(57)【要約】【課題】  真空紫外光を研磨対象物の被研磨面へと適切に照射して、研磨対象物の被研磨面を高精度且つ高効率に平坦化できる研磨装置を提供する。【解決手段】  真空紫外光Ｌに対して透過性を有する定盤３と、定盤３の裏面側から真空紫外光Ｌを照射する真空紫外光照射部４と、研磨対象物２を研磨するために定盤３の表面に取り付けられ、且つ真空紫外光照射部４から照射されて定盤３を透過した真空紫外光Ｌを通す複数の貫通孔５１が形成されている研磨パッド５と、定盤３を回転させるための駆動手段と、真空紫外光照射部４が収容される容器７内を窒素パージするための窒素供給手段８と、研磨パッド５の表面に研磨液を供給する研磨液供給手段と、を備える研磨装置１。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空紫外光に対して透過性を有する定盤と、
該定盤の裏面側から真空紫外光を照射する真空紫外光照射部と、
前記定盤を回転させるための駆動手段と、
前記真空紫外光照射部が収容される容器内を窒素パージするための窒素供給手段と、
前記定盤の表面に研磨液を供給する研磨液供給手段と、を備えることを特徴とする研磨装置。
【請求項２】
前記定盤の表面に取り付けられ、且つ前記真空紫外光照射部から照射されて前記定盤を透過した前記真空紫外光を通す複数の貫通孔が形成されている研磨パッドを備え、
前記研磨液供給手段は、前記研磨パッドの表面に前記研磨液を供給することを特徴とする請求項１に記載の研磨装置。
【請求項３】
前記研磨液は、純水又は機能水であることを特徴とする請求項１又は２に記載の研磨装置。
【請求項４】
前記定盤は、石英ガラスからなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の研磨装置。
【請求項５】
前記定盤の外周には、前記研磨液供給手段により供給された前記研磨液を外部へと排水するための樋部が設けられていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の研磨装置。
【請求項６】
前記真空紫外光照射部は、前記定盤の裏面に対して近接するように設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の研磨装置。
【請求項７】
前記研磨液供給手段は、前記定盤の下方に配置されており、
前記定盤には、前記研磨液供給手段からの前記研磨液を該定盤の表面又は前記貫通孔を通過して前記研磨パッドの表面へと供給するための研磨液供給孔が形成されていることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の研磨装置。
【請求項８】
研磨対象物を研磨するための加工空間を有した状態で前記定盤又は前記研磨パッドの上方を覆うカバー部と、
前記加工空間内に雰囲気ガスを供給する雰囲気ガス供給手段と、を備え、
前記カバーには、前記加工空間内の気体を排出するための排気孔が形成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の研磨装置。
【請求項９】
前記雰囲気ガス供給手段は、前記雰囲気ガスとして酸素ガスを供給することを特徴とする請求項８に記載の研磨装置。
【請求項１０】
前記雰囲気ガス供給手段は、前記定盤の下方に配置されており、
前記定盤には、前記雰囲気ガス供給手段からの雰囲気ガスを前記加工空間内へと供給するための気体供給孔が形成されていることを特徴とする請求項８又は９に記載の研磨装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、研磨対象物の被研磨面を高効率に平坦化処理するための研磨装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、研磨対象物と研磨パッドの相対運動による研磨効果を増大させるために、砥粒が有する表面化学作用又は化学研磨液の作用を用いて研磨を行うことにより、研磨対象物の被研磨面を平坦化処理する化学機械研磨が知られている。しかしながら、このような化学機械研磨では、研磨加工を行った際の廃液処理等の環境問題が指摘されている。
【０００３】
一方、本発明者らは、紫外光に対して透明性を有すると共に裏面側に反射膜を備えた研磨定盤の表面に対して紫外光を照射しながら、研磨対象物の被研磨面を前記研磨定盤の表面に押し付けると共に、前記研磨対象物を前記研磨定盤に対して相対的に擦動させることにより研磨を行う研磨装置を発明した（例えば、特許文献１参照）。この研磨装置では、研磨定盤の表面側から照射された紫外光は、研磨定盤をその裏面まで透過した後、反射膜によって反射されて、研磨対象物の被研磨面に間接的に照射されることにより、被研磨面が活性化して酸化膜が形成される。そして、この被研磨面と研磨定盤との相互摩擦により酸化膜が除去されることで研磨が進行する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２５３２４４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の研磨装置の構成では、通常の紫外光よりも波長が短い真空紫外光を利用した場合には、真空紫外光が研磨対象物の被研磨面へと照射される前に空気中の酸素に吸収されてしまうため、十分な効果を得ることができないという問題がある。
【０００６】
本発明は、上記のような課題に鑑みてなされたものであって、真空紫外光を研磨対象物の被研磨面へと適切に照射して、研磨対象物の被研磨面を高精度且つ高効率に平坦化できる研磨装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、請求項１記載の研磨装置は、真空紫外光に対して透過性を有する定盤と、該定盤の裏面側から真空紫外光を照射する真空紫外光照射部と、前記定盤を回転させるための駆動手段と、前記真空紫外光照射部が収容される容器内を窒素パージするための窒素供給手段と、前記定盤の表面に研磨液を供給する研磨液供給手段と、を備えることを特徴としている。真空紫外光とは、通常の紫外光よりも波長が短い１０〜２００ｎｍの波長を有するものであり、本発明では、１７２ｎｍ付近の波長を有する真空紫外光を利用することが好ましい。
【０００８】
請求項２記載の研磨装置は、前記定盤の表面に取り付けられ、且つ前記真空紫外光照射部から照射されて前記定盤を透過した前記真空紫外光を通す複数の貫通孔が形成されている研磨パッドを備え、前記研磨供給手段は、前記研磨パッドの表面に前記研磨液を供給することを特徴としている。
【０００９】
請求項３記載の研磨装置は、前記研磨液が、純水又は機能水であることを特徴としている。
【００１０】
請求項４記載の研磨装置は、前記定盤が、石英ガラスからなることを特徴としている。
【００１１】
請求項５記載の研磨装置は、前記定盤の外周に前記研磨液供給手段により供給された前記研磨液を排水するための樋部が設けられていることを特徴としている。
【００１２】
請求項６記載の研磨装置は、前記真空紫外光照射部が、前記定盤の裏面に対して近接するように設けられていることを特徴としている。
【００１３】
請求項７記載の研磨装置は、前記研磨供給手段が、前記定盤の下方に配置されており、前記定盤には、前記研磨供給手段からの前記研磨液を該定盤の表面又は前記貫通孔を通過して前記研磨パッドの表面へと供給するための研磨液供給孔が形成されていることを特徴としている。
【００１４】
請求項８記載の研磨装置は、研磨対象物を研磨するための加工空間を有した状態で前記定盤又は前記研磨パッドの上方を覆うカバー部と、前記加工空間内に雰囲気ガスを供給する雰囲気ガス供給手段と、を備え、前記カバーには、前記加工空間内の気体を排出するための排気孔が形成されていることを特徴としている。
【００１５】
請求項９記載の研磨装置は、前記雰囲気ガス供給手段が、前記雰囲気ガスとして酸素ガスを供給することを特徴としている。
【００１６】
請求項１０記載の研磨装置は、前記雰囲気ガス供給手段が、前記定盤の下方に配置されており、前記定盤には、前記雰囲気ガス供給手段からの雰囲気ガスを前記加工空間内へと供給するための気体供給孔が形成されていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１記載の研磨装置によれば、真空紫外光に対して透過性を有する定盤の裏面側から真空紫外光を照射するための真空紫外光照射部が収容される容器内は、窒素パージされている。従って、真空紫外光照射部から照射される真空紫外光は、酸素に吸収されることなく、定盤を透過して、該定盤の表面（研磨面）と接触する研磨対象物の被研磨面に適切に照射される。これにより、研磨対象物の被研磨面に形成される酸化皮膜が分解され、光電効果が生じ、この光電効果の作用によって研磨対象物の被研磨面を高精度に平坦化することができる。また、定盤の表面には、研磨液が供給されるので、この研磨液に定盤を透過した真空紫外光が照射されて化学反応を生じることによって研磨効率を向上させることができる。
【００１８】
請求項２記載の研磨装置によれば、真空紫外光に対して透過性を有する定盤の表面に該定盤を透過した真空紫外光を通すための複数の貫通孔が形成された研磨パッドが取り付けられている。従って、真空紫外光照射部から照射される真空紫外光は、酸素に吸収されることなく、定盤を透過し、更に貫通孔を通過することにより、研磨パッドの表面と接触する研磨対象物の被研磨面に適切に照射される。これにより、研磨対象物の被研磨面に形成される酸化皮膜が分解され、光電効果が生じ、この光電効果の作用によって研磨対象物の被研磨面を高精度に平坦化することができる。
【００１９】
請求項３記載の研磨装置によれば、定盤の表面には、純水又は機能水からなる研磨液が供給される。従って、この研磨液に定盤を透過した真空紫外光が照射されると、研磨液の酸素分子が分解され、オゾンが生成される。これにより、オゾンの自己分解作用によって研磨液中にＯＨ−イオンやＯＨラジカルが発生し、これらのＯＨ−イオンやＯＨラジカルにより研磨対象物の研磨液中への溶出を促進することができるので、研磨対象物の被研磨面を高効率に平坦化処理することができる。また、砥粒を含む研磨液等を用いることなく、純水又は機能水からなる研磨液を用いて研磨対象物の被研磨面を高精度に平坦化することができるので、環境にもやさしい。
【００２０】
請求項４記載の研磨装置によれば、定盤に真空紫外領域でも比較的高い透過率を有する石英ガラスを用いているので、定盤の裏面側から照射された真空紫外光をより確実に研磨対象物の被研磨面へと照射することができる。
【００２１】
請求項５記載の研磨装置によれば、定盤の表面又は研磨パッドの表面に供給された研磨液を外部へと排水するための樋部が定盤の外周に設けられているので、研磨加工後に定盤の表面又は研磨パッドの表面に研磨液が停留した状態になることを防止することができる。また、研磨加工の際には、定盤が回転することによって遠心力で研磨液と共に研磨屑が、外側へと広がり樋部に流されて排出されるので、研磨パッドの表面に研磨屑が残留することを防止することができる。
【００２２】
請求項６記載の研磨装置によれば、真空紫外光照射部を定盤の裏面に対して近接するように配置しているので、より確実に研磨対象物の被研磨面へと真空紫外光を照射することができる。
【００２３】
請求項７記載の研磨装置によれば、研磨液供給手段が定盤の下方に配置されており、定盤には、研磨液を該定盤の表面又は研磨パッドの表面へと供給するための研磨液供給孔が形成されているので、定盤又は研磨パッド上の研磨対象物の被研磨面に対して研磨液を確実に直接供給することができ、作業効率を向上させることができる。
【００２４】
請求項８記載の研磨装置によれば、研磨対象物を研磨するための加工空間内に雰囲気ガスを供給することによって、研磨特性に対して影響を与えることができる。
【００２５】
請求項９記載の研磨装置によれば、雰囲気ガスとして酸素ガスを用いることによって、加工空間内のオゾン生成量を増大させ、研磨対象物の溶出を更に促進させることができるので、より高効率且つ高精度な研磨加工を行うことができる。
【００２６】
請求項１０記載の研磨装置によれば、雰囲気ガス供給手段が定盤の下方に配置されており、定盤には、雰囲気ガスを加工空間内へと供給するための気体供給孔が形成されているので、装置自体を小型化することができると共に、研磨対象物の被研磨面に対して雰囲気ガスを直接供給することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る研磨装置の一例を示す概略断面図。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る研磨装置の一例を示す概略平面図
【図３】定盤を支持する支持部材を裏面側から見た場合の様子を示す概略図。
【図４】図１の一部拡大図。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る研磨装置の一例を示す概略断面図。
【図６】本発明の第３の実施形態に係る研磨装置の一例を示す概略断面図。
【図７】本発明の第４の実施形態に係る研磨装置の一例を示す概略断面図。
【図８】本発明の第４の実施形態に係る研磨装置の他の一例を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明に係る研磨装置の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。本発明の第１の実施形態に係る研磨装置１は、研磨対象となるワーク２の被研磨面を研磨するためのものであって、図１及び図２に示すように、定盤３と、該定盤３の裏面側から真空紫外（Vacuum Ultra-Violet）光Ｌを照射するＸｅエキシマランプ（真空紫外光照射部）４と、定盤３の表面に取り付けられる研磨パッド５と、定盤３を回転軸６を中心として回転させるための駆動手段（不図示）と、Ｘｅエキシマランプ４が収容されるランプ容器７内を窒素パージするための窒素供給手段８と、研磨液Ｗを研磨パッド５の表面へと供給する研磨液供給ノズル９と、研磨液Ｗを外部へと排水するために定盤３の外周の外側に設けられる樋部１０とを備えている。
【００２９】
研磨対象となるワーク２は、特に限定はされるものではないが、例えば、シリコンウエーハ、ＧａＡｓ等の半導体ウエーハ、ガラス基板、ＵＬＳＩ（Ultra-Large Scale Integration）の配線材料となるＣｕ配線材等の高精度な平坦化が要求される各種加工材料が挙げられる。
【００３０】
定盤３は、真空紫外光Ｌに対して透過性を有する材料から構成されるものであり、例えば、真空紫外領域においても比較的高い透過性を有する石英（ＳｉＯ２）等が用いられる。この石英は、真空紫外光を効率良く低損失で透過させるだけでなく、赤外光を吸収しやすいので、加熱性の点においても優れている。また、その他、定盤３の材料としてフッ化カルシウム、フッ化マグネシウムといったフッ化物等を用いても良い。
【００３１】
定盤３は、円盤状に形成されており、図１及び図３に示すように、支持部材１１によって支持されている。この支持部材１１は、定盤３よりも大径な円盤状に形成されている。支持部材１１は、定盤３の外周部分３１を支持するための外周支持部１１ａと、定盤２の裏面を支持するように中心部から放射線状に複数設けられた支持片１１ｂが一体形成されており、隣り合う支持片１１ｂの間は開口している。そのため、定盤３の裏面の一部は、支持片１１ｂによって真空紫外光Ｌが遮られるが、その他の部分は開口しているので、真空紫外光Ｌは定盤３の裏面へと照射される。また、支持部材１１の中央部は、モータ等の不図示の駆動手段から与えられる回転トルクによって回転する回転軸６に軸支されている。従って、この回転軸６が回転することによって支持部材１１が回転すると共に、支持部材１１に支持されている定盤３も回転するように構成されている。尚、この際の回転数は自由に設定することが可能で、研磨対象となるワーク２の種類や、研磨パッド５の種類などによって適切な回転数が選択される。また、支持片１１ｂの数は特に限定されるものではなく、定盤３を十分に支えられるように設けられていれば良い。
【００３２】
Ｘｅエキシマランプ４は、図１及び図４に示すように、真空紫外光Ｌを定盤３の裏面側から照射するものであって、ランプ容器７に収容されている。真空紫外光Ｌは、通常の紫外光よりも波長が短い１０〜２００ｎｍの波長を有するものであり、Ｘｅエキシマランプ４では、例えば、波長１７２ｎｍの真空紫外光Ｌを照射する。また、ランプ容器７には、窒素供給手段８から供給される窒素ガスを内部に導入するための窒素ガス導入口７１が設けられている。窒素供給手段８は、例えば、窒素ガスが充填されている窒素ボンベ等の窒素供給源をチューブ等を介して導入口７１へと接続とされるものである。このような窒素供給手段８によって窒素パージすることにより、Ｘｅエキシマランプ４が収容されるランプ容器７内が窒素ガスで充填される。従って、Ｘｅエキシマランプ４によって、真空紫外光Ｌを照射した際に、真空紫外光Ｌが定盤３を透過する前に酸素に吸収されてしまうのを防止することができる。尚、波長があまり短い真空紫外光Ｌを用いた場合には、窒素に吸収されて、ワーク２の被研磨面に真空紫外光Ｌが照射されない恐れがあるので、１６０〜１８０ｎｍの波長を有する真空紫外光Ｌを利用することが好ましい。また、Ｘｅエキシマランプ４は、より確実にワーク２の被研磨面へと真空紫外光を照射するために、できる限り定盤３の裏面に対して近接するように配置しておくことが好ましい。
【００３３】
研磨パッド５は、円盤状に形成されたものであり、定盤３の表面に貼付されている。この研磨パッド５の表面の研磨面には、研磨対象となるワーク２の被研磨面が接触するように載置される。また、ワーク２がＣｕ配線材等の場合には、例えば、図２に示すように、不図示の土台等に固定されたアーム１３の先端に設けられたローラ１２によって、ワーク２が所定の研磨位置にて回転自在に保持される。従って、支持部材１１と共に定盤３が回転軸６を中心に回転するのに伴って、定盤３に貼付されている研磨パッド５も回転することにより、ワーク２の被研磨面を研磨することができる。また、研磨パッド５には、定盤３を透過してきた真空紫外光Ｌが、ワーク２の被研磨面へと照射されるように、真空紫外光Ｌを通すための貫通孔５１が複数形成されている。この貫通孔５１の大きさは特に限定されるものではないが、研磨対象となるワーク２が嵌ることがないように数ｍｍ〜数十ｍｍ程度の径を有するように形成されている。また、貫通孔５１が設けられる箇所及び個数も特に限定されるものではないが、少なくとも研磨加工を行う際に、常時ワーク２の被研磨面に対して真空紫外光Ｌが照射されるように設けられていれば良い。
【００３４】
研磨液供給ノズル９は、例えば、研磨液Ｗが格納された不図示の研磨液供給源から研磨パッド５の表面へと研磨液Ｗを供給するためのものである。ここでは、研磨液Ｗとして純水、又はオゾン水、電解還元水等の機能水を用いた場合を例に説明するが、研磨液Ｗはこれに限定されるものではなく、従来公知の研磨スラリー等を用いても良い。研磨液Ｗは、研磨パッド５の表面に供給されると、図４に示すワーク２の被研磨面の下に位置する研磨パッド５の貫通孔５１内にも流れ込む。この状態で、真空紫外光Ｌが、研磨液Ｗに照射されることによって、研磨液Ｗの酸素分子が分解され、オゾンが生成される。これにより、オゾンの自己分解作用によって研磨液Ｗ中にＯＨ−イオンやＯＨラジカルが発生し、これらのＯＨ−イオンやＯＨラジカルによりワーク２の研磨液Ｗ中への溶出が促進された状態で、研磨パッド５によってワーク２の被研磨面を擦動するので、高効率且つ高精度にワーク２の被研磨面を平坦化することができる。
【００３５】
また、定盤３及び研磨パッド５の外周側には、研磨パッド５の表面に供給された研磨液Ｗを排水するための樋部１０が支持部材１１を介して設けられている。この樋部１０は、不図示の土台又は該土台と一体として形成されているものである。また、図１に示すように、支持部材１１と樋部１０との間には、Ｘｅエキシマランプ４が配置されている定盤３の裏面側に研磨液Ｗが漏れないようにＶリング等のシーリング部材１４が配置されている。また、樋部１０には、図２に示すように、流れ込んだ研磨液Ｗを外部へと排出するための排出口１５が形成されている。これにより、研磨加工後に研磨パッド５の表面に研磨液Ｗが停留した状態になることを防止できる。また、研磨加工の際に発生する研磨屑も研磨液Ｗと共に外側へと排出することができるので、研磨パッドの表面に研磨屑が残留することも防止できる。
【００３６】
以下、研磨装置１を用いたワーク２の研磨加工について図１及び図２を参照しつつ説明する。まず、ワーク２の被研磨面が、研磨パッド５の表面と接触するように載置すると共に、アーム１３の先端に設けられたローラ１２によって、ワーク２が所定の研磨位置にて回転自在になるように保持する。この状態において、図１に示すように、Ｘｅエキシマランプ４によって真空紫外光Ｌをワーク２の被研磨面へと照射するとともに、研磨液供給ノズル９によって研磨パッド５の表面へと研磨液Ｗを供給する。
【００３７】
そして、回転軸６を回転駆動させることにより、研磨パッド５を回転させてワーク２の被研磨面を研磨する。このように、研磨パッド５の表面に供給された研磨液Ｗに研磨パッド５の貫通孔５１を通過した真空紫外光Ｌが照射されて、研磨液Ｗの酸素分子が分解されて、オゾンが生成され、このオゾンの自己分解作用によって研磨液Ｗ中にＯＨ−イオンやＯＨラジカルが発生し、これらのＯＨ−イオンやＯＨラジカルによりワーク２の溶出が促進された状態で、研磨を行うことにより高効率且つ高精度にワーク２の被研磨面を平坦化することができる。また、本実施形態では、ローラ１２によって、ワーク２が所定の研磨位置にて回転自在に保持されているが、ワーク２の種類に応じて所定の圧力で押し付けた状態でワーク２を研磨するように構成しても良い。
【００３８】
次に、本発明の第２の実施形態に係る研磨装置１ａについて、図５を参照しつつ説明する。この研磨装置１ａは、表面側に研磨面を有する定盤３によってワーク２を研磨するものであり、第１の実施形態に係る研磨装置１と同様の構成等については、同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。
【００３９】
研磨装置１ａは、図５に示すように、表面側に研磨面を有する定盤３ａと、研磨対象となるワーク２を保持して定盤３ａの表面に押圧するワーク保持部１６と、定盤３ａの裏面側から真空紫外（Vacuum Ultra-Violet）光Ｌを照射するＸｅエキシマランプ（真空紫外光照射部）４と、定盤３ａを回転軸６を中心として回転させるための駆動手段（不図示）と、Ｘｅエキシマランプ４が収容されるランプ容器７内を窒素パージするための窒素供給手段８と、純粋又は機能水からなる研磨液Ｗを研磨パッド５の表面へと供給する研磨液供給ノズル９と、研磨液Ｗを外部へと排水するために定盤３ａの外周の外側に設けられる樋部１０とを備えている。
【００４０】
定盤３ａは、真空紫外光Ｌに対して透過性を有する石英（ＳｉＯ２）等によって構成されるものである。ワーク保持部１６は、研磨対象となるワーク２を保持する研磨ヘッド１７と、該研磨ヘッド１７に保持されたワーク２を定盤３ａの研磨面に圧接するシャフト１８と、該シャフト１８に回転力を与えて研磨ヘッド１７と共にワーク２を回転させる駆動手段（不図示）を備えている。
【００４１】
研磨装置１ａでは、図５に示すように、ワーク２をワーク保持部１６によって保持した状態で定盤３ａの研磨面へと圧接する。この際、圧力はワーク２の種類及び定盤３ａの種類等に応じて適宜選択される。この状態において、研磨装置１と同様にＸｅエキシマランプ４によって真空紫外光Ｌを定盤３ａを透過させてワーク２の被研磨面へと照射するとともに、研磨液供給ノズル９によって定盤３の研磨面へと研磨液Ｗを供給する。
【００４２】
そして、回転軸６を回転駆動させることにより定盤３ａを回転させると共に、ワーク２を圧接させた状態でシャフト１８に回転させて相対的に擦動することによりワーク２の被研磨面を研磨する。このように、定盤３の研磨面に供給された研磨液Ｗに定盤３を透過した真空紫外光Ｌが照射されて、研磨液Ｗの酸素分子が分解されて、オゾンが生成され、このオゾンの自己分解作用によって研磨液Ｗ中にＯＨ−イオンやＯＨラジカルが発生し、これらのＯＨ−イオンやＯＨラジカルによりワーク２の溶出が促進された状態になるので、研磨対象がダイヤモンド等の基板であっても該基板よりも軟質な石英からなる定盤３ａを用いて高効率且つ高精度に被研磨面を平坦化することができる。
【００４３】
次に、本発明の第３の実施形態に係る研磨装置１ｂについて、図６を参照しつつ説明する。尚、研磨装置１、１ａと同様の構成等については、同一の符号を付し、その詳細な説明は省略する。研磨装置１ｂは、ワーク２を研磨するための加工空間Ｓを有した状態で定盤３ｂの上方を覆うカバー部１９と、加工空間Ｓ内に雰囲気ガスを供給するための雰囲気ガス供給手段として機能する気体供給用スリップリング２０とを備えている。
【００４４】
この気体供給用スリップリング２０、及び研磨液供給手段として機能する研磨液供給用スリップリング２１は、それぞれ定盤３ｂの下方の回転軸６に固着されている。気体供給用スリップリング２０は、例えば、雰囲気ガスとして酸素ガスやアルカリ系水蒸気等の気体を加工空間Ｓへと供給するためのものであり、回転軸６及び支持片１１ｂに形成された流路２２を介して定盤３ｂに形成された気体供給孔２３へと接続されている。また、研磨液供給用スリップリング２１も同様に回転軸６及び支持片１１ｂに形成された流路２４を介して定盤３ｂに形成された研磨液供給孔２５へと接続されている。従って、ワーク２の被研磨面へと直接研磨液を供給することができると共に、加工空間Ｓに雰囲気ガスを供給することができる。これにより、例えば、雰囲気ガスとして酸素ガスを供給した場合には、加工空間Ｓ内のオゾン生成量を増大させ、ワーク２の溶出を更に促進させた状態で研磨加工を行うことができるので、より高効率且つ高精度なワーク２の被研磨面を平坦化することができる。
【００４５】
また、カバー部３には、気体供給用スリップリング２０から気体供給孔２３を介して雰囲気ガスが供給された際に、加工空間Ｓ内の気体を排出するための排気孔２６が形成されている。ここでは、排気孔２６は、ワーク２を保持して定盤３ａの表面に押圧するワーク保持部１６を加工空間Ｓ内に挿入することができる大きさに形成されている。
【００４６】
本発明の第４の実施形態に係る研磨装置１ｃは、図７に示すように、研磨装置１ｂのように回転軸６に気体供給用スリップリング２０を固着する代わりに、カバー部１９ａに外部に設けられた雰囲気ガス供給手段２７から加工空間Ｓ内へと雰囲気ガスを供給するための給気孔２８を形成したものである。これにより、雰囲気ガス供給手段２７から給気孔２８を介して雰囲気ガスが加工空間Ｓ内へと供給されると共に、加工空間Ｓ内の気体は排気孔２６を通じて外部へと排出されることになる。
【００４７】
また、定盤３ｃには、研磨液供給用スリップリング２１からの研磨液を流路２４を介して定盤３ｃの表面上へと供給するための研磨液供給孔２５が形成されている。従って、研磨装置１ｂと同様にワーク２の被研磨面へと直接研磨液を供給することができると共に、加工空間Ｓに雰囲気ガスを供給することができる。
【００４８】
尚、研磨装置１ｃにおいて、回転軸６に研磨液供給用スリップリング２１を固着する代わりに気体供給用スリップリング２０を固着し、カバー部１９ａの給気孔２８の代わりに研磨液を供給するための孔を形成し、外部から定盤３ｃの表面上に研磨液を供給できるように構成しても良い。
【００４９】
また、図８に示すように、定盤３ｃの外周に支持部材１１を介して樋部１０を設けても良い。この場合、支持部材１１に定盤３ｃの表面に供給される研磨液を樋部１０へと案内するための排水路１１ｃを形成しておけば良い。
【００５０】
また、研磨装置１ｂ、１ｃの定盤３ｂ、３ｃの表面上に研磨パッド５を取り付けて研磨加工を行う場合には、研磨パッド５に形成された貫通孔５１と定盤３ｂ、３ｃに形成された気体供給孔２３や研磨液供給孔２５の位置が合うように構成することにより、加工空間Ｓ内に雰囲気ガスを供給すると共に、研磨パッド５の表面上に研磨液を供給することができる。
【００５１】
また、本実施形態における定盤３〜３ｃは、全て支持部材１１により支持された状態で支持部材１１が回転することにより定番３，３ａが回転するように構成されているが、直接定盤３〜３ｃを回転軸６により回転自在に軸支するように構成しても良い。また、本実施形態では、１つのＸｅエキシマランプ（真空紫外光照射部）４を配置した場合を例に説明したが、Ｘｅエキシマランプ４は、定盤３〜３ｃの裏面側の所定の位置に複数設けるように構成しても良い。これにより、適宜複数のワーク２を同時に研磨することも可能である。
【００５２】
尚、本発明の実施の形態は上述の形態に限るものではなく、本発明の思想の範囲を逸脱しない範囲で適宜変更することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５３】
本発明に係る研磨装置は、研磨対象となる様々なワークの被研磨面を高効率且つ高精度に平坦化処理するための研磨装置として有効に利用することができる。
【符号の説明】
【００５４】
１、１ａ、１ｂ、１ｃ    研磨装置
２                      ワーク（研磨対象物）
３、３ａ、３ｂ、３ｃ    定盤
４                      Ｘｅエキシマランプ（真空紫外光照射部）
５                      研磨パッド
５１                    貫通孔
６                      回転軸
７                      ランプ容器（容器）
８                      窒素供給手段
９                      研磨液供給ノズル
１０                    樋部
１９                    カバー部
２０                    気体供給用スリップリング（雰囲気ガス供給手段）
２１                    研磨液供給用スリップリング（研磨液供給手段）
２３                    気体供給孔
２５                    研磨液供給孔
２６                    排気孔
Ｌ                      真空紫外光
Ｗ                      研磨液
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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