(57)【要約】【課題】ＤＵＴ周辺の測定条件にも配慮して、自動で所定の立ち上がり時間（または立ち下がり時間）を確保できる半導体試験装置を実現することにある。【解決手段】  ２以上の電圧発生部が被試験デバイスに電圧信号を出力し、これら電圧信号の出力タイミングを調整する半導体試験装置において、所定の時点から、前記電圧発生部が出力した電圧信号により所定の電圧レベルに達したと検出された時点までの時間を測定する立ち上がり時間測定部と、前記立ち上がり時間測定部が測定した測定時間が予め定められた基準時間よりも長い場合には、当該電圧発生部による出力以降に出力が予定されている他の電圧発生部による電圧信号の出力タイミングを予め定められたタイミングよりも遅らせるコントローラと、を具備することを特徴とする半導体試験装置。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
２以上の電圧発生部が被試験デバイスに電圧信号を出力し、これら電圧信号の出力タイミングを調整する半導体試験装置において、
所定の時点から、前記電圧発生部が出力した電圧信号により所定の電圧レベルに達する時点までの時間を測定する立ち上がり時間測定部と、
前記立ち上がり時間測定部が測定した測定時間が予め定められた基準時間よりも長い場合には、当該電圧発生部による出力以降に出力が予定されている他の電圧発生部による電圧信号の出力タイミングを予め定められたタイミングよりも遅らせるコントローラと、を具備することを特徴とする半導体試験装置。
【請求項２】
前記コントローラは、前記立ち上がり時間測定部が測定した測定時間が予め定められた基準時間よりも長い場合には、予め定められた前記電圧発生部による電圧信号の出力タイミングを少なくとも前記測定時間と前記基準時間との差分の時間分だけ遅らせることを特徴とする請求項１記載の半導体試験装置。
【請求項３】
前記立ち上がり時間測定部は、
前記各電圧発生部から出力された電圧信号により所定の電圧レベルに達したことを検出する電圧検出手段と、
所定の時点から前記電圧検出手段により所定の電圧レベルに達したと検出された時点までの時間を測定する時間測定手段と、
備えたことを特徴とする請求項１または２記載の半導体試験装置。
【請求項４】
前記立ち上がり時間測定部は、前記電圧発生部ごとに設けられたことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半導体試験装置。
【請求項５】
前記２以上の電圧発生部は、受信した前記設定信号に基づき前記被試験デバイスへ直流電圧を供給する直流電圧生成部を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体試験装置。
【請求項６】
前記被試験デバイスへデータ信号を出力する信号出力部を備え、
前記コントローラは、前記測定時間が前記基準時間よりも長い場合には、予め定められた前記データ信号の出力タイミングを遅らせることにより出力タイミングを調整することを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体試験装置。
【請求項７】
前記コントローラは、前記被測定デバイスと前記電圧発生部とが電気的に非接続の状態で前記電圧発生部に電圧信号を出力させ、これら電圧信号の出力タイミングを調整することを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の半導体試験装置。
【請求項８】
前記コントローラは、
前記２以上の電圧発生部のうち第１の電圧発生部の出力した電圧信号により所定の電圧レベルに達してから、前記２以上の電圧発生部のうち第２の電圧発生部の出力により電圧が所定の電圧レベルに達するまでに必要な時間として予め定められた予定待ち時間を記憶する記憶手段を備え、
前記時間測定手段が測定した、前記所定の時点から前記第１の電圧発生部の出力により所定の電圧レベルに達するまでの第１の測定時間と、前記所定の時点から前記第２の電圧発生部の出力により所定の電圧レベルに達するまでの第２の測定時間との差分の時間である実際の待ち時間が、前記予定待ち時間よりも短い場合には、前記第２の電圧発生部による電圧信号の出力タイミングを予め定められたタイミングよりも早めることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の半導体試験装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、２以上の電圧発生部が被試験デバイスに電圧信号を出力し、これら電圧信号の出力タイミングを調整する半導体試験装置に関し、詳しくは、自動で電圧信号の立ち上がりのタイミングを調整する半導体試験装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、性能や品質の保証された半導体集積回路（ＩＣデバイス）を最終製品として出荷するためには、製造部門、検査部門の各工程で半導体集積回路の全部又は一部を抜き取り、電気的特性を検査する必要があり、検査には主に半導体試験装置が用いられる。
半導体試験装置は、半導体集積回路の電気的特性を検査する装置である。半導体試験装置は、被試験デバイスに所定の電圧信号や試験用パターンデータを与え、それによる被試験デバイスの出力データを読み取り、被試験デバイスの基本的動作及び機能に問題が無いか否かを被試験デバイスの出力データから不良情報を解析し、電気的特性を検査する。
【０００３】
ここで、半導体試験装置における試験は直流試験（ＤＣ測定試験）とファンクション試験（ＦＣ測定試験）に大別される。
【０００４】
直流試験はＤＵＴの入出力端子にＤＣ測定手段から所定の電圧又は電流を印加することにより、ＤＵＴの基本的動作に不良が無いかどうかを検査するものである。
この直流試験には、ＤＵＴに電圧を印加してその消費電流を測定する電圧印加電流測定機能試験（ＶＦＩＭ）と、ＤＵＴに電流を印加してその出力電圧を測定する電流印加電圧測定機能試験（ＩＦＶＭ）とがある。半導体試験装置は、通常これら２つの試験をモード切替手段によって切替えて行う。
本発明に係る半導体試験装置は、主に直流試験における電圧信号およびデータ信号の出力タイミングを自動的に調整する半導体試験装置に関するものである。
【０００５】
なお、ファンクション試験はＤＵＴの入力端子にパターン発生手段から所定の試験用パターンデータを与え、それによるＤＵＴの出力データを読み取り、ＤＵＴの基本的動作及び機能に問題が無いかどうかを検査するものである。すなわち、ファンクション試験は、アドレス、データ、書込みイネーブル信号、チップセレクト信号などのＤＵＴの各入力信号の入力タイミングや振幅などの入力条件などを変化させて、その出力タイミングや出力振幅などを試験したりするものである。
【０００６】
図７は従来の半導体試験装置の一実施例の構成ブロック図、図８は図７の半導体試験装置の動作を説明するタイミングチャートである。
図７において、従来の半導体試験装置１００は、予め定められたタイミングに基づいて被試験デバイス（被試験半導体デバイス等。以下、ＤＵＴという）に印加する電圧の設定信号を送信するコントローラ１０１と、コントローラ１０１からの設定信号に基づき所定の電圧となるように制御してＤＵＴへ電源電圧を供給する第１の電源電圧生成部１０２と、コントローラ１０１からの設定信号に基づき所定の電圧となるように制御してＤＵＴへ電源電圧を供給する第２の電源電圧生成部１０３と、コントローラ１０１から受信した設定信号に基づき所定の電圧値になるように制御してＤＵＴへ直流電圧を供給する直流電圧生成部１０４と、コントローラ１０１から受信したデータ設定信号に基づきＤＵＴへＨｉｇｈ、Ｌｏｗの２値をとるような電圧信号（以下、データ信号という）を供給する信号出力部１０５とから構成される。
【０００７】
また、半導体試験装置１００は、コントローラ１０１と第１の電源電圧生成部１０２と相互に接続され、コントローラ１０１からの電圧の設定信号を第１の電源電圧生成部１０２に伝達するための回路である第１の電圧制御部１０６と、コントローラ１０１と第２の電源電圧生成部１０３と相互に接続され、コントローラ１０１からの電圧の設定信号を第２の電源電圧生成部１０２に伝達するための回路である第２の電圧制御部１０７と、コントローラ１０１と直流電圧生成部１０４と相互に接続され、コントローラ１０１からの電圧の設定信号を直流電圧生成部１０４に電圧するための回路である第３の電圧制御部１０８とからも構成される。なお信号出力部１０５は、コントローラ１０１と接続線により電気的に接続される。
【０００８】
コントローラ１０１は、予め出力電圧レベルを変化させるタイミング（たとえば図８におけるＴ１、Ｔ２、Ｔ３など）を記憶する記憶手段を具備し、このタイミング（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３）に基づいて出力すべき電圧信号の電圧の値が所定の値となるような設定信号を送信する設定信号送信手段から構成される。
コントローラ１０１の設定信号送信手段は、各電圧制御部（第１の電圧制御部１０６、第２の電圧制御部１０７、第３の電圧制御部１０８）を経由して、各電圧生成部（第１の電源電圧生成部１０２、第２の電源電圧生成部１０３）に電圧の設定信号を送信する。
【０００９】
またコントローラ１０１の記憶手段は、予め信号出力部１０５がＤＵＴに出力するデータ信号のＨｉｇｈまたはＬｏｗの２値のいずれかを出力するタイミング（たとえば図８におけるＴ４など）を記憶する。
コントローラ１０１の設定信号送信手段は、記憶手段に記憶された予め定められたタイミング（Ｔ４）に基づき、出力すべきデータ信号の値がＨｉｇｈまたはＬｏｗのうち所定の値となるようなデータ設定信号を、信号出力部１０５に送信する。
【００１０】
このような構成で従来の半導体試験装置は、次のような動作を行う。説明には適宜、図８を用いて説明する。
コントローラ１０１の設定信号送信手段は、記憶手段に記憶されているタイミング（図８におけるＴ１）に基づき、当該タイミングにおいて出力すべき電圧信号の電圧の値が所定の値となるような設定信号を、第１の電圧制御部１０６を経由して第１の電源電圧生成部１０２に送信する。
第１の電源電圧生成部１０２は、受信した設定信号に基づいて、所定の電圧（たとえばＶ１（５Ｖ））となるように制御してＤＵＴへ電源電圧を供給する。
【００１１】
コントローラ１０１の設定信号送信手段は、記憶手段に記憶されたタイミング（図８におけるＴ２）に基づき、当該タイミングにおいて出力すべき電圧信号の電圧の値が所定の値となるような設定信号を第２の電圧制御部１０７を介して第２の電源電圧生成部１０３に送信する。
第２の電源電圧生成部１０３は、受信した設定信号に基づいて、所定の電圧（たとえばＶ２（３．３Ｖ））となるように制御してＤＵＴへ電源電圧を供給する。
【００１２】
コントローラ１０１の設定信号送信手段は、記憶手段に記憶されたタイミング（図８におけるＴ３）に基づき、当該タイミングにおいて出力すべき直流電圧信号の電圧の値が所定の値となるような設定信号を第３の電圧制御部１０８を経由して直流電圧生成部１０４に送信する。
直流電圧生成部１０４は、受信した設定信号に基づいて、所定の電圧（たとえばＶ３（２Ｖ））となるように制御してＤＵＴへ電源電圧を供給する。
【００１３】
また、コントローラ１０１の設定信号送信手段は、記憶手段に記憶されたタイミング（図８におけるＴ４）に基づき、データ設定信号を信号出力部１０５に送信する。
信号出力部１０５は、受信したデータ設定信号に基づいて、所定のデータの値（ＨｉｇｈまたはＬｏｗ）となるように制御してＤＵＴへ電源電圧を供給する。
【００１４】
このように、従来の半導体試験装置は、その際に、第１の電源電圧生成部１０２→第２の電源電圧生成部１０３→直流電圧生成部１０４の順に、電圧信号をＤＵＴに出力し、その後信号出力部１０５がデータ設定信号をＤＵＴに送信して、テストを実行する。
コントローラ１０１は、ＤＵＴからの出力データ（時間情報も含む）を読み取り、ＤＵＴの基本的動作及び機能に問題が無いかどうかをＤＵＴの出力データおよび、予め記憶された定義情報とを比較して不良情報を解析し、電気的特性を検査する。
【００１５】
なお、従来の半導体試験装置は、第２の電源電圧生成部１０３と直流電圧生成部１０４の順番が確定していない場合、もしくは逆転すると、寄生ダイオードの経路にて導通が発生したり、ラッチアップが発生したりすることがあり、その結果ＤＵＴ破壊につながる重大な影響を与えることがあった。
【００１６】
例えば従来の半導体試験装置に関連する先行技術文献として下記の特許文献１がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】特開平６−１４８２６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
しかしながら、従来の半導体試験装置は、次のような問題点があった。
従来の半導体試験装置は、電源信号においては電源電圧レベルの安定性向上を目的とするために負荷コンデンサを装着するのであるが、近年の電源電圧レベルの低電圧化、大電流化に伴い、重要度が高くなりコンデンサ定数が大きくなる傾向にある。
この為に、各テスト条件においてＤＵＴの入力信号レベルをオシロスコープなどで複数の信号を手動確認しながら検証している状況があり、機材の準備をしなくてはならないという問題点や、検証期間が必要となるといった問題点があった。
すなわち、このような検証に関して周辺回路を含めた検証が必要であり、結果的にアプリケーション・プログラムの確認に時間を費やす必要があるという問題点があった。つまり、テスト開発において、電圧起動シーケンスの検証作業が発生し、手間がかかる（相応する工数が必要である）という問題点があった。
【００１９】
また、従来の半導体試験装置は、負荷コンデンサへの配慮や電流制限レベルによっては意図しない立ち上がり時間となり、テストの信頼性に欠ける、という問題点があった。
【００２０】
具体的には、複数電源電圧や直流電圧の電源起動シーケンスにおいては、規定順（第１の電源電圧生成部１０２→第２の電源電圧生成部１０３→直流電圧生成部１０４の順）に起動できない場合には、内部の誤動作やＤＵＴの破壊につながることもあり、テストの信頼性にかけるという問題点があった。
【００２１】
たとえば、従来の半導体試験装置では、図８のように、第２の電源電圧生成部１０３による電圧の立ち上がりが、予定されていた時間よりも、Δｔだけ遅れる場合があり、この場合は、複数電源電圧や直流電圧の電源起動シーケンスの規定順である、第２の電源電圧生成部１０３→直流電圧生成部１０４の順に電源を起動できず、内部の誤動作やＤＵＴの破壊につながることもあり、テストの信頼性にかけるという問題点があった。
【００２２】
本発明は、このような問題点を解決するものであり、その目的は、ＤＵＴ周辺の測定条件にも配慮して、自動で所定の立ち上がり時間（または立ち下がり時間）を確保できる半導体試験装置を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上記目的を達成するために、本発明のうち請求項１に記載の発明は、
２以上の電圧発生部が被試験デバイスに電圧信号を出力し、これら電圧信号の出力タイミングを調整する半導体試験装置において、
所定の時点から、前記電圧発生部が出力した電圧信号により所定の電圧レベルに達する時点までの時間を測定する立ち上がり時間測定部と、
前記立ち上がり時間測定部が測定した測定時間が予め定められた基準時間よりも長い場合には、当該電圧発生部による出力以降に出力が予定されている他の電圧発生部による電圧信号の出力タイミングを予め定められたタイミングよりも遅らせるコントローラと、を具備することを特徴とする半導体試験装置。
【００２４】
請求項２記載の発明は、請求項１記載の半導体試験装置において、
記コントローラは、前記立ち上がり時間測定部が測定した測定時間が予め定められた基準時間よりも長い場合には、予め定められた前記電圧発生部による電圧信号の出力タイミングを少なくとも前記測定時間と前記基準時間との差分だけ遅らせることを特徴とする。
【００２５】
請求項３記載の発明は、請求項１または２に記載の半導体試験装置において、
前記立ち上がり時間測定部は、前記各電圧発生部から出力された電圧信号により所定の電圧レベルに達したことを検出する電圧検出手段と、所定の時点から前記電圧検出手段により所定の電圧レベルに達したと検出された時点までの時間を測定する時間測定手段と、
備えたことを特徴とする。
【００２６】
請求項４記載の発明は、請求項１〜３のいずれかに記載の半導体試験装置において、
前記立ち上がり時間測定部は、前記電圧発生部ごとに設けられたことを特徴とする。
【００２７】
請求項５記載の発明は、請求項１〜４のいずれかに記載の半導体試験装置において、
前記２以上の電圧発生部は、受信した前記設定信号に基づき前記被試験デバイスへ直流電圧を供給する直流電圧生成部を含むことを特徴とする。
【００２８】
請求項６記載の発明は、請求項１〜５のいずれかに記載の半導体試験装置において、
前記被試験デバイスへデータ信号を出力する信号出力部を備え、
前記コントローラは、前記測定時間が前記基準時間よりも長い場合には、予め定められた前記データ信号の出力タイミングを遅らせることにより出力タイミングを調整することを特徴とする。
【００２９】
請求項７記載の発明は、請求項１〜６のいずれかに記載の半導体試験装置において、
前記コントローラは、前記被測定デバイスと前記電圧発生部とが電気的に非接続の状態で前記電圧発生部に電圧信号を出力させ、これら電圧信号の出力タイミングを調整することを特徴とする。
【００３０】
請求項８記載の発明は、請求項１〜７のいずれかに記載の半導体試験装置において、
前記コントローラは、
前記２以上の電圧発生部のうち第１の電圧発生部の出力した電圧信号により所定の電圧レベルに達してから、前記２以上の電圧発生部のうち第２の電圧発生部の出力により電圧が所定の電圧レベルに達するまでに必要な時間として予め定められた予定待ち時間を記憶する記憶手段を備え、
前記時間測定手段が測定した、前記所定の時点から前記第１の電圧発生部の出力により所定の電圧レベルに達するまでの第１の測定時間と、前記所定の時点から前記第２の電圧発生部の出力により所定の電圧レベルに達するまでの第２の測定時間との差分の時間である実際の待ち時間が前記予定待ち時間よりも短い場合には、前記第２の電圧発生部による電圧信号の出力タイミングを予め定められたタイミングよりも早めることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３１】
請求項１〜７によれば、所定の時点から、電圧発生部が出力した電圧信号により所定の電圧レベルに達する時点までの時間を測定する立ち上がり時間測定部と、立ち上がり時間測定部が測定した測定時間が予め定められた基準時間よりも長い場合には、当該電圧発生部による出力以降に出力が予定されている他の電圧発生部による電圧信号の出力タイミングを予め定められたタイミングよりも遅らせるコントローラ、を具備することより、ＤＵＴ周辺の測定条件にも配慮して自動で所定の立ち上がり時間を確保できる。
【００３２】
また、請求項１〜７によれば、上述のような構成とすることで、ＤＵＴと接続していない状態で出力タイミングの調整を行うことにより、電圧立ち上げシーケンスの起動順がＤＵＴ以外の条件によって影響を受けることなくテストの前に確定されることができる点で有効である。
【００３３】
請求項８によれば、時間測定手段が測定した、所定の時点から第１の電圧発生部の出力により所定の電圧レベルに達するまでの第１の測定時間と、所定の時点から第２の電圧発生部の出力により所定の電圧レベルに達するまでの第２の測定時間との差分の時間である実際の待ち時間が、予定待ち時間よりも長い（定義情報に冗長な待ち時間がある）場合には、電圧発生部による電圧信号の出力タイミングを早めることにより、テスト期間を短縮化できる点で有効である。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の半導体試験装置の一実施例を示す構成説明図である。
【図２】図１の半導体試験装置の動作を説明するフロー図である。
【図３】図１の半導体試験装置の動作を説明するタイミングチャートである。
【図４】本発明に係る半導体試験装置の他の実施例の構成ブロック図である。
【図５】図４の半導体試験装置の動作を説明するフロー図である。
【図６】図４の半導体試験装置の動作を説明するタイミングチャートである。
【図７】従来の半導体試験装置の一実施例の構成ブロック図である。
【図８】図７の半導体試験装置の動作を説明するタイミングチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００３５】
＜第１の実施例＞
以下、図面を参照して、本発明を詳細に説明する。図１は本発明の半導体試験装置の一実施例を示す構成ブロック図、図２は図１の半導体試験装置の動作を説明するフロー図、図３は図１の半導体試験装置の動作を説明するタイミングチャートであり、図７と共通する部分は適宜説明を省略する。
【００３６】
図１、図２および図３と、図７、図８との相違点は、所定の時点から、各電圧発生部（第１の電源電圧生成部、第２の電源電圧生成部、直流電圧生成部）が出力した電圧信号により所定の電圧レベルに達したと検出された時点までの時間を測定する立ち上がり時間測定部と、立ち上がり時間測定部が測定した測定時間が予め定められた基準時間よりも長い場合には、当該電圧発生部による出力以降に出力が予定されている他の電圧発生部による電圧信号の出力タイミングを遅らせて（例えば少なくとも測定時間と基準時間との差分の時間分だけ遅らせて）出力タイミングを調整するコントローラとを具備する点である。
【００３７】
（構成の説明）
図１において、半導体試験装置２００は、予め定められたタイミングに基づいてＤＵＴに印加する電圧の設定信号を送信し、ＤＵＴ周辺の測定条件に配慮して、自動で所定の電圧信号の出力タイミングを調整するコントローラ２０１と、コントローラ２０１からの設定信号に基づき所定の電圧となるように制御してＤＵＴへ電源電圧を供給する第１の電源電圧生成部２０２と、コントローラ２０１からの設定信号に基づき所定の電圧となるように制御してＤＵＴへ電源電圧を供給する第２の電源電圧生成部２０３と、コントローラ２０１から受信した設定信号に基づき所定の電圧値になるように制御してＤＵＴへ直流電圧を供給する直流電圧生成部２０４と、コントローラ２０１から受信したデータ設定信号に基づきＤＵＴへＨｉｇｈ、Ｌｏｗの２値をとるような電圧信号（以下、データ信号という）を供給する信号出力部２０５とから構成される。
【００３８】
半導体試験装置２００は、コントローラ２０１からの電圧の設定信号を第１の電源電圧生成部２０２に伝達するための回路であってコントローラ２０１と第１の電源電圧生成部２０２と相互に接続される第１の電圧制御部２０６と、コントローラ２０１からの電圧の設定信号を第２の電源電圧生成部２０２に伝達するための回路であってコントローラ２０１と第２の電源電圧生成部２０３と相互に接続される第２の電圧制御部２０７と、コントローラ２０１からの電圧の設定信号を直流電圧生成部２０４に電圧するための回路であってコントローラ２０１と直流電圧生成部２０４と相互に接続される第３の電圧制御部２０８とからも構成される。なお信号出力部２０５は、コントローラ２０１と接続線により電気的に接続される。
【００３９】
半導体試験装置２００は、所定の時点から、第１の電源電圧生成部２０１が出力した電圧信号により所定の電圧レベルに達したと検出された時点までの時間を測定する立ち上がり時間測定部２０９からも構成される。
また、半導体試験装置２００は、所定の時点から、第２の電源電圧生成部２０２が出力した電圧信号により所定の電圧レベルに達したと検出された時点までの時間を測定する立ち上がり時間測定部２１０からも構成される。
さらに、半導体試験装置２００は、所定の時点から、直流電圧生成部２０４が出力した電圧信号により所定の電圧レベルに達したと検出された時点までの時間を測定する立ち上がり時間測定部２１１からも構成される。
【００４０】
（主な構成要素の説明）
立ち上がり時間測定部２０９は、第１の電源電圧生成部２０１から出力された電圧信号により所定の電圧レベルに達したことを検出する電圧検出手段２０９ａと、所定の時点から電圧検出手段２０９ａにより所定の電圧レベルに達したと検出された時点までの時間を測定する時間測定手段２０９ｂとから構成される。
【００４１】
電圧検出手段２０９ａは、ＤＵＴからの信号を電圧測定バッファ２１２ａを経由して所定の電圧レベルの立ち上がりを検出する為の電圧検出回路２１９ａと、電圧検出回路２０９ａが電圧の立ち上がりを検出するための所定の電圧の基準レベル（たとえばＶｔｈ１）を供給する電圧比較基準レベル回路２１９ｂとを有している。
なお、この電圧検出手段２０９ａは、従来から半導体試験装置１００の構成要素として存在しており、本発明においては、この電圧検出手段により検出された電圧の立ち上がりに基づき時間測定する時間測定手段を設けた点が新規な点である。
【００４２】
時間測定手段２０９ｂは、所定の時点から電圧検出手段２０９ａにより所定の電圧レベルに達したと検出された時点までの時間を測定する時間測定回路２２９ａと、時間の測定を開始するためのコントローラ２０１から出力される基準信号（Ｔｒｇ信号）を受信する時間測定基準レベル回路２２９ｂとから構成される。
時間測定回路２２９ａは、時間測定基準レベル回路２２９ｂがコントローラ２０１からのＴｒｇ信号を受信してから、所定の電圧レベルに達する時点までの時間を測定する。
【００４３】
立ち上がり時間測定部２１０は、第２の電源電圧生成部２０２から出力された電圧信号により所定の電圧レベルに達したことを検出する電圧検出手段２１０ａと、所定の時点から電圧検出手段２１０ａにより所定の電圧レベルに達したと検出された時点までの時間を測定する時間測定手段２１０ｂとから構成される。
【００４４】
電圧検出手段２１０ａは、ＤＵＴからの信号を電圧測定バッファ２１２ｂを経由して所定の電圧レベルの立ち上がりを検出する為の電圧検出回路２２０ａと、電圧検出回路２１０ａが電圧の立ち上がりを検出するための所定の電圧の基準レベル（たとえばＶｔｈ２）となる電圧比較基準レベル回路２２０ｂとを有している。
【００４５】
時間測定手段２１０ｂは、所定の時点から電圧検出手段２１０ａにより所定の電圧レベルに達したと検出された時点までの時間を測定する時間測定回路２３０ａと、時間の測定を開始するためのコントローラ２０１から出力される基準信号（Ｔｒｇ信号）を受信する時間測定基準レベル回路２３０ｂとから構成される。
時間測定回路２３０ａは、時間測定基準レベル回路２３０ｂがコントローラ２０１からのＴｒｇ信号を受信してから、所定の電圧レベルに達する時点までの時間を測定する。
【００４６】
立ち上がり時間測定部２１１は、直流電圧生成部２０４から出力された電圧信号により所定の電圧レベルに達したことを検出する電圧検出手段２１１ａと、所定の時点から電圧検出手段２１１ａにより所定の電圧レベルに達したと検出された時点までの時間を測定する時間測定手段２１１ｂとから構成される。
【００４７】
電圧検出手段２１１ａは、ＤＵＴからの信号を電圧測定バッファ２１２ｃを経由して所定の電圧レベルの立ち上がりを検出する為の電圧検出回路２２１ａと、電圧検出回路２１１ａが電圧の立ち上がりを検出するための所定の電圧基準レベル（たとえばＶｔｈ３）となる電圧比較基準レベル回路２２１ｂとを有している。
【００４８】
時間測定手段２１１ｂは、所定の時点から電圧検出手段２１１ａにより所定の電圧レベルに達したと検出された時点までの時間を測定する時間測定回路２３１ａと、時間の測定を開始するためのコントローラ２０１から出力される基準信号（Ｔｒｇ信号）を受信する時間測定基準レベル回路２３１ｂとから構成される。
時間測定回路２３１ａは、時間測定基準レベル回路２３１ｂがコントローラ２０１からのＴｒｇ信号を受信してから、所定の電圧レベルに達する時点までの時間を測定する。
【００４９】
なお、立ち上がり時間測定部は、図１のように電圧発生部ごとに設けられるものでもよいが、１個の立ち上がり時間測定部が、複数の電圧発生部により出力された電圧信号により所定の電圧レベルに達したと検出された時点までの時間（以下、測定時間という）を測定するものでもよい。
たとえば、立ち上がり時間測定部２０９が、第１の電源電圧生成部２０１、第２の電源電圧生成部２０２により、出力された電圧信号により所定の電圧レベルに達したと検出された時点までの時間をそれぞれ測定するものでもよい。
【００５０】
コントローラ２０１は、立ち上がり時間測定部２０９、２１０、２１１が測定した測定時間が予め定められた基準時間よりも長い場合には、各電圧発生部による電圧信号の出力タイミングを遅らせて（例えば、少なくとも測定時間と基準時間との差分の時間分は遅らせて）、出力タイミングを調整する調整手段２０１ａを具備する。
つまり、コントローラ２０１は、定義された時間情報と、各立ち上がり時間測定部２０９、２１０、２１１で得られた測定時間とを比較して電圧の出力タイミングを調整する。
【００５１】
また、コントローラ２０１は、予め定義された複数の電圧レベルの電圧信号を出力するタイミング（たとえば図３のＴ１、Ｔ２、Ｔ３）、および、予め定義された所定の時点から複数の電圧レベルの電圧信号が立ち上がるまでの時間（以下、基準時間という）を予め記憶する記憶手段２０１ｂを具備する。
【００５２】
さらに、コントローラ２０１は、上述のタイミング（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３）に基づき出力すべき電圧信号の電圧の値が所定の値となるような設定信号を送信する設定信号送信手段２０１ｃからも構成される。
【００５３】
設定信号送信手段２０１ｃは、各電圧制御部（第１の電圧制御部２０６、第２の電圧制御部２０７、第３の電圧制御部２０８）を経由して、各電圧生成部（第１の電源電圧生成部２０２、第２の電源電圧生成部２０３）に電圧の設定信号を送信する。
【００５４】
コントローラ２０１の記憶手段２０１ｂは、予め信号出力部２０５がＤＵＴに出力するデータ信号のＨｉｇｈまたはＬｏｗの２値のいずれかを出力するタイミング（たとえば図２におけるＴ４など）を記憶する。
コントローラ２０１の設定信号送信手段２０１ｃは、記憶手段２０１ｂに記憶された予め定められたタイミング（Ｔ４）に基づき、出力すべきデータ信号の値がＨｉｇｈまたはＬｏｗのうち所定の値となるようなデータ設定信号を、信号出力部２０５に送信する。
【００５５】
なお電圧測定部における電圧検出はアナログ的な検出、及びＡＤ変換後のディジタルコードでの検出であり、Ｔｒｇ信号による時間測定に関しての実現の方法、構成について、上述のものに限定するものではなく、これらを実現できるものであればどのような構成であってもよい。
【００５６】
また、立ち上がり時間測定部２０９、２１０は、第１の電圧制御部２０６、２０７を構成するものであってもよい。
【００５７】
（動作の説明）
このような構成で、本発明の半導体試験装置は、次の動作を行う。以下図２を用いて説明する。本発明の動作について大まかに述べると、本発明の半導体装置は、図２のフローチャートに基づき、ＤＵＴがない状態にて、テストの先頭もしくは同一品種をテストする先頭に実行して、制御対象ソースの電圧レベルを測定し、所定の時点から所定の電圧レベルに達したと検出された時点までの時間を測定して、指定された条件を満たさない場合には、定義された時間情報を満たすようなシーケンス時間に情報変更する（電圧信号の出力タイミングを調整する）。
なお、遅延する要素がＤＵＴではなく、装置側、及び周辺回路に依存することが多くＤＵＴ毎にデータを取得する必要がないため、テスト時間に与える影響は限定的である。
【００５８】
具体的には、本発明の半導体装置は、次のような動作を行う。
図２において、ステップＳ１０１において、コントローラ２０１の記憶手段２０１ｂは、各電圧制御部（第１の電圧制御部２０６、第２の電圧制御部２０７、第３の電圧制御部２０８）を経由し、各電圧生成部（第１の電源電圧生成部２０２、第２の電源電圧生成部２０３、直流電圧生成部２０４）予め出力電圧レベルを変化させるタイミング（たとえば図３におけるＴ１、Ｔ２、Ｔ３など）を記憶する。
【００５９】
そして、以下のステップＳ１０２〜Ｓ１０８のように、コントローラ２０１は、ＤＵＴと電圧発生部とが電気的に非接続の状態で、制御対象ソースの電圧レベルを測定し、所定の時点から所定の電圧レベルに達する時点までの時間をそれぞれ測定する。
【００６０】
具体的には、ステップＳ１０２において、コントローラ２０１の設定信号送信手段２０１ｃは、記憶手段２０１ｂに記憶されたタイミング（図３におけるＴ１）に基づき、当該タイミングにおいて出力すべき電圧信号の電圧の値が所定の値（Ｖ１）となるような設定信号を、第１の電圧制御部２０６を経由して第１の電源電圧生成部２０２に送信する。
第１の電源電圧生成部２０２は、受信した設定信号に基づいて、所定の電圧（たとえばＶ１（５Ｖ））となるように制御してＤＵＴへ電源電圧を供給する。
【００６１】
ステップＳ１０３において、立ち上がり時間測定部２０９は、所定の電圧基準レベルＴｔｈ１に基づき、第１の電源電圧生成部２０１から出力された電圧信号により所定の電圧レベル（Ｖ１）に達したことを検出する。
また、立ち上がり時間測定部２０９は、所定の時点（Ｔ０）から、所定の電圧レベルに達したと検出された時点までの時間を測定し、測定結果を示す信号をコントローラ２０１に送信する。
【００６２】
具体的には、立ち上がり時間測定部２０９の時間測定手段２０９ｂは、測定を開始するためのコントローラ２０１から出力される基準信号を受信すると、受信した基準信号に基づいて所定の時点（Ｔ０）から測定を開始する。
立ち上がり時間測定部２０９の電圧検出手段２０９ａは、ＤＵＴからの信号を電圧測定バッファ２１２ａを介して受信すると、電圧比較基準レベル回路２１９ｂに基づいて、所定の電圧レベルの立ち上がりを検出する。
立ち上がり時間測定部２０９の時間測定手段２０９ｂは、電圧検出手段２０９ａにより所定の電圧レベルに達したと検出された時点までの時間を測定する時間測定を行う。
立ち上がり時間測定部２０９は、測定された時間（測定時間）を示す情報をコントローラ２０１に送信する。
【００６３】
ステップＳ１０４において、コントローラ２０１の設定信号送信手段２０１ｃは、記憶手段２０１ｂに記憶されているタイミング（図３におけるＴ２）に基づき、当該タイミングにおいて出力すべき電圧信号の電圧の値が所定の値（Ｖ２）となるような設定信号を、第２の電圧制御部２０７を経由して第２の電源電圧生成部２０２に送信する。
第２の電源電圧生成部２０３は、受信した設定信号に基づいて、所定の電圧（たとえばＶ２（３．３Ｖ））となるように制御してＤＵＴへ電源電圧を供給する。
【００６４】
ステップＳ１０５において、立ち上がり時間測定部２１０は、所定の電圧基準レベルＴｔｈ２に基づき、第２の電源電圧生成部２０３から出力された電圧信号により所定の電圧レベル（Ｖ２）に達したことを検出する。
また、立ち上がり時間測定部２１０は、所定の時点（Ｔ０）から、所定の電圧レベルに達したと検出された時点までの時間を測定し、測定結果を示す信号をコントローラ２０１に送信する。
【００６５】
具体的には、立ち上がり時間測定部２１０の時間測定手段２１０ｂは、測定を開始するためのコントローラ２０１から出力される基準信号を受信すると、受信した基準信号に基づいて所定の時点（Ｔ０）から測定を開始する。
立ち上がり時間測定部２１０の電圧検出手段２１０ａは、ＤＵＴからの信号を電圧測定バッファ２１２ｂを介して受信すると、電圧比較基準レベル回路２３０ｂに基づいて、所定の電圧レベルの立ち上がりを検出する。
立ち上がり時間測定部２１０の時間測定手段２１０ｂは、電圧検出手段２１０ａにより所定の電圧レベルに達したと検出された時点までの時間を測定する時間測定を行う。
立ち上がり時間測定部２１０は、測定された時間（測定時間）を示す情報をコントローラ２０１に送信する。
【００６６】
ステップＳ１０６において、コントローラ２０１の設定信号送信手段２０１ｃは、記憶手段２０１ｂに記憶されているタイミング（図３におけるＴ３）に基づき、当該タイミングにおいて出力すべき電圧信号の電圧の値が所定の値（Ｖ３）となるような設定信号を、第３の電圧制御部２０８を経由して直流電圧生成部２０４に送信する。
直流電圧生成部２０４は、受信した設定信号に基づいて、所定の電圧（たとえばＶ３（２Ｖ））となるように制御してＤＵＴへ電源電圧を供給する。
【００６７】
ステップＳ１０７において、立ち上がり時間測定部２１１は、第３の電源電圧生成部２０８から出力された電圧信号により所定の電圧レベル（Ｖ３）に達したことを検出する。  また、立ち上がり時間測定部２１１は、所定の時点（Ｔ０）から、所定の電圧レベルに達したと検出された時点までの時間を測定し、測定結果を示す信号をコントローラ２０１に送信する。
【００６８】
具体的には、立ち上がり時間測定部２１１の時間測定手段２１１ｂは、測定を開始するためのコントローラ２０１から出力される基準信号を受信すると、受信した基準信号に基づいて所定の時点（Ｔ０）から時間を測定し始める。
立ち上がり時間測定部２１１の電圧検出手段２１１ａは、ＤＵＴからの信号を電圧測定バッファ２１２ｃを介して受信すると、電圧比較基準レベル回路２３１ｂに基づいて、所定の電圧レベルの立ち上がりを検出する。
立ち上がり時間測定部２１１の時間測定手段２１１ｂは、電圧検出手段２１１ａにより所定の電圧レベルに達したと検出された時点までの時間を測定する時間測定を行う。
立ち上がり時間測定部２１１は、測定された時間（測定時間）を示す情報をコントローラ２０１に送信する。
【００６９】
ステップＳ１０８において、コントローラ２０１の設定信号送信手段２０１ｃは、記憶手段２０１ｂに記憶されているタイミング（図３におけるＴ４）に基づき、データ設定信号を信号出力部２０５に送信する。
信号出力部２０５は、受信したデータ設定信号に基づいて、所定のデータの値（ＨｉｇｈまたはＬｏｗ）となるように制御してＤＵＴへ電源電圧を供給する。
【００７０】
つまり、本発明の半導体試験装置は、これらのステップＳ１０２〜Ｓ１０８のように、ＤＵＴと電圧発生部とが電気的に非接続の状態で、制御対象ソースの電圧レベルを測定し、所定の時点から所定の電圧レベルに達する時点までの時間を測定する。
【００７１】
ステップＳ１０９において、コントローラ２０１の調整手段２０１ａは、立ち上がり時間測定部２０９、２１０、２１１が測定した測定時間と予め定められた基準時間とを比較する。
調整手段２０１ａは、測定時間が予め定義された基準時間よりも長い場合（いいかえれば、定義情報を満足しない場合）には、ステップＳ１１０に移行する。
調整手段２０１ａは、測定時間が予め定義された基準時間と等しいか短い場合（いいかえれば、定義情報を満足する場合）には、処理を終了する。
【００７２】
ステップＳ１１０において、コントローラ２０１の調整手段２０１ａは、立ち上がり時間測定部２０９、２１０、２１１が測定した測定時間と予め定められた基準時間とを比較し、測定時間が基準時間よりも長い場合には、当該電圧発生部による出力以降に出力が予定されている他の電圧発生部による電圧信号の出力タイミングをそれぞれ遅らせて（例えば少なくとも測定時間と基準時間との差分の時間分は遅らせて）、出力タイミングを調整する。
【００７３】
たとえば、図３のように、記憶手段２０１ｂには、第１の電源電圧生成部２０２、第２の電源電圧生成部２０３、直流電圧生成部２０４、信号出力部２０５による電圧の立ち上がりまでの時間間隔がそれぞれΔｔ１、Δｔ２、Δｔ３だけ確保するように電圧信号の出力タイミング（Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３、Ｔ４）が定義されているものとする。
【００７４】
ここで、第２の電源電圧生成部２０３による電圧の立ち上がりが基準時間よりも、Δｔ２´だけ遅れているものとする。
Δｔ２´分の遅れにより、本来、記憶手段２０１ｂに記憶されている、第２の電源電圧生成部２０３による電圧の立ち上がりから直流電圧生成部２０４による電圧の立ち上がりまでの時間間隔Δｔ２が確保できていないことになる。
【００７５】
この場合、調整手段２０１ａは、第２の電源電圧生成部２０３による電圧信号の出力以降に、シーケンス的に電圧信号の出力が予定されている直流電圧生成部２０４の出力タイミングをΔｔ２´だけ遅らせてＴ３´とし、信号出力部２０５の出力タイミングをΔｔ２´だけ遅らせてＴ４´としてタイミング調整を行う。
つまり、調整手段２０１ａは、第２の電源電圧生成部２０３による電圧の立ち上がった時点から、本来予定されていたΔｔ２が確保できるように、出力タイミングをＴ３´に調整する。
【００７６】
さらに別の事例を挙げて説明する（図示せず）。例えば第２の電源電圧生成部２０３により出力された電圧信号の立ち上がりが基準時間よりも、Δｔ２´だけ遅れ、さらに直流電圧生成部２０４の立ち上がりが基準時間よりも、Δｔ３´だけ遅れているものとする。
この場合、調整手段２０１ａは、第２の電源電圧生成部２０３の出力以降、シーケンス的に電圧信号の出力が予定されている直流電圧生成部２０４の出力タイミングをΔｔ２´だけ遅らせてＴ３´´とし、信号出力部２０５の出力タイミングをΔｔ２´＋Δｔ３´だけ遅らせてＴ４´´としてタイミング調整を行う。
【００７７】
このように、本発明の半導体試験装置は、所定の時点から、電圧発生部が出力した電圧信号により所定の電圧レベルに達したと検出された時点までの時間を測定する立ち上がり時間測定部と、立ち上がり時間測定部が測定した測定時間が予め定められた基準時間よりも長い場合には、当該電圧発生部による出力以降に出力が予定されている他の電圧発生部による電圧信号の出力タイミングを予め定められたタイミングよりも遅らせるコントローラと、を具備することより、ＤＵＴ周辺の測定条件にも配慮して、自動で所定の立ち上がり時間を確保できる。
【００７８】
また、本発明の半導体試験装置であれば、上述のような構成とすることで、ＤＵＴと接続していない状態で出力タイミングの調整を行うことにより、電圧立ち上げシーケンスの起動順がＤＵＴ以外の条件によって影響を受けることなくテストの前に確定されることができる点で有効である。
【００７９】
このため、本発明の半導体試験装置であれば、上述のような構成とすることで、従来のように電圧信号の出力のタイミングを、各テスト条件においてＤＵＴの入力信号レベルをオシロスコープなどで複数の信号を手動確認しながら検証したり、機材の準備をしたりしなくてはならないという問題点や、検証期間が必要となるといった問題点が解消することができる。
つまり、本発明の半導体試験装置であれば、テスト開発において、電圧起動シーケンスの検証作業が発生するという従来の問題点が回避でき、自動取得可能となり工数削減に寄与できる。
【００８０】
また、本発明の半導体試験装置であれば、上述のような構成とすることで、従来のように負荷コンデンサへの配慮不足や電流制限レベルによっては意図しない立ち上がり時間となっていても予め定められた起動シーケンスが確保でき、テストの信頼性が向上するという点で有効である。
【００８１】
なお、本発明の半導体試験装置は、立ち上がり時間測定部が、複数の電圧生成部の共有回路となっている場合にあっては、対象の信号を１回で測定できなくても、Ｔｒｇ信号に同期していれば複数回にわたって測定するものであってもよい。
【００８２】
また、本発明の半導体試験装置は、立ち上がり時間測定部が、所定の時点から各電圧発生部が出力した電圧信号により所定の電圧レベルに達したと検出された時点（電圧の立ち上がり）までの時間を測定するとしているが、特にこれに限定するものではなく、電圧の立ち下がりまでの時間を測定するものでもよい。
また、本発明の半導体試験装置は、立ち上がり時間測定部が、所定の時点から各電圧発生部が出力した電圧信号により所定の電圧レベルに達したと検出された時点（電圧の立ち上がり）までの時間を測定するなどの、起動シーケンスに着目して説明しているが、特にこれに限定するものではなく、停止シーケンスにおいて電圧の立ち下がりまでの時間を測定するものでもよい。
【００８３】
また、本発明の半導体試験装置は、上記の実現にあたり電圧測定精度は必要なく、立ち上がり時間のレベルは一般的に数１００μｓ〜数ｍｓレベルであるため、電圧測定バッファ、電圧検出部材の追加は費用・面積ともに容易に実現可能である。
また、時間測定に関しても精度が必要ないことから、ＦＰＧＡなどにより小型、かつ安価にて実現可能である。
【００８４】
＜第２の実施例＞
本発明の半導体試験装置は、第１の実施例の構成に限定するものではなく、テスト時間の短縮目的においても流用を可能とするものでもよい。
【００８５】
従来の半導体試験装置では、各リソースの時間バラツキや、負荷条件を考慮して待ち時間にマージンを持って設定する場合が多く、テスト時間が長くなってしまうという問題点があった。これに加え、負荷コンデンサへの配慮や電流制限レベルによっては電圧の立ち上がりに要する時間が意図しない立ち上がり時間となれば、さらにテスト時間が長期化してしまうという問題点があった。
【００８６】
このような問題点を解消するべく、本発明の半導体試験装置は、時間測定手段が測定した、所定の時点から第１の電圧発生部の出力により所定の電圧レベルに達するまでの第１の測定時間と、所定の時点から第２の電圧発生部の出力により所定の電圧レベルに達するまでの第２の測定時間との差分の時間である実際の待ち時間が、予め定義された最低限必要な待ち時間（以下、予定待ち時間という）よりも長い（定義情報に冗長な待ち時間がある）場合には、第２の電圧発生部による電圧信号の出力タイミングを早めることによりタイミング調整するものでもよい。
上述のような構成とすることにより、全体のテスト時間を短縮することが可能となる点や、リソースの時間確保が可能な点で有効である。
【００８７】
（構成の説明）
図４は、本発明に係る半導体試験装置の他の実施例の構成ブロック図、図５は図４の半導体試験装置の動作を説明するフロー図、図６は図４の半導体試験装置の動作を説明するタイミングチャートであり、図１、図２、図３と共通する部分は適宜説明を省略する。
【００８８】
半導体試験装置の構成については図１と異なる部分のみ、図４を用いて説明する。
図４において、コントローラ２０１は、各立ち上がり時間測定部２０９、２１０、２１１による時間測定結果に基づき、第１の電源電圧生成部２０２と第２の電源電圧生成部２０３、第２の電源電圧生成部２０３と直流電圧生成部２０４、直流電圧生成部２０４と信号出力部２０５との、電圧信号による所定の各電圧値までに達するまでの時間間隔（２つの電圧生成部による電圧の立ち上がりの時間間隔）を算出する時間間隔算出手段２０１ｄを備える。
【００８９】
コントローラ２０１の記憶手段２０１ｂは、第１の電源電圧生成部２０２と第２の電源電圧生成部２０３、第２の電源電圧生成部２０３と直流電圧生成部２０４、直流電圧生成部２０４と信号出力部２０５とのによる電圧信号による所定の各電圧値までに達するまでの時間間隔であって、予め定義された最低限必要な待ち時間Δｔ１ｍａｘ、Δｔ２ｍａｘ、Δｔ３ｍａｘ（以下、予定待ち時間という）を記憶する。
【００９０】
また、調整手段２０１ａは、記憶手段２０１ｂに記憶された予定待ち時間と、時間間隔算出手段２０１ｄにより算出された時間間隔（以下、実際の待ち時間という）とを比較する。調整手段２０１ａは、比較の結果、実際の待ち時間が予定待ち時間よりも長い場合には、待ち時間を短縮するために、電圧発生部（待ち時間経過後に立ち上がる電圧信号を出力する電圧発生部）による電圧信号の出力タイミングを早めて記憶手段２０１ｂに記憶し、タイミング調整を実行する。
【００９１】
なお、調整手段２０１ａは、実際の待ち時間が予定待ち時間よりも長い場合には、実際の待ち時間と予定待ち時間との差分の時間の範囲で、電圧発生部による電圧信号の出力タイミングを早めて（例えば、実際の待ち時間と予定待ち時間との差分の時間分だけ早めるなど、）、当該タイミングを記憶手段２０１ｂに記憶し、タイミング調整を実行する。
【００９２】
（動作の説明）
このような構成で本実施例の半導体試験装置は以下の動作を行う。図３と異なる部分のみ、図５を用いて説明する（本実施例の半導体試験装置は、Ｓ１０１〜Ｓ１０８までは図３と同様の動作を行うので適宜省略する）。
【００９３】
ステップＳ１０９において、調整手段２０１ａは、立ち上がり時間測定部２０９、２１０、２１１が測定した測定時間と予め定められた基準時間とを比較する。
調整手段２０１ａは、測定時間が予め定義された基準時間よりも長い場合（いいかえれば、定義情報を満足しない場合）には、ステップＳ１１０に移行する。
また、調整手段２０１ａは、測定時間が予め定義された基準時間と等しい、または、短い場合（いいかえれば、定義情報を満足する場合）にはステップＳ１１１に移行する。
【００９４】
ステップＳ１１０において、コントローラ２０１の調整手段２０１ａは、立ち上がり時間測定部２０９、２１０、２１１が測定した測定時間と予め定められた基準時間とを比較する。調整手段２０１ａは、比較の結果、測定時間が基準時間よりも長い場合には、各電圧発生部による電圧信号の出力タイミングを遅らせて（例えば少なくとも測定時間と基準時間との差分の時間分は遅らせて）、出力タイミングを調整する。
【００９５】
ステップＳ１１１において、コントローラ２０１の時間間隔算出手段２０１ｄは、各立ち上がり時間測定部２０９、２１０、２１１による時間測定結果に基づき、第１の電源電圧生成部２０２と第２の電源電圧生成部２０３、第２の電源電圧生成部２０３と直流電圧生成部２０４、直流電圧生成部２０４と信号出力部２０５との、電圧信号による所定の各電圧値までに達するまでの時間間隔（２つの電圧生成部による電圧の立ち上がりの時間間隔）を算出する。
【００９６】
ステップＳ１１２において、コントローラ２０１の調整手段２０１ａは、記憶手段２０１ｂに記憶された予定待ち時間と、時間間隔算出手段２０１ｄにより算出された実際の待ち時間とを比較する。
【００９７】
ここで、調整手段２０１ａは、実際の待ち時間が予め定義された予定待ち時間よりも長い場合（いいかえれば定義情報に冗長な待ち時間がある場合）には、ステップＳ１１３に移行して動作を実行する。
また、調整手段２０１ａは、実際の待ち時間が予め定義された予定待ち時間よりも長い場合（いいかえれば定義情報に冗長な待ち時間がある場合）には、処理を終了する。
【００９８】
ステップＳ１１３において、コントローラ２０１の調整手段２０１ａは、たとえば実際の待ち時間と予定待ち時間との差分の時間分だけ、電圧発生部（待ち時間経過後に立ち上がる電圧信号を出力する電圧発生部）による電圧信号の出力タイミングを早めて記憶手段２０１ｂに記憶し、タイミング調整を実行する。
【００９９】
以下、上述の動作フローを図６のような動作状況を一例として説明を付け加える。
たとえば、図６のように、記憶手段２０１ｂには、第１の電源電圧生成部２０２と第２の電源電圧生成部２０３、第２の電源電圧生成部２０３と直流電圧生成部２０４、直流電圧生成部２０４と信号出力部２０５との予定待ち時間Δｔ１ｍａｘ、Δｔ２ｍａｘ、Δｔ３ｍａｘ（以下、予定待ち時間という）がそれぞれ記憶されているものとする。
【０１００】
ここで、第２の電源電圧生成部２０３による電圧の立ち上がりが基準時間よりも、Δｔだけ遅れているものとする。
このようにΔｔだけ遅れることにより、本来、記憶手段２０１ｂに記憶されている、第２の電源電圧生成部２０３による電圧の立ち上がりから直流電圧生成部２０４による電圧の立ち上がりまでの時間間隔Δｔ２が確保できていないことになる。
【０１０１】
この場合、調整手段２０１ａは、第２の電源電圧生成部２０３の出力後に電圧信号の出力が予定されている直流電圧生成部２０４の出力タイミングをΔｔだけ遅らせてＴ３とし、信号出力部２０５の出力タイミングをΔｔだけ遅らせてＴ４としてタイミング調整を行う（Ｓ１１０）。
つまり、調整手段２０１ａは、第２の電源電圧生成部２０３による電圧の立ち上がった時点から、本来予定されていたΔｔ２が確保できるように、直流電圧生成部２０４の出力タイミングをＴ３´に調整する。
【０１０２】
また、コントローラ２０１の時間間隔算出手段２０１ｄは、各立ち上がり時間測定部２０９、２１０、２１１による時間測定結果に基づき、各電圧生成部間や、電圧生成部と信号出力部間の、実際の待ち時間を算出する（ステップＳ１１１）。
調整手段２０１ａは、第１の電源電圧生成部２０２と第２の電源電圧生成部２０３の実際の待ち時間Δｔ１と、予定待ち時間Δｔ１ｍａｘとを比較する（ステップＳ１１２）。
【０１０３】
そして、調整手段２０１ａは、実際の待ち時間Δｔ１が予め定義された予定待ち時間Δｔ１ｍａｘよりも長い場合、たとえば実際の待ち時間と予定待ち時間との差分の時間分だけ第２の電流電圧発生部２０３による電圧信号の出力タイミングを早めて記憶手段２０１ｂに記憶し、タイミング調整を実行する（ステップＳ１１３）。
【０１０４】
たとえば、調整手段２０１ａは、第２の電源電圧生成部２０３の出力以降に電圧信号の出力が予定されている、第２の電源電圧生成部２０３の出力タイミングを早めてＴ２´とし、直流電圧生成部２０４の出力タイミングを早めてＴ３´とし、信号出力部２０５の出力タイミングを早めてＴ４´としてタイミング調整を行う（Ｓ１１３）。
【０１０５】
このように、本実施例の半導体試験装置は、時間測定手段が測定した、所定の時点から第１の電圧発生部の出力により所定の電圧レベルに達するまでの第１の測定時間と、所定の時点から第２の電圧発生部の出力により所定の電圧レベルに達するまでの第２の測定時間との差分の時間である実際の待ち時間が、予定待ち時間よりも長い（定義情報に冗長な待ち時間がある）場合には、電圧発生部による電圧信号の出力タイミングを早めることにより、テスト期間を短縮化できる点で有効である。
【０１０６】
つまり、本実施例の半導体試験装置は、上述のような構成とすることにより、従来の問題点である、「各リソースの時間バラツキや、負荷条件を考慮して待ち時間にマージンを持って設定する場合が多く、これに加え、負荷コンデンサへの配慮や電流制限レベルによっては意図しない立ち上がり時間となればさらなるテスト時間の長期化が発生してしまうという問題点」が解消でき、テスト期間が短縮化できる点で有効である。
【符号の説明】
【０１０７】
２００  半導体試験装置
２０１  コントローラ
２０１ａ  調整手段
２０１ｂ  記憶手段
２０１ｃ  設定信号送信手段
２０１ｄ  時間間隔算出手段
２０２  第１の電源電圧生成部
２０３  第２の電源電圧生成部
２０４  直流電圧生成部
２０５  信号出力部
２０６  第１の電圧制御部
２０７  第２の電圧制御部
２０８  第３の電圧制御部
２０９、２１０、２１１  立ち上がり時間測定部
２０９ａ、２１０ａ、２１１ａ  電圧検出手段
２０９ｂ、２１０ｂ、２１１ｂ  時間測定手段
２１２ａ、２１２ｂ、２１２ｃ  電圧測定バッファ
２１９ａ、２２０ａ、２２１ａ  電圧検出回路
２１９ｂ、２２０ｂ、２２１ｂ  電圧比較基準レベル回路
２２９ａ、２３０ａ、２３１ａ  時間測定回路
２２９ｂ、２３０ｂ、２３１ｂ  時間測定基準レベル回路
【図１】
2012112816.tif 000003
【図２】
2012112816.tif 000004
【図３】
2012112816.tif 000005
【図４】
2012112816.tif 000006
【図５】
2012112816.tif 000007
【図６】
2012112816.tif 000008
【図７】
2012112816.tif 000009
【図８】
2012112816.tif 000010