(57)【要約】【課題】虚報の異常検知報告を大幅に削減することにより、異常報告内容の確認時間を短縮する。【解決手段】半導体製造装置２による半導体ウエハの処理が開始すると、異常検知処理部６は、半導体ウエハの処理時における薬液流量平均値、薬液流量最大値、薬液流量最小値、および装置ログ情報を製造管理システム４から取得し、該半導体製造装置２の薬液流量平均値に異常があるか否かを判定する。薬液流量平均値が正常と判定されると、異常検知処理部６は、薬液流量の最大値、および最小値に異常があるか否かをそれぞれ判定する。薬液流量最大値に異常があると判定した場合、異常検知処理部６は、データベース部５ｂから、メールアドレスなどの連絡先を検索し、検知結果として、正常と判定された薬液流量平均値、および異常と判定された薬液流量最大値を電子メールなどによって送信する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータシステムにより、半導体製造装置による半導体ウエハ加工処理における異常を検知する処理を含む半導体装置の製造方法であって、
前記半導体製造装置における半導体ウエハ加工時の第１の処理パラメータにおける平均値が正常であるか否かを判定する第１のステップと、
前記第１のステップにおいて、前記第１の処理パラメータにおける平均値が正常と判定された際に、前記半導体製造装置における半導体ウエハ加工時の前記第１の処理パラメータにおける最大値、または最小値が異常であるか否かを判定する第２のステップと、
前記第１のステップにおいて前記平均値が異常と判定された場合、または前記第２のステップにおいて前記最大値、または前記最小値のいずれかが異常と判定された場合に、異常報告を出力する第３のステップとを有し、
前記第３のステップは、
前記第１のステップにおいて前記第１の処理パラメータにおける平均値が異常と判定された際に、異常と判定された前記第１の処理パラメータの平均値、および前記半導体製造装置の装置イベントのデータを異常報告として出力し、
前記第１のステップにおいて前記第１の処理パラメータにおける平均値が正常と判定され、前記第２のステップにおいて前記第１の処理パラメータにおける最大値が異常と判定された際に、異常と判定された前記第１の処理パラメータの最大値、および前記半導体製造装置の装置イベントのデータを異常報告として出力し、
前記第１のステップにおいて前記第１の処理パラメータにおける平均値が正常と判定され、前記第２のステップにおいて前記第１の処理パラメータにおける最小値が異常と判定された際に、異常と判定された前記第１の処理パラメータの最小値、および前記半導体製造装置の装置イベントのデータを異常報告として出力することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の処理パラメータは、
半導体ウエハを洗浄するウエハ洗浄装置に用いられる薬液流量であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１の処理パラメータは、
半導体ウエハを熱処理するアニール装置における半導体ウエハ処理時の処理室内の温度であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
コンピュータシステムにより、半導体製造装置による半導体ウエハ加工処理における異常を検知する処理を含む半導体装置の製造方法であって、
前記半導体製造装置における半導体ウエハ加工時の第２の処理パラメータの値が正常であるか否かを判定する第４のステップと、
前記第４のステップにおいて前記第２の処理パラメータの値が正常と判定された際に、前記半導体製造装置における半導体ウエハ加工時の第３の処理パラメータの値が正常であるか否かを判定する第５のステップと、
前記第４のステップにおいて前記第２の処理パラメータの値が異常と判定された場合、または前記第５のステップにおいて前記第３の処理パラメータが異常と判定された場合に、異常報告を出力する第６のステップとを有し、
前記第６のステップは、
前記第４のステップにおいて前記第２の処理パラメータの値が異常と判定された際に、異常と判定された前記第２の処理パラメータの値、および前記半導体製造装置の装置イベントのデータを異常報告として出力し、
前記第４のステップにおいて前記第２の処理パラメータの値が正常と判定され、前記第５のステップにおいて前記第３の処理パラメータの値が異常と判定された際に、異常と判定された前記第３の処理パラメータの値、および正常と判定された前記第２の処理パラメータの値を異常報告として出力することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の半導体装置の製造方法において、
前記第２の処理パラメータは、
半導体ウエハをエッチングするプラズマエッチング装置における処理室の圧力値であり、
前記第３の処理パラメータは、
前記プラズマエッチング装置における半導体ウエハ処理時の処理室内の温度値であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、製造装置の異常をリアルタイムで監視し、製造装置の異常に伴った半導体装置の製造不良の防止に有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程においては、製造不良を防止するために、たとえば、異常検知システムなどの品質管理を行う管理システムが広く用いられている。
【０００３】
異常検知システムは、圧力や雰囲気温度などの半導体製造装置の各種情報を取得し、それら半導体製造装置から取得した情報が、予め設定されたしきい値以上、または以下となった場合に、半導体製造装置に異常があると判断し、該当する半導体製造装置の処理停止、ならびに処理されたロットの流動を停止させることによって、不良の作り込みを防止するシステムである。
【０００４】
この種の半導体装置の製造管理技術においては、たとえば、装置パラメータの種類を絞り込むことなく取得し、膨大な装置アラームの中からトラブルと有意な関係にある装置アラームを抽出し、抽出した装置アラームとトラブル発生との関係を示すトレンドチャートを生成してユーザ端末に提示することにより、トラブル発生の原因となる装置アラームを正確かつ簡易に抽出し、製造装置のトラブル復旧を効率的に行うものがある（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−８７４５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところが、上記のような半導体装置製造における品質管理技術では、次のような問題点があることが本発明者により見い出された。
【０００７】
近年、半導体装置の製造においては、製造装置台数の増加や製品の多様化があり、異常検知設定数は増加の一途を辿っており、それに伴い、エンジニアには、膨大な数の異常検知報告が日ごとに報告されている。
【０００８】
一方、製造装置個々がもつ特有の制御パラメータは、製造装置の消耗品交換やメンテナンスで異常検知設定時から変動するため、正常に処理されているが異常値として報告される虚報が増加している。
【０００９】
エンジニアは、虚報が含まれている異常検知報告の中から、虚報でない異常検知報告を判別しなければならず、その判別作業に膨大な時間を費やさなければならず、実際に異常のある製造装置への対処が遅れてしまったり、異常のある製造装置を見逃してしまう恐れが生じてしまい、不良流出の危険性が大きくなってしまうという問題がある。
【００１０】
本発明の目的は、虚報の異常検知報告を大幅に削減することにより、異常報告内容の確認時間を短縮することのできる技術を提供することにある。
【００１１】
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴については、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１３】
本発明は、コンピュータシステムにより、半導体製造装置による半導体ウエハ加工処理における異常を検知する処理を含む半導体装置の製造方法であって、該半導体製造装置における半導体ウエハ加工時の第１の処理パラメータにおける平均値が正常であるか否かを判定する第１のステップと、半導体製造装置における半導体ウエハ加工時の第１の処理パラメータにおける最大値、または最小値が異常である否かを判定する第２のステップと、第１のステップにおいて平均値が異常と判定された場合、または第２のステップにおいて最大値、または最小値のいずれかが異常と判定された場合に、異常報告を出力する第３のステップとを有し、第２のステップは、第１のステップにおいて平均値が異常と判定されると第１の処理パラメータにおける最大値、または最小値が異常である否かの判定を実施せず、第３のステップは、第１のステップにおいて第１の処理パラメータにおける平均値が異常と判定された際に、異常と判定された第１の処理パラメータの平均値、および半導体製造装置の装置イベントのデータを出力し、第１のステップにおいて第１の処理パラメータにおける平均値が正常と判定され、第２のステップにおいて第１の処理パラメータにおける最大値が異常と判定された際に、異常と判定された第１の処理パラメータの最大値、および半導体製造装置の装置イベントのデータを出力し、第１のステップにおいて第１の処理パラメータにおける平均値が正常と判定され、第２のステップにおいて第１の処理パラメータにおける最小値が異常と判定された際に、異常と判定された第１の処理パラメータの最小値、および半導体製造装置の装置イベントのデータを出力するものである。
【００１４】
また、本発明は、第１の処理パラメータが、半導体ウエハを洗浄するウエハ洗浄装置に用いられる薬液流量よりなるものである。
【００１５】
さらに、本発明は、第１の処理パラメータが、半導体ウエハを熱処理するアニール装置における半導体ウエハ処理時の処理室内の温度よりなるものである。
【００１６】
また、本願のその他の発明の概要を簡単に示す。
【００１７】
本発明は、コンピュータシステムにより、半導体製造装置による半導体ウエハ加工処理における異常を検知する処理を含む半導体装置の製造方法であって、半導体製造装置における半導体ウエハ加工時の第２の処理パラメータの値が正常であるか否かを判定する第４のステップと、半導体製造装置における半導体ウエハ加工時の第３の処理パラメータの値が正常であるか否かを判定する第５のステップと、第４のステップにおいて第２の処理パラメータの値が異常と判定された場合、または第５のステップにおいて第３の処理パラメータが異常と判定された場合に、異常報告を出力する第６のステップとを有し、第５のステップは、第４のステップにおいて第２の処理パラメータの値が異常と判定されると第３の処理パラメータの値の判定を実施せず、第６のステップは、第４のステップにおいて第２の処理パラメータの値が異常と判定された際に、異常と判定された第２の処理パラメータの値、および半導体製造装置の装置イベントのデータを出力し、第４のステップにおいて第２の処理パラメータの値が正常と判定され、第５のステップにおいて第３の処理パラメータの値が異常と判定された際に、異常と判定された第３の処理パラメータの値、および正常と判定された第２の処理パラメータの値を出力するものである。
【００１８】
また、本発明は、第２の処理パラメータが、半導体ウエハをエッチングするプラズマエッチング装置における処理室の圧力値であり、第３の処理パラメータが、プラズマエッチング装置における半導体ウエハ処理時の処理室内の温度値よりなるものである。
【発明の効果】
【００１９】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００２０】
（１）異常報告メール数を大幅に削減することができるので、異常検知報告の確認作業を短時間で行うことができる。
【００２１】
（２）また、異常値だけでなく、正常値のデータなどが異常報告メールに追加されるので、正常データの確認漏れなどを防止することができる。
【００２２】
（３）上記（１）、（２）により、製造装置の異常解析を効率よく短時間で行いながら、作業負担を軽減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施の形態による異常検知システムの構成の一例を示すブロック図である。
【図２】図１の異常検知システムにおける検知動作の一例を示す説明図である。
【図３】図２（１）の組み合わせ検知の具体的な動作例を示すフローチャートである。
【図４】図２（２）の組み合わせ検知の具体的な動作例を示すフローチャートである。
【図５】図２（３）の組み合わせ検知の具体的な動作例を示すフローチャートである。
【図６】図２（４）の組み合わせ検知の具体的な動作例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２５】
図１は、本発明の実施の形態による異常検知システムの構成の一例を示すブロック図、図２は、図１の異常検知システムにおける検知動作の一例を示す説明図、図３は、図２（１）の組み合わせ検知の具体的な動作例を示すフローチャート、図４は、図２（２）の組み合わせ検知の具体的な動作例を示すフローチャート、図５は、図２（３）の組み合わせ検知の具体的な動作例を示すフローチャート、図６は、図２（４）の組み合わせ検知の具体的な動作例を示すフローチャートである。
【００２６】
〈発明の概要〉
本発明の第１の概要は、コンピュータシステム（異常検知システム１）により、半導体製造装置（半導体製造装置２）の半導体ウエハ加工処理における異常を検知する処理を含む半導体装置の製造方法であって、前記半導体製造装置における半導体ウエハ加工時の第１の処理パラメータ（薬液流量、または処理温度）における平均値が正常であるか否かを判定する第１のステップと、前記第１のステップにおいて前記第１の処理パラメータにおける平均値が正常と判定された際に、前記半導体製造装置における半導体ウエハ加工時の前記第１の処理パラメータにおける最大値、または最小値が異常である否かを判定する第２のステップと、前記第１のステップにおいて前記平均値が異常と判定された場合、または前記第２のステップにおいて前記最大値、または前記最小値のいずれかが異常と判定された場合に、異常報告を出力する第３のステップとを有し、前記第３のステップは、前記第１のステップにおいて前記第１の処理パラメータにおける平均値が異常と判定された際に、異常と判定された前記第１の処理パラメータの平均値、および前記半導体製造装置の装置イベントのデータを異常報告として出力し、前記第１のステップにおいて前記第１の処理パラメータにおける平均値が正常と判定され、前記第２のステップにおいて前記第１の処理パラメータにおける最大値が異常と判定された際に、異常と判定された前記第１の処理パラメータの最大値、および前記半導体製造装置の装置イベントのデータを異常報告として出力し、前記第１のステップにおいて前記第１の処理パラメータにおける平均値が正常と判定され、前記第２のステップにおいて前記第１の処理パラメータにおける最小値が異常と判定された際に、異常と判定された前記第１の処理パラメータの最小値、および前記半導体製造装置の装置イベントのデータを異常報告として出力するものである。
【００２７】
また、本発明の第２の概要は、コンピュータシステム（異常検知システム１）により、半導体製造装置（半導体製造装置２）の半導体ウエハ加工処理における異常を検知する処理を含む半導体装置の製造方法であって、前記半導体製造装置における半導体ウエハ加工時の第２の処理パラメータ（処理室の圧力）の値が正常であるか否かを判定する第４のステップと、前記第４のステップにおいて前記第２の処理パラメータの値が正常と判定された際に前記半導体製造装置における半導体ウエハ加工時の第３の処理パラメータ（圧力制御バルブの開閉度）の値が正常であるか否かを判定する第５のステップと、前記第４のステップにおいて前記第２の処理パラメータの値が異常と判定された場合、または前記第５のステップにおいて前記第３の処理パラメータが異常と判定された場合に、異常報告を出力する第６のステップとを有し、前記第６のステップは、前記第４のステップにおいて前記第２の処理パラメータの値が異常と判定された際に、異常と判定された前記第２の処理パラメータの値、および前記半導体製造装置の装置イベントのデータを異常報告として出力し、前記第４のステップにおいて前記第２の処理パラメータの値が正常と判定され、前記第５のステップにおいて前記第３の処理パラメータの値が異常と判定された際に、異常と判定された前記第３の処理パラメータの値、および正常と判定された前記第２の処理パラメータの値を異常報告として出力するものである。
【００２８】
以下、上記した概要に基づいて、実施の形態を詳細に説明する。
【００２９】
本実施の形態において、異常検知システム１は、半導体装置の製造装置における情報をリアルタイムに判定し、該製造装置の異常を検知した際にエンジニアに対して異常報告を行うシステムである。
【００３０】
異常検知システム１には、図１に示すように、複数の半導体製造装置２、および設備管理システム３がそれぞれ接続されている。半導体製造装置２は、たとえば、ＣＶＤ装置、イオン注入装置、エッチング装置、アニール装置、ウエハ洗浄装置、および露光装置などの半導体装置の各種製造装置からなる。
【００３１】
設備管理システム３は、設備履歴データ（稼働率、現在状態など）を監視し、今後のイベント（装置設備、校正など）のスケジューリングを管理する。また、半導体製造装置２には、製造管理システム４が接続されている。製造管理システム４は、半導体装置製造のライン全体における情報を管理する。
【００３２】
異常検知システム１は、データベース部５，５ａ，５ｂ、異常検知処理部６、出力処理部７、および入出力インタフェース８から構成されている。データベース部５は、装置ログ履歴の情報が格納されており、たとえば、製造装置名、チャンバ（処理室）名、製品名／工程名、処理日時、装置ログ種別、および装置ログ値などである。
【００３３】
データベース部５ａには、半導体製造装置２が異常か否かを判定する判定しきい値管理情報が格納されている。判定しきい値管理情報は、たとえば、製造装置名、チャンバ名、装置ログ種別、製品名／工程名、および各種の判定しきい値などである。
【００３４】
また、データベース部５ａには、各半導体製造装置２毎に対応するログ情報におけるパラメータの組み合わせを示す組み合わせ検知情報が格納されている。データベース部５ｂには、半導体製造装置２が異常と判定された際にエンジニアが携帯している携帯電話などに異常報告を送信するためのメールアドレスなどの情報が格納されている。
【００３５】
異常検知処理部６は、データベース部５ａに格納されている各種の判定しきい値管理情報などに基づいて半導体製造装置２が異常であるか否かを判定する。出力処理部７は、異常検知処理部６が異常判定した際に、エンジニアの携帯電話に異常報告のメールを送信する。入出力インタフェース８は、半導体製造装置２とのインタフェース部である。
【００３６】
また、設備管理システム３は、データベース部９，９ａ、ならびに入出力インタフェース１０を有している。データベース部９は、製造装置名、チャンバ名、およびエンジニアが入力したイベント履歴などが格納されており、データベース部９ａは、エンジニアが入力したイベントコード、および作業実績などが格納されている。また、入出力インタフェース１０は、キーボードなどの入力装置ＫＥＹとのインタフェース部となる。
【００３７】
次に、本実施の形態における異常検知システム１による動作について説明する。
【００３８】
図２は、異常検知システム１における検知動作の一例を示す説明図である。
【００３９】
異常検知システム１は、図２に示す（１）〜（４）の組み合わせ検知により、半導体製造装置２が異常か否かを判定する。図２（１）〜（４）の組み合わせ検知は、上記した組み合わせ検知情報としてデータベース部５ａに格納されており、異常検知処理部６が、データベース部５ａから取得した組み合わせ情報に基づいて組み合わせ検知を決定する。
【００４０】
まず、図２の（１）は、半導体製造装置２のログ情報におけるあるパラメータ（Ａ）において、該パラメータ（Ａ）の平均値Ａ＿ａｖｅがしきい値に対して正常であるが、パラメータ（Ａ）の最大値Ａ＿ｍａｘ、または最小値Ａ＿ｍｉｎがしきい値に対して異常となっている場合である。
【００４１】
異常検知システム１は、パラメータ（Ａ）の平均値Ａ＿ａｖｅがしきい値に対して正常の場合に、パラメータ（Ａ）の最大値Ａ＿ｍａｘが異常であると判定すると、異常である最大値Ａ＿ｍａｘのデータとともに、正常である平均値Ａ＿ａｖｅのデータを添付して異常報告をメール送信する。
【００４２】
また、異常検知システム１は、パラメータ（Ａ）の平均値Ａ＿ａｖｅがしきい値に対して正常の場合に、パラメータ（Ａ）の最小値Ａ＿ｍｉｎが異常であると判定すると、異常である最小値Ａ＿ｍｉｎのデータとともに、正常である平均値Ａ＿ａｖｅのデータを添付して異常報告をメール送信する。
【００４３】
続いて、図２の（２）は、パラメータ（Ａ）の平均値Ａ＿ａｖｅがしきい値に対して異常の場合である。この場合、異常検知システム１は、パラメータ（Ａ）の平均値Ａ＿ａｖｅがしきい値に対して異常であることを検出すると、パラメータ（Ａ）の最大値Ａ＿ｍａｘ、および最小値Ａ＿ｍｉｎがしきい値に対して異常であるか否かの検出を行わずに、設備管理システム３のデータベース部５に格納されたイベント履歴から装置イベント(クリーニング、部品交換、設定変更などの情報)を取得し、該装置イベントのデータを添付して異常報告をメール送信する。
【００４４】
また、図２の（３）、（４）は、半導体製造装置２のログ情報の異なったパラメータ（Ｂ）、ならびにパラメータ（Ｃ）に対する組み合わせ検知を行うものである。
【００４５】
まず、図２の（３）では、パラメータ（Ｂ）がしきい値に対して正常である場合に、パラメータ（Ｃ）がしきい値に対して異常と判定された場合である。この場合、異常検知システム１は、異常となったパラメータ（Ｃ）のデータとともに、正常なパラメータ（Ｂ）のデータを添付して異常報告をメール送信する。
【００４６】
続いて、図２の（４）では、パラメータ（Ｂ）がしきい値に対して異常と判定された場合である。この場合、異常検知システム１は、パラメータ（Ｃ）がしきい値に対して異常か否かの判定を行わずに、データベース部５から取得した装置イベント(クリーニング、部品交換、設定変更など)を取得し、異常となったパラメータ（Ｂ）のデータとともに取得した該装置イベントのデータを添付して異常報告をメール送信する。
【００４７】
次に、上述した図２に示す（１）〜（４）の組み合わせ検知の具体的な動作について、図３〜図６のフローチャートを用いて説明する。
【００４８】
図３は、図２の（１）における異常検知システム１の動作の一例を示すフローチャートである。図３において、異常検知システム１が異常を検知する半導体製造装置２は、半導体ウエハを洗浄するウエハ洗浄装置である。
【００４９】
また、該異常検知システム１はウエハ洗浄装置の薬液流量をモニタしており、薬液流量平均値は、変動幅しきい値内であるが、薬液流量の最大値が上限しきい値に対して異常となった場合を示している。
【００５０】
まず、異常検知システム１の異常検知処理部６は、製造管理システム４から異常検知処理の対象となる製造装置情報、およびチャンバ情報を取得する（ステップＳ１０１）。製造装置情報としては、たとえば、製造装置の名称（またはコード名）がある。
【００５１】
また、チャンバ（処理を行う室）情報としては、たとえば、チャンバの名称（またはコード名）がある。製造装置の種類によっては、同一の製造装置に複数のチャンバを有するものと、製造装置に単一のチャンバしか存在しないものがある。単一チャンバから構成される製造装置に関しては、チャンバ情報はなくてもよい。
【００５２】
そして、異常検知処理部６は、取得した製造装置情報、およびチャンバ情報から、処理毎に出力される装置ログ毎の複数種類の判定しきい値を算出する（ステップＳ１０２）。算出する判定しきい値は、薬液流量平均値における変動幅しきい値（上限しきい値、および下限しきい値）、薬液流量最大値の上限しきい値、および薬液流量最小値の下限しきい値などからなる。
【００５３】
ここで、ステップＳ１０２の処理における判定しきい値の算出について説明する。
【００５４】
まず、異常検知処理部６は、ステップＳ１０１の処理において取得した製造装置情報、およびチャンバ情報に対応するログ履歴データ情報の検索方法をデータベース部５から取得し、データベース部５に格納されている薬液流量平均値が３σ（σ＝標準偏差）で管理されている情報を取得する。
【００５５】
続いて、異常検知処理部６は、データベース部５に格納されている過去の装置ログ履歴データから、処理毎の薬液流量平均値を取得し、その取得した薬液流量平均値から、装置の異常などが発生した際の薬液流量平均値を削除する。
【００５６】
そして、異常検知処理部６は、異常が発生した際の薬液流量平均値を削除した薬液流量平均値のデータを用いて、３σの情報に基づいて、薬液流量平均値における変動幅しきい値（上限しきい値、および下限しきい値）をそれぞれ決定し、データベース部５ａに格納する。
【００５７】
また、異常検知処理部６は、薬液流量最大値の上限しきい値、および薬液流量最小値の下限しきい値についても決定し、データベース部５ａに格納する。
【００５８】
そして、異常検知処理部６がステップＳ１０２の処理において決定した判定しきい値をデータベース部５ａに格納すると、半導体製造装置２による半導体ウエハの処理が開始となる（ステップＳ１０３）。
【００５９】
異常検知処理部６は、半導体ウエハの処理時における薬液流量平均値、薬液流量最大値、薬液流量最小値、および装置ログ情報を製造管理システム４から取得する（ステップＳ１０４）。この装置ログ情報は、製造装置、およびチャンバから出力される装置ログデータだけでなく、処理を実施した製品名、工程名、ならびにレシピ名などが含まれる。
【００６０】
続いて、異常検知処理部６は、データベース部５ａに格納されている組み合わせ検知情報を取得し、検知する組み合わせを設定する（ステップＳ１０５）。
【００６１】
組み合わせ検知情報は、たとえば、主検知設定と従検知設定とからなり、ウエハ洗浄装置の場合には、パラメータが薬液流量であり、該パラメータの主検知設定が薬液流量の平均値であり、従検知設定が薬液流量の最大値と最小値となる。
【００６２】
そして、異常検知処理部６は、主検知設定のログ検知を行う（ステップＳ１０６）。異常検知処理部６は、ステップＳ１０４の処理において取得した主検知設定である薬液流量平均値に異常があるか否かを判定する（ステップＳ１０７）。
【００６３】
ステップＳ１０７の処理では、ステップＳ１０４の処理において取得した薬液流量平均値とステップＳ１０２の処理において決定した変動幅しきい値とを比較し、取得した該薬液流量平均値が変動幅しきい値内に収まっているか否かを判定する。
【００６４】
ステップＳ１０７の処理において、取得した該薬液流量平均値が正常と判定されると、異常検知処理部６は、従検知設定のログ検知を行う（ステップＳ１０８，Ｓ１０９）。ここでは、ステップＳ１０４の処理において取得した従検知設定である薬液流量最大値に異常があるか否か、およびステップＳ１０４の処理において取得した薬液流量最小値に異常があるか否かをそれぞれ判定する（ステップＳ１１０，Ｓ１１１）。
【００６５】
ステップＳ１１０の処理は、ステップＳ１０４の処理において取得した薬液流量最大値とステップＳ１０２の処理において決定した薬液流量の上限しきい値とを比較し、取得した薬液流量最大値が上限しきい値以上でないかを判定する。
【００６６】
また、ステップＳ１１１の処理は、ステップＳ１０４の処理において取得した薬液流量最小値とステップＳ１０２の処理において決定した薬液流量の下限しきい値とを比較し、取得した薬液流量最小値が下限しきい値以下でないかを判定する。
【００６７】
そして、薬液流量最小値に異常がなく、薬液流量最大値に異常があると判定した場合、異常検知処理部６は、データベース部５ｂから、該当するエンジニアの連絡先（メールアドレスなど）を検索し、検知結果として、正常と判定された薬液流量平均値、および異常と判定された薬液流量最大値を、たとえば、電子メールなどによって担当者の携帯電話などに発報し（ステップＳ１１２）、処理が終了となる。
【００６８】
このように、薬液流量最大値のみが異常となった場合において、異常となった薬液流量最大値のデータとともに正常と判定された薬液流量平均値を検知結果に含めて担当者に送信することにより、異常検知後のアクションとして薬液流量平均値をエンジニアが検索する作業などを不要とすることができ、異常原因の解析時間を短縮することができると共に、エンジニアの作業負担を軽減することができる。
【００６９】
なお、図３では、薬液流量最大値が異常で薬液流量最小値が正常の場合について記載したが、たとえば、ステップＳ１０９，Ｓ１１０の処理において、薬液流量最大値が正常で薬液流量最小値が異常と判定した場合、異常検知処理部６は、データベース部５ｂから、該当する担当者の連絡先を検索し、検知結果として、正常と判定された薬液流量平均値、および異常と判定された薬液流量最小値をそれぞれ発報する。
【００７０】
図４は、図２の（２）における異常検知システム１の動作の一例を示すフローチャートである。この図４において、異常検知システム１が異常を検知する半導体製造装置２は、たとえば、アニール装置などである。
【００７１】
アニール装置は、赤外線、ハロゲンランプ、あるいはヒータなどの各種の熱源を利用して、試料（半導体ウエハ）の熱処理を行う装置である。
【００７２】
また、異常検知システム１は、アニール装置などの半導体製造装置２における処理室の半導体ウエハ処理時の温度をモニタし、該ウエハ処理時の温度の平均値がしきい値に対して異常となった場合を示している。
【００７３】
まず、異常検知処理部６は、図３の場合と同様に、製造管理システム４から異常検知処理の対象となる製造装置情報、およびチャンバ（処理室）情報を取得する（ステップＳ２０１）。
【００７４】
そして、異常検知処理部６は、取得した製造装置情報、およびチャンバ情報から、処理毎に出力される装置ログ毎の判定しきい値を算出する（ステップＳ２０２）。ここでの判定しきい値は、算出した半導体ウエハにおける処理時の平均温度の変動幅しきい値（上限しきい値、下限しきい値）、処理時の最高温度の上限しきい値、ならびに処理時の最低温度の下限しきい値などである。
【００７５】
ここで、ステップＳ２０２の処理における判定しきい値を算出について説明する。
【００７６】
まず、異常検知処理部６は、ステップＳ２０１の処理において取得した製造装置情報、およびチャンバ情報に対応するログ履歴データ情報の検索方法をデータベース部５から取得し、データベース部５に格納されている温度の平均値が５％幅で管理されている情報を取得する。
【００７７】
続いて、異常検知処理部６は、データベース部５に格納されている過去の装置ログ履歴データから、処理毎の温度の平均値を取得し、その取得した温度の平均値から、装置の異常などが発生した際の温度の平均値を削除する。
【００７８】
そして、異常検知処理部６は、異常が発生した際の温度の平均値を削除した温度の平均値のデータを用いて、５％幅の情報に基づいて、温度の平均値における変動幅しきい値（上限しきい値、および下限しきい値）をそれぞれ決定し、データベース部５ａに格納する。
【００７９】
また、異常検知処理部６は、温度の最大値の上限しきい値、および温度の最小値の下限しきい値についても決定し、データベース部５ａに格納する。
【００８０】
そして、異常検知処理部６が、ステップＳ２０２の処理において算出した判定しきい値をデータベース部５ａにそれぞれ格納すると、半導体製造装置２による半導体ウエハの処理が開始される（ステップＳ２０３）。
【００８１】
異常検知処理部６は、半導体ウエハの処理時における温度の平均値、温度の最大値、温度の最小値、および装置ログ情報を製造管理システム４から取得する（ステップＳ２０４）。この装置ログ情報は、製造装置、およびチャンバから出力される装置ログデータだけでなく、処理を実施した製品名、工程名、ならびにレシピ名などが含まれる。
【００８２】
続いて、異常検知処理部６は、データベース部５ａに格納されている組み合わせ検知情報を取得し、検知する組み合わせを設定する（ステップＳ２０５）。
【００８３】
組み合わせ検知情報は、たとえば、アニール装置の場合、処理室における半導体ウエハの処理温度がパラメータとなり、該パラメータの主検知設定が処理温度の平均値であり、従検知設定が処理温度の最大値と最小値となる。
【００８４】
そして、異常検知処理部６は、主検知設定のログ検知を行う（ステップＳ２０６）。異常検知処理部６は、ステップＳ２０４の処理において取得した主検知設定である処理温度の平均値と平均温度の変動幅しきい値（上限しきい値、下限しきい値）とを比較し、主検知設定である処理温度の平均値に異常があるか否かを判定する（ステップＳ２０７）。
【００８５】
ステップＳ２０７の処理において、異常検知処理部６は、処理温度の平均値が異常と判定すると、データベース部５ａから該当する半導体製造装置２のイベント履歴を取得する（ステップＳ２０８）。
【００８６】
続いて、異常検知処理部６は、データベース部５ｂから、該当するエンジニアの連絡先を検索し、検知結果として、異常と判定した処理温度の平均値、ならびにステップＳ２０８の処理によって取得したイベント履歴のデータを添付した異常報告をメール送信する（ステップＳ２０９）。
【００８７】
図４では、半導体ウエハの処理温度の平均値のみを検知し、半導体ウエハの処理温度の最大値、および最小値を検出しないことにより、エンジニアに対する異常報告のメール送信数を大幅に低減することができる。
【００８８】
それによって、エンジニアの異常報告メールの確認時間を大幅に短縮することができる。さらに、異常検知後のアクションとして、エンジニアは、異常報告メールに添付された装置イベントを確認することができるので、エンジニアが装置イベントを検索するなどの作業が不要となり、解析時間の短縮を可能としながら、担当者の作業負担を軽減することができる。
【００８９】
図５は、図２の（３）における異常検知システム１の動作の一例を示すフローチャートである。この図５において、異常検知システム１が異常を検知する半導体製造装置２は、たとえば、プラズマエッチング装置などである。
【００９０】
プラズマエッチング装置は、ドライエッチング装置の一種であり、減圧下の反応ガスプラズマを利用して、半導体ウエハ表面などに形成された薄膜の全面または特定した場所を食刻する装置である。
【００９１】
異常検知システム１は、プラズマエッチング装置である半導体製造装置２における処理室（チャンバ）の圧力、および処理室の減圧調整を行う圧力制御バルブの開閉度（開閉角度）をモニタし、該圧力制御バルブがしきい値に対して異常となった場合を示している。
【００９２】
まず、異常検知処理部６は、図３の場合と同様に、製造管理システム４から異常検知処理の対象となる製造装置情報、およびチャンバ（処理室）情報を取得する（ステップＳ３０１）。
【００９３】
そして、異常検知処理部６は、取得した製造装置情報、およびチャンバ情報から、処理毎に出力される装置ログ毎の複数種類の判定しきい値を算出する（ステップＳ３０２）。
【００９４】
ここで、ステップＳ３０２の処理における判定しきい値を算出について説明する。
【００９５】
まず、異常検知処理部６は、ステップＳ３０１の処理において取得した製造装置情報、およびチャンバ情報に対応するログ履歴データ情報の検索方法をデータベース部５から取得し、データベース部５に格納されているチャンバ圧力が６σで管理されている情報を取得する。
【００９６】
続いて、異常検知処理部６は、データベース部５に格納されている過去の装置ログ履歴データから、処理毎のチャンバ圧力の平均値を取得し、その取得したチャンバ圧力の平均値から、装置の異常などが発生した際のチャンバ圧力の平均値を削除する。
【００９７】
そして、異常検知処理部６は、異常が発生した際のチャンバ圧力の平均値を削除したチャンバ圧力の平均値のデータを用いて、６σの情報に基づいて、チャンバ圧力の平均値における変動幅しきい値（上限しきい値、および下限しきい値）をそれぞれ決定し、データベース部５ａに格納する。
【００９８】
また、異常検知処理部６は、圧力制御バルブの開閉度についても決定し、データベース部５ａに格納する。
【００９９】
ステップＳ３０２の処理において、半導体ウエハにおける処理時の圧力しきい値、圧力制御バルブの開閉度のしきい値がそれぞれ決定され、データベース部５ａに格納されると、半導体製造装置２が半導体ウエハの処理を開始する（ステップＳ３０３）。
【０１００】
そして、異常検知処理部６は、半導体ウエハの処理時における処理室内の圧力値、圧力制御バルブの開閉度、および装置ログ情報を製造管理システム４から取得する（ステップＳ３０４）。この装置ログ情報は、製造装置、およびチャンバから出力される装置ログデータだけでなく、処理を実施した製品名、工程名、ならびにレシピ名などが含まれる。
【０１０１】
続いて、異常検知処理部６は、データベース部５ａに格納されている組み合わせ検知情報を取得し、検知する組み合わせを設定する（ステップＳ３０５）。プラズマエッチング装置の場合には、主検知設定が処理室の圧力値であり、従検知設定が圧力制御バルブの開閉度の値となる。
【０１０２】
そして、異常検知処理部６は、主検知設定のログ検知を行う（ステップＳ３０６）。異常検知処理部６は、ステップＳ３０４の処理において取得した主検知設定である圧力値と圧力しきい値とを比較し、取得した圧力値に異常があるか否かを判定する（ステップＳ３０７）。
【０１０３】
ステップＳ３０７の処理において、圧力値に異常がない場合、異常検知処理部６は、従検知設定のログ検知を行い（ステップＳ３０８）、ステップＳ３０４の処理において取得した従検知設定である圧力制御バルブの開閉度の値としきい値とを比較し、圧力制御バルブの開閉度に異常があるか否かを判定する（ステップＳ３０９）。
【０１０４】
このステップＳ３０９の処理において、圧力制御バルブの開閉度の値に異常があると、異常検知処理部６は、データベース部５ｂから、該当するエンジニアの連絡先を検索し、検知結果として、ステップＳ３０６で検知した圧力値、ステップＳ３０９で異常と判定された圧力制御バルブの開閉度の値、ならびにデータベース部５から取得した該当する半導体製造装置２のイベント履歴のデータを添付した異常報告をメール送信する（ステップＳ３１０）。
【０１０５】
このように、エンジニアに送信する異常報告メールに、異常となった圧力制御バルブの開閉度の値だけでなく、異常でない処理室の圧力値を加えて送信することにより、エンジニアによる解析時間の短縮を可能としながら、作業負担を軽減することができる。
【０１０６】
図６は、図２の（４）における異常検知システム１の動作の一例を示すフローチャートである。この図６において、異常検知システム１が異常を検知する半導体製造装置２は、図５と同様に、プラズマエッチング装置などである。
【０１０７】
この場合、異常検知システム１は、プラズマエッチング装置である半導体製造装置２における処理室（チャンバ）の圧力のみをモニタし、該圧力値がしきい値に対して異常となった場合を示している。
【０１０８】
まず、異常検知処理部６は、図３の場合と同様に、製造管理システム４から異常検知処理の対象となる製造装置情報、およびチャンバ（処理室）情報を取得し（ステップＳ４０１）、取得した製造装置情報、およびチャンバ情報から、処理毎に出力される装置ログ毎の判定しきい値を算出する（ステップＳ４０２）。
【０１０９】
ここで、ステップＳ４０２の処理における判定しきい値を算出について説明する。
【０１１０】
まず、異常検知処理部６は、ステップＳ４０１の処理において取得した製造装置情報、およびチャンバ情報に対応するログ履歴データ情報の検索方法をデータベース部５から取得し、データベース部５に格納されているチャンバ圧力が６σで管理されている情報を取得する。
【０１１１】
続いて、異常検知処理部６は、データベース部５に格納されている過去の装置ログ履歴データから、処理毎のチャンバ圧力の平均値を取得し、その取得したチャンバ圧力の平均値から、装置の異常などが発生した際のチャンバ圧力の平均値を削除する。
【０１１２】
そして、異常検知処理部６は、異常が発生した際のチャンバ圧力の平均値を削除したチャンバ圧力の平均値のデータを用いて、６σの情報に基づいて、チャンバ圧力の平均値における変動幅しきい値（上限しきい値、および下限しきい値）をそれぞれ決定し、データベース部５ａに格納する。
【０１１３】
また、異常検知処理部６は、圧力制御バルブの開閉度についても決定し、データベース部５ａに格納する。
【０１１４】
ステップＳ４０２の処理において、半導体ウエハにおける処理時の圧力しきい値が決定され、データベース部５ａに格納されると、半導体製造装置２が半導体ウエハの処理を開始する（ステップＳ４０３）。
【０１１５】
そして、異常検知処理部６は、半導体ウエハの処理時における処理室内の圧力値、圧力制御バルブの開閉度、および装置ログ情報を製造管理システム４から取得する（ステップＳ４０４）。この装置ログ情報は、製造装置、およびチャンバから出力される装置ログデータだけでなく、処理を実施した製品名、工程名、ならびにレシピ名などが含まれる。
【０１１６】
続いて、異常検知処理部６は、データベース部５ａに格納されている組み合わせ検知情報を取得し、検知する組み合わせを設定する（ステップＳ４０５）。この場合には、主検知設定として処理室の圧力値を検知する。
【０１１７】
そして、異常検知処理部６は、主検知設定のログ検知を行う（ステップＳ４０６）。異常検知処理部６は、ステップＳ４０６の処理において取得した主検知設定である圧力値とステップＳ４０２の処理で算出した圧力しきい値とを比較し、圧力値に異常があるか否かを判定する（ステップＳ４０７）。
【０１１８】
ステップＳ４０７の処理において、圧力値に異常があると、異常検知処理部６は、データベース部５から該当する半導体製造装置２のイベント履歴を取得する（ステップＳ４０８）とともに、データベース部５ｂから該当するエンジニアの連絡先を検索する。
【０１１９】
そして、検知結果として、ステップＳ４０７で異常となった圧力値、およびステップＳ４０８で取得した半導体製造装置２のイベント履歴のデータを添付した異常報告をメール送信する（ステップＳ４０９）。
【０１２０】
図６の場合には、圧力制御バルブの開閉度の検知は行わずに、処理室の圧力値のみを検知することにより、担当者に対する異常報告のメール送信数を大幅に低減することができる。
【０１２１】
また、異常報告メール数が減少することにより、該異常報告メールの確認時間を大幅に短縮することができ、異常報告メールの確認漏れなどを防止することができる。さらには、異常報告メールによって装置イベントの確認も行うことができるので、解析時間の短縮を可能としながら、エンジニアの作業負担を軽減することができる。
【０１２２】
それにより、本実施の形態によれば、エンジニアに送信される異常報告メール数を大幅に削減することができるので、異常検知報告の確認作業を低減することができる。
【０１２３】
また、送信された異常報告メールに、異常値だけでなく、正常値のデータや装置イベントなどが追加されるので、異常報告メールを受け取った後に他のデータを取得するなどのイベントが不要となり、半導体製造装置２の異常解析を効率よく短時間で行いながら、エンジニアの作業負担を軽減することができる。
【０１２４】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【産業上の利用可能性】
【０１２５】
本発明は、製造装置による処理時の異常を効率よく検知する技術に適している。
【符号の説明】
【０１２６】
１  異常検知システム
２  半導体製造装置
３  設備管理システム
４  製造管理システム
５  データベース部
５ａ  データベース部
５ｂ  データベース部
６  異常検知処理部
７  出力処理部
８  入出力インタフェース
９  データベース部
９ａ  データベース部
１０  入出力インタフェース
ＫＥＹ  入力装置
【図１】
2012199365.tif 000003
【図２】
2012199365.tif 000004
【図３】
2012199365.tif 000005
【図４】
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【図５】
2012199365.tif 000007
【図６】
2012199365.tif 000008