(57)【要約】      （修正有）【課題】プラズマ放電を開始することが容易となる、あるいは、プラズマ処理中の補助プラズマによる余分な電力消費を抑えることができるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】第１の電極１と、第１の電極１との間にプラズマを生成する第２の電極２と、第１の電極１との間にプラズマを生成する第３の電極３と、第１の電極１と第２の電極２との間の空間、および第１の電極１と第３の電極３との間の空間にガスを導入するガス導入部と、第１の電極１と前記第２の電極との間、および第１の電極１と第３の電極３との間に電圧を印加する電圧印加部６と、第１の電極１と第２の電極２との間隔を変更する第１の間隔変更部７ａ、又は第１の電極１と第３の電極３との間隔を変更する第２の間隔変更部７ｂと、第１の間隔変更部７ａ又は第２の間隔変更部７ｂの間隔変更動作と、電圧印加部６の電圧印加動作とを制御する制御部とを備える。【選択図】図１
2012033457.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電極と、
前記第１の電極との間にプラズマを生成する第２の電極と、
前記第１の電極との間にプラズマを生成する第３の電極と、
前記第１の電極と第２の電極との間の空間、および前記第１の電極と第３の電極との間の空間にガスを導入するガス導入部と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間、および前記第１の電極と前記第３の電極との間に電圧を印加する電圧印加部と、
前記第１の電極と第２の電極との間隔を変更する第１の間隔変更部、又は、前記第１の電極と第３の電極との間隔を変更する第２の間隔変更部と、
前記第１の間隔変更部又は第２の間隔変更部の間隔変更動作と、前記電圧印加部の電圧印加動作とを制御する制御部とを備えるプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記第１の間隔変更部と、前記第１の間隔変更部とは独立して間隔変更動作を行う第２の間隔変更部とを備える請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記第２の電極上に被処理物を載置し、
前記制御部は、プラズマ放電開始時において、前記第１の電極と第３の電極との間隔を、前記第１の電極と第２の電極との間隔よりも小さくし、プラズマ放電開始後において、前記第１の電極と第３の電極との間隔を、前記第１の電極と第２の電極との間隔よりも大きくするよう制御する請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記第２の電極上に被処理物を載置し、
前記制御部は、プラズマ放電開始時において、前記第１の電極と第３の電極との間隔を、前記第１の電極と第２の電極との間隔よりも小さくし、プラズマ放電開始後において、前記第１の電極と第２の電極との間隔を、前記第１の電極と第３の電極との間隔と略同じにするよう制御する請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記第３の電極を上昇させて、前記第１の電極と前記第３の電極との間隔が、前記第１の電極と前記第２の電極との間隔よりも小さい状態で、前記第１の電極と前記第２の電極との間、および前記第１の電極と前記第３の電極との間に電圧を印加して、前記第１の電極と前記第３の電極との間にプラズマを生成し、該プラズマを生成した状態で、前記第２の電極を上昇させて、前記第１の電極と前記第２の電極との間にプラズマを生成するよう制御する請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記第１の電極と前記第２の電極との間にプラズマを生成した後、前記第３の電極を下降させて、前記第１の電極と前記第３の電極との間隔を、前記第１の電極と前記第２の電極との間隔よりも大きくするよう制御する請求項５に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記電圧印加部は、前記第１の電極に接続された交流電源と、前記第２の電極および前記第３の電極に接続された接地とを備える請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記第２の電極は、前記第１の電極に対向する面が導体であり、前記第３の電極は、前記第１の電極に対向する面が誘電体である請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記第３の電極の前記第１の電極に対向する面の表面積が、前記第２の電極の前記第１の電極に対向する面の表面積よりも小さい請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記第１の電極と前記第２の電極とに挟まれた処理空間とを囲み、該処理空間外へのガスの流出を制限する第１のガス制限壁を備える請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】
前記第１の電極と前記第３の電極との間に、前記第３の電極側へのガスの流出を制限する第２のガス制限壁を備える請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】
前記第２のガス制限壁を移動させる移動装置を備える請求項１１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１３】
前記第３の電極は、絶縁体から構成され、水平方向の回転軸を有する回転体に内包されており、
前記制御部が、当該回転体を回転させるよう前記第２の間隔変更部を制御することにより、前記第１の電極と前記第３の電極との間隔を変更する請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１４】
第１の電極とそれに対向する第２の電極との間、および第１の電極とそれに対向する第３の電極との間にガスを導入し、前記第１の電極と第２の電極の間、および前記第１の電極と第３の電極の間に電圧を印加して、プラズマを発生させて被処理物を処理するプラズマ処理方法であって、
前記第１の電極と前記第３の電極との間隔が、前記第１の電極と前記第２の電極との間隔よりも小さい状態において、前記第１の電極と第３の電極の間に電圧を印加して、前記第１の電極と前記第３の電極との間にプラズマを発生させる第１のプラズマ発生工程と、
前記第１のプラズマ発生工程の後に、前記第１の電極と前記第３の電極との間隔を、前記第１の電極と前記第２の電極との間隔よりも大きくする電極間隔変更工程と、
前記電極間隔変更工程の後に、前記第１の電極と第２の電極の間に電圧を印加し、前記第１の電極と前記第２の電極と間にプラズマを発生させる第２のプラズマ発生工程とを含むプラズマ処理方法。
【請求項１５】
前記第３の電極は、前記第１の電極に対向する部分が突起形状である請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１６】
前記第３の電極は、前記第１の電極に対向する面が誘電体である請求項１５に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、大気圧下又は大気圧近傍下において、被処理物にプラズマを照射して表面処理を行うプラズマ処理装置に関し、例えば、ガラスエポキシ基板の金属電極や、樹脂等をプラズマ処理して、金属の接合性や樹脂の密着性を向上させる表面処理を行うプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
大気圧近傍下において、平行平板電極の少なくとも一方に固体誘電体を配置し、電極間に交流電圧を印加してグロー放電プラズマを発生させる方法は広く使われている。この方法により発生したプラズマを用いて被処理物を表面処理する場合、被処理物を接地電極面上に配置してプラズマを直接照射するダイレクトプラズマ方式や、平行平板電極間の開放面に被処理物を配置してガス流れを利用してプラズマまたはラジカルを遠隔供給するリモートプラズマ方式が用いられる。
リモートプラズマ方式に比べて、ダイレクトプラズマ方式はプラズマ領域から被処理物までの距離が短いため、処理反応を担う電子、イオン及びラジカルを高い密度にて被処理物へ供給できる。加えて、大気圧近傍下のグロー放電において電極間隔が短いため、平行平板電極の面積は開放面の面積より大きくなる。これら２つの効果のために、ダイレクトプラズマ方式は、リモートプラズマ方式に比べて処理反応速度が高く、かつ処理面積が大きい。
【０００３】
ダイレクトプラズマ方式において、被処理物の材質が導体または絶縁体のいずれであっても、迅速な処理が実現可能な面状のプラズマを発生させるプラズマ処理装置が報告されている。特許文献１においては、2枚の平行平板電極において電界印加電極とその垂直面に対向する接地電極との間にプラズマを生成し、そのプラズマと連続して電界印加電極下面にプラズマを生成し、その下面に生成されたプラズマを被処理物に照射する技術が報告されている。
【０００４】
特許文献２においては、電界印加電極の側面に隣接して補助プラズマ接地極なる電極を配置し、それら2つの電極間で補助的なプラズマを発生させた後に、電界印加電極直下に設置した被処理物へ、メインプラズマを照射する技術が報告されている。特許文献２では、補助プラズマ接地極の面積が小さく、かつ補助プラズマ接地極と電力印加電極との間隔が短いため、少ないパワーにて放電が開始及び維持されることを述べている。特許文献１及び２に記載の技術に共通することは、電界印加電極に対向して被処理物を配置するための接地電極を設けることに加えて、電界印加電極の側面に補助接地電極を設け、電界印加電極と補助接地電極との間に補助プラズマを生成することである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２３７０８０号公報
【特許文献２】特表２００７−５２５８０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
背景技術で述べた補助的な接地電極を用いる技術では、電界印加電極と補助接地電極との間隔は所定の固定値となるため、被処理物にプラズマを照射する間においても、補助プラズマは発生している。被処理物の処理は、主として被処理物上に展開されているプラズマで担われるため、この補助プラズマを維持するための電力は、省電力及び省エネルギーの観点に立てば不要または過剰な電力である。
上記特許文献における補助プラズマの消費電力について検討する。特許文献１においては、代表図から判断して、補助プラズマの面積は被処理物上の面積と同等から半分程度であるため、全消費電力の１／４〜１／２程度を補助プラズマが占めると考えられる。特許文献２においては、全消費電力の約１／４を補助プラズマが占める。
そこで本発明は、特に被処理物を面状一括に、つまり、被処理物の全面に亘って同時にプラズマ処理する場合において、低電力にて放電開始して補助プラズマを発生させる、あるいは、被処理物の処理中には補助プラズマを発生及び維持する必要がなく、不要な電力消費を抑えることのできるプラズマ表面処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、前記課題を解決するためになされたものであり、プラズマ処理装置において、第１の電極と、前記第１の電極との間にプラズマを生成する第２の電極と、前記第１の電極との間にプラズマを生成する第３の電極と、前記第１の電極と第２の電極との間隔、又は前記第１の電極と第３の電極との間隔を変更する間隔変更部とを備え、放電開始時とプラズマ処理時における前記第１の電極と第２の電極との間隔、又は、放電開始時とプラズマ処理時における前記第１の電極と第３の電極との間隔を異ならせるものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、放電開始時に必要な電力を低くできる。あるいは、プラズマ処理中に補助プラズマによる不要な電力消費を抑えて被処理物をプラズマ処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第２実施形態に係るプラズマ処理装置の斜視図である。
【図２】本発明の第２実施形態に係るプラズマ処理装置において、被処理物交換時の様子を示す斜視図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係るプラズマ処理装置の正面断面図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係るプラズマ処理装置のガス導入装置を示す斜視図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係るプラズマ処理装置のガス導入部の断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係るプラズマ処理装置において、電極間隔を変更する様子を説明する正面断面図である。
【図７】本発明の第１実施形態に係るプラズマ処理装置において、電極間隔を変更する様子を説明する正面断面図である。
【図８】本発明の第２実施形態に係るプラズマ処理装置の正面断面図である。
【図９】本発明の第３実施形態に係るプラズマ処理装置の正面断面図である。
【図１０】本発明の第４実施形態に係るプラズマ処理装置の正面断面図である。
【図１１】本発明の第４実施形態に係るプラズマ処理装置の接地電極内包回転体の拡大正面断面図である。
【図１２】本発明の第５実施形態に係るプラズマ処理装置の正面断面図である。
【図１３】本発明の第５実施形態に係る接地電極を説明するための斜視図である。
【図１４】本発明の第５実施形態に係る接地電極の変形例を説明するための斜視図である。
【図１５】本発明の第６実施形態に係るプラズマ処理装置の正面断面図である。
【図１６】本発明の第６実施形態に係るプラズマ処理装置の接地電極内包回転体の拡大正面断面図である。
【図１７】本発明の第６実施形態に係るプラズマ処理装置の接地電極内包回転体の変形例の拡大正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態を、図面を用いて説明する。
（第１実施形態）
図１は、第２実施形態に係るプラズマ処理装置の斜視図であり、前面側から見た図であるが、図１中のガス制限壁１０を除けば、第１実施形態に係るプラズマ処理装置と同一であるので、図１を用いて、第１実施形態のプラズマ処理装置の概要を説明する。
図１において、１は電界印加電極である。２は、電界印加電極１と対向して設けられた接地電極である。３０は、プラズマ処理の対象となる被処理物であり、接地電極２上に載置される。３は、接地電極２の両端に、接地電極２とは独立して設けられた接地電極である。
図１の状態において、まず、電界印加電極１に接地電極３を近づけて、電界印加電極１と接地電極３との間にプラズマを発生させた後、被処理物３０を載置した接地電極２を上昇させ、電界印加電極１と接地電極２との間にプラズマを発生させて、被処理物３０にプラズマ処理を行う。被処理物３０のプラズマ処理終了後、図２に示すように、未処理の被処理物３０ａを接地電極２上に送り込むことにより、処理済の被処理物３０を、プラズマ処理装置から取り出すものである。なお、本実施形態では、被処理物３０に対するダメージを抑制するため、グロー放電により発生させたプラズマを用いる。図２は、被処理物交換時の様子を示す斜視図であり、第２実施形態に係るプラズマ処理装置であるが、図２中のガス制限壁１０を除けば、第１実施形態に係るプラズマ処理装置と同一である。
【００１１】
次に、図３を用いて、第１実施形態のプラズマ処理装置を詳しく説明する。
図３において、１は第１の電極であり、交流電源６の一端が接続された電界印加電極である。交流電源６の他端は、接地されている。本実施形態では、電界印加電極１の高さは固定されている。２は、第２の電極であり、電界印加電極１と対向して設けられた接地電極である。３は、第３の電極であり、接地電極２とは独立して、電界印加電極１と対向して設けられた接地電極である。接地電極３は、本実施形態では、接地電極２の両側に隣接して設けられているが、接地電極２の片側にのみ設けるようにしてもよい。
電界印加電極１、接地電極２、及び接地電極３は、例えばアルミニウム（Ａｌ）またはステンレススティールのような金属であり、一般的には導体と呼ばれる導電性の高い材質からなる板状の物体である。
【００１２】
３０は、プラズマ処理の対象となる被処理物であり、接地電極２上に載置される。被処理物３０は、金属などの導体や、あるいはガラスなどの導電性が低い、一般的には絶縁体と呼ばれる材質、またはそれらの複合材料からなる任意の板状の物体である。本実施形態では、被処理物３０は、例えばガラス、樹脂等の導電性の低いものを想定している。
【００１３】
４ａは、電界印加電極１の接地電極２側の面と、絶縁体５の接地電極２側の面とに設けられた誘電体である。４ｂは、接地電極３の上面、つまり接地電極３の電界印加電極１側に対向する面に設けられた誘電体である。被処理物３０が、金属などの導体である場合は、誘電体４ｂは、接地電極２の上面にも設けられる。
誘電体４ａ及び誘電体４ｂは、アルミナ、ガラス、またはポリイミドなどの絶縁体からなる板状の物体である。誘電体４ａ及び誘電体４ｂの厚みは、誘電体バリア放電を実現するために、好ましくは０．１〜１ｍｍとする。
【００１４】
５は、接地電極２に対向する面を除き、電界印加電極１の周囲に設けられた絶縁体である。絶縁体５は、誘電体４と同様に、アルミナ、ガラス、またはポリイミドなどの絶縁体からなる物体であるが、厚みについては好ましくは１０ｍｍ以上とする。これは、厚みを十分大きくすることにより電気絶縁性を高め、絶縁体５の周囲に高い電界が発生しないようにするためである。その結果、電界印加電極１と接地電極２、及び電界印加電極１と接地電極３との間の空間のみに、高い電界を発生させることができる。
【００１５】
６は、電界印加電極１と接地電極２との間、および電界印加電極１と接地電極３との間に、１ｋＶ以上の高電圧を印加できる交流電源であり、電圧印加部である。交流電源６の周波数は１ｋＨｚ以上であり、例えば１３．５６ＭＨｚの高周波数でもよい。交流電源６の電圧波形は、正弦波または矩形波のようなパルス波でもよいし、またこれらの交流波形をそれより低い繰り返し周波数をもつパルス波により振幅変調した電圧波形でもよい。交流電源６は、電力導線を経由して電界印加電極１と接続され、交流電源６と電界印加電極１との間にはインピーダンス整合のためのマッチング回路（図示せず）がある。交流電源６を接続する電極１と、接地を接続する電極２、３を逆にしてもよいが、交流電源６を電極１に接続し、電極２と電極３を接地したほうが、交流電源に接続する電極が少なくなるため都合がよい。
【００１６】
７ａは、接地電極２の高さを変更する第１の間隔変更部である。第１の間隔変更部７ａにより、電界印加電極１と接地電極２との間隔が変更される。７ｂは、接地電極３の高さを変更する第２の間隔変更部である。第２の間隔変更部７ｂにより、電界印加電極１と接地電極３との間隔が変更される。
間隔変更部７ａ、７ｂは、それに載せた部品を一軸方向（垂直方向）に昇降させるためのジャッキのような昇降装置である。この装置により、固定された電界印加電極１と接地電極３との間隔ｔ１、及び電界印加電極１と接地電極２との間隔ｔ２を変えることができる。厳密には、本実施形態では図３に示すように、ｔ１は、誘電体４ａの下面と誘電体４ｂの上面との間の距離であり、ｔ２は、誘電体４ａの下面と接地電極２の上面との間の距離である。接地電極２の上面を誘電体４ｂで覆った場合は、ｔ２は、誘電体４ａの下面と誘電体４ｂとの間の距離になる。
【００１７】
８は、間隔変更部７とその上に配置される部品を支持するための台である。９は、電界印加電極１と接地電極２との間の空間、あるいは、電界印加電極１と３との間の空間であり、プラズマを発生させるプラズマ領域９である。
２０は、前記第１の間隔変更部および第２の間隔変更部の間隔変更動作や、前記電圧印加部の電圧印加動作など、プラズマ処理装置を構成する各構成部を制御する制御部である。制御部２０は、操作者からの指示を受け付ける操作部（不図示）と、処理状況やエラー発生状況等を表示する表示部（不図示）を備えている。
【００１８】
次に、プラズマ領域９においてプラズマを発生させるために、プロセスガスを導入するためのガス導入装置について説明する。図４は、図１のプラズマ処理装置を水平に１８０度回転させた状態を示し、第１実施形態に係るプラズマ処理装置を後面側から見た図であり、第１実施形態に係るプラズマ処理装置のガス導入装置１５を示す斜視図である。図４において、１５ａはガス導入部であり、１５ｂ、１５ｃはガス制限壁であり、１５ｄはガス供給管である。ガス供給管１５ｄは、一端がガス導入部１５ａに接続され、他端がプロセスガス供給源（不図示）に接続されている。図５に、図４の左側から見た図を示す。図５は、第１実施形態に係るプラズマ処理装置のガス導入装置１５の断面図である。図５（ａ）は、電界印加電極１と接地電極２が接近した場合であり、図５（ｂ）は、電界印加電極１と接地電極２が離れた場合である。
図５において、プロセスガスは、ガス供給管１５ｄからガス導入部１５ａを経て、電界印加電極１と接地電極２との間の空間に導入される。プロセスガスは、一方の接地電極３、被処理物３０、及び他方の接地電極３が並ぶ方向に対して交差する方向、つまり、図１の後側から前側に向けて導入される。プロセスガスの構成は、ヘリウム（Ｈｅ）、アルゴン（Ａｒ）などの希ガス、または窒素（Ｎ２）を主とし、被処理物３０に対して、酸化及び還元等の所望の処理をするために、酸素（Ｏ２）、水素（Ｈ２）等の解離した原子が活性種となりうる反応性ガスを混合する。
【００１９】
以下に、第１実施形態におけるプラズマ処理装置の具体的な処理動作を、図６を用いて説明する。プラズマ処理装置の処理動作は、制御部２０により制御される。図６は、第１実施形態に係るプラズマ処理装置において、電極間隔を変更する様子を説明する正面断面図である。まず、図６（ａ）に示すように、接地電極２が下方にあり接地電極３が上方にある状態で、接地電極２上に被処理物３０を載置する。このとき、電界印加電極１と接地電極３との間隔ｔ１は、電界印加電極１と接地電極３との間でプラズマ放電が開始されるように、十分小さい間隔とする。また、電界印加電極１と接地電極２との間隔ｔ２は、電界印加電極１と接地電極２との間でプラズマ放電が開始されないように、十分大きい間隔とする。したがって、間隔ｔ１に比べて、間隔ｔ２が十分に大きくなる。好ましくは、間隔ｔ１を０．５〜２ｍｍ、ｔ２＞１０ｍｍとする。その後、電界印加電極１と、接地電極２及び接地電極３との間に電界を印加すると、電界印加電極１と接地電極３との間でプラズマ放電が開始される。このとき、電界印加電極１と接地電極２との間の間隔ｔ２は、プラズマ放電が開始されないよう十分に大きいため、電界印加電極１と接地電極２との間では、プラズマ放電が開始されない。
【００２０】
プラズマを発生させるための電力は、電極間の静電容量が小さく、電極間の距離が小さいほど、電力を印加したときの電界が大きくなり、必要な電力が小さくなる。すなわち、接地電極の面積が小さく、電界印加電極との距離が小さいほど、プラズマを発生させるための電力を小さくできる。しかしながら、接地電極上に被処理物を載せる関係上、電極面積及び電極間の間隔をある程度確保しなければならない。そこで本実施形態では、プラズマ発生用に使用する接地電極３を、被処理物を載せる接地電極２とは別に設けることで、プラズマ発生時の電力を小さくするようにしてある。
【００２１】
本実施形態において、プラズマ放電を開始する場合の電界印加電極と接地電極間の静電容量は、近似的には電界印加電極１と接地電極３間の静電容量にて決まり、間隔ｔ２をｔ１と同程度に小さくした場合（後述する図６（ｂ）の場合）に比べて静電容量が小さいため、所定の交流電力を電極間に印加した場合に発生する電圧は高くなる。その結果、接地電極２の面積が大きくても、少ない電力にて電界印加電極１と接地電極３との間において放電開始することができる。
【００２２】
電界印加電極１と接地電極３との間において放電開始した後、例えばアルゴンガスや窒素ガスを用いる場合はストリーマ放電にならないよう、電界印加電極１に印加する電圧を減少させてプラズマ放電（グロー放電）を維持できる程度の電圧とし、図６（ｂ）に示すように、電界印加電極１に対して接地電極２を接近させる。本実施形態では、接地電極２を上昇させる。このとき、間隔ｔ２は、電界印加電極１と接地電極２との間でプラズマ放電が開始されるよう十分小さい間隔とする。好ましくはｔ１＝ｔ２とする。このように、電界印加電極１と接地電極２との間隔ｔ２を小さくすると、電界印加電極１と第２接地電極２の間にも、電界印加電極１と接地電極３との間において発生していたプラズマが展開し、プラズマ放電を維持できる程度の電圧で、電界印加電極１と第２接地電極２の間にプラズマ放電が開始される。接地電極２上に被処理物３０を載置した場合は、被処理物３０に対してプラズマによる表面処理が起こる。
なお、ヘリウムガスを用いる場合は、グロー放電になる電界範囲が広いので、グロー放電の電界範囲内で放電開始してプラズマ放電を維持できるため、電界印加電極１に印加する電圧調整は不要である。アルゴンガスや窒素ガスを用いる場合は、グロー放電になる電界範囲が狭いので、ストリーマ放電の電界範囲で放電開始して、グロー放電の電界範囲で放電維持するため、上述したように、放電開始した後、電界印加電極１に印加する電圧を減少させる。
【００２３】
接地電極２上に放電が展開した後に、図６（ｃ）に示すように、電界印加電極１と接地電極３との間の間隔ｔ１を増加させる。本実施形態では、接地電極３を下降させる。間隔ｔ１を増加させるに従い、電界印加電極１と接地電極３との間に発生する電界は減少する。この電界が所定の値を下回ると、電界印加電極１と接地電極３との間における放電が停止する。その結果、電界印加電極１と被処理物３０が配置された接地電極２との間のみで放電が維持され、この場合の消費電力は、電界印加電極１と接地電極３との間にも放電が維持されている場合に比べて低い。すなわち、本実施形態の接地電極移動手順によるプラズマ処理によれば、電界印加電極と補助電極（本例では接地電極３）間にプラズマを維持する場合に比べて、少ない電力にて被処理物のプラズマ表面処理を実現できる。
【００２４】
被処理物３０に対する所定時間のプラズマ処理が完了した後、図６（ｃ）に示す状態を継続したまま、次の被処理物３０の処理を開始する。図２に示すように、処理が完了した被処理物３０を押し出すようにして、次の被処理物３０ａを接地電極２の上に搬送する。この場合、電界印加電極１に対してプラズマ領域９を隔てて被処理物３０が途切れることなく存在するため、電界印加電極１と接地電極２間の電界は減少することなく、放電維持に必要な高い値を維持できる。その結果、本実施形態では、被処理物３０を交換する場合においても、放電が停止することなくプラズマ処理を継続できる。
【００２５】
プラズマ処理を終了するときは、図６（ｃ）の状態で、プロセスガスの導入を停止し、また、電界印加電極１と接地電極２との間への電界印加を停止して、プラズマ放電を停止する。その後、接地電極３を上方へ移動させ、接地電極２を下方へ移動させて、図６（ａ）に示す状態にして、次のプラズマ処理に備える。
【００２６】
なお、上記の説明では、図６（ａ）に示すように、電界印加電極１と接地電極３との間の間隔ｔ１を小さくした状態で、電界印加電極１と接地電極３との間において放電開始した後、次に、図６（ｂ）に示すように、電界印加電極１に対して接地電極２を接近させて、電界印加電極１と第２接地電極２の間にもプラズマを発生させ、次に、図６（ｃ）に示すように、電界印加電極１と接地電極３との間隔を大きくして、電界印加電極１と接地電極３との間における放電を停止し、電界印加電極１と被処理物３０が配置された接地電極２との間のみで放電を維持するようにしたが、図６（ｃ）に示す工程を省略することもできる。
図６（ｃ）に示す工程を省略する場合、補助プラズマによる不要な電力消費を抑えることはできないが、放電開始時においてプラズマ状態を安定させることができ、また、放電開始時においてアーク放電を抑制することが容易となるので、被処理物に対する損傷を抑制することが容易となる。
【００２７】
また、図６（ａ）の前に、接地電極２と接地電極３が共に下方にある段階を設け、その段階において、接地電極２上に被処理物３０を載置するようにしてもよい。この場合は、接地電極２上に被処理物３０を載置した後、図６（ａ）に示すように、接地電極３を上方へ移動させて、電界印加電極１と接地電極３との間の間隔ｔ１を小さくし、電界を印加するとともにガスを導入する。
【００２８】
また、図７に示すように、被処理物３０が配置された接地電極２の高さを変えないで、プラズマ処理を行うことも可能である。この場合、電界印加電極１と接地電極２の高さは固定されている。図７は、第１実施形態に係るプラズマ処理装置において、電極間隔を変更する様子を説明する正面断面図である。まず、図７（ａ）に示すように、電界印加電極１と接地電極３との間の間隔ｔ１が小さい状態で、接地電極２上に被処理物３０を載置する。このとき、間隔ｔ１に比べて、電界印加電極１と接地電極２との間の間隔ｔ２が大きいが、間隔ｔ１は、接地電極３と電界印加電極１との間でプラズマ放電が開始されうる間隔とし、間隔ｔ２は、電界印加電極１と接地電極３との間において発生したプラズマが、接地電極２と電界印加電極１との間に展開したときに、接地電極２と電界印加電極１との間でプラズマ放電が開始されうる間隔とする。
次に、図７（ａ）の状態で、電界印加電極１と、接地電極２及び接地電極３との間に電界を印加すると、最初に、電界印加電極１と接地電極３との間でプラズマ放電が開始される。すると、電界印加電極１と第２接地電極２の間にも、電界印加電極１と接地電極３との間において発生していたプラズマが展開し、電界印加電極１と第２接地電極２の間でもプラズマ放電が発生する。接地電極２上に被処理物３０を載置した場合は、被処理物３０に対してプラズマによる表面処理が起こる。
【００２９】
接地電極２上に放電が展開した後に、図７（ｂ）に示すように、間隔ｔ２（ｔ２＝ｔ０）は変えずに、間隔ｔ１を増加させて、電界印加電極１と接地電極３との間における放電を停止させる。その結果、電界印加電極１と被処理物３０が配置された接地電極２との間のみで放電が維持される。したがって、補助プラズマによる不要な電力消費を抑えることができる。このようにすると、間隔変更部７ａを省略することができ、装置を簡素化できる。
【００３０】
（第２実施形態）
次に、図８を用いて、第２実施形態のプラズマ処理装置を説明する。図８は、第２実施形態に係るプラズマ処理装置の正面断面図である。第２実施形態では、第１実施形態に対して、ガス制限壁１０が設けられている点が相違点である。その他は第１実施形態と同じであるので、説明を省略する。
ガス制限壁１０は、図８や図１に示すように、電極１、２、３などで形成されたプラズマ領域９を囲んでいる。ガス制限壁１０は、絶縁体５と同じくアルミナ、ガラス、またはポリイミドなどの絶縁体からなる物体である。これにより、電界印加電極１とガス制限壁１０との間には高い電界が発生せず、被処理物３０以外へ展開する意図しない放電の発生を抑制できる。ガス制限壁１０がプラズマ領域９から処理空間外へのガスの流出を制限し、その結果、効率的にプラズマ領域９へプロセスガスを導入できる。ガス制限壁１０は、接地電極３の外側に、接地電極３の動作を妨げない最小限の空隙を空けて配置される。そのため、第１実施形態と同じ処理動作を実施することができる。
【００３１】
（第３実施形態）
次に、図９を用いて、第３実施形態のプラズマ処理装置を説明する。図９は、第３実施形態に係るプラズマ処理装置の正面断面図である。第３実施形態では、第２実施形態に対して、ガス制限壁１１が設けられている点が相違点である。他は第２実施形態と同じであるので、説明を省略する。
ガス制限壁１１は、可動装置１２により電界印加電極１の平面に沿った方向（水平方向）へ移動する。前述の第１実施形態にて述べたように、電界印加電極１に対して接地電極２が接近し、かつ接地電極３が離れた状態が起こりうる。その状態において、第１及び第２実施形態のプラズマ処理装置がプロセスガスを導入した場合、より間隔の大きい電界印加電極１と接地電極３により挟まれた空間にプロセスガスが流れやすくなり、被処理体３０の処理に有効に使用されないプロセスガスが多くなる。この問題を解決するために、電界印加電極１に対して接地電極３が離れた場合に、制限壁１１を、接地電極３を覆う場所に移動する。このとき、図９に示すように、被処理体３０の表面の高さと、制限壁１１の表面の高さとが同じになり、かつ、被処理体３０の表面と制限壁１１の表面とが面一になることが好ましい。その結果、制限壁１１がガス流のガイド壁として機能し、プロセスガスが接地電極３近傍へ流れることが制限され、プロセスガスをプラズマ領域９へ効率的に導入できる。
【００３２】
なお、本実施例ではガス制限壁１１を可動としたが、ガス制限壁を絶縁体とした場合には非可動としてもよい。この場合には、図３において、ガス制限壁１１は、電界印加電極１と接地電極３との間に挿入された状態で固定される。接地電極３上にプラズマを発生させるときには、接地電極３と電界印加電極１との間にガス制限壁１１を挟むような位置に、接地電極３を近づける。プラズマを接地電極２上のみに発生させるときには、接地電極３が電界印加電極１から遠ざかる。このとき、ガス制限壁１１は移動しないためガス流路が広がらず、またガス制限壁１１が絶縁体であるためプラズマ発生への影響は小さく、プラズマは接地電極２上に維持される。
【００３３】
（第４実施形態）
前記の第３実施形態においては、物体を移動させる移動装置が、間隔変更部７及び可動装置１２と複数になる。そのため、プラズマ処理装置の構成が複雑になり、装置費用が増大する可能性がある。この問題を解決するために、電界印加電極１と接地電極３との間の電界を減少させ不要な放電を停止する機能、及び、プロセスガスがプラズマ領域外に流れることを制限する機能の２つの機能を、１つの移動装置で実現する方法及びそのための装置を、第４実施形態として提案する。
図１０および図１１を用いて、第４実施形態のプラズマ処理装置を説明する。図１０は、第４実施形態に係るプラズマ処理装置の正面断面図である。図１１は、第４実施形態に係るプラズマ処理装置の接地電極内包回転体の拡大正面断面図である。第４実施形態では、第１実施形態における接地電極３及び間隔変更部７ｂの代わりに、接地電極内包回転体１３及び回転体支持体１４を有する。他は、第１実施形態と同じである。接地電極内包回転体１３は、円柱状の絶縁体１３ａ、円柱状の一部に偏った状態で内包される接地電極３ａ、及び回転体の軸１３ｂからなる。絶縁体１３ａ及び回転体支持体１４は，絶縁体５と同じく絶縁体として機能する任意の材質、そして接地電極３ａは、接地電極３と同じく導体として機能する任意の材質からなる。接地電極３ａは、図１０の例では、垂直断面が長方形で、回転体の軸１３ｂ方向に延びる板状である。また、回転軸１３ｂは、電界印加電極１や接地電極２の電極面と略平行に設けられる。
【００３４】
第１実施形態にて述べたのと同様に、放電開始から被処理物３０へのプラズマ照射の段階に分けて処理動作を説明する。放電開始時において、回転体１３を回転させ、電界印加電極１に対して接地電極２よりも接地電極３ａを接近させる。このとき、接地電極３ａが電界印加電極１に接近するよう回転体１３の向き（回転位置）を設定する。接地電極３ａが電界印加電極１に対して接近するため、電界印加電極１と電極３ａとの間に高い電界が発生し、放電が開始される。
次に、電界印加電極１に対して、被処理物３を載置した接地電極２を接近させて、電界印加電極１と接地電極２間にもプラズマを発生させ、被処理物３にプラズマを照射する。被処理物３にプラズマが照射されるようになった後は、回転体１３を回転し、接地電極３ａが、電界印加電極１に対して最も離れた状態にする。このようにして、電界印加電極１と接地電極３ａとの間隔が大きくなることにより、電界印加電極１と接地電極３ａとの間の電界が減少する。その結果、電界印加電極１と接地電極３ａ間の放電が停止する。放電の停止により、プロセス処理に貢献しない無駄な電力消費を抑制できる。加えて、接地電極３ａの位置が変化しても、プロセスガスが流れる空間が変わらないため、プロセスガスをプラズマ領域９へ効率的に供給できる。なお、本実施形態では、絶縁体１３ａを円柱状としたが、回転可能であれば角柱などに適宜変更可能である。
【００３５】
（第５実施形態）
前記の第１から第４実施形態において、装置構成の変更により放電開始時の電界が減少する、または放電開始に必要な電界が増加することが起こりうる。前者は、次の２つによって起こる。１つめは、低コスト化のために最大出力電力が低い電源を用いて、結果として放電開始時の印加電力が減少することである。２つめは、より広い面積を処理するため、例えば図１の前後方向（接地電極３の長手方向）に、電界印加電極１の面積を増加し、それに従い接地電極３の面積が増加することである。一方、後者は、プロセスガスにヘリウムまたはアルゴンなどの希ガスではなく、窒素などの分子性ガスを用いることによって起こる。
前述した放電開始時の電界の減少、または放電開始に必要な電界の増加が起こると、図６（ａ）で示した電極間隔ｔ１（ｔ１＝０．５〜２ｍｍ）にて電界印加電極１と接地電極３との間で放電開始されないことが起こる。この問題に対して、電極間隔ｔ１を０．５〜２．０ｍｍの範囲より小さくする対策が有効な場合がある。ｔ１を小さくすると、電極間に発生する電界は増加する。しかし一方、電極間にプロセスガスが供給され難くなる、または放電可能な電極間隔下限界を下回るという不具合も生じる。（電極間隔が０．０５ｍｍ以下では、プラズマを維持することが困難である。）その結果、放電の開始および維持ができないことが起こりうる。
【００３６】
前記問題を解決するため、前記装置構成の変更で示した条件（印加電力、電界印加電極１の面積、およびプロセスガス種）によらずに、かつ電極間隔を過剰に小さくせずに、電界印加電極１と接地電極３との間に高電界を発生させる電極構成を、第５実施形態として提案する。
図１２を用いて、第５実施形態のプラズマ処理装置を説明する。図１２は、第５実施形態に係るプラズマ処理装置の正面断面図である。第５実施形態では、第１実施形態に対して、接地電極３の代わりに突起形状の接地電極３ｂを有する。接地電極３ｂの電界印加電極１側に対向する面に誘電体４ｃが設けられる。他は第１実施形態と同じであるので、説明を省略する。
誘電体４ｃは、誘電体４ｂと同様に、アルミナ、ガラス、またはポリイミドなどの絶縁体からなる板状の物体であり、その厚みは、誘電体バリア放電を実現するために、好ましくは０．１〜１ｍｍとする。突起電極を覆う誘電体４ｃにより、グロー放電を起こし易くなり、放電しても空間の電界が上がらないので、ダメージレスで被処理物３０を処理できる。
【００３７】
接地電極３ｂは突起形状であるため、第１〜４実施形態の接地電極３に比べ、電界印加電極１側に対向する面積が小さい。また、接地電極３ｂは、棒状の接地電極３ｂの先端が他の部分よりも細い突起形状となっており、電界印加電極１側に対向する部分が他の部分よりも細い。そのため、突起先端付近に電界が集中し、平板形状の電界印加電極１との間にて電界強調効果が起こる。その結果、平行平板電極の場合に比べて電極間により高い電界を発生させることができる。
突起電極を細くすると高い電界を発生させることができるが、突起電極を細くし過ぎると、グロー放電を維持するための電界制御が難しくなる。したがって突起先端の形状は、曲面を想定した場合、曲率を１０〜１０００（１／ｍ）程度にするのが好ましい。
接地電極３ｂは、図１３に示すように、先端の尖った棒状、例えば先端の尖った円柱状の電極を、接地電極２の両側にそれぞれ数本配置するようにしてもよいが、接地電極２の片側に１本だけ配置するようにしてもよい。あるいは、接地電極３ｂは、図１４に示すように、直方体の上部を細く尖らせた山脈状に形成してもよい。図１３は、図１２に示す本発明の第５実施形態に係る接地電極３ｂを説明するための斜視図であり、図１４は、本発明の第５実施形態に係る接地電極３ｂの変形例を説明するための斜視図であり、いずれも、誘電体４ｃの記載を省略し、また、電界印加電極１等の記載を省略している。
【００３８】
（第６実施形態）
次に、図１５ないし図１７を用いて、第６実施形態のプラズマ処理装置を説明する。図１５は、第６実施形態に係るプラズマ処理装置の正面断面図である。図１６は、第６実施形態に係るプラズマ処理装置の接地電極内包回転体の拡大正面断面図である。図１７は、第６実施形態に係るプラズマ処理装置の接地電極内包回転体の変形例の拡大正面断面図である。第６実施形態では、第４実施形態に対して、接地電極３ａの代わりに、先端が他の部分よりも細い突起形状の接地電極３ｃ、又は３ｄが内包されて設けられている点が相違点である。他は第４実施形態と同じであるので、説明を省略する。
接地電極３ｃは、図１６に示すように垂直断面が楕円形であり、接地電極３ｄは、図１７に示すように垂直断面が三角形であり、いずれも、電界印加電極１に対向する側が細くなる突起形状である。このようにして、突起形状の接地電極３ｃ又は３ｄが電界印加電極１に対向すると、電界強調効果が起こる。その結果、電界印加電極１と接地電極３ｃ又は３ｄとの間の電界が増加する。接地電極３ｃ又は３ｄは、接地電極内包回転体１３の回転軸１３ｂに沿って連続して設けてもよいが、第５実施形態における図１３の棒状電極３ｂのように、離散的に設けてもよい。
【００３９】
なお、本明細書には、少なくとも次の発明が含まれる。すなわち、第１の発明は、
第１の電極と、
前記第１の電極との間にプラズマを生成する第２の電極と、
前記第１の電極との間にプラズマを生成する第３の電極と、
前記第１の電極と第２の電極との間の空間、および前記第１の電極と第３の電極との間の空間にガスを導入するガス導入部と、
前記第１の電極と前記第２の電極との間、および前記第１の電極と前記第３の電極との間に電圧を印加する電圧印加部と、
前記第１の電極と第２の電極との間隔を変更する第１の間隔変更部、又は、前記第１の電極と第３の電極との間隔を変更する第２の間隔変更部と、
前記第１の間隔変更部又は第２の間隔変更部の間隔変更動作と、前記電圧印加部の電圧印加動作とを制御する制御部とを備えるプラズマ処理装置。
このようにプラズマ処理装置を構成すると、プラズマ放電を開始することが容易になる。
【００４０】
第２の発明は、前記第１の発明のプラズマ処理装置であって、
前記第１の間隔変更部と、前記第１の間隔変更部とは独立して間隔変更動作を行う第２の間隔変更部とを備えるプラズマ処理装置。
このようにプラズマ処理装置を構成すると、プラズマ放電を容易に開始することができ、さらに、プラズマ処理中の電力消費を抑制することができる。
【００４１】
第３の発明は、前記第２の発明のプラズマ処理装置であって、
前記第２の電極上に被処理物を載置し、
前記制御部は、プラズマ放電開始時において、前記第１の電極と第３の電極との間隔を、前記第１の電極と第２の電極との間隔よりも小さくし、プラズマ放電開始後において、前記第１の電極と第３の電極との間隔を、前記第１の電極と第２の電極との間隔よりも大きくするよう制御するプラズマ処理装置。
このようにプラズマ処理装置を構成すると、プラズマ放電を容易に開始することができ、さらに、プラズマ処理中の電力消費を抑制することができる。
【００４２】
第４の発明は、前記第２の発明のプラズマ処理装置であって、
前記第２の電極上に被処理物を載置し、
前記制御部は、プラズマ放電開始時において、前記第１の電極と第３の電極との間隔を、前記第１の電極と第２の電極との間隔よりも小さくし、プラズマ放電開始後において、前記第１の電極と第２の電極との間隔を、前記第１の電極と第３の電極との間隔と略同じにするよう制御するプラズマ処理装置。
このようにプラズマ処理装置を構成すると、プラズマ放電を容易に開始することができる。
【００４３】
第５の発明は、前記第２の発明のプラズマ処理装置であって、
前記制御部は、前記第３の電極を上昇させて、前記第１の電極と前記第３の電極との間隔が、前記第１の電極と前記第２の電極との間隔よりも小さい状態で、前記第１の電極と前記第２の電極との間、および前記第１の電極と前記第３の電極との間に電圧を印加して、前記第１の電極と前記第３の電極との間にプラズマを生成し、該プラズマを生成した状態で、前記第２の電極を上昇させて、前記第１の電極と前記第２の電極との間にプラズマを生成するよう制御するプラズマ処理装置。
このようにプラズマ処理装置を構成すると、第１の電極と第３の電極との間にプラズマを生成した後、そのプラズマを利用して、第１の電極と第２の電極との間に容易にプラズマを生成することができる。
【００４４】
第６の発明は、前記第５の発明のプラズマ処理装置であって、
前記制御部は、前記第１の電極と前記第２の電極との間にプラズマを生成した後、前記第３の電極を下降させて、前記第１の電極と前記第３の電極との間隔を、前記第１の電極と前記第２の電極との間隔よりも大きくするよう制御するプラズマ処理装置。
このようにプラズマ処理装置を構成すると、第１の電極と第３の電極との間にプラズマを生成した後、そのプラズマを利用して、第１の電極と第２の電極との間に容易にプラズマを生成し、さらに第１の電極と第３の電極との間に生成したプラズマを消滅させることができるので、プラズマ処理中の電力消費を抑制することが可能となる。
【００４５】
第７の発明は、前記第１の発明ないし第６の発明のプラズマ処理装置であって、
前記電圧印加部は、前記第１の電極に接続された交流電源と、前記第２の電極および前記第３の電極に接続された接地とを備えるプラズマ処理装置。
このようにプラズマ処理装置を構成すると、交流電源に接続する電極が少なくなるため、装置構成を簡単にすることが可能となる。
【００４６】
第８の発明は、前記第１の発明ないし第７の発明のプラズマ処理装置であって、
前記第２の電極は、前記第１の電極に対向する面が導体であり、前記第３の電極は、前記第１の電極に対向する面が誘電体であるプラズマ処理装置。
このようにプラズマ処理装置を構成すると、被処理物が絶縁体である場合に、効率的にプラズマ処理することが可能となる。
【００４７】
第９の発明は、前記第１の発明ないし第８の発明のプラズマ処理装置であって、
前記第３の電極の前記第１の電極に対向する面の表面積が、前記第２の電極の前記第１の電極に対向する面の表面積よりも小さいプラズマ処理装置。
このようにプラズマ処理装置を構成すると、プラズマ放電を容易に開始することができる。
【００４８】
第１０の発明は、前記第１の発明ないし第９の発明のプラズマ処理装置であって、
前記第１の電極と前記第２の電極とに挟まれた処理空間とを囲み、該処理空間外へのガスの流出を制限する第１のガス制限壁を備えるプラズマ処理装置。
このようにプラズマ処理装置を構成すると、プロセスガスをプラズマ領域へ効率的に供給できる。
【００４９】
第１１の発明は、前記第１の発明ないし第１０の発明のプラズマ処理装置であって、
前記第１の電極と前記第３の電極との間に、前記第３の電極側へのガスの流出を制限する第２のガス制限壁を備えるプラズマ処理装置。
このようにプラズマ処理装置を構成すると、プロセスガスをプラズマ領域へ効率的に供給できる。
【００５０】
第１２の発明は、前記第１１の発明のプラズマ処理装置であって、
前記第２のガス制限壁を移動させる移動装置を備えるプラズマ処理装置。
このようにプラズマ処理装置を構成すると、プロセスガスをプラズマ領域に制限することが容易となる。
【００５１】
第１３の発明は、前記第１の発明ないし第１２の発明のプラズマ処理装置であって、
前記第３の電極は、絶縁体から構成され、水平方向の回転軸を有する回転体に内包されており、
前記制御部が、当該回転体を回転させるよう前記第２の間隔変更部を制御することにより、前記第１の電極と前記第３の電極との間隔を変更するプラズマ処理装置。
このようにプラズマ処理装置を構成すると、電界印加電極１と接地電極３との間の電界を減少させ不要な放電を停止する機能、及び、プロセスガスがプラズマ領域外に流れることを制限する機能の２つの機能を、１つの移動装置で実現することができる。
【００５２】
第１４の発明は、
第１の電極とそれに対向する第２の電極との間、および第１の電極とそれに対向する第３の電極との間にガスを導入し、前記第１の電極と第２の電極の間、および前記第１の電極と第３の電極の間に電圧を印加して、プラズマを発生させて被処理物を処理するプラズマ処理方法であって、
前記第１の電極と前記第３の電極との間隔が、前記第１の電極と前記第２の電極との間隔よりも小さい状態において、前記第１の電極と第３の電極の間に電圧を印加して、前記第１の電極と前記第３の電極との間にプラズマを発生させる第１のプラズマ発生工程と、
前記第１のプラズマ発生工程の後に、前記第１の電極と前記第３の電極との間隔を、前記第１の電極と前記第２の電極との間隔よりも大きくする電極間隔変更工程と、
前記電極間隔変更工程の後に、前記第１の電極と第２の電極の間に電圧を印加し、前記第１の電極と前記第２の電極と間にプラズマを発生させる第２のプラズマ発生工程とを含むプラズマ処理方法。
このようにプラズマ処理装置を構成すると、プラズマ放電を開始することが容易になる。
【００５３】
第１５の発明は、前記第１の発明ないし第１３の発明のプラズマ処理装置であって、前記第３の電極は、前記第１の電極に対向する部分が突起形状であるプラズマ処理装置。
このようにプラズマ処理装置を構成すると、プラズマ放電を開始することが容易になる。
【００５４】
第１６の発明は、前記第１５の発明のプラズマ処理装置であって、前記第３の電極は、前記第１の電極に対向する面が誘電体であるプラズマ処理装置。
このようにプラズマ処理装置を構成すると、プラズマ放電を安定して行うことが容易になる。
【符号の説明】
【００５５】
１・・電界印加電極、２・・接地電極、３・・接地電極、３ａ・・接地電極、３ｂ・・接地電極、３ｃ・・接地電極、３ｄ・・接地電極、４ａ・・誘電体、４ｂ・・誘電体、４ｃ・・誘電体、５・・絶縁体、６・・交流電源、７ａ・・間隔変更部、７ｂ・・間隔変更部、８・・台、９・・プラズマ領域、１０・・ガス制限壁、１１・・ガス制限壁、１２・・移動装置、１３・・接地電極内包回転体、１３ａ・・絶縁体、１３ｂ・・回転軸、１４・・回転体支持体、１５・・ガス導入装置、１５ａ・・ガス導入部、１５ｂ・・ガス制限壁、１５ｃ・・ガス制限壁、１５ｄ・・ガス供給管、２０・・制御部、３０・・被処理物。
【図１】
2012033457.tif 000003
【図２】
2012033457.tif 000004
【図３】
2012033457.tif 000005
【図４】
2012033457.tif 000006
【図５】
2012033457.tif 000007
【図６】
2012033457.tif 000008
【図７】
2012033457.tif 000009
【図８】
2012033457.tif 000010
【図９】
2012033457.tif 000011
【図１０】
2012033457.tif 000012
【図１１】
2012033457.tif 000013
【図１２】
2012033457.tif 000014
【図１３】
2012033457.tif 000015
【図１４】
2012033457.tif 000016
【図１５】
2012033457.tif 000017
【図１６】
2012033457.tif 000018
【図１７】
2012033457.tif 000019