(57)【要約】【課題】サセプタ及びこれを具備する化学気相蒸着装置を提供する。【解決手段】サセプタ及びこれを具備する化学気相蒸着装置が開示され、該サセプタは、中空が設けられたディスク形状を有し、その上面には、被蒸着体が収容されるように、複数のポケットが凹状に形成され、その内部に、複数のポケットに流動ガスを供給するようにサセプタ流路が形成され、サセプタ流路の流入口は、サセプタの中空側に設けられたり、あるいはサセプタの下部側に設けられつつ、補強部を有する。【選択図】図１
2012004548.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
中空のディスク形状の化学気相蒸着装置用サセプタにおいて、
上面に被蒸着体が収容されるように、凹状に形成された複数のポケットと、
前記複数のポケットに流動ガスを供給するように、前記サセプタの内部に形成されたサセプタ流路と
を含み、
前記サセプタ流路の流動ガスの流入口は、前記中空側に設けられたサセプタ。
【請求項２】
前記サセプタ流路は、前記流入口から前記ポケットの下部まで直線状に延び、前記ポケットの下部で、前記ポケット上の流動ガスの流出口側に折れ曲がることを特徴とする請求項１に記載のサセプタ。
【請求項３】
中空のディスク形状の化学気相蒸着装置用サセプタにおいて、
上面に被蒸着体が収容されるように、凹状に形成された複数のポケットと、
前記複数のポケットに流動ガスを供給するように、前記サセプタの内部に形成されたサセプタ流路と
を含み、
前記サセプタ流路の流動ガスの流入口は、前記サセプタの下面に設けられ、
前記流入口に対応する位置には、補強部が設けられたサセプタ。
【請求項４】
前記流入口は、前記ディスク形状の中心を中心とした円周上に配され、
前記補強部は、前記サセプタの上面の前記サセプタ流路の流入口に対応する位置を経由する円周上の領域が突出して形成されたことを特徴とする請求項３に記載のサセプタ。
【請求項５】
前記補強部は、前記サセプタの本体が突出して一体に形成されたことを特徴とする請求項３または請求項４に記載のサセプタ。
【請求項６】
前記複数のポケットは、互いに離隔して設けられ、前記複数のポケットそれぞれの個別のエッジは連続的であることを特徴とする請求項１から請求項５のうち、いずれか１項に記載のサセプタ。
【請求項７】
前記複数のポケットは、互いに接するように設けられ、前記複数のポケットそれぞれの個別のエッジは不連続的であり、少なくとも前記エッジの不連続部位は、ラウンド形状の横断面を有したことを特徴とする請求項１から請求項５のうち、いずれか１項に記載のサセプタ。
【請求項８】
前記エッジのラウンド形状は、曲率半径が０．７ｍｍから１．３ｍｍであることを特徴とする請求項７に記載のサセプタ。
【請求項９】
前記サセプタの本体は、硬度強化コーティングされたことを特徴とする請求項１から請求項８のうち、いずれか１項に記載のサセプタ。
【請求項１０】
前記サセプタの本体は、グラファイトにシリコンカーバイドがコーティングされて形成されたことを特徴とする請求項９に記載のサセプタ。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のうち、いずれか１項に記載のサセプタと、
前記サセプタに被蒸着体を回転させる流動ガスを注入しつつ、前記サセプタを支持する支持部と、を含む化学気相蒸着装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サセプタ及びこれを具備する化学気相蒸着装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、化学気相蒸着（ＣＶＤ：chemical vapor deposition）装置は、化学反応を利用して、被蒸着体（一般的に、半導体ウェーハなどの基板を含む）に薄膜を形成する装置であり、真空からなって、チャンバ内で加熱された基板に、蒸気圧の高い反応ガスを送り、その反応ガスの膜を基板に成長させる装置である。
【０００３】
最近、半導体素子の微細化及び高効率、高出力ＬＥＤ（light emitting diode）開発などにより、金属有機化学的気相蒸着方法（ＭＯＣＶＤ：metal organic chemical vapor deposition）のようなＣＶＤが注目されており、一度に多数の被蒸着体に蒸着を起こすように、チャンバ（chamber）とサセプタ（susceptor）とのサイズが大きくなることによって、多数の被蒸着体に薄膜を均一に成長させることが核心技術になっている。このとき、被蒸着体は、サテライト（satellite）・ディスク上に置かれ、サテライト・ディスクは、サセプタ上に設けられた多数のポケット（pocket）にそれぞれ収容される。被蒸着体に対する薄膜の均一な成長のためには、サセプタ自体が回転するだけではなく、被蒸着体が置かれるサテライト・ディスクも回転するように構成される。
【０００４】
このような化学気相蒸着装置の一例として、特許文献１、特許文献２には、被蒸着体をサテライト・ディスク上に置き、サテライト・ディスクは、サセプタ上に設けられた多数のポケットにそれぞれ収容されている構成を有する化学気相蒸着装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】欧州特許第２１５５９２６号
【特許文献２】欧州特許第２０１０６９４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、サセプタの構造を改善し、耐久性を向上させたサセプタ及びこれを具備する化学気相蒸着装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一類型による化学気相蒸着装置用サセプタは、中空が設けられたディスク形状を有し、上面に被蒸着体が収容されるように、凹状に形成された複数のポケットと、複数のポケットに流動ガスを供給するように、サセプタの内部に形成されたサセプタ流路と、を含み、サセプタ流路の流入口は、中空側に設けられる。
【０００８】
このとき、サセプタ流路は、流入口からポケットの下部まで直線に長く延び、ポケットの下部で、ポケット上の流出口側に曲がっている。
【０００９】
他の類型による化学気相蒸着装置用サセプタは、中空が設けられたディスク形状を有し、上面に被蒸着体が収容されるように、凹状に形成された複数のポケットと、複数のポケットに流動ガスを供給するように、サセプタの内部に形成されたサセプタ流路と、を含み、サセプタ流路の流入口は、サセプタの下面に設けられ、サセプタの上面のサセプタ流路の流入口が位置した地点に対応する位置には、補強部が設けられる。
【００１０】
このとき、サセプタ流路の流入口は、ディスク形状の中心を基準に円周上に配され、補強部は、サセプタの上面のサセプタ流路の流入口が位置した地点に対応する位置を経由する円周上の領域が突出して形成されうる。
【００１１】
補強部は、サセプタの本体が突出して一体に形成されうる。
【００１２】
複数のポケットは、互いに離隔して設けられ、複数のポケットそれぞれのエッジが連続して形成されうる。
【００１３】
複数のポケットは、互いに接するように設けられ、複数のポケットそれぞれのエッジが不連続的であり、少なくともエッジの不連続部位は、ラウンド形状の横断面を有することができる。このとき、エッジのラウンド形状は、曲率半径が０．７ｍｍから１．３ｍｍでありうる。
【００１４】
サセプタの本体は、硬度強化コーティングされうる。このとき、サセプタの本体は、グラファイトにシリコンカーバイドがコーティングされて形成されうる。
【００１５】
他の類型による化学気相蒸着装置は、中空が設けられたディスク形状のサセプタと、サセプタに被蒸着体を回転させる流動ガスを注入しつつサセプタを支持する支持部と、を含み、サセプタは、上面に被蒸着体が収容されるように、凹状に形成された複数のポケットと、複数のポケットに流動ガスを供給するように、サセプタの内部に形成されたサセプタ流路と、を含み、サセプタ流路の流入口は、中空側に設けられ、支持部が流動ガスをサセプタの中空側から注入する。
【００１６】
サセプタ流路は、流入口からポケットの下部まで直線に長く延び、ポケットの下部で、ポケット上の流出口側に曲がっている。
【００１７】
さらに他の類型による化学気相蒸着装置は、中空が設けられたディスク形状のサセプタと、サセプタに被蒸着体を回転させる流動ガスを注入しつつサセプタを支持する支持部と、を含み、サセプタは、上面に被蒸着体が収容されるように、凹状に形成された複数のポケットと、複数のポケットに流動ガスを供給するように、サセプタの内部に形成されたサセプタ流路と、を含み、サセプタ流路の流入口は、サセプタの下面に設けられ、支持部が流動ガスをサセプタの下部側から注入して、サセプタの上面のサセプタ流路の流入口が位置した地点に対応する位置には、補強部が設けられる。
【００１８】
サセプタ流路の流入口は、ディスク形状の中心を基準に円周上に配され、補強部は、サセプタの上面のサセプタ流路の流入口が位置した地点に対応する位置を経由する円周上の領域が突出して形成されうる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によるサセプタ及びこれを具備する化学気相蒸着装置は、次のような効果がある。
【００２０】
第一に、サセプタのガス流路構造を改善し、サセプタの流動ガスの流入口部位の破損を防止することができる。
【００２１】
第二に、サセプタのポケット外郭部分の構造を改善し、サセプタのポケット周囲の破損を防止することができる。
【００２２】
第三に、サセプタの寿命を長く確保し、生産性及び蒸着品質を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施形態による化学気相蒸着装置を概略的に図示した断面図である。
【図２】図１の化学気相蒸着装置のサセプタと、この結合部とを概略的に図示した断面斜視図である。
【図３】比較例でのサセプタを図示する図面である。
【図４】比較例のサセプタで発生する破損現象を説明する図面である。
【図５】図１の化学気相蒸着装置のサセプタを図示した平面図である。
【図６】図１の化学気相蒸着装置のサセプタの一変形例を図示した断面斜視図である。
【図７】図６の化学気相蒸着装置のサセプタを図示した平面図である。
【図８】図７で、Ｃ−Ｃ'線に沿って切開した断面図である。
【図９】本発明の他の実施形態による化学気相蒸着装置を概略的に図示した断面図である。
【図１０】図９の化学気相蒸着装置のサセプタと、この結合部とを概略的に図示した断面斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、添付された図面を参照しつつ、本発明の実施形態について詳細に説明する。図面で、同じ参照符号は、同じ構成要素を指し、各構成要素のサイズや厚さは、説明の明瞭性のためで誇張されていることがある。
【００２５】
図１は、本発明の一実施形態による化学気相蒸着装置を概略的に図示した断面図であり、図２は、図１の化学気相蒸着装置のサセプタと、この結合部とを概略的に図示した断面斜視図である。
【００２６】
図１及び図２を参照すれば、本実施形態の化学気相蒸着装置１００は、サセプタ１１０；サセプタ１１０を、流動ガスＧ１を注入しつつ支持する支持部（１３０，１４０，１５０）；サセプタ１１０を加熱するヒータ１７５；反応ガスＧ２を供給する反応ガス注入部１８０；サセプタ１１０と、反応ガス注入部１８０のノズル１８５とを収容するチャンバ１９０；チャンバ１９０内の流動ガスＧ１及び反応ガスＧ２を排出させるガス排気部１９５；を含む。
【００２７】
サセプタ１１０は、中空１１０ａが設けられたディスク形状を有する。サセプタ１１０の上面には、複数のポケット１１１が設けられる。複数のポケット１１１は、図５に図示されるように、サセプタ１１０の中心を基準に、円周上に等間隔で離隔して配列されうる。図２は、ポケット１１１が６つ設けられた場合を図示しており、図５は、ポケット１１１が８つ設けられた場合を図示しているが、これは単なる例示であり、ポケット１１１の個数は、サセプタ１００のサイズ及びポケット１１１のサイズによって変わりうる。場合により、複数のポケット１１１は、複列に配列されもする。ポケット１１１それぞれは、サセプタ１１０の上面から所定深さ凹状に入った溝部（recess）である。このようなポケット１１１には、サテライト・ディスク１２０が収容される。ポケット１１１の中心部１１１ａ（図５）には、サテライト・ディスク１２０が回転するときに離脱しないように、基準になる突出部が設けられうる。ポケット１１１の底には、流動ガスが放出できる、少なくとも１つの流動ガスＧ１の流出口１１５ｂが設けられる。流出口１１５ｂから放出された流動ガスＧ１によるクッション作用により、サテライト・ディスク１２０の回転時、サテライト・ディスク１２０とポケット１１１の底との摩擦力は、無視されうるほどに小さくなりうる。また、ポケット１１１の底には、流出口１１５ｂから放出された流動ガスＧ１が、所定方向に回転して進むことができるパターンが形成され、サテライト・ディスク１２０を回転させる。
【００２８】
サテライト・ディスク１２０には、ウェーハのような被蒸着体が置かれる。被蒸着体が動かないように、サテライト・ディスク１２０の外郭には、リム（rim）（図示せず）が設けられうる。
【００２９】
サセプタ１１０の内部には、複数のポケット１１１に流動ガスＧ１を供給するサセプタ流路１１５が形成される。サセプタ流路１１５の流入口１１５ａは、サセプタ１１０の中空１１０ａ側に設けられる。一方サセプタ流路１１５の流出口１１５ｂは、ポケット１１１の底に設けられる。ポケット１１１が複数個あるので、サセプタ流路１１５は、ポケット１１１の個数に対応するように設けられうる。１つのサセプタ流路１１５が、複数の流出口１１５ｂに分岐されている。サセプタ流路１１５の流入口１１５ａは、サセプタ１１０の中空１１０ａ側に設けられるので、サセプタ流路１１５は、流入口１１５ａから前記ポケット１１１下部まで直線に長く延び、前記ポケット１１１の下部で、前記ポケット１１１上の流出口１１５ｂ側に折り曲がる。
【００３０】
一方、サセプタ１１０の材質は、サテライト・ディスク１２０上に置かれる被蒸着体を加熱する方式によって変わりうる。誘導加熱（induction heating）式である場合、サセプタ１１０は、誘導加熱によって加熱されうる物質でありうる。例えば、サセプタ１１０は、グラファイトから形成されうる。サセプタ１１０の耐久性を強化させるために、サセプタ１１０に硬度強化コーティングが施される。例えば、サセプタ１１０は、グラファイト・シリコンカーバイド（ＳｉＣ）がコーティングされて形成されうる。サセプタ１１０は、自体が加熱されることによって、被蒸着体の加熱を行うので、熱衝撃による破損の危険性があり、本実施形態は、後述するところのように構造を改善して、かような破損の危険性を軽くする。
【００３１】
サセプタ１１０を支持する支持部は、サセプタ１１０の下部に位置する支持ディスク１３０と、サセプタ１１０の上部に位置する上部結合板１４０と、支持ディスク１３０に結合されて回転軸になる支持チューブ１５０と、を含むことができる。上部結合板１４０と支持ディスク１３０は、公知の締結手段によって締結され、その間に挿入されるサセプタ１１０は、支持ディスク１３０に対して固定されることになる。支持ディスク１３０は、支持チューブ１５０に結合され、支持チューブ１５０は、流動ガス注入部１６０に連結される。
【００３２】
一方、支持ディスク１３０には、流動ガスＧ１の通路になる支持ディスク流路１３５が設けられる。支持ディスク流路１３５は、支持チューブ１５０の支持チューブ流路１５５に連結され、支持ディスク流路１３５の流出口１３５ａは、支持ディスク１３０の外周面に設けられる。支持ディスク１３０の一部が、サセプタ１１０の中空１１０ａに挿入されれば、支持ディスク流路１３５の流出口１３５ａは、サセプタ流路１１５の流入口１１５ａと対向する。図２は、ディスク流路１３５の流出口１３５ａと、サセプタ流路１１５の流入口１１５ａとが、一対一対応すると図示されているが、これに限定されるものではない。他の例で、サセプタ流路１１５の流入口１１５ａのうち隣接した流入口１１５ａ同士互いに連結され、１つのディスク流路１３５の流出口１３５ａに連結されもする。支持ディスク１３０の材質は、制限されるものではない。例えば、支持ディスク１３０は、金属によって形成されうる。
【００３３】
支持チューブ１５０は、中空軸（hollow shaft）やロッド（rod）でありうる。支持チューブ１５０には、支持チューブ流路１５５が設けられ、流動ガス注入部１６０の注入部流路１６５と、支持チューブ１５０の支持チューブ流路１５５とを連結する。
【００３４】
流動ガス注入部１６０は、流動ガス供給ライン１６９と連結され、流動ガスＧ１を支持チューブ１５０の支持チューブ流路１５５に注入し、また、駆動モータ１７０の回転力を支持チューブ１５０に伝達する。このとき、チャンバ１９０内の気密性を維持するために、流動ガス注入部１６０の回転部位とチャンバ１９０との間の間隙には、磁性流体シール（ferro fluid seal）が使われうる。
【００３５】
一方、流動ガスＧ１としては、窒素などが利用され、流動ガス供給ライン１６９に供給される流動ガスＧ１の流量を調節し、サテライト・ディスク１２０の回転を能動的に制御することができる。さらに、複数のポケット１１１に対して、それぞれに対して、あるいはいくつかのまとまりに供給される流動ガスＧ１の流量を調節し、ポケット１１１別に、サテライト・ディスク１２０の回転を制御する。
【００３６】
ヒータ１７５は、サセプタ１１０を所定の温度に加熱する。ヒータ１７５は、サセプタ１１０を数百℃から１，０００℃以上に加熱することができる。一例として、ＧａＮ系成長層を形成する場合、７００〜１，３００℃ほどに加熱することができる。ヒータ１７５は、高周波電流が印加されるコイルであって、この場合、サセプタ１１０は、誘導加熱方式で加熱されうる。他の例で、ヒータ１７５は、抵抗発熱する導線でありうる。
【００３７】
反応ガス注入部１８０は、被蒸着体に蒸着させようとするソースガス（source gas）とキャリアガス（carrier gas）とを含む反応ガスＧ２を供給する装置である。反応ガス注入部１８０のノズル１８５は、チャンバ１９０に露出され、ノズル１８５のノズル孔１８５ａを介して、反応ガスＧ２を放出する。
【００３８】
高温に加熱されたサセプタ１１０によって、被蒸着体は高温を維持し、被蒸着体の上部面は、反応ガスＧ２に触れて化学的蒸着反応を起こす。かかる化学的蒸着反応によって、ウェーハのような被蒸着体には、ＧａＮ系化合物のような所定の物質が結晶成長される。
【００３９】
チャンバ１９０は、サセプタ１１０と、反応ガス注入部１８０のノズル１８５とを収容するものであり、蒸着工程時に密閉され、被蒸着体を交換するために開かれる。
【００４０】
ガス排気部１９５は、チャンバ１９０内の流動ガスＧ１及び反応ガスＧ２を排出させる。
【００４１】
次に、本実施形態の化学気相蒸着装置１００について、比較例と比較しつつ、改善された点について説明する。
【００４２】
図３は、比較例でのサセプタ２１０を図示し、図４は、比較例のサセプタで発生する破損現象について説明する。比較例のサセプタ２１０は、商用化された製品の一例である。図３と図４とを参照すれば、比較例のサセプタ流路２１５は、流入口２１５ａがサセプタ２１０の下部に設けられるので、サセプタ流路２１５の経路は、サセプタ２１０の下部から上方に向かっていて、水平方向に折れ曲がり、ポケットの下部で、再び上方に折れ曲がる。サセプタ２１０は、硬度強化のために、グラファイト層２１１に、シリコンカーバイド層２１２で硬度強化コーティングを施す。ところで、サセプタ流路２１５の経路が、流入口２１５ａの近く２１５ｂで直角に折れ曲がる部位があるので、支持チューブ２５０から注入される流動ガスＧ１によって、直角に折れ曲がる部分は、持続的に衝撃を受ける。一方、サセプタ２１０は、蒸着のために、たとえば１，０００〜１，３００℃ほどに加熱される一方、流動ガスＧ１は、たとえば常温ほどの低温度に注入される。従って、サセプタ流路２１５の経路のうち、流入口２１５ａの近く２１５ｂで直角に折れ曲がる部位は、持続的な熱衝撃を受けるので、サセプタ２１０の硬度強化のために、グラファイト層２１１に、シリコンカーバイド層２１２で硬度強化コーティングを施しているにもかかわらず、サセプタ流路２１５の経路のうち流入口２１５ａの近辺２１５ｂで直角に折れ曲がる部位は、破損現象が発生する。かような破損現象によって、比較例のサセプタ２１０は、２０〜３０回ほど使用すれば、寿命が尽き、比較的高価なサセプタ２１０の頻繁な交換により、製造コストが上昇する。
【００４３】
一方、本実施形態のサセプタ流路１１５の経路は、比較例のサセプタ流路２１５の経路と異なる。すなわち、本実施形態のサセプタ流路１１５は、流動ガスＧ１は、水平注入構造を有する。すなわち、流入口１１５ａが、サセプタ１１０の中空１１０ａ側に設けられるので、サセプタ流路１１５の経路は、流入口１１５ａからポケット１１１の下部までは、直線である。従って、前述の比較例のような熱衝撃がなくなるので、流入口１１５ａ近くでの破損現象が発生しない。
【００４４】
前記の通り、本実施形態のサセプタ１１０は、流入口１１５ａ近くでの破損現象を抑制することによって、比較例のサセプタ２１０に比べて、寿命が大幅に延び、本実施形態のサセプタ１１０を採用する化学気相蒸着装置１００は、製造コストを節減させることができる。
【００４５】
さらに、本実施形態のサセプタ１１０は、図５に図示されているように、ポケット１１１が互いに離隔されて配される。ポケット１１１は、サセプタ１１０の上面から凹状に掘り込まれて形成されるので、ポケット１１１それぞれの外郭は段差になり、エッジが形成される。図１を参照して説明したように、反応ガスＧ２が、反応ガス注入部１８０のノズル１８５を介してチャンバ１９０内部に注入し、反応ガスＧ２は、サテライト・ディスク１２０上に置かれた被蒸着体の上部面を過ぎる。ところで、かような反応ガスＧ２は、サテライト・ディスク１２０が定着するポケット１１１外郭のエッジに持続的に触れる。ところで、サセプタ１１０は、被蒸着体を加熱させるために、熱く熱せられるので、ポケット１１１外郭のエッジは、反応ガスＧ２によって、持続的に熱衝撃を受ける。
【００４６】
従来の商用化されたサセプタは、同一面積内に被蒸着体が最大限多く配されうるように、ポケットが互いに接するように配され、従って、ポケット外郭のエッジの一部が不連続に形成される。このように途切れたエッジは、その幅が非常に狭いので、反応ガスＧ２による熱衝撃によって破損現象がたびたび起こる。このように、エッジの一部が破損すれば、サテライト・ディスクの回転時に振動などが発生し、本来の位置から外れるようになるので、サセプタ自体をそれ以上使用できなくなる。
【００４７】
本実施形態は、従来の商用化されたサセプタと異なり、ポケット１１１が互いに離隔されており、ポケット１１１外郭のエッジが円形に連続的につながるように形成される。従って、ポケット１１１間の最隣接地点１１２でのエッジも、反応ガスＧ２による熱衝撃にもかかわらず、その形状を維持し続け、サセプタ１１０の寿命を大幅に向上させることができる。なお、「エッジが連続的である」とは、複数のポケット１１１を個別にみた場合に、個別のポケット１１１のエッジに切れ目がない状態を指している。一方、「エッジが不連続的である」とは、複数のポケット１１１を個別にみた場合に、個別のポケット１１１のエッジにつながっていない箇所のある状態を指している。
【００４８】
しかし、本発明の化学気相蒸着装置は、前記の通り、ポケット１１１が互いに離隔されている構造に限定されるものではない。
【００４９】
図６は、図１の化学気相蒸着装置のサセプタの一変形例を図示した断面斜視図であり、図７は、図６の化学気相蒸着装置のサセプタを図示した平面図であり、図８は、図７で、Ｃ−Ｃ'線に沿って切開した断面図である。
【００５０】
図６から図８を参照すれば、本変形例のサセプタ３１０は、ポケット３１１が互いに接するように配される。すなわち、図７に図示されるように、複数のポケット３１１は、サセプタ３１０のディスク形状の中心を基準に、円周上に互いに接するように配されうる。この場合、接した部分では、ポケット３１１間で互いに通じるようになっており、ポケット３１１それぞれの外郭エッジは、接した部分（例えば、図６のＢ領域）で切れる。このように切れた部分の段差部３１２は、前述のように、反応ガスＧ２による熱衝撃に脆弱でありうる。このために、本変形例のサセプタ３１０は、少なくとも切れた部分の段差部３１２のエッジに対してラウンド加工を施すことにより、反応ガスＧ２がエッジで衝突せず、滑らかな段差部３１２の表面に乗って流れるようにすることによって、段差部３１２での破損現象を大幅に減らす。たとえば、エッジに対するラウンド加工が０．５ｍｍの曲率半径によってなされた場合に比べて、１ｍｍの曲率半径によってなされた場合、寿命は、２倍以上延長される。これにより、本変形例のサセプタ３１０は、エッジに対して、ほぼ１±０．３ｍｍほどの曲率半径でラウンド加工を行う。すなわち、エッジのラウンド形状は、曲率半径が０．７ｍｍから１．３ｍｍでありうる。かようなラウンド加工は、段差部３１２のエッジに限定されるものではなく、ポケット３１１それぞれの外郭エッジ全域に対しても、いずれもなされうる。
【００５１】
図９は、本発明の他の実施形態による化学気相蒸着装置４００を概略的に図示した断面図であり、図１０は、図９の化学気相蒸着装置４００のサセプタ４１０と、この支持部（４３０，４４０，１５０）とを概略的に図示した断面斜視図である。
【００５２】
図９及び図１０を参照すれば、本実施形態の化学気相蒸着装置４００は、サセプタ４１０；サセプタ４１０を、流動ガスＧ１を注入しつつ支持する支持部（４３０，４４０，１５０）；サセプタ４１０を加熱するヒータ１７５；反応ガスＧ２を供給する反応ガス注入部１８０；サセプタ４１０と反応ガス注入部１８０のノズル１８５とを収容するチャンバ１９０；チャンバ１９０内の流動ガスＧ１及び反応ガスＧ２を排出させるガス排気部１９５；を含む。
【００５３】
本実施形態のサセプタ４１０の場合、サセプタ流路４１５の流入口４１５ａが、サセプタ４１０の下部に位置する。これにより、サセプタ流路４１５の経路は、サセプタ４１０の下部から上方に向かっていて、水平方向に折れ曲がり、ポケット４１１の下部で、再び上方に折れ曲がる。これにより、サセプタ流路４１５と連結される支持ディスク４３０の支持ディスク流路４３５の流出口４３５ａは、支持ディスク４３０の上方外郭に設けられる。参照番号４１５ｂは、サセプタ流路４１５の流出口を示す。
【００５４】
前述のように、サセプタ流路４１５の流入口４１５ａ側からサセプタ流路４１５の経路が折れ曲がれば、サセプタ４１０が破損される危険性が増す。このために、本実施形態のサセプタ４１０は、サセプタ４１０に補強部４１７を設け、かような破損の危険性を軽減させる。補強部４１７は、サセプタ流路４１５の流入口４１５ａが形成された位置に対応するサセプタ４１０の上面に設けられる。本実施形態で、サセプタ流路４１５の流入口４１５ａは、サセプタ４１０のディスク形状の中心を基準に、円周上に配され、これに対応して補強部４１７は、サセプタ４１０の上部面に、サセプタ流路４１５の流入口４１５ａが位置した地点に対応する位置を経由する円周上の領域が突出して形成されうる。かような補強部４１７は、サセプタ４１０の本体が突出して一体に形成されうる。場合によっては補強部４１７は、別個の物質がサセプタ４１０の上部に付着されてなることもある。さらに補強部４１７は、サセプタ流路４１５の流入口４１５ａの各対応位置ごとに、個別的に設けられもする。このとき、補強部４１７の高さは、反応ガス注入部１８０のノズル１８５から放出された反応ガスＧ２の流れを妨害しないほどに設計されうる。
【００５５】
サセプタ４１０は、グラファイト層にシリコンカーバイドがコーティングされて形成されもする。この場合、補強部４１７は、グラファイト層の一部が突出して形成され、補強部４１７が形成されたグラファイト層にシリコンカーバイド・コーティングを施すことができる。場合によっては、サセプタ４１０の上部面を平坦化させるために、平坦層がさらに設けられることもある。サセプタ４１０を、グラファイト層にシリコンカーバイド・コーティングを施して形成した場合、サセプタ４１０の上部面を、ＣＭＰ（chemical mechanical polishing）やラッピングなどで平坦化させることもできる。
【００５６】
サセプタ４１０と、サセプタ４１０を支持する支持部（４３０，４４０，１５０）の流路構造とを除いては、図１及び図２を参照して説明した化学気相蒸着装置１００と実質的に同一である。さらに、図６から図８を参照して説明した変形例を含んで述べた実施形態での変形例をそのまま適用でき、これに係わる説明は省略する。
【００５７】
前述の本発明であるサセプタ及びこれを具備する化学気相蒸着装置は、理解を助けるために図面に図示された実施形態を参考にして説明したが、それらは例示的なものに過ぎず、当分野で当業者であるならば、それらから多様な変形及び均等な他実施形態が可能であるという点を理解することができるであろう。従って、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲によって決まるものである。
【符号の説明】
【００５８】
１００，４００    化学気相蒸着装置
１１０，２１０，３１０，４１０    サセプタ
１１１，３１１，４１１    ポケット
１１２    ポケット間の最隣接地点
１１５，２１５，４１５    サセプタ流路
１１５ａ，２１５ａ，４１５ａ    サセプタ流路の流入口
１１５ｂ，４１５ｂ    サセプタ流路の流出口
１２０，２２０    サテライト・ディスク
１３０，２３０，４３０    支持ディスク
１３５，２３５，４３５    支持ディスク流路
１３５ａ，４３５ａ    支持ディスク流路の流出口
１４０，４４０    上部結合板
１５０，２５０    支持チューブ
１５５    支持チューブ流路
１６０    流動ガス注入部
１６５    注入部流路
１６９    流動ガス供給ライン
１７０    駆動モータ
１７５    ヒータ
１８０    反応ガス注入部
１８５    ガス注入部のノズル
１８５ａ    ガス注入部ノズルのノズル孔
１９０    チャンバ
１９５    ガス排気部
１９５ａ    ガス排気部の入口
２１１    グラファイト層
２１２    シリコンカーバイド層
２１５ｂ   サセプタ流路の流入口近く
３１２    段差部
４１７    補強部
Ｇ１    流動ガス
Ｇ２    反応ガス
Ｇ３    排気ガス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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