(57)【要約】【課題】製造プロセスを簡素化することができ、かつ、半導体レーザ素子が劣化するのを抑制することが可能な半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】この半導体レーザ装置１００は、青紫色半導体レーザ素子２０と、青紫色半導体レーザ素子２０を封止するパッケージ４５とを備える。パッケージ４５は、ベース部１０と、キャップ部３０とを含む。ベース部１０は、外周面１０ｋにおねじ部１５を有し、キャップ部３０は、内周面３０ｃにめねじ部１６を有し、おねじ部１５とめねじ部１６との部分でベース部１０とキャップ部３０とが嵌合する。【選択図】図２
2012015223.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザ素子と、
前記半導体レーザ素子を封止するパッケージとを備え、
前記パッケージは、前記半導体レーザ素子が取り付けられるベース部と、前記半導体レーザ素子を覆う樹脂からなるキャップ部とを含み、
前記ベース部は、外周面に第１嵌合部を有し、
前記キャップ部は、内周面に第２嵌合部を有し、
前記第１嵌合部と前記第２嵌合部とが嵌合されている、半導体レーザ装置。
【請求項２】
前記ベース部または前記キャップ部のいずれか一方の弾性率は、他方の弾性率よりも小さく、
前記第１嵌合部および前記第２嵌合部の少なくとも一方は、弾性変形している、請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
前記第１嵌合部および前記第２嵌合部の少なくとも一方には、凹部および凸部の少なくとも一方が形成されている、請求項１または２に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
前記第１嵌合部および前記第２嵌合部には、ねじ構造が形成されている、請求項３に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
前記ベース部は、ポリフェニレンサルフィド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリブチレンテレフタラート樹脂、液晶ポリマ、または、エポキシ系樹脂のいずれかからなる、請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
前記キャップ部は、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、エチレンビニルアルコール系樹脂、または、シリコン樹脂のいずれかからなる、請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
前記第１嵌合部および前記第２嵌合部の後方に接続される放熱部をさらに備え、
前記放熱部は、前記ベース部の外周面よりも外側に延びる、請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体レーザ装置。
【請求項８】
半導体レーザ素子と、前記半導体レーザ素子を封止するパッケージとを含む半導体レーザ装置と、
前記半導体レーザ装置の出射光を制御する光学系とを備え、
前記パッケージは、前記半導体レーザ素子が取り付けられるベース部と、前記半導体レーザ素子を覆う樹脂からなるキャップ部とを有し、
前記ベース部は、外周面に第１嵌合部を有し、
前記キャップ部は、内周面に第２嵌合部を有し、
前記第１嵌合部と前記第２嵌合部とが嵌合されている、光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ装置および光装置に関し、特に、半導体レーザ素子を封止するパッケージを備えた半導体レーザ装置および光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体レーザ素子は、光ディスクシステムや光通信システムなどの光源として広く用いられている。たとえば、約７８０ｎｍの波長のレーザ光を出射する赤外半導体レーザ素子は、ＣＤの再生用の光源として実用化されているとともに、約６５０ｎｍの波長のレーザ光を出射する赤色半導体レーザ素子は、ＤＶＤの記録・再生用の光源として実用化されている。また、約４０５ｎｍの波長のレーザ光を出射する青紫色半導体レーザ素子は、ブルーレイディスクの光源として実用化されている。
【０００３】
このような光源装置を実現するために、従来、半導体レーザ素子を封止するパッケージを備えた半導体レーザ装置が知られている（たとえば、特許文献１および２参照）。
【０００４】
上記特許文献１には、フランジ面が形成された樹脂成型品からなるヘッダと、ヘッダに取り付けられた半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子の周囲を覆う樹脂製の透明キャップとを備えた半導体レーザのプラスチックモールド装置が開示されている。また、このプラスチックモールド装置では、透明キャップの開口端部をエポキシ樹脂系材料を含有する接着剤を介してヘッダのフランジ面に接合することにより、半導体レーザ素子が気密封止されている。
【０００５】
また、上記特許文献２には、円柱状のステムと、ステム上に取り付けられた半導体レーザ素子と、ステムとともに半導体レーザ素子の周囲を覆うキャップとを備えた半導体装置が開示されている。この半導体装置では、ステム全体がキャップ内に挿入された状態でキャップの開口部分に封止剤を塗布（充填）することにより、パッケージが封止されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平９−２０５２５１号公報
【特許文献２】特開２００９−１４１１５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１および２に開示された半導体装置では、接着剤または封止剤により封止を行っているので、製造プロセスが増加するという問題点がある。また、上記した接着剤または封止剤が、特に硬化前の状態において、有機ガスなどの揮発性のガス成分を多く含んでいる場合には、接合後には上記揮発性のガスがパッケージ内に充満する虞がある。この場合、特に青紫色半導体レーザ素子が封止されている場合には、揮発性のガスが発振波長が短く高エネルギーのレーザ光により励起・分解されることに起因して、半導体レーザ素子のレーザ出射端面に付着物が形成されやすい。この場合、付着物によってレーザ光が吸収されるので、レーザ出射端面の温度が上昇しやすい。その結果、半導体レーザ素子が劣化するという問題点がある。
【０００８】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の１つの目的は、製造プロセスを簡素化することができ、かつ、半導体レーザ素子が劣化することを抑制することが可能な半導体レーザ装置および光装置を提供することである。
【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００９】
上記目的を達成するために、この発明の第１の局面による半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子を封止するパッケージとを備え、パッケージは、半導体レーザ素子が取り付けられるベース部と、半導体レーザ素子を覆う樹脂からなるキャップ部とを含み、ベース部は、外周面に第１嵌合部を有し、キャップ部は、内周面に第２嵌合部を有し、第１嵌合部と第２嵌合部とが嵌合されている。なお、本発明における「嵌合部」とは、ベース部とキャップ部とが嵌合する際の、ベース部の外周面とキャップ部の内周面とが互いに接触（密着）する部分を含む広い概念である。
【００１０】
この発明の第１の局面による半導体レーザ装置では、上記のように、第１嵌合部と第２嵌合部とを嵌合することにより、嵌合部においてベース部とキャップ部とを容易に密着させることができるので、パッケージ内部を容易に封止することができる。これにより、パッケージ内部の半導体レーザ素子が劣化することを抑制することができる。また、第１嵌合部と第２嵌合部とを嵌合することによりパッケージを封止しているので、封止剤などを別途使用する必要がない。その結果、製造プロセスを簡素化することができる。
【００１１】
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、ベース部またはキャップ部のいずれか一方の弾性率は、他方の弾性率よりも小さく、第１嵌合部および第２嵌合部の少なくとも一方は、弾性変形している。このように構成すれば、ベース部とキャップ部との嵌合部では、相対的に弾性率が小さい方の部材が相対的に弾性率が大きい方の部材の形状に合わせて変形（伸縮）した状態となる。これにより、嵌合部におけるベース部とキャップ部との密着性を向上させながら、ベース部とキャップ部とを容易に嵌め合わせることができる。
【００１２】
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第１嵌合部および第２嵌合部の少なくとも一方には、凹部および凸部の少なくとも一方が形成されている。このように構成すれば、少なくとも一方の部材に設けられた凸部の表面を、嵌合部における他方の部材の表面に適切な押圧力を有して確実に当接させることができる。これにより、パッケージ内部の気密封止をより確実に行うことができる。
【００１３】
この場合、好ましくは、第１嵌合部および第２嵌合部には、ねじ構造が形成されている。このように構成すれば、ベース部またはキャップ部の一方に設けられたねじ山（複数の凸部）の表面を、嵌合部における他方の部材の表面に設けられたねじ山の表面（谷底部）に連続的に当接させることができる。これにより、パッケージ内部の気密封止をより確実に行うことができる。
【００１４】
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、ベース部は、ポリフェニレンサルフィド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリブチレンテレフタラート樹脂、液晶ポリマ、または、エポキシ系樹脂のいずれかからなる。このように構成すれば、耐熱性および耐侯性に優れ、かつ、金型成形性に優れたベース部を形成することができる。また、製造プロセスにおいて適切な熱処理を行うことで、樹脂中に含有する揮発性ガスを容易に除去することができる。これにより、ベース部からの揮発性ガスの発生を抑制することができる。
【００１５】
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、キャップ部は、フッ素系樹脂、エポキシ系樹脂、エチレンビニルアルコール系樹脂、または、シリコン樹脂のいずれかからなる。このように構成すれば、耐熱性および耐侯性に優れ、かつ、伸縮性（可撓性）に優れたキャップ部を形成することができる。また、製造プロセスにおいて適切な熱処理を行うことで、樹脂中に含有する揮発性ガスを容易に除去することができる。これにより、キャップ部からの揮発性ガスの発生を抑制することができる。
【００１６】
上記第１の局面による半導体レーザ装置において、好ましくは、第１嵌合部および第２嵌合部の後方に接続される放熱部をさらに備え、放熱部は、ベース部の外周面よりも外側に延びる。このように構成すれば、ベース部の後方に放熱部が接続されるので、ベース部の前方側に放熱部と干渉することなくキャップ部を取り付けることができる。また、パッケージ内に封止された半導体レーザ素子が発する熱を、放熱部を介して効率よく放熱することができる。
【００１７】
この発明の第２の局面による光装置は、半導体レーザ素子と、半導体レーザ素子を封止するパッケージとを含む半導体レーザ装置と、半導体レーザ装置の出射光を制御する光学系とを備え、パッケージは、半導体レーザ素子が取り付けられるベース部と、半導体レーザ素子を覆う樹脂からなるキャップ部とを有し、ベース部は、外周面に第１嵌合部を有し、キャップ部は、内周面に第２嵌合部を有し、第１嵌合部と第２嵌合部とが嵌合されている。
【００１８】
この発明の第２の局面による光装置では、上記のように、第１嵌合部と第２嵌合部とを嵌合することにより、嵌合部においてベース部とキャップ部とを容易に密着させることができるので、パッケージ内部を容易に封止することができる。これにより、半導体レーザ素子が劣化しにくく、長時間の使用にも耐え得る信頼性の高い光装置を得ることができる。また、第１嵌合部と第２嵌合部とを嵌合することによりパッケージを封止しているので、封止剤などを別途使用する必要がない。その結果、製造プロセスが簡素化された半導体レーザ装置を用いて光装置を構成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置のキャップ部とベース部とが分離された状態を示した分解斜視図である。
【図２】本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための上面図である。
【図４】本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置の製造プロセスを説明するための上面図である。
【図５】本発明の第１実施形態の第１変形例による半導体レーザ装置の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態の第２変形例による半導体レーザ装置の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。
【図７】本発明の第１実施形態の第３変形例による半導体レーザ装置の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。
【図８】本発明の第１実施形態の第４変形例による半導体レーザ装置の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。
【図９】本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。
【図１０】本発明の第２実施形態の変形例による半導体レーザ装置の幅方向の中心線に沿った縦断面図である。
【図１１】本発明の第３実施形態による３波長半導体レーザ装置のキャップ部を外した状態を示した上面図である。
【図１２】本発明の第３実施形態による３波長半導体レーザ装置を備えた光ピックアップ装置の構成を示した概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００２１】
（第１実施形態）
まず、図１および図２を参照して、本発明の第１実施形態による半導体レーザ装置１００の構造について説明する。
【００２２】
半導体レーザ装置１００は、約４０５ｎｍの発振波長を有する青紫色半導体レーザ素子２０と、青紫色半導体レーザ素子２０を封止するパッケージ４５とを備えている。パッケージ４５は、青紫色半導体レーザ素子２０が取り付けられるベース部１０と、ベース部１０に取り付けられ、青紫色半導体レーザ素子２０を覆うキャップ部３０とを有している。なお、青紫色半導体レーザ素子２０は、本発明の「半導体レーザ素子」の一例である。
【００２３】
ベース部１０は、硬化時に約１３〜１５ＧＰａの弾性率を有するポリフェニレンサルフィド樹脂（ＰＰＳ）により形成されており、外径Ｄ１を有する略円柱状のヘッダ部１０ａと、ヘッダ部１０ａの前面１０ｃの下側約半分が前方（レーザ光出射方向（Ａ１方向））に延びる台座部１０ｂとを有する。また、台座部１０ｂの上面（Ｃ２側）には、所定の深さを有する凹部１０ｄが形成されている。凹部１０ｄは、台座部１０ｂの前側（Ａ１側）に設けられた開口部１０ｆを除く壁部１０ｅと、前面１０ｃの一部とにより囲まれた領域内に底面１０ｊを有して形成されている。
【００２４】
キャップ部３０は、硬化時に約４〜４０ＭＰａの弾性率を有するシリコン樹脂により形成されており、内径Ｄ２および外径Ｄ３を有する略円筒状に形成された側壁部３０ａと、側壁部３０ａの一方側（Ａ１側）を塞ぐ底面部３０ｂとを有する。側壁部３０ａは、約０．５ｍｍの厚み（肉厚）ｔ１を有するとともに、底面部３０ｂは、厚みｔ１よりも若干大きな厚みｔ２（ｔ２≧ｔ１）を有する。また、キャップ部３０は、透光性を有している。また、キャップ部３０の側壁部３０ａおよび底面部３０ｂの外表面３０ｄ上には、約０．１μｍの厚みを有するＳｉＯ２からなるガスバリア層３３が連続して形成されている。
【００２５】
また、キャップ部３０の内径Ｄ２がヘッダ部１０ａの外径Ｄ１よりも若干小さい。これにより、半導体レーザ装置１００では、図２の状態において、ベース部１０とキャップ部３０とが周状に嵌合されており、パッケージ４５内に青紫色半導体レーザ素子２０が気密封止されている。なお、ベース部１０とキャップ部３０との嵌合部におけるヘッダ部１０ａの外周面１０ｋが、本発明の「第１嵌合部」の一例であり、キャップ部３０の内周面３０ｃが、本発明の「第２嵌合部」の一例である。
【００２６】
また、図２に示すように、ベース部１０の外周面１０ｋと前面１０ｃおよび１０ｈとが交わる縁部１０ｉには、周状に面取り加工が施されている。また、キャップ部３０の側壁部３０ａの開口部３０ｉにも、周状に面取り加工が施されている。
【００２７】
また、ヘッダ部１０ａの外周面１０ｋには、おねじ部１５が形成されている。詳細には、図２に示すように、おねじ部１５は、外周面１０ｋのうちのヘッダ部１０ａの軸方向（Ａ方向）に沿った一部の領域に形成されている。おねじ部１５では、ねじ山の頂部におけるヘッダ部１０ａの外径が、外周面１０ｋの外径Ｄ１に略等しい。なお、おねじ部１５は、本発明の「ねじ構造」の一例である。
【００２８】
また、キャップ部３０の内周面３０ｃには、めねじ部１６が形成されている。また、めねじ部１６は、内周面３０ｃのうちのキャップ部３０の軸方向（Ａ方向）に沿った開口部３０ｉ寄り（Ａ２側）の一部の領域に形成されている。めねじ部１６では、ねじ山の谷底における側壁部３０ａの内径が、内周面３０ｃの内径Ｄ２に略等しい。なお、めねじ部１６は、本発明の「ねじ構造」の一例である。
【００２９】
したがって、ベース部１０とキャップ部３０とが嵌合される際、おねじ部１５とめねじ部１６とが螺合するので、この部分において、キャップ部３０の内周面３０ｃがベース部１０の外周面１０ｋに周状に密着する。なお、おねじ部１５は、本発明の「第１嵌合部」および「ねじ構造」の一例であり、めねじ部１６は、本発明の「第２嵌合部」および「ねじ構造」の一例である。
【００３０】
また、ベース部１０には、金属製のリードフレームからなるリード端子１１、１２および１３が設けられている。このリード端子１１〜１３は、互いに絶縁された状態でヘッダ部１０ａを前方（Ａ１側）から後方（Ａ２側）に貫通するように配置されている。また、上面側（図１のＣ２側）から見て、リード端子１１は、ヘッダ部１０ａの幅方向（Ｂ方向）の略中心を貫通する。また、リード端子１２および１３は、リード端子１１のＢ方向の外側（Ｂ２側およびＢ１側）にそれぞれ配置されている。
【００３１】
リード端子１１〜１３は、後方（Ａ２方向）に延びた後端領域が、ヘッダ部１０ａの後方（Ａ２側）の後面１０ｇ（図３参照）からそれぞれ露出している。また、リード端子１１、１２および１３の前方（Ａ１側）に延びた前端領域１１ａ、１２ａおよび１３ａは、前面１０ｃからそれぞれ露出しており、前端領域１１ａ〜１３ａは、共に凹部１０ｄの底面１０ｊ（図２参照）上に配置されている。また、前端領域１１ａは、前端領域１２ａおよび１３ａの前方において、前面１０ｈまで延びるとともに、凹部１０ｄの底面１０ｊ上でＢ方向に広がっている。
【００３２】
また、リード端子１１には、前端領域１１ａに接続される一対の放熱部１１ｄが一体的に形成されている。詳細に説明すると、リード端子１１には、前端領域１１ａの幅方向（Ｂ２側およびＢ１側）の両端部からそれぞれ後方（Ａ２方向）に延びる接続部１１ｃが形成されている。また、接続部１１ｃは、それぞれ、前端領域１１ａからリード端子１２および１３よりも外側（Ｂ２側またはＢ１側）を後方に延びるとともに、ベース部１０の前面１０ｃからヘッダ部１０ａ内に隠れた後、おねじ部１５が形成された領域よりも後方位置で外周面１０ｋからＢ１方向およびＢ２方向に延びて外部に露出している。そして、放熱部１１ｄは、外周面１０ｋから露出した接続部１１ｃに接続されている。また、放熱部１１ｄは、接続部１１ｃに接続された位置から前方（Ａ１方向）に延びている。したがって、図１に示すように、一対の放熱部１１ｄは、それぞれ、ベース部１０の外周面１０ｋに対して幅Ｗ６の間隔を隔てて外周面１０ｋと略平行に延びている。
【００３３】
また、ベース部１０の外周面１０ｋとその両側の放熱部１１ｄとの間には、キャップ部３０の側壁部３０ａの厚みｔ１よりも大きな幅Ｗ６を有する隙間（切り欠き部）が形成されている。したがって、キャップ部３０をベース部１０に嵌合した状態では、放熱部１１ｄは、キャップ部３０の側壁部３０ａと干渉（接触）することなくキャップ部３０の外側に配置されている。
【００３４】
また、リード端子１１の前端領域１１ａの上面略中央に、青紫色半導体レーザ素子２０が、導電性を有するサブマウント４０を介して取り付けられている。
【００３５】
ここで、青紫色半導体レーザ素子２０は、光出射面を開口部１０ｆ側（Ａ１側）に向けて取り付けられている。なお、光出射面は、青紫色半導体レーザ素子２０に形成されている一対の共振器端面のうち、出射されるレーザ光の光強度が相対的に大きい方の端面が光出射面、相対的に小さい方の端面が光反射面であって、レーザ光は、Ａ１方向に出射される。また、青紫色半導体レーザ素子２０の上面に形成されたｐ側電極２７には、Ａｕなどからなる金属線９１の一端がワイヤボンディングされており、金属線９１の他端は、リード端子１２の前端領域１２ａに接続されている。また、青紫色半導体レーザ素子２０の下面に形成されたｎ側電極（図示せず）は、サブマウント４０を介してリード端子１１の前端領域１１ａに電気的に接続されている。
【００３６】
また、サブマウント４０の後方（Ａ２側）の青紫色半導体レーザ素子２０の光反射面側には、レーザ光強度をモニタするために用いられるＰＤ（フォトダイオード）４２が受光面を上方（Ｃ２方向）に向けて配置されている。そして、ＰＤ４２の下面をサブマウント４０に電気的に接続するとともに、ＰＤ４２の上面には、Ａｕなどからなる金属線９２の一端がワイヤボンディングされており、金属線９２の他端は、リード端子１３の前端領域１３ａに接続されている。
【００３７】
次に、図１〜図４を参照して、半導体レーザ装置１００の製造プロセスについて説明する。
【００３８】
まず、図３に示すように、鉄や銅などの帯状の薄板からなる金属板をエッチングすることにより、放熱部１１ｄが前端領域１１ａと一体的に形成されたリード端子１１と、リード端子１１の両側に配置されたリード端子１２および１３とが、横方向（Ｂ方向）に繰り返しパターニングされたリードフレーム１０５を形成する。この際、各リード端子１２および１３は、横方向（Ｂ方向）に延びる連結部１０１および１０２により連結された状態でパターニングされる。また、各放熱部１１ｄは、横方向に延びる連結部１０３により連結された状態でパターニングされる。
【００３９】
その後、図４に示すように、樹脂成型装置を用いて、凹部１０ｄを有し、一組のリード端子１１〜１３が貫通するとともに、各端子の前端領域１１ａ〜１３ａが底面１０ｊ（図２参照）上に露出するように、ベース部１０をモールド成型する。この際、ヘッダ部１０ａの軸方向（Ａ方向）に沿った一部の領域の外周面１０ｋに、おねじ部１５を同時に形成する。また、ベース部１０は、前面１０ｈがリード端子１１の前端領域１１ａの前端面１１ｅと同一面上に揃うように成型される。
【００４０】
その後、ベース部１０に対して、ＵＶクリーニング処理または真空中における約２００℃の加温処理を行う。これにより、凹部１０ｄやおねじ部１５などの表面に付着する製造プロセス中の汚れや、ポリフェニレンサルフィド樹脂に含まれる水分や溶剤を蒸発して除去する。
【００４１】
その後、導電性接着層（図示せず）を用いて青紫色半導体レーザ素子２０およびＰＤ４２が接合されたサブマウント４０を、前端領域１１ａの上面の略中央（横方向）に接合する。この際、青紫色半導体レーザ素子２０の光出射面を開口部１０ｆ（図１参照）側に向けるとともに、青紫色半導体レーザ素子２０の光反射面およびＰＤ４２を前面１０ｃ（図１参照）側に向けて配置する。
【００４２】
その後、金属線９１を用いて青紫色半導体レーザ素子２０のｐ側電極２７とリード端子１２の前端領域１２ａとを接続する。また、金属線９２を用いてＰＤ４２の上面とリード端子１３の前端領域１３ａとを接続する。その後、連結部１０１〜１０３を切断除去することにより、キャップ部３０以外の半導体レーザ装置１００を個々に分離する。
【００４３】
一方、シリコン樹脂と硬化剤とを混ぜ合わせた硬化前のシリコン樹脂を所定の形状を有する型（図示せず）に流し込む。そして、約１５０℃の温度条件下で約３０分間加熱することにより硬化させる。これにより、キャップ部３０の側壁部３０ａおよび底面部３０ｂ（図１参照）が成型される。この際、キャップ部３０の軸方向（Ａ方向）に沿った開口部３０ｉ寄りの内周面３０ｃに、めねじ部１６を同時に形成する。
【００４４】
その後、型からキャップ部３０を取り出し、オイルフリーポンプにより減圧状態にしたオーブン内で、約２４０℃の温度条件下で約２日間加熱することにより、シリコン樹脂中に含有している低分子シロキサンを除去する。その後、真空蒸着法を用いて、キャップ部３０の側壁部３０ａおよび底面部３０ｂの外表面３０ｄ上に、ＳｉＯ２からなるガスバリア層３３（図１参照）を形成する。このようにして、キャップ部３０が形成される。
【００４５】
最後に、ベース部１０を前面１０ｃ側からキャップ部３０の内側にＡ１方向に挿入する。この際、キャップ部３０内部でおねじ部１５とめねじ部１６のねじ山同士が接触した状態からキャップ部３０を右ねじ方向に回して締め込む。これにより、おねじ部１５およびめねじ部１６を含めたキャップ部３０の内周面３０ｃとベース部１０の外周面１０ｋとが締まり嵌めの状態で嵌合して青紫色半導体レーザ素子２０が気密封止される。
【００４６】
第１実施形態では、上記のように、ベース部１０の外周面１０ｋとキャップ部３０の内周面３０ｃとを嵌合することにより、嵌合部においてベース部１０の外周面１０ｋとキャップ部３０の内周面３０ｃとを容易に密着させることができるので、パッケージ４５内部を容易に封止することができる。これにより、パッケージ４５内部の青紫色半導体レーザ素子２０が劣化することを抑制することができる。また、ベース部１０の外周面１０ｋとキャップ部３０の内周面３０ｃとを嵌合することによりパッケージ４５を封止しているので、封止剤などを別途使用する必要がない。その結果、半導体レーザ装置１００の製造プロセスを簡素化することができる。
【００４７】
また、キャップ部３０の弾性率は、ベース部１０の弾性率よりも小さく、キャップ部３０は、ベース部１０とキャップ部３０との嵌合部において側壁部３０ａを弾性変形させている。これにより、ベース部１０とキャップ部３０との嵌合部では、相対的に弾性率が小さいキャップ部３０が相対的に弾性率が大きいベース部１０（ヘッダ部１０ａ）の形状に合わせて変形（伸縮）した状態となる。これにより、嵌合部におけるベース部１０とキャップ部３０との密着性を向上させながら、ベース部１０とキャップ部３０とを容易に嵌め合わせることができる。
【００４８】
また、ベース部１０とキャップ部３０とが嵌合する嵌合部に、それぞれ、おねじ部１５とめねじ部１６とが形成されている。これにより、外周面１０ｋと内周面３０ｃとが接触する嵌合部のうちのねじ部同士が螺合する部分において外周面１０ｋと内周面３０ｃとをより確実に当接させることができる。また、ねじ部同士が螺合する部分では、外周面１０ｋと内周面３０ｃとを周状（螺旋状）に連続的に当接させることができる。したがって、パッケージ４５内部の気密封止をより確実に行うことができる。
【００４９】
なお、キャップ部３０とベース部１０とを嵌合しない状態では、ヘッダ部１０ａの外径Ｄ１（おねじ部１５のねじ山の頂部におけるヘッダ部１０ａの外径）よりも、キャップ部３０の内径Ｄ２（めねじ部１６のねじ山の谷底における側壁部３０ａの内径）が、約１％程度小さくなるようにキャップ部３０を形成するのが好ましい。これにより、ヘッダ部１０ａとキャップ部３０とをより確実に締まり嵌めの状態で嵌合させることができる。加えて、ねじ部同士が螺合する部分においても、おねじ部１５のねじ山にめねじ部１６のネジ溝を周状に密着させることが可能である。この際、キャップ部３０の弾性率がベース部１０の弾性率よりも小さいので、キャップ部３０は容易に伸縮しながら締まり嵌めの状態を実現することができる。
【００５０】
また、ベース部１０の縁部１０ｉおよびキャップ部３０の開口部３０ｉにそれぞれ周状に面取り加工が施されているので、キャップ部３０にベース部１０（ヘッダ部１０ａ）がＡ１方向に嵌め込まれる際、外周面１０ｋと内周面３０ｃとの嵌合を滑らかに開始させることができる。
【００５１】
また、ポリフェニレンサルフィド樹脂（ＰＰＳ）を用いてベース部１０を形成している。また、シリコン樹脂を用いてキャップ部３０を形成している。したがって、耐熱性および耐侯性に優れ、かつ、金型成形性に優れたベース部１０を形成することができるとともに、耐熱性および耐侯性に加えて伸縮性（可撓性）に優れたキャップ部３０を形成することができる。また、製造プロセスにおいて適切な熱処理を行うことで、上記した樹脂中に含有する揮発性ガスを容易に除去することができる。これにより、揮発性ガスの発生が抑制されたベース部１０およびキャップ部３０を用いて半導体レーザ装置１００を容易に構成することができる。また、シリコン樹脂により形成されたキャップ部３０は、透光性を有するので、略円形状の底面部３０ｂの中央部から、青紫色半導体レーザ素子２０から出射されたレーザ光を外部に向けて容易に出射させることができる。
【００５２】
また、ベース部１０とキャップ部３０との嵌合部の後方に接続される放熱部１１ｄを備えており、放熱部１１ｄは、ベース部１０の外周面１０ｋよりも外側に延びている。これにより、ベース部１０の後方に放熱部１１ｄが接続されるので、ベース部１０の前方側に放熱部１１ｄと干渉することなくキャップ部３０を取り付けることができる。また、パッケージ４５内に封止された青紫色半導体レーザ素子２０が発する熱を、放熱部１１ｄを介して効率よく放熱することができる。
【００５３】
（第１実施形態の第１変形例）
次に、第１実施形態の第１変形例による半導体レーザ装置１０１について説明する。この半導体レーザ装置１０１では、図５に示すように、ベース部１０の外周面１０ｋおよびキャップ部３０の内周面３０ｃに、第１実施形態で示したおねじ部１５およびめねじ部１６がそれぞれ形成されていない。
【００５４】
また、ヘッダ部１０ａは、前方側（前面１０ｃ側）において外径Ｄ１を有する大径部１０ｍと、後方側（後面１０ｇ側）において外径Ｄ５（Ｄ５＜Ｄ１）を有する小径部１０ｎと、大径部１０ｍ側から小径部１０ｎ側に向かって縮径された略円錐台形状の接続部１０ｐと有している。また、キャップ部３０は、ベース部１０（ヘッダ部１０ａ）に嵌合されない状態では、開口部３０ｉ近傍の内径Ｄ４が、開口部３０ｉ近傍以外の内径Ｄ２よりも小さい状態（Ｄ４＜Ｄ２）で形成されている。
【００５５】
これにより、ベース部１０とキャップ部３０とが嵌合した際、図５に示すように、キャップ部３０の開口部３０ｉ近傍が、接続部１０ｐまで被せられた位置から小径部１０ｎの表面に向かって絞り変形を起こしており、接続部１０ｐの大径部１０ｍ側の角部１０ｑが、キャップ部３０の内周面３０ｃに周状（環状）に線接触している。なお、半導体レーザ装置１０１のその他の構成は、第１実施形態と同様であって、図中において、第１実施形態と同じ符号を付して図示している。
【００５６】
また、半導体レーザ装置１０１の製造プロセスでは、上記した形状のヘッダ部１０ａおよびキャップ部３０を成型した後、ベース部１０をキャップ部３０に向かって直線的にスライドして嵌め合わせてパッケージ４５を封止する。その他のプロセスは、第１実施形態における製造プロセスと同様である。
【００５７】
第１実施形態の第１変形例では、上記のように、大径部１０ｍと小径部１０ｎとを一体的に有するベース部１０と、開口部３０ｉ近傍に絞り形状が加えられたキャップ部３０とを嵌合している。これにより、キャップ部３０の開口部３０ｉ近傍における側壁部３０ａが、大径部１０ｍ側の角部１０ｑの部分で変形してキャップ部３０の内周面３０ｃに周状（環状）に線接触するので、嵌合部におけるベース部１０とキャップ部３０との密着性を容易に向上させることができる。これにより、パッケージ４５内部の気密封止をより確実に行うことができる。
【００５８】
なお、キャップ部３０とベース部１０とを嵌合する前の状態では、キャップ部３０の内径Ｄ２よりも、ヘッダ部１０ａの外径Ｄ１（大径部１０ｍにおける外径）を約２０μｍ以上約６０μｍ以下の範囲で大きく形成するのが好ましい。これにより、ヘッダ部１０ａ（大径部１０ｍ）とキャップ部３０とを締まり嵌めの状態で嵌合させることができる。なお、第１実施形態の第１変形例のその他の効果は、第１実施形態と同様である。
【００５９】
（第１実施形態の第２変形例）
次に、第１実施形態の第２変形例による半導体レーザ装置１０２について説明する。この半導体レーザ装置１０２では、図６に示すように、略円柱状のヘッダ部１０ａの外周面１０ｋに、外方向（ヘッダ部１０ａの外径が増加する方向）に突出する周状（環状）の凸部１７が形成されている。また、キャップ部３０については、ベース部１０（ヘッダ部１０ａ）に嵌合されない状態では、内周面３０ｃが軸心に沿って一様な内径Ｄ２を有して形成されている。そして、ベース部１０とキャップ部３０とが嵌合した際、凸部１７の部分でキャップ部３０の内周面３０ｃが弾性変形を起こしている。すなわち、凸部１７の部分における内周面３０ｃへの圧接力は、凸部１７以外の部分よりも大きい。なお、凸部１７は、本発明の「第１嵌合部」の一例である。なお、半導体レーザ装置１０２のその他の構成は、第１実施形態と略同様であって、図中において、第１実施形態と同じ符号を付して図示している。
【００６０】
また、半導体レーザ装置１０２の製造プロセスでは、上記した形状のヘッダ部１０ａおよびキャップ部３０を成型した後、ベース部１０とキャップ部３０とを嵌合してパッケージ４５を封止する。その他のプロセスは、第１実施形態における製造プロセスと同様である。
【００６１】
第１実施形態の第２変形例では、上記のように、外周面１０ｋに凸部１７を有するベース部１０と、平滑な内周面３０ｃを有するキャップ部３０とを嵌合している。これにより、凸部１７の部分におけるキャップ部３０の内周面３０ｃが、弾性変形を起こしながら凸部１７の頂部に周状（環状）に面接触するので、嵌合部におけるベース部１０とキャップ部３０との密着性を容易に向上させることができる。これにより、パッケージ４５内部の気密封止をより確実に行うことができる。なお、第１実施形態の第２変形例のその他の効果は、第１実施形態と同様である。
【００６２】
（第１実施形態の第３変形例）
次に、第１実施形態の第３変形例による半導体レーザ装置１０３について説明する。この半導体レーザ装置１０３では、図７に示すように、キャップ部３０に内周面３０ｃにおいて、ベース部１０の凸部１７が嵌合する位置に周状（環状）の溝部３０ｅが形成されている。なお、溝部３０ｅは、本発明の「第２嵌合部」の一例である。なお、半導体レーザ装置１０３のその他の構成は、第１実施形態の第２変形例と略同様であって、図中において、第１実施形態の第２変形例と同じ符号を付して図示している。
【００６３】
また、半導体レーザ装置１０３の製造プロセスでは、上記した形状のキャップ部３０を成型した後、ベース部１０とキャップ部３０とを嵌合してパッケージ４５を封止する。その他のプロセスは、上記第１実施形態の第２変形例における製造プロセスと同様である。
【００６４】
第１実施形態の第３変形例では、上記のように、外周面１０ｋに凸部１７を有するベース部１０と、内周面３０ｃに溝部３０ｅを有するキャップ部３０とを嵌合している。これにより、凸部１７の頂部（外縁部）を溝部３０ｅの内側面（溝部３０ｅの底部）に周状に密着させることができるので、嵌合部においてベース部１０とキャップ部３０とを確実に嵌合させることができる。なお、第１実施形態の第３変形例のその他の効果は、第１実施形態と同様である。
【００６５】
（第１実施形態の第４変形例）
次に、第１実施形態の第４変形例による半導体レーザ装置１０４について説明する。この半導体レーザ装置１０４では、図８に示すように、半導体レーザ装置１０２の凸部１７に代えて、ベース部１０の外周面１０ｋに、外方向（ヘッダ部１０ａの外径が増加する方向）に突出する周状（環状）の凸部が複数形成されている。この凹凸領域１８は、半導体レーザ装置１０２の凸部１７の高さ（突出高さ）を若干小さく形成したものを、ヘッダ部１０ａの軸方向（Ａ方向）に沿って所定の間隔で複数（６本）並べて構成されている。なお、凹凸領域１８は、本発明の「第１嵌合部」の一例である。なお、半導体レーザ装置１０４のその他の構成は、上記第１実施形態の第２変形例と略同様であって、図中において、上記第１実施形態の第２変形例と同じ符号を付して図示している。
【００６６】
また、半導体レーザ装置１０４の製造プロセスでは、上記した形状のヘッダ部１０ａを成型した後、ベース部１０とキャップ部３０とを嵌合してパッケージ４５を封止する。その他のプロセスは、上記第１実施形態の第２変形例における製造プロセスと同様である。
【００６７】
第１実施形態の第４変形例では、上記のように、外周面１０ｋに凹凸領域１８を有するベース部１０と、平滑な内周面３０ｃを有するキャップ部３０とを嵌合している。これにより、キャップ部３０の内周面３０ｃが弾性変形を起こしながら凹凸領域１８の複数の頂部に連続的に線接触するので、嵌合部におけるベース部１０とキャップ部３０との密着性を容易に向上させることができる。なお、第１実施形態の第４変形例のその他の効果は、第１実施形態と同様である。
【００６８】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態による半導体レーザ装置２００について説明する。この半導体レーザ装置２００では、図９に示すように、キャップ部３０の内周面３０ｃに、内方向（軸心に向かう方向）に突出する周状（環状）の凸部３７が形成されている。また、ベース部１０は、ヘッダ部１０ａの外周面１０ｋが軸方向（Ａ方向）に一様な外径Ｄ１を有している。半導体レーザ装置２００では、凸部３７のみならず凸部３７以外の内周面３０ｃも、ヘッダ部１０ａの外周面１０ｋに対して密着している。なお、凸部３７の部分におけるヘッダ部１０ａの外周面１０ｋへの圧接力は、凸部３７以外の部分よりも大きい。なお、凸部３７は、本発明の「第２嵌合部」の一例である。なお、半導体レーザ装置２００のその他の構成は、第１実施形態と略同様であって、図中において、第１実施形態と同じ符号を付して図示している。
【００６９】
また、半導体レーザ装置２００の製造プロセスでは、上記した形状のヘッダ部１０ａおよびキャップ部３０を成型した後、ベース部１０とキャップ部３０とを嵌合してパッケージ４５を封止する。その他のプロセスは、第１実施形態における製造プロセスと同様である。
【００７０】
第２実施形態では、上記のように、平滑な外周面１０ｋを有するベース部１０と、内周面３０ｃに周状の凸部３７を有するキャップ部３０とを嵌合している。これにより、キャップ部３０の凸部３７の頂部が外周面１０ｋに周状（環状）に面接触するので、嵌合部におけるベース部１０とキャップ部３０との密着性を容易に向上させることができる。なお、第２実施形態のその他の効果は、第１実施形態と同様である。
【００７１】
（第２実施形態の変形例）
次に、第２実施形態の変形例による半導体レーザ装置２０１について説明する。この半導体レーザ装置２０１では、図１０に示すように、第１実施形態の第２変形例で用いた凸部１７を有するベース部１０と、第２実施形態で用いた凸部３７を有するキャップ部３０とを嵌合している。なお、半導体レーザ装置２０１のその他の構成は、第１実施形態と略同様であって、図中において、第１実施形態と同じ符号を付して図示している。
【００７２】
また、半導体レーザ装置２０１の製造プロセスでは、凸部１７を有するベース部１０と凸部３７を有するキャップ部３０を成型した後、ベース部１０をキャップ部３０とを嵌合する。この際、ベース部１０の凸部１７が、キャップ部３０の凸部３７が形成された位置よりも奥側（底面部３０ｂ側（Ａ１側））に嵌まり込むまでスライドさせる。その他のプロセスは、第１実施形態における製造プロセスと同様である。
【００７３】
第２実施形態の変形例では、上記のように、外周面１０ｋに凸部１７を有するベース部１０と、内周面３０ｃに凸部３７を有するキャップ部３０とを嵌合している。これにより、凸部１７と凸部３７とを互いに相手側の側面に周状に（環状）に接触させることができるので、嵌合部におけるベース部１０とキャップ部３０との密着性をさらに向上させることができる。なお、第２実施形態の変形例のその他の効果は、第１実施形態と同様である。
【００７４】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態による光ピックアップ装置４００について説明する。なお、光ピックアップ装置４００は、本発明の「光装置」の一例である。
【００７５】
光ピックアップ装置４００は、図１２に示すように、３波長半導体レーザ装置３００と、３波長半導体レーザ装置３００から出射されたレーザ光を調整する光学系４２０と、レーザ光を受光する光検出部４３０とを備えている。
【００７６】
３波長半導体レーザ装置３００では、図１１に示すように、パッケージ内のサブマウント４０上に、青紫色半導体レーザ素子２０と、青紫色半導体レーザ素子２０に隣接して約６５０ｎｍの発振波長を有する赤色半導体レーザ素子５０および約７８０ｎｍの発振波長を有する赤外半導体レーザ素子５５がモノリシックに形成された２波長半導体レーザ素子６０とが搭載されている。なお、３波長半導体レーザ装置３００は、本発明の「半導体レーザ装置」の一例であり、赤色半導体レーザ素子５０、赤外半導体レーザ素子５５および２波長半導体レーザ素子６０は、本発明の「半導体レーザ素子」の一例である。
【００７７】
また、ベース部１０には、金属製のリードフレームからなるリード端子１１、７２、７３、７４および７５が設けられている。このリード端子１１およびリード端子７２〜７５は、樹脂モールド成型によって、互いに絶縁された状態でベース部１０を前方（Ａ１方向）から後方（Ａ２方向）に貫通するように配置されている。そして、ベース部１０の外部（Ａ２側）に延びる後端領域が、それぞれ図示しない駆動回路に接続されている。また、リード端子１１およびリード端子７２〜７５の前方（Ａ１側）に延びた前端領域１１ａ、７２ａ、７３ａ、７４ａおよび７５ａは、前面１０ｃからそれぞれ露出しており、共に凹部１０ｄの底面１０ｊ上に配置されている。
【００７８】
また、ｐ側電極２７には、金属線９１の一端がワイヤボンディングされており、金属線９１の他端は、リード端子７４の前端領域７４ａに接続されている。また、赤色半導体レーザ素子５０の上面に形成されているｐ側電極５４には、金属線９２の一端がワイヤボンディングされており、金属線９２の他端は、リード端子７３の前端領域７３ａに接続されている。また、また、赤外半導体レーザ素子５５の上面に形成されているｐ側電極５６には、金属線９３の一端がワイヤボンディングされており、金属線９３の他端は、リード端子７２の前端領域７２ａに接続されている。また、青紫色半導体レーザ素子２０の下面に形成されたｎ側電極（図示せず）および２波長半導体レーザ素子６０の下面に形成されたｎ側電極（図示せず）は、サブマウント４０を介してリード端子１１の前端領域１１ａに電気的に接続されている。
【００７９】
また、ＰＤ４２の上面には、Ａｕなどからなる金属線９４の一端がワイヤボンディングされており、金属線９４の他端は、リード端子７５の前端領域７５ａに接続されている。
【００８０】
また、上記第１実施形態の第１変形例における半導体レーザ装置１０１と比べて、ベース部１０は、断面が幅方向（Ｂ方向）に引き延ばされることにより、最大幅Ｗ３１（Ｗ３１＞Ｗ１）を有して形成されている。また、台座部１０ｂ（凹部１０ｄ）も開口部１０ｆの部分においてＢ方向に引き延ばされている。これにより、ヘッダ部１０ａの断面は、水平方向に延びた略小判形の形状を有している。なお、３波長半導体レーザ装置３００のその他の構造は、第１実施形態の第１変形例と同様であり、図中において、上記第１実施形態と同様の構成には同じ符号を付して図示している。
【００８１】
また、３波長半導体レーザ装置３００の製造プロセスについては、青紫色半導体レーザ素子２０および２波長半導体レーザ素子６０を横方向（図１１のＢ方向）に並べてサブマウント４０を介して接合する。その後、各レーザ素子２０および６０のｐ側電極２７、５４および５６、および、ＰＤ４２の上面と、リード端子７２、７３、７４および７５の前端領域７２ａ、７３ａ、７４ａおよび７５ａとを、それぞれ、ワイヤボンディングする。その他のプロセスについては、第１実施形態の第１変形例と同様である。
【００８２】
また、光学系４２０は、偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）４２１、コリメータレンズ４２２、ビームエキスパンダ４２３、λ／４板４２４、対物レンズ４２５、シリンドリカルレンズ４２６および光軸補正素子４２７を有している。
【００８３】
また、ＰＢＳ４２１は、３波長半導体レーザ装置３００から出射されるレーザ光を全透過するとともに、光ディスク４３５から帰還するレーザ光を全反射する。コリメータレンズ４２２は、ＰＢＳ４２１を透過した３波長半導体レーザ装置３００からのレーザ光を平行光に変換する。ビームエキスパンダ４２３は、凹レンズ、凸レンズおよびアクチュエータ（図示せず）から構成されている。アクチュエータは後述するサーボ回路からのサーボ信号に応じて、凹レンズおよび凸レンズの距離を変化させることにより、３波長半導体レーザ装置３００から出射されたレーザ光の波面状態を補正する機能を有している。
【００８４】
また、λ／４板４２４は、コリメータレンズ４２２によって略平行光に変換された直線偏光のレーザ光を円偏光に変換する。また、λ／４板４２４は光ディスク４３５から帰還する円偏光のレーザ光を直線偏光に変換する。この場合の直線偏光の偏光方向は、３波長半導体レーザ装置３００から出射されるレーザ光の直線偏光の方向に直交する。これにより、光ディスク４３５から帰還するレーザ光は、ＰＢＳ４２１によって略全反射される。対物レンズ４２５は、λ／４板４２４を透過したレーザ光を光ディスク４３５の表面（記録層）上に収束させる。なお、対物レンズ４２５は、対物レンズアクチュエータ（図示せず）により、後述するサーボ回路からのサーボ信号（トラッキングサーボ信号、フォーカスサーボ信号およびチルトサーボ信号）に応じて、フォーカス方向、トラッキング方向およびチルト方向に移動可能にされている。
【００８５】
また、ＰＢＳ４２１により全反射されるレーザ光の光軸に沿うように、シリンドリカルレンズ４２６、光軸補正素子４２７および光検出部４３０が配置されている。シリンドリカルレンズ４２６は、入射されるレーザ光に非点収差作用を付与する。光軸補正素子４２７は、回折格子により構成されており、シリンドリカルレンズ４２６を透過した青紫色、赤色および赤外の各レーザ光の０次回折光のスポットが後述する光検出部４３０の検出領域上で一致するように配置されている。
【００８６】
また、光検出部４３０は、受光したレーザ光の強度分布に基づいて再生信号を出力する。ここで、光検出部４３０は再生信号とともに、フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号およびチルトエラー信号が得られるように所定のパターンの検出領域を有する。このようにして、３波長半導体レーザ装置３００を備えた光ピックアップ装置４００が構成される。
【００８７】
この光ピックアップ装置４００では、３波長半導体レーザ装置３００は、リード端子１１と、リード端子７２〜７４との間に、それぞれ、独立して電圧を印加することによって、青紫色半導体レーザ素子２０、赤色半導体レーザ素子５０および赤外半導体レーザ素子５５から、青紫色、赤色および赤外のレーザ光を独立的に出射することが可能である。また、３波長半導体レーザ装置３００から出射されたレーザ光は、上記のように、ＰＢＳ４２１、コリメータレンズ４２２、ビームエキスパンダ４２３、λ／４板４２４、対物レンズ４２５、シリンドリカルレンズ４２６および光軸補正素子４２７により調整された後、光検出部４３０の検出領域上に照射される。
【００８８】
ここで、光ディスク４３５に記録されている情報を再生する場合には、青紫色半導体レーザ素子２０、赤色半導体レーザ素子５０および赤外半導体レーザ素子５５から出射される各々のレーザパワーが一定になるように制御しながら、光ディスク４３５の記録層にレーザ光を照射するとともに、光検出部４３０から出力される再生信号を得ることができる。また、同時に出力されるフォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号およびチルトエラー信号により、ビームエキスパンダ４２３のアクチュエータと対物レンズ４２５を駆動する対物レンズアクチュエータとを、それぞれ、フィードバック制御することができる。
【００８９】
また、光ディスク４３５に情報を記録する場合には、記録すべき情報に基づいて、青紫色半導体レーザ素子２０および赤色半導体レーザ素子５０（赤外半導体レーザ素子５５）から出射されるレーザパワーを制御しながら、光ディスク４３５にレーザ光を照射する。これにより、光ディスク４３５の記録層に情報を記録することができる。また、上記同様、光検出部４３０から出力されるフォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号およびチルトエラー信号により、ビームエキスパンダ４２３のアクチュエータと対物レンズ４２５を駆動する対物レンズアクチュエータとを、それぞれ、フィードバック制御することができる。
【００９０】
このようにして、３波長半導体レーザ装置３００を備えた光ピックアップ装置４００を用いて、光ディスク４３５への記録および再生を行うことができる。
【００９１】
光ピックアップ装置４００では、上記３波長半導体レーザ装置３００を備えている。すなわち、青紫色半導体レーザ素子２０および２波長半導体レーザ素子６０がパッケージ４５内部に確実に封止されている。これにより半導体レーザ素子が劣化しにくく、長時間の使用にも耐え得る信頼性の高い光ピックアップ装置４００を得ることができる。なお、３波長半導体レーザ装置３００の効果については、第１実施形態と同様である。
【００９２】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００９３】
たとえば、上記第１〜第３実施形態では、ポリフェニレンサルフィド樹脂（ＰＰＳ）を用いてベース部１０を形成したが、本発明では、耐熱性および耐候性が高くモールド成型が容易なポリアミド樹脂（ＰＡ：弾性率＝約３ＧＰａ）、ポリブチレンテレフタラート樹脂（ＰＢＴ）、液晶ポリマ（ＬＣＰ）およびエポキシ系樹脂や、機械切削性が良好なポリエーテルエーテルケトン樹脂（ＰＥＥＫ）などを用いてもよい。
【００９４】
また、この場合、ＰＰＳ、ＰＡ、ＬＣＰおよびエポキシ樹脂中にガス吸収剤を所定の割合で混入した状態でベース部１０を成型してもよい。ここで、ガス吸収剤としては、シリカゲルや熱処理後の合成ゼオライトを用いるのが好ましい。また、ガス吸収剤は、数十μｍ以上数百μｍ以下の粒子径を有する粒子状のものを用いるのが好ましい。これにより、大気中に存在する低分子シロキサンやベース部などから発生する揮発性の有機ガスを、ガス吸収剤によって吸収することができるので、パッケージ４５内の有機ガスなどの濃度を小さくすることができる。
【００９５】
また、上記第１〜第３実施形態では、シリコン樹脂を用いてキャップ部３０を形成したが、本発明では、耐熱性および耐候性が高くモールド成型が容易なフッ素系樹脂（弾性率＝約８０〜５００ＭＰａ）、エポキシ系樹脂およびエチレンビニルアルコール系樹脂などを用いてもよい。なお、フッ素系樹脂やエチレンビニルアルコール系樹脂などの透光性を有する材料を用いる場合は、これらの材料を用いて底面部３０ｂをキャップ部３０と一体的に形成すればよい。この際、エポキシ系樹脂を用いる場合には、底面部３０ｂの一部に開口部を設けるとともに、その開口部を封止するようにレーザ光取り出し用の窓部を形成すればよい。この際、表面にガスバリア層を形成したホウ珪酸ガラス、石英またはアクリル系樹脂（透明アクリル樹脂）などの透光性を有する材料を用いて、上記窓部を形成することができる。
【００９６】
また、上記第１〜第３実施形態では、キャップ部３０の外表面上にＳｉＯ２からなるガスバリア層３３を形成したが、ガスバリア層としては、ＳｉＯ２以外に、Ａｌ２Ｏ３やＺｒＯ２などの誘電体膜を用いて形成してもよいし、エチレン−ポリビニルアルコール共重合体やポリビニルアルコールなどのガス透過性の低い樹脂膜を用いて形成してもよい。なお、ガスバリア層を、Ａｌ２Ｏ３やＺｒＯ２などからなる多層の金属酸化膜によって構成する場合、この金属酸化膜に対して反射防止層の役割も兼用させることができる。また、特に、エチレンビニルアルコール系樹脂などガス透過性が低い材料でキャップ部３０を形成する場合には、ガスバリア層３３を形成しなくてもよい。
【００９７】
また、上記第１〜第３実施形態では、シリコン樹脂を用いてキャップ部３０を形成したが、本発明では、樹脂材料にガス吸収剤を所定の割合で混入した状態でキャップ部３０を成型してもよい。ガス吸収剤としては、シリカゲルや熱処理後の合成ゼオライトを用いるのが好ましい。また、ガス吸収剤は、数十μｍ以上数百μｍ以下の粒子径を有する粒子状のものを用いるのが好ましい。これにより、大気中に存在する低分子シロキサンやベース部などから発生する揮発性の有機ガスを、ガス吸収剤によって吸収することができ、パッケージ４５内の有機ガスなどの濃度を小さくすることができる。なお、シリコン樹脂とガス吸収剤との混合物を用いてキャップ部を形成する場合、この混合物は透光性を有しない。したがって、キャップ部の底面部に透光性を有するレーザ光取り出し用の窓部を設けることが好ましい。
【００９８】
また、上記第１〜第３実施形態では、ベース部１０を樹脂により形成した例について示したが、本発明はこれに限られない。本発明では、ベース部を金属材料を用いて形成してもよい。
【００９９】
また、上記第１実施形態では、ベース部１０およびキャップ部３０を形成する際、ヘッダ部１０ａの外径Ｄ１よりも、キャップ部３０の内径Ｄ２が約１％程度小さくなる（Ｄ１＞Ｄ２）ようにキャップ部３０を形成したが、本発明はこれに限られない。たとえば、おねじ部１５およびめねじ部１６の有効径を略等しく形成してもよい。この際、おねじ部１５側の有効径の寸法公差を０〜＋８５μｍ程度に設定するとともに、めねじ部１６側の有効径の公差を０〜−１５０μｍ程度に設定するのが好ましい。これにより、螺合時の遊びを少なくした状態で、ベース部１０とキャップ部３０とを嵌合することができる。
【０１００】
また、上記第１実施形態の第４変形例では、凹凸領域１８の環状の凸部が互いに独立している例について示したが、本発明では、外周面１０ｋにローレット加工を施すことにより、隣り合う凸部同士が部分的に繋げられて網状となった凹凸領域を形成してもよい。この変形例のように構成しても、凹凸領域の凸部がキャップ部３０の内周面３０ｃに対して周状に、かつ連続性を有して接触するので、嵌合部における封止が確実に行われる。
【０１０１】
また、上記第３実施形態では、本発明の「半導体レーザ装置」を備えた光ピックアップ装置３００について示したが、本発明はこれに限らず、本発明の半導体レーザ装置を、ＣＤ、ＤＶＤまたはＢＤなどの光ディスクの記録または再生を行う光ディスク装置や、プロジェクタ装置などの光装置に適用してもよい。
【符号の説明】
【０１０２】
１０  ベース部
１０ｋ  外周面
１１ｄ  放熱部
１５  おねじ部（第１嵌合部、ねじ構造）
１６  めねじ部（第２嵌合部、ねじ構造）
１７  凸部（第１嵌合部）
１８  凹凸領域（第１嵌合部）
２０  青紫色半導体レーザ素子（半導体レーザ素子）
３０  キャップ部
３０ｃ  内周面
３０ｅ  溝部（第２嵌合部）
３７  凸部（第２嵌合部）
４５  パッケージ
５０  赤色半導体レーザ素子（半導体レーザ素子）
５５  赤外半導体レーザ素子（半導体レーザ素子）
６０  ２波長半導体レーザ素子（半導体レーザ素子）
１００、１０１、１０２、１０３、１０４、２００、２０１  半導体レーザ装置
３００  ３波長半導体レーザ装置（半導体レーザ装置）
４００  光ピックアップ装置（光装置）
４２０  光学系
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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