(57)【要約】【課題】充分な耐擦傷性および光学特性を有するワイヤグリッド型偏光子、その製造方法、および充分な輝度およびコントラストを有する液晶表示装置を提供する。【解決手段】光透過性基板１０と、光透過性基板１０上に互いに平行に配列した複数の金属細線２０と、少なくとも金属細線２０の頂部を被覆する無機酸化物層３０と、少なくとも無機酸化物層３０の表面を、無機酸化物に対して反応性を有する基を有する含フッ素化合物で処理して形成された含フッ素化合物層３２とを有するワイヤグリッド型偏光子１；および、一対の基板間に液晶層を挟持した液晶パネルと、バックライトユニットと、ワイヤグリッド型偏光子１とを有する液晶表示装置。【選択図】図１
2012058397.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性基板と、
前記光透過性基板上に、互いに平行に配列した複数の金属細線と、
少なくとも前記金属細線の頂部を被覆する無機酸化物層と、
少なくとも前記無機酸化物層の表面を、無機酸化物に対して反応性を有する基を有する含フッ素化合物で処理して形成された含フッ素化合物層と
を有する、ワイヤグリッド型偏光子。
【請求項２】
前記無機酸化物層が、前記金属細線の２つの側面およびこれらに挟まれた頂部と、前記金属細線間の光透過性基板の表面とを被覆する、ワイヤグリッド型偏光子。
【請求項３】
請求項１または２に記載のワイヤグリッド型偏光子を製造する方法であって、
光透過性基板上に、互いに平行に配列した複数の金属細線を形成する工程と、
前記金属細線が形成された側の光透過性基板上に、無機酸化物を蒸着して無機酸化物層を形成する工程と、
少なくとも前記無機酸化物層の表面を、前記無機酸化物に対して反応性を有する基を有する含フッ素化合物で処理して含フッ素化合物層を形成する工程とを有する、ワイヤグリッド型偏光子の製造方法。
【請求項４】
一対の基板間に液晶層を挟持した液晶パネルと、
バックライトユニットと、
請求項１または２に記載のワイヤグリッド型偏光子と
を有する、液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ワイヤグリッド型偏光子、その製造方法および液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置、リアプロジェクションテレビ、フロントプロジェクター等の画像表示装置に用いられる、可視光領域で偏光分離能を示す偏光子（偏光素子、偏光分離素子ともいう。）として、ワイヤグリッド型偏光子が知られている。
【０００３】
ワイヤグリッド型偏光子は、光透過性基板上に複数の金属細線が互いに平行に配列した構造を有する。金属細線のピッチが入射光の波長よりも充分に短い場合、入射光のうち、金属細線に直交する電場ベクトルを有する成分（すなわちｐ偏光）は透過し、金属細線と平行な電場ベクトルを有する成分（すなわちｓ偏光）は反射される。
【０００４】
該ワイヤグリッド型偏光子においては、金属細線が非常に微細であるため、金属細線の耐擦傷性が低い。そのため、ワイヤグリッド型偏光子の表面に対する物理的接触等によって金属細線が破損しやすい。ワイヤグリッド型偏光子においては、金属細線がわずかに破損しただけでもワイヤグリッド型偏光子の性能に影響する。
【０００５】
そこで、金属細線の破損を抑えるために、テトラエトキシシランおよび酸素ガスを用いたＣＶＤ法によって形成された保護膜によって金属細線を被覆することが提案されている（特許文献１）。
【０００６】
しかし、該保護膜は、高エネルギーのターゲット成分または蒸発粒子を対象基板に衝突させるＰＶＤ法（スパッタ法、真空蒸着法等）ではなく、ＣＶＤ法によって形成されているため、金属細線と保護膜との密着性が乏しく、物理的接触等によって保護膜が剥離しやすい。そのため、保護膜の厚さを比較的厚く（約２００ｎｍ程度に）する必要がある。その結果、金属細線間の空隙に保護膜が侵入しやすくなり、該空隙が保護膜で埋まって小さくなるため、ワイヤグリッド型偏光子の光学特性が低下する。そして、ワイヤグリッド型偏光子の光学特性が低下すると、該ワイヤグリッド型偏光子を備えた液晶表示装置の輝度やコントラストが低下する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−０６９３８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、充分な耐擦傷性および光学特性を有するワイヤグリッド型偏光子、その製造方法、および充分な輝度およびコントラストを有する液晶表示装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のワイヤグリッド型偏光子は、光透過性基板と、前記光透過性基板上に、互いに平行に配列した複数の金属細線と、少なくとも前記金属細線の頂部を被覆する無機酸化物層と、少なくとも前記無機酸化物層の表面を、無機酸化物に対して反応性を有する基を有する含フッ素化合物で処理して形成された含フッ素化合物層とを有することを特徴とする。
前記無機酸化物層は、前記金属細線の２つの側面およびこれらに挟まれた頂部と、前記金属細線間の光透過性基板の表面とを被覆することが好ましい。
【００１０】
本発明のワイヤグリッド型偏光子の製造方法は、光透過性基板上に、互いに平行に配列した複数の金属細線を形成する工程と、前記金属細線が形成された側の光透過性基板上に、無機酸化物を蒸着して無機酸化物層を形成する工程と、少なくとも前記無機酸化物層の表面を、前記無機酸化物に対して反応性を有する基を有する含フッ素化合物で処理して含フッ素化合物層を形成する工程とを有することを特徴とする。
【００１１】
本発明の液晶表示装置は、一対の基板間に液晶層を挟持した液晶パネルと、バックライトユニットと、本発明のワイヤグリッド型偏光子とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のワイヤグリッド型偏光子は、充分な耐擦傷性および光学特性を有する。
本発明のワイヤグリッド型偏光子の製造方法によれば、充分な耐擦傷性および光学特性を有するワイヤグリッド型偏光子を製造できる。
本発明の液晶表示装置は、充分な輝度およびコントラストを有する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】ワイヤグリッド型偏光子の一例を示す斜視図である。
【図２】ワイヤグリッド型偏光子の他の例を示す斜視図である。
【図３】図２のワイヤグリッド型偏光子の光透過性基板を示す斜視図である。
【図４】ワイヤグリッド型偏光子の他の例を示す斜視図である。
【図５】図４のワイヤグリッド型偏光子の光透過性基板を示す斜視図である。
【図６】本発明の液晶表示装置の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
＜ワイヤグリッド型偏光子＞
本発明のワイヤグリッド型偏光子は、光透過性基板と、光透過性基板上に互いに平行に配列した複数の金属細線と、少なくとも金属細線の頂部を被覆する無機酸化物層と、少なくとも無機酸化物層の表面を、無機酸化物に対して反応性を有する基を有する含フッ素化合物で処理して形成された含フッ素化合物層とを有する。
【００１５】
（光透過性基板）
光透過性基板は、ワイヤグリッド型偏光子の使用波長範囲において光透過性を有する基板である。光透過性とは、光を透過することを意味し、使用波長範囲は、具体的には、４００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲である。
【００１６】
光透過性基板の材料としては、光硬化樹脂、熱可塑性樹脂、ガラス等が挙げられ、後述するインプリント法にて凸条を形成できる点から、光硬化樹脂または熱可塑性樹脂が好ましく、光インプリント法にて凸条を形成できる点および耐熱性および耐久性に優れる点から、光硬化樹脂が特に好ましい。光硬化樹脂としては、生産性の点から、光ラジカル重合により光硬化し得る光硬化性組成物を光硬化して得られる光硬化樹脂が好ましい。
【００１７】
光透過性基板は、積層体であってもよい。該積層体としては、たとえば、熱可塑性樹脂、ガラス等からなる基材と、該基材の表面に形成された光硬化樹脂からなる、凸条を有する表層とを有するものが挙げられる。
【００１８】
本発明において凸条とは、光透過性基板の主表面から立ち上がり、かつその立ち上がりが一方向に伸びている部分をいう。凸条は光透過性基板の主表面と一体で光透過性基板の主表面部分と同じ材料からなっていてもよく、光透過性基板の主表面部分と異なる光透過性材料からなっていてもよい。凸条は光透過性基板の主表面と一体で、かつ光透過性基板の主表面部分と同じ材料からなっていることが好ましい。
【００１９】
凸条は、その長さ方向と光透過性基板の主表面とに直交する方向の断面の形状が長さ方向にわたってほぼ一定であり、複数の凸条においてもそれらの断面形状はすべてほぼ一定であることが好ましい。凸条の断面形状は、底部（光透過性基板の主表面）から頂部にわたって幅がほぼ同じ形状、または底部から頂部に向かうにしたがって幅がしだいに狭くなる形状である。具体的な断面形状としては、たとえば、矩形、三角形、台形等が挙げられる。該断面形状は、角や辺（側面）が曲線状であってもよい。
【００２０】
本発明において凸条の頂部とは、前記断面形状の最も高い部分が長さ方向に連なった部分をいう。凸条の頂部は面であっても線であってもよい。たとえば、断面形状が矩形や台形の場合には頂部は面をなし、断面形状が三角形の場合には頂部は線をなす。本発明において凸条の頂部以外の表面を凸条の側面という。なお、隣接する２つの凸条間の溝の平坦部は凸条の表面ではなく、光透過性基板の主表面とみなす。
【００２１】
（金属細線）
金属細線としては、平坦な光透過性基板の表面に形成された金属または金属化合物からなる金属層をパターニングして形成されたもの；複数の凸条が、該凸条間に形成される平坦部を介して互いに平行にかつ所定のピッチで表面に形成された光透過性基板の凸条の表面に選択的に金属または金属化合物からなる金属層を形成したもの等が挙げられる。
【００２２】
複数の金属細線は、実質的に平行に形成されていればよく、完全に平行に形成されてなくてもよい。また、各金属細線を構成する線は、面内において光学的な異方性を最も発現しやすい直線が好ましいが、隣接する金属細線が接触しない範囲で曲線または折れ線であってもよい。
【００２３】
凸条の表面に金属層を形成した場合、金属細線は凸条の長さ方向に延びる金属層から構成される。金属層は、凸条の表面の少なくとも一部を被覆すればよい。凸条の断面形状が三角形または台形の場合、金属層は、凸条の第１の側面を完全に被覆することが好ましい。この際、金属層は、凸条の頂部の一部もしくは全部を被覆してもよく、または、凸条の頂部の全部および凸条の第２の側面の一部もしくは全部を被覆してもよい。また、金属層は、隣接する２つの凸条間の平坦部の一部を被覆していてもよい。
【００２４】
金属としては、金属単体、合金、ドーパントまたは不純物を含む金属等が挙げられる。具体的には、アルミニウム、銀、クロム、マグネシウム、アルミニウム系合金、銀系合金等が挙げられる。
金属細線の材料としては、可視光に対する反射率が高く、可視光の吸収が少なく、かつ高い導電率を有する点から、アルミニウム、アルミニウム系合金、銀、クロム、マグネシウムが好ましく、アルミニウム、アルミニウム系合金が特に好ましい。
【００２５】
（無機酸化物層）
無機酸化物層は、少なくとも金属細線の頂部を被覆する層である。無機酸化物層は、耐擦傷性の点から、金属細線の２つの側面およびこれらに挟まれた頂部と、金属細線間の光透過性基板の表面（凸条の表面のうち金属細線が形成されていない面、および凸条間の平坦部）とを被覆することが好ましい。
【００２６】
無機酸化物層は、光学特性の点から、金属細線間（凸条間）に空隙（溝）が形成される、すなわち金属細線間（凸条間）の空隙（溝）をできるだけ埋めないように形成されることが好ましい。
【００２７】
無機酸化物層の材料としては、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化スズ、酸化チタン、酸化アルミニウム等が挙げられ、ワイヤグリッド型偏光子が短波長領域で高い透過率を示す点から、酸化ケイ素、酸化ジルコニウム、酸化スズが好ましく、コストの点から、酸化ケイ素が特に好ましい。
【００２８】
（含フッ素化合物層）
含フッ素化合物層は、無機酸化物層の表面を、無機酸化物に対して反応性を有する基を有する含フッ素化合物で処理して形成された層であり、無機酸化物層の全面を被覆する。たとえば、含フッ素化合物が後述する加水分解性シリル基およびフルオロアルキル基を有する含フッ素化合物の場合、含フッ素化合物層は、該含フッ素化合物の加水分解縮合体から構成される。
【００２９】
無機酸化物に対して反応性を有する基としては、シラノール基、加水分解性シリル基等が挙げられる。無機酸化物との反応性の点から、加水分解性シリル基が特に好ましい。加水分解性シリル基とは、ケイ素原子にアルコキシ基、アミノ基、ハロゲン原子等が結合してなる基であり、加水分解によりシロキサン結合を形成することにより架橋しうる基である。トリアルコキシシリル基、アルキルジアルコキシシリル基等が好ましい。
【００３０】
含フッ素化合物としては、無機酸化物との反応性および低動摩擦係数の点から、加水分
解性シリル基およびフルオロアルキル基（炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子を有していてもよい。）を有する含フッ素化合物が好ましい。
【００３１】
含フッ素化合物層の動摩擦係数は、耐擦傷性の点から、０．２以下が好ましく、０．１５以下がより好ましい。
含フッ素化合物層の動摩擦係数は、ＡＳＴＭ  Ｄ  １８９４に準拠して測定する。
【００３２】
＜ワイヤグリッド型偏光子の製造方法＞
本発明のワイヤグリッド型偏光子の製造方法としては、金属細線の形成方法の違いによって下記の方法（α）、方法（β）が挙げられる。
【００３３】
方法（α）：下記の工程（Ｉ）〜（III）を有する方法。
（Ｉ）平坦な光透過性基板の表面に金属層を形成し、該金属層をパターニングして、互いに平行に配列した複数の金属細線を形成する工程。
（II）金属細線が形成された側の光透過性基板上に、無機酸化物を蒸着して無機酸化物層を形成する工程。
（III）無機酸化物層の表面を、無機酸化物に対して反応性を有する基を有する含フッ素化合物で処理して含フッ素化合物層を形成する工程。
【００３４】
方法（β）：下記の工程（Ｉ’）、（II）、（III）を有する方法。
（Ｉ’）表面に複数の凸条が互いに平行にかつ所定のピッチで形成された光透過性基板を作製し、凸条の表面に選択的に金属または金属化合物を蒸着して、互いに平行に配列した複数の金属層（金属細線）を形成する工程。
（II）金属細線が形成された側の光透過性基板上に、無機酸化物を蒸着して無機酸化物層を形成する工程。
（III）無機酸化物層の表面を、無機酸化物に対して反応性を有する基を有する含フッ素化合物で処理して含フッ素化合物層を形成する工程。
【００３５】
〔方法（α）〕
（工程（Ｉ））
金属細線は、平坦な光透過性基板の表面に金属層を形成し、該金属層をパターニングすることによって形成される。
【００３６】
金属層の形成方法としては、蒸着法が挙げられる。蒸着法としては、ＰＶＤ法またはＣＶＤが挙げられ、光透過性基板と金属細線との密着性、金属細線の表面粗さの点から、ＰＶＤ法（真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法等）が好ましく、コストの点から、真空蒸着法が特に好ましい。
【００３７】
パターニングは、金属層の表面にレジストパターンを形成し、該レジストパターンをマスクとしてエッチングを行って余分な金属層を除去した後、レジストパターンを除去することによって行われる。
【００３８】
（工程（II））
無機酸化物層は、金属細線が形成された側の光透過性基板上に、無機酸化物を蒸着して形成される。
【００３９】
蒸着法としては、ＰＶＤ法またはＣＶＤ法が挙げられ、金属細線と無機酸化物層との密着性、表面粗さの点から、ＰＶＤ法（真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法等）が好ましく、スパッタ法が特に好ましい。
【００４０】
（工程（III））
含フッ素化合物層は、無機酸化物層の表面を、無機酸化物に対して反応性を有する基を有する含フッ素化合物で処理して形成される。
【００４１】
処理方法としては、たとえば、含フッ素化合物が加水分解性シリル基およびフルオロアルキル基を有する含フッ素化合物の場合、均一で、かつ薄膜の含フッ素化合物層を形成できる点から、下記の工程（ｉ）〜（iii）を経て行われることが好ましい。
（ｉ）金属細線および無機酸化物層が形成された光透過性基板を、含フッ素化合物の希釈溶液に浸漬する工程。
（ii）前記光透過性基板を含フッ素化合物の希釈溶液から引き上げた後、光透過性基板を溶媒でリンスする工程。
（iii）前記光透過性基板をリンスした後、高温高湿条件下に置き、加水分解性シリル基を加水分解、縮合させ、含フッ素化合物層を形成する工程。
【００４２】
〔方法（β）〕
（工程（Ｉ’））
光透過性基板の作製方法としては、インプリント法（光インプリント法、熱インプリント法）、リソグラフィ法等が挙げられ、凸条を生産性よく形成できる点および光透過性基板を大面積化できる点から、インプリント法が好ましく、凸条をより生産性よく形成できる点およびモールドの溝を精度よく転写できる点から、光インプリント法が特に好ましい。
【００４３】
光インプリント法は、たとえば、電子線描画とエッチングとの組み合わせ等により、複数の溝が互いに平行にかつ所定のピッチで形成されたモールドを作製し、該モールドの溝を、任意の基材の表面に塗布された光硬化性組成物に転写し、同時に該光硬化性組成物を光硬化させる方法である。
【００４４】
光インプリント法による光透過性基板の作製は、具体的には下記の工程（ｉ）〜（iv）を経て行われることが好ましい。
（ｉ）光硬化性組成物を基材の表面に塗布する工程。
（ii）複数の溝が互いに平行にかつ所定のピッチで形成されたモールドを、溝が光硬化性組成物に接するように、光硬化性組成物に押しつける工程。
（iii）モールドを光硬化性組成物に押しつけた状態で放射線（紫外線、電子線等）を照射して光硬化性組成物を硬化させて、モールドの溝に対応する複数の凸条を有する光透過性基板を作製する工程。
（iv）光透過性基板からモールドを分離する工程。
なお、凸条を有する表層と基材とが一体化したものを光透過性基板として用いてもよく、凸条を有する表層を基材から分離したものを光透過性基板として用いてもよい。また、金属層を形成した後に、凸条を有する表層を基材から分離してもよい。
【００４５】
熱インプリント法による光透過性基板の作製は、具体的には下記の工程（ｉ）〜（iii）を経て行われることが好ましい。
（ｉ）基材の表面に熱可塑性樹脂の被転写膜を形成する工程、または熱可塑性樹脂の被転写フィルムを作製する工程。
（ii）複数の溝が互いに平行にかつ一定のピッチで形成されたモールドを、溝が被転写膜または被転写フィルムに接するように、熱可塑性樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）または融点（Ｔｍ）以上に加熱した被転写膜または被転写フィルムに押しつけ、モールドの溝に対応する複数の凸条を有する光透過性基板を作製する工程。
（iii）光透過性基板をＴｇまたはＴｍより低い温度に冷却して光透過性基板からモールドを分離する工程。
なお、凸条を有する表層と基材とが一体化したものを光透過性基板として用いてもよく、凸条を有する表層を基材から分離したものを光透過性基板として用いてもよい。また、金属層を形成した後に、凸条を有する表層を基材から分離してもよい。
【００４６】
インプリント法に用いられるモールドの材料としては、シリコン、ニッケル、石英ガラス、樹脂等が挙げられ、転写精度の点から、石英ガラス、樹脂が好ましい。樹脂としては、フッ素系樹脂（エチレン−テトラフルオロエチレン共重合体等）、環状オレフィン、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等が挙げられ、モールドの精度の点から、光硬化性のアクリル樹脂が好ましい。樹脂モールドは、転写の繰り返し耐久性の点から、表面に厚さ２〜１０ｎｍの無機膜を有することが好ましい。無機膜としては、酸化ケイ素、酸化チタン、酸化アルミニウム等の酸化膜が好ましい。
【００４７】
インプリント法に用いられる基材としては、ガラス板（石英ガラス板、無アルカリガラス板等）、樹脂（ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリジメチルシロキサン、透明フッ素樹脂等）からなるフィルム等が挙げられる。ガラス板を基材に用いた場合は、インプリント法は枚葉式で行うことができ、フィルムを基材に用いた場合は、インプリント法は、ロールツウロール方式で行うことができる。
【００４８】
金属細線は、光透過性基板の凸条の表面に選択的に金属または金属化合物を蒸着して形成される。
【００４９】
蒸着法としては、ＰＶＤまたはＣＶＤが挙げられ、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法が好ましく、真空蒸着法が特に好ましい。蒸着法としては、蒸発粒子の光透過性基板に対する入射方向を制御でき、凸条の表面に選択的に金属または金属化合物を蒸着できる点から、真空蒸着法による斜方蒸着法が最も好ましい。
【００５０】
（工程（II）〜（III））
工程（II）〜（III）は、方法（α）における工程（II）〜（III）と同様に行えばよい。
【００５１】
＜ワイヤグリッド型偏光子の実施形態＞
以下、本発明のワイヤグリッド型偏光子の実施形態を、図を用いて説明する。以下の図は模式図であり、実際のワイヤグリッド型偏光子は、図示したような理論的かつ理想的形状を有するものではない。たとえば、実際のワイヤグリッド型偏光子においては、金属細線、凸条等の形状の崩れが多少ある。
なお、本発明における各寸法は、ワイヤグリッド型偏光子の断面の透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）像、または原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）像において、３箇所の各寸法を測定し、平均した値とする。
【００５２】
〔第１の実施形態〕
図１は、本発明のワイヤグリッド型偏光子の第１の実施形態を示す断面図である。ワイヤグリッド型偏光子１は、平坦な光透過性基板１０と；光透過性基板１０の表面に、互いに平行にかつ所定のピッチＰｐで表面に形成された断面形状が矩形である複数の金属細線２０と；金属細線２０の２つの側面およびこれらに挟まれた頂部と、金属細線２０間の光透過性基板１０の平坦部１３とを、金属細線２０間の溝１４に空隙が形成されるように被覆する無機酸化物層３０と；無機酸化物層３０の全面を、無機酸化物に対して反応性を有する基を有する含フッ素化合物で処理して形成された含フッ素化合物層３２とを有する。
【００５３】
Ｐｐは、金属細線２０の幅Ｄｍと、金属細線２０間に形成される溝１４の幅との合計である。Ｐｐは、３０〜３００ｎｍが好ましく、５０〜２００ｎｍがより好ましい。Ｐｐが３００ｎｍ以下であれば、高いｓ偏光反射率を示し、かつ４００ｎｍ程度の短波長領域においても高い偏光度を示す。また、回折による着色現象が抑えられる。また、Ｐｐが３０ｎｍ以上であれば、高い透過率を示す。
【００５４】
ＤｍとＰｐの比（Ｄｍ／Ｐｐ）は、０．１〜０．７が好ましく、０．２５〜０．５５がより好ましい。Ｄｍ／Ｐｐが０．１以上であれば、高い偏光度を示す。Ｄｍ／Ｐｐを０．５以下とすることにより、干渉による透過光の着色が抑えられる。
Ｄｍは、金属細線２０を形成しやすい点から、１０〜１００ｎｍが好ましい。
【００５５】
金属細線２０の側面を被覆する無機酸化物層３０の厚さ（金属細線２０の幅方向）Ｄａと該無機酸化物層３０を被覆する含フッ素化合物層３２の厚さ（金属細線２０の幅方向）Ｄｆとの合計（Ｄａ＋Ｄｆ）と、溝１４の幅（Ｐｐ−Ｄｍ）との比（（Ｄａ＋Ｄｆ）／（Ｐｐ−Ｄｍ））は、０．４以下が好ましく、０．０１〜０．３がより好ましい。（Ｄａ＋Ｄｆ）／（Ｐｐ−Ｄｍ）が０．４以下であれば、溝１４に充分な空隙が形成され、光学特性がより良好になる。
【００５６】
金属細線２０の高さＨｍは、５０〜５００ｎｍが好ましく、１００〜３００ｎｍがより好ましい。Ｈｍが５０ｎｍ以上であれば、偏光分離能が充分に高くなる。Ｈｍが５００ｎｍ以下であれば、波長分散が小さくなる。また、Ｈｍが１００〜３００ｎｍであれば、金属細線２０を形成しやすい。
【００５７】
金属細線２０の頂部を被覆する無機酸化物層３０の厚さ（金属細線２０の高さ方向）Ｈａは、５〜１５０ｎｍが好ましく、１０〜１００ｎｍがより好ましい。Ｈａが５ｎｍ以上であれば、耐擦傷性が充分に高くなる。Ｈａが１５０ｎｍ以下であれば、無機酸化物層３０を形成しやすい。
【００５８】
金属細線２０の頂部を被覆する無機酸化物層３０を被覆する含フッ素化合物層３２の厚さ（金属細線２０の高さ方向）Ｈｆは、１〜３０ｎｍが好ましく、１〜２０ｎｍがより好ましい。Ｈｆが１ｎｍ以上であれば、耐擦傷性が充分に高くなる。Ｈｆが３０ｎｍ以下であれば、均一で、かつ薄膜の含フッ素化合物層３２を形成しやすい。
【００５９】
光透過性基板１０の厚さＨｓは、０．５〜１０００μｍが好ましく、１〜４０μｍがより好ましい。
【００６０】
（ワイヤグリッド型偏光子の製造方法）
ワイヤグリッド型偏光子１は、上述した方法（α）によって製造できる。
【００６１】
〔第２の実施形態〕
（ワイヤグリッド型偏光子）
図２は、本発明のワイヤグリッド型偏光子の第２の実施形態を示す断面図である。ワイヤグリッド型偏光子２は、断面形状が矩形である複数の凸条１２が、該凸条１２間に形成される溝１４の平坦部１３を介して互いに平行にかつ所定のピッチＰｐで表面に形成された光透過性基板１０と；凸条１２の頂部１９の全面を被覆する金属層からなる金属細線２０と；金属細線２０の２つの側面およびこれらに挟まれた頂部と、凸条１２の第１の側面１６および第２の側面１８と、凸条１２間の光透過性基板１０の平坦部１３とを、凸条１２間の溝１４に空隙が形成されるように被覆する無機酸化物層３０と；無機酸化物層３０の全面を、無機酸化物に対して反応性を有する基を有する含フッ素化合物で処理して形成された含フッ素化合物層３２とを有する。
【００６２】
Ｐｐは、凸条１２の幅Ｄｐと、凸条１２間に形成される溝１４の幅との合計である。Ｐｐは、３０〜３００ｎｍが好ましく、５０〜２００ｎｍがより好ましい。Ｐｐが３００ｎｍ以下であれば、高いｓ偏光反射率を示し、かつ４００ｎｍ程度の短波長領域においても高い偏光度を示す。また、回折による着色現象が抑えられる。また、Ｐｐが３０ｎｍ以上であれば、高い透過率を示す。
【００６３】
ＤｐとＰｐの比（Ｄｐ／Ｐｐ）は、０．１〜０．７が好ましく、０．２５〜０．５５がより好ましい。Ｄｐ／Ｐｐが０．１以上であれば、高い偏光度を示す。Ｄｐ／Ｐｐを０．５以下とすることにより、干渉による透過光の着色が抑えられる。
Ｄｐは、蒸着によって金属層を形成しやすい点から、１０〜１００ｎｍが好ましい。
【００６４】
金属細線２０（金属層）の幅Ｄｍは、１０〜１００ｎｍが好ましく、２０〜８０ｎｍがより好ましい。Ｄｍが１０ｎｍ以上であれば、偏光分離能が充分に高くなる。Ｄｍが１００ｎｍ以下であれば、透過率が充分に高くなる。
【００６５】
凸条１２の側面を被覆する無機酸化物層３０の厚さ（凸条１２の幅方向）Ｄａと該無機酸化物層３０を被覆する含フッ素化合物層３２の厚さ（凸条１２の幅方向）Ｄｆとの合計（Ｄａ＋Ｄｆ）と、溝１４の幅（Ｐｐ−Ｄｐ）との比（（Ｄａ＋Ｄｆ）／（Ｐｐ−Ｄｐ））は、０．４以下が好まく、０．０１〜０．３がより好ましい。（Ｄａ＋Ｄｆ）／（Ｐｐ−Ｄｐ）が０．４以下であれば、溝１４に充分な空隙が形成され、光学特性がより良好になる。
【００６６】
凸条１２の高さＨｐは、５０〜５００ｎｍが好ましく、１００〜３００ｎｍがより好ましい。Ｈｐが５０ｎｍ以上であれば、偏光分離能が充分に高くなる。Ｈｐが５００ｎｍ以下であれば、透過率の波長分散を低減できる。また、Ｈｐが５０〜５００ｎｍであれば、蒸着によって金属層を形成しやすい。
【００６７】
金属細線２０（金属層）の高さＨｍは、３０〜５００ｎｍが好ましく、３０〜３００ｎｍがより好ましい。Ｈｍが３０ｎｍ以上であれば、偏光分離能が充分に高くなる。Ｈｍが５００ｎｍ以下であれば、透過率の波長分散が小さくなる。また、Ｈｍが３０〜３００ｎｍであれば、金属層を形成しやすい。
【００６８】
金属細線２０の頂部を被覆する無機酸化物層３０の厚さ（凸条１２の高さ方向）Ｈａは、５〜１５０ｎｍが好ましく、１０〜１００ｎｍがより好ましい。Ｈａが５ｎｍ以上であれば、耐擦傷性が充分に高くなる。Ｈａが１５０ｎｍ以下であれば、無機酸化物層３０を形成しやすい。
【００６９】
金属細線２０の頂部を被覆する無機酸化物層３０を被覆する含フッ素化合物層３２の厚さ（凸条１２の高さ方向）Ｈｆは、１〜３０ｎｍが好ましく、１〜２０ｎｍがより好ましい。Ｈｆが１ｎｍ以上であれば、耐擦傷性が充分に高くなる。Ｈｆが３０ｎｍ以下であれば、均一で、かつ薄膜の含フッ素化合物層３２を形成しやすい。
【００７０】
光透過性基板１０の厚さＨｓは、０．５〜１０００μｍが好ましく、１〜４０μｍがより好ましい。
【００７１】
（ワイヤグリッド型偏光子の製造方法）
ワイヤグリッド型偏光子２は、上述した方法（β）によって製造できる。
【００７２】
金属細線２０は、図３に示すように、凸条１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向Ｈに対して第２の側面１８の側に２０〜５０゜の角度θＬをなす方向Ｖ２から金属または金属化合物を、蒸着量が１５〜１００ｎｍとなる条件で蒸着することにより形成できる。
【００７３】
角度θＬは、たとえば、下記の蒸着装置を用いることによって調整できる。
凸条１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向Ｈに対して第２の側面１８の側に角度θＬをなす方向Ｖ２の延長線上に蒸着源が位置するように、蒸着源に対向して配置された光透過性基板１０の傾きを変更できる蒸着装置。
【００７４】
〔第３の実施形態〕
（ワイヤグリッド型偏光子）
図４は、本発明のワイヤグリッド型偏光子の第３の実施形態を示す斜視図である。ワイヤグリッド型偏光子３は、断面形状が台形である複数の凸条１２が、該凸条１２間に形成される溝１４の平坦部１３を介して互いに平行にかつ所定のピッチＰｐで表面に形成された光透過性基板１０と；凸条１２の第１の側面１６の全部を被覆する第１の金属層２２と凸条１２の高さの半分の位置よりも頂部１９側の第１の金属層２２の表面および凸条１２の頂部１９を被覆する第２の金属層２４とからなる金属細線２０と；金属細線２０の側面および頂部と、凸条１２の第２の側面１８と、凸条１２間の光透過性基板１０の平坦部１３とを、凸条１２間の溝１４に空隙が形成されるように被覆する無機酸化物層３０と；無機酸化物層３０の全面を、無機酸化物に対して反応性を有する基を有する含フッ素化合物で処理して形成された含フッ素化合物層３２とを有する。
【００７５】
Ｐｐは、凸条１２の底部の幅Ｄｐｂと、凸条１２間に形成される溝１４の平坦部１３の幅との合計である。Ｐｐは、３０〜３００ｎｍが好ましく、５０〜２５０ｎｍがより好ましい。Ｐｐが３００ｎｍ以下であれば、高い表面ｓ偏光反射率を示し、かつ４００ｎｍ程度の短波長領域においても高い偏光度を示す。また、Ｐｐが３０ｎｍ以上であれば、高い透過率を示す。
【００７６】
ＤｐｂとＰｐの比（Ｄｐｂ／Ｐｐ）は、０．１〜０．７が好ましく、０．２５〜０．５５がより好ましい。Ｄｐｂ／Ｐｐが０．１以上であれば、高い偏光度を示す。Ｄｐｂ／Ｐｐを０．５以下とすることにより、干渉による透過光の着色が抑えられる。
Ｄｐｂは、蒸着によって各層を形成しやすい点から、１０〜１００ｎｍが好ましい。
【００７７】
凸条１２の頂部１９の幅Ｄｐｔは、Ｄｐｂの半分以下が好ましく、４０ｎｍ以下がより好ましく、２０ｎｍ以下がさらに好ましい。ＤｐｔがＤｐｂの半分以下であれば、ｐ偏光透過率がより高くなり、角度依存性が充分に低くなる。
【００７８】
金属細線２０の、凸条１２の高さの半分の位置から頂部１９まで（凸条１２の上半分）の厚さ（凸条１２の幅方向）の最大値Ｄｍ１は、８０ｎｍ以下が好ましく、２０〜７５ｎｍがより好ましく、３５〜５５ｎｍがさらに好ましく、４０〜５０ｎｍが特に好ましい。Ｄｍ１が２０ｎｍ以上であれば、表面ｓ偏光反射率が充分に高くなる。Ｄｍ１が８０ｎｍ以下であれば、ｐ偏光透過率が充分に高くなる。
【００７９】
金属細線２０の、凸条１２の高さの半分の位置から底部まで（凸条１２の下半分）の厚さ（凸条１２の幅方向）の最大値Ｄｍ２は、４〜２５ｎｍが好ましく、５〜２２ｎｍがより好ましい。Ｄｍ２が４ｎｍ以上であれば、裏面ｓ偏光反射率が充分に低くなる。Ｄｍ２が２５ｎｍ以下であれば、ｐ偏光透過率が充分に高くなる。
【００８０】
Ｄｍ１と溝１４の幅（Ｐｐ−Ｄｐｂ）との比（Ｄｍ１／（Ｐｐ−Ｄｐｂ））は、０．２〜０．５が好ましい。Ｄｍ１／（Ｐｐ−Ｄｐｂ）が０．２以上であれば、ｓ偏光透過率が低くなって偏光分離能が充分に高くなり、かつ波長分散が小さい。Ｄｍ１／（Ｐｐ−Ｄｐｂ）０．５以下であれば、高いｐ偏光透過率を示す。
【００８１】
Ｄｍ１とＤｍ２との比（Ｄｍ１／Ｄｍ２）は、２．５〜１０が好ましく、３〜８がより好ましい。Ｄｍ１／Ｄｍ２が２．５以上であれば偏光分離能が充分に高くなり、かつ波長分散が小さい。Ｄｍ１／Ｄｍ２が１０以下であれば高いｐ偏光透過率を示す。
【００８２】
凸条１２（または金属細線２０）の側面を被覆する無機酸化物層３０の厚さ（凸条１２の幅方向）Ｄａと該無機酸化物層３０を被覆する含フッ素化合物層３２の厚さ（凸条１２の幅方向）Ｄｆとの合計（Ｄａ＋Ｄｆ）と、溝１４の幅（Ｐｐ−Ｄｐｂ）との比（（Ｄａ＋Ｄｆ）／（Ｐｐ−Ｄｐｂ））は、０．４以下が好まく、０．０１〜０．３がより好ましい。（Ｄａ＋Ｄｆ）／（Ｐｐ−Ｄｐｂ）が０．４以下であれば、溝１４に充分な空隙が形成され、光学特性がより良好になる。
【００８３】
凸条１２の高さＨｐは、１２０〜３００ｎｍが好ましく、８０〜２７０ｎｍがより好ましい。Ｈｐが１２０ｎｍ以上であれば、偏光分離能が充分に高くなる。Ｈｐが３００ｎｍ以下であれば、波長分散が小さくなる。また、Ｈｐが１２０〜３００ｎｍであれば、蒸着によって金属細線２０を形成しやすい。  
【００８４】
凸条１２の頂部１９より下方（光透過性基板１０側）に位置する金属細線２０の高さＨｍ２に関して、Ｈｍ２／Ｈｐは、０．８〜１が好ましく、０．９〜１がより好ましい。Ｈｍ２／Ｈｐが１以下であれば、偏光分離能が向上する。Ｈｍ２／Ｈｐが０．８以上であれば、裏面ｓ偏光反射率が充分に低くなる。
【００８５】
凸条１２の頂部１９より上方（光透過性基板１０と逆側）に位置する金属細線２０の高さＨｍ１に関して、Ｈｍ１／Ｈｐは、０．０５〜０．７が好ましく、０．１〜０．５がより好ましい。Ｈｍ１／Ｈｐが０．７以下であれば、裏面ｓ偏光反射率が充分に低くなる。Ｈｍ１／Ｈｐが０．０５以上であれば、表面ｓ偏光反射率が充分に高くなる。
【００８６】
金属細線２０の頂部を被覆する無機酸化物層３０の厚さ（凸条１２の高さ方向）Ｈａは、５〜１５０ｎｍが好ましく、１０〜１００ｎｍがより好ましい。Ｈａが５ｎｍ以上であれば、耐擦傷性が充分に高くなる。Ｈａが１５０ｎｍ以下であれば、無機酸化物層３０を形成しやすい。
【００８７】
金属細線２０の頂部を被覆する無機酸化物層３０を被覆する含フッ素化合物層３２の厚さ（凸条１２の高さ方向）Ｈｆは、１〜３０ｎｍが好ましく、１〜２０ｎｍがより好ましい。Ｈｆが１ｎｍ以上であれば、耐擦傷性が充分に高くなる。Ｈｆが３０ｎｍ以下であれば、均一で、かつ薄膜の含フッ素化合物層３２を形成しやすい。
【００８８】
第１の側面１６の傾斜角θ１および第２の側面１８の傾斜角θ２は、３０〜８０°が好ましい。θ１とθ２は、同じであってもよく、異なってもよい。
光透過性基板１０の厚さＨｓは、０．５〜１０００μｍが好ましく、１〜４０μｍがより好ましい。
【００８９】
（ワイヤグリッド型偏光子の製造方法）
ワイヤグリッド型偏光子３は、上述した方法（β）によって製造できる。
【００９０】
第１の金属層２２は、図５に示すように、凸条１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向Ｈに対して第１の側面１６の側に下式（ａ）を満たす角度θＲ１（°）をなす方向Ｖ１から金属または金属化合物を蒸着する工程（１Ｒ１）を実施することにより形成できる。
ｔａｎ（θＲ１±１０）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐ  ・・・（ａ）。
【００９１】
式（ａ）の角度θＲ１（°）は、隣の凸条１２に遮られることなく、凸条１２の底部側の表面まで金属または金属化合物を蒸着するための角度を表わし、凸条１２の底部の表面から隣の凸条１２の底部の中心までの距離（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）と隣の凸条１２の頂部の高さＨｐとから決まる。「±１０」は振れ幅である。
角度θＲ１（°）は、ｔａｎ（θＲ１±７）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐを満たすことが好ましく、ｔａｎ（θＲ１±５）＝（Ｐｐ−Ｄｐｂ／２）／Ｈｐを満たすことがより好ましい。
【００９２】
蒸着は、蒸着量が４〜２５ｎｍとなる条件で行うのが好ましく、５〜２２ｎｍとなる条件で行うのがより好ましい。トータルの蒸着量が４〜２５ｎｍとなる条件で、式（ａ）を満たす範囲で角度θＲ１（°）を連続的に変化させて蒸着を行ってもよい。角度θＲ１（°）を連続的に変化させる場合、角度を小さくする方向に変化させることが好ましい。
蒸着量が４〜２５ｎｍとなる条件とは、凸条に被覆層を形成する際に、凸条が形成されていない平坦な部分の表面に金属または金属化合物を蒸着して形成される金属層の厚さｔが４〜２５ｎｍとなるような条件である。
【００９３】
第２の金属層２４は、工程（１Ｒ１）の後、図５に示すように、凸条１２の長さ方向Ｌに対して略直交し、かつ凸条１２の高さ方向Ｈに対して第１の側面１６の側に下式（ｂ）を満たす角度θＲ２（°）をなす方向Ｖ１から金属または金属化合物を、工程（１Ｒ１）より多い蒸着量となる条件で蒸着する工程（１Ｒ２）を実施することにより形成できる。
θＲ１＋３≦θＲ２≦θＲ１＋３０  ・・・（ｂ）。
角度θＲ２（°）は、θＲ１＋６≦θＲ２≦θＲ１＋２５を満たすことが好ましく、θＲ１＋１０≦θＲ２≦θＲ１＋２０を満たすことがより好ましい。
【００９４】
蒸着は、工程（１Ｒ１）より多い蒸着量となる条件かつ蒸着量が２５〜７０ｎｍとなる条件で行うのが好ましく、３０〜６０ｎｍとなる条件で行うのがより好ましい。トータルの蒸着量が２５〜７０ｎｍとなる条件で、式（ｂ）を満たす範囲で角度θＲ２（°）を連続的に変化させて蒸着を行ってもよい。角度θＲ２（°）を連続的に変化させる場合、角度を小さくする方向に変化させることが好ましい。
【００９５】
〔他の実施形態〕
本発明のワイヤグリッド型偏光子は、光透過性基板と、光透過性基板上に互いに平行に配列した複数の金属細線と、少なくとも金属細線の頂部を被覆する無機酸化物層と、少なくとも無機酸化物層の表面を、無機酸化物に対して反応性を有する基を有する含フッ素化合物で処理して形成された含フッ素化合物層とを有するものであればよく、図示例のものに限定はされない。
たとえば、光透過性基板と金属細線との間に、第２の無機酸化物層（酸化アルミニウム等）を有するものであってもよい。
また、無機酸化物層は、同種または異種の複数の無機酸化物層からなる積層構造を有していてもよい。
【００９６】
（作用効果）
以上説明した本発明のワイヤグリッド型偏光子にあっては、少なくとも金属細線の頂部を被覆する無機酸化物層を有するため、光透過性基板からの金属細線の剥離を抑制できる。また、少なくとも無機酸化物層の表面を、無機酸化物に対して反応性を有する基を有する含フッ素化合物で処理して形成された含フッ素化合物層を有するため、表面の動摩擦係数が低く抑えられ、物理的接触等による金属細線からの無機酸化物層の剥離を抑制できる。その結果、充分な耐擦傷性を有するワイヤグリッド型偏光子となる。また、含フッ素化合物層を有するため、無機酸化物層を比較的薄くすることができる。その結果、金属細線（凸条）間の溝に充分な空隙を形成でき、光学特性の低下が抑えられる。
【００９７】
＜液晶表示装置＞
本発明の液晶表示装置は、一対の基板間に液晶層を挟持した液晶パネルと、バックライトユニットと、本発明のワイヤグリッド型偏光子とを有する。
【００９８】
本発明のワイヤグリッド型偏光子は、液晶パネルとバックライトユニットとの間に配置されることが好ましく、液晶パネルの一対の基板のうちのバックライトユニット側の基板と一体化されていてもよく、液晶パネルの一対の基板のうちのバックライトユニット側の基板の液晶層側、すなわち液晶パネルの内部に配置されていてもよい。
【００９９】
本発明の液晶表示装置は、薄型化の点から、本発明のワイヤグリッド型偏光子が配置された側とは反対側の液晶パネルの表面に吸収型偏光子を有することが好ましい。
【０１００】
図６は、本発明の液晶表示装置の一例を示す断面図である。液晶表示装置４０は、一対の基板４１、基板４２間に液晶層４３を挟持した液晶パネル４４と、バックライトユニット４５と、金属細線が形成された側の面がバックライトユニット４５側となり、金属細線が形成されていない側の面が液晶表示装置４０の視認側となるようにバックライトユニット４５側の液晶パネル４４の表面に貼着された本発明のワイヤグリッド型偏光子１と、バックライトユニット４５側とは反対側の液晶パネル４４の表面に貼着された吸収型偏光子４６とを有する。
【０１０１】
以上説明した本発明の液晶表示装置にあっては、充分な耐擦傷性および光学特性を有する本発明のワイヤグリッド型偏光子を有するため、充分な輝度およびコントラストを有する。
【実施例】
【０１０２】
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されない。
例１は実施例であり、例２、３は比較例である。
【０１０３】
（耐擦傷性）
ワイヤグリッド型偏光子を往復式摩耗試験機（ケイエヌテー社製）にセットした。直径１０ｍｍの円柱状の金属製棒の先端にエタノールで湿らせたネル布（３００番）を巻きつけたものによって、荷重：５０ｇ、１００ｇまたは２００ｇ、速度：１４０ｃｍ／ｍｉｎの条件にて、ワイヤグリッド型偏光子の金属細線が形成された側の表面を、２０回擦った。試験後のワイヤグリッド型偏光子について、市販偏光板とクロスニコル下、ヘーズメーター（東洋精機社製、ＨＡＺＥ−ＧＡＲＤII）にて全光線透過率を測定し、光漏れΔＴを求めた。
【０１０４】
（動摩擦係数）
ワイヤグリッド型偏光子と同一の積層構造を有し、かつ微細構造を持たない平滑な硬化膜を表面性試験機（新東科学工業社製、ＨＥＩＤＯＮ−１４Ｓ）にセットした。平面圧子を用い、垂直荷重：２００ｇ、すべり速度：１００ｍｍ／ｍｉｎの条件にて、平滑表面について摩擦抵抗試験を行い、ＡＳＴＭ  Ｄ  １８９４に準拠して動摩擦係数を求めた。
【０１０５】
（光硬化性樹脂組成物の調製）
撹拌機および冷却管を装着した３００ｍＬの４つ口フラスコに、
単量体１（新中村化学工業社製、ＮＫ  エステル  Ａ−ＤＰＨ、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート）の６０ｇ、
単量体２（新中村化学工業社製、ＮＫ  エステル  Ａ−ＮＰＧ、ネオペンチルグリコールジアクリレート）の４０ｇ、
光重合開始剤１（チバスペシャリティーケミカルズ社製、ＩＲＧＡＣＵＲＥ９０７）の４．０ｇ、
を入れた。フラスコ内を常温および遮光にした状態で、１時間撹拌して均一化し、粘度が１４０ｍＰａ・ｓである光硬化性樹脂組成物を得た。
【０１０６】
〔例１〕
図２に示すようなワイヤグリッド型偏光子２を、下記の手順にて製造した。
【０１０７】
（工程（Ｉ’））
高透過ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（東洋紡社製、コスモシャインＡ４３００、１００ｍｍ×１００ｍｍ×厚さ１００μｍ）の表面に、光硬化性樹脂組成物をスピンコート法により塗布し、厚さ約５μｍの光硬化性樹脂組成物の塗膜を形成した。
【０１０８】
ついで、塗膜付きＰＥＴフィルムを、複数の溝が表面に形成されたナノインプリント用モールドに、光硬化性樹脂組成物の塗膜がモールドの溝に接するように、ゴムロールを用いて２５℃にて押しつけた。
【０１０９】
該状態を保持したまま、ＰＥＴフィルム側から高圧水銀灯（周波数：１．５ｋＨｚ〜２．０ｋＨｚ、主波長光：２５５ｎｍ、３１５ｎｍおよび３６５ｎｍ、３６５ｎｍにおける照射エネルギー：１０００ｍＪ）の光を１５秒間照射し、光硬化性樹脂組成物を硬化させた後、ナノインプリント用モールドをゆっくりと分離し、ナノインプリント用モールドの溝に対応する複数の凸条を有する光透過性基板１０（凸条のピッチＰｐ：１４０ｎｍ、凸条の幅Ｄｐ：４０ｎｍ、凸条の高さＨｐ：２００ｎｍ）を作製した。
【０１１０】
光透過性基板１０の凸条上に、斜方蒸着法にてアルミニウムを蒸着させ、金属細線２０（高さＨｍ：１００ｎｍ、幅Ｄｍ：４０ｎｍ）を形成した。
【０１１１】
（工程（II））
ロードロック機構を備えたインライン型スパッタ装置（日真精機社製）に、ターゲットとして酸化ケイ素を取り付けた。スパッタ装置内に、金属細線２０が形成された光透過性基板１０をセットし、金属細線２０側の表面に対して垂直方向から酸化ケイ素を、蒸着量が２０ｎｍとなる条件で蒸着させ、酸化ケイ素からなる無機酸化物層３０（厚さＤａおよびＨａ：２０ｎｍ）を形成した。
【０１１２】
（工程（III））
加水分解性シリル基およびフルオロアルキル基（炭素−炭素原子間にエーテル性酸素原子を有する。）を有する含フッ素化合物（ダイキン工業社製、オプツールＤＳＸ）を、フッ素系溶媒（旭硝子社製、ＣＴ−Ｓｏｌｖ．１００）に希釈させた溶液（濃度：０．１質量％）に、金属細線２０および無機酸化物層３０が形成された光透過性基板１０を浸漬し、引き上げた後、直ちにフッ素系溶媒（旭硝子社製、ＣＴ−Ｓｏｌｖ．１００）でリンスした。６０℃、９０％ＲＨの恒温恒湿槽中に１時間置き、無機酸化物層３０の表面に含フッ素化合物層３２（厚さＤｆおよびＨｆ：２ｎｍ）を形成し、ワイヤグリッド型偏光子２を得た。
【０１１３】
得られたワイヤグリッド型偏光子２について、耐擦傷性の評価を行った。また、同一積層構造の平滑硬化膜について動摩擦係数の測定を行った。結果を表１に示す。
【０１１４】
〔例２〕
工程（II）を行なわない以外は、例１と同様にしてワイヤグリッド型偏光子を得た。
無機酸化物層３０を有さないワイヤグリッド型偏光子について、耐擦傷性の評価を行った。また、同一積層構造の平滑硬化膜について動摩擦係数の測定を行った。結果を表１に示す。
【０１１５】
〔例３〕
工程（II）および工程（III）を行なわない以外は、例１と同様にしてワイヤグリッド型偏光子を得た。
無機酸化物層３０および含フッ素化合物層３２を有さないワイヤグリッド型偏光子について、耐擦傷性の評価を行った。また、同一積層構造の平滑硬化膜について動摩擦係数の測定を行った。結果を表１に示す。
【０１１６】
【表１】
2012058397.tif 000003
【０１１７】
表１に示すように、例３は、無機酸化物層、含フッ素化合物層で被覆されておらず、滑りにくく、金属層が剥き出しのため、５０ｇ×２０回の低荷重条件でも大きな光漏れΔＴが観察された。また、例２は、含フッ素化合物層で被覆されており滑りやすく、多少傷付き難くはなっているが、無機酸化物の保護層がないため、５０ｇ×２０回の低荷重条件でも大きな光漏れΔＴが観察された。
これに対して、例１は、無機酸化物層、含フッ素化合物層、両層で被覆されているため例２、３と比較して、光漏れΔＴは、低く、非常に優れた耐擦傷性を示した。
【産業上の利用可能性】
【０１１８】
本発明のワイヤグリッド型偏光子は、液晶表示装置、リアプロジェクションテレビ、フロントプロジェクター等の画像表示装置の偏光子として有用である。
【符号の説明】
【０１１９】
１  ワイヤグリッド型偏光子
２  ワイヤグリッド型偏光子
３  ワイヤグリッド型偏光子
１０  光透過性基板
２０  金属細線
３０  無機酸化物層
３２  含フッ素化合物層
４０  液晶表示装置
４４  液晶パネル
４５  バックライトユニット
【図１】
2012058397.tif 000004
【図２】
2012058397.tif 000005
【図３】
2012058397.tif 000006
【図４】
2012058397.tif 000007
【図５】
2012058397.tif 000008
【図６】
2012058397.tif 000009