(57)【要約】      （修正有）【課題】半導体材料から作られた少なくとも２つの基板同士を結合するための方法を提案し、従来技術の欠点を除去することである。【解決手段】少なくとも２つの基板１、２同士を結合する方法は、２つの基板の一方上の液状接着剤の少なくとも１つの液滴８の配置と、２つの基板を接触させて液状接着剤を広がらせ、それに続いて、固化接着剤層を２つの基板間に形成することとを備える。２つの基板の一方は、その表面上に、少なくとも１つのスリットが形成され、かつ２つの基板が接触したときに余分な液状接着剤を除去するように設計された少なくとも１つの突出したリム３を備える。最終的に、２つの基板の一方上に配置される液状接着剤の体積は、接触した基板間においてリムによって画定される結合空間の容積よりも大きく、かつ、配置された液状接着剤の液滴は、リムの高さＨ１よりも正確に高い高さＨ２を有する。【選択図】図１
2012028750.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２つの基板（１、２、２ａ、２ｂ、．．．、２ｉ）の一方上に液状接着剤の少なくとも１つの液滴（８、８ａ、８ｂ、．．．、８ｉ）を配置するステップと、
前記２つの基板（１、２、２ａ、２ｂ、．．．、２ｉ）を接触させて前記液状接着剤を広がらせ、それに続いて、前記２つの基板（１、２、２ａ、２ｂ、．．．、２ｉ）間に固化接着剤の層（７、７ａ、７ｂ、．．．、７ｉ）を形成するステップと、
を備えた、少なくとも２つの前記基板（１、２、２ａ、２ｂ、．．．、２ｉ）同士を結合するための方法であって、
前記２つの基板（１、２、２ａ、２ｂ、．．．、２ｉ）の一方が、少なくとも１つのスリット（４）が形成された少なくとも１つの突出したリム（３、３ａ、３ｂ、．．．、３ｉ）を前記一方の基板の表面上に備えることと、
前記２つの基板（１、２、２ａ、２ｂ、．．．、２ｉ）の前記一方上に配置される前記液状接着剤の体積が、前記基板（１、２、２ａ、２ｂ、．．．、２ｉ）が接触したときに前記リム（３、３ａ、３ｂ、．．．、３ｉ）によって画定される結合空間の容積よりも大きく、それによって、余分な前記液状接着剤が、前記２つの基板（１、２、２ａ、２ｂ、．．．、２ｉ）が接触したときに、前記リム（３、３ａ、３ｂ、．．．、３ｉ）に形成された前記スリット（４）を介して除去され、さらに、前記２つの基板（１、２、２ａ、２ｂ、．．．、２ｉ）の前記一方上に配置された前記液状接着剤の液滴（８、８ａ、８ｂ、．．．、８ｉ）が、前記リム（３、３ａ、３ｂ、．．．、３ｉ）の高さ（Ｈ１）よりも正確に高い高さ（Ｈ２）を有することと、
を特徴とする方法。
【請求項２】
前記２つの基板（１、２、２ａ、２ｂ、．．．、２ｉ）を接触させるステップが、前記基板（１、２、２ａ、２ｂ、．．．、２ｉ）の一方または他方に圧力を加えずに行われることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記液状接着剤の少なくとも１つの液滴の配置が、前記リム（３、３ａ、３ｂ、．．．、３ｉ）を備えた前記基板（１、２、２ａ、２ｂ、．．．、２ｉ）上において行われることを特徴とする、請求項１または２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項４】
前記液状接着剤の少なくとも１つの液滴の配置が、前記リムを備えていない前記基板（１、２、２ａ、２ｂ、．．．、２ｉ）上において行われることを特徴とする、請求項１または２のいずれか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記方法が、第１の基板（１）と、少なくとも１つのダイシング経路（９）によって分離された同一平面上に存在する複数の第２の基板（２ａ、２ｂ、．．．、２ｉ）とを結合するための方法であることを特徴とする、請求項１から４のいずれか一項に記載の方法。
【請求項６】
前記リム（３）が、前記第１の基板（１）の表面に形成されることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
第２の基板（２ａ、２ｂ、．．．、２ｉ）の各々が、その表面に、少なくとも１つのスリット（４）が形成された、突出したリム（３ａ、３ｂ、．．．、３ｉ）を備え、前記リム（３ａ、３ｂ、．．．、３ｉ）は、当該リムに対応する前記第２の基板（２ａ、２ｂ、．．．、２ｉ）の周辺部に配置されることを特徴とする、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の基板（１）および／または前記第２の基板（２ａ、２ｂ、．．．、２ｉ）が、薄化された基板であることを特徴とする、請求項５から７のいずれか一項に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくとも２つの基板同士を結合するための方法に関し、この方法は、
−２つの基板の一方上に液状接着剤の少なくとも１つの液滴を配置するステップと、
−２つの基板を接触させて液状接着剤を広がらせ、それに続いて、２つの基板間に固化接着剤の層を形成するステップと、
を備える。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に記載されるように、マイクロエレクトロニクス分野においては、半導体材料から作られたウェーハのような少なくとも２つの基板をお互いに組み立てるためのいくつかの結合技術が、存在する。より詳細には、組立は、薄い結合材料層による直接ウェーハ結合（direct wafer bonding）、例えば、原子と原子の結合（atom-to-atom bonding）または金属直接結合（metal direct bonding）によって行われてもよい。別の技術は、組み立てられるべき２つの基板間の界面に配置された接着剤の層によって結合を実行することである。接着剤層は、一般的には、有機物であり、より詳細には、ポリマー材料から作られるが（ポリマー・ウェーハ結合）、場合によっては、無機物であってもよい。
【０００３】
接着剤層による結合は、より詳細には、組み立てられるべき２つの基板間の界面に、例えばＰＭＭＡ、ポリイミドまたはＢＣＢから作られたポリマー層を形成することである。２つの基板の組立は、ほとんどの場合、２つの基板を接触させて、それらの基板の一方および／または他方に圧力を加えることによって達成され、それに続いて、結合強度（bonding resistance）を増加させるために、アニーリング・ステップが行われてもよい。
【０００４】
しかしながら、有機接着剤または無機接着剤の層を使用する結合方法において発生することのある大きな問題の１つは、配置される接着剤の量を習得する難しさ、すなわち、界面全体にわたる接着剤層の最終的な厚さを制御する難しさに関連するものである。実際に、予め定められた厚さの接着剤層を形成するために、必要以上の量の接着剤が、しばしば、配置される。しかしながら、組み立てられた後に、配置された余分な接着剤は、結合された領域の周囲全体にわたって除去されなければならず、このことは、界面の中央部と周辺部との間の結合界面における不均一な厚さを発生させる。さらにまた、圧力が基板の一方および／または他方に加えられるとき、とりわけ、大きな表面を有する部品の場合には、必要とされる圧力を、結合されるべき表面全体にわたって均一に分布させるのは難しいことがあり、このこともまた、欠陥のある結合を発生させる。
【０００５】
例として、特許文献２は、２つの表面が組み立てられるときに圧力を加えることによって、結合されるべき部品を傷つける危険性を伴うことなく、均一に結合することを保証する２つの表面を結合するための方法を提案している。より詳細には、この特許文献２に提案されている方法は、結合されるべき２つの表面間に配置された空洞（cavity）を接着剤の継ぎ目（seam）によって形成すること、その空洞を気密状態にすること、そして、表面の少なくとも一方に形成された開口によって、空洞の外部の領域に存在する周囲圧力と、空洞内に存在する圧力との間において正の圧力差を発生させることである。したがって、結合されるべき部品は、発生した圧力差の作用によって、お互いに接触する。しかしながら、この技術は、均一な欠陥のない結合を得るために、接着剤の継ぎ目の形で配置される接着剤の量および接着剤の継ぎ目の配置を十分に良好に制御することができなければならない。
【０００６】
特許文献３は、均一で且つ膨れ（blister）のない接着剤膜を得るのを可能にする、個別のチップを共通基板上に結合するための集合的方法を提案している。より詳細には、この特許文献３に提案されている方法は、次のステップを備える。
【０００７】
−支持体上に、機能性層（functionalized layer）または活性層（active layer）を、非接触で隣接した形で、２つの隣接する層間に間隙を備えて、配置するステップ、
−それぞれの機能性層上に、接着剤の較正された液滴を配置するステップ、
−接着剤のこれらの液滴上に、応力基板（stress substrate）を配置するステップ、および、
−そのようにして形成された組立品の部品を単一化（singularization）し、応力基板上に結合されたウェーハを得るステップ。
【０００８】
機能性層をお互いに対して配置することは、気泡を局所的に取り込むのを可能にするタンクに類似するチャンネルを生成する。しかしながら、上述したように、そのような方法は、アニーリング・ステップ後における接着剤膜の最終的な厚さが、１つの機能性層上において制御されることを可能にしないばかりか、次々にそれぞれの機能性層上において制御されることも可能にしない。
【０００９】
さらにまた、ＤＩＳＣＯ  ＡＢＲＡＳＩＶＥ  ＳＹＳＴＥＭＳ  ＬＴＤは、ＴＡＩＫＯ法と呼ばれる方法を開発しており、この方法においては、裏面研削（backgrinding）が、従来の裏面研削法とは異なる形で行われる。より詳細には、半導体ウェーハの裏面を研削するとき、この研削は、研削されていない約２ｍｍのリムをウェーハの裏面上にそのまま残しておくような形でなされる。そのようなリムの存在は、薄いウェーハを操作することに関係する危険性、および、ワープエイジ（warpage）としても知られている平らなウェーハ表面が変形する危険性を減少させるように設計されたものである。裏面研削が行われると、特許文献４に記載されるように、研削されていないリムによって画定される領域に結合剤が配置され、リムと接着剤材料とを備えた裏面の表面は、平坦化され、その後、ウェーハを複数のチップにダイシングするために、環状の金属周辺フレームにしっかりと固定された、ダイシング・ストリップと呼ばれるエレメント上に配置される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】米国特許公開第２００４／０００９６４９号公報
【特許文献２】フランス特許出願第２７９８９３５号
【特許文献３】フランス特許出願第２９２１２０１号
【特許文献４】特開２００９−０８１３９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の目的は、少なくとも２つの基板、とりわけ、半導体材料から作られた少なくとも２つの基板同士を結合するための方法を提案し、従来技術の欠点を除去することである。より詳細には、本発明の目的は、
−２つの基板の一方上に、液状接着剤の少なくとも１つの液滴を配置するステップと、
−２つの基板を接触させて液状接着剤を広がらせ、それに続いて、２つの基板間に固化接着剤層を形成し、得られたその固化接着剤層は、欠陥のない均一な制御された厚さを有するステップと、を備えた少なくとも２つの基板同士を結合するための方法を提案することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明によれば、この目的は、添付の請求項によって達成される。
【００１３】
その他の利点および特徴が、以下に限定するものではない単なる例として説明されかつ添付の図面に示される本発明の特定の実施形態からより明確なものとなる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】２つの基板同士を結合する方法の特定の実施形態に含まれるステップを概略的に示す断面図である。
【図２】２つの基板同士を結合する方法の特定の実施形態に含まれるステップを概略的に示す断面図である。
【図３】周辺リムを備えたバルク基板を示す上面図である。
【図４】バルク基板を同一平面上に存在する薄化された複数の基板に結合するステップを概略的に示す断面図である。
【図５】バルク基板を同一平面上に存在する薄化された複数の基板に結合するステップを概略的に示す断面図である。
【図６】バルク基板を同一平面上に存在する薄化された複数の基板に結合するステップを概略的に示す断面図である。
【図７】バルク基板を同一平面上に存在する薄化された複数の基板に結合するステップを概略的に示す断面図である。
【図８】バルク基板を同一平面上に存在する薄化された複数の基板に結合するステップを概略的に示す断面図である。
【図９】バルク基板を同一平面上に存在する薄化された複数の基板に結合するステップを概略的に示す断面図である。
【図１０】バルク基板を同一平面上に存在する薄化された複数の基板に結合するステップを概略的に示す断面図である。
【図１１】バルク基板を同一平面上に存在する薄化された複数の基板に結合するステップを概略的に示す断面図である。
【図１２】バルク基板を同一平面上に存在する薄化された複数の基板に結合するステップを概略的に示す断面図である。
【図１３】バルク基板を同一平面上に存在する薄化された複数の基板に結合するステップを概略的に示す断面図である。
【図１４】有利には図１０に基づいて得られた周辺リムを備えた、同一平面上に存在する薄化された複数の基板を示す上面図である。
【図１５】基板を同一平面上に存在する薄化された複数の基板に結合するステップを概略的に示す断面図である。
【図１６】基板を同一平面上に存在する薄化された複数の基板に結合するステップを概略的に示す断面図である。
【図１７】基板を同一平面上に存在する薄化された複数の基板に結合するステップを概略的に示す断面図である。
【図１８】基板を同一平面上に存在する薄化された複数の基板に結合するステップを概略的に示す断面図である。
【図１９】図１６に示されるようなリムを備えた基板を示す上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
表面から突き出ており、かつベント（vent）とも呼ばれる少なくとも１つのスリットが形成されたリム（rim）を２つの基板の一方に提供することによって、それらの少なくとも２つの基板をお互いに結合するためにそれらの基板間に形成された固化接着剤層の厚さを制御することが提案される。そのようなリムは、結合空間（bonding space）、すなわち、基板を接触させたときに固化接着剤層が形成および配置される空間を画定する。
【００１６】
有利には、リムは、このリムに配置された１つまたは複数のスリットを除けば、閉じた周辺部を形成するリブとして一方の基板の表面上に形成される。したがって、このリムは、その基板の表面において、基板を接触させたときに結合空間を形成するように設計されたハウジング（または、空洞）を画定する。さらに、リムは、その結合空間内に配置される固化接着剤層に必要な厚さに応じて選択された特定の高さを有する。有利には、この高さは、一定である。
【００１７】
さらにまた、２つの基板の一方上に配置される接着剤液の体積は、結合空間の容積よりも大きい。したがって、基板を接触させたとき、余分な液状接着剤を、そのリムから溢れ出る代わりに、リムに形成されたスリットを介して除去することができる。さらに、一方または他方の基板上に配置された液状接着剤の液滴は、厳密には、リムの高さよりも高い高さを有する。したがって、基板を接触させたとき、２つの基板の一方上に配置された接着剤の液滴は、リムよりも前に他方の基板と接触する第１のエレメントである。さらにまた、毛管現象のため、液状接着剤は、結合空間内において、とりわけ、この結合空間を画定するリムの近傍において、良好なぬれ性（wettability）を有する。その場合、結合空間内における液状接着剤の広がりは、接着剤の液滴が他方の基板と接触すれば、自動的に発生する。接着剤の液滴の高さは、有利には、リムの高さよりも１０倍も高い。さらにまた、リムに形成されたスリットの寸法は、有利には、使用される接着剤の種類に応じて、とりわけ、接着剤の粘度に基づいて選択される。接着剤の粘度が高くなればなるほど、スリットの寸法はより大きいものとなる。エポキシ系接着剤の場合、スリットは、有利には、１０μｍ以上の幅、および、２μｍ以上の高さを有し、これは、約２００ｃＰｏ〜約３００ｃＰｏの粘度を有する接着剤に対し、２０μｍ２の表面を有するスリットを得るのを可能にする。
【００１８】
その場合に、結合界面全体にわたって、欠陥のない均一な厚さの固化接着剤層を得ることができる。固化接着剤層は、有利には、２つの基板間の界面のほぼ全体にわたって、数μｍの厚さ、典型的には１μｍから３μｍまでの厚さを有し、この界面は、数ｍｍ２から数ｃｍ２までの範囲で変化してもよい。
【００１９】
さらにまた、少なくとも一方の基板の表面から突き出たリムは、その基板を強化するのを可能にする。これは、柔らかい固定膜（securing film）の影響、より詳細には、柔らかい固定膜が発生させることのある起伏の影響を制限するために、基板の裏面がこの柔らかい固定膜を備えている場合にとりわけ有益である。この場合、接着剤層の厚さの均一性は、リムを備えた基板上に配置されるであろう基板の表面状態（平坦状態）だけに依存する。実際に、固定膜を備えた基板がリムを備えていなければ、固定膜の起伏は基板の起伏を発生させ、その基板の起伏自身が接着剤層の起伏を発生させる。この場合には、完全に平坦なアドオン基板（added-on substrate）を備えたとしても、均一な接着剤膜を得ることはできない。
【００２０】
このような結合方法は、様々な種類の基板に適用されてもよく、より詳細には、例えば、円形のウェーハのように、マイクロエレクトロニクス分野において使用される半導体材料によって基部が形成された基板に適用されてもよい。その場合、それぞれの基板は、主として、シリコンのような半導体材料によって形成される。さらに、これらの基板は、例えば５００μｍから１０００μｍまでの範囲に存在する厚さを備えたバルク基板であってもよく、あるいは、それらの基板は、マイクロエレクトロニクス分野において知られているあらゆる種類の技術によっても薄化されてよく、最終的な厚さは、例えば、１５μｍから３５μｍまでの範囲に存在する。さらにまた、基板の一方および／または他方は、受動的なもの、すなわち、部品を備えていないものであってもよく、および／または、能動的なもの、すなわち、ＣＭＯＳ回路のようなマイクロエレクトロニクス回路を備えたものであってもよい。最終的に、それぞれの基板は、従来の形で、例えばパイレックス（登録商標）から作られた保護層上に配置されてもよく、この保護層の熱膨張率は、対応する基板を形成する半導体材料の熱膨張率に等しい。それらの基板は、例えば、１００ｍｍから３００ｍｍまでの範囲に存在する直径を有する。
【００２１】
図１〜図３に示される特定の実施形態によれば、例えばシリコンから作られた２つの基板１および２が、お互いに結合される。
【００２２】
図１〜図３において符号２を備えた基板は、突出したリム３を備え、このリム３には、４つの均等に配置されたスリット４が形成されている。さらにまた、この実施形態においては、最大限に大きな容積を有する結合空間を得るために、リム３は、周辺リム、すなわち、基板２の表面２ｂの周辺部に配置されたリムである。
【００２３】
リム３は、マイクロエレクトロニクス分野において従来使用されているあらゆる種類の技術によって形成されてもよい。したがって、リム３は、例えば、リム３が形成される面の反対側に存在する基板２の表面２ａを事前に保護することによって、例えば、柔らかい接着材料（アクリル系であり、紫外線に感光性を有し、かつ、温度上昇またはＢｒｅｗｅｒ社から市販されているような一時的架橋結合樹脂を必要としない）によって形成される薄い保護膜５を成膜することによって形成されてもよい。その場合、基板２は、表面２ｂに少なくとも１つのスリット４を備えたリム３を形成するために、裏返しにされる。リムは、例えば、フォトリソグラフィーによって事前に作られたフォトレジスト・マスクを介したドライ・エッチング処理またはウェット・エッチング処理によって作られてもよい。その後、マスクが除去される。リムは、また、事前に作られたマスクによって保護されていない基板の部分を除去するためのレーザ・ビームを用いたエッチングによって作られてもよい。
【００２４】
そして、図１において、周辺リム３は、ハウジングまたは空洞６を基板２に画定し、このハウジングの底面は実質的に平坦である。さらに、ハウジング６の底面からのリム３の高さＨ１は、接着剤層７が固化したときに２つの基板１および２同士の結合を行うように設計された最終的な接着剤層７に要求される厚さに対応するように、このリムが作られるときに制御される。周辺リム３の高さの制御は、例えば、リムの上述した実施形態におけるエッチング・パラメータを制御することによって達成される。
【００２５】
さらにまた、図１において、液状接着剤の液滴８は、基板２上に、すなわち、ハウジング６の底面に配置され、２つの基板１および２を接触させるために、基板１が、基板２に徐々に近づけられる（矢印Ｆ１）。この接触ステップは、例えば、組立ベンチ（assembly bench）を用いて行われてもよい。
【００２６】
接着剤の液滴８の高さＨ２は、リム３の高さＨ１よりも高いので、基板１の実質的に平坦な表面１ａが基板２の周辺リム３で停止する前に、基板１は、まず、接着剤の液滴８と接触する。したがって、基板１の表面１ａが液状接着剤の液滴８と接触することによって、液状接着剤がハウジング６内に広がる。さらにまた、基板１の表面１ａと液状接着剤の液滴８とが接触した状態によって生成されるメニスカス（meniscus）は、有利には、接着剤が広がるのを可能にし、その結果として、広がっている最中の液状接着剤がリム３の高さに到達する直前に、基板１はリム３で停止する。さらに、スリット４の存在は、余分な接着剤が、リム３上へ溢れ出るのではなく、これらの通路を介して排出されるのを可能にする。リム３は、このリム３の上面を接着剤に対して疎水性のあるものにするような表面処理によって、処理されてもよい。これは、表面平坦性が乏しい場合、とりわけ、興味のあることである。最後に、基板１の表面１ａが、きわめて小さい凸凹を備えた状態で実質的に平坦であるという事実は、有利には、スリット４の位置を除けば、貼り合わせられた組立品の気密性を保証する。例えば、基板１の表面１ａにおける平坦性の欠如は、１５０ｍｍの直径を備えた基板の場合、典型的には、１０μｍよりもはるかに小さい。
【００２７】
さらにまた、液状接着剤の液滴８の体積は、結合空間の容積よりも大きくなるように選択される。そのために、スリット４がリムに存在することは、２つの基板１および２を接触させたときに、余分な液状接着剤を除去するのを可能にし、それによって、接着剤層７が固化すると、ハウジング６内において均一な厚さを有する（さらには、リムの高さＨ１に対応する）接着剤層７を得るのを可能にする。このように、スリット４は、ハウジング６内に存在する余分な接着剤および気泡が逃げるのを可能にする。したがって、液状接着剤の液滴８の体積は、余剰分を出さずに結合空間の容積を満たすために高い精度で較正されなくてもよい。接着剤の最終的な体積、したがって、最終的な接着剤層の厚さを決定するのは、リム３に配置されたスリットの存在に関係する結合空間の容積であるので、液状接着剤の液滴８の体積は多すぎてもよい。さらにまた、基板を接触させることは、基板の一方または他方に圧力を加えることを必要とせずに行われてもよい。これは、基板を接触させるときに基板の一方または他方に圧力を加えることが、基板そのものまたはこれらの基板上に形成された部品または回路（例えば、基板の前面上に形成されたろう付けボール（brazing ball））を物理的に傷つけることがある限りにおいて、とりわけ、興味のあることである。図１〜図３に基づいた結合方法においては、基板１の重量によって基板２に加えられる圧力は、実際に、結合を行うのに十分なものである。
【００２８】
接着剤は、有利には、エポキシまたはポリイミドのような有機接着剤であるが、シリコーンのような無機接着剤であってもよい。接着剤は、液体の形で配置され、そして、２つの基板が接触させられたならば、この接着剤は、リムによって画定された２つの基板間の空間（結合空間とも呼ばれる）内において２つの基板間の界面に配置された固体層７の形で固化する。この結合空間は、基板１および２がお互いに接触させられたときに基板２に配置されるハウジング６に対応する。
【００２９】
接着剤の固化は、有利には、結合空間内に存在しうる排出されるべき気泡がすべてなくなる緩和時間の後に、架橋ステップ（cross-linking step）によって達成され、例えば、２つの基板の組立ベンチ上において直接に実行される。例えば、エポキシ接着剤の場合の典型的な網状化温度（reticulation temperature）は、室温から１５０℃までの範囲に存在する。この架橋ステップは、適切な温度−時間対（Temperature-Time pair）によって行われてもよい。
【００３０】
この実施形態においては、液状接着剤の液滴８は、基板２上に配置され、この基板２はリム３を備えた基板である。一方、別の実施形態においては、液状接着剤の液滴８は、他方の基板すなわち基板１上に配置されてもよい。この場合、液状接着剤の液滴８は基板１の表面１ａ上に配置され、そして、リム３を備えた基板２は基板１の上方に配置され、リム３を備えた表面２ｂは、基板１の表面１ａ上へ搬送されるように、基板１の表面１ａに面して配置される。
【００３１】
図１〜図３に示される実施形態は、２つの基板間における結合方法を説明するものである。一方、上述した２つの実施形態において説明されたように、いくつかの基板の結合を行うことも可能であり、より詳細には、第１の基板と、少なくとも１つのダイシング経路（dicing path）によって分離された同一平面上に存在する複数の基板との結合を行うことも可能である。
【００３２】
したがって、図４〜図１４に示される実施形態においては、第１の基板１、例えば、バルク基板は、１つ以上のダイシング経路によってお互いに分離されかつ有利には薄化された同一平面上に存在する複数の第２の基板２ａ、２ｂ、．．．、２ｉに結合させられることによって、搬送される。リム、より詳細には、少なくとも１つのスリットを備えた周辺リムが、第２の基板のそれぞれに形成される。
【００３３】
より詳細には、ダイシング経路９によって分離された同一平面上に存在する複数の基板２ａ、２ｂ、．．．、２ｉは、マイクロエレクトロニクス分野において知られているあらゆる種類の技術によって形成されてもよい。とりわけ、これらの基板は、プラスチックまたは金属から作られた固定フレーム１１に支持膜１０によってしっかりと固定されたバルク基板から開始して、ＤＢＧ（研削する前にダイシングする（Dicing Before Grinding）ことを意味する）という頭字語としても知られているダイシング方法によって形成されてもよい。バルク基板は、図４に示されるように、第２の基板２ａ、２ｂ、．．．、２ｉに要求される最終的な厚さよりもわずかに厚い深さにまで薄化ステップを施され、第２の基板２ａ、２ｂ、．．．、２ｉを画定しかつそれらの基板をお互いから絶縁するために、ダイシング経路９が形成される。例えば、最終的な厚さが３０μｍである場合、薄化ステップ中に行われるダイシングの深さは、３５μｍから４０μｍまでの範囲に存在する。さらにまた、薄化されるべきバルク基板を支持膜１０上へ搬送することは、この支持膜を、固定フレーム１１上とバルク基板の前面上とに同時に積層することによって、行われてもよい。
【００３４】
そして、図５〜図１０に示されるように、リム３ａ、３ｂ、．．．、３ｉが、基板２ａ、２ｂ、．．．、２ｉの自由表面（free surface）それぞれの周辺部に形成される。より詳細には、フォトリソグラフィー（図６に示される矢印Ｆ２）によってエッチング・マスク１３を形成するために、フォトレジスト層１２が、例えば、スパッタリングによって、基板２ａ、２ｂ、．．．、２ｉの自由表面上に成膜される（図５）。エッチング・マスク１３は、基板２ａ、２ｂ、．．．、２ｉのそれぞれの表面上における周辺領域を被覆し、この周辺領域は、それぞれの周辺リム３ａ、３ｂ、．．．、３ｉが形成されるべき位置に対応している。このエッチング・マスク１３は、さらに、ダイシング経路９を満たしている。フォトレジストが現像されると（図７）、それぞれの基板のエッチング・マスク１３によって被覆されていない部分を予め定められた深さ（リムに要求される高さに対応する）まで除去するために（図９）、エッチング・マスク１３を介した局部的エッチング・ステップ（図８に示される矢印Ｆ３）が行われる。この処理は、リム３ａ、３ｂ、．．．、３ｉをそれらのスリット４とともに形成するのを可能にする。エッチング・ステップは、湿式の方法またはガスによる方法によって、あるいは、レーザによって行われてもよい。その後、エッチング・マスク１３は除去される（図１０）。
【００３５】
図１４は、ダイシング経路９によってお互いに分離された、長方形断面を有する同一平面上に存在する複数の基板２ａ、２ｂ、．．．、２ｉの特定の例となる実施形態を示す。４つのスリット４を備えた周辺リム３ａ、３ｂ、．．．、３ｉが、それぞれの基板に形成されており、それぞれのスリットは、その周辺リムの辺の中央に配置されている。しかしながら、スリット４の数は、実施形態ごとに異なっていてもよく、有利には、１から４までの範囲に存在する。さらにまた、スリット４は、貫通したもの（pass-through）であってもよく、あるいはそうでなくてもよい。周辺リム３ａ、３ｂ、．．．、３ｉは、有利には、すべてが同じ高さを有する。
【００３６】
これまでに説明された実施形態と同様に、リムが、第２の基板２ａ、２ｂ、．．．、２ｉのそれぞれに作成されると、液状接着剤の液滴８ａ、８ｂ、．．．、８ｉが、それぞれのリム３ａ、３ｂ、．．．、３ｉによって画定されたそれぞれのハウジング５ａ、５ｂ、．．．、５ｉの底面に配置される。そして、バルク基板１が、複数の基板２ａ、２ｂ、．．．、２ｉによって形成された組立品の上へ搬送され、その結果として、基板１の表面１ａは、リム３ａ、３ｂ、．．．、３ｉで停止する前に、まず、接着剤の液滴８ａ、８ｂ、．．．、８ｉと接触する。余分な液状接着剤と、リム３ａ、３ｂ、．．．、３ｉによって画定されたハウジング内に存在するかもしれない気泡とは、図１２に示されるように、結合空間からスリット４を介して逃げることができ、余分な液状接着剤は、ダイシング経路９内に流れ込むことができる。接着剤層７ａ、７ｂ、．．．、７ｉが、例えば熱処理ステップによって固化すると、基板２ａ、２ｂ、．．．、２ｉをお互いに分離するために、ダイシング処理が行われてもよい。図１３における破線は、それぞれの基板の周辺リムを除去することにある特定のダイシング・ストラテジー（dicing strategy）を示す。一方、変形例によれば、これらの周辺リムを保持することを選択することも考えられる。
【００３７】
図１５〜図１９に示される第３の実施形態においては、有利にはバルク基板である第１の基板１が、同様に、有利には薄化されかつ１つ以上のダイシング経路９によって分離された同一平面上に存在する複数の基板２ａ、２ｂ、．．．、２ｉに結合される。一方、この場合においては、それぞれが少なくとも１つのスリットを備えかつ固化接着剤層のための結合空間を画定するように設計されたリムは、基板２ａ、２ｂ、．．．、２ｉのそれぞれの上に形成されるのではなく、第１のバルク基板１の表面１ａ上に形成される。これらのリムは、より詳細には、第１の基板１の表面１ａにリブを形成することによって得られる。リブの位置は、制御された形で、特定の位置を選択され、それによって、結合された後には、あるいは、最終的にダイシングされた後には、それぞれの第２の基板２ａ、２ｂ、．．．、２ｉの周辺部に対応するリムが形成される。
【００３８】
例として、図１９は、それぞれがスリット４を備えたリム３を形成するように設計された複数のリブを表面に備えたバルク基板１の特定の実施形態を示している。そのために、基板１は複数のリム３を備え、それぞれのリム３は、その表面に４つのスリット４を備え、それぞれのスリットは、図１９において上方からみて長方形形状を有するリムの辺の中央に配置されている。しかしながら、スリット４の数は、実施形態ごとに異なっていてもよく、有利には、１から４までの範囲に存在する。さらにまた、スリット４は、貫通したものであってもよく、あるいはそうでなくてもよい。リム３ａ、３ｂ、．．．、３ｉも、有利には、すべてが同じ高さを有する。
【００３９】
リム３が形成されると、液状接着剤の液滴８ａ、８ｂ、．．．、８ｉが、この実施形態においては、基板２ａ、２ｂ、．．．、２ｉの実質的に平坦なそれぞれの自由表面上に配置される。そして、バルク基板１が、複数の基板２ａ、２ｂ、．．．、２ｉによって形成された組立品の上へ搬送され、その結果として、リム３を備えた基板１の表面１ａは、リム３ａ、３ｂ、．．．、３ｉで停止する前に、まず、接着剤の液滴８ａ、８ｂ、．．．、８ｉと接触する（図１６および図１７）。これまでに説明された実施形態の場合と同様に、余分な液状接着剤と、結合空間内に存在するかもしれない気泡とは、このハウジングからスリット４を介して逃げることができる。この場合、余分な液状接着剤は、ダイシング経路内へ流れ込むことができる。接着剤７ａ、７ｂ、．．．、７ｉが、例えば熱処理ステップによって固化すると、基板２ａ、２ｂ、．．．、２ｉをお互いに分離するために、ダイシング処理が行われてもよい。図１８における破線は、ダイシング経路に沿って進むことにある特定のダイシング・ストラテジーを示し、その結果として、第１の基板１の一部分と第２の基板２ａ、２ｂ、．．．、または２ｉとによって形成されたそれぞれの組立品は、ダイシングされた後には、周辺部となるリムを保持している。一方、変形によれば、ダイシング処理は、リム３を除去するように行われてもよい。
【００４０】
本発明は、これまでに説明された実施形態に限定されることはない。とりわけ、リムに形成されたスリットは、他方の基板に接触するように設計されたそのリムの自由表面から、そのリムによって画定されたハウジングの底面まで、そのリムを貫通する通路の形を有していてもよい。したがって、この場合には、スリットは、リムの高さに等しい長さを有する。別の実施形態によれば、それらのスリットは、より短いものであってもよい。一方、それらのスリットは、必ず、他方の基板に接触するように設計された自由表面から形成される。さらにまた、結合界面における接着性の品質を向上させるために、接着剤を配置する前に、例えば、酸素プラズマ・ベース活性化処理（oxygen plasma-based activation treatment）が、接触するように設計された２つの表面に対して行われてもよい。さらにまた、空洞によって形成されるリムに余計な接着剤膜が付着するのを防止するために、接着剤に対する抗ぬれ成膜（anti-wetting deposition）を、リムに対して選択的に行うことも考えることができる。これは、とりわけ、初期の接着剤配置が多すぎる場合に興味のあることである。
【符号の説明】
【００４１】
１，２  基板
３  リム
４  スリット
５  保護膜
６  ハウジング
７  接着剤層
８  液状接着剤の液滴
９  ダイシング経路
１０  支持膜
１１  固定フレーム
１２  フォトレジスト層
１３  エッチング・マスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【外国語明細書】
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