(57)【要約】【課題】内部電極の隣り合う露出端の間隔が広くても、複数の内部電極の露出端間を接続するように連続した、外部電極の少なくとも一部としてのめっき膜を形成することを可能にする。【解決手段】複数のセラミック層９５および複数の内部電極９１〜９３を備え、複数の内部電極の各一部が露出している、部品本体２として、複数の内部電極の隣り合う露出端間に位置するセラミック層９５の端面に、内部電極に含まれる導電成分が拡散して形成された導電領域９６〜９８が存在しているものが作製される。セラミック層は、ガラス成分を１０重量％以上含むガラスセラミックからなることが好ましい。外部電極３〜６を形成するため、内部電極の露出端および上記導電領域をめっき析出の核としてめっき成長させることによって、めっき膜を部品本体２上に直接形成する。【選択図】図１
2012199353.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された複数のセラミック層および前記セラミック層間の界面に沿って形成される複数の内部電極を備え、複数の前記内部電極の各一部が露出している、部品本体を作製する、部品本体作製工程と、
複数の前記内部電極と電気的に接続される外部電極を前記部品本体上に形成する、外部電極形成工程と
を備え、
前記部品本体作製工程において作製される前記部品本体は、複数の前記内部電極の隣り合う露出端間に位置する前記セラミック層の端面に、前記内部電極に含まれる導電成分が拡散して形成された導電領域が存在しているものであり、
前記外部電極形成工程は、前記部品本体における前記内部電極の露出端および前記導電領域をめっき析出の核としてめっき成長させることによって、複数の前記内部電極と電気的に接続されるめっき膜を前記部品本体上に直接形成する、めっき工程を含む、
積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記部品本体作製工程において作製される前記部品本体に備える前記セラミック層は、ガラス成分を１０重量％以上含むガラスセラミックからなる、請求項１に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記外部電極形成工程は、前記めっき工程の前に、前記部品本体にＰｄ含有溶液を付与し、それによって、前記導電領域の少なくとも表面において前記導電成分をＰｄで置換する工程を含む、請求項１または２に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記めっき工程は、電解めっき工程である、請求項１ないし３のいずれかに記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項５】
積層された複数のセラミック層および前記セラミック層間の界面に沿って形成される複数の内部電極を備え、複数の前記内部電極の各一部が露出している、部品本体と、
複数の前記内部電極と電気的に接続されるように前記部品本体上に形成される、外部電極と
を備え、
前記部品本体は、複数の前記内部電極の隣り合う露出端間に位置する前記セラミック層の端面に、前記内部電極に含まれる導電成分が拡散して形成された導電領域を有し、
前記外部電極は、前記部品本体における前記内部電極の露出端および前記導電領域上に直接形成されるめっき膜を含む、
積層セラミック電子部品。
【請求項６】
前記導電領域は、島状または網目状に形成されている、請求項５に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項７】
前記セラミック層は、ガラス成分を１０重量％以上含むガラスセラミックからなる、請求項５または６に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項８】
前記導電領域の少なくとも表面において前記導電成分がＰｄで置換されている、請求項５ないし７のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
【請求項９】
前記めっき膜は、電解めっきによって形成されたものである、請求項５ないし８のいずれかに記載の積層セラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、積層セラミック電子部品およびその製造方法に関するもので、特に、外部電極の少なくとも一部が複数の内部電極と電気的に接続されるようにして直接めっきにより形成された積層セラミック電子部品およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
積層セラミック電子部品は、たとえば積層セラミックコンデンサにおいて見られるように、一般に、積層された複数のセラミック層と、セラミック層間の界面に沿って形成された複数の層状の内部電極とを含む、積層構造の部品本体を備えている。部品本体のたとえば一方および他方端面には、それぞれ、複数の内部電極の各端部が露出していて、これら内部電極の各端部を互いに電気的に接続するように、外部電極が形成されている。
【０００３】
外部電極の形成にあたっては、通常、金属成分とガラス成分とを含む導電性ペーストを部品本体の端面上に塗布し、次いで焼き付けることにより、ペースト電極層がまず形成される。ペースト電極層は、内部電極相互の電気的接続の役割を果たす。次に、ペースト電極層上に、たとえばニッケルを主成分とする第１のめっき層が形成され、さらにその上に、たとえば錫または金を主成分とする第２のめっき層が形成される。第２のめっき層は、はんだぬれ性を確保するためのものであり、第１のめっき層は、はんだ接合時のはんだ喰われを防止する役割を果たしている。
【０００４】
上述のように、外部電極は、典型的には、ペースト電極層、第１のめっき層および第２のめっき層の３層構造より構成される。
【０００５】
しかし、ペースト電極層は、その厚みが数十μｍ〜数百μｍと大きい。したがって、積層セラミック電子部品の寸法を一定の規格値に収めるためには、このペースト電極層の体積を確保する必要が生じる分、不所望にも、静電容量等の特性の確保のための実効体積を減少させる必要が生じる。一方、めっき層はその厚みが数μｍ程度であるため、仮にめっき層のみで外部電極を構成できれば、静電容量確保のための実効体積をより多く確保することができる。
【０００６】
たとえば、特開昭６３−１６９０１４号公報（特許文献１）には、セラミック誘電体層および内部電極層を交互に積層し、焼結したチップコンデンサ素子に外部電極端子を形成する際に、チップコンデンサ素子の相対する両端の側壁面に、この側壁面に露出した内部電極層が短絡されるようにその全面に無電解めっきによって導電性金属層を析出させることを特徴とする、チップコンデンサの外部電極端子の形成方法が記載されている。
【０００７】
特許文献１に記載の方法では、外部電極端子となるめっき膜の形成に際して、上記内部電極層の露出端がめっき析出の核となる。よって、内部電極層の隣り合う露出端間の間隔が広くなると、この間隔部分をめっき膜で十分に覆うことができないことがある。事実、特許文献１では、セラミック誘電体層の厚さが３０μｍ以下で、内部電極層の厚さが１μｍ以上であると、均一にして良好な外部電極端子を形成できることがわかった旨記載されている。
【０００８】
なお、特許文献１に記載の方法では、無電解めっきが適用されている。一方、電解めっきは、無電解めっきに比べてめっき成長力が小さいことが知られている。したがって、めっき膜の形成に電解めっきが適用される場合には、内部電極層の隣り合う露出端間の間隔がより狭いことが要求される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開昭６３−１６９０１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
この発明の目的は、内部電極の隣り合う露出端の間隔が広くても、複数の内部電極の露出端間を接続するように連続した、外部電極の少なくとも一部としてのめっき膜を形成することができる、積層セラミック電子部品の製造方法を提供しようとすることである。
【００１１】
この発明の他の目的は、上述した製造方法によって製造され得る積層セラミック電子部品を提供しようとすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この発明は、積層された複数のセラミック層およびセラミック層間の界面に沿って形成される複数の内部電極を備え、複数の内部電極の各一部が露出している、部品本体を作製する、部品本体作製工程と、複数の内部電極と電気的に接続される外部電極を部品本体上に形成する、外部電極形成工程とを備える、積層セラミック電子部品の製造方法にまず向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、次のような構成を備えることを特徴としている。
【００１３】
上記部品本体作製工程において作製される部品本体は、複数の内部電極の隣り合う露出端間に位置するセラミック層の端面に、内部電極に含まれる導電成分が拡散して形成された導電領域が存在しているものとされる。そして、上記外部電極形成工程は、部品本体における内部電極の露出端および上記導電領域をめっき析出の核としてめっき成長させることによって、複数の内部電極と電気的に接続されるめっき膜を部品本体上に直接形成する、めっき工程を含む。
【００１４】
部品本体作製工程において作製される部品本体に備えるセラミック層は、ガラス成分を１０重量％以上含むガラスセラミックからなることが好ましい。
【００１５】
外部電極形成工程は、めっき工程の前に、部品本体にＰｄ含有溶液を付与し、それによって、導電領域の少なくとも表面において導電成分をＰｄで置換する工程を含むことが好ましい。
【００１６】
上述しためっき工程において、特に電解めっきが適用されるとき、この発明の意義が大きい。
【００１７】
この発明は、また、積層された複数のセラミック層およびセラミック層間の界面に沿って形成される複数の内部電極を備え、複数の内部電極の各一部が露出している、部品本体と、複数の内部電極と電気的に接続されるように部品本体上に形成される、外部電極とを備える、積層セラミック電子部品にも向けられる。
【００１８】
この発明に係る積層型電子部品の特徴とするところは、部品本体が、複数の内部電極の隣り合う露出端間に位置するセラミック層の端面に、内部電極に含まれる導電成分が拡散して形成された導電領域を有し、外部電極が、部品本体における内部電極の露出端および導電領域上に直接形成されるめっき膜を含む、ということである。
【００１９】
上述した導電領域は、通常、島状または網目状に形成されている。
【００２０】
セラミック層は、ガラス成分を１０重量％以上含むガラスセラミックからなることが好ましい。
【００２１】
上記導電領域の少なくとも表面において導電成分がＰｄで置換されていることが好ましい。
【００２２】
また、めっき膜は、電解めっきによって形成されたものであることが好ましい。
【発明の効果】
【００２３】
この発明によれば、複数の内部電極の隣り合う露出端間に位置するセラミック層の端面に、導電領域が存在するので、内部電極の露出端およびこの導電領域によって与えられるめっき析出の核を高密度に分布させることができる。したがって、複数の内部電極の隣り合う露出端間の間隔が広くても、複数の内部電極の露出端間を接続するように連続しためっき膜を容易に形成することができる。
【００２４】
また、単に導電粒子を付着させた場合とは異なり、この発明によれば、導電領域はセラミック層と一体化しているため、外部電極となるめっき膜において、高い固着強度を得ることができるとともに、水分浸入の通路が効果的に塞がれるため、積層セラミック電子部品において、シール性（耐湿信頼性）を向上させることができる。
【００２５】
セラミック層が、ガラス成分を１０重量％以上含むガラスセラミックからなるとき、内部電極に含まれる導電成分の拡散による導電領域がより形成されやすくなる。すなわち、内部電極の導電成分（特に銅や銀）がセラミックの粒界を通って拡散し、セラミック層の端面において島状もしくは網目状に分布する導電領域が形成されやすくなる。
【００２６】
導電領域の少なくとも表面において導電成分がＰｄで置換されると、導電領域上でのめっき成長がより生じやすくなり、連続しためっき膜の形成がより容易になる。したがって、無電解めっきに比べてめっき成長力の小さい電解めっきを問題なく適用することができる。
【００２７】
なお、前述したように、セラミック層が、ガラス成分を１０重量％以上含むガラスセラミックからなり、セラミック層の端面において導電成分が島状もしくは網目状に分布する導電領域が形成されると、上述したＰｄによる置換が生じやすくなる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】この発明の一実施形態による製造方法に備える工程を順次示す斜視図である。
【図２】図１に示した積層セラミック電子部品の部品本体の構成を、セラミック層ごとに分解して示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
この発明の一実施形態による積層セラミック電子部品１の外観が図１（３）に示されている。まず、この積層セラミック電子部品１の構成について、図１および図２を参照しながら説明する。
【００３０】
積層セラミック電子部品１は、部品本体２を備えている。部品本体２は、その外観が図１（２）に示されている。図１（３）に示す積層セラミック電子部品１は、図１（２）に示した部品本体２の外表面上であって、各端部に、端子となる外部電極３および４が形成され、各側面の中間部に、端子となる外部電極５および６が形成されて得られたものである。
【００３１】
この積層セラミック電子部品１は、チップ多層ＬＣフィルタを構成するものである。より詳細には、積層セラミック電子部品１は、後述する図２の構成から明らかになるように、外部電極３および４の間に直列接続された２つのインダクタンスを構成し、２つのインダクタンスの接続点と外部電極５および６との間にキャパシタンスを構成するものである。
【００３２】
図２に示すように、部品本体２は、積層された複数のセラミック層７〜１９を備えている。図２において、（１）〜（１２）の数字は、セラミック層７〜１９の上からの積層順序を示している。なお、部品本体２に備えるセラミック層の数は図示したものに限定されない。
【００３３】
セラミック層７〜１９には、必要に応じて、上述したインダクタンスおよびキャパシタンスを与えるための電極、それらを引き出すための電極、あるいは専らめっき析出の核となる電極が形成されている。それらの電極の詳細について以下に説明する。なお、図２において、（１）に示したセラミック層７の上面に形成される電極は、部品本体２の外表面上に形成されるものであり、（２）〜（１１）に示したセラミック層９〜１８の各上面に形成される電極は、セラミック層９〜１８の各々の上に積層されるセラミック層８〜１７との界面に沿って形成されるものであり、（１２）に示したセラミック層１９において点線で示した電極は、セラミック層１９の下面、すなわち部品本体２の外表面上に形成されるものである。
【００３４】
図２（１）に示すように、セラミック層７には、前述した外部電極３〜６の各々の下地となる外部ダミー電極２０〜２３が形成されている。これら外部ダミー電極２０〜２３は、図１（１）および（２）にも図示されている。
【００３５】
図２（２）に示すように、セラミック層９には、内部電極として、第１のインダクタンスの一部を構成するコイルパターン２４が形成されるとともに、このコイルパターン２４の一方端から延びる引出しパターン２５が形成されている。引出しパターン２５の位置は、外部電極３の位置に対応している。また、コイルパターン２４の他方端には、ビアホール導体２６が設けられている。さらに、セラミック層９には、外部電極４〜６の位置にそれぞれ対応して、内部電極として、内部ダミー電極２７〜２９が形成されている。
【００３６】
図２（３）に示すように、セラミック層１０には、内部電極として、第１のインダクタンスの一部を構成するコイルパターン３０が形成されている。また、コイルパターン３０の一方端には、ビアホール導体３１が設けられている。コイルパターン２９の他方端は、１点鎖線で示すように、前述したビアホール導体２６に接続されている。なお、図２（３）では、ビアホール導体２６の位置が「２６」の参照符号をもって示されている。さらに、セラミック層１０には、外部電極３〜６の位置にそれぞれ対応して、内部電極として、内部ダミー電極３２〜３５が形成されている。
【００３７】
図２（４）に示すように、セラミック層１１には、上述のビアホール導体３１に接続されるビアホール導体３６が設けられている。さらに、セラミック層１１には、外部電極３〜６の位置にそれぞれ対応して、内部電極として、内部ダミー電極３７〜４０が形成されている。
【００３８】
図２（５）に示すように、セラミック層１２には、内部電極として、キャパシタンスの一部を構成するコンデンサパターン４１が形成されるとともに、コンデンサパターン４１から延びる引出しパターン４２および４３が形成されている。引出しパターン４２および４３の位置は、それぞれ、外部電極５および６の位置に対応している。また、このセラミック層１２には、前述したビアホール導体３６に接続されるビアホール導体４４が設けられている。さらに、セラミック層１２には、外部電極３および４の位置にそれぞれ対応して、内部電極として、内部ダミー電極４５および４６が形成されている。
【００３９】
図２（６）に示すように、セラミック層１３には、内部電極として、上記キャパシタンスの一部を構成するコンデンサパターン４７が形成されている。コンデンサパターン４７はセラミック層１２を介して前述のコンデンサパターン４１と対向している。また、セラミック層１３には、コンデンサパターン４７に接続されるビアホール導体４８が設けられている。コンデンサパターン４７は、また、１点鎖線で示すように、前述したビアホール導体４４に接続されながら、ビアホール導体３６および３１を順次介して、コイルパターン３０の端部に接続されている。なお、図２（６）では、ビアホール導体４４の位置が「４４」の参照符号をもって示されている。さらに、セラミック層１３には、外部電極３〜６の位置にそれぞれ対応して、内部電極として、内部ダミー電極４９〜５２が形成されている。
【００４０】
図２（７）に示すように、セラミック層１４には、内部電極として、上記キャパシタンスの一部を構成するコンデンサパターン５３が形成されるとともに、このコンデンサパターン５３から延びる引出しパターン５４および５５が形成されている。コンデンサパターン５３はセラミック層１３を介して前述のコンデンサパターン４７と対向している。引出しパターン５４および５５の位置は、それぞれ、外部電極５および６の位置に対応している。また、このセラミック層１４には、前述したビアホール導体４８に接続されるビアホール導体５６が設けられている。さらに、セラミック層１４には、外部電極３および４の位置にそれぞれ対応して、内部電極として、内部ダミー電極５７および５８が形成されている。
【００４１】
図２（８）に示すように、セラミック層１５には、上述のビアホール導体５６に接続されるビアホール導体５９が設けられている。さらに、セラミック層１５には、外部電極３〜６の位置にそれぞれ対応して、内部電極として、内部ダミー電極６０〜６３が形成されている。
【００４２】
図２（９）に示すように、セラミック層１６には、内部電極として、第２のインダクタンスの一部を構成するコイルパターン６４が形成されている。また、コイルパターン６４の一方端には、ビアホール導体６５が設けられている。コイルパターン６４の他方端は、１点鎖線で示すように、前述したビアホール導体５９に接続されながら、ビアホール導体５６および４８を順次介して、コンデンサパターン４７に接続されている。なお、図２（９）では、ビアホール導体５９の位置が「５９」の参照符号をもって示されている。さらに、セラミック層１６には、外部電極３〜６の位置にそれぞれ対応して、内部電極として、内部ダミー電極６６〜６９が形成されている。
【００４３】
図２（１０）に示すように、セラミック層１７には、内部電極として、第２のインダクタンスの一部を構成するコイルパターン７０が形成されるとともに、このコイルパターン７０の一方端から延びる引出しパターン７１が形成されている。引出しパターン７１の位置は、外部電極４の位置に対応している。また、コイルパターン７０の他方端は、１点鎖線で示すように、前述したビアホール導体６５に接続されている。なお、図２（１０）では、ビアホール導体６５の位置が「６５」の参照符号をもって示されている。さらに、セラミック層１７には、外部電極３、５および６の位置にそれぞれ対応して、内部電極として、内部ダミー電極７２〜７４が形成されている。
【００４４】
図２（１１）に示すように、セラミック層１８には、外部電極３〜６の位置にそれぞれ対応して、内部電極として、内部ダミー電極７５〜７８が形成されている。
【００４５】
図２（１２）に示すように、セラミック層１９には、前述した外部電極３〜６の各々の下地となる外部ダミー電極７９〜８２が形成されている。
【００４６】
なお、図２（１）において、セラミック層７の下にセラミック層８の一部が図示されているが、このようなセラミック層８のような適当数のセラミック層が、セラミック層７と次に説明するセラミック層９との間に介在されてもよい。同様に、図２（４）に示したセラミック層１１、図２（８）に示したセラミック層１５、および図２（１１）に示したセラミック層１８は、それらが省略されても、あるいは、それらと同様の形態のセラミック層がさらに積層されてもよい。
【００４７】
また、内部ダミー電極２７〜２９、３２〜３５、３７〜４０、４５、４６、４９〜５２、５７、５８、６０〜６３、６６〜６９、７２〜７４、および７５〜７８については、そのいくつかのものを省略してもよい。
【００４８】
セラミック層７〜１９は、ガラス成分を１０重量％以上含むガラスセラミックからなることが好ましい。
【００４９】
また、部品本体２に備える外部ダミー電極２０、コイルパターン２４、ビアホール導体２６、内部ダミー電極２７、コンデンサパターン４１等の導体は、たとえば銅または銀を導電成分として含む導電性ペーストの焼結体から構成される。
【００５０】
以上説明した積層構造の部品本体２を得るため、図１（１）に示した生の部品本体２ａが、セラミックグリーンシートの成形、セラミックグリーンシートへの導電性ペーストの印刷およびビアホールへの充填、セラミックグリーンシートの積層およびプレス、セラミックグリーンシート積層体のカット、といった周知の工程を経て製造される。
【００５１】
以下の説明では、図１（１）に示した生の部品本体２ａまたは図１（２）に示した部品本体２では、外部電極３に接続される位置にある引出しパターン２５、内部ダミー電極３２等の内部電極については、「内部電極９１」と総称し、外部電極４に接続される位置にある内部ダミー電極２７、引出しパターン７１等の内部電極については、「内部電極９２」と総称し、外部電極６に接続される位置にある内部ダミー電極２９、引出しパターン５５等の内部電極については、「内部電極９３」と総称する。なお、図１（１）および同（２）には図示されないが、外部電極５に接続される位置にある内部ダミー電極２８、引出しパターン５４等の内部電極については、「内部電極９４」と総称する。また、図１（１）および同（２）では、セラミック層７〜１９を一様に「９５」の参照符号で示す。
【００５２】
図１（１）に示した生の部品本体２ａは、次いで焼成される。これによって、図１（２）に示す焼結した部品本体２が得られる。部品本体２は、図２に示したように、焼結したセラミック層７〜１９、ならびに外部ダミー電極２０、コイルパターン２４、ビアホール導体２６、内部ダミー電極２７、コンデンサパターン４１等の焼結した導体２０〜８２（図２参照）から構成されるものである。さらに、部品本体２には、図１（２）において「網掛け」で示すように、複数の内部電極９１の隣り合う露出端間、複数の内部電極９２の隣り合う露出端間、および複数の内部電極９３の隣り合う露出端間にそれぞれ位置するセラミック層９５の端面に、導電領域９６、９７および９８が形成されている。これら導電領域９６〜９８は、内部電極９１〜９３に含まれる導電成分が拡散して形成されたものである。
【００５３】
なお、図１（２）では図示されないが、外部電極５に接続される位置にある内部電極９４の隣り合う露出端間にそれぞれ位置するセラミック層９５の端面にも、内部電極９４に含まれる導電成分が拡散して得られた導電領域９９が形成されている。
【００５４】
また、この実施形態では、外部ダミー電極２０〜２３および７９〜８２が形成され、外部ダミー電極２０〜２３および７９〜８２に含まれる導電成分も拡散するので、導電領域９６〜９９は、これら外部ダミー電極２０〜２３および７９〜８２と内部電極９１〜９４との間に位置する最外層をなすセラミック層９５の端面にまで延びている。
【００５５】
上述した導電成分の拡散は、セラミック層９５が、ガラス成分を１０重量％以上含むガラスセラミックからなるとき、より生じやすい。この場合、内部電極９１〜９４ならびに外部ダミー電極２０〜２３および７９〜８２に含まれる導電成分は、セラミックの粒界を通って拡散し、セラミック層９５の端面において島状もしくは網目状に分布する導電領域９６〜９９を形成する。このような現象は、導電成分が特に銅や銀であるとき、生じやすい。
【００５６】
次に、好ましくは、部品本体２にＰｄ含有溶液を付与し、それによって、導電領域９６〜９９の少なくとも表面において導電成分をＰｄで置換する工程が実施される。これによって、後のめっき工程において、導電領域９６〜９９上でのめっき成長がより生じやすくなり、連続しためっき膜の形成がより容易になる。したがって、めっき工程において、無電解めっきに比べてめっき成長力の小さい電解めっきをより容易に適用することができるようになる。なお、このＰｄ置換工程の結果、内部電極９１〜９４の露出端ならび外部ダミー電極２０〜２３および７９〜８２の各表面においても、導電成分がＰｄによって置換される。
【００５７】
前述したように、セラミック層９５が、ガラス成分を１０重量％以上含むガラスセラミックからなり、導電領域９６〜９９がセラミック層９５の端面において島状もしくは網目状に分布するように形成されると、上述したＰｄによる置換が生じやすくなる。
【００５８】
次に、部品本体２に対してめっき工程が実施される。めっき工程では、たとえば電解Ｎｉめっきが実施され、部品本体２における内部電極９１〜９４の露出端、導電領域９６〜９９ならびに外部ダミー電極２０〜２３および７９〜８２をめっき析出の核としてめっき成長させることによって、各々複数の内部電極９１〜９４と電気的に接続される均一なＮｉめっき膜が部品本体２上に直接形成される。
【００５９】
次に、純水による洗浄工程が実施された後、好ましくは、上記Ｎｉめっき膜のような第１層のめっき膜が形成された部品本体２は熱処理される。熱処理温度としては、たとえば６００℃以上、好ましくは８００℃以上の温度が採用される。
【００６０】
上記Ｎｉめっき膜は、図１（３）に示した外部電極３〜６の少なくとも一部を構成するもので、その後、必要に応じて、たとえば電解Ｓｎめっきが実施される。
【００６１】
次に、純水による洗浄工程が実施された後、乾燥され、積層セラミック電子部品１が完成される。
【００６２】
なお、上述したＮｉめっきおよびＳｎめっきにおいて、電解めっきではなく、無電解めっきが適用されてもよい。
【００６３】
以上、この実施形態では、積層セラミック電子部品１がＬＣフィルタを構成するものであったが、この発明は、ＬＣフィルタ以外の、たとえば、積層セラミックコンデンサ、インダクタ、サーミスタ、圧電部品などを構成する他の積層セラミック電子部品にも適用することができる。
【００６４】
次に、この発明による効果を確認するために実施した実験例について説明する。
【００６５】
［実施例１］
１．部品本体の準備
試料となる積層セラミック電子部品の部品本体として、以下のようなチップ多層ＬＣフィルタのための部品本体を用意した。すなわち、この部品本体は、平面寸法が長さ３．２ｍｍおよび幅１．６ｍｍであり、セラミック層がＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系ガラス：１５重量％とＢａ（（Ｃｏ，Ｚｎ），Ｎｂ）Ｏ系セラミック：８５重量％とからなるガラスセラミックからなり、外部ダミー電極、内部ダミー電極、コイルパターン、コンデンサパターン、引出しパターンおよびビアホール導体といった導体の導電成分がＣｕであった。また、内部ダミー電極および引出しパターンといった内部電極の各々の露出端間の間隔は４０μｍであり、各露出端の厚みは２μｍであった。また、部品本体を得るための焼成温度は１０４０℃であり、複数の内部電極の隣り合う露出端間に位置するセラミック層の端面に、内部電極に含まれる導電成分が拡散して形成された導電領域が十分に存在しているものであった。
【００６６】
２．Ｐｄ置換
次に、Ｐｄ2+のイオン濃度が１００ｐｐｍであって、ｐＨ：２．０の塩化パラジウム含有溶液（２５℃）に、上記部品本体を３分間浸漬し、上記導電領域の少なくとも表面において導電成分としてのＣｕをＰｄで置換した。
【００６７】
３．めっき
以下のようなめっき装置条件を適用した。
【００６８】
２０ｍｌの体積分のめっき対象物としての部品本体を、ドラムの容積が３００ｃｃで、直径が７０ｍｍの水平回転バレル中に投入し、それに加えて、直径０．７ｍｍのＳｎ製メディアを４０ｍｌ投入するとともに、攪拌玉として直径８．０ｍｍのナイロン被覆鉄球を５０ｃｃ投入し、バレル回転数２０ｒｐｍにて回転させながら、電解めっきを実施した。
【００６９】
上記めっき装置条件にて、まず、以下のワット浴を用い、９Ａ、１２０分の通電条件で電解Ｎｉめっきを実施し、６μｍの膜厚のＮｉめっき膜を内部電極の露出端および導電領域上に形成した。
【００７０】
〈ワット浴〉
・硫酸ニッケル：３００ｇ／Ｌ
・塩化ニッケル：４５ｇ／Ｌ
・ホウ酸：４０ｍｇ／Ｌ
・ｐＨ：４．０
・浴温：５５℃。
【００７１】
次いで、純水による洗浄を実施した。
【００７２】
次に、同じめっき装置条件にて、石原薬品社製「ＮＢ−ＲＺＳ」（ｐＨ：４．５、浴温：３０℃）をめっき浴として用い、（※  補充下さい。）Ａ、（※  補充下さい。）分の通電条件で、上記Ｎｉめっき膜上に、３μｍの膜厚のＳｎめっき膜を形成した。
【００７３】
次いで、純水による洗浄を実施した後、空気中にて、８０℃、１５分間の乾燥を実施した。
【００７４】
［実施例２］
１．部品本体の準備
実施例１の場合と同様のチップ多層ＬＣフィルタのための部品本体を用意した。
【００７５】
２．Ｐｄ置換
次に、実施例１の場合と同じ条件にて、部品本体上の導電領域の少なくとも表面において導電成分としてのＣｕをＰｄで置換した。
【００７６】
３．めっき
次に、実施例１の場合と同様のめっき装置条件にて、電解Ｎｉめっきの前に、まず、以下のＣｕめっき浴を用い、８Ａ、１４０分の通電条件で電解Ｃｕめっきを実施し、６μｍの膜厚のＣｕめっき膜を内部電極の露出端および導電領域上に形成した。
【００７７】
〈Ｃｕめっき浴〉
・ピロリン酸銅：１４ｇ／Ｌ
・ピロリン酸：１２０ｇ／Ｌ
・シュウ酸カリウム：１０ｇ／Ｌ
・ｐＨ：８.７
・浴温：３０℃。
【００７８】
次いで、純水による洗浄を実施した。
【００７９】
次に、めっき後の部品本体に対して、Ｎ２雰囲気中において、温度：７５０℃で２０分間、熱処理を実施した。
【００８０】
次に、実施例１の場合と同様の条件にて、電解Ｎｉめっきおよび電解Ｓｎめっきを実施し、上記Ｃｕめっき膜上に、６μｍの膜厚のＮｉめっき膜およびその上に３μｍの膜厚のＳｎめっき膜を順次形成した。電解Ｎｉめっき後および電解Ｓｎめっき後には、純水による洗浄を実施し、最終的に、空気中にて、８０℃、１５分間の乾燥を実施した。
【００８１】
［比較例１］
１．部品本体準備
セラミック層がＳｉＯ２−Ｂ２Ｏ３系ガラス：５重量％とＢａ（（Ｃｏ，Ｚｎ），Ｎｂ）Ｏ系セラミック：９５重量％とからなるガラスセラミックからなることを除いて、実施例１の場合と同様の部品本体を用意した。なお、比較例１に係る部品本体では、複数の内部電極の隣り合う露出端間に位置するセラミック層の端面に、内部電極に含まれる導電成分が拡散して形成されるべき導電領域が十分に確認されなかった。
【００８２】
２．Ｐｄ置換
比較例１では、Ｐｄ置換工程を実施しなかった。
【００８３】
３．めっき
次に、実施例１の場合と同様の条件にて、電解Ｎｉめっきを実施した。しかし、Ｎｉめっきの成膜性が悪かったため、この時点で実験を終了した。
【００８４】
［比較例２］
１．部品本体準備
比較例１の場合と同様の部品本体を用意した。
【００８５】
２．Ｐｄ置換
比較例２では、Ｐｄ置換工程を実施しなかったが、Ｐｄ置換に代えて、部品本体における内部電極の露出端が並ぶ領域に、スパッタリングによってＰｄ薄膜を形成した。
【００８６】
３．めっき
次に、実施例１の場合と同様の条件にて、電解Ｎｉめっきおよび電解Ｓｎめっきを実施し、Ｐｄ薄膜上に、６μｍの膜厚のＮｉめっき膜およびその上に３μｍの膜厚のＳｎめっき膜を順次形成した。電解Ｎｉめっき後および電解Ｓｎめっき後には、純水による洗浄を実施し、最終的に、空気中にて、８０℃、１５分間の乾燥を実施した。
【００８７】
［評価］
評価結果が表１に示されている。
【００８８】
〈成膜性〉…各試料の外部電極となるめっき膜を観察し、連続膜が形成されていれば、合格と判定し、表１において「○」で示した。他方、連続膜が形成されていなければ、不合格と判定し、表１において「×」で示した。
【００８９】
〈固着強度〉…Ｎｉコートおよびその上にＳｎコートされた真ちゅう製であって、底面寸法が１ｍｍ×１ｍｍのブロックを、各試料の外部電極にはんだ接合し、外部電極面を水平方向に配置しながら、ブロックを鉛直方向に引っ張った際の破壊強度を測定し、これを固着強度とした。固着強度が１０Ｎ以上であれば、合格と判定した。なお、比較例１については、成膜性が「×」であったため、固着強度を測定しなかった。
【００９０】
【表１】
2012199353.tif 000003
【００９１】
実施例１および２によれば、成膜性および固着強度において良好な結果を示した。特に、実施例２では、Ｃｕめっき膜形成後に熱処理を施したため、実施例１に比べて、より高い固着強度を示した。
【００９２】
他方、比較例１では、部品本体において、内部電極の露出端間に導電領域が十分に形成されていなかったため、成膜性が悪かった。
【００９３】
また、比較例２では、部品本体にＰｄ薄膜を形成したため、成膜性は良好であったが、Ｐｄ薄膜が、スパッタリングによるものであるため、固着強度が１０Ｎ未満と低かった。
【符号の説明】
【００９４】
１  積層セラミック電子部品
２  部品本体
３〜６  外部電極
７〜１９，９５  セラミック層
２４，３０，６４，７０  コイルパターン
２５，４２，４３，５４，５５，７１  引出しパターン
２６，３１，３６，４４，４８，５６，５９，６５  ビアホール導体
２７〜２９，３２〜３５，３７〜４０，４５，４６，４９〜５２，５７，５８，６０〜６３，６６〜６３，６６〜６９，７２〜７８  内部ダミー電極
４１，４７，５３  コンデンサパターン
２０〜２３，７９〜８２  外部ダミー電極
９１〜９３  内部電極
９６〜９８  導電領域
【図１】
2012199353.tif 000004
【図２】
2012199353.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】平成24年2月17日(2012.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
次に、同じめっき装置条件にて、石原薬品社製「ＮＢ−ＲＺＳ」（ｐＨ：４．５、浴温：３０℃）をめっき浴として用い、上記Ｎｉめっき膜上に、３μｍの膜厚のＳｎめっき膜を形成した。