(57)【要約】【課題】磁気記録媒体に磁気転写する情報信号が書き込まれ、繰り返し磁気転写に使用できる使用可能回数が十分に多い耐久性に優れたマスター情報担体を提供する。【解決手段】磁気記録媒体に磁気転写する情報信号が書き込まれた磁性層１０１と、最表面に配置された潤滑剤層１０３とを備え、潤滑剤層１０３が、ベンゼン環の水素原子と、２以上の水酸基を末端に有するパーフルオロエーテル基と、を２以上置換した化合物を含有し、マスター情報担体Ｍをオクタメチルシクロテトラシロキサンを含む空気に大気圧で８時間以上曝露した後の、当該マスター情報担体Ｍの表面のシロキサンの付着量が、曝露する前の付着量の４倍以下となるものであるマスター情報担体とする。【選択図】図１
2012022741.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録媒体に磁気転写する情報信号が書き込まれた磁性層と、最表面に配置された潤滑剤層とを備えたマスター情報担体であって、前記潤滑剤層が、ベンゼン環の水素原子と、２以上の水酸基を末端に有するパーフルオロエーテル基と、を２以上置換した化合物を含有し、前記マスター情報担体をオクタメチルシクロテトラシロキサンを含む空気に大気圧で８時間以上曝露した後の、当該マスター情報担体の表面のシロキサンの付着量が、曝露する前の付着量の４倍以下となるものであることを特徴とするマスター情報担体。
【請求項２】
前記化合物が、下記式（１）に示す化学式を有し、平均分子量が１０００〜５０００の範囲内であることを特徴とする請求項１に記載のマスター情報担体。
但し、下記式（１）において、ｐ及びｑは整数を示す。
【化１】
2012022741.tif 000010
【請求項３】
前記潤滑剤層の膜厚が、５Å〜３０Åの範囲内であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のマスター情報担体。
【請求項４】
前記磁性層が、前記情報信号に対応する形状の凸部を備えるものであることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載のマスター情報担体。
【請求項５】
基板上に磁性層を形成する工程と、前記磁性層に情報信号を書き込む情報信号書き込み工程とを備え、前記情報信号書き込み工程において、前記磁性層の形成された複数枚の前記基板の前記磁性層に対し、請求項１〜請求項４のいずれかに記載のマスター情報担体を用いて、繰り返し前記情報信号を磁気転写することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記情報信号書き込み工程を行う前に、前記磁性層上に保護層と潤滑層とを順に積層することを特徴とする請求項５に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
前記情報信号書き込み工程において１枚以上の前記基板の前記磁性層に対して前記情報信号を磁気転写してから、次の前記基板の前記磁性層に対して前記情報信号を磁気転写するまでの間、または前記情報信号書き込み工程を行う前に、前記マスター情報担体を洗浄する工程を行うことを特徴とする請求項５または請求項６に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サーボ信号等の磁気記録媒体に磁気転写する情報信号の書き込まれたマスター情報担体および、このマスター情報担体を用いて磁気記録媒体に情報信号の磁気転写を行う磁気記録媒体の製造方法に関し、特に、繰り返し磁気転写に使用できる回数の多いマスター情報担体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、磁気記録再生装置の一種であるハードディスク装置（ハードディスクドライブ）においては、記録密度が年１．５倍以上増えており、今後もその増加傾向が続くと言われている。ハードディスク装置の記録密度の増大に伴って、高記録密度化に適した磁気ヘッド及び磁気記録媒体の開発が進められている。最新の磁気記録媒体においては、トラック密度は３２０ｋＴＰＩにも達している。
【０００３】
高いトラック密度を有する磁気記録媒体では、磁気ヘッドをトラック上で正確に走査するために、磁気ヘッドのトラッキングサーボ技術が重要な役割を果たしている。現在のハードディスクドライブには、ディスクの１周中、一定の角度間隔でトラッキング用のサーボ信号や、アドレス情報信号、再生クロック信号などのサーボ信号等の情報信号が記録されている。そして、磁気ヘッドから一定間隔の時間で再生されるこれらの情報信号によって、磁気ヘッドの位置を検出しながら、磁気ヘッドが正確にトラック上を走査するように磁気ヘッドの位置を修正する制御が行われている。
【０００４】
上述したサーボ信号等は、磁気ヘッドが正確にトラック上を走査するための基準信号となる。このため、サーボ信号等の書き込みには高い位置決め精度が求められる。
従来のハードディスクドライブの製造現場では、高精度の位置検出装置を組み込んだサーボ信号記録装置（以下、サーボライタという。）を用いて、磁気記録媒体に対するサーボ信号の書き込みを行っている。サーボライタは、一般に、生産性を高めるために、一つのスピンドルに多数枚の磁気記録媒体をチャッキングして、多数枚の磁気記録媒体に対して同時にサーボ信号等を書き込む構造となっている。
【０００５】
サーボライタを用いてサーボ信号を書き込む場合、磁気ヘッドを高精度に位置決めしながら多数のトラックに亘って信号を書き込むため、長い時間が必要であり、生産性が低いという課題がある。この課題を解決するためには、同時にサーボ信号を書き込む磁気記録媒体の枚数を多くすればよい。
しかしながら、同時にサーボ信号を書き込む磁気記録媒体の枚数を増やすためにサーボライタの数を増やすと、サーボライタの維持管理に多額のコストがかかる。また、サーボライタのスピンドルを長くして、同時にチャッキングできる磁気記録媒体の枚数を増やすと、サーボ信号を書き込む際の磁気記録媒体にブレが生じ易くなり、磁気記録媒体に対するサーボ信号の書き込み精度が低下する。このため、１つのスピンドルにチャッキングできる磁気記録媒体の枚数に限界があり、同時にチャッキングできる磁気記録媒体の枚数を増やすことは困難であった。
【０００６】
さらに、上述したサーボライタの数を増やす場合の問題や、同時にチャッキングできる磁気記録媒体の枚数を増やす場合の問題は、磁気記録媒体のトラック密度が向上し、トラック数が多くなるほど深刻となる。
そこで、サーボライタを用いることなく、磁気記録媒体にサーボ信号等の書き込みを行う技術が提案されている。具体的には、サーボ信号等の情報信号の書き込まれたマスター情報担体と磁気記録媒体とを重ね合わせ、外部から転写用のエネルギーを与えることにより、マスター情報担体に書き込まれた情報信号を磁気記録媒体に磁気転写する技術が提案されている。
【０００７】
例えば、特許文献１および特許文献２には、基体の表面に情報信号に対応する凹凸形状が形成されたマスター情報坦体表面を磁気記録媒体の表面に接触させることにより、マスター情報坦体表面の凹凸形状に対応する磁化パターンを磁気記録媒体に記録する技術が記載されている。
磁気記録媒体に磁気転写されるサーボ信号等の情報信号が書き込まれたマスター情報担体を用いて、磁気記録媒体に情報信号の磁気転写を行う場合、サーボライタを用いる場合と比較して、磁気記録媒体に対する情報信号の書き込み作業を短時間で行うことができる。
また、特許文献１には、磁気記録媒体の表面に存在する突起を除去する技術として、バーニッシュ処理が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−００６１６９号公報
【特許文献２】特開平１０−４０５４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
磁気転写に用いられる情報信号の書き込まれたマスター情報担体は、非常に高価なものであるが、磁気記録媒体に情報信号を転写する際に繰り返し使用できるものである。このため、マスター情報担体の繰り返し磁気転写に使用できる回数（使用可能回数）をより多くして、磁気記録媒体の製造単価を低下させ、情報信号の書き込まれた磁気記録媒体の商業生産にマスター情報担体を適用できるようにすることが要求されている。
マスター情報担体の使用可能回数をより多くする方法としては、磁気転写を行う前に、磁気記録媒体の表面の突起物や埃等を除去しておくことにより、マスター情報担体の表面の摩耗を抑制する方法が考えられる。磁気記録媒体の表面の突起物や埃等を除去する方法としては、バーニッシュ処理や織布等を用いたワイピング処理、湿式洗浄などがある。
【００１０】
しかしながら、磁気転写を行う前に、磁気記録媒体の表面の突起物や埃等を除去しても、マスター情報担体が摩耗によって破損に至る前に、転写パターンが不完全となる場合があった。このため、従来の技術では、マスター情報担体の使用可能回数を、商業生産に適用するのに十分な回数まで多くすることは困難であった。
【００１１】
本発明は、このような事情に鑑みて提案されたものであり、磁気記録媒体に磁気転写する情報信号が書き込まれ、繰り返し磁気転写に使用できる使用可能回数が十分に多い耐久性に優れたマスター情報担体を提供することを目的とする。
また、本発明は、使用可能回数が十分に多い本発明のマスター情報担体を用いて、磁気記録媒体に情報信号を磁気転写する工程を備える磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意検討を行った。その結果、磁気記録媒体に繰り返し磁気転写を行うことによって、マスター情報担体の表面に少しずつ汚れが蓄積されて、磁気記録媒体に転写された転写パターンが不完全となる場合があることが分かった。
さらに、本発明者は、マスター情報担体の表面に蓄積された汚れの原因について検討を重ねた。その結果、汚れの主な原因は、磁気記録媒体の表面に塗布されている潤滑剤の内でフリールブと呼ばれる磁気記録媒体表面との付着力の弱い潤滑剤が、磁気記録媒体に磁気転写を行う度に、磁気記録媒体からマスター情報担体の表面に少しずつ転写されて蓄積されたものであることが分かった。そしてこのフリールブは凝集しやすく、この凝集物が大気中の不純物を徐々に吸収し、これがマスター情報担体の表面を腐食させ、この腐食物が汚れの原因であることが分かった。
【００１３】
磁気記録媒体の表面に塗布されている潤滑剤に起因するマスター情報担体の汚れの問題を解決するためには、磁気記録媒体の表面に潤滑剤を塗布する前に、磁気記録媒体に情報信号を磁気転写すればよい。しかしながら、表面に潤滑剤を塗布する前の磁気記録媒体に情報信号を磁気転写したとしても、以下に示すように、繰り返し磁気転写に使用できるマスター情報担体の使用可能回数を多くすることは困難であった。
【００１４】
すなわち、磁気記録媒体は、通常、基板上に磁性層と保護層と潤滑層とが順に積層された構造を有している。したがって、表面に潤滑剤を塗布して潤滑層を形成する前に、磁気記録媒体に情報信号を磁気転写する場合、情報信号の磁気転写される表面には、磁性層の損傷を防ぐために設けられた硬質炭素膜などからなる硬い保護層が露出されていることになる。このため、磁気記録媒体に情報信号を磁気転写する際に、磁気記録媒体の表面に露出されている保護層とマスター情報担体とが接触して、マスター情報担体の摩耗を促進させてしまう。したがって、表面に潤滑剤を塗布する前に磁気記録媒体に情報信号を磁気転写した場合、潤滑剤に起因するマスター情報担体の汚れの問題は解決できるが、表面に潤滑剤を塗布した後の磁気記録媒体に情報信号を磁気転写した場合と比較して、繰り返し磁気転写に使用できるマスター情報担体の使用可能回数を多くすることは困難であった。
【００１５】
そこで、本発明者らは、表面に汚れが蓄積されにくいマスター情報担体とするべく、鋭意検討を行った。
その結果、マスター情報担体の最表面に汚れの付きにくい潤滑剤層を設ければよいことを見出し、本発明を完成するに至った。すなわち、本発明は、以下の手段を提供する。
【００１６】
（１）  磁気記録媒体に磁気転写する情報信号が書き込まれた磁性層と、最表面に配置された潤滑剤層とを備えたマスター情報担体であって、前記潤滑剤層が、ベンゼン環の水素原子と、２以上の水酸基を末端に有するパーフルオロエーテル基と、を２以上置換した化合物を含有し、前記マスター情報担体をオクタメチルシクロテトラシロキサンを含む空気に大気圧で８時間以上曝露した後の、当該マスター情報担体の表面のシロキサンの付着量が、曝露する前の付着量の４倍以下となるものであることを特徴とするマスター情報担体。
【００１７】
（２）  前記化合物が、下記式（１）に示す化学式を有し、平均分子量が１０００〜５０００の範囲内であることを特徴とする（１）に記載のマスター情報担体。
但し、下記式（１）において、ｐ及びｑは整数を示す。
【００１８】
【化１】
2012022741.tif 000003
【００１９】
（３）  前記潤滑剤層の膜厚が、５Å〜３０Åの範囲内であることを特徴とする（１）または（２）に記載のマスター情報担体。
（４）  前記磁性層が、前記情報信号に対応する形状の凸部を備えるものであることを特徴とする（１）〜（３）のいずれかに記載のマスター情報担体。
【００２０】
（５）  基板上に磁性層を形成する工程と、前記磁性層に情報信号を書き込む情報信号書き込み工程とを備え、前記情報信号書き込み工程において、前記磁性層の形成された複数枚の前記基板の前記磁性層に対し、（１）〜（４）のいずれかに記載のマスター情報担体を用いて、繰り返し前記情報信号を磁気転写することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
（６）  前記情報信号書き込み工程を行う前に、前記磁性層上に保護層と潤滑層とを順に積層することを特徴とする（５）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
（７）  前記情報信号書き込み工程において１枚以上の前記基板の前記磁性層に対して前記情報信号を磁気転写してから、次の前記基板の前記磁性層に対して前記情報信号を磁気転写するまでの間、または前記情報信号書き込み工程を行う前に、前記マスター情報担体を洗浄する工程を行うことを特徴とする（５）または（６）に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【発明の効果】
【００２１】
本発明のマスター情報担体は、磁気記録媒体に磁気転写する情報信号が書き込まれた磁性層と、最表面に配置された潤滑剤層とを備えたマスター情報担体であって、前記潤滑剤層が、ベンゼン環の水素原子と、２以上の水酸基を末端に有するパーフルオロエーテル基と、を２以上置換した化合物を含有し、前記マスター情報担体をオクタメチルシクロテトラシロキサンを含む空気に大気圧で８時間以上曝露した後の、当該マスター情報担体の表面のシロキサンの付着量が、曝露する前の付着量の４倍以下となるものであるので、表面に汚れが蓄積されにくいものとなる。すなわち、本発明の潤滑剤層は、磁気記録媒体表面に塗布された潤滑剤に含まれるフリールブを転写されにくくし、また僅かに転写されたフリールブを凝集させずに潤滑剤層に取り込み、そしてこの取り込んだフリールブに大気中の不純物を吸収させにくくする。また本願発明の潤滑剤層は、大気中の不純物からマスター情報担体を保護する効果が強いものである。
【００２２】
したがって、情報信号が書き込まれる磁気記録媒体が、最表面に潤滑剤を塗布してなる潤滑層が形成されているものであったとしても、本発明のマスター情報担体は、繰り返し磁気転写に使用できる使用可能回数が十分に多く、耐久性に優れたものとなる。
【００２３】
また、本発明の磁気記録媒体の製造方法は、本発明のマスター情報担体を用いて、磁性層の形成された複数枚の前記基板の前記磁性層に対し、繰り返し前記情報信号を磁気転写する方法であるので、１枚のマスター情報担体の使用可能回数が十分に多くなる。その結果、本発明の磁気記録媒体の製造方法によれば、磁気記録媒体の生産コストを大幅に低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１は、本発明のマスター情報担体の一例の一部を拡大して示した拡大断面図である。
【図２】図２は、本発明の磁気記録媒体の製造方法をもちいて製造された磁気記録媒体の一例を示す断面図である。
【図３】図３は、本発明の磁気記録媒体の製造方法において磁気記録媒体の磁性層に情報信号を書き込む工程を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明のマスター情報担体および磁気記録媒体の製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。なお、以下の説明で用いる図面は、特徴をわかりやすくするために、便宜上特徴となる部分を模式的に示している場合があり、各部の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。
【００２６】
「マスター情報担体」
図１は、本発明のマスター情報担体の一例の一部を拡大して示した拡大断面図である。図１に示すマスター情報担体Ｍは、基材１００と、基材１００上に形成された磁性層１０１と、磁性層１０１上に形成された保護層１０２と、保護層１０２上に形成された潤滑剤層１０３とを備えている。図１に示すように、潤滑剤層１０３は、マスター情報担体Ｍの最表面に配置されている。
【００２７】
基材１００は、ＮｉまたはＮｉ合金などの精密加工可能な金属などの材料からなるものであり、Ｎｉからなるものであることが好ましい。基材１００は、図１に示すように、表面に基材凸部１００ａと基材凹部１００ｂとを備えるものである。
また、基材１００と磁性層１０１との間には、Ｒｕ膜などからなる下地層が設けられていてもよい。
【００２８】
磁性層１０１は、図１に示すように、基材１００の表面に形成された基材凸部１００ａおよび基材凹部１００ｂの形状に沿って形成されている。このことにより、磁性層１０１は、磁気記録媒体に磁気転写する情報信号が書き込まれたものとされている。基材１００上に形成された磁性層１０１のうち、基材１００の基材凸部１００ａ上に形成された磁性層凸部１０１ａは、磁気記録媒体に磁気転写する情報信号に対応する形状のものであり、磁気記録媒体の磁気転写に用いられる。また、磁性層１０１のうち、基材１００の基材凹部１００ｂ上に形成された磁性層凹部１０１ｂは、磁気記録媒体に磁気転写する際に磁気記録媒体と接触しない部分であり、磁気記録媒体の磁気転写には用いられない。
磁性層１０１としては、従来公知の材料を用いることができ、具体的には、後述する磁気記録媒体の磁性層に用いることのできる材料などを使用することができる。
【００２９】
保護層１０２は、磁性層１０１と潤滑剤層１０３との間に設けられている。保護層１０２は、マスター情報担体Ｍの磁性層１０１の腐食を防ぐとともに、マスター情報担体Ｍの耐摩耗性を高め、マスター情報担体Ｍの繰り返し磁気転写に使用できる使用可能回数を増やすためのものである。保護層１０２としては、従来公知の材料を用いることができ、例えば、数ｎｍ程度の厚さの硬質炭素膜などを用いることができる。保護層１０２が炭素膜からなるものである場合、化学的に安定で耐性の高いものとなる。
【００３０】
潤滑剤層１０３は、ベンゼン環の水素原子と、２以上の水酸基を末端に有するパーフルオロエーテル基と、を２以上置換した化合物（以下、単に「末端に２つの水酸基を有するパーフルオロエーテル基が結合した化合物」という場合がある）を含有するものである。このような潤滑剤層１０３は、マスター情報担体Ｍの最表面に配置してシロキサン化合物を含む雰囲気に曝露された際に、マスター情報担体Ｍの表面への吸着量が低いものである。具体的には、潤滑剤層１０３は、マスター情報担体Ｍをオクタメチルシクロテトラシロキサンを含む空気に大気圧で８時間以上曝露した後の、マスター情報担体Ｍの表面のシロキサンの付着量が、曝露する前の付着量の４倍以下となるものである。
【００３１】
潤滑剤層１０３は保護層１０２の全表面を被覆しているわけではなく、保護層１０２の表面にアイランド状または網目状に形成されている。したがって、環境汚染物質は、潤滑剤層１０３を容易にすり抜け、その下の保護層１０２の表面に達する。そして、保護層１０２が炭素膜からなるものである場合など、保護層１０２の表面に「極性サイト」が存在する場合、保護層１０２の「極性サイト」には環境汚染物質が付着する。保護層１０２に付着した環境汚染物質は、その箇所で凝集してマスター情報担体Ｍを汚染すると共に、保護層１０２を通り抜けて磁性層１０１に達し、磁性層１０１を腐食させて磁気特性を低下させる。また、磁性層１０１の腐食物は、保護層１０２の表面に拡散し、マスター情報担体Ｍを用いて磁気記録媒体に磁気転写する際に磁気記録媒体を汚染する。
【００３２】
保護層１０２に付着する環境汚染物質としては、例えば、イオン性不純物が挙げられる。イオン性不純物に含まれる金属イオンとしては、例えば、ナトリウムイオン、カリウムイオンなどが挙げられる。また、イオン性不純物に含まれる無機イオンとしては、例えば、シリコンイオン、塩素イオン、ＨＣＯ３イオン、ＨＳＯ４イオン、硫酸イオン、アンモニアイオン、シュウ酸イオン、蟻酸イオンなどが挙げられる。
【００３３】
本実施形態においては、潤滑剤層１０３がベンゼン環の水素原子と、２以上の水酸基を末端に有するパーフルオロエーテル基と、を２以上置換した化合物を含有するものであり、化合物の骨格中には極性の大きい官能基として水酸基（−ＯＨ）とベンゼン環（フェニレン（―Ｃ６Ｈ４―））とが含有されている。潤滑剤層１０３に含まれる極性の大きい官能基は、マスター情報担体Ｍの最表面に潤滑剤層１０３が形成されることにより、保護層１０２の表面の官能基である「極性サイト」と強固に結合されている。そして、本実施形態のマスター情報担体Ｍでは、潤滑剤層１０３と保護層１０２とが強固に結合されていることにより、マスター情報担体Ｍの表面の環境汚染物質に対する耐性が高められ、また磁気記録媒体Ｗからのフリールブを寄せ付けない効果がある。加えて、仮に潤滑剤層１０３内に磁気記録媒体から転写されたフリールブが混入しても、このフリールブを潤滑剤層１０３に均一に取り込み、フリールブを介した汚れが蓄積されにくいものとなっている。
【００３４】
本実施形態のマスター情報担体Ｍにおいて、潤滑剤層１０３と保護層１０２との結合力を評価する方法としては、シロキサンのマスター情報担体Ｍの表面への吸着量を用いることができる。
シロキサン（ｓｉｌｏｘａｎｅ）は、ケイ素と酸素を骨格とする化合物であり、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合（シロキサン結合）を持つものの総称である。シロキサンは、一般式、Ｒ３ＳｉＯ−（Ｒ２ＳｉＯ）ｎ−ＳｉＲ３（Ｒはアルキル基を示す）で表すことができる。
【００３５】
本実施形態において、マスター情報担体Ｍの表面のシロキサンの吸着率を測定する際には、シロキサンとしてオクタメチルシクロテトラシロキサンを用いる。オクタメチルシクロテトラシロキサンは、保護層１０２の「極性サイト」に結合されるものであって、「極性サイト」に潤滑剤層１０３に含まれる極性の大きい官能基が結合している場合は「極性サイト」に結合されないものである。
【００３６】
したがって、マスター情報担体Ｍを、オクタメチルシクロテトラシロキサンを含む雰囲気に曝露し、オクタメチルシクロテトラシロキサンのマスター情報担体Ｍの表面への吸着量を調べることにより、保護層１０２の「極性サイト」と潤滑剤層１０３に含まれる極性の大きい官能基との結合力を定量化できるとともに、マスター情報担体Ｍの環境汚染物質に対する耐性を定量化できる。
【００３７】
マスター情報担体Ｍの表面のシロキサンの吸着量は、２次イオン質量分析計などを用いて測定できる。
本実施形態においては、マスター情報担体Ｍを、オクタメチルシクロテトラシロキサンを含む空気に大気圧で曝露する時間は、８時間以上としている。曝露時間を８時間以上とすることで、オクタメチルシクロテトラシロキサンを、潤滑剤層１０３に含まれる極性の大きい官能基の結合していない保護層１０２の「極性サイト」に確実に結合させることができるため、シロキサンの吸着量が安定する。したがって、潤滑剤層１０３と保護層１０２との結合力を評価する信頼性に優れた方法として、シロキサンのマスター情報担体Ｍの表面への吸着量を用いることができる。
【００３８】
また、オクタメチルシクロテトラシロキサンを含む空気にマスター情報担体Ｍを曝露する際における空気中のオクタメチルシクロテトラシロキサンの割合は、０．１〜５体積％であることが好ましく、０．２〜２体積％の範囲がより好ましく、０．５〜１体積％の範囲が特に好ましい。オクタメチルシクロテトラシロキサンの割合が０．１体積％未満であると、シロキサンの吸着量が飽和せず再現性に乏しくなるために好ましくなく、５体積％を超えると、過剰分が表面に堆積する場合があるために好ましくない。オクタメチルシクロテトラシロキサンの割合が０．２〜２体積％の範囲、より好ましくは０．５〜１体積％の範囲であると、シロキサンの吸着量が安定するために好ましい。
【００３９】
マスター情報担体Ｍの表面のシロキサンの吸着率は、４倍以下とされ、好ましくは３倍以下、より好ましくは１．５倍以下とされる。シロキサンの吸着率が４倍を超えると、マスター情報担体Ｍの表面に汚れが蓄積されやすくなり、繰り返し磁気転写に使用できる使用可能回数が十分に多い耐久性に優れたマスター情報担体Ｍが得られない。
【００４０】
また、潤滑剤層１０３に含まれるベンゼン環の水素原子と、２以上の水酸基を末端に有するパーフルオロエーテル基と、を２以上置換した化合物において、ベンゼン環に２つのパーフルオロエーテル基が結合する位置は、オルト、メタ、パラの何れでも可能である。なお、パーフロロポリエーテル化合物の分子量が大きいことを考慮すると、潤滑剤層１０３に含まれる化合物として、下記式（２）に示される化合物のように、パーフロロポリエーテル化合物がパラの位置に結合したものを用いることが好ましい。
【００４１】
【化２】
2012022741.tif 000004
【００４２】
上記式（２）において、ｐ及びｑは整数を示している。また、上記式（２）に示す化合物の平均分子量は、１０００〜５０００の範囲内であることが好ましい。
【００４３】
潤滑剤層１０３に含まれる化合物が、上記式（２）に示される化合物である場合、潤滑剤層１０３と保護層１０２とをより強固に結合できることに加え、保護層１０２の表面における潤滑剤層１０３の配列を規則的なものとすることができる。上記式（２）に示される化合物としては、ＡＲＪ−ＤＤ（商品名、松村石油研究所（ＭＯＲＥＳＣＯ）社製）、またはこれらの関連物質を出発原料として合成、精製して得た反応生成物などが挙げられる。
【００４４】
また、潤滑剤層１０３に含まれる化合物は、ベンゼン環の水素原子と、３以上の水酸基を末端に有するパーフルオロエーテル基とを、１以上置換した化合物（以下、単に「末端に３つの水酸基を有するパーフルオロエーテル基が結合した化合物」という場合がある）であることが好ましい。このことにより、化合物に含まれる極性の大きい官能基を増やすことが可能となり、潤滑剤層１０３の極性の大きい官能基と保護層１０２の「極性サイト」との結合をより高めることができる。
【００４５】
また、潤滑剤層１０３に含まれる化合物は、単一の化合物であってもよいが、２種類以上の化合物であってもよい。
潤滑剤層１０３に含まれる化合物が単一の化合物である場合、化合物が規則的に網目状に配列しやすくなるが、化合物からなる網目の空隙をぬって環境汚染物質が保護層１０２の表面に付着する場合がある。これに対し、潤滑剤層１０３に含まれる化合物が２種類以上の化合物である場合、化合物からなる規則的な網目状の配列の空隙を、他の化合物で埋めることができるので、潤滑剤層１０３による保護層１０２の表面の被覆率を高めることができる。
【００４６】
潤滑剤層１０３に含まれる化合物が２種類以上の化合物である場合、少なくとも、末端に２つの水酸基を有するパーフルオロエーテル基が結合した化合物からなる第１成分と、第１成分に対して分子量が３倍〜１／３倍である他の化合物とを含むことが好ましい。この場合、第１成分が形成する網目の空隙に、容易に他の化合物が埋め込まれるものとなるため、潤滑剤層１０３による保護層１０２の表面の被覆率をより一層高めることができる。
【００４７】
また、潤滑剤層１０３に含まれる化合物が２種類以上の化合物である場合、末端に２つの水酸基を有するパーフルオロエーテル基が結合した化合物からなる第１成分を、潤滑剤層１０３中に５０質量％以上含有させることが好ましく、７０質量％以上含有させることがより好ましく、８０質量％以上含有させることがさらに好ましい。
潤滑剤層１０３中における第１成分の含有量を５０質量％未満とすると、潤滑剤層１０３と保護層１０２との結合力が低下するために好ましくない。また、第１成分の含有量が９０質量％を超えると、保護膜表面での化合物の規則配列性が高まり空隙が生じやすくなるために好ましくない。
【００４８】
また、潤滑剤層１０３に含まれる化合物が２種類以上の化合物である場合、潤滑剤層１０３中における第１成分以外の化合物の含有量を５質量％以上とすることが好ましく、１０質量％以上とすることがより好ましく、２０質量％以上とすることがさらに好ましい。
潤滑剤層１０３に含まれる化合物が２種類以上の化合物である場合、潤滑剤層１０３中における第１成分以外の化合物の含有量が５質量％未満であると、第１成分以外の化合物による第１成分からなる規則的な網目状の配列の空隙を埋める効果が不十分となる恐れがある。
【００４９】
潤滑剤層１０３に含まれる化合物が２種類以上である場合、具体的には例えば、末端に２つの水酸基を有するパーフルオロエーテル基が結合した化合物と、末端に３つの水酸基を有するパーフルオロエーテル基が結合した化合物と、を含有することが好ましい。
また、潤滑剤層１０３に含まれる化合物が２種類以上である場合、上記式（２）に示す末端に２つの水酸基を有するパーフルオロエーテル基が結合した化合物及び末端に３つの水酸基を有するパーフルオロエーテル基が結合した化合物の他に、以下の化学式（３）〜（７）から選ばれる化合物を１以上含有してもよい。化学式（３）、化学式（４）、化学式（５）、化学式（６）は、パーフルオロポリエーテル化合物である。また、化学式（７）は、パーフルオロオキシアルキレン単位を有するホスファゼン化合物である。
【００５０】
【化３】
2012022741.tif 000005
【００５１】
【化４】
2012022741.tif 000006
【００５２】
【化５】
2012022741.tif 000007
【００５３】
【化６】
2012022741.tif 000008
【００５４】
【化７】
2012022741.tif 000009
【００５５】
なお、上記化学式（３）〜（６）に示す化合物は、その構造中に少なくとも１つ以上の（Ａ）または（Ｂ）で表される末端官能基構造を有する。また、上記化学式（７）中、ｘは１〜５の整数であり、Ｒ１は水素原子、炭素数１〜４のアルキル基又は炭素数１〜４のハロゲン化アルキル基のいずれかであり、Ｒ２は末端基が−ＣＨ２ＯＨ又は−ＣＨ（ＯＨ）ＣＨ２ＯＨのパーフルオロポリエーテル鎖である。なお、上記化学式（７）中のＲ２のパーフルオロポリエーテル鎖は繰り返し単位として(ＣＦ２ＣＦ２Ｏ)，(ＣＦ２Ｏ)，(ＣＦ２ＣＦ２ＣＦ２Ｏ)のうち少なくとも１つ以上を含む。
【００５６】
なお、上記化学式（３）〜（６）に示す化合物としては、例えば、Ｆｏｍｂｌｉｎ  Ｚ−ＤＯＬ（商品名、Ｓｏｌｖａｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ社製）、Ｆｏｍｂｌｉｎ  Ｚ−ＴＥＴＲＡＯＬ（商品名、Ｓｏｌｖａｙ  Ｓｏｌｅｘｉｓ社製）、又はこれらの関連物質を出発原料として合成、精製して得た反応生成物を挙げることができる。
また、化学式（７）の化合物としては、Ｘ−１ｐ（商品名、ＤｏｗＣｈｅｍｉｃａｌ社製）、ＭＯＲＥＳＣＯ  ＰＨＯＳＰＨＡＲＯＬ  Ａ２０Ｈ−２０００（商品名、松村石油研究所（ＭＯＲＥＳＣＯ）社製）、Ａ２０Ｈ−ＤＤ（商品名、松村石油研究所（ＭＯＲＥＳＣＯ）社製）、またはこれらの関連物質を出発原料として合成、精製して得た反応生成物を挙げることができる。
【００５７】
また、潤滑剤層１０３の平均膜厚は、０．５ｎｍ（５Å）〜３ｎｍ（３０Å）の範囲内であることが好ましく、より好ましくは５Å〜２０Åの範囲内、最も好ましくは８Å〜１４Åの範囲内とする。潤滑剤層１０３の平均膜厚が０．５ｎｍ（５Å）〜３ｎｍ（３０Å）の範囲内である場合、潤滑剤層１０３による保護層１０２の表面の被覆率が十分に得られ、マスター情報担体Ｍの保護効果を高めることができるので、シロキサン等の環境汚染物質に対する耐吸着性に優れたマスター情報担体Ｍとなる。
【００５８】
図１に示すマスター情報担体を製造するには、まず、マスター情報担体Ｍを作製するための原盤を形成する。
原盤は、公知の方法によって製造できる。例えば、シリコンウェハの表面にスピンコート法によりレジストを塗布した後、電子線露光装置を用いてレジストに電子ビームを照射し、レジストの露光・現像を行う。その後、レジストの未露光部分を除去することによって、シリコンウェハ上に、磁気記録媒体に磁気転写される情報信号に対応したレジストパターンを形成する。
【００５９】
次に、このレジストパターンをマスクにして、シリコンウェハに対して反応性エッチング処理を行い、レジストパターンでマスクされていない箇所を掘り下げる。その後、シリコンウェハ上に残存するレジストを溶剤で除去し、シリコンウェハを乾燥させることによって、マスター情報担体Ｍを作製するための原盤とする。
【００６０】
次に、この原盤上に、スパッタ法などによりＮｉからなる導電層を１０ｎｍ程度の厚みで形成する。続いて、導電層の形成された原盤を母型として用い、電鋳法により原盤上に数ミクロン厚のＮｉ層を形成する。その後、原盤からＮｉ層を外し、洗浄等を行うことにより、図１に示すように、表面に基材凸部１００ａと基材凹部１００ｂとを備えるＮｉからなる基材１００とする。
【００６１】
次に、図１に示すように、基材１００上に、スパッタ法など公知の方法を用いて、基材１００の表面に形成された基材凸部１００ａおよび基材凹部１００ｂの形状に沿って磁性層１０１を形成する。
続いて、磁性層１０１上に、ＣＶＤ法など公知の方法を用いて保護層１０２を形成する。
【００６２】
その後、保護層１０２上に、以下に示す方法などによって潤滑剤層１０３を形成する。
潤滑剤層１０３は、潤滑剤層形成用溶液（塗布溶液）を調製し、潤滑剤層形成用溶液を保護層１０２上に塗布する方法により形成する。
潤滑剤層形成用溶液を調製する方法としては、ベンゼン環の水素原子と、２以上の水酸基を末端に有するパーフルオロエーテル基と、を２以上置換した化合物を含むものであって、通常、粘度の大きい油状液体である潤滑剤を、溶媒で希釈し、塗布方法に適した濃度とする方法が挙げられる。潤滑剤層形成用溶液に含まれる溶媒としては、例えば、バートレルＸＦ（商品名、三井デュポンフロロケミカル社製）等のフッ素系溶媒などが挙げられる。
【００６３】
潤滑剤層形成用溶液を保護層１０２上に塗布する方法としては、スピンコート法やディップ法などを用いることができる。例えば、ディップ法により、潤滑剤層形成用溶液を保護層１０２上に塗布する場合、ディップコート装置の浸漬槽に潤滑剤層形成用溶液を入れ、浸漬槽中に保護層１０２までの各層の形成された基材１００を浸漬し、所定の速度で浸漬槽から基材１００を引き上げることにより、保護層１０２上に均一な膜厚の潤滑剤層１０３を形成する方法などを用いることができる。
【００６４】
次に、このようにして形成された潤滑剤層１０３を加熱する工程と、潤滑剤層１０３に紫外線を照射する工程を行う。潤滑剤層１０３を加熱する工程および潤滑剤層１０３に紫外線を照射する工程を行うことによって、潤滑剤層１０３を形成する際に用いた塗布溶液に含まれる溶媒を除去できるとともに、潤滑剤層１０３の極性官能基と保護層１０２の表面の官能基との結合力をより高めることができる。
【００６５】
潤滑剤層１０３を加熱する工程における加熱温度は、潤滑剤層１０３に悪影響を及ぼすことなく、塗布溶液に含まれる溶媒を効果的に除去できるように、塗布溶液に含まれる溶媒の沸点温度以上から潤滑剤の分解温度以下の範囲であることが好ましい。具体的には、潤滑剤層１０３を加熱する工程における加熱温度は、４０℃〜２００℃の範囲内とすることが好ましく、より好ましくは８０℃〜１３０℃の範囲内である。
また、潤滑剤層１０３を加熱する工程における加熱時間は、加熱温度に応じて適宜決定できるが、好ましくは３０秒〜１２０分の範囲内、より好ましくは１分〜２０分の範囲内とする。
【００６６】
次に、潤滑剤層１０３に紫外線を照射する工程を行う。潤滑剤層１０３に紫外線を照射する工程においては、照射強度を０．５〜１００（ｍＷ／ｃｍ２）の範囲内とすることが好ましく、１〜５０（ｍＷ／ｃｍ２）の範囲内とすることがより好ましい。また、潤滑剤層１０３に紫外線を照射する工程においては、照射時間を０．１秒〜３０分の範囲内とすることが好ましく、１秒〜３０秒の範囲内とすることがより好ましい。
【００６７】
また、潤滑剤層１０３に紫外線を照射する工程においては、光源として低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、エキシマランプ等の公知の光源を用いることができる。光源としては、潤滑剤層１０３と保護層１０２との結合力を高めるために、高い光エネルギーが得られる波長２６０ｎｍ以下の低波長光のスペクトルを持つ低圧水銀ランプやエキシマランプを用いることが好ましい。
【００６８】
また、潤滑剤層１０３に紫外線を照射する工程においては、紫外線によって大気中の酸素が分解されてなるオゾンによって、潤滑剤が分解されてしまう場合がある。そのため、潤滑剤層１０３に紫外線を照射する際には、窒素ガス雰囲気、アルゴンガス雰囲気、真空中などの無酸素雰囲気で行なうことが好ましい。
なお、潤滑剤層１０３を加熱する工程は、潤滑剤層１０３に紫外線を照射する工程を行う前に行ってもよいし、後に行ってもよいが、紫外線を照射する工程を行う前に行うことが好ましい。
【００６９】
以上の工程を経ることによって、磁気記録媒体に磁気転写する情報信号の書き込まれたマスター情報担体Ｍが得られる。
【００７０】
本実施形態のマスター情報担体Ｍは、磁気記録媒体に磁気転写する情報信号が書き込まれた磁性層１０１と、最表面に配置された潤滑剤層１０３とを備えるものであるので、表面に汚れが蓄積されにくいものとなる。したがって、情報信号の書き込まれる磁気記録媒体が、最表面に潤滑剤を塗布してなる潤滑層が形成されているものであったとしても、潤滑剤がマスター情報担体Ｍの最表面に転写されにくく、マスター情報担体Ｍの潤滑剤に起因する汚れが蓄積されにくい。よって、本実施形態のマスター情報担体Ｍは、繰り返し磁気転写に使用できる使用可能回数が十分に多く、耐久性に優れたものとなる。
【００７１】
「磁気記録媒体」
図２は、本発明の磁気記録媒体の製造方法を用いて製造された磁気記録媒体の一例を示す断面図である。図２に示す磁気記録媒体Ｗは、非磁性基板３１上に、軟磁性下地層３２と、配向制御層３３と、垂直磁性層３４と、保護層３５と、潤滑層３６とが順次積層されたものである。磁気記録媒体Ｗの垂直磁性層３４には、サーボ信号等に対応した磁化パターンからなる情報信号が磁気転写により書き込まれている。
【００７２】
非磁性基板３１としては、例えば、アルミニウムやアルミニウム合金などの金属材料からなる金属基板や、ガラス、セラミック、シリコン、シリコンカーバイド、カーボンなどの非金属材料からなる非金属基板などを用いることができる。また、非磁性基板３１としては、金属基板や非金属基板の表面に、例えばメッキ法やスパッタ法などを用いて、ＮｉＰ層やＮｉＰ合金層などが形成されたものを用いることもできる。
【００７３】
非磁性基板３１として用いられるガラス基板としては、例えば、アモルファスガラスや結晶化ガラスなどを用いることができる。アモルファスガラスとしては、例えば、汎用のソーダライムガラスや、アルミノシリケートガラスなどを用いることができる。また、結晶化ガラスとしては、例えば、リチウム系結晶化ガラスなどを用いることができる。
非磁性基板３１として用いられるセラミック基板としては、例えば、汎用の酸化アルミニウムや、窒化アルミニウム、窒化珪素などを主成分とする焼結体、又はこれらの繊維強化物などを用いることができる。
【００７４】
非磁性基板３１は、平均表面粗さ（Ｒａ）が１ｎｍ（１０Å）以下、好ましくは０．５ｎｍ以下であることが、磁気ヘッドを低浮上させた高記録密度記録に適している点から好ましい。また、端面のチャンファー部の面取り部と側面部との少なくとも一方の表面平均粗さ（Ｒａ）が１０ｎｍ以下、より好ましくは９．５ｎｍ以下のものを用いることが、磁気ヘッドの飛行安定性にとって好ましい。
また、非磁性基板３１は、表面の微小うねり（Ｗａ）が０．３ｎｍ以下、より好ましくは０．２５ｎｍ以下であることが、磁気ヘッドを低浮上させた高記録密度記録に適している点から好ましい。なお、微少うねり（Ｗａ）は、例えば、表面荒粗さ測定装置Ｐ−１２（ＫＬＭ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）を用い、測定範囲８０μｍでの表面平均粗さとして測定することができる。
【００７５】
また、非磁性基板３１と軟磁性下地層３２の間には、密着層を設けることが好ましい。非磁性基板３１は、Ｃｏ又はＦｅが主成分となる軟磁性下地層３２と接することで、表面の吸着ガスや水分の影響、基板成分の拡散などにより、腐食が進行する可能性がある。非磁性基板３１と軟磁性下地層３２の間に密着層を設けることにより、非磁性基板３１の腐食を抑制できる。密着層の材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｃｒ合金、Ｔｉ、Ｔｉ合金などを適宜選択できる。また、密着層の厚みは特に限定されないが、非磁性基板３１の腐食を効果的に抑制するために、２ｎｍ（２０Å）以上であることが好ましい。
【００７６】
軟磁性下地層３２は、図２に示すように、スペーサ層３２ｂにより反強磁性結合させた２層の軟磁性層３２ａを含むものであことが好ましい。
軟磁性層３２ａとしては、Ｆｅ：Ｃｏを４０：６０〜７０：３０（原子比）の範囲で含む材料を用いることが好ましい。また、軟磁性層３２ａは、透磁率および耐食性を高めるために、Ｔａ、Ｎｂ、Ｚｒ、Ｃｒの中から選ばれる何れか１種を１〜８原子％の範囲で含有するものであることが好ましい。
スペーサ層３２ｂとしては、Ｒｕ、Ｒｅ、Ｃｕ等を用いることができるが、中でも特にＲｕを用いることが好ましい。
【００７７】
配向制御層３３は、垂直磁性層３４の結晶粒を微細化して、記録再生特性を改善するものである。配向制御層３３としては、特に限定されるものではないが、ｈｃｐ構造、ｆｃｃ構造、アモルファス構造を有する材料を用いることが好ましい。特に、配向制御層３３として、Ｒｕ系合金、Ｎｉ系合金、Ｃｏ系合金、Ｐｔ系合金、Ｃｕ系合金からなるものを用いることが好ましい。また、配向制御層３３は、これらの合金を多層化してなるものであってもよく、例えば、基板側からＮｉ系合金とＲｕ系合金とを積層した多層構造や、Ｃｏ系合金とＲｕ系合金とを積層した多層構造、Ｐｔ系合金とＲｕ系合金とを積層した多層構造などを採用することが好ましい。
【００７８】
本実施形態の磁気記録媒体Ｗにおいては、図２に示すように、配向制御層３３と垂直磁性層３４との間に非磁性下地層３８が設けられている。配向制御層３３直上に垂直磁性層３４が配置されている場合、配向制御層３３直上の垂直磁性層３４にノイズの原因となる結晶成長の乱れが生じやすい。本実施形態においては、配向制御層３３と垂直磁性層３４との間に非磁性下地層３８が設けられているので、配向制御層３３の直上の結晶成長の乱れが生じやすい部分が、垂直磁性層３４から非磁性下地層３８に置き換えられたものとなり、垂直磁性層３４の結晶成長の乱れに起因するノイズの発生を抑制できる。
【００７９】
非磁性下地層３８としては、Ｃｏを主成分とし、更に酸化物を含んだ材料からなるものを用いることが好ましい。Ｃｒの含有量は、２５原子％以上、５０原子％以下とすることが好ましい。非磁性下地層３８に含まれる酸化物としては、例えばＣｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏなどの酸化物を用いることが好ましく、中でも特に、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＳｉＯ２などを用いることが好ましい。非磁性下地層３８に含まれる酸化物の含有量としては、例えばＣｏ、Ｃｒ、Ｐｔ等の合金を１つの化合物として算出したｍｏｌ総量に対して、３ｍｏｌ％以上、１８ｍｏｌ％以下とすることが好ましい。
なお、図２に示すように、配向制御層３３と垂直磁性層３４の間に非磁性下地層３８が設けられていることが好ましいが、設けられていなくてもよい。
【００８０】
本実施形態の磁気記録媒体Ｗにおいて、垂直磁性層３４は、下層の磁性層３４ａと、中層の磁性層３４ｂと、上層の磁性層３４ｃの３層を含み、磁性層３４ａと磁性層３４ｂの間に非磁性層３７ａが挟み込まれ、磁性層３４ｂと磁性層３４ｃの間に非磁性層３７ｂが挟み込まれることにより、磁性層３４ａ〜３４ｃと非磁性層３７ａ，３７ｂとが交互に積層された構造を有している。
【００８１】
磁性層３４ａ，３４ｂは、グラニュラー構造のものであることが好ましく、Ｃｏを主成分とし、更に酸化物を含んだ材料を用いることが好ましい。磁性層３４ａ，３４ｂに含まれる酸化物としては、例えばＣｒ、Ｓｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｇ、Ｃｏなどの酸化物を用いることが好ましく、中でも特に、ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３、ＳｉＯ２などが好適に用いられる。
また、下層の磁性層３４ａは、酸化物を２種類以上添加した複合酸化物を含むものであることが好ましい。中でも特に、Ｃｒ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３−ＴｉＯ２、Ｃｒ２Ｏ３−ＳｉＯ２−ＴｉＯ２などを好適に用いることができる。
【００８２】
磁性層３４ａ，３４ｂに適した材料としては、例えば、９０（Ｃｏ１４Ｃｒ１８Ｐｔ）−１０（ＳｉＯ２）｛Ｃｒ含有量１４原子％、Ｐｔ含有量１８原子％、残部Ｃｏからなる磁性粒子を１つの化合物として算出したモル濃度が９０ｍｏｌ％、ＳｉＯ２からなる酸化物組成が１０ｍｏｌ％｝、９２（Ｃｏ１０Ｃｒ１６Ｐｔ）−８（ＳｉＯ２）、９４（Ｃｏ８Ｃｒ１４Ｐｔ４Ｎｂ）−６（Ｃｒ２Ｏ３）の他、（ＣｏＣｒＰｔ）−（Ｔａ２Ｏ５）、（ＣｏＣｒＰｔ）−（Ｃｒ２Ｏ３）−（ＴｉＯ２）、（ＣｏＣｒＰｔ）−（Ｃｒ２Ｏ３）−（ＳｉＯ２）、（ＣｏＣｒＰｔ）−（Ｃｒ２Ｏ３）−（ＳｉＯ２）−（ＴｉＯ２）、（ＣｏＣｒＰｔＭｏ）−（ＴｉＯ）、（ＣｏＣｒＰｔＷ）−（ＴｉＯ２）、（ＣｏＣｒＰｔＢ）−（Ａｌ２Ｏ３）、（ＣｏＣｒＰｔＴａＮｄ）−（ＭｇＯ）、（ＣｏＣｒＰｔＢＣｕ）−（Ｙ２Ｏ３）、（ＣｏＣｒＰｔＲｕ）−（ＳｉＯ２）などの組成物を挙げることができる。
【００８３】
また、上層の磁性層３４ｃは、酸化物を含まない磁性層とすることが好ましい。上層の磁性層３４ｃに適した材料としては、具体的には、上述した磁性層３４ａ，３４ｂに適した材料から酸化物を除いた材料などが挙げられる。
【００８４】
なお、垂直磁性層３４は、４層以上の磁性層で構成してもよい。例えば、グラニュラー構造の磁性層を上記磁性層３４ａ，３４ｂに１層加えて３層で構成し、その上に、酸化物を含まない磁性層３４ｃを設けた４層構造の垂直磁性層としてもよいし、グラニュラー構造の磁性層３４ａ，３４ｂの上に、酸化物を含まない磁性層３４ｃを２層構造として設けた４層構造の垂直磁性層３４としてもよい。
【００８５】
また、垂直磁性層３４を構成する３層以上の磁性層間には、非磁性層３７ａ、３７ｂが設けられていることが好ましい。非磁性層３７ａ、３７ｂを適度な厚みで設けることで、個々の膜の磁化反転が容易になり、磁性粒子全体の磁化反転の分散を小さくすることができる。その結果Ｓ／Ｎ比をより向上させることが可能である。非磁性層３７ａ、３７ｂには、従来公知の材料を用いることができ、例えばＲｕ，Ｒｅ，Ｃｕなどを用いることが可能である。
【００８６】
保護層３５は、垂直磁性層３４の腐食を防ぐと共に、磁気ヘッドが磁気記録媒体Ｗに接触したときの表面の損傷を防ぐためのものである。保護層３５には、従来公知の材料を用いることができ、例えばＣ、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２などを含むものを用いることが可能である。保護層３５の厚みは、１〜１０ｎｍとすることが、磁気ヘッドと磁気記録媒体Ｗとの距離を小さくできるので高記録密度の点から好ましい。
【００８７】
潤滑層３６は、マスター情報担体Ｍを用いて、磁気記録媒体Ｗの磁性層３４に情報信号を書き込む際に、保護層３５がマスター情報担体Ｍに接触して、マスター情報担体Ｍの摩耗を促進させることを防止するものである。潤滑層３６としては、従来公知の材料を用いることができ、例えば、パーフルオロポリエーテル、フッ素化アルコール、フッ素化カルボン酸などの潤滑剤を保護層３５上に塗布することによって形成できる。
【００８８】
「磁気記録媒体の製造方法」
図２に示す磁気記録媒体Ｗを製造するには、まず、非磁性基板３１上に、密着層と、軟磁性下地層３２と、配向制御層３３と、非磁性下地層３８と、垂直磁性層３４と、保護層３５と、潤滑層３６とを順次積層する積層構造形成工程を行う。その後、本実施形態においては、磁気記録媒体Ｗの磁性層３４に情報信号を書き込む情報信号書き込み工程を行う。
【００８９】
積層構造形成工程は、公知の方法によって行うことができる。例えば、非磁性基板３１上に、スパッタ法などを用いて、密着層、軟磁性層３２ａとスペーサ層３２ｂと軟磁性層３２ａとからなる軟磁性下地層３２、配向制御層３３、非磁性下地層３８、下層の磁性層３４ａと非磁性層３７ａと中層の磁性層３４ｂと非磁性層３７ｂと上層の磁性層３４ｃとからなる垂直磁性層３４を下から順に積層する。その後、ＣＶＤ法などを用いて保護層３５を成膜する。次いで、保護層３５上に潤滑剤を塗布する方法などによって潤滑層３６を形成する。
【００９０】
本実施形態においては、磁気記録媒体Ｗの磁性層３４に情報信号を書き込む情報信号書き込み工程に際して、マスター情報担体Ｍを定期的に洗浄する工程を設けるのが好ましい。定期的にとは、例えば、５０００回〜５００００回の磁気転写工程ごとに、マスター情報担体Ｍの洗浄工程を設けることを指す。また洗浄工程に用いる洗浄液によっては、マスター情報担体Ｍの表面に塗布した潤滑剤層が取れてしまう場合があるので、この場合はマスター情報担体Ｍの洗浄後、潤滑剤層の塗布工程を設ける。
【００９１】
本実施形態では、情報信号書き込み工程において、マスター情報担体Ｍとして、最表面に潤滑剤層１０３が配置された図１に示すマスター情報担体Ｍを用いる。潤滑剤層１０３が最表面に設けられていることにより、マスター情報担体Ｍの表面に汚れが蓄積されにくくなるだけでなく、表面に付着した汚れが落ちやすくなる。したがって、情報信号書き込み工程を行う前に、マスター情報担体Ｍを洗浄することで、容易に非常に清浄な表面を有するマスター情報担体Ｍが得られる。また、マスター情報担体Ｍを洗浄してから情報信号書き込み工程を行う場合、非常に清浄な表面を有するマスター情報担体Ｍを用いて、磁気記録媒体Ｗの磁性層３４に情報信号を書き込むので、マスター情報担体の表面に汚れが蓄積されることによって、磁気記録媒体Ｗに転写された転写パターンが不完全となることをより効果的に抑制できる。したがって、マスター情報担体Ｍの繰り返し磁気転写に使用できる使用可能回数をより一層多くすることができる。
【００９２】
本実施形態のマスター情報担体Ｍは、表面に付着した汚れが落ちやすいものであるので、公知のいかなる方法であっても、容易に効果的に洗浄でき、清浄な表面が得られる。このため、マスター情報担体Ｍを洗浄する工程において用いる洗浄方法は、特に限定されない。例えば、マスター情報担体Ｍを洗浄する方法として、洗浄液が層流の状態で流れる洗浄槽内にマスター情報担体Ｍを浸漬する方法や、ワイピング処理、スピン洗浄などから選ばれる１種または２種以上の方法を１回以上用いることができる。
【００９３】
中でも特に、洗浄液が層流の状態で流れる洗浄槽内にマスター情報担体Ｍを浸漬する方法は、金属腐食物に代表されるイオン性の不純物等が汚れとして蓄積している場合に、これらをマスター情報担体の表面から効率よく除去することが可能であるため好ましい。
また、マスター情報担体Ｍを、洗浄液が層流の状態で流れる洗浄槽内に浸漬して洗浄する方法では、洗浄槽内で洗浄液を横方向に流しながら、マスター情報担体Ｍを洗浄することが好ましい。この場合、汚染物質を含む洗浄液を浸漬槽の外へと速やかに排出することができるため、マスター情報担体Ｍの表面に汚染物質が再付着することを防止できる。その結果、従来の方法では得られない清浄な表面を有するマスター情報担体Ｍが得られる。
【００９４】
マスター情報担体Ｍを洗浄する工程において、洗浄液を用いてマスター情報担体Ｍを洗浄する場合、洗浄液として、水素水を含む洗浄液を用いることが好ましい。水素水とは、超純水又は純水に高純度の水素ガスを溶解したものであり、水のクラスターを小さくして洗浄能力を高めたものである。洗浄液として、水素水を含む洗浄液を用いた場合、洗浄液によるマスター情報担体Ｍの腐食が発生しにくく、磁気記録媒体からマスター情報担体Ｍに転写された金属腐食物等からなる汚れを高い洗浄力で除去できる。特に、水素水中の溶存水素濃度を０．１ｐｐｍ〜５ｐｐｍの範囲とし、水素水の酸化還元電位を−２００ｍＶ〜−８００ｍＶの範囲とすることによって、その機能を高めることが可能となる。
【００９５】
また、マスター情報担体Ｍを洗浄する工程は、多段工程であってもよい。多段工程としては、例えば、マスター情報担体Ｍを、水素水とアルカリとを含む洗浄液を用いて洗浄した後、水素水を含み且つアルカリを含まない洗浄液を用いて洗浄する方法が挙げられる。マスター情報担体Ｍを、水素水とＫＯＨ、ＮＨ４ＯＨ、ＮａＯＨ等のアルカリとを含む洗浄液を用いて洗浄した場合、洗浄液として水素水のみを用いた場合と比較して、洗浄力を高めることができる。
【００９６】
しかしながら、洗浄後のマスター情報担体Ｍの表面にアルカリが残留すると、マスター情報担体Ｍの汚染原因となる。
洗浄後のマスター情報担体Ｍへのアルカリの残留を防ぐためには、洗浄液に含有されるアルカリとして、ＫＯＨ又はＮＨ４ＯＨを用いることが好ましく、洗浄液中のアルカリの含有濃度を０．０５ｐｐｍ〜５ｐｐｍの範囲とすることが好ましい。また、マスター情報担体Ｍをアルカリと水素水とを含む洗浄液を用いて洗浄した後に、アルカリを含まずに水素水を含む洗浄液を用いて洗浄することが好ましい。このような多段工程を行うことで、マスター情報担体Ｍへのアルカリの残留を防止しつつ、マスター情報担体Ｍに対する洗浄力を高めることが可能である。
【００９７】
また、マスター情報担体Ｍを洗浄する方法としてワイピング処理を行う場合、例えば、布製などのワイピングテープを磁気記録媒体Ｗの表面に対して相対走行させつつ、ゴム製のコンタクトロール又はパッドによってワイピングテープの表面を磁気記録媒体Ｗの表面に押し当てることにより、媒体表面を軽く拭く方法を用いることができる。このようなワイピング処理を行うことにより、磁気記録媒体Ｗの表面に付着したスパッタダスト等の汚れを除去できる。
【００９８】
マスター情報担体Ｍを洗浄する工程は、上述したように、情報信号書き込み工程を行う前に行ってもよいが、後述する情報信号書き込み工程において、１枚以上の基板の磁性層（本実施形態においては、積層構造形成工程において形成された潤滑層３６までの各層を備える非磁性基板３１の磁性層３４）に対して、情報信号を磁気転写してから、次の基板の磁性層に対して情報信号を磁気転写するまでの間に行ってもよい。この場合、マスター情報担体Ｍを洗浄する工程は、以下に示すように、定期的に行うことが好ましい。
【００９９】
すなわち、マスター情報担体Ｍの汚れは、主に情報信号書き込み工程を繰り返し行うことにより、情報信号を磁気転写される磁気記録媒体Ｗからマスター情報担体Ｍに少しずつ転写されて蓄積されるフリールブによって引き起こされる。蓄積されたフリールブは大気中の不純物を吸収し、徐々にマスター情報担体Ｍの転写面に浸食して、マスター情報担体Ｍによる転写精度を低下させる。したがって、マスター情報担体Ｍを洗浄する工程は、汚れの蓄積によってマスター情報担体Ｍの転写精度が低下する前に、定期的に行うことが好ましい。具体的には、５０００〜５００００枚の基板に対して情報信号を磁気転写する毎に、マスター情報担体Ｍを洗浄する工程を行うことが好ましい。
【０１００】
次に、磁気記録媒体Ｗの磁性層３４が設けられている側の面である信号記録面を初期磁化する。信号記録面の初期磁化は、面内磁気記録媒体を製造する場合は、トラック方向の一方向に初期直流磁界を印加することにより行い、垂直磁気記録媒体を製造する場合は、媒体表面に対して垂直な方向の一方向に初期直流磁界を印加することにより行う。初期磁化に用いられる初期直流磁界は、永久磁石や電磁石を用いて磁気記録媒体Ｗに印加することが可能である。初期直流磁界の印加は、磁気記録媒体Ｗと非接触の状態で行うことが、磁気記録媒体Ｗの表面の清浄性を維持する上で好ましい。また、永久磁石としては、より安定で磁力の強いＮｄＦｅＢ系の焼結磁石を用いることが好ましい。
【０１０１】
次に、磁気記録媒体Ｗの磁性層３４に情報信号を書き込む情報信号書き込み工程を行う。
情報信号書き込み工程においては、マスター情報担体Ｍを用いて、磁気記録媒体Ｗの磁性層３４に情報信号を磁気転写することにより、磁気記録媒体Ｗにサーボ信号等に対応した情報信号を書き込む。
図３は、本発明の磁気記録媒体の製造方法において磁気記録媒体の磁性層に情報信号を書き込む工程を説明するための断面図である。図３においては、図面を見やすくするために、マスター情報担体Ｍにおいては基材１００と磁性層１０１のみ、磁気記録媒体Ｗにおいては非磁性基板３１と磁性層３４のみを図示し、マスター情報担体Ｍおよび磁気記録媒体Ｗを構成するそれ以外の部材についての図示を省略する。
【０１０２】
情報信号書き込み工程においては、まず、初期磁化の終わった磁気記録媒体Ｗの信号記録面（磁性層３４側の面）と、洗浄済のマスター情報担体Ｍの磁性層１０１側の面とを接触させた状態で、所定の押圧力で密着させる。そして、図３に示すように、マスター情報担体Ｍの基材１００側の面から、磁界生成手段Ｇを用いて、磁界生成手段Ｇを相対的にトラック方向Ｘに移動させながら、マスター情報担体Ｍおよび磁気記録媒体Ｗに転写用の外部磁界を印加する。
【０１０３】
情報信号書き込み工程において用いられる磁界生成手段Ｇは、電磁石や永久磁石によって構成されるものである。磁界生成手段Ｇは、磁気記録媒体Ｗの半径方向において同一方向の外部磁界を発生させながら、磁気記録媒体Ｗの中心にトラック方向Ｘに回転移動させることが可能となっているものである。
面内磁気記録媒体に情報信号を書き込む場合は、トラック方向の他方向に転写用の外部磁界を発生させる。また、垂直磁気記録媒体に情報信号を書き込む場合は、媒体表面に対して垂直な方向の他方向に転写用の外部磁界を発生させる。なお、転写用の外部磁界は、磁気記録媒体Ｗを初期磁化する際に印加した初期直流磁界とは逆方向となる磁界である。
【０１０４】
このように、マスター情報担体Ｍおよび磁気記録媒体Ｗに転写用の外部磁界を印加することにより、図３に示すように、磁気記録媒体Ｗの磁性層３４における、マスター情報担体Ｍの転写パターンを構成する磁性層凸部１０１ａおよび磁性層凹部１０１ｂと対向する箇所で磁化反転が生じる。その結果、マスター情報担体Ｍに書き込まれたサーボ信号等に対応する情報信号である磁化パターンが、磁気記録媒体Ｗの磁性層３４に磁気転写されて書き込まれる。
【０１０５】
なお、本実施形態においては、磁気記録媒体Ｗとして、図２に示すように、非磁性基板３１の一方の面にのみ磁性層３４を含む各層が設けられているものを例に挙げて説明したが、図２に示す非磁性基板３１上に設けられている各層は、非磁性基板３１の両面に設けられていてもよい。
【０１０６】
磁気記録媒体Ｗが、非磁性基板３１の両面に磁性層３４を含む各層が設けられているものである場合、情報信号書き込み工程は、磁気記録媒体Ｗの両面を一対のマスター情報担体Ｍで挟み込み、各マスター情報担体Ｍの基材１００側の面から、磁界生成手段Ｇを用いてマスター情報担体Ｍおよび磁気記録媒体Ｗに転写用の外部磁界を印加する方法によって行うことが好ましい。これにより、磁気記録媒体Ｗの両面に容易に効率よくサーボ信号等に対応する情報信号を書き込むことができる。
【０１０７】
本実施形態の磁気記録媒体Ｗの製造方法は、最表面に配置された潤滑剤層１０３を備えるマスター情報担体Ｍを用いて、非磁性基板３１の磁性層３４に情報信号を磁気転写する方法であるので、１枚のマスター情報担体Ｍの使用可能回数を十分に多くすることができる。その結果、本実施形態の磁気記録媒体Ｗの製造方法によれば、磁気記録媒体Ｗの生産コストを大幅に低減できる。
【実施例】
【０１０８】
以下、実施例により本発明の効果をより明らかなものとする。なお、本発明は、以下に示す実施例に限定されるものではなく、その要旨を変更しない範囲で適宜変更して実施できる。
（実施例１）
＜マスター情報担体の製造＞
表面に２７１ｋトラック／インチのサーボ信号等の転写パターンに対応する形状を有する基材凸部と基材凹部とを備えるＮｉからなる基材を用意した。なお、基材の磁気記録媒体Ｗに磁気転写される情報信号に対応するトラックは幅１２０ｎｍ、トラック間隔は６０ｎｍであり、基材凸部と基材凹部との段差（転写パターンの段差）は４５ｎｍであった。
【０１０９】
このような基材上に、ＤＣスパッタリング法を用いて、層厚１０ｎｍのＲｕ膜からなる下地層を基材凸部および基材凹部の形状に沿って形成した。その後、下地層上に基材凸部および基材凹部の形状に沿って、ＤＣスパッタリング法を用いて、層厚２０ｎｍの７０Ｃｏ−５Ｃｒ−１５Ｐｔ−１０ＳｉＯ２合金膜と、層厚１５ｎｍの８０Ｃｏ−５Ｃｒ−１５Ｐｔ合金膜とからなる磁性層とを順次積層し、磁気記録媒体Ｗに磁気転写される情報信号が書き込まれた磁性層を形成した。
【０１１０】
次に、磁性層上に、ＣＶＤ法により、層厚２０ｎｍの炭素膜からなる保護層を形成した。
その後、保護層上に、上記式（２）で示される化合物であるＡＲＪ−ＤＤ（商品名、松村石油研究所（ＭＯＲＥＳＣＯ）社製、平均分子量約３０００）を、ディップ法を用いて塗布した。その後、８０℃で６０秒間ベーキング処理し、潤滑剤層を形成することによって、実施例１のマスター情報担体Ｍを得た。潤滑剤層の厚さは２ｎｍとした。
なお、得られたマスター情報担体Ｍを内容積１リットルの密閉容器に入れ、この容器内にオクタメチルシクロテトラシロキサン５０μＬをマイクロシリンジにて滴下して、オクタメチルシクロテトラシロキサンを含む空気に大気圧で８時間以上曝露した後、このマスター情報担体Ｍの表面のシロキサンの付着量をＳＩＭＳ（二次イオン質量分析計）で調べたところ、曝露する前の付着量に対して２倍であった。
【０１１１】
＜磁気記録媒体の製造＞
非磁性基板として、洗浄済みのガラス基板（コニカミノルタ社製、外形２．５インチ）を用意し、ＤＣマグネトロンスパッタ装置（アネルバ社製Ｃ−３０４０）の成膜チャンバ内に収容して、到達真空度１×１０−５Ｐａとなるまで成膜チャンバ内を排気した。
その後、ガラス基板の上に６０Ｃｒ−４０Ｔｉターゲットを用いて層厚１０ｎｍの密着層を成膜した。
【０１１２】
次に、密着層の上に４６Ｆｅ−４６Ｃｏ−５Ｚｒ−３Ｂ｛Ｆｅ含有量４６原子％、Ｃｏ含有量４６原子％、Ｚｒ含有量５原子％、Ｂ含有量３原子％｝のターゲットを用いて１００℃以下の基板温度で、層厚３４ｎｍの軟磁性層、層厚０．７６ｎｍのＲｕ層、層厚３４ｎｍの４６Ｆｅ−４６Ｃｏ−５Ｚｒ−３Ｂの軟磁性層を成膜し、これを軟磁性下地層とした。
次に、軟磁性下地層の上に、Ｎｉ−６Ｗ｛Ｗ含有量６原子％、残部Ｎｉ｝ターゲット、Ｒｕターゲットを用いて、それぞれ５ｎｍ、２０ｎｍの層厚で順に成膜し、これを配向制御層とした。
【０１１３】
次に、配向制御層の上に、スパッタ法を用いて多層構造の磁性層として、８４（Ｃｏ１２Ｃｒ１６Ｐｔ）−１６ＴｉＯ２（膜厚３ｎｍ）、９１（Ｃｏ５Ｃｒ２２Ｐｔ）−４ＳｉＯ２−３Ｃｒ２Ｏ３−２ＴｉＯ２（膜厚３ｎｍ）、Ｒｕ４７．５Ｃｏ（膜厚０．５ｎｍ）、Ｃｏ１５Ｃｒ１６Ｐｔ６Ｂ（膜厚３ｎｍ）を積層した。
【０１１４】
次に、ＣＶＤ法により層厚２．５ｎｍの炭素膜からなる保護層を成膜した。
次に、保護層上に、ディッピング法によりパーフルオロポリエーテルからなる潤滑剤を塗布することによって、厚さ１５オングストロームの潤滑層を形成した。以上の工程により、磁気記録媒体Ｗを得た。
【０１１５】
次に、磁気記録媒体Ｗの磁性層が設けられている側の面である信号記録面を初期磁化し、磁気記録媒体Ｗの磁性層に情報信号を書き込む情報信号書き込み工程を行った。
情報信号書き込み工程においては、初期磁化の終わった磁気記録媒体Ｗの信号記録面と、マスター情報担体Ｍの磁性層側の面とを接触させた状態で、所定の押圧力で密着させ、マスター情報担体Ｍの基材側の面から、磁界生成手段を用いて、磁界生成手段Ｇを相対的にトラック方向Ｘに移動させながら、マスター情報担体Ｍおよび磁気記録媒体Ｗに転写用の外部磁界を印加し、マスター情報担体Ｍに書き込まれたサーボ信号等に対応する情報信号である磁化パターンを、磁気記録媒体Ｗの磁性層に磁気転写して書き込んだ。
【０１１６】
以上の方法で２万枚の磁気記録媒体の磁気転写を行うごとに、マスター情報担体Ｍの洗浄を行った。マスター情報担体Ｍの洗浄は、磁気転写装置から、マスター情報担体Ｍを取り外し、３段の洗浄工程で行った。具体的には、各洗浄工程に用いた洗浄槽は何れもＳＵＳ製で容積が２０リットル、その内部に５００Ｗの超音波振動が加えられる。そして各洗浄槽に、超純水を用いて製造した溶存水素濃度１．５ｐｐｍ、酸化還元電位−５５０ｍＶの水素水１５リットルを入れ、さらに１段目の洗浄槽には、ＫＯＨを０．１ｐｐｍ添加した。この３段の洗浄槽に順にマスター情報担体Ｍを浸漬し各洗浄槽で３０秒間洗浄した。洗浄後のマスター情報担体Ｍはドライエアを用いて引き上げ乾燥させた。
その後、マスター情報担体Ｍにディップ法を用いて前述と同様の条件で潤滑剤層を形成した。
【０１１７】
このような情報信号書き込み工程を複数回行って、繰り返し磁気転写に使用できるマスター情報担体の使用可能回数を調べた。その結果、実施例１では、２３１０００回の磁気転写が可能であった。
【０１１８】
（比較例１）
潤滑剤層を設けないこと以外は、実施例１と同様にして、磁気記録媒体の製造を行った。なお、２万枚の磁気記録媒体の磁気転写ごとのマスター情報担体Ｍの洗浄は行った。その結果、比較例１では、１６５０００回の磁気転写が可能であった。
【符号の説明】
【０１１９】
３１…非磁性基板  ３２…軟磁性下地層  ３２ａ…軟磁性層  ３２ｂ…スペーサ層  ３３…配向制御層  ３４…垂直磁性層  ３４ａ，３４ｂ，３４ｃ…磁性層  ３５…保護層  ３６…潤滑層  ３７ａ，３７ｂ…非磁性層  ３８…非磁性下地層  １００…基材  １００ａ…基材凸部  １００ｂ…基材凹部  １０１…磁性層  １０１ａ…磁性層凸部  １０１ｂ…磁性層凹部  １０２…保護層  １０３…潤滑剤層  Ｗ…磁気記録媒体  Ｍ…マスター情報担体  Ｇ…磁界生成手段
【図１】
2012022741.tif 000011
【図２】
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【図３】
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