(57)【要約】【課題】転動部材が隣接する転動部材に乗り上がってしまうことを防止することができる自公転機構を備えた気相成長装置を提供する。【解決手段】加熱手段によって加熱されるとともに駆動手段によって回転するサセプタ１１に、該サセプタの周方向に複数の基板保持部材２１を転動部材（ボール２２，２３）を介して回転可能に設け、前記サセプタの回転に伴って前記基板保持部材を回転させ、該基板保持部材に保持された基板１２をサセプタの回転軸に対して公転させながら自転させる自公転構造を備えた気相成長装置において、前記転動部材として、径が異なる転動部材（大径ボール２２及び小径ボール２３）を交互に配置する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱手段によって加熱されるとともに駆動手段によって回転するサセプタに、該サセプタの周方向に複数の基板保持部材を転動部材を介して回転可能に設け、前記サセプタの回転に伴って前記基板保持部材を回転させ、該基板保持部材に保持された基板をサセプタの回転軸に対して公転させながら自転させる自公転構造を備えた気相成長装置において、前記転動部材として、径が異なる転動部材を交互に配置した気相成長装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気相成長装置に関し、詳しくは、サセプタ上の基板を自公転させる機構を備えた気相成長装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
フローチャンネル内のサセプタに保持した基板を所定温度に加熱した状態でフローチャンネル内に気相原料を供給し、前記基板面に薄膜を堆積させる気相成長装置として、複数枚の基板に均一に薄膜を形成するため、サセプタを回転させるとともに、該サセプタの回転に伴って基板を保持した基板保持部材（基板トレイ）を回転させ、成膜中の基板を自公転させる機構を備えた気相成長装置が知られている（例えば、特許文献１参照。）。このような自公転機構では、サセプタと基板保持部材との間に転動部材（ベアリング）介在させ、基板保持部材が円滑に回転するようにしている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２４３０６０号公報（図１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、従来の気相成長装置における自公転機構では、隣接して回転する転動部材は互いに逆回転しているため、転動部材の表面が劣化して摩擦力が大きくなってくると、回転方向前方の転動部材に後方の転動部材が乗り上げてしまうおそれがある。このため、定期的に転動部材を新しいものに交換する必要があるが、転動部材を交換するためには、サセプタ全体をチャンバーの外に出さなければならず、チャンバーの開放など、大掛かりなメンテナンスが必要となり、時間とコストがかかっていた。
【０００５】
そこで本発明は、転動部材が隣接する転動部材に乗り上がってしまうことを防止することができる自公転機構を備えた気相成長装置を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するため、本発明の気相成長装置は、加熱手段によって加熱されるとともに駆動手段によって回転するサセプタに、該サセプタの周方向に複数の基板保持部材を転動部材を介して回転可能に設け、前記サセプタの回転に伴って前記基板保持部材を回転させ、該基板保持部材に保持された基板をサセプタの回転軸に対して公転させながら自転させる自公転構造を備えた気相成長装置において、前記転動部材として、径が異なる転動部材を交互に配置したことを特徴としている。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の気相成長装置によれば、径が異なる転動部材を交互に配置することにより、隣接する転動部材を同じ方向に回転させることができるため、転動部材の乗り上がりを防止でき、安定した回転状態を長期にわたって継続することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の気相成長装置の一形態例を示す断面図である。
【図２】サセプタの平面図である。
【図３】要部の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本形態例に示す気相成長装置は、円盤状のサセプタ１１の上面に６枚の基板１２を載置可能とした多数枚自公転型気相成長装置であって、サセプタ１１は、石英ガラス等で形成された円筒状のフローチャンネル１３の内部に回転可能に設けられている。サセプタ１１の下面中心部には回転軸１４が、該回転軸１４の周囲にはサセプタ１１を介して基板１２を加熱するためのヒーター１５や温度計１６がそれぞれ設けられ、ヒーター１５の下方及び周囲は、リフレクター１７で覆われている。フローチャンネル１３の天板中央には、気相原料導入口１８が開口しており、底板外周には排気口１９が設けられている。
【００１０】
基板１２は、上面に基板保持凹部２０を有する円盤状の基板保持部材（基板トレイ）２１に保持されており、基板保持部材２１は、カーボンやセラミックで形成された径が異なる転動部材である大径、小径の２種類のボール２２，２３を介して円盤状のガイド部材２４にそれぞれ支持され、ガイド部材２４は、サセプタ１１の周方向に等間隔で設けられたガイド部材保持凹部２５内に保持されている。また、基板保持部材２１の外周下部には、外歯車２６が設けられており、サセプタ１１の外周位置には、基板保持部材２１の外歯車２６に歯合する内歯車２７を有するリング状の固定歯車部材２８が設けられている。さらに、固定歯車部材２８の上方、内歯車２７及び外歯車２６の上方、及び、サセプタ１１の中央部上面を覆うカバー部材２９が設けられており、このカバー部材２９の上面、基板保持凹部２０の外周部上面、基板１２の上面が面一になるようにしている。
【００１１】
互いに対向する各基板保持部材２１の下面及び各ガイド部材２４の上面には、基板１２の軸線を中心とするリング状のＶ溝２１ａ，２４ａが対向してそれぞれ設けられており、両Ｖ溝２１ａ，２４ａ間に前記ボール２２，２３が転動可能に保持されている。なお、ガイド部材２４は、製造上の都合でサセプタ１１とは別体に形成しているが、Ｖ溝２４ａを備えたガイド部材２４に相当するものをサセプタ１１に一体に形成することも可能である。
【００１２】
基板１２への気相成長を行う際に、回転軸１４を所定速度で回転させると、回転軸１４と一体にサセプタ１１が回転し、このサセプタ１１の回転に伴って固定歯車部材２８を除く各部材が回転し、基板１２は、サセプタ１１の軸線を中心として回転、即ち公転する状態となる。そして、固定歯車部材２８の内歯車２７に外歯車２６が歯合することにより、基板保持部材２１は、該基板保持部材２１の軸線を中心として回転、即ち自転する状態となる。これにより、基板保持部材２１に保持された基板１２が、サセプタ１１の軸線を中心として自公転することになる。
【００１３】
このようにして基板１２を自公転させ、かつ、ヒーター１５からサセプタ１１などを介して基板１２を所定温度、例えば１１００℃に加熱した状態で、気相原料導入口１８から所定の気相原料、例えばトリメチルガリウムとアンモニアとをフローチャンネル１３内に導入することにより、複数の基板１２の表面に所定の薄膜を均一に堆積させることができる。
【００１４】
このようにして基板１２の表面に薄膜を堆積させる際に、基板保持部材２１のＶ溝２１ａとガイド部材２４のＶ溝２４ａとの間に配置された大小の２種類のボール２２，２３の中で径が大きなボール（大径ボール）２２は、上下が両Ｖ溝２１ａ，２４ａに挟まれて両方に接触しているため、公転しているガイド部材２４に対して基板保持部材２１が図３の矢印Ａの方向に自転すると、大径ボール２２は、図３の矢印Ｂに示す基板保持部材２１の回転方向に向かって回転する。これに対し、両Ｖ溝２１ａ，２４ａの間隔が大径ボール２２の径によって決まるため、大径ボール２２に比べて径が小さなボール（小径ボール）２３は、自重によって下方に位置する基板保持部材２１のＶ溝２１ａにのみ接触した状態になる。したがって、小径ボール２３は、基板保持部材２１の回転方向（矢印Ａ）に向かって回転（矢印Ｂ）する大径ボール２２に押され、基板保持部材２１の回転方向に向かって基板保持部材２１のＶ溝２１ａ内を進むことになる。
【００１５】
両Ｖ溝２１ａ，２４ａの表面及び両ボール２２，２３の表面は、製造時には十分に平滑な状態に仕上げられているので、小径ボール２３と大径ボール２２との摩擦力は十分に小さく、大径ボール２２に対して小径ボール２３がどちらの方向に回転しても大径ボール２２が小径ボール２３に乗り上げることはなく、基板保持部材２１は安定した状態で回転する。
【００１６】
経時変化により両ボール２２，２３の表面が劣化し、小径ボール２３と大径ボール２２との摩擦力が、小径ボール２３とＶ溝２１ａとの摩擦力より大きくなると、小径ボール２３は、大径ボール２２に押されてＶ溝２１ａ内で滑り、大径ボール２２の回転方向（矢印Ｂ）と逆方向の矢印Ｃの方向に回転する状態となる。したがって、隣接する両ボール２２，２３の接触部分は、同じ方向に進むように回転する状態となるので、大径ボール２２が小径ボール２３に乗り上げることはなく、基板保持部材２１は、大径ボール２２に支持されて安定した状態で回転することになる。
【００１７】
したがって、基板保持部材２１のＶ溝２１ａとガイド部材２４のＶ溝２４ａとの間に、径が異なる大小の２種類のボール２２，２３を交互に配置することにより、両ボール２２，２３の表面が劣化して摩擦力が上昇しても、ボールの乗り上がりが発生することはなく、長期間にわたって基板保持部材２１、すなわち、基板１２を安定した状態で回転させることができる。
【００１８】
なお、小径ボール２３は、大径ボール２２で支持した基板保持部材２１のＶ溝２１ａの表面に接触しない径で、大径ボール２２同士の間に挟まれる径に設定すればよく、通常は、大径ボール２２の径よりも０．１〜１０％小さな径とすればよい。但し、径の差が小さすぎるとボール２２，２３が交互に配置されているかの確認が困難になり、径の差が大きすぎるとボール数が多くなって不経済となり、径の小さなボールの回転抵抗が大きくなる。また、製造時から両ボール２２，２３の摩擦力を小径ボール２３とＶ溝２１ａとの摩擦力より大きくしておくこともできる。さらに、大径ボール２２と小径ボール２３とを異なる材質で形成することもできる。
【００１９】
また、本発明は、基板の薄膜形成面を下向きにした気相成長装置にも適用でき、基板をサセプタの回転軸に対して公転させる公転型気相成長装置、自転のみさせる自転型気相成長装置にも使用できる。さらに、各部の形状は、サセプタや基板の大きさなどの各種条件に応じて適宜設定することができ、カバー部材を省略することもでき、転動部材の形状はボールに限らず、転動部材の保持もＶ溝に限るものではない。
【符号の説明】
【００２０】
１１…サセプタ、１２…基板、１３…フローチャンネル、１４…回転軸、１５…ヒーター、１６…温度計、１７…リフレクター、１８…気相原料導入口、１９…排気口、２０…基板保持凹部、２１…基板保持部材、２１ａ…Ｖ溝、２２…大径ボール、２３…小径ボール、２４…ガイド部材、２４ａ…Ｖ溝、２５…ガイド部材保持凹部、２６…外歯車、２７…内歯車、２８…固定歯車部材、２９…カバー部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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