(57)【要約】【課題】基板に入射する電子を効果的に減らす。【解決手段】蒸着装置１Ａは、基板Ｐの表面に成膜材料を蒸着させる蒸着装置である。成膜材料５０を蒸着可能な範囲として予め設定された所定の範囲Ａ１に、基板Ｐの蒸着面Ｐａを下方に向けて基板Ｐを配置可能な基板配置部３と、基板配置部３の下方に配置され、所定の範囲Ａ１に放射される成膜材料５０を収容する収容部４と、収容部４に電子ビームＥＢを照射する照射部５と、収容部４の側方に配置され、電子を吸着する吸着部６と、収容部４から所定の範囲Ａ１に向う成膜材料５０の放射範囲Ａ２の外側における少なくとも吸着部６の上方に配置され、上方に向う電子を水平方向に偏向させる磁界Ｍ３を発生させる磁界発生部７と、を備える。【選択図】図１
2012112002.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に成膜材料を蒸着させる蒸着装置であって、
前記成膜材料を蒸着可能な範囲として予め設定された所定の範囲に、前記基板の蒸着面を下方に向けて前記基板を配置可能な基板配置部と、
前記基板配置部の下方に配置され、前記所定の範囲に放射される前記成膜材料を収容する収容部と、
前記収容部に電子ビームを照射する照射部と、
前記収容部の側方に配置され、電子を吸着する吸着部と、
前記収容部から前記所定の範囲に向う前記成膜材料の放射範囲の外側における少なくとも前記吸着部の上方に配置され、上方に向う電子を水平方向に偏向させる磁界を発生させる磁界発生部と、を備えることを特徴とする蒸着装置。
【請求項２】
前記基板配置部は、前記基板を前記所定の範囲を含んだ範囲で前記水平方向のうちの第１方向に搬送可能であり、
前記磁界発生部は、上方に向う電子を、前記第１方向よりも前記水平方向のうちで前記第１方向と交差する第２方向に偏向させることを特徴とする請求項１に記載の蒸着装置。
【請求項３】
前記所定の範囲に入射する電子の量を測定する測定部と、
前記磁界発生部が発生させる磁界の磁力線の向きを変化させる変化部と、
前記測定部の測定結果に基づいて前記変化部を制御する制御部と、を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の蒸着装置。
【請求項４】
前記磁界発生部が発生させた磁界により偏向した電子を静電気力により捕捉する捕捉部を備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の蒸着装置。
【請求項５】
前記磁界発生部から前記基板配置部に向う磁力線を遮る磁性体を備えることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の蒸着装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蒸着装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
真空チャンバー内で蒸着法により成膜を行う蒸着装置は、各種デバイスを製造するときに利用されている。蒸着装置の１つである電子ビーム蒸着装置は、電子銃から放出された電子ビームを磁界により偏向させて、るつぼに収容された成膜材料に照射することができる。成膜材料は、電子ビームからエネルギーを受けて蒸発する。成膜材料が蒸発した材料蒸気は、デバイス製造用の基板の表面に接触して膜を形成する。
【０００３】
電子ビーム蒸着装置において成膜材料に電子ビームを照射すると、成膜材料の内部から２次電子が発生することがある。また、成膜材料に入射してくる電子ビームで材料蒸気が電離することによって、２次電子が発生することがある。また、電子ビ−ムの一部が成膜材料の表面で反跳し、反射電子が発生することがある。反射電子が真空チャンバーの壁面等に衝突すると、２次電子や反射電子が発生することがある。
【０００４】
上記の２次電子や反射電子が基板に入射すると、予め基板に形成された素子等が劣化する可能性がある。２次電子及び反射電子の基板への入射を抑制する技術として、例えば特許文献１、２に開示されている技術が挙げられる。
【０００５】
特許文献１の同位体分離装置は、るつぼの両縁に配置された一対の永久磁石によって、電子ビームを偏向させる磁界を増強することができる。反射電子による電子ビームは、増強された磁界によって、るつぼに向って再び偏向させられる。
【０００６】
特許文献２の真空蒸着装置は、蒸発材料で反射した電子ビームを捕獲するための反射電子トラップを備える。反射電子トラップは、反射電子が入射する開口部を有する箱状である。反射電子トラップは、反射電子を偏向させる磁界をその箱の内部に発生させる磁極と、偏向された反射電子が入射する面に配置された電子吸収体を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開昭６３−２１８２３９号公報
【特許文献２】特開２０１０−１０６２８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、２次電子は、反射電子に比べて低エネルギーで発生するので、発生場所が広範囲であり、またその飛散方向は広い分布を持つ。２次電子等の電子を捕捉する捕捉部を広範囲に設けると、真空チャンバーや捕捉部が大型になるおそれがある。このように、上述の従来技術にあっては、基板に入射する電子を効果的に減らす上で改善の余地がある。
【０００９】
本発明は、上述の事情に鑑み成されたものであって、基板に入射する電子を効果的に減らすことが可能な蒸着装置を提供することを目的の１つとする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の蒸着装置は、基板の表面に成膜材料を蒸着させる蒸着装置であって、前記成膜材料を蒸着可能な範囲として予め設定された所定の範囲に、前記基板の蒸着面を下方に向けて前記基板を配置可能な基板配置部と、前記基板配置部の下方に配置され、前記所定の範囲に放射される前記成膜材料を収容する収容部と、前記収容部に電子ビームを照射する照射部と、前記収容部の側方に配置され、電子を吸着する吸着部と、前記収容部から前記所定の範囲に向う前記成膜材料の放射範囲の外側における少なくとも前記吸着部の上方に配置され、上方に向う電子を水平方向に偏向させる磁界を発生させる磁界発生部と、を備えることを特徴とする。
【００１１】
上記の蒸着装置は、上方に向う電子を水平方向に偏向させる磁界を発生させる磁界発生部が配置されている。したがって、基板配置部によって所定の範囲に配置された基板に向う電子は、進行方向が磁界によって水平方向に偏向し、基板に入射しにくくなる。上記の吸着部は、電子を吸着する部分であるので、反射電子や２次電子が発生しやすい場所である。上記の磁界発生部は、収容部から所定の範囲に向う成膜材料の放射範囲の外側における少なくとも吸着部の上方に配置されているので、基板に入射する電子を効果的に減らすことができる。
【００１２】
前記基板配置部は、前記基板を前記所定の範囲を含んだ範囲で前記水平方向のうちの第１方向に搬送可能であり、前記磁界発生部は、上方に向う電子を、前記第１方向よりも前記水平方向のうちで前記第１方向と交差する第２方向に偏向させてもよい。
このようにすれば、基板に向う電子は、基板が搬送される第１方向と交差する第２方向に偏向するので、搬送方向の下流又は上流の基板に電子が入射しにくくなる。
【００１３】
上記の蒸着装置は、前記所定の範囲に入射する電子の量を測定する測定部と、前記磁界発生部が発生させる磁界の磁力線の向きを変化させる変化部と、前記測定部の測定結果に基づいて前記変化部を制御する制御部と、を備えてもよい。
このようにすれば、所定の範囲に入射する電子の量の測定値に基づいて、磁界発生部が発生させる磁界の磁力線の向きを変化させことができ、基板に入射する電子の量を制御することができる。
【００１４】
上記の蒸着装置は、前記磁界発生部が発生させた磁界により偏向した電子を静電気力により捕捉する捕捉部を備えていてもよい。
このようにすれば、磁界により偏向した電子を捕捉部が静電気力によって捕捉するので、収容部と基板配置部との間で浮遊する電子を減らすことができる。
【００１５】
上記の蒸着装置は、前記磁界発生部から前記基板配置部に向う磁力線を遮る磁性体を備えていてもよい。
このようにすれば、磁界発生部から基板配置部に向う磁力線が磁性体に遮られるので、磁力線を伝って基板配置部へ向かう電子を減らすことができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、基板に入射する電子を効果的に減らすことが可能な蒸着装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】第１実施形態の蒸着装置の内部を側方から見た側面図である。
【図２】第１実施形態の蒸着装置の内部を他の側方から見た側面図である。
【図３】第１実施形態の蒸着装置の内部を上方から見た上面図である。
【図４】第２実施形態の蒸着装置の内部を側方から見た側面図である。
【図５】第３実施形態において、校正を行うときの蒸着装置の側面図である。
【図６】第３実施形態において、蒸着を行うときの蒸着装置の説明図である。
【図７】第４実施形態の蒸着装置の内部を側方から見た側面図である。
【図８】第５実施形態の蒸着装置の内部を側方から見た側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明するが、本発明の技術範囲は下記の実施形態に限定されるものではない。下記の各実施形態で説明する要件は、適宜組み合わせることができる。また、各実施形態で説明する要件の１以上を用いない場合もある。以下の説明において、同様の構成要素については、同じ符号を付して、重複する説明を省略することがある。
【００１９】
［第１実施形態］
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態の蒸着装置の内部を側方から見た側面図である。図２は、第１実施形態の蒸着装置の内部を他の側方から見た側面図である。図３は、第１実施形態の蒸着装置の内部を上方から見た上面図である。
【００２０】
本実施形態の蒸着装置１Ａは、デバイス製造用の基板Ｐの表面に成膜材料を蒸着させることができる。蒸着装置１Ａは、例えば有機エレクトロルミネッセンス素子の製造過程で使用される。有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板上に形成された第１電極と第２電極との間に、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層等を含む有機層が配置された構造である。本実施形態の蒸着装置１Ａは、例えば第１電極と有機層が形成された基板上に、第２電極を形成する工程で利用される。
【００２１】
なお、蒸着装置１Ａの適用範囲は、基板Ｐの材質や成膜材料の種類、形成される膜の用途に限定されない。例えば、蒸着装置１Ａは、各種配線の形成や、低分子系の有機層の形成等に利用できる。また、有機エレクトロルミネッセンス素子以外の電子デバイスにおいて、有機材料又は無機材料で、導電性を有する膜や絶縁性の膜を形成するときに利用できる。
【００２２】
図１及び図２に示す蒸着装置１Ａは、真空チャンバー２、基板配置部３、収容部４、照射部５、吸着部６、及び磁界発生部７を備える。図１及び図２に示すＸＹＺ直交座標系において、Ｚ方向は鉛直方向であり、Ｘ方向及びＹ方向は水平方向のうちで互いに直交する方向である。以下の説明では、Ｘ方向、Ｙ方向、及びＺ方向のそれぞれについて、片側を正側、もう片側を負側ということがある。
【００２３】
真空チャンバー２は、その内部に、少なくとも収容部４、吸着部６、磁界発生部７、及び基板Ｐを収容可能である。真空チャンバー２は、真空ポンプ等の減圧装置８に接続されている。減圧装置８は、真空チャンバー２の内部を減圧することができる。減圧装置８は、蒸着装置１Ａの一部であってもよいし、蒸着装置１Ａの外部の装置でもよい。
【００２４】
基板配置部３は、例えば基板Ｐを保持するホルダー等である。基板配置部３は、真空チャンバー２の内部に配置されている。基板配置部３は、成膜材料５０を蒸着可能な範囲として予め設定された所定の範囲Ａ１に、基板Ｐの蒸着面Ｐａを下方（Ｚ方向の負側）に向けて基板を配置可能である。
【００２５】
収容部４は、所定の範囲Ａ１に基板Ｐが配置されているときの基板配置部３の下方に配置されている。本実施形態の収容部４は、基台９に保持されている。収容部４を保持した基台９は、真空チャンバー２の内部に配置されている。収容部４は、例えばるつぼである。収容部４は、上方（Ｚ方向の正側）に向って開いた開口１０を有する。収容部４は、成膜材料５０を収容することができる。収容部４は、蒸着処理中の耐熱性及び化学的安定性、放熱性などを考慮して、その材質が選択される。収容部４は、例えば銅等で形成される。
【００２６】
成膜材料５０が蒸発した材料蒸気５１は、収容部４の開口１０から上方に飛散する。材料蒸気５１は、所定の範囲Ａ１に配置された基板Ｐの表面に接触する。これにより、成膜材料が基板Ｐの表面に堆積し、基板Ｐの表面に膜が形成される。
【００２７】
照射部５は、真空チャンバー２の内部に収容部４に隣接して配置される。照射部５は、収容部４に収容された成膜材料５０に、電子ビームＥＢを照射することができる。収容部４内の成膜材料５０は、電子ビームＥＢから受けるエネルギーで昇温して蒸発する。本実施形態の照射部５は、収容部４からの材料蒸発の放射される範囲よりも外側に配置されている。照射部５は、基台９の側方に取付けられている。
【００２８】
照射部５は、電子銃１１及び偏向器１２を有する。電子銃１１は、電子ビームＥＢを射出可能である。本実施形態の電子銃１１は、収容部４よりも下方に配置されている。偏向器１２は、コイル等を有し、電気的に磁力を発生させることができる。偏向器１２は、電子銃１１から射出された電子ビームＥＢの進行方向を磁力によって変化させて、電子ビームＥＢを収容部４内の成膜材料５０に照射することができる。
【００２９】
本実施形態の電子銃１１は、Ｘ方向の負側に向けて電子ビームＥＢを射出する。偏向器１２は、Ｙ方向の正側から負側に向かう磁力線Ｍ１を発生させる。偏向器１２は、電子銃１１から射出された電子ビームＥＢを磁界によってＹ軸周りに概ね２７０°偏向させる。偏向器１２は、磁力の強さを時間的に変化させることによって電子ビームＥＢの軌道の曲率を変化させ、電子ビームＥＢを収容部４内の成膜材料５０上でＸ方向に走査することができる。電子ビームＥＢは、Ｘ方向の正側に進行するとともにＺ方向の負側に進行して、収容部４内の成膜材料５０に入射する。電子ビームＥＢに含まれる電子の一部は、成膜材料５０で反射して反射電子Ｅ１になる。
【００３０】
吸着部６は、反射電子Ｅ１を吸着することができる。吸着部６は、収容部４の側方に配置されている。吸着部６は、収容部４からの反射電子Ｅ１が入射する位置に配置されている。本実施形態の吸着部６は、収容部４に対して、水平方向のうちで収容部４に対する電子ビームＥＢの入射側（Ｘ方向の負側）とは反対側（Ｘ方向の正側）に、配置されている。
【００３１】
吸着部６は、少なくとも反射電子が入射する部分が、導電材料で形成されている。吸着部６は、収容部４からの輻射熱等に対する耐熱性、放熱性、導電性等を考慮して、その材質が選択される。吸着部６は、例えば収容部４と同じ材質（銅）で形成される。本実施形態の吸着部６は、配線１３を介して直流電源１４の正極と電気的に接続されている。直流電源１４の負極は、接地されている。吸着部６は、反射電子が入射する部分がアース電位（０Ｖ）に対して正電位に保持されている。吸着部６に入射した反射電子Ｅ１は、配線１３を伝って真空チャンバー２の外部に散逸する。なお、吸着部６は、直流電源１４を介することなく接地されて、アース電位に保持されていてもよい。
【００３２】
本実施形態の蒸着装置１Ａは、収容部４から上方に向う反射電子を吸着部６に向う方向に偏向させる磁界を発生させる磁石１５を備える。磁石１５は、電磁石と永久磁石の少なくとも一方で構成される。磁石１５は、水平方向のうちで、収容部４から吸着部６に向う方向に直交する方向に向う磁力線Ｍ２を発生させる。本実施形態において、磁石１５は、磁石１５は、照射部５の偏向器１２が発生させる磁力線Ｍ１と同じ方向を向く磁力線Ｍ２を発生させる。すなわち、磁力線Ｍ２は、Ｙ方向の正側から負側に向かう磁力線である。
【００３３】
本実施形態の蒸着装置１Ａは、収容部４と基板配置部３との間に配置されたシャッタ１６を備える。シャッタ１６は、収容部４から基板配置部３に向う材料蒸気５１を遮ることができる。シャッタ１６は、蒸着装置１Ａによって基板Ｐに蒸着処理を行うときに材料蒸気５１を遮らないように、収容部４と基板配置部３との間から退避させることができる。
【００３４】
磁界発生部７は、吸着部６の少なくとも一部の上方に配置されている。磁界発生部７は、収容部４から所定の範囲Ａ１に向かう方向（Ｚ方向）にて、吸着部６の少なくとも一部と重なるように配置されている。磁界発生部７は、収容部４から所定の範囲Ａ１に向う方向（Ｚ方向）周りの少なくとも一部に配置されている。磁界発生部７は、図示しない支持部材によって支持されている。
【００３５】
磁界発生部７は、基板Ｐの成膜に寄与する材料蒸気５１を遮らないように、配置されている。磁界発生部７は、収容部４から所定の範囲Ａ１に向う成膜材料（材料蒸気５１）の放射範囲Ａ２の外側に配置されている。放射範囲Ａ２は、基板Ｐにおける成膜対象の領域（所定の範囲Ａ１）に付着する材料蒸気５１が通る空間領域（有効放射範囲）である。本実施形態において、放射範囲Ａ２は、収容部４の開口１０の内周と所定の範囲Ａ１の外周をつなぐ環状の面の内側の領域である。
【００３６】
磁界発生部７は、永久磁石と電磁石の少なくとも一方で構成される。磁界発生部７は、上方に向う電子を水平方向に偏向させる磁界Ｍ３を発生させる。磁界発生部７は、上方に向う電子が水平方向のローレンツ力を受けるように、磁界Ｍ３を発生させる。本実施形態の磁界発生部７は、上方に向う電子が受けるローレンツ力のＹ方向の分力がＸ方向の分力よりも大きくなるように、磁界Ｍ３を発生させる。本実施形態の磁界発生部７は、照射部５の偏向器１２が発生させる磁界の磁力線Ｍ１とは、交差する方向に向う磁力線Ｍ４を発生させる。
【００３７】
本実施形態の磁界発生部７は、永久磁石で構成されている。磁界発生部７は、Ｘ方向と交差する方向に延びている。磁界発生部７は、Ｙ方向に直線的に延びている。磁界発生部７は、その延在方向（Ｙ方向）に交差する幅方向（Ｘ方向）の片側がＮ極であり、もう片側がＳ極である。本実施形態では、磁界発生部７におけるＸ方向の負側がＮ極であり、Ｘ方向の正側がＳ極である。
【００３８】
本実施形態において、磁界発生部７が発生させる磁界Ｍ３の強さは、照射部５の偏向器１２が発生させる磁界に及ぼす影響が許容範囲内に収まるように、設定されている。磁界Ｍ３の強さは、例えば収容部４の開口１０で５Ｇ以下になるように、設定される。
【００３９】
なお、磁界発生部７において、Ｘ方向の正側がＮ極であり、Ｘ方向の負側がＳ極でもよい。磁界発生部７は、水平方向においてＸ方向と０°以上９０度未満の角度をなす方向に延びていてもよい。磁界発生部７は、曲線的に延びる部分を含んでいてもよい。磁界発生部７は、Ｚ方向周りに湾曲していてもよい。磁界発生部７が発生させる磁界Ｍ３は、偏向器１２が発生させる磁界に影響を及ぼしてもよい。この場合に、偏向器１２は、磁界Ｍ３による電子ビームＥＢの軌道のずれを打ち消すように、磁界を発生させてもよい。
【００４０】
以上のような構成の蒸着装置１Ａは、成膜材料５０で反射した反射電子Ｅ１が入射する位置に吸着部６が配置されているので、反射電子Ｅ１を吸着部６により効果的に除去することができる。反射電子Ｅ１が吸着部６に入射すると、反射電子Ｅ１から吸着部６が受けるエネルギーによって、吸着部６から２次電子Ｅ２が発生することがある。また、反射電子Ｅ１の一部は、収容部４と吸着部６との間の基台９等に入射し、基台９で反射して上方に向うことがある。反射電子Ｅ１が基台９に入射すると、反射電子Ｅ１から基台９が受けるエネルギーによって、基台９から２次電子Ｅ２が発生することがある。吸着部６の周囲では、反射電子Ｅ１や２次電子Ｅ２が発生する可能性が、蒸着装置１Ａの他の部分よりも高い。
【００４１】
吸着部６の周囲で発生した２次電子Ｅ２の一部は、上方に向って飛散する。吸着部６から上方に飛散した２次電子Ｅ２は、磁界発生部７が発生させる磁界Ｍ３によって水平方向に偏向する。運動エネルギーが閾値よりも低い２次電子Ｅ２は、ローレンツ力によって磁界Ｍ３の磁力線Ｍ４の周りで磁力線Ｍ４に絡みつくように螺旋運動し、磁界発生部７に捕捉される。
【００４２】
このように、蒸着装置１Ａは、磁界発生部７が磁力により２次電子Ｅ２を捕捉するので、基板Ｐに向う２次電子Ｅ２を減らすことができる。また、吸着部６から上方に向う反射電子Ｅ１は、磁界発生部７が発生させる磁界Ｍ３によって水平方向に偏向して、基板Ｐに向かう方向と異なる方向に進行する。このように、蒸着装置１Ａは、基板Ｐに向う反射電子Ｅ１を減らすことができる。
【００４３】
また、磁界発生部７は、照射部５の偏向器１２が発生させる磁界の磁力線Ｍ１とは、交差する方向に向う磁力線Ｍ４を発生させる。したがって、磁界発生部７によって偏向した電子は、収容部４に向う方向と交差する方向に偏向し、偏向器１２が発生させる磁界によって不測の方向に進行することが抑制される。よって、基板Ｐに向う２次電子Ｅ２を減らすことができる。
【００４４】
以上のように、蒸着装置１Ａは、基板Ｐに到達する反射電子Ｅ１及び２次電子Ｅ２を減らすことができ、基板Ｐが電子により劣化することを抑制することができる。上記のように、有機エレクトロルミネッセンス素子を製造する過程で、蒸着処理を行う前の基板Ｐには、予め有機層が形成されていることがある。一般に有機層は、無機材料からなる層と比較して、電子の入射により劣化しやすい。蒸着装置１Ａは、基板に入射する電子の量を減らすことができるので、例えば、有機層の劣化を抑制することができ、有機エレクトロルミネッセンス素子の歩留まりを向上させることができる。
【００４５】
なお、上記の実施形態では、照射部５が電子ビームＥＢを２７０°程度偏向させて成膜材料５０に照射しているが、照射部５が電子ビームＥＢを偏向させる角度（偏向角）は２７０°未満でもよい。上記の偏向角は、１８０°でもよいし、９０°でもよい。また、照射部５は、電子ビームＥＢを偏向させないで成膜材料５０に照射してもよい。
【００４６】
蒸着装置１Ａは、蒸着マスク等を用いたマスク蒸着法により膜を形成することにも利用できる。蒸着マスクは、形成する膜パターンに対応した開口を有する。蒸着マスクは、基板Ｐと収容部４との間に配置される。蒸着マスクは、例えば基板Ｐの蒸着面Ｐａに当接して、配置される。基板配置部３は、基板Ｐとともに蒸着マスクを保持可能でもよい。
【００４７】
［第２実施形態］
第２実施形態について説明する。図４は、第２実施形態の蒸着装置の内部を側方から見た側面図である。
【００４８】
本実施形態の蒸着装置１Ｂは、真空チャンバー１７及び基板配置部１８を備える。真空チャンバー１７の内部は、仕切り板１９で上部２０と下部２１とに仕切られている。仕切り板１９は、所定の範囲Ａ１に配置された窓２２を有している。上部２０と下部２１は、窓２２の内側で互いに連通している。
【００４９】
真空チャンバー１７の下部２１には、第１実施形態で説明した照射部５、収容部４、吸着部６、及び磁界発生部７が配置されている。下部２１からの材料蒸気５１は、窓２２を通って上部２０へ流れることができる。本実施形態において、収容部４から所定の範囲Ａ１に向う材料蒸気５１の放射範囲Ａ３は、窓２２の内周と収容部４の開口１０の内周とをつなぐ環状の面の内側の領域である。
【００５０】
基板配置部１８は、上部２０に配置されている。上部２０は、基板Ｐの搬送経路になっている。基板配置部１８は、基板Ｐを保持して第１方向（Ｘ方向）に搬送可能である。基板配置部１８は、所定の範囲Ａ１を含んだ範囲で、基板Ｐを搬送可能である。基板配置部１８は、基板Ｐのうちで成膜予定の領域が窓２２の内側に配置されるように、基板Ｐを搬送可能である。本実施形態の基板配置部１８は、真空チャンバー２に取付けられたロードロック機構（図示略）を通して、真空チャンバー２の外部と内部との間で基板Ｐを搬入及び搬出することができる。
【００５１】
磁界発生部７は、上方に向う電子を水平方向のうちで基板Ｐの搬送方向である第１方向に交差する第２方向（Ｙ方向）に第１方向よりも偏向させるように、磁界Ｍ３を発生させる。換言すると、磁界発生部７は、上方に向う電子が受けるローレンツ力の第２方向の分力が第１方向の分力よりも大きくなるように、磁界Ｍ３を発生させる。
【００５２】
図２に示したように、上方に向う反射電子Ｅ１及び２次電子Ｅ２は、磁界Ｍ３から受けるローレンツ力によって、Ｙ方向に偏向する。すなわち、上方に向う反射電子Ｅ１及び２次電子Ｅ２は、基板Ｐの搬送方向と交差する方向に偏光する。したがって、基板Ｐの蒸着処理中に発生した電子が、基板Ｐよりも搬送方向の上流又は下流に位置する基板に入射しにくくなる。
【００５３】
このように、第２実施形態の蒸着装置１Ｂは、蒸着処理中の基板Ｐに入射する電子を減らすことができるとともに、基板Ｐとは別に搬送経路に置かれる他の基板に入射する電子を減らすことができる。
【００５４】
［第３実施形態］
第３実施形態について説明する。図５及び図６は、第３実施形態の蒸着装置を側方から見た側面図である。図５には、校正時の蒸着装置が図示されている。図６には、蒸着処理時の蒸着装置が図示されている。
【００５５】
本実施形態の蒸着装置１Ｃは、測定部２３、変化部２４及び制御部２５を備える。変化部２４は、所定の範囲Ａ１に入射する電子の量を測定することができる。変化部２４は、図１に示した磁界発生部７が発生させる磁界Ｍ３の磁力線Ｍ４の向きを変化させることができる。制御部２５は、測定部２３の測定結果に基づいて、変化部２４を制御することができる。
【００５６】
本実施形態の測定部２３は、ダミー基板２６及びセンサー２７を有する。基板配置部１８は、ダミー基板２６を保持することができる。基板配置部１８は、ダミー基板２６の片面２８を下方に向けて、ダミー基板２６を所定の範囲Ａ１に配置することができる。ダミー基板２６は、少なくとも片面２８が導電材料で形成されている。センサー２７は、ダミー基板２６と電気的に接続されている。センサー２７は、ダミー基板２６の帯電量を測定可能である。
【００５７】
測定部２３において、所定の範囲Ａ１に配置されたダミー基板２６の片面２８に入射する電子の量が多くなるほど、ダミー基板２６の帯電量が多くなる。したがって、センサー２７の測定結果に基づいて、所定の範囲Ａ１に入射する電子の量を測定することができる。
【００５８】
なお、測定部２３は、センサー２７がダミー基板２６からの電流を測定することによって、所定の範囲Ａ１に入射する電子の量を測定可能でもよい。測定部２３は、センサー２７がダミー基板２６のアース電位に対する電位を測定することによって、所定の範囲Ａ１に入射する電子の量を測定可能でもよい。
【００５９】
本実施形態の変化部２４は、磁界発生部７を水平方向に平行な回転軸の周りで回転させることができる。本実施形態において、上記の回転軸は、Ｙ方向と平行に設定されている。変化部２４が磁界発生部７を回転させると、磁界発生部７が発生させる磁界の磁力線Ｍ４の向きが、上記の回転軸周りで変化する。
【００６０】
本実施形態の制御部２５は、ＣＰＵ、メモリー、及び記憶部を有するコンピュータシステムにより構成されている。制御部２５は、変化部２４を制御して、磁界発生部７を回転角で回転させることができる。制御部２５は、測定部２３の測定結果を受け取り、測定部２３の測定結果を磁界発生部７の回転角と関連付けて記憶することができる。
【００６１】
また、本実施形態の制御部２５は、減圧装置８を制御して、真空チャンバー１７の内部の圧力を制御することができる。制御部２５は、照射部５を制御して、収容部４内の成膜材料５０に電子ビームＥＢを照射させることができる。制御部２５は、基板保持部１８を制御して、基板保持部１８に保持された基板Ｐ又はダミー基板２６を搬送させることができる。
【００６２】
本実施形態では、デバイス製造用の基板Ｐに対して蒸着処理を行わない期間で適宜選択されるタイミングで、磁界発生部７の校正が実行される。図５に示すように、校正の実行時に、ダミー基板２６は、基板配置部１８によって所定の範囲Ａ１に配置される。ダミー基板２６が所定の範囲Ａ１に配置された状態で、蒸着処理時と同様の条件で照射部５は収容部４内の成膜材料５０に電子ビームＥＢを照射する。制御部２５は、成膜材料５０に電子ビームＥＢが照射されているときに、変化部２４を制御して磁界発生部７を回転させ、磁界発生部７が発生させる磁力線の向きを変化させる。
【００６３】
制御部２５は、磁界発生部７の回転角を変化させながら、測定部２３の測定結果を磁界発生部７の回転角と関連付けて記憶する。制御部２５は、所定の範囲Ａ１に入射する電子の量を示す値として磁界発生部７の回転角に関連付けられた値を参照し、所定の範囲Ａ１に入射する電子の量が最小になるときの磁界発生部７の回転角（以下、最適回転角という）を求める。図６に示すように、デバイス製造用の基板Ｐに対して蒸着処理を行うときに、制御部２５は、変化部２４を制御して、磁界発生部７の回転角を上記の最適回転角に設定する。本実施形態の蒸着装置１Ｃは、磁界発生部７の回転角が最適回転角に固定された状態で、デバイス製造用の基板Ｐに対して蒸着処理を行う。
【００６４】
以上のような構成の蒸着装置１Ｃは、所定の範囲Ａ１に入射する電子の量の測定値に基づいて、磁界発生部７による磁力線Ｍ４の向きを変化させことができるので、基板Ｐに入射する電子の量を制御することができる。これにより、蒸着装置１Ｃは、基板Ｐに入射する電子の量を最小化することもできる。
【００６５】
［第４実施形態］
第４実施形態について説明する。図７は、第４実施形態の蒸着装置の内部を側方から見た側面図である。本実施形態の蒸着装置１Ｄは、磁界発生部７が発生させた磁界Ｍ３により偏向した電子を静電気力により捕捉する捕捉部２８を備える。
【００６６】
本実施形態の捕捉部２８は、磁界Ｍ３の磁力線Ｍ４と交差するように配置された導電部材２９、配線３０、及び直流電源３１を有する。導電部材２９は、導電性を有する非磁性体の金属、例えばアルミニウムや銅等で形成される。本実施形態の導電部材２９は、磁界発生部７のＮ極の端面及びＳ極の端面のそれぞれに設けられている。直流電源３１は、配線３０を介して、導電部材２９に正電圧を印加することができる。
【００６７】
本実施形態の直流電源３１は、導電部材２９に５０Ｖ以上の正電圧を印加する。直流電源３１の正極は、配線３０を介して、導電部材２９と電気的に接続されている。直流電源３１の負極は、接地されている。なお、直流電源３１は、吸着部６に正電圧を印加する直流電源１４と共通化されていてもよい。直流電源３１は、直流電源１４よりも高電圧を印加してもよいし、低電圧を印加してもよい。
【００６８】
以上のような構成の蒸着装置１Ｄにおいて、上方に向かう電子は、第１実施形態で説明したように、磁界発生部７が発生させる磁界Ｍ３の磁力線Ｍ４に絡みつくように螺旋運動しながら、導電部材２９に向かって進行する。導電部材２９に向かう電子は、導電部材２９に接近すると、導電部材２９との間の静電気力で導電部材２９に引き寄せられる。導電部材２９に到達した電子は、配線３０を通って真空チャンバー２の外部に散逸する。
【００６９】
このように、蒸着装置１Ｄは、上方に向かう電子を磁界発生部７により導電部材２９に誘導して、真空チャンバー２の内部から電子を減らすことができる。したがって、真空チャンバー２を浮遊する電子が基板Ｐに到達する可能性が低くなり、基板Ｐに入射する電子の数を減らすことができる。
【００７０】
［第５実施形態］
第５実施形態について説明する。図８は、第５実施形態の蒸着装置の内部を側方から見た側面図である。本実施形態の蒸着装置１Ｅは、磁界発生部７から基板配置部３に向う磁力線Ｍ４を遮る磁性体３２を備える。磁性体３２は、例えばヨークであり、磁界発生部７のＮ極から磁界発生部７の上方を通ってＳ極に向かう磁力線を短絡させるように、配置されている。本実施形態の蒸着装置１Ｅは、磁界発生部７から基板配置部３に向う磁力線が磁性体３２に遮られるので、磁力線を伝って基板配置部３へ向かう電子を減らすことができる。
【符号の説明】
【００７１】
１Ａ〜１Ｅ・・・蒸着装置、３・・・基板配置部、４・・・収容部、５・・・照射部、６・・・吸着部、
７・・・磁界発生部、１８・・・基板配置部、２３・・・測定部、２４・・・変化部、２５・・・制御部、
２８・・・捕捉部、３２・・・磁性体、５０・・・成膜材料、５１・・・材料蒸気、Ａ１・・・所定の範囲、Ａ２、Ａ３・・・放射範囲、Ｅ１・・・反射電子、Ｅ２・・・２次電子、ＥＢ・・・電子ビーム、Ｍ３・・・磁界、Ｍ４・・・磁力線、Ｐ・・・基板、Ｐａ・・・蒸着面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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