(57)【要約】【課題】残渣物を低減して銅配線間の絶縁性を良好に保つことで耐ＥＣＭ性を向上させ、容易に電気的信頼性を高める。【解決手段】電気的絶縁性フィルム１０の少なくとも片面に銅層２２が形成された基板１ｍを準備する準備工程と、銅層２２の上に形成したレジストパターン３０ｐをマスクとして銅層２２をエッチング液により除去して銅配線２２ｐを形成する銅配線形成工程と、レジストパターン３０ｐを剥離液により剥離する剥離工程と、過マンガン酸液にて基板１ｍの表面を処理して基板１ｍの表面に残った銅層２２の残渣物２０ｒを除去する表面処理工程と、過マンガン酸液にて処理した基板１ｍを還元液により処理する還元処理工程と、を有し、銅配線形成工程の開始から還元処理工程の終了までは、基板１ｍの表面を濡れた状態に保つ。【選択図】図１
2012230996.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気的絶縁性フィルムの少なくとも片面に銅層が形成された基板を準備する準備工程と、
前記銅層の上をフォトレジストで被覆する被覆工程と、
前記フォトレジストを露光し現像してレジストパターンを形成する露光・現像工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記銅層をエッチング液により除去して銅配線を形成する銅配線形成工程と、
前記レジストパターンを剥離液により剥離する剥離工程と、
過マンガン酸液にて前記基板の表面を処理して前記基板の表面に残った前記銅層の残渣物を除去する表面処理工程と、
前記過マンガン酸液にて処理した前記基板を還元液により処理する還元処理工程と、を有し、
前記銅配線形成工程の開始から前記還元処理工程の終了までは、
前記基板の表面を濡れた状態に保つ
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項２】
電気的絶縁性フィルムの少なくとも片面にニッケル又はクロムを少なくとも含むシード層を介して銅層が形成された基板を準備する準備工程と、
前記銅層の上をフォトレジストで被覆する被覆工程と、
前記フォトレジストを露光し現像してレジストパターンを形成する露光・現像工程と、
前記レジストパターンをマスクとして前記銅層を第１エッチング液により除去して前記シード層の一部を露出させるとともに銅配線を形成する銅配線形成工程と、
露出した前記シード層を第２エッチング液により除去するシード層除去工程と、
前記レジストパターンを剥離液により剥離する剥離工程と、
過マンガン酸液にて前記基板の表面を処理して前記基板の表面に残った前記シード層の残渣物を除去する表面処理工程と、
前記過マンガン酸液にて処理した前記基板を還元液により処理する還元処理工程と、を有し、
前記銅配線形成工程の開始から前記還元処理工程の終了までは、
前記基板の表面を濡れた状態に保つ
ことを特徴とする半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項３】
前記銅配線形成工程の開始から前記還元処理工程の終了までは、
リール・ツー・リール方式で連続的に前記基板を処理する
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項４】
前記シード層は、ニッケル−クロム合金を含む
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項５】
前記銅配線形成工程では、
前記銅配線を、４０μｍ未満の配線ピッチに形成する
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項６】
前記表面処理工程では、
アルカリ濃度が１．０Ｎ以上２．０Ｎ以下の前記過マンガン酸液を使用する
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【請求項７】
前記剥離工程では、
水酸化カリウム又は水酸化ナトリウムのいずれかの無機アルカリを含む前記剥離液を使用する
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置用テープキャリアの製造方法に関し、特に、電気的絶縁性フィルムの少なくとも片面に銅配線が形成された半導体装置用テープキャリアの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
可撓性を有する電気的絶縁性フィルムの少なくとも片面に銅配線等を形成したテープキャリアには、例えば半導体装置等の電子部品を搭載する半導体装置用テープキャリアがある。近年では、半導体装置の小型化が進み、また、例えば液晶表示装置（ＬＣＤ：Liquid
Crystal Display）の高精細化が進んでいる。このため、例えばＬＣＤに用いられる半導体装置に接続される半導体装置用テープキャリアでは、配線数の多数化が必要不可欠である。この場合、半導体装置用テープキャリアの寸法を大型化することなく配線数を増加させるため、例えば銅配線等の狭ピッチ化が要求されてきている。
【０００３】
図３に、従来例に係る半導体装置用テープキャリア２の製造方法を示す。図３に示すように、まずは、電気的絶縁性フィルム２１０の少なくとも片面に、例えばシード層２２１を介して銅層２２２が形成された基板２ｍを準備する（図３（ａ））。次に、銅層２２２の上をフォトレジスト２３０で被覆し（図３（ｂ））、フォトレジスト２３０を露光し現像してレジストパターン２３０ｐを形成する（図３（ｃ））。続いて、レジストパターン２３０ｐをマスクとして銅層２２２を第１エッチング液により除去してシード層２２１の一部を露出させるとともに銅配線２２２ｐを形成する（図３（ｄ））。次に、露出したシード層２２１を第２エッチング液により除去し（図３（ｅ））、レジストパターン２３０ｐを剥離液により剥離する（図３（ｆ））。
【０００４】
次に、過マンガン酸液にて基板２ｍの表面を処理して基板２ｍの表面に残ったシード層２２１の残渣物２２０ｒを可能な限り除去し（図３（ｇ））、過マンガン酸液にて処理した基板２ｍを還元液により処理する（図３（ｈ））。その後、銅配線２２２ｐの表面に機能メッキ２４０を施し（図３（ｉ））、銅配線２２２ｐの一部にソルダレジスト２５０を形成する（図３（ｊ））。
【０００５】
以上により、従来例に係る半導体装置用テープキャリア２が製造される。なお、基板２ｍは、上記の工程ごとにリール・ツー・リール方式で所定の処理を施される。そして、各工程が終了するごとに乾燥され、リールに巻き取られた状態で次工程へと送られていく。
【０００６】
上記のように、シード層２２１を除去する際、シード層２２１が完全に除去されず残渣物２２０ｒとなってしまう場合があった（図３（ｅ））。そこで、従来例においては、上述の図３（ｇ）のように、例えばアルカリ濃度が０．５Ｎ（規定）程度の過マンガン酸液を用いた処理により、基板２ｍの表面に残ったシード層２２１の残渣物２２０ｒを除去していた。残渣物２２０ｒの除去をより確実なものにするため、上記に加えて洗浄や中和等の工程がさらに追加される場合もあった。例えば、特許文献１には、ポリイミド樹脂膜上の金属残渣をより確実に除去するため、金属残渣をアルカリ性過マンガン酸水溶液にて除去した後に、露出したポリイミド樹脂膜表面を、ポリイミド樹脂膜厚が半分以下となるようにエッチングする技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−２５９７７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記のように、半導体装置用テープキャリアにおいては銅配線等の狭ピッチ化が進んでおり、従来技術を様々に駆使しても、例えば図３（ｇ）以降に示すように、残渣物２２０ｒを完全に除去しきれない場合が生じてきた。この場合、例えば残渣物２２０ｒを構成する金属がイオンとして溶出し、還元されて析出することで短絡を起こす、エレクトロケミカルマイグレーション（ＥＣＭ：Electro-Chemical Migration）の発生するリスクが高まってしまう。これにより、半導体装置用テープキャリア２の電気的信頼性が低下してしまう場合があった。
【０００９】
また、残渣物２２０ｒをより確実に除去するため、例えば過マンガン酸液による基板２ｍの表面処理の時間を長くしたり、特許文献１のようにポリイミド樹脂膜等の電気的絶縁性フィルムの表面を除去したりすると、工程時間が長くなったり工程数が増えたりして製造コストの増大を招いてしまう。
【００１０】
また、半導体装置用テープキャリアの製造工程においては、例えばシード層を介さずに、銅層が直接、電気的絶縁性フィルムに形成された基板を用いる場合もある。しかし、銅のエッチングの後に銅層が残渣物となって残ることがあり、シード層を有する場合と同様に、半導体装置用テープキャリアの電気的信頼性を低下させてしまう場合があった。
【００１１】
本発明の目的は、残渣物を低減して銅配線間の絶縁性を良好に保つことで耐ＥＣＭ性を向上させ、容易に電気的信頼性を高めることができる半導体装置用テープキャリアの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の第１の態様によれば、電気的絶縁性フィルムの少なくとも片面に銅層が形成された基板を準備する準備工程と、前記銅層の上をフォトレジストで被覆する被覆工程と、前記フォトレジストを露光し現像してレジストパターンを形成する露光・現像工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記銅層をエッチング液により除去して銅配線を形成する銅配線形成工程と、前記レジストパターンを剥離液により剥離する剥離工程と、過マンガン酸液にて前記基板の表面を処理して前記基板の表面に残った前記銅層の残渣物を除去する表面処理工程と、前記過マンガン酸液にて処理した前記基板を還元液により処理する還元処理工程と、を有し、前記銅配線形成工程の開始から前記還元処理工程の終了までは、前記基板の表面を濡れた状態に保つ半導体装置用テープキャリアの製造方法が提供される。
【００１３】
本発明の第２の態様によれば、電気的絶縁性フィルムの少なくとも片面にニッケル又はクロムを少なくとも含むシード層を介して銅層が形成された基板を準備する準備工程と、前記銅層の上をフォトレジストで被覆する被覆工程と、前記フォトレジストを露光し現像してレジストパターンを形成する露光・現像工程と、前記レジストパターンをマスクとして前記銅層を第１エッチング液により除去して前記シード層の一部を露出させるとともに銅配線を形成する銅配線形成工程と、露出した前記シード層を第２エッチング液により除去するシード層除去工程と、前記レジストパターンを剥離液により剥離する剥離工程と、
過マンガン酸液にて前記基板の表面を処理して前記基板の表面に残った前記シード層の残渣物を除去する表面処理工程と、前記過マンガン酸液にて処理した前記基板を還元液により処理する還元処理工程と、を有し、前記銅配線形成工程の開始から前記還元処理工程の終了までは、前記基板の表面を濡れた状態に保つ半導体装置用テープキャリアの製造方法が提供される。
【００１４】
本発明の第３の態様によれば、前記銅配線形成工程の開始から前記還元処理工程の終了までは、リール・ツー・リール方式で連続的に前記基板を処理する第１又は第２の態様に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法が提供される。
【００１５】
本発明の第４の態様によれば、前記シード層は、ニッケル−クロム合金を含む第２の態様に記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法が提供される。
【００１６】
本発明の第５の態様によれば、前記銅配線形成工程では、前記銅配線を、４０μｍ未満の配線ピッチに形成する第１〜第４の態様のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法が提供される。
【００１７】
本発明の第６の態様によれば、前記表面処理工程では、アルカリ濃度が１．０Ｎ以上２．０Ｎ以下の前記過マンガン酸液を使用する第１〜第５の態様のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法が提供される。
【００１８】
本発明の第７の態様によれば、前記剥離工程では、水酸化カリウム又は水酸化ナトリウムのいずれかの無機アルカリを含む前記剥離液を使用する第１〜第６の態様のいずれかに記載の半導体装置用テープキャリアの製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、残渣物を低減して銅配線間の絶縁性を良好に保つことで耐ＥＣＭ性を向上させ、容易に電気的信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法の各工程を、断面図で示す工程図である。
【図２】本発明の実施例及び比較例に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法において、アルカリ濃度の異なる過マンガン酸液によって基板を処理した場合の評価結果を示す図であって、（ａ）は半導体装置用テープキャリアの恒温恒湿バイアス試験の測定結果を示す表であり、（ｂ）は半導体装置用テープキャリアの備える電気的絶縁性フィルムの表面状態を走査型電子顕微鏡にて撮影した写真である。
【図３】従来例に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法の各工程を、断面図で示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
＜発明者が得た知見＞
まず、本発明の実施形態の説明に先立ち、発明者が得た知見について説明する。
【００２２】
上述したように、半導体装置用テープキャリアにおいては銅配線等の狭ピッチ化が進み、従来技術では、配線間の残渣物が除去しきれなくなってきた。発明者等によれば、残渣物の増加が一因とみられる耐ＥＣＭ性の低下や電気的信頼性の悪化は、配線ピッチが４０μｍ未満で顕著となることが分かった。
【００２３】
さらに発明者等は、残渣物が除去しきれない原因として、銅配線等の狭ピッチ化により、銅層やシード層の除去時にエッチング液が浸透し難くなって過マンガン酸液による処理前の残渣物が増えたことに加え、過マンガン酸液による残渣物の除去を阻害する要因があることを突き止めた。
【００２４】
すなわち、銅層が由来とみられる銅（Ｃｕ）を含有する残渣物は、銅層をエッチングする際、除去されてエッチング液中に溶解した銅（Ｃｕ）が電気的絶縁性フィルムの表面等
に再付着したもの等であり、この残渣物は、エッチング後の乾燥により不活性化してしまう、つまり、以後の工程で用いる処理液等に対して除去され難い状態となってしまうことを見いだした。
【００２５】
また、シード層が由来とみられるニッケル（Ｎｉ）やクロム（Ｃｒ）を含有する残渣物は、銅層のエッチング後にシード層の一部が露出された状態で乾燥されたり、シード層のエッチング後に残渣物となった状態で更に乾燥されたりすることで、表面が大気等に曝され不活性化してしまう、つまり、残渣物の表面が大気等に曝されることで、特に、高組成比のクロムを含む部分では、クロムの不動態被膜が形成され、以後の工程で用いる処理液等に対して除去され難い状態となってしまうことを見いだした。
【００２６】
このような残渣物が、銅配線間の電気的絶縁性フィルムの表面等に存在していると、例えば半導体装置用テープキャリアが製品となった後の使用により、残渣物を構成する金属等が化学的及び熱的要因を伴う電気的な作用によりイオンとなって溶出し、銅配線間を移動した後に還元されて析出するＥＣＭが発生する。これにより、例えば銅配線間で電気的短絡を引き起こすなど、銅配線間の絶縁性が保たれず、半導体装置用テープキャリアの電気的信頼性を低下させてしまう。
【００２７】
本発明は、発明者等が見いだした上記知見に基づくものである。
【００２８】
＜本発明の一実施形態＞
以下に、本発明の一実施形態に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法について、図１を用いて説明する。図１は、本実施形態に係る半導体装置用テープキャリア１の製造方法の各工程を、断面図で示す工程図である。
【００２９】
以下に説明する半導体装置用テープキャリア１の製造方法においては、後述する各工程のうち、少なくとも銅配線形成工程の開始から還元処理工程の終了までは、リール・ツー・リール方式のインライン装置を用いて行われる。係るインライン装置は、基板１ｍの表面を乾燥させず、濡れた状態を保ったままインラインで連続的に、銅配線形成工程から還元処理工程までの各工程を実施することが可能なように構成される。ここに、基板１ｍの表面を濡れた状態に保つとは、従来のように各工程間において基板の表面が乾燥した状態の場合を排除する趣旨であり、本発明の効果を奏する限りにおいて、基板１ｍの表面が濡れていればよく、例えば、インライン装置等を用いる以下の手段のように、前工程の液が基板１ｍの表面に付着した状態としてもよいし、又は、各工程間に水洗工程を導入することにより、基板１ｍの表面に実質的に水等の液体が付着するような手段を用いてもよい。
【００３０】
（準備工程）
まず、図１（ａ）に示すように、電気的絶縁性フィルム１０の片面に、ニッケル又はクロムを少なくとも含むシード層２１を介して銅層２２が形成された基板１ｍを準備する。
【００３１】
電気的絶縁性フィルム１０は、可撓性を有する電気的絶縁性の樹脂からなり、例えば厚さが２５μｍ以上４０μｍ以下のポリイミド等からなる長尺状のフィルムとして構成されている。
【００３２】
電気的絶縁性フィルム１０の片面には、例えばスパッタリング法により、シード層２１が形成されている。シード層２１は、ニッケル又はクロムを少なくとも含み、例えば厚さが５０Å以上３００Å以下のニッケル−クロム合金の層からなる。
【００３３】
シード層２１の上には、例えばスパッタリング法により、厚さ１０００Å以上２０００Å以下の図示しない銅薄層が形成され、この銅薄層の上に、例えば縦型めっき槽あるいは
横型めっき槽を用いた電解めっき法により、厚さが８μｍ以上１５μｍ以下の銅層２２が形成されている。このように、基板１ｍは、例えば銅層２２が形成された銅張積層版（ＣＣＬ：Copper Clad Laminate）として構成されている。
【００３４】
（被覆工程）
次に、図１（ｂ）に示すように、基板１ｍが備える銅層２２の上をフォトレジスト３０で被覆する。フォトレジスト３０による被覆は、液状のフォトレジスト材を銅層２２の上に塗布したり、ドライフィルムレジストを銅層２２の上に貼り付けたりして行うことができる。
【００３５】
（露光・現像工程）
続いて、図１（ｃ）に示すように、フォトレジストを露光し現像してレジストパターン３０ｐを形成する。すなわち、後述する銅配線２２ｐのパターンを投影露光して現像し、レジストパターン３０ｐを得る。
【００３６】
（銅配線形成工程）
次に、図１（ｄ）に示すように、レジストパターン３０ｐをマスクとして銅層２２を第１エッチング液により除去して、シード層２１の一部を露出させるとともに、銅配線２２ｐを形成する。第１エッチング液としては、例えば塩化第二鉄（ＦｅＣｌ３）や塩化第二銅（ＣｕＣｌ２）等を用いることができる。
【００３７】
このとき、例えば配線幅と配線間隔とを共に２０μｍ未満として、銅配線２２ｐを例えば４０μｍ未満、より好ましくは３０μｍ以下の配線ピッチに形成する。また、例えば銅配線２２ｐの配線間等の電気的絶縁性フィルム１０の表面には、除去しきれなかった銅層２２や、溶け出した銅層２２の成分（Ｃｕ）が再付着したものが、図示しない残渣物として残る場合がある。
【００３８】
（シード層除去工程）
銅配線２２ｐが形成されたら、引き続き、図１（ｅ）に示すように、露出したシード層２１を第２エッチング液により除去する。第２エッチング液としては、例えば塩化水素（ＨＣｌ）や、硝酸（ＨＮＯ３）、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）等の酸性水溶液や、これらの酸のいくつかを含む混合水溶液等を用いることができる。
【００３９】
これにより、シード層２１はパターニングされてシード層パターン２１ｐとなり、また、例えば銅配線２２ｐの配線間等の電気的絶縁性フィルム１０の表面には、除去しきれなかったシード層２１が残渣物２０ｒとして残る。残渣物２０ｒには、銅配線形成工程で除去しきれなかった銅層２２の成分（残渣物）が含まれる場合がある。
【００４０】
但し、上述のように、本実施形態では、銅配線形成工程の開始から、後述の還元処理工程の終了までは基板１ｍの表面を濡れた状態に保つので、銅配線形成工程にて露出したシード層２１は、第２エッチング液により除去され易い状態を保っている。よって、従来例のように、銅配線形成工程後の乾燥等により不活性化したシード層を除去する場合よりも、残渣物２０ｒを低減させることができる。
【００４１】
（剥離工程）
この後、図１（ｆ）に示すように、レジストパターン３０ｐを剥離液により剥離する。剥離液としては、例えば水酸化カリウム（ＫＯＨ）や水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）等の無機アルカリを含む水溶液等を用いることができる。
【００４２】
（表面処理工程）
次に、図１（ｇ）に示すように、過マンガン酸液にて基板１ｍの表面を処理する。ここで、過マンガン酸液は、例えば過マンガン酸カリウム（ＫＭｎＯ４）や過マンガン酸ナトリウム（ＮａＭｎＯ４）等の過マンガン酸塩を含むアルカリ性水溶液等である。このとき、アルカリ濃度が１．０Ｎ（規定）以上２．０Ｎ以下の過マンガン酸液を使用することが好ましい。
【００４３】
過マンガン酸液にて処理される基板１ｍの表面には、銅配線２２ｐ、シード層２１や銅層２２等の残渣物２０ｒ、露出した電気的絶縁性フィルム１０の表面等が含まれる。過マンガン酸液による表面処理では、基板１ｍの表面に残ったシード層２１や銅層２２等の残渣物２０ｒが除去される。また、電気的絶縁性フィルム１０の表面が粗化される。
【００４４】
上述のように、本実施形態では、銅配線形成工程の開始から、後述の還元処理工程の終了までは、リール・ツー・リール方式で連続的に基板１ｍを処理し、基板１ｍの表面を濡れた状態に保っている。これによって、銅配線形成工程やシード層除去工程等で発生した残渣物２０ｒは、過マンガン酸液により除去され易い状態を保っている。従って、従来例のように、各工程間の乾燥等によって不活性化した残渣物を除去する場合と異なり、残渣物２０ｒをより確実に除去することができる。
【００４５】
また、本実施形態では、過マンガン酸液のアルカリ濃度を、従来例の０．５Ｎ程度から、１．０Ｎ以上２．０Ｎ以下に高めている。これにより、いっそう確実に、残渣物２０ｒを除去することができる。過マンガン酸液による処理時間を長くしたりする場合に比べ、工程時間が長時間化して製造コストが増大することもない。
【００４６】
よって、残渣物２０ｒを低減して銅配線２２ｐの配線間の絶縁性を良好に保つことができ、耐ＥＣＭ性を向上させて容易に電気的信頼性を高めることができる。
【００４７】
また、本実施形態では、過マンガン酸液のアルカリ濃度を上記範囲内とすることで、電気的絶縁性フィルム１０の露出した表面を適度に粗化して、後に基板１ｍの上に形成されるソルダレジスト５０との密着性を向上させることができる。銅配線２２ｐの配線ピッチが４０μｍ未満の場合、１．０Ｎ未満のアルカリ濃度では、電気的絶縁性フィルム１０の表面の粗化が不十分となり、ソルダレジスト５０との充分な密着性が得られない。また、アルカリ濃度が２．０Ｎを超えると、電気的絶縁性フィルム１０の脆化が懸念される。なお、電気的絶縁性フィルム１０の粗化には、過マンガン酸液の処理による化学反応で、電気的絶縁性フィルム１０の表面状態が変質した状態を含む。
【００４８】
（還元処理工程）
次に、図１（ｈ）に示すように、過マンガン酸液にて処理した基板１ｍを還元液により処理する。還元液としては、例えばヒドロキシルアミン（ＮＨ２ＯＨ）系のアミン塩の水溶液や過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）を含む水溶液等を用いることができる。
【００４９】
過マンガン酸液による処理後には、基板１ｍの表面等に二酸化マンガンや過マンガン酸塩等の図示しない残留物が残る場合がある。還元処理工程では、上記還元液により、これらの残留物を中和して除去する。
【００５０】
上述のように、本実施形態では、銅配線形成工程の開始から還元処理工程の終了までは基板１ｍの表面を濡れた状態に保つので、過マンガン酸液による処理後の残留物も還元液によって還元・除去され易い状態を保っており、二酸化マンガン等の残留物をより確実に除去することができる。
【００５１】
以上、上述したように、表面を濡れた状態に保ったままでの基板１ｍの処理を、少なく
とも還元処理工程の終了まで継続する。還元処理工程の終了後は、以降の工程をそのままインライン装置にて継続してもよいし、一旦、乾燥工程等を行った後に、基板１ｍをリールに巻き取った状態で以降の工程へと送ってもよい。
【００５２】
（機能めっき工程）
続いて、図１（ｉ）に示すように、銅配線２２ｐの表面に錫（Ｓｎ）等の機能めっき４０を施す。これにより、後に搭載される半導体装置等と銅配線２２ｐとの電気的な接合性が向上する。
【００５３】
（ソルダレジスト形成工程）
その後、図１（ｊ）に示すように、銅配線２２ｐや銅配線２２ｐ間に露出した電気的絶縁性フィルム１０の表面等を含む基板１ｍの表面にソルダレジスト５０を形成し、後に半導体装置等に接続される銅配線２２ｐの一部を露出させる（図示せず）。これにより、それぞれの銅配線２２ｐが絶縁保護され、また、機械的強度を向上させることができる。
【００５４】
上述のように、本実施形態では、所定のアルカリ濃度の過マンガン酸液による処理で、電気的絶縁性フィルム１０の表面が適度に粗化されているので、ソルダレジスト５０と充分な密着性を得ることができる。よって、銅配線２２ｐの配線間の絶縁性をいっそう向上させることができる。
【００５５】
以上により、本実施形態に係る半導体装置用テープキャリア１が製造される。
【００５６】
＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【００５７】
例えば、上述の実施形態においては、基板１ｍは片面にシード層２１及び銅層２２を備えるとしたが、両面にシード層及び銅層を備えていてもかまわない。
【００５８】
また、上述の実施形態においては、基板１ｍを、シード層２１を介して銅層２２が形成された所謂メタライジング材としたが、基板はシード層を備えていなくてもよい。その場合、例えばポリイミド等の電気的絶縁性フィルムの片面又は両面に接着剤等を介して銅箔を貼り付けた基板を用いることもできる。シード層を備えない場合であっても、上述の実施形態に係る銅配線形成工程と同様の工程等にて、銅層の残渣物が発生する場合があり、本発明の適用により残渣物を低減することができる。なお、シード層を備えない基板を用いる場合、シード層除去工程を省略することができる。
【００５９】
また、上述の実施形態においては、剥離工程の後に表面処理工程を行うこととしたが、剥離工程の終了後に、水や酸性液等による洗浄工程や中和工程を挿入してもよい。
【００６０】
また、上述の実施形態においては、機能めっき工程にて、錫（Ｓｎ）の機能めっき４０を施すこととしたが、銀（Ａｇ）や金（Ａｕ）等も用いることができる。
【００６１】
また、上述の実施形態においては、機能めっき工程の後にソルダレジスト形成工程を行うこととしたが、ソルダレジスト形成工程にて銅配線２２ｐの一部を露出させた後に機能めっき工程を行って、銅配線２２ｐの露出した部分にのみ機能めっきを施してもよい。或いは、要・不要に応じて、機能めっき工程を省略することも可能である。
【００６２】
また、上述の実施形態においては、銅配線形成工程の開始から還元処理工程の終了までは、リール・ツー・リール方式で連続的に基板１ｍを処理することとしたが、各工程が終
了するごとに、基板をリールに巻き取って、次工程へと送る方式を用いることも可能である。その場合、各工程が終了するごとの乾燥は行わず、また、各工程間に適宜、水洗工程等を挿入するなどして、基板１ｍの表面を濡れた状態に保つようにする。
【００６３】
また、本発明は、除去対象物が乾燥により不活性化して、除去性が低下しているような場合であれば、各種の洗浄技術等において、様々な除去対象物の除去性の向上に応用可能である。
【００６４】
また、本発明に係る電気的絶縁性フィルム１０の粗化による密着性の向上は、例えばポリイミド等の電気的絶縁性フィルム１０とソルダレジスト５０との組み合わせのみならず、各種の組み合わせによる樹脂材料同士の密着性の向上に応用可能である。
【実施例】
【００６５】
次に、本発明に係る実施例について説明する。
【００６６】
まずは、上述の実施形態と同様の手法で、本実施例に係る半導体装置用テープキャリアを複数製作した。但し、半導体装置用テープキャリアには、配線ピッチが３０μｍ（配線幅：１５μｍ、配線間隔１５μｍ）のもの又は２５μｍ（配線幅：１２．５μｍ、配線間隔１２．５μｍ）のものがそれぞれ存在する。また、各半導体装置用テープキャリアは、それぞれが異なるアルカリ濃度の過マンガン酸液による表面処理工程を経たものである。具体的には、配線ピッチが３０μｍ及び２５μｍのものそれぞれについて、過マンガン酸液のアルカリ濃度を０．５Ｎから２．５Ｎまで変化させて処理した半導体装置用テープキャリアをそれぞれ製作した。
【００６７】
また、比較例として、銅配線形成工程から還元処理工程までの各工程が終了するごとに基板を乾燥させつつ、上記と同様、異なる配線ピッチを有し、異なるアルカリ濃度の過マンガン酸液で処理した半導体装置用テープキャリアをそれぞれ製作した。基板の乾燥は、基板にエアブローを行うことで実施した。
【００６８】
なお、実施例及び比較例ともに、用いる基板としては、厚さ約３８μｍのポリイミドフィルムの片面に、シード層を介して銅層が形成されたものを準備した。シード層としては、スパッタリング法により厚さが約３００Åに形成された、２０ｗｔ％のクロムを含有するニッケル−クロム合金を用いた。シード層の上には、スパッタリング法により厚さが約１０００Åの銅薄層を形成した。銅層としては、電解めっき法により厚さが約８μｍの銅めっき層を用いた。
【００６９】
上記のように作成した各半導体装置用テープキャリアに対し、恒温恒湿バイアス試験（ＨＨＢＴ：High-temperature and High-humidity Bias-stress Test）を行って、ＥＣＭ
による故障の発生状況について評価した。ＨＨＢＴは、ＪＰＣＡ（Japan Electronics Packaging and Circuits Association：日本電子回路工業会）規格に則り実施した。すなわち、温度が８５℃、相対湿度が８５％ＲＨの環境下にて、６０Ｖの直流電圧を印加した状態で、各半導体装置用テープキャリアを１０００時間放置した。その後、各半導体装置用テープキャリアの絶縁抵抗を測定した。絶縁抵抗は１０８Ω以上を合格値とし、複数のサンプルから得た複数の数値に基づいて、各条件下での半導体装置用テープキャリアの特性を、○：安定、△：不安定、×：短絡、の３つに分類した。
【００７０】
また、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ：Scanning Electron Microscope）にて、実施例に係る半導体装置用テープキャリアのそれぞれが備える電気的絶縁性フィルムの表面の観察を行った。
【００７１】
係る評価結果を、図２に示す。図２は、本実施例及び比較例に係る半導体装置用テープキャリアの製造方法において、アルカリ濃度の異なる過マンガン酸液によって基板を処理した場合の評価結果を示す図であって、（ａ）は半導体装置用テープキャリアのＨＨＢＴの測定結果を示す表であり、（ｂ）は半導体装置用テープキャリアの備える電気的絶縁性フィルムの表面状態をＳＥＭにて撮影した写真である。
【００７２】
図２（ａ）に示すように、実施例に係る各半導体装置用テープキャリアについては、過マンガン酸液のアルカリ濃度が１．０Ｎ以上２．０Ｎ以下の範囲内では、３０μｍ又は２５μｍの配線ピッチを備えるいずれの半導体装置用テープキャリアにおいても絶縁抵抗は安定（○）しており、良好な結果が得られた。アルカリ濃度が１．０Ｎ未満、或いは２．０Ｎより高い領域では、一部の半導体装置用テープキャリアにおいて絶縁抵抗が不安定（△）となったことから、アルカリ濃度は１．０Ｎ以上２．０Ｎ以下がより好ましいことが分かる。
【００７３】
また、比較例に係る半導体装置用テープキャリアについては、いずれのアルカリ濃度、配線ピッチにおいても、安定（○）した絶縁抵抗を示すものは存在しなかった。
【００７４】
以上の結果から、少なくとも銅配線形成工程の開始から還元処理工程の終了まで基板の表面を濡れた状態に保つ本発明の方法は、有効であることが分かる。
【００７５】
また、図２（ｂ）に示すように、アルカリ濃度が０．５Ｎの過マンガン酸液で処理された電気的絶縁性フィルムの表面は、アルカリ濃度が１．０Ｎ以上の過マンガン酸液で処理された電気的絶縁性フィルムの表面よりもひび割れの度合いが小さかった。アルカリ濃度が０．５Ｎの過マンガン酸液では、電気的絶縁性フィルムの表面を充分に粗化（変質）できていないことが見て取れる。
【００７６】
一方、アルカリ濃度が１．０Ｎ以上の場合には、電気的絶縁性フィルムの表面のひび割れの度合いが大きくなっている様子が観測された。アルカリ濃度が１．０Ｎ〜２．５Ｎまでの領域では、ＳＥＭ写真による外観上、ひび割れの度合いに大きな変化は見られないものの、２．５Ｎにおいては、電気的絶縁性フィルムの脆化が懸念される。従って、ＳＥＭによる観測結果からも、過マンガン酸液のアルカリ濃度は、１．０Ｎ以上２．０Ｎ以下が好ましいことが分かる。
【符号の説明】
【００７７】
１    半導体装置用テープキャリア
１ｍ  基板
１０    電気的絶縁性フィルム
２０ｒ  残渣物
２１    シード層
２２    銅層
２２ｐ  銅配線
３０    フォトレジスト
３０ｐ  レジストパターン
４０    機能めっき
５０    ソルダレジスト
【図１】
2012230996.tif 000003
【図３】
2012230996.tif 000004
【図２】
2012230996.tif 000005