(57)【要約】【課題】ブラックマトリクスの厚みを厚くすることなく外光反射を抑えることが可能な表示装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】基板の一部に設けられ、第１干渉層，第２干渉層および反射層を基板側からこの順に有するブラックマトリクスと、ブラックマトリクス上の領域に設けられた薄膜トランジスタと、第１電極，発光層を含む有機層および第２電極を基板側からこの順に有し、第１電極はブラックマトリクスの間の領域に設けられ、発光層で発生した光を基板の側から取り出す有機ＥＬ素子とを備えた表示装置。【選択図】図３
2012212622.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の一部に設けられ、第１干渉層，第２干渉層および反射層を前記基板側からこの順に有するブラックマトリクスと、
前記ブラックマトリクス上の領域に設けられた薄膜トランジスタと、
第１電極，発光層を含む有機層および第２電極を前記基板側からこの順に有し、前記第１電極は前記ブラックマトリクスの間の領域に設けられ、前記発光層で発生した光を前記基板の側から取り出す有機ＥＬ素子と
を備えた表示装置。
【請求項２】
前記ブラックマトリクスは、前記第２干渉層と前記反射層との間に位相調整層を有する
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記ブラックマトリクスは、前記基板側から、前記第１干渉層，前記第２干渉層，前記反射層，第３干渉層，第４干渉層を順に有する
請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
前記ブラックマトリクスは、前記第２干渉層と前記反射層との間に第１位相調整層を有し、前記反射層と前記第３干渉層との間に第２位相調整層を有する
請求項１記載の表示装置。
【請求項５】
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極，ゲート絶縁膜，半導体膜を有し、
前記第１干渉層および前記第４干渉層は前記ゲート絶縁膜と同じ材料により構成され、前記反射層は前記ゲート電極と同じ材料により構成されている
請求項１記載の表示装置。
【請求項６】
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極，ゲート絶縁膜，半導体膜を有し、
前記第２干渉層および前記第３干渉層は前記半導体膜と同じ材料により構成されている
請求項１記載の表示装置。
【請求項７】
基板の一部に、第１干渉層，第２干渉層および反射層を前記基板側からこの順に有するブラックマトリクスを形成する工程と、
前記ブラックマトリクス上の領域に薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記ブラックマトリクスの間の領域に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極の上に絶縁膜材料膜を形成したのち、前記絶縁膜材料膜を、前記ブラックマトリクスをマスクとして前記基板の裏側から露光することにより、前記第１電極に対向して開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、
前記第１電極および前記絶縁膜の上に、発光層を含む有機層を形成する工程と、
前記有機層の上に第２電極を形成することにより、前記第１電極，前記発光層を含む前記有機層および前記第２電極を前記基板側からこの順に有し、前記発光層で発生した光を前記基板の側から取り出す有機ＥＬ素子を形成する工程と
を含む表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板に有機ＥＬ（Electroluminescence）素子を備えた表示装置およびその製造方法に係り、とりわけ、発生した光を基板の側から取り出すボトムエミッション型の有機ＥＬ素子を備えた表示装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子は、基板に、第１電極，発光層を含む有機層および第２電極を基板側からこの順に有し、発光層で発生した光は基板の側から取り出されるようになっている。このようなボトムエミッション型の有機ＥＬ素子では、基板側から入射した外光がＴＦＴ（Thin Film Transistor；薄膜トランジスタ）または配線などで反射され、表示品質の低下が生じる。その対策として、例えば、基板の表面に偏光板を貼り付けて外光反射を抑える方法が行われている。しかし、偏光板は外光反射だけでなく有機ＥＬ素子で発生した光も一定の割合で遮断してしまうので、消費電力の増加を引き起こしてしまう。
【０００３】
そこで、例えば特許文献１ないし特許文献４では、偏光板に代えて、基板とＴＦＴとの間に金属膜などのブラックマトリクスを設けることが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２１６９６０号公報
【特許文献２】特開２００２−２９９０５５号公報
【特許文献３】特開２００４−４６０８７号公報
【特許文献４】特開２００４−７２０９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、ブラックマトリクス上にＴＦＴを設けるようにした場合には、ブラックマトリクスの厚みを厚くすると表面荒さが増加し、表面凹凸が大きくなり、ＴＦＴ特性に悪影響を及ぼすという問題があった。
【０００６】
本開示の目的は、ブラックマトリクスの厚みを厚くすることなく外光反射を抑えることが可能な表示装置およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の表示装置は、以下の（Ａ）〜（Ｃ）の構成要素を備えたものである。
（Ａ）基板の一部に設けられ、第１干渉層，第２干渉層および反射層を基板側からこの順に有するブラックマトリクス
（Ｂ）ブラックマトリクス上の領域に設けられた薄膜トランジスタ
（Ｃ）第１電極，発光層を含む有機層および第２電極を基板側からこの順に有し、第１電極はブラックマトリクスの間の領域以外に設けられ、発光層で発生した光を基板の側から取り出す有機ＥＬ素子
【０００８】
本開示の表示装置では、ブラックマトリクスが、第１干渉層，第２干渉層および反射層を基板側からこの順に有している。よって、基板外から入射してきた外光の反射光は、反射層の基板側の界面（主たる界面）で反射される成分と、それ以外の界面、例えば第１干渉層および第２干渉層の界面で反射される成分とに分かれる。主たる界面での反射光の強度および位相が、それ以外の界面での反射光の強度と同じで位相が反転している場合、主たる界面での反射光とそれ以外の界面での反射光は互いに打ち消し合い、基板外に出てこなくなる。
【０００９】
本開示の表示装置の製造方法は、以下の（Ａ）〜（Ｆ）の工程を含むものである。
（Ａ）基板の一部に、第１干渉層，第２干渉層および反射層を基板側からこの順に有するブラックマトリクスを形成する工程
（Ｂ）ブラックマトリクス上の領域に薄膜トランジスタを形成する工程
（Ｃ）ブラックマトリクスの間の領域に第１電極を形成する工程
（Ｄ）第１電極の上に絶縁膜材料膜を形成したのち、絶縁膜材料膜を、ブラックマトリクスをマスクとして基板の裏側から露光することにより、第１電極に対向して開口部を有する絶縁膜を形成する工程
（Ｅ）第１電極および絶縁膜の上に、発光層を含む有機層を形成する工程
（Ｆ）有機層の上に第２電極を形成することにより、第１電極，発光層を含む有機層および第２電極を基板側からこの順に有し、発光層で発生した光を基板の側から取り出す有機ＥＬ素子を形成する工程
【発明の効果】
【００１０】
本開示の表示装置によれば、ブラックマトリクスが、第１干渉層，第２干渉層および反射層を基板側からこの順に有するようにしたので、光の干渉効果を利用して吸収率を高めることが可能となる。よって、ブラックマトリクスの厚みを厚くすることなく外光反射を抑えることが可能となる。
【００１１】
本開示の表示装置の製造方法によれば、絶縁膜材料膜を、ブラックマトリクスをマスクとして基板の裏側から露光することにより、第１電極に対向して開口部を有する絶縁膜を形成するようにしたので、本開示の表示装置を容易に製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本開示の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。
【図２】図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図３】図１に示した表示領域の構成を表す断面図である。
【図４】図３に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。
【図５】図４に続く工程を表す断面図である。
【図６】図３に示したブラックマトリクスの作用を説明するための図である。
【図７】本開示の第２の実施の形態に係る表示装置における表示領域の構成を表す断面図である。
【図８】図７に示したブラックマトリクスの作用を説明するための図である。
【図９】本開示の第３の実施の形態に係る表示装置における表示領域の構成を表す断面図である。
【図１０】図９に示したブラックマトリクスの作用を説明するための図である。
【図１１】本開示の第４の実施の形態に係る表示装置における表示領域の構成を表す断面図である。
【図１２】図１１に示したブラックマトリクスの作用を説明するための図である。
【図１３】本開示の第５の実施の形態に係る表示装置における表示領域の構成を表す断面図である。
【図１４】図１３に示した表示装置の製造方法を工程順に表す断面図である。
【図１５】図１４に続く工程を表す断面図である。
【図１６】図１５に続く工程を表す断面図である。
【図１７】上記実施の形態の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図１８】上記実施の形態の表示装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図１９】（Ａ）は適用例２の表側から見た外観を表す斜視図であり、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図２０】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図２１】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図２２】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本開示の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（ブラックマトリクスが、第１干渉層，第２干渉層および反射層を基板側からこの順に有する例）
２．第２の実施の形態（ブラックマトリクスが、第１干渉層，第２干渉層，位相調整層および反射層を基板側からこの順に有する例）
３．第３の実施の形態（ブラックマトリクスが、第１干渉層，第２干渉層，反射層，第３干渉層および第４干渉層を基板側からこの順に有する例）
４．第４の実施の形態（ブラックマトリクスが、第１干渉層，第２干渉層，第１位相調整層，反射層，第２位相調整層，第３干渉層および第４干渉層を基板側からこの順に有する例）
５．第５の実施の形態（白色発光の有機ＥＬ素子を用いる例）
６．適用例
【００１４】
（第１の実施の形態）
図１は、本開示の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、有機ＥＬテレビジョン装置などとして用いられるものであり、例えば、基板１１の上に、後述する複数の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂがマトリクス状に配置されてなる表示領域１１０が設けられたものである。表示領域１１０の周辺には、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。
【００１５】
表示領域１１０内には画素駆動回路１４０が設けられている。図２は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。この画素駆動回路１４０は、後述する第１電極４１の下層に形成されたアクティブ型の駆動回路である。画素駆動回路１４０は、例えば、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、キャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機ＥＬ素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）とを有している。キャパシタＣｓの一方の電極は駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２の間に接続され、他方の電極は駆動トランジスタＴｒ１および有機ＥＬ素子１０Ｒ（または１０Ｇ，１０Ｂ）との間に接続されている。
【００１６】
画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点が、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル）に対応している。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介して書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。
【００１７】
図３は、図１に示した表示領域１１０の断面構成を表したものである。基板１１上には、ブラックマトリクス２０，第１絶縁膜３１，上述した画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１としてのＴＦＴ３２，第２絶縁膜３３，および有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが基板１１側からこの順に設けられている。有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、必要に応じて、窒化シリコン（ＳｉＮ）などの保護膜（図示せず）により覆われている。保護膜の上には、ガラス等の封止用基板が、紫外線硬化樹脂または熱硬化樹脂などの接着層により貼り合わせられている。
【００１８】
基板１１は、ガラスまたはプラスチック等の絶縁性基板により構成されている。
【００１９】
ブラックマトリクス２０は、基板１１側から入射した外光が駆動トランジスタＴｒ１等で反射されるのを抑え、表示品質を向上させるためのものである。ブラックマトリクス２０は、駆動トランジスタＴｒ１の下層に設けられ、例えば、第１干渉層２１，第２干渉層２２および反射層２３を基板１１側からこの順に有している。これにより、この表示装置では、ブラックマトリクス２０の厚みを厚くすることなく外光反射を抑えることが可能となっている。
【００２０】
第１干渉層２１および第２干渉層２２は、反射層２３で生じる外光の反射光について、光の強度の調節および位相の調節を行うという二つの機能を有している。そのため、第１干渉層２１および第２干渉層２２の材料および厚みは、基板１１側から入射する外光のスペクトルのピーク波長において反射層２３の反射率が抑えられるように設定されていることが望ましい。
【００２１】
例えば、外光が蛍光灯（スペクトルのピーク波長５４５ｎｍ）である場合には、第１干渉層２１は、例えば、厚みが４０ｎｍ以上５０ｎｍ以下、具体的には４５ｎｍであり、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）により構成されている。第２干渉層２２は、例えば、厚みが１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下、具体的には１５ｎｍであり、非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）により構成されている。反射層２３は、例えば、厚みが８０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、具体的には１００ｎｍであり、モリブデン（Ｍｏ）により構成されている。
【００２２】
また、例えば、外光が太陽光（スペクトルのピーク波長４５０ｎｍないし５５０ｎｍ）である場合には、第１干渉層２１は、例えば、厚みが４５ｎｍ以上５５ｎｍ以下、具体的には５０ｎｍであり、ＳｉＮｘにより構成されている。第２干渉層２２は、例えば、厚みが１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下、具体的には１２ｎｍであり、ａ−Ｓｉにより構成されている。反射層２３は、例えば、厚みが８０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、具体的には１００ｎｍであり、Ｍｏにより構成されている。
【００２３】
第１絶縁膜３１は、基板１１およびブラックマトリクス２０と画素駆動回路１４０との間に設けられ、例えば、厚みが２００ｎｍであり、ＳｉＮまたはＳｉＯ2により構成されている。
【００２４】
ＴＦＴ３２は、画素駆動回路１４０の駆動トランジスタＴｒ１を構成するものであり、例えば、第１層間絶縁膜３１上に、ゲート電極３２Ａ，ゲート絶縁膜３２Ｂ，半導体膜３２Ｃ，チャネル保護膜３２Ｄ，層間絶縁膜３２Ｅ，配線３２Ｆがこの順に積層されたボトムゲート型（逆スタガ型）のＴＦＴである。なお、図２に示した書き込みトランジスタＴｒ２も、ＴＦＴ３２と同様の構成を有している。
【００２５】
ゲート電極３２Ａは、例えば、厚みが９０ｎｍであり、Ｍｏにより構成されている。ゲート絶縁膜３２Ｂは、例えば、厚みが１００ｎｍであり、ＳｉＯ2またはＳｉＮ、あるいはそれら積層構造により構成されている。半導体膜３２Ｃは、例えば、厚みが４５ｎｍであり、ａ−Ｓｉにより構成されている。チャネル保護膜３２Ｄは、例えば、厚みが１５  ｎｍであり、ＳｉＯ2により構成されている。層間絶縁膜３２Ｅは、例えば、厚みが６００ｎｍであり、ＳｉＯ2またはＳｉＮ、あるいはそれら積層構造により構成されている。配線３２Ｆは、例えば、厚みが５００ｎｍであり、Ａｌにより構成されている。
【００２６】
ブラックマトリクス２０の第１干渉層２１は、ゲート絶縁膜３２Ａと同じ材料により構成され、反射層２３はゲート電極３２Ａと同じ材料により構成されていることが好ましい。また、第２干渉層２２は半導体膜３２Ｃと同じ材料により構成されていることが好ましい。ブラックマトリクス２０の各層とＴＦＴ３２の各層とを同じ材料により構成することにより、ブラックマトリクス２０がＴＦＴ３２の製造工程でかかる熱に耐えることが可能となる。また、ブラックマトリクス２０を、ゲート電極３２Ａ，ゲート絶縁膜３２Ｂまたは半導体膜３２Ｃのいずれか一つと同じ材料よりなる単膜により構成した場合には、光の吸収率が低く、所望の外光反射特性を得ることが難しい。ブラックマトリクス２０をゲート電極３２Ａ，ゲート絶縁膜３２Ｂおよび半導体膜３２Ｃと同じ材料の多層構造とすることにより、光の干渉効果を利用して吸収率を高めることが可能となる。
【００２７】
第２絶縁膜３３は、画素駆動回路１４０（ＴＦＴ３２）が設けられた基板１１の表面を平坦化するものであり、例えば、厚みが１００ｎｍないし１０００ｎｍであり、酸化窒化シリコン（ＳｉＯＮ）またはＳｉＯ2により構成されている。また、第２絶縁膜３３は、厚みが２．０μｍ程度であり、ポリイミドなどの感光性絶縁材料により構成されていることも可能である。第２絶縁膜３３には、ＴＦＴ３２と有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂとの電気的接続をとるための接続孔３３Ａが設けられている。
【００２８】
有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、第２絶縁膜３３の上に設けられ、基板１１の側から、第１電極４１，第３絶縁膜４２，発光層を含む有機層４３，および第２電極４４がこの順に積層された構成を有している。
【００２９】
第１電極４１は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの各々に対応して形成されている。第１電極４１は、例えば、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ），酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ（登録商標）），またはＳｎＯ２、ＺｎＯなどの透明電極により構成され、発光層で発生した光を第１電極４１側から取り出すようになっている（ボトムエミッション）。第１電極４１はブラックマトリクス２０の間の領域に設けられており、発光層で発生した光は第１電極４１を透過して基板１１側から取り出されるようになっている。また、第１電極４１は、第２絶縁膜３３の接続孔３３Ａ内にも延在し、ＴＦＴ３２の配線３２Ｆに接続されている。
【００３０】
第３絶縁膜４２は、第１電極４１と第２電極４４との絶縁性を確保すると共に発光領域を正確に所望の形状にするためのものであり、例えば、厚みが１μｍ程度であり、シリコン酸化物またはポリイミドなどの感光性樹脂により構成されている。第３絶縁膜４２には、発光領域に対応して開口部４２Ａが設けられている。なお、有機層４３および第２電極４４は、第３絶縁膜４２の上にも連続して設けられているが、発光が生じるのは第３絶縁膜４２の開口部４２Ａだけである。
【００３１】
有機層４３は、例えば、第１電極４１の側から順に、正孔注入層，正孔輸送層，発光層，電子輸送層および電子注入層を積層した構成を有するが、これらのうち発光層以外の層は必要に応じて設ければよい。また、有機層４３は、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっていてもよい。正孔注入層は、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層は、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものである。電子注入層は、例えば厚みが０．３ｎｍ程度であり、ＬｉＦ，Ｌｉ２ Ｏなどにより構成されている。
【００３２】
有機ＥＬ素子１０Ｒの正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）により構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｒの正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｒの赤色発光層は、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、９，１０−ジ−（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）に２，６≡ビス［４´≡メトキシジフェニルアミノ）スチリル］≡１，５≡ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｒの電子輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、８≡ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３ ）により構成されている。
【００３３】
有機ＥＬ素子１０Ｇの正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｇの正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｇの緑色発光層は、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ＡＤＮにクマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を５体積％混合したものにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｇの電子輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ３ により構成されている。
【００３４】
有機ＥＬ素子１０Ｂの正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｂの正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｂの青色発光層は、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ＡＤＮに４，４´≡ビス［２≡｛４≡（Ｎ，Ｎ≡ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。有機ＥＬ素子１０Ｂの電子輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ３ により構成されている。
【００３５】
第２電極４４は、例えば、金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ），アルミニウム（Ａｌ），モリブデン（Ｍｏ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金よりなる反射電極により構成されている。また、第２電極４４は、これらの金属元素の単体または合金よりなる層と、第１電極４１と同様の透明電極との複合膜により構成されていてもよい。
【００３６】
この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。
【００３７】
まず、上述した材料よりなる基板１１を用意し、この基板１１に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition；化学気相成長）装置を用いて、シラン（ＳｉＨ4），アンモニア（ＮＨ2）および窒素（Ｎ2）を原料ガスとして、ＳｉＮｘ膜を４５ｎｍの厚みで形成する。次いで、例えばＣＶＤ装置を用いて、ＳｉＨ4を原料ガスとして、ａ−Ｓｉ膜を１５ｎｍの厚みで形成する。続いて、スパッタリング装置を用いて、Ｍｏ膜を１００ｎｍの厚みで形成する。そののち、ＳｉＮｘ膜，ａ−Ｓｉ膜およびＭｏ膜の積層体を、例えばリソグラフィおよびエッチングにより、所定の形状に成形する。これにより、図４に示したように、基板１１の一部（ＴＦＴ３２の形成予定領域の下層）に、ＳｉＮｘよりなる第１干渉層２１，ａ−Ｓｉよりなる第２干渉層２２およびＭｏよりなる反射層２３を順に積層したブラックマトリクス２０が形成される。
【００３８】
ブラックマトリクス２０を形成したのち、同じく図４に示したように、例えばＣＶＤ法により、ＳｉＮｘよりなる第１絶縁膜３１を２００ｎｍの厚みで形成する。
【００３９】
続いて、同じく図４に示したように、ブラックマトリクス２０上の領域に、上述した厚みおよび材料よりなるゲート電極３２Ａ，ゲート絶縁膜３２Ｂ，半導体膜３２Ｃ，チャネル保護膜３２Ｄ，層間絶縁膜３２Ｅ，配線３２Ｆを順に形成し、ＴＦＴ３２を形成する。
【００４０】
ＴＦＴ３２を形成したのち、例えばプラズマＣＶＤ法により、ＳｉＯＮ膜またはＳｉＯ2膜を１００ｎｍないし１０００ｎｍの厚みで形成する。続いて、このＳｉＯＮ膜またはＳｉＯ2膜を、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングにより所定の形状に成形し、同じく図４に示したように、接続孔３３Ａを有する第２絶縁膜３３を形成する。
【００４１】
第２絶縁膜３３を形成したのち、同じく図４に示したように、第２絶縁膜３３上のブラックマトリクス２０の間の領域に、上述した材料よりなる第１電極４１を形成すると共に、第１電極４１を接続孔３３ＡにおいてＴＦＴ３２の配線３２Ｆに接続する。
【００４２】
第１電極４１を形成したのち、同じく図４に示したように、第１電極４１および第２絶縁膜３３の上に、上述した材料よりなる第３絶縁膜材料膜４２Ｂを形成する。
【００４３】
続いて、同じく図４に示したように、第３絶縁膜材料膜４２Ｂを、ブラックマトリクス２０をマスクとして基板１１の裏側から露光する。これにより、図５に示したように、第１電極４１に対向して開口部４２Ａを有する第３絶縁膜４２が形成される。
【００４４】
そののち、第１電極４１および第３絶縁膜４２の上に、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる有機層４３および第２電極４４を形成する。これにより、図３に示した有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが形成される。
【００４５】
有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを形成したのち、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの上に保護膜（図示せず）を形成し、接着層（図示せず）を間にして封止用基板（図示せず）を貼り合わせる。以上により、図１ないし図３に示した表示装置が完成する。
【００４６】
この表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、各有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄｓが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第１電極４１，第２絶縁膜３３，第１絶縁膜３１および基板１１を透過して（ボトムエミッション）取り出される。
【００４７】
ここでは、ブラックマトリクス２０が、第１干渉層２１，第２干渉層２２および反射層２３を基板１１側からこの順に有している。よって、図６に示したように、基板１１外から入射してきた外光ｈ１の反射光は、反射層２３の基板１１側の界面（主たる界面）Ｐ１で反射される成分と、それ以外の界面、例えば第１干渉層２１および第２干渉層２２の界面Ｐ２で反射される成分とに分かれる。主たる界面Ｐ１での反射光の強度および位相が、それ以外の界面Ｐ２での反射光の強度と同じで位相が反転している場合、主たる界面Ｐ１での反射光とそれ以外の界面Ｐ２での反射光は互いに打ち消し合い、基板１１外に出てこなくなる。よって、外光反射が抑えられる。
【００４８】
また、従来のブラックマトリクスは、例えば黒色樹脂により構成する場合には１μｍ程度の厚みが必要であったのに比べて、本実施の形態では、第１干渉層２１，第２干渉層２２および反射層２３の合計厚みは１３０ｎｍないし２２５ｎｍであり、ブラックマトリクス２０の厚みが著しく小さくなる。
【００４９】
このように本実施の形態の表示装置では、ブラックマトリクス２０が、第１干渉層２１，第２干渉層２２および反射層２３を基板１１側からこの順に有するようにしたので、光の干渉効果を利用して吸収率を高めることが可能となる。よって、ブラックマトリクス２０の厚みを厚くすることなく外光反射を抑え、ＴＦＴ特性への影響を小さくすることが可能となる。
【００５０】
本実施の形態の表示装置の製造方法では、第３絶縁膜材料膜４２Ｂを、ブラックマトリクス２０をマスクとして基板１１の裏側から露光することにより、第１電極４１に対向して開口部４２Ａを有する第３絶縁膜４２を形成するようにしている。よって、開口部４２Ａのブラックマトリクス２０に対する位置精度を高めて開口率を向上させることが可能となり、本実施の形態の表示装置を容易に製造することが可能となる。
【００５１】
（第２の実施の形態）
図７は、本開示の第２の実施の形態に係る表示装置における表示領域の断面構成を表したものである。本実施の形態では、第２干渉層２２と反射層２３との間に位相調整層２４が設けられている。このことを除いては、本実施の形態の表示装置は、第１の実施の形態の表示装置と同様の構成、作用および効果を有している。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
【００５２】
本実施の形態のブラックマトリクス２０は、第１干渉層２１，第２干渉層２２，位相調整層２４および反射層２３を基板１１の側から順に積層した構成を有している。第１の実施の形態では第２干渉層２２であった部分を、第２の実施の形態では第２干渉層２２，位相調整層２４の２層に分離することで光の強度調整を第２干渉層２２で行ない、位相調整を位相調整層２４で行ない、光の強度調整と位相調整をが各々独立し調整することが可能になっている。これにより、本実施の形態の表示装置では、更にブラックマトリクス２０の反射率を低減し、外光反射を抑えることが可能となっている。
【００５３】
具体的には、外光が蛍光灯（スペクトルのピーク波長５４５ｎｍ）である場合には、第１干渉層２１は、例えば、厚みが４０ｎｍ以上５０ｎｍ以下、具体的には４５ｎｍであり、ＳｉＮｘにより構成されている。第２干渉層２２は、例えば、厚みが１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下、具体的には１５ｎｍであり、ａ−Ｓｉにより構成されている。位相調整層２４は、例えば、厚みが１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、具体的には５ｎｍであり、ＳｉＯ2により構成されている。反射層２３は、例えば、厚みが８０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、具体的には１００ｎｍであり、Ｍｏにより構成されている。
【００５４】
また、例えば、外光が太陽光（スペクトルのピーク波長４５０ｎｍないし５５０ｎｍ）である場合には、第１干渉層２１は、例えば、厚みが４０ｎｍ以上７０ｎｍ以下、具体的には６０ｎｍであり、ＳｉＮｘにより構成されている。第２干渉層２２は、例えば、厚みが１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下、具体的には１２ｎｍであり、ａ−Ｓｉにより構成されている。位相調整層２４は、例えば、厚みが１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、具体的には５ｎｍであり、酸化シリコン（ＳｉＯ2）により構成されている。反射層２３は、例えば、厚みが８０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下、具体的には１００ｎｍであり、Ｍｏにより構成されている。
【００５５】
位相調整層２４は、ゲート絶縁膜３２Ａまたはチャネル保護膜３２Ｄと同じ材料により構成されていることが好ましい。ブラックマトリクス２０の各層とＴＦＴ３２の各層とを同じ材料により構成することにより、ブラックマトリクス２０がＴＦＴ３２の製造工程でかかる熱に耐えることが可能となる。
【００５６】
この表示装置は、ブラックマトリクス２０の製造工程を除いては、第１の実施の形態と同様にして製造することができる。
【００５７】
本実施の形態におけるブラックマトリクス２０の形成工程は、以下の通りである。すなわち、まず、上述した材料よりなる基板１１を用意し、この基板１１に、例えばＣＶＤ装置を用いて、ＳｉＨ4，ＮＨ2およびＮ2を原料ガスとして、ＳｉＮｘ膜を４５ｎｍの厚みで形成する。次いで、例えばＣＶＤ装置を用いて、ＳｉＨ4を原料ガスとして、ａ−Ｓｉ膜を１０ｎｍの厚みで形成する。続いて、例えばＣＶＤ装置を用いて、ＳｉＨ4およびＮ2Ｏを原料ガスとして、ＳｉＯ2膜を５ｎｍの厚みで形成する。そののち、スパッタリング法により、Ｍｏ膜を１００ｎｍの厚みで形成する。Ｍｏ膜を形成したのち、ＳｉＮｘ膜，ａ−Ｓｉ膜，ＳｉＯ2膜およびＭｏ膜の積層体を、例えばリソグラフィおよびエッチングにより、所定の形状に成形する。これにより、基板１１の一部（ＴＦＴ３２の形成予定領域の下層）に、ＳｉＮｘよりなる第１干渉層２１，ａ−Ｓｉよりなる第２干渉層２２，ＳｉＯ2よりなる位相調整層２４およびＭｏよりなる反射層２３を順に積層したブラックマトリクス２０が形成される。ブラックマトリクス２０形成後の工程は、第１の実施の形態と同様である。
【００５８】
この表示装置では、第１の実施の形態と同様にして各画素の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄｓが注入され、発光が起こる。この光は、第１電極４１，第２絶縁膜３３，第１絶縁膜３１および基板１１を透過して（ボトムエミッション）取り出される。
【００５９】
ここでは、ブラックマトリクス２０が、第１干渉層２１，第２干渉層２２，位相調整層２４および反射層２３を基板１１側からこの順に有している。よって、図８に示したように、基板１１外から入射してきた外光ｈ１の反射光は、反射層２３の基板１１側の界面（主たる界面）Ｐ１で反射される成分と、それ以外の界面、例えば第１干渉層２１および第２干渉層２２の界面Ｐ２、または第２干渉層２２および位相調整層２４の界面Ｐ３で反射される成分とに分かれる。主たる界面Ｐ１での反射光の強度および位相が、それ以外の界面Ｐ２またはＰ３での反射光の強度と同じで位相が反転している場合、主たる界面Ｐ１での反射光とそれ以外の界面Ｐ２またはＰ３での反射光は互いに打ち消し合い、基板１１外に出てこなくなる。よって、外光反射が抑えられる。
【００６０】
このように本実施の形態の表示装置では、第２干渉層２２と反射層２３との間に位相調整層２４を設けるようにしたので、光の干渉効果を利用して反射率を更に低減し、吸収率を更に高めることが可能となる。よって、ブラックマトリクス２０の厚みを厚くすることなく外光反射を抑え、ＴＦＴ特性への影響を小さくするという第１の実施の形態の効果を更に高めることが可能となる。
【００６１】
（第３の実施の形態）
図９は、本開示の第３の実施の形態に係る表示装置における表示領域の断面構成を表したものである。本実施の形態は、反射層２３の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ側に、更に第３干渉層２５，第４干渉層２６を設けることにより、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光領域以外からの光漏れ（また有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光や外光が第２電極４４やＴＦＴ配線で複雑に反射した結果現れる予期せぬ迷光）を抑えるようにしたものである。このことを除いては、本実施の形態の表示装置は、第１の実施の形態の表示装置と同様の構成、作用および効果を有している。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
【００６２】
第１干渉層２１，第２干渉層２２および反射層２３は、第１の実施の形態と同様に構成されている。
【００６３】
第３干渉層２５および第４干渉層２６は、隣接する有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂから入射する漏れ光の反射光について、光の強度の調節および位相の調節を行うという二つの機能を有している。第３干渉層２５は第２干渉層２２と同じ材料により構成され、第４干渉層２６は第１干渉層２１と同じ材料により構成されている。
【００６４】
第３干渉層２５は、例えば、厚みが１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下、具体的には１５ｎｍであり、ａ−Ｓｉにより構成されている。第４干渉層２６は、例えば、厚みが４５ｎｍ以上７０ｎｍ以下、具体的には４５ｎｍであり、ＳｉＮｘにより構成されている。
【００６５】
第４干渉層２６は、ゲート絶縁膜３２Ａと同じ材料により構成されていることが好ましい。また、第３干渉層２５は半導体膜３２Ｃと同じ材料により構成されていることが好ましい。ブラックマトリクス２０の各層とＴＦＴ３２の各層とを同じ材料により構成することにより、ブラックマトリクス２０がＴＦＴ３２の製造工程でかかる熱に耐えることが可能となる。
【００６６】
この表示装置は、ブラックマトリクス２０の製造工程を除いては、第１の実施の形態と同様にして製造することができる。
【００６７】
本実施の形態におけるブラックマトリクス２０の形成工程は、以下の通りである。すなわち、まず、上述した材料よりなる基板１１を用意し、この基板１１に、例えばＣＶＤ装置を用いて、ＳｉＨ4，ＮＨ2およびＮ2を原料ガスとして、ＳｉＮｘ膜を４５ｎｍの厚みで形成する。次いで、例えばＣＶＤ装置を用いて、ＳｉＨ4を原料ガスとして、ａ−Ｓｉ膜を１５ｎｍの厚みで形成する。続いて、スパッタリング法により、Ｍｏ膜を１００ｎｍの厚みで形成する。そののち、例えばＣＶＤ装置を用いて、ＳｉＨ4を原料ガスとして、ａ−Ｓｉ膜を１５ｎｍの厚みで形成する。更に、例えばＣＶＤ装置を用いて、ＳｉＨ4，ＮＨ2およびＮ2を原料ガスとして、ＳｉＮｘ膜を４５ｎｍの厚みで形成する。そののち、ＳｉＮｘ膜，ａ−Ｓｉ膜，Ｍｏ膜，ａ−Ｓｉ膜およびＳｉＮｘ膜の積層体を、例えばリソグラフィおよびエッチングにより、所定の形状に成形する。これにより、基板１１の一部（ＴＦＴ３２の形成予定領域の下層）に、ＳｉＮｘよりなる第１干渉層２１，ａ−Ｓｉよりなる第２干渉層２２，Ｍｏよりなる反射層２３，ａ−Ｓｉよりなる第３干渉層２５およびＳｉＮｘよりなる第４干渉層２６を順に積層したブラックマトリクス２０が形成される。ブラックマトリクス２０形成後の工程は、第１の実施の形態と同様である。
【００６８】
この表示装置では、第１の実施の形態と同様にして各画素の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄｓが注入され、発光が起こる。この光は、第１電極４１，第２絶縁膜３３，第１絶縁膜３１および基板１１を透過して（ボトムエミッション）取り出される。
【００６９】
ここでは、ブラックマトリクス２０が、第１干渉層２１，第２干渉層２２および反射層２３を基板１１側からこの順に有している。よって、図１０に示したように、基板１１外から入射してきた外光ｈ１の反射光は、反射層２３の基板１１側の界面（主たる界面）Ｐ１で反射される成分と、それ以外の界面、例えば第１干渉層２１および第２干渉層２２の界面Ｐ２で反射される成分とに分かれる。主たる界面Ｐ１での反射光の強度および位相が、それ以外の界面Ｐ２での反射光の強度と同じで位相が反転している場合、主たる界面Ｐ１での反射光とそれ以外の界面Ｐ２での反射光は互いに打ち消し合い、基板１１外に出てこなくなる。よって、外光反射が抑えられる。
【００７０】
また、反射層２３の上には第３干渉層２５および第４干渉層２６が順に設けられている。これにより、同じく図１０に示したように、隣接する有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂから入射してきた漏れ光ｈ２の反射光は、反射層２３のＴＦＴ３２側の界面（主たる界面）Ｐ４で反射される成分と、それ以外の界面、例えば第３干渉層２５および第４干渉層２６の界面Ｐ５で反射される成分とに分かれる。主たる界面Ｐ４での反射光の強度および位相が、それ以外の界面Ｐ５での反射光の強度と同じで位相が反転している場合、主たる界面Ｐ４での反射光とそれ以外の界面Ｐ５での反射光は互いに打ち消し合い、基板１１外に出てこなくなる。よって、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光領域以外からの光漏れが抑えられる。
【００７１】
このように本実施の形態の表示装置では、反射層２３の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ側に第３干渉層２５および第４干渉層２６を設けるようにしたので、第１の実施の形態の効果に加えて、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光領域以外からの光漏れを抑えることが可能となる。
【００７２】
（第４の実施の形態）
図１１は、本開示の第４の実施の形態に係る表示装置における表示領域の断面構成を表したものである。本実施の形態では、第２干渉層２２と反射層２３との間に第１位相調整層２７が設けられ、反射層２３と第３干渉層２５との間に第２位相調整層２８が設けられている。このことを除いては、本実施の形態の表示装置は、第３の実施の形態の表示装置と同様の構成、作用および効果を有し、第１の実施の形態と同様にして製造することができる。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
【００７３】
本実施の形態のブラックマトリクス２０は、第１干渉層２１，第２干渉層２２，第１位相調整層２７，反射層２３，第２位相調整層２８，第３干渉層２５および第４干渉層２６を基板１１の側から順に積層した構成を有している。
【００７４】
第１干渉層２１は、第１の実施の形態と同様に、反射層２３で生じる外光の反射光について、光の強度の調節および位相の調節を行うという二つの機能を有している。第２干渉層２２は光の強度の調節の機能を有し、第１位相調整層２７は光の位相の調節の機能を有している。これにより、本実施の形態の表示装置では、更にブラックマトリクス２０の反射率を低減し、外光反射を抑えることが可能となっている。
【００７５】
一方、第４干渉層２６は、第３の実施の形態と同様に、隣接する有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂから入射する漏れ光の反射光（また有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光や外光が第２電極４４やＴＦＴ配線で複雑に反射した結果現れる予期せぬ迷光）について、光の強度の調節および位相の調節を行うという二つの機能を有している。第３干渉層２５は光の強度の調節の機能を有し、第２位相調整層２８は光の位相の調節の機能を有している。これにより、本実施の形態の表示装置では、更にブラックマトリクス２０の反射率を低減し、隣接する有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂからの光漏れを抑えることが可能となっている。
【００７６】
第１干渉層２１，第２干渉層２２および反射層２３の材料および厚みは、第１の実施の形態と同様である。第１位相調整層２７の材料および厚みは、第２の実施の形態の位相調整層２４と同様である。
【００７７】
第２位相調整層２８は、例えば、厚みが１ｎｍ以上１０ｎｍ以下、具体的には５ｎｍであり、ＳｉＯ2により構成されている。第３干渉層２５は、例えば、厚みが１０ｎｍ以上２０ｎｍ以下、具体的には１５ｎｍであり、ａ−Ｓｉにより構成されている。第４干渉層２１は、例えば、厚みが４０ｎｍ以上７０ｎｍ以下、具体的には４５ｎｍであり、ＳｉＮｘにより構成されている。
【００７８】
第２位相調整層２８は、ゲート絶縁膜３２Ａまたはチャネル保護膜３２Ｄと同じ材料により構成されていることが好ましい。第４干渉層２６は、ゲート絶縁膜３２Ａと同じ材料により構成されていることが好ましい。また、第３干渉層２５は半導体膜３２Ｃと同じ材料により構成されていることが好ましい。ブラックマトリクス２０の各層とＴＦＴ３２の各層とを同じ材料により構成することにより、ブラックマトリクス２０がＴＦＴ３２の製造工程でかかる熱に耐えることが可能となる。
【００７９】
この表示装置は、ブラックマトリクス２０の製造工程を除いては、第１の実施の形態と同様にして製造することができる。
【００８０】
本実施の形態におけるブラックマトリクス２０の形成工程は、以下の通りである。すなわち、まず、上述した材料よりなる基板１１を用意し、この基板１１に、例えばＣＶＤ装置を用いて、ＳｉＨ4，ＮＨ2およびＮ2を原料ガスとして、ＳｉＮ膜を４５ｎｍの厚みで形成する。次いで、例えばＣＶＤ装置を用いて、ＳｉＨ4を原料ガスとして、ａ−Ｓｉ膜を１５ｎｍの厚みで形成する。続いて、例えばＣＶＤ装置を用いて、ＳｉＨ4およびＮ2Ｏを原料ガスとして、ＳｉＯ2膜を５ｎｍの厚みで形成する。そののち、スパッタリング法により、Ｍｏ膜を１００ｎｍの厚みで形成する。続いて、例えばＣＶＤ装置を用いて、ＳｉＨ4およびＮ2Ｏを原料ガスとして、ＳｉＯ2膜を５ｎｍの厚みで形成する。そののち、例えばＣＶＤ装置を用いて、ＳｉＨ4を原料ガスとして、ａ−Ｓｉ膜を１５ｎｍの厚みで形成する。更に、例えばＣＶＤ装置を用いて、ＳｉＨ4，ＮＨ2およびＮ2を原料ガスとして、ＳｉＮ膜を４５ｎｍの厚みで形成する。そののち、ＳｉＮｘ膜，ａ−Ｓｉ膜，ＳｉＯ2膜，Ｍｏ膜，ＳｉＯ2膜，ａ−Ｓｉ膜およびＳｉＮｘ膜の積層体を、例えばリソグラフィおよびエッチングにより、所定の形状に成形する。これにより、基板１１の一部（ＴＦＴ３２の形成予定領域の下層）に、ＳｉＮよりなる第１干渉層２１，ａ−Ｓｉよりなる第２干渉層２２，ＳｉＯ2よりなる第１位相調整層２７，Ｍｏよりなる反射層２３，ＳｉＯ2よりなる第２位相調整層２８，ａ−Ｓｉよりなる第３干渉層２５およびＳｉＮｘよりなる第４干渉層２６を順に積層したブラックマトリクス２０が形成される。ブラックマトリクス２０形成後の工程は、第１の実施の形態と同様である。
【００８１】
この表示装置では、第１の実施の形態と同様にして各画素の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄｓが注入され、発光が起こる。この光は、第１電極４１，第２絶縁膜３３，第１絶縁膜３１および基板１１を透過して（ボトムエミッション）取り出される。
【００８２】
ここでは、ブラックマトリクス２０が、第１干渉層２１，第２干渉層２２，第１位相調整層２７および反射層２３を基板１１側からこの順に有している。よって、図１２に示したように、基板１１外から入射してきた外光ｈ１の反射光は、反射層２３の基板１１側の界面（主たる界面）Ｐ１で反射される成分と、それ以外の界面、例えば第１干渉層２１および第２干渉層２２の界面Ｐ２、または第２干渉層２２および第１位相調整層２７の界面Ｐ３で反射される成分とに分かれる。主たる界面Ｐ１での反射光の強度および位相が、それ以外の界面Ｐ２またはＰ３での反射光の強度と同じで位相が反転している場合、主たる界面Ｐ１での反射光とそれ以外の界面Ｐ２またはＰ３での反射光は互いに打ち消し合い、基板１１外に出てこなくなる。よって、外光反射が抑えられる。
【００８３】
また、反射層２３の上には第２位相調整層２８，第３干渉層２５および第４干渉層２６が順に設けられている。これにより、同じく図１２に示したように、隣接する有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂから入射してきた漏れ光ｈ２の反射光は、反射層２３のＴＦＴ３２側の界面（主たる界面）Ｐ４で反射される成分と、それ以外の界面、例えば第３干渉層２５および第４干渉層２６の界面Ｐ５、または第３干渉層２５および第２位相調整層２８の界面Ｐ６で反射される成分とに分かれる。主たる界面Ｐ４での反射光の強度および位相が、それ以外の界面Ｐ５またはＰ６での反射光の強度と同じで位相が反転している場合、主たる界面Ｐ４での反射光とそれ以外の界面Ｐ５またはＰ６での反射光は互いに打ち消し合い、基板１１外に出てこなくなる。よって、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光領域以外からの光漏れが抑えられる。
【００８４】
このように本実施の形態の表示装置では、第２干渉層２２と反射層２３との間に第１位相調整層２７を設け、反射層２３と第３干渉層２５との間に第２位相調整層２８を設けるようにしたので、光の干渉効果を利用して反射率を更に低減し、吸収率を更に高めることが可能となる。よって、ブラックマトリクス２０の厚みを厚くすることなく外光反射を抑え、ＴＦＴ特性への影響を小さくするという第１の実施の形態の効果を更に高めることが可能となると共に、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光領域以外からの光漏れを抑えるという第３の実施の形態の効果を更に高めることが可能となる。
【００８５】
（第５の実施の形態）
図１３は、本開示の第５の実施の形態に係る表示装置における表示領域の断面構成を表したものである。本実施の形態の表示装置は、白色光を発生する有機ＥＬ素子１０と、これら有機ＥＬ素子１０で発生した白色光を赤，緑および青の色光とする赤色フィルタ５０Ｒ，緑色フィルタ５０Ｇおよび青色フィルタ５０Ｂ（以下カラーフィルタ５０と総称する。）とを備えている。このことを除いては、第１の実施の形態の表示装置と同様の構成、作用および効果を有している。よって、対応する構成要素には同一の符号を付して説明する。
【００８６】
有機ＥＬ素子１０は、第１電極４１，第３絶縁膜４２，有機層４３および第２電極４４を基板１１側から順に積層した構成を有し、その積層構成は、発光色（赤，緑，青および白）にかかわらず同一である。なお、以下の説明では、赤色フィルタ５０Ｒとの組み合わせにより白色光を赤色光とする有機ＥＬ素子１０を、有機ＥＬ素子１０Ｒという。同様に、緑色フィルタ５０Ｇとの組み合わせにより白色光を緑色光とする有機ＥＬ素子１０を、有機ＥＬ素子１０Ｇという。同様に、青色フィルタ５０Ｂとの組み合わせにより白色光を青色光とする有機ＥＬ素子１０を、有機ＥＬ素子１０Ｂという。また、カラーフィルタ５０を有さず、白色光をそのまま発生する有機ＥＬ素子１０を、有機ＥＬ素子１０Ｗという。
【００８７】
第１電極４１および第３絶縁膜４２は、第１の実施の形態と同様に構成されている。
【００８８】
有機層４３は、例えば、第１電極４１の側から順に、第１正孔注入層，第１正孔輸送層，青発光層，第１電子輸送層および第１電子注入層、接続層、第２正孔注入層，第２正孔輸送層，赤発光層，緑発光層、第２電子輸送層および第２電子注入層を積層した構成を有するが、これらのうち発光層以外の層は必要に応じて設ければよい。第１および第２正孔注入層は、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。第１および第２正孔輸送層は、発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層は、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。第１および第２電子輸送層は、発光層への電子輸送効率を高めるためのものである。第１および第２電子注入層は、例えば厚みが０．３ｎｍ程度であり、ＬｉＦ，Ｌｉ２ Ｏなどにより構成されている。
【００８９】
有機ＥＬ素子１０の第１正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）により構成されている。有機ＥＬ素子１０の第１正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されている。有機ＥＬ素子１０の青発光層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、９，１０−ジ−（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）に４，４´≡ビス［２≡｛４≡（Ｎ，Ｎ≡ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。有機ＥＬ素子１０の第１電子輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、８≡ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３ ）により構成されている。有機ＥＬ素子１０の第１電子注入層は、例えば厚みが０．３ｎｍ程度であり、ＬｉＦ，Ｌｉ２ Ｏなどにより構成されている。有機ＥＬ素子１０の接続層は、例えば、厚みが１ｎｍないし２０ｎｍ程度であり、Ａｌｑ３ にマグネシウム（Ｍｇ）２０重量％混合したものにより構成されている。
【００９０】
有機ＥＬ素子１０の第２正孔注入層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）により構成されている。有機ＥＬ素子１０の第２正孔輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されている。有機ＥＬ素子１０の赤発光層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、９，１０−ジ−（２−ナフチル）アントラセン（ＡＤＮ）に２，６≡ビス［４´≡メトキシジフェニルアミノ）スチリル］≡１，５≡ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。有機ＥＬ素子１０の緑発光層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上５０ｎｍ以下であり、ＡＤＮにクマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を５体積％混合したものにより構成されている。有機ＥＬ素子１０の第２電子輸送層は、例えば、厚みが５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、８≡ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３ ）により構成されている。有機ＥＬ素子１０の第２電子注入層は、例えば厚みが０．３ｎｍ程度であり、ＬｉＦ，Ｌｉ２ Ｏなどにより構成されている。
【００９１】
第２電極４４は、例えば、金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），クロム（Ｃｒ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ），アルミニウム（Ａｌ），モリブデン（Ｍｏ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金よりなる反射電極により構成されている。また、第２電極４４は、これらの金属元素の単体または合金よりなる層と、第１電極４１と同様の透明電極との複合膜により構成されていてもよい。
【００９２】
カラーフィルタ５０は、ＴＦＴ３２と第２絶縁膜３３との間に設けられ、赤色フィルタ５０Ｒ，緑色フィルタ５０Ｇおよび青色フィルタ５０Ｂを有している。赤色フィルタ５０Ｒ，緑色フィルタ５０Ｇおよび青色フィルタ５０Ｂは、それぞれ、有機ＥＬ素子１０の各々に対向する位置に設けられている。赤色フィルタ５０Ｒ，緑色フィルタ５０Ｇおよび青色フィルタ５０Ｂは、顔料を混入した樹脂によりそれぞれ構成されており、顔料を選択することにより、目的とする赤，緑あるいは青の波長域における光透過率が高く、他の波長域における光透過率が低くなるように調整されている。
【００９３】
この表示装置は、例えば、次のようにして製造することができる。
【００９４】
まず、図１４に示したように、第１の実施の形態と同様にして、基板１１の一部（ＴＦＴ３２の形成予定領域の下層）に、ＳｉＮｘよりなる第１干渉層２１，ａ−Ｓｉよりなる第２干渉層２２およびＭｏよりなる反射層２３を順に積層したブラックマトリクス２０を形成する。
【００９５】
次いで、同じく図１４に示したように、第１の実施の形態と同様にして、第１絶縁膜３１およびＴＦＴ３２を形成する。
【００９６】
続いて、同じく図１４に示したように、ＴＦＴ３２の層間絶縁膜３２Ｅ上の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの形成予定領域に、赤色フィルタ５０Ｒ，緑色フィルタ５０Ｇおよび青色フィルタ５０Ｂよりなるカラーフィルタ５０を形成する。
【００９７】
そののち、同じく図１４に示したように、第１の実施の形態と同様にして、接続孔３３Ａを有する第２絶縁膜３３，および第１電極４１を順に形成する。
【００９８】
続いて、同じく図１４に示したように、第１電極４１および第２絶縁膜３３の上に、上述した材料よりなる第３絶縁膜材料膜４２Ｂを形成する。
【００９９】
そののち、同じく図１４に示したように、第３絶縁膜材料膜４２Ｂを、ブラックマトリクス２０をマスクとして基板１１の裏側から露光する。このとき、カラーフィルタ５０（赤色フィルタ５０Ｒ，緑色フィルタ５０Ｇおよび青色フィルタ５０Ｂ）が設けられている部分では、カラーフィルタ５０により露光の光が吸収されるので、第３絶縁膜材料膜４２Ｂの有機ＥＬ素子１０Ｗの形成予定領域のみが露光される。
【０１００】
続いて、図１５に示したように、第３絶縁膜材料膜４２Ｂを、マスク６０を用いて、基板１１の表側から露光する。マスク６０は、透明基材６１の表面に遮光層６２を有している。遮光層６２には、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの形成予定領域に対向して開口６２Ａが設けられているが、有機ＥＬ素子１０Ｗの形成予定領域は遮光層６２により遮光されている。これにより、第３絶縁膜４２Ｂの有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの形成予定領域が露光される。
【０１０１】
これにより、図１６に示したように、第１電極４１に対向して開口部４２Ａを有する第３絶縁膜４２が形成される。ここでは、第３絶縁膜材料膜４２Ｂの有機ＥＬ素子１０Ｗの形成予定領域を、ブラックマトリクス２０をマスクとして基板１１の裏側から露光するようにしたので、有機ＥＬ素子１０Ｗの開口部４２Ａのブラックマトリクス２０に対する位置精度が高くなり、開口率が向上する。
【０１０２】
そののち、第１電極４１および第３絶縁膜４２の上に、例えば蒸着法により、上述した材料よりなる有機層４３および第２電極４４を形成する。これにより、図１３に示した有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗが形成される。
【０１０３】
有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗを形成したのち、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ，１０Ｗの上に保護膜（図示せず）を形成し、接着層（図示せず）を間にして封止用基板（図示せず）を貼り合わせる。以上により、図１，図２および図１３に示した表示装置が完成する。
【０１０４】
この表示装置では、第１の実施の形態と同様にして各画素の有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄｓが注入され、発光が起こる。この光は、第１電極４１，第２絶縁膜３３，第１絶縁膜３１および基板１１を透過して（ボトムエミッション）取り出される。
【０１０５】
ここでは、第３絶縁膜材料膜４２Ｂの有機ＥＬ素子１０Ｗに対向する開口部４２Ａが、ブラックマトリクス２０をマスクとして基板１１の裏側から露光することにより形成されているので、有機ＥＬ素子１０Ｗの開口部４２Ａのブラックマトリクス２０に対する位置精度が高くなっている。外光反射率に一番大きく関与するのは、カラーフィルタ５０を有しない有機ＥＬ素子１０Ｗである。有機ＥＬ素子１０Ｗの開口部４２Ａの位置精度が高くなることにより、有機ＥＬ素子１０Ｗにおける外光反射を抑えることが可能となる。一方、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂではカラーフィルタ５０によりある程度外光が吸収されるので、上述したように基板１１の表側から露光する方法を用いた場合にも外光反射は抑えられる。
【０１０６】
このように本実施の形態では、第３絶縁膜材料膜４２Ｂを、ブラックマトリクス２０をマスクとして基板１１の裏側から露光したのち、マスク６０を用いて基板１１の表側から露光することにより、第１電極４１に対向して開口部４２Ａを有する第３絶縁膜４２を形成するようにしている。よって、有機ＥＬ素子１０Ｗの開口部４２Ａのブラックマトリクス２０に対する位置精度を高めることが可能となり、本実施の形態の表示装置を容易に製造することが可能となる。
【０１０７】
（モジュールおよび適用例）
以下、上述した実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【０１０８】
（モジュール）
上記実施の形態の表示装置は、例えば、図１７に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１１の一辺に、上記実施の形態における封止用基板７０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【０１０９】
（適用例１）
図１８は、上記実施の形態の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【０１１０】
（適用例２）
図１９は、上記実施の形態の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【０１１１】
（適用例３）
図２０は、上記実施の形態の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【０１１２】
（適用例４）
図２１は、上記実施の形態の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【０１１３】
（適用例５）
図２２は、上記実施の形態の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態に係る表示装置により構成されている。
【実施例】
【０１１４】
以下、本発明の具体的な実施例について説明する。
【０１１５】
（実施例１）
上記第１の実施の形態と同様にして表示装置を作製した。その際、ブラックマトリクス２０は、厚み４５ｎｍのＳｉＮｘよりなる第１干渉層２１，厚み１５ｎｍのａ−Ｓｉよりなる第２干渉層２２，および厚い１００ｎｍのＭｏよりなる反射層２３を、基板１１側から順に積層した構成とした。なお、実施例１は、蛍光灯のスペクトルのピークである５４５ｎｍの波長を最も吸収するように構成したものである。
【０１１６】
（実施例２−１）
上記第２の実施の形態と同様にして表示装置を作成した。その際、ブラックマトリクス２０は、厚み４５ｎｍのＳｉＮｘよりなる第１干渉層２１，厚み１５ｎｍのａ−Ｓｉよりなる第２干渉層２２，厚み５ｎｍのＳｉＯ2よりなる位相調整層２４，および厚み１００ｎｍのＭｏよりなる反射層２３を、基板１１側から順に積層した構成とした。なお、実施例２−１は、蛍光灯のスペクトルのピークである５４５ｎｍの波長を最も吸収するように構成したものである。
【０１１７】
（実施例２−２）
上記第２の実施の形態と同様にして表示装置を作成した。その際、ブラックマトリクス２０は、厚み６０ｎｍのＳｉＮｘよりなる第１干渉層２１，厚み１２ｎｍのａ−Ｓｉよりなる第２干渉層２２，厚み５ｎｍのＳｉＯ2よりなる位相調整層２４，および厚み１００ｎｍのＭｏよりなる反射層２３を、基板１１側から順に積層した構成とした。なお、実施例２−２１は、太陽光のスペクトルのピークである４５０ｎｍないし５５０ｎｍの波長帯を最も吸収するように構成したものである。
【０１１８】
（比較例１）
ブラックマトリクスとして、厚み６０ｎｍのＳｉＮ層と厚み１００ｎｍのＭｏ層との積層構造を設けたことを除いては、実施例１と同様にして表示装置を作製した。
【０１１９】
（比較例２）
ブラックマトリクスとして、厚み１５ｎｍのａ−Ｓｉ層と厚み１００ｎｍのＭｏ層との積層構造を設けたことを除いては、実施例１と同様にして表示装置を作製した。
【０１２０】
得られた実施例１，２−１，２−２および比較例１，２の表示装置について、基板１１の裏側における反射率を調べた。その結果を表１に示す。この値は、ガラスの表面反射を含んだ反射率である。また、表１には、反射率が最低となる波長を併せて示す。
【０１２１】
【表１】
2012212622.tif 000003
【０１２２】
表１から分かるように、実施例１，２−１，２−２ではいずれも、比較例１，２に比べて反射率が著しく小さくなっていた。ガラスの表面反射は４％程度である。このことを考えると、実施例１の多層構造のブラックマトリクス２０では反射率が大きく低減されている。実施例２−１，２−２は更に低い。
【０１２３】
すなわち、ブラックマトリクス２０が、第１干渉層２１，第２干渉層２２および反射層２３を基板１１側からこの順に有するようにすれば、光の干渉効果を利用して吸収率を高め、外光反射を抑えることが可能となることが分かった。
【０１２４】
また、第２干渉層２２と反射層２３との間に位相調整層２４を設けるようにすれば、外光反射を更に小さくすることが可能となることが分かった。また、室内使用（蛍光灯）か屋外使用（太陽光）かなど用途に応じて最大吸収波長を調整することが可能となることも分かった。
【０１２５】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本開示を説明したが、本開示は上記実施の形態および実施例に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、ＴＦＴ３２がａ−Ｓｉよりなる半導体膜３２Ｃを備えている場合について説明したが、ＴＦＴ３２は、酸化物半導体または有機半導体（半導体の性質を示す有機材料）よりなる半導体膜を備えたものであることも可能である。
【０１２６】
また、上記実施の形態では、カラーフィルタ５０が赤色フィルタ５０Ｒ，緑色フィルタ５０Ｇおよび青色フィルタ５０Ｂの三色を有する場合について説明したが、カラーフィルタ５０は、黄色および青色の二色を有していてもよい。または、カラーフィルタ５０は、赤，緑および青と、黄色またはシアン色またはマゼンタ色との四色を有していてもよい。
【０１２７】
更に、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【０１２８】
加えて、例えば、上記実施の形態では発光素子が有機ＥＬ素子１０である場合について説明したが、本開示の表示装置は無機ＥＬ素子などの他の発光素子を備えたものでもよい。
【０１２９】
なお、本技術は以下のような構成を取ることも可能である。
（１）
基板の一部に設けられ、第１干渉層，第２干渉層および反射層を前記基板側からこの順に有するブラックマトリクスと、
前記ブラックマトリクス上の領域に設けられた薄膜トランジスタと、
第１電極，発光層を含む有機層および第２電極を前記基板側からこの順に有し、前記第１電極は前記ブラックマトリクスの間の領域に設けられ、前記発光層で発生した光を前記基板の側から取り出す有機ＥＬ素子と
を備えた表示装置。
（２）
前記ブラックマトリクスは、前記第２干渉層と前記反射層との間に位相調整層を有する
前記（１）記載の表示装置。
（３）
前記ブラックマトリクスは、前記基板側から、前記第１干渉層，前記第２干渉層，前記反射層，第３干渉層，第４干渉層を順に有する
前記（１）記載の表示装置。
（４）
前記ブラックマトリクスは、前記第２干渉層と前記反射層との間に第１位相調整層を有し、前記反射層と前記第３干渉層との間に第２位相調整層を有する
前記（１）記載の表示装置。
（５）
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極，ゲート絶縁膜，半導体膜を有し、
前記第１干渉層および前記第４干渉層は前記ゲート絶縁膜と同じ材料により構成され、前記反射層は前記ゲート電極と同じ材料により構成されている
前記（１）ないし（４）のいずれか１項に記載の表示装置。
（６）
前記薄膜トランジスタは、ゲート電極，ゲート絶縁膜，半導体膜を有し、
前記第２干渉層および前記第３干渉層は前記半導体膜と同じ材料により構成されている
前記（１）ないし（５）のいずれか１項に記載の表示装置。
（７）
基板の一部に、第１干渉層，第２干渉層および反射層を前記基板側からこの順に有するブラックマトリクスを形成する工程と、
前記ブラックマトリクス上の領域に薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記ブラックマトリクスの間の領域に第１電極を形成する工程と、
前記第１電極の上に絶縁膜材料膜を形成したのち、前記絶縁膜材料膜を、前記ブラックマトリクスをマスクとして前記基板の裏側から露光することにより、前記第１電極に対向して開口部を有する絶縁膜を形成する工程と、
前記第１電極および前記絶縁膜の上に、発光層を含む有機層を形成する工程と、
前記有機層の上に第２電極を形成することにより、前記第１電極，前記発光層を含む前記有機層および前記第２電極を前記基板側からこの順に有し、前記発光層で発生した光を前記基板の側から取り出す有機ＥＬ素子を形成する工程と
を含む表示装置の製造方法。
【符号の説明】
【０１３０】
１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ…有機ＥＬ素子、１１…基板、２０…ブラックマトリクス、２１…第１干渉層、２２…第２干渉層、２３…反射層、２４…位相調整層、２５…第３干渉層、２６…第４干渉層、２７…第１位相調整層、２８…第２位相調整層、３１…第１絶縁膜、３２…ＴＦＴ、３３…第２絶縁膜、４１…第１電極、４２…第３絶縁膜、４３…有機層、４４…第２電極、５０…カラーフィルタ、１１０…表示領域、１２０…信号線駆動回路、１３０…走査線駆動回路、１４０…画素駆動回路、Ｔｒ１，Ｔｒ２…トランジスタ。
【図１】
2012212622.tif 000004
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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