(57)【要約】【課題】エンベデッド基板の製造方法を提供する。【解決手段】  本発明によるエンベデッド基板の製造方法は、両面にパターンが形成され、上下部が貫通されるキャビティが形成されたコア基板と、上記キャビティに内蔵されるチップと、上記パターンを保護するように上記コア基板の両面にそれぞれ形成される第１及び第２絶縁体と、を含むエンベデッド基板の製造方法であって、上記コア基板を準備するステップと、上記キャビティの下側を遮蔽するように上記コア基板の下面に上記第１絶縁体をラミネイションするステップと、上記キャビティから露出する上記第１絶縁体に接着層を形成するステップと、上記接着層に上記チップを接着させて上記キャビティに上記チップを内蔵するステップと、上記コア基板の上面に上記第２絶縁体をラミネイションするステップと、を含むことを特徴とする。【選択図】図１
2012015484.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両面にパターンが形成され、上下部が貫通されるキャビティが形成されたコア基板と、前記キャビティに内蔵されるチップと、前記パターンを保護するように前記コア基板の両面にそれぞれ形成される第１及び第２絶縁体とを含むエンベデッド基板の製造方法であって、
前記コア基板を準備するステップと、
前記キャビティの下側を遮蔽するように前記コア基板の下面に前記第１絶縁体をラミネイションするステップと、
前記キャビティから露出する前記第１絶縁体に接着層を形成するステップと、
前記接着層に前記チップを接着させて前記キャビティに前記チップを内蔵するステップと、
前記コア基板の上面に前記第２絶縁体をラミネイションするステップと、
を含むエンベデッド基板の製造方法。
【請求項２】
前記コア基板は、金属を含む材質からなることを特徴とする請求項１に記載のエンベデッド基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１絶縁体及び前記第２絶縁体が半硬化状態であって、
前記第１絶縁体をラミネイションするステップ及び前記第２絶縁体をラミネイションするステップにおいて、前記第１絶縁体及び前記第２絶縁体が前記キャビティに流入されるようにラミネイションすることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のエンベデッド基板の製造方法。
【請求項４】
前記接着層は、エポキシ樹脂を含むことを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか１項に記載のエンベデッド基板の製造方法。
【請求項５】
前記チップを内蔵するステップの後に、
前記チップを固定するように前記エポキシを養生（ｃｕｒｉｎｇ）するステップをさらに含むことを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか１項に記載のエンベデッド基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エンベデッド基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
エンベデッド基板のようなパッケージは、チップ（ｃｈｉｐ）の製造業者が素子を直接基板に内蔵する方法として軽薄短小化の傾向に伴い活発に開発が進められている。また、業者毎にそれぞれ異なる規格の素子を内蔵する工程を開発し、素子を内蔵する方法も様々に試みられている。
【０００３】
素子を内蔵するエンベデッド基板の製造方法として多く用いられている方法には、キャビティ（ｃａｖｉｔｙ）方法がある。キャビティ方法は、まず、ＣＣＬ（Ｃｏｐｐｅｒ  Ｃｌａｄ  Ｌａｍｉｎａｔｅｄ；銅張積層板）にキャビティを形成する。次に、ＣＣＬの下面に接着フィルムを付着してＣＣＬの下面をカバーする。その後、ＣＣＬのキャビティ内に素子を載置させる。
【０００４】
その後、ＣＣＬの上面に絶縁体を積層して素子をカバーし、接着フィルムを除去した後、ＣＣＬの下面にも絶縁体を積層する。それから、それぞれの絶縁体にビア及びパターンを形成することにより、素子の内蔵されたエンベデッド基板を製造する。
【０００５】
このような場合、エンベデッド基板の直接的な構成ではない接着フィルムを使用することにより不要な工程を要することになり、不要な資材を使用することになって生産性が落ちる原因となる。また、接着フィルムを付着した後に除去するとき、接着フィルムのべたつきから除去が容易ではなく、さらに、パターンに接着フィルムの異物が残ってエンベデッド基板の不良を引き起こす原因となる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
こうした従来技術の問題に鑑み、本発明は、工程を簡素化でき、材料を節減することができるエンベデッド基板の製造方法を提供することにその目的がある。
【０００７】
本発明の他の目的は、パターンに異物が残ることを根本的に除去できるエンベデッド基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一側面によれば、両面にパターンが形成され、上下方向に貫通するキャビティが形成されるコア基板と、上記キャビティに内蔵されるチップと、上記パターンを保護するように上記コア基板の両面にそれぞれ形成される第１及び第２絶縁体と、を含むエンベデッド基板の製造方法であって、上記コア基板を準備するステップと、上記キャビティの下側を遮蔽するように、上記コア基板の下面に上記第１絶縁体をラミネイションするステップと、上記キャビティから露出する上記第１絶縁体に接着層を形成するステップと、上記接着層に上記チップを接着させて上記キャビティに上記チップを内蔵するステップと、上記コア基板の上面に上記第２絶縁体をラミネイションするステップと、を含むエンベデッド基板の製造方法が提供される。
【０００９】
上記コア基板は金属を含む材質からなることができる。
【００１０】
上記第１絶縁体をラミネイションするステップ及び上記第２絶縁体をラミネイションするステップにおいて、半硬化状態である上記第１絶縁体及び上記第２絶縁体を上記キャビティに流入させることができる。
【００１１】
上記接着層はエポキシ樹脂を含むことができる。
【００１２】
上記チップを内蔵するステップの後に、上記チップを固定させるために上記エポキシ樹脂を養生（ｃｕｒｉｎｇ）するステップをさらに含むことができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の実施例によれば、工程を簡素化でき、材料を節減することができるので、エンベデッド基板を製造するに生産性を高めることができる。
【００１４】
また、本発明の実施例によれば、パターンに接着フィルムの異物が発生することを根本的に遮断することにより、エンベデッド基板の不良生産を低下させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施例によるエンベデッド基板の製造方法を示す順序図である。
【図２】本発明の一実施例によるエンベデッド基板製造の一工程を示す工程図であり、コア基板の断面を示す。
【図３】本発明の一実施例によるエンベデッド基板製造の図２の次の工程を示す工程図であり、コア基板の断面を示す。
【図４】本発明の一実施例によるエンベデッド基板製造の図３の次の工程を示す工程図であり、コア基板の断面を示す。
【図５】本発明の一実施例によるエンベデッド基板製造の図４の次の工程を示す工程図であり、コア基板の断面を示す。
【図６】本発明の一実施例によるエンベデッド基板製造の図５の次の工程を示す工程図であり、エンベデッド基板の断面を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明は多様な変換を加えることができ、様々な実施例を有することができるため、本願では特定実施例を図面に例示し、詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定の実施形態に限定するものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれるあらゆる変換、均等物及び代替物を含むものとして理解されるべきである。本発明を説明するに当たって、係る公知技術に対する具体的な説明が本発明の要旨をかえって不明にすると判断される場合、その詳細な説明を省略する。
【００１７】
「第１」、「第２」などの用語は、多様な構成要素を説明するために用いられるに過ぎず、構成要素がそれらの用語により限定されるものではない。それらの用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的だけに用いられる。
【００１８】
本願で用いた用語は、ただ特定の実施例を説明するために用いたものであって、本発明を限定するものではない。単数の表現は、文の中で明らかに表現しない限り、複数の表現を含む。本願において、「含む」または「有する」などの用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品、またはこれらを組合せたものの存在を指定するものであって、一つまたはそれ以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部品、またはこれらを組合せたものの存在または付加可能性を予め排除するものではないと理解しなくてはならない。
【００１９】
以下、本発明によるエンベデッド基板の製造方法の実施例を添付図面に基づいて詳細に説明する。添付図面を参照しながら説明するに当たって、同一であるか、対応する構成要素には同様な図面番号を付し、これに対する重複説明は省略する。
【００２０】
図１は、本発明の一実施例によるエンベデッド基板１００の製造方法を示す順序図であり、図２乃至図６は、本発明の一実施例によるエンベデッド基板１００の製造工程を示す工程図である。
【００２１】
以下に、図１ないし図６に基づいてエンベデッド基板１００の製造方法を説明する。
【００２２】
エンベデッド基板１００は、中心層を形成するコア基板１１０と、コア基板１１０に内蔵されるチップ１４０と、コア基板１１０の両面をカバーする第１絶縁体１２０及び第２絶縁体１５０とを含む。
【００２３】
このようなエンベデッド基板１００を製造するために、次のような工程を行う。
【００２４】
まず、ステップＳ１１０で、図２に示すように、コア基板１１０を準備する。
【００２５】
コア基板１１０は、エンベデッド基板１００の薄型化による反り現象を最小化するために、剛性を付与する金属が含まれた材質からなるメタル（金属）層１１１を含むことができる。メタル層１１１は銅箔などからなることができ、このようなメタル層１１１の両表面に酸化層のような絶縁層（図示せず）が形成され、絶縁層に露光などによりパターン１１３が形成される。さらに、エンベデッド基板１００の厚さを最小化するために、メタル層１１１の厚さをチップ１４０の厚さと同一に形成することができる。ここで、同一とは設計上、製造上の誤差を含む実質的に同一であることを意味する。
【００２６】
そして、図２において、メタル層１１１の上部（図中上方）から下部（図中下方）に貫通するキャビティ１１５が形成される。すなわち、コア基板１１０にはチップ１４０を内蔵させるためのキャビティ１１５が形成される。キャビティ１１５の内部には後述する工程によってチップ１４０が内蔵されるが、チップ１４０を内蔵させるのに十分な空間を形成するために、チップ１４０の横面積（断面積）よりもキャビティ１１５の横面積（断面積）を広く形成する。一例で、ドリルなどを用いて、コア基板１１０の上部から下部に貫通するようにキャビティ１１５を形成することができる。
【００２７】
ステップＳ１１０でコア基板１１０を準備した後に、ステップＳ１２０で、図３に示すように、コア基板１１０の図中下面に第１絶縁体１２０をラミネイションしてキャビティ１１５の図中下側を遮蔽する。第１絶縁体１２０は、本実施例により製造されるエンベデッド基板１００の層間絶縁のために最終的に残存する構成であって、コア基板１１０に形成されたパターン１１３をカバーすることになる。
【００２８】
このように、本実施例では、最終的に残存することになる第１絶縁体１２０を用いて、キャビティ１１５が形成されたコア基板１１０の図中下面をすぐに遮蔽するので、従来技術のように接着フィルムを付随的に使用する必要がなくなる。これにより、接着フィルムのような不要な資材を使用しないため、資材費を節減することができ、接着フィルムを付着し除去する工程を削除できるため、製造工程を単純化することができる。
【００２９】
このような第１絶縁体１２０は半硬化状態である。半硬化状態の第１絶縁体１２０を加圧し硬化させるラミネイションを行うと、第１絶縁体１２０はキャビティ１１５とビアホール１１７に流入されるとともにパターン１１３を保護するようにパターン１１３をカバーすることになる。半硬化状態の第１絶縁体１２０をラミネイションすることにより、別にビアホールを充填して硬化させる工程を行う必要がないため、工程が簡素化でき、生産性を高めることができる。
【００３０】
ステップＳ１２０で第１絶縁体１２０をラミネイションした後に、図４に示すように、キャビティ１１５から露出する第１絶縁体１２０に接着層１３０を形成する。接着層１３０は、チップ（図５の１４０参照）を固定させるための手段であって、エポキシ樹脂などからなることができる。接着層１３０は、チップ１４０を基板に固定させてチップ１４０の動きを防止し、構造的にチップ１４０がエンベデッド基板１００内に一体的に形成されるようにする。
【００３１】
次に、ステップＳ１４０で、図５に示すように、チップ１４０を接着層に接着させてキャビティ１１５に内蔵する。
【００３２】
キャビティ１１５に内蔵されたチップ１４０は、素子（ｄｅｖｉｃｅ）のことであって、エンベデッド基板１００の厚さを最小化するためにキャビティ１１５内に内蔵される。チップ１４０の一面には、コア基板１１０との電気的な接続のためにパッド１４１が形成される。パッド１４１は、チップ１４０におけるエポキシ樹脂との接着面の反対面に位置し、パッド１４１が形成されたチップ１４０の面が上部となるように配置してコア基板１１０に内蔵される。
【００３３】
そして、ステップＳ１５０で、チップ１４０がコア基板１１０に完全に固定されるようにエポキシ樹脂を養生（ｃｕｒｉｎｇ）する。具体的に、コア基板１１０に熱を加えてエポキシ樹脂を硬化させることにより、第１絶縁体１２０とチップ１４０とがエポキシ樹脂により物理的に一体となるようにする。キャビティ１１５に内蔵されたチップ１４０の厚さとメタル層１１１の厚さとが略同一に形成されたため、エポキシ樹脂により形成された厚さだけキャビティ１１５が上部へ上がることになり、パッド１４１は、後述する図６に示すように、第２絶縁体１５０をラミネイションする工程で第２絶縁体１５０の外部に露出することになる。
【００３４】
その後、ステップＳ１６０で、図６に示すように、コア基板１１０の図中上面に第２絶縁体１５０をラミネイションする。第２絶縁体１５０は第１絶縁体１２０と同様に半硬化状態であってもよい。半硬化状態の第２絶縁体１５０をラミネイションすると、第２絶縁体１５０がキャビティ１１５とビアホール１１７とに流入される。
【００３５】
このように、第１絶縁体１２０と第２絶縁体１５０とをラミネイションするとき、チップ１４０とキャビティ１１５との間のギャップ１１６及びビアホール１１７（図５参照）が充填されるため、チップ１４０を安定的に固定させるための別の工程、一例で、ギャップ１１６に別の液状の物質を充填し、これを硬化させるなどの工程が不要となり、工程が簡素化できる。
【００３６】
また、図面には図示されていないが、第２絶縁体１５０をラミネイションした後に、４層回路以上のエンベデッド基板１００を製造するために第１及び第２絶縁体１２０，１５０上に追加的なビルドアップ工程（ｂｕｉｌｄ−ｕｐ  ｐｒｏｃｅｓｓ）を行うこともできる。本実施例によれば、コア基板１１０を中心としてコア基板１１０の両面に対称に多層パターン１１３を形成することができ、これにより、エンベデッド基板１００が安定的な構造を有することになる。すなわち、基板に外力が加えられて反りが発生しても、両面が対称をなしているため、外力が一面に集中されなく両面に分散されて、基板は安定的な構造となることができる。
【００３７】
上述したように、本発明の実施例によるエンベデッド基板の製造方法は、接着フィルムを付着し除去する工程が不要となり、工程が簡素化でき、材料を節減することができるので、エンベデッド基板を製造するに生産性を高めることができる。
【００３８】
また、パターンに接着フィルムの異物が発生することを根本的に遮断して、エンベデッド基板の不良生産を防止することができる。
【００３９】
以上では本発明の好ましい実施例を参照にして説明したが、当該技術分野で通常の知識を有する者であれば、本発明の特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させることができることを理解できよう。前述した実施例以外の多くの実施例が本発明の特許請求の範囲内に存在する。
【符号の説明】
【００４０】
１００  エンベデッド基板
１１０  コア基板
１１５  キャビティ
１１７  ビアホール
１２０  第１絶縁体
１４０  チップ
１５０  第２絶縁体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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