(57)【要約】【課題】１Ｗ以上の高出力でレーザ光を出力しても、その出力が時間とともに低下しないレーザ光源装置を提供する。【解決手段】レーザ光を発光するレーザ光源部と、前記レーザ光を波長変換して高調波レーザ光を出力する波長変換素子と、前記高調波レーザ光を検出する光検出部と、前記波長変換素子の温度を制御する温度制御部と、前記光検出部の出力と前記高周波レーザ光の時間との積を算出し、この積を予め定めたテーブルと比較して前記波長変換素子の目標温度を決定し、その目標温度を前記温度制御部に出力する高周波光積算量算出部と、を備えたレーザ光源装置。【選択図】図１
2012018242.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光を発光するレーザ光源部と、
前記レーザ光を波長変換して高調波レーザ光を出力する波長変換素子と、
前記高調波レーザ光を検出する光検出部と、
前記波長変換素子の温度を制御する温度制御部と、
前記光検出部の出力と前記高周波レーザ光の時間との積を算出し、この積を予め定めたテーブルと比較して前記波長変換素子の目標温度を決定し、その目標温度を前記温度制御部に出力する高周波光積算量算出部と、
を備えたレーザ光源装置
【請求項２】
前記高調波レーザ光の出力が、０．５Ｗ以上である請求項１記載のレーザ光源装置。
【請求項３】
前記テーブルが、前記レーザ光の連続入力による前記波長変換素子の位相整合温度の変化量と前記積との関係を予め求めることにより作製する請求項１記載のレーザ光源装置。
【請求項４】
前記変化量が、前記積における前記波長変換素子の位相整合温度と前記レーザ光を最初に前記波長変換素子に入力したときの前記波長変換素子の位相整合温度との差である請求項３記載のレーザ光源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、波長変換素子を利用したレーザ光源装置に関し、特に安定した出力性能を有するレーザ光源装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＡｒガスレーザやＫｒガスレーザ等のガスレーザ光源が知られている。しかし、これらのエネルギー変換効率は０．１％と低く、また冷却機構が必要なため、装置の小型化が難しかった。そのため、非線形光学効果を用いた波長変換レーザ光源が注目されている。非線形光学効果を得るには、複屈折率を有する非線形光学結晶が必要であり、ＬｉＮｂＯ３（ニオブ酸リチウム：ＰＰＬＮ）の様な強誘電体非線形結晶を周期的に分極反転させた波長変換素子が用いられる（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
分極反転を施したＬｉＮｂＯ３、ＬｉＴａＯ３等の波長変換素子では、光損傷による屈折率変化（フォトリフラクティブ）により出力が不安定となる現象が生じる。そのため、Ｍｇ、Ｉｎ，Ｓｃ，Ｚｎなど金属添加物を添加することで、光損傷の発生を抑圧している。中でも特にＭｇＯドープＬＮ結晶が、高い非線形光学定数と結晶性の良否の点からも、最も有望であり、５．０ｍｏｌ以上添加したコングルエント組成ＰＰＬＮ結晶では、光損傷を抑制することができる（例えば、特許文献２、３、及び非特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１４４３５４号公報
【特許文献２】特開平５−１５５６９４号公報
【特許文献３】特開平７−８９７９８号公報
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】「Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．」、ｖｏｌ４４、Ｐ．８４７、１９８４、Ｄ．Ａ．Ｂｒｙａｎ、ｅｔ、ａｌ．
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前記従来の構成では、レーザ出力を１Ｗ以上にすると、金属添加物が添加された波長変換素子であっても、その屈折率が時間と共に増加する。そのため、位相整合温度が変化し、レーザ出力が時間とともに低下するという課題を有していた。
【０００７】
本発明は、前記従来の課題を解決するもので、１Ｗ以上の高出力でレーザ光を出力しても、その出力が時間とともに低下しないレーザ光源装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記従来の課題を解決するために、本発明のレーザ光源装置は、レーザ光を発光するレーザ光源部と、前記レーザ光を波長変換して高調波レーザ光を出力する波長変換素子と、
前記高調波レーザ光を検出する光検出部と、前記波長変換素子の温度を制御する温度制御部と、前記光検出部の出力と前記高周波レーザ光の時間との積を算出し、この積を予め定めたテーブルと比較して前記波長変換素子の目標温度を決定し、その目標温度を前記温度制御部に出力する高周波光積算量算出部とを備えることを特徴とする。
また、前記高調波レーザ光の出力が、０．５Ｗ以上であることが好ましい。
また、前記テーブルが、前記レーザ光の連続入力による前記波長変換素子の位相整合温度の変化量と前記積との関係を予め求めることにより作製することが好ましい。
【０００９】
また、前記変化量が、前記積における前記波長変換素子の位相整合温度と前記レーザ光を最初に前記波長変換素子に入力したときの前記波長変換素子の位相整合温度との差であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のレーザ光源装置によれば、長時間使用しても、時間とともにレーザ出力の低下が生じないレーザ光源装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態におけるレーザ光源装置を示す図
【図２】本発明の実施の形態における波長変換素子を使ったレーザ光源装置の初期の位相整合温度からの変化量の関係を示す図
【図３】本発明の実施の形態における位相整合温度の制御方法を示す図
【図４】本発明の実施の形態における高周波光出力積算量判断部の説明を示す図
【図５】本発明の実施の形態における高周波光出力積算量に応じた位相整合温度の目標温度設定値の決め方を示す図
【図６】本発明の実施の形態におけるレーザ光源装置の連続運転時の高周波光出力を示す図
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下に、本発明のレーザ光源装置の実施の形態を図面とともに詳細に説明する。
【００１３】
（実施の形態１）
発明者らは、本願発明の課題である１Ｗ以上の高出力波長変換時の出力低下が、波長変換素子の位相整合温度の変化に関係することを実験により明らかにした。本明細書では、位相整合温度を基本波から高調波への変換効率が最大になる温度とする。この位相整合温度は、基本波の波長や分極反転周期によって異なる。この実験に用いた波長変換素子は、周期７ミクロン程度の周期分極反転構造を備えたＭｇドープＬｉＮｂＯ３結晶であり、位相整合温度は約５０℃である。この波長変換素子内に７Ｗの基本波（波長１０６４ｎｍ）を集光し、波長５３２ｎｍの高調波（約２Ｗ）を得る実験を行った。
【００１４】
高調波出力の時間変化を観測したところ、数時間で出力が初期の半分以下に低下した。同時に、波長変換素子の位相整合温度は、設定時よりも高温側にシフトした。従来の技術常識では、位相整合温度は波長変換素子固有のものとされ、このような位相整合温度の変化は知られていなかった。
【００１５】
発明者らは、以上の実験を繰り返して行った結果、この位相整合温度のシフトが、高出力の基本波を波長変換素子に入射した時間に応じて変化し、また位相整合温度がシフトしても波長変換素子の変換効率は変化しないことを明らかにした。従って、波長変換素子を使ったレーザ光源装置で、基本波の入射時間に応じた位相整合温度を設定すれば、出力低下の極めて少ない高出力レーザ光源装置が実現出来る。
【００１６】
本願のレーザ光源装置について、以下に図を用いて説明する。図１は、本発明の実施の形態におけるレーザ光源装置の図を示す。基本波長のレーザ光を発光するレーザ光源部１には、Ｙｂ添加ダブルクラッドファイバを用いたファイバレーザ光源を用いている。レーザダイオード２から励起された波長の励起光（ここでは、９１５ｎｍ）がＹｂ添加ダブルクラッドファイバ３の両端に第１および第２のブラッグ回折格子４、５がライディングされているファブリーペロー共振器に入射し、１０００ｎｍおよび１１００ｎｍの間の波長の光（ここでは、１０６４ｎｍ）が生成される。ここでレーザダイオード２からの９１５ｎｍの波長の励起光は、Ｙｂ添加ダブルクラッドファイバ３内のＹｂイオンによって励起され、１０６４ｎｍでレーザ光が生成されている。ファイバレーザは、発振波長やスペクトル幅を同様の構成でブラッグ回折格子の特性を変化させることにより、レーザ波長を変えることができる。本実施例ではファイバレーザ光源を用いて、波長１０６４ｎｍのレーザ光の生成を行った。なお、レーザ光源部１にはファイバレーザに限るものでは無く、ＹＡＧレーザや半導体レーザのような固体レーザを用いても良い。
【００１７】
レーザ光源部１で出射されたレーザ光は、コリメートレンズ６によって平行光にされ、集光レンズ７により、波長変換素子８に集光される。本実施例では波長変換素子８としてＭｇを５．０ｍｏｌ以上添加したコングルエント組成ＬｉＮｂＯ３結晶で、分極反転構造を形成したＭｇドープＬｉＮｂＯ３結晶素子（ＭｇＬＮ素子）を使用した。この波長変換素子８は位相整合させるためにその温度を一定に保つ必要がある。そのため、波長変換素子８は、ペルチェ素子からなる温度保持部９上に配置し、温度保持部９に備えられたサーミスタなどの温度センサ１９にて波長変換素子８の温度を検出し、温度保持部９の温度を制御する。詳しくは、温度センサ１９で検出した温度信号を温度制御部１４へ伝達し、温度制御部１４は、温度保持部９の温度が高周波光出力積算量判断部１７からの目標温度に一致するように温度保持部９のペルチェ素子への駆動電流を制御する。
【００１８】
レーザ光源部１で出射されたレーザ光の一部が、波長変換素子８により波長変換された高調波レーザ光（ここでは、１０６４ｎｍの波長の第二高調波成分である５３２ｎｍの波長の光）となる。この高調波レーザ光を含んだ波長変換素子８からのレーザ光は、再コリメートレンズ１０により平行光にされ、波長選択フィルタ１１に入射する。ここでは、波長変換されないレーザ光と波長変換された高調波レーザ光とに分離され、高調波レーザ光のみがサンプリング用フィルタ１２に入射する。サンプリング用フィルタ１２にて、高調波レーザ光の一部（ここでは、出力光の１％）が光検出器１３に入射する。ＬＤ制御部１５は、光検出器１３の出力を用いて高調波レーザの光量が一定になるように、ＬＤ駆動部１６を介してレーザ光源部１のレーザダイオード２に電流を与える出力一定制御（ＡＰＣ制御）を行う。また、別構成として、分離された高調波レーザ光の光量の一部をサンプリングミラーにより光検出器で検出し、高調波レーザ光の光量が一定になるように制御してもよい。また、基本波のレーザ光が波長変換素子８へ入射する直前にビームスプリッタで一部分を取り出し、波長変換素子８への入力光をモニタして制御する構成にしてもよい。
【００１９】
本発明の特徴は、高周波光積算量算出部１７により、光検出器１３で検出されたレーザ光から高周波光出力積算量を求めることにある。高周波光積算量算出部１７では、光検出器１３の検出値Ｗと、ＬＤ制御部１５がＬＤ制御部１６を駆動した時間Ｔとから高周波光出力積算量＝ＷｘＴ（Ｗ・ｈｒ）を算出する。図２から図４にて後述するが、波長変換素子８の位相整合温度は、高周波光出力積算量に応じて変化する。この関係、すなわち高周波光出力積算量に応じた温度制御部１４の目標温度を、予めメモリ１８に格納されているので、高周波光積算量算出部１７は、求めた高周波光出力積算量に適した目標温度をメモリ１８から検索し、得られた目標温度を温度制御部１４に送る。
【００２０】
次に、図２から図５を用いて、高周波光出力積算量と波長変換素子８の位相整合温度との関係を説明する。
【００２１】
図２に、波長変換素子を使ったレーザ光源装置の初期の位相整合温度からの変化量の関係を示す。図２（ａ）は、異なる高調波光出力パワーのときの位相整合温度の変化を示す。横軸が高調波光照射時間、縦軸が初期の位相整合温度からの変化量を示す。図から明らかなように、高調波光出力を０．５、１、２Ｗと変化させて連続運転すると、位相整合温度が徐々に高温側に変化する。０．５Ｗ未満の高周波光出力では、長時間運転しても、位相整合温度の変化が見られないが、０．５Ｗ以上では、位相整合温度が時間とともに変化することが観測された。なお、長時間運転とは連続運転を指すものではなく、断続して運転した場合の和である。これは、ひとたび、波長変換素子に、レーザ光源装置からのレーザ光が入射されると、そのレーザパワーにより波長変換素子の物性が非可逆的に変化し累積加算されるものと思われる。そのため、運転時間の連続、非連続にかかわらず、初めて波長変換素子にレーザが入力されたときからの累積時間が重要である。そのため、以降の説明では、所定時間のみ運転した場合を高周波光出力積算量とし、初めて波長変換素子にレーザ入力したときからの累積値を、累積高周波光出力積算量と区別して表現する。
【００２２】
図２（ｂ）は、図２（ａ）の横軸のみを、高周波光照射時間から高周波光出力積算量に変えたグラフである。この測定では、高周波光出力を３０秒毎に検出し、その時の高周波光出力の値（Ｗ）と運転開始時間からの時間（Ｔ）を求めた。高周波光出力積算量は、このときのＷとＴより、前述の高周波光出力積算量の計算式に従い、ＷｘＴと計算した。０．５Ｗ以上になると、高周波光の出力によらず、「初期の位相整合温度からの変化量」と「高周波光出力積算量」との間には、規則性があることが分かった。すなわち、位相整合温度の変化は、高周波出力積算量が１００Ｗ・ｈｒで０．４度、２００Ｗ・ｈｒで０．６度、８００Ｗ・ｈｒ後に１度、高温側にシフトする。また、位相整合温度の変化量は、８００Ｗ・ｈｒ以降は変化せず、飽和する。この図２（ｂ）で得られた関係を用いると、位相整合温度の変化量を推測できる。つまり、高周波光出力積算量に応じて位相整合温度を変化させれば、最適な位相整合温度にすることができる。
【００２３】
次に、位相整合温度の制御方法について、図３に示すフローチャートと図４とを用いて説明する。
【００２４】
レーザ光源装置の主電源をＯＮすると、高周波光出力積算量判断部１７はメモリ１８（例えば、ＥＥＰＲＯＭなど）に格納された波長変換素子８の目標温度設定値Ｔｓｅｔを取得し、目標温度設定値をＴｓｅｔに設定する（Ｓ０１）。この目標温度設定値Ｔｓｅｔは温度制御部１４に送られ、温度保持部９の温度がＴｓｅｔになるように、温度制御部１４には制御する（Ｓ０２）。サーミスタ１９（温度センサ）により温度保持部９の温度がＴｓｅｔになれば、レーザ光源装置は光照射の準備が完了する。
【００２５】
温度制御部１４での温度制御は、次のように行われる。素子温度はサーミスタ１９で検出されＡＤコンバータ１１０でデジタル値に変換される。比較器２０１は、この値と高周波光出力積算量判断部１７から出力された目標温度設定値Ｔｓｅｔと比較し、目標値との誤差信号を出力する。この誤差信号はＤＡ変換器２０２でアナログ信号に変換される。その信号によって電源２０３から送られる電流の極性を指示し、供給される電流波形はスイッチ２０４でＰＷＭ制御することで温度制御を行っている。このように温度制御部１４は、目標温度設定値Ｔｓｅｔになるように温度保持部９の温度制御を行い続ける。
【００２６】
最初にレーザ光源部１から光照射を行うには、ＬＤ制御部１５内部に予め設定されたレーザ目標値１０３を比較器１０４と積分器１０５およびＤＡ変換器１０６を介してＬＤ駆動部１６に出力する。ＬＤ駆動部１６では、レーザ目標値１０３に従ってレーザ光源部１を駆動する（Ｓ０３）。こうして発生させた高周波光出力をモニタ信号として光検出器１３により検出し、Ｉ−Ｖアンプ１０１に入力する。このモニタ信号は、ＡＤ変換器１０２でデジタル信号に変換され、比較器１０４にてレーザ目標値１０３と比較して差動信号を出力する。この差動信号は、乗算器と遅延器と加算器で構成される積分器１０５に送られ、低域補償とゲイン調整を行ってＤＡ変換器１０６へ入力される。ＤＡ変換器１０６は入力されたデジタル制御信号をアナログ信号に変換し、ＭＯＳ―ＦＥＴなどで構成された駆動回路１６によって電流増幅されて、レーザ光源部１に供給される。以上のように、レーザ目標値１０３にレーザ光源部１のレーザ出力が追従するようにＡＰＣ制御が行われる。
【００２７】
高周波光積算量算出部１７は、光検出器１３の出力が入力されているため、レーザ光源部１の光照射の開始を検出することができる。また、高周波光積算量算出部１７は、ＡＤ変換器１０２を介して、デジタル信号として光照射中のレーザ出力を得ることができる。そのため、高周波光積算量算出部１７では、光検出器１３からの出力からレーザ光源部１の光照射開始時間を判断した後、所定の間隔ＴでＡＤ変換器１０２から送られてくるレーザ出力（Ｗ）より、高周波光積算量を計算する。本実施例では、所定の間隔（Ｔ）を１秒として、（Ｔ）毎に高周波光出力の値（Ｗ）と照射時間（Ｔ）との積である高周波光出力積算量（Ｗ×Ｔ）を算出した（Ｓ０４）。この算出結果をもとに、高周波光積算量算出部１７は、メモリ１８内に格納された高周波光出力積算量に対する初期の位相整合温度からの変化量を検索する（Ｓ０５）。
【００２８】
累積高周波光出力積算量は、過去の累積高周波光出力積算量Ａと今回の高周波光積算量Ｂの和（Ａ＋Ｂ）として求められる。メモリ１８内には、予めレーザ光の連続入力による波長変換素子の位相整合温度の変化量とこの累積高周波光出力積算量との関係を求めたテーブルを作製している。この累積高周波光出力積算量とメモリ１８内に格納された高周波光出力積算量とを比較して、高周波光出力積算量に応じた目標温度設定値Ｔｓｅｔの変更を行う（Ｓ０６）。
【００２９】
ここで、高周波光出力積算量もメモリ内に一時的に保存される。そして、その目標温度設定値Ｔｓｅｔに従って、波長変換素子８の温度制御が行われる（Ｓ０７）。引き続き、光照射している期間は、Ｓ０４からＳ０７のステップが繰り返して行われる（Ｓ０８）。本実施例では、レーザの照射中に随時、波長変換素子の目標温度設定値を変化させているが、これに限定されるものではなく、レーザ光源装置の光照射のＯＮ、ＯＦＦ操作毎に目標温度設定値を変更しても良い。
【００３０】
次に、図５を使って高周波光出力積算量に応じた位相整合温度の目標温度設定値Ｔｓｅｔの決め方について説明する。図５は、図２（ｂ）に示した本実施の形態のレーザ光源装置の高周波光出力積算量と位相整合温度の変化との関係において、高周波積算量０から１０００［Ｗ・ｈｒ］の範囲を示したものである。本実施例では、高周波積算量に応じて、（Ａ）から（ｃ）の３区間に分けることにした。すなわち、高周波光出力積算量が２００Ｗ・ｈｒまでの区間（Ａ）、２００Ｗ・ｈｒ〜８００Ｗ・ｈｒまでの区間（Ｂ）、８００Ｗ・ｈｒ以上の区間（Ｃ）である。本実施例では、区間分けを位相整合温度変化が線形近似で表せるように３区間を分けたたが、これに限るものではなく、波長変換素子の特性に応じて区間分けを行えば良い。
【００３１】
さて、区間（Ａ）の場合には、０から２００Ｗ・ｈｒまで線形性を持ち、２００Ｗ・ｈｒで初期の位相整合温度から０．６度の変化量であるので、その変化の傾きとしては、０．００３度／Ｗ・ｈｒとなる。初期の位相整合温度からの変化量を△Ｔ、高周波出力光積算量ＷＴとすると、数（１）で表すことができる。
【００３２】
【数１】
2012018242.tif 000003
【００３３】
ここでの累積高周波光積算量ＷＴの単位は、Ｗ・ｈｒである。このように累積高周波光出力積算量が（Ａ）の範囲では、初期の位相整合温度Ｔｓｅｔに数（１）で算出された△Ｔを加算したＴｓｅｔ＋△Ｔで目標温度設定値の変更を行えば良い。
【００３４】
同様に、区間（Ｂ）では、累積高周波光出力積算量が２００Ｗ・ｈｒから８００Ｗ・ｈｒまで線形性を持ち、６００Ｗ・ｈｒで０．４度の位相整合温度の変化量であるので、その変化の傾きは０．０００６６７度／Ｗ・ｈｒとなり、初期の位相整合温度からの変化量を△Ｔ、累積高周波出力光積算量ＷＴとすると数（２）で表すことができる。
【００３５】
【数２】
2012018242.tif 000004
【００３６】
ここでの高周波光積算量ＷＴは、現在の累積高周波光積算量ＷＴから２００Ｗ・ｈｒを差分したものになる。
【００３７】
次に区間（Ｃ）では、累積高周波光出力積算量が８００Ｗ・ｈｒ以上では位相整合温度の変化がないので、それ以上の場合には初期の位相整合温度設定値Ｔｓｅｔにプラス１．０度を加えた温度で一定制御を行えば良いことになる。このように累積高周波光出力積算量に応じて、上記の換算式で位相整合温度を変化させれば良い。
【００３８】
本実施例では、上記換算式をメモリ内に格納し、累積高周波光出力積算量と比較判断して、表１のように、累積高周波光出力積算量に応じた目標温度設定値を決めた。
【００３９】
【表１】
2012018242.tif 000005
【００４０】
メモリ内に表１に示すように０．１度の位相整合温度の変化量に応じた高周波光出力積算量値が格納されている。そして、所定の高周波光出力積算量以上になると初期の目標温度設定値Ｔｓｅｔにメモリ内の△目標温度設定値を加算した目標設定温度で温度制御を行う。その他、所定の高周波光出力積算量以上になると、レーザ照射前に現行の位相整合温度の再測定を実施し、目標温度設定値を決めても良い。
【００４１】
図６に、本発明のレーザ光源装置と従来のレーザ光源装置の電流一定での連続運転時の高周波光出力を示す。横軸に累積高周波光出力積算量、縦軸に高周波光出力を示す。図６から明らかなように、従来のレーザ光源機器では、高周波光出力積算量が２００Ｗ・ｈｒ経過後の出力は１．２５Ｗであり、初期出力に比べて約８５％に減少する。この減少は、時間とともに増加し、３５０Ｗ・ｈｒでは、初期出力に比べ約７３％に減少する。一方、本発明のレーザ光源装置では、累積高周波光出力積算量が１０００時間経過しても、出力低下が見られない。従って、本発明のレーザ光源装置は、従来のレーザ光源装置に比べて長時間運転しても高調波出力を維持できる。このように位相整合温度の高温側のみの経時変化に対して、累積高周波光出力積算量と位相整合温度の変化量の関係を利用し、位相整合温度の変化を動的に変化させることで、長期的に安定した出力が得られることができる。
【００４２】
なお、本発明の実施の形態では、非線形光学効果を利用した波長変換素子を例にして説明したが、分極反転構造の周期を利用して、光の位相を整合させる構造、或いは、光とマイクロ波などの速度を整合させる波長変換素子などに適用することが可能である。
【００４３】
なお、本発明の実施の形態では、波長変換の一例として、赤外光（１０６４ｎｍ）から可視光（５３２ｎｍ）への変換を例にしたが、第２高調波発生以外にも、和周波発生、差周波発生、パラメトリック発振にも分極反転構造の周期を利用して、光の位相を整合させる構造を利用しているものであれば使用ができる。
【産業上の利用可能性】
【００４４】
本発明のレーザ光源装置は、波長変換素子の位相整合温度シフトによる出力低下を効果的に防止することができ、長期的に安定な信頼性で使用可能とする技術として有用である。
【符号の説明】
【００４５】
１  レーザ光源部
２  レーザダイオード
３  Ｙｂ添加ダブルクラッドファイバ３
４  第１のブラッグ回折格子
５  第２のブラッグ回折格子
６、１０  コリメートレンズ
７  集光レンズ
８  波長変換素子
９  温度保持部
１１  波長選択フィルタ
１２  サンプリング用フィルタ
１３  光検出器
１４  温度制御部
１５  ＬＤ温度部
１６  ＬＤ駆動部
１７  高周波光出力積算判断部
１８  メモリ
１９  温度センサ
１０１  Ｉ−Ｖアンプ
１０２、１１０  ＡＤコンバータ
２０１  比較器
２０２  ＤＡ変換器
２０３  電源
２０４  スイッチ
【図１】
2012018242.tif 000006
【図２】
2012018242.tif 000007
【図３】
2012018242.tif 000008
【図４】
2012018242.tif 000009
【図５】
2012018242.tif 000010
【図６】
2012018242.tif 000011