(57)【要約】【課題】機能層の厚みのばらつきを抑えることができる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。【解決手段】電気光学装置としての有機ＥＬ装置１１は、基板３１上において第１電極としての陽極２４と第２電極としての陰極２５との間に配置された発光層６４を含む機能層２６と、機能層２６を発光領域４２毎に区画する隔壁部としてのバンク６２と、陽極２４の下側に設けられた反射膜６１と、を備えた有機ＥＬ装置１１であって、バンク６２には、発光領域４２を囲む開口穴６５が設けられており、バンク６２における開口穴６５の周縁部６２ａは、バンク６２の他の領域と比較して基板３１上における高さが高く形成されていると共に、撥液性を有する撥液材６６が設けられている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上において第１電極と第２電極との間に配置された発光層を含む機能層と、前記機能層を発光領域に区画する隔壁部と、前記第１電極の下側に設けられた反射膜と、を備えた電気光学装置であって、
前記隔壁部には、前記発光領域を囲む開口穴が設けられており、
前記隔壁部における前記開口穴の周縁部は、前記隔壁部の他の領域と比較して前記基板上における高さが高く形成されていると共に、撥液性を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置であって、
前記基板上には、配線及び駆動回路のうち少なくとも一方が設けられており、
前記開口穴は、平面視で前記反射膜と重なるように設けられており、
前記基板上における前記反射膜の高さは、前記配線及び前記駆動回路の高さと比較して高く形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１に記載の電気光学装置であって、
前記基板上には、配線及び駆動回路のうち少なくとも一方が設けられると共に、絶縁膜と前記反射膜と前記第１電極とが平面視で重なるように順に設けられ、
前記開口穴は、平面視で前記反射膜と重なるように設けられており、
前記基板上における前記反射膜の高さは、前記配線または前記駆動回路の高さと比較して高く形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１に記載の電気光学装置であって、
前記基板上には、配線及び駆動回路のうち少なくとも一方が設けられると共に、前記反射膜と絶縁膜と前記第１電極とが平面視で重なるように順に設けられ、
前記開口穴は、平面視で前記絶縁膜と重なるように設けられており、
前記基板上における前記絶縁膜の高さは、前記配線及び前記駆動回路の高さと比較して高く形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項２乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記反射膜は、平面視で前記駆動回路の少なくとも一部と重なる領域を含む領域の上に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項５に記載の電気光学装置であって、
前記反射膜は、前記反射膜の上面の高さが前記反射膜の全体に亘って略同等になるように、前記駆動回路上における前記反射膜の厚みが変えられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記隔壁部は、有機材料からなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記開口穴は、平面視で前記第１電極と重なるように設けられ、
前記隔壁部と前記第１電極との間に、平面視で前記第１電極の周縁部の少なくとも一部にかかるように無機材料からなる下層隔壁部が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記開口穴の周縁部は、転写法を用いて撥液化されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１０】
基板上において第１電極と第２電極との間に配置された発光層を含む機能層と、前記第１電極の下側に設けられた反射膜と、を備えた電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上における発光領域を含む領域に前記反射膜を形成する反射膜形成工程と、
前記反射膜上に前記第１電極を形成する第１電極形成工程と、
前記第１電極と平面視で重なる開口穴を形成すると共に、前記開口穴の周縁部の高さを他の領域の高さと比較して高くなるように隔壁部を形成する隔壁部形成工程と、
転写法を用いて前記隔壁部に撥液材を転写する転写工程と、
前記開口穴の中に機能材料を塗布する塗布工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上に配線及び駆動回路のうち少なくとも一方を形成する配線回路形成工程を有し、
前記反射膜形成工程は、前記基板上における前記反射膜の高さを、前記配線及び前記駆動回路の高さと比較して高く形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１０又は請求項１１に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記反射膜形成工程の前に、前記基板上における前記反射膜が設けられる領域に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１０又は請求項１１に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記反射膜形成工程の後に、前記基板上における前記反射膜が設けられた領域に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程を有し、
前記第１電極形成工程は、前記絶縁層上に前記第１電極を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１０乃至請求項１３のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記反射膜形成工程は、平面視で前記駆動回路の少なくとも一部と重なる領域を含む領域の上に前記反射膜を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記反射膜形成工程は、前記反射膜の上面の高さが前記反射膜の全体に亘って略同等になるように、前記駆動回路上の厚みを変えて前記反射膜を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１０乃至請求項１５のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記隔壁部形成工程は、有機材料を用いて前記隔壁部を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１０乃至請求項１６のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記隔壁部形成工程は、前記発光領域を囲むように前記第１電極上に無機材料からなる下層隔壁部を形成する下層隔壁部形成工程と、前記下層隔壁部の少なくとも一部を覆って前記開口穴を構成する上層隔壁部を形成する上層隔壁部形成工程と、を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電気光学装置の一つとして、例えば、陽極と陰極との間に発光層などの有機膜が挟持された構造の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置がある。前記有機ＥＬ装置の製造方法としては、基板上に設けられた陽極を囲むようにバンク（隔壁）を形成する。次に、バンクで囲まれた開口穴（発光領域）の中に、インクジェット法などを用いて有機膜形成材料を含む機能液を塗布して固化することにより前記有機膜を形成する液相法が知られている。このような液相法では、開口穴に機能液を塗布したときに開口穴から外部に機能液が溢れてしまう場合がある。
【０００３】
そこで、例えば、特許文献１に記載のように、バンクの表面にＣＦ4などのフッ素系処理ガスによるプラズマ処理を施して、バンクの表面を機能液に対して撥液性にする方法が開示されている。これにより、バンクに対する機能液の接触角がプラズマ処理前に比べて大きくなり、開口穴から機能液が溢れ難くなる。しかし、バンクで囲まれた開口穴の中に形成されている陽極の表面も撥液性になることから、陽極上に機能液が濡れ広がらず、機能液の充填不良が発生する。これにより、形成された有機膜に欠陥が生じたり、有機膜上に陰極を形成すると、陽極と陰極とが前記欠陥部分において電気的にショート（短絡）するなどの不具合が発生する。
【０００４】
そこで、特許文献２及び特許文献３に記載のように、基板上に設けられたバンクに撥液材を転写して、バンクの上面のみを撥液化する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３３４７８２号公報
【特許文献２】特開２００２−３０５０７７号公報
【特許文献３】特許第３８７９４２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献２，３に示された撥液化の方法では、バンクが形成される基板上の凹凸に起因して、機能液が留まってほしいバンクの開口穴の周縁部よりも、バンクの他の領域の高さが高くなり、その部分に撥液材が転写されることがあった。これにより、開口穴の周縁部が撥液化されず、開口穴から機能液が溢れるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、基板上において第１電極と第２電極との間に配置された発光層を含む機能層と、前記機能層を発光領域に区画する隔壁部と、前記第１電極の下側に設けられた反射膜と、を備えた電気光学装置であって、前記隔壁部には、前記発光領域を囲む開口穴が設けられており、前記隔壁部における前記開口穴の周縁部は、前記隔壁部の他の領域と比較して前記基板上における高さが高く形成されていると共に、撥液性を有することを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、隔壁部における他の領域の高さと比較して高く形成されている開口穴の周縁部に撥液性が付与されているので、開口穴の中に機能材料を塗布した際、開口穴から外部に機能材料が溢れ出ることを抑えることができる。また、撥液性が付与されている部分が開口穴の周縁部なので、開口穴の中に機能材料を濡れ広げることが可能となり十分な量の機能材料を充填することができる。その結果、発光領域において膜厚のばらつきが抑えられた機能層を得ることができる。つまり、発光ムラが少ないトップエミッション型の電気光学装置を提供できる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置において、前記基板上には、配線及び駆動回路のうち少なくとも一方が設けられており、前記開口穴は、平面視で前記反射膜と重なるように設けられており、前記基板上における前記反射膜の高さは、前記配線及び前記駆動回路の高さと比較して高く形成されていることが好ましい。
【００１１】
この構成によれば、反射膜の高さが配線や駆動回路の高さと比較して高く形成されているので、平面視で反射膜と重なるように隔壁部における開口穴を設けた際、開口穴の周縁部の高さを他の領域の高さと比較して高くすることができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置において、前記基板上には、配線及び駆動回路のうち少なくとも一方が設けられると共に、絶縁膜と前記反射膜と前記第１電極とが平面視で重なるように順に設けられ、前記開口穴は、平面視で前記反射膜と重なるように設けられており、前記基板上における前記反射膜の高さは、前記配線または前記駆動回路の高さと比較して高く形成されていることが好ましい。
【００１３】
この構成によれば、絶縁膜と反射膜の膜厚を調整して反射膜の上面の高さを配線および駆動回路の高さよりも高く形成し、その結果、隔壁部における開口穴の周縁部の高さを他の領域よりも高くできる。したがって、反射膜のみで高さを調整する場合と比較して、比較的容易に調整及び形成することができる。また、材料などかかるコストを抑えることができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置において、前記基板上には、配線及び駆動回路のうち少なくとも一方が設けられると共に、前記反射膜と絶縁膜と前記第１電極とが平面視で重なるように順に設けられ、前記開口穴は、平面視で前記絶縁膜と重なるように設けられており、前記基板上における前記絶縁膜の高さは、前記配線及び前記駆動回路の高さと比較して高く形成されていることが好ましい。
【００１５】
この構成によれば、反射膜と絶縁膜の膜厚を調整して反射膜の上面の高さを配線および駆動回路の高さよりも高く形成し、その結果、隔壁部における開口穴の周縁部の高さを他の領域よりも高くするとしてもよい。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置において、前記反射膜は、平面視で前記駆動回路の少なくとも一部と重なる領域を含む領域の上に設けられていることが好ましい。
【００１７】
この構成によれば、駆動回路の上にも反射膜が設けられているので、開口率を向上させることができる。
【００１８】
［適用例６］上記適用例に係る電気光学装置において、前記反射膜は、前記反射膜の上面の高さが前記反射膜の全体に亘って略同等になるように、前記駆動回路上における前記反射膜の厚みが変えられていることが好ましい。
【００１９】
この構成によれば、駆動回路を含む領域の反射膜の高さが略同等となっているので、反射膜上の隔壁部の上面を平坦化することが可能となり、隔壁部における開口穴の周縁部に確実に撥液材を設けることができる。
【００２０】
［適用例７］上記適用例に係る電気光学装置において、前記隔壁部は、有機材料からなることが好ましい。
【００２１】
この構成によれば、隔壁部が有機材料からなるので、コーティング法などにより比較的簡単に隔壁部を形成することができる。
【００２２】
［適用例８］上記適用例に係る電気光学装置において、前記開口穴は、平面視で前記第１電極と重なるように設けられ、前記隔壁部と前記第１電極との間に、平面視で前記第１電極の周縁部の少なくとも一部にかかるように無機材料からなる下層隔壁部が設けられていることが好ましい。
【００２３】
この構成によれば、無機材料からなる下層隔壁部が設けられているので、開口穴の中の濡れ性を確保することができる。また、下層隔壁部によって、発光層の膜厚が開口穴の中央部分よりも変動し易い開口穴の周縁部分を隠すことが可能となり、発光領域における発光ムラを抑えることができる。
【００２４】
［適用例９］上記適用例に係る電気光学装置において、前記開口穴の周縁部は、転写法を用いて撥液化されていることが好ましい。
【００２５】
この構成によれば、撥液材は隔壁部の高い部分に転写するので、第１電極の表面の濡れ性を低下させることなく、開口穴の周縁部のみを撥液化させることができる。
【００２６】
［適用例１０］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、基板上において第１電極と第２電極との間に配置された発光層を含む機能層と、前記第１電極の下側に設けられた反射膜と、を備えた電気光学装置の製造方法であって、前記基板上における発光領域を含む領域に前記反射膜を形成する反射膜形成工程と、前記反射膜上に前記第１電極を形成する第１電極形成工程と、前記第１電極と平面視で重なる開口穴を形成すると共に、前記開口穴の周縁部の高さを他の領域の高さと比較して高くなるように隔壁部を形成する隔壁部形成工程と、転写法を用いて前記隔壁部に撥液材を転写する転写工程と、前記開口穴の中に機能材料を塗布する塗布工程と、を有することを特徴とする。
【００２７】
この方法によれば、開口穴の周縁部における隔壁部の高さを、隔壁部の他の領域と比較して高く形成するので、転写法を用いて撥液化する際、隔壁部における開口穴の周縁部に撥液材をより選択的に転写することができる。よって、開口穴の中に機能材料を塗布した際、開口穴の中から外部に機能材料が溢れ出ることを抑えることができる。また、撥液性（撥液材）が付与されている部分が開口穴の周縁部なので、開口穴の中に機能材料を濡れ広げることが可能となり十分な量の機能材料を充填することができる。その結果、膜厚ムラが少ない機能層を形成でき、発光ムラが少ないトップエミッション型の電気光学装置を歩留まりよく製造することができる。
【００２８】
［適用例１１］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記基板上に配線及び駆動回路のうち少なくとも一方を形成する配線回路形成工程を有し、前記反射膜形成工程は、前記基板上における前記反射膜の高さを、前記配線及び前記駆動回路の高さと比較して高く形成することが好ましい。
【００２９】
この方法によれば、反射膜の上面の高さを配線や駆動回路の高さと比較して高く形成するので、反射膜と平面的に一部が重なるように隔壁部を形成した際、隔壁における開口穴の周縁部の高さを他の領域の高さと比較して高くすることができる。よって、周縁部に撥液材を容易に転写することができる。
【００３０】
［適用例１２］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記反射膜形成工程の前に、前記基板上における前記反射膜が設けられる領域に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程を有することが好ましい。
【００３１】
この方法によれば、絶縁膜を利用して反射膜の上面の高さを調整するので、反射膜のみで高さを調整する場合と比較して、比較的容易に調整及び形成することができる。また、材料などかかるコストを抑えることができる。
【００３２】
［適用例１３］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記反射膜形成工程の後に、前記基板上における前記反射膜が設けられた領域に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程を有し、前記第１電極形成工程は、前記絶縁層上に前記第１電極を形成することが好ましい。
【００３３】
この方法によれば、絶縁膜を利用して第１電極の上面の高さを調整するので、反射膜のみで第１電極の上面の高さを調整する場合と比較して、比較的容易に調整及び形成することができる。また、材料などかかるコストを抑えることができる。
【００３４】
［適用例１４］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記反射膜形成工程は、平面視で前記駆動回路の少なくとも一部と重なる領域を含む領域の上に前記反射膜を形成することが好ましい。
【００３５】
この方法によれば、駆動回路の上にも反射膜を形成するので、開口率を向上させることができる。
【００３６】
［適用例１５］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記反射膜形成工程は、前記反射膜の上面の高さが前記反射膜の全体に亘って略同等になるように、前記駆動回路上の厚みを変えて前記反射膜を形成することが好ましい。
【００３７】
この方法によれば、反射膜の上面の高さが略同等になるように反射膜の厚みを部分的に変えて形成するので、反射膜上の隔壁部の上面を平坦化することが可能となり、隔壁部における開口穴の周縁部に撥液材を確実に転写することができる。
【００３８】
［適用例１６］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記隔壁部形成工程は、有機材料を用いて前記隔壁部を形成することが好ましい。
【００３９】
この方法によれば、隔壁部が有機材料からなるので、コーティング法などにより比較的簡単に隔壁部を形成することができる。
【００４０】
［適用例１７］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記隔壁形成工程は、前記発光領域を囲むように前記第１電極上に無機材料からなる下層隔壁部を形成する下層隔壁部形成工程と、前記下層隔壁部の少なくとも一部を覆って前記開口穴を構成する上層隔壁部を形成する上層隔壁部形成工程と、を含むことが好ましい。
【００４１】
この方法によれば、平面視で第１電極を囲むように（周囲に重なるように）下層隔壁部を形成するので、下層隔壁部で囲まれた開口穴の中の濡れ性を確保することができる。また、下層隔壁部によって、発光層の膜厚が開口穴の中央部分よりも変動し易い開口穴の周縁部分を隠すことが可能となり、発光領域における発光ムラを抑えることができる。
【００４２】
［適用例１８］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする。
【００４３】
この構成によれば、発光領域において均一な膜厚の機能材料が得られ、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】第１実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図２】有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図。
【図３】（ａ）は有機ＥＬ装置のサブ画素の構造を示す模式平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ'線に沿うサブ画素の模式断面図。
【図４】有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程図。
【図５】有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図６】有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図７】有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図８】有機ＥＬ装置を備えた電子機器の一例としてテレビを示す模式斜視図。
【図９】（ａ）は第２実施形態の有機ＥＬ装置のサブ画素の構造を示す模式平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ'線に沿うサブ画素の模式断面図。
【図１０】（ａ）は第３実施形態の有機ＥＬ装置のサブ画素の構造を示す模式平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ'線に沿うサブ画素の模式断面図。
【図１１】（ａ）は第４実施形態の有機ＥＬ装置のサブ画素の構造を示す模式平面図、（ｂ）は（ａ）のＤ−Ｄ'線に沿うサブ画素の模式断面図。
【図１２】変形例の有機ＥＬ装置のサブ画素の構造を示す模式平面図。
【図１３】図１２のＥ−Ｅ'線に沿うサブ画素の模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００４５】
（第１実施形態）
＜電気光学装置の構成＞
図１は、電気光学装置としての有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図１を参照しながら説明する。なお、以下参照する各図面において構成をわかりやすく示すため、各構成要素の層厚や寸法の比率、角度等は適宜異ならせてある。また、本実施形態の有機ＥＬ装置は、トップエミッション構造に適用可能である。
【００４６】
図１に示すように、有機ＥＬ装置１１は、複数の走査線１２と、走査線１２に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３と、信号線１３に並行に延びる複数の電源線１４とを備えている。そして、走査線１２と信号線１３とにより区画された領域が画素領域として構成されている。信号線１３は、信号線駆動回路１５に接続されている。また、走査線１２は、走査線駆動回路１６に接続されている。
【００４７】
各画素領域には、走査線１２を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（Thin Film Transistor）２１と、このスイッチング用ＴＦＴ２１を介して信号線１３から供給される画素信号を保持する保持容量２２と、保持容量２２によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ２３（以下、「ＴＦＴ素子２３」と称する。）とが設けられている。更に、各画素領域には、ＴＦＴ素子２３を介して電源線１４に電気的に接続したときに、電源線１４から駆動電流が流れ込む第１電極としての陽極２４と、第２電極としての陰極２５と、この陽極２４と陰極２５との間に挟持された機能層２６とが設けられている。
【００４８】
有機ＥＬ装置１１は、陽極２４と陰極２５と機能層２６とにより構成される発光素子２７を複数備えている。また、有機ＥＬ装置１１は、複数の発光素子２７で構成される表示領域を備えている。
【００４９】
この構成によれば、走査線１２が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ２１がオン状態になると、そのときの信号線１３の電位が保持容量２２に保持され、保持容量２２の状態に応じて、ＴＦＴ素子２３のオン・オフ状態が決まる。そして、ＴＦＴ素子２３のチャネルを介して、電源線１４から陽極２４に電流が流れ、更に、機能層２６を介して陰極２５に電流が流れる。機能層２６は、ここを流れる電流量に応じた輝度で発光する。
【００５０】
図２は、有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図２を参照しながら説明する。
【００５１】
図２に示すように、有機ＥＬ装置１１は、ガラス等からなる基板３１に表示領域３２（図中一点鎖線の内側の領域）と非表示領域３３（一点鎖線の外側の領域）とを有する構成になっている。表示領域３２には、実表示領域３２ａ（二点鎖線の内側の領域）とダミー領域３２ｂ（図中二点鎖線の外側の領域）とが設けられている。
【００５２】
実表示領域３２ａ内には、光が射出されるサブ画素３４（発光領域）がマトリクス状に配列されている。この、サブ画素３４の各々は、スイッチング用ＴＦＴ２１及びＴＦＴ素子２３（図１参照）の動作に伴って、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）各色を発光する構成となっている。
【００５３】
ダミー領域３２ｂには、主として各サブ画素３４を発光させるための回路が設けられている。例えば、実表示領域３２ａの図中左辺及び右辺に沿うように走査線駆動回路１６が配置されており、実表示領域３２ａの図中上辺に沿うように検査回路３５が配置されている。
【００５４】
基板３１の下辺には、フレキシブル基板３６が設けられている。フレキシブル基板３６には、各配線と接続された駆動用ＩＣ３７が備えられている。
【００５５】
図３（ａ）は、有機ＥＬ装置のサブ画素の構造を示す模式平面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ'線に沿うサブ画素の模式断面図である。以下、サブ画素を備える有機ＥＬ装置の構成を、図３を参照しながら説明する。なお、図３（ａ）は、機能層２６、後述する隔壁部としてのバンク６２、陰極２５などの図示を省略している。
【００５６】
図３（ａ）に示すように、有機ＥＬ装置１１は、走査線１２と、信号線１３と、電源線１４とによって平面的に囲まれた発光領域（サブ画素３４）において発光が行われるものであり、スイッチング用ＴＦＴ２１と、保持容量２２と、ＴＦＴ素子２３と、陽極２４と、を有して構成されている。
【００５７】
具体的には、有機ＥＬ装置１１は、図３（ｂ）に示すように、基板３１と、基板３１上に形成された回路素子層４３と、回路素子層４３上に形成された発光素子層４４とを有する。基板３１としては、例えば、ガラス基板が挙げられる。
【００５８】
回路素子層４３には、基板３１上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなる下地保護膜４５が形成され、下地保護膜４５上にＴＦＴ素子２３が形成されている。詳しくは、下地保護膜４５上に、ポリシリコン膜からなる島状の半導体膜４６が形成されている。半導体膜４６には、ソース領域４７及びドレイン領域４８が不純物の導入によって形成されている。そして、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域５１となっている。
【００５９】
更に、回路素子層４３には、下地保護膜４５及び半導体膜４６を覆うシリコン酸化膜等からなる透明なゲート絶縁膜５２が形成されている。ゲート絶縁膜５２上には、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）などの低抵抗金属配線材料からなるゲート電極５３（走査線）が形成されている。
【００６０】
ゲート絶縁膜５２及びゲート電極５３上には、第１層間絶縁膜５４、第２層間絶縁膜５５が形成されている。第１層間絶縁膜５４及び第２層間絶縁膜５５は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）、チタン酸化膜（ＴｉＯ2）などから構成されている。ゲート電極５３は、半導体膜４６のチャネル領域５１に対応する位置に設けられている。
【００６１】
第２層間絶縁膜５５上における発光領域４２を含むその周辺には、反射膜６１が設けられている。反射膜６１は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）から形成されている。反射膜６１は、機能層２６における発光を陰極２５側に反射するものである。なお、反射膜６１の材料は、アルミニウムに限定されず、発光を反射する機能（反射面）を有する材料であればよい。
【００６２】
反射膜６１の高さは、その周囲の第２層間絶縁膜５５の高さと比較して高くなるように形成されている。具体的には、発光領域４２以外に設けられた配線（１２，１４）やＴＦＴ素子２３の厚みに起因して盛り上がった部分より、反射膜６１の上面の高さが高くなるように形成されている。反射膜６１の形状は、例えば、平面的に直線部分と円弧部分とを有するトラック形状に形成されている。
【００６３】
反射膜６１の上には、陽極２４が設けられている。陽極２４は、例えば、発光領域４２ごとに形成されている。また、陽極２４は、透明なＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなり、例えば、平面的に直線部分と円弧部分とを有するトラック形状に形成されている（図３（ａ）参照）。
【００６４】
半導体膜４６のソース領域４７は、ゲート絶縁膜５２及び第１層間絶縁膜５４を貫通して設けられたコンタクトホール５６を介して、第１層間絶縁膜５４上に形成された電源線１４と電気的に接続されている。一方、ドレイン領域４８は、ゲート絶縁膜５２、第１層間絶縁膜５４、第２層間絶縁膜５５を貫通して設けられたコンタクトホール５７を介して、反射膜６１上に形成された陽極２４と電気的に接続されている。
【００６５】
なお、回路素子層４３には、保持容量２２及びスイッチング用ＴＦＴ２１（図３（ａ）参照）が形成されている。また、配線（走査線１２、信号線１３、電源線１４など）の厚みは、例えば、０．４μｍである。また、ＴＦＴ素子２３の厚みは、例えば、０．４μｍである。
【００６６】
発光素子層４４は、マトリクス状に配置された発光素子２７（図１参照）を具備して基板３１上に形成されている。詳述すると、発光素子層４４は、陽極２４上に形成された機能層２６と、機能層２６を区画するバンク６２とを主体として構成されている。機能層２６は、例えば、正孔注入層６３と、発光層６４などから構成されている。
【００６７】
バンク６２は、発光領域４２を除く基板３１上の全体に設けられている。バンク６２の材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機材料である。バンク６２は、例えば、断面に見て傾斜面を有する略台形状であり、発光領域４２（発光素子２７）を囲むように形成されている。つまり、バンク６２によって囲まれた領域が開口穴６５となる。
【００６８】
また、バンク６２は、陽極２４の下側に第２層間絶縁膜５５の高さより高い反射膜６１が設けられていることにより、開口穴６５の周縁部６２ａの高さが、他の領域の高さと比較して、高くなっている。
【００６９】
バンク６２における開口穴６５の周縁部６２ａには、機能層２６となる機能材料としての機能液が、開口穴６５から溢れないようにするための撥液材６６が設けられている。具体的には、撥液材６６を転写法を用いて設けることにより、他の領域と比較して高い位置にある開口穴６５の周縁部６２ａに撥液性を付与することができる。これにより、開口穴６５の中に塗布された機能液を開口穴６５の中に留めておくことが可能となり、隣りの開口穴６５に機能液が流れ出ることを防ぐことができる。撥液材６６としては、例えば、フッ素系の樹脂である。
【００７０】
ここで、「撥液性が高い」とは、液体（機能液）との接触角が相対的に大きいことを指す。つまり、撥液性が高くなった開口穴６５の周縁部６２ａから、外部に液体が溢れにくくなったと言える。一方、「撥液性が低い」とは、液体との接触角が相対的に小さいことを指す。つまり、液体（機能液）が塗布される開口穴６５の周縁部６２ａに撥液性が付与されているので、開口穴６５から液体（機能液）が溢れ難く、開口穴６５の中に液体（機能液）が充填しやすくなったと言える。
【００７１】
機能層２６は、上記したように、正孔注入層６３と発光層６４とを有して構成されており、バンク６２に囲まれた領域、すなわち開口穴６５の中に、インクジェット法を用いて順に形成される。
【００７２】
正孔注入層６３は、導電性高分子材料中にドーパントを含有する導電性高分子層からなる。このような正孔注入層６３は、例えば、ドーパントとしてポリスチレンスルホン酸を含有する３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）などから構成することができる。
【００７３】
発光層６４は、正孔注入層６３の上に形成されており、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。機能層２６上及びバンク６２上を含む基板３１上の全体には、陰極２５が全面成膜（ベタ成膜）されている。
【００７４】
陰極２５は、例えば、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）の積層体である。陰極２５の上には、水や酸素の侵入を防ぐための、無機材料や有機樹脂などからなる封止部材（図示せず）が積層されている。
【００７５】
上述した発光層６４は、陽極２４と陰極２５との間に電圧を印加することによって、発光層６４には、正孔注入層６３から正孔が、また、陰極２５から電子が注入される。発光層６４において、これらが結合したときに光を発する。上記のような有機ＥＬ装置１１は、いわゆるトップエミッション構造となっており、陽極２４と陰極２５との間に駆動電流を流して機能層２６で発光した光を反射膜６１で反射させて陰極２５側から取り出す。以下、インクジェット法を用いて、有機ＥＬ装置１１を形成する方法について説明する。
【００７６】
＜電気光学装置の製造方法＞
図４は、電気光学装置の製造方法としての有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程図である。図５〜図７は、有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の製造方法を、図４〜図７を参照しながら説明する。なお、図５〜図７は、回路素子層４３などの図示を省略している。
【００７７】
まず、ステップＳ１１（配線回路形成工程）では、基板３１上に公知の成膜技術を用いて回路素子層４３を形成する。具体的には、基板３１上にＴＦＴ素子２３や走査線１２や信号線１３などを形成する。第２層間絶縁膜５５の表面は、ＴＦＴ素子２３や配線（１２，１３，１４）の厚みに影響を受けて凹凸状になっている（図３（ｂ）参照）。
【００７８】
ステップＳ１２（反射膜形成工程）では、第２層間絶縁膜５５上における発光領域４２及びその周囲に反射膜６１を形成する。反射膜６１は、上記したようにアルミニウムなどからなり、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて形成することができる。反射膜６１の形状としては、平面的に直線部分と円弧部分とを有するトラック形状である。反射膜６１の厚みは、例えば、０．５μｍである。
【００７９】
ステップＳ１３（第１電極形成工程）では、反射膜６１上にＩＴＯからなる陽極２４を形成する。具体的には、反射膜６１の形状に沿った形状、つまり、平面的に直線部分と円弧部分とを有するトラック形状に形成する。
【００８０】
ステップＳ１４（隔壁部形成工程）では、基板３１上における発光領域４２を除く領域にバンク６２を形成する。バンク６２の形成方法としては、まず、基板３１上にポリイミドやアクリルなどの有機材料を塗布する。次に、有機材料を乾燥させて有機層を形成する。次に、有機層における発光領域４２の部分を除去する。これによりバンク６２が完成する。
【００８１】
バンク６２における開口穴６５の周縁部６２ａは、図５に示すように、陽極２４の下側に反射膜６１が形成されているので、他の領域の高さと比較して高くなっている。なお、バンク６２の厚みは、例えば、２μｍである。上述した有機材料を用いてバンク６２を形成するので、無機材料を用いる場合に比べてバンク６２を比較的容易に形成できる。
【００８２】
ステップＳ１５（転写工程）では、転写法を用いてバンク６２に撥液材６６を転写する。具体的には、バンク６２の上面の高い部分、つまり、開口穴６５の周縁部６２ａに確実に撥液材６６を転写することができる。
【００８３】
転写法は、例えば、図６に示す転写装置７１によって行われる。転写装置７１は、有機ＥＬ装置１１となる前の段階の基板１１ａを搬送する搬送ベルト７２及び搬送ローラー７３と、撥液材６６が塗布された撥液材付フィルム７４を搬送する供給ローラー７５と、テンションローラー７６と、転写ローラー７７と、圧着ローラー７８とを備えている。
【００８４】
撥液材付フィルム７４は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）のフィルムにフッ素系の樹脂（撥液材）がコーティングされたものである。
【００８５】
基板１１ａは、搬送ベルト７２に載置されており、複数の搬送ローラー７３と圧着ローラー７８とによって、所定の方向に搬送される。撥液材付フィルム７４は、供給ローラー７５から供給され、テンションローラー７６によって搬送方向が規定される。撥液材付フィルム７４の撥液材６６は、転写ローラー７７が圧着ローラー７８側に可動することにより、撥液材付フィルム７４と基板１１ａとを圧着（例えば、熱圧着）し、接触した部分の撥液材６６が基板１１ａ転写される。
【００８６】
なお、バンク６２において、撥液材６６を設けたい部分（開口穴６５の周縁部６２ａ）の高さと、それ以外の部分（配線１３，１４やＴＦＴ素子２３などの上）の高さとの関係は、必ずしも周縁部６２ａが高くならなくてもよい。具体的には、転写ローラー７７と圧着ローラー７８との圧着により転写可能な段差の範囲であればよい。例えば、バンク６２において、周縁部６２ａとそれ以外の部分の高さの段差が、±０．１μｍ以内であれば、バンク６２の上面全体に亘って撥液材６６を転写することも可能である。
【００８７】
この場合、図７（ａ）に示すように、バンク６２における開口穴６５の周縁部６２ａは、バンク６２の他の領域に比べて反射膜６１の膜厚に相当するおよそ０．４μｍ高くなっているので、周縁部６２ａに確実に撥液材６６を転写することができる。
【００８８】
ステップＳ１６（塗布工程）では、図７（ｂ）に示すように、バンク６２の開口穴６５に機能液２６ａを吐出する。具体的には、機能液２６ａの液滴を、液滴吐出法（例えば、インクジェット法）を用いて、陽極２４を底部としバンク６２を側壁とする凹部に向けて吐出する。機能液としては、正孔注入層６３の材料を含んだ機能液や、発光層６４の材料を含んだ機能液２６ａなどである。以下、発光層６４を例に説明する。
【００８９】
ステップＳ１７では、図７（ｃ）に示すように、機能液２６ａを乾燥させて発光層６４を形成する。詳しくは、機能液２６ａを高温環境下又は減圧下で乾燥して溶媒を蒸発させて固形化する。これにより、開口穴６５の中に発光層６４が形成される。
【００９０】
上述したように、バンク６２における開口穴６５の周縁部６２ａに撥液性が確実に付与されているので、機能液２６ａが開口穴６５の外側に溢れることを抑えることができる。
【００９１】
ステップＳ１８では、発光層６４が形成された基板３１上の略全体に、カルシウム膜及びアルミニウム膜をこの順に、例えば蒸着法によって積層させることにより、陰極２５（図３（ｂ）参照）を形成する。
【００９２】
ステップＳ１９では、陰極２５上に、例えば、接着剤及びガラス基板を用いて封止を行うことにより有機ＥＬ装置１１が完成する。
【００９３】
＜電子機器の構成＞
図８は、上記した有機ＥＬ装置を備えた電子機器の一例としてテレビを示す模式斜視図である。以下、有機ＥＬ装置を備えたテレビの構成を、図８を参照しながら説明する。
【００９４】
図８に示すように、テレビ８１は、表示部８２と、枠部８３と、脚部８４と、リモコン８５とを有する。表示部８２は、内部に組み込まれた有機ＥＬ装置１１によって、均一に発光することができる等、高品位な表示を行うことができる。なお、上記した有機ＥＬ装置１１は、上記テレビの他、ディスプレイ、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器、照明機器、光プリンターの光源などの各種電子機器に用いることができる。
【００９５】
以上詳述したように、第１実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
【００９６】
（１）第１実施形態の有機ＥＬ装置１１およびその製造方法は、反射膜６１の上面の高さが配線（１３，１４）やＴＦＴ素子２３の高さと比較して高くなるように形成すると共に、反射膜６１上に陽極２４を形成し、その上に平面視で陽極２４と重なるように開口穴６５を有するバンク６２を形成するので、開口穴６５の周縁部６２ａの高さをバンク６２の他の領域の高さと比較して高くすることができる。よって、転写法を用いて周縁部６２ａに選択的に撥液材６６を転写することが可能となり、開口穴６５の中に機能液２６ａを塗布した際、開口穴６５の中から外部に機能液２６ａが溢れ出ることを抑えることができる。これにより、混色を防ぐことができる。また、撥液材６６が転写されている部分が開口穴６５の周縁部６２ａなので、陽極２４の表面の濡れ性を低下させることがなく、開口穴６５の中に機能液２６ａを濡れ広げることが可能となり十分な量の機能液２６ａを充填することができる。その結果、膜厚ムラが少ない機能層２６を形成でき、発光ムラを少なくすることができる。
【００９７】
（２）第１実施形態の電子機器は、上記した有機ＥＬ装置１１を備えているので、発光領域４２において均一な膜厚の機能層２６が得られ、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
【００９８】
（第２実施形態）
＜電気光学装置の構造＞
図９（ａ）は、第２実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置の画素の構造を示す模式平面図である。図９（ｂ）は、図９（ａ）のＢ−Ｂ'線に沿うサブ画素の模式断面図である。以下、サブ画素を備えた有機ＥＬ装置の構成を、図９（ａ），（ｂ）を参照しながら説明する。
【００９９】
なお、図９（ａ）に示す有機ＥＬ装置１１１は、第１実施形態と同様に、上記した機能層２６、バンク６２、及び陰極２５等の図示を省略している。また、第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１は、陽極２４と第２層間絶縁膜５５との間に、反射膜１６１のみでなく絶縁膜としての下層絶縁膜１９１が設けられている部分が、第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。
【０１００】
図９（ａ）に示すように、有機ＥＬ装置１１１は、第１実施形態と同様に、信号線１３と、走査線１２と、電源線１４とによって平面的に囲まれた発光領域４２（サブ画素３４）において発光が行われるものであり、スイッチング用ＴＦＴ２１と、保持容量２２と、ＴＦＴ素子２３と、陽極２４と、を有して構成されている。
【０１０１】
詳述すると、第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１は、図９（ｂ）に示すように、第２層間絶縁膜５５上における発光領域４２及びその周囲に、反射膜１６１の上面の高さを周辺の高さより高くするための下層絶縁膜１９１が設けられている。下層絶縁膜１９１上には、機能層２６で発光した光を陰極２５側から取り出すための反射膜１６１が設けられている。つまり、反射膜１６１の下に下層絶縁膜１９１を設けたことにより、反射膜１６１の厚みを薄くすることができると共に、反射膜１６１の上面の高さを周囲の高さに比べて高くすることができる。
【０１０２】
そして、反射膜１６１の上には、陽極２４が設けられている。陽極２４及び第２層間絶縁膜５５上には、発光領域４２を囲むようにバンク６２が設けられている。バンク６２によって囲まれた部分が開口穴６５である。
【０１０３】
また、第１実施形態と同様に、バンク６２の開口穴６５の周縁部６２ａには、撥液材６６が設けられている。このように、反射膜１６１の下側に下層絶縁膜１９１を設けるので、反射膜１６１の厚みを第１実施形態の反射膜６１と比べて薄くすることが可能となり、比較的容易に反射膜１６１を形成することができる。また、材料などかかるコストを抑えることができる。以下、第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１を形成する方法について説明する。なお、第１実施形態の有機ＥＬ装置１１の製造方法と比較して異なる部分を主体に説明する。
【０１０４】
＜電気光学装置の製造方法＞
第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１の製造方法は、図４に示した第１実施形態の有機ＥＬ装置１１の製造方法と基本的に同様であって、以下、第１実施形態と異なる部分について説明する。
【０１０５】
ステップＳ１１では、第２層間絶縁膜５５上における発光領域４２及びその周囲に、下層絶縁膜１９１を形成する（絶縁膜形成工程）。下層絶縁膜１９１の形成方法としては、例えば、公知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて第２層間絶縁膜５５上における発光領域４２を含む領域にシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）を成膜する。具体的には、図９（ａ）に示すように、平面的に直線部分と円弧部分とを有するトラック形状に形成する。
【０１０６】
ステップＳ１２では、下層絶縁膜１９１上に反射膜１６１を形成する。具体的には、例えばマスクを用いて、下層絶縁膜１９１上にアルミニウムなどからなる反射膜１６１を成膜する。反射膜１６１の形状としては、下層絶縁膜１９１に沿った形状、つまり、平面的に直線部分と円弧部分とを有するトラック形状に形成する。以降、第１実施形態と同様に、ステップＳ１３からステップＳ１９までを実施し、第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１を完成させる。
【０１０７】
以上詳述したように、第２実施形態によれば、上記した第１実施形態の（１）、（２）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【０１０８】
（３）第２実施形態によれば、下層絶縁膜１９１の高さが配線（１３，１４）やＴＦＴ素子２３などの高さと比較して高く形成されているので、下層絶縁膜１９１と平面的に一部が重なるようにバンク６２を設けた際、開口穴６５の周縁部６２ａの高さを他の領域の高さと比較して高くすることができる。また、下層絶縁膜１９１を用いて反射膜１６１の上面の高さを調整することが可能となり、反射膜１６１のみで高さを調整する場合と比較して、比較的容易に調整及び形成することができる。また、材料などかかるコストを抑えることができる。
【０１０９】
（第３実施形態）
＜電気光学装置の構造＞
図１０（ａ）は、第３実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置のサブ画素の構造を示す模式平面図である。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＣ−Ｃ'線に沿うサブ画素の模式断面図である。以下、サブ画素を備えた有機ＥＬ装置の構成を、図１０（ａ），（ｂ）を参照しながら説明する。
【０１１０】
なお、図１０（ａ）に示す有機ＥＬ装置２１１は、上記した実施形態と同様に、機能層２６、バンク２６２、及び陰極２５等の図示を省略している。また、第３実施形態の有機ＥＬ装置２１１は、反射膜２６１及び陽極２２４が平面視でＴＦＴ素子２３の一部と重なる領域まで設けられている部分が、第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。
【０１１１】
図１０（ａ）に示すように、第３実施形態の有機ＥＬ装置２１１は、第１実施形態及び第２実施形態と同様に、信号線１３と、走査線１２と、電源線１４とによって平面的に囲まれた発光領域２４２（サブ画素３４）において発光が行われるものであり、スイッチング用ＴＦＴ２１と、保持容量２２と、ＴＦＴ素子２３と、陽極２２４と、を有して構成されている。
【０１１２】
詳述すると、第３実施形態の有機ＥＬ装置２１１は、図１０（ａ）に示すように、平面視で各配線（信号線１３、走査線１２、電源線１４）で囲まれた領域の略全体に亘って反射膜２６１及び陽極２２４が形成されている。つまり、平面視でスイッチング用ＴＦＴ２１、保持容量２２、ＴＦＴ素子２３などの一部と重なるように、反射膜２６１及び陽極２２４が形成されている。反射膜２６１の形状としては、図１０（ａ）に示すように、平面的に直線部分と円弧部分とを有するトラック形状である。
【０１１３】
このように、サブ画素３４の領域の略全体に亘って反射膜２６１及び陽極２２４が設けられていることにより、開口率を向上させることが可能となり、ＴＦＴ素子２３などにかかる負荷を低減することができる。
【０１１４】
また、図１０（ｂ）に示すように、反射膜２６１の上面全体が略平坦になるように、第２層間絶縁膜５５表面の起伏に応じて、反射膜２６１の厚みを部分的に変えている。これにより、反射膜２６１上に形成される陽極２２４の上面も略平坦にすることが可能となり、更に、陽極２２４上に形成するバンク２６２の上面を平坦化することができる。よって、バンク２６２の上面（周縁部２６２ａ）に確実に撥液材６６を設けることができる。
【０１１５】
以下、第３実施形態の有機ＥＬ装置２１１を形成する方法について説明する。なお、第１実施形態の有機ＥＬ装置１１の製造方法と比較して異なる部分を主体に説明する。
【０１１６】
＜電気光学装置の製造方法＞
第３実施形態の有機ＥＬ装置２１１の製造方法は、図４に示すステップＳ１１までは、第１実施形態と同様に形成する。ステップＳ１２以降の製造方法について説明する。
【０１１７】
ステップＳ１２では、第２層間絶縁膜５５上に反射膜２６１を形成する。具体的には、図１０（ａ）に示すように、平面視でＴＦＴ素子２３の領域の一部が重なる領域を含んで反射膜２６１を形成する。反射膜２６１の形状としては、例えば、平面的に直線部分と円弧部分とを有するトラック形状である。また、反射膜２６１の上面が反射膜２６１の全体に亘って略平坦になるよう、例えば、マスクを用いて選択的に反射膜２６１を形成する。
【０１１８】
このように、ＴＦＴ素子２３などの上に反射膜２６１を形成するので、反射膜２６１の上面の高さを、その他の領域の高さと比較して高く形成することができる。
【０１１９】
ステップＳ１３では、反射膜２６１上に陽極２２４を形成する。陽極２２４の形成方法としては、例えば、マスクを用いて反射膜２６１の上に選択的に陽極２２４を成膜する。陽極２２４の形状としては、反射膜２６１の形状に沿った形状、つまり、平面的に直線部分と円弧部分とを有するトラック形状である。また、反射膜２６１の上面が略平坦化されているので、その上に形成する陽極２２４の上面も略平坦化される。
【０１２０】
ステップＳ１４では、陽極２２４及び第２層間絶縁膜５５上にバンク２６２を形成する。具体的には、陽極２２４及び第２層間絶縁膜５５上における発光領域２４２を除く領域にバンク２６２を形成する。バンク２６２は、上記した実施形態と同様、ポリイミドなどの有機材料から形成する。バンク２６２の開口穴６５の形状としては、上記した実施形態と同様に、陽極２２４の形状に沿った形状、つまり、平面的に直線部分と円弧部分とを有するトラック形状である。
【０１２１】
ステップＳ１２において、平面視でＴＦＴ素子２３の一部と重なる領域を含む領域に、上面が平坦化された反射膜２６１を形成したので、バンク２６２における開口穴６５の周縁部２６２ａは、他の領域のバンク２６２の高さより高く形成されている。以下、第１実施形態と同様に、ステップＳ１５からステップＳ１９までを実施することにより、第３実施形態の有機ＥＬ装置２１１が完成する。
【０１２２】
以上詳述したように、第３実施形態によれば、上記した第１実施形態の（１）〜（２）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【０１２３】
（４）第３実施形態によれば、ＴＦＴ素子２３と平面的に重なる領域の上にも反射膜２６１が設けられているので、開口率を向上させることが可能となり、ＴＦＴ素子２３などにかかる電気的負荷を低減することができる。また、ＴＦＴ素子２３を含む領域の反射膜２６１の高さが反射膜２６１全体に亘って略同等となるように反射膜２６１の厚みを部分的に変えて形成しているので、反射膜２６１上のバンク２６２の上面を平坦化することが可能となり、バンク２６２に確実に撥液材６６を形成することができる。
【０１２４】
（第４実施形態）
＜電気光学装置の構造＞
図１１（ａ）は、第４実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置のサブ画素の構造を示す模式平面図である。図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＤ−Ｄ'線に沿うサブ画素の模式断面図である。以下、サブ画素を備えた有機ＥＬ装置の構成を、図１１（ａ），（ｂ）を参照しながら説明する。
【０１２５】
なお、図１１（ａ）に示す有機ＥＬ装置３１１は、上記した実施形態と同様に、機能層２６、バンク３６２、及び陰極２５等の図示を省略している。また、第４実施形態の有機ＥＬ装置３１１は、陽極３２４と反射膜３６１との間に絶縁膜３０１を設け、絶縁膜３０１の厚みＨを各色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光領域３４２ごとに変えて、反射膜３６１と陰極２５との間の距離を相違させる光共振構造が採用されている部分が、第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。
【０１２６】
図１１（ａ）に示すように、第４実施形態の有機ＥＬ装置３１１は、第１実施形態〜第３実施形態と同様に、信号線１３と、走査線１２と、電源線１４とによって平面的に囲まれた発光領域３４２（サブ画素３４）において発光が行われるものであり、スイッチング用ＴＦＴ２１と、保持容量２２と、ＴＦＴ素子２３と、陽極３２４と、を有して構成されている。
【０１２７】
詳述すると、第４実施形態の有機ＥＬ装置３１１は、図１１（ｂ）に示すように、第２層間絶縁膜５５上における発光領域３４２を含むその周囲に、反射膜３６１が形成されている。反射膜３６１の形状は、上記実施形態と同様に、例えば、平面的に直線部分と円弧部分とを有するトラック形状である。反射膜３６１は、光反射性を有する材料によって形成される。材料としては、例えば、アルミニウムや銀、又はアルミニウムや銀を主成分とする合金などが挙げられる。
【０１２８】
反射膜３６１上には、発光領域３４２及びその周辺における陽極３２４の高さを他の領域の高さと比べて高くすると共に、反射膜３６１と陰極２５との間の距離を調整するための絶縁膜３０１が設けられている。絶縁膜３０１の平面的は形状は、上記した反射膜３６１と同様に、直線部分と円弧部分とを有するトラック形状である。
【０１２９】
各発光素子２７は、複数の色彩（赤色、緑色、青色）のいずれかに対応した波長の光を発生する要素である。本実施形態では、発光素子（２７Ｒ）は赤色光を出射し、発光素子（２７Ｇ）は緑色光を出射し、発光素子（２７Ｂ）は青色光を出射する。
【０１３０】
本実施形態の有機ＥＬ装置３１１は、上記したように、各発光素子２７にて発生した光が基板３１とは反対側に向かって進行するトップエミッション構造である。従って、ガラスなどの光透過性を有する板材の他、セラミックスや金属のシートなど不透明な板材を基板３１として採用することができる。
【０１３１】
＜電気光学装置の製造方法＞
第４実施形態の有機ＥＬ装置３１１の製造方法は、図４に示すステップＳ１１までは、第１実施形態と同様に形成する。ステップＳ１２以降の製造方法について説明する。
【０１３２】
ステップＳ１２では、第２層間絶縁膜５５上に反射膜３６１を形成する。具体的には、平面的に発光領域３４２より一回り大きくなるように反射膜３６１を形成する（例えば、トラック形状）。反射膜３６１の形成方法は、例えば、マスクを用いて第２層間絶縁膜５５上に選択的に反射膜３６１を形成する。
【０１３３】
次に、反射膜３６１上に、絶縁膜３０１を形成する。絶縁膜の形状は、略反射膜３６１と同じ形状である。絶縁膜３０１の形成方法は、上記した反射膜３６１と同様に、マスクを用いて反射膜３６１上に選択的に形成する。なお、絶縁膜３０１の厚みＨは、光共振構造となるように、各色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光領域３４２ごとに変えて形成する。また、絶縁膜３０１の厚みＨは、その周囲の第２層間絶縁膜５５の高さと比較して高くなるように形成する。
【０１３４】
ステップＳ１３では、絶縁膜３０１上に陽極３２４を形成する。陽極３２４の形成方法としては、例えば、マスクを用いて絶縁膜３０１の上に選択的に成膜する。陽極３２４の形状としては、例えば、絶縁膜３０１の形状に沿った形状、つまり、平面的に直線部分と円弧部分とを有するトラック形状である。
【０１３５】
ステップＳ１４では、陽極３２４及び第２層間絶縁膜５５上にバンク３６２を形成する。具体的には、陽極３２４及び第２層間絶縁膜５５上における発光領域３４２を除く領域にバンク３６２を形成する。バンク３６２は、上記した実施形態と同様、ポリイミドなどの有機材料から形成する。バンク３６２の開口穴６５の形状としては、上記した実施形態と同様に、陽極３２４の形状に沿った形状、つまり、平面的に直線部分と円弧部分とを有するトラック形状である。
【０１３６】
ステップＳ１２の後に、絶縁膜３０１を形成したので、バンク３６２における開口穴６５の周縁部３６２ａは、他の領域のバンク３６２の高さより高く形成されている。以下、第１実施形態と同様に、ステップＳ１５からステップＳ１９までを実施することにより、第４実施形態の有機ＥＬ装置３１１が完成する。
【０１３７】
以上詳述したように、第４実施形態によれば、上記した第１実施形態及び第３実施形態の（１）、（２）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【０１３８】
（５）第４実施形態によれば、陽極３２４と反射膜３６１との間に絶縁膜３０１を設け、絶縁膜３０１の厚みを各色（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光領域３４２ごとに変えて、反射膜３６１と陰極２５との間の距離を相違させているので、光共振構造をつくることが可能となり、特定の波長の光を強めることができ、発色性（波長依存性）を高めることができる。
【０１３９】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【０１４０】
（変形例１）
上記したように、発光領域４２ごとに、発光領域４２の周囲のバンクが高くなるように反射膜６１を設けることに限定されず、図１２及び図１３に示すように、隣接する発光領域４４２に跨って反射膜４０１が設けられているようにしてもよい。具体的には、反射膜４０１は、発光領域４４２における直線部分が隣接するサブ画素３４に跨ってレール状に設けられている。また、反射膜４０１は、上記したように、第２層間絶縁膜５５の高さより高くなるように設けられている。
【０１４１】
図１２は、有機ＥＬ装置のサブ画素の構造を示す模式平面図である。図１３は、図１２のＥ−Ｅ'線に沿うサブ画素の模式断面図である。なお、図１２及び図１３に示す有機ＥＬ装置４１１は、機能層２６及び陰極２５等の図示を省略している。
【０１４２】
このように、基板３１上に、図１２に示すような反射膜４０１を形成することにより、反射膜４０１上に陽極２４及びバンク４６２を形成した際、バンク４６２における、発光領域４４２の直線部分が隣接するサブ画素３４に繋がる形状の共通バンクを形成することができる。このように、発光領域を区画することは、一つの発光領域４２を区画するだけでなく、複数の発光領域４４２を区画することも含む。よって、バンク４６２における、発光領域４４２の直線部分の高さを他の領域の高さと比較して高くすることができると共に、この部分に撥液材６６を転写することができる。その結果、隣接する発光領域４４２において機能層２６の厚みを均一にすることができる。
【０１４３】
（変形例２）
上記したように、バンク６２を一層で構成することに限定されず、例えば、二層で構成するようにしてもよい。具体的には、バンク６２の下側に、無機材料からなる下層バンクが設けられている。下層バンクの形状は、上層のバンク６２と同様に、平面的に直線部分と円弧部分とを有するトラック形状である。下層バンクの材料としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）やシリコン窒化膜（ＳｉＮ）などの無機材料である。
【０１４４】
下層バンクが無機材料から形成されるので、バンク６２の開口穴６５の内壁に沿った部分の濡れ性を確保することができる。また、下層バンクの開口穴６５の端部がバンク６２の開口穴６５の端部より内側に出るように設けることにより、発光層６４の膜厚が開口穴６５の中央部分に比べて変動し易い開口穴６５の周縁部分を隠すことが可能となり、発光領域４２における発光ムラを抑えることができる。
【０１４５】
（変形例３）
上記した第３実施形態の有機ＥＬ装置２１１は、バンク２６２における開口穴６５の周縁部２６２ａの高さを、バンク２６２の他の領域と比較して高くするために、反射膜２６１のみを用いてＴＦＴ素子２３などの高さより高く形成していることに代えて、第２実施形態のように、反射膜２６１の下側に絶縁膜を設け、反射膜２６１の上面の高さを高くするようにしてもよい。これによれば、反射膜２６１のみで形成する場合と比較して、比較的に容易に膜を形成できると共に、材料などかかるコストを抑えることができる。また、各実施形態において、第４実施形態のような光共振構造を適用するようにしてもよい。
【０１４６】
（変形例４）
上記したように、発光領域４２（開口穴６５）の平面視の形状は、トラック形状であることに限定されず、例えば、四角形状、丸形状、多角形状であってもよい。
【０１４７】
（変形例５）
上記したように、平面視で反射膜６１の外周より一回り小さく陽極２４を形成していることに限定されず、例えば、陽極２４と反射膜６１とを同じ大きさで形成するようにしてもよい。また、反射膜６１の側面も覆うように陽極２４を形成するようにしてもよい。
【０１４８】
（変形例６）
上記したように、ＴＦＴ素子２３などを平面視でサブ画素３４の端に配置することに限定されず、トップエミッション構造のため、陽極２４や反射膜６１の下側ならば、配置位置は制約されない。
【０１４９】
（変形例７）
上記したように、反射膜６１は、平面的に発光領域４２毎に形成されていることに限定されず、例えば、隣接するサブ画素３４や複数のサブ画素３４に跨って形成するようにしてもよい。
【０１５０】
（変形例８）
上記した第３実施形態のように、反射膜２６１の厚みを部分的に変えて基板３１上を平坦化することに限定されず、例えば、有機ＥＬ装置２１１の電圧降下による発光ムラを防ぐための補助配線をバンク２６２の下（第２層間絶縁膜５５上）に形成し、配線（１２，１３）やＴＦＴ素子２３などの凹凸を緩和させるようにしてもよい。また、陽極２２４の下側に補助配線を形成し、反射膜、兼補助配線として使用するようにしてもよい。
【０１５１】
（変形例９）
上記したように、有機ＥＬ装置１１は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の発光が得られる発光素子２７を有するものに限定されない。例えば、白色などの単色発光が可能な照明装置に適用してもよい。また、発光素子２７を白色発光するトップエミッション構造として、発光素子２７の上方にカラーフィルターを備える構成としてもよい。
【０１５２】
（変形例１０）
上記した実施形態では、有機ＥＬ装置１１におけるバンク６２の構造を例に説明したが、これに限定されず、液晶装置などのカラーフィルターを区画するバンクの構造に適用するようにしてもよい。
【符号の説明】
【０１５３】
１１，１１１，２１１，３１１…電気光学装置としての有機ＥＬ装置、１２…走査線、１３…信号線、１４…電源線、１５…信号線駆動回路、１６…走査線駆動回路、２１…スイッチング用ＴＦＴ、２２…保持容量、２３…ＴＦＴ素子、２４，２２４，３２４…第１電極としての陽極、２５…第２電極としての陰極、２６…機能層、２６ａ…機能材料としての機能液、２７…発光素子、３１…基板、３２…表示領域、３２ａ…実表示領域、３２ｂ…ダミー領域、３３…非表示領域、３４…サブ画素、３５…検査回路、３６…フレキシブル基板、３７…駆動用ＩＣ、４２，２４２，３４２…発光領域、４３…回路素子層、４４…発光素子層、４５…下地保護膜、４６…半導体膜、４７…ソース領域、４８…ドレイン領域、５１…チャネル領域、５２…ゲート絶縁膜、５３…ゲート電極、５４…第１層間絶縁膜、５５…第２層間絶縁膜、５６…コンタクトホール、５７…コンタクトホール、６１，１６１，２６１，３６１…反射膜、６２，２６２，３６２…隔壁部としてのバンク、６２ａ，２６２ａ，３６２ａ…周縁部、６３…正孔注入層、６４…発光層、６５…開口穴、６６…撥液材、７１…転写装置、７２…搬送ベルト、７３…搬送ローラー、７４…撥液材付フィルム、７５…供給ローラー、７６…テンションローラー、７７…転写ローラー、７８…圧着ローラー、８１…テレビ、８２…表示部、８３…枠部、８４…脚部、８５…リモコン、１９１…絶縁膜としての下層絶縁膜、３０１…絶縁膜、３６２…上層隔壁部としてのバンク。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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