(57)【要約】【課題】空冷用ヒートシンクの高電圧化の検出と耐ノイズ性の確保とが図れるパワーユニットを提供する。【解決手段】インバータ回路ユニット３０は、半導体素子を内蔵する半導体モジュール２２と、半導体モジュール２２と一体に設けられて半導体モジュール２２の熱を空気中に放熱する金属製のヒートシンク１１とを有して構成される半導体装置１０と、複数個の半導体装置１０を一体となるように収容するケース３８と、を備えている。ケース３８は、一部を金属で形成され残部を樹脂材料で形成されている。複数個の半導体装置１０は、金属で形成されたケース３８の一部がヒートシンク１１に接触している状態でケース３８に収容されている。金属で形成されたケース３８の一部は、車両側の部材とアース線を介して電気的に連結されている。【選択図】図７
2012028402.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子を内蔵する半導体モジュールと、前記半導体モジュールと一体に設けられて前記半導体モジュールの熱を空気中に放熱する金属製のヒートシンクとを有して構成される半導体装置と、
複数個の前記半導体装置を一体となるように収容するケースと、
を備え、
前記ケースは、一部を金属で形成され残部を樹脂材料で形成されており、
前記複数個の半導体装置は、前記金属で形成されたケースの一部が前記ヒートシンクに接触している状態で前記ケースに収容され、
前記金属で形成されたケースの一部は、車両側の部材と電気的に連結されていることを特徴とするパワーユニット。
【請求項２】
前記金属で形成されたケースの一部は、前記ケースの一面を覆う蓋部であり、
当該蓋部と前記ヒートシンクは螺合手段により締結されることを特徴とする請求項１に記載のパワーユニット。
【請求項３】
前記ヒートシンクは、
前記半導体モジュールと熱的に結合される基板部と、
その厚み方向に間隔をあけて列を形成するように前記基板部からそれぞれ突出する複数個の第１のフィンと、
前記厚み方向の最外側に位置する前記第１のフィンよりもさらに外側において前記基板部から突出するフィンであって、前記第１のフィンよりも厚み寸法が大きい肉厚部を有する第２のフィンと、
を備えており、
前記第２のフィンの前記肉厚部と前記蓋部は前記螺合手段により締結されることを特徴とする請求項２に記載のパワーユニット。
【請求項４】
前記半導体装置は、前記半導体モジュールを両側から挟む２個の前記ヒートシンクと、弾性力により前記半導体モジュールを挟む力を付勢する弾性部材と、を備え、
前記２個のヒートシンクは、前記弾性部材によって互いに近づくように挟持されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のパワーユニット。
【請求項５】
前記ヒートシンクに対して空気を送風する送風手段を備え、
前記車両側の部材は、前記金属で形成されたケースの一部において、前記送風手段による空気の送風方向に対して直交する方向に空気の送風通路よりも突出する部位に連結されていることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載のパワーユニット。
【請求項６】
前記金属で形成されたケースの一部は、前記ケースの一面を覆う蓋部であり、
当該蓋部は、前記半導体素子の動作を制御する制御回路を構成する制御基板に対向するように配されていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のパワーユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体モジュールを冷却するための空冷ヒートシンクを備えたパワーユニットに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のパワーユニットは、半導体素子を内蔵したパワー半導体モジュールの発熱を空冷ヒートシンクで放熱する冷却方式を備えた複数の半導体装置で構成されている（例えば、特許文献１参照）。この特許文献１のパワーユニットは、複数のパワー半導体モジュールと複数の空冷ヒートシンクとを積み重ねて半導体装置を構成し、さらに当該空冷ヒートシンクに冷却風を送風するファンを備えている。パワー半導体モジュールと空冷ヒートシンクとの間には、例えばセラミックからなる絶縁基板が介在して絶縁機能を発揮している。
【０００３】
このような構造のパワーユニットを車両等に搭載する場合には、冷却用流体が空気であるために防水構造を必要としないこと、搭載性向上のための小型化、及び軽量化を図る観点から、パワーユニットを樹脂製のケースに収容することが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２７８５７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のパワーユニットを樹脂製のケースに収容する場合には、例えばパワー半導体モジュールと空冷ヒートシンクとの間の絶縁基板が割れ等によって、絶縁性能が低下すると、ヒートシンク自体に高電圧が印加されることがあり、このような状況を想定して安全性の確保を図らなければならない。
【０００６】
また、複数の半導体装置で構成されるパワーユニットを樹脂製のケースに収容する場合には、樹脂製のケースには電磁シールド機能がないため、パワー半導体モジュールからのノイズで制御回路に誤動作が発生し得るという問題がある。
【０００７】
そこで本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、空冷用ヒートシンクの高電圧化の検出と耐ノイズ性の確保とが図れるパワーユニットを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は上記目的を達成するために以下の技術的手段を採用する。すなわち、請求項１に記載のパワーユニットの発明は、半導体素子を内蔵する半導体モジュールと、半導体モジュールと一体に設けられて半導体モジュールの熱を空気中に放熱する金属製のヒートシンクとを有して構成される半導体装置と、複数個の半導体装置を一体となるように収容するケースと、を備え、
ケースは、一部を金属で形成され残部を樹脂材料で形成されており、
複数個の半導体装置は、金属で形成されたケースの一部がヒートシンクに接触している状態でケースに収容され、
金属で形成されたケースの一部は、車両側の部材と電気的に連結されていることを特徴とする。
【０００９】
この発明によれば、金属で形成したケースの一部をヒートシンクに接触させるとともに、車両側の部材と電気的に連結することにより、ヒートシンクと車両側部材のアース接続を複雑な構成を採用せずに実現でき、ヒートシンクの電気的状態が検出可能になる。さらに、金属で形成したケースの一部によって、半導体装置からのノイズの伝播を抑制することができる。したがって、空冷用ヒートシンクの高電圧化の検出と耐ノイズ性の確保とが図れるパワーユニットを提供できる。
【００１０】
請求項２に記載の発明は、請求項１において、金属で形成されたケースの一部は、ケースの一面を覆う蓋部であり、当該蓋部とヒートシンクは螺合手段により締結されることを特徴とする。この発明によれば、当該螺合手段による締結力の提供により、ヒートシンクから蓋部への導電経路、熱伝達経路が確実に形成されることになる。したがって、空冷用ヒートシンクの高電圧化の検出と耐ノイズ性の確保を両立する構造をより確実に構築することができる。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、請求項２において、ヒートシンクは、半導体モジュールと熱的に結合される基板部と、その厚み方向に間隔をあけて列を形成するように基板部からそれぞれ突出する複数個の第１のフィンと、厚み方向の最外側に位置する第１のフィンよりもさらに外側において基板部から突出するフィンであって、第１のフィンよりも厚み寸法が大きい肉厚部を有する第２のフィンと、を備えている。第２のフィンの肉厚部と蓋部は螺合手段により締結されることを特徴とする。
【００１２】
この発明によれば、螺合手段の機能発揮のため第２のフィンの肉厚部を活用するので、ヒートシンクと蓋部との固定機能を発揮し得る形状を確保し易いという効果を奏する。さらに、第２のフィンの肉厚部に螺合手段の雌ねじ部を形成する場合には、所定数のねじ山等を必要とするので、他の部分やねじ締め用の構成要素を別途必要とせずとも、ねじ締め機能を発揮し得る雌ねじ部を確保でき、締結力を向上できるという効果を奏する。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、請求項１から請求項３のいずれか一項において、半導体装置は、半導体モジュールを両側から挟む２個のヒートシンクと、弾性力により半導体モジュールを挟む力を付勢する弾性部材と、を備え、当該２個のヒートシンクは、弾性部材によって互いに近づくように挟持されることを特徴とする。この発明によれば、半導体モジュールを両側から挟持する両方のヒートシンクを弾性部材によって挟むことにより、２個のヒートシンクが一体に構成されるので、蓋部と各ヒートシンクの接触度合いを高め、両者の密着性の向上を図ることができる。
【００１４】
請求項５に記載の発明は、請求項１から請求項４のいずれか一項において、ヒートシンクに対して空気を送風する送風手段を備え、車両側の部材は、金属で形成されたケースの一部において、送風手段による空気の送風方向に対して直交する方向に空気の送風通路よりも突出する部位に連結されていることを特徴とする。この発明によれば、車両側の部材と電気的に連結される当該部位が、送風通路よりも外側の送風通路に干渉しない部位に設定されることになる。これにより、車両側の部材と当該金属で形成されたケースの一部との連結が送風通路が邪魔にならない状態で実施でき、当該連結に係る作業性の向上に寄与する。
【００１５】
請求項６に記載の発明は、請求項１から請求項５のいずれか一項において、金属で形成されたケースの一部は、ケースの一面を覆う蓋部であり、当該蓋部は、半導体素子の動作を制御する制御回路を構成する制御基板に対向するように配されていることを特徴とする。この発明によれば、各半導体装置からのノイズが制御基板に伝播するのを金属製の蓋部によって抑制することができ、半導体装置を制御するための電子部品の誤動作、ＥＭＣ特性の劣化等を抑制することができる。また、各ヒートシンクの発熱が制御基板に熱伝達するのを金属製の蓋部によって抑制して当該電子部品の劣化を低減し寿命の確保に貢献し得る。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明を適用したパワーユニットを備えるインバータ装置を車両に搭載した状態を示す模式図である。
【図２】第１実施形態のインバータ装置の回路図である。
【図３】第１実施形態の半導体装置の構成を示す分解斜視図である。
【図４】第１実施形態の半導体装置の構成を示す斜視図である。
【図５】６個の半導体装置をケースに収納した状態を示す斜視図である。
【図６】第１実施形態のインバータ装置の外観を示す斜視図である。
【図７】半導体装置を収容したケースと制御基板との位置関係を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に、図面を参照しながら本発明を実施するための複数の形態を説明する。各形態において先行する形態で説明した事項に対応する部分には同一の参照符号を付して重複する説明を省略する場合がある。各形態において構成の一部のみを説明している場合は、構成の他の部分については先行して説明した他の形態を適用することができる。各実施形態で具体的に組み合わせが可能であることを明示している部分同士の組み合わせばかりではなく、特に組み合わせに支障が生じなければ、明示してなくとも実施形態同士を部分的に組み合せることも可能である。
【００１８】
（第１実施形態）
本発明に係る半導体装置は、高出力モータを駆動するモータ駆動装置としてのインバータ装置に適用することができる。このインバータ装置は、直流電力と交流電力との間で双方向変換を行う装置、例えばＵ相、Ｖ相及びＷ相の三相インバータ装置であり、交流モータを使用するハイブリッド車、燃料電池車、電気自動車等に搭載される。
【００１９】
第１実施形態では、走行用のモータ３を駆動する三相インバータ回路を有するインバータ装置１に半導体装置１０を適用した例について説明する。図１は半導体装置１０を適用したインバータ装置１を車両に搭載した状態を示す模式図である。図２は、半導体装置１０を適用したインバータ装置１の回路図である。
【００２０】
図１に示すように、インバータ装置１は、車両前方に搭載された走行用のモータ３に出力可能に有線で接続され、車両後方でバッテリ４に隣接するように搭載される。インバータ装置１は、空気を送風する送風手段としてのファン９による送風がダクトで形成された所定の通風経路を流通して半導体装置１０に供給されることにより空冷される。インバータ装置１を冷却する空気は、車外または車室内から取り込まれて半導体装置１０を通過後、車外に排出される。このようにしてインバータ装置１は所定の機能を発揮できる温度に保たれ得る。
【００２１】
図２に示すように、インバータ回路（インバータ装置１）は、三相電力変換のために６個の半導体モジュール２２ａ，２２ｂ，２２ｃ，２２ｄ，２２ｅ，２２ｆ（以下、６個の半導体モジュールのうち、任意の半導体モジュールをさす場合は単に半導体モジュール２２と称することがある）を含むパワーモジュール２と、コンデンサ５，６と、抵抗７，８と、制御回路１００とから構成されている。インバータ回路の入力側にはバッテリ４が接続されている。インバータ回路の出力側にはモータ３が接続されている。
【００２２】
パワーモジュール２は、制御回路１００によって制御され、バッテリ４の出力する直流電力を交流電力に変換してモータ３に供給するインバータ回路を構成するための素子で構成されている。パワーモジュール２は、ＩＧＢＴ２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄ，２０ｅ，２０ｆ（スイッチング素子）と、フリーホイーリングダイオード２１ａ，２１ｂ，２１ｃ，２１ｄ，２１ｅ，２１ｆとからなる。各半導体モジュール２２は、ＩＧＢＴとフリーホイーリングダイオードを各１個含んでいる。
【００２３】
ＩＧＢＴ２０ａ，２０ｂ、ＩＧＢＴ２０ｃ，２０ｄ、及びＩＧＢＴ２０ｅ，２０ｆは、それぞれ直列に接続されている。上アーム側のＩＧＢＴ２０ａ，２０ｃ，２０ｅのコレクタは、バッテリ４の正極端子側に接続されており、下アーム側のＩＧＢＴ２０ｄのエミッタは、バッテリ４の負極端子側に接続されている。下アーム側のＩＧＢＴ２０ｂ，２０ｆのエミッタは、それぞれ抵抗７，８を介してバッテリ４の負極端子側に接続されている。また、ＩＧＢＴ２０ａ〜２０ｆのゲートは制御回路１００に接続されている。ＩＧＢＴ２０ａ，２０ｃ，２０ｅのエミッタは、制御回路１００に接続されている。さらに、ＩＧＢＴ２０ａとＩＧＢＴ２０ｂの接続点、ＩＧＢＴ２０ｃとＩＧＢＴ２０ｄの接続点、及びＩＧＢＴ２０ｅとＩＧＢＴ２０ｆの接続点は、モータ３に接続されている。ＩＧＢＴ２０ａ〜２０ｆのコレクタ、エミッタ間には、フリーホイーリングダイオード２１ａ〜２１ｆがそれぞれ接続されている。
【００２４】
抵抗７，８は、パワーモジュール２からモータ３に供給される電流を電圧に変換する素子である。抵抗７の一端はＩＧＢＴ２０ｂのエミッタに、他端はバッテリ４の負極端子にそれぞれ接続されている。抵抗８の一端はＩＧＢＴ２０ｆのエミッタに、他端はバッテリ４の負極端子側にそれぞれ接続されている。また、抵抗７，８の両端は制御回路１００に接続されている。
【００２５】
コンデンサ５は、バッテリ４の出力電圧を平滑する。コンデンサ６は、パワーモジュール２に侵入するノイズを抑えるとともに、バッテリ４からパワーモジュール２に印加される電圧を検出する。コンデンサ５及びコンデンサ６はバッテリ４に並列に接続されている。コンデンサ６の両端は制御回路１００に接続されている。
【００２６】
制御回路１００は、外部からの指令、抵抗７，８によって検出されるパワーモジュール２からモータ３に供給される電流、及びコンデンサ６によって検出されるバッテリ４からパワーモジュール２に印加される電圧に基づいて、パワーモジュール２を制御する回路である。制御回路１００は、パワーモジュール２、抵抗７，８、及びコンデンサ６にそれぞれ接続されている。
【００２７】
次に、図３及び図４を参照して半導体装置１０の構成について説明する。図３は半導体装置１０の構成を示す分解斜視図である。図４は半導体装置１０の構成を示す斜視図である。図３に示すように、一つの半導体装置１０は、カード形状の半導体モジュール２２と、半導体モジュール２２を両側から挟むように本体部２２６の両側（主面２２１，２２２の両面側）のそれぞれに配された２個のヒートシンク１１と、を備え、両面冷却可能な冷却機構を有する。
【００２８】
半導体モジュール２２は、半導体素子であるＩＧＢＴ２０ａ〜２０ｆ及びフリーホイーリングダイオード２１ａ〜２１ｆを内蔵し、対向する一対の主面２２１，２２２を有する形状の本体部２２６と、本体部２２６から外方に突出するコレクタ側電極端子２２３、エミッタ側電極端子２２４、及び制御信号端子２２５と、を備えている。
【００２９】
さらに、半導体モジュール２２の本体部２２６とヒートシンク１１との間には、セラミックからなる絶縁基板１２が介在しており、さらに絶縁基板１２とヒートシンク１１及び本体部２２６との間にはそれぞれ、良熱伝導性を有するシリコン系の放熱グリスが塗布されている。また、絶縁基板１２は、窒化アルミニウムフィルムやシリコンゴムシートで形成してもよく、絶縁基板１２及び放熱グリスは、絶縁性を有する放熱フィルムを採用してもよい。
【００３０】
ＩＧＢＴ及びフリーホイーリングダイオードの半導体素子は、主面２２１側に位置する金属伝熱板２２０の内側の主面上にはんだ層により接合され、当該半導体素子の残余の主面には、反対の主面２２２側に位置する金属伝熱板（図示せず）がはんだ層により接合されている。このようにしてＩＧＢＴのコレクタ及びエミッタにフリーホイーリングダイオ−ドのアノード及びカソードがいわゆる逆向き並列（図２参照）に接続される。金属伝熱板２２０及び主面２２２側に位置する金属伝熱板は、それぞれコレクタ側電極端子２２３及びエミッタ側電極端子２２４に電気的に導通している。また、上記のはんだ層は他の接合機能材料に置換してもよい。
【００３１】
本体部２２６は、例えばエポキシ樹脂からなる矩形板状の部材であり、半導体素子を完全にモールドし、金属伝熱板２２０及び主面２２２側に位置する金属伝熱板の外主面すなわち放熱面を露出するようにモールドしている。コレクタ側電極端子２２３及びエミッタ側電極端子２２４は、本体部２２６の一方の側面から主面２２１，２２２に平行な方向Ｘに突出し、リードフレーム端子である複数の制御信号端子２２５は他方の側面からコレクタ側電極端子２２３等とは逆向きに突出し、ＩＧＢＴのゲートに形成された電極等と接続されている。
【００３２】
ヒートシンク１１は、半導体モジュール２２の各主面２２１，２２２と熱的に結合される板状の基板部１１０と、基板部１１０から直角方向（フィン突出方向Ｚに相当）に突出する複数個の第１のフィン１１２と、を一体に備えた部材であり、アルミニウムまたは銅で形成されている。第１のフィン１１２は、基板部１１０の主面１１１とは反対側から突出する矩形状の板部材であり、複数個の第１のフィン１１２がその厚み方向Ｙに間隔をあけて列を形成するように並んでいる。
【００３３】
ヒートシンク１１は、さらに２個の第２のフィン１１３を備える。第２のフィン１１３は、複数個の列をなす第１のフィン１１２のうち厚み方向Ｙの両方の最外側に位置するフィンよりも、さらに外側において基板部１１０から直角方向（フィン突出方向Ｚ）に突出する板状のフィンである。第２のフィン１１３は、第１のフィン１１２と平行になるように形成され、第１のフィン１１２よりも厚み寸法が大きい肉厚部を有する。例えば、第２のフィン１１３の肉厚部は、第１のフィン１１２の２倍以上の厚みを有する。本実施形態の第２のフィン１１３は、その全体が等しい肉厚の板状で全体が第１のフィン１１２よりも厚み寸法が大きい肉厚部になっているが、当該肉厚部は、第２のフィン１１３の一部にだけに形成される形態であってもよい。
【００３４】
第２のフィン１１３は、その厚み方向Ｙに垂直な方向であって半導体モジュール２２の主面２２１，２２２に平行な方向（図３及び図４に示す「主面に平行な方向Ｘ」）について、長さ寸法が第１のフィン１１２よりも小さい。したがって、第２のフィン１１３は、その横幅寸法が第１のフィン１１２の横幅寸法がよりも短く、第１のフィン１１２よりも厚みが大きいフィンである。
【００３５】
さらに、第２のフィン１１３は、基板部１１０の図３の主面に平行な方向Ｘについて基板部１１０の中央部に位置するため、基板部１１０について第２のフィン１１３が突出していない部位（フィン無し部位１１０ａ）は、図３及び図４に示す「主面に平行な方向Ｘ」について第２のフィン１１３の両側に設けられる。したがって、第２のフィン１１３は、当該「主面に平行な方向Ｘ」について、半導体モジュール２２の本体部２２６の配置箇所に重なるように配置される。このフィン無し部位１１０ａは、半導体モジュール２２を挟持する２個のヒートシンク１１の両方に設けられている。
【００３６】
図４に示すように、両側のフィン無し部位１１０ａには、弾性力により半導体モジュール２２をヒートシンク１１を介して両側から挟む力を付勢する弾性部材の一例である板ばね１３が取り付けられている。板ばね１３は、コの字状の横断面形状を呈しており、フィン無し部位１１０ａにおける厚み方向Ｙの端面（図４のフィン無し部位１１０ａの頂面）に対向する平面部１３ａと、平面部１３ａの両端側から平面部１３ａに直角に延びる脚部１３ｂと、平面部１３ａと脚部１３ｂを繋ぐように平面部１３ａの両端側で湾曲する湾曲部１３ｃと、を一体に形成してなる部材である。
【００３７】
板ばね１３は、半導体モジュール２２を挟む姿勢で両側に配置された２個のヒートシンク１１に対して、フィン無し部位１１０ａに脚部１３ｂ側を外側から嵌めるように図４の厚み方向Ｙに差し込まれ、平面部１３ａがフィン無し部位１１０ａの頂面に当接または近接するまで深く嵌めこまれて取り付けられる。この操作により、対向するフィン無し部位１１０ａにおけるフィン突出方向Ｚ（基板部１１０に垂直な方向）の長さよりも短く形成された対向する脚部１３ｂ間が外方に押し広げられるため、板ばね１３は、元の状態に戻ろうと内方に働く弾性力により、対向するフィン無し部位１１０ａの側面を内側に向かって押す力を挟持力として両側のヒートシンク１１に与える。
【００３８】
板ばね１３は、一つの半導体装置１０について、上部の両端部及び下部の両端部にそれぞれ１個ずつ、合計４個取り付けられる。このため、４個の板ばね１３は、半導体モジュール２２を矩形状の本体部２２６における４角の外方から均等な力でバランスよく挟持する。これにより、半導体モジュール２２の本体部２２６とその両側の絶縁基板１２及び放熱グリスは２個のヒートシンク１１の主面１１１によって強力に挟まれて密着状態に固着されて、図４に示すように一つの半導体装置１０が形成される。
【００３９】
以上の構成の半導体装置１０は１個の半導体モジュール２２を備えるため、三相インバータ回路においては、図５に示すように、パワーユニットであるインバータ回路ユニット３０に６個の半導体装置１０が隣接配置されることになる。図５は６個の半導体装置１０をインバータ回路ユニット３０のケース３８に収納した状態を示す斜視図である。なお、図５は、半導体装置１０の配置状態を理解し易くするため、下ケース３１の上部に取り付けられる蓋部３７を外した状態を示している。図７は半導体装置１０を収容したケース３８と制御基板１０１との位置関係を示す断面図である。
【００４０】
下ケース３１は、上面及び対向する二側面が開口した直方体状の箱体であり、上面には図５及び図７に示すように蓋部３７が取り付けられ、対向する二側面のそれぞれには板状の通風路形成部材３２，３３が取り付けられる。ケース３８は、蓋部３７、下ケース３１、及び通風路形成部材３２，３３から構成されている。通風路形成部材３２，３３のそれぞれには、横方向（フィン突出方向Ｚに相当）に並ぶ複数の通風口３２ｂ（本例では各４個の通風口）が形成されている。通風路形成部材３２における複数の通風口３２ｂは、ファン９によってインバータ回路ユニット３０のケース３８内に強制的に送風される空気流れの上流側の流入口であり、通風路形成部材３３における複数の通風口３２ｂは、当該空気流れの下流側の流出口である。
【００４１】
通風路形成部材３２，３３は、下ケース３１の二側面それぞれの４角に形成された雌ねじ部に取付ねじ３６によってねじ締めされることにより下ケース３１に固定される。下ケース３１及び通風路形成部材３２，３３は、それぞれ樹脂製の部材である。蓋部３７は、例えばアルミダイカスト、銅もしくは銅合金、または鉄からなる金属性の部材である。これにより、ケース３８の一部（蓋部３７）は金属からなり、残部（下ケース３１等）は樹脂材料で形成されていることになる。
【００４２】
下ケース３１及び通風路形成部材３２，３３が一体となったケースには、６個の半導体装置１０が所定の位置に上方から挿入設置される。半導体装置１０は、縦方向（主面に平行な方向Ｘに相当）に２個、横方向（フィン突出方向Ｚに相当）に３個、それぞれ直線状に整列して近接配置され、６個の半導体モジュール２２は当該横方向にＵ相、Ｖ相及びＷ相、当該縦方向に同相の上アーム及び下アームを構成するように電気的に有線接続される。したがって、６個の半導体装置１０は、当該ケースの内部で密接して高密度に設置されるので、車両の振動による各部の衝突、損傷を抑制することができるのである。
【００４３】
また、各半導体装置１０は、制御信号端子２２５が上に、コレクタ側電極端子２２３及びエミッタ側電極端子２２４が下になるようにケース３８内に搭載されている。したがって、当該ケース３８内では、各半導体装置１０について、中ほどに複数個並ぶ第１のフィン１１２を挟むように上下両側それぞれに第２のフィン１１３が位置するようになっている。
【００４４】
前述のように、各ヒートシンク１１は、第２のフィン１１３の少なくとも一つにその厚み方向に貫通するねじ山が進行する雌ねじ部１１４を備えている。雌ねじ部１１４とボルト６０は、半導体装置１０を収納するケースの一部である蓋部３７とヒートシンク１１とをねじ締め固定する手段である。各雌ねじ部１１４は、各半導体装置１０をケース３８に収納する際に、蓋部３７とヒートシンク１１とをボルト６０で共締めするためにヒートシンク１１に設けられる。蓋部３７に形成されボルト６０が挿通される貫通孔３７３と雌ねじ部１１４とは、互いに対応する位置関係に配置されている。
【００４５】
６個の半導体装置１０をインバータ回路ユニット３０のケース内に収納するときは、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相及び各相の上下アームが適正になるように各半導体装置１０を下ケース３１内の所定の位置に仮配置する。そして、上記の各貫通孔３７３と雌ねじ部１１４とが対応するように、下ケース３１の上面に蓋部３７を被せ、各貫通孔３７３にボルト６０を挿通し、全てのボルト６０を締める。これにより、インバータ回路ユニット３０のケース３８に対して各半導体装置１０が所定位置に配置されることになる。
【００４６】
隣り合う通風口３２ｂ間は通風路形成部材３２，３３に形成された仕切り部３２ａによって横方向（フィン突出方向Ｚに相当）に仕切られている。各仕切り部３２ａは、下ケース３１内の半導体装置１０に対してヒートシンク１１の第１のフィン１１２が形成されていない部位に対応するように設けられている。したがって、通風路形成部材３２，３３のそれぞれに４個ずつ形成される仕切り部３２ａは、半導体装置１０における本体部２２６の両側方と基板部１１０の両側部とを含む部分に対向する。
【００４７】
これにより、各ヒートシンク１１について、主面に平行な方向Ｘの端部に位置する第１のフィン１１２の側部が通風路形成部材３２，３３にそれぞれに形成された４個の通風口３２ｂに対応している。対辺位置にある二側面の通風路形成部材３２，３３に形成された通風口３２ｂ同士は、主面に平行な方向Ｘについて、その間に並ぶ第１のフィン１１２を介して連通する。すなわち、空気流れ上流側と空気流れ下流側の半導体装置１０について、厚み方向Ｙに並ぶ複数個の第１のフィン１１２は、主面に平行な方向Ｘに一直線上となるように厚み方向Ｙに一致して配置されている。これにより、厚み方向Ｙに並ぶ第１のフィン１１２間に形成された各隙間は、空気流れ上流側及び空気流れ上流側の半導体装置１０において接続され、主面に平行な方向Ｘに直線状に連なるようになっている。このように接続された第１のフィン１１２間の各隙間によって、上記の二側面の通風路形成部材３２，３３に形成された通風口３２ｂ同士は連通し、当該二側面に位置する通風口３２ｂを結ぶ通路が形成されることになる。
【００４８】
ファン９によってインバータ装置１に対して強制風が供給されると、空気流れ上流側に位置する通風口３２ｂから空気が流入し、続いて上記の第１のフィン１１２間の各隙間を流れた後、空気流れ下流側に位置する通風口３２ｂから外部に排出される。したがって、当該強制風がインバータ回路ユニット３０内を流通する方向は、主面に平行な方向Ｘに一致する。６個の半導体モジュール２２で構成されるインバータ回路ユニット３０の運転時には、各半導体素子で発生する熱は、絶縁基板１２、両側の放熱グリス、基板部１１０、第１のフィン１１２、あるいは第２のフィン１１３を通って、上記の強制風が第１のフィン１１２間の各隙間を流下する際に半導体モジュール２２の両側から強制風に放出されて各半導体モジュール２２が冷却される。
【００４９】
図６はインバータ装置１の外観を示す斜視図である。図６に示すように、モータ３を駆動制御するインバータ装置１は、コンデンサユニット５０、インバータ回路ユニット３０、及び制御回路ユニット４０を三段に積み重ねて一体化した装置である。コンデンサユニット５０は、ケース５１の内部にコンデンサ５及びコンデンサ６を搭載している。制御回路ユニット４０は、ケース４１の内部に制御回路１００を構成する制御基板１０１を搭載している。
【００５０】
下ケース３１下部の４角の４箇所には、インバータ回路ユニット３０を下方に設置されるコンデンサユニット５０のケース５１に取り付けるための雌ねじ部を有した取付脚３５が設けられている。コンデンサユニット５０は、各取付ねじ５３によってケース５１を各取付脚３５にねじ締め固定することにより、インバータ回路ユニット３０の下方に一体に取り付けられる。
【００５１】
図５に示すように、下ケース３１上部の４角の４箇所には、蓋部３７を下ケース３１に取り付けるための雌ねじ部３４が形成されている。蓋部３７には、下ケース３１に形成される雌ねじ部３４と対応する位置に貫通孔３７２が形成されている。蓋部３７の４角の４箇所には、上方に設置される制御回路ユニット４０のケース４１をインバータ回路ユニット３０のケース３８に取り付けるための雌ねじ部を有した取付脚３７１が設けられている。
【００５２】
さらに蓋部３７には、下ケース３１よりも外方に突出するアース接続部３７４が４箇所設けられている。各アース接続部３７４には、雌ねじ部３７５が貫通するように形成されている。各アース接続部３７４は、ファン９による空気の送風方向に対して直交する方向に突出し、かつ空気の送風通路の外部に配置されている。
【００５３】
インバータ回路ユニット３０のケース３８を車両側グランドとアース接続するときには、車両側グランドに相当する車両側の部材と少なくとも一つのアース接続部３７４とをボルト６１と雌ねじ部３７５の螺合によってねじ締めし、接続する。これにより、車両側グランドと各ヒートシンク１１は、金属製の蓋部３７及びアース接続部３７４を介して電気的に導通することになる。また、このとき、ボルト６０による蓋部３７と各ヒートシンク１１の締結によって、ケース３８に収容されるすべてのヒートシンク１１が同電位となる。さらに、各半導体モジュール２２を両側から挟む２個のヒートシンク１１は、金属製とした場合の板ばね１３によって挟まれて一体になるため、同電位となる。
【００５４】
また、他の方法でケース３８を車両側グランドとアース接続するときには、車両側グランドに相当する車両側の部材とアース線（有線）を接続し、当該アース線（有線）の先端に設けた端子を少なくとも一つのアース接続部３７４の雌ねじ部３７５に、ボルト６１によりねじ締めする。これにより、車両側グランドと各ヒートシンク１１は、金属製の蓋部３７及びアース線を介して電気的に導通することになる。
【００５５】
このように、蓋部３７は、ヒートシンク１１に接触して配され、各半導体装置１０を保持する。蓋部３７は、ケース３８を構成する他の下ケース３１や通風路形成部材３２，３３とは異なり、樹脂材料ではなく金属で形成されているため、接触するヒートシンク１１と電気的に導通する関係にある。これにより、万一、ヒートシンク１１に半導体モジュール２２の電流が流れて高電圧状態となった場合には、上記のアース接続により、車両側グランドとヒートシンク１１は通電する状態になるため、電池監視ユニット等によってヒートシンク１１への漏れ電流を検出することが可能である。したがって、当該漏れ電流が発生していることを検出可能な構成を取ることができ、電気的安全性の確保が図れるのである。
【００５６】
制御回路ユニット４０は、制御回路ユニット４０の制御基板１０１をインバータ回路ユニット３０の蓋部３７（ケース３８の一部）にねじ締め等により固定してから、上方からかぶせたケース４１を各取付ねじ４４によって各取付脚３４１にねじ締め固定することにより、インバータ回路ユニット３０の上方に一体に取り付けられる。
【００５７】
また、インバータ回路ユニット３０のケース３８からは、モータ３へ出力する出力線を接続するための三相端子部５２が露出しており、バッテリ４からの電源入力線を接続するための端子部（図示せず）が露出している。また、制御回路ユニット４０のケース４１は、制御回路１００に車両側の電源を投入する電源線及び車両ＥＣＵからの信号線を接続するためのコネクタ部４３が露出しており、コンデンサユニット５０及びインバータ回路ユニット３０からのリード線を制御回路ユニット４０に引き込むためのリード線通路４２を備えている。ケース４１及びケース５１は、それぞれ樹脂製の部材である。
【００５８】
下ケース３１等は樹脂材料で形成されているため、電磁シールド性がないので、半導体モジュール２２に含まれる大電力スイッチング素子からのノイズが外部に伝わることが懸念される。そこで、ケース３８を構成する各部材のうち蓋部３７は、金属製であるため、電磁シールド性を有し、ノイズ遮断機能を発揮し得る。この蓋部３７は、制御回路１００を構成する制御基板１０１に対向するように配されているため、各半導体装置１０から制御基板１０１へのノイズ伝播経路を遮断する。さらに、この蓋部３７は、各ヒートシンク１１から放出される熱が制御基板１０１側に伝わることを遮断する遮熱板としての機能を有し、制御基板１０１の各電子部品の温度上昇を軽減する働きをする。
【００５９】
さらに、蓋部３７と各ヒートシンク１１との間には、良熱伝導性を有するシリコン系の放熱グリスを塗布するのが好ましい。この放熱グリスの存在により、各ヒートシンク１１から放出される熱は、蓋部３７を伝導して外方に突出したアース接続部３７４側に逃がすことが可能になる。
【００６０】
次に、第２のフィン１１３の働きについて詳述する。図７は、半導体装置１０をインバータ回路ユニット３０のケース３８内に収納した状態を示す断面図である。６個の半導体装置１０はインバータ回路ユニット３０のケース３８内に搭載されるときに、下ケース３１に対して蓋部３７をねじ締め等により固定するため、図７に示すように、各ヒートシンク１１は、その上部に蓋部３７から下方への外力がかかり、一方、各ヒートシンク１１の下部が下ケース３１の底部を押すため、当該底部から上方に向けた反力を受ける。すなわち、６個の半導体装置１０の全てのヒートシンク１１は、インバータ回路ユニット３０のケース３８から内方（厚み方向Ｙ）に向かって押さえつけられることになる。
【００６１】
このため、各ヒートシンク１１において蓋部３７（ケース３８の一部）から直接的に外力を受ける上下両端部には、過大な加重がかかる場合があり、組立て過程においてフィンの変形が発生してしまうことがある。本実施形態の半導体装置１０では、ヒートシンク１１の上下両端部に位置する第２のフィン１１３が第１のフィン１１２よりも肉厚が大きくなっているため、第２のフィン１１３の強度向上が図れる。したがって、半導体装置１０は、ケース３８からの直接的な外力に対して変形し難いフィン部分を備えているのである。
【００６２】
さらに半導体素子が発熱した場合には、当該発熱は、まず絶縁基板１２等を介して基板部１１０に伝わり、そして基板部１１０に一体に形成される第１のフィン１１２及び第２のフィン１１３に伝わる。特に第２のフィン１１３は、第１のフィン１１２に比べて、その肉厚が大きく長さ当たりの体積が大きいため、大きな熱容量を有する。したがって、第２のフィン１１３は、一時的に蓄熱する能力が優れており、ヒートシンク１１においてヒートマスとしての機能を大きく担っている。
【００６３】
半導体装置１０では、インバータ回路ユニット３０の運転時に半導体素子が発熱すると、その熱は両側の基板部１１０に伝わってから第１のフィン１１２及び第２のフィン１１３に伝わる。このとき、厚肉部を有する１個の第２のフィン１１３は蓄熱能力が高いため、基板部１１０に伝わった熱は第２のフィン１１３に移動し易く、基板部１１０での熱を外側に逃がし易くなる。このため、半導体素子が短時間に発熱する場合には、基板部１１０からの熱の放出が迅速に行われて、さらなる半導体素子の発熱は基板部１１０に移動し、半導体素子の急激な温度変化や温度上昇が抑制される。
【００６４】
したがって、半導体素子の温度変化の応答速度が鈍くなり、半導体装置１０の過渡特性が向上して、半導体素子に過大な熱負荷がかかることを抑制することができる。そして、ファン９による強制風が供給されている場合には、半導体モジュール２２の両側において第１のフィン１１２または第２のフィン１１３から熱が奪われ、第２のフィン１１３から第１のフィン１１２への熱移動や第２のフィン１１３から空気への熱移動の促進により、結果的に第２のフィン１１３での蓄熱容量に空きが生じるので、第２のフィン１１３の働きによって、さらに過渡特性の向上が可能になる。
【００６５】
以下に、本実施形態のパワーユニットがもたらす作用効果について述べる。インバータ回路ユニット３０は、半導体素子を内蔵する半導体モジュール２２と、半導体モジュール２２と一体に設けられて半導体モジュール２２の熱を空気中に放熱する金属製のヒートシンク１１とを有して構成される半導体装置１０と、複数個の半導体装置１０を一体となるように収容するケース３８と、を備えている。ケース３８は、一部を金属で形成され残部を樹脂材料で形成されている。複数個の半導体装置１０は、金属で形成されたケース３８の一部（例えば蓋部３７）がヒートシンク１１に接触している状態でケース３８に収容されている。当該金属で形成されたケース３８の一部は、車両側の部材と電気的に連結されている。
【００６６】
以上の構成によれば、金属で形成したケース３８の一部をヒートシンク１１に接触させるとともに、車両側の部材と電気的に連結することにより、ヒートシンク１１と車両側の部材とのアース接続を複雑な構成を採用せずに実現でき、この電気的接続により、何らかの原因でヒートシンク１１に漏れた電流を検出することが可能になる。さらに、各半導体装置１０からのノイズが伝播するのを金属製のケース３８の一部によって抑制でき、パワーユニットの機能発揮に用いられる各種電子部品（制御回路１００、コンデンサ５，６等）に悪影響を与えない耐ノイズ性を獲得することができる。したがって、当該各種電子部品の保護が図れ、空冷用のヒートシンク１１の高電圧化検出と耐ノイズ性の確保とを両立するパワーユニットを提供できる。
【００６７】
また、金属で形成されたケース３８の一部は、ケースの一面を覆う蓋部３７であり、蓋部３７は、半導体素子の動作を制御する制御回路１００を構成する制御基板１０１に対向するように配されている。この構成によれば、各半導体装置１０からのノイズが制御基板１０１に伝播するのを金属製の蓋部３７によって抑制することができ、半導体装置１０を制御するための電子部品の誤動作、ＥＭＣ特性の劣化等を抑制することができる。また、各ヒートシンク１１の発熱が制御基板１０１に熱伝達するのを金属製の蓋部３７によって抑制して当該電子部品の劣化を低減し寿命の確保に貢献し得る。
【００６８】
また、金属で形成されたケースの一部は、ケースの一面を覆う蓋部３７であり、蓋部３７とヒートシンク１１は螺合手段（ボルト６０、貫通孔３７３及び雌ねじ部１１４）により締結される。この構成によれば、当該螺合手段による締結力の提供により、ヒートシンク１１と蓋部３７の密着性が向上し、ヒートシンク１１から蓋部３７への導電経路、熱伝達経路を確実に形成することができる。これにより、空冷用ヒートシンクの高電圧化の検出と耐ノイズ性の確保を確実に構築するパワーユニットが得られる。
【００６９】
さらに、第２のフィン１１３は、肉厚部が蓋部３７の内面から受ける力に対する強度を発揮する。このため、厚み方向Ｙについて、第１のフィン１１２を強度的に保護する機能を有し、変形を抑制するとともに、第２のフィン１１３自身が変形し難いため、蓋部３７との密着性が十分に保たれるのである。このように第２のフィン１１３と蓋部３７の密着性が確保できると、上述の漏電流検出が確実に行われ、その機能を長く発揮することができる。
【００７０】
また、第１のフィン１１２の変形が抑制できると、第１のフィン１１２間に形成される各隙間である空気通路が所定の大きさに保たれる。このため、通風抵抗が大きくなる冷却空気の流れにくい箇所が存在せず、各半導体装置１０は所望の冷却性能を発揮することができ、半導体装置１０の寿命延長が図れる。また、このように第１のフィン１１２の変形が抑制できると、半導体装置１０をインバータ回路ユニット３０のケース３８に収納する際に組立ての不具合が生じ難く、生産性の向上にも寄与する。
【００７１】
さらに、第２のフィン１１３は、フィン突出方向Ｚについても、下ケース３１や隣り合う半導体装置１０から加わる荷重に対して、上記肉厚部が下ケース３１の内面から受ける力に対する強度を発揮し、また、隣り合う肉厚部同士が接触するため、互いに強度を発揮する。このため、厚み方向Ｙ及びフィン突出方向Ｚの両方について、第１のフィン１１２を強度的に保護する機能を有し、変形を抑制する。このように第１のフィン１１２の変形が抑制できると、第１のフィン１１２間に形成される各隙間である空気通路が所定の大きさに保たれる。このため、通風抵抗が大きくなる冷却空気の流れにくい箇所が存在せず、各半導体装置１０は所望の冷却性能を発揮することができ、半導体装置１０の寿命延長が図れる。また、このように第１のフィン１１２の変形が抑制できると、半導体装置１０をインバータ回路ユニット３０のケース３８に収納する際に組立ての不具合が生じ難く、生産性の向上にも寄与する。
【００７２】
また、ヒートシンク１１は、半導体モジュール２２と熱的に結合される基板部１１０と、その厚み方向Ｙに間隔をあけて列を形成するように基板部１１０からそれぞれ突出する複数個の第１のフィン１１２と、厚み方向Ｙの最外側に位置する第１のフィン１１２よりもさらに外側において基板部１１０から突出する第２のフィン１１３と、を備える。第２のフィン１１３は、第１のフィン１１２よりも厚み寸法が大きい肉厚部を有する。第２のフィン１１３の肉厚部と蓋部３７は螺合手段により締結されている。
【００７３】
この構成によれば、第２のフィン１１３の肉厚部を活用して螺合手段を構成することにより、ヒートシンク１１と蓋部３７を固定及び密着する機能を発揮し得る形状を形成しやすい。さらに、第２のフィン１１３の肉厚部に螺合手段の雌ねじ部１１４を形成する場合には、必要とする所定数のねじ山等が確保し易く、他の部分やねじ締め用の構成要素を別途必要とせずとも、ねじ締め機能を発揮し得る構造を確保でき、相当数のねじ山を形成できるので締結力の向上が図れる。
【００７４】
また、各半導体装置１０は、半導体モジュール２２を両側から挟む２個のヒートシンク１１と、弾性力により半導体モジュール２２を挟む力を付勢する板ばね１３と、を備える。２個のヒートシンク１１は、板ばね１３によって互いに近づくように挟持される。この構成によれば、半導体モジュール２２を両側から挟持する両方のヒートシンク１１を板ばね１３によって挟むことにより、２個のヒートシンク１１が一体に狭持されるので、蓋部３７と各ヒートシンク１１とを締結するための螺合手段の個数低減や構成の簡単化を提供できる。また、蓋部３７と各ヒートシンク１１との密着性の向上にも寄与し得る。
【００７５】
また、車両側の部材は、蓋部３７において、ファン９による空気の送風方向に対して直交する方向に空気の送風通路よりも突出する部位に連結されている。この構成によれば、車両側の部材と電気的に連結される当該部位が、送風通路を形成するダクト等に干渉しない部位に設定されることになる。これにより、車両側の部材と蓋部３７との連結をダクト等が邪魔にならない状態で実施することができる。したがって、当該連結に係る作業性の向上が図れる。
【００７６】
さらに半導体装置１０によれば、ヒートシンク１１は半導体モジュール２２の主面両面から受熱可能な両面冷却構造であるため、第２のフィン１１３の上記肉厚部による上記の過渡特性の向上と合わせ、優れた放熱性能を発揮する。
【００７７】
また、半導体装置１０において第２のフィン１１３は、厚み方向Ｙに垂直な方向であって半導体モジュールの主面に平行な方向Ｘについての長さ寸法が第１のフィン１１２よりも小さくなっており、半導体モジュール２２を挟む両側のヒートシンク１１の基板部１１０において第２のフィン１１３が突出していないフィン無し部位１１０ａに、弾性力により半導体モジュール２２を挟む力を付勢する板ばね１３（弾性部材）を設けている。
【００７８】
この構成によれば、第２のフィン１１３は、半導体モジュール２２の主面２２１，２２２に平行な方向についての長さが第１のフィン１１２よりも短いため、ヒートシンク１１の基板部１１０において第２のフィン１１３が突出しないスペースを構築することができる。さらに当該スペースに半導体モジュール２２を挟む力を付勢する板ばね１３を設けるため、フィン強度及びヒートマス機能の向上とともに、半導体モジュール２２とヒートシンク１１との熱的接合手段を有効的に配置する搭載性とを同時に実現することができる。
【００７９】
また、金属製（例えばアルミダイカスト）の蓋部３７と各ヒートシンク１１との間には、良熱伝導性を有するシリコン系の放熱グリスを塗布する場合、放熱グリスの存在により、各ヒートシンク１１から放出される熱は、蓋部３７を伝導して外方に突出したアース接続部３７４側に逃がすことが可能になる。これによれば、パワーユニットの外部への放熱性能が向上するため、ヒートシンク１１の小型化が図れ、ひいてはインバータ回路ユニット３０の小型化に貢献できる。
【００８０】
各半導体装置１０は、第２のフィン１１３の肉厚部は半導体装置１０を収納するケースの一部である蓋部３７とねじ締め固定するための雌ねじ部１１４を備える。この構成によれば、雌ねじ部１１４にボルト６０を螺合してヒートシンク１１を収納用のケース３８にねじ締めすることにより、半導体装置１０をケース３８に収納する際にヒートシンク１１とケース３８との位置関係が一義的に決まり、ケース３８に対する半導体装置１０の適正な位置決め設定が可能になり、蓋部３７と各ヒートシンク１１のがたつきを防止できる。さらに、雌ねじ部１１４は所定数のねじ山等を必要とするので、雌ねじ部１１４の形成に第２のフィン１１３の肉厚部を活用するため、他の部分やねじ締めのための構成要素を必要とせずとも、ねじ締め機能を発揮し得る雌ねじ部を形成することができる。
【００８１】
また、金属製の蓋部３７には、上方に設置される制御回路ユニット４０のケース４１をインバータ回路ユニット３０に取り付けるための雌ねじ部を有した取付脚３７１が設けられている。これにより、金属製の蓋部３７に当該雌ねじ部を形成するため、ケース３８の樹脂材料部分に雌ねじ部を形成する場合と比べて、例えばねじ部のインサート成形等を配しできるので、製作工数、費用等を軽減することができる。
【００８２】
（他の実施形態）
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に何ら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において種々変形して実施することが可能である。
【００８３】
上記実施形態の構造は、あくまで例示であって、本発明の範囲はこれらの記載の範囲に限定されるものではない。本発明の範囲は、特許請求の範囲の記載によって示され、さらに特許請求の範囲の記載と均等の意味及び範囲内での全ての変更を含むものである。
【００８４】
上記実施形態では、蓋部３７は複数個のボルト６０によって各ヒートシンク１１に締結されているが、蓋部３７と各ヒートシンク１１の第２のフィン１１３との密着性が確保されている場合には、ボルト６０による締結を省略することもできる。
【００８５】
上記実施形態では、半導体チップとして大出力用のＩＧＢＴが形成されているが、低出力用のＭＯＳＦＥＴ，ＪＦＥＴなどが形成された半導体チップを用いてもよい。
【００８６】
上記実施形態のインバータ装置により駆動されるモータの用途は、車両の走行に限らず、発電、エンジン始動、コンプレッサ等の補機の駆動等であり、その用途や必要能力に応じて、複数のモータを駆動したり、複数段に積載したインバータ装置を備えたりしてもよい。
【符号の説明】
【００８７】
１…インバータ装置
１０…半導体装置
１１…ヒートシンク
１３…板ばね（弾性部材）
２０ａ〜２０ｆ…ＩＧＢＴ（半導体素子）
２１ａ〜２１ｆ…フリーホイーリングダイオード（半導体素子）
２２，２２ａ〜２２ｆ…半導体モジュール
３０…インバータ回路ユニット（パワーユニット）
３１…下ケース（ケースの残部）
３７…蓋部（ケースの一部）
６０…ボルト（螺合手段）
１００…制御回路
１０１…制御基板
１１０…基板部
１１２…第１のフィン
１１３…第２のフィン
１１４…雌ねじ部（螺合手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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