(57)【要約】【課題】レーザー加工を容易とする回路基板およびその製造方法を提供することにある。【解決手段】本発明の回路基板２６は、基板１２と、基板１２の上面を被覆する絶縁層２０と、この絶縁層２０の上面に形成された所定形状の導電パターン１６とを備えている。そして、絶縁層２０は、シリカから成るフィラー５６が高充填された樹脂材料５８から構成されている。更に、樹脂材料５８には、無機材料から成る着色料が添加される。従って、切除加工を行うために、絶縁層２０に対してレーザーを照射すると、着色された樹脂材料５８によりレーザーが吸収されることで絶縁層２０が除去される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
フィラーが含まれた樹脂材料から成り、前記基板の上面を被覆する絶縁層と、
前記絶縁層の上面に形成された導電パターンと、を備え、
前記絶縁層に含まれる前記フィラーとしてシリカが採用され、
前記樹脂材料に着色料が添加されていることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記絶縁層の少なくとも一部分はレーザー加工されていることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
レーザー加工により前記絶縁層を部分的に除去することにより形成された開口部を更に備え、
前記開口部から前記基板の上面が露出することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記開口部から露出する前記基板の表面と前記導電パターンとを接続する接続手段とを更に備えることを特徴とする請求項３に記載の回路基板。
【請求項５】
前記絶縁層の上面には印刷抵抗が形成されており、
前記印刷抵抗が部分的にレーザー加工により切除されていることを特徴とする請求項１から請求項４の何れかに記載の回路基板。
【請求項６】
前記基板の周縁部分にて前記絶縁層がレーザー加工により切断されていることを特徴とする請求項１から請求項５の何れかに記載の回路基板。
【請求項７】
請求項１から請求項６の何れかに記載された回路基板と、
前記導電パターンに電気的に接続された回路素子と、を備えることを特徴とする回路装置。
【請求項８】
上面が絶縁層により被覆され、前記絶縁層の表面に所定形状の導電パターンが形成された基板を用意する工程と、
前記絶縁層の少なくとも一部分をレーザー加工により除去する工程と、を備え、
前記絶縁層は、着色料が添加された樹脂材料と、シリカから成るフィラーとから構成され、
前記除去する工程では、着色された前記樹脂材料により前記レーザーが吸収されることで、前記絶縁層を構成する前記樹脂材料と前記フィラーとが除去されることを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記レーザー加工により除去する工程では、
前記絶縁層に前記レーザーを照射することにより除去して設けた開口部から、前記基板の上面を露出させることを特徴とする請求項８に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記レーザー加工により除去する工程は、
前記絶縁層の上面に設けられた印刷抵抗をレーザー加工により部分的に切除する工程であり、前記レーザー加工により、前記印刷抵抗に被覆される前記絶縁層の上面が部分的に除去されることを特徴とする請求項８または請求項９に記載の回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記レーザー加工により除去する工程は、
前記絶縁層と共に前記基板を個別に分離する工程であることを特徴とする請求項８から請求項１０の何れかに記載の回路基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項８から請求項１１の何れかに記載された回路基板の製造方法により製造された回路基板の前記導電パターンに回路素子を電気的に接続する工程を備えることを特徴とする回路装置の製造方法。
【請求項１３】
基板の上面で複数の回路素子と電気的に接続される導電パターンの材料と成る絶縁層付き導電箔であり、
導電材料から成る導電箔と、
フィラーが含まれた樹脂材料から成り、前記導電箔の主面に貼着された絶縁層と、
を備え、
前記絶縁層に含まれる前記フィラーとしてシリカが採用され、
前記樹脂材料に着色料が添加されていることを特徴とする絶縁層付き導電箔。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁層により被覆された基板の上面に導電パターンが形成された回路基板およびその製造方法に関する。更に本発明は、このような構成の回路基板を備えた回路装置およびその製造方法、絶縁層付き導電箔に関する。
【背景技術】
【０００２】
インバーター回路等の動作時に多量の熱を発生する回路は、熱を良好に外部に放出させる必要がある。例えば、下記特許文献１を参照すると、回路素子が動作時に発生する熱を良好に外部にする回路装置が開示されている。
【０００３】
図９を参照して、上記文献に開示された回路装置の構成を説明する。ここでは、アルミニウム等の熱伝導に優れる材料から成る基板１００に、この基板１００の上面を被覆する絶縁層１０２と、絶縁層１０２の上面に所定形状の導電パターン１０８とが形成されている。また、導電パターン１０８の所定箇所には、トランジスタ等の回路素子が電気的に接続される。
【０００４】
絶縁層１０２は、導電パターン１０８と基板１００とを絶縁させるための層であり、フィラー１０６が高充填された樹脂材料１０４から成る。ここで、樹脂材料１０４としては例えばエポキシ樹脂が採用され、フィラー１０６としてはシリカ（ＳｉＯ２）またはアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）が採用可能である。絶縁層１０２にフィラー１０６が添加されることにより、絶縁層１０２の熱抵抗が低減される。
【０００５】
かかる構成により、導電パターン１０８に接続された回路素子から発生した熱は、絶縁層１０２および基板１００を経由して良好に外部に放出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−８６９９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記した構成の回路基板の場合は、絶縁層１０２の加工が容易でない問題があった。
【０００８】
具体的には、図９を参照して、回路基板を製造する工程には、部分的に絶縁層１０２を切除する工程が含まれる。この除去工程は、例えば、基板１００の上面を部分的に露出させる工程、または、基板１００を絶縁層１０２と共に分離する工程である。
【０００９】
この絶縁層１０２を切除する方法としては、従来ではドリル加工等の機械的加工方法が採用されてきたが、この機械的加工方法に伴う衝撃力により、他の部分の絶縁層１０２にクラックが発生する等の問題が発生していた。
【００１０】
このため、機械加工に代替する絶縁層１０２の除去方法として、レーザー１１０を照射する方法が採用されている。レーザー１１０を用いた除去方法であれば、機械加工を行う際の衝撃が発生しないので、絶縁層１０２にクラックを発生させることなく除去が行われる。
【００１１】
しかしながら、絶縁層１０２に含まれるフィラーとして、比較的安価なシリカを採用すると、レーザー１１０の照射に伴い問題が発生する。具体的には、光を透過させるシリカをフィラー１０６の材料として採用した場合、樹脂材料１０４も光を透過させるエポキシ樹脂から成るので、絶縁層１０２が全体としてレーザー１１０を透過させる。このことから、上方から絶縁層１０２に向かってレーザー１１０を照射すると、絶縁層１０２によりレーザーは減衰されずに、基板１００の上面にレーザー１１０が照射される。結果的に、基板１００の上面にレーザー１１０が照射されることにより、基板１００の上面が焼け焦げてしまう問題が発生する。更には、レーザー１１０を照射しても、絶縁層１０２が除去されない問題も発生する。
【００１２】
本発明は上記した問題点を鑑みて成されたものであり、本発明の目的は、レーザー加工を容易とする回路基板およびその製造方法を提供することにある。更に、本発明の目的は、このような回路基板を備えた回路装置およびその製造方法、絶縁層付き導電箔を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の回路基板は、基板と、フィラーが含まれた樹脂材料から成り、前記基板の上面を被覆する絶縁層と、前記絶縁層の上面に形成された導電パターンと、を備え、前記絶縁層に含まれる前記フィラーとしてシリカが採用され、前記樹脂材料に着色料が添加されていることを特徴とする。
【００１４】
本発明の回路基板の製造方法は、上面が絶縁層により被覆され、前記絶縁層の表面に所定形状の導電パターンが形成された基板を用意する工程と、前記絶縁層の少なくとも一部分をレーザー加工により除去する工程と、を備え、前記絶縁層は、着色料が添加された樹脂材料と、シリカから成るフィラーとから構成され、前記除去する工程では、着色された前記樹脂材料により前記レーザーが吸収されることで、前記絶縁層を構成する前記樹脂材料と前記フィラーとが除去されることを特徴とする。
【００１５】
本発明は、基板の上面で複数の回路素子と電気的に接続される導電パターンの材料と成る絶縁層付き導電箔であり、導電材料から成る導電箔と、フィラーが含まれた樹脂材料から成り、前記導電箔の主面に貼着された絶縁層と、を備え、前記絶縁層に含まれる前記フィラーとしてシリカが採用され、前記樹脂材料に着色料が添加されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、基板の上面を被覆する絶縁層を容易にレーザー加工することが可能となる。具体的には、絶縁層に含まれるフィラーとして透明なシリカを採用しても、樹脂材料に着色料が添加されることにより、絶縁層全体が着色された状態となりレーザーを透過しない。従って、このような構成の絶縁層にレーザーを照射すると、照射されたレーザーが絶縁層の樹脂材料に吸収され、絶縁層が良好に除去される。更には、レーザーが絶縁層を透過して基板の上面まで到達することが無いので、背景技術の様に基板の上面が焼け焦げることが防止される。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の回路基板および回路装置を示す図であり、（Ａ）は斜視図であり、（Ｂ）は断面図であり、（Ｃ）は拡大された断面図である。
【図２】本発明の回路基板および回路装置を示す図であり、（Ａ）はレーザー加工により形成された接続部を示す断面図であり、（Ｂ）はレーザー加工された絶縁層の端部を示す断面図である。
【図３】本発明の回路基板および回路装置を示す図であり、（Ａ）は抵抗部を示す図であり、（Ｂ）はその断面図である。
【図４】本発明の回路基板および回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）は用意される絶縁層付き導電箔を示す斜視図であり、（Ｂ）はその断面図である。
【図５】本発明の回路基板および回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）から（Ｅ）は、基板を各ユニットに分割するまでの工程を示す断面図である。
【図６】本発明の回路基板および回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）および（Ｂ）はレーザーにより絶縁層および基板を切除する工程を示す図である。
【図７】本発明の回路基板および回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）から（Ｃ）はレーザーにより開口部を形成する工程を示す図である。
【図８】本発明の回路基板および回路装置の製造方法を示す図であり、（Ａ）および（Ｂ）はレーザーにより抵抗体を部分的に切除する工程を示す図である。
【図９】背景技術に係る回路基板の構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
図１を参照して、本形態が適用される混成集積回路装置１０の構成を説明する。図１（Ａ）は混成集積回路装置１０の斜視図であり、図１（Ｂ）はその断面図であり、図１（Ｃ）は回路基板２６を拡大して示す断面図である。
【００１９】
混成集積回路装置１０は、基板１２の上面に、導電パターン１６と回路素子から成る混成集積回路が組み込まれ、この回路と電気的に接続されたリード１８が外部に導出している。更に、基板１２の上面に構築された混成集積回路、基板１２の上面、側面および下面は、熱硬化性樹脂から成る封止樹脂１４により一体的に被覆されている。
【００２０】
基板１２は、アルミニウムや銅等の金属から成る基板であり、具体的な大きさは、例えば縦×横×厚さ＝６１ｍｍ×４２ｍｍ×１ｍｍ程度である。ここで、基板１２の材料として金属以外が採用されても良く、例えば、セラミックが基板１２の材料として採用されても良い。更に、基板１２の材料としてアルミニウムが採用された場合は、基板１２の上面および下面は、陽極酸化により形成されたアルマイトから成る酸化膜により被覆される。
【００２１】
絶縁層２０は、フィラーが高充填された樹脂材料から成り、基板１２の上面全域を被覆している。ここで、絶縁層２０は、白色や黒色等の着色がなされており、上方から絶縁層２０を目視した場合、基板１２の上面が透けて見えない程度に着色されている。この詳細は図１（Ｃ）を参照して後述する。
【００２２】
導電パターン１６は、厚みが５０μｍ程度の銅等の金属膜から成り、所定の電気回路が実現されるように絶縁層２０の表面に形成される。また、リード１８が導出する辺に、導電パターン１６からなるパッドが形成される。図では導電パターン１６は単層に形成されているが、絶縁層を介して導電パターン１６が多層に形成されても良い。
【００２３】
半導体素子２４およびチップ素子２８（回路素子）は、半田等の接合材を介して、導電パターン１６の所定の箇所に固着されている。半導体素子２４としては、トランジスタ、ＬＳＩチップ、ダイオード等が採用される。ここでは、半導体素子２４と導電パターン１６とは、金属細線３２を経由して接続される。チップ素子２８としては、チップ抵抗やチップコンデンサ等が採用される。チップ素子２８の両端の電極は、半田等の接合材を介して導電パターン１６に固着されている。
【００２４】
ここで、導電パターンに接続される素子としてＬＥＤが採用されても良い。このようにすることで、本形態の回路装置を照明器具として用いることが可能となる。
【００２５】
リード１８は、基板１２の周辺部に設けられたパッドに固着され、入力信号や出力信号が通過する外部接続端子として機能している。図１（Ｂ）を参照すると、基板１２の対向する２つの辺に沿って多数個のリード１８が設けられている。
【００２６】
封止樹脂１４は、熱硬化性樹脂を用いるトランスファーモールドにより形成される。図１（Ｂ）では、封止樹脂１４により、導電パターン１６、半導体素子２４、チップ素子２８、金属細線３２が封止されている。そして、基板１２の上面、側面および下面が封止樹脂１４により被覆されている。
【００２７】
図１（Ｃ）を参照して、回路基板２６の構成を更に説明する。回路基板２６は、アルミニウム等の金属からなる基板１２と、基板１２の上面を全面的に被覆する絶縁層２０と、絶縁層２０の上面に形成された導電パターン１６とから構成されている。
【００２８】
本形態では、レーザー加工を容易にするために、絶縁層２０は着色された材料からなる。
【００２９】
具体的には、絶縁層２０の熱抵抗を低減させるために、樹脂材料５８にはフィラー５６が高充填されている。絶縁層２０全体に対するフィラー５６の充填率は、例えば６０体積％〜８０体積％程度である。
【００３０】
一般的には、このフィラー５６の材料としては、アルミナまたはシリカが採用される。そして、アルミナとシリカとを比較した場合、放熱性および耐湿性の観点からはアルミナの方が優れ、コスト面の観点からはシリカの方が優れている。
【００３１】
従って、発熱量が極めて大きいインバーター回路を構成するパワートランジスタが回路基板２６の上面に組み込まれた場合は、放熱性が優先されて、フィラー５６としてアルミナが採用される。
【００３２】
一方、発熱量の少ない他の回路装置やＬＥＤ素子が回路基板２６の上面に実装された場合は、コストを安くするために、フィラー５６としてシリカが採用される。この場合は、フィラー５６としてシリカのみが採用されるのではなく、フィラー５６全体に対してシリカが占める割合を５０％以上としても良い。
【００３３】
フィラー５６の材料としてシリカを採用することにより、低コストが実現される。しかしながら、シリカはレーザー光を透過させる材料であり、更に、エポキシ樹脂から成る樹脂材料５８もレーザー光を透過させる透明な材料である。従って、絶縁層２０全体が透明な状態となる。このことから、上記したように、シリカをフィラー５６の材料として採用した場合、レーザー加工により絶縁層２０を加工することが困難になる。
【００３４】
本形態では、絶縁層２０のレーザー加工を可能とするために、樹脂材料５８に着色料を添加している。具体的には、エポキシ樹脂から成る樹脂材料５８に、無機物である二酸化チタンやカーボン等から成る着色料を添加することで、樹脂材料５８の色を白色としている。ここで、添加される着色料の種類を変えることにより、樹脂材料５８の色を白色意外の色（例えば赤色や黒色）とすることもできる。
【００３５】
このように樹脂材料５８を着色することにより、絶縁層２０をレーザー加工することが可能となる。具体的には、絶縁層２０の加工または除去を行うために、上方からレーザーを照射すると、照射されたレーザー光は着色された樹脂材料５８に吸収される。このことにより、樹脂材料５８が加熱されてフィラー５６と共に除去される。更に、着色された樹脂材料５８によりレーザーが吸収されることにより、レーザーが絶縁層２０を透過して基板１２の上面に到達しないので、レーザーにより基板１２の上面が破損することが防止される。
【００３６】
図２および図３を参照して、上記したレーザー加工が行われる部分を具体的に説明する。
【００３７】
図２（Ａ）を参照して、上記したレーザー加工により、導電パターン１６と基板１２とを接続する接続部３４が形成される。具体的には、接続部３４は、絶縁層２０を部分的に除去して設けた開口部３６と、この開口部３６から露出する基板１２と導電パターン１６とを接続する金属細線３２とから構成されている。また、基板１２がアルミニウムから成る場合、基板１２の上面は陽極酸化により形成された酸化膜７０により被覆されているが、開口部３６ではこの酸化膜７０も除去されている。即ち、レーザー加工により、開口部３６に相当する絶縁層２０に加えて、その下の酸化膜７０も除去されている。従って、開口部３６から露出する基板１２の上面は、アルミニウム等の金属材料が露出する面となる。金属細線３２を経由して導電パターン１６と基板１２とを接続することにより、基板１２を、電源電位や接地電位等の固定された電位と接続することが可能となる。従って、基板１２と導電パターン１６との間に発生する寄生容量を低減することができる。
【００３８】
図２（Ｂ）を参照して、ここでは、基板１２の終端部において、絶縁層２０がレーザー加工により切断されている。この場合は、先ず、大判の基板１２を上面が絶縁層２０により被覆された状態で用意し、この絶縁層２０の上面に導電パターン１６を形成する。更に、図１に示すような回路素子を導電パターン１６に電気的に接続した後に、基板１２が所定の大きさと成るように切断加工を行う。この切断加工は、基板１２と絶縁層２０に対してレーザーを照射することにより行われる。レーザー加工により基板１２および絶縁層２０を切断することにより、プレス加工のような衝撃が発生しないので、この衝撃により絶縁層２０にクラックが発生することが防止される。
【００３９】
図３を参照して、レーザー加工が適用される他の部位を説明する。ここでは、基板の上面に形成される抵抗部３８（印刷抵抗）に対してレーザー加工が適用される。図３（Ａ）は抵抗部３８を示す平面図であり、図３（Ｂ）はその断面図である。
【００４０】
抵抗部３８は、先ず、絶縁層２０の上面に、２つのパッド４０、４２が向い合って配置されている。そして、パッド４０、４２のそれぞれに、導電ペースト４４、４６が塗布されている。更に、導電ペースト４４、４６に挟み込まれる領域に、カーボンからなる抵抗体４８が設けられている。
【００４１】
図３（Ａ）を参照して、抵抗体４８を部分的に切除して切除部５０が設けられている。切除部５０は、電流が通過する方向（紙面上にて上下方向）に対して直交する方向（横方向）に伸びる第１切除部５２と、電流が通過する方向に対して平行に伸びる第２切除部５４とから構成されている。また切除部５０は、図３（Ｂ）を参照して、抵抗体４８が貫通されるとともに、絶縁層２０の最上部が部分的に除去されるように形成される。
【００４２】
これらの切除部は、抵抗部３８の抵抗値を所定の値にするために設けられる。具体的には、電流が流れる抵抗体４８の断面積を調整することにより、抵抗体４８の抵抗値が調節されている。即ち、抵抗部３８の抵抗値が所定の値となるように、第１切除部５２の長さが決定される。第１切除部５２が設けられる分、抵抗体４８の断面積が小さくなり、抵抗体４８の抵抗値が大きくなる。また、電流が流れる方向に沿って設けられる第２切除部５４は、抵抗体４８の抵抗値には影響を与えず、第１切除部５２の端部に電流が集中することを防止するために設けられている。
【００４３】
図３（Ｂ）を参照して、切除部５０はレーザー加工により設けられているので、抵抗体４８を貫通するようにレーザー加工を行い、切除部５０を設けると、絶縁層２０の最表面もレーザー加工により若干除去される。仮に、絶縁層２０が透明な材料から成ると、切除部５０を形成するために用いられるレーザー光が、絶縁層２０を透過して基板１２の上面に到達し、基板１２の上面が焦げる恐れがある。本形態では、上記したように、絶縁層２０が着色されているので、切除部５０を形成するために用いられるレーザー光は絶縁層２０により吸収され、基板１２の上面には到達しない。結果的に、レーザー光から基板１２の上面が保護されている。
【００４４】
次に、図４から図８を参照して、上記した構成の回路装置の製造方法を説明する。
【００４５】
図４を参照して、先ず、絶縁層付き導電箔６０を用意する。絶縁層付き導電箔６０の平面視での大きさは、例えば、縦×横＝１ｍ×１ｍ程度であり、数十から数百個の回路装置の材料と成る。
【００４６】
絶縁層付き導電箔６０は、銅等の金属から成る導電箔６２と、この導電箔６２の下面に密着された絶縁層２０とから構成されている。
【００４７】
導電箔６２は圧延加工またはメッキ加工により形成された銅箔から成り、その厚みは例えば５０μｍ以上１００μｍ以下程度である。導電箔６２は回路装置の導電パターンの材料と成る。
【００４８】
絶縁層２０は、上記したように、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂にフィラー５６が高充填されて構成されている。絶縁層２０の厚さは、例えば５０μｍ以上１００μｍ以下である。ここでは、半硬化（Ｂステージ）の状態の樹脂材料５８を含む絶縁層２０が、導電箔６２の下面に貼着されている。絶縁層２０の詳細は、図１を参照して前述した通りである。
【００４９】
図５および図６を参照して、絶縁層付き導電箔６０を基板６４に貼着してから分離するまでの工程を説明する。ここでは、レーザー加工により、大判の基板６４を絶縁層２０と共に切断加工している。
【００５０】
図５（Ａ）を参照して、先ず、絶縁層付き導電箔６０を、基板６４の上面に貼着する。上記したように、絶縁層２０に含まれる樹脂材料は半硬化状態であるので、絶縁層２０は導電箔６２を基板６４に貼着させる接着材として機能する。
【００５１】
基板６４の材料としては、上記したように、厚みが１ｍｍ程度の銅又はアルミニウム等の金属が採用される。アルミニウムが材料として採用された場合は、基板６４の上面および下面はアルマイトから成る酸化膜により被覆されている。
【００５２】
図５（Ｂ）を参照して、絶縁層付き導電箔６０と基板６４とが貼着された後は、加熱処理により絶縁層２０に含まれる樹脂材料を硬化させる。
【００５３】
なお、本工程が終了した後は、パターン形成等の次工程の設備の仕様に合わせて、適当な大きさと成るように基板６４が分割されても良い。また、この分割方法として、後述するようなレーザー加工が採用されても良い。
【００５４】
図５（Ｃ）を参照して、次に、導電箔に対して選択的なウェットエッチングを行うことにより、所定形状の導電パターン１６を形成する。ここでは、１つの回路基板となるユニット６６が基板６４に複数個設けられ、このユニット６６毎に同一形状の導電パターン１６が形成されている。
【００５５】
図５（Ｄ）および図５（Ｅ）を参照して、レーザーを照射することで基板６４をユニット６６毎に分離する。本工程では、基板６４の各ユニット６６の境界部分に、上方からレーザー６８を照射している。このようにすることで、各ユニット６６の境界部分に位置する、絶縁層２０と基板６４が除去され、各ユニット６６は個別に分離される。
【００５６】
ここで、レーザー６８としては、炭酸ガスレーザーまたはＹＡＧレーザーが採用される。
【００５７】
レーザー加工は打ち抜き加工等のように機械的衝撃を伴わないので、基板６４の分離に伴い絶縁層２０にクラックが発生することが防止される。更に、基板６４の分離をダイシングにより行うと、ダイシング屑によるショートの恐れがあるが、レーザーでは屑自体が発生しないのでこのような問題が回避される。
【００５８】
図６を参照して、レーザー照射により基板６４を分離する事項を詳述する。
【００５９】
図６（Ａ）を参照して、下方に向かって照射されたレーザー６８は、先ず絶縁層２０に到達する。上記したように、絶縁層２０はフィラー５６と樹脂材料５８との混合物である。そして、フィラー５６は透明なシリカから成り、樹脂材料５８は着色料が添加されたエポキシ樹脂から成る。
【００６０】
このことから、照射されたレーザー６８は、着色料により着色された樹脂材料５８に吸収される。この結果、レーザー６８が照射された部分の樹脂材料５８およびフィラー５６が上部から徐々に除去される。
【００６１】
そして、絶縁層２０が除去された後は、図６（Ｂ）に示すように、更にレーザー６８を照射することにより、アルミニウムから成る基板６４を切断する。ここで、基板６４の上下両主面に酸化膜が設けられている場合は、この酸化膜もレーザー６８を照射することで除去する。
【００６２】
以上の工程により、基板６４が各ユニットの回路基板として分離される。この分離加工は、導電パターン１６に回路素子を電気的に接続した後に行ってもよいし、回路素子を接続する前に基板６４を分離しても良い。
【００６３】
図７を参照して、次に、レーザー加工により開口部３６を設ける工程を説明する。ここで形成される開口部３６は、図２（Ａ）に示した接続部３４で基板１２の上面を露出させるためのものである。
【００６４】
図７（Ａ）および図７（Ｂ）を参照して、ここでは、レーザー６８を照射することで、絶縁層２０を部分的に除去することにより開口部３６を設け、この開口部３６から基板６４の上面を部分的に露出させている。
【００６５】
図７（Ｃ）を参照して、ここでは、基板１２の上面が露出するまで、レーザー照射により絶縁層２０を除去している。レーザー照射により絶縁層２０が除去される事項の詳細は、図６の場合と同様である。
【００６６】
更にここでは、レーザー６８を照射することにより、基板１２の上面を被覆する酸化膜７０を除去している。このことにより、基板１２の材料であるアルミニウム等の金属材料が平坦な状態で開口部３６に露出する。この工程が終了した後は、図２に示すように、金属細線３２を介して導電パターン１６と基板６４とを接続する。
【００６７】
開口部３６を形成する方法としては、ドリル加工が一般的である。しかしながら、ドリル加工により開口部３６を形成すると、開口部３６から露出する基板１２の表面が粗面と成り、金属細線をこの部分に接続することが困難になる。このことから、従来では、粗面と成る基板６４の露出部分を押圧加工等により平坦化することが行われていた。更に、ドリルによる研削加工に伴い発生する振動等により、開口部３６の周辺部で絶縁層２０にクラックが発生する恐れもあった。
【００６８】
一方、本形態では、レーザー照射により絶縁層２０を除去することにより、基板６４の上面を露出させているので、開口部３６に露出する部分の基板１２の表面は基本的には平坦である。このことにより、露出する基板１２の表面と、この部分に接続される金属細線との接続強度が向上される。更に、レーザー照射による加工方法は機械的振動を伴わないので、開口部３６の周囲の絶縁層２０にクラックが発生することが防止される。
【００６９】
図８を参照して、レーザー加工により切除部５０を設けることで抵抗部３８の抵抗値を調節する事項を説明する。
【００７０】
図８（Ａ）を参照して、先ず、抵抗部３８は、絶縁層２０の上面に配置されたパッド４０、４２と、このパッド４０、４２に塗布された導電ペースト４４、４６と、導電ペースト４６で囲まれる部分の絶縁層２０の上面に塗布された抵抗体４８とから構成されている。
【００７１】
ここで、抵抗部３８の抵抗値は抵抗体４８の断面積により決定されるが、塗布されたままの状態の抵抗体４８の抵抗値は設計値とは異なる。このことから、抵抗部３８の抵抗値を所定の値にするために、抵抗部３８の抵抗値を計測しつつ、抵抗体４８の一部を切除する調整工程が必要とされる。
【００７２】
本形態では、抵抗体４８に対して上面からレーザー６８を照射して、切除部５０を設けることにより、抵抗体４８の断面積および抵抗値を所定の値に調整している。
【００７３】
図８（Ｂ）を参照して、ここでは、レーザー加工された部分の抵抗体４８を溝状に除去することにより切除部５０が設けられている。換言すると、ここでのレーザー加工は、レーザーが照射される部分の抵抗体４８が完全に除去されるとともに、その下方の絶縁層２０の最表層も若干除去される程度に行われる。このことから、絶縁層２０が仮に透明材料から構成された場合、抵抗体４８を貫通したレーザー光が絶縁層２０を透過して基板１２に到達し、基板１２の上面を焦がす恐れがある。しかしながら、本形態では、絶縁層２０に含まれる樹脂材料は着色された状態であるので、絶縁層２０に照射されたレーザー光はその上部で遮光され、基板１２には到達しない。
【００７４】
上記のように、本形態のレーザー加工は、回路基板の製造方法に適用される。
【００７５】
また、上記工程により製造された回路基板を用いて回路装置を製造する場合は、先ず、図７（Ａ）を参照して、導電パターン１６に回路素子を接続する。ここで、回路素子としては、図１（Ｂ）に示す金属細線３２を経由して接続される半導体素子２４や、半田で接続されるチップ素子２８がある。更には、図２（Ａ）に示すように、接続部３４に於いて、開口部３６から露出する基板１２と導電パターン１６とを、金属細線３２で接続する。また、ＬＥＤ照明装置を製造する場合は、基板の上面に複数個のＬＥＤチップを実装し、導電パターンや金属細線を経由して書くＬＥＤチップを電気的に接続する。
【００７６】
更に、回路素子が組み込まれた回路基板に対して、ケース材による封止または樹脂封止が行われる。樹脂封止が行われる場合は、モールド金型のキャビティに回路基板を収納させた後に、キャビティに封止樹脂を注入する。
【００７７】
以上の工程を経て、例えば、図１に示す混成集積回路装置１０が製造される。
【符号の説明】
【００７８】
１０   混成集積回路装置
１２   基板
１４   封止樹脂
１６   導電パターン
１８   リード
２０   絶縁層
２４   半導体素子
２６   回路基板
２８   チップ素子
３２   金属細線
３４   接続部
３６   開口部
３８   抵抗部
４０   パッド
４２   パッド
４４   導電ペースト
４６   導電ペースト
４８   抵抗体
５０   切除部
５２   第１切除部
５４   第２切除部
５６   フィラー
５８   樹脂材料
６０   絶縁層付き導電箔
６２   導電箔
６４   基板
６６   ユニット
６８   レーザー
７０   酸化膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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