(57)【要約】【課題】基板の入出力端子とフレキシブルプリント基板との接続部が腐食することを的確に防止し、入出力端子とフレキシブルプリント基板との接続を良好に維持することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。【解決手段】放射線画像撮影装置１は、複数の走査線１０と複数の信号線１１により区画された各領域Ｒに二次元状に配列された複数の放射線検出素子１４とが一面３ａ側に設けられた基板３と、基板３の面３ａ上の端縁部分に設けられ各走査線１０および各信号線１１の端部にそれぞれ設けられた入出力端子１７と、各入出力端子１７に導電性を保った状態で接着されるフレキシブルプリント基板２３とを備え、各入出力端子１７とフレキシブルプリント基板２３との接続部Ｑに、防湿性を有する絶縁塗料２４が塗布されており、絶縁塗料２４により、各入出力端子１７およびフレキシブルプリント基板２３末端の各端子と外気との接触が遮断されている。【選択図】図１６
2012004394.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とが一面側に設けられた基板と、
前記基板の前記面上の端縁部分に設けられ、前記各走査線および前記各信号線の端部にそれぞれ設けられた入出力端子と、
前記各入出力端子に、導電性を保った状態で接着されるフレキシブルプリント基板と、
を備え、
前記各入出力端子と前記フレキシブルプリント基板との接続部に、防湿性を有する絶縁塗料が塗布されており、
前記絶縁塗料により、前記各入出力端子および前記フレキシブルプリント基板末端の各端子と外気との接触が遮断されていることを特徴とする放射線画像撮影装置。
【請求項２】
前記基板は、前記各入出力端子からさらに外側にそれぞれ延出された導線と前記各導線を前記各入出力端子の外側でそれぞれ連結するコモン線とを備える保護回路が前記各入出力端子の外側で基板ごと切り落とされて形成されており、
前記絶縁塗料により、前記各入出力端子および前記フレキシブルプリント基板末端の各端子のほか、前記各導線の切断端部と外気との接触も遮断されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項３】
前記各入出力端子と接続されている前記フレキシブルプリント基板の端部の部分のみならず、前記フレキシブルプリント基板と前記基板との間の部分にも前記絶縁塗料を塗布することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項４】
前記フレキシブルプリント基板は、前記末端の反対側の末端に設けられた各端子が、前記基板とは別体の、または、前記基板の裏面側に設けられたプリント回路基板に設けられた各入出力端子と接続されており、
前記プリント回路基板の各入出力端子と前記フレキシブルプリント基板との接続部にも、前記防湿性を有する絶縁塗料が塗布されていて、前記絶縁塗料により、前記プリント回路基板の各入出力端子および前記フレキシブルプリント基板末端の各端子と外気との接触が遮断されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項５】
前記プリント回路基板の前記各入出力端子と接続されている前記フレキシブルプリント基板の端部の部分のみならず、前記フレキシブルプリント基板と前記プリント回路基板との間の部分にも前記絶縁塗料を塗布することを特徴とする請求項４に記載の放射線画像撮影装置。
【請求項６】
前記防湿性を有する絶縁塗料は、ポリウレタン系の有機材料で構成されていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の放射線画像撮影装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線画像撮影装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
照射されたＸ線等の放射線の線量に応じて検出素子で電荷を発生させて電気信号に変換するいわゆる直接型の放射線画像撮影装置や、照射された放射線をシンチレータ等で可視光等の他の波長の電磁波に変換した後、変換され照射された電磁波のエネルギに応じてフォトダイオード等の光電変換素子で電荷を発生させて電気信号に変換するいわゆる間接型の放射線画像撮影装置が種々開発されている。なお、本発明では、直接型の放射線画像撮影装置における検出素子や、間接型の放射線画像撮影装置における光電変換素子を、あわせて放射線検出素子という。
【０００３】
このタイプの放射線画像撮影装置はＦＰＤ（Flat Panel Detector）として知られており、従来は支持台等と一体的に形成された、いわゆる専用機として構成されていたが（例えば特許文献１参照）、近年、放射線検出素子等をハウジングに収納した可搬型の放射線画像撮影装置が開発され、実用化されている（例えば特許文献２、３参照）。
【０００４】
ところで、これらの放射線画像撮影装置では、ガラス基板等の基板上に複数の走査線と複数の信号線とが互いに交差するように配設され、走査線や信号線で区画された基板上の各領域に放射線検出素子を設け、放射線や電磁波の照射により各放射線検出素子に蓄積された電荷を信号線を介して取り出すことで、各放射線検出素子すなわち各画素の電気信号を読み出すようになっている。
【０００５】
このような放射線画像撮影装置の製造の際、各放射線検出素子が二次元状（マトリクス状）に配列された基板上の検出部に、前述したシンチレータや、基板を支持する基台等の比較的大きな面積を有する部材が接近したり接触したりすると、それらと基板との間に静電気が発生する場合がある。
【０００６】
近年、放射線画像撮影装置の製造工程には除電装置が配備されていることが多く、それらの装置によって静電気等が除電される環境の中で製造が行われるが、生じる静電気の電圧が高いような場合、高電圧の静電気が走査線や信号線に伝わって基板上の走査線や信号線を介して各放射線検出素子からの信号読み出しのスイッチ手段である薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor。以下、ＴＦＴと略す。）に流れ、そのドレインやゲートに高い電圧が印加されてしまう場合がある。
【０００７】
ＴＦＴに静電気による高電圧が加わると、ドレインとゲート間の絶縁膜が強い電界強度に耐え切れず、絶縁膜中に電子が流れ込むなどしてＴＦＴの動作電圧が変動してしまう場合がある。また、極端な場合にはＴＦＴの絶縁膜が物理的に破壊されてしまうといった現象も発生する。そして、静電気が乗った走査線や信号線に接続されている１ラインの全ＴＦＴにこのような動作電圧の変動や破壊が生じてしまう場合もある。
【０００８】
このような事態が生じることを回避するために、特許文献４に記載の電磁波検出装置では、基板上の走査線や信号線の端部に設けられた入出力端子のさらに外側に、走査線同士や信号線同士を接続する保護回路を設けることが提案されている。保護回路は、静電気等により特定の配線に大きな帯電が生じた場合に、その帯電を複数の走査線間や信号線間で分散して特定の配線に電荷が集中することを防止し、走査線と信号線との間に大きな電位差が生じることを防止するものである。
【０００９】
しかし、上記のように、保護回路は、走査線同士や信号線同士を短絡するものであるため、製品の完成時に保護回路が残存しているとノイズの原因となる等の不都合を生じてしまう。そのため、例えばシンチレータ等の実装後に、通常、レーザ照射等の手法によって切断される。
【００１０】
そして、特許文献４や特許文献５に記載されているように、保護回路の部分の切断と前後して、入出力端子に、ＣＯＦ（Chip On Film）等のフレキシブルプリント基板（フレキ等ともいう。）が接続されて、走査線や信号線がそれぞれ走査駆動手段のゲートドライバや読み出しＩＣの読み出し回路に接続される。
【００１１】
ところで、特許文献５に記載の放射線画像撮影装置では、基板の入出力端子とフレキシブルプリント基板との接続部の防湿性を高めるために、接続部を、その上方から、すなわち基板の入出力端子にフレキシブルプリント基板を上方から接続したとするとそのさらに上方から封止樹脂（第２、第３の封止樹脂）で被覆するように構成することが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開平９−７３１４４号公報
【特許文献２】特開２００６−０５８１２４号公報
【特許文献３】特開平６−３４２０９９号公報
【特許文献４】特開２００９−１３０２７３号公報
【特許文献５】特開２００５−１５６５４５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、特許文献５に記載されているように、基板の入出力端子とフレキシブルプリント基板との接続部の防湿性を高めるために、接続部を上方から封止用の樹脂で被覆しても、入出力端子が腐食して、入出力端子とフレキシブルプリント基板との接続が不良になり、その結果、走査線とゲートドライバとの接続や、信号線と読み出しＩＣとの接続が不良になってしまう場合があることが分かってきた。
【００１４】
本発明は、上記の問題点を鑑みてなされたものであり、基板の入出力端子とフレキシブルプリント基板との接続部が腐食することを的確に防止し、入出力端子とフレキシブルプリント基板との接続を良好に維持することが可能な放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
前記の問題を解決するために、本発明の放射線画像撮影装置は、
互いに交差するように配設された複数の走査線および複数の信号線と、前記複数の走査線および複数の信号線により区画された各領域に二次元状に配列された複数の放射線検出素子とが一面側に設けられた基板と、
前記基板の前記面上の端縁部分に設けられ、前記各走査線および前記各信号線の端部にそれぞれ設けられた入出力端子と、
前記各入出力端子に、導電性を保った状態で接着されるフレキシブルプリント基板と、
を備え、
前記各入出力端子と前記フレキシブルプリント基板との接続部に、防湿性を有する絶縁塗料が塗布されており、
前記絶縁塗料により、前記各入出力端子および前記フレキシブルプリント基板末端の各端子と外気との接触が遮断されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のような方式の放射線画像撮影装置によれば、放射線検出素子や走査線、信号線等が配列されて設けられた基板の面上の端縁部分に設けられた入出力端子と、フレキシブルプリント基板末端の各端子とが、導電性を保った状態で接着された接続部に、防湿性を有する絶縁塗料を塗布して、各入出力端子およびフレキシブルプリント基板末端の各端子と外気との接触を遮断するように構成したため、入出力端子とフレキシブルプリント基板との接続部の防湿性を高めることが可能となる。
【００１７】
そして、外気中の湿気等の水分により入出力端子が腐食したり、入出力端子とフレキシブルプリント基板との接続が不良になったりすることを的確に防止することが可能となり、各入出力端子とフレキシブルプリント基板との接続を良好に維持することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本実施形態に係る放射線画像撮影装置の外観斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図３】基板上の構成を示す平面図である。
【図４】図３の基板上の小領域に形成された放射線検出素子等の構成を示す拡大図である。
【図５】図４におけるＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図６】図４におけるＣ−Ｃ線に沿う断面図である。
【図７】蛍光体が柱状構造を有するシンチレータの構成を示す拡大模式図である。
【図８】層状に形成されたシンチレータの構成を示す拡大模式図である。
【図９】基板の検出部上に形成された保護層、および基板とシンチレータ基板とを貼り合わせる状態と表す側面図である。
【図１０】保護回路が形成された基板を示す平面図である。
【図１１】保護回路のダイオードリング構造の等価回路図である。
【図１２】図１０の基板にシンチレータ基板を貼り合わせる状態を表す側面図である。
【図１３】（Ａ）切断位置に溝を形成すること、および（Ｂ）切断位置で保護回路を基板ごと切り落とすことを説明する図である。
【図１４】保護回路が設けられない場合の基板上の構成を示す平面図である。
【図１５】保護回路が設けられない場合の基板とシンチレータ基板とを貼り合わせる状態と表す側面図である。
【図１６】基板の各入出力端子とフレキシブルプリント基板末端の各端子とが接続されること、および接続部に塗布される絶縁塗料を表す図である。
【図１７】ＰＣＢ基板の各入出力端子とフレキシブルプリント基板末端の各端子とが接続されること、および接続部に塗布される絶縁塗料を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明に係る放射線画像撮影装置の実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００２０】
なお、以下では、放射線画像撮影装置が、シンチレータ等を備え、照射された放射線を可視光等の他の波長の電磁波に変換して電気信号を得るいわゆる間接型の放射線画像撮影装置である場合について説明するが、本発明は、直接型の放射線画像撮影装置に対しても適用することが可能である。また、放射線画像撮影装置が可搬型である場合について説明するが、支持台等と一体的に形成された専用機型の放射線画像撮影装置に対しても適用される。
【００２１】
図１は、本実施形態に係る放射線画像撮影装置の外観斜視図であり、図２は、図１のＡ−Ａ線に沿う断面図である。放射線画像撮影装置１は、図１や図２に示すように、筐体２内に基板３やシンチレータ４等が収納されて構成されている。
【００２２】
筐体２は、カーボン板やプラスチック等の材料で形成されている。なお、図１や図２では、筐体２がフレーム板５１とバック板５２とで形成された、いわば弁当箱型である場合が示されているが、筐体２を一体的に形成するいわばモノコック型とすることも可能である。また、筐体２の側面部分には、ＬＥＤ等で構成されたインジケータ５３や蓋５４、外部の装置と接続される端子５５、電源スイッチ５６等が配置されている。
【００２３】
なお、以下では、放射線画像撮影装置１の筐体２の放射線入射面Ｘ側を上側、筐体２における放射線入射面Ｘとは反対側の面Ｙ側を下側として説明するが、放射線画像撮影装置１を上下反転して用いる場合には上下関係が逆になり、放射線画像撮影装置１をその放射線入射面Ｘが水平方向を向くようにして用いる場合には上記の上下関係が左右の関係になる。このように上記の上下関係はあくまで相対的な位置関係である。
【００２４】
筐体２の内部では、図２に示すように、基板３の上側にシンチレータ４が配置され、シンチレータ４のさらに上側にはシンチレータ４を支持する基板（以下、シンチレータ基板という。）５が配置されている。また、基板３の下方には、図示しない鉛の薄板を介して基台６が配置され、基台６には、電子部品７等が配設されたプリント回路基板（printed circuit board。以下、ＰＣＢ基板という。）８や緩衝部材９等が取り付けられている。
【００２５】
本実施形態では、基板３はガラス基板で構成されている。図３は、基板上の構成を示す平面図である。基板３のシンチレータ４側の面３ａ上には、複数の走査線１０と複数の信号線１１とが互いに交差するように配設されている。また、複数のバイアス線１２が、複数の信号線１１と平行に配置されており、各バイアス線１２は、１本の結線１３により結束されている。
【００２６】
また、基板３の面３ａ上で複数の走査線１０と複数の信号線１１により区画された各小領域Ｒには、後述するようにシンチレータ４により変換された光を受けて電気信号に変換する放射線検出素子１４がそれぞれ設けられている。このように、走査線１０と信号線１１で区画された各小領域Ｒに二次元状（マトリクス状）に配列された複数の放射線検出素子１４が設けられた領域Ｒ全体、すなわち図３に一点鎖線で示される領域が検出部Ｐとされている。
【００２７】
また、放射線検出素子１４はバイアス線１２に接続されており、バイアス線１２は図示しないバイアス電源から供給された逆バイアス電圧を各放射線検出素子１４に印加するようになっている。
【００２８】
本実施形態では、放射線検出素子１４として、シンチレータ４から光の照射を受けると光エネルギを吸収して電子正孔対を発生させて光エネルギを電荷に変換するフォトダイオードが用いられている。
【００２９】
また、図４の拡大図に示すように、各領域Ｒには、スイッチ手段として各放射線検出素子１４につき１つのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）１５が設けられており、ＴＦＴ１５のソース電極１５ｓが放射線検出素子１４の１つの電極と、ドレイン電極１５ｄが信号線１１と、ゲート電極１５ｇが走査線１０とそれぞれ接続されている。
【００３０】
ここで、本実施形態における放射線検出素子１４およびＴＦＴ１５の構造について、図５および図６に示す拡大された断面図を用いて簡単に説明する。図５は、図４におけるＢ−Ｂ線に沿う断面図であり、図６は、図４におけるＣ−Ｃ線に沿う断面図である。
【００３１】
ＴＦＴ１５の部分では、基板３の面３ａ上にＴＦＴ１５のゲート電極１５ｇが積層されて形成されており、ゲート電極１５ｇ上には、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなるゲート絶縁層１５１が積層されている。
【００３２】
また、さらにその上方には、半導体層１５２が積層されており、その上方には、後述する放射線検出素子１４の第１電極１４３と接続されたソース電極１５ｓと、信号線１１と一体的に形成されるドレイン電極１５ｄとがパッシベーション層１５３によって分割された状態で積層されている。
【００３３】
また、放射線検出素子１４の部分では、基板３の面３ａ上にゲート絶縁層１５１と一体的に形成される絶縁層１４１が積層されており、その上には、パッシベーション層１５３と一体的に形成される絶縁層１４２が積層されている。絶縁層１４２の上には第１電極１４３が積層されており、第１電極１４３は、パッシベーション層１５３に形成されたホールＨを介してＴＦＴ１５のソース電極１５ｓに接続されている。
【００３４】
第１電極１４３の上には、水素化アモルファスシリコンにＶ族元素をドープしてｎ型に形成されたいわゆるｎ層１４４、水素化アモルファスシリコンで形成され電磁波の照射を受けて電子正孔対を発生させる変換層であるいわゆるｉ層１４５、水素化アモルファスシリコンにIII族元素をドープしてｐ型に形成されたいわゆるｐ層１４６が下方から順に積層されて形成されている。
【００３５】
なお、ｎ層１４４、ｉ層１４５、ｐ層１４６の上下の順はこの逆であってもよい。また、放射線検出素子１４はＰＩＮ型のフォトダイオードに限定されず、例えばＭＩＳ（Metal-Insulator-Semiconductor）型等の他の形式のフォトダイオード等で構成することも可能である。
【００３６】
ｐ層１４６の上には、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明電極とされた第２電極１４７が積層されて形成されており、光がｉ層１４５等に到達するように構成されている。また、第２電極１４７の上面には、第２電極１４７に電圧を印加して放射線検出素子１４に逆バイアス電圧を印加するためのバイアス線１２が接続されている。
【００３７】
本実施形態の放射線検出素子１４は、このように逆バイアス電圧が印加されて駆動されるようになっており、ＴＦＴ１５がオン状態とされると、第１電極１４３に蓄積された電荷がＴＦＴ１５のソース電極１５ｓやドレイン電極１５ｄを介して信号線１１に取り出されるようになっている。
【００３８】
放射線検出素子１４の第２電極１４７やバイアス線１２は、その上方側から窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等からなる被膜層１６で被覆されている。被膜層１６は、それと一体的にＴＦＴ１５側にも形成されており、パッシベーション層１５３や放射線検出素子１４の第１電極１４３の延出部分等を上側から被覆するように構成されている。
【００３９】
なお、被膜層１６は、図３に示した基板３の面３ａ全体に塗布されており、後述する入出力端子１７の上面（図３中の手前側の面）以外の部分全体を被覆するようになっている。すなわち、基板３をシンチレータ４側から見た場合、基板３では、各入出力端子１７のみが、基板３の面３ａを被覆する被膜層１６を貫通して手前側に露出する状態になっている。
【００４０】
シンチレータ４は、入射した放射線を光に変換するものであり、蛍光体を主たる成分とする。具体的には、シンチレータ４は、放射線が入射すると、波長が３００ｎｍ〜８００ｎｍの電磁波、すなわち、可視光線を中心として紫外光から赤外光にわたる光を出力するようになっている。蛍光体としては、例えばＣｓＩ：Ｔｌ等の母体材料内に発光中心物質が付活されたものが好ましく用いられる。
【００４１】
シンチレータ４は、本実施形態では、図７の拡大図に示すように、例えば、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム等の各種高分子材料により形成された支持体４ｂの上に、例えば気相成長法により蛍光体４ａを成長させて形成されたものであり、蛍光体４ａの柱状結晶からなっている。気相成長法としては、蒸着法やスパッタ法等が好ましく用いられる。
【００４２】
いずれの手法においても、蛍光体４ａを支持体４ｂ上に独立した細長い柱状結晶として気相成長させることができる。蛍光体４ａの各柱状結晶は、支持体４ｂ付近では太く、先端（図７中では下側の端部）Ｐａに向かうに従って細くなっていき、先端Ｐａは鋭角状の略円錐形状となるように成長して形成される。
【００４３】
本実施形態では、このようにして蛍光体４ａが柱状結晶として形成されたシンチレータ４は、その支持体４ｂが、蛍光体４ａの柱状結晶の鋭角状の先端Ｐａが下側（すなわち基板３側）を向くように、前述したシンチレータ基板５（図２参照）の下面に貼付されるようになっている。本実施形態では、シンチレータ基板５はガラス基板で構成されているが、この他にも、例えばＰＥＴ（polyethylene terephthalate）等の樹脂等で構成することも可能である。
【００４４】
なお、以下では、シンチレータ４の蛍光体４ａが上記のように柱状結晶構造を有する場合について説明するが、シンチレータ４は、蛍光体４ａが必ずしも柱状結晶構造を有するものである必要はなく、例えば、図８の拡大図に示すように、蛍光体４ａをシンチレータ基板５上に塗布する等して、シンチレータ基板５上に層状に形成してもよい。
【００４５】
図３に示したように、各走査線１０や各信号線１１、結線１３の基板３の面３ａ上の端縁部分には、それぞれ入出力端子（パッドともいう）１７が形成されている。図９に示すように、放射線検出素子１４や走査線１０、信号線１１等が配列された検出部Ｐ上には、それらを保護する保護層（平坦化層ともいう。）１８が積層されて形成されているが、入出力端子１７の部分には保護層１８が設けられていない。
【００４６】
そして、図９に示すように、シンチレータ基板５に設けられたシンチレータ４と、基板３に設けられた保護層１８とが対向する状態で、基板３とシンチレータ基板５とが貼り合わされるようになっている。
【００４７】
なお、図９やそれ以降の各図において、基板３やシンチレータ基板５、シンチレータ４、放射線検出素子１４、保護層１８、信号線１０等の配線、入出力端子１７等の相対的な厚みや大きさは、現実の放射線画像撮影装置１における相対的な厚みや大きさを反映したものではない。
【００４８】
また、この基板３とシンチレータ基板５との貼り合わせの際に、基板３とシンチレータ基板５との間に静電気が発生し、高電圧の静電気が走査線１０や信号線１１に伝わり、走査線１０や信号線１１を介して各ＴＦＴ１５に流れて、ＴＦＴ１５の動作電圧が変動したり、ＴＦＴ１５の絶縁膜が物理的に破壊されてしまうといった現象が発生することは前述した通りである。
【００４９】
そこで、本実施形態では、基板３には、図１０に示すように、保護回路１９が設けられるようになっている。なお、図１０では、バイアス線１２等の図示が省略されている。また、保護回路１９については前述した特許文献４に詳述されており、詳しくは同文献を参照されたい。以下、簡単に説明する。
【００５０】
基板３の面３ａ上の端縁部分に設けられた各入出力端子１７からさらに外側に導線２０がそれぞれ延出されており、各導線２０が、各入出力端子１７の外側で、それぞれダイオードリング構造２１を介して１本のコモン線２２に連結されて保護回路１８が構成されている。
【００５１】
なお、コモン線２２を複数本備えるように構成することも可能である。また、ダイオードリング構造２１は、図１１の等価回路図に示すように、例えば２つのＴＦＴを組み合わせて構成されている。
【００５２】
そして、図１２に示すように、基板３の検出部Ｐにシンチレータ４を貼り合わせる。なお、図１２や後述する図１３では、図を見易くするために、図９等に示した、走査線１０や信号線１１、結線１３等を被覆する被膜層１６や、検出部Ｐの各放射線検出素子１４等の図示が省略されている。
【００５３】
続いて、基板３を、図１０や図１２に示した切断位置Ｌで切断する。その際、例えば、図１３（Ａ）に示すように、保護回路１９が形成された基板３の面３ａ（表面）の側から入出力端子１７の外側の切断位置Ｌにレーザ光を照射して、各導線２０を切断しながら面３ａに断面略Ｖ字状の溝Ｍを形成する。そして、基板３の表面３ａ側から所定の圧力を加えることで、図１３（Ｂ）に示すように、入出力端子１７の外側に形成された保護回路１９を基板３ごと折り取るようにして切り落とすようになっている。
【００５４】
本実施形態では、このようにして、図９に示した、シンチレータ４やシンチレータ基板５が貼付された基板３が形成されるようになっている。そのため、図３に示したように、本実施形態では、上記のように切断された導線２０が各入出力端子１７の外側の基板３上に残るとともに、図９に示すように、各導線２０の切断端部２０ａが露出する状態になる。
【００５５】
なお、必ずしも保護回路１９を設けてそれを切り落とすようにして基板３を形成しなくてもよい。その場合、例えば図１４や図１５に示すように、基板３上の各入出力端子１７の外側には、導線２０の残滓が存在しない状態になる。そして、このように導線２０の残滓が存在しない基板３を備える放射線画像撮影装置に対しても、本発明を適用することができる。
【００５６】
以下、基板３上の各入出力端子１７とフレキシブルプリント基板２３との接続等について説明するとともに、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１の作用について説明する。
【００５７】
図１６に示すように、各入出力端子１７には、ＣＯＦ等のフレキシブルプリント基板２３が各入出力端子１７との導電性を保った状態で接着されている。本実施形態では、フレキシブルプリント基板２３末端の露出された図示しない各端子に異方性導電接着フィルム（Anisotropic Conductive Film）が貼付され、或いは異方性導電ペースト（Anisotropic Conductive Paste）が塗布されて、各入出力端子１７に圧着されるようになっている。
【００５８】
また、各入出力端子１７とフレキシブルプリント基板２３との接続部Ｑには、防湿性を有する絶縁塗料２４が塗布されており、この絶縁塗料２４により、各入出力端子１７やフレキシブルプリント基板２３末端の各端子と、外気との接触が遮断されるようになっている。
【００５９】
具体的には、本実施形態では、図１６に示すように、絶縁塗料２４は、各入出力端子１７と接続されているフレキシブルプリント基板２３の端部を各入出力端子１７ごと上面側から被覆するように接続部Ｑに塗布されるとともに（図中の絶縁塗料２４ａ参照）、フレキシブルプリント基板２３の下面側からも、すなわちフレキシブルプリント基板２３と基板３との間の部分にも、各入出力端子１７やフレキシブルプリント基板２３の各端子を被覆するように接続部Ｑに塗布されている（図中の絶縁塗料２４ｂ参照）。
【００６０】
このように、絶縁塗料２４（すなわち絶縁塗料２４ａ、２４ｂ）を塗布することによって、絶縁塗料２４により各入出力端子１７およびフレキシブルプリント基板２３末端の各端子と、外気との接触が的確に遮断される。
【００６１】
その際、上記のように、各入出力端子１７と接続されているフレキシブルプリント基板２３の端部の上面側からだけでなく（すなわち絶縁塗料２４ａだけでなく）、フレキシブルプリント基板２３と基板３との間の部分にも絶縁塗料２４ｂを塗布する。
【００６２】
このように構成することにより、接続部Ｑを完全に絶縁塗料２４で被覆することが可能となり、絶縁塗料２４により、各入出力端子１７やフレキシブルプリント基板２３末端の各端子と、外気との接触をより確実に遮断することが可能となる。
【００６３】
また、本実施形態のように各入出力端子１７の外側に各導線２０の残滓が残っていて各導線２０の切断端部２０ａが露出する状態になっている場合には、絶縁塗料２４（すなわち絶縁塗料２４ｂ）を、これらの切断端部２０ａを被覆するように塗布することが好ましい。
【００６４】
各導線２０が金属線で形成されている場合には、上記のように絶縁塗料２４を塗布することで各導線２０が切断端部２０ａから腐食することを的確に防止することが可能となるとともに、各導線２０がＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の導電性酸化物で形成されている場合にも、それらを伝わって各入出力端子１７に外気中の湿気等の水分が到達して入出力端子１７が腐食されることを的確に防止することが可能となる。
【００６５】
このように、絶縁塗料２４（すなわち絶縁塗料２４ａ、２４ｂ）により、各入出力端子１７やフレキシブルプリント基板２３末端の各端子（さらに導線２０が設けられた場合にはその切断端部２０ａ）と、外気との接触が的確に遮断されるため、入出力端子１７とフレキシブルプリント基板２３との接続部Ｑの防湿性を高めることが可能となる。
【００６６】
そして、外気中の湿気等の水分により入出力端子１７が腐食したり（すなわち錆びるなどしたり）、入出力端子１７とフレキシブルプリント基板２３との接続が不良になったりすることを的確に防止することが可能となる。
【００６７】
絶縁塗料２４は、このように各入出力端子１７やフレキシブルプリント基板２３末端の各端子等と外気との接触を遮断して、各入出力端子１７やフレキシブルプリント基板２３末端の各端子等が水分により腐食することを防止するものであるため、防湿性を有する材料で構成されていることが好ましく、ポリウレタン系の有機材料が好ましく用いられる。
【００６８】
なお、図１３（Ａ）、（Ｂ）に示したように、入出力端子１７の外側の切断位置Ｌに断面略Ｖ字状の溝Ｍを形成して保護回路１９を基板３ごと切り落とすことで、図１６等に示したように、基板３のフレキシブルプリント基板２３側の切断端面が切り欠き状になり、フレキシブルプリント基板２３が切断端面と擦れて断線等が生じることを防止することが可能となる。
【００６９】
また、このように基板３のフレキシブルプリント基板２３側の切断端面を切り欠き状に形成しなくても、上記のように、フレキシブルプリント基板２３の下面側、すなわちフレキシブルプリント基板２３と基板３との間の部分にも、絶縁塗料２４ｂを塗布することにより、絶縁塗料２４ｂがフレキシブルプリント基板２３と基板３の切断端面との間に介在する状態になるため、絶縁塗料２４ｂがいわゆる緩衝材のように機能して、フレキシブルプリント基板２３が切断端面と擦れることが防止される。
【００７０】
そのため、上記のように、基板３のフレキシブルプリント基板２３側の切断端面を切り欠き状に形成してもよいが、そのように形成しなくても、絶縁塗料２４ｂが緩衝材のように機能するため、フレキシブルプリント基板２３が切断端面と擦れて断線等が生じることを的確に防止することが可能となるといった効果もある。
【００７１】
そして、ポリウレタンは、ウレタンゴムとも呼ばれるように弾力性を有するものであるため、絶縁塗料２４は外力に応じて自在に変形することができる。そのため、例えば、後述する図１７に示すようにフレキシブルプリント基板２３を基板３の裏面３ｂ側に引き回すように構成する際にも、絶縁塗料２４（２４ｂ）は、フレキシブルプリント基板２３の引き回しの邪魔になることはない。
【００７２】
例えば、フレキシブルプリント基板２３の反対側の末端部に、必要な機能部が構成されている場合、すなわち、フレキシブルプリント基板２３と必要な機能部とが一体的に構成されているような場合には、上記のようにフレキシブルプリント基板２３と基板３上の各入出力端子１７との接続部Ｑに絶縁塗料２４（２４ａ、２４ｂ）を塗布して、各入出力端子１７およびフレキシブルプリント基板２３末端の各端子と、外気との接触を遮断するように構成するだけで十分である。
【００７３】
しかし、例えば、図１７に示すように、フレキシブルプリント基板２３が、基板３の裏面３ｂ側に引き回される等して、前述したＰＣＢ基板８に接続されるような場合には、フレキシブルプリント基板２３とＰＣＢ基板８との間でも、上記のように構成することが望ましい。なお、図１７では、ＰＣＢ基板８上に設けられた電子部品７等の図示が省略されている。
【００７４】
すなわち、図１７に示すように、ＰＣＢ基板８には各入出力端子２５が設けられており、フレキシブルプリント基板２３の、入出力端子１７と接続されている末端とは反対側の末端の露出された図示しない各端子が、前述した異方性導電接着フィルムが貼付される等して、各入出力端子２５に圧着される。
【００７５】
そして、ＰＣＢ基板８の各入出力端子２５とフレキシブルプリント基板２３との接続部ｑに防湿性を有する絶縁塗料２６が塗布され、この絶縁塗料２６により、各入出力端子２５やフレキシブルプリント基板２３末端の各端子と、外気との接触が遮断される。
【００７６】
具体的には、絶縁塗料２６ａは、各入出力端子２５と接続されているフレキシブルプリント基板２３の端部を各入出力端子２５ごと上面側から被覆するように接続部ｑに塗布され、絶縁塗料２６ｂが、フレキシブルプリント基板２３の内側、すなわちフレキシブルプリント基板２３とＰＣＢ基板８との間の部分に、各入出力端子２５やフレキシブルプリント基板２３の各端子を被覆するように接続部ｑに塗布される。
【００７７】
このように、絶縁塗料２６（２６ａ、２６ｂ）を塗布することによって、絶縁塗料２６によりＰＣＢ基板８の各入出力端子２５およびフレキシブルプリント基板２３末端の各端子と、外気との接触が的確に遮断される。そのため、ＰＣＢ基板８の各入出力端子２５が外気中の湿気等の水分により腐食したり、入出力端子２５とフレキシブルプリント基板２３との接続が不良になったりすることを的確に防止することが可能となる。
【００７８】
その際、上記のように、各入出力端子２５と接続されているフレキシブルプリント基板２３の端部の部分だけでなく（すなわち絶縁塗料２６ａだけでなく）、フレキシブルプリント基板２３とＰＣＢ基板８との間の部分にも絶縁塗料２６ｂを塗布することにより、接続部ｑを完全に絶縁塗料２６で被覆することが可能となり、絶縁塗料２６により、ＰＣＢ基板８の各入出力端子２５やフレキシブルプリント基板２３末端の各端子と、外気との接触をより確実に遮断することが可能となる。
【００７９】
以上のように、本実施形態に係る放射線画像撮影装置１によれば、放射線検出素子１４や走査線１０、信号線１１等が配列されて設けられた基板３の面３ａ上の端縁部分に設けられた各入出力端子１７と、フレキシブルプリント基板２３末端の各端子とが、導電性を保った状態で接着された接続部Ｑに、防湿性を有する絶縁塗料２４（２４ａ、２４ｂ）を塗布し、絶縁塗料２４（２４ａ、２４ｂ）により、各入出力端子１７およびフレキシブルプリント基板２３末端の各端子と外気との接触を遮断するように構成した。
【００８０】
そのため、絶縁塗料２４（２４ａ、２４ｂ）により、各入出力端子１７やフレキシブルプリント基板２３末端の各端子（さらに導線２０が設けられた場合にはその切断端部２０ａ）と、外気との接触が的確に遮断されるため、入出力端子１７とフレキシブルプリント基板２３との接続部Ｑの防湿性を高めることが可能となる。
【００８１】
そして、外気中の湿気等の水分により入出力端子１７が腐食したり、入出力端子１７とフレキシブルプリント基板２３との接続が不良になったりすることを的確に防止することが可能となり、各入出力端子１７とフレキシブルプリント基板２３との接続を良好に維持することが可能となる。
【００８２】
また、プリント回路基板（ＰＣＢ基板）８側でも、各入出力端子２５とフレキシブルプリント基板２３の反対側の末端の各端子との接続部ｑにおいて、絶縁塗料２６（２６ａ、２６ｂ）で同様に各入出力端子２５およびフレキシブルプリント基板２３末端の各端子と外気との接触を遮断するように構成することが可能である。
【００８３】
そして、このように構成することにより、接続部ｑの防湿性を高めることが可能となり、外気中の湿気等の水分により入出力端子２５が腐食したり、入出力端子２５とフレキシブルプリント基板２３との接続が不良になったりすることを的確に防止することが可能となる。そして、各入出力端子２５とフレキシブルプリント基板２３との接続を良好に維持することが可能となる。
【符号の説明】
【００８４】
１  放射線画像撮影装置
３  基板
３ａ  面（一面）
３ｂ  裏面
８  ＰＣＢ回路（プリント回路基板）
１０  走査線
１１  信号線
１４  放射線検出素子
１７  入出力端子
１９  保護回路
２０  導線
２０ａ  切断端部
２２  コモン線
２３  フレキシブルプリント基板
２４、２４ａ、２４ｂ  絶縁塗料
２５  入出力端子
２６、２６ａ、２６ｂ  絶縁塗料
Ｑ  接続部
ｑ  接続部
Ｒ  領域
【図１】
2012004394.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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