(57)【要約】【課題】簡易なプロセスでかつ低コストに、基材と電子部品とを接合する接合層内の所定の位置に、基材と電子部品との間隔を規制する複数の導電性の固体スペーサを埋設する。【解決手段】基材１０上に常温にて固体で加熱により溶融する導電材と溶剤とを含むペースト状の塗布剤を塗布して、塗布剤層２１を形成する工程（１Ａ）と、塗布剤層２１内に、基材１０と電子部品３０との間隔を規制する、加熱により形状変化しない複数の導電性の固体スペーサ２３を埋設する工程（１Ｂ）と、塗布剤層２１上に電子部品３０を載置する工程（１Ｃ）と、電子部品３０を基材１０に対して押圧しながら基材１０を加熱して、塗布剤層２１内の導電材を溶融させた後、自然降温又は冷却により導電材を再固化させて、基材１０に対して電子部品３０を接合する工程（１Ｄ）とを順次実施する。【選択図】図１
2012028433.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に、常温にて固体で加熱により溶融する導電材を介して、電子部品を実装する電子部品の実装方法であって、
前記基材上に前記導電材と溶剤とを含むペースト状の塗布剤を塗布して、塗布剤層を形成する工程（１Ａ）と、
前記塗布剤層内に、前記基材と前記電子部品との間隔を規制する、加熱により形状変化しない複数の導電性の固体スペーサを埋設する工程（１Ｂ）と、
前記複数の固体スペーサが埋設された前記塗布剤層上に、前記電子部品を載置する工程（１Ｃ）と、
前記電子部品を前記基材に対して押圧しながら前記基材を加熱して、前記塗布剤層内の前記導電材を溶融させた後、自然降温又は冷却により前記導電材を再固化させて、前記基材に対して前記電子部品を接合する工程（１Ｄ）とを有する電子部品の実装方法。
【請求項２】
前記電子部品が平面視略矩形状であり、工程（１Ｂ）において、前記塗布剤層内の少なくとも前記電子部品の４つの角部に対応する位置に前記複数の固体スペーサを埋設する請求項１に記載の電子部品の実装方法。
【請求項３】
前記固体スペーサとして、前記導電材より熱膨張係数が小さいものを用いる請求項１又は２に記載の電子部品の実装方法。
【請求項４】
前記導電材が半田であり、前記固体スペーサとして銅及び／又はニッケルを含む金属スペーサを用いる請求項３に記載の電子部品の実装方法。
【請求項５】
基材上に、導電性ペースト又は導電性接着剤を用いて電子部品を実装する電子部品の実装方法であって、
前記基材上に前記導電性ペースト又は導電性接着剤を塗布して、導電性ペースト層又は導電性接着剤層を形成する工程（２Ａ）と、
前記導電性ペースト層又は導電性接着剤層内に、前記基材と前記電子部品との間隔を規制する、前記導電性ペースト又は導電性接着剤の硬化条件において形状変化しない複数の導電性の固体スペーサを埋設する工程（２Ｂ）と、
前記複数の固体スペーサが埋設された前記導電性ペースト層又は導電性接着剤層上に、前記電子部品を載置する工程（２Ｃ）と、
前記電子部品を前記基材に対して押圧しながら前記導電性ペースト層又は導電性接着剤層を硬化させて、前記基材に対して前記電子部品を接合する工程（２Ｄ）とを有する電子部品の実装方法。
【請求項６】
前記電子部品が平面視略矩形状であり、工程（２Ｂ）において、前記導電性ペースト層又は導電性接着剤層内の少なくとも前記電子部品の４つの角部に対応する位置に前記複数の固体スペーサを埋設する請求項５に記載の電子部品の実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の実装方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、基材上への半導体チップ等の電子部品の実装は主に、リフロー法による半田接合によって実施されている。
図３（Ａ）〜（Ｄ）を参照して、従来のリフロー法を用いた電子部品の実装方法について説明する。図３（Ａ）〜（Ｄ）は工程図であり、各図は断面図を示している。
【０００３】
図３（Ａ）に示す基材１１０に対して、図３（Ｂ）に示すように、半田と溶剤を含む半田ペーストを塗布（印刷）して、半田ペースト層１２１を形成する。この上に、図３（Ｃ）に示すように、電子部品１３０を載置する。
図３（Ｃ）に示す状態で加熱を行うと、半田ペースト１２１中の溶剤は揮発し、半田は溶融する。基材１１０が常温まで降温すると、図３（Ｄ）に示すように、半田が固化して半田接合層１２０が形成される。
以上のようにして、基材１１０と電子部品１３０とが半田接合層１２０を介して電気的に接合された実装品１００が得られる。
【０００４】
上記の電子部品の実装方法において、半田接合層１２０の高さ（厚み）Ｈは、塗布された半田ペーストの量とリフロー条件によって概ね決まるが、半田のセルフアライメントによる表面張力と半田が溶融する際の熱の加わり方による溶融偏りによって変化するため、面内ばらつきが生じる場合がある。例えば、図４（Ａ）に示すように、基材１１０に対して電子部品１３０が傾いて実装されることがある。
【０００５】
半田接合層１２０の高さＨの面内ばらつきが生じると、応力集中が起こる部分が発生する場合がある。
実装品１００は常に温度変化等の外部環境変化によって熱膨張と熱収縮が繰り返されており、この熱膨張と熱収縮によって実装品１００に応力が加わる。この際、半田接合層１２０の高さＨの面内ばらつきによって生じた応力集中部分があると、図４（Ｂ）に示すように、応力集中部分を起点として、基材１１０及び／又は電子部品１３０にクラックＣ等の破損が発生する恐れがある。
【０００６】
半田接合層１２０の高さＨの面内ばらつきはまた、熱の拡散にも偏りを発生させ、放熱性の良くない部分が生じる場合もある。
電子部品１３０を動作させると、熱が発生する。そこで、例えば図４（Ｃ）に示すように、電子部品１３０上にヒートシンク１５０を搭載することで、放熱Ｅを行っている。この放熱Ｅの他に、基材１１０の裏面側からの放熱Ｆもある。
基材１１０の裏面側からの放熱Ｆに関しては、半田接合層１２０の高さＨの面内ばらつきがあると、基材１１０側への放熱性にばらつきが生じ、放熱性の良くない部分が生じる恐れがある。図４（Ｃ）に示すように、半田接合層１２０の高さＨの薄い部分からの放熱量が多く、厚い部分からの放熱量が少なくなる傾向にある。
【０００７】
なお、図４（Ａ）〜（Ｃ）においては、視認しやすくするため、上記問題を誇張して図示している。
【０００８】
上記のように、応力集中部分と放熱性の良くない部分の発生を抑制するために、半田接合層の高さを面内均一にすることが、実装品の信頼性を上げる重要な要素となっている。
【０００９】
また、電子部品の発熱時に、基材と電子部品との間の熱膨張係数差によって応力（熱応力）が発生し、実装品の反りやクラック等が生じる場合がある。したがって、基材と電子部品との間の熱膨張係数差による熱応力を緩和できることが好ましい。
【００１０】
特許文献１には、半導体素子（１５Ａ）の角部に対応する領域の半田（１８）に、金属粉（１９）を混入させた回路装置が開示されている（請求項１、図１（ｃ）、図２）。
特許文献１には、単一粒径の金属粉（１９）を用いることにより、半田（１８）の厚みを正確にコントロールすることができ、例えば、粒径が１００μｍの金属粉（１９）を半田（１８）に混入させることにより、半田（１８）の厚みを１００μｍ程度以上にすることができることが記載されている（段落００３０）。
【００１１】
特許文献１には、半導体素子の発熱時に、基板と半導体素子との熱膨張係数差によって熱応力が発生することが記載されている（段落０００５）。
特許文献１では、半導体素子の角部に対応する領域の半田に、半田よりも熱膨張係数の小さい金属粉を混入させることにより、基板と半導体素子との熱膨張係数差による熱応力を低減できると記載されている（段落００３４）。
【００１２】
特許文献１には、ランド（１３Ａ）上に金属粉（１９）を含まない溶融状態の第２の半田（２２）を形成し、その上に金属粉（１９）を含むペースト状あるいは粉状の第１の半田（２１）を載置し、その後リフロー工程を実施する実装方法が記載されている（図３（Ａ）〜（Ｃ）及び図４（Ａ）〜（Ｃ））。
特許文献１には、リフロー工程により、半田は溶融するが、金属粉（１９）は溶融せずに固体のままで存在するため、角部に配置された金属粉（１９）により、所定の厚みが確保され、半導体素子（１５Ａ）が傾くことが抑止されると記載されている（段落００３９）。
【００１３】
特許文献２には、回路基板（２１）上の接合部と半導体素子（２２）との間に、半田付け温度で溶融可能な接合金属（１２）と、半田付け温度で溶融不能かつ誘導加熱可能な位置決め金属（１３）とを含む接合金属層（１１）を備えた半導体装置が開示されている（請求項１、図１、図２）。
位置決め金属（１３）の形状としては、球体、立方体、及び多面体等が挙げられている（段落００２６）。
特許文献２には、位置決め金属（１３）の粒径が接合金属（１２）の厚さとほぼ同じであり、各位置決め金属（１３）が接合金属（１２）に完全に埋設された状態が好ましいと記載されている（段落００２７）。
特許文献２には、回路基板（２１）の金属回路（２３）上に、接合金属（１２）と位置決め金属（１３）とを含む金属接合材料（１１）を介して半導体素子（２２）を配置し、その後、高周波加熱コイル（３６）に高周波電流を流して高周波の磁束を発生させ、これによって接合金属（１２）を溶融させる誘導加熱を実施して、金属回路（２３）と半導体素子（２２）とを接合する方法が記載されている（段落００３７、００４０）。
特許文献２には、半導体素子（２２）上に錘（４１）を載置した状態で、上記誘導加熱を実施する方法も記載されている（段落００５４）。
特許文献２には、位置決め金属１３によって半導体素子２２が傾くのが抑制されることが記載されている（段落００４５）。
【００１４】
特許文献３には、半導体装置（８）と配線基板（１）との間隔を規制する球状粒子を含む導電性樹脂ペースト（６）を用い、半導体装置（８）のパッド電極（９）と、このパッド電極（９）に対応する配線基板（１）の配線導体（２）上に導電性樹脂ペースト（６）によるバンプ電極（７）を印刷した配線基材（１）とを対向せしめ、パッド電極（９）とバンプ電極（７）とを当接させた後、導電性樹脂ペーストを硬化させて接続する半導体装置の実装方法が開示されている（請求項１、図４、図５）。
【００１５】
特許文献３に記載の実装方法では、半導体装置（８）と配線基板（１）との間隔を規制する球状粒子を含む導電性樹脂ペースト（６）を、配線基材（１）上に部分的に塗布して、球状粒子の粒子径よりも厚いバンプ電極（７）を形成している（図２、図４）。半導体装置（８）と配線基板（１）との接合時に導電性樹脂ペースト（６）が広がり、半導体装置（８）と配線基材（１）との間隔が球状粒子の径に等しくなる（図５）。
特許文献３には、半導体装置（８）と配線基板（１）との間隔が球状粒子の直径で規制できることが記載されている（段落００１４）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】特開2006-073554号公報
【特許文献２】特開2008-112955号公報
【特許文献３】特開平07-094554号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
特許文献１に記載の実装方法では、ランド（１３Ａ）上に金属粉（１９）を含まない溶融状態の第２の半田（２２）を形成し、その上に金属粉（１９）を含むペースト状あるいは粉状の第１の半田（２１）を載置し、その後リフロー工程を実施している（図３（Ａ）〜（Ｃ）及び図４（Ａ）〜（Ｃ））。
かかる方法では、所定の位置にのみ金属粉を埋設させることができるので、半田よりも熱膨張係数の小さい金属粉を用いて半田接合層の熱膨張係数を部分的に変えて、基板と半導体素子との熱膨張係数差による熱応力を低減することができる。
しかしながら、特許文献１に記載の方法では、２種類の半田を用意し、これらを２度に分けて塗布する必要があるので、プロセスが煩雑で、工程数が多く、実装コストも高くつく。
また、特許文献１の図３（Ｂ）及び図４（Ｂ）に示されるように、第２の半田（２２）上に第１の半田（２１）を重ねて塗布した部分は塗布しない部分より盛り上がった状態になる。そのため、その後のリフロー工程によってある程度全体的に平坦化しても、半田接合層において第１の半田（２１）を塗布した部分は塗布しない部分より高さが高くなりやすく、半田接合層の高さを均一化することが難しい。
【００１８】
特許文献２に記載の実装方法では、接合金属（１２）と位置決め金属（１３）とを含む金属接合材料（１１）をあらかじめ用意し、これを金属回路（２３）上に塗布している（図１、図２）。
この方法では、特許文献２の図１に示されるように、金属接合材料（１１）内全体に多数の位置決め金属（１３）が分散され、所定の位置にのみ位置決め金属（１３）を埋設することができない。したがって、多数の位置決め金属（１３）が必要となり、コスト高になる。また、所定の位置にのみ位置決め金属（１３）を埋設して、接合層の熱膨張係数を部分的に変えて、熱応力を低減することができない。
【００１９】
特許文献３に記載の実装方法では、半導体装置（８）と配線基板（１）との間隔を規制する球状粒子を含む導電性樹脂ペースト（６）をあらかじめ用意し、これを配線基材（１）の所定の位置に部分的に塗布して、球状粒子の粒子径よりも厚いバンプ電極（７）を形成している（図２、図４、図５）。その後、半導体装置（８）と配線基板（１）との接合時に導電性樹脂ペースト（６）が広がり、導電性樹脂ペースト（６）中の複数の球状粒子も合わせて周囲に広がるが、複数の球状粒子が集って良好に分散せず、所望の厚みを有する均一な接合層が形成されない場合が起こり得る。また、球状粒子の位置制御も難しい。
特許文献３に記載の実装方法においても、多数の球状粒子が必要となり、コスト高になる。また、所定の位置にのみ球状粒子を埋設して、接合層の熱膨張係数を部分的に変えて、熱応力を低減することができない。
【００２０】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、簡易なプロセスでかつ低コストに、基材と電子部品とを接合する接合層内の所定の位置に、基材と電子部品との間隔を規制する複数の導電性の固体スペーサを埋設することができ、接合層の面内高さのばらつきが抑制され、応力集中が抑制され、放熱性が良好で、電子部品の動作時の熱応力が低減された電子部品の実装方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明の第１の電子部品の実装方法は、
基材上に、常温にて固体で加熱により溶融する導電材を介して、電子部品を実装する電子部品の実装方法であって、
前記基材上に前記導電材と溶剤とを含むペースト状の塗布剤を塗布して、塗布剤層を形成する工程（１Ａ）と、
前記塗布剤層内に、前記基材と前記電子部品との間隔を規制する、加熱により形状変化しない複数の導電性の固体スペーサを埋設する工程（１Ｂ）と、
前記複数の固体スペーサが埋設された前記塗布剤層上に、前記電子部品を載置する工程（１Ｃ）と、
前記電子部品を前記基材に対して押圧しながら前記基材を加熱して、前記塗布剤層内の前記導電材を溶融させた後、自然降温又は冷却により前記導電材を再固化させて、前記基材に対して前記電子部品を接合する工程（１Ｄ）とを有するものである。
【００２２】
本発明において、複数の導電性の固体スペーサが「加熱により形状変化しない」とは、工程（１Ｄ）の加熱によって形状変化しないことを意味する。
【００２３】
本発明の第２の電子部品の実装方法は、
基材上に、導電性ペースト又は導電性接着剤を用いて電子部品を実装する電子部品の実装方法であって、
前記基材上に前記導電性ペースト又は導電性接着剤を塗布して、導電性ペースト層又は導電性接着剤層を形成する工程（２Ａ）と、
前記導電性ペースト層又は導電性接着剤層内に、前記基材と前記電子部品との間隔を規制する、前記導電性ペースト又は導電性接着剤の硬化条件において形状変化しない複数の導電性の固体スペーサを埋設する工程（２Ｂ）と、
前記複数の固体スペーサが埋設された前記導電性ペースト層又は導電性接着剤層上に、前記電子部品を載置する工程（２Ｃ）と、
前記電子部品を前記基材に対して押圧しながら前記導電性ペースト層又は導電性接着剤層を硬化させて、前記基材に対して前記電子部品を接合する工程（２Ｄ）とを有するものである。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、簡易なプロセスでかつ低コストに、基材と電子部品とを接合する接合層内の所定の位置に、基材と電子部品との間隔を規制する複数の導電性の固体スペーサを埋設することができ、接合層の面内高さのばらつきが抑制され、応力集中が抑制され、放熱性が良好で、電子部品の動作時の熱応力が低減された電子部品の実装方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】（Ａ）〜（Ｅ）は本発明に係る第１実施形態の電子部品の実装方法を示す工程図である。
【図２】（Ａ）〜（Ｅ）は本発明に係る第２実施形態の電子部品の実装方法を示す工程図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｄ）は従来の電子部品の実装方法を示す工程図である。
【図４】（Ａ）〜（Ｃ）は従来の課題を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
「第１実施形態」
図面を参照して、本発明に係る第１実施形態の電子部品の実装方法について説明する。図１（Ａ）〜（Ｅ）は工程図であり、各図は断面図を示している。
視認しやすくするため、図面上は各構成の縮尺や位置を実際のものとは適宜異ならせてある。
【００２７】
本実施形態では、基板に必要に応じて電極、配線、及びビアホール等の導電構造が形成された基材１０に対して、導電材からなる接合層２０を介して半導体チップ等の電子部品３０を実装して、実装品１を得る方法について説明する。
【００２８】
はじめに、図１（Ａ）に示す基材１０上に、図１（Ｂ）に示すように、常温にて固体で加熱により溶融する導電材と溶剤とを含むペースト状の塗布剤を各種印刷法等により塗布して、塗布剤層２１を形成する（工程（１Ａ））。
導電材としては特に制限されず、半田等の導電金属が好ましい。導電材が半田である場合、塗布剤としては市販の半田ペーストを用いることができる。
【００２９】
工程（１Ａ）において、塗布剤層２１の厚みＴは、後工程で用いる複数の導電性の固体スペーサ２３の高さＨ以上とする（Ｔ≧Ｈ）。
図面上は簡略化して、塗布剤層２１の厚みＴ＝固体スペーサ２３の高さＨとして図示してあるが、通常、後のリフロー工程（１Ｄ）において、塗布剤層２１の厚みは初期の厚みより薄くなるため、リフロー工程（１Ｄ）において塗布剤層２１が薄くなる厚みをΔＴとしたとき、Ｔ≧Ｈ＋ΔＴとすることが好ましい。
【００３０】
次に、図１（Ｃ）に示すように、塗布剤層２１内に、基材１０と電子部品３０との間隔を規制する、加熱により形状変化しない複数の導電性の固体スペーサ２３を埋設する（工程（１Ｂ））。
複数の導電性の固体スペーサ２３が「加熱により形状変化しない」とは、後の工程（１Ｄ）の加熱によって形状変化しないことを意味する。
【００３１】
本実施形態において、複数の固体スペーサ２３はいずれも、基材１０と電子部品３０との所望の間隔に合わせた高さＨを有するものである。
固体スペーサ２３の形状は特に制限されず、基材１０と電子部品３０との所望の間隔に合わせた高さＨを有するものであればよい。
固体スペーサ２３の形状は、球状、円柱状、角柱状、円錐状、角錐状など任意であり、不定形状でもよい。
本実施形態では、基材１０と電子部品３０との所望の間隔に合わせた高さＨを有するように固体スペーサ２３を埋設する必要がある。固体スペーサ２３がいずれの向きで埋設されても、所望の高さＨが得られることから、固体スペーサ２３の形状としては、球状が特に好ましい。固体スペーサ２３が球状である場合について図示してある。
高さＨは特に制限されず、例えば５０〜２００μｍが好ましい。
【００３２】
工程（１Ｂ）においては例えば、１個又は複数個の固体スペーサ２３を把持し、かつそれを所定の位置に移動させて離すことが可能な把持具を用いて、固体スペーサ２３を１個ずつ又は複数個ずつ埋設することができる。複数の固体スペーサ２３の埋設作業は、実装作業者が手動で実施してもよいし、上記把持具を備え、これを機械的に自動操作する装置を用いて実施してもよい。
あらかじめ塗布した塗布剤層２１内に複数の固体スペーサ２３を埋設する上記方法では、塗布剤層２１内の所定の位置にのみ複数の固体スペーサ２３を埋設することができる。
【００３３】
本実施形態では、塗布剤層２１内の所定の位置にのみ複数の固体スペーサ２３を埋設することができるので、必要最小限の個数の固体スペーサ２３を用いて、基材１０と電子部品３０との間隔を規制できる。
例えば、電子部品３０が平面視略矩形状である場合、塗布剤層２１内の電子部品３０の４つの角部に対応する位置にそれぞれ少なくとも１個の固体スペーサ２３を埋設すればよい。
電子部品３０の４つの角部に対応する位置と合わせて、塗布剤層２１の周縁部（平面視略矩形状の電子部品３０の各辺に沿った端部）全体に、複数の固体スペーサ２３を埋設してもよい。かかる場合でも、塗布剤層２１内全体に複数の固体スペーサ２３を埋設するよりも、必要な固体スペーサ２３の個数が少なくて済む。
本明細書において、「略矩形状」には、矩形状及びその角が面取りされた形状が含まれる。
【００３４】
本実施形態では、塗布剤層２１内の所定の位置に複数の固体スペーサ２３を埋設することができるので、接合層２０の導電材と異なる熱膨張係数の材質の固体スペーサ２３を用いることで、接合層２０の熱膨張係数を部分的に変えることができる。
【００３５】
接合層２０の導電材よりも熱膨張係数の小さい材質の複数の固体スペーサ２３を塗布剤層２１内に埋設することで、基材１０と電子部品３０との間の熱膨張係数差によって、電子部品３０の動作時に生じる熱応力を低減し、基材１０の実装品の反りやクラック等を抑制することができる。
【００３６】
例えば、Ａｌ基板を用いた基材１０に、Ｓｉ基板を用いた半導体チップからなる電子部品３０を実装する場合、Ａｌの熱膨張係数は３２．１×１０−６／℃であり、Ｓｉの熱膨張係数は２．６×１０−６／℃である。かかる関係では、電子部品３０の動作時の発熱で基材１０の方がより大きく熱膨張し、降温時に基材１０の方がより大きく収縮するため、実装品１に熱応力がかかる。
【００３７】
導電材として半田を用いる場合、その熱膨張係数は、２３.０×１０−６／℃程度である。それより熱膨張係数の小さい材質としては、銅（熱膨張係数：１６．５×１０−６／℃）、及びニッケル（熱膨張係数１３．４×１０−６／℃）等が挙げられる。
したがって、導電材として半田を用いる場合、固体スペーサ２３として銅及び／又はニッケルを含む金属スペーサを用いることが好ましい。
【００３８】
導電材よりも熱膨張係数の小さい材質の複数の固体スペーサ２３を、塗布剤層２１内の例えば４つの角部、あるいは周縁部全体に埋設することで、基材１０と電子部品３０との間の熱膨張係数差によって電子部品３０の動作時に生じる熱応力を低減し、基材１０の実装品の反りやクラック等を抑制することができる。
【００３９】
次に、図１（Ｄ）及び図１（Ｅ）に示すように、複数の固体スペーサ２３が埋設された塗布剤層２１上に電子部品３０を載置し（工程（１Ｃ））、電子部品３０を基材１０に対して押圧しながら基材１０を加熱して、塗布剤層２１内の溶剤を除去しつつ導電材を溶融させた後、自然降温又は冷却により導電材を再固化させる（工程（１Ｄ））。
工程（１Ｄ）後に、塗布剤層２１は導電材２２中に複数の固体スペーサ２３が埋設された接合層２０となる。
【００４０】
工程（１Ｄ）は、リフロー工程である。電子部品３０を基材１０に対して押圧しながらリフロー工程を実施することにより、電子部品３０が基材１０に対して、基材１０と電子部品３０との所望の間隔Ｈよりも浮いて実装される恐れがなく、基材１０と電子部品３０との間隔を、全体的に固体スペーサ２３の高さＨに確実に規制することができる。
図示するように、工程（１Ｄ）においては電子部品３０上に板状の錘４０を載置し、その上から電子部品３０を加圧することが好ましい。板状の錘４０を用いることで、電子部品３０全体を均一に加圧することができる。
加熱温度は特に制限されず、導電材が溶融する温度であればよい。
【００４１】
以上のようにして、基材１０に対して接合層２０を介して電子部品３０が接合された実装品１が得られる。
【００４２】
本実施形態の電子部品の実装方法では、接合層２０内に基材１０と電子部品３０との間隔を規制する複数の固体スペーサ２３を埋設させているので、接合層２０の高さＨの面内ばらつきを抑制することができる。
そのため、接合層２０の高さＨの面内ばらつきによって生じる応力集中部分と基材１０側からの放熱性の良くない部分の発生が抑制され、信頼性の高い実装品１を安定的に提供することができる。
【００４３】
本実施形態の電子部品の実装方法では、基材１０上に導電材と溶剤とを含むペースト状の塗布剤を塗布して塗布剤層２１を形成してから、塗布剤層２１内に複数の導電性の固体スペーサ２３を埋設し、その後、電子部品３０の実装を行っている。
かかる方法では、簡易なプロセスで、基材１０と電子部品３０とを接合する接合層２０内の所定の位置に、基材１０と電子部品３０との間隔を規制する複数の固体スペーサ２３を埋設することができる。
【００４４】
本実施形態の実装方法では、接合層２０内の所定の位置に複数の固体スペーサ２３を埋設することができるので、必要最小限の個数の固体スペーサ２３で基材１０と電子部品３０との間隔を良好に規制することができ、低コストである。
また、導電材と異なる熱膨張係数の材質の固体スペーサ２３を用いることで、接合層２０の熱膨張係数を部分的に変えることができ、基材１０と電子部品３０の熱膨張係数差による熱応力を低減することができる。
【００４５】
なお、塗布剤内にあらかじめ固体スペーサを混入させてから塗布を行う特許文献２〜３に記載の実装方法では、塗布剤層内の所定の位置に複数の固体スペーサを埋設することができない。
また、固体スペーサを混入させない塗布剤と、固体スペーサを混入させた塗布剤との２種類の塗布剤を用いる特許文献１に記載の方法では、プロセスが煩雑で、高コストである。
【００４６】
以上説明したように、本実施形態によれば、簡易なプロセスでかつ低コストに、基材１０と電子部品３０とを接合する接合層２０内の所定の位置に、基材１０と電子部品３０との間隔を規制する複数の導電性の固体スペーサ２３を埋設することができ、接合層２０の面内高さＨのばらつきが抑制され、応力集中が抑制され、放熱性が良好で、電子部品３０の動作時の熱応力が低減された電子部品の実装方法を提供することができる。
【００４７】
本実施形態では、複数の固体スペーサ２３はいずれも、基材１０と電子部品３０との所望の間隔に合わせた高さＨを有する場合について説明したが、本実施形態では、塗布剤層２１内の所定の位置に複数の固体スペーサ２３を埋設することができるので、複数の固体スペーサ２３の高さＨを固体スペーサ２３ごとに変えることもできる。
したがって、基材１０に対して敢えて電子部品３０を傾けて実装するなども可能である。
【００４８】
「第２実施形態」
図２（Ａ）〜（Ｅ）を参照して、本発明に係る第２実施形態の電子部品の実装方法について説明する。
【００４９】
はじめに、図２（Ａ）に示す基材１０上に導電性ペースト又は導電性接着剤を塗布して、導電性ペースト層又は導電性接着剤層５１を形成する（工程（２Ａ））。
次に、導電性ペースト層又は導電性接着剤層５１内の所定の位置に、基材１０と電子部品３０との間隔を規制する、導電性ペースト又は導電性接着剤の硬化条件において形状変化しない複数の導電性の固体スペーサ５３を埋設する（工程（２Ｂ））。
【００５０】
導電性ペースト層又は導電性接着剤層５１の厚みＴは、第１実施形態の塗布剤層２１と同様である。
固体スペーサ２３の形状、高さＨの好ましい範囲、及び好ましい材質は、第１実施形態と同様である。
【００５１】
導電性ペースト又は導電性接着剤を用いる場合にも、あらかじめ導電性ペースト層又は導電性接着剤層５１を形成した後に複数の導電性の固体スペーサ５３を埋設することにより、第１実施形態と同様、所定の位置にのみ複数の導電性の固体スペーサ５３を埋設することができる。
【００５２】
次に、複数の固体スペーサ５３が埋設された導電性ペースト層又は導電性接着剤層５１上に電子部品３０を載置する（工程（２Ｃ））。
その後、好ましくは板状の錘４０を用いて、電子部品３０を基材１０に対して押圧しながら導電性ペースト層又は導電性接着剤層５１を硬化させる（工程（２Ｄ））。
硬化方法は、用いる導電性ペースト又は導電性接着剤の硬化方法を採用する。例えば、熱硬化性であれば加熱により導電性ペースト層又は導電性接着剤層５１を硬化させることができる。
以上のようにして、基材１０に対して、複数の固体スペーサ５３が埋設された導電材５２からなる接合層５０を介して電子部品３０が接合された実装品２が得られる。
【００５３】
以上のように、本発明は、半田等の導電材を含むペースト状の塗布剤の代わりに、導電性ペースト又は導電性接着剤を用いて実装を行う場合にも適用することができる。
本実施形態によっても、第１実施形態と同様、簡易なプロセスでかつ低コストに、基材１０と電子部品３０とを接合する接合層５０内の所定の位置に、基材１０と電子部品３０との間隔を規制する複数の導電性の固体スペーサ２３を埋設することができ、接合層２０の面内高さＨのばらつきが抑制され、応力集中が抑制され、放熱性が良好で、電子部品３０の動作時の熱応力が低減された電子部品の実装方法を提供することができる。
【００５４】
（設計変更）
本発明は上記実施形態に限らず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において適宜設計変更が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明の電子部品の実装方法は、電気・電子部品産業及び自動車産業等の電装品、及びこれらに用いられる部品の実装に適用することができる。
【符号の説明】
【００５６】
１、２    実装品
１０  基材
２０  接合層
２１  塗布剤層
２２  導電材
２３  固体スペーサ
３０  電子部品
４０  錘
２  実装品
５０  接合層
５１  導電性ペースト層又は導電性接着剤層
５２  導電材
５３  固体スペーサ
【図１】
2012028433.tif 000003
【図２】
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【図３】
2012028433.tif 000005
【図４】
2012028433.tif 000006