(57)【要約】【課題】ダークスポットの発生が低減された有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法、及び電子機器を提供する。【解決手段】有機ＥＬ装置１０は、基板５１上において陽極４１と陰極４２との間に配置された機能層４３を有する有機ＥＬ素子４４と、有機ＥＬ素子４４の間において機能層４３を発光領域６６毎に区画するバンク７２と、有機ＥＬ素子４４を駆動させるＴＦＴ３３と、を備えた有機ＥＬ装置１０であって、ＴＦＴ３３の少なくとも一部は、平面的に有機ＥＬ素子４４の間に配置され、ＴＦＴ３３の少なくとも一部と有機ＥＬ素子４４の間とで平面的に重なる領域には、バンク７２が設けられていない領域を有する。【選択図】図４
2012022787.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上において第１電極と第２電極との間に配置された機能層を有する発光素子と、前記発光素子の間において前記機能層を発光領域毎に区画する隔壁と、前記発光素子を駆動させる駆動回路と、を備えた有機ＥＬ装置であって、
前記駆動回路の少なくとも一部は、平面的に前記発光素子の間に配置され、
前記駆動回路の少なくとも一部と前記発光素子の間とで平面的に重なる領域には、前記隔壁が設けられていない領域を有することを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記駆動回路は、スイッチング素子を有し、
前記スイッチング素子と前記発光素子の間とで平面的に重なる領域には、前記隔壁が設けられていないことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項３】
請求項１に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記駆動回路は、信号線と、電源線と、電気容量素子と、を有し、
前記信号線、前記電源線、前記電気容量素子と前記発光素子の間とで平面的に重なる領域には前記隔壁が設けられ、それ以外の領域には前記隔壁が設けられていないことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記発光領域を囲む前記隔壁の頭頂部には、撥液性が付与されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項５】
請求項１に記載の有機ＥＬ装置であって、
前記駆動回路は、誘電膜で覆われた容量電極を有し、
前記発光素子の間において前記容量電極と平面的に重なる領域には、前記隔壁が設けられておらず、
前記第２電極と前記誘電膜を介した前記容量電極とによって電気容量素子が構成されていることを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項６】
基板上において第１電極と第２電極との間に配置された機能層を有する発光素子と、前記発光素子の間において前記機能層を発光領域毎に区画する隔壁と、前記発光素子を駆動させる駆動回路と、を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記基板上において、平面的に前記発光素子が配置される間に前記駆動回路の少なくとも一部を形成する駆動回路形成工程と、
前記基板上に隔壁前駆体膜を形成する隔壁前駆体膜形成工程と、
前記隔壁前駆体膜において前記発光領域と前記発光素子の間と平面的に重なる領域の一部に前記隔壁前駆体膜を除去することにより形成された開口穴を有する前記隔壁を形成する隔壁形成工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記駆動回路形成工程は、スイッチング素子を形成する工程を含み、
前記隔壁形成工程は、前記発光素子の間において前記スイッチング素子と平面的に重なる領域の前記隔壁前駆体膜を除去することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記駆動回路形成工程は、信号線を形成する信号線形成工程と、電源線を形成する電源線形成工程と、電気容量素子を形成する工程とを有し、
前記隔壁形成工程は、前記信号線、前記電源線、前記電気容量素子と、前記発光素子の間と平面的に重なる領域の前記隔壁前駆体膜を残すことを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記隔壁形成工程の後に、転写法を用いて前記隔壁に撥液材を転写する転写工程と、
前記開口穴の中に機能材料を塗布する塗布工程と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項６に記載の有機ＥＬ装置の製造方法であって、
前記駆動回路形成工程は、容量電極を形成する工程を含み、
前記隔壁形成工程は、前記発光素子の間と前記容量電極と平面的に重なる領域の前記隔壁前駆体膜の部分を除去することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、隔壁を有する有機ＥＬ装置、有機ＥＬ装置の製造方法、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置は、例えば、陽極と陰極との間に発光層などの有機膜が挟持された構造を有する。有機ＥＬ装置の製造方法としては、基板上に設けられた陽極を囲むようにバンク（隔壁）を形成する。次に、バンクで囲まれた開口穴（発光領域）の中に、インクジェット法などを用いて有機膜形成材料を含む機能液を塗布して固化することにより前記有機膜を形成する液相法が知られている。
【０００３】
一方で、バンクに含まれた、あるいはバンクに付着した水分や溶媒成分などのガスに起因して、アルミニウムなどからなる陰極が酸化したり、発光層が失活してダークスポットが発生するおそれがあった。そこで、例えば、特許文献１に記載のように、発光層を形成した後、隔壁をドライエッチングによって除去する方法が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２９９０５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、隔壁をドライエッチングで除去すると、隔壁の下層に形成されている絶縁層などが損傷し、その結果、発光寿命が低下する恐れがあった。つまり、隔壁の適正な除去方法の仕方が開示されていないという課題があった。また、有機ＥＬ装置の駆動回路を基板上に設けた場合、陰極を形成する前に隔壁を除去すると、隔壁の厚み分の絶縁膜がなくなることから、上記駆動回路を構成する信号線や電源線などと陰極との距離が接近して、これらの間で寄生容量が発生する恐れがあるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る有機ＥＬ装置は、基板上において第１電極と第２電極との間に配置された機能層を有する発光素子と、前記発光素子の間において前記機能層を発光領域毎に区画する隔壁と、前記発光素子を駆動させる駆動回路と、を備えた有機ＥＬ装置であって、前記駆動回路の少なくとも一部は、平面的に前記発光素子の間に配置され、前記駆動回路の少なくとも一部と前記発光素子の間とで平面的に重なる領域には、前記隔壁が設けられていない領域を有することを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、発光素子間において平面的に駆動回路の少なくとも一部と重なる領域に隔壁が設けられていないので、発光領域の周囲に隔壁を残すことができると共に、隔壁の面積を、発光素子間の全体に隔壁が設けられている場合と比較して、少なくすることができる。よって、隔壁に含まれた、あるいは隔壁に付着した水分やガスなどによって発生するダークスポットの発生を、発光素子間の全体に隔壁を設ける場合と比較して、低減させることができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記駆動回路は、スイッチング素子を有し、前記スイッチング素子と前記発光素子の間とで平面的に重なる領域には、前記隔壁が設けられていないことが好ましい。
【００１０】
この構成によれば、発光素子を発光させるためにはスイッチング素子に所望の電流を流す必要があり、駆動回路に占めるスイッチング素子の形成領域は比較的に広い。したがって、むやみに隔壁を除去することなく、隔壁の除去領域を特定して効果的に隔壁を除去することができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記駆動回路は、信号線と、電源線と、電気容量素子と、を有し、前記信号線、前記電源線、前記電気容量素子と前記発光素子の間とで平面的に重なる領域には前記隔壁が設けられ、それ以外の領域には前記隔壁が設けられていないことが好ましい。
【００１２】
この構成によれば、信号線、電源線、電気容量素子と平面的に重なる領域に隔壁が設けられているので、この部分において寄生容量が発生することを防ぐことができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記発光領域を囲む前記隔壁の頭頂部には、撥液性が付与されていることが好ましい。
【００１４】
この構成によれば、機能層をインクジェット方式などの液相法で形成する場合に、隔壁の頭頂部（開口穴の周縁部）に撥液材が付与されているので、開口穴の中に機能材料を塗布した際、開口穴から外部に機能材料が溢れ出ることを抑えることができる。よって、十分な量の機能材料を充填することができ、その結果、発光領域において膜厚のばらつきが抑えられた機能層を得ることができる。つまり、発光ムラが少ない有機ＥＬ装置を提供できる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に係る有機ＥＬ装置において、前記駆動回路は、誘電膜で覆われた容量電極を有し、前記発光素子の間において前記容量電極と平面的に重なる領域には、前記隔壁が設けられておらず、前記第２電極と前記誘電膜を介した前記容量電極とによって電気容量素子が構成されていることが好ましい。
【００１６】
この構成によれば、電気容量素子となる容量電極と平面的に重なる部分に隔壁が設けられていないので、隔壁の厚み分、容量電極と第２電極との距離を近づけることが可能となり、誘電膜を介した容量電極と第２電極との間で電気容量素子を形成することができる。
【００１７】
［適用例６］本適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法は、基板上において第１電極と第２電極との間に配置された機能層を有する発光素子と、前記発光素子の間において前記機能層を発光領域毎に区画する隔壁と、前記発光素子を駆動させる駆動回路と、を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記基板上において、平面的に前記発光素子が配置される間に前記駆動回路の少なくとも一部を形成する駆動回路形成工程と、前記基板上に隔壁前駆体膜を形成する隔壁前駆体膜形成工程と、前記隔壁前駆体膜において前記発光領域と前記発光素子の間と平面的に重なる領域の一部に前記隔壁前駆体膜を除去することにより形成された開口穴を有する前記隔壁を形成する隔壁形成工程と、を有することを特徴とする。
【００１８】
この方法によれば、発光素子間において平面的に駆動回路の少なくとも一部と重なる領域の隔壁（隔壁前駆体膜）を除去するので、発光領域の周囲に隔壁を残すことができると共に、隔壁となる面積を、発光素子間の全体に隔壁が設けられている場合と比較して、少なくすることができる。よって、隔壁に含まれた、あるいは隔壁に付着した水分やガスなどによって発生するダークスポットの発生を、発光素子間の全体に隔壁を設ける場合と比較して、低減させることができる。
【００１９】
［適用例７］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記駆動回路形成工程は、スイッチング素子を形成する工程を含み、前記隔壁形成工程は、前記発光素子の間において前記スイッチング素子と平面的に重なる領域の前記隔壁前駆体膜を除去することが好ましい。
【００２０】
この方法によれば、発光素子を発光させるためにはスイッチング素子に所望の電流を流す必要があり、駆動回路に占めるスイッチング素子の形成領域は比較的に広い。したがって、むやみに隔壁を除去することなく、隔壁の除去領域を特定して効果的に隔壁を除去することができる。
【００２１】
［適用例８］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記駆動回路形成工程は、信号線を形成する信号線形成工程と、電源線を形成する電源線形成工程と、電気容量素子を形成する工程とを有し、前記隔壁形成工程は、前記信号線、前記電源線、前記電気容量素子と、前記発光素子の間と平面的に重なる領域の前記隔壁前駆体膜を残すことが好ましい。
【００２２】
この方法によれば、信号線と電源線と電気容量素子と平面的に重なる領域の隔壁を残し、隔壁を挟んで第２電極を形成するので、この部分において寄生容量が発生することを防ぐことができる。
【００２３】
［適用例９］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記隔壁形成工程の後に、転写法を用いて前記隔壁に撥液材を転写する転写工程と、前記開口穴の中に機能材料を塗布する塗布工程と、を有することが好ましい。
【００２４】
この方法によれば、転写法を用いるので、隔壁における開口穴の周縁部に撥液材をより選択的に転写することができる。よって、機能層をインクジェット方式などの液相法で形成する場合に、開口穴の中に機能材料を塗布した際、開口穴の中から外部に機能材料が溢れ出ることを抑えることができる。これにより、開口穴の中に十分な量の機能材料を充填することができ、その結果、膜厚ムラが少ない機能層を形成できる。つまり、発光ムラが少ない有機ＥＬ装置を歩留まりよく製造することができる。
【００２５】
［適用例１０］上記適用例に係る有機ＥＬ装置の製造方法において、前記駆動回路形成工程は、容量電極を形成する工程を含み、前記隔壁形成工程は、前記発光素子の間と前記容量電極と平面的に重なる領域の前記隔壁前駆体膜の部分を除去することが好ましい。
【００２６】
この方法によれば、容量電極と平面的に重なる部分の隔壁前駆体膜を除去するので、隔壁の厚み分、容量電極と第２電極との距離を近づけることが可能となり、容量電極と第２電極との間で電気容量素子を形成することができる。
【００２７】
［適用例１１］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の有機ＥＬ装置を備えていることを特徴とする。
【００２８】
この構成によれば、発光領域において均一な膜厚の機能材料が得られ、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】第１実施形態の有機ＥＬ装置の構造を示す模式平面図。
【図２】有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】有機ＥＬ装置の発光画素の構成を示す模式平面図。
【図４】図３のＡ−Ａ'線に沿う発光画素の構造を示す模式断面図。
【図５】有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程図。
【図６】有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図７】有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図８】有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図９】従来のダークスポットの発生状況を示す模式平面図。
【図１０】本実施形態のダークスポットの発生状況を示す模式平面図。
【図１１】有機ＥＬ装置を備えた電子機器の一例としてテレビを示す模式斜視図。
【図１２】第２実施形態の有機ＥＬ装置の発光画素の構成を示す模式平面図。
【図１３】図１２のＢ−Ｂ'線に沿う発光画素の構造を示す模式断面図。
【図１４】変形例の有機ＥＬ装置の発光画素の構成を示す模式平面図。
【図１５】変形例の有機ＥＬ装置の発光画素の構成を示す模式平面図。
【図１６】変形例の有機ＥＬ装置の発光画素の構成を示す模式平面図。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
（第１実施形態）
＜有機ＥＬ装置の構成＞
図１は、有機ＥＬ装置の構造を示す模式平面図である。以下、有機ＥＬ装置の構造を、図１を参照しながら説明する。なお、以下参照する各図面において構成をわかりやすく示すため、各構成要素の層厚や寸法の比率、角度等は適宜異ならせてある。また、本実施形態の有機ＥＬ装置１０は、ボトムエミッション構造として説明するが、これに限定されず、トップエミッション構造に適用するようにしてもよい。
【００３１】
図１に示すように、有機ＥＬ装置１０は、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の発光（発光色）が得られる発光画素１１を有している。発光画素１１は略矩形状であり、表示領域１２においてマトリクス状に配置されている。同色の発光が得られる発光画素１１が図面上において垂直方向（列方向あるいは発光画素１１の長手方向）に配列し、異なる発光色の発光画素１１が図面上において水平方向（行方向あるいは発光画素１１の短手方向）にＧ，Ｂ，Ｒの順で配列している。すなわち、異なる発光色の発光画素１１が所謂ストライプ方式で配置されている。
【００３２】
このような有機ＥＬ装置１０を表示装置として用いるならば、異なる発光色が得られる３つの発光画素１１を１つの表示画素単位として、それぞれの発光画素１１は電気的に制御される。これによりフルカラー表示が可能となる。
【００３３】
図２は、有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図２を参照しながら説明する。
【００３４】
図２に示すように、有機ＥＬ装置１０は、発光画素１１を駆動するスイッチング素子として薄膜トランジスター（Thin Film Transistor、以下、「ＴＦＴ」と略記する）を用いたアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置である。
【００３５】
有機ＥＬ装置１０は、走査線駆動回路１３に接続された複数の走査線２１と、信号線駆動回路１４に接続された複数の信号線２２（駆動回路の構成要素の一つ）と、各走査線２１に並列して設けられた複数の電源線２３（駆動回路の構成要素の一つ）と、を備えている。互いに絶縁され交差する走査線２１と信号線２２とによって区画された領域に対応して設けられた駆動回路によって発光画素１１の発光制御が行われている。
【００３６】
駆動回路は、走査線２１を介して走査信号がゲート電極に供給される駆動回路の構成要素の一つであるスイッチング用ＴＦＴ３１と、このスイッチング用ＴＦＴ３１を介して信号線２２から供給される画素信号を保持する駆動回路の構成要素の一つである電気容量素子３２と、該電気容量素子３２によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動回路の構成要素の一つである駆動用ＴＦＴ３３とを備えている。この駆動用ＴＦＴ３３を介して電源線２３に電気的に接続したときに該電源線２３から駆動電流が流れ込む第１電極としての陽極４１と、この陽極４１と第２電極としての陰極４２との間に挟み込まれた機能層４３とを有している。
【００３７】
走査線２１が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ３１がオン状態になると、そのときの信号線２２の電位が電気容量素子３２に保持され、該電気容量素子３２の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ３３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ３３を介して、電源線２３から陽極４１に電流が流れ、さらに機能層４３を介して陰極４２に電流が流れる。機能層４３は、これを流れる電流量に応じて発光する。すなわち、陽極４１と陰極４２と機能層４３とにより、発光単位としての有機ＥＬ素子４４（発光素子）が構成されている。
【００３８】
図３は、有機ＥＬ装置の発光画素の構成を示す模式平面図である。図４は、図３のＡ−Ａ'線に沿う発光画素の構造を示す模式断面図である。以下、発光画素を備える有機ＥＬ装置の構成を、図３及び図４を参照しながら説明する。なお、図３は、機能層４３、陰極４２などの図示を省略している。
【００３９】
図３に示すように、有機ＥＬ装置１０は、走査線２１と、信号線２２と、電源線２３とによって平面的に囲まれた発光領域６６において発光が行われるものであり、スイッチング用ＴＦＴ３１と、電気容量素子３２と、駆動用ＴＦＴ３３と、陽極４１と、を有して構成されている。
【００４０】
陽極４１は、例えば、発光領域６６ごとに形成されている。また、陽極４１は、透明なＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなり、例えば、平面的に略矩形状に形成されている。また、平面的に有機ＥＬ素子４４の間に駆動回路としてのスイッチング用ＴＦＴ３１や駆動用ＴＦＴ３３、電気容量素子３２が配置されている。信号線２２は、有機ＥＬ素子４４の長手方向に沿って配置されている。
【００４１】
具体的には、有機ＥＬ装置１０は、図４に示すように、基板５１と、基板５１上に形成された回路素子層５２と、回路素子層５２上に形成された発光素子層５３とを有する。基板５１としては、例えば、透光性を有するガラス基板が挙げられる。
【００４２】
回路素子層５２には、基板５１上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなる下地保護膜５４が形成され、下地保護膜５４上に駆動用ＴＦＴ３３が形成されている。詳しくは、下地保護膜５４上に、ポリシリコン膜からなる島状の半導体膜５５が形成されている。半導体膜５５には、ソース領域５６及びドレイン領域５７が不純物の導入によって形成されている。そして、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域５８となっている。
【００４３】
更に、回路素子層５２には、下地保護膜５４及び半導体膜５５を覆うシリコン酸化膜等からなる透明なゲート絶縁膜５９が形成されている。ゲート絶縁膜５９上には、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）などの低抵抗金属配線材料からなるゲート電極６１（走査線）が形成されている。
【００４４】
ゲート絶縁膜５９及びゲート電極６１上には、透明な第１層間絶縁膜６２、第２層間絶縁膜６３が形成されている。第１層間絶縁膜６２及び第２層間絶縁膜６３は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）、チタン酸化膜（ＴｉＯ2）などから構成されている。ゲート電極６１は、半導体膜５５のチャネル領域５８に対応する位置に設けられている。
【００４５】
半導体膜５５のソース領域５６は、ゲート絶縁膜５９及び第１層間絶縁膜６２を貫通して設けられたコンタクトホール６４を介して、第１層間絶縁膜６２上に形成された電源線２３に接続される配線２３ｂと電気的に接続されている。一方、ドレイン領域５７は、ゲート絶縁膜５９、第１層間絶縁膜６２、及び第２層間絶縁膜６３を貫通して設けられたコンタクトホール６５を介して、第２層間絶縁膜６３上に形成された陽極４１と電気的に接続されている。
【００４６】
また、回路素子層５２には、電気容量素子３２の一方の電極６９と、他方の電極となる電源線２３とが設けられている。電気容量素子３２の一方の電極６９は、駆動用ＴＦＴ３３のゲート電極６１と同層に設けられ電気的に接続されている。更に、図４において図示しないが、上記一方の電極６９と半導体膜のドレイン領域が電気的に接続するようにスイッチング用ＴＦＴ３１が形成されている。
【００４７】
発光素子層５３は、マトリクス状に配置された有機ＥＬ素子４４（図２参照）を具備して基板５１上に形成されている。詳述すると、発光素子層５３は、陽極４１上に形成された機能層４３と、陽極４１と陰極４２とが導通しないようにするための絶縁膜７１と、機能層を区画する隔壁としてのバンク７２とを主体として構成されている。機能層４３は、例えば、正孔注入層６７と、発光層６８などから構成されている。
【００４８】
絶縁膜７１は、陽極４１上の発光領域６６となる領域を囲むように形成されている。言い換えれば、絶縁膜７１において、平面的に発光領域６６と重なる領域に開口穴が形成されている。つまり、開口穴以外は、全面に絶縁膜７１が形成されている。開口穴の形状は、例えば、平面的に略矩形状である（図３参照）。
【００４９】
絶縁膜７１の材料としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）やシリコン窒化膜（ＳｉＮ）などの無機材料である。絶縁膜７１の厚みは、例えば、５０ｎｍ〜２００ｎｍである。
【００５０】
バンク７２は、絶縁膜７１と同様に、基板５１上における発光領域６６を除く領域に設けられている。つまり、バンク７２において平面的に発光領域６６と重なる領域に開口穴７３が設けられている。また、図３に示すように、バンク７２において平面視で駆動用ＴＦＴ３３及びスイッチング用ＴＦＴ３１と重なる領域にＴＦＴ開口穴７４，７５が設けられている。つまり、この部分にはバンク７２が設けられていない。
【００５１】
これにより、両ＴＦＴ（スイッチング用ＴＦＴ、駆動用ＴＦＴ）３１，３３の厚み（凹凸）に起因してバンク７２の表面が部分的に盛り上がることを防ぐことができる。言い換えれば、バンク７２において開口穴７３の周縁部７２ａの高さより他の領域の高さが高くなることを防ぐことができる。つまり、後述する転写法を用いて開口穴７３の周縁部７２ａに撥液材７６を選択的に付与することができる。
【００５２】
バンク７２の材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機材料である。これらは、耐熱性、耐溶媒性に優れたレジストから形成される。バンク７２の厚みは、例えば、１μｍ〜３．５μｍである。また、開口穴７３に機能液を保持する観点からバンク７２の幅は、例えば、陽極４１の長手方向に沿った発光画素１１間において少なくとも５μｍ〜１０μｍ程度確保することが好ましい。
【００５３】
絶縁膜７１が無機材料から形成されるので、開口穴７３の中の濡れ性を確保することができる。また、絶縁膜７１の開口穴の端部を、バンク７２の開口穴７３の端部より開口穴７３の内側に出るように設けることにより、発光層６８の膜厚が開口穴７３の中央部分に比べて変動し易い開口穴７３の周縁部分を隠すことが可能となり、発光領域６６における発光ムラを抑えることができる。
【００５４】
バンク７２における開口穴７３の周縁部７２ａには、機能層４３となる機能材料としての機能液が開口穴７３から溢れないようにするための撥液材７６が設けられている。具体的には、撥液材７６を転写法を用いて設けることにより、他の領域に比較して高い位置にある開口穴７３の周縁部７２ａに撥液性を付与することができる。これにより、開口穴７３の中に塗布された機能液を開口穴７３の中に留めておくことが可能となり、隣りの開口穴７３に機能液が流れ出ることを防ぐことができる。撥液材７６としては、例えば、フッ素系の樹脂である。
【００５５】
ここで、「撥液性が高い」とは、液体（機能液）との接触角が相対的に大きいことを指す。つまり、撥液性が高くなった開口穴７３の周縁部７２ａから、外部に液体が溢れにくくなったと言える。一方、「撥液性が低い」とは、液体との接触角が相対的に小さいことを指す。つまり、液体（機能液）が塗布される開口穴７３の周縁部７２ａに撥液性が付与されているので、開口穴７３から液体（機能液）が溢れ難く、開口穴７３の中に液体（機能液）が充填しやすくなったと言える。
【００５６】
機能層４３は、上記したように、正孔注入層６７と発光層６８とを有して構成されており、絶縁膜７１及びバンク７２に囲まれた領域、すなわち開口穴７３の中に、インクジェット法を用いて順に形成される。
【００５７】
正孔注入層６７は、導電性高分子材料中にドーパントを含有する導電性高分子層からなる。このような正孔注入層６７は、例えば、ドーパントとしてポリスチレンスルホン酸を含有する３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）やポリアニリンなどから構成することができる。また、インターレイヤーとして、共重合ポリマーであるＴＦＢを設けるようにしてもよい。
【００５８】
発光層６８は、正孔注入層６７の上に形成されており、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。有機発光物質としては、例えば、ポリフルオレン系化合物である。機能層４３上及びバンク７２上を含む基板５１上の全体には、陰極４２が全面成膜（ベタ成膜）されている。
【００５９】
陰極４２は、例えば、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）の積層体である。陰極４２の上には、水や酸素の侵入を防ぐための、無機材料や有機樹脂などからなる封止部材（図示せず）が積層されている。
【００６０】
上述した発光層６８は、陽極４１と陰極４２との間に電圧を印加することによって、発光層６８には、正孔注入層６７から正孔が、また、陰極４２から電子が注入される。発光層６８において、これらが結合したときに光を発する。以下、インクジェット法を用いて、有機ＥＬ装置１０を形成する方法について説明する。
【００６１】
＜電気光学装置の製造方法＞
図５は、有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程図である。図６〜図８は、有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の製造方法を、図５〜図８を参照しながら説明する。
【００６２】
まず、ステップＳ１１（駆動回路形成工程、信号線形成工程、電源線形成工程）では、基板５１上に公知の成膜技術を用いて回路素子層５２を形成する。具体的には、基板５１上にスイッチング用ＴＦＴ３１や駆動用ＴＦＴ３３、各配線（２１，２２，２３）などを形成する。このとき、第２層間絶縁膜６３の表面は、駆動用ＴＦＴ３３などの厚みに影響を受けて凹凸状になっている。
【００６３】
ステップＳ１２では、第２層間絶縁膜６３上における発光領域６６及びその周辺に、ＩＴＯからなる陽極４１を形成する。
【００６４】
ステップＳ１３では、陽極４１の周縁部に絶縁膜７１を形成する。具体的には、例えば、絶縁膜７１の材料である酸化シリコン（ＳｉＯ2）を含む絶縁層を、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により、基板５１上を覆うように形成する。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、絶縁層のうち発光領域６６の部分を除去する。これにより、絶縁膜７１が完成する。なお、絶縁膜７１の厚みは、例えば、０．５μｍである。
【００６５】
ステップＳ１４（隔壁前駆体膜形成工程）では、図６（ａ）に示すように、基板５１上にバンク７２となる前のバンク前駆体膜７２ｂ（隔壁前駆体膜）を成膜する。まず、基板５１上にポリイミドやアクリルなどを主成分とする感光性の有機材料を塗布する。次に、感光性有機材料を乾燥させて有機層（バンク前駆体膜７２ｂ）を形成する。
【００６６】
このとき、バンク前駆体膜７２ｂの表面７２ｃは、下層に形成した膜に起因して凹凸になっている。特に、ＴＦＴ（スイッチング用ＴＦＴ３１，駆動用ＴＦＴ３３）と平面的に重なるバンク前駆体膜７２ｂの表面７２ｃが、他の領域と比較して盛り上がっている。
【００６７】
ステップＳ１５（隔壁形成工程）では、図６（ｂ）に示すように、バンク前駆体膜７２ｂの一部を除去してバンク７２を完成させる。具体的には、まず、バンク前駆体膜７２ｂ上に、平面視で発光領域６６及び両ＴＦＴ３１，３３と重なる領域が開口するマスクを配置する。次に、マスクを介してバンク前駆体膜７２ｂを露光及び現像する。これにより、発光領域６６及び両ＴＦＴ３１，３３の上方に位置するバンク前駆体膜７２ｂの部分が除去される（図３参照）。その結果、バンク７２が完成する。なお、バンク７２の厚みは、例えば、５μｍである。
【００６８】
また、バンク前駆体膜７２ｂの一部を除去する方法は、フォトリソグラフィ法に限定されず、除去領域に対応した開口を有するマスクを用いてドライエッチングすることにより除去してもよい。
【００６９】
バンク７２において、平面視で発光領域６６及び両ＴＦＴ３１，３３と重なる領域を除去するので、両ＴＦＴ３１，３３の膜厚に影響を受けてバンク７２の表面７２ｃが、周縁部７２ａに比べて盛り上がった状態になることを防ぐことができる。よって、後述する転写工程において、バンク７２における開口穴７３の周縁部７２ａの高さを他の領域と比べて高くすることが可能となり、周縁部７２ａに撥液材７６を転写することができる。
【００７０】
また、従来と比較して、両ＴＦＴ３１，３３と平面的に重なるバンク７２の部分を除去するので、バンク７２に含まれた、あるいはバンク７２に付着した水分やガスなどに起因して発生するダークスポットの発生を低減させることができる。
【００７１】
ステップＳ１６（転写工程）では、転写法を用いてバンク７２に撥液材７６を転写する。具体的には、バンク７２の表面７２ｃの高い部分、つまり、開口穴７３の周縁部７２ａに確実に撥液材７６を転写することができる。
【００７２】
転写法は、例えば、図７に示す転写装置８１によって行われる。転写装置８１は、有機ＥＬ装置１０となる前の段階の基板１０ａを搬送する搬送ベルト８２及び搬送ローラー８３と、撥液材７６が塗布された撥液材付フィルム８４を搬送する供給ローラー８５と、テンションローラー８６と、転写ローラー８７と、圧着ローラー８８とを備えている。
【００７３】
撥液材付フィルム８４は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）のフィルムにフッ素系の樹脂（撥液材）がコーティングされたものである。
【００７４】
基板１０ａは、搬送ベルト８２に載置されており、複数の搬送ローラー８３と圧着ローラー８８とによって、所定の方向に搬送される。撥液材付フィルム８４は、供給ローラー８５から供給され、テンションローラー８６によって搬送方向が規定される。撥液材付フィルム８４の撥液材７６は、転写ローラー８７が圧着ローラー８８側に可動することにより、撥液材付フィルム８４と基板１０ａとを圧着（例えば、熱圧着）し、接触した部分の撥液材７６が基板１０ａ転写される。
【００７５】
なお、バンク７２において、撥液材７６を設けたい部分（開口穴７３の周縁部７２ａ）の高さと、それ以外の部分（各配線２１，２２，２３などの上）の高さとの関係は、必ずしも周縁部７２ａが高くならなくてもよい。具体的には、転写ローラー８７と圧着ローラー８８との圧着により転写可能な段差の範囲であればよい。例えば、バンク７２において、周縁部７２ａとそれ以外の部分の高さの段差が、±０．１μｍ以内であれば、バンク７２の上面全体に亘って撥液材７６を転写することも可能である。
【００７６】
これによれば、図８（ａ）に示すように、バンク７２における開口穴７３の周縁部７２ａに確実に撥液材７６を転写することができる。
【００７７】
ステップＳ１７（塗布工程）では、図８（ｂ）に示すように、バンク７２の開口穴７３に機能液４３ａを吐出する。具体的には、機能液４３ａの液滴を、液滴吐出法（例えば、インクジェット法）を用いて、陽極４１を底部とし絶縁膜７１及びバンク７２を側壁とする凹部に向けて吐出する。機能液としては、正孔注入層６７の材料を含んだ機能液や、発光層６８の材料を含んだ機能液４３ａなどである。以下、発光層６８を例に説明する。
【００７８】
ステップＳ１８では、図８（ｃ）に示すように、機能液４３ａを乾燥させて発光層６８を形成する。詳しくは、機能液４３ａを高温環境下又は減圧下で乾燥して溶媒を蒸発させて固形化する。これにより、開口穴７３の中に発光層６８が形成される。
【００７９】
上述したように、バンク７２における開口穴７３の周縁部７２ａに撥液性が確実に付与されているので、機能液４３ａが開口穴７３の外側に溢れることを抑えることができる。
【００８０】
ステップＳ１９では、発光層６８が形成された基板５１上の略全体に、カルシウム膜及びアルミニウム膜をこの順に、例えば蒸着法によって積層させることにより、陰極４２（図４参照）を形成する。
【００８１】
ステップＳ２０では、陰極４２上に、例えば、接着剤及びガラス基板を用いて封止を行うことにより有機ＥＬ装置１０が完成する。
【００８２】
図９は、従来のダークスポットの発生状況を示す模式平面図である。図１０は、本実施形態のダークスポットの発生状況を示す模式平面図である。以下、ダークスポットの発生状況を、図９及び図１０を参照しながら説明する。
【００８３】
図９（ａ）及び図１０（ａ）は、有機ＥＬ装置１０を製造してから８日後の表示状況を示した図である。図９（ｂ）及び図１０（ｂ）は、有機ＥＬ装置１０を製造してから２１日後の表示状況を示した図である。
【００８４】
図９（ａ）、（ｂ）に示すように、従来の有機ＥＬ装置は、形成されたバンクの面積が多く、ダークスポットが発生していることがわかる。また、時間の経過とともにダークスポットが大きくなっていることがわかる。
【００８５】
一方、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１０は、両ＴＦＴ３１，３３と平面視で重なるバンク７２の部分を除去し、形成されたバンク７２の面積が従来より少なくなっているので、ダークスポットの発生が抑えられていることがわかる。また、時間が経過しても、ダークスポットの発生が確認できないことがわかる。
【００８６】
＜電子機器の構成＞
図１１は、上記した有機ＥＬ装置を備えた電子機器の一例としてテレビを示す模式斜視図である。以下、有機ＥＬ装置を備えたテレビの構成を、図１１を参照しながら説明する。
【００８７】
図１１に示すように、テレビ９１は、表示部９２と、枠部９３と、脚部９４と、リモコン９５とを有する。表示部９２は、内部に組み込まれた有機ＥＬ装置１０によって、均一に発光することができる等、高品位な表示を行うことができる。なお、上記した有機ＥＬ装置１０は、上記テレビの他、ディスプレイ、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器、照明機器、光プリンターの光源などの各種電子機器に用いることができる。
【００８８】
以上詳述したように、第１実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
【００８９】
（１）第１実施形態の有機ＥＬ装置１０およびその製造方法は、有機ＥＬ素子４４間において平面的に両ＴＦＴ３１，３３と重なる領域のバンク７２を除去するので（ＴＦＴ開口穴７４，７５）、発光領域６６の周囲にバンク７２を残すことができると共に、バンク７２の面積を、有機ＥＬ素子４４間の全体にバンク７２が設けられている場合と比較して、少なくすることができる。よって、バンク７２に含まれた、あるいはバンク７２に付着した水分やガスなどによって発生するダークスポットの発生を、有機ＥＬ素子４４間の全体にバンク７２を設ける場合と比較して、低減させることができる。
【００９０】
（２）第１実施形態の有機ＥＬ装置１０およびその製造方法は、信号線２２、電源線２３、電気容量素子３２と平面的に重なる領域にバンク７２を形成するので、この部分において寄生容量が発生することを防ぐことができる。
【００９１】
（３）第１実施形態の有機ＥＬ装置１０およびその製造方法は、両ＴＦＴ３１，３３と平面的に重なる領域のバンク７２を除去するので、バンク７２における開口穴７３の周縁部７２ａに撥液材７６を転写することができる。よって、開口穴７３の中に機能液４３ａを塗布した際、開口穴７３から外部に機能液４３ａが溢れ出ることを抑えることができる。よって、十分な量の機能液４３ａを充填することができ、その結果、発光領域６６において膜厚のばらつきが抑えられた機能層４３を得ることができる。つまり、発光ムラが少ない有機ＥＬ装置１０及びその製造方法を提供できる。
【００９２】
（４）第１実施形態の電子機器は、上記した有機ＥＬ装置１０を備えているので、発光領域６６において均一な膜厚の機能層４３が得られ、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
【００９３】
（第２実施形態）
＜電気光学装置の構造＞
図１２は、第２実施形態の有機ＥＬ装置の発光画素の構成を示す模式平面図である。図１３は、図１２のＢ−Ｂ'線に沿う発光画素の構造を示す模式断面図である。以下、発光画素を備える有機ＥＬ装置の構成を、図１２及び図１３を参照しながら説明する。なお、第１実施形態と同じ構成には同じ符号を付して、詳細の説明は省略又は簡略化する。また図１２は、機能層４３、陰極４２などの図示を省略している。
【００９４】
第２実施形態の有機ＥＬ装置１１０は、バンク７２において配線の一部と平面視で重なる部分を除去し、配線の一部と陰極４２との間で電気容量素子１３２を形成する部分が、第１実施形態と異なっている。
【００９５】
図１２に示すように、第２実施形態の有機ＥＬ装置１１０は、第１実施形態と同様に、走査線２１と、信号線２２と、電源線２３とによって平面的に囲まれた発光領域６６において発光が行われるものであり、スイッチング用ＴＦＴ３１と、電気容量素子１３２と、駆動用ＴＦＴ３３と、陽極４１と、を有して構成されている。
【００９６】
詳述すると、絶縁膜７１は、第１実施形態と同様に、発光領域６６を囲むように設けられている。バンク７２は、第１実施形態と同様に、発光領域６６を囲むように設けられていると共に、平面視で両ＴＦＴ３１，３３と重なる部分のバンク７２が除去されている。
【００９７】
更に、本実施形態では、配線の一部である電源線２３と同層に設けられ、電源線２３を拡張した部分が容量電極２３ａとなっている。この容量電極２３ａと平面視で重なるバンク７２の部分が一部除去されている。つまり、このバンク７２が除去された部分において、容量電極２３ａと陰極４２との間で（第２層間絶縁膜６３、絶縁膜７１を介して）電気容量素子１３２となる（図１３参照）。
【００９８】
このように、バンク７２の一部を除去することにより電気容量素子１３２を形成することができるので、第１実施形態のように、一方の電極６９を形成する必要がない。
【００９９】
バンク７２における開口穴７３の周縁部７２ａには、第１実施形態と同様に、機能液４３ａが開口穴７３から溢れないようにするための撥液材７６が設けられている。そして、基板５１上の全体には、陰極４２が全面成膜（ベタ成膜）されている。更に、陰極４２の上には、水や酸素の侵入を防ぐための、封止部材（図示せず）が積層されている。以下、インクジェット法を用いて、第２実施形態の有機ＥＬ装置１１０を形成する方法について説明する。
【０１００】
＜電気光学装置の製造方法＞
第２実施形態の有機ＥＬ装置１１０の製造方法は、図５に示した第１実施形態の有機ＥＬ装置１０の製造方法と基本的に同様であって、以下、第１実施形態と異なる部分について説明する。
【０１０１】
図５に示すステップＳ１１からステップＳ１４までは、第１実施形態と同様に形成する。次に、ステップＳ１５では、基板５１上に形成されたバンク前駆体膜７２ｂから、平面視で発光領域６６、両ＴＦＴ３１，３３及び電源線２３の一部である容量電極２３ａと重なる領域を除去する。バンク７２の形成方法は、平面視で発光領域６６、両ＴＦＴ３１，３３及び容量電極２３ａと重なる部分が開口するマスクを用いて、バンク前駆体膜７２ｂを露光・現像する。これにより、バンク前駆体膜７２ｂにおける発光領域６６、両ＴＦＴ３１，３３及び容量電極２３ａと平面視で重なる領域が除去され、バンク７２が完成する。
【０１０２】
ステップＳ１６では、バンク７２に撥液材７６を転写する。具体的には、バンク７２の表面７２ｃにおける高い部分、つまり、バンク７２における開口穴７３の周縁部７２ａに撥液材７６が転写される。
【０１０３】
以下、第１実施形態と同様に形成し、ステップＳ１９において基板５１上の全面に陰極４２を形成することにより、電源線２３の一部である容量電極２３ａと陰極４２との間で電気容量素子１３２を形成することができる。そして、引き続き形成することにより、第２実施形態の有機ＥＬ装置１１０が完成する。
【０１０４】
以上詳述したように、第２実施形態によれば、上記した第１実施形態の（１）、（３）、（４）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【０１０５】
（５）第２実施形態の有機ＥＬ装置１１０及びその製造方法によれば、容量電極２３ａと平面的に重なる部分のバンク前駆体膜７２ｂを除去するので、バンク７２の厚み分、容量電極２３ａと陰極４２との距離を近づけることが可能となり、第２層間絶縁膜６３及び絶縁膜７１を介した容量電極２３ａと陰極４２との間で電気容量素子１３２を形成することができる。
【０１０６】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【０１０７】
（変形例１）
上記したように、バンク７２において平面視で発光領域６６及び両ＴＦＴ３１，３３と重なる領域（開口穴７３，７４，７５）が開口していることに限定されず、図１４に示す有機ＥＬ装置２１０のように、隣り合う発光領域６６の両ＴＦＴ３１，３３の領域まで繋がって開口するＴＦＴ開口穴１７４を形成するようにしてもよい。これによれば、発光領域６６の周囲にバンク７２を残すことができると共に、第１実施形態や第２実施形態に比べてより多くのバンク７２を除去することができ、ダークスポットの発生をさらに抑制できる。
【０１０８】
（変形例２）
上記した第１実施形態のように、両ＴＦＴ３１，３３と平面的に重なる領域のバンク７２を除去して、ＴＦＴ開口穴７４，７５を別々に形成することに限定されず、例えば、図１５に示す有機ＥＬ装置３１０のように、２つのＴＦＴ開口穴７４，７５をつなげて１つのＴＦＴ開口穴３１１にして形成するようにしてもよい。また、第２実施形態において、容量電極２３ａと陰極４２との間で電気容量素子１３２を形成する場合、図１６に示す有機ＥＬ装置４１０のように、電気容量素子１３２の領域も含めて１つのＴＦＴ開口穴４１１を設けるようにしてもよい。また、ＴＦＴ開口穴４１１が隣り合うＴＦＴ開口穴４１１と繋がるように形成してもよい。
【０１０９】
（変形例３）
上記したように、駆動回路は、スイッチング用ＴＦＴ３１と駆動用ＴＦＴ３３の２つを有する構成に限定されない。３つ以上のスイッチング素子を有する構成としてもよく、このうちの少なくとも１つのＴＦＴに平面的に重なる領域のバンク前駆体膜７２ｂを除去するとしてもよい。また、ＴＦＴと平面的に重なるすべての領域を除去しなくてもよい。言い換えれば、少なくとも発光領域６６を確実に区画する部分にバンク前駆体膜７２ｂを残してバンク７２を形成すればよい。
【０１１０】
（変形例４）
上記したように、発光領域６６（開口穴７３）の平面視の形状は、略矩形状であることに限定されず、例えば、トラック形状、丸形状、多角形状であってもよい。
【０１１１】
（変形例５）
上記したように、第１実施形態の電気容量素子３２や、第２実施形態の電気容量素子１３２の構造に限定されず、例えば、陽極４１と同層に電極を形成して、その部分で電気容量素子を形成するようにしてもよい。また、それ以外の層に電極を形成して電気容量素子を形成するようにしてもよい。
【０１１２】
（変形例６）
上記したように、有機ＥＬ装置１０は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の発光が得られる有機ＥＬ素子４４を有するものに限定されない。例えば、白色などの単色発光が可能な照明装置に適用してもよい。また、有機ＥＬ素子４４を白色発光するトップエミッション構造として、有機ＥＬ素子４４の上方にカラーフィルターを備える構成としてもよい。
【符号の説明】
【０１１３】
１０，１１０，２１０，３１０，４１０…有機ＥＬ装置、１０ａ…基板、１１…発光画素、１２…表示領域、１３…走査線駆動回路、１４…信号線駆動回路、２１…走査線、２２…駆動回路の一つである信号線、２３…駆動回路の一つである電源線、２３ａ…容量電極、３１…駆動回路の一つであるスイッチング用ＴＦＴ、３２，１３２…駆動回路の一つである電気容量素子、３３…駆動回路の一つである駆動用ＴＦＴ、４１…第１電極としての陽極、４２…第２電極としての陰極、４３…機能層、４３ａ…機能材料としての機能液、４４…発光素子としての有機ＥＬ素子、５１…基板、５２…回路素子層、５３…発光素子層、５４…下地保護膜、５５…半導体膜、５６…ソース領域、５７…ドレイン領域、５８…チャネル領域、５９…ゲート絶縁膜、６１…ゲート電極、６２…第１層間絶縁膜、６３…第２層間絶縁膜、６４，６５…コンタクトホール、６６…発光領域、６７…正孔注入層、６８…発光層、６９…一方の電極、７１…絶縁膜、７２…隔壁としてのバンク、７２ａ…周縁部、７２ｂ…隔壁前駆体膜としてのバンク前駆体膜、７２ｃ…表面、７３…開口穴、７４，７５，１７４…ＴＦＴ開口穴、７６…撥液材、８１…転写装置、８２…搬送ベルト、８３…搬送ローラー、８４…撥液材付フィルム、８５…供給ローラー、８６…テンションローラー、８７…転写ローラー、８８…圧着ローラー、９１…テレビ、９２…表示部、９３…枠部、９４…脚部、９５…リモコン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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