(57)【要約】【課題】光電変化部の上方に配置された各色の光フィルタ間に混色防止膜を設けながらも、光フィルタの専有面積を拡大して光電変換部での受光量の向上を図ることが可能な固体撮像装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板１１の表面側に配列された複数の光電変換部２１のうちの一部の光電変換部２１上に、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇとして独立した島状の第１パターンを形成する。次に、第１パターンの側壁に混色防止膜３１を形成する。その後、複数の光電変換部２１のうちの残りの光電変換部２１上に、第１パターンとの間に混色防止膜３１を挟持する状態で白色フィルタＷとして独立した島状の第２パターンを形成する。【選択図】図４
2012074521.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面側に配列された複数の光電変換部のうちの一部の光電変換部上に、光フィルタ材料からなる独立した島状の第１パターンを形成する工程と、
前記第１パターンの側壁に混色防止膜を形成する工程と、
前記複数の光電変換部のうちの残りの光電変換部上に、前記第１パターンとの間に前記混色防止膜を挟持する状態で光フィルタ材料からなる独立した島状の第２パターンを形成する工程とを行う
固体撮像装置の製造方法。
【請求項２】
前記混色防止膜を形成する工程では、当該第１パターンを覆う状態で当該第１パターンよりも薄い膜厚で当該混色防止膜を等方的に成膜する
請求項１に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項３】
前記混色防止膜を形成する工程では、前記第１パターンの側壁のみに前記混色防止膜を残す状態で当該第１パターン上の当該混色防止膜を除去する
請求項２記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２パターンを形成する工程では、前記第１パターン間において前記混色防止膜上に当該第２パターンを形成する
請求項２記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項５】
前記混色防止膜は、前記第１パターンの屈折率および前記第２パターンの屈折率よりも高いまたは低い屈折率を有する
請求項１〜４の何れかに記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１パターンを形成する前に、前記基板上における前記光電変換部の周囲に反射膜をパターン形成する工程を行い、
前記反射膜で囲まれた前記光電変換部上に前記第１パターンを形成した後、
前記混色防止膜を形成する工程では、前記第１パターンの側壁でかつ前記反射膜の上方に、前記第１パターンの屈折率および前記第２パターンの屈折率よりも高い屈折率を有する混色防止膜を形成する
請求項１〜４の何れかに記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１パターンまたは前記第２パターンの何れか一方は、赤色領域から青色領域までの光を透過し、
前記第１パターンまたは前記第２パターンの何れか他方は、それぞれが赤色領域の光を透過するパターン、緑色領域の光を透過するパターン、または青色領域の光を透過するパターンである
請求項１〜４の何れかに記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１パターンまたは前記第２パターンの何れか一方は、緑色領域の光を透過し、
前記第１パターンまたは前記第２パターンの何れか他方は、それぞれが赤色領域の光を透過するパターン、または青色領域の光を透過するパターンである
請求項１〜４の何れかに記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１パターンおよび前記第２パターンは、市松に配置される
請求項１〜４の何れかに記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１０】
表面側に複数の光電変換部が配置された基板と、
光フィルタ材料からなり、前記複数の光電変換部のうちの一部の光電変換部上にそれぞれ独立して設けられた島状の第１パターンと、
前記第１パターンの側壁に自己整合的に設けられた混色防止膜と、
光フィルタ材料からなり、前記第１パターンとの間に前記混色防止膜を挟持する状態で前記複数の光電変換部のうちの残りの光電変換部上にそれぞれ独立して設けられた島状の第２パターンとを有する
固体撮像装置。
【請求項１１】
前記第１パターンまたは前記第２パターンの何れか一方は、赤色領域から青色領域までの光を透過し、
前記第１パターンまたは前記第２パターンの何れか他方は、それぞれが赤色領域の光を透過するパターン、緑色領域の光を透過するパターン、または青色領域の光を透過するパターンである
請求項１０に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
固体撮像装置と、
前記固体撮像装置の光電変換部に入射光を導く光学系と、
前記固体撮像装置の出力信号を処理する信号処理回路とを備え、
前記固体撮像装置は、
表面側に複数の光電変換部が配置された基板と、
光フィルタ材料からなり、前記複数の光電変換部のうちの一部の光電変換部上にそれぞれ独立して設けられた島状の第１パターンと、
前記第１パターンの側壁に自己整合的に設けられた混色防止膜と、
光フィルタ材料からなり、前記第１パターンとの間に前記混色防止膜を挟持する状態で前記複数の光電変換部のうちの残りの光電変換部上にそれぞれ独立して設けられた島状の第２パターンとを有する
電子機器。
【請求項１３】
前記第１パターンまたは前記第２パターンの何れか一方は、赤色領域から青色領域までの光を透過し、
前記第１パターンまたは前記第２パターンの何れか他方は、それぞれが赤色領域の光を透過するパターン、緑色領域の光を透過するパターン、または青色領域の光を透過するパターンである
請求項１２に記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は固体撮像装置の製造方法、固体撮像装置、および電子機器に関し、特には画素毎に光フィルタのパターンを備えた固体撮像装置の製造方法、この製造方法によって得られる固体撮像装置、および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
赤、緑、青の各色の光フィルタを光電変換部の上方に設けてなる固体撮像装置においては、各色の光フィルタ上にオンチップレンズを設けることにより、微細化が進んだ受光面に対しての集光性の向上を図っている。このような構成の固体撮像装置においては、オンチップレンズから各色の光フィルタに斜め方向から入射する光が、隣接する光電変換部に入射することで混色が発生する。
【０００３】
そこで、各色の光フィルタを隙間によって互いに分離し、この隙間に気体や屈折率が低い材料を充填したり、光フィルタを分離する区画体の側壁に光反射層を設ける構成が提案されている。このような構成によれば、光フィルタに斜めに入射した光を、光フィルタと隙間または区画体との界面で反射させ、目的とする光フィルタの下方に位置する光電変換部に入射させることで、混色が防止される。
【０００４】
このような構成の固体撮像装置の製造方法としては、次の２つの製造方法が提案されている。第１の製造方法は、光電変換部が配列形成された基板上に各色の光フィルタをパターン形成し、その後各色の光フィルタ間に溝状のパターンを隙間として形成し、必要に応じてこの隙間（溝状のパターン）に低屈折率材料を埋め込む手順である（下記特許文献１参照）。第２の製造方法は、光電変換部が配列形成された基板上に区画体を形成し、その後区画体で分離された各領域内に各色の光フィルタを設ける手順である（下記特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−２９５１２５号公報（特に段落００８２〜００９４）
【特許文献２】特開２００６−１２８４３３号公報（特に図７、図９および対応する説明部分）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述した第１の製造方法では、既にパターン形成されている各色の光フィルタ間に溝状のパターンを形成する際に、マスクの合わせずれが生じる。このため、この合わせずれを考慮した幅で溝状のパターンを形成する必要がある。また上述した第２の製造方法では、区画体にある程度の幅を持たせることで、自立した区画体を形成する必要がある。
【０００７】
したがって、以上の第１の製造方法および第２の製造方法では、隙間および区画体にある程度の幅を持たせる必要性から光フィルタの専有面積が狭められ、この結果として光フィルタを透過して光電変換部に入射される光の量、いわゆる受光量が制限される。
【０００８】
そこで本発明は、光電変化部の上方に配置された各色の光フィルタ間に混色防止膜を設けながらも、光フィルタの専有面積を拡大して光電変換部での受光量の向上を図ることが可能な固体撮像装置の製造方法を提供することを目的とする。また本発明は、このような製造方法によって得られる固体撮像装置、およびこの固体撮像装置を備えた電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
このような目的を達成するための本発明の固体撮像装置の製造方法は、次の工程をこの順に行うことを特徴としている。先ず、基板の表面側に配列された複数の光電変換部のうちの一部の光電変換部上に、光フィルタ材料からなる独立した島状の第１パターンを形成する。次の工程では、前記第１パターンの側壁に混色防止膜を形成する。その後の工程では、前記複数の光電変換部のうちの残りの光電変換部上に、前記第１パターンとの間に前記混色防止膜を挟持する状態で光フィルタ材料からなる独立した島状の第２パターンを形成する。
【００１０】
このような手順によれば、島状の第１パターンと第２パターンとの間に挟持される混色防止膜は、第１パターンの側壁に自己整合的に形成されたものとなる。これにより、第１パターンと第２パターンとの間に配置される混色防止膜の形成において、位置合わせのずれ分（マージン）を考慮する必要がなくなり、混色防止膜の膜厚を必要最低限の膜厚に設定することができる。したがって、第１パターンと第２パターンとの間に混色防止膜を配置した構成でありながらも、光フィルタの専有面積を最大限に拡大することができる。
【００１１】
また本発明は、このような製造方法によって得られる固体撮像装置、およびこの固体撮像装置を用いた電子機器でもあるため、第１パターンと第２パターンとの間に混色防止膜を配置した構成でありながらも、光フィルタの専有面積を最大限に拡大されたものとなる。
【発明の効果】
【００１２】
以上説明したように本発明によれば、光フィルタ間に混色防止膜を設けた構成の固体撮像装置において、光フィルタの側壁に自己整合的に混色防止膜を形成する。これによって光フィルタ間での混色を防止しながらも光フィルタの専有面積を拡大して光電変換部での受光量の向上を図ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明が適用されるＭＯＳ型の固体撮像装置の概略構成図である。
【図２】第１〜第４実施形態が適用される光フィルタのＷ市松配列を説明する平面図である。
【図３】第１〜第６実施形態に共通する基板の断面側の断面構成図である。
【図４】第１実施形態の製造手順を説明する断面工程図（その１）である。
【図５】第１実施形態の製造手順を説明する断面工程図（その２）である。
【図６】第１実施形態の製造手順で得られた固体撮像装置の断面図である。
【図７】第２実施形態の製造手順を説明する断面工程図（その１）である。
【図８】第２実施形態の製造手順で得られた断面工程図（その２）である。
【図９】第３実施形態の製造手順を説明する断面工程図である。
【図１０】第４実施形態の製造手順を説明する断面工程図（その１）である。
【図１１】第４実施形態の製造手順を説明する断面工程図（その２）である。
【図１２】第４実施形態の製造手順で得られた固体撮像装置の断面図である。
【図１３】第５〜第６実施形態が適用される光フィルタのベイヤー配列を説明する平面図である。
【図１４】第５実施形態の製造手順を説明する断面工程図（その１）である。
【図１５】第５実施形態の製造手順で得られた断面工程図（その２）である。
【図１６】第６実施形態の製造手順を説明する断面工程図である。
【図１７】第７実施形態の電子機器の構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、発明を実施するための最良の形態（以下実施形態とする）について説明する。尚、説明は以下の順序で行う。
１．固体撮像装置の概略構成例
２．第１実施形態［Ｗ市松配列の固体撮像装置の製造方法（１）と構成］
３．第２実施形態［Ｗ市松配列の固体撮像装置の製造方法（２）と構成］
４．第３実施形態［Ｗ市松配列の固体撮像装置の製造方法（３）と構成］
５．第４実施形態［Ｗ市松配列の固体撮像装置の製造方法（４）と構成］
６．第５実施形態［ベイヤー配列の固体撮像装置の製造方法（１）と構成］
７．第６実施形態［ベイヤー配列の固体撮像装置の製造方法（２）と構成］
８．第７実施形態（電子機器の構成例）
尚、各実施形態において共通の構成要素には同一の符号を付して説明を行う。
【００１５】
＜１．固体撮像装置の概略構成例＞
図１に、本発明の各実施形態の製造方法を適用して作製される固体撮像装置の一例として、ＭＯＳ型の固体撮像装置の概略構成を示す。
【００１６】
この図に示す固体撮像装置１は、例えば単結晶シリコンからなる基板１１の一表面側に光電変換部を含む複数の画素２が規則的に２次元的に配列された画素領域（いわゆる撮像領域）３と、その周辺回路部とを有して構成される。
【００１７】
画素２は、例えばフォトダイオードからなる光電変換部と、複数の画素トランジスタ（いわゆるＭＯＳトランジスタ）を有して成る。
【００１８】
各画素２における複数の画素トランジスタは、例えば転送トランジスタ、リセットトランジスタ及び増幅トランジスタの３つのトランジスタで構成することができる。その他、選択トランジスタ追加して４つのトランジスタで構成することもできる。単位画素の等価回路は通常と同様であるので、詳細説明は省略する。
【００１９】
画素２は、１つの単位画素として構成することができる。また、画素２は、共有画素構造とすることもできる。この画素共有構造は、複数のフォトダイオードと、複数の転送トランジスタと、共有する１つのフローティングディフージョンと、共有する１つずつの他の画素トランジスタとから構成される。すなわち、共有画素では、複数の単位画素を構成するフォトダイオード及び転送トランジスタが、他の１つずつの画素トランジスタを共有して構成される。
【００２０】
また特に本発明においては、各画素２における光電変換部の上方に、後で説明する層内レンズやオンチップレンズが配置され、各光電変換部への集光率の向上が図られている。また層内レンズ−オンチップレンズ間には透明な白色フィルタや各色のカラーフィルタ等の光フィルタが分配配置され、特定の波長の光が選択されて入射される構成となっている。
【００２１】
周辺回路部は、垂直駆動回路４と、カラム信号処理回路５と、水平駆動回路６と、出力回路７と、制御回路８、入出力端子１３などを有して構成される。
【００２２】
垂直駆動回路４は、例えばシフトレジスタによって構成され、画素駆動配線９を選択し、選択された画素駆動配線９に画素２を駆動するためのパルスを供給し、行単位で画素２を駆動する。すなわち、垂直駆動回路４は、画素領域３の各画素２を行単位で順次垂直方向に選択走査し、垂直信号線１０を通して各画素２において受光量に応じて生成した信号電荷に基づく画素信号をカラム信号処理回路５に供給する。
【００２３】
カラム信号処理回路５は、画素２の例えば列ごとに配置されており、１行分の画素２から出力される信号を画素列ごとにノイズ除去などの信号処理を行う。すなわちカラム信号処理回路５は、画素２固有の固定パターンノイズを除去するための相関二重サンプリング（ＣＤＳ：Correlated Double sampling）や、信号増幅、アナログ／デジタル変換（ＡＤ：Analog/Digital Conversion）等の信号処理を行う。カラム信号処理回路５の出力段には水平選択スイッチ（図示せず）が水平信号線１２との間に接続されて設けられる。
【００２４】
水平駆動回路６は、例えばシフトレジスタによって構成され、水平走査パルスを順次出力することによって、カラム信号処理回路５の各々を順番に選択し、カラム信号処理回路５の各々から画素信号を水平信号線１２に出力させる。
【００２５】
出力回路７は、カラム信号処理回路５の各々から水平信号線１２を通して順次に供給される信号に対し、信号処理を行って出力する。例えば、バファリングだけする場合もあるし、黒レベル調整、列ばらつき補正、各種デジタル信号処理などが行われる場合もある。
【００２６】
制御回路８は、入力クロックと、動作モードなどを指令するデータを受け取り、また固体撮像装置１の内部情報などのデータを出力する。すなわち、制御回路８では、垂直同期信号、水平同期信号及びマスタクロックに基づいて、垂直駆動回路４、カラム信号処理回路５及び水平駆動回路６などの動作の基準となるクロック信号や制御信号を生成する。そして、これらの信号を垂直駆動回路４、カラム信号処理回路５及び水平駆動回路６等に入力する。
【００２７】
入出力端子１３は、出力回路７および制御回路８に接続され、装置外部と信号のやりとりをする。
【００２８】
＜２．第１実施形態＞
［Ｗ市松配列の固体撮像装置の製造方法（１）］
第１実施形態の製造方法を説明するに先立ち、本第１実施形態の製造方法を適用して作製されるＷ市松配列の固体撮像装置における光フィルタの配列を説明する。図２は、光フィルタのＷ市松配列の配列状態を示す平面図である。
【００２９】
以下の第１〜第４実施形態の製造方法を適用して作製されるＷ市松配列の固体撮像装置は、光電変換部上の光フィルタとして、赤色領域から青色領域までの光を透過する光フィルタ、つまり無色透明な光フィルタ（白色フィルタＷと記す）を用いている。これらの白色フィルタＷは、基板の表面側に配列された複数の光電変換部のうち、行方向および列方向のそれぞれに１つ置きに配置された光電変換部上に市松配列され、それぞれが独立した島状のパターンとして設けられている。
【００３０】
市松配列された白色フィルタＷ−白色フィルタＷ間には、一行置きに緑色領域の光を透過する光フィルタ（緑色フィルタＧと記す）が配置されている。さらに残りの白色フィルタＷ−白色フィルタＷ間には、赤色領域の光を透過する光フィルタ（赤色フィルタＲと記す）と、青色領域の光を透過する光フィルタ（青色フィルタＢと記す）とが、行方向に交互に配置されている。これらの緑色フィルタＧ、赤色フィルタＲ、および青色フィルタＢは、それぞれが独立した島状のパターンとして白色フィルタＷ間に市松配列されている。
【００３１】
このような光フィルタ配列を有する固体撮像装置において、特に本第１実施形態の製造方法は、各光フィルタＷ，Ｇ，Ｒ，Ｂ間に、ここでの図示を省略した混色防止膜を設けた構成を製造する第１例であり、以下基板側から順に製造方法を説明する。
【００３２】
先ず、図３に示すように、例えば単結晶シリコンのような半導体材料からなる基板１１の表面側に行列方向に画素２を設定して配列させ、例えばフォトダイオードからなる光電変換部２１を各画素２に形成する。また、ここでの図示を省略した素子分離や電荷蓄積部等の不純物領域を形成する。次に、基板１１上の光電変換部２１を囲む位置に、電荷の読出電極、画素駆動配線、垂直信号線等の配線２３を形成する。これらの配線２３は、例えば多層の配線２３を層間絶縁膜で分離してなる多層配線構造の配線層２５として形成する。その後、配線層２５上に、各光電変換部２１に対応して層内レンズ２７を形成し、これを覆う状態で平坦化絶縁膜２９を形成する。尚、光電変換部２１の上方に位置する平坦化絶縁膜２９までの各層は、例えば必要波長領域（可視光領域）の全域に対しての光透過性が良好な材料で構成されていることとする。
【００３３】
以上までの工程は、特に製造手順が限定されることはなく、通常の固体撮像装置の製造方法と同様の手順で行うことができる。次の工程からが本第１製造方法に特徴的な工程となる。
【００３４】
先ず図４（１）に示すように、平坦化絶縁膜２９上に赤色フィルタＲをパターン形成する。赤色フィルタＲは、例えば赤色顔料または赤色染料を含有するフォトレジスト材料を用い、フォトリソグラフィプロセスを適用して形成される。各赤色フィルタＲは、図２の平面図を用いて説明した位置において、目的とする画素２の上部を広く覆う独立した島状にパターン形成される。
【００３５】
次に図４（２）に示すように、平坦化絶縁膜２９上に青色フィルタＢをパターン形成する。青色フィルタＢは、例えば青色顔料または青色染料を含有するフォトレジスト材料を用い、フォトリソグラフィプロセスを適用して形成される。各青色フィルタＢは、図２の平面図を用いて説明した位置において、目的とする画素２の上部を広く覆う独立した島状にパターン形成される。
【００３６】
さらにここでは図示を省略したが、引き続き平坦化絶縁膜２９上に緑色フィルタＧをパターン形成する。緑色フィルタＧは、例えば緑色顔料または緑色染料を含有するフォトレジスト材料を用い、フォトリソグラフィプロセスを適用して形成される。各緑色フィルタＧは、図２の平面図を用いて説明した位置において、目的とする画素２の上部を広く覆う独立した島状にパターン形成される。
【００３７】
以上のようにして、平坦化絶縁膜２９上に、それぞれ独立した島状の赤色フィルタＲ、青色フィルタＢ、および緑色フィルタＧを、第１パターンとして目的とする画素２上に市松配列させた状態で形成する。ただし、図２を参照し、平面視した状態での緑色フィルタＧの四隅と、赤色フィルタＲおよび青色フィルタＢの四隅とは、これらの各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇを形成する際のフォトリソグラフィプロセスの合わせ精度の範囲内であれば、互いに接合されていても良い。
【００３８】
以上のような各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの形成順は、特に限定されることはなく、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの形成に用いる光フィルタ材料の特性等によって適宜の順序で形成されることとする。
【００３９】
次に、図４（３）に示すように、第１パターンとしての各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇ（緑色フィルタＧは図示省略）が形成された平坦化絶縁膜２９上に、これらを覆う状態で第１パターンよりも薄い膜厚で混色防止膜３１を成膜する。ここで成膜する混色防止膜３１は、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇよりも屈折率の低い材料からなることとする。混色防止膜３１の材質は、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇよりも屈折率が低ければ、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、炭化酸化シリコンなどの無機の絶縁性材料が用いられる。この他にも有機の絶縁性材料、さらには導電性材料を用いることができ、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇ側からの光照射に対して高い反射率が確保される材料であれば良い。例えば、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの屈折率が約１．６５である場合、混色防止膜３１として酸化シリコン（ＳｉＯ２：屈折率１．４５）を用いる。
【００４０】
このような混色防止膜３１の成膜は、既に形成されている各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの耐熱温度未満で成膜が可能な低温ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition:化学気相成長）等により、等方的に成膜することが重要である。これにより、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇのパターン形状を維持した状態で、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの側壁に混色防止膜３１を薄膜状態で成膜する。
【００４１】
次に、図４（４）に示すように、混色防止膜３１を異方性エッチングすることにより、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの側壁のみに混色防止膜３１を残し、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇ上および平坦化絶縁膜２９上の混色防止膜３１を除去する。
【００４２】
その後、図５（１）に示すように、平坦化絶縁膜２９上に、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇおよび側壁の混色防止膜３１を埋め込む程度に十分な膜厚で、レンズ材３３を成膜する。レンズ材３３は、赤色領域から青色領域までの光を透過する無色透明な材料で構成され、例えば塗布成膜によって行う。特にここでは、後に説明するようにこのレンズ材３３を光フィルタ材料として用いて白色フィルタ（Ｗ）が構成されるため、混色防止膜３１よりも屈折率の高い材料をレンズ材３３として用いることとする。一例として、混色防止膜３１を酸化シリコン（ＳｉＯ２：屈折率１．４５）で形成した場合であれば、レンズ材３３として屈折率１．６程度の有機材料が用いられる。
【００４３】
次いで、図５（２）に示すように、レンズ材３３上において、全ての画素２上に対応させた位置に、リフロー性を有する材料からなるマスク３５をパターン形成する。
【００４４】
その後、図５（３）に示すように、加熱によってマスク３５をリフローさせてレンズ形状に成型する。
【００４５】
しかる後、図５（４）に示すように、レンズ形状にリフローさせたマスク３５上から、マスク３５およびレンズ材３３の表面層をエッチングし、リフローさせたマスク３５のレンズ形状をレンズ材３３の表面側に転写する。これにより、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの上方にレンズ材を成形して成るオンチップレンズ３３ａが形成される。これと共に、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇ間には、レンズ材３３が各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの膜厚分だけ残された白色フィルタＷと、この上部のレンズ材からなるオンチップレンズ３３ａとが一体に形成される。
【００４６】
これらの白色フィルタＷは、市松配列された各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇ間に、それぞれ独立した島状の第２パターンとして目的とする画素２上に市松配列される。また各白色フィルタＷと、隣接する各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇとの間には、混色防止膜３１が挟持される。ただし、図２を参照し、平面視した状態での各白色フィルタＷの四隅は、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇを形成する際のフォトリソグラフィプロセスの合わせ精度の範囲内であれば、互いに接合されていても良い。
【００４７】
以上により、第1実施形態の固体撮像装置１-1が得られる。ここで得られた固体撮像装置１-1は、基板１１の表面側に配列された光電変換部２１上に対応して、独立した島状の第1パターンとして色フィルタＲ，Ｂ，Ｇが市松配列されている。さらにこれらの色フィルタＲ，Ｂ，Ｇ間に、独立した島状の第２パターンとして白色フィルタＷが配置されたものとなる。また白色フィルタＷと各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇとの間には、これらのフィルタよりも屈折率の低い材料からなる混色防止膜３１が挟持された構成となる。
【００４８】
図６には、本第１実施形態で得られた固体撮像装置１-１の要部を拡大した断面構成図を示す。この図に示すように、固体撮像装置１-１に入射した光ｈは、オンチップレンズ３３ａで集光され、各オンチップレンズ３３ａの下方に配置された各光フィルタＷ，Ｒ，Ｂ，Ｇに入射される。このうち、オンチップレンズ３３ａで集光されて斜め方向から光フィルタＷ，Ｒ，Ｂ，Ｇに入射した光ｈは、光フィルタＷ，Ｒ，Ｂ，Ｇ間に挟持された低屈折率の混色防止膜３１で反射される。これにより、例えば白色フィルタＷに対して斜め方向から入射した光ｈが、隣接して配置された青色フィルタＢの下方の光電変換部２１に入射することが防止される。
【００４９】
ここで例えば青色フィルタＢが屈折率１．６５、白色フィルタＷの屈折率１．６の場合を考えると、その臨界角は７６°となる。この場合、混色防止膜３１が設けられていなければ、白色フィルタＷに斜め方向から入射した光は、屈折率の高い青色フィルタＢに取り込まれ、青色領域を外れた波長領域の受光出力が青色フィルタＢの画素から検出される、いわゆる「混色」が発生する。これに対して、第１実施形態の固体撮像装置１-1では、白色フィルタＷと青色フィルタＢとの間に、これらよりも屈折率の低い混色防止膜３１を挟持した構成となっている。このため、白色フィルタＷに斜め方向から入射して光は混色防止膜３１で反射され、青色フィルタＢ側に取り込まれることはない。したがって、青色フィルタＢが配置された画素から、青色領域を外れた波長領域の受光出力が青色フィルタＢの画素から検出されることを防止できる。以上により、本第１実施形態で得られた構成の固体撮像装置１-１は、混色が防止され画質の向上を図ることが可能になる。
【００５０】
また特に本第１実施形態の製造方法では、先ず島状の第１パターンとして形成した各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの側壁に混色防止膜３１を自己整合的に形成する。その後、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇとの間に混色防止膜３１を挟持する状態で第２パターンとして白色フィルタＷを形成する。このため、混色防止膜３１の形成においては、パターン形成される各光フィルタＷ，Ｒ，Ｂ，Ｇとの位置合わせのマージンを考慮する必要がなく、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの側壁においての混色防止膜３１の膜厚ｄを必要最低限の膜厚に設定することができる。したがって本第１実施形態の製造方法によれば、混色防止膜を配置したことで画質の向上が図られた構成でありながらも、光フィルタＷ，Ｒ，Ｂ，Ｇの専有面積を最大限に拡大でき、さらに画質の向上が図られた固体撮像装置を得ることが可能になる。
【００５１】
＜３．第２実施形態＞
［Ｗ市松配列の固体撮像装置の製造方法（２）］
第２実施形態の製造方法は、第１実施形態と同様に図２を用いて説明した光フィルタがＷ市松配列である固体撮像装置の製造方法の第２例であり、以下基板側から順に製造方法を説明する。
【００５２】
先ず第１実施形態において図３を用いて説明したと同様に、基板１１の表面側に、光電変換部２１、配線２３を含む配線層２５、層内レンズ２７、および平坦化絶縁膜２９を形成するまでを行う。ただし、最上層の平坦化絶縁膜２９は、この平坦化絶縁膜２９を光フィルタ材料として用いて白色フィルタを成形できる程度に十分な膜厚で形成されることとし、例えばフォトレジスト材料を用いて形成されることとする。
【００５３】
次に、図７（１）に示すように、十分な膜厚の平坦化絶縁膜２９上において、白色フィルタが市松配列される画素２上に、画素２の上部を広く覆う独立した島状のパターン４１を形成する。これらのパターン４１は、フォトレジスト材料を用い、フォトリソグラフィプロセスを適用して形成される。
【００５４】
その後、図７（２）に示すように、パターン４１上から、パターン４１および平坦化絶縁膜２９の表面層をエッチングし、パターン４１の形状を平坦化絶縁膜２９の表面側に転写して凹凸形状に成形する。これにより、パターン４１が形成された目的とする画素２上に、平坦化絶縁膜２９の表面層の一部を厚膜化してなる白色フィルタＷが形成される。これらの白色フィルタＷは、第１パターンとして目的とする画素２上に市松配列させた状態で形成される。ただし、図２を参照し、平面視した状態での各白色フィルタＷの四隅は、これらの白色フィルタＷを形成する際のフォトリソグラフィプロセスの合わせ精度の範囲内であれば、互いに接合されていても良い。
【００５５】
次に、図７（３）に示すように、第１パターンとしての白色フィルタＷが形成された平坦化絶縁膜２９上に、これらを覆う状態で第１パターンよりも薄い膜厚で混色防止膜３１を成膜する。ここで成膜する混色防止膜３１は、白色フィルタＷよりも屈折率の低い材料からなることとする。混色防止膜３１の材質は、白色フィルタＷよりも屈折率が低ければ、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、炭化酸化シリコンなどの無機の絶縁性材料が用いられる。この他にも有機の絶縁性材料、さらには導電性材料を用いることができ、白色フィルタＷ側からの光照射に対して高い反射率が確保される材料であれば良い。例えば、白色フィルタＷが屈折率１．６の有機膜からなる場合、混色防止膜３１として酸化シリコン（ＳｉＯ２：屈折率１．４５）を用いる。
【００５６】
このような混色防止膜３１の成膜は、既に形成されている白色フィルタＷの耐熱温度未満で成膜が可能な低温ＣＶＤ法等により、等方的に成膜することが重要である。これにより、白色フィルタＷのパターン形状を維持した状態で、白色フィルタＷの側壁に混色防止膜３１を薄膜状態で成膜する。
【００５７】
次に、図７（４）に示すように、白色フィルタＷ間に埋め込む状態で、混色防止膜３１上に、赤色フィルタＲ、青色フィルタＢ、およびここでの図示を省略した緑色フィルタＧを順次形成する。図２を参照し、それぞれの各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇは、市松配列された白色フィルタＷ間に、それぞれ独立した島状の第２パターンとして目的とする画素２上に市松配列される。また、各白色フィルタＷと、隣接する各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇとの間には、混色防止膜３１が挟持される。
【００５８】
この際、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇは、各色の顔料または染料を含有するフォトレジスト材料を光フィルタ材料として用い、フォトリソグラフィプロセスを適用して形成される。また特に各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇは、混色防止膜３１よりも屈折率の高い材料を用いることとする。一例として、混色防止膜３１を酸化シリコン（ＳｉＯ２：屈折率１．４５）で形成した場合であれば、各色フィルタＲ，Ｇ，Ｂは、屈折率が約１．６５の材料を用いて構成される。
【００５９】
以上のような各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの形成順は、特に限定されることはなく、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇに用いる光フィルタ材料の特性等によって適宜の順序で形成されることとする。
【００６０】
次に、図８（１）に示すように、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇ形成の際の合わせずれにより、白色フィルタＷ上に重なっている各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇ部分を平坦化工程によって除去する。この場合、混色防止膜３１をストッパに用いても良い。尚、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇ形成の際の合わせずれが小さく、白色フィルタＷ上に各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇ部分が重ならない場合には、この平坦化工程を行う必要はない。また図２を参照し、この時点において、平面視した状態での各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの四隅は、白色フィルタＷを形成する際のフォトリソグラフィプロセスの合わせ精度の範囲内であれば、互いに接合されていても良い。
【００６１】
以上の後には、図８（２）に示すように、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇおよび白色フィルタＷ上に、オンチップレンズ４３を形成する。オンチップレンズ４３の形成方法が特に限定されることはない。一例としては、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇおよび白色フィルタＷ上にリフロー性材料からなるパターン形成し、加熱によってパターンをリフローさせてレンズ形状に成型してオンチップレンズ４３を得ることができる。
【００６２】
以上により、第２実施形態の固体撮像装置１-2が得られる。ここで得られた固体撮像装置１-2は、基板１１の表面側に配列された光電変換部２１上に対応して、独立した島状の第1パターンとして白色フィルタＷが市松配列されている。さらにこれらの白色フィルタＷ間に、独立した島状の第２パターンとして色フィルタＲ，Ｂ，Ｇが配置されたものとなる。また白色フィルタＷと各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇとの間には、これらのフィルタよりも屈折率の低い材料からなる混色防止膜３１が挟持された構成となる。
【００６３】
したがって、本第２実施形態で得られた固体撮像装置１-2においても、第1実施形態で説明したと同様に、混色が防止され画質の向上を図ることが可能になる。しかも、全面に混色防止膜３１を残した構成であるため、第1実施形態と比較して混色防止膜３１を異方性エッチングする工程［図４（４）の工程］を省くことができる。
【００６４】
また特に本第２実施形態の製造方法では、島状の第１パターンとして形成した白色フィルタＷの側壁に混色防止膜３１を自己整合的に形成した後、白色フィルタＷとの間に混色防止膜３１を挟持する状態で第２パターンとして各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇを形成する。このため、第1実施形態と同様に、混色防止膜３１の形成においては、パターン形成される各光フィルタＷ，Ｒ，Ｂ，Ｇとの位置合わせのマージンを考慮する必要がなく、混色防止膜３１の膜厚を必要最低限の膜厚に設定することができる。したがって本第２実施形態の製造方法であっても、混色防止膜を配置したことで画質の向上が図られた構成でありながらも、光フィルタＷ，Ｒ，Ｂ，Ｇの専有面積を最大限に拡大でき、これによってさらに画質の向上が図られた固体撮像装置を得ることが可能になる。
【００６５】
尚、本第２実施形態においては、混色防止膜３１を全面に残す構成を説明した。しかしながら、図７（３）を用いて説明した工程で混色防止膜３１を成膜した後、図７（４）を用いて説明した工程の前に、白色フィルタＷの側壁のみに混色防止膜３１を残す状態で、混色防止膜３１をエッチング除去しても良い。これにより、第1実施形態と同様の構成の固体撮像装置を得ることができる。
【００６６】
＜４．第３実施形態＞
［Ｗ市松配列の固体撮像装置の製造方法（３）］
第３実施形態の製造方法は、第１実施形態および第２実施形態と同様に図２を用いて説明した光フィルタがＷ市松配列である固体撮像装置の製造方法の第３例であり、以下基板側から順に製造方法を説明する。
【００６７】
先ず第１実施形態において図３を用いて説明したと同様に、基板１１の表面側に、光電変換部２１、配線２３を含む配線層２５、層内レンズ２７、および平坦化絶縁膜２９を形成するまでを行う。
【００６８】
次に、図９（１）に示すように、平坦化絶縁膜２９上において、市松配列される画素２上に、画素２の上部を広く覆う独立した島状の白色フィルタＷをパターン形成する。これらの白色フィルタＷは、第１パターンとして目的とする画素２上に市松配列させた状態で形成される。これらの白色フィルタＷは、フォトレジスト材料を光フィルタ材料として用い、フォトリソグラフィプロセスを適用して形成される。ただし、図２を参照し、平面視した状態での各白色フィルタＷの四隅は、これらの白色フィルタＷを形成する際のフォトリソグラフィプロセスの合わせ精度の範囲内であれば、互いに接合されていても良い。
【００６９】
次の図９（２）〜図９（４）に示す工程は、第２実施形態において図７（３）〜図８（２）を用いて説明したと同様に行われる。
【００７０】
すなわち、先ず図９（２）に示すように、第１パターンとしての白色フィルタＷが形成された平坦化絶縁膜２９上に、これらを覆う状態で第１パターンよりも薄い膜厚で混色防止膜３１を成膜する。ここで成膜する混色防止膜３１は、白色フィルタＷよりも屈折率の低い材料からなることとする。混色防止膜３１の材質は、白色フィルタＷよりも屈折率が低ければ、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、炭化酸化シリコンなどの無機の絶縁性材料が用いられる。この他にも有機の絶縁性材料、さらには導電性材料を用いることができ、白色フィルタＷ側からの光照射に対して高い反射率が確保される材料であれば良い。例えば、白色フィルタＷが屈折率１．６の有機膜からなる場合、混色防止膜３１として酸化シリコン（ＳｉＯ２：屈折率１．４５）を用いる。
【００７１】
このような混色防止膜３１の成膜は、既に形成されている白色フィルタＷの耐熱温度未満で成膜が可能な低温ＣＶＤ法等により、等方的に成膜することが重要である。これにより、白色フィルタＷのパターン形状を維持した状態で、白色フィルタＷの側壁に混色防止膜３１を薄膜状態で成膜する。
【００７２】
次に、図９（３）に示すように、白色フィルタＷ間に埋め込む状態で、混色防止膜３１上に、赤色フィルタＲ、青色フィルタＢ、およびここでの図示を省略した緑色フィルタＧを順次形成する。図２を参照し、それぞれの各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇは、市松配列された白色フィルタＷ間に、それぞれ独立した島状の第２パターンとして目的とする画素２上に市松配列される。また、各白色フィルタＷと、隣接する各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇとの間には、混色防止膜３１が挟持される。
【００７３】
この際、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇは、各色の顔料または染料を含有するフォトレジスト材料を光フィルタ材料として用い、フォトリソグラフィプロセスを適用して形成される。また特に各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇは、混色防止膜３１よりも屈折率の高い材料を用いることとする。一例として、混色防止膜３１を酸化シリコン（ＳｉＯ２：屈折率１．４５）で形成した場合であれば、各色フィルタＲ，Ｇ，Ｂは、屈折率が約１．６５の材料を用いて構成される。
【００７４】
以上のような各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの形成順は、特に限定されることはなく、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇに用いる光フィルタ材料の特性等によって適宜の順序で形成されることとする。
【００７５】
次に、図９（４）に示すように、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇ形成の際の合わせずれにより、白色フィルタＷ上に重なっている各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇ部分を平坦化工程によって除去する。この場合、混色防止膜３１をストッパに用いても良い。尚、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇ形成の際の合わせずれが小さく、白色フィルタＷ上に各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇ部分が重ならない場合には、この平坦化工程を行う必要はない。また図２を参照し、平面視した状態での各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの四隅は、白色フィルタＷを形成する際のフォトリソグラフィプロセスの合わせ精度の範囲内であれば、互いに接合されていても良い。
【００７６】
以上の後には、図９（５）に示すように、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇおよび白色フィルタＷ上に、オンチップレンズ４３を形成する。オンチップレンズ４３の形成方法が特に限定されることはない。一例としては、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇおよび白色フィルタＷ上にリフロー性材料からなるパターン形成し、加熱によってパターンをリフローさせてレンズ形状に成型してオンチップレンズ４３を得ることができる。
【００７７】
以上により、第３実施形態の固体撮像装置１-3が得られる。第２実施形態と同様に、ここで得られた固体撮像装置１-3は、基板１１の表面側に配列された光電変換部２１上に対応して、独立した島状の第1パターンとして白色フィルタＷが市松配列されている。さらにこれらの白色フィルタＷ間に、独立した島状の第２パターンとして色フィルタＲ，Ｂ，Ｂが配置されたものとなる。また白色フィルタＷと各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇとの間には、これらのフィルタよりも屈折率の低い材料からなる混色防止膜３１が挟持された構成となる。
【００７８】
したがって、本第３実施形態で得られた固体撮像装置１-3においても、第1実施形態で説明したと同様に、混色が防止され画質の向上を図ることが可能になる。しかも、全面に混色防止膜３１を残した構成であるため、第1実施形態と比較して混色防止膜３１を異方性エッチングする工程［図４（４）の工程］を省くことができる。
【００７９】
また特に本第３実施形態の製造方法では、島状の第１パターンとして形成した白色フィルタＷの側壁に混色防止膜３１を自己整合的に形成した後、白色フィルタＷとの間に混色防止膜３１を挟持する状態で第２パターンとして各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇを形成する。このため、第1実施形態と同様に、混色防止膜３１の形成においては、パターン形成される各光フィルタＷ，Ｒ，Ｂ，Ｇとの位置合わせのマージンを考慮する必要がなく、混色防止膜３１の膜厚を必要最低限の膜厚に設定することができる。したがって本第３実施形態の製造方法であっても、混色防止膜を配置したことで画質の向上が図られた構成でありながらも、光フィルタＷ，Ｒ，Ｂ，Ｇの専有面積を最大限に拡大でき、これによってさらに画質の向上が図られた固体撮像装置を得ることが可能になる。
【００８０】
尚、本第３実施形態においては、混色防止膜３１を全面に残す構成を説明した。しかしながら、図９（２）を用いて説明した工程で混色防止膜３１を成膜した後、図９（３）を用いて説明した工程の前に、白色フィルタＷの側壁のみに混色防止膜３１を残す状態で、混色防止膜３１をエッチング除去しても良いことは、第２実施形態と同様である。これにより、第1実施形態と同様の構成の固体撮像装置を得ることができる。
【００８１】
＜５．第４実施形態＞
［Ｗ市松配列の固体撮像装置の製造方法（４）］
第４実施形態の製造方法は、第１実施形態および第２実施形態と同様に図２を用いて説明した光フィルタがＷ市松配列である固体撮像装置の製造方法の第４例であり、以下基板側から順に製造方法を説明する。
【００８２】
先ず第１実施形態において図３を用いて説明したと同様に、基板１１の表面側に、光電変換部２１、配線２３を含む配線層２５、層内レンズ２７、および平坦化絶縁膜２９を形成するまでを行う。
【００８３】
次に、図１０（１）に示すように、平坦化絶縁膜２９上において、各画素２の周縁に相当する位置で、光電変換部２１を囲む周囲に反射膜５１をパターン形成する。この反射膜５１は、例えばアルミニウム等の光反射性の高い材料を用いて形成すれば良い。
【００８４】
次に、図１０（２）に示すように、反射膜５１が形成された平坦化絶縁膜２９上を、必要に応じてさらに絶縁膜５３で覆う。この絶縁膜５３は、必要に応じて表面平坦に形成する。
【００８５】
その後、絶縁膜５３上に、それぞれ独立した島状の赤色フィルタＲ、青色フィルタＢ、およびここでの図示を省略した緑色フィルタＧを、第１パターンとして目的とする画素２上に市松配列させた状態で順次形成する。この際、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの縁部が反射膜５１上に配置されるように、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇをパターニングする。このような各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇは、各色の顔料または染料を含有するフォトレジスト材料を光フィルタ材料として用い、フォトリソグラフィプロセスを適用して形成される。ただし、図２を参照し、平面視した状態での緑色フィルタＧの四隅と、赤色フィルタＲおよび青色フィルタＢの四隅とは、これらの各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇを形成する際のフォトリソグラフィプロセスの合わせ精度の範囲内であれば、互いに接合されていても良い。
【００８６】
以上のような各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの形成順は、特に限定されることはなく、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇに用いる光フィルタ材料の特性等によって適宜の順序で形成されることとする。
【００８７】
次に、図１０（３）に示すように、第１パターンとしての各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇ（緑色フィルタＧは図示省略）が形成された絶縁膜５３上に、これらを覆う状態で第１パターンよりも薄い膜厚で混色防止膜５５を成膜する。ここで成膜する混色防止膜５５は、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇよりも屈折率の高い材料からなることとする。混色防止膜５５の材質は、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇよりも屈折率が高ければ、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、炭化酸化シリコンなどの無機の絶縁性材料が用いられる。この他にも、有機の絶縁性材料等を用いることができ、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇ側からの光照射を取り込む材料であれば良い。例えば、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの屈折率が約１．６５である場合、混色防止膜５５として窒化シリコン（屈折率２．０）を用いる。
【００８８】
このような混色防止膜５５の成膜は、既に形成されている各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの耐熱温度未満で成膜が可能な低温ＣＶＤ法等により、等方的に成膜することが重要である。これにより、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇのパターン形状を維持した状態で、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの側壁に混色防止膜５５を薄膜状態で成膜する。
【００８９】
次に、図１０（４）に示すように、混色防止膜５５を異方性エッチングすることにより、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの側壁のみに混色防止膜５５を残し、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇ上および絶縁膜５３上の混色防止膜５５を除去する。またこれにより、反射膜５１の上部に混色防止膜５５を配置した状態とする。
【００９０】
その後、図１１（１）に示すように、絶縁膜５３上に、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇおよび側壁の混色防止膜５５を埋め込む程度に十分な膜厚で、レンズ材５７を成膜する。レンズ材５７は、赤色領域から青色領域までの光を透過する無色透明な光フィルタ材料で構成され、例えば塗布成膜によって行う。特にここでは、後に説明するようにこのレンズ材５７を用いて白色フィルタ（Ｗ）が構成されるため、混色防止膜５５よりも屈折率の低い材料をレンズ材５７として用いることとする。一例として、混色防止膜５５を窒化シリコン（屈折率２．０）で形成した場合であれば、レンズ材５７として屈折率１．６程度の有機材料が用いられる。
【００９１】
以上の後の図１１（２）〜（４）に示す工程は、第１実施形態において図５（２）〜図５（４）を用いて説明したと同様に行われる。
【００９２】
すなわち、先ず図１１（２）に示すように、すべての画素２上に対応させて、レンズ材５７の上部にリフロー性を有する材料からなマスク３５をパターン形成する。
【００９３】
その後、図１１（３）に示すように、加熱によってマスク３５をリフローさせてレンズ形状に成型する。
【００９４】
しかる後、図１１（４）に示すように、レンズ形状にリフローさせたマスク３５上から、マスク３５およびレンズ材５７の表面層をエッチングし、リフローさせたマスク３５のレンズ形状をレンズ材５７の表面側に転写する。これにより、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの上方にレンズ材を成形して成るオンチップレンズ５７ａが形成される。これと共に、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇ間には、レンズ材５７が各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの膜厚分だけ残された白色フィルタＷと、この上部のレンズ材からなるオンチップレンズ５７ａとが一体に形成される。
【００９５】
これらの白色フィルタＷは、市松配列された各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇ間に、それぞれ独立した島状の第２パターンとして目的とする画素２上に市松配列される。また各白色フィルタＷと、隣接する各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇとの間には、高屈折率の混色防止膜５５が挟持される。ただし、図２を参照し、平面視した状態での各白色フィルタＷの四隅は、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇを形成する際のフォトリソグラフィプロセスの合わせ精度の範囲内であれば、互いに接合されていても良い。
【００９６】
以上により、第４実施形態の固体撮像装置１-4が得られる。ここで得られた固体撮像装置１-4は、第１実施形態と同様に、基板１１の表面側に配列された光電変換部２１上に対応して、独立した島状の第1パターンとして色フィルタＲ，Ｂ，Ｇが市松配列されている。さらにこれらの色フィルタＲ，Ｂ，Ｇ間に、独立した島状の第２パターンとして白色フィルタＷが配置されたものとなる。また白色フィルタＷと各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇとの間には、これらのフィルタよりも屈折率の高い材料からなる混色防止膜５５が挟持された構成となる。
【００９７】
図１２には、本第４実施形態で得られた固体撮像装置１-4の要部を拡大した断面構成図を示す。この図に示すように、固体撮像装置１-4に入射した光ｈは、オンチップレンズ５７ａで集光され、各オンチップレンズ５７ａの下方に配置された各光フィルタＷ，Ｒ，Ｂ，Ｇに入射される。このうち、オンチップレンズ５７ａで集光されて斜め方向から光フィルタＷ，Ｒ，Ｂ，Ｇに入射した光ｈは、光フィルタＷ，Ｒ，Ｂ，Ｇ間に挟持された高屈折率の混色防止膜５５の界面において、入射角度を基板１１の面に対してより垂直な方向に変化させる。また、混色防止膜５５内に入射した光は、混色防止膜５５と光フィルタＷ，Ｒ，Ｂ，Ｇとの界面において反射され、混色防止膜５５内で多重反射され、さらに下層の反射膜５１で反射され、オンチップレンズ５７ａ側から放出される。これにより、例えば白色フィルタＷに対して斜め方向から入射した光ｈが、隣接して配置された青色フィルタＢの下方の光電変換部２１に入射することが防止される。したがって、例えば青色フィルタＢ下方の光電変換部２１に対して、白色フィルタＷの画素に入射した光が斜め方向から入射して、これにより青色領域を外れた波長領域の受光出力が青色フィルタＢの画素から検出される、いわゆる「裾うき」を防止することができる。以上により、本第４実施形態で得られた構成の固体撮像装置１-4は、混色が防止され画質の向上を図ることが可能になる。
【００９８】
また特に本第４実施形態の製造方法では、先ず島状の第１パターンとして形成した各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの側壁に混色防止膜５５を自己整合的に形成する。その後、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇとの間に混色防止膜５５を挟持する状態で第２パターンとして白色フィルタＷを形成する。このため、混色防止膜５５の形成においては、パターン形成される各光フィルタＷ，Ｒ，Ｂ，Ｇとの位置合わせのマージンを考慮する必要がなく、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇの側壁においての混色防止膜５５の膜厚ｄを必要最低限の膜厚に設定することができる。混色防止膜５５の膜厚を必要最低限の膜厚に設定することができる。したがって本第４実施形態の製造方法によれば、混色防止膜５５を配置したことで画質の向上が図られた構成でありながらも、光フィルタＷ，Ｒ，Ｂ，Ｇの専有面積を最大限に拡大でき、さらに画質の向上が図られた固体撮像装置を得ることが可能になる。
【００９９】
尚、本第４実施形態の構成は、上述した第３実施形態の低屈折率の混色防止膜を用いる製造法を適用して得ることが可能である。この場合、第３実施形態において図９（１）を用いて説明した工程では、平坦化絶縁膜２９上に反射膜（５１）をパターン形成した後に、この上部に白色フィルタＷを形成する。そして、次の図９（２）を用いて説明した工程では、低屈折率の混色防止膜３１に換えて、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇおよび白色フィルタＷよりも高屈折率な材料を用いた混色防止膜（５５）を成膜すれば良い。
【０１００】
＜６．第５実施形態＞
［ベイヤー配列の固体撮像装置の製造方法（１）］
第５実施形態の製造方法を説明するに先立ち、本第５実施形態の製造方法を適用して作製されるベイヤー配列の固体撮像装置における光フィルタの配列を説明する。図１３は、光フィルタのベイヤー配列の配列状態を示す平面図である。
【０１０１】
以下の第５〜第６実施形態の製造方法を適用して作製されるベイヤー配列の固体撮像装置は、光電変換部上の光フィルタとして、各色フィルタＧ，Ｒ，Ｂが用いられる。各色フィルタＧ，Ｒ，Ｂは、緑色領域の光を透過する光フィルタ（緑色フィルタＧと記す）、赤色領域の光を透過する光フィルタ（赤色フィルタＲと記す）、および青色領域の光を透過する光フィルタ（青色フィルタＢと記す）である。
【０１０２】
このうち緑色フィルタＧは、基板の表面側に配列された複数の光電変換部のうち、行方向および列方向のそれぞれに１つ置きに配置された光電変換部上に市松配列され、それぞれが独立した島状のパターンとして設けられている。市松配列された緑色フィルタＧ−緑色フィルタＧ間には、一行置きに赤色フィルタＲと青色フィルタＢとが交互に配置されている。これらの赤色フィルタＲおよび青色フィルタＢは、それぞれが独立した島状のパターンとして緑色フィルタＧ間に市松配列されている。
【０１０３】
このような光フィルタ配列を有する固体撮像装置において、特に本第５実施形態の製造方法は、ベイヤー配列された各色の光フィルタＧ，Ｒ，Ｂ間に、ここでの図示を省略した混色防止膜を設けた構成を製造する第１例であり、以下基板側から順に製造方法を説明する。
【０１０４】
先ず第１実施形態において図３を用いて説明したと同様に、基板１１の表面側に、光電変換部２１、配線２３を含む配線層２５、層内レンズ２７、および平坦化絶縁膜２９を形成するまでを行う。
【０１０５】
次に、図１４（１）に示すように、平坦化絶縁膜２９上において、市松配列される画素２上に、画素２の上部を広く覆う独立した島状の緑色フィルタＧをパターン形成する。これらの緑色フィルタＧは、第１パターンとして目的とする画素２上に市松配列させた状態で形成される。これらの緑色フィルタＧは、顔料または染料を含有するフォトレジスト材料を光フィルタ材料として用い、フォトリソグラフィプロセスを適用して形成される。ただし、図１３を参照し、平面視した状態での緑色フィルタＧの四隅は、これらの緑色フィルタＧを形成する際のフォトリソグラフィプロセスの合わせ精度の範囲内であれば、互いに接合されていても良い。
【０１０６】
次いで、図１４（２）に示すように、第１パターンとしての緑色フィルタＧが形成された平坦化絶縁膜２９上に、これらを覆う状態で第１パターンよりも薄い膜厚で混色防止膜３１を成膜する。ここで成膜する混色防止膜３１は、緑色フィルタＧよりも屈折率の低い材料からなることとする。混色防止膜３１の材質は、緑色フィルタＧよりも屈折率が低ければ、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、炭化酸化シリコンなどの無機の絶縁性材料が用いられる。この他にも有機の絶縁性材料、さらには導電性材料を用いることができ、緑色フィルタＧ側からの光照射に対して高い反射率が確保される材料であれば良い。例えば、緑色フィルタＧの屈折率が約１．６５である場合、混色防止膜３１として酸化シリコン（ＳｉＯ２：屈折率１．４５）を用いる。
【０１０７】
このような混色防止膜３１の成膜は、既に形成されている緑色フィルタＧの耐熱温度未満で成膜が可能な低温ＣＶＤ法等により、等方的に成膜することが重要である。これにより、緑色フィルタＧのパターン形状を維持した状態で、緑色フィルタＧの側壁に混色防止膜３１を薄膜状態で成膜する。
【０１０８】
次に、図１４（３）に示すように、混色防止膜３１を異方性エッチングすることにより、緑色フィルタＧの側壁のみに混色防止膜３１を残し、緑色フィルタＧ上および平坦化絶縁膜２９上の混色防止膜３１を除去する。
【０１０９】
その後、図１４（４）に示すように、緑色フィルタＧ間に埋め込む状態で、赤色フィルタＲ、およびここでの図示を省略した青色フィルタＢを順次形成する。図１３を参照し、それぞれの各色フィルタＲ，Ｂは、市松配列された緑色フィルタＧ間に、それぞれ独立した島状の第２パターンとして目的とする画素２上に市松配列される。また、各緑色フィルタＧと、隣接する各色フィルタＲ，Ｂとの間には、混色防止膜３１が挟持される。
【０１１０】
この際、各色フィルタＲ，Ｂは、各色の顔料または染料を含有するフォトレジスト材料を光フィルタ材料として用い、フォトリソグラフィプロセスを適用して形成される。また特に各色フィルタＲ，Ｂは、混色防止膜３１よりも屈折率の高い材料を用いることとする。一例として、混色防止膜３１を酸化シリコン（ＳｉＯ２：屈折率１．４５）で形成した場合であれば、赤色フィルタＲおよび青色フィルタＢは屈折率が約１．６５の有機材料からなる。
【０１１１】
以上のような各色フィルタＲ，Ｂの形成順は、特に限定されることはなく、各色フィルタＲ，Ｂに用いる光フィルタ材料の特性等によって適宜の順序で形成されることとする。
【０１１２】
次に、図１５（１）に示すように、各色フィルタＲ，Ｂ形成の際の合わせずれにより、緑色フィルタＧ上に重なっている各色フィルタＲ，Ｂ部分を平坦化工程によって除去する。尚、各色フィルタＲ，Ｂ形成の際の合わせずれが小さく、緑色フィルタＧ上に各色フィルタＲ，Ｂ部分が重ならない場合には、この平坦化工程を行う必要はない。ただし図１３を参照し、平面視した状態での各色フィルタＲ，Ｂの四隅は、緑色フィルタＧを形成する際のフォトリソグラフィプロセスの合わせ精度の範囲内であれば、互いに接合されていても良い。
【０１１３】
以上の後には、図１５（２）に示すように、各色フィルタＧ，Ｒ，Ｂ上に、オンチップレンズ４３を形成する。オンチップレンズ４３の形成方法が特に限定されることはない。一例としては、各色フィルタＧ，Ｒ，Ｂ上にリフロー性材料からなるパターン形成し、加熱によってパターンをリフローさせてレンズ形状に成型してオンチップレンズ４３を得ることができる。
【０１１４】
以上により、第５実施形態の固体撮像装置１-5が得られる。ここで得られた固体撮像装置１-5は、基板１１の表面側に配列された光電変換部２１上に対応して、独立した島状の第1パターンとして緑色フィルタＧが市松配列されている。さらにこれらの緑色フィルタＧ間に、独立した島状の第２パターンとして赤色フィルタＲおよび青色フィルタＢが配置されたものとなる。また緑色フィルタＧと赤色フィルタＲおよび青色フィルタＢとの間には、これらのフィルタよりも屈折率の低い材料からなる混色防止膜３１が挟持された構成となる。
【０１１５】
このように構成された固体撮像装置１-5においては、第1〜３実施形態の固体撮像装置と同様に混色を防止することができる。すなわち、目的とする色フィルタ（例えば緑色フィルタＧ）に対して斜め方向から入射した光ｈは、各色フィルタＧ，Ｒ，Ｂ間に挟持された混色防止膜３１で反射され、赤色フィルタＲや青色フィルタＢの下方の光電変換部２１に入射することが防止される。したがって、例えば青色フィルタＢ下方の光電変換部２１に対して、緑色フィルタＧの画素に入射した光が斜め方向から入射して、これにより青色領域を外れた波長領域の受光出力が青色フィルタＢの画素から検出される、いわゆる「裾うき」を防止することができる。以上により、本第５実施形態で得られた構成の固体撮像装置１-5は、混色が防止され画質の向上を図ることが可能になる。
【０１１６】
また特に本第５実施形態の製造方法では、島状の第１パターンとして形成した緑色フィルタＧの側壁に混色防止膜３１を自己整合的に形成した後、緑色フィルタＧとの間に混色防止膜３１を挟持する状態で第２パターンとして各色フィルタＲ，Ｂを形成する。このため、混色防止膜３１の形成においては、パターン形成される各色フィルタＧ，Ｒ，Ｂとの位置合わせのマージンを考慮する必要がなく、混色防止膜３１の膜厚を必要最低限の膜厚に設定することができる。したがって本第５実施形態の製造方法であっても、他の実施形態と同様に、混色防止膜を配置したことで画質の向上が図られた構成でありながらも、光フィルタＧ，Ｒ，Ｂの専有面積を最大限に拡大でき、さらに画質の向上が図られた固体撮像装置を得ることが可能になる。
【０１１７】
＜７．第６実施形態＞
［ベイヤー配列の固体撮像装置の製造方法（２）］
第６実施形態の製造方法は、第５実施形態と同様に図１３を用いて説明した光フィルタがベイヤー配列である固体撮像装置の製造方法の第２例であり、光フィルタ上に混色防止膜を残す方法である。以下基板側から順に製造方法を説明する。
【０１１８】
先ず第１実施形態において図３を用いて説明したと同様に、基板１１の表面側に、光電変換部２１、配線２３を含む配線層２５、層内レンズ２７、および平坦化絶縁膜２９を形成するまでを行う。
【０１１９】
次に図１６（１）に示す工程では、第５実施形態において図１４（１）を用いて説明したと同様に、平坦化絶縁膜２９上において、市松配列される画素２上に、画素２の上部を広く覆う独立した島状の緑色フィルタＧをパターン形成する。これらの緑色フィルタＧは、第１パターンとして目的とする画素２上に市松配列させた状態で形成される。これらの緑色フィルタＧは、顔料または染料を含有するフォトレジスト材料を光フィルタ材料として用い、フォトリソグラフィプロセスを適用して形成される。ただし、図１３を参照し、平面視した状態での緑色フィルタＧの四隅は、これらの緑色フィルタＧを形成する際のフォトリソグラフィプロセスの合わせ精度の範囲内であれば、互いに接合されていても良い。
【０１２０】
次いで、図１６（２）に示すように、第１パターンとしての緑色フィルタＧが形成された平坦化絶縁膜２９上に、これらを覆う状態で第１パターンよりも薄い膜厚で混色防止膜３１を成膜する。ここで成膜する混色防止膜３１は、緑色フィルタＧよりも屈折率の低い材料からなることとする。混色防止膜３１の材質は、緑色フィルタＧよりも屈折率が低ければ、酸化シリコン、窒化シリコン、酸窒化シリコン、炭化酸化シリコンなどの無機の絶縁性材料が用いられる。この他にも有機の絶縁性材料、さらには導電性材料を用いることができ、緑色フィルタＧ側からの光照射に対して高い反射率が確保される材料であれば良い。例えば、緑色フィルタＧの屈折率が１．６５である場合、混色防止膜３１として酸化シリコン（ＳｉＯ２：屈折率１．４５）を用いる。
【０１２１】
このような混色防止膜３１の成膜は、既に形成されている緑色フィルタＧの耐熱温度未満で成膜が可能な低温ＣＶＤ法等により、等方的に成膜することが重要である。これにより、緑色フィルタＧのパターン形状を維持した状態で、緑色フィルタＧの側壁に混色防止膜３１を薄膜状態で成膜する。
【０１２２】
次に、図１６（３）に示すように、緑色フィルタＧ間に埋め込む状態で、混色防止膜３１上に、赤色フィルタＲ、およびここでの図示を省略した青色フィルタＢを順次形成する。図２を参照し、それぞれの各色フィルタＲ，Ｂは、市松配列された緑色フィルタＧ間に、それぞれ独立した島状の第２パターンとして目的とする画素２上に市松配列される。また、各緑色フィルタＧと、隣接する各色フィルタＲ，Ｂとの間には、混色防止膜３１が挟持される。
【０１２３】
この際、各色フィルタＲ，Ｂは、各色の顔料または染料を含有するフォトレジスト材料を光フィルタ材料として用い、フォトリソグラフィプロセスを適用して形成される。また特に各色フィルタＲ，Ｂは、混色防止膜３１よりも屈折率の高い材料を用いることとする。一例として、混色防止膜３１を酸化シリコン（ＳｉＯ２：屈折率１．４５）で形成した場合であれば、赤色フィルタＲおよび青色フィルタＢは屈折率が約１．６５の有機材料からなる。
【０１２４】
以上のような各色フィルタＲ，Ｂの形成順は、特に限定されることはなく、各色フィルタＲ，Ｂに用いる光フィルタ材料の特性等によって適宜の順序で形成されることとする。
【０１２５】
次に、図１６（４）に示すように、各色フィルタＲ，Ｂ形成の際の合わせずれにより、緑色フィルタＧ上に重なっている各色フィルタＲ，Ｂ部分を平坦化工程によって除去する。尚、各色フィルタＲ，Ｂ形成の際の合わせずれが小さく、緑色フィルタＧ上に各色フィルタＲ，Ｂ部分が重ならない場合には、この平坦化工程を行う必要はない。ただし図１３を参照し、平面視した状態での各色フィルタＲ，Ｂの四隅は、緑色フィルタＧを形成する際のフォトリソグラフィプロセスの合わせ精度の範囲内であれば、互いに接合されていても良い。
【０１２６】
以上の後には、図１６（５）に示すように、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇ上に、オンチップレンズ４３を形成する。オンチップレンズ４３の形成方法が特に限定されることはない。一例としては、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇ上にリフロー性材料からなるパターン形成し、加熱によってパターンをリフローさせてレンズ形状に成型してオンチップレンズ４３を得ることができる。
【０１２７】
以上により、第６実施形態の固体撮像装置１-6が得られる。ここで得られた固体撮像装置１-6は、第５実施形態の固体撮像装置１-5と同様に、基板１１の表面側に配列された光電変換部２１上に対応して、独立した島状の第1パターンとして緑色フィルタＧが市松配列されている。さらにこれらの緑色フィルタＧ間に、独立した島状の第２パターンとして赤色フィルタＲおよび青色フィルタＢが配置されたものとなる。また緑色フィルタＧと赤色フィルタＲおよび青色フィルタＢとの間には、これらのフィルタよりも屈折率の低い材料からなる混色防止膜３１が挟持された構成となる。
【０１２８】
したがって、本第６実施形態で得られた固体撮像装置１-6においても、第５実施形態で説明したと同様に、混色が防止され画質の向上を図ることが可能になる。しかも、全面に混色防止膜３１を残した構成であるため、混色防止膜３１を異方性エッチングする工程を省くことができる。
【０１２９】
また特に本第６実施形態の製造方法では、島状の第１パターンとして形成した緑色フィルタＧの側壁に混色防止膜３１を自己整合的に形成した後、緑色フィルタＧとの間に混色防止膜３１を挟持する状態で第２パターンとして各色フィルタＲ，Ｂを形成する。このため、他の実施形態と同様に、混色防止膜３１の形成においては、パターン形成される各色フィルタＧ，Ｒ，Ｂとの位置合わせのマージンを考慮する必要がなく、混色防止膜３１の膜厚を必要最低限の膜厚に設定することができる。したがって本第６実施形態の製造方法であっても、他の実施形態と同様に、混色防止膜を配置したことで画質の向上が図られた構成でありながらも、光フィルタＧ，Ｒ，Ｂの専有面積を最大限に拡大でき、画質の向上が図られた固体撮像装置を得ることが可能になる。
【０１３０】
尚、本第６実施形態は、第４実施形態の高屈折率の混色防止膜を用いた構成と組み合わせることが可能である。この場合、図１６（１）を用いて説明した工程では、平坦化絶縁膜２９上に反射膜（５１）をパターン形成した後に、この上部に緑色フィルタＧを形成する。そして、次の図１６（２）を用いて説明した工程では、低屈折率の混色防止膜３１に換えて、各色フィルタＲ，Ｂ，Ｇよりも高屈折率な材料を用いた混色防止膜（５５）を成膜すれば良い。
【０１３１】
また以上の実施形態においては、各色の光パターンの配列が、第１〜第４実施形態でＷ市松配列、第５〜第６実施形態においてベイヤー配列である場合を説明した。しかしながら本発明は、各色の光パターンの配列が限定されることはない。つまり本発明は、独立した島状の光フィルタを第１パターンとして形成した後に、これらの第１パターン間に他の光フィルタを第２パターンとして形成して光フィルタの層が作製される固体撮像装置の製造方法に広く適用可能であり、同様の効果を得ることができる。
【０１３２】
さらに以上の実施形態においては、本発明をＭＯＳ型の固体撮像装置に適用した構成を説明した。しかしながら本発明はこれに限定されることはなく、例えばＣＣＤ型の固体撮像装置への適用も可能である。
【０１３３】
また以上の実施形態においては、光電変換部２１が設けられた基板１１の面上に、読出電極等の配線２３を設け、この上方に第１パターンおよび第２パターンとなる各色の光フィルタおよび混色防止膜を設けた固体撮像装置に本発明を適用した場合を説明した。しかしながら本発明は、光電変換部２１とは反対側の基板１１の面上に読出電極等の配線２３を設けた、いわゆる裏面照射型の固定撮像装置への適用も可能である。このような裏面照射型の固体撮像装置であれば、配線２３が形成された面とは反対側の基板１１の面が、光電変換部２１の受光面となり、この面上に第１パターンおよび第２パターンとなる各色の光フィルタおよび混色防止膜が設けられる。したがって、基板１１に光電変換部２１を形成した後であれば、読出電極等の配線２３の形成に依存せずに、上述した各実施形態の手順にしたがって第１パターンとなる光フィルタを形成、混色防止膜の形成、第２パターンとなる光フィルタの形成を行えば良い。また、第１パターン、混色防止膜、および第２パターン形成後には、これらの上部にオンチップを形成する。尚、第１パターンの形成前には、必要に応じて層内レンズの形成が行われる。
【０１３４】
＜８．第７実施形態＞
［電子機器の構成例］
上述の第１実施形態〜第６実施形態で説明した本発明に係る製造方法によって得られた固体撮像装置は、例えばデジタルカメラやビデオカメラ等のカメラシステムや、撮像機能を有する携帯電話、あるいは撮像機能を備えた他の機器、などの電子機器に適用することができる。
【０１３５】
図１７に、本発明に係る電子機器の一例としてカメラに適用した第７実施形態を示す。本実施形態例に係るカメラは、静止画像又は動画撮影可能なビデオカメラを例としたものである。本実施形態例のカメラ９１は、固体撮像装置１と、固体撮像装置１の受光センサ部に入射光を導く光学系９３と、シャッタ装置９４と、固体撮像装置１を駆動する駆動回路９５と、固体撮像装置１の出力信号を処理する信号処理回路９６とを有する。
【０１３６】
固体撮像装置１は、上述した各実施形態の製造方法で作製した固体撮像装置１-1〜１-6が適用される。光学系（光学レンズ）９３は、被写体からの像光（入射光）を固体撮像装置１の撮像面上に結像させる。これにより、固体撮像装置１内に、一定期間信号電荷が蓄積される。光学系９３は、複数の光学レンズから構成された光学レンズ系としてもよい。シャッタ装置９４は、固体撮像装置１への光照射期間及び遮光期間を制御する。駆動回路９５は、固体撮像装置１の転送動作及びシャッタ装置９４のシャッタ動作を制御する駆動信号を供給する。駆動回路９５から供給される駆動信号（タイミング信号）により、固体撮像装置１の信号転送を行う。信号処理回路９６は、各種の信号処理を行う。信号処理が行われた映像信号は、メモリなどの記憶媒体に記憶され、或いは、モニタに出力される。
【０１３７】
第７実施形態に係る電子機器によれば、固体撮像装置において、混色防止膜を配置したことで画質の向上が図られた構成でありながらも、光フィルタの専有面積を最大限に拡大でき、さらに画質の向上が図られているため、高画質の電子機器を提供することができる。例えば、画質を向上したカメラなどを提供することができる。
【符号の説明】
【０１３８】
１，１-1，１-2，１-3，１-4，１-5，１-6…固体撮像装置
１１…基板
２１…光電変換部
３１    混色防止膜（低屈折率）
５１…反射膜
５５    混色防止膜（高屈折率）
９１…カメラ（電子機器）
９３…光学系
９６…信号処理回路
Ｗ…白色フィルタ（第1パターンまたは第２パターン）
Ｇ…緑色フィルタ（第1パターンまたは第２パターン）
Ｂ…青色フィルタ（第1パターンまたは第２パターン）
Ｒ…赤色フィルタ（第1パターンまたは第２パターン）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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