(57)【要約】【課題】投影光学系の結像特性を補正する。【解決手段】  照明系から射出され第１レチクルを介した照明光を第１結像光学系により反射型の第２レチクルＲ２に照射し、第２レチクルＲ２を介した照明光を第２結像光学系によりウエハに照射する。ここで、制御装置が、位置計測センサ６３，６４の計測情報に基づいて、第２レチクルＲ２を照射領域ＩＡＲ２（照明光）に対して駆動することにより、照射領域ＩＡＲ２における第２レチクルＲ２による反射分布を変更する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
エネルギビームを照射して物体を露光し、前記物体上にパターンを形成する露光装置であって、
前記エネルギビームの光路上に配置されたパターンが形成された第１マスクを介した前記エネルギビームを反射型の第２マスクに照射し、前記パターンの像を前記第２マスク上に結像する第１光学系と、
前記第２マスクを介した前記エネルギビームを前記物体に照射し、前記パターンの像の前記第２マスクを介した像を前記物体上に結像する第２光学系と、
前記第１光学系の結像面上に前記第２マスクを保持して、前記第１光学系の結像面に実質的に沿って少なくとも第１軸に平行な方向に移動する第２マスク保持装置と、
前記第２マスク及び前記第２マスク保持装置の少なくとも一方の位置情報を計測する位置計測系と、
前記位置計測系からの計測情報に基づいて前記第２マスク保持装置を介して前記第２マスクを駆動する制御装置と、を備える露光装置。
【請求項２】
前記計測系は、前記第２マスク及び前記第２マスク保持装置の少なくとも一方に設けられた前記第１光学系の結像面に実質的に平行な計測面に対向し得る配置で前記第１光学系に一体的に設けられ、前記計測面に計測光を照射し、前記計測面からの戻り光を受光するヘッド部を有し、該ヘッド部の出力に基づいて、前記所定の計測方向に関する前記第２マスク及び前記第２マスク保持装置の少なくとも一方の位置情報を計測する請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記計測面には、所定方向を周期方向とする回折格子が設けられ、前記ヘッド部は、前記回折格子からの計測光を受光して、前記回折格子の周期方向及び前記計測面に直交する方向のうちの少なくとも一方向に関する前記計測対象物の位置情報を出力する請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記回折格子は、前記計測面内の互いに直交する２軸方向に周期性を有する２次元回折格子であり、
前記ヘッド部は、前記回折格子の少なくとも一方の周期方向と前記計測面に直交する方向のうちの少なくとも一方向に関する前記第２マスク及び前記第２マスク保持装置の少なくとも一方の位置情報を出力する請求項３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記第２マスクは、そのパターン領域の外部の領域に前記回折格子が形成された反射型マスクであり、
前記第２マスク保持装置は、前記第２マスクを保持する保持部材と、前記保持部材の前記第２マスクの保持面の面形状を変化させるとともに、前記保持部材を前記第１光学系の結像面に沿って駆動する保持部材駆動系とを含み、
前記制御装置は、前記保持部材駆動系を介して前記保持部材の第２マスク保持面の面形状を変化させる請求項２〜４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記保持部材駆動系は、前記保持部材を前記第１光学系の結像面に沿って駆動する駆動装置と、前記第２マスク保持面の面形状を変化させる駆動機構とを有する請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記第１結像光学系の下端部に設けられ、前記エネルギビームの照射領域の前記第１軸に平行な方向の一側と他側の下端部に前記第２マスクの上面に僅かな間隙を挟んで対向する対向部を有し、前記第１光学系と前記第２マスクとの間の前記エネルギビームの照射領域を含む空間を外部に対してほぼ気密状態とするカバー部をさらに備える請求項１〜６のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記カバー部の前記対向面部は、前記照射領域を挟んで一側と他側に各１つ配置された一対の冷却部材によってその少なくとも一部が構成されている請求項７に記載の露光装置。
【請求項９】
前記空間内はパージガスでパージされている請求項７又は８に記載の露光装置。
【請求項１０】
前記第１光学系と前記第２光学系とは、前記第１マスクのパターンを前記物体上に投影する投影光学系を構成し、
前記第１光学系は、投影倍率が１又は１より僅かに大きく、
前記第２光学系は、投影倍率が１より小さい請求項１〜９のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１１】
前記投影光学系は、その瞳面上に補償光学系を有する請求項１〜１０のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１２】
前記第１マスクを保持して移動する移動部材をさらに備える請求項１〜１１のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の露光装置により前記物体上にパターンを形成することと、
パターンが形成された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置及びデバイス製造方法に係り、特に電子デバイス（マイクロデバイス）を製造するリソグラフィ工程で用いられる露光装置及び該露光装置を用いるデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子（集積回路等）、液晶表示素子等の電子デバイス（マイクロデバイス）を製造するリソグラフィ工程では、ステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（いわゆるステッパ）、あるいはステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置（いわゆるスキャニング・ステッパ（スキャナとも呼ばれる））などが、主として用いられている。
【０００３】
半導体素子の高集積化に伴い、パターンは次第に微細化しており、このパターンの微細化に対応するため、従来においても、露光波長の短波長化、投影光学系の開口数の増大化（高ＮＡ化）等が、図られてきた。例えば露光波長は、ＡｒＦエキシマレーザの１９３ｎｍにまで短波長化しており、開口数は、いわゆる液浸露光装置の場合、１を超えるようになっている。しかるに、半導体素子の高集積化に対する要求は留まることがなく、これに伴って露光装置にはより一層の解像度の向上が要求されるようになり、今や投影露光装置の解像限界を超えた微細なパターン像を基板（ウエハ）上に形成できることが求められるようになっている。このための有力な対処策として、いわゆるダブルパターニング法などが、最近、行われている。
【０００４】
また、投影露光装置には、高解像度とともに高スループットが要求される。このため、高エネルギの照明光が用いられるようになり、露光装置の使用に伴うレチクル（又はマスク）又は投影光学系を構成するレンズ素子等の熱膨張等が問題となってきた。
【０００５】
従来、レチクルの熱膨張に対する対策として、レチクルを冷却する方法、例えば温度制御された空気（気体）を吹き付ける方法（例えば、特許文献１参照）などが提案されている。また、投影光学系（を構成するレンズ素子等）の熱膨張に対する対策としては、投影光学系等に対する照射エネルギ量から投影光学系の光学特性の変化等を演算により推定し、その結果に基づいて、投影光学系のレンズ素子を駆動する等によりパターンの投影像の結像状態を維持、向上させることが行われてきた（例えば、特許文献２参照）。
【０００６】
しかしながら、露光装置の使用により時間の経過とともに変化するレチクル（又はマスク）又は投影光学系を構成するレンズ素子等の熱膨張に起因するパターンの投影像の結像状態の変化を補正することには、従来の投影露光装置では、限界があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−８０８５５号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２００８／０２１８７１４号明細書
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の態様によれば、エネルギビームを照射して物体を露光し、前記物体上にパターンを形成する露光装置であって、前記エネルギビームの光路上に配置されたパターンが形成された第１マスクを介した前記エネルギビームを反射型の第２マスクに照射し、前記パターンの像を前記第２マスク上に結像する第１光学系と、前記第２マスクを介した前記エネルギビームを前記物体に照射し、前記パターンの像の前記第２マスクを介した像を前記物体上に結像する第２光学系と、前記第１光学系の結像面上に前記第２マスクを保持して、前記第１光学系の結像面に実質的に沿って少なくとも第１軸に平行な方向に移動する第２マスク保持装置と、前記第２マスク及び前記第２マスク保持装置の少なくとも一方の位置情報を計測する位置計測系と、前記位置計測系からの計測情報に基づいて、前記第２マスク保持装置を介して前記第２マスクを駆動する制御装置と、を備える露光装置が、提供される。
【０００９】
これによれば、制御装置により、位置計測系からの計測情報に基づいて、第２マスク保持装置を介して第２マスクが駆動される。これにより、エネルギビームの照射領域内の第２マスクの反射面形状（第２マスクによる反射分布）が変更され、第２マスク上に第１光学系によって結像された第１マスクのパターンの像を第２結像光学系により物体上で結像された像（再結像像）の結像状態を補正することが可能になる。
【００１０】
ここで、反射分布は、反射面における光の反射状態を表す、双方向反射率分布などの上位概念である。双方向反射率分布は、光の反射モデルの１つである双方向反射率分布関数、すなわち反射表面上のある地点に対して、ある方向から光が入射したとき、それぞれの方向へどれだけの光が反射されるかを表す、反射地点に固有の関数を、用いて表現することができる。本明細書では、このような意味で、反射分布なる用語を用いている。
【００１１】
本発明の第２の態様によれば、本発明の露光装置により前記物体上にパターンを形成することと、パターンが形成された前記物体を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】一実施形態に係る露光装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図２（Ａ）は第２レチクルステージ装置の構成を概略的に示す図、図２（Ｂ）は第２レチクルの変形について説明するための図である。
【図３】面位置計測センサ６１，６２、及び位置計測センサの計測点の配置の一例を説明するための図である。
【図４】図１の露光装置の制御系を中心的に構成する主制御装置の入出力関係を示すブロック図である。
【図５】変形例に係る、面位置計測センサ６１，６２、及び位置計測センサの計測点の配置の一例を説明するための図である。
【図６】第２レチクルステージの変形例について説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の一実施形態を、図１〜図４に基づいて説明する。
【００１４】
図１には、一実施形態の露光装置１００の構成が概略的に示されている。露光装置１００は、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置、いわゆるスキャナである。以下においては、第１レチクルＲ１（及び第２レチクルＲ２）とウエハＷとが相対走査される走査方向である図１における紙面内左右方向をＹ軸方向、これに直交する紙面直交方向をＸ軸方向、Ｘ軸及びＹ軸に直交する方向（紙面内の上下方向）をＺ軸方向とし、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸回りの回転（傾斜）方向をそれぞれθｘ、θｙ、及びθｚ方向として説明を行う。
【００１５】
露光装置１００は、照明系ＩＯＰ、第１レチクルＲ１を保持してＸＹ平面に平行な面内で移動する第１レチクルステージＲＳＴ１、中間結像面を有する投影光学系ＰＬを含む投影ユニットＰＵ、第２レチクルＲ２を保持して投影光学系ＰＬの中間結像面に実質的に沿って移動する第２レチクルステージＲＳＴ２、ウエハＷを保持してＸＹ平面内で移動するウエハステージＷＳＴ、及びこれらの制御系等を備えている。ここで、第１レチクルＲ１は、透過型のレチクルであり、第２レチクルＲ２は、反射型のレチクルである。
【００１６】
照明系ＩＯＰは、光源及び照明光学系を含み、その内部に配置された視野絞り（マスキングブレード又はレチクルブラインドとも呼ばれる）により設定（制限）され、第１レチクルＲ１上でＸ軸方向に細長く伸びる矩形（又は円弧状）の照明領域ＩＡＲ１に照明光（露光光）ＩＬを照射し、回路パターンが形成された第１レチクルＲ１を均一な照度で照明する。照明系ＩＯＰの構成は、例えば米国特許出願公開第２００３／００２５８９０号明細書などに開示されている。ここで、照明光ＩＬとして、一例として、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）が用いられる。
【００１７】
第１レチクルステージＲＳＴ１は、照明系ＩＯＰの下方（−Ｚ側）に配置されている。第１レチクルステージＲＳＴ１上には、そのパターン面（図１における下面）に回路パターンなどが形成された第１レチクルＲ１が載置されている。第１レチクルＲ１は、例えば真空吸着により第１レチクルステージＲＳＴ１上に固定されている。
【００１８】
第１レチクルステージＲＳＴ１は、例えばリニアモータ等を含む第１レチクルステージ駆動系１１（図１では不図示、図４参照）によって、水平面（ＸＹ平面）内で微小駆動可能であるとともに、走査方向（図１における紙面内左右方向であるＹ軸方向）に所定ストローク範囲で駆動可能となっている。第１レチクルステージＲＳＴ１のＸＹ平面内の位置情報（θｚ方向の回転情報を含む）は、レチクルレーザ干渉計（以下、「第１レチクル干渉計」という）１４によって、移動鏡１２（又は第１レチクルステージＲＳＴ１の端面に形成された反射面）を介して、例えば０．２５ｎｍ程度の分解能で常時検出される。第１レチクル干渉計１４の計測情報は、主制御装置１２０（図１では不図示、図４参照）に供給される。主制御装置１２０は、第１レチクル干渉計１４からの計測情報に基づいて、第１レチクルステージ駆動系１１を介して第１レチクルステージＲＳＴ１のＹ軸方向の位置（及びＸ軸方向の位置、並びにθｚ方向の回転）を制御する。
【００１９】
投影ユニットＰＵは、第１レチクルステージＲＳＴ１の下方（−Ｚ側）に配置されている。投影ユニットＰＵは、筐体４０と筐体４０の内部に保持された複数の光学素子（レンズ、ミラー等）と、第２レチクルステージＲＳＴ２に保持された反射型の第２レチクルＲ２（の反射面）とを含む。複数の光学素子は、第１レチクルＲ１を介した照明光ＩＬを第２レチクルＲ２に照射して第１レチクルＲ１に形成されたパターンの像を第２レチクルＲ２の反射面（パターン面）に結像する第１結像光学系ＰＬ１と、第２レチクルＲ２の反射面からの照明光ＩＬをウエハＷに照射し、ウエハＷ上に第１レチクルＲ１に形成されたパターンの像と第２レチクルＲ２に形成されたパターンの像との合成像をウエハＷ上に結像する第２結像光学系ＰＬ２とを構成する。第１結像光学系ＰＬ１は、等倍又はほぼ等倍（倍率が１より少し大きい）の屈折光学系である。また、第２結像光学系ＰＬ２は、投影倍率が１より小さい縮小系である。本実施形態では、第１結像光学系ＰＬ１と第２レチクルＲ２と第２結像光学系ＰＬ２とによって、全体として両側テレセントリックな縮小系（投影倍率が例えば１／４倍又は１／５倍）かつ反射屈折系から成る投影光学系ＰＬが構成されている。この場合、投影光学系ＰＬの中間結像面である第１結像光学系ＰＬ１の結像面に、第２レチクルＲ２の反射面が配置されている。
【００２０】
また、第２結像光学系ＰＬ２の一部（上端部）に投影光学系ＰＬの瞳面が設けられ、その瞳面に反射面のＺ位置及び面形状が可変の補償光学系４２が設けられている。
【００２１】
このため、照明光ＩＬによって第１レチクルＲ１上の照明領域ＩＡＲ１が照明されると、第１レチクルＲ１を透過した照明光ＩＬが第１結像光学系ＰＬ１を介して第２レチクルＲ２に照射され、第２レチクルＲ２の反射面上の照明領域ＩＡＲ２内に第１レチクルＲ１のパターンの等倍像若しくは微小拡大像が結像される。照明光ＩＬは第２レチクルＲ２の反射面により反射され、補償光学系４２を含む第２結像光学系ＰＬ２を介して表面にレジスト（感応剤）が塗布されたウエハＷに照射され、照明領域ＩＡＲ１に共役なウエハＷ上の領域（以下露光領域と呼ぶ）ＩＡに第２レチクルＲ２の反射面を介した第１レチクルＲ１のパターンの一部（照明領域ＩＡＲ１内の回路パターン）の縮小像が、形成される。ここで、第２レチクルＲ２にパターンが形成されている場合には、照明領域ＩＡＲ２内の第２レチクルＲ２のパターンの像と照明領域ＩＡＲ１内の第１レチクルＲ１のパターンの像とを合成した合成像が、ウエハＷ上に形成される。以下では、特に断らない限り、第２レチクルＲ２の反射面はパターンが形成されていない反射面であるものとする。
【００２２】
そして、第１レチクルステージＲＳＴ１とウエハステージＷＳＴとの同期駆動により、照明領域ＩＡＲ１（照明光ＩＬ）に対して第１レチクルＲ１を走査方向（Ｙ軸方向）に相対移動し、同時に露光領域ＩＡ（照明光ＩＬ）に対してウエハＷを走査方向（Ｙ軸方向）に相対移動することにより、ウエハＷ上の１つのショット領域（区画領域）が走査露光され、そのショット領域内に第１レチクルＲ１のパターンが転写される。なお、図１において、符号ＩＬＬは、投影光学系ＰＬ内部の照明光ＩＬの主光線を模式的に示す。
【００２３】
補償光学系４２には、結像特性補正コントローラ４１（図１では不図示、図４参照）が接続されている。結像特性補正コントローラ４１は、照明光ＩＬを反射する補償光学系４２の反射面のＺ位置及び面形状を変化させることで、ウエハＷ上に投影される像の形成状態を調整する。ここで、補償光学系４２の反射面の形状（面位置）は、例えばその面位置を変化させる不図示のアクチュエータの駆動量を測定するエンコーダ等、又は反射面の形状を測定するセンサにより測定され、その計測結果が結像特性補正コントローラ４１に送信される。結像特性補正コントローラ４１は、主制御装置１２０からの投影像の歪みの修正に関する指示に従って補償光学系４２を制御する。本実施形態では、結像特性補正コントローラ４１と補償光学系４２とによって、ウエハＷ上に投影される像の形成状態を調整し、あるいは良好に維持するため、投影光学系ＰＬの光学特性、例えば、球面収差（結像位置の収差）、コマ収差（倍率の収差）、非点収差、像面湾曲、歪曲収差（ディストーション）等の諸収差（結像特性）を調整する結像特性補正装置が構成されている。結像特性補正装置は、ピエゾ素子等のアクチュエータによって一部のレンズエレメントを、Ｚ軸方向（光軸ＡＸｐに平行な方向）に微小駆動及びＸＹ平面に対して傾斜させる構成を含むこともできる。勿論、この場合、そのアクチュエータを、結像特性補正コントローラ４１によって制御することとしても良い。
【００２４】
図２（Ａ）には、第２レチクルＲ２を保持する第２レチクルステージＲＳＴ２の構成が概略的に示されている。
【００２５】
第２レチクルステージＲＳＴ２は、本体部５２とテーブル部５４と複数のアクチュエータ５１とを備えている。本体部５２は、レチクルベースＲＢ２上に支持されている。本体部５２は、上面が開口した矩形状の底部を有する箱型部材である。テーブル部５４は、一種のピンチャック方式のレチクルホルダであり、その上面には、エッチング加工により多数のピンＰが形成されている。第２レチクルＲ２が、テーブル部５４に真空吸着され、反射面ＲＰ２を＋Ｚ方向に向けて多数のピンＰに支持されている。テーブル部５４は、フレキシブルな素材、あるいは力を加えたときに変形する（撓む）素材で且つ弾性を備えた素材により形成されている。また、テーブル部５４は、本体部５２内に配置され、本体部５２の周壁に複数（本実施形態では４つ）の支持部材５３を介して接続され、底部にほぼ平行に支持されている。複数のアクチュエータ５１は、例えばピエゾ素子を含み、本体部５２の内部に、すなわち、底部とテーブル部５４との間の空間内に２次元配列され、テーブル部５４の下面に＋Ｚ方向の力を加える。ここで、複数のアクチュエータ５１のそれぞれを独立に制御してテーブル部５４の下面に与える力の分布を作ることにより、テーブル部５４は支持部材５３を介して本体部５２の周壁に支持された４点を基準に微小変形される。
【００２６】
ここで、複数のアクチュエータ５１を用いてテーブル部５４を微小変形させることにより、例えば図２（Ｂ）に示されるようにテーブル部５４の下面の中央に強い力（黒塗り矢印参照）を、周囲に弱い力（白抜き矢印参照）を加えてテーブル部５４を変形させることにより、第２レチクルＲ２の反射面ＲＰ２を微小変形させることができる。反射面ＲＰ２上の照明領域ＩＡＲ２内に照明光ＩＬが照射されるため、第２レチクルＲ２による照明光ＩＬの反射分布（例えば双方向反射率分布など）が変化し、第２レチクルＲ２が一種の補償光学系として機能する。アクチュエータ５１を、より稠密に配置するほど反射面ＲＰ２をより自由に変形させることが可能になる。
【００２７】
第２レチクルステージＲＳＴ２は、レチクルベースＲＢ２内のコイルユニット（固定子）５０Ａと、第２レチクルステージＲＳＴ２の底部に設けられた磁石ユニット（可動子）５０Ｂと、から構成されるムービングマグネット型の平面モータによって、ＸＹ平面内で駆動される。すなわち、平面モータ（５０Ａ，５０Ｂ）によって、第２レチクルステージＲＳＴ２を駆動する第２レチクルステージ駆動系５０（図４参照）が構成されている。第２レチクルステージ駆動系５０は、主制御装置１２０によって制御される。
【００２８】
なお、平面モータは、ムービングマグネット型に限らず、ムービングコイル型でも良い。いずれにしても平面モータは、磁気浮上方式である必要がなく、エア浮上方式を用いることができる。エア浮上方式の平面モータを採用する場合、そのガイド面となるレチクルベースＲＢ２の上面は、その平坦度が高くなるように加工する必要がある。
【００２９】
本実施形態の露光装置１００では、図２（Ａ）に示されるように、第１結像光学系ＰＬ１の下端（射出端）に照明光ＩＬの光路を挟んで±Ｙ側に、それぞれ、第２レチクルＲ２の反射面ＲＰ２のＺ軸方向に関する位置（面位置）を計測する面位置計測センサ６１，６２が設けられている。面位置計測センサ６１、６２のそれぞれは、第２レチクルＲ２の反射面ＲＰ２上の複数の点に、複数の計測光を照射する。ここで、複数の計測光は、図３に示されるように、照明光ＩＬにより照明される反射面ＲＰ２上の照明領域ＩＡＲ２の＋Ｙ側、−Ｙ側に、走査方向（Ｙ軸方向）に直交する非走査方向（Ｘ軸方向）に延びるライン６１０、６２０（厳密にはライン６１０、６２０上の複数の点）上に照射される。面位置計測センサ６１、６２は、反射面ＲＰ２からの反射光を受光することにより、ライン６１０、６２０上での第２レチクルＲ２の反射面ＲＰ２の面形状（面位置分布）を計測する。面位置計測センサ６１、６２は、ライン６１０、６２０（厳密にはライン６１０、６２０上の複数の点）上に計測光を照射可能であれば、いかなる構成のセンサであっても良く、例えば米国特許第５，４４８，３３２号明細書等に開示される多点焦点位置検出系を、面位置計測センサとして用いることもできる。面位置計測センサ６１，６２からの計測情報は、主制御装置１２０に供給される（図４参照）。
【００３０】
第２レチクルＲ２の位置情報は、図２（Ａ）に示される位置計測センサ６３，６４によって計測される。位置計測センサ６３，６４は、第１結像光学系ＰＬ１の下端（射出端）のＸ軸方向の両端部（照明光ＩＬの光路の一側と他側）に、それぞれ設けられている。位置計測センサ６３，６４としては、一例として回折干渉型のエンコーダヘッドを採用することができる。位置計測センサ６３，６４に対応して、図３に示されるように、第２レチクルＲ２上の反射面ＲＰ２の照明領域ＩＡＲ２の±Ｘ側に、それぞれ、スケールＳ３，Ｓ４がＹ軸方向に延接されている。スケールＳ３，Ｓ４の表面には、Ｘ軸方向及びＹ軸方向を周期方向とする反射型の２次元回折格子が形成されている。位置計測センサ６３、６４は、それぞれ、計測光を、スケールＳ３、Ｓ４上の点６３０、点６４０に照射する。ここで、点６３０、点６４０のＹ位置は、照明領域ＩＡＲ２の中心のＹ位置に等しい。位置計測センサ６３、６４は、それぞれ、スケールＳ３、Ｓ４からの反射光を受光して、点６３０、点６４０における第２レチクルＲ２のＸ、Ｙ、Ｚ位置を計測する。
【００３１】
位置計測センサ６３，６４からの計測情報は、主制御装置１２０に供給される（図４参照）。主制御装置１２０は、位置計測センサ６３，６４の計測情報から、第２レチクルＲ２（及び第２レチクルステージＲＳＴ２）のＸＹ平面内での位置（ヨーイング量（θｚ方向の回転量θｚ）を含む）、及び第２レチクルＲ２のＺ位置、並びにローリング量（θｙ方向の回転量θｙ）を計測する。なお、第２レチクルステージＲＳＴ２のピッチング量（θｘ方向の回転量θｘ）は、後述する第２レチクル干渉計６５を用いて計測される。主制御装置１２０は、これらの計測情報に基づいて、第２レチクルステージ駆動系５０を介して第２レチクルステージＲＳＴ２を駆動（位置制御）する。
【００３２】
なお、位置計測センサ６３，６４の構成として、ＸＹＺ位置の計測が可能な単一のセンサのみを含む構成に限らず、複数のセンサ、例えばＸＹ位置の計測が可能な１つのセンサとＺ位置の計測が可能な１つのセンサを組み合わせた構成、ＸＺ位置の計測が可能な１つのセンサとＹＺ位置の計測が可能な１つのセンサとを組み合わせた構成、Ｘ位置の計測が可能な１つのセンサとＹ位置の計測が可能な１つのセンサとＺ位置の計測が可能な１つのセンサとを組み合わせた構成等、を採用することができる。
【００３３】
本実施形態では、位置計測センサ６３，６４と独立に、図４に示されるように、干渉計システム（第１レチクル干渉計１４と区別して第２レチクル干渉計と呼ぶ）６５が設けられている。主制御装置１２０は、第２レチクル干渉計６５を用いて、第２レチクルステージＲＳＴ２に設けられた移動鏡（端面に形成された反射面（不図示））を介して、第２レチクルステージＲＳＴ２のＸ軸、Ｙ軸及びθｚの各方向の位置、並びに少なくともピッチング量θｘを計測する。
【００３４】
主制御装置１２０は、位置計測センサ６３，６４（又は第２レチクル干渉計６５）からの計測情報に基づき、第２レチクルステージＲＳＴ２をＹ軸方向に駆動しつつ、面位置計測センサ６１，６２からの反射面ＲＰ２の面位置の計測情報と、対応する位置計測センサ６３，６４（又は第２レチクル干渉計６５）からのＹ位置の計測情報とを互いに関連付けてメモリ内に格納する。そして、主制御装置１２０は、メモリ内に格納した反射面ＲＰ２の面位置の計測情報と、対応するＹ位置の計測情報とに基づいて、第２レチクルＲ２の反射面ＲＰ２の面形状（面位置分布）を求める。主制御装置１２０は、得られた面位置分布に基づいて、複数のアクチュエータ５１を制御して、第２レチクルＲ２の反射面ＲＰ２を微小変形させて所望の反射面の形状（対応する反射分布）を設定する。このとき、主制御装置１２０は、位置計測センサ６３，６４で計測された第２レチクルＲ２のローリング量と第２レチクル干渉計６５で計測された第２レチクルステージＲＳＴ２のピッチング量を考慮して、複数のアクチュエータ５１を制御する。
【００３５】
本実施形態の露光装置１００では、図２（Ａ）に示されるように、投影ユニットの筐体４０の第１結像光学系ＰＬ１の下端（射出端）の位置にパージカバー８０が設けられている。パージカバー８０は、平面視でＸ軸方向に細長い矩形の筒状部８２１と、筒状部８２１の上端部に設けられたフランジ部８２２と、筒状部８２１の下端から＋Ｙ方向及び−Ｙ方向にそれぞれ延設された一対のプレート部８２３、８２４とを有している。
【００３６】
フランジ部８２２は、その上面が、筐体４０の下面に固定されている。筒状部８２１は、第１結像光学系ＰＬ１から射出される照明光ＩＬの照射領域を取り囲んでいる。筒状部８２１のＸ軸方向の長さは、第２レチクルステージＲＳＴ２の本体部５２のＸ軸方向に関する距離と同程度の長さに設定されている。
【００３７】
プレート部８２３は、筒状部８２１の＋Ｙ側の下端から＋Ｙ側に向かって延びるＸＹ平面に平行なプレート状の部分である。このプレート部８２３の下面に、薄板状の近接冷却デバイス１１０Ａが固定されている。近接冷却デバイス１１０Ａの下面は、第２レチクルＲ２の上端面（本体部５２の上端面にほぼ一致）より僅かに高い位置に位置している。
【００３８】
プレート部８２４は、筒状部８２１の−Ｙ側の下端から−Ｙ側に向かって延びるＸＹ平面に平行なプレート状の部分である。このプレート部８２４の下面に、薄板状の近接冷却デバイス１１０Ｂが固定されている。近接冷却デバイス１１０Ｂの下面は、近接冷却デバイス１１０Ａの下面と同一のＸＹ平面上に位置している。
【００３９】
近接冷却デバイス１１０Ａの下面と第２レチクルＲ２の上端面との間、及び近接冷却デバイス１１０Ｂの下面と第２レチクルＲ２の上端面との間には、それぞれ所定のクリアランス、例えば数μｍ〜数ｍｍ（最大でも３ｍｍ）のクリアランスが形成されている。
【００４０】
近接冷却デバイス１１０Ａ、１１０ＢのＸ軸方向の長さは、筒状部８２１のＸ軸方向の長さと同程度又は僅かに短く設定されている。また、近接冷却デバイス１１０Ａは、第２レチクルステージＲＳＴ２のＹ軸方向に関する移動範囲内では、その位置にかかわらず、その下面が第２レチクルＲ２に対し少なくとも一部対向し得るように、そのＹ軸方向の長さ及び設置位置が設定されている。同様に、近接冷却デバイス１１０Ｂは、第２レチクルステージＲＳＴ２のＹ軸方向に関する移動範囲内では、その位置にかかわらず、その下面が第２レチクルＲ２に対し少なくとも一部対向し得るように、そのＹ軸方向の長さ及び設置位置が設定されている。
【００４１】
以上のようにして、本実施形態では、パージカバー８０と、近接冷却デバイス１１０Ａ，１１０Ｂと、第２レチクルＲ２とによって、ほぼ気密状態の空間１８１が形成されている。この空間１８１内に、パージガスとして、例えばクリーンドライエア（ＣＤＡ）が、不図示の供給口から供給され、不図示の排気口を介して外部に排気されている。すなわち、空間１８１の内部ガス（空気）が、ＣＤＡでパージされている。ＣＤＡは、レチクル（マスク）のヘイズ生成反応加速物質である水蒸気を含む割合が、通常の空気に比べて極端に小さい。空間１８１は、ほぼ気密状態のパージ室となっている。以下では、この空間をパージ空間１８１と呼ぶ。
【００４２】
近接冷却デバイス１１０Ａ，１１０Ｂは、不図示の冷却配管の内部を通る冷媒との熱交換によって冷却されるようになっている。この近接冷却デバイス１１０Ａ，１１０Ｂの温度は、不図示の温度センサでモニタされ、その温度信号は温調コントローラ２８（図４参照）に伝えられ、目標値に制御されるようになっている。近接冷却デバイス１１０Ａ，１１０Ｂの温度制御は、前記冷媒の温度を変えることでも達成できるし、近接冷却デバイス１１０Ａ，１１０Ｂと冷媒の間に、不図示の半導体ペルチェ素子を設置し、これに流す電流を制御することによって、能動的に伝熱量を制御することによっても達成可能である。後者の場合には、近接冷却デバイス１１０Ａ，１１０Ｂの温度制御の応答が早くなるという利点がある。本実施形態では、近接冷却デバイス１１０Ａ，１１０Ｂは、第２レチクルＲ２及び第２レチクルステージＲＳＴ２に非接触で、それらの冷却を行う。すなわち、近接冷却デバイス１１０Ａ，１１０Ｂにより第２レチクルＲ２（及び第２レチクルステージＲＳＴ２）が例えば輻射伝熱により冷却される。
【００４３】
図１に戻り、ウエハステージＷＳＴは、リニアモータ等を含むステージ駆動系２４（図１では不図示、図４参照）によって、ステージベース２２上をＸ軸方向、Ｙ軸方向に所定ストロークで駆動されるとともに、Ｚ軸方向、θｘ方向、θｙ方向、及びθｚ方向に微小駆動される。ウエハステージＷＳＴ上に、ウエハＷが、ウエハホルダ（不図示）を介して真空吸着等によって保持されている。なお、ウエハステージＷＳＴは、単一の６自由度駆動ステージに限らず、各ステージの駆動方向を組み合わせることで、ウエハＷを６自由度駆動可能となる複数のステージによって構成しても良い。
【００４４】
ウエハステージＷＳＴのＸＹ平面内の位置情報（回転情報（ヨーイング量（θｚ方向の回転量θｚ）、ピッチング量（θｘ方向の回転量θｘ）、ローリング量（θｙ方向の回転量θｙ））を含む）は、レーザ干渉計システム（以下、「干渉計システム」と略述する）１８によって、移動鏡１６（ウエハステージＷＳＴの端面に形成された反射面）を介して、例えば０．２５ｎｍ程度の分解能で常時検出される。干渉計システム１８の計測情報は、主制御装置１２０に供給される（図４参照）。主制御装置１２０は、干渉計システム１８からの計測情報に従って、ステージ駆動系２４を介してウエハステージＷＳＴのＸＹ平面内の位置（θｚ方向の回転を含む）を制御する。
【００４５】
また、ウエハＷの表面のＺ軸方向の位置及び傾斜は、例えば米国特許第５，４４８，３３２号明細書等に開示される斜入射方式の多点焦点位置検出系から成るフォーカスセンサＡＦ（図１では不図示、図４参照）によって計測される。このフォーカスセンサＡＦの計測情報も主制御装置１２０に供給される（図４参照）。
【００４６】
投影ユニットＰＵの第２結像光学系ＰＬ２の側面には、ウエハＷに形成されたアライメントマーク等を検出するウエハアライメント系（以下、アライメント系）ＡＳが設けられている。アライメント系ＡＳとして、一例として画像処理方式の結像式アライメントセンサの一種であるＦＩＡ（Field Image Alignment）系が用いられている。
【００４７】
露光装置１００では、さらに、第１レチクルステージＲＳＴ１の上方に、例えば米国特許第５，６４６，４１３号明細書等に開示される、露光波長の光を用いたＴＴＲ（Through The Reticle）アライメント系から成る一対のレチクルアライメント系１３（図１では不図示、図４参照）が設けられている。レチクルアライメント系１３の検出信号は、主制御装置１２０に供給される（図４参照）。
【００４８】
図４には、本実施形態の露光装置１００の制御系を中心的に構成する主制御装置１２０の入出力関係が、ブロック図にて示されている。主制御装置１２０は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）、ＲＯＭ（リード・オンリ・メモリ）、ＲＡＭ（ランダム・アクセス・メモリ）等から成るいわゆるマイクロコンピュータ（又はワークステーション）を含み、装置全体を統括して制御する。
【００４９】
次に、上述のようにして構成された本実施形態の露光装置１００の動作を、簡単に説明する。
【００５０】
露光に先立って、レチクルローダ（不図示）によって、第１レチクルＲ１が第１レチクルステージＲＳＴ１上にロードされる。同時に、第１レチクルＲ１に対応する第２レチクルＲ２が第２レチクルステージＲＳＴ２上にロードされる。さらに、露光装置１００に併設されたコータ・デベロッパ（不図示）によりその表面に感応層（レジスト層）が形成されたウエハＷが、ウエハローダ（不図示）によって、ウエハステージＷＳＴのウエハホルダ（不図示）上にロードされる。
【００５１】
以降、通常のスキャナと同様に、主制御装置１２０によって、一対のレチクルアライメント系１３、ウエハステージＷＳＴ上の基準マーク板（不図示）、及びアライメント系ＡＳ等を用いて、レチクルアライメント及びアライメント系ＡＳのベースライン計測等が行われる。これらの準備作業に続いて、主制御装置１２０により、例えばいわゆるショット内多点ＥＧＡなどのウエハアライメント（アライメント計測）が実行される。
【００５２】
レチクルアライメント及びアライメント系ＡＳのベースライン計測については、例えば米国特許第５，６４６，４１３号明細書などに詳細に開示されており、これに続くショット内多点ＥＧＡについては、例えば米国特許第６，８７６，９４６号明細書などに開示されている。
【００５３】
上記ショット内多点ＥＧＡにより、ウエハ上のショット領域の配列座標、及び各ショット領域の倍率を含む変形量（倍率、回転、直交度）が、求められる。
【００５４】
そこで、主制御装置１２０は、結像特性補正コントローラ４１を介して投影光学系ＰＬの補償光学系４２の反射面の形状を変形させ、必要に応じてレンズ素子を駆動する。さらに主制御装置１２０は、第１レチクルＲ１のパターンに対応する第２レチクルＲ２の反射面形状を設定することにより、投影像の形成状態（歪み等）を初期修正する。具体的には、主制御装置１２０は、第２レチクルステージＲＳＴ２をＹ軸方向に駆動しつつ、面位置計測センサ６１，６２からの反射面ＲＰ２の面位置の計測情報と、第２レチクル干渉計６５からの第２レチクルステージＲＳＴ２のＹ位置の計測情報とに基づいて、第２レチクルＲ２の反射面ＲＰ２の面形状（Ｚ位置（面位置）分布）を求める。得られた面位置分布（面形状）に基づいて、第２レチクルステージ駆動系５０（平面モータ（５０Ａ，５０Ｂ））の複数のアクチュエータ５１を個別に駆動して、第２レチクルＲ２の反射面ＲＰ２を微小変形させて反射面ＲＰ２の形状を第１レチクルＲ１のパターン像の結像に最適な形状に設定する。
【００５５】
主制御装置１２０は、アライメント計測（ショット内多点ＥＧＡ）で得られたウエハＷ上のショット領域の配列座標と、先に計測したアライメント系ＡＳのベースラインとに基づいて、ウエハステージＷＳＴをウエハＷ上の各ショット領域の走査開始位置に移動させるステッピング動作と、第１レチクルステージＲＳＴ１とウエハステージＷＳＴとを投影光学系ＰＬの投影倍率に応じた速度比で同期移動する走査露光動作とを繰り返して、ウエハＷ上の全ショット領域に、第１レチクルＲ１のパターンの像をそれぞれ転写する。
【００５６】
ステップ・アンド・スキャン方式の露光動作中に、主制御装置１２０は、位置計測センサ６３，６４からの計測情報に基づいて、第２レチクルステージＲＳＴ２を−Ｙ方向又は＋Ｙ方向に駆動することで、照明領域ＩＡＲ２に対応する領域の第２レチクルＲ２の反射面の面形状（対応する反射分布）を変更する。これとともに、（あるいはこれに代えて、）主制御装置１２０は、第２レチクルステージＲＳＴ２を−Ｙ方向又は＋Ｙ方向に駆動する際に得られる面位置計測センサ６１、６２からの計測情報に基づいて、複数のアクチュエータ５１を制御することとしても良い。これにより、照明領域ＩＡＲ２に対応する領域の第２レチクルＲ２の反射面ＲＰ２の面形状（反射分布）が部分的に変更される。面形状（反射分布）が部分的に変更された反射面ＲＰ２上に照明光ＩＬが照射されることにより、投影像の形成状態（例えば歪みなど）が補正される。従って、主制御装置１２０は、露光済みのショット領域数が増加するに伴って照明光ＩＬの吸収によって生じる第１レチクルＲ１の熱膨張を考慮して（熱膨張によるパターン像の変形が低減されるように）、上記の第２レチクルＲ２の反射面ＲＰ２の領域の面形状（反射分布）の部分的変更を行うようにしても良い。
【００５７】
あるいは、主制御装置１２０は、第２レチクルＲ２を静止させたまま、露光済みのショット領域数が増加するに伴って照明光ＩＬの吸収によって生じる第１レチクルＲ１の熱膨張を考慮して（熱膨張によるパターン像の変形が低減されるように）、複数のアクチュエータ５１を制御することで、照明領域ＩＡＲ２に対応する第２レチクルＲ２の反射面ＲＰ２の領域の面形状（反射分布）を部分的に変更することも可能である。いずれにしても、照明領域ＩＡＲ２に対応する領域の第２レチクルＲ２の反射面の面形状（対応する反射分布）を変更する際に、位置計測センサ６３，６４からの計測情報が用いられる。
【００５８】
また、複数枚のウエハに対して露光処理を繰り返す際に、所定間隔で、主制御装置１２０は、適宜、空間像計測器（不図示）等を用いて投影像の歪みを計測し、その結果に基づいて、結像特性補正コントローラ４１及び複数のアクチュエータ５１を介して、投影光学系ＰＬの結像特性を補正しても良い。これにより、第１レチクルＲ１の熱膨張、レンズ素子の熱膨張に起因する結像性能の劣化を低減することが可能になる。
【００５９】
以上説明したように、本実施形態の露光装置１００によると、主制御装置１２０により、位置計測センサ６３，６４からの計測情報に基づいて、第２レチクルステージＲＳＴ２を介して第２レチクルＲ２が駆動される。これにより、第１レチクルＲ１を介した照明光ＩＬの照射領域内の第２レチクルＲ２の反射面形状（第２レチクルによる反射分布）が変更され、第２レチクルＲ２上に第１結像光学系ＰＬ１によって結像された第１レチクルＲ１のパターンの像が第２結像光学系ＰＬ２により物体上で結像（再結像）された像の結像状態（例えば歪みなど）を補正することが可能になる。従って、露光装置１００によると、ステップ・アンド・スキャン方式の露光により、第１レチクルＲ１のパターンの像を投影光学系ＰＬを介して、ウエハＷ上の複数のショット領域のそれぞれに精度良く形成することが可能になる。
【００６０】
なお、上記実施形態では、位置計測センサ６３，６４が、同一の計測点で第２レチクルＲ２のＸ、Ｙ、Ｚ位置を計測することとしたが、これに限らず、Ｘ、Ｙ、Ｚ位置のいずれかの計測点を、他の計測点をと異ならせても良い。例えば、図５に示される例では、スケールＳ３，Ｓ４は、それぞれ、第２レチクルステージＲＳＴ２のテーブル部５４上の第２レチクルＲ２の±Ｘ側に、Ｙ軸方向に延接されている。この構成の場合、位置計測センサ６３、６４は、上記実施形態と同様に、計測光を、それぞれ第２レチクルＲ２上の点６３０、点６４０に照射する。点６３０、点６４０は、上記実施形態における点６３０、点６４０（図３参照）と同一位置に定められている。位置計測センサ６３、６４は、第２レチクルＲ２からの反射光を受光して、点６３０、点６４０における第２レチクルステージＲＳＴ２のＺ位置を計測する。これらの計測情報は主制御装置１２０に供給され、主制御装置１２０により第２レチクルＲ２のＺ位置（ローリング量θｙを含む）が求められる。
【００６１】
また、位置計測センサ６３、６４は、それぞれ、別の計測光を、スケールＳ３、Ｓ４上の点６３１、点６４１に照射する。点６３１、点６４１のＹ位置は、照明領域ＩＡＲ２の中心のＹ位置に等しい。位置計測センサ６３、６４は、それぞれスケールＳ３、Ｓ４からの反射光を受光して、点６３１、点６４１における第２レチクルステージＲＳＴ２のＸ位置及びＹ位置を計測する。これらの計測情報は主制御装置１２０に供給され、主制御装置１２０により第２レチクルステージＲＳＴ２のＸＹ平面内での位置（ヨーイング量θｚを含む）が求められる。
【００６２】
なお、上記実施形態では、第２レチクルステージＲＳＴ２内に配置された複数のアクチュエータ５１により、第２レチクルステージＲＳＴ２上に保持される第２レチクルＲ２を変形させる構成について説明した。しかし、これに限らず、第２レチクルステージ駆動系５０を磁気浮上方式の平面モータで構成し、該平面モータを、第２レチクルステージＲＳＴ２の駆動と、第２レチクルＲ２の反射面の形状の変形のためのアクチュエータとして兼用することとしても良い。
【００６３】
図６には、変形例に係る第２レチクルステージＲＳＴ２’の構成の一例が示されている。この変形例では、第２レチクルステージＲＳＴ２’は、前述のテーブル部５４と同様に、一種のピンチャック方式のレチクルホルダであり、その上面には、エッチング加工により多数のピンＰが形成されている。第２レチクルステージＲＳＴ２’は、フレキシブルな素材、あるいは力を加えたときに変形する（撓む）素材であり且つ弾性を備えた素材により形成されている。
【００６４】
第２レチクルステージＲＳＴ２’は、レチクルベースＲＢ２上に配置されている。第２レチクルステージＲＳＴ２’の底部には、磁石ユニット５０Ｂを構成する複数の永久磁石がＸＹ二次元方向にマトリクス状に配置されている。この磁石ユニット５０Ｂに対応して、レチクルベースの内部には、コイルユニット５０Ａを構成する複数のコイルがＸＹ二次元方向にマトリクス状に配置されている。ただし、この変形例では、複数のコイルは、Ｘ駆動コイル、Ｙ駆動コイルに加え、Ｚ駆動コイルを含む。なお、コイルユニット５０Ａを構成する複数のコイルは、ＸＺ駆動コイルとＹＺ駆動コイルとを含んでいても良い。
【００６５】
本実施形態では、磁石ユニット５０Ｂとコイルユニット５０Ａとによって、第２レチクルステージＲＳＴ２をＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θｘ、θｙ、及びθｚの各方向に６自由度で駆動可能な磁気浮上方式の平面モータが構成されている。すなわち、磁気浮上方式の平面モータ（５０Ａ，５０Ｂ）によって、第２レチクルステージＲＳＴ２’を駆動する第２レチクルステージ駆動系が構成されている。第２レチクルステージ駆動系は、主制御装置１２０によって制御される。例えば、主制御装置１２０が、固定子５０Ａに含まれる複数のコイルに供給される電流量を個別に制御して、例えば図６に示されるように、第２レチクルステージＲＳＴ２’の下面の中央に強い力（黒塗り矢印参照）を、周囲に弱い力（白抜き矢印参照）を加えて第２レチクルステージＲＳＴ２’を変形させることにより、第２レチクルステージＲＳＴ２’に保持された第２レチクルＲ２の反射面ＲＰ２が微小変形される。
【００６６】
なお、上記実施形態では、パージカバー８０の一対のプレート部８２３、８２４の下面のほぼ全面に、近接冷却デバイス１１０Ａ，１１０Ｂが対向して固定されるものとした。しかし、これに限らず、プレート部８２３、８２４のそれぞれの下面の一部に対向する大きさの近接冷却デバイスを用いても良い。この場合、プレート部８２３、８２４のそれぞれの下面の残りの部分には、別の部材を固定し、その別の部材と近接冷却デバイスとで、上記実施形態の近接冷却デバイス１１０Ａ，１１０Ｂと同一面積かつ同一の高さのブロックを構成すれば良い。このようにすれば、パージ空間１８１の気密性を上記実施形態と同程度に確保することができる。
【００６７】
なお、上記実施形態の露光装置１００において、前述のパージカバー８０、及び近接冷却デバイス１１０Ａ，１１０Ｂと、同様のパージカバー及び近接冷却デバイスを用いて、その第１レチクルＲ１の上方にパージ空間を形成すると共に、第１レチクルＲ１を冷却することが望ましい。
【００６８】
また、上記実施形態では、第１レチクル干渉計１４により第１レチクルステージＲＳＴ１の位置が計測され、干渉計システム１８によりウエハステージＷＳＴの位置が計測される場合について例示した。しかし、これに限らず、第１レチクル干渉計１４に代えて、あるいはこれとともに、エンコーダ（複数のエンコーダから構成されるエンコーダシステム）を用いても良い。同様に、干渉計システム１８に代えて、あるいはこれとともに、エンコーダ（複数のエンコーダから構成されるエンコーダシステム）を用いても良い。
【００６９】
また、上記実施形態では、露光装置が、液体（水）を介さずにウエハＷの露光を行うドライタイプである場合について説明したが、これに限らず、例えば国際公開第９９／４９５０４号、欧州特許出願公開第１,４２０,２９８号明細書、国際公開第２００４／０５５８０３号、米国特許第６,９５２,２５３号明細書などに開示されているように、投影光学系とウエハとの間に照明光の光路を含む液浸空間を形成し、投影光学系及び液浸空間の液体を介して照明光でウエハを露光する露光装置にも上記実施形態を適用することができる。また、例えば米国特許出願公開第２００８／００８８８４３号明細書に開示される、液浸露光装置などにも、上記実施形態を適用することができる。
【００７０】
また、上記実施形態では、露光装置がステップ・アンド・スキャン方式等の走査型露光装置である場合について説明したが、これに限らず、ステッパなどの静止型露光装置に上記実施形態を適用しても良い。また、例えば米国特許第６，５９０，６３４号明細書、米国特許第５，９６９，４４１号明細書、米国特許第６，２０８，４０７号明細書などに開示されているように、複数のウエハステージを備えたマルチステージ型の露光装置にも上記実施形態を適用できる。また、例えば国際公開第２００５／０７４０１４号などに開示されているように、ウエハステージとは別に、計測部材（例えば、基準マーク、及び／又はセンサなど）を含む計測ステージを備える露光装置にも上記実施形態は適用が可能である。
【００７１】
また、光源は、ＡｒＦエキシマレーザに限らず、ＫｒＦエキシマレーザ（出力波長２４８ｎｍ）、Ｆ2レーザ（出力波長１５７ｎｍ）、Ａｒ2レーザ（出力波長１２６ｎｍ）、Ｋｒ2レーザ（出力波長１４６ｎｍ）などのパルスレーザ光源、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３６５ｎｍ）などの輝線を発する超高圧水銀ランプなどを用いることも可能である。また、ＹＡＧレーザの高調波発生装置などを用いることもできる。この他、例えば米国特許第７,０２３,６１０号明細書に開示されているように、真空紫外光としてＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（又はエルビウムとイッテルビウムの両方）がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。
【００７２】
さらに、例えば米国特許第６，６１１，３１６号明細書に開示されているように、２つのレチクルパターンを、投影光学系を介してウエハ上で合成し、１回のスキャン露光によってウエハ上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置にも上記実施形態を適用することができる。
【００７３】
なお、上記実施形態でパターンを形成すべき物体（エネルギビームが照射される露光対象の物体）はウエハに限られるものでなく、ガラスプレート、セラミック基板、フィルム部材、あるいはマスクブランクスなど他の物体でも良い。
【００７４】
露光装置の用途としては半導体製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置や、有機ＥＬ、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ等）、マイクロマシン及びＤＮＡチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも上記実施形態を適用できる。
【００７５】
半導体素子などの電子デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたレチクルを製作するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、前述した実施形態の露光装置（パターン形成装置）及びその露光方法によりマスク（レチクル）のパターンをウエハに転写するリソグラフィステップ、露光されたウエハを現像する現像ステップ、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト除去ステップ、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記実施形態の露光装置を用いて前述の露光方法が実行され、ウエハ上にデバイスパターンが形成されるので、高集積度のデバイスを生産性良く製造することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７６】
本発明の露光装置は、物体上にパターンを形成するのに適している。また、本発明のデバイス製造方法は、マイクロデバイスの製造に適している。
【符号の説明】
【００７７】
４２…補償光学系、５０…第２レチクルステージ駆動系（平面モータ）、５１…アクチュエータ、６１，６２…面位置計測センサ、６３，６４…位置計測センサ、６５…第２レチクル干渉計、８０…パージカバー、１００…露光装置、１１０Ａ，１１０Ｂ…近接冷却デバイス、１２０…主制御装置、ＩＬ…照明光、ＰＬ…投影光学系、ＰＬ１…第１結像光学系、ＰＬ２…第２結像光学系、Ｒ１…第１レチクル、Ｒ２…第２レチクル、ＲＰ２…反射面、ＲＳＴ１…第１レチクルステージ、ＲＳＴ２…第２レチクルステージ、Ｗ…ウエハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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