(57)【要約】【課題】小型で偏波を分離あるいは合成することのできる低損失な導波路型光デバイスを提供する。【解決手段】基板上に入力用光導波路と出力用光導波路とを有する光導波路が形成されており、入力用３ｄＢカプラと出力用３ｄＢカプラを有し、入力用３ｄＢカプラと出力用３ｄＢカプラの間に２本の光導波路を具備し、２本の光導波路は、伝搬する光の等価屈折率が構造複屈折のために異なるように、少なくとも一部の幅が互いに異なった幅の広い光導波路と幅の狭い光導波路を具備するマッハツェンダー導波路のアームを構成しており、入力光導波路から入射したＴＥモードとＴＭモードの光が前記入力用３ｄＢカプラ通過後に略３ｄＢずつに分割され、略３ｄＢずつに分割された光が、幅の広い光導波路と幅の狭い光導波路とを伝搬することにより各々異なった量の位相変化を受け、出力用３ｄＢカプラ通過後に、出力用光導波路にＴＥモードとＴＭモードの混在波が伝搬する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に入力用光導波路と出力用光導波路とを有する光導波路が形成されており、入力用３ｄＢカプラと出力用３ｄＢカプラの２つの３ｄＢカプラを有し、該入力用３ｄＢカプラと該出力用３ｄＢカプラの間に２本の光導波路を具備し、
前記２本の光導波路は、伝搬する光の等価屈折率が構造複屈折のために異なるように、少なくとも一部の幅が互いに異なった幅の広い光導波路と幅の狭い光導波路を具備するマッハツェンダー導波路のアームを構成しており、
前記入力光導波路から入射したＴＥモードとＴＭモードの光が前記入力用３ｄＢカプラ通過後に略３ｄＢずつに分割され、
該略３ｄＢずつに分割された光が、前記幅の広い光導波路と前記幅の狭い光導波路とを伝搬することにより各々異なった量の位相変化を受け、
前記出力用３ｄＢカプラ通過後に、前記出力用光導波路にＴＥモードとＴＭモードの混在波が伝搬することを特徴とする導波路型光デバイス。
【請求項２】
基板上に入力用光導波路と２本の出力用光導波路とを有する光導波路が形成されており、入力用３ｄＢカプラと出力用３ｄＢカプラの２つの３ｄＢカプラを有し、該入力用３ｄＢカプラと該出力用３ｄＢカプラの間に２本の光導波路を具備し、
前記２本の光導波路は、伝搬する光の等価屈折率が構造複屈折のために異なるように、少なくとも一部の幅が互いに異なった幅の広い光導波路と幅の狭い光導波路を具備するマッハツェンダー光導波路のアームを構成しており、
前記入力光導波路から入射したＴＥモードとＴＭモードの混在波が前記入力用３ｄＢカプラ通過後に略３ｄＢずつに分割され、
該略３ｄＢずつに分割された光が、前記幅の広い光導波路と前記幅の狭い光導波路とを伝搬することにより各々異なった量の位相変化を受け、
前記出力用３ｄＢカプラ通過後に、前記２本の出力用光導波路の各々にＴＥモードの光とＴＭモードの光が伝搬することを特徴とする導波路型光デバイス。
【請求項３】
前記幅の狭い光導波路が構造複屈折を有し、ＴＥモードとＴＭモードの屈折率が異なっていることを特徴とする請求項１あるいは請求項２に記載の導波路型光デバイス。
【請求項４】
前記幅の狭い光導波路がリッジ構造を具備していることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の導波路型光デバイス。
【請求項５】
前記基板が半導体であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の導波路型光デバイス。
【請求項６】
偏波合成部を含んで構成されるＤＰ−ＱＰＳＫ型ＬＮ光変調器において、前記偏波合成部が、請求項１に記載の導波路型光デバイスで構成されることを特徴とするＤＰ−ＱＰＳＫ型ＬＮ光変調器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は小型で偏波を分離あるいは合成することのできる低損失な光デバイスの分野に関する。
【背景技術】
【０００２】
偏波を合成あるいは分離する機能を有する光デバイスを具備する高機能光部品として、リチウムナイオベート（ＬｉＮｂＯ３）変調器を取り上げる。リチウムナイオベートのように電界を印加することにより屈折率が変化する、いわゆる電気光学効果を有する基板（以下、ＬＮ基板と略す）に光導波路と進行波電極を形成した進行波電極型リチウムナイオベート光変調器（以下、ＬＮ光変調器と略す）は、その優れたチャーピング特性から２．５Ｇｂｉｔ／ｓ、１０Ｇｂｉｔ／ｓの大容量光伝送システムに適用されている。最近はさらに４０Ｇｂｉｔ／ｓ、さらには１００Ｇｂｉｔ／の超大容量光伝送システムにも適用が検討されており、キーデバイスとして期待されている。
【０００３】
（従来技術）
図９に１００Ｇｂｉｔ／のシステムに適用するＤＰ−ＱＰＳＫ型ＬＮ光変調器について、特許文献１に開示された従来技術として、その上面図を示す。光変調器１は、ＬＮ基板１０に導波路及び不図示の変調電極が形成されている。
【０００４】
マッハツェンダー光導波路ＭＡの両アームにマッハツェンダー光導波路ＭＢ、ＭＣが設けられ、マッハツェンダー光導波路ＭＢの両アームにマッハツェンダー光導波路１０１、１０２が、マッハツェンダー光導波路ＭＣの両アームにマッハツェンダー光導波路１０３、１０４が、それぞれ設けられた入れ子構造を有する。
【０００５】
即ち、入力用ファイバ１０５からマッハツェンダー光導波路ＭＡの入力用光導波路１０６へ導入された入力光は、アーム上のマッハツェンダー光導波路ＭＢとＭＣへ分岐して入力される。また、マッハツェンダー光導波路ＭＢへの入力光は、マッハツェンダー光導波路１０１と１０２へ分岐して入力され、マッハツェンダー光導波路ＭＣへの入力光は、マッハツェンダー光導波路１０３と１０４へ分岐して入力される。
【０００６】
更に、マッハツェンダー光導波路１０１と１０２からの出力光は、マッハツェンダー光導波路ＭＢにより合波され、マッハツェンダー光導波路ＭＡのアーム１０８へ導入され、マッハツェンダー光導波路１０３と１０４からの出力光はマッハツェンダー光導波路ＭＣにより合波され、マッハツェンダー光導波路ＭＡのアーム１０９へ導入される。
【０００７】
各ＬＮ光変調器１０１〜１０４の不図示の変調電極には、不図示の駆動回路から２５Ｇｂ／ｓの駆動信号が与えられ、各ＬＮ光変調器１０１〜１０４は、２５Ｇｂ／ｓで変調された変調光を出力する。ここで、マッハツェンダー光導波路ＭＢのＬＮ光変調器１０１と１０２の変調方式は、ＤＱＰＳＫ（差動四相位相偏移変調）を用いる。マッハツェンダー光導波路ＭＣのＬＮ光変調器１０３と１０４の変調方式も同様である。これにより、マッハツェンダー光導波路ＭＡのアーム１０８，１０９へは、それぞれ５０Ｇｂ／ｓの変調光が入力されることになる。
【０００８】
マッハツェンダー光導波路ＭＡのアーム１０８の途中には、偏波回転手段１０７が設けられている。偏波回転手段１０７は、アーム１０８を伝搬する光の偏波面を９０°回転させる機能を有する。つまり例えばＬＮ基板１０がｚ−カット基板の場合には入力用光導波路１０６にＴＭモードが伝搬しており（正確には伝搬するのはＴＭモードの光ではあるが簡単のためにこのように呼ぶ。以下、ＴＥモードの光についても同様である）、ＴＭモードがＴＥモードへ変換される（勿論、ｘ−カット基板の場合にはＴＭモードとＴＥモードを入れ替えて考えればよい）。これにより、マッハツェンダー光導波路ＭＡのアーム１０８とアーム１０９をそれぞれ伝搬する光は、ＴＥモードとＴＭモードのように互いに偏波面が９０°傾いた状態になる。
【０００９】
マッハツェンダー光導波路ＭＡのアーム１０８と１０９は、ＬＮ基板１０の出力側端面（図９において右側の端面）において、２穴フェルールコリメータ１１１の２穴の間隔と同じ間隔を持つようにして配置している。ＴＭモードとＴＥモードの光を合成する光デバイスとして機能する偏波合成部２０は２穴フェルールコリメータ１１１と偏波合成素子１１０と１穴フェルールコリメータ１１２の各光学素子が配置されてなる空間コリメート光学系として構成されている。
【００１０】
偏波合成素子１１０としては、例えば、ルチルや方解石などのバルク材料から作られたものを用いることができるが、特に、ルチル等の同一厚の２枚の板（偏光分離板１１０Ａ，１１０Ｂ）をその光学軸が直交するように貼り合わせて構成されるサバール板を用いている。
【００１１】
１穴フェルールコリメータ１１２は、１穴フェルールの穴部にシングルモードファイバを用いたファイバコリメータを内蔵した構成を有し、２穴フェルールコリメータ１１１と対向して配置される。１１３は出力用光ファイバである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２０１０−１５６８４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
以上のように、従来技術ではＴＭモードとＴＥモードの偏波を合成する機能を有する光デバイスとして、ルチルや方解石などのバルク材料からなる偏波合成素子を用いており、製作のコストが高いばかりでなく構造が大きくなるという問題点があった。さらにこの従来技術の構成では２穴フェルールコリメータや１穴フェルールコリメータなどの構成要素も必要となり、一層のコスト上昇と寸法の増大を招いていた。つまり従来技術における偏波を合成する機能を有する光デバイスの高いコスト、複雑な構造、及び大きな寸法は緊急に解決しなければいけない問題であり、これらの問題を解決できる光デバイスの開発が急務であった。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために、本発明の請求項１に記載の導波路型光デバイスは、基板上に入力用光導波路と出力用光導波路とを有する光導波路が形成されており、入力用３ｄＢカプラと出力用３ｄＢカプラの２つの３ｄＢカプラを有し、該入力用３ｄＢカプラと該出力用３ｄＢカプラの間に２本の光導波路を具備し、前記２本の光導波路は、伝搬する光の等価屈折率が構造複屈折のために異なるように、少なくとも一部の幅が互いに異なった幅の広い光導波路と幅の狭い光導波路を具備するマッハツェンダー導波路のアームを構成しており、前記入力光導波路から入射したＴＥモードとＴＭモードの光が前記入力用３ｄＢカプラ通過後に略３ｄＢずつに分割され、該略３ｄＢずつに分割された光が、前記幅の広い光導波路と前記幅の狭い光導波路とを伝搬することにより各々異なった量の位相変化を受け、前記出力用３ｄＢカプラ通過後に、前記出力用光導波路にＴＥモードとＴＭモードの混在波が伝搬することを特徴としている。このように構成することにより、偏波合成器として機能する。
【００１５】
上記課題を解決するために、本発明の請求項２に記載の導波路型光デバイスは、基板上に入力用光導波路と２本の出力用光導波路とを有する光導波路が形成されており、入力用３ｄＢカプラと出力用３ｄＢカプラの２つの３ｄＢカプラを有し、該入力用３ｄＢカプラと該出力用３ｄＢカプラの間に２本の光導波路を具備し、前記２本の光導波路は、伝搬する光の等価屈折率が構造複屈折のために異なるように、少なくとも一部の幅が互いに異なった幅の広い光導波路と幅の狭い光導波路を具備するマッハツェンダー光導波路のアームを構成しており、前記入力光導波路から入射したＴＥモードとＴＭモードの混在波が前記入力用３ｄＢカプラ通過後に略３ｄＢずつに分割され、該略３ｄＢずつに分割された光が、前記幅の広い光導波路と前記幅の狭い光導波路とを伝搬することにより各々異なった量の位相変化を受け、前記出力用３ｄＢカプラ通過後に、前記２本の出力用光導波路の各々にＴＥモードの光とＴＭモードの光が伝搬することを特徴としている。このように構成することにより、偏波分離器として機能する。
【００１６】
上記課題を解決するために、本発明の請求項３に記載の導波路型光デバイスは、請求項１あるいは請求項２に記載の導波路型光デバイスにおいて、前記幅の狭い光導波路が構造複屈折を有し、ＴＥモードとＴＭモードの屈折率が異なっていることを特徴としている。
【００１７】
上記課題を解決するために、本発明の請求項４に記載の導波路型光デバイスは、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の導波路型光デバイスにおいて、前記幅の狭い光導波路がリッジ構造を具備していることを特徴としている。
【００１８】
上記課題を解決するために、本発明の請求項５に記載の導波路型光デバイスは、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の導波路型光デバイスにおいて、前記基板が半導体であることを特徴としている。
【００１９】
上記課題を解決するために、本発明の請求項６に記載のＤＰ−ＱＰＳＫ型ＬＮ光変調器は、偏波合成部を含んで構成されるＤＰ−ＱＰＳＫ型ＬＮ光変調器において、前記偏波合成部が、請求項１に記載の導波路型光デバイスで構成される。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、２本の光導波路の幅を異ならしめて２本の光導波路を伝搬する光の構造複屈折を調整することにより、小型で製作コストが低い偏波合成あるいは偏波分離の機能を有する導波路型光デバイスである光デバイスを実現することが可能となる。そして本発明では幅が狭い光導波路のＴＥモードとＴＭモードの屈折率が等しくなくても偏波合成あるいは偏波分離の機能を実現できるという優れた特徴がある。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の導波路型光デバイスを適用したＬＮ光変調器の上面図
【図２】図１の５０の部分拡大図である、本発明の第１の実施形態の導波路型光デバイス
【図３】図２のＡ−Ａ´における断面図
【図４】本発明の導波路型光デバイスの動作原理を説明する図
【図５】本発明の導波路型光デバイスの動作原理を説明する図
【図６】本発明の導波路型光デバイスの動作原理を説明する図
【図７】本発明の第２の実施形態の導波路型光デバイス
【図８】図７のＢ−Ｂ´における断面図
【図９】バルク材料を用いた偏波合成部（光デバイス）を有する、従来技術のＬＮ光変調器の上面図
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態について説明するが、図９に示した従来技術と同じ番号は同じ部位に対応しているため、ここでは同じ番号を持つ部位の説明を省略する。
【００２３】
［第１の実施形態］
本発明による第１の実施形態の光デバイスである導波路型光デバイスを組み込んだＤＰ−ＱＰＳＫ光変調器を図１に示す。ここでＴＭモードとＴＥモードの偏波を合成する機能を有する導波路型光デバイスを５０として示している。この第１の実施形態の導波路型光デバイス５０についてその拡大図を図２に示す。また、図２のＡ−Ａ´における断面図を図３に示す。
【００２４】
以下、ＬＮ基板１０がｚ−カット基板の場合について議論するが、ｘ−カット基板の場合にはＴＭモードとＴＥモードを入れ替えて考えればよい。
【００２５】
図２に示すように、アーム１０８を伝搬するＴＥモードとアーム１０９を伝搬するＴＭモードが多モード干渉系（ＭＭＩ）からなる３ｄＢカプラ２１１に入射する。入力用３ｄＢカプラ（あるいは、簡単に３ｄＢカプラ）２１１により分岐された光は３ｄＢずつに分割されてアーム２１２、２１３を伝搬した後、長さがＬ１で幅がＷ１と広いアーム１１４と、長さがＬ２で幅がＷ２と狭いアーム１１５を伝搬する。そして、アーム１１６と１１７を有するＹ分岐（このＹ分岐は出力用３ｄＢカプラ２１５、あるいは、簡単に３ｄＢカプラと呼んでもよい）によりＴＭモードとＴＥモードが混在する光として合成された後に出力用光導波路１１８に伝搬する（いわゆる、偏波合成器として機能する）。なお、本明細書で使用するアームという言葉は光導波路を意味していることはいうまでもない。また光導波路全体（アーム１０８，１０９から出力用光導波路１１８まで）としてマッハツェンダー光導波路を構成している。
【００２６】
次に本発明の原理について議論する。図４ではアーム１１４やアーム１１５の幅をＷとして横軸（変数）に用い、縦軸にはＴＥモードとＴＭモードの屈折率差Δｎ（＝ＴＥモードの屈折率−ＴＭモードの屈折率）を示す。なお、正確には等価屈折率であるが簡単のために屈折率と表記する。一般に、ＬＮ基板の場合にはＴＥモードの方がＴＭモードよりも屈折率が高いが電気ベクトルがＬＮ基板１０の表面に垂直なＴＭモードよりも、電気ベクトルがＬＮ基板１０の表面に平行なＴＥモードの方がアーム１１４やアーム１１５の幅の影響を受け易い。
【００２７】
一般にＴＥモードの屈折率とＴＭモードの屈折率が材料定数的に異なる場合には材料複屈折と呼び、電気ベクトルの向きと構造に起因する場合には構造複屈折と呼ぶ。なお、ＬＮ基板の場合には光導波路を形成するためにＴｉを熱拡散することにより発生する歪は極めて小さいので、応力に起因する応力複屈折の影響はほとんどない。従って、本明細書では屈折率に大きな変化を与えることのできる構造複屈折について考察する。
【００２８】
アーム１１４の幅Ｗ１は例えば１０μｍと広いので、図４においてΔｎはある程度大きい（つまり、ＴＥモードの屈折率の方がＴＭモードの屈折率よりかなり高い）。一方、アーム１１５の幅Ｗ２を狭くするに従い、図４に示すようにΔｎは小さくなる（条件Ｉ：Ｗ２＝７μｍ、条件ＩＩ：Ｗ２＝５．５μｍ、条件ＩＩＩ：Ｗ２＝４μｍ）にもできる。
【００２９】
このように、アーム１１４とアーム１１５の幅を例えばＷ１＝１０μｍと広く、またＷ２＝５μｍと狭く設定するとともに、アーム１１４の長さＬ１とアーム１１５の長さＬ２を適切に設定することにより、アーム１１４とアーム１１５を伝搬する光に位相差を付けることができる。その結果、図２のアーム１１６とアーム１１７がアームを形成するＹ分岐により効率よく合波され、出力用光導波路１１８に伝搬させることが可能となる。以上のように、本発明においては幅が狭いアーム１１５のＴＥモードとＴＭモードの屈折率が異なっていてもよい（換言すると、幅が狭いアーム１１５に構造複屈折があってもよい）。
【００３０】
したがって、図２の構成をとることにより偏波合成機能を有する光デバイスとして動作させることができる。つまり、図２においてアーム１０８、１０９が入力用光導波路、１１８が出力用光導波路、ＭＭＩである３ｄＢカプラ２１１が入力用３ｄＢカプラ、Ｙ分岐アーム１１６，１１７が出力用３ｄＢカプラの役割をする。
【００３１】
なお、この過程は、図２において逆にＴＭモードとＴＥモードの混合波が出力用光導波路１１８から入射（図２の右から入射）する場合を考えるとわかり易い。つまり、３ｄＢに分割された光がアーム１１６、１１７を伝搬した後、アーム１１４とアーム１１５によりそれらの光について位相差が発生し、その後アーム１１２、１１３を伝搬した後、３ｄＢカプラ２１１によりＴＥモードとＴＭモードに分波され、アーム１０８とアーム１０９に出射される（いわゆる、偏波分離器として機能する）。つまり、この場合には図２において１１８が入力用光導波路、アーム１０８、１０９が出力用光導波路、Ｙ分岐アーム１１６，１１７が入力用３ｄＢカプラ、ＭＭＩである３ｄＢカプラ２１１が出力用３ｄＢカプラの役割をする。
【００３２】
以下では説明を簡単にするために例えばアーム１１４の長さＬ１とアーム１１５の長さＬ２をＬ１＝Ｌ２＝１．５ｍｍとした場合について考察するが、Ｌ１＞Ｌ２、あるいはＬ１＜Ｌ２としても良い。
【００３３】
なお、ここでは簡単のために、アーム２１２と２１３、及び１１６と１１７の幅と長さは等しいとして、アーム１１４の長さＬ１とアーム１１５の長さＬ２に着目して説明しているが、アーム２１２と２１３、及び１１６と１１７の幅と長さが異なっている際の設計に当たってはアーム２１２、１１４、１１６の全光路長とアーム２１３、１１５、１１７の全光路長を考える必要があることはいうまでもない。そして、アーム２１２、１１４、１１６の全光路長とアーム２１３、１１５、１１７の全光路長については、ＭＭＩ、方向性結合器、Ｙ分岐など光を３ｄＢずつにわける３ｄＢカプラの形態により異なってくる。
【００３４】
図５はアーム１１４の幅Ｗ１とアーム１１５の幅Ｗ２の差を変数とした場合における偏波消光比の例である（縦軸が大きくなるほど偏波消光特性が優れている）。ここで、Ｌ１＝Ｌ２＝１．５ｍｍ、Ｗ１＝１０μｍとした。このように、構造複屈折のためにアーム１１４の幅Ｗ１とアーム１１５の幅Ｗ２の差には最適値があることがわかる。換言すると、アームの幅を変えることにより誘引される構造複屈折を利用して、製作性がよく小型の偏波合成のための導波路型光デバイスを実現できるが、アーム１１４とアーム１１５により与えられる光の位相差には最適値があることになる。
【００３５】
図６には、アーム１１５の幅Ｗ２を変数とした場合における偏波合成のためのアーム１１４の長さＬ１やアーム１１５の長さＬ２の最適長さＬｏｐｔ（簡単のために、ここではＬ１＝Ｌ２としたが、前述のようにＬ１≠Ｌ２としてもよい）。図４に対応して条件Ｉ、条件ＩＩ、条件ＩＩＩとなるに従ってＬｏｐｔを短くすることができることがわかる。
【００３６】
［第２の実施形態］
本発明ではＴＭモードとＴＥモードの電気ベクトルが感じる構造複屈折の変化を利用しており、第１の実施形態では光導波路(アーム)の幅が構造複屈折に与える影響を用いた。次に、より効果的な構造について考察する。
【００３７】
本発明の第２の実施形態についてその上面図を図７に、また図７のＢ−Ｂ´における断面図を図８に示す。１１９と１２０はエッチングにより形成した溝であり、１２１のリッジ部を形成している。本実施形態は第１の実施形態に溝１１９、１２０をさらに形成したものである。
【００３８】
アームの脇をエッチングするリッジ構造においては、ＴＥモードの方がＴＭモードよりも影響を受け易いことを利用して、構造複屈折を大きくすることができるので、図８のＷＲを適切に設定することにより、Ｌｏｐｔをより短くすることが可能となる。
【００３９】
［各種実施形態］
上記の実施形態においては光の入力側にＭＭＩからなる３ｄＢカプラ、光の出力側にＹ分岐を用いたが、これを逆にしてもよいし、両方ともＭＭＩカプラ、あるいはＹ分岐を用いてもよいし、さらには方向性結合器を用いてもよい。
【００４０】
また、ＴＭモードとＴＥモードを合成する偏波合成について議論したが、先に述べたようにＴＭモードとＴＥモードを分離する偏波分離については光の伝搬方向を逆にすればよい。
【００４１】
また、上記の実施形態においては導波路型光デバイス５０をＬＮ基板１０上に形成する例で説明したが、ＬＮ基板１０とは独立した別基板として構成としてもよい。
【００４２】
本発明はＬＮ基板のような誘電体基板のみならず、半導体基板の場合にも適用できることはいうまでもない。特に半導体光導波路の場合にはＴＥモードとＴＭモードについて屈折率の大小関係を入れ替えることができるので、図６のＬｏｐｔの長さをより短くすることができる。
【符号の説明】
【００４３】
１：光変調器
１０：ＬＮ基板
２０：偏波合成部
５０：導波路型光デバイス
１０１〜１０４：ＬＮ光変調器
１０５：入力用光ファイバ
１０６：入力用光導波路
１０７：偏波回転手段
１０８、１０９：アーム（または出力用光導波路）
２１２、２１３、１１４、１１５、１１６、１１７：アーム
１１０：偏波合成素子
１１０Ａ，１１０Ｂ：偏光分離板
１１１：２穴フェルール
１１２：１穴フェルール
１１８：出力用光導波路（または入力用光導波路）
１１９、１２０：溝
１２１：リッジ部
２１１：入力用３ｄＢカプラ（または出力用３ｄＢカプラ）
２１５：出力用３ｄＢカプラ（または入力用３ｄＢカプラ）
ＭＡ、ＭＢ、ＭＣ：マッハツェンダー光導波路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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