(57)【要約】【課題】電極の長手方向の抵抗の影響で取り出す電流が損失することを抑制することが可能な偏光素子及びプロジェクターを提供する。【解決手段】ワイヤーグリッド型の偏光素子１であって、基板１０と、基板１０上に設けられた複数の線状のワイヤーグリッド素子１５と、を有し、ワイヤーグリッド素子１５は、ワイヤーグリッド素子１５の長手方向に配置された複数のサブグリッド素子１５Ｓを有し、サブグリッド素子１５Ｓは、基板１０上に形成された下部電極１１と、下部電極上に形成された、光の照射を受けて光エネルギーを電気エネルギーに変換する半導体層１３と、半導体層１３上に形成された上部電極１２と、を有し、ワイヤーグリッド素子１５の長手方向に隣り合う位置のサブグリッド素子１５Ｓの上部電極１２と下部電極１１とは、電気的に接続されている。【選択図】図２
2012053376.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワイヤーグリッド型の偏光素子であって、
基板と、
前記基板上に設けられた複数の線状のワイヤーグリッド素子と、を有し、
前記複数のワイヤーグリッド素子は、該ワイヤーグリッド素子の長手方向と直交する方向に可視光の波長よりも短い周期で配列されており、
前記ワイヤーグリッド素子は、前記ワイヤーグリッド素子の長手方向に配置された複数のサブグリッド素子を有し、
前記サブグリッド素子は、
前記基板上に形成された下部電極と、
前記下部電極上に形成された、光の照射を受けて光エネルギーを電気エネルギーに変換する半導体層と、
前記半導体層上に形成された上部電極と、を有し、
前記ワイヤーグリッド素子の長手方向に隣り合う位置の前記サブグリッド素子の前記上部電極と前記下部電極とは、電気的に接続されていることを特徴とする偏光素子。
【請求項２】
前記半導体層は、ｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層に積層して配置されたｐ型半導体層と、を備えて構成されていることを特徴とする請求項１に記載の偏光素子。
【請求項３】
前記半導体層は、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に真性半導体層を挟んで構成されていることを特徴とする請求項２に記載の偏光素子。
【請求項４】
前記上部電極は、前記下部電極の一端から前記半導体層上に亘って形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の偏光素子。
【請求項５】
前記ワイヤーグリッド素子の長手方向に隣り合う位置の２つの前記サブグリッド素子のうちの一方のサブグリッド素子を構成する前記上部電極と、他方のサブグリッド素子を構成する前記半導体層との間には絶縁体層が形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の偏光素子。
【請求項６】
前記複数のサブグリッド素子は、前記ワイヤーグリッド素子の長手方向に一定の周期で配列されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の偏光素子。
【請求項７】
前記ワイヤーグリッド素子の長手方向における前記サブグリッド素子の配列周期は、隣り合う前記ワイヤーグリッド素子どうしで異なっていることを特徴とする請求項６に記載の偏光素子。
【請求項８】
前記ワイヤーグリッド素子の長手方向に隣り合う位置の２つの前記サブグリッド素子の前記上部電極の間には入射する光を吸収する第１光吸収体が形成されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の偏光素子。
【請求項９】
前記第１光吸収体は、前記ワイヤーグリッド素子の長手方向の長さが可視光の波長よりも長いことを特徴とする請求項８に記載の偏光素子。
【請求項１０】
前記ワイヤーグリッド素子の長手方向に隣り合う位置の２つの前記サブグリッド素子の前記下部電極の間には入射する光を吸収する第２光吸収体が形成されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１項に記載の偏光素子。
【請求項１１】
前記第２光吸収体は、前記ワイヤーグリッド素子の長手方向の長さが可視光の波長よりも長いことを特徴とする請求項１０に記載の偏光素子。
【請求項１２】
光を射出する照明光学系と、
前記光を変調する光変調装置と、
前記光変調装置で変調された光が入射する請求項１〜１１のいずれか１項に記載の偏光素子と、
前記偏光素子を透過した偏光光を被投射面に投射する投射光学系と、
を備えることを特徴とするプロジェクター。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、偏光素子及びプロジェクターに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
プロジェクターに用いられる偏光素子として、非特許文献１及び２に記載の偏光素子が知られている。この偏光素子は、ワイヤーグリッド型の偏光素子であり、偏光分離機能を有するとともに、光の照射を受けて光エネルギーを電気エネルギーに変換する。
【０００３】
非特許文献１及び２の偏光素子は、基板と、基板上に設けられた複数の線状のワイヤーグリッド素子と、複数のワイヤーグリッド素子の一端に接続された第１共通電極と、複数のワイヤーグリッド素子の他端に接続された第２共通電極と、を有している。ワイヤーグリッド素子は、基板上に形成された下部電極と、下部電極上に形成された、光の照射を受けて光エネルギーを電気エネルギーに変換する半導体層と、半導体層上に形成された上部電極と、を備えている。偏光素子は、入射光のうちワイヤーグリッド素子の長手方向と直交する偏光軸を有する成分（ＴＭ偏光成分）を透過し、偏光素子を透過しないワイヤーグリッド素子の長手方向と平行な偏光軸を有する成分（ＴＥ偏光成分）を電気エネルギーに変換し共通電極から電流を取り出して積極的に発電に利用している。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】廣瀬健一郎、他6名、“ワイヤーグリッド型シリコンフォトダイオードを用いた偏光透過型光起電フィルムデバイス”、資料Ｐ５２、課題番号ＩＮ−１０、[online]、東京大学「超微細リソグラフィー・ナノ計測拠点」ＨＰ内リンク、[平成２１年８月２０日検索]、インターネット＜ＵＲＬ：http://nanotechnet.t.u-tokyo.ac.jp/EB07.pdf＞
【非特許文献２】Yoshio Mita、他11名、“MEMS Integrated Nano and Flexible Electron Devices by Deep Reactive Ion Etching Technology ”、[online]、東京大学  柴田・三田研究室ＨＰ内リンク、[平成２１年８月２４日検索]、インターネット＜ＵＲＬ：http://www.if.t.u-tokyo.ac.jp/~mita/Papers/GCOE_Symp_Mita2007.pdf＞
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、非特許文献１及び２の技術では、ワイヤーグリッド素子（電極）が極めて細くかつ長いため電極の長手方向の抵抗が大きくなっている。これにより、電極の長手方向に電流を取り出そうとすると、電極の長手方向の抵抗の影響で取り出す電流が損失してしまう場合がある。
【０００６】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、電極の長手方向の抵抗の影響で取り出す電流が損失することを抑制することが可能な偏光素子及びプロジェクターを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するため、本発明の偏光装置は、ワイヤーグリッド型の偏光素子であって、基板と、前記基板上に設けられた複数の線状のワイヤーグリッド素子と、を有し、前記複数のワイヤーグリッド素子は、該ワイヤーグリッド素子の長手方向と直交する方向に可視光の波長よりも短い周期で配列されており、前記ワイヤーグリッド素子は、前記ワイヤーグリッド素子の長手方向に配置された複数のサブグリッド素子を有し、前記サブグリッド素子は、前記基板上に形成された下部電極と、前記下部電極上に形成された、光の照射を受けて光エネルギーを電気エネルギーに変換する半導体層と、前記半導体層上に形成された上部電極と、を有し、前記ワイヤーグリッド素子の長手方向に隣り合う位置の前記サブグリッド素子の前記上部電極と前記下部電極とは、電気的に接続されていることを特徴とする。
【０００８】
この偏光素子によれば、入射光のうちワイヤーグリッド素子の長手方向と直交する偏光軸を有する成分（ＴＭ偏光成分）は偏光素子を透過する。一方、入射光のうち偏光素子を透過しないワイヤーグリッド素子の長手方向と平行な偏光軸を有する成分（ＴＥ偏光成分）は、半導体層によって電気エネルギーに変換される。半導体層によって変換された電気エネルギーは、ワイヤーグリッド素子の長手方向に配置された複数のサブグリッドを経由して、電流として取り出される。具体的には、半導体層によって変換された電気エネルギーは、ワイヤーグリッド素子の長手方向に沿って、下部電極、上部電極、半導体層、下部電極、上部電極、半導体層、・・・、下部電極、上部電極、を経由して電流として取り出される。このように、電流の経路である電極（下部電極及び上部電極）がサブグリッド毎に分割されているので、電極の長手方向の抵抗が大きくなることはない。したがって、電極の長手方向の抵抗の影響で取り出す電流が損失することを抑制することが可能な偏光素子を提供することができる。
【０００９】
前記偏光素子において、前記半導体層は、ｎ型半導体層と、前記ｎ型半導体層に積層して配置されたｐ型半導体層と、を備えて構成されていてもよい。
【００１０】
この偏光素子によれば、半導体層中でｐ型の領域とｎ型の領域が接したｐｎ接合領域に、禁制帯（バンドギャップ）よりも大きなエネルギーの光が入射すると、価電子帯から電子が励起される。励起された電子は伝導電子となり、内蔵電場に引かれてドリフト電流を増大させる、光起電力効果（内部光電効果）が発生する。したがって、入射光のうち偏光素子を透過しないＴＥ偏光成分を電気エネルギーに変換することができる。
【００１１】
前記偏光素子において、前記半導体層は、前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間に真性半導体層を挟んで構成されていてもよい。
【００１２】
この偏光素子によれば、内蔵電場を形成する空間電荷領域（空乏層）が大きくなるので、光エネルギーから電気エネルギーへの変換効率を向上させることができる。したがって、入射光のうち偏光素子を透過しないＴＥ偏光成分を電気エネルギーにスムーズに変換することができる。
【００１３】
前記偏光素子において、前記上部電極は、前記下部電極の一端から前記半導体層上に亘って形成されていてもよい。
【００１４】
この偏光素子によれば、上部電極と下部電極とが例えば別体の導体を介して電気的に接続される場合に比べて、製造プロセスの簡略化を図ることができる。
【００１５】
前記偏光素子において、前記ワイヤーグリッド素子の長手方向に隣り合う位置の２つの前記サブグリッド素子のうちの一方のサブグリッド素子を構成する前記上部電極と、他方のサブグリッド素子を構成する前記半導体層との間には絶縁体層が形成されていてもよい。
【００１６】
この偏光素子によれば、ワイヤーグリッド素子の長手方向に隣り合う位置の２つのサブグリッド素子のうちの一方のサブグリッド素子に形成された上部電極と、他方のサブグリッド素子に形成された半導体層とが導通することを抑制し、短絡が生じて電極に設計値を超える大電流が流れる等の不具合が生じることを抑制することができる。したがって、信頼性の高い偏光素子を提供することができる。
【００１７】
前記偏光素子において、前記複数のサブグリッド素子は、前記ワイヤーグリッド素子の長手方向に一定の周期で配列されていてもよい。
【００１８】
前記偏光素子において、前記ワイヤーグリッド素子の長手方向における前記サブグリッド素子の配列周期は、隣り合う前記ワイヤーグリッド素子どうしで異なっていてもよい。
【００１９】
この偏光素子によれば、サブグリッド素子の配列周期が隣り合うワイヤーグリッド素子どうしで同じになっている場合に比べて、偏光素子を透過する光の均一化を図ることができる。例えば、ワイヤーグリッド素子の長手方向におけるサブグリッド素子の配列周期が隣り合うワイヤーグリッド素子どうしで同じになっていると、ワイヤーグリッド素子の切れ目の間隔（隣り合う２つのサブグリッド素子の間隔）も隣り合うワイヤーグリッド素子どうしで同じピッチで周期的に並ぶこととなる。これにより、同じピッチで周期的に並んだ切れ目から相対的に集中して光が透過することとなり、偏光素子を透過する光の分布が全体として不均一となってしまう。したがって、サブグリッド素子の配列周期が隣り合うワイヤーグリッド素子どうしで異ならせることにより、偏光素子を透過する光の均一化を図ることができる。
【００２０】
前記偏光素子において、前記ワイヤーグリッド素子の長手方向に隣り合う位置の２つの前記サブグリッド素子の前記上部電極の間には入射する光を吸収する第１光吸収体が形成されていてもよい。
【００２１】
この偏光素子によれば、ワイヤーグリッド素子の長手方向に隣り合う位置の２つのサブグリッド素子の間を入射光が通過することを抑制することができる。したがって、偏光素子を透過する不要光が漏れること（可視光の漏れ）を抑制することができる。
【００２２】
前記偏光素子において、前記第１光吸収体は、前記ワイヤーグリッド素子の長手方向の長さが可視光の波長よりも長くてもよい。
【００２３】
第１光吸収体がワイヤーグリッド素子の長手方向に可視光の波長よりも短い長さで形成されていると、ワイヤーグリッド素子の長手方向に隣り合う位置の２つのサブグリッド素子の間を可視光が透過してしまう場合がある。可視光の漏れを抑制するためには、第１光吸収体の長さが可視光の吸収体として認識できる長さ、すなわち、可視光と同等以上の長さであることが望ましい。第１光吸収体の長さが短すぎると可視光が第１光吸収体を吸収体として認識せずに透過してしまう。よって、可視光用の偏光素子を形成する場合には、第１光吸収体の長さは可視光の波長よりも長いことが望ましい。
【００２４】
前記偏光素子において、前記ワイヤーグリッド素子の長手方向に隣り合う位置の２つの前記サブグリッド素子の前記下部電極の間には入射する光を吸収する第２光吸収体が形成されていてもよい。
【００２５】
この偏光素子によれば、ワイヤーグリッド素子の長手方向に隣り合う位置の２つのサブグリッド素子の間を入射光が通過することを抑制することができる。したがって、偏光素子を透過する不要光が漏れること（可視光の漏れ）を抑制することができる。
【００２６】
前記偏光素子において、前記第２光吸収体は、前記ワイヤーグリッド素子の長手方向の長さが可視光の波長よりも長くてもよい。
【００２７】
第２光吸収体がワイヤーグリッド素子の長手方向に可視光の波長よりも短い長さで形成されていると、ワイヤーグリッド素子の長手方向に隣り合う位置の２つのサブグリッド素子の間を可視光が透過してしまう場合がある。可視光の漏れを抑制するためには、第２光吸収体の長さが可視光の吸収体として認識できる長さ、すなわち、可視光と同等以上の長さであることが望ましい。第２光吸収体の長さが短すぎると可視光が第２光吸収体を吸収体として認識せずに透過してしまう。よって、可視光用の偏光素子を形成する場合には、第２光吸収体の長さは可視光の波長よりも長いことが望ましい。
【００２８】
本発明のプロジェクターは、光を射出する照明光学系と、前記光を変調する光変調装置と、前記光変調装置で変調された光が入射する上述した偏光素子と、前記偏光素子を透過した偏光光を被投射面に投射する投射光学系と、を備えることを特徴とする。
【００２９】
このプロジェクターによれば、上述した偏光素子を備えているので、電極の長手方向の抵抗の影響で取り出す電流が損失することを抑制することが可能なプロジェクターを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の第１実施形態に係る偏光素子の概略構成を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図３】偏光素子に入射する光の偏光分離を示す模式図である。
【図４】偏光素子の作製プロセスを示す図である。
【図５】図４に続く偏光素子の作製プロセスを示す図である。
【図６】図５に続く偏光素子の作製プロセスを示す図である。
【図７】図４と異なる方向から視た偏光素子の作製プロセスを示す図である。
【図８】図７に続く偏光素子の作製プロセスを示す図である。
【図９】図８に続く偏光素子の作製プロセスを示す図である。
【図１０】本発明の第２実施形態に係る偏光素子の概略構成を示す平面図である。
【図１１】本発明の第３実施形態に係る偏光素子の概略構成を示す平面図である。
【図１２】図１１のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図１３】本発明の第４実施形態に係る偏光素子の概略構成を示す断面図である。
【図１４】プロジェクターの一例を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について説明する。かかる実施の形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。
【００３２】
以下の説明においては、図１中に示されたＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材について説明する。ＸＹＺ直交座標系は、Ｘ軸がワイヤーグリッド素子の長手方向に設定され、Ｙ軸がワイヤーグリッド素子の長手方向と直交する方向に設定され、Ｚ軸が偏光素子を透過する光の光軸に設定されている。なお、光軸とは、偏光素子を透過する光束の代表となる仮想的な光線を指すものとする。
【００３３】
（第１実施形態）
図１は、本発明の第１実施形態に係る偏光素子１の概略構成を示す平面図である。図１において、符号Ｐ１はワイヤーグリッド素子の周期である。
図２は、図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。図２において、符号Ｐ２はサブグリッド素子の周期である。
【００３４】
偏光素子１は、ワイヤーグリッド型の偏光素子であり、偏光分離機能を有するとともに、光の照射を受けて光エネルギーを電気エネルギーに変換する構造となっている。偏光素子１は、基板１０と、基板１０上に設けられた複数の線状のワイヤーグリッド素子１５と、複数のワイヤーグリッド素子１５の一端（−Ｘ方向側の端部）に接続された第１共通電極２１と、複数のワイヤーグリッド素子１５の他端（＋Ｘ方向側の端部）に接続された第２共通電極２２と、を備えて構成されている。
【００３５】
基板１０は、例えばガラスや石英等、可視光（例えば、波長域が３６０ｎｍ以上８３０ｎｍ以下の光）に対して透光性を有し耐熱性の高い材料が形成材料として用いられる。本実施形態では、基板１０として無色透明の石英（水晶）からなる水晶基板を用いる。
【００３６】
ワイヤーグリッド素子１５は、第１共通電極２１と第２共通電極２２との間に、一方向（Ｘ軸方向）に延在して形成されている。ワイヤーグリッド素子１５は、該ワイヤーグリッド素子１５の長手方向（Ｘ軸方向）と直交する方向（Ｙ軸方向）に可視光の波長（例えば、可視光の波長の短波長側：３６０ｎｍ）よりも短い周期Ｐ１で配置されている。ワイヤーグリッド素子１５は、長手方向に可視光の波長よりも十分長くなっている。ワイヤーグリッド素子１５は、基板１０の面内に垂直な方向（Ｚ軸方向）から視て、ワイヤーグリッド素子１５の長手方向に直交する方向に所定の幅を持つ線状（平面視線状）になっている。ここではワイヤーグリッド素子１５の平面視形状を線状と示したが、ワイヤーグリッド素子１５は、幅方向（短手方向）に対して長手方向の長さが大きい矩形または四角形の平面視形状になっているともいえる。
【００３７】
ワイヤーグリッド素子１５は、該ワイヤーグリッド素子１５の長手方向（Ｘ軸方向）に平行な方向に一定の周期で配置された複数のサブグリッド素子１５Ｓ（図２参照）を有している。ワイヤーグリッド素子１５の長手方向におけるサブグリッド素子１５Ｓの配列周期Ｐ２は、隣り合うワイヤーグリッド素子１５どうしで同じになっている。なお、周期Ｐ２とは、ワイヤーグリッド素子１５の長手方向における下部電極１１の長さと、隣り合う２つの下部電極１１の間の距離とを足し合わせたものである。
【００３８】
サブグリッド素子１５Ｓは、基板１０上に形成された下部電極１１と、下部電極１１上に形成された半導体層１３と、半導体層１３上に形成された上部電極１２と、を備えて構成されている。例えば、サブグリッド素子１５Ｓは、長手方向の長さが１００μｍ程度に設定されている。
【００３９】
下部電極１１は、基板１０の上面に形成されている。下部電極１１の形成材料としては、例えばアルミニウム（Ａｌ）等の非透光性の金属材料を用いることができる。下部電極１１の形成材料としてＡｌを用いることにより、可視領域における偏光素子１の反射特性を高めることができる。
【００４０】
隣り合う２つの下部電極１１の間の距離は、例えば５０ｎｍ以下に設定されている。これにより、入射光の一部がワイヤーグリッド素子１５の切れ目から漏れてしまうことを抑制することができる。一方、隣り合う２つの下部電極１１の間の距離が５０ｎｍを超えると、入射光の一部がワイヤーグリッド素子１５の切れ目から漏れてしまうことを抑制することが困難となる。
【００４１】
半導体層１３は、下部電極１１と上部電極１２との間に形成されている。半導体層１３は、ｎ型半導体層１３ｎと、ｎ型半導体層１３ｎに積層して配置されたｐ型半導体層１３ｐと、を備えて構成されている。半導体層１３は、下部電極１１の側からｎ型半導体層１３ｎ、ｐ型半導体層１３ｐの順に配置されている。ｐ型半導体層１３ｐの形成材料としては、例えばｐ型アモルファスシリコン（ｐ型ａ-Ｓｉ）を用いることができる。ｎ型半導体層１３ｎの形成材料としては、例えばｎ型アモルファスシリコン（ｎ型ａ-Ｓｉ）を用いることができる。
【００４２】
これにより、半導体層１３中でｐ型半導体層１３ｐとｎ型半導体層１３ｎが接したｐｎ接合領域に、禁制帯（バンドギャップ）よりも大きなエネルギーの光が入射すると、価電子帯から電子が励起される。励起された電子は伝導電子となり、内蔵電場に引かれてドリフト電流を増大させる、光起電力効果（内部光電効果）が発生する。よって、半導体層１３に入射した光の光エネルギーは電気エネルギーに変換される。
【００４３】
上部電極１２は、半導体層１３（ｐ型半導体層１３ｐ）の上面に形成されている。上部電極１２の形成材料としては、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の透光性の金属材料を用いることができる。これにより、入射光の一部が上部電極１２を透過して半導体層１３（ｐ型半導体層１３ｐ）に照射される。
【００４４】
ワイヤーグリッド素子１５の長手方向に隣り合う位置のサブグリッド素子１５Ｓの上部電極１２と下部電極１１とは、電気的に接続されている。これにより、半導体層１３によって変換された電気エネルギーは、ワイヤーグリッド素子１５の長手方向に沿って、下部電極１１、上部電極１２、半導体層１３、下部電極１１、上部電極１２、半導体層１３、・・・、下部電極１１、上部電極１２、を経由して共通電極（第１共通電極２１または第２共通電極２２）から電流として取り出される。
【００４５】
共通電極（第１共通電極２１または第２共通電極２２）から取り出された電流は、例えば偏光素子１を冷却する空冷ファンの発電に用いられる。これにより、偏光素子１の高温化を抑制することができる。
【００４６】
上部電極１２は、下部電極１１の一端から半導体層１３（ｐ型半導体層１３ｐ）上に亘って形成されている。
【００４７】
ワイヤーグリッド素子１５の長手方向に隣り合う位置の２つのサブグリッド素子１５Ｓのうちの一方のサブグリッド素子１５Ｓを構成する上部電極１２と、他方のサブグリッド素子１５Ｓを構成する半導体層１３との間には絶縁体層１４が形成されている。絶縁体層１４の形成材料としては、例えば二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等の絶縁材料を用いることができる。これにより、ワイヤーグリッド素子１５の長手方向に隣り合う位置の２つのサブグリッド素子１５Ｓのうちの一方のサブグリッド素子１５Ｓを構成する上部電極１２と、他方のサブグリッド素子１５Ｓを構成する半導体層１３とが導通することを抑制することができる。
【００４８】
また、ワイヤーグリッド素子１５の長手方向におけるサブグリッド素子１５Ｓの上部電極１２と、下部電極１１及び半導体層１３との間にも絶縁体層１４が形成されている。これにより、サブグリッド素子１５Ｓを構成する上部電極１２と、下部電極１１及び半導体層１３とが導通することを抑制することができる。
【００４９】
図３は、偏光素子１に入射する光の偏光分離を示す模式図である。図３（ａ）は、偏光素子１にワイヤーグリッド素子１５の長手方向と直交する方向に振動する直線偏光ＴＭ（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ）が入射する場合を示している。図３（ｂ）は、偏光素子１にワイヤーグリッド素子１５の長手方向に振動する直線偏光ＴＥ（Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃ）が入射する場合を示している。なお、図３においては、便宜上、ワイヤーグリッド１５の構成（例えば、下部電極１１、半導体層１３、上部電極１２）の図示を省略している。
【００５０】
図３（ａ）に示すように、偏光素子１への入射光Ｇ１は、各ワイヤーグリッド素子１５の長手方向（Ｘ軸方向）と直交する偏光軸を有する成分ｓ（ＴＭ偏光成分）を有している。偏光素子１に直線偏光ＴＭが入射する場合は、入射光Ｇ１に対して偏光分離機能のみがはたらく。このため、入射光Ｇ１のほとんどは偏光素子１を透過することになる。
【００５１】
図３（ｂ）に示すように、偏光素子１への入射光Ｇ２は、各ワイヤーグリッド素子１５の長手方向（Ｘ軸方向）と平行な偏光軸を有する成分ｐ（ＴＥ偏光成分）を有している。偏光素子１に直線偏光ＴＥが入射する場合は、本来、偏光軸ｐを有する入射光Ｇ２に対して偏光分離機能がはたらき、入射光Ｇ２のほとんどは反射されるが、本発明の構造では半導体層１３による電気エネルギーへの変換のために入射光Ｇ２のエネルギーが消費される。これにより、反射光が減少することになる。よって、半導体層１３による光電変換により偏光素子１に入射する直線偏光ＴＥを選択的に吸収することができる。
【００５２】
図４〜図９は、偏光素子の作製プロセスを示す図である。図４〜図６は、ワイヤーグリッド素子１５の長手方向（Ｘ軸方向）から視た偏光素子の作製プロセスを示している。図７〜図９は、ワイヤーグリッド素子１５の長手方向と直交する方向（Ｙ軸方向）から視た偏光素子の作製プロセスを示している。
【００５３】
先ず、水晶基板１０の上にＡｌ膜１１ａを蒸着やスパッタ等の方法で形成する（図４（ａ）及び図７（ａ）参照）。
【００５４】
次に、Ａｌ膜１１ａの上にｎ型ａ-Ｓｉ膜１３ｎａをプラズマＣＶＤ等の方法で形成する。次に、ｎ型ａ-Ｓｉ膜１３ｎａの上にｐ型ａ-Ｓｉ膜１３ｐａをプラズマＣＶＤ等の方法で形成する（図４（ｂ）及び図７（ｂ）参照）。
【００５５】
次に、ｐ型ａ-Ｓｉ膜１３ｐａの上にレジストをスピンコート等の方法で塗布し、２光束干渉露光等の方法でレジストパターン３１を形成する（図４（ｃ）及び図７（ｃ）参照）。なお、レジストパターン３１の形成方法としてはこれに限らない。例えば、ナノインプリント等の転写を用いることもできる。
【００５６】
次に、レジストパターン３１をマスクとして、ドライエッチングやウエットエッチング等のエッチング処理を行う。ｐ型ａ-Ｓｉ膜１３ｐａ及びｎ型ａ-Ｓｉ膜１３ｎａをＡｌ膜１１ａの上面が露出するまで異方性エッチングする。これにより、ｐ型ａ-Ｓｉ膜１３ｐａ及びｎ型ａ-Ｓｉ膜１３ｎａに開口部１３ｈを形成する。その後、レジストパターン３１を除去する（図４（ｄ）及び図７（ｄ）参照）。
【００５７】
次に、開口部１３ｈが形成されたｐ型ａ-Ｓｉ膜１３ｐａの上にレジストをスピンコート等の方法で塗布し、２光束干渉露光等の方法でレジストパターン３２を形成する（図４（ｅ）及び図７（ｅ）参照）。
【００５８】
次に、レジストパターン３２をマスクとして、ドライエッチングやウエットエッチング等のエッチング処理を行う。Ａｌ膜１１ａを水晶基板１０の上面が露出するまで異方性エッチングする。これにより、Ａｌ膜１１ａに開口部１１ｈを形成する。このとき、開口部１１ｈの大きさ（隣り合う２つのＡｌ膜１１ａの間の距離）は、例えば５０ｎｍ以下に設定する。その後、レジストパターン３２を除去する（図５（ａ）及び図８（ａ）参照）。
【００５９】
次に、Ａｌ膜１１ａの開口部１１ｈ、ｐ型ａ-Ｓｉ膜１３ｐａ及びｎ型ａ-Ｓｉ膜１３ｎａの開口部１３ｈにＳｉＯ２層１４ａをプラズマＣＶＤ等の方法で形成する（図５（ｂ）及び図８（ｂ）参照）。
【００６０】
次に、ＳｉＯ２層１４ａの上にレジストをスピンコート等の方法で塗布し、２光束干渉露光等の方法でレジストパターン３３を形成する（図５（ｃ）及び図８（ｃ）参照）。
【００６１】
次に、レジストパターン３３をマスクとして、ドライエッチングやウエットエッチング等のエッチング処理を行う。ＳｉＯ２層１４ａを水晶基板１０（Ａｌ膜１１ａ）の上面が露出するまで異方性エッチングする。これにより、ＳｉＯ２層１４ａに開口部１４ｈを形成する。その後、レジストパターン３３を除去する（図５（ｄ）及び図８（ｄ）参照）。
【００６２】
次に、水晶基板１０の上に形成されたＡｌ膜１１ａ、ａ-Ｓｉ膜１３ｎａ,１３ｐａ及びＳｉＯ２層１４ａの露出する部位全体を覆って、ＩＴＯ膜１２ａを蒸着やスパッタ等の方法で形成する（図５（ｅ）及び図８（ｅ）参照）。
【００６３】
次に、ＩＴＯ膜１２ａの上にレジストをスピンコート等の方法で塗布し、２光束干渉露光等の方法でレジストパターン３４を形成する（図６（ａ）及び図９（ａ）参照）。
【００６４】
次に、レジストパターン３４をマスクとして、ドライエッチングやウエットエッチング等のエッチング処理を行う。ＩＴＯ膜１２ａをＳｉＯ２層１４ａ（ｐ型ａ-Ｓｉ膜１３ｐａ）の上面が露出するまで異方性エッチングする。これにより、ＩＴＯ膜１２ａに開口部１２ｈを形成する。その後、レジストパターン３４を除去する（図６（ｂ）及び図９（ｂ）参照）。
【００６５】
次に、開口部１２ｈが形成されたＩＴＯ膜１２ａの上にレジストをスピンコート等の方法で塗布し、２光束干渉露光等の方法でレジストパターン３５を形成する（図６（ｃ）及び図９（ｃ）参照）。
【００６６】
次に、レジストパターン３５をマスクとして、ドライエッチングやウエットエッチング等のエッチング処理を行う。ＩＴＯ膜１２ａ、ＳｉＯ２層１４ａ、ｐ型ａ-Ｓｉ膜１３ｐａ、ｎ型ａ-Ｓｉ膜１３ｎａ及びＡｌ膜１１ａを水晶基板１０の上面が露出するまで異方性エッチングする。その後、レジストパターン３５を除去する（図６（ｄ）及び図９（ｄ）参照）。以上の工程により、本発明に係る偏光素子１が製造できる。
【００６７】
本実施形態の偏光素子１によれば、入射光のうちワイヤーグリッド素子１５の長手方向と直交する偏光軸を有する成分（ＴＭ偏光成分）は偏光素子１を透過する。一方、入射光のうち偏光素子１を透過しないワイヤーグリッド素子１５の長手方向と平行な偏光軸を有する成分（ＴＥ偏光成分）は、半導体層１３によって電気エネルギーに変換される。半導体層１３によって変換された電気エネルギーは、ワイヤーグリッド素子１５の長手方向に配置された複数のサブグリッド１５Ｓを経由して、共通電極２１,２２から電流として取り出される。具体的には、半導体層１３によって変換された電気エネルギーは、ワイヤーグリッド素子１５の長手方向に沿って、下部電極１１、上部電極１２、半導体層１３、下部電極１１、上部電極１２、半導体層１３、・・・、下部電極１１、上部電極１２、を経由して共通電極２１,２２から電流として取り出される。このように、電流の経路である電極（下部電極１１及び上部電極１２）がサブグリッド１５Ｓごとに分割されているので、電極の長手方向の抵抗が大きくなることはない。したがって、電極の長手方向の抵抗の影響で取り出す電流が損失することを抑制することが可能な偏光素子１を提供することができる。
【００６８】
また、この構成によれば、半導体層１３がｎ型半導体層１３ｎとｐ型半導体層１３ｐとを備えて構成されている。このため、半導体層１３中でｐ型の領域とｎ型の領域が接したｐｎ接合領域に、禁制帯（バンドギャップ）よりも大きなエネルギーの光が入射すると、価電子帯から電子が励起される。励起された電子は伝導電子となり、内蔵電場に引かれてドリフト電流を増大させる、光起電力効果（内部光電効果）が発生する。したがって、入射光のうち偏光素子１を透過しないＴＥ偏光成分を電気エネルギーに変換することができる。
【００６９】
また、この構成によれば、上部電極１２が下部電極１１の一端から半導体層１３（ｐ型半導体層１３ｐ）上に亘って形成されている。このため、上部電極１２と下部電極１１とが例えば別体の導体を介して電気的に接続される場合に比べて、製造プロセスの簡略化を図ることができる。
【００７０】
また、この構成によれば、ワイヤーグリッド素子１５の長手方向に隣り合う位置の２つのサブグリッド素子１５Ｓのうちの一方のサブグリッド素子１５Ｓを構成する上部電極１２と、他方のサブグリッド素子１５Ｓを構成する半導体層１３との間に絶縁体層１４が形成されている。このため、ワイヤーグリッド素子１５の長手方向に隣り合う位置の２つのサブグリッド素子１５Ｓのうちの一方のサブグリッド素子１５Ｓに形成された上部電極１２と、他方のサブグリッド素子１５Ｓに形成された半導体層１３とが導通することを抑制し、短絡が生じて電極に設計値を超える大電流が流れる等の不具合が生じることを抑制することができる。したがって、信頼性の高い偏光素子１を提供することができる。
【００７１】
なお、本実施形態の偏光素子１では、半導体層がｎ型半導体層とｐ型半導体層とを備えて構成されているが、これに限らない。例えば、半導体層がｎ型半導体層とｐ型半導体層との間に真性半導体層を挟んで構成されていてもよい。これにより、内蔵電場を形成する空間電荷領域（空乏層）が大きくなるので、光エネルギーから電気エネルギーへの変換効率を向上させることができる。したがって、入射光のうち偏光素子を透過しないＴＥ偏光成分を電気エネルギーにスムーズに変換することができる。
【００７２】
（第２実施形態）
図１０は、図１に対応した、本発明の第２実施形態に係る偏光素子２の概略構成を示す平面図である。図１０に示すように、本実施形態に係る偏光素子２は、ワイヤーグリッド素子の長手方向におけるサブグリッド素子の配列周期が隣り合うワイヤーグリッド素子どうしで異なっている点で、上述の第１実施形態に係る偏光素子１と異なっている。その他の点は上述の構成と同様であるので、図１と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００７３】
偏光素子２は、基板１０と、基板１０上に設けられた複数の線状のワイヤーグリッド素子１１５と、複数のワイヤーグリッド素子１１５の一端（−Ｘ方向側の端部）に接続された第１共通電極２１と、複数のワイヤーグリッド素子１１５の他端（＋Ｘ方向側の端部）に接続された第２共通電極２２と、を備えて構成されている。
【００７４】
ワイヤーグリッド素子１１５は、該ワイヤーグリッド素子１１５の長手方向（Ｘ軸方向）に配置された複数のサブグリッド素子１１５Ｓを有している。サブグリッド素子１１５Ｓは、基板１０上に形成された下部電極１１１と、下部電極１１１上に形成された半導体層１１３と、半導体層１１３上に形成された上部電極１１２と、を備えて構成されている。ワイヤーグリッド素子１１５の長手方向におけるサブグリッド素子１１５Ｓの配列周期は、隣り合うワイヤーグリッド素子１１５どうしで異なっている。
【００７５】
本実施形態の偏光素子２によれば、サブグリッド素子の配列周期が隣り合うワイヤーグリッド素子どうしで同じになっている場合に比べて、偏光素子２を透過する光の均一化を図ることができる。例えば、ワイヤーグリッド素子の長手方向におけるサブグリッド素子の配列周期が隣り合うワイヤーグリッド素子どうしで同じになっていると、ワイヤーグリッド素子の切れ目の間隔（隣り合う２つのサブグリッド素子の間隔）も隣り合うワイヤーグリッド素子どうしで同じピッチで周期的に並ぶこととなる。これにより、同じピッチで周期的に並んだ切れ目から相対的に集中して光が透過することとなり、偏光素子を透過する光の分布が全体として不均一となってしまう。したがって、サブグリッド素子１１５Ｓの配列周期が隣り合うワイヤーグリッド素子１１５どうしで異ならせることにより、偏光素子２を透過する光の均一化を図ることができる。
【００７６】
（第３実施形態）
図１１は、図１に対応した、本発明の第３実施形態に係る偏光素子３の概略構成を示す平面図である。図１２は、図１１のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。図１１及び図１２に示すように、本実施形態に係る偏光素子３は、ワイヤーグリッド素子の長手方向に隣り合う位置の２つのサブグリッド素子の上部電極の間に入射する光を吸収する第１光吸収体が形成されている点で、上述の第１実施形態に係る偏光素子１と異なっている。その他の点は上述の構成と同様であるので、図１及び図２と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。図１２において、符号Ｌは、第１光吸収体４１の長さである。
【００７７】
偏光素子３は、基板１０と、基板１０上に設けられた複数の線状のワイヤーグリッド素子２１５と、複数のワイヤーグリッド素子２１５の一端（−Ｘ方向側の端部）に接続された第１共通電極２１と、複数のワイヤーグリッド素子２１５の他端（＋Ｘ方向側の端部）に接続された第２共通電極２２と、を備えて構成されている。
【００７８】
ワイヤーグリッド素子２１５は、該ワイヤーグリッド素子２１５の長手方向（Ｘ軸方向）に一定の周期で配置された複数のサブグリッド素子１５Ｓと、ワイヤーグリッド素子２１５の長手方向に隣り合う位置の２つのサブグリッド素子１５Ｓの上部電極１２の間に配置された第１光吸収体４１と、を有している。サブグリッド素子１５Ｓは、基板１０上に形成された下部電極１１と、下部電極１１上に形成された半導体層１３と、半導体層１３上に形成された上部電極１２と、を備えて構成されている。
【００７９】
第１光吸収体４１は、例えばゲルマニウム（Ｇｅ）やシリコン（Ｓｉ）の真性半導体、または可視領域で光吸収特性を示す真性半導体、可視領域で光吸収特性を示す絶縁体が形成材料として用いられる。第１光吸収体４１は、少なくとも隣り合う２つの下部電極１１の間の隙間を覆うように形成されている。第１光吸収体４１は、ワイヤーグリッド素子２１５の長手方向の長さが可視光の波長よりも長くなるよう形成されている。例えば、第１光吸収体４１の長さＬは、５００ｎｍ以上になっている。
【００８０】
本実施形態の偏光素子３によれば、ワイヤーグリッド素子２１５の長手方向に隣り合う位置の２つのサブグリッド素子１５Ｓの上部電極１２の間に第１光吸収体４１が形成されている。このため、ワイヤーグリッド素子２１５の長手方向に隣り合う位置の２つのサブグリッド素子１５Ｓの間を入射光が通過することを抑制することができる。したがって、偏光素子３を透過する不要光が漏れること（可視光の漏れ）を抑制することができる。
【００８１】
また、この構成によれば、第１光吸収体４１がワイヤーグリッド素子２１５の長手方向に可視光の波長よりも長い長さで形成されているので、ワイヤーグリッド素子２１５の長手方向に隣り合う位置の２つのサブグリッド素子１５Ｓの間を可視光が通過することを抑制することができる。一方、第１光吸収体がワイヤーグリッド素子の長手方向に可視光の波長よりも短い長さで形成されていると、ワイヤーグリッド素子の長手方向に隣り合う位置の２つのサブグリッド素子の間を可視光が透過してしまう場合がある。
【００８２】
（第４実施形態）
図１３は、図２に対応した、本発明の第４実施形態に係る偏光素子４の概略構成を示す断面図である。図１３に示すように、本実施形態に係る偏光素子４は、ワイヤーグリッド素子の長手方向に隣り合う位置の２つのサブグリッド素子の下部電極の間に入射する光を吸収する第２光吸収体が形成されている点で、上述の第１実施形態に係る偏光素子１と異なっている。その他の点は上述の構成と同様であるので、図２と同様の要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００８３】
偏光素子４は、基板１０と、基板１０上に設けられた複数の線状のワイヤーグリッド素子３１５と、複数のワイヤーグリッド素子３１５の一端（−Ｘ方向側の端部）に接続された第１共通電極２１（図示略）と、複数のワイヤーグリッド素子３１５の他端（＋Ｘ方向側の端部）に接続された第２共通電極２２（図示略）と、を備えて構成されている。
【００８４】
ワイヤーグリッド素子３１５は、該ワイヤーグリッド素子３１５の長手方向（Ｘ軸方向）に一定の周期で配置された複数のサブグリッド素子１５Ｓと、ワイヤーグリッド素子３１５の長手方向に隣り合う位置の２つのサブグリッド素子１５Ｓの下部電極１１の間に配置された第２光吸収体４２と、を有している。サブグリッド素子１５Ｓは、基板１０上に形成された下部電極１１と、下部電極１１上に形成された半導体層１３と、半導体層１３上に形成された上部電極１２と、を備えて構成されている。
【００８５】
第２光吸収体４２は、例えばゲルマニウム（Ｇｅ）やシリコン（Ｓｉ）の真性半導体、または可視領域で光吸収特性を示す真性半導体、可視領域で光吸収特性を示す絶縁体が形成材料として用いられる。第２光吸収体４２は、隣り合う２つの下部電極１１の間に埋設されている。第２光吸収体４２は、ワイヤーグリッド素子３１５の長手方向の長さが可視光の波長よりも長くなるよう形成されている。
【００８６】
本実施形態の偏光素子４によれば、ワイヤーグリッド素子３１５の長手方向に隣り合う位置の２つのサブグリッド素子１５Ｓの下部電極１１の間に第２光吸収体４２が形成されている。このため、ワイヤーグリッド素子３１５の長手方向に隣り合う位置の２つのサブグリッド素子１５Ｓの間を入射光が通過することを抑制することができる。したがって、偏光素子４を透過する不要光が漏れること（可視光の漏れ）を抑制することができる。
【００８７】
また、この構成によれば、第２光吸収体４２がワイヤーグリッド素子３１５の長手方向に可視光の波長よりも長い長さで形成されているので、ワイヤーグリッド素子３１５の長手方向に隣り合う位置の２つのサブグリッド素子１５Ｓの間を可視光が通過することを抑制することができる。一方、第２光吸収体がワイヤーグリッド素子の長手方向に可視光の波長よりも短い長さで形成されていると、ワイヤーグリッド素子の長手方向に隣り合う位置の２つのサブグリッド素子の間を可視光が通過してしまう場合がある。
【００８８】
本実施形態の偏光素子４では、ワイヤーグリッド素子の長手方向に隣り合う位置の２つのサブグリッド素子の下部電極の間に第２光吸収体が形成されているが、これに限らない。例えば、第２光吸収体が形成された偏光素子において、ワイヤーグリッド素子の長手方向に隣り合う位置の２つのサブグリッド素子の上部電極の間に第１光吸収体が形成されていてもよい。つまり、偏光素子において第１光吸収体及び第２光吸収体の双方が形成されていてもよい。これにより、ワイヤーグリッド素子の長手方向に隣り合う位置の２つのサブグリッド素子の間を入射光が通過することを確実に抑制することができる。
【００８９】
（プロジェクター）
図１４は、本発明に係る偏光素子を備えたプロジェクターの一例を示す模式図である。
【００９０】
図１４に示すように、プロジェクター８００は、光源８１０、ダイクロイックミラー８１３、８１４、反射ミラー８１５、８１６、８１７、入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９、射出レンズ８２０、光変調部８２２、８２３、８２４、クロスダイクロイックプリズム８２５、投射レンズ８２６、を有している。
【００９１】
光源８１０は、メタルハライド等のランプ８１１とランプの光を反射するリフレクタ８１２とからなる。なお、光源８１０としては、メタルハライド以外にも超高圧水銀ランプ、フラッシュ水銀ランプ、高圧水銀ランプ、Ｄｅｅｐ ＵＶランプ、キセノンランプ、キセノンフラッシュランプ等を用いることも可能である。
【００９２】
ダイクロイックミラー８１３は、光源８１０からの白色光に含まれる赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光とを反射する。透過した赤色光は反射ミラー８１７で反射されて、赤色光用の光変調部８２２に入射される。また、ダイクロイックミラー８１３で反射された青色光と緑色光のうち、緑色光は、ダイクロイックミラー８１４によって反射され、緑色光用光変調部８２３に入射される。青色光は、ダイクロイックミラー８１４を透過し、長い光路による光損失を防ぐために設けられた入射レンズ８１８、リレーレンズ８１９及び射出レンズ８２０を含むリレー光学系８２１を介して、青色光が光変調部８２４に入射される。
【００９３】
光変調部８２２〜８２４は、液晶ライトバルブ８３０を挟んで両側に、入射側偏光素子８４０と射出側偏光素子部８５０と、が配置されている。入射側偏光素子８４０と射出側偏光素子部８５０とは、互いの透過軸が直交して（クロスニコル配置）配置されている。
【００９４】
入射側偏光素子８４０は反射型の偏光素子であり、透過軸と直交する振動方向の光を反射させる。
【００９５】
一方、射出側偏光素子部８５０は、第１偏光素子（プリ偏光板、プリポラライザー）８５２と、第２偏光素子８５４と、を有している。第１偏光素子８５２には、耐熱性が高い、上述した本発明の偏光素子を用いる。また、第２偏光素子８５４は、有機材料を形成材料とする偏光素子である。射出側偏光素子部８５０は、いずれも透過軸と直交する偏光方向の光を吸収する吸収型の偏光素子である。
【００９６】
一般に、有機材料で形成される吸収型の偏光素子は、熱により劣化しやすいことから、高い輝度が必要な大出力のプロジェクターの偏光手段として用いる事が困難である。しかし、本発明のプロジェクター８００では、第２偏光素子８５４と液晶ライトバルブ８３０との間に、耐熱性の高い無機材料で形成された第１偏光素子８５２を配置している。そのため、有機材料で形成される第２偏光素子８５４の劣化が抑えられる。さらに、液晶ライトバルブ８３０への戻り光を減らし、液晶ライトバルブ８３０の発熱を抑制することができる。
【００９７】
また、各第１偏光素子８５２は、吸収した光の光エネルギーを電気エネルギーに変換し、例えば各第１偏光素子８５２を冷却する空冷ファン（図示略）の発電に用いている。したがって、効率的な光利用が可能となっている。
【００９８】
各光変調部８２２〜８２４により変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム８２５に入射する。このクロスダイクロイックプリズム８２５は４つの直角プリズムを貼り合わせたものであり、その界面には赤光を反射する誘電体多層膜と青光を反射する誘電体多層膜とがＸ字状に形成されている。これらの誘電体多層膜により３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が形成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ８２６によってスクリーン８２７上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００９９】
以上のような構成のプロジェクター８００は、射出側偏光素子部８５０に、上述した本発明の偏光素子を備えているので、電極の長手方向の抵抗の影響で取り出す電流が損失することを抑制することが可能なプロジェクター８００を提供することができる。
【０１００】
本発明は、投写画像を観察する側から投写するフロント投写型プロジェクターに適用する場合にも、投写画像を観察する側とは反対の側から投写するリア投写型プロジェクターに適用する場合にも、適用することができる。
【符号の説明】
【０１０１】
１,２,３,４…偏光素子、１０…基板、１１,１１１…下部電極、１２,１１２…上部電極、１３,１１３…半導体層、１３ｐ…ｐ型半導体層、１３ｎ…ｎ型半導体層、１４,１１４…絶縁体層、１５,１１５,２１５,３１５…ワイヤーグリッド素子、１５Ｓ,１１５Ｓ…サブグリッド素子、２１…第１共通電極、２１…第２共通電極、４１…第１光吸収体、４２…第２光吸収体、８００…プロジェクター、８１０…光源（照明光学系）、８２６…投射レンズ（投射光学系）、８３０…液晶ライトバルブ、８５２…第１偏光素子（偏光素子）、Ｐ１…ワイヤーグリッド素子の周期、Ｐ２…サブグリッド素子の周期
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
2012053376.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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