(57)【要約】【課題】微細な凹凸パターンを用いたナノインプリント方法においても、インプリント後のレジスト膜の厚みムラを解消することを可能とする。【解決手段】基板の表面に微細な凹凸パターンを形成することにより製造されたナノインプリントモールド１０において、上記基板として、離型処理が施された後かつ凹凸パターンが形成される前の上記表面の表面形状であって、高低差分布に関する３σ値が１〜３ｎｍである表面形状を有する基板１２を用いて製造する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に微細な凹凸パターンを形成することにより製造されたナノインプリントモールドにおいて、
前記基板として、離型処理が施された後かつ前記凹凸パターンが形成される前の前記表面の表面形状であって、高低差分布に関する３σ値が１〜３ｎｍである表面形状を有する基板を用いて製造されたことを特徴とするナノインプリントモールド。
【請求項２】
前記３σ値が１〜２ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載のナノインプリントモールド。
【請求項３】
前記３σ値が、少なくとも３０ｍｍ四方の範囲について表面形状の測定が行われた結果算出された値であることを特徴とする請求項１または２に記載のナノインプリントモールド。
【請求項４】
前記表面形状を有する基板として、アルカリ性コロイダルシリカおよび発砲ポリウレタンパットを用い研磨圧が６０〜８０ｇ／ｃｍ２であり研磨時間が４５０〜８００ｓである条件で化学機械研磨され、その後離型処理されたことにより形成されたＳｉ基板を用いて製造されたことを特徴とする請求項１から３いずれかに記載のナノインプリントモールド。
【請求項５】
基板の表面に微細な凹凸パターンを形成するナノインプリントモールドの製造方法において、
前記基板として、離型処理が施された後かつ前記凹凸パターンが形成される前の前記表面の表面形状であって、高低差分布に関する３σ値が１〜３ｎｍである表面形状を有する基板を用いることを特徴とするナノインプリントモールドの製造方法。
【請求項６】
前記基板として、前記３σ値が１〜２ｎｍである基板を用いることを特徴とする請求項５に記載のナノインプリントモールドの製造方法。
【請求項７】
前記３σ値が、少なくとも３０ｍｍ四方の範囲について表面形状の測定が行われた結果算出された値であることを特徴とする請求項５または６に記載のナノインプリントモールドの製造方法。
【請求項８】
前記表面形状を有する基板として、アルカリ性コロイダルシリカおよび発砲ポリウレタンパットを用い研磨圧が６０〜８０ｇ／ｃｍ２であり研磨時間が４５０〜８００ｓである条件で化学機械研磨され、その後離型処理されたことにより形成されたＳｉ基板を用いることを特徴とする請求項５から７いずれかに記載のナノインプリントモールドの製造方法。
【請求項９】
請求項１から４いずれかに記載のナノインプリントモールドを用い、
被加工部材の被加工面上にレジスト膜を形成し、
前記レジスト膜に前記ナノインプリントモールドの凹凸パターンを押し当てて、前記レジスト膜に前記凹凸パターンを転写し、
前記ナノインプリントモールドを前記レジスト膜から剥離することを特徴とするナノインプリント方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、所定の凹凸パターンに対応または反転した凹凸パターンを表面に有するナノインプリントモールド、その製造方法およびそれを用いたナノインプリント方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）やビットパターンドメディア（ＢＰＭ）等の磁気記録媒体、及び半導体デバイスの製造等において、被加工物上に塗布されたレジストにナノインプリントを行うパターン転写技術の利用が期待されている。
【０００３】
ナノインプリントは、光ディスク製作では良く知られているエンボス技術を発展させたものである。具体的には、ナノインプリントは、凹凸パターンを形成した金型原器(一般的にモールド、スタンパ、テンプレートとも呼ばれる)を被加工物上に塗布されたレジストに押し付け、レジストを力学的に変形または流動させて微細パターンを精密に転写する技術である。モールドを一度作製すれば、ナノレベルの微細構造を簡単に繰り返して成型できるため経済的であるとともに、有害な廃棄物および排出物が少ない転写技術であるため、近年、さまざまな分野へも応用が期待されている。
【０００４】
従来、上記のようなナノインプリント法は、被加工物上にスピンコート等によって均一にレジストを塗布してレジスト膜を成膜し、その後モールドの凹凸パターン面を押し付けてパターン転写が行われる。
【０００５】
しかしながら、このような場合、基板の表面形状に応じて、パターン転写されたレジスト膜の厚みムラが生じる場合がある。ここで、「レジスト膜の厚みムラ」とは、凹凸パターンが存在する領域において、凸部同士の厚みおよび凹部同士の厚みにばらつきが生じることや、凹凸パターンが存在しない領域において、そのレジスト膜における任意の２点同士の厚みにばらつきが生じること等を含めた、レジスト膜の厚みに関する不均一性をいう。このようなインプリント後のレジスト膜の厚みムラは、後工程（被加工物のエッチング工程等）に影響を及ぼし、最終的なパターン転写精度を低下させる。
【０００６】
そこで、特許文献１では、表面に凹凸パターンを有するナノインプリントモールドにおいて、凹凸パターンの凸部の頂部および凹部の底部における１０点平均表面粗さをそれぞれ規定することにより、上記のようなレジスト膜の厚みムラを解消する方法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−２７６９０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１の方法では、近年の数十ナノレベルの微細パターン転写技術が用いられるメディアの製造において要求される程度に、レジスト膜の厚みムラを解消することが困難となる問題が生じうる。したがって、微細な凹凸パターンを用いたナノインプリント方法においても、インプリント後のレジスト膜の厚みムラをより確実に解消することを可能とする方法が望まれている。
【０００９】
本発明は上記要望に応えてなされたものであり、微細な凹凸パターンを用いたナノインプリント方法においても、インプリント後のレジスト膜の厚みムラをより確実に解消することを可能とするナノインプリントモールド、その製造方法およびそれを用いたナノインプリント方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するために、本発明に係るナノインプリントモールドは、
基板の表面に微細な凹凸パターンを形成することにより製造されたナノインプリントモールドにおいて、
上記基板として、離型処理が施された後かつ凹凸パターンが形成される前の上記表面の表面形状であって、高低差分布に関する３σ値が１〜３ｎｍである表面形状を有する基板を用いて製造されたことを特徴とするものである。
【００１１】
本明細書において、「高低差分布」とは、表面形状の高さに関する平均値を基準とした高低差の分布を意味する。
【００１２】
「３σ値」とは、高低差分布をガウス分布で近似したときの平均値から±３σにおける値の絶対値を意味する。ここで、σはガウス分布における標準偏差である。
【００１３】
そして、本発明に係るナノインプリントモールドにおいて、３σ値は１〜２ｎｍであることが好ましい。
【００１４】
そして、３σ値は、少なくとも３０ｍｍ四方の範囲について表面形状の測定が行われた結果算出された値であることが好ましい。
【００１５】
そして、表面形状を有する基板として、アルカリ性コロイダルシリカおよび発砲ポリウレタンパットを用い研磨圧が６０〜８０ｇ／ｃｍ２であり研磨時間が４５０〜８００ｓである条件で化学機械研磨（Chemical Mechanical Polishing :ＣＭＰ）され、その後離型処理されたことにより形成されたＳｉ基板を用いて製造されたことが好ましい。
【００１６】
さらに、本発明に係るナノインプリントモールドの製造方法は、基板の表面に微細な凹凸パターンを形成するナノインプリントモールドの製造方法において、
上記基板として、離型処理が施された後かつ凹凸パターンが形成される前の上記表面の表面形状であって、高低差分布に関する３σ値が１〜３ｎｍである表面形状を有する基板を用いることを特徴とするものである。
【００１７】
そして、本発明に係るナノインプリントモールドの製造方法において、基板として、前記３σ値が１〜２ｎｍである基板を用いることが好ましい。
【００１８】
そして、３σ値は、少なくとも３０ｍｍ四方の範囲について表面形状の測定が行われた結果算出された値であることが好ましい。
【００１９】
そして、表面形状を有する基板として、アルカリ性コロイダルシリカおよび発砲ポリウレタンパットを用い研磨圧が６０〜８０ｇ／ｃｍ２であり研磨時間が４５０〜８００ｓである条件で化学機械研磨され、その後離型処理されたことにより形成されたＳｉ基板を用いることが好ましい。
【００２０】
さらに、本発明に係るナノインプリント方法は、上記のナノインプリントモールドを用い、
被加工部材の被加工面上にレジスト膜を形成し、
レジスト膜にナノインプリントモールドの凹凸パターンを押し当てて、レジスト膜に凹凸パターンを転写し、
ナノインプリントモールドをレジスト膜から剥離することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２１】
本発明に係るナノインプリントモールドおよびその製造方法は、特に、ナノインプリントモールドの基となる基板として、離型処理が施された後かつ凹凸パターンが形成される前のパターン形成面の表面形状であって、高低差分布に関する３σ値が１〜３ｎｍである表面形状を有する基板を用いているから、ナノインプリントモールドの表面形状のムラを低減することができる。この結果、微細な凹凸パターンを用いたナノインプリント方法においても、インプリント後のレジスト膜の厚みムラをより確実に解消することが可能となる。
【００２２】
本発明に係るナノインプリント方法は、特に、ナノインプリントモールドの基となる基板として、離型処理が施された後かつ凹凸パターンが形成される前のパターン形成面の表面形状であって、高低差分布に関する３σ値が１〜３ｎｍである表面形状を有する基板を用いて製造されたモールドを用いている。したがって、表面形状のムラが低減されたナノインプリントモールドを用いることにより、微細な凹凸パターンを用いたナノインプリント方法においても、インプリント後のレジスト膜の厚みムラをより確実に解消することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明のナノインプリントモールドの実施形態において、ナノインプリントモールドの凹凸パターンが形成された表面を示す概略図である。
【図２】本発明のナノインプリントモールドの実施形態の全体構造を示す概略図である。
【図３】ナノインプリントモールドの基となる基板の表面形状におけるムラが、ナノインプリントモールドの表面における凹凸ムラに影響することを説明する概念図である。
【図４】インプリント後のレジスト膜の厚みムラの評価基準を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明するが、本発明はこれに限られるものではない。なお、視認しやすくするため、図面中の各構成要素の縮尺等は実際のものとは適宜異ならせてある。
【００２５】
「ナノインプリントモールドおよびその製造方法の実施形態」
図１は本実施形態に係るナノインプリントモールド１０の部分拡大斜視図であり、図２は図１のナノインプリントモールドの全体平面図である。
【００２６】
図１に示すように、本実施形態のナノインプリントモールド１０は、基板１２から構成され、その表面に転写情報に応じた微細な凹凸パターンを有している。
【００２７】
微細な凹凸パターンＰの凸部は、平面視で長方形であり、トラック方向（ディスクの円周方向であり、図１の矢印方向）の長さＡと、トラック幅方向（ディスクの半径方向）の長さＬ、並びに突起の高さ（厚さ）Ｈの値は、記録密度や記録信号波形等により適宜設計される。例えば、長さＡが８０ｎｍに、長さＬが２００ｎｍに設定される。ハードディスク装置に用いられる磁気ディスクのサーボ信号の場合、この微細な凹凸パターンＰは、トラック方向の長さＡに比べてトラック幅方向の長さＬの方が長く形成される。例えば、トラック幅方向の長さＬが０．０５〜２０μｍ、トラック方向の長さＡが０．０５〜５μｍであることが好ましい。この範囲でトラック幅方向の方が長いパターンを選ぶことが、サーボ信号の情報を担持するパターンとしては好ましい。凸部パターンの高さＨ（凹部パターンの深さ）は、２０〜８００ｎｍの範囲が好ましく、３０〜６００ｎｍの範囲がより好ましい。
【００２８】
また、図２に示すように、ナノインプリントモールド１０の全体形状は、外径Ｒｏ、内径Ｒｉおよび中心孔１６を有する円盤状のディスクに形成されており、内周部１７ａおよび外周部１７ｂを除く片面の円環状領域１８に図１のような凹凸パターンＰが形成される。
【００２９】
本実施形態のナノインプリントモールド１０は、基板１２として、離型処理が施された後かつ凹凸パターンが形成される前の表面の表面形状であって、高低差分布に関する３σ値が１〜３ｎｍである表面形状を有する基板を用い、上記表面形状を有する表面上にフォトレジスト膜を設け、凹凸パターンに対応する部分のフォトレジスト膜を電子線により露光描画し、露光した部分のフォトレジスト膜を現像により除去し、残ったフォトレジストをマスクとして例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）によりエッチングして製造される。
【００３０】
ナノインプリントモールドの基となる基板１２の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、Ｓｉ基板、Ｓｉ酸化物、Ｓｉ窒化物、石英、金属、及び樹脂のいずれかの材料が好適である。前記金属としては、例えばＮｉ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｕ等の各種金属、又はこれらの合金を用いることができる。これらの中でも、Ｎｉ、Ｎｉ合金が特に好ましい。前記樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリメタアクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）、トリアセテートセルロース（ＴＡＣ）、低融点フッ素樹脂等が用いられる。
【００３１】
ナノインプリントモールドの基となる基板１２は、これを用いて製造されたナノインプリントモールドの表面形状におけるムラが低減されるように、離型処理が施された後かつ凹凸パターンが形成される前の表面形状について、高低差分布に関する３σ値が１〜３ｎｍであるように設計されている。この３σ値は好ましくは１〜２ｎｍである。上記表面形状の３σ値は、ＺＹＧＯ社製のＮｅｗＶｉｅｗ６３００によって計測した。
【００３２】
３σ値は、少なくとも３０ｍｍ四方の範囲について表面形状の測定が行われた結果、算出された値であることが好ましい。ここで、上記測定範囲は、より好ましくは４０ｍｍ四方であり、特に好ましくは５０ｍｍ四方である。これは、より巨視的な範囲を評価対象として表面形状の高低差分布の解析を行うことにより、１ｍｍ程度に比較的離れた２点同士の高さの差も低減することができるためである。また、一般的な半導体チップの１つあたり大きさが２６ｍｍ×３３ｍｍであることを考慮すると、１チップ領域全体に相当する範囲におけるレジスト膜の厚みムラやインプリント欠陥の評価は、上記のような広さの範囲を評価対象とすることでより信頼性を確保することができるためである。
【００３３】
例えば、特許文献１は、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）によって、ナノインプリントモールドの凹凸パターンについての粗さを規定しているが、その測定範囲は、ＡＦＭで測定できる極狭い範囲であり、その広さは大きくてもせいぜい０．１ｍｍ四方程度である。この特許文献１における評価対象の範囲は、上記に示した半導体チップの１つあたり大きさに比べて非常に狭い。したがって、特許文献１の方法では、１チップ領域全体に相当する範囲におけるレジスト膜の厚みムラやインプリント欠陥の評価を正確に行うことは困難であると思われる。さらに、このような困難性は、微細な凹凸パターン（例えば、ライン／スペース＝１０ｎｍ／１０ｎｍ程度の凹凸パターン）を転写するナノインプリント方法では、レジスト膜の厚みムラの許容される範囲が狭くなるため、顕著に表れると思われる。
【００３４】
このような表面形状は、化学機械研磨（ＣＭＰ）を実施した後、離型処理を施した状態で計測する。ＣＭＰおよび離型処理の条件は、基板の材料に応じて適宜調整される。
【００３５】
例えば基板の材料がＳｉである場合、アルカリ性コロイダルシリカおよび発砲ポリウレタンパットを用い、研磨圧が６０〜８０ｇ／ｃｍ２であり、研磨時間が４５０〜８００ｓである条件で、ＣＭＰを実施する。ここで、アルカリ性コロイダルシリカは、粒径が１０〜１００ｎｍが好ましく、特に４０ｎｍ程度が好ましい。アルカリ性コロイダルシリカは、ｐＨ９〜１１であることが好ましい。
【００３６】
一方、離型処理は、特に制限はないが、ナノインプリントモールドの基となる基板上に離型材料をスピン塗布したり、ナノインプリントモールドの基となる基板を離型材料が含まれる溶液中に浸漬したりすることにより行われる。また、離型材料としては、特に制限されないが、フッ素系樹脂、炭化水素系潤滑剤、フッ素系潤滑剤、フッ素系シランカップリング剤などを使用できる。より具体的には、離型材料には、ダイキン工業社製のデュラサーフＨＤ−１１０１ＺをオプツールＨＤ−ＺＶで２５％濃度に希釈したものを使用することができる。そして、ナノインプリントモールドの基になる基板を、上記離型材料に浸漬速度１５ｍｍ/ｓｅｃ、引き上げ速度５ｍｍ/ｓｅｃの条件で浸漬塗布し、その後、三井・デュポンフロロケミカル社製のバートレルＸＦ−ＵＰに浸漬速度１５ｍｍ/ｓｅｃ、引き上げ速度５ｍｍ/ｓｅｃの条件でリンス処理し、離型処理を行った。
【００３７】
フォトレジスト膜は、特に制限されず、一般的な材料および方法により形成することができる。材料としては、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、及び光硬化性樹脂、並びにこれらの少なくともいずれかを含有するレジスト組成物を用いることができる。また、形成方法としては、塗布法やインクジェット法を用いることができる。
【００３８】
以下、本発明に係るナノインプリントモールド１０およびその製造方法の作用について説明する。本発明者は、鋭意検討を行った結果、インプリント後のレジスト膜の厚みムラは、ナノインプリントモールド１０の表面形状におけるムラに大きく影響を受けることを見出した。そして、ナノインプリントモールド１０の表面形状におけるムラは、その基となる基板１２のパターン形成面の表面形状であって離型処理後かつパターン形成前の表面形状におけるムラが原因であることを見出した。ここで、ナノインプリントモールドの「表面形状におけるムラ」とは、凹凸パターンが存在する領域において、凸部同士の高さおよび凹部同士の深さにばらつきが生じることや、凹凸パターンが存在しない領域において、その表面形状における任意の２点同士の高さにばらつきが生じること等を含めた、ナノインプリントモールドの表面形状に関する不均一性をいう。一方、ナノインプリントモールドの基となる基板の「表面形状におけるムラ」とは、離型処理が施された後かつ凹凸パターンが形成される前の表面形状における任意の２点同士の高さにばらつきが生じること等を含めた、ナノインプリントモールドの基となる基板の表面形状に関する不均一性をいう。
【００３９】
図３は、あるナノインプリントモールド５１の基となる基板５０の表面形状におけるムラが、ナノインプリントモールド５１の表面における凹凸ムラに影響することを説明する概念図である。図３に示すように、基板５０の表面形状にムラがあり、当該表面形状を有する表面を加工して凹凸パターンを形成した場合、上記表面形状のムラがそのまま反映されてモールド５１の表面形状におけるムラになることが解る。例えば、図３ｂに示すように、凹凸パターンについてある凹部５２ａの深さと他の凹部５２ｂの深さとを比べた場合には、当該モールド５１の表面形状におけるムラに起因して、最大でｄの深さの差が生じることとなる。そして、このような表面形状におけるムラを有するナノインプリントモールド５１を用いてナノインプリントを実施することによって、インプリント後のレジスト膜の厚みムラが生じることとなる。
【００４０】
上記のようなナノインプリントモールドの基となる基板の表面形状におけるムラを低減するためには、当該基板の表面形状の均一性を向上させる必要がある。しかしながら、過剰に基板の表面形状の均一性を向上させることは、インプリント時のレジスト材料の流動性が阻害され、レジスト材料が凹凸パターン形成領域の全体に行き渡らず、インプリント欠陥（ナノインプリントモールドを剥離したときの凹凸パターンの欠陥）が生じる原因となってしまう恐れがある。また、過剰に基板の表面形状の均一性を向上させることは、必要以上に製造コストを上げることになるため好ましくない。
【００４１】
そこで、上記のような課題を考慮し、本発明は、適切な平坦性を規定する要件として、離型処理が施された後かつ凹凸パターンが形成される前の表面形状について、高低差分布に関する３σ値が１〜３ｎｍであることを挙げている。すなわち、３σ値の上限値「３ｎｍ」は、３σ値がこの上限値を超えると、レジスト膜の厚みムラに応じたレジストマスクの高さムラが生じて、均一なパターンを得ることが出来なくなることに基づく。一方、３σ値の下限値「１ｎｍ」は、３σ値がこの下限値未満であると、インプリント時のレジスト材料の流動性が阻害されることに基づく。
【００４２】
以上のように、本発明に係るナノインプリントモールドおよびその製造方法は、特に、ナノインプリントモールドの基となる基板として、離型処理が施された後かつ凹凸パターンが形成される前の表面の表面形状であって、高低差分布に関する３σ値が１〜３ｎｍである表面形状を有する基板を用いているから、ナノインプリントモールドの表面形状のムラを低減することができる。この結果、微細な凹凸パターンを用いたナノインプリント方法においても、インプリント後のレジスト膜の厚みムラをより確実に解消することが可能となる。
【００４３】
「ナノインプリント方法の実施形態」
本実施形態のナノインプリント方法は、離型処理が施された後かつ凹凸パターンが形成される前の表面の表面形状であって、高低差分布に関する３σ値が１〜３ｎｍである表面形状を有する基板を用いて形成された本発明のナノインプリントモールドを用いたものである。具体的には、本実施形態のナノインプリント方法は、表面に転写情報に応じた微細な凹凸パターンを有する本発明のナノインプリントモールドを用い、ナノインプリントモールドの凹凸パターンが形成された表面に離型処理を行い、被加工部材上にレジスト膜を形成し、ナノインプリントモールドの凹凸パターンをレジスト膜に押し当てて、凹凸パターンを当該レジスト膜に転写し、その後ナノインプリントモールドをレジスト膜から剥離するものである。また、必要に応じて、残膜の除去工程等を実施することが好ましい。
【００４４】
本発明のナノインプリントモールドについては、前述した通りである。
【００４５】
離型処理は、特に制限はないが、ナノインプリントモールドの基となる基板について説明した前述の離型処理がナノインプリントモールドに適用されて、同様に行われる。
【００４６】
レジスト膜については、ナノインプリントモールドおよびその製造方法の実施形態において説明した場合と同様である。
【００４７】
以上のように、本発明に係るナノインプリント方法は、特に、ナノインプリントモールドの基となる基板として、離型処理が施された後かつ凹凸パターンが形成される前の表面の表面形状であって、高低差分布に関する３σ値が１〜３ｎｍである表面形状を有する基板を用いて製造されたモールドを用いている。したがって、表面形状のムラが低減されたナノインプリントモールドを用いることにより、微細な凹凸パターンを用いたナノインプリント方法においても、インプリント後のレジスト膜の厚みムラをより確実に解消することが可能となる。
【実施例】
【００４８】
本発明に係るナノインプリントモールドの実施例を以下に示す。
【００４９】
＜実施例１＞
Ｓｉ基板（株式会社フジミファインテクノロジー製）に対して、ｐＨ値１０のアルカリ性コロイダルシリカ（粒径４０ｎｍ）と発砲ポリウレタンパットを用いて、研磨圧が６０ｇ／ｃｍ２であり、研磨時間が８００ｓである条件でＣＭＰを行った。その後、洗浄を行い基板表面の清浄化を行った。次に、この基板を離型処理した。この時の基板表面の高低差分布に関する３σ値は１ｎｍであった。表面形状についての評価装置は、ＺＹＧＯ社製のＮｅｗＶｉｅｗ６３００である。また、この時の評価対象範囲は、半導体チップの１つあたり面積を十分にカバーできる広さとして５０ｍｍ四方とした。次に、離型処理により成膜した離型材料を除去した後、この基板を熱酸化処理することで、表面にＳｉＯ２膜を１００ｎｍ成膜した。この表面に電子線レジストを成膜して、電子線描画装置でパターニング後、パターニングされた部分の電子線レジストを除去した。残った電子線レジストをマスクとしてＲＩＥ処理を行うことによって、Ｓｉ基板表面にナノインプリント用の凹凸パターンを形成し、Ｓｉモールドを作製した。凹凸パターンは、ライン／スペース＝１０ｎｍ／１０ｎｍのパターンである。
【００５０】
ここで、ＡＦＭを用いて、凹凸パターンの凸部の頂部の１０点平均粗さ（Ｒｚ１）及び凹部の底部の１０点平均粗さ（Ｒｚ２）を、特許文献１に記載の方法に従って測定した。
【００５１】
次に、上記Ｓｉモールドの表面にフッ素系の材料を用いて離型処理を行った。そして、石英基板上にインプリントレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、このＳｉモールドをレジスト膜に押し当てて、ＵＶ光を照射してレジスト膜を硬化させた。その後、このＳｉモールドをレジスト膜から剥離し、石英基板上に凹凸パターンが転写されたレジスト膜を形成した。
【００５２】
＜実施例２＞
ＣＭＰ時の条件において、研磨時間が６００ｓであること以外は、実施例１と同様の工程により、凹凸パターンが転写されたレジスト膜を形成した。本実施例における基板表面の高低差分布に関する３σ値は２ｎｍであった。
【００５３】
＜実施例３＞
ＣＭＰ時の条件において、研磨圧が８０ｇ／ｃｍ２、研磨時間が４５０ｓであること以外は、実施例１と同様の工程により、凹凸パターンが転写されたレジスト膜を形成した。本実施例における基板表面の高低差分布に関する３σ値は３ｎｍであった。
【００５４】
＜比較例１＞
ＣＭＰを行わずＳｉ基板をそのまま使用したこと以外は、実施例１と同様の工程により、凹凸パターンが転写されたレジスト膜を形成した。本比較例における基板表面の高低差分布に関する３σ値は２０ｎｍであった。
【００５５】
＜比較例２＞
ＣＭＰ時の条件において、研磨圧が６００ｇ／ｃｍ２、研磨時間が６０ｓであること以外は、実施例１と同様の工程により、凹凸パターンが転写されたレジスト膜を形成した。本比較例における基板表面の高低差分布に関する３σ値は１０ｎｍであった。
【００５６】
＜比較例３＞
ＣＭＰ時の条件において、研磨圧が３００ｇ／ｃｍ２、研磨時間が１２０ｓであること以外は、実施例１と同様の工程により、凹凸パターンが転写されたレジスト膜を形成した。本比較例における基板表面の高低差分布に関する３σ値は８ｎｍであった。
【００５７】
＜比較例４＞
ＣＭＰ時の条件において、研磨圧が１２０ｇ／ｃｍ２、研磨時間が３００ｓであること以外は、実施例１と同様の工程により、凹凸パターンが転写されたレジスト膜を形成した。本比較例における基板表面の高低差分布に関する３σ値は５ｎｍであった。
【００５８】
＜比較例５＞
ＣＭＰ時の条件において、研磨圧が１００ｇ／ｃｍ２、研磨時間が３６０ｓであること以外は、実施例１と同様の工程により、凹凸パターンが転写されたレジスト膜を形成した。本比較例における基板表面の高低差分布に関する３σ値は４ｎｍであった。
【００５９】
＜比較例６＞
ＣＭＰ時の条件において、研磨圧が６０ｇ／ｃｍ２、研磨時間が１２００ｓであること以外は、実施例１と同様の工程により、凹凸パターンが転写されたレジスト膜を形成した。本比較例における基板表面の高低差分布に関する３σ値は０．５ｎｍであった。
【００６０】
＜評価方法＞
インプリント後のレジスト膜の厚みムラの評価は、１０名の人間による目視で行った。具体的には、図４ａに示すような表面形状である場合、レジスト膜の厚みムラは解消された（○）と評価し、図４ｂに示すような表面形状である場合、レジスト膜の厚みムラはある程度解消された（△）と評価し、図４ｃに示すような表面形状である場合、レジスト膜の厚みムラは解消することができなかった（×）と評価した。
【００６１】
インプリント欠陥の評価は、Ｓｉ基板の凹凸パターン全領域にレジスト材料が行渡りインプリント欠陥が発生していない場合、インプリント欠陥なし（○）と評価し、レジスト材料の流動が阻害されてインプリント欠陥が発生している場合、インプリント欠陥あり（×）と評価した。
【００６２】
総合評価は、厚みムラの評価およびインプリント欠陥の評価において、共に○評価が得られた場合、本願発明の課題「微細な凹凸パターンを用いたナノインプリント方法においても、インプリント後のレジスト膜の厚みムラを解消すること」を解決することができた（○）と評価し、それ以外の場合、本願発明の課題を解決することができなかった（×）と評価した。
【００６３】
＜結果＞
表１は、実施例１〜３および比較例１〜６により製造されたそれぞれのＳｉモールドの表面形状における３σ値と、それについての評価結果を示す表である。また、表１には、比較の対象として、特許文献１の方法に基づくナノインプリントモールドの表面形状に関する基準値Ｒｚ１およびＲｚ２も共に示されている。
【００６４】
表１の結果から、実施例１〜３の場合、つまり３σ値が１〜３ｎｍである場合において、インプリント後のレジスト膜の厚みムラを解消することができたという評価が得られた。そして、実施例１〜３の場合において、総合評価においても、課題を解決することができたとの評価が得られた。つまり、本願発明のナノインプリントモールドを用いることにより、微細な凹凸パターンを用いたナノインプリント方法においても、インプリント後のレジスト膜の厚みムラを解消することが可能であることが立証された。
【００６５】
一方、特許文献１のナノインプリントモールドは、特に基準値Ｒｚ１およびＲｚ２がそれぞれ０．５〜２０ｎｍであることを特徴とする。実施例１〜３および比較例１〜６の基準値Ｒｚ１およびＲｚ２は、すべて０．５ｎｍであった。しかしながら、上記特徴を有しているからといって、微細な凹凸パターンを用いたナノインプリントにおいて要求されるレベルのレジスト膜の厚みムラを必ず解消できるというわけではないことが分かった。この結果、上記のような場合において、本願発明のナノインプリントモールドを用いることにより、インプリント後のレジスト膜の厚みムラをより確実に解消することが可能であることが立証された。
【００６６】
【表１】
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【符号の説明】
【００６７】
１０   ナノインプリントモールド
１２   ナノインプリントモールドの基となる基板
１６   中心孔
１７ａ 内周部
１７ｂ 外周部
１８   円環状領域
Ｐ     凹凸パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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