(57)【要約】【課題】昇降圧コンバータにおいて、昇圧モード時にハイサイドスイッチ素子の予期せぬターンオフが生じることを防ぐ。【解決手段】電源回路の昇降圧コンバータは、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１とローサイドスイッチ素子Ｑ２を備える。制御部１０は、昇圧モード時に、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１を基本的にはオン状態に制御し、ローサイドスイッチ素子Ｑ２をオンオフ制御することで、所望の昇圧動作を実現する。さらに、制御部１０は、ローサイドスイッチ素子Ｑ２のオフ期間に、所定の短い時間長からなる強制的なオフ期間Ｔｆｏｆｆを設け、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１を一時的にオフ状態にする。これにより、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１のオン制御時には電荷が放出し続けるブートストラップコンデンサＣ３を、オフ期間Ｔｆｏｆｆ中に、充電することができる。【選択図】  図２
2012029361.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
それぞれがＮチャンネル型ＦＥＴからなるハイサイドスイッチ素子およびローサイドスイッチ素子を備え、当該ハイサイドスイッチ素子およびローサイドスイッチ素子のオン／オフ制御により、商用電源からの交流電圧を全波整流した入力電圧を昇降圧する昇降圧コンバータと、
前記ハイサイドスイッチ素子および前記ローサイドスイッチ素子を個別にオン制御もしくはオフ制御するためのスイッチ制御信号を生成する制御部と、
該制御部から前記ハイサイドスイッチ素子に与えられるスイッチ制御信号のオン制御電圧を底上げするためのブートストラップコンデンサを備えたブートストラップ回路と、を備えた非絶縁型の電源回路であって、
前記制御部は、前記ハイサイドスイッチ素子をオン制御することで前記昇降圧コンバータを昇圧モードで動作させる期間中に、前記ハイサイドスイッチ素子をオフ制御する区間を設ける、ことを特徴とする電源回路。
【請求項２】
前記制御部は、前記ローサイドスイッチ素子をオン制御からオフ制御に切り替えた直後に、前記ハイサイドスイッチ素子をオフ制御する区間を設ける、請求項１に記載の電源回路。
【請求項３】
前記制御部は、ローサイドスイッチ素子に対する連続する一対のオン制御期間とオフ制御期間とを１サイクルとするオンオフ制御を行い、前記ハイサイドスイッチ素子に対するオフ制御を複数サイクルに１回の割合で行う、請求項１または請求項２に記載の電源回路。
【請求項４】
前記昇降圧コンバータは、
前記ハイサイドスイッチ素子のドレインが入力端を構成する一方の入力端子に接続し、前記ハイサイドスイッチ素子のソースが第１ダイオードのカソードに接続するように、前記入力端を構成する一対の入力端子間に、前記ハイサイドスイッチ素子と前記第１ダイオードとの直列回路が接続され、
前記第１ダイオードのカソードとチョークコイルの一方端とが接続し、該チョークコイルの他方端と前記ローサイドスイッチ素子のドレインとが接続するように、前記第１ダイオードに並列に、前記チョークコイルとローサイドスイッチ素子との直列回路が接続され、
前記ローサイドスイッチ素子のドレインに第２ダイオードのアノードが接続するように、前記ローサイドスイッチ素子のソース−ドレインに並列に、前記第２ダイオードと出力コンデンサとの直列回路が接続された構成を備え、
前記ブートストラップコンデンサは、前記ハイサイドスイッチ素子のソースに一端が接続されている、請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の電源回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤ等の定電流駆動の負荷に対して定電流で電源を供給する電源回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、商用電源から得られる交流電圧を整流、平滑して、直流電圧をＬＥＤ等の定電流制御型の負荷に与える電源回路が、各種考案されている。このような電源回路として、特許文献１に示すような非絶縁型の昇降圧コンバータを備えたものがある。昇降圧コンバータを備えることで、入力電圧と所望の出力電圧との大小関係が変化しても所望の出力電圧が得られる。
【０００３】
特許文献１に示すような２個の半導体スイッチ素子を備えた昇降圧コンバータでは、一方のスイッチ素子がハイサイドスイッチ素子（特許文献１における図１の記号２のスイッチ素子）であり、他方のスイッチ素子がローサイドスイッチ素子（特許文献１における図１の記号５のスイッチ素子）である。この昇降圧コンバータでは、所望の出力電圧が入力電圧よりも高い昇圧モード時には、ハイサイドスイッチ素子が常時オン制御され、ローサイドスイッチ素子がオン／オフ制御される。一方、所望の出力電圧が入力電圧よりも低い期間では、ローサイドスイッチ素子がオフ制御され、ハイサイドスイッチ素子がオン／オフ制御される。
【０００４】
そして、上述のハイサイドスイッチ素子をオン制御するためには、高い電圧が必要であり、当該電圧を実現するために、特許文献２の図７に記載のようなブートストラップコンデンサを有するブートストラップ回路が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１１１３９２号公報
【特許文献２】特開２００７−６２０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述の昇降圧コンバータでは、昇圧モードの際にハイサイドスイッチ素子を常時オン制御しなければならない。そして、オン制御期間が長くなると、ブートストラップコンデンサからの底上げ電圧が得られなくなり、ハイサイドスイッチ素子の予期せぬターンオフを招いてしまう。
【０００７】
したがって、この発明の目的は、昇降圧コンバータにおいて、昇圧モード時にハイサイドスイッチ素子の駆動電圧を確実に供給することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明は、非絶縁型の電源回路に関する。当該電源回路は、昇降圧コンバータ、制御部、ブートストラップ回路を備える。昇降圧コンバータは、それぞれがＮチャンネル型ＦＥＴからなるハイサイドスイッチ素子およびローサイドスイッチ素子を備え、当該ハイサイドスイッチ素子およびローサイドスイッチ素子のオン／オフ制御により、商用電源からの交流電圧を全波整流した入力電圧を昇降圧する。制御部は、ハイサイドスイッチ素子およびローサイドスイッチ素子を個別にオン制御もしくはオフ制御するためのスイッチ制御信号を生成する。ブートストラップ回路は、制御部からハイサイドスイッチ素子に与えられるスイッチ制御信号のオン制御電圧を底上げするためのブートストラップコンデンサを備える。
【０００９】
このような構成を備えた上で、制御部は、ハイサイドスイッチ素子をオン制御することで昇降圧コンバータを昇圧モードで動作させる期間中に、ハイサイドスイッチ素子をオフ制御する区間を設ける。
【００１０】
この構成では、昇圧モードにおいてハイサイドスイッチ素子に対して強制的なオフ状態を設ける。これにより、ハイサイドスイッチ素子が定常的にオン状態となることを防止でき、ブートストラップコンデンサの充電期間を定期的に設けることができる。なお、この際、ハイサイドスイッチ素子のオフ区間をブートストラップコンデンサの仕様等に応じて極短くすることで、当該オフ区間により生じる効率の低下を可能な限り抑えることができる。
【００１１】
また、この発明の電源回路の制御部は、ローサイドスイッチ素子をオン制御からオフ制御に切り替えた直後に、ハイサイドスイッチ素子をオフ制御する区間を設ける。
【００１２】
この構成では、ローサイドスイッチ素子のオフ直後であるので、チョークコイルに流れる電流が「０」にならない期間に、ハイサイドスイッチ素子の強制的なオフ区間が設けられる。これにより、ブートストラップコンデンサへの充電を確実に行うことができる。
【００１３】
また、この発明の電源回路の制御部は、ローサイドスイッチ素子に対する連続する一対のオン制御期間とオフ制御期間とを１サイクルとするオンオフ制御を行う。制御部は、ハイサイドスイッチ素子に対するオフ制御を、複数サイクルに１回の割合で行う。
【００１４】
この構成では、ハイサイドスイッチ素子の強制的なオフ制御の回数を減らすことで、効率の低下を抑制することができる。
【００１５】
また、この発明の電源回路の昇降圧コンバータは、次の構成を備える。
ハイサイドスイッチ素子のドレインが入力端を構成する一方の入力端子に接続し、ハイサイドスイッチ素子のソースが第１ダイオードのカソードに接続するように、入力端を構成する一対の入力端子間に、ハイサイドスイッチ素子と第１ダイオードとの直列回路が接続される。
第１ダイオードのカソードとチョークコイルの一方端とが接続し、該チョークコイルの他方端とローサイドスイッチ素子のドレインとが接続するように、第１ダイオードに並列に、チョークコイルとローサイドスイッチ素子との直列回路が接続される。
ローサイドスイッチ素子のドレインに第２ダイオードのアノードが接続するように、ローサイドスイッチ素子のソース−ドレインに並列に、第２ダイオードと出力コンデンサとの直列回路が接続される。
【００１６】
また、ブートストラップコンデンサは、ハイサイドスイッチ素子のソースに一端が接続されている。
【００１７】
この構成では、上述の昇降圧コンバータの具体的回路構成と、当該昇降圧コンバータに対するブートストラップコンデンサの具体的接続構成とを示している。このような構成では、ハイサイドスイッチ素子がオフ状態になり、第１ダイオードにチョークコイルからの電流が流れることで、ブートストラップコンデンサの一方端がグランド電位になる。これにより、ブートストラップコンデンサの他方端に接続される直流電源（制御部の駆動電源を兼ねる）から電圧印加され、ブートストラップコンデンサが充電される。
【発明の効果】
【００１８】
この発明によれば、昇降圧コンバータの昇圧モード時に、ハイサイドスイッチ素子の駆動電圧を確実に供給でき、強制的に挿入するオフ期間を除く略定常的にハイサイドスイッチ素子をオンにすることができる。これにより、出力電圧および出力電流を安定して制御することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の電源回路の主要構成を示す回路図である。
【図２】第１の実施形態の電源回路における昇圧モード時での各部の電圧波形および電流波形と、従来の電源回路における各部の電圧波形および電流波形とを示す図である。
【図３】第２の実施形態の電源回路における昇圧モード時での各部の電圧波形および電流波形を示す図である。
【図４】第３の実施形態の電源回路における昇圧モード時でのハイサイドスイッチ素子の電圧波形およびローサイドスイッチ素子の電圧波形を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明の第１の実施形態に係る非絶縁型の電源回路について、図を参照して説明する。図１は、本実施形態の電源回路の概略構成を示す回路図である。
【００２１】
電源回路は、後述する二つのスイッチ素子を備えた昇降圧型で非絶縁型のスイッチング電源回路である。電源回路は、商用電源２００に接続する一対の入力端子からなる入力端Ｐｉｎを備える。
【００２２】
電源回路の入力端Ｐｉｎには、全波整流回路であるダイオードブリッジＤＢが接続されている。ダイオードブリッジＤＢの後段には、入力コンデンサＣｉが並列接続されている。なお、入力コンデンサＣｉは、極小さなキャパシタンスのコンデンサであり、ダイオードブリッジＤＢから出力される全波整流を平滑するほどのキャパシタンスを有さないものである。したがって、ダイオードブリッジＤＢの後段に接続される、次に示す昇降圧コンバータには、脈波状の入力電圧が与えられる。
【００２３】
昇降圧コンバータは、チョークコイルＬ、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１、ローサイドスイッチ素子Ｑ２、第１ダイオード素子Ｄ１、第２ダイオード素子Ｄ２、出力コンデンサＣｏを備える。
【００２４】
具体的には、ダイオードブリッジＤＢの出力端子でもある昇降圧コンバータの一対の入力端子には、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１と第１ダイオードＤ１との直列回路が接続している。この際、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１のドレインが、昇降圧コンバータとしての一方の入力端子（ダイオードブリッジＤＢの一方の出力端子）に接続している。ハイサイドスイッチ素子Ｑ１のソースと第１ダイオードＤ１のカソードとが接続している。第１ダイオードＤ１のアノードが昇降圧コンバータとしての他方の入力端子（ダイオードブリッジＤＢの一方の他方端子）に接続している。
【００２５】
第１ダイオードＤ１には、チョークコイルＬとローサイドスイッチ素子Ｑ２との直列回路が並列接続している。この際、チョークコイルＬの一方端がダイオードＤ１のカソードに接続し、チョークコイルＬの他方端がローサイドスイッチ素子Ｑ２のドレインに接続している。ローサイドスイッチ素子Ｑ２のソースが第１ダイオードＤ１のアノードに接続している。
【００２６】
ローサイドスイッチ素子Ｑ２には、第２ダイオードＤ２と出力コンデンサＣｏとの直列回路が並列接続している。第２ダイオードＤ２のアノードがローサイドスイッチ素子Ｑ２のドレインに接続している。出力コンデンサＣｏの両端が、電源回路としての出力端Ｐｏｕｔとなる。当該出力端Ｐｏｕｔの一対の出力端子間に、ＬＥＤモジュール等の負荷１００が接続される。
【００２７】
電源回路は、制御部１０、電流検出部１１、ハイサイドドライバＩＣ１２を備えるとともに、ブートストラップ回路を構成するブートストラップコンデンサＣ３および第３ダイオードＤ３を備える。
【００２８】
電流検出部１１は、出力端子Ｐｏｕｔを構成するいずれか一方の出力端子と出力コンデンサＣｏの一方端との間に直列接続されている。具体的に、図１の例であればグランドライン側の出力端子と出力コンデンサＣｏの端子との間に直列接続されている。電流検出部１１は、既知の直流電流を検出する回路構成からなり、負荷１００に流れる電流である出力電流値を検出し、制御部１０へ出力する。
【００２９】
制御部１０には、直流駆動電圧Ｖｃｃが与えられている。制御部１０は、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１およびローサイドスイッチ素子Ｑ２をオンオフ制御するスイッチング制御信号を生成する。この際、制御部１０は、検出された出力電流値が目標電流値に一致するように、それぞれのスイッチ素子Ｑ１，Ｑ２のオン期間とオフ期間とを制御するスイッチング制御信号を出力する。
【００３０】
具体的には、出力電圧値に対して入力電圧値が低ければ、制御部１０は、昇圧モードのスイッチング制御を行う。一方、出力電圧値に対して入力電圧値が高ければ、降圧モードのスイッチング制御を行う。降圧モードでは、制御部１０は、ローサイドスイッチ素子Ｑ２に対して常時オフ状態となるスイッチング制御信号を印加する。また、制御部１０は、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１に対しては、出力電流値と目標電流値との差に基づいて、目標電流値が得られるように、オン制御期間およびオフ制御期間を設定したスイッチング制御信号を印加する。なお、本実施形態の電源回路で実行される昇圧モードの具体的スイッチング制御については、後述する。
【００３１】
制御部１０は、ローサイドスイッチ素子Ｑ２用のスイッチング制御信号を、ローサイドスイッチ素子Ｑ２のゲートに与える。一方、制御部１０は、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１用のスイッチング制御信号を、ハイサイドドライバＩＣ１２に与える。
【００３２】
ハイサイドドライバＩＣ１２は、ブートストラップ回路によって電圧レベルの底上げをしたハイサイドスイッチ素子Ｑ１用のスイッチ制御信号を、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１のゲートに与える。
【００３３】
ブートストラップ回路は、ブートストラップコンデンサＣ３と、該ブートストラップコンデンサＣ３に直流駆動電圧Ｖｃｃを与えるための第３ダイオードＤ３を備える。ブートストラップコンデンサＣ３の一方端は、チョークコイルＬの一方端、すなわち、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１のソース、第１ダイオードのカソードおよびチョークコイルＬの入力端側の端部に接続している。ブートストラップコンデンサＣ３の他方端には、第３ダイオードＤ３のカソードが接続し、該第３ダイオードＤ３のアノードには、直流駆動電圧Ｖｃｃが印加される。
【００３４】
ブートストラップ回路をこのような構成とすることで、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１とローサイドスイッチ素子Ｑ２の両方がともにオフ状態となる場合に、ブートストラップコンデンサＣ３の一方端が、チョークコイルＬからの電流によって導通された第１ダイオードＤ１を介してグランド接続される。これにより、ブートストラップコンデンサＣ３は、直流駆動電圧Ｖｃｃによってチャージされる。そして、このチャージされた電荷を利用することで、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１のスイッチング制御信号のグランドレベルを底上げして、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１のオン制御に必要な駆動電圧を確保している。
【００３５】
次に、本実施形態の電源回路での昇圧モード時の制御について、図２を参照して説明する。図２（Ａ）は本実施形態の制御を用いた場合の各部の電圧波形および電流波形を示す図であり、図２（Ｂ）は従来の制御を用いた場合の各部の電圧波形および電流波形を示す図である。なお、図２におけるローサイドスイッチ素子Ｑ２にあたえる電圧のＨｉレベルとＬｏｗレベルとのデューティー比、すなわちローサイドスイッチ素子Ｑ２のオン制御期間とオフ制御期間とのデューティー比は一例である。
【００３６】
まず、従来の制御では、昇圧モードの際、図２（Ｂ）の最上段に示すように、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１のゲートに与えられる電圧ＶＱ１は、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１が常時オン状態となるように、定常的に一定なＨｉレベルの電圧Ｖｈｉ１に設定される。一方、図２（Ｂ）の上から二段目に示すように、ローサイドスイッチ素子Ｑ２のゲートに与えられる電圧ＶＱ２は、目標電流値と出力電流値との差に応じて、所定のデューティー比でＨｉレベルの電圧Ｖｈｉ２の期間（オン期間）とＬｏｗレベルの電圧Ｖｌｏｗ２の期間（オフ期間）とを繰り返す。これにより、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１のドレインソース間には図２（Ｂ）の上から三段目に示すような電流ＩＱ１が流れ、ローサイドスイッチ素子のドレインソース間には図２（Ｂ）の上から四段目に示すような電流ＩＱ２が流れる。この結果、チョークコイルＬには、図２（Ｂ）の最下段に示すような電流ＩＬが流れる。
【００３７】
このような制御を行うと、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１が常時オン状態となるため、ブートストラップコンデンサＣ３からは電荷が持ち出される一方で、供給されない。このため、ブートストラップコンデンサＣ３の充電量に応じた所定時間経過後に、底上げ用の電圧が確保できなくなり、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１のオン制御に必要な電圧レベルＶｈｉ１を与えることができなくなる。これにより、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１は、オフとなり、昇圧動作を行えなくなってしまう。
【００３８】
次に、本実施形態の制御では、昇圧モードの際、図２（Ａ）の最上段に示すように、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１のゲートに与えられる電圧ＶＱ１は、基本的にはハイサイドスイッチ素子Ｑ１がオン状態となるＨｉレベルの電圧Ｖｈｉ１に設定する。しかしながら、本実施形態の制御では、ローサイドスイッチ素子Ｑ２の電圧ＶＱ２をＬｏｗレベルの電圧Ｖｌｏｗ２に設定する期間中に、強制的に、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１用の電圧ＶＱ１を、Ｌｏｗレベルの電圧Ｖｌｏｗ１に引き下げる。このＬｏｗレベルの電圧Ｖｌｏｗ１に引き下げる区間Ｔｆｏｆｆの時間長は、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１用の電圧ＶＱ１がハイレベルの電圧Ｖｈｉ１である期間に比べて、極短く設定する。このため、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１は、区間Ｔｆｏｆｆに相当する極短い時間で、強制的にオフ制御される。これにより、ブートストラップコンデンサＣ３が充電される。ここで、負荷や入力電圧の仕様およびブートストラップコンデンサＣ３の容量、底上げする電圧レベル、駆動電圧Ｖｃｃの電圧値に基づいて、区間Ｔｆｏｆｆの時間長を適宜設定しておけば、上述のような従来の制御で生じるハイサイドスイッチ素子Ｑ１の意図せぬターンオフを防止できる。また、上述のような区間Ｔｆｏｆｆを設けるだけでも、上述のようなハイサイドスイッチ素子Ｑ１の意図せぬターンオフを抑圧できる。
【００３９】
このような本実施形態の制御を行った場合、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１のドレインソース間には図２（Ａ）の上から三段目に示すような電流ＩＱ１が流れ、ローサイドスイッチ素子のドレインソース間には図２（Ａ）の上から四段目に示すような電流ＩＱ２が流れる。この結果、チョークコイルＬには、図２（Ａ）の最下段に示すような電流ＩＬが流れる。図２（Ａ）の最下段に示すように、チョークコイルＬに流れる電流は、従来の制御のような正確な三角波にはならないが、連続的に所定の電流値範囲内で増加減少を繰り返すので、結果として安定した昇圧動作を継続的に行うことができる。
【００４０】
以上のように、本実施形態の構成および処理を用いることで、昇降圧コンバータを備える非絶縁型の電源回路であっても、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１の意図せぬターンオフを抑圧、防止でき、安定して確実に昇圧モードで動作させることができる。この際、大幅な回路追加を行う必要ないので、小型化が望まれる非絶縁型の電源回路を、安定した動作を確保しながら、小型のまま維持できる。
【００４１】
次に、第２の実施形態に係る非絶縁型の電源回路について、図を参照して説明する。図３は、本実施形態の電源回路における昇圧モード時での各部の電圧波形および電流波形を示す図である。
【００４２】
上述の第１の実施形態では、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１に対する強制的なオフ区間Ｔｆｏｆｆを、単にローサイドスイッチ素子Ｑ２のオフ期間内に設定する例を示した。本実施形態では、ローサイドスイッチ素子Ｑ２のオフ期間内における強制的なオフ区間Ｔｆｏｆｆの設定タイミングをより厳密に規定した例を示す。
【００４３】
図３に示すように、本実施形態では、制御部１０は、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１に対する強制的なオフ期間Ｔｆｏｆｆを、ローサイドスイッチ素子Ｑ２をオフ制御した直後に設定する。このような設定を行っても、第１の実施形態と同様に、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１の意図せぬターンオフを抑圧防止できる。
【００４４】
さらに、本実施形態の処理を行うと、図３の最下段に示すように、チョークコイルＬに確実に電流が流れている期間に、強制的なオフ期間Ｔｆｏｆｆが設定されるので、ブートストラップコンデンサＣ３をより確実に充電できる。すなわち、負荷が軽い場合、図３の最下段に示すように、チョークコイルＬの電流ＩＬが「０」になり、いわゆる電流不連続モードとなることがある。このように、チョークコイルＬに電流が流れなくなると、ブートストラップコンデンサＣ３に充電を行えない。したがって、ローサイドスイッチ素子Ｑ２のオフ制御への遷移直後、すなわちローサイドスイッチ素子Ｑ２のオフ期間の初めに、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１に対する強制的なオフ期間Ｔｆｏｆｆを設定すれば、このような電流不連続モード時に充電できない現象を回避することができる。
【００４５】
以上のように、本実施形態の処理を行うことで、より確実にブートストラップコンデンサＣ３を充電でき、より安定して確実な昇圧動作を実現できる。
【００４６】
次に、第３の実施形態に係る非絶縁型の電源回路について、図を参照して説明する。図４は、本実施形態の電源回路における昇圧モード時での各部の電圧波形および電流波形を示す図である。
【００４７】
上述の各実施形態では、制御部１０は、ローサイドスイッチ素子Ｑ２の連続するオン期間とオフ期間の組で設定される１サイクル毎に、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１に対する強制的なオフ期間Ｔｆｏｆｆを設けている。
【００４８】
本実施形態の処理では、図４に示すように、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１に対する強制的なオフ期間Ｔｆｏｆｆを、複数サイクルに１回の割合で設定している。なお、強制的なオフ期間Ｔｆｏｆｆの割合、すなわち何サイクルに１回、強制的なオフ期間Ｔｆｏｆｆを設定するかは、ブートストラップコンデンサＣ３の充電速度等に応じて、適宜設定する。これにより、昇圧モード時に、ハイサイドスイッチ素子Ｑ１がオフ状態となる時間を短くでき、当該オフ状態を生じさせることによる効率の低下を抑制することができる。
【符号の説明】
【００４９】
１０−制御部、１１−電流検出部、１２−ハイサイドドライバＩＣ、１００−負荷、２００−商用電源、Ｃｉ，Ｃｏ−コンデンサ、Ｃｂ−ブートストラップコンデンサ、Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３−ダイオード、Ｌ−チョークコイル、Ｐｉｎ−入力ポート、Ｐｏｕｔ−出力ポート、Ｑ１−ハイサイドスイッチ素子、Ｑ２−ローサイドスイッチ素子
【図１】
2012029361.tif 000003
【図２】
2012029361.tif 000004
【図３】
2012029361.tif 000005
【図４】
2012029361.tif 000006