(57)【要約】【課題】複数の接触端子と複数のチップ電極の接触圧力を均一化する。【解決手段】薄膜シート（第１シート）２は、複数のコンタクタ（接触端子）３が形成された接触端子形成面、および接触端子形成面の反対側に位置する裏面２ｂを有する。また、薄膜シート２は、接触端子形成面を有する第１絶縁膜（ポリイミド膜）と、第１絶縁膜と裏面２ｂの間に形成される配線と、裏面２ｂを有し、第１絶縁膜および配線上に形成されたポリイミド膜（第２絶縁膜）２６と、裏面２ｂに形成された突出部２ｄを含んでいる。そして、突出部２ｄは、平面視において、複数のコンタクタ３が配列されるコンタクタ群（第１接触端子群）３Ａの隣に、コンタクタ群３Ａに沿って延在するように配置されている。【選択図】図１２
2012058103.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）複数のチップ領域に区画され、前記複数のチップ領域の各々には半導体集積回路が形成され、主面上において前記半導体集積回路と電気的に接続する複数のチップ電極が形成された半導体ウエハを準備する工程、
（ｂ）複数の第１配線が形成された配線基板と、前記複数のチップ電極に接触させるための複数の接触端子、前記複数の接触端子が形成された接触端子形成面、および前記接触端子形成面の反対側に位置する裏面を有し、前記複数の接触端子の先端が前記半導体ウエハの主面側に対向するように前記配線基板に保持された第１シートと、前記第１シートのうち前記複数の接触端子が形成された領域を、緩衝層を介して前記裏面より押圧する押圧部と、を有する第１カードを準備する工程、
（ｃ）前記第１シートの前記複数の接触端子の先端を前記半導体ウエハの前記複数のチップ電極に接触させて前記半導体集積回路の電気的検査を行う工程、
を含み、
前記第１シートは、
前記接触端子形成面を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜と前記裏面の間に形成され、前記複数の第１配線および前記複数の接触端子と、それぞれ電気的に接続される複数の第２配線と、
前記裏面を有し、前記第１絶縁膜および前記複数の第２配線上に形成された第２絶縁膜と、
前記裏面に形成された突出部と、
を含み、
前記複数の接触端子には、平面視において、第１方向に沿って配置される第１接触端子群に形成された複数の第１接触端子が含まれ、
前記突出部は、平面視において、前記第１接触端子群と離間して配置されていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項２】
（ａ）複数のチップ領域に区画され、前記複数のチップ領域の各々には半導体集積回路が形成され、主面上において前記半導体集積回路と電気的に接続する複数のチップ電極が形成された半導体ウエハを準備する工程、
（ｂ）複数の第１配線が形成された配線基板と、前記複数のチップ電極に接触させるための複数の接触端子、前記複数の接触端子が形成された接触端子形成面、および前記接触端子形成面の反対側に位置する裏面を有し、前記複数の接触端子の先端が前記半導体ウエハの主面側に対向するように前記配線基板に保持された第１シートと、前記第１シートのうち前記複数の接触端子が形成された領域を、緩衝層を介して前記裏面より押圧する押圧部と、を有する第１カードを準備する工程、
（ｃ）前記第１シートの前記複数の接触端子の先端を前記半導体ウエハの前記複数のチップ電極に接触させて前記半導体集積回路の電気的検査を行う工程、
を含み、
前記第１シートは、
前記接触端子形成面を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜と前記裏面の間に形成され、前記複数の第１配線および前記複数の接触端子と、それぞれ電気的に接続される複数の第２配線と、
前記裏面を有し、前記第１絶縁膜および前記複数の第２配線上に形成された第２絶縁膜と、
前記裏面に形成された突出部と、
を含み、
前記複数の接触端子には、平面視において、第１方向に沿って配置される第１接触端子群に形成された複数の第１接触端子が含まれ、
前記複数の第２配線のうち、前記複数の第１接触端子に接続される前記複数の第２配線は、平面視において、前記第１方向と交差する方向に沿って延在するように配置され、
前記突出部は、平面視において、前記第１接触端子群の隣に、前記第１接触端子群に沿って延在するように配置されていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記裏面には、複数の前記突出部が形成され、
前記複数の突出部は、平面視において、前記第１接触端子群の両隣に、前記第１接触端子群に沿って延在するように配置されていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記第２絶縁膜と前記複数の第２配線の間には、前記第１絶縁膜および前記複数の第２配線を覆う第３絶縁膜が形成され、
前記第２絶縁膜と前記第３絶縁膜の間には、前記第２絶縁膜よりも剛性の高い材料から成る複数の帯部材が形成され、
前記複数の帯部材には、平面視において、前記第１接触端子群の両隣に、前記第１接触端子群に沿って帯状に延在するように配置される複数の第１帯部材が含まれ、
前記複数の突出部は、前記複数の帯部材に倣って形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記複数の第２配線と前記複数の接触端子は、前記第１絶縁膜の前記複数の接触端子上に形成された複数のスルーホールを介してそれぞれ接続され、
前記裏面のうち、前記複数の接触端子上に位置する複数の第１領域の高さは、前記突出部の高さよりも低く、かつ、前記複数の第１領域と前記突出部の間の第２領域の高さよりも高いことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項６】
請求項３において、
平面視において、前記複数の第１帯部材のうち、前記第１接触端子群の一方の隣に配置される第１帯部材から前記第１接触端子群までの距離は、前記第１接触端子群の他方の隣に配置される第１帯部材から前記第１接触端子群までの距離と等しいことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５において、
平面視において、前記複数の第１帯部材のうち、前記第１接触端子群の一方の隣に配置される前記第１帯部材の帯幅と、前記第１接触端子群の他方の隣に配置される前記第１帯部材の帯幅は等しいことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項８】
請求項５において、
前記第１接触端子群には、前記複数の第１接触端子が、前記第１方向に沿って一列または複数列で配置され、
前記複数列の場合、平面視において、前記複数列で配置される複数の第１接触端子の間には、前記複数の帯部材は形成されていないことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項９】
請求項４において、
前記複数のチップ領域は、平面視において、それぞれ四角形を成し、各チップ搭載領域の外縁を構成する四辺のそれぞれに沿って、複数の第１チップ電極が配置される第１チップ電極群、複数の第２チップ電極が配置される第２チップ電極群、複数の第３チップ電極が配置される第３チップ電極群、および複数の第４チップ電極が配置される第４チップ電極群が配置され、
前記第１シートの前記接触端子形成面には、前記（ｃ）工程において、前記複数の第１チップ電極と対向配置される前記複数の第１接触端子が形成された前記第１接触端子群、前記複数の第２チップ電極と対向配置される前記複数の第２接触端子が形成された第２接触端子群、前記複数の第３チップ電極と対向配置される前記複数の第３接触端子が形成された第３接触端子群、および前記複数の第４チップ電極と対向配置される前記複数の第４接触端子が形成された第４接触端子群が配置され、
前記複数の帯部材には、平面視において、前記第１接触端子群の両隣に前記第１接触端子群に沿って帯状に延在する前記複数の第１帯部材、前記第２接触端子群の両隣に前記第２接触端子群に沿って帯状に延在する複数の第２帯部材、前記第３接触端子群の両隣に前記第３接触端子群に沿って帯状に延在する複数の第３帯部材、および前記第４接触端子群の両隣に前記第４接触端子群に沿って帯状に延在する複数の第４帯部材が含まれ、
前記複数の突出部は、前記複数の第１、第２、第３、および第４帯部材のそれぞれに倣って形成され、
前記複数の第１帯部材間の距離、前記複数の第２帯部材間の距離、前記複数の第３帯部材間の距離、および前記複数の第４帯部材間の距離は等しいことを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記第１、第２、第３および第４接触端子群は、平面視において、四辺形を構成し、
前記複数の第１、第２、第３および第４帯部材のそれぞれは、平面視において、前記四辺形の内側に配置される第１環状体と、前記四辺形の外側に配置される第２環状体の一部を構成することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記第１環状体は、途中で分断されることなく連続的に形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記第２環状体は、途中で分断されることなく連続的に形成されていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記第２環状体は、前記第１、第２、第３および第４接触端子群が成す前記四辺形の各辺に沿った四辺を有し、
前記第２環状体の各辺の延長線が交わる角部では、接続される２辺が直交しないように各辺に対して斜めに配置された斜め配置部を介して接続されていることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項３において、
前記複数の帯部材は、金属膜から成ることを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。
【請求項１５】
複数の第１配線が形成された配線基板と、
半導体ウエハの主面上に形成された複数のチップ電極に接触させるための複数の接触端子、前記複数の接触端子が形成された接触端子形成面、および前記接触端子形成面の反対側に位置する裏面を有し、前記複数の接触端子の先端が前記半導体ウエハの主面に対向して前記配線基板に保持された第１シートと、
前記第１シートのうち前記複数の接触端子が形成された領域を、緩衝層を介して前記裏面より押圧する押圧部と、
を有し、
前記第１シートは、
前記接触端子形成面を有する第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜と前記裏面の間に形成され、前記複数の第１配線および前記複数の接触端子と、それぞれ電気的に接続される複数の第２配線と、
前記裏面を有し、前記第１絶縁膜および前記複数の第２配線上に形成された第２絶縁膜と、
前記裏面に形成された突出部と、
を含み、
前記複数の接触端子には、平面視において、第１方向に沿って配置される第１接触端子群に形成された複数の第１接触端子が含まれ、
前記複数の第２配線のうち、前記複数の第１接触端子に接続される前記複数の第２配線は、平面視において、前記第１方向と交差する方向に沿って延在するように配置され、
前記突出部は、平面視において、前記第１接触端子群の隣に、前記第１接触端子群に沿って延在するように配置されていることを特徴とするプローブカード。
【請求項１６】
請求項１５において、
前記裏面には、複数の前記突出部が形成され、
前記複数の突出部は、平面視において、前記第１接触端子群の両隣に、前記第１接触端子群に沿って延在するように配置されていることを特徴とするプローブカード。
【請求項１７】
請求項１６において、
前記第２絶縁膜と前記複数の第２配線の間には、前記第１絶縁膜および前記複数の第２配線を覆う第３絶縁膜が形成され、
前記第２絶縁膜と前記第３絶縁膜の間には、前記第２絶縁膜よりも剛性の高い材料から成る複数の帯部材が形成され、
前記複数の帯部材には、平面視において、前記第１接触端子群の両隣に、前記第１接触端子群に沿って帯状に延在するように配置される複数の第１帯部材が含まれ、
前記複数の突出部は、前記複数の帯部材に倣って形成されていることを特徴とするプローブカード。
【請求項１８】
請求項１７において、
前記複数の第２配線と前記複数の接触端子は、前記第１絶縁膜の前記複数の接触端子上に形成された複数のスルーホールを介してそれぞれ接続され、
前記裏面のうち、前記複数の接触端子上に位置する複数の第１領域の高さは、前記突出部の高さよりも低く、かつ、前記複数の第１領域と前記突出部の間の第２領域の高さよりも高いことを特徴とするプローブカード。
【請求項１９】
請求項１８において、
平面視において、前記複数の第１帯部材のうち、前記第１接触端子群の一方の隣に配置される第１帯部材から前記第１接触端子群までの距離は、前記第１接触端子群の他方の隣に配置される第１帯部材から前記第１接触端子群までの距離と等しいことを特徴とするプローブカード。
【請求項２０】
請求項１８において、
前記複数の接触端子は、前記第１シートの前記接触端子形成面の接触端子配置領域に形成され、
前記接触端子配置領域は、平面視において、四角形を成し、前記接触端子配置領域の外縁を構成する四辺のそれぞれに沿って、複数の前記第１接触端子が配置される前記第１接触端子群、複数の第２接触端子が配置される第２接触端子群、複数の第３接触端子が配置される第３接触端子群、および複数の第４接触端子が配置される第４接触端子群が配置され、
前記複数の帯部材には、平面視において、前記第１接触端子群の両隣に前記第１接触端子群に沿って帯状に延在する前記複数の第１帯部材、前記第２接触端子群の両隣に前記第２接触端子群に沿って帯状に延在する複数の第２帯部材、前記第３接触端子群の両隣に前記第３接触端子群に沿って帯状に延在する複数の第３帯部材、および前記第４接触端子群の両隣に前記第４接触端子群に沿って帯状に延在する複数の第４帯部材が含まれ、
前記複数の突出部は、前記複数の第１、第２、第３、および第４帯部材のそれぞれに倣って形成され、
前記複数の第１帯部材間の距離、前記複数の第２帯部材間の距離、前記複数の第３帯部材間の距離、および前記複数の第４帯部材間の距離は等しいことを特徴とするプローブカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体集積回路装置の製造技術に関し、特に、半導体集積回路装置の電極にプローブカードの接触端子を押し当てて行う半導体集積回路装置の電気的検査に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
国際公開第２００６／９７９８２号公報（特許文献１）には、半導体集積回路装置の電極パッドにプローブカードの接触端子を押し当てて行う半導体集積回路の電気的検査（プローブ検査）の方法およびこれに用いるプローブカードが記載されている。
【０００３】
特開２００７-１３４５５４号公報（特許文献２）には、接触端子上に複数の配線層を積層した薄膜シートを有するプローブカードが記載されている。
【０００４】
特開２００８-１６４４８６号公報（特許文献３）には、接触端子上に形成されたスルーホールを介して接触端子と配線を電気的に接続した薄膜シートを有するプローブカードが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２００６／９７９８２号公報
【特許文献２】特開２００７-１３４５５４号公報
【特許文献３】特開２００８-１６４４８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
半導体集積回路装置の検査技術としてプローブ検査がある。このプローブ検査は、所定の機能どおりに動作するか否かを確認する機能テストや、ＤＣ動作特性およびＡＣ動作特性のテストを行って良品／不良品を判別するテスト等を含む。プローブ検査においては、ウエハ出荷対応（品質の差別化）、ＫＧＤ（Known Good Die）対応（ＭＣＰ（Multi-Chip Package）の歩留り向上）、あるいはトータルコスト低減などの要求から、ウエハ状態でプローブ検査を行う技術が用いられている。
【０００７】
近年、半導体集積回路装置の多機能化が進行し、１個の半導体チップ（以下、単にチップと記す）に複数の回路を作りこむことが進められている。また、半導体集積回路装置の製造コストを低減するために、半導体素子および配線を微細化して、チップの面積を小さくし、半導体ウエハ（以下、単にウエハと記す）１枚当たりの取得チップ数を増加することが進められている。そのため、チップ電極（テストパッド、ボンディングパッド）数が増加するだけでなく、チップ電極の配置が狭ピッチ化し、チップ電極の面積も縮小されてきている。このようなチップ電極の狭ピッチ化に伴って、上記プローブ検査にカンチレバー状の接触端子を有するプローバを用いようとした場合には、接触端子をチップ電極の配置位置に合わせて設置することが困難になってしまう課題が存在する。
【０００８】
本願発明者らは、半導体集積回路装置の製造技術を用いて形成された接触端子を有するプローバを用いることにより、チップ電極が狭ピッチ化したチップに対してもプローブ検査が実現できる技術について検討している。その中で、本願発明者らは、以下のようなさらなる課題を見出した。
【０００９】
すなわち、プローブ検査では、複数の接触端子を、ウエハの主面に形成された複数のチップ電極と接触させるので、各接触端子と各チップ電極の接触圧力のばらつきを低減する技術が必要となる。接触圧力のばらつきが大きい場合、接触抵抗が不均一になり、正確な電気的検査が行えなくなる原因となる。
【００１０】
また、接触圧力が大きすぎると、被検査対象であるウエハが破損する原因となる。このウエハの破損を防止する観点からは、接触圧力のばらつきの中心値（設計上の接触圧力）を低減することが有効であるが、このためには、ばらつきのマージンをさらに小さくする必要が生じる。
【００１１】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、複数の接触端子と複数のチップ電極の接触圧力のばらつきを低減することのできる技術を提供することにある。
【００１２】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１４】
すなわち、本願発明の一態様である半導体装置の製造方法は、以下の工程を含んでいる。（ａ）複数のチップ領域に区画され、前記複数のチップ領域の各々には半導体集積回路が形成され、主面上において前記半導体集積回路と電気的に接続する複数のチップ電極が形成された半導体ウエハを準備する工程を含む。また、（ｂ）複数の第１配線が形成された配線基板と、前記複数のチップ電極に接触させるための複数の接触端子の先端が前記半導体ウエハの主面側に対向するように前記配線基板に保持された第１シートと、前記第１シートのうち前記複数の接触端子が形成された領域を、緩衝層を介して前記第１シートの裏面より押圧する押圧部と、を有する第１カードを準備する工程を含む。また、（ｃ）前記第１シートの前記複数の接触端子の先端を前記半導体ウエハの前記複数のチップ電極に接触させて前記半導体集積回路の電気的検査を行う工程を含む。
【００１５】
また、前記第１シートは、前記複数の接触端子が形成された接触端子形成面、および前記接触端子形成面の反対側に位置する前記裏面を含む。また、前記第１シートは、前記接触端子形成面を有する第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜と前記裏面の間に形成され、前記複数の第１配線および前記複数の接触端子と、それぞれ電気的に接続される複数の第２配線と、前記裏面を有し、前記第１絶縁膜および前記複数の第２配線上に形成された第２絶縁膜と、前記裏面に形成された突出部とを含む。また、前記突出部は、平面視において、前記接触端子と離間して配置される。
【発明の効果】
【００１６】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下の通りである。
【００１７】
すなわち、本願発明の一態様によれば、複数の接触端子と複数のチップ電極の接触圧力のばらつきを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一実施の形態である半導体集積回路装置の製造フローの概要を示す説明図である。
【図２】図１に示すウエハ準備工程で準備するウエハの主面側を示す平面図である。
【図３】図２に示すウエハの一部の拡大断面図である。
【図４】図１に示す個片化工程で取得する複数の半導体チップのうちの一つの主面側を示す平面図である。
【図５】図１に示すプローブ検査工程で使用する半導体集積回路検査装置の概要構成を模式的に示す説明図である。
【図６】図５に示すプローブカードの全体構造を示す断面図である。
【図７】図５に示すプローブカードのウエハとの対向面側を示す平面図である。
【図８】図７に示す薄膜シートの配線レイアウトの概要を示す平面図である。
【図９】図７に示すコンタクタ配置領域の拡大平面図である。
【図１０】図９のＢ部の拡大平面図である。
【図１１】図１０のＣ−Ｃ線に沿った拡大断面図である。
【図１２】図１０に示す薄膜シートの裏面側の形状を示す拡大平面図である。
【図１３】図１０に示す薄膜シートの組み立て工程を示す拡大断面図である。
【図１４】図１１に示す薄膜シートの裏面から押圧を開始した状態を示す拡大断面図である。
【図１５】図１１に示す薄膜シートを用いて、コンタクタとウエハのパッドを接触させた状態を示す拡大断面図である。
【図１６】図１０のＤ−Ｄ線に沿った断面において、薄膜シートの裏面を押圧部で押圧した状態を示す拡大断面図である。
【図１７】図９に示す薄膜シートのＥ部の裏面側を示す拡大平面図である。
【図１８】図１１に示す薄膜シートの第１の変形例を示す拡大断面図である。
【図１９】図１１に示す薄膜シートの第２の変形例を示す拡大断面図である。
【図２０】図９に示す薄膜シートのＦ部の裏面側を示す拡大平面図である。
【図２１】図９に示す薄膜シートのＧ部の裏面側を示す拡大平面図である。
【図２２】図９に示す薄膜シートのＨ部の裏面側を示す拡大平面図である。
【図２３】図１２および図２０〜図２２に示す帯部材の全体構造と、コンタクタ群との相対的位置関係を模式的に示す拡大平面図である。
【図２４】図２３に対する第１の変形例を模式的に示す拡大平面図である。
【図２５】図２３に対する第２の変形例を模式的に示す拡大平面図である。
【図２６】図１２に対する変形例を示す拡大平面図である。
【図２７】図１に示す電気的検査工程を、複数のチップ領域に対して一括で行う場合に用いる薄膜シートの、図２３に対する第３の変形例を示す拡大平面図である。
【図２８】図１に示す電気的検査工程を、複数のチップ領域に対して一括で行う場合に用いる薄膜シートの、図２３に対する第４の変形例を示す拡大平面図である。
【図２９】図１に示す電気的検査工程を、複数のチップ領域に対して一括で行う場合に用いる薄膜シートの、図２７に対する変形例を示す拡大平面図である。
【図３０】図１１に対する第１の比較例である薄膜シートを用いて、コンタクタとウエハのパッドを接触させた状態を示す拡大断面図である。
【図３１】図１１に対する第２の比較例である薄膜シートを用いて、コンタクタとウエハのパッドを接触させた状態を示す拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
（本願における記載形式・基本的用語・用法の説明）
本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクション等に分けて記載するが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、記載の前後を問わず、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しの説明を省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
【００２０】
同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、Ａ以外の要素を含むものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。たとえば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、ＳｉＧｅ（シリコン・ゲルマニウム）合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。また、金めっき、Ｃｕ層、ニッケルめっき等といっても、そうでない旨、特に明示した場合を除き、純粋なものだけでなく、それぞれ金、Ｃｕ、ニッケル等を主要な成分とする部材を含むものとする。
【００２１】
さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。
【００２２】
また、実施の形態の各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
【００２３】
また、添付図面においては、却って、煩雑になる場合または空隙との区別が明確である場合には、断面であってもハッチング等を省略する場合がある。これに関連して、説明等から明らかである場合等には、平面的に閉じた孔であっても、背景の輪郭線を省略する場合がある。更に、断面でなくとも、空隙でないことを明示するため、あるいは領域の境界を明示するために、ハッチングやドットパターンを付すことがある。
【００２４】
また、本願発明を詳細に説明する前に、本願における用語の意味を説明すると次の通りである。
【００２５】
プローブ検査とは、ウエハ工程（分割前に行うウエハに対する各種処理工程）が終了したウエハに対してプローバ（半導体集積回路検査装置）を用いて行われる電気的試験であって、チップ領域の主面上に形成された電極に接触端子の先端を当てて半導体集積回路の電気的検査を行うことをいう。プローブ検査には、所定の機能通りに動作するか否かを確認する機能テストやＤＣ動作特性およびＡＣ動作特性のテストを行って良品／不良品を判別するものである。各チップに分割してから（またはパッケージング完了後）行われる選別テスト（最終テスト）とは区別される。
【００２６】
プローブカードとは、検査対象となるウエハと接触する接触端子および配線基板（配線基板）などを有する構造体をいい、プローバもしくは半導体集積回路検査装置とは、インタフェースリング、プローブカードおよび検査対象となるウエハを載せるウエハステージを含む試料支持系を有する検査装置をいう。
【００２７】
テスタ（Test System）とは、半導体集積回路を電気的に検査するものであり、所定の電圧および基準となるタイミング等の信号を発生するものをいう。
【００２８】
テスタヘッドとは、テスタと電気的に接続し、テスタより送信された電圧および信号を受け、電圧および詳細なタイミング等の信号を半導体集積回路に対して発生し、ポゴピンなどを介してプローブカードへ信号を送るものをいう。
【００２９】
インタフェースリングとは、ポゴピンなどの導電路を介してテスタヘッドおよびプローブカードと電気的に接続し、テスタヘッドより送られてきた信号を後述するプローブカードへ送るものをいう。
【００３０】
ポゴピン（POGO pin）またはスプリングプローブとは、接触ピン（プランジャ（接触針））をばね（コイルスプリング）の弾性力で電極（端子）に押し当てる構造を有し、必要に応じてその電極への電気的接続を行うようにした接触針をいい、たとえば金属製の管（保持部材）内に配置されたばねが金属ボールを介して接触ピンへ弾性力を伝える構成となっている。
【００３１】
薄膜プローブ（membrane probe）、薄膜プローブシート、または薄膜シートとは、上記のような検査対象と接触する前記接触端子（突起端子）とそこから引き回された配線とが設けられ、その配線に外部接触用の電極が形成された薄膜をいう。薄膜シートは、例えば、厚さ１０μｍ〜１００μｍ程度のものをいい、シリコンウエハを半導体集積回路の製造に用いるのと同様な、ウエハプロセス、すなわちフォトリソグラフィ技術、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）技術、スパッタリング技術およびエッチング技術などを組み合わせたパターニング手法によって、配線層およびそれに電気的に接続された先端部（接触端子）を一体的に形成されたもの等を言う。もちろん、プロセスは複雑になるが、一部を別に形成して、後に合体させることも可能である。
【００３２】
接触端子、突起端子、コンタクタ、またはプローブとは、各チップ領域上に設けられた電極（チップ電極）に接触させて電気的特性の検査を行うための導電性の突起物をいう。
【００３３】
＜半導体集積回路装置の製造方法＞
まず、図１〜図４を用いて本実施の形態の半導体集積回路装置の製造方法の全体の流れを説明する。図１は、本実施の形態の半導体集積回路装置の製造フローの概要を示す説明図である。また、図２は、図１に示すウエハ準備工程で準備するウエハの主面側を示す平面図、図３は、図２に示すウエハの一部の拡大断面図、図４は図１に示す個片化工程で取得する複数の半導体チップのうちの一つの主面側を示す平面図である。
【００３４】
まず、図１に示すウエハ準備工程として、図２に示すように、複数のチップ領域１０ａに区画されたウエハ（半導体ウエハ）ＷＨを準備する。ウエハＷＨの複数のチップ領域１０ａの各々には半導体集積回路が形成され、主面上において半導体集積回路と電気的に接続する複数のパッド（電極、チップ電極、電極パッド）１１（図４参照）が形成されている。
【００３５】
図２に示すウエハＷＨの形成方法の一例について図３を用いて簡単に説明すると、例えば、以下のように形成される。まず、半導体基板準備工程（図１参照）で、主面（デバイス形成面）１２ａを有する半導体基板１２を準備する。その後、半導体素子形成工程（図１参照）で、半導体基板１２の主面１２ａにトランジスタやダイオードなどの複数の半導体素子（図示は省略）を形成する。その後、チップ配線層形成工程（図１参照）で、半導体基板１２の主面１２ａ上に配線層１３を積層する。図３では、主面１２ａ上に複数の配線層１３を積層した例を示している。このチップ配線層形成工程では、最上層に複数のパッド１１を形成し、各パッド１１は配線層１３が備える複数の配線１３ａを介して主面１２ａの複数の半導体素子と電気的に接続される。複数の配線１３ａは、配線層１３が備える絶縁膜１３ｂにより絶縁されている。これらの工程により、ウエハＷＨの主面１２ａ側には、複数の半導体集積回路が形成される。その後、保護膜形成工程（図１参照）で、配線層およびパッド１１を覆うように、保護膜（パッシベーション膜、絶縁膜）１４を形成する。そして、保護膜１４の一部に開口部１４ａを形成し、開口部１４ａにおいてパッド１１を、保護膜１４から露出させる。以上の工程により、ウエハＷＨには、複数の半導体チップ１０が形成され、図２に示すウエハＷＨが得られる。なお、保護膜（パッシベーション膜、絶縁膜）１４は、例えば、窒化シリコン膜、シリコン酸化膜、または窒化シリコン膜とシリコン酸化膜との積層膜で構成される。図４に示すように、本実施の形態では、例えば平面視において四角形を成す半導体チップ１０（図２に示すチップ領域１０ａに対応する）の各辺に沿ってそれぞれ複数のパッド１１が配置されるパッド群（チップ電極群）を有している。また、複数のパッド１１は、チップ領域１０ａ（図２参照）の外周に沿って複数列で配列されている。特に限定されないが、本実施の形態においては、複数のパッド１１が配置されるパッド群（チップ電極群）の配列方向に沿って、第１列目に配置されるパッド１１と、第２列目に配置されるパッド１１が例示される。パッド群の配列方向に沿って、第１列目に配置されるパッド１１の間に第２列目に配置されるパッド１１が配置されるように、互い違いに（所謂、千鳥配置で）配列されている。ウエハＷＨには、複数の半導体チップ１０が形成される。
【００３６】
次に、図１に示すプローブ検査工程として、図２に示すウエハＷＨの電気的検査を行う。プローブ検査工程には、図１に示すように、プローブカード準備工程と、電気的検査工程が含まれる。なお、図１では、説明の便宜上、ウエハ準備工程と、プローブ検査工程を分けて示しているが、ウエハ準備工程をプローブ検査工程に含めて考えることもできる。このプローブ検査工程の詳細は、後述する。
【００３７】
次に、図１に示す個片化工程として、図２に示すウエハＷＨをチップ領域１０ａ毎に分割し、図４に示す半導体チップ（半導体集積回路装置）１０を複数個取得する。本工程では、例えば、図２に示す複数のチップ領域１０ａそれぞれの間に配置されたスクライブ領域１０ｂに沿ってウエハＷＨを切断し、チップ領域１０ａ毎に個片化する。以上の工程により、本実施の形態の半導体集積回路装置である半導体チップ１０が得られる。なお、上記は、半導体チップを製造する工程のうち、主要工程の概要を説明したものであり、種々の変形例を適用することができる。
【００３８】
＜半導体集積回路検査装置＞
次に、図１に示すプローブ検査工程で使用する半導体集積回路検査装置の概要を説明する。図５は、図１に示すプローブ検査工程で使用する半導体集積回路検査装置の概要構成を模式的に示す説明図、図６は、図５に示すプローブカードの全体構造を示す断面図、図７は、図５に示すプローブカードのウエハとの対向面（主面）側を示す平面図である。なお、図６は、図７のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【００３９】
図５に示すように、本実施の形態１のプローバ（半導体集積回路検査装置）ＰＲは、プローブカードＰＲＣ、テスタヘッドＴＨＤ、インタフェースリングＩＦＲ、カードホルダＣＨＤ、ウエハステージＷＳＴ、およびウエハチャック（ウエハ保持具）ＷＣＨなどから形成されている。テスタヘッドＴＨＤとインタフェースリングＩＦＲとの間、およびインタフェースリングＩＦＲとプローブカードＰＲＣとの間は、それぞれ複数本のポゴピンＰＧＰを介して電気的に接続され、それによりテスタヘッドＴＨＤとプローブカードＰＲＣとの間が電気的に接続されている。また、テスタヘッドＴＨＤは、テスタＴに電気的に接続され、テスタＴからプローブ検査に必要な電圧や信号電流が供給される。
【００４０】
カードホルダＣＨＤは、プローブカードＰＲＣをプローバＰＲに機械的に接続するもので、かつ、ポゴピンＰＧＰからの圧力によってプローブカードＰＲＣに反りが生じてしまうことを防ぐ機械的強度を持つ。また、プローバＰＲの筐体内には、ウエハステージＷＳＴが配置され、ウエハステージＷＳＴ上には、ウエハチャックＷＣＨが配置され、固定されている。被検査対象であるウエハＷＨは、複数のパッド１１（図４参照）が形成された主面１２ａ（図３参照）側をプローブカードＰＲＣと対向させた状態でウエハチャックＷＣＨに固定される。
【００４１】
次に、図５に示すプローブカードＰＲＣの構造について説明する。図６に示すようにプローブカードＰＲＣは、複数の配線１ｃが形成された配線基板１を有している。また、プローブカードＰＲＣは、配線基板１に保持された薄膜シート２を有している。薄膜シート２は、複数のコンタクタ（接触端子）３が形成された主面（接触端子形成面）２ａおよび主面２ａの反対側に位置する裏面２ｂを有し、主面２ａがウエハＷＨ（図５参照）の主面側に対向するように、配線基板１に保持されている。また、プローブカードＰＲＣは、薄膜シート２のうち複数のコンタクタ３が形成された領域（図７に示すコンタクタ配置領域２ｃ）を、裏面２ｂより押圧する押圧部４を有している。また、プローブカードＰＲＣは、連結治具５ａを介して押圧部４および薄膜シート２に一括して荷重を印加する加圧部５を有している。なお、押圧部４および加圧部５の詳細は後述する。
【００４２】
配線基板１は、下面（シート保持面）１ａおよび下面１ａの反対側に位置する上面（裏面）１ｂを有し、平面視において円形を成す板材である（平面形状は図７参照）。本実施の形態の配線基板１は、下面１ａ、上面１ｂ間に複数の配線層が積層された、所謂、多層配線基板である。各配線層には、それぞれ複数の配線１ｃが形成され、下面１ａ側と上面１ｂ側は電気的に接続されている。配線基板１の下面１ａには、この複数の配線１ｃと、それぞれ電気的に接続する複数の受け部（図示は省略）が形成されている。そして、この複数の受け部は、複数の配線１ｃを通じて、配線基板１の上面１ｂに設けられた複数のポゴ（ＰＯＧＯ）座１ｄと電気的に接続している。このポゴ座１ｄは、テスタヘッドＴＨＤ（図５）とプローブカードとの間で、信号を入力、あるいは出力するポゴピンＰＧＰ（図５参照）を受ける端子となっている。つまり、ポゴ座１ｄは配線基板１（プローブカードＰＲＣ）の外部端子となっている。このため、図７に示すように、配線基板１の上面側には多数のポゴ座１ｄが配置されている。また、配線基板１の下面１ａは、カードホルダＣＨＤ（図５参照）に接続され、固定される。
【００４３】
薄膜シート２は、前記したように主面２ａ、裏面２ｂを有し、平面視において、配線基板１より直径が小さい円形を成す。詳細は後述するが、薄膜シート２は、例えばポリイミド樹脂を主成分とする基材を有する薄膜であって、柔軟性を有している。また、薄膜シート２は、裏面２ｂを配線基板１の下面１ａと対向させた状態で、接続治具６により配線基板１に固定され、保持されている。図７に示すようにリング形状を成す複数の接続治具６によって、薄膜シート２の周縁部および周縁部よりも内側の領域が配線基板１に固定されている。
【００４４】
また、配線基板１の中央には開口部１ｅが形成され、開口部１ｅの内側には、配線基板１の上面１ｂ上に固定され、開口部１ｅ内において配線基板１の下面１ａよりも下方まで延在する張り出しリング７が配置されている。薄膜シート２の複数のコンタクタ３が形成された領域は、この張り出しリング７により、配線基板１の下方に向かって張り出され、カードホルダＣＨＤ（図５参照）の下面よりも下方に配置される。また、張り出しリング７の内側には接着リング８が配置されている。接着リング８は、接着剤（例えばエポキシ系接着剤）を介して薄膜シート２の裏面２ｂ側に接着され、ボルトなどの接続治具を介して加圧部５と連結固定されている。これにより、加圧部５により加重を印加した際、あるいは押圧部４により薄膜シート２を押圧した際に、薄膜シート２に弛みが発生することを防止できる。
【００４５】
また、押圧部４は、プランジャ４ａ、押圧具である押し駒４ｂ、および押し駒４ｂの下面(押圧面)側に配置されるエラストマ(緩衝層、弾性部材)４ｃを備えている。押圧部４は、コンタクタ３が形成された領域の薄膜シート２を裏面（上面）２ｂから押し駒４ｂおよびエラストマ４ｃを介してプランジャ４ａが押圧し、押し駒４ｂを押し出すことによって薄膜シート２を引き伸ばし、各コンタクタ３の先端の位置をそれぞれが対応するパッド１１（図４参照）と対向する位置となるように調整する。プランジャ４ａはプローブカードＰＲＣの筐体に固定される。また、配線基板１もプローブカードＰＲＣの筐体に固定されているので、プランジャ４ａはこの筐体を介して配線基板１に固定されている。プランジャ４ａ内には、ばね４ｄが内蔵されており、このばね４ｄの弾性力によって一定の押圧力が押しピン４ｅを介して押し駒４ｂ、エラストマ４ｃおよび薄膜シート２へ伝わる構造となっている。本実施の形態１において、押し駒４ｂの材質としては、４２アロイを例示することができる。また、エラストマ４ｃとしてはシリコンシートを例示することができる。
【００４６】
また、加圧部５は、押圧部４と加圧部５を連結する連結治具５ａおよび連結治具５ａに固定される複数（図６では２個）のばね５ｂを有している。図示は省略するが、このばね５ｂは、例えば配線基板１の平面において約８個所〜１２個所に配置されている。このばね５ｂの一方の端部は、配線基板１に固定され、他方の端部は連結治具５ａに固定されている。ばね５ｂの弾性力は、プローブ検査時においてコンタクタ３がパッド１１（図４参照）と接触し、プローブカードＰＲＣがパッド１１に向かって押し込まれた際に連結治具５ａに作用する。この時、加圧部５は押圧部４および接着リング８と固定され、連結治具５ａ、押し駒４ｂ、エラストマ４ｃ、接着リング８およびプランジャ４ａは一体（加圧機構）となっていることから、ばね５ｂの弾性力は、これら一体となった部材をパッド１１に向かって押し下げるように作用する。このため、プランジャ４ａ内のばね４ｄから薄膜シート２へ伝わる押圧力は、主として薄膜シート２の引き伸ばしに用いられることになる。
【００４７】
プローブ検査工程（図１参照）では、薄膜シート２を配線基板１に保持させた後、薄膜シート２のうち、複数のコンタクタ３が形成されたコンタクタ配置領域（接触端子配置領域）２ｃを、押圧部４により裏面２ｂ側からエラストマ（緩衝層、弾性部材）４ｃを介して押圧する。これにより、薄膜シート２は引き伸ばされ、主面２ａに配置された複数のコンタクタ３は、所定の位置（電気的検査工程において、複数のパッド１１（図４参照）と対向する位置）に位置合わせされる（シート引き伸ばし工程）。このシート引き伸ばし工程は、電気的検査工程（図１参照）において、複数のコンタクタ３と複数のパッド１１（図４参照）を接触させる前に予め行う。例えば、シート引き伸ばし工程は、図１に示すプローブカード準備工程に含まれる。そして、電気的検査工程（図１参照）では、複数のコンタクタ３と複数のパッド１１（図４参照）を接触させることで、加圧部５のばね５ｂの弾性力が、押圧部４を介して薄膜シート２の複数のコンタクタ３に伝達される（加圧工程）。 
【００４８】
ところで、以下で詳述する薄膜シート２は、図６に示す本実施の形態のプローブカードＰＲＣの変形例に適用することもできる。例えば、図６に示す加圧部５を配置せず、押圧部４のプランジャ４ａを配線基板１に固定した変形例に適用することができる。この場合、パッド１１（図４参照）への荷重制御はプランジャ４ａのみで行うことになる。ただし、プランジャ４ａは、押し駒４ｂを押し出して薄膜シート２を配線基板１の下面１ａより下方に張り出させるためにも用いられる。したがって、確実に薄膜シート２を配線基板１の下面１ａよりも下方に張り出し、かつ低荷重でコンタクタ３をパッド１１に接触させる観点から、本実施の形態では、押圧部４と加圧部５を備えたプローブカードＰＲＣを採用している。
【００４９】
＜薄膜シートの詳細構造＞
次に、図６および図７に示す薄膜シート２の詳細構造について説明する。図８は、図７に示す薄膜シートの配線レイアウトの概要を示す平面図である。また、図９は、図７に示すコンタクタ配置領域の拡大平面図であり、図１０は、図９のＢ部の拡大平面図、図１１は図１０のＣ−Ｃ線に沿った拡大断面図である。また、図１２は図１０に示す薄膜シートの裏面側の形状を示す拡大平面図である。
【００５０】
図９に示すように、薄膜シート２の主面２ａ側に配置されるコンタクタ配置領域（接触端子配置領域）２ｃには、複数のコンタクタ３が形成されている。本実施の形態では、平面視において四角形を成すチップ領域１０ａ（図２参照）の各辺に沿ってそれぞれ複数のパッド１１（図４参照）が配置されたウエハＷＨ（図２参照）を検査する。このため、図９に示すコンタクタ配置領域２ｃは、平面視において四角形を成し、各辺に沿ってそれぞれ複数のコンタクタ３が配置されている。言い換えれば、コンタクタ配置領域２ｃの外縁を構成する四辺のうち、第１辺に沿って、複数のコンタクタ３ａが形成されたコンタクタ群（接触端子群）３Ａが配置される。また、第１辺と交差する第２辺に沿って、複数のコンタクタ３ｂが形成されたコンタクタ群（接触端子群）３Ｂが配置される。また、第１辺と対向する第３辺に沿って、複数のコンタクタ３ｃが形成されたコンタクタ群（接触端子群）３Ｃが配置される。また、第２辺と対向する第４辺に沿って、複数のコンタクタ３ｄが形成されたコンタクタ群（接触端子群）３Ｄが配置される。
【００５１】
また、図１０および図１１に示すように、薄膜シート２は、主面（接触端子形成面）２ａを有するポリイミド膜（絶縁膜）２２を有している。複数のコンタクタ３は、ポリイミド膜２２が有する主面２ａに固定されている。また、図１０に示すように、複数のコンタクタ３ａはコンタクタ群３Ａの延在方向（配列方向）に沿って配置されている。薄膜シート２の各コンタクタ３は、図４に示す複数のパッド１１と対向する位置に配置されるように形成されている。このため、本実施の形態では、複数のコンタクタ３ａがコンタクタ群３Ａの延在方向（配列方向）に沿って、複数列（図１０では２列）で配置されている。言い換えれば、複数のコンタクタ３ａには、コンタクタ群３Ａの配列方向に沿って、第１列目に配置されるコンタクタ（第１列目接触端子）３ａと、第２列目に配置されるコンタクタ（第２列目接触端子）３ａが含まれる。そして、コンタクタ群３Ａの配列方向に沿って、第１列目に配置されるコンタクタ３ａの間に第２列目に配置されるコンタクタ３ａが配置されるように、互い違いに（所謂、千鳥配置で）配列されている。なお、図１０では、図９に示す各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄのうち、コンタクタ群３Ａの拡大図を例示的に示している。他のコンタクタ群３Ｂ、３Ｃ、３Ｄの拡大図の図示は省略するが、各コンタクタ群３Ｂ、３Ｃ、３Ｄにおいて、コンタクタ群３Ｂ、３Ｃ、３Ｄの延在方向に沿って、それぞれ複数のコンタクタ３ｂ、３ｃ、３ｄが複数列（本実施の形態は２列）で配置されている。以下、コンタクタ３の周辺構造について、コンタクタ３ａを例として説明するが、特に、異なる構造である旨説明する場合を除き、コンタクタ３ｂ、３ｃ、３ｄの周辺構造も同様である。
【００５２】
図１１に示すように、複数のコンタクタ３は、それぞれ金属膜２１からなる。本実施の形態では、例えば、下層からロジウム膜２１ａおよびニッケル膜２１ｂが順次積層された積層膜となっている。このコンタクタ３は、薄膜シート２中にて平面四角形状にパターニングされた金属膜２１であり、薄膜シート２の主面２ａよりも下方に突出するように形成されている。コンタクタ３の形状は種々の変形例を適用することができるが、本実施の形態では、角柱状に形成された台座部の下面に四角錐台形型に形成された突起部が形成された形状となっている。また、台座部の側面は、その一部がポリイミド膜２２に覆われている。このように、コンタクタ３の突起部上に台座部を形成することにより、コンタクタ３の高さを高くすることができる。このため、プローブ検査を行う際には、薄膜シート２の主面２ａからコンタクタ３の先端までの距離を長くすることができる。例えば、本実施の形態では、薄膜シート２の主面２ａからコンタクタ３の先端までの距離は、約５０μｍとなっている。これにより、プローブ検査時にポリイミド膜２２と被検査対象物であるウエハＷＨ（図２参照）の表面が接触することを防止ないしは抑制できる。
【００５３】
また、薄膜シート２は、ポリイミド膜２２と裏面２ｂの間に形成される複数の配線２３を有している。複数の配線２３は、それぞれ下層から導体膜２３ａおよび導体膜２３ｂが順次積層された積層膜となっている。導体膜２３ａは、配線２３を形成するための下地導体膜であって、例えば、膜厚０．１μｍ程度のクロム膜および膜厚１μｍ程度の銅膜を順次スパッタリング法または蒸着法によって堆積することによって成膜することができる。また、導体膜２３ｂは、配線２３の寄生インダクタンス（例えば配線抵抗）を低減する主導体膜であって、例えば、銅膜、または銅膜およびニッケル膜を下層から順次堆積した積層膜を例示することができる。これら複数の配線２３はポリイミド膜２５により覆われている。言い換えれば、薄膜シート２は、ポリイミド膜２２上に、複数の配線２３およびこれらを覆う絶縁膜であるポリイミド膜２５からなる配線層２４が積層されている。
【００５４】
また、複数の配線２３は、それぞれ、図６に示す配線基板１との接続部（例えば前記した受け部）まで引き出され、配線基板１の複数の配線１ｃと電気的に接続されている。本実施の形態では、図１１に示すように、それぞれ複数の配線２３を備える配線層２４を積層し、ポリイミド膜２２上に配置される下層の配線層２４ａと上層の配線層２４ｂを電気的に接続している。各配線層２４ａ、２４ｂは、複数の配線２３と、複数の配線２３を覆うポリイミド膜（絶縁膜）２５を備えている。下層の配線層２４ａの配線２３上には、ポリイミド膜２５にスルーホール（開口部）ＴＨ１が形成され、スルーホールＴＨ１の底部において、上層の配線層２４ｂの配線２３と、下層の配線層２４ａの配線２３が電気的に接続している。これにより、コンタクタ３の配置パターンが狭ピッチ、多ピン化した場合であっても、配線２３を引き出すスペースを確保することができる。なお、図１１では、二層の配線層２４を積層した例を示しているが、配線層２４の数はこれに限定されない。例えば、配線層２４を積層せず、一層構造とすることもできる。また例えば、さらに配線層２４を積層し、三層以上の積層構造とすることもできる。
【００５５】
また、複数の配線２３は、複数のコンタクタ３とそれぞれ電気的に接続されている。図１１に示すようにポリイミド膜２２のコンタクタ３上には、スルーホール（開口部）ＴＨ２が形成され、スルーホールＴＨ２の底部において、ポリイミド膜２２上に形成される配線２３とコンタクタ３が電気的に接続されている。本実施の形態では、スルーホールＴＨ２は、コンタクタ３の直上にスルーホールＴＨ２を形成している。このように、スルーホールＴＨ２をコンタクタ３の直上に配置することにより、スルーホールＴＨ２の配置スペースを低減することができるので、コンタクタ３の狭ピッチ化に対応することができる。
【００５６】
また、図１０に示すように、複数の配線２３のうち、複数のコンタクタ３ａに接続される複数の配線２３は、平面視において、コンタクタ群３Ａの延在方向（配列方向）と交差（例えば直交）する方向に沿って延在するように配置されている。また、本実施の形態では、前記したように、第１列目の複数のコンタクタ３ａと第２列目の複数のコンタクタ３ａが千鳥配置で配列されている。このため、第１列目に配置される隣り合うコンタクタ３ａの間には、第２列目のコンタクタ３ａと接続される配線２３が配置され、第２列目に配置される隣り合うコンタクタ３ａの間には、第１列目のコンタクタ３ａと接続される配線２３が配置されている。このように複数の配線２３をコンタクタ群３Ａの延在方向（配列方向）と交差（直交）する方向に沿って延在させることにより、配線２３の引き出しスペースを確保することができる。また、図８に示されるように、配線２３は、そこからさらに薄膜シート２の外縁（周縁部）に向かって、放射状に引き出される。薄膜シート２の周縁部付近で図６に示す配線基板１の複数の受け部（図示は省略）と複数の配線２３が電気的に接続される。複数の配線２３のコンタクタ配置領域２ｃ内の端部は、コンタクタ３よりもさらに内側まで延在している。配線層２４ａ、２４ｂの配線２３は、薄膜シート２の応力を均一にするために、密度が均等になるように構成される。また、配線層２４ａ、２４ｂの配線２３はダミーの配線２３Ｄを含んでもよい。配線２３が形成されない領域に、複数のダミー配線２３Ｄを形成することで、配線２３が形成されていない領域の面積を低減している。これにより、薄膜シート２の硬さや剛性が一様になるので、前記シート引き伸ばし工程において、弛みが発生することを防止ないしは抑制できる。
【００５７】
また、図１０、図１１および図１２に示すように薄膜シート２は、裏面２ｂを有するポリイミド膜（絶縁膜）２６を有している。ポリイミド膜２６は、配線層２４ｂ上に配置されている。配線層２４ａの上層の配線層２４ｂ（ポリイミド膜２５）を覆うように配置されている。この薄膜シート２の裏面２ｂには、突出部２ｄが形成されている。具体的には、上層の配線層２４ａ（ポリイミド膜２５）とポリイミド膜２６の間には、帯状に形成された帯部材２７が配置されている。なお、図１２において、コンタクタ３ａと帯部材２７との位置関係を解かり易くするため、図１１に示す配線層２４ａ、２４ｂは図示していない。ポリイミド膜２５の上面を覆うポリイミド膜２６は、ポリイミド膜２６よりも下層に配置される各部材のパターンに倣って形成されるので、ポリイミド膜２６の帯部材２７と重なる領域周辺が他の領域よりも上方に突出した突出部２ｄとなっている。この帯部材２７およびこれに倣って形成される突出部２ｄは、図１２に示すように、平面視において、コンタクタ群３Ａの両隣に、コンタクタ群３Ａに沿って延在するように配置されている。帯部材２７および突出部２ｄのさらに詳細な構造およびこの突出部２ｄを形成する理由は後述する。
【００５８】
上記した薄膜シート２は、下層に配置される複数のコンタクタ３から最上層に配置されるポリイミド膜２６まで、各層の部材を順次積層して形成する。以下、図１３を用いて簡単に薄膜シート２を形成する工程について説明する。図１３は、図１０に示す薄膜シートの組み立て工程を示す拡大断面図である。
【００５９】
まず、薄膜シート形成用の基板（例えば、シリコン基板）４０を準備して、基板４０上に複数のコンタクタ３を形成するための開口部（穴）４０ａを形成する。その後、開口部４０ａを含む基板上に、コンタクタ３等のめっき形成に用いる導電膜４１を成膜する。その後、開口部４０ａをマスクした状態（図示は省略）で、開口部４０ａの周囲に例えば銅からなる１０μｍ〜２０μｍ程度の薄膜４２を成膜する。図１１に示す構造では、この薄膜４２が形成されていない領域がコンタクタ３となる。その後、開口部４０ａを塞ぐマスクを除去した後、開口部の周囲を覆うマスク（図示は省略）を形成し、導電膜４１を電極とした電解めっき法により、コンタクタ３の表面を覆う導電膜となるロジウム膜（導電膜）２１ａおよびニッケル膜（導電膜）２１ｂを順次堆積する。この時、ロジウム膜２１ａおよびニッケル膜２１ｂは成膜領域の下地の形状に倣って形成される。その後、薄膜４２を露出させた後、ニッケル膜２１ｂを覆うようにマスク（図示は省略）を形成し、薄膜４２上に、例えば銅からなる１０μｍ〜２０μｍ程度の薄膜４３をさらに成膜する。この２層目の薄膜４３を形成することにより、後にコンタクタ３の側面の一部を覆うポリイミド膜２２の段差部が形成される。その後、ニッケル膜２１ｂ上のマスクを取り除き、電解めっき法によりニッケル膜２１ｂ上にさらにニッケル膜２１ｂを堆積する。ここまでの工程で、図１１に示すコンタクタ３の形状を形成する。コンタクタ３の上面は成膜領域の下地の形状に倣って形成されるので、図１１に示すように中央部よりも周縁部の方が盛り上がった形状となる。
【００６０】
その後、マスクを取り除き、コンタクタ３および前記した上層の薄膜４３を覆うようにポリイミド膜２２（図９も参照）を成膜する。この時、ポリイミド膜２２は、成膜領域の下地の形状に倣って形成されるので、図１１に示すようにコンタクタ３の上面の周縁部上が周囲よりも盛り上がって形成される。その後、ポリイミド膜２２に、コンタクタ３の上面に達するスルーホールＴＨ２を形成する。続いて、スルーホールＴＨ２の内部を含むポリイミド膜２２上に導体膜２３ａ、２３ｂを順次積層する。これにより、コンタクタ３と電気的に接続された配線２３が形成される。その後、ポリイミド膜２２および配線２３上にポリイミド膜２５を成膜する。これにより、下層の配線層２４ａが形成される、以降、同様の手順でスルーホールＴＨ１を形成した後、上層の配線層２４ａを構成する配線２３、ポリイミド膜２５を順次積層する。
【００６１】
その後、ポリイミド膜２５の上面に下層から金属膜２７ａおよび金属膜２７ｂを順次積層し、帯部材２７を形成する。金属膜２７ａは、帯部材２７を形成するための下地金属膜であって、例えば、膜厚０．１μｍ程度のクロム膜および膜厚１μｍ程度の銅膜を順次スパッタリング法または蒸着法によって堆積することによって成膜する。また、金属膜２７ｂは、帯部材２７に必要な膜厚を確保するための主たる金属膜であって、例えば、銅膜、または銅膜およびニッケル膜を下層から順次堆積した積層膜を成膜する。次に、配線層２４ｂおよび帯部材２７上にポリイミド膜２６を成膜する。このように、下層から順に各部材を積層して形成する本実施の形態の薄膜シート２では、下層の平面形状に倣って上層の部材が形成される。このため、最上層に配置されるポリイミド膜２６の上面、すなわち薄膜シート２の裏面２ｂは、コンタクタ３上に位置する領域２ｅの高さが周囲よりも高く、帯部材２７を覆って形成される突出部２ｄは、領域２ｅよりもさらに高い上面を有している。そして、基板４０、導電膜４１、および薄膜４２、４３を取り除くと、図１１に示す薄膜シート２が得られる。
【００６２】
＜比較例の検討＞
次に、帯部材２７および突出部２ｄのさらに詳細な構造およびこの突出部２ｄを形成する理由について詳細に説明する。
【００６３】
まず、図１に示す電気的検査工程において生じる課題について、比較例を用いて説明した後、本実施の形態の詳細構造について説明する。図３０は、図１１に対する第１の比較例である薄膜シートを用いて、コンタクタとウエハのパッドを接触させた状態を示す拡大断面図、図３１は、図１１に対する第２の比較例である薄膜シートを用いて、コンタクタとウエハのパッドを接触させた状態を示す拡大断面図である。なお、図３０および図３１に示す比較例は、薄膜シートの裏面の構造を除き、本実施の形態と同様である。したがって、以下の説明において、薄膜シートが取り付けられるプローブカードの他の部材については、必要に応じ、図６等を参照して説明する。
【００６４】
まず、図３０に示す薄膜シート５０は、図１１に示す薄膜シート２の帯部材２７およびポリイミド膜２６が形成されていない点で本実施の形態と相違する。つまり、薄膜シート５０では、上層に配置されるポリイミド膜２５の上面が、薄膜シート５０の裏面５０ｂとなっている。その他の点については、本実施の形態の薄膜シート２と同様である。
【００６５】
図３０に示すように、プローブ検査工程（図１参照）では、前記したシート引き伸ばし工程の後で、薄膜シート５０の複数のコンタクタ３の先端をウエハＷＨの複数のパッド１１にそれぞれ接触させて半導体集積回路の電気的検査を行う。図３０では、コンタクタ３とパッド１１の接触時の衝撃を緩和する観点から、押し駒４ｂと薄膜シート５０の裏面５０ｂの間にエラストマ４ｃを配置する。また、押圧部４と薄膜シート５０の裏面５０ｂの密着界面における摺動性を向上させる観点から、エラストマ４ｃと薄膜シート５０の裏面５０ｂの間にさらに薄膜シート５０と別体で形成されたポリイミドシート４ｆを配置している。図３０では、それぞれ別体に形成された２枚のポリイミドシート４ｆを重ねて配置する例を示している。つまり、コンタクタ３とパッド１１の接触圧力は、前記した加圧工程において、主に加圧部５（図６参照）から印加される荷重により調整されるが、これらの荷重は弾性体であるエラストマ４ｃを介して薄膜シート２に伝達される。このため、コンタクタ３とパッド１１を接触させる際に、エラストマ４ｃが薄膜シート５０から受ける反力により局所的に変形すると、各コンタクタ３に伝達される荷重が変化する。
【００６６】
ここで、図３０に示すように、薄膜シート５０の裏面５０ｂのうち、複数のコンタクタ３上に位置する領域５０ｃの高さは、領域５０ｃの周囲領域の高さよりも高くなっている。言い換えれば、薄膜シート５０の裏面５０ｂは、複数のコンタクタ３の直上において、周囲の領域よりも突出した領域（突出部）５０ｃを有している。薄膜シート５０は、本実施の形態の薄膜シート２（図１１参照）と同様に、主面２ａ側から複数の金属パターンとポリイミドなどの樹脂膜を順次積層して形成するため、上層に配置される樹脂膜（例えばポリイミド膜２５）の上面は、下層に配置される金属パターン（例えばコンタクタ３や配線２３）に倣った凹凸面となっている。特に、コンタクタ３上にスルーホールＴＨ２を形成し、配線２３とコンタクタ３をコンタクタ３上で電気的に接続する構造の場合、コンタクタ３上に配置される裏面５０ｂの領域５０ｃが周囲と比較して突出した構造に成り易い。
【００６７】
そして、周囲よりも突出した領域５０ｃを有する薄膜シート５０のコンタクタ３とパッド１１を接触させると、図３０に矢印３０を付して示すように、領域５０ｃ上に配置されるエラストマ４ｃの一部が領域５０ｃの周辺に流動（移動）して、コンタクタ３上のエラストマ４ｃの厚さが薄くなる。この結果、コンタクタ３上の突出した領域５０ｃでは、エラストマ４ｃからの反力が大きくなって、単位面積当たりに伝達される荷重が大きくなる。 この伝達荷重の量は、領域５０ｃと周辺領域の高低差によって変化する。例えば、領域５０ｃと周辺領域の高低差が大きければ、周辺領域に流動するエラストマ４ｃの流動量は多くなり、伝達荷重は大きくなる。一方、領域５０ｃと周辺領域の高低差が小さければ、周辺領域に流動するエラストマ４ｃの流動量は少なくなり、伝達荷重は小さくなる。ここで、全てのコンタクタ３上において、領域５０ｃの面積および周辺領域との高低差を均一にすれば、各コンタクタ３上の領域５０ｃに伝達される荷重を一様にすることができると考えられる。しかし、加工精度の観点、あるいは、コンタクタ３や配線２３の配置レイアウト上の制約が大きくなるため、全てのコンタクタ３上において、領域５０ｃの面積および周辺領域との高低差を均一にすることは困難である。このため、各コンタクタ３上に配置される領域５０ｃと周辺領域の高低差のばらつきに応じて、コンタクタ３とパッド１１の接触圧力のばらつくこととなる。
【００６８】
そして、接触圧力のばらつきが大きい場合、接触抵抗が不均一になり、正確な電気的検査が行えなくなる原因となる。例えば、接触圧力が低い箇所では、検査のための信号電流が流れず、導通不良（オープン不良）の原因となる。また、接触圧力が大きすぎると、被検査対象であるウエハが破損する原因となる。このウエハの破損を防止する観点からは、接触圧力のばらつきの中心値（設計上の接触圧力）を低減することが有効であるが、このためには、ばらつきのマージンをさらに小さくする必要が生じる。特に近年では、プローブ検査時に被検査対象であるウエハの破損を防止する観点から、コンタクタ３とパッド１１の接触圧力をさらに低減する要求がある。例えば、半導体チップ１０（図４参照）の回路動作を向上させる観点から、層間絶縁膜である絶縁膜１３ｂとして、比誘電率が保護膜１４よりも低く、例えば約３．０未満の絶縁膜（Ｌｏｗ−ｋ絶縁膜と呼ばれる）を用いる技術がある。Ｌｏｗ−ｋ絶縁膜の形成方法としては、例えば、ＳｉＯＣ等のシリカガラス系の材料をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により形成する方法がある。また例えば、または炭素含有シリコン酸化物系の材料をＣＶＤ法により形成する方法、あるいは、絶縁膜をポーラスな構造とすることで、比誘電率を低減する方法がある。上記したＬｏｗ−ｋ絶縁膜は、保護膜１４よりも比誘電率が低いという電気的特性を有するが、一方で、機械的強度（破壊耐性）が保護膜１４よりも低いという特性も有している。このため、コンタクタ３とパッド１１の接触圧力が高い場合、絶縁膜１３ｂや、回路が破壊される原因となる。
【００６９】
次に、本願発明者は、上記課題の発生原因が、裏面５０ｂの平坦度が低いためであると考え、図３１に示す第２の比較例について検討した。図３１に示す薄膜シート５１は、裏面５１ｂを有する最上層のポリイミド膜５２の厚さを下層のポリイミド膜２５よりも厚く形成し、裏面５１ｂが平坦になっている点で図３０に示す薄膜シート５０と相違する。その他の点については、図３０に示す薄膜シート５０と同様である。ポリイミド膜５２を構成するポリイミド樹脂は、金属材料よりも柔軟な材料なので、厚く形成することにより、下層の金属パターンに倣った凹凸面を改善することができる。つまり、裏面５１ｂを平坦化することができる。しかし、本願発明者の検討によれば、薄膜シート５１を用いた場合であってもコンタクタ３とパッド１１の接触圧力には、ばらつきが生じることを本発明者らは新たに見出した。
【００７０】
この原因は以下の理由によると考えられる。すなわち、裏面５１ｂを平坦化すると、裏面５１ｂの単位面積当たりに伝達される荷重の量は均一化することができるが、薄膜シート５１のコンタクタ３や配線２３のレイアウトにより、各コンタクタ３に伝達される荷重の量がばらつくからである。複数のコンタクタ３は、前記したように検査対象であるウエハＷＨのパッド１１と対向する位置に配置されるように主面２ａ側に形成する。そして、ウエハＷＨの複数のパッド１１の配列パターンは、チップ領域に形成される回路上の要求等により決定されるので、必ずしも全てが等間隔で配置される訳ではない。このため、薄膜シート５１の主面２ａに形成される複数のコンタクタ３も、全てが等間隔で配置される訳ではない。例えば、一つのコンタクタ群３Ａ（図１０参照）において、隣り合うコンタクタ３が第１の間隔で配置される領域（密集配置領域）と、第１の間隔よりも広い第２の間隔で配置される領域（散在配置領域）を備えている場合がある。また、例えば、一つのコンタクタ群３Ａにおいて、コンタクタ群３Ａの端部に配置されるコンタクタ３は、一方の隣には別のコンタクタ３が配置されるが、反対側の隣には、コンタクタ３が配置されない。このように、散在配置領域に配置されるコンタクタ３や、コンタクタ群３Ａの端部に配置されるコンタクタ３は密集領域に配置されるコンタクタ３よりも接触圧力が高くなる。散在配置領域やコンタクタ群３Ａの端部では、コンタクタ３の周囲に伝わった荷重を分散させにくいので、一つのコンタクタ３に対して伝達される荷重が、密集配置領域よりも大きくなるからである。このように、単に薄膜シート５１の裏面５１ｂを平坦化するだけでは、接触圧力のばらつきを十分に抑制することができないことを本発明者らは新たに見出した。
【００７１】
＜本実施の形態の薄膜シートの裏面の突出部の詳細＞
次に、上記比較例の検討結果を踏まえ、本実施の形態の帯部材２７および突出部２ｄのさらに詳細な構造、および好ましい実施態様について説明する。図１４は、図１１に示す薄膜シートの裏面から押圧を開始した状態を示す拡大断面図、図１５は、図１１に示す薄膜シートを用いて、コンタクタとウエハのパッドを接触させた状態を示す拡大断面図である。また、図１６は、図１０のＤ−Ｄ線に沿った断面において、薄膜シートの裏面を押圧部で押圧した状態を示す拡大断面図である。また、図１７は、図９に示す薄膜シートのＥ部の裏面側を示す拡大平面図である。
【００７２】
本実施の形態のプローブ検査工程（図１参照）では、前記したシート引き伸ばし工程の後で加圧工程を行い、例えば図１５にしめすように薄膜シート２の複数のコンタクタ３の先端を、ウエハＷＨの複数のパッド１１にそれぞれ接触させて半導体集積回路の電気的検査を行う。本実施の形態では、図３０および図３１に示す比較例と同様に、コンタクタ３とパッド１１の接触時の衝撃を緩和する観点から、押し駒４ｂと薄膜シート２の裏面２ｂの間にエラストマ４ｃを配置する。また、押圧部４と薄膜シート２の裏面２ｂの密着界面における摺動性を向上させる観点から、エラストマ４ｃと薄膜シート２の裏面２ｂの間に、薄膜シート２と別体で形成されたポリイミドシート４ｆをさらに配置している。図１５では、それぞれ別体に形成された２枚のポリイミドシート４ｆを重ねて配置する例を示している。これらエラストマ４ｃとポリイミドシート４ｆは、単に、押し駒４ｂと薄膜シート２の裏面２ｂの間に配置して押圧部４（図６参照）の押圧力により固定することもできるが、本実施の形態では、押し駒４ｂの下面とエラストマ４ｃの上面を接着固定している。これにより、押し駒４ｂとエラストマ４ｃが一体化され、押圧面側に弾性部材が配置された押圧具となる。また、本実施の形態では、エラストマ４ｃの下面にポリイミドシート４ｆを接着固定している。これにより、押し駒４ｂ、エラストマ４ｃ、およびポリイミドシート４ｆが一体化され、押圧面に薄膜シート２との摺動性が良好なポリイミド膜を備える押圧具となる。
【００７３】
ここで、本実施の形態の薄膜シート２は、主面２ａ側から複数の金属パターンとポリイミドなどの樹脂膜を順次積層して形成するため、最上層に配置されるポリイミド膜２６の上面（薄膜シート２の裏面２ｂ）は、下層に配置される金属パターン（例えばコンタクタ３や配線２３）に倣った凹凸面となっている。そして、コンタクタ３上にスルーホールＴＨ２を形成し、配線２３とコンタクタ３をコンタクタ３上で電気的に接続するので、コンタクタ３上に配置される裏面２ｂの領域２ｅが周囲と比較して突出している。言い換えれば、薄膜シート２の裏面２ｂのうち、複数のコンタクタ３上に位置する領域２ｅの高さは、領域２ｅの周囲の領域（例えば、領域２ｅと突出部２ｄの間の領域２ｆ）の高さよりも高くなっている。
【００７４】
そこで、本実施の形態では、図１４および図１５に示すように領域２ｅの両隣に突出部２ｄを形成している。そして、突出部２ｄの高さは領域２ｅの高さよりもさらに高くなっている。言い換えれば、薄膜シート２の裏面２ｂのうち、複数のコンタクタ３上に位置する複数の領域２ｅの高さは、突出部２ｄの高さよりも低く、かつ、複数の領域２ｅと突出部２ｄの間の領域２ｆの高さよりも高い。また、図１２に示すように突出部２ｄは、平面視において、コンタクタ群３Ａと離間して配置しているので、コンタクタ３上の領域２ｅと比較して突出部２ｄの高さを揃え易い。また、本実施の形態では、突出部２ｄを、平面視において、コンタクタ３と離間して配置している。このため、コンタクタ３に伝達される荷重のばらつきを低減でき、各コンタクタ３の接触圧力を均一化することができる。以下その理由を図１に示すプローブ検査工程における動作を説明する。
【００７５】
まず、前記したシート引き伸ばし工程として、図１４に示すように押圧部４により薄膜シート２のコンタクタ配置領域２ｃの裏面２ｂ側を押圧し、薄膜シート２のコンタクタ配置領域２ｃを下方に押し下げることで薄膜シート２を押圧部に倣って弛みなく広げる。この時、裏面２ｂにおいて、最も高い位置に配置される突出部２ｄの上面と押圧部４（詳しくは、最下層に配置されるポリイミドシート４ｆの下面）が密着する。突出部２ｄの上面が押圧部４と密着した後、さらに押圧すると、押圧部４のポリイミドシート４ｆは、突出部２ｄの形状に倣って変形し、突出部２ｄおよびポリイミドシート４ｆよりも柔らかいエラストマ４ｃに突出部２ｄ上のポリイミドシート４ｆが食い込む。言い換えれば、突出部２ｄ上のエラストマ４ｃの一部は、突出部２ｄの周囲に流動する（変形する）。一方、２つの突出部２ｄ間の領域は、突出部２ｄよりも低い位置にあるため、コンタクタ３上におけるエラストマ４ｃの流動による変形を抑制できる。このため、押圧部４から薄膜シート２に印加される押圧力は、突出部２ｄ上において最も大きく、突出部２ｄ間に挟まれるコンタクタ３上の領域２ｅに印加される押圧力は、突出部２ｄ上よりも小さくなる。例えば、図１５に示すように、シート引き伸ばし工程の後で行う加圧工程に至っても、領域２ｅとポリイミドシート４ｆの間に隙間が形成される場合もある。
【００７６】
その後、図１に示す電気的検査工程（加圧工程）で、図１５に示すようにコンタクタ３とパッド１１を接触させるが、この時、薄膜シート２には加圧部５（図６参照）から押圧部４を介してさらに荷重（接触荷重）が印加される。この接触荷重の大きさは、前記押圧力と同様に、突出部２ｄ上において最も大きく、突出部２ｄ間に挟まれるコンタクタ３上の領域２ｅに印加される接触荷重は、突出部２ｄ上よりも小さくなる。 つまり、薄膜シート２に印加される荷重は、押圧部４から、主として突出部２ｄが受け、突出部２ｄを介してコンタクタ３に伝達されることとなる。言い換えれば、薄膜シート２に印加される荷重は、コンタクタ３上の領域２ｅから裏面２ｂに対して直交方向にコンタクタ３に伝達されず、領域２ｅの隣に配置された突出部２ｄから、裏面２ｂに対して斜め方向にコンタクタ３に伝達される。このため、コンタクタ３上の領域２ｅが周囲と比較して突出している場合であっても、コンタクタ３に伝達される荷重のばらつきを低減できる。このように、突出部２ｄを、平面視において、コンタクタ３と離間して配置することにより、コンタクタ３に伝達される荷重のばらつきを低減でき、各コンタクタ３の接触圧力を均一化することができる。
【００７７】
また、図１２に示すように、突出部２ｄは、複数のコンタクタ３ａが配置されるコンタクタ群３Ａの延在方向（配列方向）に沿って延在するように配置されている。このため、複数の配線２３上に亘って連続的に形成された突出部２ｄの上面（裏面２ｂ）の全体が押圧部４の押圧具であるポリイミドシート４ｆと密着する。つまり、コンタクタ群３Ａ（図１２参照）の延在方向（配列方向）に沿って延在する突出部２ｄ全体で、押圧部４から伝達される荷重を受けることとなる。このため、突出部２ｄに伝達された荷重は、２本の突出部２ｄの間に挟まれた複数のコンタクタ３に分散して伝達される。この結果、２本の突出部２ｄの間に挟まれた複数のコンタクタ３それぞれの接触圧力のばらつきを低減することができる。例えば、図１２は、複数のコンタクタ３が略等間隔で配置された領域（密集配置領域）の拡大平面図であるが、図１７に示すように隣り合うコンタクタ３が第１の間隔Ｐ１よりも広い第２の間隔Ｐ２で配置される領域（散在配置領域）を備えている。なお、図１７において、コンタクタ３ａと帯部材２７との位置関係を解かり易くするため配線層２４ａ、２４ｂは図示していない。本実施の形態によれば、図１７に示すような散在配置領域に配置されたコンタクタ３を有する場合であっても、２本の突出部２ｄの間に挟まれた複数（図１７に示す範囲では１０個）のコンタクタ３に分散して荷重を伝達するので、各コンタクタ３の接触圧力を均一化することができる。すなわち、散在配置領域に配置されるコンタクタ３の接触圧力と、他の領域（例えば密集領域）に配置されるコンタクタ３の接触圧力とを均一化することができる。この結果、複数のコンタクタ３それぞれの接触圧力のばらつきに起因する、電気的検査工程での不良を防止ないしは抑制できる。例えば、複数のコンタクタ３に分散して荷重を伝達するので、一部のコンタクタ３への伝達荷重が極端に低くなり、導通不良（オープン不良）が発生することを防止ないしは抑制できる。また例えば、複数のコンタクタ３に分散して荷重を伝達するので、一部のコンタクタ３への伝達荷重が極端に高くなり、パッド１１や絶縁膜１３ｂや半導体集積回路が破壊されることを防止ないしは抑制できる。例えば、絶縁膜１３ｂとして、前記したＬｏｗ−ｋ絶縁膜を用いたウエハＷＨの電気的検査を行う場合、各コンタクタ３の接触圧力は低く設定する必要がある。例えば、各コンタクタ３に伝達される接触時の荷重は、それぞれ５×１０−３Ｎ程度とする。本実施の形態によれば、このように低荷重で電気的検査を行う場合であっても、接触圧力のばらつきのマージンを小さくすることができるので、導通不良やウエハＷＨの破壊を防止することができる。
【００７８】
＜突出部周辺構造の好ましい態様＞
次に、図１１〜図１７に示す突出部２ｄ周辺の好ましい態様について説明する。図１８は、図１１に示す薄膜シートの第１の変形例を示す拡大断面図、図１９は、図１１に示す薄膜シートの第２の変形例を示す拡大断面図である。また、図２０〜図２２は、それぞれ、図９に示す薄膜シートのＦ部、Ｇ部、Ｈ部の裏面側を示す拡大平面図である。また、図２３は、図１２および図２０〜図２２に示す帯部材の全体構造と、コンタクタ群との相対的位置関係を模式的に示す拡大平面図である。また、図２４および図２５は、図２３に対する変形例を模式的に示す拡大平面図である。なお、図２０〜図２５において、コンタクタ３と帯部材２７との位置関係を解かり易くするため配線層２４ａ、２４ｂは図示していない。また、図２３〜図２５では、コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄと、帯部材２７の位置関係を解り易くするため、コンタクタ３は図示していない。
【００７９】
まず、本実施の形態では、図１２に示すように平面視において、コンタクタ群３Ａの両隣に、コンタクタ群３Ａに沿って延在するように、それぞれ突出部２ｄが配置されている。図１２の変形例としては、コンタクタ群３Ａの両隣のうち、いずれか一方に突出部２ｄを配置する態様とすることもできる（図示は省略）。この場合、突出部２ｄの方がコンタクタ３上の領域２ｅよりも高い位置に配置されるので、領域２ｅ上におけるエラストマ４ｃ（図１５参照）の流動量を例えば図３０に示す薄膜シート５０よりは、低減することができる。また、突出部２ｄをコンタクタ群３Ａの延在方向（配列方向）に沿って延在させることにより、突出部２ｄに伝達された荷重を、突出部２ｄの隣に配置された複数のコンタクタ３に分散させることができる。したがって、図３０および図３１に示す比較例よりは、各コンタクタ３の接触圧力のばらつきを低減することができる。ただし、押圧部４（図１５参照）からコンタクタ３に至る荷重の伝達経路に、突出部２ｄをより確実に介在させる観点からは、図１２に示すように、コンタクタ群３Ａの両隣にそれぞれ突出部２ｄを配置することが好ましい。特に、図１２のように一つのコンタクタ群３Ａにコンタクタ３を複数列で配置する場合には、突出部２ｄから離れた列のコンタクタ３において、接触圧力にばらつきが生じる懸念があるので、コンタクタ群３Ａの両隣にそれぞれ突出部２ｄを配置することが特に好ましい。
【００８０】
また、押圧部４（図１５参照）からコンタクタ３に至る荷重の伝達経路に、突出部２ｄをより確実に介在させる観点から、突出部２ｄは、エラストマ４ｃやポリイミドシート４ｆよりも硬い（難変形性である）ことが好ましい。また、突出部２ｄが受けた荷重の複数のコンタクタ３への分散性を向上させる観点から、突出部２ｄは、ポリイミド膜２５、２６（図１１参照）よりも剛性を高くすることが好ましい。このような条件を満たすため、本実施の形態では、図１１に示すようにポリイミド膜２６とポリイミド膜２５の間に、金属膜から成る帯部材２７を形成し、帯部材２７に倣って突出部２ｄが形成される構造としている。帯部材２７は、配線２３と同じ材料から成る。すなわち、帯部材２７は、下層から金属膜２７ａおよび金属膜２７ｂが順次積層された積層膜となっている。金属膜２７ａは、帯部材２７を形成するための下地金属膜であって、例えば、膜厚０．１μｍ程度のクロム膜および膜厚１μｍ程度の銅膜を順次スパッタリング法または蒸着法によって堆積することによって成膜することができる。また、金属膜２７ｂは、帯部材２７に必要な膜厚を確保するための主たる金属膜であって、例えば、銅膜、または銅膜およびニッケル膜を下層から順次堆積した積層膜を例示することができる。このように金属膜２７ａ、２７ｂから成る帯部材２７は、エラストマ４ｃやポリイミドシート４ｆよりも硬い（難変形性である）ので、押圧部４（図１５参照）からコンタクタ３に至る荷重の伝達経路に、突出部２ｄをより確実に介在させることができる。また、帯部材２７は、ポリイミド膜２５、２６よりも剛性が高い金属膜２７ａ、２７ｂから成るので、突出部２ｄが受けた荷重の複数のコンタクタ３への分散性を向上させることができる。なお、本実施の形態では、帯部材２７は、配線２３やコンタクタ３とは電気的に接続されないため、帯部材２７には導電性は要求されない。したがって、エラストマ４ｃやポリイミドシート４ｆよりも硬い材料、あるいは、ポリイミド膜２５、２６よりも剛性が高い材料であれば、帯部材２７を、例えば樹脂材料により構成することもできる。また、帯部材２７をポリイミド膜２５、２６よりも剛性が高い材料で構成することにより、薄膜シート２を押圧部４（図６参照）により押圧した際に、薄膜シート２に皺が発生することを抑制できる。
【００８１】
また、図１１〜図１５では、帯部材２７をポリイミド膜２６で覆う構成としたが、変形例として図１８に示す薄膜シート３１のように、帯部材２７が薄膜シート２の裏面２ｂ側に露出した構造とすることもできる。つまり、図１１に示すポリイミド膜２６を形成せず、最上層に配置されるポリイミド膜２５の上面を薄膜シート２の裏面２ｂとする構造とすることができる。この場合、ポリイミド膜２５上に形成される帯部材２７が、突出部２ｄとなる。ただし、帯部材２７やポリイミドシート４ｆ（図１５参照）を保護する観点からは、図１１に示すように、帯部材２７を保護膜としてのポリイミド膜２６で覆う方が好ましい。例えば、帯部材２７の酸化やポリイミド膜２５からの剥離を防止ないしは抑制できる。また例えば、帯部材２７と直接擦れることによるポリイミドシート４ｆ（図１５参照）の破損を防止できる。
【００８２】
また、図１１〜図１５では、薄膜シート２の裏面２ｂのコンタクタ３上の領域２ｅが周囲の領域よりも高くなっている例を示した。しかし、変形例として図１９に示す薄膜シート３２のように、平坦化された裏面２ｂに突出部２ｄを形成する構造とすることもできる。図１９に示す薄膜シート３２によれば、図１１〜図１５に示す薄膜シート２と同様に突出部２ｄを形成することにより、突出部２ｄで受けた荷重を複数のコンタクタ３に分散して伝達することができるので、各コンタクタ３の接触圧力のばらつきを低減することができる。ただし、図３０に示す比較例と図３１に示す比較例では、図３０に示す比較例の場合の方が、接触圧力のばらつきのマージンが大きくなる。このため、図１１〜図１５に示すように、裏面２ｂのコンタクタ３上の領域２ｅが周囲の領域よりも高くなっている薄膜シート２に突出部２ｄを形成すると、特に接触圧力のばらつきを低減する効果が大きい。
【００８３】
また、突出部２ｄで荷重を受けるためには、突出部２ｄの高さがコンタクタ配置領域２ｃ（図９参照）の裏面２ｂにおいて、最も高い位置となるような厚さが好ましい。このため、帯部材２７の厚さは、配線２３の厚さ以上とすることが好ましい。特に好ましくは、図１１に示すように、配線２３よりも帯部材２７を厚く形成することが好ましい。
【００８４】
また、図１２に示すように、コンタクタ群３Ａの両隣に帯部材２７を配置する場合には、平面視において、帯部材２７とコンタクタ群３Ａとの間の距離を等距離にすることが好ましい。例えば、図１２では、２本の帯部材のうち、コンタクタ群３Ａの一方の隣に配置される帯部材２７からコンタクタ群３Ａまでの距離Ｌ１は、コンタクタ群３Ａの他方の隣に配置される帯部材２７からコンタクタ群３Ａまでの距離Ｌ２と等しくなっている。また、図１７に示すように、距離Ｌ１と距離Ｌ２は、一つのコンタクタ群３Ａの延在方向（配列方向）において一定である。これにより、複数のコンタクタ３と突出部２ｄの距離を略一定に保つことができるので、突出部２ｄが受けた荷重をバランス良く複数のコンタクタに分散させることができる。また、特に好ましい距離Ｌ１と距離Ｌ２の具体的な値は、コンタクタ３の大きさ（平面寸法）に応じて変化するが、本実施の形態では、距離Ｌ１、Ｌ２は、一つのコンタクタ３の幅に対して０．５倍以上、２倍以下としている。例えば、コンタクタ３の幅（平面視において、コンタクタ群３Ａの延在方向（配列方向）と直交する方向の長さ）が約５０μｍであるのに対し、距離Ｌ１、Ｌ２は約２５μｍ以上１００μｍ以下の任意の値としている。距離Ｌ１、Ｌ２の値が極端に大きくなると、裏面２ｂのコンタクタ３上の領域２ｅが押圧部４（図１５参照）からの荷重を受け易くなり、突出部２ｄを介さない荷重成分が生じる。一方、距離Ｌ１、Ｌ２の値が極端に小さくなると、突出部２ｄで受けた荷重を複数のコンタクタ３に分散する際に、分散性のばらつきが生じ易くなる。このため、距離Ｌ１、Ｌ２は、一つのコンタクタ３の幅に対して０．５倍以上、２倍以下とすることが特に好ましい。
【００８５】
また、図１２に示すように、コンタクタ群３Ａの両隣に帯部材２７を配置する場合には、平面視において、各帯部材２７の帯幅を揃えることが好ましい。例えば、図１２では、２本の帯部材２７のうち、コンタクタ群３Ａの一方の隣に配置される帯部材２７の帯幅Ｗ１と、コンタクタ群３Ａの他方の隣に配置される帯部材２７の帯幅Ｗ２は等しくなっている。また、図１７に示すように、帯幅Ｗ１と帯幅Ｗ２は、一つのコンタクタ群３Ａの延在方向（配列方向）において一定である。これにより、各突出部２ｄで受ける荷重量が同程度とすることができる。また、押圧部４（図１５参照）から突出部２ｄを介して複数のコンタクタ３に伝達される荷重が、接触圧力を決定する主たる荷重となるようにするためには、帯幅Ｗ１、Ｗ２は広くすることが好ましい。本実施の形態では、帯幅Ｗ１、Ｗ２は下層に配置される配線２３（図１０参照）の配線幅よりも広く、一つのコンタクタ３の幅と同程度にしている。例えば、図１０に示す配線２３の配線幅（コンタクタ３上に延在する領域の配線幅）が約２０〜２５μｍであるのに対し、帯幅Ｗ１、Ｗ２は約４０〜６０μｍ程度としている。つまり、帯幅Ｗ１、Ｗ２はコンタクタ３の幅（平面視において、コンタクタ群３Ａの延在方向（配列方向）と直交する方向の長さ）と同程度になっている。このように、帯幅Ｗ１、Ｗ２を広く形成することにより、突出部２ｄを介さずに複数のコンタクタ３に伝達される荷重の影響を低減することができる。なお、帯幅Ｗ１、Ｗ２は、一つのコンタクタ３の幅と同程度以上とすれば、突出部２ｄを介さずに複数のコンタクタ３に伝達される荷重の影響を低減することができるので、帯幅Ｗ１、Ｗ２の上限は特に限定されない。したがって、例えば、薄膜シート２を押圧部４（図６参照）により押圧した際にコンタクタ配置領域２ｃ（図９参照）を弛みなく広げる観点、あるいは、薄膜シート２やプローブカードＰＲＣ（図６参照）を組立てる工程でのハンドリングの観点などから適宜選択することができる。
【００８６】
また、図１２および図１７に示すように、コンタクタ群３Ａには、複数のコンタクタ３ａが、コンタクタ群３Ａの延在方向（配列方向）に沿って複数列（２列）で配置されている。これは、検査対象であるチップ領域１０ａ（図２参照）におけるパッド１１（図４参照）の配列パターンに対応させるためである。このように、一つのコンタクタ群３Ａに複数列でコンタクタ３を配置する場合、図１０〜図１７の変形例として、第１列目のコンタクタ３と第２列目のコンタクタ３の間に、さらに帯部材２７（突出部２ｄ）を配置することも考えられる。すなわち、コンタクタ群３Ａの延在方向（配列方向）に沿って３本以上の帯部材２７（突出部２ｄ）を配置する構造とすることもできる。しかし、図１２に示すように、第１列目のコンタクタ３と第２列目のコンタクタ３間の距離が短い場合、各列のコンタクタ３の間に帯部材２７を配置すると、間に配置した帯部材２７とコンタクタ３の距離が短くなり、各コンタクタ３間の接触圧力のばらつきが十分に低減できなくなる虞がある。また、半導体チップ１０（図４参照）の平面積の小型化の観点からは、パッド１１（図４参照）を複数列で配置する場合には、第１列目のパッド１１と第２列目のパッド１１の距離を近づけて配置することが好ましい。そこで、図１２および図１７に示すように、複数のコンタクタ３ａが、コンタクタ群３Ａの延在方向（配列方向）に沿って複数列（２列）で配置される場合であっても、複数列で配置されるコンタクタ３の間には、帯部材２７は配置しないことがより好ましい。この場合でも、第１列目のコンタクタ３と第２列目のコンタクタ３間の距離が短ければ（図１２では約５８μｍ）、コンタクタ群３Ａの両隣に配置された２本の帯部材２７の間に配置された各列のコンタクタ３にそれぞれ荷重を分散して伝達することができるので、接触圧力のばらつきを低減することができる。もちろん、第１列目のコンタクタ３と第２列目のコンタクタ３間の距離が長い（例えば、一つのコンタクタ３の幅の２倍以上）場合には、第１列目のコンタクタ３と第２列目のコンタクタ３の間に、さらに帯部材２７（突出部２ｄ）を配置することができる。
【００８７】
また、図９に示す薄膜シート２は、四角形を成すコンタクタ配置領域２ｃの各辺に沿って配置される複数のコンタクタ群のうち、図１２および図１７に示すコンタクタ群３Ａ以外のコンタクタ群３Ｂ、３Ｃ、３Ｄにもそれぞれ複数のコンタクタ３が配置されている。図２０に示すように、コンタクタ群３Ａ（図９参照）と交差（直交）する辺に沿って配置されるコンタクタ群Ｂには、複数のコンタクタ３ｂが、コンタクタ群３Ｂの延在方向（配列方向）に沿って複数列（２列）で配置されている。また、図２１に示すように、コンタクタ群３Ａ（図９参照）と対向する辺に沿って配置されるコンタクタ群Ｃには、複数のコンタクタ３ｃが、コンタクタ群３Ｃの延在方向（配列方向）に沿って複数列（２列）で配置されている。また、図２２に示すように、コンタクタ群３Ｂ（図９参照）と対向する辺に沿って配置されるコンタクタ群Ｄには、複数のコンタクタ３ｄが、コンタクタ群３Ｄの延在方向（配列方向）に沿って複数列（２列）で配置されている。そして、コンタクタ群３Ｂ、３Ｃ、３Ｄの両隣には、コンタクタ群３Ａの両隣と同様に、それぞれ帯部材２７およびこれに倣った突出部２ｄが配置されている。このように、コンタクタ配置領域２ｃ（図９参照）の各辺に沿ってそれぞれコンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄを配置する場合には、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄの両隣にそれぞれ配置される帯部材２７間の距離Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６を等しくすることが好ましい。各帯部材２７間の距離Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６を等しくすることにより、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄのそれぞれにおいて、距離Ｌ１、Ｌ２を揃えることができる。この結果、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄに配置されるコンタクタ３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ間の接触圧力のばらつきを低減することができる。
【００８８】
帯部材２７および突出部２ｄの全体構造として、図２３に示すように、コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄの内側に配置された４つの帯部材２７はそれぞれ連結して一体化し、コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄの外側に配置された４つの帯部材２７を連結して一体化する構造に適用する場合がある。図２３では、コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄは平面視において四辺形を構成する。そして、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄに沿って配置される帯部材２７のそれぞれは、平面視において、四辺形の内側に配置される内側環状体２８ａと、前記四辺形の外側に配置される外側環状体２８ｂの一部を構成する。このような場合には、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄに沿って配置される突出部２ｄのそれぞれが受ける荷重が相互に影響するので、特に、各帯部材２７間の距離Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６を等しくすることが好ましい。
【００８９】
また、図２３に示すように、外側環状体２８ｂを途中で分断されることなく連続的に形成する場合には、外側環状体２８ｂの各辺の延長線が交わる角部では、接続される２辺が直交しないように各辺に対して斜めに配置された斜め配置部２８ｃを介して接続されている。外側環状体２８ｂの２辺が接続される角部は、帯部材２７の延在方向が変化する変局点となる。このため、斜め配置部２８ｃを設けることで、各帯部材２７の相互の影響を緩和している。ただし、斜め配置部２８ｃを設けることで、帯部材２７とコンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄの距離Ｌ１、Ｌ２（例えば、図１２参照）が変わってしまう場合には、斜め配置部２８ｃを設けない方が好ましい。例えば、図２３に示す内側環状体２８ａの各辺が交わる角部の近傍には、コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄが配置されている。このため、内側環状体２８ａの各辺が交わる角部には斜め配置部を設けていない。これにより、内側環状体２８ａを構成する各帯部材２７の延在方向のそれぞれにおいて、帯部材２７とコンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄの距離Ｌ２（図１２、図２０〜図２２参照）を揃えることができる。
【００９０】
また、図２３に示す帯部材２７および突出部２ｄの全体構造の変形例として、図２４に示すように、内側環状体２８ａ、外側環状体２８ｂの各角部において、帯部材２７を分断する（連結しない）構造とすることができる。この場合、各帯部材２７は互いに独立した部材となるので各コンタクタ３（図９参照）の接触圧力をコンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄそれぞれの単位で制御することができる。また、変局点となる角部に帯部材２７を形成しないことにより、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄのそれぞれに沿って配置される帯部材２７の相互の影響を低減することができる。このように、帯部材２７を分断する場合には、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄに配置される複数のコンタクタ３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄのうち、端部に配置されるものと同じ位置、あるいはそれよりもさらに角部側まで延在させることが好ましい。これにより、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄに配置される複数のコンタクタ３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄの荷重をそれぞれ分散させることができるので、接触圧力のばらつきを低減することができる。
【００９１】
なお、図２４に示す内側環状体２８ａ、外側環状体２８ｂのそれぞれを分断する態様の変形例として、内側環状体２８ａ、外側環状体２８ｂのいずれか一方を分断する構造とすることもできる。例えば図２５では、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄの長さが長く、内側環状体２８ａの角部近傍まで延在している。このため、図２５では、外側環状体２８ｂの各角部において、帯部材２７を分断する（連結しない）構造としている。一方、内側環状体２８ａは、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄの端部まで延在させるため、途中で分断されることなく連続的に形成している。
【００９２】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００９３】
＜変形例＞
例えば、薄膜シート２では、複数のコンタクタ３がコンタクタ群の延在方向（配列方向）に沿って、それぞれ複数列（２列）で配置された構造に適用した実施態様について説明した。しかし、コンタクタ群内におけるコンタクタ３の列数や、コンタクタ群の配置はこれに限定されない。例えば、図２６に示す薄膜シート３３のように、コンタクタ群３Ａに複数のコンタクタ３ａが一列で配置された構造に適用することができる。図２６は、図１２に対する変形例を示す拡大平面図である。薄膜シート３３のように一列でコンタクタ３ａを配置した場合、薄膜シート２のように複数列でコンタクタ３ａを配置する場合よりもさらに高精度でコンタクタ３ａの接触圧力のばらつきを低減することができる。なお、図２６において、コンタクタ３と帯部材２７との位置関係を解かり易くするため配線層２４ａ、２４ｂは図示していない。
【００９４】
また、図示は省略するが、例えば図２０〜図２２に示すように複数のコンタクタ３が複数列で配置されたコンタクタ群３Ｂ、３Ｃ、３Ｄと、図２６に示すように複数のコンタクタ３ａが一列で配置されたコンタクタ群３Ａが混在する構造に適用することもできる。この場合、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄ毎の接触圧力を独立で制御する方が好ましいので、図２４に示すように、内側環状体２８ａ、外側環状体２８ｂの各角部において、帯部材２７を分断する（連結しない）構造とすることが好ましい。また、図２６に示す距離Ｌ１、Ｌ２と、図２０〜図２２に示す距離Ｌ１、Ｌ２を異なる値とすることで、一列で配置されるコンタクタ群３Ａと、複数列で配置されるコンタクタ群３Ｂ、３Ｃ、３Ｄ間で、接触圧力を揃えることができる。
【００９５】
また、図４に示す半導体チップ１０は、四辺のそれぞれに沿って複数のパッド１１が配置されているが、例えば、四辺のうちの一辺あるいは二辺のみに沿ってパッド１１が配置されている場合もある。そして、パッド１１の配列に対応してコンタクタ群の数も、一つ、あるいは二つとなる。この場合には、突出部２ｄや帯部材２７はコンタクタ群が配置された辺のみに形成すれば良い。
【００９６】
また、図７では、１枚の薄膜シート２に、一つのチップ領域１０ａ（図２参照）に対応するコンタクタ配置領域２ｃを配置して、各チップ領域１０ａに対して順次電気的検査を行う実施態様を示したが、複数のチップ領域１０ａに対して一括して電気的検査を行うこともできる。図２７〜図２９は、図１に示す電気的検査工程を、複数のチップ領域に対して一括で行う場合に用いる薄膜シートの、図２３に対する変形例を示す拡大平面図である。なお、図２７〜図２９において、コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄと、帯部材２７の位置関係を解かり易くするため配線層２４ａ、２４ｂおよびコンタクタ３は図示していない。
【００９７】
図２７に示す薄膜シート３４および図２８に示す薄膜シート３５は、それぞれ複数（図２７では２個、図２８では４個）のコンタクタ配置領域２ｃを有している。そして、各コンタクタ配置領域２ｃには、それぞれコンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄが配置されている。また、各コンタクタ群３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄの両隣には、それぞれ帯部材２７が配置されている。このような構成とすることにより、複数のチップ領域１０ａ（図２参照）に対して一括して電気的検査を行う電気的検査工程において、各コンタクタ３（図９参照）の接触圧力のばらつきを低減することができる。また、３個以上のコンタクタ配置領域２ｃを配置するレイアウトは、図２８のようにマトリクス状に配置する態様には限定されず、例えば３個以上のコンタクタ配置領域２ｃを一列で並べて配置することもできる。
【００９８】
ところで、図２７や図２８に示すように、複数のコンタクタ配置領域２ｃを並べて配置する場合、各コンタクタ配置領域２ｃの間隔は、図２に示す隣り合うチップ領域１０ａ間の間隔（スクライブ領域１０ｂの幅）に応じて変化する。そして、スクライブ領域１０ｂの幅によっては、図２７や図２８に示すように隣り合うコンタクタ配置領域２ｃにそれぞれ帯部材２７を配置できない場合がある。そこで、図２７の変形例として示す図２９の薄膜シート３６では、隣り合うコンタクタ配置領域２ｃにおいて兼用する１本の帯部材２７を配置している。つまり、図２７に示す２つのコンタクタ配置領域２ｃがそれぞれ有する外側環状体２８ｂのうち、対向配置される帯部材２７を一体化している。この場合、一体化された帯部材２７と、これと対向する内側環状体２８ａの一部である帯部材２７は、異なる帯幅となる場合がある。しかし、この場合であっても、帯部材２７（突出部２ｄ）を形成しない場合と比較すると、コンタクタ３の接触圧力のばらつきを低減することができる。
【００９９】
また、以上の実施の形態で説明した各変形例を、要旨を逸脱しない範囲で適宜組み合わせて適用できることは言うまでもない。例えば、図２７〜図２９は、図２３の変形例を例示的に示しているが、これを図２４や図２５の変形例として適用することもできる。
【産業上の利用可能性】
【０１００】
本発明は、電極にプローブカードの接触端子を押し当てて電気的検査を行う半導体集積回路装置、および電気的検査に用いるプローブカードに利用可能である。
【符号の説明】
【０１０１】
１  配線基板
１ａ  下面
１ｂ  上面
１ｃ  配線
１ｄ  ポゴ座
１ｅ  開口部
２  薄膜シート
２ａ  主面（接触端子形成面）
２ｂ  裏面
２ｃ  コンタクタ配置領域（接触端子配置領域）
２ｄ  突出部
２ｅ、２ｆ  領域
３、３ａ、３ｂ、３ｃ、３ｄ  コンタクタ（接触端子）
３Ａ、３Ｂ、３Ｃ、３Ｄ  コンタクタ群（接触端子群）
４  押圧部
４ａ  プランジャ
４ｂ  押し駒
４ｃ  エラストマ
４ｄ  ばね
４ｅ  押しピン
４ｆ  ポリイミドシート
５  加圧部
５ａ  連結治具
５ｂ  ばね
６  接続治具
７  張り出しリング
８  接着リング
１０  半導体チップ（半導体集積回路装置）
１０ａ  チップ領域
１０ｂ  スクライブ領域
１１  パッド
１２  半導体基板
１２ａ  主面
１３  配線層
１３ａ  配線
１３ｂ  絶縁膜
１４  保護膜
１４ａ  開口部
２１  金属膜
２１ａ  ロジウム膜
２１ｂ  ニッケル膜
２２  ポリイミド膜
２３  配線
２３ａ、２３ｂ  導体膜
２３Ｄ  ダミー配線
２４、２４ａ、２４ｂ  配線層
２５、２６  ポリイミド膜（絶縁膜）
２７  帯部材
２７ａ、２７ｂ  金属膜
２８ａ  内側環状体
２８ｂ  外側環状体
２８ｃ  斜め配置部
３０  矢印
３１、３２、３３、３４、３５、３６、５０、５１  薄膜シート
４０  基板
４０ａ  開口部
４１  導電膜
４２、４３  薄膜
５０ｂ  裏面
５０ｃ  領域
５１ｂ  裏面
５２  ポリイミド膜
ＣＨＤ  カードホルダ
ＩＦＲ  インタフェースリング
ＰＧＰ  ポゴピン
ＰＲ  プローバ
ＰＲＣ  プローブカード
Ｔ  テスタ
ＴＨ１、ＴＨ２  スルーホール
ＴＨＤ    テスタヘッド
ＷＣＨ  ウエハチャック
ＷＨ    ウエハ
ＷＳＴ  ウエハステージ
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３、Ｌ４、Ｌ５、Ｌ６  距離
Ｐ１、Ｐ２  間隔
Ｗ１、Ｗ２  帯幅
【図１】
2012058103.tif 000003
【図２】
2012058103.tif 000004
【図３】
2012058103.tif 000005
【図４】
2012058103.tif 000006
【図５】
2012058103.tif 000007
【図６】
2012058103.tif 000008
【図７】
2012058103.tif 000009
【図８】
2012058103.tif 000010
【図９】
2012058103.tif 000011
【図１０】
2012058103.tif 000012
【図１１】
2012058103.tif 000013
【図１２】
2012058103.tif 000014
【図１３】
2012058103.tif 000015
【図１４】
2012058103.tif 000016
【図１５】
2012058103.tif 000017
【図１６】
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【図１７】
2012058103.tif 000019
【図１８】
2012058103.tif 000020
【図１９】
2012058103.tif 000021
【図２０】
2012058103.tif 000022
【図２１】
2012058103.tif 000023
【図２２】
2012058103.tif 000024
【図２３】
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【図２４】
2012058103.tif 000026
【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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