(57)【要約】【課題】樹脂コア上に形成された導電膜における引き出し方向側の部分への応力に起因して、導電膜が損傷してしまうことを、十分に抑制する。【解決手段】半導体装置は、基板（半導体基板１）と、基板上に形成された電極パッド２と、電極パッド２を露出させる開口３ａを有し、基板上に形成された保護絶縁膜３を有する。半導体装置は、更に、樹脂コア４と、樹脂コア４の頂面６上から開口３ａ内の電極パッド２上に亘って形成された導電膜５を有する。頂面６からの導電膜５の引き出し方向Ａにおける頂面６の幅をＷとすると、頂面６において、引き出し方向Ａ側におけるＷ／２よりも広い範囲の部分が、引き出し方向Ａに向けて下り傾斜している。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された電極パッドと、
前記電極パッドを露出させる開口を有し、前記基板上に形成された保護絶縁膜と、
樹脂コアと、
前記樹脂コアの頂面上から前記開口内の前記電極パッド上に亘って形成された導電膜と、
を有し、
前記頂面からの前記導電膜の引き出し方向における前記頂面の幅をＷとすると、
前記頂面において、前記引き出し方向側におけるＷ／２よりも広い範囲の部分が、前記引き出し方向に向けて下り傾斜していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記頂面は、平面視において、前記引き出し方向に向けて幅広に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記頂面における前記引き出し方向の端部と、前記樹脂コアの底面における前記引き出し方向の端部と、が交わっていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記樹脂コアの前記引き出し方向とは反対側の端部の下地の高さが、前記樹脂コアの前記引き出し方向の端部の下地の高さよりも低いことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記電極パッドは、前記樹脂コアの下の位置まで延在し、
前記樹脂コアの前記引き出し方向とは反対側の端部の前記下地は、前記電極パッドの一部分であり、
前記樹脂コアの前記引き出し方向の端部の前記下地は、前記電極パッドの他の一部分の上に位置する前記保護絶縁膜であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記樹脂コアの前記引き出し方向とは反対側の端部の前記下地は、前記基板であり、
前記樹脂コアの前記引き出し方向の端部の前記下地は、前記電極パッドの一部分の上に位置する前記保護絶縁膜であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記頂面は、前記引き出し方向とは反対側の端部から、前記引き出し方向の端部に亘って、下り傾斜していることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記頂面は、前記樹脂コアの底面と平行な平行部を有することを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記導電膜は、前記樹脂コアの側面のうち、前記引き出し方向とは反対側の側面上には形成されていないことを特徴とする請求項１乃至８の何れか一項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記導電膜は、前記樹脂コアの側面のうち、前記引き出し方向の側面の上にのみ形成されていることを特徴とする請求項９に記載の半導体装置。
【請求項１１】
基板本体と、
前記基板本体上に形成された電極であって、樹脂コアバンプと電極パッドとを有する半導体装置の前記樹脂コアバンプと接触される電極と、
を有し、
前記樹脂コアバンプは、樹脂により構成された樹脂コアと、前記樹脂コアの頂面上から前記電極パッド上に亘って形成された導電膜における前記樹脂コア上の部分と、を含み、
前記電極の頂面は、前記導電膜の引き出し方向の反対方向に向けて下り傾斜していることを特徴とする実装基板。
【請求項１２】
電極を有する実装基板と、
半導体装置と、
を有し、
前記半導体装置は、
基板と、
前記基板上に形成された電極パッドと、
前記電極パッドを露出させる開口を有し、前記基板上に形成された保護絶縁膜と、
樹脂コアと、
前記樹脂コアの頂面上から前記開口内の前記電極パッド上に亘って形成された導電膜と、
を有し、
前記実装基板の前記電極に対して前記樹脂コア上の前記導電膜が接触し、
前記樹脂コアの側面の側方への膨出量は、前記引き出し方向の側面の膨出量よりも、その反対側の側面の膨出量の方が大きく、
前記樹脂コアの内部応力は、前記引き出し方向側の部分での内部応力よりも、その反対側の部分での内部応力の方が大きいことを特徴とする電子装置。
【請求項１３】
実装基板と、
半導体装置と、
を有し、
前記半導体装置は、
基板と、
前記基板上に形成された電極パッドと、
前記電極パッドを露出させる開口を有し、前記基板上に形成された保護絶縁膜と、
樹脂コアと、
前記樹脂コアの頂面上から前記開口内の前記電極パッド上に亘って形成された導電膜と、
を有し、
前記実装基板は、
基板本体と、
前記基板本体上に形成された電極と、
を有し、
前記実装基板の前記電極の前記頂面に対して前記樹脂コア上の前記導電膜が接触し、
前記電極の頂面は、前記導電膜の引き出し方向に向けて下り傾斜していることを特徴とする電子装置。
【請求項１４】
電極パッドが形成された基板上に、前記電極パッドを露出させる開口を有する保護絶縁膜を形成する工程と、
樹脂により樹脂コアを形成する工程と、
前記樹脂コアの頂面上から前記開口内の前記電極パッド上に亘って導電膜を形成する工程と、
を有し、
前記樹脂コアを形成する工程では、
前記頂面からの前記導電膜の引き出し方向における前記頂面の幅をＷとすると、
前記頂面において、前記引き出し方向側におけるＷ／２よりも広い範囲の部分が、前記引き出し方向に向けて下り傾斜するように、前記樹脂コアを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置、実装基板、電子装置、及び、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置のバンプ（バンプ電極）としては、樹脂により形成したコア（樹脂コア）と、樹脂コアを覆うように形成された導電膜と、を有する樹脂コアバンプがある。導電膜は、半導体装置の表面に形成された電極パッドに向けて引き出され、該電極パッドに対して電気的に接続されている（例えば、特許文献１、２）。
【０００３】
このような樹脂コアバンプを有する半導体装置が実装基板に実装され、実装基板の電極に対して樹脂コアバンプが接触されることにより、樹脂コアは、その頂面が沈み込むとともにその側面が側方に膨出するように弾性変形する。
【０００４】
特許文献１の樹脂コアバンプの樹脂コアは、断面形状が台形状であり、台形の肩の部分が丸みを帯びた形状となっている。特許文献１には、樹脂コアをこのような形状とすることにより、導電膜に局部的な応力集中が起こりにくくなるため、応力集中に起因する導電膜の断線が防止できる旨の記載がある。
また、特許文献２のバンプは、断面形状が半円状である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−０４９２２６号公報
【特許文献２】特開２００７−０１２６７８号公報
【特許文献３】特開２００７−０４２７７０号公報
【特許文献４】特開２００８−１０９０２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１、２の形状の樹脂コアバンプでは、樹脂コアの側面の膨出量が、導電膜の引き出し方向の側面（説明の便宜上、第１側面という）と、その反対側の側面（説明の便宜上、第２側面という）とで同程度になる。
このため、導電膜において、樹脂コアの第１側面上に形成された部位に対し、樹脂コアの第２側面上に形成された部位に加わる応力（ストレス）と同程度の応力が加わってしまう。
このため、導電膜における引き出し方向の部分（第１側面上の部分）への応力に起因して、導電膜が損傷（断線等）してしまうことを、十分に抑制することが困難だった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、基板と、
前記基板上に形成された電極パッドと、
前記電極パッドを露出させる開口を有し、前記基板上に形成された保護絶縁膜と、
樹脂コアと、
前記樹脂コアの頂面上から前記開口内の前記電極パッド上に亘って形成された導電膜と、
を有し、
前記頂面からの前記導電膜の引き出し方向における前記頂面の幅をＷとすると、
前記頂面において、前記引き出し方向側におけるＷ／２よりも広い範囲の部分が、前記引き出し方向に向けて下り傾斜していることを特徴とする半導体装置を提供する。
【０００８】
この半導体装置によれば、樹脂コアの頂面において、導電膜の引き出し方向側におけるＷ／２よりも広い範囲の部分が、引き出し方向に向けて下り傾斜している。これにより、実装時の圧力によって樹脂コアの側面が膨出する際に、樹脂コアの引き出し方向側の側面の膨出量を、その反対側の側面の膨出量と比べて抑制することができる。その結果、樹脂コア上に形成された導電膜における引き出し方向側の部分への応力を抑制することができる。よって、樹脂コア上に形成された導電膜における引き出し方向側の部分への応力に起因して、導電膜が損傷してしまうことを、十分に抑制することができる。
【０００９】
また、本発明は、基板本体と、
前記基板本体上に形成された電極であって、樹脂コアバンプと電極パッドとを有する半導体装置の前記樹脂コアバンプと接触される電極と、
を有し、
前記樹脂コアバンプは、樹脂により構成された樹脂コアと、前記樹脂コアの頂面上から前記電極パッド上に亘って形成された導電膜における前記樹脂コア上の部分と、を含み、
前記電極の頂面は、前記導電膜の引き出し方向に向けて下り傾斜していることを特徴とする実装基板を提供する。
【００１０】
また、本発明は、電極を有する実装基板と、
半導体装置と、
を有し、
前記半導体装置は、
基板と、
前記基板上に形成された電極パッドと、
前記電極パッドを露出させる開口を有し、前記基板上に形成された保護絶縁膜と、
樹脂コアと、
前記樹脂コアの頂面上から前記開口内の前記電極パッド上に亘って形成された導電膜と、
を有し、
前記実装基板の前記電極に対して前記樹脂コア上の前記導電膜が接触し、
前記樹脂コアの側面の側方への膨出量は、前記引き出し方向の側面の膨出量よりも、その反対側の側面の膨出量の方が大きく、
前記樹脂コアの内部応力は、前記引き出し方向側の部分での内部応力よりも、その反対側の部分での内部応力の方が大きいことを特徴とする電子装置を提供する。
【００１１】
また、本発明は、実装基板と、
半導体装置と、
を有し、
前記半導体装置は、
基板と、
前記基板上に形成された電極パッドと、
前記電極パッドを露出させる開口を有し、前記基板上に形成された保護絶縁膜と、
樹脂コアと、
前記樹脂コアの頂面上から前記開口内の前記電極パッド上に亘って形成された導電膜と、
を有し、
前記実装基板は、
基板本体と、
前記基板本体上に形成された電極と、
を有し、
前記実装基板の前記電極の前記頂面に対して前記樹脂コア上の前記導電膜が接触し、
前記電極の頂面は、前記導電膜の引き出し方向に向けて下り傾斜していることを特徴とする電子装置を提供する。
【００１２】
また、本発明は、電極パッドが形成された基板上に、前記電極パッドを露出させる開口を有する保護絶縁膜を形成する工程と、
樹脂により樹脂コアを形成する工程と、
前記樹脂コアの頂面上から前記開口内の前記電極パッド上に亘って導電膜を形成する工程と、
を有し、
前記樹脂コアを形成する工程では、
前記頂面からの前記導電膜の引き出し方向における前記頂面の幅をＷとすると、
前記頂面において、前記引き出し方向側におけるＷ／２よりも広い範囲の部分が、前記引き出し方向に向けて下り傾斜するように、
前記樹脂コアを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、樹脂コア上に形成された導電膜における引き出し方向側の部分への応力に起因して、導電膜が損傷してしまうことを、十分に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置の平面図である。
【図２】第１の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図３】第１の実施形態に係る半導体装置の樹脂コアの断面形状を示す図である。
【図４】第１の実施形態に係る電子装置の断面図である。
【図５】第１の実施形態の変形例に係る半導体装置の樹脂コアの断面形状を示す図である。
【図６】第２の実施形態に係る半導体装置の平面図である。
【図７】第２の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図８】第３の実施形態に係る半導体装置の平面図である。
【図９】第３の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図１０】第３の実施形態の変形例に係る半導体装置の断面図である。
【図１１】第４の実施形態に係る半導体装置の平面図である。
【図１２】第４の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【図１３】第５の実施形態に係る実装基板の断面図である。
【図１４】第６の実施形態に係る半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様の構成要素には同一の符号を付し、適宜に説明を省略する。
【００１６】
〔第１の実施形態〕
図１は第１の実施形態に係る半導体装置１００の平面図である。図２（ａ）〜（ｃ）は、それぞれ図１のＸ−Ｘ矢視断面図である。このうち図２（ａ）は実装時の初期段階での状態を示し、図２（ｂ）は実装時において図２（ａ）よりも後の状態を示し、図２（ｃ）は実装が完了した状態を示す。図３は第１の実施形態に係る半導体装置１００の樹脂コア４の断面形状を示す図である。
【００１７】
図２（ａ）に示すように、本実施形態に係る半導体装置１００は、半導体基板（基板）１と、電極パッド２と、保護絶縁膜３と、を有している。電極パッド２は、半導体基板１上に金属膜を選択的に形成することによって、半導体基板１上に設けられている。保護絶縁膜３は、半導体基板１上及び電極パッド２上に形成されている。この保護絶縁膜３には、電極パッド２の上面を露出させる開口３ａが形成されている。
【００１８】
半導体装置１００は、更に、樹脂により構成された樹脂コア４を有している。樹脂コア４は、例えば、半導体基板１の板面方向において、開口３ａとは離間した位置に配置されている。本実施形態の場合、樹脂コア４は、保護絶縁膜３上に形成されている。
【００１９】
半導体装置１００は、更に、導電膜５を有している。導電膜５は、樹脂コア４の頂面６上から開口３ａ内の電極パッド２上に亘って形成されている。
より具体的には、導電膜５は、例えば、樹脂コア４の頂面６上、樹脂コア４の側面のうち開口３ａ側の側面８上、この側面８と開口３ａとの間に位置する保護絶縁膜３上、及び、開口３ａ内の電極パッド２上に亘って連続的に形成されている。
【００２０】
ここで、樹脂コア４と、導電膜５において樹脂コア４上に形成された部分（以下、この部分を電極膜５ａという）とにより、樹脂コアバンプ７が構成されている。
また、導電膜５において、電極膜５ａ以外の部分、すなわち、電極膜５ａと、開口３ａ内において露出した電極パッド２と、を接続する部分は、以下、配線５ｂという。
以下、頂面６からの導電膜５の引き出し方向（図中の矢印Ａ方向）を、単に、引き出し方向Ａという。
【００２１】
本実施形態に係る半導体装置１００の樹脂コア４は、以下のような形状的な特徴を有している。
引き出し方向Ａにおける樹脂コア４の頂面６の幅をＷとすると、頂面６において、引き出し方向Ａ側における幅Ｗ／２よりも広い範囲の部分が、引き出し方向Ａに向けて下り傾斜している。ここで、下り傾斜とは、頂面６が半導体基板１に近づく方向に傾斜することを意味する。
本実施形態の場合、例えば、頂面６の全域が、引き出し方向Ａに向けて下り傾斜している。すなわち、頂面６は、引き出し方向Ａとは反対側の端部６ａから、引き出し方向Ａの端部６ｂに亘って、下り傾斜している。
【００２２】
なお、頂面６の傾斜角度（頂面６の傾斜している部分と半導体基板１の板面とのなす角度）は、例えば、５度以上３０度以下であることが好ましい。
【００２３】
樹脂コア４上の導電膜５（電極膜５ａ）は、樹脂コア４に沿って形成されている。このため、頂面６上の電極膜５ａも、頂面６と同様に引き出し方向Ａに向けて下り傾斜している。
【００２４】
図１に示すように、樹脂コア４は、例えば、平面視において矩形状に形成されている。なお、樹脂コア４の平面形状は、その他の形状であっても良い。
また、樹脂コア４は、例えば、裾広がりの形状とされ、各側面はテーパー状に形成されている。そして、図１に示すように、頂面６は、平面視において、引き出し方向Ａに向けて幅広に形成されている。なお、平面視における頂面６の幅は、引き出し方向Ａにおいて一定であっても良い。
【００２５】
導電膜５（電極膜５ａ）は、例えば、頂面６上において、引き出し方向Ａのほぼ全域に亘って延在している。
導電膜５は、例えば、樹脂コア４の側面のうち、引き出し方向Ａとは反対側の側面９上には形成されていないことが好ましい。より具体的には、例えば、導電膜５は、樹脂コア４の側面のうち、引き出し方向側の側面８以外の側面上には形成されていない。ただし、導電膜５は、樹脂コア４の側面のうち、引き出し方向側の側面８以外の側面上に形成されていても良い。
【００２６】
なお、樹脂コア４の横断面形状は、以下のような特徴を有している。
図３に示すように、引き出し方向Ａにおける樹脂コア４の幅をＷ２とする。樹脂コア４において、引き出し方向Ａ側における幅Ｗ２／２の半部４ａの断面積Ｓ１が、引き出し方向Ａとは反対側における幅Ｗ２／２の残部４ｂの断面積Ｓ２よりも小さい。
【００２７】
このように、樹脂コア４は、引き出し方向Ａにおいて非対称（図２及び図３において左右非対称）に形成されている。
【００２８】
なお、図１に示すように、半導体装置１００には、複数の樹脂コアバンプ７を設けることができ、例えば、導電膜５の延在方向が互いに平行となるように、樹脂コア４及び導電膜５の対を並列に配置することができる。
【００２９】
次に、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する。
【００３０】
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、以下の第１乃至第３工程を有する。第１工程では、電極パッド２が形成された基板（半導体基板１）上に、電極パッド２を露出させる開口３ａを有する保護絶縁膜３を形成する。第２工程では、樹脂により樹脂コア４を形成する。第３工程では、樹脂コア４の頂面６上から開口３ａ内の電極パッド２上に亘って導電膜５を形成する。そして、第２工程では、頂面６からの導電膜５の引き出し方向Ａにおける頂面６の幅をＷとすると、頂面６において、引き出し方向Ａ側におけるＷ／２よりも広い範囲の部分が、引き出し方向Ａに向けて下り傾斜するように、樹脂コア４を形成する。
以下、詳細に説明する。
【００３１】
先ず、半導体基板１に、回路を構成するトランジスタなどの素子（図示略）を形成し、さらに半導体基板１上に多層配線層（図示略）を形成する。この多層配線層は、最上層に電極パッド２を有する。
次に、多層配線層上に保護絶縁膜３を形成する。保護絶縁膜３は、例えば、シリコン酸化膜、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層膜、或いは、シリコン窒化膜により構成することができる。
次に、保護絶縁膜３を選択的に除去することにより、開口３ａを形成する。開口３ａは、電極パッド２上に位置しており、保護絶縁膜３から電極パッド２を露出させる。
【００３２】
次に、保護絶縁膜３上及び電極パッド２上に、感光性樹脂膜（図示略）をスピンコーティング法などにより形成する。
次に、フォトマスク（図示略）を介して感光性樹脂膜を部分的に露光した後で現像することにより、感光性樹脂膜を保護絶縁膜３上に選択的に残留させる。ここで、感光性樹脂膜の露光を多階調マスクを用いて行うことによって、例えば、現像後の段階での感光性樹脂膜の頂面が引き出し方向Ａに向けて階段状に下るような形状となるようにする。
次に、熱処理により感光性樹脂膜を硬化させる。この熱処理の際には、感光性樹脂膜の頂部を加熱により流動及び変形させる。これにより、現像後には階段状であった感光性樹脂膜の頂面を、引き出し方向Ａに向けて均一な傾斜角度で下り傾斜する形状となるように感光性樹脂膜を加工する（感光性樹脂膜の形状を鈍らせる）ことができる。
こうして、感光性樹脂膜により構成される樹脂コア４を、上述したような頂面６が傾斜した形状となるように、保護絶縁膜３上に形成することができる。
【００３３】
次に、樹脂コア４上から開口３ａ内の電極パッド２上に亘って導電膜５を形成する。
すなわち、樹脂コア４上、保護絶縁膜３上及び開口３ａ内の電極パッド２上に金属膜（例えばＡｕ膜：図示略）をスパッタリング法等により形成した後、この金属膜上にレジストパターン（図示略）を形成する。次に、このレジストパターンをマスクとして金属膜をエッチングすることにより、金属膜を選択的に除去し、該金属膜を導電膜５の形状に加工する。その後、レジストパターンを除去する。
こうして、半導体装置１００を製造することができる。
【００３４】
次に、本実施形態に係る電子装置１５０を説明する。
図４は実施形態に係る電子装置１５０の断面図である。
本実施形態に係る電子装置１５０は、本実施形態に係る半導体装置１００と、電極１５２を有する実装基板１５１と、を有している。そして、実装基板１５１の電極１５２に対して樹脂コアバンプ７が接続されている。すなわち、電極１５２に対して樹脂コア４上の導電膜５（つまり電極膜５ａ）が接触している。
【００３５】
半導体装置１００を図４に示すように実装基板１５１に実装することにより、電子装置１５０を製造することができる。
すなわち、半導体装置１００の樹脂コアバンプ７を実装基板１５１の電極１５２に接続することにより、半導体装置１００を実装基板１５１に対して実装し、半導体装置１００と実装基板１５１とを相互に電気的に接続することができる。なお、電極１５２は、例えばランドであるが、ランドに限定されない。
半導体装置１００を実装基板１５１に実装した後は、更に、実装基板１５１と半導体装置１００との間隔に実装封止樹脂（図示略）を充填及び硬化させることができる。
ここで、半導体装置１００が液晶表示装置用のドライバである場合、半導体装置１００は、ガラス基板である実装基板１５１にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）実装する。
或いは、半導体装置１００は、実装基板１５１としての配線基板に実装しても良いし、フィルム基板にＣＯＦ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｆｉｌｍ）実装しても良い。
樹脂コアバンプ７は、実装により外部電極としての電極１５２と相互に押し付けられることによって、圧縮され変形する（潰れる）。
【００３６】
ここで、図２を参照して、実装時における樹脂コアバンプ７の挙動を説明する。
【００３７】
先ず、半導体装置１００において樹脂コアバンプ７が形成されている面と、実装基板１５１（図４）において電極１５２が形成されている面とを対向させ、これら両面を互いに近づけることにより、電極１５２に対して電極膜５ａを接触させる（図２（ａ））。ここで、樹脂コア４の頂面６が引き出し方向Ａに向けて下り傾斜しているため、図２（ａ）に示すように、電極膜５ａにおいて引き出し方向Ａとは反対側の端部が先に電極１５２に接触する。
【００３８】
その後、電極１５２と電極膜５ａとの良好な密着が得られるように、更に半導体装置１００と実装基板１５１とを互いに近づけることにより、樹脂コアバンプ７は徐々に押し潰される。ここで、樹脂コアバンプ７は、頂面６における引き出し方向Ａとは反対側の端部６ａの周辺の樹脂が押し退けられる力を受ける。このため、樹脂コア４は、端部６ａに近い側面（引き出し方向Ａとは反対側の側面９を含む）が外方に大きく膨出する（図２（ｂ）、図２（ｃ））。
【００３９】
一方、樹脂コア４において端部６ａから遠い部分には、端部６ａから遠い側面（つまり引き出し方向Ａ側の側面８）が大きく膨らむ程の力は受けない（図２（ｂ）、図２（ｃ））。このため、側面８上の電極膜５ａに加わる応力を抑制することができる。
ここで、例えば、頂面６上の電極膜５ａがその全面に亘って電極１５２に接触し、側面８が僅かに膨らんだ状態（図２（ｃ））で電極１５２に対する樹脂コアバンプ７の押し込みが止まる（実装が完了する）ように設計することにより、導電膜５に対し、断線するほどの応力は加わらないようにすることができ、導電膜５の断線を抑制することが可能となる。
【００４０】
樹脂コアバンプ７の電極膜５ａと実装基板１５１の電極１５２とは、樹脂コア４における端部６ａの近傍の部位の弾性力により、良好な密着状態に保持されるため、電極膜５ａと電極１５２とを確実に電気的に接続することができる。
【００４１】
このような実装により電子装置１５０が得られるため、電子装置１５０は、以下の特徴を有する。
すなわち、樹脂コア４の側面の側方への膨出量は、引き出し方向Ａの側面８の膨出量よりも、その反対側の側面９の膨出量の方が大きい。また、樹脂コア４の内部応力は、引き出し方向Ａ側の部分（端部６ｂ及び側面８の近傍の部分）での内部応力よりも、その反対側の部分（端部６ａ及び側面９の近傍の部分）での内部応力の方が大きい。
【００４２】
また、実装時は、樹脂コアバンプ７と電極１５２との間に生じる側断面形状がくさび状の空間１０（図２（ａ）、図２（ｂ））を徐々に埋めながら電極膜５ａと電極１５２とが密着していく動作となる。このため、ＮＣＦ（Non Conductive Film）に代表される実装樹脂や空気などの不要物を、電極膜５ａと電極１５２との間からスムーズに排除することができるので、両者の安定した電気的接続を実現することが可能である。
【００４３】
なお、樹脂コア４の引き出し方向Ａの側面８以外の側面（例えば、側面９を含む３つの側面）は、導電膜５で覆われていない方が実装時の膨らみが容易に生じるようにできるため好ましいが、導電膜５で覆われていても良い。
【００４４】
また、上述のように、頂面６は、平面視において、引き出し方向Ａに向けて幅広に形成されている。逆に言えば、引き出し方向Ａの反対方向に向けて幅狭に形成されている。このため、頂面６は、端部６ａの近傍の部分の平面積が、端部６ｂの近傍の部分の平面積と比べて相対的に小さい。よって、樹脂コア４の端部６ａの近傍の部分において、加圧による変形量（押し潰される量）を大きくすることができるとともに、端部６ｂの近傍の部分の変形量を小さくすることができる。よって、相乗的に、側面８上の電極膜５ａに加わる応力を抑制することができる。
【００４５】
以上のような第１の実施形態によれば、樹脂コア４の頂面６において、導電膜５の引き出し方向Ａ側におけるＷ／２よりも広い範囲の部分が、引き出し方向Ａに向けて下り傾斜している。これにより、実装時の圧力によって樹脂コア４の側面が膨出する際に、樹脂コア４の引き出し方向側の側面８の膨出量を、その反対側の側面９の膨出量と比べて抑制することができる。その結果、樹脂コア４上に形成された導電膜５における引き出し方向側の部分への応力を抑制することができる。よって、樹脂コア４上に形成された導電膜５における引き出し方向側の部分への応力に起因して、導電膜５が損傷（断線など）してしまうことを、十分に抑制することができる。
【００４６】
＜第１の実施形態の変形例＞
図５は第１の実施形態の変形例に係る半導体装置の樹脂コア４の断面形状を示す図である。
【００４７】
上記の第１の実施形態では、樹脂コア４の頂面６が、引き出し方向Ａとは反対側の端部６ａから、引き出し方向Ａの端部６ｂに亘って、引き出し方向Ａに向けて下り傾斜している例を説明した。これに対し、この変形例では、図５に示すように、樹脂コア４の頂面６は、引き出し方向Ａの反対方向に向けて下り傾斜している部分６２を有している。ただし、本変形例でも、頂面６において、引き出し方向Ａ側における幅Ｗ／２よりも広い範囲の部分６１が、引き出し方向Ａに向けて下り傾斜している。
【００４８】
このような変形例によっても、上記の第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００４９】
〔第２の実施形態〕
図６は第２の実施形態に係る半導体装置２００の平面図である。図７（ａ）、（ｂ）は、それぞれ図６のＸ−Ｘ矢視断面図である。このうち図７（ａ）は実装前の状態を示し、図７（ｂ）は実装後の状態を示す。
【００５０】
本実施形態の場合、頂面６における引き出し方向Ａの端部６ｂと、樹脂コア４の底面１１における引き出し方向の端部１１ｂと、が交わっている（接している）。
【００５１】
例えば、小さい電流のみを扱う回路を備えた半導体装置の場合、実装基板側の電極１５２（図４）と樹脂コアバンプ７の電極膜５ａとの接触面積を小さくする代わりに、抵抗ばらつきに大きく影響する導電膜５の被覆性（樹脂コア４に対する電極膜５ａの被覆性）を向上させることが有益なことがある。このような場合に、図６及び図７に示すように、頂面６の傾斜面が樹脂コア４の底部まで形成された構造とすることにより、導電膜５の被覆性を向上させることができる。すなわち、図４の構造では同図において符号５ｃで示される導電膜５の一部分の膜厚がその周囲の部分と比べて薄くなってしまう可能性がある。これに対し、図６及び図７に示す構造とすることにより、樹脂コア４の端部１１ｂでの立ち上がりを図４の構造と比べて緩やかにできるため、図４の符号５ｃに対応する箇所、すなわち、図７において樹脂コア４の端部１１ｂの上に位置する導電膜５の膜厚を十分に厚く形成しやすくなる。
なお、本実施形態の場合、頂面６は、側面と捉えることもできる。
【００５２】
本実施形態の場合も、動作は第１の実施形態と同様であるが、図７からも明らかなように、樹脂コア４の底部４ｃでの頂面６（側面とも言える）の傾斜を第１の実施形態よりも容易に緩やかにすることができるので、導電膜５への応力を大きく緩和することができる。
【００５３】
〔第３の実施形態〕
図８は第３の実施形態に係る半導体装置３００の平面図である。図９は図８のＸ−Ｘ矢視断面図である。
【００５４】
実装時に樹脂コアバンプ７の高さばらつきを吸収するには、押圧時の樹脂コア４の変形量を大きくすることが望ましい。しかしながら、樹脂コア４の全体で均一に変形量を大きくすると、課題である導電膜５へのストレスも増加してしまう。この問題を解決する為には、引き出し方向Ａの側面８での樹脂コア４の膨出を抑えつつ、他の側面での膨出を増大させることが好ましい。
【００５５】
そこで、本実施形態では、図８及び図９に示すように、電極パッド２を樹脂コアバンプ７の下まで延長し、且つ保護絶縁膜３に開口３ｂを形成し、この開口３ｂ内の電極パッド２（以下、延長部２１という）上及び保護絶縁膜３上に樹脂コア４を設けた構造が好適である。
【００５６】
以下、その理由を説明する。
樹脂コア４の変形量を大きくする方法の一つとして、樹脂コア４を構成する樹脂が膨らむ余裕度を増やす、つまり頂面６の面積に対する側面の面積の比を増やす方法がある。
その方法としては、側面の傾斜を緩やかにすることによって側面の面積を増やす方法もあるが、半導体装置１００の面積を増やすことになり、現実的でない。
そのため、樹脂コア４の高さを大きくして側面の面積を増やす方法が好ましいが、樹脂コア４の占有面積をそのままにして全体的に高さを大きくすると樹脂コア４の裾部の傾斜が急峻となり、これも現実的でない。
【００５７】
そこで、本実施形態では、図８及び図９に示すように、電極パッド２を樹脂コアバンプ７の下まで延長し（電極パッド２に延長部２１を設け）、保護絶縁膜３に延長部２１を露出させる開口３ｂを形成し、樹脂コア４を形成する。ここで、樹脂コア４は、配線引き出し方向の底部のみ保護絶縁膜３上に配置し、残りの底部を電極パッド２の延長部２１上に配置する。すなわち、電極パッド２は、樹脂コア４の下の位置まで延在し、樹脂コア４の引き出し方向Ａとは反対側の端部の下地は、電極パッド２の一部分（延長部２１）であり、樹脂コア４の引き出し方向Ａの端部の下地は、電極パッド２の他の一部分の上に位置する保護絶縁膜３である。
【００５８】
これにより、引き出し方向Ａ側での樹脂コア４の高さ（図９の高さｈ２）を変更せずに、引き出し方向Ａとは反対側での樹脂コア４の高さ（図９の高さｈ１）を高くすることができる。すなわち、樹脂コア４の引き出し方向Ａとは反対側の端部の下地（つまり延長部２１）の高さが、樹脂コア４の引き出し方向Ａの端部の下地（つまり保護絶縁膜３）の高さよりも低い構造が得られる。
【００５９】
その結果、引き出し方向Ａとは反対側での樹脂コア４の膨出量が増加し、引き出し方向Ａとは反対側での押圧力の吸収性能を高めることができる。よって、引き出し方向Ａでの樹脂コア４の膨らみを抑制しつつ、他の側面の膨らみを増やすことができる。
すなわち、押圧時の樹脂コア４の変形量が増し、実装時の樹脂コアバンプ７の高さばらつきの吸収を一層好適に行うことができる。
【００６０】
＜第３の実施形態の変形例＞
図１０は第３の実施形態の変形例に係る半導体装置３５０の断面図である。
【００６１】
この変形例では、上記の第３の実施形態よりもｈ１／ｈ２比を大きくする為に、図１０に示すように、電極パッド２の延長部２１の形状を変更している。すなわち、上記の第３の実施形態では、樹脂コアバンプ７の全体の下に延長部２１が存在している例を説明したが、この変形例では、延長部２１は、樹脂コア４における引き出し方向Ａ側の端部の下まで存在し、樹脂コア４における引き出し方向Ａとは反対側の部分の下には延長部２１が存在していない。すなわち、樹脂コア４の引き出し方向Ａとは反対側の端部の下地は、半導体基板１であり、樹脂コア４の引き出し方向Ａの端部の下地は、電極パッド２の一部分（延長部２１）の上に位置する保護絶縁膜３である。これにより、上記の第３の実施形態よりもｈ１／ｈ２比を大きくし、押圧時の樹脂コア４の変形量を更に増すことができる。
【００６２】
〔第４の実施形態〕
図１１は第４の実施形態に係る半導体装置４００の平面図である。図１２は図１１のＸ−Ｘ矢視断面図である。
【００６３】
上記の各実施形態では、樹脂コア４の頂面６の全体が傾斜している例を説明した。しかし、樹脂コア４の頂面６の全体が傾斜していると、樹脂コア４或いは樹脂コアバンプ７の高さ測定などで光学測定器を使用している場合は、フォーカスずれなどにより正確に計測できない可能性がある。
【００６４】
そこで、本実施形態の場合、図１１及び図１２に示すように、樹脂コア４の頂面６の一部分は、樹脂コア４の底面と平行な平行部１２となっている。よって、光学測定器を使用して、樹脂コア４或いは樹脂コアバンプ７の高さ測定を好適に行うことができる。
【００６５】
なお、本実施形態の場合も、頂面６において、引き出し方向Ａ側における幅Ｗ／２よりも広い範囲の部分が、引き出し方向Ａに向けて下り傾斜しており、上記の第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００６６】
〔第５の実施形態〕
図１３は第５の実施形態に係る実装基板５００と、この実装基板５００に実装される半導体装置５５０と、を示す断面図である。
【００６７】
上記の各実施形態では、樹脂コア４の形状に特徴があるが、本実施形態では、実装基板の電極５０２の形状に特徴がある。
【００６８】
すなわち、本実施形態に係る実装基板５００は、板状の基板本体５０１と、基板本体５０１上に形成された電極５０２であって、樹脂コアバンプ７と電極パッド２とを有する半導体装置５５０の樹脂コアバンプ７と接触される電極５０２と、を有し、樹脂コアバンプ７は、樹脂により構成された樹脂コア４と、樹脂コア４の頂面６上から電極パッド２上に亘って形成された導電膜５における樹脂コア４上の部分（電極膜５ａ）と、を含み、電極５０２の頂面５０２ａは、導電膜５の引き出し方向Ａの反対方向に向けて下り傾斜している。ここで、下り傾斜とは、頂面５０２ａが基板本体５０１に近づく方向に傾斜することを意味する。
【００６９】
なお、本実施形態の半導体装置５５０においては、樹脂コア４の頂面６は、例えば、樹脂コア４の底面と平行に形成されている。その他の点では、本実施形態の半導体装置５５０は、上記の第１の実施形態に係る半導体装置１００と同様に構成されている。
【００７０】
本実施形態の場合、実装の際に、矢印Ｃ方向へと樹脂コアバンプ７が電極５０２に対して押し付けられると、樹脂コア４が傾斜した電極５０２によって矢印Ｂ方向に潰されるため、引き出し方向Ａの側面８の膨らみが生じないようにできる。よって、側面８上の導電膜５の損傷を抑制することができる。
また、両電極間（樹脂コアバンプ７と電極５０２との間）のくさび状の空間１３を徐々に埋めながら両電極が密着する動作となるため、両電極間の不要物（実装樹脂や空気など）をスムーズに排除する効果も併せて得られる。
【００７１】
〔第６の実施形態〕
図１４は第６の実施形態に係る半導体装置６００の断面図である。
【００７２】
上記の各実施形態では、樹脂コア４が、半導体基板１の板面方向において開口３ａとは離間した位置に配置されている例を説明した。これに対し、本実施形態では、図１４に示すように、樹脂コア４の一部分が、電極パッド２上にまで達するように形成されている。
このような第６の実施形態によっても、上記の各実施形態と同様の効果が得られる。
【符号の説明】
【００７３】
１ 半導体基板
２ 電極パッド
３ 保護絶縁膜
３ａ 開口
３ｂ 開口
４ 樹脂コア
４ａ 半部
４ｂ 残部
４ｃ 底部
５ 導電膜
５ａ 電極膜
５ｂ 配線
５ｃ 導電膜の一部分
６ 頂面
６ａ 端部
６ｂ 端部
７ 樹脂コアバンプ
８ 側面
９ 側面
１０ 空間
１１ 底面
１１ｂ 端部
１２ 平行部
１３ 空間
２１ 延長部
６１ 部分
６２ 部分
１００ 半導体装置
１５０ 電子装置
１５１ 実装基板
１５２ 電極
２００ 半導体装置
３００ 半導体装置
３５０ 半導体装置
４００ 半導体装置
５００ 実装基板
５０１ 基板本体
５０２ 電極
５０２ａ 頂面
５５０ 半導体装置
６００ 半導体装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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