(57)【要約】【課題】被接合部材に対する加工を行うことなく、被接合部材上における半導体チップの搭載領域外へのはんだの滲み・流れ出しを防止することができるダイボンディング方法を提供すること。【解決手段】半導体チップ１１をはんだ１２を介して基板１０に接合するダイボンディング方法において、半導体チップ１１が搭載されるチップ搭載領域１０ａの温度が、はんだ１２の融点以上であってチップ搭載領域１２ａの周辺領域１０ｂの温度よりも高くなるように基板１０を加熱して、はんだ１２をチップ搭載領域１０ａで溶融させて半導体チップ１１を基板１１に接合する。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップをはんだを介して被接合部材に接合するダイボンディング方法において、
前記半導体チップが搭載されるチップ搭載領域の温度が、前記はんだの融点以上であって前記チップ搭載領域の周辺領域の温度よりも高くなるように前記被接合部材を加熱して、前記はんだを前記チップ搭載領域で溶融させて前記半導体チップを前記被接合部材に接合する
ことを特徴とするダイボンディング方法。
【請求項２】
請求項１に記載するダイボンディング方法において、
前記チップ搭載領域と前記周辺領域との温度差が５℃以上となるように、前記被接合部材を加熱する
ことを特徴とするダイボンディング方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載するダイボンディング方法において、
前記チップ搭載領域の裏面に接触させる一方、前記周辺領域の裏面には接触させないように、ヒータを前記被接合部材の裏面側に配置して、前記ヒータにより前記被接合部材を加熱する
ことを特徴とするダイボンディング方法。
【請求項４】
請求項３に記載するダイボンディング方法において、
前記ヒータは、前記周辺領域の裏面に配置される凹部を備えており、
前記凹部が前記チップ搭載領域を取り囲むように前記ヒータを前記被接合部材の裏面に接触させて前記ヒータにより前記被接合部材を加熱する
ことを特徴とするダイボンディング方法。
【請求項５】
請求項３に記載するダイボンディング方法において、
前記ヒータは、前記チップ搭載領域の裏面に配置される凸部を備えており、
前記凸部を前記チップ搭載領域の裏面に接触させて前記ヒータにより前記被接合部材を加熱する
ことを特徴とするダイボンディング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、はんだを介して半導体チップを基板等の被接合部材に接合するダイボンディング方法に関する。より詳細には、被接合部材上における半導体チップの搭載領域外へのはんだの滲み・流れ出しを防止することができるダイボンディング方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体チップ（ダイ）を基板、リードフレーム、あるいは放熱板等の被接合部材に接合するダイボンディング方法が知られている。このダイボンディング方法では、例えば、基板（被接合部材）上にはんだ箔を介して半導体チップを配置し、ヒータプレートなどにより基板を加熱してはんだ箔を溶融させることにより、半導体チップと基板との接合を行っている。なお、基板上における半導体チップの位置決めを行うために、一般的には、カーボン製の位置決め治具が使用される。
【０００３】
ところが、基板を加熱してはんだ箔を溶融させた際に、溶融したはんだが位置決め治具と基板との僅かな隙間に滲み出して、半導体チップの搭載領域外へはんだが流れ出してしまう。はんだが半導体チップの搭載領域外に流れ出してしまうと、基板上にすでに形成されている導体回路の短絡を引き起こしたり、あるいは、隣接するチップ搭載領域に流れ込んで、他のチップの搭載時に水平搭載を妨害し、実装上の問題を引き起こしたりする。
【０００４】
そこで、半導体チップの搭載領域外へのはんだの流れ出しを防止するために、半導体チップの搭載領域周辺に流出防止壁やはんだ不濡れ部などを設けている（特許文献１，２参照）。これにより、半導体チップの搭載領域外へのはんだの流れ出しを防止して、回路の短絡や実装上の問題などが発生しないようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−２８６２８９号公報
【特許文献２】特開２００１−１８５６６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記した技術では、はんだの滲み出し・流れだしを防止するために、基板上に物理的な障害物（流出防止壁やはんだ不濡れ部など）が形成されている。そのため、それらの部分には他の半導体チップや電子部品を実装することができないので、実装密度を大きくすることができないという問題があった。
【０００７】
また、基板上に流出防止壁やはんだ不濡れ部などを設けるためには、基板への加工が必要であり、製品コストの上昇を招いてしまうという問題もあった。
【０００８】
そこで、本発明は上記した問題点を解決するためになされたものであり、被接合部材に対する加工を行うことなく、被接合部材上における半導体チップの搭載領域外へのはんだの滲み・流れ出しを防止することができるダイボンディング方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記課題を解決するためになされた本発明の一態様は、半導体チップをはんだを介して被接合部材に接合するダイボンディング方法において、前記半導体チップが搭載されるチップ搭載領域の温度が、前記はんだの融点以上であって前記チップ搭載領域の周辺領域の温度よりも高くなるように前記被接合部材を加熱して、前記はんだを前記チップ搭載領域で溶融させて前記半導体チップを前記被接合部材に接合することを特徴とする。
【００１０】
このダイボンディング方法では、半導体チップが搭載されるチップ搭載領域の温度が、チップ搭載領域の周辺領域の温度よりも高くなるように被接合部材を加熱する。これにより、チップ搭載領域付近では、チップ搭載領域の温度が最も高く、その周辺に向かって温度が低くなる温度勾配が形成される。なお、被接合部材としては、基板、リードフレーム、あるいは放熱板等が考えられる。
【００１１】
そして、はんだをチップ搭載領域で溶融させる。このとき、溶融したはんだは、温度が高い領域つまりチップ搭載領域で濡れ広がる。そして、溶融したはんだは、より高温の部位へ濡れ広がるという特性があるため、低温の部位へは濡れ広がらない。従って、周辺よりも高温のチップ搭載領域で溶融したはんだは、高温のチップ搭載領域内でのみ濡れ広がって周辺領域へ流れ出すことなく留まる。つまり、被接合部材上における半導体チップの搭載領域外へのはんだの滲み・流れ出しを防止することができる。
【００１２】
また、被接合部材に上記の温度勾配を形成するために、被接合部材に対する加工が不要である。つまり、半導体チップの搭載領域外へのはんだの滲み・流れ出しを防止するために、被接合部材に流出防止壁やはんだ不濡れ部などを設ける必要がない。このため、実装密度を大きくするとともに、製品コストの上昇を抑制することができる。
【００１３】
上記したダイボンディング方法において、前記チップ搭載領域と前記周辺領域との温度差が５℃以上となるように、前記被接合部材を加熱することが望ましい。
【００１４】
チップ搭載領域と周辺領域との温度差が５℃よりも小さくと、被接合部材上におけるチップ搭載領域外へのはんだの滲み・流れ出しが発生するおそれがあるが、温度差が５℃以上（好ましくは１０℃以上、より好ましくは１５℃以上）、つまりチップ搭載領域の温度が、周辺領域の温度よりも５℃以上（好ましくは１０℃以上、より好ましくは１５℃以上）高ければ、被接合部材上におけるチップ搭載領域外へのはんだの滲み・流れ出しを、確実に防止することができるからである。
【００１５】
そして、上記したダイボンディング方法においては、前記チップ搭載領域の裏面に接触させる一方、前記周辺領域の裏面には接触させないように、ヒータを前記被接合部材の裏面側に配置して、前記ヒータにより前記被接合部材を加熱すればよい。なお、周辺領域の裏面にヒータを接触させない態様には、周辺領域全域をヒータに接触させない場合の他、周辺領域のうちチップ搭載領域との境界となる一部分のみをヒータに接触させない場合も含まれる。
【００１６】
このようにしてヒータにより被接合部材を加熱することにより、非常に簡単に、チップ搭載領域の温度が最も高く、その周辺に向かって温度が低くなる温度勾配を、被接合部材上に形成することができる。その結果、被接合部材上におけるチップ搭載領域外へのはんだの滲み・流れ出しを防止することができる。つまり、非常に簡単な方法で、被接合部材上における半導体チップの搭載領域外へのはんだの滲み・流れ出しを防止することができる。
【００１７】
具体的には、前記ヒータは、前記周辺領域の裏面に配置される凹部を備えており、前記凹部が前記チップ搭載領域を取り囲むように前記ヒータを前記被接合部材の裏面に接触させて前記ヒータにより前記被接合部材を加熱すればよい。
【００１８】
こうすることにより、被接合部材に対するヒータの接触面積が大きくなるため、被接合部材を効率よく加熱することができる。そのため、被接合部材の加熱時間を短縮することができ、ダイボンドを効率良く行うことができる。
【００１９】
なお、ヒータに設ける凹部の幅は、５ｍｍ以上とするのがよい。５ｍｍ未満では、チップ搭載領域と周辺領域との温度差を５℃以上にすることが困難であるからである。
【００２０】
あるいは、前記ヒータは、前記チップ搭載領域の裏面に配置される凸部を備えており、前記凸部を前記チップ搭載領域の裏面に接触させて前記ヒータにより前記被接合部材を加熱してもよい。
【００２１】
こうすることにより、被接合部材の加熱効率は若干低下するが、ヒータ形状を非常に簡単にすることができ、設備構成の簡素化を図ることができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明に係るダイボンディング方法によれば、上記した通り、被接合部材に対する加工を行うことなく、被接合部材上における半導体チップの搭載領域外へのはんだの滲み・流れ出しを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第１の実施の形態に係るダイボンディング方法を説明するための図である。
【図２】基板と半導体チップとの配置関係を説明する図である。
【図３】基板加熱時における基板の温度分布を示す図である。
【図４】はんだの溶融状態を模式的に示す図である。
【図５】第２の実施の形態に係るダイボンディング方法を説明するための図である。
【図６】基板加熱時における基板の温度分布を示す図である。
【図７】第３の実施の形態に係るダイボンディング方法を説明するための図である。
【図８】基板加熱時における基板の温度分布を示す図である。
【図９】第４の実施の形態に係るダイボンディング方法を説明するための図である。
【図１０】基板加熱時における基板の温度分布を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明のダイボンディング方法を具体化した実施の形態について、図面に基づき詳細に説明する。本実施の形態では、半導体チップを基板に実装する際に本発明を適用した場合を例示する。
［第１の実施の形態］
まず、第１の実施の形態について説明する。そこで、第１の実施の形態に係るダイボンディング方法について、図１〜図４を参照しながら説明する。図１は、第１の実施の形態に係るダイボンディング方法を説明するための図である。図２は、基板と半導体チップとの配置関係を説明する図である。図３は、基板加熱時における基板の温度分布を示す図である。図４は、はんだの溶融状態を模式的に示す図である。
【００２５】
まず、図１に示すように、基板１０のチップ搭載領域１０ａ（図２参照）に、半導体チップ１１をはんだ１２を介して配置する。より具体的には、図２に示すように、チップ搭載領域１０ａ上に、箔状のはんだ１２を配置し、そのはんだ１２上に半導体チップ１３を搭載する。このとき、従来と同様にカーボン製の位置決め治具を使用して、半導体チップ１１の位置決めが行われるが、図１及び図２では位置決め治具の図示を省略している。
【００２６】
本実施の形態では、はんだ１２として、融点が２２０℃程度のもの（ＳｎＡｇ）を使用している。また、基板１０として、セラミック基板とパターン層（金属層）を備えるものを使用している。セラミック基板は、必要とされる絶縁特性、熱伝導率および機械的強度を満たしていれば、どのようなセラミックから形成されていてもよい。例えば、酸化アルミニウムや窒化アルミニウムが適用可能である。また、金属層としては、電気伝導率が高く、はんだとの濡れ性に優れたものであればよい。例えば、銅やアルミニウムなどが適用可能である。
【００２７】
次に、図１に示すように、はんだ１２を介して半導体チップ１１を搭載した基板１０を、ヒータ２０の上に配置する。すなわち、基板１０のうち半導体チップ１１が搭載された面（表面）とは反対面（裏面）を、ヒータ２０に接触させる。そして、ヒータ２０により基板１０を加熱する。
【００２８】
ここで、ヒータ２０には、凹部２１が設けられている。ヒータ２０（の加熱面）は、基板１０とほぼ同じ大きさであり、基本的には、基板１０の全域を加熱するが、ヒータ２０に設けられた凹部２１は、ヒータ２０上に基板１０が配置された際、基板１０の裏面に接触しないため、凹部２１が配置されている凹部配置領域２１ａ（図３参照）では基板１０がヒータ２０により加熱されないようになっている。この凹部２１は、等幅（幅Ｗ）で四角環状に形成されており、チップ搭載領域１０ａを取り囲むように、チップ搭載領域１０ａの周りに位置する周辺領域１０ｂ（正確には周辺領域１０ｂの一部分）の裏面側に配置される。このため、基板１０においては、チップ搭載領域１０ａを取り囲むようにして、ヒータ２０によって直接加熱されない部分（凹部配置領域２１ａ）ができる。
【００２９】
これにより、基板１０は、ヒータ２０の凹部２１が配置されている凹部配置領域２１ａを除き、ヒータ２０によって直接加熱される。このように、ヒータ２０が基板１０のほぼ全域に接触するため、基板１０を効率よく加熱することができ、基板１０の加熱時間を短縮することができ、ダイボンドを効率良く行うことができる。
【００３０】
そして、基板１０の表面温度は、図３に示すように、チップ搭載領域１０ａの温度が、凹部２１が配置されている凹部配置領域２１ａの温度よりも高くなる。より詳細には、チップ搭載領域１０ａにて２８５℃（周縁では２８２℃）となり、周辺領域１０ｂでは、凹部２１が配置されている凹部配置領域２１ａにて２７５〜２８０℃、それ以外の領域（基板外縁）にて２８２℃〜２８５℃となる。これにより、チップ搭載領域１０ａと凹部配置領域２１ａとの温度差が５（＝２８５−２８０）℃以上となる。このように、ヒータ２０による基板１０の加熱時に、基板１０のチップ搭載領域１０ａ付近において、チップ搭載領域１０ａの温度が高く、その周辺に向かって温度が低くなる温度勾配（２８５℃→２８２℃→２８０℃→２７５℃）が形成される。
【００３１】
なお、ヒータ２０に設ける凹部２１の幅Ｗは、５ｍｍ以上とするのがよい。凹部２１の幅Ｗが５ｍｍよりも小さいと、基板１０の凹部２１を配置した凹部配置領域２１ａの温度低下が小さくなり、チップ搭載領域１０ａと凹部配置領域２１ａとの温度差を５℃以上にすることが困難となるからである。また、凹部２１の形状は、本実施の形態では四角環状になっているが、このような形状に限られることはなく、半導体チップの形状に応じて任意の形状にすることができる。
【００３２】
ヒータ２０によって基板１０が加熱されると、チップ搭載領域１０ａに配置されたはんだ１２が溶融する。このとき、溶融したはんだ１２は、温度が高い領域つまりチップ搭載領域１０ａで濡れ広がる。そして、溶融したはんだ１２は、より高温の部位へ濡れ広がるという特性があるため、低温の部位へは濡れ広がらない。この効果を得るためには、温度差が５℃以上あればよい。そして、本実施の形態では、周辺よりも５℃以上高温となっているチップ搭載領域１０ａで溶融したはんだ１２は、図４に示すように、高温のチップ搭載領域１０ａ内でのみ濡れ広がって周辺領域１０ｂへ流れ出すことなく留まる。従って、基板１０上における半導体チップ１１の搭載領域１０ａ外（つまり周辺領域１０ｂ）へのはんだ１２の滲み・流れ出しを防止することができる。
【００３３】
そして、基板１０のチップ搭載領域１０ａ付近において、チップ搭載領域１０ａの温度が高く、その周辺に向かって温度が低くなる温度勾配を形成するために、基板１０に対して何ら加工を行う必要がない。すなわち、チップ搭載領域１０ａ外へのはんだの滲み・流れ出しを防止するために、従来のように基板に流出防止壁やはんだ不濡れ部などを設ける必要がない。このため、本実施の形態に係るダイボンディング方法では、基板１０の小型化を図る（実装密度を大きくする）とともに、製品コストの上昇を抑制することができる。
【００３４】
以上、詳細に説明したように第１の実施の形態に係るダイボンディング方法によれば、はんだ１２を溶融させるために、ヒータ２０により基板１０を加熱する際、ヒータ２０の凹部２１を、チップ搭載領域１０ａを取り囲むようにチップ搭載領域１０ａの周りに位置する周辺領域１０ｂの裏面側に接触させて配置する。これにより、基板１０のチップ搭載領域１０ａ付近において、チップ搭載領域１０ａの温度が高く、その周辺に向かって温度が低くなる温度勾配が形成されるため、溶融したはんだ１２をチップ搭載領域１０ａ内で濡れ広がらせ、周辺領域１０ｂへ滲み・流れ出させることなくチップ搭載領域１０ａに留めることができる。
［第２の実施の形態］
次に、第２の実施の形態について説明する。第２の実施の形態は、第１の実施の形態と基本的な構成はほぼ同じであるが、ヒータの形状が異なっている。そのため、以下では、第１の実施の形態と同じ構成については図面に同じ符号を付してその説明を適宜省略し、第１の実施の形態との相違点について説明する。そこで、第２の実施の形態に係るダイボンディング方法について、図５及び図６を参照しながら説明する。図５は、第２の実施の形態に係るダイボンディング方法を説明するための図である。図６は、基板加熱時における基板の温度分布を示す図である。
【００３５】
まず、図５に示すように、第１の実施の形態と同様、基板１０のチップ搭載領域１０ａに箔状のはんだ１２を介して半導体チップ１１を配置する。そして、その基板１０の裏面をヒータ２５に接触させ、ヒータ２５により基板１０を加熱する。
【００３６】
ここで、ヒータ２５には、凸部２６が設けられている。凸部２６は、基板１０のチップ搭載領域１０ａとほぼ同じ大きさである。なお、凸部２６は、チップ搭載領域１０ａよりも若干小さくてもよい。このため、基板１０ではチップ搭載領域１０ａのみがヒータ２５によって加熱されるようになっている。
【００３７】
これにより、基板１０の表面温度は、図６に示すように、チップ搭載領域１０ａの温度が、周辺領域１０ｂの温度よりも高くなる。より詳細には、チップ搭載領域１０ａにて２８５℃（周縁では２８２℃）となり、周辺領域１０ｂにて２７０℃〜２８０℃となる。これにより、チップ搭載領域１０ａと周辺領域１０ｂとの温度差が５（＝２８５−２８０）℃以上となる。このように、ヒータ２５による基板１０の加熱時に、基板１０のチップ搭載領域１０ａ付近において、チップ搭載領域１０ａの温度が高く、その周辺に向かって温度が低くなる温度勾配（２８５℃→２８２℃→２８０℃→２７５℃→２７０℃）が形成される。
【００３８】
ヒータ２５によって基板１０が加熱されると、チップ搭載領域１０ａに配置されたはんだ１２が溶融する。このとき、チップ搭載領域１０ａと周辺領域１０ｂとの温度差が５℃以上あるため、溶融したはんだ１２は、高温のチップ搭載領域１０ａ内でのみ濡れ広がって周辺領域１０ｂへ流れ出すことなく留まる。従って、基板１０上における半導体チップ１１の搭載領域１０ａ外（つまり周辺領域１０ｂ）へのはんだ１２の滲み・流れ出しを防止することができる（図４参照）。
【００３９】
また、第１の実施の形態と同様に、従来のように基板に流出防止壁やはんだ不濡れ部などを設ける必要がないため、本実施の形態に係るダイボンディング方法でも、基板１０の小型化を図る（実装密度を大きくする）とともに、製品コストの上昇を抑制することができる。
【００４０】
このように、第２の実施の形態に係るダイボンディング方法によれば、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。また、ヒータ２５の形状がヒータ２０に比べて単純形状となっているため、設備構成の簡素化を図ることができる。
［第３の実施の形態］
次に、第３の実施の形態について説明する。第３の実施の形態は、第１の実施の形態と基本的な構成はほぼ同じであるが、基板に複数の半導体チップを接合する点が異なっている。そのため、以下では、第１の実施の形態と同じ構成については図面に同じ符号を付してその説明を適宜省略し、第１の実施の形態との相違点について説明する。そこで、第３の実施の形態に係るダイボンディング方法について、図７及び図８を参照しながら説明する。図７は、第３の実施の形態に係るダイボンディング方法を説明するための図である。図８は、基板加熱時における基板の温度分布を示す図である。
【００４１】
まず、図７に示すように、第１の実施の形態と同様にして、基板３０の各チップ搭載領域１０ａに対し、それぞれ箔状のはんだ１２を介して半導体チップ１１を配置する。そして、その基板３０の裏面をヒータ４０に接触させ、ヒータ４５により基板１０を加熱する。
【００４２】
ここで、ヒータ４０には、凹部２１が複数設けられている。各凹部２１は、等幅（幅Ｗ）で四角環状に形成されており、各チップ搭載領域１０ａを取り囲むように、チップ搭載領域１０ａの周りに位置する周辺領域１０ｂの裏面側に配置される。このため、基板１０においては、チップ搭載領域１０ａを取り囲むようにして、ヒータ２０によって直接加熱されない部分（凹部配置領域２１ａ）ができる。
【００４３】
これにより、基板３０は、ヒータ４０の凹部２１が配置されている凹部配置領域２１ａを除き、ヒータ４０によって直接加熱される。このように、ヒータ４０が基板３０のほぼ全域に接触するため、基板３０を効率よく加熱することができ、基板３０の加熱時間を短縮することができ、ダイボンドを効率良く行うことができる。特に、本実施の形態のように、複数の半導体チップを同時に接合する場合には、ダイボンド時間の短縮効果が非常に大きい。
【００４４】
そして、基板３０の表面温度は、図８に示すように、各チップ搭載領域１０ａの温度が、各凹部２１が配置されている各凹部配置領域２１ａの温度よりも高くなる。より詳細には、各チップ搭載領域１０ａにて２８５℃（周縁では２８２℃）となり、周辺領域１０ｂでは、各凹部２１が配置されている各凹部配置領域２１ａにて２７５〜２８０℃、それ以外の領域（凹部配置領域２１ａ間及び基板外縁）にて２８２℃〜２８５℃となる。これにより、各チップ搭載領域１０ａと各凹部配置領域２１ａとの温度差が５℃以上となる。このように、ヒータ４０による基板３０の加熱時に、基板３０の各チップ搭載領域１０ａ付近において、チップ搭載領域１０ａの温度が高く、その周辺に向かって温度が低くなる温度勾配（２８５℃→２８２℃→２８０℃→２７５℃）が形成される。
【００４５】
ヒータ４０によって基板３０が加熱されると、各チップ搭載領域１０ａに配置された各はんだ１２が溶融する。このとき、各チップ搭載領域１０ａと凹部配置領域２１ａとの温度差が５℃以上あるため、溶融したはんだ１２は、それぞれ高温の各チップ搭載領域１０ａ内でのみ濡れ広がって周辺領域１０ｂへ流れ出すことなく留まる。従って、基板３０上における各半導体チップ１１の各搭載領域１０ａ外（つまり周辺領域１０ｂ）へのはんだ１２の滲み・流れ出しを防止することができる（図４参照）。
【００４６】
また、第１の実施の形態と同様に、従来のように基板に流出防止壁やはんだ不濡れ部などを設ける必要がないため、本実施の形態に係るダイボンディング方法でも、基板３０における実装密度を大きくするとともに、製品コストの上昇を抑制することができる。
【００４７】
このように、第３の実施の形態に係るダイボンディング方法によれば、複数の半導体チップを接合する場合でも、第１の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
［第４の実施の形態］
最後に、第４の実施の形態について説明する。第４の実施の形態は、第２の実施の形態と基本的な構成はほぼ同じであるが、基板に複数の半導体チップを接合する点が異なっている。本実施の形態では、８つの半導体チップを基板に接合する。そのため、以下では、第２の実施の形態と同じ構成については図面に同じ符号を付してその説明を適宜省略し、第２の実施の形態との相違点について説明する。そこで、第４の実施の形態に係るダイボンディング方法について、図９及び図１０を参照しながら説明する。図９は、第４の実施の形態に係るダイボンディング方法を説明するための図である。図１０は、基板加熱時における基板の温度分布を示す図である。
【００４８】
まず、図９に示すように、第２の実施の形態と同様にして、基板３０の各チップ搭載領域１０ａに対し、それぞれ箔状のはんだ１２を介して半導体チップ１１を配置する。そして、その基板３０の各チップ搭載領域１０ａの裏面側をヒータ４５に接触させ、ヒータ４５により基板１０を加熱する。
【００４９】
ここで、ヒータ４５には、凸部２６が複数設けられている。各凸部２６は、基板１０の各チップ搭載領域１０ａとほぼ同じ大きさである。このため、基板３０では各チップ搭載領域１０ａがヒータ４５によって加熱されるようになっている。なお、各凸部２６は、各チップ搭載領域１０ａよりも若干小さくてもよい。
【００５０】
これにより、基板３０の表面温度は、図１０に示すように、各チップ搭載領域１０ａの温度が、周辺領域１０ｂの温度よりも高くなる。より詳細には、各チップ搭載領域１０ａにて２８５℃（周縁では２８２℃）となり、周辺領域１０ｂにて２７０℃〜２８０℃となる。これにより、各チップ搭載領域１０ａと周辺領域１０ｂとの温度差が５℃以上となる。このように、ヒータ４５による基板３０の加熱時に、基板３０の各チップ搭載領域１０ａ付近において、チップ搭載領域１０ａの温度が高く、その周辺に向かって温度が低くなる温度勾配（２８５℃→２８２℃→２８０℃→２７５℃→２７０℃）が形成される。
【００５１】
ヒータ４５によって基板３０が加熱されると、各チップ搭載領域１０ａに配置された各はんだ１２が溶融する。このとき、各チップ搭載領域１０ａと周辺領域１０ｂとの温度差が５℃以上あるため、溶融したはんだ１２は、それぞれ高温の各チップ搭載領域１０ａ内でのみ濡れ広がって周辺領域１０ｂへ流れ出すことなく留まる。従って、基板３０上における各半導体チップ１１の各搭載領域１０ａ外（つまり周辺領域１０ｂ）へのはんだ１２の滲み・流れ出しを防止することができる（図４参照）。
【００５２】
また、第２の実施の形態と同様に、従来のように基板に流出防止壁やはんだ不濡れ部などを設ける必要がないため、本実施の形態に係るダイボンディング方法でも、基板３０における実装密度を大きくするとともに、製品コストの上昇を抑制することができる。
【００５３】
このように、第４の実施の形態に係るダイボンディング方法によれば、複数の半導体チップを接合する場合でも、第２の実施の形態と同様の効果を得ることができる。
【００５４】
なお、上記した実施の形態は単なる例示にすぎず、本発明を何ら限定するものではなく、その要旨を逸脱しない範囲内で種々の改良、変形が可能であることはもちろんである。例えば、上記した実施の形態では、半導体チップを基板に接合する場合を例示したが、半導体チップを接合する被接合部材としては基板に限られず、リードフレームや放熱板などであってもよい。
【００５５】
また、上記した実施の形態では、基板としてセラミック基板を使用しているが、セラミック基板の代わりに樹脂基板を使用することもできる。
【００５６】
さらに、上記した実施の形態では、はんだとしてはんだ箔を使用しているが、糸はんだを使用することもできる。この場合には、基板加熱後にチップ搭載領域へ糸はんだを供給して溶融させればよい。また、上記した実施の形態では、融点が２２５℃程度のはんだを使用しているが、これよりも融点が低いはんだ、あるいは融点が高いはんだを使用することもできる。
【符号の説明】
【００５７】
１０    基板
１０ａ  チップ搭載領域
１０ｂ  周辺領域
１１    半導体チップ
１２    はんだ箔
２０    ヒータ
２１    凹部
２１ａ  凹部配置領域
２５    ヒータ
２６    凸部
３０    基板
４０    ヒータ
４５    ヒータ
Ｗ      （凹部の）幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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