(57)【要約】【課題】  受動部品と配線基板との間にボイドが発生するのを防止する。【解決手段】  半導体装置１０は、配線基板１１と、配線基板の一面上に搭載される受動部品１２と、受動部品と配線基板との距離を所定の距離以上に保ち、受動部品と配線基板との間に空間を形成するスペーサ部材１４と、受動部品を配線基板の一面上に封止する封止樹脂１８とを備えている。【選択図】図１
2012028513.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板の一面上に搭載される受動部品と、
前記受動部品と前記配線基板との距離を所定の距離以上に保ち、前記受動部品と前記配線基板との間に空間を形成するスペーサ部材と、
前記受動部品を前記配線基板の一面上に封止する封止樹脂と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記スペーサ部材がワイヤバンプであることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記スペーサ部材が絶縁支持部材であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記受動部品と前記配線基板との間を電気的に接続する半田をさらに備え、前記スペーサ部材が前記半田に覆われていることを特徴とする請求項１，２又は３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記配線基板の一面には、所定の領域を除いて保護層が形成されており、前記所定の領域には、前記受動部品に対向する領域が含まれていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記受動部品と前記配線基板との間を電気的に接続する半田をさらに備え、前記絶縁膜支持部材が前記半田に隣接するように配置されていることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記配線基板の一面上に搭載され、かつ前記封止樹脂によって封止される半導体チップをさらに備えることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項８】
ボールグリッドアレイ型又はランドグリッドアレイ型の半導体装置であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
配線基板の一面上に所定以上の高さを持つスペーサ部材を設け、
前記配線基板の一面上に半田を設け、
前記スペーサ部材を介して配線基板の一面上に受動部品を搭載し、前記配線基板と前記受動部品との間に隙間を形成するとともに、前記半田を用いて前記受動部品と前記配線基板との間を電気的に接続し、
前記受動部品を前記配線基板の一面上に封止樹脂で封止する、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記配線基板として複数の製品形成部が配列形成された配線母基板を用い、
前記封止樹脂で封止したあと、前記配線母基板を前記封止樹脂とともに切断し、前記複数の製品形成部ごとに分割する
ことを特徴とする請求項９に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記配線基板の一面上にワイヤバンプを形成し、該ワイヤバンプを前記スペーサ部材として用いることを特徴とする請求項９又は１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記半田が前記ワイヤバンプを覆うように設けられることを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記配線基板の一面上にスペーサ部材を設ける前に、前記配線基板の一面の前記受動部品に対向する領域に形成されている保護層を除去することを特徴とする請求項１１又は１２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
前記配線基板の一面上に所定の高さ以上の絶縁支持部材を形成し、該絶縁指示部材を前記スペーサ部材として用いることを特徴とする請求項９又は１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
前記半田が前記絶縁支持部材を覆うように設けられることを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
前記半田が前記絶縁膜に隣接するように設けられることを特徴とする請求項１４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
前記封止樹脂で封止する前に、前記半導体基板の一面上に半導体チップを搭載することを特徴とする請求項９乃至１６のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
前記配線基板の他面上に半田ボールを設けることを特徴とする請求項９乃至１７のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は、配線基板上に搭載された半導体チップを保護する等の目的で、その半導体チップを覆う封止樹脂を有している。
【０００３】
半導体チップを封止樹脂により封止する方法の一つとして、ＭＡＰ（Mold Array Process）方式と呼ばれる方法がある。ＭＡＰ方式では、複数の製品形成部が配列形成された配線母基板に対して一括して樹脂封止を行い、その後、封止樹脂とともに配線母基板を切断して個々の製品に分割する（例えば、特許文献１又は２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−０４４３２４号公報
【特許文献２】特開２００１−０４４２２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年の電子機器の小型・薄型化の進展により、半導体装置のＳＩＰ（System In Package）化の要求が高まり、半導体チップと受動部品とを内蔵した半導体装置の検討が行われている。このような半導体チップと受動部品とを内蔵する半導体装置の樹脂封止にＭＡＰ方式を採用すると、半導体チップとともに受動部品も封止樹脂により封止されることになる。
【０００６】
ここで、受動部品は配線基板上の配線に半田を用いて接続される。受動部品を配線に接続する際、リフロー工程により半田を溶融させる。このとき、溶融した半田の表面張力により受動部品は沈み込む。これにより、受動部品と配線基板との隙間は、０〜２０μｍ程度に狭くなる。狭い隙間には封止工程で封止樹脂を十分に充填することができず、ボイドが発生する。その結果、半導体装置の信頼性は低下する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施の形態に係る半導体装置は、配線基板と、前記配線基板の一面上に搭載される受動部品と、前記受動部品と前記配線基板との距離を所定の距離以上に保ち、前記受動部品と前記配線基板との間に空間を形成するスペーサ部材と、前記受動部品を前記配線基板の一面上に封止する封止樹脂と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
受動部品と配線基板との間にスペーサ部材を備えることで、リフロー工程により半田が溶融しても受動部品と配線基板との距離を所定の距離以上に維持することができる。これにより、受動部品と配線基板との間の空間への封止樹脂の進入が容易となり、ボイドの発生が防止され、半導体装置の信頼性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】図１の半導体装置の製造に用いられる配線母基板の平面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、図２の配線母基板を用いて図１の半導体装置を製造する製造工程を説明するための図である。
【図４】図３（ｄ）に示す工程を終了した後の配線母基板の平面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、モールド装置を用いて図４の配線母基板に対して樹脂封止を行う工程を説明するための図である。
【図６】封止工程を終了した後の配線母基板の平面図である。
【図７】（ａ）は、封止工程を終了した後の配線母基板の部分断面図、（ｂ）は、半田ボール搭載工程を説明するための図、及び（ｃ）は、ダイシングを説明するための図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。
【図９】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。
【図１０】本発明の他の実施の形態に係る半導体装置の概略構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１１】
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置１０の概略構成を示す断面図である。
【００１２】
図示の半導体装置１０は、配線基板１１と、その一面上に搭載される受動部品１２及び半導体チップ１３を有している。受動部品１２は、スペーサ部材であるワイヤバンプ１４により支持され、半田１５によって配線基板１１に電気的に接続されるとともに位置固定されている。半導体チップ１３は、接着部材１６により固定されるとともに、ボンディングワイヤ１７により配線基板１１に電気的に接続されている。受動部品１２及び半導体チップ１３は、封止樹脂１８により配線基板１１の一面上で封止されている。また、配線基板１１の他面側には、外部端子として半田ボール１９が搭載されている。
【００１３】
配線基板１１は、例えば略四角形の板状のガラスエポキシ基板であり、コア層１１１と、コア層１１１の一面及び他面にそれぞれ設けられた配線層１１２，１１３と、所定の領域を除いて配線基板１１の一面及び他面をそれぞれ覆う第１の保護層（ソルダレジスト）１１４，１１５とを有している。コア層１１１の一面側には、受動部品１２や半導体チップ１３を配線層１１２に電気的に接続する複数の接続パッド１１６が設けられている。また、コア層１１１の他面側には、半田ボール１９を搭載し、配線層１１３に電気的に接続する複数のランド１１７が設けられている。さらに、コア層１１１を貫通し、一面側の配線層１１２と他面側の配線層１１３との間を電気的に接続するビア１１８が設けられている。
【００１４】
受動部品１２は、例えば、抵抗器、キャパシタ、インダクタ等であり、その両端に電極１２１，１２２を有している。電極１２１，１２２は、それぞれ半田１５により配線基板１１の接続パッド１１６に接続固定されている。
【００１５】
ワイヤバンプ１４は、例えば、図示しないワイヤーボンディング装置を用いて形成される。ワイヤバンプ１４は、受動部品１２の電極１２１，１２２が接続される接続パッド１１６上に形成され、半田１５に覆われる。ワイヤバンプ１４の材料には、リフロー工程により半田１５を溶融させたときでも溶融しないように、半田１５より高い融点を持つ金属、例えばＡｕやＣｕが用いられる。融点が高い金属を用いることで、リフロー工程において半田１５が溶融しても、ワイヤバンプ１４は溶融せず、受動部品１２と配線基板１１との距離を所定の距離以上に保つことができる。これにより、受動部品１２と配線基板１１との間の空間の高さを維持することができる。各接続パッド１１６に複数のワイヤバンプ１４を形成し、半田１５が溶融したときに受動部品１２が傾くのを防止するようにしてもよい。所定の距離は、封止工程における溶融樹脂が、受動部品１２と配線基板１１との間の空間に容易に進入できるように定められる。したがって、所定の距離は封止条件により異なってよいが、第１の保護層１１４の表面とそれに対向する受動部品１２の表面との距離が、例えば２０μｍよりも大きくなるようにする。
【００１６】
半導体チップ１３は、一又は複数の半導体素子を含む。半導体チップ１３は、いわゆるフェースアップの状態で配線基板１１の一面側に接着部材１６を用いて固定される。接着部材１６は、例えばＤＡＦ（Die Attach Film）、或いは絶縁ペースト等であってよい。また、半導体チップ１３の電極パッド（図示せず）は、ボンディングワイヤ１７を用いて配線基板１１の接続パッド１１６に電気的に接続されている。ボンディングワイヤ１７の材料としては、ＡｕやＣｕを用いることができる。
【００１７】
封止樹脂１８は、絶縁性樹脂、例えばエポキシ樹脂であって、ＭＡＰ方式により複数の製品に対して一括形成することができる。一括形成された封止樹脂１８は、後に切断され、個別の製品に分割される。
【００１８】
本実施の形態に係る半導体装置１０では、受動部品１２と配線基板１１との間の距離がワイヤバンプ１４により所定の距離以上に保たれる。これにより、半田１５をリフロー処理した後の洗浄工程において、フラックスの残渣の除去を容易に行うことができる。また、封止工程において、受動部品１２と配線基板１１の隙間への封止樹脂の充填が容易になり、ボイドの発生を防止又は抑制することができる。これらの結果、半導体装置の信頼性を向上させることができる。さらに、受動部品をも封止樹脂により保護するので、より半導体装置の信頼性を向上させることができる。また、半導体チップとともに受動部品を内蔵したことで、高機能な半導体装置(ＳＩＰ：System In Package）を実現することができる。
【００１９】
次に、図１に示す半導体装置１０の製造方法について説明する。
【００２０】
図２は、半導体装置１０の製造に用いられる配線母基板２０の概略構成を示す平面図である。
【００２１】
配線母基板２０は、位置決め穴２１が形成された枠部２２に囲まれた領域内に、マトリクス状に配置された複数の製品形成部２３を有している。配線母基板２０をダイシングライン２４に沿って切断して得られる製品形成部２３の各々が配線基板１１となる。
【００２２】
各製品形成部２３には、所定の配線パターン（配線層１１２，１１３）が形成されており、その表面は、第１の保護層１１４，１１５により覆われている。所定の領域の第１の保護層１１４，１１５は除去され、開口部が形成されている。開口部からは、複数の接続パッド１１６及びランド１１７が外部に露出する。複数の接続パッド１１６には、受動部品１２を接続する第１のパッド１１６ａと、半導体チップ１３を接続する第２のパッド１１６ｂとが含まれる。なお、第１のパッド１１６ａは、受動部品１２の長手方向が、封止樹脂１８の充填方向と直交するように配置されている。即ち、封止樹脂１８の充填方向が図２の上下方向であるとすると、第１のパッド１１６ａは、受動部品１２の長手方向が図の左右方向となるように配置されている。
【００２３】
次に、図３乃至図７を参照して、配線母基板２０を用いた半導体装置１０の製造方法を工程順に説明する。
【００２４】
まず、図３（ａ）に示すように、配線母基板２０の第１のパッド１１６ａ上にそれぞれワイヤバンプ１４を設ける。ワイヤバンプ１４の形成には、図示しないワイヤボンディング装置を用いることができる。具体的には、Ａｕ或いはＣｕ等からなるワイヤの先端を溶融させてボールを形成し、そのボールを第１のパッド１１６ａに超音波熱圧着する。その後、ワイヤの後端を引きちぎり、ワイヤバンプ１４とする。引きちぎった先端を平坦にしてワイヤバンプ１４としてもよい。ワイヤの径やボールの大きさを調節することでワイヤバンプ１４の高さを適切に調節する。
【００２５】
次に、図３（ｂ）に示すように、配線母基板２０の一面上に印刷用マスク３１を配置する。印刷用マスク３１は、第１のパッド１１６ａにそれぞれ対応する位置に開口部３２を有している。そして、印刷用マスク３１の開口部３２を通して、第１のパッド１１６ａ上に半田ペースト３３を供給する。半田ペースト３３の供給にはスキージ３４を用いることができる。その後、印刷用マスク３１を取り去る。こうして、受動部品１２が接続される第１のパッド１１６ａ上に選択的に半田ペーストを配置することができる。
【００２６】
次に、受動部品１２の電極１２１，１２２がそれぞれ半導体ペースト３３上に位置するように、受動部品１２を配線母基板２０に搭載する。それから、リフロー工程により半田ペースト３３を所定温度まで加熱して半田を溶融させる。溶融した半田は、図３（ｃ）に示すように、フィレット３５（半田１５）を形成する。半田が溶融した状態では、受動部品１２は重力によって図の下方へ沈み込もうとする（配線基板１１に接近しようとする）。ワイヤバンプ１４は、沈み込もうとする受動部品１２を配線基板１１側から支え、受動部品１２と配線基板１１との距離を所定の距離以上に保つ。これにより、受動部品１２と配線基板１１との間に、封止樹脂１８を充填する空間を確保することができる。半田１５が凝固すると、受動部品１２はワイヤバンプ１４及び半田１５に支持される。また、電極１２１，１２２は、半田１５及びワイヤバンプ１４により、それぞれ対応する第１のパッド１１６ａに電気的に接続される。
【００２７】
その後、フラックス洗浄を行い、フラックス残渣を除去する。上述のように、受動部品１２と配線基板１１との間に空間が確保されているので、フラックスの洗浄性も良好である。
【００２８】
次に、図３（ｄ）に示すように、接着部材１６を用いて半導体チップ１３を配線母基板２０上の所定の位置に接着固定する。そして、半導体チップ１３の電極パッドの各々と対応する配線母基板２０の第２のパッド１１６ｂとの間をボンディングワイヤ１７により電気的に接続する。
【００２９】
図４は、ワイヤボンディング工程が完了した状態の配線母基板２０の平面図である。各製品形成部２３には、２個の受動部品１２と１個の半導体チップ１３が搭載されている。受動部品１２は、その長手方向（図の左右方向）が封止樹脂１８の充填方向（図の上下方向）と直交するように配置されている。なお、受動部品１２の長手方向と充填方向は必ずしも直交している必要はなく、製品設計に応じた向きでよい。
【００３０】
次に、配線母基板２０の一面側に、一括モールドによって封止樹脂１８を形成する。以下、図５（ａ）〜（ｃ）を参照して、封止樹脂１８の一括モールドについて詳細に説明する。なお、図５（ａ）〜（ｃ）は、モールド装置にセットされた配線母基板２０を、図４のＡ−Ａ線に相当する位置で切断した断面図である。
【００３１】
モールド装置は、例えば、トランスファーモールド装置である。図５（ａ）に示すように、トランスファーモールド装置の上型５１と下型５２とに形成されるキャビティ５３内に、ボンディングワイヤ１７による結線工程までを終えた配線母基板２０を配置する。
【００３２】
次に、図５（ｂ）に示すように、プランジャー５４に、熱硬化性のエポキシ樹脂等の原料タブレット５５をセットし、上型５１と下型５２とを型締めする。型締め後の上型５１と下型５２との間には、カル５６、ランナー５７、ゲート５８及びエアベント５９等の空間が存在する。
【００３３】
次に、図５（ｃ）に示すように、プランジャー５４により原料タブレット５５を加圧、溶融させ、カル５６からランナー５７及びゲート５８を通じてキャビティ５３内に溶融樹脂６０を圧入する。溶融樹脂６０は、ゲート５８からエアベント５９へ向かって、即ち、図５（ｃ）の右側から左側に向かってキャビティ５３内を流動する。
【００３４】
キャビティ５３内では、溶融樹脂６０は略真っ直ぐに流動する。受動部材１２はその長手方向が図の表裏方向に沿って延在するように配置されており、受動部材１２と配線母基板２０との間に形成される空間は、図の左右方向に向かって開口している。したがって、キャビティ５３内を流動する溶融樹脂６０は、受動部材１２と配線母基板２０との間に形成された空間へ正面から進入する。また、受動部材１２と配線母基板２０との間の距離は、上述したようにワイヤバンプ１４によって所定の距離以上に保たれている。これらのことから、溶融樹脂６０は、受動部材１２と配線母基板２０との間の空間に容易に進入でき、ボイドの発生が防止又は抑制される。
【００３５】
図６は、封止完了後の配線母基板２０の平面図である。溶融樹脂６０（封止樹脂１８）は、図の下方から上方に向かって充填される。即ち、カル５６からランナー５７及びゲート５８を通ってキャビティ５３内に流入し、キャビティ５３内では、図の下から上に向かって略真っ直ぐに進む。
【００３６】
図７（ａ）は、封止完了後の配線母基板２０の断面図である。受動部材１２と配線母基板２０との間の空間にも封止樹脂１８が充填されており、ボイドの発生もない。
【００３７】
次に、図７（ｂ）に示すように、配線母基板２０の他面側のランド１１７にそれぞれ半田ボール１９を搭載する。半田ボール１９の搭載は、例えば、複数のランド１１７に対応して配列形成された複数の吸着孔を備える図示しない吸着機構を用いて行うことができる。この場合、吸着機構に複数の半田ボール１９を吸着保持させ、保持された半田ボール１９にフラックスを転写形成して、配線母基板２０のランド１１７に一括搭載する。その後、リフロー処理により、半田ボール１９とランド１１７との間を接続固定する。
【００３８】
封止樹脂１８内にボイドが存在すると、半田ボール１９を搭載する際のリフロー加熱により、ボイドに起因するクラックが発生するおそれがある。本実施の形態では、上述のようにボイドの発生を防止又は抑制できるので、クロックの発生も防止又は抑制することができる。これにより、信頼性の高い、半導体チップ及び受動部品を内蔵した高機能の半導体装置を、効率よく製造することができる。
【００３９】
次に、図７（ｃ）に示すように、封止樹脂１８の一面にダイシングテープ７１を貼り付け、ダイシングテープ７１を用いて封止樹脂１８及び配線母基板２０を固定する。それから図示しないダイシングブレードを用いて、配線母基板２０及び封止樹脂１８をダイシングライン２４に沿って縦横に切断する。これにより、配線母基板２０は、製品形成部２３毎に個片化される。その後、個片化された製品形成部２３及び封止樹脂１８をダイシングテープ７１からピックアップすることで、図１に示すような半導体装置１０が得られる。
【００４０】
次に、図８を参照して本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置について詳細に説明する。
【００４１】
図８の半導体装置８０は、配線基板１１の一面側に形成された第１の保護層１１４の形成領域が、図１の半導体装置１０と異なっている。それ以外は、半導体装置１０と同様なので、その説明を省略する。
【００４２】
第１の保護層１１４は、配線基板１１の一面側に、所定の領域を除いて形成されている。所定の領域には、接続パッド１１６が形成された領域のほか、搭載される受動部品１２に対向する領域が含まれる。受動部品１２に対向する領域に形成された第１の保護層１１４の開口部の幅（図８の表裏方向の長さ）は、受動部品１２の幅と同じかそれより広いことが望ましい。この幅が狭いと、開口部への溶融樹脂６０の流入が困難となり、ボイドの発生原因となり得る。一方、開口部の幅が広ければ、溶融樹脂の流入、流出が容易となり、ボイドの発生は防止される。
【００４３】
本実施の形態によれば、受動部品１２と配線基板１１との間の距離を、第１の実施の形態に係る半導体装置１０よりも拡げることができる。これによりさらにボイドの発生を防止又は抑制することができる。また、本実施の形態では、ワイヤバンプ１４の高さを第１の実施の形態に係る半導体装置１０よりも小さくしても、受動部品１２と配線基板１１との間の距離を第１の実施の形態と同じにできるので、半導体装置の薄型化を実現することができる。
【００４４】
次に、図９を参照して本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置について詳細に説明する。
【００４５】
図９の半導体装置９０は、スペーサ部材として、ワイヤバンプ１４に代えて第２の保護層９１を有している点で、図１の半導体装置１０と異なっている。それ以外は、半導体装置１０と同様なので、その説明を省略する。
【００４６】
第２の保護層９１は、第１の保護層１１４の受動部品１２に対向する領域の一部に形成される。第２の保護層９１は、第１の保護層１１４と同一の材料により構成されてもよいし、異なる材料で構成されてもよい。いずれにしても、第２の保護層９１は、絶縁性支持材として機能すればよい。受動部品１２と配線基板１１との間に形成される空間の開口部をできるだけ大きくするため、第２の保護層９１は、第１の保護層１１４の開口部の縁に沿って延在するように形成される。その結果、第２の保護層９１は、後に形成される半田１５に隣接する。
【００４７】
本実施の形態によれば、第１の実施の形態に係る半導体装置１０と同様にボイドの発生を防止又は抑制することができる。また、本実施の形態に係る半導体装置１０は、スペーサ部材としての第２の保護層９１が予め形成されている配線基板１１を用いるので、組立工程において、受動部品１２と配線基板１１との間の空間を確保する工程を必要としない。つまり、従来の組立工程に新たな工程を塚することなく、受動部品１２と配線基板１１との間の距離を所定の距離以上にした半導体装置を得ることができる。
【００４８】
以上本発明について、いくつかの実施の形態に即して説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されず、本発明の主旨から逸脱しない範囲において、種々の変形、変更が可能である。例えば、上記実施の形態では、スペーサ部材としてワイヤバンプ１４及び第２の保護層９１を例示したが、図１０に示すように絶縁支持部材１０１を接続パッド１１６上に設けるようにしてもよい。絶縁支持部材１０１は、エポキシ等の樹脂、或いはエラストマ等であってよく、また、その形状は、特に限定されず、柱状、堤状などであってよい。
【００４９】
また、上記実施の形態では、配線基板上に１つの半導体チップと２つの受動部品を搭載した半導体装置を例示したが、本発明は、半導体チップの数や受動部品の数に関係なく適用可能である。
【００５０】
さらに、上記実施の形態では、外部端子として半田ボールを備えるＢＧＡ（Ball Grid Array）型の半導体装置を例示したが、本発明は、半田ボールを持たないＬＧＡ（Land Grid Array）型の半導体装置にも適用できる。
【００５１】
さらにまた、上記実施の形態では、配線基板としてガラスエポキシ基板を例示したが、他の配線基板、例えば、ポリイミド基体を含むフレキシブル基板を用いてもよい。また、多層配線基板を用いることもできる。
【符号の説明】
【００５２】
１０，８０，９０    半導体装置
１１    配線基板
１２    受動部品
１３    半導体チップ
１４    ワイヤバンプ
１５    半田
１６    接着部材
１７    ボンディングワイヤ
１８    封止樹脂
１９    半田ボール
２０    配線母基板
２１    位置決め穴
２２    枠部
２３    製品形成部
２４    ダイシングライン
３１    印刷用マスク
３２    開口部
３３    半田ペースト
３４    スキージ
３５    フィレット
５１    上型
５２    下型
５３    キャビティ
５４    プランジャー
５５    原料タブレット
５６    カル
５７    ランナー
５８    ゲート
５９    エアベント
６０    溶融樹脂
７１    ダイシングテープ
９１    第２の保護層
１０１    絶縁支持部材
１１１    コア層
１１２，１１３    配線層
１１４，１１５    第１の保護層
１１６    接続パッド
１１６ａ    第１のパッド
１１６ｂ    第２のパッド
１１７    ランド
１１８    ビア
１２１，１２２    電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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