(57)【要約】 【課題】デジタルデータから直接描画可能で、配線パターンの厚みを自由に制御でき、導電性高く、機械的強度に優れ、接着強度に優れた、ニッケルなどの導電性粒子を使用した回路基板の製造方法及び製造装置の提供。【解決手段】静電像坦持体上に形成された静電潜像を転写体に潜像転写する工程と、該転写体に導電性粒子を現像する導電性粒子パターン形成工程と、該導電性粒子上から金属インクを塗布するインク塗布工程とからなる事を特徴とする回路基板の製造方法、及び、静電潜像坦持体から転写体に潜像転写する潜像転写部と、転写体に導電性粒子を現像する導電性粒子パターン形成部と、該導電性粒子上から金属インクを塗布するインク塗布部とからなる事を特徴とする回路基板の製造装置。【選択図】図１
2012018298.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性粒子による回路を形成する装置において、少なくとも、
静電潜像担持体と、
当該静電潜像担持体に形成した静電潜像を転写体に転写する潜像転写手段と、
当該転写体に転写された静電潜像に静電的に導電性粒子を現像する現像手段と
を有する導電性回路形成装置。
【請求項２】
導電性粒子による回路を形成する装置において、少なくとも、
静電潜像担持体と、
当該静電潜像担持体に形成した静電潜像を転写体に転写する潜像転写手段と、
当該転写体に転写された静電潜像に静電的に導電性粒子を現像する現像手段と、
当該転写体上の導電性粒子上にインクを塗布するインク塗布手段と
を有する導電性回路形成装置。
【請求項３】
導電性粒子による回路を形成して回路基板を製造する回路基板の製造方法において、少なくとも、
静電潜像担持体上に静電潜像を形成する工程、
該静電潜像担持体に形成した静電潜像を転写体に潜像転写する工程、
当該転写体上の静電潜像に導電性粒子を静電的に現像する工程
を有する導電性回路基板の製造方法。
【請求項４】
導電性粒子による回路を形成して回路基板を製造する回路基板の製造方法において、少なくとも、
静電潜像担持体上に静電潜像を形成する工程、
該静電潜像担持体に形成した静電潜像を転写体に潜像転写する工程、
当該転写体上の静電潜像に導電性粒子を静電的に現像する工程、
当該転写体上の導電性粒子の上からインクを塗布する工程
を有する導電性回路基板の製造方法。
【請求項５】
転写体が電極を持たず、転写体の裏面から、少なくとも表面に導電性の液体を持ち、かつ、バイアスを印加した背面電極を接触して潜像転写をすることを特徴とする、
請求項１、２に記載の導電性回路形成装置、
又は請求項３、４に記載の導電性回路基板の製造方法。
【請求項６】
転写体が電極を持たず、転写体の裏面にコロナ帯電器でイオンを照射して潜像転写をすることを特徴とする、
請求項１、２に記載の導電性回路形成装置、
又は請求項３、４に記載の導電性回路基板の製造方法。
【請求項７】
転写体が少なくとも、加熱によって半硬化状態を経て導電性粒子と接着しその後硬化する接着層と、基材とからなることを特徴とする、
請求項１、２に記載の導電性回路形成装置、
又は請求項３、４に記載の導電性回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は導電性粒子を使った導電性回路基板の製造方法及び製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
回路基板の製造方法、特に導電性回路パターンの形成方法は種々提案され実用に供されている。
例えば、もっとも一般的な手法は全面に銅箔を張られた基板から、不要な部分を取り除いて回路を残す方法があげられる。これは配線として残したい部分に、シルクスクリーン印刷などで防蝕膜となるインクや塗料を塗布して覆い（マスキング）、金属腐食性のある薬品（銅箔の場合、一般的に塩化第二鉄溶液を用いる）で腐食（エッチング）させて必要な回路を残す方式である。印刷によるマスキングに代えて、フォトレジストを塗布した基板に回路パターン図を焼き込んだ銀塩写真フィルムのマスクを重ね紫外線露光して、露光部分のレジストを除去して前述のようにエッチングして用いることも実用している。
【０００３】
例えば、絶縁体基板に回路パターンを後から付け加える方法があげられる。銅パターンを形成したくない部分にレジスト（めっきレジスト）を形成し、レジストのない部分に電解または無電解めっきを施すことでパターンを形成する。
例えば、金属インクをインクジェットで基板上に直接描画してパターンを形成し、熱処理を施すことにより配線形成を行なう方法があげられる。
また、電子写真法を用いた導電性の粉体描画方法も提案されている。一つは特許文献１に示すように導電性粉体を樹脂でコートしたものを現像する方法である。
もう一つは特許文献２，３に示すように樹脂を含まない導電性粒子を静電潜像に現像する方法である。
【０００４】
防蝕膜を用いてエッチングする方法やレジストを形成してめっきによりパターンを形成する方法は現在一般に用いられる方法である。しかしこれらはシルクスクリーン用のマスクや、レジストを露光するためのフィルムマスクを準備する必要があり、導電性パターン作製条件が決定し、大量生産する場合には好ましいものであるが、条件設定段階や、少量生産の目的には必ずしも適していない。
【０００５】
一方、特許文献４に示されるように金属インクを用いてインクジェットでパターンを形成する方法は、コンピューター等でパターンを自由に設計し、一枚だけの作製も可能であるため、前記方法とは一線を画す方法である。しかし、金属インクを焼成した後にできる金属層を厚くできないため、回路の抵抗を下げられず、大きな電流を流す用途には適していない。
また、現在、金属インクは作製が困難なため極めて高価であるという欠点も有する。
【０００６】
金属層を厚くできないのは以下の理由による。
現在市場に流通している銀ナノインクを例にとって説明する。銀ナノインクは銀の微粒子（粒径数十nm以下）に界面活性剤等を付着させることにより、溶媒中で安定的に分散するようにしている。銀濃度を上げると分散性が悪化し、銀が凝集するため均一なインクにはならない。このため、特許文献５に示されるように銀ナノインク中の銀粒子の濃度は15体積%以下程度とならざるを得ない。
また銀ナノインクは粘度の低い液体であって重力の影響を受けて変形するため基材に塗布した際に、基材との接触面積に対して高さを大きくできない。
これらの結果、銀ナノインクを焼成した後に得られる銀層の厚さは最大でも１μm程度でしかなく、大きな電流を流すのに適さないという問題がある。
【０００７】
電子写真法はマスクを用いずデジタルデータから直接描画できる点、金属層の厚さを大きく稼げるため大電流に対応できる点、安価なニッケル粉等の導電性粉体を使用できる点で優れている。
しかし、特許文献１のように、導電性粉体を樹脂でコートした場合には、絶縁性の樹脂の混入により配線抵抗が大きくなる欠点がある。
【０００８】
また特許文献２，３のように樹脂を含有しない導電性粉体を使う場合、導電性粒子が静電潜像担持体に現像した際に静電潜像担持体に電荷を受け渡し、導電性粒子は電荷を持たなくなるため静電的に転写体に効率よく転写できないという問題があった。
さらに、導電性粉体の粒径が比較的大きいことから、昇温（約３００℃以下）しても粒子同士が結合せず、十分な導電性が得られないばかりか、該粉体配線は非常にもろく、機械的強度に劣るという欠点があった。
また、導電性粉体と、回路基板となる転写体との間の接着性に乏しく、導電性粉体で形成された回路パターンが転写体から容易に剥がれるという問題があった。
【特許文献１】特開昭６０−１６０６９０号公報
【特許文献２】特開２００７−３３６２６号公報
【特許文献３】特開２００８−１８５９８０号公報
【特許文献４】特開２００２−４２５８５号公報
【特許文献５】特開２００８−１９００２５号公報
【特許文献６】特開平１１−１９１５５６号公報
【特許文献７】特開２００６−２１６６７３号公報
【非特許文献１】R.M.シャファート著、井上英一監訳、「電子写真」、共立出版、p70-79
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
デジタルデータから導電性回路パターンが直接描画可能であり、配線の厚みを自由に制御して、導電性高く、機械的強度に優れ、接着強度に優れる、ニッケルなどの導電性粒子を使用した回路基板の製造を可能にすることは困難であった。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明はデジタルデータから直接描画可能で、配線の厚みを自由に制御でき、導電性が高く、機械的強度に優れ、接着強度に優れる、ニッケルなどの導電性粒子を使用した回路基板の製造方法及び製造装置を提供するものである。
【００１１】
本発明の基本的構成を図１に従って説明する。
回転する静電潜像担持体１表面を帯電器２により均一に帯電する。次に、図示しないコンピュータによって作成された回路パターンに応じた信号に基づいて露光３を行い、潜像パターンを形成する。
【００１２】
静電潜像担持体としては無機感光体、有機感光体、あるいは、機能分離型感光体、単層感光体のいずれも用いることができる。
最終的に得る回路パターンの細密化、高精度化に対応するためには、高解像度の潜像形成が可能な、表面で光を吸収しキャリアを発生する、表面励起型の感光体、上記例示した中では単層感光体がより好ましい。
露光手段としてはレーザー、ＬＥＤ、液晶シャッター、ＰＬＺＴシャッターアレイ等公知の手段が使用可能である。
【００１３】
潜像パターンが形成された静電潜像担持体１と潜像転写バイアス印加部材５１との間に転写体６を通す。潜像転写バイアス印加部材５１には図示しない電源が接続されており、転写体の裏面に印加される電圧と静電潜像担持体上の電圧によって定まる電界によって、静電潜像担持体上の潜像電荷が転写体６に転写する。
潜像転写の詳細については非特許文献１に解説されている。
現像背面電極２１上を通過する転写体上の潜像パターンは公知の方法で導電性粒子５を内蔵した現像器４によって現像される。現像器としては例えば特許文献３に開示されたものが使用可能である。
【００１４】
導電性粒子は回路配線に使用可能な導電性を有する材料であれば無機物、有機物を問わず使用可能である。
その中でも、金、銀、銅、白金、パラジウム、イリジウム、タングステン、ニッケル、タンタル、鉛、インジウム、錫、亜鉛等の金属粒子が好適に用いられる。
導電性粒子の粒径は用途によって多少最適値が異なるが、０．１〜１００μｍが好ましく、０．３〜１０μｍであればより好ましい。
０．１μｍ以下では凝集が発生し取り扱いが困難であり、１００μｍ以上では機械的強度が弱く配線が脆くなるためである。
【００１５】
次に転写体６上に現像された導電性粒子パターン８上にインク塗布手段９からインク１０を塗布する。
このインク塗布手段はインクジェット、ディスペンサー等、どのようなものでも構わないが、導電性粒子パターン８上に確実かつ高速にインクを塗布できるインクジェットが好ましい。
インク１０は導電性粒子パターン８を形成している導電性粒子間の空隙に入り込み空隙を埋める。
塗布するインクの最適量は導電性粒子の形状に依存するが、パターンを形成した導電性粒子の空隙を含めた見かけの体積の１０〜８０体積％が好ましく、２０〜７０体積％であればより好ましい。
１０体積％より小さい場合は導電性粒子パターンを焼結した後の電気抵抗が十分に改善さず、８０体積％より多い場合には、インクが導電性粒子パターンよりはみ出し隣の配線とショートする可能性があるからである。
こうしてインク含浸導電性粒子パターン１１が形成される。
【００１６】
インクはいわゆる金属インクが好適に用いられる。金属インクとしては金属ナノインクや金属錯体含有インクが例示される。
金属ナノインク中にはコロイド状の金属微粒子が含まれるが、金属微粒子としては、金、銀、銅、白金、パラジウム、イリジウム、タングステン、ニッケル、タンタル、鉛、インジウム、錫、亜鉛等又はこれらの酸化物が好適に用いられる。
当該金属微粒子の粒径は１〜１００ｎｍが焼結温度を低くできるため良く、１〜４０ｎｍであるとさらに良い。
また金属錯体を溶媒に溶かしたものも金属インクとして使用可能である。
錯体を構成する金属としては、金、銀、銅、白金、パラジウム、イリジウム、タングステン、ニッケル、タンタル、鉛、インジウム、錫、亜鉛等又はこれらの酸化物が好適に用いられる。
【００１７】
具体的には、金属インクとしては現在、以下のものが入手可能であって使用可能である。
金属ナノ粒子を用いた銀ナノインクとしては、PChem社製、DOWA社製、アルバックマテリアル社製、ハリマ化成製NPS-J、NPS-J-HTBが、
金ナノインクとしては、ハリマ化成製NPG-Jが、
ITOナノインクとしては、DOWA社製の製品があげられる。
銀錯体を用いたものとして、インクテック社製の銀錯体含有インクがあげられる。
【００１８】
次にカッター手段２４により転写体６を適当な大きさに切断する。
この工程はシート状回路基板を得たい場合に必要であるが、ロール状の回路基板を得たい場合には必要ない。
また図ではインク塗布後に転写体を切断しているが、潜像転写後、導電性粒子パターン形成後、あるいは焼結後に切断してもよい。
【００１９】
次に焼結手段１２により転写体６を加熱し、導電性粒子及びインクに含有する金属を焼結する。焼結温度は少なくともインク中の金属が溶融し膜化する温度以上であって、転写体が軟化、燃焼する温度以下である必要がある。
なお、常温で焼結可能な場合は、特に焼結手段を設ける必要はない。
【００２０】
図２は潜像転写バイアス印加部材５１の構成を示す図である。
潜像転写背面電極５３は少なくとも表面が導電性のローラであり潜像転写バイアス電源６０に接続されている。
潜像転写バイアスは転写体６の材質、厚みによって、また転写体に転写したい潜像電位の値によって異なるが、一般に、静電潜像担持体１の表面電位と潜像転写バイアス値の差が１０００Ｖ〜２０００Ｖとなるように設定するのが望ましい。
潜像転写背面電極５３は転写体６に電気的に接触するのが望ましい。部分的に空隙があると転写体に転写される潜像電位にムラが発生するからである。
そのため潜像転写背面電極５３の表面は低硬度の導電性ゴムを用いるのが望ましい。
なお、ここで導電性というのは体積抵抗で１０８Ωｃｍ以下、より好ましくは１０６Ωｃｍ以下をいう。
【００２１】
図３は改良された潜像転写バイアス印加部材５１の構成を示す図である。
前記した通り、潜像転写背面電極５７は転写体６と電気的に接触するのが望ましいが固体同士を密着させるのは一般に困難である。
そこで、潜像転写背面電極５７表面をスポンジ状の材料で形成し、そこに導電性液体を含浸させる方法が電気的な接触の実現により効果がある。
スポンジ材としては、ウレタン、ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＥ（ポリエチレン）、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニール）、ＥＰＴ（エチレンプロピレンゴム）、ポリオレフィン、ＮＢＲ（ニトリルブタジエンゴム）、ＩＩＲ（ブチルゴム）、ＣＲ（クロロプレン）、シリコンゴム等の発泡したものが好適に使用可能である。
またこれらにカーボン等を添加して導電性を付与したものがより好ましい。
導電性液体５９は汲み上げローラ５８で汲み上げ潜像転写背面電極５７表面に搬送される。
なお、導電性液体の抵抗は体積抵抗で１０８Ωｃｍ以下が好ましく、１０６Ωｃｍ以下がより好ましい。
具体的には、導電性液体として水、エタノール等のアルコールが好適に使用可能である。
【００２２】
図４は別の潜像転写バイアス印加部材５１の構成を示す図である。
潜像転写背面電極５３の代わりに潜像転写チャージャー５４を設け、高圧電源５５により高圧を印加してコロナ放電を生起させ、グリッドバイアス電源５６により転写体背面へのイオン供給量を調整する。ここで、静電潜像担持体１の表面電位とグリッドバイアス値の差が１０００Ｖ〜２０００Ｖとなるように設定するのが望ましい。
【００２３】
図５は潜像転写の原理を説明する図である。
静電潜像担持体１は基板電極２６と感光層２５とからなり、感光層の表面に潜像電荷２７が乗ることにより静電潜像が形成されている（図５-１）。
背面電極２８と転写体６は密着しており、静電潜像担持体１との間にエアギャップ２９を持つ。
静電潜像担持体１の回転に伴い静電潜像担持体１と転写体６が近接しパッシェン則に基づき放電開始電圧が低下する。
やがて、静電潜像担持体１表面と転写体６表面間の電位差が放電開始電圧を上回ることになり、微弱な放電が起きる（図５-２）。
こうして、静電潜像担持体１表面に形成されている静電潜像電荷の一部が転写体に移行し、潜像転写が完了する（図５-３）。
潜像形成された静電潜像担持体と転写体を近接して潜像転写を行う方法は一例であり、非特許文献1に記載されている他の潜像転写方式のいずれも使用可能である。
【００２４】
誘電体である転写体に潜像転写することで、従来必要であった導電性粒子の静電潜像担持体から転写体への転写が不要になり、その結果、導電性粒子の転写体への転写不良による導電性粒子の付着量不足を解消することができる。
【００２５】
図６は現像背面電極２１の構成を示す図である。
少なくとも表面が導電性の部材であって、接地されている。
現像ローラ４６との間で電界が生じればよいため、図示したローラ形状である必要はなく、導電性ブラシ、導電性の板状部材等から適宜選択可能である。
また転写体上の背景部に導電性粒子によるかぶりが発生する場合には、接地をやめてかぶり防止のためのバイアスを印加してもよい。
【００２６】
図７は金属含有インクの塗布効果を示したものである。
金属含有インクを塗布しない場合（図７-１）は導電性粒子同士が点接触しかしないため配線の電気抵抗は比較的高いものになる。また導電性粒子同士の接着強度は極めて弱いため、外力により導電性金属粒子の配線は簡単に壊れる。
一方、金属含有インクを塗布した場合（図７-２）は導電性粒子と導電性粒子の間にインク中に含まれる金属ナノ粒子が入り込み、焼結により（図７-３）導電性粒子間の金属ナノ粒子が溶融して導電性粒子と面接触で密着するようになるため、配線の電気抵抗は極めて小さいものとなる。また金属ナノ粒子が接着剤となり導電性粒子同士の接着強度が強くなるため、外力により配線は壊れにくくなる。
【００２７】
図８は現像器の一例を示したものである。
導電性粒子供給手段４１により導電性粒子５を供給する。現像器４内にあらかじめ入れられている磁性粒子１６と導電性粒子５はパドル４２により撹拌され導電性粒子５は磁性粒子１６の表面に付着する。導電性粒子５の付着した磁性粒子１６はパドル４２により導電性非磁性スリーブ４３表面に運ばれる。導電性非磁性スリーブ４３の内部には磁性集合体４４が内蔵されており図示した方向に回転する。すると磁性粒子１６が回転し磁性集合体４４の回転方向と逆方向に移動する。磁性粒子１６は規制ブレード４５によりすり抜け量が調整され、一部の磁性粒子１６のみ矢印で示される下流側に運ばれる。
【００２８】
導電性非磁性スリーブ４３と現像ローラ４６の間には補助電源４９と現像バイアス電源５０の電圧値に応じた電界によって磁性粒子１６に付着した導電性粒子５のみが現像ローラ４６側に移行する。現像ローラの回転により導電性粒子５は下流側に運ばれ転写体６との間の電界によって導電性粒子５は飛翔する。転写体上に形成された静電潜像のパターンに導電性粒子が付着して導電性粒子パターンが形成される。
導電性非磁性スリーブ４３と現像ローラ４６の間には数百ボルトの電圧が印加される。このとき交番電界を重畳すると導電性粒子５の導電性非磁性スリーブ４３から現像ローラ４６への移行量が増えるため好ましい。
また、現像ローラ４６と現像背面電極２１の間には数百ボルトの電圧が印加される。このとき交番電界を重畳すると導電性粒子５の現像ローラ４６から転写体６への移行量、すなわち現像量が増えるため好ましい。
【００２９】
転写体６は各種の誘電体材料を単体で使用可能である。
この場合、導電性粒子５と転写体６の接着性が悪い場合があるが、インク塗布部１０２でインク１０を塗布することで接着性を改善することができる。
インク中の金属が導電性粒子５と転写体６の接着剤になるためである。
転写体６の構成により導電性粒子５と転写体６の接着性を改善することもできる。
図９は導電性粒子５と転写体６との接着性を改善する転写体の構成を表したものである。
転写体６は基材６１と接着層６４からなる。基材６１としてはハンダ処理温度に耐えうる耐熱性を有している必要がある。また、回路基板として必要な絶縁性を有している必要がある。例えばフェノ−ル樹脂板やエポキシ樹脂板と紙の積層板、ガラス繊維入りエポキシ樹脂板、ポリイミド系樹脂板が好適に用いられる。その他には耐熱性フィルム、例えばポリイミドフィルムを使用することも可能である。さらには、ガラスやセラミック等も適用可能で、用途に応じて適宜選択することができる。
【００３０】
接着層６４は少なくとも昇温した際に軟化して（半硬化状態となって）導電性粒子５と接着し、さらに昇温すると硬化しハンダ処理温度ではもはや軟化しない特性を持つ必要がある。
また、接着層６４は潜像を担持できる抵抗を有する必要がある。
具体的には体積抵抗で１０１２Ωｃｍ以上とするのが良く、１０１３Ωｃｍ以上とするのがより好ましい。
１０１２Ωｃｍ以下では、転写した潜像が維持できないため、導電性粒子による現像ができないからである。
接着層の厚みは1〜100μmとするのが好ましく、3〜30μmとするとさらに良い。１μｍより薄い場合には接着性が十分ではなく導電性粉体からなる配線パターンが剥離しやすく、１００μｍより厚い場合には導電性粉体の接着層への埋没が発生し、ハンダ処理が困難となるからである。
接着剤としては、具体的にはエポキシ樹脂にアミン系硬化剤と、有機酸又は触媒を硬化剤として配合して溶剤に溶かしたものを絶縁基板に塗布し乾燥させたものが良い。これは最終的に加熱硬化され、回路基板である転写体と導電性粒子層を固定する接着剤の働きをする。ハンダ処理のため200℃〜300℃の熱が加えられる時、導電性粒子層を回路基板に接着している接着剤が耐熱性を有することにより、導電性粒子層が回路基板から剥離することが避けられる。
【００３１】
図１０は潜像転写性を改善する転写体６の構成を表したものである。
転写体６の基材６１の裏面に電極６３を設けている。こうすることにより潜像転写バイアス印加部材５１として図３に示すような導電性液体を用いずとも、図２のような単純な構成で良好な潜像転写性が得られる。
【００３２】
なお、導電性粒子として例えば銅粉を用いた場合は空気中に放置しているだけでも酸化により電気抵抗が高くなるため、転写体上の酸化銅粉パターンを還元するのが望ましい。
還元方法として公知の方法が使用できる。例えば特許文献６に示される水素プラズマを照射する方法、例えば特許文献７に示される酸素減圧環境下で焼成する方法を用いることができる。
空気中で酸化しない材料や酸化しても導電性を発現できる材料については、この還元作業は不要である。
【発明の効果】
【００３３】
デジタルデータから直接描画可能で、配線パターンの厚みを自由に制御でき、導電性高く、機械的強度に優れ、接着強度に優れる、ニッケルなどの導電性粒子を使用した回路基板が製造可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００３４】
【図１】本発明の基本構成の説明図
【図２】本発明の潜像転写バイアス印加部材の構成図
【図３】本発明の別の潜像転写バイアス印加部材の構成図
【図４】本発明の別の潜像転写バイアス印加部材の構成図
【図５】本発明の潜像転写の原理説明図
【図６】本発明の現像背面電極の構成図
【図７】本発明の金属インクを用いる効果を説明する図
【図８】本発明に使用できる現像器の一例を説明する図
【図９】本発明の転写体の説明図
【図１０】本発明の別の転写体の説明図
【発明を実施するための形態】
【００３５】
本発明の実施の形態として、静電潜像担持体、帯電器、露光、潜像転写バイアス印加部材からなる潜像転写部１００、導電性粒子を内蔵した現像器、現像背面電極からなる導電性粒子パターン形成部１０１、インクを内蔵したインク塗布手段からなるインク塗布部１０２、焼結手段からなる焼結部１０３、からなる回路基板の製造装置（図１）を作製して以下の実験を行った。
【００３６】
＜接着層の作製条件と体積抵抗＞
ポリイミドフィルム上にエポキシ系の接着剤を塗布し接着層６４を作製する。
具体的には、プリンテック社製のエポキシ樹脂系接着剤EPOX-AH3501Aを20重量部と同社製の硬化剤EPOX-AH3501Bを1重量部とを混合したものをポリイミドフィルム上にバーコートにて塗布した。
乾燥温度を１３０℃として、乾燥時間を変化させて得られる接着層の体積抵抗を測定した。
また、図１の装置を用いて潜像転写及び導電性粒子による現像を行って潜像が転写されるか確認を行った。
その結果を表１に示す。
【００３７】
【表１】
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ここから、接着層の体積抵抗が１０１２Ωｃｍ以上では転写された潜像が安定的に保持できるため好ましく、１０１３Ωｃｍ以上とするのがより好ましいことが判明した。
【実施例１】
【００３８】
図１に示す装置にて、静電潜像担持体として厚さ２０μｍの単層構成の正帯電感光体を用い初期帯電電位を８００Ｖに帯電した後、６００ｄｐｉかつ波長７２０ｎｍのＬＥＤヘッドで露光を行い、露光部の表面電位を５０Ｖとした。
次に図３に示す潜像転写バイアス印加部材５１を用い、転写体６として、表面に体積抵抗が１．６×１０１４Ωｃｍのエポキシ樹脂系接着剤を乾燥後の厚みで１０μｍ塗布した、厚さ５０μｍのポリイミドフィルム基板を用い、潜像を転写した。
導電性液体５９に水を用い、潜像転写背面電極５７の表層に発泡性のポリウレタン樹脂を用い、潜像転写バイアス電源６０から−８５０Ｖを出力して潜像転写した。
転写体６上に転写された潜像の電位は非露光部に対応する部分で約５００Ｖ、露光部に対応する部分で約０Ｖであった。
なお、ポリイミドフィルム基板上のエポキシ樹脂系接着剤は１４０℃で軟化（半硬化状態）し、１７０℃で硬化する特性を持っていた。
次に図８に示す現像器を用いて粒径２．３μｍのニッケル粉（ニッコーシ株式会社製Ni255）を現像バイアスＤＣ５００ＶにＡＣ５００Ｖを重畳して転写体６に現像した。
こうして得られたニッケル粉による配線の高さは１２μｍであり、大電流に耐えうる高さが実現できた。
【００３９】
次にインク塗布手段としてインクジェットを用い、金属インクとして銀ナノインク（DOWA社製）を１４ｐｌ（ピコリットル）単位で吐出させ、ニッケル粉のパターン上に塗布した。
最後に焼結手段で１８０℃１時間加熱し、ニッケルと銀からなる配線パターンを形成した。
得られた配線パターンの高さは約１２μｍであり、極めてよい導電性を示し、配線としての機械的強度も十分であり、かつ、基板との接着強度も十分であった。
【実施例２】
【００４０】
図１に示す装置にて、静電潜像担持体として厚さ２０μｍの単層構成の正帯電感光体を用い初期帯電電位を６００Ｖに帯電した後、６００ｄｐｉかつ波長７２０ｎｍのＬＥＤヘッドで露光を行い、露光部の表面電位を５０Ｖとした。
次に図４に示す潜像転写バイアス印加部材５１を用い、転写体６として、表面に体積抵抗が８．４×１０１３Ωｃｍのエポキシ樹脂系接着剤を乾燥後の厚みで１０μｍ塗布した、厚さ１００μｍのポリイミドフィルム基板を用い、潜像を転写した。
潜像転写チャージャー５４のワイヤー部に−６ｋＶの電圧を、グリッドに−１１００Ｖを印加し、潜像転写した。
転写体６上に転写された潜像の電位は非露光部に対応する部分で約４３０Ｖ、露光部に対応する部分で約０Ｖであった。
なお、ポリイミドフィルム基板上のエポキシ樹脂系接着剤は１４０℃で軟化（半硬化状態）し、１７０℃で硬化する特性を持っていた。
次に図８に示す現像器を用いて１．５μｍの銅粉（福田金属箔粉工業株式会社製Cu-HWQ1.5μm）を現像バイアスＤＣ４３０ＶにＡＣ５００Ｖを重畳して静電潜像担持体上に現像した。
こうして得られた銅粉による配線の高さは７μｍであり、大電流に耐えうる高さが実現できた。
【００４１】
次にインク塗布手段としてインクジェットを用い、金属インクとして銀錯体を用いた金属インク（インクテック社製）を２０ｐｌ（ピコリットル）単位で吐出させ、銅粉のパターン上に塗布した。
最後に焼結手段で２００℃１時間加熱し、銅と銀からなる配線パターンを形成した。
得られた配線パターンの高さは約７μｍであり、配線としての機械的強度も十分であり、かつ、基板との接着強度は十分であった。
また、当該配線パターンは公知の還元手段で十分な導電性が発現できるものである。
【実施例３】
【００４２】
図１に示す装置にて、静電潜像担持体として厚さ２０μｍの単層構成の正帯電感光体を用い初期帯電電位を８００Ｖに帯電した後、６００ｄｐｉかつ波長７２０ｎｍのＬＥＤヘッドで露光を行い、露光部の表面電位を５０Ｖとした。
次に図３に示す潜像転写バイアス印加部材５１を用い、転写体６として、以下に述べる接着層を乾燥後の厚みで７μｍ塗布した、厚さ５０μｍのポリイミドフィルム基板を用い、潜像を転写した。
本実施例の接着層はジャパンエポキシレジン（株）製のエポキシ樹脂グレード１５４を１００重量部と、アミン系硬化剤としてジシアンジアミド６重量部と、有機酸として無水メチルナジック酸を１重量部とを３００重量部のメチルエチルケトンと５７重量部のＮ−メチルピロリドンの混同溶剤に溶解して、ポリイミドフィルム上にバーコーターで塗布して１００℃３０分乾燥したものを用いた。
こうして得られた接着層の体積抵抗は６．４×１０１４Ωｃｍであった。
導電性液体５９に水を用い、潜像転写背面電極５７の表層に発泡性のポリウレタン樹脂を用い、潜像転写バイアス電源６０から−８５０Ｖを出力して潜像転写した。
転写体６上に転写された潜像の電位は非露光部に対応する部分で約５００Ｖ、露光部に対応する部分で約０Ｖであった。
なお、ポリイミドフィルム基板上のエポキシ樹脂系接着剤は１２０℃で軟化（半硬化状態）し、１６０℃で硬化する特性を持っていた。
次に図８に示す現像器を用いて粒径２．３μｍのニッケル粉（ニッコーシ株式会社Ni255）を現像バイアスＤＣ５００ＶにＡＣ５００Ｖを重畳して転写体６に現像した。
こうして得られたニッケル粉による配線の高さは１２μｍであり、大電流に耐えうる高さが実現できた。
【００４３】
次にインク塗布手段としてインクジェットを用い、金属インクとして銀ナノインク（DOWA社製）を１４ｐｌ（ピコリットル）単位で吐出させ、ニッケル粉のパターン上に塗布した。
最後に焼結手段で１８０℃１時間加熱し、ニッケルと銀からなる配線パターンを形成した。
得られた配線パターンの高さは約１２μｍであり、極めてよい導電性を示し、配線としての機械的強度も十分であり、かつ、基板との接着強度も十分であった。
【００４４】
上記実施例の導電性粒子材料、インク材料、転写体材料等の諸条件は代表例であって、本発明を制限するものではない。
【符号の説明】
【００４５】
１・・・・・静電潜像担持体
２・・・・・帯電器
３・・・・・露光
４・・・・・現像器
５・・・・・導電性粒子
６・・・・・転写体
８・・・・・導電性粒子パターン
９・・・・・インク塗布手段
１０・・・・・インク
１１・・・・・インク含浸導電性粒子パターン
１２・・・・・焼結手段
１３・・・・・焼結された導電性パターン
１４・・・・・金属ナノ粒子
１６・・・・・磁性粒子
２１・・・・・現像背面電極
２４・・・・・カッター
２５・・・・・感光層
２６・・・・・基板電極
２７・・・・・潜像電荷
２８・・・・・背面電極
２９・・・・・エアギャップ
３０・・・・・潜像転写した電荷
４１・・・・・導電性粒子供給装置
４２・・・・・パドル
４３・・・・・導電性非磁性スリーブ
４４・・・・・磁性集合体
４５・・・・・規制ブレード
４６・・・・・現像ローラ
４８・・・・・スクレーパー
４９・・・・・補助電源
５０・・・・・現像バイアス電源
５１・・・・・潜像転写バイアス印加部材
５３・・・・・潜像転写背面電極
５４・・・・・潜像転写チャージャー
５５・・・・・高圧電源
５６・・・・・グリッドバイアス電源
５７・・・・・潜像転写背面電極
５８・・・・・汲み上げローラ
５９・・・・・導電性液体
６０・・・・・潜像転写バイアス電源
６１・・・・・基材
６３・・・・・電極
６４・・・・・接着層
１００・・・・・潜像転写部
１０１・・・・・導電性粒子パターン形成部
１０２・・・・・インク塗布部
１０３・・・・・焼結部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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