(57)【要約】【課題】  閉塞面を用いて液体を液体供給システムに閉じ込める際に、リソグラフィ装置内の浸漬液の汚染を低減させる装置および方法を提供すること。【解決手段】  本発明によれば、閉塞面が液体供給システムと衝突することによって生じる粒子による汚染を避けるため、または低減させるために、閉塞面を液体供給システムから離れた所定の距離の所に維持して、閉塞面と液体供給システムの間の衝突がなくなるようにされ、それでもなお液体は閉じ込められている。【選択図】図７
2012074745.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンが形成された放射線ビームを、基板テーブルによって支持された基板に投影するように構成された投影システムと、
前記投影システムと前記基板の間の空間に液体を供給するように構成された液体供給システムと、
前記基板に代わって、前記液体供給システムから供給された液体を閉じ込めるための面を形成するように構成された閉塞面と、
前記閉塞面を用いて前記液体供給システムから供給された液体を閉じ込めるときに、前記液体供給システムと前記閉塞面の間に隙間を生成および維持するように構成された閉塞面位置決め装置と
を有するリソグラフィ装置。
【請求項２】
前記閉塞面位置決め装置が入口および出口を有し、該入口および該出口は、該入口によって供給された液体によって加えられる力と、該出口によって提供される低圧との間の平衡状態を生成するように構成されている請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項３】
前記閉塞面が閉塞板上に形成されており、前記閉塞面位置決め装置が、前記液体供給システム内の液体に面している面以外の面で前記閉塞板を把持するように構成された把持部を有している請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項４】
前記閉塞面位置決め装置が、前記閉塞面を前記基板テーブルから移動させるように構成されたピン・システムを有している請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項５】
前記閉塞面位置決め装置が、前記液体供給システムおよび前記閉塞面のそれぞれに磁石を有している請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項６】
反対の極を有している前記液体供給システムおよび前記閉塞面の磁石のそれぞれが、同じ極を有している前記液体供給システムおよび前記閉塞面の磁石のそれぞれに対してバランスされている請求項５に記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
前記閉塞面位置決め装置が、前記液体供給システムおよび前記基板テーブルのそれぞれに磁石を有している請求項１に記載のリソグラフィ装置。
【請求項８】
液体供給システムを用いてリソグラフィ投影装置の投影システムと基板の間の空間に液体を供給するステップと、
前記液体供給システムによって供給された液体を基板に代わって閉塞面が閉じ込めるときに、前記液体供給システムと前記閉塞面との間に隙間を生成および維持するステップと、
前記基板が、前記液体供給システムから供給された液体を閉じ込めるための面として用いられるとき、パターンが形成された放射線ビームを、前記液体を通して前記基板に投影するステップと、
を含むデバイス製造方法。
【請求項９】
前記隙間を生成および維持するステップが、ガス流れと低圧とによって加えられる力の間の平衡状態を生成するステップを含む請求項８に記載のデバイス製造方法。
【請求項１０】
前記閉塞面が閉塞板上に形成されており、前記隙間を生成および維持するステップが、前記液体供給システム内の液体に面している面以外の面で前記閉塞板を把持するステップを含む請求項８に記載のデバイス製造方法。
【請求項１１】
前記隙間を生成および維持するステップが、ピンを用いて前記閉塞面を前記基板テーブルから移動させるステップを含む請求項８に記載のデバイス製造方法。
【請求項１２】
前記隙間を生成および維持するステップが、前記液体供給システムおよび前記閉塞面のそれぞれに設けられた磁石を用いて、前記隙間を磁気的に維持するステップを含む請求項８に記載のデバイス製造方法。
【請求項１３】
前記液体供給システムおよび閉塞面のそれぞれに設けられた磁石を用いて隙間を維持するステップが、同じ極を有する前記液体供給システムおよび前記閉塞面の磁石のそれぞれに対してバランスされた、反対の極を有する前記液体供給システムおよび前記閉塞面の磁石のそれぞれを用いて前記隙間を維持するステップを含む請求項１２に記載のデバイス製造方法。
【請求項１４】
前記隙間を生成および維持するステップが、前記液体供給システムおよび前記基板テーブルのそれぞれに設けられた磁石を用いて、前記隙間を磁気的に維持するステップを含む請求項８に記載のデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ装置およびデバイス製造方法に関するものであり、特に投影システムと露光される基板との間に液体を含む浸漬リソグラフィ装置、ならびに関連する浸漬式のデバイス製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板上に、通常は基板のターゲット部分に適用する機械である。リソグラフィ装置は、例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いることができる。そのような場合、マスクあるいはレチクルとも呼ばれるパターン形成装置を用いて、ＩＣの個々の層に形成するための回路パターンを生成することができる。このパターンを、基板（例えばシリコン・ウェハ）上の（例えば１つまたは複数のダイの一部を含む）ターゲット部分に転写することができる。パターンの転写は、一般に基板上に設けられた放射線感応材料（レジスト）の層への結像によるものである。一般に単一の基板には、連続的にパターンが形成される隣接ターゲット部分のネットワークが含まれる。周知のリソグラフィ装置には、パターン全体をターゲット部分に一度に露光することによって各ターゲット部分を照射する、いわゆるステッパと、パターンを放射線ビームによって所与の方向（「走査」方向）に走査し、それと同時にこの方向に対して平行または逆平行に基板を同期して走査することによって各ターゲット部分を照射する、いわゆるスキャナとが含まれる。パターンを基板にインプリントすることにより、パターンをパターン形成装置から基板に転写することも可能である。
【０００３】
投影システムの最終要素と基板の間の空間を満たすように、リソグラフィ投影装置内の基板を、例えば水など比較的高い屈折率を有する液体に浸すことが提唱されている。この要点は、液体中では露光放射線の波長がより短くなるため、より小さいフィーチャの結像が可能になることにある。（液体の効果を、システムの有効ＮＡを高めること、および焦点深度を高めることと考えることができる。）固体粒子（例えば石英）を懸濁させた水を含めた他の浸漬液も提唱されている。
【０００４】
しかし、基板、または基板と基板テーブルを液体槽に浸すこと（例えば米国特許第４，５０９，８５２号明細書参照。その全体を参照によって本明細書に組み込む）は、走査露光中に加速させなければならない大量の液体が存在することを意味する。このため、追加のモータもしくはより強力なモータが必要になり、また液体の乱れによって望ましくない、予測できない影響をまねく恐れがある。
【０００５】
提唱されている解決策の１つは、液体供給システムが、投影システムの最終要素と基板の間の、基板の局所領域のみに液体を供給することである（基板は一般に、投影システムの最終要素より大きい表面積を有する）。このように構成することを提唱している１つの方法が国際公開第９９／４９５０４号パンフレットに開示されており、その全体を参照によって本明細書に組み込む。図２および図３に示すように、液体は少なくとも１つの入口ＩＮによって、好ましくは最終要素に対する基板の移動方向に沿って基板上に供給され、投影システムの下を通過した後、少なくとも１つの出口ＯＵＴによって除去される。すなわち、基板が要素の下を−Ｘ方向に走査されるとき、液体は要素の＋Ｘ側で供給され、−Ｘ側で取り出される。図２は、液体が入口ＩＮを介して供給され、低圧源に接続された出口ＯＵＴによって要素の反対側で取り出される配置を概略的に示している。図２の例では液体が最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給されているが、このようにする必要はない。最終要素の周りに配置される入口および出口は、様々な向きおよび数とすることが可能であり、両側に出口を備えた４組の入口を最終要素の周りに規則正しいパターンで設けた一例を図３に示す。
【０００６】
基板の露光の合間に、露光を終えた基板が、これから露光される基板と交換される。これを浸漬リソグラフィ装置で実施するために、液体供給システムおよび浸漬液の下に配置された基板が、閉塞面で置き換えられる。この閉塞面により、例えば基板付近の液体を除去する必要なしに基板を他の基板と交換することが可能になる。また閉塞面により、液体供給システム内の液体の流れを途切れないように維持し、投影システムの最終光学要素の表面を絶えず濡れた状態に保つことが可能になる。閉塞面は１つの基板を他の基板と交換するために用いることができるが、基板テーブル上でのメンテナンスや、液体なしでの基板の測定など、液体を基板および／または基板テーブルから分離することが望ましい他の用途に用いることもできる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
一実施例では、液体供給システムの液体閉じ込め構造体の底面に真空を用いて、閉塞面を液体供給システムと結合することができる。この方法、および機械的方法など閉塞面を結合するために用いることができる他の方法に伴って起こり得る問題は、閉塞面が液体供給システムに衝突すると、閉塞面または液体供給システムから粒子が取り出され、液体に入る可能性があることである。この粒子は、液体供給システムおよび液体を汚染する恐れがあり、また投影システムの最終光学要素および／または基板を汚染する恐れ、および／または部分的に光線を遮ってプリントの欠陥を生じさせる恐れがある。露光用の投影ビームの経路に入る可能性がある最終光学要素上、基板上、および／または液体中の汚染物は、基板の露光の精度を低下させる恐れがある。さらに、汚染物が基板に堆積することにより、エッチングや蒸着など露光処理に続く他の処理ステップで問題が生じる恐れがある。
【０００８】
したがって、例えば、浸漬液、および液体付近または液体に接している任意の表面、あるいはすべての表面についての汚染のリスクを低減させることができる、閉塞面の位置決めシステムを有していることが有利であろう。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の１つの観点によれば、
パターンが形成されたビームを、基板テーブルによって支持された基板に投影するように構成された投影システムと、
投影システムと基板の間の空間に液体を供給するように構成された液体供給システムと、
液体供給システムによって供給された液体を閉じ込めるための面を、基板に代わって形成するように構成された閉塞面と、
液体供給システムから供給された液体を、閉塞面を用いて閉じ込めるとき、液体供給システムと閉塞面の間に隙間を生成および維持するように構成された閉塞面位置決め装置と
を有するリソグラフィ装置が提供される。
【００１０】
本発明の１つの観点によれば、
液体供給システムを用いて、リソグラフィ投影装置の投影システムと基板の間の空間に液体を供給するステップと、
閉塞面が液体供給システムによって供給された液体を、基板に代わって閉じ込める際に、液体供給システムと閉塞面との間に隙間を生成および維持するステップと、
液体供給システムによって供給された液体を閉じ込めるための面として基板を用いるとき、パターンが形成された放射線ビームを、液体を通して基板に投影するステップと
を含むデバイス製造方法が提供される。
【００１１】
次に本発明の実施例を、添付の概略図を参照して例示のみの目的で説明するが、図中において同じ参照記号は同じ部品を指すものであることに留意されたい。
【００１２】
図１は、本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を概略的に示している。この装置は、
（１）放射線ビームＢ（例えば、ＵＶ放射線またはＤＵＶ放射線）を調節するように構成された照明系（照明器）ＩＬと、
（２）パターン形成装置（例えばマスク）ＭＡを支持するように構成された支持構造体（例えばマスク・テーブル）ＭＴであって、あるパラメータに従ってパターン形成装置を正確に位置決めするように構成された第１の位置決め装置ＰＭに接続された支持構造体ＭＴと、
（３）基板（例えばレジスト塗布ウェハ）Ｗを保持するように構成された基板テーブル（例えばウェハ・テーブル）ＷＴであって、あるパラメータに従って基板を正確に位置決めするように構成された第２の位置決め装置ＰＷに接続された基板テーブルＷＴと、
（４）パターン形成装置ＭＡによって放射線ビームＢに与えられたパターンを、基板Ｗの（例えば１つまたは複数のダイを含む）ターゲット部分Ｃに投影するように構成された投影システム（例えば屈折投影レンズ系）ＰＳと
を有している。
【００１３】
照明系は、放射線の方向付け、成形または制御のための屈折式、反射式、磁気式、電磁式、静電式または他のタイプの光学要素、あるいはそれらの任意の組み合わせなど、様々なタイプの光学要素を含むことができる。
【００１４】
支持構造体は、パターン形成装置の向き、リソグラフィ装置の設計、ならびに例えばパターン形成装置が真空環境に保持されているかどうかなど他の条件に合わせた方法でパターン形成装置を保持している。支持構造体は、機械式、真空式、静電式または他のクランプ技術を用いてパターン形成装置を保持することができる。支持構造体を、例えばフレームまたはテーブルとすることが可能であり、これらは必要に応じて固定することも移動させることもできる。支持構造体は、パターン形成装置が、例えば投影システムに対してなど、所望の位置にあることを保証することができる。本明細書中の「レチクル」または「マスク」という用語の使用はいずれも、「パターン形成装置」というより一般的な用語と同義であると考えられる。
【００１５】
本明細書で使用する「パターン形成装置（あるいはパターニング・デバイス）」という用語は、基板のターゲット部分にパターンを生成するためなど、放射線ビームの断面にパターンを与えるために用いることができる任意の装置を指すものとして広く解釈すべきである。例えばパターンが位相シフト・フィーチャ、またはいわゆるアシスト・フィーチャを含む場合には、放射線ビームに与えられるパターンが、基板のターゲット部分における所望のパターンと厳密に一致しない可能性があることに留意すべきである。一般に、放射線ビームに与えられるパターンは、集積回路などターゲット部分に作製されるデバイスの特定の機能層に対応している。
【００１６】
パターン形成装置は、透過式であってもよく、反射式であってもよい。パターン形成装置の例には、マスク、プログラマブル・ミラー・アレイおよびプログラマブルＬＣＤパネルが含まれる。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、それにはバイナリ・マスク、交互位相シフト・マスク（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇ ＰＳＭ）および減衰位相シフト・マスク（ａｔｔｅｎｕａｔｅｄ ＰＳＭ）などのマスク・タイプ、ならびに様々なハイブリッド型のマスク・タイプが含まれる。プログラマブル・ミラー・アレイの例は、小さいミラーのマトリクス状の配列を使用するものであり、入射する放射線ビームを異なる方向に反射するように、それぞれのミラーを別々に傾斜させることができる。傾斜したミラーは、ミラーのマトリクスによって反射された放射線ビームにパターンを与える。
【００１７】
本明細書で使用する「投影システム」という用語は、使用する露光放射線に対して、あるいは浸漬液の使用や真空の使用など他の要因に対して適切な、屈折式、反射式、反射屈折式、磁気式、電磁式および静電式の光学系、またはそれらの任意の組み合わせを含む任意のタイプの投影システムを包含するものとして広く解釈すべきである。本明細書中の「投影レンズ」という用語の使用はいずれも、「投影システム」というより一般的な用語と同義であると考えられる。
【００１８】
本明細書で図示する装置は、（例えば透過性マスクを使用する）透過式のものである。代替的に、装置は（例えば先に言及したタイプのプログラマブル・ミラー・アレイを使用する、あるいは反射性マスクを使用する）反射式のものであってもよい。
【００１９】
リソグラフィ装置は、２（デュアル・ステージ）または３以上の基板テーブル（および／または２以上の支持構造体）を有するタイプのものでもよい。こうした「マルチ・ステージ」装置では、追加のテーブルを並行して用いてもよく、あるいは１つまたは複数のテーブル上で予備ステップを実施し、それと同時に１つまたは複数の他のテーブルを露光に用いてもよい。
【００２０】
図１を参照すると、照明器ＩＬは放射線源ＳＯから放射線ビームを受け取る。例えば放射線源がエキシマ・レーザーである場合、放射線源とリソグラフィ装置を別々の構成要素にすることができる。そうした場合には、放射線源がリソグラフィ装置の一部を形成するものとは考えられず、放射線ビームは、例えば適切な指向性ミラーおよび／またはビーム・エキスパンダを有するビーム・デリバリ・システムＢＤを用いて、放射線源ＳＯから照明器ＩＬへ送られる。他の場合、例えば放射線源が水銀ランプである場合には、放射線源をリソグラフィ装置の一部とすることができる。放射線源ＳＯおよび照明器ＩＬを、必要であればビーム・デリバリ・システムＢＤと共に、放射線システムと呼ぶことがある。
【００２１】
照明器ＩＬは、放射線ビームの角強度分布を調整するための調整装置ＡＭを含むことができる。一般に、照明器のひとみ面内における強度分布の少なくとも外側および／または内側の半径方向範囲（それぞれ一般にσアウタ（σ−ｏｕｔｅｒ）、σインナ（σ−ｉｎｎｅｒ）と呼ばれる）を調整することができる。さらに照明器ＩＬは、積算器ＩＮやコンデンサＣＯなど他の様々な構成要素を含むことができる。照明器を用いて、所望の均一性および強度分布をその断面に有するように放射線ビームを調節することができる。
【００２２】
放射線ビームＢは、支持構造体（例えばマスク・テーブルＭＴ）上に保持されたパターン形成装置（例えばマスクＭＡ）に入射し、このパターン形成装置によって放射線ビームＢにパターンが形成される。パターン形成装置ＭＡを通過した放射線ビームＢは、ビームを基板Ｗのターゲット部分Ｃに集束させる投影システムＰＳを通過する。第２の位置決め装置ＰＷおよび位置センサＩＦ（例えば干渉測定装置、リニア・エンコーダまたは容量センサ）を用いて、基板テーブルＷＴを、例えば異なるターゲット部分Ｃを放射線ビームＢの経路内に位置決めするように、正確に移動させることができる。同様に、第１の位置決め装置ＰＭおよび（図１には明示されていない）他の位置センサによって、パターン形成装置ＭＡを、例えばマスク・ライブラリから機械的に取り出した後で、または走査中に、放射線ビームＢの経路に対して正確に位置決めすることができる。一般に、マスク・テーブルＭＴの移動は、第１の位置決め装置ＰＭの一部を形成する長ストローク・モジュール（粗い位置決め）および短ストローク・モジュール（細かい位置決め）を用いて実現することができる。同様に、基板テーブルＷＴの移動は、第２の位置決め装置ＰＷの一部を形成する長ストローク・モジュールおよび短ストローク・モジュールを用いて実現することができる。（スキャナではなく）ステッパの場合には、支持構造体ＭＴを短ストローク・アクチュエータに接続するだけでもよいし、または固定してもよい。マスクＭＡおよび基板Ｗは、パターン形成装置アライメント・マークＭ１、Ｍ２、および基板アライメント・マークＰ１、Ｐ２を用いて位置を調整することができる。図示した基板アライメント・マークは専用のターゲット部分を占有しているが、それらをターゲット部分同士の間の空間に配置することもできる（これらはスクライブ・レーン・アライメント・マークとして知られている）。同様に、パターン形成装置ＭＡ上に２つ以上のダイを設ける場合には、パターン形成装置アライメント・マークをダイ同士の間に配置してもよい。
【００２３】
図示した装置は、以下のモードの少なくとも１つで使用することができる。
（１）ステップ・モードでは、放射線ビームに与えられたパターン全体を１回でターゲット部分Ｃに投影する間、支持構造体ＭＴおよび基板テーブルＷＴが本質的に静止した状態に保たれる（すなわち、ただ１回の静止露光）。次いで、異なるターゲット部分Ｃを露光することができるように、基板テーブルＷＴをＸおよび／またはＹ方向に移動させる。ステップ・モードでは、露光フィールドの最大サイズによって１回の静止露光で結像されるターゲット部分Ｃのサイズが制限される。
（２）走査モードでは、放射線ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する間、支持構造体ＭＴおよび基板テーブルＷＴが同期して走査される（すなわち、ただ１回の動的露光）。支持構造体ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度および方向は、投影システムＰＳの拡大（縮小）率、および像（イメージ）の反転特性によって決定することができる。走査モードでは、露光フィールドの最大サイズによって１回の動的露光におけるターゲット部分の（非走査方向の）幅が制限され、走査移動の長さによってターゲット部分の（走査方向の）高さが決定される。
（３）他のモードでは、放射線ビームに与えられたパターンをターゲット部分Ｃに投影する間、プログラム可能なパターン形成装置を保持しながら支持構造体ＭＴを本質的に静止した状態に保ち、基板テーブルＷＴを移動または走査させる。このモードでは、一般にパルス式の放射線源が使用され、基板テーブルＷＴが移動するたびに、または走査中の連続する放射線パルスの合間に、プログラム可能なパターン形成装置が必要に応じて更新される。この動作モードは、先に言及したタイプのプログラマブル・ミラー・アレイなど、プログラム可能なパターン形成装置を利用するマスクレス・リソグラフィに簡単に適用することができる。
【００２４】
前述の使用モードの組み合わせおよび／または変形形態、あるいは全く異なる使用モードを採用することもできる。
【００２５】
局所的な液体供給システムを用いた他の浸漬リソグラフィ装置の解決策を図４に示す。液体は、投影システムＰＬの両側で２つの溝状の入口ＩＮによって供給され、入口ＩＮの半径方向外側に配置された複数の別々の出口ＯＵＴによって除去される。入口ＩＮおよび出口ＯＵＴは、投影ビームを通過させて投影するための孔を中央に有する板に配置することができる。液体は、投影システムＰＬの一方の側で１つの溝入口ＩＮによって供給され、投影システムＰＬのもう一方の側で複数の別々の出口ＯＵＴによって除去され、それによって投影システムＰＬと基板Ｗの間に液体の薄い膜の流れが生じる。入口ＩＮと出口ＯＵＴのどの組み合わせ使用するかの選択は、基板Ｗの移動方向によって決めることができる（このとき入口ＩＮと出口ＯＵＴの他の組み合わせは非アクティブ状態である）。
【００２６】
提唱されてきた局所的液体供給システム・ソリューションを備えた他の浸漬リソグラフィ・ソリューションは、投影システムの最終要素と基板テーブルとの間の空間の少なくとも一部の境界に沿って延びる液体閉じ込め構造体を備えた液体供給システムを提供することである。そのようなシステムを図５に示す。液体閉じ込め構造体は、ＸＹ平面内では投影システムに対して実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）にはある程度の相対移動が可能である。液体閉じ込め構造体と基板表面の間には、シールが形成される。一実施例では、シールはガス・シールなどの非接触シールである。このようなガス・シールを備えたシステムが、米国特許出願第１０／７０５７８３号に開示されており、その全体を参照によって本明細書に組み込む。
【００２７】
図５は、液体を閉じ込めて基板表面と投影システムの最終要素との間の空間を満たすように、投影システムのイメージ・フィールドの周りに基板に対する非接触シールを形成しているリザーバ１０の配置を示したものである。投影システムＰＬの最終要素の下に配置され、それを囲む液体閉じ込め構造体１２が、リザーバを形成している。液体は、投影システムの下の液体閉じ込め構造体１２の内側の空間に導入される。液体閉じ込め構造体１２は投影システムの最終要素の少し上まで延びているので、液体の高さが最終要素より上に上昇し、その結果、液体の緩衝体が形成される。液体閉じ込め構造体１２は、その上端に、好ましくは投影システムまたはその最終要素の形に厳密に一致した内側周縁を有し、例えばそれを円形とすることができる。底部では、内側周縁はイメージ・フィールドの形に厳密に一致し、例えば長方形とすることができるが、必ずしもそうである必要はない。
【００２８】
液体は、液体閉じ込め構造体１２の底部と基板Ｗの表面の間で、ガス・シール１６によってリザーバに閉じ込められる。ガス・シールは、加圧下で入口１５を介して液体閉じ込め構造体１２と基板の間の隙間に供給され、出口１４を介して取り出されるガス（例えば空気、合成空気、Ｎ２、不活性ガス）によって形成される。ガス入口１５に対する超過圧力、出口１４に対する真空吸引レベル、および隙間の形状は、液体を閉じ込める内側への高速ガス流れが存在するように構成される。液体を収容するために、単に液体および／またはガスを除去する出口など他のタイプのシールを用いることも可能であることが当業者には理解されよう。
【００２９】
ガス・シールを用いて、液体供給システムと閉塞面または基板テーブルとの間に隙間を生成することもできる。
【００３０】
図５は、浸漬液１１の下に配置された基板Ｗを有する液体供給システムの液体閉じ込め構造体１２を示している。例えば、この基板を次に露光される他の基板と交換するときには、図６に示すように、基板Ｗは閉塞板２０に交換される。閉塞板２０は板状の形を有している必要はなく、液体を閉じ込めることが可能な表面を形成する必要があるだけである。したがって閉塞板２０を閉塞構造体または閉塞面と呼ぶこともできる。
【００３１】
図６は、液体閉じ込め構造体１２および閉塞板２０の向きを示している。図５および図６に示した出口１４によってもたらされる低圧を用いて、閉塞板２０を液体閉じ込め構造体１２に押し付ける。閉塞板２０が出口１４によって液体閉じ込め構造体１２に押し付けられると、閉塞板２０および／または液体閉じ込め構造体１２の表面から放出される、主にそれらの物理的接触によって生じる粒子のために、浸漬液１１の粒子による汚染が生じる可能性がある。ある量の液体流れ１３が存在しているが、それは閉塞板２０の表面近くの液体１１を循環させるものではなく、閉塞板が適所にある限り、粒子が洗い流される可能性は低い。
【００３２】
図７は、液体閉じ込め構造体１２からある距離の所に維持されている閉塞板２０を示している。このようにすると、少なくとも２つの利点がある。第１には、粒子が閉塞板２０および／または液体閉じ込め構造体１２の表面から放出される可能性が低くなることであり、第２には、浸漬液１１に放出され、浸漬液１１中に存在するどんな粒子も、液体の循環によって、特に出口１４を介して除去することができることである。
【００３３】
閉塞板を液体供給システム（例えば、液体閉じ込め構造体）から離れたある距離に保持することができる、閉塞板の位置決め装置が存在する。そうした第１の装置は、液体閉じ込め構造体の出口１４および入口１５であり、図５に示すように、それらを用いて出口１４の低圧と入口１５によって供給されるガス流れとの間の平衡状態を維持することができる。この平衡を用いて、浸漬液１１を収容するだけではなく、閉塞板を液体閉じ込め構造体の直下に「浮かせる」ことができる。
【００３４】
図８は、把持部２２を用いることにより、液体閉じ込め構造体１２から離れたある距離に維持された閉塞板２０を示している。この把持部は、（例えば基板交換の）所望の時間にわたって閉塞板２０の位置を維持する任意の機械装置とすることができる。図８では、把持部２２は一端で閉塞板２０に接続され、他端で液体閉じ込め構造体１２に接続されている。この把持部２２の他端を、基板テーブルＷＴやリソグラフィ装置のフレームなど、液体閉じ込め構造体１２以外の他の構造体に接続することもできる。別法としては、例えば、閉塞板２０を基板テーブルＷＴ上のその静止位置から押しやる１つまたは複数のピンを有するピン・システムや、他の任意の機械装置とすることができる。
【００３５】
図９は、本発明の別の実施例を示している。具体的には、磁石２４を用いることにより、閉塞板２０を液体閉じ込め構造体１２から離れたある距離に維持している。磁石は、前述の低圧／ガス流れの平衡と一緒に用いること、あるいは１つまたは複数の他の磁石に対して釣り合わせることができる。例えば、反対の極を有する磁石を、向かい合う同じ極を有する磁石に対して釣り合わせて、閉塞板２０を「浮かせる」ことができる。一実施例では、閉塞板２０を液体閉じ込め構造体１２から離れたある距離に維持しやすくするために、液体供給システムと基板テーブルのそれぞれに磁石を設けることができる。静電気学によるものなど、閉塞板２０を液体供給システムから離れたある距離に保持する他の類似の方法も理解されよう。
【００３６】
欧州特許出願第０３２５７０７２．３号明細書には、ツインまたはデュアル・ステージの浸漬リソグラフィ装置の概念が開示されている。そうした装置は、基板を支持するための２つのテーブルを備えている。レベリングの測定は第１の位置にあるテーブルを用いて浸漬液なしで行われ、露光は浸漬液が存在している第２の位置にあるテーブルを用いて行われる。あるいは、装置はただ１つのテーブルを有している。
【００３７】
本明細書では、リソグラフィ装置をＩＣの製造に用いることについて特に言及しているかもしれないが、本明細書で記載するリソグラフィ装置は、一体型光学システム、磁気ドメイン・メモリ用の誘導および検出パターン、フラット・パネル・ディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドその他の製造など、他の用途にも使用可能であることを理解すべきである。こうした別の用途についての文脈では、本明細書中の「ウェハ」または「ダイ」という用語の使用はいずれも、それぞれ「基板」または「ターゲット部分」というより一般的な用語と同義であると考えられることが、当業者には理解されよう。本明細書で言及する基板は、露光前または露光後に、例えばトラック（一般に基板にレジスト層を施し、露光されたレジストを現像するツール）や計測ツールおよび／または検査ツールで処理することができる。適用可能であれば、本明細書の開示をこうしたツールや他の基板処理ツールに適用してもよい。さらに、例えば多層ＩＣを作製するために、基板を２回以上処理することも可能であり、したがって本明細書で使用する基板という用語は、既に処理が施された複数の層を既に含む基板を指すこともある。
【００３８】
本明細書で使用する「放射線」および「ビーム」という用語は、（例えば３６５、２４８、１９３、１５７または１２６ｎｍの波長を有する）紫外（ＵＶ）放射線を含むあらゆるタイプの電磁放射線を包含している。
【００３９】
「レンズ」という用語は、状況が許す場合には、屈折式および反射式の光学要素を含めた様々なタイプの光学要素の任意の１つ、または任意の組み合わせを指すことがある。
【００４０】
ここまで本発明の特定の実施例について説明してきたが、本発明は記載したものとは別の方法で実施可能であることが理解されよう。例えば、本発明は、先に開示した方法を記述した、機械で読み取り可能な命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータ・プログラム、あるいはそうしたコンピュータ・プログラムを内部に記憶したデータ記憶媒体（例えば半導体メモリ、磁気または光ディスク）の形とすることができる。
【００４１】
本発明の１つまたは複数の実施例は、前述のタイプのものなど任意の浸漬リソグラフィ装置に対して、また浸漬液が槽（ｂａｔｈ；あるいは液浴）の形で提供されても、基板の局所的な表面領域のみに提供されても適用することができる。液体供給システムは、投影システムと基板および／または基板テーブルとの間の空間に液体を提供する任意の機構である。それは、１つまたは複数の構造体、１つまたは複数の液体入口、１つまたは複数のガス入口、１つまたは複数のガス出口、および／または１つまたは複数の液体出口の任意の組み合わせを有し、その組み合わせによって液体を空間に提供し、閉じ込めることができる。一実施例では、空間の表面を基板および／または基板テーブルの一部に限定すること、空間の表面が基板および／または基板テーブルの表面を完全に覆うこと、あるいは空間が基板および／または基板テーブルを囲むことが可能である。
【００４２】
前述の説明は例示的なものであり、限定的なものではない。したがって、添付の特許請求の範囲から逸脱することなく、前述の本発明に変更を加えることが可能であることが当業者には明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の一実施例によるリソグラフィ装置を示す図である。
【図２】リソグラフィ投影装置に用いるための液体供給システムを示す図である。
【図３】リソグラフィ投影装置に用いるための液体供給システムを示す図である。
【図４】リソグラフィ投影装置に用いるための他の液体供給システムを示す図である。
【図５】リソグラフィ投影装置に用いるための他の液体供給システムを示す図である。
【図６】閉塞板を備えた液体供給システムの液体閉じ込め構造体を示す図である。
【図７】本発明の一実施例に従って配置された閉塞板を備えた、図２に示す液体供給システムの液体閉じ込め構造体を示す図である。
【図８】本発明の一実施例による図７の液体閉じ込め構造体および閉塞板を示す図である。
【図９】本発明の他の実施例による図７の液体閉じ込め構造体および閉塞板を示す図である。
【符号の説明】
【００４４】
ＡＭ 調整装置
Ｂ 放射線ビーム
ＢＤ ビーム・デリバリ・システム
Ｃ ターゲット部分
ＣＯ コンデンサ
ＩＦ 位置センサ
ＩＬ 照明器
ＩＮ 積算器
ＭＡ パターン形成装置、マスク
ＭＴ 支持構造体、マスク・テーブル
Ｍ１、Ｍ２ パターン形成装置アライメント・マーク
ＰＭ、ＰＷ 位置決め装置
Ｐ１、Ｐ２ 基板アライメント・マーク
ＰＳ 投影システム
ＳＯ 放射線源
Ｗ 基板
ＷＴ 基板テーブル
ＩＮ 入口
ＯＵＴ 出口
ＰＬ 投影システム
１０ リザーバ
１１ 浸漬液
１２ 液体閉じ込め構造体
１３ 液体流れ
１４ 出口
１５ 入口
１６ ガス・シール
２０ 閉塞板
２２ 把持部
２４ 磁石
【図１】
2012074745.tif 000003
【図２】
2012074745.tif 000004
【図３】
2012074745.tif 000005
【図４】
2012074745.tif 000006
【図５】
2012074745.tif 000007
【図６】
2012074745.tif 000008
【図７】
2012074745.tif 000009
【図８】
2012074745.tif 000010
【図９】
2012074745.tif 000011
【手続補正書】
【提出日】平成24年1月16日(2012.1.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンが形成された放射線ビームを、基板テーブルによって支持された基板に投影するように構成された投影システムと、
前記投影システムと前記基板の間の空間に液体を供給するように構成された液体供給システムと、
基板交換のために、前記基板に代わって、前記液体供給システムから供給された液体を閉じ込めるための面を形成するように構成された閉塞面と、
前記閉塞面を用いて前記液体を閉じ込めるときに、前記液体供給システムと前記閉塞面の間に隙間を生成および維持するように構成された閉塞面位置決め装置と、を有し、
前記閉塞面位置決め装置は、前記閉塞面が前記液体を閉じ込めるために用いられるときに、前記液体供給システムと前記閉塞面の間の前記隙間を前記液体の一部が流れるように構成されている、リソグラフィ装置。
【請求項２】
前記閉塞面位置決め装置は、前記隙間を前記液体の一部が循環するように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記閉塞面位置決め装置は出口を有し、前記隙間を介して前記出口へと前記液体の一部が流れるように構成されている、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記閉塞面位置決め装置は、前記閉塞面を非接触で保持するように構成されている、請求項１乃至３のいずれかに記載の装置。
【請求項５】
前記閉塞面位置決め装置は、前記液体供給システムの一部である、請求項１乃至４のいずれかに記載の装置。
【請求項６】
前記閉塞面位置決め装置が入口および出口を有し、該入口および該出口は、該入口によって供給された液体によって加えられる力と、該出口によって提供される低圧との間の平衡状態を生成するように構成されている、請求項１乃至５のいずれかに記載のリソグラフィ装置。
【請求項７】
閉鎖板が前記閉塞面を備える、請求項１乃至６のいずれかに記載の装置。
【請求項８】
前記閉塞面は、液体供給システムによって支持されている、請求項１乃至７のいずれかに記載の装置。
【請求項９】
液体供給システムを用いて、リソグラフィ投影装置の投影システムと基板テーブルによって保持されている基板との間の空間に液体を供給するステップと、
前記基板が、前記液体供給システムから供給された液体を閉じ込めるための面として用いられるとき、パターンが形成された放射線ビームを、前記液体を通して前記基板に投影するステップと、
前記液体供給システムと閉塞面の間の隙間を前記液体の一部が流れることによって該隙間を維持しつつ、該閉塞面を用いて基板交換のために前記基板に代わって前記空間内に前記液体を閉じ込めるステップと、を含むデバイス製造方法。
【請求項１０】
前記液体の一部が前記隙間を循環する、請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記液体の一部が、前記隙間を介して出口へ流れる、請求項９又は１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記閉塞面を非接触で保持するステップを含む、請求項９乃至１１のいずれかに記載の方法。
【請求項１３】
前記隙間を生成および維持するステップが、前記液体供給システムおよび前記閉塞面のそれぞれに設けられた磁石を用いて、及び／又は前記液体供給システムおよび前記基板テーブルのそれぞれに設けられた磁石を用いて前記隙間を磁気的に維持するステップを含む請求項９乃至１２のいずれかに記載の方法。
【請求項１４】
前記隙間を維持するステップが、ガス流れと低圧とによって加えられる力の間の平衡状態を生成するステップを含む、請求項９乃至１３のいずれかに記載の方法。
【請求項１５】
前記隙間を維持するステップが、ピンを用いて前記閉塞面を前記基板テーブルから移動させるステップを含む請求項９乃至１４のいずれかに記載の方法。