(57)【要約】【課題】基板上にパターニングされた遮光膜、レジスト膜および導電膜を順に積層してなるマスクに荷電粒子ビームを照射して所定のパターンを描画する場合において、効果的に帯電を防ぐことのできるアースピンを提供する。また、複数のアースピンがある場合に、描画対象に応じてアースピンを交換可能な荷電粒子ビーム描画装置を提供する。【解決手段】ガラス基板上にパターニングされた遮光膜、レジスト膜および導電膜を順に積層してなるマスクに電子ビームを照射して所定のパターンを描画する電子ビーム描画装置に、導電膜上に接触させて設けるアースピン１０ｃ２であって、アースピン１０ｃ２の下端が丸みを帯びて形成される。あるいは、アースピンの下部が下端に向けて先細に形成されるとともに、アースピンの下端が丸みを帯びて形成される。【選択図】図５
2012015331.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料に荷電粒子ビームを照射して所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置であって、
前記試料を載置するステージを設置した描画室と、
前記ステージに載置される試料に荷電粒子ビームを照射するビーム照射手段と、
下端が鋭利な形状のアースピンを垂設してなる第１のアース体と、
下端が丸みを帯びた形状のアースピンを垂設してなる第２のアース体と、
前記第１のアース体および前記第２のアース体のいずれか一方を前記試料にセットするセット室と、
搬送ロボットとを有し、
前記セット室には、前記第１のアース体と前記第２のアース体を上下方向の間隔を存して保持する保持枠が設けられており、
前記搬送ロボットにより、前記試料を前記セット室に搬送して、前記第１のアース体および前記第２のアース体のうちから前記試料の種類に応じた１つのアース体を選択して前記試料にセットした後、前記試料を前記アース体とともに前記描画室に搬送して前記ステージに載置することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記搬送ロボットにより前記試料を前記試料に対応する所定のアース体の直下部に搬入した後、前記搬送ロボットにより前記試料を上昇させて、前記所定のアース体を前記試料にセットすることを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
前記セット室には、前記保持枠を昇降させる昇降手段が設けられており、
前記セット室への前記搬送ロボットによる前記試料の搬入高さの直上部に前記試料に対応する所定のアース体が位置するように前記保持枠を昇降調整し、前記試料搬入後に前記保持枠を下降させて、前記所定のアース体を前記試料にセットすることを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項４】
基板上にパターニングされた遮光膜、レジスト膜および導電膜を順に積層してなるマスクに荷電粒子ビームを照射して所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置に、前記導電膜上に接触させて設けるアースピンであって、
前記アースピンの下端が丸みを帯びて形成されることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置におけるアースピン。
【請求項５】
基板上にパターニングされた遮光膜、レジスト膜および導電膜を順に積層してなるマスクに荷電粒子ビームを照射して所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置に、前記導電膜上に接触させて設けるアースピンであって、
前記アースピンの下部が下端に向けて先細に形成されるとともに、前記アースピンの下端が丸みを帯びて形成されることを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置におけるアースピン。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、試料に荷電粒子ビームを照射して所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置と、この荷電粒子ビーム描画に用いられるアースピンとに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、大規模集積回路（ＬＳＩ）の高集積化および大容量化に伴い、半導体素子に要求される回路線幅は益々狭くなっている。半導体素子は、回路パターンが形成された原画パターン（マスクまたはレチクルを指す。以下では、マスクと総称する。）を用い、いわゆるステッパと呼ばれる縮小投影露光装置でウェハ上にパターンを露光転写して回路形成することにより製造される。こうした微細な回路パターンをウェハに転写するためのマスクの製造には、電子ビーム描画装置が用いられる。電子ビーム描画装置は、利用する電子ビームが荷電粒子ビームであるため本質的に優れた解像度を有し、また、焦点深度を大きく確保することができるので、高い段差上でも寸法変動を抑制できるという利点を有する。
【０００３】
しかし、電子ビーム描画装置では、マスクに電子ビームを照射してパターンを描画していくと、マスクに形成された導電性材料、例えば、クロム（Ｃｒ）を用いた遮光層上に形成されたレジスト膜に帯電が起こる。この状態で描画を続けると、帯電したマスクが作り出す電界によって電子ビームの軌道が曲げられ、所望の位置に描画することができなくなるばかりでなく、帯電した電荷の放電によるレジスト膜の破壊や、その破片によるパーティクル汚染が起こる。
【０００４】
そこで、従来、帯電した層を接地することが行われている。特許文献１には、額縁状のフレームにアースピンを垂設してなるアース体を用い、アース体をマスクにセットして、アースピンの下端がレジストを突き破って遮光膜に接するようにしたものが開示されている。これによれば、アースピンを介して遮光膜がアースされるので、レジスト膜の帯電を防止することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−５８８０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、遮光膜がパターニングされている場合、アースピンを遮光膜に接触させても、アースピンを介して遮光膜がアースされないことがある。この様子を図１０を用いて説明する。
【０００７】
図１０のマスク１０１では、ガラス基板１０２の上にパターニングされた遮光膜１０３が形成されており、この上にレジスト膜１０４と導電膜１０６がこの順に形成されている。パターニングされた遮光膜１０３には、パターン間で導通しない個所がある。したがって、アースピン１０５の先端を遮光膜１０３に接触させても、アースピン１０５を介して遮光膜１０３がうまくアースされず、レジスト膜１０４の帯電を防ぐことができない。
【０００８】
本発明は、こうした問題に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、基板上にパターニングされた遮光膜、レジスト膜および導電膜を順に積層してなるマスクに荷電粒子ビームを照射して所定のパターンを描画する場合において、効果的に帯電を防ぐことのできるアースピンを提供することにある。
【０００９】
また、本発明の他の目的は、複数のアースピンがある場合に、描画対象に応じてアースピンを交換可能な荷電粒子ビーム描画装置を提供することにある。
【００１０】
本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第１の態様は、試料に荷電粒子ビームを照射して所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置であって、
試料を載置するステージを設置した描画室と、
ステージに載置される試料に荷電粒子ビームを照射するビーム照射手段と、
下端が鋭利な形状のアースピンを垂設してなる第１のアース体と、
下端が丸みを帯びた形状のアースピンを垂設してなる第２のアース体と、
第１のアース体および第２のアース体のいずれか一方を試料にセットするセット室と、
搬送ロボットとを有し、
セット室には、第１のアース体と第２のアース体を上下方向の間隔を存して保持する保持枠が設けられており、
搬送ロボットにより、試料をセット室に搬送して、第１のアース体および第２のアース体のうちから試料の種類に応じた１つのアース体を選択して試料にセットした後、試料をアース体とともに描画室に搬送してステージに載置することを特徴とするものである。
【００１２】
本発明の第１の態様は、搬送ロボットにより試料を試料に対応する所定のアース体の直下部に搬入した後、搬送ロボットにより試料を上昇させて、所定のアース体を試料にセットするよう構成することができる。
【００１３】
また、本発明の第１の態様は、セット室に保持枠を昇降させる昇降手段を設け、
セット室への搬送ロボットによる試料の搬入高さの直上部に試料に対応する所定のアース体が位置するように保持枠を昇降調整し、試料搬入後に保持枠を下降させて、所定のアース体を試料にセットするよう構成することもできる。
【００１４】
本発明の第２の態様は、基板上にパターニングされた遮光膜、レジスト膜および導電膜を順に積層してなるマスクに荷電粒子ビームを照射して所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置に、導電膜上に接触させて設けるアースピンであって、
アースピンの下端が丸みを帯びて形成されることを特徴とするものである。
【００１５】
本発明の第３の態様は、基板上にパターニングされた遮光膜、レジスト膜および導電膜を順に積層してなるマスクに荷電粒子ビームを照射して所定のパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置に、導電膜上に接触させて設けるアースピンであって、
アースピンの下部が下端に向けて先細に形成されるとともに、アースピンの下端が丸みを帯びて形成されることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、複数のアースピンがある場合に、描画対象に応じてアースピンを交換可能な荷電粒子ビーム描画装置が提供される。
【００１７】
また、本発明によれば、基板上にパターニングされた遮光膜、レジスト膜および導電膜を順に積層してなるマスクに荷電粒子ビームを照射して所定のパターンを描画する場合において、効果的に帯電を防ぐことのできるアースピンが提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本実施の形態における電子ビーム描画装置を示す図である。
【図２】図１の電子ビーム描画装置の模式的切断平面図である。
【図３】図１の電子ビーム描画装置に備えるアース体の斜視図である。
【図４】図１のアース体のアースピンの取付け部分の拡大断面図である。
【図５】本実施の形態のアース体のアースピンの取付け部分の拡大断面図の他の例である。
【図６】本実施の形態における第１の描画工程の説明図である。
【図７】本実施の形態における第２の描画工程の説明図である。
【図８】図１の電子ビーム描画装置の模式的部分断面図である。
【図９】本実施の形態のアース体のアースピンの取付け部分の拡大断面図の他の例である。
【図１０】従来のアースピンの課題を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図１は、荷電粒子ビーム描画装置の一例である電子ビーム描画装置を示している。電子ビーム描画装置は、マスクＷに電子ビームを照射して所定のパターンを描画するものである。
【００２０】
電子ビーム描画装置は、マスクＷを載置するステージ１ａを内蔵する真空の描画室１と、描画室１の天井部に立設したビーム照射手段たる電子鏡筒２と、描画室１に隣接する位置に配置された真空のロボット室３と、ロボット室３に収納した搬送ロボット４と、ロボット室３に描画室１と反対側で隣接する位置に配置されたロードロック室５とを備えている。また、ロボット室３と描画室１およびロードロック室５との間にはそれぞれゲートバルブ６，７が介設されている。
【００２１】
ロボット室３の描画室１およびロードロック室５に隣接しない周囲２個所には、図２に示すように、マスクＷを位置決めする処理を行うアライメント室８と、マスクＷに後記詳述するアース体１０をセットするセット室９とが配置されている。
【００２２】
マスクＷは、図外のロボットによりロードロック室５に投入される。そして、ロードロック室５を真空にした後、ゲートバルブ７を開き、搬送ロボット４によりマスクＷをロードロック室５からアライメント室８に搬送する。アライメント室８でマスクＷの位置決めを行うと、搬送ロボット４によりマスクＷをアライメント室８からセット室９に搬送して、マスクＷにアース体１０をセットする。次に、搬送ロボット４によりマスクＷをアース体１０とともにセット室９から搬出し、ゲートバルブ６を開いて、描画室１内のステージ１ａにマスクＷを搬送する。
【００２３】
電子鏡筒２は、内蔵する電子銃から発せられた電子ビームを所要の断面形状に成形した後に偏向させてマスクＷに照射する公知のものであり、その詳細な説明は省略する。電子鏡筒２は照射制御部２１により制御され、ステージ１ａはステージ制御部２２により制御され、搬送ロボット４はロボット制御部２３により制御される。そして、これら照射制御部２１、ステージ制御部２２およびロボット制御部２３は、全体制御部２４で統括制御される。全体制御部２４には、第１メモリ２５と第２メモリ２６とが接続されている。第１メモリ２５にはパターンデータが記憶されている。全体制御部２４は、パターンデータに基づいて描画すべき図形の形状、位置を規定する描画データを作成し、これを第２メモリ２６に記憶させる。
【００２４】
ステージ１ａは、水平の直交２方向に移動自在である。そして、ステージ１ａに載置したマスクＷに電子鏡筒２から電子ビームを照射しながらステージ１ａを移動させ、マスクＷに電子ビームを走査して所定のパターンを描画する。描画が完了すると、搬送ロボット４によりマスクＷを描画室１から搬出してセット室９に搬送し、アース体１０をマスクＷから取り外す。その後、マスクＷをロードロック室５に搬送する。
【００２５】
アース体１０は、図３に示すように、マスクＷの上面周縁部を覆う大きさの額縁状のフレーム１０ａにブラケット１０ｂを介してアースピン１０ｃを複数本（例えば、３本）垂設してなるものである。アースピン１０ｃは、導電性ダイヤモンド、導電性ジルコニアなどの超高硬度の導電性材料で形成されており、図４に示すように、ブラケット１０ｂにかしめ固定される金属製のブシュ１０ｄに圧入されている。また、図示しないが、ステージ１ａ上には、フレーム１０ａの外方に張出すブラケット１０ｂの部分に接触するアース端子が設けられており、アースピン１０ｃがブラケット１０ｂとアース端子とを介してアースされる。
【００２６】
本実施の形態では、アースピンの形状が異なる複数のアース体を使用する。図４に示すアースピンは、その一例である。尚、図４は、アース体１０１のアースピン１０ｃ１取り付け部分の拡大断面図である。この場合、アースピン１０ｃ１の下部は、下端に向けて先細に形成されており、先端が鋭く尖った形状となっている。
【００２７】
一方、図５に示すアースピンは、本実施の形態における他の例である。尚、図５は、アース体１０２のアースピン１０ｃ２取り付け部分の拡大断面図である。この例では、アースピン１０ｃ２の先端は丸みを帯びた形状となっている。
【００２８】
図６および図７は、本実施の形態における描画工程の一例を模式的に示す図である。尚、これらの図に示すアース体１０１、１０２は、それぞれ図４、図５に示すアース体１０１、１０２に対応するものであるが、アースピンの形状の違いを強調し簡略化して示している。
【００２９】
図６は、第１の描画工程を示しており、ガラス基板Ｗａ上に、Ｃｒなどの金属製の遮光膜Ｗｂと、レジスト膜Ｗｃとが積層されたマスクＷに描画する様子を示している。遮光膜Ｗｂとレジスト膜Ｗｃの厚さは、例えば、それぞれ１０ｎｍ、５０ｎｍ程度であって、薄膜化されている。第１の描画工程では、図４に示すアースピン１０ｃ１を備えたアース体１０１が好ましく用いられる。この場合、アースピン１０ｃ１の先端は鋭利な形状となっているので、アース体１０１をマスクＷに載置すると、アースピン１０ｃの下端がアース体１０１の重量を受けてレジスト膜Ｗｃに食い込み、レジスト膜Ｗｃを突き破って遮光膜Ｗｂに接触する。これにより、電子ビームの照射によりレジスト膜Ｗｃに帯電した電荷を、遮光膜Ｗｂからアースピン１０ｃ１を介して効率よくアースすることができる。
【００３０】
第１の描画工程を終えた後は、レジスト膜Ｗｃを現像してレジストパターン（図示せず）を形成する。その後、このレジストパターンをマスクとして下層の遮光膜Ｗｂをエッチングした後、レジストパターンを剥離する。これにより、遮光膜Ｗｂが目的とする形状のパターンに加工される。パターニングされた遮光膜Ｗｂの上には新たにレジスト膜Ｗｄが形成される。レジスト膜Ｗｄの上には帯電を防ぐためにさらに導電膜Ｗｅが形成される。そして、レジスト膜Ｗｄに対し導電膜Ｗｅを介して第２の描画が行われる。
【００３１】
図７は、第２の描画工程を示しており、ガラス基板Ｗａ上に、パターニングされた遮光膜Ｗｂ、レジスト膜Ｗｄおよび導電膜Ｗｅが積層されたマスクＷに描画する様子を示している。第２の描画工程では、図５に示すアースピン１０ｃ２を備えたアース体１０２を用いる。
【００３２】
アースピン１０ｃ２の先端は丸みを帯びた形状となっているので、アースピン１０ｃ１を用いたときとは反対に、アース体１０２をマスクＷの上に載置したときに、アースピン１０ｃ２の下端が導電膜Ｗｅを突き破るのを防ぐことができる。したがって、レジスト膜Ｗｄに帯電した電荷を導電膜Ｗｅからアースピン１０ｃ２を介して効率よくアースすることができる。尚、アースピン１０ｃ２の下端が導電膜Ｗｅを突き破るのを効果的に防ぐ点から、導電膜Ｗｅ上におけるアースピン１０ｃ２の接触圧力（アースピン１０ｃ２に作用する荷重を導電膜Ｗｅとの接触面の面積で除した値）が、５０Ｎ／ｍｍ２以下となるようにすることが好ましい。
【００３３】
本実施の形態では、セット室９に複数のアース体が収納されており、マスクＷに応じて適当なアース体がセットされるようにする。図８は、この様子を示す一例である。
【００３４】
図８において、ロボット室３に配置された搬送ロボット４は、鉛直軸線回りに旋回自在なロボット本体４１と、ロボット本体４１に昇降自在に支持される昇降ロッド４２と、昇降ロッド４２の上端に取り付けた伸縮自在なロボットアーム４３と、ロボットアーム４３の先端に取り付けた、マスクＷを保持するロボットハンド４４とを有している。ロボットアーム４３は、ロボット本体４１に固定された座標系の水平な１軸方向に伸縮自在である。また、ロボットハンド４４は、ロボットアーム４３の伸縮方向に一致する姿勢に常時維持される。そして、ロボット本体４１には、ロボット本体４１の旋回用と昇降ロッド４２の昇降用とロボットアーム４３の屈伸用の駆動源が内蔵されている。
【００３５】
セット室９には、アース体１０１、１０２を上下方向の間隔を存して保持する保持枠４５が設けられている。本実施の形態では、セットするアース体１０１または１０２の収納位置に応じて搬送ロボット４の昇降ロッド４２が昇降し、ロボットアーム４３およびロボットハンド４４の鉛直方向の位置を調整可能なようになっている。具体的には、図１において、いずれのアース体を選択するかについての指令が全体制御部２４からロボット制御部２３に送られ、ロボット制御部２３は、選択されたアース体がマスクＷにセットされるように、昇降ロッド４２を昇降する。すなわち、搬送ロボット４によりマスクＷを、マスクＷに対応する所定のアース体の直下部に搬入した後、搬送ロボット４によりマスクＷを上昇させて、所定のアース体をマスクＷにセットする。
【００３６】
尚、本実施の形態においては、セット室９のアース体１０１、１０２の収納位置が、マスクＷの高さに応じて昇降可能なように構成されていてもよい。この場合は、セット室９に保持枠４５を昇降させる図示しない昇降手段を設ける。そして、セット室９への搬送ロボット４によるマスクＷの搬入高さの直上部にマスクＷに対応する所定のアース体が位置するように保持枠４５を昇降調整し、マスクＷの搬入後にアース体を下降させて、所定のアース体をマスクＷにセットする。
【００３７】
例えば、セット室９に、図４のアース体１０１（第１のアース体）と、図５のアース体１０２（第２のアース体）とが収納されているとする。図６に示す第１の描画工程を行う際には、図１で、マスクＷをロードロック室５に投入し、ロードロック室５を真空にした後、ゲートバルブ７を開いて、搬送ロボット４によりマスクＷをロードロック室５からアライメント室８に搬送する。アライメント室８でマスクＷの位置決めを行うと、搬送ロボット４によりマスクＷをアライメント室８からセット室９に搬送する。このとき、図８に示すように、搬送ロボット４の昇降ロッド４２を昇降して、ロボットハンド４４で保持されたマスクＷの高さが、アース体１０１の収納位置に合うようにする。そして、マスクＷにアース体１０１をセットする。
【００３８】
次に、搬送ロボット４によりマスクＷをアース体１０１とともにセット室９から搬出し、ゲートバルブ６を開いて、描画室１内のステージ１ａにマスクＷを搬送する。そして、ステージ１ａに載置したマスクＷに電子鏡筒２から電子ビームを照射しながらステージ１ａを移動させ、マスクＷに電子ビームを走査して第１の描画工程を行う。アース体１０１では、アースピン１０ｃ１の先端が鋭利な形状となっているので、アース体１０１をマスクＷに載置すると、アースピン１０ｃの下端がアース体１０１の重量を受けてレジスト膜Ｗｃに食い込み、レジスト膜Ｗｃを突き破って遮光膜Ｗｂに接触する。これにより、電子ビームの照射によりレジスト膜Ｗｃに帯電した電荷を、遮光膜Ｗｂからアースピン１０ｃ１を介して効率よくアースすることができる。
【００３９】
描画を終えた後は、搬送ロボット４によりマスクＷを描画室１から搬出してセット室９に搬送し、アース体１０１をマスクＷから取り外す。その後、マスクＷをロードロック室５に搬送する。
【００４０】
一方、図７に示す第２の描画工程を行う際には、上記と同様にして、マスクＷをロードロック室５からアライメント室８に搬送し、アライメント室８でマスクＷの位置決めを行う。次いで、搬送ロボット４によりマスクＷをアライメント室８からセット室９に搬送する。そして、搬送ロボット４の昇降ロッド４２を昇降して、ロボットハンド４４で保持されたマスクＷの高さが、アース体１０２の収納位置に合うようにする。そして、マスクＷにアース体１０２をセットする。
【００４１】
その後、搬送ロボット４によりマスクＷをアース体１０とともにセット室９から搬出し、描画室１内のステージ１ａにマスクＷを搬送する。そして、ステージ１ａに載置したマスクＷに電子鏡筒２から電子ビームを照射しながらステージ１ａを移動させ、マスクＷに電子ビームを走査して第２の描画工程を行う。アース体１０２では、アースピン１０ｃ２の先端が丸みを帯びた形状となっているので、アースピン１０ｃ１を用いたときとは反対に、アース体１０２をマスクＷの上に載置したときに、アースピン１０ｃ２の下端が導電膜Ｗｅを突き破るのを防ぐことができる。したがって、レジスト膜Ｗｄに帯電した電荷を導電膜Ｗｅからアースピン１０ｃ２を介して効率よくアースすることができる。
【００４２】
描画を終えた後は、搬送ロボット４によりマスクＷを描画室１から搬出してセット室９に搬送し、アース体１０２をマスクＷから取り外す。その後、マスクＷをロードロック室５に搬送する。
【００４３】
このように、本実施の形態によれば、アースピンの先端を丸みを帯びた形状とすることで、アース体をマスクの上に載置したときに、アースピンの下端が導電膜を突き破るのを防ぐことができる。したがって、レジスト膜の下層にある遮光膜がパターニングされているか否かにに関わらず、レジスト膜の帯電を防ぐことができる。
【００４４】
また、本実施の形態では、先端が鋭くとがった形状のアースピンを備えたアース体と、先端が丸みを帯びた形状のアースピンを備えたアース体とを用意し、搬送ロボットで所望のアース体をマスクにセットする。つまり、本実施の形態によれば、描画対象に応じて適当なアース体を選択可能な電子ビーム描画装置が提供される。
【００４５】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して説明したが、本発明はこれに限定されない。
【００４６】
例えば、図７に示す第２の描画工程で適用可能なアースピンの例として図９に示すものを挙げることもできる。図９のアース体１０３は、アースピン１０ｃ３の下部が、下端に向けて先細に形成されるとともに、アースピン１０ｃ３の下端が丸みを帯びた形状となっている。この場合にも、アース体１０３をマスクＷの上に載置したときに、アースピン１０ｃ３の下端が導電膜Ｗｅを突き破るのを防ぐことができる。したがって、レジスト膜Ｗｄに帯電した電荷を導電膜Ｗｅからアースピン１０ｃ３を介して効率よくアースすることができる。
【００４７】
また、上記実施の形態は、アース体１０に取り付けるアースピン１３に本発明を適用したものであるが、ステージ上に板ばねを介して取り付けるアースピンにも同様に本発明を適応できる。
【００４８】
さらに、上記実施の形態の描画装置は、電子ビームを照射する電子ビーム描画装置であるが、イオンビーム等の他の荷電粒子ビームを照射する描画装置に設けるアースピンにも同様に本発明を適用できる。
【符号の説明】
【００４９】
Ｗ、１０１…マスク
Ｗａ、１０２…ガラス基板
Ｗｂ、１０３…遮光膜
Ｗｃ、Ｗｄ、１０４…レジスト膜
Ｗｅ、１０６…導電膜
１…描画室
１ａ…ステージ
２…電子鏡筒
３…ロボット室
４…搬送ロボット
５…ロードロック室
６、７…ゲートバルブ
８…アライメント室
９…セット室
１０、１０１、１０２、１０３…アース体
１０ａ…フレーム
１０ｂ…ブラケット
１０ｃ、１０ｃ１、１０ｃ２、１０ｃ３、１０５…アースピン
１０ｄ…ブシュ
２１…照射制御部
２２…ステージ制御部
２３…ロボット制御部
２４…全体制御部
２５…第１メモリ
２６…第２メモリ
４１…ロボット本体
４２…昇降ロッド
４３…ロボットアーム
４４…ロボットハンド
４５…保持枠
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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