(57)【要約】      （修正有）【課題】高速成膜により素子特性が低下しない有機薄膜電子デバイスを提供する。【解決手段】有機層のいずれか１つ以上が、蒸着速度１〜１０ｎｍ／ｓｅｃで成膜された下記一般式（１）で表される１，３，５−トリアジン誘導体を含んでなることを特徴とする有機薄膜電子デバイス。2012028524.tif 000008【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と陰極の間に２層以上の有機層を有する有機薄膜電子デバイスにおいて、前記有機層のいずれか１つ以上が、蒸着速度１〜１０ｎｍ／ｓｅｃで成膜された下記一般式（１）で表される１，３，５−トリアジン誘導体を含んでなることを特徴とする有機薄膜電子デバイス。
【化１】
2012028524.tif 000007
（式中、Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は、各々独立に炭素数１から６のアルキル基で置換されていてもよい、フェニル基、ピリジル基、ピリジルフェニル基またはビフェニリル基を示す。Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は同一、または相異なっていてもよい。）
【請求項２】
一般式（１）で表される１，３，５−トリアジン誘導体を含んでなる有機層が電子輸送層および／または電子注入層であることを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜電子デバイス。
【請求項３】
有機エレクトロルミネッセンス素子として用いられることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機薄膜電子デバイス。
【請求項４】
有機薄膜太陽電池として用いられることを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、１，３，５−トリアジン誘導体を含む有機エレクトロルミネッセンス素子や有機薄膜太陽電池などの有機薄膜電子デバイスに関する。さらに詳しくは、有機エレクトロルミネッセンス用の材料として有用な１，３，５−トリアジン誘導体を高速成膜しても素子特性が悪化しない有機エレクトロルミネッセンス素子や有機薄膜太陽電池などの有機薄膜電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子は、発光する化合物を含有する発光層を正孔輸送層と電子輸送層で挟み、さらにその外側に陽極と陰極を取りつけ、発光層に正孔および電子を注入して再結合するときに生成する励起子が失活する際の光の放出（蛍光または燐光）を利用する素子である。
【０００３】
しかし、有機エレクトロルミネッセンス素子に関して技術的に超えなければならない課題はまだ多く、大型ディスプレイや照明用途への展開を考えると、現状では生産効率を向上することは重要な課題である。
【０００４】
しかしながら、これまでに真空蒸着法による有機薄膜の生産効率を向上した報告例は極めて少なく、１，３，５−トリアジン誘導体であれば、蒸着速度は０．３〜０．５ｎｍ／ｓｅｃが一般的であった（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
さらに、有機エレクトロルミネッセンス素子の材料であるＡｌｑの成膜速度を０．２ｎｍ／ｓｅｃから０．７ｎｍ／ｓｅｃに増加した結果、成膜速度の増加に伴い、Ａｌｑを用いた素子の特性は悪化することが報告されており（例えば、非特許文献１参照）、成膜速度の増加により、Ａｌｑの電子移動度が遅くなることが原因であると考察されている。
【０００６】
また、有機エレクトロルミネッセンス素子の材料であるα―ＮＰＤとＡｌｑの成膜速度を０．０１ｎｍ／ｓｅｃから１０ｎｍ／ｓｅｃに増加させた結果、素子特性が悪化することについても報告されており（例えば、非特許文献２参照）、成膜速度の増加により、α―ＮＰＤとＡｌｑの薄膜の密度が減少していることが原因と考察されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−３１４５０３号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  Ｌｅｔｔｅｒｓ  ７５巻、２５号、Ｐ．４０１０、１９９９年
【非特許文献２】有機ＥＬ討論会  第６回例会予稿集
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子や有機薄膜太陽電池などの有機薄膜電子デバイスの電子輸送層として、高速成膜で作製しても素子特性が低下しない１，３，５−トリアジン誘導体を構成成分とする有機薄膜電子デバイスを提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、先の課題を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明の１，３，５−トリアジン誘導体を高速成膜により作製した有機電子デバイスが、汎用の材料を用いて高速成膜により作製した素子と比べて、素子特性が低下しないことを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１１】
すなわち、本発明は、陽極と陰極の間に２層以上の有機層を有する有機薄膜電子デバイスにおいて、前記有機層のいずれか１つ以上が、蒸着速度１〜１０ｎｍ／ｓｅｃで成膜された下記一般式（１）で表される１，３，５−トリアジン誘導体を含んでなることを特徴とする有機薄膜電子デバイスである。
【００１２】
【化１】
2012028524.tif 000002
（式中、Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は、各々独立に炭素数１から６のアルキル基で置換されていてもよい、フェニル基、ピリジル基、ピリジルフェニル基またはビフェニリル基を示す。Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は同一、または相異なっていてもよい。）
以下、本発明を説明する。
【００１３】
本発明でいう有機薄膜電子デバイスとは、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子、有機薄膜太陽電池、有機薄膜トランジスタなどをいう。
【００１４】
陽極と陰極の間に２層以上の有機層を有する有機薄膜電子デバイスとしては、例えば陽極／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／陰極の構造を有する有機エレクトロルミネッセンス素子、陽極／Ｐ型半導体／Ｎ型半導体／陰極の構造を有する有機薄膜太陽電池、ゲート電極層／ゲート絶縁層／ソース・ドレイン電極層／Ｐ型またはＮ型有機半導体層の構造を有する有機薄膜トランジスタなどが挙げられる。
【００１５】
次に、本発明の有機薄膜電子デバイスの構成成分である一般式（１）で表される１，３，５−トリアジン誘導体について説明する。
【００１６】
Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は、各々独立に炭素数１から６のアルキル基で置換されていてもよい、フェニル基、ピリジル基、ピリジルフェニル基またはビフェニリル基を示す。
【００１７】
炭素数１から６のアルキル基とは、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基が挙げられる。材料の熱化学的安定性の観点からメチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基が好ましい。
【００１８】
ピリジル基とは、２−ピリジル基、３−ピリジル基、４−ピリジル基のいずれであっても良く、ピリジルフェニル基の場合であっても同様である。
【００１９】
また、ピリジルフェニル基またはビフェニリル基の場合、末端のピリジル基またはフェニル基はフェニレン基の２−、３−、４−位のいずれに結合していてもよい。
【００２０】
次に、一般式（１）で表される１，３，５−トリアジン誘導体の製造方法について説明する。
【００２１】
一般式（１）で表される１，３，５−トリアジン誘導体は、次の反応式で示される方法で製造することができる。
【００２２】
【化２】
2012028524.tif 000003
【００２３】
【化３】
2012028524.tif 000004
【００２４】
【化４】
2012028524.tif 000005
（式中、Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は、炭素数１から６のアルキル基で置換されていても良い、フェニル基、ピリジル基、ピリジルフェニル基またはビフェニリル基を示す。Ａｒ１、Ａｒ２およびＡｒ３は同一、または相異なっていても良い。Ｒ１は、水素原子、炭素数１から４のアルキル基又はフェニル基を示し、２つのＲ１は同一又は異なっていてもよい。Ｘ１は、脱離基を示し、同一化合物内に２つ以上のＸ１がある場合、それぞれのＸ１は同一又は異なっていてもよい。）
化合物（２−１）から（２−３）におけるＢ（ＯＲ１）２としては、Ｂ（ＯＨ）２、Ｂ（ＯＭｅ）２、Ｂ（ＯｉＰｒ）２、Ｂ（ＯＢｕ）２、Ｂ（ＯＰｈ）２等が例示できる。又、２つのＲ１が一体となって酸素原子及びホウ素原子を含んで環を形成した場合のＢ（ＯＲ１）２の例としては、次の（Ｉ）から（ＶＩ）で示される基が例示でき、収率がよい点で（ＩＩ）で示される基が好ましい。
【００２５】
【化５】
2012028524.tif 000006
化合物（３−１）から（３−３）におけるＸ１で表される脱離基は、塩素原子、臭素原子又はヨウ素原子を表す。収率がよい点で、臭素原子が好ましい。なお、脱離基は反応の選択性を持たせるため、異なる置換基を適宜選択することが可能である。
【００２６】
「工程１」から「工程３」は、それぞれ化合物（２−１）から（２−３）を、塩基及びパラジウム触媒の存在下に化合物（３−１）から（３−３）と反応させるものであり、一般的な鈴木−宮浦反応の反応条件を適用することにより、収率よく目的物を得ることができる。
【００２７】
「工程１」から「工程３」で用いることのできるパラジウム触媒としては、塩化パラジウム、酢酸パラジウム、トリフルオロ酢酸パラジウム、硝酸パラジウム等の塩を例示することができる。さらに、π−アリルパラジウムクロリドダイマー、パラジウムアセチルアセトナト、トリス（ジベンジリデンアセトン）ジパラジウム、ジクロロビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム及びジクロロ（１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン）パラジウム等の錯化合物を例示することができる。中でも、第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体は収率がよい点で好ましく、入手容易であり、収率がよい点で、トリフェニルホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体がさらに好ましい。「工程１」から「工程３」でそれぞれ用いるパラジウム触媒の量は、いわゆる触媒量であれば特に制限はないが、収率がよい点で、パラジウム触媒と化合物（２−１）から（２−３）とのモル比は、１：５０〜１：１０が好ましい。
【００２８】
なお、これらの第三級ホスフィンを配位子として有するパラジウム錯体は、パラジウム塩又は錯化合物に第三級ホスフィンを添加し、反応系中で調製することもできる。第三級ホスフィンとしては、トリフェニルホスフィン、トリメチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルホスフィン、９，９−ジメチル−４，５−ビス（ジフェニルホスフィノ）キサンテン、２−（ジフェニルホスフィノ）−２’−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）ビフェニリル、２−（ジ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィノ）ビフェニリル、２−（ジシクロヘキシルホスフィノ）ビフェニリル、ビス（ジフェニルホスフィノ）メタン、１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン、１，３−ビス（ジフェニルホスフィノ）プロパン、１，４−ビス（ジフェニルホスフィノ）ブタン、１，１’−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン、トリ（２−フリル）ホスフィン、トリ（ｏ−トリル）ホスフィン、トリス（２，５−キシリル）ホスフィン、（±）−２，２’−ビス（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、２−ジシクロヘキシルホスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニリル等を例示することができる。入手容易であり、収率がよい点で、トリフェニルホスフィンが好ましい。第三級ホスフィンとパラジウム塩又は錯化合物とのモル比は、１：１０〜１０：１が好ましく、収率がよい点で１：２〜５：１がさらに好ましい。
【００２９】
「工程１」から「工程３」の反応は、塩基の存在下に実施することが必須である。用いることのできる塩基としては、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸セシウム、酢酸カリウム、酢酸ナトリウム、リン酸カリウム、リン酸ナトリウム、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化セシウム等を例示することができ、収率がよい点で炭酸ナトリウムが好ましい。塩基と化合物（２−１）から（２−３）とのモル比は、それぞれ特に制限はないが、１：２〜１０：１が好ましく、収率がよい点で１：１〜３：１がさらに好ましい。
【００３０】
「工程１」から「工程３」で用いる化合物（３−１）から（３−３）と化合物（２−１）から（２−３）とのモル比は、それぞれ特に制限はないが、１：１〜５：１が好ましく、収率がよい点で１：１〜３：１がさらに好ましい。
【００３１】
「工程１」から「工程３」の反応は溶媒中で実施することができる。用いることのできる溶媒として、水、ジメチルスルホキシド、ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、トルエン、ベンゼン、ジエチルエーテル、エタノール、メタノール又はキシレン等が例示でき、これらを適宜組み合わせて用いてもよい。収率がよい点でトルエン及び水の混合溶媒を用いることが望ましい。
【００３２】
一般式（１）で表される１，３，５−トリアジン誘導体は、「工程１」から「工程３」の終了後に通常の処理を行うことで得ることができる。必要に応じて、再結晶、カラムクロマトグラフィー又は昇華等で精製してもよい。
【００３３】
次に、蒸着方法について説明する。蒸着方法は、真空蒸着法であり、真空中で物質に膜をつける方法である。膜をつける基板と膜の原料を容器内に置き、全体を真空状態にして、原料を熱で溶かす。原料が気体分子となり、基板に衝突、付着し、膜が形成される。加熱方法は、抵抗加熱式、電子ビーム式、高周波誘導式、レーザー式などがある。原料分子が基板に達する前に残存気体分子に衝突しない為、また、気体分子自体が基板に衝突しないように、１０−３〜１０−４Ｐａの高い真空度が必要である。
【００３４】
また、一般式（１）で表される１，３，５−トリアジン誘導体はホストとして使用することも可能であり、その場合、２−（２−ピリジル）ヒドロキシフェノラトリチウム（ＬｉＰＰ）などのドーパントを加えて使用しても良い。
【００３５】
一般式（１）で表される１，３，５−トリアジン誘導体の蒸着速度は、１〜１０ｎｍ／ｓｅｃであり、好ましくは２〜９ｎｍ／ｓｅｃ、さらに好ましくは３〜７ｎｍ／ｓｅｃである。１０ｎｍ／ｓｅｃを超えて蒸着すると、成膜した膜の結晶性などのモルフォロジーが悪化するため成膜できない。
【発明の効果】
【００３６】
本発明では、１，３，５−トリアジン誘導体を用いることで、高速成膜により素子特性が低下しない有機エレクトロルミネッセンス素子、有機薄膜太陽電池、有機薄膜トランジスタなどの有機薄膜電子デバイスを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】実施例１のＥＯＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｏｎｌｙ  Ｄｅｖｉｃｅ）の断面図である。
【図２】実施例２のＥＯＤの電流密度−電圧特性を示した図である。
【図３】実施例３のＥＯＤの電流密度−電圧特性を示した図である。
【図４】実施例４のＥＯＤの電流密度−電圧特性を示した図である。
【図５】実施例５のＥＯＤの電流密度−電圧特性を示した図である。
【図６】比較例１のＥＯＤの電流密度−電圧特性を示した図である。
【実施例】
【００３８】
以下、本発明の実施例、合成実施例を説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。
【００３９】
合成実施例１
２−（４−ビフェニリル）−４，６−ビス［４’−（２−ピリジル）ビフェニル−４−イル］−１，３，５−トリアジンの合成
アルゴン気流下、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム（８．８ｍｍｏｌ）を含むペンタン溶液（６．０ｍＬ）を−７８℃に冷却したテトラヒドロフラン（２０ｍＬ）にゆっくり加え、この溶液にさらに２−（４−ブロモフェニル）ピリジン（１．０３ｇ）を溶解したテトラヒドロフラン（１０ｍＬ）を滴下した。−７８℃で３０分間攪拌した後、ジクロロ（テトラメチルエチレンジアミン）亜鉛（２．７８ｇ）を加え、−７８℃で１０分間、次いで室温で２時間攪拌した。この溶液に２−（４−ビフェニリル）−４，６−ビス（４−ブロモフェニル）−１，３，５−トリアジン（１．０９ｇ）とテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（２３０ｍｇ）を溶解したテトラヒドロフラン（６０ｍＬ）を加え、１６時間加熱還流下で攪拌した。反応溶液を減圧濃縮し得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液  ヘキサン：クロロホルム＝２：１〜０：１）およびアルミナゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液  ヘキサン：クロロホルム＝２：１〜０：１）で精製後、ジクロロメタン−メタノールの混合溶媒から再結晶し、目的の２−（４−ビフェニリル）−４，６−ビス［４’−（２−ピリジル）ビフェニル−４−イル］−１，３，５−トリアジンの白色固体（収量１．０６ｇ，収率７７％）を得た。
【００４０】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２）：δ７．３３−７．４０（ｍ，２Ｈ），７．４１−７．４６（ｍ，１Ｈ），７．５０−７．５５（ｍ，２Ｈ），７．７４−７．７９（ｍ，２Ｈ），７．８８（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），７．８８−７．９３（ｍ，８Ｈ），７．９５（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，４Ｈ），８．２３（ｄ，Ｊ＝８．３Ｈｚ，４Ｈ），８．７５（ｂｒｄ，Ｊ＝４．７Ｈｚ，２Ｈ），８．９１（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），８．９３（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，４Ｈ）．
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ１２０．６（ＣＨ×２），１２２．３（ＣＨ×２），１２７．４（ＣＨ×４×２），１２７．４（ＣＨ×２），１２７．５（ＣＨ×４），１２７．７（ＣＨ×４），１２８．１（ＣＨ），１２９．０（ＣＨ×２），１２９．６（ＣＨ×２），１２９．６（ＣＨ×２），１２９．６（ＣＨ×２），１３５．３（ｑｕａｒｔ．），１３５．５（ｑｕａｒｔ．×２），１３６．９（ＣＨ×２），１３９．０（ｑｕａｒｔ．），１４０．５（ｑｕａｒｔ．×２），１４０．９（ｑｕａｒｔ．×２），１４４．６（ｑｕａｒｔ．×２），１４５．３（ｑｕａｒｔ．），１４９．９（ＣＨ×２），１５６．９（ｑｕａｒｔ．×２），１７１．４（ｑｕａｒｔ．×２），１７１．５（ｑｕａｒｔ．）．
実施例１
２−（４−ビフェニリル）−４，６−ビス［４’−（２−ピリジル）ビフェニル−４−イル］−１，３，５−トリアジンを構成成分とするＥＯＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｏｎｌｙ  Ｄｅｖｉｃｅ）の作製と性能評価
基板には、酸化インジウム−スズ（ＩＴＯ）膜がストライプ上にパターンされたＩＴＯ透明電極付きガラス基板を用いた。この基板をアセトン、洗剤、超純水、イソプロピルアルコールの順で超音波洗浄を行った後、イソプロピルアルコールで蒸気洗浄を行った。その後、ＵＶオゾン洗浄にて表面処理を行った。洗浄後の基板に、真空蒸着法で各層の真空蒸着を行い、断面図を図１に示すような発光面積４ｍｍ２のＥＯＤを作製した。
【００４１】
まず、真空蒸着槽内に前記ガラス基板１を導入し、５．０×１０−４Ｐａまで減圧した。その後、前記ガラス基板１上に有機層として、ホールブロック層２、電子輸送層３を順次成膜し、その後、陰極層４を成膜した。ホールブロック層２としては、２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（ＢＣＰ）を３０ｎｍの膜厚で真空蒸着した。電子輸送層３としては、２−（４−ビフェニリル）−４，６−ビス［４’−（２−ピリジル）ビフェニル−４−イル］−１，３，５−トリアジンを２００ｎｍの膜厚で真空蒸着した。なお、各有機材料は温度制御したカーボンルツボにより成膜し、加熱したＢＣＰを０．１ｎｍ／ｓｅｃの成膜速度で真空蒸着した。また、２−（４−ビフェニリル）−４，６−ビス［４’−（２−ピリジル）ビフェニル−４−イル］−１，３，５−トリアジンの蒸着速度は０．０１ｎｍ／ｓｅｃ、０．１ｎｍ／ｓｅｃ、１ｎｍ／ｓｅｃおよび１０ｎｍ／ｓｅｃでそれぞれ作製した。最後に、ＩＴＯストライプと直交するようにメタルマスクを配置し、陰極層４を成膜した。陰極層４は、フッ化リチウムとアルミニウムをそれぞれ０．５ｎｍと１００ｎｍの膜厚で真空蒸着し、２層構造とした。それぞれの膜厚は、触針式膜厚測定計（ＤＥＫＴＡＫ）で測定した。ＤＥＣＫＴＡＫであらかじめ膜厚を測定することで補正した水晶発振子を用いて膜厚と蒸着速度を制御した。さらに、酸素及び水分濃度２ｐｐｍ以下の窒素雰囲気グローブボックス内で、ガラス製の封止キャップと前記成膜基板をエポキシ型紫外線硬化樹脂（ナガセケムテックス株式会社製）を用いて封止した。
【００４２】
作製したＥＯＤは、コンピューター制御されたのソースメーター（ｋｅｉｔｈｌｅｙ社製、商品名「２４００シリーズソースメーター」）を用いて、電流密度−電圧特性を測定した。結果を図２に示すが、蒸着速度を増加させても、１０Ｖにおける電流密度は変化しないことを確認した。
【００４３】
合成実施例２
２，４−ビス（４−ビフェニリル）−６−［４’−（２−ピリジル）ビフェニル−４−イル］−１，３，５−トリアジンの合成
アルゴン気流下、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム（６．０ｍｍｏｌ）を含むペンタン溶液（４．１ｍＬ）を−７８℃に冷却したテトラヒドロフラン（１５ｍＬ）にゆっくり加え、この溶液にさらに２−（４−ブロモフェニル）ピリジン（７００ｍｇ）を溶解したテトラヒドロフラン（１０ｍＬ）を滴下した。−７８℃で３０分間攪拌した後、ジクロロ（テトラメチルエチレンジアミン）亜鉛（１．８９ｇ）を加え、−７８℃で１０分間次いで室温で２時間攪拌した。この溶液に２，４−ビス（４−ビフェニリル）−６−（４−ブロモフェニル）−１，３，５−トリアジン（１．３５ｇ）とテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（１２０ｍｇ）を溶解したテトラヒドロフラン（６０ｍＬ）を加え、１３時間加熱還流下で攪拌した。反応溶液を減圧濃縮し得られた固体をジクロロメタン−メタノールの混合溶媒から再結晶した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液  ヘキサン：クロロホルム＝２：１〜２：３）およびアルミナゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液  ヘキサン：クロロホルム＝２：１〜１：２）で精製し、再度ジクロロメタン−メタノールの混合溶媒から再結晶することで、目的の２，４−ビス（４−ビフェニリル）−６−［４’−（２−ピリジル）ビフェニル−４−イル］−１，３，５−トリアジンの白色固体（収量１．１９ｇ，収率７７％）を得た。
【００４４】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２）：δ７．２８（ｄｄｄ，Ｊ＝７．３，４．８，１．２Ｈｚ，１Ｈ），７．４０−７．４６（ｍ，２Ｈ），７．４８−７．５４（ｍ，４Ｈ），７．７２−７．７７（ｍ，４Ｈ），７．８０（ｄｄｄ，Ｊ＝７．６，７．３，１．８Ｈｚ，１Ｈ），７．８２−７．８８（ｍ，１Ｈ），７．８５（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，４Ｈ），７．８６（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），７．９１（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），８．１８（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ），８．７２（ｂｒｄ，Ｊ＝４．８Ｈｚ，１Ｈ），８．８８（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，４Ｈ），８．８９（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，２Ｈ）．
１３Ｃ−ＮＭＲ（ＣＤ２Ｃｌ２）：δ１２０．７（ＣＨ），１２２．７（ＣＨ），１２７．６（ＣＨ×２），１２７．６（ＣＨ×４），１２７．７（ＣＨ×４），１２７．８（ＣＨ×２），１２７．８（ＣＨ×２），１２８．４（ＣＨ×２），１２９．３（ＣＨ×４），１２９．８（ＣＨ×４），１２９．９（ＣＨ×２），１３５．６（ｑｕａｒｔ．×２），１３５．８（ｑｕａｒｔ．），１３７．１（ＣＨ），１３９．４（ｑｕａｒｔ．），１４０．６（ｑｕａｒｔ．×２），１４１．０（ｑｕａｒｔ．），１４４．８（ｑｕａｒｔ．），１４５．５（ｑｕａｒｔ．×２），１５０．１（ＣＨ），１５６．９（ｑｕａｒｔ．），１７１．７（ｑｕａｒｔ．），１７１．７（ｑｕａｒｔ．×２）．
実施例２
実施例１の電子輸送層３に替えて、２，４−ビス（４−ビフェニリル）−６−［４’−（２−ピリジル）ビフェニル−４−イル］−１，３，５−トリアジンを０．０１ｎｍ／ｓｅｃ、０．１ｎｍ／ｓｅｃ、１ｎｍ／ｓｅｃおよび１０ｎｍ／ｓｅｃの蒸着速度で、２００ｎｍの膜厚で真空蒸着し、実施例１と同様にＥＯＤを作製した。作製したＥＯＤは、実施例１と同様に電流密度−電圧特性を測定した。結果を図３に示すが、蒸着速度を増加させても１０Ｖにおける電流密度は変化しないことを確認した。
【００４５】
合成実施例３
２，４，６−トリス（４−ビフェニリル）−１，３，５−トリアジンの合成
アルゴン気流下、フェニルボロン酸（４．０９ｇ）、２，４，６−トリス（４−ブロモフェニル）−１，３，５−トリアジン（１．８３ｇ）、酢酸パラジウム（１５．０ｍｇ）、２−ジシクロヘキシルフォスフィノ−２’，４’，６’−トリイソプロピルビフェニリル（９５．８ｍｇ）、リン酸三カリウム（７．１１ｇ）をトルエン（６７ｍＬ）に懸濁し、７０度に加熱し、１８時間攪拌した。反応混合物を放冷後、水（１００ｍＬ）を加えた。析出した固体をろ別し、２，４，６−トリス（４−ビフェニリル）−１，３，５−トリアジンの白色固体（収量１．２０ｇ、収率６７％、ＬＣ純度９９．７％）を得た。
【００４６】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ７．５０（ｔ，Ｊ＝３．８Ｈｚ，３Ｈ），７．５８（ｔ，Ｊ＝７．６Ｈｚ，６Ｈ），７．８２−７．８８（ｍ、６Ｈ），７．９８−８．０６（ｍ、６Ｈ），８．８８（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，６Ｈ）
実施例３
実施例１の電子輸送層３に替えて、２，４，６−トリス（４−ビフェニリル）−１，３，５−トリアジンを０．０１ｎｍ／ｓｅｃ、０．１ｎｍ／ｓｅｃ、１ｎｍ／ｓｅｃおよび１０ｎｍ／ｓｅｃの蒸着速度で、２００ｎｍの膜厚で真空蒸着し、実施例１と同様にＥＯＤを作製した。作製したＥＯＤは、実施例１と同様に電流密度−電圧特性を測定した。結果を図４に示すが、蒸着速度１ｎｍ／ｓｅｃで作製したＥＯＤは、蒸着速度０．０１ｎｍ／ｓｅｃで作製したＥＯＤに比べて１０Ｖにおける電流密度は１９倍に増加し、良好な結果が得られることを確認した。
【００４７】
合成実施例４
２，４，６−トリス［４’−（２−ピリジル）ビフェニル−４−イル］−１，３，５−トリアジンの合成
アルゴン気流下、４−（２−ピリジル）フェニルボロン酸（３．２８ｇ）、２，４，６−トリス（４−ブロモフェニル）−１，３，５−トリアジン（１．５０ｇ）、酢酸パラジウム（１２．３ｍｇ）、トリ−ｔｅｒｔ−ブチルホスフィン（０．１６５ｍｍｏｌ）を含むトルエン溶液（０．１７ｍＬ）をテトラヒドロフラン（５０ｍＬ）に懸濁し、加熱還流した。４規定−水酸化ナトリウム水溶液（６．９ｍＬ）を加え、さらに２５時間還流した。反応混合物を放冷後、水（５０ｍＬ）とメタノール（２０ｍｌ）を加えた。析出した固体をろ別し、２，４，６−トリス［４’−（２−ピリジル）ビフェニル−４−イル）］−１，３，５−トリアジンの白色固体（収量１．６０ｇ、収率７６％、ＬＣ純度９５．８％）を得た。
【００４８】
１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３）：δ７．４２（ｄ，Ｊ＝８．４Ｈｚ，３Ｈ），７．９６（ｔ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，３Ｈ），８．０２（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，６Ｈ），８．１０（ｄ、Ｊ＝３．９Ｈｚ，３Ｈ），８．１２（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，６Ｈ），８．３１（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，６Ｈ），８．８５（ｄ，Ｊ＝３．９Ｈｚ，３Ｈ），８．９３（ｄ，Ｊ＝８．５Ｈｚ，６Ｈ）実施例４
実施例１の電子輸送層３に替えて、２，４，６−トリス［４’−（２−ピリジル）ビフェニル−４−イル］−１，３，５−トリアジンを０．０１ｎｍ／ｓｅｃ、０．１ｎｍ／ｓｅｃ、１ｎｍ／ｓｅｃおよび１０ｎｍ／ｓｅｃの蒸着速度で、２００ｎｍの膜厚で真空蒸着し、実施例１と同様にＥＯＤを作製した。作製したＥＯＤは、実施例１と同様に電流密度−電圧特性を測定した。結果を図５に示すが、蒸着速度１０ｎｍ／ｓｅｃで作製したＥＯＤは、蒸着速度０．０１ｎｍ／ｓｅｃで作製したＥＯＤに比べて１０Ｖにおける電流密度は４８倍に増加し、良好な結果が得られることを確認した。
【００４９】
比較例１
実施例１の電子輸送層３に替えて、トリス（８−ヒドロキシキノライト）アルミニウム（Ａｌｑ）を０．０１ｎｍ／ｓｅｃ、０．１ｎｍ／ｓｅｃ、１ｎｍ／ｓｅｃおよび１０ｎｍ／ｓｅｃの蒸着速度で、２００ｎｍの膜厚で真空蒸着し、実施例１と同様にＥＯＤを作製した。作製したＥＯＤは、実施例１と同様に電流密度−電圧特性を測定した。結果を図６に示すが、蒸着速度を増加させた結果、１０ｎｍ／ｓｅｃで作製したＥＯＤの１０Ｖにおける電流密度は、０．０１ｎｍ／ｓｅｃで作製したＥＯＤの６６分の１に低下したことを確認した。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
生産性の向上が得られ、効率よく有機薄膜電子デバイスが製造可能となる。
【符号の説明】
【００５１】
１  ガラス基板
２  ホールブロック層
３  電子輸送層
４  陰極層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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