(57)【要約】【課題】ウェハから切り出した発光素子を識別する。【解決手段】複数の発光デバイスを製造する製造方法であって、発光素子基板に複数の発光素子を形成する素子形成段階と、それぞれの発光素子に、発光素子を他の発光素子から識別する識別部を形成する識別部形成段階と、それぞれの発光素子を分離して、複数の発光デバイスを形成するデバイス形成段階とを備える発光デバイスの製造方法を提供する。識別部は、発光素子を他の発光素子から識別する外観を有してよい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光デバイスを製造する製造方法であって、
発光素子基板に複数の発光素子を形成する素子形成段階と、
それぞれの前記発光素子に、他の前記発光素子から識別する識別部を形成する識別部形成段階と、
それぞれの発光素子を分離して、前記複数の発光デバイスを形成するデバイス形成段階と
を備える発光デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記識別部は、それぞれの前記発光素子を、他の発光素子から識別する外観を有する
請求項１に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項３】
それぞれの前記発光素子は、
第１の伝導型の半導体層と、
第２の伝導型の半導体層と、
前記第１の伝導型の半導体層および前記第２の伝導型の半導体層の間に形成された発光層と、
前記第１の伝導型の半導体層に電気的に接続される第１電極部と、
前記第２の伝導型の半導体層に電気的に接続される第２電極部と
を有し、
前記識別部形成段階において、前記第１の伝導型の半導体層、前記第２の伝導型の半導体層、前記発光層、前記第１電極部、および、前記第２電極部の少なくとも１つに前記識別部を形成する
請求項２に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記第１電極部は、前記第１の伝導型の半導体層上に形成された透明電極を含み、
前記識別部形成段階において、前記透明電極上に、前記識別部を形成する
請求項３に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記第１電極部は、前記第１の伝導型の半導体層上に形成された透明電極を含み、
前記識別部形成段階において、前記第１の伝導型の半導体層上に前記識別部を形成してから、前記素子形成段階において、前記第１の伝導型の半導体層上に前記透明電極を形成する
請求項３に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記第２電極部は、前記第１の伝導型の半導体層および前記発光層の一部が除去されたことで露出した、前記第２の伝導型の半導体層の露出領域に形成され、
前記識別部形成段階において、前記露出領域に前記識別部を形成する
請求項３に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記第１電極部および前記第２電極部の少なくとも一方を、前記発光素子を識別する形状に形成することで、前記識別部を形成する
請求項３に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項８】
前記第１電極部および前記第２電極部の少なくとも一方が、前記発光素子基板上の位置に応じた形状を有する前記発光素子を形成する
請求項７に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記第１電極部および前記第２電極部の少なくとも一方は、
電極パッドと、
前記電極パッドより小さい幅を有して、前記電極パッドから延伸して形成される延長電極部と
を有し、
前記延長電極を、前記発光素子を識別する形状に形成する
請求項７または８に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記第１電極部および前記第２電極部の少なくとも一方が、他の前記発光素子のものと異なる形状を有する前記複数の発光素子を形成する
請求項７から９のいずれか一項に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記第２電極部は、前記第１の伝導型の半導体層および前記発光層の一部が除去されたことで露出した、前記第２の伝導型の半導体層の露出領域に形成され、
前記識別部形成段階において、前記第１の伝導型の半導体層および前記発光層の一部が除去されたことで露出した、前記第１の伝導型の半導体層および前記発光層の側面に前記識別部を形成する
請求項３に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記第１の伝導型の半導体層、前記第２の伝導型の半導体層、および、前記発光層の少なくとも一つを、前記発光素子を識別する形状に形成することで前記識別部を形成する
請求項３に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項１３】
前記第１の伝導型の半導体層、前記第２の伝導型の半導体層、および、前記発光層の積層方向において、前記第１の伝導型の半導体層、前記第２の伝導型の半導体層、および、前記発光層の少なくとも２つに渡って前記識別部を形成する
請求項１２に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項１４】
前記第１の伝導型の半導体層、前記第２の伝導型の半導体層、および、前記発光層の少なくとも一つが、他の前記発光素子のものと異なる形状を有する前記複数の発光素子を形成する
請求項１２または１３に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項１５】
前記発光素子の光射出側の面に、前記識別部を形成する
請求項１から１４のいずれか一項に記載の発光デバイスの製造方法。
【請求項１６】
発光デバイスであって、
素子基板と、
前記素子基板に設けられた発光素子と、
前記発光素子に設けられ、前記発光素子を他の発光素子から識別する識別部と
を備える発光デバイス。
【請求項１７】
前記識別部は、それぞれの前記発光素子を、他の発光素子から識別する外観を有する
請求項１６に記載の発光デバイス。
【請求項１８】
前記発光素子は、
第１の伝導型の半導体層と、
第２の伝導型の半導体層と、
前記第１の伝導型の半導体層および前記第２の伝導型の半導体層の間に形成された発光層と、
前記第１の伝導型の半導体層に電気的に接続される第１電極部と、
前記第２の伝導型の半導体層に電気的に接続される第２電極部と
を有し、
前記識別部は、前記第１の伝導型の半導体層、前記第２の伝導型の半導体層、前記発光層、前記第１電極部、および、前記第２電極部の少なくとも１つに形成される
請求項１７に記載の発光デバイス。
【請求項１９】
前記第１電極部は、前記第１の伝導型の半導体層上に形成された透明電極を含み、
前記識別部は、前記透明電極上に形成される
請求項１８に記載の発光デバイス。
【請求項２０】
前記第１電極部は、前記第１の伝導型の半導体層上に形成された透明電極を含み、
前記識別部は、前記透明電極に覆われる前記第１の伝導型の半導体層上に形成される
請求項１８に記載の発光デバイス。
【請求項２１】
前記第１電極部および前記第２電極部の少なくとも一方が、前記発光素子を他の識別する形状を有することで、前記識別部として機能する
請求項１８に記載の発光デバイス。
【請求項２２】
前記第１電極部および前記第２電極部の少なくとも一方は、
電極パッドと、
前記電極パッドより小さい幅を有して、前記電極パッドから延伸して形成される延長電極部と
を有し、
前記延長電極が、前記発光素子を識別する形状を有することで、前記識別部として機能する
請求項２１に記載の発光デバイス。
【請求項２３】
前記第２電極部は、前記第１の伝導型の半導体層および前記発光層の一部が除去されたことで露出した、前記第２の伝導型の半導体層の露出領域に形成され、
前記識別部は、前記第１の伝導型の半導体層および前記発光層の一部が除去されたことで露出した、前記第１の伝導型の半導体層および前記発光層の側面に形成される
請求項１８に記載の発光デバイス。
【請求項２４】
前記第１の伝導型の半導体層、前記第２の伝導型の半導体層、および、前記発光層の少なくとも一つが前記発光素子を識別する形状を有することで、前記識別部として機能する
請求項１８に記載の発光デバイス。
【請求項２５】
前記第１の伝導型の半導体層、前記第２の伝導型の半導体層、および、前記発光層の積層方向において、前記第１の伝導型の半導体層、前記第２の伝導型の半導体層、および、前記発光層の少なくとも２つが同一の形状を有することで、前記識別部として機能する
請求項２４に記載の発光デバイス。
【請求項２６】
複数の発光素子が形成される発光素子基板であって、
それぞれの前記発光素子に、他の前記発光素子から識別する識別部を形成した発光素子基板。
【請求項２７】
前記識別部は、前記発光素子を他の発光素子から識別する外観を有する
請求項２６に記載の発光素子基板。
【請求項２８】
それぞれの前記発光素子は、
第１の伝導型の半導体層と、
第２の伝導型の半導体層と、
前記第１の伝導型の半導体層および前記第２の伝導型の半導体層の間に形成された発光層と、
前記第１の伝導型の半導体層に電気的に接続される第１電極部と、
前記第２の伝導型の半導体層に電気的に接続される第２電極部と
を有し、
前記識別部は、前記第１の伝導型の半導体層、前記第２の伝導型の半導体層、前記発光層、前記第１電極部、および、前記第２電極部の少なくとも１つに形成される
請求項２７に記載の発光素子基板。
【請求項２９】
それぞれの前記発光素子は、前記第１の伝導型の半導体層、前記第２の伝導型の半導体層、前記発光層、前記第１電極部、および、前記第２電極部の少なくとも１つの形状が、他の前記発光素子と異なる
請求項２８に記載の発光素子基板。
【請求項３０】
請求項２６から２９のいずれか一項に記載の発光素子基板に形成された、前記複数の発光素子の品質を管理する品質管理方法であって、
それぞれの前記発光素子の特性を測定する測定段階と、
それぞれの前記発光素子の前記識別部に基づいて、それぞれの前記発光素子を識別して、それぞれの前記発光素子に対する前記特性の測定結果を記憶する結果記憶段階と
を備える品質管理方法。
【請求項３１】
前記測定段階は、前記発光素子基板を発光素子毎に分離して、パッケージされた後のそれぞれの前記発光素子の特性を測定する
請求項３０に記載の品質管理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光デバイスの製造方法、発光デバイス、発光素子基板および品質管理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＬＥＤ等の発光デバイスは、ウェハに複数の発光素子を形成した後に、発光素子毎に基板を切り出すことで製造される。分離された各発光素子は、用途に応じた回路および放熱構造等を有するパッケージ内に配置される。このとき、配置された発光素子の特性データを、パッケージの表面に表示する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１  特開２００８−２５８５８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、パッケージの表面に発光素子の特性データを表示する場合、パッケージ前に測定した発光素子の特性を、発光素子に対応付けて管理することが困難である。つまり、パッケージするまでは、発光素子を識別することができないので、パッケージした発光素子が、ウェハ上におけるいずれの発光素子であったかを管理することが困難である。このため、パッケージ後の検査結果に基づいて、ウェハベースの製造工程における不具合を解析することが困難である。また、ウェハベースの検査工程における検査結果が、パッケージ後の製品品質にどのように影響を与えているのかを追跡することが困難である。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記課題を解決するために、本発明の第１の態様においては、複数の発光デバイスを製造する製造方法であって、発光素子基板に複数の発光素子を形成する素子形成段階と、それぞれの発光素子に、発光素子を他の発光素子から識別する外観を有する識別部を形成する識別部形成段階と、それぞれの発光素子を分離して、複数の発光デバイスを形成するデバイス形成段階とを備える発光デバイスの製造方法を提供する。
【０００５】
本発明の第２の態様においては、発光デバイスであって、素子基板と、素子基板に設けられた発光素子と、発光素子に設けられ、発光素子を他の発光素子から識別する識別部とを備える発光デバイスを提供する。
【０００６】
本発明の第３の態様においては、複数の発光素子が形成される発光素子基板であって、それぞれの発光素子に、発光素子を他の発光素子から識別する識別部を形成した発光素子基板を提供する。
【０００７】
本発明の第４の態様においては、第２の態様の発光素子基板に形成された、複数の発光素子の品質を管理する品質管理方法であって、それぞれの発光素子の特性を測定する測定段階と、それぞれの発光素子の識別部に基づいて、それぞれの発光素子を識別して、それぞれの発光素子に対する特性の測定結果を記憶する結果記憶段階とを備える品質管理方法を提供する。
【０００８】
なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】複数の発光デバイスを製造する製造方法のフローチャートを示す。
【図２Ａ】複数の発光素子が形成された発光素子基板１００の一例を示す。
【図２Ｂ】所定のレチクル領域１１０の一例を示す。
【図３】発光素子１０の上面を示す。
【図４】発光素子１０のｘ−ｘ´断面を示す。
【図５】発光素子１０のｙ−ｙ´断面を示す。
【図６】発光素子１０の上面の他の例を示す。
【図７】発光素子１０の上面の他の例を示す。
【図８】発光素子１０の上面の他の例を示す。
【図９】図８に示した発光素子１０の斜視図である。
【図１０】発光素子１０の上面の他の例を示す。
【図１１】発光素子１０の他の例を示す。
【図１２Ａ】延長電極部１６ｂに形成される識別部１７のパターン例を示す。
【図１２Ｂ】延長電極部１６ｂに形成される識別部１７のパターン例を示す。
【図１２Ｃ】延長電極部１６ｂに形成される識別部１７のパターン例を示す。
【図１３】発光デバイスを製造する製造方法のフローチャートの一例を示す。
【図１４Ａ】発光素子基板１００の一例を示す。
【図１４Ｂ】発光素子基板１００に対応する基板画像を示す。
【図１５】照明装置７００の構成例を示す。
【図１６】バックライト８００の構成例を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は特許請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
【００１１】
図１は、複数の発光デバイスを製造する製造方法のフローチャートを示す。まず、素子形成段階Ｓ２１０において、発光素子基板に複数の発光素子を形成する。素子形成段階Ｓ２１０の後、または、素子形成段階Ｓ２１０の途中で、それぞれの発光素子に、各発光素子を他の発光素子から識別する識別部を形成する（識別部形成段階Ｓ２２０）。識別部は、各発光素子を他の発光素子から識別する外観を有してよい。この場合、識別部は、発光素子の光射出側の面に形成されてよい。これにより、発光素子をパッケージングした後でも、識別部を認識することができる。
【００１２】
識別部は、２次元のマークを有してよく、発光素子毎に各半導体層および電極等の形状を異ならせることで形成してもよい。なお、発光素子を識別する情報は、発光素子基板のロット番号、ロット内におけるウェハ番号、発光素子基板における発光素子の位置、製造ライン番号、および、生産時期等の少なくとも一つを含んでよい。
【００１３】
そして、デバイス形成段階Ｓ２３０において、それぞれの発光素子を分離して、複数の発光デバイスを形成する。デバイス形成段階Ｓ２３０においては、それぞれの発光素子に対してレンズを形成すること、蛍光体を塗布すること、所定の回路および放熱構造を有するパッケージ内に配置すること等を更に行ってよい。このように、それぞれの発光素子に識別部を形成してから、発光素子基板を発光素子毎に分割することで、分割後においても各発光素子を識別することができる。
【００１４】
図２Ａは、複数の発光素子が形成された発光素子基板１００の一例を示す。発光素子基板１００は、サファイア基板であってよく、半導体基板であってもよい。発光素子基板１００は、図２Ａに示すように、複数のレチクル領域１２０を有する。各レチクル領域１２０は、１回の露光でパターンが照射される範囲に応じて定められてよい。
【００１５】
図２Ｂは、所定のレチクル領域１１０の一例を示す。図２Ｂに示すように、レチクル領域１１０には、複数の発光素子１０が形成される。各発光素子１０には、発光素子基板１００のロット番号、発光素子基板１００のロット内における番号、発光素子基板１００におけるレチクル領域１１０の位置、および、レチクル領域１１０における発光素子１０の位置を示す識別部が形成される。例えば、図２Ｂの斜線で示す発光素子１０の場合、ロット番号、発光素子基板１００の番号、レチクル領域１１０の座標（ｘ、ｙ）＝（４，５）、および、発光素子１０の座標（ｘ、ｙ）＝（６，６）を示す識別部が形成される。
【００１６】
図３は、発光素子１０の上面を示す。図４は、発光素子１０のｘ−ｘ´断面を示す。図５は、発光素子１０のｙ−ｙ´断面を示す。発光素子１０は、発光素子基板１１、半導体積層部１２、透明電極１４、第１電極部１５および第２電極部１６を備える。半導体積層部１２は、発光素子基板１１の表面に積層される。発光素子基板１１は、発光素子基板１００と同一であってよい。
【００１７】
半導体積層部１２は、第１の伝導型（例えばｎ型）の半導体層１２ａ、第２の伝導型（例えばｐ型）の半導体層１２ｂおよび発光層１２ｃを有する。発光層１２ｃは、半導体層１２ａおよび半導体層１２ｂの間に形成され、これらの半導体層から注入される電子および正孔の結合により、光を生成する。本例の半導体層１２ａ、発光層１２ｃおよび半導体層１２ｂは、この順番で、発光素子基板１１の表面に積層される。また、透明電極１４は、半導体層１２ｂの表面の全体に形成される。
【００１８】
発光素子１０には、識別部１７が形成される。識別部１７は、ウェハーベースでの製造工程に関連した情報を示す。識別部１７が示す情報は、発光素子基板１００のロット番号、ロット内におけるウェハ番号、発光素子基板１００における発光素子１０の位置、製造ライン番号、および、生産時期等の少なくとも一つであってよい。識別部１７は、当該情報に応じた外観を有することで、各発光素子１０を、他の発光素子１０から識別する。
【００１９】
本例の発光素子１０は、透明電極１４上に識別部１７を有する。識別部１７は、レーザー加工等により透明電極１４上に形成された文字、記号、図形等であってよい。図形は、バーコードのように、規則性または周期性を有して配列され、その配列パターンによって情報を表示する。また、発光素子１０は、透明電極１４上に複数の識別部１７を有してよい。また、識別部１７は、発光素子１０の製造工程で用いられるマスクの一部を、発光素子毎に変化させることでも形成できる。
【００２０】
発光素子１０は、識別部１７ａ、ｅのように、同一の外観を有する複数の識別部１７を有してよい。また、発光素子１０は、識別部１７ａ、ｂ、ｃ、ｄのように、それぞれ異なる外観を有する複数の識別部１７を有してもよい。識別部１７は、表示する情報の種類ごとに、配置場所が予め定められる。
【００２１】
発光素子１０は、識別部１７ａ、ｄのように、透明電極１４の各隅の近傍に識別部１７を有してよい。また、発光素子１０は、識別部１７ａのように、透明電極１４の短辺のうち、延長電極部１５ｂが形成される短辺側に識別部１７を有してよく、延長電極部１５ｂが形成されない短辺側に識別部１７を有してもよい。
【００２２】
また、発光素子１０は、識別部１７ｅのように、平行して延伸する延長電極部１５ａおよび延長電極部１５ｂの間に識別部１７を有してよい。また、発光素子１０は、識別部１７ｂのように、電極パッド１５ａおよび延長電極部１６ｂの間に識別部１７を有してもよい。
【００２３】
また、発光素子１０は、識別部１７ｃのように、透明電極１４の長辺と、延長電極部１６ｂの間に識別部１７を有してもよい。また、発光素子１０は、透明電極１４において、第１の電極１５および第２の電極１６からの各距離がそれぞれ最大となるような位置に、識別部１７を有してもよい。
【００２４】
なお、識別部１７は、肉眼で外観を判別できるものに限定されない。識別部１７は、顕微鏡等の観察器具を利用して外観が判別できればよい。また、識別部１７は、半導体層１２ｂの表面に形成されてもよい。
【００２５】
透明電極１４は、半導体層１２ｂの表面に形成した識別部１７を覆うように形成されてよい。つまり、識別部１７は、透明電極１４で覆われる半導体層１２ｂの表面に形成されてよい。この場合、半導体層１２ｂ上に識別部１７を形成してから、半導体層１２ｂ上に透明電極１４を形成する。これにより、識別部１７の外観を外部から監視でき、且つ、識別部１７を保護することができる。
【００２６】
なお、透明電極１４、半導体層１２ｂおよび発光層１２ｃは、発光素子１０の外周に沿ってメサエッチングされる。これに伴い、半導体層１２ａの一部分も、発光素子１０の外周に沿ってエッチングされてよい。これにより、発光素子１０の外周にはスクライブ領域１０６が形成され、発光素子１０の分離時に発光素子基板１１を容易に切断できる。また、スクライブ領域１０６は、半導体層１２ａの表面が露出し、電極等が形成される露出領域としても機能する。
【００２７】
なお、図３において、境界線１０２により、メサエッチングで形成される側面の位置を示す。また、境界線１０４は、発光素子１０を個別に分離する場合の、発光素子１０間の境界を示す。図３に示すように、発光素子１０を個別に分離した後も、発光素子１０には、スクライブ領域１０６の一部が残存する。
【００２８】
スクライブ領域１０６は、発光素子１０の外周に沿って、一定の幅で形成される。発光素子１０の外周は矩形であってよい。スクライブ領域１０６の幅は、発光素子１０の外周線に垂直な方向の幅を指す。ただし、発光素子１０の外周における一方の短辺に沿ったスクライブ領域１０６の幅は、他の領域のスクライブ領域１０６の幅より大きくてよい。比較的に幅の広いスクライブ領域１０６によって露出した半導体層１２ａの表面には、第１電極部１５の少なくとも一部が形成されてよい。
【００２９】
第１電極部１５は、半導体層１２ａに電気的に接続される。本例の第１電極部１５は、透明電極１４、半導体層１２ｂおよび発光層１２ｃが除去されたことで露出する半導体層１２ａの表面に形成される。第１電極部１５は、電極パッド１５ａおよび延長電極部１５ｂを有する。
【００３０】
電極パッド１５ａは、外部の電極またはワイヤと電気的に接続される。電極パッド１５ａは、例えば円状の断面を有する。延長電極部１５ｂは、電極パッド１５ａより小さい幅を有する。電極パッド１５ａの幅は、直径を指してよい。延長電極部１５ｂの幅は、延長電極部１５ｂを横切る最短の長さを指してよい。延長電極部１５ｂは、電極パッド１５ａから延伸して形成される。
【００３１】
電極パッド１５ａおよび延長電極部１５ｂの少なくとも一部は、上述したように、発光素子１０の一方の短辺に形成されたスクライブ領域１０６に形成される。また、図３および図４に示すように、透明電極１４、半導体層１２ｂおよび発光層１２ｃには、エッチング等により形成される延伸領域１１２が形成されてよい。
【００３２】
延伸領域１１２は、第１の電極１５の一部が形成されるスクライブ領域１０６から、透明電極１４等の中央に向かって延伸して形成される。延伸領域１１２において、透明電極１４、半導体層１２ｂおよび発光層１２ｃは除去される。延伸領域１１２の底面は、スクライブ領域１０６の底面と同一の高さであってよい。
【００３３】
本例では、第１の電極１５の少なくとも一部が形成される短辺側のスクライブ領域１０６の中央から、透明電極１４等の内側に向かって延伸する延伸領域１１２が形成される。延伸領域１１２の幅は、いずれのスクライブ領域１０６よりも小さくてよい。図３および図４に示すように、延伸領域１１２には、延長電極部１５ｂの少なくとも一部が形成されてよい。
【００３４】
また、延伸領域１１２は、電極パッド１５ａの外形に応じた断面を有する拡張領域１１４を有する。拡張領域１１４は、例えば円状の断面を有する。拡張領域１１４の幅は、延伸領域１１２の幅より大きくてよい。拡張領域１１４の幅は、例えば断面の直径を指す。また、拡張領域１１４の幅は、いずれのスクライブ領域１０６よりも大きくてよい。拡張領域１１４には、電極パッド１５ａが形成される。
【００３５】
延伸領域１１２は、直線状に形成されてよい。また、延伸領域１１２は、透明電極１４の長辺の半分よりも長く形成されてよい。つまり、延伸領域１１２は、透明電極１４の中央を越えて延伸されてよい。また、拡張領域１１４は、延伸領域１１２の延伸方向において、延伸領域１１２の中央よりも透明電極１４の端部寄りに設けられてよい。
【００３６】
第２の電極１６は、半導体層１２ｂに電気的に接続される。本例の第２の電極１６は、透明電極１４の上に形成され、透明電極１４を介して半導体層１２ｂに電気的に接続される。第２の電極１６は、電極パッド１６ａおよび延長電極部１６ｂを有する。
【００３７】
電極パッド１６ａは、電極パッド１５ａと対向する位置に設けられる。より具体的には、電極パッド１６ａは、透明電極１４の短辺方向においては略中央に配置され、長辺方向においては、透明電極１４の中央に対して電極パッド１５ａとは逆側に設けられる。電極パッド１６ａは、透明電極１４のいずれの辺からも離間して配置される。
【００３８】
延長電極部１６ｂは、電極パッド１６ａより小さい幅を有する。延長電極部１６ｂは、電極パッド１６ａから延伸して形成される。本例の延長電極部１６ｂは、電極パッド１６ａのうち、対向する短辺に最も近い領域から、当該短辺に沿って延伸される。延長電極部１６ｂは、電極パッド１６ａから、短辺方向の両側に向かって延伸してよい。
【００３９】
また、延長電極部１６ｂは、透明電極１４の短辺に沿って延伸した後、透明電極１４の長辺に沿って更に延伸する。延長電極部１６ｂのうち、透明電極１４の長辺に沿って延伸する部分は、当該長辺から所定の距離だけ離間する。延長電極部１６ｂと当該長辺との離間距離は、延長電極部１６ｂと透明電極１４の短辺との離間距離と略等しくてよい。延長電極部１６ｂにおいて、透明電極１４の長辺と平行な部分は、電極パッド１５ａと対向する位置まで延伸してよい。
【００４０】
また、延長電極部１６ｂにおける、透明電極１４の短辺に平行な部分と、長辺に平行な部分とを接続する部分は、曲線状に形成されてよい。これにより、電流が所定の領域に集中することを防ぐことができる。
【００４１】
延長電極部１６ｂは、電極パッド１５ａおよび延長電極部１５ｂの各点から、最も近い第２の電極１６の点までの距離が、予め定められた距離内となるようなパターンを有する。当該予め定められた距離は、透明電極１４の短辺の半分より小さくてよい。また、当該予め定められた距離は、延長電極部１６ｂと、透明電極１４の短辺との距離の２倍程度であってよい。第１電極部１５および第２電極部１６との距離を、予め定められた範囲内とすることで、電流拡散の均一性を向上できる。
【００４２】
なお、図４に示すように、延長電極部１５ｂの高さは、発光層１２ｃおよび半導体層１２ａの境界面よりも低い。つまり、スクライブ領域１０６および延伸領域１１２においては、半導体層１２ａの表面部分は、延長電極部１５ｂの高さよりも深くまで除去される。これにより、延長電極部１５ｂが、発光層１２ｃおよび半導体層１２ａに接続されることを防ぐことができる。
【００４３】
電極パッド１５ａの高さは、第２の電極１６における電極パッド１６ａの高さと略同一であってよい。つまり、電極パッド１５ａは、透明電極１４の表面に露出してよい。この場合、電極パッド１５ａと、発光層１２ｃ、半導体層１２ｂおよび透明電極１４との間に絶縁材料を形成することが好ましい。
【００４４】
例えば、延伸領域１１２に延長電極部１５ｂを形成した後、発光層１２ｃ、半導体層１２ｂおよび透明電極１４を貫通する拡張領域１１４を形成する。そして、拡張領域１１４の壁面に絶縁材料を形成する。このとき、他の延伸領域１１２の壁面にも、絶縁材料を形成してよい。その後、拡張領域１１４の内部に導電材料を充填する。このような構成により、発光素子１０の同一面に、電極パッド１５ａおよび電極パッド１５ｂを露出させることができる。
【００４５】
また、電極パッド１５ａの高さは、発光層１２ｃおよび半導体層１２ａの境界面より低くてもよい。また、電極パッド１５ａの高さは、延長電極部１５ｂより高くてよい。この場合、電極パッド１５ａと、発光層１２ｃ、半導体層１２ｂおよび透明電極１４との間に絶縁材料を形成しなくともよい。
【００４６】
なお、発光素子基板１１は、半導体層１２ａが積層される表面１０８の全体に、凹凸パターンを有してよい。これにより、光抽出効率を向上させることができる。発光素子１０は、第１の電極１５および第２の電極１６が形成される面とは逆の面から光を射出してよい。
【００４７】
図６は、発光素子１０の上面の他の例を示す。本例の発光素子１０では、スクライブ領域１０６上に、識別部１７が形成される。他の構成は、図１から図５に関連して説明した発光素子１０と同一であってよい。これにより、識別部１７が発光に影響を与えるのを防ぐことができる。このように、識別部１７は、光または電流が通過しない領域（非活性領域）に形成されてよい。
【００４８】
発光素子１０は、発光素子１０の外周の四辺に沿って形成されたスクライブ領域１０６のうち、辺ごとに異なる情報を表示する識別部１７を有してよい。例えば、識別部１７ａはロット番号を示し、識別部１７ｂおよび１７ｃはウェハ内のレチクル座標を示し、識別部１７ｄはレチクル内の発光素子１０の座標を示す。
【００４９】
また、発光素子１０の外周の１つの辺に沿ったスクライブ領域１０６内に、異なる情報を表示する複数の識別部１７を有してよい。発光素子１０の外周の１つの辺に沿ったスクライブ領域１０６内に、複数の識別部１７を形成する場合、少なくとも当該辺の両端に、識別部１７を形成してよい。本例の識別部１７は、同一図形（図６では正方形）の凹部または凸部を、周期的に有する。当該図形の数、位置、パターン等により、識別情報を表示する。
【００５０】
図７は、発光素子１０の上面の他の例を示す。本例の発光素子１０では、図６に示した発光素子１０と同様に、スクライブ領域１０６上に、識別部１７が形成される。なお、図６の発光素子１０においては、図形の識別情報を含む識別部１７を有するが、本例の発光素子１０は、文字または記号の識別情報を含む識別部１７を有する。
【００５１】
図８は、発光素子１０の上面の他の例を示す。図９は、図８に示した発光素子１０の斜視図である。本例の発光素子１０では、透明電極１４、半導体層１２ａ、発光層１２ｂおよび半導体層１２ｃが、発光素子１０のウェハーレベルでの製造工程に関する情報に応じた形状を有する。透明電極１４および半導体積層部１２において当該形状を有する部分が、識別部１７として機能する。
【００５２】
本例の発光素子１０においては、透明電極１４および半導体積層部１２の外周部分の形状を、発光素子１０を識別する形状に形成する。つまり、発光素子基板１００に含まれる各発光素子１０の、透明電極１４、半導体層１２ａ、半導体層１２ｃ、および、発光層１２ｂの少なくとも一つが、他の発光素子１０のものと異なる形状を有する。
【００５３】
透明電極１４および半導体積層部１２の外周部分の少なくとも一部には、発光素子１０の上面から見て凹凸パターンを有する識別部１７が形成されてよい。例えば、透明電極１４および半導体積層部１２の外周部分は矩形形状を有する。そして、識別部１７は、透明電極１４および半導体積層部１２の少なくとも一つの側面において、当該外周部分の外側に突出する凸部、または、当該外周部分の内側に突出する凹部を、識別情報に応じた個数およびパターンで有する。
【００５４】
透明電極１４および半導体積層部１２の各側面には、異なる情報を表示する識別部１７が形成されてよい。また、透明電極１４および半導体積層部１２の各側面に２つの識別部１７が形成されてもよい。この場合、透明電極１４および半導体積層部１２の外周における各辺の両端部から、当該辺の中央に向かって、凹凸パターンが形成されてよい。
【００５５】
また、透明電極１４および半導体積層部１２には、延伸領域１１２に応じた側面が形成される。延伸領域１１２の側面に、識別部１７が形成されてよい。この場合、識別部１７は、当該側面の内側に突出する凹部を、識別情報に応じた個数およびパターンで有する。なお、延伸領域１１２には、向かい合う側面が形成される。識別部１７は、両方の側面に形成されてよく、片側の側面に形成されてもよい。
【００５６】
また、両方の側面に識別部１７が形成される場合、識別部１７は、互いに向かい合わない位置に形成されてよい。例えば、一方の識別部１７は、延伸領域１１２の先端から拡張領域１１４に向かって形成され、他方の識別部１７は、拡張領域１１４から延伸領域１１２の先端に向かって形成される。
【００５７】
図９に示すように識別部１７は、半導体積層部１２の積層方向において、半導体層１２ａ、発光層１２ｃ、および、半導体層１２ｂの少なくとも２つに渡って形成されてよい。つまり、スクライブ領域１０６を形成するメサエッチングにより露出した、半導体層１２ｂおよび発光層１２ｃの側面に、識別部１７が形成される。当該識別部１７は、当該メサエッチングにより形成されてよい。
【００５８】
識別部１７の各凹部および凸部は、積層方向に延伸して形成されてよい。識別部１７は、透明電極１４、半導体層１２ａおよび発光層１２ｃに渡って形成されてよく、透明電極１４、半導体層１２ａ、発光層１２ｃおよび半導体層１２ｂに渡って形成されてもよい。この場合、透明電極１４、半導体層１２ａ、発光層１２ｂおよび半導体層１２ｃの外周部分は、同一の形状を有する。
【００５９】
なお、識別部１７は、発光素子１０ごとに部分的に異なるマスクを用いた、異方性エッチングで形成されてよい。例えば、識別部１７として、スクライブ領域１０６の境界線１０２の内部に突出する凹部を形成する場合、発光素子１０の製造工程において、境界線１０２を規定するマスクパターン以外は、共通のマスクパターンを用いることができる。
【００６０】
境界線１０２を規定するマスクパターンは、予め定められた周期で所定の図形の開口が形成される第１マスクと、第１マスクにおける各開口を遮蔽するか否かを選択する第２マスクとを有してよい。また、識別部１７は、電子ビーム露光またはレーザー露光によって、発光素子１０毎にパターン描画されてもよい。なお、識別部１７の各図形等は、形状および大きさ等が異なっていてよい。また、識別部１７が有する図形の間隔よりも大きい間隔で、それぞれの識別部１７が配置される。
【００６１】
図１０は、発光素子１０の上面の他の例を示す。本例の発光素子１０では、第１の電極１５および第２の電極１６の少なくとも一方が、発光素子１０のウェハーレベルでの製造工程に関する情報に応じた形状を有する。第１の電極１５および第２の電極１６において当該形状を有する部分が、識別部１７として機能する。
【００６２】
例えば電極パッド１５ａには、識別部１７として、発光素子１０の上面から見て電極パッド１５ａの外周部分から内側に突出する凹部が形成される。また、電極パッド１６ａには、識別部１７として、外周部分から内側または外側に突出する凹凸部が形成される。また、スクライブ領域１０６に形成された延長電極部１５ｂには、発光素子１０の外側に向けて突出する凸部が形成される。
【００６３】
また、延長電極部１６ｂには、延長電極部１６ｂの外側に向けて突出する凸部が形成される。延長電極部１６ｂには、発光素子１０の外側に向けて突出する凸部が形成されてよく、発光素子１０の内側に向けて突出する凸部が形成されてよく、両側に向けて突出する凸部が形成されてもよい。また、延長電極部１６ｂの外側に向けて突出する凸部と、発光素子１０の外側に向けて突出する凸部が、延長電極部１６ｂの異なる位置に形成されてもよい。
【００６４】
また、延長電極部１６ｂのうち、透明電極１４の長辺に平行に配置された領域に、識別部１７の凸部が形成されてよい。また、当該領域のうち、延長電極１５ｂと対向する位置に、識別部１７の凸部が形成されてもよい。また、電極パッド１６ａの両側に延伸する延長電極部１６ｂの両方に識別部１７が形成されてよく、片方だけに識別部１７が形成されてもよい。なお、延伸領域１１２に形成された延長電極１５ｂには、識別部１７が形成されないことが好ましい。
【００６５】
本例の発光素子１０においては、第１電極部１５および第２電極部１６の形状を、発光素子１０を識別する形状に形成する。つまり、発光素子基板１００に含まれる各発光素子１０の、第１電極部１５および第２電極部１６の少なくとも一つが、他の発光素子１０のものと異なる形状を有する。
【００６６】
なお、発光素子１０ごとに部分的に異なるマスクを用いたパターン成形により、第１電極部１５および第２電極部１６を形成することで、識別部１７を形成してよい。なお、識別部１７は、延長電極部１５ｂおよび１６ｂだけに形成されてよい。これにより、電極パッド１５ａおよび１６ａにボンディングされるワイヤによって、識別部１７が隠されてしまうことを防ぐことができる。
【００６７】
また、延長電極部１６ｂのパターンを露光した後に、当該パターンに重ねて、識別部１７のパターンを露光してよい。この場合、識別部１７のパターンとして、延長電極部１６ｂを横切る長方形を、延長電極部１６ｂの延伸方向に沿って配列したパターンを露光してよい。つまり、当該長方形の長辺が、延長電極部１６ｂと直交するように、識別部１７のパターンを露光してよい。これにより、識別部１７のパターンの露光位置にずれが生じた場合であっても、延長電極部１６ｂと、識別部１７のパターンとが離隔してしまう可能性を低減できる。
【００６８】
なお、本例の識別部１７は、導電材料で形成される。これにより、識別部１７は、電極の一部としても機能する。なお、識別部１７の凹凸パターンの面積は、第１電極部１５および第２電極部１６の総面積の５％以下であってよい。
【００６９】
図１１は、発光素子１０の他の例を示す。本例の発光素子１０は、半導体層１２ａの表面に第１の電極１５が形成される。また、発光素子基板１１は導電性の基板である。発光素子基板１１は、第２の電極１６として機能する。つまり、本例の発光素子１０は、半導体層１２ｂの裏面に電極が形成される。なお、第１の電極１５は、透明電極層を介して半導体層１２ａに形成されてよい。
【００７０】
電極パッド１５ａは、半導体層１２ａの中央に形成される。また、延長電極部１５ｂは、電極パッド１５ａから放射状に延伸して形成される。本例の延長電極部１５ｂは、電極パッド１５ａから、半導体層１２ａの表面の各隅に向かって延伸して形成される。本例の識別部１７は、少なくともいずれかの延長電極部１５ｂに形成される。識別部１７の形状は、図１０に関連して説明した延長電極部１６ｂに形成される識別部１７の形状と同様であってよい。
【００７１】
図１２Ａから図１２Ｃは、延長電極部１６ｂに形成される識別部１７のパターン例を示す。図１２Ａから図１２Ｃに示すように、それぞれの発光素子１０において、延長電極部１６ｂに形成される識別部１７は、同数の凸部を有してよい。なお、図１２Ｂおよび図１２Ｃに示すように、識別部１７は、長さ（延長電極部１６ｂから突出する長さ）の異なる凸部を有してよい。識別部１７は、第１の長さを有する第１凸部（１７−１）と、第２の長さを有する第２凸部（１７−２）との配列パターンにより、識別情報を表示する。第１凸部の長さは、第２凸部の長さの２倍程度であってよい。
【００７２】
このように、識別部１７の有する凸部の数を、識別情報の内容によらず一定にすることで、識別部１７のパターンが、電流拡散に与える影響を低減することができる。なお、図１から図１１においては、垂直型の発光素子１０を例として説明したが、発光素子１０は他の構造を有してもよい。
【００７３】
なお、以上の例において識別部１７は外観により識別情報を表示したが、識別部１７は、識別情報に応じた電気的特性を有する識別素子であってよく、識別情報を記憶する記憶部であってもよい。例えば識別素子は、他の発光素子の識別素子とは異なる抵抗値を有する抵抗を有してよい。また記憶部は、他の発光素子の識別素子とは異なる電荷量を蓄積した容量を有してよい。当該容量に蓄積された電荷は、発光デバイスのパッケージ後、または、出荷前等の段階において、紫外線照射等により消去されてよい。これらの識別部は、スクライブ領域１０６に形成されてよい。
【００７４】
図１３は、発光デバイスを製造する製造方法のフローチャートの一例を示す。まず、発光構造体形成段階Ｓ２１２において、発光素子基板１００に発光構造体を形成する。例えば半導体積層部１２と同一構成の層を、発光素子基板１００の全面に形成する。
【００７５】
次に、エッチング段階Ｓ２１４において、発光構造体を複数の発光素子１０に分割すべく、エッチングによりスクライブ領域１０６を形成する。このとき、図８および図９に関連して説明したように、エッチングにより露出する発光構造体の側面に、識別部１７を形成してよい（Ｓ２２２）。また、エッチング段階Ｓ２１４の後に、図３から図７に関連して説明したように、スクライブ領域１０６または透明電極１４上に、２次元のマーク（文字、記号、図形等）を有する識別部１７を形成してよい（Ｓ２２４）。
【００７６】
次に、電極形成段階Ｓ２１６において、第１電極部１５および第２電極部１６を形成する。このとき、図１０から図１２Ｃに関連して説明したように、第１電極部１５および第２電極部１６の少なくとも一方に、識別部１７を形成してよい（Ｓ２２６）。なお、Ｓ２１２からＳ２１６が、図１に関連して説明した素子形成段階Ｓ２１０に対応する。また、電極形成段階Ｓ２１６の後に、図３から図７に関連して説明したように、スクライブ領域１０６または透明電極１４上に、２次元のマーク（文字、記号、図形等）を有する識別部１７を形成してもよい（Ｓ２２８）。
【００７７】
次に、チップ分離段階Ｓ２３０において、スクライブ領域１０６に沿って、発光素子基板１１を分割する。これにより、複数の発光デバイスを製造することができる。なお、スクライブ領域１０６または透明電極１４上に、２次元のマーク（文字、記号、図形等）を有する識別部１７を形成する段階は、エッチング段階Ｓ２１４の前に行われてもよい。
【００７８】
なお、Ｓ２２２からＳ２２８の段階を複数用いて、識別部１７を形成してもよい。例えば、発光構造体形成段階Ｓ２１２に係る製造装置等の情報を示す識別部１７を、Ｓ２２２またはＳ２２４の段階で形成し、電極形成段階Ｓ２１６に係る製造装置等の情報を示す識別部１７を、Ｓ２２６の段階で形成してもよい。
【００７９】
なお、分離された発光素子１０については、品質管理装置のプローブを第１の電極１５および第２の電極１６に接触させることで、チップ状態での発光素子１０の電気的および光学的特性が測定される（第１の測定段階）。このとき、品質管理装置は、発光素子１０の識別部１７の外観に基づいて発光素子１０を識別する。品質管理装置は、当該測定結果と、発光素子１０の識別情報とを対応付けて管理する（第１の結果記憶段階）。当該測定結果により、発光素子１０の良否判定およびランク分けが行われる。
【００８０】
次に、発光素子１０を所定のパッケージ内に配置して、発光デバイスを形成する。例えばパッケージは、発光素子１０を格納するキャビティ、発光素子１０の第１電極部１５および第２電極部１６と電気的に接続されるリードフレーム、および、蛍光材料が混在され、発光素子を封止する透明樹脂等を備える。発光素子１０をパッケージした発光デバイスについても、光学的特性等が測定される（第２の測定段階）。このとき、品質管理装置は、発光素子１０の識別部１７を観察し、測定結果と、発光素子１０の識別情報とを対応付けて管理する。そして、測定結果に応じた用途に、発光デバイスが分類される。
【００８１】
このように、発光素子１０に識別部１７が形成されるので、チップ単位に分離した後に行われる、チップ状態またはパッケージ状態での電気的および光学的特性の測定結果を、発光素子１０に対応付けて管理できる。このため、これらの測定結果と、ウェハベースでの製造工程に関連した情報（ロット番号、ウェハ上での位置等）との相関性を解析できる。このため、ウェハベースでの製造工程が、チップ状態またはパッケージ状態の発光デバイスの特性に与える影響を解析することができる。
【００８２】
なお、電気的特性には、発光素子１０または発光デバイスの駆動電圧、駆動電流および順方向電圧等が含まれる。また、光学的特性には、発光素子１０または発光デバイスの発光強度、発光波長、温度変化に伴う波長変化、色座標および色温度等が含まれる。このような方法により、それぞれの発光デバイスの品質を管理することができる。
【００８３】
図１４Ａは、発光素子基板１００の一例を示す。図１４Ａに示されるように、発光素子基板１００における各発光素子１０は、ｘｙ座標で示される。本例の品質管理装置は、発光素子基板１００のロット番号、ウェハ番号、および、ｘｙ座標により、それぞれの発光素子１０を管理する。それぞれの発光素子１０には、発光素子基板１００のロット番号、ウェハ番号、および、ｘｙ座標に応じた外観の識別部１７が形成される。
【００８４】
それぞれの発光素子１０をパッケージした後で、当該パッケージから射出される光の色座標を測定する。このとき、発光素子１０の識別部１７の外観を観察して、測定結果と発光素子１０の識別情報とを対応付ける。
【００８５】
図１４Ｂは、発光素子基板１００に対応する基板画像を示す。基板画像は、各発光素子１０と対応する位置に、各発光素子１０の測定結果に応じた画像を表示する。基板画像は、不良となった発光素子１０に対応する位置に、他とは異なる色のマークを表示してよい。
【００８６】
また、基板画像は、複数の発光素子基板１００についての測定結果を蓄積して表示する。例えば基板画像は、発光素子１０に対応する発光デバイスが不良と判定される頻度が多い位置に、より色の濃いマークを表示する。これにより、発光素子基板１００において、不良となる確率が高い発光素子１０の位置を解析することができる。例えば図１４Ｂの例では、発光素子基板の上側領域および下側領域において、不良が多く発生することがわかる。
【００８７】
このように、発光素子１０をチップ状態またはパッケージ状態にした発光デバイスが不良となった場合に、不良の発光デバイスに配置された発光素子１０について、ウェハベースの製造工程に関する情報を追跡できる。図１４Ｂに示されるように、不良の発光デバイスに用いられる発光素子１０の分布が、発光素子基板１００の所定の位置に集中するような場合には、発光デバイスの不良が、ウェハーベースの製造工程に起因することが解析できる。
【００８８】
なお、このような解析は、発光素子１０が、照明装置等の製品に搭載された後の測定結果に対しても行うことができる。解析結果を用いて、ウェハベースの製造工程を改善することで、発光デバイス等の歩留まりを向上させることができる。
【００８９】
図１５は、照明装置７００の構成例を示す。照明装置７００は、複数の発光素子１０、樹脂カバー７１０、複数の制御部７２０、複数の電力伝送部７３０、支持部７４０、および、実装基板７５０を備える。それぞれの発光素子１０は、パッケージされた状態であってもよい。例えば発光素子１０は、ベース基板に形成された凹部に載置され、かつ、凹部が樹脂で封止されてよい。複数の発光素子１０は、実装基板７５０に実装される。また、実装基板７５０には、それぞれの発光素子１０を制御する制御部７２０が固定されてよい。制御部７２０および発光素子１０は、実装基板７５０を貫通するケーブル等の配線で接続されてよい。
【００９０】
樹脂カバー７１０は、複数の発光素子１０を覆うように設けられる。樹脂カバー７１０は、半球状を有してよい。樹脂カバー７１０は、中空形状であってよい。
【００９１】
支持部７４０は、実装基板７５０を支持する。支持部７４０は、実装基板７５０の基板形状と略同一形状の開口を有してよい。実装基板７５０は、当該開口に固定される。電力伝送部７３０は、それぞれの半導体発光素子１０を駆動する電源電力を、それぞれの発光素子１０に伝送する。また、支持部７４０は、商用電源等に接続され、商用電源と、電力伝送部７３０とを電気的に接続する。
【００９２】
図１６は、バックライト８００の構成例を示す。バックライト８００は、複数の発光素子１０が１次元または２次元に配列されたデバイスアレイ８２０と、導光板８１０とを備える。また、バックライト８００は、導光板８１０の光射出面に対向する位置に設けられた、拡散シートおよびレンズシート等の光学シートを更に備えてよい。
【００９３】
デバイスアレイ８２０は、導光板８１０の各長辺に対向して設けられてよい。それぞれの発光素子１０は、導光板８１０の側面から、導光板８１０の内部に光を射出する。導光板８１０は、入射された光を、所定の光射出面から射出する。また、デバイスアレイ８２０は、導光板８１０の光射出面とは逆側の面に対向して設けられてよい。つまり、バックライト８００は、直下型であってもよい。当該バックライトは、テレビ等の液晶モニタ、携帯電話の液晶画面等に用いることができる。
【００９４】
なお、図１から図１４Ｂに関連して説明した発光素子１０は、更に多様な用途に用いることができる。例えば発光素子１０は、自動二輪車、自動四輪車のヘッドライトの光源として使用することもできる。この場合、ヘッドライトは、１または複数の発光素子１０と、発光素子１０の射出光を車外に照射するレンズとを有する。
【００９５】
また、発光素子１０は、蛍光灯の光源として使用することもできる。この場合、蛍光灯は、一次元に配列された複数の発光素子１０と、複数の発光素子１０を格納し、発光素子１０の射出光を外部に照射するチューブとを有する。
【００９６】
また、発光素子１０は、情報表示装置の画素として使用することもできる。この場合、情報表示装置は、二次元に配列された複数の発光素子１０と、それぞれの発光素子１０を駆動する駆動回路とを有する。複数の発光素子１０には、緑色光、青色光または赤色光をそれぞれ射出する複数種類のデバイスが含まれてよい。
【００９７】
また、発光素子１０は、信号機の光源として使用することもできる。信号機は、それぞれ異なる色を射出する少なくとも２種類の発光素子１０と、それぞれの発光素子１０を駆動する駆動回路とを有する。信号機は、色ごとに発光素子１０を複数有してよい。
【００９８】
また、発光素子１０は、電気機器の動作状態を示す表示灯の光源として使用することもできる。表示灯は、例えばテレビまたはノートパソコンの電源の状態等を示す表示灯であって、発光素子１０と、発光素子１０を駆動する駆動回路とを有する。
【００９９】
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、特許請求の範囲の記載から明らかである。
【０１００】
特許請求の範囲、明細書、および図面中において示した装置、システム、プログラム、および方法における動作、手順、ステップ、および段階等の各処理の実行順序は、特段「より前に」、「先立って」等と明示しておらず、また、前の処理の出力を後の処理で用いるのでない限り、任意の順序で実現しうることに留意すべきである。特許請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。
【符号の説明】
【０１０１】
１０・・・発光素子、１１・・・発光素子基板、１２・・・半導体積層部、１２ａ・・・第１の伝導型の半導体層、１２ｂ・・・発光層、１２ｃ・・・第２の伝導型の半導体層、１４・・・透明電極、１５・・・第１電極部、１５ａ・・・電極パッド、１５ｂ・・・延長電極部、１６・・・第２電極部、１６ａ・・・電極パッド、１６ｂ・・・延長電極部、１７・・・識別部、１００・・・発光素子基板、１０２、１０４・・・境界線、１０６・・・スクライブ領域、１０８・・・表面、１１０、１２０・・・レチクル領域、１１２・・・延伸領域、１１４・・・拡張領域、７００・・・照明装置、７１０・・・樹脂カバー、７２０・・・制御部、７３０・・・電力伝送部、７４０・・・支持部、７５０・・・実装基板、８００・・・バックライト、８１０・・・導光板、８２０・・・デバイスアレイ
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１３】
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【図１４Ａ】
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【図１４Ｂ】
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【図１５】
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【図１６】
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