(57)【要約】【課題】複数層の構造を有する半導体装置の界面における微小な欠陥を検出する。【解決手段】欠陥検出装置１００は、複数層の構造を有する半導体装置１１に光１４を照射する光源（例えば、同軸照明３）と、半導体装置１１を撮像する撮像部（例えば、ＣＣＤカメラ１）を有する。欠陥検出装置１００は、更に、撮像部による撮像結果に基づいて、少なくとも、半導体装置１１の層間の界面１２における欠陥（例えば、樹脂剥離部９）を検出する欠陥判定部６５を有する。光源から照射される光を、界面１２に直交する方向に対して傾斜した方向から、半導体装置１１において撮像部と対向する面（例えば、上面１３）から半導体装置１１に入射させ、撮像部により、界面１２からの反射光１７を撮像する。【選択図】図１
2012112677.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数層の構造を有する半導体装置に光を照射する光源と、
前記半導体装置を撮像する撮像部と、
前記撮像部による撮像結果に基づいて、少なくとも、前記半導体装置の層間の界面における欠陥を判定する欠陥判定部と、
を有し、
前記光源から照射される前記光を、前記界面に直交する方向に対して傾斜した方向から、前記半導体装置において前記撮像部と対向する面から前記半導体装置に入射させ、
前記撮像部により、前記界面からの反射光を撮像することを特徴とする欠陥検出装置。
【請求項２】
前記撮像部の向きと、前記光源からの光の照射方向とが一致し、
前記光源と前記半導体装置との間の位置に、前記光源から照射される光の光軸を傾斜させるウェッジプリズムを有することを特徴とする請求項１に記載の欠陥検出装置
【請求項３】
前記光軸の傾斜が変化するように前記ウェッジプリズムを移動させる移動部を有することを特徴とする請求項２に記載の欠陥検出装置。
【請求項４】
前記傾斜の角度は１°以上２°以下であることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の欠陥検出装置。
【請求項５】
前記半導体装置は、半導体チップと、前記半導体チップを封止した透明封止樹脂と、を有し、
前記界面は、前記透明封止樹脂と前記半導体チップとの界面であることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の欠陥検出装置。
【請求項６】
複数層の構造を有する半導体装置に光を照射する工程と、
前記半導体装置を撮像部により撮像する工程と、
前記撮像の結果に基づいて、少なくとも、前記半導体装置の層間の界面における欠陥を判定する工程と、
を有し、
前記光を照射する工程では、前記界面に直交する方向に対して傾斜した方向から、前記半導体装置において前記撮像部と対向する面から、前記光を前記半導体装置に入射させ、
前記撮像部により、前記界面からの反射光を撮像することを特徴とする欠陥検出方法。
【請求項７】
前記撮像部の向きと、前記光源からの光の照射方向とを一致させ、
前記光源と前記半導体装置との間の位置に配置したウェッジプリズムに光を透過させることによって、前記光の光軸を傾斜させて、前記光を前記半導体装置に照射することを特徴とする請求項６に記載の欠陥検出方法。
【請求項８】
前記光軸の傾斜が変化するように前記ウェッジプリズムを移動させて、前記光軸の方向を調節する工程を有することを特徴とする請求項７に記載の欠陥検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、欠陥検出装置及び欠陥検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数層の構造を有する半導体装置の欠陥を検出するための装置及び方法としては、例えば、特許文献１に記載のものがある。
【０００３】
特許文献１の技術では、半導体チップと、この半導体チップを覆う透明な封止体とを有する半導体装置の上面を光検出部に対向させた状態で、封止体の側面から封止体に光を入射させる。封止体に欠陥が無い場合には半導体装置からの光が光検出部に入射せず、封止体に欠陥がある場合にはその欠陥によって生じる散乱光が光検出部に入射することにより、封止体の欠陥を検出できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−７７４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の技術では、例えば異物や気泡などの高さ方向にある程度の大きさを持つ欠陥であれば散乱光が生じやすく、光検出部によってその散乱光をコントラストよく（明るく）撮像でき、欠陥として検出することが期待できる。
【０００６】
しかしながら、本発明者による検討の結果、特許文献１の技術には以下の課題があることが分かった。すなわち、特許文献１の技術では、封止体と半導体チップとの界面でのごく薄い剥離欠陥については、散乱光が生じにくいためにコントラストが低く（暗く）検出が困難である。特許文献１の技術では、封止体に対して低角度の斜め方向から光をあて、欠陥により発生する乱反射を封止体の上方にて散乱光としてとらえる（いわゆる暗視野光学系を採用している）ため、ごく薄い剥離については乱反射する領域が少なく、コントラストよく抽出することが困難となる。
【０００７】
このように、複数層の構造を有する半導体装置の界面における微小な欠陥を検出することは困難だった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、複数層の構造を有する半導体装置に光を照射する光源と、
前記半導体装置を撮像する撮像部と、
前記撮像部による撮像結果に基づいて、少なくとも、前記半導体装置の層間の界面における欠陥を判定する欠陥判定部と、
を有し、
前記光源から照射される前記光を、前記界面に直交する方向に対して傾斜した方向から、前記半導体装置において前記撮像部と対向する面から前記半導体装置に入射させ、
前記撮像部により、前記界面からの反射光を撮像することを特徴とする欠陥検出装置を提供する。
【０００９】
この欠陥検出装置によれば、光源から照射される光を、界面に直交する方向に対して傾斜した方向から、半導体装置において撮像部と対向する面から、半導体装置に入射させる。そして、撮像部により、界面からの反射光を撮像する。このため、複数層の構造を有する半導体装置の界面における微小な欠陥（界面に発生するごく薄い剥離欠陥など）を検出することができる。
【００１０】
また、本発明は、複数層の構造を有する半導体装置に光を照射する工程と、
前記半導体装置を撮像部により撮像する工程と、
前記撮像の結果に基づいて、少なくとも、前記半導体装置の層間の界面における欠陥を判定する工程と、
を有し、
前記光を照射する工程では、前記界面に直交する方向に対して傾斜した方向から、前記半導体装置において前記撮像部と対向する面から、前記光を前記半導体装置に入射させ、
前記撮像部により、前記界面からの反射光を撮像することを特徴とする欠陥検出方法を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、複数層の構造を有する半導体装置の界面における微小な欠陥を検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１の実施形態に係る欠陥検出装置の構成を示す模式図である。
【図２】検査対象の半導体装置を示す模式的な断面図である。
【図３】第１の実施形態において、回転機構によりウェッジプリズムを所定の回転角度に調節した状態での光軸の傾斜を示す模式図である。
【図４】第１の実施形態に係る欠陥検出方法を説明するための模式図である。
【図５】第２の実施形態に係る欠陥検出装置の構成を示す模式図である。
【図６】第２の実施形態において、回転機構によりステージを所定の回転角度に調節した状態での光軸の傾斜を示す模式図である。
【図７】比較例に係る欠陥検出方法を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について、図面を用いて説明する。なお、すべての図面において、同様の構成要素には同一の符号を付し、適宜に説明を省略する。
【００１４】
〔第１の実施形態〕
図１は第１の実施形態に係る欠陥検出装置１００の構成を示す模式図である。
【００１５】
本実施形態に係る欠陥検出装置１００は、複数層の構造を有する半導体装置１１に光１４を照射する光源（例えば、同軸照明３）と、半導体装置１１を撮像する撮像部（例えば、ＣＣＤカメラ１）と、撮像部による撮像結果に基づいて、少なくとも、半導体装置１１の層間の界面１２（図２）における欠陥（例えば、樹脂剥離部９（図２））を検出する欠陥判定部６５と、を有し、光源から照射される光を、界面１２に直交する方向に対して傾斜した方向から、半導体装置１１において撮像部と対向する面（例えば、上面１３（図２））から半導体装置１１に入射させ、撮像部により、界面１２からの反射光１７（図４）を撮像する。以下、詳細に説明する。
【００１６】
図２は検査対象の半導体装置１１を示す模式的な断面図である。このうち図２（ａ）は界面１２に欠陥が存在しない場合を示し、図２（ｂ）は界面１２に欠陥（例えば、樹脂剥離部９）が存在する場合を示す。樹脂剥離部９は、透明封止樹脂８と半導体チップ７との間に生じた隙間である。
【００１７】
図２に示すように、半導体装置１１は、例えば、平坦な基材１８（例えばリードフレーム）と、基材１８上に搭載された半導体チップ（半導体素子）７と、半導体チップ７を封止した透明封止樹脂８と、を有する受光デバイスである。この受光デバイスは、例えば、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ）機器やＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）機器の光ピックアップなどに使用される。
このような受光デバイスは、一般的に、受光領域を有する半導体チップ７をリードフレーム上に搭載し、ワイヤボンディングにより信号接続を行った後で透明封止樹脂８により封止することにより構成される。
この半導体チップ７と透明封止樹脂８との界面１２に、剥離（樹脂剥離部９）、異物或いは気泡などの不良が存在する場合（図２（ｂ））、受光感度の低下や経年劣化など、品質上悪影響を与える可能性がある。
以下に説明するように、本実施形態に係る欠陥検出装置１００により、このような欠陥を検出することができる。
【００１８】
図１に示すように、本実施形態に係る欠陥検出装置１００は、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）カメラ１と、レンズ２と、同軸照明３と、ウェッジプリズム４と、回転機構５と、制御部６と、ステージ１６と、を有している。
【００１９】
ステージ１６は、その上面が水平に配置され、ステージ１６上には、半導体装置１１が水平に載置される。
ここで、半導体チップ７は、該半導体チップ７の上面及び下面が、基材１８の上面に対して平行となるように、基材１８上に搭載されている。更に、半導体チップ７の上面に対して上面１３が平行となるように透明封止樹脂８が形成されている。その結果、界面１２並びに上面１３は、半導体装置１１の下面と平行となっている。
このため、ステージ１６上に半導体装置１１が水平に載置された状態で、界面１２及び上面１３は水平となる。
【００２０】
ＣＣＤカメラ１は、ステージ１６の上方に配置され、レンズ２を通して、ステージ１６上の半導体装置１１を撮像する。レンズ２は、半導体装置１１の欠陥検出用の撮像に適した観察倍率に設定されている。
【００２１】
同軸照明３は、レンズ２を通して、ステージ１６上の半導体装置１１に光を照射する。レンズ２は、ＣＣＤカメラ１とともに撮像部を構成するとともに、同軸照明３とともに光源を構成する。ＣＣＤカメラ１の向きと、光源から照射される光１４の照射方向とは、何れも鉛直下向きであり、互いに一致する。同軸照明３は、同軸落射照明であるとともに、明視野光学系である。
なお、同軸照明３からの照射光の波長は、例えば、半導体チップ７の表面の色合いに応じて適宜に選択することができる。一般的な受光デバイスを検査する場合、例えば、可視光領域の４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の白色光又は単色光を用いることができる。
【００２２】
ウェッジプリズム４は、レンズ２の下方に位置し、レンズ２と、ステージ１６上の半導体装置１１と、の間に配置されている。
ウェッジプリズム４は、該ウェッジプリズム４に入射した光を偏角して透過させる特性を持っている。具体的には、ウェッジプリズム４は、その上面と下面とが互いに平行でない（互いに交差する）形状に形成されている。
このため、ウェッジプリズム４を透過して半導体装置１１に照射される光１５の光軸は、光源からウェッジプリズム４に到るまでの光１４の光軸に対して傾斜する。よって、光１５を界面１２に直交する方向（本実施形態の場合、鉛直方向）に対して傾斜した方向から、半導体装置１１においてＣＣＤカメラ１と対向する面（つまり上面１３）から透明封止樹脂８に入射させることができる。
これにより、半導体装置１１もしくはＣＣＤカメラ１を傾斜させることなく、半導体装置１１もしくはＣＣＤカメラ１を傾斜させた場合と同等の撮像画像を得ることができる。
なお、ウェッジプリズム４は、例えば、その上面が水平となるように配置されている。
また、ウェッジプリズム４による光軸の変化量は、例えば、１°以上２°以下であることが好ましい。この変化量を１°以上とすることにより、すなわち、界面１２に対して直交する方向に対する光１５の光軸の傾斜を１°以上とすることにより、界面１２に欠陥が存在する場合に、その欠陥が強調された画像を取得することができる。たとえ、その欠陥が、薄い剥離欠陥等の微小な欠陥であっても、その欠陥が強調された画像を取得することができる。ただし、この変化量が大きすぎると、欠陥でない箇所からの正反射光が少なくなって、欠陥箇所の特定が困難となるため、この変化量は２°以下が好ましい。
【００２３】
回転機構５は、例えば、モータ等のアクチュエータと、このアクチュエータの動力をウェッジプリズム４に伝達する駆動伝達機構と、を有して構成され、ウェッジプリズム４を水平面内で回転させる。この回転は、光源から照射される光１４の光軸を回転中心として行われる。
このようにウェッジプリズム４を回転させることにより、ウェッジプリズム４を透過して半導体装置１１に照射される光１５の光軸の傾斜方向を変化させることができる。
これにより、半導体装置１１を予め定められた複数の所定の方向にそれぞれ傾けた場合と同等の複数枚の画像を得ることができる。
【００２４】
図３は回転機構５によりウェッジプリズム４を所定の回転角度に調節した状態での光軸の傾斜を示す模式図である。このうち図３（ａ）は第１の回転角度（例えば、０°）に調節した状態を示し、図３（ｂ）は第２の回転角度（例えば、１８０°）に調節した状態を示す。
【００２５】
図１に示すように、制御部６は、ＣＣＤカメラ１の画像を取り込む画像入力部６１と、同軸照明３の光量を切り替える照明制御部６２と、回転機構５を制御してウェッジプリズム４の回転角度を所望の角度に調節する回転制御部６３と、画像入力部６１に入力された画像から欠陥箇所を抽出する欠陥抽出部６４と、抽出された欠陥の良否判定を行う欠陥判定部６５と、を含んで構成されている。
【００２６】
次に、本実施形態に係る欠陥検出方法を説明する。
この方法は、複数層の構造を有する半導体装置１１に光１５を照射する工程と、半導体装置１１を撮像部（例えば、ＣＣＤカメラ１）により撮像する工程と、撮像の結果に基づいて、少なくとも、半導体装置１１の層間の界面１２における欠陥（例えば、樹脂剥離部９）を判定する工程と、を有し、光１５を照射する工程では、界面１２に直交する方向に対して傾斜した方向から、半導体装置１１において撮像部と対向する面（例えば、上面１３）から、光１５を半導体装置１１に入射させ、撮像部により、界面１２からの反射光１７を撮像する。以下、詳細に説明する。
【００２７】
図４は本実施形態に係る欠陥検出方法を説明するための模式図である。
このうち図４（ａ）、（ｃ）、（ｅ）及び（ｇ）は、半導体装置１１に照射される光１５の光軸の向きと、界面１２からの反射光１７の向きと、を示す図である。図４（ａ）及び（ｃ）は界面１２に欠陥（例えば樹脂剥離部９）が存在する場合を示し、図４（ｅ）及び（ｇ）は界面１２に欠陥が存在しない場合を示す。図４（ａ）及び（ｅ）はウェッジプリズム４を第１の回転角度（０°）に調節した状態を示し、図４（ｃ）及び（ｇ）はウェッジプリズム４を第２の回転角度（１８０°）に調節した状態を示す。
図４（ｂ）、（ｄ）、（ｆ）及び（ｈ）は、ＣＣＤカメラ１により上方から撮像される画像（観察画像）を示す図である。図４（ａ）の状態での観察画像は図４（ｂ）、図４（ｃ）の状態での観察画像は図４（ｄ）、図４（ｅ）の状態での観察画像は図４（ｆ）、図４（ｇ）の状態での観察画像は図４（ｈ）にそれぞれ示される。各観察画像には、透明封止樹脂８の画像８０及び半導体チップ７の画像７０が含まれる。
【００２８】
一方、図７は比較例に係る欠陥検出方法を説明するための模式図である。
比較例に係る欠陥検出方法では、光１５を界面１２に対して垂直に照射する。
図７（ａ）及び（ｃ）は、光１５の光軸の向きと、反射光１７の向きと、を示す図である。図７（ａ）は界面１２に欠陥（樹脂剥離部９）が存在する場合を示し、図７（ｃ）は界面１２に欠陥が存在しない場合を示す。
図７（ｂ）は図７（ａ）の状態での上方からの観察画像を示す図、図７（ｄ）は図７（ｃ）の状態での上方からの観察画像を示す図である。
【００２９】
樹脂剥離部９は半導体チップ７と透明封止樹脂８との間に擬似的な凹レンズを形成する。しかし、樹脂剥離部９が極薄い場合、その曲率は非常に小さい。このため、図７（ａ）に示すように透明封止樹脂８に入射する光１５の光軸に対して半導体装置１１が傾斜していない場合、すなわち光１５の光軸に対して界面１２が直交する場合、正反射の場合とほぼ同じ角度で光１５が反射され反射光１７が形成されるため、樹脂剥離部９を欠陥として抽出することは困難である。図７（ｂ）に示すように、この場合の観察画像内の、樹脂剥離部９と対応する範囲９２には、その周囲の部分と識別可能な画像が現れない。つまり、この観察画像内において樹脂剥離部９が強調されず、樹脂剥離部９以外の半導体チップ７の正常な表面と樹脂剥離部９とを識別することが困難である。なぜなら、樹脂剥離部９の周縁部９における反射光１７は入射方向に対して僅かに傾斜するだけだからである。よって、観察画像から欠陥箇所を抽出することが困難である。
【００３０】
これに対して、本実施形態では、図４（ａ）に示すように界面１２と直交する方向に対して光１５の光軸を傾斜させて、上面１３から光１５を透明封止樹脂８内に入射させる。このため、樹脂剥離部９の周縁部の一部分においては、反射光１７の傾きが大きくなって直上に反射する光量はわずかとなる。よって、図４（ｂ）に示すように、観察画像において、樹脂剥離部９の一部分と対応する部分が暗くなる。すなわち、図４（ｂ）の観察画像内の、樹脂剥離部９と対応する範囲９２には、その周囲の部分と識別可能な画像９１が現れる。つまり、図４（ｂ）の観察画像には、樹脂剥離部９において反射光１７の傾斜が特に大きくなる部分の画像９１が含まれ、この画像９１は、周囲の画像と比べて特に暗く（強調されて）見える。その結果、欠陥抽出部６４は、この画像９１の部分を欠陥として容易に抽出することができる。
【００３１】
なお、本実施形態では、樹脂剥離部９が薄い樹脂剥離欠陥であっても、観察画像上でコントラストよく認識することができるため、欠陥抽出部６４による欠陥の抽出処理は二値化処理、或いは、あらかじめ登録された基準画像との差分抽出処理などの一般的な手法により行うことができる。
また、欠陥判定部６５は、欠陥抽出部６４により抽出された欠陥箇所の画像９１の良否判定を行う。例えば、画像９１として抽出した欠陥部の寸法が所定値以上の大きさである場合に、不良品と判定し、所定値未満の大きさである場合に、良品であると判定する。
【００３２】
また、界面１２と直交する方向に対して光１５の光軸を傾斜させる方向によって、観察画像における画像９１の位置が変化する。このため、回転機構５によりウェッジプリズム４をたとえば０°、９０°、１８０°、２７０°と回転させ、それぞれの回転角度において観察画像を取得し、それらの観察画像を用いて欠陥を判定することにより、半導体装置１１を様々な角度に（方向に）傾倒させた場合と同等の判定を行うことができ、欠陥をより正確に判定することができる。
一例として、図４（ｃ）に示すようにウェッジプリズム４を１８０°回転させた場合の観察画像においては、図４（ｄ）に示すように、図４（ｂ）の場合と比べると画像９１の位置が樹脂剥離部９の中心を基準として反対側に移動する。
このようにウェッジプリズム４の回転角度を変えることによって、半導体装置１１の擬似的な傾倒角度（方向）を変えることができ、欠陥をより高い確率で抽出することができる。
【００３３】
なお、半導体装置１１に欠陥が存在しない場合（図４（ｅ）、（ｇ）、図７（ｃ））、観察画像には、半導体装置１１の欠陥を示す画像が含まれない（図４（ｆ）、（ｈ）、図７（ｄ））。
【００３４】
このように、本実施形態では、同軸落射照明により光１５を入射し、界面１２からの反射光１７のうち、欠陥箇所以外での反射光１７は正反射光となるため、欠陥箇所以外ではＣＣＤカメラ１への入射光が明るくなり、欠陥箇所では乱反射が発生するため正反射光が少なくなりＣＣＤカメラ１への入射光が暗くなる現象を利用している。そして、光１５の光軸を界面１２と直交する方向に対して傾斜させることによって、乱反射の度合いを大きくして、薄い樹脂剥離部９の周縁部をコントラストよく捉えることができる。
【００３５】
以上のような第１の実施形態によれば、光源から照射される光１５を、界面１２に直交する方向に対して傾斜した方向から、半導体装置１１においてＣＣＤカメラ１と対向する面（上面１３）から、透明封止樹脂８に入射させる。そして、ＣＣＤカメラ１により、界面１２からの反射光１７を撮像する。このため、界面１２における微小な欠陥（例えば、ごく薄い剥離欠陥）も、高感度で検出することができる。なお、剥離欠陥に限らず、界面１２に存在する気泡、異物などの欠陥についても、同様に検出することができる。
更には、界面１２に発生する欠陥に限らず、界面１２と上面１３との間の透明封止樹脂８の内部に存在する欠陥についても、同様に検出することができる。
【００３６】
また、ウェッジプリズム４を用いることにより、例えば光源、撮像部、或いはステージ１６を移動させる場合と比べて、１°以上２°以下という微小な角度の調整を正確に行うことができる。なぜなら、ウェッジプリズム４を固定したままで、或いは、ウェッジプリズム４の角度を水平面内でのみ調節するだけで、界面１２に直交する方向に対する光１５の光軸の傾斜角度を１°以上２°以下の所望の角度に設定して撮像を行うことができるからである。ウェッジプリズム４の偏角は、そのウェッジプリズム４に固有の値であるため、ウェッジプリズム４を上記のように回転させることは、光１５の光軸の傾斜量は一定に維持したままで、その光軸の傾斜方向のみを変化させることに他ならない。すなわち、ウェッジプリズム４を傾斜させない限りは（いわゆるあおり方向に移動させない限りは）、光１５の光軸の傾斜量を一定に維持することができる。
【００３７】
また、ＣＣＤカメラ１の向きと、光１５の照射方向とが一致し、レンズ２と半導体装置１１との間の位置に、光１５の光軸を傾斜させるウェッジプリズム４を有するので、半導体装置１１を傾斜させなくても、半導体装置１１を傾斜させた場合と同様の観察画像を得ることができる。
ここで、受光デバイスのような製品は、一枚のリードフレーム上に複数形成される。そして、欠陥検出装置１００は、そのリードフレームを１ピッチずつ（１製品分のピッチずつ）順送りして検査を行う構成となっていることが多い。このため、製品側を回転させたり傾けたりする機構に比べて、ウェッジプリズム４側を回転させるほうが機構的に簡単になるというメリットがある。
【００３８】
また、光１５の光軸の傾斜が変化するようにウェッジプリズム４を移動させる移動部としての回転機構５を有するので、半導体装置１１に対して複数の角度から光１５を照射し、それぞれの角度で検査を行うことにより、より高感度な欠陥抽出を行うことができる。
【００３９】
〔第２の実施形態〕
上記の第１の実施形態では、ウェッジプリズム４を用いて光１５の光軸を傾斜させる例を説明したが、第２の実施形態では、ウェッジプリズム４を用いない代わりに、ステージ１６の角度を変化させることによって、光１５の光軸を、界面１２と直交する方向に対して傾斜させる。なお、本実施形態では、レンズ２から出射される光（上記の第１の実施形態での光１４）と、半導体装置１１に入射する光（上記の第１の実施形態での光１５）とは、光軸が互いに同じであるため区別せず、何れも光１５と称する。
【００４０】
図５は第２の実施形態に係る欠陥検出装置の構成を示す模式図、図６は第２の実施形態において回転機構５によりステージ１６を所定の回転角度に調節した状態での光１５の光軸の傾斜を示す模式図である。
【００４１】
本実施形態の場合、欠陥検出装置１００は、ウェッジプリズム４を有していない。ステージ１６は、水平面に対して傾斜（例えば１°以上２°以下傾斜）している。これにより、光１５の光軸が界面１２と直交する方向に対して傾斜するようになっている。
【００４２】
また、本実施形態の場合、回転機構５は、ウェッジプリズム４ではなく、ステージ１６を鉛直軸周りに回転させる。この回転は、ステージ１６の傾斜を維持したままで行われる。図６（ａ）には、ステージ１６が右肩上がりに傾斜した状態となるように、ステージ１６を回転させた状態を示し、図６（ｂ）には、ステージ１６を左肩上がりに傾斜した状態となるように、ステージ１６を回転させた状態を示す。
【００４３】
このように、本実施形態でも、光１５の光軸の方向と界面１２との位置関係を上記の第１の実施形態と同様にすることができ、且つ、ＣＣＤカメラ１の向きと、界面１２からの反射光１７（図４参照）の光軸との関係を上記の第１の実施形態とほぼ同様にすることができる。よって、第２の実施形態でも、欠陥の検出という点では、上記の第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００４４】
上記の第２の実施形態では、ステージ１６を傾斜させることにより光１５の光軸を界面１２と直交する方向に対して傾斜させる例を説明したが、例えば、ＣＣＤカメラ１の向きをレンズ２から出射させる光の光軸に対して傾斜させても、第２の実施形態と同様の効果が得られる。
【符号の説明】
【００４５】
１ ＣＣＤカメラ
２ レンズ
３ 同軸照明
４ ウェッジプリズム
５ 回転機構
６ 制御部
７ 半導体チップ
８ 透明封止樹脂
９ 樹脂剥離部
１１ 半導体装置
１２ 界面
１３ 上面
１４、１５ 光
１６ ステージ
１７ 反射光
１８ 基材
６１ 画像入力部
６２ 照明制御部
６３ 回転制御部
６４ 欠陥抽出部
６５ 欠陥判定部
７０ 上方からの観察画像内における、半導体チップの画像
８０ 上方からの観察画像内における、透明封止樹脂の画像
９１ 上方からの観察画像内において強調された、樹脂剥離部の一部分の画像
９２ 上方からの観察画像内の、樹脂剥離部と対応する範囲
１００ 欠陥検出装置
【図１】
2012112677.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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