(57)【要約】【課題】接続部に不具合の生じにくい構造を備えた電子部品の実装構造体を提供する。【解決手段】本発明の電子部品の実装構造体は、コアとなる樹脂の表面の長手方向に沿う複数箇所が金属からなる導電膜で覆われた構造を有するバンプ電極を備えた電子部品と、金属端子を備えた基板とを電気的に接続してなる電子部品の実装構造体であって、樹脂の金属端子と対応する位置に、金属端子の幅以上の幅を有して樹脂の長手方向と交差する方向に延びる溝部が形成され、溝部の少なくとも底面に導電膜が形成されていることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コアとなる樹脂の表面の長手方向に沿う複数箇所が金属からなる導電膜で覆われた構造を有するバンプ電極を備えた電子部品と、金属端子を備えた基板とを電気的に接続してなる電子部品の実装構造体であって、
前記樹脂の前記金属端子と対応する位置に、前記金属端子の幅以上の幅を有して前記長手方向と交差する方向に延びる溝部が形成され、前記溝部の少なくとも底面に前記導電膜が形成されていることを特徴とする電子部品の実装構造体。
【請求項２】
前記溝部の深さが、前記金属端子の高さとほぼ一致していることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の実装構造体。
【請求項３】
前記溝部の側壁上に前記導電膜が形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品の実装構造体。
【請求項４】
前記溝部の側壁が、前記電子部品と前記基板とが対向する方向に対して傾斜した傾斜面であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電子部品の実装構造体。
【請求項５】
前記溝部の幅が、前記金属端子の幅よりも大きいことを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の電子部品の実装構造体。
【請求項６】
コアとなる樹脂の表面の長手方向に沿う複数箇所が金属からなる導電膜で覆われた構造を有するバンプ電極を備えた電子部品と、金属端子を備えた基板とを電気的に接続する電子部品の実装方法であって、
前記樹脂の前記金属端子と対応する位置に、前記金属端子の幅以上の幅を有して前記長手方向と交差する方向に延びる溝部が形成され、前記溝部の少なくとも底面に前記導電膜が形成されている前記電子部品を用い、
前記基板の前記金属端子が形成された面と、前記電子部品の前記バンプ電極が形成された面とを対向させた状態で前記電子部品を前記基板に押圧し、前記金属端子を前記溝部に挿入させることで、前記金属端子の先端面を前記溝部の底面に形成された前記導電膜に接触させるとともに、前記溝部が形成されていない部位の前記樹脂又は前記導電膜を前記基板の面に当接させ、前記金属端子と前記バンプ電極とを接続することを特徴とする電子部品の実装方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の実装構造体、及び電子部品の実装方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ドライバーＩＣ等の電子部品をフレキシブル基板上に実装する、いわゆるＣＯＦ(Chip On FPC)構造と称される実装構造が知られている。
このような実装構造に用いられるフレキシブル基板には、配線パターンに接続するＡｕ、Ｓｎ等の金属からなるランド（端子）が形成されている。一方、電子部品の表面には、絶縁膜を介してランドと電気的接続を得るためのバンプ電極が形成され、このバンプ電極は、絶縁膜上に露出した電極に導通されることで電子部品の電極としての機能を有する。
バンプ電極としては、コアとなる凸条形状の樹脂の表面がＡｕまたはＡｕ合金からなる導電膜で覆われた構造の樹脂コアバンプが多く用いられている。そして、このランドにバンプ電極を接続させた状態で、フレキシブル基板上に電子部品を実装することにより、電子部品の実装構造体が形成されている（例えば、特許文献１等参照）。
【０００３】
上記の電子部品の実装構造体においては、フレキシブル基板上に電子部品がより強固にかつ確実に接続していることが望まれている。特に、ランドやバンプ電極がそれぞれ複数ずつあり、複数のランド−バンプ電極間をそれぞれ接続させる場合には、全てのランド−バンプ電極間が良好に接続していることが、信頼性を確保するうえで重要となっている。
この実装構造体のバンプ電極は、コアとなる樹脂の表面が導電膜で覆われた構造であるから、従来のＡｕ等の金属からなるバンプと比べて狭ピッチ化が可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−０４９２２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１記載の電子部品の実装構造体では、バンプ電極（樹脂コア）を変形させて基板との接続を行うが、樹脂コア上に形成された導電膜が薄すぎたり、バンプ電極の変形度が大きすぎると、バンプ電極の導電膜にクラックが生じやすくなるため、実装条件の設定が難しくなる場合があった。
【０００６】
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、接続部に不具合の生じにくい構造を備えた電子部品の実装構造体を提供することを目的の一つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電子部品の実装構造体は、コアとなる樹脂の表面の長手方向に沿う複数箇所が金属からなる導電膜で覆われた構造を有するバンプ電極を備えた電子部品と、金属端子を備えた基板とを電気的に接続してなる電子部品の実装構造体であって、前記樹脂の前記金属端子と対応する位置に、前記金属端子の幅以上の幅を有して前記長手方向と交差する方向に延びる溝部が形成され、前記溝部の少なくとも底面に前記導電膜が形成されていることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、バンプ電極に形成された溝部に金属端子を嵌め込むようにして実装する構造を採用したことで、金属端子と接続される部位の樹脂及び導電膜の変形量を少なくすることができる。また、樹脂に溝部が形成されていることで、溝部が形成されていない部位は必然的に実装対象の基板側へ突出することになり、実装時に基板の表面に突き当てられて緩衝層となる。かかる作用により、溝部の底壁に作用する金属端子の圧力を低減することができる。これらにより、導電膜にクラックが生じるのを抑制することができ、接続部に不具合の生じにくい実装構造体となる。
【０００９】
前記溝部の深さが、前記金属端子の高さとほぼ一致している構成としてもよい。
このような構成とすることで、樹脂及び導電膜の変形量を抑えつつ、導電膜と金属端子とを接続させることができる。
【００１０】
前記溝部の側壁上に前記導電膜が形成されている構成としてもよい。
このような構成とすることで、金属端子と導電膜との接触面積を増大させることができるので、低抵抗かつ信頼性に優れた接続構造を得やすくなる。
【００１１】
前記溝部の側壁が、前記電子部品と前記基板とが対向する方向に対して傾斜した傾斜面である構成としてもよい。
このような構成とすることで、上記側壁への導電膜の形成が容易になる。
【００１２】
前記溝部の幅が、前記金属端子の幅よりも大きい構成としてもよい。
このような構成とすることで、溝部と金属端子との嵌め合いに関する位置合わせが容易になる。
【００１３】
本発明の電子部品の実装方法は、コアとなる樹脂の表面の長手方向に沿う複数箇所が金属からなる導電膜で覆われた構造を有するバンプ電極を備えた電子部品と、金属端子を備えた基板とを電気的に接続する電子部品の実装方法であって、前記樹脂の前記金属端子と対応する位置に、前記金属端子の幅以上の幅を有して前記長手方向と交差する方向に延びる溝部が形成され、前記溝部の少なくとも底面に前記導電膜が形成されている前記電子部品を用い、前記基板の前記金属端子が形成された面と、前記電子部品の前記バンプ電極が形成された面とを対向させた状態で前記電子部品を前記基板に押圧し、前記金属端子を前記溝部に挿入させることで、前記金属端子の先端面を前記溝部の底面に形成された前記導電膜に接触させるとともに、前記溝部が形成されていない部位の前記樹脂又は前記導電膜を前記基板の面に当接させ、前記金属端子と前記バンプ電極とを接続することを特徴とする。
【００１４】
この実装方法によれば、バンプ電極に形成された溝部に金属端子を嵌め込むようにして実装するので、金属端子と接続される部位の樹脂及び導電膜の変形量を少なくすることができる。また、溝部が形成されていない部位の樹脂を、実装時に基板の表面に突き当てて緩衝層とするので、溝部の底壁に作用する金属端子の圧力を低減することができる。これらにより、導電膜にクラックが生じるのを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施形態に係る電子部品の実装構造体を示す側面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う断面図。
【図３】電子部品及びフレキシブル基板を示す図。
【図４】実装工程の説明図。
【図５】実施形態の変形例を示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を用いて本発明の実施の形態について説明する。
なお、本発明の範囲は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の図面においては、各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等を異ならせる場合がある。
【００１７】
図１は、本発明の一実施形態である、電子部品と可撓性基板との実装構造体を示す側面図である。図２は、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。図３は、電子部品及びフレキシブル基板を示す図である。
【００１８】
実装構造体１０は、図１及び図２に示すように、フレキシブル基板（可撓性基板）２と電子部品４とを、封止樹脂層３により接着固定することで一体化した構成を備えている。
【００１９】
フレキシブル基板２は、プラスチックフィルム基板等の可撓性を有する基板１１と、基板１１上に配線パターンに導通してその一部を構成する複数の金属端子１２と、を備えている。
なお、基板１１は、ガラス基板やプリント基板、半導体基板などの可撓性を有しない基板であってもよい。
【００２０】
金属端子１２は、Ａｕ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｃｕ等の単体金属や、Ａｕ合金、Ｓｎ合金、Ａｌ合金、Ｃｕ合金等の合金により形成されたストライプ状の金属膜により形成されている。金属端子１２は数μｍ程度の厚い金属膜からなり、その横断面（幅方向の断面）の形状は、略台形状である。
【００２１】
封止樹脂層３は、本実施形態の場合、接着剤としての機能及び封止材としての機能を兼ね備えるものである。封止樹脂層３はフレキシブル基板２と電子部品４との導電接触部分の周囲を覆うように充填され、硬化されることにより形成される。
封止樹脂層３を構成する樹脂は、封止機能と接着機能を備えた樹脂であればよく、樹脂の種類は特に制限されず、絶縁特性、取り扱いの容易性等を勘案して好適な樹脂系接着剤を選択すればよい。具体的には、エポキシ樹脂系の接着剤等を挙げることができる。
【００２２】
電子部品４は、ドライバーＩＣ等の半導体素子（図示略）が内蔵された絶縁材料からなるパッケージ２１と、パッケージ２１の能動面２１ａに形成された絶縁膜２２と、絶縁膜２２上に突設されるとともに上記半導体素子と導通するバンプ電極２３と、を備えている。
【００２３】
なお、本実施形態では能動面２１ａ上にバンプ電極２３が形成された電子部品４を例示しているが、能動面２１ａと反対側の面にバンプ電極２３が形成された構成であってもよい。またバンプ電極２３が、半導体素子ではなくパッケージ上に併設されたキャパシタやインダクタなどの受動素子に接続されている構成であってもよい。
【００２４】
バンプ電極２３は、図２及び図３に示すように、絶縁膜２２上に形成された断面略半円状の凸条である樹脂２４と、樹脂２４の外周面に所定間隔で形成された複数の溝部２４ａと、溝部２４ａの形成位置に対応して樹脂２４の外周面に形成された複数の帯状の導電膜２５と、を備えている。バンプ電極２３は、樹脂２４をコアとし、その表面に形成された導電膜２５を電極とする樹脂コアバンプである。
【００２５】
樹脂２４は、絶縁性を有する感光性樹脂や熱硬化性樹脂からなるもので、具体的には、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。樹脂２４は、公知のリソグラフィ技術やエッチング技術により断面半円状の凸条に形成されている。
なお、樹脂の材質（硬度）や形状については、フレキシブル基板２の金属端子１２の形状や大きさ等により適宜、選択・設計される。例えば、樹脂２４は、断面半楕円状、断面略台形状の凸条であってもよい。
【００２６】
溝部２４ａは、樹脂２４の長手方向（延在方向）と交差する方向に延びる溝として樹脂２４の表面に形成されている。したがって、溝部２４ａは、樹脂２４の長手方向において対向する側壁１２１及び側壁１２２と、それらの側壁の間に形成された底壁（底面）１２３と、を有する。本実施形態の場合、樹脂２４が断面半円状の凸条であるから、側壁１２１、１２２は扇形状の面であり、底壁１２３は矩形状の面である。さらに、底壁１２３は、絶縁膜２２とほぼ平行な平坦面に形成されている。
【００２７】
なお、溝部２４ａの延在方向は、溝部２４ａに嵌め込まれる金属端子１２の延在方向に合わせて設定されるものであり、樹脂２４の幅方向（長手方向と直行する方向）に限定されるものではない。したがって、複数の金属端子１２においてそれらの延在方向が互いに異なる場合には、それらに対応する溝部２４ａの延在方向も金属端子１２に合わせて互いに異なる方向となる。
【００２８】
本実施形態において、導電膜２５は、溝部２４ａの内壁面と、溝部２４ａの周囲の樹脂２４の外周面とに形成されるとともに、樹脂２４の幅方向（樹脂２４の長手方向と交差する方向）の両側へ延びている。そして、導電膜２５は、絶縁膜２２に形成された図示略のコンタクトホールを介して、能動面２１ａの半導体素子等と電気的に接続されている。したがって導電膜２５は、電子部品４の外部接続端子として機能する。また複数の導電膜２５は樹脂２４の長手方向に沿って間隔を空けて設けられており、各々の導電膜２５が能動面２１ａに形成された半導体素子の端子に接続されている。
【００２９】
導電膜２５は、金属又は合金により構成され、例えば、Ａｕ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｗ、Ａｌ、Ｐｄ、及びそれらの合金（例えば、ＴｉＷ、ＮｉＶ等）を用いることができる。また場合によっては、鉛フリーはんだ等により形成してもよい。導電膜２５は、単層の金属からなるものとしてもよく、複数の金属膜を積層した積層膜としてもよい。
【００３０】
導電膜２５の形成方法は特に限定されず、スパッタ法等の公知の成膜法で成膜し、その後帯状にパターニングしたものであってもよく、無電解メッキにより選択的に形成したものであってもよい。また、スパッタ法や無電解メッキにより下地膜を形成し、その後電解メッキにより下地膜上に上層膜を形成し、これら下地膜と上層膜とからなる積層膜により導電膜２５を形成してもよい。
導電膜２５を構成する金属あるいは合金の種類、層構造、形成方法、膜厚、幅等については、上述した樹脂２４と同様に、フレキシブル基板２の金属端子１２の形状や大きさ等により適宜、選択・設計される。
【００３１】
上記構成を備えた電子部品４とフレキシブル基板２との接続構造は、図２に示すように、バンプ電極２３の溝部２４ａにフレキシブル基板２の金属端子１２が嵌め込まれ、金属端子１２の上面及び２つの側面に、溝部２４ａ内に形成された導電膜２５が当接している。かかる構造により、導電膜２５と金属端子１２とが電気的に接続されている。
【００３２】
なお、金属端子１２及び導電膜２５の少なくとも一方がＡｕからなり、他方がＡｕ又はＳｎからなるものである場合には、Ａｕ接合又はＡｕＳｎ接合により簡便に低抵抗の接合部を形成することができる。
【００３３】
一方、バンプ電極２３の溝部２４ａが形成されていない部位は、フレキシブル基板２の表面に突き当てられた状態で、パッケージ２１とフレキシブル基板２との間に充填された樹脂接着剤からなる封止樹脂層３により接着固定されている。これは、後述する実装工程において、上記の溝部２４ａが形成されていない部位が、押圧時の緩衝層として使用されるためである。
【００３４】
次に、本実施形態の電子部品の実装方法について、図３及び図４に基づき説明する。
図４は、実装工程の説明図である。
【００３５】
まず、フレキシブル基板２と、電子部品４とを用意する。
電子部品４は、図３（ａ）及び図４（ａ）に示すように、断面半円状の凸条である樹脂２４の上面に開口する複数の溝部２４ａが形成されており、かかる溝部２４ａの形成位置に対応して帯状の導電膜２５が形成されたものである。本実施形態の場合、従来のバンプ電極とは異なり、樹脂２４は、実装前から溝部２４ａの部分が凹んだ形状である。
【００３６】
樹脂２４の溝部２４ａは、エキシマレーザー等によるレーザー加工、ワイヤーソーなどを用いた切削加工、型材を用いたスタンプ加工などにより形成することができる。図４（ａ）に示すように、溝部２４ａの幅Ｗ１は、対応する金属端子１２の幅Ｗ２とほぼ同等に形成され、溝部２４ａの深さＤは、対応する金属端子１２の高さＨとほぼ同等に形成される。幅Ｗ１と幅Ｗ２の大小関係はいずれが大きくても構わないが、導電膜２５の変形量を少なくするためには幅Ｗ１を幅Ｗ２よりも大きくした方がよい。また、深さＤと高さＨの大小関係もいずれが大きくても構わないが、導電接続の確実性の点から、溝部２４ａの深さＤを金属端子１２の高さＨよりも小さくする方がよい。
導電膜２５は溝部２４ａを形成した後、金属膜を成膜し、これをパターニングすることにより形成することができる。
【００３７】
フレキシブル基板２は、図３（ｂ）及び図４（ａ）に示すように、基板１１上に、先端に金属端子１２を有する複数の配線が形成された構成を備えている。図３（ｃ）に示すように、基板１１の辺縁から基板中央部へ向かって延びる配線が互いに対向して配置された領域が、電子部品４の実装領域１１Ａである。
【００３８】
電子部品４及びフレキシブル基板２を用意したならば、図３（ｃ）及び図４（ａ）に示すように、電子部品４のバンプ電極２３が形成された面と、フレキシブル基板２の金属端子１２が形成された面とを対向させて配置する。このとき、図４（ａ）に示すように、バンプ電極２３の溝部２４ａが、フレキシブル基板２の金属端子１２に対して位置合わせされる。
【００３９】
その後、図４（ｂ）に示すように、図示略の加圧加熱工具に保持した電子部品４を降下させてフレキシブル基板２に密着させる。これにより、金属端子１２がバンプ電極２３の溝部２４ａに嵌め込まれるとともに、溝部２４ａが形成されていない部位の樹脂２４ないし導電膜２５がフレキシブル基板２の表面に突き当てられる。
【００４０】
本実施形態では、溝部２４ａの深さＤと金属端子１２の高さＨとがほぼ同等であるため、溝部２４ａに嵌め込まれた金属端子１２の上面が溝部２４ａの底壁に形成された導電膜２５に当接される。また本実施形態では、溝部２４ａの幅Ｗ１と金属端子１２の幅Ｗ２とがほぼ同等であるため、金属端子１２の側面が溝部２４ａの側壁に形成された導電膜２５に当接される。
【００４１】
そして、上記のように導電膜２５と金属端子１２とが当接した状態で、加圧加熱されることにより、導電膜２５と金属端子１２とが接合され、電子部品４とフレキシブル基板２とが電気的に接続される。
【００４２】
ここで、上記の加圧加熱に際して、金属端子１２がほぼ同等の寸法の溝部２４ａに嵌め込まれているため、金属端子１２は樹脂２４にあまり押し込まれず、導電膜２５もほとんど変形しない。従来の溝部２４ａを有しないバンプ電極と比較すると、本実施形態に係るバンプ電極２３では、溝部２４ａの深さＤの分だけ実装時の樹脂２４の変形量が小さくなる。
さらに、本実施形態では、溝部２４ａが形成されていない部位の樹脂２４又は導電膜２５がフレキシブル基板２に突き当てられているため、この突き当てられた部位の樹脂２４が加圧時の応力を一部吸収する緩衝層として機能し、導電膜２５の変形がさらに抑制される。
以上により、金属端子１２と導電膜２５との接続部位及びその近傍において、導電膜２５の変形が抑制され、導電膜２５におけるクラック発生を効果的に抑制することができる。
【００４３】
その後、電子部品４とフレキシブル基板２との隙間に、ディスペンサーなどを用いて樹脂系接着剤を充填し、これを硬化させることで、電子部品４とフレキシブル基板２とを接着固定するとともに両者の接続部を封止する封止樹脂層３を形成することができる。
【００４４】
以上の工程により、電子部品４のバンプ電極２３の導電膜２５がフレキシブル基板２の金属端子１２に電気的に接続され、かつ、電子部品４がフレキシブル基板２上に封止樹脂層３により接着固定された実装構造体１０を作製することができる。
【００４５】
以上、詳細に説明したように、本実施形態の実装構造体では、バンプ電極２３に形成された溝部２４ａに金属端子１２を嵌め込むようにして実装する構造を採用したことで、金属端子１２と接続される部位の樹脂２４及び導電膜２５の変形量を少なくすることができる。また、樹脂２４に溝部２４ａが形成されていることで、溝部２４ａが形成されていない部位は必然的にフレキシブル基板２側へ突出することになり、実装時にフレキシブル基板２の表面に突き当てられて緩衝層となる。かかる作用により、溝部２４ａの底壁１２３に作用する金属端子１２の圧力を低減することができる。
これらにより、導電膜２５にクラックが生じるのを抑制することができ、接続部に不具合の生じにくい実装構造体となる。
【００４６】
また本実施形態の電子部品の実装方法によれば、バンプ電極２３の導電膜２５の変形を防止しつつ導電膜２５と金属端子１２とを接続させることができ、導電膜２５にクラックを生じさせることなく電子部品４をフレキシブル基板２に実装することができる。
【００４７】
なお、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において適宜変更することができる。以下、図５を参照しつつ実施形態の変形例について説明する。
【００４８】
上記実施形態では、樹脂２４に形成された溝部２４ａの側壁と、金属端子１２の側面がいずれも傾斜面である場合について説明したが、図５（ａ）に示すように、溝部２４ａ、金属端子１２とが断面矩形状である構成としてもよい。このような構成とすれば、溝部２４ａ及び金属端子１２の平面領域を比較的小さくできるため、高密度に配置された導電膜２５と金属端子１２とを接続する構造として好適である。
【００４９】
ただし、図示のように、溝部２４ａの側壁を樹脂２４の表面に対して垂直な面とすると、スパッタ法などを用いて導電膜２５を形成した場合に、溝部２４ａの側壁上における膜の付き回りが悪くなり、側壁上の導電膜２５ｓは他の部位よりも薄い膜となりやすい。
これに対して、先の実施形態のように溝部２４ａの側壁を傾斜面としておくと、膜の付き周りが良好なものとなり、溝部２４ａの内壁全体に均一に導電膜２５を形成することができる。
【００５０】
また、溝部２４ａの側壁と金属端子１２の側面がいずれも傾斜面であれば、電子部品４をフレキシブル基板２とを押圧したときに、溝部２４ａの側壁と金属端子１２の側面とを容易に当接させることができるため、導電膜２５と金属端子１２との接触面積が増大し、低抵抗で信頼性に優れた接続構造を形成しやすくなる。
【００５１】
また上記実施形態では、溝部２４ａの幅を、金属端子１２の幅Ｗ２と同等としたが、図５（ｂ）に示すように、溝部２４ａを、金属端子１２の幅Ｗ２よりも大きい幅Ｗ３を有するものとして形成してもよい。この場合に、溝部２４ａを広げた分だけ導電膜２５を大きくしているため、電子部品４上における導電膜２５の配置密度が低くなるが、溝部２４ａと金属端子１２との位置合わせの許容範囲が大幅に広がるため、電子部品４の実装が容易になる。
【００５２】
また、図５（ｃ）に示すように、導電膜２５を溝部２４ａよりも狭い幅に形成することもできる。この場合、溝部２４ａの幅を広げることができるため、導電膜２５の幅が同じであっても、溝部２４ａと金属端子１２との嵌め合いの位置合わせは容易になる。ただし、導電膜２５の幅を広げない場合、図示のように溝部２４ａに導電膜２５を形成しない構成となることもあり、導電膜２５と金属端子１２との接合面積が小さくなりやすい。
【符号の説明】
【００５３】
４…電子部品、Ｄ…深さ、Ｈ…高さ、１０…実装構造体、１１…基板、１２…金属端子、２３…バンプ電極、２４…樹脂、２４ａ…溝部、２５，２５ｓ…導電膜、Ｗ１，Ｗ２，Ｗ３…幅、１２１，１２２…側壁、１２３…底壁（底面）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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