(57)【要約】【課題】封止体が形成された基板（組み立て体）の反りを抑制する。【解決手段】多数個取り基板１０に貫通孔１０ｅ，１０ｆを形成し、かつ成形金型の下型に下面ゲート側キャビティや下面エアベント側キャビティが形成されたことで、多数個取り基板１０の上面１０ａ側の本体封止部１７ａやゲート側周辺封止部１７ｂだけでなく、下面１０ｂ側にもゲート側下面封止部１８ａやエアベント側下面封止部１８ｂが形成され、これにより、基板の下面１０ｂ側にも熱膨張または熱収縮による応力を発生させることができ、基板の両面において発生する応力のバランスを取って多数個取り基板１０の反りを抑制できる。【選択図】図１３
2012195330.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法：
（ａ）上面と、前記上面とは反対側の下面と、前記上面及び前記下面のうちの一方から他方に向かって形成された第１貫通孔と、前記上面及び前記下面のうちの前記一方から前記他方に向かって形成された第２貫通孔と、前記上面に形成され、かつ、平面視において前記第１貫通孔と前記第２貫通孔との間に設けられた複数の上面側デバイス領域と、前記複数の上面側デバイス領域のそれぞれに形成された複数のボンディングリードと、前記下面に形成され、かつ、平面視において前記第１貫通孔と前記第２貫通孔との間に設けられた複数の下面側デバイス領域と、前記複数の下面側デバイス領域のそれぞれに形成された複数のランドと、を備えた配線基板を準備する工程；
（ｂ）前記複数の上面側デバイス領域に複数の半導体チップをそれぞれ搭載する工程；
（ｃ）前記複数の半導体チップ、前記複数の上面側デバイス領域、前記第１貫通孔、及び前記第２貫通孔を一括して封止する上面側封止部と、前記上面側封止部と前記第１貫通孔を介して一体に形成され、かつ、前記下面において前記複数の下面側デバイス領域の外側に形成され、かつ、前記第１貫通孔を封止する第１下面側封止部と、前記上面側封止部と前記第２貫通孔を介して一体に形成され、かつ、前記下面において前記複数の下面側デバイス領域の外側に形成され、かつ、前記第２貫通孔を封止する第２下面側封止部と、を形成する工程；
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記上面側封止部、前記第１下面側封止部、及び前記第２下面側封止部が形成された前記配線基板を、ガイドレールを用いて別の処理部に搬送する工程。
【請求項２】
請求項１において、
前記上面側封止部は、前記複数の半導体チップ、前記複数の上面側デバイス領域及び前記第２貫通孔を一括して封止する本体封止部と、前記本体封止部と一体に形成され、かつ、前記複数の上面側デバイス領域の外側に設けられた前記第１貫通孔を封止する第１周辺封止部と、を有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項１において、
前記上面側封止部は、前記複数の半導体チップ及び前記複数の上面側デバイス領域を一括して封止する本体封止部と、前記本体封止部と一体に形成され、かつ、前記複数の上面側デバイス領域の外側に設けられた前記第１貫通孔を封止する第１周辺封止部と、前記本体封止部と一体に形成され、かつ、前記複数の上面側デバイス領域の外側に設けられた前記第２貫通孔を封止する第２周辺封止部とを有していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２において、
前記本体封止部と前記第１周辺封止部との間には凹部が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項３において、
前記本体封止部と前記第１周辺封止部との間、及び前記本体封止部と前記第２周辺封止部との間にはそれぞれ凹部が形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記第１周辺封止部と前記第２周辺封止部は、互いに分離していることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１において、
前記配線基板は平面形状が長方形からなり、前記第１下面側封止部及び前記第２下面側封止部は、前記配線基板の長辺のみに沿って形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１において、
前記配線基板は平面形状が長方形からなり、前記（ｃ）工程で成型金型においてクランプした際、前記配線基板の第１長辺に沿って複数のゲートが配置され、かつ前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔は、前記第１長辺及び前記第１長辺に対向する第２長辺に沿って配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１において、
前記第１貫通孔及び前記第２貫通孔のそれぞれは、複数個設けられており、前記配線基板の辺に沿って設けられたゲートパターンが延在する延長線上に配置されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１において、
前記（ｄ）工程は、前記上面側封止部にマーキングを行うマーク工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１において、
前記（ｄ）工程の後、前記配線基板の前記複数のランドに半田ボールを設けるボール付け工程と、個々の前記半導体装置に個片化を行うダイシング工程をさらに含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１において、
前記（ｃ）工程で、前記配線基板の下面側に配置された成形金型のゲートから樹脂を注入して前記第１下面側封止部、前記上面側封止部及び前記第２下面側封止部を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１において、
前記（ｃ）工程の後、前記上面側封止部、前記第１下面側封止部及び前記第２下面側封止部が形成された前記配線基板を、支持部を有するラックの前記支持部上に載置して前記ラックに収納し、その後、前記ラックの前記支持部と前記ガイドレールとを連結して前記ガイドレールの案内で前記配線基板を前記別の処理部に搬送することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１０において、
前記マーク工程では、前記ガイドレールによって前記配線基板の両端を支持した状態で前記配線基板上の前記上面側封止部にマーキングを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、特に、配線基板に設けられた複数のデバイス領域を一括して樹脂で封止する一括モールドに適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
基材（配線基板）上に半導体チップを搭載して組み立てる半導体装置の組み立てにおいて、基材の表面の複数の纏まった数のデバイス領域を一括して樹脂封止し、封止後に個片化して半導体装置を組み立てる、所謂、一括モールド（一括封止）方式を適用した組み立てが知られている。
【０００３】
このような一括モールド方式を適用した半導体装置の組み立てとしては、例えば特開２００４−１７９３４５号公報（特許文献１）や特開２０００−１２４１６３号公報（特許文献２）にその製造方法が示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１７９３４５号公報
【特許文献２】特開２０００−１２４１６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
樹脂封止型の半導体装置のうち、基材（配線基板）の片面（上面、チップ搭載面）にのみ封止体が形成される半導体装置は、反り易い。この反りの原因は、封止体を構成する材料（部材）の線膨張係数が、基材を構成する材料（部材）と異なるためである。
【０００６】
この基材の反りの問題は、配線基板に設けられた複数のデバイス領域を一括して樹脂で封止する一括モールド方式を適用した場合に、特に顕著とされている。
【０００７】
また、封止体が形成された基材（組み立て体）が反っていると、この基材を、封止体を形成する工程（モールド工程）から次の工程に搬送する際、例えばガイドレールを用いて搬送することが困難となる。
【０００８】
なお、ガイドレール方式は、配線基板の両側の端部をレールで支持した状態で配線基板を案内しながら搬送する方式であるが、配線基板が反っていると配線基板が移動しない、あるいは移動し難くなるといった搬送不良が発生する。
【０００９】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、封止体が形成された基板（組み立て体）の反りを抑制することができる技術を提供することにある。
【００１０】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１２】
代表的な実施の形態による半導体装置の製造方法は、上面及び下面のうちの一方から他方に向かって形成された第１貫通孔及び第２貫通孔と、第１貫通孔と第２貫通孔との間に設けられた複数の上面側デバイス領域と、第１貫通孔と第２貫通孔との間に設けられた複数の下面側デバイス領域とを備えた配線基板を準備する。さらに、複数の半導体チップ、複数の上面側デバイス領域、第１貫通孔及び第２貫通孔を一括して封止する上面側封止部と、上面側封止部と第１貫通孔を介して一体に形成され、かつ複数の下面側デバイス領域の外側に形成され、かつ第１貫通孔を封止する第１下面側封止部と、上面側封止部と第２貫通孔を介して一体に形成され、かつ複数の下面側デバイス領域の外側に形成され、かつ第２貫通孔を封止する第２下面側封止部とを形成する。さらに、上面側封止部、第１下面側封止部及び第２下面側封止部が形成された配線基板を、ガイドレールを用いて別の処理部に搬送することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１４】
封止体が形成された基板（組み立て体）の反りを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の一例を示す平面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の裏面側の構造の一例を示す裏面図である。
【図３】図１に示す半導体装置の内部構造の一例を封止体を透過して示す平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図５】図１に示す半導体装置の組み立てで用いられる配線基板の構造の一例を示す平面図である。
【図６】図５に示す配線基板の裏面側の構造の一例を示す裏面図である。
【図７】図１の半導体装置の組み立てにおけるダイボンディング時とワイヤボンディング時の構造の一例を示す斜視図である。
【図８】図１の半導体装置の組み立てにおけるモールド時とモールドベーク時とマーク時の構造の一例を示す斜視図である。
【図９】図１の半導体装置の組み立てにおけるボール搭載時と個片切断時と梱包・出荷時の構造の一例を示す斜視図である。
【図１０】図１の半導体装置の組み立てにおけるダイボンディング後の構造の一例を示す平面図である。
【図１１】図１の半導体装置の組み立てのモールド工程で用いられる成形金型の構造の一例を示す部分断面図である。
【図１２】図１の半導体装置の組み立てにおける樹脂モールド後の組み立て体の構造の一例を示す平面図である。
【図１３】図１２のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図１４】図１２のＢ−Ｂ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図１５】図１の半導体装置の組み立てのモールドベーク工程における組み立て体のラック収納状態の一例を示す部分断面図である。
【図１６】図１５のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図である。
【図１７】図１の半導体装置の組み立てのマーク工程におけるレーザ照射状態の一例を示す断面図である。
【図１８】本発明の実施の形態２の半導体装置の組み立てにおける樹脂モールド後の組み立て体の構造の一例を示す平面図である。
【図１９】図１８のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【図２０】本発明の実施の形態２の半導体装置の組み立てのモールド工程で用いられる成形金型の構造の一例を示す部分断面図である。
【図２１】本発明の実施の形態２の半導体装置の組み立てにおける第１変形例の樹脂モールド後の組み立て体の構造を示す平面図である。
【図２２】本発明の実施の形態２の半導体装置の組み立てにおける第２変形例の樹脂モールド後の組み立て体の構造を示す断面図である。
【図２３】本発明の実施の形態２の第３変形例の構造を示す断面図である。
【図２４】比較例の半導体装置の組み立てにおける組み立て体のラック収納状態を示す部分断面図である。
【図２５】図２４のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す部分断面図である。
【図２６】図２４のＢ−Ｂ線に沿って切断した構造を示す部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下の実施の形態では特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００１７】
さらに、以下の実施の形態では便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明などの関係にある。
【００１８】
また、以下の実施の形態において、要素の数など（個数、数値、量、範囲などを含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合などを除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良いものとする。
【００１９】
また、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００２０】
また、以下の実施の形態において、構成要素等について、「Ａからなる」、「Ａよりなる」、「Ａを有する」、「Ａを含む」と言うときは、特にその要素のみである旨明示した場合等を除き、それ以外の要素を排除するものでないことは言うまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００２１】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００２２】
（実施の形態１）
図１は本発明の実施の形態１の半導体装置の構造の一例を示す平面図、図２は図１に示す半導体装置の裏面側の構造の一例を示す裏面図、図３は図１に示す半導体装置の内部構造の一例を封止体を透過して示す平面図、図４は図３のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。
【００２３】
まず、本実施の形態１の半導体装置について説明する。
【００２４】
図１〜図４に示す本実施の形態１の半導体装置は、基材である配線基板２の上面２ａに搭載された半導体チップ１が封止体４によって樹脂封止され、かつ半導体チップ１が配線基板２のボンディングリード２ｃとワイヤ７を介して電気的に接続されて成る半導体パッケージであり、本実施の形態１では、前記半導体装置の一例として、配線基板２の下面２ｂに複数の外部接続用端子である半田ボール５が、図２に示すように外周部に設けられたＢＧＡ（Ball Grid Array)９を取り上げて説明する。ただし、半田ボール５は、例えば、グリッド状（格子状）等に配置されていてもよい。
【００２５】
なお、本実施の形態１のＢＧＡ９は、図５に示すような多数個取り基板１０を用いて一括モールド方式により樹脂封止され、かつ樹脂封止後に個片化されて組み立てられた半導体パッケージである。
【００２６】
ＢＧＡ９の詳細構成について説明すると、上面（表面、チップ搭載面）２ａ、上面２ａに形成された複数の接続用端子であるボンディングリード２ｃ、上面２ａとは反対側の下面（裏面、実装面）２ｂ、及び下面２ｂに形成された複数のランド２ｄを有する配線基板（ＢＧＡ基板もしくはパッケージ基板等ともいう）２と、表面１ａ及び表面１ａに形成された複数の電極パッドであるボンディングパッド１ｃを有し、かつ配線基板２の上面２ａに搭載された半導体チップ１と、配線基板２の複数のボンディングリード２ｃと半導体チップ１の複数のボンディングパッド１ｃとをそれぞれ電気的に接続する複数のワイヤ７と、配線基板２の複数のランド２ｄにそれぞれ設けられた複数の外部接続用端子である半田ボール５とを有している。
【００２７】
すなわち、ＢＧＡ９は、図３及び図４に示すように、半導体チップ１が配線基板２上に搭載されているとともに配線基板２とワイヤ接続され、さらに半導体チップ１と複数のワイヤ７が樹脂製の封止体４によって封止された基板タイプの半導体パッケージである。
【００２８】
なお、半導体チップ１は、図４に示すように、表面１ａとこの表面１ａとは反対側の裏面１ｂを有しており、この裏面１ｂが配線基板２の上面２ａと対向するように配置され、樹脂ペースト材等のダイボンド材６によって配線基板２の上面２ａに固着されている。
【００２９】
ここで、半導体チップ１は、例えば、シリコンによって形成され、さらにワイヤ７は、例えば、金線である。また、封止体４を形成する封止用の樹脂３は、例えば、熱硬化性のエポキシ樹脂である。外部接続用端子は、Ｓｎ−Ｐｂ系半田やＰｂフリー半田等の半田材を用いた半田ボール５である。
【００３０】
また、配線基板２は、例えば、ガラスエポキシ樹脂等のコア材に対して複数の配線層及び絶縁層が形成されて成る樹脂基板であり、上面２ａに露出する複数のボンディングリード２ｃ、及び下面２ｂに露出する複数のランド２ｄ以外の領域は、絶縁膜であるソルダレジスト膜によって覆われている。なお、複数のボンディングリード２ｃや複数のランド２ｄを含む配線層は、例えば、銅合金から成る。
【００３１】
このように半導体チップ１のボンディングパッド１ｃからＢＧＡ９の外部接続用端子である半田ボール５までが、ワイヤ７、ボンディングリード２ｃ、ビア（図示せず）及びランド２ｄ等を介して電気的に接続されている。
【００３２】
次に、本実施の形態１のＢＧＡ（半導体装置）９の製造方法について説明する。
【００３３】
図５は図１に示す半導体装置の組み立てで用いられる配線基板の構造の一例を示す平面図、図６は図５に示す配線基板の裏面側の構造の一例を示す裏面図である。また、図７は図１の半導体装置の組み立てにおけるダイボンディング時とワイヤボンディング時の構造の一例を示す斜視図、図８は図１の半導体装置の組み立てにおけるモールド時とモールドベーク時とマーク時の構造の一例を示す斜視図、図９は図１の半導体装置の組み立てにおけるボール搭載時と個片切断時と梱包・出荷時の構造の一例を示す斜視図である。さらに、図１０は図１の半導体装置の組み立てにおけるダイボンディング後の構造の一例を示す平面図である。
【００３４】
まず、図５に示すような平面形状が長方形からなる上面（表面、チップ搭載面）１０ａと、図６に示すような同じく平面形状が長方形からなり、かつ上面１０ａとは反対側の下面（裏面、実装面）１０ｂとを備えた多数個取り基板（配線基板）１０を準備する。
【００３５】
また、多数個取り基板１０には、上面１０ａ及び下面１０ｂのうちの一方から他方に向かって形成された（上面１０ａと下面１０ｂとの間に形成された）細長いスリット（貫通孔）１０ｅと、上面１０ａ及び下面１０ｂのうちの一方から他方に向かって形成された（上面１０ａと下面１０ｂとの間に形成された）同じく細長いスリット（貫通孔）１０ｆとが形成されている。
【００３６】
なお、本実施の形態１では、図５及び図６に示すように、貫通孔１０ｅと貫通孔１０ｆは、長方形の多数個取り基板１０の対向する長辺にそれぞれ沿って２つずつ形成されている。ただし、貫通孔１０ｅ，１０ｆは、多数個取り基板１０の対向する長辺にそれぞれ沿って形成されるとともに樹脂３が通ることが可能な貫通した孔であり、さらに基板の強度を著しく低下させない形状であれば、スリット状に限定されるものではなく、例えば、複数の長孔や複数の円形の孔等であってもよい。
【００３７】
また、多数個取り基板１０の上面１０ａ側には、図５に示すように、平面視において貫通孔１０ｅと貫通孔１０ｆとの間にマトリクス配置で設けられた複数の上面側デバイス領域であるデバイス領域１０ｃと、複数のデバイス領域１０ｃのそれぞれに形成された図３に示す複数のボンディングリード（電極パッド）２ｃとが形成されている。さらに、後述する図１１に示す樹脂封止用の成形金型１４のゲート側に対応した多数個取り基板１０の長辺のみに沿って複数のゲートパターン１０ｇが形成されている。
【００３８】
つまり、貫通孔１０ｅと貫通孔１０ｆのそれぞれは、多数個取り基板１０の長辺に沿って設けられたゲートパターン１０ｇが延在する延長線上に配置されている。なお、ゲートパターン１０ｇは、例えば、メッキから成るものであり、樹脂封止後のゲートレジン１９（図１３参照）の剥離性を向上させるものである。
【００３９】
このように貫通孔１０ｅと貫通孔１０ｆのそれぞれが、多数個取り基板１０の長辺に沿って設けられたゲートパターン１０ｇが延在する延長線上に配置されていることで、樹脂注入時の樹脂３がその流れに沿って貫通孔１０ｅや貫通孔１０ｆに入り易くなるため、樹脂３を多数個取り基板１０の下面１０ｂ側に回り込み易くすることができる。
【００４０】
一方、多数個取り基板１０の下面１０ｂ側には、図６に示すように、平面視において貫通孔１０ｅと貫通孔１０ｆとの間にマトリクス配置で設けられた複数の下面側デバイス領域であるデバイス領域１０ｄと、複数のデバイス領域１０ｄのそれぞれに形成された複数のランド（電極パッド）２ｄとが形成されている。本実施の形態１では、複数のランド２ｄが、各デバイス領域１０ｄに格子状（グリッド状）に配置されている場合を例に取り上げて説明するが、複数のランド２ｄの数や配置形態は特に限定されるものではない（図６では便宜上、複数のランド２ｄが格子状に配置されている場合を図示しているが、ランド２ｄの配列は特に限定されるものではなく、半導体装置の品種等に応じて図２に示すような周辺配置であってもよい）。
【００４１】
なお、多数個取り基板１０の複数のデバイス領域１０ｃ，１０ｄの１つが、組み立て後のＢＧＡ９の配線基板２に対応しており、したがって、多数個取り基板１０も、例えば、ガラスエポキシ樹脂等のコア材に対して複数の配線層及び絶縁層が形成されて成る樹脂基板である。
【００４２】
また、図５及び図６に示すように、多数個取り基板１０の対向する長辺の周縁部には、位置決め用またはガイド用の孔部１０ｈが複数個形成されている。
【００４３】
以上のような多数個取り基板１０を準備した後、図７のステップＳ１に示すダイボンディングを行う。ここでは、図１０に示すように、多数個取り基板１０の上面１０ａの複数のデバイス領域（上面側デバイス領域）１０ｃに、裏面１ｂが多数個取り基板１０の上面１０ａと対向するように複数の半導体チップ１をそれぞれ搭載する。ここで、半導体チップ１は、図３及び図４に示すように、表面１ａ、表面１ａに形成された複数のボンディングパッド１ｃ、表面１ａとは反対側の裏面１ｂを有している。
【００４４】
なお、ダイボンディング工程では、図７のステップＳ１に示すように、まず、ヒートステージ８上に多数個取り基板１０を載置し、その後、コレット１１によって半導体チップ１を保持（例えば、真空吸着保持等）して搬送し、図５に示す各デバイス領域１０ｃに載置する。コレット１１によって半導体チップ１を基板上に移載する際には、予め、多数個取り基板１０の各デバイス領域１０ｃに、図４に示すダイボンド材６（例えば、樹脂ペースト材等）を塗布しておく。
【００４５】
ダイボンディング完了後、図７のステップＳ２に示すワイヤボンディングを行う。ここでは、多数個取り基板１０に搭載された図３に示す半導体チップ１のボンディングパッド１ｃと多数個取り基板１０（配線基板２）のボンディングリード２ｃとをワイヤ７を介して電気的に接続する。ワイヤボンディング工程では、図７に示すように、まず、ヒートステージ１２上に多数個取り基板１０を載置し、キャピラリ等のボンディングツール１３を用いて半導体チップ１と多数個取り基板１０とをワイヤ７によって電気的に接続する。
【００４６】
ワイヤボンディング完了後、図８のステップＳ３に示すモールドを行う。
【００４７】
図１１は図１の半導体装置の組み立てのモールド工程で用いられる成形金型の構造の一例を示す部分断面図、図１２は図１の半導体装置の組み立てにおける樹脂モールド後の組み立て体の構造の一例を示す平面図、図１３は図１２のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図１４は図１２のＢ−Ｂ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図である。また、図１５は図１の半導体装置の組み立てのモールドベーク工程における組み立て体のラック収納状態の一例を示す部分断面図、図１６は図１５のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す部分断面図、図１７は図１の半導体装置の組み立てのマーク工程におけるレーザ照射状態の一例を示す断面図である。
【００４８】
モールド工程では、まず、図１１に示すような樹脂封止用の成形金型１４を準備する。本実施の形態１の成形金型１４は、一対を成すとともに相互に対向して配置される上型（金型）１５と下型（金型）１６を備えており、上型１５には、図４に示す封止体４を形成するための主キャビティ（上面用凹部）１５ａ、主キャビティ１５ａに樹脂３を供給するための樹脂注入口であるゲート１５ｄ、主キャビティ１５ａのゲート側の隣に配置された上面ゲート側キャビティ（上面用凹部）１５ｂ、主キャビティ１５ａと上面ゲート側キャビティ１５ｂとの間に設けられた上面ゲート側突出部（突出部）１５ｃ、及び主キャビティ１５ａに繋がり、かつ主キャビティ１５ａ内のエアを送り出すエアベント１５ｅが形成されている。
【００４９】
さらに、上型１５には、封止用の樹脂３の流路となり、かつゲート１５ｄに繋がるランナ１５ｆやカル１５ｇが形成されている。なお、ゲート１５ｄは上面ゲート側キャビティ１５ｂに繋がっており、ゲート１５ｄから注入された樹脂３は上面ゲート側キャビティ１５ｂを介して主キャビティ１５ａに充填される。
【００５０】
一方、上型１５と対向して配置される下型１６は、主キャビティ１５ａと対向して配置される基板載置面１６ａ、上面ゲート側キャビティ１５ｂと対向し、かつ基板載置面１６ａのゲート側の隣に形成された下面ゲート側キャビティ（下面用凹部）１６ｂ、及び基板載置面１６ａのエアベント側の隣に形成された下面エアベント側キャビティ（下面用凹部）１６ｃを有している。
【００５１】
さらに、下型１６には、硬化状（タブレット状）の樹脂３を収納するとともに溶融状態の樹脂３をランナ１５ｆに向けて押し出すポット１６ｄ及びプランジャ１６ｅが設けられ、また、樹脂充填中に多数個取り基板１０を吸着支持するための吸引通路１６ｆが形成されている。吸引通路１６ｆは、基板載置面１６ａに開口しており、モールド時に多数個取り基板１０を真空吸着可能な構造となっている。
【００５２】
なお、上面ゲート側キャビティ１５ｂ、上面ゲート側突出部１５ｃ、下面ゲート側キャビティ１６ｂ及び下面エアベント側キャビティ１６ｃは、基板載置面１６ａ上に載置される多数個取り基板１０の長手方向に沿って細長く形成されている。
【００５３】
すなわち、下面ゲート側キャビティ１６ｂは、基板載置面１６ａに載置された状態の多数個取り基板１０の一列に並んだ２つ分の貫通孔１０ｅに対応するように細長く延在した形状に形成されている。同様に、下面エアベント側キャビティ１６ｃも、多数個取り基板１０の一列に並んだ２つ分の貫通孔１０ｆに対応するように細長く延在した形状に形成されている。さらに、上面ゲート側キャビティ１５ｂは下面ゲート側キャビティ１６ｂに対向する位置に同様に細長く延在した形状に形成されている。
【００５４】
また、上面ゲート側突出部１５ｃは、上型キャビティを、主キャビティ１５ａと上面ゲート側キャビティ１５ｂとに分割するように突出して形成されている。ただし、図１１に示すように金型クランプ時に、多数個取り基板１０に接触しないような突出量で形成されている。つまり、金型クランプ時に、上面ゲート側突出部１５ｃの先端と多数個取り基板１０との間に所望の隙間が形成されるような突出量で上面ゲート側突出部１５ｃは形成されており、前記隙間を介して主キャビティ１５ａと上面ゲート側キャビティ１５ｂとが連通している。
【００５５】
なお、上面ゲート側突出部１５ｃは、金型クランプ時に、多数個取り基板１０に接触するような突出量で形成されていてもよく、その場合には、主キャビティ１５ａと上面ゲート側キャビティ１５ｂとが多数個取り基板１０のデバイス領域１０ｃ（デバイス領域１０ｄ）の外側の周縁部の領域の何れかで連通していればよい。
【００５６】
以上のような構造の成形金型１４を準備し、その後、下型１６の基板載置面１６ａに多数個取り基板１０を載置する。
【００５７】
詳細には、平面視において多数個取り基板１０の複数のデバイス領域１０ｃが主キャビティ１５ａの内側に位置し、かつ平面視において上面ゲート側突出部１５ｃが複数のデバイス領域１０ｃの外側（複数のデバイス領域１０ｃと貫通孔１０ｅとの間）に位置し、かつ平面視において貫通孔１０ｅが下面ゲート側キャビティ１６ｂの内側に位置し、かつ平面視において貫通孔１０ｆが下面エアベント側キャビティ１６ｃの内側に位置し、かつ多数個取り基板１０の下面１０ｂが下型１６と対向するように、多数個取り基板１０を上型１５と下型１６との間に配置する。その後、吸引通路１６ｆを介して多数個取り基板１０を基板載置面１６ａで真空吸着保持する。
【００５８】
基板配置後、上型１５と下型１６をクランプ（型締め）する。前記クランプが行われると、多数個取り基板１０の図５に示す長辺１０ｉに沿って複数のゲート１５ｄが配置され、かつそれぞれスリット状の貫通孔１０ｅ及び貫通孔１０ｆは、長辺１０ｉ及びこの長辺１０ｉに対向する長辺１０ｊに沿って配置される。
【００５９】
また、成形金型１４のクランプにより、多数個取り基板１０の上面１０ａの複数のデバイス領域１０ｃが、図１１に示すように上型１５の主キャビティ１５ａによって覆われた状態となる。
【００６０】
その後、下型１６によって多数個取り基板１０が、例えば１７０℃程度に加熱された状態で、ポット１６ｄ内で溶融された樹脂３をプランジャ１６ｅによって押し出して、ランナ１５ｆやゲート１５ｄを介してキャビティ内に樹脂３を供給して樹脂充填を行う。
【００６１】
その際、ゲート１５ｄから樹脂３を注入すると、樹脂３は、まず、上面ゲート側キャビティ１５ｂに入り、その後、主キャビティ１５ａにも入る。さらに、多数個取り基板１０の貫通孔１０ｅを通って下面ゲート側キャビティ１６ｂにも入る。また、主キャビティ１５ａを移った樹脂３は、その後、下面エアベント側キャビティ１６ｃにも入る。このようにゲート１５ｄから注入された樹脂３は、上面ゲート側キャビティ１５ｂ、下面ゲート側キャビティ１６ｂ、主キャビティ１５ａ、下面エアベント側キャビティ１６ｃを順次充填するとともに、樹脂３の流れで主キャビティ１５ａから押し出された気泡（エア）は、エアベント１５ｅに送り出される。
【００６２】
これにより、図１２〜図１４に示すような複数の半導体チップ１、図５の複数のデバイス領域１０ｃ、貫通孔１０ｅ及び貫通孔１０ｆを一括して封止する上面側封止部１７と、上面側封止部１７と貫通孔１０ｅを介して一体に形成され、かつ図６の下面１０ｂにおいて複数のデバイス領域１０ｄの外側に形成され、かつ貫通孔１０ｅを封止するゲート側下面封止部（下面側封止部、補強封止部、下面側周辺封止部）１８ａと、上面側封止部１７と貫通孔１０ｆを介して一体に形成され、かつ下面１０ｂにおいて複数のデバイス領域１０ｄの外側に形成され、かつ貫通孔１０ｆを封止するエアベント側下面封止部（下面側封止部、補強封止部、下面側周辺封止部）１８ｂとが形成される。
【００６３】
なお、上面側封止部１７は、複数の半導体チップ１、複数のデバイス領域１０ｃ及び貫通孔１０ｆを一括して封止する本体封止部１７ａと、本体封止部１７ａと一体に形成され、かつ複数のデバイス領域１０ｃの外側に設けられた貫通孔１０ｅを封止する第１周辺封止部（上面側周辺封止部）であるゲート側周辺封止部１７ｂとを有している。本体封止部１７ａは、図１１の主キャビティ１５ａによって形成され、ゲート側周辺封止部１７ｂは、上面ゲート側キャビティ１５ｂによって形成される。
【００６４】
また、図１２及び図１３に示すように、本体封止部１７ａとゲート側周辺封止部１７ｂとの間には凹部１７ｄが形成されている。この凹部１７ｄは、上面ゲート側突出部１５ｃによって形成される。なお、凹部１７ｄの下には凹部封止部１７ｅが形成されている。したがって、凹部封止部１７ｅは、本体封止部１７ａとゲート側周辺封止部１７ｂとの間に位置しており、その厚さは、本体封止部１７ａやゲート側周辺封止部１７ｂよりも遥かに薄い。
【００６５】
また、下面１０ｂ側には、ゲート側下面封止部１８ａとエアベント側下面封止部１８ｂとが形成されており、ゲート側下面封止部１８ａ及びエアベント側下面封止部１８ｂは、多数個取り基板１０の長辺１０ｉ，１０ｊのみに沿って形成されており、短辺に沿っては形成されていない。つまり、多数個取り基板１０の下面１０ｂ側に形成されるゲート側下面封止部１８ａ及びエアベント側下面封止部１８ｂは、多数個取り基板１０の長手方向にだけ沿って形成される。
【００６６】
ここで、本実施の形態１のモールドの特徴について説明する。
【００６７】
本実施の形態１のモールド工程における樹脂充填では、ゲート１５ｄからキャビティに注入した樹脂３を多数個取り基板１０のスリット状の貫通孔１０ｅに通して下面１０ｂ側のフローキャビティ（樹脂溜まり）である下面ゲート側キャビティ１６ｂに流し込んでゲート側下面封止部１８ａを形成している。同様にエアベント側においても、樹脂３を多数個取り基板１０のスリット状の貫通孔１０ｆに通してフローキャビティである下面エアベント側キャビティ１６ｃに流し込んでエアベント側下面封止部１８ｂを形成している。
【００６８】
したがって、多数個取り基板１０に形成される貫通孔１０ｅ，１０ｆは、樹脂３が通る程度の大きさの孔であれば、スリット状でも良いし、あるいは複数の小孔であっても良く、少なくともゲート１５ｄの延長線上に貫通孔１０ｅ，１０ｆが設けられていることが好ましい。
【００６９】
貫通孔１０ｅ，１０ｆがスリット状である場合、キャビティ内に残存するエアが抜け易くなって（キャビティ内に残存し難くなって）ボイド対策として有効である。また、貫通孔１０ｅ，１０ｆが複数の小孔である場合には、スリット状である場合に比較して多数個取り基板１０の強度を高めることができる。
【００７０】
以上のように多数個取り基板１０に貫通孔１０ｅ，１０ｆを形成し、かつ成形金型１４の下型１６に下面ゲート側キャビティ１６ｂや下面エアベント側キャビティ１６ｃが形成されたことで、多数個取り基板（配線基板２）１０の上面（表面、チップ搭載面）１０ａ側の本体封止部１７ａやゲート側周辺封止部１７ｂだけでなく、下面（裏面、実装面）１０ｂ側にもゲート側下面封止部１８ａやエアベント側下面封止部１８ｂが形成されるため、多数個取り基板１０の下面１０ｂ側にも熱膨張または熱収縮による応力を発生させることができる。
【００７１】
これにより、多数個取り基板１０の両面において発生する応力のバランスを取ることができ、本体封止部１７ａ等の封止部が形成された多数個取り基板（組み立て体）１０の反りを抑制（低減）することができる。
【００７２】
また、成形金型１４の上型１５と下型１６をクランプすることで形成されるキャビティ内において、ゲート１５ｄ側を流れる樹脂３の充填圧力は、エアベント１５ｅ側を流れる樹脂３の充填圧力に比べて高い（大きい）。そこで、上型１５に形成されたキャビティ（凹部）において、平面視において複数のデバイス領域１０ｃを包含する領域とこの領域の外側（周縁部）との間と重なる位置に上面ゲート側突出部１５ｃを形成しておくことで、このキャビティのうちの複数のデバイス領域１０ｃを封止する部分（主キャビティ１５ａ（上面用凹部、本体封止部用凹部））に樹脂３が供給される際、樹脂３の流速を低下させることができる。
【００７３】
これにより、ゲート１５ｄ側に位置するデバイス領域１０ｃに形成されたワイヤ７に加わる樹脂３の充填圧力を低減することができ、ワイヤ７が流れてしまう問題を抑制することができる。
【００７４】
すなわち、ゲート１５ｄからキャビティ内に注入された樹脂３の流速を上面ゲート側突出部１５ｃによって一度落として、ゲート１５ｄ近傍のワイヤ７にかかる応力の低減化を図る（樹脂注入圧力の均一化を図る）。これにより、ワイヤ７が変形してしまう問題を抑制できるとともに、ワイヤ７が流れてしまう問題についても抑制することができる。近年、ワイヤ７の線径が細くなる傾向にあるため、ワイヤ変形やワイヤ流れが発生し易くなっており、ワイヤ変形やワイヤ流れの問題に対する対策として非常に有効である。
【００７５】
さらに、貫通孔１０ｅと下面ゲート側キャビティ１６ｂが設けられたことで、ゲート１５ｄから注入された樹脂３をすぐに下面ゲート側キャビティ１６ｂに流し込むことができ、ゲート１５ｄからの樹脂注入圧力を分散させて抑えることができる。
【００７６】
これにより、ワイヤ変形やワイヤ流れの発生を抑制することができる。
【００７７】
一方、ゲート１５ｄから遠い位置（エアベント１５ｅ側）では、注入された樹脂３の流速がさらに低下するため、封止する領域（デバイス領域１０ｃ）が大きい場合には、エアベント１５ｅ側（平面視において複数のデバイス領域１０ｃを包含する領域とこの領域の外側（周縁部）との間と重なる位置）における樹脂３の充填圧力が低下し、上型１５のキャビティ内に残存する空気（ボイド）を除去することが困難となる。
【００７８】
そこで、本実施の形態１のように、エアベント１５ｅ側には前述の上面ゲート側突出部１５ｃのような突起を形成しないことで、エアベント１５ｅ側における樹脂３の流速の更なる低下を抑制することができ、確実に下型１６に形成された凹部である下面エアベント側キャビティ１６ｃにまで樹脂３を供給することができる。
【００７９】
すなわち、エアベント１５ｅ側には前述の突起が設けられず、かつ貫通孔１０ｆと下面エアベント側キャビティ１６ｃが設けられたことで、下面エアベント側キャビティ１６ｃまで勢いよく樹脂３を流し込むことができ、キャビティ内の空気（ボイド）を排出させることができる。
【００８０】
これにより、ボイドの低減化を図ることができる。
【００８１】
また、ゲート側下面封止部１８ａとエアベント側下面封止部１８ｂは、多数個取り基板１０の長辺１０ｉ，１０ｊのみに沿って形成されており、短辺に沿っては形成されていない。これは、多数個取り基板１０において短辺方向よりも長辺方向に対する反りが顕著なためである。
【００８２】
したがって、多数個取り基板１０の下面１０ｂ側において、ゲート側下面封止部１８ａとエアベント側下面封止部１８ｂは環状などで繋がっていることはなく、下面１０ｂにおいては両者が分離されている。すなわち、ゲート側下面封止部１８ａを形成するための下面ゲート側キャビティ１６ｂは、エアベント側下面封止部１８ｂを形成するための下面エアベント側キャビティ１６ｃと直接繋がっていない。そのため、主キャビティ（上面用凹部）１５ａ内に樹脂が完全に充填される前に、エアベント側に位置する下面エアベント側キャビティ１６ｃ内に樹脂が先に供給されることはないため、供給された樹脂がエアベント側からゲート側に向かって逆流しない。これにより、形成される封止部内にボイド（空気）が残存し難くなる。
【００８３】
これにより、先に下面ゲート側キャビティ１６ｂに流れ込んだ樹脂３が下面１０ｂ側から上面１０ａ側に逆流することを防止でき、ボイドの逆流を防止することができる。
【００８４】
以上のようにモールドが完了すると、図８のステップＳ３に示すように、多数個取り基板１０上に、上面側封止部１７と一体でゲートレジン１９、カルレジン２０及びランナレジン２１等も形成される。
【００８５】
モールド完了後、図８のステップＳ４に示すモールドベークを行う。すなわち、モールドによって上面側封止部１７である本体封止部１７ａやゲート側周辺封止部１７ｂ、さらにゲート側下面封止部１８ａやエアベント側下面封止部１８ｂが形成された多数個取り基板（組み立て体）１０を、複数の支持部２２ａを有するラック２２の支持部２２ａ上に載置してラック２２に収納し、この状態でベーク処理を行う。
【００８６】
なお、ラック２２は箱型であり、複数の多数個取り基板１０を垂直方向に略等間隔で収納可能なように左右の内壁に略等間隔に支持部２２ａが設けられており、図１５及び図１６に示すように多数個取り基板１０の図５に示す長辺１０ｉ，１０ｊ側（幅方向）の両端を支持部２２ａによって支持する構造となっている。
【００８７】
つまり、本実施の形態１のラック２２では、多数個取り基板１０の取り出し・収納を、多数個取り基板１０をスライドさせるだけで容易に行うことができるようにガイドレール式を採用している。これにより、例えば、ラック２２に多数個取り基板１０を収納する前後の処理工程がガイドレール式の搬送形態であっても、多数個取り基板１０のガイドレール２５への移し替えが基板をスライドさせるだけであるため、多数個取り基板１０のラック２２への収納及び取り出しを容易に行うことができる。
【００８８】
モールドベーク終了後、図８のステップＳ５に示すマークを行う。
【００８９】
本実施の形態１では、モールドベーク終了後、多数個取り基板（組み立て体）１０をガイドレール２５を用いてマーク工程のマーク処理部（別の処理部または他の処理部）２４に搬送し、このマーク処理部２４で多数個取り基板１０上の上面側封止部１７にマーキングを行う。
【００９０】
詳細には、ラック２２の開口部にガイドレール２５を連結し、ラック２２の支持部２２ａとガイドレール２５の高さを合わせて多数個取り基板１０をスライドさせてラック２２から搬出し、そのままガイドレール２５に搬入して、その後、ガイドレール２５の案内で多数個取り基板１０をマーク工程のマーク処理部（別の処理部）２４に搬送し、多数個取り基板１０上の上面側封止部１７の本体封止部１７ａにマーキングを行う。その際、１枚多数個取り基板１０を搬出するごとにラック２２を上下動させて支持部２２ａとガイドレール２５の高さ位置を合わせ直し、ラック２２から順次、１枚ずつ多数個取り基板１０をガイドレール２５上に搬出する。
【００９１】
ここで、本実施の形態１において、多数個取り基板（組み立て体）１０を搬送する際に、ガイドレール方式を採用する理由について説明する。
【００９２】
まず、ガイドレール方式を用いた搬送方法の効果について説明する。ガイドレール方式では、前述のようにラック２２から多数個取り基板（配線基板）１０を取り出すことが容易である。すなわち、ガイドレール２５に連結可能な支持部２２ａを備えたラック２２（ガイド付きラック）を用いることで、ガイドレール２５にラック２２を連結してそのまま多数個取り基板１０をスライドさせるだけで取り出すことが可能であり、したがって、ガイドレール２５に多数個取り基板１０を移し易い。
【００９３】
また、吸着搬送方式に比較して多数個取り基板１０の位置合わせが容易である。すなわち、ガイドレール方式の場合、多数個取り基板１０の両端部を支持しているため、吸着搬送方式に比較して多数個取り基板１０の位置決めを行い易い。例えば、ガイドレール方式の基板の位置決め方法の一例として、多数個取り基板１０の両端部の位置決め孔に位置決めピンを挿入して位置決めを行う方法があるが、その際、ガイドレール２５に位置決めピンを設けておくことで、ガイドレール２５上をスライドさせて位置決め孔に位置決めピンを挿入することになり、容易に多数個取り基板１０の位置決めを行うことができる。
【００９４】
しかしながら、吸着搬送方式の場合には、位置決めピンに対して多数個取り基板１０を上方から下降させて基板の位置決め孔に位置決めピンを挿入しなければならず、基板の位置決め孔に位置決めピンを挿入すること自体が困難である。
【００９５】
さらに、ガイドレール方式は、多数個取り基板１０の両端部のみをガイドレール２５によって支持する支持方式であり、基板の中央部付近はガイドレール２５で塞がれることなく開口して露出しているため、マーク工程等において、ガイドレール２５で支持されたそのままの状態でレーザーマークを行うことができる。すなわち、ラック２２から多数個取り基板１０を取り出した後、ガイドレール２５の案内でマーク工程のマーク処理部２４まで多数個取り基板１０を搬送し、そのままガイドレール２５によって支持された状態ですぐにマーキングを行うことができ、効率良くマーキングを行える。
【００９６】
また、ガイドレール方式の場合、封止部が形成された比較的重い多数個取り基板１０等であっても搬送することが可能であり、耐荷重性が高い。しかしながら、吸着搬送方式では、基板が重くなると落下して搬送不良を引き起こすことがある。
【００９７】
ここで、基板搬送におけるガイドレール方式以外の搬送方式について説明する。
【００９８】
多数個取り基板１０等の基板を次（別）の工程に搬送する手段としては、例えば、吸着ノズルにより基板を吸着した状態で搬送する方式（吸着搬送方式）、アームによって基板の周縁部を保持した状態で搬送する方式（アーム搬送方式）、さらには、ベルトコンベアによって基板を搬送する方式（ベルトコンベア方式）等もある。
【００９９】
しかしながら、何れの方式も、一度、ラック２２から基板を取り出さなくてはならないため、製造工程を簡略化することが困難である。また、吸着搬送方式に関しては、基板に反りが生じている場合、反った基板（ここでは、封止部の表面）に吸着ノズルを接触させて、真空吸着によって基板を保持することになるが、この吸着ノズルと基板（ここでは、封止体の表面）との間に隙間が生じないように、吸着ノズルを基板に押し付けなければならない。しかしながら、この荷重が強すぎると、基板にクラックが発生するため、吸着搬送方式では反った基板の搬送はさらに困難である。
【０１００】
したがって、本実施の形態１で採用するガイドレール方式は、ラック２２からの多数個取り基板１０の取り出しと移し替えが容易であり、さらに位置合わせの容易性や耐荷重性の高さ等を考慮すると、基板搬送における信頼性の高さ（基板の耐クラック性）も含めて、基板搬送において非常に多くの効果が得られ、必然性が高いと言える。
【０１０１】
なお、マーク工程では、図１７に示すように、ガイドレール２５によって多数個取り基板１０の幅方向の両端を支持した状態で多数個取り基板１０上の上面側封止部１７にマーキングを行う。すなわち、ガイドレール２５を用いてマーク工程のマーク処理部２４まで多数個取り基板（組み立て体）１０を搬送した後、ガイドレール２５で多数個取り基板１０を支持したそのままの状態でマーキングを行う。
【０１０２】
前記マーキングは、例えば、ガイドレール２５の上方に設置されたレーザマーカ２３から多数個取り基板１０に形成された上面側封止部１７の本体封止部１７ａに向けてレーザ２３ａを照射して行う。
【０１０３】
本実施の形態１では多数個取り基板１０の搬送にガイドレール方式を用いているため、ラック２２から取り出した多数個取り基板１０をガイドレール２５の案内によってマーク工程のマーク処理部２４まで素早く搬送することができ、さらに、そのままガイドレール２５によって支持された状態でマーキングを行うことができるため、マーク処理を効率良く行うことができる。
【０１０４】
すなわち、ＢＧＡ９の組み立てでは、モールドベーク後にマーク工程があり、このマーク工程においても位置合わせが必要であるが、本実施の形態１では、モールドベーク工程からマーク工程までの多数個取り基板（組み立て体）１０の搬送にガイドレール方式を採用することで、前述のようにラック２２から取り出した多数個取り基板１０をガイドレール２５の案内によってマーク工程まで素早く搬送できるとともに、そのままガイドレール２５によって支持された状態でマーキングを行うことができる。したがって、ガイドレール２５での搬送時の多数個取り基板１０の搬送不良を低減できるように、多数個取り基板１０の反り対策（多数個取り基板１０の表裏両面に封止部を設ける）が非常に重要となる。
【０１０５】
マーク工程でのマーク処理終了後、図９に示すステップＳ６のボール搭載を行う。すなわち、ボール付け工程において、多数個取り基板１０の下面１０ｂの複数のランド２ｄのそれぞれに半田ボール５を設ける。例えば、複数の半田ボール５を平板等を用いて吸着してそのまま搭載するボール吸着方式によって半田ボール５を設ける。このボール付け工程においても、多数個取り基板（組み立て体）１０の表裏両面に封止部を設けることで多数個取り基板１０の反りが低減化されているため、半田ボール５を搭載する際の位置ずれを低減することができ、多数個取り基板１０の全てのランド２ｄに対して半田ボール５を均等に配置することができる。
【０１０６】
ボール搭載後、図９に示すステップＳ７の個片切断を行う。すなわち、ダイシング工程のダイシングステージ２６上に多数個取り基板１０を載置し、ブレード２７を走行させて上面側封止部１７と多数個取り基板１０とを一緒に切断して個々のＢＧＡ９への個片化を行う。ただし、切断は多数個取り基板１０をテープに貼り付けた状態で行われ、前記テープは切断しないため、個々のＢＧＡ９にばらけることは無く、各ＢＧＡ９が前記テープに貼り付けられた状態となる。
【０１０７】
なお、前記個片切断工程においても、多数個取り基板（組み立て体）１０の表裏両面に封止部を設けることで多数個取り基板１０の反りが低減化されているため、ブレード２７を用いて個片化搭載する際の位置ずれを低減することができる。
【０１０８】
個片切断終了後、図９のステップＳ８に示す梱包・出荷を行う。ここでは、切断後の多数個取り基板１０（テープに貼り付けられた切断後の各ＢＧＡ９）を梱包袋２８に収納して出荷を行う。
【０１０９】
なお、本実施の形態１のガイドレール方式による基板搬送では、多数個取り基板１０に反りが形成されていると、搬送不良を引き起こす可能性が高い。このことについて、図２４乃至図２６を用いて詳細に説明する。ここで、図２４は本願発明者が比較検討した比較例の半導体装置の組み立てにおける組み立て体のラック収納状態を示す部分断面図、図２５は図２４のＡ−Ａ線に沿って切断した構造を示す部分断面図、図２６は図２４のＢ−Ｂ線に沿って切断した構造を示す部分断面図である。図２４〜図２６に示すように、上面側封止部１７が形成された多数個取り基板（組み立て体）５０をラック２２内に収納する際にも、多数個取り基板５０が反っていると、ラック２２の支持部２２ａ（ガイドレール）に多数個取り基板５０が当たるもしくは擦る等して多数個取り基板５０の収納・取り出し時に搬送不良が発生する。特に、平面形状が長方形の多数個取り基板５０では、図２４に示すように、長手方向（長辺）に対して反りが顕著に発生し、その結果、図２５に示す箇所では、多数個取り基板５０の幅方向の両端がラック２２の支持部２２ａによって支持されているものの、図２６に示す箇所では、多数個取り基板５０が支持部２２ａから浮いた状態となる。そこで、ガイドレール２５の上下のレール間隔を広くすることでこの搬送不良を低減する方法も考えられるが、多数個取り基板１０の反りが大きいとレール自体から多数個取り基板１０が外れて落下するおそれがあるため、ガイドレール２５の上下のレール間隔を広くすることは好ましくない。
【０１１０】
一方、本実施の形態では、上記のように、多数個取り基板（配線基板２）１０の上面（表面、チップ搭載面）１０ａ側だけでなく、下面（裏面、実装面）１０ｂ側にも封止部（ゲート側下面封止部１８ａ、エアベント側下面封止部１８ｂ）を形成しているため、多数個取り基板１０の両面において発生する応力のバランスを取ることができ、多数個取り基板（組み立て体）１０の反りを抑制（低減）することができる。これにより、ガイドレール２５を用いた搬送方法を適用することができる。
【０１１１】
（実施の形態２）
図１８は本発明の実施の形態２の半導体装置の組み立てにおける樹脂モールド後の組み立て体の構造の一例を示す平面図、図１９は図１８のＡ−Ａ線に沿って切断した構造の一例を示す断面図、図２０は本発明の実施の形態２の半導体装置の組み立てのモールド工程で用いられる成形金型の構造の一例を示す部分断面図である。さらに、図２１は本発明の実施の形態２の半導体装置の組み立てにおける第１変形例の樹脂モールド後の組み立て体の構造を示す平面図、図２２は本発明の実施の形態２の半導体装置の組み立てにおける第２変形例の樹脂モールド後の組み立て体の構造を示す断面図、図２３は本発明の実施の形態２の第３変形例の構造を示す断面図である。
【０１１２】
本実施の形態２は、図１８及び図１９に示すように、多数個取り基板１０の上面側封止部１７においてゲート側の凹部１７ｄと同様に、エアベント側にも凹部（封止部に形成された溝または絞り）１７ｆが形成されているものであり、したがって、本体封止部１７ａの外側に第２周辺封止部であるエアベント側周辺封止部１７ｃが形成されている。
【０１１３】
これは、封止部の表面において、一方の側（ゲート側）にのみ凹部（溝または絞り）１７ｄが形成されていると、封止部に生じる応力のバランスが不安定となるおそれがあり、そこで、封止部が形成された多数個取り基板（組み立て体）１０の平坦性をより向上させることに着目した場合は、多数個取り基板１０の封止部の幅方向におけるエアベント側にも凹部（溝や絞り）１７ｆを形成しておくことが、基板の反りに対しても好ましいというものである。
【０１１４】
したがって、上面側封止部１７は、複数の半導体チップ１及び複数のデバイス領域１０ｃを一括して封止する本体封止部１７ａと、本体封止部１７ａと一体に形成され、かつ、複数のデバイス領域１０ｃの外側に設けられた貫通孔１０ｅを封止するゲート側周辺封止部（第１周辺封止部）１７ｂと、本体封止部１７ａと一体に形成され、かつ、複数のデバイス領域１０ｃの外側に設けられた貫通孔１０ｆを封止するエアベント側周辺封止部（第２周辺封止部）１７ｃとを有している。
【０１１５】
さらに、本体封止部１７ａとエアベント側周辺封止部１７ｃとの間には凹部１７ｆが形成されており、この凹部１７ｆの下方には、ゲート側と同様に凹部封止部１７ｇが形成されている。凹部封止部１７ｇの厚さは、本体封止部１７ａやエアベント側周辺封止部１７ｃよりも薄い。
【０１１６】
また、図１８及び図１９に示すように、ゲート側周辺封止部１７ｂとエアベント側周辺封止部１７ｃは、互いに分離しており、上面側において繋がってはいない。すなわち、ゲート側周辺封止部１７ｂを形成するための上面ゲート側キャビティ１５ｂは、エアベント側周辺封止部１７ｃを形成するための上面エアベント側キャビティ１５ｈと直接繋がっていなく、本体封止部１７ａを形成するための主キャビティ１５ａを介して繋がっている。このように、上面ゲート側キャビティ１５ｂと、上面エアベント側キャビティ１５ｈが分離していることで、主キャビティ（上面用凹部）１５ａ内に樹脂が完全に充填される前に、エアベント側に位置する上面エアベント側キャビティ１５ｈ内に樹脂が先に供給されることはないため、供給された樹脂がエアベント側からゲート側に向かって逆流しない。これにより、形成される封止部内にボイド（空気）が残存し難くなる。なお、ゲート側下面封止部１８ａを形成するための下面ゲート側キャビティ１６ｂは、エアベント側下面封止部１８ｂを形成するための下面エアベント側キャビティ１６ｃと直接繋がっていないことについても、同様の理由である。
【０１１７】
また、本体封止部１７ａとエアベント側周辺封止部１７ｃとの間に形成される凹部１７ｆは、図２０の成形金型１４に示すように上型１５のキャビティのエアベント側に、ゲート側の上面ゲート側突出部（第１突出部）１５ｃと同様の上面エアベント側突出部（第２突出部）１５ｉが設けられ、この上面エアベント側突出部１５ｉによって形成されたものである。
【０１１８】
したがって、本実施の形態２のモールド工程で使用する成形金型１４の上型１５においては、主キャビティ１５ａと上面エアベント側キャビティ（上面用凹部）１５ｈの間に上面エアベント側突出部１５ｉが形成されている。
【０１１９】
つまり、上型１５のキャビティは、主キャビティ（上面用凹部）１５ａと、主キャビティ１５ａのゲート側の隣に配置された上面ゲート側キャビティ（上面用凹部）１５ｂと、主キャビティ１５ａと上面ゲート側キャビティ１５ｂの間に設けられた上面ゲート側突出部（突出部）１５ｃと、主キャビティ１５ａのエアベント側の隣に配置された上面エアベント側キャビティ（上面用凹部）１５ｈと、主キャビティ１５ａと上面エアベント側キャビティ１５ｈの間に設けられた上面エアベント側突出部（突出部）１５ｉとを有している。
【０１２０】
一方、下型１６は、実施の形態１の下型１６と同様であり、基板載置面１６ａと、基板載置面１６ａのゲート側の隣に配置されるとともに上面ゲート側キャビティ１５ｂと対向する下面ゲート側キャビティ１６ｂと、基板載置面１６ａのエアベント側の隣に配置されるとともに上面エアベント側キャビティ１５ｈと対向する下面エアベント側キャビティ１６ｃを有している。
【０１２１】
これにより、上型１５と下型１６をクランプした際には、平面視において上面ゲート側突出部１５ｃが複数のデバイス領域１０ｃの外側（複数のデバイス領域１０ｃと貫通孔１０ｅとの間）に位置し、さらに平面視において上面エアベント側突出部１５ｉが複数のデバイス領域１０ｃの外側（複数のデバイス領域１０ｃと貫通孔１０ｆとの間）に位置するようになっている。
【０１２２】
本実施の形態２では、以上のような成形金型１４を用いて一括モールドを行うが、一括モールドの手順については実施の形態１の一括モールドと同じである。
【０１２３】
本実施の形態２のモールドによれば、多数個取り基板１０上に形成された封止部に生じる応力のバランスの安定化を図ることができ、封止部が形成された多数個取り基板（組み立て体）１０の平坦性を向上させることができる（基板の反りの低減化を図ることができる）。
【０１２４】
本実施の形態２によって得られるその他の効果については、実施の形態１の効果と同様であるため、その重複説明は省略する。
【０１２５】
以上、本発明者によってなされた発明を発明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【０１２６】
例えば、前記実施の形態１，２で説明した多数個取り基板１０の上面１０ａに形成される本体封止部１７ａをさらに分割構造としてもよい。すなわち、図２１の第１変形例に示すように、平面形状が四角形（ここでは、長方形）からなる本体封止部１７ａの長辺方向の略中央で、２つに分断することで、封止部に生じる応力を分散（低減）することができ、多数個取り基板１０の反りをさらに緩和させることができる。
【０１２７】
また、図２２に示す第２変形例は、多数個取り基板１０の下面１０ｂ側にゲートレジン１９が形成された例である。すなわち、図２０に示す成形金型１４のゲート１５ｄを多数個取り基板（配線基板）１０の下面（裏面、実装面）１０ｂ側に配置し、基板の下面１０ｂ側から上面１０ａ側に向かって樹脂３を供給（注入）してゲート側下面封止部１８ａ、上面側封止部１７及びエアベント側下面封止部１８ｂを形成する場合を示している。
【０１２８】
これにより、樹脂充填時には、多数個取り基板１０の上面１０ａと下面１０ｂとの間に形成された貫通孔（ビア）を樹脂３が経由するため、供給される樹脂３の流速を抑えることができ、ワイヤ（複数のデバイス領域のうち、特に、このゲート１５ｄに近い位置に配置されたデバイス領域におけるワイヤ）が流れる（傾く）問題の発生を低減することができる。
【０１２９】
また、前記実施の形態１，２では、半導体装置の一例としてＢＧＡ９を取り上げて説明したが、前記半導体装置は、図２３の第３変形例に示すように、配線基板２のランド（電極パッド）２ｄが樹脂で覆われていないパッケージであれば、半田ボール５が搭載されていないＬＧＡ（Land Grid Array)２９等であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１３０】
本発明は、一括モールド方式を適用した電子装置の組み立てに利用可能である。
【符号の説明】
【０１３１】
１  半導体チップ
１ａ  表面
１ｂ  裏面
１ｃ  ボンディングパッド
２  配線基板
２ａ  上面（表面、チップ搭載面）
２ｂ  下面（裏面、実装面）
２ｃ  ボンディングリード（電極パッド）
２ｄ  ランド（電極パッド）
３  樹脂
４  封止体
５  半田ボール
６  ダイボンド材
７  ワイヤ
８  ヒートステージ
９  ＢＧＡ（半導体装置）
１０  多数個取り基板（配線基板）
１０ａ  上面
１０ｂ  下面
１０ｃ  デバイス領域（上面側デバイス領域）
１０ｄ  デバイス領域（下面側デバイス領域）
１０ｅ  スリット（貫通孔）
１０ｆ  スリット（貫通孔）
１０ｇ  ゲートパターン
１０ｈ  孔部
１０ｉ  長辺
１０ｊ  長辺
１１  コレット
１２  ヒートステージ
１３  ボンディングツール
１４  成形金型
１５  上型（金型）
１５ａ  主キャビティ（上面用凹部）
１５ｂ  上面ゲート側キャビティ（上面用凹部）
１５ｃ  上面ゲート側突出部（突出部）
１５ｄ  ゲート
１５ｅ  エアベント
１５ｆ  ランナ
１５ｇ  カル
１５ｈ  上面エアベント側キャビティ（上面用凹部）
１５ｉ  上面エアベント側突出部（突出部）
１６  下型（金型）
１６ａ  基板載置面
１６ｂ  下面ゲート側キャビティ（下面用凹部）
１６ｃ  下面エアベント側キャビティ（下面用凹部）
１６ｄ  ポット
１６ｅ  プランジャ
１６ｆ  吸引通路
１７  上面側封止部
１７ａ  本体封止部
１７ｂ  ゲート側周辺封止部（周辺封止部）
１７ｃ  エアベント側周辺封止部（周辺封止部）
１７ｄ  凹部
１７ｅ  凹部封止部
１７ｆ  凹部
１７ｇ  凹部封止部
１８ａ  ゲート側下面封止部（下面側封止部、補強封止部、下面側周辺封止部）
１８ｂ  エアベント側下面封止部（下面側封止部、補強封止部、下面側周辺封止部）
１９  ゲートレジン
２０  カルレジン
２１  ランナレジン
２２  ラック
２２ａ  支持部
２３  レーザマーカ
２３ａ  レーザ
２４  マーク処理部（別の処理部）
２５  ガイドレール
２６  ダイシングステージ
２７  ブレード
２８  梱包袋
２９  ＬＧＡ（半導体装置）
５０  多数個取り基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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