(57)【要約】【課題】所定波長のレーザ光を出力する半導体レーザ素子において、チャーピングを低減する。【解決手段】半導体レーザ素子１０は、所定波長のレーザ光を出力する半導体レーザ素子であって、活性層２３と、所定波長に応じた周期で活性層２３に沿って設けられた回折格子２６ａを構成する回折格子層２６と、活性層２３と回折格子層２６との間に設けられた上部クラッド層２５と、回折格子層２６の回折格子２６ａを埋め込む誘電体層２７とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定波長のレーザ光を出力する半導体レーザ素子であって、
活性層と、
前記所定波長に応じた周期で前記活性層に沿って設けられた回折格子を構成する回折格子層と、
前記活性層と前記回折格子層との間に設けられたクラッド層と、
前記回折格子層の前記回折格子を埋め込む誘電体層と
を備えることを特徴とする、半導体レーザ素子。
【請求項２】
前記回折格子層の屈折率ｎ１と、前記誘電体層の屈折率ｎ０との屈折率差（ｎ１−ｎ０）／ｎ１が０．１５以上であることを特徴とする、請求項１に記載の半導体レーザ素子。
【請求項３】
所定波長のレーザ光を出力する半導体レーザ素子であって、
活性層と、
前記所定波長に応じた周期で前記活性層に沿って設けられた回折格子を構成する回折格子層と、
前記活性層と前記回折格子層との間に設けられたクラッド層と、
前記回折格子層の前記回折格子を埋め込む層と
を備え、
前記回折格子層の屈折率ｎ１と、前記回折格子を埋め込む層の屈折率ｎ０との屈折率差（ｎ１−ｎ０）／ｎ１が０．１５以上であることを特徴とする、半導体レーザ素子。
【請求項４】
前記回折格子層の厚さが２００ｎｍ以上であることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子。
【請求項５】
前記誘電体層は、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３、及びＴｉＯのうち少なくとも一つを含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の半導体レーザ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、分布帰還型半導体レーザが記載されている。この分布帰還型半導体レーザは、ｐ型ＩｎＰ基板上に設けられた歪量子井戸活性層を備える。ｐ型ＩｎＰ基板と活性層との間にはｐ型ＩｎＰクラッド層が設けられている。ｐ型ＩｎＰクラッド層と活性層との間には光ガイド層が設けられている。ｐ型ＩｎＰクラッド層と光ガイド層との界面には回折格子が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平７−２４９８２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に示されたような構造を備える従来の直接変調分布帰還（ＤＦＢ：Distributed FeedBack）型半導体レーザ素子には、次の問題がある。活性層の屈折率は、活性層を流れる電流の大きさに応じて変化する。故に、光通信の為の高周波の変調電流をこの半導体レーザ素子に与えると、電流量の周期的な変化に付随して活性層の屈折率も周期的に変化する。これにより、ブラッグ周波数が周期的に変化するので、発振周波数の変化すなわちチャーピングが大きくなる。このことから、光通信システムにおいて、従来のＤＦＢ型半導体レーザ素子の用途は、比較的短い距離の光送信に限られる。
【０００５】
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、所定波長のレーザ光を出力する半導体レーザ素子において、チャーピングを低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決するために、本発明による第１の半導体レーザ素子は、所定波長のレーザ光を出力する半導体レーザ素子であって、活性層と、所定波長に応じた周期で活性層に沿って設けられた回折格子を構成する回折格子層と、活性層と回折格子層との間に設けられたクラッド層と、回折格子層の回折格子を埋め込む誘電体層とを備えることを特徴とする。
【０００７】
活性層に沿った回折格子層を備える半導体レーザ素子では、活性層を中心とする導波モード（以下、活性層モードという）とは別に、回折格子層を中心とする導波モード（以下、回折格子層モードという）が生じる。本発明による半導体レーザ素子では、活性層モード  の分散曲線と回折格子層モードの分散曲線が異なる。更に、活性層モード及び回折格子層モードは互いに近接して導波するので、これらのモードは分散曲線が交わり位相整合条件が満たされる特定の波長においては互いに結合される。本発明による半導体レーザ素子は、この結合がある場合に、発振する。そして、活性層モードの分散曲線は活性層の屈折率変化に大きく依存するが、回折格子層モードの分散曲線は活性層の屈折率変化には殆ど依存しない。すなわち、回折格子層モードの前進波と後進波の結合係数κを大きくすることによって、回折格子層モードの分散曲線は伝搬定数変化に対して波長変化が小さくなる形としている。活性層の屈折率変化による発振波長への影響を抑制することが可能となる。
【０００８】
そこで、上述した第１の半導体レーザ素子では、回折格子層によって構成される回折格子が、誘電体層によって埋め込まれている。誘電体は半導体より屈折率が格段に小さいので、回折格子を構成する二つの材料の屈折率差が、従来のＤＦＢ型半導体レーザ素子と比較して格段に大きくなる。これにより、回折格子層モードの前進波と後進波の結合係数κが大きくなるので、活性層の屈折率変化による発振波長への影響を抑制できる。従って、上述した第１の半導体レーザ素子によれば、チャーピングを低減できる。
【０００９】
また、上述した第１の半導体レーザ素子は、回折格子層の屈折率ｎ１と、誘電体層の屈折率ｎ０との屈折率差（ｎ１−ｎ０）／ｎ１が０．１５以上であることを特徴としてもよい。本発明者の研究によれば、回折格子層と誘電体層との上記屈折率差が０．１５以上であれば、回折格子層モードの前進波と後進波の結合係数κが十分に大きくなり、活性層の屈折率変化による発振波長への影響を効果的に抑制できることが見出された。すなわち、この半導体レーザ素子によれば、チャーピングをより効果的に低減できる。
【００１０】
また、本発明による第２の半導体レーザ素子は、所定波長のレーザ光を出力する半導体レーザ素子であって、活性層と、所定波長に応じた周期で活性層に沿って設けられた回折格子を構成する回折格子層と、活性層と回折格子層との間に設けられたクラッド層と、回折格子層の回折格子を埋め込む層とを備え、回折格子層の屈折率ｎ１と、回折格子を埋め込む層の屈折率ｎ０との屈折率差（ｎ１−ｎ０）／ｎ１が０．１５以上であることを特徴とする。
【００１１】
この第２の半導体レーザ素子では、回折格子を埋め込む層と回折格子層との屈折率差が０．１５以上となっている。この場合、回折格子を埋め込む層が誘電体層でなくても、回折格子層モードの前進波と後進波の結合係数κが十分に大きくなり、活性層の屈折率変化による発振波長への影響を効果的に抑制できる。すなわち、上述した第２の半導体レーザ素子によれば、チャーピングを効果的に低減できる。
【００１２】
また、上述した第１及び第２の半導体レーザ素子は、回折格子層の厚さが２００ｎｍ以上であることを特徴としてもよい。このように、回折格子層が従来より厚いことによって、回折格子層モードを好適に発生させることができる。
【００１３】
また、上述した第１及び第２の半導体レーザ素子は、誘電体層が、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３、及びＴｉＯのうち少なくとも一つを含むことを特徴としてもよい。これにより、上述した第１及び第２の半導体レーザ素子の効果を好適に得ることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、所定波長のレーザ光を出力する半導体レーザ素子において、チャーピングを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、一実施形態に係る半導体レーザ素子の構造を示す断面図である。
【図２】図２は、図１のII−II線に沿った切断面を示す図である。
【図３】図３は、半導体レーザ素子に生じる導波モードを示す図である。
【図４】図４は、半導体レーザ素子において発生するレーザ光の周波数と伝搬定数との関係を示すグラフである。
【図５】図５は、回折格子を構成する２つの材料のうち、屈折率が大きい材料の屈折率ｎ１と屈折率が小さい材料の屈折率ｎ０との屈折率差（ｎ１−ｎ０）／ｎ１と、群速度との関係、および該屈折率差（ｎ１−ｎ０）／ｎ１と周波数差Δｆ２との関係を示している。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、添付図面を参照しながら本発明による半導体レーザ素子の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１７】
図１は、本発明の一実施形態に係る半導体レーザ素子１０の構造を示す断面図である。図１は、半導体レーザ素子１０のレーザ共振方向に対して垂直な断面を示している。また、図２は、図１のII−II線に沿った切断面を示す図である。半導体レーザ素子１０は、基板１１と、基板１１上に設けられたメサ部１２と、メサ部１２の両側面を埋め込むように基板１１上に設けられた埋込部１３ａ及び１３ｂと、アノード電極１５及びカソード電極１４とを備える。
【００１８】
基板１１は主面１１ａを有する。本実施形態では、例えばＩｎＰといったIII−Ｖ族化合物半導体が、主面１１ａ上にエピタキシャル成長することができる。基板１１は、絶縁性もしくは半絶縁性を有することが好ましく、半絶縁性はIII−Ｖ族化合物半導体に不純物が添加されることにより好適に実現される。一実施例では、基板１１はＦｅドープＩｎＰからなる。
【００１９】
メサ部１２は、その平面形状がストライプ状であり、半導体レーザ素子１０のレーザ共振方向に延びている。メサ部１２は、該レーザ共振方向に沿った一対の側面１２ａ及び１２ｂを有する。メサ部１２は、基板１１の主面１１ａ上に形成されている。メサ部１２は、基板１１の主面１１ａ上に順に成長した下部クラッド層２１、下部光閉じ込め層２２、活性層２３、上部光閉じ込め層２４、上部クラッド層２５、回折格子層２６、及び誘電体層２７を含む。
【００２０】
また、図２に示されるように、レーザ共振方向におけるメサ部１２の両端面１２ｃ及び１２ｄには反射防止膜（ＡＲ膜）１６ａ及び１６ｂが設けられている。端面１２ｃと端面１２ｄとの間隔（共振器長）は、例えば２５０μｍである。
【００２１】
下部クラッド層２１は、下部光閉じ込め層２２及び活性層２３のバンドギャップより大きいバンドギャップを有するIII−Ｖ族化合物半導体、例えばアンドープＩｎＰからなる。下部クラッド層２１の厚さは例えば１．５μｍである。
【００２２】
下部光閉じ込め層２２は下部クラッド層２１上に設けられている。下部光閉じ込め層２２はIII−Ｖ族化合物半導体からなり、一例ではアンドープＩｎＧａＡｓＰからなる。下部光閉じ込め層２２の厚さは例えば１５０ｎｍである。下部光閉じ込め層２２のバンドギャップ波長は例えば１．１５μｍである。
【００２３】
活性層２３は、III−Ｖ族化合物半導体からなり、下部光閉じ込め層２２上に設けられている。好ましくは、活性層２３は量子井戸層とバリア層とが交互に積層された多重量子井戸構造を有する。この多重量子井戸構造に含まれる量子井戸層及びバリア層は例えばアンドープＩｎＧａＡｓＰからなる。量子井戸層の厚さは例えば５ｎｍである。バリア層の厚さは例えば８ｎｍである。バリア層のバンドギャップは量子井戸層のバンドギャップより大きい。バリア層のバンドギャップ波長は例えば１．２μｍである。量子井戸層のバンドギャップ波長（すなわち発光波長）は例えば１．５５μｍである。量子井戸層は圧縮歪み（例えば０．８％）を有する。一実施例では、量子井戸層は７層設けられ、バリア層は８層設けられる。
【００２４】
上部光閉じ込め層２４は活性層２３上に設けられている。上部光閉じ込め層２４はIII−Ｖ族化合物半導体からなり、一例ではアンドープＩｎＧａＡｓＰからなる。上部光閉じ込め層２４の厚さは例えば１５０ｎｍである。上部光閉じ込め層２４のバンドギャップ波長は例えば１．１５μｍである。
【００２５】
上部クラッド層２５は、活性層２３と回折格子層２６との間に設けられており、本実施形態では上部光閉じ込め層２４上に設けられている。上部クラッド層２５は、上部光閉じ込め層２４及び活性層２３のバンドギャップより大きいバンドギャップを有するIII−Ｖ族化合物半導体、例えばアンドープＩｎＰからなる。上部クラッド層２５の厚さは０．５μｍ以上が好ましく、一実施例では０．８μｍである。
【００２６】
回折格子層２６は上部クラッド層２５上に設けられている。一般的なＤＦＢ型半導体レーザ素子では回折格子層は上部光閉じ込め層の直上に設けられるが、本実施形態の回折格子層２６は上部クラッド層２５上に設けられているので、回折格子層２６と活性層２３との間隔が、一般的なＤＦＢ型半導体レーザ素子よりも大きくなっている。
【００２７】
図２に示されるように、回折格子層２６は回折格子２６ａを構成する。回折格子２６ａは、半導体レーザ素子１０の出力波長（所定波長）に応じた周期で活性層２３に沿って形成されている。このような回折格子２６ａは、回折格子層２６となるIII−Ｖ族化合物半導体層を上部クラッド層２５上に成長させたのち、回折格子２６ａに応じたパターンを有するマスクを介してこの半導体層をエッチングすることにより、好適に形成される。本実施形態では、該エッチングの深さが上部クラッド層２５に達しており、回折格子層２６が上記周期で分割されることにより回折格子２６ａが構成されている。なお、回折格子の形態は本実施形態に限られず、例えば回折格子層２６の途中でエッチングが停止されることにより、回折格子層２６の上面（すなわち活性層２３と対向する面とは反対側の面）に回折格子が形成されてもよい。回折格子２６ａのピッチは例えば０．２４μｍであり、回折格子２６ａのデューティ比（回折格子２６ａの一周期に占める回折格子層２６の割合）は０．７１である。
【００２８】
回折格子層２６は例えばアンドープＧａＩｎＡｓＰからなる。回折格子層２６の好適な厚さは２００ｎｍ以上であり、一般的なＤＦＢ型半導体レーザ素子の回折格子層の厚さ（約１０ｎｍ）より格段に厚い。一実施例では、回折格子層２６の厚さは１μｍである。また、回折格子層２６のバンドギャップ波長は例えば１．２５μｍであり、一般的なＤＦＢ型半導体レーザ素子の回折格子層のバンドギャップ波長（１．１μｍ）より長い。換言すれば、回折格子層２６のバンドギャップは、一般的なＤＦＢ型半導体レーザ素子の回折格子層のバンドギャップより小さい。そして、回折格子層２６のバンドギャップは、その直下に位置する上部クラッド層２５のバンドギャップより小さい。
【００２９】
誘電体層２７は、回折格子層２６の回折格子２６ａを埋め込む層である。誘電体層２７は、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３、及びＴｉＯのうち少なくとも一つの材料を含むことが好ましい。一般的なＤＦＢ型半導体レーザ素子の回折格子は同系統の半導体によって埋め込まれるが、本実施形態の回折格子２６ａは誘電体によって埋め込まれるので、回折格子を構成する２つの材料の屈折率差が格段に大きくなっている。後述するように、回折格子層２６の屈折率ｎ１と、回折格子２６ａを埋め込む層（誘電体層２７）の屈折率ｎ０との屈折率差（ｎ１−ｎ０）／ｎ１は、０．１５以上（すなわち、回折格子層２６の屈折率の１５％以上）であることが好ましい。一実施例では、誘電体層２７はＳｉＯ２からなる。この場合、誘電体層２７は回折格子層２６の屈折率３．３と比べて格段に小さな屈折率１．５を有する。従って、この実施例における屈折率差は０．５５である。また、誘電体層２７の厚さは例えば２μｍである。
【００３０】
なお、回折格子２６ａを埋め込む層は、誘電体層２７に代えて、屈折率が回折格子層２６より小さい他の材料からなる層であってもよい。その場合でも、上記屈折率差は０．１５以上であることが好ましい。
【００３１】
図１に示されるように、埋込部１３ａ及び１３ｂは、メサ部１２の両側面を埋め込むように、主面１１ａにおけるメサ部１２が設けられた領域を除く領域上に設けられている。その一方の埋込部１３ａは、ｎ型III−Ｖ族化合物半導体層１３１と、このｎ型III−Ｖ族化合物半導体層１３１上に設けられたｎ型キャップ層１３２とを含む。また、他方の埋込部１３ｂは、ｐ型III−Ｖ族化合物半導体層１３３と、このｐ型III−Ｖ族化合物半導体層１３３上に設けられたｐ型キャップ層１３４とを含む。
【００３２】
ｎ型III−Ｖ族化合物半導体層１３１は、下部光閉じ込め層２２、活性層２３及び上部光閉じ込め層２４よりも屈折率が小さく且つバンドギャップが大きい半導体、例えばｎ型ＩｎＰからなる。同様に、ｐ型III−Ｖ族化合物半導体層１３３は、下部光閉じ込め層２２、活性層２３及び上部光閉じ込め層２４よりも屈折率が小さく且つバンドギャップが大きい半導体、例えばｐ型ＩｎＰからなる。ｎ型III−Ｖ族化合物半導体層１３１及びｐ型III−Ｖ族化合物半導体層１３３は、メサ部１２の下部クラッド層２１から回折格子層２６までの側面と接しており、これらの層２１〜２６を埋め込んでいる。ｎ型キャップ層１３２は、ｎ型III−Ｖ族化合物半導体層１３１よりドーパント濃度が大きいｎ型III−Ｖ族化合物半導体からなる。一実施例では、ｎ型キャップ層１３２はｎ型ＩｎＧａＡｓＰからなる。同様に、ｐ型キャップ層１３４は、ｐ型III−Ｖ族化合物半導体層１３３よりドーパント濃度が大きいｐ型III−Ｖ族化合物半導体からなる。一実施例では、ｐ型キャップ層１３４はｐ型ＩｎＧａＡｓＰからなる。
【００３３】
カソード電極１４は、ｎ型キャップ層１３２上に設けられ、ｎ型キャップ層１３２とオーミック接触を成している。アノード電極１５は、ｐ型キャップ層１３４上に設けられ、ｐ型キャップ層１３４とオーミック接触を成している。カソード電極１４及びアノード電極１５は、メサ部１２の活性層２３に電流を供給するための電極である。カソード電極１４は、例えばＡｕＧｅを含んで構成される。アノード電極１５は、例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕによって構成される。
【００３４】
以上の構成を備える半導体レーザ素子１０の動作（作用）について説明する。ここで、図３は、半導体レーザ素子１０に生じる導波モードを示す図であり、グラフの横軸は導波光の強度を示し、縦軸は、厚さ方向における位置を、メサ部１２の積層構造と併せて示している。図３に示されるように、半導体レーザ素子１０においては、活性層２３を中心とする導波モードである活性層モードＭ１とは別に、回折格子層２６を中心とする導波モードである回折格子層モードＭ２が生じる。回折格子層モードＭ２は、定在波としての性質を有する。回折格子層モードＭ２は、本実施形態のように回折格子層２６が厚く（２００ｎｍ以上）、更に回折格子層２６と活性層２３とが離れている場合に、顕著に発生する。更に、半導体レーザ素子１０の内部において、活性層モードＭ１と回折格子層モードＭ２とが互いに近接しながら平行に導波するので、これらのモードＭ１，Ｍ２は互いにカップリングされることが可能である。換言すれば、半導体レーザ素子１０の内部構造は、活性層モードＭ１と回折格子層モードＭ２とを結合する光結合器となることが可能である。
【００３５】
ここで、図４は、半導体レーザ素子１０において発生するレーザ光の周波数と伝搬定数との関係を示すグラフである。図４において、縦軸は規格化された周波数を示し、横軸は規格化された伝搬定数を示している。なお、伝搬定数は、０．５のときに周波数がブラッグ周波数となるように規格化されている。また、図中に示されるグラフＧ１１は、送信光がハイレベルである場合の活性層モードＭ１の分散曲線を示しており、グラフＧ１２は、送信光がローレベルである場合の活性層モードＭ１の分散曲線を示している。また、グラフＧ１３は、回折格子層モードＭ２の分散曲線を示している。なお、本実施形態では回折格子層２６には電流が流れないので、送信光のハイレベル／ローレベルによって回折格子層モードＭ２の分散曲線は変化しない。
【００３６】
活性層モードしか存在しない（或いは、活性層モードと回折格子層モードとが結合されていない）通常のＤＦＢ型半導体レーザ素子はブラッグ周波数で発振するが、ブラッグ周波数は活性層の屈折率変化に伴って変動する。従って、活性層モードの分散曲線のブリュアンゾーン端部（βａ／（２π）＝０．５）において発振する。具体的には、送信光がハイレベルである場合には図中のＡ１点で発振し、送信光がローレベルである場合には図中のＡ２点で発振する。この場合、Ａ１点における規格化周波数とＡ２点における規格化周波数との差Δｆ１が、発振周波数の大きな変化（チャーピング）となって現れる。
【００３７】
これに対し、活性層モードＭ１と回折格子層モードＭ２とが結合すれば、モードＭ１及びＭ２の位相整合条件が成り立つ動作点で発振することとなる。すなわち、送信光がハイレベルである場合には、グラフＧ１１とグラフＧ１３との交点（図中のＢ１点）で発振する。また、送信光がローレベルである場合には、グラフＧ１２とグラフＧ１３との交点（図中のＢ２点）で発振する。従って、Ｂ１点における規格化周波数とＢ２点における規格化周波数との差Δｆ２が、発振周波数の変化となって現れる。
【００３８】
この周波数差Δｆ２は、回折格子層モードＭ２の分散曲線であるグラフＧ１３の傾きが緩やかなほど（すなわち、群速度ｖｇが小さいほど）小さくなる。ここで、図５は、回折格子を構成する２つの材料のうち、屈折率が大きい材料の屈折率ｎ１と屈折率が小さい材料の屈折率ｎ０との屈折率差（ｎ１−ｎ０）／ｎ１と、群速度との関係（グラフＧ２１）、および該屈折率差（ｎ１−ｎ０）／ｎ１と周波数差Δｆ２との関係（グラフＧ２２）を示している。なお、図５において、横軸は屈折率差（ｎ１−ｎ０）／ｎ１を百分率で示しており、左の縦軸は規格化された群速度を示しており、右の縦軸は周波数差Δｆ２を示している。
【００３９】
図５に示されるように、回折格子の屈折率差が大きくなるほど、群速度が小さくなり且つ周波数差Δｆ２が小さくなる傾向がある。屈折率差が大きくなるほど回折格子層モードの前進波と後進波の結合係数κが大きくなるので、言い換えると、結合係数κが大きくなるほど、群速度が小さくなり且つ周波数差Δｆ２が小さくなる。本実施形態の半導体レーザ素子１０では、回折格子層モードの前進波と後進波を強く結合させるために、回折格子層２６を誘電体層２７によって埋め込んでいる。ＳｉＯ２といった誘電体からなる誘電体層２７の屈折率は、III−Ｖ族化合物半導体からなる回折格子層２６の屈折率より格段に小さい。従って、回折格子層モードの前進波と後進波の結合係数κを大きくできるので、周波数差Δｆ２が小さくなり、チャーピングを効果的に低減できる。
【００４０】
また、図５より、屈折率差は０．１５以上であることが好ましい。その場合、回折格子層モードの前進波と後進波の結合係数κが十分に大きくなり、周波数差Δｆ２を１５ＧＨｚ以下と十分に小さくすることができる。また、屈折率差は０．４以上であることが更に好ましく、その場合、周波数差Δｆ２を６ＧＨｚ以下と極めて小さくすることができる。なお、通常のＤＦＢ型半導体レーザ素子において、回折格子層の厚さおよび屈折率差以外の構造を本実施形態の半導体レーザ素子１０と同様とした場合、その周波数差Δｆ１は２０ＧＨｚ程度である。
【００４１】
本発明による半導体レーザ素子は、上述した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上述した実施形態では活性層等がIII−Ｖ族化合物半導体からなる半導体レーザ素子を例示したが、本発明は、他の種類の半導体からなる半導体レーザ素子にも適用可能である。また、上述した実施形態では活性層の側面から電流を注入する構造の半導体レーザ素子を例示したが、本発明は、活性層に対して縦方向から電流を注入する構造の半導体レーザ素子にも適用可能である。
【符号の説明】
【００４２】
１０…半導体レーザ素子、１１…基板、１１ａ…主面、１２…メサ部、１２ａ，１２ｂ…側面、１２ｃ，１２ｄ…端面、１３ａ，１３ｂ…埋込部、１４…カソード電極、１５…アノード電極、２１…下部クラッド層、２２…下部光閉じ込め層、２３…活性層、２４…上部光閉じ込め層、２５…上部クラッド層、２６…回折格子層、２６ａ…回折格子、２７…誘電体層、１３１…ｎ型III族化合物半導体層、１３２…ｎ型キャップ層、１３３…ｐ型III族化合物半導体層、１３４…ｐ型キャップ層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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