(57)【要約】    【課題】  金属層を有するプリント配線板の信頼性が低い。    【解決手段】  スルーホール導体３６は、プリント配線板の第１面から第２面に向かってテーパーしているとともに第２面から第１面に向かってテーパーしている。そして、金属層２０の開口２１の内壁が湾曲している。このため、厚みの薄い金属層が用いられても、金属層２０と樹脂絶縁層２４との界面に於けるクラックの発生を防ぐことができる。【選択図】  図６
2012209553.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と該第１面とは反対側の第２面とを有し、該第１面から該第２面に至る開口を有する金属層と、
前記金属層の開口を充填している充填樹脂と、
上面と該上面とは反対側の下面を有し、該下面が前記金属層の第１面と対向するように前記金属層の第１面と前記充填樹脂上に形成されている第１樹脂絶縁層と、
主面と該主面とは反対側の副面を有し、該副面が前記金属層の第２面と対向するように前記金属層の第２面と前記充填樹脂上に形成されている第２樹脂絶縁層と、
前記第１樹脂絶縁層の上面上に形成されている第１導体層と、
前記第２樹脂絶縁層の主面上に形成されている第２導体層と、
前記第１樹脂絶縁層、前記充填樹脂と前記第２樹脂絶縁層を貫通している貫通孔に形成され、前記第１導体層と前記第２導体層とを接続しているスルーホール導体と、を有するプリント配線板において、
前記金属層の開口により露出する該金属層の側壁は、前記金属層の内側に湾曲していて、前記貫通孔は前記第１樹脂絶縁層を貫通し前記充填樹脂内に至る第１開口部と前記第２樹脂絶縁層を貫通し前記充填樹脂内に至り前記充填樹脂内で前記第１開口部と繋がっている第２開口部とで形成されていて、前記第１開口部は前記第１樹脂絶縁層の上面から前記第２樹脂絶縁層の主面に向って細くなっていて、前記第２開口部は前記第２樹脂絶縁層の主面から前記第１樹脂絶縁層の上面に向って細くなっている。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板において、前記貫通孔は金属層で充填されている。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板において、前記第１開口部は前記第１樹脂絶縁層の上面に第１開口を有し、前記第２開口部は前記第２樹脂絶縁層の主面に第２開口を有し、前記第１開口の重心を通り前記第１樹脂絶縁層の上面に垂直な直線と前記第２開口の重心を通り前記第１樹脂絶縁層の上面に垂直な直線はオフセットしている。
【請求項４】
請求項１のプリント配線板において、前記充填樹脂は、前記第１樹脂絶縁層と前記第２樹脂絶縁層の少なくとも一方の樹脂を含む。
【請求項５】
請求項１のプリント配線板において、前記金属層の厚みは２０μｍ〜１００μｍである。
【請求項６】
請求項１のプリント配線板において、前記金属層の表面は粗面を有し、該粗面のＲｚは2.0〜6.0μｍである。
【請求項７】
請求項１のプリント配線板において、前記金属層の前記第１面と前記第２面は異なる粗面を有する。
【請求項８】
請求項７のプリント配線板において、前記金属層の第１面のＲｚは3.5〜6.0μｍであり、前記金属層の第２面のＲｚは2.0〜3.0μｍである。
【請求項９】
請求項１のプリント配線板において、前記金属層は電源あるいはグランドである。
【請求項１０】
請求項１のプリント配線板において、前記第１と第２樹脂絶縁層は補強材を有し、前記充填樹脂は補強材を有しない。
【請求項１１】
請求項１のプリント配線板において、前記金属層は銅あるいはＦｅ−Ｎｉ合金で形成されている。
【請求項１２】
請求項１のプリント配線板において、前記第１開口部の側壁は前記第１樹脂絶縁層と前記充填樹脂の境界で前記金属層の断面方向に屈曲している。
【請求項１３】
請求項１２のプリント配線板において、前記第２開口部の側壁は前記第２樹脂絶縁層と前記充填樹脂の境界で前記金属層の断面方向に屈曲している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、開口を有する金属層と金属層の開口内に形成されている充填樹脂と金属層を挟む樹脂絶縁層とスルーホール導体とを有するプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特開２００４−１４０２１６号は、貫通孔を有する金属層を有するプリント配線板を開示している。そして、金属層の貫通孔内にストレート形状のスルーホール導体が形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１４０２１６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特開２００４−１４０２１６号のスルーホール導体はストレート形状なので、金属層が電源などに利用される場合、金属層とスルーホール導体間で短絡しやすいと考えられる。また、金属層の開口内に形成されている樹脂はスルーホール導体と金属層で挟まれている。金属と樹脂は熱膨張係数が異なるので、ヒートサイクルなどで金属層の開口内に形成されている樹脂にクラックが発生すると考えられる。そのクラックにより、金属層とスルーホール導体が短絡するケースが発生すると考えられる。
本明細書内で特開２００４−１４０２１６号は従来技術と記載される。
【０００５】
本発明の目的は、高い信頼性を有する金属層を有するプリント配線板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るプリント配線板は、第１面と該第１面とは反対側の第２面とを有し、該第１面から該第２面に至る開口を有する金属層と、前記金属層の開口を充填している充填樹脂と、上面と該上面とは反対側の下面を有し、該下面が前記金属層の第１面と対向するように前記金属層の第１面と前記充填樹脂上に形成されている第１樹脂絶縁層と、主面と該主面とは反対側の副面を有し、該副面が前記金属層の第２面と対向するように前記金属層の第２面と前記充填樹脂上に形成されている第２樹脂絶縁層と、前記第１樹脂絶縁層の上面上に形成されている第１導体層と、前記第２樹脂絶縁層の主面上に形成されている第２導体層と、前記第１樹脂絶縁層、前記充填樹脂と前記第２樹脂絶縁層を貫通している貫通孔に形成され、前記第１導体層と前記第２導体層とを接続しているスルーホール導体と、を有する。そして、前記金属層の開口により露出する該金属層の側壁は、前記金属層の内側に湾曲していて、前記貫通孔は前記第１樹脂絶縁層を貫通し前記充填樹脂内に至る第１開口部と前記第２樹脂絶縁層を貫通し前記充填樹脂内に至り前記充填樹脂内で前記第１開口部と繋がっている第２開口部とで形成されていて、前記第１開口部は前記第１樹脂絶縁層の上面から前記第２樹脂絶縁層の主面に向って細くなっていて、前記第２開口部は前記第２樹脂絶縁層の主面から前記第１樹脂絶縁層の上面に向って細くなっている。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の第１実施形態に係る多層プリント配線板の製造方法を示す工程図
【図２】第１実施形態の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図
【図３】第１実施形態の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図
【図４】第１実施形態の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図
【図５】第１実施形態の多層プリント配線板の製造方法を示す工程図
【図６】第１実施形態に係る多層プリント配線板の断面図
【図７】図６に示されている多層プリント配線板にＩＣチップが実装されている状態を示す断面図
【図８】貫通孔や開口の大きさを示す図
【図９】金属層の開口と第１開口、第２開口の位置関係や各開口の重心の位置関係を示す図
【図１０】貫通孔の径を示す図
【図１１】第１と第２開口部の例
【図１２】金属層の断面図
【図１３】金属層の開口の説明図
【図１４】従来技術のスルーホール導体と第１実施形態のスルーホール導体を示す図
【図１５】接合部の位置を示す図
【図１６】へこみ量（Ｒｅ）を示す図
【図１７】金属層の開口の形成方法の例
【図１８】貫通孔の断面図の例
【発明を実施するための形態】
【０００８】
[第１実施形態]
第１実施形態の多層プリント配線板１０（図５（Ａ）参照）が図６を参照して説明される。図６は多層プリント配線板１０の断面図を示している。多層プリント配線板１０はプリント配線板３０とプリント配線板上のビルドアップ層で形成されている。プリント配線板３０は、開口２１を有する金属層２０とその開口２１内に充填されている充填樹脂２４Ｃと金属層２０を挟む第１樹脂絶縁層２４Ａと第２樹脂絶縁層２４Ｂと第１樹脂絶縁層上の第１導体層３４Ａと第２樹脂絶縁層上の第２導体層３４Ｂとスルーホール導体３６とを有する。第１導体層や第２導体層はスルーホール導体の周りに形成されているランド２９Ａ、２９Ｂや複数の導体回路３４０Ａ、３４０Ｂを含む。金属層２０は第１面と第１面と反対側の第２面を有する。また、金属層は第１面から第２面に至る開口２１を有する。その開口２１により露出する金属層の側壁２００Ａは内側に湾曲している（図１３（Ａ））。図１３に金属層の断面図（図１３（Ａ））と平面図（図１３（Ｂ））が示されている。図１３（Ａ）中の２００Ａは開口２１により露出する金属層の側壁（壁面）を示している。図１３（Ａ）が示すように、金属層の側壁は側壁の上端２００Ｕと下端２００Ｂを結ぶ線２００Ｌから内側に凹んでいる。金属層は第１面に開口（Ａ）を有し、第２面に開口（Ｂ）を有する（図１３（Ｂ））。図１３（Ｂ）では、開口（Ａ）の径（ＲＡ）と開口（Ｂ）の径（ＲＢ）は同じである。
【０００９】
第１樹脂絶縁層は上面と上面とは反対側の下面とを有し、金属層の第１面と充填樹脂上に形成されている。第１樹脂絶縁層の下面と金属層の第１面が対向している。
第２樹脂絶縁層は主面と主面とは反対側の副面とを有し、金属層の第２面と充填樹脂上に形成されている。第２樹脂絶縁層の副面と金属層の第２面が対向している。
第１導体層３４Ａは第１樹脂絶縁層の上面上に形成されていて、第２導体層３４Ｂは第２樹脂絶縁層の主面上に形成されている。
【００１０】
スルーホール導体３６は第１樹脂絶縁層、充填樹脂と第２樹脂絶縁層を貫通する貫通孔２８に形成されている。その貫通孔は第１開口部２８Ａと第２開口部２８Ｂで形成されている。第１開口部は第１樹脂絶縁層を貫通し充填樹脂に至っている。そして、第１開口部は第１樹脂絶縁層の上面から第２樹脂絶縁層の主面に向って細くなっている。第２開口部は第２樹脂絶縁層を貫通し充填樹脂に至っている。そして、第２開口部は充填樹脂内で第１開口部に繋がっている。また、第２開口部は第２樹脂絶縁層の主面から第１樹脂絶縁層の上面に向って細くなっている。
【００１１】
第１開口部は第１樹脂絶縁層の上面に第１開口２８０Ａを有し、第２開口部は第２樹脂絶縁層の主面に第２開口２８０Ｂを有している。図１０に貫通孔２８の断面図と径が示されている。Ｒ１は第１開口２８０Ａの径であり、Ｒ２は第２開口２８０Ｂの径である。また、金属層の第１面と平行な位置での貫通孔の径がＲ３として図１０に示されている。金属層の第２面と平行な位置での貫通孔の径がＲ４として図１０に示されている。第１開口２８０Ａの径（Ｒ１）と第２開口２８０Ｂの径（Ｒ２）の内、大きい径がスルーホール導体の径に相当する。
【００１２】
図１４は、従来技術のスルーホール導体（図１４（Ａ））と第１実施形態のスルーホール導体（図１４（Ｂ））が同じ径を有し、従来技術の金属層の開口と第１実施形態の金属層の開口が同じ径（ＲＡ、ＲＢ）を有している例を示している。図１４では、Ｒ１とＲ２は等しく、Ｒ３とＲ４は等しい。また、ＲＡとＲＢは等しい。図１４にスルーホール導体と金属層間の最小距離（ＭｉｎＤ）が示されている。ＭｉｎＤ１が第１実施形態の最小距離に相当し、ＭｉｎＤ２が従来技術の最小距離に相当する。ＭｉｎＤ１はＭｉｎＤ２より大きい。従って、第１実施形態は従来技術より絶縁信頼性に優れると考えられる。第１実施形態のプリント配線板によれば、金属層が電源層やグランド層として利用される場合、金属層とスルーホール導体は従来技術より短絡し難いと考えられる。
【００１３】
また、第１実施形態のプリント配線板の最小距離はＭｉｎＤ２と等しくてもよい。その場合、プリント配線板に占める金属層の体積が大きくなるので、放熱性が向上する。従って、第１実施形態のプリント配線板は消費電力の大きいＩＣチップを搭載することができる。例えば、第１実施形態のプリント配線板はパッケージオンパッケージ（ＰＯＰ）の下基板に用いられる。そして、第１実施形態のプリント配線板は２ワット以上の消費電力を有するICチップを搭載することができる。ＰＯＰの上基板に搭載されるメモリーが誤動作し難い。第１実施形態のプリント配線板では、ＭｉｎＤを小さくすることで、プリント配線板のサイズを小さくすることができる。
【００１４】
第１実施形態のプリント配線板のスルーホール導体は第１開口部と第２開口部の接合箇所で屈曲部２８Ｃを有している。屈曲部ＫＢに応力は集中し易いので、屈曲部を起点として充填樹脂にクラックが入り易い。しかしながら、図１４（Ｂ）に示されているように、第１実施形態では、スルーホール導体の側壁と金属層の側壁が逆向きにへこんでいる。そのため、スルーホール導体の屈曲部と金属層間の距離が長い。従って、屈曲部を起点とするクラックが金属層に到達し難い。それ故、第１実施形態のプリント配線板では、スルーホール導体と金属層間でショートが発生し難い。第１実施形態では、最小距離（ＭｉｎＤ１）を小さくできる。最小距離が小さいとスルーホール導体から金属層へ熱が移動しやすいので、第１実施形態のプリント配線板は放熱性に優れる。また、従来技術よりサイズが小さくなる。
本明細書内で、プリント配線板３０はコア基板３０とも称される。第１樹脂絶縁層の上面とコア基板の第１面は同じ面であり、第２樹脂絶縁層の主面とコア基板の第２面は同じ面である。
【００１５】
コア基板３０の第１面（Ｆ）と第１導体層上に上層の層間樹脂絶縁層５０Ａが形成されている。上層の層間樹脂絶縁層５０Ａは第１面と第１面とは反対側の第２面とを有している。上層の層間樹脂絶縁層５０Ａの第２面はコア基板の第１面と対向している。上層の層間樹脂絶縁層５０Ａの第１面上に導体回路５８Ａが形成されている。上層の層間樹脂絶縁層５０Ａ上の導体回路５８Ａと第１導体層またはスルーホール導体は上層の層間樹脂絶縁層５０Ａを貫通するビア導体６０Ａで接続されている。
【００１６】
コア基板３０の第２面（Ｓ）と第２導体層上に下層の層間樹脂絶縁層５０Ｂが形成されている。下層の層間樹脂絶縁層５０Ｂは第１面と第１面とは反対側の第２面とを有している。下層の層間樹脂絶縁層５０Ｂの第２面はコア基板の第２面と対向している。下層の層間樹脂絶縁層５０Ｂの第１面上に導体回路５８Ｂが形成されている。下層の層間樹脂絶縁層５０Ｂ上の導体回路５８Ｂと第２導体層またはスルーホール導体は下層の層間樹脂絶縁層５０Ｂを貫通するビア導体６０Ｂで接続されている。
【００１７】
上層の層間樹脂絶縁層５０Ａの第１面上に上層のソルダーレジスト層７０Ａが形成され、下層の層間樹脂絶縁層５０Ｂの第１面上に下層のソルダーレジスト層７０Ｂが形成されている。上層と下層のソルダーレジスト層７０Ａ、７０Ｂはビア導体６０Ａ、６０Ｂや導体回路５８Ａ、５８Ｂを露出する開口７１Ａ、７１Ｂを有している。開口７１Ａ、７１Ｂにより露出するビア導体や導体回路の上面は半田パッドとして機能する。半田パッド上に半田バンプ７６Ａ、７６Ｂが形成されている。
【００１８】
金属層２０の拡大図が図１２に示されている。
金属層２０の材質として、銅あるいはＦｅ−Ｎｉ合金が好ましい。金属層２０の厚みは、２０μｍ〜１００μｍであり、第１面と第２面は粗面を有する。金属層の表面に積層される第１樹脂絶縁層、第２樹脂絶縁層と金属層との密着性が向上する。それらの粗さは、Ｒｚで2.0〜6.0μｍである。2.0μｍより小さいと密着性が低く、6.0μｍより大きいと樹脂絶縁層の平坦度が悪くなる。それぞれの面粗さは、例えば、KEYENCE製のレーザマイクロスコープで測定される。
【００１９】
金属層の第１面と第２面の粗さは異なってもよい。この場合、金属層の第１面上にＩＣチップが実装され、第１面の粗さはＲｚで3.5〜6.0μｍであり、第２面の粗さはＲｚで2.0〜3.0μｍである。第１面側に熱膨張係数の小さいＩＣチップなどの電子部品が実装される。そのため、金属層の第１面と第１樹脂絶縁層の界面に働く応力は金属層の第２面と第２樹脂絶縁層の界面に働く応力より大きいと推察される。従って、第１面のRzは第２面のRzより大きいことが好ましい。
【００２０】
コア基板３０の金属層２０は電源またはグランドに用いられる。第１樹脂絶縁層に第１導体層と金属層とを接続するビア導体３８Ａを形成することで、金属層は電源またはグランドとして機能する。もしくは、第２樹脂絶縁層に第２導体層と金属層とを接続するビア導体３８Ｂを形成することで、金属層は電源またはグランドとして機能する。コア基板はビア導体３８Aとビア導体３８Bを共に有してもよい。
【００２１】
第１または第２樹脂絶縁層が金属層に積層される時、第１または第２樹脂絶縁層の少なくとも一方の樹脂が金属層の開口を充填する。第１または第２樹脂絶縁層が無機粒子を含む時、無機粒子を含む樹脂で開口２１は充填される。その後、樹脂は硬化され、開口２１内に充填樹脂２４Ｃが形成される。充填樹脂はガラスクロスなどの補強材を有していない。
【００２２】
図６中のコア基板３０に形成されているスルーホール導体３６は、貫通孔を充填している金属で形成されている。金属は例えばめっきで形成される。金属は銅が好ましい。
【００２３】
第１実施形態のスルーホール導体は、接合部ＫＢを有する（図１４）。接合部は屈曲部とも称される。接合部は第１開口部と第２開口部が交わる部分である。第１実施形態では、接合部の位置は、金属層の断面方向の中央と一致しても良い（図１５（Ａ））。中央は金属層の第１面と第２面から等距離の位置である。接合部の位置は金属層の中央と異なることが好ましい（図１５（Ｂ））。
【００２４】
スルーホール導体３６の断面は砂時計形状である。開口２１により露出する金属層２０の壁面間距離（W）は金属層の第１面から金属層の中央に向って長くなり、所定の位置で最大になる。そして、壁面間距離（W）は所定の位置から金属層の第２面に向って短くなる（図１３（Ａ））。金属層２０の壁面（側壁）は曲面であり円弧状に形成されている。
【００２５】
第１実施形態の金属層の厚みは２０〜１００μｍであることが好ましい。金属層の厚みが２０μｍ未満の場合、スルーホール導体の接合部を金属層の第１面から第２面の間に形成することが難しい。つまり、接合部が第１または第２樹脂絶縁層内に形成される。
金属層の厚みが厚くなると、スルーホール導体と金属層の壁面との間に形成される充填樹脂の体積が増える。第１実施形態のスルーホール導体は接合部を有する。接合部は細いので、その部分で発熱すると考えられる。充填樹脂の体積が大きいほど、その熱は充填樹脂に蓄積されると考えられる。そして、充填樹脂は膨張し、スルーホール導体の接合部に力が働くと考えられる。その力が大きくなると、スルーホール導体または充填樹脂にクラックなどの不具合が発生すると考えられる。金属層の厚みが１００μｍ以下であると、その不具合が発生し難い。
【００２６】
金属層のへこみ量（Ｒｅ）は金属層の厚みの２／３から１／８であることが好ましい（図１６）。金属層の上端２００Ｕを通り金属層の第１面に垂直な直線（Ｌ１）と直線（Ｌ１）から最も離れている壁面までの距離（Ｒｅ１）と金属層の下端２００Ｂを通り金属層の第１面に垂直な直線（Ｌ２）と直線（Ｌ２）から最も離れている壁面までの距離（Ｒｅ２）の内、Ｒｅは大きい値である。この範囲であると、放熱性に優れるプリント配線板を提供できる。また、スルーホール導体や充填樹脂にクラックなどの不具合が発生し難い。
また、金属層２０は壁面に粗面を有してもよい。充填樹脂と金属層の壁面が密着するので、充填樹脂にクラックが入りがたい。
第１と第２樹脂絶縁層２４Ａ、２４Ｂは、芯材を備えると共に無機粒子を含むことができる。金属層２０との熱膨張率差が小さくなり、ヒートサイクルに於けるクラックの発生が抑えられている。
【００２７】
第１実施形態の多層プリント配線板１０の製造方法が図１〜図５を参照して以下に説明される。
厚さが２０〜１００μｍの金属層２０が準備される（図１（Ａ））。金属層は第１面（ＦＭ）と第１面とは反対側の第２面（ＳＭ）とを有する。金属層として、銅箔や４２アロイや３６アロイなどのＦｅ−Ｎｉ合金を用いることができる。Ｆｅ−Ｎｉ合金が用いられる場合、表面に３〜１５μｍの電気銅めっき膜ＣｕＭが形成される（図１２（Ｂ）、（Ｃ））。Ｆｅ−Ｎｉ合金の熱膨張係数は小さいので、Ｆｅ−Ｎｉ合金は金属層に適している。
金属層の表面にエッチング液などの粗化液で粗面が形成される。第１面と第２面のＲｚは２〜６μｍである。
【００２８】
第１面のＲｚと第２面のＲｚは異なっても良い。その場合、金属層の第２面に保護フィルムが貼られる。そして、粗化液で金属層の第１面が粗化される。金属層の第１面のＲｚは３．５〜６μｍである。次いで、第２面から保護フィルムが除去され、第１面に保護フィルムが貼られる。粗化液で金属層の第２面が粗化される。金属層の第２面のＲｚは２〜３μｍである。続いて、第１面から保護フィルムが除去される（図１２（Ｃ））。この場合、金属層の第１面側にＩＣチップが搭載される。
【００２９】
図１（Ｂ）に示されるように、金属層の両面にエッチングレジスト２２が形成される。エッチングレジストから露出する部分の金属層がエッチング液で除去される。金属層に開口２１が形成される（図１（Ｃ））。開口２１は金属層を貫通している。エッチングレジストが除去される。
開口２１により露出する金属層の側壁（壁面）の形状はエッチング条件やエッチング方法で制御することができる。１例が以下に示されている（図１７）。エッチング液を金属層の一方の面から垂直ノズルで金属層に噴射される（図１７（Ａ））。エッチングの代わりに、レーザやルーターなどの機械加工で開口２１を形成することができる。金属層の壁面は略垂直となる（図１７（Ｂ））。その後、エッチング液は壁面に対し斜めから噴射される。金属層の両面からエッチング液は壁面に噴射される（図１７（Ｃ））。金属層の壁面は湾曲する（図１７（Ｄ））。図１７（Ｃ）の（１）（２）（３）（４）は噴射されるエッチング液の方向を模式的に示している。図１７（Ｃ）の（１）（２）（３）（４）は個々に噴射されてもよい。噴射圧力や時間を調整することで、Ｒｅや形状は調整される。
【００３０】
金属層の第１面、第２面と壁面にカップリング剤を塗布することができる。樹脂絶縁層や充填樹脂と金属層との密着強度が高くなる。
【００３１】
金属層の第１面と第２面上にプリプレグ２４０Ａ、２４０Ｂと銅箔２５Ａ、２５Ｂが積層される（図１（Ｄ））。金属層、プリプレグと銅箔は加熱プレスで一体化される。この時、プリプレグの樹脂が開口２１に染み出し、開口２１は樹脂で充填される。同時に、プリプレグと開口内の樹脂は硬化する。金属層の第１面上に第１樹脂絶縁層２４Ａが形成され、金属層の第２面上に第２樹脂絶縁層２４Ｂが形成され、開口内に充填樹脂２４Ｃが形成される（図１（Ｅ））。第１と第２樹脂絶縁層はガラスクロス等の補強材とガラス等の無機粒子とエポキシ等の樹脂を含む。プリプレグがガラスなどの無機粒子を含む場合、開口２１は無機粒子を含む樹脂で充填される。
【００３２】
銅箔２５Ａ、２５Ｂに開口が形成される（図示せず）。銅箔２５Ａの開口と銅箔２５Ｂの開口は充填樹脂上に形成されている。
【００３３】
第１樹脂絶縁層の上面（Ｆ１側）から、銅箔２５Ａの開口により露出している第１樹脂絶縁層にＣＯ２レーザが照射される。第１樹脂絶縁層を貫通し充填樹脂内に到達する第１開口部２８Ａが形成される（図１（Ｆ））。例えば、第１開口部は２パルスで形成される。１パルス目のレーザの径は２パルス目のレーザの径より大きい。従って、第１開口部は第１樹脂絶縁層の上面から第２樹脂絶縁層の主面に向って細くなる。ただし、レーザのパルス数やパルス幅は制限されない。レーザの中心の強度は外周の強度より強いことが好ましい。開口部の形状がテーパー形状になりやすい。第１開口部の例が図１１に示されている。図１１（Ａ）では、第１開口部は徐々に細くなっている。図１１（Ｂ）では、第１開口部は所定の位置で屈曲している。図１１（Ｃ）では、第１開口部は所定の位置で屈曲している。屈曲後の第１開口部は略ストレート形状である。図１１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は第１実施形態の第１開口部の例である。
金属層に至る開口２６ａが第１樹脂絶縁層に必要に応じて形成される。
【００３４】
第２樹脂絶縁層の主面（Ｓ１側）から、銅箔２５Ｂの開口により露出している第２樹脂絶縁層にＣＯ２レーザが照射される。第２樹脂絶縁層を貫通し充填樹脂内に到達する第２開口部２８Ｂが形成される。第２開口部が充填樹脂内で第１開口部に繋がることで貫通孔２８が形成される（図２（Ａ））。例えば、第２開口部は２パルスで形成される。１パルス目のレーザの径は２パルス目のレーザの径より大きい。従って、第２開口部は第２樹脂絶縁層の主面から第１樹脂絶縁層の上面に向って細くなる。ただし、レーザのパルス数やパルス幅は制限されない。図１１（Ｄ）では、第２開口部は徐々に細くなっている。図１１（Ｅ）では、第２開口部は所定の位置で屈曲している。図１１（Ｆ）では、第２開口部は所定の位置で屈曲している。屈曲後の第２開口部は略ストレート形状である。図１１（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）は第１実施形態の第２開口部の例である。
金属層に至る開口２６ｂが第２樹脂絶縁層に必要に応じて形成される。
【００３５】
図１８は第１実施形態の貫通孔２８の例を示している。図１８（Ａ）では、徐々に細くなっている第１開口部と徐々に細くなっている第２開口部で貫通孔２８が形成されている。図１８（Ｂ）では、図１１（Ｂ）に示されている第１開口部と図１１（Ｅ）に示されている第２開口部で貫通孔２８が形成されている。図１３（Ｃ）では、図１１（Ｃ）に示されている第１開口部と図１１（Ｆ）に示されている第２開口部で貫通孔２８が形成されている。図１８（Ｃ）の貫通孔はコア基板の第１面から第２面に向かって徐々に細くなっている開口部（Ａ）とコア基板の第２面から第１面に向かって徐々に細くなっている開口部（Ｂ）が略ストレート形状の開口部（Ｃ）で繋がっている。開口部（Ａ）は第１樹脂絶縁層に形成され、開口部（Ｂ）は第２樹脂絶縁層に形成され、開口部（Ｃ）は充填樹脂に形成されている。
図１１（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）は第１実施形態の貫通孔に含まれる。
【００３６】
第１開口部と第２開口部の接合部は、コア基板３０の断面方向に対して中心でも、中心からずれてもよい。
【００３７】
図８（Ａ）に貫通孔２８を有するコア基板３０の拡大図が示されている。第１開口部は第１開口部（１）と第１開口部（２）で形成されている（図１１、図１８参照）。図８の貫通孔は図１８（Ｂ）と同様な形状である。第１開口部（１）は第１樹脂絶縁層に形成され、第１開口部（２）は充填樹脂に形成されている。コア基板の第１面から第２面に向って細くなる程度が第１開口部（１）と第１開口部（２）で比較されると、第１開口部（１）は第１開口部（２）より大きい。また、第２開口部は第２開口部（１）と第２開口部（２）で形成されている（図１１、図１８参照）。第２開口部（１）は第２樹脂絶縁層に形成され、第２開口部（２）は充填樹脂に形成されている。コア基板の第２面から第１面に向って細くなる程度が第２開口部（１）と第２開口部（２）で比較されると、第２開口部（１）は第２開口部（２）より大きい。第１と第２樹脂絶縁層はガラスクロスなどの補強材を有するのに対し、充填樹脂は補強材を有しない。第１と第２樹脂絶縁層は充填樹脂よりレーザで加工されにくい。そのため、第１実施形態では、上述の貫通孔が形成される。所定の条件により、略ストレート形状の開口部（Ｃ）が得られる（図１８（Ｃ））。接合部が太くなるので、スルーホール導体の信頼性が高くなる。また、放熱性が向上する。
【００３８】
図９では金属層２０の第１面に第１開口２８０Ａと第２開口２８０Ｂが等倍に投影されている。図９中の２１Ｘは金属層の開口２１の重心の位置を示している。また、２８ＡＸは第１開口２８０Ａの重心の位置を示している。そして、２８ＢＸは第２開口２８０Ｂの重心の位置を示している。第１実施形態では、それぞれの重心が一致していない。スルーホール導体の信頼性が高くなる。また、金属層とスルーホール導体間の距離が短くなるので、放熱性が向上する。第１開口２８０Ａの重心と第１開口２８０Ｂの重心は重なっても良い。金属層の開口の重心を通りコア基板の第１面に垂直な直線（Ｑ１）と第１開口の重心を通りコア基板の第１面に垂直な直線（Ｑ２）はオフセットしている。金属層の開口の重心を通りコア基板の第１面に垂直な直線（Ｑ１）と第２開口の重心を通りコア基板の第１面に垂直な直線（Ｑ３）はオフセットしている。直線（Ｑ１）と直線（Ｑ２）と直線（Ｑ３）がオフセットしてもよい。
【００３９】
スルーホール導体用貫通孔２８およびビア導体用開口２６ａ、２６ｂを有する基板の表面および貫通孔２８の側面およびビア導体用開口の側面に、無電解めっき処理により無電解めっき膜３１が形成される（図２（Ｂ））。
【００４０】
無電解めっき膜上にめっきレジスト４０が形成される（図２（Ｃ））。
【００４１】
電解めっき処理が施され、めっきレジスト４０の非形成部に電解めっき膜３２が形成される。同時に、貫通孔２８やビア導体用開口２６ａ、２６ｂは電解めっき膜３２で充填される（図２（Ｄ））。
【００４２】
めっきレジスト４０が剥離され、電解めっき膜３２から露出する無電解めっき膜３１および銅箔がエッチングで除去され、導体層３４Ａ、３４Ｂ、スルーホール導体３６及びビア導体３８Ａ、３８Ｂが形成され、プリント配線板（コア基板）３０が完成する（図２（Ｅ））。
【００４３】
ドリルにより、隣接する製品間の金属層２０が除去される（図３（Ａ））。
【００４４】
コア基板３０の両面上に、上層の層間樹脂絶縁層５０Ａおよび下層の層間樹脂絶縁層５０Ｂが形成される（図３（Ｂ））。この際、上述のドリル加工により形成される切断部が、上層の層間樹脂絶縁層５０Ａあるいは下層の層間樹脂絶縁層５０Ｂで充填される。
【００４５】
ＣＯ２レーザにて上層の層間樹脂絶縁層５０Ａおよび下層の層間樹脂絶縁層５０Ｂに直径８０μｍのビア導体用開口５１Ａ、５１Ｂが形成される（図３（Ｃ））。
【００４６】
上層と下層の層間樹脂絶縁層とビア導体用開口の内壁に０．１〜５μｍの範囲で無電解めっき膜５２が形成される（図３（Ｄ））。
【００４７】
無電解めっき膜５２上にめっきレジスト５４が形成される（図４（Ａ））。
【００４８】
次に、めっきレジストの非形成部に電解めっきが施され、電解めっき膜５６が形成される（図４（Ｂ））。
【００４９】
めっきレジスト５４が除去される。続いて、電解めっき膜５６間の無電解めっき膜５２が除去される。無電解めっき膜５２と電解めっき膜５６からなる導体回路５８Ａ、５８Ｂ及びビア導体６０Ａ、６０Ｂが形成される（図４（Ｃ））。
【００５０】
開口７１Ａ、７１Ｂを備えるソルダーレジスト層７０Ａ、７０Ｂが形成される（図５（Ａ））。多層プリント配線板１０が完成する。
【００５１】
開口７１Ａ、７１ＢにＳｎなどの金属膜７４が形成される（図５（Ｂ））。金属膜として、ニッケル−金層やニッケル−パラジウム−金層が挙げられる。
【００５２】
この後、開口７１Ａに半田ボールが搭載され、リフローにより、開口７１Ａに半田バンプ７６Ａが形成される。同様に、開口７１Ｂに半田バンプ７６Ｂが形成される（図６）。
【００５３】
半田バンプ７６Ａを介して、多層プリント配線板１０にＩＣチップ９０が実装される（図７）。
【００５４】
[第２実施形態]
金属層が準備される。金属層の第１面と第２面にエッチングレジストが形成される。エッチングレジストから露出している金属層が除去される。金属層に開口２１が形成される。エッチングレジストが除去される。金属層の第１面、第２面と壁面が粗化される。第１面と第２面を同時に粗化することで、第１面と第２のＲｚは略同等になる。また、第１実施形態と同様に、第１面と第２面を別々に粗化することができる。第１面のＲｚと第２面のＲｚは第１実施形態と同様に異なる。それ以降の工程は第１実施形態と同様である。
【００５５】
[実施例]
７０μｍの金属層が準備される（図１（Ａ）、図８）。金属層は第１面と第１面とは反対側の第２面とを有する。後に、金属層の第１面側にＩＣチップが実装される。実施例の金属層は４２アロイとその４２アロイを被覆している電解銅めっき膜で形成されている。電解銅めっき膜の厚みは５μｍである。金属層の第２面に保護フィルムが貼られる。そして、メック社製のＣｚ液で金属層の第１面が粗化される。金属層の第１面のＲｚは３．５〜６μｍである。次いで、第２面から保護フィルムが除去され、第１面に保護フィルムが貼られる。メック社製のＣｚ液で金属層の第２面が粗化される。金属層の第２面のＲｚは２〜３μｍである。続いて、第１面から保護フィルムが除去される。
【００５６】
図１（Ｂ）に示すように、金属層の両面にエッチングレジスト２２が形成される。エッチングレジストから露出する部分の金属層がエッチング液で除去される。金属層に開口２１が形成される（図１（Ｃ））。
【００５７】
続いて、ＵＳ２００６／１９９３９４Ａ１で開示されているエッチング液やエッチング方法で略垂直な開口が形成される（図１７（Ｂ））。続いて、金属層の壁面に金属層の第１面と第２面の斜め上方からエッチング液が噴射される（図１７（Ｃ））。金属層の壁面は湾曲する（図１（Ｄ））。開口の径は２３０μｍであり、へこみ量（Ｒｅ）は２０μｍである。
エッチングレジスト２２が除去される（図１（Ｃ））。
【００５８】
金属層の第１面と第２面上に略４０μｍ厚のプリプレグ２４０Ａ、２４０Ｂと５μｍの銅箔２５Ａ、２５Ｂが積層される（図１（Ｄ））。金属層、プリプレグと銅箔は加熱プレスで一体化される。この時、プリプレグの樹脂が開口２１に染み出し、開口２１は樹脂で充填される。同時に、プリプレグと開口内の樹脂は硬化する。金属層の第１面上に第１樹脂絶縁層が形成され、金属層の第２面上に第２樹脂絶縁層が形成され、開口内に充填樹脂が形成される（図１（Ｅ））。第１と第２樹脂絶縁層はガラスクロスとガラス粒子とエポキシ樹脂を含む。充填樹脂はガラス粒子とエポキシを含む樹脂で充填される。第１と第２樹脂絶縁層の厚さは４０μｍである（図８）。
【００５９】
銅箔２５Ａ、２５Ｂに略８０μｍの開口が形成される。銅箔２５Ａの開口と銅箔２５Ｂの開口は充填樹脂上に形成されている。
第１樹脂絶縁層の上面（Ｆ１側）から、銅箔２５Ａの開口により露出している第１樹脂絶縁層にＣＯ２レーザが２パルス照射される。１パルス目のレーザの径は２パルス目のレーザの径より大きい。また、レーザの中心部のエネルギーは外周部のエネルギーより強い。第１樹脂絶縁層を貫通し充填樹脂内に到達する第１開口部２８Ａが形成される（図１（Ｆ））。第１開口部は第１樹脂絶縁層の上面から第２樹脂絶縁層の主面に向って細くなっている。さらに、第１開口部の内壁は充填樹脂と第１樹脂絶縁層の界面で金属層の断面方向に屈曲している（図１１（Ｂ））。
金属層に至る開口２６ａが第１樹脂絶縁層に形成される。
【００６０】
第２樹脂絶縁層の主面（Ｓ１側）から、銅箔２５Ｂの開口により露出している第２樹脂絶縁層にＣＯ２レーザが２パルス照射される。１パルス目のレーザの径は２パルス目のレーザの径より大きい。また、レーザの中心部のエネルギーは外周部のエネルギーより強い。第２樹脂絶縁層を貫通し充填樹脂内に到達する第２開口部２８Ｂが形成される。第２開口部が充填樹脂内で第１開口部に繋がることで貫通孔２８が形成される（図２（Ａ））。第１開口と第２開口の径は８０μｍであり、接合部の径は４０μｍである（図８）。第２開口部は第２樹脂絶縁層の主面から第１樹脂絶縁層の上面に向って細くなる。さらに、第２開口部の内壁は充填樹脂と第２樹脂絶縁層の界面で金属層の断面方向に屈曲している（図１１（Ｅ））。
金属層に至る開口２６ｂが第２樹脂絶縁層に形成される。
【００６１】
第１開口部と第２開口部の接合部は、金属層の中央から第１面側にずれている（図１５（Ｂ））。この例は各実施形態においても好適な例である。第１開口の重心を通りコア基板の第１面に垂直な直線と金属層の開口の重心を通りコア基板の第１面に垂直な直線はオフセットしている。また、第２開口の重心を通りコア基板の第１面に垂直な直線と金属層の開口の重心を通りコア基板の第１面に垂直な直線はオフセットしている（図９）。
【００６２】
スルーホール導体用貫通孔２８およびバイアホール用開口２６ａ、２６ｂを有する基板の表面および貫通孔２８の側面およびビアホール用開口の側面に、無電解銅めっき処理により無電解銅めっき膜３１が形成される（図２（Ｂ））。
無電解銅めっき膜上にめっきレジスト４０が形成される（図２（Ｃ））。
電解銅めっき処理が施され、めっきレジスト４０の非形成部に電解銅めっき膜３２が形成される。同時に、貫通孔２８やバイアホール用開口２６ａ、２６ｂは電解銅めっき膜３２で充填される（図２（Ｄ））。
【００６３】
めっきレジスト４０が剥離され、電解めっき膜３２から露出する無電解銅めっき膜３１および銅箔がエッチング除去され、導体回路３４Ａ、３４Ｂ、スルーホール導体３６及びビア導体３８Ａ、３８Ｂが形成され、コア基板３０が完成する（図２（Ｅ））。
コア基板３０の両面上に、上層の層間樹脂絶縁層５０Ａおよび下層の層間樹脂絶縁層５０Ｂが形成される（図３（Ｂ））。
【００６４】
ＣＯ２レーザにて上層の層間樹脂絶縁層５０Ａおよび下層の層間樹脂絶縁層５０Ｂに８０μｍのビア導体用開口５１Ａ、５１Ｂが形成される（図３（Ｃ））。
上層と下層の層間樹脂絶縁層とビア導体用開口の内壁に０．１〜５μｍの範囲で無電解銅めっき膜５２が形成される（図３（Ｄ））。
【００６５】
無電解銅めっき膜５２上にめっきレジスト５４が形成される（図４（Ａ））。
次に、めっきレジストの非形成部に電解めっきが施され、電解めっき膜５６が形成される（図４（Ｂ）参照）。
【００６６】
めっきレジスト５４が除去される。続いて、電解めっき膜５６間の無電解めっき膜５２が除去される。無電解めっき膜５２と電解めっき膜５６からなる導体回路５８Ａ、５８Ｂ及びビア導体６０Ａ、６０Ｂが形成される（図４（Ｃ））。
開口７１Ａ、７１Ｂを備えるソルダーレジスト層７０Ａ、７０Ｂが形成される（図５（Ｂ））。多層プリント配線板１０が完成する（図５（Ａ））。
【符号の説明】
【００６７】
１０  多層プリント配線板
２０  金属層
２１  開口
２４  樹脂絶縁層
２８  貫通孔
３０  コア基板
３４  導体回路
３６  スルーホール導体
５０  層間樹脂絶縁層
５８  導体回路
６０  ビア導体
７６Ｕ  半田バンプ
９０  ＩＣチップ
【図１】
2012209553.tif 000003
【図２】
2012209553.tif 000004
【図３】
2012209553.tif 000005
【図４】
2012209553.tif 000006
【図５】
2012209553.tif 000007
【図６】
2012209553.tif 000008
【図７】
2012209553.tif 000009
【図８】
2012209553.tif 000010
【図９】
2012209553.tif 000011
【図１０】
2012209553.tif 000012
【図１１】
2012209553.tif 000013
【図１２】
2012209553.tif 000014
【図１３】
2012209553.tif 000015
【図１４】
2012209553.tif 000016
【図１５】
2012209553.tif 000017
【図１６】
2012209553.tif 000018
【図１７】
2012209553.tif 000019
【図１８】
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