(57)【要約】      （修正有）【課題】半田の溶融を精度良く検出する。【解決手段】プリント基板４に実装されたＢＧＡタイプの半導体装置５を取り外すときは、ホットエアヒータ７で半田３４を加熱しながら、加振器２でプリント基板４に振動を与える。加振器２は、半田３４が溶融する前の固有振動数より小さく、半田３４が溶融したときの固有振動数より高い周波数でプリント基板４を縦振動させる。半導体装置５の振動を振動測定器８で検出し、半導体装置５の振動の振幅又は周期が予め定められた閾値以下になったら、半導体装置５をプリント基板４から取り外す。【選択図】図１
2012195556.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半田を介して半導体装置を実装した基板を振動させる工程と、
前記半田を加熱する工程と、
前記半導体装置の振動を測定する工程と、
前記半導体装置の振動の振幅の減少と位相差の少なくとも一方が、予め定められた閾値
に達したときに、前記半導体装置を前記基板から取り外す工程と、を含む半導体装置のリ
ワーク方法。
【請求項２】
前記半導体装置の振動を測定すると共に、前記基板の振動を測定することを特徴とする
請求項１に記載の半導体装置のリワーク方法。
【請求項３】
前記半導体装置の振動を測定する工程は、前記基板を縦方向に振動させたときの前記半
導体装置の振動の振幅の減少を調べることを含む請求項１又は請求項２に記載の半導体装
置のリワーク方法。
【請求項４】
前記半導体装置の振動を測定する工程は、前記基板を横方向に振動させたときの前記半
導体装置の振動の位相の変化を調べることを含む請求項１又は請求項２に記載の半導体装
置のリワーク方法。
【請求項５】
前記半導体装置の振動を測定する工程は、前記半導体装置の上方に設けた反射面の移動
を前記振動測定器で計測することを含む請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の半
導体装置のリワーク方法。
【請求項６】
前記半田を加熱する工程は、加熱装置から前記半導体装置に向けて光を放射することを
含み、
前記半導体装置の振動を測定する工程は、前記半導体装置の上方に設けた反射面で反射
した前記加熱装置からの光を、受光素子によって検出することを含む請求項１乃至請求項
４のいずれか一項に記載の半導体装置のリワーク方法。
【請求項７】
基板を振動させる加振器と、
前記基板と半導体装置と接合させている半田を加熱する加熱装置と、
前記半導体装置の振動を非接触で測定する第１の振動測定器と、
前記第１の振動測定器で測定した前記半導体装置の振動の振幅又は周期を算出し、振動
の減少と位相差の少なくとも一方が、予め定められた閾値に達したときに、前記半田が溶
融したと判定する制御装置と、を含む半導体装置のリワーク装置。
【請求項８】
前記加熱装置として発光型のヒータを有すると共に、前記半導体装置の上に載置され、
前記振動測定器の計測光を反射する反射面を設けた振動測定具を有する請求項７に記載の
半導体装置のリワーク装置。
【請求項９】
前記加熱装置として発光型のヒータを有すると共に、前記半導体装置の上に載置され、
前記加熱装置から放射される光を反射する反射面を設けた振動測定具と、前記反射面で反
射した光を検出する受光素子とを有する請求項６に記載の半導体装置のリワーク装置。
【請求項１０】
前記振動測定具の上面は、反射面を除いて黒色処理されていることを特徴とする請求項
９に記載の半導体装置のリワーク装置。
【請求項１１】
半田を介して半導体装置を実装した基板を振動させる工程と、
前記半田を加熱する工程と、
前記半導体装置の振動を測定する工程と、
前記半導体装置の振動の振幅の減少と位相差の少なくとも一方が、予め定められた閾値
に達したときに、前記半導体装置を前記基板から取り外す工程と、を含む半導体パッケー
ジの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置のリワーク装置及びその方法並びに半導体パッケージの製造方法
に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置などの電子部品をプリント基板に実装する際には、実装後の検査工程でプリ
ント基板と電子部品の間の導通を検査する。この検査工程で導通不良が発見されたときに
は、プリント基板上の半田を溶融させて電子部品を取り外し、再度電子部品を付け直すリ
ワークと呼ばれる作業を実施することがある。また、リワークは、電子部品の修理が必要
になった場合などにも実施される。
【０００３】
ここで、リワーク時の半田の溶融条件は、予め測定した結果に基づいて決定される。と
ころが、従来では、半田の溶融状態のばらつきを考慮し、半田が確実に溶融する条件をリ
ワーク時の半田の加熱条件として決定していた。このために、電子部品やプリント基板が
過熱され易かった。電子部品やプリント基板が過熱されると、リワーク対象になっている
電子部品の周囲の他の部品が熱によって劣化したり、周囲の他の部品を接合する半田が溶
融して接触不良を起こしたりする可能性がある。また、熱の影響によって、プリント基板
が反ったり、電極のパッドが剥がれ易くなったりする可能性があった。
【０００４】
従って、従来では、レーザ光を用いて半田を溶融させて電子部品をプリント基板に接合
する場合に、レーザ照射によって生じる振動を調べて、半田が溶融したタイミングを検出
するようにしたものがある。レーザ光を半田に照射すると、半田が加熱されると共に、半
田に振動が発生する。この振動は、半田に接触する電子部品に伝わり、振動変換器によっ
て検出される。半田が溶融すると、振動変換器によって検出される振動の振幅が減少する
ので、振幅の減少幅を調べることで半田の溶解を検出できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平６−１８２５３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ここで、レーザ光を照射する方法では、レーザ光の照射によって生じさせた振動の振幅
が小さく、振動の振幅や周波数の制御が困難であり、振幅の変化から半田が溶融したタイ
ミングを見極めることが難しかった。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、半田の溶融を精度良く検出す
ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本実施形態の一観点によれば、半田を介して半導体装置を実装した基板を振動させる工
程と、前記半田を加熱する工程と、前記半導体装置の振動を測定する工程と、前記半導体
装置の振動の振幅の減少と位相差の少なくとも一方が、予め定められた閾値に達したとき
に、前記半導体装置を前記基板から取り外す工程と、を含む半導体装置のリワーク方法が
提供される。
【０００８】
また、本実施形態の別の観点によれば、基板を振動させる加振器と、前記基板と半導体
装置と接合させている半田を加熱する加熱装置と、前記半導体装置の振動を非接触で測定
する第１の振動測定器と、前記第１の振動測定器で測定した前記半導体装置の振動の振幅
又は周期を算出し、振動の減少と位相差の少なくとも一方が、予め定められた閾値に達し
たときに、前記半田が溶融したと判定する制御装置と、を含む半導体装置のリワーク装置
が提供される。
【０００９】
また、本実施形態の別の観点によれば、半田を介して半導体装置を実装した基板を振動
させる工程と、前記半田を加熱する工程と、前記半導体装置の振動を測定する工程と、前
記半導体装置の振動の振幅の減少と位相差の少なくとも一方が、予め定められた閾値に達
したときに、前記半導体装置を前記基板から取り外す工程と、を含む半導体パッケージの
製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
プリント基板に与えた振動ときの半導体装置の振動を測定することで、半田の溶融を判
定するようにしたので、半田が溶融したタイミングを精度良く検出できる。これにより、
他の部品への熱の影響を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置のリワーク装置の構成の一例を示す図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置のリワーク方法において、半田が溶融する前後の半導体装置の振動波形の一例を示す図である。
【図３】図３は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置のリワーク方法における半導体装置の振動を説明するための振動減衰モデルの一例を示す図である。
【図４】図４は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置のリワーク装置の構成の一例を示す図である。
【図５】図５は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置のリワーク方法において、半田が溶融する前の半導体装置及びプリント基板の振動波形の一例を示す図である。
【図６】図６は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置のリワーク方法において、半田が溶融したときの半導体装置及びプリント基板の振動波形の一例を示す図である。
【図７】図７は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置のリワーク方法において、半田が溶融する前の半導体装置及びプリント基板の振動波形の一例を示す図である。
【図８】図８は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置のリワーク方法において、半田が溶融したときの半導体装置及びプリント基板の振動波形の一例を示す図である。
【図９】図９は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置のリワーク装置の構成の一例を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置のリワーク装置の振動測定具の一例の一部を拡大した図である。
【図１１】図１１は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置のリワーク装置の振動測定具の一例の平面図である。
【図１２】図１２は、本発明の第４の実施の形態の変形例に係る半導体装置のリワーク装置の構成の一例を示す図である。
【図１３】図１３は、本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置のリワーク装置の構成の一例を示す図である。
【図１４】図１４は、本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置のリワーク装置の振動測定具の一例の一部を拡大した図である。
【図１５】図１５は、本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置のリワーク装置の振動測定具の一例の平面図である。
【図１６】図１６は、本発明の第５の実施の形態の変形例に係る半導体装置のリワーク装置の一例の構成を示す図である。
【図１７】図１７は、本発明の第６の実施の形態に係る半導体装置のリワーク装置の構成の一例を示す図である。
【図１８】図１８は、本発明の第６の実施の形態に係る半導体装置のリワーク装置の加熱装置の一例の底面図である。
【図１９】図１９は、本発明の第６の実施の形態の変形例に係る半導体装置のリワーク装置の構成の一例を示す図である。
【図２０】図２０は、本発明の第７の実施の形態に係る半導体装置のリワーク装置の構成の一例を示す図である。
【図２１】図２１は、本発明の第７の実施における半導体装置のリワーク装置の一例の一部を拡大して示す図である。
【図２２】図２２は、本発明の第７の実施の形態に係る加熱補助治具の構成の一例を示し、（ａ）は平面図を、（ｂ）は側部断面図を示す。
【図２３】図２３は、本発明の第７の実施の形態に係る加熱補助治具の構成の変形例を示し、（ａ）は平面図を、（ｂ）は側部断面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
発明の目的および利点は、請求の範囲に具体的に記載された構成要素および組み合わせ
によって実現され達成される。
前述の一般的な説明および以下の詳細な説明は、典型例および説明のためのものであっ
て、本発明を限定するためのものではない。
【００１３】
（第１の実施の形態）
図面を参照して第１の実施の形態について詳細に説明する。
図１に、この実施の形態の半導体装置のリワーク方法に用いられるリワーク装置の概略
構成を示す。リワーク装置１は、加振器２を有する。加振器２は、本体部２Ａと、本体部
２Ａの上部に取り付けられたテーブル２Ｂとを有する。テーブル２Ｂは、本体部２Ａの上
部に配置され、例えば、磁気回路中に配置されたコイルに通電することで本体部２Ａに対
して所定の周期及び振幅で振動する。テーブル２Ｂの上には、プリント基板４が載置され
る。プリント基板４には、半導体装置５が実装されている。
【００１４】
さらに、リワーク装置１は、加振器２の上方に、加熱装置であるホットエアヒータ７と
、振動測定器８と、半導体装置５を吸着搬送するノズル９とが設けられている。また、リ
ワーク装置１には、加振器２、ホットエアヒータ７、振動測定器８（第１の振動測定器）
、ノズル９を制御する制御装置１０が設けられている。
【００１５】
ホットエアヒータ７は、例えば、ヒータ（不図示）と、ヒータで暖められた空気を加振
器２のテーブル２Ｂ上の半導体装置５に吹き付けるファン（不図示）とを有する。
振動測定器８は、非接触で半導体装置５の振動を測定する装置、例えば、レーザ式変位
センサが使用される。レーザ式変位センサは、半導体装置５の上面に対してレーザ光を放
射し、半導体装置５で反射したレーザ光を検出素子（不図示）で検出する構成を有する。
振動測定器８は、渦電流型や、静電容量型、レーザドップラー型などの変位センサでも良
い。
【００１６】
また、リワーク装置１の制御装置１０は、メモリや演算装置を備え、加振器２や、ホッ
トエアヒータ７、振動測定器８、ノズル９の動作を制御する装置制御部２１と、振動測定
器８の出力信号を処理する信号処理部２２と、半田の溶融を判定する判定部２３とに機能
分割できる。
【００１７】
ここで、本実施の形態でリワーク対象となる半導体装置５について説明する。
半導体装置５は、Ｓｉなどの基板を有し、基板上に半導体回路が形成されている。また
、半導体装置５は、電極３３がマトリックス状に複数形成されている。各電極３３には、
ボール状の半田３４が１つずつ取り付けられ、ＢＧＡを形成している。
【００１８】
半田３４に用いられる半田材料は、いわゆる鉛フリー半田が用いられている。鉛フリー
半田の半田材料の組成は、例えば、Ｓｎが最も含有量が多く、これにＢｉ、Ｉｎ、Ｚｎ、
Ａｇ、Ｓｂ、Ｃｕのいずれか一種類以上が添加される。例えば、ＳｎＡｇＣｕ系の半田材
料であれば、Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕ（３．０質量％Ａｇ−０．５質量％Ｃｕを含
有するＳｎ半田）や、Ｓｎ−４．０Ａｇ−０．５Ｃｕ（４．０質量％Ａｇ−０．５質量％
Ｃｕを含有するＳｎ半田）が用いられる。鉛フリー半田の半田材料の他の例としては、Ｓ
ｎＡｇＣｕ系、ＳｎＺｎＢｉ系、ＳｎＣｕ系、ＳｎＡｇＩｎＢｉ系、ＳｎＳｂ系が用いら
れる。また、半田材料は、Ｓｎの代わりに、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｚｎ、Ａｇ、Ｓｂ、Ｃｕを含む
ものでも良い。
【００１９】
次に、半導体装置５が実装されるプリント基板４について説明する。
プリント基板４には、導電パターンからなる回路が形成されており、導電パターンの一
部が、半田３４に接合される電極３５になっている。さらに、プリント基板４には、必要
に応じて半導体装置５以外の他の部品（不図示）が実装され、これにより、電子部品３１
（半導体パッケージ）が形成される。
【００２０】
次に、この実施の形態における半導体装置５のリワーク方法について説明する。
以下においては、製造工程で半田３４の接触不良やショートが発見された場合にリワー
クが実施される場合について説明する。しかしながら、このリワーク方法は、半導体装置
５の修理や交換が必要になったときにも実施することもできる。
【００２１】
最初に、半田３４を介して接続されたプリント基板４と半導体装置５の電極３３，３５
間の接触不良やショートが発見されたら、そのプリント基板４はコンベア装置（不図示）
などを用いてリワーク装置１の加振器２のテーブル２Ｂ上に搬入される。
この後、制御装置１０の装置制御部２１が加振器２に指令信号を出力してテーブル２Ｂ
を縦方向に振動させる。これに伴って、テーブル２Ｂ上に載置されているプリント基板４
が縦方向に振動する。この段階で半田３４は凝固状態にあるので、プリント基板４に半田
付けされている半導体装置５もプリント基板４と一体となって振動する。ここで、縦方向
の振動とは、プリント基板４の基板面の垂直な方向に振動することをいう。
【００２２】
加振器２がプリント基板４及び半導体装置５を振動させる振動数は、半田３４を用いて
半導体装置５をプリント基板４に実装した電子部品３１の固有振動数より小さい。これは
、振動数が大きすぎると、電子部品３１にかかる負荷が大きくなり過ぎるからである。さ
らに、加振器２による振動数は、半導体装置５が取り外し可能になるまで半田３４を溶融
させた状態で半導体装置５が搭載されているプリント基板４、即ち半田３４が溶融にある
ときの電子部品３１の固有振動数以上である。これは、振動数が小さすぎると、半田３４
を溶融したときの半導体装置５の振動の変化が分かり難くなるためである。
【００２３】
半導体装置５の振動は、振動測定器８によって計測される。振動測定器８は、例えば、
レーザ光を半導体装置５の上面に照射する。半導体装置５の上面で反射したレーザ光は、
振動測定器８内の検出素子に入射する。振動測定器８は、検出素子上のレーザ光の入射位
置についての情報を制御装置１０に出力する。制御装置１０は、信号処理部２２において
、出力信号から半導体装置５の位置を算出する。
【００２４】
半導体装置５が振動すると、振動測定器８の検出素子に入射するレーザ光の入射位置が
変化する。これに伴って、振動測定器８から制御装置１０に出力される出力信号が変化す
る。制御装置１０の信号処理部２２は、時間の経過に伴って変化する出力信号から、それ
ぞれの時刻の半導体装置５の位置を算出する。信号処理部２２は、算出された位置の情報
から、半導体装置５の振動の振幅及び周期を算出する。
【００２５】
ここで、図２に、半導体装置の振動波形の一例を示す。図２の横軸は時間を示し、縦軸
は半導体装置５の変位量を示す。図２のラインＬ１に示すように、半導体装置５は、加振
器２によって一定の周期及び振幅で振動させられていることが分かる。半田３４によって
半導体装置５がプリント基板４に接合されている状態では、半導体装置５はプリント基板
４の振動に追従し、同じ周期及び振幅で振動している。
【００２６】
さらに、リワーク装置１は、プリント基板４及び半導体装置５の加振を開始すると同時
に、又は加振と前後して、ホットエアヒータ７から熱風を放出させる。半田３４が溶融す
る前の半導体装置５の振動プロファイルを正確に確認する観点からは、先にプリント基板
４及び半導体装置５の振動を開始し、半導体装置５の振動のプロファイルを測定した後に
、半田３４を加熱することが好ましい。
【００２７】
ホットエアヒータ７のヒータによって暖められた空気は、ファンによって半導体装置５
の上面及びその周辺に吹き付けられ、半導体装置５及びその下の半田３４を加熱する。
【００２８】
これにより、プリント基板４と半導体装置５を接合させている半田３４が溶融し始める
。半田３４が溶解することでプリント基板４の振動と半導体装置５の振動との間にズレが
生じ、具体的にはプリント基板４の振動に対して半導体装置５の振動が減衰し始める。
【００２９】
この減衰は、図３に示すような、振動減衰モデルを用いて説明することができる。図３
に示す振動減衰モデルでは、振動する床Ｇ１の上に、弾性要素ｋ１と減衰要素Ｃ１とが並
列に接続され、さらに弾性部材ｋ１と減衰要素Ｃ１を介して質点Ｍ１が床Ｇ１に連結され
ている。ここで、床Ｇ１は、プリント基板４に対応し、弾性要素ｋ１と減衰要素Ｃ１が半
田３４に対応し、質点Ｍ１は半導体装置５に相当する。
【００３０】
半田３４が溶融し始めると、半導体装置５がプリント基板４に弾性的に支持されるよう
になる。減衰要素Ｃ１の存在により、半導体装置５の固有振動数が低下し、半導体装置５
の振動が半田３４の溶融が進むに従って小さくなる。
【００３１】
これにより、図２のラインＬ２に示すように、振動測定器８で検出する半導体装置５の
振動の振幅が、ラインＬ１に示す半田３４の溶融前に比べて小さくなる。
【００３２】
制御装置１０の判定部２３は、振動測定器８で検出した半導体装置５の振動の振幅と予
め設定されている閾値ＴＨ１とを比較する。振幅が閾値ＴＨ１以下になったら、判定部２
３は、半田３４が溶融したと判定する。この後、装置制御部２１がノズル９に指令信号を
出力し、ノズル９が半導体装置５を吸着してプリント基板４から取り外す。
【００３３】
ここで、閾値ＴＨ１は、プリント基板４から半導体装置５を取り外し可能になるまで半
田３４を溶融させた状態で、プリント基板４に図２のラインＬ１に示すような振動を与え
たときの半導体装置５の振動の振幅から決定される。
【００３４】
また、制御装置１０は、振幅の代わりに、振幅の減少量ＤＣ１や振幅比ＲＡ１（＝ＡＭ
２／ＡＭ１）で半田３４の溶融を判定しても良い。この場合は、振動開始時の半導体装置
５の振幅の情報を制御装置１０のメモリに記憶し、この記憶しておいた半導体装置５の初
期の振幅と、現在の半導体装置５の振動の振幅とから、信号処理部２２が半導体装置５の
振動の振幅の減少量ＤＣ１、又は振幅比ＲＡ１を算出する。このときに使用される閾値は
、半田３４が溶融したときの半導体装置５の振動の振幅の減少量、又は振幅比を予め計測
した値が用いられる。また、振幅比ＲＡ１の減少量を用いて半田３４の溶融を判定しても
良い。
ここで、リワーク装置１は、図２に示すようなグラフをモニタに出力し、グラフを見た
作業者が半田３４の溶融を判定しても良い。
【００３５】
次に、プリント基板４から半導体装置５を取り除いた後に、プリント基板４に同じ半導
体装置５を取り付け、又は別の半導体装置５に取り替える場合について説明する。半田３
４は、プリント基板４側に残っており、凝固状態にあるとする。
最初に、ノズル９を用いて、実装する半導体装置５をプリント基板４の上方に搬入する
。続いて、電極３３が半田３４の上に乗るように、半導体装置５をプリント基板４に載置
する。この後、半導体装置５の吸着を解除してから、ノズル９をプリント基板４の外側に
退避させる。続いて、ホットエアヒータ７による加熱と、加振器２の振動を開始し、半導
体装置５の振動の振幅を第１の振動測定器８で計測する。
【００３６】
加熱によって半田３４が溶融すると、半導体装置５は、図２のラインＬ２に示すような
振幅で振動を開始する。従って、このタイミングで、加熱と振動を停止すると、溶融した
半田３４が再び凝固し、半導体装置５とプリント基板４とが電気的に接続される。半導体
装置５をプリント基板４に搭載する前、又は搭載するのと同時にホットエアヒータ７によ
る加熱を行っても良い。
【００３７】
以上、説明したように、この実施の形態では、半導体装置５のリワーク工程において、
半田３４を加熱しながらプリント基板４に振動を与え、このときの半導体装置５の振動波
形から半田３４の溶融を判定するようにした。これにより、半田３４の溶融を精度良く判
定することができる。
さらに、プリント基板４に与える振動は、半田３４の溶融前の電子部品３１の固有振動
数より低く、半田３４が溶融したときの電子部品３１の固有振動数より高くなるような周
波数としたので、半田３４が溶融したときの振幅の変化を精度良く検出することが可能に
なる。
【００３８】
従来では、半田３４が溶融するまでの時間のばらつきを考慮し、マージンを含んだ加熱
時間を決めていたので、加熱時間が長くなり易かった。また、実際に半田３４が溶融した
か否かに拘らずに、その加熱時間が経過するまで加熱し続けたので、周囲の回路や半導体
装置に影響を与え易かった。これに対し、この実施の形態では、リワーク工程を実施する
毎に半田３４の溶融を精度良く判定できるので、加熱時間が必要最小限で済み、周囲の回
路や部品に与える熱の影響を最小限に止められる。従って、プリント基板４や半導体装置
５の信頼性を低下させることなく、リワーク工程を実施できる。
【００３９】
また、この実施の形態では、ホットエアヒータ７を使用することで、半導体装置５を接
合する多数の半田３４を同時に溶融させることができる。従来のようにレーザ光を用いる
と、一度に１つの半田しか溶融できず、ＢＧＡのように多数の半田を一度に溶融させるこ
とができなかった。さらに、レーザ光を用いた場合には、半導体装置の下側の、かつ内側
部分に配置された半田を加熱することは困難であった。これに対し、この実施の形態では
、熱風を使用するので、場所によらずに複数の半田３４を同時に溶融させることができる
。
【００４０】
さらに、従来のようにレーザ光の照射によって生じさせた振動は、振幅が小さく、振動
の振幅や周波数の制御が困難であり、振幅の変化から半田が溶融したタイミングを見極め
ることが難しかった。これに対し、この実施の形態では加振器２で振動を制御することが
できるので、半田３４の溶融を判定するのに適切な振動をプリント基板４及び半導体装置
５に与えることができる。
【００４１】
半導体装置５の振動の測定に、非接触式の振動測定器８を用いたので、接触式の振動測
定器に比べて半導体装置５の振動に与える影響を小さくできる。このために、半田３４の
溶融前後の半導体装置５の振動の変化を精度良く測定できる。また、加振器２で半導体装
置５に縦方向の振動を与えたので、振幅の変化を測定し易くなって、半田３４の溶融タイ
ミングを精度良く判定できるようになる。
【００４２】
次に、半導体装置５のリワーク方法の実施例について説明する。
半導体装置５は、１７ｍｍ×１７ｍｍの基板上に半導体回路を形成し、重量が１．５ｇ
で、電極３３が２５６個配列されたＢＧＡパッケージを用いた。半導体装置５の実装に用
いる半田３４は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系の無鉛半田で、融点が２１８℃、密度が７．３ｇ／
ｃｍ２、表面張力γが０．４５Ｎ／ｍ、粘度μが０．５ＰａＳ、ポアソン比が０．５のも
のを用いた。また、半田３４は、直径が約０．５ｍｍ、高さｙが、約０．２５ｍｍで、半
田３４の配置間隔は約１ｍｍとした。さらに、半田３４とプリント基板４の接地総面積Ｓ
は、４８×１０−６ｃｍ２であった。
【００４３】
図３に示す振動減衰モデルで、質点の質量はｍで、質点の振動の変位をｘ（ｔ）とする
。弾性要素のバネ定数をｋとし、減数要素の減衰係数はＣとする。また、振動する床Ｇ１
の強制調和変位はｙ（ｔ）＝Ｙｃｏｓωｔとする。ここで、ωは角振動数を示し、ｔは時
間を示す。Ｙは、加振器２によって発生させた振動の振幅に相当する。この場合、この系
の運動方程式は、
【００４４】
【数１】
2012195556.tif 000003
となる。ζは減衰比を示し、ωｎは固有角振動数を示す。この振動減衰モデルにおける振
幅比は、
【００４５】
【数２】
2012195556.tif 000004
のように示される。さらに、この振動減衰モデルにおける位相差は、
【００４６】
【数３】
2012195556.tif 000005
のように示される。
さらに、この振動減衰モデルで質点を縦振動させたときの減衰比ζは、減衰係数Ｃと臨
界減衰係数Ｃｃとの比、即ち数式（１）から算出される。
【００４７】
【数４】
2012195556.tif 000006
この実施例で、減衰係数Ｃ＝（μ／ｙ）×Ｓ（μ、ｙ、Ｓはそれぞれ粘度、半田ボール
の高さ、半田ボールとプリント基板接地総面積）＝（０．５／０．２５×１０−３）×４
８×１０−６＝９６×１０−３Ｎ／ｍになる。また、半導体装置５の質量が１．９×１０
−３ｋｇで、バネ定数ｋ＝２×γ＝２×０．４５＝０．９Ｎ／ｍであるので、臨界減衰係
数Ｃｃは、８３×１０−３になる。従って、減衰比ζは約１になる。また、電子部品３１
の固有角振動数ωｎは、
【００４８】
【数５】
2012195556.tif 000007
であった。さらに、電子部品３１の固有振動数ｆｎは、
【００４９】
【数６】
2012195556.tif 000008
であった。
【００５０】
半田ボールの数が２５６個だとすると、
【数７】
2012195556.tif 000009
である。この場合、電子部品３１の固有振動数ｆｎは、
【００５１】
【数８】
2012195556.tif 000010
であった。
【００５２】
したがって、加振器２は、固有振動数である８８７Ｈｚより大きい８９０Ｈｚでテーブ
ル２Ｂを振動させ、振動測定器８で半導体装置５の振動を測定した。さらに、ホットエア
ヒータ７によって半田３４を加熱したところ、半導体装置５の振動の振幅が、図２のライ
ンＬ１からラインＬ２に示すように変化した。このようにして、半田３４の溶融が検出で
きた。
【００５３】
（第２の実施の形態）
図面を参照して第２の実施の形態について詳細に説明する。第１の実施の形態と同様の
構成要素には同一の符号を付してある。また、第１の実施の形態と重複する説明は省略す
る。
図４に示すように、リワーク装置５１は、加振器２を有し、加振器２のテーブル２Ｂの
上方にホットエアヒータ７と第１の振動測定器８と、第２の振動測定器５２と、ノズル９
が配置されている。さらに、リワーク装置５１には、加振器２などを制御する制御装置１
０が設けられている。
【００５４】
第１の振動測定器８は、ホットエアヒータ７の近くに配置され、半導体装置５の縦方向
の振動を非接触で測定する装置が使用される。第２の振動測定器５２は、第１の振動測定
器８の外側に配置され、プリント基板４の縦方向の振動を非接触で測定する装置が使用さ
れる。第１、第２の振動測定器８，５２は、レーザ式、渦電流型、静電容量型、レーザド
ップラー型のいずれかの変位センサが使用される。
【００５５】
また、リワーク装置５１の制御装置１０は、加振器２や、ホットエアヒータ７、第１の
振動測定器８及び第２の振動測定器５２の動作を制御する装置制御部２１と、第１の振動
測定器８及び第２の振動測定器５２の出力信号を処理する信号処理部２２と、半田３４の
溶融を判定する判定部２３とを有する。
【００５６】
次に、この実施の形態における半導体装置５のリワーク方法について説明する。
半導体装置５の電極３３の接触不良やショート、又は半導体装置５の故障が発見された
プリント基板４がリワーク装置５１に搬入されると、制御装置１０が加振器２のテーブル
２Ｂを縦方向に振動させる。これによって、テーブル２Ｂ上に載置されているプリント基
板４及び半導体装置５が一体となって振動する。
【００５７】
加振器２がプリント基板４及び半導体装置５を振動させる振動数は、半田３４を介して
半導体装置５をプリント基板４に実装した電子部品３１の固有振動数より小さい。さらに
、加振器２による振動の振動数は、半導体装置５が取り外し可能になるまで半田３４を溶
融させたときの電子部品３１の固有振動数以上である。
【００５８】
ここで、第１の振動測定器８は、半導体装置５の上面に例えばレーザ光を照射し、半導
体装置５の縦方向の振動を計測する。また、第２の振動測定器５２は、プリント基板４の
上面に例えばレーザ光を照射し、プリント基板４の縦方向の振動を測定する。第１の振動
測定器８及び第２の振動測定器５２で測定したプリント基板４及び半導体装置５の位置情
報は、制御装置１０に出力される。
【００５９】
プリント基板４及び半導体装置５の振動波形の一例を図５及び図６に示す。図５は、ホ
ットエアヒータ７によって加熱される前のプリント基板４及び半導体装置５の振動波形を
示す。図６は、ホットエアヒータ７で半田３４を溶融させたときのプリント基板４及び半
導体装置５の振動波形を示す。また、図５及び図６において、横軸は時間を示し、縦軸は
プリント基板４及び半導体装置５の変位を示す。
【００６０】
半田３４が溶融する前は、図５のラインＬ３に示すプリント基板４の振動の振幅及び周
期と、ラインＬ４に示す半導体装置５の振動の振幅及び周期とほぼ同じである。これは、
半田３４が溶融する前は、半導体装置５が半田３４を介してプリント基板４に固定されて
いるので、プリント基板４と半導体装置５が一体となって振動するためである。
【００６１】
ホットエアヒータ７によって半田３４が溶融したときは、図６のラインＬ３に示すよう
に、テーブル２Ｂ上に載置されているプリント基板４の振動波形に変化はない。これに対
して、ラインＬ５に示すように、半導体装置５の振動には、半田３４の溶融前に比べて振
幅が減少する。これは、図２に示す振動減衰モデルで説明されるように、溶融した半田３
４によってプリント基板４から半導体装置５に伝達される振動が減衰されたためである。
【００６２】
このように、半田３４が溶融すると、第２の振動測定器５２で測定したプリント基板４
の振動の振幅は変化しないのに対し、第１の振動測定器８で測定された半導体装置５の振
動の振幅が小さくなる。
【００６３】
制御装置１０の判定部２３は、第２の振動測定器５２で測定した振動の振幅と、第１の
振動測定器８で測定した半導体装置５の振動の振幅とから、半導体装置５の振動の振幅の
減少を算出する。次に、振幅の減少量ＤＣ２と予め設定されている閾値ＴＨ２とを比較す
る。振動の振幅の減少量ＤＣ２が閾値ＴＨ２以下になったら、判定部２３は、半田３４が
溶融したと判定し、装置制御部２１がノズル９で半導体装置５を吸着してプリント基板４
から取り外す。
【００６４】
ここで、閾値ＴＨ２は、プリント基板４から半導体装置５を取り外し可能になるまで半
田３４を溶融させた状態で、プリント基板４に図５のラインＬ３に示すような振動を与え
たときの半導体装置５の振動の振幅から決定される。
【００６５】
また、制御装置１０は、プリント基板４の振動に対する半導体装置５の振動の振幅比Ｒ
Ａ２（＝ＡＭ４／ＡＭ３）、又は振幅比の減少量を算出し、予め設定されている閾値と比
較することで半田３４の溶融を判定しても良い。
ここで、リワーク装置５１は、図５及び図６に示すようなグラフをモニタに出力し、グ
ラフを見た作業者が半田３４の溶融を判定しても良い。
【００６６】
次に、プリント基板４から半導体装置５を取り除いた後に、プリント基板４に同じ半導
体装置５を取り付け、又は別の半導体装置５に取り替える場合について説明する。ここで
、半田３４は、プリント基板４側に残っており、凝固状態にあるとする。
最初に、ノズル９を用いて、実装する半導体装置５をプリント基板４の上方に搬入する
。続いて、電極３３が半田３４の上に乗るように、半導体装置５をプリント基板４に載置
する。この後、半導体装置５の吸着を解除してから、ノズル９をプリント基板４の外側に
退避させる。続いて、ホットエアヒータ７による加熱と、加振器２の振動を開始する。さ
らに、半導体装置５の振動の振幅を第１の振動測定器８で計測すると共に、プリント基板
４の振動の振幅を第２の振動測定器５２で計測する。
【００６７】
図５に示すように、第２の振動測定器５２で計測するプリント基板４の振動は、半田３
４の溶融の有無に拘らず変化しない。これに対し、第１の振動測定器８で計測する半導体
装置５の振動は、半田３４が溶融すると、図６のラインＬ５に示すように振幅が小さくな
る。このために、プリント基板４の振動の振幅に対する半導体装置５の振幅の減少量や、
振幅比、振幅比の減少量が予め設定された閾値以下になったら、半田３４の加熱及び加振
を停止する。この後、溶融した半田３４が再び凝固し、別の半導体装置５とプリント基板
４とが電気的に接続される。
【００６８】
以上、説明したように、この実施の形態では、半導体装置５のリワークの際に、第１の
振動測定器８及び第２の振動測定器５２を用いてプリント基板４と半導体装置５のそれぞ
れの縦方向の振動の波形を測定するようにした。プリント基板４の振動を第２の振動測定
器５２でモニタすることで、加振器２によって実際にプリント基板４に与えられている振
動を正確に把握できるので、半田３４の溶融による半導体装置５の振幅の減少をより高精
度に検出できる。従って、例えば、半田３４の溶融前後で振幅の変化が少ない場合でも、
半田３４の溶融を精度良く検出できる。
【００６９】
また、第１の振動測定器８及び第２の振動測定器５２を用いることによって、半田３４
が溶融する前の半導体装置５の振動を測定する必要がなくなり、振動測定の効率を高めこ
とができる。その他の作用及び効果は第１の実施の形態と同様である。
【００７０】
（第３の実施の形態）
図面を参照して第３の実施の形態について詳細に説明する。第１の実施の形態及び第２
の実施の形態と同様の構成要素には同一の符号を付してある。また、第１の実施の形態及
び第２の実施の形態と重複する説明は省略する。
この実施の形態の半導体装置のリワーク装置は、第２の実施の形態と同様の装置が使用
される。すなわち、図４に示すように、リワーク装置５１は、加振器２を有し、加振器２
のテーブル２Ｂの上方には、ホットエアヒータ７と第１の振動測定器８と、第２の振動測
定器５２と、ノズル９とが配置されている。さらに、リワーク装置５１には、加振器２な
どを制御する制御装置１０が設けられている。
【００７１】
第１の振動測定器８は、半導体装置５の上方に配置され、半導体装置５の横方向の振動
を非接触で測定する装置が使用される。第２の振動測定器５２は、プリント基板４の上方
に配置され、プリント基板４の横方向の振動を非接触で測定する装置が使用される。第１
の振動測定器８、第２の振動測定器５２は、レーザ式、渦電流型、静電容量型、レーザド
ップラー型のいずれかの変位センサが使用される。横方向の振動とは、プリント基板４の
基板面に平行な水平方向に振動することをいう。
【００７２】
次に、この実施の形態における半導体装置５のリワーク方法について説明する。
半導体装置５の電極３３の接触不良やショートが発見されたプリント基板４がリワーク
装置５１に搬入されると、制御装置１０が加振器２のテーブル２Ｂを左右方向（横方向）
に振動させる。これによって、テーブル２Ｂ上に載置されているプリント基板４及び半導
体装置５が一体となって振動する。
【００７３】
加振器２がプリント基板４及び半導体装置５を振動させる振動数は、半田３４を介して
半導体装置５をプリント基板４に実装した電子部品３１の固有振動数より小さい。さらに
、加振器２による振動の振動数は、半導体装置５が取り外し可能になるまで半田３４を溶
融させたときの電子部品３１の固有振動数以上である。
【００７４】
ここで、第１の振動測定器８は、半導体装置５の横方向の振動を計測する。また、第２
の振動測定器５２は、プリント基板４の横方向の振動を測定する。第１の振動測定器８は
、半導体装置５の側面にレーザ光を照射して半導体装置５の位置を検出しても良い。また
、第２の振動測定器５２は、プリント基板４の側面にレーザ光を照射してプリント基板４
の位置を検出しても良い。
第１の振動測定器８及び第２の振動測定器５２で測定したプリント基板４及び半導体装
置５の位置を示す情報は、制御装置１０に出力される。
【００７５】
次に、プリント基板４及び半導体装置５の振動波形の一例を図７及び図８を用いて説明
する。ここで、図７は、ホットエアヒータ７によって加熱される前のプリント基板４と半
導体装置５の振動波形を示す。図８は、ホットエアヒータ７で半田３４を溶融させたとき
のプリント基板４及び半導体装置５の振動波形を示す。また、図７及び図８において、横
軸は時間を示し、縦軸はプリント基板４及び半導体装置５の変位を示す。
【００７６】
半田３４が溶融する前は、図７のラインＬ６に示すプリント基板４の振動の振幅及び周
期と、ラインＬ７に示す半導体装置５の振動の振幅及び周期とほぼ同じである。これは、
半田３４が溶融する前は、半導体装置５が半田３４を介してプリント基板４に固定されて
いるので、プリント基板４と半導体装置５が一体となって振動するためである。
【００７７】
ホットエアヒータ７によって半田３４が溶融したときは、図８のラインＬ６に示すよう
に、テーブル２Ｂ上に載置されているプリント基板４の振動波形に変化はない。これに対
して、ラインＬ８に示すように、半導体装置５の振動には、半田３４の溶融前に比べて位
相差ＰＨ１が生じる。これは、図２に示す振動減衰モデルで説明されるように、溶融した
半田３４によってプリント基板４から半導体装置５に伝達される振動が減衰されたためで
ある。
【００７８】
このように、半田３４が溶融すると、第２の振動測定器５２で測定したプリント基板４
の振動は変化しないのに対し、第１の振動測定器８で測定された半導体装置５の振動に位
相差ＰＨ１が生じる。
このとき、制御装置１０の判定部２３は、プリント基板４の振動に対する半導体装置５
の振動の位相差ＰＨ１を算出する。位相差ＰＨ１が予め定められた閾値ＴＨ３以上になっ
たら、判定部２３は、半田３４が溶融したと判定し、装置制御部２１がノズル９で半導体
装置５を吸着してプリント基板４から取り外す。
【００７９】
ここで、閾値ＴＨ３は、プリント基板４から半導体装置５を取り外し可能になるまで半
田３４を溶融させた状態で、プリント基板４に図７のラインＬ６に示すような振動を与え
たときの半導体装置５の振動の位相差から決定する。
リワーク装置１は、図７及び図８に示すようなグラフをモニタに出力し、グラフを見た
作業者が半田３４の溶融を判定しても良い。
【００８０】
次に、プリント基板４から半導体装置５を取り除いた後に、プリント基板４に同じ半導
体装置５又は別の半導体装置５に取り付ける場合について説明する。ここで、半田３４は
、プリント基板４側に残っており、凝固状態にあるとする。
【００８１】
最初に、ノズル９を用いて、実装する半導体装置５をプリント基板４の上方に搬入する
。続いて、電極３３が半田３４の上に乗るように、半導体装置５をプリント基板４に載置
する。この後、半導体装置５の吸着を解除してから、ノズル９をプリント基板４の外側に
退避させる。続いて、ホットエアヒータ７による加熱と、加振器２の振動を開始する。さ
らに、半導体装置５の振動の振幅を第１の振動測定器８で計測すると共に、プリント基板
４の振動の振幅を第２の振動測定器５２で計測する。
【００８２】
図７及び図８に示すように、第２の振動測定器５２で計測するプリント基板４の振動は
、半田３４の溶融の有無に拘らず変化しない。これに対し、第１の振動測定器８で計測す
る半導体装置５の振動は、半田３４が溶融すると、図８に示すような振幅及び周期になり
、プリント基板４の振動に対して所定の位相差を生じる。位相差が閾値以上になったタイ
ミングで加熱及び加振を停止すると、溶融した半田３４が再び凝固し、別の半導体装置５
とプリント基板４とが電気的に接続される。
【００８３】
以上、説明したように、この実施の形態では、半導体装置５のリワーク工程において、
第１の振動測定器８及び第２の振動測定器５２を用いてプリント基板４と半導体装置５の
それぞれの横方向の振動の波形を測定するようにした。さらに、判定部２３で半導体装置
５の振動の位相差と閾値を比較することで半田３４の溶融を判定するようした。これによ
り、第２の実施の形態と同様の効果が得られる。
【００８４】
ここで、図１に示すリワーク装置１と同様の構成で、プリント基板４を横方向に振動さ
せても良い。この場合、プリント基板４の振動を第１の振動測定器８で測定し、制御装置
１０のメモリに記憶させた後、半田３４を加熱する。半田３４を加熱する前の半導体装置
５の振動と、現在の半導体装置５の振動の位相差を信号処理部２２で算出し、位相差が閾
値ＴＨ３を以上になったら、判定部２３は半田３４が溶融したと判定する。
【００８５】
次に、半導体装置５のリワーク工程の実施例について説明する。
半導体装置５は、１７ｍｍ×１７ｍｍの基板上に半導体回路を形成し、重量が１．５ｇ
で、電極３３が２５６個配列されたＢＧＡパッケージを用いた。半導体装置５の実装に用
いる半田３４は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系の無鉛半田で、融点が２１８℃、密度が７．３ｇ／
ｃｍ２、表面張力γが０．４５Ｎ／ｍ、粘度μが０．５ＰａＳ、ポアソン比が０．５のも
のを用いた。また、半田３４の高さｙは、約０．２５ｍｍで、直径は約０．５ｍｍ、配置
間隔は約１ｍｍとした。さらに、半田３４とプリント基板４の接地総面積Ｓは、４８×１
０−６ｃｍ２であった。
【００８６】
横振動におけるバネ定数ｋは、縦振動の１／３であることから、臨界減衰係数Ｃｃは、
０．３Ｎ／ｍになる。また、減衰係数Ｃの値は、縦振動と横振動で変化しない。このため
に、第１の実施の形態の数式（１）を用いて計算すると、減衰比ζは、約２になる。
さらに、固有振動数ｆｎを第１の実施の形態の数式（４）及び数式（５）を用いて計算
すると、５１２Ｈｚになる。
【００８７】
したがって、加振器２は、横振動の固有振動数である５１２Ｈｚより大きい５５０Ｈｚ
で振動させ、振動測定器８で半導体装置５の振動を測定した。さらに、ホットエアヒータ
７によって半田３４を加熱したところ、半導体装置５の振動の振幅が、図７のラインＬ７
からら図８のラインＬ８に示すように変化した。これにより、半田３４の溶融が検出でき
た。
【００８８】
（第４の実施の形態）
図面を参照して第４の実施の形態について詳細に説明する。前記の各実施の形態と同様
の構成要素には同一の符号を付してある。また、前記の各実施の形態と重複する説明は省
略する。
図９に示すように、半導体装置のリワーク装置７１は、加振器２を有し、加振器２のテ
ーブル２Ｂの上方には、加熱装置であるハロゲンヒータ７２と、振動測定器８と、ノズル
９とが配置される。また、リワーク装置７１には、加振器２などを制御する制御装置１０
が設けられている。さらに、電子部品３１の半導体装置５の上には、振動測定具７５（振
動測定補助具）が載置されている。
【００８９】
ここで、ハロゲンヒータ７２は、不図示のハロゲンランプ及び反射板を有し、ハロゲン
光を平行に出力する平行光型が用いられる。
振動測定器８は、電子部品３１の横方向の振動を非接触で測定する装置、例えば、レー
ザ型、レーザドップラー型などが用いられる。また、振動測定器８は、電子部品３１の縦
方向の振動を非接触で測定する装置でも良い。
制御装置１０は、装置制御部２１と、信号処理部２２と、判定部２３とに機能分割され
る。
【００９０】
次に、振動測定具７５の構成について、図９と、図９の一部拡大図である図１０と、図
１１の平面図を参照して説明する。振動測定具７５は、四角形のプレート７６を有し、プ
レート７６の中央部分には突起部７７が上方に向けて取り付けられている。突起部７７に
は、反射面７７Ａが形成されており、反射面７７Ａによって振動測定器８から出力される
レーザ光が反射させられる。反射面７７Ａは、振動測定器８に対して垂直に配置されるこ
とが好ましい。例えば、反射面７７Ａの傾斜角度α１は、垂直方向に対して所定の角度、
例えば６０°の角度で傾斜している。反射面７７Ａの傾斜角度は、４５°以外であること
が望ましい。これは、反射面７７Ａで折り返されて振動測定器８に入射するハロゲンヒー
タ７２の光の量を低く抑えるためである。
【００９１】
さらに、図１０及び図１１に示すように、反射面７７Ａの長さｈ１及び幅ｗ１は、例え
ば、振動測定器８のスポット径の１０倍以上にする。これは、振動測定具７５を半導体装
置５上に載せたときに位置がずれたり、振動測定具７５が熱膨張したりした場合でも、振
動させた突起部７７の反射面７７Ａから振動測定器８の測定光のスポットが外れないよう
にするためである。例えば、図９に示すプレート７６からハロゲンヒータ７２までの距離
ｄ１が５０ｍｍで、振動測定器８のスポット径が直径１００μｍであった場合には、反射
面７７Ａの長さｈ１及び幅ｗ１は、それぞれ１ｍｍ及び１ｍｍになる。
【００９２】
また、振動測定具７５は、ハロゲンヒータ７２からの熱を半田３４に効率良く伝達でき
るように金属、例えば、熱伝導率の高い銅が用いられる。プレート７６と、突起部７７と
は一体に形成されても良いし、プレート７６に別体として製造した突起部７７を固定して
も良い。また、プレート７６の大きさは、半導体装置５より大きくても良いし、小さくて
も良い。プレート７６の平面形状は、四角形に限定されない。
【００９３】
次に、この実施の形態における半導体装置５のリワーク方法について説明する。
電子部品３１は、半導体装置５の電極３３の接触不良やショート、又は半導体装置５の
故障が発見されると、リワーク装置７１に搬入される。このとき、半導体装置５の上に振
動測定具７５が載置される。振動測定具７５は、半導体装置５の中心上に突起部７７が配
置されることが好ましい。制御装置１０は、振動測定具７５を半導体装置５上に載置した
後で、加振器２のテーブル２Ｂを横方向に振動させる。これによって、テーブル２Ｂ上に
載置されているプリント基板４及び半導体装置５が一体となって振動する。さらに、半導
体装置５上に載置されている振動測定具７５も半導体装置５と一体となって振動する。
【００９４】
加振器２がプリント基板４及び半導体装置５を振動させる振動数は、半田３４を介して
半導体装置５をプリント基板４に実装した電子部品３１の固有振動数より小さい。さらに
、加振器２による振動の振動数は、半導体装置５が取り外し可能になるまで半田３４を溶
融させたときの電子部品３１の固有振動数以上である。
【００９５】
ここで、振動測定器８は、測定光として、例えばレーザ光を照射し、レーザ光が振動測
定具７５の反射面７７Ａに反射した反射光を受光することで振動測定具７５の横方向の振
動を計測する。振動測定器８で測定した振動測定具７５の位置情報は、制御装置１０に出
力される。制御装置１０の信号処理部２２は、振動測定具７５の位置情報から、半導体装
置５の振動波形を算出する。半導体装置５の振動波形は、例えば、図２のラインＬ１に示
すようになる。
【００９６】
さらに、リワーク装置１は、プリント基板４及び半導体装置５の加振を開始すると同時
に、又は加振と前後して、ハロゲンヒータ７２を点灯させる。半田３４が溶融する前の半
導体装置５の振動プロファイルを正確に確認する観点からは、先にプリント基板４及び半
導体装置５の振動を開始し、半導体装置５の振動のプロファイルを測定した後に、半田３
４を加熱することが好ましい。
【００９７】
ハロゲンヒータ７２を点灯させると、ハロゲンヒータ７２から出力される光の照射によ
って、振動測定具７５が加熱される。振動測定具７５は熱伝導率の高い材料から製造され
ているので、その下の半導体装置５及び半田３４が加熱される。このとき、ハロゲンヒー
タ７２の光は、その一部が振動測定具７５の反射面７７Ａで反射される。しかしながら、
反射面７７Ａの傾斜角度α１は、ハロゲンヒータ７２の反射光が振動測定器８に入射し難
い傾斜角度に設定されているので、振動測定器８の測定精度を低下させることはない。
【００９８】
ハロゲンヒータ７２によって半田３４が加熱されると、プリント基板４と半導体装置５
を接合させている半田３４が溶融し始める。半田３４が溶解することでプリント基板４の
振動と半導体装置５の振動との間にズレが生じる。具体的には、プリント基板４の振動に
対して半導体装置５の振動が減衰し始める。振動測定具７５は、半導体装置５に載置され
ているので、半導体装置５と同じ振動数で振動する。振動測定具７５の振動を振動測定器
８で調べることで、半導体装置５の振動の変化を測定することができる。
【００９９】
ここで、図２に示す振動波形において、半田３４によって半導体装置５がプリント基板
４に接合されている状態では、ラインＬ１に示すように、半導体装置５はプリント基板４
の振動に追従し、同じ周期及び振幅で振動している。これに対し、図２のラインＬ２に示
すように、半田３４が溶融すると、振動測定具７５を用いて振動測定器８で検出する半導
体装置５の振動の振幅が、ラインＬ１に示す半田３４の溶融前に比べて小さくなる。
【０１００】
制御装置１０の判定部２３は、振動測定器８で検出した半導体装置５の振動の振幅と予
め設定されている閾値ＴＨ１とを比較する。振幅が閾値ＴＨ１以下になったら、判定部２
３は、半田３４が溶融したと判定する。この後、装置制御部２１がノズル９に指令信号を
出力し、ノズル９が半導体装置５を吸着してプリント基板４から取り外す。
【０１０１】
ここで、閾値ＴＨ１は、プリント基板４から半導体装置５を取り外し可能になるまで半
田３４を溶融させた状態で、プリント基板４に図２のラインＬ１に示すような振動を与え
たときの半導体装置５の振動の振幅から決定される。
【０１０２】
その後、プリント基板４から半導体装置５を取り除いてから、プリント基板４に同じ半
導体装置５又は別の半導体装置５に取り付ける。
【０１０３】
以上、説明したように、この実施の形態では、振動測定具７５を電子部品３１の上に載
置し、振動測定具７５からの熱伝達を用いて半田３４を溶融させるようにした。従って、
半導体装置５のサイズに依らずに半田３４を溶融させることが可能になる。
また、反射面７７Ａを有する振動測定具７５を用いて半導体装置５の振動を測定するよ
うにした。反射面７７Ａは、ハロゲンヒータ７２の光が振動測定器８に入射し難い角度に
設定されているので、迷光による振動測定の測定精度の低下を抑えることができる。この
ような振動測定具７５を用いることによって、ハロゲンヒータ７２を用いた場合でも、半
田３４の溶融を半導体装置５の振動の変化から精度良く判定することができる。
さらに、反射面７７Ａを振動測定具７５の中心に配置したので、振動測定具７５の材料
が熱膨張した場合でも、半導体装置５の振動を精度良く測定できる。
その他の作用及び効果は、第１の実施の形態と同様である。
【０１０４】
ここで、振動測定具７５は、突起部７７の代わりに、プレート７６に反射面７７Ａを有
する凹部を形成しても良い。また、反射面７７Ａは、プレート７６の中心からずれた位置
に設けても良い。
さらに、図１２に示すように、リワーク装置７１は、第２の振動測定器５２を有しても
良い。プリント基板４と半導体装置５のそれぞれの振動波形を測定できるので、半田３４
の溶融による半導体装置５の振幅の減少をより高精度に検出できる。
【０１０５】
（第５の実施の形態）
図面を参照して第５の実施の形態について詳細に説明する。前記の各実施の形態と同様
の構成要素には同一の符号を付してある。また、前記の各実施の形態と重複する説明は省
略する。
図１３に示すように、半導体装置のリワーク装置８１は、加熱装置であるハロゲンヒー
タ８２として集光用の反射板を有する集光型ヒータを有する。さらに、電子部品３１の半
導体装置５の上に振動測定具８５が載置される。
【０１０６】
振動測定具８５の構成について、図１３と、図１３の一部拡大図である図１４と、図１
５の平面図を参照して説明する。振動測定具８５は、プレート８６の上面の中央に突起部
８７が設けられている。突起部８７は、反射面７７Ａを有すると共に、反射面７７Ａの上
端から遮光板８８が斜め上方に延びている。遮光板８８は、上方から入射するハロゲンヒ
ータ８２の光を反射面７７Ａに入射させないために形成されている。遮光板８８の長さｓ
１は、例えばハロゲンヒータ８２の発光部分の幅ｓ２が５０ｍｍで、プレート８６からハ
ロゲンヒータ８２までの距離ｄ２が５０ｍｍのときに、２ｍｍ以上の突出長さを有する、
ひさし形状になっている。これは、図１３の仮想線Ｌ１１に示すように、ハロゲンヒータ
８２の最も外側からの光が、突起部８７に向かって放出された場合でも、反射面８７Ａに
その光が入射しない長さになっている。
【０１０７】
ここで、反射面７７Ａは、例えば、幅ｗ１が１ｍｍで、長さｈ１が１ｍｍになっている
。また、反射面７７Ａの傾斜角度α１は、例えば６０°である。さらに、遮光板８８の傾
斜角度β１は、例えば、１５０°である。
【０１０８】
次に、この実施の形態における半導体装置５のリワーク方法について説明する。
リワーク装置８１に電子部品３１を搬入したら、振動測定具８５を突起部８７が半導体
装置５の中心上に配置されるように載せる。この状態で、制御装置１０が加振器２のテー
ブル２Ｂを横方向に振動させる。これによって、テーブル２Ｂ上に載置されているプリン
ト基板４及び半導体装置５が一体となって振動する。さらに、半導体装置５上に載置され
ている振動測定具８５も半導体装置５と共に振動する。
【０１０９】
加振器２がプリント基板４及び半導体装置５を振動させる振動数は、半田３４を介して
半導体装置５をプリント基板４に実装した電子部品３１の固有振動数より小さい。さらに
、加振器２による振動の振動数は、半導体装置５が取り外し可能になるまで半田３４を溶
融させたときの電子部品３１の固有振動数以上である。
【０１１０】
ここで、振動測定器８は、レーザ光を振動測定具８５の反射面７７Ａに照射し、その反
射光から振動測定具８５の横方向の振動を計測する。また、ハロゲンヒータ８２からの光
が振動測定具８５に照射される。突起部８７の遮光板８８が、ハロゲンヒータ８２からの
光を遮断するので、ハロゲンヒータ８２の光が反射面７７Ａで反射して振動測定器８に入
射することはない。振動測定器８に入射する迷光が減少するので、測定誤差が減少する。
【０１１１】
ハロゲンヒータ８２によって振動測定具８５が加熱され、さらに振動測定具８５からの
熱伝達によって半田３４が溶融し始めると、プリント基板４の振動と半導体装置５の振動
との間にズレが生じる。具体的には、プリント基板４の振動に対して半導体装置５の振動
が減衰し始める。半導体装置５の振動の変化は、半導体装置５と一体になって振動する振
動測定具８５の振動から検出できる。制御装置１０の判定部２３は、振動測定器８で検出
した半導体装置５の振動の振幅と予め設定されている閾値ＴＨ１とを比較する。振幅が閾
値ＴＨ１以下になったら、判定部２３は、半田３４が溶融したと判定する。この後、装置
制御部２１がノズル９に指令信号を出力し、ノズル９が半導体装置５を吸着してプリント
基板４から取り外す。
【０１１２】
以上、説明したように、この実施の形態では、突起部８７に遮光板８８を設けたので、
ハロゲンヒータ８２からの光が反射面７７Ａに入射しなくなる。これによって、半導体装
置５の振動を精度良く計測でき、半田３４の溶融を確実に検知できるようになる。その他
の作用及び効果は、第４の実施の形態と同様である。
【０１１３】
ここで、第５の実施の形態の突起部８７に遮光板８８を形成しても良い。
また、図１６に示すように、リワーク装置８１は、第２の振動測定器５２を有しても良
い。プリント基板４と半導体装置５のそれぞれの振動波形を測定できるので、半田３４の
溶融による半導体装置５の振幅の減少をより高精度に検出できる。
【０１１４】
（第６の実施の形態）
図面を参照して第６の実施の形態について詳細に説明する。前記の各実施の形態と同様
の構成要素には同一の符号を付してある。また、前記の各実施の形態と重複する説明は省
略する。
図１７に示すように、半導体装置のリワーク装置９１は、加熱装置であるハロゲンヒー
タ９２として平行型ヒータを有する。さらに、電子部品３１の半導体装置５の上に振動測
定具７５が載置される。
【０１１５】
図１７と、図１８の底面図に示すように、ハロゲンヒータ９２は、下部の発光領域９２
Ａの中央部分に遮光板９５が取り付けられている。遮光板９５は、Ｌ字形のプレートから
なり、ハロゲンヒータ９２の下部から所定の距離、例えば２ｍｍの距離に下面９５Ａが配
置されている。下面９５Ａの幅ｗ１および奥行きｔ１は、振動測定具７５を半導体装置５
上に載せたときの位置ずれや、振動測定具７５の熱膨張を考慮して、それぞれ１ｍｍ及び
１ｍｍになっている。
【０１１６】
次に、この実施の形態における半導体装置５のリワーク方法について説明する。
リワーク装置９１に電子部品３１を搬入したら、振動測定具７５を突起部７７が半導体
装置５の中心上に配置されるように載せる。この位置は、突起部７７の上方に遮光板９５
が配置される位置でもある。この状態で、制御装置１０が加振器２のテーブル２Ｂを横方
向に振動させる。これによって、テーブル２Ｂ上に載置されているプリント基板４及び半
導体装置５が一体となって振動する。さらに、半導体装置５上に載置されている振動測定
具も半導体装置５と共に振動する。
【０１１７】
加振器２がプリント基板４及び半導体装置５を振動させる振動数は、半田３４を介して
半導体装置５をプリント基板４に実装した電子部品３１の固有振動数より小さい。さらに
、加振器２による振動の振動数は、半導体装置５が取り外し可能になるまで半田３４を溶
融させたときの電子部品３１の固有振動数以上である。
【０１１８】
ここで、振動測定器８は、レーザ光を振動測定具７５の反射面７７Ａに照射し、その反
射光から振動測定具７５の横方向の振動を計測する。また、ハロゲンヒータ９２からの光
が振動測定具７５に照射される。この際、ハロゲンヒータ９２に取り付けられた遮光板９
５によって、直下の領域、すなわち、振動測定具７５の突起部７７及びその周囲には、ハ
ロゲンヒータ９２の光が照射されない。即ち、振動測定具７５の突起部７７には、ハロゲ
ンヒータ９２の光が入射しない。その結果、振動測定器８に入射する迷光が減少する。振
動測定器８に入射する迷光が減少するので、測定誤差が減少する。
【０１１９】
ハロゲンヒータ９２によって振動測定具７５が加熱され、さらに振動測定具７５からの
熱伝達によって半田３４が溶融し始めると、プリント基板４の振動と半導体装置５の振動
との間にズレが生じ、具体的にはプリント基板４の振動に対して半導体装置５の振動が減
衰し始める。半導体装置５の振動の変化は、半導体装置５と一体になって振動する振動測
定具７５の振動から検出できる。制御装置１０の判定部２３は、振動測定器８で検出した
半導体装置５の振動の振幅と予め設定されている閾値ＴＨ１とを比較する。振幅が閾値Ｔ
Ｈ１以下になったら、判定部２３は、半田３４が溶融したと判定する。この後、装置制御
部２１がノズル９に指令信号を出力し、ノズル９が半導体装置５を吸着してプリント基板
４から取り外す。
【０１２０】
以上、説明したように、この実施の形態では、ハロゲンヒータ９２に遮光板９５を取り
付け、下方に配置された振動測定具７５の反射面７７Ａにハロゲンヒータ９２の光が入射
しないようにした。これによって、半導体装置５の振動を精度良く計測でき、半田３４の
溶融を確実に検知できるようになる。その他の作用及び効果は、第４の実施の形態と同様
である。
【０１２１】
ここで、図１９に示すように、リワーク装置９１は、第２の振動測定器５２を有しても
良い。プリント基板４と半導体装置５のそれぞれの振動波形を測定できるので、半田３４
の溶融による半導体装置５の振幅の減少をより高精度に検出できる。
【０１２２】
（第７の実施の形態）
図面を参照して第７の実施の形態について詳細に説明する。前記の各実施の形態と同様
の構成要素には同一の符号を付してある。また、前記の各実施の形態と重複する説明は省
略する。
【０１２３】
図２０に示すように、リワーク装置１０１は、加振器２を有し、加振器２の上方には加
熱装置１０２が配置されている。加熱装置１０２には、例えば、ハロゲンヒータが用いら
れている。加熱装置１０２は、平行光タイプ、集光タイプおよび放射タイプと光源種類に
よって色々と分離されるが、どのタイプの発光型のヒータを使用しても良い。
【０１２４】
さらに、リワーク装置１０１には、加振器２などを制御する制御装置６が設けられてい
る。制御装置６は、加振器２や、加熱装置１０２を制御する装置制御部２１と、振動検知
光学機構の出力信号を処理する信号処理部２２と、半田の溶融を判定する判定部２３とを
有する。
【０１２５】
また、電子部品３１のリワーク時に生じる振動を非接触で測定する振動測定装置１０３
（位置測定装置）が設けられている。振動測定装置１０３は、加熱装置１０２の熱線を緩
和するフィルター１０４や、結像レンズ１０５を有し、結像レンズ１０５の共焦点位置に
ポジションセンサ１０６が配置されている。ポジションセンサ１６は、例えば、スポット
状の光の位置を検出できるＰＳＤ（Position Sensitive Detector）と呼ばれる半導体素
子を用いたセンサが用いられる。
【０１２６】
また、加振器２のテーブル２Ｂの上には、プリント基板４が載置されている。プリント
基板４上には、半田３４を用いて半導体装置５が実装されている。さらに、半導体装置５
の上には、熱補助具を兼ねる振動測定具１１０が載置されている。
図２１と、図２２の断面図に示すように、振動測定具１１０には、下側が開放されるこ
とで内部に空洞を有する箱形状を有する。振動測定具１１０の下側の枠部分１１０Ａは、
半導体装置５の上面に形成された回路を避けるように、半導体装置５の外周部分のみに接
触する。これによって、振動測定具１１０は、熱伝導によって半導体装置５の外周部分を
暖めることで半田３４の溶融を促進させ、その一方で、半導体装置５の回路への熱伝達は
減少させている。
【０１２７】
振動測定具１１０は、例えば、熱伝導率の良い材料、銅から製造されている。さらに、
熱伝達効率を高めるために、上面１１０Ｂの中央の反射面１１１を除いて表面の全体を黒
色化する処理、例えば、レイデント処理と呼ばれる電気メッキなどのめっき的な表面処理
を行って皮膜を形成している。これによって、振動測定具１１０の表面は黒色になってい
る。振動測定具１１０の表面を黒色化させることによって、熱吸収が高まり、半導体装置
５の加熱効率が向上する。さらに、加熱効率を向上させることで、周囲に配置されている
他の部品が過剰に加熱されることを防止できる。
【０１２８】
反射面１１１は、振動測定具１１０の上面１１０Ｂの中央部分に形成されており、加熱
装置１０２から発せられる光を反射する。反射面１１１は、上面の中央部に形成された突
起からなり、黒色化後に表面を研削加工によって皮膜を除去すると共に鏡面化させてある
。
【０１２９】
次に、この実施の形態における電子部品３１のリワーク方法について説明する。
電子部品３１の電極の接触不良やショート、又は電子部品３１の故障が発見されたプリ
ント基板４がリワーク装置１０１に搬入されると、制御装置６が加振器２のテーブル２Ｂ
を左右方向（横方向）に振動させる。これにより、テーブル２Ｂ上に載置されているプリ
ント基板４及び電子部品３１が一体となって振動する。加振器２がプリント基板４及び電
子部品３１を振動させる振動数は、半田３４を介してプリント基板４に実装した電子部品
３１の固有振動数より小さい。さらに、加振器２による振動の振動数は、半田３４を溶融
させたときの電子部品３１の固有振動数以上である。
【０１３０】
電子部品３１の加振と共に、又は前後して加熱装置１０２から光を照射する。加熱装置
１０２からの光は、振動測定具１１０に照射され、熱伝導によって半田３４を加熱する。
また、加熱装置１０２からの光の一部が振動測定具１１０の反射面１１１によって反射さ
れる。図２２に示すように、反射光は、フィルター１０４を通った後、結像レンズ１０５
によって集光され、ポジションセンサ１０６の素子１０６Ａ上に結像する。
【０１３１】
加振器２によって電子部品３１が振動するのに従って、反射面１１１の位置が移動する
。半田３４が凝固している段階では、反射面１１１はプリント基板４の振動の周期及び振
幅と略一致する往復運動をする。このために、反射面１１１において反射した加熱装置１
０２の光が、半導体装置５の振幅に応じた範囲で往復運動する。ポジショニングセンサ１
０６は、素子１０６Ａ上でスポット状に結像する反射光の中心位置の情報を出力し、制御
装置１０が反射光の中心位置の変動から、半導体装置５の振動プロファイルを算出する。
ここで、反射面１１１の振動方向の大きさを加振装置２で発生させる振幅Ａｗにすると、
ポジショニングセンサ１０６の素子１０６上の反射光のスポットも所定の振動Ａｘで移動
する。振動Ａｘは、振幅Ａｗと一致するか比例する値である。このために、ポジションセ
ンサ１０６の出力から半導体装置５の振動プロファイルを算出することができる。
【０１３２】
加熱装置１０２の光源１０２Ａからの光で振動測定具１１０が加熱されると、半導体装
置５が周辺部分から加熱される。熱伝達によって半田３４が溶融し始めると、プリント基
板４の振動と半導体装置５の振動との間にズレが生じる。具体的には、プリント基板４の
振動に対して半導体装置５の振動が減衰し始める。半導体装置５の振動の変化は、半導体
装置５と一体になって振動する振動測定具１１０の振動から検出できる。制御装置１０の
判定部は、振動測定装置１０３で検出した半導体装置５の振動の振幅と予め設定されてい
る閾値とを比較する。振幅が閾値以下になったら、判定部２３は、半田３４が溶融したと
判定する。この後、装置制御部２１がノズル（図示せず）に指令信号を出力し、ノズル（
図示せず）が半導体装置５を吸着してプリント基板４から取り外す。プリント基板４の振
動は、加振器２からの信号に基づいて計算しても良いし、第２の振動測定器５２を用いて
も良い。
【０１３３】
以上、説明したように、この実施の形態では、加熱装置１０２からの光を反射する反射
面１１１を振動測定具１１０に設け、加熱装置１０２の反射光がポジションセンサ１０６
に結像するようにした。これによって、比較的安価な構成で、半導体装置５の振動を精度
良く計測でき、半田３４の溶融を確実に検知できるようになる。その他の作用及び効果は
他の実施の形態と同様である。
【０１３４】
ここで、図２３に変形例を示す。振動測定具１２０は、下面側から開放された箱形状を
有し、上面を研削加工することで凹形状の反射面１２１が形成されている。振動測定具１
２０の表面は、反射面１２１を除いて黒色化処理されており、反射面１２１は鏡面仕上げ
されている。反射面１２１の大きさは、図２０を参照して説明した反射面１１１と略等し
い。
反射面１１１，１２１の形状は四角形以外の多角形でも良い。
【０１３５】
ここで挙げた全ての例および条件的表現は、発明者が技術促進に貢献した発明および概
念を読者が理解するのを助けるためのものであり、ここで具体的に挙げたそのような例お
よび条件に限定することなく解釈するものであり、また、明細書におけるそのような例の
編成は本発明の優劣を示すこととは関係ない。本発明の実施形態を詳細に説明したが、本
発明の精神および範囲から逸脱することなく、それに対して種々の変更、置換および変形
を施すことができる。
【０１３６】
各実施の形態において、リワーク装置１，５１は、プリント基板４及び半導体装置５の
それぞれの振動の振幅及び位相差の両方が、予め定められた閾値を越えた場合に、半田３
４が溶融したと判定しても良い。また、リワーク装置１，５１は、プリント基板４及び半
導体装置５のそれぞれの振動の振幅及び位相の両方をモニタし、振動と振幅の一方が予め
定められた閾値を越えた場合に、半田３４が溶融したと判定しても良い。
【０１３７】
また、リワーク装置１，５１は、半田３４の溶融に伴って変化する半導体装置５の周期
の変化が予め定められた閾値以上になったときに、半田３４が溶融したと判定しても良い
。この場合の閾値は、半田３４を溶融させたときの半導体装置５の周期の変化量を予め調
べ、この値を使用することが好ましい。
さらに、第１の振動測定器８のみを有するリワーク装置１，５１において、プリント基
板４に横方向の振動を与え、半田３４が溶融する前の半導体装置５の振動のとの位相差を
調べることで、半田３４の溶融を判定しても良い。
また、各実施の形態のリワーク方法及びリワーク装置１，５１は、半導体装置５を実装
する実装方法及び実装装置に適用することができる。
【０１３８】
第２の実施の形態及び第３の実施の形態において、振動測定具７５，８５又は、遮光板
９５を用いても良い。振動測定具７５，８５の反射面７７Ａや、遮光板９５のサイズや形
状は、実施の形態に限定されない。
【０１３９】
以下に、前記の実施の形態の特徴を付記する。
（付記１）  半田を介して半導体装置を実装した基板を振動させる工程と、前記半田を加
熱する工程と、前記半導体装置の振動を測定する工程と、前記半導体装置の振動の振幅の
減少、又は位相差の少なくとも一方が、予め定められた閾値に達したときに、前記半導体
装置を前記基板から取り外す工程と、を含む半導体装置のリワーク方法。
（付記２）  前記基板は、溶融した半田を介して半導体装置を搭載させた基板の固有振動
数以上の振動数で振動させる付記１に記載の半導体装置のリワーク方法。
（付記３）  前記半導体装置を基板から取り外した後、前記半田上に同じ前記半導体装置
又は別の前記半導体装置を搭載する工程と、前記半田を再び加熱する工程と、前記半導体
装置の振動の振幅の減少と位相差の少なくとも一方が予め定められた閾値に達したときに
、前記半田の加熱と前記基板の振動を停止させる工程と、を含む付記１又は付記２に記載
の半導体装置のリワーク方法。
（付記４）  前記半導体装置の振動を測定すると共に、前記基板の振動を測定することを
特徴とする付記１乃至付記３のいずれか一項に記載の半導体装置のリワーク方法。
（付記５）  前記半導体装置の振動を測定する工程は、前記半導体装置を上下方向に振動
させたときの前記半導体装置の振動の振幅の減少を調べることを含む付記１乃至付記４の
いずれか一項に記載の半導体装置のリワーク方法。
（付記６）  前記半導体装置の振動を測定する工程は、前記半導体装置を横方向に振動さ
せたときの前記半導体装置の振動の位相の変化を調べることを含む付記１乃至付記４のい
ずれか一項に記載の半導体装置のリワーク方法。
（付記７）  前記基板を振動させて前記半導体装置の振動の測定を開始した後、前記半田
を加熱する付記１乃至付記６のいずれか一項に記載の半導体装置のリワーク方法。
（付記８）  前記半導体装置の振動を測定する工程は、前記半導体装置の上方に設けた反
射面の移動を前記振動測定器で計測することを含む付記８のいずれか一項に記載の半導体
装置のリワーク方法。
（付記９）  前記半田を加熱する工程は、加熱装置から前記半導体装置に向けて光を放射
することを含み、前記半導体装置の振動を測定する工程は、前記半導体装置の上方に設け
た反射面で反射した前記加熱装置からの光を、受光素子によって検出することを含む付記
１乃至付記７のいずれか一項に記載の半導体装置のリワーク方法。
（付記１０）  溶融した半田を介して半導体装置を搭載させた基板の固有振動数以上の振
動数で前記基板を振動させる工程と、前記半田を加熱する工程と、前記半導体装置の振動
を測定する工程と、前記半導体装置の振動の振幅の減少、又は位相差が予め定められた閾
値に達したら、前記半田の加熱と前記基板の加振を停止する工程と、を含む半導体装置の
実装方法。
（付記１１）  基板を振動させる加振器と、前記基板と半導体装置と接合させている半田
を加熱する加熱装置と、前記半導体装置の振動を非接触で測定する第１の振動測定器と、
前記第１の振動測定器で測定した前記半導体装置の振動の振幅又は周期を算出し、振動の
減少と位相差の少なくとも一方が、予め定められた閾値に達したときに、前記半田が溶融
したと判定する制御装置と、を含む半導体装置のリワーク装置。
（付記１２）  前記加熱装置として発光型のヒータを有すると共に、前記半導体装置の上
に載置され、前記振動測定器の計測光を反射する反射面を設けた振動測定具を有する請求
項７に記載の半導体装置のリワーク装置。
（付記１３）  前記反射面には、前記加熱装置から出力された光を遮蔽する遮光板を設け
た付記１３に記載の半導体装置のリワーク装置。
（付記１４）  前記基板の振動を測定する第２の振動測定器を含む付記１０に記載の半導
体装置のリワーク装置。
（付記１５）  前記加熱装置として発光型のヒータを有すると共に、前記半導体装置の上
に載置され、前記加熱装置から放射される光を反射する反射面を設けた振動測定具と、前
記反射面で反射した光を検出する受光素子とを有する付記１０に記載の半導体装置のリワ
ーク装置。
（付記１６）  前記振動測定具の上面は、反射面を除いて黒色処理されていることを特徴
とする請求項９に記載の半導体装置のリワーク装置。
（付記１７）  半田を介して半導体装置を実装した基板を振動させる工程と、前記半田を
加熱する工程と、前記半導体装置の振動を測定する工程と、前記半導体装置の振動の振幅
の減少と位相差の少なくとも一方が、予め定められた閾値に達したときに、前記半導体装
置を前記基板から取り外す工程と、を含む半導体パッケージの製造方法。
【符号の説明】
【０１４０】
１，５１，１０１  リワーク装置
２  加振器
４  プリント基板
５  半導体装置
７  ホットエアヒータ（加熱装置）
８  第１の振動測定器
１０  制御装置
２３  判定部
５２  第２の振動測定器
７７Ａ  反射面
１０２  加熱装置
１０３  振動測定装置
１０６  ポジショニングセンサ
１１０，１２０  振動測定具
１１１，１２１  反射面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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