(57)【要約】【課題】例えば、半導体装置の製造コストを低減する。【解決手段】実施の形態によれば、半導体装置の製造方法は、第１の主面及び第２の主面を有するガラス基板の前記第１の主面に、複数の半導体素子が形成された半導体基板を接着する工程と、前記ガラス基板により支持された状態で前記半導体基板における前記複数の半導体素子の間の領域をダイシング加工する工程と、前記接着工程の前又は後であって前記ダイシング工程の前に、前記ガラス基板の前記第１の主面及び前記第２の主面の少なくとも一方における前記複数の半導体素子の間に対応した領域にスクラッチを形成する工程と、前記ダイシング工程の後に、複数の半導体装置へ個片化されるように、前記ガラス基板における前記スクラッチが形成された領域をブレーキングする工程とを備えている。【選択図】図１
2012015309.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面及び第２の主面を有するガラス基板の前記第１の主面に、複数の半導体素子が形成された半導体基板を接着する工程と、
前記ガラス基板により支持された状態で前記半導体基板における前記複数の半導体素子の間の領域をダイシング加工する工程と、
前記接着工程の前又は後であって前記ダイシング工程の前に、前記ガラス基板の前記第１の主面及び前記第２の主面の少なくとも一方における前記複数の半導体素子の間に対応した領域にスクラッチを形成する工程と、
前記ダイシング工程の後に、複数の半導体装置へ個片化されるように、前記ガラス基板における前記スクラッチが形成された領域をブレーキングする工程と、
を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
半導体基板に複数の半導体素子を形成する形成工程と、
第１の主面及び第２の主面を有するガラス基板の前記第１の主面に前記形成工程を経た前記半導体基板を接着剤で接着する接着工程と、
前記複数の半導体素子が互いに分割されるように、前記ガラス基板により支持された状態で前記半導体基板における前記複数の半導体素子の間の領域をダイシング加工するダイシング工程と、
前記接着工程の前又は後であって前記ダイシング工程の前に、前記ガラス基板の前記第１の主面及び前記第２の主面の少なくとも一方における前記複数の半導体素子の間に対応した領域にスクラッチを形成するスクラッチ工程と、
前記ダイシング工程の後に、複数の半導体装置へ個片化されるように、前記ガラス基板における前記スクラッチが形成された領域をブレーキングするブレーキング工程と、
を備え、
前記スクラッチ工程では、前記スクラッチ工程の後から前記ブレーキング工程の前までの間に前記ガラス基板が割れず、かつ、前記ブレーキング工程においてブレーキングで個片化できる深さまで、クラックが前記スクラッチから前記ガラス基板内を延びるように、前記スクラッチを形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記スクラッチ工程では、前記接着工程の前に、前記スクラッチの深さと前記スクラッチから前記ガラス基板内を延びた前記クラックの深さとの合計が前記ガラス基板の厚さの１０％以上４０％以下になるように、前記ガラス基板の前記第１の主面及び前記第２の主面の一方に前記スクラッチを形成する
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記スクラッチ工程では、前記接着工程の前に、前記スクラッチの深さと第１のスクラッチから前記ガラス基板内を延びた第１のクラックの深さと第２のスクラッチから前記ガラス基板内を延びた第２のクラックの深さとの合計が前記ガラス基板の厚さの１０％以上４０％以下になるように、前記ガラス基板の前記第１の主面及び前記第２の主面にそれぞれ前記スクラッチとして前記第１のスクラッチ及び前記第２のスクラッチを形成する
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記スクラッチ工程では、前記接着工程の前に、前記ガラス基板の前記第１の主面における前記複数の半導体素子の間に対応した領域に溝をエッチング加工又はレーザ加工により形成し、前記溝の深さと前記スクラッチの深さと前記スクラッチから前記ガラス基板内を延びた前記クラックの深さとの合計が前記ガラス基板の厚さの１０％以上４０％以下になるように、前記溝の底面に前記スクラッチを形成する
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記スクラッチ工程では、前記接着工程の後に、前記スクラッチの深さと前記スクラッチから前記ガラス基板内を延びた前記クラックの深さとの合計が前記ガラス基板の厚さの４０％より大きく８０％以下になるように、前記ガラス基板の前記第２の主面に前記スクラッチを形成する
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施の形態は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ガラスの保護カバーを有した半導体素子のパッケージをウェーハレベルで組み立てる場合、複数の半導体素子を半導体ウェーハに形成し、ガラス基板と半導体ウェーハとを接着剤で貼り合わせ半導体ウェーハを薄く加工し半導体ウェーハの露出した面側からＶｉａ加工、配線形成、外部接続端子形成を行った後、ダイシングにより個片化を行う。ガラス基板と半導体ウェーハとを接着剤で貼り合わせた構造をダイシングにより個片化する場合、単一のブレードで異種材料を連続的に切断するダイシング加工を行うと、ブレードに負荷がかかり、ブレードの磨耗が早くなりやすいので、切断部分のチップ欠けやガラス欠けが発生したり、ブレードが割れたりする可能性がある。
【０００３】
それに対して、それぞれの材料に対して専用ブレードを使うと、半導体ウェーハ専用の第１のブレードで半導体ウェーハを切断（第１のダイシング加工）後、第１のブレードの切断跡に沿って、ガラス基板専用の第２のブレードで切断（第２のダイシング加工）する必要がある。この場合、同じサイズのブレードを使用するとチップ欠けやガラス欠けが起こる可能性があるため、第１のダイシング加工では第１のブレードのブレード幅を広くしなければならず、第２のダイシング加工では第２のブレードのブレード幅を第１のブレードのブレード幅より狭くしなければならない。
【０００４】
これにより、半導体ウェーハの表面における第１のブレードで切断されるべきダイシングライン幅を広く設計しなければならなくなり、１枚の半導体ウェーハ当たりの半導体素子の取れ数が減少してしまう傾向にある。さらに、複数回繰り返しダイシング加工を行う必要があるため加工時間が長くなり生産性が低下する傾向にある。特にガラス基板を切断する第２のダイシング加工においてこの傾向が顕著である。また、ガラス基板専用の第２のブレードは、ブレード幅が薄くなるため磨耗や割れが起こりやすい。したがって、半導体装置の製造コストが増加する可能性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１００５８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の実施の形態は、例えば、半導体装置の製造コストを低減できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
１つの実施の形態によれば、第１の主面及び第２の主面を有するガラス基板の前記第１の主面に、複数の半導体素子が形成された半導体基板を接着する工程と、前記ガラス基板により支持された状態で前記半導体基板における前記複数の半導体素子の間の領域をダイシング加工する工程と、前記接着工程の前又は後であって前記ダイシング工程の前に、前記ガラス基板の前記第１の主面及び前記第２の主面の少なくとも一方における前記複数の半導体素子の間に対応した領域にスクラッチを形成する工程と、前記ダイシング工程の後に、複数の半導体装置へ個片化されるように、前記ガラス基板における前記スクラッチが形成された領域をブレーキングする工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【０００８】
他の実施の形態によれば、半導体基板に複数の半導体素子を形成する形成工程と、第１の主面及び第２の主面を有するガラス基板の前記第１の主面に前記形成工程を経た前記半導体基板を接着剤で接着する接着工程と、前記複数の半導体素子が互いに分割されるように、前記ガラス基板により支持された状態で前記半導体基板における前記複数の半導体素子の間の領域をダイシング加工するダイシング工程と、前記接着工程の前又は後であって前記ダイシング工程の前に、前記ガラス基板の前記第１の主面及び前記第２の主面の少なくとも一方における前記複数の半導体素子の間に対応した領域にスクラッチを形成するスクラッチ工程と、前記ダイシング工程の後に、複数の半導体装置へ個片化されるように、前記ガラス基板における前記スクラッチが形成された領域をブレーキングするブレーキング工程とを備え、前記スクラッチ工程では、前記スクラッチ工程の後から前記ブレーキング工程の前までの間に前記ガラス基板が割れず、かつ、前記ブレーキング工程においてブレーキングで個片化できる深さまで、クラックが前記スクラッチから前記ガラス基板内を延びるように、前記スクラッチを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を示す図。
【図２】第１の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を示す図。
【図３】第２の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を示す図。
【図４】第３の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を示す図。
【図５】第３の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を示す図。
【図６】第４の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を示す図。
【図７】第５の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を示す図。
【図８】比較例にかかる半導体装置の製造方法を示す図。
【図９】他の比較例にかかる半導体装置の製造方法を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に添付図面を参照して、本発明の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を詳細に説明する。なお、これらの実施の形態により本発明が限定されるものではない。
【００１１】
（第１の実施の形態）
第１の実施の形態にかかる半導体装置ＳＤ１〜ＳＤｎの製造方法について図１及び図２を用いて説明する。図１（ａ）〜（ｅ）は、半導体装置ＳＤ１〜ＳＤｎの製造方法を示す工程断面図である。図２（ａ）は、図１（ａ）に示す工程におけるガラス基板の平面図である。図２（ｂ）は、図１（ａ）に示す工程におけるガラス基板のエッジ部分の拡大平面図である。図２（ｃ）は、図１（ｃ）に示す工程におけるガラス基板に接着された半導体基板の平面図である。
【００１２】
図１（ａ）に示す工程（形成工程）では、所定の装置を用いて、半導体基板３０に複数の半導体素子ＳＥ１〜ＳＥｎを形成する。複数の半導体素子ＳＥ１〜ＳＥｎは、例えば２次元的に配列されている（図２（ｃ）参照）。各半導体素子ＳＥ１〜ＳＥｎは、例えば、撮像素子であり、複数の画素と、複数の画素から複数の信号線を介して信号を読み出して出力する周辺回路とを含む。例えば、複数の画素のそれぞれは、光電変換部、転送部、電荷電圧変換部、及び出力部を含む。あるいは、例えば、複数の画素のそれぞれは、光電変換部を含み、周辺回路は、転送部、電荷電圧変換部、及び出力部を含む。光電変換部は、光に応じた電荷を発生させて蓄積する。光電変換部は、例えば、フォトダイオードである。転送部は、光電変換部で発生した電荷を電荷電圧変換部へ転送する。転送部は、例えば、転送トランジスタ又は垂直・水平転送ＣＣＤである。電荷電圧変換部は、転送された電荷を電圧に変換する。電荷電圧変換部は、例えば、フローティングディフュージョンである。出力部は、電荷電圧変換部の電圧に応じた信号を信号線へ出力する。出力部は、例えば、電荷電圧変換部の電圧をゲートで受ける増幅トランジスタである。
【００１３】
なお、複数の半導体素子ＳＥ１〜ＳＥｎの間には、ダイシング領域ＤＲが配されている。ダイシング領域ＤＲは、半導体基板３０の表面に垂直な方向から見た場合に複数の半導体素子ＳＥ１〜ＳＥｎの間を格子状に延びた領域である（図２（ｃ）参照）。ダイシング領域ＤＲは、後の工程でダイシング加工が施されるべき領域であり、図２（ｃ）における縦方向に延びた複数の第１のダイシングラインと横方向に延びた複数の第２のダイシングラインとを含む。
【００１４】
図１（ｂ）に示す工程（スクラッチ工程）では、スクラッチ工程用の装置を用いて、第１の主面１０ａ及び第２の主面１０ｂを有するガラス基板１０の第１の主面１０ａにおけるダイシング領域ＤＲに対応した領域ＤＲ１に、スクラッチ（浅い傷）１１−１〜１１−ｎ（図２（ａ）参照）を形成する。領域ＤＲ１は、ダイシング領域ＤＲと同様に、ガラス基板１０の第１の主面１０ａに垂直な方向から見た場合に複数の半導体素子の間に対応した領域を格子状（碁盤目状）に延びた領域である。スクラッチ１１−１〜１１−ｎは、領域ＤＲ１に沿って、格子状（碁盤目状）に形成される（図２（ａ）参照）。
【００１５】
具体的には、ガラスきり（例えば、ダイヤモンドカッター）のようなガラスに鋭利な傷（スクラッチ）をつけることができる所定の刃先形状及び所定の刃先角度を有する機構（スクライバー）を使い、刃先に加える応力を所定値にしてガラス基板１０の第１の主面１０ａにスクラッチ（浅い傷）を形成するよう上記の機構を制御する。すなわち、クラック１２−１〜１２−ｎがスクラッチ１１−１〜１１−ｎから深さＤｃまでガラス基板１０内を延びるように、上記の所定の刃先形状及び所定の刃先角度を予め設定しておくとともに、刃先に加える応力を上記の所定値に制御してスクラッチ１１−１〜１１−ｎを形成する。深さＤｃは、スクラッチ工程の後から後述のブレーキング工程の前までの間にガラス基板１０が割れず、かつ、ブレーキング工程においてブレーキングで個片化できる深さである。このとき、各スクラッチ１１−１〜１１−ｎの幅は例えば１００μｍより小さく、各スクラッチ１１−１〜１１−ｎの深さＤｓは例えば２０μｍより浅くなる。
【００１６】
さらに、具体的には、スクラッチ１１−１〜１１−ｎの深さＤｓとクラック１２−１〜１２−ｎの深さＤｃとの合計（Ｄｓ＋Ｄｃ）が、ガラス基板１０の厚さＤｇの１０％以上４０％以下になるように、スクラッチ１１−１〜１１−ｎを形成する。
【００１７】
ここで、仮に、合計（Ｄｓ＋Ｄｃ）が厚さＤｇの１０％より小さいと、後のブレーキング工程において半導体素子の動作特性に影響を与えない程度の力を加えてブレーキングして個片化することができず、半導体装置ＳＤ１〜ＳＤｎを製造することが困難になる。
【００１８】
また、仮に、合計（Ｄｓ＋Ｄｃ）が厚さＤｇの４０％より大きいと、スクラッチ１１−１〜１１−ｎが形成されたガラス基板１０を次の接着工程用の装置まで搬送する際、又は搬送後の接着工程における接着の前処理の際に、熱的なストレス又は機械的なストレスにより、クラック１２−１〜１２−ｎがガラス基板１０の第２の主面１０ｂまで到達してガラス基板１０が割れてしまう可能性がある。半導体基板３０を接着する前にガラス基板１０が割れてしまうと、複数の半導体素子ＳＥ１〜ＳＥｎのそれぞれにガラスの保護カバーを個別に接着させなければならなくなるので、半導体装置ＳＤ１〜ＳＤｎの生産効率が低下し、半導体装置ＳＤ１〜ＳＤｎの生産コストが増加する傾向にある。
【００１９】
また、スクラッチ１１−１〜１１−ｎは、図２（ｂ）に示すように、ガラス基板１０の第１の主面１０ａにおける外周から所定の径方向の距離Ｗを隔てた内側の領域に形成する。距離Ｗは、例えば、０．２ｍｍである。
【００２０】
なお、刃先に加える応力の制御は、合計（Ｄｓ＋Ｄｃ）がガラス基板１０の厚さＤｇの１０％以上４０％以下になるように予め実験的に求めた値を上記の所定値として上記の所定値に制御するフィードフォワード制御であっても良い。あるいは、刃先に加える応力の制御は、予め実験的に求めた値を上記の所定値として応力の値をモニタしながら刃先に加える応力が上記の所定値になるように制御するフィードバック制御であっても良い。あるいは、刃先に加える応力の制御は、クラックの深さをモニタしながら合計（Ｄｓ＋Ｄｃ）がガラス基板１０の厚さＤｇの１０％以上４０％以下になるように、刃先に加えるべき応力の値である上記の所定値を変更制御するフィードバック制御であっても良い。
【００２１】
図１（ｃ）に示す工程（接着工程）では、接着工程用の装置を用いて、ガラス基板１０の第１の主面１０ａに半導体基板３０を接着剤２０で接着する（貼り合わせる）。このとき、半導体基板３０における保護すべき面（例えば、半導体素子ＳＥ１〜ＳＥｎが形成された面、あるいは、例えば、光を受光すべき面、すなわち複数の画素が配された面）がガラス基板１０の第１の主面１０ａを向くように接着し、ウェーハレベルで（半導体基板３０を分割していない状態で）組み立てを行う。その後、半導体基板３０を研磨等により薄板化し、薄板化された半導体基板３０ｉの露出した面（図１（ｃ）における上面）側からＶｉａ加工、配線形成、外部接続端子形成のプロセスを実施する。そして、半導体基板３０ｉの外部接続端子に、はんだボールを接合する。
【００２２】
このとき、スクラッチ１１−１〜１１−ｎが形成されたガラス基板１０をスクラッチ工程用の装置から接着工程用の装置まで搬送する際、又は搬送後の接着工程における接着の前処理の際に、熱的なストレス又は機械的なストレスにより、クラック１２−１ｉ〜１２−ｎｉが図１（ｂ）の工程よりも深くまで進展しているが第２の主面１０ｂにまでは到達していない。
【００２３】
なお、接着剤２０はフィルムタイプでも良いし液状タイプでも良い。接着剤２０が液状タイプの場合、スクラッチ１１−１〜１１−ｎ内が接着剤により埋まっていても良い。また、図１（ｃ）には、ダイシングライン（ダイシング領域ＤＲ）上にも接着剤２０がある場合が例示されているが、ダイシングライン上に接着剤がなく半導体基板３０ｉとガラス基板１０との間のダイシングライン上を除く部分に接着剤がある場合でも問題なく貼り合わせ可能である。
【００２４】
図１（ｄ）に示す工程（ダイシング工程）では、ダイシング装置を用いて、ガラス基板１０により支持された状態で半導体基板３０ｉにおける複数の半導体素子ＳＥ１〜ＳＥｎの間のダイシング領域ＤＲをダイシング加工する。具体的には、ブレードＢＬを用いて、ガラス基板１０を切断しないようにしながら半導体基板３０ｉ及び接着剤２０におけるダイシング領域ＤＲの部分を順次に切断していく。これにより、ガラス基板１０により支持された状態が維持されながら、半導体基板３０ｉにおける複数の半導体素子ＳＥ１〜ＳＥｎ（図２（ｃ）参照）が互いに分割される。
【００２５】
図１（ｅ）に示す工程（ブレーキング工程）では、ブレーキング工程用の装置を用いて、ガラス基板１０におけるスクラッチ１１−１〜１１−ｎが形成された領域に所定の応力を加えてその領域をブレーキングする。この所定の応力は、半導体素子ＳＥ１〜ＳＥｎの動作特性に影響を与えない範囲内の大きさの応力である。これにより、個片化された複数の半導体装置ＳＤ１〜ＳＤｎが得られる。すなわち、半導体素子ＳＥ１〜ＳＥｎの保護すべき面にガラスの保護カバーがそれぞれ接着された複数の半導体装置ＳＤ１〜ＳＤｎが得られる。
【００２６】
ここで、仮に、図８に示すように、半導体基板８３０とガラス基板８１０とをそれぞれ専用ブレードでダイシング加工することにより個片化された複数の半導体装置を得る場合について考える。この場合、図８（ａ）に示す工程で、ガラス基板８１０の第１の主面８１０ａに半導体基板８３０を接着剤８２０で接着する。図８（ｂ）に示す工程で、半導体基板専用の第１のブレードＢＬ８０１で半導体基板３０を切断（第１のダイシング加工）する。図８（ｃ）に示す工程で、第１のブレードＢＬ８０１の切断跡に沿って、ガラス基板専用の第２のブレードＢＬ８０２で切断（第２のダイシング加工）する。このとき、第１のダイシング加工では第１のブレードＢＬ８０１のブレード幅Ｗｂ１を広くしなければならず、第２のダイシング加工では第２のブレードＢＬ８０２のブレード幅Ｗｂ２を第１のブレードＢＬ８０１のブレード幅Ｗｂ１より狭くしなければならない。
【００２７】
これにより、半導体基板８３０の表面における第１のブレードＢＬ８０１で切断されるべきダイシングライン幅を広く設計しなければならなくなり、１枚の半導体基板８３０当たりの半導体素子の取れ数が減少してしまう傾向にある。さらに、複数回繰り返しダイシング加工を行う必要があるため加工時間が長くなり半導体装置の生産効率が低下する傾向にある。特にガラス基板を切断する第２のダイシング加工において加工時間が長くなる傾向が顕著である。また、ガラス基板専用の第２のブレードＢＬ８０２は、ブレード幅Ｗｂ２が狭くなるため磨耗や割れが起こりやすい。したがって、半導体装置の製造コストが増加する可能性がある。
【００２８】
それに対して、第１の実施の形態では、図１（ｂ）に示す工程において、図１（ｂ）に示す工程の後から図１（ｅ）に示す工程の前までの間にガラス基板１０が割れず、かつ、図１（ｅ）に示す工程においてブレーキングで個片化できる深さＤｃまで、クラック１２−１〜１２−ｎがスクラッチ１１−１〜１１−ｎからガラス基板１０内を延びるように、スクラッチ１１−１〜１１−ｎを形成する。これにより、以下のようにして、個片化された複数の半導体装置ＳＤ１〜ＳＤｎを製造することができる。すなわち、ガラス基板１０の第１の主面１０ａにおけるダイシングラインに対応する領域ＤＲ１にスクラッチ（浅い傷）１１−１〜１１−ｎを形成し（図１（ｂ））、スクラッチ１１−１〜１１−ｎが形成されたガラス基板１０の第１の主面１０ａに、半導体素子ＳＥ１〜ＳＥｎが形成された半導体基板３０を接着剤２０で接着して（図１（ｃ））、ウェーハレベルの組み立てを行う。そして、ウェーハ状態から個片化する際に、ガラス基板１０により支持された状態でブレードＢＬを用いて半導体基板３０及び接着剤２０を切断するダイシング加工を行い（図１（ｄ））、その後、ガラス基板１０におけるスクラッチ１１−１〜１１−ｎが形成された領域をブレーキングして（図１（ｅ））、個片化された複数の半導体装置ＳＤ１〜ＳＤｎを得る。
【００２９】
これにより、ブレードＢＬのブレード幅Ｗｂを狭くすることができ、それに伴い、半導体基板３０の表面におけるブレードＢＬで切断されるべきダイシングライン幅Ｗｄ（図２（ｃ）参照）を狭く設計することができるので、１枚の半導体基板３０当たりの半導体素子ＳＥ１〜ＳＥｎの取れ数（ｎ）を増加させることができる。さらに、繰り返しダイシング加工を行う必要がなく１回のダイシング加工（図１（ｄ）参照）で済むため加工時間を低減でき半導体装置ＳＤ１〜ＳＤｎの生産効率を向上できる。特にガラス基板１０を切断するブレーキング工程（図１（ｅ）参照）において加工時間を顕著に短縮できる。また、ガラス基板専用のブレードが不要である。したがって、半導体装置ＳＤ１〜ＳＤｎの製造コストを低減できる。
【００３０】
あるいは、仮に、図９に示すように、ガラス基板９１０にブレーキングするための浅いスクライブ溝を形成する場合について考える。この場合、図９（ａ）に示す工程で、ガラス基板９１０の第１の主面９１０ａにおけるダイシングラインに対応する領域ＤＲ９０１に、所定のブレードを用いて、ガラス基板９１０をブレーキングするための浅いスクライブ溝９１１−１〜９１１−８を形成する。このとき、所定のブレードからガラス基板９１０へ強い応力が加わるので、クラック９１２−１〜９１２−８がスクライブ溝９１１−１〜９１１−８から深さＤｃ９００の深い位置までガラス基板９１０内を延びてしまう。
【００３１】
これにより、図９（ｂ）に示すように、スクライブ溝９１１−１〜９１１−８が形成されたガラス基板９１０を次の接着工程用の装置まで搬送する際、又は搬送後の接着工程における接着の前処理の際に、熱的なストレス又は機械的なストレスにより、クラック９１２−１〜９１２−８がガラス基板９１０の第２の主面９１０ｂまで到達してガラス基板９１０が割れてしまう可能性がある。半導体基板を接着する前にガラス基板９１０が割れてしまうと、複数の半導体素子のそれぞれにガラスの保護カバーを個別に接着させなければならなくなるとともに、搬送、吸着トラブル、加工ステージへのガラス屑付着が発生する可能性がある。この結果、半導体装置の生産効率が低下し、半導体装置の生産コストが増加する傾向にある。
【００３２】
それに対して、第１の実施の形態では、図１（ｂ）に示す工程において、図１（ｂ）に示す工程の後から図１（ｅ）に示す工程の前までの間にガラス基板１０が割れず、かつ、図１（ｅ）に示す工程においてブレーキングで個片化できる深さＤｃまで、クラック１２−１〜１２−ｎがスクラッチ１１−１〜１１−ｎからガラス基板１０内を延びるように、スクラッチ１１−１〜１１−ｎを形成する。これにより、半導体基板を接着する前にガラス基板１０が割れないようにすることができ、複数の半導体素子ＳＥ１〜ＳＥｎに対して一括してガラス基板１０を接着することができる。これにより、半導体装置ＳＤ１〜ＳＤｎの生産効率を向上でき、半導体装置ＳＤ１〜ＳＤｎの生産コストを低減できる。
【００３３】
また、図９（ｂ）に示す場合、スクライブ溝９１１−１〜９１１−８の深さＤｓ９００とクラック９１２−１〜９１２−８の深さＤｃ９００との合計（Ｄｓ９００＋Ｄｃ９００）が、ガラス基板９１０の厚さＤｇ９００の４０％より大きくなる傾向にある。合計（Ｄｓ９００＋Ｄｃ９００）が厚さＤｇ９００の４０％より大きいと、スクライブ溝９１１−１〜９１１−８が形成されたガラス基板９１０を次の接着工程用の装置まで搬送する際、又は搬送後の接着工程における接着の前処理の際に、熱的なストレス又は機械的なストレスにより、クラック９１２−１〜９１２−８がガラス基板９１０の第２の主面９１０ｂまで到達してガラス基板９１０が割れてしまう可能性がある。
【００３４】
それに対して、第１の実施の形態では、スクラッチ工程において、スクラッチ１１−１〜１１−ｎの深さＤｓとスクラッチ１１−１〜１１−ｎからガラス基板１０内を延びたクラック１２−１〜１２−ｎの深さＤｃとの合計（Ｄｓ＋Ｄｃ）がガラス基板１０の厚さＤｇの１０％以上４０％以下になるように、ガラス基板１０の第１の主面１０ａにスクラッチ１１−１〜１１−ｎを形成する。これにより、スクラッチ１１−１〜１１−ｎが形成されたガラス基板１０をスクラッチ工程用の装置から接着工程用の装置まで搬送する際、又は搬送後の接着工程における接着の前処理の際に、熱的なストレス又は機械的なストレスにより、クラック１２−１ｉ〜１２−８ｉが図１（ｂ）の工程よりも深くまで進展してしても第２の主面１０ｂにまでは到達しないようにすることができる。
【００３５】
なお、スクラッチ１１−１〜１１−ｎを形成する際に用いるスクラッチ１１−１〜１１−ｎの深さＤｓは、例えば、個々のスクラッチ１１−１〜１１−ｎの深さを複数のスクラッチ１１−１〜１１−ｎについて平均した値であっても良いし、複数のスクラッチ１１−１〜１１−ｎの深さにおける最大値と最小値との中央値であってもよいし、複数のスクラッチ１１−１〜１１−ｎの深さの所定値間隔の分布における度数が最大の値であってもよい。同様に、スクラッチ１１−１〜１１−ｎを形成する際に用いるクラック１２−１〜１２−ｎの深さＤｃは、例えば、個々のクラック１２−１〜１２−ｎの深さを複数のクラック１２−１〜１２−ｎについて平均した値であっても良いし、複数のクラック１２−１〜１２−ｎの深さにおける最大値と最小値との中央値であってもよいし、複数のクラック１２−１〜１２−ｎの深さの所定値間隔の分布における度数が最大の値であってもよい。
【００３６】
（第２の実施の形態）
第２の実施の形態にかかる半導体装置ＳＤ１０１〜ＳＤ１０ｎの製造方法について図３を用いて説明する。図３（ａ）〜（ｄ）は、半導体装置ＳＤ１０１〜ＳＤ１０ｎの製造方法を示す工程断面図である。以下では、第１の実施の形態と異なる部分を中心に説明する。
【００３７】
図３（ａ）に示す工程（スクラッチ工程）では、ガラス基板１１０の第２の主面１１０ｂにおけるダイシング領域ＤＲに対応した領域ＤＲ１０１に、スクラッチ（浅い傷）１１１−１〜１１１−ｎを形成する。すなわち、ガラス基板１１０の、半導体基板３０が接着されるべき第１の主面１１０ａと反対側の第２の主面１１０ｂに、スクラッチ（浅い傷）１１１−１〜１１１−ｎを形成する。また、領域ＤＲ１０１は、ダイシング領域ＤＲと同様に、ガラス基板１１０の第２の主面１１０ｂに垂直な方向から見た場合に複数の半導体素子の間に対応した領域を格子状（碁盤目状）に延びた領域である（図２（ａ）参照）。
【００３８】
具体的には、クラック１１２−１〜１１２−ｎがスクラッチ１１１−１〜１１１−ｎから深さＤｃ１００までガラス基板１１０内を延びるように、上記の所定の刃先形状及び所定の刃先角度を予め設定しておくとともに、刃先に加える応力を上記の所定値に制御してスクラッチ１１１−１〜１１１−ｎを形成する。深さＤｃ１００は、スクラッチ工程の後から後述のブレーキング工程の前までの間にガラス基板１１０が割れず、かつ、ブレーキング工程においてブレーキングで個片化できる深さである。
【００３９】
さらに、具体的には、スクラッチ１１１−１〜１１１−ｎの深さＤｓ１００とクラック１１２−１〜１１２−ｎの深さＤｃ１００との合計（Ｄｓ１００＋Ｄｃ１００）が、ガラス基板１１０の厚さＤｇ１００の１０％以上４０％以下になるように、スクラッチ１１１−１〜１１１−ｎを形成する。
【００４０】
ここで、仮に、合計（Ｄｓ１００＋Ｄｃ１００）が厚さＤｇ１００の１０％より小さいと、後のブレーキング工程において半導体素子の動作特性に影響を与えない程度の力を加えてブレーキングして個片化することができず、半導体装置ＳＤ１０１〜ＳＤ１０ｎを製造することが困難になる。
【００４１】
また、仮に、合計（Ｄｓ１００＋Ｄｃ１００）が厚さＤｇ１００の４０％より大きいと、スクラッチ１１１−１〜１１１−ｎが形成されたガラス基板１１０を次の接着工程用の装置まで搬送する際、又は搬送後の接着工程における接着の前処理の際に、熱的なストレス又は機械的なストレスにより、クラック１１２−１〜１１２−ｎがガラス基板１１０の第１の主面１１０ａまで到達してガラス基板１１０が割れてしまう可能性がある。半導体基板３０を接着する前にガラス基板１１０が割れてしまうと、複数の半導体素子ＳＥ１〜ＳＥｎのそれぞれにガラスの保護カバーを個別に接着させなければならなくなるので、半導体装置ＳＤ１０１〜ＳＤ１０ｎの生産効率が低下し、半導体装置ＳＤ１０１〜ＳＤ１０ｎの生産コストが増加する傾向にある。
【００４２】
図３（ｂ）に示す工程（接着工程）では、ガラス基板１１０の、スクラッチ１１１−１〜１１１−ｎが形成された第２の主面１１０ｂと反対側の第１の主面１１０ａに、半導体基板３０を接着剤２０で接着する（貼り合わせる）。その後、図１（ｃ）に示す工程と同様にして、半導体基板３０を研磨等により薄板化された半導体基板３０ｉにし、所定の加工を行う。
【００４３】
このとき、スクラッチ１１１−１〜１１１−ｎが形成されたガラス基板１１０をスクラッチ工程用の装置から接着工程用の装置まで搬送する際、又は搬送後の接着工程における接着の前処理の際に、熱的なストレス又は機械的なストレスにより、クラック１１２−１ｉ〜１１２−ｎｉが図３（ａ）の工程よりも深くまで進展しているが第１の主面１１０ａにまでは到達していない。
【００４４】
図３（ｃ）に示す工程（ダイシング工程）では、ブレードＢＬを用いて、ガラス基板１１０の、スクラッチ１１１−１〜１１１−ｎが形成された第２の主面１１０ｂと反対側の半導体基板３０ｉ及び接着剤２０におけるダイシング領域ＤＲの部分を順次に切断していく。これにより、ガラス基板１１０により支持された状態が維持されながら、半導体基板３０ｉにおける複数の半導体素子ＳＥ１〜ＳＥｎ（図２（ｃ）参照）が互いに分割される。
【００４５】
図３（ｄ）に示す工程（ブレーキング工程）では、ガラス基板１１０におけるスクラッチ１１１−１〜１１１−ｎが形成された領域に所定の応力を加えてその領域をブレーキングする。これにより、個片化された複数の半導体装置ＳＤ１０１〜ＳＤ１０ｎが得られる。
【００４６】
したがって、第２の実施の形態によっても、第１の実施の形態と同様に、半導体装置ＳＤ１０１〜ＳＤ１０ｎの製造コストを低減できる。
【００４７】
（第３の実施の形態）
第３の実施の形態にかかる半導体装置ＳＤ２０１〜ＳＤ２０ｎの製造方法について図４及び図５を用いて説明する。図４（ａ）〜（ｄ）は、半導体装置ＳＤ２０１〜ＳＤ２０ｎの製造方法を示す工程断面図である。図５（ａ）は、図４（ａ）に示す工程におけるガラス基板の平面図である。図５（ｂ）は、図４（ａ）に示す工程におけるガラス基板のエッジ部分の拡大平面図である。以下では、第１の実施の形態と異なる部分を中心に説明する。
【００４８】
図４（ａ）に示す工程（スクラッチ工程）では、エッチング加工又はレーザ加工により、ガラス基板２１０の第１の主面２１０ａにおける複数の半導体素子ＳＥ１〜ＳＥｎの間（ダイシング領域ＤＲ）に対応した領域ＤＲ１に溝２１３−１〜２１３−ｎを形成する。エッチング加工は、光リソグラフィにより、ガラス基板２１０の第１の主面２１０ａにおける領域ＤＲ１を選択的に露出するマスクパターンを形成し、そのマスクパターンを介してウェットエッチング又はドライエッチングするような加工である。レーザ加工は、ガラス基板２１０の第１の主面２１０ａにおける領域ＤＲ１にレーザ光を照射して削るような加工である。
【００４９】
溝２１３−１〜２１３−ｎは、領域ＤＲ１に沿って、格子状（碁盤目状）に形成される（図５（ａ）参照）。また、溝２１３−１〜２１３−ｎは、図５（ｂ）に示すように、ガラス基板２１０の第１の主面２１０ａにおける外周から所定の径方向の距離Ｗを隔てた内側の領域に形成する。距離Ｗは、例えば、０．２ｍｍである。
【００５０】
このとき、溝２１３−１〜２１３−ｎの幅Ｗｔｒは、図４（ｃ）に示す工程で使用すべきブレードＢＬのブレード幅Ｗｂより広くかつブレード幅Ｗｂに対応した値（例えば、ブレード幅Ｗｂの２倍）になるようにする。
【００５１】
次に、スクラッチ工程用の装置を用いて、溝２１３−１〜２１３−ｎの底面にスクラッチ２１１−１〜２１１−ｎを形成する。このとき、溝２１３−１〜２１３−ｎの深さＤｔｒ２００とスクラッチ２１１−１〜２１１−ｎの深さＤｓ２００とスクラッチ２１１−１〜２１１−ｎからガラス基板２１０内を延びたクラック２１２−１〜２１２−ｎの深さＤｃ２００との合計（Ｄｔｒ２００＋Ｄｓ２００＋Ｄｃ２００）がガラス基板２１０の厚さＤｇ２００の１０％以上４０％以下になるように、溝２１３−１〜２１３−ｎの底面にスクラッチ２１１−１〜２１１−ｎを形成する。また、スクラッチ２１１−１〜２１１−ｎは、例えば、図５（ｂ）に１点鎖線で示すように、溝２１３−１〜２１３−ｎの底面における中央近傍を延びるように形成する。
【００５２】
ここで、仮に、合計（Ｄｔｒ２００＋Ｄｓ２００＋Ｄｃ２００）が厚さＤｇ２００の１０％より小さいと、後のブレーキング工程において半導体素子の動作特性に影響を与えない程度の力を加えてブレーキングして個片化することができず、半導体装置ＳＤ２０１〜ＳＤ２０ｎを製造することが困難になる。
【００５３】
また、仮に、合計（Ｄｔｒ２００＋Ｄｓ２００＋Ｄｃ２００）が厚さＤｇ２００の４０％より大きいと、スクラッチ２１１−１〜２１１−ｎが形成されたガラス基板２１０を次の接着工程用の装置まで搬送する際、又は搬送後の接着工程における接着の前処理の際に、熱的なストレス又は機械的なストレスにより、クラック２１２−１〜２１２−ｎがガラス基板２１０の第２の主面２１０ｂまで到達してガラス基板２１０が割れてしまう可能性がある。半導体基板３０を接着する前にガラス基板２１０が割れてしまうと、複数の半導体素子ＳＥ１〜ＳＥｎのそれぞれにガラスの保護カバーを個別に接着させなければならなくなるので、半導体装置ＳＤ２０１〜ＳＤ２０ｎの生産効率が低下し、半導体装置ＳＤ２０１〜ＳＤ２０ｎの生産コストが増加する傾向にある。
【００５４】
図４（ｂ）に示す工程（接着工程）では、ガラス基板２１０の第１の主面２１０ａに半導体基板３０を接着剤２０で接着する（貼り合わせる）。その後、図１（ｃ）に示す工程と同様にして、半導体基板３０を研磨等により薄板化された半導体基板３０ｉにし、所定の加工を行う。なお、接着剤２０はフィルムタイプでも良いし液状タイプでも良い。接着剤２０が液状タイプの場合、スクラッチ１１−１〜１１−ｎ内が接着剤により埋まっていても良い。
【００５５】
このとき、スクラッチ２１１−１〜２１１−ｎが形成されたガラス基板２１０をスクラッチ工程用の装置から接着工程用の装置まで搬送する際、又は搬送後の接着工程における接着の前処理の際に、熱的なストレス又は機械的なストレスにより、クラック２１２−１ｉ〜２１２−ｎｉが図４（ａ）の工程よりも深くまで進展しているが第２の主面２１０ｂにまでは到達していない。
【００５６】
図４（ｃ）に示す工程（ダイシング工程）では、ブレードＢＬを用いて、半導体基板３０ｉ及び接着剤２０におけるダイシング領域ＤＲの部分を順次に切断していく。このとき、溝２１３−１〜２１３−ｎの幅ＷｔｒがブレードＢＬのブレード幅Ｗｂより広くかつブレード幅Ｗｂに対応した値になっているので、ブレードＢＬがガラス基板２１０に接触しないようにすることが容易である。
【００５７】
図４（ｄ）に示す工程（ブレーキング工程）では、ガラス基板２１０におけるスクラッチ２１１−１〜２１１−ｎが形成された領域に所定の応力を加えてその領域をブレーキングする。これにより、個片化された複数の半導体装置ＳＤ２０１〜ＳＤ２０ｎが得られる。
【００５８】
したがって、第３の実施の形態によっても、第１の実施の形態と同様に、半導体装置ＳＤ２０１〜ＳＤ２０ｎの製造コストを低減できる。
【００５９】
また、図４（ａ）に示す工程において、溝２１３−１〜２１３−ｎの幅ＷｔｒがブレードＢＬのブレード幅Ｗｂより広くかつブレード幅Ｗｂに対応した値になるように溝２１３−１〜２１３−ｎを形成するので、図４（ｃ）に示す工程において、ブレードＢＬがガラス基板２１０に接触しないようにすることが容易である。したがって、ダイシング工程におけるガラス基板２１０に加わるストレスを低減できる。
【００６０】
（第４の実施の形態）
第４の実施の形態にかかる半導体装置ＳＤ３０１〜ＳＤ３０ｎの製造方法について図６を用いて説明する。図６（ａ）〜（ｄ）は、半導体装置ＳＤ３０１〜ＳＤ３０ｎの製造方法を示す工程断面図である。以下では、第１の実施の形態と異なる部分を中心に説明する。
【００６１】
図６（ａ）に示す工程（スクラッチ工程）では、ガラス基板３１０の第１の主面３１０ａにおけるダイシング領域ＤＲに対応した領域ＤＲ１に、スクラッチ（第１のスクラッチ）３１１−１〜３１１−ｎを形成する。それとともに、ガラス基板３１０の第２の主面３１０ｂにおけるダイシング領域ＤＲに対応した領域ＤＲ１０１（図３参照）に、スクラッチ（第２のスクラッチ）３１４−１〜３１４−ｎを形成する。すなわち、ガラス基板３１０の第１の主面３１０ａ及び第２の主面３１０ｂの両方にスクラッチを形成する。また、スクラッチ３１１−１〜３１１−ｎ及びスクラッチ３１４−１〜３１４−ｎは、ガラス基板３１０の第２の主面３１０ｂに垂直な方向から透視した場合に、重なるように形成する。
【００６２】
具体的には、クラック（第１のクラック）３１２−１〜３１２−ｎがスクラッチ３１１−１〜３１１−ｎから深さＤｃ３０１までガラス基板３１０内を延びるように、スクラッチ３１１−１〜３１１−ｎを形成する。それとともに、クラック（第２のクラック）３１５−１〜３１５−ｎがスクラッチ３１４−１〜３１４−ｎから深さＤｃ３０２までガラス基板３１０内を延びるように、スクラッチ３１１−１〜３１１−ｎを形成する。深さＤｃ３０１及び深さＤｃ３０２は、スクラッチ工程の後から後述のブレーキング工程の前までの間にガラス基板３１０が割れず、かつ、ブレーキング工程においてブレーキングで個片化できる深さである。
【００６３】
さらに、具体的には、スクラッチ３１１−１〜３１１−ｎの深さＤｓ３０１とクラック３１２−１〜３１２−ｎの深さＤｃ３０１とスクラッチ３１４−１〜３１４−ｎの深さＤｓ３０２とクラック３１５−１〜３１５−ｎの深さＤｃ３０２との合計（Ｄｓ３０１＋Ｄｃ３０１＋Ｄｓ３０２＋Ｄｃ３０２）が、ガラス基板３１０の厚さＤｇ３００の１０％以上４０％以下になるように、スクラッチ３１１−１〜３１１−ｎ及びスクラッチ３１４−１〜３１４−ｎを形成する。
【００６４】
ここで、仮に、合計（Ｄｓ３０１＋Ｄｃ３０１＋Ｄｓ３０２＋Ｄｃ３０２）が厚さＤｇ３００の１０％より小さいと、後のブレーキング工程において半導体素子の動作特性に影響を与えない程度の力を加えてブレーキングして個片化することができず、半導体装置ＳＤ３０１〜ＳＤ３０ｎを製造することが困難になる。
【００６５】
また、仮に、合計（Ｄｓ３０１＋Ｄｃ３０１＋Ｄｓ３０２＋Ｄｃ３０２）が厚さＤｇ３００の４０％より大きいと、スクラッチ３１１−１〜３１１−ｎが形成されたガラス基板３１０を次の接着工程用の装置まで搬送する際、又は搬送後の接着工程における接着の前処理の際に、熱的なストレス又は機械的なストレスにより、クラック３１２−１〜３１２−ｎ及びクラック３１５−１〜３１５−ｎがガラス基板３１０の第１の主面３１０ａから第２の主面３１０ｂまで貫通してガラス基板３１０が割れてしまう可能性がある。半導体基板３０を接着する前にガラス基板３１０が割れてしまうと、複数の半導体素子ＳＥ１〜ＳＥｎのそれぞれにガラスの保護カバーを個別に接着させなければならなくなるので、半導体装置ＳＤ３０１〜ＳＤ３０ｎの生産効率が低下し、半導体装置ＳＤ３０１〜ＳＤ３０ｎの生産コストが増加する傾向にある。
【００６６】
図６（ｂ）に示す工程（接着工程）では、ガラス基板３１０の第１の主面３１０ａに半導体基板３０を接着剤２０で接着する（貼り合わせる）。なお、接着剤２０はフィルムタイプでも良いし液状タイプでも良い。接着剤２０が液状タイプの場合、スクラッチ３１１−１〜３１１−ｎ内が接着剤により埋まっていても良い。
【００６７】
このとき、スクラッチ３１１−１〜３１１−ｎ及びスクラッチ３１４−１〜３１４−ｎが形成されたガラス基板３１０をスクラッチ工程用の装置から接着工程用の装置まで搬送する際、又は搬送後の接着工程における接着の前処理の際に、熱的なストレス又は機械的なストレスにより、クラック３１２−１ｉ〜３１２−ｎｉとクラック３１５−１ｉ〜３１５−ｎｉとが図６（ａ）の工程よりも互いに近づくように進展しているが第１の主面３１０ａから第２の主面３１０ｂまで貫通する状態にまでは到達していない。
【００６８】
図６（ｃ）に示す工程（ダイシング工程）では、ブレードＢＬを用いて、ガラス基板３１０を切断しないようにしながら半導体基板３０及び接着剤２０におけるダイシング領域ＤＲの部分を順次に切断していく。
【００６９】
図６（ｄ）に示す工程（ブレーキング工程）では、ガラス基板３１０におけるスクラッチ３１１−１〜３１１−ｎ及びスクラッチ３１４−１〜３１４−ｎが形成された領域に所定の応力を加えてその領域をブレーキングする。これにより、個片化された複数の半導体装置ＳＤ３０１〜ＳＤ３０ｎが得られる。
【００７０】
したがって、第６の実施の形態によっても、第１の実施の形態と同様に、半導体装置ＳＤ３０１〜ＳＤ３０ｎの製造コストを低減できる。
【００７１】
（第５の実施の形態）
第５の実施の形態にかかる半導体装置ＳＤ４０１〜ＳＤ４０ｎの製造方法について図７を用いて説明する。図７（ａ）、（ｂ）は、半導体装置ＳＤ４０１〜ＳＤ４０ｎの製造方法を示す工程断面図である。以下では、第１の実施の形態及び第２の実施の形態と異なる部分を中心に説明する。
【００７２】
図１（ａ）に示す工程（形成工程）の後に、図７（ａ）に示す工程（接着工程）を行う。図７（ａ）に示す工程では、スクラッチが形成されていないガラス基板４１０の第１の主面４１０ａに半導体基板３０を接着剤２０で接着する（貼り合わせる）。その後、図１（ｃ）に示す工程と同様にして、半導体基板３０を研磨等により薄板化された半導体基板３０ｉにし、所定の加工を行う。
【００７３】
図７（ｂ）に示す工程（スクラッチ工程）では、ガラス基板４１０ｉの第２の主面４１０ｂｉにおけるダイシング領域ＤＲに対応した領域ＤＲ１０１に、スクラッチ４１１−１〜４１１−ｎを形成する。すなわち、ガラス基板４１０ｉの、半導体基板３０ｉが接着された第１の主面４１０ａと反対側の第２の主面４１０ｂｉに、スクラッチ４１１−１〜４１１−ｎを形成する。
【００７４】
具体的には、クラック４１２−１〜４１２−ｎがスクラッチ４１１−１〜４１１−ｎから深さＤｃ４００までガラス基板４１０ｉ内を延びるように、スクラッチ４１１−１〜４１１−ｎを形成する。深さＤｃ４００は、スクラッチ工程の後から後述のブレーキング工程の前までの間にガラス基板４１０ｉが割れず、かつ、ブレーキング工程においてブレーキングで個片化できる深さである。
【００７５】
さらに、具体的には、スクラッチ４１１−１〜４１１−ｎの深さＤｓ４００とクラック４１２−１〜４１２−ｎの深さＤｃ４００との合計（Ｄｓ４００＋Ｄｃ４００）が、ガラス基板４１０ｉの厚さＤｇ１００の４０％より大きく８０％以下になるように、スクラッチ４１１−１〜４１１−ｎを形成する。
【００７６】
ここで、仮に、合計（Ｄｓ４００＋Ｄｃ４００）が厚さＤｇ４００の４０％より小さいと、後のブレーキング工程において半導体素子の動作特性に影響を与えない程度の力を加えてブレーキングして個片化することができず、半導体装置ＳＤ４０１〜ＳＤ４０ｎを製造することが困難になる。
【００７７】
また、仮に、合計（Ｄｓ４００＋Ｄｃ４００）が厚さＤｇ４００の８０％より大きいと、スクラッチ４１１−１〜４１１−ｎが形成されたガラス基板４１０ｉを次のダイシング工程用のダイシング装置まで搬送する際、又は搬送後のダイシング工程におけるダイシング加工の前処理の際に、熱的なストレス又は機械的なストレスにより、クラック４１２−１〜４１２−ｎがガラス基板４１０ｉの第１の主面４１０ａまで到達してガラス基板４１０ｉが半導体基板３０ｉを支持できなくなる可能性がある。半導体基板３０ｉをダイシング加工する前にガラス基板４１０ｉが半導体基板３０ｉを支持できなくなると、半導体基板３０ｉが薄板化されているためダイシング加工による切断部分のチップ欠けが発生する可能性にある。これにより、１枚の半導体基板３０ｉ当たりの半導体素子ＳＥ１〜ＳＥｎの良品率（歩留まり）が減少する可能性があるので、半導体装置ＳＤ４０１〜ＳＤ４０ｎの生産コストが増加する傾向にある。
【００７８】
図７（ｃ）に示す工程（ダイシング工程）では、ブレードＢＬを用いて、ガラス基板４１０ｉの、スクラッチ４１１−１〜４１１−ｎが形成された第２の主面４１０ｂｉと反対側の半導体基板３０ｉ及び接着剤２０におけるダイシング領域ＤＲの部分を順次に切断していく。これにより、ガラス基板４１０ｉにより支持された状態が維持されながら、半導体基板３０ｉにおける複数の半導体素子ＳＥ１〜ＳＥｎ（図２（ｃ）参照）が互いに分割される。
【００７９】
このとき、スクラッチ４１１−１〜４１１−ｎが形成されたガラス基板４１０ｉをスクラッチ工程用の装置からダイシング工程用の装置（ダイシング装置）まで搬送する際、又は搬送後のダイシング工程におけるダイシング加工の前処理の際に、熱的なストレス又は機械的なストレスにより、クラック４１２−１ｉ〜４１２−８ｉが図７（ｂ）の工程よりも深くまで進展しているが第１の主面４１０ａにまでは到達していない。
【００８０】
図７（ｄ）に示す工程（ブレーキング工程）では、ガラス基板４１０ｉにおけるスクラッチ４１１−１〜４１１−ｎが形成された領域に所定の応力を加えてその領域をブレーキングする。これにより、個片化された複数の半導体装置ＳＤ４０１〜ＳＤ４０ｎが得られる。
【００８１】
したがって、第５の実施の形態によっても、第１の実施の形態と同様に、半導体装置ＳＤ４０１〜ＳＤ４０ｎの製造コストを低減できる。
【００８２】
また、第５の実施の形態では、スクラッチ工程において、スクラッチ４１１−１〜４１１−ｎの深さＤｓ４００とスクラッチ４１１−１〜４１１−ｎからガラス基板４１０ｉ内を延びたクラック４１２−１〜４１２−ｎの深さＤｃ４００との合計（Ｄｓ４００＋Ｄｃ４００）がガラス基板４１０ｉの厚さＤｇ４００の４０％より大きく８０％以下になるように、ガラス基板４１０ｉの第２の主面４１０ｂｉにスクラッチ４１１−１〜４１１−ｎを形成する。これにより、スクラッチ４１１−１〜４１１−ｎが形成されたガラス基板４１０ｉをスクラッチ工程用の装置からダイシング工程用の装置（ダイシング装置）まで搬送する際、又は搬送後のダイシング工程におけるダイシング加工の前処理の際に、熱的なストレス又は機械的なストレスにより、クラック４１２−１ｉ〜４１２−８ｉが図７（ｂ）の工程よりも深くまで進展しても第１の主面４１０ａにまでは到達しないようにすることができる。
【符号の説明】
【００８３】
１０、１１０、２１０、３１０、４１０、４１０ｉ  ガラス基板、  １１−１〜１１−ｎ、１１１−１〜１１１−ｎ、２１１−１〜２１１−ｎ、３１１−１〜３１１−ｎ、３１４−１〜３１４−ｎ、４１１−１〜４１１−ｎ  スクラッチ、  １２−１〜１２−ｎ、１２−１ｉ〜１２−ｎｉ、１１２−１〜１１２−ｎ、１１２−１ｉ〜１１２−ｎｉ、２１２−１〜２１２−ｎ、２１２−１ｉ〜２１２−ｎｉ、３１２−１〜３１２−ｎ、３１２−１ｉ〜３１２−ｎｉ、３１５−１〜３１５−ｎ、３１５−１ｉ〜３１５−ｎｉ、４１２−１〜４１２−ｎ、４１２−１ｉ〜４１２−ｎｉ  クラック、  ２０  接着剤、  ３０、３０ｉ  半導体基板、  ＳＥ１〜ＳＥｎ  半導体素子、  ＳＤ１〜ＳＤｎ、ＳＤ１０１〜ＳＤ１０ｎ、ＳＤ２０１〜ＳＤ２０ｎ、ＳＤ３０１〜ＳＤ３０ｎ、ＳＤ４０１〜ＳＤ４０ｎ  半導体装置。
【図１】
2012015309.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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