(57)【要約】【課題】複数の板状部材とこの板状部材より長い複数の板状のスペーサとが交互に積層された積層体から、板状部材とスペーサとを安定的に良好に分離し、個々の板状部材を良好に取り出す。【解決手段】積層体の分離装置１０は、複数の板状部材２１と板状部材２１より長い複数の板状のスペーサ２２とが交互に積層された積層体２０から、個々の板状部材２１を順次取り出す装置である。分離装置１０は、任意の時点において最上に位置するスペーサ２２ａの両端部を上方に押し上げる押上部材１１と、複数の板状部材２１と複数のスペーサ２２のうち、任意の時点において積層体２０の最上に位置する部材を吸着して取り出す取出部材１３とを備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の板状部材と当該板状部材より長い複数の板状のスペーサとが交互に積層された積層体から、個々の前記板状部材を順次取り出す積層体の分離装置であって、
任意の時点において最上に位置する前記スペーサの前記板状部材より長手方向に張り出した両端部を上方に押し上げる押上部材と、
前記複数の板状部材と前記複数のスペーサのうち、任意の時点において前記積層体の最上に位置する部材を吸着して取り出す取出部材とを備えた積層体の分離装置。
【請求項２】
前記押上部材は、任意の時点において最上に位置する前記スペーサと上から２番目に位置する前記スペーサとの間隙に少なくとも先端部が入り込んで、前記最上に位置するスペーサの前記両端部を上方に向けて押し上げる押上部材である請求項１に記載の積層体の分離装置。
【請求項３】
前記押上部材は、前記最上に位置するスペーサ側に、前記間隙に入り込む先端側から後端側に向けて、前記最上に位置するスペーサの押上方向に傾斜した傾斜面を有する請求項２に記載の積層体の分離装置。
【請求項４】
任意の時点において最上に位置する前記スペーサの上方から当該スペーサの前記両端部を下方に向けて押し下げる押下部材をさらに備えた請求項１〜３のいずれかに記載の積層体の分離装置。
【請求項５】
前記押上部材は、任意の時点において最上に位置する前記スペーサの前記両端部を上方に押し上げ、同時に任意の時点において上から２番目に位置する前記スペーサの前記両端部を下方に押し下げる押上押下部材である請求項１に記載の積層体の分離装置。
【請求項６】
前記押上押下部材は、前記最上に位置するスペーサ側に、前記間隙に入り込む先端側から後端側に向けて、前記最上に位置するスペーサの押上方向に傾斜した傾斜面を有し、かつ、前記上から２番目に位置するスペーサ側に、前記間隙に入り込む先端側から後端側に向けて、前記上から２番目に位置するスペーサの押下方向に傾斜した傾斜面を有する請求項５記載の積層体の分離装置。
【請求項７】
前記積層体は、複数の半導体素子が長手方向に並列配置された複数の半導体バーからなる前記複数の板状部材と前記複数のスペーサとが交互に積層され、露出端面に一括して成膜が施されたものである請求項１〜６のいずれかに記載の積層体の分離装置。
【請求項８】
複数の板状部材と当該板状部材より長い複数の板状のスペーサとが交互に積層された積層体から、個々の前記板状部材を順次取り出す積層体の分離方法であって、
任意の時点において最上に位置する前記スペーサの前記板状部材より長手方向に張り出した両端部を上方に押し上げる押上工程と、
前記複数の板状部材と前記複数のスペーサのうち、任意の時点において前記積層体の最上に位置する部材を吸着して取り出す取出工程とを有する積層体の分離方法。
【請求項９】
任意の時点において最上に位置する前記スペーサの上方から当該スペーサの前記両端部を下方に向けて押し下げる押下工程をさらに有する請求項８に記載の積層体の分離方法。
【請求項１０】
前記押上工程は、任意の時点において最上に位置する前記スペーサの前記両端部を上方に押し上げ、同時に任意の時点において上から２番目に位置する前記スペーサの前記両端部を下方に押し下げる押上押下工程である請求項８に記載の積層体の分離方法。
【請求項１１】
前記積層体は、複数の半導体素子が長手方向に並列配置された複数の半導体バーからなる前記複数の板状部材と前記複数のスペーサとが交互に積層され、露出端面に一括して成膜が施されたものである請求項８〜１０のいずれかに記載の積層体の分離方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の板状部材とこの板状部材より長い複数の板状のスペーサとが交互に積層された積層体から、個々の板状部材を順次取り出す積層体の分離装置及び分離方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
レーザダイオード（ＬＤ）等の半導体素子は例えば、１個のウエハ上に複数の半導体素子を一括形成し、このウエハを劈開してそれぞれが複数の半導体素子を含む複数の半導体バーに分割し、各半導体バーの劈開端面に誘電体膜などの光学薄膜を形成し、各半導体バーを個々の半導体素子に切断分割して、製造される（特許文献１の段落０００２を参照）。
【０００３】
半導体バーの劈開端面への光学薄膜の形成は、スパッタ法、真空蒸着法、及びＣＶＤ法などの気相成膜によって好ましく実施される。この際、必要箇所だけが確実に成膜されるよう、半導体バーの劈開端面のみが露出した状態で、成膜が実施されることが好ましい。また、複数の半導体バーの劈開端面に対して、光学薄膜が一括成膜されることが好ましい。
【０００４】
特許文献１の図５（ａ）、（ｂ）には、複数の半導体バーとスペーサとを交互に積層し、これらの露出端面に誘電体膜などの光学薄膜を成膜する方法が記載されている。ここで、スペーサの長さは半導体バーの長さより長く、スペーサの幅は半導体バーの幅より若干狭く設定される。かかる方法では、複数の半導体バーにおいて長手方向に延びる露出端面に対して、光学薄膜を一括成膜することができる。
【０００５】
上記方法では、交互に積層された複数の半導体バーと複数のスペーサの露出端面全体に光学薄膜が成膜される。その結果、交互に積層された複数の半導体バーと複数のスペーサとは、成膜された光学薄膜によって一体化したようになる。このような状態から、成膜された光学薄膜を損傷することなく、交互に積層された複数の半導体バーと複数のスペーサとを良好に分離する必要がある。
【０００６】
特許文献１には、半導体バー（２０）と、半導体バー（２０）より長手方向に長いスペーサ（２１）とを交互に積層した状態で、半導体バーとスペーサの露出面への一体的な成膜処理に供する整列治具（１）と、スペーサ（２１）の両端を積層方向に押圧してスペーサを撓ませる押圧部材（３ａ、３ｂ）と、押圧部材（３ａ、３ｂ）を機能させた後、撓ませたスペーサ（２１）か、その上側に位置する半導体バー（２０）を取り出す取出部材（４、５）とを有する半導体素子の製造装置、及びこれを用いた半導体素子の製造方法が開示されている（請求項１、請求項３、図１、図３（ａ）〜（ｄ）、及び図４（ａ）〜（ｄ））。
【０００７】
特許文献１に記載の装置では、以下のように複数の半導体バーと複数のスペーサとの分離がなされている（段落００２５〜００２９、図３（ａ）〜（ｄ）、及び図４（ａ）〜（ｄ））。
【０００８】
複数の半導体バー（２０）と複数のスペーサ（２１）とが交互に積層された半導体ワークの頂部にスペーサ（２１）がある場合、一対の押圧部材（３ａ，３ｂ）が下方へ移動し、半導体ワークの頂部に位置するスペーサ（２１）の両端部を下方へ押圧する（図３（ａ））。これによって、押圧部材（３ａ，３ｂ）に押されたスペーサ（２１）は山形にやや撓み、その下部に位置する半導体バー（２０）とを一体化する光学薄膜が切断され、半導体ワークからスペーサ（２１）が剥がれる。その後、押圧部材（３ａ，３ｂ）が退避し（図３（ｂ））、取出部材（５）によって半導体ワークの頂部に位置するスペーサ（２１）が持ち上げられる（図３（ｃ）、図３（ｄ））。
【０００９】
複数の半導体バー（２０）と複数のスペーサ（２１）とが交互に積層された半導体ワークの頂部に半導体バー（２０）がある場合、一対の押圧部材（３ａ，３ｂ）は下方へ移動し、最上段に位置する半導体バー（２０）に接するスペーサ（２１）の両端部を下方へ押圧する（図４（ａ））。これによって、両端部が下方に押圧されたスペーサ（２１）は、中央部が上方へ盛り上がって山形状となり、スペーサ（２１）とその上部に位置する半導体バー（２０）とを一体化する光学薄膜が切断される。その後、押圧部材（３ａ，３ｂ）が退避し（図４（ｂ））、取出部材（４）によって半導体ワークの頂部に位置する半導体バー（２０）が持ち上げられる（図４（ｃ）、図４（ｄ））。
【００１０】
以上の処理が繰り返されることにより、複数の半導体バー（２０）と複数のスペーサ（２１）とが交互に積層された半導体ワークから個々の半導体バー（２０）が分離されて順次取り出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開2008-306098号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
特許文献１に記載の製造装置及びこれを用いた製造方法においては、押圧部材（３ａ，３ｂ）によって、最上部に位置するスペーサの両端部を下方に押圧することで、このスペーサの端面からその直下にある半導体バーの端面に繋がって形成された光学薄膜を分離している。
しかしながら、かかる方法では、スペーサと半導体バーの端面に跨って形成された光学薄膜が良好に分離されない場合がある。そのため、最上に位置するスペーサが引き上げられる際に、その引き上げが妨げられたり、その直下に位置する半導体バーがスペーサと共に引き上げられたりするなどして、安定した部材の取出しができず、生産性の低下を招く場合がある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の積層体の分離装置は、
複数の板状部材と当該板状部材より長い複数の板状のスペーサとが交互に積層された積層体から、個々の前記板状部材を順次取り出す積層体の分離装置であって、
任意の時点において最上に位置する前記スペーサの前記板状部材より長手方向に張り出した両端部を上方に押し上げる押上部材と、
前記複数の板状部材と前記複数のスペーサのうち、任意の時点において前記積層体の最上に位置する部材を吸着して取り出す取出部材とを備えたものである。
【００１４】
本発明の積層体の分離装置の好ましい態様として、
前記押上部材は、任意の時点において最上に位置する前記スペーサと上から２番目に位置する前記スペーサとの間隙に少なくとも先端部が入り込んで、前記最上に位置するスペーサの前記両端部を上方に向けて押し上げる押上部材である態様が挙げられる。
前記押上部材は、前記最上に位置するスペーサ側に、前記間隙に入り込む先端側から後端側に向けて、前記最上に位置するスペーサの押上方向に傾斜した傾斜面を有することが好ましい。
【００１５】
本発明の積層体の分離装置は、任意の時点において最上に位置する前記スペーサの上方から当該スペーサの前記両端部を下方に向けて押し下げる押下部材をさらに備えたことが好ましい。
【００１６】
本発明の積層体の分離装置の他の好ましい態様として、
前記押上部材は、任意の時点において最上に位置する前記スペーサの前記両端部を上方に押し上げ、同時に任意の時点において上から２番目に位置する前記スペーサの前記両端部を下方に押し下げる押上押下部材である態様が挙げられる。
【００１７】
前記押上押下部材は、前記最上に位置するスペーサ側に、前記間隙に入り込む先端側から後端側に向けて、前記最上に位置するスペーサの押上方向に傾斜した傾斜面を有し、かつ、前記上から２番目に位置するスペーサ側に、前記間隙に入り込む先端側から後端側に向けて、前記上から２番目に位置するスペーサの押下方向に傾斜した傾斜面を有することが好ましい。
【００１８】
本発明の積層体の分離装置は、
前記積層体が、複数の半導体素子が長手方向に並列配置された複数の半導体バーからなる前記複数の板状部材と前記複数のスペーサとが交互に積層され、露出端面に一括して成膜が施されたものである場合に好ましく適用できる。
【００１９】
本発明の積層体の分離方法は、
複数の板状部材と当該板状部材より長い複数の板状のスペーサとが交互に積層された積層体から、個々の前記板状部材を順次取り出す積層体の分離方法であって、
任意の時点において最上に位置する前記スペーサの前記板状部材より長手方向に張り出した両端部を上方に押し上げる押上工程と、
前記複数の板状部材と前記複数のスペーサのうち、任意の時点において前記積層体の最上に位置する部材を吸着して取り出す取出工程とを有するものである。
【００２０】
本発明の積層体の分離方法の好ましい態様としては、
任意の時点において最上に位置する前記スペーサの上方から当該スペーサの前記両端部を下方に向けて押し下げる押下工程をさらに有する態様が挙げられる。
【００２１】
本発明の積層体の分離方法の他の好ましい態様としては、
前記押上工程が、任意の時点において最上に位置する前記スペーサの前記両端部を上方に押し上げ、同時に任意の時点において上から２番目に位置する前記スペーサの前記両端部を下方に押し下げる押上押下工程である態様が挙げられる。
【００２２】
本発明の積層体の分離方法は、
前記積層体が、複数の半導体素子が長手方向に並列配置された複数の半導体バーからなる前記複数の板状部材と前記複数のスペーサとが交互に積層され、露出端面に一括して成膜が施されたものである場合に好ましく適用できる。
【００２３】
本発明の積層体の分離装置及びこれを用いた積層体の分離方法では、任意の時点において最上に位置するスペーサの両端部を上方に押し上げて、任意の時点において最上に位置するスペーサとその直下の板状部材との端面に一体形成されていた光学薄膜を良好に分離することができる。
特許文献１のように、最上に位置するスペーサの両端部を下方に押し下げるだけでは、２番目のスペーサの存在により、スペーサを撓ませる量に制限があり、最上に位置するスペーサとその直下の板状部材との端面に一体形成されていた光学薄膜が良好に分離されない場合がある。
本発明では、任意の時点において最上に位置するスペーサの両端部を上方に押し上げるので、その上にはスペーサがなく、スペーサをより大きく撓ませることができる。したがって、任意の時点において最上に位置するスペーサとその直下の板状部材との端面に一体形成されていた光学薄膜を安定的に良好に分離して、任意の時点において最上に位置するスペーサとその直下の板状部材とを良好に分離することができる。
【００２４】
本発明は、積層体が、複数の半導体素子が長手方向に並列配置された複数の半導体バーからなる複数の板状部材と複数のスペーサとが交互に積層され、露出端面に一括して成膜が施されたものである場合に好ましく適用できるが、露出端面に成膜が施されていない積層体にも適用可能である。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、複数の板状部材とこの板状部材より長い複数の板状のスペーサとが交互に積層された積層体から、板状部材とスペーサとを安定的に良好に分離し、個々の板状部材を良好に取り出すことができる積層体の分離装置及び分離方法を提供することができる。
本発明では、上記積層体の露出端面に一括して成膜が施されている場合においても、積層体から、露出端面の膜を損傷することなく、板状部材とスペーサとを安定的に良好に分離し、個々の板状部材を良好に取り出すことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】第１実施形態の積層体の分離装置の概略断面図である。
【図２Ａ】積層体の分離方法を示す工程図である。
【図２Ｂ】積層体の分離方法を示す工程図である。
【図２Ｃ】積層体の分離方法を示す工程図である。
【図２Ｄ】積層体の分離方法を示す工程図である。
【図２Ｅ】積層体の分離方法を示す工程図である。
【図２Ｆ】積層体の分離方法を示す工程図である。
【図２Ｇ】積層体の分離方法を示す工程図である。
【図２Ｈ】積層体の分離方法を示す工程図である。
【図２Ｉ】積層体の分離方法を示す工程図である。
【図３】第２実施形態の積層体の分離装置の概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
「第１実施形態」
図面を参照して、本発明に係る第１実施形態の積層体の分離装置及び分離方法について説明する。
図１は積層体の分離装置の概略断面図であり、図２Ａ〜図２Ｉは積層体の分離方法を示す工程図である。視認しやすくするため、各構成要素の縮尺や位置等は適宜実際のものとは異ならせてあり、適宜部材の図示を省略してある。
【００２８】
図１に示す本実施形態の積層体の分離装置１０は、複数の板状部材とこの板状部材より長い複数の板状のスペーサとが交互に積層された積層体から、個々の板状部材を順次取り出す装置である。
本実施形態では、複数の板状部材が、１個のウエハにレーザダイオード（ＬＤ）等の複数の半導体素子が一括形成され、このウエハが劈開されてそれぞれが複数の半導体素子を含むよう分割された複数の半導体バーである場合を例として説明する。
ＬＤとしては、可視ＬＤ及び赤外通信用ＬＤ等が挙げられる。
【００２９】
本実施形態において、積層体２０は、複数の半導体バー２１と半導体バー２１より長い複数の板状のスペーサ２２とが交互に積み重ねられ、さらにこれらの露出端面に誘電体膜などの光学薄膜が一括成膜されたものである。
複数の半導体バーの劈開端面への光学薄膜の形成は、スパッタ法、真空蒸着法、及びＣＶＤ法などの気相成膜によって好ましく実施される。
【００３０】
積層体２０において、スペーサ２２の長さ（長手方向のサイズ）は半導体バー２１の長さより長く、スペーサ２２の幅（短手方向のサイズ）は半導体バー２１の幅より若干狭く設定されている（特許文献１の図５を参照）。
複数の半導体バー２１と複数のスペーサ２２との交互積層は、特許文献１の図２に示すような公知の整列治具を用いて実施される。
積層体２０では、最下と最上にスペーサ２２が配置され、これらの間に複数の半導体バー２１と複数のスペーサ２２とが交互に積層される。
複数の半導体バー２１と複数のスペーサ２２との積層体２０は上記整列治具によって積層構造が保持された状態で、露出端面への成膜工程、及び本実施形態の分離装置１０を用いた分離工程が実施される。
【００３１】
本実施形態では、積層体２０において最上にある部材から順次取り出されていく。
図１は、任意の時点における積層体２０の状態を示している。図１における半導体バー２１とスペーサ２２の数は、一例である。
図１は、半導体バー２１とスペーサ２２との長手方向の断面図である。
図１において、複数のスペーサ２２のうち、任意の時点において最上に位置するスペーサに符号２２ａを付し、上から２番目に位置するスペーサに符号２２ｂを付してある。
【００３２】
本実施形態の積層体の分離装置１０は、
任意の時点において最上に位置するスペーサ２２ａの両端部を上方に押し上げる一対の押上部材１１と、
任意の時点において最上に位置するスペーサ２２ａの上方からこのスペーサ２２ａの両端部を下方に向けて押し下げる一対の押下部材１２と、
複数の半導体バー２１と複数のスペーサ２２のうち、任意の時点において積層体２０の最上に位置する部材を吸着して取り出す取出部材１３とを備えている。
本実施形態及び後記第２実施形態において、特に明記しない限り、「スペーサ２２の両端部」は、スペーサ２２において半導体バー２１より長手方向に張り出した部分である。
【００３３】
本実施形態において、一対の押上部材１１は、任意の時点において最上に位置するスペーサ２２ａと上から２番目に位置するスペーサ２２ｂとの間隙に少なくとも先端部が入り込んで、最上に位置するスペーサ２２ａの両端部を上方に向けて押し上げる部材である。
本実施形態において、一対の押上部材１１は、最上に位置するスペーサ２２ａ側に、上記間隙に入り込む先端側から後端側に向けて、最上に位置するスペーサ２２ａの押上方向に傾斜した傾斜面１１Ｘを有し、２番目に位置するスペーサ２２ｂ側が平坦面である断面視直角三角形状の部材である。
一対の押上部材１１は、図示左右方向及び図示上下方向に移動可能に設計されている。
【００３４】
本実施形態において、一対の押下部材１２は、任意の時点において最上に位置するスペーサ２２ａの両端部に対向配置され、スペーサ２２ａの面に対して垂直方向に延びた断面視棒状の部材である。
一対の押下部材１２は共通の保持部材１２Ｂに取り付けられており、一対の押下部材１２と保持部材１２Ｂとが一体的に図示上下方向に移動可能に設計されている。
【００３５】
本実施形態において、取出部材１３は、真空ポンプ等の減圧手段に接続され、減圧吸引力により部材を吸着保持するピックアップコレットである。
取出部材１３は、図示左右方向及び図示上下方向に移動可能に設計されている。
【００３６】
図２Ａ〜図２Ｉを参照して、積層体２０の分離方法について説明する。
図２Ａに示す初期状態では、一対の押上部材１１と、一対の押下部材１２と、取出部材１３とはいずれも、積層体２０から離間している。
この初期状態において、最上に位置するスペーサ２２ａと上から２番目に位置するスペーサ２２ｂとの間隙の外側に、一対の押上部材１１を待機させている。
【００３７】
上記初期状態から、図２Ｂに示すように、一対の押下部材１２を下降させて、最上に位置するスペーサ２２ａの上方からその両端部を下方に向けて押し下げる（押下工程）。このとき、一対の押下部材１２の両端部が中央部より押し下げられて、一対の押下部材１２が湾曲するよう、最上のスペーサ２２ａの両端部を下方に押し下げる。この工程によって、最上に位置するスペーサ２２ａとその直下の半導体バー２１との端面に一体形成されていた光学薄膜が分離される。ここでは、スペーサ２２ａの湾曲を誇張して図示ある。
【００３８】
次に図２Ｃに示すように、一対の押下部材１２を上昇させて元の位置に戻し、一対の押下部材１２による下方への押下力から最上に位置するスペーサ２２ａを解放する。これにより、最上に位置するスペーサ２２ａの湾曲が収まり、最上に位置するスペーサ２２ａは平坦な状態に戻る。
続いて同図に示すように、上方に待機していた取出部材１３を下降させて、最上に位置するスペーサ２２ａの中央部を上方から軽く吸着保持させる。
【００３９】
次に図２Ｄに示すように、最上に位置するスペーサ２２ａと上から２番目に位置するスペーサ２２ｂとの間隙の外側に待機していた一対の押上部材１１を内側に移動させて、それらの先端部を最上に位置するスペーサ２２ａと上から２番目に位置するスペーサ２２ｂとの間隙内に挿入させて、一対の押上部材１１により最上に位置するスペーサ２２ａの両端部を上方に向けて押し上げる（押上工程）。
本実施形態では、この工程では、最上に位置するスペーサ２２ａの中央部が取出部材１３で保持されているので、最上に位置するスペーサ２２ａの両端部が中央部より押し上げられて、最上に位置するスペーサ２２ａが湾曲する。ここでは、スペーサ２２ａの湾曲を誇張して図示ある。
この工程によって再度、最上に位置するスペーサ２２ａとその直下の半導体バー２１との端面に一体形成されていた光学薄膜が分離される。
本実施形態では、先の押下工程で最上に位置するスペーサ２２ａとその直下の半導体バー２１との端面に一体形成されていた光学薄膜が完全に分離されていない場合でも、この工程でこれらの端面に一体形成されていた光学薄膜を完全に分離することができる。
【００４０】
上記押上工程において、最上に位置するスペーサ２２ａの中央部を取出部材１３で保持させることで、上記湾曲を効果的に生じさせることができる。
ただし、上記押上工程において、最上に位置するスペーサ２２ａの中央部を取出部材１３で保持させることは必須ではない。
本実施形態では、一対の押上部材１１の先端部を最上に位置するスペーサ２２ａと上から２番目に位置するスペーサ２２ｂとの両端部間に挿入させるので、最上に位置するスペーサ２２ａの中央部を取出部材１３で保持させなくても、上記湾曲は生じる。
一対の押上部材１１は、最上に位置するスペーサ２２ａを湾曲させずに、最上に位置するスペーサ２２ａの両端部を押し上げるものでも構わない。
【００４１】
次に図２Ｅに示すように、取出部材１３による最上に位置するスペーサ２２ａの吸着状態を維持したまま、取出部材１３を上方に移動させ、さらに取出部材１３をスペーサ２２ａの所定の取出位置に移動させる（図示略）。
上記の押下工程と押上工程において、最上に位置するスペーサ２２ａとその直下の半導体バー２１との端面に一体形成されていた光学薄膜が完全に分離されているので、この工程においては、最上に位置するスペーサ２２ａのみが取出部材１３によって整列治具から良好に取り出される（取出工程）。
【００４２】
その後図２Ｆに示すように、一対の押上部材１１を元の待機位置に戻す。
以上のようにして、最上のスペーサ２２ａが取り出される。
以上の工程後に、積層体２０の最上の部材は半導体バー２１となる。
【００４３】
次に図２Ｇに示すように、一対の押下部材１２を下降させて、スペーサ２２の中で最上に位置するスペーサ２２ａの上方からその両端部を下方に向けて押し下げる。このとき、スペーサ２２の中で最上に位置するスペーサ２２ａの両端部が中央部より押し下げられて湾曲するように、一対の押下部材１２によりスペーサ２２の中で最上のスペーサ２２ａの両端部を下方に押し下げる。これによって、積層体２０の最上に位置する半導体バー２１とその直下のスペーサ２２ａとの端面に一体形成されていた光学薄膜が分離される。ここでは、スペーサ２２ａの湾曲を誇張して図示ある。
【００４４】
次に図２Ｈに示すように、一対の押下部材１２により最上に位置するスペーサ２２ａの両端部を下方に押し下げた状態を維持したまま、上方に待機していた取出部材１３を下降させて、最上に位置する半導体バー２１の中央部を上方から軽く吸着保持させる。
次に図２Ｉに示すように、取出部材１３による最上に位置する半導体バー２１の吸着状態を維持したまま、取出部材１３を上方に移動させ、さらに取出部材１３を半導体バー２１の所定の取出位置に移動させる（図示略）。
この工程では、一対の押下部材１２により最上に位置するスペーサ２２ａの両端部が下方に押圧されているので、最上に位置する半導体バー２１のみが取出部材１３によって整列治具から良好に取り出される。
以上の工程後に、図２Ｂの状態に戻る。図２Ｂ〜図２Ｉに示す工程を繰り返すことで、積層体２０から個々の半導体バー２１を順次取り出すことができる。
【００４５】
本実施形態の積層体の分離装置１０は、任意の時点において最上に位置するスペーサ２２ａの両端部を上方に押し上げる押上部材１１と、複数の半導体バー２１と複数のスペーサ２２のうち、任意の時点において積層体２０の最上に位置する部材を吸着して取り出す取出部材１３とを備えたものである。
本実施形態の積層体の分離方法は、任意の時点において最上に位置するスペーサ２２ａの両端部を上方に押し上げる押上工程と、
複数の半導体バー２１と複数のスペーサ２２のうち、任意の時点において積層体２０の最上に位置する部材を吸着して取り出す取出工程とを有するものである。
【００４６】
本実施形態では、図２Ｄ〜図２Ｅに示したように、任意の時点において最上に位置するスペーサ２２ａの両端部を上方に押し上げて、任意の時点において最上に位置するスペーサ２２ａとその直下の半導体バー２１との端面に一体形成されていた光学薄膜を良好に分離することができる。
【００４７】
特許文献１のように、最上に位置するスペーサの両端部を下方に押し下げるだけでは、上から２番目のスペーサの存在により、スペーサを撓ませる量に制限があり、最上に位置するスペーサとその直下の半導体バーとの端面に一体形成されていた光学薄膜が良好に分離されない場合がある。
本実施形態では、任意の時点において最上に位置するスペーサ２２ａの両端部を上方に押し上げるので、その上にはスペーサ２２がなく、スペーサ２２ａをより大きく撓ませることができる。したがって、任意の時点において最上に位置するスペーサ２２ａとその直下の半導体バー２１との端面に一体形成されていた光学薄膜を安定的に良好に分離して、任意の時点において最上に位置するスペーサ２２ａとその直下の半導体バー２１とを良好に分離することが可能である。
【００４８】
本実施形態では、上記の押上工程だけでも、任意の時点において最上に位置するスペーサ２２ａとその直下の半導体バー２１との端面に一体形成されていた光学薄膜を安定的に良好に分離することができるが、本実施形態では、特許文献１のように最上に位置するスペーサの両端部を下方に押し下げる押下工程も合わせて実施している。
すなわち、本実施形態の積層体の分離装置１０は、任意の時点において最上に位置するスペーサ２２ａの上方からこのスペーサ２２ａの両端部を下方に向けて押し下げる押下部材１２をさらに備えている。
本実施形態の積層体の分離方法は、図２Ｂ〜図２Ｃに示したように、任意の時点において最上に位置するスペーサ２２ａの上方からこのスペーサの両端部２２ａを下方に向けて押し下げる押下工程を有している。
【００４９】
本実施形態では、押下工程によって任意の時点において最上に位置するスペーサ２２ａを下方に湾曲させた後、押上工程によって逆方向に湾曲させることができるので、より確実に任意の時点において最上に位置するスペーサ２２ａとその直下の半導体バー２１との端面に一体形成されていた光学薄膜を安定的に良好に分離することができる。
押下工程と押上工程の順序は逆でも、同様の効果が得られる。
【００５０】
図２Ｇ〜図２Ｉに示したように、積層体２０の最上の部材が半導体バー２１である場合には、上記したように、任意の時点において最上に位置するスペーサ２２ａの上方からこのスペーサ２２ａの両端部を下方に向けて押し下げる押下工程だけでも、最上に位置する半導体バー２１とその直下のスペーサ２２ａとの端面に一体形成されていた光学薄膜を安定的に良好に分離して、最上に位置する半導体バー２１とその直下のスペーサ２２ａとを良好に分離することができる。
【００５１】
以上説明したように、本実施形態によれば、複数の半導体バー２１とこの半導体バー２１より長い複数の板状のスペーサ２２とが交互に積層された積層体２０から、半導体バー２１とスペーサ２２とを安定的に良好に分離し、個々の半導体バー２１を良好に取り出すことができる積層体の分離装置１０及び分離方法を提供することができる。
本実施形態では、上記積層体２０の露出端面に一括して成膜が施されている場合においても、積層体２０から、露出端面の膜を損傷することなく、半導体バー２１とスペーサ２２とを安定的に良好に分離し、個々の半導体バー２１を良好に取り出すことができる。
【００５２】
「第２実施形態」
図面を参照して、本発明に係る第２実施形態の積層体の分離装置及び分離方法について説明する。
図３は積層体の分離装置の概略断面図であり、第１実施形態の図１に対応する図である。
本実施形態の積層体の分離装置３０は主な構成は第１実施形態と同様であり、第１実施形態と同じ構成要素については同じ参照符号を付して、説明を省略する。
【００５３】
本実施形態の積層体の分離装置３０は、第１実施形態と同様、複数の板状部材とこの板状部材より長い複数の板状のスペーサとが交互に積層された積層体から、個々の板状部材を順次取り出す積層体の装置である。
本実施形態においても、複数の板状部材が、１個のウエハにレーザダイオード（ＬＤ）等の複数の半導体素子が一括形成され、このウエハが劈開されてそれぞれが複数の半導体素子を含むよう分割された複数の半導体バーである場合を例として説明する。
積層体２０の構成は第１実施形態と同様である。
【００５４】
本実施形態の積層体の分離装置３０は、
任意の時点において最上に位置するスペーサ２２ａの両端部を上方に押し上げ、同時に任意の時点において上から２番目に位置するスペーサ２２ｂの両端部を下方に押し下げる一対の押上押下部材３１と、
複数の半導体バー２１と複数のスペーサ２２のうち、任意の時点において積層体２０の最上に位置する部材を吸着して取り出す取出部材１３とを備えている。
【００５５】
本実施形態において、一対の押上押下部材３１は、任意の時点において最上に位置するスペーサ２２ａと上から２番目に位置するスペーサ２２ｂとの間隙に少なくとも先端部が入り込んで、最上に位置するスペーサ２２ａの両端部を上方に向けて押し上げ、同時に任意の時点において上から２番目に位置するスペーサ２２ｂの両端部を下方に押し下げる部材である。
本実施形態において、一対の押上押下部材３１は、最上に位置するスペーサ２２ａ側に、上記間隙に入り込む先端側から後端側に向けて、最上に位置するスペーサ２２ａの押上方向に傾斜した傾斜面３１Ｘを有し、かつ、上から２番目に位置するスペーサ２２ｂ側に、上記間隙に入り込む先端側から後端側に向けて、上から２番目に位置するスペーサ２２ｂの押下方向に傾斜した傾斜面３１Ｙを有する断面視二等辺三角形状の部材である。
一対の押上押下部材３１は、図示左右方向及び図示上下方向に移動可能に設計されている。
取出部材１３の構造は、第１実施形態と同様である。
【００５６】
本実施形態の積層体の分離装置３０では、一対の押上押下部材３１が第１実施形態の一対の押上部材１１と一対の押下部材１２とを兼ねている。
【００５７】
本実施形態の積層体の分離装置３０を用いた積層体２０の分離方法について説明する。以下、第１実施形態の図面を参照しつつ、第１実施形態の分離方法との相違について説明する。
【００５８】
本実施形態では、第１実施形態において図２Ａに示した初期状態から、一対の押下部材１１の代わりに、一対の押上押下部材３１を用いて、第１実施形態において図２Ｂに示したように、最上に位置するスペーサ２２ａの上方からその両端部を下方に向けて押し下げて、最上に位置するスペーサ２２ａを湾曲させる（押下工程）。
【００５９】
次に第１実施形態において図２Ｃに示したように、一対の押上押下部材３１による下方への押下力から最上に位置するスペーサ２２ａを解放する。これにより、最上に位置するスペーサ２２ａの湾曲が収まり、最上に位置するスペーサ２２ａは平坦な状態に戻る。
続いて第１実施形態において図２Ｃに示したように、上方に待機していた取出部材１３を下降させて、最上に位置するスペーサ２２ａの中央部を上方から軽く吸着保持させる。
【００６０】
次に第１実施形態において図２Ｄに示したように、一対の押上押下部材３１の先端部を最上に位置するスペーサ２２ａと上から２番目に位置するスペーサ２２ｂとの間隙内に挿入させて、最上に位置するスペーサ２２ａの両端部を上方に向けて押し上げる（押上工程）。
この工程では、最上に位置するスペーサ２２ａの中央部が取出部材１３で保持されているので、最上に位置するスペーサ２２ａの両端部が中央部より押し上げられて、最上に位置するスペーサ２２ａが湾曲する。
この工程によって再度、最上に位置するスペーサ２２ａとその直下の半導体バー２１との端面に一体形成されていた光学薄膜が分離される。
本実施形態では、先の押下工程で最上に位置するスペーサ２２ａとその直下の半導体バー２１との端面に一体形成されていた光学薄膜が完全に分離されていない場合でも、この工程でこれらの端面に一体形成されていた光学薄膜を完全に分離することができる。
本実施形態では、上記の押下工程において、一対の押上押下部材３１による上から２番目のスペーサ２２ｂの両端部を下方に押し下げる押下工程が同時に実施される。
図３は、この工程を示している。この図では、スペーサ２２ａ、２２ｂの湾曲を誇張して図示してある。
【００６１】
次に第１実施形態において図２Ｅに示したように、取出部材１３による最上に位置するスペーサ２２ａの吸着状態を維持したまま、取出部材１３を上方に移動させ、さらに取出部材１３をスペーサ２２ａの所定の取出位置に移動させる（図示略）。
先の工程において、最上に位置するスペーサ２２ａとその直下の半導体バー２１との端面に一体形成されていた光学薄膜が完全に分離されているので、この工程においては、最上に位置するスペーサ２２ａのみが取出部材１３によって整列治具から良好に取り出される（取出工程）。
【００６２】
以上のようにして、最上のスペーサ２２ａが取り出される。
以上の工程後に、積層体２０の最上の部材は半導体バー２１となる。
【００６３】
本実施形態では、上記取出工程後に、一対の押上押下部材３１をそのままの位置に保持した状態で、第１実施形態において図２Ｈに示したように、上方に待機していた取出部材１３を下降させて、最上に位置する半導体バー２１の中央部を上方から軽く吸着保持する。
次に第１実施形態において図２Ｉに示したように、取出部材１３による最上に位置する半導体バー２１の吸着状態を維持したまま、取出部材１３を上方に移動させ、さらに取出部材１３を半導体バー２１の所定の取出位置に移動させる。
この工程では、一対の押上押下部材３１により最上に位置するスペーサ２２ａの両端部が下方に押圧されているので、最上に位置する半導体バー２１のみが取出部材１３によって整列治具から良好に取り出される。
以上の工程後に、第１実施形態において図２Ｂで示したのと同様の状態に戻る。以上の工程を繰り返すことで、積層体２０から個々の半導体バー２１を順次取り出すことができる。
【００６４】
本実施形態の積層体の分離装置３０は、
任意の時点において最上に位置するスペーサ２２ａの両端部を上方に押し上げ、同時に任意の時点において上から２番目に位置するスペーサ２２ｂの両端部を下方に押し下げる一対の押上押下部材３１と、
複数の半導体バー２１と複数のスペーサ２２のうち、任意の時点において積層体２０の最上に位置する部材を吸着して取り出す取出部材１３とを備えたものである。
本実施形態の積層体の分離方法は、
任意の時点において最上に位置するスペーサ２２ａの両端部を上方に押し上げ、同時に任意の時点において上から２番目に位置するスペーサ２２ｂの両端部を下方に押し下げる押上押下工程と、
複数の半導体バー２１と複数のスペーサ２２のうち、任意の時点において積層体２０の最上に位置する部材を吸着して取り出す取出工程とを有するものである。
【００６５】
本実施形態においても、第１実施形態と同様に、任意の時点において最上に位置するスペーサ２２ａの両端部を上方に押し上げて、任意の時点において最上に位置するスペーサ２２ａとその直下の半導体バー２１との端面に一体形成されていた光学薄膜を良好に分離することができる。
本実施形態においても、任意の時点において最上に位置するスペーサ２２ａの両端部を上方に押し上げるので、その上にはスペーサ２２がなく、スペーサ２２ａをより大きく撓ませることができる。したがって、任意の時点において最上に位置するスペーサ２２ａとその直下の半導体バー２１との端面に一体形成されていた光学薄膜を安定的に良好に分離して、任意の時点において最上に位置するスペーサ２２ａとその直下の半導体バー２１とを良好に分離することができる。
【００６６】
上記の押上工程だけでも、任意の時点において最上に位置するスペーサ２２ａとその直下の半導体バー２１との端面に一体形成されていた光学薄膜を安定的に良好に分離することができるが、本実施形態では、特許文献１のようにスペーサの両端部を下方に押し下げる押下工程も合わせて実施している。
すなわち、本実施形態の積層体の分離装置３０は、押上押下部材３１が、任意の時点において上から２番目に位置するスペーサ２２ｂの両端部を下方に押し下げる押下部材を兼ねている。
本実施形態の積層体の分離方法においては、任意の時点において最上に位置するスペーサ２２ａの両端部を上方に押し上げる押上工程は、任意の時点において上から２番目に位置する前記スペーサの両端部を下方に押し下げる押下工程を兼ねている。
【００６７】
本実施形態では、任意の時点において最上に位置するスペーサ２２ａの両端部を上方に押上工程と、任意の時点において上から２番目に位置する前記スペーサの両端部を下方に押し下げる押下工程とを実施しているので、より確実に任意の時点において最上に位置するスペーサ２２ａとその直下の半導体バー２１との端面に一体形成されていた光学薄膜を安定的に良好に分離することができる。
本実施形態では、上記押上工程と上記押下工程とを同時に実施できるので、第１実施形態よりも装置の部材点数が少なく、作業効率も良い。
【００６８】
第１実施形態と同様、積層体２０の最上の部材が半導体バー２１である場合には、上記したように、任意の時点において最上に位置するスペーサ２２ａの上方からこのスペーサの両端部２２ａを下方に向けて押し下げる押下工程だけでも、最上に位置する半導体バー２１とその直下のスペーサ２２ａとの端面に一体形成されていた光学薄膜を安定的に良好に分離して、最上に位置する半導体バー２１とその直下のスペーサ２２ａとを良好に分離することができる。
【００６９】
以上説明したように、本実施形態によっても、複数の半導体バー２１とこの半導体バー２１より長い複数の板状のスペーサ２２とが交互に積層された積層体２０から、半導体バー２１とスペーサ２２とを安定的に良好に分離し、個々の半導体バー２１を良好に取り出すことができる積層体の分離装置３０及び分離方法を提供することができる。
本実施形態では、上記積層体２０の露出端面に一括して成膜が施されている場合においても、積層体２０から、露出端面の膜を損傷することなく、半導体バー２１とスペーサ２２とを安定的に良好に分離し、個々の半導体バー２１を良好に取り出すことができる。
【００７０】
「設計変更」
本発明は上記実施例に限らず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において適宜設計変更可能である。
【符号の説明】
【００７１】
１０  分離装置
１１  押上部材
１１Ｘ  傾斜面
１２  押下部材
１３  取出部材
２０  積層体
２１  半導体バー（板状部材）
２２  スペーサ
２２ａ  最上に位置するスペーサ
２２ｂ  上から２番目に位置するスペーサ
３０  分離装置
３１  押上押下部材
３１Ｘ  傾斜面
３１Ｙ  傾斜面
【図１】
2012074594.tif 000003
【図２Ａ】
2012074594.tif 000004
【図２Ｂ】
2012074594.tif 000005
【図２Ｃ】
2012074594.tif 000006
【図２Ｄ】
2012074594.tif 000007
【図２Ｅ】
2012074594.tif 000008
【図２Ｆ】
2012074594.tif 000009
【図２Ｇ】
2012074594.tif 000010
【図２Ｈ】
2012074594.tif 000011
【図２Ｉ】
2012074594.tif 000012
【図３】
2012074594.tif 000013