(57)【要約】      （修正有）【課題】処理炉内温度補正方法の作業性を向上し、コストを低減する。【解決手段】処理室内温度補正方法実施前に、温度計測器支持機構１０の位置を定義し記憶する（Ａ１）。温度補正方法実施時、温度計測器支持機構１０を格納状態から突出状態に移行させ、温度計測器支持機構１０をシールキャップ２１９の開口させた挿入口２０の真下に搬送する。温度計測器支持機構１０をウエハ移載装置エレベータ１２５ｂで上昇させて温度計測器１８を挿入口２０に挿入する。シールキャップ２１９をボートエレベータ１５１で上昇させて、処理炉２０２をシールキャップ２１９で閉塞する（Ａ２）。処理炉２０２内温度をヒータ２０６で上昇させる（Ａ３）。同時に、処理炉２０２内温度を温度計測器１８で計測する（Ａ４）。温度補正値を算出し記憶する（Ａ５）。均熱温度が規定値内に入るまで繰り返し（Ａ６−７）、規定値に入ると、温度補正方法を終了する。【選択図】図８
2012119557.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板が装填されたキャリアが搬入出されるロードポートと、
前記キャリアを収納する収納棚と、
前記収納棚に収納されたキャリアを載置する載置棚と、
前記キャリアを、前記ロードポートと前記収納棚と前記載置棚との間で搬送する第一搬送装置と、
前記基板を保持する保持具と、
前記載置棚に載置された前記キャリアと前記保持具との間で前記基板を搬送する第二搬送装置と、
前記保持具に保持された前記基板を処理する処理室と、
前記保持具を前記処理室へ搬送する第三搬送装置と、
前記処理室内の温度を計測する温度計測器と、
前記温度計測器を前記第三搬送装置へ取り付ける温度計測器支持機構と、
前記第一搬送装置と前記第二搬送装置と第三搬送装置と前記収納棚と前記ロードポートと前記温度計測器と前記温度計測器支持機構とを制御するコントローラと、
を有する基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関する。
例えば、半導体ウエハ（半導体集積回路装置が作り込まれるウエハ）およびガラス基板（液晶ディスプレイ装置が作り込まれる基板）等の基板を処理するのに利用して有効なものに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のこの種の基板処理装置においては、処理炉内各領域の温度を測定することが実施されている。例えば特許文献１参照。
このような基板処理装置においては、例えば、反応炉内の構成部品を交換した場合には、処理炉内の均熱領域が変わるため、処理炉内の温度を計測して補正する方法が実施されている。また例えば、基板処理装置を初めて起動する際にも処理炉内の温度を計測して補正する方法が実施される。この処理炉内温度補正方法を実施する際には、次のような作業が実施される。
温度計測用昇降治具（オートプロファイラ）を個別に準備し、その治具の上下(昇降)移動部へ温度測定器を取り付け、データロガー（電子計測器）、ＰＣ（パーソナルコンピュータ）を接続し、昇温時の処理炉内ヒータ均熱領域の温度データを取得する。取得したデータから、作業者が温度補正値を算出する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２６９９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の処理炉内温度補正方法では次のような問題点があった。
１．作業者がオートプロファイラを毎回準備しなければならないため、コスト高と作業性の低下を招来する。
２．ヒータ均熱領域を測定し、温度補正値の算出とＰＣへの手入力を行う必要があるので、作業性が低い。
３．同一の装置であっても、各作業者の技量によって温度補正値の算出結果が異なることがあり、製品の性能や品質がバラバラとなる。
【０００５】
本発明の目的は、処理炉内温度補正方法の作業性を向上することができるとともに、コストを低減することができる基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
基板が装填されたキャリアが搬入出されるロードポートと、
前記キャリアを収納する収納棚と、
前記収納棚に収納されたキャリアを載置する載置棚と、
前記キャリアを、前記ロードポートと前記収納棚と前記載置棚との間で搬送する第一搬送装置と、
前記基板を保持する保持具と、
前記載置棚に載置された前記キャリアと前記保持具との間で前記基板を搬送する第二搬送装置と、
前記保持具に保持された前記基板を処理する処理室と、
前記保持具を前記処理室へ搬送する第三搬送装置と、
前記処理室内の温度を計測する温度計測器と、
前記温度計測器を前記第三搬送装置へ取り付ける温度計測器支持機構と、
前記第一搬送装置と前記第二搬送装置と第三搬送装置と前記収納棚と前記ロードポートと前記温度計測器と前記温度計測器支持機構とを制御するコントローラと、
を有する基板処理装置。
【発明の効果】
【０００７】
前記した手段によれば、処理炉内温度補正方法の作業性を向上及び基板処理装置の性能・品質水準を一定にすることができるとともに、基板処理装置の製造コストを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置を示す概略の平面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る基板処理装置を示す概略の側面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る半導体製造装置を示す縦断面図である。
【図４】温度計測器支持機構の格納状態を示しており、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図である。
【図５】同じく突出状態を示しており、（ａ）は側面図、（ｂ）は平面図である。
【図６】温度計測器取付口を示しており、（ａ）は閉鎖時の一部切断側面図、（ｂ）は取付時の側面図である。
【図７】制御装置の要部を示すブロック図である。
【図８】炉口内温度補正方法を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本実施形態において、本発明に係る基板処理装置は、半導体ウエハを扱うものとして構成されており、半導体ウエハに酸化膜形成や拡散およびＣＶＤのような処理を施すものとして構成されている。
本実施形態において、基板としての半導体ウエハ（以下、ウエハという）２００はシリコン等の半導体から作製されており、ウエハ２００を収納して搬送するキャリア（収容器）としては、ＦＯＵＰ（front opening unified pod)１１０が使用されている。
【００１０】
図１および図２に示されているように、本実施形態に係る基板処理装置（以下、処理装置という）１００は筐体１１１を備えている。筐体１１１の正面壁１１１ａの正面前方部には、メンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１０３が開設され、この正面メンテナンス口１０３を開閉する正面メンテナンス扉１０４、１０４がそれぞれ建て付けられている。
筐体１１１の正面壁１１１ａには、ＦＯＵＰ（以下、ポッドという）１１０を搬入搬出するためのポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が筐体１１１の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口１１２はフロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている。
ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側にはロードポート（基板収容器受渡し台）１１４が設置されており、ロードポート１１４はポッド１１０を載置されて位置合わせするように構成されている。ポッド１１０はロードポート１１４上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、かつまた、ロードポート１１４上から搬出される。
【００１１】
筐体１１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転可能なポッド保管用の収容棚（基板収容器載置棚）１０５が設置されており、基板収容器載置棚１０５は複数個のポッド１１０を保管するように構成されている。すなわち、基板収容器載置棚１０５は垂直に立設され、支柱１１６と、支柱１１６にｎ（ｎは１以上）段の棚板（基板収容器載置台）１１７とを備えており、複数枚の棚板１１７はポッド１１０を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。
筐体１１１内におけるロードポート１１４と基板収容器載置棚１０５との間には、第一搬送装置としてのポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置されている。ポッド搬送装置１１８はポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと、搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されている。ポッド搬送装置１１８はポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、基板収容器載置棚１０５、ポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１２１との間で、ポッド１１０を搬送するように構成されている。
【００１２】
処理装置１００は酸化膜形成等の処理を施す半導体製造装置を備えている。半導体製造装置の筐体を構成するサブ筐体１１９は、筐体１１１内の前後方向の略中央部における下部に後端にわたって構築されている。
サブ筐体１１９の正面壁１１９ａにはウエハ２００をサブ筐体１１９内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２０が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口１２０、１２０には一対のポッドオープナ１２１、１２１がそれぞれ設置されている。
ポッドオープナ１２１はポッド１１０を載置する載置台１２２、１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３、１２３とを備えている。ポッドオープナ１２１は載置台１２２に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。
【００１３】
サブ筐体１１９はポッド搬送装置１１８や基板収容器載置棚１０５の設置空間から流体的に隔絶された移載室１２４を構成している。移載室１２４の前側領域には第二搬送装置としてのウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されている。ウエハ移載機構１２５はウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａとウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂとで構成されている。ウエハ移載装置１２５ａはツイーザ（基板保持体）１２５ｃによってウエハ２００を保持して、ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動させる。ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂはウエハ移載装置１２５ａを昇降させる。ウエハ移載機構１２５はウエハ移載装置エレベータ１２５ｂおよびウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃをウエハ２００の載置部として、ボート（基板保持具）２１７に対してウエハ２００を装填（チャージング）および脱装（ディスチャージング）する。
【００１４】
図１に示されているように、移載室１２４のウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ側と反対側である右側端部には、クリーンユニット１３４が設置されている。クリーンユニット１３４は供給フアンおよび防塵フィルタで構成されており、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給する。ウエハ移載装置１２５ａとクリーンユニット１３４との間には、ウエハの円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置１３５が設置されている。
【００１５】
クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は、ノッチ合わせ装置１３５およびウエハ移載装置１２５ａに流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、筐体１１１の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側  （供給側）にまで循環され、再びクリーンユニット１３４によって、移載室１２４内に吹き出される。
【００１６】
図１に示されているように、移載室１２４には第三搬送装置としてのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１５１が設置されている。ボートエレベータ１５１はボート２１７を昇降させるように構成されている。ボートエレベータ１５１に連結された連結具としてのアーム１５２には、蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられており、シールキャップ２１９はボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。
ボート２１７は複数本の保持部材を備えており、複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウエハ２００をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。
【００１７】
次に、処理装置１００の動作について説明する。
図１および図２に示されているように、ポッド１１０がロードポート１１４に供給されると、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放され、ロードポート１１４の上のポッド１１０はポッド搬送装置１１８によって筐体１１１の内部へポッド搬入搬出口１１２から搬入される。
搬入されたポッド１１０は基板収容器載置棚１０５の指定された棚板１１７へポッド搬送装置１１８によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板１１７から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載されるか、もしくは直接ポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載される。この際、ポッドオープナ１２１のウエハ搬入搬出口１２０はキャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４にはクリーンエア１３３が流通され、充満されている。
例えば、移載室１２４にはクリーンエア１３３として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、筐体１１１の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。
【００１８】
載置台１２２に載置されたポッド１１０はその開口側端面がサブ筐体１１９の正面壁１１９ａにおけるウエハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構１２３によって取り外され、ポッド１１０のウエハ出し入れ口が開放される。ウエハ２００はポッド１１０からウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、ノッチ合わせ装置１３５にてウエハを整合した後、ボート２１７へ移載されて装填（ウエハチャージング）される。ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載装置１２５ａはポッド１１０に戻り、次のウエハ１１０をボート２１７に装填する。
【００１９】
この一方（上段または下段）のポッドオープナ１２１におけるウエハ移載機構１２５によるウエハのボート２１７への装填作業中に、他方（下段または上段）のポッドオープナ１２１には基板収容器載置棚１０５ないしロードポート１１４から別のポッド１１０がポッド搬送装置１１８によって搬送され、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が同時進行される。
【００２０】
予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７装填されると、処理炉２０２の下端部が炉口ゲートバルブ１４７によって開放される。続いて、シールキャップ２１９がボートエレベータ１５１の昇降台によって上昇されて、シールキャップ２１９に支持されたボート２１７が処理炉２０２内へ搬入（ローディング）されて行く。
【００２１】
ローディング後は、処理炉２０２にてウエハ２００に処理が実施される。
処理後は、ボートエレベータ１５１によりボート２１７が引き出される。その後は、ノッチ合わせ装置１３５でのウエハの整合工程を除き、概ね、前述と逆の手順で、ウエハ２００およびポッド１１０は筐体１１１の外部へ払出される。
【００２２】
図３は本実施形態に係る半導体製造装置の処理炉２０２の概略構成図であり、縦断面図として示されている。
【００２３】
図３に示されているように、処理炉２０２は加熱機構としてのヒータ２０６を有する。ヒータ２０６は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース２５１に支持されることにより垂直に据え付けられている。
【００２４】
ヒータ２０６の内側には均熱管（外管）２０５がヒータ２０６と同心円に配設されている。均熱管２０５は炭化珪素（ＳｉＣ）等の耐熱性材料が使用されて、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。均熱管２０５の内側には反応管（内管）２０４が均熱管２０５と同心円に配設されている。反応管２０４は石英（ＳｉＯ２）等の耐熱性材料が使用されて、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。反応管２０４の筒中空部は処理室２０１を形成しており、処理室２０１はウエハ２００をボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態で収容可能に構成されている。
【００２５】
反応管２０４の下端部にはガス導入部２３０が設けられており、ガス導入部２３０から反応管２０４の天井部２３３に至るまで反応管２０４の外壁に添ってガス導入管としての細管２３４が配設されている。ガス導入部２３０から導入されたガスは、細管２３４内を流通して天井部２３３に至り、天井部２３３に設けられた複数のガス導入口２３３ａから処理室２０１内に導入される。また、反応管２０４の下端部のガス導入部２３０と異なる位置には、反応管２０４内の雰囲気を排気口２３１ａから排気するガス排気部２３１が設けられている。
【００２６】
ガス導入部２３０にはガス供給管２３２が接続されている。ガス供給管２３２のガス導入部２３０との接続側と反対側である上流側には、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１を介して図示しない処理ガス供給源、キャリアガス供給源、不活性ガス供給源が接続されている。ＭＦＣ２４１には、ガス流量制御部２３５が電気的に接続されており、供給するガスの流量が所望の量となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
なお、処理室２０１内に水蒸気を供給する必要がある場合は、ガス供給管２３２のＭＦＣ２４１よりも下流側に、図示しない水蒸気発生装置が設けられる。
【００２７】
ガス排気部２３１にはガス排気管２２９が接続されている。ガス排気管２２９のガス排気部２３１との接続側とは反対側である下流側には圧力検出器としての圧力センサ２４５および圧力調整装置２４２を介して排気装置２４６が接続されており、処理室２０１内の圧力が所定の圧力となるよう排気し得るように構成されている。
圧力調整装置２４２および圧力センサ２４５には、圧力制御部２３６が電気的に接続されており、圧力制御部２３６は圧力センサ２４５により検出された圧力に基づいて圧力調整装置２４２により処理室２０１内の圧力が所望の圧力となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００２８】
反応管２０４の下端部には、反応管２０４の下端開口を気密に閉塞可能な保持体としてのベース２５７と、炉口蓋体としてのシールキャップ２１９とが設けられている。シールキャップ２１９は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。ベース２５７は例えば石英からなり、円盤状に形成され、シールキャップ２１９の上に取付けられている。ベース２５７の上面には反応管２０４の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０が設けられる。
シールキャップ２１９の処理室２０１と反対側にはボートを回転させる回転機構２５４が設置されている。回転機構２５４の回転軸２５５は、シールキャップ２１９およびベース２５７を貫通して、断熱筒２１８とボート２１７に接続されており、断熱筒２１８およびボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させるように構成されている。
シールキャップ２１９は反応管２０４の外部に垂直に設備された昇降機構としてのボートエレベータ１５１によって垂直方向に昇降されるように構成されており、これによりボート２１７を処理室２０１に対し搬入搬出することが可能となっている。回転機構２５４およびボートエレベータ１５１には、駆動制御部２３７が電気的に接続されており、所望の動作をするよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００２９】
基板保持具としてのボート２１７は、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなり、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて保持するように構成されている。ボート２１７の下方には、例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料からなる円筒形状をした断熱部材としての断熱筒２１８がボート２１７を支持するように設けられており、ヒータ２０６からの熱が反応管２０４の下端側に伝わりにくくなるように構成されている。
【００３０】
均熱管２０５と反応管２０４との間には、温度計測器としての温度センサ２６３が設置されている。ヒータ２０６と温度センサ２６３には、電気的に温度制御部２３８が接続されており、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合を調整することにより処理室２０１内の温度が所望の温度分布となるよう所望のタイミングにて制御するように構成されている。
【００３１】
ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８は、操作部、入出力部をも構成し、基板処理装置全体を制御する主制御部２３９に電気的に接続されている。これら、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、駆動制御部２３７、温度制御部２３８、主制御部２３９はコントローラ２４０として構成されている。
【００３２】
次に、以上の構成に係る処理炉２０２を用いて、半導体装置の製造工程の一工程として、ウエハ２００に酸化、拡散等の処理を施す方法について説明する。
以下の説明において、処理装置を構成する各部の動作はコントローラ２４０により制御される。
【００３３】
複数枚のウエハ２００がボート２１７に装填（ウエハチャージング）されると、図３に示されているように、複数枚のウエハ２００を保持したボート２１７は、ボートエレベータ１５１によって持ち上げられて処理室２０１に搬入（ボートローディング）される。この状態で、シールキャップ２１９はベース２５７、Ｏリング２２０を介して反応管２０４下端をシールした状態となる。
【００３４】
処理室２０１内が所望の圧力となるように排気装置２４６によって排気される。この際、処理室２０１内の圧力は、圧力センサ２４５で測定され、この測定された圧力に基づき圧力調節器２４２が、フィードバック制御される。
また、処理室２０１内が所望の温度となるようにヒータ２０６によって加熱される。この際、処理室２０１内が所望の温度分布となるように温度センサ２６３が検出した温度情報に基づきヒータ２０６への通電具合がフィードバック制御される。
続いて、回転機構２５４により、断熱筒２１８、ボート２１７が回転されることで、ウエハ２００が回転される。
【００３５】
次いで、処理ガス供給源およびキャリアガス供給源から供給され、ＭＦＣ２４１にて所望の流量となるように制御されたガスは、ガス供給管２３２からガス導入部２３０および細管２３４を流通し天井部２３３に至り、複数のガス導入口２３３ａから処理室２０１内にシャワー状に導入される。
導入されたガスは処理室２０１内を流下し、排気口２３１ａを流通してガス排気部２３１から排気される。ガスは処理室２０１内を通過する際にウエハ２００の表面と接触し、ウエハ２００に対して酸化、拡散等の処理がなされる。
なお、ウエハ２００に対して水蒸気を用いた処理を行う場合は、ＭＦＣ２４１にて所望の流量となるように制御されたガスは水蒸気発生装置に供給され、水蒸気発生装置にて生成された水蒸気（Ｈ２Ｏ）を含むガスが処理室２０１に導入される。
【００３６】
予め設定された処理時間が経過すると、不活性ガス供給源から不活性ガスが供給され、処理室２０１内が不活性ガスに置換されるとともに、処理室２０１内の圧力が常圧に復帰される。
【００３７】
その後、シールキャップ２１９がボートエレベータ１５１によって下降されて、反応管２０４の下端が開口されるとともに、処理済ウエハ２００がボート２１７に保持された状態で反応管２０４の下端から反応管２０４の外部に搬出（ボートアンローディング）される。その後、処理済ウエハ２００はボート２１７よって取出される（ウエハディスチャージング）。
【００３８】
なお、本実施形態の処理炉にてウエハを処理する際の処理条件としては、例えば、酸化処理においては、処理温度：１５０〜１０５０℃、処理圧力：０〜１０１３００Ｐａ、ガス種：Ｈ２Ｏ、ガス供給流量：２０ｓｃｃｍが例示される。これらの処理条件を、それぞれの範囲内のある値で一定に維持することでウエハに処理がなされる。
【００３９】
以下、図４〜図７に示された温度計測器支持機構について説明する。
温度計測器支持機構１０はウエハ移載機構１２５の近傍に設置されている。温度計測器支持機構１０はウエハ移載機構接続アーム（以下、第一アームという）１１と、温度計測器支持アーム（以下、第二アームという）１２とを備えている。第一アーム１１は一端部をウエハ移載装置１２５ａの近傍に枢軸１１ａで回転自在に支持されており、第二アーム１２は一端部を第一アーム１１の他端部に枢軸１２ａで回転自在に連結されている。
ウエハ移載装置１２５ａの近傍には一対のアーム受け１３Ａ、１３Ｂが、枢軸１１ａ付近位置（以下、フロント位置という）と、枢軸１１ａから第一アーム１１の長さ程度だけ離れた位置（以下、リア位置という）とにそれぞれ突設されている。一対のアーム受け１３Ａ、１３Ｂは上面を第一アーム１１の下面にそれぞれ当接することにより、第一アーム１１をフロント位置およびリア位置においてそれぞれ水平に支持する。リア位置のアーム受け１３Ｂに水平に支持された第一アーム１１はウエハ移載装置１２５ａの側面に格納された状態になり（図４参照）、フロント位置のアーム受け１３Ａに水平に支持された第一アーム１１はウエハ移載装置１２５ａの近傍から突出した状態になる（図５参照）。
第二アーム１２の枢軸１２ａには第二アーム１２を水平に支持する支持軸１４が設けられている。支持軸１４は第二アーム１２を第一アーム１１に対して１８０度範囲の往復回動を許容するとともに、第二アーム１２を第一アーム１１のフロント位置およびリア位置においてそれぞれ水平に支持する。リア位置において第一アーム１１と平行になった第二アーム１２は、ウエハ移載装置１２５ａの近傍に格納された状態になり（図４参照）、フロント位置において第一アーム１１と平行になった第二アーム１２は、ウエハ移載装置１２５ａの近傍から突出した状態になる（図５参照）。
【００４０】
第二アーム１２の自由端部には温度計測器支持具（以下、支持具という）１５が設置されている。支持具１５は固定ねじ１６および固定ばね１７によって、温度計測器１８を着脱自在に支持するように構成されている。
図６に示されているように、シールキャップ２１９には温度計測器１８を挿入するための温度計測器挿入口（以下、挿入口という）２０が設けられている。挿入口２０にはウルトラトールナット２１が螺合されており、挿入口２０はウルトラトールナット２１によって開閉されるように構成されている。ウルトラトールナット２１が開口された状態で、取付口１２には温度計測器１８が温度計測器支持機構１０によって垂直方向下方から挿入されて設置される。この際、温度計測支持機構１０はウエハ移載機構１２５のウエハ移載装置エレベータ１２５ｂによって鉛直方向（シールキャップ２１９に対して垂直）に昇降されるので、温度計測器１８は挿入口２０に適正に挿入される。
【００４１】
なお、前述した半導体装置の製造方法の一工程が実施される際には、温度計測器支持機構１０は図４に示された格納状態に維持される。すなわち、第一アーム１１はリア位置でアーム受け１３Ｂに水平に支持され、第二アーム１２は支持軸１４によってリア位置で水平に支持されている。したがって、温度計測器機構１０は半導体装置の製造方法の実施を妨害することはない。
【００４２】
図７に示されているように、本実施形態に係る処理装置１００の主制御装置６５は、ＣＰＵで代表される演算制御部６６、ハードディスク等で構成される記憶部６７および入出力制御部６８を具備している。演算制御部６６にはディスプレイ、表示パネル等の表示部８０が接続されている。入出力制御部６８には操作部６９および駆動サブ制御部５８が接続されている。
駆動制御部５８はウエハ移載機構１２５の駆動部（ウエハ移載装置１２５ａやウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ）を個別に制御するサブ制御部７３等から構成されている。サブ制御部７３は演算制御部６６から受けた指令に基づき対応する駆動部を駆動させるとともに、駆動部の状態（指令の実行中、指令待ち、実行完了等）を前記演算制御部６６にフィードバックし、記憶部６７にポジション記憶４０、温度補正値記憶４１を保存する。
【００４３】
次に、処理炉内均熱領域の温度データ補正方法について図８を参照して説明する。
例えば、処理装置１００内の反応管２０４を新品のものと交換した場合、処理炉２０２内の均熱領域が変わるため、処理炉２０２内の均熱領域を再度測定し、温度補正方法の実施が必要になる。
【００４４】
反応管交換時等の処理室内温度補正方法を実施する以前に、温度計測器機構１０のポジション（位置）定義が実施され、記憶部６７にポジション記憶４０として保存される（ステップＡ１）。
温度計測器支持機構１０のポジション定義は、ウエハ移載機構１２５のウエハ移載装置１２５ａの回転（旋回）軸のエンコーダ（位置検出器）の値と、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂの昇降軸のエンコーダ値を使用することにより、実施することができる。
【００４５】
反応管交換時のように、処理室内温度補正方法が必要になった場合に際しては、温度計測器支持機構１０は図４に示された格納状態から図５に示された突出状態に移行される。すなわち、第一アーム１１は上方に１８０度回動されてフロント位置のアーム受け１３Ａに水平に支持され、同時に、第二アーム１２も１８０度回動されて支持軸１４によってフロント位置で水平に支持される。
温度計測器１８は突出した第二アーム１２先端部の支持具１５に固定ねじ１６および固定ばね１７によって着脱自在に取り付けられる（図５参照）。
他方、シールキャップ２１９の挿入口２０はウルトラトールナット２１によって開放される。
温度計測器支持機構１０が予め設定されて記憶部６０に記憶されたポジション記憶４０に従ってシールキャップ２１９の挿入口２０の真下に搬送される。続いて、温度計測器支持機構１０がウエハ移載装置エレベータ１２５ｂによって上昇されることにより、図６（ｂ）に示されているように、温度計測器１８が挿入口２０に挿入される。
その後、温度計測器１８が支持具１５から切り離された後に、ウエハ移載機構１２５がシールキャップ２１９から離間されることにより、温度計測器支持機構１０がシールキャップ２１９から退避される。
その後、シールキャップ２１９がボートエレベータ１５１によって上昇されて、処理炉２０２の下端部がシールキャップ２１９によって閉塞される。以上、ステップＡ２。
【００４６】
次に、処理炉２０２内の温度がヒータ２０６によって上昇される（ステップＡ３）。
同時に、処理炉２０２内の温度が処理炉２０２内に挿入された温度計測器１８によって計測される。すなわち、ヒータ均熱領域取得が操作部６９および個別操作ターミナルにより開始される（ステップＡ４）。
演算制御部６６は温度補正値を自動的に算出し、温度補正値記憶４１を記憶部６７に記憶する（ステップＡ５）。
温度計測が取得された補正値を使用して実行され、処理炉２０２内の均熱領域が再度取得される（ステップＡ６）。
演算制御部６６は均熱温度が規定値内に入るまで何度も繰り返す（ステップＡ７）。
均熱温度が規定値に入ると、温度補正方法が終了する。
【００４７】
以上の実施形態によれば、次の効果が得られる。
【００４８】
（１）個別にオートプロファイラを準備する必要がないため、処理炉内温度補正方法の作業性を向上させることができるとともに、コストを低減させることができる。
【００４９】
（２）ウエハ移載機構のエレベータを活用することにより、温度測定器支持機構の位置決め（ポジション定義）を簡易化することができる。
【００５０】
（３）温度計測器支持機構をウエハ移載機構に格納可能に設置することにより、処理炉内温度補正方法を実施しない時に、温度計測器支持機構がウエハ移載機構による移載作業を妨害するのを防止することができる。
【００５１】
（４）処理装置の主制御装置や操作部および個別操作ターミナルを使用することにより、処理炉内均熱領域のデータ取得を実行することができ、取得されたデータを主制御装置の記憶部に保存することができ、各ウエハ（製品ウエハ、ダミーウエハ、フィルウエハ等）の搬送すべきポジション（位置）や温度補正値等も自動的に保存することができるので、各種搬送ウエハの位置や枚数設定や、温度補正値のような作業者による手入力を削減することができ、データロガーやＰＣの準備も不要とすることができる。
【００５２】
（５）全ての動作が自動で行われるため、作業者の技量に関係なく、製品の性能や品質を一定に保つことができる。
【００５３】
なお、本発明は以上の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
例えば、温度計測器支持機構は、第一アームおよび第二アームのマニピュレータによって構成するに限らず、多関節ロボットによって構成してもよいし、スライド式のマニピュレータやリニアアクチュエータ等々によって構成してもよい。また、温度計測器は複数設けても良く、温度測定器の数に合わせて温度測定器支持機構を複数設けても良い。
【００５４】
前記実施形態においては、ウエハを処理する場合について説明したが、本発明は液晶パネルのガラス基板や磁気ディスクや光ディスク等の基板を処理する基板処理装置全般に適用することができる。
【００５５】
また、酸化膜形成に限らず、拡散やＣＶＤやアニールおよびアッシング等の処理全般に適用することができる。
【００５６】
本発明の好ましい態様を付記する。
（１）基板が装填されたキャリアが搬入出されるロードポートと、
前記キャリアを収納する収納棚と、
前記収納棚に収納されたキャリアを載置する載置棚と、
前記キャリアを、前記ロードポートと前記収納棚と前記載置棚との間で搬送する第一搬送装置と、
前記基板を保持する保持具と、
前記載置棚に載置された前記キャリアと前記保持具との間で前記基板を搬送する第二搬送装置と、
前記保持具に保持された前記基板を処理する処理室と、
前記保持具を前記処理室へ搬送する第三搬送装置と、
前記処理室内の温度を計測する温度計測器と、
前記温度計測器を前記第三搬送装置へ取り付ける温度計測器支持機構と、
前記第一搬送装置と前記第二搬送装置と第三搬送装置と前記収納棚と前記ロードポートと前記温度計測器と前記温度計測器支持機構とを制御するコントローラと、
を有する基板処理装置。
（２）基板が装填されたキャリアがロードポートへ搬入されるステップと、
前記キャリアが前記ロードポートから収納棚へ第一搬送装置によって搬送されるステップと、
前記キャリアが前記収納棚から載置棚へ前記第一搬送装置によって搬送されるステップと、
前記載置棚に載置された前記キャリアの前記基板が保持具へ第二搬送装置によって移載されるステップと、
前記基板を移載された前記保持具が処理室へ第三搬送装置によって搬入されるステップと、
前記保持具の前記基板が前記処理室内で処理されるステップと、
前記基板を処理された前記保持具が前記処理室から前記第三搬送装置によって搬出されるステップと、
温度計測器が前記第二搬送装置に設けられるステップと、
前記温度計測器が前記第二搬送装置から前記第三搬送装置に移載されるステップと、
前記温度計測器が前記処理室へ前記第三搬送装置によって搬入されるステップと、
前記処理室内の温度が前記温度計測器によって計測されるステップと、
前記温度計測器によって計測された温度に基づいて補正値が算出されるステップと、
を有する半導体装置の製造方法。
（３）基板を処理する処理室と、
前記基板を保持する保持具と、
前記保持具を前記処理室に搬入する搬送装置と、
前記基板を前記保持具に移載する移載装置と、を備えており、
前記移載装置には前記処理室内の温度を計測する温度計測器を支持する温度計測器支持機構が設けられており、前記温度計測器支持機構は前記温度計測器を前記搬送装置に授受可能に構成されている、基板処理装置。
（４）基板を保持具に移載する移載装置に着脱自在に設けられた温度計測器が前記保持具を処理室に搬送する搬送装置に受け渡されるステップと、
前記温度計測器が前記処理室へ前記搬送装置によって搬入されるステップと、
前記処理室内の温度が前記温度計測器によって計測されるステップと、
前記温度計測器によって計測された温度に基づいて補正値が算出されるステップと、
を有する半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【００５７】
１０…温度計測器支持機構、１１…第一アーム（ウエハ移載機構接続アーム）、１１ａ…枢軸、１２…第二アーム（温度計測器支持アーム）、１２ａ…枢軸、１３Ａ、１３Ｂ…アーム受け、１４…支持軸、１５…支持具（温度計測器支持具）、１６…固定ねじ、１７…固定ばね、１８…温度計測器、２０…挿入口、２１…ウルトラトールナット、
４０…ポジション記憶、４１…温度補正値記憶、
５８…駆動サブ制御部、６５…主制御装置、６６…演算制御部、６７…記憶部、６８…入出力制御部、６９…操作部、７３…サブ制御部、８０…表示部、
１００…処理装置（基板処理装置）、１１０…ポッド（キャリア）、１１８…ポッド搬送装置（第一搬送装置）、１２５…ウエハ移載機構（第二搬送装置）、１２５ａ…ウエハ移載装置、１２５ｂ…ウエハ移載装置エレベータ、１５１…ボートエレベータ（第三搬送装置）、
２００…ウエハ（基板）、２０２…処理炉、２１７…ボート（保持具）、２１９…シールキャップ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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