(57)【要約】【課題】耐湿性を高めることが可能な電子部品、電子デバイス、及び電子部品の製造方法を提供すること。【解決手段】本発明は、圧電基板１０と、圧電基板１０上に設けられた直列共振子１２及び並列共振子１４と、圧電基板１０上に設けられ、直列共振子１２及び並列共振子１４と電気的に接続された信号配線２０と、圧電基板１０上に設けられ、直列共振子１２、並列共振子１４、及び信号配線２０を囲む金属壁３２と、金属壁３２に接触し、直列共振子１２及び並列共振子１４上に空隙３４が形成されるように直列共振子１２及び並列共振子１４と信号配線２０とを覆い、液晶ポリマーからなる封止部３８と、を具備する電子部品、電子部品を備える電子デバイス、及び電子部品の製造方法。【選択図】図３
2012199833.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられた機能部と、
前記基板上に設けられ、前記機能部と電気的に接続された配線と、
前記基板上に設けられ、前記機能部、及び前記配線を囲む金属壁と、
前記金属壁に接触し、前記機能部上に空隙が形成されるように前記機能部と前記配線とを覆い、液晶ポリマーからなる封止部と、を具備することを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記金属壁は銅からなることを特徴とする請求項１記載の電子部品。
【請求項３】
前記金属壁の表面粗さは０．１〜１０μｍであることを特徴とする請求項１又は２記載の電子部品。
【請求項４】
前記金属壁は前記機能部及び前記配線を完全に囲んでいることを特徴とする請求項１から３いずれか一項記載の電子部品。
【請求項５】
前記機能部は弾性波素子であることを特徴とする請求項１から４いずれか一項記載の電子部品。
【請求項６】
前記機能部の上に前記空隙が形成されるように、前記機能部を覆う金属板を具備し、
前記封止部は、前記金属板を覆うことを特徴とする請求項１から５いずれか一項記載の電子部品。
【請求項７】
前記封止部は配向性を有し、かつ前記金属壁の上面と接触し、
前記封止部の配向方向と、前記金属壁の上面方向とは平行であることを特徴とする請求項１から６いずれか一項記載の電子部品。
【請求項８】
前記配線と電気的に接続され、前記封止部を上下方向に貫通する端子を具備することを特徴とする請求項１から７いずれか一項記載の電子部品。
【請求項９】
複数の前記端子のうちの接地端子と、前記金属壁とは電気的に接続されていることを特徴とする請求項８記載の電子部品。
【請求項１０】
請求項１から９いずれか一項記載の電子部品が実装されたプリント配線基板を備えることを特徴とする電子デバイス。
【請求項１１】
前記電子部品は、前記プリント配線基板に埋め込まれ、
前記封止部は、前記電子部品全体を覆うように設けられていることを特徴とする請求項１０記載の電子デバイス。
【請求項１２】
基板上に、機能部と、前記機能部と電気的に接続された配線とを設ける工程と、
メッキ法により、前記基板上に、前記機能部と前記配線とを囲むような金属壁を設ける工程と、
液晶ポリマーからなり前記金属壁と接触する封止部により、前記機能部上に空隙が形成されるように、前記機能部及び前記配線を封止する工程と、を有することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項１３】
前記機能部と前記配線とを設ける工程の後に、前記機能部と前記配線とを覆い、かつ前記基板の前記金属壁が設けられるべき領域が露出するように、第１レジストを設ける工程と、
前記第１レジスト上及び前記領域上にシードメタルを設ける工程と、
前記給電線の上であって、前記第１レジストの機能部上の領域、及び前記金属壁が設けられるべき領域が露出するように第２レジストを設ける工程と、
メッキ法により前記第２レジスト上に、前記機能部の上に前記空隙が形成されるような金属板を設ける工程と、を有し、
前記金属壁を設ける工程と前記金属板を設ける工程とは、前記シードメタルに給電するメッキ法により、同時に実施されることを特徴とする請求項１２記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は電子部品、電子デバイス、及び電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
弾性波デバイスは、移動体通信端末が備えるフィルタ、デュープレクサ等として用いられる。弾性波共振子には、弾性表面波を用いた弾性表面波（Surface Acoustic Wave：ＳＡＷ）共振子、境界波を用いた弾性境界波共振子、圧電薄膜を用いた圧電薄膜共振子（Film Bulk Acoustic Resonator：ＦＢＡＲ）等がある。弾性波を励振する機能領域は、例えば弾性表面波デバイスではＩＤＴ（Inter Digital Transducer）等の電極であり、ＦＢＡＲでは圧電薄膜を挟みこむ電極の重なる領域である。弾性波デバイスの小型化を図り、かつ弾性波素子を保護するため、弾性波素子が形成された基板を例えば樹脂等により封止することがある。
【０００３】
例えば特許文献１には、エポキシ樹脂を用いて封止する発明が記載されている。また、封止部材として例えばポリイミドを用いることがある。しかしポリイミドは吸湿性が高く、弾性波素子の保護が不十分となる可能性がある。特許文献２、特許文献３、及び特許文献４には、液晶ポリマー（Liquid Crystal Polymer：ＬＣＰ）を用いて封止する発明が記載されている。液晶ポリマーは、例えばポリイミド樹脂等と比較して吸湿性が低い。従って、封止部材として適している。また特許文献３の０００２段落に記載されているように、液晶ポリマーをシート化した場合、シートの押し出し方向（ＭＤ：Machine Direction、シート製造時のローラーの押し出す方向）に液晶ポリマーが配向する。液晶ポリマーシートは、配向方向によって物性値が著しく違う。一般的には、液晶ポリマーシートの吸湿性、接着性等の性能は、ＭＤ方向に配向している場合の性能を示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２２７７４８号公報
【特許文献２】特許番号第２７９８３７５号
【特許文献３】特開平９−１７４７８６号公報
【特許文献４】特開２００８−１０３５５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、液晶ポリマーと、液晶ポリマーが接着する基材との組み合わせ、又は接着時の条件等によっては、所望の接着性が得られないことがある。接着性が不十分である場合、液晶ポリマーと基材との界面から水分等が浸入し、電子部品の保護が不十分となる可能性がある（特許文献４の０００２段落参照）。本発明は上記課題に鑑み、耐湿性を高めることが可能な電子部品、電子デバイス、及び電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、基板と、前記基板上に設けられた機能部と、前記基板上に設けられ、前記機能部と電気的に接続された配線と、前記基板上に設けられ、前記機能部、及び前記配線を囲む金属壁と、前記金属壁に接触し、前記機能部上に空隙が形成されるように前記機能部と前記配線とを覆い、液晶ポリマーからなる封止部と、を具備する電子部品である。本発明によれば、耐湿性を高めることが可能な電子部品を提供することができる。
【０００７】
上記構成において、前記金属壁は銅からなる構成とすることができる。この構成によれば、封止部と金属壁の接着性は高くなる。
【０００８】
上記構成において、前記金属壁の表面粗さは０．１〜１０μｍである構成とすることができる。この構成によれば、封止部と金属壁の接着性はより高くなる。
【０００９】
上記構成において、前記金属壁は前記機能部及び前記配線を完全に囲んでいる構成とすることができる。この構成によれば、耐湿性を効果的に高めることができる。
【００１０】
上記構成において、前記機能部は弾性波素子である構成とすることができる。
【００１１】
上記構成において、前記機能部の上に前記空隙が形成されるように、前記機能部を覆う金属板を具備し、前記封止部は、前記金属板を覆う構成とすることができる。この構成によれば、電子部品の特性が良好に維持される。
【００１２】
上記構成において、前記封止部は配向性を有し、かつ前記金属壁の上面と接触し、前記封止部の配向方向と、前記金属壁の上面方向とは平行である構成とすることができる。この構成によれば、より効果的に接着性を高めることができる。
【００１３】
上記構成において、前記配線と電気的に接続され、前記封止部を上下方向に貫通する端子を具備する構成とすることができる。
【００１４】
上記構成において、複数の前記端子のうちの接地端子と、前記金属壁とは電気的に接続されている構成とすることができる。この構成によれば、電子部品の特性が安定する。
【００１５】
上記構成において、上記記載の電子部品が実装されたプリント配線基板を備える構成とすることができる。この構成によれば、耐湿性を高めることが可能な電子デバイスを提供することができる。
【００１６】
上記構成において、前記電子部品は、前記プリント配線基板に埋め込まれ、前記封止部は、前記電子部品全体を覆うように設けられている構成とすることができる。
【００１７】
本発明は、基板上に、機能部と、前記機能部と電気的に接続された配線とを設ける工程と、メッキ法により、前記基板上に、前記機能部と前記配線とを囲むような金属壁を設ける工程と、液晶ポリマーからなり前記金属壁と接触する封止部により、前記機能部上に空隙が形成されるように、前記機能部及び前記配線を封止する工程と、を有する電子部品の製造方法である。本発明によれば、耐湿性を高めることが可能な電子部品の製造方法を提供することができる。
【００１８】
上記構成において、前記機能部と前記配線とを設ける工程の後に、前記機能部と前記配線とを覆い、かつ前記基板の前記金属壁が設けられるべき領域が露出するように、第１レジストを設ける工程と、前記第１レジスト上及び前記領域上にシードメタルを設ける工程と、前記給電線の上であって、前記第１レジストの機能部上の領域、及び前記金属壁が設けられるべき領域が露出するように第２レジストを設ける工程と、メッキ法により前記第２レジスト上に、前記機能部の上に前記空隙が形成されるような金属板を設ける工程と、を有し、前記金属壁を設ける工程と前記金属板を設ける工程とは、前記シードメタルに給電するメッキ法により、同時に実施される構成とすることができる。この構成によれば、工程を簡略化することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、耐湿性を高めることが可能な電子部品、電子デバイス、及び電子部品の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１（ａ）及び図１（ｂ）は、実施例１に係るラダー型フィルタを例示する平面図である。
【図２】図２は、実施例１に係るラダー型フィルタを例示する平面図である。
【図３】図３（ａ）から図３（ｃ）は、実施例１に係るラダー型フィルタを例示する断面図である。
【図４】図４（ａ）及び図４（ｂ）は、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法を例示する平面図である。
【図５】図５（ａ）から図５（ｃ）は、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法を例示する断面図である。
【図６】図６（ａ）から図６（ｃ）は、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法を例示する断面図である。
【図７】図７（ａ）及び図７（ｂ）は、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法を例示する平面図である。
【図８】図８（ａ）から図８（ｃ）は、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法を例示する断面図である。
【図９】図９（ａ）から図９（ｃ）は、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法を例示する断面図である。
【図１０】図１０（ａ）及び図１０（ｂ）は、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法を例示する平面図である。
【図１１】図１１（ａ）から図１１（ｃ）は、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法を例示する断面図である。
【図１２】図１２（ａ）から図１２（ｃ）は、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法を例示する断面図である。
【図１３】図１３（ａ）及び図１３（ｂ）は、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法を例示する平面図である。
【図１４】図１４（ａ）から図１４（ｃ）は、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法を例示する断面図である。
【図１５】図１５は、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法を例示する断面図である。
【図１６】図１６は、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法を例示する平面図である。
【図１７】図１７（ａ）から図１７（ｃ）は、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法を例示する断面図である。
【図１８】図１８（ａ）は、実施例２に係る弾性波デバイスを例示する断面図である。図１８（ｂ）は、実施例３に係る弾性波デバイスを例示する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図面を用いて、本発明の実施例について説明する。
【実施例１】
【００２２】
図１（ａ）から図２は、実施例１に係るラダー型フィルタを例示する平面図である。図１（ａ）は、図２における封止部及び金属板を透視した平面図である。図１（ｂ）は、図２における封止部を透視した平面図である。
【００２３】
図１（ａ）から図２に示すように、実施例１に係るラダー型フィルタ１００は、圧電基板１０、直列共振子１２、並列共振子１４、信号配線２０、接地配線２３、送信端子２２、アンテナ端子２４、接地端子２６、金属板２８、支持柱３０、金属壁３２、半田ボール３６、及び封止部３８を備える。
【００２４】
図１（ａ）に示すように、圧電基板１０の上面には、反射電極１６、ＩＤＴ１８、信号配線２０、接地配線２３、支持柱３０及び金属壁３２が設けられている。ＩＤＴ１８は対向する櫛形電極からなり、弾性波を励振する。反射電極１６は、ＩＤＴ１８の両側に設けられている。反射電極１６及びＩＤＴ１８は、直列共振子１２及び並列共振子１４を形成する。このように、ラダー型フィルタの機能部は弾性表面波素子である。例えば４つの直列共振子１２と２つの並列共振子１４とは、ラダー型に配置されている。直列共振子１２同士は直列配線１９により電気的に接続されている。直列共振子１２と並列共振子１４とは並列配線２１により電気的に接続されている。また、４つの直列共振子１２のうち直列共振子１２ａは、直列配線１９を介して送信端子２２と電気的に接続されている。直列共振子１２ｂは、直列配線１９を介してアンテナ端子２４と電気的に接続されている。並列共振子１４は、接地配線２３を介して接地端子２６と電気的に接続されている。送信端子２２には例えば高周波信号が入力される。信号配線２０は高周波信号を伝送する。アンテナ端子２４は、ラダー型フィルタ１００とアンテナとを接続し、高周波信号を出力する。
【００２５】
支持柱３０は、直列共振子１２の両側、直列共振子１２ａ及び並列共振子１４の両側、並びに直列共振子１２ｂ及び並列共振子１４の両側に配置されている。また、直列配線１９の一部、並列配線２１の一部に沿った位置、及び直列配線１９の上に配置されている。支持柱３０は、直列共振子１２、並列共振子１４、信号配線２０、接地配線２３と離間している。金属壁３２は、直列共振子１２、並列共振子１４、信号配線２０、接地配線２３、送信端子２２、アンテナ端子２４、接地端子２６、及び支持柱３０を囲むように、圧電基板１０の外周縁部に設けられている。また、接地端子２６と金属壁３２とは電気的に接続されている。
【００２６】
図１（ｂ）に示すように、金属板２８は直列共振子１２、並列共振子１４、信号配線２０、接地配線２３、及び支持柱３０の上に設けられる。金属板２８は支持柱３０に支持され、送信端子２２、アンテナ端子２４、接地端子２６、及び金属壁３２とは離間している。
【００２７】
図２に示すように、封止部３８は、圧電基板１０全体の上に設けられる。このように封止部３８は、機能部である直列共振子１２及び並列共振子１４、信号配線２０、並びに接地配線２３を封止する。封止部３８上には半田ボール３６が設けられている。後述するように、複数の半田ボール３６の各々は、送信端子２２、アンテナ端子２４、及び接地端子２６に含まれる。
【００２８】
断面図を参照して、ラダー型フィルタ１００の説明を更に続ける。図３（ａ）から図３（ｃ）は、実施例１に係るラダー型フィルタを例示する断面図である。図３（ａ）は図１（ａ）から図２のＡ−Ａ、図３（ｂ）は図１（ａ）から図２のＢ−Ｂ、図３（ｃ）は図１（ａ）から図２のＣ−Ｃに沿った断面図である。
【００２９】
図３（ａ）に示すように、直列共振子１２及び並列共振子１４は空隙３３に露出している。金属板２８が設けられている。直列共振子１２及び並列共振子１４の上には、金属板２８が、両側には支持柱３０が設けられている。支持柱３０は、空隙３３が形成される程度の高さにおいて、金属板２８を支持する。金属板２８は、直列共振子１２及び並列共振子１４の上に空隙３３が形成されるように、直列共振子１２及び並列共振子１４を覆う。空隙３３の高さは、弾性波の励振が妨げられない程度以上の高さである。支持柱３０の高さは例えば１〜３０μｍである。また、封止部３８は、金属板２８の側面及び上面、支持柱３０の側面、並びに金属壁３２の側面及び上面３２ａに接触、接着し、かつ覆う。圧電基板１０の上面を基準として、金属板２８と金属壁３２とは同じ高さを有する。
【００３０】
図３（ｂ）に示すように、信号配線２０上に絶縁層１７が設けられ、絶縁層１７上に支持柱３０が設けられている。信号配線２０と金属板２８との間には空隙３４が形成される。このように、信号配線２０は、金属板２８及び支持柱３０と離間し、絶縁する。
【００３１】
図３（ｃ）に示すように、送信端子２２は、下地層４０ａ、柱状端子４２ａ及び半田ボール３６を含む。下地層４０ａは圧電基板１０上に設けられ、柱状端子４２ａは下地層４０ａの上に設けられる。柱状端子４２ａ上には、封止部３８上に露出する半田ボール３６が設けられている。圧電基板１０を基準として、柱状端子４２ａの高さは、金属壁３２及び金属板２８の高さと同じである。接地端子２６は、下地層４０ｂ、柱状端子４２ｂ及び半田ボール３６を含む。また断面図は省略するが、アンテナ端子２４は、下地層４０ｃ、柱状端子４２ｃ及び半田ボール３６を含む。このように、送信端子２２、アンテナ端子２４、及び接地端子２６は封止部３８を貫通する端子である。
【００３２】
圧電基板１０は、例えばＬｉＴａＯ３、及びＬｉＮｂＯ３等の圧電体からなる。直列共振子１２、並列共振子１４、信号配線２０、接地配線２３、送信端子２２、アンテナ端子２４、接地端子２６、下地層４０ａ及び下地層４０ｂは例えばアルミニウム（Ａｌ）等の金属からなる。金属板２８、支持柱３０、柱状端子４２ａ及び柱状端子４２ｂ、並びに金属壁３２は、例えば銅（Ｃｕ）等の金属からなる。半田ボール３６は、例えば錫銀（ＳｎＡｇ）等の半田からなる。封止部３８は、液晶ポリマーからなる。絶縁層１７は、例えば窒化シリコン（ＳｉＮ）等の絶縁体からなる。
【００３３】
次に、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法について説明する。図４（ａ）及び図４（ｂ）、図７（ａ）及び図７（ｂ）、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）、図１３（ａ）及び図１３（ｂ）、並びに図１６は、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法を例示する平面図である。図５（ａ）から図６（ｃ）、図８（ａ）から図９（ｃ）、図１１（ａ）から図１２（ｃ）、図１４（ａ）から図１５、並びに図１７（ａ）から図１７（ｃ）は、実施例１に係るラダー型フィルタの製造方法を例示する断面図である。
【００３４】
図５（ａ）は図４（ａ）のＡ−Ａ、図５（ｂ）は図４（ａ）のＢ−Ｂ、図５（ｃ）は図４（ａ）のＣ−Ｃに沿った断面図である。図４（ａ）、及び図５（ａ）から図５（ｃ）に示すように、ウェハ状の圧電基板１０の上面に、例えば蒸着法、又はスパッタリング法等により、アルミニウム等の金属からなる金属層を設ける。例えばエッチング法、又はリフトオフ法等により、金属層をパターニングし、金属層から反射電極１６、ＩＤＴ１８、信号配線２０、接地配線２３、下地層４０ａ、下地層４０ｂ及び下地層４０ｃを設ける。下地層４０ｃはアンテナ端子２４に含まれることになる層である。これにより、直列共振子１２及び並列共振子１４が形成される。さらに、信号配線２０の上面の一部に、絶縁層１７を設ける。なお、後の工程において、圧電基板１０は、図中に点線で示したダイシングライン１１に沿ってダイシングされ、個片化される。
【００３５】
図６（ａ）は図４（ｂ）のＡ−Ａ、図６（ｂ）は図４（ｂ）のＢ−Ｂ、図６（ｃ）は図４（ｂ）のＣ−Ｃに沿った断面図である。図４（ｂ）、及び図６（ａ）から図６（ｃ）に示すように、圧電基板１０の上にフォトフォトレジスト５０（第１レジスト）を設ける。なお図４（ｂ）中において、フォトレジスト５０が設けられた領域は斜線で示した。フォトレジスト５０は、直列共振子１２、並列共振子１４、信号配線２０及び接地配線２３を覆う。またフォトレジスト５０は、開口部５６、開口部５８、開口部６０、開口部６２、開口部６４、及び開口部６６を有する。開口部５６及び開口部６６は支持柱３０が設けられるべき領域に形成されている。開口部５８は金属壁３２が設けられるべき領域に形成されている。開口部６０は、柱状端子４２ａが設けられるべき領域に形成されている。開口部６２は、後述する柱状端子４２ｃが設けられるべき領域に形成されている。開口部６４は、柱状端子４２ｂが設けられるべき領域に形成されている。圧電基板１０を上から見て、開口部５８と開口部６４とは連続している。開口部５６及び開口部５８からは圧電基板１０が露出する。開口部６０からは下地層４０ａが、開口部６２からは下地層４０ｃが、開口部６４からは下地層４０ｂが、それぞれ露出する。開口部６６からは絶縁層１７が露出する。フォトレジスト５０の厚さは、例えば１〜３０μｍである。
【００３６】
図８（ａ）は図７（ａ）のＡ−Ａ、図８（ｂ）は図７（ａ）のＢ−Ｂ、図８（ｃ）は図７（ａ）のＣ−Ｃに沿った断面図である。図７（ａ）、及び図８（ａ）から図８（ｃ）に示すように、例えばスパッタリング法、又は蒸着法等により、圧電基板１０上の全体にシードメタル５２を設ける。なお図７（ａ）中において、シードメタル５２が設けられた領域は格子斜線で示した。シードメタル５２は圧電基板１０のフォトレジスト５０が設けられていない領域、下地層４０ａ及び下地層４０ｂ、フォトレジスト５０の上面及び側面に接触する。シードメタル５２は、例えばアルミニウム等の金属からなる。
【００３７】
図９（ａ）は図７（ｂ）のＡ−Ａ、図９（ｂ）は図７（ｂ）のＢ−Ｂ、図９（ｃ）は図７（ｂ）のＣ−Ｃに沿った断面図である。図７（ｂ）、及び図９（ａ）から図９（ｃ）に示すように、シードメタル５２上にフォトレジスト５４（第２レジスト）を設ける。なお図７（ｂ）中において、フォトレジスト５４が設けられた領域は斜線で、シードメタル５２が設けられた領域は格子斜線で示した。フォトレジスト５４は、開口部５６、開口部５８、開口部６０、開口部６２、開口部６４、及び開口部６６上には形成されない。また、フォトレジスト５４は、金属板２８が設けられるべき領域に開口部６８を有する。各開口部からはシードメタル５２が露出する。フォトレジスト５４が設けられた領域では、シードメタル５２がフォトレジスト５０とフォトレジスト５４とに上下から挟まれる。
【００３８】
図１１（ａ）は図１０（ａ）のＡ−Ａ、図１１（ｂ）は図１０（ａ）のＢ−Ｂ、図１１（ｃ）は図１０（ａ）のＣ−Ｃに沿った断面図である。図１０（ａ）、及び図１１（ａ）から図１１（ｃ）に示すように、電解メッキ法により、各々銅（Ｃｕ）からなる金属板２８、支持柱３０、金属壁３２、柱状端子４２ａ及び柱状端子４２ｂを形成する。シードメタル５２は、電解メッキ法における給電線として機能する。このように、金属板２８を設ける工程、支持柱３０を設ける工程、金属壁３２を設ける工程、並びに柱状端子４２ａ及び柱状端子４２ｂを設ける工程は、シードメタル５２に給電する１回のメッキ法により同時に実施される。
【００３９】
図１２（ａ）は図１０（ｂ）のＡ−Ａ、図１２（ｂ）は図１０（ｂ）のＢ−Ｂ、図１２（ｃ）は図１０（ｂ）のＣ−Ｃに沿った断面図である。図１０（ｂ）、及び図１２（ａ）から図１２（ｃ）に示すように、例えばレジスト剥離液による超音波洗浄、又は更に酸素プラズマアッシングを併用する方法により、フォトレジスト５０及びフォトレジスト５４を除去する。このとき、シードメタル５２の一部も除去される。これにより、直列共振子１２及び並列共振子１４と金属板２８との間には空隙３３が形成される。信号配線２０と金属板２８との間には空隙３４が形成される。
【００４０】
図１４（ａ）は図１３（ａ）のＡ−Ａ、図１４（ｂ）は図１３（ａ）のＢ−Ｂ、図１４（ｃ）は図１３（ａ）のＣ−Ｃに沿った断面図である。なお、シードメタル５２は、金属板２８、支持柱３０、金属壁３２、柱状端子４２ａ及び柱状端子４２ｂと一体となるため、図示を省略する。図１３（ａ）、及び図１４（ａ）から図１４（ｃ）に示すように、圧電基板１０の上面を覆うように、封止部３８を設ける。封止部３８を設ける工程は、例えば液晶ポリマーシートを圧電基板１０上に配置し、加熱及び加圧することで行われる。液晶ポリマーシートは熱可塑性を有している。従って、加熱及び加圧された液晶ポリマーシートは、支持柱３０と金属壁３２との間、柱状端子４２ａ及び柱状端子４２ｂと金属壁３２との間、柱状端子４２ａと柱状端子４２ｂとの間に充填される。このように、液晶ポリマーシートが金属板２８、金属壁３２、柱状端子４２ａ及び柱状端子４２ｂに熱圧着されて、封止部３８を形成する。液晶ポリマーは粘性が高いため、金属板２８及び支持柱３０の内側への流入は抑制され、空隙３３は確保される。液晶ポリマーシートとして、例えばクラレ株式会社の製品「ベクスター」、又はジャパンゴアテックス株式会社の製品「ＢＩＡＣ」等を使用することができる。
【００４１】
図１５は図１３（ｂ）のＣ−Ｃに沿った断面図である。図１３（ｂ）、及び図１５に示すように、例えばレーザードリリング及びデスミア処理等により、封止部３８に開口部３９ａ、開口部３９ｂ及び開口部３９ｃを形成する。図１３（ｂ）に示すように、開口部３９ａは、送信端子２２が設けられるべき領域に形成される。開口部３９ｂは、接地端子２６が設けられるべき領域に形成される。開口部３９ｃは、アンテナ端子２４が設けられるべき領域に形成される。開口部３９ａからは柱状端子４２ａが露出する。開口部３９ｂからは柱状端子４２ｂが露出する。断面図は省略するが、開口部３９ｃからは柱状端子４２ｃが露出する。
【００４２】
図１７（ａ）は図１６のＡ−Ａ、図１７（ｂ）は図１６のＢ−Ｂ、図１７（ｃ）は図１６のＣ−Ｃに沿った断面図である。図１６、及び図１７（ｃ）に示すように、開口部３９ａ、開口部３９ｂ及び開口部３９ｃに、例えば半田ペーストの印刷、及び半田リフロー処理等を行うことにより、半田ボール３６を形成する。図１７（ａ）から図１７（ｃ）に矢印で示すように、ダイシングライン１１に沿って圧電基板１０を切断するダイシング処理を行う。以上の工程により、複数の弾性波デバイスが形成される。
【００４３】
実施例１に係るラダー型フィルタ１００は、金属壁３２が、直列共振子１２及び並列共振子１４と、信号配線２０及び接地配線２３と、送信端子２２、アンテナ端子２４及び接地端子２６と、を囲み、液晶ポリマーからなる封止部３８が金属壁３２と接触する。これにより、金属壁３２と封止部３８との間において高い接着性を得ることができる。この結果、金属壁３２と封止部３８との界面からの水分の浸入が抑制され、ラダー型フィルタの耐湿性が高まる。
【００４４】
特に、金属壁３２が銅（Ｃｕ）、又は銅を主成分とする合金からなる場合、封止部３８と金属壁３２との接着性はより高くなる。また金属壁３２は、アルミニウム（Ａｌ）等、封止部３８との高い接着性を得ることができる他の金属からなるとしてもよい。
【００４５】
液晶ポリマーと金属との接着性は、例えば温度１２０℃、湿度９５％等の高温高湿の環境下では低下することがある。しかし、金属の表面粗さが大きい場合、アンカー効果により液晶ポリマーと金属の接着性が高まる。従って、金属壁３２の表面粗さが大きい方が、封止部３８との接着性は高まる。しかし、表面粗さが大きすぎると、電気容量が変動し、ラダー型フィルタの高周波特性が悪化することがある。従って、金属壁３２の表面粗さ（例えばＲＭＳ：二乗平均粗さ）が０．１〜１０μｍ程度であることが好ましい。金属壁３２をメッキ法により形成することで、０．１〜１０μｍ程度の表面粗さの金属壁３２を得ることができる。これにより、封止部３８と金属壁３２との接着性はより高まり、高温高湿環境下においても封止部３８の剥離を抑制することができる。
【００４６】
例えば図３（ａ）から図３（ｃ）に示すように、封止部３８は、金属板２８、金属壁３２、柱状端子４２ａ及び柱状端子４２ｂ、各々の上面に接触している。また封止部３８は、金属板２８、支持柱３０、金属壁３２、柱状端子４２ａ及び柱状端子４２ｂ、各々の側面に接触している。封止部３８を形成する液晶ポリマーシートは、特許文献３に記載されているように、一般的に配向性を有する。そのため、液晶ポリマーシートを凹凸のある構造体に熱圧着する際に、構造体の側面では配向性にズレが生じることがある。液晶ポリマーシートのうち、上記の各上面と平行に接触する領域では配向性が保たれる。その一方で、各側面と接触する領域では配向性が壊れることがある。液晶ポリマーシートの吸湿性等の各種性能は、液晶ポリマーシートがＭＤ方向に配向した場合の性能である。このため、封止部３８と各上面との接着性は、封止部３８と各側面との接着性より高くなる。従って、封止部３８が金属壁３２の上面３２ａと接着することで、より剥がれにくくなり、高い耐湿性を得ることができる。上面３２ａの方向と、液晶ポリマーシートのＭＤ方向、言い換えれば封止部３８の配向方向とは平行である。また、配向方向と上面３２ａの方向との間の角度が例えば５°以下等のように、配向方向と上面３２ａの方向とは平行にごく近くてもよく、より好ましくは平行がよい。
【００４７】
金属壁３２は、直列共振子１２及び並列共振子１４と、信号配線２０及び接地配線２３と、送信端子２２、アンテナ端子２４及び接地端子２６と、を完全に囲んでいなくてもよい。つまり、圧電基板１０の外周縁部に、金属壁３２が設けられていない領域があってもよい。しかしこの場合、圧電基板１０の外周縁部に、封止部３８が金属壁３２の上面３２ａとは接着せず、金属壁３２の側面と接着する箇所が生じる。上記のように、液晶ポリマーシートには配向性があるため、封止部３８と金属壁３２の側面との接着性は、封止部３８と金属壁３２の上面３２ａとの接着性より低い。このため、封止部３８と金属壁３２の側面間の界面から、水分が浸入する可能性がある。水分の浸入を抑制するためには、金属壁３２が、直列共振子１２及び並列共振子１４と、信号配線２０及び接地配線２３と、送信端子２２、アンテナ端子２４及び接地端子２６と、を完全に囲むことが好ましい。これにより、金属壁３２の上面３２ａと接着した封止部３８により封止することができ、ラダー型フィルタ１００の耐湿性を効果的に高めることができる。
【００４８】
金属壁３２が圧電基板１０の外周縁部を囲んでいるため、圧電基板１０の上面が広がる方向から端子を引き出すことは困難である。送信端子２２、アンテナ端子２４及び接地端子２６は、封止部３８を貫通することにより、ラダー型フィルタ１００と外部との電気的な接続を可能にする。
【００４９】
封止部３８は、支持柱３０に支持された金属板２８を覆う。言い換えれば、金属板２８及び支持柱３０が封止部３８を支持する。このため、封止部３８が直列共振子１２及び並列共振子１４に接触することが抑制され、空隙３３が確保される。このため、ラダー型フィルタ１００の特性は良好に維持される。なお、金属板２８及び支持柱３０がない場合でも、空隙３３が確保されればよい。しかし、例えば後述する実施例２及び実施例３のように、ラダー型フィルタ１００をプリント配線基板等に実装し、樹脂封止する場合等に、封止部３８に圧力が加わることがある。封止部３８が圧力により潰れると、空隙３３の確保は困難となる。金属板２８及び支持柱３０により、封止部３８の潰れは抑制され、空隙３３の確保が可能となる。封止部３８との接着性を高めるため、金属板２８、柱状端子４２ａ及び柱状端子４２ｂも、金属壁３２と同様に、例えばメッキ法により形成された銅（Ｃｕ）からなることが好ましい。
【００５０】
図１０（ａ）、及び図１１（ａ）から図１１（ｃ）に示すように、金属壁３２を設ける工程と、金属板２８を設ける工程と、支持柱３０を設ける工程と、柱状端子４２ａ及び柱状端子４２ｂを設ける工程とは、シードメタル５２に給電するメッキ法により、同時に実施される。このため、工程が簡略化される。
【００５１】
接地端子２６と金属壁３２とは電気的に接続され、金属壁３２がラダー型フィルタを外部のノイズから遮蔽するシールドとして機能する。このため、ラダー型フィルタの特性が安定する。ラダー型フィルタ１００は送信フィルタとしたが、例えば受信フィルタでもよい。ラダー型フィルタ１００が受信フィルタである場合、ラダー型フィルタ１００は送信端子２２に代えて受信端子を備える。また、ラダー型フィルタに接続するコイル、コンデンサ又は伝送線路等の受動素子を集積化してもよい。受動素子は、例えば支持柱３０及び金属板２８の形成と同時に、支持柱３０及び金属壁２８と同じ金属により形成してもよい。
【００５２】
ラダー型フィルタ以外に、多重モード型フィルタ、デュアルフィルタ、デュープレクサ等でもよい。また弾性表面波素子以外に、弾性境界波素子、圧電薄膜共振子素子等を用いてもよい。圧電薄膜共振子素子を用いる場合、圧電基板１０の代わりに、例えばシリコン（Ｓｉ）からなる基板を用いる。またＩＤＴ１８の代わりに、圧電体からなる圧電薄膜を挟む上部電極及び下部電極とが重なる領域が弾性波を励振する機能部となる。さらに、弾性波を利用せず、基板上に形成された機能部上に空隙を設ける電子部品でもよい。
【実施例２】
【００５３】
実施例２は、ラダー型フィルタを備える弾性波デバイス（電子デバイス）の例である。図１８（ａ）は、実施例２に係る弾性波デバイスを例示する断面図である。図１８（ａ）において、ラダー型フィルタ１００の図１（ａ）から図２のＣ−Ｃに沿った断面を図示している。
【００５４】
図１８（ａ）に示すように、実施例２に係る弾性波デバイス２００は、ラダー型フィルタ１００、プリント配線基板７０及びモールド樹脂７６を備える。プリント配線基板７０は例えば樹脂からなり、配線７２を備える。複数のプリント配線基板７０は積層され、配線７２同士はビア配線７４により電気的に接続されている。ラダー型フィルタ１００は、半田ボール３６により配線７２と電気的に接続されている。このように、ラダー型フィルタ１００はプリント配線基板７０にフリップチップ実装されている。最上層に位置するプリント配線基板７０の上には、ラダー型フィルタ１００を封止するモールド樹脂７６が設けられている。
【００５５】
実施例２によれば、弾性波デバイス２００が備えるラダー型フィルタ１００の封止部３８は剥がれにくい。従って、弾性波デバイス２００の耐湿性は向上する。また、ラダー型フィルタ１００が備える直列共振子１２及び並列共振子１４は、封止部３８に加えてモールド樹脂７６により封止されるため、より効果的に保護される。
【実施例３】
【００５６】
実施例３は、プリント配線基板に埋め込まれたラダー型フィルタを備える弾性波デバイスの例である。図１８（ｂ）は、実施例３に係る弾性波デバイスを例示する断面図である。図１８（ａ）において、ラダー型フィルタ１００の図１（ａ）から図２のＢ−Ｂに沿った断面を図示している。
【００５７】
図１８（ｂ）に示すように、実施例３に係る弾性波デバイス３００において、ラダー型フィルタ１００は、積層されたプリント配線基板７０内に埋め込まれる。ラダー型フィルタ１００は、例えば樹脂等の絶縁体からなる絶縁部７８に覆われる。絶縁部７８により、ラダー型フィルタ１００は封止され固定される。
【００５８】
実施例３によれば、弾性波デバイス２００が備えるラダー型フィルタ１００の封止部３８は剥がれにくい。従って、弾性波デバイス３００の耐湿性は向上する。また、ラダー型フィルタ１００が備える直列共振子１２及び並列共振子１４は、封止部３８に加えて絶縁部７８により封止されるため、より効果的に保護される。
【００５９】
実施例２及び実施例３では、送信フィルタであるラダー型フィルタを備える弾性波デバイスを例としたが、弾性波デバイスは例えば、受信フィルタ、デュアルフィルタ又はデュープレクサ等を備えるものでもよい。また弾性波デバイスは、フィルタと共に、例えばキャパシタ、インダクタ又は伝送線路等の受動素子を集積化したものでもよい。
【００６０】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００６１】
圧電基板                １０
直列共振子              １２
並列共振子              １４
反射電極                １６
ＩＤＴ                  １８
信号配線                ２０
接地配線                ２３
送信端子                ２２
アンテナ端子            ２４
接地端子                ２６
金属板                  ２８
支持柱                  ３０
金属壁                  ３２
上面                    ３２ａ
空隙                    ３３、３４
半田ボール              ３６
封止部                  ３８
下地層                  ４０ａ、４０ｂ、４０ｃ
柱状端子                ４２ａ、４２ｂ、４２ｃ
ラダー型フィルタ        １００
弾性波デバイス          ２００、３００
【図１】
2012199833.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2012199833.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
2012199833.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2012199833.tif 000018
【図１７】
2012199833.tif 000019
【図１８】
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