(57)【要約】      （修正有）【課題】薄型化や軽量化を図りつつ、耐衝撃性を向上させることのできる放射線画像撮影装置を提供する。【解決手段】放射線が照射されることにより光を発生するシンチレータ８、当該シンチレータ８で発生した光を受光することにより電荷を発生させるセンサ部、および当該センサ部で発生された電荷を読み出すための薄膜トランジスタが形成された基板を有する放射線検出器２０を、被写体Ｃを透過した放射線Ｘが透過する透過面を有する天板４１Ｂの前記放射線が入射される面の反対側の面に直接的に取り付けることで薄型化や軽量化を実現し、該センサ部を耐荷重性や耐落下衝撃性に優れた有機光電変換材料で構成することで耐衝撃性を向上させることが可能となる。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線が照射されることにより光を発生する発光層、および当該発光層で発生した光を受光することにより電荷が発生する有機光電変換材料を含んで構成されたセンサ部が形成された基板を有する放射線検出器と、
被写体を透過した放射線が透過する透過面を有すると共に、前記放射線が入射される面の反対側の面に前記放射線検出器が直接的に取り付けられた天板と、
を備えた放射線画像撮影装置。
【請求項２】
前記放射線検出器の前記基板は、前記センサ部で発生された電荷を読み出すためのスイッチング素子がさらに形成されている
請求項１記載の放射線画像撮影装置。
【請求項３】
前記天板は、前記放射線検出器の前記基板が直接的に取り付けられている
請求項１または請求項２記載の放射線画像撮影装置。
【請求項４】
前記基板は、プラスチック樹脂、アラミド、バイオナノファイバの何れかにより構成されている
請求項１から請求項３の何れか１項記載の放射線画像撮影装置。
【請求項５】
前記スイッチング素子は、活性層に非晶質酸化物を含んで構成された薄膜トランジスタである
請求項２記載の放射線画像撮影装置。
【請求項６】
前記天板は、強化繊維樹脂を含む材料により構成されている
請求項１から請求項５の何れか１項記載の放射線画像撮影装置。
【請求項７】
前記強化繊維樹脂は、炭素繊維強化プラスチックである
請求項６記載の放射線画像撮影装置。
【請求項８】
放射線画像の撮影時における前記放射線検出器の湾曲の度合いを計測する計測手段と、
前記計測手段による計測結果に応じて、前記放射線検出器によって得られた画像情報により示される放射線画像の歪みを補正する補正手段と、
をさらに備えた請求項１から請求項７の何れか１項記載の放射線画像撮影装置。
【請求項９】
前記放射線検出器は、前記天板に離間可能に取り付けられている
請求項１から請求項８の何れか１項記載の放射線画像撮影装置。
【請求項１０】
前記放射線検出器と前記天板との間に内部空間が形成されるように前記放射線検出器を前記天板に対して接着する接着部材と、
前記内部空間および外部を連通すると共に、外部から前記内部空間への異物の混入を阻止する通気手段と、
をさらに備えた請求項１から請求項９の何れか１項記載の放射線画像撮影装置。
【請求項１１】
前記通気手段は、前記接着部材に形成されて前記内部空間および外部を曲がった状態で連通する連通路である
請求項１０記載の放射線画像撮影装置。
【請求項１２】
前記通気手段は、前記接着部材に形成されて前記内部空間および外部を連通する連通路と、前記連通路と外部との間の空気の流れを許可し、かつ外部から前記連通路への異物の混入を阻止するフィルタ部材と、が設けられている
請求項１０記載の放射線画像撮影装置。
【請求項１３】
前記接着部材は、外的要因が作用することにより接着力が変化する材質で構成されている
請求項１０から請求項１２の何れか１項記載の放射線画像撮影装置。
【請求項１４】
前記天板は、前記放射線検出器を収容する筐体の一部を構成する
請求項１から請求項１３の何れか１項記載の放射線画像撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画像撮影装置に係り、特に、放射線検出器を備えた放射線画像撮影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）アクティブマトリクス基板上に放射線感応層を配置し、Ｘ線等の放射線を直接デジタルデータに変換できるＦＰＤ（Flat Panel Detector）等の放射線検出器が実用化されている。この放射線検出器を用いた放射線画像撮影装置は、従来のＸ線フイルムやイメージングプレートを用いた放射線画像撮影装置に比べて、即時に画像を確認でき、連続的に放射線画像の撮影を行う透視撮影（動画撮影）も行うことができるといったメリットがある。
【０００３】
この種の放射線検出器は、種々のタイプのものが提案されており、例えば、放射線を一度ＣｓＩ：Ｔｌ、ＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）などのシンチレータで光に変換し、変換した光をフォトダイオードなどのセンサ部で電荷に変換して蓄積する間接変換方式がある。放射線画像撮影装置では、放射線検出器に蓄積された電荷を電気信号として読み出し、読み出した電気信号をアンプで増幅した後にＡ／Ｄ（アナログ／デジタル）変換部でデジタルデータに変換している。
【０００４】
この種の放射線画像撮影装置に関する技術として、特許文献１には、入射した放射線の強度に応じた発光を行う第１層と、前記第１層から出力された光を電気エネルギーに変換する有機化合物からなる第２層と、前記第２層で得られた電気エネルギーに基づく信号の出力を行う第３層と、を有する撮像パネルが開示されている。
【０００５】
また、特許文献２には、接着剤によってシンチレータを筐体の天板に貼り付ける技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−１７２７８３号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２００９／０１２２９５９号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１に開示されている技術では、放射線検出器（撮像パネル）と筐体との間が離間しているため、放射線画像撮影装置の薄型化および軽量化が必ずしも十分に行えるとは限らない、という問題点があった。
【０００８】
これに対し、上記特許文献２に開示されている技術では、シンチレータを筐体の天板に貼り付けているため、放射線画像撮影装置の薄型化には寄与できるものの、放射線画像の撮影対象となる被写体による衝撃を放射線検出器で直に受けることになるため、耐衝撃性が要求される、という問題点があった。
【０００９】
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、薄型化や軽量化を図りつつ、耐衝撃性を向上させることのできる放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の放射線画像撮影装置は、放射線が照射されることにより光を発生する発光層、および当該発光層で発生した光を受光することにより電荷が発生する有機光電変換材料を含んで構成されたセンサ部が形成された基板を有する放射線検出器と、被写体を透過した放射線が透過する透過面を有すると共に、前記放射線が入射される面の反対側の面に前記放射線検出器が直接的に取り付けられた天板と、を備えている。
【００１１】
請求項１記載の放射線画像撮影装置は、放射線が照射されることにより光を発生する発光層、および当該発光層で発生した光を受光することにより電荷が発生する有機光電変換材料を含んで構成されたセンサ部が形成された基板を有する放射線検出器が、被写体を透過した放射線が透過する透過面を有する天板の前記放射線が入射される面の反対側の面に直接的に取り付けられる。
【００１２】
すなわち、本発明では、放射線検出器として、そのセンサ部が耐荷重性や耐落下衝撃性に優れた有機光電変換材料を含んで構成されたものを適用する一方、当該放射線検出器を天板に直接的に取り付けることにより、放射線画像撮影装置の耐衝撃性を向上させるようにしている。
【００１３】
また、本発明では、このように耐衝撃性を向上させることができるため、本発明を適用しない場合に比較して、天板の厚みを薄くしたり、天板を構成する材料を軽量で剛性の低いものとしたりすることができる結果、薄型化や軽量化を図ることができるようにしている。
【００１４】
このように、請求項１に記載の放射線画像撮影装置によれば、放射線が照射されることにより光を発生する発光層、および当該発光層で発生した光を受光することにより電荷が発生する有機光電変換材料を含んで構成されたセンサ部が形成された基板を有する放射線検出器が、被写体を透過した放射線が透過する透過面を有する天板の前記放射線が入射される面の反対側の面に直接的に取り付けられているので、薄型化や軽量化を図りつつ、耐衝撃性を向上させることができる。
【００１５】
なお、本発明は、請求項２に記載の発明のように、前記放射線検出器の前記基板が、前記センサ部で発生された電荷を読み出すためのスイッチング素子がさらに形成されていてもよい。
【００１６】
また、本発明は、請求項３に記載の発明のように、前記天板が、前記放射線検出器の前記基板が直接的に取り付けられていてもよい。これにより、撮影によって得られる放射線画像の分解能を高くすることができると共に、放射線に対する感度の低下を抑えることができる。
【００１７】
また、本発明は、請求項４に記載の発明のように、前記基板が、プラスチック樹脂、アラミド、バイオナノファイバの何れかにより構成されていてもよい。これにより、放射線検出器の剛性を高くすることができる結果、天板を薄くすることができる。
【００１８】
また、請求項２に記載の発明は、請求項５に記載の発明のように、前記スイッチング素子を、活性層に非晶質酸化物を含んで構成された薄膜トランジスタとしてもよい。これにより、当該スイッチング素子により放射線を吸収しないか、あるいは吸収したとしても極めて微量に留まるため、当該スイッチング素子におけるノイズの発生を効果的に抑制することができる。
【００１９】
また、本発明は、請求項６に記載の発明のように、前記天板が、強化繊維樹脂を含む材料により構成されていてもよい。これにより、天板をカーボン単体等で構成した場合に比較して、天板の強度を高くすることができる。
【００２０】
特に、請求項６に記載の発明は、請求項７に記載の発明のように、前記強化繊維樹脂が、炭素繊維強化プラスチックであるものとしてもよい。これにより、天板をカーボン単体等で構成した場合に比較して、天板の熱伝導性を高くすることができる結果、放射線検出器により得られた放射線画像の温度むらに起因する画像むらを抑制することができる。
【００２１】
また、本発明は、請求項８に記載の発明のように、放射線画像の撮影時における前記放射線検出器の湾曲の度合いを計測する計測手段と、前記計測手段による計測結果に応じて、前記放射線検出器によって得られた画像情報により示される放射線画像の歪みを補正する補正手段と、をさらに備えてもよい。これにより、放射線検出器が湾曲した場合であっても、当該湾曲に起因する放射線画像の歪みを抑制することができる。
【００２２】
また、本発明は、請求項９に記載の発明のように、前記放射線検出器が、前記天板に離間可能に取り付けられていてもよい。これにより、効率的に筐体の交換を行うことができる。
【００２３】
また、本発明は、請求項１０に記載の発明のように、前記放射線検出器と前記天板との間に内部空間が形成されるように前記放射線検出器を前記天板に対して接着する接着部材と、前記内部空間および外部を連通すると共に、外部から前記内部空間への異物の混入を阻止する通気手段と、をさらに備えてもよい。
【００２４】
本発明によれば、接着部材を用いて放射線検出器および天板の間に内部空間が形成されるように放射線検出器を天板に接着しているので、放射線検出器および天板に対する接着部材の接触面に空気が残存していても、その残存していた空気を内部空間に逃がすことができる。また、通気手段にて内部空間と外部とが連通しているので、気圧が変化した場合でも、内部空間の圧力と外部の気圧とを一定に保つことができる。そのため、気圧変化によって天板に対する放射線検出器の接着性が低下することを防止することができる。
【００２５】
また、通気手段は、外部から内部空間への異物の混入を阻止するので、前記内部空間に放射線を吸収する金属片等の異物が混入して放射線画像に表示される懸念を排除することができる。従って、放射線画像の品質低下に繋がる異物混入を抑えることができる。
【００２６】
特に、請求項１０に記載の発明は、請求項１１に記載の発明のように、前記通気手段が、前記接着部材に形成されて前記内部空間および外部を曲がった状態で連通する連通路であってもよい。
【００２７】
本発明によれば、連通路が曲がっているので、外部から連通路に空気と共に異物が流入した場合でも、前記異物が内部空間に混入することを防止することができる。なぜなら、異物の質量が空気の質量よりも大きいので、連通路の曲がっている部位を流通する空気の流れに前記異物が追従することはできないからである。また、連通路が接着部材に形成されているので、前記異物が連通路の壁面に付着し易くなる。従って、連通路の曲がっている部位で空気の流れに追従できなくなった異物が接着性を持った連通路の壁面で確実に捕捉される。これにより、内部空間への異物の混入をより一層確実に防止することができる。
【００２８】
また、請求項１０に記載の発明は、請求項１２に記載の発明のように、前記通気手段が、前記接着部材に形成されて前記内部空間および外部を連通する連通路と、前記連通路と外部との間の空気の流れを許可し、かつ外部から前記連通路への異物の混入を阻止するフィルタ部材と、が設けられていてもよい。これにより、内部空間および外部の連通と、外部から内部空間への異物の混入の阻止とを簡易な構成で実現することができる。
【００２９】
また、請求項１０から請求項１２の何れか１項に記載の発明は、請求項１３に記載の発明のように、前記接着部材が、外的要因が作用することにより接着力が変化する材質で構成されていてもよい。
【００３０】
本発明によれば、接着部材の接着力を変化させることができるので、例えば、放射線検出器を天板から剥離する場合に前記接着部材の接着力を低下させたり、前記放射線検出器を前記天板に接着する場合に前記接着部材の接着力を上昇させたりすることができる。これにより、放射線検出器の天板からの剥離時に当該放射線検出器が破損したり、天板に接着されている放射線検出器が剥離したりする懸念を排除することができる。
【００３１】
さらに、本発明は、請求項１４に記載の発明のように、前記天板が、前記放射線検出器を収容する筐体の一部を構成してもよい。これにより、天板を筐体とは別に構成する場合に比較して、より簡易に天板を構成することができる。
【発明の効果】
【００３２】
本発明の放射線画像撮影装置によれば、放射線が照射されることにより光を発生する発光層、および当該発光層で発生した光を受光することにより電荷が発生する有機光電変換材料を含んで構成されたセンサ部が形成された基板を有する放射線検出器が、被写体を透過した放射線が透過する透過面を有する天板の前記放射線が入射される面の反対側の面に直接的に取り付けられているので、薄型化や軽量化を図りつつ、耐衝撃性を向上させることができる、という効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】実施の形態に係る放射線検出器の３画素部分の概略構成を示す断面模式図である。
【図２】実施の形態に係る放射線検出器の１画素部分の信号出力部の構成を概略的に示した断面側面図である。
【図３】実施の形態に係る放射線検出器の構成を示す概略平面図である。
【図４】実施の形態に係る電子カセッテの構成を示す斜視図である。
【図５】実施の形態に係る電子カセッテの構成を示す断面側面図である。
【図６】第１の実施の形態に係る電子カセッテの筐体の内部構成を示す断面底面図である。
【図７】第１の実施の形態に係る電子カセッテの筐体の内部構成を示す一部拡大断面底面図である。
【図８】実施の形態に係る電子カセッテにおいて放射線検出器を天板から剥離する状態を示す説明図である。
【図９】実施の形態に係る電子カセッテの電気系の要部構成を示すブロック図である。
【図１０】実施の形態に係る変換情報の構成を示す模式図である。
【図１１】実施の形態に係る画像送信処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。
【図１２】放射線検出器への放射線の表面照射と裏面照射を説明するための断面側面図である。
【図１３】第１の実施の形態に係る電子カセッテの筐体の内部構成の変形例を示す一部拡大断面底面図である。
【図１４】第２の実施の形態に係る電子カセッテの筐体の内部構成を示す断面底面図である。
【図１５】第３の実施の形態に係る電子カセッテの筐体の内部構成を示す一部拡大断面底面図である。
【図１６】第４の実施の形態に係る電子カセッテの一部省略断面説明図である。
【図１７】実施の形態に係る電子カセッテの筐体の変形例を示す一部省略断面説明図である。
【図１８】実施の形態に係る電子カセッテの筐体の変形例を示す説明図である。
【図１９】実施の形態に係る電子カセッテの筐体の変形例を示す説明図である。
【図２０】各種材料の感度特性の一例を示すグラフである。
【図２１】各種材料の感度特性の一例を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、図面を参照して本発明を実施するための形態について説明する。
【００３５】
［第１の実施の形態］
まず、本実施の形態に係る間接変換方式の放射線検出器２０の構成について説明する。
【００３６】
図１は、本発明の一実施形態である放射線検出器２０の３画素部分の構成を概略的に示す断面模式図である。
【００３７】
この放射線検出器２０は、絶縁性の基板１上に、信号出力部１４、センサ部１３、およびシンチレータ８が順次積層しており、信号出力部１４、センサ部１３により画素部が構成されている。画素部は、基板１上に複数配列されており、各画素部における信号出力部１４とセンサ部１３とが重なりを有するように構成されている。
【００３８】
シンチレータ８は、センサ部１３上に透明絶縁膜７を介して形成されており、上方（基板１の反対側）から入射してくる放射線を光に変換して発光する蛍光体を成膜したものである。このようなシンチレータ８を設けることで、被写体を透過した放射線を吸収して発光することになる。
【００３９】
シンチレータ８が発する光の波長域は、可視光域（波長３６０ｎｍ〜８３０ｎｍ）であることが好ましく、この放射線検出器２０によってモノクロ撮像を可能とするためには、緑色の波長域を含んでいることがより好ましい。
【００４０】
シンチレータ８に用いる蛍光体としては、具体的には、放射線としてＸ線を用いて撮像する場合、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）を含むものが好ましく、Ｘ線照射時の発光スペクトルが４２０ｎｍ〜７００ｎｍにあるＣｓＩ（Ｔｌ）（タリウムが添加されたヨウ化セシウム）を用いることが特に好ましい。なお、ＣｓＩ（Ｔｌ）の可視光域における発光ピーク波長は５６５ｎｍである。
【００４１】
シンチレータ８は、例えば、ＣｓＩ（Ｔｌ）等の柱状結晶で形成しようとする場合、蒸着基板への蒸着によって形成されてもよい。このように蒸着によってシンチレータ８を形成する場合、蒸着基板は、Ｘ線の透過率、コストの面からＡｌの板がよく使用されるがこれに限定されるものではない。なお、シンチレータ８としてＧＯＳを用いる場合、蒸着基板を用いずに、後述するＴＦＴ基板３０の表面にＧＯＳを塗布することにより、シンチレータ８を形成してもよい。
【００４２】
センサ部１３は、上部電極６、下部電極２、および当該上下の電極間に配置された光電変換膜４を有し、光電変換膜４は、シンチレータ８が発する光を吸収して電荷が発生する有機光電変換材料により構成されている。
【００４３】
上部電極６は、シンチレータ８により生じた光を光電変換膜４に入射させる必要があるため、少なくともシンチレータ８の発光波長に対して透明な導電性材料で構成することが好ましく、具体的には、可視光に対する透過率が高く、抵抗値が小さい透明導電性酸化物（TCO;Transparent Conducting Oxide）を用いることが好ましい。なお、上部電極６としてＡｕなどの金属薄膜を用いることもできるが、透過率を９０％以上得ようとすると抵抗値が増大し易いため、ＴＣＯの方が好ましい。例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＦＴＯ、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２、ＺｎＯ２等を好ましく用いることができ、プロセス簡易性、低抵抗性、透明性の観点からはＩＴＯが最も好ましい。なお、上部電極６は、全画素部で共通の一枚構成としてもよく、画素部毎に分割してもよい。
【００４４】
光電変換膜４は、有機光電変換材料を含み、シンチレータ８から発せられた光を吸収し、吸収した光に応じた電荷を発生する。このように有機光電変換材料を含む光電変換膜４であれば、可視域にシャープな吸収スペクトルを持ち、シンチレータ８による発光以外の電磁波が光電変換膜４に吸収されることがほとんどなく、Ｘ線等の放射線が光電変換膜４で吸収されることによって発生するノイズを効果的に抑制することができる。
【００４５】
光電変換膜４を構成する有機光電変換材料は、シンチレータ８で発光した光を最も効率よく吸収するために、その吸収ピーク波長が、シンチレータ８の発光ピーク波長と近いほど好ましい。有機光電変換材料の吸収ピーク波長とシンチレータ８の発光ピーク波長とが一致することが理想的であるが、双方の差が小さければシンチレータ８から発された光を十分に吸収することが可能である。具体的には、有機光電変換材料の吸収ピーク波長と、シンチレータ８の放射線に対する発光ピーク波長との差が、１０ｎｍ以内であることが好ましく、５ｎｍ以内であることがより好ましい。
【００４６】
このような条件を満たすことが可能な有機光電変換材料としては、例えばキナクリドン系有機化合物およびフタロシアニン系有機化合物が挙げられる。例えばキナクリドンの可視域における吸収ピーク波長は５６０ｎｍであるため、有機光電変換材料としてキナクリドンを用い、シンチレータ８の材料としてＣｓＩ（Ｔｌ）を用いれば、上記ピーク波長の差を５ｎｍ以内にすることが可能となり、光電変換膜４で発生する電荷量をほぼ最大にすることができる。
【００４７】
次に、本実施の形態に係る放射線検出器２０に適用可能な光電変換膜４について具体的に説明する。
【００４８】
本発明に係る放射線検出器２０における電磁波吸収／光電変換部位は、１対の電極２，６と、当該電極２，６間に挟まれた有機光電変換膜４を含む有機層により構成することができる。この有機層は、より具体的には、電磁波を吸収する部位、光電変換部位、電子輸送部位、正孔輸送部位、電子ブロッキング部位、正孔ブロッキング部位、結晶化防止部位、電極、および層間接触改良部位等の積み重ね、もしくは混合により形成することができる。
【００４９】
上記有機層は、有機ｐ型化合物または有機ｎ型化合物を含有することが好ましい。
【００５０】
有機ｐ型半導体（化合物）は、主に正孔輸送性有機化合物に代表されるドナー性有機半導体（化合物）であり、電子を供与しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは２つの有機材料を接触させて用いたときにイオン化ポテンシャルの小さい方の有機化合物をいう。したがって、ドナー性有機化合物としては、電子供与性のある有機化合物であれば、いずれの有機化合物も使用可能である。
【００５１】
有機ｎ型半導体（化合物）は、主に電子輸送性有機化合物に代表されるアクセプター性有機半導体（化合物）であり、電子を受容しやすい性質がある有機化合物をいう。さらに詳しくは、２つの有機化合物を接触させて用いたときに電子親和力の大きい方の有機化合物をいう。したがって、アクセプター性有機化合物は、電子受容性のある有機化合物であれば、いずれの有機化合物も使用可能である。
【００５２】
この有機ｐ型半導体および有機ｎ型半導体として適用可能な材料、および光電変換膜４の構成については、特開２００９−３２８５４号公報において詳細に説明されているため、説明を省略する。なお、光電変換膜４は、さらにフラーレン若しくはカーボンナノチューブを含有させて形成してもよい。
【００５３】
光電変換膜４の厚みは、シンチレータ８からの光を吸収する点では膜厚は大きいほど好ましいが、ある程度以上厚くなると光電変換膜４の両端から印加されるバイアス電圧により光電変換膜４に発生する電界の強度が低下して電荷が収集できなくなるため、３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは、５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、特に好ましくは８０ｎｍ以上２００ｎｍ以下である。
【００５４】
なお、図１に示す放射線検出器２０では、光電変換膜４は、全画素部で共通の一枚構成であるが、画素部毎に分割してもよい。
【００５５】
下部電極２は、画素部毎に分割された薄膜とする。下部電極２は、透明または不透明の導電性材料で構成することができ、アルミニウム、銀等を好適に用いることができる。
【００５６】
下部電極２の厚みは、例えば、３０ｎｍ以上３００ｎｍ以下とすることができる。
【００５７】
センサ部１３では、上部電極６と下部電極２の間に所定のバイアス電圧を印加することで、光電変換膜４で発生した電荷（正孔、電子）のうちの一方を上部電極６に移動させ、他方を下部電極２に移動させることができる。本実施の形態の放射線検出器２０では、上部電極６に配線が接続され、この配線を介してバイアス電圧が上部電極６に印加されるものとする。また、バイアス電圧は、光電変換膜４で発生した電子が上部電極６に移動し、正孔が下部電極２に移動するように極性が決められているものとするが、この極性は逆であってもよい。
【００５８】
各画素部を構成するセンサ部１３は、少なくとも下部電極２、光電変換膜４、および上部電極６を含んでいればよいが、暗電流の増加を抑制するため、電子ブロッキング膜３および正孔ブロッキング膜５の少なくともいずれかを設けることが好ましく、両方を設けることがより好ましい。
【００５９】
電子ブロッキング膜３は、下部電極２と光電変換膜４との間に設けることができ、下部電極２と上部電極６間にバイアス電圧を印加したときに、下部電極２から光電変換膜４に電子が注入されて暗電流が増加してしまうのを抑制することができる。
【００６０】
電子ブロッキング膜３には、電子供与性有機材料を用いることができる。
【００６１】
実際に電子ブロッキング膜３に用いる材料は、隣接する電極の材料および隣接する光電変換膜４の材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数（Ｗｆ）より１．３ｅＶ以上電子親和力（Ｅａ）が大きく、かつ、隣接する光電変換膜４の材料のイオン化ポテンシャル（Ｉｐ）と同等のＩｐもしくはそれより小さいＩｐを持つものが好ましい。この電子供与性有機材料として適用可能な材料については、特開２００９−３２８５４号公報において詳細に説明されているため、説明を省略する。
【００６２】
電子ブロッキング膜３の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させるとともに、センサ部１３の光電変換効率の低下を防ぐため、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、さらに好ましくは３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
【００６３】
正孔ブロッキング膜５は、光電変換膜４と上部電極６との間に設けることができ、下部電極２と上部電極６間にバイアス電圧を印加したときに、上部電極６から光電変換膜４に正孔が注入されて暗電流が増加してしまうのを抑制することができる。
【００６４】
正孔ブロッキング膜５には、電子受容性有機材料を用いることができる。
【００６５】
正孔ブロッキング膜５の厚みは、暗電流抑制効果を確実に発揮させるとともに、センサ部１３の光電変換効率の低下を防ぐため、１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下が好ましく、さらに好ましくは３０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、特に好ましくは５０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。
【００６６】
実際に正孔ブロッキング膜５に用いる材料は、隣接する電極の材料および隣接する光電変換膜４の材料等に応じて選択すればよく、隣接する電極の材料の仕事関数（Ｗｆ）より１．３ｅＶ以上イオン化ポテンシャル（Ｉｐ）が大きく、かつ、隣接する光電変換膜４の材料の電子親和力（Ｅａ）と同等のＥａもしくはそれより大きいＥａを持つものが好ましい。この電子受容性有機材料として適用可能な材料については、特開２００９−３２８５４号公報において詳細に説明されているため、説明を省略する。
【００６７】
なお、光電変換膜４で発生した電荷のうち、正孔が上部電極６に移動し、電子が下部電極２に移動するようにバイアス電圧を設定する場合には、電子ブロッキング膜３と正孔ブロッキング膜５の位置を逆にすればよい。また、電子ブロッキング膜３と正孔ブロッキング膜５は両方設けなくてもよく、いずれかを設けておけば、ある程度の暗電流抑制効果を得ることができる。
【００６８】
各画素部の下部電極２下方の基板１の表面には信号出力部１４が形成されている。
【００６９】
図２には、信号出力部１４の構成が概略的に示されている。
【００７０】
下部電極２に対応して、下部電極２に移動した電荷を蓄積するコンデンサ９と、コンデンサ９に蓄積された電荷を電気信号に変換して出力する電界効果型薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下、単に薄膜トランジスタという場合がある。）１０が形成されている。コンデンサ９および薄膜トランジスタ１０の形成された領域は、平面視において下部電極２と重なる部分を有しており、このような構成とすることで、各画素部における信号出力部１４とセンサ部１３とが厚さ方向で重なりを有することとなる。なお、放射線検出器２０（画素部）の平面積を最小にするために、コンデンサ９および薄膜トランジスタ１０の形成された領域が下部電極２によって完全に覆われていることが望ましい。
【００７１】
コンデンサ９は、基板１と下部電極２との間に設けられた絶縁膜１１を貫通して形成された導電性材料の配線を介して対応する下部電極２と電気的に接続されている。これにより、下部電極２で捕集された電荷をコンデンサ９に移動させることができる。
【００７２】
薄膜トランジスタ１０は、ゲート電極１５、ゲート絶縁膜１６、および活性層（チャネル層）１７が積層され、さらに、活性層１７上にソース電極１８とドレイン電極１９が所定の間隔を開けて形成されている。活性層１７は、例えば、アモルファスシリコンや非晶質酸化物、有機半導体材料、カーボンナノチューブなどにより形成することができる。なお、活性層１７を構成する材料は、これらに限定されるものではない。
【００７３】
活性層１７を構成可能な非晶質酸化物としては、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎのうちの少なくとも１つを含む酸化物（例えばＩｎ−Ｏ系）が好ましく、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎのうちの少なくとも２つを含む酸化物（例えばＩｎ−Ｚｎ−Ｏ系、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ系、Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系）がより好ましく、Ｉｎ、ＧａおよびＺｎを含む酸化物が特に好ましい。Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系非晶質酸化物としては、結晶状態における組成がＩｎＧａＯ３（ＺｎＯ）ｍ（ｍは６未満の自然数）で表される非晶質酸化物が好ましく、特に、ＩｎＧａＺｎＯ４がより好ましい。なお、活性層１７を構成可能な非晶質酸化物は、これらに限定されるものではない。
【００７４】
活性層１７を構成可能な有機半導体材料としては、フタロシアニン化合物や、ペンタセン、バナジルフタロシアニン等を挙げることができるがこれらに限定されるものではない。なお、フタロシアニン化合物の構成については、特開２００９−２１２３８９号公報において詳細に説明されているため説明を省略する。
【００７５】
薄膜トランジスタ１０の活性層１７を非晶質酸化物や有機半導体材料、カーボンナノチューブで形成したものとすれば、Ｘ線等の放射線を吸収せず、あるいは吸収したとしても極めて微量に留まるため、信号出力部１４におけるノイズの発生を効果的に抑制することができる。
【００７６】
また、活性層１７をカーボンナノチューブで形成した場合、薄膜トランジスタ１０のスイッチング速度を高速化することができ、また、可視光域での光の吸収度合の低い薄膜トランジスタ１０を形成できる。なお、カーボンナノチューブで活性層１７を形成する場合、活性層１７に極微量の金属性不純物を混入するだけで、薄膜トランジスタ１０の性能は著しく低下するため、遠心分離などにより極めて高純度のカーボンナノチューブを分離・抽出して形成する必要がある。
【００７７】
ここで、薄膜トランジスタ１０の活性層１７を構成する非晶質酸化物、有機半導体材料、カーボンナノチューブや、光電変換膜４を構成する有機光電変換材料は、いずれも低温での成膜が可能である。従って、基板１としては、半導体基板、石英基板、およびガラス基板等の耐熱性の高い基板に限定されず、プラスチック等の可撓性基板や、アラミド、バイオナノファイバを用いることもできる。具体的には、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリエーテルスルホン、ポリアリレート、ポリイミド、ポリシクロオレフィン、ノルボルネン樹脂、ポリ（クロロトリフルオロエチレン）等の可撓性基板を用いることができる。このようなプラスチック製の可撓性基板を用いれば、軽量化を図ることもでき、例えば持ち運び等に有利となる。
【００７８】
また、基板１には、絶縁性を確保するための絶縁層、水分や酸素の透過を防止するためのガスバリア層、平坦性あるいは電極等との密着性を向上するためのアンダーコート層等を設けてもよい。
【００７９】
一方、アラミドは、２００度以上の高温プロセスを適用できるために透明電極材料を高温硬化させて低抵抗化でき、また、ハンダのリフロー工程を含むドライバＩＣの自動実装にも対応できる。また、アラミドは、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やガラス基板と熱膨張係数が近いため、製造後の反りが少なく、割れにくい。また、アラミドは、ガラス基板等と比べて薄く基板を形成できる。なお、超薄型ガラス基板とアラミドを積層して基板を形成してもよい。
【００８０】
また、バイオナノファイバは、バクテリア（酢酸菌、Acetobacter Xylinum）が産出するセルロースミクロフィブリル束（バクテリアセルロース）と透明樹脂との複合したものである。セルロースミクロフィブリル束は、幅５０ｎｍと可視光波長に対して１／１０のサイズで、かつ高強度、高弾性、低熱膨張である。バクテリアセルロースにアクリル樹脂、エポキシ樹脂等の透明樹脂を含浸・硬化させることで、繊維を６０〜７０％も含有しながら、波長５００ｎｍで約９０％の光透過率を示すバイオナノファイバが得られる。バイオナノファイバは、シリコン結晶に匹敵する低い熱膨張係数（３〜７ｐｐｍ）を有し、鋼鉄並の強度（４６０ＭＰａ）、高弾性（３０ＧＰａ）で、かつフレキシブルであることから、ガラス基板等と比べて薄く基板１を形成できる。
【００８１】
本実施の形態では、基板１上に、信号出力部１４、センサ部１３、透明絶縁膜７を順に形成することによりＴＦＴ基板３０を形成し、当該ＴＦＴ基板３０上に光吸収性の低い接着樹脂等を用いてシンチレータ８を貼り付けることにより放射線検出器２０を形成している。
【００８２】
図３に示すように、ＴＦＴ基板３０には、上述したセンサ部１３、コンデンサ９、および薄膜トランジスタ１０を含んで構成される画素３２が一定方向（図３の行方向）、および当該一定方向に対する交差方向（図３の列方向）に２次元状に複数設けられている。
【００８３】
また、放射線検出器２０には、上記一定方向（行方向）に延設され、各薄膜トランジスタ１０をオン・オフさせるための複数本のゲート配線３４と、上記交差方向（列方向）に延設され、オン状態の薄膜トランジスタ１０を介して電荷を読み出すための複数本のデータ配線３６と、が設けられている。
【００８４】
放射線検出器２０は、平板状で、かつ平面視において外縁に４辺を有する四辺形状、より具体的には、矩形状に形成されている。
【００８５】
次に、この放射線検出器２０を内蔵し、放射線画像を撮影する可搬型の放射線画像撮影装置（以下、電子カセッテという。）４０の構成について説明する。
【００８６】
図４には、本実施の形態に係る電子カセッテ４０の構成を示す斜視図が示されている。
【００８７】
同図に示すように、本実施の形態に係る電子カセッテ４０は、放射線を透過させる材料からなる平板状の筐体４１を備えており、防水性、密閉性を有する構造とされている。筐体４１の内部には、種々の部品を収容する空間（外部空間）Ａが形成されており、当該空間内には、放射線Ｘが照射される筐体４１の照射面側から、被写体を透過した放射線Ｘを検出する放射線検出器２０、および放射線Ｘのバック散乱線を吸収する鉛板４３が順に配設されている。
【００８８】
ここで、本実施の形態に係る電子カセッテ４０では、筐体４１の平板状の一方の面の放射線検出器２０の配設位置に対応する領域が放射線を検出可能な四辺形状の撮影領域４１Ａとされている。この筐体４１の撮影領域４１Ａを有する面が電子カセッテ４０における天板４１Ｂとされており、本実施の形態に係る電子カセッテ４０では、図５に示すように、放射線検出器２０が、ＴＦＴ基板３０が天板４１Ｂ側となるように配置され、当該天板４１Ｂの筐体４１における内側の面（天板４１Ｂの放射線が入射される面の反対側の面）に貼り付けられている。
【００８９】
ところで、本実施の形態に係る電子カセッテ４０は、放射線検出器２０の放射線入射方向に対する歪みに起因して生じる、撮影によって得られた画像情報により示される放射線画像の歪みを補正する画像補正機能を有している。このため、本実施の形態に係る電子カセッテ４０では、放射線検出器２０のシンチレータ８の下面側の中央部に当該放射線検出器２０の歪み量を検出するための歪みゲージ４６が接着されている。
【００９０】
また、筐体４１の内部の一端側には、放射線検出器２０と重ならない位置（撮影領域４１Ａの範囲外）に、後述するカセッテ制御部５８や電源部７０（共に図９参照。）を収容するケース４２が配置されている。
【００９１】
筐体４１は、電子カセッテ４０全体の軽量化を図るために、例えば、カーボンファイバ（炭素繊維）、アルミニウム、マグネシウム、バイオナノファイバ（セルロースミクロフィブリル）、または複合材料等で構成されている。
【００９２】
複合材料としては、例えば、強化繊維樹脂を含む材料が用いられ、強化繊維樹脂には、カーボンやセルロース等が含まれる。具体的には、複合材料としては、炭素繊維強化プラスチック（ＣＦＲＰ）や、発泡材をＣＦＲＰでサンドイッチした構造のもの、または発泡材の表面にＣＦＲＰをコーティングしたもの等が用いられる。なお、本実施の形態では、発泡材をＣＦＲＰでサンドイッチした構造のものが用いられている。これにより、筐体４１をカーボン単体で構成した場合と比較して、筐体４１の強度（剛性）を高めることができる。
【００９３】
一方、筐体４１の内部には、天板４１Ｂと対向する背面部４１Ｃの内面に支持体４４が配置され、支持体４４および天板４１Ｂの間には、放射線検出器２０および鉛板４３が放射線Ｘの照射方向にこの順で並んで配置されている。
【００９４】
支持体４４は、軽量化の観点、寸法偏差を吸収する観点から、例えば、発泡材で構成されており、鉛板４３を支持する。
【００９５】
図５〜図７に示すように、天板４１Ｂの内面には、放射線検出器２０のＴＦＴ基板３０を剥離可能に接着する接着部材８０が設けられている。接着部材８０としては、例えば、両面テープが用いられる。この場合、両面テープは、一方の接着面の接着力が他方の接着面の接着力よりも強くなるように形成されている。
【００９６】
具体的には、接着力の弱い面（弱接着面）は、１８０°ピール接着力で１．０Ｎ／ｃｍ以下に設定されている。そして、接着力の強い面（強接着面）が天板４１Ｂに接し、弱接着面がＴＦＴ基板３０に接する。これにより、ねじ等の固定部材等によって放射線検出器２０を天板４１Ｂに固定する場合と比べて電子カセッテ４０の厚みを薄くすることができる。また、衝撃や荷重で天板４１Ｂが変形しても、放射線検出器２０は剛性の高い天板４１Ｂの変形に追従するため、大きな曲率（緩やかな曲がり）しか発生せず、局所的な低曲率で放射線検出器２０が破損する可能性が低くなる。さらに、放射線検出器２０が天板４１Ｂの剛性の向上に寄与する。また、前記両面テープは、ＴＦＴ基板３０および天板４１Ｂと接する面以外の面にも接着力を有する。
【００９７】
また、図６に示すように、接着部材８０は、帯状に形成された状態で筐体４１の側壁に沿って配置されている。これにより、ＴＦＴ基板３０を天板４１Ｂに接着した状態で、ＴＦＴ基板３０および天板４１Ｂの間に内部空間Ｂが形成される（図５も参照。）。
【００９８】
図７に示すように、接着部材８０には、天板４１Ｂの角部に対応する部位に内部空間Ｂと外部空間Ａを連通する通気手段としての連通路８２が形成されている。連通路８２は、曲がっており、詳細には、４つの角部８４を有している。つまり、連通路８２は、折り曲げられるようにして形成されたラビリンス構造を有している。なお、連通路８２の折り曲げられた部位（角部８４）の折り曲げ角度は、任意に設定することができ、弓なりに曲がっていてもよい。また、連通路８２の通路幅ｄは、空気が流通できる程度の範囲内において、できる限り狭く設定されている。ただし、連通路８２の通路幅ｄは、任意に設定してよい。
【００９９】
このように、本実施の形態に係る電子カセッテ４０では、放射線検出器２０を筐体４１の天板４１Ｂの内部に貼り付けているため、筐体４１が、天板４１Ｂ側と背面部４１Ｃ側とで２つに分離可能とされており、放射線検出器２０を天板４１Ｂに貼り付けたり、放射線検出器２０を天板４１Ｂから剥離したりする際には、筐体４１を天板４１Ｂ側と背面部４１Ｃ側とで２つに分離した状態とされる。
【０１００】
なお、本実施の形態では、放射線検出器２０の天板４１Ｂへの接着をクリーンルーム等で行わなくてもよい。なぜなら、放射線検出器２０および天板４１Ｂの間に放射線を吸収する金属片等の異物が混入した場合に、放射線検出器２０を天板４１Ｂから剥離して当該異物を除去できるからである。
【０１０１】
ところで、放射線検出器２０を直接把持するようにして天板４１Ｂから放射線検出器２０を剥離する場合、筐体４１の側壁が邪魔になる。そのため、図８に示すように、放射線検出器２０のＴＦＴ基板３０に耳８６を設けてもよい。これにより、作業者は、耳８６を把持した状態で放射線検出器２０を天板４１Ｂから容易に剥離することができる。なお、耳８６は、ＴＦＴ基板３０に固定されていてもよいし、ＴＦＴ基板３０に着脱可能であってもよい。後者の場合、放射線画像の撮影時に耳８６が邪魔になる懸念を排除することができる。
【０１０２】
一方、図９には、本実施の形態に係る電子カセッテ４０の電気系の要部構成を示すブロック図が示されている。
【０１０３】
放射線検出器２０は、隣り合う２辺の一辺側にゲート線ドライバ５２が配置され、他辺側に信号処理部５４が配置されている。ＴＦＴ基板３０の個々のゲート配線３４はゲート線ドライバ５２に接続され、ＴＦＴ基板３０の個々のデータ配線３６は信号処理部５４に接続されている。
【０１０４】
また、筐体４１の内部には、画像メモリ５６と、カセッテ制御部５８と、無線通信部６０と、を備えている。
【０１０５】
ＴＦＴ基板３０の各薄膜トランジスタ１０は、ゲート線ドライバ５２からゲート配線３４を介して供給される信号により行単位で順にオンされ、オン状態とされた薄膜トランジスタ１０によって読み出された電荷は、電気信号としてデータ配線３６を伝送されて信号処理部５４に入力される。これにより、電荷は行単位で順に読み出され、二次元状の放射線画像が取得可能となる。
【０１０６】
図示は省略するが、信号処理部５４は、個々のデータ配線３６毎に、入力される電気信号を増幅する増幅回路およびサンプルホールド回路を備えており、個々のデータ配線３６を伝送された電気信号は増幅回路で増幅された後にサンプルホールド回路に保持される。また、サンプルホールド回路の出力側にはマルチプレクサ、Ａ／Ｄ（アナログ／デジタル）変換器が順に接続されており、個々のサンプルホールド回路に保持された電気信号はマルチプレクサに順に（シリアルに）入力され、Ａ／Ｄ変換器によってデジタルの画像データへ変換される。
【０１０７】
信号処理部５４には画像メモリ５６が接続されており、信号処理部５４のＡ／Ｄ変換器から出力された画像データは画像メモリ５６に順に記憶される。画像メモリ５６は所定枚分の画像データを記憶可能な記憶容量を有しており、放射線画像の撮影が行われる毎に、撮影によって得られた画像データが画像メモリ５６に順次記憶される。
【０１０８】
画像メモリ５６はカセッテ制御部５８と接続されている。カセッテ制御部５８はマイクロコンピュータを含んで構成され、ＣＰＵ（中央処理装置）５８Ａ、ＲＯＭ（Read Only Memory）およびＲＡＭ（Random Access Memory）を含むメモリ５８Ｂ、フラッシュメモリ等からなる不揮発性の記憶部５８Ｃを備えており、電子カセッテ４０全体の動作を制御する。
【０１０９】
また、カセッテ制御部５８には、歪みゲージ４６が接続され、当該歪みゲージ４６における抵抗が組み込まれたホイートストーン・ブリッジを有し、当該ホイートストーン・ブリッジを用いて歪みゲージ４６の配設部位における放射線検出器２０の歪み量を測定する歪み測定部５８Ｄが備えられており、カセッテ制御部５８は、歪みゲージ４６の抵抗値の変化量に基づいて、放射線検出器２０の平面視中央部の歪み量を把握することができる。
【０１１０】
さらに、カセッテ制御部５８には無線通信部６０が接続されている。無線通信部６０は、ＩＥＥＥ（Institute of Electrical and Electronics Engineers）８０２．１１ａ／ｂ／ｇ等に代表される無線ＬＡＮ（Local Area Network）規格に対応しており、無線通信による外部機器との間での各種情報の伝送を制御する。カセッテ制御部５８は、無線通信部６０を介して、放射線画像の撮影に関する制御を行うコンソールなどの外部装置と無線通信が可能とされており、コンソール等との間で各種情報の送受信が可能とされている。
【０１１１】
また、電子カセッテ４０には電源部７０が設けられており、上述した各種回路や各素子（ゲート線ドライバ５２、信号処理部５４、画像メモリ５６、無線通信部６０、カセッテ制御部５８として機能するマイクロコンピュータ）は、電源部７０から供給された電力によって作動する。電源部７０は、電子カセッテ４０の可搬性を損なわないように、バッテリ（充電可能な二次電池）を内蔵しており、充電されたバッテリから各種回路・素子へ電力を供給する。なお、図９では、電源部７０と各種回路や各素子を接続する配線を省略している。
【０１１２】
ところで、前述したように、本実施の形態に係る電子カセッテ４０は、放射線検出器２０の放射線入射方向に対する歪みに起因する、撮影によって得られた画像情報により示される放射線画像の歪みを補正する画像補正機能を有している。このため、本実施の形態に係る電子カセッテ４０では、メモリ５８ＢのＲＯＭに一例として図１０に示す変換情報が予め記憶されている。
【０１１３】
同図に示すように、本実施の形態に係る変換情報は、歪みゲージ４６および歪み測定部５８Ｄにより測定される放射線検出器２０の平面視中央部の予め定められた歪み量毎に、変換前座標および変換後座標により構成される変換テーブルが記憶されて構成されている。
【０１１４】
ここで、上記変換テーブルは、放射線検出器２０の平面視中央部の歪み量が、対応する歪み量である場合に、上記画像情報を構成する各画素データの位置座標を、変換前座標から変換後座標に置き換えることにより、上記歪み量が０（零）である場合の位置座標に変換することができるものとして予め導出されたものである。
【０１１５】
なお、本実施の形態に係る電子カセッテ４０では、画像補正機能により画像補正を行う上記歪み量の下限値（本実施の形態では、３ｍｍ）が予め定められており、上記変換情報には、当該下限値以上で、かつ予め定められた刻み幅の歪み量毎の変換テーブルが記憶されている。
【０１１６】
次に、本実施の形態に係る電子カセッテ４０の作用を説明する。
【０１１７】
本実施の形態に係る電子カセッテ４０は、放射線画像の撮影を行う場合、天板４１Ｂを上とし、図５に示すように、放射線Ｘを発生する放射線発生装置７２と間隔を空けて配置され、撮影領域上に患者の撮影対象部位Ｃが配置される。放射線発生装置７２は予め与えられた撮影条件等に応じた放射線量の放射線Ｘを射出する。放射線発生装置７２から射出された放射線Ｘは、撮影対象部位Ｃを透過することで画像情報を担持した後に電子カセッテ４０に照射される。
【０１１８】
放射線発生装置７２から照射された放射線Ｘは、撮影対象部位Ｃを透過した後に電子カセッテ４０に到達する。これにより、電子カセッテ４０に内蔵された放射線検出器２０の各センサ部１３には照射された放射線Ｘの線量に応じた電荷が発生し、コンデンサ９にはセンサ部１３で発生した電荷が蓄積される。
【０１１９】
カセッテ制御部５８は、放射線Ｘの照射終了後に、ゲート線ドライバ５２を制御し、ゲート線ドライバ５２から放射線検出器２０の各ゲート配線３４に１ラインずつ順にオン信号を出力させて画像情報の読み出しを行う。放射線検出器２０から読み出された画像情報は、画像メモリ５６に記憶される。
【０１２０】
次に、図１１を参照して、撮影によって得られた画像情報をコンソールに送信する際の電子カセッテ４０の作用を説明する。なお、図１１は、画像メモリ５６に１画像分の画像情報が記憶されるたびにカセッテ制御部５８により実行される画像送信処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートであり、当該プログラムはメモリ５８ＢのＲＯＭに予め記憶されている。
【０１２１】
同図のステップ１００では、画像メモリ５６に記憶されている画像情報を読み出し、次のステップ１０２では、この時点の放射線検出器２０の平面視中央部の歪み量を歪み測定部５８Ｄにより測定する。
【０１２２】
次のステップ１０４では、上記ステップ１０２の処理によって測定した歪み量が上記下限値（本実施の形態では、３ｍｍ）以上であるか否かを判定することにより、上記画像補正機能による画像補正が必要か否かを判定し、否定判定となった場合は後述するステップ１０８に移行する一方、肯定判定となった場合にはステップ１０６に移行する。
【０１２３】
ステップ１０６では、上記ステップ１０２の処理によって測定した歪み量に対応する変換テーブルを変換情報（図１０も参照。）から読み出し、読み出した変換テーブルを用いて、上記ステップ１００の処理によって読み出した画像情報の画素毎の座標位置を変換することにより、上記画像補正機能による画像補正を実行した後、ステップ１０８に移行する。
【０１２４】
ステップ１０８では、以上の処理によって得られた画像情報を、無線通信部６０を介してコンソールに送信し、その後に本画像送信処理プログラムを終了する。
【０１２５】
ところで、本実施の形態に係る電子カセッテ４０は、図５に示すように、放射線検出器２０がＴＦＴ基板３０側から放射線Ｘが照射されるように内蔵されている。
【０１２６】
ここで、放射線検出器２０は、図１２に示すように、シンチレータ８が形成された表側から放射線が照射（「表面照射」、「裏面読取方式」（所謂ＰＳＳ（Penetration Side Sampling）方式）ともいう。）された場合、シンチレータ８の同図上面側（ＴＦＴ基板３０の反対側）でより強く発光し、ＴＦＴ基板３０側（裏側）から放射線が照射（「裏面照射」、「表面読取方式」（所謂ＩＳＳ（Irradiation Side Sampling）方式））ともいう。）された場合、ＴＦＴ基板３０を透過した放射線がシンチレータ８に入射してシンチレータ８のＴＦＴ基板３０側がより強く発光する。ＴＦＴ基板３０に設けられた各センサ部１３には、シンチレータ８で発生した光により電荷が発生する。このため、放射線検出器２０は、裏側から放射線が照射された場合の方が表側から放射線が照射された場合よりもＴＦＴ基板３０に対するシンチレータ８の発光位置が近いため、撮影によって得られる放射線画像の分解能が高い。
【０１２７】
また、放射線検出器２０は、光電変換膜４を有機光電変換材料により構成しており、光電変換膜４で放射線がほとんど吸収されない。このため、本実施の形態に係る放射線検出器２０は、裏面照射により放射線がＴＦＴ基板３０を透過する場合でも光電変換膜４による放射線の吸収量が少ないため、放射線に対する感度の低下を抑えることができる。裏面照射では、放射線がＴＦＴ基板３０を透過してシンチレータ８に到達するが、このように、ＴＦＴ基板３０の光電変換膜４を有機光電変換材料により構成した場合、光電変換膜４での放射線の吸収が殆どなく放射線の減衰を少なく抑えることができるため、裏面照射に適している。
【０１２８】
また、薄膜トランジスタ１０の活性層１７を構成する非晶質酸化物や光電変換膜４を構成する有機光電変換材料は、いずれも低温での成膜が可能である。このため、基板１を放射線の吸収が少ないプラスチック樹脂、アラミド、バイオナノファイバで形成することができる。このように形成された基板１は放射線の吸収量が少ないため、裏面照射により放射線がＴＦＴ基板３０を透過する場合でも、放射線に対する感度の低下を抑えることができる。
【０１２９】
また、本実施の形態によれば、図５に示すように、放射線検出器２０をＴＦＴ基板３０が天板４１Ｂ側となるように筐体４１内の天板４１Ｂに貼り付けているが、基板１を剛性の高いプラスチック樹脂、アラミド、バイオナノファイバで形成した場合、放射線検出器２０自体の剛性が高いため、筐体４１の天板４１Ｂを薄く形成することができる。また、基板１を剛性の高いプラスチック樹脂やアラミド、バイオナノファイバで形成した場合、放射線検出器２０自体が可撓性を有するため、撮影領域４１Ａに衝撃が加わった場合でも放射線検出器２０が破損しづらい。
【０１３０】
以上詳細に説明したように、本実施の形態では、放射線が照射されることにより光を発生するシンチレータ８、当該シンチレータ８で発生した光を受光することにより電荷が発生する有機光電変換材料を含んで構成されたセンサ部１３、および当該センサ部１３で発生された電荷を読み出すための薄膜トランジスタ１０が形成された基板１を有する放射線検出器２０が、被写体を透過した放射線Ｘが透過する透過面を有する天板４１Ｂの前記放射線が入射される面の反対側の面に直接的に取り付けられているので、薄型化や軽量化を図りつつ、耐衝撃性を向上させることができる。
【０１３１】
また、本実施の形態では、放射線画像の撮影時における放射線検出器２０の湾曲の度合いを計測し、当該計測結果に応じて、放射線検出器２０によって得られた画像情報により示される放射線画像の歪みを補正しているので、放射線検出器２０が湾曲した場合であっても、当該湾曲に起因する放射線画像の歪みを抑制することができる。
【０１３２】
また、本実施の形態では、天板４１Ｂが放射線検出器２０を収容する筐体４１の一部を構成しているので、天板を筐体とは別に構成する場合に比較して、より簡易に天板を構成することができる。
【０１３３】
また、本実施の形態では、ＴＦＴ基板３０および天板４１Ｂの間に内部空間Ｂが形成されているので、放射線検出器２０の天板４１Ｂへの接着時に、ＴＦＴ基板３０および天板４１Ｂに対する接着部材８０の接着面に空気が残存していても、その残存していた空気を内部空間Ｂに逃がすことができる。また、内部空間Ｂと外部空間Ａを連通する連通路８２が接着部材８０に形成されているので、外部空間Ａの気圧が変化した場合でも、内部空間Ｂの圧力と外部空間Ａの気圧とを一定に保つことができる。これにより、気圧変化によって天板４１Ｂに対するＴＦＴ基板３０の接着性が低下することを防止することができる。
【０１３４】
また、本実施の形態では、連通路８２が角部８４を有している。そのため、外部空間Ａから連通路８２に空気と共に空気よりも質量の大きい異物が流入した場合でも、角部８４を流通する空気の流れに前記異物が追従することができないので、前記異物が内部空間Ｂに混入することを防止することができる。これにより、放射線画像の品質低下に繋がる異物混入を抑えることができる。
【０１３５】
さらに、連通路８２が接着部材８０に形成され、接着部材８０がその全面に接着力を有しているので、角部８４において、空気に追従できなかった異物が連通路８２の壁面に付着し易くなる。従って、前記異物を連通路８２内で確実に捕捉することができる。よって、内部空間Ｂへの異物の混入をより一層確実に防止することができる。
【０１３６】
また、本実施の形態によれば、連通路８２の通路幅ｄを空気が流通できる範囲内において、できる限り狭く設定されているので、比較的小さな金属粉等の異物の混入に対応することができる。なお、想定される異物の大きさに応じて連通路８２の通路幅ｄを設定すると、効率的に異物の混入を防止することができる。
【０１３７】
ところで、一般的に、シンチレータ８はＴＦＴ基板３０よりも脆弱である。そのため、シンチレータ８を天板４１Ｂに接着部材８０にて接着した場合、放射線検出器２０を剥離するときにシンチレータ８が破損するおそれがある。しかしながら、本実施の形態では、接着部材８０にてＴＦＴ基板３０を天板４１Ｂに接着しているので、放射線検出器２０を剥離するときにシンチレータ８が破損する懸念を排除することができる。
【０１３８】
また、撮影環境によっては、天板４１Ｂに被写体（患者）を乗せた状態で撮影を行うことがある。この場合、天板４１Ｂに傷が付き易い。そして、天板４１Ｂに傷が付いた場合、当該傷が固定パターンノイズとして放射線画像に表示されることがあるため、筐体４１を交換することが望ましい。しかしながら、天板４１Ｂに放射線検出器２０を剥離不能に貼り付けた場合、筐体４１を交換するときに、高価な放射線検出器２０も一緒に交換する必要がありコストが掛かるといった問題が生じていた。本実施の形態によれば、放射線検出器２０を天板４１Ｂに対して剥離可能に接着しているので、効率的に筐体４１の交換を行うことができる。
【０１３９】
なお、本実施の形態は、上述した構成に限定されない。一例として図１３に示すように、連通路９０は、角部９２を１つだけ有していてもよい。これにより、接着部材８０に連通路９０を容易に形成することができる。
【０１４０】
また、天板４１Ｂから放射線検出器２０を剥離するときに、有機溶剤等を接着部材に流し込み、接着部材８０の接着性を弱くした上で放射線検出器２０を剥離してもよい。この場合、接着部材８０が角部を有しているので、前記有機溶剤が接着部材８０にしみ込み易くなる。
【０１４１】
［第２の実施の形態］
次に、第２の実施の形態に係る電子カセッテ４０について図１４を参照しながら説明する。なお、第２の実施の形態は、上記第１の実施の形態と共通する構成には同一の参照符号を付し、重複する説明を省略する。
【０１４２】
図１４に示すように、本実施の形態では、連通路９４の構成が第１の実施の形態と異なると共に、フィルタ部材９６が追加されている。具体的には、連通路９４は、第１の実施の形態の角部９２が省略されている。そして、フィルタ部材９６は、連通路９４の外部空間Ａ側の開口部を塞ぐようにして天板４１Ｂの内面に貼り付けられている。また、フィルタ部材９６には、外部空間Ａと連通路９４との間の空気の流れを許可し、かつ外部空間Ａから連通路９４への異物の混入を阻止できる程度の微細な孔が形成されている。そして、これにより、第２の実施の形態は、第１の実施の形態と同等の効果を奏する。なお、本実施の形態においては、連通路９４およびフィルタ部材９６が通気手段に相当する。
【０１４３】
［第３の実施の形態］
次に、第３の実施の形態に係る電子カセッテ４０について図１５を参照しながら説明する。なお、第３の実施の形態は、第１の実施の形態と共通する構成には同一の参照符号を付し、重複する説明を省略する。
【０１４４】
図１５に示すように、本実施の形態では、各連通路８２の外部空間Ａ側の開口部を塞ぐようにして天板４１Ｂの内面にフィルタ部材９８が貼り付けられている。そして、フィルタ部材９８には、外部空間Ａと連通路８２との間の空気の流れを許可し、かつ外部空間Ａから連通路８２への異物の混入を阻止できる程度の微細な孔が形成されている。これにより、連通路８２に混入する異物を抑制することができるので、内部空間Ｂへの異物の混入の抑制効果をさらに高めることができる。なお、本実施の形態においては、連通路８２およびフィルタ部材９８が通気手段に相当する。
【０１４５】
［第４の実施の形態］
次に、第４の実施の形態に係る電子カセッテ４０について図１６を参照しながら説明する。なお、第４の実施の形態は、第１の実施の形態と共通する構成には同一の参照符号を付し、重複する説明を省略する。また、本実施の形態は、第２および第３の実施の形態に対しても適用することができる。図１６は、理解を容易にするために、筐体内部において、放射線検出器以外の部品の図示を省略している。
【０１４６】
図１６に示すように、本実施の形態では、放射線検出器２０’の構成が第１の実施の形態と異なる。具体的には、放射線検出器２０’は、シンチレータ８’を挟んでＴＦＴ基板３０’の反対側に位置し、かつシンチレータ８’に接触する接触部材８８と、接触部材８８をＴＦＴ基板３０’側に押し付け可能な押付部材８９とをさらに有している。押付部材８９としては、ねじ等を用いることができる。この場合、背面部４１Ｃ側からＴＦＴ基板３０’にねじを締付けることによって、接触部材８８をＴＦＴ基板３０’側に押し付けることができる。なお、ＴＦＴ基板３０’にねじの締付孔を形成することが難しい場合には、ＴＦＴ基板３０’にナット等を取り付けてもよい。
【０１４７】
本実施の形態によれば、押付部材８９にて接触部材８８をＴＦＴ基板３０’側に押し付けた場合、シンチレータ８’がＴＦＴ基板３０’および接触部材８８に狭持されるので、ＴＦＴ基板３０’、シンチレータ８’、および接触部材８８が一体となる。これにより、接着部材等によってシンチレータ８’をＴＦＴ基板３０’に接着させた場合と比べて放射線検出器２０’の強度（剛性）を向上させることができる。また、接触部材８８の押し付けを解除した場合、シンチレータ８’およびＴＦＴ基板３０’が分離される。これにより、シンチレータ８’およびＴＦＴ基板３０’のいずれか一方が故障した場合に、いずれか他方を再利用することができる。さらに、接着部材等を用いてシンチレータ８’をＴＦＴ基板３０’に接着していないので、シンチレータ８’をＴＦＴ基板３０’から取り外すときに、シンチレータ８’が破損することもない。
【０１４８】
本発明は、上述した第１〜第４の実施の形態に限定されず、種々の形態で実施することができる。例えば、接着部材として、接着剤を利用してもよい。この場合、接着剤としては、外的要因が作用することにより接着力が変化する接着剤が用いられる。外的要因とは、例えば、光や熱等の物理的なものや、薬剤などの化学的なものがある。このような接着剤としては、例えば、熱可塑性接着剤、通電加熱可塑性接着剤、紫外線可塑性接着剤、または吸水可塑性接着剤等の解体型接着剤を用いることができる。
【０１４９】
これにより、接着部材の接着力を変化させることができるので、例えば、放射線検出器を天板から剥離する場合に接着部材の接着力を低下させたり、放射線検出器を天板に接着する場合に接着部材の接着力を上昇させたりすることができる。よって、放射線検出器の天板からの剥離時に放射線検出器が破損したり、天板に接着されている放射線検出器が剥離したりする懸念を排除することができる。なお、接着部材は、前記接着剤と両面テープを組み合わせたものでもよい。
【０１５０】
また、本発明は、ＴＦＴ基板を接着部材にて天板の内面に接着させる例に限定されない。例えば、上述した放射線検出器のＴＦＴ基板とシンチレータの位置を入れ替えて、シンチレータを接着部材にて天板の内面に接着させてもよい。
【０１５１】
さらに、本発明は、放射線検出器を天板の内面に接着する形態に限らない。例えば、本発明は、天板と放射線検出器の間に中間部材を配設して、前記中間部材に前記放射線検出器を接着させてもよい。
【０１５２】
図１７に示すように、筐体４１’は、天板４１Ｂ’を板状に形成すると共に、天板４１Ｂ’を除く部分筐体４１Ｄを断面コ字状に形成してもよい。なお、図１７は、筐体４１’内部に収容される部品の図示を省略している。この場合、天板４１Ｂ’は、ＣＦＲＰ等の繊維強化樹脂等で構成され、部分筐体４１Ｄは、天板４１Ｂ’と材質の異なる樹脂や金属等で構成される。
【０１５３】
さらに、本発明の筐体は、種々の材質で構成してよい。例えば、図１８に示すように、筐体４１’’は、複数の炭素繊維シートを積層するようにして構成してよい。この場合、荷重が集中的に生じる箇所に対して炭素繊維シートの積層数を増加して、荷重が集中的に生じない箇所に比べて補強することが可能である。
【０１５４】
また、図１９に示すように、筐体４１’’’は、複数のハニカム構造体９９Ａをカバー部材９９Ｂで挟み込むようにして構成してもよい。この場合、カバー部材９９Ｂは、ＣＦＲＰで形成され、ハニカム構造体９９Ａは、例えば、アラミド材や発泡材で形成されている。発泡材としては、発泡スチロール、アクリル発泡体、塩ビ発泡体、発泡シリコン、ポリウレタン発泡体等が用いられる。ただし、発泡材として、アクリル発泡体である発泡ポリプロピレンを用いた場合、他の発泡材を利用した場合よりもコストを低く抑えることができる。
【０１５５】
また、本発明に係る放射線画像撮影装置は、所定の位置に固定されている放射線画像撮影装置として用いられてもよい。
【０１５６】
また、上記各実施の形態では、画像補正機能における画像補正処理を、変換テーブルを用いて実行する場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、変換前座標を代入することにより変換後座標を得ることのできる演算式を予め導出しておき、当該演算式を用いて画像補正処理を実行する形態としてもよい。
【０１５７】
さらに、上記各実施の形態では、電子カセッテ４０の筐体４１の内部にカセッテ制御部５８や電源部７０を収容するケース４２と放射線検出器２０とを重ならないように配置した場合について説明したが、これに限定されるものではない。例えば、放射線検出器２０とカセッテ制御部５８や電源部７０を重なるように配置してもよい。
【０１５８】
また、放射線検出器２０のセンサ部１３として、光電変換膜４を、有機光電変換材料を含む材料で構成した有機ＣＭＯＳセンサを用いてもよく、放射線検出器２０のＴＦＴ基板３０として、薄膜トランジスタ１０としての有機材料を含む有機トランジスタを、可撓性を有するシート上にアレイ状に配列した有機ＴＦＴアレイ・シートを用いてもよい。上記の有機ＣＭＯＳセンサは、例えば、特開２００９−２１２３７７号公報に開示されている。また、上記の有機ＴＦＴアレイ・シートは、例えば「日本経済新聞、“東京大学、「ウルトラフレキシブル」な有機トランジスタを開発”、[online]、[平成２３年５月８日検索]、インターネット＜ＵＲＬ：http://www.nikkei.com/tech/trend/article/g=96958A9C93819499E2EAE2E0E48DE2EAE3E3E0E2E3E2E2E2E2E2E2E2;p=9694E0E7E2E6E0E2E3E2E2E0E2E0＞」に開示されている。
【０１５９】
放射線検出器２０のセンサ部１３としてＣＭＯＳセンサを用いる場合、高速に光電変換を行うことができる利点や、基板を薄くすることができる結果、ＩＳＳ方式を採用した場合に放射線の吸収を抑制することができると共に、マンモグラフィによる撮影にも好適に適用することができる利点がある。
【０１６０】
これに対し、放射線検出器２０のセンサ部１３としてＣＭＯＳセンサを用いる場合の欠点として、結晶シリコン基板を用いた場合において放射線に対する耐性が低いことが挙げられる。このため、従来は、センサ部とＴＦＴ基板との間にＦＯＰ（ファイバ光学プレート）を設ける等といった対策を行う技術もあった。
【０１６１】
この欠点を踏まえて、放射線に対する耐性の高い半導体基板として、ＳｉＣ（炭化ケイ素）基板を用いる技術が適用できる。ＳｉＣ基板を用いることにより、ＩＳＳ方式として用いることができる利点や、ＳｉＣはＳｉと比較して内部抵抗が小さく、発熱量が少ないため、動画撮影を行う際の発熱量の抑制、ＣｓＩの温度上昇に伴う感度低下を抑制することができる利点がある。
【０１６２】
このように、ＳｉＣ基板等の放射線に対する耐性が高い基板は一般にワイドキャップ（〜３ｅＶ程度）なので、一例として図２０に示すように、吸収端が青領域に対応する４４０ｎｍ程度である。よって、この場合は、緑領域で発光するＣｓＩ：Ｔｌや、ＧＯＳ等のシンチレータを用いることができない。
【０１６３】
これに対し、アモルファスシリコンの感度特性から、これらの緑領域で発光するシンチレータの研究が盛んに行われてきたため、当該シンチレータを用いることの要望が高い。このため、光電変換膜４を緑領域での発光を吸収する有機光電変換材料を含む材料で構成することにより、緑領域で発光するシンチレータを用いることができる。
【０１６４】
光電変換膜４を、有機光電変換材料を含む材料により構成し、薄膜トランジスタ１０を、ＳｉＣ基板を用いて構成した場合、光電変換膜４と薄膜トランジスタ１０との感度波長領域が異なるので、シンチレータによる発光が薄膜トランジスタ１０のノイズとならない。
【０１６５】
また、光電変換膜４として、ＳｉＣと有機光電変換材料を含む材料とを積層させれば、ＣｓＩ：Ｎａのような、主として青領域の発光を受光することに加えて、緑領域の発光も受光することができる結果、感度の向上に繋がる。また、有機光電変換材料は放射線の吸収が殆どないため、ＩＳＳ方式に好適に用いることができる。
【０１６６】
なお、ＳｉＣが放射線に対する耐性が高いのは、放射線が当たっても原子核が弾き飛ばされにくいためであり、この点は、例えば、「日本原子力研究所、“宇宙や原子力分野などの高放射線環境下で長く使える半導体素子を開発”、[online]、[平成２３年５月８日検索]、インターネット＜ＵＲＬ：http://www.jaea.go.jp/jari/jpn/publish/01/ff/ff36/sic.html＞」に開示されている。
【０１６７】
また、ＳｉＣ以外の放射線に対する耐性が高い半導体材料として、Ｃ（ダイヤモンド）、ＢＮ、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＺｎＯ等が挙げられる。これらの軽元素半導体材料が耐放射線性が高いのは、主としてワイドギャップ半導体であるがために電離（電子−正孔対形成）に要するエネルギーが高く、反応断面積が小さいことや、原子間のボンディングが強く、原子変位生成が起こりにくいことに起因する。なお、この点については、例えば、「電子技術総合研究所、“原子力エレクトロニクスの新展開”、[online]、[平成２３年５月８日検索]、インターネット＜ＵＲＬ：http://www.aist.go.jp/ETL/jp/results/bulletin/pdf/62-10to11/kobayashi150.pdf＞」に開示されている。また、ＧａＮの耐放射線性については、例えば、「東北大学、“窒化ガリウム素子の放射線耐性評価”、[online]、[平成２３年５月８日検索]、インターネット＜ＵＲＬ：http://cycgw1.cyric.tohoku.ac.jp/~sakemi/ws2007/ws/pdf/narita.pdf＞」に開示されている。
【０１６８】
なお、ＧａＮは青色ＬＥＤ以外の用途として熱伝導性がよいことと、絶縁耐性が高いことから、パワー系の分野でＩＣ化が研究されている。また、ＺｎＯは、主に青〜紫外線領域で発光するＬＥＤが研究されている。
【０１６９】
ところで、ＳｉＣを用いる場合、バンドギャップＥｇがＳｉの約１．１ｅＶから約２．８ｅＶとなるため、光の吸収波長λが短波長側にシフトする。具体的には、波長λ＝１．２４／Ｅｇ×１０００であるので、４４０ｎｍ程度までの波長に感度が変化する。よって、ＳｉＣを用いる場合、一例として図２１に示すように、シンチレータも緑領域で発光するＣｓＩ：Ｔｌ（ピーク波長：約５６５ｎｍ）よりも青領域で発光するＣｓＩ：Ｎａ（ピーク波長：約４２０ｎｍ）の方が発光波長として適していることになる。蛍光体としては青発光がよいので、ＣｓＩ：Ｎａ（ピーク波長：約４２０ｎｍ）、ＢａＦＸ：Ｅｕ（ＸはＢｒ，Ｉ等のハロゲン、ピーク波長：約３８０ｎｍ）、ＣａＷＯ４（ピーク波長：約４２５ｎｍ）、ＺｎＳ：Ａｇ（ピーク波長：約４５０ｎｍ）、ＬａＯＢｒ：Ｔｂ、Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ等が適している。特に、ＣｓＩ：ＮａとＣＲカセッテ等で用いられているＢａＦＸ：Ｅｕ、スクリーンやフイルム等で用いられているＣａＷＯ４が好適に用いられる。
【０１７０】
一方、放射線に対する耐性が高いＣＭＯＳセンサとして、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）によりＳｉ基板／厚膜ＳｉＯ２／有機光電変換材料の構成を用いてＣＭＯＳセンサを構成してもよい。
【０１７１】
なお、この構成に適用可能な技術としては、例えば、「宇宙航空研究開発機構（ＪＡＸＡ）宇宙科学研究所、“民生用最先端ＳＯＩ技術と宇宙用耐放射線技術の融合により耐放射線性を持つ高機能論理集積回路の開発基盤を世界で初めて構築”、[online]、[平成２３年５月８日検索]、インターネット＜ＵＲＬ：http://www.jaxa.jp/press/2010/11/20101122_soi_j.html＞」が挙げられる。
【０１７２】
なお、ＳＯＩにおいては膜厚ＳＯＩの放射線耐性が高いため、高放射線耐久性素子としては、完全分離型厚膜ＳＯＩ、部分分離型厚膜ＳＯＩ等が例示される。なお、これらのＳＯＩについては、例えば、「特許庁、“ＳＯＩ（Silicon On Insulator）技術に関する特許出願技術動向調査報告”、[online]、[平成２３年５月８日検索]、インターネット＜ＵＲＬ：http://www.jpo.go.jp/shiryou/pdf/gidou-houkoku/soi.pdf＞」に開示されている。
【０１７３】
さらに、放射線検出器２０の薄膜トランジスタ１０等が光透過性を有しない構成（例えば、アモルファスシリコン等の光透過性を有しない材料で活性層１７を形成した構成）であっても、この薄膜トランジスタ１０等を、光透過性を有する基板１（例えば合成樹脂製の可撓性基板）上に配置し、基板１のうち薄膜トランジスタ１０等が形成されていない部分は光が透過するように構成することで、光透過性を有する放射線検出器２０を得ることは可能である。光透過性を有しない構成の薄膜トランジスタ１０等を、光透過性を有する基板１上に配置することは、第１の基板上に作製した微小デバイスブロックを第１の基板から切り離して第２の基板上に配置する技術、具体的には、例えばＦＳＡ（Fluidic Self-Assembly）を適用することで実現できる。上記のＦＳＡは、例えば「富山大学、“微少半導体ブロックの自己整合配置技術の研究”、[online]、[平成２３年５月８日検索]、インターネット＜ＵＲＬ：http://www3.u-toyama.ac.jp/maezawa/Research/FSA.html＞」に開示されている。
【符号の説明】
【０１７４】
１  基板
８、８’  シンチレータ（発光層）
１０  薄膜トランジスタ（スイッチング素子）
１３  センサ部
２０、２０’  放射線検出器
３０、３０’  ＴＦＴ基板（基板）
４０  電子カセッテ
４１、４１’、４１’’、４１’’’  筐体
４１Ａ  撮影領域
４１Ｂ、４１Ｂ’  天板
４１Ｃ  背面部
４６  歪みゲージ（計測手段）
５８  カセッテ制御部（補正手段）
５８Ｄ  歪み測定部（計測手段）
８０  接着部材
８２  連通路
８４  角部
９０  連通路
９２  角部
９４  連通路
９６、９８  フィルタ部材
Ｘ  放射線
【図１】
2012013682.tif 000003
【図２】
2012013682.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2012013682.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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