(57)【要約】【課題】  グランドパターンとの接続が容易で、貼り合わせた後の内部を目視で確認でき、シールド性及び耐久性に優れた電磁波シールドフィルムを用いた電子部品の電磁波シールド方法を提供する。【解決手段】  電子機器内に実装された電子部品の表面を電磁波シールドフィルムで被覆して電磁波を遮蔽する電子部品の電磁波シールド方法であって、該電磁波シールドフィルムが、粘着性を有する樹脂層上に、３０％以上の開口率を有する導体層が形成され、その樹脂層に、導体層の少なくとも一部の表面が露出するように導体層が埋設された電磁波シールドフィルムの導体層が形成された面をグランドパターンに直接貼り合わせることを特徴とする電磁波シールド方法。【選択図】  図１
2012033704.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子機器内に実装された電子部品の表面を電磁波シールドフィルムで被覆して電磁波を遮蔽する電子部品の電磁波シールド方法であって、該電磁波シールドフィルムが、粘着性を有する樹脂層上に、３０％以上の開口率を有する導体層が形成され、その樹脂層に、導体層の少なくとも一部の表面が露出するように導体層が埋設された電磁波シールドフィルムの導体層が形成された面をグランドパターンに貼り合わせることを特徴とする電磁波シールド方法。
【請求項２】
粘着性を有する樹脂層に導体層の少なくとも一部の表面が露出するように埋設され形成された導体層の断面形状が、断面形状全体又は断面形状の上部が台形状であって、前記導体層は、少なくとも上面又は前記台形状の一部が樹脂層から露出し、その他の部分が樹脂層に埋設されている請求項１に記載の電磁波シールド方法。
【請求項３】
上記導体層の断面形状の台形形状部の高さが０．１〜１０μｍ、側面の角度が３０°以上、８０°以下の範囲である請求項１または請求項２に記載の電磁波シールド方法。
【請求項４】
導体層の断面形状が、台形形状部の上部とこの部分に連続しこの部分より幅広で下側に湾曲した半円形部を有する下部を有し、導体層は、少なくともその上部表面の一部が樹脂層からは露出し、少なくとも最大幅の部分から下の部分が樹脂層に埋設されている請求項１〜３のいずれかに記載の電磁波シールド方法。
【請求項５】
導体層の最大幅（Ｌ）に対する最大幅より上部の導体層の厚み（Ｔ２）の割合（Ｔ２／Ｌ）が０．０１〜２の範囲である請求項１〜４のいずれかに記載の電磁波シールド方法。
【請求項６】
導体層の厚さが０．１〜１００μｍ、幅が１〜５０μｍの範囲である請求項１〜５のいずれかに記載の電磁波シールド方法。
【請求項７】
樹脂層の厚さが０．５〜１００μｍの範囲である請求項１〜６のいずれかに記載の電磁波シールド方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の電磁波シールド方法において、電磁波シールドフィルムの導体層のパターンが形成された面に、さらに、少なくとも一部パターンが露出するように絶縁材料を形成した電磁波シールド方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器の内部に実装した電子部品を被い、電磁波を遮蔽する、透光性、粘着性を有する、電磁波シールドフィルムを用いた電子部品の電磁波シールド方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、携帯電話機やデジタルカメラなどの電子機器の内部に実装した特定のＬＳＩ（集積回路）等の電子部品を被い、電磁波を遮蔽する電磁波シールドフィルムがある（特許文献１）。該電磁波シールドフィルムは、例えば、樹脂フィルムの表面に金属箔の融着やめっき、金属薄膜の蒸着、等により金属層を形成してなる。そして、該金属層によって電磁波を吸収・反射することにより、電子機器内部の他の部品から発生する電磁波や外部からの電磁波による誤動作を防止することができる。また、逆に、電子機器内部の他の部品に電磁波の影響を与えず、外部への電磁波の漏洩を防止することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−６０３８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
電子機器における電子部品の高集積化、コンパクト化に伴い、電子部品から発生する電磁波量も多くなっている。このような状況の中で、電磁波を効率よく遮蔽するためには、グランドパターンに接続する必要がある。電磁波シールド層をグランドパターンに接続するためには、例えば、導電性ペースト材料、導電性テープ、はんだ接続、異方導電性フィルム等が別途必要となり、材料コスト、プロセスコストが高くなってしまう。さらに、導電性フィルム表面に絶縁コーティングをしたり、フィルムを貼り合せる様な構成では、導電性部分を露出させるために、表面の一部分をマスキングしてコーティングしたり、スクリーン印刷等で、位置合わせをして、コーティングされない部分を形成する必要があり材料コスト、プロセスコストがさらに高くなってしまう。
【０００５】
また、従来の導電性フィルムは、不透明であるため、貼り合わせた後に、フィルム内部を確認することが困難である。したがって、フィルムを貼り合わせた後には、チップ等にマーキングされたロットナンバー（ｌｏｔ  Ｎｏ．）等を確認することができないことがある。また、導通検査等で異常があった場合に、異常個所を特定するために、導電性フィルムを剥がさなければならないことがあった。
【０００６】
本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてなされたもので、グランドパターンとの接続が容易で、貼り合わせた後の内部を目視で確認でき、シールド性及び耐久性に優れた、電磁波シールドフィルムを用いた電子部品の電磁波シールド方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、次のものに関する。
１．  電子機器内に実装された電子部品の表面を電磁波シールドフィルムで被覆して電磁波を遮蔽する電子部品の電磁波シールド方法であって、該電磁波シールドフィルムが、粘着性を有する樹脂層上に、３０％以上の開口率を有する導体層が形成され、その樹脂層に、導体層の少なくとも一部の表面が露出するように導体層が埋設された電磁波シールドフィルムの導体層が形成された面をグランドパターンに貼り合わせることを特徴とする電磁波シールド方法。
２．  粘着性を有する樹脂層に導体層の少なくとも一部の表面が露出するように埋設され形成された導体層の断面形状が、断面形状全体又は断面形状の上部が台形状であって、前記導体層は、少なくとも上面又は前記台形状の一部が樹脂層から露出し、その他の部分が樹脂層に埋設されている上記１に記載の電磁波シールド方法。
３．  上記導体層の断面形状の台形形状部の高さが０．１〜１０μｍ、側面の角度が３０°以上、８０°以下の範囲である上記１または２に記載の電磁波シールド方法。
４．  導体層の断面形状が、台形形状部の上部とこの部分に連続しこの部分より幅広で下側に湾曲した半円形部を有する下部を有し、導体層は、少なくともその上部表面の一部が樹脂層からは露出し、少なくとも最大幅の部分から下の部分が樹脂層に埋設されている上記１〜３のいずれかに記載の電磁波シールド方法。
５．  導体層の最大幅（Ｌ）に対する最大幅より上部の導体層の厚み（Ｔ２）の割合（Ｔ２／Ｌ）が０．０１〜２の範囲である上記１〜４のいずれかに記載の電磁波シールド方法。
６．  導体層の厚さが０．１〜１００μｍ、幅が１〜５０μｍの範囲である上記１〜５のいずれかに記載の電磁波シールド方法。
７．  樹脂層の厚さが０．５〜１００μｍの範囲である上記１〜６のいずれかに記載の電磁波シールド方法。
８．  上記１〜７のいずれかに記載の電磁波シールド方法において、電磁波シールドフィルムの導体層のパターンが形成された面に、さらに、少なくとも一部パターンが露出するように絶縁材料を形成した電磁波シールド方法。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、樹脂層上に、開口率の高い導電層の導電性回路パターンを直接形成することで、導電性回路パターンを形成した面をそのまま、グランドパターンに貼り合わせることができる。したがって、導電性回路パターンは、グランドパターンと接触することで、電気的に接続することが可能であり、また、導電性回路パターンの開口部に露出している樹脂層で、グランドパターンとの密着力を確保することができる。これにより、グランドパターンへの密着と電気的接続を、同時にすることができるため、接続するための他の材料や、それを形成するための工程が不要となる。また、樹脂層が粘着層であれば、室温もしくは１００℃以下の温度で、容易に圧着することができる。
【０００９】
また、本発明による電磁波シールド方法では、３０％以上の開口率を有し透明性を有しているため、それを剥がすことなく、例えば、部品にマーキング等で記載されているロットナンバー（ｌｏｔ  Ｎｏ．）を確認することが可能である。また、導通検査等で異常が発生した場合に、電磁波シールドフィルムを剥がすことなく、異常個所を確認することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の電子機器内に実装された電子部品の表面を電磁波シールドフィルムの導体層が形成された面を電子部品のグランドパターンに貼り合わせた断面の模式図。
【図２】図１において電磁波シールドフィルムの導体層のパターンが形成された面に、電子部品のグランドパターンの部分が露出するように絶縁材料を形成した電磁波シールドフィルムを用いて、電子部品のグランドパターンに貼り合わせた断面の模式図。
【図３】導体層パターンの一部を切り取った斜視図。
【図４】図３（ｂ）に示す導体層の幅方向の断面図。
【図５】図３（ｂ）に示す導体層の幅方向の他の例の断面図。
【図６】導体層の幅方向の断面図。
【図７】導体層の幅方向の断面図。
【図８】導体層が樹脂層に埋設されている状態を示す部分断面図。
【図９】導体層が樹脂層に埋設されている状態を示す部分断面図。
【図１０】めっき用導電性基材の一例を示す斜視図。
【図１１】図１０のＡ−Ａ断面図。
【図１２】めっき用導電性基材の製造方法を示す工程の一例を示す断面図。
【図１３】導体層パターン付基材の一例を示す部分切り取り斜視図。
【図１４】導体層パターン付基材の作製例の後半を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の電磁波シールドフィルムを用いた電子部品の電磁波シールド方法の例を、図１、２に示す。
図１は、粘着性を有する樹脂層上に、３０％以上の開口率を有する導体層が形成され、その樹脂層に、導体層の少なくとも一部の表面が露出するように導体層が埋設された電磁波シールドフィルムを用いて、電子機器内に実装された電子部品の表面を電磁波シールドフィルムの導体層が形成された面を電子部品のグランドパターンに貼り合わせた断面の模式図である。図２は、電磁波シールドフィルムの導体層のパターンが形成された面に、電子部品のグランドパターンの部分が露出するように絶縁材料を形成した電磁波シールドフィルムを用いて、電子部品のグランドパターンに貼り合わせた断面の模式図である。
電磁波シールド層で電磁波を吸収する場合は、電磁波シールド層とグランド電位を有する電気部材との接続が必要である。フィルム基材上に粘着層が形成され、粘着層上に開口部を有する導体層の少なくとも一部の表面が露出するように導体層が埋設された導体パターンが形成されている。上記パターンが形成された面をそのまま、電子部品を覆うように貼りあわせ、グランドパターンと接続してもよいし（図１）、グランドパターンと接続する部分だけ導体層を露出させ、それ以外の部分を、樹脂でコーティングしたり、フィルムを貼りあわせたりするなど、絶縁層を形成した後に、同様にしてグランドパターンと接続してもよい（図２）。
【００１２】
グランドパターンとの接続は、例えば、グランドパターンと貼り合わされた部分を、ヘッドで圧着するような方式が好ましいが、樹脂層が粘着性を有するので簡単に貼り合わせることができるのでこれに制限するものではない。ヘッドの温度は常温（２０℃）から１００℃程度が好ましく、常温から５０℃程度の範囲であることが特に好ましい。電磁波シールドフィルムは、粘着性を有しているので、ヘッドの温度が常温でも貼り合せることは可能であるが、温度をかけて貼りあわせた方が、初期の密着力が高くなる。また、圧着温度が高すぎると、粘着剤の流動が大きくなり、パターンが断線するおそれがある。
【００１３】
本発明に係る電磁波シールドフィルムは、粘着性を有する樹脂層上に、３０％以上の開口率を有する導体層が形成された導体層パターン付き基材であり、導体層パターン付き基材は、樹脂層を含む基材及び導体層を含み、基材の表面に導体層がパターン状に配置されている。
図１３は、本発明に係る導体層パターン付基材の一例を示す部分切り取り斜視図（模式図）である。導体層パターン付基材５０は、支持基材５１上に樹脂層５２を有する基材５３の表面に導体層５４が埋設されている。
【００１４】
基材５３は、電子部品等への導体層パターン付基材の適用を考慮すると透明のものが好ましい。このとき、本発明に係る導体層パターン付基材（電磁波シールドフィルム）は、特に可視領域で透明性を有することが好ましく、一般に全光線透過率が９０％以上のものが好ましい。
上記基材は、その表面のうち導体層を埋設する側に導体層を埋設するための樹脂層を有する。
この樹脂層は、熱可塑性樹脂でもよいが、硬化性樹脂であってもよく、貼付け性のため粘着性を有する。粘着性は、常温では、粘着性がなく温度を上げることにより粘着性を発現するものでもよい。硬化性樹脂は硬化させてあってもそうでなくてもよく、樹脂の硬化は、導体層パターン付基材を使用に供してから行ってもよい。
また、この樹脂層は、支持基材上に積層されていることが好ましいが、樹脂層だけで基材を構成していてもよい。
【００１５】
支持基材としては、プラスチック等からなる板、プラスチックフィルム、プラスチックシートなどがある。
プラスチックとしては、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリ塩化ビニリデン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂などの熱可塑性ポリエステル樹脂、酢酸セルロース樹脂、フッ素樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリウレタン樹脂、フタル酸ジアリル樹脂などの熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂が挙げられる。プラスチックの中では、透明性に優れるポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリメチルメタクリレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂が好適に用いられる。
【００１６】
支持基材としては、プラスチックフィルムが好ましい。このプラスチックフィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレートなどのポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ＥＶＡなどのポリオレフィン類、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデンなどのビニル系樹脂、ポリサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリカーボネート、ポリアミド、ポリイミド、アクリル樹脂などのプラスチックからなるフィルムで全可視光透過率が７０％以上のものが好ましい。これらは単層で使うこともできるが、２層以上を組合せた多層フィルムとして使用してもよい。前記プラスチックフィルムのうち透明性、耐熱性、取り扱いやすさ、価格の点からポリエチレンテレフタレートフィルムまたはポリカーボネートフィルムが特に好ましい。
上記プラスチックフィルムの厚さは特に制限はないが、１ｍｍ以下のものが好ましく、厚すぎると可視光透過率が低下しやすくなる傾向がある。また、薄く成りすぎると取扱い性が悪くなることを勘案すると、上記プラスチックフィルムの厚さは５〜５００μｍがより好ましく、５０〜２００μｍとすることがさらに好ましい。
これらのプラスチックフィルム等の基材は、電子機器内に実装された電子部品からの電磁波の漏洩を防ぐための電磁波シールドフィルムなどとして使用するためには、透明であるもの（すなわち、透明基材）が好ましい。
【００１７】
樹脂層を形成するための樹脂としては、前記の通り、熱可塑性樹脂又は硬化性樹脂が使用される。
上記の熱可塑性樹脂として代表的なものとして以下のものがあげられる。たとえば天然ゴム、ポリイソプレン、ポリ−１，２−ブタジエン、ポリイソブテン、ポリブテン、ポリ−２−ヘプチル−１，３−ブタジエン、ポリ−２−ｔ−ブチル−１，３−ブタジエン、ポリ−１，３−ブタジエン）などの（ジ）エン類、ポリオキシエチレン、ポリオキシプロピレン、ポリビニルエチルエーテル、ポリビニルヘキシルエーテル、ポリビニルブチルエーテルなどのポリエーテル類、ポリビニルアセテート、ポリビニルプロピオネートなどのポリエステル類、ポリウレタン、エチルセルロース、ポリ塩化ビニル、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリスルホン、ポリスルフィド、フェノキシ樹脂、ポリエチルアクリレート、ポリブチルアクリレート、ポリ−２−エチルヘキシルアクリレート、ポリ−ｔ−ブチルアクリレート、ポリ−３−エトキシプロピルアクリレート）、ポリオキシカルボニルテトラメタクリレート、ポリメチルアクリレート、ポリイソプロピルメタクリレート、ポリドデシルメタクリレート、ポリテトラデシルメタクリレート、ポリ−ｎ−プロピルメタクリレート、ポリ−３，３，５−トリメチルシクロヘキシルメタクリレート、ポリエチルメタクリレート、ポリ−２−ニトロ−２−メチルプロピルメタクリレート、ポリ−１，１−ジエチルプロピルメタクリレート、ポリメチルメタクリレートなどのポリ（メタ）アクリル酸エステル、熱可塑性ポリエステル樹脂、熱可塑性ポリアミド樹脂などが使用可能である。これらのポリマを構成するモノマーは、必要に応じて、２種以上共重合させて得られるコポリマとして用いてもよいし、以上のポリマ又はコポリマを２種類以上ブレンドして使用することも可能である。
【００１８】
前記硬化性樹脂のうち、活性エネルギー線で硬化する樹脂としては、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ウレタン樹脂等をベースポリマとし、各々にラジカル重合性あるいはカチオン重合性官能基を付与させた材料が例示できる。ラジカル重合性官能基として、アクリル基（アクリロイル基）、メタクリル基（メタクリロイル基）、ビニル基、アリル基などの炭素−炭素二重結合があり、反応性の良好なアクリル基（アクリロイル基）が好適に用いられる。カチオン重合性官能基としては、エポキシ基（グリシジルエーテル基、グリシジルアミン基）が代表的であり、高反応性の脂環エポキシ基が好適に用いられる。具体的な材料としては、アクリルウレタン、エポキシ（メタ）アクリレート、エポキシ変性ポリブタジエン、エポキシ変性ポリエステル、ポリブタジエン（メタ）アクリレート、アクリル変性ポリエステル等が挙げられる。活性エネルギー線としては、紫外線、電子線等が利用される。
活性エネルギー線が紫外線の場合、紫外線硬化時に添加される光増感剤あるいは光開始剤としては、ベンゾフェノン系、アントラキノン系、ベンゾイン系、スルホニウム塩、ジアゾニウム塩、オニウム塩、ハロニウム塩等の公知の材料を使用することができる。また、上記の材料の他に汎用の熱可塑性樹脂をブレンドしても良い。
【００１９】
また、前記硬化性樹脂のうち、熱硬化性樹脂としては、天然ゴム、イソプレンゴム、クロロプレンゴム、ポリイソブチレン、ブチルゴム、ハロゲン化ブチル、アクリロニトリル−ブタジエンゴム、スチレン−ブタジエンゴム、ポリイソブテン、カルボキシゴム、ネオプレン、ポリブタジエン等の樹脂と架橋剤としての硫黄、アニリンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノールホルムアルデヒド樹脂、リグリン樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、アニリン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ホルマリン樹脂、金属酸化物、金属塩化物、オキシム、アルキルフェノール樹脂等の組み合わせで用いられるものがある。なおこれらには、架橋反応速度を増加する目的で、汎用の加硫促進剤等の添加剤を使用することもできる。
【００２０】
熱硬化性樹脂として、硬化剤を利用するものとしては、カルボキシル基、水酸基、エポキシ基、アミノ基、不飽和炭化水素基等の官能基を有する樹脂とエポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、カルボキシル基、チオール基等の官能基を有する硬化剤あるいは金属塩化物、イソシアネート、酸無水物、金属酸化物、過酸化物等の硬化剤との組み合わせで用いられるものがある。なお、硬化反応速度を増加する目的で、汎用の触媒等の添加剤を使用することもできる。具体的には、硬化性アクリル樹脂組成物、不飽和ポリエステル樹脂組成物、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂組成物、ポリウレタン樹脂組成物等が例示される。
【００２１】
さらに、熱硬化性樹脂又は活性エネルギー線で硬化する樹脂としては、アクリル酸又はメタクリル酸の付加物が好ましいものとして例示できる。
アクリル酸又はメタクリル酸の付加物としては、エポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリエーテルアクリレート、ポリエステルアクリレートなども使うこともできる。特に接着性の点から、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエーテルアクリレートが優れており、エポキシアクリレートとしては、１，６−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、ネオペンチルグリコールジグリシジルエーテル、アリルアルコールジグリシジルエーテル、レゾルシノールジグリシジルエーテル、アジピン酸ジグリシジルエステル、フタル酸ジグリシジルエステル、ポリエチレングリコールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、グリセリントリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトールテトラグリシジルエーテル、ソルビトールテトラグリシジルエーテル等の（メタ）アクリル酸付加物が挙げられる。エポキシアクリレートなどのように分子内に水酸基を有するポリマは接着性向上に有効である。これらの共重合樹脂は必要に応じて、２種以上併用することができる。
【００２２】
なお、熱硬化性樹脂又は活性エネルギー線で硬化する樹脂には、汎用の熱可塑性樹脂がブレンドされていてもよい。
また、樹脂層には、可塑剤、酸化防止剤、充填剤、着色剤、紫外線吸収剤などの添加剤が配合されていてもよい。
前記樹脂層の厚さは、少なくとも、導体層を埋設させる厚さよりも厚いことが必要である。より確実に導体層を樹脂中に埋没させるためには、樹脂層の厚さは、導体層を埋設させる厚さの１．５倍以上であることがさらに好ましい。また、樹脂層の厚さは、０．５μｍ以上、１００μｍ以下が好ましい。必要以上に厚くしても無駄になるだけある。
【００２３】
導体層のパターンとしては、種々のものが可能であるが、具体的な用途により適宜選択される。導体層のパターンとして、導体層自体は線状又は平面的に広がりのある形状であって、導体層自体が、平面形状として、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、（正）六角形、（正）八角形、（正）十二角形、（正）二十角形などの（正）ｎ角形（ｎは３以上の整数）、円、だ円、星型などの幾何学図形のものであっても、また、導体層により、特に、線状その他の形状の導体層により、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、（正）六角形、（正）八角形、（正）十二角形、（正）二十角形などの（正）ｎ角形（ｎは３以上の整数）、円、だ円、星型などの幾何学図形又はこれらを適宜組み合わせた模様を描くようにしてもよい（たとえば、平面上の導体層にこれらの図形の穴を開けたような形状であってもよい）。これらの単位は、単独で又は２種類以上組み合わせて繰り返されることが可能である。また、導体層のパターンは、メッシュ状のパターン、ストライプ状のパターン、櫛状のパターンが好ましい。
【００２４】
導体層のライン間隔は、５０μｍ〜４０００μｍの範囲とすることが好ましい。ライン間隔が小さ過ぎると開口部の面積が小さくなるため、粘着剤の露出面積が小さくなり、密着性が低下しやすくなる。一方、ライン間隔が大き過ぎると、光透過性は向上するものの、電磁波シールド性が低下する傾向にある。導体層のライン間隔は１００μｍ〜４０００μｍがより好ましく、２００〜２０００μｍがさらに好ましく、２５０〜１０００μｍが特に好ましい。
なお、ライン間隔は、導体層パターンが導体層で囲まれる幾何学図形等の組合せで複雑となる場合には、繰り返し単位を基準として、その面積を正方形の面積に換算してその一辺の長さをライン間隔とする。
【００２５】
本発明における導体層の一例である導体層（Ａ）は、断面形状が台形状のもの又は断面形状が台形状の上部とこれに連続した下部からなる。図面を用いて説明する。図３は、導体層２０のパターンの一部を切り取った斜視図である。図３（ａ）は、断面形状が台形状の導体層パターンであり、図３（ｂ）は、断面形状が上部の台形状部分とこの部分に連続しており、この部分より幅広の部分からなる半円形状部分からなる導体層のパターンである。
図４は、図３（ｂ）に示す導体層２０の幅方向の断面図であり、断面が台形状の上部２１とこの上部に連続しており、この上部より幅広な半円形状の下部２２からなり、台形状部分の底辺と半円形状部分の半円形の弦の一部分で一体となっている。図３（ｂ）及び図４において、下部は断面形状が半円形であるが、これにかぎらない。図３（ｂ）及び図４に示されるような場合には、下部２２の半円形状部分の台形状部分の下底から突出したような肩部２３は、一つの特徴となりうる。なお、上記の半円形とは、必ずしも真円を切り取った形だけでなく、楕円又は楕円や真円を変形させたような形状を切り取ったものを包含する。例えば、図５（図３（ｂ）に示す導体層の幅方向の断面図の他の例）の（ａ）、（ｂ）又は（ｃ）であらわされるような形状であってもよい。
また、図３及び図４において、下部の最大幅（したがって導体層パターンの最大幅）は、平面部にそってあるが、肩部より下部に最大幅が存在する形状であってもよい。
さらに、導体層パターンは、その横断面において、前記したような上部に対し連続している下部が、上部の最大幅よりも狭い最大幅を有するものであってもよい。また、下部の断面形状が矩形状であってもよい。
【００２６】
導体層パターンの寸法として、導体層パターン全体の厚さは０．１〜１００μｍであることが好ましい。１μｍ未満では、十分に低い抵抗を得ることが困難となる傾向があり、１００μｍを超えると、抵抗はほとんど変化しないため、材料費、工程時間が増え、コスト的に不利になる。また、以上を考慮して０．５〜３０μｍであることがより好ましく、３〜１５μｍの範囲であることがさらに好ましい。
また、導体層パターンの最大幅は、開口率を３０％以上とすることや電磁波遮蔽性を考慮し、１〜５０μｍであることが好ましい。導体層パターンの幅が狭すぎると電磁波シールド性が低下する傾向があり、広すぎると可視光透過率が低下する。また、以上を考慮して、幅を５〜３０μｍとすることがさらに好ましい。
【００２７】
導体層（Ａ）の寸法を、図面を用いてさらに説明する。
図６は、導体層の横断面図を示す。図６（ａ）は台形状であり、図６（ｂ）は、上部の台形状部分とこの台形状部分より幅広な半円形状部分（下部）が一体となったものである。両者において、上面幅（台形状の上辺の長さ）Ｌ１、導体層パターンの断面形状における最大幅Ｌは、それぞれ次のようにすることが好ましい。
【００２８】
導体層の厚さ（Ｔ）は、前記の通りである。
図６（ｂ）における形状である場合、台形状部分（上部）の厚さＴ１と半円形状部分（下部）の厚さＴ２の合計厚さＴが２〜１００μｍの範囲となっていることが好ましく、Ｔ１とＴ２の値にそれ以上の制限はないが、樹脂層と導体層パターンとの密着性をより高めるためには、Ｔ２が０．５μｍ以上であることが好ましく、１μｍ以上であることがさらに好ましい。
【００２９】
また、導体層の最大幅Ｌは、前記した導体層の幅（Ｌ）のとおりである。図６（ｂ）における形状である場合、上部台形状部分の上辺の幅Ｌ１と下辺の幅Ｌ２は、最大幅Ｌが上記の範囲となり、後述するように、台形状部分の側辺の角度が後記する条件を満たせば、その幅に特に制約はない。下部が完全に埋没し、樹脂層が肩部及び上部の一部を被覆するようになると、導体層と樹脂層の密着性が向上することになるが、この観点からは、最大幅Ｌと上部の台形状部分の下辺の幅Ｌ２の差は、１μｍ以上であることが好ましい。また、図６の（ａ）又は（ｂ）における形状である場合、Ｌ１は後記する製法上、１μｍ以上とすることが好ましい。
【００３０】
また、導体層の断面形状が台形の部分は、その幅が、上面に向かって全体として狭まっていればよい。上記図面のように勾配αで一定勾配で狭まっている必要は必ずしもなく、上面に向かって広がっておらず全体として狭まっていればよい。特に、側面が上面に対して垂直となっている部分がないようにすることが好ましい。
【００３１】
前記の導体層の断面形状が台形状の部分に相当する側面は、必ずしも平面ではない。この場合には、図７にその導体層の横断面図を示すように、前記の勾配αは、台形の高さｈと台形の側辺の幅ｓ（水平方向で台形の側辺の幅方向）を求め、式（１）
【００３２】
【数１】
2012033704.tif 000003
によってαを決定する。
αは、角度で３０度以上、９０度未満が好ましく、３０度以上、８０度以下がより好ましく、３０度以上、６０度以下がさらに好ましく、４０度以上、６０度以下が特に好ましい。
【００３３】
前記図６において、Ｔ２とＬは、Ｔ２／Ｌ＝０．０１〜２であることが好ましい。
これにより、導体層は、幅方向へのめっきの広がりよりも、厚み方向への広がりが大きく、厚み方向に異方的にめっきが生長するので、表面抵抗を上昇させることなく、ライン幅を微細化することができ、このような導体層を有する導体層パターン付き基材は、透明性と低抵抗の両立を高いレベルで実現可能である。特に、ライン幅が３０μｍ以下の微細パターンにおいて、上記効果は顕著である。めっきが厚み方向に異方的に生長すると、等方的に生長した場合に比較して、断面形状が円形状に近づく。したがって、このような導体層を有する導体層付きパターン基材は、ラインを転写する際の応力によるラインの折れが改善され、抵抗の低下や外観の異常をより良く抑制することができる。特に、めっき厚が薄くなるほど、この効果は、顕著となってくる。
【００３４】
本発明における、導体層は、少なくとも上面が露出した状態で全体又は一部が樹脂層に埋設されていることが好ましい。これにより、アンカー効果が発現するので導体層パターンの樹脂層への密着性が向上する。
図８及び図９に、導体層が樹脂層に埋設されている状態を示す部分断面図を示した。
図８（ａ）では、断面形状が台形状の導体層２０が一部、樹脂層２４に埋設されている状態を示し、図８（ｂ）は、上面が樹脂層２４からは露出しながら導体層２０全体が樹脂層２４に埋設されている状態を示す。図９（ａ）は、断面が上部の台形状部分２１とこの上部より幅広な下部の半円形部分２２が、台形状部分２１の台形状の底辺と半円形部分２２の半円形の弦の一部分で一体となっている導体層の下部の半円形部分２２全体（深さ方向で）が樹脂層２４に埋設されている状態（肩部２３が露出している）を示す。図９（ｂ）は、同様の導体層が上部の台形状部分２１の上面を含む一部が樹脂層２４からは露出した状態で樹脂層２４に埋設されている状態を示す。また、図９（ｃ）は、同様の導体層が上部の台形状部分２１の上面のみ樹脂層２４からは露出した状態で樹脂層２４に埋設されている状態を示す。これらの何れの場合も導体層の最大幅の部分は、樹脂層２４に埋設されている。
また、図８（ｂ）又は図９（ｃ）の状態において、さらに、樹脂層２４が、導体層２０又は上部の台形状部分２１の上面の一部を被さるようにして被覆していてもよい。
【００３５】
本発明で用いる導体層パターン付き基材の製造法について、以下に説明する。
本発明に係る導体層パターン付き基材は、（Ｉ）めっき用導電性基材上に導体層をめっきにより形成する導体層作製工程を行い、（ＩＩ）その後、めっき用導電性基材上に形成された導体層を樹脂層を含む適当な基材に転写する転写工程、及び（ＩＩＩ）場合により、さらに、該基材を別の基材に交換する工程を含む方法により作製される。樹脂層に導体層を埋設する工程は、前記の転写工程において行われるか又は転写工程の後に行われる。
【００３６】
めっき用導電性基材は（図１０参照）、パターン状のめっき形成部を有する導電性基材であって、導電性基材の表面に絶縁層が形成されており、その絶縁層に開口方向に向かって幅広なめっきを形成するための凹部（めっき形成部）が形成されている。この凹部の底面には導電性材料が露出している。このめっき用導電性基材は、繰り返し使用することができるめっきのための版である。
【００３７】
本発明において、導電性基材に用いられる導電性材料は、その露出表面に電解めっきで金属を析出させるために十分な導電性を有するものであり、金属であることが特に好ましい。また、その基材は表面に電解めっきにより形成された金属層を接着性支持体に転写させることができるように、その上に形成された金属層との密着力が低く、容易に剥離できるものであることが好ましい。このような導電性基材の材料としてはステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料、ニッケルなどが特に好ましい。
【００３８】
前記の導電性基材の形状としては、シート状、プレート状、ロール状、フープ状等がある。ロール状の場合は、シート状、プレート状のものを回転体（ロール）に取り付けたものであってもよい。フープ状の場合は、フープの内側の２箇所から数箇所にロールを設置し、そのロールにフープ状の導電性基材を通すような形態等が考えられる。ロール状、フープ状ともに金属箔を連続的に生産することが可能であるため、シート状、プレート状に比較すると、生産効率が高く、好ましい。導電性基材をロールに巻きつけて使用する場合、ロールとして導電性のものを使用し、ロールと導電性基材が容易に導通するようにしたものが好ましい。
【００３９】
上記の絶縁層は、ダイヤモンドに類似したカーボン薄膜、いわゆるダイヤモンドライクカーボン（以下、ＤＬＣとする）薄膜のうち、絶縁性を有するものにて形成することができる。ＤＬＣ薄膜は、特に、耐久性、耐薬品性に優れているため、特に好ましい。
さらに、絶縁層をＡｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２のような無機材料で形成することもできる。
【００４０】
導電性基材の例を、図面を用いて説明する。
図１０は、めっき用導電性基材の一例を示す一部斜視図である。図１１は、図１０のＡ−Ａ断面図を示す。図１１の（ａ）は凹部の側面が平面的であるが、（ｂ）は凹部の側面になだらかな凹凸がある場合を示す。めっき用導電性基材３１は、導電性基材３２の上に絶縁層３３が積層されており、絶縁層３３に凹部３４が形成されており、凹部３４の底部は、導電性基材３２が露出している。凹部３４の底部は、導電性基材に導通している導体層であってもよい。
この例においては、絶縁層３３は、幾何学図形としては正方形であり、この正方形の周りに凹部３４が溝状に形成されている。
導電性基材３２と絶縁層３３の間には、絶縁層３３の接着性の改善等を目的として、導電性又は絶縁性の中間層（図示せず）が積層されていてもよい。または、凹部３４は、その幅が、開口方向に向かって全体として幅広になっている。図面のよう勾配αで一定に幅広になっている必要は必ずしもない。めっきにより形成される導体層パターンの剥離に問題がなければ、凹部は、開口方向に向かって幅が狭くなっている部分があってもよいが、このような部分がない方が良く、凹部は開口方向に向かって狭まっておらず全体として広がっていることが好ましい。特に、凹部の一側面がその対面と共に、底面に対して垂直となっている部分が高さ方向で１μｍ以上続く部分がないようにすることが好ましい。このようなめっき用導電性基材であれば、それを用いてめっきを行った後、析出した金属層をめっき用導電性基材から剥離するに際し、金属層と絶縁層との間の摩擦又は抵抗を小さくすることができ、その剥離がより容易になる。
【００４１】
上記のめっき用導電性基材によれば、めっきにより金属層が形成される凹部が開口方向に向かった幅広となっているため、めっきにより得られる導体層パターンの剥離が容易である。また、絶縁層をＤＬＣ又は無機材料からなるため導電性基材への密着性が優れ、その耐剥離性が優れる。その絶縁層は、中間層により導電性基材と絶縁層の間の密着性を向上させることができ、これにより、めっき用導電性基材の寿命を、さらに長くすることができる。開口方向に向かって幅広の凹部を持つめっき用導電性基材は、導電性基材上に凸状のパターンを形成し、絶縁層を形成後に、絶縁層が付着している凸状のパターンを除去することにより凹部を作製することができるため、その製造が容易で、生産性に富む。
【００４２】
めっき用導電性基材の製造方法としては、導電性基材の表面に、導電性基材を露出させている凹部によって幾何学図形が描かれるように絶縁層を形成する工程を含む。
この工程は、（Ａ）導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程、（Ｂ）除去可能な凸状のパターンが形成されている導電性基材の表面に、絶縁層を形成する工程及び（Ｃ）絶縁層が付着している凸状のパターンを除去する工程を含む。
【００４３】
上記（Ａ）導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程は、フォトリソグラフ法を利用して、レジストパターンを形成する方法を利用することができる。この方法（ａ法）は、（ａ−１）導電性基材の上に感光性レジスト層を形成する工程、（ａ−２）感光性レジスト層を導体層パターンに対応したマスクを通して露光する工程及び（ａ−３）露光後の感光性レジスト層を現像する工程を含む。
【００４４】
また、上記（Ａ）導電性基材の表面に、除去可能な凸状のパターンを形成する工程は、レーザ光を利用する方法を適用することができる。この方法（ｂ法）は、（ｂ−１）導電性基材の上に感光性レジスト層を形成する工程、（ｂ−２）感光性レジスト層に導体層パターンに対応した部分にマスクをせずレーザー光を照射する工程及び（ｂ−３）レーザー光を照射後の感光性レジスト層を現像する工程を含む。
【００４５】
感光性レジストとしては、よく知られたネガ型レジスト（光が照射された部分が硬化する）を使用することができる。また、このとき、マスクもネガ型マスク（凹部に対応する部分は光が通過する）が使用される。また、感光性レジストとしてはポジ型レジストを用いることができる。これらの方式に対応して上記ａ法及びｂ法における光照射部分が適宜決定される。
【００４６】
具体的方法として、導電性基材上にドライフィルムレジスト（感光性樹脂層）をラミネートし、マスクを装着して露光することにより、凸状パターンとして残存させる部分を硬化状態に不要部を現像可能状態とし、不要部を現像して除去することにより形成することができる。また、凸状パターンは、導電性基材に液状レジストを塗布した後に溶剤を乾燥するかあるいは仮硬化させた後、マスクを装着して露光することにより、凸状パターンとして残存させる部分を硬化状態に不要部を現像可能状態とし、不要部を現像して除去することにより形成することもできる。液状レジストは、スプレー、ディスペンサー、ディッピング、ロール、スピンコート等により塗布できる。
【００４７】
上記において、ドライフィルムレジストをラミネートし、又は液状レジストを塗布した後に、マスクを介して露光する代わりにレーザー光などでマスクを使用せず直接に露光する方法を採用することもできる。光硬化性樹脂にマスクを介して又は介さずして活性エネルギー線を照射することでパターニングできればその態様は問わない。
導電性基材のサイズが大きい場合などはドライフィルムレジストを用いる方法が生産性の観点からは好ましく、導電性基材がめっきドラムなどの場合は、ドライフィルムレジストをラミネートし、又は液状レジストを塗布した後にマスクを介さずにレーザー光などで直接に露光する方法が好ましい。
【００４８】
前記において、感光性レジストの代わりに光硬化性樹脂を用い、レーザー光の照射により光硬化性樹脂の不要部を除去する方法によっても行うことができる。
【００４９】
印刷法を用いてレジストパターン（凸状パターン）を形成することができるが、この場合には、レジストパターンの印刷方法としては様々な方法を用いることができる。例えば、スクリーン印刷、凸版印刷、凸版オフセット印刷、凸版反転オフセット印刷、凹版印刷、凹版オフセット印刷、インクジェット印刷、フレキソ印刷などを用いることができる。レジストとしては光硬化性又は熱硬化性の樹脂が使用できる。印刷後、光照射又は熱によりレジストを硬化させる。
【００５０】
めっき用導電性基材の製造方法の一例を、図面を用いて説明する。
図１２は、めっき用導電性基材の製造方法を示す工程の一例を断面図で示したものである。
【００５１】
導電性基材３２の上に感光性レジスト層（感光性樹脂層）３５が形成されている（図１２（ａ））。この積層物の感光性レジスト層（感光性樹脂層）３５に対し、フォトリソグラフ法を適用して感光性レジスト層３５をパターン化する（図１２（ｂ））。パターン化は、パターンが形成されたフォトマスクを感光性レジスト層３５の上に載置し、露光した後、現像して感光性レジスト層３５の不要部を除去して突起部３６を残すことにより行われる。突起部３６の形状とそれからなる凸状パターンは、導電性基材３２上の凹部３４とそのパターンに対応するよう考慮される。
【００５２】
この時、突起部３６の断面形状において、その側面は、導電性基材に対して垂直であること、又は、突起部３６が導電性基材３２に接する端部に対して、突起部３６の側面上方の少なくとも一部がその端部に覆い被さるような位置にあることが好ましい。突起部３６の幅で言う場合は、凸状パターン幅の最大値ｄは、凸状パターンと導電性基材３２に接する幅ｄと等しいか大きくすることが好ましい。これは、形成される密着性のよい絶縁層の凹部幅はｄによって決定されるからである。ここで、突起部３６の断面形状で、突起部３６の幅の最大値ｄが突起部３６と導電性基材３２に接する幅ｄ’と等しいか大きくする方法としては、突起部３６の現像時にオーバ現像するか、形状がアンダーカットとなる特性を有するレジストを使用すれば良い。ｄは凸部の上部で実現されていることが好ましい。
除去可能な凸部のパターンを形成する突起部３６の形状は、凹部の形状に対応づけられるが、その作製の容易性から、最大幅１μｍ以上、間隔が１μｍ以上、高さが１〜５０μｍであることが好ましい。めっき用導電性基材を、光透過性電磁波遮蔽部材用の導体層パターンを作製するために使用するときは、突起部３６は、最大幅１〜４０μｍ、間隔が５０〜１０００μｍ及び高さ１〜３０μｍであることがそれぞれ好ましい。特に最大幅３〜１０μｍ、間隔が１００〜４００μｍであることが好ましい。
【００５３】
前記した（Ｂ）除去可能な凸状パターンが形成されている導電性基材の表面に、絶縁層を形成する工程について、説明する。
突起部３６からなる凸状パターンを有する導電性基材３２の表面に絶縁層３７を形成する（図１２（ｃ））。
【００５４】
絶縁層としてＤＬＣ薄膜を形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、アーク放電法、イオン化蒸着法等の物理気相成長法、プラズマＣＶＤ法等の化学気相成長法等のドライコーティング法を採用し得るが、成膜温度が室温（２５℃）から制御できる高周波やパルス放電を利用するプラズマＣＶＤ法が特に好ましい。
【００５５】
上記ＤＬＣ薄膜をプラズマＣＶＤ法で形成するために、原料となる炭素源として炭化水素系のガスが好んで用いられる。例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン等のアルカン系ガス類、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン等のアルケン系ガス類、ペンタジエン、ブタジエン等のアルカジエン系ガス類、アセチレン、メチルアセチレン等のアルキン系ガス類、ベンゼン、トルエン、キシレン、インデン、ナフタレン、フェナントレン等の芳香族炭化水素系ガス類、シクロプロパン、シクロヘキサン等のシクロアルカン系ガス類、シクロペンテン、シクロヘキセン等のシクロアルケン系ガス類、メタノール、エタノール等のアルコール系ガス類、アセトン、メルエチルケトン等のケトン系ガス類、メタナール、エタナール等のアルデヒド系ガス類等が挙げられる。上記ガスは単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。また、元素として炭素と水素を含有する原料ガスとして上記した炭素源と水素ガスとの混合物、上記した炭素源と一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみからなる化合物のガスとの混合物、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみから構成される化合物のガスと水素ガスとの混合物、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみからなる化合物のガスと酸素ガスまたは水蒸気との混合物等が挙げられる。更に、これらの原料ガスには希ガスが含まれていてもよい。希ガスは、周期律表第０属の元素からなるガスであり、例えば、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン等が挙げられる。これらの希ガスは単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。
【００５６】
次に、前記した（Ｃ）絶縁層が付着している凸状パターンを除去する工程について説明する。絶縁層３７が付いている状態（図１２（ｃ）参照）で、突起部３６からなる凸状パターンを除去する（図１２（ｄ）参照）。  絶縁層の付着しているレジストの除去には、市販のレジスト剥離液や無機、有機アルカリ、有機溶剤などを用いることができる。また、パターンを形成するのに使用したレジストに対応する専用の剥離液があれば、それを用いることもできる。剥離の方法としては、例えば薬液に浸漬することでレジストを膨潤、破壊あるいは溶解させた後これを除去することが可能である。液をレジストに十分含浸させるために超音波、加熱、撹拌等の手法を併用しても良い。また、剥離を促進するためにシャワー、噴流等で液をあてることもできるし、柔らかい布や綿棒などでこすることもできる。
また、絶縁層の耐熱が十分高い場合には高温で焼成してレジストを炭化させて除去することもできるし、レーザーを照射して焼き飛ばす、といった方法も利用できる。剥離液としては、例えば、３質量％ＮａＯＨ溶液を用い、剥離法としてシャワーや浸漬が適用できる。
【００５７】
めっき法は公知の方法を採用することができる。めっき法としては、電解めっき法を適用することができる。
電解めっきについてさらに説明する。例えば、電解銅めっきであれば、めっき用の電解浴には硫酸銅浴、ほうふっ化銅浴、ピロリン酸銅浴、または、シアン化銅浴などを用いることができる。このときに、めっき浴中に有機物等による応力緩和剤（光沢剤としての効果も有する）を添加すれば、より電着応力のばらつきを低下させることができることが知られている。また、電解ニッケルめっきであれば、ワット浴、スルファミン酸浴などを使用することができる。これらの浴にニッケル箔の柔軟性を調整するため、必要に応じてサッカリン、パラトルエンスルホンアミド、ベンゼンスルホン酸ナトリウム、ナフタリントリスルホン酸ナトリウムのような添加剤、及びその調合剤である市販の添加剤を添加してもよい。さらに、電解金めっきの場合は、シアン化金カリウムを用いた合金めっきや、クエン酸アンモニウム浴やクエン酸カリウム浴を用いた純金めっきなどが用いられる。合金めっきの場合は、金−銅、金−銀、金−コバルトの２元合金や、金−銅−銀の３元合金が用いられる。他の金属に関しても同様に公知の方法を用いることができる。電解めっき法としては、例えば、「現場技術者のための実用めっき」（日本プレーティング協会編、１９８６年槇書店発行）第８７〜５０４頁を参照することができる。
【００５８】
めっきによって出現又は析出する金属としては、銀、銅、金、アルミニウム、タングステン、ニッケル、鉄、クロム等の導電性を有するものが使用されるが、２０℃での体積抵抗率（比抵抗）が２０μΩ・ｃｍ以下の金属を少なくとも１種類以上含むことが望ましい。本発明で用いる電磁波シールドフィルムとして用いる場合には電磁波を電流としてアースするためにこれを構成する金属は導電性が高い方が電磁波遮蔽性に優れるためである。このような金属としては、銀（１．６２μΩ・ｃｍ）、銅（１．７２μΩ・ｃｍ）、金（２．４μΩ・ｃｍ）、アルミニウム（２．７５μΩ・ｃｍ）、タングステン（５．５μΩ・ｃｍ）、ニッケル（７．２４μΩ・ｃｍ）、鉄（９．８μΩ・ｃｍ）、クロム（１７μΩ・ｃｍ、全て２０℃での値）などがあるが特にこれらに制限するものではない。できれば体積抵抗率が１０μΩ・ｃｍ以下であることがより好ましく、５μΩ・ｃｍ以下であることがさらに好ましい。金属の価格や入手の容易さを考慮すると銅を用いることが最も好ましい。これらの金属は単体で用いてもよく、さらに機能性を付与するために他の金属との合金でも構わないし、金属の酸化物であってもよい。ただし、体積抵抗率が２０μΩ・ｃｍ以下である金属が成分として最も多く含まれていることが導電性の観点から好ましい。
【００５９】
ついで、導体層パターン付き基材の製造工程における次の工程、すなわち、（ＩＩ）めっき用導電性基材上に形成された導体層（上記めっき用導電性基材の凹部に析出させた金属）を樹脂層を含む適当な基材に転写する転写工程、について説明する。
【００６０】
上記の適当な基材（樹脂層又は支持基材及びその上の樹脂層を含む）は、転写工程においては、その樹脂層は、粘着性を有しているもの又は粘着性を示すもの（これらを、「粘着剤」又は「粘着樹脂」という）からなる。この粘着剤には、必要に応じて、架橋剤、硬化剤、希釈剤、可塑剤、酸化防止剤、充填剤、着色剤、紫外線吸収剤や粘着付与剤などの添加剤を配合していてもよい。なお、上記「粘着性」とは、「接着性」を包含する。
転写用基材の支持基材としては、生産性を考えると、プラスチックフィルムが、好ましい。また、場合により、転写用基材は粘着剤層のみからなっていてもよい。
【００６１】
粘着剤層（樹脂層）の厚さは、薄すぎると十分な強度が得られないため、めっきで形成された導体層を転写する際に、導体層が粘着剤層に密着せず、転写不良が発生することがある。したがって、粘着剤層の厚みは、０．５μｍ以上であることが好ましく、１μｍ以上であることがより好ましく、量産時の転写信頼性を確保するためには３μｍ以上であることがさらに好ましい。また、粘着剤層の厚さが厚すぎると、粘着剤層の製造コストが高くなるとともに、ラミネートした際に、粘着剤層の変形量が多くなるため、粘着剤層の厚みは１００μｍ以下が好ましく、９０μｍ以下がより好ましく、７０μｍ以下がさらに好ましい。
【００６２】
転写工程において、転写用基材４０の粘着剤層に、熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂等の硬化性樹脂を含む粘着剤を使用した場合、その硬化は、転写用基材４０をめっき用導電性基材３１から剥離する前に行っても、剥離した後で行ってもよく、剥離前に半硬化させ、剥離後に完全硬化させてもよい。  特に、硬化性樹脂を含む粘着剤の硬化又は完全硬化を、転写用基材４０をめっき用導電性基材３１から剥離した後に行う場合、カバーレイフィルム、剥離性支持体を積層して、粘着剤層に貼り合わせると同時に行ってもよい。これにより、導体層を保護した導体層ターン付き基材とすることができる。
一般に、前記の導体層パターン付き基材の導体層パターン側を、カバーレフィルム、剥離性支持体等を、場合により樹脂層を介して、貼り合わせることにより、また、樹脂層を塗布などして被覆することにより、導体層を保護した導体層パターン付き基材とすることができる。
【００６３】
導体層の樹脂層への埋設方法について、さらに説明するが、これに制限するものではない。
めっき用導電性基材の凹部に析出しためっきを樹脂層を含む基材に転写した直後においては、導体層の少なくとも最大幅となる部分以下が既に樹脂層に埋没していてもよいし、埋没していなくてもよい。転写した直後において導体層の少なくとも最大幅となる部分以下を既に埋没させるためには、転写時における基材の樹脂層の流動性を高くする必要がある。それには、例えば、ラミネート温度を高くする方法、樹脂層の組成として反応性の低分子量物を添加しておく方法、樹脂層として液状樹脂を使用する方法等がある。また、この場合、基材がめっき用導電性基材に接触している状態で、樹脂層を硬化反応又は固化させてから、透明基材を剥離することが好ましい。硬化反応は、加熱、紫外線等の活性エネルギー線の照射などによるものであるが、瞬時に硬化させた方が生産性が向上するので、紫外線等の活性エネルギー線の照射による硬化が好ましい。
また、導体層を基材に転写した直後において、未だ導体層の最大幅となる部分が樹脂層に埋没していない場合（全く又はほとんど埋設されていない場合を含む）には、別工程で導体層を樹脂層中に少なくとも導体層の最大幅となる部分以下（その他の部分）を樹脂層に埋没させる必要がある。そのためには、導体層を基材に転写後、導体層の付いている基材をロールラミネータやプレスなどで、必要に応じて加熱又は活性エネルギー線を照射しながら、加圧して少なくとも導体層の少なくとも最大幅の部分以下を樹脂中に埋没させる。このとき、必要に応じて加熱又はエネルギー線を照射して硬化反応を同時に行ってもよく、加熱は流動性を高めるために行ってもよい。また、この場合、表面を保護したり、加圧工程又は後工程で樹脂を紫外線硬化する場合の酸素遮断を目的に、別途フィルムその他の剥離可能な基材を導体層の付いている基材の導体層の上から積層しても良い。樹脂層に硬化性樹脂を使用した場合は、加圧と同時に硬化させない場合は、上記の加圧後に加熱又は活性エネルギー線を照射するなどして樹脂層を硬化させることが好ましい。
また、樹脂層に硬化性樹脂を用いた場合には、基材を上記の転写に供する前、転写後の埋設工程に供する前に、樹脂層の流動性を調整するために、部分的に硬化反応を行っても良いが、転写前に行うときには、転写に必要な粘着性を損なわない程度に行われる。
【００６４】
また、めっき用導電性基材として、回転体（ロール）を用いることができることは前記したが、さらに、この詳細を説明する。回転体（ロール）は金属製が好ましい。さらに、回転体としてはドラム式電解析出法に用いるドラム電極などを用いることが好ましい。ドラム電極の表面を形成する物質としては上述のようにステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料などのめっき付着性が比較的低い材料を用いることが好ましい。導電性基材として回転体を用いることにより連続的に作製して巻物として導体層パターン付き基材を得ることが可能となるため、この場合、生産性が飛躍的に大きくなる。
回転体を用いて、電解めっきにより形成されたパターンを連続的に剥離しながら、導体層パターン付き基材を巻物として得る工程及び導電性基材としてドラム電極を用いた場合に、ドラム電極を回転させつつ、金属を電解めっきにより連続的に析出させ、また、析出した金属を連続的に剥離する装置は、国際公開第０８／０８１９０４号パンフレットに記載される方法及び装置を利用することができる。
【実施例】
【００６５】
（実施例１）
＜めっき用導電基材の作製＞
まず、めっき用導電基材を作製した。
（パターン仕様）
以下の仕様で、パターン形成用のネガフィルムを作製した。光透過部のライン幅が１５μｍ、ラインピッチが３００μｍ、バイアス角度が４５°（正四角形のなかに、ラインが正四角形の辺に対して４５度の角度になるように配されている、開口率９０％）で、格子状にパターンを１２０ｍｍ角のサイズで形成した。
【００６６】
（凸状パターンの形成）
レジストフィルム（フォテックＲＹ３３１５、日立化成工業株式会社製）を１５０ｍｍ角のステンレス板（ＳＵＳ３１６Ｌ、＃４００研磨仕上げ、厚さ５００μｍ、日新製鋼株式会社製）の両面に貼り合わせた（図１２（ａ）に対応するが同一ではない）。貼り合わせの条件は、ロール温度１０５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎで行った。次いで、パターン仕様のネガフィルムを、ステンレス板の片面に静置した。紫外線照射装置を用いて、６００ｍｍＨｇ以下の真空下において、ネガフィルムを載置したステンレス板の上下から、紫外線を２５０ｍＪ／ｃｍ２照射した。さらに、１質量％炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、ＳＵＳ板の上にライン幅９〜１１μｍ、ラインピッチ３００μｍ、バイアス角度４５度の突起部レジスト膜（突起部；高さ１５μｍ）を得た。なお、パターンが形成された面の反対面は、全面露光されているため、現像されず、全面にレジスト膜が形成されている（図１２（ｂ）に対応するが同一ではない）。
【００６７】
（絶縁層の形成）
ＰＢＩＩ／Ｄ装置（ＴｙｐｅＩＩＩ、株式会社栗田製作所製）によりＤＬＣ膜を形成する。チャンバー内にレジスト膜が付いたままのステンレス基板を入れ、チャンバー内を真空状態にした後、アルゴンガスで基板表面のクリーニングを行った。次いで、チャンバー内にヘキサメチルジシロキサンを導入し、膜厚０．１μｍとなるように中間層を成膜した。次いで、トルエン、メタン、アセチレンガスを導入し、膜厚が２〜３μｍとなるように、中間層の上にＤＬＣ層を形成した（図１２（ｃ）に対応するが同一ではない）。
【００６８】
（凹部の形成；絶縁層の付着した凸状パターンの除去）
絶縁層が付着したステンレス基板を水酸化ナトリウム水溶液（１０質量％、５０℃）に浸漬し、時々揺動を加えながら８時間放置した。凸状パターンを形成するレジスト膜とそれに付着したＤＬＣ膜が剥離してきた。一部剥がれにくい部分があったため、布で軽くこすることにより全面剥離し、めっき用導電性基材を得た（図１２（ｄ）に対応するが同一ではない）。
凹部の形状は、開口方向に向かって幅広になっており、その凹部側面の傾斜角は、前記境界面の角度と同じであった。凹部の深さは２〜３μｍであった。また、凹部の底部での幅は、９〜１１μｍ、開口部での幅（最大幅）は１３〜１６μｍ、であった。凹部のラインピッチは３００μｍであった。
【００６９】
＜導体層のパターンの形成＞
（銅めっき）
さらに、上記で得られためっき用導電性基材のパターンが形成されていない面（裏面）に粘着フィルム（ヒタレックスＫ−３９４０Ｂ、日立化成工業株式会社製）を貼り付けた。この粘着フィルムを貼り付けためっき用導電性基材を陰極として、また、含燐銅を陽極として電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）２５０ｇ／Ｌ、硫酸７０ｇ／Ｌ、キューブライトＡＲ（荏原ユージライト株式会社製、添加剤）４ｍｌ／Ｌの水溶液、３０℃）中に浸し、両極に電圧をかけて電流密度を１０Ａ／ｄｍ２として、めっき用導電性基材の凹部に析出した金属の厚さがほぼ６μｍになるまでめっきした。めっき用導電性基材の凹部の中とそれからあふれるようにめっきが形成された。
【００７０】
＜転写用基材の作製＞
ＰＥＴフィルムＨＰＥ−２５（帝人デュポン株式会社製）に感圧型の粘着剤層厚みが２５μｍである粘着フィルム（ヒタレックスＤＡ３０２５、日立化成工業株式会社製）の片面のセパレータを剥離し、粘着剤面に貼りあわせた。
【００７１】
＜導体層のパターンの転写＞
次いで、上記転写用基材の粘着剤層の面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた（図１４（ｇ）に対応）。ラミネート条件は、ロール温度３０℃、圧力０．３ＭＰａ、ラインスピード１．０ｍ／ｍｉｎとした。次いで、めっき用導電性基材に貼り合わせた転写用基材を剥離したところ、上記めっき用導電性基材上に析出した銅が転写用基材の粘着剤層に転写されていた（図１４（ｈ）に対応）。
【００７２】
得られた導体層パターン付き基材を一部分切り取り、その断面を、走査型電子顕微鏡写真（倍率２０００倍）に撮って、観察した。任意に五カ所選択し、導体層パターンの断面形状は、図５（ａ）のような形状であり、下部層の厚みＴ２は３〜４μｍ、上部層の厚みＴ１は２〜３μｍ、全体の厚みＴは６μｍ、最大幅Ｌは１７〜２０μｍ、下部の上底の幅Ｌ１は９〜１１μｍ、下底の幅Ｌ２は１３〜１６μｍ、下部層の断面両端には曲率の比較的大きな彎曲があり、上部層の断面中央部の彎曲の曲率は非常に小さく、ほぼ平坦であり、角度αは４５°であった。導体層パターンのラインピッチ３００μｍであった。このような導体層の格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られていることを確認した。また、導体層の上部層の断面中央部の表面も両端部の湾曲部の一部の表面も露出していた。導体層パターンが樹脂層に埋設している部分の最大厚み（ｆ）は３〜４μｍであり、導体層パターンの最大幅の部分は埋没していた。このｆの導体層パターン全体の厚み（Ｔ）に対する割合（ｆ／Ｔ）は０．３３〜０．５０であった。また、下部層の厚みＴ２の導体層パターンの最大幅Ｌに対する割合（Ｔ２／Ｌ）は０．１５〜０．２３であった。
【００７３】
得られた導体層パターン付き基材の表面抵抗は、０．１Ω／□であった。表面抵抗は、四探針法表面抵抗測定装置ロレスターＧＰ  ＭＣＰ−Ｔ６００（三菱化学株式会社）製を用いて、サンプルサイズ５０ｍｍ角で測定した。
上記のようにして得られた導体層パターン付き基材を図１に示したように、電子機器内に実装された電子部品の表面を電磁波シールドフィルムの導体層が形成された面を電子部品のグランドパターンに常温で貼り合わせた。この電子部品の電磁波シールド方法では、グランドパターンとの接続が容易で、貼り合わせた後の内部を目視で確認できた。
【符号の説明】
【００７４】
２０．導体層
２１．上部（台形状部分）
２２．下部（半円形部分）
２３．肩部
２４．樹脂層
３１．めっき用導電性基材
３２．導電性基材
３３．絶縁層
３４．凹部
３５．感光性レジスト層（感光性樹脂層）
３６．突起部
３７．絶縁層（ＤＬＣ膜）
３９．導体層パターン
４０．転写用基材
４２．粘着剤層
４３．保護樹脂
５０．導体層パターン付基材
５１．支持基材
５２．樹脂層
５３．基材
５４．導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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