(57)【要約】【課題】電子部品パッケージにおいて、内部空間のガス量を抑制する。【解決手段】電子部品素子２の電極３１，３２が搭載される第１封止部材４と、第１封止部材４と対向して配置されて電子部品素子２の電極３１，３２を気密封止する第２封止部材７とにより電子部品パッケージを構成する。このような電子部品パッケージにおいて、内部空間１１内における主面４２，７２には、電子部品素子２の電極３１，４３と電気的に接続される内部電極と、ゲッター材（ゲッター膜５６，７６）とが配されている。ここで、ゲッター材（ゲッター膜５６，７６）は、内部電極と間隙６５を空けて配されている。【選択図】図１
2012064673.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品素子が搭載される第１封止部材と、この第１封止部材と対向して配置された第２封止部材とにより前記電子部品素子の電極を気密封止する内部空間が構成された電子部品パッケージにおいて、
前記内部空間内における主面に、前記電子部品素子の電極と電気的に接続される内部電極と、ゲッター材とが配されており、
前記内部電極と前記ゲッター材との間に間隙を有する
ことを特徴とする電子部品パッケージ。
【請求項２】
請求項１に記載の電子部品パッケージであって、
前記内部空間内における前記主面の前記電子部品素子と対向する部分に、前記内部電極と前記ゲッター材とが配されている
ことを特徴とする電子部品パッケージ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電子部品パッケージであって、
前記内部電極は、前記内部空間内における前記主面の上に積層された複数の金属膜からなり、
前記ゲッター材は、前記複数の金属膜のうちの１つと同一の材料で構成されている
ことを特徴とする電子部品パッケージ。
【請求項４】
電子部品素子が搭載される第１封止部材と、この第１封止部材と対向して配置された第２封止部材とにより前記電子部品素子の電極を気密封止する内部空間が構成された電子部品パッケージの製造方法において、
前記第１封止部材及び前記第２封止部材を成形する成形工程と、
前記第１封止部材の前記内部空間に面する主面に、前記電子部品素子の電極と電気的に接続される内部電極を形成する電極形成工程と、
前記第１封止部材の前記内部空間に面する主面に、前記内部電極と間隙を空けてゲッター材を配する第１ゲッター材配置工程と、
前記第１封止部材の前記主面に前記電子部品素子を搭載する搭載工程と、
前記第２封止部材の前記内部空間に面する主面に、ゲッター材を配する第２ゲッター材配置工程と、
前記第１封止部材又は前記第２封止部材にろう材を配するろう材配置工程と、
前記第１封止部材の前記主面及び前記第２封止部材の前記主面の少なくとも一方にプラズマエッチング処理を施すプラズマエッチング工程と、
前記ろう材配置工程及び前記プラズマエッチング工程の後、前記ろう材を加熱溶融させて、前記第１封止部材と前記第２封止部材とを前記ろう材により接合する接合工程とを備える
ことを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の電子部品パッケージの製造方法であって、
前記接合工程の前に、前記第１封止部材と前記第２封止部材とを前記ろう材を介して仮接合し、仮接合した前記第１封止部材及び前記第２封止部材を前記ろう材の融点未満の温度で加熱する接合前加熱工程を備える
ことを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
【請求項６】
請求項４又は５に記載の電子部品パッケージの製造方法であって、
前記接合工程の後、前記第１封止部材及び前記第２封止部材を前記接合工程での加熱温度よりも高い温度で加熱する接合後加熱工程を備える
ことを特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一主面に電子部品素子が搭載される第１封止部材と、この第１封止部材と対向して配置された第２封止部材とにより前記電子部品素子の電極を気密封止する内部空間が構成された電子部品パッケージ、及びこの電子部品パッケージの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
圧電振動デバイス等の電子部品のパッケージ（以下、電子部品パッケージという）の内部空間は、この内部空間に搭載した電子部品素子の電極の特性が劣化するのを防ぐために気密封止される。
【０００３】
この種の電子部品パッケージとしては、ベースと蓋といった２つの封止部材から構成され、その筐体が直方体のパッケージに構成されたものがある。このようなパッケージの内部空間では、圧電振動片等の電子部品素子がベースに保持接合される。そして、ベースと蓋とが接合されることで、パッケージの内部空間の電子部品素子の電極が気密封止される。
【０００４】
ここで、ベースと蓋とを接合するための接合材には、一般に、ろう材が使用されることが多い。例えば、特許文献１には、ベースと蓋との間に配したＡｕＳｎ等のろう材を加熱溶融させることにより、ベースに蓋を固定することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−５５２８３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、ろう材が加熱溶融すると、ガスが発生するが、ここで発生したガスは、圧電振動デバイスのパッケージの内部空間内に入りこみ易い。内部空間内に入り込んだガスは、圧電振動片等の電子部品素子の電極を劣化させることから、ＣＩ値（直列等価抵抗）が悪化したり、時間経過により周波数が変動する要因となる。
【０００７】
このため、圧電振動デバイス等の電子部品においては、パッケージの内部空間におけるガスの量を低減させる必要があった。
【０００８】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであって、電子部品素子の電極が気密封止される内部空間のガス量が抑制された電子部品パッケージ及びこの電子部品パッケージの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る電子部品パッケージは、電子部品素子が搭載される第１封止部材と、この第１封止部材と対向して配置された第２封止部材とにより前記電子部品素子の電極を気密封止する内部空間が構成された電子部品パッケージにおいて、前記内部空間内における主面に、前記電子部品素子の電極と電気的に接続される内部電極と、ゲッター材とが配されており、前記内部電極と前記ゲッター材との間に間隙を有することを特徴とする。
【００１０】
この構成によれば、当該電子部品パッケージの内部空間のガスを、その内部空間内における主面に配されたゲッター材に吸着させることができる。つまり、電子部品パッケージの内部空間におけるガス量を低減させることができる。また、内部電極とゲッター材との間に間隙を有するので、内部電極がゲッター材とショートすることが防止される。また、内部空間における主面に配された内部電極及びゲッター材による遮光効果により、その内部空間に気密封止される電子部品素子の電極の光による劣化が抑制される。さらに、内部電極とゲッター膜により、パッケージを構成する基材、即ち、第１封止部材及び第２封止部材を構成する基材の機械的強度を向上させることができる。
【００１１】
また、本発明に係る電子部品パッケージにおいて、前記内部空間内における前記主面の前記電子部品素子と対向する部分に、前記内部電極と前記ゲッター材とが配されていてもよい。
【００１２】
この構成では、内部空間内における主面の電子部品素子と対向する部分に、ゲッター材と内部電極とが配されており、これらゲッター材及び内部電極による遮光効果により、電子部品素子への光の入射が確実に遮断されるので、その内部空間に気密封止される電子部品素子の電極の光による劣化を確実に抑制することができる。
【００１３】
また、本発明に係る電子部品パッケージにおいて、前記内部電極は、前記内部空間内における前記主面の上に積層された複数の金属膜からなり、前記ゲッター材は、前記複数の金属膜のうちの１つと同一の材料で構成されていてもよい。
【００１４】
この構成では、内部電極を構成する複数の金属膜の１つと同一の材料でゲッター材が構成されている。このため、内部電極を形成する工程の中で、ゲッター材を配することができる。
【００１５】
また、本発明に係る電子部品パッケージの製造方法は、電子部品素子が搭載される第１封止部材と、この第１封止部材と対向して配置された第２封止部材とにより前記電子部品素子の電極を気密封止する内部空間が構成された電子部品パッケージの製造方法において、前記第１封止部材及び前記第２封止部材を成形する成形工程と、前記第１封止部材の前記内部空間に面する主面に、前記電子部品素子の電極と電気的に接続される内部電極を形成する電極形成工程と、前記第１封止部材の前記内部空間に面する主面に、前記内部電極と間隙を空けてゲッター材を配する第１ゲッター材配置工程と、前記第１封止部材の前記主面に前記電子部品素子を搭載する搭載工程と、前記第２封止部材の前記内部空間に面する主面に、ゲッター材を配する第２ゲッター材配置工程と、前記第１封止部材又は前記第２封止部材にろう材を配するろう材配置工程と、前記第１封止部材の前記主面及び前記第２封止部材の前記主面の少なくとも一方にプラズマエッチング処理を施すプラズマエッチング工程と、前記ろう材配置工程及び前記プラズマエッチング工程の後、前記ろう材を加熱溶融させて、前記第１封止部材と前記第２封止部材とを前記ろう材により接合する接合工程とを備えることを特徴とする。
【００１６】
この方法によれば、電子部品パッケージの内部空間に面する第１封止部材及び第２封止部材の主面に配したゲッター材に、ろう材の加熱により発生するガスを吸着させることができるので、電子部品パッケージの内部空間におけるガス量が低減された電子部品パッケージを製造することができる。また、ゲッター材を、内部電極と間隙を空けて配するため、内部電極がゲッター材とショートすることが防止された電子部品パッケージを製造することができる。また、第１封止部材の内部空間と面する主面に内部電極とゲッター材とを配し、第２封止部材の内部空間と面する主面に、ゲッター材を配することで、これら内部電極及びゲッター材による遮光効果により、その内部空間に気密封止される電子部品素子の電極の光による劣化を抑制することができる電子部品パッケージを製造することができる。さらに、この方法では、第１封止部材の主面及び第２封止部材の主面の少なくとも一方にプラズマエッチング処理を施して、第１封止部材の主面及び第２封止部材の主面の少なくとも一方におけるゲッター材を活性化させている。このため、効率よくゲッター材にガスを吸着させることができる。
【００１７】
また、本発明に係る電子部品パッケージの製造方法において、本発明に係る電子部品パッケージの製造方法においては、前記接合工程の前に、前記第１封止部材と前記第２封止部材とを前記ろう材を介して仮接合し、仮接合した前記第１封止部材及び前記第２封止部材を前記ろう材の融点未満の温度で加熱する接合前加熱工程を備えてもよい。
【００１８】
この方法によれば、接合工程前のろう材の融点未満の温度による加熱により、第１封止部材の主面及び第２封止部材の主面に配したゲッター材を活性化させることができるから、ろう材の加熱により発生するガスをより効率よくゲーター材に吸着させることができる。
【００１９】
また、本発明に係る電子部品パッケージの製造方法においては、前記接合工程の後、前記第１封止部材及び前記第２封止部材を前記接合工程での加熱温度よりも高い温度で加熱する接合後加熱工程を備えてもよい。
【００２０】
この方法によれば、接合工程後の再加熱により、第１封止部材の主面及び第２封止部材の主面に配したゲッター材をさらに活性化させることができるから、第１封止部材と第２封止部材との接合により構成された内部空間に入り込んだガスをより効率よくゲーター材に吸着させることができる。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、電子部品素子の電極が気密封止される内部空間内のガス量が抑制された電子部品パッケージ及びこの電子部品パッケージの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本実施の形態に係る水晶振動子の内部空間を公開した概略構成図であり、図２に示すベースのＡ−Ａ線に沿って全体を切断した時の水晶振動子の概略断面図である。
【図２】図２は、本実施の形態に係るベースの概略平面図である。
【図３】図３は、本実施の形態に係るベースの概略裏面図である。
【図４】図４は、本実施の形態に係る蓋の概略裏面図である。
【図５】図５は、本実施の形態に係る水晶振動片の概略平面図である。
【図６】図６は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図７】図７は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図８】図８は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図９】図９は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１０】図１０は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１１】図１１は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１２】図１２は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１３】図１３は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１４】図１４は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１５】図１５は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１６】図１６は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１７】図１７は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１８】図１８は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図１９】図１９は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２０】図２０は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２１】図２１は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２２】図２２は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２３】図２３は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２４】図２４は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２５】図２５は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２６】図２６は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２７】図２７は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２８】図２８は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図２９】図２９は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図３０】図３０は、本実施の形態に係るベースの製造工程の一工程を示すウエハの一部概略断面図である。
【図３１】図３１は、他の形態に係る水晶振動片の概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。なお、以下に示す実施の形態では、電子部品パッケージとして圧電振動デバイスである水晶振動子のパッケージに本発明を適用し、さらに電子部品素子として圧電振動片である音叉型水晶振動片に本発明を適用した場合を示す。
【００２４】
本実施の形態に係る水晶振動子１には、図１に示すように、音叉型水晶片からなる水晶振動片２（本発明でいう電子部品素子）と、この水晶振動片２を保持し、水晶振動片２を気密封止するためのベース４（本発明でいう第１封止部材）と、ベース４と対向するように配置され、ベース４に保持した水晶振動片２の励振電極３１，３２（本発明でいう電子部品素子の電極）を気密封止するための蓋７（本発明でいう第２封止部材）とが設けられている。
【００２５】
この水晶振動子１では、ベース４と蓋７とがＡｕとＳｎの合金からなる接合材１２により接合されることにより、気密封止された内部空間１１を備える本体筐体が構成される。この内部空間１１では、ベース４に、水晶振動片２が、金バンプ等の導電性バンプ１３を用いたＦＣＢ法（Ｆｌｉｐ  Ｃｈｉｐ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）により電気機械的に超音波接合されている。なお、本実施の形態において、導電性バンプ１３には、金バンプ等の非流動性部材のメッキバンプが用いられている。
【００２６】
次に、この水晶振動子１の各構成について説明する。
【００２７】
ベース４は、ホウケイ酸ガラス等のガラス材料からなり、図１〜３に示すように、底部４１と、ベース４の一主面４２の外周に沿って底部４１から上方に延出した壁部４４とから構成された箱状体に成形されている。このようなベース４は、直方体の一枚板の基材をウエットエッチングして箱状体に成形される。
【００２８】
ベース４の壁部４４の内側面は、テーパー状に成形されている。また、壁部４４の天面は、蓋７との接合面であり、この接合面には、蓋７と接合するための第１接合層４８が設けられている。第１接合層４８は、複数の層の積層構造からなり、ベース４の壁部４４の天面にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたスパッタ膜（図１の符号９３１及び９３２参照）と、スパッタ膜の上にメッキ形成されたメッキ膜（図１の符号９５参照）とからなる。スパッタ膜は、ベース４の壁部４４の天面にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＴｉ膜（図１の符号９３１参照）と、このＴｉ膜の上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＡｕ膜（図１の符号９３２参照）とからなる。また、メッキ膜は、スパッタ膜の上にメッキ形成されたＡｕメッキ膜（図１の符号９５参照）からなる。
【００２９】
ベース４の内部空間１１に面する一主面４２には、底部４１と壁部４４とによって囲まれた平面視長方形のキャビティ４５が成形されている。キャビティ４５の底面４５１には、その長手方向の一端部４５２の全体に沿って台座部４６がエッチング成形されている。この台座部４６に、水晶振動片２が搭載される。なお、このキャビティ４５の壁面４５３は、壁部４４の内側面であり、上記のようにテーパー状に成形されている。
【００３０】
また、ベース４には、水晶振動片２の励振電極３１，３２それぞれと電気機械的に接合する一対の電極パッド５１，５２と、外部部品や外部機器と電気的に接続する外部端子電極５３，５４と、電極パッド５１と外部端子電極５４、及び電極パッド５２と外部端子電極５３を電気的に接続させる配線パターン５５とが形成されている。これら電極パッド５１，５２と外部端子電極５３，５４と配線パターン５５とによりべース４の電極が構成される。電極パッド５１，５２は、台座部４６の表面に形成されている。また、２つの外部端子電極５３，５４は、ベース４の他主面４３において、長手方向の両端部に形成され、長手方向に沿って離間して並設されている。
【００３１】
電極パッド５１，５２は、ベース４の基板上に形成された第１コンタクトメタル膜（図１の符号９２１参照）と、この第１コンタクトメタル膜の上に形成された第１シード膜（図１の符号９２２参照）と、この第１シード膜の上に形成された第２コンタクトメタル膜（図１の符号９３１参照）と、この第２コンタクトメタル膜の上に形成された第２シード膜（図１の符号９３２参照）と、この第２シード膜の上に形成されたメッキ膜（図１の符号９５参照）とにより構成されている。なお、第１コンタクトメタル膜は、ベース４の一主面４２にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＴｉ膜（図１の符号９２１参照）からなり、第１シード膜は、コンタクトメタル膜の上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＣｕ膜（図１の符号９２２参照）からなる。また、第２コンタクトメタル膜は、第１シード膜の上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＴｉ膜（図１の符号９３１参照）からなり、第２シード膜は、コンタクトメタル膜の上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＡｕ膜（図１の符号９３２参照）からなる。そして、メッキ膜は、第２シード膜にメッキ形成されたＡｕメッキ膜（図１の符号９５参照）からなる。なお、第１コンタクトメタル膜を構成するＴｉは、ベース４の基材にＣｕ膜を構成するＣｕを接合させるためのコンタクトメタルとして機能し、第２コンタクトメタル膜を構成するＴｉは、第２シード膜（Ｃｕ膜）に、Ａｕ膜を構成するＡｕを接合させるためのコンタクトメタルとして機能する。
【００３２】
配線パターン５５は、電極パッド５１，５２と外部端子電極５３，５４とを電気的に接続させるように、ベース４の一主面４２から貫通孔４９（下記参照）の内側面４９１を介してベース４の他主面４３に形成されている。
【００３３】
また、配線パターン５５は、ベース４の基板上に形成された第１コンタクトメタル膜（図１の符号９２１参照）と、この第１コンタクトメタル膜の上に形成された第１シード膜（図１の符号９２２参照）とで構成されている。また、ベース４の一主面４２に位置する部分の第１シード膜（図１の符号９２２参照）上には、第２コンタクトメタル膜（図１の符号９３１参照）が形成され、この第２コンタクトメタル膜の上には第２シード膜（図１の符号９３２参照）が形成されている。そして、この第２シード膜の上には、メッキ膜（図１の符号９５参照）が形成されている。なお、第１コンタクトメタル膜は、ベース４の基板上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＴｉ膜（図１の符号９２１参照）からなる。また、配線パターン５５を構成する第１シード膜は、コンタクトメタル膜の上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＣｕ膜（図１の符号９２２参照）からなる。また、ベース４の一主面４２に位置する部分の第１シード膜の上に形成された第２コンタクトメタル膜は、第１シード膜の上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＴｉ膜（図１の符号９３１参照）からなり、第２シード膜は、コンタクトメタル膜の上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＡｕ膜（図１の符号９３２参照）からなる。そして、メッキ膜は、ベース４の一主面４２に位置する部分の第２シード膜にメッキ形成されたＡｕメッキ膜（図１の符号９５参照）からなる。
【００３４】
また、外部端子電極５３，５４は、樹脂パターン６１（下記参照）上、及びベース４の他主面４３に形成された配線パターン５５の第１シード膜（図１の符号９２２参照）上に形成されたコンタクトメタル膜（図１の符号９３１参照）と、このコンタクトメタル膜上に形成されたシード膜（図１の符号９３２参照）と、このシード膜（図１の符号９３２参照）上に形成された第１メッキ膜（図１の符号９４参照）と、この第１メッキ膜上に形成された第２メッキ膜（図１の符号９５参照）とにより構成されている。なお、外部端子電極５３，５４を構成するコンタクトメタル膜は、樹脂パターン６１上、及びベース４の他主面４３に形成された配線パターン５５の第１シード膜（図１の符号９２２参照）上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＴｉ膜（図１の符号９３１参照）からなる。外部端子電極５３，５４を構成するシード膜は、Ａｕ膜（図１の符号９３２参照）からなり、このＡｕ膜は、樹脂パターン６１上、及びベース４の他主面４３の配線パターン５５の第１シード膜（図１の符号９２２参照）上にスパッタリング形成されたＴｉ膜（図１の符号９３１参照）の上に、スパッタリング法によりスパッタリング形成されている。また、第１メッキ膜は、シード膜にメッキ形成されたＮｉメッキ膜からなり、第２メッキ膜は、第１メッキ膜にメッキ形成されたＡｕメッキ膜からなる。
【００３５】
本発明においては、上記したベース４の電極のうち、ベース４の一主面４２の側の電極、即ち、電極パッド５１，５２、及びベース４の一主面４２の側にある配線パターン５５を内部電極という。
【００３６】
また、ベース４の主面４２、具体的には、台座部４６を含むキャビティ４５の底面４５１及び壁面４５３には、ゲッター材からなるゲッター膜５６が形成されている。ゲッター膜５６は、ベース４の基材上にスパッタリング法によりスパッタリング形成されたＴｉ膜からなる（図１の符号９３１参照）。つまり、ゲッター膜５６を構成するゲッター材には、内部電極（電極パッド５１，５２、及びベース４の一主面４２の側にある配線パターン５５）を構成する第１及び第２コンタクトメタル膜と同一の材料が用いられている。また、このゲッター膜５６は、内部電極（電極パッド５１，５２及び配線パターン５５の一部）と間隙６５を空けて設けられており、これにより、内部電極（電極パッド５１，５２及び配線パターン５５の一部）とゲッター膜５６とのショートが防止されている。
【００３７】
貫通孔４９は、ベース４をフォトリソグラフィ法によりエッチングして成形する際、キャビティ４５の成形と同時に形成され、図１〜図３に示すように、ベース４に２つの貫通孔４９が両主面４２，４３間を貫通して形成されている。この貫通孔４９の内側面４９１は、ベース４の一主面４２及び他主面４３に対して傾斜を有し、テーパー状に形成されている。貫通孔４９は、図１に示すように、ベース４の他主面４３の側にある貫通孔４９の他端部の径で最大となり、ベース４の一主面４２の側にある貫通孔４９の一端部の径で最小となる。このように、本実施の形態では、貫通孔４９の内側面４９１は、ベース４の一主面４２及び他主面４３に対して傾斜しており、ベース４の一主面４２と貫通孔４９の内側面４９１とがなす角度（図１の符号θ参照）は、約４５度とされているが、これに限定されない。例えば、ベース４の一主面４２と貫通孔４９の内側面４９１とがなす角度（図１の符号θ参照）は、４５度より大きく、具体例としては、７０〜９０度であってもよい。ベース４の一主面４２と貫通孔４９の内側面４９１とがなす角度（図１の符号θ参照）を９０度に近づけると、ベース４において、貫通孔４９の占める面積が小さくなり、配線パターン５５の形成箇所の自由度を向上させることができる。
【００３８】
このような貫通孔４９の内側面４９１には、配線パターン５５の一部であるＣｕからなる第１シード膜（図１の符号９２２参照）が、Ｔｉからなる第１コンタクトメタル膜（図１の符号９２１参照）を介して形成されている。さらに、貫通孔４９の内部には、Ｃｕから構成される充填材が第１シード膜（図１の符号９２２参照）上に充填されて充填層９８が形成されており、この充填層９８により、貫通孔４９が塞がれている。この充填層９８は、第１シード膜の表面に電解メッキ形成されたＣｕメッキ層により構成されている。なお、充填層９８において、ベース４の一主面４２の側の端面は、図１に示すように、ベース４の一主面４２と面一となるように形成されている。また、貫通孔４９のベース４の他主面４３の側の開口端部（他端開口面４９３の側の開口端部）は、樹脂材で構成された樹脂パターン６１により塞がれている。
【００３９】
樹脂パターン６１は、ベース４の貫通孔４９の内部から他主面４３にかけて形成されている。ベース４の他主面４３において、樹脂パターン６１が形成される樹脂パターン形成領域４７は、図３に示すように、他主面４３の長手方向に沿う長辺４７１と、他主面４３の短手方向に沿う短辺４７２とからなる略長方形状を呈し、且つ、当該樹脂パターン形成領域４７内に貫通孔４９の他端開口面４９３を含むように設けられている。このような樹脂パターン形成領域４７に形成された樹脂パターン６１により、貫通孔４９の他端開口面４９３が塞がれているとともに、貫通孔４９の他端開口面４９３の周縁部５５１に設けられた配線パターン５５が被覆されている。このように、内部に充填層９８が形成された貫通孔４９の他端開口面４９３を樹脂パターン６１により塞ぐことにより、貫通孔４９の封孔強度の向上が図られている。また、ベース４の他主面４３の側の配線パターン５５の一部は、樹脂パターン６１に被覆されないように、樹脂パターン形成領域４７の長辺４７１の両端部４７３，４７４と、短辺４７２とに沿って、平面視で樹脂パターン形成領域４７の外側の領域５５２に形成されている。そして、樹脂パターン形成領域４７の平面視外側の領域５５２に形成された配線パターン５５上から、樹脂パターン６１の側面を介して、樹脂パターン６１の上に外部端子電極５３，５４が形成されている。このように、樹脂パターン６１の両端部を間に挟むようにして配線パターン５５と外部端子電極５３，５４とが形成されることにより、樹脂パターン６１のベース４への接着強度及び樹脂パターン６１の強度の向上が図られている。
【００４０】
また、本実施の形態において、樹脂パターン６１を構成する樹脂材には、ポリベンズオキサゾール（ＰＢＯ）が使用されている。なお、樹脂パターン６１を構成する樹脂材は、ポリベンズオキサゾール（ＰＢＯ）に限定されず、ベース４を構成する材料（例えば、ガラス材料）との密着性が良好な樹脂材をいずれも使用することができる。よって、樹脂パターン６１を構成する樹脂材には、例えば、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、エポキシ、ポリイミド、又はフッ素系樹脂からなる樹脂材等を使用してもよい。また、本実施の形態で使用した樹脂パターン６１を構成する樹脂材、即ち、ポリベンズオキサゾール（ＰＢＯ）は、感光性を有する樹脂材であり、フォトリソグラフィ法によるパターン形成が可能な樹脂材である。ここで、本発明でいう感光性を有する樹脂材とは、感光性を有する樹脂からなる樹脂材の他、感光剤と樹脂とを含む感光性樹脂組成物を含む広い概念とする。
【００４１】
蓋７は、ホウケイ酸ガラス等のガラス材料からなり、図１及び図４に示すように、頂部７１と、蓋７の一主面７２の外周に沿って頂部７１から下方に延出した壁部７３とから構成されている。このような蓋７は、直方体の一枚板の基材をウエットエッチングして成形される。
【００４２】
蓋７の壁部７３の両側面（内側面７３１及び外側面７３２）は、テーパー状に成形されている。また、壁部７３には、ベース４と接合するための第２接合層７４が形成されている。
【００４３】
蓋７の第２接合層７４は、図１に示すように、蓋７の壁部７３の天面７３３から外側面７３２にかけて形成されている。この第２接合層７４は、ＴｉからなるＴｉ膜（図１の符号７７参照）が形成され、Ｔｉ膜の上にＡｕからなるＡｕ膜（図１の符号７８参照）が形成された複数の積層構造からなり、これらＴｉ膜及びＡｕ膜は、スパッタリング法によりスパッタリング形成されている。
【００４４】
また、蓋７の内部空間１１に面する一主面７２、具体的には、頂部７１の内部空間１１に面する部分全体と壁部７３の内側面７３２全体とに、ゲッター膜７６が形成されている。このゲッター膜７６は、ベース４の基材上にスパッタリング法によりスパッタ形成されたＴｉ膜（図１の符号７７参照）からなる。
【００４５】
さらに、蓋７の基材の他主面７９の全面には、スパッタリング法によりスパッタリング形成されたＴｉ膜（図１の符号７７参照）が形成されており、さらに、他主面７９に形成されたＴｉ膜の上には、スパッタリング法によりスパッタリング形成されたＡｕ膜（図１の符号７８参照）が形成されている。このＴｉ膜（図１の符号７７参照）及びＡｕ膜（図１の符号７８参照）は、他主面７９に製造元やスペック等をレーザーで刻印（印字）するための基礎膜として使用することが可能である。
【００４６】
上記したベース４と蓋７とを接合させるための接合材１２は、蓋７の第２接合層７４に積層されている。この接合材１２は、蓋７の第２接合層７４の上にＡｕとＳｎとの合金からなるＡｕ／Ｓｎ膜（図示省略）がメッキ形成され、このＡｕ／Ｓｎ膜の上にＡｕ膜（図示省略）がメッキ形成された複数の積層構造からなる。なお、Ａｕ膜は、Ａｕストライクメッキ膜がメッキ形成され、Ａｕストライクメッキ膜の上にＡｕメッキ膜がメッキ形成された複数の層の積層構造からなる。このような接合材１２では、Ａｕ／Ｓｎ膜が、加熱により溶融して、ＡｕＳｎ合金膜となる。なお、接合材１２は、蓋７の第２接合層７４の上にＡｕＳｎ合金膜をメッキ形成することにより構成されたものであってもよい。また、本実施の形態において、接合材１２は、蓋７の第２接合層７４に積層されているが、ベース４の第１接合層４８に積層されていてもよい。
【００４７】
水晶振動片２は、異方性材料の水晶片である水晶素板（図示省略）から、ウエットエッチング形成された水晶Ｚ板である。
【００４８】
この水晶振動片２は、図５に示すように、振動部である２本の脚部２１，２２と、基部２３と、ベース４の電極パッド５１，５２に接合される接合部２４とから構成されており、基部２３の一端面２３１に２本の脚部２１，２２が突出して設けられ、基部２３の他端面２３２に接合部２４が突出して設けられた圧電振動素板２０からなる。
【００４９】
基部２３は、図５に示すように、平面視左右対称形状とされている。また、基部２３の側面２３３は、一端面２３１の側の部位が一端面２３１と同一幅で、他端面２３２の側の部位が他端面２３２の側にかけて漸次幅狭になるように形成されている。
【００５０】
２本の脚部２１，２２は、図５に示すように、基部２３の一端面２３１から、同一方向に突出して設けられている。これら２本の脚部２１，２２の先端部２１１，２２１は、脚部２１，２２の他の部位と比べて幅広（突出方向に対して直交する方向に幅広）に形成され、さらに、それぞれの先端隅部は曲面形成されている。また、２本の脚部２１，２２の両主面には、ＣＩ値を改善させるために、溝部２５が形成されている。
【００５１】
接合部２４は、図５に示すように、基部２３の他端面２３２の幅方向の中央部から突出して設けられている。この接合部２４は、基部２３の他端面２３２に対して平面視垂直方向に突出した短辺部２４１と、短辺部２４１の先端部と連なり短辺部２４１の先端部において平面視直角に折曲されて基部２３の幅方向に延出する長辺部２４２とから構成され、接合部２４の先端部２４３は基部２３の幅方向に向いている。すなわち、接合部２４は、平面視Ｌ字状に成形されている。また、接合部２４には、ベース４の電極パッド５１，５２と導電性バンプ１３を介して接合される接合箇所２７が設けられている。
【００５２】
上記した構成からなる水晶振動片２には、異電位で構成された第１及び第２の励振電極３１，３２と、これら第１及び第２の励振電極３１，３２をベース４の電極パッド５１，５２に電気的に接合させるために第１及び第２励振電極３１，３２から引き出された引出電極３３，３４とが形成されている。
【００５３】
また、第１及び第２の励振電極３１，３２の一部は、脚部２１，２２の溝部２５の内部に形成されている。このため、水晶振動片２を小型化しても脚部２１，２２の振動損失が抑制され、ＣＩ値を低く抑えることができる。
【００５４】
第１の励振電極３１は、一方の脚部２１の両主面と、他方の脚部２２の両側面及び先端部２２１の両主面とに形成されている。同様に、第２の励振電極３２は、他方の脚部２２の両主面と、一方の脚部２１の両側面及び先端部２１１の両主面に形成されている。
【００５５】
また、引出電極３３，３４は、基部２３及び接合部２４に形成されており、基部２３に形成された引出電極３３により、一方の脚部２１の両主面に形成された第１の励振電極３１が、他方の脚部２２の両側面及び先端部２２１の両主面に形成された第１の励振電極３１に繋げられ、基部２３に形成された引出電極３４により、他方の脚部２２の両主面に形成された第２の励振電極３２が、一方の脚部２１の両側面及び先端部２１１の両主面に形成された第２の励振電極３２に繋げられている。
【００５６】
なお、基部２３には、圧電振動素板２０の両主面を貫通する２つの貫通孔２６が形成されており、これら貫通孔２６内には、導電性材料が充填されている。これらの貫通孔２６を介して、引出電極３３，３４が基部２３の両主面間に引回されている。
【００５７】
上記した構成からなる水晶振動子１では、図１に示すように、ベース４の一主面４２に形成された台座部４６に水晶振動片２の接合部２４が導電性バンプ１３を介してＦＣＢ法により電気機械的に超音波接合される。この接合により、水晶振動片２の励振電極３１，３２が、引出電極３３，３４と、導電性バンプ１３とを介してベース４の電極パッド５１，５２に電気機械的に接合され、ベース４に水晶振動片２が搭載される。また、蓋７の一主面７２には、Ａｒガスを用いたプラズマエッチング処理が施され、これにより、蓋７に形成されたゲッター膜が活性化される。そして、水晶振動片２が搭載されたベース４に、蓋７がＦＣＢ法により仮接合され、その後、真空雰囲気下で加熱されることにより、接合材１２と第１接合層４８と第２接合層７４とが溶融し、これにより、ベース４の第１接合層４８に蓋７の第２接合層７４が接合材１２を介して接合されて、水晶振動片２を気密封止した水晶振動子１が製造される。なお、導電性バンプ１３には、非流動性部材のメッキバンプが用いられている。
【００５８】
以下に、この水晶振動子１の製造方法について、図６〜図３０を用いて説明する。なお、図６〜図３０においては、図面の見易さを考慮し、第１Ｔｉスパッタ層９２１、Ｃｕスパッタ層９２２、第２Ｔｉスパッタ層９３１、Ａｕスパッタ層９３２、第１メッキ層９４、第２メッキ層９５、樹脂層９６、及び充填層９８のハッチングを省略している。
【００５９】
ガラス材料からなるウエハ８の両主面８１，８２を、図６に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いたウェットエッチング法により、エッチングして、ベース４を多数個成形する（ベース成形工程）。図６は、ウエハ８の両主面８１，８２をエッチングして成形されたベース４の１つを示しており、ベース４には、キャビティ４５，台座部４６，貫通孔４９が形成されている。なお、各ベース４の台座部４６、キャビティ４５、貫通孔４９等はドライエッチング法、サンドブラスト法等の機械的加工法を用いて形成してもよい。
【００６０】
ベース成形工程後、ウエハ８（両主面８１，８２や貫通孔４９の内側面４９１など）に、Ｔｉからなる第１Ｔｉスパッタ層９２１をスパッタリング法によりスパッタリング形成する（Ｔｉスパッタ層形成工程）。ここで形成した第１Ｔｉスパッタ層９２１が、ベース４の電極パッド５１，５２及び配線パターン５５の第１コンタクトメタル膜となる。
【００６１】
Ｔｉスパッタ層形成工程後、第１Ｔｉスパッタ層９２１上に、ＣｕからなるＣｕスパッタ層９２２をスパッタリング法によりスパッタリング形成する（図７に示すＣｕスパッタ層形成工程）。ここで形成したＣｕスパッタ層９２２が、ベース４の電極パッド５１，５２及び配線パターン５５を構成するＣｕ膜からなる第１シード膜となる。
【００６２】
Ｃｕスパッタ層形成工程後、Ｃｕスパッタ層９２２上にレジストをディップコート法により塗布して、新たなポジレジスト層９７を形成し（レジスト層形成工程）、その後、ウエハ８の一主面８１側の貫通孔４９の開口端部に形成したポジレジスト層９７に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、図８に示すように、貫通孔４９の内側面のパターン形成を行う（パターン形成工程）。
【００６３】
パターン形成工程後、図９に示すように、貫通孔４９の内側面４９１の露出したＣｕスパッタ層９２２（第１シード膜）に対してＣｕ電解メッキを行うことにより、Ｃｕからなる充填層９８をメッキ形成する（充填工程）。
【００６４】
充填工程後、図１０に示すように、ポジレジスト層９７を剥離除去する（レジスト剥離工程）。
【００６５】
レジスト剥離工程後、Ｃｕスパッタ層９２２及び充填層９８上にレジストをディップコート法により塗布して、新たなポジレジスト層９７を形成し（第２レジスト層形成工程）、その後、電極パッド５１，５２、及び配線パターン５５を形成する位置以外のポジレジスト層に対して露光および現像を行い、ベース４の電極パッド５１，５２及び配線パターン５５、並びにベース４の外形のパターン形成を行う（図１１に示す第２パターン形成工程）。
【００６６】
第２パターン形成工程後、露出したＣｕスパッタ層９２２及びこのＣｕスパッタ層９２２の下のＴｉスパッタ層９２１をメタルエッチングして除去する（図１２に示すメタルエッチング工程）。
【００６７】
メタルエッチング工程後、図１３に示すように、ポジレジスト層９７を剥離除去する（第２レジスト剥離工程）。
【００６８】
第２レジスト剥離工程後、Ｃｕスパッタ層９２２、充填層９８及び露出したウエハ８の両主面８１，８２上に感光性を有する樹脂材をディップコート法により塗布して、樹脂層９６を形成する（図１４の樹脂層形成工程）。
【００６９】
樹脂層形成工程後、貫通孔４９の他端開口面４９３の側の開口端部を塞ぐ樹脂パターン６１を形成する位置以外の樹脂層９６に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、図１５に示すように、樹脂パターン６１を形成する（樹脂パターン形成工程）。
【００７０】
樹脂パターン形成工程後、露出したＣｕスパッタ層９２２、樹脂層９６、及び露出したウエハ８の両主面８１，８２の上に、Ｔｉからなる第２Ｔｉスパッタ層９３１をスパッタリング法によりスパッタリング形成する（第２Ｔｉスパッタ層形成工程）。ここで形成した第２Ｔｉスパッタ層９３１が、電極パッド５１，５２及びベース４の一主面４２側の配線パターン５５の第２コンタクトメタル膜、外部端子電極５３，５４のコンタクトメタル膜、第１接合層４８のＴｉ膜、並びに、ゲッター膜５６となる。
【００７１】
第２Ｔｉスパッタ層形成工程後、第２Ｔｉスパッタ層９３１上に、Ａｕスパッタ層９３２をスパッタリング法によりスパッタリング形成する（図１６に示すＡｕスパッタ層形成工程）。ここで形成したＡｕスパッタ層９３２が、第１接合層４８のスパッタ膜を構成するＡｕ膜、並びに、電極パッド５１，５２、外部端子電極５３，５４、及び配線パターン５５を構成するＡｕ膜からなるシード膜となる。
【００７２】
Ａｕスパッタ層形成工程後、Ａｕスパッタ層９３２上にレジストをディップコート法により塗布して、新たなポジレジスト層９７を形成し（第３レジスト層形成工程）、その後、ベース４の外部端子電極５３，５４を形成する位置上のポジレジスト層９７に対してフォトリソグラフィ法により露光および現像を行い、ベース４の外部端子電極５３，５４のパターン形成を行う（図１７に示す第３パターン形成工程）。
【００７３】
第３パターン形成工程後、露出したＡｕスパッタ層９３２上に、図１８に示すように、Ｎｉからなる第１メッキ層９４をメッキ形成する（第１メッキ形成工程）。ここで、形成した第１メッキ層９４がベース４の外部端子電極５３，５４のＮｉ膜の第１メッキ膜となる。
【００７４】
第１メッキ形成工程後、ポジレジスト層９７を剥離除去する（図１９に示す第３レジスト剥離工程）
第３レジスト剥離工程後、露出したＡｕスパッタ層９３２及び第１メッキ層９４上にレジストをディップコート法により塗布して、新たなポジレジスト層９７を形成し（図２０に示す第４レジスト層形成工程）、その後、ベース４の第１接合層４８、電極パッド５１，５２、外部端子電極５３，５４、及び配線パターン５５を形成する位置上のポジレジスト層９７に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、ベース４の第１接合層、電極パッド５１，５２、外部端子電極５３，５４、及び配線パターン５５のパターン形成を行う（図２１に示す第４パターン形成工程）。
【００７５】
第４パターン形成工程後、露出したＡｕスパッタ層９３２及び第１メッキ層９４上に、図２２に示すように、Ａｕからなる第２メッキ層９５をメッキ形成する（第２メッキ形成工程）。ここで形成した第２メッキ層９５が、ベース４の第１接合層４８、電極パッド５１，５２、外部端子電極５３，５４、及び配線パターン５５を構成するＡｕ膜からなるメッキ膜となる。
【００７６】
第２メッキ形成工程後、図２３に示すように、ポジレジスト層９７を剥離する（第４レジスト剥離工程）。
【００７７】
第４レジスト剥離工程後、露出したＡｕスパッタ層９３２及び第２メッキ層９５上にレジストをディップコート法により塗布し、新たなポジレジスト層９７を形成し（図２４に示す第５レジスト層形成工程）、その後、図２５に示すように、ベース４の第１接合層４８、電極パッド５１，５２、外部端子電極５３，５４及び配線パターン５５を形成する位置上以外のポジレジスト層９７に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、ベース４の第１接合層４８、電極パッド５１，５２、外部端子電極５３，５４及び配線パターン５５、並びにベース４の外形のパターン形成を行う（第５パターン形成工程）。
【００７８】
第５パターン形成工程後、図２６に示すように、露出したＡｕスパッタ層９３２をメタルエッチングにより除去する（第２メタルエッチング工程）。
【００７９】
第２メタルエッチング工程後、図２７に示すように、ポジレジスト層９７を剥離する（第５レジスト剥離工程）。
【００８０】
第５レジスト剥離工程後、露出した第２Ｔｉスパッタ層９３１及び第２メッキ層９５上にレジストをディップコート法により塗布し、新たなポジレジスト層９７を形成し（第６レジスト層形成工程）、その後、図２８に示すように、ベース４の第１接合層４８、電極パッド５１，５２、外部端子電極５３，５４、配線パターン５５、及びゲッター膜５６を形成する位置上以外のポジレジスト層９７に対してフォトリソグラフィ法により露光及び現像を行い、ベース４の第１接合層４８、電極パッド５１，５２、外部端子電極５３，５４、配線パターン５５、及びゲッター膜５６のパターン形成を行う（第６パターン形成工程）。
【００８１】
第６パターン形成工程後、図２９に示すように、露出した第２Ｔｉスパッタ層９３１をメタルエッチングにより除去する（第３メタルエッチング工程）。
【００８２】
第３メタルエッチング工程後、ポジレジスト層９７を剥離除去して、図３０に示すように、ベース４をウエハ８に多数個形成する（第６レジスト剥離工程）。
【００８３】
第６レジスト剥離工程後、多数個のべース４を個別分割して多数個のベース４を個片化し（ベース個片化工程）、多数個の図３０に示すベース４を製造する。
【００８４】
なお、上記したベース４の製造工程の成形工程が、本発明でいう成形工程で第１封止部材を成形する工程に相当する。また、図１６〜図２９に示す工程を経て、ベース４の主面４２にゲッター膜５６を形成する工程、即ち、ベース４の主面４２にゲッター材を配する工程が、本発明でいう第１ゲッター材配置工程に相当する。また、図７〜図２９に示す工程を経て、ベース４の一主面４２に、電極（電極パッド５１，５２及び一主面４２の側の配線パターン５５）を形成する工程が本発明でいう電極形成工程に相当する。
【００８５】
そして、上記した製造方法により製造された図３０に示すベース４に、図５に示す水晶振動片２を配し、導電性バンプ１３を介してベース４に水晶振動片２をＦＣＢ法により電気機械的に超音波接合して、ベース４に水晶振動片２を搭載保持する（本発明でいう搭載工程）。また、別工程で、図４に示す蓋７を成形する（本発明でいう成形工程で第２封止部材を成形する工程）。そして、成形した蓋７の基材の一主面７２に対して、第２接合層７４の形成と、ゲッター膜７６の形成（本発明でいう蓋７の主面７２にゲッター材を配する第２ゲッター材配置工程）を行う一方、蓋７の基材の他主面７９に対して、Ｔｉ膜及びＡｕ膜の形成を行う。そして、蓋７の一主面７２にＡｒガスを用いたプラズマエッチング処理を施し（本発明でいうプラズマエッチング工程）、その後、蓋７の第２接合層７４上に接合材１２を積層する（本発明でいうろう材配置工程）。次いで、水晶振動片２を搭載保持したベース４に蓋７を配し、ベース４の第１接合層４８と蓋７の第２接合層７４とを接合材１２を介してＦＣＢ法により電気機械的に超音波接合（仮接合）する。次いで、仮接合したベース４及び蓋７を、接合材１２（ろう材）の融点未満の温度、具体的には、２７０〜２９０℃の温度で３０分間、加熱処理し（本発明でいう接合前加熱工程）、その後、接合材１２の融点以上の温度で加熱処理、具体的には、３２０〜３５０℃の温度で１分間加熱処理して、接合材１２を加熱溶融させて、ベース４と蓋７との接合を行う（本発明でいう接合工程）。
【００８６】
上記したような本実施の形態に係る水晶振動子１において、接合材１２（ろう材）の加熱により発生し、内部空間１１に入り込むガスは、内部空間内における主面（即ち、ベース４の内部空間１１に面する主面４２及び蓋７の内部空間に面する主面７２）に形成されたゲッター膜５６、７６に吸着される。つまり、本実施の形態に係る水晶振動子１によれば、内部空間１１のガス量を抑制することができる。
【００８７】
また、ベース４のゲッター膜５６は、電極パッド５１，５２及び配線パターン５５を構成する第２コンタクトメタル膜（図１の符号９３１）、並びに第１接合層４８のＴｉ膜と同一の材料からなる。このため、上記した通り、ベース４の製造工程において、電極パッド５１，５２及び配線パターン５５を形成するための第２コンタクトメタル膜（図２の符号９３１参照）の形成及び第１接合層４８のＴｉ膜（図２の符号９３１参照）の形成と同時に、ゲッター膜５６を形成することができる。なお、上記したベース４の製造工程においては、電極パッド５１，５２及び配線パターン５５を形成するための第２コンタクトメタル膜（図１の符号９３１参照）形成と同時に、ゲッター膜５６を形成しているが、第１コンタクトメタル膜（図１の符号９２１参照）形成と同時に、ゲッター膜５６を形成してもよい。
【００８８】
また、蓋７のゲッター膜７６は、第２接合層７４を構成するＴｉ膜（図１の符号７７参照）と同一の材料からなる。このため、蓋７の製造工程の第２接合層７４の形成においては、第２接合層７４のＴｉ膜を形成するのと同時に、ゲッター膜７６を形成することができる。
【００８９】
また、本実施の形態に係る水晶振動子１では、ベース４の台座部４６を含むキャビティ４５の底面４５１及び壁面４５３のほぼ全体が、電極パッド５１，５２及び配線パターン５５（即ち、ベース４の主面４２の側に形成された内部電極）、又はゲッター膜５６で被覆されている。さらに、蓋７の頂部７１の内部空間１１に面する面と壁部の内側面７３２の全体がゲッター膜７６で被覆されている。このため、内部空間１１への光の入射が、内部電極とゲッター膜５６，７６により遮断され、これにより、内部空間１１内の水晶振動片２の電極の劣化が抑制されている。なお、本実施の形態では、上記した通り、ベース４の台座部４６を含むキャビティ４５の底面４５１及び壁面４５３、並びに、蓋７の頂部７１の内部空間１１に面する面と壁部の内側面７３２のほぼ全体が、電極パッド５１，５２及び配線パターン５５（即ち、ベース４の主面４２の側に形成された内部電極）、又はゲッター膜５６で被覆されているが、少なくとも、ベース４の主面４２及び蓋７の主面７２の水晶振動片２と対向する部分（間隙６５を除く）が、内部電極又はゲッター膜５６，７６で被覆されていれば、水晶振動片２への光の入射を遮断し、水晶振動片２の電極の光による劣化を抑制する効果が得られる。例えば、ベース４のキャビティ４５１の壁面４５３及び蓋７の壁部７３の内側面７３１にゲッター膜５６，７６が形成されていない構成であってもよく、この構成によっても、水晶振動片２の電極の光による劣化を抑制する効果が得られる。
【００９０】
また、本実施の形態に係る水晶振動子１において、ベース４の基材には、台座部４６を含むキャビティ４５の底面４５１及び壁面４５３のほぼ全体を被覆する電極パッド５１，５２及び配線パターン５５（即ち、ベース４の主面４２の側に形成された内部電極）並びにゲッター膜５６により、十分な機械的強度が備えられている。同様に、蓋７の基材には、頂部７１の内部空間１１に面する面と壁部の内側面７３２の全体を被覆するゲッター膜７６により、十分な機械的強度が備えられている。具体的には、本実施の形態において、ベース４の電極（電極パッド５１，５２、外部端子電極５３，５４、及び配線パターン５５）を構成するコンタクトメタル膜（図１の符号９２１及び９３１参照）と、ゲッター膜５６，７６は、上記したとおり、Ｔｉ膜からなる。Ｔｉは、高い硬度を有する材料であり、本実施の形態では、Ｔｉ膜を厚肉（具体例としては、３０００Åの厚み）に形成することで、ベース４及び蓋７の機械的強度の向上が図られている。
【００９１】
また、上記した水晶振動子１の製造工程では、上記した通り、ベース４と蓋７とを接合する前に、蓋７の一主面７２にＡｒガスを用いたプラズマエッチング処理を施しており、このプラズマエッチング処理により蓋７のゲッター膜７６の表面に付着したＡｕ等の不純物を除去してゲッター膜７６の表面を活性化させている。これにより、接合材１２（ろう材）の加熱により発生し内部空間１１に入り込むガスを効率よくゲッター膜７６に吸着させることができる。なお、上記した本実施の形態にかかる水晶振動子１の製造工程では、蓋７の一主面７２のみにプラズマエッチング処理を施しているが、ベース４の一主面４２のみに、或いは蓋７の一主面７２及びベース４の一主面４２の両方にプラズマエッチング処理を施してもゲッター膜５６，７６の活性化によるガス吸着効率の向上効果を得ることができる。ただし、水晶振動片２が搭載されたベース４にＡｒガスを用いたプラズマエッチング処理を施す場合には、水晶振動片２の電極（励振電極３１，３２、及び引出電極３３，３４）にＡｒガスがあたらないように、水晶振動片２の電極をマスクした状態で、プラズマエッチング処理を施すことが好ましい。また、ベース４の一主面４２にプラズマエッチング処理を施した場合には、上記したベース４の製造工程においてゲッター膜５６の表面に付着したポジレジスト層及びＡｕスパッタ層の残渣をプラズマエッチング処理により除去することができ、これにより、ゲッター膜５６の表面を活性化させることができる。
【００９２】
さらに、上記した水晶振動子１の製造工程では、接合材１２を加熱溶融させてベース４と蓋７とを本接合する（本発明でいう接合工程）前に、ベース４の第１接合層４８と蓋７の第２接合層７４とを接合材１２を介して仮接合し、仮接合したベース４及び蓋７を加熱処理すること（本発明でいう接合前加熱工程）によって、ゲッター膜５６，７６を活性化させて、ゲッター膜５６，７６によるガス吸着効率を高めているが、接合材１２を加熱溶融させてベース４と蓋７とを本接合した（本接合工程）後、本接合工程での加熱温度よりも高い温度、例えば、３３０〜５５０℃で１０〜５０分、より好ましくは４００℃で５０分間、ベース４及び蓋７を加熱処理すること（本発明でいう接合後加熱工程）によっても、ゲッター膜５６，７６によるガス吸着効率をさらに高めることができる。つまり、ゲッター膜５６，７６を活性化させるための加熱処理は、接合工程の前に行ってもよいし、接合工程の後に行ってもよい。あるいは、ゲッター膜５６，７６を活性化させるための加熱処理は、接合工程の前後で行ってもよい。
【００９３】
また、上記した水晶振動子１の製造工程は、単なる例示にすぎず、本実施の形態に係る水晶振動子１は、他の製造工程によっても製造可能である。
【００９４】
なお、本実施の形態に係る水晶振動子１では、ベース４に形成されたゲッター膜５６及び蓋７に形成されたゲッター膜７６は、共に、Ｔｉで構成されているが、ゲッター膜５６，７６を構成するゲッター材は、ガスを吸着する効果を有するものであれば、特に、限定されず、具体例としては、Ｔｉの他に、Ｃｒを挙げることができる。
【００９５】
また、本実施の形態に係る水晶振動子１では、内部空間１１の気密性を高めるために貫通孔４９の内部にＣｕメッキ層（充填層９８）が形成されるとともに、貫通孔４９の他端開口面４９３が樹脂パターン６１で覆われているが、貫通孔４９の内部の構成はこれに限定されるものではない。例えば、貫通孔４９の内部にＣｕメッキ層が形成されずに樹脂材が充填された構成、又は貫通孔４９の内部に導電性ペーストを充填した構成であっても、本実施の形態と同様のゲッター膜５６，７６による内部空間１１のガス量の低減効果を得ることができる。また、ベース４において、樹脂パターン６１が省略された構成であっても、本実施の形態と同様のゲッター膜５６，７６による内部空間１１のガス量の低減効果を得ることができる。
【００９６】
また、本実施の形態に係る水晶振動子１では、電極パッド５１，５２及び配線パターン５５は、ベース４の基板上に形成されたＴｉ膜からなる第１コンタクトメタル膜（図１の符号９２１参照）と、この第１コンタクトメタル膜の上に形成されたＣｕ膜からなる第１シード膜（図１の符号９２２参照）と、この第１シード膜の上に形成されたＴｉ膜からなる第２コンタクトメタル膜（図１の符号９３１参照）と、この第２コンタクトメタル膜の上に形成されたＡｕ膜からなる第２シード膜（図１の符号９３２参照）と、この第２シード膜の上にメッキ形成されたＡｕ膜からなるメッキ膜（図１の符号９５参照）とで構成されているが、電極パッド５１，５２及び配線パターン５５の電極構成は、これに限定されず、ベース４の基板上に形成されたＴｉ膜からなるコンタクトトメタル膜と、このコンタクトメタル膜の上に形成されたＡｕ膜からなるシード膜とからなる構成であってもよい。つまり、貫通孔４９の内側面４９１の配線パターン５５のシード膜が、Ａｕ膜からなる構成であってもよい。このように、貫通孔４９の内側面４９１における配線パターン５５のシード膜をＡｕ膜で構成する場合には、貫通孔４９の内側面４９１の配線パターン５５のシード膜上にメッキ形成する充填層９８をＡｕＳｎメッキ層とすると、内側面４９１の配線パターン５５のシード膜と充填層９８との接着強度を向上させることができる。
【００９７】
また、本実施の形成に係る水晶振動子１のベース４において、第１接合層４８は、上記した通り、ベース４の基材上にスパッタリング形成されたＴｉ膜（図１の符号９３１参照）と、このＴｉ膜の上にスパッタリング形成されたＡｕ膜（図１の符号９３２参照）と、このＡｕ膜の上にメッキ形成されたＡｕメッキ膜（図１の符号９５参照）とから構成されているが、この構成に限定されるものではない。例えば、第１接合層４８は、ベース４の基材上にスパッタリング形成されたＴｉ膜と、このＴｉ膜の上にスパッタリング形成されたＡｕ膜と、このＡｕ膜の上にメッキ形成されたＮｉメッキ膜と、Ｎｉメッキ膜の上にメッキ形成されたＡｕメッキ膜とから構成されたものであってもよい。このように、Ａｕ膜とＡｕメッキ膜との間にＮｉメッキ膜を介在させると、接合材１２（ろう材）によるＡｕ膜の侵食を防止することができ、ベース４と蓋７との接合の強度を向上させることができる。
【００９８】
また、本実施の形成に係る水晶振動子１のベース４において、外部端子電極５３，５４は、上記した通り、ベース４の他主面４３の配線パターン５５のシード膜（図１の符号９２２参照）上及び樹脂パターン６１上に形成されたＴｉからなるコンタクトメタル膜（図１の符号９３１参照）と、このコンタクトメタル膜の上にスパッタ形成されたＡｕからなるシード膜（図１の符号９３２参照）と、このシード膜の上にメッキ形成されたＮｉからなる第１メッキ膜（図１の符号９４参照）と、この第１メッキ膜の上にメッキ形成されたＡｕからなる第２メッキ膜（図１の符号９５参照）とから構成されているが、この構成に限定されるものではなく、例えば、Ａｕからなるシード膜（図１の符号９３２参照）の上に直接（Ｎｉからなる第１メッキ膜を介さず）Ａｕからなる第２メッキ膜が形成されたものであってもよい。
【００９９】
また、本実施の形態に係る水晶振動子１のベース４において、電極（電極パッド５１，５２、外部端子電極５３，５４、及び配線パターン５５）を構成するコンタクトメタル膜（第１及び第２コンタクトメタル膜）はＴｉからなるが、コンタクトメタル膜の構成は、これに限定されるものではなく、例えば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、又はＲｕでコンタクトメタル膜を構成してもよい。これらの中でも、Ｃｒは、Ｔｉと同様に、ゲッター材としても使用
可能である。
【０１００】
また、本実施の形態に係る水晶振動子１では、ベース４及び蓋７の材料としてガラスを用いているが、ベース４及び蓋７は、いずれも、ガラスを用いて構成されたものに限定されるものではなく、例えば、水晶を用いて構成されたものであってもよい。
【０１０１】
また、本実施の形態では、接合材１２として、主にＡｕＳｎを用いているが、接合材１２は、ベース４と蓋７とを接合させることができるものであれば特に限定されず、例えば、ＣｕＳｎ等のＳｎ合金ろう材を用いて構成されたものであってもよい。
【０１０２】
なお、上記した実施の形態に係る水晶振動子１では、水晶振動片として、図５に示す音叉型水晶振動片２を使用したが、図３１に示すＡＴカット水晶振動片２を使用してもよい。ＡＴカット水晶振動片２を使用した水晶振動子１では、ＡＴカット水晶振動片２に合わせてベース４に電極が形成されているが、本発明に係る構成については、本実施の形態と同一であり、本実施の形態と同様の効果を奏する。
【０１０３】
また、本実施の形態に係るベース４に、水晶振動片２に加えて、ＩＣチップを搭載し、発振器を構成してもよい。ベース４にＩＣチップを搭載する場合には、ＩＣチップの電極構成に合わせた電極がベース４に形成される。
【０１０４】
本発明は、その精神または主要な特徴から逸脱することなく、他のいろいろな形で実施することができる。そのため、上述の実施例はあらゆる点で単なる例示にすぎず、限定的に解釈してはならない。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示すものであって、明細書本文には、なんら拘束されない。さらに、特許請求の範囲の均等範囲に属する変形や変更は、全て本発明の範囲内のものである。
【符号の説明】
【０１０５】
１  水晶振動子
１１  内部空間
１２  接合材
１３  導電性バンプ
２  水晶振動片（電子部品素子）
２０  圧電振動素板
２１，２２  脚部
２１１，２２１  先端部
２３  基部
２３１  一端面
２３２  他端面
２３３  側面
２４  接合部
２４１  短辺部
２４２  長辺部
２４３  先端部
２５  溝部
２６  貫通孔
２７  接合箇所
３１，３２  励振電極
３３，３４  引出電極
４  ベース（第１封止部材としての電子部品パッケージ用封止部材）
４１  底部
４２  一主面
４３  他主面
４４  壁部
４５  キャビティ
４５１  底面
４５２  一端部
４６  台座部
４７  樹脂パターン形成領域
４７１  長辺
４７２  短辺
４７３，４７４  端部
４８  第１接合層
４９  貫通孔
４９１  内側面
４９３  他端開口面
５１，５２  電極パッド
５３，５４  外部端子電極
５５  配線パターン
５５１  周縁部
５５２  領域
５６  ゲッター膜
６１  樹脂パターン
６２  内部領域
６５  間隙
７  蓋（第２封止部材）
７１  頂部
７２  一主面（対向面）
７３  壁部
７３１  内側面
７３２  外側面
７３３  天面
７４  第２接合層
７６  ゲッター膜
７７  Ｔｉ膜
７８  Ａｕ膜
７９  他主面
８  ウエハ
８１，８２  主面
９２１  第１Ｔｉスパッタ層
９２２  Ｃｕスパッタ層
９３１  第２Ｔｉスパッタ層
９３２  Ａｕスパッタ層
９４  第１メッキ層
９５  第２メッキ層
９６  樹脂層
９７  ポジレジスト層
９８  充填層
９８１  一端面
９８２  他端面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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