(57)【要約】【課題】高周波信号を損失少なく伝送させることが可能な配線基板を提供すること。【解決手段】半導体素子Ｓが搭載される搭載部１ａを有する基板１と、その上に積層されており、搭載部１ａに臨む端面２ａを有する絶縁層２と、絶縁層２の上面を搭載部１ａ側から反対側に向けて延在する帯状の信号配線３と、絶縁層２の上面の信号配線３の両側に配設された上面側接地導体４と、絶縁層２の下面に配設された下面側接地導体５とを備え、信号配線３および上面側接地導体４に半導体素子ＳとワイヤＷを介して電気的に接続されるワイヤボンディング部８を有してなる配線基板であって、絶縁層２は、上面側接地導体４のワイヤボンディング部８に隣接する位置に、端面２ａからワイヤボンディング部８よりも奥に入り込む切り欠き部６が形成されており、切り欠き部６内に上面側接地導体４と下面側接地導体５とを接続する接続導体７が被着されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に半導体素子が搭載される搭載部を有する基板と、該基板上に積層されており、前記搭載部に臨む端面を有する絶縁層と、該絶縁層の上面を前記搭載部側から反対側に向けて延在する帯状の信号配線と、前記絶縁層の上面の前記信号配線の両側に一定の間隔をあけて配設された上面側接地導体と、前記絶縁層の下面に配設された下面側接地導体とを備え、前記信号配線および上面側接地導体の前記搭載部側上面に前記半導体素子とボンディングワイヤを介して電気的に接続されるワイヤボンディング部を有してなる配線基板であって、前記絶縁層は、前記上面側接地導体の前記ワイヤボンディング部に隣接する位置に、前記端面から前記ワイヤボンディング部よりも奥に入り込む切り欠き部が形成されており、かつ該切り欠き部内に前記上面側接地導体と下面側接地導体とを接続する接続導体が被着されていることを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波信号を伝送する配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、高周波信号を伝送するための配線基板は、例えば図２に要部斜視図で示すように、上面に半導体素子Ｓが搭載される搭載部１１ａを有する基板１１と、基板１１上に積層されており、搭載部１１ａに臨む端面１２ａを有する絶縁層１２と、絶縁層１２の上面を搭載部１１ａ側から反対側に向けて延在する帯状の信号配線１３と、絶縁層１２の上面の信号配線１３の両側に一定の間隔をあけて配設された上面側接地導体１４と、絶縁層１２の下面に配設された下面側接地導体１５とを有している。さらに、端面１２ａには半円形状の切り欠き１６が信号配線１３の両側に形成されており、この切り欠き１６内には上面側接地導体１４と下面側接地導体１５とを接続する接続導体１７が被着されている。そして、半導体素子Ｓの信号電極と信号配線１３および半導体素子Ｓの接地電極と上面側接地導体１４とをボンディングワイヤＷで接続することにより配線基板と半導体素子Ｓとが電気的に接続される。なお、ボンディングワイヤＷが接続される信号配線１３および上面側接地導体１４には、端面１２ａから５０〜２００μｍ程度の範囲にボンディングワイヤＷが接続されるワイヤボンディング領域１８（網目模様で示した領域）が設定されている。
【０００３】
しかしながら、このような従来の配線基板によると、半導体素子Ｓの電極と信号配線１３および上面側接地導体１４とをボンディングワイヤＷを介して接続した後、信号配線１３および上面側接地導体１４ならびに下面側接地導体１５とから成る伝送線路に高周波信号を伝送させると、信号の反射損や挿入損が大きく、例えば２０ＧＨｚを超えるような高周波になると、信号を良好に伝送させることが困難であるという問題を有していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−６４４５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、かかる従来の問題点に鑑み案出されたものであり、その解決しようとする課題は、高周波信号を損失少なく伝送させることが可能な配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の配線基板は、上面に半導体素子が搭載される搭載部を有する基板と、該基板上に積層されており、前記搭載部に臨む端面を有する絶縁層と、該絶縁層の上面を前記搭載部側から反対側に向けて延在する帯状の信号配線と、前記絶縁層の上面の前記信号配線の両側に一定の間隔をあけて配設された上面側接地導体と、前記絶縁層の下面に配設された下面側接地導体とを備え、前記信号配線および上面側接地導体の前記搭載部側上面に前記半導体素子とボンディングワイヤを介して電気的に接続されるワイヤボンディング部を有してなる配線基板であって、前記絶縁層は、前記上面側接地導体の前記ワイヤボンディング部に隣接する位置に、前記端面から前記ワイヤボンディング部よりも奥に入り込む切り欠き部が形成されており、かつ該切り欠き部内に前記上面側接地導体と下面側接地導体とを接続する接続導体が被着されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の配線基板によれば、上面側接地導体のワイヤボンディング部に隣接する位置に、絶縁層の半導体素子側端面からワイヤボンディング部よりも奥に入り込む切り欠き部が形成されているとともに、この切り欠き部内に上面側接地導体と下面側接地導体とを接続する接続導体が被着されていることから、上面側接地導体のワイヤボンディング部からこれに隣接する切り欠き部内の面積の広い接続導体を介して下面側接地導体に至るリターン経路が極めて短距離かつ低インダクタンスで形成される。したがって、高周波信号を損失少なく良好に伝送することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本発明の配線基板の実施形態の一例を示す要部斜視図である。
【図２】図２は、従来の配線基板を示す要部斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
次に、本発明の配線基板の実施形態の一例を添付の図１を基に説明する。図１において、１は基板、２は絶縁層、３は信号配線、４は上面側接地導体、５は下面側設接地導体であり、主としてこれらで本例の配線基板が構成されている。
【００１０】
基板１は、例えば金属やセラミックス、あるいは樹脂から成る平板であり、その上面に半導体素子Ｓを搭載するための搭載部１ａを有している。
【００１１】
基板１の上面には絶縁層２が積層されている。絶縁層２は、セラミックスや樹脂系の絶縁材料から成り、搭載部１ａに臨む端面２ａを有している。
【００１２】
絶縁層２の上面には、搭載部１ａ側から反対側へ向けて延びる帯状の信号配線３とその両側に一定の間隔をあけて配設された上面側接地導体４とが被着されている。信号配線３と上面側接導体４とは、好ましくは銅箔または銅めっき層により形成されており、その厚みは５〜２５μｍ程度である。また、信号配線３の幅は５〜５０μｍ程度であり、信号配線３と上面側接地導体４との間隔は５〜５０μｍ程度である。なお、信号配線３の幅および信号配線３と上面側接地導体４との間隔は、絶縁層２の誘電率や厚み、信号配線３および上面側接地導体４の厚み等を勘案し、所定の特性インピーダンスとなるように設定される。
【００１３】
また、これらの信号配線３および上面側接地導体４の上面には、端面２ａから５０〜２００μｍの範囲にワイヤボンディング部８が設定されている。そしてこのワイヤボンディング部８と半導体素子Ｓの電極との間にボンディングワイヤＷを接続することにより半導体素子Ｓと配線基板とが電気的に接続される。なお、信号配線３および上面側接地導体４の表面は、図示しないニッケルめっき層および金めっき層を被着させておくことが好ましい。
【００１４】
また絶縁層２の下面には、その略全面にわたり、下面側接地導体５が被着されている。下面側接地導体５は、信号配線３や上面側接地導体４と同様に、好ましくは銅箔または銅めっき層により形成されており、その厚みは５〜２５μｍである。
【００１５】
さらに、絶縁層２は、上面側接地導体４におけるワイヤボンディング部８に隣接する位置に、端面２ａからワイヤボンディング部８よりも奥に入り込む長方形状の切り欠き部６が形成されており、この切り欠き６部内の側面に上面側接地導体４と下面側接地導体５とを接続する接続導体７が被着されている。接続導体７は、好ましくは銅めっき層から成り、５〜２５μｍ程度の厚みで切り欠き部６内の側面の全面に被着されている。
【００１６】
このように、上面側接地導体４におけるワイヤボンディング部８に隣接する位置に、端面２ａからワイヤボンディング部８よりも奥に入り込む切り欠き部６が形成されているとともに、この切り欠き部６内に上面側接地導体４と下面側接地導体５とを接続する接続導体７が形成されていることから、上面側接地導体４と下面側接地導体５とがボンディングワイヤＷが接続されるワイヤボンディング領域８の直近で且つ幅の広い接続導体７により接続される。これにより、ボンディングワイヤＷが接続された上面側接地導体４から下面側接地導体５に至るリターン経路が短距離かつ低インダクタンスで形成される。したがって、信号配線３および上面側接地導体４ならびに下面側接地導体５から成る伝送線路に高周波信号を損失少なく良好に伝送することができる。
【００１７】
なお、切り欠き部６の幅は３０〜５００μｍ程度であり、ワイヤボンディング部８よりも１〜１００μｍ程度奥に入り込む深さであることが好ましい。また、切り欠き部６の少なくともワイヤボンディング部８に隣接する面は平面であることが好ましい。
【符号の説明】
【００１８】
１    基板
１ａ  搭載部
２    絶縁層
２ａ  端面
３    信号配線
４    上面側接地導体
５    下面側接地導体
６    切り欠き部
７    接続導体
８    ワイヤボンディング部
Ｓ    半導体素子
Ｗ    ボンディングワイヤ
【図１】
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【図２】
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