(57)【要約】【課題】簡単な構成で高周波特性を向上させることが可能なＭＥＭＳリレーを提供する。【解決手段】ＭＥＭＳリレーは、可動部形成基板２に設けられたアーマチュア２４を電磁石装置４によって動かすことにより、信号線１３に設けられた固定接点１４と可動部形成基板２に設けられた可動接点２７とが接離する。ＭＥＭＳリレーは、信号線１３を囲むシールド構造部６を備える。可動部形成基板２は、可動部２３と接点保持部２８とが第１半導体基板２０を用いて形成され、フレーム部５は、第１半導体基板２０に比べて抵抗率の低い第２半導体基板５０を用いて形成され、シールド構造部６においてベース基板１に形成された第１シールド部６１に電気的に接続される第２シールド部６２を兼ねている。カバー基板３は、第１半導体基板２０に比べて抵抗率の低い第３半導体基板３０を用いて形成され、第２シールド部６２に電気的に接続される第３シールド部６３を兼ねている。【選択図】図１
2012212584.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚み方向の一表面側に信号線が設けられたベース基板と、前記ベース基板の前記一表面側に対向配置されたカバー基板と、前記ベース基板に収納された電磁石装置と、前記ベース基板と前記カバー基板との間に配置されたフレーム部と、前記フレーム部の内側に配置された可動部形成基板と、前記信号線を囲むシールド構造部とを備え、前記可動部形成基板が、前記ベース基板の前記一表面に当接する支点突起が一体に設けられ前記ベース基板に揺動自在に支持される可動部と、前記可動部における前記ベース基板側に配置され前記電磁石装置とともに磁気回路を構成する磁性体板からなるアーマチュアと、前記可動部に支持され前記アーマチュアの揺動に伴って前記信号線に設けられた固定接点に接離する可動接点が設けられた接点保持部とを有し、前記可動部形成基板は、前記可動部と前記接点保持部とが第１半導体基板を用いて形成され、前記フレーム部は、前記第１半導体基板に比べて抵抗率の低い第２半導体基板を用いて形成され、前記シールド構造部において前記ベース基板に形成された前記第１シールド部に電気的に接続される第２シールド部を兼ねていることを特徴とするＭＥＭＳリレー。
【請求項２】
前記カバー基板は、前記第１半導体基板に比べて抵抗率の低い第３半導体基板を用いて形成されてなり、前記シールド構造部において前記第２シールド部に電気的に接続される第３シールド部を兼ねていることを特徴とする請求項１記載のＭＥＭＳリレー。
【請求項３】
前記フレーム部と前記カバー基板とは、前記第２半導体基板と前記第３半導体基板との互いの対向面に形成された金属層同士を介して接合されてなることを特徴とする請求項２記載のＭＥＭＳリレー。
【請求項４】
前記カバー基板は、前記フレーム部とともに前記第２半導体基板を用いて形成されてなることを特徴とする請求項１記載のＭＥＭＳリレー。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ（micro electro mechanical systems）リレーに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、高周波用小型リレーとして、半導体微細加工技術を利用して形成されたＭＥＭＳリレーなどのマイクロリレーが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１には、図９〜図１１に示すように、ベース１００と、ベース１００の一面側に設けられる機能部２００と、機能部２００におけるベース１００側とは反対側に設けられるカバー３００と、駆動装置４００とを備えたマイクロリレーが開示されている。
【０００４】
ベース１００は、例えば、ガラス基板により形成されている。そして、ベース１００の上記一面側における長手方向の両端側それぞれには、一対の伝送線路１１１が形成されている。
【０００５】
また、ベース１００の上記一面側には、伝送線路１１１に電気的に接続される複数の固定接点１１２が形成されている。
【０００６】
機能部２００は、可動部２０１と、フレーム２２０とを有している。なお、フレーム２２０の外形サイズは、ベース１００の外形サイズを等しくしてある。
【０００７】
可動部２０１は、矩形板状に形成された本体部２１０を有している。この本体部２１０の長手方向の両端部それぞれの中央部には、接点用突片２１１が突設されている。接点用突片２１１におけるベース１００との対向面（図１１（ｂ）参照）には、可動接点２１２が設けられている。可動接点２１２は、一対の固定接点１１２それぞれに接触した際に当該一対の固定接点１１２間を短絡するように構成されている。
【０００８】
一方、本体部２１０の短手方向の両端部それぞれの中央部には、支点用突片２１３が突設されている。この支点用突片２１３におけるカバー３００との対向面（図１１（ａ）参照）には、支点突起２１４が設けられている。支点突起２１４は、可動部２０１の揺動動作（シーソ動作）の支点として用いられる。
【０００９】
このような可動部２０１は、複数（図示例では４つ）の支持片２２４によりフレーム２２０と一体に連結されている。４つの支持片２２４は、本体部２１０の中心に対して点対称となるように配置されている。
【００１０】
可動部２０１の本体部２１０におけるカバー３００との対向面には、アーマチュア２５０が設けられている。アーマチュア２５０は、駆動装置４００の電磁石装置４４１が発生する磁場により可動部２０１を揺動させるために用いられる。アーマチュア２５０は、本体部２１０に接合されている。また、可動部２０１におけるベース１００との対向面側には、レシジュアル（レシジャル）２６０が設けられている。
【００１１】
このような機能部２００は、可動接点２１２と一対の固定接点１１２とがそれぞれ対向する形で、フレーム２２０をベース１００に接合することによって、ベース１００の上記一面側に取り付けられる。
【００１２】
カバー３００は、絶縁性材料、例えば、ガラス基板により形成されている。カバー３００の外形サイズは、ベース１００の外形サイズと等しくしてある。カバー３００におけるフレーム２２０側とは反対側の面の中央部には、カバー３００を厚み方向に貫通する開孔部３３１が形成されている。開孔部３３１は、駆動装置４００を収容できる大きさに形成されている。このカバー３００におけるフレーム２２０側の面には、開孔部３３１全体を閉塞する閉塞板３３２が密着接合されている。
【００１３】
駆動装置４００は、アーマチュア２５０を吸引する磁場を発生させる電磁石装置４４１と、可動部２０１をラッチするための永久磁石４４２とを備えている。電磁石装置４４１は、ヨーク４４３と、一対のコイル４４４とを備えている。ここで、駆動装置４００は、可動接点２１２が一対の固定接点１１２に対して接離するように可動部２０１を揺動させる。また、駆動装置４００は、一対のコイル端子４４５が設けられており、一対のコイル端子４４５間に電圧を印加することで、両コイル４４４に電流が流れる。
【００１４】
また、カバー３００における機能部２００側とは反対側の面には、配線パターン３３３が形成されている。そして、駆動装置４００は、各配線パターン３３３の各々の一端部に、コイル端子４４５が半田付けなどによって接合され電気的に接続されている。
【００１５】
また、上述のマイクロリレーでは、ベース１００の他面側に、コイル４４４に通電するための駆動電極１１３が形成されている。
【００１６】
また、上述のマイクロリレーでは、駆動電極１１３と電磁石装置４４１とを電気的に接続する配線路７００が形成されている。この配線路７００は、ベース１００を厚み方向に貫通する貫通孔配線１１４と、フレーム２２０を厚み方向に貫通する貫通孔配線２２６と、カバー３００を厚み方向に貫通する貫通孔配線３３４とで構成されている。
【００１７】
また、特許文献１には、カバー３００におけるフレーム２２０側の面（好ましくは全面）に、シールド層を形成してもよく、このようなシールド層を形成すれば、電磁石装置４４１が発生する磁場の影響が、固定接点１１２や可動接点２１２に及んでしまうことを抑制することができ、高周波特性を向上することができる旨が記載されている。
【００１８】
また、特許文献１には、ベース１００がシリコン基板により形成されていれてもよいことが記載されている。また、特許文献１には、シリコン基板として、高抵抗のシリコンを用いた高抵抗シリコン基板を用いることが好ましく、これにより、高周波特性（特にスローウェーブモードでの高周波特性）を向上することができる旨が記載されている。
【００１９】
また、特許文献１のマイクロリレーと同様の構成において、高周波信号の伝送ロスを低減することを可能とする構造として、図１２に示すように、ベース１００の一表面側に形成された伝送線路１１１と、伝送線路１１１の周囲に配置され且つ伝送線路１１１から電気的に絶縁された接地線路５００とを備えた配線構造が提案されている（特許文献２）。この接地線路５００は、ベース１００に形成される５つの導電部５１０〜５１４と、機能部２００に形成される２つの導電部５１５，５１６と、カバー３００に形成される１つの導電部５１７とを備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２０】
【特許文献１】特開２０１０−１５３３１７号公報
【特許文献２】特開２０１０−１７０９８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
上述の配線構造を備えたマイクロリレーでは、高周波特性を向上させることが可能となる。しかしながら、接地線路５００を構成するために、ベース１００に形成される５つの導電部５１０〜５１４と、カバー３００に形成される１つの導電部５１７とを電気的に接続するために、機能部２００に２つの導電部５１５，５１６を形成する必要があり、製造工程が複雑になり、製造コストが高くなってしまう。また、特許文献１のマイクロリレーでは、ベース１００を厚み方向に貫通する貫通孔配線１１４と、フレーム２２０を厚み方向に貫通する貫通孔配線２２６と、カバー３００を厚み方向に貫通する貫通孔配線３３４とで構成される配線路７００を形成する必要があり、これによっても、製造工程が複雑になり、製造コストが高くなってしまう。
【００２２】
本発明は上記事由に鑑みて為されたものであり、その目的は、簡単な構成で高周波特性を向上させることが可能なＭＥＭＳリレーを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
本発明のＭＥＭＳリレーは、厚み方向の一表面側に信号線が設けられたベース基板と、前記ベース基板の前記一表面側に対向配置されたカバー基板と、前記ベース基板に収納された電磁石装置と、前記ベース基板と前記カバー基板との間に配置されたフレーム部と、前記フレーム部の内側に配置された可動部形成基板と、前記信号線を囲むシールド構造部とを備え、前記可動部形成基板が、前記ベース基板の前記一表面に当接する支点突起が一体に設けられ前記ベース基板に揺動自在に支持される可動部と、前記可動部における前記ベース基板側に配置され前記電磁石装置とともに磁気回路を構成する磁性体板からなるアーマチュアと、前記可動部に支持され前記アーマチュアの揺動に伴って前記信号線に設けられた固定接点に接離する可動接点が設けられた接点保持部とを有し、前記可動部形成基板は、前記可動部と前記接点保持部とが第１半導体基板を用いて形成され、前記フレーム部は、前記第１半導体基板に比べて抵抗率の低い第２半導体基板を用いて形成され、前記シールド構造部において前記ベース基板に形成された前記第１シールド部に電気的に接続される第２シールド部を兼ねていることを特徴とする。
【００２４】
このＭＥＭＳリレーにおいて、前記カバー基板は、前記第１半導体基板に比べて抵抗率の低い第３半導体基板を用いて形成されてなり、前記シールド構造部において前記第２シールド部に電気的に接続される第３シールド部を兼ねていることが好ましい。
【００２５】
このＭＥＭＳリレーにおいて、前記フレーム部と前記カバー基板とは、前記第２半導体基板と前記第３半導体基板との互いの対向面に形成された金属層同士を介して接合されてなることが好ましい。
【００２６】
このＭＥＭＳリレーにおいて、前記カバー基板は、前記フレーム部とともに前記第２半導体基板を用いて形成されてなることが好ましい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明のＭＥＭＳリレーにおいては、簡単な構成で高周波特性を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】実施形態１のＭＥＭＳリレーを示す概略断面図である。
【図２】同上のＭＥＭＳリレーを示す概略分解斜視図である。
【図３】同上のＭＥＭＳリレーにおける要部の概略分解斜視図である。
【図４】同上のＭＥＭＳリレーにおける要部を示し、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は一部破断した概略断面図、（ｃ）は一部破断した概略下面図である。
【図５】同上のＭＥＭＳリレーの分解断面図である。
【図６】実施形態２のＭＥＭＳリレーの分解断面図である。
【図７】実施形態３のＭＥＭＳリレーの分解断面図である。
【図８】実施形態４のＭＥＭＳリレーの概略断面図である。
【図９】従来例のマイクロリレーの一部を切り欠いた斜視図である。
【図１０】同上のマイクロリレーの分解斜視図である。
【図１１】同上のマイクロリレーにおける機能部を示し、（ａ）は上面図、（ｂ）は下面図である。
【図１２】従来例の配線構造を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ断面図、（ｄ）は（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
（実施形態１）
以下、本実施形態のＭＥＭＳリレーについて図１〜図５を参照しながら説明する。
【００３０】
ＭＥＭＳリレーは、ベース基板１と、ベース基板１の厚み方向の一表面側に対向配置されたカバー基板３と、ベース基板１とカバー基板３との間に配置されたフレーム部５と、フレーム部５の内側に配置された可動部形成基板２とを備えている。また、ＭＥＭＳリレーは、ベース基板１に形成された収納部１６に収納された電磁石装置４と、後述の信号線１３を囲むシールド構造部６とを備えている。このＭＥＭＳリレーは、可動部形成基板２に設けられた磁性体板からなるアーマチュア２４を電磁石装置４によって動かすことにより、ベース基板１の上記一表面側の信号線１３に設けられた固定接点１４と可動部形成基板２に設けられた可動接点２７とが接離する電磁駆動式のリレーである。なお、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、ベース基板１とフレーム部５とカバー基板３との外形サイズを、同じ値に設定してある。
【００３１】
以下、ＭＥＭＳリレーの各構成要素について詳細に説明する。
【００３２】
ベース基板１は、絶縁性基板の一種であるガラス基板からなる基板１０を用いて形成されている。基板１０は、ガラス基板に限らず、例えば、高抵抗率のシリコン基板や、低温同時焼成セラミック基板（Low Temperature Co-fired Ceramic Substrate：ＬＴＣＣ基板）を用いてもよい。基板１０として用いるガラス基板のガラス材料としては、硼珪酸ガラスを採用しているが、これに限らず、ソーダガラス、無アルカリガラス、石英ガラスなどを採用してもよい。硼珪酸ガラスとしては、例えば、パイレックス（登録商標）やテンパックス（登録商標）を採用することができる。また、高抵抗率のシリコン基板としては、例えば、ＭＥＭＳリレーを高周波信号の伝送用に用いる場合、抵抗率がより高い方が好ましく、例えば、伝送対象の高周波信号の周波数が６ＧＨｚであれば、抵抗率が１００Ωｃｍ以上であることが好ましく、１０００Ωｃｍ以上であることがより好ましい。また、伝送対象の高周波信号の周波数が高いほど、抵抗率が高い方が好ましい。
【００３３】
上述のベース基板１は、矩形板状に形成されており、上記一表面側において基板１０の長手方向の両端部それぞれに一対の信号線１３，１３が形成されている。ここで、各一対の信号線１３，１３は、ベース基板１の上記一表面側において基板１０の短手方向に沿って配置されている。また、ベース基板１は、各信号線１３それぞれの一端部に、上述の固定接点１４が設けられ、各信号線１３それぞれの他端部が、基板１０の厚み方向に貫設された貫通孔配線１５と電気的に接続されている。
【００３４】
また、信号線１３は、金属層（例えば、Ａｕ層）により構成されている。信号線１３の材料としては、例えば、Ａｕ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓの群から選択される１種あるいはこれらの合金を採用することができる。
【００３５】
固定接点１４の材料としては、例えば、Ａｕなどの導電性が良好な金属材料を採用することが好ましい。また、固定接点１４は、例えば、スパッタ法、電気めっき法、真空蒸着法などを利用して形成すればよい。なお、固定接点１４は、単層構造に限らず、多層構造でもよい。また、固定接点１４の材料は、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕや、これらの合金などを採用することができる。
【００３６】
また、ベース基板１において上述の貫通孔配線１５が内側に設けられた貫通孔１２（図５参照）は、ベース基板１の上記一表面から上記他表面に近づくにつれて開口面積が徐々に大きくなるテーパ形状に形成されている。ここで、貫通孔配線１５は、貫通孔１２の内面に沿って形成されベース基板１の上記一表面側において貫通孔１２を閉塞している。
【００３７】
また、ベース基板１は、上述のように電磁石装置４を収納する収納部１６が形成されている。ここで、ベース基板１は、基板１０の中央部に、厚み方向に貫通し電磁石装置４が挿入される開口部１７が形成されている。また、ベース基板１は、基板１０における可動部形成基板２側の一表面側に、開口部１７を閉塞する薄膜状の蓋体部１８が接合されている。要するに、ベース基板１は、開口部１７の内周面と蓋体部１８とで囲まれた空間が収納部１６を構成している。これにより、本実施形態のＭＥＭＳリレーは、ベース基板１と可動部形成基板２のフレーム部２１とカバー基板３とで囲まれた空間を、気密空間とすることが可能となっている。なお、蓋体部１８の材料としては、Ｓｉを採用している。蓋体部１８の厚さは、電磁石装置４からアーマチュア２４に作用させる吸引力などの観点から５μｍ〜５０μｍ程度が好ましく、蓋体部１８の機械的強度などの観点から２０μｍ〜３０μｍ程度がより好ましい。
【００３８】
上述の開口部１７は、基板１０の上記一表面から他表面に近づくにつれて開口面積が徐々に大きくなるテーパ形状となっている。しかして、ベース基板１は、可動部形成基板２側とは反対側から電磁石装置４を挿入し易く、且つ、基板１０の上記一表面における開口部１７の開口面積を比較的小さくすることができる。なお、上述の開口部１７および貫通孔１２は、例えば、サンドブラスト法やエッチング法などによって形成すればよい。
【００３９】
電磁石装置４は、Ｕ字状のヨーク４０と、ヨーク４０に巻回された２つのコイル４２，４２とを備えている。ヨーク４０は、両コイル４２，４２が直接巻回される細長の矩形板状のコイル巻回部４０ａと、コイル巻回部４０ａの長手方向の両端部それぞれからコイル巻回部４０ａの厚み方向に延設された側片４０ｂ，４０ｂとを有している。そして、ヨーク４０は、コイル４２，４２への励磁電流に応じて一対の側片４０ｂ，４０ｂの互いの先端面が異極に励磁される。なお、ヨーク４０は、電磁軟鉄などの鉄板を曲げ加工、鋳造加工、プレス加工などにより加工することによって形成されており、両側片４０ｂ，４０ｂの断面が矩形状となっている。
【００４０】
また、電磁石装置４は、ヨーク４０の両側片４０ｂ，４０ｂの間でコイル巻回部４０ａの長手方向の中央部に重ねて配置された矩形板状の永久磁石４１を備えている。しかして、電磁石装置４は、永久磁石４１とヨーク４０の側片４０ｂ，４０ｂとによって、コイル巻回部４０ａの長手方向への各コイル４２，４２の移動が規制される。
【００４１】
上述の電磁石装置４は、２つのコイル４２，４２に励磁電流を通電したときに電磁力を発生するものであり、この電磁力によって、矩形板状のアーマチュア２４の長手方向の両端部のうちの一方を吸引する吸引力、当該両端部のうちの他方を反発する反発力を発生させることができる。
【００４２】
永久磁石４１は、厚み方向の両面それぞれの磁極面が異極に着磁されており、一方の磁極面がヨーク４０のコイル巻回部４０ａに当接し、他方の磁極面がヨーク４０の両側片４０ｂ，４０ｂの先端面と同一平面上に位置するように厚み寸法を設定してある。ここにおいて、上述の電磁石装置４は、ヨーク４０の両側片４０ｂ，４０ｂの各先端面および永久磁石４１の上記他方の磁極面が蓋体部１８に当接する形で収納部１６に収納されている。しかして、電磁石装置４における永久磁石４１の上記他方の磁極面とヨーク４０の両側片４０ｂ，４０ｂの先端面とを同一平面上に位置させることができるので、電磁石装置４とアーマチュア２４との間のギャップ長の精度を高めることが可能となる。
【００４３】
また、電磁石装置４は、細長の矩形板状に形成されたプリント基板４３を備えており、プリント基板４３の導体パターン（図示せず）を介してコイル４２，４２へ励磁電流が流れるようになっている。コイル４２，４２は、励磁電流を流したときにヨーク４０の両側片４０ｂ，４０ｂの先端面が互いに異なる磁極となるように接続されている。
【００４４】
可動部形成基板２は、高抵抗率の第１のシリコン基板からなる第１半導体基板２０を用いて形成された後述の可動部２３を備えている。第１のシリコン基板としては、例えば、ＭＥＭＳリレーを高周波信号の伝送用に用いる場合、抵抗率がより高い方が好ましく、例えば、伝送対象の高周波信号の周波数が６ＧＨｚであれば、抵抗率が１００Ωｃｍ以上であることが好ましく、１０００Ωｃｍ以上であることがより好ましい。
【００４５】
第１半導体基板２０は、シリコン基板に限らず、例えば、シリコン層／絶縁層（ＳｉＯ２層）／シリコン層の３層構造を有するＳＯＩ（Silicon  On  Insulator）基板や、シリコン層／絶縁層（ＳｉＯ２層）／シリコン層／絶縁層（ＳｉＯ２層）／シリコン層の５層構造（ダブルＳＯＩ構造）を有するダブルＳＯＩ基板などを用いてもよい。なお、各シリコン層は、上述の高抵抗率のシリコン基板と同様に、抵抗率が高いことが好ましい。
【００４６】
可動部形成基板２は、ベース基板１の上記一表面に当接する支点突起２３ｃを有しベース基板１に揺動自在に支持される可動部２３を備えている。また、可動部形成基板２は、可動部２３におけるベース基板１側に配置され電磁石装置４とともに磁気回路を構成する磁性体板からなるアーマチュア２４と、アーマチュア２４の中央部との間に可動部２３を挟んで配置されたプレート２５とを有している。また、可動部形成基板２は、可動部２３に支持されアーマチュア２４の揺動に伴って一対の固定接点１４に接離する可動接点２７が設けられた接点保持部２８を有している。
【００４７】
アーマチュア２４を構成する磁性体板の材料としては、鉄−コバルト合金からなる磁性体材料を採用しているが、これに限らず、例えば、電磁軟鉄、電磁ステンレス、パーマロイなどの磁性体材料であればよい。
【００４８】
また、プレート２５の材料としては、フェライト系ステンレス鋼の一種であるＳＵＳ４３０を採用しているが、これに限らず、例えば、ＳＵＳ４３０以外のステンレス鋼や、金属、合金などを採用してもよい。
【００４９】
プレート２５は、可動部２３の厚み方向に貫通した貫通孔２９を通してアーマチュア２４に溶接されている。プレート２５をアーマチュア２４に溶接するにあたっては、可動部２３の一面側にアーマチュア２４を配置し他面側にプレート２５を配置した状態で、プレート２５において貫通孔２９に対応する部分にレーザ光を照射してプレート２５を局所的に溶融させてアーマチュア２４に溶接させるようにしている。要するに、プレート２５は、アーマチュア２４にレーザ溶接法により溶接されている。なお、レーザ溶接法により溶接する際のレーザ光源としては、例えば、ＹＡＧレーザを用いればよいが、これに限定するものではなく、例えば、プレート２５の材料に応じて適宜変更してもよい。
【００５０】
可動部２３には、上述の貫通孔２９が２つ形成されている。これら２つの貫通孔２９は、可動部２３の長手方向の中央部において可動部２３の短手方向に沿った中心線上で並んで形成されている。また、各貫通孔２９は、円形状の開口形状となっている。これに対して、プレート２５は、長手方向の寸法が、可動部２３の短手方向の寸法よりも大きな値に設定されている。また、プレート２５は、長手方向の中間部における短手方向の寸法が、貫通孔２９の内径よりも大きな値に設定されている。なお、各貫通孔２９の開口形状は特に限定するものではない。要するに、プレート２５の短手方向の寸法は、可動部２３の上記他面における貫通孔２９の最大寸法（可動部２３の長手方向における貫通孔２９の最大寸法）よりも大きな値であればよい。
【００５１】
そして、プレート２５は、可動部２３の各貫通孔２９を通してアーマチュア２４に溶接されている。要するに、プレート２５は、アーマチュア２４に２箇所が溶接されている。なお、溶接箇所は、２箇所に限定するものではない。
【００５２】
ところで、可動部形成基板２は、可動部２３とアーマチュア２４とプレート２５とを含む部分が、可動部２３の短手方向に沿った中心線に対して対称となり、且つ、可動部２３の長手方向に沿った中心線に対して対称となるように、可動部２３の上記一面におけるアーマチュア２４の配置領域を規定し、可動部２３の上記他面におけるプレート２５の配置領域を規定している。要するに、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、可動部２３の重心とアーマチュア２４およびプレート２５各々の重心とが一直線上に位置するように上記各配置領域を規定している。さらに、可動部形成基板２は、可動部２３の短手方向に沿った中心線に対して対称となり、且つ、可動部２３の長手方向に沿った中心線に対して対称となるように設計してある。
【００５３】
また、可動部形成基板２は、可動部２３に、可動部２３の上記一面から突設されアーマチュア２４を位置決めする第１突起２３ｇ（図３、図４参照）と、可動部２３の上記他面から突設されプレート２５を位置決めする第２突起２３ｆ（図２、図４参照）とが一体に設けられている。
【００５４】
第１突起２３ｇの突出寸法は、第１突起２３ｇがアーマチュア２４の揺動範囲を狭めないように、アーマチュア２４の厚さ寸法よりも小さい方が好ましい。例えば、アーマチュア２４の厚さ寸法が１００μｍの場合、第１突起２３ｇの突出寸法は、１０μｍ程度であれば十分である。なお、これらの数値は一例であり、特に限定するものではない。
【００５５】
また、第２突起２３ｆの突出寸法は、第２突起２３ｆがプレート２５の揺動範囲を狭めないように、プレート２５の厚さ寸法よりも小さい方が好ましい。例えば、プレート２５の厚さ寸法が１００μｍの場合、第２突起２３ｆの突出寸法は、１０μｍ程度であれば十分である。なお、これらの数値は一例であり、特に限定するものではない。
【００５６】
また、可動部形成基板２は、第１突起２３ｇおよび第２突起２３ｆの各々を複数備え、複数の第１突起２３ｇが、可動部２３の上記一面側においてアーマチュア２４の規定の配置領域を囲むように配置され、複数の第２突起２３ｆが、可動部２３の上記他面側においてプレート２５の規定の配置領域を囲むように配置されていることが好ましい。要するに、可動部形成基板２は、複数の第１突起２３ｇが、アーマチュア２４の外周に沿って配置され、複数の第２突起２３ｆが、プレート２５の外周に沿って配置されている。本実施形態では、第１突起２３ｇの数を８個、第２突起２３ｆの数を６個としてあるが、これらの数は特に限定するものではない。ただし、第１突起２３ｇは、可動部２３の上記一面側において、可動部２３の短手方向に沿った中心線に対して線対称に配置され、且つ、可動部２３の長手方向に沿った中心線に対して線対称に配置されていることが好ましい。また、第２突起２３ｆは、可動部２３の上記他面側において、可動部２３の短手方向に沿った中心線に対して線対称に配置され、且つ、可動部２３の長手方向に沿った中心線に対して線対称に配置されていることが好ましい。各第１突起２３ｇおよび各第２突起２３ｆは、各々、平面形状を矩形状としてあるが、これらの形状は矩形状に限らず、例えば、円形状、三角形状、多角形状でもよい。また、複数の第１突起２３ｇは、全てが同じ形状である必要はない。また、複数の第２突起２３ｆは、全てが同じ形状である必要はない。また、第１突起２３ｇについては、可動部２３の上記一面側においてアーマチュア２４の規定の配置領域を囲む枠状の形状として１個だけにしてもよい。また、第２突起２３ｆについては、可動部２３の上記他面側においてプレート２５の規定の配置領域を囲む枠状の形状として１個だけにしてもよい。また、第１突起２３ｇは、アーマチュア２４の規定の配置領域との間に所定の第１隙間（例えば、１０μｍ程度）を設けるように形成位置を設計してある。これにより、アーマチュア２４の配置が容易になるとともに、アーマチュア２４の寸法公差などに起因してアーマチュア２４を配置できないような不具合の発生を抑制することが可能となる。また、第２突起２３ｆは、プレート２５の規定の配置領域との間に所定の第２隙間（例えば、１０μｍ程度）を設けるように形成位置を設計してある。これにより、プレート２５の配置が容易になるとともに、プレート２５の寸法公差などに起因してプレート２５を配置できないような不具合の発生を抑制することが可能となる。
【００５７】
可動部形成基板２は、可動部２３の厚みがフレーム部５の厚みよりも薄く、アーマチュア２４の厚み寸法を、可動部形成基板２がベース基板１に揺動自在に支持された状態においてアーマチュア２４とベース基板１との間に適宜の空隙が形成されるように設定してある。また、プレート２５の厚み寸法は、可動部２３とカバー基板３との間に適宜の空隙が形成されるように設定されている。フレーム部５は、第２半導体基板５０を用いて形成されている。本実施形態では、フレーム部５の厚さを２００μｍ、可動部２３の厚さを５０μｍ、アーマチュア２４の厚さを１００μｍ、プレート２５の厚さを１００μｍに設定してあるが、これらの数値は一例であり、特に限定するものではない。例えば、フレーム部５は、第２半導体基板５０として第２のシリコン基板を用いる場合、第２のシリコン基板の基礎となるシリコンウェハの厚さに応じて適宜変更してもよく、例えば、５０μｍ〜１０００μｍ程度の範囲で設定してもよく、第２半導体基板５０の厚さ寸法および第１半導体基板２０の厚さ寸法に基づいて、可動部２３の厚さ、アーマチュア２４の厚さ、およびプレート２５の厚さ、それぞれを適宜変更すればよい。ただし、アーマチュア２４の厚さ寸法は、電磁石装置４による所望の吸引力を確保するように設定する必要がある。これに対して、可動部２３およびプレート２５それぞれの厚さ寸法は、ＭＥＭＳリレーの小型化を図るなどの観点からは小さい方が好ましい。
【００５８】
また、第２半導体基板５０としては、第１半導体基板２０に比べて抵抗率の低い第２のシリコン基板（低抵抗率のシリコン基板）を用いている。要するに、フレーム部５は、第１半導体基板２０に比べて抵抗率の低い第２半導体基板５０を用いて形成されている。第２のシリコン基板としては、例えば、ＭＥＭＳリレーを高周波信号の伝送用に用いる場合、抵抗率が導体の抵抗率により近い方が好ましい。具体的には、抵抗率が０．１Ωｃｍ以下であることが好ましく、０．０１Ωｃｍ以下であることがより好ましい。また、伝送対象の高周波信号の周波数が高いほど、抵抗率が低い方が好ましい。
【００５９】
本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、フレーム部５が、矩形枠状に形成され、可動部２３が、矩形板状に形成されている。また、アーマチュア２４は、可動部２３よりも小さな矩形板状に形成されている。また、プレート２５は、長手方向の寸法が可動部２３の短手方向の寸法よりもやや大きな細長の板状に形成されており、長手方向の両端部が先細り状の形状となっている。そして、プレート２５は、可動部２３の長手方向の中央部において、プレート２５の長手方向を可動部２３の短手方向に合わせて配置されている。なお、プレート２５の形状は、特に限定するものではなく、例えば、長方形状でもよいし、菱形状でもよい。
【００６０】
また、可動部形成基板２は、可動部２３の短手方向の両側縁それぞれの中央部から矩形状の第１突片２３ａが１つずつ延設されている。一方、フレーム部５は、このフレーム部５の内周面において可動部２３の各第１突片２３ａの各々に対応する各部位から、矩形状の第２突片５３ａが１つずつ延設されている。すなわち、可動部形成基板２とフレーム部５とは、１対１で対応する第１突片２３ａと第２突片５３ａとの、互いの先端面同士が対向している。ここにおいて、可動部２３から延設された各第１突片２３ａの各々の先端面には、凸部２３ｂが形成されている。一方、フレーム部５から延設された各第２突片５３ａの各々の先端面には、凸部２３ｂが入り込む凹部５３ｂが形成されている。したがって、可動部形成基板２は、凸部２３ｂが凹部５３ｂの内周面に当接することにより、フレーム部５の厚み方向に直交する面内における可動部２３の移動が規制される。
【００６１】
可動部形成基板２は、可動部２３の各第１突片２３ａにおけるベース基板１との対向面に、上述の支点突起２３ｃが突設されている。この支点突起２３ｃは、可動部２３が当該可動部２３に一体化されているアーマチュア２４とともに揺動（回動）する際の支点として機能する。要するに、可動部形成基板２は、可動部２３の短手方向において離間して配置された２つの支点突起２３ｃがベース基板１の上記一表面に当接しており、一対の支点突起２３ｃ，２３ｃを結ぶ直線を回動軸として回動可能となっている。
【００６２】
また、可動部形成基板２は、可動部２３の４隅から当該可動部２３の短手方向の両側に向かって矩形状の第３突片２３ｄが延設され、各第３突片２３ｄにおけるベース基板１との対向面には、可動部２３の揺動範囲を規制するストッパ部２３ｅ（図３参照）が形成されている。これらのストッパ部２３ｅは、ベース基板１の上記一表面と接触することにより、可動部２３の変位量を制限する。これにより、ＭＥＭＳリレーは、アーマチュア２４と蓋体部１８とが接触することを回避することが可能となり、アーマチュア２４や蓋体部１８が破損するのを防止することが可能となる。
【００６３】
また、可動部形成基板２は、可動部２３の長手方向の両側に接点保持部２８，２８が配置されている。各接点保持部２８は、一対のばね部（以下、接圧ばね部と称する）２６，２６を介して可動部２３に支持されている。各接点保持部２８には、ベース基板１の厚み方向において対向する一対の固定接点１４，１４に接離する可動接点２７が設けられている。可動接点２７は、固定接点１４と同様に、Ａｕなどの導電性が良好な金属材料からなる金属膜により構成されている。なお、可動接点２７は、スパッタ法や、電気めっき法、真空蒸着法などを利用して形成すればよい。可動接点２７は、単層構造に限らず、多層構造でもよく、例えば、Ｔｉ膜とＡｕ膜との積層膜でもよい。また、可動接点２７の材料は、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕや、これらの合金などを採用することができる。
【００６４】
各接点保持部２８の厚さ寸法は、フレーム部５の厚さ寸法よりも小さく且つ可動部２３の厚さ寸法よりも小さな値に設定してある。また、接点保持部２８の厚み方向において重なる接点保持部２８と可動接点２７とを合わせた厚さ寸法も、このような条件を満たす値に設定してある。各接点保持部２８は、平面視形状が細長の矩形状であり、短手方向が可動部２３の長手方向に一致するように配置されている。
【００６５】
各接圧ばね部２６は、一端部が可動部２３の長手方向に沿った側縁に連結され、他端部が接点保持部２８の短手方向に沿った側縁に連結されており、上記一端部と上記他端部との間の中間部の一部を、可動部２３の厚み方向に直交する面内で蛇行した形状としてある。また、各接圧ばね部２６の長さは、同じとしてある。しかして、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、各接圧ばね部２６の長さを適当な長さとして各接圧ばね部２６のばね力を適宜設定することにより、各可動接点２７と対応する一対の固定接点１４，１４との接点圧を所望の大きさに設定することが可能となり、各可動接点２７と対応する一対の固定接点１４，１４との接触信頼性を向上させることが可能となる。
【００６６】
可動部形成基板２は、ベース基板１およびカバー基板３に接合されたフレーム部５の内側に配置されてベース基板１の厚み方向に直交する方向へ移動がフレーム部５により規制され、ベース基板１の収納部１６に収納されている電磁石装置４の電磁力によりベース基板１の厚み方向への移動が規制される。これにより、可動部形成基板２は、各可動接点２７が、対応する一対の固定接点１４，１４に対向し当該一対の固定接点１４，１４間を短絡する位置と開放する位置との間で変位可能となっている。ここで、説明を簡単にするために、図２において右側に位置している一対の固定接点１４，１４を一対の第１固定接点１４ａ，１４ａ、第１固定接点１４ａ，１４ａに対応する可動接点２７を第１可動接点２７ａ（図３参照）、図２において左側に位置している一対の固定接点１４，１４を一対の第２固定接点１４ｂ，１４ｂ、第２固定接点１４ｂ，１４ｂに対応する可動接点２７を第２可動接点２７ｂ（図３参照）と称することもある。
【００６７】
可動部形成基板２は、アーマチュア２４の動作（揺動）に伴って、第１可動接点２７ａが一対の第１固定接点１４ａ，１４ａ間を短絡し且つ第２可動接点２７ｂが一対の第２固定接点１４ｂ，１４ｂ間を開放した第１状態と、第１可動接点２７ａが一対の第１固定接点１４ａ，１４ａ間を開放し且つ第２可動接点２７ｂが一対の第２固定接点１４ｂ，１４ｂ間を短絡した第２状態とが交互に現われる。
【００６８】
ここで、可動部形成基板２の基礎となる第１半導体基板２０として、上述のダブルＳＯＩ基板を用いれば、可動部２３とベース基板１との距離をベース基板１側のシリコン層の厚みによって規定することが可能となる。これにより、ＭＥＭＳリレーは、可動接点２７と対応する一対の固定接点１４，１４とが開放されている状態での可動接点２７と一対の固定接点１４，１４との間の距離（絶縁距離）を高精度に設定することが可能となり、また、アーマチュア２４と電磁石装置４との距離（磁気ギャップ長）を高精度に設定することが可能となる。
【００６９】
上述のアーマチュア２４およびプレート２５については、各々、打ち抜き加工などの機械加工技術を利用して形成してある。
【００７０】
一方、可動部形成基板２は、アーマチュア２４およびプレート２５以外の構成要素を、マイクロマシニング技術などを利用して形成してある。つまり、可動部形成基板２の可動部２３、第１突片２３ａ、支点突起２３ｃ、接圧ばね部２６、接点保持部２８、第１突起２３ｆおよび第２突起２３ｇは、第１半導体基板２０（第１半導体基板２０の基礎となるウェハ）を、フォトリソグラフィ技術、エッチング技術などの半導体プロセス技術を利用して加工することにより形成してある。
【００７１】
また、カバー基板３は、第３半導体基板３０を用いて形成されている。第３半導体基板３０としては、第１半導体基板２０に比べて抵抗率の低い第３のシリコン基板（低抵抗率のシリコン基板）を用いている。要するに、カバー基板３は、第１半導体基板２０に比べて抵抗率の低い第３半導体基板３０を用いて形成されている。第３のシリコン基板としては、例えば、ＭＥＭＳリレーを高周波信号の伝送用に用いる場合、抵抗率が導体の抵抗率により近い方が好ましい。具体的には、抵抗率が０．１Ωｃｍ以下であることが好ましく、０．０１Ωｃｍ以下であることがより好ましい。また、伝送対象の高周波信号の周波数が高いほど、抵抗率が低い方が好ましい。
【００７２】
カバー基板３は、可動部形成基板２との対向面に可動部２３の揺動空間を確保する凹所３１が形成されている。
【００７３】
上述のシールド構造部６は、ベース基板１に設けられた第１シールド部６１を備えている。また、本実施形態では、フレーム部５が、第１シールド部６１に電気的に接続される第２シールド部６２を兼ねており、カバー基板３が、第２シールド部６２に電気的に接続される第３シールド部６３を兼ねている。シールド構造部６は、第１シールド部６１と第２シールド部６２と第３シールド部６３とで、信号線１３の長さ方向に直交する断面において信号線１３を囲んでいる。
【００７４】
第１シールド部６１は、ベース基板１の上記一表面側において信号線１３の幅方向の両側で信号線１３に並行する第１グランド配線６１ａ，６１ａと、ベース基板１の厚み方向に貫設されて各第１グランド配線６１ａの各々に電気的に接続され信号線１３に並行する第２グランド配線６１ｂと、ベース基板１の他表面側において第２グランド配線６１ｂ同士を電気的に接続し信号線１３に並行する第３グランド配線６１ｃとを有している。
【００７５】
ここで、第１グランド配線６１ａは、信号線１３と同様に、基板１０の上記一表面上に形成されている。第１グランド配線６１ａは、信号線１３に並行するようにパターニングされた金属層（例えば、Ａｕ層）により構成されている。第１グランド配線６１ａの材料としては、Ａｕを採用しているが、Ａｕに限らず、例えば、Ａｌ、Ｃｕなどを採用してもよい。
【００７６】
また、第２グランド配線６１ｂは、基板１０の厚み方向に貫設された貫通孔１１の内側に形成されている。第２グランド配線６１ｂおよび第３グランド配線６１ｃの材料としては、Ｃｕを採用しているが、Ｃｕに限らず、例えば、Ｎｉ、Ａｕなどを採用してもよい。
【００７７】
なお、上述の信号線１３は、基板１０の厚み方向に貫設された貫通孔配線１５を介して、
基板１０の上記他表面側の外部接続電極（図示せず）と電気的に接続されている。
【００７８】
ベース基板１の第１シールド部６１の形成にあたっては、まず、基板１０の厚み方向に貫通する貫通孔１１，１２を基板１０の他表面側からサンドブラスト法、レーザ加工法、エッチング法などにより形成する。その後、第２グランド配線６１ｂ、第３グランド配線６１ｃ、貫通孔配線１５および外部接続電極の基礎となり貫通孔１１，１２を閉塞する金属材料（例えば、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｕなど）からなる金属部を、基板１０の貫通孔１１，１２の内面および基板１０の上記他表面に、めっき法などにより形成する。その後、金属部のうち基板１０の上記他表面側の不要部をエッチング除去することで、それぞれ金属部の一部からなる第２グランド配線６１ｂ、第３グランド配線６１ｃ、貫通孔配線１５および外部接続電極を形成する。その後、基板１０の上記一表面側に、第１グランド配線６１ａの基礎となるＡｕ層などからなる金属層を例えばスパッタ法や蒸着法などによって形成する。続いて、金属層のうち基板１０の上記一表面側（表面側）の不要部をエッチング除去することで、それぞれ金属層の一部からなる第１グランド配線６１ａを形成する。次に、基板１０の上記一表面側に、信号線１３の形成予定領域に対応する部位が開口されたレジスト層を形成し、金属材料（例えば、Ａｕなど）からなる信号線１３をめっき法により形成してから、レジスト層を除去することにより、第１シールド部６１が形成される。
【００７９】
ここにおいて、ベース基板１の形成にあたっては、貫通孔１１，１２の形成時に、基板１０における収納部１６の形成予定領域に開口部１７を形成する。そして、第１シールド部６１の形成後に、基板１０の上記一表面側に開口部１７を閉塞する蓋体部１８を形成することで収納部１６を形成する。
【００８０】
また、フレーム部５は、例えば、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して第２半導体基板５０を加工することにより形成することができる。
【００８１】
また、カバー基板３の凹所３１は、例えば、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を利用して第３半導体基板３０を加工することにより形成することができる。
【００８２】
次に、本実施形態のＭＥＭＳリレーの製造方法について簡単に説明する。
【００８３】
本実施形態のＭＥＭＳリレーの製造にあたっては、ベース基板１の上記他表面側からベース基板１の収納部１６に電磁石装置４を収納してベース基板１に固定する。その後、ベース基板の上記一表面側に可動部形成基板２を配置する。その後、フレーム部５とカバー基板３とを接合してから、フレーム部５とベース基板１とを接合する。これにより、可動部形成基板２は、ベース基板１とフレーム部５とカバー基板３とで囲まれた気密空間内に収納されたＭＥＭＳリレーが得られる。ここにおいて、電磁石装置４をベース基板１に固定するにあたっては、ヨーク４０の両側片４０ｂ，４０ｂの各先端面および永久磁石４１の上記他方の磁極面が蓋体部１８に当接させてから、接着用の樹脂（例えば、シリコーン樹脂など）により電磁石装置４をベース基板１に固定すればよい。また、フレーム部５とカバー基板３との接合にあたっては、表面活性化接合法を採用している。表面活性化接合法では、接合前に互いの接合表面へアルゴンのプラズマ若しくはイオンビーム若しくは原子ビームを真空中で照射して各接合表面の清浄化・活性化を行ってから、接合表面同士を接触させ、所定温度下で適宜の荷重を印加して、フレーム部５とカバー基板３とを直接接合する。このような表面活性化接合法では、常温下でもフレーム部５とカバー基板３とを直接接合することができる。また、接合強度を高めるために、例えば、８０〜１５０℃程度に加熱した状態で直接接合するようにしてもよく、常温下で接合する場合に比べて、接合強度の向上を図ることが可能となる。また、フレーム部５とベース基板１との接合方法についても、例えば、表面化活性化接合法を採用することができる。これにより、フレーム部５とベース基板１との接合温度を、上述の接着用の樹脂の耐熱温度よりも低くすることが可能となる。
【００８４】
また、上述の製造方法では、フレーム部５とカバー基板３とを接合してから、フレーム部５とベース基板１とを接合しているが、これに限らず、例えば、フレーム部５とベース基板１とを接合してから、フレーム部５とカバー基板３とを接合するようにしてもよい。
【００８５】
なお、ＭＥＭＳリレーの製造にあたっては、上述のフレーム部５を多数形成したウェハと、上述のベース基板１を多数形成したウェハおよび上述のカバー基板３を多数形成したウェハとを接合してから、ダイシング工程などによって個々のＭＥＭＳリレーに分割することが好ましい。
【００８６】
次に、本実施形態のＭＥＭＳリレーの動作について説明する。
【００８７】
本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、コイル４２，４２への通電が行われると、磁化の向きに応じてアーマチュア２４の長手方向の一端部がヨーク４０の一方の側片４０ｂに吸引される。これにより、ＭＥＭＳリレーは、アーマチュア２４の上記一端部に近い可動接点２７が対応する一対の固定接点１４，１４に接触し、且つ、アーマチュア２４の他端部に近い可動接点２７が対応する一対の固定接点１４，１４から離れた状態となる。この状態では、コイル４２，４２への通電を停止しても、永久磁石４１の発生する磁束により、アーマチュア２４の上記一端部に対する吸引力が維持され、アーマチュア２４の上記一端部に近い可動接点２７と対応する一対の固定接点１４，１４とが接触した状態が保持される。
【００８８】
また、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、コイル４２，４２への通電方向を逆向きにすると、アーマチュア２４の長手方向の上記他端部がヨーク４０の他方の側片４０ｂに吸引され、アーマチュア２４の上記他端部に近い可動接点２７が対応する一対の固定接点１４，１４に接触し、且つ、アーマチュア２４の上記一端部に近い可動接点２７が対応する一対の固定接点１４，１４から離れた状態となる。この状態では、コイル４２，４２への通電を停止しても、永久磁石４１の発生する磁束により、アーマチュア２４の上記他端部に対する吸引力が維持され、アーマチュア２４の上記他端部に近い可動接点２７と対応する一対の固定接点１４，１４とが接触した状態が保持される。
【００８９】
なお、本実施形態のＭＥＭＳリレーは、アーマチュア２４を動かす電磁石装置４として、永久磁石４１を備えた有極型の電磁石装置を用いているので、ラッチング型のリレー（マイクロリレー）を構成している。
【００９０】
以上説明した本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、可動部形成基板２における可動部２３と接点保持部２８とが第１半導体基板２０を用いて形成され、フレーム部５が第１半導体基板２０に比べて抵抗率の低い第２半導体基板５０を用いて形成され、シールド構造部６においてベース基板１に形成された第１シールド部６１に電気的に接続される第２シールド部６２を兼ねているので、図１２に示した従来例のように機能部３０に２つの導電部５１５，５１６を形成する場合に比べて、簡単な構成で高周波特性を向上させることが可能となる。
【００９１】
また、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、カバー基板３が第１半導体基板２０に比べて抵抗率の低い第３半導体基板３０を用いて形成されており、シールド構造部６において第２シールド部６２に電気的に接続される第３シールド部６３を兼ねているので、図１２に示した従来例のようにカバー３００に導電部５１７を形成する場合に比べて、より簡単な構成で高周波特性を向上させることが可能となる。
【００９２】
（実施形態２）
以下、本実施形態のＭＥＭＳリレーについて図６に基づいて説明する。
【００９３】
本実施形態のＭＥＭＳリレーの基本構成は実施形態１と略同じであり、フレーム部５とカバー基板３とが、互いに対向面側に形成した金属層５２，３２同士を接合することで接合され電気的に接続されている点が相違する。金属層５２，３２の材料としては、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ｃｕなどを採用することができる。なお、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。
【００９４】
本実施形態のＭＥＭＳリレーの製造時に、フレーム部５とカバー基板３とを接合するにあたっては、実施形態１と同様、表面活性化接合法を採用している。表面活性化接合法では、接合前に金属層５２，３２の表面へアルゴンのプラズマ若しくはイオンビーム若しくは原子ビームを真空中で照射して金属層５２，３２の表面の清浄化・活性化を行ってから、金属層５２，３２同士を接触させ、所定温度下で適宜の荷重を印加して、フレーム部５とカバー基板３とを直接接合する。このような表面活性化接合法では、常温下でもフレーム部５とカバー基板３とを直接接合することができる。また、接合強度を高めるために、例えば、８０〜１５０℃程度に加熱した状態で直接接合するようにしてもよく、常温下で接合する場合に比べて、接合強度の向上を図ることが可能となる。なお、本実施形態では、金属層５２，３２をＴｉ膜とＡｕ膜との積層膜により構成してある。ここで、Ｔｉ膜の膜厚を１５〜５０ｎｍ、Ｔｉ膜上のＡｕ膜の膜厚を２００〜５００ｎｍに設定してあるが、これらの数値は一例であって特に限定するものではない。また、Ａｕ膜と下地との間に密着層としてＴｉ膜を介在させてあるが、密着層の材料はＴｉに限らず、例えば、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｚｒ、ＴｉＮ、ＴａＮなどでもよい。また、金属層５２，３２は、Ａｕ膜の代わりに、Ａｌ膜やＣｕ膜を採用してもよい。
【００９５】
本実施形態のＭＥＭＳリレーにおいても、実施形態１と同様、図１２に示した従来例のように機能部２００に２つの導電部５１５，５１６を形成する場合に比べて、簡単な構成で高周波特性を向上させることが可能となる。
【００９６】
また、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、フレーム部５とカバー基板３とが、第２半導体基板５０と第３半導体基板３０との互いの対向面に形成された金属層５２，３２同士を介して接合されているので、実施形態１に比べて、高周波特性の向上を図ることが可能となる。
【００９７】
（実施形態３）
以下、本実施形態のＭＥＭＳリレーについて図７に基づいて説明する。
【００９８】
本実施形態のＭＥＭＳリレーの基本構成は実施形態１と略同じであり、カバー基板３がフレーム部５とともに第２半導体基板５０を用いて形成されている点が相違する。要するに、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、カバー基板３とフレーム部５とが連続一体に形成されている。なお、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。
【００９９】
しかして、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、実施形態１と同様、図１２に示した従来例のように機能部２００に２つの導電部５１５，５１６を形成する場合に比べて、簡単な構成で高周波特性を向上させることが可能となる。
【０１００】
また、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、カバー基板３がフレーム部５とともに第２半導体基板５０を用いて形成されているので、製造工程の簡略化を図るとともに、低コスト化を図ることが可能となる。
【０１０１】
（実施形態４）
以下、本実施形態のＭＥＭＳリレーについて図８に基づいて説明する。
【０１０２】
本実施形態のＭＥＭＳリレーの基本構成は実施形態１と略同じであり、カバー基板３が、ガラス基板６０を用いて形成されており、ベース基板１側の全面に金属膜からなる第３シールド部６３が形成されている点が相違する。なお、実施形態１と同様の構成要素には同一の符号を付して説明を適宜省略する。
【０１０３】
しかして、本実施形態のＭＥＭＳリレーでは、実施形態１に比べて、高周波特性を向上させることが可能となる。
【０１０４】
なお、本実施形態のＭＥＭＳリレーにおいては、ガラス基板６０を用いてカバー基板３を形成してあるが、ガラス基板６０に限らず、例えば、高抵抗率のシリコン基板や、ＬＴＣＣ基板を用いてもよい。
【０１０５】
ところで、実施形態１〜４では、２つの可動接点２７と、各可動接点２７の各々に対して対応する一対の固定接点１４，１４が設けられているが、対応する可動接点２７と固定接点１４との数は１対２に限らず、例えば、１対１でもよい。また、可動接点２７と対応する固定接点１４との組も２組に限らず、１組でもよい。
【符号の説明】
【０１０６】
１  ベース基板
２  可動部形成基板
３  カバー基板
４  電磁石装置
５  フレーム部
６  シールド構造部
１３  信号線
１４  固定接点
１６  収納部
２０  第１半導体基板
２３  可動部
２３ｃ  支点突起
２４  アーマチュア
２６  接圧ばね部
２７  可動接点
２８  接点保持部
３０  第３半導体基板
３２  金属層
５０  第２半導体基板
５２  金属層
６１  第１シールド部
６２  第２シールド部
６３  第３シールド部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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