(57)【要約】【課題】基板をそれぞれ搭載する複数のサセプタに高周波電力を印加して、誘導加熱により当該複数のサセプタを加熱して基板を処理する基板処理装置であって、積層方向において均熱領域をより長く確保することが可能な基板処理装置を提供する。【解決手段】複数のサセプタ１５０を積層して保持するサセプタ保持部材２１７と、複数のサセプタを収容する容器２０３と、容器の外側に配置された誘導コイル２０７と、容器２０３の外側に配置された保温材３６０と、を備え、容器２０３は上側の閉塞部２７０と、側壁部２７２とを有し、保温材３６０は、容器２０３の閉塞部２７０を覆うと共に、閉塞部２７０から側壁部２７２の一部までを覆って側壁部２７２と誘導コイル２０７との間を延在して設けられている。【選択図】図８
2012199402.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のサセプタを積層して保持するサセプタ保持部材と、
前記サセプタ保持部材に保持された前記複数のサセプタを収容する容器と、
前記容器の外側に配置された誘導コイルと、
前記誘導コイルに高周波電力を供給する高周波電源と、
前記複数のサセプタの積層方向における一方の側において、前記容器の外側に設けられた保温材と、を備え
前記容器は前記一方の側において閉塞した形状であって、前記積層方向に延在する側壁部と、前記一方の側の閉塞部とを有し、
前記誘導コイルの前記積層方向の一端部は、前記積層方向の前記一方の側において、前記複数のサセプタよりも外側に配置され、
前記保温材は、前記容器の前記閉塞部を覆うと共に、前記閉塞部から前記側壁部の一部までを覆って前記側壁部と前記誘導コイルとの間を延在して設けられ、
前記複数のサセプタは前記誘導コイルに前記高周波電源から印加される高周波電力によって誘導加熱され、
前記複数のサセプタのうち、前記積層方向における少なくとも中央部に配置されるサセプタは被処理基板を搭載用のサセプタである基板処理装置。
【請求項２】
複数のサセプタを積層して保持するサセプタ保持部材と、
前記サセプタ保持部材に保持された前記複数のサセプタを収容する容器と、
前記容器の外側に配置された誘導コイルと、
前記誘導コイルに高周波電力を供給する高周波電源と、を備え
前記複数のサセプタは前記誘導コイルに前記高周波電源から印加される高周波電力によって誘導加熱され、
前記複数のサセプタのうち、前記積層方向における少なくとも中央部に配置されるサセプタは被処理基板搭載用のサセプタであり、
前記複数のサセプタのうち、前記積層方向における両側のうちの少なくとも一方の側のサセプタは、前記被処理基板搭載用のサセプタよりも発熱量が小さいダミーサセプタである基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置に関し、特に、基板をそれぞれ搭載する複数のサセプタに高周波電力を印加して、誘導加熱により当該複数のサセプタを加熱して基板を処理する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板をそれぞれ搭載する複数のサセプタに高周波電力を印加して、誘導加熱により当該複数のサセプタを加熱して基板を処理する基板処理装置では、誘導加熱される各サセプタに基板が搭載されているので、加熱元であるサセプタを基板の間近に設置することになり、基板処理中であってもサセプタを収容する反応管等の温度を低く抑えることができ、反応管等の内壁に反応生成物が付着して成膜されてしまうことが起こり難い構造となっている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、このように、サセプタを収容する反応管等の温度を低く抑えることができることが利点であるので、反応管の外側を断熱材等で覆って全体の温度を均一化することは当該利点をなくしてしまうこととなり困難である。
【０００４】
外側を断熱材等で覆わないと、サセプタの積層方向、特に上側の放熱が大きく、積層方向において均熱領域を長く確保することが困難である。
【０００５】
本発明の主な目的は、基板をそれぞれ搭載する複数のサセプタに高周波電力を印加して、誘導加熱により当該複数のサセプタを加熱して基板を処理する基板処理装置であって、積層方向において均熱領域をより長く確保することが可能な基板処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、
複数のサセプタを積層して保持するサセプタ保持部材と、
前記サセプタ保持部材に保持された前記複数のサセプタを収容する容器と、
前記容器の外側に配置された誘導コイルと、
前記誘導コイルに高周波電力を供給する高周波電源と、
前記複数のサセプタの積層方向における一方の側において、前記容器の外側に設けられた保温材と、を備え
前記容器は前記一方の側において閉塞した形状であって、前記積層方向に延在する側壁部と、前記一方の側の閉塞部とを有し、
前記誘導コイルの前記積層方向の一端部は、前記積層方向の前記一方の側において、前記複数のサセプタよりも外側に配置され、
前記保温材は、前記容器の前記閉塞部を覆うと共に、前記閉塞部から前記側壁部の一部までを覆って前記側壁部と前記誘導コイルとの間を延在して設けられ、
前記複数のサセプタは前記誘導コイルに前記高周波電源から印加される高周波電力によって誘導加熱され、
前記複数のサセプタのうち、前記積層方向における少なくとも中央部に配置されるサセプタは被処理基板を搭載用のサセプタである基板処理装置が提供される。
【０００７】
また、本発明によれば、
複数のサセプタを積層して保持するサセプタ保持部材と、
前記サセプタ保持部材に保持された前記複数のサセプタを収容する容器と、
前記容器の外側に配置された誘導コイルと、
前記誘導コイルに高周波電力を供給する高周波電源と、を備え
前記複数のサセプタは前記誘導コイルに前記高周波電源から印加される高周波電力によって誘導加熱され、
前記複数のサセプタのうち、前記積層方向における少なくとも中央部に配置されるサセプタは被処理基板搭載用のサセプタであり、
前記複数のサセプタのうち、前記積層方向における両側のうちの少なくとも一方の側のサセプタは、前記被処理基板搭載用のサセプタよりも発熱量が小さいダミーサセプタである基板処理装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、基板をそれぞれ搭載する複数のサセプタに高周波電力を印加して、誘導加熱により当該複数のサセプタを加熱して基板を処理する基板処理装置であって、積層方向において均熱領域をより長く確保することが可能な基板処理装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本発明の好ましい実施の形態で好適に用いられる基板処理装置の構成を説明するための概略斜透視図である。
【図２】図２は、本発明の好ましい実施の形態で好適に用いられるサセプタ保持機構１４０でウエハ２００がサセプタ１５０に装填されている状態を示す概略横断面図である。
【図３】図３は、図２のＡＡ線概略縦断面図である。
【図４】図４は、サセプタ保持機構１４０でウエハ２００をサセプタ１５０に装填する方法およびウエハ２００をサセプタ１５０から脱装する方法を説明するための概略縦断面図である。
【図５】図５は、本発明の好ましい第１の実施の形態で好適に用いられる処理炉の一例とそれに付随する部材を説明するための概略構成図であって、処理炉部分を概略縦断面で示す図である。
【図６】図６は、図５に示す処理炉のＢＢ線概略横断面図である。
【図７】図７は、本発明の好ましい第１の実施の形態の基板処理装置で好適に用いられるコントローラと当該コントローラによって制御される各部材を説明するためのブロック図である。
【図８】図８は、本発明の好ましい第１および第２の実施の形態で好適に用いられる処理炉を説明するための概略縦断面図である。
【図９】図９は、比較のための処理炉を説明するための概略縦断面図である。
【図１０】図１０は、本発明の好ましい第３の実施の形態で好適に用いられる処理炉を説明するための概略縦断面図である。
【図１１】図１１は、本発明の好ましい第４の実施の形態で好適に用いられる処理炉を説明するための概略縦断面図である。
【図１２】図１２は、本発明の好ましい第５の実施の形態で好適に用いられる処理炉を説明するための概略縦断面図である。
【図１３】図１３は、本発明の好ましい第６の実施の形態で好適に用いられる処理炉を説明するための概略縦断面図である。
【図１４】図１４は、比較のための処理炉を説明するための概略縦断面図である。
【図１５】図１５は、本発明の好ましい第７の実施の形態で好適に用いられる処理炉を説明するための概略縦断面図である。
【図１６】図１６は、比較のための処理炉を説明するための概略縦断面図である。
【図１７】図１７は、本発明の好ましい第７の実施の形態で好適に用いられる処理炉を説明するための概略縦断面図である。
【図１８】図１８は、本発明の好ましい第７の実施の形態で好適に用いられる処理炉を説明するための概略縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の好ましい実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００１１】
まず、本発明の各好ましい実施の形態で好適に使用される基板処理装置について説明する。この基板処理装置は、半導体装置の製造に使用される半導体製造装置の一例として構成されているものである。
【００１２】
下記の説明では、基板処理装置の一例として、基板に対し成膜処理等をおこなう縦型の装置を使用した場合について述べる。
【００１３】
図１を参照すれば、基板処理装置１０１では、基板の一例となるウエハ２００を収納したカセット１１０が使用されており、ウエハ２００は半導体シリコン等の材料から構成されている。基板処理装置１０１は筐体１１１を備えており、筐体１１１の内部にはカセットステージ１１４が設置されている。カセット１１０はカセットステージ１１４上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入されたり、カセットステージ１１４上から搬出されたりする。
【００１４】
カセットステージ１１４上にはカセット１１０が、工程内搬送装置（図示せず）によって、カセット１１０内のウエハ２００が垂直姿勢を保持しかつカセット１１０のウエハ出し入れ口が上方向を向くように載置される。カセットステージ１１４は、カセット１１０を筐体１１１の後方に右回り縦方向９０°回転し、カセット１１０内のウエハ２００が水平姿勢となり、カセット１１０のウエハ出し入れ口が筐体１１１の後方を向くように動作可能となるよう構成されている。
【００１５】
筐体１１１内の前後方向の中央部より前方側にはカセット棚１０５が設置されており、カセット棚１０５は複数段複数列にて複数個のカセット１１０を保管するように構成されている。カセット棚１０５にはウエハ移載機構１２５の搬送対象となるカセット１１０が収納される移載棚１２３が設けられている。
【００１６】
カセットステージ１１４の上方には予備カセット棚１０７が設けられ、予備的にカセット１１０を保管するように構成されている。
【００１７】
カセットステージ１１４とカセット棚１０５との間には、カセット搬送装置１１８が設置されている。カセット搬送装置１１８は、カセット１１０を保持したまま昇降可能なカセットエレベータ１１８ａと、搬送機構としてのカセット搬送機構１１８ｂとを備えている。カセット搬送装置１１８はカセットエレベータ１１８ａとカセット搬送機構１１８ｂとの連動動作により、カセットステージ１１４とカセット棚１０５と予備カセット棚１０７との間で、カセット１１０を搬送するように構成されている。
【００１８】
カセット棚１０５の後方には、ウエハ移載装置１２５が設置されている。ウエハ移載装置１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載機構１２５ａと、ウエハ移載機構１２５ａを昇降させるためのウエハ移載機構エレベータ１２５ｂとを備えている。ウエハ移載機構１２５ａにはウエハ２００をピックアップするためのツイーザ１２５ｃが設けられている。ウエハ移載装置１２５はウエハ移載機構１２５ａとウエハ移載機構エレベータ１２５ｂとの連動動作により、ツイーザ１２５ｃをウエハ２００の載置部として、ウエハ２００を、カセット棚１０５に載置されたカセット１１０から脱装（ディスチャージング）して、サセプタ保持機構１４０に保持されたサセプタ１５０に装填（チャージング）したり、サセプタ保持機構１４０に保持されたサセプタ１５０から脱装（ディスチャージング）して、カセット棚１０５に載置されたカセット１１０に装填（チャージング）したりするように構成されている。
【００１９】
次に、サセプタ保持機構１４０において、ウエハ２００をサセプタ１５０に装填している状態を説明する。図２は、ウエハ２００をサセプタ１５０に装填している状態を説明するための概略横断面図であり、図３は、図２のＡＡ線概略縦断面図である。サセプタ保持機構１４０は、基台１４６（図１参照）と、基台１４６に立設された支柱１４２と、支柱１４２から水平に突き出して設けられたサセプタ保持部１４４とを備えている。サセプタ１５０は、サセプタ保持部１４４上に搭載されている。サセプタ１５０は、円盤形状をしており、周縁部１５２と円形状の中央部１５４とを有している。サセプタ１５０の中央部１５４にウエハ２００が搭載されている。サセプタ１５０の中央部１５４は、ウエハ２００よりも大きい円盤状になっており、サセプタ１５０の中央部１５４内にウエハ２００が内包されるようになっている。さらに、図３を参照すれば、サセプタ１５０の周縁部１５２は、サセプタ１５０の中央部１５４よりも高さが高くなっており、サセプタ１５０には、周縁部１５２と中央部１５４との境界領域に段差部１５６が形成されている。すなわち、サセプタ１５０は、周縁部１５２に対して中央部１５４が窪んだ形状となっており、この窪んだ中央部１５４内にウエハ２００が搭載されている。サセプタ１５０の中央部１５４には、複数のピン孔１６０が設けられており、このピン孔１６０に保持部材１６２が埋め込まれている。サセプタ１５０の中央部１５４の上面と埋め込まれた保持部材１６２の上面は面一である。
【００２０】
次に、サセプタ保持機構１４０で、ウエハ２００をサセプタ１５０に装填する方法およびウエハ２００をサセプタ１５０から脱装する方法について説明する。図４は、ウエハ２００をサセプタ１５０に装填する方法およびウエハ２００をサセプタ１５０から脱装する方法を説明するための概略縦断面図である。図４を参照すれば、サセプタ保持機構１４０には、ウエハ２００を突き上げるための突き上げピン１８２と、突き上げピン１８２を昇降させる突き上げピン昇降機構１８０が設けられている。突き上げピン昇降機構１８０によって、突き上げピン１８２を上昇させて、ピン孔１６０に埋め込まれていた保持部材１６２を上昇させると、保持部材１６２と共にウエハ２００は、サセプタ１５０から分離する。その後、ツィーザ１２５ｃをウエハ２００とサセプタ１５０との間に挿入し、ツィーザ１２５ｃを持ち上げて、ウエハ２００をウエハ移載機構１２５のツィーザ１２５ｃ上に搭載し、保持部材１６２からウエハ２００を分離する。このようにして、ウエハ２００をサセプタ２１８から脱装する。ウエハ２００をサセプタ１５０に装填するには、突き上げピン昇降機構１８０によって突き上げピン１８２を上昇させ、ピン孔１６０に埋め込まれていた保持部材１６２を上昇させた状態で、ウエハ２００を搭載したウエハ移載機構１２５のツィーザ１２５ｃによって、ウエハ２００をサセプタ保持機構１４０に保持されたサセプタ１５０上まで搬送し、ツィーザ１２５ｃを下降させてウエハ２００を保持部材１６２上に搭載する。その後、ツィーザ１２５ｃをウエハ２００とサセプタ１５０との間から抜き取り、突き上げピン昇降機構１８０によって突き上げピン１８２を下降させて、ピン孔１６０に保持部材１６２を埋め込むと共に、ウエハ２００をサセプタ１５０に装填する。
【００２１】
図１を再び参照すれば、基板処理装置１０１は、サセプタ保持機構１４０に保持されたサセプタ１５０を移載するサセプタ移載機構１２６を、サセプタ保持機構１４０の後方に備えている。サセプタ移載機構１２６は、サセプタ１５０を水平方向に回転ないし直動可能なサセプタ移載機構１２６ａと、サセプタ移載機構１２６ａを昇降させるためのサセプタ移載機構エレベータ１２６ｂとを備えている。サセプタ移載機構１２６ａにはサセプタ１５０をピックアップするためのツイーザ１２６ｃが設けられている。サセプタ移載装置１２６はサセプタ移載機構１２６ａとサセプタ移載機構エレベータ１２６ｂとの連動動作により、ツイーザ１２６ｃをサセプタ１５０の載置部として、サセプタ１５０を、サセプタ保持機構１４０から脱装（ディスチャージング）して、後述するボート２１７に装填（チャージング）したり、ボート２１７から脱装（ディスチャージング）して、サセプタ保持機構１４０に装填（チャージング）したりするように構成されている。
【００２２】
カセット棚１０５の上方には、清浄化した雰囲気であるクリーンエアを供給するクリーンユニット１３４ａが設置されている。クリーンユニット１３４ａは供給ファン（図示せず）および防塵フィルタ（図示せず）を備えている。当該クリーンエアは、筐体１１１の内部を流通し、その後、筐体１１１の外部に排気されるようになっている。
【００２３】
筐体１１１の左側端部には、クリーンエアを供給するクリーンユニット１３４ｂが設置されている。クリーンユニット１３４ｂも供給ファン（図示せず）および防塵フィルタ（図示せず）を備えており、クリーンエアをウエハ移載機構１２５ａ、サセプタ保持機構１４０、サセプタ移載機構１２６ａ等の近傍を流通させるように構成されている。当該クリーンエアは、ウエハ移載機構１２５ａ、サセプタ保持機構１４０、サセプタ移載機構１２６ａ等の近傍を流通した後に、筐体１１１の外部に排気されるようになっている。
【００２４】
筐体１１１の後部上方には、ウエハ２００を熱処理する処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下部には、大気圧未満の圧力（以下、負圧という）を維持可能な気密性能を有する筐体（以下、耐圧筐体という）７１１が設置されている。耐圧筐体７１１によりボート２１７を収容可能な容積を有するロードロック方式の待機室であるロードロック室７１０が形成されている。
【００２５】
（第１の実施の形態）
図５を参照すれば、処理炉２０２は、高周波電流を印加することにより加熱するための誘導加熱装置２６０を有する。この誘導加熱装置２６０は円筒状に形成されており、誘導加熱部としての誘導コイル２０７と壁体８１０と水冷板８２０とを備えている。壁体８１０は、銅等の金属から構成されている。この壁体８１０は、円筒形状であり、内部にヒータ室８１１を形成する。
【００２６】
壁体８１０の内側には、この壁体８１０と同心円状に、水冷板８２０が設けられている。水冷板８２０は、銅等の金属から構成されている。水冷板８２０には、内部に冷却水が流通可能なように、ほぼ全域に冷却媒体流路が形成されている。壁体８１０の上端には、その中央に開口部８１２が形成されている。開口部８１２の下流側には、ダクト８１３が接続されており、このダクト８１３には、冷却装置としてのラジエータ８１４と、排気装置としてのブロア８１６が接続されている。
【００２７】
誘導コイル２０７は、水冷板８２０の内側に設けられている。誘導コイル２０７は高周波電源２５０に接続されており、この高周波電源２５０によって、誘導コイル２０７には高周波（ＲＦ）電力が供給されるようになっている。
【００２８】
誘導コイル２０７の内側には、誘導コイル２０７と同心円状に外側反応管としてのアウターチューブ２０３と、内側反応管としてのインナーチューブ３５０が設けられている。インナーチューブ３５０は、耐熱性材料である石英（ＳｉＯ２）からなり、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ３５０内には処理室２０１が形成されている。インナーチューブ３５０の側壁３５６には、ガス供給管３５２が設けられている。ガス供給管３５２が設けられたインナーチューブ３５０の側壁３５６には、複数のガス供給口３５４が設けられている。
【００２９】
図６は、図５のＢＢ線概略横断面図であり、ボート２１７の部分を示している。図６を参照すれば、ボート２１７は、３本の支柱２１２を備えている。３本の支柱２１２には複数のサセプタ保持部２１３がそれぞれ設けられている。基板としてのウエハ２００をそれぞれ搭載した状態で、被誘導体としてのサセプタ１５０がサセプタ保持部２１３に保持されて、ウエハ２００は、ボート２１７によって水平姿勢で垂直方向に多段に整列した状態でインナーチューブ３５０内に収容されている。
【００３０】
アウターチューブ２０３は、耐熱性材料である石英からなり、内径がインナーチューブ３５０の外径よりも大きく上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、インナーチューブ３５０と同心円状に設けられている。アウターチューブ２０３の外側であって、誘導コイル２０７の内側には、保温材３６０が設けられている。
【００３１】
誘導加熱装置２６０の壁体８１０と水冷板８２０とを貫通して、処理室２０１内のサセプタ１５０やウエハ２００等の温度を検出する温度検出体としての放射温度計８３０が、例えば、４箇所に設置されている。この放射温度計８３０は、少なくとも一つ設置されていればよいが、複数個の放射温度計８３０を設置することで温度制御性を向上させることができる。放射温度計８３０により検出された温度情報に基づき誘導コイル２０７への供給電力を調整することで、処理室２０１内の温度が所望の温度分布となるように構成されている。
【００３２】
アウターチューブ２０３の下側にはマニホールド２０９が設けられている。アウターチューブ２０３の下部開口部の外側には環状のフランジ２０４が設けられている。マニホールド２０９は、筒状の側壁２０８と、側壁２０８の上部開口部および下部開口部の外側にそれぞれ設けられた環状のフランジ２０５、２０６とを備えている。反応管２０３のフランジ２０４とマニホールド２０９の上側のフランジ２０５との間には気密部材としてのＯリング２２２が配置され、両者の間は気密にシールされている。
【００３３】
マニホールド２０９の側壁２０８の上部から内側に向けて環状のインナーチューブ支持部２１５が突き出している。インナーチューブ支持部２１５上に、インナーチューブ３５０が搭載されている。ガス供給管３５２もインナーチューブ支持部２１５上に搭載されており、インナーチューブ支持部２１５に設けられたガス供給口３４２がガス供給管３５２に連通している。
【００３４】
マニホールド２０９の下側にはゲートバルブ７３０が取り付けられている。マニホールド２０９の下側のフランジ２０６にゲートバルブ７３０が取り付けられ、マニホールド２０９の下端部がゲートバルブ７３０によって開閉されるように構成されている。
【００３５】
ゲートバルブ７３０は、取付部材７４０を介して耐圧筐体７１１に取り付けられている。耐圧筐体７１１の天井壁７２０には貫通孔７２１が設けられ、貫通孔７２１には、取付部材７４０が取り付けられている。取付部材７４０は、筒状の側壁７４４と、側壁７４４の上部開口部および下部開口部の外側にそれぞれ設けられた環状のフランジ７４２、７４６とを備えている。取付部材７４０の側壁７４４に耐圧筐体７１１の天井壁７２０が取り付けられている。取付部材７４０の上側のフランジ７４２には、ゲートバルブ７３０が取り付けられている。
【００３６】
耐圧筐体７１１で形成されるロードロック室７１０内には、反応管２０３に対しボート２１７を昇降させるボートエレベータ１１５が設けられている。ボートエレベータ１１５の昇降台にはアーム１２８が連結されている。アーム１２８には、取付部材７４０の下端開口を気密に閉塞可能な炉口蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に設けられている。
【００３７】
シールキャップ２１９は取付部材７４０の下端に垂直方向下側から当接されるようになっている。シールキャップ２１９は例えばステンレス等の金属からなり、円盤状に形成されている。取付部材７４０の下端開口端部に設けられた環状のフランジ７４６とシールキャップ２１９の上面との間には気密部材（以下Ｏリング）２２０が配置され、両者の間は気密にシールされている。少なくとも、インナーチューブ３５０、マニホールド２０９、取付部材７４０およびシールキャップ２１９により処理室２０１が形成されている。
【００３８】
シールキャップ２１９上には、後述する回転軸２６５を介して、ボート２１７が立設されている。ボート２１７は例えば石英や炭化珪素等の耐熱性材料で構成されている。ボート２１７には複数のサセプタ１５０が保持される。複数のサセプタ１５０は、互いに一定の間隔をあけながら水平姿勢を保持しかつ互いに中心を揃えた状態で反応管２０３の管軸方向に多段に積載されボート２１７の支柱２１２に支持されている。
【００３９】
シールキャップ２１９の処理室２０１と反対側にはボート２１７を回転させるボート回転機構２６７が設けられている。ボート回転機構２６７の回転軸２６５はシールキャップ２１９を貫通してボート２１７に接続されており、回転機構２６７によって、ボート２１７を回転させることでサセプタ１５０およびその上に搭載されたウエハ２００を回転させる。
【００４０】
シールキャップ２１９は昇降機構としてのボートエレベータ１１５によって垂直方向に昇降され、これによりボート２１７を処理室２０１内に対し搬入搬出することが可能となっている。
【００４１】
なお、反応管２０３、サセプタ１５０、ウエハ２００、ボート２１７および回転軸２６５は同心円状に設けられている。
【００４２】
図１を参照すれば、耐圧筐体７１１の前壁７１４にはサセプタ搬入搬出口７１２が開設されており、サセプタ搬入搬出口７１２はゲートバルブ７７０によって開閉されるようになっている。耐圧筐体７１１の左側の側壁７１６にはロードロック室７１０へ窒素ガス等の不活性ガスを供給するためのガス供給管７５０が接続され、右側の側壁７１８には、ロードロック室１４１内を負圧に排気するための排気管７６０が接続されている。
【００４３】
図５を参照すれば、ガス供給管７５０には、上流側から順に、流量制御装置であるマスフローコントローラ７５２および開閉弁であるバルブ７５４が設けられている。主に、ガス供給管７５０、マスフローコントローラ７５２およびバルブ７５４によりロードロック室７１０へのガス供給系７５１が構成されている。
【００４４】
排気管７６０には、ロードロック室７１０内の圧力を検出する圧力検出器（圧力検出部）としての圧力センサ７６２および開閉弁であるバルブ７６４を介して真空排気装置としての真空ポンプ７６６が接続されており、ロードロック室７１０内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。真空ポンプ７６４の下流側は排気管２３２に接続されている。主に、排気管７６０、圧力センサ７６２、バルブ７６４、真空ポンプ７６６によりロードロック室７１０の排気系７６１が構成される。
【００４５】
以上の処理炉２０２およびロードロック室７１０では、ゲートバルブ７７０を開け、サセプタ搬入搬出口７１２を介して、サセプタ保持機構１４０に保持され、バッチ処理される複数枚のウエハ２００を１枚ずつそれぞれ搭載したサセプタ１５０が、サセプタ移載装置１２６によって、ボート２１７に多段に積層されるように搭載され、ゲートバルブ７７０が閉められ、ゲートバルブ７３０も閉められた状態で、排気系７６１によってロードロック室７１０内を排気し、その後、ガス供給系７５１によってロードロック室７１０内を窒素ガスによって大気圧とし、その後、ゲートバルブ７３０を開け、ボート２１７を処理室２０１内に挿入し、シールキャップ２１９によって、取付部材７４０の下端開口を気密に閉塞した後、誘導コイル２０７に高周波電力を供給して誘導加熱によって所定の温度にサセプタ１５０を加熱し、後述するガス供給管３４０から所定の処理ガスを供給して処理室２０１内でウエハ１００の処理を行い、ウエハ１００の処理が終わると、後述するガス供給管３４０から所定の処理ガスの供給を停止し、誘導コイル２０７への高周波電力の供給を停止し、ボート２１７を下降させて処理室２０１から搬出し、ゲートバルブ７３０を閉じ、ゲートバルブ７７０を開けて、サセプタ搬入搬出口７１２を介して、サセプタ移載装置１２６によってウエハ２００を搭載したサセプタ１５０をロードロック室７１０から搬出し、サセプタ保持機構１４０に移載し、その後、サセプタ保持機構１４０に保持されたサセプタ１５０からウエハ２００を、ウエハ移載装置１２５によって、カセット棚１０５の移載棚１２３に収納されたカセット１１０に移載するようになっている。
【００４６】
図５を参照すれば、原料ガスを供給するための３本のガス供給管３１０、３２０、３３０が設けられている。
【００４７】
ガス供給管３１０には、上流側から順に流量制御装置（流量制御手段）であるマスフローコントローラ３１２および開閉弁であるバルブ３１３が設けられている。
【００４８】
さらに、ガス供給管３１０には、マスフローコントローラ３１２とバルブ３１３との間に、後述の排気管２３２に接続されたベントライン６１０及びバルブ６１２が設けられている。
【００４９】
主に、ガス供給管３１０、マスフローコントローラ３１２、バルブ３１３、ベントライン６１０、バルブ６１２によりガス供給系（ガス供給手段）３０１が構成されている。
【００５０】
また、ガス供給管３１０にはキャリアガスを供給するためのキャリアガス供給管５１０が、バルブ３１３の下流側で接続されている。キャリアガス供給管５１０にはマスフローコントローラ５１２及びバルブ５１３が設けられている。主に、キャリアガス供給管５１０、マスフローコントローラ５１２、バルブ５１３によりキャリアガス供給系（不活性ガス供給系、不活性ガス供給手段）５０１が構成されている。
【００５１】
ガス供給管３１０では、気体原料ガスがマスフローコントローラ３１２で流量調整されて供給される。
【００５２】
原料ガスを処理室２０１に供給していない間は、バルブ３１３を閉じ、バルブ６１２を開けて、バルブ６１２を介して原料ガスをベントライン６１０に流しておく。
【００５３】
そして、原料ガスを処理室２０１に供給する際には、バルブ６１２を閉じ、バルブ３１３を開けて、原料ガスをバルブ３１３の下流のガス供給管３１０に供給する。一方、キャリアガスがマスフローコントローラ５１２で流量調整されてバルブ５１３を介してキャリアガス供給管５１０から供給され、原料ガスはバルブ３１３の下流側でこのキャリアガスと合流し、処理室２０１に供給される。
【００５４】
ガス供給管３２０には、上流側から順に流量制御装置（流量制御手段）であるマスフローコントローラ３２２および開閉弁であるバルブ３２３が設けられている。
【００５５】
さらに、ガス供給管３２０には、マスフローコントローラ３２２とバルブ３２３との間に、後述の排気管２３２に接続されたベントライン６２０及びバルブ６２２が設けられている。
【００５６】
主に、ガス供給管３２０、マスフローコントローラ３２２、バルブ３２３、ベントライン６２０、バルブ６２２によりガス供給系（ガス供給手段）３０２が構成されている。
【００５７】
また、ガス供給管３２０にはキャリアガスを供給するためのキャリアガス供給管５２０が、バルブ３２３の下流側で接続されている。キャリアガス供給管５２０にはマスフローコントローラ５２２及びバルブ５２３が設けられている。主に、キャリアガス供給管５２０、マスフローコントローラ５２２、バルブ５２３によりキャリアガス供給系（不活性ガス供給系、不活性ガス供給手段）５０２が構成されている。
【００５８】
ガス供給管３２０では、気体原料ガスがマスフローコントローラ３２２で流量調整されて供給される。
【００５９】
原料ガスを処理室２０１に供給していない間は、バルブ３２３を閉じ、バルブ６２２を開けて、バルブ６２２を介して原料ガスをベントライン６２０に流しておく。
【００６０】
そして、原料ガスを処理室２０１に供給する際には、バルブ６２２を閉じ、バルブ３２３を開けて、原料ガスをバルブ３２３の下流のガス供給管３２０に供給する。一方、キャリアガスがマスフローコントローラ５２２で流量調整されてバルブ５２３を介してキャリアガス供給管５２０から供給され、原料ガスはバルブ３２３の下流側でこのキャリアガスと合流し、処理室２０１に供給される。
【００６１】
ガス供給管３３０には、上流側から順に流量制御装置（流量制御手段）であるマスフローコントローラ３３２および開閉弁であるバルブ３３３が設けられている。
【００６２】
さらに、ガス供給管３３０には、マスフローコントローラ３３２とバルブ３３３との間に、後述の排気管２３２に接続されたベントライン６３０及びバルブ６３２が設けられている。
【００６３】
主に、ガス供給管３３０、マスフローコントローラ３３２、バルブ３３３、ベントライン６３０、バルブ６３２によりガス供給系（ガス供給手段）３０３が構成されている。
【００６４】
また、ガス供給管３３０にはキャリアガスを供給するためのキャリアガス供給管５３０が、バルブ３３３の下流側で接続されている。キャリアガス供給管５３０にはマスフローコントローラ５３２及びバルブ５３３が設けられている。主に、キャリアガス供給管５３０、マスフローコントローラ５３２、バルブ５３３によりキャリアガス供給系（不活性ガス供給系、不活性ガス供給手段）５０３が構成されている。
【００６５】
ガス供給管３３０では、気体原料ガスがマスフローコントローラ３３２で流量調整されて供給される。
【００６６】
原料ガスを処理室２０１に供給していない間は、バルブ３３３を閉じ、バルブ６３２を開けて、バルブ６３２を介して原料ガスをベントライン６３０に流しておく。
【００６７】
そして、原料ガスを処理室２０１に供給する際には、バルブ６３２を閉じ、バルブ３３３を開けて、原料ガスをバルブ３３３の下流のガス供給管３３０に供給する。一方、キャリアガスがマスフローコントローラ５３２で流量調整されてバルブ５３３を介してキャリアガス供給管５３０から供給され、原料ガスはバルブ３３３の下流側でこのキャリアガスと合流し、処理室２０１に供給される。
【００６８】
ガス供給管３１０の下流側、ガス供給管３２０の下流側およびガス供給管３３０の下流側は合流してガス供給管３４０に接続されている。ガス供給管３４０は、マニホールド２０９を貫通して設けられており、マニホールド２０９の内側に取り付けられたインナーチューブ支持部２１５に設けられたガス供給口３４２に接続している。
【００６９】
マニホールドに排気口２３０が設けられている。排気口２３０は、マニホールド２０９の内側に取り付けられたインナーチューブ支持部２１５の下側に開口している。ガス供給管３１０、ガス供給管３２０およびガス供給管３３０からそれぞれ供給された原料ガスは合流してガス供給管３４０に流入し、その後、インナーチューブ支持部２１５に設けられたガス供給口３４２を経て、ガス供給管３５２に流入し、その後、インナーチューブ３５０の側壁３５６に設けられた複数のガス供給口３５４を経て、インナーチューブ３５０内に設けられたボート２１７に保持されたサセプタ１５０上に搭載されたウエハ２００上を流れて、インナーチューブ３５０の下部開口を経て、排気口２３０に流入する。
【００７０】
排気口２３０には、処理室２０１内の雰囲気を排気する排気管２３１が接続されている。排気管２３１には処理室２０１内の圧力を検出する圧力検出器（圧力検出部）としての圧力センサ２４５および圧力調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２４３を介して真空排気装置としての真空ポンプ２４６が接続されており、処理室２０１内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。真空ポンプ２４６の下流側の排気管２３２は廃ガス処理装置（図示せず）等に接続されている。なお、ＡＰＣバルブ２４３は、弁を開閉して処理室２０１内の真空排気・真空排気停止ができ、更に弁開度を調節してコンダクタンスを調整して処理室２０１内の圧力調整をできるようになっている開閉弁である。主に、排気管２３１、ＡＰＣバルブ２４３、真空ポンプ２４６、圧力センサ２４５により排気系２３３が構成される。
【００７１】
ウエハ２００を処理する際には、インナーチューブ３５０内にウエハを搭載したサセプタ１５０を保持したボート２１７を導入する。ボート２１７は、ボートエレベータ１１５によりインナーチューブ３５０に対し昇降（出入り）することができるようになっている。ボート２１７がインナーチューブ３５０内に導入されると、取付部材７４０の下端のフランジ７４６がＯリング２２０を介してシールキャップ２１９で気密にシールされる。ボート２１７はボート支持台２１８に支持されている。処理の均一性を向上するために、ボート回転機構２６７を駆動し、ボート支持台２１８に支持されたボート２１７を回転させる。
【００７２】
図７を参照すれば、コントローラ２８０は、操作メニュー等を表示するディスプレイ２８８と、複数のキーを含んで構成され、各種の情報や操作指示が入力される操作入力部２９０と、を備えている。また、コントローラ２８０は、基板処理装置１０１全体の動作を司るＣＰＵ２８１と、制御プログラムを含む各種プログラム等が予め記憶されたＲＯＭ２８２と、各種データを一時的に記憶するＲＡＭ２８３と、各種データを記憶して保持するＨＤＤ２８４と、ディスプレイ２８８への各種情報の表示を制御すると共にディスプレイ２８８からの操作情報を受け付けるディスプレイドライバ２８７と、操作入力部２９０に対する操作状態を検出する操作入力検出部２８９と、カセットステージ１１４、カセット搬送装置１１８、ウエハ移載装置１２５、ロードロック室制御部７７２、後述する温度制御部２９１、後述する圧力制御部２９４、真空ポンプ２４６、ボート回転機構２６７、マスフローコントローラ３１２、３２２、３３２、５１２、５２２、５３２、後述するバルブ制御部２９９、サセプタ移載装置１２６、突き上げピン昇降装置１８０、ラジエータ８１４、ブロア８１６等の各部材と各種情報の送受信を行う通信インタフェース（Ｉ／Ｆ）部２８５と、を備えている
【００７３】
ＣＰＵ２８１、ＲＯＭ２８２、ＲＡＭ２８３、ＨＤＤ２８４、ディスプレイドライバ２８７、操作入力検出部２８９および通信Ｉ／Ｆ部２８５は、システムバスＢＵＳ２８６を介して相互に接続されている。従って、ＣＰＵ２８１は、ＲＯＭ２８２、ＲＡＭ２８３、ＨＤＤ２８４へのアクセスを行うことができると共に、ディスプレイドライバ２８７を介したディスプレイ２８８への各種情報の表示の制御およびディスプレイ２８８からの操作情報の把握、通信Ｉ／Ｆ部２８５を介した各部材との各種情報の送受信の制御を行うことができる。また、ＣＰＵ２８１は、操作入力検出部２８９を介して操作入力部２９０に対するユーザの操作状態を把握することができる。
【００７４】
ロードロック室制御部７７２には、コントローラ２８０との間で、ゲートバルブ７３０、７７０の開閉情報、ボートエレベータ１１５の昇降情報、ロードロック室７１０の圧力設定情報等の各種情報を送受信する通信Ｉ／Ｆ部７７４が接続されている。通信Ｉ／Ｆ部７７４とコントローラ２８０の通信Ｉ／Ｆ部２８５はケーブル７８４で接続されている。ロードロック室制御部７７２は、受信したゲートバルブ７３０、７７０の開閉情報に基づいたゲートバルブ７３０、７７０の開閉動作等の制御、受信したボートエレベータ１１５の昇降情報に基づいたボートエレベータ１１５の昇降動作の制御、受信したロードロック室の圧力設定情報等と圧力センサ７６２からの圧力情報等に基づいた真空ポンプ７６６の起動・停止制御、マスフローコントローラ７５２の流量制御、バルブ７５４、７６４の開閉動作制御等を行う。ロードロック室制御部７７２もコンピュータによって実現されている。
【００７５】
温度制御部２９１は、誘導コイル２０７と、誘導コイル２０７に電力を供給する高周波電源２５０と、放射温度計８３０と、コントローラ２８０との間で設定温度情報等の各種情報を送受信する通信Ｉ／Ｆ部２９３と、受信した設定温度情報と放射温度計８３０からの温度情報等に基づいて高周波電源２５０から誘導コイル２０７への供給電力を制御する高周波電源制御部２９２とを備えている。高周波電源制御部２９２もコンピュータによって実現されている。温度制御部２９１の通信Ｉ／Ｆ部２９３とコントローラ２８０の通信Ｉ／Ｆ部２８５はケーブル７８５で接続されている。
【００７６】
圧力制御部２９４は、ＡＰＣバルブ２４３と、圧力センサ２４５と、コントローラ２８０との間で設定圧力情報、ＡＰＣバルブ２４３の開閉情報等の各種情報を送受信する通信Ｉ／Ｆ部２９６と、受信した設定圧力情報、ＡＰＣバルブ２４３の開閉情報等と圧力センサ２４５からの圧力情報等に基づいてＡＰＣバルブ２４３の開閉や開度を制御するＡＰＣバルブ制御部２９５とを備えている。ＡＰＣバルブ制御部２９５もコンピュータによって実現されている。圧力制御部２９４の通信Ｉ／Ｆ部２９６とコントローラ２８０の通信Ｉ／Ｆ部２８５はケーブル７８６で接続されている。
【００７７】
カセットステージ１１４、カセット搬送装置１１８、ウエハ移載装置１２５、真空ポンプ２４６、ボート回転機構２６７、マスフローコントローラ３１２、３２２、３３２、５１２、５２２、５３２、突き上げピン昇降装置１８０、サセプタ移載装置１２６、ラジエータ８１４、ブロア８１６とコントローラ２８０の通信Ｉ／Ｆ部２８５は、それぞれケーブル７８１、７８２、７８３、７８７、７８８、７８９、７９０、７９２、７９３、７９４、７９６、７９７、７９８、７９９で接続されている。
【００７８】
バルブ制御部２９９は、バルブ３１３、３２３、３３３、５１３、５２３、５３３、６１２、６２２、６３２と、エアバルブであるバルブ３１３、３２３、３３３、５１３、５２３、５３３、６１２、６２２、６３２へのエアの供給を制御する電磁バルブ群２９８とを備えている。電磁バルブ群２９８は、３１３、３２３、３３３、５１３、５２３、５３３、６１２、６２２、６３２にそれぞれ対応する電磁バルブ２９７を備えている。電磁バルブ群２９８とコントローラ２８０の通信Ｉ／Ｆ部２８５はケーブル７９５で接続されている。
【００７９】
以上のようにして、カセットステージ１１４、カセット搬送装置１１８、ウエハ移載装置１２５、ゲートバルブ７３０、７７０、マスフローコントローラ７５２、バルブ７５４、７６４、真空ポンプ７６６、ボートエレベータ１１５、圧力センサ７６２、高周波電源２５０、放射温度計８３０、ＡＰＣバルブ２４３、圧力センサ２４５、真空ポンプ２４６、ボート回転機構２６７、マスフローコントローラ３１２、３２２、３３２、５１２、５２２、５３２、突き上げピン昇降装置１８０、サセプタ移載装置１２６、ラジエータ８１４、ブロア８１６、バルブ３１３、３２３、３３３、５１３、５２３、５３３、６１２、６２２、６３２等の各部材はコントローラ２８０に接続されている。
【００８０】
コントローラ２８０は、カセットステージ１１４によるカセット１１０の姿勢制御、カセット搬送装置１１８によるカセット１１０の搬送動作制御、ウエハ移載装置１２５によるウエハ２００の移載動作制御、ゲートバルブ７３０、７７０の開閉動作制御、真空ポンプ７６６の起動・停止制御、マスフローコントローラ７５２の流量制御、圧力センサ７６２からの圧力情報に基づくバルブ７５４、７６４の開閉動作制御を介したロードロック室７１０内の圧力制御、ボートエレベータ１１５の昇降動作制御を介したボート２１７の昇降動作制御、放射温度計８３０からの温度情報に基づく高周波電源２５０から誘導コイル２０７への高周波電力供給量調整動作を介した温度制御、ＡＰＣバルブ２４３の開閉制御および圧力センサ２４５からの圧力情報に基づく開度調整動作を介した圧力制御、真空ポンプ２４６の起動・停止制御、ボート回転機構２６７の回転速度調節制御を介したボート２１７の回転速度調節制御、マスフローコントローラ３１２、３２２、３３２、５１２、５２２、５３２の流量制御、突き上げピン昇降装置１８０の昇降動作制御を介した突き上げピン１８２の昇降動作制御、サセプタ移載装置１２６によるサセプタ１５０の移載動作制御、ラジエータ８１４の動作制御、ブロア８１６の動作制御、バルブ３１３、３２３、３３３、５１３、５２３、５３３、６１２、６２２、６３２の開閉動作制御等をそれぞれ行うようになっている。
【００８１】
次に、上述の基板処理装置１０１を用いて大規模集積回路（ＬＳＩ：Ｌａｒｇｅ Ｓｃａｌｅ Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ）を製造する半導体装置の製造工程の一例について説明する。尚、以下の説明において、基板処理装置１０１を構成する各部の動作はコントローラ２８０により制御される。
【００８２】
ＬＳＩは、シリコンウエハ上に処理を施すウエハプロセスを行なった後、組立工程、試験工程、信頼性試験工程を経て製造される。ウエハプロセスは、シリコンウエハに酸化、拡散などの加工を施す基板工程と、その表面に配線を形成する配線工程とに区分され、配線工程では、リソグラフィ工程を中心に洗浄、熱処理、膜形成などが反復して行なわれる。リソグラフィ工程では、レジストパターンを形成し、該パターンをマスクとしてエッチングを行なうことにより該パターンの下層を加工する。
【００８３】
次に、基板処理装置１０１を使用して，シリコンウエハ２００の処理、例えば、シリコンウエハ２００上に成膜を行う工程を説明する。
【００８４】
図１を参照すれば、工程内搬送装置（図示略）によってカセット１１０がカセットステージ１１４上に搬入されると、カセット１１０は、ウエハ２００がカセットステージ１１４の上で垂直姿勢を保持し、カセット１１０のウエハ出し入れ口が上方向を向くようにカセットステージ１１４上に載置される。その後、カセット１１０は、カセットステージ１１４によって、カセット１１０内のウエハ２００が水平姿勢となり、カセット１１０のウエハ出し入れ口が筐体１１１の後方を向くように、筐体１１１の後方に右周り縦方向９０°回転させられる。
【００８５】
その後、カセット１１０は、カセット棚１０５ないし予備カセット棚１０７の指定された棚位置へカセット搬送装置１１８によって自動的に搬送され受け渡され、一時的に保管された後、カセット棚１０５ないし予備カセット棚１０７からカセット搬送装置１１８によって移載棚１２３に移載されるか、もしくは直接移載棚１２３に搬送される。
【００８６】
カセット１１０が移載棚１２３に移載されると、予め内部が大気圧状態とされていたロードロック室７１０のサセプタ搬入搬出口７１２がゲートバルブ７７０の開動作により開放される。
【００８７】
ウエハ搬入搬出口７１２が開放されると、ウエハ２００は、カセット棚１０５の移載棚１２３に収納されたカセット１１０からウエハ移載機構１２５ａのツイーザ１２５ｃによってカセット１１０のウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、サセプタ保持機構１４０に保持されたサセプタ１５０上に移載されて装填される。
【００８８】
ウエハ２００を搭載したサセプタ１５０は、サセプタ移載機構１２６ａのツイーザ１２６ｃによってサセプタ搬入搬出口７１２を通じてロードロック室７１０内に搬入され、ボート２１７へ移載されて装填される。
【００８９】
なお、処理室２０１は、ゲートバルブ７３０で閉じられている。処理室２０１内は、不活性ガスである窒素ガスによって大気圧に保たれている。
【００９０】
予め指定された枚数のバッチ処理されるウエハ２００を搭載したサセプタ１５０がボート２１７に多段に積層されるように装填されると、サセプタ搬入搬出口７１２がゲートバルブ７７０によって閉じられる。真空ポンプ７６６を起動し、バルブ７６４を開けて、ロードロック室７１０を排気し、減圧にする。
【００９１】
その後、バルブ７６４を閉じ、バルブ７５４を開けてマスフローコントローラ７５２で流量調整した窒素ガスをロードロック室７１０に供給し、ロードロック室７１０内の圧力を圧力センサ７６２で測定し、この測定された圧力に基づき、ロードロック室７１０内を窒素ガスによって大気圧とする。
【００９２】
ロードロック室７１０内が大気圧になると、ゲートバルブ７３０を開ける。
【００９３】
その後、図５に示すように、ウエハ２００をそれぞれ搭載した複数のサセプタ１５０を支持したボート２１７は、ボートエレベータ１１５によって持ち上げられて、処理室２０１内に搬入される。この状態で、シールキャップ２１９はＯリング２２０を介して取付部材７４０の下端開口を気密にシールして、処理室２０１を気密にシールした状態とする。
【００９４】
その後、ボート２１７をボート駆動機構２６７により回転させ、ウエハ２００を回転させる。
【００９５】
その後、ＡＰＣバルブ２４３を開いて真空ポンプ２４６により処理室２０１内を真空引きする。そして、処理室２０１内の圧力は、圧力センサ２４５で測定され、この測定された圧力に基づきＡＰＣバルブ２４３の開度がフィードバック制御され、処理室２０１内の圧力が所望の圧力（真空度）となるように制御される。
【００９６】
また、高周波電源２５０から誘導コイル２０７への高周波電力を供給して、サセプタ１５０を誘導加熱してウエハ２００を加熱する。この際、放射温度計８３０からの温度情報に基づいて、サセプタ１５０またはウエハ２００が所定の温度になるように、高周波電源２５０から誘導コイル２０７への高周波電力量がフィードバック制御される。
【００９７】
次に、バルブ３１３、３２３、３３３を開いてガス供給系３０１から第１の処理ガス、ガス供給系３０２から第２の処理ガス、ガス供給系３０３から第３の処理ガスを処理室２０１内に供給して、ウエハ２００の成膜処理を行う。この際には、マスフローコントローラ３１２、３２２、３３２の流量およびＡＰＣバルブ２４３の開度を適正に調整して処理室２０１内の圧力を所定の圧力に維持する。また、誘導コイル２０７に電力を供給する高周波電源２５０を制御してサセプタ１５０またはウエハ２００が所定の温度になるようにする。
【００９８】
所定の時間成膜処理を行ったら、バルブ３１３、３２３、３３３を閉じて、ガス供給系３０１からの第１の処理ガスの供給、ガス供給系３０２からの第２の処理ガスの供給およびガス供給系３０３からの第３の処理ガスの供給を停止し、排気管２３１のＡＰＣバルブ２４３を全開として、真空ポンプ２４６により処理室２０１内を排気し、処理室２０１内に残留する第１〜第３の処理ガス等の残留ガスを処理室２０１内から排除する。
【００９９】
その後、高周波電源２５０から誘導コイル２０７への高周波電力の供給を停止して、サセプタ１５０の誘導加熱を停止して、ウエハ２００の加熱を停止する。
【０１００】
その後、ＡＰＣバルブ２４３を閉じ、バルブ５１３、５２３、５３３を開いて処理室２０１内の雰囲気をＮ２等の不活性ガスで置換し、処理室２０１内の圧力を大気圧に復帰する。その後、真空ポンプ２４６を止める。
【０１０１】
その後、ボートエレベータ１１５によりシールキャップ２１９を下降して、取付部材７４０の下端を開口するとともに、処理済ウエハ２００を搭載したサセプタ１５０をボート２１７に搭載した状態で、ボート２１７を下降して、処理室２０１から、窒素置換されたロードロック室７１０に搬出する。その後、ゲートバルブ７３０を閉じる。
【０１０２】
その後、ゲートバルブ７７０を開け、サセプタ搬入搬出口７１２を開放する。その後、図１を参照すれば、処理済ウエハ２００を搭載したサセプタ１５０は、サセプタ移載機構１２６ａのツイーザ１２６ｃによって、ロードロック室７１０内のボート２１７から順次搬出され、サセプタ保持機構１４０に保持される。サセプタ保持機構１４０に保持されたサセプタ１５０上のウエハ２００は、ウエハ移載機構１２５ａのツイーザ１２５ｃによって、サセプタ保持機構１４０に保持されたサセプタ１５０から搬出され、カセット棚１０５の移載棚１２３に収納されたカセット１１０に移載される。これにより１回の成膜処理が終了する。
【０１０３】
その後は、ウエハ２００およびカセット１１０は、上述の逆の手順で、適宜、筐体１１１の外部に搬出される。
【０１０４】
次に、図８を参照して、本実施の形態の処理炉２０２をさらに詳細に説明する。
【０１０５】
螺旋状に巻かれている誘導コイル２０７の内側には、誘導コイル２０７と同心円状に外側反応管としてのアウターチューブ２０３と、内側反応管としてのインナーチューブ３５０が設けられている。インナーチューブ３５０は、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されている。インナーチューブ３５０内には処理室２０１が形成されている。インナーチューブ３５０の側壁３５６には、ガス供給管３５２が設けられている。ガス供給管３５２が設けられたインナーチューブ３５０の側壁３５６には、複数のガス供給口３５４が設けられている。
【０１０６】
インナーチューブ３５０内にはボート２１７が設けられている。ボート２１７には、複数のサセプタ１５０が水平姿勢で、垂直方向に積層して保持され、インナーチューブ３５０内に収容されている。複数のサセプタ１５０は誘導コイル２０７に高周波電源２５０（図５参照）から印加される高周波電力によって誘導加熱される。誘導コイル２０７の上端部２０７ａは、複数のサセプタ１５０よりも外側（上側）に配置されている。複数のサセプタ１５０のうち、上側がウエハ２００を搭載したウエハ搭載サセプタ１７２であり、下側がウエハ２００を搭載しないダミーサセプタ１７４である。ダミーサセプタ１７４に代えて断熱板を設けてもよい。なお、ウエハ搭載サセプタ１７２の上側もダミーサセプタ１７３としてもよい。この場合には、サセプタ１５０の中央部がウエハ２００を搭載したウエハ搭載サセプタ１７５となる。
【０１０７】
アウターチューブ２０３は、上端が閉塞し下端が開口した円筒形状に形成されており、上部の天井部（閉塞部）２７０と、垂直方向に延在する側壁部２７２とを備えている。保温材３６０が、アウターチューブ２０３の外側に設けられている。保温材３６０は、天井部３６２と側部３６４とを備えている。保温材３６０の天井部３６２は、アウターチューブ２０３の天井部（閉塞部）２７０を覆って設けられ、保温材３６０の側部３６４は、アウターチューブ２０３の側壁部２７２の上部２７２ａを覆って、アウターチューブ２０３の側壁部２７２の上部２７２ａと誘導コイル２０７との間に設けられている。保温材３６０は、アウターチューブ２０３の側壁部２７２の中央部２７２ｂおよび下部２７２ｃと誘導コイル２０７との間には設けられていない。保温材３６０の天井部３６２は、好ましくは、閉塞している。
【０１０８】
図９は、比較のための処理炉を説明するための概略縦断面図である。この場合には、保温材３６０は、天井部３６２のみを備えている。保温材３６０の天井部３６２は、アウターチューブ２０３の天井部（閉塞部）２７０を覆って設けられている。保温材３６０は、アウターチューブ２０３の側壁部２７２の上部２７２ａ、中央部２７２ｂおよび下部２７２ｃと誘導コイル２０７との間には設けられていない。
【０１０９】
図８、図９の右側の図は、サセプタ１５０の中心温度とサセプタ１５０を保持するボート２１７のスロットの数（すなわち、サセプタ１５０の垂直方向の位置）との関係をそれぞれ示している。図８、９を参照すれば、保温材３６０の側部を設け、サセプタ１５０の上端より下方向に保温材３６０を伸ばすと、サセプタ１５０からの発熱を閉じ込める効果が得られ、上部の温度分布を大きく持ち上げることができることがわかる（図８Ｃ部および図９Ｄ部参照）。ボート２１７のスロットの（縦方向）中央部分は、十分な数のサセプタ１５０もしくは断熱板に囲まれる為、加熱により発生した熱が平衡状態に近く、安定した温度分布を得ることができる。したがって、中央部分には、保温材３６０を設置する必要がないと言える。図９より、保温材３６０の側部３６４がない場合には、サセプタ１５０の上部は、中央部より温度が低くなり、保温効果が薄いことがわかる。これにより、サセプタ上端より内側（下側）に延在する保温材を設置することが好ましいことがわかる。図８より、保温材３６０の側部３６４の長さａが１５０ｍｍでは、逆に中央部の分布を引っ張るように持ち上げてしまっていることがわかる。従って、サセプタ１５０の均熱分布改善の為には、サセプタ１５０と誘導コイル２０７の位置関係で磁場強度が異なり、それにより発熱分布も変化するので、発熱分布に合わせ保温したい部分にのみ温度改善するような適切な形状の保温材３６０を設置し範囲を調整することが好ましい。
【０１１０】
（第２の実施の形態）
本実施の形態においては、アウターチューブ２０３の天井部（閉塞部）２７０と、アウターチューブ２０３の側壁部２７２の天井部（閉塞部）２７０側の部分（上部２７２ａ）に、高周波による誘導がされにくく、放射率が低い材料からなる膜（図示せず）を設ける。アウターチューブ２０３の外壁の誘導コイル２０７の上端部２０７ａよりも内側下側まで延在する領域に、高周波による誘導がされにくく（低抵抗材料）、放射率の低い材料を用いてメッキ（コーティング）することで、内側に熱（光）を反射させ保温効果が得られる。好適なものとして、金メッキ、銀メッキ、クロムメッキが挙げられる。メッキ塗布領域は、サセプタ１５０と誘導コイル２０７の位置関係で磁場強度が異なり、発熱分布が変わるので、それに合わせて範囲を調整する。
【０１１１】
（第３の実施の形態）
本実施の形態では、保温材３６０の側部３６４の厚さを、サセプタ１５０の積層方向（垂直方向）で異ならせ、上側から下側に向かうに従って薄くしている。図１０を参照すれば、保温材３６０の側部３６４の厚さを、上側から下側に向かうに従って薄くすることで、保温効果を緩和しより均一な温度分布とすることができる。
【０１１２】
（第４の実施の形態）
本実施の形態では、保温材３６０の、アウターチューブ２０３の天井部（閉塞部）２７０を覆う天井部３６２は、気体を流通させる部材から構成されている。天井部３６２だけでなく、保温材３６０の全体を、気体を流通させる部材で構成することがより好ましい。気体を流通させる部材には、好ましくは、断熱クロス材を使用する。
【０１１３】
図１１を参照すれば、アウターチューブ２０３内に可燃性ガス（水素等）を充満させて使用する為、万が一爆発した場合を想定し、ヒータ室８１１の壁体８１０の側面８１７は爆発に耐えうる頑丈な構造体で囲み、ヒータ室８１１の上部には爆発した際の圧力を逃がす為の放散口８１８を有している。この爆発放散口８１８は、指定の圧力が加わることで簡単に構造が壊れる仕様となっている。この爆発放散口８１８をアウターチューブ２０３の上部に設置することで、爆発時の圧力を上に逃がすことにより、側面や下に圧力がかからず、安全を確保する構造となる。
【０１１４】
この構造を正常に動作させる為に、保温材３６０を気体を流通させる部材（耐熱性の高い生地等で織ったものやメッシュ構造の材料）で構成することで、爆発時にガスを流通させることができ、爆発放散口から圧力を放散することができる。
【０１１５】
（第５の実施の形態）
図１２を参照すれば、本実施の形態では、保温材として、上側の保温材３６０に加え、下側の保温材３６８を備えている。保温材３６０は第１の実施の形態と同じなので、説明は省略する。保温材３６８は、アウターチューブ２０３の下部２７２ｃの外側に配置されている。保温材３６８の上部は、アウターチューブ２０３の下部２７２ｃと誘導コイル２０７の下端部との間を延在して設けられている。保温材３６０は、アウターチューブ２０３の側壁部２７２の中央部２７２ｂと誘導コイル２０７との間には設けられていない。
【０１１６】
このように、アウターチューブ２０３の下部２７２ｃの外側に保温材３６８を設けることで、横方向に逃げる熱を保温し、分布を持ち上げる。均熱分布改善の為には、サセプタ１５０と誘導コイル２０７の位置関係で磁場強度が異なり、それにより発熱分布も変化する為、発熱分布に合わせ保温したい部分にのみ温度改善するような適切な形状の保温材を設置し範囲を調整する。
【０１１７】
（第６の実施の形態）
第６の実施の形態および第７の実施の形態では、複数のサセプタ１５０のうち、積層方向における少なくとも中央部に配置されるサセプタはウエハ２００搭載用のサセプタ１９０であり、複数のサセプタ１５０のうち、積層方向における両側のうちの少なくとも一方の側のサセプタは、ウエハ２００搭載用のサセプタ１９０よりも発熱量が小さいダミーサセプタ１９１、１９２（第６の実施の形態）、１９４、１９５（第７の実施の形態）である。ダミーサセプタ１９１、１９２（第６の実施の形態）、１９４、１９５（第７の実施の形態）は、ウエハ２００搭載用のサセプタ１９０よりも容積が小さいダミーサセプタでもある。
【０１１８】
第６の実施の形態では、複数のサセプタ１５０のうち、積層方向における少なくとも中央部に配置されるサセプタはウエハ２００搭載用のサセプタ１９０であり、複数のサセプタ１５０のうち、積層方向における両側のサセプタは、ウエハ２００搭載用のサセプタ１９０よりも厚さが薄く、発熱量が小さく、容積が小さいダミーサセプタ１９１、１９２である。
【０１１９】
ウエハ２００搭載用のサセプタ１９０の上部もしくは下部に該サセプタ１９０の肉厚よりも薄いダミーサセプタ１９１、１９２を設置することで上部若しくは下部の発熱分布を改善し、さらに放熱を抑制することができる。
【０１２０】
本実施の形態では、厚みの小さいサセプタは、厚みの大きいものに比べ、発熱そのものが小さい点を利用する。図１４に示すように、誘導コイル２０７から発生する磁場の影響を大きく受けるように、誘導コイル２０７の上下端よりもより内側にサセプタ１５０を設置すると、サセプタ１５０の上端及び下端もしくは上下端共の発熱量が大きくなり中央部分の発熱が小さくなるような分布となる。なお、図１４は、中央部のウエハ２００搭載用のサセプタ１９０の厚さと、上部のダミーサセプタ１９３の厚さは同じである。これに対して、厚みの小さいサセプタ１９１、１９２は、厚みの大きいウエハ２００搭載用のサセプタ１９０より発熱しにくい為、過度に発熱する場所（本例では、上端および下端）に設置することで、発熱を緩和させることができる（図１３参照）。また、ダミーエリアに設置することで、上下方向への放熱抑制となる上、発熱そのものが小さい為放熱量が小さくなる。このように、発熱分布に合わせて、設置する厚みやその数量を変化させる（調整する）ことで、縦方向の温度均一化を図ることができる。また、厚みを徐々に変える（本例では、中心部より上に設置するサセプタを薄くする）ことでも、発熱分布を制御することができる。
【０１２１】
（第７の実施の形態）
第７の実施の形態では、複数のサセプタ１５０のうち、積層方向における少なくとも中央部に配置されるサセプタはウエハ２００搭載用のサセプタ１９０であり、複数のサセプタ１５０のうち、積層方向における両側のサセプタは、ウエハ２００搭載用のサセプタ１９０よりも径が小さく、発熱量が小さく、容積が小さいダミーサセプタ１９４、１９５である。
【０１２２】
ウエハ２００搭載用のサセプタ１９０の上部もしくは下部に該サセプタ１９０の径よりも小さい径のダミーサセプタ１９４、１９５を設置することで上部若しくは下部の発熱分布を改善し、さらに放熱を抑制することができる。
【０１２３】
本実施の形態では、径の小さいサセプタは、大口径に比べ誘導コイル２０７との距離が離れる為、発熱そのものが小さくなる点を利用する。図１６に示すように、誘導コイル２０７から発生する磁場の影響を大きく受けるように、誘導コイル２０７の上下端よりもより内側にサセプタ１５０を設置すると、サセプタ１５０の上端及び下端もしくは上下端共の発熱量が大きくなり中央部分の発熱が小さくなるような分布となる。なお、図１６は、中央部のウエハ２００搭載用のサセプタ１９０の厚さと、上部のダミーサセプタ１９３の厚さは同じである。これに対して、径の小さいサセプタ１９４、１９５は、径の大きいウエハ２００搭載用のサセプタ１９０より発熱しにくい為、過度に発熱する場所（本例では、上端および下端）に設置することで、発熱を緩和させることができる（図１５参照）。また、ダミーエリアに設置することで、上下方向への放熱抑制となる上、発熱そのものが小さい為放熱量が小さくなる。このように、発熱分布に合わせて、設置する径やその数量を変化させる（調整する）ことで、縦方向の温度均一化を図ることができる。また、径を徐々に変える（本例では、中心部より上に設置するサセプタを薄くする）ことでも、発熱分布を制御することができる。
【０１２４】
尚、径の小さいサセプタ１９４を支持、保持する方法として、図１７に示すように、誘導されにくい材質（ＳｉＣ、石英、セラミック）で構成された小口径サセプタ移載板１９６をボート２１７のサセプタ保持部２１３上に設置し、小口径サセプタ移載板１９６上に径の小さいサセプタ１９４を搭載する方法や、図１８に示すように、ボート２１７のサセプタ保持部２１４を、径の大きいウエハ２００搭載用のサセプタ１９０を保持するためのサセプタ保持部２１３よりも内側に伸ばす方法等等が挙げられる。
【０１２５】
（本発明の好ましい態様）
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
【０１２６】
（付記１）
本発明の好ましい一態様によれば、
複数のサセプタを積層して保持するサセプタ保持部材と、
前記サセプタ保持部材に保持された前記複数のサセプタを収容する容器と、
前記容器の外側に配置された誘導コイルと、
前記誘導コイルに高周波電力を供給する高周波電源と、
前記複数のサセプタの積層方向における一方の側において、前記容器の外側に設けられた保温材と、を備え
前記容器は前記一方の側において閉塞した形状であって、前記積層方向に延在する側壁部と、前記一方の側の閉塞部とを有し、
前記誘導コイルの前記積層方向の一端部は、前記積層方向の前記一方の側において、前記複数のサセプタよりも外側に配置され、
前記保温材は、前記容器の前記閉塞部を覆うと共に、前記閉塞部から前記側壁部の一部までを覆って前記側壁部と前記誘導コイルとの間を延在して設けられ、
前記複数のサセプタは前記誘導コイルに前記高周波電源から印加される高周波電力によって誘導加熱され、
前記複数のサセプタのうち、前記積層方向における少なくとも中央部に配置されるサセプタは被処理基板を搭載用のサセプタである基板処理装置が提供される。
【０１２７】
（付記２）
付記１の基板処理装置であって、好ましくは、前記容器の閉塞部と前記容器の前記側壁部の前記閉塞部側の部分に設けられた膜であって、高周波による誘導がされにくく、放射率が低い材料からなる膜をさらに備える。
【０１２８】
（付記３）
付記１または２の基板処理装置であって、好ましくは、前記保温材の前記容器の前記側壁部と前記誘導コイルとの間を延在して設けられる部分の厚さを、前記積層方向で異ならせる。
【０１２９】
（付記４）
付記３の基板処理装置であって、好ましくは、前記保温材の前記容器の前記側壁部と前記誘導コイルとの間を延在して設けられる部分の厚さを、前記積層方向における前記一方の側から前記中央部に向かうにつれて薄くする。
【０１３０】
（付記５）
付記１〜３のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、前記保温材の、前記容器の前記閉塞部を覆う部分は閉塞している。
【０１３１】
（付記６）
付記１〜３のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、前記保温材の、前記容器の前記閉塞部を覆う部分は、気体を流通させる部材から構成されている。
【０１３２】
（付記７）
付記１〜６のいずれかの基板処理装置であって、好ましくは、前記積層方向の他方の側において、前記容器の前記側壁部の外側に配置された第２の保温材をさらに備える。
【０１３３】
（付記８）
付記７の基板処理装置であって、好ましくは、前記第２の保温材の前記積層方向の前記一方の側の端部は、前記容器の側壁部と前記誘導コイルの前記積層方向の他端部との間を延在して設けられている。
【０１３４】
（付記９）
本発明の好ましい他の態様によれば、
複数のサセプタを積層して保持するサセプタ保持部材と、
前記サセプタ保持部材に保持された前記複数のサセプタを収容する容器と、
前記容器の外側に配置された誘導コイルと、
前記誘導コイルに高周波電力を供給する高周波電源と、を備え
前記複数のサセプタは前記誘導コイルに前記高周波電源から印加される高周波電力によって誘導加熱され、
前記複数のサセプタのうち、前記積層方向における少なくとも中央部に配置されるサセプタは被処理基板搭載用のサセプタであり、
前記複数のサセプタのうち、前記積層方向における両側のうちの少なくとも一方の側のサセプタは、前記被処理基板搭載用のサセプタよりも発熱量が小さいダミーサセプタである基板処理装置が提供される。
【０１３５】
（付記１０）
本発明の好ましい他の態様によれば、
複数のサセプタを積層して保持するサセプタ保持部材と、
前記サセプタ保持部材に保持された前記複数のサセプタを収容する容器と、
前記容器の外側に配置された誘導コイルと、
前記誘導コイルに高周波電力を供給する高周波電源と、を備え
前記複数のサセプタは前記誘導コイルに前記高周波電源から印加される高周波電力によって誘導加熱され、
前記複数のサセプタのうち、前記積層方向における少なくとも中央部に配置されるサセプタは被処理基板搭載用のサセプタであり、
前記複数のサセプタのうち、前記積層方向における両側のうちの少なくとも一方の側のサセプタは、前記被処理基板搭載用のサセプタよりも容積が小さいダミーサセプタである基板処理装置が提供される。
【０１３６】
（付記１１）
付記９または１０の基板処理装置であって、好ましくは、前記少なくとも一方の側のサセプタは、前記被処理基板搭載用のサセプタよりも厚さが薄い。
【０１３７】
（付記１２）
付記９または１０の基板処理装置であって、好ましくは、前記少なくとも一方の側のサセプタは、前記被処理基板搭載用のサセプタよりも径が小さい。
【０１３８】
以上、本発明の種々の典型的な実施の形態を説明してきたが、本発明はそれらの実施の形態に限定されない。従って、本発明の範囲は、次の特許請求の範囲によってのみ限定されるものである。
【符号の説明】
【０１３９】
１０１  基板処理装置
１０５  カセット棚
１０７  予備カセット棚
１１０  カセット
１１１  筐体
１１４  カセットステージ
１１５  ボートエレベータ
１１８  カセット搬送装置
１１８ａ  カセットエレベータ
１１８ｂ  カセット搬送機構
１２３  移載棚
１２５  ウエハ移載装置
１２５ａ  ウエハ移載機構
１２５ｂ  ウエハ移載機構エレベータ
１２５ｃ  ツイーザ
１２６  サセプタ移載装置
１２６ａ  サセプタ移載機構
１２６ｂ  サセプタ移載機構エレベータ
１２６ｃ  ツイーザ
１２８  アーム
１３４ａ  クリーンユニット
１３４ｂ  クリーンユニット
１４０  サセプタ保持機構
１４２  支柱
１４４  サセプタ保持部
１４６  基台
１５０  サセプタ
１５２  周縁部
１５４  中央部
１５６  段差部
１６０  ピン孔
１６２  保持部材
１７２  ウエハ搭載サセプタ
１７３、１７４  ダミーサセプタ
１７５  ウエハ搭載サセプタ
１７６  ウエハ２００搭載用のサセプタ
１８０  突き上げピン昇降機構
１８２  突き上げピン
１９０  ウエハ２００搭載用のサセプタ
１９１、１９２、１９４、１９５  ダミーサセプタ
２００  ウエハ
２０１  処理室
２０２  処理炉
２０３  アウターチューブ
２０４、２０５、２０６  フランジ
２０７  誘導コイル
２０７ａ  上端部
２０８  側壁
２０９  マニホールド
２１２  支柱
２１３  サセプタ保持部
２１５  インナーチューブ支持部
２１７  ボート
２１８  ボート支持台
２１９  シールキャップ
２２０、２２２  Ｏリング
２３０  排気口
２３１、２３２  排気管
２３３  排気系
２４３  ＡＰＣバルブ
２４５  圧力センサ
２４６  真空ポンプ
２５０  高周波電源
２６０  誘導加熱装置
２６５  回転軸
２６７  ボート回転機構
２７０  天井部（閉塞部）
２７２  側壁部
２７２ａ  側壁部上部
２７２ｂ  側壁部中央部
２７２ｃ  側壁部下部
２８０  コントローラ
２８１  ＣＰＵ
２８２  ＲＯＭ
２８３  ＲＡＭ
２８４  ＨＤＤ
２８５、２９３、２９６  Ｉ／Ｆ部
２８６  バス
２８７  ディスプレイドライバ
２８８  ディスプレイ
２８９  操作入力検出部
２９０  操作入力部
２９１  温度制御部
２９２  高周波電源制御部
２９３  Ｉ／Ｆ部
２９４  圧力制御部
２９５  ＡＰＣバルブ制御部
２９６  Ｉ／Ｆ部
２９７  電磁バルブ
２９８  電磁バルブ群
２９９  バルブ制御部
３０１、３０２、３０３  ガス供給系
３１０、３２０、３３０  ガス供給管
３１２、３２２、３３２、５１２、５２２、５３２  マスフローコントローラ
３１３、３２３、３３３、５１３、５２３、５３３、６１２、６２２、６３２  バルブ
３４０  ガス供給管
３４２  ガス供給口
３５０  インナーチューブ
３５２  ガス供給管
３５４  ガス供給口
３５６  側壁
３６０  保温材
３６２  天井部
３６４  側部
３６８  保温材
４１０、４２０、４３０  ノズル
４１１、４２１、４３１  ガス供給孔
５０１、５０２、５０３  キャリアガス供給系（不活性ガス供給系）
５１０、５２０、５３０  キャリアガス供給管
６１０、６２０、６３０  ベントライン
７１０  ロードロック室
７１１  耐圧筐体
７１２  サセプタ搬入搬出口
７１４  前壁
７１６、７１８  側壁
７２０  天井壁
７２１  貫通孔
７３０、７７０  ゲートバルブ
７４０  取付部材
７４２、７４６  フランジ
７４４  側壁
７５０  ガス供給管
７５１  ガス供給系
７５２  マスフローコントローラ
７５４、７６４  バルブ
７６０  排気管
７６１  排気系
７６２  圧力センサ
７６６  真空ポンプ
７７２  ロードロック制御部
７７４  Ｉ／Ｆ部
７８１〜７９８  ケーブル
８１０  壁体
８１１  ヒータ室
８１２  開口部
８１３  ダクト
８１４  ラジエータ
８１６  ブロア
８１８  放散口
８２０  水冷板
８３０  放射温度計
【図１】
2012199402.tif 000003
【図２】
2012199402.tif 000004
【図３】
2012199402.tif 000005
【図４】
2012199402.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
2012199402.tif 000009
【図８】
2012199402.tif 000010
【図９】
2012199402.tif 000011
【図１０】
2012199402.tif 000012
【図１１】
2012199402.tif 000013
【図１２】
2012199402.tif 000014
【図１３】
2012199402.tif 000015
【図１４】
2012199402.tif 000016
【図１５】
2012199402.tif 000017
【図１６】
2012199402.tif 000018
【図１７】
2012199402.tif 000019
【図１８】
2012199402.tif 000020