(57)【要約】【課題】同時に導電ペーストバイアおよび金属バイアを備える回路板を製造する回路板の製造方法、並びに同時に導電ペーストバイア及び金属バイアを備える回路板を提供する。【解決手段】回路板が第１配線構造および第２配線構造を含む。第１配線構造が、第１誘電層と第１配線層と第２配線層と金属バイアとを含む。第１誘電層が互いに対向する第１表面および第２表面を有する。第１配線材料層が第１表面上に配置される。第２配線材料層が第２表面上に配置される。金属バイアが第１誘電層中に配置され、第１配線材料層および第２配線材料層を電気接続する。第２配線構造が第１配線構造上に配置される。第２配線構造が第３配線層と第２誘電層と導電ペーストバイアとを含む。第２誘電層が第１表面上に配置され、第１配線層を被覆する。第３配線層が第２誘電層上に配置される。導電ペーストバイアが第２誘電層中に配置され、第１配線層および第３配線層を電気接続する。【選択図】図４Ｂ
2012064788.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１表面および前記第１表面に対向する第２表面を有する第１誘電層と；
前記第１表面上に配置される第１配線材料層と；
前記第２表面上に配置される第２配線材料層と；
前記第１誘電層中に配置され、かつ前記第１配線材料層および前記第２配線材料層を電気接続する導電ペーストバイアと
を含む回路構造を提供することと；
前記第１配線材料層をパターン化して、第１配線層を形成することと；
前記第１表面上に第２誘電層を形成し、前記第２誘電層が前記第１配線層を被覆することと；
前記第２誘電層中に金属バイアを形成し、かつ前記第２誘電層上に第３配線材料層を形成し、前記金属バイア、前記第１配線層、および前記第３配線材料層の各々が電気接続されることと
を含む回路板の製造方法。
【請求項２】
前記導電ペーストバイアが、頂部および底部を有し、前記底部が前記第１表面に隣接し、前記頂部が前記第２表面に隣接し、かつ前記頂部の外径が前記底部の外径より大きい請求項１に記載の回路板の製造方法。
【請求項３】
前記金属バイアが、頂部および底部を有し、前記底部が前記第１表面に隣接し、前記頂部が前記第１表面から遠く、かつ前記頂部の外径が前記底部の外径より大きい請求項１に記載の回路板の製造方法。
【請求項４】
前記回路構造を提供するステップが：
前記第１誘電層を提供することと；
前記第１表面上に前記第１配線材料層を形成することと；
前記第２表面上に絶縁薄膜を形成することと；
前記絶縁薄膜および前記第１誘電層中にバイアホールを形成し、前記バイアホールが前記第１配線材料層の一部を露出することと；
前記バイアホール中に前記導電ペーストバイアを形成することと；
前記絶縁薄膜を除去することと；
前記第２表面および前記導電ペーストバイア上に前記第２配線材料層を形成することと
を含む請求項１に記載の回路板の製造方法。
【請求項５】
第１表面および前記第１表面に対向する第２表面を有する第１誘電層と；
前記第１表面上に配置される第１配線材料層と；
前記第２表面上に配置される第２配線材料層と；
前記第１誘電層中に配置され、かつ前記第１配線材料層および前記第２配線材料層を電気接続する金属バイアと
を含む回路基板を提供することと；
前記第１配線材料層をパターン化して、第１配線層を形成することと；
前記第１表面上に第２誘電層を形成し、前記第２誘電層が前記第１配線層を被覆することと；
前記第２誘電層中にバイアホールを形成し、かつ前記バイアホールが前記第１配線層を露出させることと；
前記バイアホール中に導電ペーストバイアを形成することと；
前記第２誘電層および前記導電ペーストバイア上に第３配線材料層を形成することと
を含む回路板の製造方法。
【請求項６】
前記金属バイアが、頂部および底部を有し、前記底部が前記第１表面に隣接し、前記頂部が前記第２表面に隣接し、かつ前記頂部の外径が前記底部の外径より大きい請求項５に記載の回路板の製造方法。
【請求項７】
前記導電ペーストバイアが、頂部および底部を有し、前記底部が前記第１表面に隣接し、前記頂部が前記第１表面から遠く、かつ前記頂部の外径が前記底部の外径より大きい請求項５に記載の回路板の製造方法。
【請求項８】
前記回路基板を形成するステップが：
第１誘電層を提供することと；
前記第１表面上に前記第１配線材料層を形成することと；
前記第１誘電層中に前記金属バイアを形成し、かつ前記第２表面上に前記第２配線材料層を形成することと
を含む請求項５に記載の回路板の製造方法。
【請求項９】
第１表面および前記第１表面に対向する第２表面を有する第１誘電層と；
前記第１表面上に配置される第１配線層と；
前記第２表面上に配置される第２配線層と；
前記第１誘電層中に配置され、かつ前記第１配線層および前記第２配線層を電気接続する金属バイアと
を含む第１配線構造と
前記第１表面上に配置され、かつ前記第１配線層を被覆する第２誘電層と；
前記第２誘電層上に配置される第３配線層と；
前記第２誘電層中に配置され、かつ前記第１配線層および前記第３配線層を電気接続する導電ペーストバイアと
を含み、前記第１表面上に配置された第２配線構造と
を備える回路板。
【請求項１０】
前記金属バイアが、頂部および底部を有し、前記底部が前記第１表面に隣接し、前記頂部が前記第２表面に隣接し、かつ前記頂部の外径が前記底部の外径より大きい請求項９に記載の回路板。
【請求項１１】
前記導電ペーストバイアが、頂部および底部を有し、前記底部が前記第１表面に隣接し、前記頂部が前記第１表面から遠く、かつ前記頂部の外径が前記底部の外径より大きい請求項９に記載の回路板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、回路板とその製造方法に関し、特に、同時に導電ペースト（conductive paste）バイア（via）および金属バイア（metal via）を備える回路板とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子技術の日進月歩に伴い、先端技術電子産業の相次ぐ出現により、更に人間的なものとなり、機能が更に優れたものとなった電子製品が絶えず古いものを改め新しいものを生みだすとともに、軽く薄く短く小さくという潮流に向かって設計されている。これらの電子製品において、通常、その上に電子素子を実装するために用いられるのが回路板である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】中華民国（台湾）専利出願第200614898号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一般的に言って、回路板は、多層配線構造により構成され、各層の配線が金属バイア（via）によって相互に電気接続される。ラミネーション（lamination）方式により多層配線構造を形成する時、圧力ストレスを受ける影響から、これらの金属バイアおよび配線層間の境界面がそれにより欠陥（破裂、不完全な接合）を発生させる。また、これらの金属バイアが高温製造プロセスにおいても熱ストレスの影響で変形を発生させ、それにより、これらの金属バイア間の配線に損壊が生じる事態が容易に発生する。
【０００５】
中華民国（台湾）専利出願第200614898号は、多層印刷配線版の製造方法を提出しており、絶縁層上にＰＥＴ離型層（mold releasing layer）を形成して、レーザー加工によりバイアホールを形成するとともに、スクリーン印刷の方式で導電ペーストをバイアホールへ充填している。
【０００６】
そこで、この発明の目的は、同時に導電ペーストバイア（導電ペースト導通孔）および金属バイア（金属導通孔）を備える回路板を製造する回路板の製造方法を提供することにある。
【０００７】
この発明の別な目的は、同時に導電ペーストバイアおよび金属バイアを備える回路板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この発明は、回路板の製造方法を提出し、この方法は、先に配線構造を提供する。この配線構造が、第１誘電層と第１配線材料層と第２配線材料層と導電ペーストバイアとを含む。第１誘電層が第１表面および第１表面に対向する第２表面を有する。第１配線材料層が前記第１表面上に配置される。第２配線材料層が第２表面上に配置される。導電ペーストバイアが第１誘電層中に配置され、かつ第１配線材料層および第２配線材料層を電気接続する。第１配線材料層をパターン化して、第１配線層を形成する。次に、第１表面上に第２誘電層を形成し、第２誘電層が第１配線層を被覆する。その後、第２誘電層中に金属バイアを形成し、かつ第２誘電層上に第３配線材料層を形成する。そのうち、金属バイアおよび第１配線材料層ならびに第３配線材料層は電気接続される。
【０００９】
この発明は、別な回路板の製造方法を提出し、この方法は、先に配線構造を提供する。この配線構造が、第１誘電層と第１配線材料層と第２配線材料層と金属バイアとを含む。第１誘電層が第１表面および第１表面に対向する第２表面を有する。第１配線材料層が前記第１表面上に配置される。第２配線材料層が第２表面上に配置される。金属バイアが第１誘電層中に配置され、かつ第１配線材料層および第２配線材料層を電気接続する。そして、第１配線材料層をパターン化して、第１配線層を形成する。次に、第１表面上に第２誘電層を形成し、第２誘電層が第１配線層を被覆する。その後、第２誘電層中に第１バイアホールを形成し、かつ第１バイアホールが第１配線層の一部を露出する。続いて、第１バイアホール中に導電ペーストバイアを形成する。その後、第２誘電層および導電ペーストバイア上に第３配線材料層を形成する。
【００１０】
この発明は、また別な回路板の製造方法を提供し、この方法は、第１配線構造および第２配線構造を含む。第１配線構造が、第１誘電層と、第１配線層と、第２配線層と、金属バイアとを含む。第１誘電層が第１表面および第１表面に対向する第２表面を有する。第１配線材料層が前記第１表面上に配置される。第２配線材料層が第２表面上に配置される。金属バイアが第１誘電層中に配置され、かつ第１配線材料層および第２配線材料層を電気接続する。第２配線構造が第３配線層と第２誘電層と導電ペーストバイアとを含む。第３配線層が第２配線層上に配置される。第２誘電層が第１配線層および第３配線層間に配置される。導電ペーストバイアが第２誘電層中に配置され、かつ第１配線層および第３配線層を電気接続する。
【発明の効果】
【００１１】
上記に基づいて、この発明の回路板中、対向して配置される導電ペーストバイアと金属バイアとを備えるので、回路板が後続のラミネーションプロセスを実施して更に多層の配線構造の回路板を形成する時、導電ペーストバイアが緩衝構造となることができるため、金属バイアおよび配線層間の境界面が圧力ストレスの影響により欠陥（例えば、破裂、不完全な接合）を発生させることを回避することができる。
【００１２】
また、この発明の回路板中、導電ペーストバイアが、緩衝構造となることができるため、金属バイアが、プロセス温度が高すぎて変形を発生させる時、金属バイアが配線層を押し出して配線層に損壊を発生させることを有効に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１Ａ】この発明の実施形態にかかる回路板の製造方法を示す断面図である。
【図１Ｂ】この発明の実施形態にかかる回路板の製造方法を示す断面図である。
【図１Ｃ】この発明の実施形態にかかる回路板の製造方法を示す断面図である。
【図１Ｄ】この発明の実施形態にかかる回路板の製造方法を示す断面図である。
【図１Ｅ】この発明の実施形態にかかる回路板の製造方法を示す断面図である。
【図２Ａ】この発明の別な実施形態にかかる回路板の製造方法を示す断面図である。
【図２Ｂ】この発明の別な実施形態にかかる回路板の製造方法を示す断面図である。
【図２Ｃ】この発明の別な実施形態にかかる回路板の製造方法を示す断面図である。
【図２Ｄ】この発明の別な実施形態にかかる回路板の製造方法を示す断面図である。
【図２Ｅ】この発明の別な実施形態にかかる回路板の製造方法を示す断面図である。
【図３Ａ】この発明の更に別な実施形態にかかる回路板の製造方法を示す断面図である。
【図３Ｂ】この発明の更に別な実施形態にかかる回路板の製造方法を示す断面図である。
【図４Ａ】この発明のまた別な実施形態にかかる回路板の製造方法を示す断面図である。
【図４Ｂ】この発明のまた別な実施形態にかかる回路板の製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、この発明を実施するための形態を図面に基づいて説明する。
図１Ａから図１Ｅは、この発明の実施形態にかかる回路板の製造方法を示す断面図である。先ず、図１Ａにおいて、第１誘電層１０１を提供する。第１誘電層１０１は、第１表面１０１ａと、第１表面１０１ａに対向する第２表面１０１ｂとを有する。それから、第１表面１０１ａ上に第１配線材料層１０２を形成する。第１配線材料層１０２は、例えば、銅層である。第１配線材料層１０２を形成するステップは、例えば、電気メッキプロセスである。その後、第２表面１０１ｂ上に絶縁薄膜１０３を形成する。絶縁薄膜１０３の材料は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（polyethylene terephthalate = PET）である。絶縁薄膜１０３を形成するステップは、例えば、ラミネーションプロセスを実施することである。そして、別な実施形態中、第１配線材料層１０２および絶縁薄膜１０３いずれもラミネーション方式を利用して、それぞれ第１表面１０１ａおよび第２表面１０１ｂ上に形成することができる。
【００１５】
その後、図１Ｂにおいて、絶縁薄膜１０３および第１誘電層１０１中にバイアホール１０４を形成し、かつバイアホール１０４が第１配線材料層１０２の一部を露出する。バイアホール１０４を形成するステップは、例えば、レーザードリルプロセスを実施することである。次に、バイアホール１０４中に導電ペーストバイア（導電ペースト導通孔）１０５を形成する。導電ペーストバイア１０５を形成するステップは、例えば、プリントプロセスを実施することであり、導電ペースト（例えば、銀ペースト、銅ペースト等）をバイアホール１０４中に充填することである。
【００１６】
次に、図１Ｃにおいて、絶縁薄膜１０３を除去する。そして、第２表面１０１ｂおよび導電ペーストバイア１０５上に第２配線材料層１０６を形成し、配線構造１００を形成する。第２配線材料層１０６は、例えば、銅層である。第２配線材料層１０６を形成するステップは、例えば、ラミネーションプロセスを実施することである。導電ペーストバイア１０５は、第１配線材料層１０２および第２配線材料層１０６を電気接続する。注意すべきは、このラミネーションプロセス中、導電ペーストが硬化していないので、バイアホール１０４（図１Ｂ参照）外の導電ペーストバイア１０５がバイアホール１０４中に押し込まれて、高温高圧ラミネーションを経た後、平坦なラミネーション表面を形成することである。この時、導電ペーストバイア１０５が頂部１０５ａと底部１０５ｂとを有し、底部１０５ｂが第１表面１０１ａに隣接し、頂部１０５ａが第２表面１０１ｂに隣接し、かつ頂部１０５ａの外径が底部１０５ｂの外径より大きい。この実施形態中、底部１０５ｂと第１表面１０１ａとが平ら（flush）となり、頂部１０５ａと第２表面１０１ｂとが平らとなる。
【００１７】
その後、図１Ｄにおいて、配線構造１００中の第１配線材料層１０２および第２配線材料層１０６をパターン化し（図１Ｃ参照）、それぞれ第１配線層１０２ａおよび第２配線層１０６ａを形成する。別な実施形態中、第１配線材料層１０２だけをパターン化し、実際の必要に応じて、後続の他のプロセス中に第２配線材料層１０６をパターン化することもできる。そして、第１表面１０１ａ上に第２誘電層１１１を形成し、かつ第２誘電層１１１が第１配線層１０２ａを被覆する。次に、第２誘電層１１１中に金属バイア（金属導通孔）１１３を形成し、かつ第２誘電層１１１上に第３配線材料層１１４を形成する。金属バイア１１３と第１配線層１０２ａと第３配線材料層１１４とが電気接続される。金属バイア１１３および第３配線材料層１１４を形成するステップは、例えば、先に第２誘電層１１１中にバイアホール１１２を形成することである。バイアホール１１２を形成するステップは、例えば、レーザードリルを実施することである。バイアホール１１２が第１配線層１０２ａの一部を露出する。その後、電気メッキプロセスを実施して、バイアホール１１２中に金属バイア１１３を形成するとともに、第２誘電層１１１上に第３配線材料層１１４を形成する。金属バイア１１３が頂部１１３ａと底部１１３ｂとを有し、底部１１３ｂが第１表面１０１ａに隣接し、頂部１１３ａが第１表面１０１ａから遠く、かつ頂部１１３ａの外径が底部１１３ｂの外径より大きい。
【００１８】
その後、図１Ｅにおいて、第３配線材料層１１４をパターン化して第３配線層１１４ａを形成し、この実施形態中の回路板１０の製造を完成する。
【００１９】
図２Ａから図２Ｅは、この発明の別な実施形態にかかる回路板の製造方法を示す断面図である。この実施形態中、形成する回路板は、回路板１０と同一な構造を有する。先ず、図２Ａにおいて、第１誘電層２０１を提供する。第１誘電層２０１は、第１表面２０１ａと、第１表面２０１ａに対向する第２表面２０１ｂとを有する。そして、第１表面２０１ａ上に第１配線材料層２０２を形成する。第１配線材料層２０２は、例えば、銅層である。第１配線材料層２０２を形成するステップは、例えば、電気メッキプロセスを実施することである。
【００２０】
次に、図２Ｂにおいて、第１誘電層２０１中に金属バイア２０４を形成し、かつ第２表面２０１ｂ上に第２配線材料層２０５を形成して、配線構造２００を形成する。金属バイア２０４および第２配線材料層２０５を形成するステップは、例えば、先に第１誘電層２０１中にバイアホール２０３を形成することである。バイアホール２０３を形成するステップは、例えば、レーザードリルを実施することである。バイアホール２０３が第１配線材料層２０２の一部を露出させる。その後、電気メッキプロセスを実施して、バイアホール２０３中に金属バイア２０４を形成するとともに、第１誘電層２０１上に第２配線材料層２０５を形成する。金属バイア２０４が頂部２０４ａと底部２０４ｂとを有し、底部２０４ｂが第２表面２０１ｂに隣接し、かつ頂部２０４ａの外径が底部２０４ｂの外径より大きい。この実施形態中、底部２０４ｂと第１表面２０１ａとが平らであり、頂部２０４ａと第２表面２０１ｂとが平らである。
【００２１】
次に、図２Ｃにおいて、配線構造２００中の第１配線材料層２０２をパターン化して、第１配線層２０２ａを形成する。別な実施形態中、実際の必要に応じて第１配線材料層２０２および第２配線材料層２０５を同時にパターン化することもできる。そして、第１表面２０１ａ上に第２誘電層２１１を形成し、かつ第２誘電層２１１が第１配線層２０２ａを被覆する。その後、選択的に第２誘電層２１１上に絶縁薄膜２１２を形成する。絶縁薄膜２１２の材料は、例えば、ポリエチレンテレフタレート(ＰＥＴ)である。絶縁薄膜２１２を形成するステップは、例えば、ラミネーションプロセスを実施することである。
【００２２】
そして、図２Ｄにおいて、絶縁薄膜２１２および第２誘電層２１１中にバイアホール２１３を形成し、かつバイアホール２１３が第１配線層２０２ａの一部を露出させる。バイアホール２１３を形成するステップは、例えば、レーザードリルを実施することである。次に、バイアホール２１３中に導電ペーストバイア２１４を形成する。導電ペーストバイア２１４を形成するステップは、例えば、プリントプロセスを実施して、導電ペースト（例えば、銀ペースト、銅ペーストなど）をバイアホール２１３中に充填することである。
【００２３】
その後、図２Ｅにおいて、絶縁薄膜２１２を除去する。そして、第２誘電層２１１および導電ペーストバイア２１４上に第３配線材料層（図示せず）を形成する。第３配線材料層は、例えば、銅層である。第３配線材料層を形成するステップは、ラミネーションプロセスを実施することである。導電ペーストバイア２１４が第１配線層２０２ａおよび第３配線層２１５を電気接続する。注意すべきは、このラミネーションプロセス中、バイアホール２１３の外の導電ペーストバイア２１４をバイアホール２１３中へ押し込むことである。導電ペーストバイア２１４が頂部２１４ａと底部２１４ｂとを有し、底部２１４ｂが第１表面２０１ａに隣接し、頂部２１４ａが第１表面２０１ａから遠く、かつ頂部２１４ａの外径が底部２１４ｂの外径より大きい。
【００２４】
その後、第３配線材料層をパターン化して、第３配線層２１５を形成し、この実施形態の回路板２０を完成する。
【００２５】
図１Ｅと図２Ｅとに示すように、回路板１０，２０中にいずれも対応するように配置された導電ペーストバイア（導電ペースト導通孔）と金属バイア（金属導通孔）とを備えるので、回路板１０，２０が後続のラミネーションプロセスを実施して、更に多層の配線構造を有する回路板を形成する時、導電ペーストバイア１０５，２１４を緩衝構造とすることができるため、圧力ストレスの影響を受けて金属バイア１１３，２０４および第１配線層１０２ａ，２０２ａ間の境界面が欠陥（破裂、不完全な接合）を生ずる問題を回避することができる。
【００２６】
また、回路板１０，２０中、導電ペーストバイア１０５，２１４は、緩衝構造とすることができるので、金属バイア１１３，２０４が、プロセス温度が高すぎて変形を発生させる時、金属バイア１１３，２０４が第１配線層１０２ａ，２０２ａを押し出して第１配線層１０２ａ，２０２ａが損壊されることを有効に防止する。
【００２７】
後続のラミネーションプロセスを実施して、更に多層の配線構造を有する回路板を形成することについて、以下に、回路板１０を例にあげて説明する。
【００２８】
図３Ａから図３Ｂは、この発明の更に別な実施形態にかかる回路板の製造方法を示す断面図である。先ず、図３Ａにおいて、回路板１０，１０'を提供する。回路板１０および回路板１０'は、同一構造を有する。そして、回路板１０および回路板１０'間に誘電層３００を提供するとともに、回路板１０に隣接する導電ペーストバイア１０５の一側に誘電層３０２と配線材料層３０４とを提供する。また、回路板１０'に隣接する導電ペーストバイア１０５の一側に誘電層３０６と配線材料層３０８とを提供するとともに、回路板１０'の第３配線層１１４ａ上に錐状導電ペースト３０を形成する。
【００２９】
そして、図３Ｂにおいて、配線材料層３０４と、誘電層３０２と、回路板１０と、誘電層３００と、回路板１０'と、誘電層３０６と、配線材料層３０８とをラミネーションする。ラミネーションプロセス中、錐状導電ペースト３０が誘電層３００を貫いて導電ペーストバイア３０ａを形成する。次に、配線材料層３０４および誘電層３０２中にバイアホールを形成するとともに、電気メッキプロセスを実施して、金属バイア３１２を形成し、かつ配線材料層３１４を増層する。配線材料層３０８および誘電層３０６中にバイアホールを形成するとともに、電気メッキプロセスを実施して、金属バイア３１６を形成し、かつ配線材料層３１８を増層する。その後、配線材料層３１４，３０４に対してパターン化プロセスを実施できるとともに、配線材料層３１８，３０８に対してパターン化プロセスを実施して必要な配線層を形成する。
【００３０】
図４Ａから図４Ｂは、この発明のまた別な実施形態にかかる回路板の製造方法を示す断面図である。先ず、図４Ａにおいて、回路板１０，１０'を提供する。回路板１０および回路板１０'は、同一構造を有する。そして、回路板１０上に誘電層４００と、金属バイア４０２と、配線層４０４とを形成するとともに、回路板１０'上に誘電層４１０と、金属バイア４１２と、配線層４１４と、錐状導電ペースト４０とを形成する。次に、回路板１０の一側に誘電層４０６と配線材料層４０８とを提供するとともに、回路板１０，１０'間に誘電層４０９を提供する。また、回路板１０'の錐状導電ペースト４０に対向する一側に誘電層４１６と配線材料層４１８とを提供する。
【００３１】
そして、図４Ｂにおいて、配線材料層４０８と、誘電層４０６と、回路板１０と、誘電層４０９と、回路板１０'と、誘電層４１６と、配線材料層４１８とをラミネーションする。ラミネーションプロセス中、錐状導電ペースト４０が誘電層４０９を貫いて導電ペーストバイア４０ａを形成する。次に、配線材料層４０８および誘電層４０６中にバイアホールを形成するとともに、電気メッキプロセスを実施して金属バイア４２４および配線材料層４２２を形成する。配線材料層４１８および誘電層４１６中にバイアホールを形成するとともに、電気メッキプロセスを実施して金属バイア４２４および配線材料層４２６を形成する。その後、配線材料層４２２，４０８に対してパターン化プロセスを実施できるとともに、配線材料層４２６，４１８に対してパターン化プロセスを実施して、必要な配線層を形成する。
【００３２】
以上のように、この発明を実施形態により開示したが、もとより、この発明を限定するためのものではなく、当業者であれば容易に理解できるように、この発明の技術思想の範囲内において、適当な変更ならびに修正が当然なされうるものであるから、その特許権保護の範囲は、特許請求の範囲および、それと均等な領域を基準として定めなければならない。
【符号の説明】
【００３３】
１０，１０'，２０  回路板
１００，２００  配線構造
１０１，２０１  第１誘電層
１０１ａ，２０１ａ  第１表面
１０１ｂ，２０１ｂ  第２表面
１０２，２０２  第１配線材料層
１０２ａ，２０２ａ  第１配線層
１０３，２１２  絶縁薄膜
１０４，２０３，２１３  バイアホール
１０５，２１４  導電ペーストバイア（導電ペースト導通孔）
１１３ａ，２０４ａ，２１４ａ  頂部
１１３ｂ，２０４ｂ，２１４ｂ  底部
１１１，２１１  第２誘電層
１０  第１配線構造
１０'  第２配線構造
１１３，２０４  金属バイア（金属導通孔）
１１４  第３配線材料層
１１４ａ  第３配線層
３００，３０２，３０６，４００，４０６，４０９，４１６  誘電層
３０，４０，４０ａ  錐状導電ペースト
３０ａ  導電ペーストバイア（導電ペースト導通孔）
３１２，３１６，４０２，４１２，４２４  金属バイア（金属導通孔）
４１４  配線層
４１８，４２２  配線材料層
【図１Ａ】
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【図１Ｂ】
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【図１Ｃ】
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【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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