(57)【要約】【課題】挟額縁化を実現可能な有機ＥＬ装置の製造方法および電子機器を提供すること。【解決手段】第１基板２０Ａ上に設けられた発光素子を封止する封止膜を形成する封止膜形成工程を有する有機ＥＬ装置の製造方法であって、マザー基板Ｗ上に複数の前記第１基板２０Ａがマトリックス状にレイアウトされると共に、第１基板２０Ａの実装端子部４０を有する辺２５が向い合せにレイアウトされ、前記封止膜形成工程では、実装端子部４０を有する辺２５の反対側の辺２８が互いに向い合うようにレイアウトされた部分においては、前記封止膜を構成するガスバリア層１９を少なくとも二つの第１基板２０Ａにまたがって形成すること特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。これによって、実装端子部４０の反対側の辺において額縁領域を狭くすることが可能となる。【選択図】図６
2012209215.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板上に設けられた発光素子を封止する封止膜を形成する封止膜形成工程を有する有機ＥＬ装置の製造方法であって、
マザー基板上に複数の前記第１基板がマトリックス状にレイアウトされると共に、複数の前記第１基板のうち少なくとも一部は実装端子部が向い合せにレイアウトされ、
前記封止膜形成工程では、前記実装端子部の反対側が互いに向い合うようにレイアウトされた部分においては、少なくとも二つの前記第１基板にまたがって前記封止膜を形成すること特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記封止膜は有機平坦化層とガスバリア層とを含み、
前記有機平坦化層は前記第１基板ごとに形成し、前記実装端子部の反対側が互いに向い合うようにレイアウトされた部分では前記ガスバリア層を少なくとも二つの前記第１基板にまたがって形成すること特徴とする。
【請求項３】
請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記封止膜は陰極保護層と有機平坦化層とガスバリア層とを含み、前記有機平坦化層は前記第１基板ごとに形成し、前記実装端子部の反対側が互いに向い合うようにレイアウトされた部分では前記陰極保護層と前記ガスバリア層を少なくとも二つの前記第１基板にまたがって形成すること特徴とする。
【請求項４】
請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記封止膜は無機平坦化層とガスバリア層とを含み、
前記実装端子部の反対側が互いに向い合うようにレイアウトされた部分では前記無機平坦化層と前記ガスバリア層とを少なくとも二つの前記第１基板にまたがって形成すること特徴とする。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法を用いて製造された有機ＥＬ装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機ＥＬ装置の製造方法、電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（Electro Luminescence）装置は、有機材料を含む材料で形成された発光素子を備えている。この発光素子は基本的な構成として、陽極と陰極との間に有機発光層（発光層）が挟持される構成となっている。更にこれらの基本構成に加えて、発光素子には、陽極からの正孔注入をより容易に行うために陽極と発光層との間に配置される正孔注入層や、陰極からの電子注入をより容易に行うために陰極と発光層との間に配置される電子注入層など、様々な機能を担う機能層が付加され、これらの機能層の効果により高い輝度や高い発光効率を実現している構成のものが多い。
【０００３】
これら発光層、正孔注入層、電子注入層等の各層の形成に用いられる材料は、大気中の水分や酸素と容易に反応し劣化するものが多い。これらの層が劣化すると、有機ＥＬ装置に、いわゆる「ダークスポット」と呼ばれる非発光領域が形成されてしまい、発光素子としての性能が低下する。そのため有機ＥＬ装置においては、水分や酸素等の侵入を防ぐために、陰極保護層や平坦化のための有機平坦化層や防湿性に優れたガスバリア層などで形成されたで封止膜で発光素子を封止した第１基板と、保護基板としての第２基板とが、接着層を介して貼り合わされた構成が知られている（特許文献１）。
【０００４】
こうした有機ＥＬ装置を製造する方法としては、図１６のように複数の第１基板をマザー基板にレイアウトして、発光素子や封止膜を形成後に個々に分断して取り出す方法が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１１７０７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、携帯機器の表示部に使用される表示装置では、機能性や意匠性の問題から、「額縁部」と呼ばれる表示領域の周辺部に配置される非表示領域（フレーム部分）を出来得る限り最小として、有効表示領域を広げる構成とすることが一般的となっている。そのため、携帯機器の表示部として有機ＥＬ装置を用いる場合には、狭い額縁部を有する狭額縁構造を実現する必要がある。
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１の有機ＥＬ装置の構成では、封止膜を形成する際、外部配線を接合する実装端子部が露出するように封止膜を形成しなければならない。そのため実装端子部から封止膜端までの距離は封止膜形成時の公差分以上の距離を確保しなければいけない。すなわち、封止膜を有機ＥＬ装置ごとに形成する必要があるので有機ＥＬ装置の外形と封止膜との間に所定の公差を有するスペースが必要となって、有機ＥＬ装置の外形と発光画素領域との間の額縁領域を狭くすることが困難であるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］本適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、第１基板上に設けられた発光素子を封止する封止膜を形成する封止膜形成工程を有する有機ＥＬ装置の製造方法であって、マザー基板上に複数の前記第１基板がマトリックス状にレイアウトされると共に、複数の前記第１基板のうち少なくとも一部は実装端子部が向い合せにレイアウトされ、前記封止膜形成工程では、前記実装端子部の反対側が互いに向い合うようにレイアウトされた部分においては、少なくとも二つの前記第１基板にまたがって前記封止膜を形成することを特徴とする。
【００１０】
本適用例によれば、実装端子部の反対側の辺において、封止膜を隣り合う第１基板と連続して形成することが出来るため、封止膜を形成する際に隣り合う第１基板の実装端子部からの距離を考慮する必要はなくなり、これによって、実装端子部の反対側の辺において額縁領域を狭くすることが可能となる。すなわち、狭額縁の有機ＥＬ装置を製造することができる。
また封止膜の成膜において非成膜エリアの幅が広がることにより、用いるマスクの形成が容易になるという利点もある。
【００１１】
［適用例２］上記適用例に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記封止膜は有機平坦化層とガスバリア層とを含み、前記有機平坦化層は前記第１基板ごとに形成し、前記実装端子部の反対側が互いに向い合うようにレイアウトされた部分では前記ガスバリア層を少なくとも二つの前記第１基板にまたがって形成することを特徴とする。
【００１２】
本適用例によれば、ガスバリア層における封止性能を維持しつつ、狭額縁化を実現できる。
【００１３】
［適用例３］上記適用例に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記封止膜は陰極保護層と有機平坦化層とガスバリア層とを含み、前記有機平坦化層は前記第１基板ごとに形成し、前記実装端子部の反対側が互いに向い合うようにレイアウトされた部分では前記陰極保護層と前記ガスバリア層を少なくとも二つの前記第１基板にまたがって形成することを特徴とする。
【００１４】
本適用例によれば、陰極保護層とガスバリア層とによる封止性能を維持しつつ、狭額縁化を実現できる。
【００１５】
［適用例４］上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記封止膜は無機平坦化層とガスバリア層とを含み、前記実装端子部の反対側が互いに向い合うようにレイアウトされた部分では前記無機平坦化層と前記ガスバリア層を少なくとも二つの前記第１基板にまたがって形成するとしてもよい。
【００１６】
本適用例によれば、無機平坦化層とガスバリア層とによる封止性能を維持しつつ、狭額縁化を実現できる。
【００１７】
［適用例５］本適用例の電子機器は、上記適用例の有機ＥＬ装置の製造方法を用いて製造された有機ＥＬ装置を備えていることを特徴とする。
【００１８】
これによれば、本適用例の電子機器は、狭額縁化が実現された有機ＥＬ装置を用いることにより、より小型な電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図２】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の構造を模式的に示す断面図。
【図３】図２に示すＡ部の拡大断面図。
【図４】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を模式的に示す平面図。
【図５】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程フロー図。
【図６】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の第１基板のレイアウト図。
【図７】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程図。
【図８】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程図。
【図９】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造工程図。
【図１０】第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。
【図１１】第２実施形態に係る有機ＥＬ装置の第１基板の構造を示す概略断面図。
【図１２】第２実施形態に係る有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図。
【図１３】第３実施形態に係る有機ＥＬ装置の第１基板のレイアウト図。
【図１４】（ａ）〜（ｃ）は電子機器の例を示す概略図。
【図１５】従来の有機ＥＬ装置を示し、図１６のＣ部における第１基板の構造を示す概略断面図。
【図１６】従来の有機ＥＬ装置における第１基板のレイアウト図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
（第１実施形態）
＜有機ＥＬ装置＞
まず、本実施形態の有機ＥＬ装置について、図１〜図４を参照して説明する。図１は第１実施形態の有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図、図２は第１実施形態の有機ＥＬ装置の構造を模式的に示す断面図、図３は図２の要部（Ａ部）を示す図であって、有機ＥＬ装置の周辺部の構造を説明するための拡大断面図、図４は第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を模式的に示す平面図である。
【００２１】
図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、スイッチング素子として薄膜トランジスター（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ、以下「ＴＦＴ」と称する。）を用いたアクティブマトリクス方式である。
複数の走査線１０１と、各走査線１０１に対して直角に交差する方向に延びる複数の信号線１０２と、各信号線１０２に並列に延びる複数の電源線１０３とからなる配線構成を有し、走査線１０１と信号線１０２との各交点付近にサブ画素Ｘが形成されたものである。
もちろん本発明の技術的思想に沿えば、ＴＦＴなどを用いるアクティブマトリクスは必須ではなく、単純マトリクス向けの素子基板を用いて本発明を実施し、単純マトリクス駆動しても全く同じ効果が低コストで得られる。
【００２２】
信号線１０２には、シフトレジスター、レベルシフター、ビデオライン及びアナログスイッチを備えるデータ線駆動回路１００が接続されている。また、走査線１０１には、シフトレジスター及びレベルシフターを備える走査線駆動回路８０が接続されている。
【００２３】
さらに、サブ画素Ｘの各々には、走査線１０１を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（スイッチング素子）１１２と、このスイッチング用ＴＦＴ１１２を介して信号線１０２から共有される画素信号を保持する保持容量１１３と、該保持容量１１３によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ（スイッチング素子）１２３と、この駆動用ＴＦＴ１２３を介して電源線１０３に電気的に接続したときに該電源線１０３から駆動電流が流れ込む陽極１０と、該陽極１０と陰極１１との間に挟み込まれた発光層（有機発光層）１２が設けられている。発光層１２と、これを挟む一対の電極としての陽極１０および陰極１１とにより発光素子２１（図２参照）が構成されている。
【００２４】
この有機ＥＬ装置１によれば、走査線１０１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ１１２がオン状態になると、そのときの信号線１０２の電位が保持容量１１３に保持され、該保持容量１１３の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ１２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ１２３のチャネルを介して、電源線１０３から陽極１０に電流が流れ、さらに発光層１２を介して陰極１１に電流が流れる。発光層１２は、これを流れる電流量に応じて発光する。
【００２５】
次に、図２および図３を参照しながら、有機ＥＬ装置１の断面構造を説明する。図２に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、複数の発光素子２１が配置された第１基板２０Ａと、複数の発光素子２１を覆って積層して形成される陰極保護層１７と有機平坦化層１８とガスバリア層１９の各層と、この第１基板２０Ａの複数の発光素子２１が配置された面に対向配置された第２基板３１と、を備えており、これら第１基板２０Ａと第２基板３１とは、シール層３３および接着層３４とを介して貼り合わされている。
【００２６】
有機ＥＬ装置１は、いわゆる「トップエミッション方式」の有機ＥＬ装置である。トップエミッション方式は、光を第１基板２０Ａ側ではなく第２基板３１側から取り出すため、第１基板２０Ａに配置された各種回路の大きさに影響されず、発光面積を広く確保できる効果がある。そのため、電圧及び電流を抑えつつ輝度を確保することが可能であり、発光素子２１の寿命を長く維持することができる。
【００２７】
以下の説明においては、図２において第１基板２０Ａが配置されている側を下側、第２基板３１が配置されている側を上側として、各構成の上下関係、積層関係を示すこととする。以下、各構成要素について順に説明する。
【００２８】
（第１基板）
第１基板２０Ａは、基板本体２０と、基板本体２０上に前述した各種配線やＴＦＴ素子と、これらの配線やＴＦＴ素子等を覆う無機絶縁膜１４とを備えている。基板本体２０は、透明基板及び不透明基板のいずれも用いることができる。本実施形態では、基板本体２０の材料として透明なガラスを用いる。
【００２９】
基板本体２０上には、図１に示した駆動用ＴＦＴ１２３や不図示の各種配線が形成されており、これらの構成を覆って基板本体２０の表面の全面に無機絶縁膜１４が形成されている。無機絶縁膜１４は、例えば窒化シリコンで構成されている。
【００３０】
第１基板２０Ａ上には、第１基板２０Ａが備える配線やＴＦＴ素子等に由来する表面の凹凸を緩和するための平坦化膜１６と、平坦化膜１６に内装されて配置される発光素子２１から照射される光を第２基板３１側に反射する機能を有する金属反射層１５と、が形成されている。平坦化膜１６は、絶縁性の樹脂材料で形成されており、形成方法はフォトリソグラフィを用いるため、材料には例えば感光性のアクリル樹脂や環状オレフィン樹脂などが用いられている。
【００３１】
金属反射層１５は、配線材料と同じ例えばアルミニウムやチタン、モリブデン、銀、銅などの金属またはそれらを組み合わせた合金材料で形成されており、光を反射する性質を備えている。本実施形態ではアルミニウムで形成されている。金属反射層１５は、発光素子２１と基板本体２０との間で発光素子２１に平面的に重なるように配置されている。配線と同じ材料が用いられているので、配線を形成する工程において金属反射層１５を同時に形成することが可能となる。これにより製造工程を簡略化できる。
【００３２】
平坦化膜１６上であって、金属反射層１５と平面的に重なる領域には、発光素子２１が配置されており、隣接する発光素子２１の間および発光素子２１と基板本体２０の端部との間には隔壁１３が形成されている。隔壁１３は平坦化膜１６と同様に絶縁性の樹脂材料で形成されており、形成方法はフォトリソグラフィを用いるため、材料には例えば感光性のアクリル樹脂や環状オレフィン樹脂などが用いられている。
【００３３】
発光素子２１は、陽極１０と陰極１１との間に発光層１２が挟持されて形成されている。発光素子２１を構成する陽極１０は、平坦化膜１６上に形成され、第１基板２０Ａが備える駆動用ＴＦＴ１２３に接続されている。また陽極１０は、仕事関数が５ｅＶ以上の正孔注入効果の高い材料が好適に用いられる。このような正孔注入効果の高い材料としては、例えばＩＴＯ（Indium Thin Oxide；インジウム錫酸化物）等の金属酸化物を挙げることができる。本実施形態ではＩＴＯを用いる。また、上記金属反射層１５と発光層１２の距離を制御することでＲＧＢの発光効率を高めることが出来るため、ＲＧＢ画素ごとに膜厚を制御して反射する距離を制御することが好ましい。なお、本実施形態の有機ＥＬ装置１はトップエミッション方式の発光方法であるため、陽極１０は必ずしも光透過性を有する必要は無く、アルミニウム等の光を透さない金属電極を設けることとしてもよい。その場合には、陽極１０が光を反射し先述の金属反射層１５の機能を兼ね備えるため、金属反射層１５は設けなくても良い。
【００３４】
発光層１２は、白色に発光する白色発光層を採用している。本実施形態では、この白色発光層は低分子系の発光材料を用いて真空蒸着法を用いて形成されている。白色の発光材料としては、スリチルアミン系発光層にアントラセン系のドーパントをドーピングした層（青色）と、スリチルアミン系発光層にルブレン系のドーパントをドーピングした層（黄色）と、を同時に発光させて白色発光を実現している発光材料を挙げることができる。ここでは低分子系の発光材料を用いているが、高分子系の発光材料を用いて発光層１２を形成することとしても良い。また、各層の構成を変化させ、赤色、緑色、青色の３色を同時に発光させて白色発光を取り出す３層構造とすることも可能である。
【００３５】
なお、陽極１０と発光層１２との間に、トリアリールアミン多量体（ＡＴＰ）層（正孔注入層）、トリフェニルジアミン系誘導体（ＴＰＤ）層（正孔輸送層）、発光層１２と陰極１１との間にアルミニウムキノリノール（Ａｌｑ３）層（電子注入層）、ＬｉＦ（電子注入バッファー層）をそれぞれ成膜し、各電極からの電子および正孔の注入を容易にさせる構成とすることが好ましい。
【００３６】
陰極１１は、発光層１２と隔壁１３との表面を覆って、最も外側（第１基板２０Ａの外周部に近い側）に配置された隔壁１３の頭頂部に至るまで延在して形成されている。陰極１１の形成材料には、電子注入効果の大きい（仕事関数が４ｅＶ以下）材料が好適に用いられる。例えば、カルシウムやマグネシウム、ナトリウム、リチウム金属、又はこれらの金属化合物である。金属化合物としては、フッ化カルシウム等の金属フッ化物や酸化リチウム等の金属酸化物、アセチルアセトナトカルシウム等の有機金属錯体が該当する。これらの材料を用いる場合には、金属材料は真空蒸着法、金属化合物はＥＣＲプラズマスパッタ法やイオンプレーティング法、対向ターゲットスパッタ法などの高密度プラズマ成膜法を用いて陰極１１を形成することができる。
【００３７】
また、これらの材料だけでは、電気抵抗が大きく電極として十分機能しないため、発光部分を避けるようにアルミニウムや金、銀、銅などの金属層をパターン形成したり、ＩＴＯや酸化錫などの透明な金属酸化物導電層との積層体と組み合わせて用いたりしてもよい。なお、本実施形態では、マグネシウム−銀合金（ＭｇＡｇ）を透明性が得られる２０ｎｍ以下の膜厚に調整して用いている。陰極１１の膜厚は約１０ｎｍである。
【００３８】
また、第１基板２０Ａ上であって、第１基板２０Ａの外周部近傍の平坦化膜１６が形成されていない領域には第１接続配線（第１陰極配線）２２Ａが形成され、第１陰極配線２２Ａと陰極１１とは補助陰極配線２４により接続され導通している。
【００３９】
第１陰極配線２２Ａは、陰極１１を不図示の電源まで通電させることを目的として形成されており、主に第１基板２０Ａの外周部付近に設けられる。第１陰極配線２２Ａの形成材料には、電気伝導性の高いアルミニウムやチタン、モリブデン、タンタル、銀、銅などの金属またはそれらを組み合わせた合金が用いられ、これらの材料を単層もしくは多層に積層して形成したものが用いられる。また、第１陰極配線２２Ａの最表層には、陽極１０と同じ材料であるＩＴＯが形成されている。陽極１０の形成時と同時に、第１陰極配線２２Ａの最表層にもＩＴＯを形成しておくことで、製造工程におけるフォトリソグラフィ工程での第１陰極配線２２Ａの腐食を防ぐことができる。第１陰極配線２２Ａの厚みは３００ｎｍから８００ｎｍ程度であり、幅は０．５ｍｍから１．５ｍｍ程度である。しかし有機ＥＬ装置１の大きさにより形成可能な第１陰極配線２２Ａの幅は異なるため、第１陰極配線２２Ａの幅はこの値に限定するものではない。
【００４０】
補助陰極配線２４は、陰極１１と第１陰極配線２２Ａとの通電を補助する目的で陰極１１の端部に設けられている。補助陰極配線２４の形成材料には、アルミニウム等の導電性の高い金属が用いられ、マスクを介して真空蒸着法やスパッタ法で成膜して形成される。補助陰極配線２４の膜厚は１００ｎｍから５００ｎｍ程度であることが好ましい。本実施形態では３００ｎｍの膜厚の補助陰極配線２４を形成している。
【００４１】
（封止膜）
第１基板２０Ａ上には、配置されている発光素子２１を覆って全面に複数の封止膜が積層して層構造を形成している。この封止膜として、本実施形態の有機ＥＬ装置１は、陰極保護層１７と有機平坦化層１８とガスバリア層１９とを備えている。以下、第１基板２０Ａ上に形成されている各層について説明する。
【００４２】
第１基板２０Ａ上には、第１陰極配線２２Ａの端面を覆い、第１陰極配線２２Ａ、補助陰極配線２４、陰極１１の表面を覆って、陰極保護層１７が形成されている。この陰極保護層１７により、２０ｎｍ以下と非常に薄い陰極１１や、その下の発光層１２の破損を抑制することができる。また、発光素子２１への水分の浸入を防ぐガスバリア層としての機能も兼ね備える。
【００４３】
陰極保護層１７はＥＣＲスパッタ法やイオンプレーティング法などの高密度プラズマ成膜法を用いて形成することができる。形成前には、酸素プラズマ処理を行って形成した膜の密着性を向上させることが好ましい。
【００４４】
陰極保護層１７は、透明性や密着性、耐水性、絶縁性、更にはガスバリア性を考慮して、酸窒化シリコンや窒化シリコンなどのケイ素化合物で構成することが望ましい。中でも、酸窒化シリコンは、含まれる酸素と窒素の比率を変えることで高い防湿性を維持しながら、膜応力を抑えつつ無色透明な膜とすることが可能であるため好ましい。本実施形態では、酸窒化シリコンを用いて陰極保護層１７を形成している。
【００４５】
また、陰極保護層１７の膜厚は１００ｎｍ以上が好ましく、隔壁１３を被覆することで発生する応力によるクラック発生を防ぐため、膜厚の上限は４００ｎｍ以下に設定することが好ましい。なお、本実施形態においては、陰極保護層１７を単層で形成しているが、複数層で積層してもよい。例えば、低弾性率の下層と高耐水性の上層とで陰極保護層１７を構成してもよい。
【００４６】
陰極保護層１７の上には、陰極保護層１７の内側に有機平坦化層１８が形成されている。有機平坦化層１８は、隔壁１３の形状の影響により、凹凸状に形成された陰極保護層１７の凹凸部分を埋めるように配置され、さらに、その上面は略平坦に形成される。この有機平坦化層１８は、第１基板２０Ａの反りや体積膨張により発生する応力を緩和し、隔壁１３からの陰極保護層１７の剥離を防止する機能を有する。また、有機平坦化層１８の上面が略平坦化されるので、有機平坦化層１８上に形成される硬い被膜からなる後述するガスバリア層１９も平坦化される。したがって、応力が集中する部位がなくなり、これにより、ガスバリア層１９でのクラックの発生を防止することができる。
【００４７】
有機平坦化層１８の形成材料としては、流動性に優れ且つ溶媒や揮発成分の無い、全てが高分子骨格の原料となる有機化合物材料であることが好ましく、その様な形成材料としてエポキシ基を有する分子量３０００以下のエポキシモノマー／オリゴマーを好適に用いることができる。
【００４８】
また、有機平坦化層１８の最適な膜厚としては、２μｍ〜５μｍが好ましい。有機平坦化層１８の膜厚が厚いほうが異物混入した場合等にガスバリア層１９の破損を防ぎやすいが、有機平坦化層１８を合わせた層厚が５μｍを超えると、後述する着色層３２ａと発光層１２の距離が広がり側面に逃げる光が増えるため光を取り出す効率が低下するためである。
【００４９】
有機平坦化層１８の上には、有機平坦化層１８の端部を含め全面を被覆し、且つ陰極保護層１７の全面を覆うガスバリア層１９が形成されている。ガスバリア層１９は、酸素や水分が浸入するのを防止するためのもので、これにより酸素や水分による発光素子２１の劣化等を抑えることができる。ガスバリア層１９は、透明性、ガスバリア性、耐水性を考慮して、好ましくは窒素を含むケイ素化合物、すなわち窒化シリコンや酸窒化シリコンなどを用いて形成される。本実施形態では、酸窒化シリコンを用いてガスバリア層１９を形成している。
【００５０】
ガスバリア層１９は、ＥＣＲスパッタ法やイオンプレーティング法などの高密度プラズマ成膜法を用いて形成することができる。形成前には、形成面の酸素プラズマ処理を行って形成した膜の密着性を向上させることが好ましい。また、ガスバリア層１９の膜厚は、ガスバリア層１９の破損を防ぎガスバリア性を担保するために１００ｎｍ以上であることが好ましい。また、有機平坦化層１８の端部や第１陰極配線２２Ａ等の凹凸部を被覆する際にクラックを防ぐために８００ｎｍ以下であることが好ましい。なお、本実施形態においては、ガスバリア層１９を単層で形成しているが、複数層で積層してもよい。
【００５１】
陰極保護層１７およびガスバリア層１９が第１陰極配線２２Ａを覆って形成されている。第１陰極配線２２Ａの表面には、前述のように陽極１０に用いられるＩＴＯ（酸化物導電膜）が形成されている。このＩＴＯは、成膜の過程で多結晶柱状構造をとるため隙間が多く、水分が浸入しやすい。また、ＩＴＯの導電性を高めるために加熱処理を行うと、結晶が凝集・成長するため、より隙間が多くなる。そのため、第１陰極配線２２Ａが露出していると、外部環境の水蒸気などの水分が第１陰極配線２２Ａの表面のＩＴＯを介して有機ＥＬ装置１の内部に浸入するおそれがあるが、本実施形態では透湿性の低いケイ素化合物からなる層で第１陰極配線２２Ａを覆っているため、第１陰極配線２２Ａからの水分の浸入を防ぐことが出来る。更には、ガスバリア層１９は有機平坦化層１８も完全に覆っているため、有機平坦化層１８を介した水分浸入も防ぐことが出来る。
陰極保護層１７と有機平坦化層１８とは、第１基板２０Ａの外縁部まで延在して設けられており、上記外縁部では無機材料からなる陰極保護層１７とガスバリア層１９とが互いに接するように積層されている。つまり、有機平坦化層１８を介さずに陰極保護層１７とガスバリア層１９とを直接積層させることにより上記外縁部における封止性を向上させている。
【００５２】
（第２基板）
ガスバリア層１９が形成された第１基板２０Ａには、第２基板３１が対向配置されている。第２基板３１は、ガスバリア層１９を保護する機能と光透過性を備えた基板であり、例えばガラス、石英ガラス、窒化ケイ素等の無機物や、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリオレフィン樹脂等の有機高分子（樹脂）を用いて形成することができる。また、光透過性を備えるならば、上記材料を積層または混合して形成された複合材料を用いることもできる。中でも、透明性と防湿性が高く、耐熱性を付与するのに第１基板２０Ａとの熱膨張率を合わせるため、特にガラス基板が好適に用いられる。
【００５３】
第２基板３１の第１基板２０Ａと対向する面には、カラーフィルター層３２が形成されている。カラーフィルター層３２には、透過光を赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のいずれかの光に変調する着色層３２ａがマトリクス状に配列形成されている。この着色層３２ａの各々は、陽極１０上に形成された白色の発光層１２に対向して配置されている。これにより、発光層１２から射出された光は着色層３２ａの各々を透過して、赤色光、緑色光、青色光として観察者側に射出され、カラー表示を行うようになっている。
【００５４】
（シール層・接着層）
第１基板２０Ａと第２基板３１とは、第１基板２０Ａの外縁部近傍に配置されるシール層３３と、シール層３３に囲まれた領域内で第１基板２０Ａと第２基板３１とに挟持された接着層３４と、によって貼り合わされている。
【００５５】
シール層３３は、装置内部への水分浸入防止の機能のほかに、第１基板２０Ａと第２基板３１との貼り合わせの位置精度向上と接着層３４のはみ出しを防止する土手としての機能を有している。シール層３３の形成材料は、紫外線によって硬化して粘度が向上する樹脂材料で構成されている。好ましくはエポキシ基を有する分子量３０００以下のエポキシモノマー／オリゴマーが用いられる。
【００５６】
通常、シール層３３を形成するための材料には、基板間の距離を制御するための所定粒径の球状粒子（スペーサー）や、粘度を調整するため燐片状や塊状の無機材料（無機フィラー）などの充填物が混合されていることが多い。しかし、これらの充填物は貼り合わせ圧着時にガスバリア層１９を損傷させるおそれがあるため、本実施形態ではこれらの充填物が混入していないシール層形成材料を用いる。シール層３３の膜厚としては、５μｍ〜２０μｍが好ましい。
【００５７】
接着層３４は、シール層３３で囲まれた有機ＥＬ装置１の内部に隙間なく充填されており、第１基板２０Ａに対向配置された第２基板３１を固定し、かつ外部からの機械的衝撃に対して緩衝機能を有し、発光層１２やガスバリア層１９を保護する機能を備える。
【００５８】
接着層３４の形成材料の主成分としては、流動性に優れ、かつ溶媒のような揮発成分を持たない有機化合物材料である必要があり、好ましくはエポキシ基を有する分子量３０００以下のエポキシモノマー／オリゴマーが用いられる。
【００５９】
接着層３４の形成材料の塗布時の粘度は、２００ｍＰａ・ｓ〜１０００ｍＰａ・ｓ（室温）が好ましい。理由は、貼り合わせ後の空間への材料充填性を考慮したもので、加熱直後に一度粘度が下がってから硬化が始まる材料が好ましい。また、含水量は１０００ｐｐｍ以下に調整された材料であることが好ましい。
【００６０】
接着層３４の膜厚としては、３μｍ〜１０μｍが好ましい。接着層３４がこの程度の厚みを備えると、接着層３４の膜厚と先述した有機平坦化層１８等の各封止膜の膜厚との合計が最大で１５μｍ程度になる。この合計膜厚が１５μｍを超えると、カラーフィルター層３２と発光素子２１との間の距離が広がりすぎ、発光素子２１から射出される光のうち装置側面に逃げる光の割合が増えるため、光取り出し効率が悪くなるためである。この膜厚の制御は、接着層３４の形成材料を配置する量を制御することで行う。
【００６１】
（周辺部の断面構造）
続いて、図３に示す拡大断面図を参照して、有機ＥＬ装置１の周辺部の断面構造を説明する。図３は図２の要部（丸で囲んだＡ部）を示す図である。
【００６２】
図３に示すように、この有機ＥＬ装置１の周辺部は、前述した第１基板２０Ａと第２基板３１との間に、第１陰極配線２２Ａ、補助陰極配線２４、陰極保護層１７、有機平坦化層１８、ガスバリア層１９、シール層３３が順次積層される構成となっている。また、シール層３３は、装置の最も外側に近い位置に形成されている隔壁１３よりも外側に形成されている。
【００６３】
有機平坦化層１８は、周辺部では主に隔壁１３と平坦化膜１６とに由来する凹凸形状を緩和するように形成されている。有機平坦化層１８の周辺部では、隔壁１３と平坦化膜１６とは階段状の形状を形成しており、有機平坦化層１８は該階段状の下地形状に沿って、下部が階段状に形成されている。また、有機平坦化層１８は、装置中央部から周辺端部３５にかけて薄く小さくなるように形成されている。有機平坦化層１８の周辺端部３５における第１基板２０Ａの水平方向に対する仰角（接触角度）θは、２０度以下で形成されることが好ましく、特に１０度前後で形成されることが好ましい。これにより、有機平坦化層１８の周辺端部３５を覆うガスバリア層１９の応力集中によるクラックや剥離等の損傷を防ぐことができる。本実施形態では、仰角θは１０度となっている。更には、有機平坦化層１８の周辺部では階段状の下地形状に沿って有機平坦化層１８が形成されているため、周辺端部３５から隔壁１３の上部に至るまで有機平坦化層１８の表面斜面の水平方向に対する仰角が急激に大きくなることなく形成されている。
【００６４】
ここで、陰極保護層１７とガスバリア層１９とは、前述の通り第１陰極配線２２Ａを完全に被覆するように形成されている。また、ガスバリア層１９は、有機平坦化層１８も完全に被覆するように有機平坦化層１８よりも広く形成されており、このガスバリア層１９上にシール層３３が配置されている。さらに、シール層３３の幅ｄ内に有機平坦化層１８の周辺端部３５の立ち上がり部分３６が位置するように形成されている。
【００６５】
有機平坦化層１８とその上に形成されるガスバリア層１９は異なる材料を用いて形成されており、熱膨張率の異なる材料にて形成されていることがほとんどである。環境の変化や装置の駆動による発熱によりこれらの層の温度が変化すると、熱膨張率の差に由来してガスバリア層１９が破損するおそれがある。その様な破損は、ガスバリア層１９の形状が変化する有機平坦化層１８の端部において起こりやすい。しかしながら、本実施形態のように有機平坦化層１８の周辺端部３５に重なるようにシール層３３を形成し、ガスバリア層１９を有機材料で挟持すると、応力集中によるガスバリア層１９のクラックや剥離等の損傷を防ぐことができる。したがって、第１陰極配線２２Ａや有機平坦化層１８を介して水分が発光素子２１に到達することを防ぎ、ダークスポットの発生を防ぐことができる。
【００６６】
なお、本実施形態における陰極保護層１７とガスバリア層１９は、共通のマスクを使用して形成する。狭額縁構造の観点から第１基板２０Ａの外周４辺のうち実装端子部４０を有する辺２５（図４参照）を除く３辺は第１基板２０Ａの端部まで覆う構造である。
【００６７】
また、この有機ＥＬ装置１の周辺部は非発光部分である額縁部となっている。この額縁部は、例えば第１基板２０Ａ上の最端部に設けられた隔壁１３の頭頂部から第１基板２０Ａの端部までの間に配置されている。その額縁部の幅Ｄは、例えば１ｍｍであり、シール層３３の幅ｄは、例えば０．５ｍｍである。
【００６８】
次いで、有機ＥＬ装置１の平面構造について図４を参照して説明する。図４は第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の構成を模式的に示す平面図である。
図４に示すように、第１基板２０Ａは、平面視矩形の形状を有しており、基板本体２０の中央部に配置された表示領域３と、表示領域３の周囲に配置された額縁部４とを備えている。
【００６９】
表示領域３は平面視矩形の領域形状を備え、図１で示したサブ画素Ｘがマトリクス状に配置されている。サブ画素Ｘにはそれぞれ発光素子２１が配置されており、は赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のいずれかの光が取り出される構成となっている。これら各々の色に発色するサブ画素Ｘは、図中の短手方向において同一色で配列していわゆるストライプ配置を構成している。そして、サブ画素Ｘが発色するＲＧＢが一つのまとまりとなって、単位画素が構成されており、該単位画素はＲＧＢの発光を混色させてフルカラー表示を行うようになっている。
【００７０】
額縁部４には、表示領域３を覆って表示領域３よりも広い面積に（額縁部４にはみ出るまで）形成される平面視矩形の陰極１１と、陰極１１の周囲を囲んで形成される第１陰極配線２２Ａと、第１陰極配線２２Ａと接続して形成される第２陰極配線２２Ｂと、陰極１１の両短辺に配置され、陰極１１と第１陰極配線２２Ａとを接続する帯状の補助陰極配線２４と、を備えている。また、第１基板２０Ａの長辺のうちの一方の辺２５には、その中央部に第１基板２０Ａを他の部材と電気的に接続させる際に用いる実装端子部４０を備えている。
【００７１】
第１陰極配線２２Ａは、陰極１１の両短辺および辺２５側とは反対側の陰極１１の長辺に対向して平面視コの字型に配置されている。また、第２陰極配線２２Ｂは平面視Ｌ字型を備えており、第１陰極配線２２Ａの両端部にはそれぞれ１つずつ第２陰極配線２２Ｂの一端部が接続されている。また、各第２陰極配線２２Ｂの他端部には接続端子２３が設けられており、接続端子２３は複数の接続端子を有する実装端子部４０の一部を構成して辺２５に当接するように設けられている。
【００７２】
第１陰極配線２２Ａは、陰極１１と導通させて電気抵抗を下げることを目的としていることから、必ずしも平面視コの字型である必要は無く、陰極１１と少なくとも一箇所（一辺）で接続されていれば良い。その様な場合には、例えば第１陰極配線２２Ａは陰極１１の一辺に対向して配置しており、第１陰極配線２２Ａの端部から辺２５に第２陰極配線２２Ｂが形成されているという形態が考えられる。もちろん接続部が多くなると相対的に電気抵抗が下げられるため、陰極１１の向かい合う二辺に対向して２本の第１陰極配線２２Ａを配置して、各辺で陰極１１と第１陰極配線２２Ａとを接続することとしてもよい。更に、本実施形態では平面視コの字型の第１陰極配線２２Ａとしているが、第１陰極配線２２Ａが陰極１１の周囲を取り囲み平面視で閉環している構造であっても構わない。
【００７３】
実装端子部４０は、有機ＥＬ装置１が備える各種配線と不図示の回路配線で接続されている。実装端子部４０は、有機ＥＬ装置１と他の部材とを電気的に接続させる際に用いる。実装端子部４０は、必要に応じて金や銀などの導電性の高い金属によるメッキを行い、実装端子部４０での導電性を高めることとしておいても良い。
【００７４】
これら各種配線のうち実装端子部４０の端部を除いて、ガスバリア層１９が形成されている。ガスバリア層１９に覆われない部分（露出部分）には、実装端子部４０の一部を構成する接続端子２３も含んでいる。また、第２陰極配線２２Ｂの備える屈曲部はガスバリア層１９に覆われている。
【００７５】
以上のような構成の有機ＥＬ装置１によれば、第１陰極配線２２Ａはガスバリア層１９に覆われているため、第１陰極配線２２Ａの表面に形成されているＩＴＯを介して水分が装置内部に浸入することを防ぎ、発光素子２１の劣化による表示性能の低下を回避し表示性能を維持することができる。
【００７６】
また、本実施形態では、複数の発光素子２１とガスバリア層１９との間に有機平坦化層１８が形成されている。そのため、ガスバリア層１９が形成される表面に凹凸が少なくなり、凹凸部での応力集中によるガスバリア層１９の破損を抑制することができる。したがって、ガスバリア層１９による水分の浸入防止を確実に行うことが可能となる。
【００７７】
また、本実施形態では、有機平坦化層１８の周辺端部３５における接触角度θが、２０度以下となっている。そのため、有機平坦化層１８の周辺端部３５において、有機平坦化層１８を覆って形成されるガスバリア層１９は、下地形状に対応して急峻な角度を備えずに形成されるため、有機平坦化層１８の周辺端部３５でのガスバリア層１９の損傷を抑制することができる。
【００７８】
また、本実施形態においては、ガスバリア層１９は窒化シリコンまたは酸窒化シリコンを用いることとしたが、酸化シリコンを用いることとしても構わない。
その場合、酸化シリコンは窒化シリコンや酸窒化シリコンと比べると透湿性が高いため、窒化シリコンや酸窒化シリコンを用いて形成するガスバリア層１９よりも厚く成膜することが望ましい。
【００７９】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、有機ＥＬ装置１の製造方法を図５〜図１０を参照して説明する。図５は有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程フロー図、図６はマザー基板における第１基板のレイアウトを示す概略平面図、図７〜図１０は有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図である。図５の工程フロー図は陰極保護層１７の形成工程（Ｓ１）より始まっているが、それまでの工程は前述したように公知の方法を採用することができる。
【００８０】
本実施形態では、図６が示すようにマザー基板Ｗに複数の第１基板２０Ａを配列して形成する。その際、より多くの第１基板２０Ａを形成するために、隣り合う第１基板２０Ａが互いに分断線を介し密着したレイアウトとなっている。マザー基板Ｗに配列された第１基板２０Ａの長手方向がＸ方向、短手方向がＹ方向である。
第１基板２０Ａは外周４辺のうち長手方向側の１辺に実装端子部４０を有する辺２５を持ち、Ｙ方向に隣り合う第１基板２０Ａは互いに実装端子部４０を有する辺２５が接するレイアウトとなっている。
【００８１】
（陰極保護層形成工程Ｓ１）
まず、図７（ａ）に示すように、陰極１１までが積層された第１基板２０Ａに陰極保護層１７を形成する。例えば、前述のように窒化シリコンや酸窒化シリコンなどを、ＥＣＲスパッタ法やイオンプレーティング法等の高密度プラズマ成膜法により、メタルマスクなどを用いることにより所望の領域のみに成膜する。この際、実装端子部４０を有する辺２５に対向する辺２７が互いに接した成膜領域２９（図６参照）では、隣り合う第１基板２０Ａに亘って連続的に陰極保護層１７が形成される。
【００８２】
（有機平坦化層形成工程Ｓ２）
次に、図７（ｂ）に示すように、第１基板２０Ａごとに有機平坦化層１８を陰極保護層１７上に形成する。具体的には、まず減圧雰囲気下でスクリーン印刷法により有機平坦化層１８の形成材料を配置する。減圧雰囲気下で有機平坦化層１８の形成材料を配置することで、有機平坦化層１８の形成材料やスクリーンメッシュに含まれる揮発性の不純物や水分を極力除去することができる。また、スクリーン印刷法ではスキージによる摩擦により配置した材料の表面が強制的に平坦化されるため、他の材料配置方法と比較して材料表面を平坦にすることが可能である。
【００８３】
続いて、配置した有機平坦化層１８の形成材料を６０℃〜１２０℃の範囲で加熱して硬化させる。この加熱硬化は、大気圧での水分が１０ｐｐｍ以下に管理された窒素雰囲気下において行われる。
【００８４】
（ガスバリア層形成工程Ｓ３）
次に、図７（ｃ）に示すように、ガスバリア層１９を有機平坦化層１８上に形成する。具体的には、ＥＣＲスパッタ法やイオンプレーティング法などの高密度プラズマ成膜法で形成する。なお形成前には、酸素プラズマ処理によって密着性を向上させると信頼性が向上するため好ましい。また、製造の際には、ガスバリア層１９と陰極保護層１７とを同一の材料にて形成すると、製造工程や製造装置の簡略化を図ることができる。こうした場合には、ガスバリア層１９を形成する際に用いるマスクと陰極保護層１７を形成する際に用いるマスクは共通のマスクが使用可能である。この際ガスバリア層１９は、陰極保護層１７と同様に実装端子部４０を有する辺２５に対向する辺２７が互いに接した成膜領域２９（図６参照）では、隣り合う第１基板２０Ａに亘って連続的に成膜される。
【００８５】
（周辺部の断面構造）
ここで封止膜形成後の断面構造について説明する。図１６に示す従来の有機ＥＬ装置の製造方法における第１基板の配列では、実装端子部４０を有する辺と反対側の辺が接するＣ部の断面は図１５に示すようになっている。一方、本実施形態の図６に示す配列の場合、実装端子部４０を有する辺２５と反対側の辺２７が接するＤ部の断面は図１０に示すようになる。二つを比べると本実施形態のレイアウトの場合は、実装端子部４０を有する辺２５の反対側の辺２７の額縁部の幅が狭いことがわかる。これは図１６に示す従来の配列では隣に配列された第１基板２０Ａの実装端子部４０に陰極保護層１７とガスバリア層１９が成膜されることを防ぐために成膜精度に見合った公差分の距離をとっている為である。本実施形態では封止膜の機能を損なうことなく額縁部４の幅を狭くすることが可能である。また、陰極保護層１７とガスバリア層１９の成膜において非成膜エリアの幅が広がることにより、用いるマスクの形成が容易になるという利点もある。
【００８６】
（対向ガラス貼付工程Ｓ４）
次にあらかじめ完成サイズにカットされた複数の第２基板３１側をマザー基板Ｗに配列された第１基板２０Ａに対応する形で貼り付ける。
【００８７】
図８（ａ）に示すように、カラーフィルター層３２が形成された第２基板３１の周辺部にシール層３３の形成材料を配置する。具体的には、ニードルディスペンス法により、前述したシール層３３の形成材料を第２基板３１の周囲に塗布していく。
【００８８】
次に、図８（ｂ）に示すように、第２基板３１に配置されたシール層３３の形成材料に囲まれた内部に接着層３４の形成材料を配置する。配置方法としてジェットディスペンス法を用い、塗布を行う。シール層３３の形成材料の粘度は接着層３４の形成材料の粘度よりも十分に高いため、シール層３３の形成材料は接着層３４の形成材料のはみ出しを防止する土手としての機能を発揮することができる。
【００８９】
次に、図８（ｃ）に示すように、シール層３３および接着層３４が塗布された第２基板３１に紫外線照射を行う。すると、光反応型開始剤を含むシール層３３の形成材料が優先的に反応して硬化を開始するため、シール層３３の形成材料の粘度が向上する。
【００９０】
続いて、図９（ａ）に示すように、図７（ｃ）に示したガスバリア層１９までが形成された第１基板２０Ａと、図８（ｃ）に示したシール層３３の硬化を開始させた第２基板３１と、を貼り合わせる。この時、シール層３３が第１基板２０Ａ上に形成した有機平坦化層１８の周辺端部３５を完全に被覆するように配置する。この貼り合わせ工程は、真空度が１Ｐａの減圧雰囲気下で行われ、加圧６００Ｎで２００秒間保持して圧着させる。
【００９１】
次に、図９（ｂ）に示すように、圧着して貼り合わせた有機ＥＬ装置１を大気中で加熱して、シール層３３および接着層３４の形成材料の硬化を完了させる。
【００９２】
（分断工程Ｓ５）
マザー基板Ｗに配列された第１基板２０Ａを外形サイズに分断し、個々の有機ＥＬ装置１を切り出す。以上より、所望の有機ＥＬ装置１を製造することができる。
【００９３】
以上の有機ＥＬ装置１の製造方法によれば、実装端子部４０を有する辺２５の反対側の辺２８において、額縁部４を狭くすることが可能となる。具体的には陰極保護層１７とガスバリア層１９の成膜エリアの位置精度の公差分に相当する長さで額縁部４を狭くすることが可能となる。
【００９４】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態の有機ＥＬ装置とその製造方法について、図１１および図１２を参照して説明する。図１１は第２実施形態の有機ＥＬ装置における第１基板の構造を示す概略断面図、図１２は第２実施形態の有機ＥＬ装置の製造方法を示す概略断面図である。
図１１に示すように、本実施形態における有機ＥＬ装置２は、複数の発光素子２１が配置された第１基板２０Ａと、複数の発光素子２１を覆って積層して形成される陰極保護層１７と無機平坦化層２６とガスバリア層１９の各層と、この第１基板２０Ａの複数の発光素子２１が配置された面に対向配置された第２基板３１と、を備えている。これら第１基板２０Ａと第２基板３１とは、シール層３３および接着層３４とを介して貼り合わされている。つまり、第１実施形態の有機平坦化層１８を無機平坦化層２６の置き換えた構成である。それ以外は、有機ＥＬ装置２の周辺部の封止膜の構成を除き第１実施形態と同様の構成となる。
【００９５】
（周辺部の断面構造）
続いて、本実施形態における有機ＥＬ装置２の周辺部の断面構造を説明する。この有機ＥＬ装置２の周辺部は、前述した第１基板２０Ａと第２基板３１との間に、第１陰極配線２２Ａ、補助陰極配線２４、陰極保護層１７、無機平坦化層２６、ガスバリア層１９、シール層３３が順次積層される構成となっている。また、シール層３３は、装置の最も外側に近い位置に形成されている隔壁１３よりも外側に形成されている。
【００９６】
陰極保護層１７の上には、陰極保護層１７の内側に無機平坦化層２６が形成されている。無機平坦化層２６は、隔壁１３の形状の影響により、凹凸状に形成された陰極保護層１７の凹凸部分を埋めるように配置され、さらに、その上面は略平坦に形成される。この無機平坦化層２６は、第１基板２０Ａの反りや体積膨張により発生する応力を緩和し、隔壁１３からの陰極保護層１７の剥離を防止する機能を有する。また、無機平坦化層２６の上面が略平坦化されるので、無機平坦化層２６上に形成される硬い被膜からなる後述するガスバリア層１９も平坦化される。したがって、応力が集中する部位がなくなり、これにより、ガスバリア層１９でのクラックの発生を防止することができる。
【００９７】
無機平坦化層２６は塗布型の材料を用いる。低温硬化タイプのポリシラザンが望ましい。
これにより、スピンコートや印刷法にて形成することができる。
【００９８】
無機平坦化層２６は第１実施形態の有機平坦化層１８と比較して、ガスバリア性に優れる特性を持つ。そのため封止膜外周端において、よりガスバリア性に優れる陰極保護層１７とガスバリア層１９にて完全に覆う必要がない。そのためより狭額縁化に適した形状をとることが出来る。
【００９９】
本実施形態では、マザー基板Ｗに対するレイアウトは第１実施形態と同じである。
【０１００】
ここで封止膜形成後の断面構造について説明する。図１６で示す従来の有機ＥＬ装置の製造方法における第１基板の配列では、実装端子部４０を有する辺と反対側の辺が接するＣ部の断面は図１５のようになる。一方、本実施形態で示す図６の配列の場合、実装端子部４０を有する辺２５と反対側の辺２７同士が接しているＤ部の断面は図１２のようになる。二つを比べると本実施形態のレイアウトの場合は、実装端子部４０と反対側において、陰極保護層１７と、無機平坦化層２６と、ガスバリア層１９とが隣り合う第１基板２０Ａに跨って形成される。したがって、額縁部の幅が狭いことがわかる。これは図１６に示す従来の配列では隣に配列された第１基板２０Ａの実装端子部４０に陰極保護層１７とガスバリア層１９が成膜されることを防ぐために成膜精度に見合った公差分の距離をとっている為である。本実施形態では封止膜の機能を損なうことなく額縁部４の幅を狭くすることが可能である。また、陰極保護層１７とガスバリア層１９の成膜において非成膜エリアの幅が広がることにより、用いるマスクの形成が容易になるという利点もある。
なお、高い封止性能を有する無機平坦化層２６を用いているので、陰極保護層１７を削除してもよい。すなわち、実装端子部４０が配置されていない辺２７同士が接している部分において、隣り合う第１基板２０Ａに跨って無機平坦化層２６とガスバリア層１９を形成すればよい。
【０１０１】
（第３実施形態）
次に、第３実施形態の有機ＥＬ装置とその製造方法について図１３を参照して説明する。
図１３は第３実施形態のマザー基板における第１基板のレイアウトを示す概略平面図である。
本実施形態における有機ＥＬ装置５は第１実施形態に対して、第１基板２０Ａの直交する２辺に実装端子部４０を有する点が異なっている。第１実施形態と同じ構成には同じ符号を付して詳細な説明は省略する。
【０１０２】
図１３に示すように、本実施形態における第１基板２０Ａのレイアウト方法は、より多くの第１基板２０Ａを形成するために、第１実施形態と同じく隣り合う第１基板２０Ａが互いに分断線を介し密着したレイアウトとなっている。マザー基板Ｗに配列された第１基板２０Ａの長手方向がＸ方向、短手方向がＹ方向である。
第１基板２０Ａは外周４辺のうち長手方向側の１辺に実装端子部４０を有する辺２５ａを持ち、実装端子部４０を有する辺２５ａに対向する実装端子部４０を有さない辺２７を持つ。同じく短手方向側の１辺に実装端子部４０を有する辺２５ｂを持ち、実装端子部４０を有する辺２５ｂに対向する実装端子部４０を有さない辺２８を持つ。Ｙ方向に隣り合う第１基板２０Ａは互いに実装端子部４０を有する辺２５ａが接し、Ｘ方向においても隣り合う第１基板２０Ａは互いに実装端子部４０を有する辺２５ｂが接する。つまり隣り合うすべての第１基板２０Ａ同士がＸ方向及びＹ方向どちらにおいても回転角１８０°逆方向となるレイアウトとなっている。
【０１０３】
本実施形態によれば、実装端子部４０を有する辺２５ａ，２５ｂの反対側の辺２７，２８において、額縁部４を狭くすることが可能となる。具体的には陰極保護層１７とガスバリア層１９の成膜エリアの位置精度の公差分に相当する長さで額縁部４を狭くすることが可能となる。
【０１０４】
（第４実施形態）
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器について図１４を参照して説明する。図１４（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜視図である。図１４（ａ）において、符号５０は携帯電話本体を示し、符号５１は有機ＥＬ装置１を備えた表示部を示している。
図１４（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装置の一例を示した斜視図である。図１４（ｂ）において、符号６０は情報処理装置、符号６１はキーボードなどの入力部、符号６３は情報処理本体、符号６２は有機ＥＬ装置１を備えた表示部を示している。
図１４（ｃ）は、腕時計型電子機器の一例を示した斜視図である。図１４（ｃ）において、符号７０は腕時計本体を示し、符号７１は有機ＥＬ装置１を備えたＥＬ表示部を示している。
図１４（ａ）〜（ｃ）に示す電子機器は、先の実施形態に示した有機ＥＬ装置１が備えられている。したがって、額縁部が従来に比べて狭くなっているので、表示領域を相対的に大きくすることができ、視認性が良好で且つ小型な電子機器を提供することができる。
【０１０５】
なお、電子機器としては、上記携帯電話５０、携帯型情報処理装置６０、腕時計型電子機器７０に限られることなく、種々の電子機器に適用することができる。例えば、ディスクトップ型コンピューター、液晶プロジェクター、マルチメディア対応のパーソナルコンピューター（ＰＣ）及びエンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャー、ワードプロセッサー、テレビ、ビューファインダー型又はモニター直視型のビデオテープレコーダー、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた装置等の電子機器に適用することができる。
【０１０６】
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
（変形例１）上記実施形態における有機ＥＬ装置の構造は、これに限定されない。例えば、シール層３３を有さない構造、カラーフィルター層３２を第２基板３１ではなく封止膜（ガスバリア層１９）上に直接形成する構造、また第２基板３１を有さない構造においても実施可能である。
【０１０７】
（変形例２）ガスバリア層１９は、無機材料からなるものに限定されない。例えば、ガス透過性が低い樹脂材料を用いてもよい。無機材料に比べて成膜後のクラックなどの不具合が発生し難くなる。
【符号の説明】
【０１０８】
１，２，５…有機エレクトロルミネッセンス装置、３…表示領域、１０…陽極（電極）、１１…陰極（電極）、１２…発光層（有機発光層）、１８…有機平坦化層、１９…ガスバリア層、２０Ａ…第１基板、２０…基板本体、２１…発光素子、２２Ａ…第１陰極配線、２２Ｂ…第２陰極配線、２３…接続端子、３１…保護基板、３３…シール層、３４…接着層、３５…有機平坦化層の周辺端部、４０…実装端子部、５０…携帯電話（電子機器）、６０…携帯型情報処理装置（電子機器）、７０…腕時計（電子機器）。
【図１】
2012209215.tif 000003
【図２】
2012209215.tif 000004
【図３】
2012209215.tif 000005
【図４】
2012209215.tif 000006
【図５】
2012209215.tif 000007
【図６】
2012209215.tif 000008
【図７】
2012209215.tif 000009
【図８】
2012209215.tif 000010
【図９】
2012209215.tif 000011
【図１０】
2012209215.tif 000012
【図１１】
2012209215.tif 000013
【図１２】
2012209215.tif 000014
【図１３】
2012209215.tif 000015
【図１４】
2012209215.tif 000016
【図１５】
2012209215.tif 000017
【図１６】
2012209215.tif 000018