(57)【要約】【課題】機能層の厚みのばらつきを抑えることができる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。【解決手段】電気光学装置としての有機ＥＬ装置１１は、基板３１上において第１電極としての陽極２４と第２電極としての陰極２５との間に配置された発光層６４を含む機能層２６と、機能層２６を発光領域４２毎に区画された開口穴６５を有する隔壁部としてのバンク６２と、配線１２，１３，１４と、を備えた有機ＥＬ装置１１であって、陽極２４の長手方向に沿った端部２４ａが平面的に配線１３，１４と重なって配置され、バンク６２における開口穴６５の周縁部６２ａの一部は、平面的に陽極２４と配線１３，１４とが重なる領域に配置されており、撥液性を有する撥液材６６が設けられている。【選択図】図３
2012022786.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上において第１電極と第２電極との間に配置された発光層を含む機能層と、前記機能層を発光領域毎に区画する隔壁部と、配線と、を備えた電気光学装置であって、
前記第１電極の一部が平面的に前記配線と重なって配置され、
前記隔壁部には、前記発光領域を囲む開口穴が設けられており、
前記隔壁部における前記開口穴の周縁部の一部は、平面的に前記第１電極と前記配線とが重なる領域に配置されており、撥液性を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置であって、
前記発光領域は略矩形状であり、
前記発光領域の長手方向に沿って配置された前記配線と前記第１電極の一部とが平面的に重なって配置されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置であって、
前記隔壁部は、有機材料からなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記開口穴の周縁部は、転写法を用いて撥液化されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記第１電極の下側に反射膜が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
基板上において第１電極と第２電極との間に配置された発光層を含む機能層と、前記機能層を発光領域毎に区画する隔壁部と、配線と、を備えた電気光学装置の製造方法であって、
前記第１電極の一部が平面的に前記配線と重なるように前記第１電極を形成する第１電極形成工程と、
前記基板上に前記発光領域を囲むように開口穴を形成すると共に、前記第１電極と前記配線とが平面的に重なる領域の少なくとも一部の上に前記開口穴の側壁が配置されるように前記隔壁部を形成する隔壁部形成工程と、
転写法を用いて前記隔壁部に撥液材を転写する転写工程と、
前記開口穴の中に機能材料を塗布する塗布工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記発光領域は略矩形状であって、
前記基板上において前記発光領域の長手方向に延在する配線を、短手方向に延在する配線より上層に形成する配線形成工程を有し、
前記第１電極形成工程は、前記第１電極の一部が前記発光領域の長手方向に延在する配線と平面的に重なるように前記第１電極を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
請求項６又は請求項７に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記隔壁部形成工程は、有機材料を用いて前記隔壁部を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項６乃至請求項８のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記第１電極形成工程の前に、前記基板上に反射膜を形成する反射膜形成工程を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電気光学装置の一つとして、例えば、陽極と陰極との間に発光層などの有機膜が挟持された構造の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置がある。前記有機ＥＬ装置の製造方法としては、基板上に設けられた陽極を囲むようにバンク（隔壁）を形成する。次に、バンクで囲まれた開口穴（発光領域）の中に、インクジェット法などを用いて有機膜形成材料を含む機能液を塗布して固化することにより前記有機膜を形成する液相法が知られている。このような液相法では、開口穴に機能液を塗布したときに開口穴から外部に機能液が溢れてしまう場合がある。
【０００３】
そこで、例えば、特許文献１に記載のように、バンクの表面にＣＦ4などのフッ素系処理ガスによるプラズマ処理を施して、バンクの表面を機能液に対して撥液性にする方法が開示されている。これにより、バンクに対する機能液の接触角がプラズマ処理前に比べて大きくなり、開口穴から機能液が溢れ難くなる。しかし、バンクで囲まれた開口穴の中に形成されている陽極の表面も撥液性になることから、陽極上に機能液が濡れ広がらず、機能液の充填不良が発生する。これにより、形成された有機膜に欠陥が生じたり、有機膜上に陰極を形成すると、陽極と陰極とが前記欠陥部分において電気的にショート（短絡）するなどの不具合が発生する。
【０００４】
そこで、特許文献２及び特許文献３に記載のように、基板上に設けられたバンクに撥液材を転写して、バンクの上面のみを撥液化する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３３４７８２号公報
【特許文献２】特開２００２−３０５０７７号公報
【特許文献３】特許第３８７９４２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献２，３に示された撥液化の方法では、バンクが形成される基板上の凹凸に起因して、機能液が留まってほしいバンクの開口穴の周縁部よりも、バンクの他の領域の高さが高くなり、その部分に撥液材が転写されることがあった。これにより、開口穴の周縁部が撥液化されず、開口穴から機能液が溢れるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、基板上において第１電極と第２電極との間に配置された発光層を含む機能層と、前記機能層を発光領域毎に区画する隔壁部と、配線と、を備えた電気光学装置であって、前記第１電極の一部が平面的に前記配線と重なって配置され、前記隔壁部には、前記発光領域を囲む開口穴が設けられており、前記隔壁部における前記開口穴の周縁部の一部は、平面的に前記第１電極と前記配線とが重なる領域に配置されており、撥液性を有することを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、第１電極の一部が平面的に配線と重なって配置されているので、第１電極と配線とが重なる領域に相当する隔壁部における開口穴の周縁部の高さを、隔壁部の他の領域の高さと比較して高くすることができる。そして、高さの高い周縁部に撥液性が付与されているので、開口穴の中に機能材料を塗布した際、開口穴から外部に機能材料が溢れ出ることを抑えることができる。また、撥液性が付与されている部分が開口穴の周縁部なので、開口穴の中に機能材料を濡れ広げることが可能となり十分な量の機能材料を充填することができる。その結果、発光領域において膜厚のばらつきが抑えられた機能層を得ることができる。つまり、発光ムラが少ない電気光学装置を提供できる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置において、前記発光領域は略矩形状であり、前記発光領域の長手方向に沿って配置された前記配線と前記第１電極の一部とが平面的に重なって配置されていることが好ましい。
【００１１】
この構成によれば、隔壁部の開口穴において長手方向の周縁部の高さが、短手方向の周縁部の高さと比べて高くなるので、開口穴の形状において機能材料が溢れやすい長手方向の周縁部に撥液性を付与することができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置において、前記隔壁部は、有機材料からなることが好ましい。
【００１３】
この構成によれば、隔壁部が有機材料からなるので、コーティング法などにより比較的簡単に隔壁部を形成することができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置において、前記開口穴の周縁部は、転写法を用いて撥液化されていることが好ましい。
【００１５】
この構成によれば、撥液材は隔壁部の高い部分に転写するので、第１電極の表面の濡れ性を低下させることなく、開口穴の周縁部のみを撥液化させることができる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第１電極の下側に反射膜が設けられていることが好ましい。
【００１７】
この構成によれば、第１電極の下側に反射膜が設けられているので、機能層における発光を第２電極側に反射させることができる。よって、発光輝度を向上させることができる。
【００１８】
［適用例６］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、基板上において第１電極と第２電極との間に配置された発光層を含む機能層と、前記機能層を発光領域毎に区画する隔壁部と、配線と、を備えた電気光学装置の製造方法であって、前記第１電極の一部が平面的に前記配線と重なるように前記第１電極を形成する第１電極形成工程と、前記基板上に前記発光領域を囲むように開口穴を形成すると共に、前記第１電極と前記配線とが平面的に重なる領域の少なくとも一部の上に前記開口穴の側壁が配置されるように前記隔壁部を形成する隔壁部形成工程と、転写法を用いて前記隔壁部に撥液材を転写する転写工程と、前記開口穴の中に機能材料を塗布する塗布工程と、を有することを特徴とする。
【００１９】
この方法によれば、第１電極の一部が平面的に配線と重なるように形成されるので、第１電極と配線とが重なる領域に形成された隔壁部における開口穴の周縁部の高さを、隔壁部の他の領域の高さと比較して高くすることができる。そして、高さの高い周縁部に撥液性を付与するので、開口穴の中に機能材料を塗布した際、開口穴から外部に機能材料が溢れ出ることを抑えることができる。また、撥液性が付与された部分が開口穴の周縁部なので、開口穴の中に機能材料を濡れ広げることが可能となり十分な量の機能材料を充填することができる。その結果、発光領域において膜厚のばらつきが抑えられた機能層を得ることができる。つまり、発光ムラが少ない電気光学装置の製造方法を提供できる。
【００２０】
［適用例７］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記発光領域は略矩形状であって、前記基板上において前記発光領域の長手方向に延在する配線を、短手方向に延在する配線より上層に形成する配線形成工程を有し、前記第１電極形成工程は、前記第１電極の一部が前記発光領域の長手方向に延在する配線と平面的に重なるように前記第１電極を形成することが好ましい。
【００２１】
この方法によれば、開口穴の長手方向に延在する配線を短手方向に延在する配線より上層に形成し、第１電極を長手方向に延在する配線と平面的に重なるように形成するので、隔壁部における短手方向の周縁部の高さと比べて、長手方向の周縁部の高さを高くすることが可能となり、開口穴の形状において少なくとも機能材料が溢れやすい長手方向の周縁部に撥液材を転写することができる。
【００２２】
［適用例８］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記隔壁部形成工程は、有機材料を用いて前記隔壁部を形成することが好ましい。
【００２３】
この方法によれば、隔壁部を有機材料から形成するので、コーティング法などにより比較的簡単に隔壁部を形成することができる。
【００２４】
［適用例９］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記第１電極形成工程の前に、前記基板上に反射膜を形成する反射膜形成工程を有することが好ましい。
【００２５】
この方法によれば、第１電極の下側に反射膜を形成するので、機能層における発光を第２電極側に反射させることができる。よって、発光輝度を向上させることができる。
【００２６】
［適用例１０］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする。
【００２７】
この構成によれば、発光領域において均一な膜厚の機能材料が得られ、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】第１実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図２】有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図。
【図３】（ａ）は有機ＥＬ装置を構成するサブ画素の構造を示す模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示す有機ＥＬ装置のＡ−Ａ'線に沿う模式断面図。
【図４】有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程図。
【図５】有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図６】有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図７】有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図８】有機ＥＬ装置を備えた電子機器の一例としてテレビを示す模式斜視図。
【図９】（ａ）は第２実施形態の有機ＥＬ装置を構成するサブ画素の構造を示す模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示す有機ＥＬ装置のＢ−Ｂ'線に沿う模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
（第１実施形態）
＜電気光学装置の構成＞
図１は、電気光学装置としての有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図１を参照しながら説明する。なお、以下参照する各図面において構成をわかりやすく示すため、各構成要素の層厚や寸法の比率、角度等は適宜異ならせてある。また、本実施形態の有機ＥＬ装置は、トップエミッション構造、ボトムエミッション構造のどちらの構造にも適用可能である。
【００３０】
図１に示すように、有機ＥＬ装置１１は、配線としての、複数の走査線１２と、走査線１２に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３と、信号線１３に並行に延びる複数の電源線１４とを備えている。そして、走査線１２と信号線１３とにより区画された領域が画素領域として構成されている。信号線１３は、信号線駆動回路１５に接続されている。また、走査線１２は、走査線駆動回路１６に接続されている。
【００３１】
各画素領域には、走査線１２を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（Thin Film Transistor）２１と、このスイッチング用ＴＦＴ２１を介して信号線１３から供給される画素信号を保持する保持容量２２と、保持容量２２によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ２３とが設けられている。更に、各画素領域には、駆動用ＴＦＴ２３を介して電源線１４に電気的に接続したときに、電源線１４から駆動電流が流れ込む第１電極としての陽極２４と、第２電極としての陰極２５と、この陽極２４と陰極２５との間に挟持された機能層２６とが設けられている。
【００３２】
有機ＥＬ装置１１は、陽極２４と陰極２５と機能層２６とにより構成される発光素子２７を複数備えている。また、有機ＥＬ装置１１は、複数の発光素子２７で構成される表示領域を備えている。
【００３３】
この構成によれば、走査線１２が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ２１がオン状態になると、そのときの信号線１３の電位が保持容量２２に保持され、保持容量２２の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ２３のチャネルを介して、電源線１４から陽極２４に電流が流れ、更に、機能層２６を介して陰極２５に電流が流れる。機能層２６は、ここを流れる電流量に応じた輝度で発光する。
【００３４】
図２は、有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図２を参照しながら説明する。
【００３５】
図２に示すように、有機ＥＬ装置１１は、ガラス等からなる基板３１に表示領域３２（図中一点鎖線の内側の領域）と非表示領域３３（一点鎖線の外側の領域）とを有する構成になっている。表示領域３２には、実表示領域３２ａ（二点鎖線の内側の領域）とダミー領域３２ｂ（図中二点鎖線の外側の領域）とが設けられている。
【００３６】
実表示領域３２ａ内には、光が射出されるサブ画素３４（発光領域）がマトリクス状に配列されている。この、サブ画素３４の各々は、スイッチング用ＴＦＴ２１及び駆動用ＴＦＴ２３（図１参照）の動作に伴って、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）各色を発光する構成となっている。
【００３７】
ダミー領域３２ｂには、主として各サブ画素３４を発光させるための回路が設けられている。例えば、実表示領域３２ａの図中左辺及び右辺に沿うように走査線駆動回路１６が配置されており、実表示領域３２ａの図中上辺に沿うように検査回路３５が配置されている。
【００３８】
基板３１の下辺には、フレキシブル基板３６が設けられている。フレキシブル基板３６には、各配線と接続された駆動用ＩＣ３７が備えられている。
【００３９】
図３（ａ）は、有機ＥＬ装置のサブ画素の構造を示す模式平面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ'線に沿うサブ画素の模式断面図である。以下、サブ画素を備える有機ＥＬ装置の構成を、図３を参照しながら説明する。なお、図３（ａ）は、機能層２６、後述する隔壁部としてのバンク６２、陰極２５などの図示を省略している。
【００４０】
図３（ａ）に示すように、有機ＥＬ装置１１は、走査線１２と、信号線１３と、電源線１４とによって平面的に囲まれた発光領域（サブ画素３４）において発光が行われるものであり、スイッチング用ＴＦＴ２１と、保持容量２２と、駆動用ＴＦＴ２３と、陽極２４と、を有して構成されている。
【００４１】
具体的には、有機ＥＬ装置１１は、図３（ｂ）に示すように、基板３１と、基板３１上に形成された回路素子層４３と、回路素子層４３上に形成された発光素子層４４とを有する。基板３１としては、例えば、ガラス基板が挙げられる。
【００４２】
回路素子層４３には、基板３１上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなる下地保護膜４５が形成され、下地保護膜４５上に駆動用ＴＦＴ２３が形成されている。詳しくは、下地保護膜４５上に、ポリシリコン膜からなる島状の半導体膜４６が形成されている。半導体膜４６には、ソース領域４７及びドレイン領域４８が不純物の導入によって形成されている。そして、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域５１となっている。
【００４３】
更に、回路素子層４３には、下地保護膜４５及び半導体膜４６を覆うシリコン酸化膜等からなる透明なゲート絶縁膜５２が形成されている。ゲート絶縁膜５２上には、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）などの低抵抗金属配線材料からなるゲート電極５３が形成されている。なお、ゲート電極５３と同層に走査線１２が形成されている。
【００４４】
ゲート絶縁膜５２及びゲート電極５３上には、第１層間絶縁膜５４及び第２層間絶縁膜５５が形成されている。第１層間絶縁膜５４及び第２層間絶縁膜５５は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）、チタン酸化膜（ＴｉＯ2）などから構成されている。ゲート電極５３は、半導体膜４６のチャネル領域５１に対応する位置に設けられている。
【００４５】
第２層間絶縁膜５５上には、平面的に四角形状（略矩形状）の陽極２４が設けられている。陽極２４は、例えば、発光領域４２ごとに形成されており、透明なＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなる。具体的には、図３（ａ）に示すように、平面視で、信号線１３及び電源線１４と重なる領域に亘って陽極２４が設けられている。つまり、陽極２４の長手方向に沿った端部２４ａが、平面視で配線１３，１４と重なるように積層されている。陽極２４の厚みは、例えば、５０ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００４６】
半導体膜４６のソース領域４７は、ゲート絶縁膜５２及び第１層間絶縁膜５４を貫通して設けられたコンタクトホール５７を介して、第１層間絶縁膜５４上に形成された電源線１４と電気的に接続されている。一方、ドレイン領域４８は、ゲート絶縁膜５２、第１層間絶縁膜５４、第２層間絶縁膜５５を貫通して設けられたコンタクトホール５６を介して、第２層間絶縁膜５５上に形成された陽極２４と電気的に接続されている。なお、信号線１３は、第１層間絶縁膜５４上に設けられている。
【００４７】
また、回路素子層４３には、保持容量２２及びスイッチング用ＴＦＴ２１（図３（ａ）参照）が形成されている。なお、配線（走査線１２、信号線１３、電源線１４など）の厚みは、例えば、０．５μｍである。また、駆動用ＴＦＴ２３の厚みは、例えば、０．４μｍである。
【００４８】
発光素子層４４は、マトリクス状に配置された発光素子２７（図１参照）を具備して基板３１上に形成されている。詳述すると、発光素子層４４は、陽極２４上に形成された機能層２６と、機能層２６を区画するバンク６２とを主体として構成されている。機能層２６は、例えば、正孔注入層６３と、発光層６４などから構成されている。
【００４９】
バンク６２は、発光領域４２を除く基板３１上の全体に設けられている。バンク６２の材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機材料である。バンク６２は、例えば、断面に見て傾斜面を有する略台形状であり、発光領域４２（発光素子２７）を囲むように形成されている。そして、バンク６２によって囲まれた領域が開口穴６５となる。
【００５０】
このように、陽極２４の長手方向に沿った端部２４ａが平面視で配線１３，１４と重なるように設けられており、更に、端部２４ａと開口穴６５の側壁６５ａとが平面的に重なるようにバンク６２を形成することにより、バンク６２における開口穴６５の周縁部６２ａの高さが、バンク６２の他の領域と比較して高くなっている。なお、信号線１３及び電源線１４が走査線１２の上層に設けられているので、開口穴６５（発光領域４２）における長手方向Ｙの周縁部６２ａ（図３（ａ）においてハッチングされた部分の上方）の高さが、短手方向Ｘの周縁部６２ａの高さより高くなっている。
【００５１】
バンク６２における開口穴６５の周縁部６２ａには、機能層２６となる機能材料としての機能液が開口穴６５から溢れないようにするため、撥液材６６が設けられている。具体的には、撥液材６６を転写法を用いて設けることにより、他の領域と比較して高い位置にある開口穴６５の周縁部６２ａに撥液性を付与することができる。これにより、開口穴６５の中に塗布された機能液を開口穴６５の中に留めておくことが可能となり、隣りの開口穴６５に機能液が流れ出ることを防ぐことができる。撥液材６６としては、例えば、フッ素系の樹脂である。
【００５２】
ここで、「撥液性が高い」とは、液体（機能液）との接触角が相対的に大きいことを指す。つまり、撥液性が高くなった開口穴６５の周縁部６２ａから、外部に液体が溢れにくくなったと言える。一方、「撥液性が低い」とは、液体との接触角が相対的に小さいことを指す。つまり、液体（機能液）が塗布される開口穴６５の周縁部６２ａに撥液性が付与されているので、開口穴６５から液体（機能液）が溢れ難く、開口穴６５の中に液体（機能液）が充填しやすくなったと言える。
【００５３】
機能層２６は、上記したように、正孔注入層６３と発光層６４とを有して構成されており、バンク６２に囲まれた領域、すなわち開口穴６５の中に、インクジェット法を用いて順に形成される。
【００５４】
正孔注入層６３は、導電性高分子材料中にドーパントを含有する導電性高分子層からなる。このような正孔注入層６３は、例えば、ドーパントとしてポリスチレンスルホン酸を含有する３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）などから構成することができる。
【００５５】
発光層６４は、正孔注入層６３の上に形成されており、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。機能層２６上及びバンク６２上を含む基板３１上の全体には、陰極２５が全面成膜（ベタ成膜）されている。
【００５６】
陰極２５は、例えば、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）の積層体である。陰極２５の上には、水や酸素の侵入を防ぐための、無機材料や有機樹脂などからなる封止部材（図示せず）が積層されている。
【００５７】
上述した発光層６４は、陽極２４と陰極２５との間に電圧を印加することによって、発光層６４には、正孔注入層６３から正孔が、また、陰極２５から電子が注入される。発光層６４において、これらが結合したときに光を発する。以下、インクジェット法を用いて、有機ＥＬ装置１１を形成する方法について説明する。
【００５８】
＜電気光学装置の製造方法＞
図４は、電気光学装置の製造方法としての有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程図である。図５〜図７は、有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の製造方法を、図４〜図７を参照しながら説明する。なお、図５〜図７は、回路素子層４３などの図示を簡略化している。
【００５９】
まず、ステップＳ１１では、基板３１上に公知の成膜技術を用いて、駆動用ＴＦＴ２３などＴＦＴを形成する。
【００６０】
ステップＳ１２（配線形成工程）では、各配線１２，１３，１４を形成する。具体的には、ゲート絶縁膜５２上に走査線１２を形成する。また、第１層間絶縁膜５４上に、信号線１３及び電源線１４を形成する。これにより、平面視で発光領域４２を囲むように各配線１２，１３，１４が配置される。また、信号線１３や電源線１４などの上に第２層間絶縁膜５５を形成する。
【００６１】
ステップＳ１３（第１電極形成工程）では、第２層間絶縁膜５５上に、ＩＴＯからなる陽極２４を形成する。具体的には、陽極２４の端部２４ａが、平面視で信号線１３及び電源線１４と重なる領域に跨るように形成する。このように、平面視で配線１３，１４と陽極２４の端部２４ａとを重ならせることにより、陽極２４の端部２４ａの高さが、他の領域の高さと比較して高くなる。なお、陽極２４の形状は、例えば、平面視で四角形状（略矩形状）である。
【００６２】
ステップＳ１４（隔壁部形成工程）では、基板３１上における発光領域４２を除く領域にバンク６２を形成する。具体的には、図５に示すように、配線１３，１４と陽極２４の端部２４ａとが平面視で重なる部分に開口穴６５の側壁６５ａが配置されるようにバンク６２を形成する。
【００６３】
バンク６２の形成方法としては、まず、基板３１上にポリイミドやアクリルなどの有機材料を塗布する。次に、有機材料を乾燥させて有機層を形成する。次に、有機層における発光領域４２の部分を除去する。これによりバンク６２が完成する。
【００６４】
このように形成することにより、バンク６２の開口穴６５における長手方向Ｙ（図３（ａ）参照）の周縁部６２ａの高さを、バンク６２の他の領域の高さと比較して高くすることができる。なお、バンク６２の厚みは、例えば、２μｍである。また、上述した有機材料を用いてバンク６２を形成するので、無機材料を用いる場合に比べてバンク６２を比較的容易に形成できる。
【００６５】
ステップＳ１５（転写工程）では、転写法を用いてバンク６２に撥液材６６を転写する。具体的には、バンク６２の上面の高い部分、つまり、開口穴６５における長手方向Ｙの周縁部６２ａに確実に撥液材６６を転写することができる。
【００６６】
転写法は、例えば、図６に示す転写装置７１によって行われる。転写装置７１は、有機ＥＬ装置１１となる前の段階の基板１１ａを搬送する搬送ベルト７２及び搬送ローラー７３と、撥液材６６が塗布された撥液材付フィルム７４を搬送する供給ローラー７５と、テンションローラー７６と、転写ローラー７７と、圧着ローラー７８とを備えている。
【００６７】
撥液材付フィルム７４は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）のフィルムにフッ素系の樹脂（撥液材）がコーティングされたものである。
【００６８】
基板１１ａは、搬送ベルト７２に載置されており、複数の搬送ローラー７３と圧着ローラー７８とによって、所定の方向に搬送される。撥液材付フィルム７４は、供給ローラー７５から供給され、テンションローラー７６によって搬送方向が規定される。撥液材付フィルム７４の撥液材６６は、転写ローラー７７が圧着ローラー７８側に可動することにより、撥液材付フィルム７４と基板１１ａとを圧着（例えば、熱圧着）し、接触した部分の撥液材６６が基板１１ａ転写される。
【００６９】
なお、バンク６２において、撥液材６６を設けたい部分（開口穴６５の周縁部６２ａ）の高さと、それ以外の部分の高さとの関係は、必ずしも周縁部６２ａが高くならなくてもよい。具体的には、転写ローラー７７と圧着ローラー７８との圧着により転写可能な段差の範囲であればよい。例えば、バンク６２において、周縁部６２ａとそれ以外の部分の高さの段差が、±０．１μｍ以内であれば、バンク６２の上面全体に亘って撥液材６６を転写することも可能である。
【００７０】
この場合、図７（ａ）に示すように、バンク６２における開口穴６５の周縁部６２ａ（特に、長手方向Ｙの周縁部６２ａ）は、バンク６２の他の領域に比べて配線１３，１４の厚み分のおよそ０．５μｍ高くなっているので、周縁部６２ａに確実に撥液材６６を転写することができる。
【００７１】
ステップＳ１６（塗布工程）では、図７（ｂ）に示すように、バンク６２の開口穴６５に機能液２６ａを吐出する。具体的には、機能液２６ａの液滴を、液滴吐出法（例えば、インクジェット法）を用いて、陽極２４を底部としバンク６２を側壁とする凹部に向けて吐出する。機能液としては、正孔注入層６３の材料を含んだ機能液や、発光層６４の材料を含んだ機能液２６ａなどである。以下、発光層６４を例に説明する。
【００７２】
ステップＳ１７では、図７（ｃ）に示すように、機能液２６ａを乾燥させて発光層６４を形成する。詳しくは、機能液２６ａを高温環境下又は減圧下で乾燥して溶媒を蒸発させて固形化する。これにより、開口穴６５の中に発光層６４が形成される。
【００７３】
上述したように、バンク６２における開口穴６５の周縁部６２ａ（長手方向Ｙの周縁部６２ａ）に撥液性が確実に付与されているので、機能液２６ａが、特に開口穴６５における長手方向Ｙから外部に溢れることを抑えることができる。つまり、開口穴６５において機能液２６ａが比較的溢れやすい形状の長手方向Ｙからの機能液２６ａの流出を抑えることができる。
【００７４】
ステップＳ１８では、発光層６４が形成された基板３１上の略全体に、カルシウム膜及びアルミニウム膜をこの順に、例えば蒸着法によって積層させることにより、陰極２５（図３（ｂ）参照）を形成する。
【００７５】
ステップＳ１９では、陰極２５上に、例えば、接着剤及びガラス基板を用いて封止を行うことにより有機ＥＬ装置１１が完成する。
【００７６】
＜電子機器の構成＞
図８は、上記した有機ＥＬ装置を備えた電子機器の一例としてテレビを示す模式斜視図である。以下、有機ＥＬ装置を備えたテレビの構成を、図８を参照しながら説明する。
【００７７】
図８に示すように、テレビ８１は、表示部８２と、枠部８３と、脚部８４と、リモコン８５とを有する。表示部８２は、内部に組み込まれた有機ＥＬ装置１１によって、均一に発光することができる等、高品位な表示を行うことができる。なお、上記した有機ＥＬ装置１１は、上記テレビの他、ディスプレイ、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器、照明機器、光プリンターの光源などの各種電子機器に用いることができる。
【００７８】
以上詳述したように、第１実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
【００７９】
（１）第１実施形態の有機ＥＬ装置１１及びその製造方法は、陽極２４の長手方向に沿った端部２４ａが平面的に配線１３，１４と重なるように形成するので、陽極２４と配線１３，１４とが重なる領域に相当するバンク６２における開口穴６５の周縁部６２ａの高さを、バンク６２の他の領域の高さと比較して高くすることができる。よって、高さの高い周縁部６２ａに撥液材６６を確実に転写することが可能となり、開口穴６５の中に機能液２６ａを塗布した際、開口穴６５から外部に機能液２６ａが溢れ出ることを抑えることができる。これにより、混色を防ぐことができる。また、撥液材６６が付与されている部分が開口穴６５の周縁部６２ａなので、陽極２４の表面の濡れ性を低下させることがなく、開口穴６５の中に機能液２６ａを濡れ広げることが可能となり十分な量の機能液２６ａを充填することができる。その結果、発光領域４２において膜厚のばらつきが抑えられた機能層２６を形成することができる。つまり、発光ムラが少ない有機ＥＬ装置１１及びその製造方法を提供できる。
【００８０】
（２）第１実施形態の有機ＥＬ装置１１及びその製造方法は、短手方向Ｘの周縁部６２ａの高さと比べて、長手方向Ｙの周縁部６２ａの高さが高くなるので、開口穴６５の形状において機能液２６ａが溢れやすい長手方向Ｙの周縁部６２ａに撥液材６６を転写することができる。よって、開口穴６５の中から外部に機能液２６ａが溢れ出ることを抑えることができる。
【００８１】
（３）第１実施形態の電子機器は、上記した有機ＥＬ装置１１を備えているので、発光領域４２において均一な膜厚の機能層２６が得られ、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
【００８２】
（第２実施形態）
＜電気光学装置の構造＞
図９（ａ）は、第２実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置を構成するサブ画素の構造を示す模式平面図である。図９（ｂ）は、図９（ａ）のＢ−Ｂ'線に沿うサブ画素の模式断面図である。以下、サブ画素を備えた有機ＥＬ装置の構成を、図９（ａ），（ｂ）を参照しながら説明する。
【００８３】
なお、図９（ａ）に示す有機ＥＬ装置１１１は、第１実施形態と同様に、上記した機能層２６、バンク６２、及び陰極２５等の図示を省略している。また、第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１は、平面視で各配線１２，１３，１４によって囲まれた領域内に反射膜６１を設ける部分が、第１実施形態と異なっている。つまり、第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１は、トップエミッション構造である。以下、第１実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。
【００８４】
図９（ａ）に示すように、有機ＥＬ装置１１１は、第１実施形態と同様に、信号線１３と、走査線１２と、電源線１４とによって平面的に囲まれた発光領域４２（サブ画素３４）において発光が行われるものであり、スイッチング用ＴＦＴ２１と、保持容量２２と、駆動用ＴＦＴ２３と、陽極２４と、を有して構成されている。
【００８５】
第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１は、図９（ｂ）に示すように、機能層２６における発光を陰極２５側に反射する反射膜６１が設けられている。具体的には、第２層間絶縁膜５５上における、平面視で各配線１２，１３，１４によって囲まれる領域に反射膜６１が形成されている。反射膜６１は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）から形成されている。なお、反射膜６１の材料は、アルミニウムに限定されず、発光を反射する機能（反射面）を有する材料であればよい。
【００８６】
反射膜６１及び第２層間絶縁膜５５上には、陽極２４が設けられている。具体的には、第１実施形態と同様に、陽極２４の端部２４ａが、平面的に少なくとも配線１３，１４や駆動用ＴＦＴ２３と重なる領域に跨るように、反射膜６１及び第２層間絶縁膜５５上に設けられている。
【００８７】
陽極２４及び第２層間絶縁膜５５上には、発光領域４２を囲むようにバンク６２が設けられている。バンク６２によって囲まれた部分が開口穴６５である。このように、配線１３，１４と陽極２４の端部２４ａとが平面的に重なる部分に開口穴６５の側壁６５ａが配置されるようにバンク６２を設けるので、バンク６２の周縁部６２ａの高さ（特に、長手方向Ｙの周縁部６２ａの高さ）を、バンク６２の他の領域の高さと比較して高くすることができる。
【００８８】
また、第１実施形態と同様に、バンク６２の開口穴６５の周縁部６２ａ（特に、長手方向Ｙの周縁部６２ａ）には、撥液材６６が設けられている。以下、第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１を形成する方法について説明する。なお、第１実施形態の有機ＥＬ装置１１の製造方法と比較して異なる部分を主体に説明する。
【００８９】
＜電気光学装置の製造方法＞
第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１の製造方法は、図４に示した第１実施形態の有機ＥＬ装置１１の製造方法と基本的に同様であって、以下、第１実施形態と異なる部分について説明する。
【００９０】
ステップＳ１１では、第１実施形態と同様に、駆動用ＴＦＴ２３などＴＦＴを形成する。ステップＳ１２では、基板３１上に配線１２，１３，１４及び第２層間絶縁膜５５を形成する。具体的には、基板３１上に走査線１２、信号線１３、及び電源線１４などを形成する。更に、それらの上に第２層間絶縁膜５５を形成する。
【００９１】
その後、第２層間絶縁膜５５上における、平面視で各配線１２，１３，１４によって囲まれた領域に反射膜６１を形成する（反射膜形成工程）。反射膜６１は、上記したようにアルミニウムなどからなり、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いて形成することができる。
【００９２】
その後、ステップＳ１３において、陽極２４を形成する。具体的には、平面視で少なくとも配線１３，１４と陽極２４の端部２４ａとが重なるように、反射膜６１及び第２層間絶縁膜５５上に陽極２４を形成する。そして、ステップＳ１４では、バンク６２を形成する。具体的には、発光領域４２の周囲に開口穴６５の側壁６５ａが配置されるようにバンク６２を形成する。
【００９３】
このように形成することにより、走査線１２より上層に形成された信号線１３や電源線１４と平面的に重なる領域に位置する開口穴６５の周縁部６２ａの高さが、バンク６２の他の領域と比較して高くなっている。つまり、開口穴６５における長手方向Ｙの周縁部６２ａの高さが、短手方向Ｘの周縁部６２ａを含む他の領域の高さより高くなっている。よって、ステップＳ１５において、開口穴６５における長手方向Ｙの周縁部６２ａに撥液材６６を転写することができる。以降、第１実施形態と同様に、ステップＳ１６からステップＳ１９までを実施し、第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１を完成させる。
【００９４】
以上詳述したように、第２実施形態によれば、上記した第１実施形態の（１）〜（３）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【００９５】
（４）第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１及びその製造方法によれば、陽極２４の下側に反射膜６１を形成するので、機能層２６における発光を陰極２５側に反射させることができる。よって、発光輝度を向上させることができる。
【００９６】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【００９７】
（変形例１）
上記したように、走査線１２より信号線１３及び電源線１４が上層に配置されていることから、バンク６２の開口穴６５における長手方向Ｙの周縁部６２ａの高さが高くなるように形成していることに限定されず、例えば、走査線１２上に信号線１３や電源線１４の高さと同じになるように絶縁膜を積層し、その上にバンク６２を形成するようにしてもよい。これによれば、バンクの開口穴６５における周縁部６２ａの高さを、全周に亘って同じ高さにすることが可能となり、開口穴６５の周囲を全周に亘って撥液化することができる。
【００９８】
また、長手方向Ｙの周縁部６２ａの高さが短手方向Ｘの周縁部６２ａの高さより高くなるように形成することに限定されず、開口穴６５の形状や開口穴６５からの機能液２６ａの流出状況から、周縁部６２ａの高さを部分的に変えるようにしてもよい。
【００９９】
（変形例２）
上記したように、発光領域４２（開口穴６５）の平面視の形状は、四角形状であることに限定されず、例えば、トラック形状、多角形状であってもよい。
【０１００】
（変形例３）
上記した第２実施形態は、駆動用ＴＦＴ２３などを平面視でサブ画素３４の端に配置することに限定されず、トップエミッション構造のため、陽極２４や反射膜６１の下側ならば、配置位置は制約されない。
【０１０１】
（変形例４）
上記したように、信号線１３や電源線１４など平面的な配線の太さは、配線の上方にバンク６２を形成し、開口穴６５の周縁部６２ａの突起形状を確認しながら配線の幅を広くするなど調整することが好ましい。
【０１０２】
（変形例５）
上記したように、有機ＥＬ装置１１は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の発光が得られる発光素子２７を有するものに限定されない。例えば、白色などの単色発光が可能な照明装置に適用してもよい。また、発光素子２７を白色発光するトップエミッション構造として、発光素子２７の上方にカラーフィルターを備える構成としてもよい。
【０１０３】
（変形例６）
上記した実施形態では、有機ＥＬ装置１１におけるバンク６２の構造を例に説明したが、これに限定されず、液晶装置などのカラーフィルターを区画するバンクの構造に適用するようにしてもよい。
【符号の説明】
【０１０４】
１１，１１１…電気光学装置としての有機ＥＬ装置、１２…走査線、１３…信号線、１４…電源線、１５…信号線駆動回路、１６…走査線駆動回路、２１…スイッチング用ＴＦＴ、２２…保持容量、２３…駆動用ＴＦＴ、２４…第１電極としての陽極、２４ａ…端部、２５…第２電極としての陰極、２６…機能層、２６ａ…機能材料としての機能液、２７…発光素子、３１…基板、３２…表示領域、３２ａ…実表示領域、３２ｂ…ダミー領域、３３…非表示領域、３４…サブ画素、３５…検査回路、３６…フレキシブル基板、３７…駆動用ＩＣ、４２…発光領域、４３…回路素子層、４４…発光素子層、４５…下地保護膜、４６…半導体膜、４７…ソース領域、４８…ドレイン領域、５１…チャネル領域、５２…ゲート絶縁膜、５３…ゲート電極、５４…第１層間絶縁膜、５５…第２層間絶縁膜、５６…コンタクトホール、５７…コンタクトホール、６１…反射膜、６２…隔壁部としてのバンク、６２ａ…周縁部、６３…正孔注入層、６４…発光層、６５…開口穴、６５ａ…側壁、６６…撥液材、７１…転写装置、７２…搬送ベルト、７３…搬送ローラー、７４…撥液材付フィルム、７５…供給ローラー、７６…テンションローラー、７７…転写ローラー、７８…圧着ローラー、８１…テレビ、８２…表示部、８３…枠部、８４…脚部、８５…リモコン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2012022786.tif 000009
【図８】
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【図９】
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