(57)【要約】【課題】空洞内に位置する可動部を品質良く作動できる電子装置を提供する。【解決手段】基板２上の側壁部２３及び第１封止層３０に覆われた空洞部３３内に位置する可動部７ｂと、空洞部３３内に設置され空洞部３３内の気体を吸着する第１ゲッター部３４及び第２ゲッター部３５と、基板２と対向する場所に位置する第１封止層３０及び第２封止層３２と、を備え、第１封止層３０は第１孔３０ａ及び第２孔３０ｂを有し、第２封止層３２は第１孔３０ａ及び第２孔３０ｂを封止する。【選択図】図１
2012119821.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の被覆部に覆われた空洞部内に位置する可動部と、
前記空洞部内に設置され前記空洞部内の気体を吸着するゲッター部と、
前記基板と対向する場所の前記被覆部に位置する蓋部と、を備え、
前記蓋部は、開口部を有する第１蓋部と前記開口部を封止する第２蓋部とを有することを特徴とする電子装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電子装置であって、
前記開口部は第１孔と、前記可動部との距離が前記第１孔より離れている第２孔と、を有し、前記第１孔の径は前記第２孔の径より小さいことを特徴とする電子装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電子装置であって、
前記空洞部は前記可動部が位置する第１空洞部と、前記第１空洞部と連結し前記可動部が位置しない第２空洞部と、を有し、
前記第２空洞部に位置する前記ゲッター部の体積は前記第１空洞部に位置する前記ゲッター部の体積より大きいことを特徴とする電子装置。
【請求項４】
請求項３に記載の電子装置であって、
前記可動部はカンチレバー型振動子であることを特徴とする電子装置。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の電子装置であって、
前記可動部を用いて波形を形成する発振回路を有することを特徴とする電子装置。
【請求項６】
発振回路を備えた電子機器であって、
前記発振回路に請求項１〜５のいずれか一項に記載の電子装置を用いたことを特徴とする電子機器。
【請求項７】
基板上及び前記基板上に形成された可動部上に層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、
前記可動部を囲むように前記層間絶縁膜を筒状に除去し、除去した場所に側壁部を形成する側壁形成工程と、
前記側壁部と前記側壁部に囲まれた前記層間絶縁膜とに重ねて開口部を有する第１蓋部を形成する蓋部形成工程と、
前記側壁部を取り巻く前記層間絶縁膜上に保護膜を形成する保護膜形成工程と、
前記開口部からエッチング液を流入させて前記基板と前記側壁部と前記第１蓋部とに囲まれた場所の前記層間絶縁膜をエッチングして除去し空洞部を形成する空洞部形成工程と、
前記空洞部にゲッター部を設置するゲッター部形成工程と、
前記開口部を封止する封止工程と、を有することを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の電子装置の製造方法であって、
前記開口部は第１孔と、前記可動部との距離が前記第１孔より離れている第２孔と、を有し、前記第１孔の径は前記第２孔の径より小さいことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の電子装置の製造方法であって、
前記ゲッター部形成工程では前記第２孔の軸方向から前記ゲッター部の材料を飛行させて設置させ、
前記封止工程では前記第２孔の軸方向と交差する方向から封止する材料を飛行させて前記第２孔を封止することを特徴とする電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置、電子機器及び電子装置の製造方法にかかわり、特に、可動部を有する電子装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術を利用して形成された機能素子が基板上に設けられた空洞部に配置された電子装置が知られている。機能素子はマイクロ振動子やマイクロセンサー等であり、微小な構造体が振動や変形等の動作を行う。そして、機能素子が動作し易くするために空洞部内は減圧されている。
【０００３】
空洞部を形成する方法が特許文献１に開示されている。これによると、基板上にＭＥＭＳ構造体を形成し、その上に層間絶縁膜を形成する。その後、貫通孔を有する第１被覆層がＭＥＭＳ構造体の周囲の層間絶縁膜を覆うように形成する。続いて、第１被覆層の貫通孔を通してエッチング液を流動させることにより層間絶縁膜を除去してＭＥＭＳ構造体の可動部を可動可能にする。最後に第１被覆層の貫通孔を第２被覆層で覆うことにより、ＭＥＭＳ構造体の周囲に密閉された空洞が形成される。この方法を用いることにより、薄く微細な空洞部とその内部のＭＥＭＳ構造体とを形成することができる。
【０００４】
密閉空間内にゲッター膜を備えたＭＥＭＳデバイスが特許文献２に開示されている。凹部が形成された基板とゲッター膜が形成された基板とを接合する。これにより、凹部が密閉空間となり密閉空間にゲッター膜が配置される。そして、密閉空間にＭＥＭＳデバイスが配置される。ゲッター膜は密閉空間に放出されるガスや残留ガスを吸収してＭＥＭＳデバイスの性能を維持する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−１０５４１１号公報
【特許文献２】特開２００９−６４２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
第１被覆層の貫通孔を通してエッチング液を流動させることにより層間絶縁膜を除去する。その後、エッチング液を洗浄して洗い流した後で乾燥する。続いて、空洞を減圧して密閉する。電子装置を加熱するとき空洞内に粘性を有する気体が発生することがある。これにより、ＭＥＭＳ構造体の可動部が気体の抵抗を受けて、可動部が動き難くなることがある。そこで、空洞内にＭＥＭＳ構造体が形成された電子装置において、可動部を品質良く作動させることができる電子装置が望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］
本適用例にかかる電子装置であって、基板上の被覆部に覆われた空洞部内に位置する可動部と、前記空洞部内に設置され前記空洞部内の気体を吸着するゲッター部と、前記基板と対向する場所の前記被覆部に位置する蓋部と、を備え、前記蓋部は、開口部を有する第１蓋部と前記開口部を封止する第２蓋部とを有することを特徴とする。
【０００９】
この電子装置によれば、被覆部に覆われた空洞部が基板上に設置されている。その空洞部内に可動部が位置している。蓋部は第１蓋部と第２蓋部とを有している。第１蓋部は開口部を有している。該開口部からエッチング液を流入させて被覆部内をエッチングすることにより被覆部内に空洞部を形成することができる。本適用例の方法は、２つの基板を接合して基板間に空洞を形成する方法に比べて薄く装置にすることができる。空洞部内にはゲッター部が設置されている。そして、空洞部内の気体をゲッター部が吸着する。ゲッター部は第１蓋部の開口部を通して空洞部に設置され、開口部は第２蓋部により封止される。従って、空洞部を形成するときに使用する液体が加熱により気化するときにもゲッター部が気体を吸着する。その結果、可動部を品質良く作動させることができる。
【００１０】
［適用例２］
上記適用例にかかる電子装置において、前記開口部は第１孔と、前記可動部との距離が前記第１孔より離れている第２孔と、を有し、前記第１孔の径は前記第２孔の径より小さいことを特徴とする。
【００１１】
この電子装置によれば、可動部と近い場所に位置する第１孔の径は小さく、可動部と離れた場所に位置する第２孔の径は大きくなっている。ゲッター部を形成するとき開口部を通してゲッター部の材料を飛行させて堆積させる。第１孔の径は第２孔の径より小さいので、第１孔を通過するゲッター部の材料の量は第２孔を通過するゲッター部の材料の量より少なくなる。従って、可動部にゲッター部の材料が付着する可能性を小さくし、可動部に付着しない場所にゲッター部の材料を多く堆積させることができる。その結果、ゲッター部の材料が可動部に付着することにより可動部の作動状態が変動することを防止することができる。
【００１２】
［適用例３］
上記適用例にかかる電子装置において、前記空洞部は前記可動部が位置する第１空洞部と、前記第１空洞部と連結し前記可動部が位置しない第２空洞部と、を有し、前記第２空洞部に位置する前記ゲッター部の体積は前記第１空洞部に位置する前記ゲッター部の体積より大きいことを特徴とする。
【００１３】
この電子装置によれば、可動部が位置する第１空洞部におけるゲッター部の体積は小さく、可動部が位置しない第２空洞部におけるゲッター部の体積は大きくなっている。従って、可動部にゲッター部の材料が付着する可能性を小さくし、可動部に付着しない場所にゲッター部の材料を多く堆積させることができる。その結果、ゲッター部の材料が可動部に付着することにより可動部の作動状態が変動することを防止することができる。
【００１４】
［適用例４］
上記適用例にかかる電子装置において、前記可動部はカンチレバー型振動子であることを特徴とする。
【００１５】
この電子装置によれば、可動部はカンチレバー型振動子となっている。従って、可動部の形状を調整することにより所望の固有振動数にすることができる。その結果、可動部を所望の周波数で振動させることができる。そして、可動部は気体の影響を受け難くなっている為、可動部を品質の良い周波数で振動させることができる。
【００１６】
［適用例５］
上記適用例にかかる電子装置において、前記可動部を用いて波形を形成する発振回路を有することを特徴とする。
【００１７】
この電子装置によれば、電子装置は発振回路を備えており、発振回路は可動部を用いて波形を形成することができる。そして、可動部は気体の影響を受け難くなっている為、電子装置は品質の良い波形を出力することができる。
【００１８】
［適用例６］
本適用例にかかる電子機器は、発振回路を備えた電子機器であって、前記発振回路に上記に記載の電子装置を用いたことを特徴とする。
【００１９】
この電子機器によれば、空洞部にゲッター部を備えている。従って、加熱時に空洞内に気体が発生するときにも可動部が気体の影響を受け難い電子装置を備えた電子機器とすることができる。
【００２０】
［適用例７］
本適用例にかかる電子装置の製造方法であって、基板上及び前記基板上に形成された可動部上に層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程と、前記可動部を囲むように前記層間絶縁膜を筒状に除去し、除去した場所に側壁部を形成する側壁形成工程と、前記側壁部と前記側壁部に囲まれた前記層間絶縁膜とに重ねて開口部を有する第１蓋部を形成する蓋部形成工程と、前記側壁部を取り巻く前記層間絶縁膜上に保護膜を形成する保護膜形成工程と、前記開口部からエッチング液を流入させて前記基板と前記側壁部と前記第１蓋部とに囲まれた場所の前記層間絶縁膜をエッチングして除去し空洞部を形成する空洞部形成工程と、前記空洞部にゲッター部を設置するゲッター部形成工程と、前記開口部を封止する封止工程と、を有することを特徴とする。
【００２１】
この電子装置の製造方法によれば、層間絶縁膜形成工程において基板上及び基板上に形成された可動部上に層間絶縁膜を形成している。側壁形成工程では可動部を囲むように層間絶縁膜を筒状に除去し、除去した場所に側壁部を形成している。そして、蓋部形成工程では側壁部と側壁部に囲まれた層間絶縁膜とに重ねて開口部を有する第１蓋部を形成している。保護膜形成工程では側壁部を取り巻く層間絶縁膜上に保護膜を形成している。そして、空洞部形成工程では開口部からエッチング液を流入させて基板と側壁部と蓋部とに囲まれた場所の層間絶縁膜をエッチングして除去し空洞部を形成している。ゲッター部形成工程では空洞部にゲッター部を設置している。そして、封止工程では開口部を封止している。
【００２２】
基板上には可動部が形成され、可動部を取り囲んで側壁部が配置される。側壁部と重ねて蓋部が形成され、側壁と蓋部とに覆われた場所には空洞部が形成される。従って、可動部の周囲は空洞部となる。側壁及び蓋部は積層して形成することから薄い構造にすることができる。空洞部にはゲッター部が設置される。そして、空洞部内の気体をゲッター部が吸着する。ゲッター部は第１蓋部の開口部を通して空洞部に設置され、開口部は封止される。従って、空洞部を形成するための液体が加熱により気化するときにもゲッター部が気体を吸着する。その結果、可動部を品質良く作動させることができる。
【００２３】
［適用例８］
上記適用例にかかる電子装置の製造方法において、前記開口部は第１孔と、前記可動部との距離が前記第１孔より離れている第２孔と、を有し、前記第１孔の径は前記第２孔の径より小さいことを特徴とする。
【００２４】
この電子装置の製造方法によれば、可動部と近い場所に位置する第１孔の径は小さく、可動部と離れた場所に位置する第２孔の径は大きくなっている。ゲッター部を形成するとき開口部を通してゲッター部の材料を飛行させて堆積させる。第１孔の径は第２孔の径より小さいので、第１孔を通過するゲッター部の材料の体積は第２孔を通過するゲッター部の材料の体積より小さくなる。従って、可動部にゲッター部の材料が付着する可能性を少なくし、可動部に付着しない場所にゲッター部の材料を多く堆積させることができる。その結果、ゲッター部の材料が可動部に付着することにより可動部の作動状態が変動することを防止することができる。
【００２５】
［適用例９］
上記適用例にかかる電子装置の製造方法において、前記ゲッター部形成工程では前記第２孔の軸方向から前記ゲッター部の材料を飛行させて設置させ、前記封止工程では前記第２孔の軸方向と交差する方向から封止する材料を飛行させて前記第２孔を封止することを特徴とする。
【００２６】
この電子装置の製造方法によれば、ゲッター部形成工程では第２孔の軸方向からゲッター部の材料を飛行させて設置させている。これにより、ゲッター部が第２孔の孔に付着せずに通過させ易くすることができる。従って、生産性良くゲッター部を形成することができる。封止工程では第２孔の軸方向と交差する方向から封止する材料を飛行させて設置させている。これにより、ゲッター部の材料が第２孔の孔に付着させ易くすることができる。従って、生産性良く第２孔を封止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】第１の実施形態にかかわるレゾネーターの構成を示す概略分解斜視図。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は、レゾネーターの要部模式断面図。
【図３】（ａ）は、レゾネーターの回路構成を示すブロック図、（ｂ）は、レゾネーターの製造方法を示すフローチャート。
【図４】レゾネーターの製造方法を説明するための模式図。
【図５】レゾネーターの製造方法を説明するための模式図。
【図６】レゾネーターの製造方法を説明するための模式図。
【図７】レゾネーターの製造方法を説明するための模式図。
【図８】レゾネーターの製造方法を説明するための模式図。
【図９】第２の実施形態にかかわり、（ａ）は、レゾネーターの要部模式平断面図。（ｂ）は、レゾネーターの要部模式断面図。
【図１０】第３の実施形態にかかわるレゾネーターの要部模式平断面図。
【図１１】第４の実施形態にかかわる時計の構成を示す電気ブロック図。
【図１２】変形例にかかわり、（ａ）は、スイッチの構成を示す要部模式断面図、（ｂ）は、走査ミラーの構成を示す概略斜視図、（ｃ）は、ジャイロスコープの構成を示す要部模式平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて図示している。
（第１の実施形態）
本実施形態では、振動素子を空洞部内に備えて所定の周波数の波形を出力するレゾネーターとこのレゾネーターを製造する特徴的な例について、図１〜図８に従って説明する。尚、レゾネーターは、振動素子と振動素子を駆動する駆動回路を備え、発振波形を出力する装置を示している。
【００２９】
（レゾネーター）
図１はレゾネーターの構成を示す概略分解斜視図である。図２（ａ）は図１のレゾネーターのＡ−Ａ’線に沿う要部模式断面図であり、図２（ｂ）は図１のレゾネーターのＢ−Ｂ’線に沿う要部模式断面図である。最初に電子装置としてのレゾネーター１について図１及び図２に従って説明する。レゾネーター１は長方形の基板２を備えている。基板２の長手方向をＸ方向とし、基板２の平面方向でＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。基板２の厚み方向をＺ方向とする。基板２の材質は特に限定されないが、シリコン基板等の半導体基板、セラミックス基板、ガラス基板、サファイア基板、合成樹脂基板等の各種の基板を用いることができる。基板２上に半導体による集積回路を形成するときには、シリコン基板等の半導体基板を用いる。本実施形態では、例えば、シリコン基板を採用している。基板２の厚みは特に限定されないが本実施形態では例えば、５０μｍ〜６００μｍの厚みを採用している。
【００３０】
基板２上には第１下地層３が形成されている。第１下地層３としては、例えば、トレンチ絶縁層、ＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ  ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  ｏｆ  ｓｉｌｉｃｏｎ）絶縁層、セミリセスＬＯＣＯＳ絶縁層を用いることができる。第１下地層３は、基板２上に形成された複数の素子間を電気的に絶縁する絶縁層となっている。
【００３１】
第１下地層３の上の一部には第２下地層４が形成されている。第２下地層４の材質は、特に限定されないが二酸化シリコンの膜をエッチングするエッチング液に対して腐食され難い材質であれば良い。例えば、第２下地層４の材質に窒化シリコンを用いることができる。これにより、第２下地層４は、第２下地層４上にてエッチング処理を行なうときのエッチングストッパー層として機能することができる。
【００３２】
第２下地層４上の中央付近には機能素子としての振動素子５が設置されている。振動素子５は固定電極６と可動部としての可動電極７とを備えている。固定電極６は第２下地層４上に設置されている。可動電極７は固定部７ａと可動部７ｂと支持部７ｃとを有する。固定部７ａは第２下地層４上に形成され、可動部７ｂは固定電極６に対向する場所に配置されている。そして、支持部７ｃは、可動部７ｂと固定部７ａとを連結するように配置され可動部７ｂを支持している。可動部７ｂは支持部７ｃにより支持された片持ち梁の構造になっている。これにより、可動部７ｂを振動させることにより、可動部７ｂと固定電極６との距離を変動させることができる。従って、振動素子５はカンチレバー型振動子となっている。
【００３３】
第２下地層４上には配線としての第１配線８と配線としての第２配線９とが設置されている。そして、第１配線８は固定電極６と接続され、第２配線９は可動電極７と接続されている。第１下地層３上には駆動回路１０が設置され、第２下地層４上には第１中間端子１１及び第２中間端子１２が設置されている。第１配線８の一端は駆動回路１０と接続され、第１配線８の別の他端は第１中間端子１１と接続されている。第２配線９の一端は駆動回路１０と接続され、第２配線９の別の他端は第２中間端子１２と接続されている。そして、第１中間端子１１と第２中間端子１２との間の電圧を検出することにより、振動素子５に印加される電圧信号を検出することができる。
【００３４】
駆動回路１０はトランジスターやキャパシター等の電気素子によって構成され、振動素子５に駆動信号を出力する。第１下地層３上には第３中間端子１３、第４中間端子１４、第５中間端子１５が設置されている。そして、第３中間端子１３と駆動回路１０とは配線１３ａにより接続され、第４中間端子１４と駆動回路１０とは配線１４ａにより接続されている。同様に、第５中間端子１５と駆動回路１０とは配線１５ａにより接続されている。第３中間端子１３はグランドライン用の端子であり、第４中間端子１４は電源供給用の端子である。そして、第５中間端子１５は信号出力用の端子である。
【００３５】
駆動回路１０は所定の周波数の電圧信号を形成する回路であり、形成した電圧信号を第５中間端子１５に出力する。換言すれば、レゾネーター１は、振動素子５と駆動回路１０とが同じ基板２上に併設された発振器となっている。レゾネーター１のうち駆動回路１０以外の部分を発振装置１ａとする。
【００３６】
第２下地層４上において振動素子５のＹ方向側には第１包囲壁１６が配置され、振動素子５の−Ｙ方向側には第２包囲壁１７が配置されている。第１包囲壁１６の一端は第１配線８の近くの場所まで延在し、第１包囲壁１６の別の他端は第２配線９の近くの場所まで延在して配置されている。同様に、第２包囲壁１７の一端は第１配線８の近くの場所まで延在し、第２包囲壁１７の別の他端は第２配線９の近くの場所まで延在して配置されている。
【００３７】
第１配線８を挟むように第１包囲壁１６及び第２包囲壁１７が接近して配置されている場所を第１貫通部８ａとする。第１配線８において第１貫通部８ａよりも振動素子５から離れる場所には絶縁膜８ｂが設置されている。絶縁膜８ｂは第１配線８の表面を酸化して形成された膜となっている。同様に、第２配線９を挟むように第１包囲壁１６及び第２包囲壁１７が接近して配置されている場所を第２貫通部９ａとする。第２包囲壁１７の近くには第６中間端子１８が設置され、第２包囲壁１７と第６中間端子１８とは配線１８ａによって接続されている。さらに、第６中間端子１８と駆動回路１０とは配線１８ｂによって接続されている。
【００３８】
そして、第１貫通部８ａでは第１配線８を覆うように層間絶縁膜としての第１絶縁層１９が配置されている。そして、第１貫通部８ａでは第１絶縁層１９は第１配線８と第１包囲壁１６との間及び第１配線８と第２包囲壁１７との間に配置されている。これにより、第１配線８は第１包囲壁１６及び第２包囲壁１７と絶縁される。
【００３９】
同様に、第２貫通部９ａでも第２配線９を覆うように第１絶縁層１９が配置されている。そして、第２貫通部９ａでは第１絶縁層１９は第２配線９と第１包囲壁１６との間及第２配線９と第２包囲壁１７との間に配置されている。これにより、第２配線９は第１包囲壁１６及び第２包囲壁１７と絶縁される。
【００４０】
振動素子５、第１配線８、第２配線９、第１中間端子１１、第２中間端子１２、第６中間端子１８、配線１８ａ，１８ｂ、第１包囲壁１６及び第２包囲壁１７の各部材の材質は同じ材質となっている。この材質は、電気伝導性があり二酸化シリコンのエッチング液に対して腐食され難ければ良く特に限定されない。これらの材質には金属や電気伝導性のあるシリコン等を採用することができる。本実施形態では例えば、燐やホウ素等の不純物をドーピングすることにより電気伝導性が付与された多結晶シリコンを用いている。第３中間端子１３〜第５中間端子１５、配線１３ａ〜配線１５ａの各部材の材質は導電性のある材料であればよく、例えば、多結晶シリコンや金属等を用いることができる。本実施形態では、例えば、アルミニウム銅合金を採用している。
【００４１】
第１包囲壁１６、第２包囲壁１７、第１貫通部８ａ及び第２貫通部９ａにおける第１絶縁層１９の上には側壁部としての第３包囲壁２０が配置されている。さらに、第３包囲壁２０と重ねて側壁部としての第４包囲壁２１が配置され、第４包囲壁２１と重ねて側壁部としての第５包囲壁２２が配置されている。第３包囲壁２０、第４包囲壁２１、第５包囲壁２２は四角形の枠形状をしており、振動素子５の周囲を取り囲むように配置されている。第１包囲壁１６、第２包囲壁１７、第３包囲壁２０、第４包囲壁２１、第５包囲壁２２は振動素子５を取り囲む側壁部２３を構成している。
【００４２】
第３包囲壁２０、第４包囲壁２１、第５包囲壁２２の材質は、電気伝導性と構造的強度とがあり、二酸化シリコンのエッチング液に対して腐食され難い材質で有れば良く、多結晶シリコン、アルミニウム、銅、タングステン、チタン等の金属やその合金を用いることができる。本実施形態では例えば、アルミニウムと銅との合金を採用している。
【００４３】
第１包囲壁１６、第２包囲壁１７、第３包囲壁２０、第４包囲壁２１及び第５包囲壁２２は共に電気伝導性のある材料からなり、電気的に接続している。そして、第６中間端子１８は第２包囲壁１７と電気的に接続している。従って、第１包囲壁１６、第２包囲壁１７、第３包囲壁２０、第４包囲壁２１及び第６中間端子１８は同じ電位となる。第１配線８は第１絶縁層１９を介して第１包囲壁１６、第２包囲壁１７、第３包囲壁２０に囲まれている。第１絶縁層１９は電気絶縁性のある材質からなっている。これにより、第１配線８は第１包囲壁１６、第２包囲壁１７、第３包囲壁２０と電気的に絶縁されている。同様に、第２配線９も第１絶縁層１９を介して第１包囲壁１６、第２包囲壁１７、第３包囲壁２０に囲まれている。これにより、第２配線９は第１包囲壁１６、第２包囲壁１７、第３包囲壁２０と電気的に絶縁される。
【００４４】
側壁部２３の周囲には第１絶縁層１９、第２絶縁層２４、第３絶縁層２５がこの順に積層された層間絶縁膜としての層間絶縁膜２６が配置されている。第１絶縁層１９は第１包囲壁１６及び第２包囲壁１７の間から側壁部２３の周囲にかけて設置されている。層間絶縁膜２６の材質は電気絶縁性があってエッチング液によって除去可能であれば良く、例えば、二酸化シリコンを用いることができる。
【００４５】
第１中間端子１１〜第５中間端子１５及び第６中間端子１８の上には各端子と重ねて第１貫通電極２７が配置され、第１貫通電極２７と重ねて第２貫通電極２８及び第３貫通電極２９がこの順に配置されている。第１貫通電極２７、第２貫通電極２８、第３貫通電極２９は導電体でありそれぞれ第１絶縁層１９、第２絶縁層２４、第３絶縁層２５を貫通する電極となっている。第１貫通電極２７〜第３貫通電極２９の材質は、例えば、側壁部２３と同じ材質を用いることができる。
【００４６】
側壁部２３の上側には側壁部２３に蓋をするように被覆部及び第１蓋部としての第１封止層３０が配置されている。第１封止層３０には開口部としての第１孔３０ａ及び第２孔３０ｂが複数形成されている。第１孔３０ａ及び第２孔３０ｂの数及び大きさは特に限定されない。本実施形態では例えば、第１封止層３０に１２個の第１孔３０ａと１６個の第２孔３０ｂとが形成されている。第１孔３０ａの径は第２孔３０ｂより小さい径となっている。そして、第１孔３０ａは第２孔３０ｂより振動素子５に近い場所に配置されている。
【００４７】
第１封止層３０の材質は電気伝導性と構造的強度があり、二酸化シリコンをエッチングするエッチング液に対して腐食され難い材質で有れば良く特に限定されない。第１封止層３０の材質には各種金属を用いることができる。本実施形態では例えば、チタン層、窒化チタン層、アルミニウム−銅合金層、窒化チタン層がこの順で積層された積層構造を採用している。
【００４８】
第１封止層３０上の外周に位置する部分と第３絶縁層２５とに重ねて保護膜３１が積層されている。この保護膜３１は第１孔３０ａ及び第２孔３０ｂを塞がないように配置される。保護膜３１の材質は二酸化シリコンをエッチングするエッチング液に対して腐食され難い材料であれば良く、特に限定されない。保護膜３１の材質としてＴＥＯＳ（テトラ・エトキシ・シラン）酸化膜、窒化シリコン等を用いることができる。本実施形態では例えば、保護膜３１の材質にＴＥＯＳ酸化膜と窒化シリコンの積層膜を採用している。
【００４９】
第１封止層３０と重ねて第２蓋部としての第２封止層３２が積層されている。第２封止層３２は第１封止層３０の第１孔３０ａ及び第２孔３０ｂを塞いでいる。第２封止層３２の材質としては第１孔３０ａ及び第２孔３０ｂを塞げる強度のある膜を形成でき、ゲッター効果を有する材料であれば良く、第１ゲッター部３４及び第２ゲッター部３５と同じ材料を用いている。
【００５０】
第２下地層４、側壁部２３、第１封止層３０に囲まれて密閉された場所は空洞部３３となっている。側壁部２３、第１封止層３０は空洞部３３を覆う被覆部となっている。そして、振動素子５は空洞部３３に設置されている。空洞部３３の気圧は減圧されている。これにより、可動電極７の可動部７ｂは気体による抵抗が小さくなるので振動し易くなっている。そして、第１封止層３０及び第２封止層３２は、空洞部３３が減圧した状態で空洞部３３を封止する封止部材として機能する。
【００５１】
第２下地層４上において第１包囲壁１６及び第２包囲壁１７に囲まれた場所にはゲッター部を構成する第１ゲッター部３４及び第２ゲッター部３５が設置されている。第１ゲッター部３４は振動素子５の周囲に配置され、第２ゲッター部３５は第１包囲壁１６及び第２包囲壁１７に沿って配置されている。そして、第１ゲッター部３４は第２ゲッター部３５より小さな体積となっている。第１ゲッター部３４及び第２ゲッター部３５は空洞部３３に残留する気体や空洞部３３へ放出される気体を吸引する部材である。
【００５２】
第１ゲッター部３４及び第２ゲッター部３５の材質は非蒸発型で気体を吸着させれば良く特に限定されない。第１ゲッター部３４及び第２ゲッター部３５の材質にはチタン、ジルコニウム、ジルコニウム−チタン合金、ジルコニウム−アルミニウム合金、ハフニウム、バナジウム、アルミニウム、タンタル、タングステン、モリブデン、ＴｉＮ（窒化チタン）、希土類金属の混合物であるＬｎ（ランタノイド）を含んでなるＬｎ−Ｎｉ−Ｃｏ−Ａｌ−Ｍｎ系の合金、Ｐｄ（パラジウム）系合金、Ｖ（バナジウム）系合金、Ｍｇ（マグネシウム）系合金、Ｃａ（カルシウム）系合金、ホウ素（Ｂ）、コバルト（Ｃｏ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、トリウム（Ｔｈ）等を用いることができる。さらに好適には窒化チタン、ジルコニウム、ジルコニウム−チタン合金、ジルコニウム−アルミニウム合金を用いることができる。本実施形態では、例えば、窒化チタンを採用している。
【００５３】
第３貫通電極２９上には電極パッド３６が設置され、保護膜３１は電極パッド３６を露出するように配置されている。保護膜３１及び第２封止層３２上には樹脂層３７が積層されている。樹脂層３７は電極パッド３６と重ならないように配置される。該電極パッド３６上から樹脂層３７上にかけて配線３８が設置されている。そして、配線３８上には外部端子３９が設置され、外部端子３９は配線３８と電気的に接続されている。
【００５４】
樹脂層３７の材質としては、ポリイミド樹脂、シリコン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコン変性エポキシ樹脂、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、ＰＢＯ（ポリベンゾオキサゾール）等の樹脂を好適に用いることができる。樹脂層３７の膜厚は特に限定されないが、例えば、１０μｍ以上が好ましい。これにより、レゾネーターを実装する際に樹脂層３７が破損しないように応力を吸収することができる。
【００５５】
配線３８の材質は特に限定されず電気伝導性を有する材質であれば良い。配線３８には、例えば、チタン−タングステン合金層、銅層がこの順で積層された金属層や銅層、クロム層、アルミニウム層等の金属層の単層構造やこれらの層を積層した積層構造を用いてもよい。
【００５６】
外部端子３９の材質は特に限定されないが、電気伝導性を有していれば良く、各種類の金属を用いることができる。本実施形態では例えばハンダを採用している。外部端子３９は略球状に形成されている。
【００５７】
配線３８及び樹脂層３７上にレジスト層４０が積層されている。レジスト層４０は外部端子３９の一部が露出するように形成されている。レジスト層４０は配線３８の酸化や腐食を防止し、塵等による電気的な不良を防ぐことができる。
【００５８】
レゾネーター１は例えば上記のようにチップ状にした半導体基板からなる基板２の上方に外部端子３９を直接設けることができる。そのため、レゾネーター１のパッケージサイズを、半導体チップとほぼ等しくすることができる。
【００５９】
駆動回路１０は第１配線８を介して固定電極６と接続され、第２配線９を介して可動電極７と接続されている。駆動回路１０が振動素子５に電圧を印加することにより、固定電極６と可動電極７との間には静電気が作用する。そして、振動素子５に印加する電圧を変動させることにより可動電極７が振動する。これにより、固定電極６と可動電極７との間の静電容量を変動させることができる。そして、静電容量が変動する周波数特性は可動電極７の固有振動数によって設定される。従って、駆動回路１０は振動素子５を用いて特定の周波数の電圧波形を形成することが可能になっている。
【００６０】
空洞部３３内は減圧されていることから、空気が充填されているときに比べて可動電極７は振動し易くなっている。さらに、空洞部３３には第１ゲッター部３４及び第２ゲッター部３５が設置されていることにより、気体が吸着され真空度が高くなっている。従って、可動電極７はさらに振動し易くなっている。これにより駆動回路１０は周波数変動が少なく、位相の変動が少なく、波形の変動が少ない品質の良い電圧波形を出力することができる。第３包囲壁２０、第４包囲壁２１、第５包囲壁２２及び第１封止層３０は電気伝導性があり第６中間端子１８を通じて所定の電圧に維持されている。従って、レゾネーター１の外部から雑音となる電磁波が伝播するときにも、側壁部２３及び第１封止層３０が電磁波の伝播を遮ることができる。その結果、振動素子５は雑音となる電磁波の影響を受け難くすることができる。
【００６１】
図３（ａ）はレゾネーターの回路構成を示すブロック図である。図３（ａ）に示すように、レゾネーター１が備える駆動回路１０は発振回路４２と波形形成回路４３とを有している。発振回路４２は振動素子５と接続され、所定の周波数の波形を形成する回路となっている。そして、波形形成回路４３は発振回路４２が出力する波形を分周して波形の周波数を変更したり、波形の形状を変更する機能を備えている。例えば、三角波、矩形波、パルス波等の波形を出力する。波形形成回路４３は、発振回路４２が出力する波形を分周することにより発振回路４２が出力する波形の周波数より低い周波数の波形を出力することが可能となっている。
【００６２】
（レゾネーターの製造方法）
次に上述したレゾネーター１の製造方法について図３（ｂ）〜図８にて説明する。図３（ｂ）は、レゾネーターの製造方法を示すフローチャートであり、図４〜図８はレゾネーターの製造方法を説明するための模式図である。尚、駆動回路１０、第３中間端子１３〜第５中間端子１５、配線１３ａ〜配線１５ａの製造方法は公知であり説明を省略する。
【００６３】
図３（ｂ）のフローチャートにおいて、ステップＳ１は配線形成工程に相当し、基板上に配線、中間端子、第１包囲壁及び第２包囲壁を形成する工程である。次にステップＳ２に移行する。ステップＳ２は第１層間絶縁膜形成工程に相当し、振動素子及び第１絶縁層を形成する工程である。次にステップＳ３に移行する。ステップＳ３は第１側壁形成工程に相当し、第３包囲壁を形成する工程である。次にステップＳ４に移行する。
【００６４】
ステップＳ４は第２層間絶縁膜形成工程に相当し、第１絶縁層に重ねて第２絶縁層を形成する工程である。次にステップＳ５に移行する。ステップＳ５は第２側壁形成工程に相当し、第３包囲壁に重ねて第４包囲壁を形成する工程である。次にステップＳ６に移行する。ステップＳ６は第３層間絶縁膜形成工程に相当し、第２絶縁層に重ねて第３絶縁層を形成する工程である。ステップＳ２の第１層間絶縁膜形成工程、ステップＳ４の第２層間絶縁膜形成工程、ステップＳ６の第３層間絶縁膜形成工程により層間絶縁膜形成工程が構成されている。次にステップＳ７に移行する。ステップＳ７は第３側壁形成工程に相当し、第４包囲壁に重ねて第５包囲壁を形成する工程である。次にステップＳ８に移行する。ステップＳ３の第１側壁形成工程、ステップＳ５の第２側壁形成工程、ステップＳ７の第３側壁形成工程により側壁形成工程が構成されている。
【００６５】
ステップＳ８は蓋部形成工程に相当し、第５包囲壁及び第５包囲壁に囲まれた場所に第１封止層を積層して形成する工程である。次にステップＳ９に移行する。ステップＳ９は保護膜形成工程に相当し、第１封止層の周囲に保護膜を形成する工程である。次にステップＳ１０に移行する。ステップＳ１０は空洞部形成工程に相当し、包囲壁及び第１封止層に覆われた層間絶縁膜をエッチングして空洞を形成する工程である。次にステップＳ１１に移行する。ステップＳ１１はゲッター部形成工程に相当し、包囲壁内にゲッター材を設置してゲッター部を形成する工程である。次にステップＳ１２に移行する。ステップＳ１２は封止工程に相当し、第１封止層に重ねて第２封止層を形成して空洞を封止する工程である。次にステップＳ１３に移行する。ステップＳ１３は端子部形成工程に相当し、中間端子と接続する外部端子を形成する工程である。次にステップＳ１４に移行する。ステップＳ１４はダイシング工程に相当し、マザー基板を切断してチップ状に分割する工程である。以上の製造工程にてレゾネーターが完成する。
【００６６】
次に、図４〜図８を用いて、図３（ｂ）に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。まず、図４（ａ）〜図４（ｃ）はステップＳ１の配線形成工程に対応する図である。図４（ａ）に示すように、ステップＳ１の配線形成工程ではマザー基板４５を用意し、マザー基板４５上に第１下地層３及び第２下地層４を形成する。第２下地層４は側壁部２３を形成する予定の場所に形成する。マザー基板４５は、例えば、シリコンウェハーであり、レゾネーター１を複数配置可能な広さを備えている。そして、マザー基板４５を分割したものが基板２に相当する。第１下地層３は、例えば、ＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ  Ｔｒｅｎｃｈ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）法、ＬＯＣＯＳ法により形成される。第２下地層４は、例えば、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、スパッタ法を用いて形成される。
【００６７】
次に、第２下地層４上に固定電極６を形成し、第１下地層３及び第２下地層４上に第１配線８を形成する。固定電極６、第１配線８はＣＶＤ法やスパッタ法等による成膜処理と、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術によるパターニング処理とを用いて形成される。多結晶シリコンからなるパターンを形成した後でこのパターンに電気伝導性を付与するために所定の不純物をドーピングする。ドーピングは例えば、ＰＯＣＬ3やＢＢｒ3等のガス中でドーパントを堆積させ、熱拡散させることにより行うことができる。続いて、固定電極６及び第１配線８を熱酸化することにより、固定電極６の表面に絶縁膜６ａを形成し、第１配線８の表面に絶縁膜８ｂを形成する。
【００６８】
次に、図４（ｂ）及び図４（ｃ）に示すように、可動電極７、第２配線９、第２中間端子１２、第１包囲壁１６、第２包囲壁１７を形成する。このとき、同時に第１中間端子１１、第６中間端子１８も形成する。可動電極７、第２配線９、第１中間端子１１、第２中間端子１２、第１包囲壁１６、第２包囲壁１７、第６中間端子１８の形成方法は固定電極６及び第１配線８と同様な方法であり、説明を省略する。
【００６９】
図４（ｄ）及び図４（ｅ）はステップＳ２の第１層間絶縁膜形成工程に対応する図である。図４（ｄ）及び図４（ｅ）に示すように、ステップＳ２の第１層間絶縁膜形成工程では固定電極６、可動電極７、第１配線８、第２配線９、第１包囲壁１６及び第２包囲壁１７に重ねて第１絶縁層１９を積層する。第１絶縁層１９はＣＶＤ法やスパッタ法等による成膜処理を用いて形成する。第１絶縁層１９のうち第１包囲壁１６及び第２包囲壁１７に囲まれる予定の場所の第１絶縁層１９を第１犠牲層４７とする。
【００７０】
図５（ａ）及び図５（ｂ）はステップＳ３の第１側壁形成工程に対応する図である。図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、ステップＳ３の第１側壁形成工程では第１包囲壁１６、第２包囲壁１７及び第２中間端子１２上に位置する第１絶縁層１９をパターニングして第１絶縁層１９を貫通する開口部を形成する。尚、第１配線８及び第２配線９上の第１絶縁層１９は除去せずに残留させる。次に、開口部にアルミニウム等の金属を埋め込むことで第３包囲壁２０及び第１貫通電極２７を形成する。尚、第３包囲壁２０及び第１貫通電極２７は、同一の工程で形成されてもよいし、別々の工程で形成されてもよい。第３包囲壁２０はＣＶＤ法やスパッタ法等による成膜処理とフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術によるパターニング処理により形成される。
【００７１】
電気伝導性のある第３包囲壁２０は第１包囲壁１６及び第２包囲壁１７と接触して形成される。これにより、第１包囲壁１６と第２包囲壁１７との間は第３包囲壁２０を介して通電可能となる。第３包囲壁２０と第１配線８及び第２配線９との間には第１絶縁層１９が配置されている。従って、第３包囲壁２０と第１配線８との間は絶縁され、第３包囲壁２０と第２配線９との間も絶縁される。第１貫通電極２７は第１中間端子１１〜第５中間端子１５、第６中間端子１８と接触して形成される。これにより、第１貫通電極２７はこれらの端子との間で通電可能になる。
【００７２】
図５（ｃ）はステップＳ４の第２層間絶縁膜形成工程に対応する図である。図５（ｃ）に示すように、ステップＳ４の第２層間絶縁膜形成工程では第１絶縁層１９に重ねて第２絶縁層２４を形成する。第２絶縁層２４のうち第３包囲壁２０に囲まれている場所の第２絶縁層２４を第２犠牲層４９とする。第２絶縁層２４はＣＶＤ法やスパッタ法等による成膜処理を用いて形成する。
【００７３】
図５（ｄ）はステップＳ５の第２側壁形成工程に対応する図である。図５（ｄ）に示すように、ステップＳ５の第２側壁形成工程では第３包囲壁２０上に位置する第２絶縁層２４をパターニングして第２絶縁層２４を貫通する開口部を形成する。次に、開口部にアルミニウム等の金属を埋め込むことで第４包囲壁２１が形成される。そして、第４包囲壁２１を形成する工程と同じ工程にて第２貫通電極２８が第１貫通電極２７上に形成される。尚、第４包囲壁２１及び第２貫通電極２８は、同一の工程で形成されてもよいし、別々の工程で形成されてもよい。第４包囲壁２１及び第２貫通電極２８はＣＶＤ法やスパッタ法等による成膜処理とフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術によるパターニング処理により形成される。
【００７４】
図５（ｅ）はステップＳ６の第３層間絶縁膜形成工程に対応する図である。図５（ｅ）に示すように、ステップＳ６の第３層間絶縁膜形成工程において第２絶縁層２４に重ねて第３絶縁層２５を形成する。第３絶縁層２５のうち第３包囲壁２０に囲まれている場所の第３絶縁層２５を第３犠牲層５０とする。そして、第１犠牲層４７、第２犠牲層４９、第３犠牲層５０を合わせて犠牲層５１と称す。第３絶縁層２５はＣＶＤ法やスパッタ法等による成膜処理を用いて形成する。
【００７５】
図６（ａ）はステップＳ７の第３側壁形成工程に対応する図である。図６（ａ）に示すように、ステップＳ７の第３側壁形成工程では第３絶縁層２５の第４包囲壁２１と対向する場所に開口部を形成する。開口部は第４包囲壁２１が露出するように形成する。続いて、開口部にアルミニウム等の金属を埋め込むことで第５包囲壁２２を形成する。そして、第５包囲壁２２を形成する工程と同じ工程にて第３貫通電極２９が第２貫通電極２８上に形成される。尚、第５包囲壁２２及び第３貫通電極２９は、同一の工程で形成されてもよいし、別々の工程で形成されてもよい。第５包囲壁２２及び第３貫通電極２９はＣＶＤ法やスパッタ法等による成膜処理とフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術によるパターニング処理により形成される。
【００７６】
図６（ｂ）はステップＳ８の蓋部形成工程に対応する図である。図６（ｂ）に示すように、ステップＳ８の蓋部形成工程では第３絶縁層２５に重ねてチタン層、窒化チタン層、アルミニウム−銅合金層、窒化チタン層をこの順で積層した金属層を形成する。金属層はスパッタ法やＣＶＤ法による成膜処理を用いて形成する。続いて、金属層をパターニングして第１封止層３０を形成する。このとき、第１封止層３０に第１孔３０ａ及び第２孔３０ｂを形成する。さらに、金属層をパターニングして第３貫通電極２９上に電極パッド３６を形成する。第１封止層３０及び電極パッド３６はフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術によるパターニングを用いて形成する。尚、第１封止層３０及び電極パッド３６は、同一の工程で形成されてもよいし、別々の工程で形成されてもよい。
【００７７】
図６（ｃ）はステップＳ９の保護膜形成工程に対応する図である。図６（ｃ）に示すように、ステップＳ９の保護膜形成工程では第１封止層３０及び電極パッド３６の上面の少なくとも一部を避けて、第３絶縁層２５上に保護膜３１を形成する。このとき、第１封止層３０に形成された第１孔３０ａ及び第２孔３０ｂが露出するように保護膜３１を形成する。そして、保護膜３１は第３犠牲層５０以外の第３絶縁層２５を覆うように形成する。保護膜３１は、例えば、スパッタ法やＣＶＤ法等により成膜した後、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術によるパターニングによって形成される。
【００７８】
図６（ｄ）はステップＳ１０の空洞部形成工程に対応する図である。図６（ｄ）に示すように、ステップＳ１０の空洞部形成工程では第１孔３０ａ及び第２孔３０ｂを通してエッチング液を流動させて振動素子５の周囲に位置する犠牲層５１をエッチングする。これにより、側壁部２３と第１封止層３０とに囲まれた場所に空洞部３３を形成する。エッチングにはフッ化水素酸や緩衝フッ酸（フッ化水素酸とフッ化アンモニウムとの混合液）等を用いたエッチング液を用いてエッチングするウエットエッチングを採用している。
【００７９】
第２下地層４、側壁部２３、第１封止層３０、保護膜３１はエッチング液に腐食され難い材料から構成されている。従って、第２下地層４、側壁部２３及び第１封止層３０に囲まれた犠牲層５１のみがエッチングされる。空洞部３３に位置する固定電極６及び可動電極７もエッチング液に腐食され難い材料から構成されているので残留する。そして、固定電極６と可動電極７との間の絶縁膜６ａは腐食される。これにより、固定電極６と可動電極７との間に隙間が形成されて、可動電極７が振動できるようになる。そして、保護膜３１に覆われた側壁部２３を取り囲む場所の層間絶縁膜２６はエッチングされずに残留する。
【００８０】
第３包囲壁２０と第１配線８との間、第１包囲壁１６と第１配線８との間、第２包囲壁１７と第１配線８との間は間隔が狭く設定されている。従って、犠牲層５１をエッチングするエッチング液が第１配線８に沿って側壁部２３から層間絶縁膜２６に漏洩し難くなっている。同様に、第３包囲壁２０と第２配線９、第１包囲壁１６と第２配線９との間、第２包囲壁１７と第２配線９との間も間隔が狭く設定されている。従って、犠牲層５１をエッチングするエッチング液が第２配線９に沿って側壁部２３から層間絶縁膜２６に漏洩し難くなっている。
【００８１】
図７（ａ）はステップＳ１１のゲッター部形成工程に対応する図である。図７（ａ）に示すように、ステップＳ１１のゲッター部形成工程では複数の第２孔３０ｂは軸の方向が同じ方向となるように形成されている。第２孔３０ｂの軸の方向を第２貫通孔軸方向３０ｃとする。第２貫通孔軸方向３０ｃと平行な方向にゲッター部の材料としての粒子５３をスパッタ法を用いて飛行させる。第１孔３０ａを通過する粒子５３は第２下地層４、第１配線８、第２配線９上に堆積して第１ゲッター部３４を形成する。そして、第２孔３０ｂを通過する粒子５３は第２下地層４、第１配線８、第２配線９上に堆積して第２ゲッター部３５を形成する。
【００８２】
第１孔３０ａは第２孔３０ｂより振動素子５に近い場所に形成されているので、第１ゲッター部３４が第２ゲッター部３５より振動素子５に近い場所に形成される。そして、第１孔３０ａの径は第２孔３０ｂの径より小さな径となっているので、第１ゲッター部３４は第２ゲッター部３５より小さな体積となる。これにより、第１ゲッター部３４は振動素子５に接触しないように形成することができる。第１封止層３０上に堆積する粒子５３はゲッター材からなるゲッター膜５４を形成する。
【００８３】
図７（ｂ）及び図７（ｃ）はステップＳ１２の封止工程に対応する図である。図７（ｂ）に示すように、ステップＳ１２の封止工程ではゲッター膜５４上に封止する材料としての粒子５３を飛行させる。封止する材料はゲッター部の材料と同じ材料を採用している。封止する材料とゲッター部の材料とは必ずしも同じ材料でなくとも良い。第２貫通孔軸方向３０ｃに対して斜めの向きに粒子５３を飛行させる。これにより、粒子５３が第１孔３０ａ及び第２孔３０ｂの孔内の壁に付着する。そして、粒子５３が第１孔３０ａ及び第２孔３０ｂを塞いで空洞部３３を封止する。このとき、減圧状態において第１孔３０ａ及び第２孔３０ｂを塞ぐ。これにより、空洞部３３を減圧状態のまま封止することができる。次に、図７（ｃ）に示すように、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術を用いてゲッター膜５４をパターニングして第２封止層３２を形成する。
【００８４】
図８（ａ）及び図８（ｂ）はステップＳ１３の端子部形成工程に対応する図である。図８（ａ）に示すように、ステップＳ１３の端子部形成工程では電極パッド３６の上面を除いて、保護膜３１上及び第２封止層３２上に樹脂層３７を形成する。より具体的には、まず、スピンコート法により樹脂を塗布し窒素雰囲気中で３００℃〜４００℃程度の熱処理を行う。これにより塗布した樹脂を硬化させて樹脂の膜を形成する。次に、フォトリソグラフィー技術及びエッチング技術によって樹脂の膜をパターニングして樹脂層３７を形成する。電極パッド３６上では樹脂層３７に斜面を形成する。続いて、電極パッド３６上及び樹脂層３７上に配線３８を形成する。配線３８は、スパッタ法やめっき法等による成膜処理とフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術によるパターニング処理とにより形成される。
【００８５】
次に、図８（ｂ）に示すように、樹脂層３７上及び配線３８上に、レジスト層４０を形成する。レジスト層４０は、配線３８の外部端子３９が形成される予定の場所を除いて形成される。レジスト層４０は、例えば、スピンコート法等による成膜処理とフォトリソグラフィー技術及びエッチング技術によるパターニング処理とにより形成される。
【００８６】
次に、配線３８上に外部端子３９を形成する。外部端子３９は、例えば、配線３８上にハンダ膜を形成した後、１８０℃〜３００℃程度に加熱してハンダ膜を溶融する。そして、液状化したハンダに表面張力が作用することによりハンダが球形に形成される。
【００８７】
ステップＳ１４のダイシング工程ではマザー基板４５を切断予定線にて切断する。該切断予定線は基板２の外形に沿うように設定されている。マザー基板４５を粘着性のあるシートに貼る。続いて、先端にダイヤモンド粉が塗布された回転刃を用いて切断予定線に沿って切り込みを入れる。この後、シートを広げることにより切断予定線に沿ってマザー基板４５が破断される。そして、各レゾネーター１がチップ状に分離する。その結果、図１に示すように、レゾネーター１が完成する。
【００８８】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、側壁部２３及び第１封止層３０に覆われた空洞部３３が基板２上に設置されている。その空洞部３３内には振動素子５が位置している。第１封止層３０は第１孔３０ａ及び第２孔３０ｂを有している。該第１孔３０ａ及び第２孔３０ｂからエッチング液を流入させて側壁部２３内をエッチングすることにより側壁部２３内に空洞部３３が形成されている。
【００８９】
本実施形態の方法は、２つの基板を接合して基板間に空洞を形成する方法に比べて薄く装置にすることができる。空洞部３３内には第１ゲッター部３４及び第２ゲッター部３５が設置されている。そして、空洞部３３内の気体を第１ゲッター部３４及び第２ゲッター部３５が吸着する。第１ゲッター部３４及び第２ゲッター部３５は第１孔３０ａ及び第２孔３０ｂを通して空洞部３３に設置され、第１孔３０ａ及び第２孔３０ｂは第２封止層３２により封止される。従って、空洞部３３内に残留する液体が加熱により気化するときにも第１ゲッター部３４及び第２ゲッター部３５が気体を吸着する。その結果、空洞部３３内は真空度が高くなる為、振動素子５を品質良く作動させることができる。
【００９０】
（２）本実施形態によれば、振動素子５と近い場所に位置する第１孔３０ａの径は小さく、振動素子５と離れた場所に位置する第２孔３０ｂの径は大きくなっている。第１ゲッター部３４を形成するとき第１孔３０ａを通してゲッター部の材料を飛行させて堆積させる。第２ゲッター部３５を形成するとき第２孔３０ｂを通してゲッター部の材料を飛行させて堆積させる。第１孔３０ａの径は第２孔３０ｂの径より小さいので、第１孔３０ａを通過するゲッター部の材料の体積は第２孔３０ｂを通過するゲッター部の材料の体積より小さくなる。従って、振動素子５にゲッター部の材料が付着する可能性を小さくし、振動素子５に付着しない場所にゲッター部の材料を多く堆積させることができる。その結果、振動素子５が作動するときゲッター部の材料によって受ける影響を小さくできる。
【００９１】
（３）本実施形態によれば、振動素子５はカンチレバー型振動子となっている。従って、可動電極７の形状を調整することにより所望の固有振動数にすることができる。その結果、振動素子５を所望の周波数で振動させることができる。そして、振動素子５は気体の影響を受け難くなっている為、振動素子５を品質の良い周波数で振動させることができる。
【００９２】
（４）本実施形態によれば、レゾネーター１は発振回路４２を備えており、発振回路４２は振動素子５を用いて波形を形成することができる。振動素子５は気体の影響を受け難くなっている為、レゾネーター１は品質の良い波形を出力することができる。
【００９３】
（５）本実施形態によれば、ステップＳ１１のゲッター部形成工程では第２孔３０ｂの軸方向からゲッター部の材料を飛行させて設置させている。これにより、ゲッター部の材料が第２孔３０ｂに付着せずに通過させ易くすることができる。従って、生産性良く第１ゲッター部３４及び第２ゲッター部３５を形成することができる。ステップＳ１２の封止工程では第２孔３０ｂの軸方向と交差する方向から封止材料を飛行させて設置させている。これにより、ゲッター部の材料が第２孔３０ｂに付着させ易くすることができる。従って、生産性良く第２孔３０ｂを封止することができる。
【００９４】
（６）本実施形態によれば、ステップＳ１１のゲッター部形成工程はステップＳ１０の空洞部形成工程の後に行われている。従って、第１ゲッター部３４及び第２ゲッター部３５に犠牲層５１をエッチングするエッチング液が付着しないようにすることができる。その結果、第１ゲッター部３４及び第２ゲッター部３５は空洞部３３に位置する気体を品質良く吸着することができる。
【００９５】
（７）本実施形態によれば、ステップＳ１１のゲッター部形成工程において第１ゲッター部３４及び第２ゲッター部３５はスパッタ法を用いて形成されている。従って、第１ゲッター部３４及び第２ゲッター部３５は内部に微小空間が形成される。その結果、第１ゲッター部３４及び第２ゲッター部３５は表面積が広い構造となり、品質よく気体を吸着させることができる。
【００９６】
（第２の実施形態）
次に、レゾネーターの一実施形態について図９を用いて説明する。本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、第１ゲッター部と第２ゲッター部との間に仕切り壁を設けた点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【００９７】
図９（ａ）はレゾネーターの要部模式平断面図であり、包囲壁の基板側を示す図である。図９（ｂ）は図９（ａ）のレゾネーターのＣ−Ｃ’線に沿う要部模式断面図である。すなわち、本実施形態では、図９に示すように電子装置としてのレゾネーター５６は第２下地層４、第１配線８、第２配線９上に第１ゲッター部３４及び第２ゲッター部３５が設置されている。そして、第１ゲッター部３４と第２ゲッター部３５との間には仕切り板５７が設置されている。該仕切り板５７により空洞部３３は振動素子５が位置する第１空洞部３３ａと振動素子５が位置しない第２空洞部３３ｂとに分けられている。
【００９８】
仕切り板５７は８箇所の貫通部５７ａを有し、貫通部５７ａにおいて第１空洞部３３ａと第２空洞部３３ｂとが連結している。これにより、空洞部３３に位置する気体は第１空洞部３３ａと第２空洞部３３ｂとの間を移動可能になっている。仕切り板５７は基板２側から第１封止層３０側に第１仕切り板５７ｂ、第２仕切り板５７ｃ、第３仕切り板５７ｄの順に重ねて設置されている。第１仕切り板５７ｂは第２下地層４と重ねて設置されている。そして、第１仕切り板５７ｂは第１配線８及び第２配線９とは隙間を空けて設置されている。これにより、仕切り板５７は第１配線８及び第２配線９と絶縁されている。
【００９９】
仕切り板５７は第１孔３０ａと第２孔３０ｂとの間に設置されている。そして、ステップＳ１１のゲッター部形成工程にて第１孔３０ａを通過する粒子５３は第１空洞部３３ａに堆積して第１ゲッター部３４を形成する。第２孔３０ｂを通過する粒子５３は第２空洞部３３ｂに堆積して第２ゲッター部３５を形成する。該第２孔３０ｂを通過する粒子５３は仕切り板５７に阻まれる為第１空洞部３３ａに侵入し難くなっている。従って、第２孔３０ｂの径が大きいときにも振動素子５にゲッター材が付着することを防止することができる。
【０１００】
第１空洞部３３ａに繋がる第１孔３０ａの径は小さくなっている。このため、第１空洞部３３ａに堆積する第１ゲッター部３４の体積は小さくなっている。これにより、振動素子５にゲッター部の材料を付着し難くすることができる。
【０１０１】
第１仕切り板５７ｂは第３包囲壁２０と同じ工程にて形成することができる。そして、第２仕切り板５７ｃは第４包囲壁２１と同じ工程にて形成することができる。第３仕切り板５７ｄは第５包囲壁２２と同じ工程にて形成することができる。尚、必ずしも同じ工程にて形成することに限定されず別の工程で形成しても良い。
【０１０２】
第１仕切り板５７ｂと第１配線８との間に第１包囲壁１６及び第２包囲壁１７と同じ材料の部材を同じ厚みにて配置しても良い。このとき、第１仕切り板５７ｂと第３包囲壁２０との厚みを同じ厚みにすることができる。これにより、第１仕切り板５７ｂと第３包囲壁２０とを同じ製造条件にて形成することができる。
【０１０３】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、振動素子５が位置する第１空洞部３３ａにおける第１ゲッター部３４の体積は小さく、振動素子５が位置しない第２空洞部３３ｂにおける第２ゲッター部３５の体積は大きくなっている。従って、ゲッター部の材料が振動素子５に付着する可能性を小さくし、振動素子５に付着しない場所にゲッター部の材料を多く堆積させることができる。その結果、ゲッター部の材料は振動素子５に付着し難くなる為、振動素子５が作動するときゲッター部の材料が付着することによって受ける影響を小さくできる。
【０１０４】
（第３の実施形態）
次に、レゾネーターの一実施形態について図１０を用いて説明する。本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、第１ゲッター部と第２ゲッター部とを設置する部屋を別に設けた点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【０１０５】
図１０はレゾネーターの要部模式平断面図であり、包囲壁の基板側を示す図である。すなわち、本実施形態では、図１０に示したように電子装置としてのレゾネーター６０は第２下地層４上に振動素子５を備えている。振動素子５は固定電極６と可動電極７とを有している。固定電極６には第１配線８が接続され、可動電極７には第２配線９が接続されている。
【０１０６】
振動素子５は包囲壁６１に囲まれている。包囲壁６１は第１配線８及び第２配線９を跨いで配置されている。これにより、包囲壁６１は第１配線８及び第２配線９と絶縁されている。包囲壁６１は第１室６２〜第５室６６を形成している。そして、第１室６２の内部は第１空洞部６２ａであり、第２室６３〜第５室６６の内部は第２空洞部６３ａ〜第２空洞部６６ａとなっている。
【０１０７】
第１室６２と第２室６３との間の包囲壁６１は一部が開口された第２開口部６３ｂが設置されている。第２開口部６３ｂにより第１空洞部６２ａと第２空洞部６３ａとが接続されている。同様に、第１室６２と第３室６４との間の包囲壁６１には第３開口部６４ｂが設置され、第３開口部６４ｂにより第１空洞部６２ａと第２空洞部６４ａとが接続されている。さらに、第１室６２と第４室６５との間の包囲壁６１には第４開口部６５ｂが設置され、第４開口部６５ｂにより第１空洞部６２ａと第２空洞部６５ａとが接続されている。さらに、第１室６２と第５室６６との間の包囲壁６１には第５開口部６６ｂが設置され、第５開口部６６ｂにより第１空洞部６２ａと第２空洞部６６ａとが接続されている。これにより、第１室６２〜第５室６６の内部の空間は繋がっているので、第１空洞部６２ａ〜第２空洞部６３ａ，６４ａ，６５ａ，６６ａの間で気体が移動可能になっている。
【０１０８】
第１空洞部６２ａには振動素子５の周囲に第１ゲッター部３４が１２個設置されている。第２室６３の第２空洞部６３ａ及び第５室６６の第２空洞部６６ａには第２ゲッター部３５が各３個設置されている。そして、第３室６４の第２空洞部６４ａ及び第４室６５の第２空洞部６５ａには第２ゲッター部３５が各６個設置されている。包囲壁６１が形成する部屋の数、第１ゲッター部３４の数、第２ゲッター部３５の数は特に限定されない。レゾネーター６０の形状と大きさに合わせて設定することができる。
【０１０９】
包囲壁６１を覆って第１の実施形態における第１封止層３０に相当する第１封止層が配置される。該第１封止層には第１貫通孔と第２貫通孔とが設置されている。第１貫通孔の径は第２貫通孔の径より小さくなっている。そして、第１室６２には第１貫通孔が設置され、第２室６３〜第５室６６には第２貫通孔が設置されている。
【０１１０】
第２貫通孔を通過する粒子５３は包囲壁６１に阻まれる為第１空洞部６２ａに侵入し難くなっている。従って、第２貫通孔の径が大きいときにも振動素子５にゲッター材が付着することを防止することができる。
【０１１１】
第１空洞部６２ａに繋がる第１貫通孔の径は小さくなっている。このため、第１空洞部６２ａに堆積する第１ゲッター部３４の体積は小さくなっている。これにより、振動素子５にゲッター部の材料を付着し難くすることができる。
【０１１２】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、振動素子５が位置する第１空洞部６２ａにおける第１ゲッター部３４の体積は小さく、振動素子５が位置しない第２空洞部６３ａ，６４ａ，６５ａ，６６ａにおける第２ゲッター部３５の体積は大きくなっている。従って、振動素子５にゲッター部の材料が付着する可能性を小さくし、振動素子５に付着しない場所にゲッター部の材料を多く堆積させることができる。その結果、ゲッター部の材料は振動素子５に付着し難くなる為、振動素子５が作動するときゲッター部の材料が付着することによって受ける影響を小さくできる。
【０１１３】
（第４の実施形態）
次に、レゾネーターを用いた電子機器の１つである時計の一実施形態について図１１を用いて説明する。本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、レゾネーターを活用した電子機器である点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【０１１４】
図１１は、時計の構成を示す電気ブロック図である。図１１に示すように、電子機器としての時計７０は制御部７１を備えている。制御部７１はレゾネーター１と接続され、レゾネーター１は一定の周波数の矩形波信号を制御部７１に出力する。制御部７１は演算部及び記憶部を備え、演算部は矩形波信号と同期して各種の演算を行う。
【０１１５】
制御部７１は表示部７２及び入力部７３を備えている。表示部７２は制御部７１の演算部が演算結果を表示する装置であり、液晶表示装置、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示装置、時針分針等アナログ式表示装置等を用いることができる。入力部７３は押しボタン式のスイッチや回転式のダイヤル等を用いることができる。
【０１１６】
時計７０は現在時刻を表示する機能を備えている。入力部７３を用いて操作者は所定の時刻における時刻を入力する。制御部７１はレゾネーター１の出力を用いて時間の経過を演算する。そして、時刻を入力された時からの経過時間を加算して現在時刻を算出した結果を表示部７２に出力する。表示部７２は制御部７１の信号を受けて現在時刻を表示する。
【０１１７】
時計７０はストップウォッチの機能を備えている。入力部７３を用いて操作者はボタン式のスイッチを押すことにより計時開始の指示信号を入力する。制御部７１はレゾネーター１の出力を用いて時間の経過を演算する。そして、計時開始の信号を入力された時からの経過時間を算出し、算出した結果を表示部７２に出力する。表示部７２は制御部７１の信号を受けて経過時間を表示する。
【０１１８】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、時計７０はレゾネーター１を備えている。このレゾネーター１の空洞部３３は気体分子が少なく真空度が高い空間となっている。これにより、振動素子５が品質良く動作することができる。従って、時計７０は振動素子５が品質良く振動するレゾネーター１を備えた機器とすることができる。
【０１１９】
尚、本実施形態は上述した実施形態に限定されるものではなく、種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。
（変形例１）
前記第１の実施形態では、空洞部３３に振動素子５が設置されたが、空洞部３３内に設置される構造物は振動素子５に限らない。例えば、図１２（ａ）に示すようなスイッチ７４を設置しても良い。スイッチ７４は基板７５を備え、基板７５上に可動電極７６、固定電極７７、第１接点電極７８、第２接点電極７９を備えている。基板７５上に固定電極７７、第１接点電極７８、第２接点電極７９がこの順に配置されている。そして、固定電極７７、第１接点電極７８、第２接点電極７９と対向する場所にカンチレバー型の可動電極７６が配置されている。可動電極７６は先端の接点部７６ｂと根元の駆動電極７６ａが導体であり、接点部７６ｂと駆動電極７６ａとの間の中間部７６ｃ（７６）は絶縁体となっている。
【０１２０】
固定電極７７と対向する場所には駆動電極７６ａが位置する。そして、固定電極７７と駆動電極７６ａとの間に電圧を印加するとき、固定電極７７と駆動電極７６ａとの間に静電気が作用するので固定電極７７と駆動電極７６ａとが接近する。第１接点電極７８及び第２接点電極７９と対向する場所には接点部７６ｂが位置する。そして、固定電極７７と駆動電極７６ａとが接近するとき、接点部７６ｂは第１接点電極７８及び第２接点電極７９と接触する。これにより、第１接点電極７８と第２接点電極７９とが電気的に接続する。
【０１２１】
空洞部３３の真空度が高い為、接点部７６ｂと第１接点電極７８との間の接点が劣化し難くなっている。同様に、接点部７６ｂと第２接点電極７９との間の接点が劣化し難くなっている。従って、スイッチ７４は接点が劣化し難く寿命の長い装置にすることができる。また、空洞部３３の真空度が高い為、可動電極７６が作動し易くなっている。従って、固定電極７７と駆動電極７６ａとに電圧を印加するとき、高速にスイッチを切り替えることができる。
【０１２２】
（変形例２）
前記第１の実施形態では、空洞部３３に振動素子５が設置されたが、空洞部３３内に設置される構造物は振動素子５に限らない。例えば、図１２（ｂ）に示すような走査ミラー８０を設置しても良い。走査ミラー８０は光を反射する方向を走査する装置である。走査ミラー８０は基板８１を備え、基板８１上には支持部８２に両端を支持された鏡体８３が設置されている。支持部８２は支持軸８２ａを有し、鏡体８３の両端が支持軸８２ａに固定されている。鏡体８３において基板８１と反対側の面は鏡面となっており光を反射する。そして、鏡体８３は支持軸８２ａを中心にして所定の角度内を回動する。基板８１上において鏡体８３と対向する場所には第１電極８４と第２電極８５とが設置されている。
【０１２３】
鏡体８３、第１電極８４、第２電極８５は導体となっている。そして、鏡体８３と第１電極８４とを同じ極性の電位とし、鏡体８３と第２電極８５とを異なる電位にする。このとき、鏡体８３は第１電極８４との間で反発し、第２電極８５との間で引力が作用する。従って、鏡体８３は回転し基板８１に対して傾斜する。次に、鏡体８３、第１電極８４、第２電極８５の電位を切替える。そして、鏡体８３を逆方向に回転させて基板８１に対して傾斜させる。この操作を連続して行うことにより、鏡体８３を揺動させる。
【０１２４】
該走査ミラー８０では空洞部３３の真空度が高い為、鏡体８３が回転するときに気体の抵抗を受け難くなっている。従って、走査ミラー８０は品質良く揺動し光を走査させることができる。尚、第１封止層３０及び第２封止層３２に相当する層は光透過性の材質を用いる必要がある。
【０１２５】
（変形例３）
前記第１の実施形態では、空洞部３３に振動素子５が設置されたが、空洞部３３内に設置される構造物は振動素子５に限らない。例えば、図１２（ｃ）に示すようなジャイロスコープ８６を設置しても良い。ジャイロスコープ８６は基板８７を備え、基板８７上に振動子８８が設置されている。振動子８８は中央に固定部８８ａを有し、固定部８８ａから４つの駆動腕８８ｂと２つの検出腕８８ｃとが突出して配置されている。そして、駆動腕８８ｂを振動させた状態でジャイロスコープ８６を回転させるとき、検出腕８８ｃが振動する。該検出腕８８ｃの振動を検出することによりジャイロスコープ８６の回転を検出することができる。
【０１２６】
該ジャイロスコープ８６では空洞部３３の真空度が高い為、駆動腕８８ｂ及び検出腕８８ｃが振動するときに気体の抵抗を受け難くなっている。従って、ジャイロスコープ８６は品質良く回転角度を検出することができる。
【０１２７】
（変形例４）
前記第１の実施形態では、空洞部３３に振動素子５が設置されたが、空洞部３３内に設置される構造物は振動素子５に限らない。例えば、特表２００８−５１２９６４号公報に開示されたＭＥＭＳによるフィルターを配置しても良い。当該フィルターは両持ち梁型の振動子を備えている。他にも、特表２００４−５０７９２１号公報には円盤状の振動子を備えたフィルターが開示されている。該円盤状の振動子を空洞部３３に設置しても良い。他にも一対の櫛歯状の電極を移動可能に設置したフィルターが雑誌ＩＥＥＥ  Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃｓ  Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ，Ｔｒｏｎｔｏ，Ｃａｎａｄａ，Ｏｃｔｏｂｅｒ  ５−８，１９９７  ｐａｇｅｓ３２３−３２７に開示されている。該フィルターを空洞部３３に設置しても良い。空洞部３３の真空度が高い為、振動子または電極が振動するときに気体の抵抗を受け難くなっている。従って、フィルターは品質良く所定の周波数の波形を通過させることができる。
【０１２８】
（変形例５）
前記第１の実施形態では、側壁部２３の平面形状は図１に示すように四角形の枠形状とした。側壁部２３の平面形状は振動素子５を囲む形状であれば特に限定されず、例えば、円形、楕円形、多角形の枠形状等の任意の形状にすることができる。これにより、配線、端子、駆動回路１０を設定する配置の自由度を高めることができる。
【０１２９】
（変形例６）
前記第１の実施形態では、第１孔３０ａ及び第２孔３０ｂは円形であった。そのため、第１ゲッター部３４及び第２ゲッター部３５は平面視で円形となっていた。第１孔３０ａ及び第２孔３０ｂは円形に限らない。楕円形、四角形、長方形やこれらを組み合わせた形状でも良い。これにより、第１ゲッター部３４及び第２ゲッター部３５の平面視を第１孔３０ａ及び第２孔３０ｂと相似形の形状とすることができる。そして、空洞部３３に設置するゲッター材の量を増やすことができる。
【０１３０】
（変形例７）
前記第２の実施形態では、第１仕切り板５７ｂと重ねて第２仕切り板５７ｃを配置した。第２仕切り板５７ｃがないときに第２孔３０ｂを通過する粒子５３が第１空洞部３３ａに移動しない場合には第２仕切り板５７ｃが無くても良い。第２仕切り板５７ｃの材料を削減できるので省資源にすることができる。
【０１３１】
（変形例８）
前記第３の実施形態では、第１室６２〜第５室６６は包囲壁６１により区切られていた。そして、第２室６３〜第５室６６は第１室６２と隣り合っていた。第２室６３〜第５室６６は必ずしも第１室６２と隣り合わなくとも良い。第１室６２と離れていても各部屋の空洞部が通路により繋がっていれば良い。そして、各部屋の空洞部に位置する気体が部屋間を移動可能になっていれば良い。これにより、部屋の配置の自由度を高くすることができる。
【０１３２】
（変形例９）
前記第４の実施形態では、レゾネーター１を用いたがレゾネーター１の代わりに前記第２の実施形態におけるレゾネーター５６または前記第３の実施形態におけるレゾネーター６０を用いても良い。このときにも、品質良く所定の周波数の波形を活用することができる。
【０１３３】
（変形例１０）
前記第４の実施形態では、レゾネーター１を用いる電子機器として時計７０の例を示したが、電子機器は時計７０に限らない。レゾネーター１を各種の電子機器に適用することができる。例えば、携帯電話、パーソナルコンピューター、電子辞書、デジタルカメラ、デジタル録音再生装置等に用いることができる。このとき、品質良く所定の周波数の波形を活用することができる。従って、電子機器は振動素子５が品質良い波形を出力するレゾネーター１を備えた機器とすることができる。
【符号の説明】
【０１３４】
１，５６，６０…電子装置としてのレゾネーター、２…基板、７…可動部としての可動電極、７ｂ…可動部、１９…層間絶縁膜としての第１絶縁層、２０…側壁部としての第３包囲壁、２１…側壁部としての第４包囲壁、２３…被覆部としての側壁部、２４…層間絶縁膜としての第２絶縁層、２６…層間絶縁膜、３０…被覆部及び第１蓋部としての第１封止層、３０ａ…開口部としての第１孔、３０ｂ…開口部としての第２孔、３１…保護膜、３２…第２蓋部としての第２封止層、３３…空洞部、３３ａ，６２ａ…第１空洞部、３３ｂ，６３ａ，６４ａ，６５ａ，６６ａ…第２空洞部、３４…ゲッター部としての第１ゲッター部、３５…ゲッター部としての第２ゲッター部、４２…発振回路、５３…ゲッター部の材料及び封止する材料としての粒子、７０…電子機器としての時計。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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