(57)【要約】【課題】セラミックコンデンサに接続された回路基板において発生する振動音を抑制することができるセラミックセラミックコンデンサを提供する。【解決手段】セラミックセラミックコンデンサは、誘電体を含む誘電体素体と、誘電体の少なくとも一部を介して対向する内部電極と、内部電極に接続する一対の外部電極と、回路基板と外部電極との距離を一定間隔に保ち、回路基板と外部電極とを電気的に接続可能な一対の接続端子と、を有し、接続端子が空間を内在させるように少なくとも折り返し部を有し、外部電極の回路基板側の端面に前記接続端子が接合材で固定される。【選択図】図１
2012033655.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体を含む誘電体素体と、
前記誘電体の少なくとも一部を介して対向する内部電極と、
前記内部電極に接続する一対の外部電極と、
回路基板と前記外部電極との距離を一定間隔に保ち、前記回路基板と前記外部電極とを電気的に接続可能な一対の接続端子と、を有し、
前記接続端子が空間を内在させるように少なくとも折り返し部を有し、前記外部電極の前記回路基板側の端面に前記接続端子が接合材で固定されることを特徴とするセラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記接続端子は、前記外部電極の前記回路基板側の端面を搭載する搭載部を有し、前記回路基板側の前記外部電極の端面と垂直な外部電極側面と、前記搭載部との間に前記接合材が介在する請求項１に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記搭載部からの前記接合材の高さをｈとし、前記搭載部からの前記外部電極の高さをＴ１とした場合、
ｈ／Ｔ１が０．１以上である請求項２に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項４】
前記搭載部からの前記接合材の高さをｈとし、前記搭載部からの前記外部電極の高さをＴ１とした場合、ｈ／Ｔ１が１以下である請求項３に記載のセラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板に実装されるセラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
ノート型パーソナルコンピュータ、ＰＤＡ（Personal Digital Assistants）又は携帯電話等の電子機器は、コンデンサ、インダクタ、バリスタ、又はこれらを複合した複合部品が表面実装された回路基板を有する。このような構造により、前記電子機器は、高密度に電子部品を搭載して回路基板全体を小型化している。回路基板に搭載されるコンデンサとしては、例えば、セラミックコンデンサがある。
【０００３】
セラミックコンデンサは、誘電体と内部電極とが交互に積層されている。誘電体を形成するセラミック材料には、誘電率が比較的高いチタン酸バリウム等の強誘電体材料が一般的に用いられている。セラミックコンデンサに交流電圧を印加すると、誘電体を形成するセラミック材料は電歪現象を伴うので、セラミックコンデンサは印加電圧の大きさに応じた機械的歪みを生じる。セラミックコンデンサに交流電圧を印加すると、誘電体の電歪現象によりセラミックコンデンサが振動する。
【０００４】
電歪現象によるセラミックコンデンサの振動は、セラミックコンデンサが実装されている基板に伝播する。基板に伝わった振動により、基板において振動音（音鳴り）が発生する。大きな静電容量を得るため、複数のセラミックコンデンサを基板上に並列に接続した場合等には、複数のセラミックコンデンサが同じ周期で振動する。複数のセラミックコンデンサが伝える基板への振動が増幅されるため、振動音がより発生し易くなる。
【０００５】
そこで、基板の振動音を低減するため、コンデンサ素子の外部電極の側面に一対の金属端子を当接し、コンデンサ素子の下側に引き出して、回路基板へ接合する電子部品が提案されている（例えば、特許文献１参照）。一方、複数のセラミックコンデンサを一枚のセラミック基板表面に並列に接続し、裏面に金属端子を配置する電子部品が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００３−３０３７３２号公報
【特許文献２】特開平９−２６６１２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１記載のセラミックコンデンサ素子は、コンデンサ素子の外部電極の側面に一対の金属端子を当接すると、セラミックコンデンサで発生した振動が抑制される効果が限られてしまう。また、特許文献２記載のセラミックコンデンサ素子は、セラミックコンデンサを一枚のセラミック基板表面を介して、金属端子を接続するため、セラミック基板そのものが振動してしまい、振動音がより発生し易くなる。
【０００８】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、セラミックコンデンサに接続された回路基板において発生する振動音を抑制することができるセラミックコンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のセラミックコンデンサは、誘電体を含む誘電体素体と、前記誘電体の少なくとも一部を介して対向する内部電極と、前記内部電極に接続する一対の外部電極と、回路基板と前記外部電極との距離を一定間隔に保ち、前記回路基板と前記外部電極とを電気的に接続可能な一対の接続端子と、を有し、前記接続端子が空間を内在させるように少なくとも折り返し部を有し、前記外部電極の前記回路基板側の端面に前記接続端子が接合材で固定されることを特徴とする。
【００１０】
本発明は、セラミックコンデンサに接続された回路基板において発生する振動音を抑制することができる。接続端子は、外部電極端面と基板電極との間に介在して、誘電体素体が発生させる電歪効果による振動が回路基板へ伝達されることを軽減することができる。
【００１１】
また、本発明の望ましい態様としては、セラミックコンデンサは、前記接続端子は、前記外部電極の前記回路基板側の端面を搭載する搭載部を有し、前記回路基板側の前記外部電極の端面と垂直な外部電極側面と、前記搭載部との間に前記接合材が介在することが好ましい。本発明は、電歪現象による誘電体素体の振動が外部電極から接合材を介して搭載部の外表面へ伝わると、回路基板側の外部電極の端面と垂直な外部電極側面と、搭載部との間に介在する接合材が回路基板の共鳴周波数と異なるように振動の周波数を変化させることができる。
【００１２】
また、本発明の望ましい態様にとしては、前記搭載部からの前記接合材の高さをｈとし、前記搭載部からの前記外部電極の高さをＴ１とした場合、ｈ／Ｔ１が０．１以上であることが好ましい。本発明は、外部電極と接続端子との接続強度を高めることができる。また、セラミックコンデンサに接続された回路基板において発生する振動音を抑制することができる。
【００１３】
また、本発明の望ましい態様にとしては、前記搭載部からの前記接合材の高さをｈとし、前記搭載部からの前記外部電極の高さをＴ１とした場合、ｈ／Ｔ１が１以下であることが好ましい。本発明は、セラミックコンデンサに接続された回路基板において発生する振動音を抑制することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係るセラミックコンデンサは、セラミックコンデンサに接続された回路基板において発生する振動音を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、実施形態１のセラミックコンデンサを示す斜視図である。
【図２】図２は、図１のセラミックコンデンサの断面図を示す図である。
【図３】図３は、図１のセラミックコンデンサの平面図である。
【図４】図４は、回路基板に実施形態１のセラミックコンデンサを実装した状態を模式的に説明する図である。
【図５−１】図５−１は、接続端子の変形例を説明するための説明図である。
【図５−２】図５−２は、接続端子の変形例を説明するための説明図である。
【図５−３】図５−３は、接続端子の変形例を説明するための説明図である。
【図６】図６は、実施形態２のセラミックコンデンサを示す斜視図である。
【図７】図７は、回路基板に実施形態２のセラミックコンデンサを実装した状態を模式的に説明する図である。
【図８】図８は、実施形態３のセラミックコンデンサを示す斜視図である。
【図９】図９は、実施形態３のセラミックコンデンサのＸ軸方向視の平面図を示す説明図である。
【図１０】図１０は、回路基板に比較例のセラミックコンデンサを実装した状態を模式的に説明する図である。
【図１１】図１１は、音圧の測定を行なう際に用いた試験装置の構成を簡略に示す模式図である。
【図１２】図１２は、接合強度試験を簡略に示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。
【００１７】
（実施形態１）
図１は、実施形態１のセラミックコンデンサを示す斜視図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。図３は、図１のセラミックコンデンサをＺ方向上部から見た上面図である。図１〜図３に示すように、セラミックコンデンサ１は、セラミックコンデンサ素子１０と一対の接続端子（金属端子）４０、５０とを含む。なお、本実施形態では、セラミックコンデンサ１の長手方向をＸ、幅方向をＹ、厚さ方向、すなわち、内部電極及び誘電体が積層された方向をＺとする。幅方向Ｙ及び厚さ方向Ｚは互いに直交する。また、幅方向Ｙ及び厚さ方向Ｚは、それぞれ長手方向Ｘに直交する。
【００１８】
セラミックコンデンサ素子１０は、誘電体素体１１と、一対の外部電極（端子電極）２０、３０とを有する。セラミックコンデンサ素子１０の外形は、Ｘ方向にＬ１、Ｙ方向にＷ１、Ｚ方向にＴ１である。セラミックコンデンサ素子１０は、積層型のセラミックコンデンサであり、略直方体形状に形成される。誘電体素体１１は、セラミックコンデンサ素子１０の長さ方向Ｘの両端面と、その両端面より所定長さだけ周囲を囲む部位とに一対の外部電極２０、３０が設けられている。誘電体素体１１は、Ｚ方向に互いに対向する誘電体素体端面１２、１３と、Ｘ方向に互いに対向する誘電体素体端面１４、１５と、Ｙ方向に互いに対向する誘電体素体端面１６、１７とを有する６面体である。
【００１９】
誘電体素体１１は、複数の誘電体１１ａと複数の内部電極１８、１９とを交互に積層して形成されている。誘電体素体１１は、セラミックグリーンシート（未焼成セラミックシート）を複数枚積層した積層体を過熱圧着して一体化して、切断し、脱脂し、焼成することにより得られた直方体状の焼結体である。
【００２０】
誘電体素体１１のＸ方向の両側には、一対の外部電極２０、３０が形成されている。外部電極２０、３０は、導電体で形成される。外部電極２０、３０は、誘電体素体端面１４、１５を覆っている。誘電体素体端面１４、１５を覆う外部電極２０、３０のＸ方向の両外側面は、外部電極側面２１、３１となる。また、外部電極２０は、誘電体素体端面１２、１３と誘電体素体端面１６、１７とにも延びており、外部電極２０の外部電極端面２２、２３、２４及び２５を有している。また、外部電極３０は、誘電体素体端面１２、１３と誘電体素体端面１６、１７とにも延びており、外部電極３０の外部電極端面３２、３３、３４及び３５を有している。外部電極側面２１と、外部電極端面２２、２３、２４及び２５とは、垂直な平面となる。外部電極側面３１と、外部電極端面３２、３３、３４及び３５とは、垂直な平面となる。図２に示す誘電体素体１１のＺ方向下面に形成された外部電極端面２３、３３が、セラミックコンデンサ１が回路基板に接続される場合に、回路基板側に位置することになる。外部電極端面２３、３３とは、角部２６、３６で接続されている。
【００２１】
内部電極１８、１９のそれぞれは、誘電体素体１１の内部に埋設されている。内部電極１８、１９を構成する材料としては、積層型の電気素子の内部電極として通常用いられる導電性材料であれば用いることができ、例えば、卑金属であるＮｉを主成分とする導電性材料として含んだものが用いられる。内部電極１８と内部電極１９とは、誘電体素体１１内の誘電体１１ａの少なくとも一部を介して対向している。内部電極１８と内部電極１９とは、誘電体素体１１内の誘電体１１ａを介してＺ方向に積層されている。内部電極１８の一端は、Ｘ方向の誘電体素体端面１５で外部電極３０と電気的に接続されている。内部電極１８の他端は、誘電体素体１１内で開放端となっている。内部電極１９の一端は、誘電体素体１１のＸ方向の誘電体素体端面１４で外部電極２０と電気的に接続されている。内部電極１９の他端は、誘電体素体１１内で開放端となっている。
【００２２】
外部電極２０、３０は、例えばＣｕを主成分として含有するものが用いられ、Ｃｕ粉末を含有する導電性ペーストを誘電体素体１１の外表面に塗布して焼き付けることによって形成されている。外部電極２０、３０は、複数の金属電極層で構成されていてもよく、例えば、外部電極２０、３０は、Ｃｕを主成分とした下地電極に、Ｎｉめっき層、Ｓｎめっき層を形成するようにしてもよい。セラミックコンデンサ素子１０の一対の外部電極２０、３０に電圧を印加すると、誘電体素体１１には、電荷が蓄えられる。
【００２３】
誘電体素体１１内の誘電体１１ａは、例えば、誘電率の高い強誘電体材料としてチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）系セラミック材料で構成され、複数の誘電体層で形成されている。誘電体１１ａとしてチタン酸バリウムを主成分として用いて構成された誘電体素体１１は、誘電体として作用する。誘電体は、電界が加えられると電歪現象により歪みが生じる。セラミックコンデンサ素子１０は、交流電界が印加された場合、誘電体素体１１に交流電界の周波数に同期した機械的歪みを生じる。誘電体素体１１の機械的歪みの周波数が可聴周波数帯域である場合、機械的歪みが振動音として現れることなる。
【００２４】
一対の接続端子４０、５０は、電気的に導通可能な材料、例えば４２質量％のＮｉを含むＮｉＦｅ合金で形成される。一対の接続端子４０、５０は、回路基板と外部電極との距離（Ｚ方向）を一定間隔である高さＴ２に保つことができる。接続端子４０、５０は、回路基板と外部電極２０、３０とを電気的に接続している。
【００２５】
図２に示すように、接続端子４０は、平板状の金属板を折り曲げ屈曲部４４、４５を設けることにより、搭載部４１と、折り返し部４２と、接続部４３と、を有する。搭載部４１と接続部４３とは、折り返し部４２の両方の端部から同じ方向に延出している。接続端子４０の断面形状は、そして、断面コの字形状となる。搭載部４１と接続部４３とが延出する方向は、平行である。搭載部４１は、セラミックコンデンサ１の外部電極端面２３を外表面４１ａに搭載可能なように、外表面４１ａを平坦にしてある。接続部４３は、回路基板へ電気的に安定に接続するため及びセラミックコンデンサ１の姿勢を安定して保つためＸＹ平面に平行な平坦面を有している。搭載部４１と接続部４３とは、互いにＺ方向に対向しており、互いに平行な面である。搭載部４１と接続部４３との間には、空間Ｇが形成される。搭載部４１と接続部４３との間の距離は、ギャップ高さＧ１である。折り返し部４２は、搭載部４１と接続部４３とに直交するＺ方向に延びており、搭載部４１と接続部４３とを接続する。接続端子４０は、搭載部４１から折り返し部４２を介して、接続部４３へ折り返す折り曲げ加工がされている。
【００２６】
図２に示すように、接続端子５０は接続端子４０と、Ｙ軸視で左右逆とした対称形状である。接続端子５０は平板状の金属板を折り曲げ屈曲部５４、５５を設けることにより、搭載部５１と、折り返し部５２と、接続部５３と、を有する。搭載部５１と接続部５３とは、折り返し部５２の両方の端部から同じ方向に延出している。接続端子５０の断面形状は、そして、断面コの字形状となる。搭載部５１と接続部５３とが延出する方向は、平行である。搭載部５１は、セラミックコンデンサ１の外部電極端面３３を外表面５１ａに搭載可能なように、外表面５１ａを平坦にしてある。接続部５３は、回路基板へ接続するための辺部である。搭載部５１と接続部５３とは、互いにＺ方向に対向しており、互いに平行な面である。搭載部５１と接続部５３との間には、空間Ｇが形成される。搭載部５１と接続部５３との間の距離は、ギャップ高さＧ１である。折り返し部５２は、搭載部５１と接続部５３と直交するＺ方向に延びており、搭載部５１と接続部５３とを接続する。接続端子５０は、搭載部５１から折り返し部５２を介して、接続部５３へ折り返す折り曲げ加工がされている。接続端子４０、５０は、それぞれの空間Ｇが互いに対向するように配置されている。
【００２７】
図２に示すように、接続端子４０、５０は、接合材６０を介して、外部電極２０、３０と接合している。接合材６０は、例えば、Ｓｂを１０質量％含むＳｎ−Ｓｂ合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金等のはんだや、導電性接着剤を用いることができる。接続端子４０、５０は、外部電極２０、３０のＹ方向に渡って幅Ｗ２だけ接合している。また、外部電極２０、３０のＸ方向の幅Ｂ１が搭載部４１、５１のＸ方向長さＬ２に収まるよう搭載部４１、５１に搭載されている方が安定する。外部電極２０、３０が接合材６０で搭載部４１、５１と接合している。接合材６０は、接合材６０のＺ方向下端長さＢ２が、Ｘ方向長さＬ２に収まるよう搭載部４１、５１に付着している。図１に示すように、実施形態１のセラミックコンデンサ１は、搭載部４１、５１のＸ方向長さＬ２と接続部４３、５３のＸ方向長さＬ３とが同じ長さである。誘電体素体１１の姿勢は、搭載部４１、５１のＸ方向長さＬ２より接続端子４０、５０の接続部４３、５３の長さＬ３が長い方が安定する。
【００２８】
図４は、回路基板に実施形態１のセラミックコンデンサを実装した状態を模式的に説明する図である。回路基板７０には回路配線に繋がる基板電極（ランド）７１が設けられている。基板電極７１は、例えば銅で形成されている。基板電極７１上に、セラミックコンデンサ１が載置される。
【００２９】
セラミックコンデンサ１が回路基板７０に実装される場合、誘電体素体１１が有する外部電極端面２３、３３は、回路基板７０側に位置する。セラミックコンデンサ１の接続端子４０、５０の接続部４３は、接合材７２を介して基板電極７１と接合される。外部電極端面２３、３３は、接続端子４０、５０を介して、基板電極７１と接合されている。接続端子４０、５０は、外部電極側面２１、３１に対向していない。外部電極側面２１、３１は、外部電極端面２３、３３と直交する。外部電極側面２１と搭載部４１の外表面４１ａとの間には、接合材６０が介在されている。また、外部電極側面３１と搭載部５１の外表面５１ａとの間には、接合材６０が介在されている。搭載部４１の外表面４１ａ及び搭載部５１の外表面５１ａ上の接合材６０のＺ方向高さをｈとする。また、接合材６０が外部電極側面２１、３１からＸ方向に向かってはみ出す長さをＬ４とする。また、角部２６、３６の高さをＴＲ１とする。ここで、接合材６０の高さｈは、角部２６、３６の高さＴＲ１よりも高い方が、誘電体素体１１と接続端子４０、５０との接合強度を高めることができるため好ましい。
【００３０】
図５−１は、接続端子の変形例を説明するための説明図である。接続端子４０、５０のうち、接続端子５０を代表して説明すると、折り返し部５２は、Ｚ方向に延びているが非直線である。搭載部５１と接続部５３とは折り返し部５２の両方の端部から同じ方向に延出している。そして、搭載部５１と接続部５３とが延出する方向は、平行である。このような構造により、接続端子５０の断面形状は、断面略Ｕの字形状となる。
【００３１】
図５−２は、接続端子の変形例を説明するための説明図である。接続端子４０、５０のうち、接続端子５０を代表して説明すると、搭載部５１は、凸部８１を有している。凸部８１は、搭載部５１の外部端子３０側の面から、当該面と直交し、かつ当該面から離れる方向に向かって突出している。凸部８１が設けられることにより、搭載部５１の外部端子３０側から凸部８１の壁面８１ａが立ち上がっている。この壁面８１ａで、図４に示す接合材６０を堰き止めることができる。
【００３２】
接合材６０のＺ方向高さｈを高くするためには、接合材６０を多く付着させる必要があるが、このようにすると、接続端子４０、５０の外側に流れだしてしまうおそれがある。そして、接合材６０と接合材７２とが繋がってしまうと、電歪現象に起因して発生するセラミックコンデンサ素子１０の振動が回路基板７０へ伝播しやすくなる結果、振動音（音鳴り）が大きくなる。そこで、壁面８１ａで、接合材６０を堰き止めることで、接合材６０のＺ方向高さｈを高くしても、接続端子４０、５０の外側に流れ出す接合材６０量を低減することができる。凸部８１は、例えば搭載部５１の外表面を加工して形成する。また、凸部８１は、搭載部５１の外表面に部材を取り付けることにより形成してもよい。凸部８１として、搭載部５１の外表面に取り付ける材料は、例えばポリイミド等の樹脂がある。
【００３３】
図５−３は、接続端子の変形例を説明するための説明図である。接続端子４０、５０のうち、接続端子５０を代表して説明すると、搭載部５１は、凹部８２を有している。凹部８２は、搭載部５１の外部端子３０側の面よりも接続端子５０の内部に向かって凹んでいる。凹部８２は、対向する壁面８２ａ、８２ｂを有する。この壁面８２ａ、８２ｂは、余剰な接合材６０を保持することができる。このため、凹部８２は、接合材６０の高さｈを高くしても、凹部８２を超えて接続端子４０、５０の外側に接合材６０が流れ出さないようにすることができる。凹部８２は、例えば搭載部５１の外表面を加工して形成される。
【００３４】
セラミックコンデンサ１は、電歪効果による振動が発生した場合、外部電極端面３３から振動を接続端子４０、５０へ伝達する。接続端子４０、５０は、外部電極端面２３、３３と回路基板７０の基板電極７１との間に介在して、誘電体素体１１が発生させる電歪効果による振動が基板電極７１へ伝達されることを軽減することができる。これは、セラミックコンデンサ１の振動は、主にＺ方向、すなわち、図２に示す誘電体１１ａの積層方向に生じるものと考えられ、前記積層方向と直交する外部電極端面２３、３３に接続端子４０、５０を設けることにより、前記振動が緩和されるからであると推定される。このように、セラミックコンデンサ１は、接続端子４０、５０でセラミックコンデンサ１のＺ方向の振動を減衰させることができるので、回路基板７０への振動の伝達は抑制される。その結果、電歪現象に起因して発生する振動音（音鳴り）を抑制できる。
【００３５】
また、電歪現象による誘電体素体１１の振動が外部電極２０、３０から接合材６０を介して搭載部４１の外表面４１ａ及び搭載部５１の外表面５１ａへ伝わると、セラミックコンデンサ１は、外部電極側面２１、３１と搭載部４１の外表面４１ａ及び搭載部５１の外表面５１ａに介在する接合部６０が回路基板７０の共鳴周波数と異なるように振動の周波数を変化させることができる。さらに、搭載部４１と接続部４３との間又は搭載部５１と接続部５３との間に形成される空間Ｇが振動の減衰に寄与する。セラミックコンデンサ１は、空間Ｇに、接続端子４０、５０とはヤング率の異なるポリイミド等の樹脂を充填することで、さらに振動を減衰させることもできる。
【００３６】
（実施形態２）
図６は、実施形態２のセラミックコンデンサを示す斜視図である。なお、前述した実施形態で説明したものと同じ部材には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【００３７】
実施形態２のセラミックコンデンサ２は、接続端子５０が外部電極２０と接合材６０を介して接合されている。また、セラミックコンデンサ２は、接続端子４０が接合剤６０を介して外部電極３０と接合している。実施形態２は、実施形態１のセラミックコンデンサ１と比較して、接続端子４０と接続端子５０とが接合される配置を入れ替えた実施形態である。すなわち、実施形態１では、接続端子４０、５０は、それぞれの空間Ｇが互いに対向するように配置されていた。これに対して、実施形態２は、接続端子４０、５０は、それぞれの空間Ｇは、互いにセラミックコンデンサ２の外側を向くように配置されている。
【００３８】
図７は、回路基板に実施形態２のセラミックコンデンサを実装した状態を模式的に説明する図である。回路基板７０には回路配線に繋がる基板電極７１が設けられている。基板電極７１は、例えば銅で形成されている。基板電極７１上に、セラミックコンデンサ２が載置される。セラミックコンデンサ２の接続端子４０、５０が基板電極７１と接合材７２を介して接合される。
【００３９】
セラミックコンデンサ２が回路基板７０に実装される場合、誘電体素体１１が有する外部電極端面２３、３３は、回路基板７０側に位置する。セラミックコンデンサ２の接続端子４０、５０の接続部４３、５３は基板電極７１と接合材７２を介して接合される。外部電極端面２３、３３は、接続端子４０、５０を介して、基板電極７１と接合されている。接続端子４０、５０は外部電極側面２１、３１に対向していない。外部電極側面２１、３１は、外部電極端面２３、３３と直交する。外部電極側面３１と搭載部４１の外表面４１ａとの間には、接合材６０が介在されている。また、外部電極側面２１と搭載部５１の外表面５１ａとの間には、接合材６０が介在されている。搭載部４１の外表面４１ａ及び搭載部５１の外表面５１ａ上の接合材６０のＺ方向高さをｈとする。また、接合材６０が外部電極側面２１、３１からＸ方向に向かってはみ出す長さをＬ４とする。また、角部２６、３６の高さをＴＲ２とする。ここで、接合材６０の高さｈは、角部２６、３６の高さＴＲ２よりも高い方が、誘電体素体１１と接続端子４０、５０との接合強度を高めることができるため好ましい。
【００４０】
セラミックコンデンサ２は、電歪効果による振動が発生した場合、外部電極端面２３、３３から振動を接続端子４０、５０へ伝達する。接続端子４０、５０は、外部電極端面２３、３３と回路基板７０の基板電極７１との間に介在して、誘電体素体１１が発生させる電歪効果による振動が基板電極７１へ伝達されることを軽減することができる。これは、セラミックコンデンサ２の振動は、主にＺ方向、すなわち、図６に示す誘電体１１ａの積層方向に生じるものと考えられ、前記積層方向と直交する外部電極端面２３、３３に接続端子４０、５０を設けることにより、前記振動が緩和されるからであると推定される。このように、セラミックコンデンサ２は、接続端子４０、５０でセラミックコンデンサ２のＺ方向の振動を減衰させることができるので、回路基板７０への振動の伝達は抑制される。その結果、電歪現象に起因して発生する振動音（音鳴り）を抑制できる。
【００４１】
また、電歪現象による誘電体素体１１の振動が外部電極２０、３０から接合材６０を介して搭載部４１の外表面４１ａ及び搭載部５１の外表面５１ａへ伝わると、セラミックコンデンサ２は、外部電極側面２１、３１と搭載部４１の外表面４１ａ及び搭載部５１の外表面５１ａに介在する接合部６０が回路基板の共鳴周波数と異なるように振動の周波数を変化させることができる。また、搭載部４１と接続部４３との間又は搭載部５１と接続部５３との間に形成される空間Ｇが振動の減衰に寄与する。セラミックコンデンサ２は、空間Ｇに、接続端子４０、５０とはヤング率の異なるポリイミド等の樹脂を充填することで、さらに振動を減衰させることもできる。
【００４２】
（実施形態３）
図８及び図９は、実施形態３に係るセラミックコンデンサを模式的に示す図である。なお、前述した実施形態で説明したものと同じ部材には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【００４３】
実施形態３のセラミックコンデンサ３は、一対の接続端子１００、１００を有している。接続端子１００は、図９に示すように、平板状の金属板を折り曲げ屈曲部１０６、１０７、１０８、１０９を設けることにより、搭載部１０１と、折り返し部１０２、１０３と、接続部１０４、１０５と、を有する。搭載部１０１と接続部１０４とは、折り返し部１０３の両方の端部から同じ方向に延出している。また、搭載部１０１と接続部１０５とは、折り返し部１０２の両方の端部から同じ方向に延出している。接続端子１００の断面形状は、そして、断面コの字形状を空間Ｇが向かい合わせになるようにされている。部１０１と接続部１０４、１０５とが延出する方向は、平行である。なお、接続端子１００の変形例としては、それぞれの空間Ｇは、互いに折り返し部１０２、１０３を介して外側を向いていてもよい。接続端子１００は、実施形態１で説明した接続端子４０及び接続端子５０を搭載部４１及び搭載部５１が同一平面となるように延長の上接続して一体としている。また、接続端子１００は、実施形態１で説明した接続端子４０及び接続端子５０とは、配置方向が９０°異なっている。図９に示すように、接続端子１００は、Ｘ方向視断面の幅Ｗ５が外部電極２０、３０の幅Ｗ１よりも大きくなるように形成されている。図８及び図９に示すように、接続端子１００は、接合材６０を介して外部電極２０と接合している。また、図９に示すように、接続端子１００は、接合材６１を介して外部電極２０の外部電極端面２４、２５と接合している。同様に、他の接続端子１００が接合材６０を介して、外部電極３０と接合している。また、接続端子１００は、接合材６１を介して外部電極３０の外部電極端面３４、３５と接合している。実施形態３のセラミックコンデンサ３は、接続端子の向きを９０°変えたとしても、３ｋＨｚにおける音圧を低減できる。また、セラミックコンデンサ３は、接合材６０及び６１を有するので実施形態１のセラミックコンデンサ１よりもセラミックコンデンサ素子１０と接続端子１００との接合強度を向上できる。
【００４４】
（評価）
上述の実施形態１及び２のセラミックコンデンサ１及び２を用いて、評価サンプルを作成し評価例１〜１１の評価を行った。比較のため比較例１のサンプルを作成し評価を行った。
【００４５】
評価例１は、実施形態１で説明したセラミックコンデンサ１が評価サンプルに用いられている。セラミックコンデンサ素子１０は、型式４５３２（長さ（Ｌ１）４．５ｍｍ×幅（Ｗ１）３．２ｍｍ×厚さ（Ｔ１）３．２ｍｍ）、型式３２２５（長さ（Ｌ１）３．２ｍｍ×幅（Ｗ１）２．５ｍｍ×厚さ（Ｔ１）２．５ｍｍ）、型式３２１６（長さ（Ｌ１）３．２ｍｍ×幅（Ｗ１）１．６ｍｍ×厚さ（Ｔ１）１．６ｍｍ）の３種類を用意した。セラミックコンデンサ１の接続端子４０、５０の材料は４２質量％のＮｉを含むＮｉＦｅ合金を板材として用いた。接続端子４０、５０のギャップ高さＧ１が１．０ｍｍ、板厚みａが０．１ｍｍ、板幅Ｗ２が３．２ｍｍ、２．５ｍｍ、１．６ｍｍの３種類を用意し、セラミックコンデンサ素子の幅Ｗ１に合わせて組み合わせたサンプルを用意した。接続端子４０、５０は、いずれも３μｍのＳｎめっき膜で覆われている。接続端子４０、５０と外部電極２０、３０とを接合する接合材６０は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金）を用いた。また、接続端子４０、５０が基板電極７１と接続する接合材７２は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金）を用いた。接続端子４０、５０のＺ方向高さＴ２は、１．２ｍｍとした。接合材６０のＺ方向高さをｈ、セラミックコンデンサ素子１０の厚さ（外部電極の高さ）Ｔ１としたとき、ｈとＴ１の比ｈ／Ｔ１を、０．０５、０．１、０．２、０．６、０．８、１．０と変化させたサンプルも作成した。
【００４６】
評価例２は、実施形態１で説明したセラミックコンデンサ１が評価サンプルに用いられている。評価例２のサンプルは、評価例１の接続端子４０、５０のギャップ高さＧ１を１．０ｍｍから０．２ｍｍへ変更している。その他の条件は、評価例１と同じである。
【００４７】
評価例３は、実施形態２で説明したセラミックコンデンサ２が評価サンプルに用いられている。セラミックコンデンサ素子１０は、型式４５３２（長さ（Ｌ１）４．５ｍｍ×幅（Ｗ１）３．２ｍｍ×厚さ（Ｔ１）３．２ｍｍ）、型式３２２５（長さ（Ｌ１）３．２ｍｍ×幅（Ｗ１）２．５ｍｍ×厚さ（Ｔ１）２．５ｍｍ）、型式３２１６（長さ（Ｌ１）３．２ｍｍ×幅（Ｗ１）１．６ｍｍ×厚さ（Ｔ１）１．６ｍｍ）の３種類を用意した。セラミックコンデンサ２の接続端子４０、５０の材料は４２質量％のＮｉを含むＮｉＦｅ合金を板材として用いた。接続端子４０、５０のギャップ高さＧ１が１．０ｍｍ、板厚みａが０．１ｍｍ、板幅Ｗ２が３．２ｍｍ、２．５ｍｍ、１．６ｍｍの３種類を用意し、セラミックコンデンサ素子の幅Ｗ１に合わせて組み合わせたサンプルを用意した。接続端子４０、５０は、いずれも３μｍのＳｎめっき膜で覆われている。接続端子４０、５０と外部電極２０、３０とを接合する接合材６０は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金）を用いた。また、接続端子４０、５０が基板電極７１と接続する接合材７２は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金）を用いた。接続端子４０、５０のＺ方向高さＴ２は、１．２ｍｍとした。接合材６０のＺ方向高さをｈ、セラミックコンデンサ素子１０の厚さ（外部電極の高さ）Ｔ１としたとき、ｈとＴ１の比ｈ／Ｔ１を、０．０５、０．１、０．２、０．６、０．８、１．０と変化させたサンプルも作成した。
【００４８】
評価例４は、実施形態２で説明したセラミックコンデンサ２が評価サンプルに用いられている。評価例４のサンプルは、評価例３の接続端子４０、５０のギャップ高さＧ１を１．０ｍｍから０．２ｍｍへ変更している。その他の条件は、評価例３と同じである。
【００４９】
評価例５は、実施形態１で説明したセラミックコンデンサ１が評価サンプルに用いられている。評価例５のサンプルは、評価例１の接続端子４０、５０の板厚ａを０．１ｍｍから０．０５ｍｍへ変更している。その他の条件は、評価例１と同じである。
【００５０】
評価例６は、実施形態１で説明したセラミックコンデンサ１が評価サンプルに用いられている。評価例６のサンプルは、評価例１の接続端子４０、５０の板厚ａを０．１ｍｍから０．２ｍｍへ変更している。その他の条件は、評価例１と同じである。
【００５１】
評価例７は、実施形態２で説明したセラミックコンデンサ２が評価サンプルに用いられている。評価例７のサンプルは、評価例３の接続端子４０、５０の板厚ａを０．１ｍｍから０．０５ｍｍへ変更している。その他の条件は、評価例３と同じである。
【００５２】
評価例８は、実施形態２で説明したセラミックコンデンサ２が評価サンプルに用いられている。評価例８のサンプルは、評価例３の接続端子４０、５０の板厚ａを０．１ｍｍから０．２ｍｍへ変更している。その他の条件は、評価例３と同じである。
【００５３】
評価例９は、実施形態１で説明したセラミックコンデンサ１が評価サンプルに用いられている。評価例９のサンプルは、評価例１の接合材６０の材質をＳｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金）から導電性接着剤へ変更している。その他の条件は、評価例１と同じである。
【００５４】
評価例１０は、実施形態２で説明したセラミックコンデンサ２が評価サンプルに用いられている。評価例１０のサンプルは、評価例３の接合材６０の材質をＳｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金）から導電性接着剤へ変更している。その他の条件は、評価例３と同じである。
【００５５】
評価例１１は、実施形態１で説明したセラミックコンデンサ１が評価サンプルに用いられている。評価例１１のサンプルは、評価例１の接続端子４０、５０の材質を４２質量％のＮｉを含むＮｉＦｅ合金からリン青銅へ変更している。その他の条件は、評価例１と同じである。
【００５６】
図１０は、回路基板に比較例のセラミックコンデンサを実装した状態を模式的に説明する図である。比較例１は、同図に示すようなセラミックコンデンサ１２０を比較サンプルとしている。なお、前述した実施形態で説明したものと同じ部材には同一の符号を付して重複する説明は省略する。一対の接続端子１５０、１５０は、外部電極２０、３０のＸ方向の両外側面である外部電極側面２１、３１に各々接合材６０を介して接合されている。一対の接続端子１５０、１５０は、回路基板７０と外部電極２０、３０との距離（Ｚ方向）を一定間隔である高さＴ３に保つことができる。図１０に示すように、接続端子１５０は、平板状の金属板を折り曲げ屈曲部１５４、１５５、１５６を設けることにより、折り曲げ加工されている。接続端子１５０は、Ｚ方向に立脚する脚部１５１から屈曲部１５４、１５５により折り返し部１５２を介して、脚部１５１と平行に折り返され、端子接合辺部１５３を有している。端子接合辺部１５３は、外部電極２０、３０の外部電極側面２１、３１に平行である。端子接合辺部１５３と外部電極２０、３０の外部電極側面２１、３１とは対向している。脚部１５１は、屈曲部１５６により回路基板７０と平行な接続部１５７に繋がっている。そして、接続部１５７が基板電極７１と接合材７２を介して接合される。
【００５７】
比較例１は、セラミックコンデンサ１２０が比較例１のサンプルに用いられている。セラミックコンデンサ素子１０は、型式４５３２（長さ（Ｌ１）４．５ｍｍ×幅（Ｗ１）３．２ｍｍ×厚さ（Ｔ１）３．２ｍｍ）を用いた。セラミックコンデンサ２００の接続端子１５０の材料は４２質量％のＮｉを含むＮｉＦｅ合金を板材として用いた。接続端子１５０の板厚ａは、０．１ｍｍの１種類のサンプルを用意した。サンプルは、いずれも３μｍのＳｎめっき膜で覆われている。接続端子１５０と外部電極２０、３０とを接合する接合材６０は、ＳｂをＳｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金）を用いた。また、接続端子１５０が基板電極７１と接続する接合材７２は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ合金）を用いた。接続端子１５０のＺ方向高さＴ３は、１ｍｍとした。
【００５８】
以上、準備した評価例１〜１１のサンプル及び比較例１のサンプルの音圧を測定した。
【００５９】
図１１は、音圧の測定を行なう際に用いた試験装置の構成を簡略に示す図である。各セラミックコンデンサを基板に搭載して交流電圧を印加した際に、基板から発生する振動音の大きさ（音圧）を測定した。図１１に示すように、試験装置１６０は、無響箱１６１と、集音マイク（商品名；ＭＩ−１２３３、小野測器社製）１６２と、電源装置１６３と、ＦＦＴアナライザ（商品名：ＤＳ２１００、小野測器社製）１６４とを備えている。そして、測定対象となるサンプル１６５は、基板１６６に設置された状態で、無響箱１６１内に設置される。サンプル１６５を設置した基板１６６は、その両端に正負一対の電極がそれぞれ設けられる。
【００６０】
無響箱１６１は、箱状に形成され、その内壁に吸音材１６７が設けられている。吸音材１６７は、グラスウール等を用いており、その表面を波型等に形成することで、音波の接触面積を拡大させ、吸音効果を高めている。
【００６１】
電源装置１６３は、一対の配線１６８を介して、基板１６６の正負一対の電極にそれぞれ接続されており、基板１６６は、配線１６８に吊り下げられた状態で、サンプル１６５が無響箱１６１内の底面に対向するように、無響箱１６１の中央部分に配置される。電源装置１６３は、サンプル１６５に対してＤＣバイアスを与えながら交流電圧を印加した。ＤＣバイアスは２０Ｖとした。交流電圧は、周波数を１ｋＨｚ〜１０ｋＨｚとした。また、交流電圧は、３Ｖｐ−ｐとなるように、すなわち、ＤＣバイアスの２０Ｖを中心として、交流電圧が±３Ｖの範囲で変化するように印加された。
【００６２】
集音マイク１６２は、無響箱１６１内の底面に設けられ、無響箱１６１の中央部分に設置されたサンプル１６５と所定距離を保つようにして配置される。ＦＦＴアナライザ１６４は、集音マイク１６２により集音された振動音の大きさ（音圧）を解析した。
【００６３】
したがって、試験装置１６０において、電源装置１６３が基板１６６へ向けて所定の交流電圧を印加すると、サンプル１６５で振動が発生し、サンプル１６５の振動が基板１６６に伝達され、基板１６６から振動音が発生する。この振動音を、集音マイク１６２を用いて集音し、集音した振動音を、ＦＦＴアナライザ１６４で解析することで、基板１６６から発生する振動音の大きさを測定した。なお、ＩＳＯ２２６に規定される等感度曲線から、人間の耳の感度は３ｋＨｚから４ｋＨｚで最も鋭くなる。このため、本評価例においては、人間の耳の感度がもっと鋭くなる周波数（より具体的には３ｋＨｚ）での音圧を測定した。音圧測定評価の結果、表１〜１２に示すような評価結果となった。
【００６４】
図１２は、接合強度試験を簡略に示す模式図である。本評価においては、評価例１、３、９及び１０について、セラミックコンデンサのセラミックコンデンサ素子と接続端子との接合強度を測定した。図１２に示すように、接合強度試験１７０は、実施形態１で用いられる接続端子４０、５０を設けたセラミックコンデンサ素子１０を例示して説明している。評価例３、９及び１０においても同様に接合強度試験１７０が実施される。接合強度試験１７０は、ピアノ線１７１を各試料であるセラミックコンデンサの接続端子４０、５０に巻きつける。接合強度試験１７０は、ピアノ線１７１を接続端子４０、５０に引っかけた状態で、２本のピアノ線１７１をＸ方向に互いに逆向きに示す矢印Ｐ方向に引っ張る。接合強度試験１７０は、セラミックコンデンサ素子１０と接続端子４０、５０とが剥離した際の引っ張り強度を測定しセラミックコンデンサ素子１０と接続端子４０、５０との接合強度を求める。評価例１、３、９及び１０におけるセラミックコンデンサ素子１０と接続端子との接合強度の測定結果を表１、３、９及び１０に音圧測定評価の結果と共に併記する。
【００６５】
【表１】
2012033655.tif 000003
【００６６】
【表２】
2012033655.tif 000004
【００６７】
【表３】
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【００６８】
【表４】
2012033655.tif 000006
【００６９】
【表５】
2012033655.tif 000007
【００７０】
【表６】
2012033655.tif 000008
【００７１】
【表７】
2012033655.tif 000009
【００７２】
【表８】
2012033655.tif 000010
【００７３】
【表９】
2012033655.tif 000011
【００７４】
【表１０】
2012033655.tif 000012
【００７５】
【表１１】
2012033655.tif 000013
【００７６】
【表１２】
2012033655.tif 000014
【００７７】
表１２に示すように、比較例１の音圧は、３ｋＨｚにおいて６０ｄＢを示した。表１〜１２に示すように、比較例１と評価例１〜１１のサンプルを比較すると、３ｋＨｚにおける音圧は、比較例１の３ｋＨｚにおける音圧よりも低い。人間の耳の感度は、３〜４ｋＨｚで高くなると言われている。したがって、実施形態１のセラミックコンデンサ１及び実施形態２のセラミックコンデンサ２は、セラミックコンデンサが発生する３ｋＨｚにおける音圧を下げることができる。
【００７８】
表１〜１１に示すように、評価例１〜１１のサンプルは、ｈ／Ｔ１の値が０．０５を超えて、０．１以上となると急激に３ｋＨｚにおける音圧が減少する。接合材６０の量が少ないと、接合材６０の高さｈは、角部２６、３６の高さを超えず、接合材６０がフィレット形状となり難い。また、表１、３、９及び１０に示すように、ｈ／Ｔ１の値が０．０５では、セラミックコンデンサ素子１０と接続端子４０、５０との接合強度が低い。外部電極２０、３０のＸ方向の両外側面である外部電極側面２１、３１に接合材６０が達するようになると振動が外部電極２０、３０から接合材６０を介して搭載部４１の外表面４１ａ及び搭載部５１の外表面５１ａへ伝わる。接続端子４０、５０に伝達された振動は、折り返し部４２、５２の影響で回路基板７０の共鳴周波数と異なるように振動の周波数が変化する。したがって、実施形態１のセラミックコンデンサ１及び実施形態２のセラミックコンデンサ２は、セラミックコンデンサが発生する３ｋＨｚにおける音圧を下げることができる。
【００７９】
ｈ／Ｔ１の値が１となると、評価例１〜１１のサンプルは、最も３ｋＨｚにおける音圧を下げることができる。実施形態１のセラミックコンデンサ１及び実施形態２のセラミックコンデンサ２は、０．１≦ｈ／Ｔ１≦１となるように、接合材６０の高さを設定し、セラミックコンデンサ素子１０と、接続端子４０、５０とを接合すると、セラミックコンデンサが発生する３ｋＨｚにおける音圧を下げることができる。
【００８０】
評価例１及び評価例２のセラミックコンデンサ１は、空間Ｇのギャップ高さＧ１を変更している。同様に、評価例３及び評価例４のセラミックコンデンサ２は、空間Ｇのギャップ高さＧ１を変更している。評価例１、２、３及び４は、いずれも３ｋＨｚにおける音圧が比較例１の３ｋＨｚにおける音圧よりも低い。本発明は、空間Ｇのギャップ高さＧ１を小さくしても３ｋＨｚにおける音圧を比較例１に対して下げることができる。空間Ｇのギャップ高さＧ１を小さくして接続端子４０、５０の高さの選択範囲を広げることができる。実施形態１のセラミックコンデンサ１及び実施形態２のセラミックコンデンサ２は、セラミックコンデンサを低背できる。
【００８１】
評価例１、５及び６は、実施形態１のセラミックコンデンサ１の接続端子４０、５０の板厚ａを０．１ｍｍ、０．０５ｍｍ及び０．２ｍｍと変えた３種類サンプルである。評価例１、５及び６のサンプル同士を比較すると、接続端子４０、５０の板厚ａを増加すると、３ｋＨｚにおける音圧が上昇する傾向が見られる。評価例３、７及び８は、実施形態２のセラミックコンデンサ２の接続端子４０、５０の板厚ａを０．１ｍｍ、０．０５ｍｍ及び０．２ｍｍと変えた３種類サンプルである。評価例３、７及び８のサンプル同士を比較すると、接続端子４０、５０の板厚ａを増加すると、３ｋＨｚにおける音圧が上昇する傾向が見られる。評価例１、３、５、６、７及び８のサンプルの３ｋＨｚにおける音圧は、比較例１の３ｋＨｚにおける音圧よりも低い。したがって、実施形態１のセラミックコンデンサ１及び実施形態２のセラミックコンデンサ２は、接続端子４０、５０の板厚ａの選択範囲を広げることができる。
【００８２】
評価例１及び９は、実施形態１のセラミックコンデンサ１の接合材６０の材料を変えている。接合材６０は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだで形成した方が導電性接着剤で形成するよりも固着強度を高くすることができる。接合材６０は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだで形成しても導電性接着剤で形成しても３ｋＨｚにおける音圧に有意差はみられない。
【００８３】
評価例３及び１０は、実施形態２のセラミックコンデンサ２の接合材６０の材料を変えている。接合材６０は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだで形成した方が導電性接着剤で形成するよりも固着強度を高くすることができる。接合材６０は、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだで形成しても導電性接着剤で形成しても３ｋＨｚにおける音圧に有意差はみられない。
【００８４】
評価例１及び１１は、実施形態１のセラミックコンデンサ１の接続端子４０、５０の材質を変えている。評価例１の接続端子４０、５０の材質を４２質量％のＮｉを含むＮｉＦｅ合金とすると、接続端子４０、５０の材質をリン青銅とするよりも固着強度を高くすることができる。接続端子４０、５０の材質を４２質量％のＮｉを含むＮｉＦｅ合金としても、接続端子４０、５０の材質をリン青銅としても３ｋＨｚにおける音圧に有意差はみられない。
【産業上の利用可能性】
【００８５】
以上のように、本発明に係るセラミックコンデンサは、回路基板に搭載して用いる場合に有用である。
【符号の説明】
【００８６】
１、２、３  セラミックコンデンサ
１０  セラミックコンデンサ素子
１１  誘電体素体
１１ａ  誘電体
１２〜１７  誘電体素体端面
１８、１９  内部電極
２０、３０  外部電極
２１、３１  外部電極側面
２２〜２５  外部電極端面
３２〜３５  外部電極端面
４０、５０  接続端子
４１、５１  搭載部
４２、５２  折り返し部
４３、５３  接続部
１００  接続端子
１６０  試験装置
１６２  集音マイク
１６３  電源装置
１６６  基板
１６７  吸音材
【図１】
2012033655.tif 000015
【図２】
2012033655.tif 000016
【図３】
2012033655.tif 000017
【図４】
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【図５−１】
2012033655.tif 000019
【図５−２】
2012033655.tif 000020
【図５−３】
2012033655.tif 000021
【図６】
2012033655.tif 000022
【図７】
2012033655.tif 000023
【図８】
2012033655.tif 000024
【図９】
2012033655.tif 000025
【図１０】
2012033655.tif 000026
【図１１】
2012033655.tif 000027
【図１２】
2012033655.tif 000028