(57)【要約】      （修正有）【課題】低背化、高機能化するとともに、より設計自由度が高い多層基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】コア基板２と、コア基板２の一方主面３に形成された第１の樹脂層１２とからなる多層基板１１であり、第１の実装部品１０は第１の樹脂層１２のコア基板２に接する主面３に形成された表面導体に実装され、第２の実装部品２０は第１の樹脂層１２のコア基板２に接する主面３に対向する主面２３に形成された表面導体３５ａに実装され、第１の実装部品１０と第２の実装部品２０とは、第１の樹脂層１２に埋設されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア基板と、
前記コア基板の一方主面に形成された第１の樹脂層と、
前記第１の樹脂層の両主面に形成された複数の表面導体と、
前記第１の樹脂層の前記コア基板に接する主面に形成された前記表面導体に実装された第１の実装部品と、
前記第１の樹脂層の前記コア基板に接する主面に対向する主面に形成された前記表面導体に実装された第２の実装部品と、
を備え、
前記第１の実装部品と前記第２の実装部品とは、前記第１の樹脂層に埋設されていることを特徴とする多層基板。
【請求項２】
前記第１の実装部品と前記第２の実装部品とは厚みが異なり、
厚みの薄い前記第１の実装部品または前記第２の実装部品に対向する位置に設けられ、前記第１の樹脂層に埋設された第３の実装部品を備えることを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
【請求項３】
前記第１の樹脂層の内部に形成され、前記第１の樹脂層の両主面に形成された前記表面導体を接続する層間接続導体を備えることを特徴とする請求項１または２に記載の多層基板。
【請求項４】
前記層間接続導体と前記第１の樹脂層の前記コア基板に接する主面に対向する主面に形成された前記表面導体とを接続する表面導体及び／又は層間接続導体を備えることを特徴とする請求項３に記載の多層基板。
【請求項５】
前記第１の樹脂層の前記コア基板に接する主面に対向する主面に形成された第２の樹脂層を備えることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の多層基板。
【請求項６】
前記第２の樹脂層の内部には、前記第２の実装部品に接続する層間接続導体が形成されていることを特徴とする請求項５に記載の多層基板。
【請求項７】
前記第２の実装部品はベアチップであり、
前記第２の樹脂層の内部に形成された前記層間接続導体は、前記ベアチップの端子電極を有する主面に対向する主面に接続された放熱体であることを特徴とする請求項６に記載の多層基板。
【請求項８】
前記第２の樹脂層は前記第１の樹脂層よりも薄いことを特徴とする請求項５ないし７のいずれかに記載の多層基板。
【請求項９】
前記第２の樹脂層の前記第１の樹脂層に接する主面に対向する主面に形成された表面導体と、
該表面導体と前記第１の樹脂層の前記コア基板に接する主面に形成された前記表面導体とを接続する表面導体及び／又は層間接続導体を前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層とに備えることを特徴とする請求項５ないし８のいずれかに記載の多層基板。
【請求項１０】
コア基板を準備する工程と、
前記コア基板の一方主面に表面導体を形成する工程と、
前記表面導体に第１の実装部品を実装する工程と、
前記第１の実装部品が埋設されるように、前記コア基板の前記主面に第１の樹脂層を形成する工程と、
前記第１の樹脂層の前記コア基板に接する主面に対向する主面から第２の実装部品を埋設し、前記第２の実装部品に接続される表面導体を形成する工程と、
を備える多層基板の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の実装部品と前記第２の実装部品とを異なる方法によって実装することを特徴とする請求項１０に記載の多層基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の樹脂層の両主面に形成された前記表面導体を接続する層間接続導体を前記第１の樹脂層の内部に形成する工程を備えることを特徴とする請求項１０または１１に記載の多層基板の製造方法。
【請求項１３】
前記第１の樹脂層の内部に前記層間接続導体を形成する工程は、前記第２の実装部品を前記第１の樹脂層に埋設し、前記第１の樹脂層を硬化させた後に行うことを特徴とする請求項１２に記載の多層基板の製造方法。
【請求項１４】
前記層間接続導体と前記第２の実装部品が接続された前記表面導体とを接続する表面導体及び／又は層間接続導体を形成する工程を備えることを特徴とする請求項１２または１３に記載の多層基板の製造方法。
【請求項１５】
前記層間接続導体と前記表面導体及び／又は層間接続導体とをめっきにより形成することを特徴とする請求項１４に記載の多層基板の製造方法。
【請求項１６】
前記第１の樹脂層の前記コア基板に接する主面に対向する主面に第２の樹脂層を形成する工程を備える請求項１０ないし１５のいずれかに記載の多層基板の製造方法。
【請求項１７】
前記第２の樹脂層の内部に層間接続導体を形成する工程を備えることを特徴とする請求項１６に記載の多層基板の製造方法。
【請求項１８】
前記第２の樹脂層の内部に層間接続導体を形成する工程において、前記第２の実装部品に接続されるように前記層間接続導体を形成することを特徴とする請求項１７に記載の多層基板の製造方法。
【請求項１９】
前記第２の実装部品としてベアチップを準備する工程と、
前記第２の樹脂層の内部に層間接続導体を形成する工程において、前記ベアチップの端子電極を有する主面に対向する主面に接続される位置に層間接続導体用孔を形成し、前記層間接続導体用孔に熱伝導性ペーストを充填することによって前記層間接続導体を形成することを特徴とする請求項１８に記載の多層基板の製造方法。
【請求項２０】
前記第２の樹脂層の前記第１の樹脂層に接する主面に対向する主面に表面導体を形成する工程と、
該表面導体と前記第１の樹脂層の前記コア基板に接する主面に形成された前記表面導体とを接続する表面導体及び／又は層間接続導体を前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層とに形成する工程とを備えることを特徴とする請求項１６ないし１９のいずれかに記載の多層基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コア基板と樹脂層からなる多層基板およびその製造方法に関し、特に、樹脂層に実装部品が内蔵された多層基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の低背化、高機能化に伴い、電子機器に用いられる多層基板についても低背化、高機能化が求められ、これに対応する種々の多層基板が開発されている。
【０００３】
たとえば、特許文献１に記載の多層基板は、セラミック多層基板の一方主面に樹脂層を形成し、樹脂層の内部に実装部品を実装することによって基板の低背化を図っている。特許文献１によれば、熱や湿気に強く耐候性に優れているというセラミック多層基板の長所と、機械的強度が強く、かつ、誘電率が低く実装部品間の信号伝搬遅延が小さいという樹脂基板の長所との両方を兼ね備えた多層基板が実現できる。
【特許文献１】特開２００３−１８８５３８
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、従来の多層基板は、セラミック多層基板のようなコア基板の主面上に実装部品が実装されている。そのため、実装部品が埋設されるようにコア基板の主面上に樹脂層を形成すると、樹脂層内部に実装部品を実装できないスペースが生じることがある。たとえば、コア基板の主面に複数の実装部品を実装した場合には、各実装部品の厚み差によって樹脂層内部にスペースが生じることがある。そのため、従来の多層基板では、さらに実装部品を実装したい場合、実装面積を大きくするか、特許文献１に記載のように、樹脂層を複数形成し、各層に実装部品を実装する必要があり、多層基板の小型化と低背化を実現することができなかった。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、低背化、高機能化するとともに、樹脂層内部のスペースを有効に利用し、より設計自由度が高い多層基板およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記問題点を解決するために、本発明の多層基板は、コア基板と、コア基板の一方主面に形成された第１の樹脂層と、第１の樹脂層の両主面に形成された複数の表面導体と、第１の樹脂層のコア基板に接する主面に形成された表面導体に実装された第１の実装部品と、第１の樹脂層のコア基板に接する主面に対向する主面に形成された表面導体に実装された第２の実装部品と、を備え、第１の実装部品と第２の実装部品とは、第１の樹脂層に埋設されている。
【０００７】
また、本発明の多層基板は、第１の実装部品と第２の実装部品との厚みが異なり、厚みの薄い第１の実装部品または第２の実装部品に対向する位置に設けられ、第１の樹脂層に埋設された第３の実装部品を備えることが好ましい。
【０００８】
また、本発明の多層基板は、第１の樹脂層の内部に形成され、第１の樹脂層の両主面に形成された表面導体を接続する層間接続導体を備えることが好ましい。
【０００９】
また、本発明の多層基板は、層間接続導体と第１の樹脂層のコア基板に接する主面に対向する主面に形成された表面導体とを接続する表面導体及び／又は層間接続導体を備えることが好ましい。
【００１０】
また、本発明の多層基板は、第１の樹脂層のコア基板に接する主面に対向する主面に形成された第２の樹脂層を備えることが好ましい。
【００１１】
また、本発明の多層基板は、第２の樹脂層の内部に、第２の実装部品に接続する層間接続導体が形成されていることが好ましい。
【００１２】
また、本発明の多層基板は、第２の実装部品はベアチップであり、第２の樹脂層の内部に形成された層間接続導体が、ベアチップの端子電極を有する主面に対向する主面に接続された放熱体であることが好ましい。
【００１３】
また、本発明の多層基板は、第２の樹脂層が第１の樹脂層よりも薄いことが好ましい。
【００１４】
また、本発明の多層基板は、第２の樹脂層の第１の樹脂層に接する主面に対向する主面に形成された表面導体と、この表面導体と第１の樹脂層のコア基板に接する主面に形成された表面導体とを接続する表面導体及び／又は層間接続導体を第１の樹脂層と第２の樹脂層とに備えることが好ましい。
【００１５】
また、本発明は、上述のような多層基板を製造する方法にも向けられる。
【００１６】
本発明の多層基板の製造方法は、コア基板を準備する工程と、コア基板の一方主面に表面導体を形成する工程と、表面導体に第１の実装部品を実装する工程と、第１の実装部品が埋設されるように、コア基板の主面に第１の樹脂層を形成する工程と、第１の樹脂層のコア基板に接する主面に対向する主面から第２の実装部品を埋設し、第２の実装部品に接続される表面導体を形成する工程と、を備える。
【００１７】
また、本発明の多層基板の製造方法は、第１の実装部品と第２の実装部品とを異なる方法によって実装することが好ましい。
【００１８】
また、本発明の多層基板の製造方法は、第１の樹脂層の両主面に形成された表面導体を接続する層間接続導体を第１の樹脂層の内部に形成する工程を備えることが好ましい。
【００１９】
また、本発明の多層基板の製造方法は、第１の樹脂層の内部に層間接続導体を形成する工程が、第２の実装部品を第１の樹脂層に埋設し、第１の樹脂層を硬化させた後に行うことが好ましい。
【００２０】
また、本発明の多層基板の製造方法は、第１の樹脂層の内部に形成された層間接続導体と第２の実装部品が接続された表面導体とを接続する表面導体及び／又は層間接続導体を形成する工程を備えることが好ましい。
【００２１】
また、本発明の多層基板の製造方法は、第１の樹脂層の内部に形成された層間接続導体と表面導体及び／又は層間接続導体とをめっきにより形成する工程を備えることが好ましい。
【００２２】
また、本発明の多層基板の製造方法は、第１の樹脂層のコア基板に接する主面に対向する主面に第２の樹脂層を形成する工程を備えることが好ましい。
【００２３】
また、本発明の多層基板の製造方法は、第２の樹脂層の内部に層間接続導体を形成する工程を備えることが好ましい。
【００２４】
また、本発明の多層基板の製造方法は、第２の樹脂層の内部に層間接続導体を形成する工程において、第２の実装部品に接続されるように層間接続導体を形成することが好ましい。
【００２５】
また、本発明の多層基板の製造方法は、第２の実装部品としてベアチップを準備する工程と、第２の樹脂層の内部に層間接続導体を形成する工程において、ベアチップの端子電極を有する主面に対向する主面に接続される位置に層間接続導体用孔を形成し、層間接続導体用孔に熱伝導性ペーストを充填することによって層間接続導体を形成することが好ましい。
【００２６】
また、本発明の多層基板の製造方法は、第２の樹脂層の第１の樹脂層に接する主面に対向する主面に表面導体を形成する工程と、この表面導体と第１の樹脂層のコア基板に接する主面に形成された表面導体とを接続する表面導体及び／又は層間接続導体を第１の樹脂層と第２の樹脂層とに形成する工程とを備えることが好ましい。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、コア基板の一方主面に実装された第１の実装部品と、第１の樹脂層のコア基板に接する主面に対向する主面に実装された第２の実装部品とが、いずれも第１の樹脂層に埋設されているため、多層基板として低背化を図ることができる。また、第１の樹脂層という１層の中に異なる主面から実装部品を実装することができるため、樹脂層内部のスペースを有効に利用でき、より設計自由度を高めることができる。さらに、このスペースを利用してより多くの実装部品を配置することで、高機能化した多層基板が実現する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
【実施例】
【００２９】
以下、本発明の実施例について図１〜図９を参照して説明する。
【００３０】
図１は、本発明の実施例に係る多層基板を示す概略断面図である。
【００３１】
多層基板１は、コア基板としてのセラミック多層基板２と、このセラミック多層基板２の一方主面３に形成された第１の樹脂層１２とで構成されている。コア基板としては、セラミック基板の他に、樹脂基板を用いてもよい。
【００３２】
セラミック多層基板２は、複数のセラミック層２ａ〜２ｃを積層してなる。各セラミック層２ａ〜２ｃには、各層の表面に設けられた表面導体５や各層を厚み方向に貫通する層間接続導体７が形成されている。これらの表面導体５と層間接続導体７との配線によって、セラミック多層基板２の内部においてコンデンサやインダクタなどの回路素子を形成することができる。
【００３３】
また、セラミック多層基板２の一方主面３には複数の表面導体１５が形成されており、反対主面１３にも複数の表面導体２５が形成されている。セラミック多層基板２の一方主面３に形成された表面導体１５には、第１の実装部品１０が実装されている。第１の実装部品１０としては、ＩＣなどの半導体デバイスのような能動素子やチップ型抵抗体のような受動素子を用いることができる。第１の実装部品１０の実装方法としては、はんだや導電性接着剤を用いて実装してもよいし、ワイヤボンディングで実装してもよい。本実施例においては、第１の実装部品１０として積層セラミックコンデンサを用い、これをはんだリフローによって表面導体１５に実装した。
【００３４】
また、セラミック多層基板２の反対主面１３に形成された表面導体２５は、図示しないプリント基板などのマザーボードに接続するために用いてもよいし、実装部品を実装するために用いてもよい。
【００３５】
多層セラミック基板２の一方主面３には第１の樹脂層１２が形成されている。第１の樹脂層１２は、第１の実装部品１０が埋設されるように形成されている。このとき、第１の実装部品１０の一部を露出させるように第１の樹脂層１２を形成してもよい。
【００３６】
第１の樹脂層１２のセラミック基板２に接する主面３に対向する主面２３には、表面導体３５ａが形成されている。この表面導体３５ａには、第２の実装部品２０が実装されている。第２の実装部品２０としては、第１の実装部品１０と同様に種々の実装部品を用いることが可能である。また、第２の実装部品２０は、第１の実装部品１０と同様に種々の方法により実装することができる。本実施例においては、第２の実装部品２０として、ベアチップを用い、これを表面導体３５ａにワイヤボンディングによって実装した。また、ベアチップの端子電極を有する主面２０ａに対向する主面２０ｂには、放熱のための表面導体３５ｂを形成している。なお、表面導体３５ａ，３５ｂは、第１の樹脂層１２に埋設されている。
【００３７】
このように、多層基板１は、第１の樹脂層１２のセラミック多層基板２に接する主面３に形成された表面導体１５に実装された第１の実装部品１０と、第１の樹脂層１２のセラミック多層基板２に接する主面３に対向する主面２３に形成された表面導体３５ａに実装された第２の実装部品２０との複数の実装部品が、第１の樹脂層１２の異なる主面３，２３にそれぞれ実装され、かつ、第１の樹脂層１２に埋設されている。これにより、第２の実装部品を実装するために複数の樹脂層を形成する必要がなくなるため、多層基板１の低背化を図ることができる。
【００３８】
このように、第１の樹脂層１２の両主面から実装部品を実装することができるため、第１の樹脂層１２の内部のスペースを有効利用でき、従来よりも多くの実装部品を実装することができ、多層基板１の高機能化が図られる。また、第１の樹脂層の内部のスペースを有効利用できるため、設計の自由度を高めることができる。
【００３９】
また、図１に示すように、第１の実装部品１０が第２の実装部品２０よりも厚い場合、厚みの薄い第２の実装部品に対向する位置に第３の実装部品３０を実装してもよい。この場合、第３の実装部品３０はセラミック多層基板２の一方主面３に形成された表面導体１５に実装され、第１の樹脂層１２に埋設される。また、第２の実装部品２０が第１の実装部品１０よりも厚い場合には、厚みの薄い第１の実装部品に対向する位置に第３の実装部品３０を実装してもよい。この場合、第３の実装部品３０は第１の樹脂層１２のセラミック多層基板２に接する主面３に対向する主面２３に形成された表面導体３５ａに実装され、第１の樹脂層１２に埋設される。これにより、実装部品の厚みが異なる場合にも、第１の樹脂層１２の内部のスペースを有効に利用することができる。
【００４０】
また、図１に示すように、第１の樹脂層１２の内部には、第１の樹脂層の両主面に形成された表面導体１５，３５を接続する層間接続導体１７が形成されている。これにより、たとえば、第１の樹脂層１２の主面２３に形成された表面導体３５ａとセラミック多層基板２の主面３に形成された表面導体１５とを接続させることができる。このように、第２の実装部品２０が実装された表面導体３５ａとセラミック多層基板２の主面３に形成された表面導体１５とが接続されているため、第２の実装部品２０の信号処理をセラミック多層基板２によって行うことができる。セラミック多層基板２は微細配線に適しているため、第１の樹脂層１２の内部の配線を複雑にすることなく、セラミック多層基板２に配線を集中させることができる。このことは、より低背化、高機能化された多層基板および多層モジュールを実現する上で有効である。
【００４１】
なお、第２の実装部品２０が実装された表面導体３５ａは層間接続導体１７の側面部分でのみ接している。そのため、表面導体３５ａと層間接続導体１７とを接続する表面導体３５ｃを備えていると、表面導体３５ａと層間接続導体１７との接続信頼性を高めることができるため望ましい。ここで、表面導体３５ｃは、第１の樹脂層の主面２３上にさらに層間接続導体を備える樹脂層を形成し、この層間接続導体で層間接続導体１７と表面導体３５ａとの接続を補強してもよい。
【００４２】
また、図２に示すように、第１の樹脂層１２の主面２３には、第２の樹脂層２２を形成してもよい。これにより、第２の樹脂層２２に配線を形成することができ、より高機能化させた多層基板１１が実現できる。また、図２に示すように、セラミック多層基板２の主面１３に形成された表面導体２５ではなく、第２の樹脂層２２の主面３３に形成された表面導体４５をマザーボードに接続する場合には、第２の樹脂層２２を第２の実装部品２０とマザーボードとの間の絶縁層として機能させることができる。この場合、セラミック多層基板２の主面１３に形成された表面導体２５には、第４の実装部品４０を実装してもよい。これにより、さらに多層基板１１を高機能化させることができる。
【００４３】
さらに、図２に示すように、第２の樹脂層２２の内部には、第２の樹脂層２２を厚み方向に貫通する層間接続導体２７が形成されていてもよい。本実施例のように、第２の実装部品２０がベアチップ、具体的にはベアＩＣである場合、ベアチップの端子電極を有する主面２０ａに対向する主面２０ｂに層間接続導体２７を接続すると、層間接続導体２７が放熱体として機能し、ベアチップから発生する熱をマザーボードに逃がすことができるため、放熱性に優れた多層基板および多層モジュールを実現することができる。このとき、ベアチップの主面２０ｂには、層間接続導体２７に接続するための放熱用の表面導体３５ｂが形成される。
【００４４】
また、第２の樹脂層２２は第１の樹脂層１２よりも薄いことが望ましい。多層基板１１の低背化が図れるとともに、放熱体としての層間接続導体２７は短い方が放熱性を向上させることができるからである。
【００４５】
また、図２に示すように、第２の樹脂層２２の主面３３に表面導体４５が形成され、表面導体４５とセラミック多層基板２の主面３に形成された表面導体１５とを接続する層間接続導体３７が形成されていてもよい。多層基板１１とマザーボードとを接続する際に、マザーボードとの接続に用いる表面導体４５とセラミック多層基板２の主面３に形成された表面導体１５とを接続させるためである。この層間接続導体３７は、表面導体４５と表面導体１５とを接続するものであればよく、第１の樹脂層１２と第２の樹脂層２２とを厚み方向に貫通する１つの層間接続導体３７によって形成してもよいし、第１の樹脂層１２の層間接続導体と第２の樹脂層２２の層間接続導体を表面導体によって接続してもよい。
【００４６】
次に、本実施例に係る多層基板の製造方法を図３〜図６を参照して説明する。
【００４７】
図３〜図９は、図２に係る多層基板の製造方法を示す概略工程図である。
【００４８】
まず、図３に示すような、コア基板としてのセラミック多層基板２を準備する。セラミック多層基板２は、次のようにして作製される。
【００４９】
キャリアフィルム上にドクターブレード法などによりセラミックスラリーを塗布し、セラミックグリーンシートを成形する。セラミックスラリーは、Ａｌ2Ｏ3などのセラミック粉末と、バインダー、分散剤、溶剤などを適宜混合してなる。このセラミックグリーンシートが焼成後にセラミック層２ａ〜２ｃとなる。
【００５０】
セラミックグリーンシートには、レーザーや金型などで、セラミックグリーンシートを厚み方向に貫通する層間接続導体用孔が設けられる。この層間接続導体用孔に、ＡｇまたはＣｕを主成分とする金属粉と、樹脂、溶剤などを混合した導電性ペーストを充填する。この層間接続導体用孔に充填された導電性ペーストが焼成後に層間接続導体７となる。また、導電性ペーストは、所望の回路パターンを形成するように、セラミックグリーンシート上にも塗布される。このセラミックグリーンシート上に塗布された導電性ペーストが焼成後に表面導体５，１５，２５となる。この導電性ペーストの充填・塗布方法としては、スクリーン印刷、電子写真法、インクジェット法など、種々の方法を用いることができる。
【００５１】
このセラミックグリーンシートを必要に応じて複数枚積層・圧着し、８００〜１０００℃前後の所定の雰囲気で焼成して、層間接続導体７および表面導体５，１５，２５を備えるセラミック多層基板２を得る。セラミック多層基板２の両主面３，１３に形成された表面導体１５，２５には、必要に応じてＮｉ、Ａｕなどのめっき処理をする。
【００５２】
次に、セラミック多層基板２の主面３に形成された表面導体１５に、第１の実装部品１０および第３の実装部品３０を実装する。本実施例においては、表面導体１５の上にはんだを印刷し、第１の実装部品１０および第３の実装部品３０を搭載した後、リフロー炉ではんだを溶融させて第１の実装部品１０および第３の実装部品３０と表面導体１５とを固着した。第１の実装部品１０および第３の実装部品３０はワイヤボンディングによって表面導体１５に実装してもよい。ただし、第１の実装部品１０と第３の実装部品３０とは、同じ実装方法で実装するのが望ましい。同一主面上に実装方法の異なる実装部品を実装すると、実装工程が複雑になるとともに、先に実装した実装部品が後の実装工程によって接続不良を起こすなど、実装不良などの不良率が高くなるからである。なお、セラミック多層基板２の反対主面１３に形成された表面導体２５に第４の実装部品４０を実装してもよい。
【００５３】
次に、セラミック多層基板２の主面３に半硬化状態の第１の樹脂層１２を形成する。このとき、第１の樹脂層１２は、第１の実装部品１０および第３の実装部品３０が埋設される程度の厚みに形成する。なお、第４の実装部品４０を実装する場合には、第４の実装部品４０を覆うようにセラミック多層基板２の主面１３上に樹脂層を形成してもよい。なお、半硬化状態の樹脂層とは、Ｂステージ状態またはプリプレグを指す。
【００５４】
第１の樹脂層１２としては、エポキシ、フェノール、シアネートなどの熱硬化性樹脂とＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2などの無機フィラーとを混合したものを用いることができる。これらの混合物を半硬化状態の樹脂シートとして成形し、セラミック多層基板２の主面３に積層する。
【００５５】
次に、第１の樹脂層１２のセラミック多層基板２の主面１３に対向する主面２３に、第２の実装部品２０を埋設し、第２の実装部品が実装される表面導体３５ａを形成する。
【００５６】
本実施例においては、まず、図３に示すように、ＰＥＴフィルムなどのキャリアフィルム８の上に、表面導体３５ａ，３５ｂとなるようにパターン形成された銅箔を貼り付けなどの方法により形成する。そして、表面導体３５ａとなる銅箔上に第２の実装部品２０であるベアチップをワイヤボンディングにより実装する。なお、ベアチップの端子電極を有する主面２０ａに対向する主面２０ｂには、放熱用の表面導体３５ｂとなる銅箔を形成している。
【００５７】
次に、キャリアフィルム８を半硬化状態である第１の樹脂層１２の主面２３に積層・圧着した後、キャリアフィルムを剥離する。これにより、第２の実装部品２０を第１の樹脂層１２に埋設するとともに、パターン形成された銅箔を第１の樹脂層１２の主面２３に転写して表面導体３５ａを形成する。
【００５８】
なお、第２の実装部品２０を第１の樹脂層１２に埋設する工程と、第２の実装部品２０が実装される表面導体３５ａを形成する工程とは、必ずしも同時に行わなくてもよい。たとえば、第２の実装部品２０を接着剤などによりキャリアフィルム８上に形成し、第１の樹脂層１２に埋設し、キャリアフィルム８を剥離した後、表面導体３５ａ，３５ｂを形成してもよい。
【００５９】
このように、本実施例では、はんだリフローによって実装する第１の実装部品１０とワイヤボンディングによって実装する第２の実装部品２０を第１の樹脂層１２の異なる主面３，２３から実装することができる。そのため、実装方法の異なる実装部品を同一主面上に実装する場合に比べて製造工程が容易になり、不良率を低下させることができる。また、このように第１の樹脂層の両主面から実装部品を実装すれば、実装方法の異なる実装部品を実装する場合に複数の樹脂層を形成する必要がなくなり、より多層基板１１の低背化が実現できる。
【００６０】
次に、多層基板１１を加熱処理し、樹脂シートに含まれる熱硬化性樹脂を硬化させ、半硬化状態であった第１の樹脂層１２を硬化させる。
【００６１】
その後、図４に示すように、レーザーなどで層間接続導体用孔１７ａを形成する。層間接続導体用孔１７ａは、第１の樹脂層１２が半硬化状態のときに形成してもよいが、第１の樹脂層１２を硬化させた後で形成するのが望ましい。半硬化状態の場合は、層間接続導体用孔１７ａを形成する際に孔の径が所望のサイズよりも大きくなることがあり、また、硬化時に孔が変形するおそれがあるからである。ここで、層間接続導体用孔１７ａは、セラミック多層基板２の主面３に形成された表面導体１５と、第１の樹脂層１２の主面２３に形成され、第２の実装部品２０に接続された表面導体３５ａとを接続できるように形成する。
【００６２】
次いで、層間接続導体用孔１７ａに導電性ペーストをスクリーン印刷などにより充填することで層間接続導体を形成する。導電性ペーストとしては、Ａｇ、Ｃｕなどの金属粒子とエポキシ、フェノール、シアネートなどの熱硬化性樹脂との混合物を用いることができる。
【００６３】
そして、多層基板１１を加熱処理することで、層間接続導体に含まれている熱硬化性樹脂を硬化させる。
【００６４】
なお、第１の樹脂層１２の主面２３に表面導体３５ａを形成した後にレーザーなどで層間接続導体用孔１７ａを形成する場合、表面導体３５ａと第１の樹脂層に形成される層間接続導体とは、側面でのみ接することになり、接続信頼性が弱いおそれがある。そのため、図５に示すように、表面導体３５ａと層間接続導体１７とを接続する表面導体３５ｃを第１の樹脂層１２の主面２３上にさらに形成するのが好ましい。ここで、層間接続導体１７と表面導体３５ｃとをめっきにより形成すると、これらを同時に形成できるため、製造工程が容易にすることができる。また、第１の樹脂層の主面２３上にさらに層間接続導体を備える樹脂層を形成し、この層間接続導体により層間接続導体１７と表面導体３５ａとの接続を補強してもよい。
【００６５】
このようにして、第１の樹脂層１２の主面２３に形成された表面導体３５ａに接続された第２の実装部品２０の信号処理をセラミック多層基板２によって行う、多層基板１１および多層モジュールを製造できる。
【００６６】
なお、図６に示すように、第２の実装部品２０を第１の樹脂層１２に埋設する前に、第１の樹脂層１２に層間接続導体１７を形成してもよい。この場合、表面導体３５ａと層間接続導体１７とは、側面だけでなく主面でも接続される。そのため、これらの接続信頼性が弱いおそれはなく、接続を補強するために表面導体や層間接続導体を形成する必要がなくなる点で好ましい。このとき、層間接続導体１７を形成するための層間接続導体用孔は、半硬化状態の第１の樹脂層１２に形成することになる。硬化後では、第２の実装部品２０を第１の樹脂層１２に埋設することができないからである。
【００６７】
また、図７に示すように、積層前の樹脂シートの段階で層間接続導体１７を形成しておいてもよい。また、第２の実装部品２０についても、第２の実装部品２０を樹脂シート１２ａに埋設した後に、樹脂シート１２ａをセラミック多層基板２の主面３に積層してもよい。
【００６８】
なお、第１の樹脂層１２は、上述した熱硬化性樹脂と無機フィラーの混合物をペースト状にし、セラミック多層基板２の主面３上に滴下することで成形してもよい。
【００６９】
次に、図８に示すように、第１の樹脂層１２のセラミック多層基板２に接する主面３に対向する主面１３に第２の樹脂層２２を形成する。
【００７０】
第２の樹脂層２２としては、第１の樹脂層１２と同じように半硬化状態の樹脂シートを用いることができる。具体的には、第１の樹脂層１２と同様に、第１の樹脂層１２の主面２３上に半硬化状態の樹脂シートを積層し、後にこれを硬化することで第２の樹脂層２２を形成する。
【００７１】
ここで、第２の樹脂層２２は、第１の樹脂層１２よりも薄く形成するのが、多層基板１１の低背化および後述する第２の実装部品２０の放熱性のために好ましい。
【００７２】
次に、図９に示すように、半硬化状態の第２の樹脂層２２の内部にも、層間接続導体２７，３７を形成する。
【００７３】
ここで、層間接続導体２７は、第２の実装部品２０であるベアチップの端子電極を有する主面２０ａに対向する主面２０ｂに形成された表面導体３５ｂに接続できる位置に、第２の樹脂層２２を厚み方向に貫通するように形成する。
【００７４】
一方、層間接続導体３７は、セラミック多層基板２の主面３に形成された表面導体１５に接続される位置に、第２の樹脂層２２と第１の樹脂層１２とを厚み方向に貫通するように形成する。
【００７５】
具体的には、まず、第１の樹脂層１２の主面２３上に半硬化状態の第２の樹脂層２２を形成する。その後、層間接続導体２７については、半硬化状態の第２の樹脂層２２を厚み方向に貫通するように、また、層間接続導体３７については、半硬化状態の第２の樹脂層２２と硬化状態の第１の樹脂層１２とを厚み方向に貫通するように、レーザーなどにより層間接続導体用孔を形成する。
【００７６】
次いで、層間接続導体２７となる層間接続導体用孔には熱伝導性ペーストを、層間接続導体３７となる層間接続導体用孔には導電性ペーストをそれぞれスクリーン印刷などの方法により充填する。ここで、熱伝導性ペーストは、導電性ペーストと同じものを用いることができる。
【００７７】
次に、表面導体４５となるようにパターン形成された銅箔をキャリアフィルム８上に形成し、これを第２の樹脂層２２の主面３３に積層・圧着し、キャリアフィルムを剥離することによって、第２の樹脂層２２の主面３３に表面導体４５を形成する。
【００７８】
そして、半硬化状態の第２の樹脂層２２と層間接続導体用孔に充填された熱伝導性ペーストおよび導電性ペーストを加熱処理することでこれらを硬化させ、硬化状態の第２の樹脂層２２および層間接続導体２７，３７を形成することで、多層基板１１を作製する。なお、加熱処理は、表面導体４５を形成する際に、加熱圧着すると、製造工程を簡素化できるため好ましい。
【００７９】
このようにして作製される層間接続導体２７は、ベアチップから発せられる熱をマザーボードに逃がすための放熱体として用いられる。第２の樹脂層２２は、第１の樹脂層１２よりも薄く形成するのが好ましい。層間接続導体２７を短くして放熱性をさらに向上させることができるからである。
【００８０】
また、層間接続導体３７は、多層基板１１とマザーボードとを接続する際に、マザーボードとの接続に用いる表面導体４５とセラミック多層基板２の主面３に形成された表面導体１５とを接続させるために用いられる。そのため、層間接続導体３７は、表面導体４５と表面導体１５とを接続するものであればよい。たとえば、表面導体１５に接続できる位置に第１の樹脂層１２の内部に層間接続導体を形成し、これとは異なる位置で、第２の樹脂層２２の内部に形成した層間接続導体と第１の樹脂層１２の主面２３に形成した表面導体とによって表面導体４５に接続してもよい。
【００８１】
なお、第２の樹脂層２２の内部に形成される層間接続導体用孔は、第１の樹脂層１２の場合と同様に、積層前の樹脂シートの状態で形成してもよい。
【００８２】
また、第２の樹脂層２２を硬化させた後で、層間接続導体用孔を形成してもよい。ただし、硬化後の第２の樹脂層２２には表面導体４５となる銅箔を接着することができないため、さらに半硬化状態の樹脂層を積層する必要がある。
【００８３】
また、第２の樹脂層２２は、第１の樹脂層１２の場合と同様に、ペースト状の樹脂を第１の樹脂層１２の主面２３上に滴下し、硬化することにより形成してもよい。
【００８４】
なお、図３〜図９においては、単一の多層基板について図示しているが、実際には、複数の多層基板を集合基板として作製し、これをチョコレートブレイク法やダイサーによるカット法によって分割することにより個々の多層基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００８５】
【図１】本発明の実施例に係る多層基板を示す概略断面図である。
【図２】本発明の実施例に係る他の多層基板を示す概略断面図である。
【図３】本発明の実施例に係る多層基板の製造方法を示す概略工程図であり、コア基板の主面に第１の樹脂層を形成した後、第２の実装部品を埋設する工程を示す図である。
【図４】本発明の実施例に係る多層基板の製造方法を示す概略工程図であり、第１の樹脂層の内部に層間接続導体用孔を形成する工程を示す図である。
【図５】本発明の実施例に係る多層基板の製造方法を示す概略工程図であり、第１の樹脂層の内部に形成された層間接続導体と第２の実装部品が実装された表面導体とを接続する表面導体を形成する工程を示す図である。
【図６】本発明の実施例に係る多層基板の製造方法を示す概略工程図であり、第１の樹脂層の内部に層間接続導体を形成する他の方法を示す図である。
【図７】本発明の実施例に係る多層基板の製造方法を示す概略工程図であり、第１の樹脂層の内部に層間接続導体を形成する他の方法を示す図である。
【図８】本発明の実施例に係る多層基板の製造方法を示す概略工程図であり、第２の樹脂層を形成する工程を示す図である。
【図９】本発明の実施例に係る多層基板の製造方法を示す概略工程図であり、第２の樹脂層の内部に層間接続導体を、第２の樹脂層の主面に表面導体を、形成する工程を示す図である。
【符号の説明】
【００８６】
１，１１    多層基板
２    セラミック多層基板（コア基板）
３，１３，２３，３３    主面
５，１５，２５，３５，４５    表面導体
７，１７，２７    層間接続導体
１０  第１の実装部品
１２  第１の樹脂層
２０  第２の実装部品
２２  第２の樹脂層
３０  第３の実装部品
３７  表面導体及び／又は層間接続導体
【図１】
2012064600.tif 000003
【図２】
2012064600.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2012064600.tif 000008
【図７】
2012064600.tif 000009
【図８】
2012064600.tif 000010
【図９】
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