(57)【要約】【課題】輝度の低下や映り込み等の品質低下を招くことなく、表示画面内の輝度のムラを低減することができるエレクトロルミネセンス表示装置を提供すること。【解決手段】基板１０１と、基板１０１上に、画素１２０毎に形成された複数の画素電極１２２と、画素電極１２２上に形成されたエレクトロルミネセンス層１２３と、エレクトロルミネセンス層１２３が発光する発光領域１５０を区画する絶縁層１０５と、複数の画素１２０にまたがってエレクトロルミネセンス層１２３上に形成された金属薄膜である共通電極１２４とを有し、共通電極１２４は、発光領域１５０に配置される第１の部分１２７と、発光領域１５０外に配置され、第１の部分１２７より厚みの厚い第２の部分１２８を有し、第２の部分１２８は、透明性を有するエレクトロルミネセンス表示装置１００。【選択図】図１
2012028144.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に、画素毎に形成された複数の画素電極と、
前記画素電極上に形成されたエレクトロルミネセンス層と、
前記エレクトロルミネセンス層が発光する発光領域を区画する絶縁層と、
複数の画素にまたがって前記エレクトロルミネセンス層上に形成された金属薄膜である共通電極とを有し、
前記共通電極は、前記発光領域に配置される第１の部分と、前記発光領域外に配置され、前記第１の部分より厚みの厚い第２の部分を有し、
前記第２の部分は、透明性を有する
エレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項２】
前記第１の部分は第１の金属薄膜からなり、
前記第２の部分は、前記第１の金属薄膜と第２の金属薄膜からなる
請求項１記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項３】
前記第１の金属薄膜と前記第２の金属薄膜の材質が同じである請求項２記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項４】
前記第２の金属薄膜の厚みは前記第１の金属薄膜の厚みより薄い請求項２記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項５】
前記共通電極の少なくとも上部または下部のいずれかに、透明導電膜が設けられている請求項１記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項６】
前記エレクトロルミネセンス層は異なる色に発光する複数種のエレクトロルミネセンス層を含み、前記第１の部分の厚みは、前記エレクトロルミネセンス層の発光色に応じて異なる請求項１記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【請求項７】
前記共通電極の平均膜厚をｔとし、
前記共通電極の厚みを一定とし、全ての前記画素電極に同電位を付与した際の前記エレクトロルミネセンス層の発光強度の最大値をｉｍａｘ、最小値をｉｍｉｎとした際に、
【数６】
2012028144.tif 000008
を満足する前記共通電極の厚みをｔ0とした場合において、
【数７】
2012028144.tif 000009
である請求項１記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネセンス表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板に対し発光層を形成した側に光線を取り出す、いわゆるトップエミッション型のエレクトロルミネセンス表示装置では、エレクトロルミネセンス層上面の共通電極にインジウム錫酸化物やインジウム亜鉛酸化物等の透明電極が用いられる。しかしながら、これらの透明電極は比較的電気抵抗が大きく、電圧降下を起こすため、表示画面内の輝度が一定とならない。
【０００３】
特許文献１には、かかる問題を軽減するものとして、壁状絶縁壁上に補助電極を設けたエレクトロルミネセンス表示装置が開示されている。しかしながら、同文献には、当該補助電極及び第２電極（共通電極）が満足すべき条件について十分な開示はなされていない。補助電極については、材料として用いる低抵抗金属材料が例示されているほか、図面ではその厚みは第２電極より厚いかのように図示されている。第２電極については、インジウム錫酸化物やインジウム亜鉛酸化物等を用いることが記載されているほか、金属等からなる極薄の薄膜により形成してもよい旨が述べられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−５９７９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明はかかる観点に鑑みてなされたものであって、その目的は、輝度の低下や映り込み等の品質低下を招くことなく、表示画面内の輝度のムラを低減することができるエレクトロルミネセンス表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本出願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【０００７】
（１）基板と、前記基板上に、画素毎に形成された複数の画素電極と、前記画素電極上に形成されたエレクトロルミネセンス層と、前記エレクトロルミネセンス層が発光する発光領域を区画する絶縁層と、複数の画素にまたがって前記エレクトロルミネセンス層上に形成された金属薄膜である共通電極とを有し、前記共通電極は、前記発光領域に配置される第１の部分と、前記発光領域外に配置され、前記第１の部分より厚みの厚い第２の部分を有し、前記第２の部分は、透明性を有するエレクトロルミネセンス表示装置。
【０００８】
（２）（１）において、前記第１の部分は第１の金属薄膜からなり、前記第２の部分は、前記第１の金属薄膜と第２の金属薄膜からなるエレクトロルミネセンス表示装置。
【０００９】
（３）（２）において、前記第１の金属薄膜と前記第２の金属薄膜の材質が同じであるエレクトロルミネセンス表示装置。
【００１０】
（４）（２）において、前記第１の金属薄膜より前記第２の金属薄膜の厚みが薄いエレクトロルミネセンス表示装置。
【００１１】
（５）（１）乃至（４）のいずれかにおいて、前記共通電極の少なくとも上部または下部のいずれかに、透明導電膜が設けられているエレクトロルミネセンス表示装置。
【００１２】
（６）（１）乃至（５）のいずれかにおいて、前記エレクトロルミネセンス層は異なる色に発光する複数種のエレクトロルミネセンス層を含み、前記第１の部分の厚みは、前記エレクトロルミネセンス層の発光色に応じて異なる請求項１記載のエレクトロルミネセンス表示装置。
【００１３】
（７）（１）乃至（６）のいずれかにおいて、前記共通電極の平均膜厚をｔとし、前記共通電極の厚みを一定とし、全ての前記画素電極に同電位を付与した際の前記エレクトロルミネセンス層の発光強度の最大値をｉｍａｘ、最小値をｉｍｉｎとした際に、
【数１】
2012028144.tif 000003
を満足する前記共通電極の厚みをｔ0とした場合において、
【数２】
2012028144.tif 000004
であるエレクトロルミネセンス表示装置。
【発明の効果】
【００１４】
以上の本出願において開示される発明によれば、輝度の低下や映り込み等の品質低下を招くことなく、表示画面内の輝度のムラを低減することができるエレクトロルミネセンス表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るエレクトロルミネセンス表示装置の構造を示す模式断面図である。
【図２Ａ】エレクトロルミネセンス層上に形成した金属薄膜の厚みと発光効率との関係を示すグラフである。
【図２Ｂ】共通電極である金属薄膜の厚みを全面にわたり一定とした際の、金属薄膜の厚みと導電率との関係を示すグラフである。
【図３】緑色と青色について、エレクトロルミネセンス層上に形成した金属薄膜の厚みと発光効率との関係を示すグラフである。
【図４】本発明の第２の実施形態に係るエレクトロルミネセンス表示装置の構造を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下本発明の第１の実施形態を図面を参照しつつ説明する。
【００１７】
図１は、第１の実施形態に係るエレクトロルミネセンス表示装置１００の構造を示す模式断面図である。本実施形態に係るエレクトロルミネセンス表示装置１００は一般的な同種の装置同様、ガラス等からなる基板１０１上に多数形成されたＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のスイッチング素子１１０により、基板１０１上に形成された画素１２０の点灯又は消灯を制御する。なお、本実施形態では、エレクトロルミネセンス表示装置１００は基板１０１とは反対側にエレクトロルミネセンス層１２３で発する光を取り出すいわゆるトップエミッション型であるので、基板１０１は必ずしも透明であることを要せず、その材質も特に限定されない。
【００１８】
図中符号１０２はゲート絶縁層、符号１０３は層間絶縁層、符号１０４は保護層、符号１０５は画素分離層であり、符号１０６は絶縁性の平坦化層である。本実施形態では、ゲート絶縁層１０２及び層間絶縁層１０３は二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）膜であり、保護層１０４はいわゆる無機パッシベーション膜、画素分離層１０５はアクリル樹脂またはポリイミド樹脂、平坦化層１０６はいわゆる有機パッシベーション膜である。しかしながら、これらの膜の材料は、絶縁性を有し、画素１２０を形成する上で十分な性能を有しているものであれば特に限定されず、どのようなものであってもよい。
【００１９】
また、符号１１１はポリシリコン等からなるチャネル、符号１１２はゲート電極、符号１１３及び１１４はそれぞれソース電極、ドレイン電極である。これらのソース電極１１３、ドレイン電極１１４とそれらをつなぐチャネル１１１、ゲート絶縁層１０２を介してチャネル１１１中に電界を発生させるゲート電極１１２、各電極を絶縁する層間絶縁層１０３と保護層１０４によりＴＦＴであるスイッチング素子１１０が形成される。また、必要であれば、チャネル１１１のさらに下側に、基板１０１からの不純物によるチャネル１１１の汚染を防止するための下地膜を設けてもよい。かかる下地膜には、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）膜及び二酸化ケイ素膜を用いてよい。
【００２０】
さらに、符号１２１は反射層、符号１２２はソース電極１１３に接続された画素電極であり、エレクトロルミネセンス層１２３に正孔を供給するアノードとして機能する。反射層１２１はエレクトロルミネセンス層１２３から下方に向かう光を反射させて上方へ取り出すための層であり、画素電極１２２が光線を反射する機能を有している場合には、省略してもよい。
【００２１】
符号１２４は金属薄膜である共通電極であり、複数の画素にまたがって設けられており、エレクトロルミネセンス層１２３に電子を供給するカソードとして機能する。本実施形態では、共通電極１２４は、第１の金属薄膜１２５と第２の金属薄膜１２６からなる。また、共通電極１２４は、電源線１３０に中間電極１３１を介して電気的に接続されている。中間電極１３１は、スルーホールにおける共通電極１２４と電源線１３０との導通を確実にとるためのものであるが、必要無ければ省略しても差し支えない。
【００２２】
なお、画素電極１２２及び共通電極１２４に印加する電位を逆向きとし、画素電極１２２をカソード、共通電極１２４をアノードとして用いても差し支えない。
【００２３】
封止基板１４０はガラスやプラスチックなどの透明基板であり、かかる封止基板１４０と基板１０１との間の空間１４１に窒素ガスなどの不活性ガスと、図示しない乾燥剤を封入し、水分や酸素によりエレクトロルミネセンス層１２３が劣化するのを防ぐ。なお、エレクトロルミネセンス層１２３の保護は、本実施形態のように封止基板１４０を用いる方法によってもよいし、透明樹脂を基板１０１上に塗布してエレクトロルミネセンス層１２３を封止する、いわゆる樹脂封止の方法によってもよい。
【００２４】
ここで、エレクトロルミネセンス層１２３は、画素電極１２２と接している領域である、発光領域１５０において正孔及び電子を注入され発光する。換言すれば、発光領域１５０は、エレクトロルミネセンス層１２３のうち、光線を取り出すことができる領域を指している。基板１０１上に画素１２０が形成されている領域である表示領域の面積に占める発光領域１５０の割合は、一般に開口率と呼ばれている。
【００２５】
ここで、共通電極１２４についてより詳しく説明する。共通電極１２４は、本実施形態では、第１の金属薄膜１２５のみからなる第１の部分１２７と、第１の金属薄膜１２５と第２の金属薄膜１２６が積層されている第２の部分１２８とを有している。第１の金属薄膜１２５及び第２の金属薄膜１２６の厚みはおおむね一定であるため、第２の部分１２８の厚みは第１の部分１２７の厚みより厚い。また、発光領域１５０上には第１の部分１２７が配置されており、第２の部分１２８は発光領域１５０の外側に配置される。そして、第１の部分１２７及び第２の部分１２８はともに、エレクトロルミネセンス層１２３からの光線を透過する程度、すなわち、透明性を有する薄い膜である。
【００２６】
このように、厚みの異なる第１の部分１２７及び第２の部分１２８を設ける理由は、次の通りである。すなわち、金属薄膜はその膜厚が厚くなるほど透過率が低下する性質を有する一方、膜厚が薄いとその電気抵抗が増大する。したがって、共通電極１２４の電気抵抗に起因する輝度のムラを低減するには膜厚を増大し、共通電極１２４の電気抵抗を下げることが有効であるが、そのようにすると透過率が低下し、取り出せる光線量が少なくなってしまう。そこで、高い透過率を必要とする発光領域１５０上にある第１の部分１２７は、エレクトロルミネセンス層１２３に十分な電子を供給できる程度の薄い膜とし、取り出せる光線量に影響のない第２の部分１２８は、輝度のムラを低減できる程度に電気抵抗の低い厚い膜とするのである。
【００２７】
しかしながら、本実施形態では、第２の部分１２８もまた透明性を有する厚みとすることを特徴としている。これは、次の理由による。第１の金属薄膜１２５及び第２の金属薄膜１２６は通常マスクを用いた蒸着やスパッタリング、イオンプレーティング等の真空プロセスにより製造され、その寸法精度は、マスクと基板１０１の位置関係や蒸着源あるいはスパッタターゲットとの機械的位置関係に依存するため、それほど高くない。一方、エレクトロルミネセンス表示装置１００が小型あるいは高精細若しくはその両方であると、画素あたりのサイズが極めて小さくなり、特に第２の金属薄膜１２６の位置の誤差が無視できない。そのため、第２の金属薄膜１２６、すなわち、第２の部分１２８が発光領域１５０の一部を覆ってしまうことが起こりうるが、第２の部分１２８が光線を透過するならば、開口率の低下は生じない。前述の通り、金属薄膜はその膜厚が厚くなるほど透過率が低下する性質を有するため、取り出せる光線量の若干の低下は起こるものの、エレクトロルミネセンス表示装置１００全体としての表示品質の低下をきたすほどではない。一方、第２の部分１２８が遮光性を有するならば、その位置の誤差に起因する開口率の低下、すなわち取り出せる光線量の低下は無視できないことになる。
【００２８】
また、第２の部分１２８が光線を透過するならば、エレクトロルミネセンス表示装置１００に外部から入射した光線は、第２の部分１２８を透過し、エレクトロルミネセンス層１２３あるいはさらにその下部の層に当たり吸収され、あるいは拡散する。そのため、エレクトロルミネセンス表示装置１００表面での外光の反射、すなわち映り込みは軽微である。これに対し、第２の部分１２８が遮光性を有する程度の金属薄膜であれば、入射した光線の大部分を反射することになるため、エレクトロルミネセンス表示装置１００への外光の映り込みが顕著となる。特に、エレクトロルミネセンス表示装置１００が小型あるいは高精細若しくはその両方であると、開口率が低く、発光領域１５０以外の部分の割合が高くなるため、外光の写り込みがエレクトロルミネセンス表示装置１００の外観に与える影響は無視できなくなる。
【００２９】
本実施形態に係るエレクトロルミネセンス表示装置１００では、このように、小型あるいは高精細若しくはその両方である場合においても、開口率の低下による取り出せる光線量の低下と、外光の写り込みの影響の両方が低減される。
【００３０】
以上より、第１の部分１２７の膜厚は、エレクトロルミネセンス層１２３から取り出せる発光量が最大となる程度の膜厚にすることが望ましく、第２の部分１２８の膜厚は、エレクトロルミネセンス層１２３からの光線を透過する程度の膜厚とするとよい。金属薄膜は、入射する光線の波長程度の厚みを有すると反射層として機能するため、第２の部分１２８の膜厚は、その隣接するエレクトロルミネセンス層１２３からの光線の波長より小さいものとすることが好ましく、より好ましくは、かかる波長の１／１０以下とする。
【００３１】
続いて、第１の部分１２７と第２の部分１２８の膜厚を決定する具体的な手法について説明する。
【００３２】
図２Ａは、エレクトロルミネセンス層上に形成した金属薄膜の厚みと発光効率との関係を示すグラフである。ここでは、例として、エレクトロルミネセンス層は赤色に発光するものを、また金属薄膜の材質は銀を用いた。横軸は、金属薄膜の厚みであり、単位は［ｎｍ］である。縦軸は、エレクトロルミネセンス層の発光効率であり、電流［Ａ］に対する輝度［ｃｄ／ｍ２］の割合を、最大となる点を１として相対値で示したものである。
【００３３】
グラフをみると、金属薄膜が厚くなるにつれ発光効率が上昇し、金属薄膜の膜厚が１２ｎｍの時点で最大となり、それ以上金属薄膜が厚くなると逆に発光効率が低下している。これは、金属薄膜が薄すぎると電気抵抗が高く、エレクトロルミネセンス層に十分な電子を供給できない一方、金属薄膜が厚すぎるとその透過率が低下し、エレクトロルミネセンス層からの発光を遮ってしまうためと考えられる。そのため、エレクトロルミネセンス層上に形成する金属薄膜には最適値が存在する。この例では、図１の第１の部分１２７として適した厚みは１２ｎｍであることがわかる。この金属薄膜の膜厚の最適値は金属の材質に依存し、ここで述べた銀以外の材質についても同様の解析で最適値が求められる
【００３４】
続いて、図２Ｂは、共通電極である金属薄膜の厚みを全面にわたり一定とした際の、金属薄膜の厚みと導電率との関係を示すグラフである。ここでも、金属薄膜の材質は銀を用いた。横軸は、金属薄膜の厚みであり、単位は［ｎｍ］である。縦軸は、全ての画素電極に同電位を付与した際のエレクトロルミネセンス層の発光強度の最大値をｉｍａｘ、最小値をｉｍｉｎとした際に、
【数３】
2012028144.tif 000005
を満足する、すなわち、輝度のムラが表示領域内で１０％以下となる金属薄膜の導電率を１として導電率を相対値で示したものである。
【００３５】
輝度のムラとしてどの程度を許容するかは製品の仕様に依存するため、一概には言えないが、表示領域内で１０％以下であれば視認する上でさほど違和感を与えないため、本実施形態ではこの値を採用する。したがってこの例では、グラフより、金属薄膜の厚みは１６ｎｍ以上であればよいことがわかる。
【００３６】
ここで、図１の共通電極１２４は厚みの異なる第１の部分１２７及び第２の部分１２８を有している。このとき、共通電極１２４全体の電気抵抗は、共通電極１２４の平均膜厚と等しい膜厚を有する平坦な金属薄膜とおおよそ等しいと考えられる。すなわち、共通電極１２４の平均膜厚が１６ｎｍ以上で有ればよい。
【００３７】
このことをより一般的に言うと、式１を満足する、厚みが一定の共通電極の厚みをｔ0とし、図１の共通電極１２４の平均膜厚をｔとした場合において、
【数４】
2012028144.tif 000006
であればよいことになる。
【００３８】
なお、ｔは、第１の部分１２７の厚みをｔ１、第２の部分１２８の厚みをｔ２とし、エレクトロルミネセンス表示装置１００の開口率をＡとすると、
【数５】
2012028144.tif 000007
で求められる。
【００３９】
ここで、開口率Ａを０．２とすると、ｔ＝１６ｎｍ、ｔ１＝１２ｎｍであるから、式３よりｔ２＝１７ｎｍが得られる。すなわち、図１の第１の部分１２７は１２ｎｍ、第２の部分１２８は１７ｎｍ以上とすればよい。換言すれば、第１の金属薄膜１２５として１２ｎｍの膜を、第２の金属薄膜１２６として５ｎｍ以上の膜を設ければよい。ここで、第２の部分１２８は、透明性の確保及び材量使用料の低減の観点からは、可能な限り薄い方が好ましい。従って、第２の部分１２８は１７ｎｍ、第２の金属薄膜１２６は５ｎｍとするとよい。
【００４０】
なお、以上の試算からわかるように、本実施形態では、第２の金属薄膜１２６の厚みは前記第１の金属薄膜１２５の厚みより薄い。これは、第２の金属薄膜１２６は、第１の金属薄膜１２５のみでは不足する導電性を補うものであるから、その厚みは最低限のもので足ることによる。これにより工程短縮による低コスト化が図れる。もちろん、第２の金属薄膜１２６の厚みを第１の金属薄膜１２５より厚いものとすることを妨げるものではない。また、第２の部分１２８の厚みは必要な厚み以上であればよく、必ずしも一定の厚みであることを要しない。
【００４１】
また、エレクトロルミネセンス層１２３が異なる色に発光する複数種のエレクトロルミネセンス層を含むものである場合、第１の部分１２７の厚みを、エレクトロルミネセンス層１２３の発光色に応じて異なるものとしてよい。かかる発光色は、エレクトロルミネセンス表示装置１００がフルカラー表示可能なものである場合には、光の三原色である赤、緑、青の三色があげられる。もちろん、かかる三色に加えて他の色、例えば、白色をさらに有するものであってもよい。図３は、緑色と青色について、エレクトロルミネセンス層上に形成した金属薄膜の厚みと発光効率との関係を示すグラフである。グラフの横軸、縦軸は図２Ａ同様、金属薄膜の厚みと、エレクトロルミネセンス層の発光効率を最大となる点を１として相対値で示したものである。金属薄膜の材料は、ここでも銀とした。
【００４２】
図中符号Ｇを付した折れ線は緑色に発光するエレクトロルミネセンス層について、符号Ｂを付した折れ線は青色に発光するエレクトロルミネセンス層について得られたものである。グラフよりわかるように、両者とも厚みが１６ｎｍ乃至２０ｎｍで最も発光効率が良くなる。したがって、赤色に発光するエレクトロルミネセンス層上の第１の部分の厚みは前述のとおり、最適値である１２ｎｍとし、緑色及び青色に発光するエレクトロルミネセンス層上の第１の部分の厚みは、最適値である１６ｎｍ乃至２０ｎｍとするとよい。
【００４３】
なお、本実施形態ではエレクトロルミネセンス層１２３が発光領域１５０の外側である画素分離層１０５上にも形成されているが、かかる構造は必須のものではなく、エレクトロルミネセンス層１２３が発光領域１５０上のみを覆うようにしてもよい。
【００４４】
続いて、本実施形態のエレクトロルミネセンス表示装置１００の製造方法を説明する。
【００４５】
再び図１を参照し、まず、基板１０１上にＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）によりアモルファスシリコン膜を形成し、レーザー照射によりポリシリコン膜に変換し、チャネル１１１を形成する。次いで、ゲート絶縁層１０２、ゲート電極１１２を形成する。さらに、ゲート電極１１２をマスクとして、チャネル２にリンやボロン等の不純物をイオンインプランテーションによって付与し、ソース部及びドレイン部を形成する。さらにゲート電極１１２を覆うように層間絶縁層１０３を形成し、ソース電極１１３及びドレイン電極１１４を、スルーホールを介してチャネル１１１と接続するように作成する。同時に、図示しない映像信号線及び電源線１３０を形成する。その後、完成したスイッチング素子１１０を保護するため、保護層１０４を、さらにその上に平坦化層１０６を形成する。
【００４６】
平坦化層１０６上に反射層１２１をアルミニウムまたはその合金により形成し、画素電極１２２をインジウム錫酸化物により形成する。インジウム錫酸化物は、摂氏２００度程度に加熱し、アニールすることにより電気抵抗を低減する。また、画素電極１２２はスルーホールによりソース電極１１３と接続する。
【００４７】
次いで、各画素の発光領域１５０を分離する画素分離層１０５を形成した後、エレクトロルミネセンス層１２３を形成する。エレクトロルミネセンス層１２３は、下層から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の５層からなっている。エレクトロルミネセンス層１２３を構成する各層は、マスク蒸着により形成する。このとき、エレクトロルミネセンス層１２３が異なる色に発光する複数種のエレクトロルミネセンス層を含むものである場合には、発光色ごとにマスク蒸着を行う。
【００４８】
そして、エレクトロルミネセンス層１２３の上部に、蒸着、スパッタリングあるいはイオンプレーティング等の真空プロセスにより第１の金属薄膜１２５及び第２の金属薄膜１２６を形成する。本実施形態では、第１の金属薄膜１２５及び第２の金属薄膜１２６の素材は同じであり、銀である。しかしながら、その他にも、銅、金、アルミニウムあるいはこれらの合金であってもよい。そして、第１の金属薄膜１２５及び第２の金属薄膜１２６の素材を同じにすると、基板１０１を真空チャンバ中に搬入し、第１の金属薄膜１２５を形成するための第１のマスクを用いて成膜したのち、そのまま真空チャンバ中でマスクを第２のマスクに交換し、続けて第２の金属薄膜１２６を成膜できる。このようにして共通電極１２４を作成することにより、一度の真空プロセスで第１の金属薄膜１２５と第２の金属薄膜１２６の両方が成膜される。しかしながら、第１の金属薄膜１２５と第２の金属薄膜１２６の材質を違うものとしてもよい。また、第１の金属薄膜１２５と第２の金属薄膜１２６を形成する順序を逆にしてもよい。その場合、第２の金属薄膜１２６は第１の金属薄膜１２５の下側に形成されることになる。あるいは、共通電極１２４の作成方法は、必ずしも上記した二段階の真空プロセスによらなくともよい。たとえば、一旦第２の部分１２８に等しい厚みで表示領域全体に金属薄膜を設け、その後エッチングをすることにより部分的に厚さを薄くし、第１の部分１２７を作成するようにしてもよい。しかしながら、この方法では、エッチングの方法は慎重に選ばれなければならない。なぜなら、現在、エレクトロルミネセンス層１２３を形成する材料としては有機材料が主流であり、かかる有機材料は水分の存在下で激しく劣化する。そのため、エッチングするにあたっては、いわゆるドライエッチングを行うか、もしくはエレクトロルミネセンス層１２３に悪影響を与えないエッチャントを使用する。この場合には、共通電極１２４は、二層以上の積層膜からなるのではなく、凹凸のある単一の膜からなることになる。
【００４９】
また、共通電極１２４の第１の部分１２７の厚みがエレクトロルミネセンス層１２３の発光色に応じて異なる場合には、各色に対応するマスクを用意し、真空チャンバ内で各色に対応する第１の部分を順番に作成していけばよい。あるいは、第１の部分１２７の最も薄い部分（本実施形態の場合、赤色画素に形成するもの）と同じ膜厚となるまで表示領域全域に金属薄膜を形成し、その後、マスクを適用し、第１の部分１２７の次に薄い部分（本実施形態の場合、緑色画素又は青色画素に形成するもの）と同じ膜厚となるまで追加で成膜し、以降同様のプロセスを反復することによってもよい。こちらの方法のほうが、各色別々に成膜するより成膜に要する時間は短くなる。
【００５０】
以上のようにして、基板１０１上にスイッチング素子１１０やエレクトロルミネセンス層１２３等からなる画素１２０が形成されたら、封止基板１４０を基板１０１上に空間１４１を隔てて取り付け、空間１４１内に窒素ガス等の不活性ガス及びシリカゲル等の乾燥材を封入して完成である。
【００５１】
なお、ここで説明したエレクトロルミネセンス表示装置１００の製造方法は一例として説明したものであり、他の順序あるいは方法によってもよい。
【００５２】
図４は、第２の実施形態に係るエレクトロルミネセンス表示装置２００の構造を示す模式断面図である。本実施形態は、第１の実施形態と比較して、共通電極１２４上に透明導電層１２９が形成されている点のみ相違しており、他は同じである。そこで、第１の実施形態と同じ部分については同符号を付し、その詳細な説明を省略するものとする。
【００５３】
透明導電層１２９の材質は、インジウム錫酸化物あるいはインジウム亜鉛酸化物が好適である。しかしながら、エレクトロルミネセンス層１２３の劣化を防止する観点から、基板１０１を加熱しアニールすることはできない。そのため、アニールしない段階で比較的電気抵抗の小さいインジウム亜鉛酸化物が好適である。なお、透明導電層１２９には、これ以外の材質、例えば、酸化亜鉛、酸化錫を用いてもよい。
【００５４】
本実施形態に係るエレクトロルミネセンス表示装置２００において、かかる透明導電層１２９を設けることにより、共通電極１２４の断線が防止される。すなわち、共通電極１２４は上述したように極めて薄い金属薄膜であるため、場所によっては十分に金属が積層されず、膜が不連続となる部分が含まれる場合がある。このような部分が円形に発生した場合には、その内側の部分は導通が取れないことになり、共通電極１２４として機能しない。しかしながら、共通電極１２４上に透明導電層１２９が設けられていると、そのような部分も導通が取れ、共通電極１２４としての機能が確保される。なお、以上の説明から明らかなように、本実施形態では透明導電層１２９は共通電極１２４の上側に設けられているが、これを逆にして、透明導電層１２９を共通電極１２４の下側に設けてもよい。
【００５５】
また、透明導電層１２９の厚みは、共通電極１２４の導通が確保できる厚みであればどのようなものであってもよいが、あまり厚いと光の透過率に悪影響を及ぼすため、薄いほうが望ましい。一例として、本実施形態では３０ｎｍである。
【符号の説明】
【００５６】
１００，２００  エレクトロルミネセンス表示装置、１０１  基板、１０２  ゲート絶縁層、１０３  層間絶縁層、１０４  保護層、１０５  画素分離層、１０６  平坦化層、１１０  スイッチング素子、１１１  チャネル、１１２  ゲート電極、１１３  ソース電極、１１４  ドレイン電極、１２０  画素、１２１  反射層、１２２  画素電極、１２３  エレクトロルミネセンス層、１２４  共通電極、１２５  第１の金属薄膜、１２６  第２の金属薄膜、１２７  第１の部分、１２８  第２の部分、１２９  透明導電層、１３０  電源線、１３１  中間電極、１４０  封止基板、１４１  空間、１５０  発光領域。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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