(57)【要約】【課題】ビア界面の接続面積が大きくなるため、接続信頼性を損なわずに従来よりもビアの小径化が可能となり、プリント配線板やビルドアップ配線基板の高密度化が可能となることが求められていた。【解決手段】絶縁基板上に複数の配線層が絶縁層を介して形成されており、前記配線層間がフィルドビアにて電気的に接続されてなる多層プリント配線板において、前記配線層のランド部に相当する位置の前記絶縁層にビア用穴を形成する前記配線層のランド部表面に溝又は穴を形成し、前記配線層のランド部の表面の前記絶縁層にビア用穴が設けられ、前記ビア用穴にフィルドビアが形成されることで前記配線層の層間が電気的に接続されてなる多層プリント配線板を提供する。【選択図】  図１
2012074557.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に複数の配線層が絶縁層を介して形成されており、前記配線層間がフィルドビアにて電気的に接続されてなる多層プリント配線板において、前記配線層のランド部に相当する位置の前記絶縁層にビア用穴を形成する前記配線層のランド部表面に溝又は穴を形成し、前記配線層のランド部の表面の前記絶縁層にビア用穴が設けられ、前記ビア用穴にフィルドビアが形成されることで前記配線層の層間が電気的に接続されてなる多層プリント配線板。
【請求項２】
ランド部の溝もしくは穴がコア基板まで到達していない非貫通の構造であることを特徴とする請求項１記載の多層プリント配線板。
【請求項３】
ランド部の溝もしくは穴がエッチングにより形成された構造であることを特徴とする請求項１または２記載の多層プリント配線板。
【請求項４】
絶縁基板上に複数の配線層が絶縁層を介して形成されており、前記配線層間がフィルドビアにて電気的に接続されてなる多層プリント配線板の製造方法において、順に、前記配線層のランド部に相当する位置の前記絶縁層にビア用穴を形成する前記配線層のランド部表面に溝又は穴を形成し、前記配線層のランド部の表面の前記絶縁層にビア用穴を設け、前記ビア用穴にフィルドビアが形成されることで前記配線層の層間が電気的に接続されることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。
【請求項５】
ランド部の溝もしくは穴がコア基板まで到達していない非貫通の構造であることを特徴とする請求項４記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項６】
ランド部の溝もしくは穴をエッチングにより形成することを特徴とする請求項４または５記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項７】
スルーホールが形成されたコア基板の両面に複数の配線層が絶縁層を介して形成されており、前記配線層間がフィルドビアにて電気的に接続されてなる多層ビルドアップ配線板において、前記配線層のランド部に相当する位置の前記絶縁層にビア用穴を形成する前記配線層のランド部表面に溝又は穴を形成し、前記配線層のランド部の表面の前記絶縁層にビア用穴が設けられ、前記ビア用穴にフィルドビアが形成されることで前記配線層の層間が電気的に接続されてなる多層ビルドアップ配線板。
【請求項８】
ランド部の溝もしくは穴がコア基板まで到達していない非貫通の構造であることを特徴とする請求項７記載の多層ビルドアップ配線板。
【請求項９】
ランド部の溝もしくは穴がエッチングにより形成された構造であることを特徴とする請求項７または８記載の多層ビルドアップ配線板。
【請求項１０】
スルーホールが形成されたコア基板の両面に複数の配線層が絶縁層を介して形成されており、前記配線層間がフィルドビアにて電気的に接続されてなる多層ビルドアップ配線板の製造方法において、順に、前記配線層のランド部に相当する位置の前記絶縁層にビア用穴を形成する前記配線層のランド部表面に溝又は穴を形成し、前記配線層のランド部の表面の前記絶縁層にビア用穴を設け、前記ビア用穴にフィルドビアが形成されることで前記配線層の層間が電気的に接続されることを特徴とする多層ビルドアップ配線板の製造方法。
【請求項１１】
ランド部の溝もしくは穴がコア基板まで到達していない非貫通の構造であることを特徴
とする請求項１０記載の多層ビルドアップ配線板の製造方法。
【請求項１２】
ランド部の溝もしくは穴をエッチングにより形成することを特徴とする請求項１０または１１記載の多層ビルドアップ配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基板上に複数の配線層が絶縁層を介して形成されており、配線層間がフィルドビアにて電気的に接続されてなる多層プリント配線板、ならびに、スルーホールが形成されたコア基板の両面に絶縁層を介して形成された各配線層がフィルドビアにて電気的に接続されてなる多層ビルドアップ配線板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、薄型化によりプリント配線板においても配線の微細化、多層化、配線層間を接続するビアの小径化という、いわゆる高密度化が求められている。そして高密度化しても接続不良や絶縁不良が発生しない、信頼性の高いプリント配線板が求められている。
【０００３】
これらの要求に対応するプリント配線板としてビルドアップ法を用いた多層ビルドアップ配線板が知られている。この方法は、絶縁基板上に配線層を形成したコア層の上に絶縁層を形成し、さらにその上に配線層を形成し、さらに絶縁層を形成するという工程を繰り返すことにより、多層ビルドアップ配線板を形成するというものである。
【０００４】
従来のビルドアップ法を用いた多層ビルドアップ配線板の例を図９および図１０に従って説明する。
【０００５】
まずは一般的にコア層と呼ばれているビルドアップ配線板のベースとなる層について説明する。図９（ａ）のように、ガラスエポキシ基板等のリジット材料からなる両面銅張基板７１にドリルやレーザーを用いて貫通孔７２を形成し、高圧洗浄や過マンガン酸塩浴に浸漬することで孔内の樹脂残渣を除去する。次に無電解銅めっき、電解銅めっき７３を行ない基板表面及貫通孔内に銅膜を形成する。銅膜で被覆された貫通孔をスクリーン印刷にて孔埋めインク７４で埋め込んだ後、表面にはみ出した余分な樹脂をバフ等の研磨で除去する。
【０００６】
次に図９（ｂ）のように感光性のレジストを基板全面に塗布した後、フォトリソグラフィーによりレジストパターン７５を形成する。そして塩化第二銅液などのエッチング液を用いてレジストパターンで被覆されていない銅膜部を除去し、レジストを剥離することで第一配線層７６を形成する。図９（ｃ）一般的にこれらはコア層７７と呼ばれている。
【０００７】
続いて、コア層の上下層に形成するビルドアップ層について説明する。
【０００８】
コアの配線層表面を粗化処理した後、図１０（ｄ）のように、シート状の絶縁樹脂を粘着し、絶縁層７８を形成する。なお絶縁層の形成にあたってはシート状の樹脂を粘着する方法が均一な厚さの樹脂層を簡易に形成できる観点から好ましいが、液状の樹脂を塗布する方法でもよい。絶縁層の材料としてはエポキシ樹脂やポリイミド、アクリル樹脂等が用いられる。
【０００９】
そして、絶縁樹脂表面から第一配線層ランド７６に到達する穴７９をレーザー照射にて形成する。レーザーとしてはＵＶレーザー、炭酸ガスレーザーやエキシマレーザー等のレーザーが用いられる。そして過マンガン酸塩浴に浸漬することによって、樹脂表面の粗面化と穴内の洗浄を行なう。なおこの穴は上下配線層を電気的に接続するためのビアとなるため、穴の寸法、形状が高密度化と高信頼性の観点から非常に重要である。
【００１０】
次にビルドアップ層の配線層形成について説明する。配線層の形成方法としてはエッチングで配線パターンを形成するサブトラクティブ法とめっきで配線パターンを形成するアディティブ法に分かれる。さらにアディティブ法には無電解めっきで配線パターンを形成するフルアディティブ法と電解めっきで配線パターンを形成するセミアディティブ法に分かれる。高密度基板にはセミアディティブ法が一般的に適用されているため、セミアディティブ法を例に説明する。
【００１１】
図１０（ｅ）のように絶縁樹脂表面及び穴内を過マンガン酸塩浴により粗化、デスミア処理をした後、無電解銅めっき処理８０を行なう。これは絶縁層に導電性を付与し、電解銅めっきを可能となるようにするために行なうものである。次に感光性レジストを基板全面に塗布する。感光性レジストには厚みの均一性に優れているドライフィルムタイプを用いられることが多い。そしてフォトリソグラフィーによりレジストパターン８１を形成する。そして電解めっき８２によりレジストパターンで被覆されていない部分に銅膜を形成し、配線パターンを形成するとともに、上下層間の電気的接続をとるために空けた穴へもめっきを行なうことでビア８３が形成される。なおビアは穴壁をめっきで被覆したコンフォーマルビアと、穴内を全てめっきで充填されたフィルドビアがある。これはめっき液の組成と添加剤を選定することで使い分けることが可能である。近年は高密度化に有利なスタックビア構造を取るためにフィルドビアを用いられることが多い。なおフィルドビアは前記のように穴をめっきで埋め込む以外に導電性ペーストで埋め込む方法もある。なお本事例ではめっきで埋め込んだフィルドビア構造を図示した。
【００１２】
次に図１０（ｆ）のように、レジストをＮａＯＨなどのアルカリ水溶液で剥離した後、露出した無電解めっき皮膜を硫酸−過酸化水素などの水溶液で溶解除去することにより、第二配線層８４が形成される。
【００１３】
上述のように絶縁層と配線層を順次繰り返すことで多層配線層が形成される。最外層の配線層上にソルダーレジスト膜を形成し、ソルダーレジスト膜から露出した配線部にニッケル、金めっき、半田などの必要な表面処理を施し、多層ビルドアップ配線板となる。
【００１４】
この多層ビルドアップ配線板は任意の層間に多数のビアを形成できるため、高密度配線に適している。ビルドアップ配線版においても近年、ますます高密度化の要求が強くなり、配線寸法だけでなくビアの小径化が必要になってきている。
【００１５】
なお、特許文献１によれば、レーザーにより穴開けする際に、ビア底に樹脂残渣が残らないよう、ビアランド部に窪みができるまでレーザーを照射する工法が提案されている。この方法はビア底の樹脂残渣を確実に除去する方法としては有効であるが、小径ビアの懸念点である接続面積不足を解消させるほどの効果は期待できない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】特開２００３−８２２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
多層プリント配線板や、多層ビルドアップ配線板の高密度化は、配線寸法だけでなくビアの小径化が必要であるが、ビアの小径化はビア底部の接続面積が小さくなるため、導通接続不良を発生する危険が高くなる。ビアの接続性に最も影響を及ぼすのは熱ストレスであり電子部品実装時、製品使用時の環境や発熱により生じる材料の膨張、収縮によりビアの接続界面からクラックが生じて断線にいたるケースが多い。よってビア断線を防止する
ために、ビア底の接続面積を大きくとっているために、多層プリント配線板や、多層ビルドアップ配線板の高密度化の妨げになっている。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記の課題を解決するための手段として、請求項１に記載の発明は、絶縁基板上に複数の配線層が絶縁層を介して形成されており、前記配線層間がフィルドビアにて電気的に接続されてなる多層プリント配線板において、前記配線層のランド部に相当する位置の前記絶縁層にビア用穴を形成する前記配線層のランド部表面に溝又は穴を形成し、前記配線層のランド部の表面の前記絶縁層にビア用穴が設けられ、前記ビア用穴にフィルドビアが形成されることで前記配線層の層間が電気的に接続されてなる多層プリント配線板である。
【００１９】
また、請求項２に記載の発明は、ランド部の溝もしくは穴がコア基板まで到達していない非貫通の構造であることを特徴とする請求項１記載の多層プリント配線板である。
【００２０】
また、請求項３に記載の発明は、ランド部の溝もしくは穴がエッチングにより形成された構造であることを特徴とする請求項１または２記載の多層プリント配線板である。
【００２１】
また、請求項４に記載の発明は、絶縁基板上に複数の配線層が絶縁層を介して形成されており、前記配線層間がフィルドビアにて電気的に接続されてなる多層プリント配線板の製造方法において、順に、前記配線層のランド部に相当する位置の前記絶縁層にビア用穴を形成する前記配線層のランド部表面に溝又は穴を形成し、前記配線層のランド部の表面の前記絶縁層にビア用穴を設け、前記ビア用穴にフィルドビアが形成されることで前記配線層の層間が電気的に接続されることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法である。
【００２２】
また、請求項５に記載の発明は、ランド部の溝もしくは穴がコア基板まで到達していない非貫通の構造であることを特徴とする請求項４記載の多層プリント配線板の製造方法である。
【００２３】
また、請求項６に記載の発明は、ランド部の溝もしくは穴をエッチングにより形成することを特徴とする請求項４または５記載の多層プリント配線板の製造方法である。
【００２４】
また、請求項７に記載の発明は、スルーホールが形成されたコア基板の両面に複数の配線層が絶縁層を介して形成されており、前記配線層間がフィルドビアにて電気的に接続されてなる多層ビルドアップ配線板において、前記配線層のランド部に相当する位置の前記絶縁層にビア用穴を形成する前記配線層のランド部表面に溝又は穴を形成し、前記配線層のランド部の表面の前記絶縁層にビア用穴が設けられ、前記ビア用穴にフィルドビアが形成されることで前記配線層の層間が電気的に接続されてなる多層ビルドアップ配線板である。
【００２５】
また、請求項８に記載の発明は、ランド部の溝もしくは穴がコア基板まで到達していない非貫通の構造であることを特徴とする請求項７記載の多層ビルドアップ配線板である。
【００２６】
また、請求項９に記載の発明は、ランド部の溝もしくは穴がエッチングにより形成された構造であることを特徴とする請求項７または８記載の多層ビルドアップ配線板である。
【００２７】
また、請求項１０に記載の発明は、スルーホールが形成されたコア基板の両面に複数の配線層が絶縁層を介して形成されており、前記配線層間がフィルドビアにて電気的に接続されてなる多層ビルドアップ配線板の製造方法において、順に、前記配線層のランド部に相当する位置の前記絶縁層にビア用穴を形成する前記配線層のランド部表面に溝又は穴を
形成し、前記配線層のランド部の表面の前記絶縁層にビア用穴を設け、前記ビア用穴にフィルドビアが形成されることで前記配線層の層間が電気的に接続されることを特徴とする多層ビルドアップ配線板の製造方法である。
【００２８】
また、請求項１１に記載の発明は、ランド部の溝もしくは穴がコア基板まで到達していない非貫通の構造であることを特徴とする請求項１０記載の多層ビルドアップ配線板の製造方法である。
【００２９】
また、請求項１２に記載の発明は、ランド部の溝もしくは穴をエッチングにより形成することを特徴とする請求項１０または１１記載の多層ビルドアップ配線板の製造方法である。
【発明の効果】
【００３０】
本発明では、上下配線層を電気的に接続するフィルドビアにおいて、ランド部に非貫通の溝や穴を形成することにより、上下配線層を電気的に接続するビアの接続面積が大きくなるため、接続信頼性を損なわずにビアの小径化が可能となる。ビアの小径化により、従来よりも高密度な多層プリント配線板や、ビルドアップ配線板の提供やその製造が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本実施形態における多層プリント基板の一例を示す模式断面図である。
【図２】本実施形態における多層プリント基板の製造方法の一例を示す模式断面図である。
【図３】図２の続きの工程である、本実施形態における多層プリント基板の製造方法の一例を示す模式断面図である。
【図４】図２、３の続きの工程である、本実施形態における多層プリント基板の製造方法の一例を示す模式断面図である。
【図５】本実施形態の製造方法におけるガラス版のビアランド部の平面図の一例を示す模式平面図である。
【図６】本実施例における多層ビルドアップ配線板の製造方法の一例を示す模式断面図である。
【図７】図６の続きの工程本実施形態における多層ビルドアップ基板の製造方法の一例を示す模式断面図である。
【図８】図６、７の続きの工程本実施形態における多層ビルドアップ基板の製造方法の一例を示す模式断面図である。
【図９】従来の多層ビルドアップ配線板の製造方法の一例を示す模式断面図である。
【図１０】図９の続きの工程である、従来の多層ビルドアップ基板の製造方法の一例を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明の実施の形態につき、コア基板が絶縁基材である場合で説明する。なお、コア基板がスルーホールが形成されたコア基板の両面に複数の配線層が絶縁層を介して形成されている多層ビルドアップ配線板に容易に置き換えることが容易である。
【００３３】
本発明の多層プリント基板の断面図は図１に示すように、第一配線層１２が形成された絶縁基材１１上に絶縁層１３、ビア１７、第二配線層１８が形成されており、第一配線層１２と第二配線層１８とはビアにて電気的に接続されている。第一配線層１２とビア１７とが接続するビア底界面１９は、第一配線層１２に設けた穴もしくは溝２０が配置された構造となっている。このような構造を持たせることにより、ビア底界面の接続面積が大きくなることにより、ビア１７を小径化しても第一配線層１２と第二配線１８を電気的に接
続している第一配線層１２とビア１７の接続界面部での破断を防止でき、微細な高密度配線層が形成できるという利点と有する。
【００３４】
本発明の多層プリント配線板の製造方法を図２から４にて説明する。絶縁基材１１の表面に、銅箔１９を貼り付けし、その上に感光性レジスト２１を塗布する（図２−ａ）。絶縁基材１１としてはリジット基板、フレキシブル基板、テープ状のいずれでも良い。絶縁材料としてはエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド、ポリエステル、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリマーが使用でき、ガラス繊維、アラミド繊維を補強材として含む材料が使用できる。銅箔は、真空プレスによる積層、もしくはロールラミネータにて貼り付けする、また銅箔上に銅めっきを施してもよい。感光性レジストは液状タイプ、フィルム状タイプがあり、また光照射により固まるネガ型レジスト、と光照射により分解するポジ型レジストのどちらでも使用できる。
【００３５】
次に塗布したレジストのパターン形成を行なう。レジストのパターン形成にはフォトマスクを介して紫外線を照射するマスク露光方式と、レーザーにて直接描画するダイレクトーイメージング方法がある。フォトマスクにはフィルム状とガラス状のマスクがあり、さらにガラスマスクにはエマルジョンタイプと酸化クロムタイプがあり、コストと製品スペックにより使い分けている。
【００３６】
ここではネガ型レジストとクロムガラスマスクを用いたマスク露光方式の場合のレジストパターン形成に関して説明する。第一配線層１２となる部分が酸化クロム遮光膜で覆われていないガラス版２２を露光装置にセットし、ガラス版を介して感光性レジスト２１にＵＶ２３を照射し、照射部のレジストを光硬化させる２４（図２（ｂ））このとき図５にしめすように使用するガラス版のビアランド部４１には微細な円形４２（ａ）や線形４３（ｂ）のＵＶ遮光膜４４のパターンを入れておく。またこの円形、線形のパターン幅は第一配線層の最小間隙幅よりも狭くする。ＵＶ照射後、レジストの現像処理を行なうことで、銅箔１９上には第一配線層と同じパターンのレジストパターン２５が形成されるとともにビアランド部には前記微細な円形もしくは線形状に抜きの出来たレジストパターン２６が形成される（図２（ｃ））
そして第二塩化銅溶液などのエッチング液により、レジスト膜から露出した銅を除去し、レジストを剥離することで第一配線層１２を形成する。このときビアランド部には下地絶縁基材１１まで到達しないハーフエッチングされた状態の穴もしくは溝が形成されている（図３（ｄ））
次に第一配線層の表面を粗化処理した後、絶縁層１３を形成する。絶縁材料としてはエポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド、ポリエステル、ポリエーテルエーテルケトン、液晶ポリマーが使用でき、シリカなどの無機フィラー及びガラス繊維、アラミド繊維を補強材として含む材料が使用できる。
【００３７】
次に絶縁層にレーザーを使用しビア穴１７を開ける。レーザーは炭酸ガスレーザー、ＵＶレーザー、エキシマレーザーが使用できる。そして穴開けしたビア底部には、前記ビアランド部に形成した、穴もしくは溝の全部及び一部が露出している。（図３（ｅ））
次に過マンガン酸塩溶液にてビア内の樹脂残渣を除去した後、絶縁層表面及びビア穴内をめっき、蒸着、スパッタにて薄膜金属層２７を形成する。（図３（ｆ））これは後に電解めっきを施すための下地となる。次に第二配線層を形成する、第二配線層形成はサブトラクティブ法とセミアディティブ法、フルアディティブ法があるが、どれを適用しても良い。ここではセミアディティブ法を適用した場合にて説明する。
【００３８】
薄膜金属層２７の全面に感光性レジスト２８を塗布する。次に第二配線層１８となる部分が酸化クロム遮光膜で覆われたガラス版を露光装置にセットし、感光性レジスト２８にＵＶを照射する。その後、レジスト現像処理を行なったのち、電解めっき２９を行なう。
（図４（ｇ））そしてレジスト剥離をした後、不要な薄膜金属層の除去を行ない、第二配線層１８を形成する。
【００３９】
これらにより図４（ｈ）に示すように、第一配線層１２が形成された絶縁基材１１上に絶縁層１３、ビア１７、第二配線層１８が形成されており、第一配線層１２と第二配線層１８とはビアにて電気的に接続されている多層プリント配線板において、ビア接続界面１９はビアランドに穴もしくは溝２０を設けることでビア界面の接続面積が大きくなるため、接続信頼性を損なわずに従来よりもビアの小径化が可能となり、ビルドアップ配線基板の高密度化が可能となる。
【実施例１】
【００４０】
実施例１を図６ないし図８に基づき説明する。まず０．６ｍｍ厚のガラス−エポキシ両面銅張り基板５１（日立化成工業製  Ｅ６７９ＦＧ）にドリルにて０．２ｍｍ径の貫通孔開けした後、高圧洗浄と、過マンガン酸ナトリウム溶液によりデスミア処理を行ない、無電解銅めっきと２５μｍ厚みの電解銅めっき処理５２を行なった。次に電解銅めっきが施された貫通孔の孔内に孔埋めインク（山栄化学製  ＰＨＰ−９００）５３をスクリーン印刷にて埋め込んだ後、余分なインクをバフ研磨にて除去し、表面銅厚２０μｍの両面銅張り基板５４を作製した。
【００４１】
次に銅表面を、硫酸と過酸化水素の水溶液で洗浄した後、基板の両面に感光性のドライフィルムレジスト（旭化成イーマテリアルズ  ＳＵＮＦＯＲＴ−ＡＱ）５５をラミネートした。
【００４２】
次に露光機とクロムガラス版を用いて、露光を行なった。このときガラス版のビアランド部にはφ１２μｍのドットのクロム膜が配置されている。このガラス版を用いて前記基板を露光し、１％炭酸ナトリウム溶液で現像することにより、ビアランド部にはφ１２μｍの抜き５６のあるレジストパターン５７が形成された。
【００４３】
そして、第二塩化銅溶液にてエッチングを行ない、その後水酸化ナトリウム溶液にてドライフィルムレジストを剥離した。これにより、銅厚２０μｍの第一配線層５８を形成した。このときビアランド部には直径２０μｍ、深さ１０μｍの穴５９が形成された。
【００４４】
次に配線層表面を粗化処理（メック製  ＣＺ８１０１）した後、フィルム状の絶縁樹脂（味の素ファインテクノ製  ＡＢＦ−ＧＸ１３）をラミネートし３５μｍ厚の絶縁樹脂層６０を形成した後、ＵＶレーザーにてφ４０μｍのビア穴６１を形成した。このときにビア穴底部の直径は３５μｍであり、前記ビアランド部に形成された直径２０μｍ、深さ１０μｍの穴５９が露出していた。
【００４５】
次に、過マンガン酸溶液にてビア穴内部の樹脂残渣を除去した後、無電解銅めっきを行ない、そしてドライフィルムレジスト（日立化成製、ＲＹ３５２５）をラミネートした後、フォトリソグラフィーによりレジストパターンを形成した。そして電解銅めっき（奥野製薬製、ルチナα）により１８μｍの厚さまでめっきを行ない、ビアランドの穴５９及びビア穴６１をめっきで埋め込んでフィルドビア６２を形成した後、レジストを剥離し、露出した無電解銅めっき膜を、硫酸−過酸化水素のエッチング液で除去することで第二配線層６３を形成した。
【００４６】
次にソルダーレジスト層（太陽インキ製ＰＲＳ−４０００）６４を印刷とフォトリソグラフィーにより形成したのち、銅露出部に無電解ニッケル、金めっきを施し、４層構造のビルドアップ配線板６５を作製した。
【実施例２】
【００４７】
＜比較例＞
上記実施例にてビアランド部に穴を形成しない構造のビルドアップ配線板を作製した。
【００４８】
上記実施例１及び比較例である実施例２で得られたビア接続界面構造の異なる配線板について。熱サイクル（１０００回）試験後のビア接続界面のクラックの発生数を比較した結果を表１に示す。
【００４９】
表１の結果からもわかるように、ビアランド部に穴を形成した構造では熱サイクル試験後もクラックを発生していなかった。実施例でレーザーで開けたビア径のビア底は３５μｍであったが、φ２０μｍ、深さ１０μｍの穴を設けることでビア底面積が１．３３倍の４０μｍ相当に拡大したことが、クラック防止に有効となった。
【００５０】
【表１】
2012074557.tif 000003
【産業上の利用可能性】
【００５１】
本発明を用いれば信頼性の高い高密度な多層プリント配線板や多層ビルドアップ配線板の提供やその製造方法の提供が可能となる。
【符号の説明】
【００５２】
１１・・・絶縁基材
１２・・・第一配線層
１３・・・絶縁層
１７・・・ビア
１８・・・第二配線層
１９・・・ビア底界面
２０・・・穴、溝
２１，２８・・・感光性レジスト
２２・・・ガラス版
２３・・・ＵＶ照射
２４・・・レジスト光硬化部
２５・・・レジストパターン
２６・・・レジストパターン（ビアランド部）
２７・・・薄膜金属層
２９・・・電解めっき
４１・・・ガラス版のビアランド部
４２・・・ガラス版のビアランド部（円状）
４３・・・ガラス版のビアランド部（線状）
４４・・・ガラス版のＵＶ遮光膜
５１・・・両面銅張り基板
５２・・・電解銅めっき
５３・・・孔埋めインク
５４・・・両面銅張り基板（めっきあり）
５５・・・感光性ドライフィルムレジスト
５６・・・レジストパターン（ビアランド部）
５７・・・レジストパターン
５８・・・第一配線層
５９・・・ビアランド部の穴
６０・・・絶縁樹脂
６１・・・ビア穴
６２・・・フィルドビア
６３・・・第二配線層
６４・・・ソルダーレジスト
６５・・・４層ビルドアップ配線板
７１・・・両面銅張基板
７２・・・貫通孔
７３・・・電解銅めっき
７４・・・孔埋めインク
７５・・・レジストパターン
７６・・・第一配線層
７７・・・コア層
７８・・・絶縁層
７９・・・穴
８０・・・無電解銅めっき処理層
８１・・・レジストパターン
８２・・・電解めっき
８３・・・ビア
８４・・・第二配線層
【図５】
2012074557.tif 000004
【図６】
2012074557.tif 000005
【図７】
2012074557.tif 000006
【図８】
2012074557.tif 000007
【図９】
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【図１０】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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