(57)【要約】【課題】基板間の距離を簡便に確認することができる基板の接続方法を提供する。【解決手段】本発明に係る基板の接続方法は、第１の面を有する第１基板と、前記第１の面に位置する電極と、前記第１の面に位置する第１樹脂突起と、前記電極と接続し、前記第１樹脂突起の第１の部分を覆う配線と、前記第１の面の検査領域に位置し、前記第１の面からの高さが前記第１樹脂突起よりも低い第２樹脂突起と、を含む第１構造体と、光透過性の材質からなり、第２の面を有する第２基板と、前記第２の面に位置する電気的接続部と、を含む第２構造体と、を用意する工程と、前記第１の面と前記第２の面とが対向するように、前記第１構造体および前記第２構造体を配置し、前記第１樹脂突起上の前記配線と前記電気的接続部を接続する工程と、前記第２樹脂突起と前記第２の面との接触の有無を確認することで、前記第１基板と前記第２基板との距離を確認する検査工程と、を有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の面を有する第１基板と、前記第１の面に位置する電極と、前記第１の面に位置する第１樹脂突起と、前記電極と接続し、前記第１樹脂突起の第１の部分を覆う配線と、前記第１の面の検査領域に位置し、前記第１の面からの高さが前記第１樹脂突起よりも低い第２樹脂突起と、を含む第１構造体と、光透過性の材質からなり、第２の面を有する第２基板と、前記第２の面に位置する電気的接続部と、を含む第２構造体と、を用意する工程と、
前記第１の面と前記第２の面とが対向するように、前記第１構造体および前記第２構造体を配置し、前記第１樹脂突起上の前記配線と前記電気的接続部を接続する工程と、
前記第２樹脂突起と前記第２の面との接触の有無を確認することで、前記第１基板と前記第２基板との距離を確認する検査工程と、
を有する基板の接続方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１構造体は、前記第１の面の前記検査領域に位置し、前記第１の面からの高さが、前記第２樹脂突起よりも高く、かつ、前記第１樹脂突起よりも低い第３樹脂突起を含み、
前記第１基板と前記第２基板との距離を確認する工程は、前記第３樹脂突起と前記第２の面との接触の有無を確認することを含む、基板の接続方法。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１構造体は、前記第１の面の前記検査領域に位置し、前記第１の面からの高さが前記第１樹脂突起よりも高い第４樹脂突起を含み、
前記第１基板と前記第２基板との距離を確認する工程は、前記第４樹脂突起と前記第２の面との接触の有無を確認することを含む、基板の接続方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか１項において、
前記第１基板の前記第１の面は４つの角部を有する矩形であり、前記検査領域は、前記角部にそれぞれ設けられる、基板の接続方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項において、
前記配線と前記電気的接続部を接続する工程は、前記第１構造体と前記第２構造体との間に接着剤を設けることを含み、
前記第１基板の前記第１の面は長辺及び前記長辺よりも短い短辺を有する矩形であり、前記第１樹脂突起は、前記第１の面の前記長辺に沿った第１方向に沿って形成され、前記検査領域は、前記第１方向に沿って前記第１樹脂突起と並設される、基板の接続方法。
【請求項６】
請求項１から４のいずれか１項において、
前記配線と前記電気的接続部を接続する工程は、前記第１構造体と前記第２構造体との間に接着剤を設けることを含み、
前記第１基板の前記第１の面は矩形であり、前記検査領域は、前記第１の面の辺と前記第１樹脂突起との間に設けられ、前記第２樹脂突起は、前記辺と前記第１樹脂突起の前記第１の部分との間に配置される、基板の接続方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の接続方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、液晶表示装置等の電子部品では、配線基板となるガラス基板に、集積回路が搭載された半導体基板が接続（ＣＯＧ実装）されている。このような半導体基板には、樹脂突起と、その上に形成された複数の配線から構成された外部端子を設けることが知られている（特許文献１）。このような半導体基板を用いることで、外部端子をガラス基板に押し当てて電気的に接続する押圧工程において、外部端子の樹脂突起の弾性力でもって物理的ダメージを回避しながら半導体基板を配線基板に電気的に接続することができる。電子部品の製造工程では、当該半導体基板と配線基板との電気的接続の信頼性を担保することが重要となる。
【０００３】
特許文献１には、半導体基板と配線基板との接続信頼性を確保するため、ダミー樹脂突起を半導体基板側に設け、確認用マークを配線基板側に設け、確認工程でダミー樹脂突起の潰れ度合いを確認することにより、半導体基板と配線基板との間の距離を測定し、接続信頼性を担保する方法が開示される。しかしながら、このような確認方法では、ダミー樹脂突起の中心位置が配線基板側の確認用マークの中心位置と一致する必要があるため、高いアライメント精度が要求される。したがって、商業的な製造ラインで採用した場合、半導体基板と配線基板との間の距離を測定する検査工程において、歩留まりが低下する可能性がある。
【０００４】
以上から、例えば上述された電子部品等の製造方法において、より容易に基板間の距離を確認し、電子部品の電気的接続信頼性を担保することができる、基板の接続方法が望まれている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−１８２００８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明のいくつかの態様によれば、基板間の距離を簡便に確認することができる基板の接続方法を提供することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（１）本形態に係る基板の接続方法は、第１の面を有する第１基板と、前記第１の面に位置する電極と、前記第１の面に位置する第１樹脂突起と、前記電極と接続し、前記第１樹脂突起の第１の部分を覆う配線と、前記第１の面の検査領域に位置し、前記第１の面からの高さが前記第１樹脂突起よりも低い第２樹脂突起と、を含む第１構造体と、光透過性の材質からなり、第２の面を有する第２基板と、前記第２の面に位置する電気的接続部と、を含む第２構造体と、を用意する工程と、前記第１の面と前記第２の面とが対向するように、前記第１構造体および前記第２構造体を配置し、前記第１樹脂突起上の前記配線と前記電気的接続部を接続する工程と、前記第２樹脂突起と前記第２の面との接触の有無を確認することで、前記第１基板と前記第２基板との距離を確認する検査工程と、を有する。
【０００８】
本発明によれば、基板間の距離を簡便に確認することができる基板の接続方法を提供することができる。
【０００９】
なお、本発明に係る記載では、「〜の上」という文言を、例えば、「特定のもの（以下「Ａ」という）の「上」に他の特定のもの（以下「Ｂ」という）を形成する」等と用いている。本発明に係る記載では、この例のような場合に、Ａ上に直接Ｂを形成するような場合と、Ａ上に他のものを介してＢを形成するような場合とが含まれるものとして、「〜の上」という文言を用いている。同様に、「〜の下」という文言は、Ａ下に直接Ｂを形成するような場合と、Ａ下に他のものを介してＢを形成するような場合とが含まれるものとする。
【００１０】
（２）本形態に係る基板の接続方法において、前記第１構造体は、前記第１の面の前記検査領域に位置し、前記第１の面からの高さが、前記第２樹脂突起よりも高く、かつ、前記第１樹脂突起よりも低い第３樹脂突起を含み、前記第１基板と前記第２基板との距離を確認する工程は、前記第３樹脂突起と前記第２の面との接触の有無を確認することを含んでもよい。
【００１１】
これによれば、より定量的に基板間の距離を確認することができる。
【００１２】
（３）本形態に係る基板の接続方法において、前記第１構造体は、前記第１の面の前記検査領域に位置し、前記第１の面からの高さが前記第１樹脂突起よりも高い第４樹脂突起を含み、前記第１基板と前記第２基板との距離を確認する工程は、前記第４樹脂突起と前記第２の面との接触の有無を確認することを含んでもよい。これによれば、より定量的に基板間の距離を確認することができる。
【００１３】
（４）本形態に係る基板の接続方法において、前記第１基板の前記第１の面は４つの角部を有する矩形であり、前記検査領域は、前記角部にそれぞれ設けられてもよい。
【００１４】
これによれば、第２基板に対する第１基板の平坦度を確認することができる。
【００１５】
（５）本形態に係る基板の接続方法において、前記配線と前記電気的接続部を接続する工程は、前記第１構造体と前記第２構造体との間に接着剤を設けることを含み、前記第１基板の前記第１の面は長辺及び前記長辺よりも短い短辺を有する矩形であり、前記第１樹脂突起は、前記第１の面の前記長辺に沿った第１方向に沿って形成され、前記検査領域は、前記第１方向に沿って前記第１樹脂突起と並設されてもよい。
【００１６】
これによれば、接着剤の排出性を向上させることができる。
【００１７】
（６）本形態に係る基板の接続方法において、前記配線と前記電気的接続部を接続する工程は、前記第１構造体と前記第２構造体との間に接着剤を設けることを含み、前記第１基板の前記第１の面は矩形であり、前記検査領域は、前記第１の面の辺と前記第１樹脂突起との間に設けられ、前記第２樹脂突起は、前記辺と前記第１樹脂突起の前記第１の部分との間に配置されてもよい。
【００１８】
これによれば、接着剤の排出性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本実施形態に係る基板の接続方法のフローチャート。
【図２】第１の実施形態に係る基板の接続方法を模式的に説明する図。
【図３】第１の実施形態に係る基板の接続方法を模式的に説明する図。
【図４】第１の実施形態に係る基板の接続方法を模式的に説明する図。
【図５】第１の実施形態に係る基板の接続方法を模式的に説明する図。
【図６】本実施形態に係る基板の接続方法を適用した電子部品の一例を模式的に示す斜視図。
【図７】第２の実施形態に係る基板の接続方法を模式的に説明する図。
【図８】第２の実施形態に係る基板の接続方法を模式的に説明する図。
【図９】第３の実施形態に係る基板の接続方法を模式的に説明する図。
【図１０】第３の実施形態に係る基板の接続方法を模式的に説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下に、本発明を適用した実施形態の一例について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施形態のみに限定されるものではない。本発明は、以下の実施形態及びその変形例を自由に組み合わせたものを含むものとする。
【００２１】
１．  第１の実施形態
以下、図面を参照して、本実施形態に係る基板の接続方法について説明する。
【００２２】
図１は、本実施形態に係る基板の接続方法のフローチャートであり、図２（Ａ）〜図５（Ｂ）は、本実施形態に係る基板の接続方法の一例を模式的に説明する要部の平面図及び断面図である。
【００２３】
本実施形態に係る基板の接続方法は、図１に示すように、第１構造体及び第２構造体を準備する工程（Ｓ１）と、第１構造体及び第２構造体の接続工程（Ｓ２）と、検査工程（Ｓ３）と、を有する。
【００２４】
第１構造体及び第２構造体を準備する工程（Ｓ１）は、図２（Ａ）〜図４（Ａ）に示すように、第１構造体５０を準備する工程（Ｓ１−１）と、第２構造体８０を準備する工程（Ｓ１−２）と、を含む。
【００２５】
図２（Ａ）は、準備される第１構造体５０を模式的に説明する平面図であり、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のＩＩＢ−ＩＩＢ線における断面図であり、図２（Ｃ）は、図２（Ａ）のＩＩＣ−ＩＩＣ線における断面図であり、図２（Ｄ）は、図２（Ａ）のＩＩＤ−ＩＩＤ線における断面図である。図３（Ａ）〜図３（Ｄ）は、図２（Ａ）〜図２（Ｄ）に示す第１構造体５０を準備する工程（製造する工程）の一例を模式的に説明する断面図であり、図２（Ｂ）に対応する。
【００２６】
第１構造体５０を準備する工程（Ｓ１−１）において準備される第１構造体５０は、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）に示すように、第１の面１１を有する第１基板１０と、第１の面１１に位置する電極１４と、第１の面１１の上方に位置する第１樹脂突起２０と、電極１４と接続し、第１樹脂突起２０の少なくとも一部を覆う配線３０と、第１の面１１の上方の検査領域４０に位置し、第１の面１１（または、絶縁膜１６の上面１６ｂ）からの高さが第１樹脂突起２０よりも低い第２樹脂突起４１と、を含む。
【００２７】
図２（Ａ）に示すように、準備される第１基板１０は、後述される電極１４等が設けられる第１の面１１を有する。第１の面１１は、例えば、長手方向の２つの長辺１０ａと短手方向の２つの短辺１０ｂ（長手方向の辺よりも短い辺）とを有してもよい。第１の面１１は、長辺１０ａと短辺１０ｂとが形成する４つの角部１０ｂを有する矩形であってもよい。第１基板１０はチップ状をなしてもよい。
【００２８】
第１基板１０の材質は、特に限定されず、シリコン基板、ガラス基板、セラミックス基板、プラスチック基板等を挙げることができる。また、第１基板１０は、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる基板又はフィルムであってもよい。あるいは、第１基板１０は、ポリイミド樹脂からなるフレキシブル基板を使用してもよい。第１基板１０に、フレキシブル基板としてＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）や、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術で使用されるテープ基板を使用してもよい。
【００２９】
第１基板１０は、図２（Ａ）に示すように、集積回路１が形成されている半導体基板であってもよい。集積回路１の構成は特に限定されないが、例えば、トランジスター等の能動素子や、抵抗、コイル、コンデンサー等の受動素子を含んでもよい。あるいは、第１基板１０は、複数の第１基板１０からなる半導体ウエハーであってもよい。
【００３０】
図２（Ａ）に示すように、準備される第１基板１０の第１の面１１には、検査領域４０が設けられる。検査領域４０は、その上方に後述される第２樹脂突起４１が位置する領域であって、検査工程（Ｓ３）において、視覚的な検査を行うために設計上で設けられる仮想領域である。
【００３１】
検査領域４０が設けられる領域は、特に限定されない。例えば、第１の面１１には、１つの検査領域４０が設けられてもよい（図示せず）。また、例えば、図２（Ａ）に示すように、第１の面１１には、複数の検査領域４０が設けられてもよい。例えば、検査領域４０は、第１基板１０の角部１０ｂにそれぞれ設けられてもよい。また、例えば、検査領域４０は、第１の面１１の中央領域（集積回路１の上方）に配置されてもよい。また、例えば、図２（Ａ）に示すように、後述される第１樹脂突起２０が、前記第１の面の長辺に沿った方向Ａに沿って形成されている場合、検査領域４０は、方向Ａに沿って第１樹脂突起２０と並設されてもよい。また、例えば、図２（Ａ）に示すように、検査領域４０は、第１の面１１の辺（例えば、長辺１０ａ）と後述される第１樹脂突起２０との間に設けられてもよい。
【００３２】
図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、第１基板１０は、第１の面１１上に電極１４が位置する。電極１４は、第１基板１０の内部に形成された集積回路１と内部配線（図示せず）によって電気的に接続されてもよい。電極１４は、第１基板１０の内部配線の一部であってもよい。第１の面１１には、複数の電極１４が設けられてもよい。複数の電極１４は、図２（Ａ）第１基板１０の周縁部（例えば、長辺１０ａ）に沿って設けられてもよい。電極１４の材質は、導電性を有する限り、特に限定されない。例えば、電極１４は、アルミニウム（Ａｌ）又は銅（Ｃｕ）等の金属で形成されてもよい。電極１４は、単層の導電層であってもよいし、アルミニウム等の金属拡散を防止するバリア層を含む、複数の導電層の積層体であってもよい。
【００３３】
図２（Ｂ）に示すように、第１基板１０の第１の面１１の上に絶縁膜１６が設けられてもよい。絶縁膜１６はパッシベーション膜であってもよい。絶縁膜１６は、第１基板１０の第１の面１１側の面とは反対側の上面１６ｂを有する。絶縁膜１６は、電極１４の少なくとも一部を、それぞれ露出させるように形成される。つまりは、絶縁膜１６は、電極１４とオーバーラップする位置に開口部１６ａを有する。絶縁膜１６は、電気的絶縁性を有する膜であれば、特に限定されない。例えば、絶縁膜１６は、ＳｉＯ２やＳｉＮ等の無機絶縁膜であってもよい。あるいは、絶縁膜１６は、ポリイミド樹脂等の有機絶縁膜であってもよい。
【００３４】
第１構造体５０を準備する工程（Ｓ１−１）は、図３（Ａ）〜図３（Ｄ）に示すように、第１の面１１の上方（上面１６ｂ）に、第１樹脂突起２０および第２樹脂突起４１を形成する工程を含む。この工程は、電極１４が露出した絶縁膜１６の上面１６ｂに、樹脂前駆体組成物からなる樹脂材質膜２６を形成する工程（図３（Ａ）及び図３（Ｂ）参照）と、樹脂材質膜２６をパターニングする工程（図３（Ｃ）参照）と、パターニング後、熱処理する工程（図３（Ｄ）参照）と、を含む。
【００３５】
図３（Ｂ）に示すように、電極１４及び絶縁膜１６の上に、樹脂前駆体組成物からなる樹脂材質膜２６が形成する。樹脂材質膜２６は、熱硬化性を有した熱硬化性樹脂組成物であってもよいし、感光性を有した感光性樹脂組成物であってもよい。以下の本実施形態では、感光性を有した樹脂材質膜２６を用いた場合の製造方法の一例について説明する。
【００３６】
樹脂材質膜２６は、半導体装置１０の第１の面１１の上方において全面に塗布されて形成されてもよい。また、樹脂材質膜２６は、塗布された後、プリベークされてもよい。また、樹脂材質膜２６は、例えばシート状物であってもよい。樹脂材質膜２６は、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ；ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）、ポリベンゾオキサゾール（ＰＢＯ；ｐｏｌｙｂｅｎｚｏｘａｚｏｌｅ）、フェノール樹脂、アクリル樹脂等の樹脂であってもよい。
【００３７】
次に、パターニング工程においては、図３（Ｃ）に示すように、樹脂材質膜２６の樹脂突起を形成する領域の上に所望の形状を有したマスク層（図示せず）を形成し、露光装置（図示せず）によって露光した後、現像液によって現像し、パターニングを行って、第１樹脂層２７および第２樹脂層４５を形成する。第１樹脂層２７は、キュアリングの後に第１樹脂突起２０となる樹脂層であり、第２樹脂層４５は、キュアリングの後に第２樹脂突起４１となる樹脂層である。第１樹脂層２７は、電極１４と隣り合うように形成される。図示はされないが、第１樹脂層２７は、例えば、第１の面１１の長辺に沿って延びるように形成されてもよい。また、第２樹脂層４５は、第１の面１１の検査領域４０に形成される。このパターニング工程では、図３（Ｃ）に示すように、第１樹脂層２７の幅Ｗ１（例えば、第１樹脂層２７が延びる方向における幅）よりも第２樹脂層４５の幅Ｗ２が小さくなるようにパターニングを行う。
【００３８】
本工程における露光現像処理は、公知のフォトリソグラフィー技術を用いることができる。例えば、樹脂材質膜２６がポジ型のレジストである場合、マスク層（図示せず）は、樹脂突起２０が形成される領域において、樹脂材質膜２６が露光処理されるように配置される。また、樹脂材質膜２６がネガ型のレジストである場合は、樹脂突起２０が形成される領域においてマスク層が配置されてもよい。
【００３９】
次に、熱処理する工程においては、図３（Ｄ）に示すように、第１樹脂層２７および第２樹脂層４５を加熱する熱処理（キュアリング）をすることによって、変形させる工程をさらに含む。加熱する手段は特に限定されず、図示しない熱源から赤外線を照射することによって加熱してもよい。第１樹脂層２７および第２樹脂層４５は、加熱されることによって粘性が低下し、それぞれの自重と表面張力の作用によって、形状を変形することができる。その結果、図３（Ｄ）に示すように、上面形状が滑らかな曲線を有し、その断面が略半円形状である第１樹脂突起２０および第２樹脂突起４１が形成される。
【００４０】
ここで、先のパターニング工程において、第１樹脂層２７の幅Ｗ１（例えば、第１樹脂層２７が延びる方向における幅）よりも第２樹脂層４５の幅Ｗ２が小さくなるようにパターニングが行われている。これにより、図２（Ｃ）および図３（Ｄ）に示すように、第２樹脂突起４１の第１の面１１（または、絶縁層１６の上面１６ｂ）からの高さｈ１（最も厚みを有する部分の厚さ）を、第１樹脂突起２０の第１の面１１（または、絶縁層１６の上面１６ｂ）からの高さＨ１（最も厚みを有する部分の厚さ）よりも低く形成することができる。
【００４１】
第２樹脂突起４１の第１の面１１（または、絶縁層１６の上面１６ｂ）からの高さｈ１は、後述される第１構造体及び第２構造体の接続工程（Ｓ２）において、押圧力が過多となり、第１基板１０と第２基板６０との基板間の距離が適正範囲を超えた場合に、第２基板６０と接触する高さとなるように設定される。詳細は後述される。
【００４２】
第１の面１１に複数の検査領域４０が設けられる場合、図２（Ａ）に示すように、第２樹脂突起４１は、各検査領域４０にそれぞれ設けられる。
【００４３】
また、ここで、図２（Ｄ）に示すように、第１樹脂突起２０は、後述される配線３０に覆われる第１の部分２１と配線３０が形成されない第２の部分２２を有してもよい。ここで、配線３０が形成されない第２の部分２２には、後述される第１構造体及び第２構造体の接続工程（Ｓ２）において用いられる接着剤９０の押圧工程における排出性を向上させるため、上面が削られて凹部２４が形成されてもよい。これによれば、図２（Ａ）の矢印Ｂ方向における接着剤９０の排出性が向上する。
【００４４】
このとき、図２（Ａ）に示すように、検査領域４０が、第１の面１１の辺（例えば、長辺１０ａ）と第１樹脂突起２０との間に設けられる場合、第２樹脂突起４１は、第１の面１１の辺と第１樹脂突起２０の配線３０に覆われた部分（第１の部分２１）との間に配置される。言い換えれば、第２樹脂突起４１は、第１の面１１の辺と第１樹脂突起２０の第２の部分２２との間の領域は避けて配置される。これによれば、第１構造体及び第２構造体の接続工程（Ｓ２）において、接着剤の排出性が阻害されないため、電子部品の信頼性を向上させることができる。
【００４５】
また、例えば、図２（Ａ）に示すように、検査領域４０が、第１樹脂突起２０が延びる方向Ａに沿って、第１樹脂突起２０と並設される場合、第２樹脂突起４１は、第１樹脂突起２０と方向Ａにおいて並設される。これによれば、第１構造体及び第２構造体の接続工程（Ｓ２）において、方向Ａに沿った接着剤の排出性が阻害されないため、電子部品の信頼性を向上させることができる。
【００４６】
次に、第１構造体５０を準備する工程（Ｓ１−１）は、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）に示すように、絶縁膜１６の上面１６ｂに、電極１４と接続し、第１樹脂突起２０の少なくとも一部を覆う配線３０を形成する工程を含む。配線３０の形状は特に限定されない。例えば、図２（Ａ）に示すように、第１樹脂突起２０が延びる方向Ｃと直交する方向に延びるように形成されてもよい。
【００４７】
ここで、図２（Ｂ）に示すように、配線３０は、複数の導電層の積層体であってもよい。したがって、配線３０を形成する工程は、第１の導電層３１と第２の導電層３２を積層して成膜し、所望の形状にパターニングする工程を含んでもよい。また、図示はされないが、配線３０は単層であってもよいし、図示されない第３の導電層を含んでもよい。
【００４８】
第１の導電層３１及び第２の導電層３２の成膜方法は特に限定されず、公知の成膜技術を用いることができる。例えば、第１の導電層３１及び第２の導電層３２は、スパッタ法にて形成してもよい。また、パターニングする方法は特に限定されず、所望のレジストを形成し、公知のフォトリソグラフィー技術によりパターニングしてもよい。
【００４９】
第１の導電層３１の材質は、例えば、絶縁膜１６の材質と密着性の高い導電性の材質から選択され、第２の導電層３２の材質は、第１の導電層３１よりも良好な導電性を有する材質から選択されてもよい。具体的には、第１の導電層３１は、チタンタングステン（ＴｉＷ）、チタン（Ｔｉ）及びニッケルクロム合金（Ｎｉ−Ｃｒ）などの少なくとも１つを含む層であってもよい。第２の導電層３２は、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、銀（Ａｇ）及び銅（Ｃｕ）などの少なくとも１つを含む層であってもよい。
【００５０】
以上から、図２（Ａ）〜図２（Ｃ）に示す第１構造体５０を準備することができる。
【００５１】
次に、図４（Ａ）は、第２構造体８０を準備する工程（Ｓ１−２）において準備される第２構造体８０の一部を模式的に示す断面図である。
【００５２】
準備される第２構造体８０は、図４（Ａ）に示すように、光透過性の材質からなり、第２の面６１を有する第２基板６０と、第２の面６１の上方に位置した電気的接続部７１と、を含む。
【００５３】
第２基板６０は、光透過性を有する材質からなる基板であれば特に限定されない。例えば、第２基板６０の材質は、無機系の材質であることができる。このとき、第２基板６０は、ガラス基板やセラミックス基板であってもよい。あるいは、第２基板６０は、有機系の材質であってもよく、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる基板又はフィルムであってもよい。あるいは、第２基板６０としてポリイミド樹脂からなるフレキシブル基板を使用してもよい。フレキシブル基板としてＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）や、ＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）技術で使用されるテープを使用してもよい。第２基板６０は、電気光学パネル（液晶パネル・エレクトロルミネッセンスパネル等）の一部であってもよい。つまりは、第２基板６０は配線基板であってもよい。
【００５４】
電気的接続部７１は、第２基板６０の第２の面６１の上に位置した配線パターン７０の一部である。配線パターン７０は、例えば、液晶を駆動する電極（走査電極、信号電極、対向電極等）に電気的に接続されてもよい。配線パターン７０は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）等の金属膜、金属化合物膜、又は、それらの複合膜によって形成されてもよい。また、配線パターン７０は、その一部が第２基板６０の内側を通るように形成されてもよい。
【００５５】
以上から、第２構造体８０が準備される。
【００５６】
第１構造体及び第２構造体の接続工程（Ｓ２）は、図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示すように、第１の面１１と第２の面６１とが対向するように、第１構造体５０および第２構造体６０を配置する工程（Ｓ２−１、図４（Ａ）参照）と、第１樹脂突起２０上の配線３０と電気的接続部７１を押圧力によって接続する工程（Ｓ２−２、図４（Ｂ）参照）を含む。本工程によって、第１基板１０が、第２構造体８０に電気的に接続される。
【００５７】
本工程は、外部端子である第１樹脂突起２０の上の配線３０を、第２構造体８０の電気的接続部７１に押し当てることができる限り、特に限定されない。以下に第１構造体５０を第２構造体８０に搭載する方法の一例を説明する。
【００５８】
図４（Ａ）に示すように、第１構造体５０および第２構造体６０を配置する工程においては、第１の面１１と第２の面６１とが対向するように、第１構造体５０を第２構造体８０上方に配置する。ここで、第１構造体５０の第１樹脂突起２０の上に形成された配線３０と、第２構造体８０の配線パターン７０（電気的接続部７１）とが対向するように位置合わせをする。
【００５９】
図４（Ａ）に示すように、第１構造体５０の第１の面１１と、第２構造体８０との間に接着剤９０を設ける。本工程では、予め、第２構造体８０側に接着剤９０を設けてもよいが、特に限定されるものではなく、第１構造体５０側に設けられてもよい。接着剤９０は、例えば、フィルム状の接着剤を利用してもよい。接着剤９０は、絶縁性の接着剤であってもよい。接着剤９０は、公知のＮＣＦ（Ｎｏｎ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）接着剤であってもよい。
【００６０】
次に、図４（Ｂ）に示すように、第１構造体５０と第２構造体８０との間に押圧力を加えることで押圧して、樹脂突起２０上の配線３０と配線パターン７０（電気的接続部７１）とをそれぞれ接触させる。これによれば、押圧力によって、配線３０と、第１樹脂突起２０を弾性変形させることができる。このとき、第１樹脂突起２０の弾性力によって、発生する応力を緩和しつつ、配線３０と電気的接続部７１（配線パターン７０）とを押し付けることができるため、半導体装置の信頼性を低下させることなく、電気的な接続信頼性の高い電子部品を提供することができる。
【００６１】
図４（Ｂ）に示すように、第１構造体５０を第２構造体８０に押圧する工程によって、過剰な接着剤が排出され、配線３０と電気的接続部７１との接触部分以外において、接着剤９０が充填された構造となる。
【００６２】
次に、第１構造体５０を第２構造体８０に搭載する工程の後に、接着剤９０を硬化させて、接着層を形成してもよい（図示せず）。接着層によって、第１構造体５０と第２構造体８０との間隔を維持してもよい。すなわち、接着層によって、第１樹脂突起２０が弾性変形した状態を維持してもよい。また、図示はされないが、さらに切り出し工程等を経て、本実施の形態に係る第３構造体１０００を製造してもよい。切り出し工程は、後述される検査工程（Ｓ３）の後であってもよい。
【００６３】
本工程において、第１構造体５０と第２構造体８０との間に加えられる押圧力の量または時間によって、第１基板１０と第２基板６０との距離Ｄ１が決定する。第１構造体５０と第２構造体８０とが確実に電気的に接続されるためには、本工程における実際の距離Ｄ１が適正な数値範囲内であることが要求される。押圧機器やアライメント等の問題から加えられた押圧力が過多となり、実際の距離Ｄ１が所定の距離よりも小さい場合、リーク電流の発生など基板間の電気的接続信頼性が低下する可能性がある。
【００６４】
次に、検査工程（Ｓ３）を行う。図５（Ａ）および図５（Ｂ）は本実施形態に係る検査工程（Ｓ３）を模式的に説明する平面図である。
【００６５】
検査工程（Ｓ３）においては、第２樹脂突起４１と第２の面６１との接触の有無を確認することで、第１基板１０と第２基板６０との距離を確認する。上述のように、第２樹脂突起４１の第１の面１１からの高さｈ１は、第１構造体及び第２構造体の接続工程（Ｓ２）において、押圧力が過多となり、第１基板１０と第２基板６０との基板間の距離Ｄ１が適正範囲を超えた場合に、第２基板６０の第２の面６１と接触する高さとなるように設定されている。また、第２基板６０は、光透過性を有する材質からなる基板である。したがって、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）に示すように、第２基板６０の検査領域４０と対向する領域を視覚的に検査し、第２樹脂突起４１と第２の面６１との接触の有無を確認することによって、第１基板１０と第２基板６０との距離を確認することができる。ここで、第２樹脂突起４１と第２の面６１との接触の有無を確認する方法は特に限定されず、例えば、レンズ、照明などの光源、およびＣＣＤ等を含む光学系（図示せず）を用いてモニタリングすることによって、本実施の形態に係る検査工程を行ってもよい。
【００６６】
例えば、図５（Ａ）に示すように、検査領域４０の上方において、第２樹脂突起４１が第２の面６１との接触領域４１ａを形成していない場合、過剰な押圧力はかからず、基板間の距離Ｄ１は適正範囲内であり、潰れすぎた第１樹脂突起２０は形成されていないと判断してもよい。言い換えれば、第３構造体１０００の電気的接続は、良好であると判断することができる。
【００６７】
また、図５（Ｂ）に示すように、検査領域４０の上方において、第２樹脂突起４１が第２の面６１との接触領域４１ａを形成している場合、過剰な押圧力が加わっており、基板間の距離Ｄ１は適正範囲を超え、潰れすぎた第１樹脂突起２０が形成されていると判断してもよい。言い換えれば、第３構造体１０００の電気的接続は不良であると判断することができる。
【００６８】
また、例えば、図２（Ａ）に示すように、検査領域４０が、４つの角部１０ｃに設けられている場合、４つ角部１０ｃにおける基板間の距離Ｄ１を確認することができるため、第２基板６０に対する第１基板１０の平坦度も確認することができる。
【００６９】
以上の工程により、図４（Ｂ）に示すように、電気的接続信頼性が担保された第３構造体１０００を形成することができる。
【００７０】
第３構造体１０００は、電子部品であってもよい。図６には、電子部品である第３構造体１０００の一例として、表示デバイスである場合の第３構造体１０００を示す。表示デバイスは、例えば液晶表示デバイスやＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示デバイスであってもよい。そして、第１構造体５０は、表示デバイスである第３構造体１０００を制御するドライバーＩＣであってもよい。
【００７１】
本実施の形態に係る基板の接続方法は、例えば、以下の特徴を有する。
【００７２】
本実施の形態に係る基板の接続方法よれば、基板間の距離を簡便に確認することができる基板の接続方法を提供することができる。以下、詳細を説明する。
【００７３】
本実施の形態に係る基板の接続方法よれば、第１の基板１０の所望の領域に、検査領域４０を設け、所定の高さの第２樹脂突起４１と第２の面６１との接触の有無を確認するだけで、検査工程（Ｓ３）を行う。したがって、第１構造体５０と、第２構造体８０との位置合わせの工程において、第２樹脂突起４１に対して、第２構造体５０を高いアライメント精度で位置合わせする必要がない。言い換えれば、第２樹脂突起４１に対する第２構造体５０の位置ずれによる歩留まりの低下の可能性がない。
【００７４】
また、本実施の形態に係る基板の接続方法よれば、検査工程（Ｓ３）に必要となる部材は、第１構造体５０側において、所定の高さｈ１を有する第２樹脂突起４１を形成する工程のみであり、第２構造体８０側において、検査工程（Ｓ３）に必要な部材を形成する必要がない。また、第２樹脂突起４１は、第１樹脂突起２０を形成する工程において、同時に形成することができる。
【００７５】
以上から、本実施の形態に係る基板の接続方法よれば、より簡便に、基板間の距離を簡便に確認することができる基板の接続方法を提供することができる。また、本実施の形態に係る基板の接続方法よれば、簡便な検査方法により、電気的接続信頼性の高い電子部品等を製造することができる。
【００７６】
２．  第２の実施形態
以下、図面を参照して、第２の実施の形態に係る基板の接続方法について説明する。
【００７７】
図７（Ａ）は、本実施形態に適用される第１構造体２００を模式的に示す平面図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）に示す第１構造体２００のＶＩＩＢ−ＶＩＩＢ線断面図である。図８（Ａ）〜図８（Ｃ）は本実施形態に係る検査工程（Ｓ３）を模式的に説明する平面図である。
【００７８】
本実施の形態では、準備される第１構造体２００が、検査領域４０に位置し、第１の面１１からの高さｈ２が、第２樹脂突起４１よりも高く、かつ、第１樹脂突起２０よりも低い第３樹脂突起４２をさらに含む点と、検査工程（Ｓ３）において、第３樹脂突起４２と第２の面６１との接触の有無を確認することをさらに含む点で第１の実施形態と異なる。以下の説明では、第１の実施形態と本実施形態と異なる構成についてのみ説明する。なお、第１の実施形態と同様の構成と、その製造方法等は、同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。
【００７９】
検査領域４０には、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示すように、第３樹脂突起４２が位置している。第３樹脂突起４２は、検査領域４０において、第２樹脂突起４１と第１の面１１の辺に沿って隣り合うように形成されてもよい。また、第３樹脂突起４２は、４つの角部１０ｃにそれぞれ配置されてもよい。また、第３樹脂突起４２は、第１の面１１の中央領域に配置されてもよい。また、第３樹脂突起４２は、第１の面１１の辺と第１樹脂突起２０の配線３０に覆われた部分（第１の部分２１）との間に配置されてもよい。また、第３樹脂突起４２は、第１樹脂突起２０と方向Ａにおいて並設されてもよい。
【００８０】
第３樹脂突起４２は、図７（Ｂ）に示すように、第１の面１１（上面１６ｂ）からの高さｈ２が、第２樹脂突起４１よりも高く、かつ、第１樹脂突起２０よりも低い。ここで、第３樹脂突起４２の第１の面１１からの高さｈ２は、第１構造体及び第２構造体の接続工程（Ｓ２）において、押圧力が適切に加えられ、第１基板１０と第２基板６０との基板間の距離Ｄ１が適正範囲となった場合に、第３樹脂突起４２が第２基板６０の第２の面６１と接触する高さとなるように設定される。言い換えれば、第１構造体及び第２構造体の接続工程（Ｓ２）において、押圧力が不足し、第１基板１０と第２基板６０との基板間の距離Ｄ１が適正範囲となっていない場合には、第３樹脂突起４２が第２基板６０の第２の面６１と接触しない高さとなるようにｈ２は設定される。
【００８１】
第３樹脂突起４２は、第１構造体５０を準備する工程（Ｓ１−１）の第１樹脂突起２０および第２樹脂突起４１を形成する工程において、同時に形成することができる。具体的には、樹脂材質膜２６をパターニングする際、第２樹脂層４５よりも大きく、かつ、第１樹脂層２７よりも小さい幅を有する第３樹脂層を形成し、該第３樹脂層を熱処理（キュアリング）することによって、第３樹脂突起４２を形成してもよい。
【００８２】
本実施形態における検査工程（Ｓ３）では、図８（Ａ）に示すように、検査領域４０の上方において、第３樹脂突起４２の第２の面６１との接触領域４２ａが形成され、かつ、第２樹脂突起４１が第２の面６１と接触していない場合、押圧力は過不足なく加えられ、基板間の距離Ｄ１は適正範囲内であり、潰れ度合いが不足している第１樹脂突起２０や潰れ過ぎた第１樹脂突起２０は形成されていないと判断してもよい。言い換えれば、第３構造体１０００の電気的接続は、良好であると判断することができる。
【００８３】
また、図８（Ｂ）に示すように、検査領域４０の上方において、第２樹脂突起４１及び第３樹脂突起４２の両方ともが第２の面６１と接触していない場合、押圧力が不足し、基板間の距離Ｄ１は適正範囲に達しておらず、潰れ度合いが不足している第１樹脂突起２０が形成されていると判断してもよい。言い換えれば、検査領域４０の上方において、第２樹脂突起４１が第２の面６１との接触領域４１ａを形成している場合、第３構造体１０００の電気的接続は、不良であると判断することができる。
【００８４】
また、図８（Ｃ）に示すように、検査領域４０の上方において、第２樹脂突起４１及び第３樹脂突起４２の両方ともが第２の面６１と接触している場合、押圧力が過多となり、基板間の距離Ｄ１は適正範囲に超えており、潰れすぎた第１樹脂突起２０が形成されていると判断してもよい。言い換えれば、第３構造体１０００の電気的接続は、不良であると判断することができる。
【００８５】
本実施の形態に係る基板の接続方法は、例えば、以下の特徴をさらに有する。
【００８６】
本実施の形態に係る基板の接続方法よれば、高さがｈ２に設定された３樹脂突起４２をさらに備えることにより、検査工程（Ｓ３）において、押圧力が過不足なく加えられ、基板間の距離Ｄ１が適正範囲内である場合（図８（Ａ）参照）と、押圧力が不足し、基板間の距離Ｄ１が適正範囲内に達していない場合（図８（Ｂ）参照）とを明確に確認することができる。
【００８７】
以上から、本実施の形態に係る基板の接続方法よれば、第１の実施形態の特徴に加えて、より定量的に、基板間の距離を確認することができる基板の接続方法を提供することができる。
【００８８】
３．  第３の実施形態
以下、図面を参照して、第３の実施の形態に係る基板の接続方法について説明する。
【００８９】
図９（Ａ）は、本実施形態において準備される第１構造体３００を模式的に示す平面図であり、図９（Ｂ）は、図９（Ａ）に示す第１構造体３００のＩＸＢ−ＩＸＢ線断面図である。図１０（Ａ）および図１０（Ｂ）は本実施形態に係る検査工程（Ｓ３）を模式的に説明する平面図である。
【００９０】
本実施の形態では、準備される第１構造体３００が、第１の面１１の上方の検査領域４０に位置し、第１の面１１からの高さが第１樹脂突起２０よりも高い第４樹脂突起４３をさらに含む点と、検査工程（Ｓ３）において、第４樹脂突起４３と第２の面６１との接触の有無を確認することをさらに含む点で第１または第２の実施形態と異なる。以下の説明では、第１および第２の実施形態と本実施形態と異なる構成についてのみ説明する。なお、第１の実施形態と同様の構成と、その製造方法等は、同一の符号を付して、詳細な説明を省略する。なお、以下においては、第２の実施形態に本実施形態を組み合わせた形態を一例として説明するが、これに限定されず、第１の実施形態に本実施形態を組み合わせた形態であってもよい。
【００９１】
検査領域４０には、図９（Ａ）及び図９（Ｂ）に示すように、第４樹脂突起４３が位置している。第４樹脂突起４３は、検査領域４０において、第２樹脂突起４１及び第３樹脂突起４２と第１の面１１の辺に沿って隣り合うように形成されてもよい。また、第４樹脂突起４３は、４つの角部１０ｃにそれぞれ配置されてもよい。また、第４樹脂突起４３は、第１の面１１の中央領域に配置されてもよい。また、第４樹脂突起４３は、第１の面１１の辺と第１樹脂突起２０の配線３０に覆われた部分（第１の部分２１）との間に配置されてもよい。また、第４樹脂突起４３は、第１樹脂突起２０と方向Ａにおいて並設されてもよい。
【００９２】
第４樹脂突起４３は、図９（Ｂ）に示すように、第１の面１１（上面１６ｂ）からの高さｈ３が、第１樹脂突起２０よりも高い。ここで、第４樹脂突起４３の第１の面１１からの高さｈ３は、第１構造体及び第２構造体の接続工程（Ｓ２）において、押圧力が不足し、第１基板１０と第２基板６０との基板間の距離Ｄ１が適正範囲に達していない場合に、第４樹脂突起４３が第２基板６０の第２の面６１と接触する高さとなるように設定される。
【００９３】
第４樹脂突起４３は、第１構造体５０を準備する工程（Ｓ１−１）の第１樹脂突起２０および第２樹脂突起４１を形成する工程において、同時に形成することができる。具体的には、樹脂材質膜２６をパターニングする際、第１樹脂層２７よりも大きい幅を有する第４樹脂層を形成し、該第４樹脂層を熱処理（キュアリング）することによって、第４樹脂突起４３を形成してもよい。
【００９４】
本実施形態における検査工程（Ｓ３）では、図１０（Ａ）に示すように、検査領域４０の上方において、第４樹脂突起４３の第２の面６１との接触領域４３ａが形成され、かつ、第３樹脂突起４２の第２の面６１との接触領域４２ａが形成されている場合、押圧力は過不足なく加えられ、基板間の距離Ｄ１は適正範囲内であり、潰れ度合いが不足している第１樹脂突起２０や潰れ過ぎた第１樹脂突起２０は形成されていないと判断してもよい。言い換えれば、第３構造体１０００の電気的接続は、良好であると判断することができる。
【００９５】
また、図１０（Ｂ）に示すように、検査領域４０の上方において、検査領域４０の上方において、第４樹脂突起４３の第２の面６１との接触領域４３ａが形成され、かつ、第３樹脂突起４２が第２の面６１と接触していない場合、押圧力が不足し、基板間の距離Ｄ１は適正範囲に達しておらず、潰れ度合いが不足している第１樹脂突起２０が形成されていると判断してもよい。言い換えれば、第３構造体１０００の電気的接続は、不良であると判断することができる。
【００９６】
本実施の形態に係る基板の接続方法は、例えば、以下の特徴をさらに有する。
【００９７】
本実施の形態に係る基板の接続方法よれば、高さがｈ２に設定された３樹脂突起４２をさらに備えることにより、検査工程（Ｓ３）において、押圧力が不足し、基板間の距離Ｄ１が適正範囲内に達していない場合（図１０（Ｂ）参照）であっても、どの程度押圧力が不足しているのかという点も確認することができる。また、押圧力が不足している場合であっても、接触領域４３ａが形成されるため、視覚的に判断を行いやすくなる。
【００９８】
以上から、本実施の形態に係る基板の接続方法よれば、第１および第２の実施形態の特徴に加えて、より定量的に、基板間の距離を簡便に確認することができる基板の接続方法を提供することができる。
【００９９】
なお、上述した実施形態及び変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば各実施形態及び各変形例は、複数を適宜組み合わせることが可能である。
【０１００】
本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、さらに種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【符号の説明】
【０１０１】
１  集積回路、１０  第１基板、１１  第１の面、１４  電極、１６  絶縁膜、
１６ａ  開口部、１６ｂ  上面、２０  第１樹脂突起、２１  第１の部分、
２２  第２の部分、２４  凹部、２６  樹脂材質膜、２７  第１樹脂層、
３０  配線、３１  第１の導電層、３２  第２の導電層、４０  検査領域、
４１  第２樹脂突起、４２  第３樹脂突起、４３  第４樹脂突起、
５０（２００、３００）  第１構造体、６０  第２基板、６１  第２の面、
７０  配線パターン、７１  電気的接続部、８０  第２構造体、９０  接着剤、
１０００  第３構造体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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