(57)【要約】  【課題】  配光特性を向上させた発光素子を提供する。  【解決手段】  本発明の発光素子１は、複数の半導体層が積層されてなる光半導体層11と、光半導体層11に電圧を印加し、光半導体層11を発光させる一対の電極12とを備え、一対の電極12は、光半導体層11で発光した光を反射する一方電極（第２電極）14を有しており、一方電極14は光半導体層11上に設けられた、光半導体層11を構成する最上層の半導体層よりも屈折率が小さい第１透明電極層14ａと、第１透明電極層14ａ上に設けられた、第１透明電極層14ａよりも屈折率が大きい第２透明電極層14ｂと、第２透明電極層14ｂ上に設けられた、第２透明電極層14ｂを透過した光を光半導体層11の方向へ反射させる反射性電極層14ｃとを具備している。光半導体層11で発光した光を光半導体層11の厚み方向と垂直な方向へ良好に拡散させることができ、発光素子１の配光特性を向上させることができる。【選択図】  図３
2012015156.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体層が積層されてなる光半導体層と、
該光半導体層に電圧を印加し、前記光半導体層を発光させる一対の電極とを備え、
該一対の電極は、前記光半導体層で発光した光を反射する一方電極を有しており、該一方電極は、前記光半導体層上に設けられた、該光半導体層を構成する最上層の前記半導体層よりも屈折率が小さい第１透明電極層と、該第１透明電極層上に設けられた、該第１透明電極層よりも屈折率が大きい第２透明電極層と、該第２透明電極層上に設けられた、該第２透明電極層を透過した光を前記光半導体層の方向へ反射させる反射性電極層とを具備していることを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記第２透明電極層は、前記光半導体層を構成する最上層の前記半導体層よりも屈折率が小さいことを特徴とする請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記光半導体層は窒化ガリウム系の材料からなるとともに、前記第１透明電極層および前記第２透明電極層はスズを含む酸化インジウムからなり、
前記第１透明電極層は、前記第２透明電極層よりも酸素濃度が低いことを特徴とする請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記光半導体層を構成する最上層の前記半導体層は凹凸を有しており、前記一方電極は、前記凹凸を覆うように設けられている請求項１乃至３のいずれかに記載の発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光部に光半導体層を用いた発光素子に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、紫外光、青色光あるいは緑色光等を発光する発光素子として、単結晶基板上に光半導体層が積層されたものが種々提案されている。特に、光半導体層を構成する光半導体として窒化物半導体を用いた発光素子の開発において、発光素子の外部への光取り出し効率を向上させることが必要となっている。
【０００３】
発光素子の光取り出し効率を向上させる技術として、光半導体層の一方主面に反射電極を設けた発光素子を実装基板にフリップチップ方式で実装する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開2010−10591号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載された発光素子によれば、光半導体層と反射電極との界面において、光半導体層で発光した光が反射電極に入射する位置と、反射電極で反射した光の反射位置とはほぼ同じ位置となっていた。そのため、光半導体層で発光した光を広い領域に拡散させる配光特性を向上させることが困難であるという問題があった。
【０００６】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、光半導体層で発光した光を広い領域に拡散させる配光特性を向上させた発光素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の発光素子は、複数の半導体層が積層されてなる光半導体層と、該光半導体層に電圧を印加し、前記光半導体層を発光させる一対の電極とを備え、該一対の電極は、前記光半導体層で発光した光を反射する一方電極を有しており、該一方電極は、前記光半導体層上に設けられた、該光半導体層を構成する最上層の前記半導体層よりも屈折率が小さい第１透明電極層と、該第１透明電極層上に設けられた、該第１透明電極層よりも屈折率が大きい第２透明電極層と、該第２透明電極層上に設けられた、該第２透明電極層を透過した光を前記光半導体層の方向へ反射させる反射性電極層とを具備していることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の発光素子によれば、光半導体層で発光した光を反射する一方電極が、光半導体層と反射性電極層の間に、光半導体層を構成する最上層の半導体層よりも屈折率が小さい第１透明電極層、および第１透明電極層よりも屈折率が大きい第２透明電極層を有しているため、光半導体層で発光した光を光半導体層の厚み方向と垂直な方向へ良好に拡散させることができ、発光素子の配光特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の発光素子を用いた発光装置の実施形態の一例を示す図であり、図１（ａ）は斜視図であり、図１（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線で切断したときの断面図である。
【図２】本発明の発光素子の実施形態の一例を示す斜視図である。
【図３】本発明の発光素子の実施形態の一例を示す断面図であり、図２および３のＢ−Ｂ’線で切断したときの断面に相当する。
【図４】本発明の発光素子の実施形態の一例において、光半導体層の一部および第２電極の一部を示す拡大断面図である。
【図５】本発明の発光素子の製造方法の実施形態の一例の一工程を示す断面図であり、図２のＢ−Ｂ’線で切断したときの断面に相当する。
【図６】本発明の発光素子の製造方法の実施形態の一例の一工程を示す断面図である。
【図７】本発明の発光素子の製造方法の実施形態の一例の一工程を示す断面図である。
【図８】本発明の発光素子の製造方法の実施形態の一例の一工程を示す断面図である。
【図９】本発明の発光素子の製造方法の実施形態の一例の一工程を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態の例について図を参照しながら説明する。なお、本発明は以下の実施の形態の例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々の変更を施すことができる。
【００１１】
＜発光装置＞
図１（ａ）は本発明の実施の形態の一例を示す発光素子１を実装した発光装置２の斜視図である。また、図１（ｂ）は図１（ａ）に示す発光装置２の断面図であり、図１（ａ）のＡ−Ａ’線で切断したときの断面に相当する。
【００１２】
発光装置２は、図１（ｂ）に示すように、配線導体３が設けられた実装基体４と、実装基体４上に実装された発光素子１とを有している。
【００１３】
実装基体４は、例えばセラミックスから成る第１シート４ａおよび第２シート４ｂを積層した積層体によって形成されている。実装基体４は、具体的には、実装基体４の基体凹部５を形成するための貫通孔を有する第１シート４ａと、発光素子１が実装される搭載面６から引き出し面７までの電気的な導通をとるための配線導体３を有する第２シート４ｂとを貼り合わせることにより形成されている。
【００１４】
第１シート４ａおよび第２シート４ｂとして例えばセラミック材料を用いた場合は、配線導体３はタングステン、モリブデン、銅または銀などの金属材料からなるメタライズ配線によって形成される。そして、このような第１シート４ａおよび第２シート４ｂを高温で焼成することによって実装基体４が形成される。
【００１５】
発光素子１は、接合電極８を介して搭載面６上の配線導体３に実装されている。本例においては、発光素子１が配線導体３にフリップチップ接続の配置で実装されていることから、発光素子１で発生した熱を効率よく実装基体１側に放熱させることができる。
【００１６】
接合電極８は、後述する発光素子１の第１電極層および第２電極層と配線導体３とを電気的に接続させるため、第１電極層と配線導体３との間および第２電極層と配線導体３との間に介在するように配置されている。
【００１７】
モールド樹脂９は、実装基体４に実装された発光素子１を被覆するように、実装基体４
の基体凹部５に充填されている。モールド樹脂９としては、透光性の絶縁材料を用いることができる。このように発光素子１をモールド樹脂９によって被覆することにより、発光素子１を外部から電気的に絶縁することができ、発光装置２の信頼性を向上させることができる。
【００１８】
＜発光素子＞
次に、発光装置２に実装される発光素子１を、図面を参照しつつ以下に詳細に説明する。
【００１９】
図２に、本発明の実施の形態の一例である発光素子１の斜視図を示す。図３は図２に示す発光素子１の断面図であり、図２のＢ−Ｂ’線で切断したときの断面に相当する。
【００２０】
発光素子１は、図２に示すように、基板10上に複数の半導体層が積層されてなる光半導体層11と、光半導体層11に電圧を印加して光半導体層11を発光させる一対の電極12と、を有している。
【００２１】
基板10は、光半導体層11を結晶成長させることが可能な材料を用いることができ、例えばサファイア、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、ホウ化ジルコニウムまたは酸化亜鉛などの結晶性材料を用いることができる。このような基板10は、平面視形状が四角形状となるように形成されている。基板10の厚みは、例えば10μｍ以上1000μｍ以下に設定されている。なお、基板10の平面視形状としては、例えば四角形状または五角形状などの多角形状または円形状などに設定することができる。
【００２２】
このような基板10は、後述する光半導体層11を成長させた後、エッチングなどを用いて除去することが好ましい。これにより、光半導体層11で発光した光が基板10で吸収されにくくなるため、光取り出し効率を向上させることができる。また、基板10が除去された光半導体層11の主面に凹凸構造を設けることにより、基板10が除去された光半導体層11の主面で全反射されにくくすることができ、光取り出し効率を向上させることができる。
【００２３】
光半導体層11は、図３に示すように、基板10上に複数の半導体層を積層させることによって構成されている。光半導体層11の平面視形状は、基板10の平面視形状と同様に、例えば四角形状または五角形状などの多角形状や円形状などとすることができる。光半導体層11は、全体の厚みが例えば100ｎｍ以上10000ｎｍ以下で形成される。また、光半導体層11の各層の屈折率は、窒化ガリウムを用いた場合には例えば1.80以上2.70以下に設定される。
【００２４】
光半導体層11としては、III−Ｖ族半導体を用いることができる。このIII−Ｖ族半導体としては、III族窒化物半導体、ガリウム燐またはガリウムヒ素などを例示することができる。さらに、III族窒化物半導体としては、ボロン、アルミニウム、ガリウムまたはインジウムのうち少なくとも１つの窒化物からなる混晶を用いることができ、例えば窒化ガリウムを用いることができる。
【００２５】
光半導体層11は、複数の半導体層として第１半導体層11ａ、活性層11ｂおよび第２半導体層11ｃが積層される。
【００２６】
第１半導体層11ａは、基板10上に設けられる。このような第１半導体層11ａは、窒化ガリウムからなり、厚みが例えば50ｎｍ以上500μｍ以下に設定されている。第１半導体層11ａは、例えば不純物としてシリコンを含ませることにより、電子を多数キャリアとするｎ型の導電型が付与されている。
【００２７】
活性層11ｂは、第１半導体層11ａ上に設けられる。活性層11ｂには、禁制帯幅の広い障壁層と禁制帯幅の狭い井戸層とからなる量子井戸構造が複数回繰り返し規則的に積層された多層量子井戸構造（ＭＱＷ）を用いることができる。障壁層および井戸層としては、インジウムとガリウムとの窒化物からなる混晶においてインジウムとガリウムとの組成比を調整したものを用いることができる。このように構成された活性層11ｂは、例えば350ｎｍ以上600ｎｍ以下の波長で発光強度がピークとなる光を発光することができる。
【００２８】
第２半導体層11ｃは、活性層11ｂ上に設けられる。第２半導体層11ｃは、例えば不純物としてマグネシウムを含ませることによって、正孔を多数キャリアとするｐ型の導電型が付与されている。なお、第１半導体層11ａと第２半導体層11ｃとは、互いに逆の導電型を呈するように設定されていればよい。
【００２９】
光半導体層11には、電圧を印加して発光させるための一対の電極12が設けられている。一対の電極12は、第１半導体層11ａに電気的に接続された、他方電極としての第１電極13と、第２半導体層11ｃに電気的に接続された、一方電極としての第２電極14とから構成されている。
【００３０】
他方電極としての第１電極13は、第１半導体層11ａ上に設けられている。このような第１電極13としては、例えば、アルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、インジウム、錫、モリブデン、銀、金、タンタルまたは白金などの金属や、それらの金属を含む合金膜や、酸化錫、酸化インジウムまたは酸化インジウム錫などの酸化物などを用いることができる。
【００３１】
一方電極としての第２電極14は、光半導体層11上に設けられており、第１透明電極層14ａ、第２透明電極層14ｂおよび反射性電極層14ｃが順次積層された積層体で構成されている。
【００３２】
第１透明電極層14ａは、光半導体層11を構成する最外層の半導体層である第２半導体層11ｃ上に設けられている。第１透明電極層14ａは、第２半導体層11ｃよりも小さい屈折率を有するように設けられている。第１透明電極層14ａとしては、第２半導体層11ｃの屈折率よりも屈折率が小さい、酸化スズを含む酸化インジウム（屈折率1.30以上2.40以下）、酸化亜鉛（屈折率1.90）などの透明導電材料を用いることができる。
【００３３】
第２透明電極層14ｂは、第１透明電極層14ａ上に、第１透明電極層14ａよりも大きい屈折率を有するように設けられている。そのため、第１透明電極層14ａを透過してきた光を、第１透明電極層14ａと第２透明電極層14ｂとの境界面で全反射されにくくすることができ、第２透明電極層14ｂに入射しやすくすることができる。第２透明電極層14ｂとしては、第１透明電極層14ａよりも屈折率が大きい、酸化スズを含む酸化インジウム（屈折率1.30以上2.40以下）または酸化亜鉛（屈折率1.90）などの透明導電材料を用いることができる。なお、第２透明電極層14ｂとして、第１透明電極層14ｂと同じ成分の透明導電材料を用いる場合は、透明導電材料の成分の比率を調整することによって第２透明電極層14ｂの屈折率を第１透明導電層14ａの屈折率よりも大きくすればよい。
【００３４】
反射性電極層14ｃは、第２透明電極層14ｂ上に設けられている。反射性電極層14ｃとしては、光半導体層11で発光した光を反射させることができる材料を用いることができ、例えば、アルミニウム、チタン、ニッケル、クロム、インジウム、錫、モリブデン、銀、金、タンタルまたは白金などの金属や、それらの金属を含む合金膜を用いることができる。このような材料の中でも銀を用いることにより、光半導体層11で発光した光が350ｎｍ以上500ｎｍ以下の波長範囲で発光強度がピークとなるような光を反射させやすく、光取り出し効率を向上させることができる。
【００３５】
このように第２電極14が、第１透明電極層14ａ、第２透明電極層14ｂおよび反射性電極層14ｃが順次積層された積層体で構成されていることにより、光半導体層11の厚み方向である第１方向と垂直な、光半導体層11の面方向である第２方向に拡散する光の量を増やすことができる。この原理について、図４を用いて説明する。なお、以下の説明において、光半導体層11の厚み方向を「第１方向」と称し、光半導体層11の厚み方向と垂直な方向である、光半導体層11の面内の方向を「第２方向」と称する。
【００３６】
図４は、光半導体層11および第２電極14の一部を部分的に拡大した断面図である。入射角αは、光半導体層11から第１透明電極層14ａへ入射する光の入射方向と、第２半導体層11ｃと第１透明電極層14ａとの境界面における仮想垂線15とがなす角度を表している。屈折角α２は、第１透明電極層14ａ内に入射した光の屈折方向と、第２半導体層11ｃと第１透明電極層14ａとの境界面における仮想垂線15とがなす角度を表している。また、屈折角α３は、第２透明電極層14ｂ内に入射した光の屈折方向と、第１透明電極層14ａと第２透明電極層14ｂとの境界面における仮想垂線15とがなす角度を表している。なお、仮想垂線15は、光が異なる媒質に入射するときの異なる媒質同士の境界面における法線を示している。
【００３７】
第２半導体層11ｃから第１透明電極層14ａに入射角αで入射した光は、図４に示すように、第１透明電極層14ａが第２半導体層11ｃよりも小さい屈折率を有するため、入射角α１よりも大きい角度の屈折角α２で屈折する。その後、第１透明電極層14ａを通過した光は、第１透明電極層14ａよりも大きい屈折率を有する第２透明電極層14ｂに屈折角α２と同じ角度で入射し、屈折角α２よりも小さい角度の屈折角α３で屈折する。そして、このように第２透明電極層14ｂに入射した光は、光半導体層11側すなわち光半導体層11の第１方向に、第２透明電極層14ｂと反射性電極層14ｃとの界面で反射される。
【００３８】
ここで、第２透明電極層14ｂと反射性電極層14ｃとの界面で反射された光の光路について説明する。反射された光の光路は、図４に示すように、光半導体層11から反射性電極層14ｃまでの光路が反射性電極層14ｃの反射位置を中心として折り返したようになる。そして、第２透明電極層14ｂと反射性電極層14ｃとの界面で反射された光は、光路をたどって進行して外部に取り出される。
【００３９】
このように光半導体層11で発生した光が、第１透明電極層14ａおよび第２透明電極層14ｂを屈折しながら光半導体層11の第２方向に進むため、光半導体層11から第１透明電極層14ａに入射した入射位置16と、反射性電極層14ｃで反射されて第１透明電極層14ａから光半導体層11へ出射する出射位置17とを、第２方向に拡散距離18の分ずらすことができる。このように、光半導体層11から第２電極14への入射位置16と反射位置17とを第２方向へ拡散距離18の分ずらすことができるため、光半導体層11の端面に到達する光を増やすことができ、光半導体層11の端面から出射される光量を増やすことができる。その結果、発光素子１から出射される光を第２方向へ拡散させることができ、発光素子１の配光特性を向上させることができる。
【００４０】
一方、第２透明電極層の屈折率が第１透明電極層の屈折率よりも小さく設けられた発光素子の構成では、第１透明電極層から第２透明電極層へ通過する光が、第２透明電極層と第１透明電極層との界面における臨界角が小さくなるため、第１透明電極層と第２透明電極層との界面で全反射されやすくなる。その結果、光半導体層の第２方向へ拡散距離を効果的にずらすことが難しくなる。
【００４１】
さらに、第１透明電極層14ａおよび第２透明電極層14ｂとして、両者に同じ成分を含む透明導電材料を用いることが好ましい。
【００４２】
第１透明電極層14ａおよび第２透明電極層14ｂが、例えば酸化スズを含む酸化インジウムから構成されている場合には、スズ、インジウムおよび酸素の各濃度を調節することによって、第１透明電極層14ａの屈折率を調節することができる。
【００４３】
第１透明電極層14ａの屈折率を調整する方法として、例えば第１透明電極層14ａの酸素濃度を通常よりも小さくして、スズおよびインジウムの濃度を相対的に大きくすることによって、第１透明電極層14ａの屈折率を小さくすることができる。このように酸素濃度を低くすることによって屈折率を小さくできるのは、酸化スズを含む酸化インジウムからなる第１透明電極層14ａにおいて、屈折率が比較的小さいスズおよびインジウムの影響が強くなるからである。
【００４４】
第１透明電極層14ａに用いる酸素濃度を通常よりも低くした酸化スズを含む酸化インジウムは、通常の酸化スズを含む酸化インジウムの酸素濃度を２質量％程度低く設定すればよい。具体的には、通常の酸化スズを含む酸化インジウム全体の酸素濃度が例えば60質量％に設定されている場合には、58質量％以上60質量％以下に酸素濃度を設定することができる。
【００４５】
また、このように酸化スズを含む酸化インジウムの酸素濃度を低くした場合には、酸化スズを含む酸化インジウムは、酸素欠陥性が高くなるためキャリア濃度が高くなり、導電性を向上させることができる。
【００４６】
そのため、第１透明電極層14ａとして、酸素濃度を低くした、酸化スズを含む酸化インジウムを用いることによって、第１透明電極層14ａの屈折率を小さくするとともに、第１透明電極層14ａの電気抵抗値を低くすることができ、発光素子１の発光ムラを改善することができる。すなわち、酸素濃度の低い第１透明電極層14ａを用いることによって、発光素子１の発光ムラを改善しつつ、配光特性を向上させることができる。
【００４７】
＜発光素子の製造方法＞
次に、本発明の発光素子の製造方法の実施の形態の一例を説明する。図５から図９は、発光素子１の製造方法を説明するための断面図であり、図２に示す発光素子１のＢ−Ｂ’線における断面に相当する部分を示している。
【００４８】
まず、図５に示すように、基板10上に光半導体層11を形成する。光半導体層11は、第１半導体層11ａ、活性層11ｂおよび第２半導体層11ｃを順次積層した積層構造体で構成する。このような光半導体層11は、基板10上に例えば有機金属気相成長法によって成長させる。光半導体層11を成長させる他の方法として、例えば分子線エピタキシー法、ハイドライド気相成長法またはパルス・レーザ・デポジション法などを用いることができる。
【００４９】
次に、光半導体層11上に、第１透明電極層14ａ、第２透明電極層14ｂおよび反射性電極層14ｃを有する第２電極14を以下のようにして形成する。
【００５０】
第１透明電極層14ａは、図６に示すように、光半導体層11の上面11Ａに、スパッタリング法を用いて形成される。このようなスパッタリング法としては、光半導体層11の上面11Ａと透明導電材料とを向かい合わせた平行平板スパッタリング法や、光半導体層11の上面11Ａと透明導電材料とを向かい合わせない対向スパッタリング法などを用いることができる。なかでも、第１透明電極層14ａを形成する際に対向スパッタリング法を用いた場合は、光半導体層11の上面11Ａをスパッタリングによって損傷を受けにくくすることができ、光半導体層11の上面11Ａの状態を良好に形成することができる。その結果、光半導体層11の上面11Ａを構成する第２半導体層11ｃと第１透明電極層14ａとで良好に電気的接触を行
なうことができる。
【００５１】
第１透明電極層14ａの透明導電材料としては、光半導体層11よりも屈折率の小さい、酸化スズを含む酸化インジウムや酸化亜鉛などの透明導電材料を用いることができる。なお、第１透明電極層14ａを形成する方法としては、スパッタリング法以外にも真空蒸着法やＣＶＤ法などを用いることができる。
【００５２】
第２透明電極層14ｂは、図７に示すように、第１透明電極層14ｂ上に形成される。第２透明電極層14ｂを形成する方法としては、平行平板スパッタリング法や対向スパッタリング法などのスパッタ法リングを用いることができる。第２透明電極層14ｂの透明導電材料としては、第１透明電極層14ａよりも屈折率の大きい、酸化スズを含む酸化インジウムまたは酸化亜鉛などの透明導電材料を用いることができる。なお、第２透明電極層14ｂを形成する方法としては、スパッタリング法以外にも真空蒸着法やＣＶＤ法などを用いることができる。
【００５３】
その後、図８に示すように、第２透明電極層14ｂ上に、光半導体層11で発光した光を反射するための反射性電極層14ｃを形成する。このような反射性電極層14ｃとしては、例えば銀、金またはロジウムなどの金属材料などを用いることができる。このような金属材料を第２透明電極層14ｂ上に積層する方法としては、スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法などを用いることができる。
【００５４】
次に、図９に示すように、第１電極13を形成する。第１電極13を形成する方法としては、第２電極14の表面から深さ方向に第１半導体層11ａの一部が露出するまで、エッチング法などによって、第２電極14の一部および光半導体層11の一部を除去する。そして、露出した第１半導体層11ａ上に、第１半導体層11ａと電気的に接続される第１電極13を、真空蒸着法やスパッタリング法によって形成する。
【００５５】
本例のように、第１透明電極層14ａおよび第２透明電極層14ｂをスパッタリング法によって積層する場合は、第１透明電極層14ａを対向スパッタリング法で、第２透明電極層14ｂを平行平板スパッタリング法でそれぞれ形成することが好ましい。このように第１透明電極層14ａおよび第２透明電極層14ｂを形成することにより、光半導体層11の上面11Ａの状態を維持しつつ、生産性を向上させることができる。
【００５６】
一方、第１透明電極層14ａおよび第２透明電極層14ｂを対向スパッタリング法のみで形成した場合は、対向スパッタリング法による透明電極層の成膜速度が平行平板スパッタリング法と比較して遅いため、生産性を向上させることが困難となることがある。
【００５７】
さらに、第１透明電極層14ａおよび第２透明電極層14ｂとして、例えば酸化スズを含む酸化インジウムを用いた場合に、第１透明電極層14ａの酸素濃度を低くする方法としては、形成雰囲気または透明電極層の材料組成を変えればよい。
【００５８】
第１透明電極層14ａおよび第２透明電極層14ｂの形成雰囲気を変えて酸素濃度を低くする方法としては、第１透明電極層14ａをアルゴンと窒素ガスとの雰囲気中で形成した後、第２透明電極層14ｂをアルゴンガスと酸素ガスとの雰囲気中で形成する方法を用いることができる。具体的には、平行平板スパッタ法で第１透明電極層14ａおよび第２透明電極層14ｂを形成する場合、窒素ガス雰囲気中で第１透明電極層14ａを形成した後、窒素ガス雰囲気を酸素ガス雰囲気に変えて第２透明電極層14ｂを形成すればよい。
【００５９】
また、第１透明電極層14ａと第２透明電極層14ｂとを異なる形成方法で形成してもよい。その際に、第１透明電極層14ａの酸素濃度を低くする方法として、例えば酸素が雰囲気
中に少ない真空蒸着法で第１透明電極層14ａを形成した後、スパッタリング法で第２透明電極層14ｂを形成することにより、第１透明電極層14ａと第２透明電極層14ｂとの形成方法を変えてもよい。
【符号の説明】
【００６０】
１  発光素子
２  発光装置
３  配線導体
４  実装基体
４ａ  第１シート
４ｂ  第２シート
５  基体凹部
６  搭載面
７  引き出し面
８  接合電極
９  モールド樹脂
10  基板
11  光半導体層
11ａ  第１半導体層
11ｂ  活性層
11ｃ  第２半導体層
12  一対の電極
13  第１電極（他方電極）
14  第２電極（一方電極）
14ａ  第１透明電極層
14ｂ  第２透明電極層
14ｃ  反射性電極層
15  仮想垂線
16  入射位置
17  出射位置
18  拡散距離
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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