(57)【要約】      （修正有）【課題】高温高湿信頼性および成形性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。【解決手段】下記の（Ａ）〜（Ｅ）成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。そして、下記の（Ｃ）成分の含有量が、エポキシ樹脂組成物の有機成分に対して０．８〜３０．０重量％とする。（Ａ）エポキシ樹脂。（Ｂ）フェノール樹脂〔ただし、下記（Ｃ）成分を除く。〕。（Ｃ）特定のシラン変性フェノール樹脂。（Ｄ）硬化促進剤。（Ｅ）無機質充填剤。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の（Ａ）〜（Ｅ）成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、上記（Ｃ）成分の含有量が、エポキシ樹脂組成物の有機成分に対して０．８〜３０．０重量％であることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）フェノール樹脂〔ただし、下記（Ｃ）成分を除く。〕。
（Ｃ）下記の一般式（１）で表されるシラン変性フェノール樹脂。
【化１】
2012131902.tif 000007
（Ｄ）硬化促進剤。
（Ｅ）無機質充填剤。
【請求項２】
上記（Ａ）成分であるエポキシ樹脂が、ビフェニル基を有するエポキシ樹脂である請求項１記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【請求項３】
上記（Ｄ）成分である硬化促進剤が、下記の一般式（２）で表されるリン系硬化促進剤、下記の一般式（３）で表されるリン系硬化促進剤および下記の一般式（４）で表されるリン系硬化促進剤からなる群から選ばれた少なくとも一つのリン系硬化促進剤である請求項１または２記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
【化２】
2012131902.tif 000008
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子を樹脂封止してなる半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成形性および硬化性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩ等の各種半導体素子は、外部環境からの保護および半導体素子のハンドリングを官能にするという観点から、プラスチックパッケージ、例えば、熱硬化性エポキシ樹脂組成物を用いて樹脂封止され半導体装置化されている。
【０００３】
上記熱硬化性エポキシ樹脂組成物等の半導体封止用樹脂材料の重要な要求特性として、高温高湿における信頼性があげられる。例えば、高温または多湿環境下においては、エポキシ樹脂組成物中に含まれる塩素イオン等のイオン性不純物が動きやすくなるため、半導体素子上の配線の腐食が進み易く、従来の半導体封止用エポキシ樹脂組成物では、高温高湿信頼性に関して難点があった。この高温高湿信頼性の不良原因となるエポキシ樹脂組成物中に含まれる塩素イオン等のイオン性不純物は、エポキシ樹脂の製造工程におけるフェノールのエピハロヒドリンによるグリシジルエーテル化に起因する。従来のクレゾールノボラック型エポキシ樹脂では、溶剤に対する溶解性が高いため、水洗が可能となり、より低塩素含有の（高純度な）エポキシ樹脂を得ることができるが、無機質充填剤の高充填化のために用いられる低粘度結晶性エポキシ樹脂は溶剤に対する溶解性が低いことから、高純度なエポキシ樹脂を得ることが困難であった（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
そして、上記高温高湿信頼性の不良原因となるエポキシ樹脂組成物中に含まれるイオン性不純物を捕捉するために、例えば、Ｂｉ系無機化合物を含んだイオン捕捉剤やハイドロタルサイト類化合物を用いて陰イオン性不純物を捕捉することが提案されている（例えば、特許文献２，３，４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平２−１８７４２０号公報
【特許文献２】特開平１１−２４０９３７号公報
【特許文献３】特開平９−１５７４９７号公報
【特許文献４】特開平９−１６９８３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記のような方法では、充分な高温高湿信頼性の向上効果を得ることは困難であり、また高粘度化してしまい成形性に対して悪影響を与える等の問題も有している。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みなされたもので、高温高湿信頼性および成形性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる半導体装置の提供をその目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明は、下記の（Ａ）〜（Ｅ）成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、上記（Ｃ）成分の含有量が、エポキシ樹脂組成物の有機成分に対して０．８〜３０．０重量％である半導体封止用エポキシ樹脂組成物を第１の要旨とする。
【０００９】
（Ａ）エポキシ樹脂。
（Ｂ）フェノール樹脂〔ただし、下記（Ｃ）成分を除く。〕。
（Ｃ）下記の一般式（１）で表されるシラン変性フェノール樹脂。
【化１】
2012131902.tif 000002
（Ｄ）硬化促進剤。
（Ｅ）無機質充填剤。
【００１０】
そして、本発明は、上記半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて、半導体素子を樹脂封止してなる半導体装置を第２の要旨とする。
【００１１】
本発明者らは、成形性を低下させることなく高温高湿信頼性に優れた半導体封止材料を得るために鋭意検討を重ねた。その結果、硬化剤成分として、通常のフェノール樹脂とともに前記特定のシラン変性フェノール樹脂〔（Ｃ）成分〕を用いると、その構造部分のシラン変性部分が、エポキシ樹脂組成物が溶融して流動している最中に、界面活性効果を示すことにより、粘度の上昇を抑制することが可能となり、良好な成形性とともに高温高湿信頼性が向上することを見出し本発明に到達した。
【発明の効果】
【００１２】
このように、本発明は、前記特定のシラン変性フェノール樹脂〔（Ｃ）成分〕を特定量含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物である。このため、優れた高温高湿信頼性が得られるとともに、低粘度化が図られ良好な成形性が付与された、例えば、金線ワイヤー流れ発生が抑制された高信頼性を備えた半導体装置を得ることができる。
【００１３】
そして、硬化促進剤〔（Ｄ）成分〕として、特定のリン系硬化促進剤を用いると、より一層優れた高温高湿信頼性が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】金線ワイヤー流れ評価の測定に用いられる半導体装置を模式的に示す平面図である。
【図２】金線ワイヤー流れ量の測定方法を模式的に示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
つぎに、本発明を実施するための形態について説明する。
【００１６】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物（以下、「エポキシ樹脂組成物」と略すことがある）は、エポキシ樹脂（Ａ成分）と、フェノール樹脂（Ｂ成分）と、特定のシラン変性フェノール樹脂（Ｃ成分）と、硬化促進剤（Ｄ成分）と、無機質充填剤（Ｅ成分）とを用いて得られるものであって、通常、粉末状もしくはこれを打錠したタブレット状になっている。
【００１７】
上記エポキシ樹脂（Ａ成分）としては、特に限定されるものではなく、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。そして、これらエポキシ樹脂の中でも、ビフェニル基を有するビフェニル型エポキシ樹脂や、低級アルキル基をフェニル環に付加したような低吸湿型のエポキシ樹脂を用いることが、信頼性・成形性の点から好ましい。このようなエポキシ樹脂としては、例えば、エポキシ当量１５０〜２５０、軟化点もしくは融点が５０〜１３０℃のものが好適に用いられる。
【００１８】
上記エポキシ樹脂（Ａ成分）とともに用いられるフェノール樹脂（Ｂ成分）は、上記エポキシ樹脂（Ａ成分）の硬化剤としての作用を有するものであり、後述の特定のシラン変性フェノール樹脂（Ｃ成分）を除くフェノール樹脂であって、一分子中に２個以上のフェノール性水酸基を有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般をいう。例えば、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビフェニル型ノボラック樹脂、トリフェニルメタン型フェノール樹脂、ナフトールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。そして、これらフェノール樹脂の中でも、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂のような低吸湿性のものを用いることが信頼性・成形性の点から好ましい。
【００１９】
上記エポキシ樹脂（Ａ成分）とフェノール樹脂（Ｂ成分）との配合割合は、エポキシ樹脂中のエポキシ基１当量あたり、フェノール樹脂（Ｂ成分）中の水酸基当量が０．５〜１．５当量となるように配合することが好ましい。より好ましくは０．７〜１．１当量であり、特に好ましくは０．８〜１．０当量である。
【００２０】
上記Ａ成分およびＢ成分とともに用いられる特定のシラン変性フェノール樹脂（Ｃ成分）は、下記の一般式（１）で表されるものである。
【００２１】
【化２】
2012131902.tif 000003
【００２２】
上記式（１）において、Ｒ1〜Ｒ4は水素原子または上記構造式（ａ）で表される１価の官能基であるが、Ｒ1〜Ｒ4のうち少なくとも二つは水素原子であり、残りのうち少なくとも一つは上記構造式（ａ）で表される官能基である。特に好ましくは、Ｒ1〜Ｒ4のうちＲ1，Ｒ2，Ｒ4が水素原子であり、Ｒ3が上記構造式（ａ）で表される官能基となる構造である。
【００２３】
また、上記構造式（ａ）において、Ｒ5はアルコキシル基、Ｒ6はアルコキシル基またはアルキル基、Ｒ7はアルキル基であるが、特に好ましくはＲ5がメトキシ基、Ｒ6がメチル基またはメトキシ基、Ｒ7がメチル基である。そして、繰り返し数ｎは１〜５０の正数であるが、より好ましくは１〜３０の正数、特に好ましくは１〜９の正数である。
【００２４】
上記特定のシラン変性フェノール樹脂（Ｃ成分）としては、具体的には、荒川化学工業社製の商品名「コンポセランＰ５０１」、「コンポセランＰ５０２」等があげられる。
【００２５】
上記特定のシラン変性フェノール樹脂（Ｃ成分）の含有量は、エポキシ樹脂組成物の有機成分に対して０．８〜３０．０重量％でなければならない。より好ましくは１．５〜２５重量％であり、特に好ましくは５．０〜１０重量％である。すなわち、Ｃ成分の含有量が多すぎると、硬化反応時に副生するアルコールに起因したボイド発生の影響によりワイヤー流れが生じ、半導体素子を破壊してしまう傾向がみられる。また、Ｃ成分の含有量が少なすぎると、高温高湿信頼性および成形性の充分な向上効果が得られにくいという傾向がみられるからである。これは、成形時の流動過程においてエポキシ樹脂組成物中にボイドが発生すると、それがワイヤーに捕捉され抗力を増大させるためである。また、一般に、高粘度のエポキシ樹脂組成物はその流動過程においてワイヤーにかかる抗力を増大させるため、ワイヤー流れ量を増大させることとなる。
【００２６】
上記Ａ〜Ｃ成分とともに用いられる硬化促進剤（Ｄ成分）としては、各種硬化促進剤が用いられるが、高温高湿信頼性の観点から、リン系硬化促進剤を用いることが好ましい。
【００２７】
上記リン系硬化促進剤としては、例えば、下記の一般式（２）で表されるリン系硬化促進剤、下記の一般式（３）で表されるリン系硬化促進剤および下記の一般式（４）で表されるリン系硬化促進剤等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００２８】
【化３】
2012131902.tif 000004
【００２９】
そして、上記リン系硬化促進剤としては、具体的には、トリフェニルホスフィン、ジフェニル（ｐ−トリル）ホスフィン、トリス（アルキルフェニル）ホスフィン、トリス（アルコキシフェニル）ホスフィン、トリス（アルキル・アルコキシフェニル）ホスフィン、トリス（ジアルキル）ホスフィン、トリス（トリアルキルフェニル）ホスフィン、トリス（テトラアルキルフェニル）ホスフィン、トリス（ジアルコキシフェニル）ホスフィン、トリス（トリアルコキシフェニル）ホスフィン、トリス（テトラアルコキシフェニル）ホスフィン、トリアルキルホスフィン、ジアルキルアリールホスフィン、アルキルジアリールホスフィン等の有機ホスフィン類等のホスフィン化合物、またはこれらホスフィン化合物と有機ボロン類との錯体や、これらホスフィン化合物と無水マレイン酸、１，４−ベンゾキノン、２，５−トルキノン、１，４−ナフトキノン、２，３−ジメチルベンゾキノン、２，６−ジメチルベンゾキノン、２，３−ジメトキシ−５−メチル−１，４−ベンゾキノン、２，３−ジメトキシ−１，４−ベンゾキノン、フェニル−１，４−ベンゾキノン等のキノン化合物、ジアゾフェニルメタン等のπ結合をもつ化合物を付加してなる、分子内分極を有する化合物、これらホスフィン化合物と４−ブロモフェノール、３−ブロモフェノール、２−ブロモフェノール、４−クロロフェノール、３−クロロフェノール、２−クロロフェノール、４−ヨウ化フェノール、３−ヨウ化フェノール、２−ヨウ化フェノール、４−ブロモ−２−メチルフェノール、４−ブロモ−３−メチルフェノール、４−ブロモ−２，６−ジメチルフェノール、４−ブロモ−３，５−ジメチルフェノール、４−ブロモ−２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、４−クロロ−１−ナフトール、１−ブロモ−２−ナフトール、６−ブロモ−２−ナフトール、４−ブロモ−４′−ヒドロキシビフェニル等のハロゲン化フェノール化合物を反応させた後、脱ハロゲン化水素の工程を経て得られる分子内分極を有する化合物等があげられる。
【００３０】
さらに、上記リン系硬化促進剤として、テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、テトラフェニルホスホニウム・テトラ−ｐ−トリルボレート、テトラフェニルホスホニウム・チオシアネート、テトラフェニルホスホニウム・ジシアンアミド、テトラフェニルホスホニウム・アセテート、テトラフェニルホスホニウム・テトラフルオロボレート、テトラフェニルホスホニウム・ヘキサフルオロアンチモネート、ｐ−トリルトリフェニルホスホニウム・テトラ−ｐ−トリルボレート、テトラ−ｐ−トリルホスホニウム・テトラフェニルボレート、テトラ−ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート、テトラ−ｐ−メトキシフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート等のテトラ置換ホスホニウム塩等があげられる。
【００３１】
上記硬化促進剤（Ｄ成分）の含有量は、上記エポキシ樹脂（Ａ成分）に対して０．００１〜８．０重量％に設定することが好ましく、より好ましくは０．０１〜３．０重量％である。すなわち、Ｄ成分の含有量が少なすぎると、充分な硬化促進効果を得られない場合があり、またＤ成分の含有量が多すぎると、得られる硬化物に変色がみられる傾向があるからである。
【００３２】
上記Ａ〜Ｄ成分とともに用いられる無機質充填剤（Ｅ成分）としては、例えば、石英ガラス、タルク、シリカ粉末（溶融シリカ粉末や結晶性シリカ粉末等）、アルミナ粉末、窒化アルミニウム粉末、窒化珪素粉末等があげられる。これら無機質充填剤は、破砕状、球状、あるいは摩砕処理したもの等いずれのものでも使用可能である。そして、これら無機質充填剤は単独でもしくは２種以上併せて用いられる。なかでも、得られる硬化物の線膨張係数を低減できるという点から上記シリカ粉末を用いることか好ましく、上記シリカ粉末の中でも溶融シリカ粉末を用いることが、高充填性、高流動性という点から特に好ましい。上記溶融シリカ粉末としては、球状溶融シリカ粉末、破砕溶融シリカ粉末があげられるが、流動性という観点から、球状溶融シリカ粉末を用いることが好ましい。
【００３３】
また、無機質充填剤（Ｅ成分）としては、平均粒径５〜４０μｍの範囲のものを用いることが、流動性を良好にするという点から好ましい。なお、上記無機質充填剤（Ｅ成分）の平均粒径は、例えば、母集団から任意の測定試料を取り出し、市販のレーザー回折散乱式粒度分布測定装置を用いて測定することができる。
【００３４】
そして、上記無機質充填剤（Ｅ成分）の含有量は、エポキシ樹脂組成物全体の７０〜９５重量％の範囲に設定することが好ましく、特に好ましくは８５〜９２重量％である。すなわち、無機質充填剤（Ｅ成分）の含有量が少なすぎると、エポキシ樹脂組成物の粘度が低くなりすぎて成形時の外観不良（ボイド）が発生しやすくなる傾向がみられ、逆に含有量が多すぎると、エポキシ樹脂組成物の流動性が低下し、ワイヤー流れや未充填が発生する傾向がみられるからである。
【００３５】
さらに、本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、前記Ａ〜Ｅ成分以外に、必要に応じて、シランカップリング剤、難燃剤、難燃助剤、離型剤、イオントラップ剤、カーボンブラック等の顔料や着色料、低応力化剤、粘着付与剤等の他の添加剤を適宜配合することができる。
【００３６】
上記シランカップリング剤としては、２個以上のアルコキシ基を有するものが好適に用いられる。具体的には、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−（２−アミノエチル）アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、γ−アニリノプロピルトリメトキシシラン、ヘキサメチルジシラザン等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００３７】
上記難燃剤としては、ノボラック型ブロム化エポキシ樹脂や金属水酸化物等があげられる。さらに、上記難燃助剤としては、三酸化二アンチモンや五酸化二アンチモン等が用いられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００３８】
上記離型剤としては、高級脂肪酸、高級脂肪酸エステル、高級脂肪酸カルシウム等の化合物があげられ、例えば、カルナバワックスやポリエチレン系ワックス等が用いられ、これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００３９】
上記イオントラップ剤としては、イオントラップ能力を有する公知の化合物全てが使用でき、例えば、ハイドロタルサイト類、水酸化ビスマス、イットリウム酸化物等が用いられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００４０】
上記低応力化剤としては、例えば、アクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体、メタクリル酸メチル−ブタジエン−スチレン共重合体等のブタジエン系ゴムやシリコーン化合物等があげられる。これらは単独でもしくは２種以上併せて用いられる。
【００４１】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、例えば、つぎのようにして製造することができる。すなわち、上記Ａ〜Ｅ成分、さらに必要に応じて他の添加剤を配合し混合した後、ミキシングロール機等の混練機にかけ加熱状態で溶融混練する。ついで、これを室温に冷却固化させた後、公知の手段によって粉砕し、必要に応じて打錠するという一連の工程により目的とするエポキシ樹脂組成物を製造することができる。
【００４２】
このようにして得られるエポキシ樹脂組成物を用いての半導体素子の封止方法は、特に制限するものではなく、通常のトランスファー成形等の公知のモールド方法により行うことができ、半導体装置化することができる。このようにして得られる半導体装置としては、ＩＣやＬＳＩ等の半導体装置等があげられる。
【実施例】
【００４３】
つぎに、実施例について比較例と併せて説明する。ただし、本発明は、これら実施例に限定されるものではない。
【００４４】
まず、実施例に先立って下記に示す各成分を準備した。
【００４５】
〔エポキシ樹脂ａ１〕
ビフェニル型エポキシ樹脂（エポキシ当量１９２、融点１０５℃：ＹＸ−４０００、三菱化学社製）。
〔エポキシ樹脂ａ２〕
トリフェニルメタン型多官能エポキシ樹脂（エポキシ当量１６９、融点６０℃：ＥＰＰＮ−５０１ＨＹ、日本化薬社製）。
【００４６】
〔フェノール樹脂ｂ１〕
ビフェニルアラルキル型フェノール樹脂（水酸基当量２０３、軟化点６５℃：ＭＨ７８５１ＳＳ、明和化成社製）。
〔フェノール樹脂ｂ２〕
フェノールノボラック樹脂（水酸基当量１０４、軟化点６０℃：ＶＲ−８２１０、三井化学社製）。
【００４７】
〔シラン変性フェノール樹脂ｃ１〕
トリアルコキシシラン縮合物変性フェノール樹脂〔水酸基当量２７０：コンポセランＰ５０１（商品名）、荒川化学工業社製：式（１）中、Ｒ1は水素原子、Ｒ2は水素原子、Ｒ3は構造式（ａ）で表される官能基、Ｒ4は水素原子であり、式（１）中の構造式（ａ）において、Ｒ5はメトキシ基、Ｒ6はメチル基、Ｒ7はメチル基、ｎは平均で５である。〕。
〔シラン変性フェノール樹脂ｃ２〕
トリアルコキシシラン縮合物変性フェノール樹脂〔水酸基当量３００：コンポセランＰ５０２（商品名）、荒川化学工業社製：式（１）中、Ｒ1は水素原子、Ｒ2は水素原子、Ｒ3は構造式（ａ）で表される官能基、Ｒ4は水素原子であり、式（１）中の構造式（ａ）において、Ｒ5はメトキシ基、Ｒ6はメトキシ基、Ｒ7はメチル基、ｎは平均で５である。〕。
【００４８】
〔硬化促進剤ｄ１〕
トリフェニルホスフィン（北興化学社製）。
〔硬化促進剤ｄ２〕
テトラフェニルホスホニウム・テトラフェニルボレート（北興化学社製）。
〔硬化促進剤ｄ３〕
トリフェニルホスフィン−トリフェニルボラン錯体（北興化学社製）。
〔硬化促進剤ｄ４〕
２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール（四国化成社製）。
【００４９】
〔無機質充填剤〕
球状溶融シリカ粉末（平均粒径１３μｍ）。
【００５０】
〔顔料〕
カーボンブラック。
【００５１】
〔難燃剤〕
水酸化マグネシウム。
【００５２】
〔シランカップリング剤〕
３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン。
【００５３】
〔離型剤〕
酸化ポリエチレンワックス。
【００５４】
〔実施例１〜１０、比較例１〜３〕
後記の表１〜表２に示す各成分を同表に示す割合で配合しミキサーにて充分混合した後、２軸混練機を用い１００℃にて２分間溶融混練した。つぎに、この溶融物を冷却した後、固体状になったものを粉末状に粉砕することにより目的とする粉末状エポキシ樹脂組成物を作製した。
【００５５】
このようにして得られた実施例および比較例の各エポキシ樹脂組成物を用い、下記に示す方法に従って、ゲル化時間を測定した。また、上記各エポキシ樹脂組成物を用いて、半導体装置を製造し、このときのワイヤー流れの状況を下記の方法に従って評価した。さらに、作製したサンプル（半導体装置）の高温高湿信頼性の状況を下記の方法に従って評価した。これらの結果を後記の表１〜表２に併せて示す。
【００５６】
〈ゲル化時間〉
１７５℃の熱板上にて各エポキシ樹脂組成物を溶融させ、ゲル化するまでの時間を測定した。硬化性を考慮した場合、一般に、ゲル化時間は６０秒以下が妥当である。
【００５７】
〈ワイヤー流れ〉
各エポキシ樹脂組成物を用い、金線ワイヤー（ワイヤー径２３μｍ、ワイヤー長６ｍｍ）を張ったＬＱＦＰ−１４４（大きさ：２０ｍｍ×２０ｍｍ×厚み１．４ｍｍ）を、ＴＯＷＡ社製の自動成型機（ＣＰＳ−４０Ｌ）により成形（条件：１７５℃×９０秒）し、１７５℃×３時間で後硬化することにより半導体装置を製造した。すなわち、上記半導体装置の作製時において、図１に示すように、ダイパッド１を有するＬＱＦＰ−１４４のパッケージフレームに金線ワイヤー２を張り、これを用い上記エポキシ樹脂組成物により樹脂封止してパッケージを作製した。図１において、３は半導体素子、４はリードピンである。そして、作製したパッケージを軟Ｘ線解析装置を用いて、金線ワイヤー流れ量を測定した。測定は、各パッケージから１０本ずつ金線ワイヤーを選定して測定し、図２に示すように、正面方向からの金線ワイヤー２の流れ量を測定した。そして、金線ワイヤー２の流れ量の最大部分となる値をそのパッケージの金線ワイヤー流れ量の値（ｄｍｍ）とし、金線流れ率〔（ｄ／Ｌ）×１００〕を算出した。なお、Ｌは金線ワイヤー２間の距離（ｍｍ）を示す。そして、上記金線流れ率が６％以上のものを×、６％未満４％以上のものを△、４％未満のものを○として表示した。
【００５８】
〈高温高湿信頼性〉
上記のようにして作製した半導体装置に対して、１３０℃×８５％ＲＨ環境下でのＨＡＳＴ試験（Highly Accelerated Steam and Temperatuer Test：半導体装置を１３０℃×８５％ＲＨの条件下で暴露しながら一定時間毎の抵抗値を測定：バイアスなし）を行なった。そして、ＨＡＳＴ試験処理後の抵抗値の測定を行ない、この抵抗値の上昇率が１０％以上であった場合を断線不良と判定し、この断線不良が発生するＨＡＳＴ処理時間を高温高湿信頼性における信頼性寿命時間とした。
【００５９】
【表１】
2012131902.tif 000005
【００６０】
【表２】
2012131902.tif 000006
【００６１】
上記結果から、実施例品は、いずれも良好な硬化性を示しワイヤー流れに関しても良好な結果が得られた。また、高温高湿信頼性テストにおいても優れた結果が得られた。このことから、信頼性の高い半導体装置が得られたことがわかる。
【００６２】
これに対して、シラン変性フェノール樹脂（Ｃ成分）が配合されていない比較例１品は、高温高湿信頼性テストにおいて非常に劣る評価結果が得られた。また、シラン変性フェノール樹脂（Ｃ成分）の配合量が特定範囲を外れ多すぎる設定である比較例２品は、硬化性に劣り、大きくワイヤー流れが発生してしまった。さらに、シラン変性フェノール樹脂（Ｃ成分）の配合量が特定範囲を外れ少なすぎる設定である比較例３品は、高温高湿信頼性テストにおいて非常に劣る評価結果が得られた。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、成形性および高温高湿信頼性に優れた特性を示すものであり、各種半導体素子の封止材料として有用である。
【図１】
2012131902.tif 000009
【図２】
2012131902.tif 000010