(57)【要約】【課題】改良された固体電解コンデンサアセンブリを提供する。【解決手段】固体電解コンデンサ要素及びそこからある方向に延びるアノードリードと、第１及び第２のカソード端子と、アノード端子とを収容するコンデンサアセンブリを提供する。第１のカソード端子は、コンデンサ要素の下面と実質的に平行でかつそれと電気的に接触する第１の部分を収容し、第２のカソード端子は、コンデンサ要素の上面と実質的に平行でかつそれと電気的に接触する第２の部分を収容する。そのような「サンドウィッチ」構成により、カソード端子とコンデンサ要素の間の表面接触の程度が高められ、これは、熱を消散させることを助けることができ、かつそれが、通常は過熱を引き起こすと考えられるより高い電流が処理することを可能にする。端子はまた、高められた機械的支持を提供することができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
アノードと、該アノードの上に重なる誘電体層と、固体電解質を含む該誘電体層の上に重なるカソードとを含み、上面及び対向する下面を画定するコンデンサ要素と、
前記コンデンサ要素からある方向に延び、かつ前記アノードに電気的に接続されたアノードリードと、
前記アノードリードに電気的に接続された第１のアノード端子と、
前記コンデンサ要素の前記下面と実質的に平行でかつそれと電気的に接触する第１の部分を収容する第１のカソード端子と、
前記コンデンサ要素の前記上面と実質的に平行でかつそれと電気的に接触する第２の部分を収容する第２のカソード端子と、
前記コンデンサ要素を封入し、かつ前記第１のカソード端子、第２のカソード端子、第１のアノード端子、又はこれらの組合せの少なくとも一部分を露出したままにするケースと、
を含むことを特徴とするコンデンサアセンブリ。
【請求項２】
前記第１のアノード端子は、前記アノードリードの前記方向に対してある角度で位置決めされた第３の部分を収容し、該第３の部分は、該アノードリードの下側区画を受け取る上方に向いた凹部を画定することを特徴とする請求項１に記載のコンデンサアセンブリ。
【請求項３】
前記アノードリードの前記方向に対してある角度で位置決めされた第４の部分を収容する第２のアノード端子を更に含み、
前記第４の部分は、前記アノードリードの上側区画を受け取る下方に向いた凹部を画定する、
ことを特徴とする請求項２に記載のコンデンサアセンブリ。
【請求項４】
前記アノードリードは、前記上方及び下方に向いた凹部の間に位置決めされ、かつそれらと電気的に接触することを特徴とする請求項３に記載のコンデンサアセンブリ。
【請求項５】
前記凹部は、互いに嵌合することを特徴とする請求項４に記載のコンデンサアセンブリ。
【請求項６】
前記上方に向く凹部、前記下方に向く凹部、又はその両方は、Ｕ字形状を有することを特徴とする請求項４に記載のコンデンサアセンブリ。
【請求項７】
前記アノードは、タンタル、ニオブ、又はその導電性酸化物を含むことを特徴とする請求項１に記載のコンデンサアセンブリ。
【請求項８】
前記固体電解質は、二酸化マンガン、導電性ポリマー、又はその組合せを含むことを特徴とする請求項１に記載のコンデンサアセンブリ。
【請求項９】
コンデンサアセンブリを形成する方法であって、
アノードリードがそこからある方向に延びる固体電解コンデンサ要素を準備する段階と、
前記アノードリードが受け取られる凹部を収容する第１のアノード端子と、前記コンデンサ要素の下面と実質的に平行でかつそれと電気的に接触する第１の部分を収容する第１のカソード端子とを収容する第１のリードフレーム上に該コンデンサ要素を位置決めする段階と、
前記アノードリードを前記第１のアノード端子に電気的に接続する段階と、
前記コンデンサ要素の上面と実質的に平行でかつそれと電気的に接触する第２の部分を収容する第２のカソード端子を収容する該コンデンサ要素上に第２のリードフレームを位置決めする段階と、
前記コンデンサ要素を前記第１及び第２のカソード端子に電気的に接続する段階と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項１０】
導電性接着剤が、前記第１のカソード端子の前記第１の部分と前記コンデンサ要素の前記下面との間に配置されることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
導電性接着剤が、前記第２のカソード端子の前記第２の部分と前記コンデンサ要素の前記上面との間に配置されることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１２】
前記アノードリードは、前記凹部で前記第１のアノード端子にレーザ溶接されることを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記第１のアノード端子は、前記アノードリードの前記方向に対してある角度で位置決めされた第３の部分を収容し、該第３の部分は、該アノードリードの下側区画を受け取る上方に向く凹部を画定することを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１４】
前記第２のリードフレームは、前記アノードリードの前記方向に対してある角度で位置決めされた第４の部分を収容する第２のアノード端子を更に含み、該第４の部分は、該アノードリードの上側区画を受け取る下方に向く凹部を画定することを特徴とする請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記アノードリードは、前記上方及び下方に向く凹部の間に位置決めされ、かつそれらと電気的に接触されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記凹部は、互いに嵌合することを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記凹部は、Ｕ字形状を有することを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１８】
前記コンデンサ要素を前記第１のカソード端子、第２のカソード端子、第１のアノード端子、又はその組合せの少なくとも一部分が露出したままにするようにケースに封入する段階を更に含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【請求項１９】
前記コンデンサ要素は、アノードと、該アノードの上に重なる誘電体層と、固体電解質を含む該誘電体層の上に重なるカソードとを含むことを特徴とする請求項９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
固体電解コンデンサ（例えば、タンタルコンデンサ）は、電子回路の小型化への主な寄与因子であり、かつそのような回路の極端な環境での適用を可能にしている。多くの従来型の電解コンデンサは、プリント基板上に表面装着することができる端子を有して形成される。例えば、金属リードフレームには、アノード及びカソード端子が多くの場合に設けられる。アノード端子は、コンデンサの方向に上方に曲がってアノードから延びるワイヤに溶接された部分を収容することができる。カソード端子は、平坦であり、かつコンデンサの底面を受け取ることができる。しかし、こうした従来型の固体電解コンデンサに伴う１つの問題は、リップル周波数が、抵抗性欠陥部を横切る電流フローに起因して有害な熱をコンデンサ内部に発生させる可能性があることであり、それは、比較的高い等価直列抵抗（ＥＳＲ）をもたらす。従って、改良された固体電解コンデンサアセンブリの必要性が目下存在する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００２】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００６／００３８３０４号
【特許文献２】米国特許第６，３２２，９１２号
【特許文献３】米国特許第６，３９１，２７５号
【特許文献４】米国特許第６，４１６，７３０号
【特許文献５】米国特許第６，５２７，９３７号
【特許文献６】米国特許第６，５７６，０９９号
【特許文献７】米国特許第６，５９２，７４０号
【特許文献８】米国特許第６，６３９，７８７号
【特許文献９】米国特許第７，２２０，３９７号
【特許文献１０】米国特許出願公開第２００５／００１９５８１号
【特許文献１１】米国特許出願公開第２００５／０１０３６３８号
【特許文献１２】米国特許出願公開第２００５／００１３７６５号
【特許文献１３】米国特許第６，１９７，２５２号
【特許文献１４】米国特許第４，０８５，４３５号
【特許文献１５】米国特許第４，９４５，４５２号
【特許文献１６】米国特許第５，１９８，９６８号
【特許文献１７】米国特許第５，３５７，３９９号
【特許文献１８】米国特許第５，３９４，２９５号
【特許文献１９】米国特許第５，４９５，３８６号
【特許文献２０】米国特許第６，１９１，９３６号
【特許文献２１】米国特許第５，９４９，６３９号
【特許文献２２】米国特許第３，３４５，５４５号
【特許文献２３】米国特許出願公開第２００５／０２７０７２５号
【特許文献２４】米国特許第６，６７４，６３５号
【特許文献２５】米国特許第５，４５７，８６２号
【特許文献２６】米国特許第５，４７３，５０３号
【特許文献２７】米国特許第５，７２９，４２８号
【特許文献２８】米国特許第５，８１２，３６７号
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】Ｂｒｕａｎａｕｅｒ、Ｅｍｍｅｔ、及びＴｅｌｌｅｒ、「米国化学学会誌」、第６０巻，１９３８年，ｐ．３０９
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の一実施形態により、アノードと、アノードの上に重なる誘電体層と、固体電解質を含む誘電体層の上に重なるカソードとを含むコンデンサ要素を含むコンデンサアセンブリを開示する。アノードリードは、コンデンサ要素からある一定の方向に延び、かつアノードに電気的に接続される。第１のアノード端子は、アノードリードに電気的に接続される。アセンブリはまた、コンデンサ要素の下面と実質的に平行でかつそれと電気的に接触する第１の部分を収容する第１のカソード端子と、コンデンサ要素の上面と実質的に平行でかつそれと電気的に接触する第２の部分を収容する第２のカソード端子とを含む。
【０００５】
本発明の別の実施形態により、コンデンサアセンブリを形成する方法を開示する。本方法は、アノードリードがそこからある一定の方向に延びる固体電解質コンデンサ要素を準備する段階と、アノードリードが受け取られる凹部を収容する第１のアノード端子と、コンデンサ要素の下面と実質的に平行でかつそれと電気的に接触する第１の部分を収容する第１のカソード端子とを収容する第１のリードフレーム上にコンデンサ要素を位置決めする段階と、アノードリードを第１のアノード端子に電気的に接続する段階と、コンデンサ要素の上面と実質的に平行でかつそれと電気的に接触する第２の部分を収容する第２のカソード端子を収容するコンデンサ要素上に第２のリードフレームを位置決めする段階と、コンデンサ要素を第１及び第２のカソード端子に電気的に接続する段階とを含む。
【０００６】
本発明の他の特徴及び態様をより詳細に以下に説明する。
【０００７】
当業者のためのその最良のモードを含む本発明の完全かつ権限付与する開示を添付図面への参照を含んで本明細書の残り部分でより詳細に説明する。
【０００８】
本明細書及び図面における参照文字の反復使用は、本発明の同じか又は類似の特徴又は要素を表すことを意図している。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１のアノード端子及び第１のカソード端子にコンデンサ要素を取り付ける一実施形態の斜視図である。
【図２】第１のカソード及びアノード端子に取り付けられた図１のコンデンサ要素を収容するアセンブリの斜視図である。
【図３】第２のアノード端子及び第２のカソード端子に図２のアセンブリを取り付ける一実施形態の斜視図である。
【図４】第１及び第２のアノード及びカソード端子に取り付けられた図１のコンデンサ要素を収容するアセンブリの斜視図である。
【図５】図４のコンデンサアセンブリの側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本説明は、単に例示的な実施形態の説明であり、本発明のより広範な態様の制限としては意図されないことは当業者によって理解されるものとする。
【００１１】
一般的に、本発明は、固体電解質コンデンサ要素及びそれからある一定の方向に延びるアノードリードと、第１及び第２のカソード端子と、アノード端子とを収容するコンデンサアセンブリに関する。第１のカソード端子は、コンデンサ要素の下面と実質的に平行でかつそれと電気的に接触する第１の部分を収容し、第２のカソード端子は、コンデンサ要素の上面と実質的に平行でかつそれと電気的に接触する第２の部分を収容する。そのような「サンドイッチ」構成により、カソード端子とコンデンサ要素の間の表面接触の程度が高められ、これは、熱を消散させることを助けることができ、かつそれが通常は過熱を引き起こすと考えられるより高い電流が処理することを可能にする。この端子はまた、高められた機械的支持も提供することができる。
【００１２】
図４及び図５を参照すると、コンデンサ要素３３に電気的に接触する第１のカソード端子７２及び第２のカソード端子１７２を含むコンデンサアセンブリ３０の一実施形態が示されている。より詳細には、第１のカソード端子７２は、コンデンサ要素３３の下面３９と実質的に平行でかつそれと電気的に接触する第１の部分７３を収容する。第１のカソード端子７２はまた、部分７４を収容することができる。「平坦」構成で示されているが、部分７４は、第１の部分７３に対してある一定の角度で（例えば、実質的に直角に）、かつ任意的に、コンデンサ要素３３の後面３８に電気的に接触して配置することができる。この点に関して、部分７４は、曲げられるその機能を容易にするために開口７６を形成することができる。一体形であるとして表されているが、これらの部分は、代替的に、直接に又は付加的な導電性要素（例えば、金属）を通じてのいずれかで互いに接続した個別部分とすることができる。
【００１３】
第２のカソード端子１７２は、コンデンサ要素３３の上面３７と実質的に平行でかつそれと電気的に接触する第２の部分１７３を同様に含む。上述のように、第２のカソード端子１７２は、部分１７４も収容することができ、これは、「平坦」であるか又は第２の部分１７３に対してある一定の角度で（例えば、実質的に直角に）、かつ任意的にコンデンサ要素３３の後面３８に電気的に接触して配置することができる。
【００１４】
図示のように、コンデンサアセンブリは、コンデンサ要素３３のアノードリード１６に電気的に接触する第１のアノード端子６２も収容する。アノードリード１６（例えば、ワイヤ、シートなど）は、前面３６、後面３８、上面３７及び／又は下面３９のようなコンデンサ要素３３のいずれかの表面から延びている。例えば、図示の実施形態では、リード１６は、コンデンサ要素３３の前面３６から縦方向「Ａ」に延びる埋め込みワイヤの形態である。アノードリード１６は、タンタル、ニオブ、ニッケル、アルミニウム、ハフニウム、チタン、並びにそれらの酸化物及び／又は窒化物のような導電材料から形成される。リード１６は、コンデンサ要素３３のアノードと電気的に接触され、かつ抵抗又はレーザ溶接を使用してリードを連結するか、リード１６をアノード内にその形成中に（例えば、焼結の前に）埋め込むか、その他によるような当業技術に公知の様々な方法でアノードに接続される。
【００１５】
図示の実施形態では、第１のアノード端子６２は、リード１６が延びる方向に対してある一定の角度で位置決めされた第３の部分６４を含む。例えば、第３の部分６４は、縦方向「Ａ」に対して実質的に直角（例えば、９０°±５°）とすることができる。第３の部分６４の上面５３は、アノードリード１６を受け取るための凹部５１（図１を参照されたい）を形成する。必要に応じて、第３の部分６４は、アノード端子６２のコンデンサ要素３３にそれを接続する時の取扱を容易にする開口部６９も形成することができる。開口部６９は、対向するアーチ形表面の間に形成することができ（図３を参照されたい）、それは、強度を高めるのに役立つ。第１のアノード端子６２は、コンデンサ要素３３の下面３９に対して実質的に平行にかつ第３の部分６４に対して実質的に直角に配置される任意的な第４の部分６３も含むことができる。第４の部分６３は、得られるコンデンサアセンブリ内で「平坦」構成に留まることができ、又はそのように所望される時はそれは、傾斜の形態に曲げることができる。一体形であるとして表されているが、代替的に、これらの部分は、直接に又は付加的な導電性要素（例えば、金属）を通じてのいずれかで互いに接続される個別部分とすることができることも理解すべきである。
【００１６】
任意的に、第２のアノード端子１６２を使用することもできる。図示の実施形態では、第２のアノード端子１６２は、リード１６が延びる方向に対してある一定の角度で（例えば、縦方向「Ａ」に実質的に直角に）配置された第５の部分１６４を含む。第５の部分１６４の下面１５３は、アノードリード１６を受け取るための凹部１５１（図３を参照されたい）を形成する。第５の部分１６４は、アノード端子１６２の取扱を容易にするための開口部１６９を形成することもできる。上記と同様に、第２のアノード端子１６２は、コンデンサ要素３３の下面３９に対して実質的に平行にかつ第５の部分１６４に対して実質的に直角に配置される任意的な第６の部分１６３も含むことができる。第６の部分１６３は、得られるコンデンサアセンブリ内で「平坦」構成に留まることができ、又はそのように所望される時には、それは、傾斜の形態に曲げることができる。
【００１７】
アノード端子内の凹部５１及び１５１は、本明細書では１つの特定の表面に位置するとして示されている。それにも関わらず、凹部は、それぞれのアノード端子の他の表面上にも位置することができることは理解すべきである。更に、特に複数のアノードリードが使用される実施形態では、１つよりも多い凹部を各アノード端子内に形成することができる。更に、付加的な端子をそのような凹部を有して又は有さずに使用することができる。いずれにしても、第１及び第２の端子の凹部５１及び１５１は、アノードリード１６がその間に配置されるようにして互いに組み合わせることができる。より詳細には、アノードリード１６の下側区画１６ａは、凹部５１に隣接して配置することができ、アノードリード１６の上側区画１６ｂは、凹部１５１に隣接して配置することができる。凹部５１及び１５１の形状及びサイズは、アノードリード１６の望ましい区画を収容するのに要求されるように変えることができる。例えば、図示の実施形態では、凹部５１及び１５１の両方は、互いに組み合わせた時に円筒形のアノードリード１６を収容するための楕円形又は円形スロットを形成することができる湾曲した形状を有する。言うまでもなく、他の形状及び／又はサイズも適合する。組み合わせた凹部によって形成されるスロットに関する例示的な実施形態としては、例えば、円形、楕円形、長円形、矩形、菱形、正方形などを含むことができる。同様に、凹部それら自体に関する例示的な形状としては、例えば、湾曲形状（例えば、Ｕ字形、半球形など）、Ｖ字形状などを含むことができる。
【００１８】
導電性金属（例えば、銅、ニッケル、銀、ニッケル、亜鉛、錫、パラジウム、鉛、銅、アルミニウム、モリブデン、チタン、鉄、ジルコニウム、マグネシウム、及びそれらの合金）のようなあらゆる導電材料を上述の端子を形成するために用いることができる。特に適切な導電性金属としては、例えば、銅、銅合金（例えば、銅−ジルコニウム、銅−マグネシウム、銅−亜鉛、又は銅−鉄）、ニッケル、及びニッケル合金（例えば、ニッケル−鉄）が挙げられる。端子の厚みは、コンデンサの厚みをできるだけ小さくするように一般的に選択される。例えば、端子の厚みは、約０．０５から約１ミリメートル、一部の実施形態では、約０．０５から約０．５ミリメートル、かつ約０．０７から約０．２ミリメートルの範囲にすることができる。一例示的導電材料は、Ｗｉｅｌａｎｄ（ドイツ）から市販されている銅−鉄合金メタルプレートである。必要に応じて、回路基板に完成部分が装着可能であることを保証するために、当業技術で公知のように、端子の表面をニッケル、銀、金、錫などで電気メッキすることができる。１つの特定的な実施形態では、端子の両面は、それぞれニッケル及び銀フラッシュでメッキされ、一方、装着の表面は、錫半田層でこれもメッキされる。
【００１９】
ここで、コンデンサ要素が端子に取付けられる例示的な方式を図１及び図３を参照して以下により詳細に説明する。単純化のために、単一のコンデンサアセンブリのみを説明する。しかし、リードフレームは、複数の端子を収容することができ、それらが個別のコンデンサアセンブリに切断されることを理解すべきである。図１を参照すると、上述のような第１のアノード及びカソード端子６２及び７２を収容する第１のリードフレームの一部分が示されている。リードフレームの一部分のみが示されており、かつそれは、明白には示されないが他の構成要素を一般的に収容することになることを理解すべきである。例えば、端子は、コンデンサの製造中にその後に除去されるメタルシートを通じて最初に接続することができる。
【００２０】
図１の第１のリードフレームは、第１の部分６４が部分６３から上方に曲げられており、カソード端子７２が「平坦」構成にある構成で示されている。図１において方向矢印で示すように、コンデンサ要素３３は、その下面３９が第１のカソード端子７２の部分７３に接触するように、かつアノードリード１６が凹部５１で受け取られるようにして配置される。必要に応じて、導電性接着剤（図示せず）が第１のカソード端子７２とコンデンサ要素３３の間に配置され、取付の程度が改善される。導電性接着剤は、例えば、樹脂組成物が含有された導電性金属粒子を含むことができる。金属粒子は、銀、銅、金、白金、ニッケル、亜鉛、ビスマス、その他とすることができる。樹脂組成物は、熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ樹脂）、硬化剤（例えば、酸無水物）、及びカプリング剤（例えば、シランカプリング剤）を含むことができる。１つの特に適切な接着剤は、「Ｅｍｅｒｓｏｎ  ａｎｄ  Ｃｕｍｉｎｇ」から「Ａｍｉｃｏｎ  ＣＥ３５１３」の名称で市販されている銀充填エポキシ樹脂である。他の適切な導電性接着剤は、Ｏｓａｋｏ他に付与された米国特許出願公開第２００６／００３８３０４号に説明されており、この出願は、全ての目的に対して本明細書においてその全内容が引用により組み込まれている。
【００２１】
アノードリード１６は、機械的接合、レーザ溶接、導電性接着剤などのような当業技術で公知のいずれかの技術を用いて、凹部５１で第１の端子６２に電気的に接続することができる。一実施形態では、例えば、アノードリード１６は、凹部５１で溶接される（例えば、レーザ溶接される）。
【００２２】
図２の「予備アセンブリ」が形成された状態で、第２のリードフレームをそれに接続することができる。より具体的には、図３の第２のリードフレームは、第２の部分１６４が部分１６３から上方に曲げられ、かつカソード端子１７２が「平坦」構成にある構成で示されている。図３において方向矢印で示すように、コンデンサ要素３３は、その上面３７が第２のカソード端子１７２の部分１７３に接触するように、かつアノードリード１６が凹部５１で受け取られるようにして配置される。必要に応じて、導電性接着剤（図示せず）が、第２のカソード端子１７２とコンデンサ要素３３の間に配置され、取付の程度が改善される。アノードリード１６は、機械的接合、レーザ溶接、導電性接着剤などのような当業技術で公知のいずれかの技術を用いて、凹部１５１で第２の端子１６２に電気的に接続することができる。一実施形態では、例えば、アノードリード１６は、導電性接着剤を用いて凹部５１で接続される。使用されるあらゆる接着剤は、次に、公知の技術を用いて硬化させることができる。例えば、ヒートプレスは、熱及び圧力を印加するために使用することができ、コンデンサ要素３３が、第１のカソード端子７２、第２のカソード端子１７２、及び第２のアノード端子１６２に十分に接着されることが保証される。得られたコンデンサアセンブリ３０は、図４に示されている。
【００２３】
コンデンサ要素が取り付けられた状態で、リードフレームは、樹脂ケーシング５８（図５）内部に包み込まれ、このケーシングは、シリカ又はあらゆる他の公知の封入材料で充填される。ケースの幅及び長さは、意図された用途に基づいて変えることができる。適切なケーシングとしては、例えば、「Ａ」、「Ｂ」、「Ｆ」、「Ｇ」、「Ｈ」、「Ｊ」、「Ｋ」、「Ｌ」、「Ｍ」、「Ｎ」、「Ｐ」、「Ｒ」、「Ｓ」、「Ｔ」、「Ｗ」、「Ｙ」、又は「Ｘ」ケース（ＡＶＸ  Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）を含むことができる。封入の後、それぞれの第１のアノード及びカソード端子６２及び７２の露出部分２６２及び２７２は、切り取られ、及び／又はケーシング５８の外側に沿って曲げることができる（例えば、約９０°の角度で）。同様に、それぞれの第１のアノード及びカソード端子１６２及び１７２の露出部分３６２及び３７２も切り取られ、かつケーシング５８の外側に沿って曲げることができる（例えば、約９０°の角度で）。このようにして、露出部分は、完成コンデンサアセンブリ３０のためのＪ字形状のリードを各々形成することができるが、あらゆる他の公知の形態も本発明によって形成することができる。
【００２４】
本明細書で上述かつ図示したアセンブリ内に使用されるコンデンサ要素は、アノード、誘電体、及び固体電解質を一般的に含む。アノードは、約５，０００μＦ*Ｖ／ｇ又はそれよりも大きく、一部の実施形態では、約２５，０００μＦ*Ｖ／ｇ又はそれよりも大きく、一部の実施形態では、約４０，０００μＦ*Ｖ／ｇ又はそれよりも大きく、かつ一部の実施形態では、約７０，０００から約２００，０００μＦ*Ｖ／ｇのような高い比電荷を有するバルブ金属組成物から形成することができる。バルブ金属組成物は、タンタル、ニオブ、アルミニウム、ハフニウム、チタン、それらの合金、それらの酸化物、それらの窒化物などのようなバルブ金属（すなわち、酸化が可能な金属）又はバルブ金属ベースの化合物を含有する。例えば、バルブ金属組成物は、１：１．０±１．０、一部の実施形態では、１：１０±０．３、一部の実施形態では、１：１０±０．１、かつ一部の実施形態では、１：１±０．０５のニオブの酸素に対する原子比を有するニオブ酸化物のようなニオブの導電性酸化物を含有することができる。例えば、ニオブ酸化物は、ＮｂＯ0.7、ＮｂＯ1.0、ＮｂＯ1.1、及びＮｂＯ2とすることができる。好ましい実施形態では、この組成物は、ＮｂＯ1.0を含有し、これは、高温での焼結の後でも化学的に安定に留まることができる導電性ニオブ酸化物である。そのようなバルブ金属酸化物の例は、Ｆｉｆｅに付与された米国特許第６，３２２，９１２号、Ｆｉｆｅ他に付与された第６，３９１，２７５号、Ｆｉｆｅ他に付与された第６，４１６，７３０号、Ｆｉｆｅに付与された第６，５２７，９３７号、Ｋｉｍｍｅｌ他に付与された第６，５７６，０９９号、Ｆｉｆｅ他に付与された第６，５９２，７４０号、及びＫｉｍｍｅｌ他に付与された第６，６３９，７８７号、及びＫｉｍｍｅｌ他に付与された第７，２２０，３９７号、並びにＳｃｈｎｉｔｔｅｒに付与された米国特許出願公開第２００５／００１９５８１号、Ｓｃｈｎｉｔｔｅｒ他に付与された第２００５／０１０３６３８号、Ｔｈｏｍａｓ他に付与された第２００５／００１３７６５号に説明されており、それらの全ては、全ての目的に対してそれへの引用により全体として本明細書に組み込まれている。
【００２５】
従来型の製造手順をアノードを形成するために一般的に利用することができる。一実施形態では、所定の粒径を有するタンタル又はニオブ酸化物が最初に選択される。例えば、粒子は、薄片状、角張ったもの、結節性、及びそれらの混合又は変形とすることができる。粒子は、典型的に、少なくとも約６０メッシュ、一部の実施形態では、約６０から約３２５メッシュ、かつ一部の実施形態では、約１００から約２００メッシュの篩サイズ分布も有する。更に、比表面積は、約０．１から約１０．０ｍ2／ｇ、一部の実施形態では、約０．５から約５．０ｍ2／ｇ、かつ一部の実施形態では、約１．０から約２．０ｍ2／ｇである。用語「比表面積」は、吸着気体として窒素を用いたＢｒｕａｎａｕｅｒ、Ｅｍｍｅｔ、及びＴｅｌｌｅｒの物理的気体吸着（Ｂ．Ｅ．Ｔ．）法、「米国化学学会誌」、第６０巻，１９３８年，ｐ．３０９によって測定された表面積を意味する。更に、バルク（又はＳｃｏｔｔ）密度は、典型的に、約０．１から約５．０グラム／立方センチ（ｇ／ｃｍ3）、一部の実施形態では、約０．２から約４．０ｇ／ｃｍ3、かつ一部の実施形態では、約０．５から約３．０ｇ／ｃｍ3である。
【００２６】
アノードの構成を容易にするために、他の成分を導電性粒子に添加することができる。例えば、導電性粒子は、アノード本体を形成するためにプレスされる時に粒子が相互に適切に接着することを保証するように結合剤及び／又は滑剤と任意的に混合することができる。適切な結合剤としては、樟脳、ステアリン酸及び他の滑らかな態様の脂肪酸、カーボワックス（Ｕｎｉｏｎ  Ｃａｒｂｉｄｅ）、グリプタル（Ｇｅｎｅｒａｌ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃ）、ナフタリン、植物性ワックス、及びマイクロワックス（精製パラフィン）を含むことができる。結合剤は、溶媒内に溶解又は分散させることができる。例示的な溶媒としては、水、アルコール、その他を含むことができる。利用される場合、結合剤及び／又は滑剤の百分率は、全重量の約０．１重量％から約８重量％まで変えることができる。しかし、本発明においては、結合剤及び滑剤は要求されないことを理解すべきである。
【００２７】
得られた粉末は、あらゆる従来型の粉末プレス成形を用いて圧密化することができる。例えば、プレス成形は、ダイと１つ又は複数のパンチとを用いる単一ステーション圧密プレス成形とすることができる。代替的に、アンビル型圧密プレス成形を使用することができ、これは、ダイ及び単一のより低いパンチのみを用いる。単一ステーション圧密プレス成形は、シングルアクション、ダブルアクション、フローティング・ダイ、可動プラテン、対向ラム、スクリュー、衝撃、ホットプレス、コイニング、又はサイジングのような様々な機能を有するカム式、トグル／ナックル式、及び偏心／クランク式プレスのようないくつかの基本タイプで利用することができる。粉末は、アノードリード（例えば、タンタルワイヤ）の周囲に圧密化することができる。アノードリードは、代替的に、アノード本体の押圧及び／又は焼結に続いてアノード本体に取り付けることができる（例えば、溶接される）ことを更に認めるべきである。圧縮の後、あらゆる結合剤／滑剤は、所定の温度（例えば、約１５０℃から約５００℃）で数分間真空の下でこのペレットを加熱することによって除去することができる。代替的に、Ｂｉｓｈｏｐ他に付与された米国特許第６，１９７，２５２号に説明されているように、ペレットと水溶液との接触によって結合剤／滑剤を除去することができ、この特許は全ての目的に対してそれへの引用により全体として本明細書に組み込まれている。その後、ペレットは、焼結されて多孔質の一体塊が形成される。例えば、一実施形態では、ペレットは、約１２００℃から約２０００℃、かつ一部の実施形態では、１５００℃から約１８００℃の温度で真空又は不活性雰囲気の下で焼結することができる。焼結時に、ペレットは、粒子間の結合の成長に起因して収縮する。上述の技術に加えて、Ｇａｌｖａｇｎｉに付与された米国特許第４，０８５，４３５号、Ｓｔｕｒｍｅｒ他に付与された第４，９４５，４５２号、Ｇａｌｖａｇｎｉに付与された第５，１９８，９６８号、Ｓａｌｉｓｂｕｒｙに付与された第５，３５７，３９９号、Ｇａｌｖａｇｎｉ他に付与された第５，３９４，２９５号、Ｋｕｌｋａｒｎｉに付与された第５，４９５，３８６号、及びＦｉｆｅに付与された第６，３２２，９１２号に説明されているようなアノード本体を構成するあらゆる他の技術を本発明により利用することもでき、それらの特許は、全ての目的に対してそれへの引用により全体として本明細書に組み込まれている。
【００２８】
必要ではないが、アノードの厚みは、コンデンサの電気的特性を改善するように選択することができる。例えば、アノードの厚みは、約４ミリメートル又はそれ未満、一部の実施形態では、約０．０５から約２ミリメートル、かつ一部の実施形態では、約０．１から約１ミリメートルとすることができる。アノードの形状も、得られるコンデンサの電気的特性を改善するように選択することができる。例えば、アノードは、湾曲、正弦波、矩形、Ｕ字形、Ｖ字形などである形状を有することができる。アノードは、表面の容積に対する比率を高めてＥＳＲをできるだけ低下させ、かつキャパシタンスの周波数応答を拡大させるために、その中に１つ又はそれよりも多くの山、溝、凹部、又は欠刻を含む「溝付き」形状も有することができる。そのような「溝付き」アノードは、例えば、Ｗｅｂｂｅｒ他に付与された米国特許第６，１９１，９３６号、Ｍａｅｄａ他に付与された第５，９４９，６３９号、及びＢｏｕｒｑａｕｌｔ他に付与された第３，３４５，５４５号、並びにＨａｈｎ他に付与された米国特許出願公開第２００５／０２７０７２５号に説明されており、それらの全ては、全ての目的に対してそれへの引用により全体として本明細書に組み込まれている。
【００２９】
構成された状態で、アノードは、陽極酸化することができ、それによって誘電体層がアノードを覆い、及び／又はアノード内部に形成される。陽極酸化は、それによってアノードが酸化されて比較的高い誘電率を有する材料を形成する電気化学処理である。例えば、酸化ニオブ（ＮｉＯ）アノードは、五酸化ニオブ（Ｎｉ2Ｏ5）に陽極酸化することができる。一般的に、陽極酸化は、例えば、アノードを電解質内に浸漬するなどしてアノードに電解質を最初に付加することによって行われる。電解質は、溶液（例えば、水性又は非水性）、分散液、溶融物などのような一般的に液体の形態である。水（例えば、脱イオン水）、エーテル（例えば、ジエチルエーテル及びテトラヒドロフラン）、アルコール（例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、イソプロパノール、及びブタノール）、トリグリセライド、ケトン（例えば、アセトン、メチルエチルケトン、及びメチルイソブチルケトン）、エステル（例えば、酢酸エチル、酢酸ブチル、ジエチレングリコールエーテルアセテート、及び酢酸メトキシプロピル）、アミド（例えば、ジメチルホルマミド、ジメチルアセタミド、ジメチルカプリリック／カプリック脂肪酸アミド、及びＮ−アルキルピロリドン）、ニトリル（例えば、アセトニトリル、プロピオニトリル、ブチロニトリル、及びベンゾニトリル）、スルホキシド又はスルホン（例えば、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）及びスルホラン）等々のような溶媒が、電解質内に一般的に用いられる。溶媒は、電解質の約５０重量％から約９９．９重量％、一部の実施形態では、約７５重量％から約９９重量％、かつ一部の実施形態では、約８０重量％から約９５重量％を構成することができる。必ずしも要求されないが、水性溶媒（例えば、水）の使用が、望ましい酸化物を得ることを助けるために多くの場合に望ましい。実際上、水は、電解質内に使用される溶媒の約５０重量％又はそれよりも多く、一部の実施形態では、約７０重量％又はそれよりも多く、かつ一部の実施形態では、約９０重量％から１００重量％を構成することができる。
【００３０】
電解質は、イオン導電性であり、かつ約１ミリジーメンス／センチメートル（ｍＳ／ｃｍ）よりも大きく、一部の実施形態では、約３０ｍＳ／ｃｍ又はそれよりも大きく、かつ一部の実施形態では、約４０ｍＳ／ｃｍから約１００ｍＳ／ｃｍの２５℃の温度で測定されたイオン導電率を有する。電解質のイオン導電率を高めるために、溶媒内で解離してイオンを形成することができる化合物を使用することができる。この目的のための適切なイオン化合物としては、例えば、塩酸、硝酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸、ホウ酸、ボロン酸などのような酸と、アクリル酸、メタクリル酸、マロン酸、コハク酸、サリチル酸、スルホサリチル酸、アジピン酸、マレイン酸、リンゴ酸、オレイン酸、没食子酸、酒石酸、クエン酸、ギ酸、酢酸、グリコール酸、シュウ酸、プロピオン酸、フタール酸、イソフタール酸、グルタール酸、グルコン酸、乳酸、アスパラギン酸、グルタミン酸、イタコン酸、トリフルオロ酢酸、バルビツール酸、桂皮酸、安息香酸、４−ヒドロキシ安息香酸、アミノ安息香酸などのようなカルボン酸、メタンスルホン酸、ベンゼンスルホン酸、トルエンスルホン酸、トリフルオロメタンスルホン酸、スチレンスルホン酸、ナフタレンジスルホン酸、ヒドロキシベンゼンスルホン酸、ドデシルスルホン酸、ドデシルベンゼンスルホン酸などのようなスルホン酸、ポリ（アクリル）又はポリ（メタクリル）酸及びそれらのコポリマー（例えば、マレイン−アクリル、スルホン−アクリル、及びスチレン−アクリル・コポリマー）、カラギニン酸、カルボキシメチルセルロース、アルギン酸などのようなポリマー酸等々を含む有機酸とを含むことができる。イオン化合物の濃度は、望ましいイオン導電率を達成するように選択される。例えば、酸（例えば、リン酸）は、電解質の約０．０１重量％から約５重量％、一部の実施形態では、約０．０５重量％から約０．８重量％、かつ一部の実施形態では、約０．１重量％から約０．５重量％を構成することができる。必要に応じて、イオン化合物の配合物も電解質内に用いることができる。
【００３１】
電解質を通過して電流が流され、誘電体が形成される。電圧の値は、誘電体の厚みを管理する。例えば、電力供給は、必要な電圧に到達するまでガルバノスタットモードに最初に設定することができる。その後、電力供給は、ポテンショスタットモードに切り換えることができ、望ましい誘電体厚みがアノードの表面を覆って形成されるのが保証される。言うまでもなく、パルス又はステップポテンショスタット法のような他の公知の方法を使用することもできる。電圧は、典型的に約４から約２００Ｖ、かつ一部の実施形態では、約９から約１００Ｖの範囲である。陽極酸化中に、電解質は、約３０℃又はそれよりも高く、一部の実施形態では、約４０℃から約２００℃、かつ一部の実施形態では、約５０℃から約１００℃のような高い温度に維持することができる。陽極酸化は、室温で又はそれ未満で行うことができる。得られる誘電体層は、アノード表面上及びその空隙内部に形成することができる。
【００３２】
誘電体層が形成された状態で、例えば、比較的絶縁性の樹脂材料（天然又は合成）で製造されたような保護コーティングを任意的に付加することができる。こうした材料は、約１０オーム−ｃｍよりも大きく、一部の実施形態では、約１００よりも大きく、一部の実施形態では、約１，０００オーム−ｃｍよりも大きく、一部の実施形態では、約１×１０5オーム−ｃｍよりも大きく、かつ一部の実施形態では、約１×１０10オーム−ｃｍよりも大きい比抵抗率を有することができる。本発明に利用することができる一部の樹脂材料としては、以下に制限されるものではないが、ポリウレタン、ポリスチレン、不飽和又は飽和脂肪酸のエステル（例えば、グリセライド）、その他が挙げられる。例えば、適切な脂肪酸のエステルとしては、以下に制限されるものではないが、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、エレオステアリン酸、オレイン酸、リノール酸、リノレン酸、アレウリチン酸、シェロール酸、その他のエステルが挙げられる。これらの脂肪酸のエステルは、得られるフィルムが安定した層に迅速に重合することを可能にする「乾性油」を形成する比較的複雑な組合せで使用される時に特に有用であることが公知である。こうした乾性油としては、それぞれ、１つ、２つ、及び３つのエステル化された脂肪酸アシル残基を有するモノ−、ジ−、及び／又はトリ−グリセライドを含むことができる。例えば、使用することができる一部の適切な乾性油としては、以下に制限されるものではないが、オリーブ油、アマニ油、ヒマシ油、キリ油、大豆油、及びシェラックが挙げられる。これら及び他の保護コーティングは、Ｆｉｆｅ他に付与された米国特許第６，６７４，６３５号により詳細に説明されており、この特許は、全ての目的に対してそれへの引用により全体として本明細書に組み込まれている。
【００３３】
陽極酸化された部分は、二酸化マンガン、導電性ポリマーなどのような固体電解質を含むカソードを形成する段階を受けることができる。二酸化マンガン固体電解質は、例えば、硝酸マンガン（Ｍｎ（ＮＯ3）2）の熱分解によって形成することができる。こうした技術は、例えば、Ｓｔｕｒｍｅｒ他に付与された米国特許第４，９４５，４５２号に説明されており、これは、全ての目的に対してそれへの引用により全体として本明細書に組み込まれている。代替的に、１つ又はそれよりも多くのポリヘテロ環（例えば、ポリピロール；ポリチオフェン、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＴ）；ポリアニリン）、ポリアセチレン、ポリ−ｐ−フェニレン、ポリフェノレート、及びそれらの誘導体を含有する導電性ポリマーコーティングを用いることができる。更に、必要に応じて、導電性ポリマーコーティングは、複数の導電性ポリマー層から形成することができる。例えば、一実施形態では、導電性ポリマーカソードは、ＰＥＤＴから形成された１つの層とポリピロールから形成された別の層とを含有することができる。様々な方法を導電性ポリマーコーティングをアノード部分上に付加するために利用することができる。例えば、電解重合、スクリーン印刷、浸漬、電着コーティング、及び噴霧のような従来型の技術を導電性ポリマーコーティングを形成するために使用することができる。一実施形態では、導電性ポリマーを形成するのに使用されるモノマー（例えば、３，４−エチレンジオキシ−チオフェン）が、まず重合触媒と混合されて溶液が形成される。例えば、１つの適切な重合触媒は、「ＣＬＥＶＩＯＳ  Ｃ」であり、これは、トルエンスルホン酸鉄ＩＩＩであってＨ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋにより販売されている。「ＣＬＥＶＩＯＳ  Ｃ」は、これもＨ．Ｃ．Ｓｔａｒｃｋによって販売されているＰＥＤＴのモノマーの３，４−エチレンジオキシチオフェンである「ＣＬＥＶＩＯＳ  Ｍ」のための市販の触媒である。触媒分散液が生成された状態で、次に、アノード部分は、この分散液に浸漬することができ、それによってこのポリマーが、アノード部分の表面上に形成される。代替的に、触媒とモノマーとは個別にアノード部分に付加することができる。一実施形態では、例えば、触媒は、溶媒（例えば、ブタノール）に溶解することができ、次に、浸漬溶液としてアノード部分に付加される。アノード部分は、次に、乾燥させることができ、それから溶媒が除去される。その後、アノード部分は、適切なモノマーを含有する溶液内に浸漬することができる。モノマーが、触媒を含有するアノード部分の表面に接触した状態で、モノマーは、その上に化学的に重合する。更に、触媒（例えば、「ＣＬＥＶＩＯＵＳ  Ｃ」）は、任意的な保護コーティングを形成するのに使用される材料（例えば、樹脂材料）と混合することもできる。こうした場合には、アノード部分は、次に、モノマーを含有する溶液に浸漬することができる。その結果、モノマーは、保護コーティングの表面内部及び／又はその上の触媒と接触し、それと反応して導電性ポリマーコーティングが形成される。様々な方法を上述したが、導電性ポリマーコーティングを含むコーティングをアノード部分に付加させるあらゆる他の方法��本発明において利用することができることを理解すべきである。例えば、こうした導電性ポリマーを含むコーティングを付加させる他の方法は、Ｓａｋａｔａ他に付与された米国特許第５，４５７，８６２号、Ｓａｋａｔａ他に付与された第５，４７３，５０３号、Ｓａｋａｔａ他に付与された第５，７２９，４２８号、及びＫｕｄｏｈ他に付与された第５，８１２，３６７号に説明されており、それらは、全ての目的に対してそれへの引用により全体として本明細書に組み込まれている。
【００３４】
殆どの実施形態では、付加された状態で、固体電解質は、ヒーリング処理することができる。ヒーリング処理は、固体電解質層の各々の付加後、又はコーティング全体の付加後に行うことができる。一部の実施形態では、例えば、固体電解質は、酸の溶液のような電解質溶液内にこのペレットを浸漬し、その後、電流が予め設定したレベルに低下するまで一定電圧を印加することにより、ヒーリング処理することができる。必要に応じて、こうしたヒーリング処理は、複数の段階で達成することができる。例えば、一実施形態では、導電性ポリマーコーティングを有するペレットが、最初にリン酸に浸漬されて約２０ボルトを印加され、次に、硫酸に浸漬されて約２ボルトを印加される。この実施形態では、第２の低電圧の硫酸溶液又はトルエンスルホン酸の使用は、得られるコンデンサのキャパシタンスを高め、その誘電正接（ＤＦ）を低下させることを助けることができる。上述した一部又は全ての層の付加後に、得られた部分は、必要に応じて、次に洗浄することができ、様々な副産物、過剰の酸化剤、その他が除去される。更に、一部の場合には、上述の浸漬操作のうちの一部又は全ての後に、乾燥を利用することができる。例えば、触媒の付加後及び／又はペレットの洗浄後にペレットの空隙を開放し、それによって次の浸漬段階の時にそれが液体を受け取ることができるように、乾燥が望ましい場合がある。
【００３５】
必要に応じて、各部分は、任意的に外側コーティングを付加することができる。外側コーティングは、少なくとも１つの炭素質層と、炭素質層の上に重なる少なくとも１つの金属層とを含む。金属層は、コンデンサのための半田付け可能導体、接触層、及び／又は電荷集電体として機能を果たすことができ、銅、ニッケル、銀、ニッケル、亜鉛、錫、パラジウム、鉛、銅、アルミニウム、モリブデン、チタン、鉄、ジルコニウム、マグネシウム、及びそれらの合金のような導電性金属から形成することができる。この層での使用に対して、銀は、特に適切な導電性金属である。炭素質層は、金属層と固体電解質層の間の接触を制限することができ、そうでなければこの接触は、コンデンサの抵抗を増大させることになる。炭素質層は、グラファイト、活性炭、カーボンブラックなどのような様々な公知の炭素質材料から形成することができる。炭素質層の厚みは、典型的に、約１μｍから約５０μｍ、一部の実施形態では、約２μｍから約３０μｍ、かつ一部の実施形態では、約５μｍから約１０μｍの範囲である。同様に、金属層の厚みは、典型的に、約１μｍから１００μｍ、一部の実施形態では、約５μｍから約５０μｍ、かつ一部の実施形態では、約１０μｍから約２５μｍの範囲である。
【００３６】
本発明は、以下の実施例によってより良く理解することができる。
【実施例１】
【００３７】
最初に、タンタル粉末（５９，７５０ＣＶ／ｇの比電荷）が押圧され、５．１ｍｍの長さ、３．７ｍｍの幅、及び０．９ｍｍの厚みを有するペレットサンプルとされた。タンタルワイヤ（０．２４ｍｍ直径）が、押圧段階中にアノードペレット内に挿入された。ペレットは、１３２０℃で真空焼結され、０．１％リン酸内で１２ボルトで陽極酸化され、１２０Ｈｚでの３３０マイクロファラッドを有するコンデンサが製造された。導電性ポリマーカソードが、次に、順番に付加されたＣＬＥＶＩＯＳ（登録商標）Ｃ（トルエンスルホン酸鉄ＩＩＩ）及びＣＬＥＶＩＯＳ（登録商標）Ｍ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）を用いて形成された。より具体的には、ＣＬＥＶＩＯＳ（登録商標）Ｃがブタノール溶媒に溶解され、浸漬溶液としてペレットに付加された。ペレットは、次に乾燥させ、溶媒がそれから除去された。その後、ペレットは、ＣＬＥＶＩＯＳ（登録商標）Ｍを含有する溶液内に浸漬された。ペレットは、次に、０．１％リン酸内で再陽極酸化され、室温で２時間乾燥させた。６つの反復された順次的浸漬が行われ、一貫したポリマー外側層を堆積させた。アノードの製造処理を仕上げるために、外部カーボン及び銀被膜が形成された。
【００３８】
形成された状態で、コンデンサ要素は、平坦なカソード端子（パドル）とアノードリード取付のためのＵ字形状凹部（アノード端子）とを有する銅ベースの単一リードフレームに取り付けられた。より詳細には、カソード端子は、銀接着剤を用いてコンデンサ要素の下面に取り付けられた。アノードリードは、Ｕ字形状凹部上にリードが適切に「着座する」ように調整され、次に、それにレーザ溶接された。コンデンサ要素が取り付けられた状態で、リードフレームは、エポキシ樹脂内部に封入され、露出された端子は、ケースの外側に沿って曲げられた。各部分のキャパシタンス（１２０Ｈｚでの）及びＥＳＲ（１００ｋＨｚでの）が、室温でＨＰ４１９２Ａインピーダンスアナライザを用いて測定された。各部分は、標準無鉛リフロープロフィール（２５５℃ピーク温度）にかけられ、次に、同じ機器を用いて再測定された。以下の表１は、３つの試験サンプル（各サンプルにつき９０部分）からの出力中央値を要約している。
【００３９】
（表１）
2012028788.tif 000003
【００４０】
示すように、ＥＳＲ値は、リフロー後に有意に増大している。ＥＳＲでのこの増大は、大きい熱機械的応力を引き起こすコンデンサにおける熱膨張係数の有意な差に一部起因すると考えられている。
【実施例２】
【００４１】
コンデンサは、第２のリードフレームも使用されたことを除いて、実施例１で上述したように形成された。第２のリードフレームは、平坦なカソード端子（パドル）とアノードリード取付のためのＵ字形状凹部（アノード端子）とを有する点で第１のリードフレームと同じである。第２のリードフレームのカソード端子は、銀接着剤の使用によってコンデンサ要素の上面に取り付けられた（本明細書で図示して説明したように）。第２のリードフレームのＵ字形状凹部は、アノードリードを受け取るように調整され、次に、それにレーザ溶接された。コンデンサ要素がそのような「サンドウィッチ」構成に取り付けられた状態で、リードフレームは、エポキシ樹脂内部に封入され、露出された端子は、ケースの外側に沿って曲げられた。各部分のキャパシタンス（１２０Ｈｚでの）及びＥＳＲ（１００ｋＨｚでの）が、室温でＨＰ４１９２Ａインピーダンスアナライザを用いて測定された。各部分は、標準無鉛リフロープロフィール（２５５℃ピーク温度）にかけられ、次に、同じ機器を用いて再測定された。以下の表２は、３つの試験サンプル（各サンプルにつき９０部分）からの出力中央値を要約している。
【００４２】
（表２）
2012028788.tif 000004
【００４３】
示すように、これらのサンプルのＥＳＲでの増大は、実施例１の単一リードフレームのコンデンサで観測されたものよりも有意に小さい
【００４４】
本発明のこれら及び他の修正及び変形は、本発明の精神及び範囲から逸脱することなく当業者によって実施することができる。更に、様々な実施形態の態様は、全部又は一部の両方で入れ替えることができることを理解すべきである。更に、当業者は、以上の説明が単に例示的であり、添付の特許請求の範囲で更に説明するような本発明を制限する意図ではないことを認めるであろう。
【符号の説明】
【００４５】
１６  リード
５１  凹部
５３  第３の部分の上面
６２  第１のアノード端子
６４  第３の部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【外国語明細書】
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