(57)【要約】      （修正有）【課題】導電体の接近位置をより的確に検出できる静電容量式入力装置を提供する。【解決手段】方向Ｘに第１ピッチで方向Ｙに延びる複数の第１仮想直線のいずれか一つの上に、各々の重心位置１１３が位置する複数の第１電極１１と、方向Ｙに第２ピッチで互いに離間し且つそれぞれ方向Ｘに延びる複数の第２仮想直線のいずれか一つの上に、各々の重心位置１２３が位置する複数の第２電極１２と、導電体の接近位置を検出する制御手段と、線状の連絡配線１５１と、２つの配線束を備え、連絡配線１５１は、第２要素１２１，１２２とつながり、並びに、第２要素１２１，１２２の間且つ第１要素１１１，１１２の間に配置され、配線束は、第１要素１１１，１１２および第２要素１２１，１２２を囲むように形成され、重心位置１１３どうしの離間距離Ｄ１は上記第２ピッチより小さく、もしくは、重心位置１２３どうしの離間距離Ｄ２は上記第１ピッチより小さい。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１方向に第１ピッチで互いに離間し且つそれぞれ上記第１方向と異なる第２方向に延びる複数の第１仮想直線のいずれか一つに沿って、各々が配置された複数の第１検出電極と、
上記第２方向に第２ピッチで互いに離間し且つそれぞれ上記第１方向に延びる複数の第２仮想直線のいずれか一つに沿って、各々が配置された複数の第２検出電極と、
導電体と上記複数の第１検出電極の各々および上記複数の第２検出電極の各々との間に生じる静電容量の変化に基づき、上記導電体の接近位置を検出する制御手段と、
線状の連絡配線と、
互いに並列する線状の複数の接続配線を各々が含む２つの配線束と、
を備え、
上記複数の第１検出電極はそれぞれ、上記複数の第１仮想直線のいずれか一つの上に各々の重心位置が位置する複数の第１電極を含み、
上記複数の第２検出電極はそれぞれ、上記複数の第２仮想直線のいずれか一つの上に各々の重心位置が位置する複数の第２電極を含み、
上記複数の第１電極のうち２つは、上記第２方向に隣接する２つの第１要素であり、
上記複数の第２電極のうち２つは、上記第１方向に隣接する２つの第２要素であり、
上記連絡配線は、上記２つの第２要素のいずれともつながり、並びに、上記２つの第２要素の間且つ上記２つの第１要素の間に配置され、
上記複数の接続配線はそれぞれ、上記複数の第２電極のいずれか１つの第２電極につながり、且つ、当該１つの第２電極から、隣接する第１電極および第２電極の隙間を縫って上記第２方向の一方側に向かい、
上記２つの配線束は、上記２つの配線束の一方が上記２つの配線束の他方とともに、上記２つの第１要素および上記２つの第２要素を囲むように形成され、
上記２つの第１要素の重心位置どうしの離間距離は上記第２ピッチより小さく、もしくは、上記２つの第２要素の重心位置どうしの離間距離は上記第１ピッチより小さい、静電容量式入力装置。
【請求項２】
上記２つの第１要素の重心位置どうしの離間距離は上記第２ピッチより小さく、かつ、上記２つの第２要素の重心位置どうしの離間距離は上記第１ピッチより小さい、請求項１に記載の静電容量式入力装置。
【請求項３】
一方向を向く主面を有する基板を更に備え、
上記複数の第１電極、上記複数の第２電極、上記連絡配線、および、上記２つの配線束は、いずれも、上記主面に形成されている、請求項１または２に記載の静電容量式入力装置。
【請求項４】
上記２つの第１要素のいずれともつながる連結配線を更に備え、
上記複数の接続配線のいずれかは、上記２つの第２要素の一方につながり、
上記連結配線は、上記２つの第２要素の他方を囲むように配置されている、請求項１ないし３のいずれかに記載の静電容量式入力装置。
【請求項５】
上記２つの第１要素のいずれか、および、上記２つの第２要素のいずれかに挟まれた隙間に形成された光透過層と、
上記複数の第１電極、上記複数の第２電極、および、上記光透過層を覆うコーティング層と、を更に備える、請求項１ないし４のいずれかに記載の静電容量式入力装置。
【請求項６】
上記光透過層を構成する材料の屈折率は、上記コーティング層を構成する材料の屈折率と異なる、請求項５に記載の静電容量式入力装置。
【請求項７】
上記光透過層を構成する材料は、上記第１電極および上記第２電極を構成する材料と同一の材料よりなる、請求項５または６に記載の静電容量式入力装置。
【請求項８】
上記光透過層は、絶縁性の樹脂よりなる、請求項５に記載の静電容量式入力装置。
【請求項９】
上記基板は、上記主面と反対側を向く裏面を有し、
上記裏面に形成され且つグランド接続されたシールド層を更に備える、請求項３に記載の静電容量式入力装置。
【請求項１０】
上記制御手段は、
上記導電体と上記複数の第１検出電極の各々との間に生じる静電容量の変化に伴い上記複数の第１検出電極の各々を介して得られる値をそれぞれ、複数の第１検出値として記憶する第１検出値記憶部と、
上記導電体と上記複数の第２検出電極の各々との間に生じる静電容量の変化に伴い上記複数の第２検出電極の各々を介して得られる値をそれぞれ、複数の第２検出値として記憶する第２検出値記憶部と、
上記複数の第１検出値と上記複数の第２検出値とに基づいて、上記第１方向および上記第２方向における上記導電体の接近位置を計算する接近位置計算部と、を含む、請求項１ないし９のいずれかに記載の静電容量式入力装置。
【請求項１１】
上記接近位置計算部は、上記複数の第１検出値のうちで最も大きい第１検出値を生じさせる第１方向検出電極と当該第１方向検出電極に隣接する第１方向検出電極との上記第１方向における各位置について、上記第１検出値を重みとして加重平均を算出することにより、上記第１方向における上記導電体の接近位置を計算する処理を行う、請求項１０に記載の静電容量式入力装置。
【請求項１２】
上記接近位置計算部は、上記複数の第２検出値のうちで最も大きい第２検出値を生じさせる第２方向検出電極と当該第２方向検出電極に隣接する第２方向検出電極との上記第２方向における各位置について、上記第２検出値を重みとして加重平均を算出することにより、上記第２方向における上記導電体の接近位置を計算する処理を、更に行う、請求項１１に記載の静電容量式入力装置。
【請求項１３】
上記制御手段は、しきい値を記憶するしきい値記憶部と、上記複数の第１検出値および上記複数の第２検出値のいずれかが上記しきい値を超えているときに、上記導電体が接近したと判断する導電体接近判断部と、を更に含む、請求項１０ないし１３のいずれかに記載の静電容量式入力装置。
【請求項１４】
請求項１ないし１３のいずれかに記載の静電容量式入力装置と、
上記静電容量式入力装置に対向するカバーと、を備える、電子機器。
【請求項１５】
上記カバーと上記静電容量式入力装置との間に介在し、且つ、上記カバーと上記静電容量式入力装置を接着する接着層を更に備える、請求項１４に記載の電子機器。
【請求項１６】
上記静電容量式入力装置に対向する表示パネルを更に備え、
上記静電容量式入力装置は、上記表示パネルと上記カバーとの間に位置する、請求項１５に記載の電子機器。
【請求項１７】
請求項１ないし１３のいずれかに記載の静電容量式入力装置における導電体の接近位置の検出方法であって、
上記導電体と上記複数の第１検出電極の各々との間に生じる静電容量の変化に伴い上記複数の第１検出電極の各々を介して得られる値をそれぞれ、複数の第１検出値として第１検出値記憶部に記憶する工程と、
上記導電体と上記複数の第２検出電極の各々との間に生じる静電容量の変化に伴い上記複数の第２検出電極の各々を介して得られる値をそれぞれ、複数の第２検出値として第２検出値記憶部に記憶する工程と、
上記複数の第１検出値と上記複数の第２検出値とに基づいて、上記第１方向および上記第２方向における上記導電体の接近位置を計算する工程と、を備える、静電容量式入力装置における導電体の接近位置の検出方法。
【請求項１８】
上記接近位置を計算する工程は、上記複数の第１検出値のうちで最も大きい第１検出値を生じさせる第１方向検出電極と当該第１方向検出電極に隣接する第１方向検出電極との上記第１方向における各位置について、上記第１検出値を重みとして加重平均を算出することにより、上記第１方向における上記導電体の接近位置を計算する工程を含む、請求項１７に記載の検出方法。
【請求項１９】
上記接近位置を計算する工程は、上記複数の第２検出値のうちで最も大きい第２検出値を生じさせる第２方向検出電極と当該第２方向検出電極に隣接する第２方向検出電極との上記第２方向における各位置について、上記第２検出値を重みとして加重平均を算出することにより、上記第２方向における上記導電体の接近位置を計算する工程を更に含む、請求項１８に記載の検出方法。
【請求項２０】
上記複数の第１検出値および上記複数の第２検出値のいずれかがしきい値を超えているときに、上記導電体が接近したと導電体接近判断部が判断する工程を更に備える、請求項１７ないし１９のいずれかに記載の検出方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電容量式入力装置、これを用いた電子機器、および静電容量式入力装置における導電体の接近位置の検出方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１３は、従来の電子機器の一例を示す要部断面図（たとえば特許文献１参照）である。図１４は、図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿う要部平面図である。これらの図に示す電子機器９００は、入力装置９０１と、表示パネル９０２と、カバー９０３と、接着層９０４とを備える。
【０００３】
入力装置９０１は、透明基板９０５，９０６と、複数の透明帯状電極９０７，９０８と、配線９０９，９１０と、フレキシブル基板９１１と、制御手段９１２とを備える。透明基板９０５，９０６は互いに平行に配置されている。透明帯状電極９０７は、透明基板９０６に形成されている。透明帯状電極９０７は、方向Ｙに沿って延び、菱形状に膨張した部分とくびれた部分とが方向Ｙに沿って交互に配置された形状である。配線９０９は、透明基板９０６に形成されている。一方、透明帯状電極９０８は、透明基板９０５に形成されている。透明帯状電極９０８は、方向Ｘに沿って延び、菱形状に膨張した部分とくびれた部分とが方向Ｘに沿って交互に配置された形状である。配線９１０は、透明基板９０５に形成されている。制御手段９１２はＩＣチップである。制御手段９１２は、フレキシブル基板９１１および配線９０９を介して、透明帯状電極９０７に接続している。また、制御手段９１２は、フレキシブル基板９１１および配線９１０を介して、透明帯状電極９０８に接続している。カバー９０３および接着層９０４は透明であり、カバー９０３は接着層９０４によって入力装置９０１に接着されている。
【０００４】
電子機器９００の使用者が電子機器９００を操作するときには、導電体９１３たる指を、カバー９０３に対して接近、あるいは接触させる。すると、導電体９１３と複数の透明帯状電極９０７との間、および、導電体９１３と複数の透明帯状電極９０８との間に静電容量が生じる。制御手段９１２は、配線９０９や配線９１０を介して、導電体９１３と透明帯状電極９０７，９０８との間に生じる静電容量に応じて変化する電圧値など（以下、検出値と呼ぶ）を計測する。図１５は、導電体９１３をカバー９０３に接近もしくは接触させたときの、透明帯状電極９０７ごとの検出値を示すヒストグラムである。制御手段９１２は、検出値が増加した透明帯状電極９０７を特定することによって、方向Ｘにおける導電体９１３の接近位置を検出する。次に、制御手段９１２は、検出値が増加した透明帯状電極９０８を特定することにより、方向Ｙにおける導電体９１３の接近位置を検出する。以上の手順を経ることにより、入力装置９０１において、ＸＹ平面における導電体９１３の接近位置を検出する。近年、導電体９１３の接近位置をより的確に検出できる入力装置の開発がおこなわれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１２２９５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、導電体の接近位置をより的確に検出できる静電容量式入力装置を提供することをその主たる課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の側面によって提供される静電容量式入力装置は、第１方向に第１ピッチで互いに離間し且つそれぞれ上記第１方向と異なる第２方向に延びる複数の第１仮想直線のいずれか一つに沿って、各々が配置された複数の第１検出電極と、上記第２方向に第２ピッチで互いに離間し且つそれぞれ上記第１方向に延びる複数の第２仮想直線のいずれか一つに沿って、各々が配置された複数の第２検出電極と、導電体と上記複数の第１検出電極の各々および上記複数の第２検出電極の各々との間に生じる静電容量の変化に基づき、上記導電体の接近位置を検出する制御手段と、線状の連絡配線と、互いに並列する線状の複数の接続配線を各々が含む２つの配線束と、を備え、上記複数の第１検出電極はそれぞれ、上記複数の第１仮想直線のいずれか一つの上に各々の重心位置が位置する複数の第１電極を含み、上記複数の第２検出電極はそれぞれ、上記複数の第２仮想直線のいずれか一つの上に各々の重心位置が位置する複数の第２電極を含み、上記複数の第１電極のうち２つは、上記第２方向に隣接する２つの第１要素であり、上記複数の第２電極のうち２つは、上記第１方向に隣接する２つの第２要素であり、上記連絡配線は、上記２つの第２要素のいずれともつながり、並びに、上記２つの第２要素の間且つ上記２つの第１要素の間に配置され、上記複数の接続配線はそれぞれ、上記複数の第２電極のいずれか１つの第２電極につながり、且つ、当該１つの第２電極から、隣接する第１電極および第２電極の隙間を縫って上記第２方向の一方側に向かい、上記２つの配線束は、上記２つの配線束の一方が上記２つの配線束の他方とともに、上記２つの第１要素および上記２つの第２要素を囲むように形成され、上記２つの第１要素の重心位置どうしの離間距離は上記第２ピッチより小さく、もしくは、上記２つの第２要素の重心位置どうしの離間距離は上記第１ピッチより小さい。
【０００８】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記２つの第１要素の重心位置どうしの離間距離は上記第２ピッチより小さく、かつ、上記２つの第２要素の重心位置どうしの離間距離は上記第１ピッチより小さい。
【０００９】
本発明の好ましい実施の形態においては、一方向を向く主面を有する基板を更に備え、上記複数の第１電極、上記複数の第２電極、上記連絡配線、および、上記２つの配線束は、いずれも、上記主面に形成されている。
【００１０】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記２つの第１要素のいずれともつながる連結配線を更に備え、上記複数の接続配線のいずれかは、上記２つの第２要素の一方につながり、上記連結配線は、上記２つの第２要素の他方を囲むように配置されている。
【００１１】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記２つの第１要素のいずれか、および、上記２つの第２要素のいずれかに挟まれた隙間に形成された光透過層と、上記複数の第１電極、上記複数の第２電極、および、上記光透過層を覆うコーティング層と、を更に備える。
【００１２】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記光透過層を構成する材料の屈折率は、上記コーティング層を構成する材料の屈折率と異なる。
【００１３】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記光透過層を構成する材料は、上記第１電極および上記第２電極を構成する材料と同一の材料よりなる。
【００１４】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記光透過層は、絶縁性の樹脂よりなる。
【００１５】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記基板は、上記主面と反対側を向く裏面を有し、上記裏面に形成され且つグランド接続されたシールド層を更に備える。
【００１６】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記制御手段は、上記導電体と上記複数の第１検出電極の各々との間に生じる静電容量の変化に伴い上記複数の第１検出電極の各々を介して得られる値をそれぞれ、複数の第１検出値として記憶する第１検出値記憶部と、上記導電体と上記複数の第２検出電極の各々との間に生じる静電容量の変化に伴い上記複数の第２検出電極の各々を介して得られる値をそれぞれ、複数の第２検出値として記憶する第２検出値記憶部と、上記複数の第１検出値と上記複数の第２検出値とに基づいて、上記第１方向および上記第２方向における上記導電体の接近位置を計算する接近位置計算部と、を含む。
【００１７】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記接近位置計算部は、上記複数の第１検出値のうちで最も大きい第１検出値を生じさせる第１方向検出電極と当該第１方向検出電極に隣接する第１方向検出電極との上記第１方向における各位置について、上記第１検出値を重みとして加重平均を算出することにより、上記第１方向における上記導電体の接近位置を計算する処理を行う。
【００１８】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記接近位置計算部は、上記複数の第２検出値のうちで最も大きい第２検出値を生じさせる第２方向検出電極と当該第２方向検出電極に隣接する第２方向検出電極との上記第２方向における各位置について、上記第２検出値を重みとして加重平均を算出することにより、上記第２方向における上記導電体の接近位置を計算する処理を、更に行う。
【００１９】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記制御手段は、しきい値を記憶するしきい値記憶部と、上記複数の第１検出値および上記複数の第２検出値のいずれかが上記しきい値を超えているときに、上記導電体が接近したと判断する導電体接近判断部と、を更に含む。
【００２０】
本発明の第２の側面によって提供される電子機器は、本発明の第１の側面にかかる静電容量式入力装置と、上記静電容量式入力装置に対向するカバーと、を備える。
【００２１】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記カバーと上記静電容量式入力装置との間に介在し、且つ、上記カバーと上記静電容量式入力装置を接着する接着層を更に備える。
【００２２】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記静電容量式入力装置に対向する表示パネルを更に備え、上記静電容量式入力装置は、上記表示パネルと上記カバーとの間に位置する。
【００２３】
本発明の第３の側面によって提供される静電容量式入力装置における導電体の接近位置の検出方法は、本発明の第１の側面にかかる静電容量式入力装置における導電体の接近位置の検出方法であって、上記導電体と上記複数の第１検出電極の各々との間に生じる静電容量の変化に伴い上記複数の第１検出電極の各々を介して得られる値をそれぞれ、複数の第１検出値として第１検出値記憶部に記憶する工程と、上記導電体と上記複数の第２検出電極の各々との間に生じる静電容量の変化に伴い上記複数の第２検出電極の各々を介して得られる値をそれぞれ、複数の第２検出値として第２検出値記憶部に記憶する工程と、上記複数の第１検出値と上記複数の第２検出値とに基づいて、上記第１方向および上記第２方向における上記導電体の接近位置を計算する工程と、を備える。
【００２４】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記接近位置を計算する工程は、上記複数の第１検出値のうちで最も大きい第１検出値を生ずる第１方向検出電極と当該第１方向検出電極に隣接する第１方向検出電極との上記第１方向における各位置について、上記第１検出値を重みとして加重平均を算出することにより、上記第１方向における上記導電体の接近位置を計算する工程を含む。
【００２５】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記接近位置を計算する工程は、上記複数の第２検出値のうちで最も大きい第２検出値を生ずる第２方向検出電極と当該第２方向検出電極に隣接する第２方向検出電極との上記第２方向における各位置について、上記第２検出値を重みとして加重平均を算出することにより、上記第２方向における上記導電体の接近位置を計算する工程を更に含む。
【００２６】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記複数の第１検出値および上記複数の第２検出値のいずれかがしきい値を超えているときに、上記導電体が接近したと導電体接近判断部が判断する工程を更に備える。
【００２７】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる電子機器の要部断面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う、入力装置の要部平面図である。
【図３】図２に示した入力装置の一部の構成を示す要部平面図である。
【図４】図２に示した入力装置の一部の構成を示す要部平面図である。
【図５】図２の領域Ｖの部分拡大平面図である。
【図６】図５のＶＩ−ＶＩ線に沿う要部断面図である。
【図７】本実施形態にかかる第１検出電極および第２検出電極と、制御手段との接続関係を模式的に示す図である。
【図８】（ａ），（ｂ）は、それぞれ、第１要素、第２要素の形状の変形例を示す部分拡大平面図である。
【図９】制御手段における、導電体の接近位置の検出方法の流れの一例を示すフローチャートである。
【図１０】（ａ）は、本実施形態における第１検出値を示すヒストグラムである。（ｂ）は、本実施形態における第２検出値を示すヒストグラムである。
【図１１】本実施形態の入力装置の作用効果を説明するために用いる比較例にかかる入力装置の要部拡大平面図である。
【図１２】本実施形態の光透過層の変形例を示す要部断面図である。
【図１３】従来の電子機器の要部断面図である。
【図１４】図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線に沿う要部平面図である。
【図１５】従来の入力装置の透明帯状電極ごとの検出値を示すヒストグラムである。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００３０】
図１〜図１１を用いて、本発明の第１実施形態につき説明する。
【００３１】
図１は、本実施形態にかかる電子機器の要部断面図である。図１に示す電子機器８００は、入力装置８１０と、表示パネル８２０と、カバー８３０と、接着層８４０とを備える。電子機器８００は、たとえば、携帯電話機、デジタルカメラ、パーソナルナビゲーションデバイス、もしくは、自動預入支払機である。電子機器８００は、いわゆる静電容量式のタッチパネルを備える機器である。すなわち、カバー８３０に対する導電体８の接近もしくは接触が、電子機器８００の機能等を発揮するためのスイッチ操作となる。導電体８は、たとえば、電子機器８００の使用者の指や、先端が導電性材料よりなるタッチペンである。
【００３２】
図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う、入力装置８１０の要部平面図である。図３は、図２に示した入力装置の一部の構成（第１検出電極Ｅｘｉ）を主に示す要部平面図である。図４は、図２に示した入力装置の一部の構成（第２検出電極Ｅｙｊ）を主に示す要部平面図である。図５は、図２の領域Ｖの部分拡大平面図である。図６は、図５のＶＩ−ＶＩ線に沿う要部断面図である。なお、図２〜図６では、表示パネル８２０、カバー８３０、および接着層８４０の記載は省略している。
【００３３】
これらの図に示す入力装置８１０は、静電容量式入力装置であり、導電体層１（図１参照）と、光透過層２（図３、図４では省略。図５、図６参照）と、コーティング層３（図１〜図５では省略。図６参照）と、シールド層４（図１参照）と、基板５と、フレキシブル基板７１と、制御手段７２とを備える。
【００３４】
図２〜図４では、複数の第１仮想直線Ｌ１と、複数の第２仮想直線Ｌ２とを記載している。複数の第１仮想直線Ｌ１は、それぞれが第２方向たる方向Ｙに延び、且つ、第１方向たる方向Ｘに第１ピッチＰ１で互いに離間する。複数の第２仮想直線Ｌ２は、それぞれが方向Ｘに延び、且つ、方向Ｙに第２ピッチＰ２で互いに離間する。
【００３５】
図１に示す基板５は、透明であり、平面板状を呈する。基板５は、たとえば、透明樹脂体、積層樹脂体、もしくは、ガラスからなる。透明樹脂体は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、またはポリカーボネイト（ＰＣ）などの透明樹脂よりなる。積層樹脂体は、これらの透明樹脂から選ばれた複数種類の材料よりなる。基板５は、主面５１および裏面５２を有する。主面５１は、一方向を向く面（図１において上側の面）であり、裏面５２は、主面５１とは反対側を向く面（図１において下側の面）である。
【００３６】
図１に示す導電体層１は、図２〜図４等に示す、複数の第１検出電極Ｅｘｉと、複数の第２検出電極Ｅｙｊと、７つの配線束１３と、２つの配線束１４と、配線１５，１６１，１６２，１７〜１９とを含む。導電体層１は、基板５の主面５１に形成されている。導電体層１は、たとえば、ＩＴＯ，ＩＺＯなどの透明な導電性材料よりなる。導電体層１は、このような導電性材料からなる薄膜に対してパターニングを施すことにより形成される。
【００３７】
図２、図３に示すように、複数の第１検出電極Ｅｘｉ（ｉ＝１，２，・・・，ｎ）は、それぞれ、複数の第１仮想直線Ｌ１のいずれか一つに沿って配置されている。また、複数の第１検出電極Ｅｘｉは、複数の第１仮想直線Ｌ１の上にそれぞれ位置する。すなわち、複数の第１検出電極Ｅｘｉは、方向Ｘに互いに離間するように配列されている。また、複数の第１検出電極Ｅｘｉのピッチは、第１ピッチＰ１に一致する。第１ピッチＰ１は、たとえば、５〜６ｍｍである。複数の第１検出電極Ｅｘｉは、方向Ｘにおける導電体８の接近位置を検出するためのものである。本実施形態では、第１検出電極Ｅｘｉの本数（すなわちｎ）は８である。
【００３８】
各第１検出電極Ｅｘｉは、方向Ｙに互いに離間するように配置された複数の第１電極１１を有する。各第１電極１１のＸＹ平面における重心位置１１３は、複数の第１仮想直線Ｌ１のいずれかの上に位置する。各第１電極１１は、略菱形状もしくは三角形状である。第１電極１１の形状は、菱形状や三角形状に限らず、丸形状、多角形状、もしくは、その他の形状でもよい。同一の第１検出電極Ｅｘｉに含まれる複数の第１電極１１は、後述の配線１７〜１９等を介して、互いに導通している。図５には、第１検出電極Ｅｘ３に含まれる第１電極１１を拡大して示している。同図に示すように、複数の第１電極１１のうち２つは、方向Ｙに隣接する２つの第１要素１１１，１１２である。２つの第１要素１１１，１１２の重心位置１１３どうしの離間距離Ｄ１は、後述の第２ピッチＰ２よりも小さい。離間距離Ｄ１は、たとえば、４．５〜５．８ｍｍである。本実施形態においては、２つの第１要素１１１，１１２の面積は互いに同一である。
【００３９】
上述のように、第１電極１１の形状は図示された形状に限られず、様々な形状であってもよい。たとえば、図８（ａ）に示すように、第１要素１１１が八角形状である一方、第１要素１１２が菱形状であってもよい。また、図８（ｂ）に示すように、第１要素１１１，１１２が、角部を有さず、なだらかに連続した直線により外郭形状が規定される形状であってもよい。アンテナとして機能しうる角部が無い場合には、入力装置８１０が悪影響を受けにくい。また、同図（ａ−１）に示すように、当該外郭形状の一部が円弧状となっていてもよい。
【００４０】
図２、図４に示すように、複数の第２検出電極Ｅｙｊ（ｊ＝１，２，・・・，ｍ）は、複数の第２仮想直線Ｌ２のいずれか一つに沿って配置されている。また、複数の第２検出電極Ｅｙｊは、複数の第２仮想直線Ｌ２の上にそれぞれ位置する。すなわち、複数の第２検出電極Ｅｙｊは、方向Ｙに互いに離間するように配列されている。また、複数の第２検出電極Ｅｙｊのピッチは、第２ピッチＰ２に一致する。第２ピッチＰ２は、たとえば、５〜６ｍｍである。複数の第２検出電極Ｅｙｊは、方向Ｙにおける導電体８の接近位置を検出するためのものである。本実施形態では、第２検出電極Ｅｙｊの本数（すなわちｍ）は、１２である。
【００４１】
各第２検出電極Ｅｙｊは、方向Ｘに互いに離間するように配置された複数の第２電極１２を有する。各第２電極１２のＸＹ平面における重心位置１２３は、複数の仮想直線Ｌ２のいずれかの上に位置する。各第２電極１２は、略菱形状もしくは略正八角形状である。第２電極１２の形状は、菱形状や八角形状に限らず、丸型状などのその他の形状でもよい。同一の第２検出電極Ｅｙｊに含まれる複数の第２電極１２は、後述の接続配線１３１や配線１４１，１５等を介して、互いに導通している。図５には、第２検出電極Ｅｙ３に含まれる第２電極１２を拡大して示している。同図に示すように、複数の第２電極１２のうち２つは、方向Ｘに隣接する２つの第２要素１２１，１２２である。２つの第２要素１２１，１２２の重心位置１２３どうしの離間距離Ｄ２は、上述の第１ピッチＰ１よりも小さい。離間距離Ｄ２は、たとえば、４．５〜５．８ｍｍである。本実施形態においては、２つの第２要素１２１，１２２の面積は互いに同一である。
【００４２】
上述のように、第２電極１２の形状は図示された形状に限られず、様々な形状であってもよい。たとえば、図８（ａ）に示すように、第２要素１２１が八角形状である一方、第２要素１２２が菱形状であってもよい。また、図８（ｂ）に示すように、第２要素１２１，１２２が、角部を有さず、なだらかに連続した直線により外郭形状が規定される形状であってもよい。アンテナとして機能しうる角部が無い場合には、入力装置８１０が悪影響を受けにくい。また、同図（ａ−２）に示すように、当該外郭形状の一部が円弧状となっていてもよい。
【００４３】
図４に示すように、複数の配線１５はそれぞれ、第２検出電極Ｅｙ１〜Ｅｙ１１のいずれかに含まれる複数の第２電極１２のうち、方向Ｘに隣接する２つの第２電極１２とつながる。各配線１５はそれぞれ、方向Ｘに沿って延びる線状である。各配線１５は、方向Ｘに隣接する２つの第２電極１２の間に配置されている。また各配線１５は、方向Ｙに隣接する２つの第１電極１１の間に配置されている。各配線１５は、方向Ｘに隣接する２つの第２電極１２どうしを導通させる役割を果たす。図５に示すように、複数の配線１５のうちの一つは、連絡配線１５１である。連絡配線１５１は、上述の２つの第２要素１２１，１２２のいずれともつながる。連絡配線１５１は、２つの第２要素１２１，１２２の間に配置されている。また連絡配線１５１は、２つの第１要素１１１，１１２の間に配置されている。
【００４４】
図４に示すように、配線１６１は、第２検出電極Ｅｙ１２に含まれる第２電極１２につながる。配線１６１は、第２検出電極Ｅｙ１２に含まれる第２電極１２どうしを導通させる役割を果たす。
【００４５】
図４に示すように、配線１６２は、複数の第２電極１２のうち、第２検出電極Ｅｙ１１に含まれる第２電極１２につながる。配線１６２は、第２検出電極Ｅｙ１２に含まれる第２電極１２を囲むように配置されており、配線１６１との交差部分を有さない。配線１６２は、第２検出電極Ｅｙ１１に含まれる第２電極１２どうしを導通させる役割を果たす。
【００４６】
図２、図４に示すように、２つの配線束１４はそれぞれ、複数の配線が束となって、複数の第１検出電極Ｅｘｉおよび複数の第２検出電極Ｅｙｊの周囲に引きまわされている。より具体的には、配線束１４はそれぞれ、互いに並列する複数の配線１４１を含む。各配線１４１は、図４の最も左側もしくは最も右側に配置された第２電極１２につながる。各配線１４１は、つながっている第２電極１２から、方向Ｙに沿って基板５の一端（本実施形態では図２の下側）に向かう。各配線１４１は、後述のフレキシブル基板７１における配線７１２とともに、同一の第２検出電極Ｅｙｊに含まれる複数の第２電極１２どうしを導通させる役割を果たす。
【００４７】
図４、図５に示すように、７つの配線束１３はそれぞれ、複数の配線が束となって、隣接する第１電極１１および第２電極１２の隙間に引きまわされている。より具体的には、配線束１３はそれぞれ、互いに並列する複数の線状の接続配線１３１を含む。各接続配線１３１は、配線１５とつながる２つの第２電極１２のうちの一方の第２電極１２（本実施形態では、配線１５とつながる２つの第２電極１２のうちの、図２、図４において左側に配置されたもの）につながる。一方、各接続配線１３１は、配線１５とつながる２つの第２電極１２のうちの他方の第２電極１２（本実施形態では、配線１５とつながる２つの、図２、図４における第２電極１２のうちの右側に配置されたもの）にはつながっていない。そのため、図５に示すように、接続配線１３１のうちの一つは、第２要素１２１につながり、且つ、第２要素１２２にはつながっていない。各接続配線１３１は、つながっている第２電極１２から、隣接する第１電極１１および第２電極１２の隙間を縫って、基板５の方向Ｙにおける一端（本実施形態では図４の下側）に向かう。各接続配線１３１は、後述のフレキシブル基板７１における配線７１２とともに、同一の第２検出電極Ｅｙｊに含まれる複数の第２電極１２どうしを導通させる役割を果たす。図５に示すように、７つの配線束１３のうちの２つは、２つの配線束１３ａ，１３ｂである。２つの配線束１３ａ，１３ｂは、配線束１３ａが配線束１３ｂとともに、２つの第１要素１１１，１１２、および２つの第２要素１２１，１２２を囲むように、形成されている。
【００４８】
図３に示すように、複数の配線１７はそれぞれ、複数の第１電極１１のうち、方向Ｙに隣接する２つの第１電極１１とつながる。各配線１７はそれぞれ、方向Ｙに沿って延びる線状である。また、各配線１７は、方向Ｙに隣接する２つの第１電極１１の間に配置されている。各配線１７は、方向Ｙに隣接する２つの第１電極１１どうしを導通させる役割を果たす。
【００４９】
複数の配線１８はそれぞれ、複数の第１電極１１のうち、方向Ｙに隣接する２つの第１電極１１とつながる。各配線１８は、上述の配線１５とつながる２つの第２電極１２のうちの他方の第２電極１２（本実施形態では、配線１５とつながる２つの第２電極１２のうちの、図２、図４における右側に配置されたもの）を囲むように形成されている。これにより、配線１５と各配線１８が交差するのを避けることができる。図５に示すように、各配線１８は、方向Ｙに隣接する２つの第１電極１１どうしを導通させる役割を果たす。複数の配線１８のうちの一つは、連結配線１８１である。連結配線１８１は、第２要素１２２を囲むように形成されている。
【００５０】
図３に示す複数の配線１９はそれぞれ、図３の最も下側に配置された第１電極１１につながる。各配線１９は、つながっている第１電極１１から、基板５の方向Ｙにおける一端（本実施形態では、図２の下側）に向かう。
【００５１】
以上の接続配線１３１、配線１４１，１５，１６１，１６２，１７〜１９は、それぞれ、たとえば３０〜１００μｍの幅を有する。
【００５２】
図５、図６に示す光透過層２は、基板５の主面５１に形成されている。光透過層２は、第１電極１１と第２電極１２とに挟まれた隙間に形成されている。光透過層２は、透明な材料よりなり、表示パネル８２０に表示される画像等の見栄え（視認性）を向上させるために設けられている。光透過層２を構成する材料の屈折率は、第１電極１１および第２電極１２を構成する材料の屈折率と同程度であることが好ましい。本実施形態においては、光透過層２は、第１電極１１および第２電極１２を構成する材料（たとえばＩＴＯ，ＩＺＯ）と同一の材料よりなる。そのため、光透過層２および第１電極１１および第２電極１２の屈折率は、同一である。光透過層２が、第１電極１１および第２電極１２を構成する材料と同一の材料を用いている場合、光透過層２は、導電性の材料よりなるといえる。光透過層２が導電性の材料よりなる場合、光透過層２と、この光透過層２に隣接する第１電極１１および第２電極１２とは、隙間を介して配置されている。これにより、光透過層２とこの光透過層２に隣接する第１電極１１とが電気的に絶縁されている。同様に、光透過層２とこの光透過層２に隣接する第２電極１２とが電気的に絶縁されている。光透過層２が第１電極１１および第２電極１２を構成する材料よりなる場合、光透過層２は、基板５の主面５１上に、第１電極１１および第２電極１２を形成するのと同時に形成されうる。
【００５３】
図６に示すコーティング層３は、導電体層１（図６では第１電極１１、第２電極１２）および光透過層２を覆っている。コーティング層３は、外来光が反射することにより視認性が悪化することを抑制する機能を担う。本実施形態とは異なるが、コーティング層３は、導電体層１とカバー８３０とを接着するために用いることもできる。コーティング層３は、光を透過させる透明な絶縁材料よりなる。このような絶縁材料としては、たとえば、紫外線硬化樹脂が挙げられる。本実施形態においては、コーティング層３を構成する材料の屈折率は、導電体層１や光透過層２を構成する材料の屈折率と異なる。コーティング層３の屈折率は、たとえば、１．５程度である。一方、導電体層１や光透過層２を構成する材料（たとえばＩＴＯ，ＩＺＯ）の屈折率は、たとえば、２．０程度である。また、基板５を構成する材料の屈折率は、たとえば、１．５程度である。
【００５４】
図１に示すシールド層４は、基板５の裏面５２に形成されている。シールド層４は、たとえばＩＴＯ，ＩＺＯなどの透明導電性材料よりなる。シールド層４は、たとえばリア保護層（図示略）により覆われている。シールド層４は、グランド接続されており、外来のノイズを遮断する役割を果たす。特に本実施形態においては、シールド層４は、後述の表示パネル８２０に由来するノイズを遮断するのに好適である。
【００５５】
図１、図２に示すフレキシブル基板７１は、基板５の方向Ｙにおける一端（本実施形態では図２の下側）に設けられている。フレキシブル基板７１は、基材７１１と、複数の配線７１２とを備える。なお、図２では、フレキシブル基板７１における配線７１２の接続態様を模式的に示している。基材７１１は、たとえば、ポリイミドなどの絶縁材料からなり、平面視略Ｔ字の平面板状を呈する。複数の配線７１２は、基材７１１に形成されている。図２に示すように、複数の配線７１２のうちの一部は、接続配線１３１ないし配線１４１と導通している。また、各配線７１２は、同一の第２検出電極Ｅｙｊに含まれる第２電極１２どうしを導通させる機能を担う。また各配線７１２は、各第１検出電極Ｅｘｉと導電体８との間の静電容量の変化、および、各第２検出電極Ｅｙｊと導電体８との間の静電容量の変化を、制御手段７２に伝達する機能をも担う。
【００５６】
図７に、各第１検出電極Ｅｘｉ、各第２検出電極Ｅｙｊと、制御手段７２との接続関係を模式的に示す。図１、図２、図７に示す制御手段７２は、ＸＹ平面における導電体８の接近位置を検出する。制御手段７２による導電体８の接近位置の検出は、導電体８と、複数の第１検出電極Ｅｘｉおよび複数の第２検出電極Ｅｙｊの各々との間に生じる静電容量の変化に基づき、行われる。本実施形態においては、制御手段７２は、ＩＣチップであり、フレキシブル基板７１の端部に搭載されている。制御手段７２は、ＩＣチップでなく、導電体８の接近位置を検出するためのプログラムがインストールされたコンピュータであってもよい。制御手段７２は、各第１検出電極Ｅｘｉと導電体８との間の静電容量の変化をそれぞれ、常に計測することができる。同様に、制御手段７２は、各第２検出電極Ｅｙｊと導電体８との間の静電容量の変化をそれぞれ、常に計測することができる。
【００５７】
より具体的には、図７に示すように、制御手段７２は、第１検出値記憶部７２１と、第２検出値記憶部７２２と、しきい値記憶部７２３と、導電体接近判断部７２４と、接近位置計算部７２５とを含む。
【００５８】
第１検出値記憶部７２１は、複数の第１検出値Ｗｘ（ｉ）（ｉ＝１，２，・・・ｎ）を記憶する。各第１検出値Ｗｘ（ｉ）は、導電体８と第１検出電極Ｅｘｉとの間に生じる静電容量の変化に伴い、当該第１検出電極Ｅｘｉを介して得られる値である。第２検出値記憶部７２２は、複数の第２検出値Ｗｙ（ｊ）（ｉ＝１，２，・・・ｍ）を記憶する。各第２検出値Ｗｙ（ｊ）は、導電体８と第２検出電極Ｅｙｊとの間に生じる静電容量の変化に伴い、当該第２検出電極Ｅｙｊを介して得られる値である。しきい値記憶部７２３は、しきい値Ｖｔｈを記憶する。しきい値Ｖｔｈは、後述するように、導電体８が入力装置８１０に接近したか否かを判断する際に用いる。しきい値Ｖｔｈは、たとえば、入力装置８１０の製造時において、しきい値記憶部８２３に記憶させられる。
【００５９】
導電体接近判断部７２４は、入力装置８１０に導電体８の接近の有無を判断する。接近位置計算部７２５は、方向ｘおよび方向ｙにおける導電体８の接近位置を計算する。導電体８の接近位置の計算には、複数の第１検出値Ｗｘ（ｉ）と、複数の第２検出値Ｗｙ（ｊ）を用いる。具体的な導電体８の接近位置の検出方法は、後述する。
【００６０】
図１に示す表示パネル８２０は、画像（文字を含む）を表示するためのものである。表示パネル８２０は、たとえば液晶表示パネルである。液晶表示パネルは、互いに対向する透明基板およびＴＦＴ基板と、これらに挟まれた液晶層とを含む。表示パネル８２０は、電子機器８００を操作するのに用いられる操作メニュー画面などを表示する。表示パネル８２０の表示面は、方向Ｚ視において、複数の第１検出電極Ｅｘｉおよび複数の第２検出電極Ｅｙｊと重なるように配置されている。表示パネル８２０に表示される画像は、入力装置８１０をとおして電子機器８００の使用者が視認可能である。表示パネル８２０は、液晶表示パネルに限定されず、画像を表示できるものであるなら、有機ＥＬパネルなどどのようなものでも構わない。
【００６１】
カバー８３０は、基板５に対して方向Ｚの一方側（図１における上方側）に配置されている。カバー８３０は、透明であり、たとえば樹脂やガラスよりなる。カバー８３０は、導電体８が接触する接触面８３１を有する。導電体８たる指と接触面８３１との接触領域は、たとえば、直径１０ｍｍの略円形となる。
【００６２】
接着層８４０は、入力装置８１０とカバー８３０とを接着する機能を担う。接着層８４０は、入力装置８１０とカバー８３０との間に介在する。本実施形態では、接着層８４０は、コーティング層３およびカバー８３０のいずれにも直接接する。接着層８４０は、光を良好に透過させる透明な絶縁材料よりなる。接着層８４０は、たとえば光学用粘着剤である。
【００６３】
次に、電子機器８００の使用方法につき説明する。
【００６４】
まず、表示パネル８２０に、操作メニュー画面を表示させる。当該操作メニュー画面は、たとえば電子機器８００の諸機能を発揮させるボタンを模したアイコンを含む。表示パネル８２０に表示される操作メニュー画面は、入力装置８１０、接着層８４０、およびカバー８３０をとおして、電子機器８００の使用者によって視認される。使用者がなんら操作をしない状態においては、各第１検出電極Ｅｘｉと導電体８との間、および、各第２検出電極Ｅｙｊと導電体８との間には、静電容量がほとんど生じていない。
【００６５】
次いで、使用者は、電子機器８００の機能に対応するアイコンを触るようにして、導電体８たる指を方向Ｚの一方からカバー８３０の接触面８３１に接近させる。すると、各第１検出電極Ｅｘｉと導電体８との離間距離、および、各第２検出電極Ｅｙｊと導電体８との離間距離が小さくなる。これにより、導電体８と各第１検出電極Ｅｘｉとの間の静電容量、および、導電体８と各第２検出電極Ｅｙｊとの間の静電容量が変化する。複数の第１検出電極Ｅｘｉのうち導電体８との離間距離が小さいものほど、導電体８との間に生ずる静電容量が大きくなる。
【００６６】
図９は、制御手段７２における、導電体８の接近位置の検出方法の流れの一例を示すフローチャートである。
【００６７】
＜第１検出値Ｗｘ（ｉ）の記憶、および、第２検出値Ｗｙ（ｊ）の記憶（Ｓ１０１）＞
制御手段７２における第１検出値記憶部７２１は、上述のように、導電体８と複数の第１検出電極Ｅｘｉの各々との間に生じる静電容量の変化に伴い複数の第１検出電極Ｅｘｉの各々を介して得られる値をそれぞれ、複数の第１検出値Ｗｘ（ｉ）として記憶する。図１０（ａ）に、各第１検出電極Ｅｘｉと導電体８との離間距離が小さくなったときの、各第１検出値Ｗｘ（ｉ）の一例を示す。同図において、第１検出値Ｗｘ（３），Ｗｘ（４），Ｗｘ（５）が、他の第１検出値Ｗｘ（ｉ)よりも大きい値を示しているのは、導電体８が第１検出電極Ｅｘ３，Ｅｘ４，Ｅｘ５に接近したことに起因する。一方、第１検出値Ｗｘ（１）がわずかであるが値を示しているのは、導電体８が第１検出電極Ｗｘ１に接近したことに起因するのではなく、ノイズの影響に因る。同様に、制御手段７２における第２検出値記憶部７２２は、上述のように、導電体８と複数の第２検出電極Ｅｙｊの各々との間に生じる静電容量の変化に伴い複数の第２検出電極Ｅｙｊの各々を介して得られる値をそれぞれ、複数の第２検出値Ｗｙ（ｊ）として記憶している。図１０（ｂ）に、各第２検出電極Ｅｙｊと導電体８との離間距離が小さくなったときの、各第２検出値Ｗｙ（ｊ）の一例を示す。同図において、第２検出値Ｗｙ（７），Ｗｙ（８），Ｗｙ（９）が、他の第２検出値Ｗｙ（ｊ)よりも大きい値を示しているのは、導電体８が第２検出電極Ｅｙ７，Ｅｙ８，Ｅｙ９に接近したことに起因する。一方、第２検出値Ｗｙ（３），Ｗｙ（１１）がわずかであるが値を示しているのは、導電体８が第２検出電極Ｅｙ３，Ｅｙ１１に接近したことに起因するのではなく、ノイズの影響に因る。
【００６８】
＜導電体８の接近の有無の判断（Ｓ１０２）＞
次に、制御手段７２における導電体接近判断部７２４が、導電体８が入力装置８１０に接近しているか否かを判断する。導電体接近判断部７２４は、複数の第１検出値Ｗｘ（ｉ）および複数の第２検出値Ｗｙ（ｊ）のいずれかが上述のしきい値Ｖｔｈを超えている場合に、導電体８が入力装置８１０に接近したと判断する。一方、導電体接近判断部７２４は、複数の第１検出値Ｗｘ（ｉ）および複数の第２検出値Ｗｙ（ｊ）のいずれもが上述のしきい値Ｖｔｈを超えていない場合、導電体８が入力装置８１０に接近していないと判断する。複数の第１検出値Ｗｘ（ｉ）および複数の第２検出値Ｗｙ（ｊ）のいずれかが上述のしきい値Ｖｔｈを超えているか否かは、たとえば、複数の第１検出値Ｗｘ（ｉ）および複数の第２検出値Ｗｙ（ｊ）の最大値と、しきい値Ｖｔｈを比較することにより、判断する。しきい値Ｖｔｈは、ノイズの影響により増加すると考えられる第１検出値Ｗｘ（ｉ）もしくは第２検出値Ｗｙ（ｊ）の値より大きく、且つ、導電体８が入力装置８１０に接近した際に増加すると考えられる第１検出値Ｗｘ（ｉ）もしくは第２検出値Ｗｙ（ｊ）の値より小さい値に、予め設定されている。
【００６９】
そして、導電体８が入力装置８１０に接近したと導電体接近判断部７２４が判断したときは（Ｓ１０２：ＹＥＳ）、制御手段７２における接近位置計算部７２５が導電体８の接近位置の計算を行う（Ｓ１０３）。一方、導電体８が入力装置８１０に接近していないと導電体接近判断部７２４が判断したときは（Ｓ１０２：ＮＯ）、接近位置計算部７２５は導電体８の接近位置の計算を行わない。
【００７０】
＜導電体８の接近位置の計算（Ｓ１０３）＞
次に、接近位置計算部７２５は、方向ｘにおける導電体８の接近位置を計算する。本実施形態では、導電体８の接近位置の計算は、複数の第１検出値Ｗｘ（ｉ）のうちで最も大きい第１検出値Ｗｘ（ｉ）を生じさせる第１方向検出電極Ｅｘｉと、当該第１方向検出電極Ｅｘｉに隣接する第１方向検出電極Ｅｘｉと、の方向ｘにおける各位置について、第１検出値Ｗｘ（ｉ）を重みとして加重平均を算出することにより行う。各第１検出値Ｗｘ（ｉ）が図１０（ａ）に示すものである場合、具体的には、下記の式（１）に基づき、当該加重平均が算出される。
（Ｘ３・Ｗｘ（３）＋Ｘ４・Ｗｘ（４）＋Ｘ５・Ｗｘ（５））／（Ｗｘ（３）＋Ｗｘ（４）＋Ｗｘ（５））                    ・・・（１）
式（１）において、Ｘ３は、第１検出電極Ｅｘ３の方向ｘにおける中心位置であり、Ｘ４は、第１検出電極Ｅｘ４の方向ｘにおける中心位置であり、Ｘ５は、第１検出電極Ｅｘ５の方向ｘにおける中心位置である。すなわち、Ｘ３，Ｘ４，Ｘ５は、それぞれ、入力装置８１０の検出領域内の、第１検出電極Ｅｘ３〜Ｅｘ５の方向ｘにおける位置座標である。そして、算出された加重平均値が、方向ｘにおける導電体８の接近位置として採用される。
【００７１】
同様に、接近位置計算部７２５は、方向ｙにおける導電体８の接近位置を計算する。本実施形態では、導電体８の接近位置の計算は、複数の第２検出値Ｗｙ（ｊ）のうちで最も大きい第２検出値Ｗｙ（ｊ）を生じさせる第２方向検出電極Ｅｙｊと当該第２方向検出電極Ｅｙｊに隣接する第２方向検出電極Ｅｙｊとの方向ｙにおける各位置について、第２検出値Ｗｙ（ｊ）を重みとして加重平均を算出することにより行う。各第２検出値Ｗｙ（ｊ）が図１０（ｂ）に示すものである場合、具体的には、下記の式（２）に基づき、当該加重平均が算出される。
（Ｙ７・Ｗｙ（７）＋Ｙ８・Ｗｙ（８）＋Ｙ９・Ｗｙ（９））／（Ｗｙ（７）＋Ｗｙ（８）＋Ｗｙ（９））                    ・・・（２）
式（２）において、Ｙ７は、第２検出電極Ｅｘ７の方向ｙにおける中心位置であり、Ｙ８は、第２検出電極Ｅｙ８の方向ｙにおける中心位置であり、Ｙ９は、第２検出電極Ｅｙ９の方向ｙにおける中心位置である。すなわち、Ｙ７，Ｙ８，Ｙ９は、それぞれ、入力装置８１０の検出領域内の、第２検出電極Ｅｙ７〜Ｅｙ９の方向ｙにおける位置座標である。そして、算出された加重平均値が、方向ｙにおける導電体８の接近位置として採用される。
【００７２】
なお、上記では、方向ｘにおける導電体８の接近位置を計算するために、複数の第１検出値Ｗｘ（ｉ）の３つのみを用いて、加重平均値を計算したが、方向ｘにおける導電体８の接近位置を計算する方法はこれに限られない。たとえば、複数の第１検出値Ｗｘ（ｉ）の全てを用いて、加重平均値を計算し、方向ｘにおける導電体８の接近位置を計算してもよい。同様に、上記では、方向ｙにおける導電体８の接近位置を計算するために、複数の第２検出値Ｗｙ（ｊ）の３つのみを用いて、加重平均値を計算したが、方向ｙにおける導電体８の接近位置を計算する方法はこれに限られない。たとえば、複数の第２検出値Ｗｙ（ｊ）の全てを用いて、加重平均値を計算し、方向ｙにおける導電体８の接近位置を計算してもよい。また、導電体８の接近の有無の判断を、導電体８の接近位置を計算した後に行ってもよい。このとき、導電体８が接近していないと判断された場合、計算により算出された導電体８の接近位置は、実際の導電体８の接近位置としては採用されない。
【００７３】
以上のように、制御手段７２は、方向ｘおよび方向ｙにおける導電体８の接近位置を検出しうる。
【００７４】
導電体８の方向ｘおよび方向ｙにおける接近位置を検出できると、使用者の触れようとしたアイコンを特定できる。そして、電子機器８００は、このアイコンに対応する機能を発揮する。
【００７５】
次に、本実施形態の作用効果について説明する。
【００７６】
図１１は、本実施形態の入力装置の作用効果を説明するために用いる比較例にかかる入力装置の要部拡大平面図である。同図に示す入力装置は、第１要素１１１’，１１２’の重心位置１１３’どうしの離間距離Ｄ１’が上述の第２ピッチＰ２と同一であり、且つ、第２要素１２１’，１２２’の重心位置１２３’どうしの離間距離Ｄ２’が上述の第１ピッチＰ１と同一であることが、本実施形態にかかる入力装置８１０と相違する。
【００７７】
図１１に示すように、連絡配線１５１との交差を避けるため、第１要素１１１’ないし第１要素１１２’と、連絡配線１５１および第２要素１２１’，１２２’との間には、配線が形成されにくい。そのため、比較例にかかる入力装置においては、第１要素１１１’，１１２’と、連絡配線１５１および第２要素１２１’，１２２’との間には、配線が形成されておらず、比較的大きな隙間がある。そして、第１要素１１１’，１１２’、第２要素１２１’，１２２’を囲むように２つの配線束１３が形成されている。
【００７８】
一方、本実施形態においては、図５に示すように、２つの第１要素１１１，１１２の重心位置１１３どうしの離間距離Ｄ１は、第２ピッチＰ２（図２参照）より小さい。そのため、２つの第１要素１１１，１１２の重心位置１１３の少なくとも一つを、連絡配線１５１に近づけることができる。これにより、第１要素１１１，１１２の少なくとも一つを、第１要素１１１’ないし第１要素１１２’と、連絡配線１５１および第２要素１２１，１２２との間の隙間を埋めるように、比較的大きく形成することができる。このように、入力装置８１０においては、第１要素１１１，１１２の面積を大きくすることが可能となっている。
【００７９】
同一の導電体８を同一の姿勢で各第１検出電極Ｅｘｉに接近させた場合に計測される第１検出値Ｗｘ（ｉ）の大きさは、第１検出電極Ｅｘｉの感度と称されている。上述のように第１要素１１１，１１２の面積を大きくすることができると、第１要素１１１，１１２を含む第１検出電極Ｅｘ３の感度の向上を図ることができる。同様の考え方を用いて、第１検出電極Ｅｘ３の他の複数の第１検出電極Ｅｘｉの各々の感度の向上を図ることができる。複数の第１検出電極Ｅｘｉごとの感度を向上させることができると、ノイズに起因して増加しうる第１検出値Ｗｘ（ｉ）の値に対する、導電体８が接近した際に最も増加しうる第１検出値Ｗｘ（ｉ）の値を、より大きくすることができる。すなわち、Ｓ／Ｎ比を高くすることができる。そうすると、上述のしきい値Ｖｔｈとして、ノイズに起因して増加する第１検出値Ｗｘ（ｉ）の値よりも確実に大きく、且つ、導電体８が接近した際に最も増加しうる第１検出値Ｗｘ（ｉ）の値よりも確実に小さい値を設定しやすくなる。これにより、ノイズに起因して増加する第１検出値Ｗｘ（ｉ）の値が比較的大きくても、導電体８が接近したと判断してしまういわゆる誤判断を回避でき、且つ、導電体８が接近した場合には導電体８が接近したと確実に判断することができる。すなわち、導電体８の接近位置を的確に検出できる。
【００８０】
また、複数の第１検出電極Ｅｘｉごとの感度を向上させることができると、たとえば、カバー８３０の厚さが厚くなっても、ノイズに起因して増加しうる第１検出値Ｗｘ（ｉ）の値に対する、導電体８が接近した際に最も増加しうる第１検出値Ｗｘ（ｉ）の値を、大きく減少させなくてもよい。そうすると、カバー８３０の厚さが厚くなっても、上述のしきい値Ｖｔｈとして、ノイズに起因して増加する第１検出値Ｗｘ（ｉ）の値よりも確実に大きく、且つ、導電体８が接近した際に最も増加しうる第１検出値Ｗｘ（ｉ）の値よりも確実に小さい値を設定しうる。これにより、ノイズに起因して増加する第１検出値Ｗｘ（ｉ）の値が比較的大きくても、導電体８が接近したと判断してしまういわゆる誤判断を回避でき、且つ、導電体８が接近した場合には導電体８が接近したと確実に判断することができる。すなわち、導電体８の接近位置を的確に検出できる。
【００８１】
本実施形態においては、図５に示すように、２つの第２要素１２１，１２２の重心位置１２３どうしの離間距離Ｄ２は、第１ピッチＰ１（図２参照）より小さい。そのため、２つの第２要素１２１，１２２の重心位置１２３どうしを近づけることができる。これにより、第２要素１２１，１２２を、第１要素１１１，１１２と、連絡配線１５１および第２要素１２１，１２２との間の隙間を埋めるように、比較的大きく形成することができる。このように、入力装置８１０においては、第２要素１２１，１２２の面積を大きくすることが可能となっている。
【００８２】
同一の導電体８を同一の姿勢で各第２検出電極Ｅｙｊに接近させた場合に計測される第２検出値Ｗｙ（ｊ）の大きさは、第２検出電極Ｅｙｊの感度と称されている。上述のように第２要素１２１，１２２の面積を大きくすることができると、第２要素１２１，１２２を含む第２検出電極Ｅｙ３の感度の向上を図ることができる。同様の考え方を用いて、第２検出電極Ｅｙ３の他の複数の第２検出電極Ｅｙｊの各々の感度の向上を図ることができる。複数の第２検出電極Ｅｙｊごとの感度を向上させることができると、ノイズに起因して増加しうる第２検出値Ｗｙ（ｊ）の値に対する、導電体８が接近した際に最も増加しうる第２検出値Ｗｙ（ｊ）の値を、より大きくすることができる。すなわち、Ｓ／Ｎ比を高くすることができる。そうすると、上述のしきい値Ｖｔｈとして、ノイズに起因して増加する第２検出値Ｗｙ（ｊ）の値よりも確実に大きく、且つ、導電体８が接近した際に最も増加しうる第２検出値Ｗｙ（ｊ）の値よりも確実に小さい値を設定しやすくなる。これにより、ノイズに起因して増加する第２検出値Ｗｙ（ｊ）の値が比較的大きくても、導電体８が接近したと判断してしまういわゆる誤判断を回避でき、且つ、導電体８が接近した場合には導電体８が接近したと確実に判断することができる。すなわち、導電体８の接近位置を的確に検出できる。
【００８３】
また、複数の第１検出電極Ｅｙｊごとの感度を向上させることができると、たとえば、カバー８３０の厚さが厚くなっても、ノイズに起因して増加しうる第２検出値Ｗｙ（ｊ）の値に対する、導電体８が接近した際に最も増加しうる第２検出値Ｗｙ（ｊ）の値を、大きく減少させなくてもよい。そうすると、カバー８３０の厚さが厚くなっても、上述のしきい値Ｖｔｈとして、ノイズに起因して増加する第２検出値Ｗｙ（ｊ）の値よりも確実に大きく、且つ、導電体８が接近した際に最も増加しうる第２検出値Ｗｙ（ｊ）の値よりも確実に小さい値を設定しうる。これにより、ノイズに起因して増加する第２検出値Ｗｙ（ｊ）の値が比較的大きくても、導電体８が接近したと判断してしまういわゆる誤判断を回避でき、且つ、導電体８が接近した場合には導電体８が接近したと確実に判断することができる。すなわち、導電体８の接近位置を的確に検出できる。
【００８４】
入力装置８１０においては、第１電極１１，第２電極１２が均等に配置されなくなることで、描画性（接触面８３１における導電体８の移動の軌跡の再現性）への悪化が懸念される。しかしながら、第１ピッチＰ１、第２ピッチＰ２はそれぞれ５〜６ｍｍ程度である。これに対し、導電体８たる指とカバー８３０との接触領域は１０ｍｍ程度であり、第１ピッチＰ１、第２ピッチＰ２よりも比較的大きい。そのため、第１電極１１，第２電極１２の粗密は平均化されるため、入力装置８１０においては、描画性への悪影響はあまり無い。
【００８５】
入力装置８１０においては、光透過層２とコーティング層３の境界にて、基板５の側からコーティング層３の側に向かう光の一部が反射する。そのため、表示パネル８２０に表示される画像等のうち、第１電極１１や第２電極１２を通らず、第１電極１１と第２電極１２の隙間を通過した光によって視認される領域の明るさを、表示パネル８２０に表示される画像等のうち、第１電極１１や第２電極１２を通った光によって視認される領域の明るさに近づけることができる。これにより、表示パネル８２０に表示される画像等を見た場合、画像等に明るい領域と暗い領域とが生じにくくなる。すなわち、表示パネル８２０に表示される画像等を見た場合、画像等の明るさがより均一になる。このように、入力装置８１０は、表示パネル８２０に表示される画像等の見栄え（視認性）を向上させるのに適する。
【００８６】
入力装置８１０においては、光透過層２は、第１電極１１や第２電極１２を構成する材料と同一の材料よりなる。この結果、光透過層２を構成する材料の屈折率と第１電極１１や第２電極１２を構成する材料の屈折率が同一となる。そのため、入力装置８１０によると、基板５の側からコーティング層３の側に向かう光の透過率を、光が光透過層２を通る場合と、光が第１電極１１や第２電極１２を通る場合とで、ほぼ同一にすることができる。これにより、表示パネル８２０に表示される画像等を見た場合、画像等に明るい領域と暗い領域とがさらに生じにくくなる。すなわち、表示パネル８２０に表示される画像等を見た場合、画像等の明るさがさらに均一になる。このように、入力装置８１０は、表示パネル８２０に表示される画像等の見栄え（視認性）をさらに向上させるのに適する。
【００８７】
次に、図１２に、光透過層の変形例を示す。本変形例における光透過層２は、導電性の材料ではなく、絶縁性の樹脂よりなる。
【００８８】
光透過層２は、第１電極１１と第２電極１２とに挟まれた隙間を埋めるように形成されている。光透過層２は、第１電極１１および第２電極１２に接している。光透過層２を構成する材料の屈折率は、コーティング層３を構成する材料の屈折率と異なる。光透過層２を構成する材料の屈折率は、第１電極１１や第２電極１２を構成する材料の屈折率と同程度であることが好ましい。第１電極１１と第２電極１２との間の寄生容量を小さくする観点からは、光透過層２を構成する材料の誘電率は、コーティング層３を構成する材料の誘電率より小さい方が好ましい。
【００８９】
このような構成においても、光透過層２とコーティング層３の境界にて、基板５の側からコーティング層３の側に向かう光の一部が反射する。そのため、表示パネル８２０に表示される画像等のうち、第１電極１１や第２電極１２を通らずに第１電極１１と第２電極１２との隙間を通過した光によって視認される領域の明るさを、表示パネル８２０に表示される画像等のうち、第１電極１１や第２電極１２を通った光によって視認される領域の明るさに近づけることができる。これにより、表示パネル８２０に表示される画像等を見た場合、画像等に明るい領域と暗い領域とが生じにくくなる。すなわち、表示パネル８２０に表示される画像等を見た場合、画像等の明るさがより均一になる。このような構成も、表示パネル８２０に表示される画像等の見栄え（視認性）を向上させるのに適する。
【００９０】
光透過層２を構成する材料の屈折率と、第１電極１１や第２電極１２を構成する材料の屈折率がほぼ同一である場合には、基板５の側からコーティング層３の側に向かう光の透過率を、光が光透過層２を通る場合と、光が第１電極１１や第２電極１２を通る場合とで、ほぼ同一にすることができる。これにより、表示パネル８２０に表示される画像等を見た場合、画像等に明るい領域と暗い領域とがさらに生じにくくなる。すなわち、表示パネル８２０に表示される画像等を見た場合、画像等の明るさがさらに均一になる。このような構成も、表示パネル８２０に表示される画像等の見栄え（視認性）をさらに向上させるのに適する。
【００９１】
本発明の範囲は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【００９２】
上述の実施形態では、離間距離Ｄ１が第２ピッチＰ２より小さく、且つ、離間距離Ｄ２が第１ピッチＰ１より小さい例を示したが、これに限られない。たとえば、離間距離Ｄ１が第２ピッチＰ２より小さいものの、離間距離Ｄ２は第１ピッチＰ１以上であってもよい。もしくは、離間距離Ｄ２が第１ピッチＰ１より小さいものの、離間距離Ｄ１が第２ピッチＰ２以上であってもよい。
【００９３】
上述の実施形態では光透過層が形成されている例を示したが、必ずしも光透過層が形成されていなくてもよい。
【符号の説明】
【００９４】
８００  電子機器
８１０  入力装置
８２０  表示パネル
８３０  カバー
８４０  接着層
１  導電体層
Ｅｘｉ  第１検出電極
１１  第１電極
１１１，１１２  第１要素
Ｅｙｊ  第２検出電極
１２  第２電極
１２１，１２２  第２要素
１３  配線束
１３１  接続配線
１４  配線束
１４１  配線
１５  配線
１５１  連絡配線
１６１  配線
１６２  配線
１７〜１９  配線
２  光透過層
３  コーティング層
４  シールド層
５  基板
５１  主面
５２  裏面
７１  フレキシブル基板
７１１  基材
７１２  配線
７２  制御手段
７２１  第１検出値記憶部
７２２  第２検出値記憶部
７２３  しきい値記憶部
７２４  導電体接近判断部
７２５  接近位置計算部
８  導電体
【図１】
2012053804.tif 000003
【図２】
2012053804.tif 000004
【図３】
2012053804.tif 000005
【図４】
2012053804.tif 000006
【図５】
2012053804.tif 000007
【図６】
2012053804.tif 000008
【図７】
2012053804.tif 000009
【図８】
2012053804.tif 000010
【図９】
2012053804.tif 000011
【図１０】
2012053804.tif 000012
【図１１】
2012053804.tif 000013
【図１２】
2012053804.tif 000014
【図１３】
2012053804.tif 000015
【図１４】
2012053804.tif 000016
【図１５】
2012053804.tif 000017