(57)【要約】【課題】色度のばらつきを抑制することができる半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供することである。【解決手段】本発明の実施態様によれば、複数の半導体発光装置が一括形成された半導体発光装置ウェーハであって、発光部と、波長変換部と、を備えた半導体発光装置ウェーハが提供される。前記発光部は、第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面と、を有する。前記波長変換部は、前記第１の主面側に設けられ、蛍光体を含有する。前記波長変換部の厚さは、前記発光部から出射する光の前記ウェーハの面内における波長及び強度の少なくともいずれかの分布に基づいて変化してなる。【選択図】図１
2012195425.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体発光装置が一括形成された半導体発光装置ウェーハであって、
第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面と、を有する発光部と、
前記第１の主面側に設けられ、蛍光体を含有する波長変換部と、
を備え、
前記波長変換部の厚さは、前記複数の半導体発光装置のそれぞれの発光部から出射する光の前記ウェーハの面内における波長及び強度の少なくともいずれかの分布に基づいて変化してなることを特徴とする半導体発光装置ウェーハ。
【請求項２】
複数の半導体発光装置をウェーハ上に一括形成する半導体発光装置の製造方法であって、
第１の主面と、前記第１の主面の反対面を形成する第２の主面と、を有する複数の発光部をウェーハ上に形成し、
蛍光体が混合された媒体を前記第１の主面側に塗布した後、前記媒体に押し当てる印刷版と、前記第１の主面と、の間の距離を調整することで前記媒体の厚さを調整し、前記媒体を硬化させることで前記調整された厚さの波長変換部を形成することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記印刷版は、平板であることを特徴とする請求項２記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記印刷版は、前記複数の発光部のそれぞれから出射する光の前記ウェーハの面内における波長分布に基づいて作成された凹凸版であることを特徴とする請求項２記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項５】
前記印刷版は、金属、石英、または透明樹脂で形成され、
前記透明樹脂は、少なくとも波長が４０５ナノメートル以下の紫外線を透過可能な樹脂であることを特徴とする請求項２〜４のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
【請求項６】
ブレードダイシング法を用いることにより、前記一括形成された複数の半導体発光装置をさらに個片化させることを特徴とする請求項２〜５のいずれか１つに記載の半導体発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体発光装置ウェーハおよび半導体発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体発光素子と、蛍光体などの波長変換作用を有する部材と、を組み合わせた半導体発光装置がある。例えば、窒化ガリウム（ＧａＮ）などのIII族窒化物半導体を用い、高輝度の青色光を発光する半導体発光素子がある。そして、青色光を発光する半導体発光素子と、波長変換可能な蛍光体を含む波長変換部と、を組み合わせることで白色光を出射させることができる。このような白色光を出射する半導体発光装置の波長変換部は、青色光を発光する半導体発光素子が複数形成されたウェーハ上に波長変換可能な蛍光体を含む樹脂を単に塗布または滴下し、これを硬化させることにより形成することができる。  
ところが、半導体発光装置に設けられた発光部から出射する光の波長がばらついたり、蛍光体を含む樹脂の厚さがばらついた場合には、半導体発光装置の色度が変動するおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−３０３１５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、色度のばらつきを抑制することができる半導体発光装置ウェーハおよび半導体発光装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施態様によれば、複数の半導体発光装置が一括形成された半導体発光装置ウェーハであって、発光部と、波長変換部と、を備えた半導体発光装置ウェーハが提供される。前記発光部は、第１の主面と、前記第１の主面とは反対側の第２の主面と、を有する。前記波長変換部は、前記第１の主面側に設けられ、蛍光体を含有する。前記波長変換部の厚さは、前記発光部から出射する光の前記ウェーハの面内における波長及び強度の少なくともいずれかの分布に基づいて変化してなる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本発明の実施の形態にかかる半導体発光装置ウェーハを表す模式図である。
【図２】本実施形態にかかる半導体発光装置を表す断面模式図である。
【図３】発光部から出射した光のウェーハ面内における波長分布の一例を例示する平面模式図である。
【図４】発光部から出射する光の波長と、半導体発光装置から放出される光の色度（Ｃｙ）と、の関係の一例を表すグラフ図である。
【図５】波長変換部の厚み寸法と、半導体発光装置から放出される光の色度（Ｃｙ）と、の関係の一例を表すグラフ図である。
【図６】比較例にかかる半導体発光装置の製造方法により形成された波長変換部の厚み寸法と、ウェーハ面内の径方向位置と、の関係の一例を表すグラフ図である。
【図７】本発明の実施の形態にかかる半導体発光装置の製造方法を表すフローチャート図である。
【図８】本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法を表す断面模式図である。
【図９】本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法を表す断面模式図である。
【図１０】本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法を表す断面模式図である。
【図１１】本発明の他の実施の形態にかかる半導体発光装置の製造方法を表すフローチャート図である。
【図１２】本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法を表す断面模式図である。
【図１３】本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法により形成された波長変換部の厚み寸法を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。  
図１は、本発明の実施の形態にかかる半導体発光装置ウェーハを表す模式図である。  
また、図２は、本実施形態にかかる半導体発光装置を表す断面模式図である。  
また、図３は、発光部から出射した光のウェーハ面内における波長分布の一例を例示する平面模式図である。
【０００８】
なお、図１（ａ）は、複数の半導体発光装置が一括形成された半導体発光装置ウェーハを表す平面模式図である。図１（ｂ）は、半導体発光装置ウェーハの一部を拡大して表した拡大模式図である。図１（ｃ）は、半導体発光装置ウェーハのうちの２つの半導体発光装置を表す断面模式図であり、図１（ｂ）に表した矢視Ａの方向にみたときの２つの半導体発光装置を表す断面模式図である。
【０００９】
本実施形態にかかる半導体発光装置１の製造方法では、図１（ａ）〜図１（ｃ）に表したように、複数の半導体発光装置１が半導体発光装置ウェーハ（以下、単に「ウェーハ」と省略することもある）１０上に一括形成すなわち一体的に形成された後、各半導体発光装置１が個片化される。これにより、半導体発光装置１の生産性を向上できる。また、パッケージに半導体発光素子をマウントした従来の半導体発光装置と比較して、飛躍的な小型化や、薄型化、軽量化が可能となる。なお、ウェーハ１０上に一括形成される複数の半導体発光装置１の個数は、図１（ａ）に表した半導体発光装置１の個数に限定されるわけではない。
【００１０】
図２に表したように、本実施形態にかかる半導体発光装置１は、発光部２０と、波長変換部４０と、第１の電極部５０と、第１の導電部６０と、第１の接続部材７０と、第２の電極部８０と、第２の導電部９０と、第２の接続部材１１０と、絶縁部１２０と、封止部１３０と、第１の配線部１４０と、第２の配線部１５０と、接合部１６０と、絶縁部１７０と、を備える。
【００１１】
発光部２０は、第１の半導体層２１と、第２の半導体層２２と、活性層２３と、を有する。また、発光部２０は、第１の主面２５と、第１の主面２５とは反対側の第２の主面２７と、を有する。
【００１２】
複数の発光部２０がウェーハ１０上に一括形成される場合には、形成過程において例えば、活性層２３の組成や厚み寸法などにばらつきが生ずる場合がある。活性層２３の組成や厚み寸法などにばらつきが生ずると、発光部２０から出射する光の波長や強度などの発光特性が変動する。そのため、図３に表したように、発光部２０から出射する光の波長や強度がウェーハ１０の面内においてばらつく場合がある。
【００１３】
図３に表した平面模式図では、ウェーハ１０上に一括形成された複数の発光部２０から出射された光の波長が等高線で表されている。図３に表した波長λｄ１、λｄ２、λｄ３、λｄ４の関係は、例えば次の式（１）に表した如くである。  
λｄ１＜λｄ２＜λｄ３＜λｄ４  ・・・（１）
このように、発光部２０から出射する光の波長がウェーハ１０の面内において分布を有すると、波長変換部４０に含まれる蛍光体の割合が一定であっても、ウェーハ１０の面内において半導体発光装置１から放出される白色光の色度にばらつきが生ずる。そのため、ウェーハ１０の面内における良品としての半導体発光装置１の取れ高（良品の個数あるいは歩留まり）を向上させることが困難となる場合がある。
【００１４】
また、ウェーハ１０上に一括形成された複数の発光部２０から出射される光の波長や強度が一定であっても、あるいは波長変換部４０に含まれる蛍光体の割合が一定であっても、波長変換部４０の厚み寸法にばらつきが生ずると、ウェーハ１０の面内において半導体発光装置１から放出される白色光の色度にばらつきが生ずる。そのため、ウェーハ１０の面内における良品としての半導体発光装置１の取れ高を向上させることが困難となる場合がある。なお、発光部２０から出射する光の波長と色度との関係、および波長変換部４０の厚さと色度との関係については、後に詳述する。
【００１５】
これに対して、本実施形態にかかる半導体発光装置１の製造方法では、製造過程において例えば波長変換部４０（蛍光体が混合された樹脂など）に押し当てる図示しない印刷版と、図示しない基板または発光部２０の第１の主面２５もしくは第２の主面２７と、の間の距離を調整することにより、波長変換部４０の厚さを調整する。そのため、波長変換部４０の厚み寸法のばらつきを抑制することができる。これにより、ウェーハ１０の面内における白色光の色度のばらつきを抑制することができる。また、ウェーハ１０の面内における良品としての半導体発光装置１の取れ高を向上させることができる。
【００１６】
また、本実施形態にかかる半導体発光装置１の製造方法では、ウェーハ１０上に一括形成される複数の半導体発光装置１の波長変換部４０の厚さを、発光部２０から出射する光の波長や強度などに基づいてそれぞれ調整する。例えば、図３に表した波長分布に基づいて、ウェーハ１０上に一括形成される複数の半導体発光装置１の波長変換部４０の厚さをそれぞれ調整する。これにより、ウェーハ１０の面内における白色光の色度のばらつきを抑制することができる。また、ウェーハ１０の面内における良品としての半導体発光装置１の取れ高を向上させることができる。すなわち、本実施形態によれば、図１（ｃ）に表したように、ウェーハ１０上に一括形成された複数の半導体発光装置１の波長変換部４０の厚さは、発光部２０から出射する光の波長などに基づいて互いに異なる場合がある。本実施形態にかかる半導体発光装置１の製造方法については、後に詳述する。
【００１７】
次に、本実施形態にかかる半導体発光装置１について、図２を参照しつつさらに説明する。  
前述したように、発光部２０は、第１の半導体層２１と、第２の半導体層２２と、活性層２３と、を有する。また、発光部２０は、第１の主面２５と、第１の主面２５とは反対側の第２の主面２７と、を有する。
【００１８】
第１の半導体層２１は、例えばｎ形の窒化物半導体などにより形成されている。第２の半導体層２２は、例えばｐ形の窒化物半導体などにより形成されている。窒化物半導体としては、例えば、ＧａＮ（窒化ガリウム）、ＡｌＮ（窒化アルミニウム）、ＡｌＧａＮ（窒化アルミニウムガリウム）、ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）などが挙げられる。
【００１９】
活性層２３は、第１の半導体層２１と第２の半導体層２２との間に設けられている。  
活性層２３は、例えば、正孔および電子が再結合して光を発生する井戸層と、井戸層よりも大きなバンドギャップを有する障壁層（クラッド層）と、を含む量子井戸構造などを有するものとしてもよい。この場合、活性層２３は、単一量子井戸（ＳＱＷ；Single Quantum Well）構造を有してもよいし、多重量子井戸（ＭＱＷ；Multiple Quantum Well）構造を有してもよい。また、活性層２３は、複数の単一量子井戸構造が積層された構造を有してもよい。
【００２０】
単一量子井戸構造としては、例えば、ＧａＮ（窒化ガリウム）を有する障壁層と、ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）を有する井戸層と、ＧａＮ（窒化ガリウム）を有する障壁層と、がこの順で積層された構造などが挙げられる。  
多重量子井戸構造としては、例えば、ＧａＮ（窒化ガリウム）を有する障壁層と、ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）を有する井戸層と、ＧａＮ（窒化ガリウム）を有する障壁層と、ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）を有する井戸層と、ＧａＮ（窒化ガリウム）を有する障壁層と、がこの順で積層された構造などが挙げられる。  
この場合、第１の半導体層２１が障壁層として機能してもよい。  
なお、活性層２３は、量子井戸構造を有するものに限定されるわけではなく、発光可能な構造を適宜有することができる。  
また、第１の半導体層２１、第２の半導体層２２、活性層２３の材料は、窒化物半導体には限定されず、その他、各種の半導体材料を用いることができる。
【００２１】
発光部２０は、例えば、ピークの発光波長が約３８０ｎｍ〜５３０ｎｍ程度の発光ダイオードなどである。また、発光部２０は、例えば、発光波長の帯域が約３５０ｎｍ〜６００ｎｍ程度の発光ダイオードなどであってもよい。あるいは、発光部２０の発光波長は、６００ｎｍよりも長くてもよい。
【００２２】
波長変換部４０は、発光部２０の第１の主面２５の側に設けられている。波長変換部４０は、例えば、波長変換可能な蛍光体と、蛍光体と混合された媒体と、を有する。媒体としては、樹脂などの有機材料や、ガラスなどの無機材料を用いることができる。蛍光体は、例えば粒子状である。
【００２３】
波長変換部４０は、例えば、４４０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下(青色)、５００ｎｍ以上５５５ｎｍ以下(緑色)、５６０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下(黄色)、６００ｎｍ以上６７０ｎｍ以下(赤色)にピークの発光波長を持つ蛍光体の少なくとも１つ以上を含む。あるいは、波長変換部４０は、例えば、発光波長の帯域が３８０ｎｍ〜７２０ｎｍの蛍光体を含む。
【００２４】
蛍光体は、例えば、ケイ素（Ｓｉ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、燐（Ｐ）、ホウ素（Ｂ）、イットリウム（Ｙ）、アルカリ土類元素、硫化物元素、希土類元素、窒化物元素よりなる群から選択される少なくとも１つの元素を含む。
【００２５】
赤色の蛍光を発する蛍光体の材料としては、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる赤色の蛍光を発する蛍光体は、これらに限定されるわけではない。  
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ、  
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ＋顔料、  
Ｙ２Ｏ３：Ｅｕ、  
Ｚｎ３（ＰＯ４）２：Ｍｎ、  
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、  
（Ｙ，Ｇｄ，Ｅｕ）ＢＯ３、  
（Ｙ，Ｇｄ，Ｅｕ）２Ｏ３、  
ＹＶＯ４：Ｅｕ、  
Ｌａ２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ，Ｓｍ、  
ＬａＳｉ３Ｎ５：Ｅｕ２＋、  
α−ｓｉａｌｏｎ：Ｅｕ２＋、  
ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋、  
ＣａＳｉＮＸ：Ｅｕ２＋、  
ＣａＳｉＮＸ：Ｃｅ２＋、  
Ｍ２Ｓｉ５Ｎ８：Ｅｕ２＋、  
ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋、  
（ＳｒＣａ）ＡｌＳｉＮ３：ＥｕＸ＋、  
Ｓｒｘ（ＳｉｙＡｌ３）ｚ（ＯｘＮ）：ＥｕＸ＋ 
緑色の蛍光を発する蛍光体の材料としては、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる緑色の蛍光を発する蛍光体は、これらに限定されるわけではない。  
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、  
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ＋顔料、  
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ，Ａｌ、  
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｕ，Ａｌ，＋顔料、  
Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｔｂ、  
Ｙ３（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｔｂ、  
Ｙ２ＳｉＯ５：Ｔｂ、  
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、  
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ｃｕ、  
ＺｎＳ：Ｃｕ、  
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、  
ＺｎＳ：Ｃｕ＋Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、  
Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、  
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ、  
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ、  
Ｙ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、  
ＺｎＳ：Ｃｕ，Ａｌ＋Ｉｎ２Ｏ３、  
（Ｚｎ，Ｃｄ）Ｓ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、  
（Ｚｎ，Ｍｎ）２ＳｉＯ４、  
ＢａＡｌ１２Ｏ１９：Ｍｎ、  
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｍｇ）Ｏ・ａＡｌ２Ｏ３：Ｍｎ、  
ＬａＰＯ４：Ｃｅ，Ｔｂ、  
Ｚｎ２ＳｉＯ４：Ｍｎ、  
ＺｎＳ：Ｃｕ、  
３（Ｂａ，Ｍｇ，Ｅｕ，Ｍｎ）Ｏ・８Ａｌ２Ｏ３、  
Ｌａ２Ｏ３・０．２ＳｉＯ２・０．９Ｐ２Ｏ５：Ｃｅ，Ｔｂ、  
ＣｅＭｇＡｌ１１Ｏ１９：Ｔｂ、  
ＣａＳｃ２Ｏ４：Ｃｅ、  
（ＢｒＳｒ）ＳｉＯ４：Ｅｕ、  
α−ｓｉａｌｏｎ：Ｙｂ２＋、  
β−ｓｉａｌｏｎ：Ｅｕ２＋、  
（ＳｒＢａ）ＹＳｉ４Ｎ７：Ｅｕ２＋、  
（ＣａＳｒ）Ｓｉ２Ｏ４Ｎ７：Ｅｕ２＋、  
Ｓｒ（ＳｉＡｌ）（ＯＮ）：Ｃｅ  
青色の蛍光を発する蛍光体の材料としては、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる青色の蛍光を発する蛍光体は、これらに限定されるわけではない。  
ＺｎＳ：Ａｇ、  
ＺｎＳ：Ａｇ＋顔料、  
ＺｎＳ：Ａｇ，Ａｌ、  
ＺｎＳ：Ａｇ，Ｃｕ，Ｇａ，Ｃｌ、  
ＺｎＳ：Ａｇ＋Ｉｎ２Ｏ３、  
ＺｎＳ：Ｚｎ＋Ｉｎ２Ｏ３、  
（Ｂａ，Ｅｕ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７、  
（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｍｇ）１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、  
Ｓｒ１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ、  
（Ｂａ，Ｓｒ，Ｅｕ）（Ｍｇ，Ｍｎ）Ａｌ１０Ｏ１７、  
１０（Ｓｒ，Ｃａ，Ｂａ，Ｅｕ）・６ＰＯ４・Ｃｌ２、  
ＢａＭｇ２Ａｌ１６Ｏ２５：Ｅｕ  
黄色の蛍光を発する蛍光体の材料としては、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる黄色の蛍光を発する蛍光体は、これらに限定されるわげではない。  
Ｌｉ（Ｅｕ，Ｓｍ）Ｗ２Ｏ８、  
（Ｙ，Ｇｄ）３，（Ａｌ，Ｇａ）５Ｏ１２：Ｃｅ３＋、  
Ｌｉ２ＳｒＳｉＯ４：Ｅｕ２＋、  
（Ｓｒ（Ｃａ，Ｂａ））３ＳｉＯ５：Ｅｕ２＋、  
ＳｒＳｉ２ＯＮ２．７：Ｅｕ２＋ 
黄緑色の蛍光を発する蛍光体の材料としては、例えば以下が挙げられる。ただし、実施形態に用いられる黄緑色の蛍光を発する蛍光体は、これに限定されるわけではない。  
ＳｒＳｉ２ＯＮ２．７：Ｅｕ２＋ 
蛍光体の混合比率を少なくすると色調が青色に近づき(色温度１００００Ｋ付近)、蛍光体の混合比率を多くすると色調が黄色に近づく(色温度６５００Ｋ〜２８００Ｋ)。なお、混合する蛍光体は１種類である必要はなく、複数種類の蛍光体が混合されるようにしてもよい。例えば、赤色の蛍光を発する蛍光体と、緑色の蛍光を発する蛍光体と、青色の蛍光を発する蛍光体と、黄色の蛍光を発する蛍光体と、黄緑色の蛍光を発する蛍光体と、が混合されるようにしてもよい。また、青味がかった白色光、黄味がかった白色光などのように色味を変えるために複数種類の蛍光体の混合割合を変えるようにすることもできる。
【００２６】
蛍光体が混合される樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン系樹脂、メタクリル樹脂(PMMA)、ポリカーボネート(PC)、環状ポリオレフィン(COP)、脂環式アクリル(OZ)、アリルジグリコールカーボネート(ADC)、アクリル系樹脂、フッ素系樹脂、シリコーン系樹脂とエポキシ樹脂とのハイブリット樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられる。蛍光体が混合される樹脂の屈折率は、蛍光体の屈折率以下であることがより好ましい。また、発光部２０から出射する光に対する樹脂の透過率は、９０％以上であることがより好ましい。
【００２７】
発光部２０から出射する光が、波長の短い紫外から青色の光であり輝度が高い場合には、波長変換部４０を形成する樹脂が劣化するおそれがある。そのため、波長変換部４０を形成する樹脂は、青色光などによる劣化が生じにくい性質を有することがより好ましい。青色光などによる劣化が生じにくい樹脂としては、例えば、屈折率が１．５程度のメチルフェニルシリコーン、ジメチルシリコーン、メチルフェニルシリコーンとエポキシ樹脂とのハイブリット樹脂などが挙げられる。ただし、蛍光体が混合される樹脂としては、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。またさらに、樹脂のかわりに糖類のような有機物や、ガラスなどの無機物を用いてもよい。
【００２８】
第１の電極部５０は、接合部５１と、導電部５３と、を有する。導電部５３は、接合部５１および接合部１６０を介して第１の半導体層２１に電気的に接続されている。接合部５１は、例えば、Ｎｉ（ニッケル）／Ａｕ（金）の二重層などを有する。この場合、例えば、Ｎｉ（ニッケル）層の厚み寸法は、約１μｍ程度であり、Ａｕ（金）層の厚み寸法は、約１μｍ程度である。導電部５３は、例えば、Ｃｕ（銅）などにより形成されている。なお、接合部５１および導電部５３の材料や厚み寸法は、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
【００２９】
第１の導電部６０は、封止部１３０の凹部１３１の底面と、封止部１３０の端面と、の間を貫通するようにして設けられている。第１の導電部６０は、例えば、円柱状を呈し、Ｃｕ（銅）などの金属材料などにより形成されている。また、第１の導電部６０の一方の端部は、導電部５３と電気的に接続されている。これにより、第１の電極部５０を介して、第１の導電部６０と、第１の半導体層２１と、が電気的に接続されている。なお、第１の導電部６０の形状および材料などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
【００３０】
第１の接続部材７０は、封止部１３０から露出する第１の導電部６０の端面を覆うようにして設けられている。第１の接続部材７０は、例えばいわゆるはんだバンプなどである。第１の接続部材７０がはんだバンプである場合には、第１の接続部材７０の形状は、例えば半球形などを有し、第１の接続部材７０の材料は、例えば表面実装に使用されるはんだ材料などである。この場合、表面実装に使用されるはんだ材料としては、例えば、Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕはんだ、Ｓｎ−０．８Ｃｕはんだ、Ｓｎ−３．５Ａｇはんだなどが挙げられる。
【００３１】
なお、第１の接続部材７０の形状および材料などは、例示をしたものに限定されるわけではなく、半導体発光装置１を実装する方法などに応じて適宜変更することができる。例えば、第１の接続部材７０の形状は、例えば薄膜状などを有し、例えばＮｉ（ニッケル）／Ａｕ（金）の二重層などを有する。また、第１の接続部材７０は、必ずしも必要ではなく、半導体発光装置１を実装する方法などに応じて適宜設けることができる。
【００３２】
第２の電極部８０は、接合部８１と、導電部８３と、を有する。導電部８３は、接合部８１を介して第２の半導体層２２に電気的に接続されている。接合部８１および導電部８３の形状や構造や材料などは、前述した接合部５１および導電部５３の形状や構造や材料などとそれぞれ同様である。
【００３３】
第２の導電部９０は、封止部１３０の凹部１３１の底面と、封止部１３０の端面と、の間を貫通するようにして設けられている。また、第２の導電部９０の一方の端部は、導電部８３と電気的に接続されている。これにより、第２の電極部８０を介して、第２の導電部９０と、第２の半導体層２２と、が電気的に接続されている。第２の導電部９０の形状や構造や材料などは、前述した第１の導電部６０の形状や構造や材料などと同様である。
【００３４】
第２の接続部材１１０は、封止部１３０から露出する第２の導電部９０の端面を覆うようにして設けられている。第２の接続部材１１０の形状や構造や材料などは、前述した第１の接続部材７０の形状や構造や材料などと同様である。なお、第２の接続部材１１０は、第１の接続部材７０と同様に、必ずしも必要ではなく、半導体発光装置１を実装する方法などに応じて適宜設けるようにすればよい。
【００３５】
絶縁部１２０は、封止部１３０に設けられた凹部１３１を埋め込むようにして設けられている。絶縁部１２０は、絶縁材料から形成されている。例えば、絶縁部１２０は、ＳｉＯ２などの無機材料や、樹脂などから形成されている。この場合、発光部２０から出射する光が、波長の短い紫外から青色の光であり輝度が高い場合には、絶縁部１２０を形成する樹脂が劣化するおそれがある。そのため、絶縁部１２０が樹脂から形成される場合には、絶縁部１２０を形成する樹脂は、青色光などによる劣化が生じにくい性質を有することかより好ましい。青色光などによる劣化が生じにくい樹脂としては、例えば、屈折率が１．５程度のメチルフェニルシリコーン、ジメチルシリコーンなどが挙げられる。
【００３６】
封止部１３０は、第２の主面２７側に設けられ、第１の導電部６０の端部および第２の導電部９０の端部を露出させつつ第１の導電部６０および第２の導電部９０を封止する。封止部１３０は、例えば熱硬化性樹脂などから形成される。封止部１３０は、発光部２０と、第１の電極部５０と、第２の電極部８０と、を封止する役割を有している。なお、封止部１３０と絶縁部１２０とは、一体的に形成されていてもよい。
【００３７】
第１の配線部１４０は、接合部１４１と、導電部１４３と、を有する。導電部１４３は、接合部１４１を介して第１の半導体層２１に電気的に接続されている。接合部１４１および導電部１４３の形状や構造や材料などは、前述した接合部５１および導電部５３の形状や構造や材料などとそれぞれ同様である。第１の配線部１４０は、必ずしも必要ではなく、必要に応じて適宜設けるようにすることができる。
【００３８】
第２の配線部１５０は、接合部１５１と、導電部１５３と、を有する。導電部１５３は、接合部１５１を介して第１の半導体層２１に電気的に接続されている。接合部１５１および導電部１５３の形状や構造や材料などは、前述した接合部５１および導電部５３の形状や構造や材料などとそれぞれ同様とすることができる。第２の配線部１５０は、第１の配線部１４０と同様に、必ずしも必要ではなく、必要に応じて適宜設けるようにすることができる。
【００３９】
接合部１６０は、第１の電極部５０と、第１の半導体層２１と、の間に設けられている。接合部１６０は、例えば、Ｃｕ（銅）などにより形成されている。なお、接合部１６０は、必ずしも必要ではなく、必要に応じて適宜設けるようにすることができる。
【００４０】
絶縁部１７０は、活性層２３および第２の半導体層２２の側面を覆うようにして設けられている。絶縁部１７０は、絶縁材料から形成されている。絶縁部１７０の材質は、例えば、絶縁部１２０の材料と同じである。また、絶縁部１７０と絶縁部１２０とは、一体的に形成されていてもよい。
【００４１】
図４は、発光部から出射する光の波長と、半導体発光装置から放出される光の色度（Ｃｙ）と、の関係の一例を表すグラフ図である。  
ここでは、発光部２０が青色光を放出し、波長変換部４０には、青色光を吸収して緑色光を放出する蛍光体と、青色光を吸収して赤色光を放出する蛍光体と、が分散されている場合を例示した。すなわち、半導体発光装置からは赤色光と緑色光と青色光とが混合した白色光が放出される。図４の縦軸は、この白色光の色度（Ｃｙ）を表す。
【００４２】
発光部２０は、例えば、エピタキシャル成長法などを用いて形成される。図１〜図３に関して前述したように、複数の発光部２０がウェーハ１０上に一括形成される場合には、形成過程において例えば、活性層２３の組成や厚み寸法にばらつきが生ずる場合がある。活性層２３の組成や厚み寸法にばらつきが生ずると、発光部２０から出射する光の波長や強度などの発光特性が変動する。この場合、波長変換部４０に含まれる蛍光体の量が一定であると、半導体発光装置から放出される赤色光と緑色光と青色光のバランスが変化してしまう。すなわち、図４に表したように、発光部２０から出射する光の波長や強度の変化に応じて、白色光の色度が変化してしまう。
【００４３】
図４に例示したような実験結果によれば、発光部２０から出射する光の波長λｄの変化Δλｄが約１．０ｎｍ（ナノメートル）程度である場合には、半導体発光装置１から放出される白色光の色度Ｃｙの変化ΔＣｙは、約０．０１５程度である。本発明者の得た知見によれば、白色光の色度Ｃｙの変化ΔＣｙが０．０１５よりも大きくなると、ヒトの視覚によって色度ずれ（色むら）として認識されるおそれがある。
【００４４】
これに対して、本実施形態にかかる半導体発光装置１の製造方法によれば、例えば活性層２３の組成や厚み寸法にばらつきが生ずることで発光部２０から出射する光の波長や強度がウェーハ１０の面内においてばらついても、波長変換部４０の厚さは、発光部２０から出射する光の波長や強度に基づいて調整される。つまり、ウェーハ１０上に一括形成される複数の半導体発光装置１の波長変換部４０の厚さは、発光部２０から出射する光のウェーハ１０の面内における波長分布に基づいて調整される。これにより、ウェーハ１０の面内における白色光の色度のばらつきを抑制し、ウェーハ１０の面内における色度ずれを抑制することができる。また、ウェーハ１０の面内における良品としての半導体発光装置１の取れ高を向上させることができる。
【００４５】
図５は、波長変換部の厚み寸法と、半導体発光装置から放出される光の色度（Ｃｙ）と、の関係の一例を表すグラフ図である。  
また、図６は、比較例にかかる半導体発光装置の製造方法により形成された波長変換部の厚み寸法と、ウェーハ面内の径方向位置と、の関係の一例を表すグラフ図である。  
波長変換部４０に分散された蛍光体は、図４に関して前述した如くである。つまり、図５の縦軸は、白色光の色度（Ｃｙ）を表す。
【００４６】
図５に表したように、ウェーハ１０上に一括形成された複数の発光部２０から出射される光の波長や強度が一定であっても、あるいは波長変換部４０に含まれる蛍光体の割合が一定であっても、波長変換部４０の厚み寸法が変化すると、白色光の色度が変化する。図５に例示したような実験結果によれば、波長変換部４０の厚み寸法の変化が約１５μｍ（マイクロメートル）程度である場合には、半導体発光装置１から放出される白色光の色度Ｃｙの変化ΔＣｙは、約０．０１５程度である。そのため、ウェーハ１０上に一括形成された複数の発光部２０から出射される光の波長や強度が一定であっても、あるいは波長変換部４０に含まれる蛍光体の割合が一定であっても、波長変換部４０の厚み寸法にばらつきが生ずると、ウェーハ１０の面内において白色光の色度にばらつきが生ずる。
【００４７】
図６に表したように、比較例にかかる半導体発光装置の製造方法により形成された波長変換部の厚み寸法は、ウェーハの面内において約±２０μｍ程度のばらつきを有する。そのため、比較例にかかる半導体発光装置の製造方法により一括形成された半導体発光装置から放出される白色光の色度Ｃｙの変化ΔＣｙは、０．０１５よりも大きい。これによれば、ヒトの視覚によって色度ずれとして認識されるおそれがある。
【００４８】
これに対して、本実施形態にかかる半導体発光装置１の製造方法によれば、波長変換部４０の厚さは、製造過程において例えば波長変換部４０に押し当てる図示しない印刷版と、図示しない基板または発光部２０の第１の主面２５もしくは第２の主面２７と、の間の距離を調整することにより調整される。そのため、波長変換部４０の厚み寸法のばらつきを調整することができる。これにより、ウェーハ１０の面内における白色光の色度のばらつきを抑制し、ウェーハ１０の面内における色度ずれを抑制することができる。また、ウェーハ１０の面内における良品としての半導体発光装置１の取れ高を向上させることができる。
【００４９】
次に、本発明の実施の形態にかかる半導体発光装置の製造方法について、図面を参照しつつ説明する。  
まず、製造過程において波長変換部４０（蛍光体が混合された樹脂）に押し当てる印刷版と、基板または発光部２０の第１の主面２５もしくは第２の主面２７と、の間の距離を調整することにより、波長変換部４０の厚さを調整する製造方法について説明する。  
図７は、本発明の実施の形態にかかる半導体発光装置の製造方法を表すフローチャート図である。  
また、図８〜図１０は、本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法を表す断面模式図である。
【００５０】
まず、図８（ａ）に表したように、サファイアなどにより形成された基板２１０上に所定の形状の第１の半導体層２１と、活性層２３と、第２の半導体層２２と、をこの順で積層させる（ステップＳ１０１）。この場合、気相成長法などを用いてこれらの積層を行うことができる。気相成長法としては、例えば、有機金属気相成長（MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法、ハイドライド気相成長（HVPE:Hydride Vapor Phase Epitaxy）法、分子線エピタキシャル成長（MBE;Molecular Beam Epitaxy）法などが挙げられる。  
そして、複数の半導体発光装置のそれぞれに含まれる発光部に対応して、第１の半導体層２１、活性層２３、第２の半導体層２２を適宜パターニングする。パターニングは、リソグラフィ技術やエッチング技術などを用いて実行できる。  
このようにして、複数の発光部２０（図２参照）がウェーハ上に一括形成される。
【００５１】
次に、図８（ｂ）に表したように、絶縁部１７０と、接合部１６０と、絶縁部１２０と、を形成する（ステップＳ１０３）。この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長（PVD：Physical Vapor Deposition）法、各種の化学的気相成長（CVD:Chemical Vapor Deposition）法などと、リソグラフィ技術やエッチング技術などと、を組み合わせることで絶縁部１７０と、接合部１６０と、絶縁部１２０と、を形成することができる。
【００５２】
次に、図８（ｃ）に表したように、第１の電極部５０と、第２の電極部８０と、第１の配線部１４０と、第２の配線部１５０と、を形成する（ステップＳ１０５）。次に、図８（ｄ）に表したように、封止部１３０を形成する（ステップＳ１０７）。第１の電極部５０と、第２の電極部８０と、第１の配線部１４０と、第２の配線部１５０と、封止部１３０と、の形成方法としては、例えばステップＳ１０３に関して前述した形成方法などが挙げられる。
【００５３】
次に、図９（ａ）に表したように、第１の導電部６０と、第２の導電部９０と、を形成する（ステップＳ１０９）。この場合、ステップＳ１０３に関して前述した形成方法の他、メッキ法などと、リソグラフィ技術やエッチング技術などと、を組み合わせることで第１の導電部６０と、第２の導電部９０と、を形成してもよい。
【００５４】
次に、図９（ｂ）に表したように、第１の導電部６０の端面に第１の接続部材７０を形成し、第２の導電部９０の端面に第２の接続部材１１０を形成する（ステップＳ１１１）。第１の接続部材７０と、第２の接続部材１１０と、の形成方法としては、ステップＳ１０９に関して前述した形成方法などが挙げられる。
【００５５】
次に、図９（ｃ）に表したように、このようにして形成された積層体５を基板２１０から剥離する（ステップＳ１１３）。この場合、レーザリフトオフ法などを用いて積層体５を基板２１０から剥離することができる。
【００５６】
ここで、本実施形態によれば、発光部２０（第１の半導体層２１、活性層２３、第２の半導体層２２）は、樹脂からなる封止部１３０と、金属からなる導電部６０、９０と、に支持された状態で、基板２１０から剥離される。こうすることにより、発光部２０に負荷される応力を抑制しつつ、基板２１０から剥離することができる。
【００５７】
すなわち、発光部２０を支持するために、例えばシリコンウェーハなどの硬質な支持体を用いると、残留応力が負荷されて、除去後の半導体層が割れたり、クラックが入る、という問題がある。
【００５８】
これに対して、本実施形態によれば、樹脂からなる封止部１３０と金属からなる導電部６０、９０とを含む柔軟な支持体により発光部２０を支持することにより、発光部２０に負荷される応力を低減できる。すなわち、樹脂の封止部１３０および金属のメッキ層からなる導電部６０、９０は柔軟であり、かつ金属はほぼ常温でメッキされているため発光部２０との間に生じる残留応力は比較的小さい。
【００５９】
従来、発光部２０のような半導体層をサファイア基板から分離する手法としては、例えばシリコン基板をAu-Snはんだを用いて３００℃以上の高温でウェーハに接着した後、レーザを照射して分離するという手段が用いられていた。しかし、この従来手法では、熱膨張率の異なるサファイア基板とシリコン基板とがいずれも剛体であって、かつ高温で接着されているため、両基板の間に大きな残留応力が残っていた。その結果として、レーザを照射して分離を開始すると残留応力が分離部から局部的に解放されるため、薄くて脆い半導体層（例えば、発光部２０）にクラックが入ってしまうという問題があった。
【００６０】
それに対して、本実施形態おいては、残留応力が小さく、かつ柔軟な支持体（封止部１３０、導電部６０、９０）に発光部２０が支持された状態で基板２１０から分離されるため、発光部２０のクラック等の不具合が発生せず、高い歩留まりで製造することが可能となる。
【００６１】
このような独特の作用効果は、基板２１０をレーザ照射以外の方法により除去した場合にも同様に得られる。例えば、基板２１０を研磨やエッチングなどの方法により除去する場合にも、数インチあるいはそれ以上の大きさを有するウェーハの全体にわたって、均一かつ同時に基板２１０が除去あるいは剥離する、ということは現実的には殆どありえない。
【００６２】
つまり、研磨により基板２１０を除去する場合も、エッチングにより基板２１０を除去する場合も、数インチあるいはそれ以上のサイズのウェーハの一部のみにおいて、先に基板２１０が無くなるあるいは剥離する、という状態が生じる。
【００６３】
このような状態においては、上述したように、残留応力が分離部から局所的に解放されるため、薄くて脆い発光部２０がクラックしてしまう、という問題が生じる。
【００６４】
これに対して、本実施形態によれば、封止部１３０と導電部６０、９０からなる柔軟な支持体で発光部２０を支持することにより、残留応力を低減できる。その結果として、研磨やエッチングなどの方法で基板２１０を除去した場合も、割れやクラックを抑制しつつ、基板を除去することが可能となる。
【００６５】
またさらに、本実施形態によれば、ウェーハ上に一括形成した複数の発光部２０は互いに分離されている。こうすることにより、それぞれの発光部２０にかかる応力を分散でき、クラックや割れをより効果的に抑制できる。つまり、仮に、これら複数の発光部２０が互いに連続して形成されているとすると、基板２１０を剥離する際の応力や歪みが分散されず、発光部２０の連続体にクラックや割れが生じやすい。これに対して、本実施形態によれば、複数の発光部２０は互いに分離されているので、応力や歪みが分散され、またこれら発光部２０のあいだに形成されている封止部１３０が応力や歪みを吸収するので、それぞれの発光部２０にかかる応力や歪みが低減され、クラックや割れが生ずることを効果的に抑制できる。
【００６６】
このようにして、基板２１０を剥離したら、次に、蛍光体４１と、波長変換部４０を形成する樹脂４３と、を混合する（ステップＳ１１５）。続いて、図１０（ａ）に表したように、蛍光体４１が所定の割合で混合された樹脂４３を発光部２０の第１の主面２５の側に塗布する（ステップＳ１１７）。この場合、スキージ法、スクリーン法やスピンコート法などの印刷および塗布方法などを用いて蛍光体４１が混合された樹脂４３を塗布することができる。なお、図１０（ａ）は、剥離した積層体５を反転させた状態を表している。
【００６７】
次に、図１０（ｂ）に表したように、発光部２０の第１の主面２５の側に塗布された樹脂４３（蛍光体４１を含む）に平板（印刷版）２０１を押し当てる（ステップＳ１１９）。平板２０１は、金属、石英、または透明樹脂により形成されている。透明樹脂は、少なくとも波長が４０５ｎｍ以下のＵＶを透過可能な樹脂である。そして、発光部２０の第１の主面２５と、平板２０１と、の間の距離を調整することにより、蛍光体４１が混合された樹脂４３の厚さを目的とする厚さに調整する（ステップＳ１２１）。あるいは、例えば積層体５を載置する基板２２０と、平板２０１と、の間の距離を調整することにより、蛍光体４１が混合された樹脂４３の厚さを目的とする厚さに調整する（ステップＳ１２１）。あるいは、第１の主面２５および基板２２０とは異なる主面や基板と、平板２０１と、の間の距離を調整することにより、蛍光体４１が混合された樹脂４３の厚さを目的とする厚さに調整してもよい。
【００６８】
次に、蛍光体４１を含む樹脂４３に紫外線（ＵＶ：Ultraviolet）を照射することにより、あるいは蛍光体４１を含む樹脂４３に熱を加えることにより、蛍光体４１を含む樹脂４３を硬化させ波長変換部４０を形成する（ステップＳ１２３）。紫外線を照射して硬化させる場合には、樹脂４３は、例えば紫外線硬化性樹脂である。一方、熱を加えて硬化させる場合には、樹脂４３は、例えば熱硬化性樹脂である。
【００６９】
次に、図１０（ｃ）に表したように、一括形成された複数の半導体発光装置１から平板２０１を剥離する。  
次に、図１０（ｄ）に表したように、各半導体発光装置１を個片化する（ステップＳ１２５）。すなわち、本実施形態にかかる半導体発光装置１の製造方法は、複数の半導体発光装置１を一体的に形成（一括形成）する工程と、一体的に形成（一括形成）された複数の半導体発光装置１を個片化する工程と、を有する。この場合、ブレードダイシング法などを用いて各半導体発光装置１を個片化することができる。
【００７０】
本実施形態にかかる半導体発光装置１の製造方法によれば、例えば第１の主面２５や基板２２０などと、平板２０１と、の間の距離を調整することにより、蛍光体４１が混合された樹脂４３の厚さを目的とする厚さに調整する。そして、蛍光体４１が混合された樹脂４３を硬化させることにより、目的とする厚さに調整された波長変換部４０が形成される。そのため、波長変換部４０の厚み寸法のばらつきを抑制することができる。これにより、ウェーハ１０の面内における白色光の色度のばらつきを抑制し、ウェーハ１０の面内における色度ずれを抑制することができる。
【００７１】
図１１は、本発明の他の実施の形態にかかる半導体発光装置の製造方法を表すフローチャート図である。  
また、図１２は、本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法を表す断面模式図である。
【００７２】
本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法は、ウェーハ１０上に一括形成される複数の半導体発光装置１の波長変換部４０の厚さを、発光部２０から出射する光の波長や強度に基づいてそれぞれ調整する製造方法である。本実施形態では、ウェーハ１０上に一括形成される複数の半導体発光装置１の波長変換部４０の厚さを、発光部２０から出射する光のウェーハ１０の面内における波長分布に基づいて調整する場合を例に挙げて説明する。
【００７３】
まず、図１１に表したステップＳ２０１〜Ｓ２１３の製造過程は、図７に関して前述したステップＳ１０１〜と１１３の製造過程と同様である。  
次に、発光部２０から出射する光のウェーハ１０の面内における波長分布を測定する（ステップＳ２１５）。この場合、例えば、フォトルミネッセンス法（Photoluminescence Spectroscopy）によりＰＬ（Photoluminescence）発光の波長を測定する。あるいは、例えば、ウェーハ１０上に一括形成された複数の発光部２０に通電し、発光部２０から出射する光の波長を測定する。このようにして測定された波長をウェーハ１０の面内においてマッピングすると、例えば図３に例示したような波長分布が得られる。なお、図１１には、波長分布を測定する場合を例示したが、本発明はこれには限定されない。波長分布のかわりに、発光強度の分布を測定してもよい。
【００７４】
次に、発光部２０から出射する光のウェーハ１０の面内における波長分布の測定結果に基づいて、製造過程において波長変換部４０（蛍光体が混合された樹脂）に押し当てる凹凸版（印刷版）２０３を作成する（ステップＳ２１７）。凹凸版２０３は、金属、石英、または透明樹脂により形成されている。透明樹脂は、少なくとも波長が４０５ｎｍ以下のＵＶを透過可能な樹脂である。例えば、発光部２０から出射する光のウェーハ１０の面内における波長分布の測定結果（マッピングデータなど）に基づいて、レーザ加工などにより凹凸版２０３を作成する。
【００７５】
一例としては、ウェーハ１０の面内における波長分布のマッピングデータに基づいてレーザ加工装置の印加電圧を調整し、凹凸版２０３の加工深さを調整する。これにより、ウェーハ１０の面内における波長分布のマッピングデータに基づいて凹凸版２０３の高さが調整される。そして、波長変換部４０への凹凸版２０３の押し当て量が調整される。
【００７６】
次に、図１２（ａ）に表したように、蛍光体４１と、波長変換部４０を形成する樹脂４３と、を混合させ（ステップＳ２１９）、蛍光体４１が所定の割合で混合された樹脂４３を発光部２０の第１の主面２５の側に塗布する（ステップＳ２２１）。ステップＳ２１９およびＳ２２１の製造過程は、図７に関して前述したステップＳ１１５およびＳ１１７の製造過程と同様である。
【００７７】
次に、図１２（ｂ）に表したように、発光部２０の第１の主面２５の側に塗布された樹脂４３（蛍光体４１を含む）にステップＳ２１７において作成した凹凸版２０３を押し当てる（ステップＳ２２３）。そして、発光部２０の第１の主面２５と、凹凸版２０３と、の間の距離を調整することにより、蛍光体４１が混合された樹脂４３の厚さを目的とする厚さに調整する（ステップＳ２２５）。あるいは、例えば積層体５を載置する基板２２０と、凹凸版２０３と、の間の距離を調整することにより、蛍光体４１が混合された樹脂４３の厚さを目的とする厚さに調整する（ステップＳ２２５）。あるいは、第１の主面２５および基板２２０とは異なる主面や基板と、凹凸版２０３と、の間の距離を調整することにより、蛍光体４１が混合された樹脂４３の厚さを目的とする厚さに調整してもよい。
【００７８】
次に、蛍光体４１を含む樹脂４３に紫外線（ＵＶ：Ultraviolet）を照射することにより、あるいは蛍光体４１を含む樹脂４３に熱を加えることにより、蛍光体４１を含む樹脂４３を硬化させ波長変換部４０を形成する（ステップＳ２２７）。ステップＳ２２７の製造過程は、図７に関して前述したステップＳ１２３の製造過程と同様である。
【００７９】
次に、図１２（ｃ）に表したように、一括形成された複数の半導体発光装置１から凹凸版２０３を剥離する。  
次に、図１２（ｄ）に表したように、各半導体発光装置１を個片化する（ステップＳ２２９）。ステップＳ２２９の製造過程は、図７に関して前述したステップＳ１２５の製造過程と同様である。
【００８０】
本実施形態にかかる半導体発光装置１の製造方法によれば、発光部２０から出射する光のウェーハ１０の面内における波長分布に基づいて凹凸版２０３を作成し、蛍光体４１が混合された樹脂４３に凹凸版２０３を押し当てる。そして、蛍光体４１が混合された樹脂４３を硬化させる。これにより、ウェーハ１０上に一括形成される複数の半導体発光装置１の波長変換部４０の厚さは、発光部２０から出射する光の波長に基づいてそれぞれ調整される。これにより、ウェーハ１０の面内における白色光の色度のばらつきを抑制し、ウェーハ１０の面内における色度ずれを抑制することができる。
【００８１】
例えば、ウェーハ１０の面内において発光部２０から出射する光の波長がより短い部分では、図４に表したように、白色光の色度（Ｃｙ）がより大きい。そこで、レーザ加工装置の印加電圧を調整することで、ウェーハ１０の面内において発光部２０から出射する光の波長がより短い部分の樹脂４３（蛍光体４１を含む）に押し当てる凹凸版２０３の部分の加工深さをより浅くする。そうすると、ウェーハ１０の面内において発光部２０から出射する光の波長がより短い部分に塗布された樹脂４３（蛍光体４１を含む）への凹凸版２０３の押し当て量がより多くなる。そのため、ウェーハ１０の面内において発光部２０から出射する光の波長がより短い部分の波長変換部４０の厚さは、より薄くなる。図５に表したように、波長変換部４０の厚さがより薄くなると、白色光の色度（Ｃｙ）はより小さくなる。これにより、発光部２０から出射する光の波長がウェーハ１０の面内においてばらついても、ウェーハ１０の面内における白色光の色度のばらつきを抑制することができる。
【００８２】
図１３は、本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法により形成された波長変換部の厚み寸法を説明するための模式図である。  
なお、図１３（ａ）は、本実施形態にかかる半導体発光装置の製造方法により形成された波長変換部の厚み寸法の一例を表すグラフ図である。図１３（ｂ）は、ウェーハ１０の面内における測定ポイントを表す平面模式図である。
【００８３】
図１３（ａ）に表したように、本実施形態にかかる半導体発光装置１の製造方法により形成された波長変換部４０の厚み寸法のばらつきは、ウェーハ１０の面内の測定ポイントＰ１〜Ｐ５において約±２μｍ程度に抑えられている。図５に例示した実験結果によれば、波長変換部４０の厚み寸法のばらつきが約±２μｍ程度である場合には、白色光の色度Ｃｙの変化ΔＣｙは、約０．００５程度である。本発明者の得た知見によれば、白色光の色度Ｃｙの変化ΔＣｙが約０．００５程度である場合には、ヒトの視覚によって色度ずれとしてはほとんど認識されず、発光部２０の個体差（光の波長や強度などの発光特性のばらつき）を抑制することができる。
【００８４】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００８５】
１ 半導体発光装置、  ５ 積層体、  １０ ウェーハ、  ２０ 発光部、  ２１ 第１の半導体層、  ２２ 第２の半導体層、  ２３ 活性層、  ２５ 第１の主面、  ２７ 第２の主面、  ４０ 波長変換部、  ４１ 蛍光体、  ４３ 樹脂、  ５０ 第１の電極部、  ５１ 接合部、  ５３ 導電部、  ６０ 第１の導電部、  ７０ 第１の接続部材、  ８０ 第２の電極部、  ８１ 接合部、  ８３ 導電部、  ９０ 第２の導電部、  １１０ 第２の接続部材、  １２０ 絶縁部、  １３０ 封止部、  １３１ 凹部、  １４０ 第１の配線部、  １４１ 接合部、  １４３ 導電部、  １５０ 第２の配線部、  １５１ 接合部、  １５３ 導電部、  １６０ 接合部、  １７０ 絶縁部、  ２０１ 平板、  ２０３ 凹凸版、  ２１０、２２０ 基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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