(57)【要約】【課題】ヴィアのダメージを抑制することが可能な構造及び方法を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体装置を形成するための構造は、半導体基板と、ベースキャップ層２１０と、配線層の形成のための絶縁体層２１５と、絶縁体層上に形成されたハードマスク層２２０とを備え、ヴィアがハードマスク層及び絶縁体層の少なくとも一部を貫通して形成され、ヴィアが金属又は金属化合物を含有した犠牲材料で埋められている。【選択図】図２
2012119686.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
ベースキャップ層と、
配線層の形成のための絶縁体層と、
前記絶縁体層上に形成されたハードマスク層と、
を備え、
ヴィアが前記ハードマスク層及び前記絶縁体層の少なくとも一部を貫通して形成され、
前記ヴィアが金属又は金属化合物を含有した犠牲材料で埋められている
ことを特徴とする半導体装置を形成するための構造。
【請求項２】
前記犠牲材料は、酸性化合物、水、塩基性化合物及び酸化剤からなるグループから選択された少なくとも1つ以上を含む溶液に接触させることによって除去可能である
ことを特徴とする請求項１に記載の構造。
【請求項３】
前記犠牲材料と前記絶縁層との間に介在したバリアメタル層をさらに備え、
前記バリアメタル層は、チタン酸化物、チタンシリコン酸化物、マンガン酸化物及びマンガンシリコン酸化物からなるグループから選択された少なくとも1つ以上を含む
ことを特徴とする請求項１に記載の構造。
【請求項４】
半導体基板上に形成された半導体構造におけるヴィア及びトレンチパターンを形成する方法であって、
半導体基板上に形成された半導体構造の絶縁体層内にヴィアをエッチングすることであって、前記半導体構造が、ベースキャップ層と、前記ベースキャップ層上に形成された絶縁体層と、前記絶縁体層上に形成されたハードマスクとを備えることと、
前記ヴィアを金属又は金属化合物を含む犠牲材料で埋めることと、
前記半導体構造上に、トレンチパターンを有するように現像されたフォトマスクを配置することと、
前記ハードマスク層及び前記絶縁体層の少なくとも1つ以上を前記トレンチパターンでエッチングすることと、
前記犠牲材料を、前記犠牲材料及び犠牲層が３０％よりも高い重量比の有機溶剤を含んだ溶液又はフッ素含有有機化合物を含んだ溶液のいずれにも接触しないという条件で、酸性化合物、水、塩基性化合物及び酸化剤からなるグループから選択された少なくとも1つ以上を含む剥離液に接触させることよって除去することと、
を備えた方法。
【請求項５】
絶縁体層にヴィア及びトレンチパターンを形成する方法であって、
ベースキャップ層と、絶縁体層と、ハードマスク層と、前記ハードマスク層上に形成された金属ハードマスク層と、光吸収層と、ヴィアパターンを有する第１のフォトマスクとを備えた半導体基板上に形成された半導体構造を設けることと、
前記金属ハードマスク層をエッチングして前記金属ハードマスク層に前記ヴィアパターンを転写し、アッシングを行って前記第１のフォトマスク及び前記光吸収層を除去することと、
前記アッシングを行った後に前記ハードマスク層及び前記絶縁体層をエッチングしてヴィアを形成することと、
前記ヴィアを犠牲材料で埋めることであって、前記犠牲材料が金属又は金属化合物を含み、前記犠牲材料が前記ハードマスク層上の犠牲層を形成することと、
トレンチパターンを有するように現像された第２のフォトマスクを前記犠牲層上に配置することと、
前記ハードマスク層及び前記絶縁体層の少なくとも1つ以上を前記トレンチパターンでエッチングすることと、
前記犠牲材料及び前記犠牲層を、前記犠牲材料及び犠牲層が約３０％よりも高い重量比の有機溶剤を含んだ溶液又はフッ素含有有機化合物を含んだ溶液のいずれにも接触しないという条件で、酸性化合物、水、塩基性化合物及び酸化剤からなるグループから選択された少なくとも1つ以上を含む溶液に接触させることよって除去することと、
を備えた方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
開示された実施形態は、金属又は金属化合物を含有した犠牲材料を用いて形成された配線を有する配線層を形成するための構造及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現代の集積化された半導体では、配線層が半導体基板上に形成され、半導体装置全体の領域を配線している。配線層は下地層に対して導電的にコンタクトし、半導体基板上に形成された異なった半導体装置間におけるコミュニケーションを確立している。
【０００３】
配線層内の配線の寸法が縮小されるにしたがって、上層に存在する配線と下層の下地層との間のアライメントの制御性が問題となってくる。配線は、絶縁体材料内にヴィア及びトレンチのパターンを形成し導電材料で埋めることによって、配線層内に配置される。ヴィア及びトレンチのパターンの幅が減少するにしたがって、それらの形成に用いられるドライエッチング及びアッシングプロセスに起因したヴィア及びトレンチの側壁のダメージが、最終的なクリティカルディメンション（ＣＤ）の予測不能性及びアライメントの困難性を招く。
【０００４】
ヴィアファースト・トレンチラスト（ＶＦＴＬ）手法が、トレンチファースト・ヴィアラスト（ＴＦＶＬ）手法に比べてアライメントの高い精度を達成するために採用される。ＶＦＴＬ手法において、最初に形成されるヴィアは、トレンチをパターニングするためのフォトマスクのサポートとなる犠牲材料で埋められる。しかしながら、そのような犠牲材料は化学剤によって除去する必要があり、それは絶縁体材料に対してさらなるダメージを生じさせる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ヴィアのダメージを抑制することが可能な構造及び方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態に係る半導体装置を形成するための構造は、半導体基板と、ベースキャップ層と、配線層の形成のための絶縁体層と、前記絶縁体層上に形成されたハードマスク層と、を備え、ヴィアが前記ハードマスク層及び前記絶縁体層の少なくとも一部を貫通して形成され、前記ヴィアが金属又は金属化合物を含有した犠牲材料で埋められている。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１Ａ〜図１Ｈは、ヴィア及びトレンチを形成するための方法及び構成の実施形態を示した図である。
【図２】図２Ａ〜図２Ｈは、金属又は金属化合物を含有した犠牲材料を用いてヴィア及びトレンチを形成するための方法及び構成の実施形態を示した図である。
【図３】図３Ａ〜図３Ｈは、金属又は金属化合物を含有した犠牲材料及び金属ハードマスクを用いてヴィア及びトレンチを形成するための方法及び構成の実施形態を示した図である。
【図４】図４Ａ〜図４Ｈは、金属又は金属化合物を含有した犠牲材料を用いてヴィア及びトレンチを形成するための方法及び構成の実施形態を示した図である。
【図５】図５Ａ〜図５Ｇは、キャップ開口処理によってヴィアを形成し、金属又は金属化合物を含有した犠牲材料を用いてトレンチを形成するための方法及び構成の実施形態を示した図である。
【図６】図６Ａ及び図６Ｂは、金属又は金属化合物を含有した犠牲材料を用いて自己形成されるバリア層を形成するための方法及び構成の実施形態を示した図である。
【図７】図７は、ヴィア及びトレンチを形成するためのフローを示した図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
一態様によれば、半導体構造にヴィア及びトレンチが形成される。ヴィア及びトレンチは、ダマシン、デュアルダマシン、めっき、及び他の技術によって、その中に金属配線を配置するのに適している。ヴィアは、ベースキャップ層と、ベースキャップ層上に形成された絶縁体層と、絶縁体層上に形成されたハードマスクとを備えた半導体構造の絶縁体層にエッチングされる。ヴィアは犠牲材料で埋められ、犠牲材料は金属又は金属化合物を含有し、犠牲材料はさらにハードマスク層上に犠牲層を形成する。
【０００９】
ヴィア内に配置された犠牲材料は、Ｓｉ−Ｏ結合を含む材料或いは膜を含んでいない。犠牲材料は、犠牲層上に配置されたフォトマスクに対するサポートとして用いられ、フォトマスクはトレンチパターンを有するように現像される。そして、少なくとも1つ以上のハードマスク層及び絶縁体層がトレンチパターンでエッチングされ、犠牲材料及び犠牲層は、酸性化合物、水、塩基性化合物、及び過酸化水素或いはオゾンのような酸化剤から選択された少なくとも1つ以上を含有する剥離液に接触させることによって除去される。犠牲材料及び犠牲層は、３０％よりも高い重量比の有機溶剤を有する溶液又はフッ素含有有機化合物を有する溶液のいずれにも接触しない。
【００１０】
図１Ａ〜図１Ｈは、配線層の形成のための例示的な方法及び構成を示している。図１Ａは、下地層１０５上に形成されたベースキャップ層１１０を有する構造を示している。絶縁体層１１５がベースキャップ層１１０上に形成され、ハードマスク層１２０が絶縁体層１１５上に形成され、光吸収層１２５がハードマスク層１２０上に形成されている。
【００１１】
絶縁体層１１５は、半導体構造内の絶縁体として用いるのに適した任意の絶縁体材料で形成されている。一提要では、絶縁体材料は二酸化シリコンである。他の態様では、絶縁体材料は、二酸化シリコンの誘電率よりも低い誘電率を有するｌｏｗ−ｋ材料である。ｌｏｗ−ｋ材料は、シリコン原子を含むことができる。さらに他の態様では、絶縁体材料はポーラスなＳｉＣＯＨ材料である。
【００１２】
配線層は、絶縁体層１１５から形成される。以下に説明される犠牲材料が、絶縁体層１１５内のヴィア及びトレンチのパターンを形成するために有用である。ヴィア及びトレンチの所望のパターンの形成により、配線層を形成するために、公知のダマシン及びデュアルダマシン技術によって、金属配線をヴィア及びトレンチのパターン内に配置することができる。すなわち、配線層は、ヴィア及びトレンチのパターン内に配置された配線とともに絶縁体材料を含んでおり、犠牲材料はヴィア及びトレンチのパターンを形成するプロセスで用いられる。配線層は、下地層１０５上に形成され、それは、少なくとも1つ以上の他の配線層であってもよく、トランジスタ、キャパシタ、及び／又は他のデバイス構造が形成されたデバイス層であってもよく、半導体基板であってもよい。
【００１３】
一態様では、金属配線の幅は、約２５ｎｍから約１０μｍである。他の態様では、金属配線の幅は、約３０ｎｍから約１μｍである。さらに他の態様では、金属配線の幅は、約１０ｎｍから約５００ｎｍである。
【００１４】
図１Ａにおいて、フォトマスク１３０が光吸収層１２５上に配置され、フォトマスク１３０はヴィアパターンを有するようにパターニングされている。リアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）及びアッシングが公知の技術を用いて行われ、ヴィアパターンをハードマスク層１２０及び絶縁体層１１５に転写し、ヴィア１４０を形成する。アッシングは、光吸収層１２５の除去に用いることができる。エッチングはヴィアをベースキャップ層１１０まで延ばして下地層に接触させることができ（すなわち、キャップ開口）、或いはエッチングは下地層に達する前でストップさせることもでき、キャップ開口処理は後続のプロセスで行うことができる。
【００１５】
ＲＩＥ及び／又はアッシングプロセスは、光吸収層１２５及びフォトマスク１３０を除去する。しかしながら、このプロセスは、ヴィア１４０を形成するためにＲＩＥを用いた処理の後に行われ、それは、絶縁体層１１５の絶縁体材料を露出させる。ＲＩＥプロセスはたびたび、ヴィア１４０の側壁の材料にダメージ１８０を誘起する。ヴィア１４０の形成後に行われるＲＩＥ及び／又はアッシング処理は、ダメージが特に図に描かれていてもいなくても、ヴィア１４０の側壁に対してダメージを誘起する可能性を有している。トレンチ形成後、以下に述べるように、ヴィア１４０は、“キャップ開口”処理において、下地層１０５に接触するように延び、それはヴィア１４０の側壁へのさらなるダメージを誘起する可能性を有している。
【００１６】
トレンチを形成するために、ヴィア１４０は犠牲材料で埋められ、図１Ｃに示すように、犠牲材料はハードマスク層１２０上に犠牲層１４５を形成する。犠牲材料は、犠牲層１４５上に配置されたトレンチパターンを有するフォトマスク１３５に対するサポートとして機能する。フォトマスク１３５は、付加的なハードマスク及び／又は光吸収層を有することができる。ヴィアパターン及びトレンチパターンは典型的には、ハードマスク層１２０及び絶縁体層１１５の水平表面にオーバーラップし、それはフォトマスク１３５に対するサポートを与えるためにヴィア１４０が犠牲材料／層１４５で埋められていることを必要とする。
【００１７】
図１Ｄ〜図１Ｆに示されるように、トレンチパターンは、公知のエッチングプロセスにより、犠牲層１４５、ハードマスク層１２０及び絶縁体層１１５内へとエッチングされる。リアクティブイオンエッチング或いは公知の他の技術が、トレンチパターンをフォトマスク１３５からハードマスク層１２０及び絶縁体層１１５へと転写することに用いることができる。図１Ｄは、エッチングによりトレンチパターンを犠牲層１４５に転写することを示している。図１Ｅは、エッチングによりトレンチパターンをハードマスク層１２０に転写ことを示している。図１Ｆは、エッチングによりトレンチパターンを絶縁体層１１５に転写することを示している。
【００１８】
典型的には、犠牲材料／層１４５は、レジスト或いはＳｉ−Ｏ結合を含んだ物質から形成された膜である。そのような犠牲材料は、有機溶液或いはフッ素を含有した有機剥離液に接触させることで除去することができる。しかし、図１Ｇに示すように、ヴィアの底に向かって位置する残った犠牲材料１７０は、ウェット技術によって除去することは非常に困難である。図１Ｇはまた、配線１８５及びバリアメタル層１９０を有する下地の配線層としての下地層１０５をより詳細に示している。
【００１９】
有機剥離液による犠牲材料／層１４５のウェット除去は、ヴィア１４０の側壁にダメージ１８０を生成し、そのようなダメージはそれよりも前に行われたアッシング処理によるダメージに追加される。プラズマエッチングのようなドライ技術は、犠牲材料１４５を除去すること及び／又はウェット除去を試みた後に残ったヴィア１４０の底の残余材料１７０を除去することに用いることができる。しかしながら、そのような技術もまた、トレンチ１５０の側壁と同様に、ヴィア１４０の側壁にもダメージを生成する。ダメージ１８０の生成は、ヴィア１４０及びトレンチ１５０の幅を広げる原因となる。その結果、そのようなプロセスは、さらなるコスト、及び最終的に形成されるデバイスのクリティカルディメンション（ＣＤ）の制御の困難性を生じさせる。
【００２０】
図１Ｈにおいて、ヴィア１４０は、“キャップ開口”処理において下地層１０５に接触するように延伸する。“キャップ開口”処理のパフォーマンスは、ヴィア１４０の側壁へのさらなるダメージ源となる。
【００２１】
ここで開示されるイノベーションに関連する実施形態を説明する。ここで開示されるイノベーションは、少なくとも1つ以上の低酸化性酸、水及び塩基性化合物に接触させることによって除去可能な金属又は金属化合物を含有した犠牲材料の配置及び使用を許容する。金属含有犠牲材料は、ヴィアの側壁へのダメージを誘起する有機溶剤、フッ素含有剥離液或いはドライエッチングを使用すること無しに、除去することができる。さらに、金属含有犠牲材料は、ヴィア内に除去困難な堆積物を形成することなくクリアに除去される。
【００２２】
当業者は、材料の堆積、マスキング、フォトリソグラフィ、エッチング及びインプランティングを含んだ公知の半導体製造技術が、説明されたデバイス及び構造の形成に用いられることを認識するであろう。半導体構造を形成するための材料の堆積は、減圧化学気相堆積（low pressure chemical vapor deposition）、化学気相堆積（chemical vapor deposition）、原子層堆積（atomic layer deposition）等によって可能である。参照番号は、素子にマッチしている。
【００２３】
ここで用いられる“上（on）”、“上方（above）”、“下方（below）”及び“上（over）”といった語句は、半導体基板の表面によって規定された平面（plane）に対して規定される。“上（on）”、“上方（above）”及び“上（over）”等の語句は、問題とする要素（subject element）が空間的なリファレンス（spatial reference）として参照される他の要素（another element）よりも半導体基板の平面から遠ざかっていることを示している。“下方（below）”及び類似の語句は、問題とする要素（subject element）が空間的なリファレンス（spatial reference）として参照される他の要素（another element）よりも半導体基板の平面に近づいていることを示している。“上（on）”、“上方（above）”、“下方（below）”及び“上（over）”等の語句は、相対的な空間的関係を示しているだけであり、任意の要素が物理的な接触をしていることを必ずしも示していない。前述した定義は、本明細書を通して適用される。１つのレンジ（range）からの形態（figure）又はパラメータは、数的レンジ（numerical range）を生成するための同一の特徴（same characteristic）に対して、異なったレンジ（different range）からの他の形態（figure）又はパラメータに結合されてもよい。
【００２４】
図２Ａ〜図２Ｈを参照して、ここに開示されるイノベーションに関連する実施形態を説明する。図２Ａに示すように、配線層の形成のために用いられる構造は、下地層２０５上に形成されたベースキャップ層２１０を有している。絶縁体層２１５がベースキャップ層２１０上に形成され、ハードマスク層２２０が絶縁体層２１５上に形成され、光吸収層２２５がハードマスク層２２０上に形成されている。本構造は、ヴィア及びトレンチのパターンが金属配線の配置を許容する絶縁体層２１５内に形成されるように処理される。
【００２５】
絶縁体層２１５は、層２１５内の半導体構造内の絶縁物として用いられるのに適した任意の絶縁体材料で形成されている。一態様では、絶縁体材料は二酸化シリコンである。他の態様では、絶縁体材料は、二酸化シリコンの誘電率よりも低い誘電率を有するｌｏｗ−ｋ材料である。ｌｏｗ−ｋ材料はシリコン原子を含有することができる。さらに他の態様では、絶縁体材料はポーラスなＳｉＣＯＨ材料である。
【００２６】
図２Ａ〜図２Ｂは、絶縁体層２１５内のヴィアパターンの形成を示している。フォトマスク２３０が光吸収層２２５上に配置され、フォトマスク２３０がヴィアパターンを有するようにパターニングされている。ＲＩＥ及びアッシングが公知の技術を用いて行われ、ヴィアパターンをハードマスク２２０及び絶縁体層２１５に転写する。エッチングはヴィアをベースキャップ層２１０を貫通させるように延ばして下地層に接触させることができ（すなわち、キャップ開口）、或いはエッチングは下地層に達する前でストップさせることもできる。図２Ｂは、ヴィア２４０が下地層２０５に到達する前でストップしていることを示している。アッシングプロセスは、光吸収層２２５及びフォトマスク２３０を除去する。ほとんどのアッシングプロセスで本質的であるように、アッシング処理は、参照番号２８０の陰影領域で示されるように、ヴィア２４０の側壁を形成する絶縁体材料にダメージを与える。
【００２７】
ヴィア２４０は犠牲材料で埋められ、犠牲材料はハードマスク層２２０上にも犠牲層２４５を形成する。ここに開示されたイノベーションの態様によれば、犠牲材料はＰＶＤ、ＣＶＤ、めっき或いはスピンオン法で堆積された金属又は金属化合物を含有している。公知のゾル−ゲル法のようなスピンオン法を採用した場合には、堆積後の平坦化が容易である。犠牲層の材料は、以下に述べるような、水或いは水を含んだ溶液によって除去可能な金属又は金属化合物であれば、特定の金属又は金属化合物に限定されない。下地層２０５内に存在する配線はしばしば銅を含有するため、金属又は金属化合物は、銅と反応せず銅の急速なコロージョンを促進しない溶液によって除去される。犠牲材料の除去に用いられる溶液は、剥離液と呼ぶことができる。
【００２８】
多くの金属及び金属化合物は、水性の剥離液によって溶解し除去されるように、容易に酸化される。一態様では、剥離液は、犠牲材料の金属又は金属化合物を溶解させる能力を有する水溶液である一方、銅含有化合物の急速な溶解を促進しない。一態様では、剥離液は、水素イオンが犠牲材料の金属又は金属化合物を酸化することができて犠牲材料の溶解に作用する酸を含んだ水溶液である。
【００２９】
一態様では、犠牲材料の金属又は金属化合物は、塩酸、リン酸、硫酸、炭酸や、カルボン酸、酢酸、クエン酸、グルコール酸等の有機酸のように、低い酸化電位を有する酸の水溶液によって除去可能である。ここで規定するように、低い酸化電位を有する酸は、半反応式で約０．２ｍＶよりも大きい標準電位を有するさらなる還元種への還元を行うことのできるアニオンへと分離されない酸である。他の態様では、低い酸化電位を有する酸は、約０．３ｍＶよりも大きい標準電極電位を有するアニオンへと分離されない酸である。
【００３０】
銅は、Ｃｕ2+からＣｕへの還元の半反応式で０．３４ｍＶの標準電位を有する。銅は、低い酸化電位の酸によって、容易に酸化、腐食或いは溶解されない。例えば、剥離液は、硝酸のような酸化性イオンへと分解させる酸性化合物を含んでいない。剥離液は、希硫酸を含むことができる。任意の特定の剥離液の観察される酸化電位は、酸性水溶液のｐＨ及び濃度を含むいくつかのファクターに依存する。
【００３１】
一態様では、剥離液は、−２よりも高く約５よりも低いｐＨを有している。他の態様では、剥離液は、約１よりも高く約５よりも低いｐＨを有している。さらに他の態様では、剥離液は、約３よりも高く約５よりも低いｐＨを有している。一態様では、剥離液の酸の濃度は、約５Ｍよりも低い。他の態様では、剥離液の酸の濃度は、約１Ｍよりも低い。さらに他の態様では、剥離液の酸の濃度は、約５０ｍＭから約５００ｍＭである。他の態様では、剥離液は、水或いは中性或いは塩基性化合物（basic compound）の溶液である。さらに他の態様では、剥離液は、過酸化水素或いは有機過酸化化合物を含んでいる。
【００３２】
一態様では、剥離液は、有機溶剤或いはフッ素含有有機化合物を含有していない。しかしながら、当業者は、ヴィアの側壁へのダメージのような重大な悪影響を与えることなく、少量の有機溶剤が含まれることが可能であることを認識するであろう。一態様では、剥離液は、重量で約３０％以下の有機溶剤を有することができる。他の態様では、剥離液は、重量で約１０％以下の有機溶剤を有することができる。有機溶剤の例は、メタノール、エタノール、イソプロパノール、アセトン、ベンゼン、トルエン、アルカンエーテル、及び直鎖或いは分岐アルカンを含んだ有機溶剤及びアルコールを含む。
【００３３】
犠牲材料は、酸性ｐＨを有する溶液によって容易に溶解する金属、金属化合物或いは金属合金を含有することができる。一般に、そのような金属、化合物及び合金は、対応する金属イオンの還元に対して負の標準電極電位を有している。ストロンチウム酸化物、ストロンチウムチタン酸化物（ＳＴＯ）、ランタン及びランタン酸化物のような金属、金属化合物及び合金は、酸性溶液に加えて、中性或いはアルカリ剥離液によって溶解することができる。例えば、水は、ストロンチウム酸化物、ＳＴＯ、ランタン及びランタン酸化物を溶解することができる。
【００３４】
チタン窒化物（ＴｉＮ）或いはタングステンの犠牲材料は、酸を含有した剥離液、或いは、過酸化水素、アンモニア、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）、テトラエチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＥＡＨ）、コリン、及びそれらの混合物のような中性或いは塩基性化合物を含有した剥離液によって溶解する。
【００３５】
マンガン或いはマンガン酸化物を含有した犠牲材料は、塩酸、炭酸、リン酸、或いは希硫酸などを含んだ剥離液に溶解する。
【００３６】
図２Ｄ〜図２Ｆに示すように、トレンチパターンは、一連の公知のエッチングプロセスにより、犠牲層２４５、ハードマスク層２２０及び絶縁体層２１５へとエッチングされる。レジスト２３５が犠牲層２４５上に配置され、トレンチパターンでパターニング及び現像されて、ハードマスク層２２０及び絶縁体層２１５へと転写される。図２Ｄでは、トレンチを犠牲層２４５を通ってハードマスク層２２０に延伸させる第１のエッチング処理が行われる。図２Ｅでは、絶縁体層２１５までハードマスク層２２０をエッチングすることで、トレンチが延伸する。一態様では、レジスト２３５は、ハードマスク層２２０をエッチングした後に除去される。他の態様では、レジスト２３５は、ハードマスク層２２０をエッチングした後に残すことができる。
【００３７】
トレンチ２５０は、図２Ｆに示すように、絶縁体層２１５まで延伸させることで完成する。一態様では、レジスト２３５は、トレンチエッチングの完了の後に除去される。他の態様では、レジスト２３５は、トレンチ２５０をエッチングしている間に除去される。
【００３８】
図２Ｇに示すように、犠牲材料及び層２４５は、トレンチ２４０のエッチングの完了後に除去される。犠牲材料は、存在する犠牲材料の除去に適した剥離液に犠牲材料を接触させることによるウェットプロセスによって除去される。一態様では、剥離液は、フッ素原子を有する有機化合物を含有していない。剥離液は、ここで説明されるように、ヴィア２４０及びトレンチ２５０が犠牲材料で埋められていないように、犠牲材料／層２４５の全てを実質的に除去する。
【００３９】
例えば、ＴｉＮ及びタングステンの少なくとも1つ以上を含有する犠牲材料は、希硫酸、塩酸、過酸化水素、アンモニア、ＴＭＡＨ、ＴＥＡＨ、コリン、アンモニア及び過酸化水素の混合物、ＴＭＡＨ及び過酸化水素の混合物、ＴＥＡＨ及び過酸化水素の混合物、及びコリン及び過酸化水素の混合物、から選択された少なくとも1つ以上を含有する剥離液に接触させることによって除去することができる。マンガン又はマンガン酸化物の少なくとも1つ以上を含有する犠牲材料は、塩酸、炭酸、リン酸及び希硫酸などの酸から選択された少なくとも1つ以上を含有する剥離液に接触させることによって除去することができる。錫、錫酸化物、インジウム錫合金、インジウム錫酸化物、ランタン及びランタン酸化物の少なくとも1つ以上を含有する犠牲材料は、水、酸性溶液及びアルカリ性溶液から選択された少なくとも1つ以上を含有する剥離液に接触させることによって除去することができる。
【００４０】
一態様では、約３秒から約６０分、剥離液を犠牲材料に接触させる。他の態様では、約５秒から約３０分、剥離液を犠牲材料に接触させる。さらに他の態様では、約１０秒から約１５分、剥離液を犠牲材料に接触させる。さらに他の態様では、約３０秒から約５分、剥離液を犠牲材料に接触させる。
【００４１】
一態様では、剥離液を、約５から約９０℃の温度で犠牲材料に接触させる。他の態様では、剥離液を、約１０から約５０℃の温度で犠牲材料に接触させる。さらに他の態様では、剥離液を、約２０から約４０℃の温度で犠牲材料に接触させる。
【００４２】
図２Ｈでは、ヴィア２４０は、“キャップ開口”処理において、下地層２０５に接触するように延伸させられる。光吸収層２２５を除去するために行われるアッシング及び“キャップ開口”処理を行うことは、ヴィア２４０及び／又はトレンチ２５０の側壁にダメージを生じさせるが、図２Ａ〜図２Ｈに示された方法は、犠牲材料の除去に対して有機溶剤或いはフッ素を含有した有機化合物を用いないために、側壁へのダメージの量を実質的に減少させることができる。すなわち、一態様では、有機溶剤或いはフッ素を含有した有機化合物は、犠牲材料の除去に先立って構造に接触しない。
【００４３】
図３Ａ〜図３Ｈは、ここに開示されるイノベーションについての例示的な追加の実施形態である。図２Ａ〜図２Ｈ及び図３Ａ〜図３Ｈには、同様の参照番号を付している。図３Ａ〜図３Ｂでは、現像されたヴィアパターンを有するフォトマスク２３０が、上述したように、光吸収層２２５、ハードマスク層２２０、絶縁体層２１５、ベースキャップ層２１０、及び下地層２０５を有する半導体構造上に配置される。ヴィアパターンは、ＲＩＥによってハードマスク層２２０及び絶縁体層２１５に転写され、光吸収層２２５がアッシングによって除去される。上述したように、アッシングプロセスは、ヴィア２４０の側壁にダメージを生じさせる。
【００４４】
図３Ｃでは、上述したように、ヴィア２４０が金属又は金属化合物を含有した犠牲層２４５で埋められ、犠牲材料はハードマスク層２２０上に層２４５を形成する。さらに、金属ハードマスク３３５が犠牲層２４５上に配置され、トレンチパターンを有するフォトマスク２３５が形成される。
【００４５】
図３Ｄでは、フォトマスク２３５からのトレンチパターン２５０が、金属ハードマスク３３５及び犠牲層２４５に転写される。その後、フォトマスク２３５が除去され、金属ハードマスク３３５に転写されたトレンチパターンが、後続のエッチングにおけるトレンチパターンのテンプレートとして機能する。図３Ｅ及び図３Ｆに示すように、金属ハードマスク３３５は、トレンチパターン２５０をハードマスク層２２０及び絶縁体層２１５に転写する際に、トレンチパターンのテンプレートとして機能する。
【００４６】
図３Ｇでは、上述したように、剥離液に接触させることによって犠牲材料／層が除去される。金属ハードマスク３３５は、同一の溶液に接触させる、又は他の溶液に接触させることによって除去することができる。金属ハードマスク及び／又は犠牲材料を除去した後、犠牲材料で実質的に埋められることなく、ヴィア２４０及びトレンチ２５０が残る。図３Ｈでは、上述したように、“キャップ開口”処理において、ヴィア２４０が下地２０５まで到達する。
【００４７】
図４Ａ〜図４Ｈは、ここに開示されるイノベーションについての例示的な追加の実施形態である。図２Ａ〜図２Ｈ及び図４Ａ〜図４Ｈには、同様の参照番号を付している。図４Ａ〜図４Ｂでは、現像されたヴィアパターンを有するフォトマスク２３０が、上述したように、光吸収層２２５、金属ハードマスク層４３０、ハードマスク層２２０、絶縁体層２１５、ベースキャップ層２１０、及び下地層２０５を有する半導体構造上に配置される。
【００４８】
ヴィアパターンは、ＲＩＥによって金属ハードマスク層４３０に転写され、光現像層２２５がアッシングによって除去される。上述したように、アッシングプロセスは、ヴィア及び／又はトレンチの側壁にダメージを生じさせる可能性がある。しかしながら、図４Ｂに示すように、金属ハードマスク層４３０をエッチングする際に、ヴィアパターンはハードマスク層２２０中にも絶縁体層２１５中にも延伸して行かない。光吸収層２２５を除去するアッシングプロセスは、ハードマスク層２２０及び絶縁体層２１５にいかなるダメージも生じさせない。
【００４９】
金属ハードマスク層４３０をエッチングした後、ヴィアパターンはＲＩＥによってハードマスク層２２０及び絶縁体層２１５内にまで延伸する。ヴィアパターンが上述したエッチングステップの最中に金属ハードマスク４３０に転写されるため、金属ハードマスクは、ヴィアパターンをハードマスク層２２０及び絶縁体層２１５に転写してヴィア２４０を形成するためのテンプレートとして機能する。図４Ｃに示すように、ヴィア２４０が犠牲材料で埋められ、上述したように、犠牲層２４５がハードマスク層２２０上に形成される。必要であれば、追加の金属ハードマスク層４３５を、犠牲層上に形成することができる。そして、トレンチパターンを有するフォトマスク２３５が、ハードマスク２２０或いは金属ハードマスク４３５上に形成される。
【００５０】
図４Ｄに示すように、フォトマスク２３５からのトレンチパターンが、追加の金属ハードマスク４３５、犠牲層２４５及び金属ハードマスク４３０に転写され、フォトマスク２３５が除去される。図４Ｅ及び図４Ｆに示すように、金属ハードマスク４３５は、ハードマスク層２２０及び絶縁体層２１５をエッチングするためのトレンチパターン２５０のテンプレートとして機能する。
【００５１】
図４Ｇでは、上述したように、剥離液に接触させることによって犠牲材料／層が除去される。金属ハードマスク４３５は、同一の溶液に接触させる、又は他の溶液に接触させることによって除去することができる。金属ハードマスク及び／又は犠牲材料を除去した後、犠牲材料で実質的に埋められることなく、ヴィア２４０及びトレンチ２５０が残る。図４Ｈでは、上述したように、“キャップ開口”処理において、ヴィア２４０が下地２０５まで到達する。ハードマスク層及び絶縁体層がアッシングに晒されることがないため、ヴィア２４０及びトレンチ２５０の側壁に生じるダメージの量が実質的に減少する。
【００５２】
図５Ａ〜図５Ｇは、追加の実施形態を示している。図４Ａ〜図４Ｈ及び図５Ａ〜図５Ｇには、同様の参照番号を付している。図５Ａは、上述した特徴及び層を有する半導体構造を示している。図５Ｂでは、フォトマスク２３０からのヴィアパターンが、第１のエッチングにより金属ハードマスク層４３０に転写される。続いて、フォトマスク２３０及び光吸収層２２５がアッシングプロセスによって除去される。アッシングの後、ＲＩＥによって下地層２０５まで延伸したヴィア５４０が形成される。すなわち、後続の処理においてトレンチパターンのエッチングが行われる前に、“キャップ開口”処理が行われる。すなわち、分離された“キャップ開口”処理が排除され、分離された“キャップ開口”処理を行うことによってヴィア５４０及び／又はトレンチの側壁に生じる可能性があるさらなるダメージが最小化される。
【００５３】
図５Ｃ〜図５Ｆでは、ヴィア５４０が金属又は金属化合物を有する犠牲材料で埋められ、金属ハードマスク或いはＳｉ含有ハードマスクのような第２の金属ハードマスク層４３５、及びトレンチパターンを有するフォトマスク２３５が、犠牲層２４５上に配置される。続いて、トレンチが、上述したように、第２の金属ハードマスク層４３５、ハードマスク層２２０及び絶縁体層２１５へとエッチングされる。図５Ｇは、上述した剥離液に接触させた後の、犠牲材料が実質的に無いヴィア５４０及びトレンチ２５０を示している。
【００５４】
図６は、ここに開示されたイノベーションによって得ることが可能なさらなる効果を示している。図６Ａは、ハードマスク層６２０、絶縁体層６１５及びベースキャップ層６１０内までエッチングされたヴィアに埋められた犠牲層６４５を示している。下地層６０５は、配線６８５及びバリアメタル層６９５を有する例示的な配線層として示されている。犠牲材料６４５は、トレンチパターンを有するフォトマスク６３５をサポートするよう機能する。犠牲材料６４５の金属又は金属化合物材料は、犠牲材料６４５のバルクとハードマスク層６２０及び絶縁体層６１５との間に介在するバリアメタル層６９０を自己形成することができる。バリアメタル層６９０は、犠牲材料をハードマスク層６２０及び／又は絶縁体層６１５の材料と反応させて、金属酸化物或いは金属シリコン酸化物を形成することによって形成することができる。一態様では、金属バリア層は、チタン酸化物、チタンシリコン酸化物、マンガン酸化物及びマンガンシリコン酸化物から選択された少なくとも1つ以上を含む。トレンチパターンは、上述した任意の実施形態にしたがってエッチングされる。
【００５５】
フォトマスク６３５のトレンチパターンは、ハードマスク層６２０及び絶縁体層６１５へとエッチングされ、トレンチ６５０が形成される。続いて、犠牲材料６４５が、上述したように、剥離液に接触させることによって除去され、図６Ｂに示された構造が生成される。バリアメタル層６９０は、犠牲材料が配置されていたときには犠牲材料６４５に接触していた表面及びヴィア６４０に残される。バリアメタル層６９０を有する構造は、後続の処理においてさらに処理される。バリアメタル層６９０の効果的な特徴は、“キャップ開口”のようなさらなるプロセスに起因するさらなるダメージに対して、バリアメタル層が絶縁体層６１５を保護できることである。
【００５６】
ここに開示されたイノベーションの十分な説明のために、半導体構造内のヴィア及びトレンチパターンを形成する処理を、図７を参照して説明する。処理７０２では、少なくとも1つ以上のハードマスク層及び／又は絶縁体層がヴィアパターンでエッチングされ、その構造は、少なくとも半導体基板、半導体基板上に形成されたベースキャップ層、ベースキャップ層上に形成された絶縁体層、及び絶縁体層上に形成されたハードマスクを有する。処理７０４では、絶縁体層及び／又はハードマスク層に形成されたヴィアを、金属又は金属化合物を有する犠牲材料で埋め、犠牲材料で形成された犠牲層がハードマスク層上に形成される。処理７０６では、少なくとも1つ以上のハードマスク層及び絶縁体層がトレンチパターンでエッチングされる。処理７０８では、犠牲材料及び犠牲層が濃縮された有機溶剤又はフッ素含有有機化合物のいずれにも接触しないという条件で、酸性化合物、水、塩基性化合物及び酸化剤から選択された少なくとも1つ以上を有する剥離液に接触させることよって、犠牲材料が除去される。濃縮された有機溶剤は、約３０％よりも高い重量比の有機溶剤を有している。
【００５７】
与えられた特性に対する任意の形態（figure）或いは数的範囲（numerical range）について、１つの形態或いは１つの範囲からのパラメータは、数的範囲を生成する同一の特性に対して、他の形態或いは異なった範囲からのパラメータに結合されてもよい。
【００５８】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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