(57)【要約】【課題】実際の装置状態や処理状態等に因らない代表値データの差異を低減する。【解決手段】基板処理システムが備える群管理装置は、モニタデータを基板処理装置から受信する通信部と、モニタデータを読み出し可能に格納する格納部と、所定のイベントが検出されると、データ抽出条件に適合するモニタデータを基に代表値データを生成し、時刻データと併せて格納部に格納する代表値データ生成部と、代表値データを加工して表示部に表示させる代表値データ加工部と、を有する。【選択図】図１
2012064881.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のイベントを発生させながらレシピを実行する基板処理装置と、前記基板処理装置に接続される群管理装置と、を含む基板処理システムであって、
前記群管理装置は、
前記レシピの進行状況又は前記基板処理装置の稼働状態を示すモニタデータを前記基板処理装置から受信する通信部と、
前記通信部が受信した前記モニタデータを読み出し可能に格納する格納部と、
所定のイベントが検出されると、前記モニタデータを抽出する区間を規定するデータ抽出条件を参照しつつ、前記格納部に格納された前記モニタデータのうち、前記データ抽出条件に適合する前記モニタデータを前記格納部から読み出し、読み出した前記モニタデータを基に代表値データを生成し、生成した前記代表値データと前記代表値データに関連する時刻データとを併せて前記格納部に格納する代表値データ生成部と、
前記格納部に格納された前記代表値データを加工して表示部に表示させる代表値データ加工部と、を有する
ことを特徴とする基板処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置と、基板処理装置に接続された群管理装置と、を含む基板処理システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
レシピに基づく基板処理工程（バッチ処理）を実行する基板処理装置の内部では、基板処理工程の進行状況や基板処理装置の稼働状態を示すモニタデータ（例えば温度、ガス流量、圧力等の時系列データ）が多数発生する。基板処理システムでは、このモニタデータを基に基板処理工程の進行状況や基板処理装置群の稼働状態を統合的かつ効率的に管理するため、群管理装置（上位管理装置）が用いられてきた。群管理装置は基板処理装置群に接続され、例えば各基板処理装置から受信したモニタデータを格納する格納部と、格納部に格納されたモニタデータのうち、一部のモニタデータに基づくデータを表示する表示部と、を有する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記構成によれば、例えば同じレシピに基づく基板処理工程を経た複数の基板やバッチのデータを上記表示部にそれぞれ表示させることで、同一レシピ間での基板やバッチの状態比較等を行うことができる。表示対象となる一部のモニタデータには、例えば１時間単位等の一定時間ごとに区切られた所定期間のモニタデータが用いられる。係るモニタデータを基に、例えば平均値、最大値、最小値等を含む代表値データが生成されて表示部に表示される。
【０００４】
しかしながら、上記所定期間は、基板処理装置内で発生するイベント、例えばレシピの実行開始や実行終了、レシピに含まれる各ステップの実行開始や実行終了等とは無関係に区切られるため、同じレシピに基づく同等の結果であっても、その時々で異なる代表値データが生成され、見かけ上、異なる結果であるかのように見えてしまうことがある。つまり、例えば温度に係る代表値データが、図１０に示すように、温度が略一定の保温ステップ時のモニタデータのみから生成される場合と、昇温ステップの途中状態のモニタデータを含んで生成される場合とでは、実際の装置状態や処理状態等に因らない差異が代表値データに生じ、同一レシピ間での基板やバッチの状態比較が困難となる場合がある。
【０００５】
そこで本発明の目的は、実際の装置状態や処理状態等に因らない代表値データの差異を低減し、同一レシピ間での基板やバッチの状態比較がより容易となる基板処理システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、複数のイベントを発生させながらレシピを実行する基板処理装置と、前記基板処理装置に接続される群管理装置と、を含む基板処理システムであって、前記群管理装置は、前記レシピの進行状況又は前記基板処理装置の稼働状態を示すモニタデータを前記基板処理装置から受信する通信部と、前記通信部が受信した前記モニタデータを読み出し可能に格納する格納部と、所定のイベントが検出されると、前記モニタデータを抽出する区間を規定するデータ抽出条件を参照しつつ、前記格納部に格納された前記モニタデータのうち、前記データ抽出条件に適合する前記モニタデータを前記格納部から読み出し、読み出した前記モニタデータを基に代表値データを生成し、生成した前記代表値データと前記代表値データに関連する時刻データとを併せて前記格納部に格納する代表値データ生成部と、前記格納部に格納された前記代表値データを加工して表示部に表示
させる代表値データ加工部と、を有する基板処理システムが提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、実際の装置状態や処理状態等に因らない代表値データの差異を低減し、同一レシピ間での基板やバッチの状態比較がより容易となる基板処理システムが提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る基板処理システムのブロック構成図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る代表値データの生成方法の説明図であって、（ａ）は温度のモニタデータを例示する時系列グラフであり、（ｂ）は代表値データを例示するテーブルである。
【図３】本発明の第１実施形態に係る代表値データを加工して得られるローソク足チャートを例示するグラフである。
【図４】本発明の第１実施形態に係る代表値データを加工して得られるバーチャートの説明図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る代表値データを加工して得られるローソク足チャートの読み取り説明図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係る群管理装置の内部動作を例示する模式図である。
【図７】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の斜透視図である。
【図８】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の側面透視図である。
【図９】本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の処理炉の縦断面図である。
【図１０】参考例に係る代表値データの生成方法の説明図であって、最上段から順に異なるタイミングで区間を区切られた温度のモニタデータを例示する時系列グラフ、代表値データを例示するテーブル及び平均値データを例示する時系列グラフであり、（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ同じレシピで処理された異なる基板のデータ又はグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
＜本発明の第１実施形態＞
以下に、本発明の第１実施形態について説明する。
【００１０】
（１）基板処理装置の構成
続いて、本実施形態に係る基板処理装置１００の構成について、図７、図８を参照しながら説明する。図７は、本実施形態に係る基板処理装置１００の斜透視図である。図８は、本実施形態に係る基板処理装置１００の側面透視図である。なお、本実施形態に係る基板処理装置１００は、例えばウエハ等の基板に成膜処理、酸化処理、拡散処理などを行なう縦型の装置として構成されている。
【００１１】
図７、図８に示すように、本実施形態に係る基板処理装置１００は、耐圧容器として構成された筐体１１１を備えている。筐体１１１の正面壁１１１ａの正面前方には、メンテナンス可能なように設けられた開口部としての正面メンテナンス口１０３が設けられている。正面メンテナンス口１０３には、正面メンテナンス口１０３を開閉する正面メンテナンス扉１０４が設けられている。
【００１２】
シリコン（Ｓｉ）等で構成される基板としてのウエハ２００を筐体１１１内外へ搬送するには、複数のウエハ２００を収納するウエハキャリア（基板収容器）としてのポッド１１０が使用される。筐体１１１の正面壁１１１ａには、ポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が、筐体１１１内外を連通するように開設されている。ポッド搬入搬出口１１２は、フロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉さ
れるようになっている。ポッド搬入搬出口１１２の正面下方側には、ロードポート（基板収容器受渡し台）１１４が設置されている。ポッド１１０は、工程内搬送装置（図示せず）によって搬送され、ロードポート１１４上に載置されて位置合わせされるように構成されている。
【００１３】
筐体１１１内におけるロードポート１１４の近傍には、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置されている。筐体１１１内のポッド搬送装置１１８のさらに奥、筐体１１１内の前後方向の略中央部における上方には、回転式ポッド棚（基板収容器載置棚）１０５が設置されている。回転式ポッド棚１０５の下方には、一対のポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１２１が上下段にそれぞれ設置されている。
【００１４】
ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと、搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されている。ポッド搬送装置１１８は、ポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、回転式ポッド棚１０５、ポッドオープナ１２１の間で、ポッド１１０を相互に搬送するように構成されている。
【００１５】
回転式ポッド棚１０５上には、複数個のポッド１１０が保管されるように構成されている。回転式ポッド棚１０５は、垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱１１６と、上中下段の各位置において支柱１１６に放射状に支持された複数枚の棚板（基板収容器載置台）１１７と、を備えている。複数枚の棚板１１７は、ポッド１１０を複数個それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。
【００１６】
ポッドオープナ１２１が配置される筐体１１１内の下部には、サブ筐体１１９が筐体１１１内の前後方向の略中央部から後端にわたって設けられている。サブ筐体１１９の正面壁１１９ａには、ウエハ２００をサブ筐体１１９内外に搬送する一対のウエハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２０が、垂直方向に上下二段に並べられて設けられている。ポッドオープナ１２１は、上下段のウエハ搬入搬出口１２０にそれぞれ設置されている。
【００１７】
各ポッドオープナ１２１は、ポッド１１０を載置する一対の載置台１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３と、を備えている。ポッドオープナ１２１は、載置台１２２上に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。
【００１８】
サブ筐体１１９内には、ポッド搬送装置１１８や回転式ポッド棚１０５等が設置された空間から流体的に隔絶された移載室１２４が構成されている。移載室１２４の前側領域にはウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されている。ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａと、ウエハ移載装置１２５ａを昇降させるウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂと、で構成されている。図７に示すように、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂは、サブ筐体１１９の移載室１２４前方領域右端部と筐体１１１右側端部との間に設置されている。ウエハ移載装置１２５ａは、ウエハ２００の載置部としてのツイーザ（基板保持体）１２５ｃを備えている。ウエハ移載装置１２５ａを挟んでウエハ移載装置エレベータ１２５ｂとは反対の側には、ウエハ２００の円周方向の位置を合わせる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置（図示せず）が設置されている。ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ及びウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、後述のボート２１７に対してウエハ２００を装填（チャージング）及び脱装（ディスチャージング）するように構成されている。
【００１９】
移載室１２４の後側領域には、ボート２１７を収容して待機させる待機部１２６が構成されている。待機部１２６の上方には、ウエハ２００を処理する処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下端部は、炉口シャッタ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。なお、処理炉２０２の構成については後述する。
【００２０】
図７に示すように、サブ筐体１１９の待機部１２６右端部と筐体１１１右側端部との間には、ボート２１７を昇降させるためのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１１５が設置されている。ボートエレベータ１１５の昇降台には、連結具としてのアーム１２８が連結されている。アーム１２８には、炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられている。シールキャップ２１９は、ボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。
【００２１】
ボート（基板保持具）２１７は複数本の保持部材を備えている。ボート２１７は、複数枚（例えば、５０枚〜１２５枚程度）のウエハ２００を、中心を揃えて垂直方向に整列させた状態でそれぞれ水平に保持するように構成されている。
【００２２】
図７に示すように、移載室１２４のウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ側及びボートエレベータ１１５側と反対側の左側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するよう供給ファン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４が設置されている。クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は、ノッチ合わせ装置、ウエハ移載装置１２５ａ、待機部１２６にあるボート２１７の周囲を流通した後、図示しないダクトにより吸い込まれて筐体１１１の外部に排気されるか、もしくはクリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環されて、移載室１２４内に再び吹き出されるように構成されている。
【００２３】
（２）基板処理装置の動作
次に、本実施形態に係る基板処理装置１００の動作について、図７、図８を参照しながら説明する。以下の動作は、例えば搬送レシピに基づいて実施される。搬送レシピは、基板処理装置１００内のウエハ２００の搬送に用いられ、例えば、基板処理を行うプロセスレシピと併用されて基板処理工程に適用される。
【００２４】
図７、図８に示すように、ポッド１１０がロードポート１１４に載置されると、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放される。ロードポート１１４の上のポッド１１０は、ポッド搬送装置１１８によってポッド搬入搬出口１１２から筐体１１１内部へと搬入される。
【００２５】
筐体１１１内部へと搬入されたポッド１１０は、ポッド搬送装置１１８によって回転式ポッド棚１０５の棚板１１７上へ自動的に搬送されて一時的に保管された後、棚板１１７上から一方のポッドオープナ１２１の載置台１２２上に移載される。筐体１１１内部へと搬入されたポッド１１０は、ポッド搬送装置１１８によって直接ポッドオープナ１２１の載置台１２２上に移載されてもよい。ポッドオープナ１２１のウエハ搬入搬出口１２０はキャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４内にはクリーンエア１３３が流通され、充満されている。例えば、不活性ガス等のクリーンエア１３３で移載室１２４内が充満されることにより、移載室１２４内の酸素濃度が例えば２０ｐｐｍ以下となり、大気雰囲気となっている筐体１１１内の酸素濃度よりも遥かに低くなるように設定されている。
【００２６】
載置台１２２上に載置されたポッド１１０は、その開口側端面がサブ筐体１１９の正面壁１１９ａに設けられたウエハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられるとともに
、ポッド１１０のキャップがキャップ着脱機構１２３によって取り外され、ウエハ出し入れ口が開放される。その後、ウエハ２００は、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてポッド１１０内からピックアップされ、ノッチ合わせ装置にて円周方向の位置合わせがされた後、移載室１２４の後方にある待機部１２６内へ搬入され、ボート２１７内に装填（チャージング）される。ボート２１７内にウエハ２００を装填したウエハ移載装置１２５ａは、ポッド１１０に戻り、次のウエハ２００をボート２１７内に装填する。
【００２７】
ウエハ移載機構１２５によって、一方（上段または下段）のポッドオープナ１２１からボート２１７へとウエハ２００を装填する間に、他方（下段または上段）のポッドオープナ１２１の載置台１２２上には、別のポッド１１０が回転式ポッド棚１０５上からポッド搬送装置１１８によって搬送されて移載され、上記ウエハ２００の装填作業と同時進行で、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が行われる。
【００２８】
予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると、炉口シャッタ１４７によって閉じられていた処理炉２０２の下端部が開放される。続いて、ウエハ２００群を保持したボート２１７は、シールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより処理炉２０２内へ搬入（ボートローディング）される。
【００２９】
ローディング後は、処理炉２０２内にてウエハ２００に任意の処理が実施される。処理後は、ノッチ合わせ装置によるウエハの位置合わせを除き、上述の手順とほぼ逆の手順で、処理後のウエハ２００を格納したボート２１７が処理炉２０２内より搬出され、処理後のウエハ２００を格納したポッド１１０が筐体１１１外へと搬出される。
【００３０】
（３）処理炉の構成
続いて、本実施形態に係る処理炉２０２の構成について、図９を用いて説明する。図９は、本実施形態に係る基板処理装置１００の処理炉２０２の縦断面図である。
【００３１】
図９に示すように、処理炉２０２は、反応管としてのプロセスチューブ２０３を備えている。プロセスチューブ２０３は、内部反応管としてのインナーチューブ２０４と、その外側に設けられた外部反応管としてのアウターチューブ２０５と、を備えている。インナーチューブ２０４は、例えば石英（ＳｉＯ２）または炭化シリコン（ＳｉＣ）等の耐熱性材料からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ２０４内の筒中空部には、基板としてのウエハ２００を処理する処理室２０１が形成されている。処理室２０１内は、後述するボート２１７を収容可能なように構成されている。アウターチューブ２０５は、インナーチューブ２０４と同心円状に設けられている。アウターチューブ２０５は、内径がインナーチューブ２０４の外径よりも大きく、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。アウターチューブ２０５は、例えば石英または炭化シリコン等の耐熱性材料からなる。
【００３２】
プロセスチューブ２０３の外側には、プロセスチューブ２０３の側壁面を囲うように、加熱機構としてのヒータ２０６が設けられている。ヒータ２０６は円筒形状であり、保持板としてのヒータベース２５１に支持されることにより垂直に据え付けられている。
【００３３】
プロセスチューブ２０３内には、温度検出器としての温度センサ２６３が設置されている。ヒータ２０６と温度センサ２６３とには、温度制御部２３７が電気的に接続されている。温度制御部２３７は、温度センサ２６３により検出された温度情報に基づいて、処理室２０１内の温度が所望のタイミングにて所望の温度分布となるように、ヒータ２０６への通電具合を調整するよう構成されている。
【００３４】
アウターチューブ２０５の下方には、アウターチューブ２０５と同心円状になるように、マニホールド２０９が設けられている。マニホールド２０９は、例えばステンレス等からなり、上端及び下端が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド２０９は、インナーチューブ２０４の下端部とアウターチューブ２０５の下端部とにそれぞれ係合しており、これらを支持するように設けられている。なお、マニホールド２０９とアウターチューブ２０５との間には、シール部材としてのＯリング２２０ａが設けられている。マニホールド２０９がヒータベース２５１に支持されることにより、プロセスチューブ２０３は垂直に据え付けられた状態となっている。プロセスチューブ２０３とマニホールド２０９とにより反応容器が形成される。
【００３５】
マニホールド２０９の下方には、マニホールド２０９の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が設けられている。シールキャップ２１９は、マニホールド２０９の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２１９は、例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。シールキャップ２１９の上面には、マニホールド２０９の下端と当接するシール部材としてのＯリング２２０ｂが設けられている。シールキャップ２１９は、プロセスチューブ２０３の外部に垂直に設備された基板保持具昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって、垂直方向に昇降されるように構成されている。シールキャップ２１９を昇降させることにより、ボート２１７を処理室２０１内外へ搬送することが可能なように構成されている。
【００３６】
シールキャップ２１９の中心部付近であって処理室２０１と反対側には、ボート２１７を回転させる回転機構２５４が設置されている。回転機構２５４の回転軸２５５は、シールキャップ２１９を貫通してボート２１７を下方から支持している。回転機構２５４は、ボート２１７を回転させることでウエハ２００を回転させることが可能なように構成されている。
【００３７】
ボートエレベータ１１５及び回転機構２５４には、搬送制御部２３８が電気的に接続されている。搬送制御部２３８は、回転機構２５４及びボートエレベータ１１５が所望のタイミングにて所望の動作をするように、これらを制御するよう構成されている。なお、搬送制御部２３８は、上述のポッドエレベータ１１８ａ、ポッド搬送機構１１８ｂ、ポッドオープナ１２１、ウエハ移載装置１２５ａ、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ等にも電気的に接続され、これら各部が所望のタイミングにて所望の動作をするように、これらを制御するよう構成されている。主に、ボートエレベータ１１５、回転機構２５４、ポッドエレベータ１１８ａ、ポッド搬送機構１１８ｂ、ポッドオープナ１２１、ウエハ移載装置１２５ａ、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂにより、本実施形態に係る搬送系が構成される。
【００３８】
基板保持具としてのボート２１７は、複数枚のウエハ２００を水平姿勢でかつ互いに中心を揃えた状態で整列させて多段に保持するように構成されている。ボート２１７は、例えば石英や炭化シリコン等の耐熱性材料からなる。ボート２１７の下部には、例えば石英や炭化シリコン等の耐熱性材料からなる円板形状をした断熱部材としての断熱板２１６が水平姿勢で多段に複数枚配置されており、ヒータ２０６からの熱がマニホールド２０９側に伝わり難くなるように構成されている。
【００３９】
シールキャップ２１９には、ガス導入部としてのノズル２３０が処理室２０１内に連通するように接続されている。ノズル２３０の上流端には、ガス供給管２３２の下流端が接続されている。ガス供給管２３２には、上流側から順に図示しない処理ガスや不活性ガス等の１つ又は複数のガス供給源、ガス流量制御器としてのＭＦＣ（マスフローコントローラ）２４１、図示しない複数のバルブが接続されている。ＭＦＣ２４１には、ガス流量制御部２３５が電気的に接続されている。ガス流量制御部２３５は、処理室２０１内に供給
するガスの流量が所望のタイミングにて所望の流量となるように、ＭＦＣ２４１を制御するよう構成されている。主に、ノズル２３０、ガス供給管２３２、図示しない複数個のバルブ、ＭＦＣ２４１、ガス供給源により、本実施形態に係るガス供給系が構成される。
【００４０】
マニホールド２０９には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１の上流端が接続されている。排気管２３１は、インナーチューブ２０４とアウターチューブ２０５との隙間によって形成される筒状空間２５０の下端部に配置されており、筒状空間２５０に連通している。排気管２３１の下流側には、圧力検出器としての圧力センサ２４５、圧力調整装置としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）２４２、真空排気装置としての真空ポンプ２４６が上流側から順に接続されている。ＡＰＣ２４２は弁を開閉して処理室２０１内の真空排気・真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能な開閉弁である。ＡＰＣ２４２及び圧力センサ２４５には、圧力制御部２３６が電気的に接続されている。圧力制御部２３６は、圧力センサ２４５により検出された圧力値に基づいて、処理室２０１内の圧力が所望のタイミングにて所望の圧力となるように、ＡＰＣ２４２を制御するよう構成されている。主に、排気管２３１、圧力センサ２４５、ＡＰＣ２４２、真空ポンプ２４６により、本実施形態に係るガス排気系が構成される。
【００４１】
ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、温度制御部２３７、搬送制御部２３８は、基板処理装置１００全体を制御する表示装置制御部２３９に電気的に接続されている（以下、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、温度制御部２３７をＩ／Ｏ制御部とも呼ぶ）。これら、ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、温度制御部２３７、搬送制御部２３８及び表示装置制御部２３９は、基板処理装置用コントローラ２４０の構成の一部を成す。基板処理装置用コントローラ２４０の構成や動作については、後述する。
【００４２】
（４）処理炉の動作
続いて、半導体装置の製造工程の一工程として実施される、上記構成に係る処理炉２０２を用いた基板処理工程について説明する。係る基板処理工程は、ウエハ２００に所定の処理を施すプロセスレシピに基づいて繰り返し実行される。また、プロセスレシピには複数のステップが含まれることがある。本実施形態においては、複数のステップを含むプロセスレシピに基づく基板処理工程の一例として、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ
Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によりウエハ２００上に薄膜を形成する成膜処理工程について説明する。なお、以下の説明において、基板処理装置１００を構成する各部の動作は基板処理装置用コントローラ２４０により制御される。
【００４３】
（基板搬入ステップ）
まずは、基板搬入ステップを行う。すなわち、複数枚のウエハ２００をボート２１７に装填（ウエハチャージ）し、複数枚のウエハ２００を保持したボート２１７を、ボートエレベータ１１５によって持ち上げて処理室２０１内に搬入（ボートローディング）する。この状態で、シールキャップ２１９はＯリング２２０ｂを介してマニホールド２０９の下端をシールした状態となる。
【００４４】
（成膜プロセス（プロセスレシピ実行期間）Ｓ２１〜Ｓ２５）
続いて、図３及び図４のＳ２１〜Ｓ２５までの各ステップを行い、ウエハ２００に成膜処理を施す。Ｓ２１〜Ｓ２５までの各ステップは、本実施形態におけるプロセスレシピである。なお、プロセスレシピが、上記の基板搬入ステップや、後述の基板搬出ステップを含む場合もある。
【００４５】
（減圧ステップＳ２１）
まず、処理室２０１内が所望の圧力（真空度）となるように、真空ポンプ２４６によっ
て処理室２０１内を真空排気する。この際、圧力センサ２４５が測定した圧力値に基づき、ＡＰＣ２４２の弁開度がフィードバック制御される。
【００４６】
（昇温ステップＳ２２）
次に、処理室２０１内が所望の温度となるように、ヒータ２０６によって処理室２０１内を加熱する。この際、温度センサ２６３が検出した温度値に基づき、ヒータ２０６への通電量がフィードバック制御される。続いて、回転機構２５４により、ボート２１７及びウエハ２００を回転させる。
【００４７】
（成膜ステップＳ２３）
処理室２０１内の温度が安定したら、ガス供給管２３２が備える図示しないバルブを開き、ＭＦＣ２４１により流量制御しながら、ガス供給源から処理室２０１内に処理ガスを供給する。処理ガスは処理室２０１内を上昇し、インナーチューブ２０４の上端開口から筒状空間２５０内に流出して排気管２３１から排気される。処理ガスは、処理室２０１内を通過する際にウエハ２００の表面と接触し、熱ＣＶＤ反応によってウエハ２００の表面上に薄膜が堆積（デポジション）される。予め設定された処理時間が経過したら、処理室２０１内への処理ガスの供給を停止する。
【００４８】
（降温ステップＳ２４）
処理ガスの供給を停止したら、ヒータ２０６への電力供給を停止し、ボート２１７およびウエハ２００を所定の温度にまで降下させる。
【００４９】
（常圧復帰ステップＳ２５）
ガス供給源から不活性ガスを供給し、処理室２０１内を不活性ガスで置換するとともに、処理室２０１内の圧力を常圧に復帰させる。以上により、プロセスレシピに基づく成膜プロセスが終了する。
【００５０】
（基板搬出ステップ）
その後、基板搬出ステップを行う。すなわち、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９を下降してマニホールド２０９の下端を開口するとともに、処理済のウエハ２００を保持するボート２１７をマニホールド２０９の下端からプロセスチューブ２０３の外部へと搬出（ボートアンローディング）する。処理済のウエハ２００をボート２１７より取り出し、ポッド１１０内へ格納する（ウエハディスチャージ）。以上により、プロセスレシピに基づく成膜処理工程が終了する。
【００５１】
（５）基板処理装置用コントローラの構成
続いて、本実施形態に係る基板処理装置用コントローラ２４０の構成について、図１を用いて説明する。図１は、本実施形態に係る基板処理装置１００と群管理装置５００とで構成される基板処理システムのブロック構成図である。
【００５２】
基板処理装置用コントローラ２４０は、主制御部としての表示装置制御部（操作部）２３９を備えている。表示装置制御部２３９には、ディスプレイ等のデータ表示部２４０ａとキーボード等の入力部２４０ｂとがそれぞれ接続されている。表示装置制御部２３９は、操作員による入力部２４０ｂからの入力（操作コマンドの入力等）を受け付けると共に、基板処理装置１００の状態表示画面や操作入力受付画面等をデータ表示部２４０ａに表示するように構成されている。
【００５３】
基板処理装置用コントローラ２４０は、表示装置制御部２３９にデータ交換可能なように接続された処理制御部２３９ａと、処理制御部２３９ａにデータ交換可能なように接続された、処理炉２０２を制御する上述のＩ／Ｏ制御部（ガス流量制御部２３５、圧力制御
部２３６、温度制御部２３７）と、を備えている。処理制御部２３９ａは、Ｉ／Ｏ制御部を介して処理炉２０２の動作を制御するとともに、処理炉２０２の状態（温度、ガス流量、圧力等）を示すモニタデータを収集する（読み出す）ように構成されている。
【００５４】
また、基板処理装置用コントローラ２４０は、表示装置制御部２３９にデータ交換可能なように接続された搬送制御部２３８と、搬送制御部２３８にデータ交換可能なように接続されたメカ機構Ｉ／Ｏ２３８ａと、を備えている。メカ機構Ｉ／Ｏ２３８ａには、基板処理装置１００を構成する各部（例えばボートエレベータ１１５、回転機構２５４、ポッドエレベータ１１８ａ、ポッド搬送機構１１８ｂ、ポッドオープナ１２１、ウエハ移載装置１２５ａ、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ等）が接続されている。搬送制御部２３８は、メカ機構Ｉ／Ｏ２３８ａを介して基板処理装置１００を構成する各部の動作を制御するとともに、基板処理装置１００を構成する各部の状態（例えば位置、開閉状態、動作中であるかウエイト状態であるか等）を示すモニタデータを収集する（読み出す）ように構成されている。
【００５５】
また、基板処理装置用コントローラ２４０は、表示装置制御部２３９に接続されたデータ保持部２３９ｅを備えている。データ保持部２３９ｅには、基板処理装置用コントローラ２４０に種々の機能を実現するプログラムや、処理炉２０２にて実施される基板処理工程の設定データ（レシピデータ）や、Ｉ／Ｏ制御部（ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、温度制御部２３７）や搬送制御部２３８から読み出した各種データ等が保持（格納）されるように構成されている。
【００５６】
また、基板処理装置用コントローラ２４０は、表示装置制御部２３９に接続された通信制御部２３９ｂを備えている。通信制御部２３９ｂは、Ｉ／Ｏ制御部（ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、温度制御部２３７）を介して読み出した処理炉２０２の状態（温度、ガス流量、圧力等）を示すモニタデータを、処理制御部２３９ａ及び表示装置制御部２３９を介して受信し、群管理装置５００へ送信することが可能なように構成されている。また、通信制御部２３９ｂは、メカ機構Ｉ／Ｏ２３８ａを介して読み出した基板処理装置１００を構成する各部の状態（位置、開閉状態、動作中であるかウエイト状態であるか等）を示すモニタデータを、搬送制御部２３８及び表示装置制御部２３９を介して受信し、群管理装置５００へ送信することが可能なように構成されている。
【００５７】
（６）群管理装置の構成
続いて、上述の基板処理装置１００とデータ交換可能なように構成された本実施形態に係る群管理装置５００の構成について、主に図１を参照しながら説明する。
【００５８】
図１に示すように、群管理装置５００は、中央処理装置（ＣＰＵ）として構成された制御部５０１と、内部に共有メモリ５０２領域を有するメモリ（図示せず）と、ＨＤＤなどの記憶装置として構成された記憶部５０３と、ディスプレイ装置等の表示部としてのデータ表示部５０５と、キーボード等の入力部５０６と、通信部としての通信制御部５０４と、を有するコンピュータとして構成されている。上述のメモリ、記憶部５０３、データ表示部５０５、入力部５０６、通信制御部５０４は、内部バス等を介して制御部５０１とデータ交換可能なように構成されている。また、制御部５０１は、図示しない時計機能を有している。
【００５９】
本実施形態に係る群管理装置５００は、通信制御部５０４が基板処理装置１００から受信した膨大な量のモニタデータの取り扱いを容易にするため、最大値、最小値、平均値等に代表値化したうえで、データの加工や参照を行うように構成されている。すなわち、所定のデータ抽出条件５０３ｐに従ってモニタデータを読み出し、読み出したモニタデータを基に代表値データを生成するように構成されている。生成された代表値データは所定の
グラフに加工され、データ表示部５０５に表示されるように構成されている。
【００６０】
特に、本実施形態に係る群管理装置５００では、実際の装置状態や処理状態等に因らない代表値データの差異を低減し、同一レシピ間での基板やバッチの状態比較をより容易に行うことができる。
【００６１】
（通信制御部）
通信部としての通信制御部５０４は、ネットワーク４００を介して基板処理装置用コントローラ２４０の通信制御部２３９ｂに接続されていると共に、Ｉ／Ｏ制御部（ガス流量制御部２３５、圧力制御部２３６、温度制御部２３７）及びメカ機構Ｉ／Ｏ２３８ａに接続されている。通信制御部５０４は、基板処理装置１００からモニタデータを受信し、共有メモリ５０２に渡すように構成されている。
【００６２】
通信制御部５０４は、モニタデータの受信のタイミングとして、所定の間隔（例えば０．１秒間隔）で定期的に受信したり、各イベントの発生時、例えばレシピやステップが終了したタイミングで受信したり、或いはモニタデータの発生時にその都度受信したりするように構成されている。
【００６３】
また、通信制御部５０４は、後述するように、記憶部５０３に読み出し可能に格納されるデータ抽出条件５０３ｐにより定義される所定のイベントを基板処理装置１００から受信すると、後述する代表値データ生成部５１１に対して「イベント検出通知」を送信するように構成されている。なお、通信制御部５０４と代表値データ生成部５１１との通信は、例えば共有メモリ５０２を介して行われる。すなわち、通信制御部５０４が共有メモリ５０２に書き込んだ「イベント検出通知」を、代表値データ生成部５１１が所定のタイミングで読み出すことで通信が行われる。
【００６４】
共有メモリ５０２に渡されるモニタデータには、モニタデータを特定するデータＩＤと、モニタデータの発生源である基板処理装置１００を特定する装置特定情報（装置名称など）と、モニタデータの発生時に基板処理装置１００が実行していたレシピを特定するレシピ特定情報と、モニタデータの収集時に基板処理装置１００内で発生したイベントを特定するイベント特定情報と、モニタデータの発生時刻を示す時刻情報（時刻データ）と、が付加されるように構成されている。
【００６５】
（記憶部）
記憶部５０３には、代表値データ生成プログラム、代表値データ加工プログラム及びデータベースプログラムがそれぞれ格納されている。代表値データ生成プログラムは、記憶部５０３から上述のメモリ（図示せず）に読み出されて制御部５０１に実行されることにより、後述する代表値データ生成部５１１を群管理装置５００に実現するように構成されている。代表値データ加工プログラムは、記憶部５０３から上述のメモリ（図示せず）に読み出されて制御部５０１に実行されることにより、後述する代表値データ加工部５１２を群管理装置５００に実現するように構成されている。データベースプログラムは、記憶部５０３から上述のメモリ（図示せず）に読み出されて制御部５０１に実行されることにより、後述するデータベース５０３ｄを記憶部５０３内に実現するように構成されている。また、記憶部５０３には、後述するデータ抽出条件５０３ｐが、読み出し可能に格納されている。
【００６６】
格納部としてのデータベース５０３ｄは、通信制御部５０４が受信して共有メモリ５０２に格納したモニタデータを、上述のデータＩＤ、装置特定情報、レシピ特定情報、イベント特定情報、時刻データにそれぞれ関連づけて、読み出し可能に格納するように構成されている。また、データベース５０３ｄは、後述する代表値データ生成部５１１が生成し
た代表値データを、読み出し可能に格納するように構成されている。
【００６７】
データ抽出条件５０３ｐは、代表値データの基となるモニタデータを抽出する区間についての条件を規定する。モニタデータを抽出する区間としては、例えば基板処理装置１００内での所定のイベントの発生に関連づけられた区間がある。ここで、イベントとは、基板処理装置１００内において発生する事象や基板処理装置１００の各部の動作等をいい、例えばレシピやステップの実行開始や実行終了等のほか、バルブの開閉動作やセンサのオン・オフ、エラーの発生、操作員による各種操作等、レシピの実行によって時系列順に発生するイベントや、必ずしもレシピの実行によらないイベントも含まれる。
【００６８】
モニタデータの抽出区間を所定のイベント発生に関連づけた抽出条件の例を挙げると、例えば所定のイベント間の期間に発生したモニタデータを抽出する条件が考えられる。所定のイベント間の期間としては、例えば所定のレシピやステップの実行開始から実行終了までの期間、ウエハ２００の搬入開始から搬出終了までの期間、すなわち、上述の基板搬入ステップにおけるボート２１７へのウエハ２００の装填開始から基板搬出ステップにおけるボート２１７からのウエハ２００の脱装終了までの期間等がある。この他にも、所定のイベント発生から一定期間内を抽出したり（例えば、バルブの開放から１０秒間を抽出）、所定のイベント発生から定期的に反復して抽出したり（例えば、ヒータ２０６の通電開始から１０分おきに抽出）、所定のイベント発生から所定数のモニタデータが得られるまでの区間、或いはモニタデータが所定値になるまでの区間で抽出したりするように抽出条件を設定することができる。また、上記に挙げた区間の設定を複数組み合わせてもよい。
【００６９】
データ抽出条件５０３ｐとしては、例えばＳＥＭＩ規格に準拠したデータ収集プラン（ＤＣＰ：Ｄａｔａ  Ｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎ  Ｐｌａｎ）等を用いることができる。これによって、モニタデータの収集・抽出の一括設定・一元管理が容易となり、所定のイベント発生に関連付けたモニタデータの抽出の設定が、いっそう容易となる。
【００７０】
なお、データ抽出条件５０３ｐは、代表値データ生成プログラムが起動するときに代表値データ生成プログラムが管理するメモリ領域中に読み出され、代表値データ生成部５１１によって随時参照可能なように構成されている。
【００７１】
（代表値データ生成部）
代表値データ生成部５１１は、通信制御部５０４から「イベント検出通知」を受信したら、モニタデータの抽出条件が予め定義されたデータ抽出条件５０３ｐを参照しつつ、データベース５０３ｄに格納されたモニタデータのうち、データ抽出条件５０３ｐに適合するモニタデータをデータベース５０３ｄから読み出し、読み出したモニタデータを基に代表値データを生成し、後述の時刻データと併せて、記憶部５０３に実現されたデータベース５０３ａに読み出し可能に格納するように構成されている。代表値データには、例えば、代表値の名称を示す“代表値名称”情報、平均・最大・最小などの代表値の計算条件を示す“代表値計算条件”情報、代表値が抽出された区間を示す“代表値抽出区間”情報、代表値抽出区間の開始日時と終了日時を示す“代表値抽出日時”情報、代表値そのものを示す“代表値”情報、代表値を生成した日時を示す“代表値生成日時”情報、代表値計算に要した時間を示す“代表値計算時間”情報、代表値計算時に使用したデータ点数を示す“データ点数”情報等がそれぞれ含まれる。
【００７２】
図２に、代表値データ生成部５１１による代表値データの具体的な生成方法について示す。図２の（ａ）は温度のモニタデータを例示する時系列グラフであり、（ｂ）は代表値データを例示するテーブルである。図２（ａ）の時系列グラフは、より具体的には、上述のＳ２１〜Ｓ２５までのステップを含むプロセスレシピに基づく成膜処理工程を実施して
得られる温度のモニタデータの例であり、説明の便宜上、係るモニタデータをグラフ化して示している。図２（ａ）の横軸は時刻であり、縦軸は処理室２０１内の温度（℃）である。代表値データ生成部５１１は、データ抽出条件５０３ｐで定義されるモニタデータの抽出条件に従って、例えばＳ２１〜Ｓ２５までの各ステップの実行開始から実行終了までの期間ごとに、モニタデータをデータベース５０３ｄから読み出すように構成されている。また、代表値データ生成部５１１は、各ステップの実行期間ごとに読み出されたそれぞれのモニタデータについて、始値、終値、最大値、最小値、平均値等を検索又は計算して代表値データを生成するように構成されている。生成された代表値データには、基になったモニタデータの発生時刻を示す時刻データが付加され、例えば図２（ｂ）に例示するような代表値データ・テーブルが作成されて、データベース５０３ｄに読み出し可能に格納されるように構成されている。
【００７３】
このように、データ抽出条件５０３ｐを参照しながら、所定のイベントの発生に関連付けてモニタデータを抽出するので、例えば同一のレシピに基づくモニタデータであれば、毎回、略同じ区間内から抽出されることとなる。したがって、処理結果が同等であれば抽出されるモニタデータも略同等となり、そこから生成される代表値データも略同等となる。すなわち、抽出区間の違い等に起因するような実際の装置状態や処理状態等に因らない差異が代表値データに生じ難くなる。
【００７４】
また、代表値データに始値、終値、最大値、最小値、平均値等が含まれるように構成したので、代表値データからより多くの情報を得ることができ、ウエハ２００やバッチの処理状態、装置状態等の比較がいっそう容易となる。
【００７５】
代表値データ生成部５１１は、データベース５０３ｄへの代表値データ及び時刻データの格納が完了したら、代表値データ加工部５１２に対して「代表値データ生成通知」を送信するように構成されている。なお、代表値データ生成部５１１と代表値データ加工部５１２との通信は、例えば共有メモリ５０２を介して行われる。すなわち、代表値データ生成部５１１が共有メモリ５０２に書き込んだ「代表値データ生成通知」を、代表値データ加工部５１２が所定のタイミングで読み出すことで行われる。
【００７６】
（代表値データ加工部）
代表値データ加工部５１２は、「代表値データ生成通知」により通知された代表値データ及び代表値データに付加されている時刻データを、データベース５０３ｄから読み出し、これらを表示可能に加工してデータ表示部５０５に表示させるように構成されている。具体的には、代表値データが含む始値、終値、最大値及び最小値をそれぞれ時刻データに関連付けて視覚的に表したローソク足チャートやバーチャートに加工し、データ表示部５０５に表示させるように構成されている。
【００７７】
図３に、代表値データ加工部５１２により代表値データを加工して得られるローソク足チャートの具体例を示す。図３は、図２（ｂ）に例示する代表値データから加工されたローソク足チャートである。図３の横軸は時刻であり、縦軸は処理室２０１内の温度（℃）である。各ローソク足のローソク部分（実体）が有する底辺又は上辺は、基になったモニタデータの始値又は終値を示している。ローソク部分が白抜きの場合は、底辺が始値を示し、上辺が終値を示しており、温度が上昇したことを示す。黒塗りの場合は、底辺が終値、上辺が始値であり、温度が降下したことを示す。ローソク部分の紙面に向かって左右の辺の位置は、モニタデータの始値と終値とが発生した時刻をそれぞれ示しており、ローソク部分の幅は、モニタデータが抽出された期間の長さ（ここでは、各ステップの実行期間の長さ）に対応している。また、それぞれの期間内における最大値はローソク部分の上辺から突き出た上ヒゲで表わされ、上ヒゲの位置は最大値が発生した時刻に対応している。最小値は、発生時刻の位置に下ヒゲで示される。
【００７８】
また、上記のローソク足チャートに替えて、図４（ｂ）に示すように、最大値と最小値とを線分で結び、線分の左右に始値と終値を示すバーをそれぞれ有するバーチャートとすることもできる。本実施形態に係るバーチャートにおいては、始値及び終値のバーのそれぞれの端部の位置及び全体の幅を、モニタデータが抽出された時刻の位置及び期間の長さにそれぞれ対応させる。また、図４（ｃ）及び（ｄ）に示すように、最大値及び最小値の表示位置をそれぞれが発生した時刻の位置に対応させ、その間を屈曲した線分で結んだバーチャートとしてもよい。あるいは、図４（ｅ）に示すように、最大値・最小値間を矩形で繋いでもよい。
【００７９】
このように、上記に述べる本実施形態のように、始値、終値、最大値、最小値、時刻データ等を盛り込んだローソク足チャートやバーチャートを表示させることで、より多くの情報を視覚的に捉え易くなって、より容易にウエハ２００やバッチの処理状態、装置状態を把握することができる。
【００８０】
なお、代表値データ加工部５１２は、代表値データの加工・表示のタイミングとして、代表値データ生成部５１１から「代表値データ生成通知」を受信したタイミングや、入力部５０６から操作員による「代表値データ表示要求」を受け付けたタイミング等で代表値データの加工・表示を行うように構成されていてもよい。さらに、「代表値データ生成通知」により通知された最新の代表値データを読み出す際に、同一のレシピやステップにおける過去の他の代表値データを読み出すように構成されていてもよい。読み出した過去の代表値データのそれぞれを上記と同様に加工してチャートを作成し、直近の代表値データに基づくチャートと併せてデータ表示部５０５に複数並べて、或いは重ねて表示させることで、同一のレシピ間やステップ間でのウエハ２００比較、バッチ比較が、いっそう容易となる。
【００８１】
また、代表値データ加工部５１２は、作成したチャートを代表値データに付加してデータベース５０３ｄに格納するように構成されていてもよい。このように構成することで、過去の代表値データについて繰り返し加工を行う必要がなくなり、データの再読み出し・再表示の効率を高めることができる。
【００８２】
図５に、ローソク足チャートをデータ表示部５０５に複数並べて表示させた場合について例示する。図５の横軸は時刻であり、数日間に亘る期間の特定の時刻が示されている。図５の縦軸は、処理室２０１内の温度（℃）である。複数のローソク足チャートは、同一のレシピ、具体的には上述のＳ２１〜Ｓ２５を含むプロセスレシピにおける数日間の複数の代表値データからそれぞれ加工されたものであり、通常であれば略同等のチャートとなる。図５の例では、一部のチャートに他のチャートとは異なる点が認められ、基板処理装置１００やウエハ２００の処理状態に何らかの異常が生じた可能性を示唆している。例えば、符号Ｍ１が指し示す領域では、昇温ステップＳ２２における温度の最大値に増大がみられ、温度が一旦超過したのち所定値に落ち着くオーバーシュートの度合いが大きかったことが疑われる。また、符号Ｍ２の領域ではレシピの実行間隔に空きが生じている。符号Ｍ３の領域では低い温度からレシピがスタートしており、装置待機時の温度低下があったことが読み取れる。符号Ｍ４の領域では、昇温ステップＳ２２に長時間を要している。
【００８３】
以上のように、ローソク足チャート等を複数並べて、或いは重ねて表示させることで、同一のレシピやステップ間におけるウエハ２００やバッチの状態比較がいっそう容易となり、日単位や月単位、或いは年単位に亘る長期間のデータ推移をいっそう把握し易くなる。
【００８４】
（７）群管理装置の動作
続いて、本実施形態に係る群管理装置５００の動作について図６を参照しながら説明する。図６は、本実施形態に係る群管理装置５００の内部動作を例示する模式図である。係る動作は、半導体装置の製造工程の一工程として行われる。
【００８５】
代表値データ生成プログラム、代表値データ加工プログラム、データベースプログラムが、記憶部５０３から上述のメモリ（図示せず）に読み出されて制御部５０１に実行されることにより、代表値データ生成部５１１、代表値データ加工部５１２、データベース５０３ｄが起動する。また、データ抽出条件５０３ｐに定義されているモニタデータの抽出条件が、代表値データ生成プログラムが管理するメモリ領域中に読み出される。
【００８６】
群管理装置５００の通信制御部５０４が、モニタデータを基板処理装置１００から受信し、共有メモリ５０２に格納する。次に、記憶部５０３に実現されたデータベース５０３ｄが、共有メモリ５０２に格納されたモニタデータを読み出し可能に格納する。また、通信制御部５０４は、データ抽出条件５０３ｐにより定義される所定のイベント、例えば所定のレシピやステップの実行終了等を基板処理装置１００から受信すると、代表値データ生成部５１１に対して「イベント検出通知」を送信する。
【００８７】
代表値データ生成部５１１は、通信制御部５０４から「イベント検出通知」を受信すると、予め記憶部５０３から読み出しておいたデータ抽出条件５０３ｐを参照しつつ、格納されたモニタデータのうち、データ抽出条件５０３ｐに適合するモニタデータをデータベース５０３ｄから読み出す。さらに、代表値データ生成部５１１は、読み出したモニタデータを基に代表値データを生成し、生成した代表値データと、これに関連する時刻データとを併せて、記憶部５０３に実現されたデータベース５０３ｄに読み出し可能に格納する。データベース５０３ｄへの格納が済むと、代表値データ生成部５１１は、代表値データ加工部５１２に対して「代表値データ生成通知」を送信する。
【００８８】
代表値データ加工部５１２は、代表値データ生成部５１１が格納した代表値データ及び時刻データをデータベース５０３ｄから読み出し、これらを表示可能に加工する。すなわち、代表値データを始値、終値、最大値、最小値、時刻データ等が表されたローソク足チャートやバーチャートに加工し、加工したチャートを群管理装置５００のデータ表示部５０５に表示させる。
【００８９】
（８）本実施形態に係る効果
本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果を奏する。
【００９０】
（ａ）本実施形態によれば、代表値データ生成部５１１は、データ抽出条件５０３ｐに適合するモニタデータをデータベース５０３ｄから読み出して代表値データを生成するように構成されている。データ抽出条件５０３ｐには、所定のイベントの発生に関連づけられた区間内のモニタデータを抽出するよう、予め抽出条件が定義されている。これによって、例えば同一のレシピに基づく同等の結果であれば、毎回、略同一の区間内から略同等のモニタデータが抽出されることとなる。よって、生成される代表値データについても、抽出区間の違い等に起因するような実際の装置状態や処理状態等に因らない差異を低減することができる。従って、同一のレシピ間や同一のステップ間でのウエハ２００やバッチの状態比較がより容易となり、監視作業の負担軽減や効率化が可能となる。また、装置異常の兆候となり得る微細な装置状態変化に気付き易くなるため、装置トラブルや基板処理不良を未然に回避することが容易となる。
【００９１】
（ｂ）また、本実施形態によれば、所定のレシピやステップの実行期間ごとに、モニタデータを抽出するように構成されている。これによって、装置異常時には、異常値を示す代表値データが、どのレシピ、或いはステップから生成されたかを特定することができ、異
常が発生したレシピやステップを容易に特定することができる。したがって、より効率的により素早く装置異常に対応でき、装置の故障時間を低減することができる。
【００９２】
（ｃ）また、本実施形態によれば、代表値データ生成部５１１は、始値、終値、最大値、最小値等を含む代表値データを生成するように構成されている。これによって、より多くの情報を代表値データから得ることができ、ウエハ２００やバッチの処理状態、装置状態等の把握がいっそう容易となる。
【００９３】
（ｄ）また、本実施形態によれば、代表値データ加工部５１２は、代表値データをローソク足チャートやバーチャートに加工してデータ表示部５０５に表示させるように構成されている。これによって、より多くのデータを視覚的に捉え易くなり、ウエハ２００やバッチの処理状態、装置状態の把握がいっそう容易となる。
【００９４】
（ｅ）また、本実施形態によれば、上記のチャートの始値及び終値の端部、最大値、最小値の表示位置が時刻データを表す構成となっている。これによって、所定期間内のデータ推移を把握することが可能となる。
【００９５】
（ｆ）また、本実施形態によれば、データ表示部５０５は、ローソク足チャートやバーチャートを複数並べて、或いは重ねて表示可能なように構成されている。これによって、同一のレシピ間や同一のステップ間でのウエハ２００やバッチの状態比較がいっそう容易となり、長期間のデータ推移を把握し易くなる。
【００９６】
＜本発明の第２実施形態＞
続いて、本発明の第２実施形態について説明する。
【００９７】
本実施形態に係る基板処理装置は、図１に示す上述の実施形態に係る基板処理装置用コントローラ２４０と同様の構成を備える基板処理装置用コントローラを有している。本実施形態に係る基板処理装置用コントローラは、第１実施形態に係る代表値データ生成部５１１、代表値データ加工部５１２、データベース５０３ｄの機能を有するように構成されている。また、本実施形態に係る基板処理装置用コントローラは、第１実施形態におけるデータ抽出条件５０３ｐに相当する条件を保有し、これらを参照しながらモニタデータの抽出を行うように構成されている。
【００９８】
また、本実施形態に係る基板処理装置用コントローラが備えるデータ表示部は、代表値データを加工して得られる各種チャートを表示可能なように構成されている。
【００９９】
本実施形態においては、本実施形態に係る基板処理装置用コントローラによって、上述の群管理装置５００と同様の効果を奏する。
【０１００】
＜本発明の他の実施形態＞
本発明は、基板処理装置１００と群管理装置５００とが同じフロア（同じクリーンルーム内）に配置される場合に限定されない。例えば、基板処理装置１００をクリーンルーム内に配置すると共に、群管理装置５００を事務所内（クリーンルームとは異なるフロア）に配置し、レシピの進行状況や基板処理装置１００の状態を遠隔から監視するようにしてもよい。或いは、群管理装置５００が備える一部の構成、例えばデータ表示部５０５や入力部５０６のみを事務所内に配置してもよい。
【０１０１】
本発明は、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ  Ｌａｙｅｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ
Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等による酸化膜や窒化膜、金属膜等の種々の膜
を形成する成膜処理に適用できるほか、拡散処理、アニール処理、酸化処理、窒化処理、リソグラフィ処理等の他の基板処理にも適用できる。また、基板処理中のみならず、処理炉２０２内のクリーニングやコンディショニングの実施時にも適用できる。或いは、装置の所定状態の監視にも適用可能である。さらに、本発明は、薄膜形成装置の他、アニール処理装置、酸化処理装置、窒化処理装置、露光装置、塗布装置、乾燥装置、加熱装置等の他の基板処理装置にも適用できる。
【０１０２】
本発明は、本実施形態に係る基板処理装置のような半導体ウエハを処理する半導体製造装置等に限らず、ガラス基板を処理するＬＣＤ（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）製造装置等の基板処理装置にも適用できる。
【０１０３】
以上、本発明の実施の形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【０１０４】
＜本発明の好ましい態様＞
以下に本発明の望ましい態様について付記する。
【０１０５】
本発明の一態様は、
複数のイベントを発生させながらレシピを実行する基板処理装置と、前記基板処理装置に接続される群管理装置と、を含む基板処理システムであって、
前記群管理装置は、
前記レシピの進行状況又は前記基板処理装置の稼働状態を示すモニタデータを前記基板処理装置から受信する通信部と、
前記通信部が受信した前記モニタデータを読み出し可能に格納する格納部と、
所定のイベントが検出されると、前記モニタデータを抽出する区間を規定するデータ抽出条件を参照しつつ、前記格納部に格納された前記モニタデータのうち、前記データ抽出条件に適合する前記モニタデータを前記格納部から読み出し、読み出した前記モニタデータを基に代表値データを生成し、生成した前記代表値データと前記代表値データに関連する時刻データとを併せて前記格納部に格納する代表値データ生成部と、
前記格納部に格納された前記代表値データを加工して表示部に表示させる代表値データ加工部と、を有する
基板処理システムである。
【０１０６】
好ましくは、
前記代表値データは、前記モニタデータの前記区間内の始値、終値、最大値、最小値、平均値の少なくともいずれかを含む。
【０１０７】
好ましくは、
前記代表値データ加工部は、前記代表値データを、ローソク足チャート、バーチャートの少なくともいずれかに加工して前記表示部に表示させる。
【０１０８】
さらに好ましくは、
前記ローソク足チャートは、最大値及び最小値を表すヒゲを有する。
【０１０９】
好ましくは、
前記表示部は、ローソク足チャート、バーチャートの少なくともいずれかを複数表示可能なように構成されている。
【０１１０】
好ましくは、
前記モニタデータを抽出する前記区間には、所定のイベント間の期間が規定されている
。
【０１１１】
好ましくは、
前記モニタデータを抽出する前記区間には、所定のレシピの実行開始から実行終了までの期間、前記所定のレシピに含まれる所定のステップの実行開始から実行終了までの期間、前記基板の搬入開始から搬出終了までの期間、の少なくともいずれかが規定されている。
【０１１２】
本発明の他の態様は、
複数のイベントを発生させながらレシピを実行する基板処理装置に接続される群管理装置であって、
前記レシピの進行状況又は前記基板処理装置の稼働状態を示すモニタデータを前記基板処理装置から受信する通信部と、
前記通信部が受信した前記モニタデータを読み出し可能に格納する格納部と、
所定のイベントが検出されると、前記モニタデータを抽出する区間を規定するデータ抽出条件を参照しつつ、前記格納部に格納された前記モニタデータのうち、データ抽出条件に適合する前記モニタデータを前記格納部から読み出し、読み出した前記モニタデータを基に代表値データを生成し、生成した前記代表値データと前記代表値データに関連する時刻データとを併せて前記格納部に格納する代表値データ生成部と、
前記格納部に格納された前記代表値データを加工して表示部に表示させる代表値データ加工部と、を有する
群管理装置である。
【０１１３】
本発明のさらに他の態様は、
複数のイベントを発生させながらレシピを実行する基板処理装置であって、
前記レシピの進行状況又は前記基板処理装置の稼働状態を示すモニタデータを読み出し可能に格納する格納部と、
所定のイベントが検出されると、前記モニタデータを抽出する区間を規定するデータ抽出条件を参照しつつ、前記格納部に格納された前記モニタデータのうち、データ抽出条件に適合する前記モニタデータを前記格納部から読み出し、読み出した前記モニタデータを基に代表値データを生成し、生成した前記代表値データと前記代表値データに関連する時刻データとを併せて前記格納部に格納する代表値データ生成部と、
前記格納部に格納された前記代表値データを加工して表示部に表示させる代表値データ加工部と、を有する
基板処理装置である。
【符号の説明】
【０１１４】
１００    基板処理装置
５００    群管理装置
５０３ｄ  データベース（格納部）
５０３ｐ  データ抽出条件
５０４    通信制御部（通信部）
５０５    データ表示部（表示部）
５１１    代表値データ生成部
５１２    代表値データ加工部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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