えばシリコン酸化膜からなる第１の絶縁膜１２が形成されている。第１の絶縁膜１２上には、ＬＯＣＯＳ絶縁膜１１の平坦部１１Ｆ上を通って、導電体２０が形成されている。
【００２０】
導電体２０は、半導体装置に含まれるトランジスタのゲート配線、又は抵抗素子（不図示）と接続されたヒューズ配線であり、レーザートリミングによって溶断される部分を含んでいる。導電体２０は、レーザートリミングにより溶断される部分では他の箇所よりも狭い幅で形成されている。この導電体２０は、例えばポリシリコンからなるが、これ以外にも、アルミニウムや、タングステン等の高融点金属からなるものであってもよい。
【００２１】
第１の絶縁膜１２及び導電体２０は、例えばシリコン酸化膜からなる第２の絶縁膜１３に覆われている。第２の絶縁膜１３は、ＬＯＣＯＳ絶縁膜１１の平坦部１１Ｆと重畳する領域内で、導電体２０上を覆う凸レンズ状の凸部１３Ｃを有している。第２の絶縁膜１３の凸部１３Ｃは、導電体２０の幅よりも広く形成され、図１の平面構成において曲線を含む平面パターンを有し、図２の断面図に示すように、半導体基板１０の表面に対する垂直方向で外側に向かって突起する凸レンズ状の曲面を含んで構成される。
【００２２】
レーザートリミングの際、ＬＯＣＯＳ絶縁膜１１の傾斜部１１Ｓでは、第１の絶縁膜１２及び第２の絶縁膜１３を透過して入射するレーザー光が、半導体基板１０の表面に斜めに入射するように反射される。これにより、半導体基板１０の表面に対して垂直又は略垂直に入射するレーザー光が減少するため、レーザー光の高いエネルギーによって半導体基板１０にダメージが与えられることが回避される。その結果、半導体基板１０のダメージを起因として第１の絶縁膜１２及び第２の絶縁膜１３にクラックが生じることが回避され、そのクラックからの水分の浸入を回避することができる。
【００２３】
一方、第２の絶縁膜１３の凸部１３Ｃは、その表面でレーザー光を屈折させて導電体２０に集光させる凸レンズの機能を果たす。これにより、導電体２０に吸収されるレーザー光のエネルギーが高くなって導電体２０の発熱量が高くなるため、導電体２０は効率的に、かつ確実に溶断される。
【００２４】
このように、本実施形態によれば、レーザートリミングの際に、導電体２０の確実な溶断と、半導体基板１０のダメージの回避を両立させることが可能となる。
【００２５】
以下に、本発明の第２の実施形態による半導体装置について図３に基づいて説明する。図３は、図２と同じ領域の半導体装置の断面図であり、第１の実施形態と共通する構成要素については同一の参照番号を付し、その説明は省略する。
【００２６】
本実施形態では、第１の実施形態における第２の絶縁膜１３の凸部１３Ｃの側面と、凸部１３Ｃの周囲の平端部１３Ｆを覆って、例えばシリコン酸化膜からなる絶縁膜１４が形成されている。この絶縁膜１４は、第２の絶縁膜１３の平端部１３Ｆ上では厚く形成され、凸部１３Ｃの側面では、凸部１３Ｃの最上部に近づくに従って薄く形成されている。導電体２０と重畳する凸部１３Ｃ上では、絶縁膜１４は形成されていないか、殆ど形成されていない。この絶縁膜１４は、例えばＣＶＤ法により、凸部１３Ｃを含む第２の絶縁膜１３の全体を覆って絶縁膜を一旦形成した後、その絶縁膜をエッチバックすることにより形成される。
【００２７】
この構成により、導電体２０の周囲では、第２の絶縁膜１３の厚さに加えて、さらに絶縁膜１４の厚さの分だけ、それらの絶縁膜を透過して半導体基板１０の表面に到達するレーザー光が減衰することになる。従って、より確実に、レーザー光のエネルギーを起因とする半導体基板１０のダメージを回避することができる。
【００２８】
さらに、凸部１３Ｃの側面（曲面）の絶縁膜１４の表面や、その箇所の絶縁膜１４と第２の絶縁膜１３との界面において、レーザー光の一部を反射して、半導体基板１０の表面に到達するレーザー光を少なく抑えることもできる。
【００２９】
なお、本実施形態では、絶縁膜１４の替わりに、第２の絶縁膜１３の平端部１３Ｆと凸部１３Ｃの側面を覆って、例えばスパッタ法により、レーザー光を反射する金属材料からなる金属膜を形成してもよい。
【００３０】
以下に、本発明の第３の実施形態による半導体装置について図４に基づいて説明する。図４は、図２と同じ領域の半導体装置の断面図である。ただし本実施形態では、この領域の半導体基板１０の表面にはＬＯＣＯＳ絶縁膜１１は形成されないものとする。
【００３１】
半導体基板１０の表面上には、例えばシリコン酸化膜からなる第１の絶縁膜３２が形成され、第１の絶縁膜３２上には、第１の実施形態と同様のレーザートリミングにより溶断される導電体２０が形成されている。
【００３２】
第１の絶縁膜３２及び導電体２０は、例えばシリコン酸化膜からなる第２の絶縁膜３３に覆われている。第２の絶縁膜３３は、導電体２０と重畳する領域を含む領域で、凹レンズ状の凹部３３Ｃを有している。第２の絶縁膜３３の凹部３３Ｃは、導電体２０の幅よりも広く形成され、第１の実施形態における図１の凸部１３Ｃと同様の曲線を含む平面パターンを有し、図４の断面図に示すように、半導体基板１０の表面に対する垂直方向で半導体基板１０側に向かって窪む凹レンズ状の曲面を含んで構成される。第３の絶縁膜５５の開口部３３Ｃは、例えばウェットエッチングや等方性のガスエッチングにより形成される。
【００３３】
レーザートリミングの際、第２の絶縁膜３３の凹部３３Ｃは、特に凹部３３Ｃ内の側壁に入射するレーザー光を、導電体２０の周囲の半導体基板１０の表面に対して斜めに向かって屈折させる凹レンズとして機能する。これにより、導電体２０の周囲では、導体基板１０の表面に対して垂直又は略垂直に入射するレーザー光が減少するため、レーザー光の高いエネルギーによって半導体基板１０にダメージが与えられることが回避される。
【００３４】
一方、凹部３３Ｃ内の底部では、導電体２０上の第２の絶縁膜３３は他の領域よりも薄く形成されているため、レーザー光は第２の絶縁膜３３を透過して殆ど減衰することなく導電体２０に到達する。これにより、導電体２０に吸収されるレーザー光のエネルギーが高くなって導電体２０の発熱量が高くなるため、導電体２０は効率的に、かつ確実に溶断される。
【００３５】
このように本実施形態においても、レーザートリミングの際に、導電体２０の確実な溶断と、半導体基板１０のダメージの回避を両立させることが可能となる。
【００３６】
以下に、本発明の第４の実施形態による半導体装置について図５に基づいて説明する。図５は、図４と同じ領域の半導体装置の断面図であり、第３の実施形態と共通する構成要素については同一の参照番号を付し、その説明は省略する。
【００３７】
本実施形態では、第３の実施形態における第２の絶縁膜３３の凹部３３Ｃ内の側壁と、凹部３３Ｃの周囲の平端部３３Ｆを覆って、例えばシリコン酸化膜からなる絶縁膜３４が形成されている。この絶縁膜３４は、第２の絶縁膜３３の平端部３３Ｆ上では厚く形成され、凹部３３Ｃ内では、凹部３３Ｃの底部に近づくに従って薄く形成されている。導電体２０と重畳する凹部３３Ｃの底部では、絶縁膜３４は形成されていないか、殆ど形成されていない。この絶縁膜３４は、例えばＣＶＤ法により、凹部３３Ｃを含む第２の絶縁膜３３の全体を覆って絶縁膜を一旦形成した後、その絶縁膜をエッチバックすることにより形成される。
【００３８】
この構成により、導電体２０の周囲では、第２の絶縁膜３３の厚さに加えて、さらに絶縁膜３４の厚さの分だけ、それらの絶縁膜を透過して半導体基板１０の表面に到達するレーザー光が減衰することになる。従って、より確実にレーザー光のエネルギーを起因とする半導体基板１０のダメージを回避することができる。
【００３９】
さらに、凹部３３Ｃ内の側壁（曲面）の絶縁膜３４の表面や、その箇所の絶縁膜３４と第２の絶縁膜３３との界面において、レーザー光の一部を屈折又は反射させて、半導体基板１０の表面に到達するレーザー光を少なく抑えることもできる。
【００４０】
なお、本実施形態では、絶縁膜３４の替わりに、第２の絶縁膜３３の平端部３３Ｆと凹部３３Ｃ内の側壁を覆って、例えばスパッタ法により、レーザー光を反射する金属材料からなる金属膜を形成してもよい。
【００４１】
以下に、本発明の第５の実施形態による半導体装置について図６に基づいて説明する。図６は、図２と同じ領域の半導体装置の断面図である。ただし本実施形態では、この領域の半導体基板１０の表面にはＬＯＣＯＳ絶縁膜１１は形成されないものとする。
【００４２】
シリコン基板である半導体基板１０の表面上には、例えばシリコン酸化膜からなる第１の絶縁膜５２が形成され、第１の絶縁膜５２上には、第１の実施形態と同様のレーザートリミングにより溶断される導電体２０が形成されている。
【００４３】
第１の絶縁膜５２及び導電体２０は、例えばシリコン酸化膜からなる第２の絶縁膜５３に覆われている。第２の絶縁膜５３は、導電体２０と重畳する領域を含む領域で、凸レンズ状の第１の曲面Ｓ１を含む凸部５３Ｃを有し、その凸部５３Ｃの外縁部から外側に向かって隆起する第２の曲面Ｓ２を有し、第１の曲面Ｓ１と第２の曲面Ｓ２からなる環状の溝部５３Ｇを有している。第２の絶縁膜５３は、例えばＣＶＤ法により形成される。第２の絶縁膜５３の凸部５３Ｃは、導電体２０の幅よりも広く形成され、第１の実施形態における図１の凸部１３Ｃと同様の曲線を含む平面パターンを有し、図４の断面図に示すように、半導体基板１０の表面に対する垂直方向で外側に向かって突起する凸レンズ状の曲面を含んで構成される。
【００４４】
レーザートリミングの際、第２の絶縁膜５３の凸部５３Ｃの第１の曲面Ｓ１と、溝部５３Ｇの第２の曲面Ｓ２は、その表面において、レーザー光を反射して、半導体基板１０の表面に到達するレーザー光を少なく抑える機能を有する。また、第２の曲面Ｓ２は、第２の絶縁膜５３を透過するレーザー光の成分を、半導体基板１０の表面に斜めに向かって屈折させる機能も有する。これにより、半導体基板１０の表面に対して垂直又は略垂直にレーザー光が入射することが回避されるため、レーザー光の高いエネルギーによって半導体基板１０にダメージが与えられることが回避される。
【００４５】
また、第２の絶縁膜５３の凸部５３Ｃは、その表面でレーザー光を屈折させて導電体２０に集光させる凸レンズの機能も果たす。これにより、導電体２０に吸収されるレーザー光のエネルギーが高くなって導電体２０の発熱量が高くなるため、導電体２０は効率的に、かつ確実に溶断される。
【００４６】
このように、本実施形態においても、レーザートリミングの際に、導電体２０の確実な溶断と、半導体基板１０のダメージの回避を両立させることが可能となる。
【００４７】
なお、本実施形態では、第１の絶縁膜５２と第２の絶縁膜５３の間に、例えばシリコン酸化膜を含む層間絶縁膜として、開口部５５Ａを有した第３の絶縁膜５５が形成されてもよい。第３の絶縁膜５５の開口部５５Ａの内壁は、例えばウェットエッチングや等方性のガスエッチングにより、曲面で形成され、開口部５５Ａの底部では第１の絶縁膜５２の一部が露出され、その露出した第１の絶縁膜５２の一部上に導電体２０が配置される。第２の絶縁膜５３がＣＶＤ法により形成される場合、第３の絶縁膜５５の開口部５５Ａの窪みの深さに応じて、第２の絶縁膜５３の溝部５３Ｇの深さを調整することができる。
【００４８】
なお、本発明は上述の各実施形態に限定されず、その要旨を逸脱しない範囲で変更が可能なことは言うまでもない。
【００４９】
例えば、上記第３乃至第５の実施形態では、ＬＯＣＯＳ絶縁膜１１は形成されないものとしたが、本発明はこれに限定されず、半導体基板１０の表面にＬＯＣＯＳ絶縁膜が形成され、そのＬＯＣＯＳ絶縁膜と重畳する領域内に、導電体２０が形成される場合についても適用される。
【００５０】
また、上述の各実施形態における導電体２０は、半導体装置に含まれるトランジスタのゲート配線や抵抗素子（不図示）と接続されたヒューズ配線であるとしたが、レーザートリミングの溶断の対象となるものであれば、上記以外の配線として形成されたものであってもよい。
【符号の説明】
【００５１】
１０  半導体基板                          １１  ＬＯＣＯＳ絶縁膜
１１Ｆ  平坦部                            １１Ｓ  傾斜部
１２，３２，５２  第１の絶縁膜            １３，３３，５３  第２の絶縁膜
１３Ｃ，５３Ｃ  凸部                      ３３Ｃ  凹部
１４，３４  絶縁膜                        ５３Ｇ  溝部
５５  第３の絶縁膜
【図１】
2012209435.tif 000003
【図２】
2012209435.tif 000004
【図３】
2012209435.tif 000005
【図４】
2012209435.tif 000006
【図５】
2012209435.tif 000007
【図６】
2012209435.tif 000008
【図７】
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