(57)【要約】【課題】デュアルバンドアンテナ装置において、共振周波数を独立に微調整できるようにする。【解決手段】本アンテナ装置は、基板端部に配置された第１のアンテナ素子の一端と第２のアンテナ素子の一端とが両端に接続された第１の導電部と、第１の端部が第１の導電部と結合され、第２の端部が給電部である第２の導電部とを有する。そして、第１の導電部と第２の導電部とは基板端部側以外はグランドパターンに囲まれており、第１のアンテナ素子の他端及び第２のアンテナ素子の他端はグランドパターンに接続されている。さらに、上記アンテナ装置は、第１のアンテナ素子の他端側のグランドと第２の導電部の第２の端部側のグランドとをつなぐための第３の導電部と、第２のアンテナ素子の他端側のグランドパターンと第２の導電部の第２の端子側のグランドパターンとをつなぐための第４の導電部とを有する。【選択図】図２
2012065250.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板端部に配置された第１のアンテナ素子の一端と第２のアンテナ素子の一端とが両端に接続された第１の導電部と、
第１の端部が前記第１の導電部と結合され、第２の端部が給電部である第２の導電部と、
を有し、
前記第１の導電部と前記第２の導電部とは前記基板端部側以外はグランドパターンに囲まれており、
前記第１のアンテナ素子の他端及び前記第２のアンテナ素子の他端は前記グランドパターンに接続されており、
さらに、
前記第１のアンテナ素子の他端側のグランドパターンと前記第２の導電部の第２の端部側のグランドとをつなぐための第３の導電部と、
前記第２のアンテナ素子の他端側のグランドパターンと前記第２の導電部の第２の端子側のグランドとをつなぐための第４の導電部と、
を有するアンテナ装置。
【請求項２】
前記第３の導電部は、第１の電流調整部を含み、
前記第４の導電部は、第２の電流調整部を含む
請求項１記載のアンテナ装置。
【請求項３】
前記第１の電流調整部が第１のインダクタンス素子を含み、前記第２の電流調整部が第２のインダクタンス素子を含むことを特徴とする請求項２記載のアンテナ装置。
【請求項４】
前記第３の導電部は、
前記第３の導電部の長さと前記第１のインダクタンス素子のインダクタンス値とで前記第１のアンテナ素子の共振周波数を調整可能となっており、
前記第４の導電部は、
前記第４の導電部の長さと前記第２のインダクタンス素子のインダクタンス値とで前記第２のアンテナ素子の共振周波数を調整可能となっている
請求項３記載のアンテナ装置。
【請求項５】
前記第３の導電部と前記第１の導電部と前記グランドパターンとで囲まれる非導電部分の面積と前記第１のインダクタンス素子のインダクタンス値とで、前記第１のアンテナ素子の共振周波数を調整可能となっており、
前記第４の導電部と前記第１の導電部と前記グランドパターンとで囲まれる非導電部分の面積と前記第２のインダクタンス素子のインダクタンス値とで、前記第２のアンテナ素子の共振周波数を調整可能となっている
請求項３記載のアンテナ装置。
【請求項６】
前記第１の導電部は、インピーダンスマッチング用のコンデンサ及びインダクタンス素子を含む
請求項１乃至５のいずれか１つ記載のアンテナ装置。
【請求項７】
第１の端部が前記第１の導電部と結合され、第２の端部が前記グランドパターンと結合され、前記第２の導電部と平行に設けられる第５の導電部
をさらに有する請求項１乃至４のいずれか１つ記載のアンテナ装置。
【請求項８】
前記第３の導電部と前記第１の導電部又は前記第５の導電部と前記グランドパターンとで囲まれる非導電部分の面積と前記第１のインダクタンス素子のインダクタンス値とで、前記第１のアンテナ素子の共振周波数を調整可能となっており、
前記第４の導電部と前記第１の導電部又は前記第５の導電部と前記グランドパターンとで囲まれる非導電部分の面積と前記第２のインダクタンス素子のインダクタンス値とで、前記第２のアンテナ素子の共振周波数を調整可能となっている
請求項７記載のアンテナ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、デュアルバンドアンテナ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、特開２００５−２９５４９３号公報には、以下のようなデュアルバンドアンテナ装置が開示されている。すなわち、基板と、基板上の表面に形成された導体膜（グランド）と、基板上に導体膜から離間して配置され、誘電体または磁性体あるいはその両方を兼ね備えた複合材料からなる素体に線状の導体パターンを形成してなる第１及び第２のローディング部と、導体パターンの一端と導体膜との間に接続されたインダクタ部と、導体パターンの一端とインダクタ部との接続点に給電する給電部とを備え、第１のローディング部、インダクタ部及び給電部（これらが第１のアンテナを形成する）で第１の共振周波数を設定すると共に、第２のローディング部、インダクタ部及び給電部（これらが第２のアンテナを形成する）で第２の共振周波数を設定するものである。また、第１及び第２のローディング部は、集中定数素子を含んでいる。そして、インダクタ部のインダクタンス値を調整することにより、第１及び第２のアンテナ部の電気長が調整され、共振周波数が設定される。また、集中定数素子でも共振周波数を調整できるが、集中定数素子による調整では、共振周波数の変動が大きすぎて、所望の周波数に共振周波数を設定しづらいという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２９５４９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上で述べたような従来技術では、２つのアンテナの共振周波数を独立に微調整することができないという問題がある。
【０００５】
従って、本発明の目的は、一側面では、共振周波数を独立に微調整できるように構成されたデュアルバンドアンテナ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るアンテナ装置は、（Ａ）基板端部に配置された第１のアンテナ素子の一端と第２のアンテナ素子の一端とが両端に接続された第１の導電部と、（Ｂ）第１の端部が第１の導電部と結合され、第２の端部が給電部である第２の導電部とを有する。そして、第１の導電部と第２の導電部とは基板端部側以外はグランドパターンに囲まれており、第１のアンテナ素子の他端及び第２のアンテナ素子の他端はグランドパターンに接続されている。さらに、上記アンテナ装置は、（Ｃ）第１のアンテナ素子の他端側のグランドパターンと第２の導電部の第２の端部側のグランドパターンとをつなぐための第３の導電部と、（Ｄ）第２のアンテナ素子の他端側のグランドパターンと第２の導電部の第２の端子側のグランドパターンとをつなぐための第４の導電部とを有する。
【０００７】
本願発明者は、上で述べた第３及び第４の導電部を設けることにより、第１のアンテナ素子の共振周波数と第２のアンテナ素子の共振周波数とを独立に微調整できることを非自明に着想した。このような第３及び第４の導電部は、場合によっては開放（オープン）部分を有する場合もある。
【０００８】
また、上で述べた第３の導電部は、第１の電流調整部を含むようにしてもよい。また、上で述べた第４の導電部は、第２の電流調整部を含むようにしてもよい。第１及び第２の電流調整部によって、第３及び第４の導電部に流れる電流を調整することによって、共振周波数を調整できる。すなわち、単純に短絡させることによってより多くの電流を流して共振周波数を上げる場合もあれば、開放することで電流を流さず共振周波数を下げるようにしても良い。第１及び第２の電流調整部は、その他の素子を含む場合もある。
【０００９】
さらに、上で述べた第１の電流調整部が第１のインダクタンス素子を含み、第２の電流調整部が第２のインダクタンス素子を含むようにしてもよい。例えば、汎用のチップインダクタを用いることで、段階的な共振周波数の微調整が可能となる。
【００１０】
さらに、上で述べた第３の導電部は、第３の導電部の長さと第１のインダクタンス素子のインダクタンス値とで第１のアンテナ素子の共振周波数を調整可能となっている場合もある。また、上で述べた第４の導電部は、第４の導電部の長さと第２のインダクタンス素子のインダクタンス値とで第２のアンテナ素子の共振周波数を調整可能となっている場合もある。例えば、第３及び第４の導電部の長さにより、おおまかな共振周波数の設定を行った上で、第１及び第２のインダクタンス素子のインダクタンス値により、微調整するようにしても良い。
【００１１】
また、上で述べた第３の導電部と第１の導電部とグランドパターンとで囲まれる非導電部分の面積と第１のインダクタンス素子のインダクタンス値とで、第１のアンテナ素子の共振周波数を調整可能となっている場合もある。また、上で述べた第４の導電部と第１の導電部とグランドパターンとで囲まれる非導電部分の面積と第２のインダクタンス素子のインダクタンス値とで、第２のアンテナ素子の共振周波数を調整可能となっている場合もある。このような非導電部分が小さいほど共振周波数を高くでき、非導電部分が大きいほど共振周波数を低くすることができる。
【００１２】
なお、第１の端部が第１の導電部と結合され、第２の端部がグランドパターンと結合され、第２の導電部と平行に設けられる第５の導電部をさらに含むようにしても良い。このようにしても、インピーダンスマッチングが可能となる。
【００１３】
また、第５の導電部をさらに含む場合には、上で述べた第３の導電部と第１の導電部又は第５の導電部とグランドパターンとで囲まれる非導電部分の面積と第１のインダクタンス素子のインダクタンス値とで、第１のアンテナ素子の共振周波数を調整可能となっている場合もある。また、上で述べた第４の導電部と第１の導電部又は第５の導電部とグランドパターンとで囲まれる非導電部分の面積と第２のインダクタンス素子のインダクタンス値とで、第２のアンテナ素子の共振周波数を調整可能となっている場合もある。
【００１４】
また、上で述べた第１の導電部は、インピーダンスマッチング用のコンデンサ及びインダクタンス素子を含む場合もある。さらに、上で述べた第１の導電部と第２の導電部とはＴ字形を形成するように結合されている場合もある。
【００１５】
以下、上で述べた本発明の一側面をさらに具体的に説明するが、本発明は以下の説明に限定されるものではない。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、デュアルバンドアンテナ装置において、共振周波数を独立に微調整できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、容量結合チップアンテナの一例を示す透視斜視図である。
【図２】図２は、第１の実施の形態の基礎となる第１のデュアルバンドアンテナ装置の構成を示す図である。
【図３】図３は、図２のデュアルバンドアンテナの等価回路を表す図である。
【図４】図４は、第１の実施の形態の基礎となる第２のデュアルバンドアンテナ装置の構成を示す図である。
【図５】図５は、図４のデュアルバンドアンテナの等価回路を表す図である。
【図６】図６は、第１の実施の形態の基礎となる第３のデュアルバンドアンテナ装置の構成を示す図である。
【図７】図７は、図６のデュアルバンドアンテナの等価回路を表す図である。
【図８Ａ】図８Ａは、図６のデュアルバンドアンテナの周波数特性を表す図である。
【図８Ｂ】図８Ｂは、図６のデュアルバンドアンテナの周波数特性を表す図である。
【図９Ａ】図９Ａは、図６のデュアルバンドアンテナの周波数特性を表す図である。
【図９Ｂ】図９Ｂは、図６のデュアルバンドアンテナの周波数特性を表す図である。
【図１０】図１０は、本実施の形態に係るデュアルバンドアンテナ装置の構成を示す図である。
【図１１Ａ】図１１Ａは、本実施の形態に係るデュアルバンドアンテナ装置の周波数特性を表す図である。
【図１１Ｂ】図１１Ｂは、本実施の形態に係るデュアルバンドアンテナ装置の周波数特性を表す図である。
【図１２Ａ】図１２Ａは、本実施の形態に係るデュアルバンドアンテナ装置の周波数特性を表す図である。
【図１２Ｂ】図１２Ｂは、本実施の形態に係るデュアルバンドアンテナ装置の周波数特性を表す図である。
【図１３】図１３は、第２の実施の形態の基礎となるデュアルバンドアンテナの構成を示す図である。
【図１４】図１４は、図１３のデュアルバンドアンテナの周波数特性を表す図である。
【図１５】図１５は、第２の実施の形態の基礎となるデュアルバンドアンテナの構成を示す図である。
【図１６】図１６は、図１５のデュアルバンドアンテナの等価回路を表す図である。
【図１７Ａ】図１７Ａは、図１５のデュアルバンドアンテナの周波数特性を表す図である。
【図１７Ｂ】図１７Ｂは、図１５のデュアルバンドアンテナの周波数特性を表す図である。
【図１８Ａ】図１８Ａは、図１５のデュアルバンドアンテナの周波数特性を表す図である。
【図１８Ｂ】図１８Ｂは、図１５のデュアルバンドアンテナの周波数特性を表す図である。
【図１９】図１９は、第２の実施の形態に係るデュアルバンドアンテナ装置の構成を示す図である。
【図２０】図２０は、第２の実施の形態に係るデュアルバンドアンテナ装置の寸法を説明するための図である。
【図２１Ａ】図２１Ａは、第２の実施の形態に係るデュアルバンドアンテナ装置の周波数特性を表す図である。
【図２１Ｂ】図２１Ｂは、第２の実施の形態に係るデュアルバンドアンテナ装置の周波数特性を表す図である。
【図２２Ａ】図２２Ａは、第２の実施の形態に係るデュアルバンドアンテナ装置の周波数特性を表す図である。
【図２２Ｂ】図２２Ｂは、第２の実施の形態に係るデュアルバンドアンテナ装置の周波数特性を表す図である。
【図２３Ａ】図２３Ａは、電流についてのシミュレーション結果を表す図である。
【図２３Ｂ】図２３Ｂは、電流についてのシミュレーション結果を表す図である。
【図２３Ｃ】図２３Ｃは、電流についてのシミュレーション結果を表す図である。
【図２４Ａ】図２４Ａは、電気的面積を説明するための図である。
【図２４Ｂ】図２４Ｂは、電気的面積を説明するための図である。
【図２５Ａ】図２５Ａは、ＢＴ−Ｙ及びＢＴ−Ｚの寸法を変更した場合の周波数特性を示す図である。
【図２５Ｂ】図２５Ｂは、ＢＴ−Ｙ及びＢＴ−Ｚの寸法を変更した場合の周波数特性を示す図である。
【図２６Ａ】図２６Ａは、ＢＴ−Ｙ及びＢＴ−Ｚの寸法を変更した場合の周波数特性を示す図である。
【図２６Ｂ】図２６Ｂは、ＢＴ−Ｙ及びＢＴ−Ｚの寸法を変更した場合の周波数特性を示す図である。
【図２７Ａ】図２７Ａは、ＧＰＳ−Ｙ及びＧＰＳ−Ｚの寸法を変更した場合の周波数特性を示す図である。
【図２７Ｂ】図２７Ｂは、ＧＰＳ−Ｙ及びＧＰＳ−Ｚの寸法を変更した場合の周波数特性を示す図である。
【図２８Ａ】図２８Ａは、ＧＰＳ−Ｙ及びＧＰＳ−Ｚの寸法を変更した場合の周波数特性を示す図である。
【図２８Ｂ】図２８Ｂは、ＧＰＳ−Ｙ及びＧＰＳ−Ｚの寸法を変更した場合の周波数特性を示す図である。
【図２９Ａ】図２９Ａは、ＧＰＳ−Ｙ及びＧＰＳ−Ｚの寸法を変更しつつインダクタンス値を変更した場合の周波数特性を示す図である。
【図２９Ｂ】図２９Ｂは、ＧＰＳ−Ｙ及びＧＰＳ−Ｚの寸法を変更しつつインダクタンス値を変更した場合の周波数特性を示す図である。
【図２９Ｃ】図２９Ｃは、ＧＰＳ−Ｙ及びＧＰＳ−Ｚの寸法を変更しつつインダクタンス値を変更した場合の周波数特性を示す図である。
【図３０Ａ】図３０Ａは、ＧＰＳ−Ｙ及びＧＰＳ−Ｚの寸法を変更しつつインダクタンス値を変更した場合の周波数特性を示す図である。
【図３０Ｂ】図３０Ｂは、ＧＰＳ−Ｙ及びＧＰＳ−Ｚの寸法を変更しつつインダクタンス値を変更した場合の周波数特性を示す図である。
【図３０Ｃ】図３０Ｃは、ＧＰＳ−Ｙ及びＧＰＳ−Ｚの寸法を変更しつつインダクタンス値を変更した場合の周波数特性を示す図である。
【図３１Ａ】図３１Ａは、ＧＰＳ−Ｙ及びＧＰＳ−Ｚの寸法を変更しつつインダクタンス値を変更した場合の周波数特性を示す図である。
【図３１Ｂ】図３１Ｂは、ＧＰＳ−Ｙ及びＧＰＳ−Ｚの寸法を変更しつつインダクタンス値を変更した場合の周波数特性を示す図である。
【図３１Ｃ】図３１Ｃは、ＧＰＳ−Ｙ及びＧＰＳ−Ｚの寸法を変更しつつインダクタンス値を変更した場合の周波数特性を示す図である。
【図３２Ａ】図３２Ａは、ＢＴ−Ｙ及びＢＴ−Ｚの寸法を変更しつつインダクタンス値を変更した場合の周波数特性を示す図である。
【図３２Ｂ】図３２Ｂは、ＢＴ−Ｙ及びＢＴ−Ｚの寸法を変更しつつインダクタンス値を変更した場合の周波数特性を示す図である。
【図３２Ｃ】図３２Ｃは、ＢＴ−Ｙ及びＢＴ−Ｚの寸法を変更しつつインダクタンス値を変更した場合の周波数特性を示す図である。
【図３３Ａ】図３３Ａは、ＢＴ−Ｙ及びＢＴ−Ｚの寸法を変更しつつインダクタンス値を変更した場合の周波数特性を示す図である。
【図３３Ｂ】図３３Ｂは、ＢＴ−Ｙ及びＢＴ−Ｚの寸法を変更しつつインダクタンス値を変更した場合の周波数特性を示す図である。
【図３３Ｃ】図３３Ｃは、ＢＴ−Ｙ及びＢＴ−Ｚの寸法を変更しつつインダクタンス値を変更した場合の周波数特性を示す図である。
【図３４Ａ】図３４Ａは、ＢＴ−Ｙ及びＢＴ−Ｚの寸法を変更しつつインダクタンス値を変更した場合の周波数特性を示す図である。
【図３４Ｂ】図３４Ｂは、ＢＴ−Ｙ及びＢＴ−Ｚの寸法を変更しつつインダクタンス値を変更した場合の周波数特性を示す図である。
【図３４Ｃ】図３４Ｃは、ＢＴ−Ｙ及びＢＴ−Ｚの寸法を変更しつつインダクタンス値を変更した場合の周波数特性を示す図である。
【図３５】図３５は、ＧＰＳ−Ｙ及びＧＰＳ−Ｚの寸法を変更した場合の周波数変動幅を示した図である。
【図３６】図３６は、ＧＰＳ−Ｙ及びＧＰＳ−Ｚの寸法を変更した場合の周波数変動幅を示した図である。
【図３７】図３７は、ＢＴ−Ｙ及びＢＴ−Ｚの寸法を変更した場合の周波数変動幅を示した図である。
【図３８】図３８は、ＢＴ−Ｙ及びＢＴ−Ｚの寸法を変更した場合の周波数変動幅を示した図である。
【図３９】図３９は、第２の実施の形態に係るデュアルバンドアンテナ装置の他の変形例を示す図である。
【図４０Ａ】図４０Ａは、第２の実施の形態に係るデュアルバンドアンテナ装置の周波数特性を表す図である。
【図４０Ｂ】図４０Ｂは、第２の実施の形態に係るデュアルバンドアンテナ装置の周波数特性を表す図である。
【図４１Ａ】図４１Ａは、第２の実施の形態に係るデュアルバンドアンテナ装置の周波数特性を表す図である。
【図４１Ｂ】図４１Ｂは、第２の実施の形態に係るデュアルバンドアンテナ装置の周波数特性を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
［第１の実施の形態］
本実施の形態では、アンテナ素子として図１に示すような容量結合チップアンテナ１０を用いる。図１は透視斜視図であり、誘電体内に放射電極１１と結合電極１３とが対向させて配置されている。放射電極１１は、外部電極１２に接続されており、結合電極１３は、外部電極１４に接続されている。このような容量結合チップアンテナ１０では、放射電極１１が主として放射に寄与し、放射電極１１の電気長、放射電極１１の周辺に設けられる非グランド領域縁部の電気長、放射電極１１と結合電極１３の静電容量値により共振周波数が決定される。このような容量結合チップアンテナ１０自体は既に知られたアンテナ素子であるから、これ以上述べない。
【００１９】
また、以下で述べるデュアルバンドアンテナ装置の例としては、ＧＰＳ（Global Positioning System）のための容量結合チップアンテナと、ＢＴ（Bluetooth）のための容量結合チップアンテナとを用いる例を示す。このようなタイプのアンテナに限定されるものではなく、様々なタイプのアンテナの組み合わせが可能である。
【００２０】
図２に、本実施の形態の基礎となるデュアルバンドアンテナ装置２０を示す。デュアルバンドアンテナ装置２０は、基板の端部に設けられており、グランドパターン２７の一部を例えば矩形状に切り取った領域に、水平方向に伸びる導電部２１ａと当該導電部２１ａの中央部に且つ垂直にＴ字形を形成するように結合されている導電部２１ｂとを有する導体パターン２１と、例えばＧＰＳ用のアンテナ素子２２と、ＢＴ用のアンテナ素子２３とを有する。また、導体パターン２１がＴ字形をしているので、このＴ字の脇にはおよそ矩形の非グランド領域２４及び２５が設けられている。このように、導体パターン２１とアンテナ素子２２及び２３を囲うようにグランドパターン２７が配置されている。
【００２１】
また、Ｔ字形の導体パターン２１の下端（すなわちグランドパターン２７に最も近い部分）が給電点２６となっている。さらに、導体パターン２１の導電部２１の左端部はアンテナ素子２２の放射電極側の外部電極と接続されており、導体パターン２１の導電部２１の右端部はアンテナ素子２３の放射電極側の外部電極と接続されている。アンテナ素子２２の結合電極側の外部電極は、グランドパターン２７の左側部で接続され、アンテナ素子２３の結合電極側の外部電極は、グランドパターン２７の右側部で接続されている。
【００２２】
このようなデュアルバンドアンテナ装置２０の等価回路は、図３のように表される。すなわち、高周波電源３１１が、アンテナ素子２２の等価回路であるコンデンサ３１２と、アンテナ素子２３の等価回路であるコンデンサ３１３とに接続されるようになっている。
【００２３】
このような構成のデュアルバンドアンテナ装置２０でも、２つのアンテナ素子で独立性が高く調整も容易になるという特性がある。
【００２４】
但し、図２に示したデュアルバンドアンテナ装置２０ではインピーダンスマッチングを考慮していないので、デュアルバンドアンテナ装置２０は例えば図４に示すようなデュアルバンドアンテナ装置３０のように変形される。
【００２５】
具体的には、デュアルバンドアンテナ装置３０は、基板の端部に設けられており、グランドパターン３７の一部を例えば矩形状に切り取った領域に、水平方向に伸びる導電部３１ａと当該導電部３１ａの中央部に且つ垂直にＴ字形を形成するように結合されている導電部３１ｂとを有する導体パターン３１と、例えばＧＰＳ用のアンテナ素子３２と、ＢＴ用のアンテナ素子３３と、導電部３１ｂに一端が接続されているコンデンサ３８と、当該コンデンサ３８の他端に一端が接続されている導電部３１ｃと、導電部３１ｃの他端に一端が接続されているインダクタンス素子３９とを有する。
【００２６】
なお、コンデンサ３８とインダクタンス素子３９とはインピーダンスマッチングのために導入されたものであるから、導電部３１ｃとコンデンサ３８とインダクタンス素子３９とを導電部３１ｂの一部と考えることができる。
【００２７】
また、導体パターン３１がＴ字形をしているので、このＴ字の脇にはおおよそ矩形の非グランド領域３４及び３５が設けられている。このように、導体パターン３１とアンテナ素子３２及び３３と導電部３１ｃとコンデンサ３８とインダクタンス素子３９とを囲うようにグランドパターン３７が配置されている。インダクタンス素子３９の他端はグランドパターン３７に接続されている。
【００２８】
また、導電部３１ｃの下端（すなわちグランドパターン３７に最も近い部分）が給電点３６となっている。さらに、導体パターン３１の導電部３１ａの左端部はアンテナ素子３２の放射電極側の外部電極と接続されており、導体パターン３１の導電部３１ａの右端部はアンテナ素子３３の放射電極側の外部電極と接続されている。アンテナ素子３２の結合電極側の外部電極は、グランドパターン３７の左側部で接続され、アンテナ素子３３の結合電極側の外部電極は、グランドパターン３７の右側部で接続されている。
【００２９】
図４のデュアルバンドアンテナ装置３０の等価回路は、図５のように表される。すなわち、高周波電源４１は、インダクタンス素子３９に相当するインダクタＬと並列に設けられると共に、コンデンサ３８に相当するコンデンサＣを介して、アンテナ素子３２の等価回路であるコンデンサ４２と、アンテナ素子３３の等価回路であるコンデンサ４３とに接続されるようになっている。コンデンサＣの容量とインダクタＬのインダクタンス値とを適切に選択すれば、例えば５０Ωに整合させることができる。
【００３０】
さらに、図４のデュアルバンドアンテナ装置３０を、共振周波数の調整が容易なように変形すると、図６に示すようなデュアルバンドアンテナ装置５０となる。
【００３１】
具体的には、デュアルバンドアンテナ装置５０は、基板の端部に設けられており、グランドパターン５７の一部を例えば矩形状に切り取った領域に、水平方向に伸びる導電部５１ａと当該導電部５１ａの中央部に且つ垂直にＴ字形を形成するように結合されている導電部５１ｂとを有する導体パターン５１と、例えばＧＰＳ用のアンテナ素子５２と、ＢＴ用のアンテナ素子５３と、導電部５１ｂに一端が接続されたコンデンサ５８と、当該コンデンサ５８の他端に一端が接続されている導電部５１ｃと、導電部５１ｃの他端に一端が接続されているインダクタンス素子５９と、導電部５１ａの左端部に一端が接続されるインダクタンス素子６１と、インダクタンス素子６１の他端に右端部が接続される導電部５１ｅと、導電部５１ａの右端部に一端が接続されるインダクタンス素子６２と、インダクタンス素子６２の他端に右端部が接続される導電部５１ｆとを有する。
【００３２】
なお、コンデンサ３８とインダクタンス素子３９とはインピーダンスマッチングのために導入されたものであるから、導電部３１ｃとコンデンサ３８とインダクタンス素子３９とを導電部３１ｂの一部と考えることができる。同様に、共振周波数調整のためのインダクタンス素子６１及び６２を間に挟んでいるだけであるから、導電部５１ｅ及び５１ｆとインダクタンス素子６１及び６２とを導電部５１ａの一部と考えることができる。
【００３３】
また、導体パターン５１がおおよそＴ字形をしているので、このＴ字の脇にはおおよそ矩形の非グランド領域５４及び５５が設けられている。このように、導体パターン５１とアンテナ素子５２及び５３と導電部５１ｃとコンデンサ５８とインダクタンス素子５９とインダクタンス素子６１及び６２と導電部５１ｅ及び５１ｆとを囲うようにグランドパターン５７が配置されている。インダクタンス素子５９の他端はグランドパターン５７に接続されている。
【００３４】
また、導電部５１ｃの下端（すなわちグランドパターン５７に最も近い部分）が給電点５６となっている。さらに、導電部５１ｅの左端部はアンテナ素子５２の放射電極側の外部電極と接続されており、導体パターン５１ｆの導電部５１の右端部はアンテナ素子５３の放射電極側の外部電極と接続されている。アンテナ素子５２の結合電極側の外部電極は、グランドパターン５７の左側部で接続され、アンテナ素子５３の結合電極側の外部電極は、グランドパターン５７の右側部で接続されている。
【００３５】
図６のデュアルバンドアンテナ装置５０の等価回路は、図７のように表される。すなわち、高周波電源７１は、インダクタンス素子５９に相当するインダクタＬと並列に設けられると共に、コンデンサ５８に相当するコンデンサＣを介して、インダクタンス素子６１に相当するインダクタＬgps及びアンテナ素子５２の等価回路であるコンデンサ７２と、インダクタンス素子６２に相当するインダクタＬbt及びアンテナ素子５３の等価回路であるコンデンサ７３とに接続されるようになっている。コンデンサＣの容量とインダクタＬのインダクタンス値とを適切に選択すれば、例えば５０Ωに整合させることができる。なお、インピーダンスマッチングのためのコンデンサＣ及びインダクタＬについては、アンテナ素子５２及び５３の両方の特性に影響を与えるため、先にインピーダンスマッチングを行った後に、インダクタンス素子６１及び６２により共振周波数の調整を行うことが好ましい。また、共振周波数の調整のためには、アンテナ素子５２及び５３を交換するようにしても良い。
【００３６】
次に、インダクタンス素子６１及び６２による共振周波数の調整について図８乃至図９Ｂを用いて説明する。図８Ａ及び図８Ｂは、インダクタンス素子６１のインダクタンス値Ｌgpsを１ｎＨ、２ｎＨ及び３ｎＨに変更した場合の共振周波数の変化を表す。なお、図８Ａ及び図８Ｂの縦軸は、リターンロス［ｄＢ］を表しており、横軸は周波数を表す。図８Ａに示した曲線ａ１は、アンテナ素子５２についてインダクタンス素子６１が１ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ａ２は、２ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ａ３は、３ｎＨの場合の周波数特性を示している。そして、下向きのピークで表される共振周波数は、１ｎＨの曲線ａ１の場合が最も高く、２ｎＨの曲線ａ２の場合が次に高く、３ｎＨの曲線ａ３の場合が最も低くなっている。この１ｎＨの曲線ａ１の共振周波数から３ｎＨの曲線ａ３の共振周波数までの周波数幅Ｗ１は１５０ＭＨｚを超えており、比較的変化幅が大きくなっている。
【００３７】
一方、図８Ｂに示した曲線ａ４は、アンテナ素子５３についてインダクタンス素子６１が１ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ａ５は、２ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ａ６は、３ｎＨの場合の周波数特性を示している。このようにアンテナ素子５３の周波数特性については、インダクタンス素子６１のインダクタンス値を変動させても、あまり共振周波数は変動しない。すなわち、独立して調整可能となっている。
【００３８】
また、図９Ａ及び図９Ｂは、インダクタンス素子６２のインダクタンス値Ｌbtを１ｎＨ、２ｎＨ及び３ｎＨに変更した場合の共振周波数の変化を表す。なお、図９Ａ及び図９Ｂの縦軸は、リターンロス［ｄＢ］を表しており、横軸は周波数を表す。図９Ａに示した曲線ｂ１は、アンテナ素子５２についてインダクタンス素子６２が１ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｂ２は、２ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｂ３は、３ｎＨの場合の周波数特性を示している。共振周波数はほとんど変化しないことが分かる。
【００３９】
一方、図９Ｂに示した曲線ｂ４は、アンテナ素子５３についてインダクタンス素子６２が１ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｂ５は、２ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｂ６は、３ｎＨの場合の周波数特性を示している。このように、下向きのピークで表される共振周波数は、１ｎＨの曲線ｂ４の場合が最も高く、２ｎＨの曲線ｂ５の場合が次に高く、３ｎＨの曲線ｂ６の場合が最も低くなっている。この１ｎＨの曲線ｂ４の共振周波数から３ｎＨの曲線ｂ６の共振周波数までの周波数幅Ｗ２は２００ＭＨｚ程度になっており、比較的変化幅が大きくなっている。
【００４０】
このように、導電部５１ａと導電部５１ｅの間にインダクタンス素子６１を設け、導電部５１ａと導電部５１ｆの間にインダクタンス素子６２を設ける場合には、比較的共振周波数の変動幅が大きくなるため、汎用のインダクタンス素子では調整が難しい場合もある。
【００４１】
従って、図４に示したデュアルバンドアンテナ装置３０を本願発明者の非自明な着想にて、図１０に示すような新たなデュアルバンドアンテナ装置１００に変形する。
【００４２】
具体的には、デュアルバンドアンテナ装置１００は、基板の端部に設けられており、グランドパターン１０７の一部を例えば矩形状に切り取った領域に、水平方向に伸びる導電部１０１ａと当該導電部１０１ａの中央部に且つ垂直にＴ字形を形成するように結合されている導電部１０１ｂとを有する導体パターン１０１と、例えばＧＰＳ用のアンテナ素子１０２と、ＢＴ用のアンテナ素子１０３と、導電部１０１ｂに一端が接続されたコンデンサ１０８と、当該コンデンサ１０８の他端が一端に接続されている導電部１０１ｃと、導電部１０１ｃの他端に一端が接続されているインダクタンス素子１０９と、バイパス導電部１１１及び１１４と、インダクタンス素子１１２及び１１５とを有する。インダクタンス素子１０９の他端は、グランドパターン１０７に結合されている。
【００４３】
なお、コンデンサ１０８とインダクタンス素子１０９とはインピーダンスマッチングのために導入されたものであるから、導電部１０１ｂと導電部１０１ｃとコンデンサ１０８とインダクタンス素子１０９とを、全体として導電部１０１ｂと考えることができる。
【００４４】
また、導電部１０１ｃの下端（すなわちグランドパターン１０７に最も近い部分）が高周波電源１１０と接続される給電点１０６となっている。さらに、導体パターン１０１の導電部１０１ａの左端部はアンテナ素子１０２の放射電極側の外部電極と接続されており、導体パターン１０１の導電部１０１ａの右端部はアンテナ素子１０３の放射電極側の外部電極と接続されている。アンテナ素子１０２の結合電極側の外部電極は、グランドパターン１０７の左側部で接続され、アンテナ素子１０３の結合電極側の外部電極は、グランドパターン１０７の右側部で接続されている。
【００４５】
図１０に示したデュアルバンドアンテナ装置１００の場合、アンテナ素子１０２の一端が接続されているグランドパターン１０７の辺と給電点１０６付近のグランドパターン１０７の辺とをつなぐためのバイパス導電部１１１と、当該バイパス導電部１１１と給電点１０６付近のグランドパターン１０７の辺との間のインダクタンス素子１１２とが設けられている。これによって、導体パターン１０１のＴ字の脇に設けられている非グランド領域は、非グランド領域１０４及び１１３に分離されている。
【００４６】
同様に、アンテナ素子１０３の一端が接続されているグランドパターン１０７の辺と給電点１０６付近のグランドパターン１０７の辺とをつなぐためのバイパス導電部１１４と、当該バイパス導電部１１４と給電点１０６付近のグランドパターン１０７の辺との間のインダクタンス素子１１５とが設けられている。これによって、導体パターン１０１のＴ字の脇に設けられている非グランド領域は、非グランド領域１０５及び１１６に分離されている。
【００４７】
バイパス導電部１１１は、インダクタンス素子１１２なしで開放状態にする場合もあれば、短絡状態にする場合もある。バイパス導電部１１４についても同様に、インダクタンス素子１１５なしで開放状態にする場合もあれば、短絡状態にする場合もある。そのため、インダクタンス素子１１２及び１１５は、共振周波数の調整部の一例である。バイパス導電部１１１又は１１４と共振周波数の調整部とを併せて導電部と呼ぶ場合もある。
【００４８】
バイパス導電部１１１の形状は、様々に変形可能であり、非グランド領域１０４の電気的面積に応じて、アンテナ素子１０２の共振周波数を調整可能である。従って、導電部１０１ｃの延伸方向に、バイパス導電部１１１を上下に伸縮させることで、非グランド領域１０４の面積を狭くしたり広くしたり、導電部１０１ｃの延伸方向に垂直な方向に、バイパス導電部１１１を左右に伸縮させることで、非グランド領域１０４の面積を広くしたり狭くしたりさせてもよい。
【００４９】
バイパス導電部１１４の形状も、同様に変形可能であり、非グランド領域１０５の電気的面積に応じて、アンテナ素子１０３の共振周波数を調整可能である。従って、導電部１０１ｃの延伸方向に、バイパス導電部１１４を上下に伸縮させることで、非グランド領域１０５の面積を狭くしたり広くしたり、導電部１０１ｃの延伸方向に垂直な方向に、バイパス導電部１１４を左右に伸縮させることで、非グランド領域１０５の面積を広くしたり狭くしたりさせてもよい。
【００５０】
さらに、バイパス導電部１１１及び１１４で囲われる非グランド領域１１３及び１１６の形状も矩形でなくても良い。すなわち、非グランド領域１１３及び１１６の形状が三角形になるようなバイパス導電部１１１及び１１４の形状を採用するようにしても良い。場合によっては、バイパス導電部１１１及び１１４が円弧状に形成されるようにしても良い。また、左右対称でなくとも良い。
【００５１】
また、図１０の例では、インダクタンス素子１１２及び１１５を、給電点１０６付近に配置している。しかし、インダクタンス素子１１２及び１１５は、バイパス導電部１１１及び１１４に流れる電流を調整するために設けるものであるので、バイパス導電部１１１及び１１４の中間部分に開放部を設けてそこにインダクタンス素子１１２及び１１５を設置しても良い。また、アンテナ素子１０２及び１０３の一端が接続されているグランドパターン１０７の辺側に、インダクタンス素子１１２及び１１５を設置するようにしても良い。
【００５２】
なお、グランドパターン１０７を基板端部で切り取った矩形領域の外形は、５ｍｍ×１４ｍｍ程度であり、バイパス導電部１１１及び１１４の幅は約０．５ｍｍであり、導電部１０１ａ、１０１ｂ及び１０１ｃの幅は約１．２ｍｍである。
【００５３】
次に、図１１Ａ乃至図１２Ｂに、インダクタンス素子１１２及び１１５による共振周波数の調整について説明する。なお、例えば非グランド領域１１３のサイズは、１．０ｍｍ×４．５ｍｍであり、非グランド領域１１６のサイズは、１．０ｍｍ×４．５ｍｍである。
【００５４】
図１１Ａ及び図１１Ｂは、インダクタンス素子１１２のインダクタンス値Ｌgps2を１ｎＨ、２ｎＨ及び３ｎＨに変更した場合の共振周波数の変化を表す。なお、図１１Ａ及び図１１Ｂの縦軸は、リターンロス［ｄＢ］を表しており、横軸は周波数を表す。図１１Ａに示した曲線ｃ１は、アンテナ素子１０２についてインダクタンス素子１１２が１ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｃ２は、２ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｃ３は、３ｎＨの場合の周波数特性を示している。そして、下向きのピークで表される共振周波数は、１ｎＨの曲線ｃ１の場合が最も高く、２ｎＨの曲線ｃ２の場合が次に高く、３ｎＨの曲線ｃ３の場合が最も低くなっている。この１ｎＨの曲線ｃ１の共振周波数から３ｎＨの曲線ｃ３の共振周波数までの周波数幅Ｗ３は５０ＭＨｚ程度に抑えられている。すなわち、平均して１ｎＨあたり、２５ＭＨｚ変動する。
【００５５】
一方、図１１Ｂに示した曲線ｃ４は、アンテナ素子１０３についてインダクタンス素子１１２が１ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｃ５は、２ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｃ６は、３ｎＨの場合の周波数特性を示している。このようにアンテナ素子１０３の周波数特性は、インダクタンス素子１１２のインダクタンス値を変動させても、あまり共振周波数は変動しない。すなわち、独立して調整可能となっている。
【００５６】
図１２Ａ及び図１２Ｂは、インダクタンス素子１１５のインダクタンス値Ｌbt2を１ｎＨ、２ｎＨ及び３ｎＨに変更した場合の共振周波数の変化を表す。なお、図１２Ａ及び図１２Ｂの縦軸は、リターンロス［ｄＢ］を表しており、横軸は周波数を表す。図１２Ａに示した曲線ｄ１は、アンテナ素子１０２についてインダクタンス素子１１５が１ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｄ２は、２ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｄ３は、３ｎＨの場合の周波数特性を示している。このようにアンテナ素子１０２の周波数特性は、インダクタンス素子１１５のインダクタンス値を変動させても、あまり共振周波数は変動しない。すなわち、独立して調整可能となっている。
【００５７】
一方、図１２Ｂに示した曲線ｄ４は、アンテナ素子１０３についてインダクタンス素子１１５が１ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｄ５は、２ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｄ６は、３ｎＨの場合の周波数特性を示している。そして、下向きのピークで表される共振周波数は、１ｎＨの曲線ｄ４の場合が最も高く、２ｎＨの曲線ｄ５の場合が次に高く、３ｎＨの曲線ｄ６の場合が最も低くなっている。この１ｎＨの曲線ｄ４の共振周波数から３ｎＨの曲線ｄ６の共振周波数までの周波数幅Ｗ４は４０ＭＨｚ程度に抑えられている。すなわち、平均して１ｎＨあたり、２０ＭＨｚ変動する。
【００５８】
このようにインダクタンス素子１１２及び１１５のインダクタ値が小さくなると、導電体１１１及び１１４により電流が多く流れるようになり、非グランド領域１０４及び１０５の電気的大きさが実質的に小さくなり、共振周波数が上昇する。最も共振周波数が上昇するのはインダクタ値「０」、つまりショート時である。逆に最も共振周波数が低下するのは、オープン時（開放状態）である。この場合には、非グランド領域１０４及び１１３を併せた領域が非グランド領域として作用し、同様に非グランド領域１０５及び１１６を併せた領域が非グランド領域として作用するようになる。
【００５９】
このようにインダクタ値を変化させても、インピーダンス値の変化は少ないため、リターンロスの最良値自体はあまり変化しない。そのため、インダクタンス素子１１２及び１１５のインダクタ値は、周波数調整用のパラメータとして利用できる。
【００６０】
［実施の形態２］
図１３に、本実施の形態の基礎となるデュアルバンドアンテナ装置１２０を示す。デュアルバンドアンテナ装置１２０は、基板の端部に設けられており、グランドパターン１２７の一部を例えば矩形状に切り取った領域に、水平方向に伸びる導電部１２１ａと当該導電部１２１ａのほぼ中央部に且つ垂直に結合されている導電部１２１ｂ及び１２１ｃとを有する導体パターン１２１と、例えばＧＰＳ用のアンテナ素子１２２と、ＢＴ用のアンテナ素子１２３とを有する。
【００６１】
導体パターン１２１の導電部１２１ｂは、グランドパターン１２７側に給電点１２６が設けられているが、導電部１２１ｃは、導電部１２１ｂと平行に設けられており、グランドパターン１２７に結合されている。さらに、導体パターン１２１の導電部１２１ａの左端部はアンテナ素子１２２の放射電極側の外部電極と接続されており、導体パターン１２１の導電部１２１ａの右端部はアンテナ素子１２３の放射電極側の外部電極と接続されている。アンテナ素子１２２の結合電極側の外部電極は、グランドパターン１２７の左側部で接続され、アンテナ素子１２３の結合電極側の外部電極は、グランドパターン１２７の右側部で接続されている。
【００６２】
導体パターン１２１の導電部１２１ｃとアンテナ素子１２２とグランドパターン１２７とで囲まれる非グランド領域１２４と、導体パターン１２１の導電部１２１ｂとアンテナ素子１２３とグランドパターン１２７とで囲まれる非グランド領域１２５とが設けられている。
【００６３】
このようなデュアルバンドアンテナ装置１２０の等価回路は、図１４のように表される。すなわち、高周波電源１３１が、アンテナ素子１２２の等価回路であるコンデンサ１３２と、アンテナ素子１２３の等価回路であるコンデンサ１３３と、導電部１２１ｃに相当する接地線１３４とに接続されるようになっている。
【００６４】
このような構造のデュアルバンドアンテナ装置１２０を採用することによって、図４で示したようなインダクタンス素子３９及びコンデンサ３８を採用せずともインピーダンスマッチングが可能となる。
【００６５】
図１３で示したデュアルバンドアンテナ装置１２０の２つの共振周波数を、独立に汎用のインダクタンス素子で調整するためには、例えば図１５に示すようなデュアルバンドアンテナ装置１４０に変形する。
【００６６】
図１５に示すデュアルバンドアンテナ装置１４０は、基板の端部に設けられており、グランドパターン１４７の一部を例えば矩形状に切り取った領域に、水平方向に伸びる導電部１４１ａと当該導電部１４１ａのほぼ中央部に且つ垂直に結合されている導電部１４１ｂ及び１４１ｃとを有する導体パターン１４１と、例えばＧＰＳ用のアンテナ素子１４２と、ＢＴ用のアンテナ素子１４３と、導電部１４１ａの左端部に一端が接続されるインダクタンス素子１４８と、インダクタンス端子１４８の他端が一端に接続される導電部１４１ｄと、導電部１４１ａの右端部に一端が接続されるインダクタンス素子１４９と、インダクタンス素子１４９の他端が一端に接続される導電部１４１ｅとを有する。
【００６７】
導電部１４１ｄの他端は、アンテナ素子１４２の放射電極側の外部電極と接続されており、アンテナ素子１４２の結合電極側の外部電極は、グランドパターン１４７の左側部で接続されている。導電部１４１ｅの他端は、アンテナ素子１４３の放射電極側の外部電極と接続されており、アンテナ素子１４３の結合電極側の外部電極は、グランドパターン１４７の右端部で接続されている。
【００６８】
導体パターン１４１の導電部１４１ｂは、グランドパターン１４７側に給電点１４６が設けられているが、導電部１４１ｃは、導電部１４１ｂと平行に設けられており、グランドパターン１４７に結合されている。
【００６９】
なお、共振周波数調整のためのインダクタンス素子１４８及び１４９を間に挟んでいるだけであるから、導電部１４１ｄ及び１４１ｅとインダクタンス素子１４８及び１４９とを導電部１４１ａの一部と考えることができる。
【００７０】
また、導体パターン１４１の導電部１４１ｃと導電部１４１ｄとインダクタンス素子１４８とアンテナ素子１４２とグランドパターン１４７とで囲まれる非グランド領域１４４と、導体パターン１４１の導電部１４１ｂと導電部１４１ｅとインダクタンス素子１４９とアンテナ素子１４３とグランドパターン１４７とで囲まれる非グランド領域１４５とが設けられている。
【００７１】
図１５のデュアルバンドアンテナ装置１４０の等価回路は、図１６のように表される。すなわち、高周波電源１５１は、アンテナ素子１４２の等価回路であるコンデンサ１５２にインダクタンス素子１４８に相当するインダクタンスＬgps3を介して接続されており、さらにアンテナ素子１４３の等価回路であるコンデンサ１５３にインダクタンス素子１４９に相当するインダクタンスＬbt3を介して接続されている。さらに、高周波電源１５１は、導電部１４１ｃに相当する接地線１５４とに接続されるようになっている。
【００７２】
次に、インダクタンス素子１４８及び１４９による共振周波数の調整について図１７Ａ乃至図１８Ｂを用いて説明する。図１７Ａ及び図１７Ｂは、インダクタンス素子１４８のインダクタンス値Ｌgps3を１ｎＨ、２ｎＨ及び３ｎＨに変更した場合の共振周波数の変化を表す。なお、図１７Ａ及び図１７Ｂの縦軸は、リターンロス［ｄＢ］を表しており、横軸は周波数を表す。図１７Ａに示した曲線ｆ１は、アンテナ素子１４２についてインダクタンス素子１４８が１ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｆ２は、２ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｆ３は、３ｎＨの場合の周波数特性を示している。そして、下向きのピークで表される共振周波数は、１ｎＨの曲線ｆ１の場合が最も高く、２ｎＨの曲線ｆ２の場合が次に高く、３ｎＨの曲線ｆ３の場合が最も低くなっている。この１ｎＨの曲線ｆ１の共振周波数から３ｎＨの曲線ｆ３の共振周波数までの周波数幅Ｗ５は１８０ＭＨｚ程度であり、比較的変化幅が大きくなっている。平均して１ｎＨあたり、９０ＭＨｚ程度変動する。
【００７３】
一方、図１７Ｂに示した曲線ｆ４は、アンテナ素子１４３についてインダクタンス素子１４８が１ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｆ５は、２ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｆ６は、３ｎＨの場合の周波数特性を示している。このようにアンテナ素子１４３の周波数特性は、インダクタンス素子１４８のインダクタンス値を変動させても、あまり共振周波数は変動しない。すなわち、独立して調整可能となっている。
【００７４】
図１８Ａ及び図１８Ｂは、インダクタンス素子１４９のインダクタンス値Ｌbt3を１ｎＨ、２ｎＨ及び３ｎＨに変更した場合の共振周波数の変化を表す。なお、図１８Ａ及び図１８Ｂの縦軸は、リターンロス［ｄＢ］を表しており、横軸は周波数を表す。図１８Ａに示した曲線ｇ１は、アンテナ素子１４２についてインダクタンス素子１４９が１ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｇ２は、２ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｇ３は、３ｎＨの場合の周波数特性を示している。このようにアンテナ素子１４２の周波数特性は、インダクタンス素子１４９のインダクタンス値を変動させても、あまり共振周波数は変動しない。すなわち、独立して調整可能となっている。
【００７５】
一方、図１８Ｂに示した曲線ｇ４は、アンテナ素子１４３についてインダクタンス素子１４９が１ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｇ５は、２ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｇ６は、３ｎＨの場合の周波数特性を示している。そして、下向きのピークで表される共振周波数は、１ｎＨの曲線ｇ４の場合が最も高く、２ｎＨの曲線ｇ５の場合が次に高く、３ｎＨの曲線ｇ６の場合が最も低くなっている。この１ｎＨの曲線ｇ４の共振周波数から３ｎＨの曲線ｇ６の共振周波数までの周波数幅Ｗ６は２６０ＭＨｚ程度となっている。すなわち、平均して１ｎＨあたり、１３０ＭＨｚ変動する。
【００７６】
このように、導電部１４１ａと導電部１４１ｄの間にインダクタンス素子１４８を設け、導電部１４１ａと導電部１４１ｅの間にインダクタンス素子１４９を設ける場合には、比較的共振周波数の変動幅が大きくなるため、汎用のインダクタンス素子では調整が難しい場合もある。
【００７７】
従って、本願発明者の非自明な着想にて、図１３に示したデュアルバンドアンテナ装置１２０を図１９に示すような新たなデュアルバンドアンテナ装置２００に変形する。
【００７８】
デュアルバンドアンテナ装置２００は、基板の端部に設けられており、グランドパターン２０７の一部を例えば矩形状に切り取った領域に、水平方向に伸びる導電部２０１ａと当該導電部２０１ａのほぼ中央部に且つ垂直に結合されている導電部２０１ｂ及び２０１ｃとを有する導体パターン２０１と、例えばＧＰＳ用のアンテナ素子２０２と、ＢＴ用のアンテナ素子２０３と、バイパス導電部２１１及び２１４と、インダクタンス素子２１２及び２１５とを有する。
【００７９】
導体パターン２０１の導電部２０１ｂは、グランドパターン２０７側に給電点２０６が設けられているが、導電部２０１ｃは、導電部２０１ｂと平行に設けられており、グランドパターン２０７に結合されている。このように導電部２０１ｃを設けることでインピーダンスマッチングが行われている。
【００８０】
さらに、導体パターン２０１の導電部２０１ａの左端部はアンテナ素子２０２の放射電極側の外部電極と接続されており、導体パターン２０１の導電部２０１ａの右端部はアンテナ素子２０３の放射電極側の外部電極と接続されている。アンテナ素子２０２の結合電極側の外部電極は、グランドパターン２０７の左側部で接続され、アンテナ素子２０３の結合電極側の外部電極は、グランドパターン２０７の右側部で接続されている。また、導電部２０１ｃの下端（すなわちグランドパターン２０７に最も近い部分）が高周波電源２１０と接続される給電点２０６となっている。
【００８１】
図１９に示したデュアルバンドアンテナ装置２００の場合、アンテナ素子２０２の一端が接続されているグランドパターン２０７の辺と導電部２０１ｃが結合しているグランドパターン２０７の辺とをつなぐためのバイパス導電部２１１と、当該バイパス導電部２１１と導電部２０１ｃが結合しているグランドパターン２０７の辺との間のインダクタンス素子２１２とが設けられている。これによって、導体パターン２０１の右脇に設けられている非グランド領域は、非グランド領域２０４及び２１３に分離されている。
【００８２】
同様に、アンテナ素子２０３の一端が接続されているグランドパターン２０７の辺と給電点２０６付近のグランドパターン２０７の辺とをつなぐためのバイパス導電部２１４と、当該バイパス導電部２１４と給電点２０６付近のグランドパターン２０７の辺との間のインダクタンス素子２１５とが設けられている。これによって、導体パターン２０１の左脇に設けられている非グランド領域は、非グランド領域２０５及び２１６に分離されている。
【００８３】
バイパス導電部２１１は、インダクタンス素子２１２なしで開放状態にする場合もあれば、短絡状態にする場合もある。バイパス導電部２１４についても同様に、インダクタンス素子２１５なしで開放状態にする場合もあれば、短絡状態にする場合もある。そのため、インダクタンス素子２１２及び２１５は、共振周波数の調整部の一例である。バイパス導電部２１１又は２１４と共振周波数の調整部とを併せて導電部と呼ぶ場合もある。
【００８４】
バイパス導電部２１１の形状は、変形可能である。以下で述べるように、非グランド領域２０４の電気的面積に応じて、アンテナ素子２０２の共振周波数を調整可能である。従って、導電部２０１ｃの延伸方向に、バイパス導電部２１１を上下に伸縮させることで、非グランド領域２０４の面積を狭くしたり広くしたり、導電部２０１ｃの延伸方向に垂直な方向に、バイパス導電部２１１を左右に伸縮させることで、非グランド領域２０４の面積を広くしたり狭くしたりさせてもよい。
【００８５】
バイパス導電部２１４の形状も、同様に変形可能である。非グランド領域２０５の電気的面積に応じて、アンテナ素子２０３の共振周波数を調整可能である。従って、導電部２０１ｃの延伸方向に、バイパス導電部２１４を上下に伸縮させることで、非グランド領域２０５の面積を狭くしたり広くしたり、導電部２０１ｃの延伸方向に垂直な方向に、バイパス導電部２１４を左右に伸縮させることで、非グランド領域２０５の面積を広くしたり狭くしたりさせてもよい。
【００８６】
図１９のような非グランド領域２１３の形状を矩形とすると、バイパス導電部２１１の長さが長くなると、非グランド領域２０４の面積は小さくなる。逆に、バイパス導電部２１１の長さが短くなると、非グランド領域２０４の面積は大きくなる。同様に、非グランド領域２１６の形状を矩形とすると、バイパス導電部２１４の長さが長くなると、非グランド領域２０５の面積は小さくなる。逆にバイパス導電部２１４の長さが短くなると、非グランド領域２０５の面積は大きくなる。このようにバイパス導電部２１１及び２１４の長さで、非グランド領域２０４及び２０５の面積をある程度特定することで、間接的に共振周波数を調整する場合もある。
【００８７】
さらに、バイパス導電部２１１及び２１４で囲われる非グランド領域２１３及び２１６の形状も矩形でなくても良い。すなわち、非グランド領域２１３及び２１６の形状が三角形になるようなバイパス導電部２１１及び２１４の形状を採用するようにしても良い。場合によっては、バイパス導電部２１１及び２１４が円弧状に形成されるようにしても良い。
【００８８】
また、図１９の例では、インダクタンス素子２１２及び２１５を、給電点２０６付近に配置している。しかし、インダクタンス素子２１２及び２１５は、バイパス導電部２１１及び２１４に流れる電流を調整するために設けるものであるので、バイパス導電部２１１及び２１４の中間部分に開放部を設けてそこにインダクタンス素子２１２及び２１５を設置しても良い。また、アンテナ素子２０２及び２０３の一端が接続されているグランドパターン２０７の辺側に、インダクタンス素子２１２及び２１５を設置するようにしても良い。また、左右対称でなくとも良い。
【００８９】
なお、図２０に示すように、グランドパターン２０７を基板端部で切り取った矩形領域の外形は、Ｌ２（＝５ｍｍ）×Ｌ１（＝１４ｍｍ）程度であり、基板全体としては４０ｍｍ×８０ｍｍ程度である。また、導電部２０１ｂ及び２０１ｃ並びにバイパス導電部２１１及び２１４の幅はＬ４（＝０．５ｍｍ）であり、導電部２０１ａの幅はＬ３（＝１．２ｍｍ）である。また、導電部２０１ｂと導電部２０１ｃとの間隔は、Ｌ５（＝０．５５ｍｍ）であり、グランドパターン２０７の左端の辺から導電部２０１ｂまでの長さはＬ６（＝７．４ｍｍ）となっている。
【００９０】
さらに、以下の説明で非グランド領域２１３及び２１６（当然ながら非グランド領域２０４及び２０５も）を変形するので、非グランド領域２１３については、縦ＧＰＳ−Ｙ、横ＧＰＳ−Ｚと表すものとする。また、非グランド領域２１６については、縦ＢＴ−Ｙ、横ＢＴ−Ｚと表すものとする。
【００９１】
次に、図２１Ａ乃至図２２Ｂに、インダクタンス素子２１２及び２１５による共振周波数の調整について説明する。なお、例えば非グランド領域２１３のサイズは、１．０ｍｍ×５．３ｍｍであり、非グランド領域２１６のサイズは、１．０ｍｍ×３．８ｍｍである。
【００９２】
図２１Ａ及び図２１Ｂは、インダクタンス素子２１２のインダクタンス値Ｌgps4を１ｎＨ、２ｎＨ及び３ｎＨに変更した場合の共振周波数の変化を表す。なお、図２１Ａ及び図２１Ｂの縦軸は、リターンロス［ｄＢ］を表しており、横軸は周波数を表す。図２１Ａに示した曲線ｈ１は、アンテナ素子２０２についてインダクタンス素子２１２が１ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｈ２は、２ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｈ３は、３ｎＨの場合の周波数特性を示している。そして、下向きのピークで表される共振周波数は、１ｎＨの曲線ｈ１の場合が最も高く、２ｎＨの曲線ｈ２の場合が次に高く、３ｎＨの曲線ｈ３の場合が最も低くなっている。この１ｎＨの曲線ｈ１の共振周波数から３ｎＨの曲線ｈ３の共振周波数までの周波数幅Ｗ７は８０ＭＨｚ程度に抑えられている。すなわち、平均して１ｎＨあたり、４０ＭＨｚ変動する。
【００９３】
一方、図２１Ｂに示した曲線ｈ４は、アンテナ素子２０３についてインダクタンス素子２１２が１ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｈ５は、２ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｈ６は、３ｎＨの場合の周波数特性を示している。このようにアンテナ素子２０３の周波数特性は、インダクタンス素子２１２のインダクタンス値を変動させても、あまり共振周波数は変動しない。すなわち、独立して調整可能となっている。
【００９４】
図２２Ａ及び図２２Ｂは、インダクタンス素子２１５のインダクタンス値Ｌbt4を１ｎＨ、２ｎＨ及び３ｎＨに変更した場合の共振周波数の変化を表す。なお、図２２Ａ及び図２２Ｂの縦軸は、リターンロス［ｄＢ］を表しており、横軸は周波数を表す。図２２Ａに示した曲線ｊ１は、アンテナ素子２０２についてインダクタンス素子２１５が１ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｊ２は、２ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｊ３は、３ｎＨの場合の周波数特性を示している。このようにアンテナ素子２０２の周波数特性は、インダクタンス素子２１５のインダクタンス値を変動させても、あまり共振周波数は変動しない。すなわち、独立して調整可能となっている。
【００９５】
一方、図２２Ｂに示した曲線ｊ４は、アンテナ素子２０３についてインダクタンス素子２１５が１ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｊ５は、２ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｊ６は、３ｎＨの場合の周波数特性を示している。そして、下向きのピークで表される共振周波数は、１ｎＨの曲線ｊ４の場合が最も高く、２ｎＨの曲線ｊ５の場合が次に高く、３ｎＨの曲線ｊ６の場合が最も低くなっている。この１ｎＨの曲線ｊ４の共振周波数から３ｎＨの曲線ｊ６の共振周波数までの周波数幅Ｗ８は７０ＭＨｚ程度に抑えられている。すなわち、平均して１ｎＨあたり、３５ＭＨｚ変動する。
【００９６】
なお、上で述べたようにインダクタ値を変化させても、インピーダンス値の変化は少ないため、リターンロスの最良値自体はあまり変化しない。そのため、インダクタンス素子２１２及び２１５のインダクタ値は、周波数調整用のパラメータとして利用できる。
【００９７】
このようにインダクタンス素子２１２及び２１５のインダクタ値が小さくなると、導電体２１１及び２１４により電流が多く流れるようになり、非グランド領域２０４及び２０５の電気的大きさが実質的に小さくなり、共振周波数が上昇する。最も共振周波数が上昇するのはインダクタ値「０」、つまりショート時である。逆に最も共振周波数が低下するのは、オープン時（開放状態）である。この場合には、非グランド領域２０４及び２１３を併せた領域が非グランド領域として作用し、同様に非グランド領域２０５及び２１６を併せた領域が非グランド領域として作用するようになる。
【００９８】
例えば、給電点２０６から２．４５ＧＨｚを入力し、インダクタンス素子２１５の値を６ｎＨ、３ｎＨおよび０ｎＨに設定した場合における電流分布のシミュレーション結果を図２３Ａ乃至２３Ｃに示す。図２３Ａ乃至２３Ｃにおいては、色が濃いほど電流が多く流れている部分であることを示している。図２３Ａは、インダクタンス素子２１５ａのインダクタンス値が６ｎＨである場合を示しており、バイパス導電部２１４には電流があまり流れておらず、代わりにグランドパターン２０７の辺のあたりに電流が流れていることが分かる。また、図２３Ｂは、インダクタンス素子２１５ｂのインダクタンス値が３ｎＨである場合を示しており、バイパス導電部２１４にもグランドパターン２０７の辺のあたりにも電流が流れていることが分かる。さらに、図２３Ｃは、インダクタンス素子２１５ｃのインダクタンス値が０ｎＨ、すなわちショートされている場合を示しており、バイパス導電部２１４に多くの電流が流れていることが分かる。
【００９９】
このように、インダクタンス素子２１５に流れる電流が少ない場合、すなわちインダクタンス素子２１５のインダクタンス値が大きな値の場合には、バイパス導電部２１４に電流があまり流れないので、図２４Ａに示すように、非グランド領域２０５及び２１６を併せた点線の領域が、共振周波数に寄与する有効な電気的面積となる。このように有効な電気的面積が広いため、共振周波数が下がる。一方、インダクタンス素子２１５のインダクタンス値が小さい値の場合には、バイパス導電部２１４に多くの電流が流れるので、図２４Ｂに示すように、非グランド領域２０５が共振周波数に寄与する有効な電気的面積となる。このように有効な電気的面積が狭いため、共振周波数が上がる。
【０１００】
いずれの場合にも図２３Ａ乃至２３Ｃの点線範囲（グランドパターン２０７のアンテナ素子２０２付近の辺）には電流が流れるので、この辺の長さは共振周波数にある程度の影響を与えている。
【０１０１】
［実施の形態２の変形］  
例えばインダクタンス素子２１２のインダクタンス値Ｌgps4＝３ｎＨに固定して、ＢＴ−Ｙ及びＢＴ−Ｚを変化させた場合の周波数特性について、図２５Ａ乃至図３１Ｃを用いて説明する。
【０１０２】
例えば、ＢＴ−Ｙ＝１ｍｍに固定して、ＢＴ−Ｚ＝２．０ｍｍ、３．０ｍｍ及び４．０ｍｍと変化させた場合、アンテナ素子２０２の周波数特性を図２５Ａに示す。図２５Ａにおいて、曲線ｋ１は、ＢＴ−Ｚ＝２ｍｍの場合の周波数特性を表しており、曲線ｋ２は、ＢＴ−Ｚ＝３ｍｍの場合の周波数特性を表しており、曲線ｋ３は、ＢＴ−Ｚ＝４ｍｍの場合の周波数特性を表している。このように共振周波数はあまり変化しない。
【０１０３】
一方、アンテナ素子２０３の周波数特性を図２５Ｂに示す。図２５Ｂにおいて、曲線ｋ４は、ＢＴ−Ｚ＝２ｍｍの場合の周波数特性を表しており、曲線ｋ５は、ＢＴ−Ｚ＝４ｍｍの場合の周波数特性を表しており、曲線ｋ６は、ＢＴ−Ｚ＝４ｍｍの場合の周波数特性を表している。このように、下向きのピークで表される共振周波数は、ＢＴ−Ｚ＝２ｍｍの曲線ｋ４の場合が最も低く、ＢＴ−Ｚ＝２ｍｍの曲線ｋ５の場合が次に高く、ＢＴ−Ｚ＝４ｍｍの曲線ｋ６の場合が最も高くなっている。およそ１ｍｍあたり３０ＭＨｚの調整が可能となっている。
【０１０４】
このようにＢＴ−Ｚが長いほど、非グランド領域２１６の面積が大きくなり、非グランド領域２０５の面積が小さくなる。バイパス導電部２１４に電流が流れていれば、非グランド領域２０５の面積が小さくなると、共振周波数を上げるように作用する。
【０１０５】
また、例えば、ＢＴ−Ｚ＝４ｍｍに固定して、ＢＴ−Ｙ＝１．０ｍｍ、１．５ｍｍ及び２．０ｍｍと変化させた場合、アンテナ素子２０２の周波数特性を図２６Ａに示す。図２６Ａにおいて、曲線ｍ１は、ＢＴ−Ｙ＝１．０ｍｍの場合の周波数特性を表しており、曲線ｍ２は、ＢＴ−Ｙ＝１．５ｍｍの場合の周波数特性を表しており、曲線ｍ３は、ＢＴ−Ｙ＝２．０ｍｍの場合の周波数特性を表している。このように共振周波数はあまり変化しない。
【０１０６】
一方、アンテナ素子２０３の周波数特性を図２６Ｂに示す。図２６Ｂにおいて、曲線ｍ４は、ＢＴ−Ｙ＝１．０ｍｍの場合の周波数特性を表しており、曲線ｍ５は、ＢＴ−Ｙ＝１．５ｍｍの場合の周波数特性を表しており、曲線ｍ６は、ＢＴ−Ｙ＝２．０ｍｍの場合の周波数特性を表している。このように、下向きのピークで表される共振周波数は、ＢＴ−Ｙ＝１．０ｍｍの曲線ｍ４の場合が最も低く、ＢＴ−Ｙ＝１．５ｍｍの曲線ｍ５の場合が次に高く、ＢＴ−Ｙ＝２．０ｍｍの曲線ｍ６の場合が最も高くなっている。およそ１ｍｍあたり５０ＭＨｚの調整が可能となっている。
【０１０７】
このようにＢＴ−Ｙが長いほど、非グランド領域２１６の面積が大きくなり、非グランド領域２０５の面積が小さくなる。バイパス導電部２１４に電流が流れていれば、非グランド領域２０５の面積が小さくなると、共振周波数を上げるように作用する。なお、ＢＴ−ＺよりもＢＴ−Ｙの方が、１ｍあたりの周波数変化量が大きいが、これは、ＢＴ−Ｙが長くなると、図２４Ａ乃至２４Ｃの点線で囲んだグランドパターン２０７の辺の長さが短くなるので、その影響で変動量が大きくなる。
【０１０８】
また、例えば、ＧＰＳ−Ｙ＝１ｍｍに固定して、ＧＰＳ−Ｚ＝３．５ｍｍ、４．５ｍｍ及び５．５ｍｍと変化させた場合、アンテナ素子２０２の周波数特性を図２７Ａに示す。図２７Ａにおいて、曲線ｎ１は、ＧＰＳ−Ｚ＝３．５ｍｍの場合の周波数特性を表しており、曲線ｎ２は、ＧＰＳ−Ｚ＝４．５ｍｍの場合の周波数特性を表しており、曲線ｎ３は、ＧＰＳ−Ｚ＝５．５ｍｍの場合の周波数特性を表している。このように、下向きのピークで表される共振周波数は、ＧＰＳ−Ｚ＝３．５ｍｍの曲線ｎ１の場合が最も低く、ＧＰＳ−Ｚ＝４．５ｍｍの曲線ｎ２の場合が次に高く、ＧＰＳ−Ｚ＝５．５ｍｍの曲線ｎ３の場合が最も高くなっている。およそ１ｍｍあたり２０ＭＨｚの調整が可能となっている。
【０１０９】
一方、アンテナ素子２０３の周波数特性を図２７Ｂに示す。図２７Ｂにおいて、曲線ｎ４は、ＧＰＳ−Ｚ＝３．５ｍｍの場合の周波数特性を表しており、曲線ｎ５は、ＧＰＳ−Ｚ＝４．５ｍｍの場合の周波数特性を表しており、曲線ｎ６は、ＧＰＳ−Ｚ＝５．５ｍｍの場合の周波数特性を表している。このように共振周波数はあまり変化しない。
【０１１０】
このようにＧＰＳ−Ｚが長いほど、非グランド領域２１３の面積が大きくなり、非グランド領域２０４の面積が小さくなる。バイパス導電部２１１に電流が流れていれば、非グランド領域２０４の面積が小さくなると、共振周波数を上げるように作用する。
【０１１１】
また、例えば、ＧＰＳ−Ｚ＝５．５ｍｍに固定して、ＧＰＳ−Ｙ＝１．０ｍｍ、１．５ｍｍ及び２．０ｍｍと変化させた場合、アンテナ素子２０２の周波数特性を図２８Ａに示す。図２８Ａにおいて、曲線ｐ１は、ＧＰＳ−Ｙ＝１．０ｍｍの場合の周波数特性を表しており、曲線ｐ２は、ＧＰＳ−Ｙ＝１．５ｍｍの場合の周波数特性を表しており、曲線ｐ３は、ＧＰＳ−Ｙ＝２．０ｍｍの場合の周波数特性を表している。このように、下向きのピークで表される共振周波数は、ＧＰＳ−Ｙ＝１．０ｍｍの曲線ｐ１の場合が最も低く、ＧＰＳ−Ｙ＝１．５ｍｍの曲線ｐ２の場合が次に高く、ＧＰＳ−Ｙ＝２．０ｍｍの曲線ｐ３の場合が最も高くなっている。およそ１ｍｍあたり５０ＭＨｚの調整が可能となっている。
【０１１２】
一方、アンテナ素子２０３の周波数特性を図２８Ｂに示す。図２８Ｂにおいて、曲線ｐ４は、ＧＰＳ−Ｙ＝１．０ｍｍの場合の周波数特性を表しており、曲線ｐ５は、ＧＰＳ−Ｙ＝１．５ｍｍの場合の周波数特性を表しており、曲線ｐ６は、ＧＰＳ−Ｙ＝２．０ｍｍの場合の周波数特性を表している。このように共振周波数はあまり変化しない。
【０１１３】
このようにＧＰＳ−Ｙが長いほど、非グランド領域２１３の面積が大きくなり、非グランド領域２０４の面積が小さくなる。バイパス導電部２１１に電流が流れていれば、非グランド領域２０４の面積が小さくなると、共振周波数を上げるように作用する。なお、ＧＰＳ−ＺよりもＧＰＳ−Ｙの方が、１ｍあたりの周波数変化量が大きいが、これは、ＧＰＳ−Ｙが長くなると、図２４Ａ乃至２４Ｃの点線で囲んだグランドパターン２０７の辺の長さが短くなるので、その影響で変動量が大きくなる。
【０１１４】
次に、ＧＰＳ−ＺとＧＰＳ−Ｙの各組み合わせについて、インダクタンス素子２１２のインダクタンス値を１ｎＨ、２ｎＨ及び３ｎＨに変動させた場合の周波数特性を図２９Ａ乃至３４Ｃに示す。図２９Ａ乃至図２９Ｃについては、ＧＰＳ−Ｙ＝１．０ｍｍの場合に、ＧＰＳ−Ｚ＝３．５（図２９Ａ）、ＧＰＳ−Ｚ＝４．５（図２９Ｂ）、ＧＰＳ−Ｚ＝５．５（図２９Ｃ）と変動させた場合におけるインダクタンス値毎の周波数変動を示している。ＧＰＳ−Ｚが大きくなると、１ｎＨと３ｎＨとの間の共振周波数の変動幅は徐々に大きくなる。
【０１１５】
図３０Ａ乃至図３０Ｃについては、ＧＰＳ−Ｙ＝１．５ｍｍの場合に、ＧＰＳ−Ｚ＝３．５（図３０Ａ）、ＧＰＳ−Ｚ＝４．５（図３０Ｂ）、ＧＰＳ−Ｚ＝５．５（図３０Ｃ）と変動させた場合におけるインダクタンス値毎の周波数変動を示している。ＧＰＳ−Ｚが大きくなると、１ｎＨと３ｎＨとの間の共振周波数の変動幅は徐々に大きくなる。
【０１１６】
図３１Ａ乃至図３１Ｃについては、ＧＰＳ−Ｙ＝２．０ｍｍの場合に、ＧＰＳ−Ｚ＝３．５（図３１Ａ）、ＧＰＳ−Ｚ＝４．５（図３１Ｂ）、ＧＰＳ−Ｚ＝５．５（図３１Ｃ）と変動させた場合におけるインダクタンス値毎の周波数変動を示している。ＧＰＳ−Ｚが大きくなると、１ｎＨと３ｎＨとの間の共振周波数の変動幅は徐々に大きくなる。
【０１１７】
次に、ＢＴ−ＺとＢＴ−Ｙの各組み合わせについて、インダクタンス素子２１５のインダクタンス値を１ｎＨ、２ｎＨ及び３ｎＨに変動させた場合の周波数特性を図３２Ａ乃至３４Ｃに示す。図３２Ａ乃至図３２Ｃについては、ＢＴ−Ｙ＝１．０ｍｍの場合に、ＢＴ−Ｚ＝２．０（図３２Ａ）、ＢＴ−Ｚ＝３．０（図３２Ｂ）、ＢＴ−Ｚ＝４．０（図３２Ｃ）と変動させた場合におけるインダクタンス値毎の周波数変動を示している。この場合は、ＢＴ−Ｚ＝３．０の場合が１ｎＨと３ｎＨとの間の共振周波数の変動幅が最も大きくなっており、他の事例との関係でイレギュラーとなっている。
【０１１８】
図３３Ａ乃至図３３Ｃについては、ＢＴ−Ｙ＝１．５ｍｍの場合に、ＢＴ−Ｚ＝２．０（図３３Ａ）、ＢＴ−Ｚ＝３．０（図３３Ｂ）、ＢＴ−Ｚ＝４．０（図３３Ｃ）と変動させた場合におけるインダクタンス値毎の周波数変動を示している。ＢＴ−Ｚが大きくなると、１ｎＨと３ｎＨとの間の共振周波数の変動幅は徐々に大きくなる。
【０１１９】
図３４Ａ乃至図３４Ｃについては、ＢＴ−Ｙ＝２．０ｍｍの場合に、ＢＴ−Ｚ＝２．０（図３４Ａ）、ＢＴ−Ｚ＝３．０（図３４Ｂ）、ＢＴ−Ｚ＝４．０（図３４Ｃ）と変動させた場合におけるインダクタンス値毎の周波数変動を示している。ＢＴ−Ｚが大きくなると、１ｎＨと３ｎＨとの間の共振周波数の変動幅は徐々に大きくなる。
【０１２０】
図２９Ａ乃至図３１Ｃをまとめると、図３５及び図３６のようになる。図３５では、ＧＰＳ−Ｙ＝１．０ｍｍの場合、ＧＰＳ−Ｙ＝２．０ｍｍの場合、ＧＰＳ−Ｙ＝３．０ｍｍの場合のそれぞれについて、ＧＰＳ−Ｚの変化に応じたインダクタンス素子２１２のインダクタンス値１ｎＨと３ｎＨとの間における周波数変動量を示したものである。このように、おおむねＧＰＳ−Ｙ及びＧＰＳ−Ｚの増加に応じて周波数変動量も増加する様子が分かる。
【０１２１】
図３６では、ＧＰＳ−Ｚ＝３．５ｍｍの場合、ＧＰＳ−Ｚ＝４．５ｍｍの場合、ＧＰＳ−Ｚ＝５．５ｍｍの場合のそれぞれについて、ＧＰＳ−Ｙの変化に応じたインダクタンス素子２１２のインダクタンス値１ｎＨと３ｎＨとの間における周波数変動量を示したものである。このように、おおむねＧＰＳ−Ｙ及びＧＰＳ−Ｚの増加に応じて周波数変動量も増加する様子が分かる。
【０１２２】
また、図３２Ａ乃至３４Ｃをまとめると、図３７及び図３８のようになる。図３７では、ＢＴ−Ｙ＝１．０ｍｍの場合、ＢＴ−Ｙ＝１．５ｍｍの場合、ＢＴ−Ｙ＝２．０ｍｍの場合のそれぞれについて、ＢＴ−Ｚの変化に応じたインダクタンス素子２１５のインダクタンス値１ｎＨと３ｎＨとの間における周波数変動量を示したものである。このように、おおむねＢＴ−Ｙ及びＢＴ−Ｚの増加に応じて周波数変動量も増加する様子が分かる。
【０１２３】
図３８では、ＢＴ−Ｚ＝２．０ｍｍの場合、ＢＴ−Ｚ＝３．０ｍｍの場合、ＢＴ−Ｚ＝４．０ｍｍの場合のそれぞれについて、ＢＴ−Ｙの変化に応じたインダクタンス素子２１５のインダクタンス値１ｎＨと３ｎＨとの間における周波数変動量を示したものである。このように、おおむねＢＴ−Ｙ及びＢＴ−Ｚの増加に応じて周波数変動量も増加する様子が分かる。
【０１２４】
このようにバイパス導電部２１１及び２１４の形状とインダクタンス素子２１２及び２１５のインダクタンス値によって、アンテナ素子２０２及び２０３の周波数特性を所望のものに調整することができるようになる。
【０１２５】
［実施の形態２の変形２］
図３９に示すように、非グランド領域２１３ｂ及び２１６ｂをおよそ三角形にするようにバイパス導電部２１１ｂ及び２１４ｂを斜めの直線のような形状にすることも可能である。
【０１２６】
例えば、インダクタンス素子２１２ｆ及び２１５ｆによる共振周波数の調整について説明する。なお、例えば非グランド領域２１３ｂのサイズは、縦２．０ｍｍ×横５．３ｍｍであり、非グランド領域２１６ｂのサイズは、２．０ｍｍ×３．８ｍｍである。
【０１２７】
図４０Ａ及び図４０Ｂは、インダクタンス素子２１２ｆのインダクタンス値Ｌgps5を１ｎＨ、２ｎＨ及び３ｎＨに変更した場合の共振周波数の変化を表す。なお、図４０Ａ及び図４０Ｂの縦軸は、リターンロス［ｄＢ］を表しており、横軸は周波数を表す。図４０Ａに示した曲線ｓ１は、アンテナ素子２０２についてインダクタンス素子２１２ｆが１ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｓ２は、２ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｓ３は、３ｎＨの場合の周波数特性を示している。そして、下向きのピークで表される共振周波数は、１ｎＨの曲線ｓ１の場合が最も高く、２ｎＨの曲線ｓ２の場合が次に高く、３ｎＨの曲線ｓ３の場合が最も低くなっている。
【０１２８】
一方、図２２Ｂに示した曲線ｓ４は、アンテナ素子２０３についてインダクタンス素子２１２ｆが１ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｓ５は、２ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｓ６は、３ｎＨの場合の周波数特性を示している。このようにアンテナ素子２０３の周波数特性は、インダクタンス素子２１２ｆのインダクタンス値を変動させても、あまり共振周波数は変動しない。すなわち、独立して調整可能となっている。
【０１２９】
図４１Ａ及び図４１Ｂは、インダクタンス素子２１５ｆのインダクタンス値Ｌbt5を１ｎＨ、２ｎＨ及び３ｎＨに変更した場合の共振周波数の変化を表す。なお、図４１Ａ及び図４１Ｂの縦軸は、リターンロス［ｄＢ］を表しており、横軸は周波数を表す。図４１Ａに示した曲線ｔ１は、アンテナ素子２０２についてインダクタンス素子２１５ｆが１ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｔ２は、２ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｔ３は、３ｎＨの場合の周波数特性を示している。このようにアンテナ素子２０２の周波数特性は、インダクタンス素子２１５ｆのインダクタンス値を変動させても、あまり共振周波数は変動しない。すなわち、独立して調整可能となっている。
【０１３０】
一方、図４１Ｂに示した曲線ｔ４は、アンテナ素子２０３についてインダクタンス素子２１５ｆが１ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｔ５は、２ｎＨの場合の周波数特性を示しており、曲線ｔ６は、３ｎＨの場合の周波数特性を示している。そして、下向きのピークで表される共振周波数は、１ｎＨの曲線ｔ４の場合が最も高く、２ｎＨの曲線ｔ５の場合が次に高く、３ｎＨの曲線ｔ６の場合が最も低くなっている。
【０１３１】
このように導電体２１１ｂ及び２１４ｂの形状に拘わらず、インダクタンス素子２１２ｆ及び２１５ｆのインダクタンス値を変更することによって、アンテナ素子２０２及び２０３の共振周波数を調整することができるようになる。
【０１３２】
以上述べたように、本実施の形態に係るデュアルバンドアンテナ装置は、様々に変更可能である。例えば、ＧＰＳとＢＴの組み合わせについて説明したが、他の規格、例えば無線ＬＡＮについても組み合わせるようにしても良い。
【符号の説明】
【０１３３】
１０２，２０２，１０３，２０３  アンテナ素子
１０１，２０１  導体パターン
１０４，１０５，２０４，２０５  非グランド領域
１１３，２１３，１１６，２１６  非グランド領域
１１１，２１１，１１４，２１４，１０１ａ，１０１ｂ，１０１ｃ、２０１ａ，２０１ｂ、２０１ｃ  導電部
１０９，１１２，２１２，１１５，２１５  インダクタンス素子
１０７，２０７  グランドパターン
１０６，２０６  給電点
１０８  コンデンサ
【図１】
2012065250.tif 000003
【図２】
2012065250.tif 000004
【図３】
2012065250.tif 000005
【図４】
2012065250.tif 000006
【図５】
2012065250.tif 000007
【図６】
2012065250.tif 000008
【図７】
2012065250.tif 000009
【図８Ａ】
2012065250.tif 000010
【図８Ｂ】
2012065250.tif 000011
【図９Ａ】
2012065250.tif 000012
【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７Ａ】
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【図１７Ｂ】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１Ａ】
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【図２１Ｂ】
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【図２２Ａ】
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【図２２Ｂ】
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【図２５Ａ】
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【図２５Ｂ】
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【図２６Ａ】
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【図２６Ｂ】
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【図２７Ａ】
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【図２７Ｂ】
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【図２８Ａ】
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【図２８Ｂ】
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【図２９Ａ】
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【図２９Ｂ】
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【図２９Ｃ】
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【図３０Ａ】
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【図３０Ｂ】
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【図３０Ｃ】
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【図３１Ａ】
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【図３１Ｂ】
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【図３１Ｃ】
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【図３２Ａ】
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【図３２Ｂ】
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【図３２Ｃ】
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【図３３Ａ】
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【図３３Ｂ】
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【図３３Ｃ】
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【図３４Ａ】
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【図３４Ｂ】
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【図３４Ｃ】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０Ａ】
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【図４０Ｂ】
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【図４１Ａ】
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【図４１Ｂ】
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【図２３Ａ】
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【図２３Ｂ】
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【図２３Ｃ】
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【図２４Ａ】
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【図２４Ｂ】
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