(57)【要約】【課題】樹脂封止型の半導体装置（１）を製造するにあたって、部材間の接合作業を比較的低温で行うことを可能とする。【解決手段】ヒートシンク（２）とリードフレーム（３）との接合にあたり、まず、ヒートシンク（２）の上面の接合部に対し、ポリイミド系樹脂を溶剤に溶解させた樹脂溶液（Ｌ）を塗布する塗布工程を実施する。次いで、塗布された樹脂溶液（Ｌ）を半乾燥状態（残存溶剤量が１３％〜４０％の範囲）になるまで乾燥させる一次乾燥工程を実施する。次に、半乾燥状態の樹脂溶液（Ｌ）を介してリードフレーム（３）の被接合部（３ａ）をヒートシンク（２）に接着させる熱圧着工程を実施する。この後、樹脂溶液（Ｌ）を更に乾燥させる二次乾燥工程を実施する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ヒートシンク（２）、リードフレーム（３）、基板（４）、半導体チップ（５）等の複数の部材（２〜５）を接合し、樹脂モールドして構成される半導体装置（１）の製造方法において、
前記部材（２〜５）同士の接合のうち、少なくともいずれかの接合の工程は、
ポリイミド系樹脂を溶剤に溶解させた樹脂溶液（Ｌ）を前記部材（２〜５）の接合部に塗布する塗布工程と、
前記塗布された樹脂溶液（Ｌ）を半乾燥状態になるまで乾燥させる一次乾燥工程と、
前記半乾燥状態の樹脂溶液（Ｌ）を介して前記部材（２〜５）同士を接着させる熱圧着工程と、
この熱圧着工程後に前記樹脂溶液（Ｌ）を更に乾燥させる二次乾燥工程とを含んで実施されると共に、
前記一次乾燥工程においては、前記樹脂溶液（Ｌ）の残存溶剤量が１３％〜４０％の範囲となるように実施されることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記二次乾燥工程は、前記塗布された樹脂溶液（Ｌ）の残存溶剤量が３％以下になるまで実施されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記塗布工程においては、前記接合部に対する樹脂溶液（Ｌ）の塗布厚みが、３０μｍ以上とされることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記塗布工程においては、前記いずれかの部材（２〜５）の表面のうち樹脂モールド層（６）との接触面となる部分にも前記樹脂溶液（Ｌ）が塗布されることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記接合の工程は、前記ヒートシンク（２）と前記リードフレーム（３）との接合に関して実施されることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記ヒートシンク（２）の表面には、前記リードフレーム（３）の複数部分が夫々接合される複数個の接合部が並んで設けられ、前記塗布工程においては、前記複数個の接合部を順につなげた形態で、前記樹脂溶液（Ｌ）が帯状に塗布されることを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記接合の工程は、前記基板（４）と前記半導体チップ（５）との接合に関して実施されることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記接合の工程は、前記ヒートシンク（２）と前記基板（４）との接合に関して実施されることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ヒートシンク、リードフレーム、基板、半導体チップ等の複数の部材を接合し、樹脂モールドして構成される半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばリードフレームに半導体チップを接合し、樹脂モールドして構成される樹脂封止型の半導体装置にあって、特に高温強度（例えば１８０℃以上）が必要なものにおいては、リードフレームと半導体チップとの間の接合等のために、ガラス転移点の高いポリイミド系樹脂を主体とした耐熱性接着剤を用いることが行なわれている。この場合、例えば特許文献１には、ポリイミド樹脂を溶剤に溶かしたワニスを半導体ウエハの裏面に塗布し、加熱乾燥後、カットして接着剤付きの半導体チップを得、その半導体チップをリードフレーム上に熱圧着することが開示されている。
【０００３】
また、別の例として、特許文献２、特許文献３には、ポリイミド樹脂から構成されるフィルム状接着剤（半導体接着テープ）を用いることが開示されている。このフィルム状接着剤は、例えばポリエステルシート等の離型シート上に、ポリイミド樹脂を溶剤に溶かした樹脂溶液を塗布し、加熱乾燥後に剥離することにより作製される。そして、そのフィルム状接着剤を所定の大きさに打抜いてリードフレームに貼付け、その上に半導体チップを熱圧着することが行なわれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平−３３５３５４号公報
【特許文献２】特開平１０−４６１１３号公報
【特許文献３】特開２００３−２５３２２０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記した従来の耐熱性接着剤やフィルム状接着剤では、接着作業時に、例えば３００℃以上の高温をかけなければ、接着力を発現させることができない問題点があった。この場合、特に混成集積回路といった複数のチップ部品を備えるものにあっては、接着部近傍に耐熱温度の低い部品が含まれている場合があり、そのような高温を要する耐熱性接着剤を採用することが難しい事情がある。尚、フィルム状接着剤を用いる場合、取扱い（ハンドリング）が面倒で、低温で仮接着できないといった事情があり、半導体装置の組立作業の工程管理が難しいといった不具合もあった。
【０００６】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的は、部材同士の接合後の高温強度を確保することができる樹脂封止型の半導体装置を製造するにあたって、部材間の接合作業を比較的低温で行うことを可能とした半導体装置の製造方法を提供するにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明者らは、ポリイミド系樹脂を溶剤に溶解させた樹脂溶液（Ｌ）に関し、接着時における溶剤の残存量を調整すること、つまり、樹脂溶液（Ｌ）をいわば半乾燥状態とすることによって、樹脂溶液（Ｌ）の軟化点を低下させ、ポリイミド系樹脂のガラス転移点以下の低温でも十分な接着力を発現させることができることを確認し、本発明を成し遂げたのである。
【０００８】
即ち、本発明は、ヒートシンク（２）、リードフレーム（３）、基板（４）、半導体チップ（５）等の複数の部材（２〜５）を接合し、樹脂モールドして構成される半導体装置（１）の製造方法において、前記部材（２〜５）同士の接合のうち、少なくともいずれかの接合の工程は、ポリイミド系樹脂を溶剤に溶解させた樹脂溶液（Ｌ）を前記部材（２〜５）の接合部に塗布する塗布工程と、前記塗布された樹脂溶液（Ｌ）を半乾燥状態になるまで乾燥させる一次乾燥工程と、前記半乾燥状態の樹脂溶液（Ｌ）を介して前記部材（２〜５）同士を接着させる熱圧着工程と、この熱圧着工程後に前記樹脂溶液（Ｌ）を更に乾燥させる二次乾燥工程とを含んで実施されると共に、前記一次乾燥工程においては、前記樹脂溶液（Ｌ）の残存溶剤量が１３％〜４０％の範囲となるように実施されるところに特徴を有する（請求項１の発明）。
【０００９】
上記構成においては、塗布工程にて塗布された樹脂溶液（Ｌ）を、一次乾燥工程において、半乾燥状態になるまで乾燥させることにより、樹脂溶液（Ｌ）の軟化点が低下し、次の熱圧着工程において、比較的低温、例えばポリイミド系樹脂のガラス転移点以下の温度で、接着力が発現するようになり、部材（２〜５）同士を接着させることができる。そして、その後の二次乾燥工程により、樹脂溶液（Ｌ）が更に乾燥されて、高温強度の高い接着層を得ることができる。
【００１０】
このとき、上記一次乾燥工程において、樹脂溶液（Ｌ）中の残存溶剤量を１３％〜４０％の範囲としたことにより、優れた接着力を得ることができる。残存溶剤量が１３％未満の場合、或いは、残存溶剤量が４０％を越えている場合には、いずれも、十分な接着力を得ることができない。樹脂溶液（Ｌ）中の残存溶剤量の、より好ましい範囲は、２０％〜３０％である。
【００１１】
尚、一次乾燥工程において、樹脂溶液（Ｌ）中の残存溶剤量を１３％〜４０％の範囲とするための手法としては、予め、適切な乾燥温度及び時間を実験的に求めておき、それに従って一次乾燥工程における温度、時間の制御を行えば良い。本発明においては、ポリイミド系樹脂とは、イミド結合を有する高分子全般を言い、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリエーテルイミド等も含んでいる。本発明において使用される溶剤は、特に限定されるものではなく、均一に溶解できるものであれば良い。
【００１２】
また、樹脂溶液（Ｌ）の初期の濃度としては、溶剤中にポリイミド系樹脂が均一に溶解され、塗布工程を実施するに適した濃度とすれば良く、ポリイミド系樹脂の濃度として、例えば１０〜５０重量％（溶剤量として９０〜５０％）程度とすることができる。さらに、上記塗布工程においては、熱板等を用いて、塗布部分（部材（２〜５）の接合部）に適度の温度をかけながら行うことにより、塗布される樹脂溶液（Ｌ）の粘度を大きくすることができ、ひいては大きな塗布厚みで塗布作業を行うことができる。
【００１３】
本発明においては、上記二次乾燥工程を、塗布された樹脂溶液（Ｌ）の残存溶剤量が３％以下になるまで実施するように構成することができる（請求項２の発明）。これにより、高温での接着強度を得ることができる。
【００１４】
本発明においては、上記塗布工程を、接合部に対する樹脂溶液（Ｌ）の塗布厚みが、３０μｍ以上となるように実施することが望ましい（請求項３の発明）。これにより、十分に高い接着強度を得ることができる。
【００１５】
上記塗布工程において、いずれかの部材（２〜５）の表面のうち樹脂モールド層（６）との接触面となる部分にも樹脂溶液（Ｌ）が塗布されるように構成しても良い（請求項４の発明）。これによれば、部材（２〜５）と樹脂モールド層（６）とが接触する境界部に、ポリイミド系樹脂の緩衝層（９）が形成されることになるので、熱サイクルに伴う熱膨張、熱収縮に起因した剥離やクラックの発生を抑制することが可能となる。
【００１６】
本発明においては、上記した接合の工程を、複数の部材（２〜５）のうちの、ヒートシンク（２）とリードフレーム（３）との接合に関して実施することができる（請求項５の発明）。ヒートシンク（２）とリードフレーム（３）とを高い接着強度で接合することができる。
【００１７】
このとき、ヒートシンク（２）の表面に、リードフレーム（３）の複数部分が夫々接合される複数個の接合部が並んで設けられる場合には、塗布工程において、複数個の接合部を順につなげた形態で、樹脂溶液（Ｌ）を帯状に塗布することができる（請求項６の発明）。これにより、塗布工程を効率的に行うことができる。
【００１８】
また、本発明においては、上記した接合の工程を、複数の部材（２〜５）のうちの、基板（４）と半導体チップ（５）との接合に関して実施することができる（請求項７の発明）。基板（４）と半導体チップ（５）とを高い接着強度で接合することができる。
【００１９】
さらに、本発明においては、上記した接合の工程を、複数の部材（２〜５）のうちの、ヒートシンク（２）と基板（４）との接合に関して実施することができる（請求項８の発明）。ヒートシンク（２）と基板（４）とを高い接着強度で接合することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施例を示すもので、半導体装置の縦断面図
【図２】ヒートシンクとリードフレームとの接合の工程を順に示すもので、塗布工程（ａ）、一次乾燥工程（ｂ）、熱圧着工程（ｃ）の様子を夫々示す縦断面図
【図３】接合の工程が完了した様子を、基板上のチップ部品を省略して示す平面図
【図４】一時乾燥工程における時間と残存溶剤量との関係を示す図
【図５】残存溶剤量と接着強度との関係を示す図
【図６】樹脂溶液の塗布厚みと接着強度との関係を示す図
【図７】本発明の他の実施例を示す図３相当図
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の一実施例について、図１ないし図６を参照しながら説明する。尚、この実施例は、本発明を、基板上に複数個の半導体チップ等のチップ部品を実装し、樹脂封止して構成される混成集積回路（マルチチップモジュール）と称される半導体装置の製造に適用したものである。この半導体装置は、高温強度（例えば１８０℃以上）が必要なものとされている。
【００２２】
図１は、本実施例の製造方法により製造される半導体装置１の構成を示している。この半導体装置１は、複数の部材、例えばヒートシンク２、リードフレーム３、基板４、複数個のチップ部品５を相互に接合し、それらを樹脂モールド層６（パッケージ）内に封止して構成される。
【００２３】
具体的には、図２及び図３にも示すように、部材としての前記基板４は、所定の配線が形成されたセラミック基板からなり、その上面に、部材としての半導体チップやその他の電気部品等の複数個のチップ部品５が実装（電気的及び機械的接続）されている。部材としての前記ヒートシンク２は、例えばアルミとシリコンカーバイドとの混合粉体材料を所定形状に成型、焼結して構成され、前記基板４よりも大形のほぼ矩形ブロック状をなしている。前記基板４は、前記ヒートシンク２の上面に、例えばシリコン接着剤７によって熱的接続状態に接合されている。
【００２４】
部材としての前記リードフレーム３は、金属製の薄板を打抜いて構成され、前記基板４の外周を囲むように配置される複数本のリード部を、外側周囲部で連結した形態で一体的に備えている。そして、図３に示すように、このリードフレーム３には、前記ヒートシンク２の上面に対し、機械的に接合される複数本この場合全体で５本（左側に３本、右側に２本）の被接合部３ａが設けられている。これに対し、ヒートシンク２の外周部のうち、図で左辺部の前側部分は、左方にやや突出した形態に構成され、その上面の３箇所が接合部とされると共に、図で右辺部の中間部が、右方にやや突出した形態に構成され、その上面の２箇所が接合部とされる。
【００２５】
このとき、詳しくは後述するように、前記ヒートシンク２の５箇所の接合部と、リードフレーム３の５本の被接合部３ａとの間は、夫々、耐熱性の高いポリイミド系樹脂からなる接着層８を介して接着（接合）される。尚、図示はしないが、前記リードフレーム３の各リード部と、前記基板４の上面の電極との間は、ボンディングワイヤ等により必要な電気的接続がなされる。
【００２６】
前記樹脂モールド層６は、例えばエポキシ樹脂からなり、リードフレーム３の外周部を除いた、全体を封止してパッケージを構成する。また、前記ヒートシンク２の下面（裏面）側が、パッケージの下面（裏面）に露出した形態とされる。このとき、本実施例では、前記基板４の上面のうち四辺の外周縁部には、図３にも示すように、樹脂モールド層６との接触面に位置してポリイミド系樹脂からなる干渉層９（図３では便宜上ハッチングを付して示す）が設けられている。前記樹脂モールド層６の形成後に、前記リードフレーム３の外周側の連結部分が切離され、個々のリード部とされるようになっている。
【００２７】
さて、本実施例では、後の作用説明（工程説明）にて詳述するように、前記部材２〜５同士の接合のうち、前記ヒートシンク２とリードフレーム３との接合に関して、次のような接合の工程が実施される。即ち、まず、ヒートシンク２の上面の接合部に対し、ポリイミド系樹脂を溶剤に溶解させた樹脂溶液Ｌを塗布する塗布工程が実施される。次いで、塗布された樹脂溶液Ｌを半乾燥状態になるまで乾燥させる一次乾燥工程が実施される。次に、半乾燥状態の樹脂溶液Ｌを介してリードフレーム３の被接合部３ａをヒートシンク２に接着させる熱圧着工程が実施される。この後、樹脂溶液Ｌを更に乾燥させる二次乾燥工程が実施される。この二次乾燥工程の実施によって、樹脂溶液Ｌからほとんどの溶剤が除去されて接着層８となる。
【００２８】
このとき、本実施例では、前記一次乾燥工程は、ヒートシンク２の上面に塗布された樹脂溶液Ｌの残存溶剤量が１３％〜４０％の範囲となるように実施される。また、本実施例では、前記塗布工程は、ヒートシンク２の上面の接合部に対する樹脂溶液Ｌの塗布厚みが、３０μｍ以上とされるように実施される。さらに本実施例では、塗布工程において、基板４の上面のうち四辺の外周縁部にも、干渉層９を形成するための樹脂溶液Ｌが塗布される。この際の塗布厚みは、比較的小さくされる。尚、前記二次乾燥工程は、塗布された樹脂溶液Ｌの残存溶剤量が３％以下になるまで実施される。
【００２９】
次に、上記構成の半導体装置１を製造するための本実施例に係る製造方法について、図２ないし図６も参照して述べる。半導体装置１を製造するにあたっては、まず基板４に複数個のチップ部品５を実装する部品実装の工程が実施され、次いで、チップ部品５が実装された基板４を、ヒートシンク２上にシリコン接着剤７により接着する基板接着の工程が実施される。これにて、図２に示すように、チップ部品５が実装された基板４をヒートシンク２上に接着した中間組立体１０が構成される。
【００３０】
そして、この後、前記中間組立体１０（ヒートシンク２）と、前記リードフレーム３とを接合する工程が、図２に示すようにして実施される。即ち、まず、図２（ａ）に示すように、前記ヒートシンク２の上面の接合部（左辺部の３箇所及び右辺部の２箇所）に、ディスペンサ１１を用いて樹脂溶液Ｌを塗布する塗布工程が実施される。本実施例では、前記樹脂溶液Ｌは、溶剤、例えばＮ−メチルピロリドン（ＮＭＰ）が８５重量％、ポリイミド系樹脂、例えばポリエーテルイミドアミドが１５重量％の配合で構成される。
【００３１】
この塗布工程は、中間組立体１０を熱板（ヒータ）１２上に載置し、熱板１２を所定温度（例えば８５℃）に制御してヒートシンク２を加熱しながら行なわれ、樹脂溶液Ｌの塗布厚みが３０μｍ以上とされるように実施される。この場合、ヒートシンク２を加熱しながら塗布作業を行うことにより、樹脂溶液Ｌの粘度を高めることができ、樹脂溶液Ｌを厚く塗布することができる。
【００３２】
また、この塗布工程において、ヒートシンク２の接合部への樹脂溶液Ｌの塗布に加えて、図３にも示すように、前記基板４の上面のうち四辺の外周縁部にも、乾燥後に干渉層９となるように樹脂溶液Ｌが塗布される。尚、図３では、干渉層９（樹脂溶液Ｌの塗布部分）を、便宜上ハッチングを付して示している。また、図３は、基板４上に実装されているチップ部品５の図示を省略している。
【００３３】
この塗布工程の実施により、図２（ｂ）に示すように、樹脂溶液Ｌが塗布された中間組立体１０が得られ、次に、この中間組立体１０を加熱してヒートシンク２に塗布された樹脂溶液Ｌを半乾燥状態とさせる一次乾燥工程が実施される。この場合、「半乾燥状態」とは、樹脂溶液Ｌ中の残存溶剤量が、１３重量％〜４０重量％の範囲となることであり、ここでは、例えば２０重量％を目標に一次乾燥工程が実施される。残存溶剤量を目標の数値とするためには、予め、適切な乾燥温度及び時間を実験的に求めておき、それに従って一次乾燥工程における温度、時間の制御を行えば良い。
【００３４】
本実施例では、この一次乾燥工程は、上記中間組立体１０を、例えば９０℃の恒温槽（図示せず）内に収容し、例えば１０分間乾燥することにより実施される。ここで、図４は、本発明者による、上記樹脂溶液Ｌに関し、９０℃で一次乾燥を行なった場合の、時間経過と残存溶剤量との関係を調べた実験結果を示している。この結果から、樹脂溶液Ｌの残存溶剤量は、１０分間の乾燥で、約２０％まで低下する。それ以降については、残存溶剤量の低下の度合が比較的緩やかなものとなり、４０分間乾燥を実施すれば約１３％まで低下する。
【００３５】
この一次乾燥工程の後、半乾燥状態の樹脂溶液Ｌを介してヒートシンク２（接合部）にリードフレーム３の被接合部３ａを接着させる熱圧着工程が実施される。この熱圧着工程は、図２（ｃ）に示すように、中間組立体１０（ヒートシンク２）を熱板１２上に載置し、熱板１２を所定温度（例えば９０℃）に制御してヒートシンク２を加熱すると共に、リードフレーム３の各被接合部３ａを、ヒートシンク２の各接合部（樹脂溶液Ｌの塗布部分）に位置合せして載置し、上面からこて１３で押え付けることにより実施される。
【００３６】
この場合、前記こて１３は所定温度（例えば２５０℃）に制御され、これにより、接合部分（樹脂溶液Ｌ）が、ポリイミド系樹脂のガラス転移点以下の温度、例えば約１４０℃に加熱されながら、熱圧着が行なわれる。このとき、ポリイミド系樹脂を溶剤に溶かした樹脂溶液Ｌが、一次乾燥工程において半乾燥状態とされていることにより、樹脂溶液Ｌの軟化点が低下し、熱圧着工程において、比較的低温で接着力が発現するようになり、ヒートシンク２にリードフレーム３を接着させることができる。
【００３７】
この後、リードフレーム３が接合された中間組立体１０を加熱して樹脂溶液Ｌを更に乾燥させる二次乾燥工程が実施される。図示はしないが、この二次乾燥工程は、上記リードフレーム３が接合された中間組立体１０を、例えば１８０℃の恒温槽内に収容し、所定時間乾燥することにより実施される。この二次乾燥工程は、樹脂溶液Ｌの残存溶剤量が３％以下になるまで実施され、これにより、樹脂溶液Ｌが更に乾燥されて、高温強度の高い接着層８を得ることができる。尚、このとき、基板４の上面に塗布されていた樹脂溶液Ｌも乾燥され、緩衝層９とされることは勿論である。
【００３８】
詳しく図示はしないが、以上のような接合の工程が行われた後、基板４の電極と、リードフレーム３のリード部を電気的に接続する電気的接続工程が行われる。この後、全体を成形型に収容し、エポキシ樹脂により樹脂モールドする樹脂モールドの工程が実施される。更に、樹脂モールド工程の後に、樹脂モールド層６のばり取り等が行なわれると共に、リードフレーム３の切断及びリード部の整形が行なわれ、半導体装置１が完成する。
【００３９】
このように本実施例によれば、塗布工程にて塗布された樹脂溶液Ｌを、一次乾燥工程において、半乾燥状態になるまで乾燥させることにより、樹脂溶液Ｌの軟化点を低下させ、次の熱圧着工程において、比較的低温、例えばポリイミド系樹脂のガラス転移点以下の温度（例えば１４０℃）で、部材２，３間の十分な接着力を発現させることができた。この結果、接着作業時に例えば３００℃以上の高温をかける必要があった従来と異なり、複数のチップ部品５の中に耐熱温度の低い（例えば２００℃程度）部品が含まれている場合があっても、悪影響を及ぼすことなく接着の作業を行うことができる。
【００４０】
図５は、上記一次乾燥工程における乾燥後の残存溶剤量（樹脂溶液Ｌ中の溶剤の重量％）に対する、接合後（二次乾燥工程後）の高温（１８０℃）での部材間の接着強度、つまり引張り強度（高温強度）を本発明者が調べた試験結果を示している。この試験結果から明らかなように、一次乾燥工程における残存溶剤量を、１３％〜４０％とすることにより、十分に高い接着強度を得ることができた。
【００４１】
残存溶剤量が１３％を下回ると、樹脂溶液Ｌ（接着層８）が硬くなりすぎて、接着性が低下すると考えられ、また、残存溶剤量が４０％を超えていると、粘度が低すぎて、熱圧着工程において、塗布された樹脂溶液Ｌが潰れてしまい、接着層８の厚みが薄くなり、十分な接着強度が得られないと考えられる。残存溶剤量のより好ましい範囲は、２０％〜３０％である。
【００４２】
また、図６は、上記塗布工程における樹脂溶液Ｌの塗布厚みと、接合後（二次乾燥工程後）の高温（１８０℃）での部材間の接着（引張）強度（高温強度）を本発明者が調べた試験結果を示している。この試験結果から明らかなように、樹脂溶液Ｌの塗布厚みを、３０μｍ以上とすることにより、十分に高い接着強度を得ることができたのである。
【００４３】
さらに、特に本実施例では、上記塗布工程において、基板４の表面にも樹脂溶液Ｌを塗布するようにしたので、基板４の上面と樹脂モールド層６とが接触する境界面部分に、ポリイミド系樹脂からなる緩衝層９が形成されるようになる。この結果、緩衝層９により、熱サイクルに伴う熱膨張、熱収縮に起因した剥離やクラックの発生を抑制することが可能となる。
【００４４】
図７は、本発明の他の実施例を示すものであり、中間組立体１０（ヒートシンク２）にリードフレーム３が接合された様子を示している。この実施例が上記実施例と異なる点は、ヒートシンク２の上面の接合部に、ディスペンサ１１を用いて樹脂溶液Ｌを塗布する塗布工程にあり、ここでは、複数個の接合部を順につなげた形態で、樹脂溶液Ｌを帯状に塗布するようにしている。二次乾燥工程を経ることにより、樹脂容積Ｌが乾燥硬化して帯状の接着層２１となる。
【００４５】
即ち、この塗布工程では、ヒートシンク２の上面の左辺部に対して、３箇所の接合部を前後方向に直線的につなげた形態で樹脂溶液Ｌを帯状に塗布し、これと共に、ヒートシンク２の上面の右辺部に対して、やはり、２箇所の接合部を前後方向に直線的につなげた形態で樹脂溶液Ｌを帯状に塗布している。これにより、塗布工程をより効率的に（短時間で）行うことができる。
【００４６】
尚、上記実施例では、一次乾燥工程において、樹脂溶液Ｌ中の残存溶剤量を１３％〜４０％の範囲とするために、中間組立体１０を恒温槽内に収容して９０℃で１０分間加熱するようにしたが、加熱手段としては、塗布工程等と同様に熱板１２（ヒータ）を用いる等しても良い。また、目標とする残存溶剤量を得るためには、予め、適切な乾燥温度及び時間を実験的に求めておき、それに従って一次乾燥工程における温度、時間の制御を行えば良い。二次乾燥工程においても、加熱手段を適宜選択でき、また、加熱時間や温度を適宜制御することができる。
【００４７】
また、上記実施例では、ヒートシンク２に対するリードフレーム３の接合の工程に関して、本発明に係る製造方法を採用するようにした、つまり、塗布工程、一次乾燥工程、熱圧着工程、二次乾燥工程を順に実施するようにしたが、基板４とチップ部品５との接合に関して上記工程を採用したり、ヒートシンク２と基板４との接合に関して上記工程を採用したりしても良い。
【００４８】
さらには、本発明においては、ポリイミド系樹脂として、イミド結合を有する高分子であれば様々なものを採用することができ、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポリエーテルイミド等も含んでいる。溶剤としても、特に限定されるものではなく、ポリイミド系樹脂を均一に溶解できるものであれば良い。その他、本発明は、上記した混成集積回路と称される基板４上に複数個のチップ部品５を備えるものに限らず、１個の半導体チップを備えるものなどであっても、耐熱性が必要なモールドパッケージ型の半導体装置であれば、様々な用途及び構成の半導体装置全般に適用することができる等、要旨を逸脱しない範囲内で適宜変更して実施し得るものである。
【符号の説明】
【００４９】
図面中、１は半導体装置、２はヒートシンク（部材）、３はリードフレーム（部材）、４は基板（部材）、５はチップ部品（部材）、６は樹脂モールド層、８，２１は接着層、９は緩衝層、１０は中間組立体、Ｌは樹脂溶液を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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