(57)【要約】【課題】光電変換部の破損を低減した光電変換モジュールを提供する。【解決手段】光電変換モジュールは、一主面２ａを有する第１基板２と、該第１基板２の一主面２ａ上に設けられた、光吸収層４を有する光電変換部１とを有する。さらに、光電変換モジュールは、光電変換部１を被覆する被覆層８と、受光面９ａおよび該受光面の裏面に相当する非受光面９ｂを有し、該非受光面９ｂが被覆層８と接触するように設けられた第２基板９とを有する。そして、光電変換モジュールにおいて、第２基板９の受光面９ａにおける表面圧縮応力は、第１基板２の一主面２ａにおける表面圧縮応力よりも小さい。【選択図】図２
2012209346.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一主面を有する第１基板と、
該第１基板の前記一主面上に設けられた、光吸収層を有する光電変換部と、
該光電変換部を被覆する被覆層と、
受光面および該受光面の裏面に相当する非受光面を有し、該非受光面が前記被覆層と接触するように設けられた第２基板とを有し、
該第２基板の前記受光面における表面圧縮応力は、前記第１基板の前記一主面における表面圧縮応力よりも小さい、光電変換モジュール。
【請求項２】
前記受光面に対して垂直な方向における前記第２基板の厚みは、前記一主面に対して垂直な方向における前記第１基板の厚みよりも小さい、請求項１に記載の光電変換モジュール。
【請求項３】
前記第１基板は、化学強化ガラスである、請求項１または請求項２に記載の光電変換モジュール。
【請求項４】
前記光吸収層は、カルコパイライト系の半導体層を含み、
前記第１基板は、カリウムを含む、請求項３に記載の光電変換モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は光電変換モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽光発電等に使用される光電変換モジュールは、様々な種類のものがある。その中でも、ＣＩＳ系（銅インジウムセレナイド系）、ＣＩＧＳ系（銅インジウムガリウムセレナイド系）等のカルコパイライト系の材料は、比較的低コストで大面積の太陽電池モジュールを容易に製造できる点から、研究開発が進められている。
【０００３】
このカルコパイライト系の太陽電池モジュールは、ガラスから成る基板上に、金属電極層、ＣＩＧＳ層およびバッファ層、透明電極層を順次成膜した光電変換部を備えている。さらに、このような太陽電池モジュールは、光電変換部を被覆する充填材としてのエチレンビニルアセテート共重合体（以下、ＥＶＡという）と、このＥＶＡの上にカバーガラスを積層し、これらを減圧下で加熱加圧し、一体化されたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２５２９７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載された太陽電池モジュールでは、光電変換部を支持する支持基板が青板ガラス、カバーガラスが強化ガラスで構成されている。そのため、このような太陽電池モジュールは、カバーガラスの方が支持基板よりも高い強度を有している。また、このような太陽電池モジュールは、屋外の建築物などに設置した場合、風圧や積雪などで太陽電池モジュールの主面（カバーガラスの主面）に過度な圧力が加わると、太陽電池モジュールが変形する（たわむ）場合がある。
【０００６】
上述したような変形が大きい場合には、カバーガラスが破損する前に強度の弱い支持基板が割れる。このように支持基板が割れた場合、支持基板上に形成されている光電変換部も破損するため、光電変換機能が低下する可能性があった。光電変換部が破損した場合は、修理が困難であるため、新たな太陽電池モジュールに取り換える必要があった。
【０００７】
本発明はこのような問題点に鑑みなされたものであり、その目的は光電変換部の破損を低減した光電変換モジュールを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様に係る光電変換モジュールは、一主面を有する第１基板と、該第１基板の前記一主面上に設けられた、光吸収層を有する光電変換部とを有する。さらに、本態様では、前記光電変換部を被覆する被覆層と、受光面および該受光面の裏面に相当する非受光面を有し、該非受光面が前記被覆層と接触するように設けられた第２基板とを有する。そして、本態様において、前記第２基板の前記受光面における表面圧縮応力は、前記第１基板の前記一主面における表面圧縮応力よりも小さい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一態様に係る光電変換モジュールによれば、光電変換モジュールの主面に相当
する第２基板の受光面に過度な圧力が加わって、光電変換モジュールが変形すると、第１基板よりも先に第２基板に割れが生じる。本態様では、第２基板に割れが生じても、光電変換部上に被覆層が配置されているため、光電変換部が保護される。その結果、本態様では、上記した変形が生じても光電変換部の破損を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態に係る光電変換モジュールの光電変換部の一例を示すものであり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る光電変換モジュールを示すものであり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ面における断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の光電変換モジュールの実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、図面には、後述する光電変換セルの配列方向をＸ軸とする右手系のＸＹＺ座標が付してある。まず、光電変換モジュールの一部である光電変換部について説明する。
【００１２】
＜光電変換部＞
光電変換部１は、図１（ｂ）に示すように、第１基板２の一主面上に設けられている。そして、この光電変換部１は、図１（ｂ）に示すように、下部電極３と、光吸収層４およびバッファ層５を備えた光電変換層と、透光性導電層６および集電電極７を備えた上部電極とを有する。この光電変換部１では、下部電極３および上部電極で挟まれた光吸収層４およびバッファ層５により光電変換が行なわれる。
【００１３】
また、光電変換部１では、複数の光電変換セル１ａ、１ｂが電気的に接続されている。具体的には、図１に示すように、一方の光電変換セル１ａの上部電極（集電電極７）と、一方の光電変換セル１ａに隣り合う他方の光電変換セル１ｂの下部電極３とが電気的に接続される態様を成している。これにより、隣接する光電変換セル１ａ、１ｂは、図１中のＸ方向に沿って直列接続され、第１基板２上で集積化されている。
【００１４】
次に、光電変換部１の各部材について説明する。
【００１５】
下部電極３は、一方向（図１のＸ方向）に互いに間隔をあけて第１基板２の一主面上に複数配置されている。本実施形態では、図１（ｂ）に示すように、上記間隔に対応する分離溝Ｐ１によって互いに離間した３つの下部電極３が設けられている。なお、下部電極３の個数については、図１に示したものに限られない。このような下部電極３は、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）または金（Ａｕ）等の金属またはこれらの合金を含む薄膜であればよい。また、これらの金属が積層されてなる構造体であってもよい。この下部電極３は、例えば、第１基板２上にスパッタリング法または蒸着法等で厚さ０．２〜１μｍ程度に形成される。
【００１６】
光吸収層４は、下部電極３上に配置されている。光吸収層４は、例えば、化合物半導体を含んでいる。このような化合物半導体としては、例えば、カルコゲン化合物半導体が挙げられる。カルコゲン化合物半導体は、カルコゲン元素である硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）またはテルル（Ｔｅ）を含むものである。カルコゲン化合物半導体としては、例えば、Ｉ-III-VI化合物半導体がある。I-III-VI化合物半導体とは、Ｉ-Ｂ族元素（１１族元素ともいう）とIII-Ｂ族元素（１３族元素ともいう）とVI-Ｂ族元素（１６族元素ともいう）との化合物半導体であり、カルコパイライト構造を有し、カルコパイライト系化合物半導体と呼ばれる（ＣＩＳ系化合物半導体ともいう）。I-III-VI化合物半導体としては、例えば、二セレン化銅インジウム（ＣｕＩｎＳｅ２）、二セレン化銅インジウム・ガリウム（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２）、二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム（Ｃｕ（Ｉｎ
，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）２）、二イオウ化銅インジウム・ガリウム（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓ２）又は薄膜の二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム層を表面層として有する二セレン化銅インジウム・ガリウム等の多元化合物半導体薄膜がある。なお、光吸収層４が含む化合物半導体は、上記したＩ-III-VI化合物半導体だけでなく、例えば、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、錫（Ｓｎ）、硫黄（Ｓ）を含む、ＣＺＴＳ系のものであってもよい。このようなＣＺＴＳ系化合物半導体は、例えばＣｕ２ＺｎＳｎＳ４が挙げられる。ＣＺＴＳ系化合物半導体は、I-III-VI化合物半導体のようにレアメタルを使用していないため、材料を確保しやすい。また、光吸収層４は、例えば、ｐ型の導電形を有し、厚さが１〜３μｍ程度である。
【００１７】
光吸収層４は、スパッタリング法、蒸着法等といった真空プロセスによって形成される。また、光吸収層４は、塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスによっても形成される。塗布法あるいは印刷法では、例えば、光吸収層４に主として含まれる元素の錯体溶液が下部電極層２の上に塗布され、その後、乾燥および熱処理が行われる。
【００１８】
バッファ層５は、光吸収層４の＋Ｚ側の主面の上に設けられており、光吸収層４の第１導電型とは異なる第２導電型（ここではｎ型の導電型）を有する半導体を主に含む。なお、導電型が異なる半導体とは、伝導担体（キャリア）が異なる半導体である。また、光吸収層４の導電型がｎ型であり、バッファ層５の導電型がｐ型であってもよい。ここでは、バッファ層５と光吸収層４との間にヘテロ接合領域が形成されている。このため、光電変換セルＲａでは、ヘテロ接合領域を形成する光吸収層４とバッファ層５とにおいて光電変換が生じ得る。
【００１９】
バッファ層５は、化合物半導体を主に含む。バッファ層５に含まれる化合物半導体としては、例えば、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、硫化インジウム（Ｉｎ２Ｓ３）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、セレン化インジウム（Ｉｎ２Ｓｅ３）、Ｉｎ（ＯＨ，Ｓ）、（Ｚｎ，Ｉｎ）（Ｓｅ，ＯＨ）、および（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ等が挙げられる。そして、バッファ層５が１Ω・ｃｍ以上の抵抗率を有していれば、リーク電流の発生が低減され得る。なお、バッファ層５は、例えば、ケミカルバスデポジション（ＣＢＤ）法等によって形成され得る。
【００２０】
また、バッファ層５は、光吸収層４の一主面の法線方向（＋Ｚ方向）に厚さを有する。この厚さは、例えば、１０ｎｍ〜２００ｎｍに設定される。バッファ層５の厚さが１００ｎｍ〜２００ｎｍであれば、バッファ層５の上に透光性導電層６がスパッタリング法等で形成される際に、バッファ層５においてダメージが生じ難くなる。
【００２１】
透光性導電層６は、バッファ層５の＋Ｚ側の主面の上に設けられており、例えば、ｎ型の導電型を有する透明の導電層（透明導電層とも言う）である。この透光性導電層６は、光吸収層４において生じた電荷を取り出す電極（取出電極とも言う）として働く。透光性導電層６は、バッファ層５よりも低い抵抗率を有する材料を主に含む。透光性導電層６には、いわゆる窓層と呼ばれるものが含まれてもよいし、窓層と透明導電層とが含まれてもよい。
【００２２】
透光性導電層６は、禁制帯幅が広く且つ透明で低抵抗の材料を主に含んでいる。このような材料としては、例えば、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化亜鉛の化合物、錫が含まれた酸化インジウム（ＩＴＯ）、および酸化錫（ＳｎＯ２）等の金属酸化物半導体等が採用され得る。酸化亜鉛の化合物は、アルミニウム、ボロン、ガリウム、インジウム、およびフッ素のうちの何れか１つの元素等が含まれたものである。
【００２３】
透光性導電層６は、スパッタリング法、蒸着法または化学的気相成長（ＣＶＤ）法等に
よって形成され得る。透光性導電層６の厚さは、例えば、０．０５μｍ〜３．０μｍである。ここで、透光性導電層６が、１Ω・ｃｍ未満の抵抗率と、５０Ω／□以下のシート抵抗とを有していれば、透光性導電層６を介して光吸収層４から電荷が良好に取り出され得る。
【００２４】
バッファ層５および透光性導電層６が、光吸収層４が吸収し得る光の波長帯域に対して、光を透過させ易い性質（光透過性とも言う）を有していれば、光吸収層４における光の吸収効率の低下が低減され得る。また、透光性導電層６の厚さが０．０５μｍ〜０．５μｍであれば、透光性導電層６における光透過性が高められると同時に、光電変換によって生じた電流が良好に伝送され得る。更に、透光性導電層６の絶対屈折率とバッファ層５の絶対屈折率とが略同一であれば、透光性導電層６とバッファ層５との界面で光が反射することで生じる入射光のロスが低減され得る。
【００２５】
集電電極７は、透光性導電層６の＋Ｚ側の主面（一主面とも言う）の上に設けられている線状のグリット部７ａ（線状電極部とも言う）と、接続部７ｂを有している。そして、例えば、光電変換セル１ａの透光性導電層６によって集められた電荷は、グリット部７ａによって更に集められ、接続部７ｂを介して隣接する光電変換セル１ｂに伝達され得る。
【００２６】
このグリット部７ａが設けられることで、透光性導電層６における導電性が補われるため、透光性導電層６の薄層化が可能となる。その結果、電荷の取り出し効率の確保と、透光性導電層６における光透過性の向上とが両立し得る。なお、グリット部７ａが、例えば、銀等の導電性が優れた金属を主に含んでいれば、光電変換部１における変換効率が向上し得る。なお、グリット部７ａに含まれる金属としては、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル等であってもよい。
【００２７】
また、グリット部７ａの幅は、５０μｍ〜４００μｍであれば、隣接する光電変換セル間における良好な導電が確保されつつ、光吸収層４への光の入射量の低下が低減され得る。１つの光電変換セルに複数のグリット部７ａが設けられる場合、該複数のグリット部７ａの間隔は、例えば、２．５ｍｍ程度であればよい。
【００２８】
なお、グリット部７ａの表面が、光吸収層４が吸収し得る波長領域の光を反射する性質を有していれば、光電変換部１がモジュール化された際に、グリット部７ａの表面で反射した光が、モジュール内で再び反射して光吸収層４に入射し得る。これにより、光電変換部１における変換効率が向上し得る。このような表面が形成されるためには、例えば、透光性の樹脂に光反射率の高い銀等の金属粒子が添加されたペーストが透光性導電層６の一主面上に塗布され、その後の乾燥によって該ペーストが固化されることでグリット部７ａが形成されればよい。また、例えば、アルミニウム等の光反射率の高い金属がグリット部７ａの表面に蒸着されてもよい。
【００２９】
接続部７ｂは、光吸収層４およびバッファ層５を分離する分離溝Ｐ２内に配置されている。この接続部７ｂは、グリット部７ａと電気的に接続している。そして、例えば、光電変換セル１ａ内に位置する接続部７ｂは、分離溝Ｐ２を通って隣の光電変換セル１ｂから延伸されている下部電極３に接続するような垂下部を有している。これにより接続部７ｂは、図１（ａ）において、光電変換セル１ａの上部電極（透光性導電層６およびグリット部７ａ）と、光電変換セル１ｂの下部電極３とを電気的に接続できる。なお、図１（ａ）、（ｂ）では、透光性導電層６に電気的に接続された光電変換セル１ａのグリット部７ａと光電変換セル１ｂの下部電極３とを直に接続しているが、この形態に限られない。接続部７ｂは、例えば、分離溝Ｐ２に配置されるバッファ層５および透光性導電層６の少なくとも一方を介して光電変換セル１ａの上部電極と光電変換セル１ｂの下部電極３とを電気的に接続する形態であってもよい。
【００３０】
接続部７ｂは、グリット部７ａと同様の材質、方法で作製してもよい。そのため、接続部７ｂは、グリット部７ａの形成と同時に行なってもよい。それゆえ、接続部７ｂは、グリット部７ａの一部であってもよい。
【００３１】
次に、光電変換部１の製造方法の一例について説明する。
【００３２】
まず第1基板２の外周部から内側に３〜２０ｍｍ程度を除く略全面にモリブデン等の金属をスパッタリング法で成膜し、下部電極３を形成する。次いで、下部電極３の所望の位置にＹＡＧ（イットリウム、アルミニウム、ガーネット）レーザ等を照射して分割溝Ｐ１を形成し、下部電極３をパターニングする。その後、パターンニングされた下部電極３上に光吸収層４をスパッタ法、蒸着法または印刷法などを用いて成膜する。次に、光吸収層４上にバッファ層５を溶液成長法（ＣＢＤ法）等で成膜する。次いで、スパッタリング法または有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）等でバッファ層５上に透光性導電層６を成膜する。次に、メカニカルスクライビング等で分割溝Ｐ２を形成して、光吸収層４、バッファ層５および透光性導電層６をパターニングする。次いで、透光性導電層６上にスクリーン印刷法等で金属ペーストを塗布した後、焼成して集電電極７を形成する。その後、メカニカルスクライビング等で分割溝Ｐ３を形成し、複数の光電変換セルを構成するようにパターニングすることによって、光電変換部１が作製される。
【００３３】
＜光電変換モジュール＞
次に、本発明の実施形態に係る光電変換モジュールの一例について説明する。
【００３４】
本発明の一実施形態に係る光電変換モジュールＭは、図２（ｂ）に示すように、光電変換部１、第１基板２、被覆層８および第２基板９を備えている。
【００３５】
第１基板２は、光電変換部１等を支持する支持基板である。この第１基板２は、光電変換部１が設けられている一主面２ａに圧縮応力層を有している。このような第１基板２としては、例えば、厚さ１〜１０ｍｍ程度の化学強化ガラス、風冷強化ガラス等で形成される板状のガラスが利用できる。化学強化ガラスは、例えば、フロート法で作成したソーダライムガラスをイオン交換強化法で強化することで得られる。具体的には、ソーダライムガラスを３８０℃程度に加熱した硝酸カリウムの溶融塩に入れ、ソーダライムガラスの表面のナトリウムイオンをカリウムイオンに交換することで、表面に圧縮応力層が形成されて化学強化ガラスとなる。また、風冷強化ガラスは、例えば、白板ガラスを該白板ガラスの軟化点近傍（６５０〜７００℃）に昇温した後、急激に冷却することにより、表面に圧縮応力層が形成されることで作製される。このような化学強化ガラスまたは風冷強化ガラス等で形成された第１基板２は、表面圧縮応力が大きいため、ソーダライムガラスまたは白板ガラス等よりも表面が強化される。それゆえ、第１基板２は、一主面２ａ側から−Ｚ方向に作用する圧力（例えば、正圧）に対する耐性が高まる。また、本実施形態において、光吸収層４がカルコパイライト系の半導体層を含み、第１基板２に上述のようなカリウムを含む化学強化ガラスを用いれば、キャリア濃度を増加させることができる。これにより、このような形態では、光電変換効率を向上させることができる。
【００３６】
第１基板２の表面圧縮応力は、例えば、ＪＩＳ、Ｒ３２２２：２００３の８．４表面圧縮応力の測定に記載された屈折率計法で測定できる。また、第１基板２の表面圧縮応力の値は、例えば、３００〜８００ＭＰａであればよい。なお、第１基板２は、少なくとも光電変換部１が設けられている一主面２ａに圧縮応力層を形成すればよいが、一主面２ａの裏面に相当する他主面にも圧縮応力層を設けてもよい。このような形態であれば、第１基板２の他主面側から＋Ｚ方向に作用する圧力（負圧）に対する耐性が高まる。
【００３７】
被覆層８は、図２（ｂ）に示すように、第１基板２および第２基板９の互いに対向する一主面間に充填されている。この被覆層８は、主として光電変換部１を保護する機能を有しており、光電変換部１を覆うように配置されている。このような被覆層８としては、例えば、共重合したエチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）を主成分とする樹脂が挙げられる。なお、ＥＶＡには、樹脂の架橋を促進すべく、トリアリルイソシアヌレート等の架橋剤が含まれていてもよい。また、ＥＶＡは、第１基板２と第２基板９とを接着し、一体化する機能も有している。
【００３８】
第２基板９は、光電変換部１等を外部から保護する機能を有している。また、第２基板９は、受光面９ａおよび非受光面９ｂを有している。これにより、光電変換モジュールＭでは、主として第２基板９の受光面９ａに太陽光等の光が入射される。そのため、第２基板９の受光面９ａは、光電変換モジュールＭの受光面に相当する。第２基板９の非受光面９ｂは、受光面９ａの裏面に相当するものである。また、第２基板９の非受光面９ｂは、受光面９ａに入射された光が光電変換部１に出射される部位である。なお、この第２基板９の非受光面９ｂとは、全く受光しない部位ではなく、主として光電変換に寄与する光が入射されない部位である。また、第２基板９の非受光面９ｂは、被覆層８と接触している。これにより、被覆層８は、第１基板２の一主面２ａと第２基板９の非受光面９ｂとの間に介在することとなる。また、第２基板９の形状は、第１基板２とほぼ同等のものを用いればよい。
【００３９】
このような第２基板９としては、厚さ３〜５ｍｍ程度で、無アルカリガラスまたは風冷強化ガラス等が利用できる。このうち、風冷強化ガラスであれば、受光面９ａに圧縮応力層が形成されている。第２基板９の表面圧縮応力は、上述した第１基板２の表面圧縮応力と同等の方法で測定できる。また、第２基板９の表面圧縮応力の値は、例えば、０〜１５０ＭＰａであればよい。なお、第２基板９は、受光面９ａに作用する外部からの衝撃に対する耐性を向上させるべく、少なくとも受光面９ａに圧縮応力層を形成すればよいが、非受光面９ｂにも圧縮応力層を設けてもよい。このような形態であれば、第１基板２の他主面側から＋Ｚ方向に作用する圧力（負圧）に対する耐性が高まる。
【００４０】
そして、本実施形態では、第２基板９の受光面９ａにおける表面圧縮応力の値が、第１基板２の一主面２ａにおける表面圧縮応力の値よりも小さい。これにより、本実施形態では、光電変換モジュールＭの受光面（第２基板９の受光面９ａ）に過度な圧力が加わって、光電変換モジュールＭが変形すると、第１基板２よりも先に第２基板９に割れが生じやすくなる。なお、上記圧力は、例えば、図２（ｂ）に示した−Ｚ方向に作用している。上述のように、第２基板９に割れが生じても、本実施形態では、光電変換部１上に被覆層８が配置されているため、光電変換部１が保護される。すなわち、被覆層８は、第２基板９の割れによって生じ得る衝撃および異物の混入等を低減できる。その結果、本実施形態では、上記した変形が生じても光電変換部１の破損を低減できる。
【００４１】
また、本実施形態では、第２基板９に割れが生じた場合、破損した第２基板９を第１基板２から取り外して、新しい第２基板９を配置することにより、光電変換モジュールを簡易に修理できる。具体的には、被覆層８にＥＶＡを用いた場合、光電変換モジュールを６０〜９０℃まで昇温し、破損した第２基板９を取り外す。このとき、被覆層８の一部も除去してもよい。次に、新たな被覆層８を古い被覆層８の上に載置する。次に、新しい被覆層８の上に新しい第２基板９を置いてラミネートして一体化することで、光電変換モジュールＭを修理できる。このように、本実施形態では、光電変換部１を取り換えることなく、光電変換モジュールの修理を行なうことができるため、修理工程が簡易になる。
【００４２】
また、本実施形態では、第１基板２および第２基板９の表面における表面圧縮応力を変えることによって基板の強度を調整しているため、第１基板２の厚みを過度に大きくする
ことなく、上述した基板の強度の大小関係を実現できる。すなわち、上述した基板の強度の大小関係を維持していれば、第１基板２の厚みを小さくすることもできる。これにより、本実施形態では、第１基板２の重量を過度に大きくしなくてもよいため、製造上の作業性が向上する。なお、本実施形態では、上述した基板の強度の大小関係を維持すべく、第２基板９の受光面９ａに圧縮応力層が形成されていないガラスを用いることも可能である。このようなガラスとしては、例えば、上述したような無アルカリガラスが挙げられる。
【００４３】
一方で、本実施形態では、図２（ｂ）に示すように、Ｚ方向における第２基板９の厚みＬ２が第１基板２の厚みＬ１より小さくてもよい。すなわち、光電変換モジュールＭの受光面９ａに対して垂直な方向における第２基板９の厚みＬ２は、第１基板２の一主面２ａに対して垂直な方向における第１基板２の厚みＬ１よりも小さくてもよい。このような形態によれば、第１基板２の強度に比べて第２基板９の強度を容易に弱めることができる。このとき、第１基板２は、例えば、化学強化ガラスで形成されており、その厚みが６〜１０ｍｍ程度である。また、第２基板９は、例えば、風冷強化ガラスで形成されており、その厚みが３〜５ｍｍ程度である。
【００４４】
次に、光電変換モジュールＭの製造方法の一例について説明する。
【００４５】
まず、上述した製法により、第１基板２上に光電変換部１を形成する。次に、光電変換部１上に、ＥＶＡなどの被覆層８を配置し、次いで、これらの上に第２基板９を載置する。次に、この積層体をラミネート装置にセットする。そして、５０〜１５０Ｐａ程度の減圧下、１００〜２００℃程度の温度で１５〜６０分間程度加熱しながら加圧して各部材を一体化することにより、光電変換モジュールＭを作製できる。
【００４６】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で多くの修正及び変更を加えることができる。例えば光電変換モジュールは上述のＣＩＳ系などのカルコパイライト系光電変換モジュールに限定されるものではなく、アモルファスシリコンや微結晶シリコンを使用した薄膜太陽電池、シリコン基板を用いた結晶系シリコン太陽電池等の光電変換モジュールにも適用可能である。
【符号の説明】
【００４７】
Ｍ：光電変換モジュール
１：光電変換部
１ａ、１ｂ：光電変換セル
２：第１基板
２ａ：一主面
３：下部電極
４：光吸収層
５：バッファ層
６：透光性導電層
７：集電電極
７ａ：グリッド部
７ｂ：接続部
８：被覆層
９：第２基板
９ａ：受光面
９ｂ：非受光面
Ｐ１〜Ｐ３：分離溝
【図１】
2012209346.tif 000003
【図２】
2012209346.tif 000004