(57)【要約】【課題】レチクルの膨張変化を減少させるようにレチクルにわたる温度変化を減少させる装置および方法を提供する。【解決手段】減少した温度変化を実現するための一方法は、レチクル全体にわたって均一なバックフィルガス圧を提供することよりも、分配トレンチおよび壁（例えば、流量制限ダム）を用いて加圧バックフィルガスによって内部空間を充填することである。別の方法では、内部空間の外周は、レチクル材料に対する膨張と温度との機能的関係に基づいてレチクルにわたる膨張変化を減少させるように選択されてよい。任意または代替の方法では、レチクルにわたる減少した温度変化は、流体で冷却されたチャック内の空洞をバックフィルガスによって選択的に充填させることによって得ることができる。【選択図】図５
2012033930.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面および外側縁部を有するレチクルを位置決めする表面および外側縁部を有するチャックと、
前記チャックの前記表面から延在し、かつ前記レチクルを支持する複数の突出部と、
前記チャックの前記表面と前記レチクルの前記表面との間の壁であって、前記壁は空間を画定しかつ前記空間内でバックフィルガスの圧力を維持するように構成されており、前記壁の外周は前記レチクルの前記外側縁部内にある、壁と
を含む、装置。
【請求項２】
前記壁は、前記空間の外への前記バックフィルガスの漏れを許容するようにさらに構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記壁および前記バックフィルガスは、前記レチクルの温度変化を減少させるように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記バックフィルガスは水素を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記チャックに結合されかつ前記壁の前記外周内に配置された分配トレンチであって、前記バックフィルガスの入力のために少なくとも１つの供給ポートに結合されている、分配トレンチをさらに含む、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記壁の前記外周は、前記レチクルの前記膨張変化を減少させるように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記チャックは、冷却流体が通過する冷却チャネルを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記チャックは、前記冷却チャネルと前記突出部との間で前記チャック内に配置された少なくとも１つの空洞を含み、前記空洞は、空洞バックフィルガスによって選択的に充填されるように構成されている、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
前記チャックは、前記冷却チャネルと前記突出部との間で前記チャック内に複数の空洞を含み、前記複数の空洞は、前記レチクルの温度変化を減少させるためにバックフィルガスによって選択的に充填されるように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
チャック内のポートでバックフィルガスを受けることと、
前記チャックと、レチクルと、壁との間で画定された空間に前記バックフィルガスを分配することであって、前記壁の外周は前記レチクルの前記外側縁部内にある、ことと、
前記レチクルの加熱領域を前記バックフィルガスに熱接触させることと
を含む、方法。
【請求項１１】
前記分配することは、前記バックフィルガスの漏れを許容することをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記分配することは、前記レチクルの温度変化を減少させることをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１３】
前記受けることは、水素を受けることをさらに含む、請求項１０に記載の方法。
【請求項１４】
リソグラフィシステムであって、
放射ビームにパターン付けすることができるレチクルを支持するように適合されたサポートデバイスであって、
表面および外側縁部を有するレチクルを位置決めする表面および外側縁部を有するチャックと、
前記チャックの前記表面から延在し、かつ前記レチクルを支持する複数の突出部と、
前記チャックの前記表面と前記レチクルの前記表面との間の壁であって、前記壁は空間を画定しかつ前記空間内のバックフィルガスの圧力を維持するように構成されており、前記壁の外周は前記レチクルの前記外側縁部内にある、壁と
を含む、サポートデバイスと、
前記パターン付きビームを基板上に投影するように適合された投影システムと
を含む、リソグラフィシステム。
【請求項１５】
前記壁は、前記空間の外への前記バックフィルガスの漏れを許容するようにさらに構成されている、請求項１４に記載のリソグラフィシステム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
[0001]  本発明は、冷却装置に関し、より詳細には、リソグラフィ用途で用いるレチクル冷却装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
[0002]  リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上、通常、基板のターゲット部分上に付与する機械である。リソグラフィ装置は、例えば、集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。その場合、ＩＣの個々の層上に形成される回路パターンを生成するために、マスクまたはレチクルとも呼ばれるパターニングデバイスを用いることができる。このパターンは、基板（例えば、シリコンウェーハ）上のターゲット部分（例えば、ダイの一部、または１つ以上のダイを含む）に転写することができる。通常、パターンの転写は、基板上に設けられた放射感応性材料（レジスト）層上への結像によって行われる。一般には、単一の基板が、連続的にパターニングされる隣接したターゲット部分のネットワークを含んでいる。公知のリソグラフィ装置としては、ターゲット部分上にパターン全体を一度に露光することにより各ターゲット部分を照射するいわゆるステッパ、および放射ビームによってある特定の方向（「スキャン」方向、「ｙ方向」とも呼ばれる）にパターンをスキャンすると同時に、この方向に平行または逆平行に基板をスキャンすることにより各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナが含まれる。パターンを基板上にインプリントすることにより、パターニングデバイスから基板にパターンを転写することも可能である。
【０００３】
[0003]  現代の半導体リソグラフィは、極めて正確なパターンを基板に移すことを確実にするために非常に厳しい公差を必要とする。一部のレチクル（例えば、極端紫外線（ＥＵＶ）レチクル）は、入射放射の反射によって作動し、反射放射は所望のパターン付き放射ビームである。しかしながら、全ての入射放射が反射されるわけではなく、一部の放射はレチクルによって吸収される。レチクル加熱はレチクル材料内の温度勾配を引き起こし、これは変形となり、その結果、イメージ位置エラーとして現れる。例示のために、レチクルの中心は相対的に高温となることがある一方、レチクルの縁部は相対的に低温になることがあり、これはレチクルの不均一な膨張をもたらす。
【０００４】
[0004]  したがって、熱吸収により、加熱されたレチクルからのパターン付き放射ビームは歪められ、これは重要なエラーとなり、小さい回路フィーチャの忠実な再生に対する障害となる。レチクル加熱エラーを減少させることに対する代案としては、レチクル材料を交換することおよびチャック／クランプの冷却水温を低下させることが挙げられる。しかしながら、これらの代案は、レチクルの表面にわたる温度勾配のレチクルの形状の本質を変化せず、レチクルの厚さの中の勾配を減少させる。
【発明の概要】
【０００５】
[0005]  熱関連の歪みおよび小さい回路フィーチャ寸法の製造に対する影響を減少することができる手段が必要である。特に、レチクルにわたる温度変化を減少させ、それによって結果として生じるパターン歪みを減少させる装置および方法が必要である。
【０００６】
[0006]  本発明の一実施形態では、温度変化は、レチクルの裏側とチャックの表側との間の熱伝導を変化させることによって減少することができる。例示的実施形態では、そのような変化は、壁（例えば、流量制限ダム）の外周を変更することによって達成することができる。したがって、壁の外周は、レチクルの縁部の熱伝導を減少させる一方、レチクルの中心の熱伝導を維持するように設計される。それを行うことによって、レチクルにわたる温度変化およびその結果として生じる膨張は、より均一になる。
【０００７】
[0007]  さらなる例示的実施形態では、レチクル材料の膨張と温度との関係が活用される。壁（例えば、流量制限ダム）の特定の外周によってレチクルにわたる温度変化を減少させることを設計目標とするよりも、代替の設計目標は、関連性のある材料の膨張−温度特性と組み合わせた場合にレチクルにわたる減少された膨張変化が生じる、不均一な熱伝導プロファイルを選択することである。特定の実施形態では、レチクルの温度変化は、材料の膨張−温度特性の最小値にその中心を置くことができ、それによって、結果として生じるレチクルにわたる膨張変化は最小限にされる。
【０００８】
[0008]  本発明のさらなる実施形態では、チャック内の選択的に充填可能な空洞を用いてレチクルにわたる可変の熱伝導プロファイルを生成することができる。選択的に充填可能な空洞は、突出部とチャックの冷却チャネルとの間に位置決めされる。選択的に充填可能な空洞は、各々がバックフィルガスによって選択的に充填可能であることによって機能する。熱伝導バックフィルガスによって空洞を選択的に充填することによって、レチクル内で生じる熱から冷却チャネルへの熱伝導パスを、特定の設計目標に従って調整することができる。特に、熱伝導パスの調整は、レチクルにわたる温度変化の減少、そしてその結果として生じる膨張プロファイルとなり得る。
【０００９】
[0009]  本発明のさらなる実施形態、特徴および利点、ならびに本発明の様々な実施形態の構造および動作を、添付の図面を参照しながら以下で詳細に説明する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
[0010]  本発明のいくつかの実施形態を、添付の図面を参照して以下に説明する。これらの図面において同じ参照番号は同一または機能的に類似した要素を示す。
【図１Ａ】[0011]  図１Ａは、反射型リソグラフィ装置を示す。
【図１Ｂ】[0011]  図１Ｂは、透過型リソグラフィ装置を示す。
【図２】[0012]  図２は、入射放射によって照明されるレチクルの図である。
【図３】[0013]  図３は、チャックによって位置決めされたレチクルの図である。
【図４】[0014]  図４は、チャックによって位置決めされたレチクルへのバックフィルガスの供給のための分配トレンチおよび供給ポートの平面図である。
【図５】[0015]  図５は、レチクルとチャックとの間の熱伝達のためにバックフィルガスを分配するための分配トレンチおよび壁（例えば、流量制限ダム）構成の断面図である。
【図６Ａ】[0016]  図６Ａは、本発明の一実施形態による、レチクル温度変化を減少させるための壁（例えば、流量制限ダム）構成の平面図を示す。
【図６Ｂ】[0016]  図６Ｂは、本発明の一実施形態による、レチクル温度変化を減少させるための壁（例えば、流量制限ダム）構成の斜視図を示す。
【図７】[0017]  図７は、レチクル材料に対する例示的な膨張対温度関係の図である。
【図８】[0018]  図８は、本発明の一実施形態による、レチクル温度変化を減少させるための選択的に充填可能な空洞の使用の断面図を示す。
【図９】[0019]  図９は、本発明の一実施形態による、レチクルとチャックとの間の熱伝達のためにバックフィルガスを分配するための壁（例えば、流量制限ダム）の形状を決定する方法のフローチャートを提供する。
【００１１】
[0001]  本発明の特徴および利点は、以下に述べる詳細な説明を図面と組み合わせて考慮することによりさらに明白になるであろう。ここで、同様の参照文字は全体を通して対応する要素を識別する。図面では、同様の参照番号は全体的に同一、機能的に類似および／または構造的に類似した要素を示す。要素が最初に現れた図面を、対応する参照番号の最も左側の（１つ以上の）桁で示す。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
[0002]  本明細書は、本発明の特徴を組み込んだ１つ以上の実施形態を開示する。開示される(１つ以上の)実施形態は、本発明を例示するにすぎない。本発明の範囲は開示される（１つ以上の）実施形態に限定されない。本発明は添付の特許請求の範囲によって定義される。
【００１３】
[0003]  記載される（１つ以上の）実施形態、および「一実施形態」、「実施形態」、「例示的実施形態」などへの本明細書における言及は、記載される（１つ以上の）実施形態が特定の特徴、構造または特性を含むことができるが、それぞれの実施形態が必ずしも特定の特徴、構造または特性を含まないことを示す。さらに、そのようなフレーズは、必ずしも同じ実施形態に言及するものではない。さらに、一実施形態に関連して特定の特徴、構造または特性について記載している場合、明示的に記載されているか記載されていないかにかかわらず、そのような特徴、構造、または特性を他の実施形態との関連で実行することが当業者の知識にあることが理解される。
【００１４】
[0004]  本発明の実施形態はハードウェア、ファームウェア、ソフトウェアまたはその任意の組合せで実施することができる。本発明の実施形態は、１つ以上のプロセッサで読み取り、実行することができる機械読取可能媒体に記憶した命令としても実施することができる。機械読取可能媒体は、機械（例えば計算デバイス）で読取可能な形態で情報を記憶するかまたは伝送する任意の機構を含むことができる。例えば、機械読取可能媒体はリードオンリーメモリ（ＲＯＭ）、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）、磁気ディスク記憶媒体、光記憶媒体、フラッシュメモリデバイス、電気、光、音響または他の形態の伝搬信号（例えば、搬送波、赤外線信号、デジタル信号など）およびその他のものを含むことができる。さらに、ファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令を、本明細書では特定の行為を実行するものとして記述することができる。しかしながら、そのような記述は便宜的なものにすぎず、そのような行為は実際には計算デバイス、プロセッサ、コントローラ、またはファームウェア、ソフトウェア、ルーチン、命令などを実行する他のデバイスの結果であることを認識されたい。
【００１５】
[0020]  そのような実施形態をより詳細に記載する前に、本発明の実施形態を実施することができる例示的環境を示すことが有益である。
【００１６】
[0021]  図１Ａおよび図１Ｂは、それぞれリソグラフィ装置１００およびリソグラフィ装置１００’を概略的に示す。リソグラフィ装置１００およびリソグラフィ装置１００’の各々は、放射ビームＢ（例えば、ＤＵＶまたはＥＵＶ放射）を調整するように構成された照明システム（イルミネータ）ＩＬと、パターニングデバイス（例えば、マスク、レチクルまたは動的パターニングデバイス）ＭＡを支持するように構成され、かつパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするように構成された第１ポジショナＰＭに連結されているサポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴと、基板（例えば、レジストコートウェーハ）Ｗを保持するように構成され、かつ基板Ｗを正確に位置決めするように構成された第２ポジショナＰＷに連結されている基板テーブル（例えば、ウェーハテーブル）ＷＴとを備える。リソグラフィ装置１００および１００’は、パターニングデバイスＭＡによって放射ビームＢに付けられたパターンを基板Ｗのターゲット部分（例えば、１つ以上のダイを含む）Ｃ上に投影するように構成された投影システムＰＳも有する。リソグラフィ装置１００では、パターニングデバイスＭＡおよび投影システムＰＳは反射型であり、リソグラフィ装置１００’では、パターニングデバイスＭＡおよび投影システムＰＳは透過型である。
【００１７】
[0022]  照明システムＩＬとしては、放射Ｂを誘導し、整形し、または制御するために、屈折型、反射型、磁気型、電磁型、静電型、またはその他のタイプの光コンポーネント、あるいはそれらのあらゆる組合せなどのさまざまなタイプの光コンポーネントを含むことができる。
【００１８】
[0023]  サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向き、リソグラフィ装置１００および１００’の設計、および、パターニングデバイスＭＡが真空環境内で保持されているか否かなどの他の条件に応じた態様で、パターニングデバイスＭＡを保持する。サポート構造ＭＴは、機械式、真空式、静電式またはその他のクランプ技術を使って、パターニングデバイスＭＡを保持することができる。サポート構造ＭＴは、例えば、必要に応じて固定または可動式にすることができるフレームまたはテーブルであってもよい。サポート構造ＭＴは、パターニングデバイスを、例えば、投影システムＰＳに対して所望の位置に確実に置くことができる。 
【００１９】
[0024]  「パターニングデバイス」ＭＡという用語は、基板Ｗのターゲット部分Ｃ内にパターンを作り出すように、放射ビームＢの断面にパターンを与えるために使用できるあらゆるデバイスを指していると、広く解釈されるべきである。放射ビームＢに付けたパターンは、集積回路などのターゲット部分Ｃ内に作り出されるデバイス内の特定の機能層に対応してもよい。
【００２０】
[0025]  パターニングデバイスＭＡは、透過型（図１Ｂのリソグラフィ装置１００’のように）であっても、反射型（図１Ａのリソグラフィ装置１００のように）であってもよい。パターニングデバイスＭＡの例としては、レチクル、マスク、プログラマブルミラーアレイ、およびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクは、リソグラフィでは公知であり、バイナリ、レベンソン型(alternating)位相シフト、およびハーフトーン型(attenuated)位相シフトなどのマスク型、ならびに種々のハイブリッドマスク型を含む。プログラマブルミラーアレイの一例では、小型ミラーのマトリックス配列が用いられており、各小型ミラーは、入射する放射ビームを様々な方向に反射させるように、個別に傾斜させることができる。傾斜されたミラーは、ミラーマトリックスによって反射される放射ビームＢにパターンを付ける。
【００２１】
[0026]  「投影システム」ＰＳという用語は、使われている露光放射にとって、あるいは液浸液の使用または真空の使用といった他の要因にとって適切な、屈折型、反射型、反射屈折型、磁気型、電磁型、および静電型光学系、またはそれらのあらゆる組合せを含むあらゆる型の投影システムを包含していると広く解釈されるべきである。ＥＵＶまたは電子ビーム放射に対しては真空環境が使用されてもよい。というのは、他のガスは放射または電子を吸収しすぎてしまう場合があるからである。したがって、真空環境は、真空壁および真空ポンプを用いてビームパス全体に提供されてよい。
【００２２】
[0027]  リソグラフィ装置１００および／またはリソグラフィ装置１００’は、２つ（デュアルステージ）以上の基板テーブル（および／または２つ以上のマスクテーブル）ＷＴを有する型のものであってもよい。そのような「マルチステージ」機械においては、追加の基板テーブルＷＴを並行して使うことができ、または予備工程を１つ以上のテーブル上で実行しつつ、別の１つ以上の基板テーブルＷＴを露光用に使うこともできる。別の１つ以上の基板テーブルＷＴを露光用に使いつつ、予備工程を実行することができる場合、予備工程は、リソグラフィ装置１００および／またはリソグラフィ装置１００’の所望のスループット内で実行されるため、「インラインフェーズ(in-line phase)」中に生じると言われている。逆に、別の１つ以上の基板テーブルＷＴを露光用に使いつつ、予備工程を実行できない場合、予備工程は、リソグラフィ装置１００および／またはリソグラフィ装置１００’の所望のスループット内で実行することができないため、「オフラインフェーズ (off-line phase)」中に生じると言われている。本明細書中により詳細に説明するように、露光システム（例えば、リソグラフィ装置１００、１００’の投影システムＰＳ）の焦点位置決めパラメータは、オフラインフェーズ、インラインフェーズまたはその組み合わせで決定されてよい。
【００２３】
[0028]  図１Ａおよび図１Ｂを参照すると、イルミネータＩＬは、放射源ＳＯから放射ビームを受ける。例えば、放射源ＳＯがエキシマレーザである場合、放射源ＳＯとリソグラフィ装置１００および１００’は、別個の構成要素であってもよい。そのような場合には、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置１００または１００’の一部を形成しているとはみなされず、また放射ビームＢは、放射源ＳＯからイルミネータＩＬへ、例えば、適切な誘導ミラーおよび／またはビームエキスパンダを含むビームデリバリシステムＢＤ（図１Ｂ）を使って送られる。その他の場合においては、例えば、放射源ＳＯが水銀ランプである場合、放射源ＳＯは、リソグラフィ装置１００および１００’の一体部分とすることもできる。放射源ＳＯおよびイルミネータＩＬは、必要ならばビームデリバリシステムＢＤとともに、放射システムと呼んでもよい。
【００２４】
[0029]  イルミネータＩＬは、放射ビームの角強度分布を調節するアジャスタＡＤ（図１Ｂ）を含むことができる。一般に、イルミネータの瞳面内の強度分布の少なくとも外側および／または内側半径範囲（通常、それぞれσ-outerおよびσ-innerと呼ばれる）を調節することができる。さらに、イルミネータＩＬは、インテグレータＩＮおよびコンデンサＣＯといったさまざまな他のコンポーネント（図１Ｂ）を含むことができる。イルミネータＩＬを使って放射ビームＢを調整すれば、放射ビームの断面に所望の均一性および強度分布をもたせることができる。
【００２５】
[0030]  図１Ａを参照すると、放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴ上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡ上に入射して、パターニングデバイスＭＡによってパターン形成される。リソグラフィ装置１００では、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから放射ビームＢが反射される。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡから反射した後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に放射ビームＢの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ２（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢのパス内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサＩＦ１を使い、パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡを放射ビームＢのパスに対して正確に位置決めすることもできる。パターニングデバイス（例えば、マスク）ＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。
【００２６】
[0031]  図１Ｂを参照すると、放射ビームＢは、サポート構造（例えば、マスクテーブルＭＴ）上に保持されているパターニングデバイス（例えば、マスクＭＡ）上に入射して、パターニングデバイスによってパターン形成される。マスクＭＡを通り抜けた後、放射ビームＢは投影システムＰＳを通過し、投影システムＰＳは、基板Ｗのターゲット部分Ｃ上に放射ビームの焦点をあわせる。第２ポジショナＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば、干渉計デバイス、リニアエンコーダ、または静電容量センサ）を使って、例えば、さまざまなターゲット部分Ｃを放射ビームＢの経路内に位置決めするように、基板テーブルＷＴを正確に動かすことができる。同様に、第１ポジショナＰＭおよび別の位置センサ（図１Ｂには明示的に示されていない）を使い、例えば、マスクライブラリからマスクを機械的に取り出した後またはスキャン中に、マスクＭＡを放射ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることもできる。
【００２７】
[0032]  通常、マスクテーブルＭＴの移動は、第１ポジショナＰＭの一部を形成するロングストロークモジュール（粗動位置決め）およびショートストロークモジュール（微動位置決め）を使って達成することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動も、第２ポジショナＰＷの一部を形成するロングストロークモジュールおよびショートストロークモジュールを使って達成することができる。ステッパの場合は（スキャナとは対照的に）、マスクテーブルＭＴは、ショートストロークアクチュエータのみに連結されてもよく、または固定されてもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、マスクアライメントマークＭ１およびＭ２と、基板アライメントマークＰ１およびＰ２とを使って、位置合わせされてもよい。例示では基板アライメントマークが専用ターゲット部分を占めているが、基板アライメントマークをターゲット部分とターゲット部分との間の空間内に置くこともできる（これらは、スクライブラインアライメントマークとして公知である）。同様に、複数のダイがマスクＭＡ上に設けられている場合、マスクアライメントマークは、ダイとダイの間に置かれてもよい。
【００２８】
[0033]  リソグラフィ装置１００および１００’は、以下のモードのうち少なくとも１つのモードで使用できる。 
【００２９】
[0034]  ステップモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを基本的に静止状態に保ちつつ、放射ビームＢに付けられたパターン全体を一度にターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一静的露光）。その後、基板テーブルＷＴは、Ｘおよび／またはＹ方向に移動され、それによって別のターゲット部分Ｃを露光することができる。
【００３０】
[0035]  スキャンモードにおいては、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴおよび基板テーブルＷＴを同期的にスキャンする一方で、放射ビームＢに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する（すなわち、単一動的露光）。サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの（縮小）拡大率および像反転特性によって決めることができる。
【００３１】
[0036]  別のモードにおいては、プログラマブルパターニングデバイスを保持した状態で、サポート構造（例えば、マスクテーブル）ＭＴを基本的に静止状態に保ち、また基板テーブルＷＴを動かす、またはスキャンする一方で、放射ビームＢに付けられたパターンをターゲット部分Ｃ上に投影する。パルス放射源ＳＯが採用されており、さらにプログラマブルパターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの移動後ごとに、またはスキャン中の連続する放射パルスと放射パルスとの間に、必要に応じて更新される。この動作モードは、前述の型のプログラマブルミラーアレイといったプログラマブルパターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。
【００３２】
[0037]  上述の使用モードの組合せおよび／またはバリエーション、あるいは完全に異なる使用モードもまた採用可能である。
【００３３】
[0038]  本明細書において、ＩＣ製造におけるリソグラフィ装置の使用について具体的な言及がなされているが、本明細書記載のリソグラフィ装置が、集積光学システム、磁気ドメインメモリ用のガイダンスパターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッド等の製造といった他の用途を有し得ることが理解されるべきである。当業者にとっては当然のことであるが、そのような別の用途においては、本明細書で使用される「ウェーハ」または「ダイ」という用語はすべて、それぞれより一般的な「基板」または「ターゲット部分」という用語と同義であるとみなしてよい。本明細書に記載した基板は、露光の前後を問わず、例えば、トラック（通常、基板にレジスト層を塗布し、かつ露光されたレジストを現像するツール）、メトロロジーツール、および／またはインスペクションツールで処理されてもよい。適用可能な場合には、本明細書中の開示内容を上記のような基板プロセシングツールおよびその他の基板プロセシングツールに適用してもよい。さらに基板は、例えば、多層ＩＣを作るために複数回処理されてもよいので、本明細書で使用される基板という用語は、すでに多重処理層を包含している基板を表すものとしてもよい。
【００３４】
[0039]  本明細書で使用される「放射」および「ビーム」という用語は、紫外線（ＵＶ）（例えば、３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長、またはおよそこれらの値の波長を有する）および極端紫外線（ＥＵＶ）（例えば、５ｎｍ以上の波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射を包含している。
【００３５】
[0040]  「レンズ」という用語は、文脈によっては、屈折および反射型光コンポーネントを含む様々な種類の光コンポーネントのいずれか１つまたはこれらの組合せを指すことができる。
【００３６】
[0041]  図２は、入射放射２２０および反射放射２３０とともにレチクル２１０の図を提供する。レチクル２１０上のパターン２４０は、反射放射２３０をパターン付き放射とさせる。反射放射２３０の量は、吸収放射２５０により、入射放射２２０の量より少ない。吸収放射２５０は、レチクル２１０の加熱および膨張、したがって、パターン付き放射内の歪みに変換するパターン２４０の歪みという結果となり得る。一般的には、加熱および結果として生じる歪みは、レチクルの表面にわたって不均一である。
【００３７】
[0042]  図３は、チャック３１０によって適切な場所に保持されているレチクル２１０の図を提供する。チャック３１０は、当該技術分野では一般的にクランプとしても知られている。レチクル２１０とチャック３１０との接触は、突出部３２０によって達成される。突出部は、当該技術分野ではバールとしても知られている。複数の突出部３２０、例えば、二次元アレイは、チャック３１０の表面３３０にわたって配置されてレチクル２１０の表面３４０にわたって接触点の分配を提供する。図２を参照して記載したように、熱伝達は、レチクル２１０内の吸収放射２５０からチャック３１０へと生じることができ、これは、伝導、対流および放射を介して可能である。放射を用いた熱伝達は非常に制限され得る。
【００３８】
[0043]  一例では、レチクル２１０が真空内に配置された場合、対流を使用することは望ましくない。すなわち、対流は、真空環境を損なうであろう移動ガスをかなりの量必要とする。さらに、チャック３１０とレチクル２１０との間の物理的接触は突出部３２０を介して行われるため、突出部３２０を介する伝導による熱伝達の量は非常に制限されている。
【００３９】
[0044]  一例では、伝導による熱伝達の追加のチャネルは、空洞または内部体積を充填するバックフィルガスを用いて提供することができる。図６Ｂに示すように、ガスは、実質的に、対向するレチクル２１０の表面３４０とチャック３１０の表面３３０（すなわち、レチクル２１０裏側とチャック３１０の前側）との間にある壁５１０内に抑制される。したがって、以下に説明するように、レチクル２１０、チャック３１０およびバックフィルガスは、レチクル２１０内に生成される熱によって熱システムを形成し、その後熱は、伝導によってチャック３１０へと流れ、熱はそこで取り除かれる。一例では、一部の場合、レチクル２１０の裏側とチャック３１０の前側との間のシールには欠点があり、これは、一部のバックフィルガスを周囲の真空内へと漏らし得る。したがって、バックフィルガスは、漏れが周囲の環境における機器内に望ましくない影響を引き起こさないように注意深く選択されるべきである。適切なバックフィルガスの一例は水素である。適切な圧力レベルにおける水素は、妥当な熱伝導パスを提供する一方、相対的に低圧の漏れた水素は周囲の環境における機器内に望ましくない影響を全く引き起こさないということも提供する。
【００４０】
[0045]  図４はシステム４００を示す。例えば、システム４００を用いて、バックフィルガスを、壁５１０とレチクル２１０とチャック３１０との間の空間によって形成される体積５４０に供給させることができる（図５および図６Ｂを参照）。システム４００は、４つのバックフィルガス供給ポート４１０a、４１０ｂ、４１０ｃおよび４１０ｄを含み、バックフィルガスはこれらを通って外部のバックフィルガス源（図示せず）から入力されることができる。４つのバックフィルガス供給ポート４１０は、内部体積の周りに外周を形成する分配トレンチ(distribution trench)４２０に結合される。この内部体積では、高圧バックフィルガスが熱伝導目的のために維持されることが望ましい。４つのバックフィルガス供給ポート４１０は単に例示のためのみであり、任意の数（すなわち、１つ以上）のバックフィルガス供給ポートを利用してもよいことに留意されたい。一例では、バックフィルガス供給ポートの数を増加させることは、その追加のバックフィルガス供給ポートを提供することによる複雑性を高めることによって結果として生じるバックフィルガス圧の均一性を改善する。
【００４１】
[0046]  図５は、図４に示す装置４００の断面図を示す。バックフィルガス５５０は、レチクル２１０とチャック３１０との間の内部空間によって形成される体積５４０内へと導入される。分配トレンチ４２０は、壁５１０（例えば、流量制限ダム）の内側に示される。壁５１０を用いて壁５１０の外周より内側のバックフィルガスを維持することができる。一例では、壁５１０はレチクル２１０とチャック３１０等との間に小さなギャップ５２０を含み得る。なぜなら、例えば、耐性または適合性はあまり望まれておらず、それによってレチクル２１０とチャック３１０との間にある離隔を形成する。この離隔が生じた場合、ギャップ５２０は、外部環境へのバックフィルガスの漏れを可能し得る。一例では、水素がバックフィルガスとして使用され、１０００Ｐａの高圧が、レチクル２１０とチャック３１０との間の内部体積内の通常の圧力である。内部体積の外では、水素の漏れは、通常、３Ｐａの低圧という結果となる。典型的な構造寸法は、突出部の高さ１０μｍ、小さなギャップの寸法２．５μｍ、ならびにトレンチの幅０．５ｍｍおよび深さ０．３ｍｍのそれぞれである。これらの寸法は、例示のために提供されており、限定のためではない。
【００４２】
[0047]  さらに図５に示すように、一例では、チャック３１０は、任意選択として、熱をチャック３１０から取り除くために冷却流体が中を通る１つ以上の冷却チャネル５３０を含んでよい。一例では、冷却チャネル５３０を通る冷却流体は水であるが、他の冷却流体を使用してもよい。
【００４３】
[0048]  壁５１０に戻ると、一例では、壁５１０の外周を変更することによって異なる熱伝導プロファイルが生じる。例えば、レチクル２１０の裏側全体にわたる均一な熱伝導は、レチクル２１０の外周に対応するように壁５１０の外周を選択することによって生じることができる。しかしながら、上述したように、吸収放射２５０により、レチクル２１０の中心は相対的に高温である一方、レチクル２１０の縁部は相対的に低温であり得る。これはレチクル２１０の不均一な膨張という結果となる。したがって、この例では、レチクル２１０の縁部での熱伝導を減少させる一方、レチクル２１０の中心の熱伝導を維持することが望ましい。それを行うことにより、レチクル２１０にわたる温度変化およびその結果として生じる膨張は、より均一になる。均一なレチクル膨張は修正可能である一方、不均一な膨張は、多くの場合、修正できない。したがって、レチクル２１０にわたる温度変化がより均一になった場合、歪みおよびオーバーレイエラーなどのイメージ配置エラーは減少される。
【００４４】
[0049]  本発明の例示的実施形態では、壁５１０（例えば、流量制限ダム）の外周を縮小させて所望の温度変化を達成する。例えば、壁５１０の外周がレチクル２１０の外周の内部にあるように壁５１０の外周を縮小することによって、レチクル２１０の裏側にわたる不均一な熱伝導を実現することができる。したがって、レチクル２１０の縁部の内側となるように壁５１０の外周を選択することによって、レチクル２１０の通常では低温の縁部はより低い熱伝導を示し、それによって縁部での温度を高めることができる。レチクル２１０の通常では高温の中心は、より高い熱伝導を受け続けるため、縮小された壁５１０の外周の複合効果は、小さな温度変化、結果として生じるより小さな膨張変化、よって減少した歪みおよびオーバーレイエラーを提供することである。
【００４５】
[0050]  図６Ａおよび図６Ｂは、例示的な壁（例えば、流量制限ダム）構成を示す。壁５１０の外周をレチクル２１０の縁部より小さく、したがってその内側に入るように設計することによって、レチクル２１０にわたる温度の変化、したがって膨張の変化における結果的減少を伴う不均一な熱伝導プロファイルが達成される。
【００４６】
[0051]  図６Ａは、レチクル２１０の縁部内に入る壁５１０の平面図を示す。この特定な例では、六面形状が示されているが、レチクル２１０の温度変化を減少させるあらゆる形状を使用してもよい。
【００４７】
[0052]  図６Ｂは壁５１０の斜視図を示す。この図では、突出部３２０上に置かれた
レチクル２１０が示されており、内部空間５４０は、レチクル２１０およびチャック３１０の対向面３３０および３４０の間に画定される。バックフィルガスは供給ポート４１０およびトレンチ４２０によって導入される。壁５１０または壁はレチクル２１０の縁部内に入り、その外周はレチクル２１０の温度変化を減少させるように選択される。壁５１０は内部空間内のバックフィルガスの圧力を維持する。上述したように、壁５１０は、レチクル２１０にわたる温度変化を減少させるという目的に矛盾することなくあらゆる形状であってよい。図６Ｂでは、例示のために四面形状が示されている。
【００４８】
[0053]  本発明の模擬実演では、訂正されたオーバーレイエラーは２．０ｎｍから１．３ｎｍに減少された。図６Ａおよび図６Ｂは、単に例示のためである。壁５１０の他の外周および形状は、所望の熱伝導プロファイルおよび温度変化に基づいて設計されてよい。上記したように、所望の熱伝導プロファイルは、レチクル２１０の熱プロファイルに応じて膨張プロファイルを減少させることなどの考慮に基づく。
【００４９】
[0054]  さらなる例示的実施形態では、レチクル材料の膨張と温度との関係を活用することができる。例えば、図７は、そのような関係を、Ｔ軸に示すレチクル材料の温度に応じたレチクル材料の膨張を表すＥ軸で示す。本発明の前の実施形態では、壁５１０の特定の外周によって作り出される不均一な熱伝導プロファイルを用いてレチクル２１０のにわたる温度変化を減少させることが望ましい目標であった。レチクル２１０にわたる膨張変化を減少させることが最終目標であるため、代替の設計目標は、関連性のある材料の膨張温度特性と組み合わされた場合に減少した膨張変化が結果として生じる、不均一な熱伝導プロファイルを選択することである。特定の実施形態では、レチクル２１０の温度変化範囲（図７にＡとして示す）の中心を、材料膨張温度特性の最低値に置くことが有益である（図７）。レチクル２１０の動作温度プロファイルの中心を最低値に置くことによって、結果として生じるレチクル２１０にわたる膨張変化は実質的に減少される。
【００５０】
[0055]  図８は、レチクル２１０にわたって可変の熱伝導プロファイルを生成するための選択的に充填可能な空洞の使用の断面図を示すことによって本発明のさらなる実施形態を示す。選択的に充填可能な空洞８１０はチャック３１０内で突出部３２０と冷却チャネル５３０との間に位置決めされて示される。３つの選択的に充填可能な空洞８１０を図８に示しているが、あらゆる数の選択的に充填可能な空洞が本発明の精神内にある。例えば、４×４の選択的に充填可能な空洞のマトリクスを使用することができる。選択的に充填可能な空洞８１０は、各々が選択的にバックフィルガスによって充填されることによって機能する。バックフィルガスによって充填されない場合、各空洞８１０は真空または低圧バックフィルガスを含む。空洞８１０を熱伝導バックフィルガスによって選択的に充填した場合、レチクル２１０内で生じる熱から冷却チャネル５３０への熱伝導パスを調整することができる。特に、熱伝導パスの調整はレチクル２１０の温度プロファイルの変更およびその結果として生じる膨張プロファイルとなる。選択的に充填可能な空洞８１０の数およびパターンは、レチクル２１０の面積にわたる熱伝導選択性の決定および各空洞８１０をバックフィルガスによって選択的に充填する能力を提供することによる複雑性などの考慮に基づいて設計されてよい。バックフィルガスは、環境の熱伝導要件および真空要件と一致する水素または他のあらゆるガスであってよい。さらに、この実施形態は、前の壁（例えば、流量制限ダム）実施形態とともに使用されてもよく、または前の壁実施形態を活用せずにそれ自体で使用されてもよい。
【００５１】
[0056]  図９は、本発明の一実施形態による、レチクル２１０にわたって不均一な熱伝導プロファイルを提供する例示的方法９００のフローチャートを提供する。
【００５２】
[0057]  プロセスはステップ９１０で開始する。ステップ９１０では、バックフィルガスは、チャック３１０内の供給ポートに提供される。
【００５３】
[0058]  ステップ９２０では、受けたバックフィルガスは、高圧バックフィルガス範囲がレチクル２１０全体より少ないように壁５１０（例えば、流量制限ダム）によって分配される。上述したように、壁５１０の外周の設計は、レチクル２１０にわたる温度変化を減少またはレチクル２１０にわたる特定のレチクル材料の膨張変化を減少させるという目標に対応できることに留意されたい。
【００５４】
[0059]  任意または代替のステップ９３０では、チャック３１０内の１つ以上の空洞８１０は、所望の不均一な熱伝導プロファイルに基づいてバックフィルガスによって選択的に充填される。バックフィルガスは、レチクル２１０とチャック３１０との間の体積（すなわち、空間）内に分配されたものと同じであっても異なっていてもよい。
【００５５】
[0060]  ステップ９４０では、方法９００が終了する。
【００５６】
[0061]  発明の概要および要約の項目は、（一人以上の）発明者が想定するような本発明の１つ以上の例示的実施形態について述べることができるが、全ての例示的実施形態を述べることはできず、したがって、本発明および添付の請求の範囲をいかなる意味でも制限しないものとする。
【００５７】
[0062]  本発明は、特定の機能の実施を例示する機能的構成要素およびその関係を用いて上記に記載してきた。これらの機能的構成要素の境界は、説明の便宜性のために本明細書中に任意に画定されている。特定の機能およびその関係が適切に行われる限り、代替的な境界を画定することができる。
【００５８】
[0063]  特定の実施形態の前述の説明は、本発明の全体的性質を十分に明らかにしているので、当技術分野の知識を適用することにより、過度の実験をせず、本発明の全体的な概念から逸脱することなく、このような特定の実施形態を容易に変更および／またはこれを様々な用途に適応させることができる。したがって、このような適応および変更は、本明細書に提示された教示および案内に基づき、開示された実施形態の同等物の意味および範囲に入るものとする。本明細書の表現または用語は説明のためのもので、制限するものではなく、したがって本明細書の用語または表現は、当業者には教示および案内の観点から解釈されるべきことを理解されたい。
【００５９】
[0064]  本発明の幅および範囲は、上述した例示的実施形態のいずれによっても制限されず、以下の特許請求の範囲およびその同等物によってのみ規定されるものである。
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【外国語明細書】
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