(57)【要約】【課題】基板・封止材間の剥離を抑制する。【解決手段】有機ＥＬ表示素子１０は、発光素子６１を含む積層体２２を有し表面が凹凸になっているＴＦＴ基板２０と、積層体２２を封止するための封止材４０と、ＴＦＴ基板２０の表面に対向し、封止材４０を介してＴＦＴ基板２０と貼り合わせられる封止基板３０と、を備える。封止基板３０は、ＴＦＴ基板２０の表面に対向する側の面に凹凸部３２を有し、ＴＦＴ基板２０の凹凸の少なくとも一部と封止基板３０の凹凸部３２の少なくとも一部とは、封止材４０に接着している。封止基板３０に形成された凹凸部３２によって、封止材４０との接着面積は大きくなり、接着力も大きくなる。【選択図】図４
2012074238.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一電極と、前記第一電極と対向して形成された第二電極と、前記第一電極と前記第二電極との間に形成された発光層と、を有した発光素子を含む複数の画素が形成された第一基板と、
前記第一基板の前記複数の画素が形成された面に対向して形成された第二基板と、
前記第一基板と前記第二基板とを接着する封止材と、を備え、
前記第一基板は、前記封止材に接着され且つ凹凸形状の第一面を有し、
前記第二基板の前記封止材と接着される第二面には、前記第一面の前記凹凸形状に対応した凹凸部が設けられていることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
前記第一基板の前記複数の画素が形成された面には、前記複数の画素を各画素毎に画定するための隔壁が形成されている、
ことを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第一基板は、前記第一基板における前記発光素子を保護する無機質の保護層を更に備え、
前記封止材は、液状の有機系材料から成る、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記第二基板の前記第二面に設けられた前記凹凸部は、前記第一基板に対向する面の全面に形成されている、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項５】
前記第二基板の前記第二面に設けられた前記凹凸部は、前記第一基板に対向する面の周縁に形成されている、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項６】
前記第二基板の前記第二面に設けられた前記凹凸部は、前記第一基板に対向する面の角近傍に形成されている、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項７】
前記第一基板と前記封止材との接着強度と、前記第二基板と前記封止材との接着強度とは、略等しい値であることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の発光装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項の発光装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、有機ＥＬ（Electro Luminescence）を用いた発光装置、及び発光装置を備える電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
前記の発光装置としては、例えば、有機ＥＬパネルがある。例えば、特許文献１には、発光素子、土手部、導電膜、保護膜等からなる積層体が形成されている第１の基板と、前記積層体を封止する封止層（封止材）と、第１の基板に対向して配置された第２の基板と、を備える有機ＥＬパネルが開示されている。この有機ＥＬパネルでは、パネル外部から水分等が浸入することを防ぐため、第１の基板と第２の基板とが、封止材を介して貼り合わされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２７７５４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載されたような従来の有機ＥＬパネルでは、第２の基板の封止材に接する面は略平面状である。このため、第２の基板と封止材との接着面積は小さく、一般に、第２の基板と封止材との接着力は弱い。
【０００５】
ところで、第１の基板及び第２の基板には、外力等による応力によって、反りやねじれが生じる場合がある。この際、接着力の弱い第２の基板・封止材間が剥離しやすい。そして、この剥離によって、パネル外部から水分等が浸入し、カソードが酸化したり、有機膜の特性が低下したりすることで、最終的にはダークスポットが発生し、暗欠陥等が生じることがある。
【０００６】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、基板・封止材間の剥離を抑制することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の観点に係る発光装置は、第一電極と、前記第一電極と対向して形成された第二電極と、前記第一電極と前記第二電極との間に形成された発光層と、を有した発光素子を含む複数の画素が形成された第一基板と、前記第一基板の前記複数の画素が形成された面に対向して形成された第二基板と、前記第一基板と前記第二基板とを接着する封止材と、を備え、前記第一基板は、前記封止材に接着され且つ凹凸形状の第一面を有し、前記第二基板の前記封止材と接着される第二面には、前記第一面の前記凹凸形状に対応した凹凸部が設けられていることを特徴とする。
【０００８】
例えば、前記第一基板の前記複数の画素が形成された面には、前記複数の画素を各画素毎に画定するための隔壁が形成されているようにしてもよい。
また、前記第一基板は、前記第一基板における前記発光素子を保護する無機質の保護層を更に備え、前記封止材は、液状の有機系材料から成るようにしてもよい。
また、前記第二基板の前記第二面に設けられた前記凹凸部は、前記第一基板に対向する面の全面に形成されているようにしてもよい。
また、前記第二基板の前記第二面に設けられた前記凹凸部は、前記第一基板に対向する面の周縁に形成されているようにしてもよい。
また、前記第二基板の前記第二面に設けられた前記凹凸部は、前記第一基板に対向する面の角近傍に形成されているようにしてもよい。
また、前記第一基板と前記封止材との接着強度と、前記第二基板と前記封止材との接着強度とは、略等しい値であると望ましい。
【０００９】
本発明の第２の観点に係る電子機器は、前記発光装置を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、基板・封止材間の剥離を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本実施形態に係る発光装置の画素配列の一例を示す概略平面図である。
【図２】光学素子駆動回路を示す等価回路図である。
【図３】発光装置に含まれる発光画素の近傍を示す概略平面図である。
【図４】図３の断面線ＩＶ−ＩＶにおける有機ＥＬ表示素子の断面の一部を示す模式図である。
【図５】全面に形成された凹凸部を有する封止基板を示す模式図である。
【図６】周縁に形成された凹凸部を有する第１変形例に係る封止基板を示す模式図である。
【図７】四隅に形成された凹凸部を有する第２変形例に係る封止基板を示す模式図である。
【図８】中空部を有する第３変形例に係る有機ＥＬ表示素子の図６におけるＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ断面を示す模式図である。
【図９】（Ａ）は、有機ＥＬ表示素子を備えるデジタルカメラを示す正面側斜視図である。（Ｂ）は、有機ＥＬ表示素子を備えるデジタルカメラを示す背面側斜視図である。
【図１０】有機ＥＬ表示素子を備えるパーソナルコンピュータを示す正面側斜視図である。
【図１１】有機ＥＬ表示素子を備える携帯電話を示す正面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態に係る発光装置について、図面を参照して説明する。なお、本発明は下記で説明する実施形態（図面に記載された内容も含む。）によって限定されるものではない。下記で説明する実施形態に変更を加えることができる。特に、下記で説明する実施形態の構成要素を適宜削除してもよい。
【００１３】
図１に示すように、本発明の実施形態に係る発光装置には、ガラス等から成るＴＦＴ基板（第一基板）２０上に、それぞれ赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色を発する３つの発光画素６０を一組として、この組が行方向（左右方向）に繰り返し複数配列されるとともに、列方向（上下方向）に同一色の発光画素６０が複数配列されている。このようにＲＧＢの各色を発する発光画素６０がマトリクス状に配列される。各発光画素６０は、ＲＧＢそれぞれの光を発する表示素子としての有機ＥＬ素子である発光素子６１を備える。
【００１４】
各発光画素６０は、発光素子６１と、発光素子６１をアクティブ動作させる光学素子駆動回路ＤＳ（図２参照）とを備える。
【００１５】
光学素子駆動回路ＤＳは、図２に示すように、発光素子６１を選択する第１選択トランジスタＴ１１及び第２選択トランジスタＴ１２と、発光素子６１を駆動する発光駆動トランジスタＴ１３と、キャパシタＣｓとを備える。第１選択トランジスタＴ１１、第２選択トランジスタＴ１２及び発光駆動トランジスタＴ１３は、例えば、それぞれアモルファスシリコンを有する半導体層を備える逆スタガ型のｎチャネル型ＴＦＴ（Thin Film Transistor）である。第１選択トランジスタＴ１１、第２選択トランジスタＴ１２及び発光駆動トランジスタＴ１３は、それぞれ、ドレイン電極とソース電極間にゲート電極に印加される電圧によって制御される電流路を有している。
【００１６】
光学素子駆動回路ＤＳは、複数のアノードライン（電流供給配線）Ｌａと、発光素子６１と、それぞれ所定列に配列された複数の光学素子駆動回路ＤＳに接続されたデータライン（階調信号配線）Ｌｄと、それぞれ所定行に配列された複数の光学素子駆動回路ＤＳの第１選択トランジスタＴ１１及び第２選択トランジスタＴ１２を選択する複数の選択ライン（制御信号配線）Ｌｓと、に接続されている。発光素子６１のアノードが光学素子駆動回路ＤＳに接続されており、カソードには、基準電圧Ｖｓｓが印加される。
【００１７】
なお、各アノードラインＬａは、図示しない接続端子を介してアノードドライバ７１に接続される。また、各選択ラインＬｓは、図示しない接続端子を介して選択ドライバ７２に接続される。各データラインＬｄは、図示しない接続端子を介してデータドライバ７３に接続される。アノードドライバ７１と、選択ドライバ７２と、データドライバ７３とは、システムコントローラ７５によって制御される。
【００１８】
システムコントローラ７５は、外部から供給される画像データに基づいて、アノードドライバ７１と、選択ドライバ７２と、データドライバ７３とを制御することで、有機ＥＬ表示素子（発光装置）１０の各発光画素６０の発光・非発光及び発光させる場合の輝度を制御する。前記ドライバの制御は、制御信号の供給によって行われる。詳しくは後述するが、アノードドライバ７１は、システムコントローラ７５の制御のもと、アノードラインＬａに電圧Ｖａを印加する。また、選択ドライバ７２は、システムコントローラ７５の制御のもと、選択ラインＬｓに電圧Ｖｓを印加する。また、データドライバ７２は、システムコントローラ７５の制御のもと、データラインＬｄに電圧Ｖｄを印加する。
【００１９】
図３に、発光画素６０近傍の概略平面図を示す。なお、図３において、各電極、アノードラインＬａ、選択ラインＬｓ及びデータラインＬｄを実線で示し、隔壁２０８を２点鎖線で示す。また、各要素に付したハッチングは、各要素を明瞭にするためのものであって、断面を表すものではない。図３に示すように、第１選択トランジスタＴ１１のゲート電極Ｔ１ｇと、第２選択トランジスタＴ１２のゲート電極Ｔ２ｇとは、電気的に接続されるとともに一体的に形成されている。ゲート電極Ｔ２ｇは、ゲート絶縁膜２０１（図４を参照して後述）に設けられコンタクトホール内に充填されたコンタクト部５２を介して選択ラインＬｓに接続されている。これによって、ゲート電極Ｔ１ｇとゲート電極Ｔ２ｇとは共に、コンタクト部５２とを介して選択ラインＬｓに接続されていることとなる。アノードラインＬａは、第１選択トランジスタＴ１１のドレイン電極Ｔ１ｄと一体的に形成されることによって電気的に接続されている。また、第１選択トランジスタＴ１１のソース電極Ｔ１ｓは、ゲート絶縁膜２０１（図４を参照して後述）に設けられコンタクトホール内に充填されたコンタクト部５３を介してキャパシタ電極Ｃｓ１に接続されている。
【００２０】
また、第２選択トランジスタＴ１２のドレイン電極Ｔ２ｄは、ゲート絶縁膜２０１に設けられコンタクトホール内に充填されたコンタクト部５１を介してデータラインＬｄに接続される。また、第２選択トランジスタＴ１２のソース電極Ｔ２ｓは、画素電極（アノード電極、第一電極）２０４に接触している。発光駆動トランジスタＴ１３のソース電極Ｔ３ｓも画素電極２０４に接触している。即ち、ソース電極Ｔ２ｓとソース電極Ｔ３ｓとは、画素電極２０４を介して接続されることとなる。
【００２１】
発光駆動トランジスタＴ１３のドレイン電極Ｔ３ｄは、アノードラインＬａに一体的に接続される。また、発光駆動トランジスタＴ１３のゲート電極Ｔ３ｇは、コンタクト部５４を介してキャパシタ電極Ｃｓ１と接続されており、更にキャパシタ電極Ｃｓ１を介して第１選択トランジスタＴ１１のソース電極Ｔ１ｓに接続されている。また、発光駆動トランジスタＴ１３のソース電極Ｔ３ｓは、画素電極２０４と一部重なることによって接続されている。
【００２２】
キャパシタＣｓは、キャパシタ電極Ｃｓ１と、他方のキャパシタ電極として機能する画素電極２０４と、キャパシタ電極Ｃｓ１と画素電極２０４との間に介在する誘導体となる窒化シリコン等のゲート絶縁膜２０１によって構成される。
【００２３】
システムコントローラ７５は、アノードドライバ７１と、選択ドライバ７２と、データドライバ７３とを用いて、有機ＥＬ表示素子１０を制御して、書き込み制御と発光制御とを行う。システムコントローラ７５は、システムコントローラ７５の外部から供給される画像データに基づいてこれら制御を行う。
【００２４】
まず、書き込み制御を説明する。システムコントローラ７５は、選択ドライバ７２を制御し、所定の閾値以上の電圧値の電圧（Ｈｉｇｈレベルの電圧）Ｖｓを一の選択ラインＬｓに印加する。これによって、この選択ラインＬｓに接続された複数の画素回路（この選択ラインＬｓの行）が選択されたことになる。また、システムコントローラ７５は、アノードドライバ７１を制御し、非発光レベルの電圧値（基準電位Ｖｓｓよりも低い値；例えば、負の電圧値）の電圧Ｖａを、選択しているアノードラインＬａに印加するとともに、データドライバ７３を制御し、前記の画像データに応じて負の電圧値に設定した階調電圧Ｖｄを各データラインＬｄに印加する。
【００２５】
これによって、第１選択トランジスタＴ１１、第２選択トランジスタＴ１２、駆動トランジスタＴ１３は、オン状態になって、駆動トランジスタＴ１３のゲート・ソース間に生じた電位差に応じた書込電流がアノードラインＬａから、第２選択トランジスタＴ１２を介してデータラインＬｄの方向に流れる。このとき、キャパシタＣｓには、駆動トランジスタＴ１３のゲート・ソース間の電位差に応じた量の電荷が蓄積され、前記の電位差（階調電圧Ｖｄに応じた電位差）が保持される。また、発光素子６１のアノードの電位は、カソードの電位（基準電位Ｖｓｓ）よりも低くなるため、発光素子６１には電流が流れず、発光素子６１は発光しない。なお、発光素子６１を非発光させる場合には、例えば、書込電流が流れないような階調電圧Ｖｄがその発光素子６１の画素回路に接続されたデータラインＬｄに印加され、前記書込電流が流れない。
【００２６】
システムコントローラ７５は、このような書き込み制御（Ｖｓ、Ｖａ、Ｖｄの印加）を、所定の順序（図１における上の行から下の行に向かう順序）で、一行毎に全ての行について順次行い（走査）、発光装置１０の全ての画素回路について行う。また、システムコントローラ７５は、書き込み制御を、一行について所定の期間行う。
【００２７】
システムコントローラ７５は、前記の書き込み制御を行っていない行（非選択期間にある各行）については、発光制御を行う。システムコントローラ７５は、選択ドライバ７２を制御し、前記所定の閾値未満の電圧値の電圧（Ｌｏｗレベルの電圧）Ｖｓを、非選択期間にある各行の選択ラインＬｓに印加することによって、前記第１選択トランジスタＴ１１及び第２選択トランジスタＴ１２をオフ状態にする。これによって、光学素子駆動回路ＤＳと、データラインＬｄとの接続が遮断される。この遮断後であっても、キャパシタＣｓには、前記電荷が蓄積されているので、発光駆動トランジスタＴ１３は、オン状態を維持する。さらに、システムコントローラ７５は、アノードドライバ７１を制御し、発光レベルの電圧値（基準電位Ｖｓｓよりも高い値）の電圧Ｖａを非選択期間にある各行のアノードラインＬａに印加する。これによって、アノードラインＬａから発光駆動トランジスタＴ１３を介して発光素子６１に発光駆動電流が流れる。
【００２８】
ここで、キャパシタＣｓに保持されている電位差は、前記書込電流が流れたときの電位差（つまり、階調電圧Ｖｄに応じた電位差）に相当するので、発光素子６１に流れる電流値は、書込電流の電流値と略同等になる。このため、発光素子６１は、階調電圧Ｖｄの電圧値に応じた輝度で発光する。システムコントローラ７５は、このような発光制御（前記Ｖｓ、Ｖａの印加）を行うことで、非選択期間にある各行の画素回路の各発光素子６１は、発光しないか、画像データに応じた輝度で発光することになる。各行について、非選択期間は順次到来するので、発光装置１０は、全体として、画像データが表す画像を表示することになる。発光装置１０は、表示装置でもある。
【００２９】
次に、本実施形態に係る有機ＥＬ表示素子１０の具体的な構成について説明する。図４に、本実施形態に係る有機ＥＬ表示素子１０の図３のＩＶ−ＩＶ断面における断面構造を示す。有機ＥＬ表示素子１０は、ＴＦＴ基板（第一基板）２０と、封止基板（第二基板）３０と、封止材４０と、を主に備える。ＴＦＴ基板２０と、封止基板３０とは、封止材４０を介して貼り合わされる。
【００３０】
ＴＦＴ基板２０は、基板本体２１と、この基板本体２１上に形成された積層体２２と、を備える。ＴＦＴ基板２０は、積層体２２が形成されていることによって、その表面が凹凸になっている。
【００３１】
基板本体２１は、透明であり、絶縁性を有する。基板本体２１は、例えば、ガラス基板等によって構成される。
【００３２】
積層体２２は、ゲート電極Ｔ１ｇ（図３参照），Ｔ２ｇ，Ｔ３ｇ、ドレイン電極Ｔ１ｄ（図３参照），Ｔ２ｄ，Ｔ３ｄ、ソース電極Ｔ１ｓ（図３参照），Ｔ２ｓ，Ｔ３ｓ、ゲート絶縁膜２０１、半導体層２０２、ストッパ膜２０３、不純物層２０５、絶縁膜２０６、隔壁２０８、画素電極２０４、有機ＥＬ層（発光層）２１０、例えば接地電位等の基準電圧Ｖｓｓが印加される対向電極（カソード電極，発光装置）２１２、パッシベーション膜（保護層）２１４等の各種の層を備える。積層体２２は、前記の複数の層等によって、駆動回路、及び駆動回路によって駆動して発光する有機ＥＬ素子（発光素子）６１等を構成する。画素電極２０４、有機ＥＬ層２１０、対向電極２１２等によって、発光素子６１が構成される。
【００３３】
積層体２２は、前記の駆動回路の回路内容等によって適宜の構成を採ることが出来る。積層体２２の各要素についての説明は、後述の積層体２２の形成方法を説明する際に説明する。なお、積層体２２は、前記の光学素子駆動回路ＤＳを実現するために、選択ラインＬｓ、アノードラインＬａ、他のトランジスタを構成する層等を構成する層も適宜含むものとする。また、積層体２２は、適宜ダミー回路等も含む。
【００３４】
封止基板３０は、例えば、ガラス基板、硬質合成樹脂製基板等によって構成され、後述する封止材４０に接触する側の面（裏面）に、凸部３２０と凹部３２２とから成る凹凸部３２を有する。凹凸部３２は、例えば、封止基板３０の裏面を削って形成されたり、封止基板３０が樹脂製基板である場合等には、予め凹凸部３２の外面に沿う金型を用いた射出成形等によって形成されたりし、適宜の方法によって形成される。図５に示される例においては、封止材４０に接触する封止基板３０の全面に、凹凸部３２が形成（加工）されている。なお、凹凸は、例えば、平坦な面の一部に溝等の凹部のみが形成されているもの、一部に突起等の凸部のみが形成されているもの等を含み、段差等を有すればよい。
【００３５】
封止材４０は、ＴＦＴ基板２０と封止基板３０とを貼り合わされるために用いられると共に、積層体２２の全面を覆って、封止基板３０とともに積層体２２を封止するためのものである。ＴＦＴ基板２０と封止基板３０とは間隔（数十μｍ程度）をあけて封止材４０によって貼り合わされている。封止材４０は、ＴＦＴ基板２０の表面と封止基板３０の裏面とに接着して双方を貼り合わせる。封止材４０は、アクリル樹脂又はウレタン樹脂、熱硬化型エポキシ系樹脂、紫外線硬化型エポキシ系樹脂、又は反応開始剤をマイクロカプセル化して加圧することにより反応が開始する常温硬化型エポキシ系樹脂等から形成される。エポキシ系樹脂の場合は、ビスフェノールＡ形、ビスフェノールＦ形、ビスフェノールＡＤ形、ビスフェノールＳ形、キシレノール形、フェノールノボラック形、クレゾールノボラック形、多官能形、テトラフェニロールメタン形、ポリエチレングリコール形、ポリプロピレングリコール形、ヘキサンジオール形、トリメチロールプロパン形、プロピレンオキサイドビスフェノールＡ形、水添ビスフェノールＡ形、又はこれらの混合物を主剤としたものである。
【００３６】
次に、有機ＥＬ表示素子１０の形成方法について説明する。
【００３７】
まず、基板本体２１を用意し、ここに積層体２２を積層形成し、ＴＦＴ基板２０を形成する。積層体２２の形成方法を簡単に説明する。なお、積層体２２は、前記の駆動回路を実現するための、上述した他の層も下記の形成行程において、適宜形成されるものとする。
【００３８】
まず、透明な絶縁性を有する基板本体２１上に、スパッタ法又は真空蒸着法等により例えば、Ｍｏ膜、Ｃｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜、ＡｌＮｄＴｉ合金膜又はＭｏＮｂ合金膜等からなるゲートメタル層を成膜する。更に、このゲートメタル層をパターニングしてゲート電極Ｔ１ｇ，Ｔ２ｇ，Ｔ３ｇ、ゲート電極Ｔ１ｇ及びゲート電極Ｔ２ｇを接続する選択ラインＬｓ、データラインＬｄ等を、所定形状に形成する。以下では、これら電極及び配線を、まとめてメタル膜という。
【００３９】
次に、基板本体２１上に、スパッタ法、真空蒸着法等により基板本体２１上に、前記で形成したメタル膜を覆うように、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＺｎＯ等の透明導電膜を被膜後、この透明導電膜をフォトリソグラフィによってパターニングしてキャパシタＣｓのキャパシタ電極Ｃｓ１を形成する。
【００４０】
そして、基板本体２１及びゲート電極Ｔ１ｇ，Ｔ２ｇ，Ｔ３ｇを覆うように、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により、ＳｉＮ等からなるゲート絶縁膜２０１を形成する。さらに、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により、アモルファスシリコン等からなる半導体膜をゲート絶縁膜２０１上に形成し、更に半導体膜上に、ＣＶＤ法等により、ＳｉＮ等からなる絶縁膜を連続被覆形成する。
【００４１】
続いて、前記で形成した絶縁膜をフォトリソグラフィ等によりパターニングし、所定形状のストッパ膜２０３（チャネル保護膜層ＢＬ（Block Layer））となるＳｉＮ等）を半導体膜上に形成する。ストッパ膜２０３は、後述の半導体層２０２を保護するものである。
【００４２】
更に、半導体膜及びストッパ膜２０３上に、ＣＶＤ法等により、ｎ型不純物が含まれたアモルファスシリコン等からなる膜を形成し、この膜と半導体膜とをフォトリソグラフィ等によりパターニングする（特に、ストッパ膜２０３上以外の外側部分）。これによって、まず、半導体層２０２（半導体層ＳＭＣ（Sheet Molding Compound））が形成される。なお、パターニングされたアモルファスシリコン等からなる膜を、不純物膜という。不純物膜は、未だ、ストッパ膜２０３を覆っている。さらに、例えば、Ｍｏ膜、Ｃｒ膜、Ａｌ膜、Ｃｒ／Ａｌ積層膜、ＡｌＴｉ合金膜又はＡｌＮｄＴｉ合金膜、ＭｏＮｂ合金膜等からなるメタル層をスパッタ法、真空蒸着法等により、ゲート絶縁膜２０１上に成膜する。メタル層は、半導体層２０２及び不純物膜を覆うように成膜される。
【００４３】
次いで、フォトリソグラフィによって、メタル層をパターニングし、ソース電極Ｔ１ｓ，Ｔ２ｓ，Ｔ３ｓ及びドレイン電極Ｔ１ｄ，Ｔ２ｄ，Ｔ３ｄを形成する。このパターニングでは、前記の不純物膜もパターニングされる（このときに、ストッパ膜２０３が半導体層２０２を保護する。）。このため、ソース電極Ｔ１ｓ，Ｔ２ｓ，Ｔ３ｓ及びドレイン電極Ｔ１ｄ，Ｔ２ｄ，Ｔ３ｄとともに、不純物層２０５が形成されることになる。不純物層２０５は、後述のソース電極Ｔ１ｓ，Ｔ２ｓ，Ｔ３ｓ及びドレイン電極Ｔ１ｄ，Ｔ２ｄ，Ｔ３ｄのそれぞれと、半導体層２０２とのオーミック接続を実現するためのものである。
【００４４】
次に、スパッタ法、真空蒸着法等によりゲート絶縁膜２０１上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＺｎＯ等の透明導電膜を被膜後、フォトリソグラフィによってパターニングして画素電極２０４を形成する。画素電極２０４は、ソース電極Ｔ１ｓ，Ｔ２ｓ，Ｔ３ｓの一部に接触するように形成される。画素電極２０４は、表示画素（発光画素）を規定するための電極になる。
【００４５】
次に、ＣＶＤ法等により、ＳｉＮ等からなる絶縁膜を、画素電極２０４、ソース電極Ｔ１ｓ，Ｔ２ｓ，Ｔ３ｓ及びドレイン電極Ｔ１ｄ，Ｔ２ｄ，Ｔ３ｄ等を覆うように成膜して、パターニングすることによって、絶縁膜２０６を形成する。絶縁膜２０６は、例えばシリコン窒化膜から形成され、画素電極２０４を露出させるように形成される。絶縁膜２０６は、隣り合う画素電極２０４を絶縁させるとともに、第１選択トランジスタＴ１１、第２選択トランジスタＴ１２及び発光駆動トランジスタＴ１３等を絶縁保護する。また、絶縁膜２０６には、複数の画素電極２０４を夫々露出させるように複数の開口部２０７ａが形成されており、開口部２０７ａによって画素電極２０４及び対向電極２１２との間に介在する有機ＥＬ層２１０、つまり発光素子６１の発光領域が画される。また、絶縁膜２０６は、複数の開口部２０７ａによって格子状に形成される。更に隔壁２０８には列方向（図３における上下方向）に延びる溝状の開口部２０７ｂが複数の発光素子６１にわたって形成されている。
【００４６】
続いて、例えば感光性のポリイミド系の絶縁樹脂材料を塗布、パターニング、硬化して、絶縁膜２０６上に隔壁２０８を形成する。隔壁２０８は、列方向（図４の紙面の表裏方向）に沿った複数の発光素子６１の画素電極２０４をまとめて開口するようにストライプ状の開口部２０７ｂを有する。これにより表示画素の画素形成領域が隔壁２０８により囲まれて画定され、当該領域に画素電極２０４の上面が露出した状態となる。隔壁２０８は、後述の有機ＥＬ層２１０の形状を画定するためのものである。
【００４７】
次いで、正孔注入層、発光層を、隔壁２０８の各開口内に表示に用いられる色毎に塗布して、画素電極２０４上に、正孔注入層、発光層からなる有機ＥＬ層２１０を積層させる。正孔注入層は、公知の高分子材料等によって形成される。発光層は、公知の高分子発光材料等によって形成される。そして、各画素電極２０４に各有機ＥＬ層２１０を介して共通して対向するように連なる対向電極２１２を形成する。対向電極２１２は、光反射特性を有し、導電材料、例えば１〜１０ｎｍ厚のＬｉ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｂａ，Ｉｎ等の仕事関数の低い材料からなる電子注入性の下層と、１００ｎｍ以上の厚さのＡｌ，Ｃｒ，Ａｇ，パラジウム銀系の合金等の光反射性導電金属からなる高仕事関数の上層を有する積層構造として、真空蒸着、スパッタ等の方法によって形成される。有機ＥＬ層２１０は、画素電極２０４と対向電極２１２との間に電圧を印加することにより光を発生させる。
【００４８】
最後に、対向電極２１２を覆うように、無機化合物から成るＳｉ３Ｎ４、ＳｉＯ２等から成るパッシベーション膜２１４を、ＣＶＤ法等の適宜の方法によって形成する。パッシベーション膜２１４は、対向電極２１２側への水分の浸入を遮断するためのものである。また、パッシベーション膜２１４は、封止材４０が液状の有機系封止樹脂から成る場合に、この樹脂が有機ＥＬ層２１に直接接触することを防ぎ、これによって表示における暗欠陥が生じることを防ぐ。
【００４９】
ＴＦＴ基板２０は、上記の積層体２２が形成されることによって、その表面に凹凸を備えることとなる。特に、隔壁２０８は、その高さが高いので、他の回路素子と比べ凹凸の高低に関わり、つまり、封止材４０に接触する面積に関わることになる。
【００５０】
次に、ＴＦＴ基板２０の表面全面に封止材４０を塗布等し、封止基板３０をその上に置いて、ＴＦＴ基板２０と封止基板３０とが封止材４０を介して貼り合わせられた状態とする。更に、封止材４０に紫外線を照射することにより、熱を加えることにより、又は封止基板３０を加圧すること等により、封止材４０を硬化させ、ＴＦＴ基板２０と封止材４０と封止基板３０とを一体的に接着させる。このようにして、封止材４０及び封止基板３０によって、積層体２２が封止され、これによって、有機ＥＬ表示素子１０が完成する。
【００５１】
上記の有機ＥＬ表示素子１０の形成方法においては、本発明に関わる主要な部分についてのみ説明したが、それ以外の部分、例えば、選択ラインＬｓ、コンタクト部５１，５２，５３，５４等は、適宜周知のタイミング及び方法により形成され、有機ＥＬ表示素子１０は、図３のような構成となる。
【００５２】
本実施形態に係る有機ＥＬ表示素子１０によれば、凹凸部３２によって、封止基板３０と封止材４０５との接触面積が大きくなることで、封止基板３０と封止材４０との接着力（粘着力）を強くすることができる。つまり、凹凸部３２が形成されていない従来の構成において、封止材４０が剥離しやすい部位である封止基板３０と封止材４０との接着力を、凹凸部３２を形成することによって、強くすることができる。したがって、凹凸部３２によって、封止基板３０と封止材４０との剥離（隙間が生じること）を防ぐことができ、僅かな隙間から水分が浸入することを効率的に防ぐことができる。これによって、電極の酸化や有機ＥＬ層２１０の機能低下等を防ぎ、暗欠陥等が防止される。
【００５３】
また、従来のように、封止基板３０の封止材４０に接する面に凹凸部３２が形成されていないとすると、この面は略平面状になる。ＴＦＴ基板２０の表面（封止材４０に接する面）は、積層体２２によって数μｍ程度の凹凸になっているため、従来では、ＴＦＴ基板２０と封止材４０との接着面積に比べて、封止基板３０と封止材４０との接着面積は小さかった。つまり、一般に、ＴＦＴ基板２０と封止材４０との接着力に比べて、封止基板３０と封止材４０との接着力の方が弱かった。上記のような凹凸部３２が形成され、ＴＦＴ基板２０の凹凸と封止材４０とが接着し、凹凸部３２と封止材４０とが接着することによって、ＴＦＴ基板２０と封止材４０との接着力と、封止基板３０と封止材４０との接着力と、の差を小さくすることができ、封止基板３０と封止材４０とが、特に最初に剥離することを防ぐことができる。
【００５４】
また、液状の有機系封止樹脂を封止材４０の材料として採用した場合、この樹脂が発光素子６１に直接接触すると、暗欠陥を生じやすくなる。そこで、無機質のパッシベーション膜２１４を併用し、基本的には、パッシベーション膜２１４により、発光素子６１への水分の浸入を遮断する。更に、封止材４０が貼り合わせた封止基板３０で、積層体２２を封止することで、パッシベーション膜２１４を保護し、発光素子６１から完全に水分を遮断する役目を担う。このとき、封止材４０に用いられる材料の接着性は、簡易接着剤程度の接着力しか望めない。これを補うために、封止基板３０の表面を凹凸構造にして接着力を強化する。
【００５５】
なお、上記の封止構造に用いられる封止方法としては、上記した液状封止材の全面塗布の他、液状封止材（シール材）の周辺塗布と液状充填材（封止材の一種とする）の充填の併用、封止材の一種であるシート状接着材（シート状粘着材等も含む。なお、粘着という文言は、接着という文言に含まれるものとする。）の貼り付け、などがある。どのような封止方法であっても、封止材が前記の凹凸部３２に接触することによって、接着力が強化される。特に封止材４０が、ＴＦＴ基板２０の凹凸に接着するとともに、凹凸部３２に接着することによって、封止材４０とＴＦＴ基板２０の接着強度と、封止材４０と封止基板３０との接着強度と、の差を少なくすることによって、封止基板３０と封止材４０とが剥離することを防ぐことができる。なお、封止部材として機能するものとして、封止基板３０を例として説明したが、基板形状でない他の封止部材、例えば封止蓋等であってもよい。
【００５６】
（第１変形例）
図６に示される例においては、封止材４０に接触する封止基板（第二基板）３００の周縁に、凹凸部３２が形成されている。つまり、封止材４０に接触する封止基板３００における周縁以外の部位は、平坦な面で形成されている。凹凸部３２によって、上記同様、封止基板３０と封止材４０との剥離（隙間が生じること）を防ぐことができる。このように、封止基板３００と封止材４０との剥離に関して、影響度合いが高い封止基板３００の周縁部のみに凹凸部３２を形成するようにしてもよい。また、ＴＦＴ基板２０と封止基板３００との間に、ＴＦＴ基板２０の凹凸及び封止基板３００の凹凸部３２に接するように封止材４０が塗布されている。ＴＦＴ基板２０の凹凸及び封止基板３００の凹凸部３２は、封止材４０と接着している。これによって、ＴＦＴ基板２０と封止材４０との接着力と、封止基板３００と封止材４０との接着力と、の差を小さくすることができ、封止基板３００と封止材４０とが、特に最初に剥離することを防ぐことができる。
【００５７】
（第２変形例）
図７に示される例においては、封止材４０に接触する封止基板（第二基板）３０２の角近傍に、凹凸部３２が形成されている。つまり、封止材４０に接触する封止基板３０２における角近傍以外の部位は、平坦な面で形成されている。凹凸部３２によって、上記同様、封止基板３０と封止材４０との剥離（隙間が生じること）を防ぐことができる。このように、封止基板３０２と封止材４０との剥離に関して、影響度合いが高い封止基板３０２の角近傍のみに凹凸部３２を形成するようにしてもよい。また、ＴＦＴ基板２０と封止基板３０２との間に、ＴＦＴ基板２０の凹凸及び封止基板３０２の凹凸部３２に接するように封止材４０が塗布されている。ＴＦＴ基板２０の凹凸及び封止基板３０２の凹凸部３２は、封止材４０と接着している。これによって、ＴＦＴ基板２０と封止材４０との接着力と、封止基板３０２と封止材４０との接着力と、の差を小さくすることができ、封止基板３０２と封止材４０とが、特に最初に剥離することを防ぐことができる。
【００５８】
（第３変形例）
なお、図６及び図７に示される例において、ＴＦＴ基板２０と封止基板３００又は封止基板３０２との間には、封止材４０が塗布されているものとして説明したが、ＴＦＴ基板２０と封止基板３００又は封止基板３０２とに挟まれる全ての領域に封止材４０が塗布される構成に限定されない。中央部は中空であってもよい。例えば、図８に示すように、ＴＦＴ基板２０における凹凸が形成されている部位にある周縁と、封止基板３００，３０２における凹凸部３２が形成されている部位にある周縁と、に挟まれる部位のみに封止材４０が塗布され、その他の部位（中空部４００）は、減圧されているか、乾燥窒素ガス又は不活性ガスが充填されている構成であってもよい。なお、図８の例では、ＴＦＴ基板２０の上面であり、封止材４０によって封止される部位に、第１選択トランジスタＴ１１（図３参照）、第２選択トランジスタＴ１２又は発光駆動トランジスタＴ１３及び発光素子６１等が形成されているが、これらは形成されていなくてもよい。また、その他の凹凸が形成されているものであってもよく、更には、平面であってもよい。封止基板３００又は封止基板３０２には、中空部４００をより広くするための、凹部がその裏面に形成されているが、この凹部はない場合もある。更に、中空部４００に存在する残留水分を除去するために、吸着乾燥シート３４等を併用して用いるようにしてもよい。
【００５９】
このように、ＴＦＴ基板２０の周縁と封止基板３００，３０２の周縁とにのみ封止材４０が塗布されている場合であっても、その封止材４０に接する部位に凹凸部３２が形成されていれば、封止基板３００，３０２と封止材４０との接着力を向上させることができるという、同一の効果を奏し得る。
【００６０】
このような構成を採る有機ＥＬ表示素子１０は、デジタルカメラ、パーソナルコンピュータ、又は携帯電話等の表示装置の表示部（ディスプレイ）等として用いられる。具体的には、デジタルカメラ（電子機器）９１０は、例えば図９（Ａ）及び図９（Ｂ）に示すように、操作部９１１と、表示部９１２と、を備える。この表示部９１２に有機ＥＬ表示素子１０が用いられる。同様に、パーソナルコンピュータ（電子機器）９２０は、図１０に示すように、表示部９２１を備え、有機ＥＬ表示素子１０は表示部９２１に使用される。更に、携帯電話（電子機器）９３０は、図１１に示すように、表示部９３１を備え、有機ＥＬ表示素子１０は表示部９３１に使用される。
【００６１】
なお、上記実施形態においては、有機ＥＬ表示素子１０は、有機ＥＬ層２１０から出射される光を基板本体２１側から外部に出射する所謂ボトムエミッション型の発光装置であるとして説明した。ボトムエミッション型として説明したのは、有機ＥＬ層２１０から出射される光が、封止基板３０に形成された凹凸部３２を通ることによって、屈折する等の影響を受けることを排除するためである。
【００６２】
しかし、図６及び図７に示された第１変形例又は第２変形例に係る有機ＥＬ表示素子１０のように、封止基板３００の周縁部又は封止基板３０２の角近傍に、凹凸部３２が形成されているものであれば、ボトムエミッション型の発光装置に限定せずトップエミッション型でもよい。この形態であれば、有機ＥＬ層２１０から出射される光の出射方向上に、凹凸部３２を形成（配置）しないようにできるためである。なお、トップエミッション型の場合、一例として周知なように、図４に示された画素電極２０４が配置されている部分には、光反射特性を有し、１００ｎｍ以上の厚さのＡｌ，Ｃｒ，Ａｇ，パラジウム銀系の合金等の光反射性導電金属からなる高仕事関数の下層と、導電材料、例えば１〜１０ｎｍ厚のＬｉ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｂａ，Ｉｎ等の仕事関数の低い材料からなる電子注入性の上層とを有する積層構造の電極が配置される。また、対向電極２１２が配置されている部分には、有機ＥＬ層２１０から出射される光を透過可能なようにＩＴＯ、ＺｎＯ等の透明導電膜をパターニングして形成される電極が配置される。
【００６３】
なお、封止材４０に接着させる凹凸部３２は、封止材４０に接着させる、ＴＦＴ基板２０の凹凸と対応させて形成されことが望ましい。特に、凹凸部３２は、凹凸部３２と封止材４０との接着強度と、ＴＦＴ基板２０の凹凸と封止材４０との接着強度とを略同じにするように形成されることが望ましい。接着強度が略同じであれば、封止基板３０，３００，３０２と封止材４０との間と、ＴＦＴ基板２０と封止材４０との間と、のいずれか一方から剥がれることが抑制される。接着強度を略同じにするには、例えば、封止材４０、ＴＦＴ基板２０の表面の凹凸、封止基板３０等の材料の接着特性等を考慮することが考えられる。また、凹凸部３２を有する封止基板３０，３００，３０２の封止材４０との接触面積（接着面積）が、凹凸（特に隔壁２０８）を有するＴＦＴ基板２０の封止材４０との接触面積と、同程度になるように、凹凸部３２が形成してもよい。接触面積が略同じであれば、封止基板３０，３００，３０２と封止材４０との接着強度と、ＴＦＴ基板２０と封止材４０との接着強度を略同じに出来ることがある（例えば、封止基板３０，３００，３０２と、ＴＦＴ基板２０の表面（パッシベーション膜２１４等）と、を同じ材料で形成した場合等）。
【００６４】
また、凹凸部３２の形状は、封止材４０との接触面積を大きくできればよく、例えば、半球状、円錐状、多角錐状、切頭円錐状、切頭多角錐状等、特に限定しない。また、封止材４０との接触面積を大きくするために凹凸部３２が形成されることから明白なように、凹凸部３２の個数も、隔壁２０８の凹凸の個数と等しい数に限定しない。
【符号の説明】
【００６５】
１０・・・有機ＥＬ表示素子（発光装置）、２０・・・ＴＦＴ基板（第一基板）、２１・・・基板本体、２０１・・・ゲート絶縁膜、２０２・・・半導体層、２０３・・・ストッパ膜、２０４・・・画素電極（アノード電極、第一電極）、２０５・・・不純物層、２０６・・・絶縁膜、２０８・・・隔壁、２１０・・・有機ＥＬ層（発光層）、２１２・・・対向電極（カソード電極、第二電極）、２１４・・・パッシベーション膜（保護層）、２２・・・積層体、３０，３００，３０２・・・封止基板（第二基板）、３２・・・凹凸部、３４・・・吸着乾燥シート、４０・・・封止材、４００・・・中空部、６０・・・発光画素、６１・・・発光素子、Ｔ１１・・・第１選択トランジスタ、Ｔ１２・・・第２選択トランジスタ、Ｔ１３・・・発光駆動トランジスタ、Ｔ１ｄ，Ｔ２ｄ，Ｔ３ｄ・・・ドレイン電極、Ｔ１ｓ，Ｔ２ｓ，Ｔ３ｓ・・・ソース電極、Ｔ１ｇ，Ｔ２ｇ，Ｔ３ｇ・・・ゲート電極、９１０・・・デジタルカメラ（電子機器）、９２０・・・パーソナルコンピュータ（電子機器）、９３０・・・携帯電話（電子機器）、Ｌｄ・・・データライン、Ｌａ・・・アノードライン、Ｌｓ・・・選択ライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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