(57)【要約】【課題】本発明の実施形態は、発光色を厳密に制御することが可能な半導体発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置の製造方法は、基板の上に形成された第１導電形の第１の半導体層と、発光層と、第２導電形の第２の半導体層と、を含む積層体と、前記積層体の第１の主面側に形成され前記第１の半導体層に電気的に接続された第１の電極と、前記第２の半導体層と電気的に接続された第２の電極と、を有する構造体を準備する工程と、前記積層体の前記第１の主面側において、前記第１の電極と、前記第２の電極と、前記積層体と、を覆う樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層の表面を平坦化する工程と、前記基板を除去する工程と、前記基板が除去された前記積層体の第２の主面の上に、蛍光体を含む層を形成する工程と、前記第１の樹脂層の平坦化された前記表面を基準として、前記積層体を含む前記樹脂層と、前記蛍光体を含む層と、を合わせた厚さが所定の厚さになるように、前記蛍光体を含む層を加工する工程と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の上に形成された積層体であって、前記基板の上に形成された第１導電形の第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に形成された発光層と、前記発光層の上に形成された第２導電形の第２の半導体層と、を含む積層体と、前記積層体の前記第１の半導体層とは反対側の第１の主面側に形成され前記第１の半導体層に電気的に接続された第１の電極と、前記第１の主面側に形成され前記第２の半導体層と電気的に接続された第２の電極と、を有する構造体を準備する工程と、
前記積層体の前記第１の主面側において、前記第１の電極と、前記第２の電極と、前記積層体と、を覆う樹脂層を形成する工程と、
前記樹脂層の表面を平坦化する工程と、
前記基板を除去する工程と、
前記基板が除去された前記積層体の前記第１の主面とは反対側の第２の主面の上に、蛍光体を含む層を形成する工程と、
前記第１の樹脂層の平坦化された前記表面を基準として、前記積層体を含む前記樹脂層と、前記蛍光体を含む層と、を合わせた厚さが所定の厚さになるように、前記蛍光体を含む層を加工する工程と、
を備えたことを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記基板の除去後、前記積層体を含む前記樹脂層の厚さを測定する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記蛍光体を含む層を研削もしくは研磨により、前記所定の厚さに加工することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記蛍光体を含む層のショア硬さは、Ｄ５０以上であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記蛍光体を含む層を加工して、前記蛍光体を含む層に含まれる前記蛍光体の量を制御することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光装置を光源とした照明器具やディスプレイが普及しつつあり、その用途に適合した光源の特性が求められている。例えば、ディスプレイの分野では、画像の色再現性を向上させるために色度の厳密な制御が求められる。
【０００３】
一方、発光素子であるＬＥＤ（Light Emitting Diode）と、蛍光体と、を組み合わせた半導体発光素子は、多彩な発光色を実現し、低消費電力で小型化が容易なことから広い分野への応用が進められている。
【０００４】
しかしながら、色度の厳密な制御が求められる分野において、蛍光体と発光素子とを組み合わせた半導体発光装置は、必ずしも十分な色度制御を実現しているとは言えず、改良の余地を残している。そこで、発光色を厳密に制御することが可能な半導体発光装置の製造方法が必要とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１３５６９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の実施形態は、発光色を厳密に制御することが可能な半導体発光装置の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態に係る半導体発光装置の製造方法は、基板と、前記基板の上に形成された積層体であって、前記基板の上に形成された第１導電形の第１の半導体層と、前記第１の半導体層の上に形成された発光層と、前記発光層の上に形成された第２導電形の第２の半導体層と、を含む積層体と、前記積層体の前記第１の半導体層とは反対側の第１の主面側に形成され前記第１の半導体層に電気的に接続された第１の電極と、前記第１の主面側に形成され前記第２の半導体層と電気的に接続された第２の電極と、を有する構造体を準備する工程と、前記積層体の前記第１の主面側において、前記第１の電極と、前記第２の電極と、前記積層体と、を覆う樹脂層を形成する工程と、前記樹脂層の表面を平坦化する工程と、前記基板を除去する工程と、前記基板が除去された前記積層体の前記第１の主面とは反対側の第２の主面の上に、蛍光体を含む層を形成する工程と、前記第１の樹脂層の平坦化された前記表面を基準として、前記積層体を含む前記樹脂層と、前記蛍光体を含む層と、を合わせた厚さが所定の厚さになるように、前記蛍光体を含む層を加工する工程と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】一実施形態に係る半導体発光装置の構造を模式的に示す断面図である。
【図２】一実施形態に係る半導体発光装置の蛍光層の厚さと色度の関係を示すグラフである。
【図３】図２と励起波長が異なる場合の蛍光層の厚さと色度の関係を示すグラフである。
【図４】一実施形態に係る半導体発光装置の製造過程を模式的に示す断面図である。
【図５】図４に続く製造過程を示す断面図である。
【図６】図５に続く製造過程を示す断面図である。
【図７】（ａ）は、一実施形態に係る半導体発光装置の製造に用いる研削装置を示す模式図であり、（ｂ）および（ｃ）は、研削後の蛍光層を例示する写真である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。なお、以下の実施形態では、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について適宜説明する。ここでは、第１導電形をｎ形とし、第２導電形をｐ形として説明するが、これに限られる訳ではない。
【００１０】
図１は、本実施形態に係る半導体発光装置１００の構造を模式的に示す断面図である。半導体発光装置１００は、窒化物半導体を材料とする所謂白色ＬＥＤであり、青色の発光光を放出する積層体１０と、蛍光体を含む蛍光層３０とを備える。蛍光層３０は、積層体１０から放射される発光光を吸収し、波長を変換した蛍光を発する。
【００１１】
さらに、積層体１０の第１の主面１０ａの側に設けられる樹脂層２０が、積層体１０および第１の電極であるｎ側ピラー電極２５、第２電極であるｐ側ピラー電極２７を覆うように設けられる。
【００１２】
すなわち、半導体発光装置１００は、所謂ＷＬＰ（Wafer Level Packaging）構造を有しており、小型で汎用性の高い白色光源として使用することができる。次に、半導体発光装置１００の詳細な構造について説明する。
【００１３】
図１に示す積層体１０は、例えば、第１の半導体層であるｎ形ＧａＮ層３と、第２の半導体層であるｐ形ＧａＮ層７と、ｎ形ＧａＮ層３およびｐ形ＧａＮ層７の間に設けられた発光層５とを含む。発光層５は、例えば、ＧａＮ障壁層とＩｎＧａＮ井戸層で構成される量子井戸を含み、青色の発光光を放射する。
【００１４】
ｐ形ＧａＮ層７の表面（第１の主面１０ａ）には、ｐ側コンタクト電極１５が設けられる。そして、ｐ形ＧａＮ層７および発光層５をエッチングして露出させたｎ形ＧａＮ層３の表面にｎ側コンタクト電極１３が設けられる。
【００１５】
さらに、積層体１０およびｎ側コンタクト電極１３およびｐ側コンタクト電極１５を覆う絶縁層９が設けられる。そして、絶縁層９の表面、および、絶縁層９に形成されたコンタクトホール内に設けられたシード電極１７を介してｐ形ＧａＮ層７に電気的に接続されるｐ側ピラー電極２７、および、ｎ形ＧａＮ層３に電気的に接続されるｎ側ピラー電極２５が設けられる。
【００１６】
半導体発光装置１００は、ｎ形半導体層３に電気的に接続されたｎ側ピラー電極２５と、ｐ形半導体層に接続されたｐ側ピラー電極２７と、の間に供給される駆動電流により、発光層５から青色の発光光を放射する。
【００１７】
蛍光層３０は、例えば、黄色の蛍光を発する蛍光体が分散された透明樹脂層である。発光層５から放出された光は、蛍光層３０に含まれる蛍光体を励起し、黄色の蛍光を発生させる。すなわち、蛍光層３０に含まれる蛍光体は、発光層５から放射される発光光の一部を波長変換する。これにより、半導体発光装置１００は、黄色および青色の混合光を放射し白色光源として機能する。そして、青色から黄色の光に波長変換される発光光の割合は、蛍光層３０に含まれる蛍光体の量に依存する。
【００１８】
すなわち、半導体発光装置１００から放射される混合光に含まれる黄色と青色の光の割合は、蛍光層３０に含まれる蛍光体の量により変化し、結果として色度が変化する。したがって、蛍光層３０に含まれる蛍光体の量を制御することにより、半導体発光装置１００から放射される光の色度を変化させることができる。
【００１９】
図２および図３は、蛍光層３０の厚さと色度の関係を示すグラフである。横軸に蛍光層３０の膜厚、縦軸に色度を示している。ここに示す色度は、ＣＩＥ（国際照明委員会）の色度図の座標ＣｘおよびＣｙである。また、蛍光層３０の膜厚とは、第２の主面１０ｂに垂直な方向の厚さである。
【００２０】
図２（ａ）は、発光層５が放射する発光光の波長が４４３ｎｍの場合のＣｘを示し、図２（ｂ）は、Ｃｙを示している。  
図２（ａ）に示すグラフでは、蛍光層３０の膜厚が厚くなるにしたがって、Ｃｘが大きくなることが分かる。同図中に示すように、その変化率ΔＣｘは、蛍光層３０の膜厚５μｍの変化に対して０．００４である。そして、図２（ｂ）に示すＣｙも同様の変化を示し、その変化率ΔＣｙは、０．００３である。
【００２１】
一方、図３（ａ）は、発光層５の発光光の波長が４４５ｎｍの場合のＣｘを示し、図３（ｂ）は、Ｃｙを示している。この場合も、ＣｘおよびＣｙは、蛍光層３０の膜厚が増えるにしたがって大きくなり、図３（ａ）に示すΔＣｘは、０．０１３であり、図３（ｂ）に示すΔＣｙは、０．０２である。
【００２２】
図２および図３に示すデータによれば、図３（ｂ）に示すΔＣｙの変化率がもっとも大きい。そして、例えば、蛍光層３０の膜厚の変化を、±２．５μｍ以下にすれば、色度の変化を０．０２以内に制御することが可能である。
【００２３】
すなわち、蛍光層３０を所定の膜厚に対して±２．５μｍ以下となる厚さに設けることが好ましい。さらに、蛍光層３０の主面１０ｂにおける厚さのバラツキが±２．５μｍ以下となるように設けることが望ましい。このように、蛍光層３０の厚さを制御することにより、そこに含まれる蛍光体の量を変化させ色度を調整することが可能である。
【００２４】
次に、図４〜図６を参照して、半導体発光装置１００の製造過程を説明する。図４〜図６に含まれる模式図は、各製造工程におけるウェーハの部分断面を示している。
【００２５】
図４（ａ）は、ｎ形ＧａＮ層３と、ｐ形ＧａＮ層７と、ｎ形ＧａＮ層３およびｐ形ＧａＮ層７の間に設けられた発光層５と、を含む積層体１０が、その第２主面１０ｂをサファイア基板２に接して形成された構造体を示す。
【００２６】
ｎ形ＧａＮ層３および発光層５、ｐ形ＧａＮ層７は、この順に、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法を用いて、サファイア基板２の上に形成される。そして、ｐ形ＧａＮ層７の表面にはｐ側コンタクト電極１５が形成され、ｐ形ＧａＮ層７および発光層５が選択的に除去されたｎ形ＧａＮ層３の表面にｎ側コンタクト電極１３が形成される。さらに、積層体１０を個別の発光素子に分離する分離溝４１が形成される。
【００２７】
図４（ｂ）は、積層体１０およびｎ側コンタクト電極１３、ｐ側コンタクト電極１５を覆って絶縁層９が設けられた状態を示している。絶縁層９には、例えば、絶縁性樹脂であるポリイミド膜を用いる。ポリイミド膜は、スピンコート法を用いて塗布することができる。
【００２８】
続いて、図４（ｃ）に示すように、絶縁層９の表面からｎ側コンタクト電極１３およびｐ側コンタクト電極１５にそれぞれ連通するコンタクトホール１６ａおよび１６ｂを形成する。そして、コンタクトホール１６ａおよび１６ｂの内部、および、絶縁層９の表面にシード電極１７を設ける。シード電極１７は、ｎ側ピラー電極２５およびｐ側ピラー電極２７をメッキ法を用いて形成するための通電層として用いられる。シード電極１７は、例えば、スパッタ法を用いてチタン（Ｔｉ）と銅（Ｃｕ）を順に積層した金属層として形成することができる。
【００２９】
次に、図５（ａ）に示すように、シード電極１７の上にメッキマスク４３を設ける。メッキマスク４３は、例えば、レジスト膜であり、ｎ側ピラー電極２５およびｐ側ピラー電極２７が選択的に形成される開口４５および４７を有している。
【００３０】
続いて、電界メッキ法を用いて銅メッキを行い、ｎ側ピラー電極２５およびｐ側ピラー電極２７を形成する。その後、メッキマスク４３を除去し、シード電極１７を選択的にエッチングして、ｎ側ピラー電極２５とｐ側ピラー電極２７とを電気的に分離する。
【００３１】
図５（ｂ）は、ｎ側ピラー電極２５とｐ側ピラー電極２７とが形成され、さらに、絶縁層９が選択的に除去され、分離溝４９が形成された状態を示している。絶縁層９に用いられるポリイミド膜は、例えば、ドライエッチング法を用いて除去することができる。また、感光性のポリイミド膜を使用する場合には、フォトリソグラフィにより、塗布後にパターニングすることもできる。  
なお、絶縁層９に分離溝１９を形成しないで、個々の半導体発光装置１００をウェーハから切り出す際に、絶縁層９をダイサーで切断しても良い。
【００３２】
次に、図５（ｃ）に示すように、積層体１０の第１の主面１０ａの側に、ｎ側ピラー電極２５、ｐ側ピラー電極２７および積層体１０を覆う樹脂層２０を設ける。樹脂層２０には、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂を用いることができる。そして、印刷法を用いて、第１の主面１０ａの側に塗布することができる。
【００３３】
続いて、樹脂層２０を硬化させた後、例えば、研削法を用いて、その表面を平坦化する。この際、サファイア基板２と樹脂層２０とを合わせた厚さＴ１が所定の厚さとなるように、樹脂層２０の表面を研削する。
【００３４】
例えば、図７（ａ）に示す研削装置５０では、研削ステージ５３の上に固定されたウェーハ６０の表面を、ホィール砥石を付設した定盤５５を回転させて研削する。研削後のウェーハ６０の厚さは、研削ステージ５３と定盤５５との間の間隔ｄで制御され、例えば、０．１μｍ以下の精度で加工することが可能である。また、研磨法による加工でも、同様の精度で加工することができる。
【００３５】
すなわち、ウェーハ６０の厚さを、サファイア基板２と、樹脂層２０と、を合わせた厚さＴ１とすれば、その値の誤差が０．１μｍ以下となるように加工することができる。さらに、サファイア基板２の厚さは、０．５μｍ以下の誤差で加工される。したがって、樹脂層２０の研削において、Ｔ１を０．１μｍ以下の精度で制御することにより、樹脂層２０を０．５μｍ以下の厚さ精度で形成することができる。
【００３６】
次に、図６（ａ）に示すように、積層体１０の第２の主面１０ｂに接したサファイア基板２を除去する。サファイア基板２の除去には、例えば、レーザリフトオフ法を用いることができる。すなわち、サファイア基板２の側からレーザ光を照射し、ｎ形ＧａＮ層３とサファイア基板２との間の界面におけるＧａＮを分解させて、積層体１０からサファイア基板２を分離する。そして、樹脂層２０には、積層体１０およびｎ側ピラー電極２５、ｐ側ピラー電極２７が含まれる。
【００３７】
さらに、蛍光層３０の厚さを制御するために、サファイア基板２を分離した後に、樹脂層２０の厚さＴ２を直接測定しても良い。
【００３８】
続いて、図６（ｂ）に示すように、積層体１０の第２の主面１０ｂの上に蛍光層３０を形成する。蛍光層３０には、例えば、Ｓｉ、Ａｌ、ＯおよびＮを含む酸窒化物蛍光体であるサイアロンを分散することができる。サイアロンは、青色の発光光を吸収し黄色の蛍光を発する。
【００３９】
蛍光層３０に分散される蛍光体として、サイアロンの他に、例えば、ユーロピウムをドープしたストロンチウム・バリウム・シリコン酸化物（（Sr,Ba,Eu）2SiO4）を用いることもできる。この蛍光体は黄緑色の蛍光を発し、青色の発光光と組み合わせることにより、白色光とすることができる。さらに、蛍光層３０に分散される蛍光体は、１種類に限られる訳ではなく、例えば、赤および緑色の蛍光を発する２種類の蛍光体を分散しても良い。
【００４０】
蛍光層３０は、例えば、印刷法を用いて積層体１０の第２の主面１０ｂの上に形成することができる。さらに、蛍光層３０の表面を平坦に加工する。例えば、前述した研削法を用いて、蛍光層３０の表面を平坦化し、樹脂層２０と蛍光層３０とを合わせた厚さＴ３が所定の値になるように加工することができる。
【００４１】
すなわち、平坦に加工された樹脂層２０の表面側を研削ステージ５３に接触させてウェーハを固定し、蛍光層３０の表面を研削する。そして、例えば、研削ステージ５３と定盤５５との間の間隔ｄを、樹脂層２０の厚さＴ２と、蛍光層３０の所望の厚さと、を合わせた所定の値に設定し研削する。
【００４２】
これにより、厚さ精度±２．５μｍ以下で蛍光層３０を形成することができる。また、蛍光層３０のほぼ全面が、±２．５μｍ以下の平坦性を持つように加工することができる。
【００４３】
さらに、蛍光層３０に用いる樹脂のショア硬さをＤ５０以上とする。例えば、図７（ｂ）および図7（ｃ）は、ウェーハの周辺部に発生した樹脂のダレを例示する写真である。図７（ａ）は、ウェーハ全体を示し、図７（ｃ）は、ウェーハの周辺部を拡大して示している。
【００４４】
樹脂のショア硬さがＤ５０より小さいと、図７（ｃ）に示すように、定盤５５の回転方向に樹脂のダレ３３が生じる。このようなダレは、後続の製造工程において、蛍光層３０から分離して異物となり、不具合を発生させる場合がある。例えば、半導体発光装置１００をダイシングする際に、蛍光層３０の表面側と、ダイシングシートと、の間にその異物が噛み込み、ダイシング不良を生じさせる場合がある。したがって、図７（ｂ）および（ｃ）に示すようなダレを生じさせないように、蛍光層３０に用いる樹脂のショア硬さをＤ５０とすることが望ましい。
【００４５】
次に、図６（ｃ）に示すように、樹脂層２０を研削して、ｎ側ピラー電極２５およびｐ側ピラー電極２７の端を露出させる。これにより、ｎ側ピラー電極２５およびｐ側ピラー電極２７を介して、積層体１０に駆動電流を供給することができる。
【００４６】
さらに、蛍光体を含まない樹脂層３５を蛍光層３０の上に形成することができる。例えば、樹脂層３５の屈折率を蛍光層の屈折率よりも小さくすれば、発光層５の発光光および蛍光層３０の蛍光を外部に取り出す効率を向上させることができる。また、蛍光層３０の厚さが色度の仕様により制限される場合に、樹脂層３５を設けることによりパッケージの厚さを好適に調整することが可能となる。
【００４７】
本実施形態のように、成長基板の上に設けられた積層体１０を別の基板に移載する際に、例えば、シリコン基板などの剛性を有する支持基板を、ハンダ等の接合金属を介して積層体１０に接合し保持する技術が汎用されている。この場合、積層体１０と、支持基板と、の間に、接合過程における応力が残留することがある。また、サファイア基板２と窒化物半導体（ＧａＮ等）との間には、熱膨張係数の差に起因する応力も存在する。この応力は、積層体１０からサファイア基板２を除去した時に解放されるが、同時に積層体と支持基板との間の残留応力として残る場合がある。そして、これらの残留応力は、薄膜である積層体１０にクラックを生じさせたり、支持基板を湾曲させる。このため、サファイア基板２を除去した後の第２主面１０ｂの平坦性が損なわれ、その上に形成される蛍光層３０の厚さの制御が困難になる場合がある。
【００４８】
これに対し、本実施形態に係る半導体発光装置１００では、サファイア基板２が除去された後の積層体１０は、樹脂層２０によって保持される。積層体１０およびｎ側ピラー電極２５およびｐ側ピラー電極２７を含む樹脂層２０は柔軟であり応力を吸収する。したがって、積層体１０の第２の主面１０ｂの平坦性を保持することが容易となり、その上に形成される蛍光層の膜厚の制御性を向上させることができる。
【００４９】
以上、上記の実施形態によれば、ＷＬＰ構造の半導体発光装置１００の製造過程において、樹脂層２０の表面を平坦化し、その表面を基準として蛍光層３０を所定の厚さに制御することができる。さらに、蛍光層３０の表面を±２．５μｍ以内の精度で平坦化することにより、放射光の色度を厳密に制御する事が可能となる。これにより、発光光の色度の厳密な制御が求められる応用分野に適合する半導体発光装置を実現することができる。
【００５０】
さらに、上記の実施形態では、ＧａＮ系窒化物半導体を材料とするＬＥＤを例として説明したが、これらの材料に限定されるわけではなく、他の窒化物半導体を材料とする発光素子、もしくは、それ以外の材料を用いる発光素子と、蛍光体とを組み合わせた半導体発光装置に適用できることは明らかである。
【００５１】
なお、本願明細書において、「窒化物半導体」とは、ＢｘＩｎｙＡｌｚＧａ１−ｘ−ｙ−ｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）のIII−Ｖ族化合物半導体を含み、さらに、Ｖ族元素としては、Ｎ（窒素）に加えてリン（Ｐ）や砒素（Ａｓ）などを含有する混晶も含むものとする。またさらに、導電型などの各種の物性を制御するために添加される各種の元素をさらに含むもの、及び、意図せずに含まれる各種の元素をさらに含むものも、「窒化物半導体」に含まれるものとする。
【００５２】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５３】
２・・・サファイア基板、  ３・・・ｎ形ＧａＮ層、  ５・・・発光層、  ７・・・ｐ形ＧａＮ層、  ９・・・絶縁層、  １０・・・積層体、  １０ａ・・・第１の主面、  １０ｂ・・・第２の主面、  １３・・・ｎ側コンタクト電極、  １５・・・ｐ側コンタクト電極、  １６ａ、１６ｂ・・・コンタクトホール、  １７・・・シード電極、  ２０、３５・・・樹脂層、  ２５・・・ｎ側ピラー電極、  ２７・・・ｐ側ピラー電極、  ３０・・・蛍光層、  ４１、４９・・・分離溝、  ４３・・・メッキマスク、  ４５、４７・・・開口、  ５０・・・研削装置、  ５３・・・研削ステージ、  ５５・・・定盤、  ６０・・・ウェーハ、  １００・・・半導体発光装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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