(57)【要約】【課題】従来よりも効率よく接着フィルム層が形成されたデバイスチップを製造できるデバイスチップの製造方法を提供する。【解決手段】分割予定ラインに沿ってウェーハを複数のデバイスチップＣに分割し、粘着テープＴを拡張してデバイスチップＣ間の間隔を広げ、環状フレームＦ内に支持された複数のデバイスチップＣの裏面側に一括でスクリーン印刷によって液状の接着剤３を塗布して接着フィルムを被覆する。ウェーハをデバイスチップＣに分割後、デバイスチップＣの裏面側に一括でスクリーン印刷によって液状の接着剤３を塗布して接着フィルムを被覆するため、従来よりも効率よく接着フィルム層が形成されたデバイスチップＣを製造することができる。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面側にデバイスが形成され裏面側に接着フィルム層が形成されたデバイスチップの製造方法であって、
環状フレームの開口部に支持された粘着テープに、分割予定ラインが設定された表面側に複数のデバイスが形成されたウェーハの該表面側を貼着することによって、該環状フレームの開口部に該ウェーハを支持する工程と、
該分割予定ラインに沿って該ウェーハを複数のデバイスチップに分割する工程と、
該粘着テープを拡張して該デバイスチップ間の間隔を広げる工程と、
該環状フレーム内に支持された複数のデバイスチップの裏面側に一括でスクリーン印刷によって液状の接着剤を塗布して接着フィルムを被覆する工程と、
を含むデバイスチップの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、裏面に接着フィルムが貼着されたデバイスチップの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表面に格子状に配列されたストリートによって区画された領域に半導体素子が配設されているウェーハから、裏面にダイボンディング用の接着フィルムが貼着されたデバイスチップを製造する方法として、特許文献１に記載された方法が提案されている。特許文献１には、ウェーハの表面にストリートに沿って所定深さの溝を形成し、次いでウェーハの表面に保護テープを貼着し、しかる後にウェーハの裏面を研削して当該溝を裏面側から表出させてストリートを分断し、次いでウェーハの裏面全体に渡って接着テープを貼着し、分断されたストリートに沿って粘着テープを分断することが開示されている。粘着テープの分断は、分断されたストリートに沿って粘着テープにレーザ光線を照射することによって遂行することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１１８０８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記特許文献１に記載された方法では、接着フィルム層を切断するのに時間がかかり、作業効率が悪いという問題があった。
【０００５】
本発明は、これらの事実に鑑みて成されたものであって、その主な技術的課題は、従来よりも効率よく接着フィルム層が形成されたデバイスチップを製造できるデバイスチップの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、表面側にデバイスが形成され裏面側に接着フィルム層が形成されたデバイスチップの製造方法に関するもので、環状フレームの開口部に支持された粘着テープに分割予定ラインが設定された表面側に複数のデバイスが形成されたウェーハの表面側を貼着することによって環状フレームの開口部に該ウェーハを支持する工程と、分割予定ラインに沿ってウェーハを複数のデバイスチップに分割する工程と、粘着テープを拡張してデバイスチップ間の間隔を広げる工程と、環状フレーム内に支持された複数のデバイスチップの裏面側に一括でスクリーン印刷によって液状の接着剤を塗布して接着フィルムを被覆する工程とを含む。
【発明の効果】
【０００７】
本発明では、ウェーハをデバイスチップに分割後、デバイスチップの裏面側に一括でスクリーン印刷によって液状の接着剤を塗布して接着フィルムを被覆するため、従来よりも効率よく接着フィルム層が形成されたデバイスチップを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】ウェーハの一例を略示的に示す断面図である。
【図２】ウェーハの表面を粘着テープに貼着して環状フレームによって支持した状態を略示的に示す断面図である。
【図３】ウェーハの内部にレーザ光を集光して改質層を形成する状態を略示的に示す断面図である。
【図４】デバイスチップの間隔を広げる状態を略示的に示す断面図である。
【図５】裏面が研削されたデバイスチップを略示的に示す断面図である。
【図６】デバイスチップの裏面側にレジストを設置した状態を略示的に示す断面図である。
【図７】レジストの上に接着剤を滴下した状態を略示的に示す断面図である。
【図８】デバイスチップの裏面に接着剤を塗布する状態を略示的に示す断面図である。
【図９】接着剤に紫外線を照射して硬化させる状態を略示的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
図１に示すウェーハＷは、表面Ｗ１側に分割予定ラインＬが縦横に設定され、分割予定ラインＬによって区画された領域に複数のデバイスＤが形成されて構成されている。ウェーハＷは特に限定はされないが、例えばシリコンウェーハ、ガリウム砒素、シリコンカーバイド等の半導体ウェーハや、サファイア（Al2O3）系の無機材料ウェーハ等が挙げられる。
【００１０】
（１）ウェーハ支持工程
このように構成されるウェーハＷの表面Ｗ１を、図２に示すように、粘着テープＴに貼着する。粘着テープＴは、環状フレームＦの開口部Ｆ１を塞ぐように貼着されており、ウェーハＷは、開口部Ｆ１に支持された粘着テープＴに貼着されることにより、環状フレームＦの開口部Ｆ１に支持される。
【００１１】
（２）分割工程
次に、分割予定ラインＬに沿ってウェーハＷを分割する。例えば、図３に示すように、分割予定ラインＬに沿ってウェーハＷの内部にレーザ光１を集光することにより改質層２を形成する。そしてその後、改質層２に外力を加えることにより、改質層２を起点として分割予定ラインＬを分断して個々のデバイスチップＣに分割する。外力としては、粘着テープＴを水平方向に伸張させることによりウェーハＷをその面方向に引っぱる力、分割予定ラインＬの両側を下方から支持した状態で分割予定ラインＬに沿って上方から押圧する力などがある。なお、改質層とは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域であり、例えば、溶融処理領域、クラック領域や絶縁破壊領域、屈折率変化領域等があり、これらが混在した領域もある。
【００１２】
分割工程では、分割予定ラインＬに沿って切削ブレードを用いて切断する方法や、分割予定ラインＬに沿って表面Ｗ１からデバイスチップの仕上がり厚さに相当する深さの溝を形成し、裏面Ｗ２を研削してその溝を裏面から表出させることによりデバイスチップに分割する方法などを採ることもできる。
【００１３】
（３）間隔拡張工程
図４に示すように、粘着テープＴを水平方向であるＡ方向（ウェーハＷの面方向）に拡張させることにより、隣り合うデバイスチップＣの間の間隔を広げる。
【００１４】
（４）裏面研削工程
分割工程において、レーザ光を用いて改質層２を形成して改質層２を起点として分割を行った場合は、図５に示すように、２点鎖線で示す元の裏面位置から実線で示す面までデバイスチップＣの裏面を研削することにより、改質層２を除去することが望ましい。かかる裏面研削工程を遂行することにより、個々のデバイスチップＣの抗折強度を向上させることができる。デバイスチップＣの裏面の研削は、図示していないが、例えば、回転する研削砥石をデバイスチップＣの裏面に接触させることにより行う。
【００１５】
（５）接着フィルム被覆工程
次に、図６に示すように、各デバイスチップＣ以外の部分がマスクされデバイスチップＣの裏面のみが露出するようにレジストＲを設置する。そして、図７に示すように、レジストＲの端部に液状樹脂からなるダイボンディング用の接着剤３を滴下する。接着剤３の粘度は、例えば５０００〜１００００ｃｐｓとする。
【００１６】
次いで、図８に示すように、スキージ４をレジストＲに接触させながら矢印Ｂの方向に移動させることにより、液状の接着剤３をデバイスチップＣの裏面に塗布する。また、必要に応じてスキージ４を複数回移動させることにより、デバイスチップＣの裏面に確実かつ一様な厚さで接着剤３を塗布する。こうして、スクリーン印刷技術を利用することにより、各デバイスチップＣに対して一括で接着剤３を塗布することができる。
【００１７】
次に、図９に示すように、レジストＲを除去してから、または除去する前に、接着剤３に紫外線を照射する。そうすると、接着剤３が硬化し、デバイスチップＣの裏面の接着フィルム３’が被覆された状態となる。
【００１８】
以上のように、ウェーハＷを個々のデバイスチップＣに分割した後に、スクリーン印刷によってその裏面に液状の接着剤を塗布し硬化させて接着フィルムを被覆することにより、従来よりも効率よく接着フィルム層が形成されたデバイスチップを製造することができる。また、デバイスチップに分割してから接着剤を塗布するため、ウェーハの状態でその裏面全体に液状の接着剤を塗布するよりも、各デバイスチップごとの接着剤の厚みバラツキを小さくすることができる。
【符号の説明】
【００１９】
Ｗ：ウェーハ  Ｃ：デバイスチップ
Ｗ１：表面  Ｌ：分割予定ライン  Ｄ：デバイス
Ｗ２：裏面
Ｔ：テープ
Ｆ：フレーム  Ｆ１：開口部
Ｒ：レジスト
１：レーザ光  ２：改質層  ３：接着剤  ３’：接着フィルム  ４：スキージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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