(57)【要約】【課題】素子チップの厚み方向に素子チップを押圧しても曲げ応力が加わり難い構造の素子チップを提供する。【解決手段】回路基板１３に接着剤１２を介して実装される素子チップ１にかかわる。基板２上にスパイラルインダクターを構成するインダクター配線５と、インダクター配線５に沿ってインダクター配線５の一部を覆う第１樹脂膜６と、第１樹脂膜６に覆われていないインダクター配線５の他の一部と基板２との間に位置する第２樹脂膜７を有する。【選択図】図１
2012033519.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板に接着剤を介して実装される素子チップであって、
基板上にスパイラルインダクターを構成する配線と、
前記配線に沿って前記配線の一部を覆う第１樹脂膜と、
前記第１樹脂膜に覆われていない前記配線の他の一部と前記基板との間に位置する第２樹脂膜と、を有することを特徴とする素子チップ。
【請求項２】
請求項１に記載の素子チップであって、
前記基板の厚み方向において前記第１樹脂膜が前記基板から最も離れている場所と前記基板との距離を第１距離とし、
前記基板の厚み方向において前記第２樹脂膜上に位置する前記配線が前記基板から最も離れている場所と前記基板との距離を第２距離とするとき、
前記第２距離は前記第１距離より長い距離であることを特徴とする素子チップ。
【請求項３】
請求項２に記載の素子チップであって、
前記基板の平面視にて前記スパイラルインダクターを囲む場所に第３樹脂膜が位置することを特徴とする素子チップ。
【請求項４】
請求項３に記載の素子チップであって、
前記基板の平面視にて隣り合う前記第１樹脂膜の間に第４樹脂膜が位置することを特徴とする素子チップ。
【請求項５】
請求項４に記載の素子チップであって、
前記配線と対向する場所には前記第１樹脂膜または前記第２樹脂膜が位置することを特徴とする素子チップ。
【請求項６】
請求項５に記載の素子チップであって、
前記第１樹脂膜は前記スパイラルインダクターを囲む閉曲線を有することを特徴とする素子チップ。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の素子チップが基板に内蔵されていることを特徴とする素子内蔵基板。
【請求項８】
インダクターを備えた回路を有する電子機器であって、
請求項１〜６のいずれか一項に記載の素子チップが前記インダクターに用いられていること特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、素子チップ、素子内蔵基板及び電子機器にかかわり、特に薄い素子チップに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
携帯用の電気製品は小型化、軽量化の要望が高い。そして、電気製品を構成する電子部品においても薄型化、軽量化の要望が高くなっている。この電子部品の１つにインダクターがある。そして、インダクターの素子チップが特許文献１に開示されている。これによると、基板の一方の面にスパイラルインダクターが形成されている。そして、インダクターを構成する配線の両端の場所から他方の面へ貫通した配線であるタングステンプラグを配置し、他方の面に形成された半導体の能動領域に接続している。
【０００３】
素子チップの基板が薄いときの実装方法が特許文献２に開示されている。これによると、素子チップの端子を基板の周囲に配列して設置している。この端子には樹脂をコアとするバンプが用いられている。そして、配列した端子の外周または内側にダミーバンプが配置されている。これにより、実装時に基板を押圧するときにも基板を曲げる力がかからないようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−７２５８８号公報
【特許文献２】特開２００７−１９３８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
スパイラルインダクターが形成された素子チップを実装するとき、素子チップを押圧する。このとき、素子チップを構成する基板の厚みが薄いときには、素子チップに曲げ応力が加わって破損してしまうことがある。そこで、素子チップの厚み方向に素子チップを押圧しても曲げ応力が加わり難い構造の素子チップが望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］
本適用例にかかる素子チップは、回路基板に接着剤を介して実装される素子チップであって、基板上にスパイラルインダクターを構成する配線と、前記配線に沿って前記配線の一部を覆う第１樹脂膜と、前記第１樹脂膜に覆われていない前記配線の他の一部と前記基板との間に位置する第２樹脂膜と、を有することを特徴とする。
【０００８】
この素子チップによれば、基板上に配線がスパイラル状に配置され、配線によるスパイラルインダクターが設置されている。この配線の一部は第１樹脂膜に覆われている。さらに、基板上には第２樹脂膜が設置され、第１樹脂膜に覆われていない配線の他の一部は第２樹脂膜の上に配置されている。第２樹脂膜上の配線を回路基板に接触させて実装することにより回路基板からスパイラルインダクターに電流を流すことができる。
【０００９】
素子チップを回路基板に実装するとき、素子チップを回路基板に押圧した状態にて接着剤を固化する。このとき、基板が薄いときには基板に曲げ応力が生じて基板が破損しないように押圧する必要がある。本適用例では配線に沿って第１樹脂膜が配置されている。さらに、第１樹脂膜が配置されない場所には第２樹脂膜が配置されている。従って、第１樹脂膜及び第２樹脂膜の配置された場所は樹脂膜の弾力性が作用するので特定の部分に応力が集中することを防止できる。その結果、配線が配置された場所に応力が集中することを防止できる。
【００１０】
［適用例２］
上記適用例にかかる素子チップにおいて、前記基板の厚み方向において前記第１樹脂膜が前記基板から最も離れている場所と前記基板との距離を第１距離とし、前記基板の厚み方向において前記第２樹脂膜上に位置する前記配線が前記基板から最も離れている場所と前記基板との距離を第２距離とするとき、前記第２距離は前記第１距離より長い距離であることを特徴とする。
【００１１】
この素子チップによれば、第１樹脂膜が位置する場所の第１樹脂膜の厚みを第１距離としている。さらに、第２樹脂膜が位置する場所の配線の厚みと第２樹脂膜の厚みとを加算した長さを第２距離としている。そして、第２距離は第１距離より長い距離となっている。従って、第１樹脂膜よりも第２樹脂膜上の配線の方が基板より離れた場所に位置している。基板を実装するときに素子チップを押圧する。このときまず第２樹脂膜上の配線が押圧された後、次に第１樹脂膜が押圧される。従って、実装する相手の回路基板と配線とが確実に接触できるので、確実に導通を確保することができる。
【００１２】
［適用例３］
上記適用例にかかる素子チップにおいて、前記基板の平面視にて前記スパイラルインダクターを囲む場所に第３樹脂膜が位置することを特徴とする。
【００１３】
この素子チップによれば、スパイラルインダクターを囲む場所に第３樹脂膜が位置する。基板を押圧するとき、スパイラルインダクターの周囲に加わる力は第３樹脂膜を押圧する。これにより、スパイラルインダクターの周囲に加わる力によって基板に曲げ応力が加わることを防止することができる。
【００１４】
［適用例４］
上記適用例にかかる素子チップにおいて、前記基板の平面視にて隣り合う前記第１樹脂膜の間に第４樹脂膜が位置することを特徴とする。
【００１５】
この素子チップによれば、基板の上には配線がスパイラルインダクターの形状に配置されている。そして、第１樹脂膜は配線に沿って配置されているので、第１樹脂膜はスパイラルインダクターの形状となっている。隣り合う配線と配線との間隔が大きい場所では、隣り合う第１樹脂膜の間隔も大きくなる。そして、押圧される基板により第１樹脂膜が変形し易くなる。この場所において、隣り合う第１樹脂膜の間に第４樹脂膜が設置される。これにより、押圧される基板の力は第４樹脂膜を押圧するので、基板の特定の場所に曲げ応力が生ずることを防止することができる。
【００１６】
［適用例５］
上記適用例にかかる素子チップにおいて、前記配線と対向する場所には前記第１樹脂膜または前記第２樹脂膜が位置することを特徴とする。
【００１７】
この素子チップによれば、配線のある場所には第１樹脂膜または第２樹脂膜が配置されている。そして、基板の配線と対向する場所を押圧する力は第１樹脂膜と第２樹脂膜を押圧する。従って、配線に曲げ応力が生じ難くすることができる。
【００１８】
［適用例６］
上記適用例にかかる素子チップにおいて、前記第１樹脂膜は前記スパイラルインダクターを囲む閉曲線を有することを特徴とする。
【００１９】
この素子チップによれば、第１樹脂膜の形状は閉曲線を含んでいる。そして、閉曲線の内側にスパイラルインダクターが配置されている。従って、素子チップを実装するときに閉曲線の外側に接着剤を塗布することにより、スパイラルインダクターの配線間へ接着剤が侵入することを防止することができる。
【００２０】
［適用例７］
本適用例にかかる素子内蔵基板は、上記に記載の素子チップが基板に内蔵されていることを特徴とする。
【００２１】
この素子内蔵基板には、品質良く実装可能な薄い素子チップが内蔵されている。従って、薄くて品質の良いインダクターを備えた素子内蔵基板とすることができる。
【００２２】
［適用例８］
本適用例にかかる電子機器は、インダクターを備えた回路を有する電子機器であって、上記に記載の素子チップが前記インダクターに用いられていること特徴とする。
【００２３】
この電子機器によれば、品質良く実装可能な薄い素子チップが内蔵されている。従って、インダクターの機能を有する薄い素子チップを備えた電子機器とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】第１の実施形態にかかわり、（ａ）は素子チップの構成を示す概略斜視図、（ｂ）は、素子チップのＡ−Ａ’線に沿う模式断面図、（ｃ）は、素子チップのＢ−Ｂ’線に沿う模式断面図。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は素子チップを回路基板に実装した状態を示す模式図、（ｃ）は、素子チップが形成されたマザー基板を示す模式図。
【図３】素子チップの製造方法を説明するための模式図。
【図４】素子チップの構成を示す模式断面図。
【図５】第２の実施形態にかかわる素子内蔵基板の模式断面図。
【図６】第３の実施形態にかかわる携帯電話の回路図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて図示している。
【００２６】
（第１の実施形態）
本実施形態では、スパイラルインダクターが設置された特徴的な素子チップとその製造方法との例について、図１〜図４に従って説明する。
【００２７】
（素子チップ）
図１（ａ）は素子チップの構成を示す概略斜視図である。図１（ｂ）は図１（ａ）の素子チップのＡ−Ａ’線に沿う模式断面図であり、図１（ｃ）は図１（ａ）の素子チップのＢ−Ｂ’線に沿う模式断面図である。最初に素子チップ１について図１に従って説明する。素子チップ１は長方形の基板２を備えている。基板２の長手方向をＸ方向とし、基板２の平面方向でＸ方向と直交する方向をＹ方向とする。基板２の厚み方向をＺ方向とする。基板２の材質は剛性があり絶縁性がある材質であればよく、シリコン基板、ガラス基板、樹脂基板、強化材を含む樹脂基板等を用いることができる。本実施形態では、例えば、シリコン基板を採用している。
【００２８】
基板２のＺ方向側の面２ａにはパッシベーション膜３が設置されている。パッシベーション膜３は絶縁性のある膜であれば良く酸化シリコン、窒化シリコンの膜を用いることができる。本実施形態では、例えば、窒化シリコンを採用している。
【００２９】
パッシベーション膜３上には絶縁膜４が重ねて設置されている。絶縁膜４の外形形状は長方形であり、基板２の外形形状より小さくなっている。これにより、絶縁膜４の外形は基板２の側面に接しないようになっている。絶縁膜４の材料は絶縁性のある樹脂材料であれば良く、例えば、ポリイミドを主材料とした材料に感光性材料を添加してパターニングし易くした材料を用いることができる。
【００３０】
絶縁膜４のＺ方向側の面には配線としてのインダクター配線５が設置されている。インダクター配線５は複数の直線が直角に繋げられて螺旋形に配置されている。基板２の外形形状が長方形のときにはインダクター配線５をこの形状にすることにより基板２の面２ａの面積を有効に活用することができる。そして、インダクター配線５に電流を流すときインダクター配線５はスパイラルインダクターとして作用する。インダクター配線５の材料は導電性の材料であれば良く、金、銀、アルミニウム、銅等の金属や導電性の樹脂を用いることができる。さらに、インダクター配線５の材料は電気抵抗の小さい材料が好ましく、本実施形態では、例えば、銅を採用している。
【００３１】
インダクター配線５のＺ方向側にはインダクター配線５を覆うように第１樹脂膜６が配置されている。第１樹脂膜６はインダクター配線５に沿って配置され、インダクター配線５の両端を除いた総ての場所を覆っている。従って、第１樹脂膜６は螺旋状となっている。第１樹脂膜６の最外周と最外周から内側に入る場所の間には連結部６ａが配置されている。連結部６ａにより第１樹脂膜６の最外周は閉曲線６ｂとなり、第１樹脂膜６はインダクター配線５を囲む閉曲線６ｂとなる。
【００３２】
第１樹脂膜６は柱状に形成され、第１樹脂膜６の長手方向と直交する断面を横断面とする。第１樹脂膜６の横断面は半円形をしており、インダクター配線５の長手方向が半円形の軸方向となっている。第１樹脂膜６の材料は感光性絶縁樹脂や熱硬化性絶縁樹脂からなるもので、具体的には、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂やアクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコン樹脂、シリコン変性ポリイミド樹脂、シリコン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン、ポリベンゾオキサゾール等の材料を用いることができる。本実施形態では、例えば、エポキシ樹脂を採用している。
【００３３】
インダクター配線５は１本の繋がった線であり、インダクター配線５の両端には第２樹脂膜７が配置されている。第２樹脂膜７は横断面が半円形の柱状をしており、第２樹脂膜７の軸方向がインダクター配線５の端における幅方向となっている。第２樹脂膜７の周壁となっている面がＺ方向を向いている。その周壁にはインダクター配線５と接続する配線としての端子８が形成されている。この端子８は第１樹脂膜６に覆われていないインダクター配線５の他の一部に相当する。第２樹脂膜７の一部はインダクター配線５の端の上に配置されている。周壁はインダクター配線５と接する場所に位置するので、端子８はインダクター配線５と接続し易くなっている。第２樹脂膜７と端子８とにより樹脂コアバンプ９が構成されている。
【００３４】
インダクター配線５の両端には第２樹脂膜７が位置し、第２樹脂膜７の間では第１樹脂膜６がインダクター配線５に沿って配置されている。従って、インダクター配線５と対向する場所には第１樹脂膜６または第２樹脂膜７が配置されている。
【００３５】
第２樹脂膜７の高さと第１樹脂膜６との高さは同じ高さとなっている。第１樹脂膜６の高さを第１距離６ｃとする。そして、樹脂コアバンプ９の高さは第２樹脂膜７の高さと端子８の高さとを加算した高さである。樹脂コアバンプ９の高さを第２距離９ａとする。このとき、第２距離９ａは第１距離６ｃより長くなっている。
【００３６】
第２樹脂膜７の材料は第１樹脂膜６の材料と同様の材料を用いることができる。本実施形態では、例えば、エポキシ樹脂を採用している。端子８の材料は電気伝導性の良い材料であれば良く、金、銀、銅、アルミニウム、鉛、チタン、タングステン等の金属や合金を用いることができる。端子８は単層の膜でも複層でも良い。本実施形態では、例えば、金を採用している。
【００３７】
基板２の平面視において基板２のＸ方向両端付近には第３樹脂膜１０が配置されている。第３樹脂膜１０は横断面が半円形の柱状をしており、第３樹脂膜１０の軸方向がＹ方向に延在して配置されている。そして、第３樹脂膜１０はインダクター配線５を囲む場所に位置している。
【００３８】
基板２の平面視にて第１樹脂膜６は螺旋状となっている。この形状のために第１樹脂膜６同士が隣り合う場所が形成されている。その隣り合う第１樹脂膜６同士の間が広くなっている場所に第４樹脂膜１１が３個設置されている。第４樹脂膜１１は横断面が半円形の柱状をしており、柱状の軸方向をＹ方向にして配置されている。第３樹脂膜１０及び第４樹脂膜１１の個数と大きさとは限定されない。また、第３樹脂膜１０及び第４樹脂膜１１は第１樹脂膜６と接触しないように配置されている。
【００３９】
図２（ａ）及び図２（ｂ）は素子チップを回路基板に実装した状態を示す模式図である。図２（ａ）及び図２（ｂ）に示すように、接着剤１２を挟んで素子チップ１と回路基板１３が接着されている。接着剤１２が乾燥するとき接着剤１２に含まれる溶媒が揮発することにより接着剤１２が収縮する。これにより、素子チップ１と回路基板１３とが接近するので樹脂コアバンプ９が回路基板１３に押圧される。回路基板１３には端子１３ａが形成されており、端子８と端子１３ａとが押圧される。そして、端子８と端子１３ａとの間で通電可能となる。
【００４０】
第２距離９ａは第１距離６ｃより端子８の厚みの距離だけ長くなっており、さらに、樹脂コアバンプ９と回路基板１３との間には端子１３ａが位置する。これにより、実装後の第２樹脂膜７は端子８及び端子１３ａの厚みに相当する長さ分第１樹脂膜６よりさらに圧縮させられる。そして、第２樹脂膜７が圧縮した分の反力により端子８と端子１３ａとが互いに押圧させられるので、端子８と端子１３ａと間で確実に電気的導通をとることができる。
【００４１】
素子チップ１を回路基板１３に実装するとき、素子チップ１は回路基板１３に押圧される。このとき、素子チップ１が受ける力は、第１樹脂膜６、第２樹脂膜７、第３樹脂膜１０、第４樹脂膜１１を介して回路基板１３を押圧する。従って、基板２は多くの場所にて回路基板１３からの反力を受けるので、基板２に曲げ応力が発生しないようにすることができる。
【００４２】
詳しくは、第１樹脂膜６がインダクター配線５に沿って位置するので、インダクター配線５に均等に圧力が加わるようになっている。隣り合うインダクター配線５の間の間隔が長い場所には第４樹脂膜１１が設置されている。これにより、隣り合うインダクター配線５の間の距離がある場所でも、基板２に均等に圧力が加わるようになっている。さらに、基板２のＸ方向両端の付近には第３樹脂膜１０が設置されている。これにより、基板２のＸ方向両端が押圧されるときにも、押圧された力を第３樹脂膜１０が回路基板１３に伝えることにより、基板２に曲げ応力が加わらないようになっている。
【００４３】
第１樹脂膜６の最外周は閉曲線６ｂとなっており、接着剤１２はこの閉曲線６ｂの外周側に塗布される。そして、第１樹脂膜６の閉曲線６ｂの内周には接着剤１２が侵入しない。これにより、インダクター配線５の間に接着剤１２が存在しない空洞となった状態を維持することができる。そして、隣り合うインダクター配線５の間に接着剤１２が存在するときには誘電率が高くなるため、隣り合うインダクター配線５の間に浮遊容量が形成される。本実施形態では、インダクター配線５の間は空洞となっているので誘電率を低い状態に維持することができる。従って、隣り合うインダクター配線５の間に浮遊容量が形成されることを防止することができる。
【００４４】
（素子チップの製造方法）
次に、素子チップ１の製造方法について説明する。図２（ｃ）は、素子チップが形成されたマザー基板を示す模式図である。図２（ｃ）に示すように、素子チップ１は円板状のマザー基板１４上にマトリックス状に形成される。そして、切断予定線１５に沿ってマザー基板１４が切断されることにより、素子チップ１が分離される。続いて、工程順に沿って図３を用いて製造方法を説明する。図３は、素子チップの製造方法を説明するための模式図である。
【００４５】
まず、図３（ａ）に示すように、マザー基板１４の１つの面にパッシベーション膜３を形成する。パッシベーション膜３を形成する方法はスパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｏｎ）法等の各種の方法を用いることができる。
【００４６】
次に、図３（ｂ）に示すように、パッシベーション膜３上に絶縁膜４を積層する。絶縁膜４の形成方法は、まず、ポリイミドを主材料とした材料に感光性材料を添加し溶媒にて希釈した膜材料液を調合する。スピンコーター法等を用いて例えば１０μｍ〜２０μｍ程度の厚さにパッシベーション膜３上に膜材料液を塗布する。次に、塗布した膜材料液をプリベークして樹脂膜を形成する。続いて、樹脂膜上にフォトマスクを配置し、このフォトマスク上に露光光を照射する。そして、フォトマスクの開口部内に露出する樹脂膜を露光した後に、現像処理を行なう。これにより、切断予定線１５に近い場所の絶縁膜４が除去され、絶縁膜４は長方形に形成される。マザー基板１４を切断するときに回転刃を切断予定線１５に沿って進行させる。このとき、回転刃が絶縁膜４に触れて絶縁膜４の一部が剥がれることを防止することができる。
【００４７】
次に、図３（ｃ）に示すように、絶縁膜４上にインダクター配線５を形成する。インダクター配線５の形成方法は、まず、絶縁膜４上に第１シード層を積層する。第１シード層は絶縁膜４とインダクター配線５との密着性を良くするための膜である。第１シード層の材料には例えば、チタン、タングステン、チタンとタングステンとの合金等を用いることができる。本実施形態では、例えば、チタンとタングステンとの合金を採用している。第１シード層を形成する方法はスパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法等の各種の方法を用いることができる。
【００４８】
続いて、第１シード層と重ねて配線下地層を形成する。配線下地層はインダクター配線５と同じ材料からなる層であり、本実施形態では、例えば、銅を用いている。配線下地層を形成する方法はスパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法等の各種の方法を用いることができる。
【００４９】
次に、配線下地層と重ねて第１レジスト膜を形成する。第１レジスト膜はパッシベーション膜３を形成する方法と同様の方法にて形成することができる。そして、第１レジスト膜はインダクター配線５の形状に配線下地層が露出するようにパターニングされる。
【００５０】
続いて、電気めっき法を用いて配線下地層に銅の金属膜を積層することによりインダクター配線５を形成する。次に、第１レジスト膜を除去した後、露出する配線下地層と第１シード層とをエッチングして除去する。第１レジスト膜の除去は剥離液に浸漬して除去する方法やドライエッチングして除去する方法を用いることができる。配線下地層と第１シード層とを除去する方法も、例えばプラズマを用いたドライエッチングや、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）、薬液を用いるウエットエッチング、等、任意の手法を採用することができる。配線下地層と第１シード層はインダクター配線５に比べて薄い膜でありエッチング条件を調整することにより完全に除去することができる。
【００５１】
次に、図３（ｄ）に示すように、絶縁膜４及びインダクター配線５上に第１樹脂膜６、連結部６ａ、第２樹脂膜７、第３樹脂膜１０、第４樹脂膜１１を形成する。これらの樹脂膜の形成方法は、まず、エポキシ系樹脂を主材料とした材料に感光性材料を添加し溶媒にて希釈した膜材料液を調合する。この膜材料液を、スピンコーター法等を用いて、絶縁膜４及びインダクター配線５上に塗布する。次に、塗布した膜材料液をプリベークして樹脂膜を形成する。
【００５２】
続いて、樹脂膜上にフォトマスクを配置し、このフォトマスク上から露光光を照射する。そして、フォトマスクの開口部内に露出する樹脂膜を露光した後に、現像処理を行なう。露光光の照射方向等の露光条件を調整することにより現像後に得られる樹脂膜の横断面を略半円形状または略半楕円形状に近いパターンにする。次に、樹脂膜が軟化し表面が溶融する温度まで樹脂膜を加熱する。このようにして加熱し溶融させた後で常温に戻すことにより、横断面が略半円形状の樹脂膜が形成される。
【００５３】
加熱処理によってその表面が軟化・溶融し、固化する過程で、表面状態が全体的になだらかに湾曲する連続曲面になる。略半円形状に形成された横断面について言えば、周壁全体が連続したなだらかな湾曲線になって、横断面がさらに半円に近い形状になる。つまり、樹脂が軟化し表面が溶融すると周壁が自重によって垂れることにより、横断面形状がより半円に近い形状になる。尚、本実施形態では樹脂膜の横断面形状を半円形状にしたが、横断面形状を台形形状にしても良い。この工程では第１樹脂膜６、連結部６ａ、第２樹脂膜７、第３樹脂膜１０、第４樹脂膜１１は同時に形成される。
【００５４】
次に、図３（ｅ）に示すように、樹脂コアバンプ９の端子８を形成する。端子８の形成方法は、まず、絶縁膜４、第１樹脂膜６、連結部６ａ、第２樹脂膜７、第３樹脂膜１０、第４樹脂膜１１上に第２シード層を積層する。この第２シード層の材料は第１シード層と同じ材料であり、本実施形態では、例えば、チタンとタングステンとの合金を採用している。第２シード層と重ねて端子層を形成する。端子層は端子８の材料からなる金属の層であり、本実施形態では、例えば、金を採用している。第２シード層及び端子層を形成する方法はスパッタ法、蒸着法、ＣＶＤ法等の各種の方法を用いることができる。
【００５５】
次に、端子層と重ねて第２レジスト膜を形成する。第２レジスト膜は第１レジスト膜を形成する方法と同様の方法にて形成することができる。続いて、第２レジスト膜上にフォトマスクを配置し、このフォトマスク上から露光光を照射する。そして、フォトマスクの開口部内に露出する樹脂膜を露光した後に、現像処理を行なう。これにより、端子８の形状に金の端子層が覆われるように第２レジスト膜がパターニングされる。次に、端子層をエッチングして除去する。このエッチングを除去する方法は、例えばプラズマを用いたドライエッチングや、薬液を用いるウエットエッチングを用いることができる。
【００５６】
続いて、第２レジスト膜を除去することにより、端子８が露出する。尚、第２レジスト膜を除去方法は、第１レジスト膜を除去する方法と同様に、剥離液に浸漬して除去する方法やドライエッチングして除去する方法を用いることができる。次に、第２シード層をエッチングして除去する。第２シード層を除去する方法も、第１シード層を除去する方法と同様の方法を用いることができる。第２シード層は端子８に比べて薄い膜でありエッチング条件を調整することにより完全に除去することができる。
【００５７】
次に、マザー基板１４を切断予定線１５にて切断する。マザー基板１４を粘着性のあるシートに貼る。続いて、先端にダイヤモンド粉が塗布された回転刃を用いて切断予定線１５に沿って切り込みを入れる。この後、シートを広げることにより切断予定線１５に沿ってマザー基板１４が破断するので各素子チップ１がチップ状に分離する。その結果、図３（ｆ）に示すように、素子チップ１が完成する。
【００５８】
（比較例）
図４は素子チップの構成を示す模式断面図である。図４において、素子チップ１８にはインダクター配線５が形成され、インダクター配線５を覆って第５樹脂膜１９が配置されている。この第５樹脂膜１９は隣り合うインダクター配線５の間にも配置されている。隣り合うインダクター配線５の間に第５樹脂膜１９が存在するときには誘電率が高くなるため、隣り合うインダクター配線５の間に浮遊容量が形成される。その結果、素子チップ１８をインダクターとして用いたときにはＱ値の低いインダクターとなる。
【００５９】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、素子チップ１を実装するとき、基板２に接着剤１２を塗布して固定する。そして、素子チップ１を押圧した状態にて接着剤１２が固化される。このとき、基板２が薄いときには基板２に曲げ応力が生じないように押圧する必要がある。本実施形態ではインダクター配線５に沿って第１樹脂膜６が配置されている。さらに、第１樹脂膜６が配置されない場所には第２樹脂膜７が配置されている。従って、第１樹脂膜６及び第２樹脂膜７の配置された場所は樹脂膜の弾力性が作用するので特定の部分に応力が集中することを防止できる。その結果、配線が配置された場所に曲げ応力が生じることを防止できる。
【００６０】
（２）本実施形態によれば、第１樹脂膜６の厚みを第１距離６ｃとしている。さらに、樹脂コアバンプ９の厚みを第２距離９ａとしている。そして、第２距離９ａは第１距離６ｃより長い距離となっている。従って、第１樹脂膜６よりも樹脂コアバンプ９上の端子８の方が基板２より離れた場所に位置している。素子チップ１を実装するときに素子チップ１を押圧する。このときまず樹脂コアバンプ９上の端子８が押圧された後、次に第１樹脂膜６が押圧される。従って、実装する相手である回路基板１３の端子１３ａと樹脂コアバンプ９の端子８とは確実に接触できるので、確実に導通させることができる。
【００６１】
（３）本実施形態によれば、インダクター配線５の周囲に２つの第３樹脂膜１０が位置している。素子チップ１を押圧するとき、インダクター配線５の周囲に加わる力は第３樹脂膜１０を押圧する。これにより、インダクター配線５の周囲に加わる力によって基板２に曲げ応力が加わることを防止することができる。
【００６２】
（４）本実施形態によれば、第１樹脂膜６はインダクター配線５に沿って配置されているので、第１樹脂膜６はインダクター配線５と同様の形状となっている。インダクター配線５において隣り合う配線と配線との間隔が大きい場所では、隣り合う第１樹脂膜６の間隔も大きくなる。そして、押圧される基板２により第１樹脂膜６が変形し易くなる。この場所には隣り合う第１樹脂膜６の間に第４樹脂膜１１が設置されている。これにより、押圧される基板２の力は第４樹脂膜１１を押圧するので、特定の場所の第１樹脂膜６が変形し易くなることを防止することができる。
【００６３】
（５）本実施形態によれば、インダクター配線５のある場所には第１樹脂膜６または第２樹脂膜７が配置されている。そして、基板２のインダクター配線５と対向する場所を押圧する力は第１樹脂膜６と第２樹脂膜７との少なくとも一方を押圧する。従って、インダクター配線５に曲げ応力がかかり難くすることができる。
【００６４】
（６）本実施形態によれば、第１樹脂膜６及び連結部６ａにより閉曲線６ｂが形成されている。そして、閉曲線６ｂの内側にインダクター配線５が配置されている。従って、素子チップ１を実装するときに閉曲線６ｂの外側に接着剤を塗布することにより、インダクター配線５の配線間への接着剤の侵入を防止することができる。
【００６５】
（７）本実施形態によれば、インダクター配線５に囲まれた場所に樹脂コアバンプ９が設置されている。素子チップ１の端子に半田バンプを用いる方法がある。このとき、半田バンプは金属の塊りであり、電磁波により渦電流が形成されるので、エネルギーが損失する。本実施形態の樹脂コアバンプ９では膜状の端子８を用いているので渦電流が形成され難くなっている。従って、端子８によるエネルギー損失を小さくすることができる。
【００６６】
（８）本実施形態によれば、端子８に樹脂コアバンプ９を設置している。端子８に半田バンプを設置するときには半田ボールを設置するのに適した広さの端子８が必要となる。樹脂コアバンプ９は半田ボールを設置するときに比べて、狭い範囲に端子８を設置することができる。また、実装後の基板２と回路基板１３との間は半田ボールの大きさ以上の距離になる。そのときに比べて、樹脂コアバンプ９を用いるときには実装後の基板２と回路基板１３との間を狭くすることができる。
【００６７】
（９）本実施形態によれば、第１樹脂膜６はインダクター配線５に沿って配置されている。インクジェット法や印刷法を用いて樹脂膜材料を第１樹脂膜６に塗布する場合には、引用例における第５樹脂膜１９に比べて樹脂膜材料の消費量を少なくすることができる。従って、省資源な構造にすることができる。
【００６８】
（第２の実施形態）
次に、素子チップを内蔵した基板の一実施形態について図５の素子内蔵基板の模式断面図を用いて説明する。本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、素子チップが基板に内蔵されている点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【００６９】
すなわち、本実施形態では、図５に示すように素子内蔵基板２１は第１基板２２及び第２基板２３を備えている。そして、第１基板２２と第２基板２３とは樹脂層２４を挟んで積層されている。第１基板２２の外側の面には所定のパターンの配線２５が形成され、第２基板２３の外側の面にも所定のパターンの配線２５が形成されている。そして、第１基板２２、樹脂層２４、第２基板２３を貫通して貫通電極２６が形成されている。この貫通電極２６により第１基板２２上の配線２５と第２基板２３上の配線２５とが電気的に接続されている。説明をわかり易くするために図中に貫通電極２６は１つのみ記載されているが、必要に応じて複数の貫通電極２６が設置されても良い。
【００７０】
第１基板２２の内側の面には端子２７が設置され、端子２７と樹脂コアバンプ９とが接触するように素子チップ１が第１基板２２に実装されている。そして、素子チップ１は樹脂層２４に覆われている。従って、素子チップ１は素子内蔵基板２１に内蔵されている。端子２７は図示しない配線により貫通電極２６と接続されている。
【００７１】
第２基板２３の配線２５にはキャパシターや抵抗等の受動素子２８や図示しない能動素子が配置され、これらの素子と素子チップ１とが電気回路を構成している。
【００７２】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、素子内蔵基板２１には、品質良く実装可能な薄い素子チップ１が内蔵されている。従って、品質の良いインダクターを備えた素子内蔵基板２１とすることができる。
【００７３】
（第３の実施形態）
次に、素子チップを内蔵した携帯電話の一実施形態について図６の携帯電話の回路図を用いて説明する。本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、素子チップが携帯電話に内蔵されている点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【００７４】
すなわち、本実施形態では図６に示すように電子機器としての携帯電話３０はアンテナ３１を備えている。そして、アンテナ３１はマッチング回路３２と接続され、アンテナ３１を通過する電波により生じた電圧信号はマッチング回路３２に入力される。そして、マッチング回路３２は高周波集積回路３３と接続される。マッチング回路３２はアンテナ３１と高周波集積回路３３の入力インピーダンスとのインピーダンスマッチングを行う回路であり、インダクターやキャパシター等の素子を組み合わせた回路を用いることができる。このマッチング回路３２のインダクターに素子チップ１が用いられている。
【００７５】
高周波集積回路３３は高周波信号からデータ信号を復調する機能と、データ信号を高周波信号へ変調する機能を備えている。高周波集積回路３３は制御回路３４と接続され、復調したデータ信号を制御回路３４に出力する。さらに、高周波集積回路３３はデータ信号を制御回路３４から入力して変調した後、高周波信号をマッチング回路３２を経てアンテナ３１に出力する。
【００７６】
制御回路３４には表示装置３５、入力装置３６、音声出力装置３７が接続されている。表示装置３５は文字や画像を表示する装置であり、液晶表示装置や有機エレクトロルミネッセンス表示装置等を用いることができる。入力装置３６はキーパッド、カメラ、マイクロフォン等の装置であり、文字、画像、音声を入力することが可能になっている。音声出力装置３７は音を出力する装置でありスピーカーを用いることができる。
【００７７】
そして、高周波集積回路３３から入力した信号が文字や画像の信号であるとき、制御回路３４は信号を表示装置３５に出力する。これにより、表示装置３５には画像や文字が表示される。高周波集積回路３３から入力した信号が音声信号であるとき、制御回路３４は信号を音声出力装置３７に出力する。これにより、音声出力装置３７から音が出力される。
【００７８】
操作者が入力装置３６から文字、画像、音を入力するとき、制御回路３４は入力した信号を高周波集積回路３３に出力する。そして、高周波集積回路３３は信号を高周波信号に変調してマッチング回路３２を介してアンテナ３１に出力する。従って、携帯電話３０は高周波信号を受信して表示装置３５や音声出力装置３７に出力し、入力装置３６によって入力された信号を高周波信号として発信することが可能になっている。
【００７９】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、携帯電話３０には、品質良く実装可能な薄い素子チップ１が内蔵されている。従って、携帯電話３０は品質が良く薄いインダクターを備えた携帯電話３０とすることができる。
【００８０】
尚、本実施形態は上述した実施形態に限定されるものではなく、種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。
（変形例１）
前記第１の実施形態では、第１樹脂膜６に囲まれた場所に第４樹脂膜１１を３個設置した。第１樹脂膜６に囲まれた場所に隣り合うインダクター配線５の間が長い場所がないときには、必ずしも第４樹脂膜１１を配置しなくとも良い。インクジェット法や印刷法を用いて樹脂膜材料を第４樹脂膜１１に塗布する場合には、第４樹脂膜１１の材料の消費量を減らせるので、省資源な素子チップ１にすることができる。
【００８１】
（変形例２）
前記第１の実施形態では、基板２のＸ方向両端に第３樹脂膜１０を配置した。第３樹脂膜１０を配置する場所はこの場所に限らない。基板２のＹ方向両端に第３樹脂膜１０を配置しても良く。基板２の外周を囲むように第３樹脂膜１０を配置しても良い。実装時に素子チップ１を押圧する条件に合わせて第３樹脂膜１０の配置を変更しても良い。また、第３樹脂膜１０を配置する面積がないときには、必ずしも第３樹脂膜１０を配置しなくても良い。このときには、第１樹脂膜６が押圧する力を受けることができるので基板２が曲げられるのを防止することができる。そして、インクジェット法や印刷法を用いて樹脂膜材料を第３樹脂膜１０に塗布する場合には、第３樹脂膜１０の材料の消費量を減らせるので、省資源な素子チップ１にすることができる。
【００８２】
（変形例３）
前記第１の実施形態では、２つの樹脂コアバンプ９のうち、１つの樹脂コアバンプ９はインダクター配線５に囲まれた場所に設置した。樹脂コアバンプ９を設置する場所は２つともインダクター配線５の外周側の場所にしても良い。絶縁膜を挟んで交差するようにインダクター配線５を配置することにより、端子８を２つともインダクター配線５の外周側の場所に配置することができる。これにより、端子８を設置する位置の自由度を高めることができる。
【００８３】
（変形例４）
前記第１の実施形態では、フォトリソグラフィ法やエッチング法を用いて第１樹脂膜６、第２樹脂膜７、第３樹脂膜１０、第４樹脂膜１１を形成した。樹脂膜は他の方法を用いて形成しても良い。例えば、インクジェット法やスクリーン印刷等の印刷法を用いて樹脂膜材料を塗布した後固化させても良い。樹脂膜をエッチングして除去する必要がないので省資源な素子チップ１にすることができる。
【００８４】
（変形例５）
前記第１の実施形態では、第１樹脂膜６に連結部６ａを配置して第１樹脂膜６の閉曲線６ｂを形成したが、実装時に用いる接着剤の粘度が高く、隣り合う第１樹脂膜６の間に侵入し難い場合には連結部６ａを省略しても良い。連結部６ａによってインダクター配線５間の誘電率が高くなるのを防止することができる。
【００８５】
（変形例６）
前記第１の実施形態では、インダクター配線５は複数の直線を直角に繋げた形状になっていたがインダクター配線５の形状は他の形状でも良い。曲線でも良く、直角以外の角度で繋げても良い。基板２の形状に合わせて基板２上の面積を有効に活用することができる。
【００８６】
（変形例７）
前記第３の実施形態では、素子チップ１を内蔵する電子機器の１例として携帯電話３０を示した。素子チップ１を内蔵する電子機器はこれに限らない。ラジオコントローラー、ラジオ受信機、携帯情報端末、ワイヤレスリモコン、ワイヤレスヘッドフォン、ＲＦＩＤタグ（Ｒａａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ  ＩＤｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）等のインダクターを含む電気回路を搭載した電子機器に用いることができる。
【符号の説明】
【００８７】
１…素子チップ、２…基板、５…配線としてのインダクター配線、６…第１樹脂膜、６ｂ…閉曲線、６ｃ…第１距離、７…第２樹脂膜、８…配線としての端子、９ａ…第２距離、１０…第３樹脂膜、１１…第４樹脂膜、２１…素子内蔵基板、３０…電子機器としての携帯電話。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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