(57)【要約】【課題】  部品を増やすことなく、ウォームアップ時間を短くして、測定開始までの時間を早める、使い勝手のよいセンサーモジュールを提供する。【解決手段】  センサーモジュール１０であって、所定の物理量を検出して検出信号として出力する物理量センサー２０と、使用されることで発熱する発熱部品３０と、を含み、発熱部品は、複数の動作モードを切り替える切り替え制御部４６を含み、切り替え制御部は、物理量センサーに所定の物理量を検出させ、検出信号に基づく出力データを出力させる通常動作モードと、物理量センサーの温度をターゲット温度に変化させるウォームアップモードと、を切り替え、所与の条件を満たした場合に、ウォームアップモードが通常動作モードの前に実行されるように制御を行い、通常動作モード時における飽和温度をターゲット温度とする。【選択図】図１
2012251946.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサーモジュールであって、
所定の物理量を検出して検出信号として出力する物理量センサーと、
使用されることで発熱する発熱部品と、を含み、
前記発熱部品は、
複数の動作モードを切り替える切り替え制御部を含み、
前記切り替え制御部は、
前記物理量センサーに前記所定の物理量を検出させ、前記検出信号に基づく出力データを出力させる通常動作モードと、前記物理量センサーの温度をターゲット温度に変化させるウォームアップモードと、を切り替え、
所与の条件を満たした場合に、前記ウォームアップモードが前記通常動作モードの前に実行されるように制御を行い、
前記通常動作モード時における飽和温度を前記ターゲット温度とするセンサーモジュール。
【請求項２】
請求項１に記載のセンサーモジュールにおいて、
前記切り替え制御部は、
起動時であることを前記所与の条件とするセンサーモジュール。
【請求項３】
請求項１乃至２のいずれかに記載のセンサーモジュールにおいて、
前記切り替え制御部は、
前記発熱部品に供給されるクロックであって、前記通常動作モードで使用される通常動作用クロックと、前記ウォームアップモードで使用されるウォームアップ用クロックと、を生成し、
前記ウォームアップ用クロックの周波数として、通常動作用クロックも含めた中で最も高い第１の周波数を用いるセンサーモジュール。
【請求項４】
請求項３に記載のセンサーモジュールにおいて、
前記切り替え制御部は、
前記ウォームアップモードにおいて、前記ウォームアップ用クロックの周波数を、前記物理量センサーの温度が前記ターゲット温度を超える第１の温度になるまで前記第１の周波数とし、その後は前記第１の周波数よりも周波数が低い第２の周波数とするセンサーモジュール。
【請求項５】
請求項４に記載のセンサーモジュールにおいて、
前記切り替え制御部は、
前記ウォームアップモードにおいて、前記ウォームアップ用クロックの周波数が前記第２の周波数の場合であって、前記物理量センサーの温度が前記ターゲット温度未満の第２の温度になった後は、前記ウォームアップ用クロックの周波数を前記第１の周波数より低くかつ前記第２の周波数より高い第３の周波数とするセンサーモジュール。
【請求項６】
請求項３に記載のセンサーモジュールにおいて、
前記切り替え制御部は、
ウォームアップモードにおいて、温度情報に基づいて、前記物理量センサーの温度が前記ターゲット温度を超えないように制御を行い、
前記物理量センサーの温度が前記ターゲット温度に近づくにつれて、前記ウォームアップ用クロックの周波数を低くするセンサーモジュール。
【請求項７】
請求項７に記載のセンサーモジュールにおいて、
前記切り替え制御部は、
前記ウォームアップモードが開始されてからの経過時間に基づいて、前記ウォームアップ用クロックの周波数および期間の少なくとも一方を定めるセンサーモジュール。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれかに記載のセンサーモジュールにおいて、
前記物理量センサーは、
前記所定の物理量として、少なくとも圧力を検出するセンサーモジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、センサーモジュール等に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、所定の物理量（例えば、圧力、加速度等）を検出する物理量センサーと、検出信号を演算処理する演算処理部等を一体化したセンサーモジュールが使用されている。センサーモジュールにおいては、物理量センサー以外の部分（例えば、演算処理部等）が、物理量センサーの温度を上昇させる熱源となり得る。
【０００３】
物理量センサーは温度変化の影響を受けやすく、例えばセンサーモジュールを起動させた場合に直ちに正確な測定をすることはできない。一般に、センサーモジュールには、起動後に温度が安定するまでの測定待機時間（ウォームアップ時間）が存在する。ウォームアップ時間が短いほど、起動後にすばやく測定を開始できるので、使い勝手のよいセンサーモジュールであるといえる。
【０００４】
例えば特許文献１は圧力計測装置の例であるが、使用環境温度の影響を低減し、ウォームアップ時間を短縮する発明が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−１７８７７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１の手法では、圧力センサー以外にもＦ／Ｖコンバーターなどの多くの部品を対称的にセンサーモジュールに搭載する必要がある。すると、センサーモジュールの小型化の要求や、コストを減らしたいとの要求に応えることが難しくなる。
【０００７】
一方、熱源からの熱の影響を物理量センサーが受けないように離して配置すれば、ウォームアップ時間を短くできる場合がある。しかし、センサーモジュールの小型化に伴って、物理量センサーを演算処理部等などの熱源から十分離すことは困難になってきている。
【０００８】
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものである。本発明のいくつかの態様によれば、部品を増やすことなく、ウォームアップ時間を短くして、測定開始までの時間を早める、使い勝手のよいセンサーモジュールを提供できる。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）本発明は、センサーモジュールであって、所定の物理量を検出して検出信号として出力する物理量センサーと、使用されることで発熱する発熱部品と、を含み、前記発熱部品は、複数の動作モードを切り替える切り替え制御部を含み、前記切り替え制御部は、前記物理量センサーに前記所定の物理量を検出させ、前記検出信号に基づく出力データを出力させる通常動作モードと、前記物理量センサーの温度をターゲット温度に変化させるウォームアップモードと、を切り替え、所与の条件を満たした場合に、前記ウォームアップモードが前記通常動作モードの前に実行されるように制御を行い、前記通常動作モード時における飽和温度を前記ターゲット温度とする。
【００１０】
（２）このセンサーモジュールにおいて、前記切り替え制御部は、起動時であることを前記所与の条件としてもよい。
【００１１】
これらの発明によれば、例えば検出された値に基づくデータの出力等をする通常動作モードの前に、所与の条件を満たした場合には、物理量センサーの温度をターゲット温度に変化させるウォームアップモードを実行する。このとき、部品を増やすことなく、ウォームアップにかかる時間を短くすることができる。そのため、測定開始までの時間を早めて、使い勝手のよいセンサーモジュールを実現する。
【００１２】
ここで、ターゲット温度は、通常動作モード時における飽和温度である。飽和温度は、センサーモジュールやその後段回路（例えばＭＣＵ）が通常の動作をしたときに到達する、飽和状態の安定した温度のことをいう。ウォームアップモードは、通常動作と異なる動作モードであるので温度上昇の効果が高い。また、ターゲット温度が飽和温度であるので温度を安定させる効果が高い。
【００１３】
このとき、例えばウォームアップモードを実行する所与の条件とは起動時であってもよい。また、例えば所与の条件とは飽和温度から所定の温度だけ物理量センサーの温度が低下したことであってもよい。必要な場合にだけ、ウォームアップモードが行われるので、効率的に所定の物理量を検出することができる。
【００１４】
これらの発明では、熱源となる発熱部品の制御で、物理量センサーの温度を通常動作モードにおける飽和温度で安定させる。このとき、特許文献１の発明のような部品の増加はない。なお、所定の物理量とは、例えば圧力、加速度、角速度、速度等であるが、これらに限るものではない。
【００１５】
（３）このセンサーモジュールにおいて、前記切り替え制御部は、前記発熱部品に供給されるクロックであって、前記通常動作モードで使用される通常動作用クロックと、前記ウォームアップモードで使用されるウォームアップ用クロックと、を生成し、前記ウォームアップ用クロックの周波数として、通常動作用クロックも含めた中で最も高い第１の周波数を用いてもよい。
【００１６】
本発明によれば、ウォームアップモードでは、発熱部品に供給するクロックの周波数として、通常動作モードを含めて最も高い第１の周波数を用いる。そのため、物理量センサーの温度を素早く上昇させることができる。クロック周波数の選択という比較的簡単な手法により、ウォームアップ時間を早め、測定開始までの待ち時間が短いセンサーモジュールを実現する。
【００１７】
（４）このセンサーモジュールにおいて、前記切り替え制御部は、前記ウォームアップモードにおいて、前記ウォームアップ用クロックの周波数を、前記物理量センサーの温度が前記ターゲット温度を超える第１の温度になるまで前記第１の周波数とし、その後は前記第１の周波数よりも周波数が低い第２の周波数としてもよい。
【００１８】
本発明によれば、ウォームアップモードにおいて飽和温度に収束させるのに、発熱部品に供給するクロックの周波数を最初は最も高い第１の周波数とするが、ターゲット温度を超える第１の温度になった場合には、より低い第２の周波数に切り替える。２つのクロック周波数を状況に応じて切り替えて用いるため、ウォームアップモードにおいて飽和温度に収束させやすくなる。
【００１９】
（５）このセンサーモジュールにおいて、前記切り替え制御部は、前記ウォームアップモードにおいて、前記ウォームアップ用クロックの周波数が前記第２の周波数の場合であって、前記物理量センサーの温度が前記ターゲット温度未満の第２の温度になった後は、前記ウォームアップ用クロックの周波数を前記第１の周波数より低くかつ前記第２の周波数より高い第３の周波数としてもよい。
【００２０】
本発明によれば、ウォームアップモードにおいて飽和温度に収束させるのに、発熱部品に供給するクロックの周波数として、最も高い第１の周波数、それより低い第２の周波数を切り替えて用いる。そして、第２の周波数であるときに、ターゲット温度未満の第２の温度になった後は、さらに第３の周波数に切り替える。ここで、第３の周波数は、第１の周波数より低いが、第２の周波数よりは高い。３つのクロック周波数を状況に応じて切り替えて用いるため、ウォームアップモードにおいて飽和温度に収束させやすくなる。
【００２１】
（６）このセンサーモジュールにおいて、前記切り替え制御部は、ウォームアップモードにおいて、温度情報に基づいて、前記物理量センサーの温度が前記ターゲット温度を超えないように制御を行い、前記物理量センサーの温度が前記ターゲット温度に近づくにつれて、前記ウォームアップ用クロックの周波数を低くしてもよい。
【００２２】
（７）このセンサーモジュールにおいて、前記切り替え制御部は、前記ウォームアップモードが開始されてからの経過時間に基づいて、前記ウォームアップ用クロックの周波数および期間の少なくとも一方を定めてもよい。
【００２３】
これらの発明によれば、ウォームアップモードにおいて飽和温度に収束させるのに、最初は発熱部品に供給するクロックの周波数として最も高い第１の周波数を用いて、飽和温度に近づくにつれて、徐々に周波数が低いクロックに切り替える。このとき、段階的にかつ正確に飽和温度に近づけることが可能になる。
【００２４】
このとき、ウォームアップモード中は物理量センサーの温度はターゲット温度である飽和温度以下である。そして、ウォームアップモードの開始からの経過時間によって上昇温度を予測することができる。そこで、この経過時間に基づいて、徐々に周波数が低いクロックに切り替えてもよい。そして、ウォームアップモードから通常動作に切り替えるタイミングも、ウォームアップモードが開始されてからの経過時間に基づいて定めてもよい。経過時間に基づく動作の切り換え制御は、制御方法を単純化し回路規模を小さくすることを可能にする。
【００２５】
なお、温度情報は、物理量センサーから得られてもよいし、別途温度センサーがセンサーモジュールに含まれており、その温度センサーから得られる情報であってもよい。センサーモジュールは少なくとも熱が伝わるように一体化されている。よって、いずれの温度情報に基づいても、リアルタイムに温度に基づいて周波数調整等ができる。
【００２６】
（８）このセンサーモジュールにおいて、前記物理量センサーは、前記所定の物理量として、少なくとも圧力を検出してもよい。
【００２７】
本発明によれば、物理量センサーとは圧力センサーであってもよい。圧力センサーが検出する圧力の情報は温度変動の影響を受けやすいため、その測定時に温度が安定している必要がある。ウォームアップ時間を短くできる本発明のセンサーモジュールは、起動後に素早く正確な値を測定することを可能にする。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】第１実施形態におけるセンサーモジュールのブロック図。
【図２】図２（Ａ）は第１実施形態におけるセンサーモジュールの接続を示すブロック図。図２（Ｂ）はセンサーモジュールの物理的な構造例における断面図。
【図３】図３（Ａ）〜図３（Ｂ）は第１実施形態のフローチャート。
【図４】図４（Ａ）は第１実施形態の通常動作モードの発熱量の関係図。図４（Ｂ）は第１実施形態の温度と検出される圧力の変化を表す図。
【図５】図５（Ａ）は通常動作工程だけの温度変化の例を表す図。図５（Ｂ）はウォームアップ工程がある場合の起動時間を表す図。
【図６】ウォームアップ工程の実行条件を表す図。
【図７】図７（Ａ）は温度と圧力の時間変化を表す図（第１の例）。図７（Ｂ）はＭＣＵと圧力センサーの具体的な制御の例を示す図（第１の例）。
【図８】図８（Ａ）は温度と圧力の時間変化を表す図（第２の例）。図８（Ｂ）はＭＣＵと圧力センサーの具体的な制御の例を示す図（第２の例）。
【図９】図９（Ａ）は温度と圧力の時間変化を表す図（第３の例）。図９（Ｂ）はＭＣＵと圧力センサーの具体的な制御の例を示す図（第３の例）。
【図１０】図１０（Ａ）は温度と圧力の時間変化を表す図（第４の例）。図１０（Ｂ）はＭＣＵと圧力センサーの具体的な制御の例を示す図（第４の例）。
【図１１】図１１（Ａ）〜図１１（Ｃ）はセンサーモジュールの部品の配置の一例を示す図。
【図１２】図１２（Ａ）〜図１２（Ｃ）はセンサーモジュールの部品の配置の別の例を示す図。
【図１３】第２実施形態におけるセンサーモジュールのブロック図。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。なお、第２実施形態の説明において、第１実施形態と同じ要素については同一符号を付し、説明を省略する。
【００３０】
１．第１実施形態
１．１．センサーモジュールの構成
本発明の第１実施形態について図１〜図１２（Ｃ）を参照して説明する。図１は、本実施形態のセンサーモジュール１０のブロック図である。
【００３１】
本実施形態のセンサーモジュール１０は、圧力センサー２０、ＭＣＵ３０を含む。圧力センサー２０は圧力を検出する物理量センサーである。また、ＭＣＵ３０は動作中に発熱して圧力センサー２０の温度に影響する発熱部品としての性質を有する。本実施形態のセンサーモジュール１０は、他にＴＣＸＯ（temperature compensated crystal oscillator）５０を含む。ＴＣＸＯ５０は温度補償型水晶発振器であり、温度補償されたクロック信号１５０を圧力センサー２０に供給する。
【００３２】
ここで、センサーモジュール１０には回路規模を小さく抑えて、小型化したいとの要求がある。一方、ＭＣＵ３０は複数のクロック信号を必要とし、それらのクロック信号を動的に停止・動作させて消費電力を低くしたいとの要求がある。
【００３３】
例えば、ＭＣＵ３０のクロック源として複数のＴＣＸＯを用意する構成もありえる。しかし、センサーモジュール１０の小型化の要求に反するため現実的ではない。また、動的なクロック信号の停止・動作のためには、ＭＣＵ３０自体が発振回路を含んでいることが好ましい。そのため、本実施形態のセンサーモジュール１０は、圧力センサー２０のみにクロック信号を供給するＴＣＸＯ５０を１つだけ含んでいる。
【００３４】
圧力センサー２０は、圧力を検出する圧力検出部２２と、温度を検出する温度検出部２４、これらの検出部とＭＣＵ３０とのデータの入出力を制御するロジック部２６とを含む。
【００３５】
圧力検出部２２は、センサーモジュール１０の外部からの指示をロジック部２６経由で制御信号１２１として受け取り、制御信号１２１の内容に従って動作する。動作中は、例えばリアルタイムに検出した圧力データ１２２をロジック部２６経由でセンサーデータ１２６として出力する。
【００３６】
ここで、本実施形態において検出される圧力は圧力センサー２０の周囲の大気圧であるが、これに限るものではない。また、圧力データ１２２は所定の時間間隔で出力されてもよいし、ロジック部２６が圧力データ１２２を平均化、又は選択してセンサーデータ１２６として出力してもよい。
【００３７】
温度検出部２４は、センサーモジュール１０の外部からの指示をロジック部２６経由で制御信号１２３として受け取り、制御信号１２３の内容に従って動作する。動作中は、例えばリアルタイムに検出した温度データ１２４をロジック部２６経由でセンサーデータ１２６として出力する。
【００３８】
ここで、本実施形態において検出される温度は圧力センサー２０の周囲の温度であるが、これに限るものではない。例えば、圧力センサー２０の表面温度などであってもよい。また、温度データ１２４は所定の時間間隔で出力されてもよいし、ロジック部２６が温度データ１２４を平均化、又は選択してセンサーデータ１２６として出力してもよい。
【００３９】
なお、本実施形態ではセンサーモジュール１０は密封されており、圧力センサー２０の温度はセンサーモジュール１０の内部の他の部分の温度と同じであるとする。そして、以下では圧力センサー２０の温度を単に温度と表現することもある。
【００４０】
ロジック部２６は、前記のように圧力検出部２２、温度検出部２４とＭＣＵ３０との間のデータの入出力を制御する。センサーモジュール１０の外部からの指示に基づく制御信号１３０をＭＣＵ３０から受け取り、圧力検出部２２および温度検出部２４の少なくとも一方に出力する。また、圧力データ１２２と温度データ１２４とをセンサーデータ１２６としてＭＣＵ３０に出力する。ロジック部２６は、データ管理のために、例えばタイムスタンプ情報などをセンサーデータ１２６に付加して出力してもよい。
【００４１】
なお、圧力センサー２０とＭＣＵ３０との間の通信方式はパラレル転送でもシリアル転送でもよい。そして、シリアル転送の場合には、例えば、Ｉ２Ｃ（Inter-Integrated Circuit）やＳＰＩ（Serial Peripheral Interface）といった通信方式を使用してもよい。
【００４２】
ＭＣＵ３０は、センサーデータを演算処理する演算処理部３４、センサーモジュール１０の外部との通信を制御する通信制御部４４、センサーモジュール１０の動作モードを切り替えて、動作モードに応じた周波数のクロック信号を生成して供給するクロック生成切り替え部４６、ＣＲ発振回路４７を含む。
【００４３】
ＭＣＵ３０は、センサーデータ１２６を一時保存してセンサーデータ１３２として出力するセンサーデータ格納部３２、それぞれ圧力、温度に関するセンサーデータ１３２を演算処理して得られる圧力情報１３４、温度情報１３５を一時保存する圧力情報格納部３８、温度情報格納部４０、センサーモジュール１０の外部との通信データを一時保存する通信データ格納部４２を含んでいてもよい。
【００４４】
さらに、ＭＣＵ３０は、センサーモジュール１０の外部からの指示を圧力センサー２０の制御信号１３０に変換して出力するセンサー動作設定部３６、電源投入時などに起動時間を計測する起動時間計測部４８を含んでいてもよい。
【００４５】
なお、これらの機能ブロックのそれぞれには、適切なクロック信号がクロック生成切り替え部４６から供給されているが、図１では図示を省略している。また、これらの機能ブロックの全てが必須の構成要素というわけではなく、適宜省略が可能である。
【００４６】
ＭＣＵ３０は、圧力センサー２０からのセンサーデータ１２６をセンサーデータ格納部３２に保存する。そして、所定のタイミングでセンサーデータ格納部３２からセンサーデータ１３２が読み出されて、演算処理部３４によって演算処理が行われる。
【００４７】
本実施形態では、センサーデータ１２６は圧力センサー２０が検出したいわゆる生データであるとする。例えば、圧力と温度とを圧力センサーが内蔵する基準値に対する相対的な値で表現した加工されていないデータである。そして、演算処理部３４が行う演算処理によって、センサーモジュール１０の出力データとして形式に変換される。例えば、演算処理部３４は、生データであるセンサーデータ１３２から、それぞれ「Ｐａ」単位の圧力情報１３４、「℃」単位の温度情報１３５を出力する。
【００４８】
圧力情報１３４、温度情報１３５は、それぞれ圧力情報格納部３８、温度情報格納部４０に一時保存された後、圧力情報１３６、温度情報１４０として読み出されて通信データ格納部４２で一時保存される。このとき、通信に適したフォーマットへの変換が行われる。そして、ＭＣＵ出力データ１００として、通信制御部４４からの通信タイミング信号１４４に基づいて、所定の転送レートで出力される。
【００４９】
また、通信データ格納部４２は、ＭＣＵ入力データ１０２を一時保存する。ＭＣＵ入力データ１０２は、センサーモジュール１０の外部からの圧力センサー２０への指示等である。そして、センサー動作設定部３６は通信データ格納部４２から一時保存されたＭＣＵ入力データ１３７を受け取り、圧力センサー２０の制御信号１３０に変換して出力する。
【００５０】
ここで、センサーモジュール１０と外部との通信方式は、パラレル転送でもシリアル転送でもよい。そして、シリアル転送の場合には、例えば、Ｉ２Ｃ、ＳＰＩであってもよいし、ＵＡＲＴ(Universal Asynchronous Receiver Transmitter) 、ＵＳＢ（Universal Serial Bus）であってもよい。
【００５１】
そして、ＣＲ発振回路４７は、原振クロック信号１４７を起動時間計測部４８、クロック生成切り替え部４６に供給する。ＣＲ発振回路４７は、ＭＣＵ３０における発振回路部としての機能を有する。
【００５２】
起動時間計測部４８は、原振クロック信号１４７に基づいて起動時間を測定し、タイミング信号１４８をクロック生成切り替え部４６に出力する。クロック生成切り替え部４６では、タイミング信号１４８等に基づいて動作モードの切り替えを行う。
【００５３】
クロック生成切り替え部４６は、原振クロック信号１４７から動作モードに応じた必要なクロック信号を生成して他の機能ブロックに供給する。クロック信号の生成は、例えば分周によって行われてもよい。なお、クロック生成切り替え部４６は、クロック生成回路としての機能と、動作モードの切り替え制御部としての機能を備える。
【００５４】
また、クロック生成切り替え部４６は、通信制御部４４のカウンターを動作させるクロック信号１４６を出力する。通信制御部４４は、カウンター値に基づいて通信データの入出力タイミングを定める通信タイミング信号１４４を生成する。
【００５５】
なお、通信制御部４４とクロック生成切り替え部４６は、温度情報格納部４０から温度情報１４０を受け取り、動作モードの切り替えのタイミング（すなわち、各動作モードの期間）や通信タイミングを決めるカウンターのサイクルを調整してもよい。
【００５６】
１．２．センサーモジュールの接続
図２（Ａ）は、電子機器１における、センサーモジュール１０とセンサーモジュール１０と通信を行うホストＭＣＵ（以下、ホスト）１４との接続を示す図である。なお、図１と同じ要素には同じ符号を付しており説明を省略する。
【００５７】
図２（Ａ）のように、本実施形態のセンサーモジュール１０はフォーマット変換モジュール１２を介してホスト１４と接続される。フォーマット変換モジュール１２は、通信時の通信データのフォーマットを変換するものである。例えばホスト１４がＰＣ（パソコン）の一部である場合には、フォーマット変換モジュール１２の出力データ１０４、入力データ１０６はＵＳＢの通信方式に従ってもよい。このとき、センサーモジュール１０自体の通信方式がＵＳＢでない場合でも、ホスト１４と通信を行うことができる。
【００５８】
フォーマット変換モジュール１２を介することで、センサーモジュール１０が１つの通信方式に従う場合であっても、センサーモジュール１０と通信可能なホスト１４の種類を増やすことができる。なお、センサーモジュール１０とホスト１４とが直接接続可能な場合には、フォーマット変換モジュール１２は省略されてもよい。
【００５９】
図２（Ｂ）は、本実施形態のセンサーモジュール１０およびフォーマット変換モジュール１２の構造例を示す図である。図２（Ｂ）のモジュール群２は、図２（Ａ）に点線で図示したモジュール群２に対応する。なお、図１〜図２（Ａ）と同じ要素には同じ符号を付しており説明を省略する。なお、センサーモジュール１０、フォーマット変換モジュール１２を覆うカバー等については図示を省略している。
【００６０】
図２（Ｂ）のモジュール群２は、センサーモジュール１０とフォーマット変換モジュール１２とをコネクター６４で接続して構成される。図２（Ｂ）は、モジュール群２の断面図を示している。フォーマット変換モジュール１２は、例えばＵＳＢの通信方式に従うように、通信データを変換するフォーマット変換回路１３と、例えばＵＳＢコネクターであるホスト接続用コネクター６６を図２（Ｂ）のように基板６２に配置している。
【００６１】
センサーモジュール１０は、基板６０の両面にそれぞれ圧力センサー２０とＭＣＵ３０とを配置している。ここで、近年の小型化への要求に対応するために、圧力センサー２０とＭＣＵ３０とを十分に離して配置することは困難である。しかし、ＭＣＵ３０を動作させると熱源となるため（図２（Ｂ）の矢印参照）、近くに圧力センサー２０が配置されていれば、その温度を上昇させてしまうことになる。温度の上昇時（変動時）には、圧力センサー２０からの検出信号（センサーデータ）に温度変動による誤差が生じるため、正確な値の検出が困難である。
【００６２】
ここで、図２（Ｂ）のような構造であっても、ＭＣＵ３０が一定の時間動作し続けた場合には、圧力センサー２０の温度は飽和することがわかっている。温度が飽和した状態で圧力を検出した場合には、温度変動による誤差が生じることを回避することができる。
【００６３】
そこで、圧力センサー２０の温度変動を抑えるように、熱源であるＭＣＵ３０の動作制御を工夫して、早期に温度を飽和させることを考える。以下に、まず、センサーモジュール１０の動作モードのフローを説明した上で、本実施形態におけるＭＣＵ３０の動作制御について詳細を説明する。
【００６４】
１．３．動作モードのフロー
図３（Ａ）〜図３（Ｂ）は、本実施形態におけるセンサーモジュールの動作モードのフローチャートである。センサーモジュールに含まれる圧力センサー、ＭＣＵは、動作モードに従って所定の動作を行ったり、待機状態であるスタンバイ状態になったりする。また、センサーモジュールはその内部又は外部に動作モードを切り替える制御部（切り替え制御部）を有するが、本実施形態ではクロック生成切り替え部（図１参照）がその機能を有する。
【００６５】
ここで、一般にセンサーモジュールは、その起動時にウォームアップを行う。センサーモジュールは、ウォームアップの期間に、温度の低い状態から温度が安定して正確な圧力を検出できる状態（温度が飽和した状態）に変化する。そして、ウォームアップの後に通常動作が行われる。
【００６６】
図３（Ａ）は、本実施形態におけるセンサーモジュールの動作モードのフローチャートである。まず、ウォームアップを行う工程の必要性が判断される（Ｓ１０）。必要な場合には（Ｓ１０Ｙ）、ウォームアップ工程が行われて（Ｓ１２）、その後に通常動作が続く（Ｓ２０）。また、ウォームアップ工程が不要と判断されれば（Ｓ１０Ｎ）、直ちに通常動作工程に移る（Ｓ２０）。なお、ウォームアップ工程が実行される条件（Ｓ１０）は、圧力センサーの温度が飽和温度より低いことであってもよいし、起動時であることでもよい。
【００６７】
本実施形態におけるセンサーモジュールでは、終了指示がなければ（Ｓ３０Ｎ）、Ｓ１０に再び戻り一連の処理を繰り返す。なお、例えば使用者からの終了指示や設定した時間の経過に伴う終了指示等があれば、センサーモジュールは動作を終了する（Ｓ３０Ｙ）。
【００６８】
ここで、通常動作工程（Ｓ２０）は、センサーモジュールが通常動作時に行う、センシング動作、所定の形式のデータの出力、といった動作に対応する工程である。
【００６９】
図３（Ｂ）のように、通常動作工程（Ｓ２０）は、３つの動作モードに対応する工程を含む。具体的には、圧力センサー動作工程（Ｓ２２）、ＭＣＵ動作工程（Ｓ２４）、待機工程（Ｓ２６）である。本実施形態では、これらの工程が順に行われるが、待機工程（Ｓ２６）は省略されてもよい。
【００７０】
圧力センサー動作工程（Ｓ２２）においては、クロック生成切り替え部は、圧力センサー動作制御を行い、圧力センサーにセンシング動作を実行させる。このとき、クロック生成切り替え部は、ＭＣＵのうちセンサーデータを受け取るセンサーデータ格納部（図１参照）だけを動作させて消費電力を抑えてもよい。
【００７１】
ＭＣＵ動作工程（Ｓ２４）においては、クロック生成切り替え部は、ＭＣＵ動作制御を行い、ＭＣＵにセンサーデータの演算処理を実行させる。このとき、クロック生成切り替え部は、圧力センサーをスタンバイ状態にさせてもよい。
【００７２】
待機工程（Ｓ２６）においては、クロック生成切り替え部は、待機制御を行い、ＭＣＵの通信機能だけを動作させてもよい。このとき、クロック生成切り替え部は、圧力センサーをスタンバイ状態にさせてもよい。なお、クロック生成切り替え部は、圧力センサー動作工程（Ｓ２２）とＭＣＵ動作工程（Ｓ２４）においても、ＭＣＵの通信機能を動作させてもよい。
【００７３】
このようにセンサーモジュールの動作モードは遷移し、圧力センサーとＭＣＵの動作状態も変化する。この変化を前提に、ウォームアップ期間をできるだけ短くするように、ＭＣＵの動作制御を行う必要がある。
【００７４】
１．４．飽和温度
本実施形態におけるセンサーモジュールの飽和温度の例について図４（Ａ）〜図４（Ｂ）を参照して説明する。
【００７５】
図４（Ａ）は、本実施形態における圧力センサー動作工程における発熱量Ｑ１とＭＣＵ動作工程における発熱量Ｑ２とを比較したものである。本実施形態では、ＭＣＵ動作工程において、ＭＣＵのクロック信号の周波数は、必要な転送レートでホストにデータを送信可能であるように選択されるものとする。そして、発熱量Ｑ２が発熱量Ｑ１と同じになるように、ＭＣＵ動作工程の期間も調整されるものとする。
【００７６】
図４（Ｂ）は、温度と検出される圧力の関係を示したものである。この例では、発熱量Ｑ２が発熱量Ｑ１と同じになるようにしているため、温度が安定し、圧力にも温度変動の影響が生じない。このとき、図４（Ｂ）の一定した温度を飽和温度とできる。
【００７７】
そして、この飽和温度をウォームアップモードのターゲット温度とする。ターゲット温度として飽和温度を選択することで、ウォームアップモードから通常動作モードへの切り替え時にも温度の変動を抑えて安定させることができる。
【００７８】
なお、発熱量Ｑ２が発熱量Ｑ１に差がある場合でも、圧力センサーとＭＣＵからの発熱とセンサーモジュールの放熱との関係によって、最終的にはある温度に飽和することが知られている。ただし、このときは温度の安定までに時間がかかるので、十分な時間（例えば、数分）が経過した場合に到達する温度を飽和温度としてもよい。飽和温度は計算によって求めてもよいし、事前の実測によるデータに基づいて決めてもよい。
【００７９】
ここで、待機工程については、その期間によって温度への影響が異なると考えられる。待機工程の期間が短い場合には温度は維持されると考えられる。そして、長い場合には飽和温度からの低下がありえるので、後述のようにウォームアップモードを行う必要が生じる。
【００８０】
１．５．ウォームアップの条件
ここで、ウォームアップが必要な場合（図３（Ａ）のＳ１０Ｙ参照）の例を図５（Ａ）〜図６を参照して説明する。
【００８１】
図５（Ａ）〜図５（Ｂ）は、起動時におけるウォームアップ工程の効果について説明する図である。図５（Ａ）は比較例であり、起動時から通常動作工程だけを行った場合の温度変化を示す。この場合でも、図５（Ａ）のように温度上昇期間ＴＡ０において温度が飽和温度Ｔｓに到達すると、その後は温度がほとんど変化しない温度安定期間ＴＢになる。しかし、温度変化が圧力の検出値に影響する温度上昇期間ＴＡ０が長く続くため、正確な測定を起動後すぐに行うことはできない。
【００８２】
そこで、本実施形態のセンサーモジュールでは、起動時等に熱源であるＭＣＵに多くの電流が流れるように動作させるウォームアップ工程を実行する。すると、図５（Ｂ）のように、温度上昇期間ＴＡ１が短縮されて、早期に温度安定期間ＴＢに移る。よって、起動時間が早くて使い勝手のよいセンサーモジュールを実現できる。
【００８３】
また、起動時以外でも、通常動作工程のうちの待機工程が長く続いた場合に温度の低下が生じる場合がある。この場合にも、早期にセンサーモジュールの温度を飽和温度Ｔｓに戻すことが好ましい。このような場合、本実施形態では、図６のように待機工程の後にウォームアップ工程を実行する。これにより、安定して圧力を検出可能なセンサーモジュールを実現できる。
【００８４】
ここで、起動時以外であって、待機工程による温度低下もないような場合にはウォームアップ工程は不要になる。そのため、本実施形態ではウォームアップ工程を実施するか否かを状況に応じて決定できるようにしている（図３（Ａ）のＳ１０参照）。
【００８５】
なお、待機工程による温度低下の有無を、待機工程の期間によって判断してもよい。このとき、ウォームアップ工程を実施する場合には、ウォームアップ工程によって温度上昇させる期間も、待機工程の期間の長さに基づいて調整してもよい。例えば、待機工程が長い場合（例えば、数秒）には温度が大きく低下すると判断されるので、ウォームアップ工程の期間を長く（例えば、５００ｍｓ）してもよい。
【００８６】
１．６．クロック生成切り替え部の制御の具体例
１．６．１．第１の例
図７（Ａ）は、図５（Ｂ）の起動時における温度変化のグラフに、圧力センサーが検出するデータ（圧力）を追加したものである。図７（Ａ）のように、温度が安定すれば圧力センサーが検出するデータも安定することになる。センシング動作を含む通常動作は、温度が安定するｔｂ以降に行われる。
【００８７】
図７（Ｂ）は、クロック生成切り替え部が行う、各工程におけるＭＣＵと圧力センサーに対する具体的な制御を示す図である。ＭＣＵについては、そのクロックを切り替える制御を行う。ここで、圧力センサー動作工程、ＭＣＵ動作工程、待機工程、そしてウォームアップ工程ではそれぞれ異なるクロックを使用するものとする。
【００８８】
ここで、説明の便宜のために、圧力センサー動作工程、ＭＣＵ動作工程、待機工程で使用されるクロックをそれぞれ、第１のクロック、第２のクロック、第３のクロックと呼ぶ。また、ウォームアップ工程で使用されるクロック信号を第４のクロックと呼ぶ。このとき、第１〜第３のクロックは、通常動作モードで使用される通常動作用クロックに区分される。そして、第４のクロックはウォームアップ用クロックである。
【００８９】
圧力センサーについては、クロック信号は常にＴＣＸＯ（図１参照）から供給されており、クロック生成切り替え部はスタンバイ状態にさせるか否かを制御する。なお、スタンバイ状態とは停止状態など、センシング動作以外の状態を意味する。
【００９０】
本実施形態では、クロック生成切り替え部は、ＣＲ発振回路からの原振クロック信号に基づいて４つのクロックを生成する。そして、それぞれのクロックに割り当てられる４つの周波数Ｆ０、Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３は、Ｆ０≦Ｆ１＜Ｆ２＜Ｆ３の関係があるものとする。
【００９１】
第１実施形態では、ウォームアップ工程の期間は、温度上昇期間に対応する。そして、ウォームアップ工程の期間ができるだけ短いことが好ましい。そのため、ウォームアップ工程の第４のクロックには、最も高い周波数（第１の周波数）Ｆ３を割り当てる。このとき、ＭＣＵは発熱量が多くなるので、ウォームアップ工程の期間を短くすることができる。
【００９２】
この第１の例では、第４のクロックの周波数はＦ３のまま変化しない。そのため、制御が簡単であり、クロック生成切り替え部の回路規模を小さくすることが可能である。なお、圧力センサーはスタンバイ状態である。停止していてもよいが、ウォームアップ工程の発熱量を更に多くするためにダミー動作を行ってもよい。
【００９３】
通常動作工程のうち、演算処理能力を高める必要があるＭＣＵ動作工程においては、高い周波数のクロック信号が用いられることが好ましい。よって、ＭＣＵ動作工程の第２のクロックには、周波数Ｆ２を割り当てる。なお、このとき圧力センサーはスタンバイ状態である。
【００９４】
そして、通常動作工程のうち、待機工程においては、消費電力を抑えるために、最も低い周波数のクロック信号が用いられることが好ましい。よって、待機工程の第３のクロックには、周波数Ｆ０を割り当てる。なお、圧力センサーもスタンバイ状態であって、消費電力を抑えることが好ましい。
【００９５】
通常動作工程のうち、圧力センサー動作工程の第１のクロックには、周波数Ｆ１を割り当てる。センサーデータを格納する処理を実行しつつ、消費電力を抑えるためである。このとき、圧力センサーはセンシング動作を行う。
【００９６】
このように、クロック生成切り替え部は図７（Ｂ）のような制御を行うことで、第１実施形態のセンサーモジュールの起動時間等を早めるという効果を実現できる。なお、本実施形態では、動作工程毎に異なるクロックを生成して切り替えて使用しているが、ＭＣＵへ供給されるクロックは１つであって、その周波数が動作工程毎に変化してもよい。
【００９７】
１．６．２．第２の例
図８（Ａ）は、第２の例の制御を行った場合の、起動時における温度、圧力の変化を表す図である。なお、図７（Ａ）〜図７（Ｂ）と同じ要素には同じ符号を付しており説明を省略する。図８（Ａ）の例でもセンシング動作を含む通常動作は、温度が安定するｔｂ以降に行われる。
【００９８】
図７（Ａ）の例（第１の例）とは異なり、図８（Ａ）ではウォームアップ工程中に飽和温度Ｔｓ以上の第１の温度Ｔ１に達し（時刻ｔａ）、その後に飽和温度Ｔｓに収束している（時刻ｔｂ）。最も高い周波数（第１の周波数）とウォームアップ工程の期間の組み合わせによっては、図８（Ａ）のようにウォームアップ工程中にターゲット温度である飽和温度Ｔｓを超えることがあり得る。また、ウォームアップ工程中に飽和温度Ｔｓを超えるような急速な温度上昇を行わせれば、ウォームアップ工程の期間を更に短くすることができる。
【００９９】
第２の例では、ウォームアップ工程で２つのクロック周波数（第１の周波数、および第２の周波数）を切り替えて使用する。それにより、ウォームアップ工程において、第１の例よりも飽和温度に収束させやすくなる。
【０１００】
本実施形態では、クロック生成切り替え部は、ＣＲ発振回路からの原振クロック信号に基づいて通常動作用クロックと、ウォームアップ用クロックとを生成する。ここで、これらのクロックに割り当てられる５つの周波数Ｆ０、Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４は、Ｆ０≦Ｆ１＜Ｆ２＜Ｆ４、かつＦ３＜Ｆ４の関係があるものとする。
【０１０１】
図８（Ｂ）は具体的な制御を示す図である。ウォームアップ工程においては次のような制御が行われる。ウォームアップ用クロックには最初に、第１の周波数として最も高いＦ４が割り当てられる。そして、第１の温度Ｔ１に達した後は（図８（Ａ）の時刻ｔａ以降）、第２の周波数としてＦ３が割り当てられる。Ｆ３＜Ｆ４の関係があるため、温度は第１の温度Ｔ１から下がって、飽和温度Ｔｓに収束する。
【０１０２】
なお、通常動作工程は第１の例と同じである。つまり、演算処理能力を高めたいＭＣＵ動作工程においては高い周波数Ｆ２のクロックが使用され、消費電力を抑えたい待機工程では低い周波数Ｆ０のクロックが使用され、圧力センサー動作工程では周波数Ｆ１のクロックが使用される。また、圧力センサーについても第１の例と同じであるため、説明を省略する。
【０１０３】
このように、クロック生成切り替え部は図８（Ｂ）のような制御を行うことで、センサーモジュールの起動時間等をより早めることができる。なお、第１の温度Ｔ１は飽和温度Ｔｓに基づいて定められてもよい。例えば、飽和温度Ｔｓよりも所定の温度（例えば、数℃）高い温度としてもよいし、飽和温度Ｔｓに一定の比率（例えば、１１０％）を乗じて得られる温度であってもよい。
【０１０４】
１．６．３．第３の例
図９（Ａ）は、第３の例の制御を行った場合の、起動時における温度、圧力の変化を表す図である。なお、図７（Ａ）〜図８（Ｂ）と同じ要素には同じ符号を付しており説明を省略する。図９（Ａ）の例でもセンシング動作を含む通常動作は、温度が安定するｔｂ以降に行われる。
【０１０５】
図８（Ａ）の例（第２の例）の変化に加えて、図９（Ａ）ではウォームアップ工程中に飽和温度Ｔｓ未満の第２の温度Ｔ２になり（時刻ｔａ１）、その後に飽和温度Ｔｓに収束している（時刻ｔｂ）。ウォームアップ工程中に飽和温度Ｔｓを超えるような急速な温度上昇と、その後に飽和温度Ｔｓを下回る温度下降を行わせれば、ウォームアップ工程の期間を更に短くすることができる。
【０１０６】
第３の例では、ウォームアップ工程で３つのクロック周波数（第１の周波数、第２の周波数、および第３の周波数）を切り替えて使用する。それにより、ウォームアップ工程において、第２の例よりも飽和温度に収束させやすくなる。
【０１０７】
本実施形態では、クロック生成切り替え部は、ＣＲ発振回路からの原振クロック信号に基づいて通常動作用クロックと、ウォームアップ用クロックとを生成する。ここで、これらのクロックに割り当てられる６つの周波数Ｆ０、Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、Ｆ４、Ｆ５は、Ｆ０≦Ｆ１＜Ｆ２＜Ｆ５、かつＦ３＜Ｆ４＜Ｆ５の関係があるものとする。
【０１０８】
図９（Ｂ）は具体的な制御を示す図である。ウォームアップ工程においては次のような制御が行われる。ウォームアップ用クロックには最初に、第１の周波数として最も高いＦ５が割り当てられる。そして、第１の温度Ｔ１に達した後は（図９（Ａ）の時刻ｔａ０以降）、第２の周波数としてＦ３が割り当てられる。Ｆ３＜Ｆ５の関係があるため、温度は第１の温度Ｔ１から下がって、この例では、飽和温度Ｔｓ未満の第２の温度Ｔ２になる（図９（Ａ）の時刻ｔａ１）。
【０１０９】
その後、第３の周波数としてＦ４が割り当てられる。Ｆ３＜Ｆ４＜Ｆ５の関係があるため、温度は第２の温度Ｔ２から上がって、飽和温度Ｔｓに収束する。
【０１１０】
なお、通常動作工程は第１の例と同じである。つまり、演算処理能力を高めたいＭＣＵ動作工程においては高い周波数Ｆ２のクロックが使用され、消費電力を抑えたい待機工程では低い周波数Ｆ０のクロックが使用され、圧力センサー動作工程では周波数Ｆ１のクロックが使用される。また、圧力センサーについても第１の例と同じであるため、説明を省略する。
【０１１１】
このように、クロック生成切り替え部は図９（Ｂ）のような制御を行うことで、センサーモジュールの起動時間等をより早めることができる。なお、第２の温度Ｔ２は飽和温度Ｔｓに基づいて定められてもよい。例えば、飽和温度Ｔｓよりも所定の温度（例えば、数℃）低い温度としてもよいし、飽和温度Ｔｓに一定の比率（例えば、９０％）を乗じて得られる温度であってもよい。また、さらに第３の温度、第４の温度、…を定め、これらの温度に対応する周波数を設定して、一層ウォームアップ工程の期間を短くしてもよい。
【０１１２】
１．６．４．第４の例
図１０（Ａ）は、第４の例の制御を行った場合の、起動時における温度、圧力の変化を表す図である。なお、図７（Ａ）〜図９（Ｂ）と同じ要素には同じ符号を付しており説明を省略する。図１０（Ａ）の例でもセンシング動作を含む通常動作は、温度が安定するｔｂ以降に行われる。
【０１１３】
図１０（Ａ）のように、この例ではターゲット温度である飽和温度Ｔｓを超えることがないように制御が行われる。時間の経過に伴って温度が上昇していくため、経過時間に基づいて温度制御を行うことが可能になる。このとき、周波数を切り替えるタイミングや適切なクロック周波数などを、例えばシミュレーションやＭＣＵによる計算等で容易に求めることができる。
【０１１４】
例えば、最初は最も高い周波数Ｆｎ（第１の周波数に対応）を割り当て、時刻ｔａ０になったときに周波数Ｆｎ−１（＜Ｆｎ）に切り替える。そして、さらに時刻ｔａ１になったときに周波数Ｆｎ−２（＜Ｆｎ−１）に切り替える。このような制御により、単調増加で、飽和温度Ｔｓに収束させることができる。
【０１１５】
図１０（Ｂ）は、この制御を表にしたものである。周波数Ｆ０、Ｆ１、Ｆ２、Ｆ３、…Ｆｎを用意し、３以上の添え字については、大きくなるにつれて周波数を高くする。ウォームアップ工程では、少なくとも２つの周波数を切り替える。これにより、経過時間に基づく簡単な制御で、飽和温度Ｔｓに収束させることができる。ここで、ｎは自然数であって、４以上であるとする。
【０１１６】
なお、通常動作工程は第１の例と同じである。つまり、演算処理能力を高めたいＭＣＵ動作工程においては高い周波数Ｆ２のクロックが使用され、消費電力を抑えたい待機工程では低い周波数Ｆ０のクロックが使用され、圧力センサー動作工程では周波数Ｆ１のクロックが使用される。また、圧力センサーについても第１の例と同じであるため、説明を省略する。
【０１１７】
１．７．センサーモジュールの部品の配置について
第１実施形態においては、熱源となるＭＣＵと圧力センサーとを離して配置する必要がない。このことは、センサーモジュールにおける部品の配置の自由度を高め、さらなる小型化を可能にする。
【０１１８】
ウォームアップ工程では、ＭＣＵと圧力センサーとが近くに配置されている方が起動時間等を早める効果が高い。以下に、第１実施形態に適したセンサーモジュールにおける部品の配置の例を図１１（Ａ）〜図１２（Ｃ）を参照して説明する。
【０１１９】
図１１（Ａ）は、基板６０の表面に圧力センサー２０とＴＣＸＯ５０が配置されている様子を示している。一方、図１１（Ｂ）は、基板６０の裏面にＭＣＵ３０と、フォーマット変換モジュール等と接続するためのコネクター６４が配置されている様子を示している。
【０１２０】
ここで、図１１（Ｃ）は、図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）のｘ−ｘ線断面図である。基板６０を挟んで、圧力センサー２０とＭＣＵ３０とは、幅Ｗｏだけ重なるように配置されている。そのため、ＭＣＵ３０からの熱が圧力センサー２０に伝わりやすく、ウォームアップ工程における温度上昇期間を短くする効果がある。例えば、圧力センサー２０とＭＣＵ３０が、熱の伝導性が高いＣＯＢ（Chip On Board）実装されることで効果が高まる。さらに、基板６０を薄くすることで、一層効果を高めることができる。
【０１２１】
ここで、幅Ｗｏは０より大きな値である。また、図１１（Ｃ）の例では、圧力センサー２０の幅をＷｓ、ＭＣＵ３０の幅をＷｍとした場合に、ＷｓとＷｍのうち小さい方の幅よりも小さな値である。つまり、図１１（Ｃ）の例では、圧力センサー２０とＭＣＵ３０とは部分的に重なっている。なお、重なりあう方向に特に制限はない。
【０１２２】
図１２（Ａ）〜図１２（Ｃ）は、別の部品の配置例を示す。なお、図１１（Ａ）〜図１１（Ｃ）と同じ要素には同じ符号を付しており説明を省略する。
【０１２３】
この例では、図１２（Ａ）〜図１２（Ｂ）のように、ＭＣＵ３０と圧力センサー２０がなるべく重なるように配置されている。図１２（Ｃ）の断面図のように、この例では、幅Ｗｏは圧力センサーの幅Ｗｓに等しい。そのため、ＭＣＵ３０からの熱がより圧力センサー２０に伝わりやすく、ウォームアップ工程における温度上昇期間をさらに短くする効果がある。また、図１２（Ａ）〜図１２（Ｃ）の例では、熱の伝わり方が均一になる。
【０１２４】
２．第２実施形態
本発明の第２実施形態について図１３を参照して説明する。なお、図１〜図１２（Ｃ）と同じ要素には同じ符号を付しており説明を省略する。
【０１２５】
図１３は、本実施形態のセンサーモジュール１０Ａのブロック図である。第１実施形態のセンサーモジュールと異なり、圧力センサーではなく加速度センサー２０Ａを含んでいる。本実施形態では、圧力情報の代わりに加速度情報が得られる。また、ウォームアップ工程におけるクロックの周波数選択に使用するために温度を検出する温度センサー２０Ｂも含んでいる。
【０１２６】
しかし、このようにセンサー部分が変化しても、ＭＣＵ３０Ａの部分の構成やクロック生成切り替え部４６が行う制御にほとんど変更はない。そのため、第１実施形態と同じ制御手法によって、様々な物理量センサー（第２実施形態では加速度センサー）を含むセンサーモジュールを実現することができる。
【０１２７】
３．その他
これらの例示に限らず、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法および結果が同一の構成、あるいは目的および効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【符号の説明】
【０１２８】
１…電子機器、２…モジュール群、１０,１０Ａ…センサーモジュール、１２…フォーマット変換モジュール、１３…フォーマット変換回路、１４…ホストＭＣＵ（ホスト）、２０…圧力センサー、２０Ａ…加速度センサー、２０Ｂ…温度センサー、２２…圧力検出部、２４…温度検出部、２６…ロジック部、３０,３０Ａ…ＭＣＵ、３２…センサーデータ格納部、３４…演算処理部、３６…センサー動作設定部、３８…圧力情報格納部、３８Ａ…加速度情報格納部、４０…温度情報格納部、４２…通信データ格納部、４４…通信制御部、４６…クロック生成切り替え部、４７…ＣＲ発振回路、４８…起動時間計測部、５０…ＴＣＸＯ、６０，６２…基板、６４…コネクター、６６…ホスト接続用コネクター、１００…ＭＣＵ出力データ、１０２，１３７…ＭＣＵ入力データ、１０４…出力データ、１０６…入力データ、１２１…制御信号、１２２…圧力データ、１２３…制御信号、１２４…温度データ、１２６,１２６Ａ,１２６Ｂ…センサーデータ、１３０,１３０Ａ,１３０Ｂ…制御信号、１３２…センサーデータ、１３４…圧力情報、１３４Ａ…加速度情報、１３５…温度情報、１３６…圧力情報、１３６Ａ…加速度情報、１４０…温度情報、１４４…通信タイミング信号、１４６…クロック信号、１４７…原振クロック信号、１４８…タイミング信号、１５０…クロック信号
【図１】
2012251946.tif 000003
【図２】
2012251946.tif 000004
【図３】
2012251946.tif 000005
【図４】
2012251946.tif 000006
【図５】
2012251946.tif 000007
【図６】
2012251946.tif 000008
【図７】
2012251946.tif 000009
【図８】
2012251946.tif 000010
【図９】
2012251946.tif 000011
【図１０】
2012251946.tif 000012
【図１１】
2012251946.tif 000013
【図１２】
2012251946.tif 000014
【図１３】
2012251946.tif 000015