(57)【要約】【課題】小型化された光増幅モジュール及びそれを備えた光スイッチを提供することを課題とする。【解決手段】光増幅モジュールは、半導体光増幅素子と、前記半導体光増幅素子を収納するパッケージと、コリメータレンズを保持し前記パッケージに並列に並んで配置され第１及び第２コネクタと、前記第１及び第２コネクタにそれぞれ接続された第１及び第２光ファイバとを備え、前記第１及び第２光ファイバのそれぞれの曲げ半径の和が前記第１及び第２コネクタの間隔より大きい。【選択図】図１
2012028588.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体光増幅素子と、
前記半導体光増幅素子を収納するパッケージと、
コリメータレンズを保持し前記パッケージに並列に並んで配置され第１及び第２コネクタと、
前記第１及び第２コネクタにそれぞれ接続された第１及び第２光ファイバとを備え、
前記第１及び第２光ファイバのそれぞれの曲げ半径の和が前記第１及び第２コネクタの間隔より大きい、光増幅モジュール。
【請求項２】
前記パッケージに収納された温度検出素子及び冷却素子と、
前記半導体光増幅素子、前記温度検出素子、及び前記冷却素子に電流を供給し前記パッケージを貫通し並列に並んだ複数の端子とを備え、
前記複数の端子と前記第１及び第２コネクタは前記パッケージを挟んで対抗して配置されている、請求項１の光増幅モジュール。
【請求項３】
前記パッケージに収納され前記半導体光増幅素子及び温度検出素子が実装されたキャリアを備え、
前記キャリアは、前記半導体光増幅素子と導通し前記半導体光増幅素子に対して前記複数の端子側に設けられた第１及び第２パターン、前記温度検出素子と導通し前記温度検出素子に対して前記複数の端子側に設けられた第３及び第４パターン、を含む、請求項２又は３の光増幅モジュール。
【請求項４】
第１及び第２光増幅モジュールと、
入力された光を前記第１及び第２光増幅モジュールのそれぞれに分配可能な光分配部と、を備え、
前記第１及び第２光増幅モジュールの少なくとも一方は、半導体光増幅素子、前記半導体光増幅素子を収納するパッケージ、コリメータレンズを保持し前記パッケージに並列に並んで配置され第１及び第２コネクタ、前記第１及び第２コネクタにそれぞれ接続された第１及び第２光ファイバ、を有し、
前記第１及び第２光ファイバのそれぞれの曲げ半径の和が前記第１及び第２コネクタの間隔より大きい、光スイッチ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光増幅モジュール及び光スイッチ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体光増幅素子を備えた光増幅モジュールがある。このような光増幅モジュールは、半導体光増幅素子を収納したパッケージと、半導体光増幅素子と光学的に接続された第１及び第２光ファイバと、第１及び第２光ファイバがそれぞれ接続した第１及び第２コネクタとを有している。半導体光増幅素子に入力される光は、第１光ファイバを介して第１コネクタを通過して入力される。半導体光増幅素子から出力される光は、第２コネクタを通過して第２光ファイバに接続される。特許文献１には、このような光増幅モジュールに関連した技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２９８７３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような複数のコネクタがパッケージを挟むように直列に設けられている場合、光増幅モジュールが大型化する。
【０００５】
本発明は、小型化された光増幅モジュール及びそれを備えた光スイッチ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本明細書に開示の光増幅モジュールは、半導体光増幅素子と、前記半導体光増幅素子を収納するパッケージと、コリメータレンズを保持し前記パッケージに並列に並んで配置され第１及び第２コネクタと、前記第１及び第２コネクタにそれぞれ接続された第１及び第２光ファイバとを備え、前記第１及び第２光ファイバのそれぞれの曲げ半径の和が前記第１及び第２コネクタの間隔より大きい。
【０００７】
本明細書に開示の光スイッチ置は、第１及び第２光増幅モジュールと、入力された光を前記第１及び第２光増幅モジュールのそれぞれに分配可能な光分配部と、を備え、前記第１及び第２光増幅モジュールの少なくとも一方は、半導体光増幅素子、前記半導体光増幅素子を収納するパッケージ、コリメータレンズを保持し前記パッケージに並列に並んで配置され第１及び第２コネクタ、前記第１及び第２コネクタにそれぞれ接続された第１及び第２光ファイバ、を有し、前記第１及び第２光ファイバのそれぞれの曲げ半径の和が前記第１及び第２コネクタの間隔より大きい。
【発明の効果】
【０００８】
小型化された光増幅モジュール及びそれを備えた光スイッチ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１Ａ、１Ｂは、本実施例の光増幅モジュールの説明図である。
【図２】図２は、光部品の内部構造を示した図である。
【図３】図３は、ステム周辺を示した拡大図である。
【図４】図４は、キャリアの説明図である。
【図５】図５は、本実施例とは構造が異なる光増幅モジュールの説明図である。
【図６】図６は、本実施例とは構造が異なる光増幅モジュールの説明図である。
【図７】図７は、本実施例とは構造が異なる光増幅モジュールの説明図である。
【図８】図８Ａは、第１変形例に係るキャリアの説明図であり、図８Ｂは、第２変形例に係るキャリアの説明図である。
【図９】図９Ａは、第３変形例に係るキャリアの説明図であり、図９Ｂは、第４変形例に係るキャリアの説明図である。
【図１０】図１０は、光スイッチ装置の説明図である。
【図１１】図１１は、光スイッチ装置の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
図１Ａ、１Ｂは、本実施例の光増幅モジュール１の説明図である。図１Ａは、光増幅モジュール１の正面を示し、図１Ｂは、光増幅モジュール１の側面を示している。光増幅モジュール１は、プリント基板１０、光部品２０、放熱板１１０を含む。プリント基板１０は硬質のプリント基板である。プリント基板１０には、コンデンサーが半導体チップ等の複数の電子部品が実装されている。プリント基板１０には開口１２が形成されている。プリント基板１０の背面側には放熱板１１０が設けられている。プリント基板１０と放熱板１１０とはネジ１１１により固定されている。放熱板１１０は金属製である。放熱板１１０の背面側には、放熱を促進するために複数のフィン１１２が設けられている。放熱板１１０の正面側には光部品２０が固定されている。
【００１１】
光部品２０は、プリント基板１０の開口１２内に配置されている。光部品２０は、プリント基板１０に形成されたパターンと導通している。光部品２０には、光ファイバ１００ａ、１００ｂの一端が接続されている。光ファイバ１００ａ、１００ｂの他端には、光増幅モジュール１を他の装置に光学的に接続するためのコネクタ１０１ａ、１０１ｂが設けられている。光ファイバ１００ａ、１００ｂは、所定の径で巻かれた余長処理がなされている。尚、光ファイバ１００ａ、１００ｂの少なくとも一方に、光カプラを設けて途中で分岐させ、分岐した一方にコネクタを接続し、分岐した他方にフォトダイオードを接続してもよい。また、光ファイバ１００ａ、１００ｂは、余長処理がなされていなくてもよい。
【００１２】
図２は、光部品２０の内部構造を示した図である。光部品２０は、パッケージ３０、端子群４０、冷却素子５０、ステム６０等を含む。パッケージ３０は、略矩形状であり、冷却素子５０、ステム６０等を収納している。パッケージ３０は、冷却素子５０、ステム６０等を収納する空間を画定する側壁３０１〜３０４を有している。側壁３０１、３０２は対向し、側壁３０３、３０４は対向している。パッケージ３０には、パッケージ３０を放熱板１１０に固定するための複数の脚部３８ａ〜３８ｃが設けられている。脚部３８ａ〜３８ｃのそれぞれには、放熱板１１０に固定するためのネジ孔が設けられている。脚部３８ａは、側壁３０２側から突出するように設けられている。脚部３８ｂ、３８ｃは、側壁３０１側から突出するように設けられている。
【００１３】
パッケージ３０には、コネクタ３１ａ、３１ｂが設けられている。コネクタ３１ａ、３１ｂは、側壁３０２側に設けられており、互いに並んでいる。コネクタ３１ａには、光学部品である、コリメータレンズ３２ａ、光アイソレータ３４ａが保持されている。コネクタ３１ｂには、光学部品である、コリメータレンズ３２ｂ、光アイソレータ３４ｂが保持されている。光アイソレータ３４ａ、３４ｂは、戻り光を阻止する。コネクタ３１ａ、３１ｂには、それぞれ光ファイバ１００ａ、１００ｂが挿入されている。
【００１４】
パッケージ３０内には、ミラー３６ａ、３６ｂが設けられている。ミラー３６ａは、光ファイバ１００ａと後述する半導体光増幅素子との間の光路を確保し、ミラー３６ｂは、半導体光増幅素子と光ファイバ１００ｂとの間の光路を確保する。これにより、光ファイバ１００ａ、１００ｂと、半導体光増幅素子とは光学的に接続される。ミラー３６ａ、３６ｂに照射された光は、略直角に反射する。ミラー３６ａ、３６ｂのそれぞれは、パッケージ内の台座部上に配置されている。
【００１５】
端子群４０は、側壁３０１を貫通するように設けられている。端子群４０は、並列に並ぶように配置された複数の端子４１〜４７を含む。端子４１〜４７のそれぞれは、側壁３０１を貫通した平板状部と、パッケージ３０の外側で平板状部に導通可能に固定されたリード部と、を含む。端子群４０は、パッケージ３０内に配置された電子部品とプリント基板１０とを電気的に接続する。脚部３８ｂ、３８ｃと端子群４０とは並んでいる。パッケージ３０の中央部には、冷却素子５０が配置されている。冷却素子５０は、端子群４０の端子４１、４２と導通している。冷却素子５０は、例えばペルチェ素子である。冷却素子５０上にはステム６０が配置されている。ステム６０は、金属製である。
【００１６】
端子４１〜４７は、並列に並んで同一方向に延びている。端子群４０と、コネクタ３１ａ、３１ｂとは、それぞれパッケージ３０を挟んで端子群４０の反対側に設けられている。コネクタ３１ａ、３１ｂは、端子４１〜４７が延びた方向と反対方向に延びている。脚部３８ａは、コネクタ３１ａ、３１ｂの間に設けられ、コネクタ３１ａ、３１ｂと略同一方向に延びている。脚部３８ｂ、３８ｃは、端子群４０を挟むように設けられ、端子４１〜４７と同一方向に延びている。
【００１７】
図３は、ステム６０周辺を示した拡大図である。図３に示すように、ステム６０には、レンズホルダ６２ａ、６２ｂが設けられている。レンズホルダ６２ａ、６２ｂは、それぞれレンズ６４ａ、６４ｂを支持している。ステム６０上にはキャリア７０が配置されている。キャリア７０上には、半導体光増幅素子８０（Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｏｐｔｉｃａｌ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ、以下、ＳＯＡ素子と称する）、温度検出素子９０が実装されている。ＳＯＡ素子８０は、中央部に光が通過する導波路が形成されている。ＳＯＡ素子８０は、入射した光を増幅して出力可能である。ＳＯＡ素子８０は、半導体レーザと同様の原理で動作するものであり、電流注入による半導体活性領域の利得機能を利用して外部から入射した光に対して光増幅作用を起こす。
【００１８】
ＳＯＡ素子８０は、温度に応じて光の出力の特性が変動する。温度検出素子９０は、ＳＯＡ素子８０に隣接して設けられている。温度検出素子９０は、例えばサーミスタである。温度検出素子９０により検出された温度に基づいて、プリント基板１０上に形成された制御回路により冷却素子５０に流れる電流を制御する。具体的には、温度検出素子９０により検出された温度が一定となるように冷却素子５０に流れる電流を制御する。これにより、冷却素子５０周辺の温度の変動を防止できる。これにより、ＳＯＡ素子８０が出力する光の特性の変動を防止している。尚、ＳＯＡ素子８０は、プリント基板１０上に形成された駆動回路により駆動が制御される。
【００１９】
ワイヤＷ１〜Ｗ４は、それぞれ、ボンディングにより端子４３〜４６に導通接続されている。また、ワイヤＷ１〜Ｗ４は、キャリア７０上に形成されたパターンのそれぞれにボンディングにより導通接続している。ワイヤＷ１〜Ｗ４は、導電性を有した金属製である。詳しくは後述する。
【００２０】
光ファイバ１００ａから照射した光は、コリメータレンズ３２ａを通過することにより、コリメート光に変換される。変換されたコリメート光は、光アイソレータ３４ａを通過してミラー３６ａにより反射してコリメータレンズ６４ａを通過して、ＳＯＡ素子８０の入射端面に集光される。ＳＯＡ素子８０の入射端面に集光された光の一部は導波路を通過して、ＳＯＡ素子８０の出射端面から増幅されて出射される。ＳＯＡ素子８０から出射された光はコリメータレンズ６４ｂによりコリメート光に変換され、ミラー３６ｂにより反射して光アイソレータ３４ｂ及びコリメータレンズ３２ｂを通過して光ファイバ１００ｂの端面に集光される。尚、ＳＯＡ素子８０は、コリメータレンズ６４ａ、６４ｂの光軸に対して斜めに配置されている。ＳＯＡ素子８０に対してコリメータレンズ６４ａ、６４ｂを接近させて配置するために、コリメータレンズ６４ａからコリメータレンズ６４ｂの方向でのキャリア７０の幅は狭くなっている。キャリア７０は、略矩形状である。
【００２１】
キャリア７０について説明する。図４は、キャリア７０の説明図である。
キャリア７０は、絶縁性を有した基板、この基板上に形成された複数のパターン７１、７３、７５、７６、７７、を含む。キャリア７０は、端子４１〜４７が並んだ方向と交差する方向に延びた略矩形状である。キャリア７０が延びた方向をｙ方向と定義し、キャリア７０の幅方向をｘ方向と定義する。ｘ方向は、端子４１〜４７が並んだ方向である。
【００２２】
パターン７１、７３、７５、７６、７７は、導通可能な金属製であり、例えば金である。パターン７１、７３、７５、７６、７７は、例えば蒸着により絶縁性の基板上に形成される。パターン７１、７３、７５、７６、７７は、互いに導通不能に分割されている。
【００２３】
ＳＯＡ素子８０は、パターン７１上に実装されている。具体的には、ＳＯＡ素子８０の底面部に設けられた端子とパターン７１とが半田により導通可能に接続されている。パターン７１は、ＳＯＡ素子８０が実装された部分と、この部分からｙ方向に延びた部分とを含む。即ち、パターン７１は、キャリア７０の端子群４０側の縁にまで延びている。ＳＯＡ素子８０の上端面には電極が設けられている。ＳＯＡ素子８０の電極とパターン７３とは、ワイヤＷ５により導通接続されている。パターン７３は、パターン７１に隣接しておりｙ方向に延びている。パターン７３は、キャリア７０の端子群４０側の縁にまで延びている。ワイヤＷ３は、端子４５とパターン７３とを導通接続している。ワイヤＷ４は、端子４６とパターン７１とを導通接続している。ＳＯＡ素子８０へ供給される電流の経路は、端子４５、ワイヤＷ３、パターン７３、ワイヤＷ５、ＳＯＡ素子８０、パターン７１、ワイヤＷ４、端子４６の順である。ＳＯＡ素子８０へ供給される電流の経路は、この順番の逆であってもよい。
【００２４】
温度検出素子９０は、パターン７５上に実装されている。具体的には、温度検出素子９０の底面部に設けられた端子とパターン７５とが半田により導通接続されている。図４に示した例では、ＳＯＡ素子８０は端子群４０に近く、温度検出素子９０は端子群４０から離れている。パターン７５は、ＳＯＡ素子８０に対して端子群４０とは反対側に設けられている。ＳＯＡ素子８０に対して端子群４０側に、パターン７７、７６が設けられている。パターン７７、７６は、ｙ方向に並んでいる。パターン７７よりもパターン７６の方が端子群４０に近い。パターン７５とパターン７６とはワイヤＷ７により導通している。パターン７６と端子４３とはワイヤＷ１により導通している。温度検出素子９０の上端面は電極が設けられている。温度検出素子９０の上端面に設けられた電極と、パターン７７とはワイヤＷ６により導通接続されている。ワイヤＷ６、Ｗ７は、ＳＯＡ素子８０の上面に設けられた電極に接触しないように湾曲している。パターン７７と端子４４とは、ワイヤＷ２により導通している。温度検出素子９０へ供給される電流の経路は、端子４４、ワイヤＷ２、パターン７７、ワイヤＷ６、温度検出素子９０、パターン７５、ワイヤＷ７、パターン７６、ワイヤＷ１、端子４３の順である。温度検出素子９０へ供給される電流の経路は、この順番の逆であってもよい。このようにして、ＳＯＡ素子８０、温度検出素子９０へ流れる電流の経路が確保されている。
【００２５】
図４に示すように、パターン７５には切欠部７５１が形成されている。切欠部７５１では、パターンは形成されておらず、下地である絶縁性の基板が露出している。切欠部７５１は、ワイヤＷ７が接続されたパターン７５上の箇所と、温度検出素子９０との間に設けられている。切欠部７５１を設ける理由を以下に示す。パターン７５上に温度検出素子９０を実装した後に、ワイヤＷ７がパターン７５にボンディングされてワイヤＷ７がパターン７５に接続される。ここで、ワイヤＷ７が接続される箇所に半田が存在していると、ワイヤＷ７を適切にボンディングできない恐れがある。従って、ワイヤＷ７が接続される箇所に溶融した半田が流れないようにするために、切欠部７５１が設けられている。
【００２６】
パターン７１、７３、７６、７７は、ＳＯＡ素子８０、温度検出素子９０と、端子群４０との電気的な接続を確保している。ＳＯＡ素子８０、温度検出素子９０と、端子群４０との電気的な接続を確保するためのパターンが、端子群４０側に集約されている。具体的には、パターン７１、７３は、ＳＯＡ素子８０に対して端子群４０側に設けられている。パターン７６、７７は、温度検出素子９０に対して端子群４０側に設けられている。これにより、ＳＯＡ素子８０、温度検出素子９０に電流を供給するための端子４３〜４６を、ＳＯＡ素子８０、温度検出素子９０に対して同一側に設けることができる。詳しくは、後述する。尚、ＳＯＡ素子８０に対して端子群４０側に設けられている、とは、ＳＯＡ素子８０に実装され端子群４０側にまで延びているパターン７１をも含む意味である。
【００２７】
次に、本実施例について、本実施例と構造が異なる光増幅モジュール１ｘと比較して説明する。
図５〜７は、本実施例とは構造が異なる光増幅モジュール１ｘの説明図である。図５〜７は、それぞれ、図１Ａ、２、３に対応している。尚、光増幅モジュール１ｘについて光増幅モジュール１と類似の箇所については類似の符号を付することにより重複する説明を省略する。
【００２８】
図５に示すように、コネクタ３１ｘ、３１ｙは、互いに対向する側壁３０３ｘ、３０４ｘのそれぞれに接続されており、パッケージ３０ｘを挟んで直列に並んでいる。このため、コネクタ３１ｘ、３１ｙ、光ファイバ１００ｘ、１００ｙは、パッケージ３０の両側に位置する。これにより、光部品２０ｘが大型化し、光増幅モジュール１ｘ全体が大型化している。また、光ファイバ１００ｘ、１００ｙは、所定の径で巻かれるようにして余長処理がなされている。従って、光ファイバ１００ｘ、１００ｙの余長処理の部分についても、光増幅モジュール１ｘが大型化する要因となっている。
【００２９】
しかしながら本実施例の光増幅モジュール１においては、図１Ａに示すように、コネクタ３１ａ、３１ｂは、同一の側壁３０２に接続され並列に並んでいる。このため、光部品２０が小型化されており、光増幅モジュール１全体も小型化されている。また、コネクタ３１ａ、３１ｂが並列に並んでいることにより、余長処理された光ファイバ１００ａ、１００ｂの部分が互いに重なっている。ここで、光ファイバは、曲げ半径が所定値以上の場合には透過損失はほとんどないものの、曲げ半径が所定値より小さくなると透過損失が大きくなる。このため、光ファイバの仕様（種類）によって透過損失がほとんどない最小曲げ半径が決まっている。従って、余長処理部分自体の大きさは、ある程度から小さくすることはできない。本実施例の光増幅モジュール１では、光ファイバ１００ａ、１００ｂの曲げ半径の和をコネクタ３１ａ、３１ｂの間隔より大きくすることで、光ファイバ１００ａ、１００ｂの余長処理部分を互いに重ねることにより、余長部分のスペースを削減している。
【００３０】
また、図６に示すように、光増幅モジュール１ｘにおいては、端子群４０ｘは、パッケージ３０ｘの側壁３０１ｘ側に設けられ、端子群４０ｙは、側壁３０２ｘ側に設けられている。即ち、端子群４０ｘ、４０ｙは、パッケージ３０ｘを挟むように設けられている。詳細には、図６、図７に示すように、側壁３０１ｘ側に設けられた端子４１ｘ、４２ｘ、４３ｘ、４５ｘが冷却素子５０ｘ、温度検出素子９０ｘに電流を供給している。側壁３０２ｘ側に設けられた端子４３ｙ、４５ｙがＳＯＡ素子８０ｘに電力を供給している。このように、冷却素子５０ｘ、温度検出素子９０ｘに電流を供給する端子４１ｘ、４２ｘ、４３ｘ、４５ｘと、ＳＯＡ素子８０ｘに電力を供給する端子４３ｙ、４５ｙとは、パッケージ３０ｘを挟むように設けられている。このため、光部品２０ｘが大型化している。
【００３１】
このように端子群４０ｘ、４０ｙが配置されている理由は以下による。図７に示すように、光増幅モジュール１ｘにおいては、キャリア７０ｘのパターン７１ｘ、７３ｘは、端子群４０ｙ側に設けられており、パターン７５ｘ、７７ｘは、端子群４０ｘ側に設けられている。また、パターン７１ｘ、７３ｘは、それぞれ端子群４０ｙの端子４３ｙ、４５ｙとワイヤにより導通しており、パターン７５ｘ、７７ｘは、それぞれ端子群４０ｘの端子４３ｘ、４５ｘと導通している。温度検出素子９０ｘに導通したパターン７５ｘ、７７ｘがキャリア７０ｘの上側にあり、ＳＯＡ素子８０ｘに導通したパターン７１ｘ、７３ｘがキャリア７０ｘの下側にある。このように、パターン７１ｘ、７３ｘと、パターン７５ｘ、７７ｘとは分散して設けられている。このため、端子群４０ｘ、４０ｙについても、パッケージ３０ｘの両側にそれぞれ設けられており、光部品２０ｘは大型化している。
【００３２】
しかしながら、本実施例の光増幅モジュール１においては、図２、図３に示したように、冷却素子５０、ＳＯＡ素子８０、温度検出素子９０に電力を供給する端子４１〜４６は、互いに並列に並ぶように設けられており、パッケージ３０に対して同じ側壁３０１側に集約されている。また、端子は、側壁３０２〜３０４側には設けられていない。図４に示したようにパターン７１、７３、７６、７７は端子群４０側に集約されているので、パッケージ３０を挟むように複数の端子を設ける必要はないからである。従って、光部品２０が小型化されている。光部品２０が小型化されるので、この結果光増幅モジュール１全体も小型化されている。
【００３３】
また、光増幅モジュール１ｘにおいて、端子群４０ｘ、４０ｙは、それぞれパッケージ３０ｘの両側に設けられ、コネクタ３１ｘ、３１ｙは、端子群４０ｘ、４０ｙが設けられていない側に設けられている。従って、パッケージ３０ｘから端子群４０ｘ、４０ｙ、コネクタ３１ｘ、３１ｙが放射状に広がるように設けられている。このため、光部品２０ｘは更に大型化している。また、開口１２ｘは光部品２０ｘよりも大きくなければならないため、プリント基板１０ｘも更に大型化する。よって、光増幅モジュール１は大型化している。
【００３４】
しかしながら本実施例の光増幅モジュール１では、図１Ａ、図２に示すように、コネクタ３１ａ、３１ｂは、パッケージ３０に対して端子群４０と反対側に設けられ、端子４１〜４７の延びた方向と逆方向に延びている。このため、光部品２０は幅方向に小型化されている。また、脚部３８ａは、コネクタ３１ａ、３１ｂと並ぶように設けられコネクタ３１ａ、３１ｂと同一方向に延びている。脚部３８ｂ、３８ｃは、端子４１〜４７と並ぶように設けられ、端子４１〜４７と同一方向に延びている。このため、光部品２０は幅方向に小型化されている。
【００３５】
キャリア７０の第１変形例について説明する。
図８Ａは、第１変形例に係るキャリア７０ａの説明図である。尚、上記実施例と類似の箇所には、類似の符号を付することにより重複する説明を省略する。図８Ａに示すように、パターン７６ａ、７７ａ、７３ａ、７１ａは、ｘ方向に並列に並んでいる。パターン７６ａ、７７ａ、７３ａ、７１ａは、キャリア７０ａの端子群４０側の縁まで延びている。キャリア７０ａ全体の幅をある程度確保できる場合には、このように４つのパターンを並列に配置してもよい。尚、パターン７６ａ、７７ａ、７３ａ、７１ａは、それぞれワイヤＷ１〜Ｗ４により、それぞれ端子４３〜４６に導通接続している。
【００３６】
図８Ｂは、第２変形例に係るキャリア７０ｂの説明図である。
上記実施例及び第１変形例と異なり、第２変形例ではＳＯＡ素子８０ａと温度検出素子９０との位置関係は逆になっている。ＳＯＡ素子８０ａは、上述したＳＯＡ素子８０よりも長手方向に長い。また、キャリア７０ｂは、上述したキャリア７０、７０ａよりも幅が広い。パターン７３ｂ、７１ｂ、７７ｂ、７５ｂは並列に並んでいる。詳細には、ＳＯＡ素子８０ａが実装されたパターン７１ｂ、温度検出素子９０が実装されたパターン７５ｂの双方とも、キャリア７０ｂの端子群４０側の縁にまで延びている。これにより、キャリア７０ｂ上にあるパターン同士をワイヤにより導通する必要がない。従って、キャリア７０ｂ上に接続されるワイヤの数を減らすことができる。よって、ワイヤ同士の接触を防止することができる。切欠部７１１ｂは、パターン７１ｂに実装する際のＳＯＡ素子８０ａの正しい姿勢を示す指標として機能する。尚、パターン７３ｂ、７１ｂ、７７ｂ、７５ｂは、それぞれワイヤＷ１〜Ｗ４により、それぞれ端子４３〜４６に導通接続している。
【００３７】
図９Ａは、第３変形例に係るキャリア７０ｃの説明図である。
パターン７７ｃ、７６ｃは、ｙ方向に並んでおり、パターン７１ｃ、７３ｃも、ｙ方向に並んでいる。パターン７６ｃ、７３ｃは、ｘ方向に並んでいる。パターン７５、７１ｃは、ｙ方向に並んでいる。パターン７１ｃには切欠部７１１ｃが形成されている。切欠部７１１ｃは、ワイヤＷ４が接続されたパターン７１ｃ上の箇所とＳＯＡ素子８０との間に形成されている。切欠部７１１ｃは、ＳＯＡ素子８０をパターン７１ｃに実装する際に用いられる半田が、ワイヤＷ４が接続される箇所に流れることを防止するためである。尚、パターン７６ｃ、７７ｃ、７３ｃ、７１ｃは、それぞれワイヤＷ１〜Ｗ４により、それぞれ端子４３〜４６に導通接続している。
【００３８】
図９Ｂは、第４変形例に係るキャリア７０ｄの説明図である。
パターン７３ｄと、パターン７６、７７との間にパターン７１ｄが配置されている。パターン７３ｄには、ＳＯＡ素子８０の電極と導通したワイヤＷ５が接続されている。また、パターン７６には、パターン７５と導通したワイヤＷ７が接続されている。パターン７７には、温度検出素子９０の電極と導通したワイヤＷ６が接続されている。このように、パターン７３ｄ、７６、７７には、それぞれワイヤＷ５、Ｗ７、Ｗ６が導通している。パターン７１ｄには、ワイヤＷ３以外にワイヤは接続されていない。パターン７３ｄと、パターン７６、７７との間にパターン７１ｄを配置することにより、ワイヤＷ５と、ワイヤＷ７、Ｗ６とを可能な限り離すことができ接触を回避している。尚、パターン７６、７７、７１ｄ、７１ｄは、それぞれワイヤＷ１〜Ｗ４により、それぞれ端子４３〜４６に導通接続している。
【００３９】
上記実施例においては、光ファイバ１００ａ、１００ｂは互いに余長処理がなされている場合を示したが、これに限定されず余長処理がなされていなくてもよい。
【００４０】
上記実施例の光増幅モジュール１は、電子装置に用いられる。電子装置とは、例えば、受動光ネットワーク（ＰＯＮ：Passive Optical Network）システムに用いる光加入者装置（ＯＮＵ：Optical Network Unit）や、または光伝送装置である。
【００４１】
次に、本実施例の光増幅モジュールを採用した光スイッチ装置について説明する。図１０、１１は、光スイッチ装置の説明図である。図１０は、マトリクス型光スイッチ装置の説明図である。複数の光増幅モジュールを、マトリクス型光スイッチ装置に用いることができる。マトリクス型光スイッチ装置は、複数の光分配カプラ（光分配部）１４１ａ〜１４１ｎ、光増幅モジュール群１４２ａ〜１４２ｎ、光合波カプラ（光合波部）１４３ａ〜１４３ｎを有している。光入力ポート１３１ａ〜１３１ｎは、それぞれ、光分配カプラ１４１ａ〜１４１ｎに設けられている。同様に、光出力ポート１５１ａ〜１５１ｎは、それぞれ、光合波カプラ（光合波部）１４３ａ〜１４３ｎに設けられている。また、光分配カプラ１４１ａ〜１４１ｎは、それぞれｎ個の出力ポートを有している。光増幅モジュール群４２ａの各光増幅モジュールは、光分配カプラ１４１ａ〜１４１ｎの１つの出力ポートと接続されている。光増幅モジュール群１４２ｎの各光増幅モジュールは、光分配カプラ１４１ａ〜１４１ｎの１つの出力ポートと接続されている。光増幅モジュール群１４２ａの出力は、光合波カプラ１４３ａに接続されている。以下同様に、光増幅モジュール群１４２ｎの出力は、光合波カプラ１４３ｎに接続されている。
【００４２】
各光増幅モジュールの２本の光ファイバの一方が光分配カプラ１４１ａ〜１４１ｎの何れかの出力ポートに光学的に接続される。また、各光増幅モジュールの２本の光ファイバの他方が光合波カプラ１４３ａ〜１４３ｎの何れかの入力ポートに光学的に接続されている。これにより、各光増幅モジュールは、光入力ポート１３１ａ〜１３１ｎの何れか一つと光接続されていると共に、光出力ポート１５１ａ〜１５１ｎの何れか一つと光接続されている。
【００４３】
光増幅モジュール群１４２ａ〜１４２ｎの各ＳＯＡ素子は、駆動回路群からの駆動電流の有無によってスイッチングする。すなわち、光増幅モジュールに入力された光は、駆動回路群からの駆動電流に応じて、光増幅モジュールからの出力光として出力され、または、遮断される。このように、各光増幅モジュールは、光ゲートとして機能する。合波カプラ１４３ａ〜１４３ｎは、ｎ入力／１出力の光合波カプラである。光合波カプラ１４３ａ〜１４３ｎは、光分配カプラ１４１ａ〜１４１ｎの数だけ入力ポートを有している。光合波カプラ１４３ａ〜１４３ｎは、入力ポートから入力した光を１つの光出力ポートから出力する。
【００４４】
このように、複数の光増幅モジュールが採用されるマトリクス型光スイッチ装置に本実施例の光増幅モジュールを採用することにより、マトリクス型光スイッチ装置の小型化を図ることができる。尚、マトリクス型光スイッチ装置に採用される複数の光増幅モジュールのうち、少なくとも一つが本実施例の光増幅モジュールであればよい。
【００４５】
尚、上記マトリクス型光スイッチ装置において、各光増幅モジュールに採用されているプリント基板を共通化してもよい。
【００４６】
図１１は、他の例の光スイッチ装置を示している。図１１の光スイッチは、単一の光分配カプラ１４１ａと、２つの光増幅モジュール１とを備えている。このように、単一の光分配カプラ１４１ａに入力した光の光路を切り替え可能な光スイッチにおいて、本実施例の光増幅モジュールを採用してもよい。
【００４７】
その他、単一の光増幅モジュールが採用される光スイッチ装置に、本実施例の光増幅モジュールを採用してもよい。この場合、光増幅モジュールは、入力された光を出力する又は遮断する光ゲートとして機能する。
【００４８】
本発明は係る特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００４９】
１  光増幅モジュール
１０  プリント基板
２０  光部品
３０  パッケージ
３１ａ、３１ｂ  コネクタ
３２ａ、３２ｂ、６４ａ、６４ｂ  コリメータレンズ
３４ａ、３４ｂ  光アイソレータ
３６ａ、３６ｂ  ミラー
３８ａ〜３８ｃ  脚部
４０  端子群
４１〜４７  端子
５０  冷却素子
７０  キャリア
７１、７３、７５、７６、７７  パターン
８０  半導体光増幅素子
９０  温度検出素子
１００ａ、１００ｂ  光ファイバ
１０１ａ、１０１ｂ  コネクタ
３０１〜３０４  側壁
７５１  切欠部
Ｗ１〜Ｗ７  ワイヤ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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