(57)【要約】      （修正有）【課題】カメラモジュールの低背化を図れるカメラモジュール及びその製造方法を提供する。【解決手段】カメラモジュールは、第１の主面および該第１の主面に対向する第２の主面を有する半導体基板１１を具備する。前記第１の主面上には撮像領域１２が設けられている。前記第１の主面と前記第２の主面との間の前記半導体基板１１を貫通する貫通孔内には貫通電極１５が設けられている。前記第１の主面上の前記撮像領域１２の外側には接着層３０が設けられている。前記撮像領域１２を封止するとともに、撮像レンズが収められたレンズ部材２０が、前記接着層３０に直接接着されている。【選択図】図１
2012018993.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面および該第１の主面に対向する第２の主面を有する半導体基板と、
前記第１の主面上に設けられた撮像領域と、
前記第１の主面と前記第２の主面との間の前記半導体基板を貫通する貫通電極と、
前記第１の主面上に設けられ、かつ、前記撮像領域の外側に設けられた接着層と、
前記撮像領域を封止するとともに、撮像レンズが収められており、前記接着層に直接接着されたレンズ部材と
を具備してなることを特徴とするカメラモジュール。
【請求項２】
前記レンズ部材は、前記撮像領域を取り囲む枠状のスペーサを含み、前記スペーサが前記接着層に直接接続されていることを特徴とする請求項１に記載のカメラモジュール。
【請求項３】
前記レンズ部材は、前記撮像レンズを保持するレンズ保持部材を含み、前記レンズ保持部材が前記接着層に直接接続されていることを特徴とする請求項１に記載のカメラモジュール。
【請求項４】
前記レンズ部材と前記撮像領域との間には間隙があることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載のカメラモジュール。
【請求項５】
光を遮光する遮光部材をさらに具備し、前記遮光部材は、前記撮像レンズに前記光が入射できるように、前記レンズ部材の一部に設けられていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載のカメラモジュール。
【請求項６】
第１の主面および該第１の主面に対向する第２の主面を有し、厚さがＤ１である半導体基板と、
前記第１の主面上に設けられた撮像領域と、
前記第１の主面と前記第２の主面との間の前記半導体基板を貫通する貫通電極と、
前記第１の主面上に設けられ、かつ、前記撮像領域の外側に設けられた接着層と、
前記撮像領域を封止するとともに、撮像レンズが収められており、前記接着層に直接接着されたレンズ部材と
を具備してなるカメラモジュールの製造方法であって、
厚さがＤ２（＞Ｄ１）である半導体基板の第１の主面上に前記撮像領域を形成する工程と、
前記第１の主面に対向する前記半導体基板の第２の主面側から、前記半導体基板の厚さをＤ１まで薄くする工程と、
前記第１の主面と前記第２の主面との間の前記半導体基板を貫通する貫通孔を形成し、前記貫通孔内に前記貫通電極を形成する工程と、
前記撮像領域の外側の前記第１の主面上に前記接着層を設け、前記接着層に前記レンズ部材を直接接着する工程と
を含むことを特徴とするカメラモジュールの製造方法。
【請求項７】
前記半導体基板の厚さをＤ１まで薄くする工程は、前記第１の主面を支持部材に固定した状態で行うことを特徴とする請求項６に記載のカメラモジュールの製造方法。
【請求項８】
前記半導体基板の厚さをＤ１まで薄くする工程の後に、前記半導体基板から前記支持部材を離す工程をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載のカメラモジュールの製造方法。
【請求項９】
第１の主面および該第１の主面に対向する第２の主面を有し、厚さがＤ１である半導体基板と、
前記第１の主面上に設けられた撮像領域と、
前記第１の主面と前記第２の主面との間の前記半導体基板を貫通する貫通電極と、
前記第１の主面上に設けられ、かつ、前記撮像領域の外側に設けられた接着層と、
前記撮像領域を封止するとともに、撮像レンズが収められており、前記接着層に直接接着されたレンズ部材と
を具備してなるカメラモジュールの製造方法であって、
厚さがＤ２（＞Ｄ１）である半導体基板の第１の主面上に前記撮像領域を形成する工程と、
前記第１の主面に溝を形成し、該溝内に前記貫通電極を形成する工程と、
前記第１の主面に対向する前記半導体基板の第２の主面側から、前記半導体基板の厚さをＤ１まで薄くする工程と、
前記撮像領域の外側の前記第１の主面上に前記接着層を設け、前記接着層に前記レンズ部材を直接接着する工程と
を含むことを特徴とするカメラモジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、カメラモジュールおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化および薄型化に伴い、電子機器に搭載されるカメラモジュールも、小型化および薄型化される必要がある。カメラモジュールは固体撮像装置を含んでいる。固体撮像装置の薄型化は、低背化（low height）と呼ばれている。
【０００３】
固体撮像装置の低背化のために、ＷＬＣＳＰ（Wafer Level Chip Scale Package）が採用されてきている。ＷＬＣＳＰの中には、ＴＣＶ(Through Chip Via)あるいはＴＳＶ（Through Si Via）と呼ばれる電極構造を用いたタイプのものがある。このタイプのＷＬＣＳＰは、半導体基板の表面に設けられた受光素子を含む集積回路と、半導体基板の裏面に設けられた外部接続端子とを、半導体基板を貫通する貫通電極によって、電気的に接続している。
【０００４】
貫通電極を形成する時、半導体基板は、接着層によって、透明支持基板上に支持されている。貫通電極が形成された半導体基板、および、透明支持基板は、カメラモジュール内に組み込まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−６４８３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
低背化を図れるカメラモジュールおよびその製造方法を提供すること。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態のカメラモジュールは、第１の主面および該第１の主面に対向する第２の主面を有する半導体基板を具備する。前記第１の主面上には撮像領域が設けられている。前記第１の主面と前記第２の主面との間には前記半導体基板を貫通する貫通電極が設けられている。前記第１の主面上の前記撮像領域の外側には接着層が設けられている。前記撮像領域を封止するとともに、撮像レンズが収められたレンズ部材が、前記接着層に直接接着されている。
【０００８】
実施形態のカメラモジュールの製造方法は、第１の主面および該第１の主面に対向する第２の主面を有し、厚さがＤ１である半導体基板と、前記第１の主面上に設けられ、光を受光する撮像領域と、前記第１の主面と前記第２の主面との間の前記半導体基板を貫通する貫通電極と、前記第１の主面上に設けられ、かつ、前記撮像領域の外側に設けられた接着層と、前記撮像領域を封止するとともに、撮像レンズが収められており、前記接着層に直接接着されたレンズ部材とを具備してなるカメラモジュールの製造方法である。このカメラモジュールの製造方法では、厚さがＤ２（＞Ｄ１）である半導体基板の第１の主面上に前記撮像領域を形成する。次に、前記第１の主面に対向する前記半導体基板の第２の主面側から、前記半導体基板の厚さをＤ１まで薄くする。次に、前記第１の主面と前記第２の主面との間の前記半導体基板を貫通する貫通孔を形成し、前記貫通孔内に前記貫通電極を形成する。そして、前記撮像領域の外側の前記第１の主面上に前記接着層を設け、前記接着層に前記レンズ部材を直接接着する。
【０００９】
実施形態のカメラモジュールの製造方法は、第１の主面および該第１の主面に対向する第２の主面を有し、厚さがＤ１である半導体基板と、前記第１の主面上に設けられ、光を受光する撮像領域と、前記第１の主面と前記第２の主面との間の前記半導体基板を貫通する貫通電極と、前記第１の主面上に設けられ、かつ、前記撮像領域の外側に設けられた接着層と、前記撮像領域を封止するとともに、撮像レンズが収められており、前記接着層に直接接着されたレンズ部材とを具備してなるカメラモジュールの製造方法である。このカメラモジュールの製造方法では、厚さがＤ２（＞Ｄ１）である半導体基板の第１の主面上に前記撮像領域を形成する。次に、前記第１の主面に溝を形成し、該溝内に前記貫通電極を形成する。次に、前記第１の主面に対向する前記半導体基板の第２の主面側から、前記半導体基板の厚さをＤ１まで薄くする。そして、前記撮像領域の外側の前記第１の主面上に前記接着層を設け、前記接着層に前記レンズ部材を直接接着する。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】第１の実施形態に係るカメラモジュールの概略構成を示す断面図である。
【図２】実施形態のカメラモジュールにおける撮像レンズとレンズホルダのより詳細な構成を示す断面図である。
【図３】比較例のカメラモジュールの概略構成を示す断面図である。
【図４】実施形態の第１のモジュール部の第１の製造方法を示す断面図である。
【図５】実施形態の第１のモジュール部の第２の製造方法を示す断面図。
【図６】実施形態の第１のモジュール部の第３の製造方法を示す断面図。
【図７】第３の製造方法の詳細を説明するための断面図である。
【図８】図７に続く第３の製造方法の詳細を説明するための断面図である。
【図９】第２の実施形態に係るカメラモジュールの概略構成を示す断面図である。
【図１０】第３の実施形態に係るカメラモジュールの概略構成を示す断面図である。
【図１１】第４の実施形態に係るカメラモジュールの概略構成を示す断面図である。
【図１２】第４の実施形態に係るカメラモジュールの変形例を示す断面図である。
【図１３】第４の実施形態に係るカメラモジュールの他の変形例を示す断面図である
【図１４】第５の実施形態に係るカメラモジュールの製造方法を示す断面図である。
【図１５】図１４に続く第５の実施形態に係るカメラモジュールの製造方法を示す断面図である。
【図１６】図１５に続く第５の実施形態に係るカメラモジュールの製造方法を示す断面図である。
【図１７】第６の実施形態に係るカメラモジュールの製造方法を示す断面図である。
【図１８】図１７に続く第６の実施形態に係るカメラモジュールの製造方法を示す断面図である。
【図１９】図１８に続く第６の実施形態に係るカメラモジュールの製造方法を示す断面図である。
【図２０】第７の実施形態に係るカメラモジュールの製造方法を示す断面図である。
【図２１】図２０に続く第７の実施形態に係るカメラモジュールの製造方法を示す断面図である。
【図２２】図２１に続く第７の実施形態に係るカメラモジュールの製造方法を示す断面図である。
【図２３】図２２に続く第７の実施形態に係るカメラモジュールの製造方法を示す断面図である。
【図２４】第８の実施形態に係るカメラモジュールの製造方法を示す断面図である。
【図２５】図２４に続く第８の実施形態に係るカメラモジュールの製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照しながら実施形態を説明する。
【００１２】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係るカメラモジュールの概略構成を示す断面図である。
【００１３】
本実施形態のカメラモジュールは、撮像レンズを介して入射された入射光（被写体像）を撮像素子により撮像するためのモジュールであって、前記撮像素子を含む第１のモジュール部１０と、前記撮像レンズを含む第２のモジュール部（レンズ部材）２０とを具備している。
【００１４】
第１のモジュール部１０は、シリコン基板１１を具備している。シリコン基板１１の表面（第１の主面）には、入射光に応じた信号を出力するように構成された、撮像領域１２が設けられている。
【００１５】
撮像領域１２はマイクロレンズ１３を具備している。撮像領域１２はさらに図示しない撮像素子を具備している。撮像素子は、例えば、ＣＭＯＳセンサまたはＣＣＤセンサで構成されている。
【００１６】
撮像領域１２の周辺のシリコン基板１１には、撮像領域１２から出力された信号を伝達するように構成された、回路領域１４が設けられている。
【００１７】
シリコン基板１１の表面（第１の主面）とシリコン基板の裏面（第２の主面）との間には、シリコン基板１１を貫通する貫通電極１５が設けられている。シリコン基板１１の裏面には、外部端子としてのハンダボール１６が設けられている。回路領域１４は貫通電極１５を介してハンダボール１６に接続されている。回路領域１４を介して伝達された撮像素子の信号は貫通電極１５を介してハンダボール１６に出力される。
【００１８】
一方、第２のモジョール部２０は、撮像レンズ２１を具備している。第２のモジョール部２０は、さらに、撮像レンズ２１をホールドするためのレンズホルダ（レンズ保持部材）２２を具備している。
【００１９】
図２に、撮像レンズ２１とレンズホルダ２２のより詳細な構成を示す。図２では、２枚の撮像レンズ２１ａ，２１ｂを示しているが、撮像レンズの枚数はカメラモジュールの性能、価格により１枚でも３枚でもあるいはそれ以上でも構わない。図２において、１９は空洞を示している。
【００２０】
図１に戻ると、撮像レンズ２１に対向するようにレンズホルダ２２の下側には、ＩＲカットフィルタ（ＩＲＣＦ）２３が設けられている。
【００２１】
ＩＲＣＦ２３外側のレンズホルダ２２の下側にはスペーサ２４が設けられている。スペーサ２４は撮像領域１２を取り囲む枠状の形状を有する。スペーサ２４の厚さは、撮像レンズ２１と撮像領域１２（撮像素子）との間の距離が、撮像レンズ２１の焦点距離に合うように設定されている。
【００２２】
第１のモジュール部１０の回路領域１４上であって撮像領域１２を除く領域には接着層３０が設けられている。接着層３０は周知の接着材で構成されている。第２のモジュール部２０は、第１のモジュール部１０の撮像領域１２を封止するように、接着層３０に直接接着されている。
【００２３】
図３は、比較例のカメラモジュールの概略構成を示す断面図である。
【００２４】
比較例のカメラモジュールは、カバーガラス４０を具備している。カバーガラス４０によって、第１のモジュール部１０の撮像領域１２は封止されている。参照符号４１は、カバーガラス４０とレンズ部２０とを接着するための接着層を示している。
【００２５】
比較例はカバーガラス４０が存在する分だけ、本実施形態に比べて、カメラモジュールは厚くなる。すなわち、本実施形態によれば、カバーガラス４０が不要になるので、低背化を容易に図れるようになる。また、本実施形態の場合、比較例では必要である接着層４１は不要である。これは、低背化に有利に働く。
【００２６】
また、比較例の場合、レンズを通った光は、カバーガラス４０を介して、撮像領域１２に入射する。この場合、上記光の焦点距離は、カバーガラス４０がない場合に比べて、長くなる。そのため、焦点距離の増加分だけ、カバーガラス４０と撮像領域１２との間を広くする必要がある。これは低背化を困難にする。
【００２７】
図４に、第１のモジュール部の製造方法（第１の製造方法）を示す。
【００２８】
この製造方法では、まず、図４（ａ）に示すように、周知の方法に従って、シリコン基板１１（厚さＤ２）の表面上に、図示しない撮像素子、回路領域１４、マイクロレンズを形成する。
【００２９】
次に、図４（ｂ）に示すように、シリコン基板１１の裏面を後退させて、リコン基板１１を所定の厚さ（Ｄ１）にする。
【００３０】
そして、図４（ｃ）に示すように、貫通電極１５およびハンダボール１６を形成する。
【００３１】
その後、回路領域１４であって撮像領域１２を除く領域上に接着層を形成し、この接着層に第２のモジュールを直接接着することにより、カメラモジュールが得られる。本方法ではハンダボール１６を形成した後に接着層３０と第２のモジュール部２０を形成しているが、順番を変えて、接着層３０と第２のモジュール部２０を形成した後にハンダボール１６を形成してもよい。
【００３２】
図５に、第１のモジュール部の他の製造方法（第２の製造方法）を示す。
【００３３】
この製造方法では、図４（ａ）の工程後に、シリコン基板１１を接着層６０を介して支持基板６１に支持する（図５（ａ））。支持基板６１は、例えば、ガラス基板である。
【００３４】
次に、第１の製造方法と同様に、シリコン基板１１の裏面を後退させ（図５（ｂ））、貫通電極１５およびハンダボール１６を形成する（図５（ｃ））。
【００３５】
その後、シリコン基板１１から接着層６０、支持基板６１を外す（図５（ｄ））。
【００３６】
第２の製造方法では、シリコン基板１１を支持基板６１に支持しているので、シリコン基板１１の裏面の後退を容易に行うことができる。
【００３７】
図６に、第１のモジュール部のさらに別の製造方法（第３の製造方法）を示す。
【００３８】
この製造方法では、まず、図６（ａ）に示すように、周知の方法に従って、シリコン基板１１（厚さＤ２）に図示していない撮像素子を形成し、貫通電極１５を形成し、その後回路領域１４を形成する。この段階では、シリコン基板１１は所定の厚さ（Ｄ１）よりも厚いので、貫通電極１５はシリコン基板１１を貫通していない。
【００３９】
次に、図６（ｂ）に示すように、シリコン基板１１の裏面側から、シリコン基板１１の裏面を後退させて、シリコン基板１１を所定の厚さ（Ｄ１）にする。その結果、貫通電極１５はシリコン基板１１を貫通する形態となる。このとき、第２の製造方法と同様に、シリコン基板１１を支持基板に支持した状態で、シリコン基板１１の裏面の後退を行っても構わない。
【００４０】
その後、図６（ｃ）に示すように、ハンダボール１６を形成する。
【００４１】
図７および図８を用いて、第３の製造方法の詳細について説明する。
【００４２】
まず、図７（ａ）に示すように、シリコン基板１１（厚さＤ２）上に第１の絶縁膜７１を形成する。第１の絶縁膜７１は、例えば、シリコン窒化膜である。第１の絶縁膜７１を形成する前に、図示しない撮像素子およびトランジスタなどがシリコン基板１１の表面に形成される。
【００４３】
次に図７（ｂ）に示すように、第１の絶縁膜７１上にレジストパターン７２を形成し、レジストパターン７２をマスクに用いて、第１の絶縁膜７１、シリコン基板１１をエッチングし、ホール７３を形成する。ホール７３は、第１の絶縁膜７１は貫通するが、シリコン基板１１は貫通しない。その後、レジストパターン７２を除去する。
【００４４】
次に図７（ｃ）に示すように、ホール７３の底面および側面を被覆する第２の絶縁膜７４を全面に形成する。第２の絶縁膜７４は、例えば、シリコン酸化膜である。
【００４５】
次に図７（ｄ）に示すように、貫通電極となる金属膜１５をホール７３からあふれる厚さに全面に形成する。金属膜１５は、例えば、Ｃｕ膜、Ｎｉ膜、Ｔｉ膜、または、これらの金属シリサイド膜である。また、金属膜１５は、例えば、ＣＶＤ法、スパッタ法、または、メッキ法を用いて形成する。
【００４６】
次に図８（ａ）に示すように、第１の絶縁膜７１をストッパに用いて、ＣＭＰ法やエッチバック法などの方法を用いて、ホール７３外の金属膜１５および第２の絶縁膜７４を除去するとともに、表面を平坦化する。
【００４７】
次に図８（ｂ）に示すように、シリコン基板１１上に配線層７５を形成する。配線層７５は、図示しない金属配線層、層間絶縁膜およびプラグなどから構成される。
【００４８】
次に図８（ｃ）に示すように、配線層７５上に図示しないカラーフィルタを介してマイクロレンズ１３を形成する。
【００４９】
次に図８（ｄ）に示すように、バックグラインドやウエットエッチングを用いて、シリコン基板１１の裏面を後退させて、貫通電極１５を露出させる。
【００５０】
次に図８（ｅ）に示すように、シリコン基板１１の裏面に図示しない再配線を形成した後、ハンダボール１６を形成する。
【００５１】
（第２の実施形態）
図９は、第２の実施形態に係るカメラモジュールの概略構成を示す断面図である。
【００５２】
なお、既出の図と対応する部分には既出の図と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。
【００５３】
本実施形態が第１の実施形態と異なる点は、ＩＲＣＦ２３を撮像レンズ２１に直接形成したことにある。これにより、低背化をより容易に図れるようになる。ただし、ＩＲＣＦ２３が不要である場合には、ＩＲＣＦ２３は省かれる。
【００５４】
（第３の実施形態）
図１０は、第３の実施形態に係るカメラモジュールの概略構成を示す断面図である。
【００５５】
本実施形態が第１の実施形態と異なる点は、第２のモジュール部２０からスペーサ２４が省かれており、第２のモジュール部２０を構成するレンズホルダ２２が撮像領域１２を封止するように、レンズホルダ２２が接着層３０に直接接着されていることにある。これにより、低背化をより容易に図れるようになる。
【００５６】
本実施形態の場合、例えば、撮像レンズ２１は、スペーサ２４がなくても、焦点距離が撮像素子の撮像面に合うように設計されている。
【００５７】
なお、図１０では、簡単のため、ＩＲＣＦ２３は省略してある。ただし、ＩＲＣＦ２３が不要である場合には、ＩＲＣＦ２３は省かれる。
【００５８】
（第４の実施形態）
図１１は、第４の実施形態に係るカメラモジュールの概略構成を示す断面図である。
【００５９】
本実施形態が第１の実施形態と異なる点は、第２のモジュール部２０の側面および上面（天面）に遮光部材５１が設けられていることにある。ただし、撮像レンズ２１に光が入射できるように、撮像レンズ２１は遮光部材５１で覆われていない。なお、第２のモジュール部２０の側面は必ずしも遮光部材５１で覆う必要はない。
【００６０】
図１２および図１３に、本実施形態の変形例を示す。図７は、第２の実施形態のカメラモジュールにおいて遮光部材５１を設けた例を示している。図８は、第３の実施形態のカメラモジュールにおいて遮光部材５１を設けた例を示している。
【００６１】
（第５の実施形態）
図１４−図１６は、第５の実施形態に係るカメラモジュールの製造方法を示す断面図である。
【００６２】
本実施形態の製造方法は、Ｆ−ＷＬＣＭ（full wafer level camera module）を用いた方法である。
【００６３】
まず、図１４に示すように、複数の第１のモジュール部１０が一体化されてなる第１のウェハ１０Ａと、複数の第２のモジュール部２０が一体化されてなる第２のウェハ２０Ａとを用意し、これらの位置合わせを行う。第１のウェハ１０Ａの回路領域１４上であって撮像領域１２を除く領域１４には接着層３０が設けられている。
【００６４】
図１４には、第１の実施形態で説明した第２のモジュール部が示されているが、他の実施形態（変形例を含む）の第２のモジュール部を用いても構わない。
【００６５】
次に、図１５に示すように、第２のウェハ２０Ａを接着層３０に直接接着する。
【００６６】
そして、図１６に示すように、接着された第１および第２のウェハ１０Ａ，２０ｂを図示しないダイシングラインに沿ってダイシングすることにより（個片化）、複数のカメラモジュールが得られる。
【００６７】
（第６の実施形態）
図１７−図１９は、第６の実施形態に係るカメラモジュールの製造方法を示す断面図である。
【００６８】
本実施形態が第５の実施形態と異なる点は、遮光部材を具備するカメラモジュールを製造することにある。
【００６９】
第５の実施形態の図１５の工程の後、第２のウェハ２０Ａを図１７に示すように複数の第２のモジュール部２０に分割（個片化）する。
【００７０】
図１７には、第１の実施形態で説明した第２のモジュール部が示されているが、他の実施形態（変形例を含む）の第２のモジュール部を用いても構わない。
【００７１】
図１８に示すように、隣接する第２のモジュール部２０間を遮光部材５１で埋める。第２のモジュール部２０の上面（天面）にも、遮光部材５１は設けられている。第２のモジュール部２０の上面（天面）の遮光部材５１は、第２のモジュール部２０の撮像レンズに光が入射できるように設けられている。
【００７２】
そして、図１９に示すように、ダイシングにより（個片化）、複数のカメラモジュールが得られる。
【００７３】
（第７の実施形態）
図２０−図２３は、第７の実施形態に係るカメラモジュールの製造方法を示す断面図である。
【００７４】
本実施形態の製造方法は、Ｓ−ＷＬＣＭ（semi full wafer level camera module）を用いた方法である。
【００７５】
まず、図２０に示すように、複数の第２のモジュール部２０と、第１のウェハ１０Ａとを位置合わせする。
【００７６】
図２０には、第１の実施形態で説明した第２のモジュール部が示されているが、他の実施形態（変形例を含む）の第２のモジュール部を用いても構わない。
【００７７】
次に図２１に示すように、複数の第２のモジュール部２０を、第１のウェハ１０Ａ上の接着層３０に直接接着する。
【００７８】
次に、図２２に示すように、隣接する第２のモジュール部２０間を遮光部材５１で埋める。
【００７９】
そして、図２３に示すように、ダイシングにより（個片化）、複数のカメラモジュールが得られる。
【００８０】
（第８の実施形態）
図２４および図２５は、第８の実施形態に係るカメラモジュールの製造方法を示す断面図である。
【００８１】
本実施形態の製造方法は、ＣＳＣＭ（chip scale camera module）を用いた方法である。
【００８２】
まず、図２４に示すように、第１のモジュール部１０と、第２のモジュール部２０とを位置合わせする。
【００８３】
図２４には、第１の実施形態の第２のモジュール部に遮光部材を設けたモジュール部が示されているが、遮光部材はなくても構わない。さらに、他の実施形態（変形例を含む）の第２のモジュール部を用いても構わない。
【００８４】
その後、図２５に示すように、第２のモジュール部２０を接着層３０に直接接着することにより、カメラモジュールが得られる。
【００８５】
以上述べた本実施形態によって、どの程度、低背化を図れるか具体的に説明する。
【００８６】
図３の比較例（カバーガラスあり、スペーサあり）のカメラモジュールの高さは、例えばＶＧＡの場合で２−３ｍｍである。
【００８７】
第１の実施形態（カバーガラスなし、スペーサあり）のカメラモジュールの高さは、例えばＶＧＡの場合で１．５−２ｍｍである。
【００８８】
第３の実施形態（カバーガラスなし、スペーサなし）のカメラモジュールの高さは例えばＶＧＡの場合で１．０−１．５ｍｍである。
【００８９】
以上、実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【００９０】
その他、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々変形して実施できる。
【符号の説明】
【００９１】
１０…第１のモジュール部、１１…シリコン基板、１２…撮像領域、１３…マイクロレンズ、１４…回路領域、１５…貫通電極、１６…ハンダボール、１７…、１８…、１９…空洞、２０…第２のモジョール部（レンズ部材）、２１…撮像レンズ、２２…レンズホルダ（レンズ保持部材）、２３…ＩＲカットフィルタ（ＩＲＣＦ）、２４…スペーサ、２５…、２６…、２７…、２８…、２９…、３０…接着層、４０…カバーガラス、４１…接着層、５１…遮光部材、６０…接着層、６１…支持基板、７１…第１の絶縁膜、７２…レジストパターン、７３…ホール、７４…第２の絶縁膜、７５…配線層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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