(57)【要約】【課題】希土類焼結磁石の磁気特性を向上させることができる希土類焼結磁石の製造方法を提供する。【解決手段】発明に係る希土類焼結磁石の製造方法は、Ｒ2Ｔ14Ｂ（Ｒは１種類以上の希土類元素を表し、ＴはＦｅ又はＦｅ及びＣｏを含む１種以上の遷移金属元素を表し、ＢはＢ又はＢ及びＣを表す）化合物を含む主相と、前記Ｒ2Ｔ14Ｂ化合物よりＲを多く含む粒界相とを含む希土類焼結磁石を製造するにあたり、Ｒ2Ｔ14Ｂ相の組成を含む希土類焼結磁石体の表面に、重希土類化合物を含む希土類化合物含有液を付着させる重希土類化合物の付着工程と、前記重希土類化合物が付着した希土類焼結磁石体を熱処理する熱処理工程と、を有し、熱処理した希土類焼結磁石体の角形比Ｈｋ／ＨｃＪは、熱処理して角形比Ｈｋ／ＨｃＪが一番高くなる焼結条件において得られる希土類焼結磁石体の角形比Ｈｋ／ＨｃＪの０．８以上１．０未満であることを特徴とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｒ2Ｔ14Ｂ（Ｒは１種類以上の希土類元素を表し、ＴはＦｅ又はＦｅ及びＣｏを含む１種以上の遷移金属元素を表し、ＢはＢ又はＢ及びＣを表す）化合物を含む主相と、前記Ｒ2Ｔ14Ｂ化合物よりＲを多く含む粒界相とを含む希土類焼結磁石を製造するにあたり、
Ｒ2Ｔ14Ｂ相の組成を含む希土類焼結磁石体の表面に、重希土類化合物を含む希土類化合物含有液を付着させる重希土類化合物の付着工程と、
前記重希土類化合物が付着した希土類焼結磁石体を熱処理する熱処理工程と、
を有し、
熱処理した希土類焼結磁石体の角形比は、熱処理して角形比が一番高くなる焼結条件において得られる希土類焼結磁石体の角形比の０．８以上１．０未満であることを特徴とする希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項２】
熱処理して角形比が一番高くなる焼結条件において得られる希土類焼結磁石体の保磁力と熱処理した後の希土類焼結磁石体の保磁力との保磁力比が、０．８以上１．０以下である請求項１に記載の希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項３】
前記希土類焼結磁石体の相対密度が、９０％以上である請求項１または２に記載の希土類焼結磁石の製造方法。
【請求項４】
前記希土類焼結磁石体が、Ｒ2Ｔ14Ｂ化合物及び不可避不純物を含む第１合金と、ＲＦｅＭ（Ｍは、Ｃｏ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｚｎの少なくとも１種類を表す）化合物及び不可避不純物を含む第２合金とを用いて得られる請求項１から３の何れか１項に記載の希土類焼結磁石の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気特性に優れた希土類焼結磁石の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｒ−Ｔ−Ｂ（Ｒは希土類元素、ＴはＦｅ又はＦｅ及びＣｏを含む１種以上の遷移金属元素を表し、ＢはＢ又はＢ及びＣを表す）系の組成を有する希土類焼結磁石は、Ｒ2Ｔ14Ｂの組成式で表されるＲ2Ｔ14Ｂ化合物を含む主相と、Ｒ2Ｔ14ＢよりＲを多く含むＲリッチ相を含む粒界相とを含む組織を有し、高い保磁力ＨｃＪを有するなど優れた磁気特性を発揮する磁石である。そのため、Ｒ−Ｔ−Ｂ系の希土類焼結磁石は、高性能な永久磁石として、ハードディスクドライブ（Hard  disk  drive：ＨＤＤ）のヴォイスコイルモータ(Voice  Coil  Motor：ＶＣＭ)、電気自動車やハイブリッドカーなど特に高性能が要求されるモータなどに使用されている。
【０００３】
高性能な希土類焼結磁石の製造方法として、例えば、Ｒ2Ｔ14Ｂ系組成を有する焼結磁石体の表面に重希土類を化合物の状態で付着させ、焼結温度以下で希土類焼結磁石体を熱処理することにより、残留磁束密度Ｂｒをほとんど低下させることなく、高い保磁力ＨｃＪを有する希土類焼結磁石を得る磁石の製造方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１では、Ｒ2Ｔ14Ｂ系組成を有する希土類焼結磁石体の表面に重希土類元素の水素化物を含むスラリーを塗布し、重希土類元素の水素化物を付着させた後、焼結温度以下で熱処理を施すことにより、スラリーに含まれていた重希土類を希土類焼結磁石体に吸収させ、希土類焼結磁石体の結晶粒界を通じて希土類焼結磁石体の内部に拡散させている（粒界拡散処理）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００８／０５６３８１号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
この希土類焼結磁石体の内部に重希土類を粒界拡散させる場合、スラリーに含まれていた重希土類元素の水素化物を所定量以上含めることで、熱処理した際、金属状態の重希土類が希土類焼結磁石体の内部への拡散が促進され、高い磁気特性を得ることができる。
【０００６】
今後、更に高性能なモータなどの要求に対応するため、更に磁気特性が高い希土類焼結磁石が求められている。希土類焼結磁石の磁気特性を向上させるためには、希土類焼結磁石体の内部に金属状態の重希土類を更に効率よく吸収させる方法が求められている。
【０００７】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、希土類焼結磁石の磁気特性を向上させることができる希土類焼結磁石の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る希土類焼結磁石の製造方法は、Ｒ2Ｔ14Ｂ（Ｒは１種類以上の希土類元素を表し、ＴはＦｅ又はＦｅ及びＣｏを含む１種以上の遷移金属元素を表し、ＢはＢ又はＢ及びＣを表す）化合物を含む主相と、前記Ｒ2Ｔ14Ｂ化合物よりＲを多く含む粒界相とを含む希土類焼結磁石を製造するにあたり、Ｒ2Ｔ14Ｂ相の組成を含む希土類焼結磁石体の表面に、重希土類化合物を含む希土類化合物含有液を付着させる重希土類化合物の付着工程と、前記重希土類化合物が付着した希土類焼結磁石体を熱処理する熱処理工程と、を有し、熱処理した希土類焼結磁石体の角形比Ｈｋ／ＨｃＪは、熱処理して角形比Ｈｋ／ＨｃＪが一番高くなる焼結条件において得られる希土類焼結磁石体の角形比Ｈｋ／ＨｃＪの０．８以上１．０未満であることを特徴とする。
【０００９】
希土類焼結磁石体の表面に希土類化合物含有液を塗布した後、希土類焼結磁石体を熱処理することで、希土類化合物含有液に含まれる重希土類化合物は希土類焼結磁石体の内部に吸収され、希土類焼結磁石体の粒界相を通じて内部に拡散される。重希土類は希土類焼結磁石体の内部に拡散する際、粒界相の他に主相にも拡散する。このとき、主相は結晶状態であるため、希土類焼結磁石体を熱処理する際に、希土類焼結磁石体の熱処理温度が低いと、液相化している粒界相に比べ、重希土類は主相に入りに難く、その分、粒界相に拡散する割合が増加する傾向にある。そのため、粒界相の融点が低いほど、重希土類を主相の内部に拡散する割合を減らすことができるため、粒界相の内部に拡散させる重希土類の損失を小さくすることができる。これにより、得られる希土類焼結磁石は、残留磁束密度Ｂｒの低下を更に小さく抑えることができると共に、保磁力ＨｃＪを更に向上させることができる。
【００１０】
角形比Ｈｋ／ＨｃＪは、保磁力ＨｃＪに対する磁化が残留磁束密度Ｂｒの９０％であるときの外部磁界の値（Ｈｋ）の比率であり、熱処理して角形比Ｈｋ／ＨｃＪが一番高くなる焼結条件は、角形比Ｈｋ／ＨｃＪが適正に取れた状態をいう。焼結条件とは、希土類焼結磁石体の焼結前の成形体を焼成する際の焼結温度、焼結時間などをいう。熱処理して角形比Ｈｋ／ＨｃＪが一番高くなる焼結条件（角形比Ｈｋ／ＨｃＪが適正に取れた状態）より所定範囲低い希土類焼結磁石体の粒界相中には、希土類焼結磁石の原料合金で主相に含めずに添加した低融点元素が主相内へ拡散せずに存在してるため、粒界相の融点は、熱処理して角形比Ｈｋ／ＨｃＪが一番高くなる焼結条件において得られる希土類焼結磁石体の粒界相の融点より低い状態にできる。そのため、熱処理した希土類焼結磁石体の角形比Ｈｋ／ＨｃＪを、熱処理して適性な角形比Ｈｋ／ＨｃＪになる焼結条件において得られる希土類焼結磁石体の角形比Ｈｋ／ＨｃＪに対して、上記範囲内にすることで、希土類焼結磁石体の粒界相の融点をより低くすることができる。このため、粒界相の融点が低い希土類焼結磁石体を熱処理すると、熱処理して角形比Ｈｋ／ＨｃＪが一番高くなる焼結条件において得られる希土類焼結磁石体の粒界相よりも角形比Ｈｋ／ＨｃＪが所定範囲だけ低い希土類焼結磁石体の粒界相はより低温で液相化する。これにより、希土類焼結磁石体の表面に塗布した希土類化合物含有液に含まれる重希土類の希土類焼結磁石体の粒界相の内部への拡散効率は向上し、主相内への拡散を抑制しつつ、希土類焼結磁石体の深部にまで重希土類を効率よく拡散させることができる。この結果、希土類焼結磁石体の粒界相での重希土類の拡散領域が増大するため、得られる希土類焼結磁石の磁気特性は向上する。
【００１１】
本発明においては、熱処理して角形比Ｈｋ／ＨｃＪが一番高くなる焼結条件において得られる希土類焼結磁石体の保磁力と熱処理した後の希土類焼結磁石体の保磁力との保磁力比が、０．８以上１．０以下であることが好ましい。希土類焼結磁石体の保磁力比を上記範囲内とすることで、希土類焼結磁石体の焼結が不十分な状態で希土類焼結磁石体内にＲ２を拡散させても、得られる希土類焼結磁石の残留磁束密度Ｂｒの低下を抑制しつつ、保磁力ＨｃＪを向上させることができる。
【００１２】
本発明においては、前記希土類焼結磁石体の相対密度が、９０％以上であることが好ましい。希土類焼結磁石体の相対密度を上記範囲内とすることで、希土類焼結磁石体の角形比が低い状態でも、高密度の希土類焼結磁石体であるため、得られる希土類焼結磁石のＢｒを十分に高く得ることができる。
【００１３】
本発明においては、前記希土類焼結磁石体が、Ｒ2Ｔ14Ｂ化合物及び不可避不純物を含む第１合金と、ＲＦｅＭ（Ｍは、Ｃｏ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｚｎの少なくとも１種類を表す）化合物及び不可避不純物を含む第２合金とを用いて得られることが好ましい。第２合金の合金組成を調整して希土類焼結磁石体を作製することで、希土類焼結磁石体の粒界相の融点を低くすることができるため、得られる希土類焼結磁石の磁気特性を更に向上させることができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、希土類焼結磁石の磁気特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、本発明の実施形態に係る希土類焼結磁石の製造方法を示すフローチャートである。
【図２】図２は、測定された希土類焼結磁石体のＨｋ／ＨｃＪ比率と希土類焼結磁石の保磁力ＨｃＪとの関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明に係る希土類焼結磁石の実施の形態（以下、実施形態という）及び実施例を図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、下記の発明を実施するための実施形態及び実施例により本発明が限定されるものではない。また、下記実施形態及び実施例における構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、下記実施形態及び実施例で開示した構成要素は適宜組み合わせても良いし、適宜選択して用いてもよい。
【００１７】
＜希土類焼結磁石＞
希土類焼結磁石は、Ｒ−Ｔ−Ｂ系合金を用いて形成される焼結体である。希土類焼結磁石は、結晶粒の組成がＲ2Ｔ14Ｂ（ＲはＮｄを含む１種類以上の希土類元素を表し、ＴはＦｅ又はＦｅ及びＣｏを含む１種以上の遷移金属元素を表し、ＢはＢ又はＢ及びＣを表す）という組成式で表されるＲ2Ｔ14Ｂ化合物を含む主相と、Ｒ2Ｔ14Ｂ化合物よりＲを多く含む粒界相とを有する。
【００１８】
Ｒは、１種以上の希土類元素を表す。希土類元素とは、長周期型周期表の第３族に属するＳｃとＹとランタノイド元素とのことをいう。ランタノイド元素は、例えば、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ等を含む。希土類元素は、軽希土類及び重希土類に分類され、重希土類元素とは、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕをいい、軽希土類元素はそれ以外の希土類元素である。製造コスト及び磁気特性の観点から、ＲはＮｄを含むものであることが好ましい。
【００１９】
Ｔは、Ｆｅ又はＦｅ及びＣｏを含む１種以上の遷移金属元素を示すものである。Ｔは、Ｆｅ単独であってもよく、Ｆｅの一部がＣｏで置換されていてもよい。Ｆｅの一部をＣｏに置換する場合、磁気特性を低下させることなく温度特性を向上させることができる。また、Ｃｏの含有量は、Ｆｅの含有量の２０質量％以下に抑えることが望ましい。これは、Ｃｏの含有量がＦｅの含有量の２０質量％より大きくなるようにＦｅの一部をＣｏに置換すると、磁気特性を低下させる虞があるからである。また、希土類焼結磁石が高価となってしまうからである。Ｔは、Ｆｅ、Ｃｏ以外に、例えば、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗなどの元素の少なくとも１種の元素を更に含んでいてもよい。
【００２０】
本実施形態に係る希土類焼結磁石の粒界相には、結晶粒の組成がＲ2Ｔ14Ｂという組成式で表されるＲ2Ｔ14Ｂ相よりＲが多いＲリッチ相が含まれる。粒界相は、Ｒリッチ相の他に、ホウ素（Ｂ）原子の配合割合が高いＢリッチ相が含まれていてもよい。また、結晶粒の粒径は、通常３μｍから３０μｍ程度である。
【００２１】
希土類焼結磁石において、Ｂの一部を炭素（Ｃ）に置換することができる。この場合、磁石の製造が容易となるほか、製造コストの低減も図れるようになる。また、Ｃは耐蝕性を有するため、Ｂの一部をＣに置換することで、耐食性を向上させることができる。また、Ｃの置換量は、磁気特性に実質的に影響しない量とする。
【００２２】
希土類焼結磁石は、保磁力ＨｃＪの向上や製造コストの低減等を図る観点から、上記構成に加え、Ａｌ、Ｂｉ、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｚｎ等の元素をさらに含んでいてもよい。これらの含有量も磁気特性に影響を及ぼさない範囲とすることが好ましく、それぞれ５質量％以下とすることが好ましい。また、その他、不可避的に混入する成分としては、酸素（Ｏ）、窒素（Ｎ）、Ｃ、Ｃａ等が考えられる。これらはそれぞれ０．５質量％程度以下の量で含有されていてもよい。
【００２３】
次に希土類焼結磁石の化学組成について言及する。希土類焼結磁石における希土類元素の含有量は２５質量％以上３５質量％以下であり、好ましく２８質量％以上３３質量％以下であり、より好ましいはＲの量は２７質量％以上３２質量％以下である。Ｒの含有量が２５質量％未満では、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の主相となるＲ2Ｔ14Ｂ化合物の生成が十分ではない。このため、軟磁性を持つα−Ｆｅなどが析出し、磁気特性が低下する虞がある。
【００２４】
Ｂの含有量は０．５質量％以上１．５質量％以下であり、好ましく０．８質量％以上１．２質量％以下であり、より好ましいＢの量は０．５質量％以上１．３質量％以下である。Ｂの含有量が０．５質量％未満となると保磁力ＨｃＪが低下する。また、Ｂの含有量が１．５質量％を超えると、残留磁束密度が低下する傾向がある。
【００２５】
また、Ｆｅの一部をＣｏに置換してＣｏを含める場合、Ｃｏの含有量は４質量％以下の範囲が好ましく、０．１質量％以上２質量％以下とすることがより好ましく、０．３質量％以上１．５質量％以下とすることが更に好ましい。
【００２６】
Ａｌ、Ｃｕの何れか一方又は両方を０．０２質量％以上０．６質量％以下の範囲で含有することができる。この範囲でＡｌ及びＣｕの１種又は２種を含有させることにより、得られる磁石の高保磁力化、高耐食性化が可能となる。Ａｌの含有量は０．０３質量％以上０．４質量％以下であるのが好ましく、０．０５質量％以上０．２５質量％以下がより好ましい。また、Ｃｕの含有量は０．３質量％以下が好ましく（但し、０を含まず）、０．２質量％以下（ただし、０を含まない）とすることがより好ましく、０．０３質量％以上０．１５質量％以下とすることが更に好ましい。
【００２７】
本実施形態においては、磁気特性の観点から、酸素量を５０００ｐｐｍ以下とすることが好ましく、より好ましくは３０００ｐｐｍ以下、特に好ましくは１５００ｐｐｍ以下とする。
【００２８】
また、炭素量を３０００ｐｐｍ以下とすることが好ましく、より好ましくは２５００ｐｐｍ以下、特に好ましくは２０００ｐｐｍ以下とする。
【００２９】
さらに、窒素量を１０００ｐｐｍ以下とすることが好ましく、より好ましくは８００ｐｐｍ以下、特に好ましくは６００ｐｐｍ以下とする。
【００３０】
希土類焼結磁石は、例えばプレス成形などにより目的とする所定形状に成形されて得られる。希土類焼結磁石の形状は特に限定されるものではなく、用いる金型の形状に応じて、例えば平板状、柱状、断面形状がリング状等、希土類焼結磁石の形状に応じて変更することができる。
【００３１】
希土類焼結磁石は、希土類焼結磁石体（希土類焼結磁石基材）の表面にＲ２の希土類化合物を付着させ、Ｒ２の希土類化合物を存在させた状態で希土類焼結磁石体を熱処理することで、Ｒ２を希土類焼結磁石体の内部に吸収させた希土類焼結磁石である。
【００３２】
希土類焼結磁石体は、以下の方法で製造される。まず、所望の組成の希土類焼結磁石を得ることができる合金を作製する。次いで、得られた合金を粉砕して微粉末とし、原料粉末とする。磁石の主相を形成する第１合金（主相系合金）と、主に粒界を形成する第２合金（粒界系合金）とを作製した場合には、第１合金及び第２合金をそれぞれ粉砕して微粉末とし、これらを所望の割合で混合して原料粉末とする。得られた原料粉末を、磁場を印加しながら成型して、成型体を得る。次いで得られた成型体を加熱して焼結を行い、次いで酸溶液に浸漬して表面処理を行って、希土類焼結磁石体を得る。
【００３３】
希土類焼結磁石体の酸素（Ｏ2）含有量は、０．３０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは０．１５質量％以下である。
【００３４】
希土類焼結磁石体の炭素（Ｃ）含有量は、０．２５質量％以下であることが好ましく、より好ましくは０．２０質量％以下である。
【００３５】
希土類焼結磁石体の窒素（Ｎ2）含有量は、０．０８質量％以下であることが好ましく、より好ましくは０．０６質量％以下である。
【００３６】
希土類焼結磁石体の相対密度は、９０％以上であることが好ましく、より好ましくは９５％以上である。希土類焼結磁石体の相対密度を上記範囲内とすることで、希土類焼結磁石体の焼結が不十分な状態でも、高密度の希土類焼結磁石体であるため、得られる希土類焼結磁石のＢｒを高く得ることができる。なお、相対密度は、例えば、焼結体の組成から計算される真密度と希土類焼結磁石体の実測密度の比より計算できる。
【００３７】
希土類焼結磁石体の表面にＲ２の希土類化合物を付着させる方法は、特に限定されるものではなく、例えば、希土類焼結磁石体の表面にＲ２の希土類化合物を含む希土類化合物含有液を塗布する方法、Ｒ２の希土類化合物を含む合金粉末を塗布する方法、希土類焼結磁石体の表面にＲ２の希土類化合物を含む合金をスパッタリング法により付着させる方法などが用いられる。
【００３８】
希土類化合物含有液に含有させるＲ２の希土類化合物としては、希土類化合物：希土類元素Ｒ２（Ｒ２は、Ｄｙ、Ｔｂどちらか一方又は両方を含む重希土類元素）、Ｒ２水素化物、Ｒ２酸化物、Ｒ２フッ化物、Ｒ２Ｔ合金（Ｔは遷移金属元素）、Ｒ２Ｔ水素化物、Ｒ２Ｔ酸化物、Ｒ２ＴＢ合金（Ｂはボロン）、Ｒ２ＴＢ水素化物、Ｒ２ＴＢ酸化物を用いることができる。また、Ｒ２は、Ｈｏを更に含んでもよい。この場合、重希土類元素は、希土類焼結磁石の異方性磁界を大きくする作用があり、磁石の保磁力ＨｃＪを向上させることが可能である。また希土類化合物含有液中には樹脂を含むことが好ましい。これにより、希土類化合物の焼結体への密着性を上げることができる。使用する樹脂は特に限定はなく、ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、ブチラール樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、セルロース樹脂等が用いられる。また使用される溶剤としては、樹脂を溶解できれば特に規定はない。
【００３９】
本実施形態に係る希土類焼結磁石は、熱処理した希土類焼結磁石体の角形比を、熱処理して角形比Ｈｋ／ＨｃＪが一番高くなる焼結条件において得られる希土類焼結磁石体の０．８以上１．０未満とし、好ましくは０．８以上０．９６以下であり、より好ましくは０．８２以上０．９０以下である。
【００４０】
希土類焼結磁石体の表面に希土類化合物含有液を塗布した後、希土類焼結磁石体を熱処理することで、希土類化合物含有液に含まれるＲ２の希土類化合物は希土類焼結磁石体の内部に吸収され、希土類焼結磁石体の粒界相を通じて内部に拡散される。Ｒ２は希土類焼結磁石体の内部に拡散する際、粒界相の他に主相にも拡散する。このとき、主相は結晶状態であるため、希土類焼結磁石体を熱処理する際に、希土類焼結磁石体の熱処理温度が低いと、液相化している粒界相に比べ、Ｒ２は主相に入りに難く、その分、粒界相に拡散する割合が増加する傾向にある。そのため、粒界相の融点が低いほど、低温で熱処理することで、Ｒ２が主相の内部へ拡散することを抑制して、粒界相の内部に拡散させるＲ２の損失を小さくすることができる。これにより、得られる希土類焼結磁石は、残留磁束密度Ｂｒの低下を更に小さく抑えることができると共に、保磁力ＨｃＪを更に向上させることができる。
【００４１】
角形比Ｈｋ／ＨｃＪは、保磁力ＨｃＪに対する磁化が残留磁束密度Ｂｒの９０％であるときの外部磁界の値（Ｈｋ）の比率であり、熱処理して角形比Ｈｋ／ＨｃＪが一番高くなる焼結条件は、角形比Ｈｋ／ＨｃＪが適正に取れた状態をいう。焼結条件とは、希土類焼結磁石体の焼結前の成形体を焼成する際の焼結温度、焼結時間などをいう。熱処理して角形比Ｈｋ／ＨｃＪが一番高くなる焼結条件（角形比Ｈｋ／ＨｃＪが適正に取れた状態）より所定範囲低い希土類焼結磁石体の粒界相中には、希土類焼結磁石の原料合金で主相に含めずに添加した低融点元素が主相内へ拡散せずに存在してるため、粒界相の融点は熱処理して角形比Ｈｋ／ＨｃＪが一番高くなる焼結条件において得られる希土類焼結磁石体の粒界相の融点より低くなる。そのため、熱処理した希土類焼結磁石体の角形比Ｈｋ／ＨｃＪを、熱処理して適性な角形比Ｈｋ／ＨｃＪが得られる焼結条件の希土類焼結磁石体の角形比Ｈｋ／ＨｃＪに対し上記範囲内にすることで、希土類焼結磁石体の粒界相の融点を低くすることができる。このため、粒界相の融点が低い希土類焼結磁石体を熱処理すると、焼結した際に角形比Ｈｋ／ＨｃＪが一番高くなる焼結条件において得られる希土類焼結磁石体の粒界相よりも低温で液相化する。これにより、希土類焼結磁石体の表面に塗布した希土類化合物含有液に含まれるＲ２の希土類焼結磁石体の粒界相の内部への拡散効率は向上し、希土類焼結磁石体の深部にまでＲ２を効率よく拡散させることができる。この結果、希土類焼結磁石体の粒界相でのＲ２の拡散領域が増大するため、得られる希土類焼結磁石の残留磁束密度Ｂｒの低下の抑制を更に小さく抑えることができると共に、保磁力ＨｃＪを更に向上させるなど磁気特性を向上させることができる。
【００４２】
また、本実施形態に係る希土類焼結磁石は、熱処理して角形比Ｈｋ／ＨｃＪが一番高くなる焼結条件において得られる希土類焼結磁石体の保磁力と熱処理した後の希土類焼結磁石体の保磁力との保磁力比（ＨｃＪ比）は、０．８以上１．０以下であることが好ましく、より好ましくは０．９以上１．０以下であり、さらに好ましくは０．９５以上１．０以下である。希土類焼結磁石体のＨｃＪ比を上記範囲内では、希土類焼結磁石体の保磁力ＨｃＪは焼結条件に因らず高い特性を維持できているため、希土類焼結磁石体にＲ２の希土類化合物を塗布し、希土類焼結磁石体内にＲ２を拡散させた場合、得られる希土類焼結磁石は残留磁束密度Ｂｒの低下を抑制しつつ、高い保磁力ＨｃＪを得ることができる。
【００４３】
また、本実施形態に係る希土類焼結磁石は、熱処理した希土類焼結磁石の相対密度は、９０％以上であることが好ましく、より好ましくは９５％以上である。希土類焼結磁石体の相対密度を上記範囲内とすることで、希土類焼結磁石体の焼結が不十分な状態でも、高密度の希土類焼結磁石体であるため、得られる希土類焼結磁石のＢｒを十分に高くすることができる。
【００４４】
このように、本実施形態に係る希土類焼結磁石によれば、希土類焼結磁石体の焼結を積極的に不十分な状態としておくことで、希土類焼結磁石体の内部に、表面に付着させた希土類元素を更に効率よく吸収させることができるため、得られる希土類焼結磁石の残留磁束密度Ｂｒの低下を更に抑制しつつ、保磁力ＨｃＪを更に向上させることができ、磁気特性を向上させることができる。
【００４５】
＜希土類焼結磁石の製造方法＞
上述したような構成を有する本実施形態に係る希土類焼結磁石の製造方法について図面を用いて説明する。図１は、本発明の実施形態に係る希土類焼結磁石の製造方法を示すフローチャートである。図１に示すように、本実施形態に係る希土類焼結磁石の製造方法は、以下の工程を有する。
（ａ）第１合金と第２合金とを準備する合金準備工程（ステップＳ１１）
（ｂ）第１合金と第２合金とを粉砕する粉砕工程（ステップＳ１２）
（ｃ）第１合金粉末と第２合金粉末とを混合する混合工程（ステップＳ１３）
（ｄ）混合した混合粉末を成形する成形工程（ステップＳ１４）
（ｅ）成形体を焼結する焼結工程（ステップＳ１５）
（ｆ）希土類焼結磁石を加工する加工工程（ステップＳ１６）
（ｇ）焼結体の表面を表面処理する表面処理工程（ステップＳ１７）
（ｈ）希土類焼結磁石体の端面希土類化合物含有液を塗布する塗布工程（ステップＳ１８）
（ｉ）希土類焼結磁石体を熱処理する熱処理工程（ステップＳ１９）
【００４６】
＜合金準備工程：ステップＳ１１＞
希土類焼結磁石における主相を構成する組成の合金（第１合金）と粒界相を構成する組成の合金（第２合金）とを準備する（合金準備工程（ステップＳ１１））。合金準備工程（ステップＳ１１）では、希土類焼結磁石の組成に対応する原料金属を、真空又はＡｒガスなどの不活性ガスの不活性ガス雰囲気中で溶解した後、これを用いて鋳造を行うことによって所望の組成を有する第１合金及び第２合金を得る。本実施の形態では、第１合金は、Ｒ2Ｆｅ14Ｂ化合物及び不可避不純物を含むものである。第２合金は、Ｒ−Ｔ−Ｍ（Ｍは、Ｃｏ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｚｎの少なくとも１種類を表す）化合物及び不可避不純物を含むものである。
【００４７】
原料金属としては、例えば、希土類金属あるいは希土類合金、純鉄、フェロボロン、さらにはこれらの合金や化合物等を使用することができる。原料金属を鋳造する鋳造方法は、例えばインゴット鋳造法やストリップキャスト法やブックモールド法や遠心鋳造法などである。得られた原料合金は、凝固偏析がある場合は必要に応じて均質化処理を行う。原料合金の均質化処理を行う際は、真空又は不活性ガス雰囲気の下、７００℃以上１５００℃以下の温度で１時間以上保持して行う。これにより、希土類磁石用合金は少量形成された異相が主相やＲリッチ相およびＲ2Ｔ17相に取り込まれて消失することで均質化される。
【００４８】
＜粉砕工程：ステップＳ１２＞
第１合金及び第２合金が作製された後、これらの第１合金及び第２合金を別々に粉砕して粉末とする（粉砕工程（ステップＳ１２））。なお、第１合金及び第２合金は共に粉砕してもよいが、組成ズレをより小さくするには別々に粉砕することが好ましい。
【００４９】
粉砕工程（ステップＳ１２）は、粒径が数百μｍ〜数ｍｍ程度になるまで粉砕する粗粉砕工程（ステップＳ１２−１）と、粒径が数μｍ程度になるまで微粉砕する微粉砕工程（ステップＳ１２−２）とがある。
【００５０】
（粗粉砕工程：ステップＳ１２−１）
第１合金及び第２合金を各々粒径が数百μｍ〜数ｍｍ程度になるまで粗粉砕する（粗粉砕工程（ステップＳ１２−１））。これにより、第１合金及び第２合金の粗粉砕粉末を得る。粗粉砕は、第１合金及び第２合金に水素を吸蔵させた後、異なる相間の水素吸蔵量の相違に基づいて水素を放出させ、脱水素を行なうことで自己崩壊的な粉砕を生じさせる（水素吸蔵粉砕）ことによって行うことができる。また、不活性ガス雰囲気中にて、スタンプミル、ジョークラッシャー、ブラウンミル等の粗粉砕機を用いて行うようにしてもよい。
【００５１】
また、高い磁気特性を得るために、粉砕工程（ステップＳ１２）から焼結工程（ステップＳ１５）までの各工程の雰囲気は低酸素濃度とすることが好ましい。酸素含有量は、各製造工程における雰囲気の制御、原料に含有される酸素量の制御等により調節される。後述する焼結工程（ステップＳ１５）で得られる焼結体の酸素含有量を５０００ｐｐｍ以下とする場合には、各工程の酸素の濃度を３０００ｐｐｍ以下とし、焼結体の酸素含有量を３０００ｐｐｍ以下とする場合には、各工程の酸素の濃度を１００ｐｐｍ以下とすることが好ましい。
【００５２】
（微粉砕工程：ステップＳ１２−２）
第１合金及び第２合金を粗粉砕した後、得られた第１合金及び第２合金の粗粉砕粉末を粒径が数μｍ程度になるまで微粉砕する（微粉砕工程（ステップＳ１２−２））。これにより、第１合金及び第２合金の微粉砕粉末を得る。粗粉砕した粉末を更に微粉砕することで、好ましくは３μｍ以上１０μｍ以下、より好ましくは３μｍ以上８μｍ以下の粒径を有する希土類磁石体の混合粉末（以下、単に「混合粉末」という）を得ることができる。
【００５３】
微粉砕は、粉砕時間等の条件を適宜調整しながら、ジェットミル、ボールミル、振動ミル、湿式アトライター等の微粉砕機を用いて粗粉砕した粉末の更なる粉砕を行なうことで実施される。ジェットミルは、高圧の不活性ガス（例えば、Ｎ2ガス）を狭いノズルより開放して高速のガス流を発生させ、この高速のガス流により第１合金及び第２合金の粗粉砕粉末を加速して第１合金及び第２合金の粗粉砕粉末同士の衝突やターゲット又は容器壁との衝突を発生させて粉砕する方法である。
【００５４】
第１合金及び第２合金の粗粉砕粉末を微粉砕する際、ステアリン酸亜鉛、オレイン酸アミド等の粉砕助剤を添加することにより、成形時に配向性の高い微粉砕粉末を得ることができる。
【００５５】
＜混合工程：ステップＳ１３＞
主相系合金及び粒界相系合金を微粉砕した後、各々の微粉砕粉末を低酸素雰囲気で混合する（混合工程（ステップＳ１３））。これにより、混合粉末が得られる。低酸素雰囲気は、例えば、Ｎ2ガス、Ａｒガス雰囲気など不活性ガス雰囲気として形成する。第１合金粉末及び第２合金粉末の混合比率は、質量比で８０対２０以上９７対３以下とするのが好ましく、より好ましくは質量比で９０対１０以上９７対３以下であり、更に好ましくは質量比で９５対５程度である。
【００５６】
また、粉砕工程（ステップＳ１２）において、第１合金及び第２合金を一緒に粉砕する場合の混合比率も、第１合金及び第２合金を別々に粉砕する場合と同様に、第１合金粉末及び第２合金粉末の混合比率は、質量比で８０対２０以上９７対３以下とするのが好ましく、より好ましくは質量比で９０対１０以上９７対３以下であり、更に好ましくは質量比で９５対５程度である。
【００５７】
＜成形工程：ステップＳ１４＞
第１合金粉末と第２合金粉末とを混合した後、混合粉末を目的の形状に成形する（成形工程（ステップＳ１４））。成形工程（ステップＳ１４）では、第１合金粉末及び第２合金粉末の混合粉末を、電磁石に抱かれた金型内に充填し、磁場印加しながら加圧することによってその結晶軸を配向させた状態で磁場中成形する。これにより、混合粉末を目的とする任意の形状に成形し、結晶軸を配向させた成形体が得られる。得られる成形体は特定方向に配向するので、より磁化の強い異方性を有する希土類焼結磁石が得られる。
【００５８】
成形時の加圧は、０．５ｔｏｎ／ｃｍ2以上１．５ｔｏｎ／ｃｍ2以下で行うことが好ましい。印加する磁場は、０．７Ｔｅｓｌａ以上１．５Ｔｅｓｌａ以下の圧力で行なうことが好ましい。印加する磁場は静磁場に限定されず、パルス状磁場とすることもできる。また、静磁場とパルス状磁場を併用することもできる。
【００５９】
なお、成形方法としては、上記のように混合粉末をそのまま成形する乾式成形のほか、原料粉末を油等の溶媒に分散させたスラリーを成形する湿式成形を適用することもできる。
【００６０】
混合粉末を成形して得られる成形体の形状は特に限定されるものではなく、用いる金型の形状に応じて、例えば直方体、平板状、柱状、リング状等、所望とする希土類磁石体の形状に応じて任意の形状とすることができる。
【００６１】
＜焼結工程：ステップＳ１５＞
磁場中で成形し、目的の形状に成形して得られた成形体を真空又は不活性ガス雰囲気中で焼結する（焼成工程（ステップＳ１５））。焼結温度は、組成、粉砕方法、粒度と粒度分布の違い等、諸条件により調整する必要があるが、成形体に対して、例えば、真空中又は不活性ガスの存在下、９００℃以上１１３０℃以下で１時間以上１０時間以下で加熱する処理を行うことにより焼成する。これにより、混合粉末が液相焼結を生じ、主相の体積比率が向上した焼結体（希土類磁石体の焼結体）が得られる。
【００６２】
＜加工工程：ステップＳ１６＞
得られた希土類焼結磁石体は、例えばプレス成形、打ち抜き、切削などにより、所望のサイズに切断したり表面を平滑化して、更に任意の形状の希土類焼結磁石に加工する（加工工程：ステップＳ１６）。
【００６３】
＜表面処理工程：ステップＳ１７＞
さらに、適宜所望の大きさや形状に加工した後、焼結体の表面を例えば酸溶液によって表面処理する（表面処理工程（ステップＳ１７））。焼結体の表面処理に用いる酸溶液としては、硝酸、塩酸等の水溶液と、アルコールとの混合溶液が好適である。この表面処理は、例えば、焼結体を酸溶液に浸漬したり、焼結体に酸溶液を噴霧したりすることによって行うことができる。
【００６４】
かかる表面処理によって、焼結体に付着していた汚れや酸化層等を除去して清浄な表面を得ることができ、後述するＲ２の希土類化合物の付着及び拡散が有利となる。汚れや酸化層等の除去を更に良好に行う観点からは、酸溶液に超音波を印加しながら表面処理を行ってもよい。
【００６５】
このようにして得られた希土類焼結磁石体は、Ｒ2Ｔ14Ｂ（ＲはＤｙ、Ｔｂの何れか一方又は両方を少なくとも含む希土類元素であり、ＴはＦｅ又はＦｅ及びＣｏを含む１種以上の遷移金属元素を表す）相の組成を含む。
【００６６】
本実施形態においては、希土類焼結磁石体の酸素（Ｏ2）含有量は、０．３質量％以下であることが好ましく、より好ましくは０．１５質量％以下である。
【００６７】
本実施形態においては、希土類焼結磁石体の炭素（Ｃ）含有量は、０．２５質量％以下であることが好ましく、より好ましくは０．２０質量％以下である。
【００６８】
希土類焼結磁石体の相対密度は、９０％以上であることが好ましく、より好ましくは９５％以上である。
【００６９】
＜塗布工程：ステップＳ１８＞
焼結体の表面処理を行い、得られた希土類焼結磁石体の表面に、予め作製したＲ２の希土類化合物を含む希土類化合物含有液を塗布する（塗布工程（ステップＳ１８））。Ｒ２としては、Ｄｙ、Ｔｂの何れか一方又は両方を少なくとも含む重希土類元素が用いられる。
【００７０】
希土類化合物含有液は、例えば、以下のように作製される。まず、Ｒ２の希土類化合物を含むＲ２原料を、上述の合金準備工程（ステップＳ１１）と同様にして作製して準備する。次いで、Ｒ２原料を、上述の粉砕工程（ステップＳ１２）と同様にして粉砕し、微粉砕したＲ２原料微粉砕粉末を得る。次いで、微粉砕したＲ２原料微粉砕粉末をアルコール溶媒に混合し、アルコール溶媒中に分散させて、塗料化し、Ｒ２の希土類化合物を含む希土類化合物含有液を作製する。
【００７１】
このようにして得られた希土類化合物含有液を、表面処理工程（ステップＳ１７）において焼結体の表面処理を行って得られた希土類焼結磁石体に塗布する（ステップＳ１８））。
【００７２】
本実施形態においては、希土類化合物含有液の塗布方法として、希土類焼結磁石体の表面に希土類化合物含有液を塗布する方法を用いているが、本実施形態はこれに限定されるものではなく、例えば、Ｒ２の希土類化合物を含む合金粉末を塗布する方法、希土類焼結磁石体の表面にＲ２の希土類化合物を含む合金をスパッタリング法により付着させる方法などが用いられる。
【００７３】
＜熱処理工程（ステップＳ１９）＞
希土類化合物含有液を希土類焼結磁石体の表面に塗布した後、希土類焼結磁石体を所定の時間、所定の温度で熱処理する（熱処理化工程（ステップＳ１９））。熱処理を施すことにより、希土類焼結磁石体の表面に存在するＲ２の希土類化合物は結晶粒界を通じて希土類焼結磁石体の内部に取り込まれ、主に結晶粒界を経由して主相の各結晶粒の内部に拡散し、結晶粒の粒界近傍にＲ２は拡散する。
【００７４】
また、熱処理を施して、希土類化合物含有液に含まれていたＲ２の希土類化合物を希土類焼結磁石体に吸収させる際、真空又は不活性ガス雰囲気として減圧して熱処理を行なうようにする。不活性ガスとしては、Ａｒ、Ｈｅ等が用いられる。真空又は不活性ガス雰囲気として減圧して熱処理することでＲ２の希土類化合物は焼結磁石体の表面から内部に供給し易くなる。
【００７５】
熱処理温度は、希土類焼結磁石体の焼結温度以下の温度とする。希土類焼結磁石体の焼結温度以上の温度で熱処理すると、希土類焼結磁石の組織が変成する虞があるからである。また、Ｒ２の希土類化合物が希土類焼結磁石体の結晶粒界だけでなく結晶粒の内部にまで拡散し、希土類焼結磁石体の表面における残留磁束密度Ｂｒが低下する虞があるからである。
【００７６】
熱処理温度は、例えば、６５０℃以上１０００℃以下、好ましくは６５０℃以上８００℃以下である。熱処理時間は、例えば、１時間以上９時間以下、好ましくは３時間以上６時間以下である。
【００７７】
また、熱処理の後に時効処理を施すことができる。時効処理を施すことで保磁力ＨｃＪが向上する。時効処理温度としては、４００℃以上６５０℃以下、より好ましくは４５０℃以上６００℃以下である。時効処理時間は、例えば、１時間以上４時間以下、好ましくは２時間以上４時間以下である。
【００７８】
このように、希土類焼結磁石体の表面に希土類化合物含有液を塗布して熱処理を施し、希土類焼結磁石体の表面にＲ２の希土類化合物を拡散させて、本実施形態に係る希土類焼結磁石を製造し、処理を終了する。また、着磁させることで、磁石製品が得られる。
【００７９】
以上のように、本発明の実施形態に係る希土類焼結磁石の製造方法を用いれば、希土類焼結磁石体の焼結を積極的に不十分な状態としておき、希土類焼結磁石体の表面にＲ２の希土類化合物を付着させて熱処理することで、希土類焼結磁石体の内部に金属状態のＲ２を更に効率よく吸収させることができるため、高い磁気特性を有する希土類焼結磁石を製造することができる。
【００８０】
希土類焼結磁石に含有されるＣの量は、製造工程で用いられる粉砕助剤の種類及び添加量等により調節する。さらに、希土類焼結磁石に含有されるＮの量は、原料合金の種類及び量や、原料合金を窒素雰囲気で粉砕する場合の粉砕条件等により調節する。
【００８１】
このようにして得られる希土類焼結磁石は、例えばロータ表面に磁石を取り付けた表面磁石型（Surface  Permanent  Magnet：ＳＰＭ）モータ、インナーロータ型のブラシレスモータのような内部磁石埋込型（Interior  Permanent  Magnet：ＩＰＭ）モータ、ＰＲＭ（Permanent  magnet  Reluctance  Motor）などの磁石として好適に用いられる。特に、ＩＰＭモータは、コギングトルクが小さい等の利点を有することから、ハードディスクドライブのハードディスク回転駆動用スピンドルモータやボイスコイルモータ、電気自動車やハイブリッドカー用モータ、自動車の電動パワーステアリング用モータ、工作機械のサーボモータ、携帯電話のバイブレータ用モータ、プリンタ用モータ等の用途として好適に用いられる。
【００８２】
以上、本実施形態に係る希土類焼結磁石の製造方法の好適な実施形態について説明したが、本実施形態に希土類焼結磁石の製造方法はこれに制限されるものではない。本実施形態に希土類焼結磁石の製造方法は、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変形、種々の組み合わせが可能であり、永久磁石以外についても同様に適用することができる。
【実施例】
【００８３】
本発明の内容を実施例及び比較例を用いて以下に詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００８４】
＜実施例１＞
（希土類焼結磁石基材（希土類焼結磁石体）の作製）
ストリップキャスト法により下記表１に示す組成を有する焼結体用合金（原料合金）を作製した。原料合金は、第１合金及び第２合金を作製し、所定の混合比で配合することにより得られる。表１に示す組成を有する原料合金を室温で水素を吸蔵させた後、不活性ガス雰囲気中で６００℃で１時間、脱水素処理を行って、原料合金を水素粉砕（粗粉砕）した。尚、水素粉砕して焼結させるまでの工程においては、酸素濃度を４０００ｐｐｍ以下の雰囲気として行なった。次いで、水素粉砕後の原料合金の粉末に、粉砕助剤として、オレイン酸アミドを０．１ｗｔ％添加し、ジェットミルを用いて微粉砕を行い、平均粒径が４．０μｍ程度の合金粉末を得た。得られた合金粉末を、印加磁場が１．５Ｔｅｓｌａ、成形圧力が１．２ｔｏｎ／ｃｍ2として磁場中で成形し、成形体を得た。得られた成形体は、真空中において１０３０℃で２時間保持して焼成し、希土類焼結磁石基材（希土類焼結磁石体）を得た。得られた焼結体を１４ｍｍ×１０ｍｍ×５ｍｍに加工し、加工品を得た。
【００８５】
【表１】
2012212808.tif 000002
【００８６】
（重希土類化合物の付着）
上記の工程で得られた焼結体をエタノール１００質量％に対し硝酸３質量％とした硝酸とエタノールとの混合溶液に３分間浸漬させた後、エタノールに１分間浸漬する処理を２回行い、焼結体の表面処理を行った。次いで、表面処理後の焼結体を、超音波を印加しながら、ＤｙＨ2(平均粒径１０μｍ)をエタノールに分散させたスラリー（ＤｙＨ2含有率：５０質量％）に浸漬した後、スラリーが付着した焼結体を窒素雰囲気下で乾燥させた。このときのＤｙ付着量は０．３％程度であった。その後、焼結体を８００℃で２時間、熱処理した。その後、焼結体を不活性ガス雰囲気中で５４０℃で１時間保持して、時効処理を行った。これにより希土類焼結磁石を得た。本実施例の焼結時間、Ｄｙ付着量を表２に示す。
【００８７】
＜実施例２、３、比較例１〜３＞
実施例２、３、比較例１〜３は、実施例１に用いた成形体の焼結時間を変更したこと以外は、実施例１と同様にして行なって、希土類焼結磁石を得た。実施例２、３、比較例１〜３の焼結時間、Ｄｙ付着量を表２に示す。
【００８８】
＜評価＞
製造した希土類焼結磁石体の相対密度と、製造した希土類焼結磁石体および希土類焼結磁石の磁石特性を評価した。磁気特性として、希土類焼結磁石体の保磁力ＨｃＪ、比較例１の保磁力ＨｃＪに対する保磁力比（ＨｃＪ比）、角形比Ｈｋ／ＨｃＪ、比較例１の希土類焼結磁石体の角形比Ｈｋ／ＨｃＪに対する希土類焼結磁石体の角形比比率（Ｈｋ／ＨｃＪ比率）、希土類焼結磁石の残留磁束密度Ｂｒ、保磁力ＨｃＪ、角形比Ｈｋ／ＨｃＪを測定した。
【００８９】
［相対密度の測定］
相対密度は、焼結体の組成から計算される真密度と希土類焼結磁石体の実測密度の比より計算した。
【００９０】
［保磁力ＨｃＪ、残留磁束密度Ｂｒ、角形比Ｈｋ／ＨｃＪの測定］
得られた希土類焼結磁石体および希土類焼結磁石をＢ−Ｈトレーサーを用いて希土類焼結磁石体の保磁力ＨｃＪと、希土類焼結磁石の残留磁束密度Ｂｒと保磁力ＨｃＪとを測定した。また、角形比Ｈｋ／ＨｃＪは、減磁曲線で磁化が残留磁化の値から１０％低下したときの外部磁場の絶対値をＨｋとしたとき、磁化が０になる外部磁場の絶対値である保磁力ＨｃＪに対するＨｋのパーセント比率の数値である。
【００９１】
［ＨｃＪ比の算出］
実施例１〜３、比較例２、３で得られた希土類焼結磁石体の保磁力ＨｃＪの比較例１の希土類焼結磁石体の保磁力ＨｃＪに対する保磁力比（ＨｃＪ比）を算出した。
【００９２】
［Ｈｋ／ＨｃＪ比率の算出］
実施例１〜３、比較例２、３で得られた希土類焼結磁石体の角形比（Ｈｋ／ＨｃＪ）の比較例１の希土類焼結磁石体の角形比（Ｈｋ／ＨｃＪ）に対する角形比比率（Ｈｋ／ＨｃＪ比率）を算出した。
【００９３】
希土類焼結磁石体の相対密度、保磁力ＨｃＪ、比較例１の保磁力ＨｃＪに対する保磁力比（ＨｃＪ比）、希土類焼結磁石体の角形比Ｈｋ／ＨｃＪ、比較例１の希土類焼結磁石体の角形比Ｈｋ／ＨｃＪに対する希土類焼結磁石体の角形比比率（Ｈｋ／ＨｃＪ比率）、希土類焼結磁石の残留磁束密度Ｂｒ、保磁力ＨｃＪおよび角形比Ｈｋ／ＨｃＪの測定結果を表２に示す。また、測定された希土類焼結磁石体のＨｋ／ＨｃＪ比率と希土類焼結磁石の保磁力ＨｃＪとの関係を図２に示す。
【００９４】
【表２】
2012212808.tif 000003
【００９５】
表２に示すように、実施例１〜３の希土類焼結磁石の残留磁束密度Ｂｒは、比較例１の希土類焼結磁石の残留磁束密度Ｂｒとほぼ同等であったが、比較例２の希土類焼結磁石の残留磁束密度Ｂｒは、比較例１の希土類焼結磁石の残留磁束密度Ｂｒよりも大幅に低下した。また、実施例１〜３の希土類焼結磁石の保磁力ＨｃＪおよび角形比Ｈｋ／ＨｃＪは、比較例１の希土類焼結磁石の保磁力ＨｃＪおよび角形比Ｈｋ／ＨｃＪよりも高くなった。一方、比較例２、３の希土類焼結磁石の保磁力ＨｃＪおよび角形比Ｈｋ／ＨｃＪは、比較例１の希土類焼結磁石の保磁力ＨｃＪおよび角形比Ｈｋ／ＨｃＪよりも大幅に低下した。
【００９６】
実施例１〜３、比較例２、３の希土類焼結磁石体の角形比Ｈｋ／ＨｃＪは、いずれも比較例１の希土類焼結磁石体の角形比Ｈｋ／ＨｃＪよりも低いが、実施例１〜３の希土類焼結磁石体のように、比較例１の希土類焼結磁石体の角形比Ｈｋ／ＨｃＪを基準としたとき、希土類焼結磁石体のＨｋ／ＨｃＪ比率を０．８よりも大きく１．０未満とすることで、得られる希土類焼結磁石の残留磁束密度Ｂｒの低下を軽減できると共に、保磁力ＨｃＪおよび角形比Ｈｋ／ＨｃＪを向上させることができるといえる。
【００９７】
また、図２に示すように、希土類焼結磁石体のＨｋ／ＨｃＪ比率が０．８よりも大きく１．０未満の場合には、希土類焼結磁石の保磁力ＨｃＪは高い状態で維持できたことが確認されたが、希土類焼結磁石体のＨｋ／ＨｃＪ比率が０．８以下の場合には、希土類焼結磁石の保磁力ＨｃＪは大幅に低下したことが判明した。
【００９８】
成型体を焼成する際、成型体を焼結して角形比Ｈｋ／ＨｃＪが適正に取れる状態の希土類焼結磁石体になる前の段階で成型体の焼結を不十分な状態に留めておくことで、得られる希土類焼結磁石体の粒界相の融点は、熱処理して角形比Ｈｋ／ＨｃＪが一番高くなる焼結条件において得られる希土類焼結磁石体の粒界相の融点より低くなることが考えられる。
【００９９】
そのため、実施例１〜３のように、熱処理した希土類焼結磁石体の角形比Ｈｋ／ＨｃＪが、比較例１のように、熱処理して角形比Ｈｋ／ＨｃＪが一番高くなる焼結条件において得られる希土類焼結磁石体の角形比Ｈｋ／ＨｃＪよりも所定の範囲だけ低い場合には、希土類焼結磁石体の粒界相の融点は低いため、この希土類焼結磁石体を熱処理すると、比較例１のように熱処理して角形比Ｈｋ／ＨｃＪが一番高くなる焼結条件において得られる希土類焼結磁石体よりも粒界相は低温で液相化する。そして、希土類焼結磁石体の表面に塗布した希土類化合物含有液に含まれる重希土類は、希土類焼結磁石体の粒界相への拡散を効率よく行うことができると共に、粒界相の深部にまで効率よく拡散させることができるといえる。
【０１００】
一方、比較例２、３のように、熱処理して得られる希土類焼結磁石体の角形比Ｈｋ／ＨｃＪが、熱処理して角形比Ｈｋ／ＨｃＪが一番高くなる焼結条件において得られる希土類焼結磁石体に比べて低すぎると、希土類焼結磁石体自体の保磁力ＨｃＪ等が低いため、希土類焼結磁石体の粒界相を通じて内部に重希土類を拡散させても保磁力ＨｃＪおよび角形比Ｈｋ／ＨｃＪを十分向上させることはできないといえる。
【０１０１】
よって、実施例１〜３の希土類焼結磁石のように、希土類焼結磁石体の角形比Ｈｋ／ＨｃＪを、比較例１のような熱処理した希土類焼結磁石体の角形比Ｈｋ／ＨｃＪが一番高くなる焼結条件において得られる状態に対して所定の範囲内で低くし、希土類焼結磁石体の焼結が不十分な状態としておくことで、希土類焼結磁石体の内部に金属状態の希土類を更に効率よく吸収させることができる。このため、焼結が不十分な状態の希土類焼結磁石体を用いて得られる希土類焼結磁石は、残留磁束密度Ｂｒの低下を更に抑制し、保磁力ＨｃＪを更に向上させることができ、従来より磁気特性を向上させることができることが判明した。
【図１】
2012212808.tif 000004
【図２】
2012212808.tif 000005