(57)【要約】      （修正有）【課題】対向する部材の端子間の接続および部材間の空隙の封止を同時に行うことができ、対向する部材の端子間を確実に接続することができ、アウトガスが少なく気泡の発生が少ない接着フィルムを有する、作業性に優れたダイシングテープ一体型接着シートを提供する。【解決手段】支持体の第一の端子と被着体の第二の端子を半田を用いて電気的に接続し、該支持体と該被着体とを接着する接着フィルム３と、ダイシングテープ２とから構成される積層構造を有するダイシングテープ一体型接着シート１０であって、該接着フィルム３の最低溶融粘度が０．０１〜１００，０００Ｐａ・ｓ以下であり、かつ、該接着フィルム３の発熱ピーク温度を（ａ）、該接着フィルム３の５％重量加熱減量温度を（ｂ）と定義した時、下記の式（１）を満たすダイシングテープ一体型接着シート１０により、上記課題を解決することができる。（ｂ）−（ａ）≧１００℃（１）【選択図】図１
2012195414.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体の第一の端子と、被着体の第二の端子を、半田を用いて電気的に接続し、該支持体と該被着体とを接着する接着フィルムと、ダイシングテープとから構成される積層構造を有するダイシングテープ一体型接着シートであって、
該接着フィルムの最低溶融粘度が０．０１〜１００，０００Ｐａ・ｓ以下であり、かつ、該接着フィルムの発熱ピーク温度を（ａ）、該接着フィルムの５％重量加熱減量温度を（ｂ）と定義した時、下記の式（１）を満たすことを特徴とするダイシングテープ一体型接着シート。
（ｂ）−（ａ）≧１００℃  （１）
【請求項２】
（Ａ）熱硬化性樹脂と、（Ｂ）硬化剤と、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物と、
（Ｄ）成膜性樹脂と、を含む請求項１に記載の接着フィルム。
【請求項３】
前記（Ａ）熱硬化性樹脂と、前記（Ｃ）フラックス機能を有する化合物の配合比（（Ａ）／（Ｃ））が、０．５〜２０．０である、請求項２に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
【請求項４】
前記（Ａ）熱硬化性樹脂の含有量が５〜８０重量％である、請求項２または３に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
【請求項５】
前記（Ａ）熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である、請求項２ないし４のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
【請求項６】
前記（Ｃ）フラックス機能を有する化合物が、カルボキシル基および／またはフェノール性水酸基を有するフラックス機能を有する化合物である、請求項２ないし５のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
【請求項７】
前記（Ｃ）フラックス機能を有する化合物が、１分子中に２個のフェノール性水酸基と、少なくとも１個の芳香族に直接結合したカルボキシル基とを有するフラックス機能を有する化合物である、請求項２ないし６のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
【請求項８】
前記（Ｃ）フラックス機能を有する化合物が、下記一般式（２）で示される化合物を含む、請求項２ないし７に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯＨ      （２）
（式（２）中、ｎは、１〜２０の整数である。）
【請求項９】
前記（Ｃ）フラックス機能を有する化合物が、下記一般式（３）及び／又は（４）で示される化合物を含む、請求項２ないし８のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
【化１】
2012195414.tif 000008
［式中、Ｒ１〜Ｒ５は、それぞれ独立して、１価の有機基であり、Ｒ１〜Ｒ５の少なくとも一つは水酸基である。］
【化２】
2012195414.tif 000009
［式中、Ｒ６〜Ｒ２０は、それぞれ独立して、１価の有機基であり、Ｒ６〜Ｒ２０の少なくとも一つは水酸基又はカルボキシル基である。］
【請求項１０】
前記接着フィルムが、さらに充填材を含む請求項１ないし９のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
【請求項１１】
前記充填材の含有量が、０．１重量％以上８０重量％未満である請求項１０に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
【請求項１２】
請求項１ないし１１のいずれかに記載の接着フィルムの硬化物を有することを特徴とする多層回路基板。
【請求項１３】
請求項１ないし１１のいずれかに記載の接着フィルムの硬化物を有することを特徴とする電子部品。
【請求項１４】
請求項１ないし１１のいずれかに記載の接着フィルムの硬化物を有することを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイシングテープ一体型接着シート、多層回路基板、電子部品及び半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の高機能化及び軽薄短小化の要求に伴い、半導体パッケージ等の電子部品の高密度集積化、高密度実装化が進んでおり、これら電子部品の小型化、多ピン化が進んでいる。これら電子部品の電気的な接続を得るためには、半田接合が用いられている。
この半田接合としては、例えば半導体チップ同士の導通接合部、フリップチップで搭載したパッケージのような半導体チップと回路基板間との導通接合部、回路基板同士の導通接合部等が挙げられる。この半田接合部には、電気的な接続強度及び機械的な接続強度を確保するために、一般的にアンダーフィル材と呼ばれる封止樹脂が注入されている（アンダーフィル封止）。
【０００３】
この半田接合部よって生じた空隙（ギャップ）を液状封止樹脂（アンダーフィル材）で補強する場合、半田接合後に液状封止樹脂（アンダーフィル材）を供給し、これを硬化することによって半田接合部を補強している。しかしながら、電子部品の薄化、小型化に伴い、半田接合部は狭ピッチ化／狭ギャップ化しているため、半田接合後に液状封止樹脂（アンダーフィル材）を供給してもギャップ間に液状封止樹脂（アンダーフィル材）が行き渡らなく、完全に充填することが困難になるという問題が生じている。
【０００４】
このような問題に対して、異方導電フィルムを介して端子間の電気的接続と接着とを一括で行う方法が知られている。例えば半田粒子を含む接着フィルムを、部材間に介在させて熱圧着させることにより、両部材の端子間に半田粒子を介在させ、他部に樹脂成分を充填させる方法や、金属粒子を接触させることによって電気的接続をとる方法が記載されている（例えば、特許文献１、２）。
【０００５】
しかしこの方法では、隣接する端子間に導電性粒子が存在するため、隣接する端子間の絶縁性を確保することや隣接する端子間に気泡が存在するため、電子部品や半導体装置の信頼性を確保することは困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開昭６１−２７６８７３号公報
【特許文献２】特開平９−３１４１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、対向する部材の端子間の接続および部材間の空隙の封止を同時に行うことができ、また、対向する部材の端子間を確実に接続することができ、さらに、アウトガスが少なく気泡の発生が少ないダイシングテープ一体型接着シートを提供することにある。また、別の目的は、電気的接続信頼性が高く、さらに、気泡の少ない多層回路基板、電子部品および半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
このような目的は、下記（１）〜（１４）により達成される。
（１）  支持体の第一の端子と、被着体の第二の端子を、半田を用いて電気的に接続し、該支持体と該被着体とを接着する接着フィルムと、ダイシングテープとから構成される積層構造を有するダイシングテープ一体型接着シートであって、
該接着フィルムの最低溶融粘度が０．０１〜１００，０００Ｐａ・ｓ以下であり、かつ、該接着フィルムの発熱ピーク温度を（ａ）、該接着フィルムの５％重量加熱減量温度を（ｂ）と定義した時、下記の式（１）を満たすことを特徴とするダイシングテープ一体型接着シート。
（ｂ）−（ａ）≧１００℃  （１）
（２）  （Ａ）熱硬化性樹脂と、（Ｂ）硬化剤と、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物と、（Ｄ）成膜性樹脂と、を含む上記（１）に記載の接着フィルム。
（３）  前記（Ａ）熱硬化性樹脂と、前記（Ｃ）フラックス機能を有する化合物の配合比（（Ａ）／（Ｃ））が、０．５〜２０．０である、上記（２）に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
（４）  前記（Ａ）熱硬化性樹脂の含有量が５〜８０重量％である、上記（２）または（３）に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
（５）  前記（Ａ）熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である、上記（２）ないし（４）のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
（６）  前記（Ｃ）フラックス機能を有する化合物が、カルボキシル基および／またはフェノール性水酸基を有するフラックス機能を有する化合物である、上記（２）ないし（５）のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
（７）  前記（Ｃ）フラックス機能を有する化合物が、１分子中に２個のフェノール性水酸基と、少なくとも１個の芳香族に直接結合したカルボキシル基とを有するフラックス機能を有する化合物である、上記（２）ないし（６）のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
（８）  前記（Ｃ）フラックス機能を有する化合物が、下記一般式（２）で示される化合物を含む、上記（２）ないし（７）に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯＨ      （２）
（式（２）中、ｎは、１〜２０の整数である。）
（９）  前記（Ｃ）フラックス機能を有する化合物が、下記一般式（３）及び／又は（４）で示される化合物を含む、上記（２）ないし（８）のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
【０００９】
【化１】
2012195414.tif 000003
［式中、Ｒ１〜Ｒ５は、それぞれ独立して、１価の有機基であり、Ｒ１〜Ｒ５の少なくとも一つは水酸基である。］
【００１０】
【化２】
2012195414.tif 000004
［式中、Ｒ６〜Ｒ２０は、それぞれ独立して、１価の有機基であり、Ｒ６〜Ｒ２０の少なくとも一つは水酸基又はカルボキシル基である。］
（１０）  前記接着フィルムが、さらに充填材を含む上記（１）ないし（９）のいずれかに記載のダイシングテープ一体型接着シート。
（１１）  前記充填材の含有量が、０．１重量％以上８０重量％未満である上記（１０）に記載のダイシングテープ一体型接着シート。
（１２）  上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載の接着フィルムの硬化物を有することを特徴とする多層回路基板。
（１３）  上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載の接着フィルムの硬化物を有することを特徴とする電子部品。
（１４）  上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載の接着フィルムの硬化物を有することを特徴とする半導体装置。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、対向する部材の端子間の接続および部材間の空隙の封止を同時に行うことができ、また、対向する部材の端子間を確実に接続することができ、さらに、アウトガスが少なく気泡の発生が少ないダイシングテープ一体型接着シートを提供することができる。また、本発明によれば、電気的接続信頼性が高く、さらに、気泡の少ない多層回路基板、電子部品および半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、本発明のダイシングテープ一体型接着シートを用いた半導体装置の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【図２】図２は、本発明のダイシングテープ一体型接着シートを用いた半導体装置の製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【図３】図３は、本発明のダイシングテープ一体型接着シートの製造方法の一例を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明のダイシングテープ一体型接着シート、多層回路基板、電子部品及び半導体装置に関して説明する。
本発明のダイシングテープ一体型接着シートは、支持体の第一の端子と、被着体の第二の端子を、半田を用いて電気的に接続し、該支持体と該被着体とを接着する接着フィルムと、ダイシングテープとから構成される積層構造を有するダイシングテープ一体型接着シートであって、
該接着フィルムの最低溶融粘度が０．０１〜１００，０００Ｐａ・ｓ以下であり、かつ、該接着フィルムの発熱ピーク温度を（ａ）、該接着フィルムの５％重量加熱減量温度を（ｂ）と定義した時、下記の式（１）を満たすことを特徴とする。
（ｂ）−（ａ）≧１００℃  （１）
また、本発明の多層回路基板、電子部品及び半導体装置は、第一の端子を有する支持体と、第二の端子を有する被着体とを、上記接着フィルムを用いて、電気的に接続し、該支持体と該被着体とを接着したものである。
【００１４】
以下、本発明のダイシングテープ一体型接着シート、多層回路基板、電子部品及び半導体装置について詳細に説明する。
【００１５】
本発明のダイシングテープ一体型接着シートは、支持体の第一の端子と、被着体の第二の端子を、半田を用いて電気的に接続し、該支持体と該被着体とを接着する接着フィルムと、ダイシングテープとを必須の構成要素とするものである。また、この他に、後述する介在層や外層を設けてもよい。ダイシングテープ一体型接着シートの各部の構成について、順次詳述する。
【００１６】
（ダイシングテープ）
ダイシングテープは、一般的に用いられるどのようなダイシングテープでも用いることが出来る。
具体的には、ダイシングテープとして、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を含む第一樹脂組成物で構成されているものを用いることが出来る。
【００１７】
アクリル系粘着剤としては、例えば（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等）との共重合体等が用いられる。また、これらの共重合体を２種類以上混合してもよい。
【００１８】
また、これらの中でも（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシルおよび（メタ）アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、ダイシングテープ２が粘着する相手（被着体）との密着性や粘着性の制御が容易になる。
【００１９】
また、第一樹脂組成物には、粘着性（接着性）を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート）等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーを添加してもよい。
【００２０】
さらに、第一樹脂組成物には、後述する第二樹脂組成物と同様の光重合開始剤を添加してもよい。
【００２１】
また、接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与剤等を添加してもよい。
【００２２】
このようなダイシングテープの平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００μｍ程度であるのが好ましく、特に３〜２０μｍ程度であるのがより好ましい。ダイシングテープの平均厚さが前記範囲内であれば、ダイシングテープの形状追従性が確保され、接着フィルムの半導体ウエハーに対する密着性をより高めることができる。
【００２３】
介在層について後述するが、ダイシングテープ一体型接着シートにおいて、ダイシングテープと接着フィルムの間に介在層を有する場合、ダイシングテープは、介在層よりも粘着性が高いものが好ましい。これにより、接着フィルムに対する介在層の密着力よりも、介在層および支持フィルムに対するダイシングテープの密着力が大きくなる。そのため、後述する半導体装置の製造におけるピックアップ工程において、剥離を生じさせるべき所望の界面（すなわち介在層と接着フィルムとの界面）で剥離を生じさせることができる。
【００２４】
また、ダイシングテープの粘着性を高めることにより、後述する半導体装置の製造の第２の工程においては、半導体ウエハーをダイシングして個片化する際に、ダイシングテープとウエハーリングとの間が確実に固定されることとなる。その結果、半導体ウエハーの位置ずれが確実に防止され、半導体素子の寸法精度を高めることができる。
【００２５】
（接着フィルム）
本発明の接着フィルムは、該接着フィルムの最低溶融粘度が０．０１〜１００，０００Ｐａ・ｓであり、かつ、該接着フィルムの発熱ピーク温度を（ａ）、該接着フィルムの５％重量加熱減量温度を（ｂ）と定義した時、下記の式（１）を満たすことを特徴とする。
（ｂ）−（ａ）≧１００℃  （１）
【００２６】
前記接着フィルムの最低溶融粘度を０．０１〜１００，０００Ｐａ・ｓとすることで、対向する支持体の第一の端子と被着体の第二の端子の間に接着フィルムを介し、前記接着フィルムを加熱溶融させて、支持体および被着体を電気的に接続して、さらに、接着する際に良好な接続信頼性を確保することが可能となる。
【００２７】
前記最低溶融粘度を０．０１Ｐａ・ｓ以上とすることで、溶融した接着フィルムが支持体または被着体に這い上がり汚染してしまうことを防止することができる。また、前記溶融粘度を１００，０００Ｐａ・ｓ以下とすることで、対向する端子間に溶融した接着フィルムが噛みこんでしまい導通不良が発生することを防止することができる。
【００２８】
前記最低溶融粘度は、好ましくは、０．０２Ｐａ・ｓ以上、特に０．０５Ｐａ・ｓ以上とすることが好ましい。これにより、溶融した接着フィルムが支持体または被着体に這い上がり汚染してしまうことを、より効果的に防止することができる。また、前記最低溶融粘度は、好ましくは、７０，０００Ｐａ・ｓ以下、特に３０，０００Ｐａ・ｓ以下とすることが好ましい。これにより、対向する端子間に溶融した接着フィルムが噛みこんでしまい導通不良が発生することを、より効果的に防止することができる。
【００２９】
ここで、前記接着フィルムの最低溶融粘度は、粘弾性測定装置（ＨＡＡＫＥ社製「ＲｈｅｏＳｔｒｅｓｓ  ＲＳ１５０」）を用いて、パラレルプレート２０ｍｍφ、ギャップ０．０５ｍｍ、周波数０．１Ｈｚ、昇温速度は、１０℃／分の条件で測定することができる。
【００３０】
また、接着フィルムの発熱ピーク温度を（ａ）、該接着フィルムの５％重量加熱減量温度を（ｂ）と定義した時、下記の式（１）を満たすことにより、対向する支持体の第一の端子と被着体の第二の端子の間に接着フィルムを介し、前記接着フィルムを加熱溶融させて、支持体および被着体を電気的に接続して、さらに、接着する際に気泡が発生することを防止することができるため、作製した多層回路基板、電子部品、半導体装置の信頼性を向上することができる。
（ｂ）−（ａ）≧１００℃  （１）
【００３１】
前記接着フィルムの５％重量加熱減量温度（ｂ）と発熱ピーク温度（ａ）の差が大きいほど、接着フィルムを加熱することによりアウトガスが発生し難いため、電気的接続および接着後の気泡の発生を防止することができる。さらに、アウトガスが発生した場合においても、接着フィルムの硬化反応よりも遅れてアウトガスが発生し、三次元化した接着フィルム中をアウトガスが移動しにくいため、電気的接続および接着後の気泡の発生を防止することができる。
【００３２】
前記接着フィルムの５％重量加熱減量温度（ｂ）と発熱ピーク温度（ａ）の差は、好ましくは１２０℃以上、特に１５０℃以上とすることが好ましい。これにより、接着フィルムのアウトガスの発生をより効果的に防止することができる。また、仮にアウトガスが発生した場合でも、接着フィルム中をアウトガスが移動し難いため、電気的接続および接着後の気泡の発生をより効果的に防止することができる。
【００３３】
ここで、前記接着フィルムの発熱ピーク温度（ｂ）は、示差走査熱量計（セイコーインスツルメンツ（株）製、ＤＳＣ−６２００）を用いて、昇温速度１０℃／分で測定することができる。
【００３４】
また、前記接着フィルムの５％重量加熱減量温度（ａ）は、熱重量／示差熱同時測定装置（セイコーインスツルメンツ（株）製、ＴＧ／ＤＴＡ６２００）を用いて、昇温速度１０℃／分で測定することができる。
【００３５】
前記接着フィルムの５％重量加熱減量温度（ｂ）と発熱ピーク温度（ａ）の差を上記範囲とする方法としては、特に限定されるわけではないが、（Ａ）熱硬化性樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物中の軟化点や含有量、さらに、低分子成分の含有量を適宜調整することにより行うことができる。
【００３６】
前記接着フィルムは、（Ａ）熱硬化性樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物、（Ｄ）成膜性樹脂を含むことが好ましい。（Ａ）熱硬化性樹脂、（Ｂ）硬化剤、(Ｄ）成膜性樹脂を含むことにより、前記接着フィルムの溶融粘度を上記範囲とすることが容易となる。（Ａ）熱硬化性樹脂、（Ｂ）硬化剤、Ｄ）成膜性樹脂の軟化点、配合量を適宜選択することにより、最適な溶融粘度に調整することが出来る。
【００３７】
（Ａ）熱硬化性樹脂
本発明に係る（Ａ）熱硬化性樹脂は、特に限定されるわけではなく、例えば、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、シリコーン樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、ポリエステル樹脂（不飽和ポリエステル樹脂）、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂、ポリイミド樹脂（ポリイミド前駆体樹脂）、ビスマレイミド−トリアジン樹脂などが挙げられる。特に、エポキシ樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、マレイミド樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。中でも、硬化性と保存性、硬化物の耐熱性、耐湿性、耐薬品性に優れるという観点からエポキシ樹脂が好ましい。また、これらの熱硬化性樹脂は１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
【００３８】
前記（Ａ）熱硬化性樹脂の含有量は、特に限定されるわけではないが、５〜８０重量％が好ましく、８〜７５重量％が好ましく、１０〜５５重量％が特に好ましい。（Ａ）熱硬化性樹脂の含有量を上記下限値以上とすることで、硬化後の接着フィルムの耐熱性が向上するため、多層回路基板、電子部品及び半導体装置の信頼性を向上することができる。
また、上記上限値以下とすることで、硬化後の接着フィルムの弾性率が高くなりすぎることを防止することができるため、支持体と被着体との接着性を向上することができる。
【００３９】
前記エポキシ樹脂としては、特に制限されるわけではないが、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、３官能エポキシ樹脂、４官能エポキシ樹脂等が挙げられる。
【００４０】
また、前記エポキシ樹脂としては、より好ましくは、２５℃における粘度が、５００〜５０，０００ｍＰａ・ｓであるもの、さらに、８００〜４０，０００ｍＰａ・ｓであるものが好ましく、２５℃における粘度を上記下限値以上とすることで、接着フィルムの柔軟性と屈曲性を確保することができる。また、２５℃における粘度を上記上限値以下とすることで接着フィルムのタック性が強くなり、ハンドリング性が低下することを防止することができる。
【００４１】
また、前記エポキシ樹脂の含有量は、特に限定されるものではないが、１０〜８０重量％が好ましく、８〜７５重量％が特に好ましい。上記下限値以上とすることで、接着フィルムの柔軟性と屈曲性をより効果的に発現させることができる。また、上記上限値以下とすることで、接着フィルムのタック性が強くなり、ハンドリング性が低下することをより効果的に防止することができる。
【００４２】
前記エポキシ樹脂の中でも、接着フィルムの溶融粘度を０．０１〜１００，０００Ｐａ・ｓの範囲に調整することと接着フィルムの作業性（タック性、屈曲性）を両立することが容易である、液状のビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、液状のビスフェノールＦ型エポキシ樹脂が好ましい。
【００４３】
（Ｂ）硬化剤
本発明に係る（Ｂ）硬化剤は、特に限定されるわけではなく、使用する（Ａ）熱硬化性樹脂の種類により、適宜選択することができる。前記硬化剤（Ｂ）としては、例えば、フェノール類、アミン類、チオール類、酸無水物類、イソシアナート類、有機過酸化物、アゾ化合物等が挙げられ１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
【００４４】
前記（Ａ）熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を使用する場合、前記（Ｂ）硬化剤としてはフェノール類が好ましい。（Ｂ）硬化剤としてフェノール類を使用することにより、硬化後の接着フィルムの耐熱性を高く、さらに、吸水率を低くすることができるため、多層回路基板、電子部品及び半導体装置の信頼性を向上することができる。
【００４５】
前記フェノール類としては、特に限定されるわけではないが、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＡ型ノボラック樹脂、ビスフェノールＦ型ノボラック樹脂、ビスフェノールＡＦ型ノボラック樹脂等が挙げられるが、接着フィルムの硬化物のガラス転移温度を効果的に高めることができ、また、アウトガスとなる成分を低減することができる、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂が好ましい。
【００４６】
前記フェノールノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂は、１核体から３核体の合計の含有量が、３０〜７０％であることが好ましい。これにより、接着フィルムの硬化物のガラス転移温度を高めること、および、アウトガスとなるフェノール系ノボラック樹脂の量を低減することができ、耐イオンマイグレーション性を向上させることが可能となる。また、接着フィルムに適度な柔軟性を付与することができるため、接着フィルムの脆性を改善することが可能となる。さらに、接着フィルムに適度なタック性を付与することができるため、作業性に優れた接着フィルムを得ることができる。
【００４７】
前記１核体から３核体の合計の含有量が３０％より小さい（４核体以上の合計の含有量が７０％以上）場合、前記エポキシ樹脂との反応性が低下し、接着フィルムの硬化物中に未反応のフェノール系ノボラック樹脂が残留するため、耐マイグレーション性が低下、また、接着フィルムが脆くなり作業性が低下する可能性がある。また、前記１核体から３核体の合計の含有量が７０％より大きい（４核体以上の合計の含有量が３０％以下）場合、接着フィルムを硬化させる際のアウトガス量が増大し、支持体または被着体の表面を汚染してしまったり、耐マイグレーション性が低下してしまったり、さらに、接着フィルムのタック性が大きくなり、接着フィルムの作業性が低下する可能性がある。
【００４８】
前記フェノールノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂中の２核体と３核体の合計の含有量は、特に限定されるわけではないが、３０〜７０％であることが好ましい。
上記下限値以上とすることで、接着フィルムを硬化させる際のアウトガス量が増大し、支持体または被着体の表面を汚染してしまうことをより効果的に防止することができる。また、上記上限値以下とすることで、接着フィルムの柔軟性と屈曲性をより効果的に確保することができる。
【００４９】
前記フェノールノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂中の１核体の含有量は、特に限定されるわけではないが、接着フィルム中に１％以下であることが好ましく、０．８％以下であることが特に好ましい。前記１核体の含有量を、上記範囲とすることで、接着フィルムを硬化する際のアウトガス量を低減することができ、支持体または被着体の汚染を抑制することができ、さらに、耐マイグレーション性を向上することができる。
【００５０】
前記フェノールノボラック樹脂またはクレゾールノボラック樹脂の重量平均分子量は、特に限定されるわけではないが、３００〜１，５００であることが好ましく、４００〜１，４００であることが特に好ましい。上記下限値以上とすることで、接着フィルムを硬化させる際のアウトガス量が増大し、支持体または被着体の表面を汚染してしまうことをより効果的に防止することができる。また。上記上限値以下とすることで、接着フィルムの柔軟性と屈曲性をより効果的に確保することができる。
【００５１】
本発明の接着フィルムは、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物を含む。これにより、支持体の第一の端子および被着体の第二の端子の少なくとも一方の半田表面の酸化膜を除去すること、また、場合によっては、支持体の第一の端子または被着体の第二の端子表面の酸化膜を除去することができ、確実に前記第一の端子と前記第二の端子を半田接合することができるため、接続信頼性の高い多層回路基板、電子部品、半導体装置等を得ることができる。
【００５２】
前記（Ｃ）フラックス機能を有する化合物としては、半田表面の酸化膜を除去する働きがあれば、特に限定されるものではないが、カルボキシル基又はフェノール性水酸基のいずれか、あるいは、カルボキシル基及びフェノール水酸基の両方を備える化合物が好ましい。
【００５３】
前記（Ｃ）フラックス機能を有する化合物の配合量は、１〜３０重量％が好ましく、３〜２０重量％が特に好ましい。（Ｃ）フラックス機能を有する化合物の配合量が、上記範囲であることにより、フラックス活性を向上させることができるとともに、接着フィルムを硬化した際に、未反応の（Ａ）熱硬化性樹脂、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物が残存し、接着フィルムを熱硬化させる際にアウトガスになることを防止することができ、耐マイグレーション性を向上することができる。
【００５４】
また、エポキシ樹脂の硬化剤として作用する化合物の中には、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物が存在する（以下、このような化合物を、フラックス活性硬化剤とも記載する。）。
例えば、エポキシ樹脂の硬化剤として作用する、脂肪族ジカルボン酸、芳香族ジカルボン酸等は、フラックス作用も有している。本発明では、このような、フラックスとしても作用し、エポキシ樹脂の硬化剤としても作用するようなフラックス活性硬化剤を、好適に用いることができる。
【００５５】
なお、カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物とは、分子中にカルボキシル基が１つ以上存在するものをいい、液状であっても固体であってもよい。また、フェノール性水酸基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物とは、分子中にフェノール性水酸基が１つ以上存在するものをいい、液状であっても固体であってもよい。また、カルボキシル基及びフェノール性水酸基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物とは、分子中にカルボキシル基及びフェノール性水酸基がそれぞれ１つ以上存在するものをいい、液状であっても固体であってもよい。
【００５６】
これらのうち、カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物としては、脂肪族酸無水物、脂環式酸無水物、芳香族酸無水物、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等が挙げられる。
【００５７】
前記カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物に係る脂肪族酸無水物としては、無水コハク酸、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物等が挙げられる。
【００５８】
前記カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物に係る脂環式酸無水物としては、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物等が挙げられる。
【００５９】
前記カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物に係る芳香族酸無水物としては、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテート、グリセロールトリストリメリテート等が挙げられる。
【００６０】
前記カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物に係る脂肪族カルボン酸としては、下記一般式（１）で示される化合物や、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ピバル酸カプロン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、オレイン酸、フマル酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸等が挙げられる。
ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）ｎ−ＣＯＯＨ      （１）
（式（１）中、ｎは、１以上２０以下の整数を表す。）
【００６１】
前記脂肪族カルボン酸のうち、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物が有する活性度、接着フィルムの硬化時におけるアウトガスの発生量、及び硬化後の接着フィルムの弾性率やガラス転移温度等のバランスが良い点で、前記一般式（１）で示される化合物が好ましい。そして、前記一般式（１）で示される化合物のうち、式（１）中のｎが３〜１０である化合物が、硬化後の接着フィルムにおける弾性率が増加するのを抑制することができるとともに、支持体と被着体の接着性を向上させることができる点で、特に好ましい。
【００６２】
前記一般式（１）で示される化合物のうち、式（１）中のｎが３〜１０である化合物としては、例えば、ｎ＝３のグルタル酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）３−ＣＯＯＨ）、ｎ＝４のアジピン酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）４−ＣＯＯＨ）、ｎ＝５のピメリン酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）５−ＣＯＯＨ）、ｎ＝８のセバシン酸（ＨＯＯＣ−（ＣＨ２）８−ＣＯＯＨ）及びｎ＝１０のＨＯＯＣ−（ＣＨ２）１０−ＣＯＯＨ−等が挙げられる。
【００６３】
前記カルボキシル基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物に係る芳香族カルボン酸としては、例えば、下記一般式（３）または（４）で表される（Ｃ）フラックス機能を有する化合物が挙げられる。
【００６４】
【化３】
2012195414.tif 000005
［式中、Ｒ１〜Ｒ５は、それぞれ独立して、１価の有機基であり、Ｒ１〜Ｒ５の少なくとも一つは水酸基である。］
【００６５】
【化４】
2012195414.tif 000006
［式中、Ｒ６〜Ｒ２０は、それぞれ独立して、１価の有機基であり、Ｒ６〜Ｒ２０の少なくとも一つは水酸基又はカルボキシル基である。］
【００６６】
前記芳香族カルボン酸としては、例えば、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ヘミメリット酸、トリメリット酸、トリメシン酸、メロファン酸、プレーニト酸、ピロメリット酸、メリット酸、トリイル酸、キシリル酸、ヘメリト酸、メシチレン酸、プレーニチル酸、トルイル酸、ケイ皮酸、サリチル酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、浸食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキ
シ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体、フェノールフタリン、ジフェノール酸等が挙げられる。
【００６７】
前記一般式（３）または（４）で表される（Ｃ）フラックス機能を有する化合物の中でも、硬化後のエポキシ樹脂の三次元的なネットワークの形成を向上させるという観点からは、１分子中に、エポキシ樹脂に付加することができる２つ以上のフェノール性水酸基と、フラックス作用（還元作用）を示す芳香族に直接結合した１つ以上のカルボキシル基とを備える化合物が好ましい。このようなフラックス活性硬化剤としては、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）等の安息香酸誘導体；１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，７−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体；フェノールフタリン；及びジフェノール酸等が挙げられ、これらは１種単独又は２種以上を組み合わせでもよい。これらの中でも、半田表面の酸化膜を除去する効果とエポキシ樹脂との反応性に優れる、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸、フェノールフタリンが好ましい。
【００６８】
前記フェノール性水酸基を備える（Ｃ）フラックス機能を有する化合物としては、フェノール類が挙げられ、具体的には、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、２，６−キシレノール、ｐ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、２，４−キシレノール、２，５キシレノール、ｍ−エチルフェノール、２，３−キシレノール、メジトール、３，５−キシレノール、ｐ−ターシャリブチルフェノール、カテコール、ｐ−ターシャリアミルフェノール、レゾルシノール、ｐ−オクチルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡＦ、ビフェノール、ジアリルビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＡ、トリスフェノール、テトラキスフェノール等のフェノール性水酸基を含有するモノマー類等が挙げられる。
【００６９】
また、接着フィルム中、フラックス活性硬化剤の配合量は、１〜３０重量％が好ましく、３〜２０重量％が特に好ましい。接着フィルム中のフラックス活性硬化剤の配合量が、上記範囲であることにより、接着フィルムのフラックス活性を向上させることができるとともに、接着フィルム中に、エポキシ樹脂と未反応のフラックス活性硬化剤が残存するのが防止される。なお、未反応のフラックス活性硬化剤が残存すると、マイグレーションが発生する。
【００７０】
前記（Ａ）熱硬化性樹脂と（Ｃ）フラックス機能を有する化合物の配合比は、特に限定されるわけではないが、（（Ａ）／（Ｃ））が０．５〜２０．０であることが好ましく、１〜１８であることが特に好ましく、２〜１５であることがさらに好ましい。（（Ａ）／（Ｃ））を上記下限値以上とすることで、接着フィルムを硬化させる際に、アウトガスとなる（Ｃ）フラックス化合物を低減することができるため、接着フィルム中のボイドを低減することができる。また、（（Ａ）／（Ｃ））を上記上限値以下とすることで、被着体、支持体の端子表面や半田表面の酸化膜を効果的に除去することができる。
【００７１】
本発明の接着フィルムは、接着フィルムの成膜性を向上する（Ｄ）成膜性樹脂を含む。
これにより、フィルム状態にするのが容易となる。また、接着フィルムの機械的特性にも優れる。
【００７２】
前記（Ｄ）成膜性樹脂としては、特に限定されるわけではないが、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン、ポリプロピレン、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロン等を挙げることができる。これらは、１種で用いても、２種以上を併用してもよい。中でも、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂及びポリイミド樹脂からなる群から選択される少なくとも１種であることが好ましい。
【００７３】
前記（Ｄ）成膜性樹脂の重量平均分子量は、特に限定されるわけではないが、１万以上が好ましく、より好ましくは２万〜１００万、更に好ましくは３万〜９０万である。重量平均分子量が前記範囲であると、接着フィルムの成膜性をより向上させることができる。
前記（Ｄ）成膜性樹脂の含有量は、特に限定されないが、前記接着フィルム中の５〜７０重量％が好ましく、１０〜６０重量％がより好ましく、特に１５〜５５重量％が好ましい。含有量が前記範囲内であると、接着フィルムの流動性を抑制することができ、接着フィルムの取り扱いが容易になる。
【００７４】
また、前記接着フィルムは、（Ｅ）硬化促進剤を更に含んでもよい。（Ｅ）硬化促進剤は硬化性樹脂の種類等に応じて適宜選択することができる。（Ｅ）硬化促進剤としては、例えば、トリ置換ホスホニオフェノラートまたはその塩、融点が１５０℃以上のイミダゾール化合物等を挙げることができるが、添加量が少ない状態で接着フィルムの硬化性を効果的に向上させることができるが、融点が１５０℃以上のイミダゾール化合物が好ましい。前記イミダゾール化合物の融点が１５０℃以上であると、接着フィルムの硬化が完了する前に、被着体の端子と支持体の端子を接合することができる。融点が１５０℃以上のイミダゾール化合物としては、２−フェニルヒドロキシイミダゾール、２−フェニル−４−メチルヒドロキシイミダゾール等が挙げられる。
【００７５】
前記（Ｅ）硬化促進剤の含有量は、特に限定されるわけではないが、接着フィルム中０．００５〜１０重量％であることが好ましく、より好ましくは０．０１〜５重量％である。イミダゾール化合物の配合量を前記下限値以上とすることにより、（Ｅ）硬化促進剤としての機能を更に効果的に発揮させて、接着フィルムの硬化性を向上させることができる。また、イミダゾールの配合量を前記上限値以下とすることにより、接着フィルムが硬化する前に被着体の端子と支持体の端子を確実に接合することができ、さらに、接着フィルムの保存性の低下を防止することができる。これらの（Ｅ）硬化促進剤は、１種で用いて
もよいし、２種以上を併用してもよい。
【００７６】
また、前記接着フィルムは、（Ｆ）シランカップリング剤を更に含んでもよい。（Ｆ）シランカップリング剤を含むことにより、半導体チップ、基板等の支持体または被着体に対する接着フィルムの密着性を高めることができる。（Ｆ）シランカップリング剤としては、例えば、エポキシシランカップリング剤、芳香族含有アミノシランカップリング剤等が使用できる。これらは１種で用いてもよいし、２種以上を併用してもよい。（Ｆ）シランカップリング剤の配合量は、適宜選択すればよいが、前記樹脂組成物全体に対して、好ましくは０．０１〜１０重量％であり、より好ましくは０．０５〜５重量％であり、更に好ましくは０．１〜２重量％である。
【００７７】
前記接着フィルムは、（Ｇ）充填材を更に含んでも良い。これにより、接着フィルムの線膨張係数を低下すること、また、接着フィルムの最低溶融粘度を０．０１〜１００，０００Ｐａ・ｓの範囲に調整することできる。
【００７８】
前記（Ｇ）充填材としては、例えば、銀、酸化チタン、シリカ、マイカ等を挙げることができるが、これらの中でもシリカが好ましい。また、シリカフィラーの形状としては、破砕シリカと球状シリカ等があるが、球状シリカが好ましい。
【００７９】
前記（Ｇ）充填材の平均粒径は、特に限定されないが、０．０１μｍ以上、２０μｍ以下が好ましく、０．１μｍ以上、５μｍ以下が特に好ましい。上記範囲とすることで、接着フィルム内で（Ｇ）充填材の凝集を抑制し、外観を向上させることができる。
【００８０】
前記（Ｇ）充填材の含有量は、特に限定されないが、前記接着フィルム中３〜７０重量％が好ましく、特に５〜６０重量％が好ましく、８〜５５重量％が特に好ましい。充填材の含有量を上記下限値以上とするで、硬化後の接着フィルムと被接着物との間の線膨張係数差が小さくなり、熱衝撃の際に発生する応力を低減させることができるため、被接着物の剥離をさらに確実に抑制することができる。また、充填材の含有量を上記上限値以下とすることで、硬化後の接着フィルムの弾性率が高くなりすぎるのを抑制することができるため、半導体装置の信頼性が向上する。また、充填材の含有量を上記範囲とすることにより、接着フィルムの最低溶融粘度を０．０１〜１００，０００Ｐａ・ｓに調整するのが容易となる。
【００８１】
上述したような各樹脂成分を、溶媒中に混合して得られたワニスをポリエステルシート等の剥離処理を施した基材上に塗布し、所定の温度で、実質的に溶媒を含まない程度にまで乾燥させることにより、接着フィルムを得ることができる。ここで用いられる溶媒は、使用される成分に対し不活性なものであれば特に限定されないが、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ＤＩＢＫ (ジイソブチルケトン)、シクロヘキサノン、ＤＡＡ（ジアセトンアルコール）等のケトン類、ベンゼン、キシレン、トルエン等の芳香族炭化水素類、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール等のアルコール類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソルブ系、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）、ＤＢＥ（ニ塩基酸エステル）、ＥＥＰ（３−エトキシプロピオン酸エチル）、ＤＭＣ（ジメチルカーボネート）等が好適に用いられる。溶媒の使用量は、溶媒に混合した成分の固形分が１０〜６０重量％となる範囲であることが好ましい。
【００８２】
得られた接着フィルムの厚さは、特に限定されないが、１〜３００μｍであることが好ましく、特に５〜２００μｍであることが好ましい。厚さが前記範囲内であると、接合部の間隙に樹脂成分を十分に充填することができ、樹脂成分の硬化後の機械的接着強度を確保することができる。
【００８３】
このようにして得られた接着フィルムは、フラックス活性を有しているものである。したがって、本発明のダイシングテープ一体型接着シートは、半導体チップと基板、基板と基板、半導体チップと半導体チップ、半導体チップと半導体ウエハ、半導体ウエハと半導体ウエハ等の半田接続を必要とされる部材の接続において好適に用いることができるものである。
【００８４】
また、本発明のダイシングテープ一体型接着シートは、上述した接着フィルム、ダイシングテープの他に、１つ以上の介在層を設けていてもよい。また、ダイシングテープ一体型接着シートの一方の面又は両面に１つ以上の外層を設けてもよい。介在層や外層としては、以下のような支持フィルムや粘着層等の基材が挙げられる。
【００８５】
（支持フィルム）
支持フィルムとは、以上のようなダイシングテープおよび接着フィルムを支持する機能を有する支持体である。また、ダイシングテープ一体型接着シートの外層として設ける場合、汚染や衝撃から保護する保護フィルムとしての機能も有する。
【００８６】
このような支持フィルムの構成材料としては、例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、ポリブタジエン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニル、塩化ビニル共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリウレタン、エチレン酢ビ共重合体、アイオノマー、エチレン・（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン・（メタ）アクリル酸エステル共重合体、ポリスチレン、ビニルポリイソプレン、ポリカーボネート等が挙げられ、これらのうちの１種または２種以上の混合物が挙げられる。
【００８７】
支持フィルムの平均厚さは、特に限定されないが、５〜２００μｍ程度であるのが好ましく、３０〜１５０μｍ程度であるのがより好ましい。これにより、支持フィルムは、適度な剛性を有するものとなるため、ダイシングテープおよび接着フィルムを確実に支持して、ダイシングテープ一体型接着シートの取扱いを容易にするとともに、ダイシングテープ一体型接着シートが適度に湾曲することで、第一の端子を有する支持体との密着性を高めることができる。
【００８８】
（粘着層）
粘着層は、一般的な粘着剤で構成されており、具体的には、アクリル系粘着剤、ゴム系粘着剤等を含む第二樹脂組成物で構成されている。
アクリル系粘着剤としては、例えば（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルで構成される樹脂、（メタ）アクリル酸およびそれらのエステルと、それらと共重合可能な不飽和単量体（例えば酢酸ビニル、スチレン、アクリロニトリル等）との共重合体等が挙げられる。また、これらの樹脂を２種類以上混合してもよい。
【００８９】
また、これらの中でも、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチルヘキシルおよび（メタ）アクリル酸ブチルからなる群から選ばれる１種以上と、（メタ）アクリル酸ヒドロキシエチルおよび酢酸ビニルの中から選ばれる１種以上との共重合体が好ましい。これにより、粘着層が粘着する相手（被着体）との密着性や粘着性の制御が容易になる。
【００９０】
また、第二樹脂組成物には、粘着性（接着性）を制御するためにウレタンアクリレート、アクリレートモノマー、多価イソシアネート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアネート、２，６−トリレンジイソシアネート）等のイソシアネート化合物等のモノマーおよびオリゴマーを添加してもよい。
【００９１】
さらに、第二樹脂組成物には、粘着層を紫外線等により硬化させる場合、光重合開始剤としてメトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等のアセトフェノン系化合物、ベンゾフェノン系化合物、ベンゾイン系化合物、ベンゾインイソブチルエーテル系化合物、ベンゾイン安息香酸メチル系化合物、ベンゾイン安息香酸系化合物、ベンゾインメチルエーテル系化合物、ベンジルフィニルサルファイド系化合物、ベンジル系化合物、ジベンジル系化合物、ジアセチル系化合物等を添加してもよい。
【００９２】
また、第二樹脂組成物には、接着強度およびシェア強度を高める目的で、ロジン樹脂、テルペン樹脂、クマロン樹脂、フェノール樹脂、スチレン樹脂、脂肪族系石油樹脂、芳香族系石油樹脂、脂肪族芳香族系石油樹脂等の粘着付与剤等を添加してもよい。
【００９３】
このような粘着層の平均厚さは、特に限定されないが、１〜１００μｍ程度であるのが好ましく、特に３〜５０μｍ程度であるのがより好ましい。かかる厚さが前記範囲内であると、特に、ダイシング時に剥離せず、ピックアップ時には引っ張り荷重に伴って比較的容易に剥離可能であり、さらに、ダイシング時やピックアップ時に変形を生じにくいため、ダイシング性、ピックアップ性に優れた層が得られる。
【００９４】
（ダイシングテープ一体型接着シートの製造方法）
以上説明したようなダイシングテープ一体型接着シート１０は、例えば以下のような方法で製造される。
【００９５】
まず、図３（ａ）に示す基材４ａを用意し、この基材４ａの一方の面上に介在層１を成膜する。これにより、基材４ａと介在層１との積層体６１を得る。介在層１の成膜は、前述した第二樹脂組成物を含む樹脂ワニスを各種塗布法等により塗布し、その後塗布膜を乾燥させる方法や、第二樹脂組成物からなるフィルムをラミネートする方法等により行うことができる。また、紫外線等の放射線を照射することにより、塗布膜を硬化させるようにしてもよい。
【００９６】
上記塗布法としては、例えば、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法等が挙げられる。
【００９７】
また、積層体６１と同様にして、図３（ａ）に示すように、用意した基材４ｂの一方の面上に接着フィルム３を成膜し、これにより、基材４ｂと接着フィルム３との積層体６２を得る。
【００９８】
さらに、各積層体６１、６２と同様にして、図３（ａ）に示すように、用意した支持フィルム４の一方の面上にダイシングテープ２を成膜し、これにより、支持フィルム４とダイシングテープ２との積層体６３を得る。
【００９９】
次いで、図３（ｂ）に示すように、介在層１と接着フィルム３とが接するように積層体６１と積層体６２とを積層し、積層体６４を得る。この積層は、例えばロールラミネート法等により行うことができる。
【０１００】
次いで、図３（ｃ）に示すように、積層体６４から基材４ａを剥離する。そして、図３（ｄ）に示すように、前記基材４ａを剥離した積層体６４に対して、基材４ｂを残して、前記接着フィルム３および前記介在層１の有効領域の外側部分を除去する。ここで、有効領域とは、その外周が、半導体ウエハー７の外径よりも大きく、かつ、ウエハーリング９の内径よりも小さい領域を指す。
【０１０１】
次いで、図３（ｅ）に示すように、介在層１の露出面にダイシングテープ２が接するように、基材４ａを剥離し有効領域の外側部分をリング状に除去した積層体６４と積層体６３を積層する。その後、基材４ｂを剥離することにより、図３（ｆ）に示すダイシングテープ一体型接着シート１０が得られる。
【０１０２】
支持フィルムに直接ダイシングテープ２を成膜する方法について上述したが、ダイシングテープを、介在層１、接着フィルム３と同様に、基材上に成膜して、それを接着フィルム３、介在層１と積層してダイシングテープ一体型接着シートを作製してもよい。  
【０１０３】
なお、介在層１、ダイシングテープ２および接着フィルム３は、それぞれ異なる密着力を有しているが、それらは以下のような特性を有していることが好ましい。
【０１０４】
まず、介在層１の接着フィルム３に対する密着力は、ダイシングテープ２の支持フィルム４に対する密着力よりも小さいことが好ましい。これにより、後述する第３の工程において、個片８３をピックアップした際に、ダイシングテープ２との支持フィルム４との間は剥離することなく、接着フィルム３と介在層１との間が選択的に剥離する。そして、ダイシングの際には、ウエハーリング９により積層体８を確実に支持し続けることができる。
【０１０５】
次に、上述したダイシングテープ一体型接着シートを用いた電子部品および半導体装置について説明する。
［１］  図１（ａ）に示すように、上述したようなダイシングテープ一体型接着シート１０の接着フィルム３と、半導体ウエハー７とを密着させつつ、ダイシングテープ一体型接着シート１０と半導体ウエハー(支持体)７とを積層する（第１の工程）。ここで、半導体ウエハー（支持体）７において、接着フィルム３と接着する面は、第一の端子(図示せず)を有するものである。なお、図１に示すダイシングテープ一体型接着シート１０では、接着フィルム３の平面視における大きさおよび形状が、半導体ウエハー７の外径よりも大きく、かつ、ウエハーリング９の内径よりも小さい形状に、あらかじめ設定されている。このため、半導体ウエハー７の下面全体が接着フィルム３の上面全体と密着し、これにより半導体ウエハー７がダイシングテープ一体型接着シート１０で支持されることとなる。  この半導体ウエハー７の第１の端子を接着フィルム３で覆うように、ダイシングテープ一体型接着シート１０をラミネートする（図１（ｂ））。
【０１０６】
ダイシングテープ一体型接着シート１０を半導体ウエハー７に積層する方法としては、例えばロールラミネーター、平板プレス、ウエハーラミネーター等が挙げられる。
これらの中でもラミネート時に空気を巻き込まないようにするため、真空下でラミネートする方法（真空ラミネーター）が好ましい。
【０１０７】
また、ラミネートする条件としては、特に限定されず、ボイドなくラミネートできればよいが、具体的には６０〜１５０℃で１秒〜１２０秒間加熱する条件が好ましく、特に８０〜１２０℃で５〜６０秒間加熱する条件が好ましい。ラミネート条件が前記範囲内であると、貼着性と、樹脂のはみ出しの抑制効果と、樹脂の硬化度とのバランスに優れる。
また、加圧条件も特に限定されないが、０．２〜２．０ＭＰａが好ましく、特に０．５〜１．５ＭＰａが好ましい。
【０１０８】
上記積層の結果、図１（ｂ）に示すように、ダイシングテープ一体型接着シート１０と半導体ウエハー７とが積層されてなる積層体８が得られる。
【０１０９】
［２］
［２−１］次に、ウエハーリング９を用意する。続いて、ダイシングテープ２の外周部２１の上面とウエハーリング９の下面とが密着するように、積層体８とウエハーリング９とを積層する。これにより、積層体８の外周部がウエハーリング９により支持される。    
【０１１０】
ウエハーリング９は、一般にステンレス鋼、アルミニウム等の各種金属材料等で構成されるため、剛性が高く、積層体８の変形を確実に防止することができる。
【０１１１】
［２−２］次に、図示しないダイサーテーブルを用意し、ダイサーテーブルと支持フィルム４とが接触するように、ダイサーテーブル上に積層体８を載置する。
【０１１２】
続いて、図１（ｃ）に示すように、ダイシングブレード８２を用いて積層体８に複数の切り込み８１を形成する（ダイシング）。ダイシングブレード８２は、円盤状のダイヤモンドブレード等で構成されており、これを回転させつつ積層体８の半導体ウエハー７側の面に押し当てることで切り込み８１が形成される。そして、半導体ウエハー７に形成された回路パターン同士の間隙に沿って、ダイシングブレード８２を相対的に移動させることにより、半導体ウエハー７が複数の半導体素子７１に個片化される（第２の工程）。また、接着フィルム３も同様に、複数の接着フィルム３１に個片化される。このようなダイシングの際には、半導体ウエハー７に振動や衝撃が加わるが、半導体ウエハー７の下面がダイシングテープ一体型接着シート１０で支持されているため、上記の振動や衝撃が緩和されることとなる。その結果、半導体ウエハー７における割れや欠け等の不具合の発生を確実に防止することができる。
【０１１３】
第２の工程において、ダイシングブレード８２の先端が粘着層内に留まるように、削り深さを設定してもよい。換言すれば、切り込み８１の先端が支持フィルム４に到達することなく、介在層１内またはダイシングテープ２内のいずれかに留まるようにダイシングを行う。このようにすれば、支持フィルム４の削り屑は発生し得ないため、削り屑の発生に伴う問題が確実に解消されることとなる。すなわち、半導体素子７１をピックアップする際には、引っ掛かり等の発生が防止され、ピックアップした半導体素子７１を被着体５にマウントする際には、異物の侵入および半田接合の不良が防止される。その結果、半導体装置１００の製造歩留まりが向上するとともに、信頼性の高い半導体装置１００を得ることができる。
【０１１４】
［３］
［３−１］次に、複数の切り込み８１が形成された積層体８を、図示しないエキスパンド装置により、放射状に引き延ばす（エキスパンド）。これにより、図１（ｄ）に示すように、積層体８に形成された切り込み８１の幅が広がり、それに伴って個片化された半導体素子７１同士の間隔も拡大する。その結果、半導体素子７１同士が干渉し合うおそれがなくなり、個々の半導体素子７１をピックアップし易くなる。なお、エキスパンド装置は、このようなエキスパンド状態を後述する工程においても維持し得るよう構成されている。
【０１１５】
［３−２］次に、ダイボンダー２５０により、個片化された半導体素子７１のうちの１つを、ダイボンダーのコレット（チップ吸着部）２６０で吸着するとともに上方に引き上げる。その結果、図２（ｅ）に示すように、接着フィルム３１と介在層１との界面が選択的に剥離し、半導体素子７１と接着フィルム３１とが積層されてなる個片８３がピックアップされる（第３の工程）。
【０１１６】
なお、接着フィルム３１と介在層１との界面が選択的に剥離する理由は、前述したように、ダイシングテープ２の粘着性が介在層１の粘着性より高いため、支持フィルム４とダイシングテープ２との界面の密着力、および、ダイシングテープ２の介在層１との界面の粘着力は、介在層１と接着フィルム３との密着力より大きいからである。すなわち、半導体素子７１を上方にピックアップした場合、これらの３箇所のうち、最も粘着力の小さい介在層１と接着フィルム３との界面が選択的に剥離することとなる。
【０１１７】
また、個片８３をピックアップする際には、ダイシングテープ一体型接着シート１０の下方から、突き上げ装置４００により、ピックアップすべき個片８３を選択的に突き上げるようにしてもよい。これにより、積層体８から個片８３が突き上げられるため、前述した個片８３のピックアップをより容易に行うことができるようになる。なお、個片８３の突き上げには、ダイシングテープ一体型接着シート１０を下方から突き上げる針状体（ニードル）等が用いられる（図示せず）。
【０１１８】
［４］
［４−１］次に、半導体素子（チップ）７１を搭載（マウント）するための被着体５を用意する。
【０１１９】
この被着体５は、前記接着フィルム３と接着する面に第２の端子（図示せず）を有するものである。この被着体５としては、半導体素子７１を搭載し、半導体素子７１と外部とを電気的に接続するための配線を有する基板や半導体素子等が挙げられる。
【０１２０】
なお、第一の端子と第二の端子としては、例えばパッド部、半田バンプ等が挙げられる。また、第一の端子、第二の端子の少なくとも一方に半田が存在することが好ましい。  
【０１２１】
次いで、図２（ｆ）に示すように、ピックアップされた個片８３を、被着体５上に載置する。この際、半導体ウエハー（支持体）７の第一の端子と、被着体５の第二の端子とを位置合わせしながら、接着フィルム３を介して仮圧着する。
【０１２２】
［４−２］次に、被着体５と半導体素子７１を半田接合する（第４の工程）。  半田接続する条件は、使用する半田の種類にもよるが、例えばＳｎ−Ａｇの場合、２２０〜２６０℃で５〜５００秒間加熱して半田接続することが好ましく、特に２３０〜２４０℃で１０〜１００秒間加熱することが好ましい。
この半田接合は、半田が融解した後に、接着フィルム３が硬化するような条件で行うことが好ましい。すなわち、半田接合は、半田を融解させるが、接着フィルム３の硬化反応があまり進行させないような条件で実施することが好ましい。これにより、半田接続する際の半田接続部の形状を接続信頼性に優れるような安定した形状とすることができる。
【０１２３】
次に、接着フィルム３を加熱して硬化させる（第５の工程）。硬化させる条件は、特に限定されないが、１３０〜２２０℃で３０〜５００分間加熱する条件が好ましく、特に１５０〜２００℃で６０〜１８０分間加熱する条件が好ましい。
【０１２４】
以上のような方法によれば、第３の工程において、半導体素子７１に接着フィルム３１が付着した状態、すなわち個片８３の状態でピックアップされることから、第４の工程において、この接着フィルム３１をそのまま被着体５との接着に利用することができる。このため、本発明のダイシングテープ一体型接着シートを用いることにより、別途アンダーフィル等を用意する必要がなく、半導体素子（支持体）７１と被着体５を半田を用いて電気的に接続した半導体装置１００の製造効率をより高めることができる。  
【０１２５】
なお、支持体７および被着体５としては、たとえば、チップ、基板（回路基板）、ウエハー等が挙げられる。支持体７および被着体５としてそれぞれ回路基板を用いる場合、接着フィルム２の硬化物で接合した多層回路基板を得ることができる。また、支持体７および被着体５としてそれぞれ半導体チップを用いる場合、接着フィルム２の硬化物で接着されている電子部品を得ることができる。
【０１２６】
以下、本発明を実施例および比較例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【実施例】
【０１２７】
（実施例１）
＜粘着層の形成＞
アクリル酸２−エチルヘキシル３０重量％と酢酸ビニル７０重量％とを共重合して得られた重量平均分子量３００，０００の共重合体１００重量部と、分子量が７００の５官能アクリレートモノマー４５重量部と、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン５重量部と、トリレンジイソシアネート（コロネートＴ−１００、日本ポリウレタン工業（株）製）３重量部と、を剥離処理した厚さ３８μｍのポリエステルフィルムに対して、乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗布し、その後、８０℃で５分間乾燥した。そして、得られた塗布膜に対して紫外線５００ｍＪ／ｃｍ２を照射し、ポリエステルフィルム上に粘着層を成膜した。
【０１２８】
＜ダイシングテープの形成＞
アクリル酸ブチル７０重量％とアクリル酸２−エチルヘキシル３０重量％とを共重合して得られた重量平均分子量５００，０００の共重合体１００重量部と、トリレンジイソシアネート（コロネートＴ−１００、日本ポリウレタン工業（株）製）３重量部と、を剥離処理した厚さ３８μｍのポリエステルフィルムに対して、乾燥後の厚さが１０μｍになるように塗布し、その後、８０℃で５分間乾燥した。そして、ポリエステルフィルム上にダイシングテープを成膜した。その後、支持フィルムとして厚さ１００μｍのポリエチレンシートをラミネートした。
【０１２９】
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
（Ａ）熱硬化性樹脂としてビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＰＩＣＬＯＮ−８３０ＬＶＰ）５５．０重量部と、（Ｂ）硬化剤としてフェノールノボラック樹脂（三井化学社製、ＶＲ−９３０５）３０．８重量部と、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物としてセバシン酸（東京化成工業社製）３．０重量部と、（Ｄ）成膜性樹脂としてビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂（東都化成社製、ＹＰ−７０）１０．０重量部と、（Ｅ）硬化促進剤として２―フェニルー４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．２重量部と、（Ｆ）シランカップリング剤としてβ−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−３０３）１．０重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した。
【０１３０】
＜接着フィルムの製造＞
得られた樹脂ワニスを、基材ポリエステルフィルム（東レ株式会社製、ルミラー）に厚さ５０μｍとなるように塗布して、１００℃、５分間乾燥して、厚さ２５μｍの接着フィルムを得た。
【０１３１】
＜ダイシングテープ一体型接着シートの製造＞
粘着側のポリエステルフィルムを剥離して、粘着層を成膜したフィルムと、接着フィルムを成膜したフィルムとを、粘着層と接着フィルムとが接するようにラミネート（積層）し、積層体を得た。
【０１３２】
次に、ロール状の金型を用いて、粘着層と接着フィルムを半導体ウエハーの外径よりも大きく、かつウエハーリングの内径よりも小さく打ち抜き、その後不要部分を除去して、第２積層体を得た。
【０１３３】
さらに、ダイシングテープの一方の面側にあるポリエステルフィルムを剥離した。そして、前記第２積層体の粘着層とダイシングテープとが接するように、これらを積層した。これにより、ポリエチレンシート（支持フィルム）、ダイシングテープ、粘着層（介在層）、接着フィルムおよびポリエステルフィルムの５層がこの順で積層してなるダイシングテープ一体型接着シートを得た。
【０１３４】
＜半導体装置の製造＞
半田バンプを有するシリコンウエハー（直径８インチ、厚さ１００μｍ）を用意した。ダイシングテープ一体型接着シートからポリエステルフィルムを剥離し、その剥離面と、シリコンウエハーの半田バンプを有する面が接するように、ダイシングテープ一体型接着シートとシリコンウエハーを積層した。これを真空ロールラミネーターで、１００℃でラミネートして、ダイシングテープ一体型接着シート付きのシリコンウエハーを得た。
【０１３５】
次いで、このダイシングテープ一体型接着シート付きのシリコンウエハーをシリコンウエハー側から、ダイシングソー（ＤＦＤ６３６０、（株）ディスコ製）を用いて以下の条件でダイシング（切断）した。これにより、シリコンウエハーが個片化され、以下のダイシングサイズの半導体素子を得た。
【０１３６】
＜ダイシング条件＞
ダイシングサイズ        ：１０ｍｍ×１０ｍｍ角
ダイシング速度          ：５０ｍｍ／ｓｅｃ
スピンドル回転数        ：４０，０００ｒｐｍ
ダイシング最大深さ      ：０．１３０ｍｍ（シリコンウエハーの表面からの切り込み量）
ダイシングブレードの厚さ：１５μｍ
切り込みの横断面積      ：７．５×１０−５ｍｍ２（接着フィルムと介在層との界面より先端側の部分の横断面積）
【０１３７】
なお、このダイシングにより形成された切り込みは、その先端が介在層内に達していた。
【０１３８】
次いで、半導体素子の１つを半導体用フィルムの裏面からニードルで突き上げ、突き上げた半導体素子の表面をダイボンダーのコレットで吸着しつつ上方に引き上げた。これにより、接着フィルム付き半導体素子をピックアップした。
【０１３９】
次に、パッドを有する回路基板のパッドと、半田バンプとが当接するように位置あわせを行いながら回路基板に半導体素子を１００℃、３０秒間で仮圧着した。
次に、２３５℃、３０秒間加熱して、半田バンプを溶融させて半田接続を行った。
そして、１８０℃、６０分間加熱して、接着フィルムを硬化させて、半導体素子と、回路基板とが接着フィルムの硬化物で接着された半導体装置を得た。
【０１４０】
（実施例２）
接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
（Ａ）熱硬化性樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＰＩＣＬＯＮ−８４０Ｓ）５０．０重量部と、（Ｂ）硬化剤としてフェノールノボラック樹脂（三井化学社製、ＶＲ−９３０５）２５．５重量部と、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物としてセバシン酸（東京化成工業社製）３．０重量部と、（Ｄ）成膜性樹脂としてビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂（東都化成社製、ＹＰ−７０）２０．０重量部と、（Ｅ）硬化促進剤として２―フェニルー４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．５重量部と、（Ｆ）シランカップリング剤としてβ−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−３０３）１．０重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例１と同様に接着フィルムの製造を行った。
【０１４１】
（実施例３）
接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
（Ａ）熱硬化性樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＥＯＣＮ−１０２０−７０）２０．０重量部と、（Ｂ）硬化剤としてフェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ５５６１７）１５．０重量部と、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物としてセバシン酸（東京化成工業社製）３．０重量部と、（Ｄ）成膜性樹脂としてビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（東都化成社製、ＹＰ−５０）６０．０重量部と、（Ｅ）硬化促進剤として２―フェニルー４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）１．０重量部と、（Ｆ）シランカップリング剤としてβ−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−３０３）１．０重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例１と同様に接着フィルムの製造の製造を行った。
【０１４２】
（実施例４）
接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
（Ａ）熱硬化性樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＥＯＣＮ−１０２０−７０）１５．０重量部と、（Ｂ）硬化剤としてフェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ５５６１７）８．０重量部と、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物としてフェノールフタリン（東京化成工業社製）６．０重量部と、（Ｄ）成膜性樹脂としてビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（東都化成社製、ＹＰ−５０）４６．０重量部と、（Ｇ）充填材として球状シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＣ１０５０−ＬＣ、平均粒径０．２５μｍ）２３．０重量部と、（Ｅ）硬化促進剤として２―フェニルー４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）１．０重量部と、（Ｆ）シランカップリング剤としてβ−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−３０３）１．０重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、固形分濃度４０％の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例１と同様に接着フィルムの製造を行った。
【０１４３】
（実施例５）
接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
（Ａ）熱硬化性樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＥＯＣＮ−１０２０−７０）１３．０重量部と、（Ｂ）硬化剤としてフェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ５５６１７）６．０重量部と、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物としてフェノールフタリン（東京化成工業社製）５．０重量部と、（Ｄ）成膜性樹脂としてビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（東都化成社製、ＹＰ−５０）３９．０重量部と、（Ｇ）充填材として球状シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＣ１０５０−ＬＣ、平均粒径０．２５μｍ）３６．０重量部と、（Ｅ）硬化促進剤として２―フェニルー４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．５重量部と、（Ｆ）シランカップリング剤としてβ−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−３０３）０．５重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、固形分濃度３０％の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例１と同様に接着フィルムの製造を行った。
【０１４４】
（実施例６）
接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
（Ａ）熱硬化性樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＥＯＣＮ−１０２０−７０）９．０重量部と、（Ｂ）硬化剤としてフェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ５５６１７）４．０重量部と、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物としてフェノールフタリン（東京化成工業社製）４．０重量部と、（Ｄ）成膜性樹脂としてアクリル酸エステル共重合樹脂（ナガセケムテックス社製、ＳＧ−Ｐ３）２７．０重量部と、（Ｇ）充填材として球状シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＣ１０５０−ＬＣ、平均粒径０．２５μｍ）５５．０重量部と、（Ｅ）硬化促進剤として２―フェニルー４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．５重量部と、（Ｆ）シランカップリング剤としてβ−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−３０３）０．５重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、固形分濃度２０％の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例１と同様に接着フィルムの製造を行った。
【０１４５】
（実施例７）
接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
（Ａ）熱硬化性樹脂としてビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＰＩＣＬＯＮ−８３０ＬＶＰ）５５．０重量部と、（Ｂ）硬化剤としてフェノールノボラック樹脂（三井化学社製、ＶＲ−９３０５）３１．８重量部と、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物としてセバシン酸（東京化成工業社製）２．０重量部と、（Ｄ）成膜性樹脂としてビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂（東都化成社製、ＹＰ−７０）１０．０重量部と、（Ｅ）硬化促進剤として２―フェニルー４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．２重量部と、（Ｆ）シランカップリング剤としてβ−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−３０３）１．０重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例１と同様に接着フィルムの製造を行った。
【０１４６】
（実施例８）
接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
（Ａ）熱硬化性樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＥＯＣＮ−１０２０−７０）１５．０重量部と、（Ｂ）硬化剤としてフェノールノボラック樹脂（三井化学社製、ＶＲ−９３０５）５．０重量部と、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物としてセバシン酸（東京化成工業社製）６０．０重量部と、（Ｄ）成膜性樹脂としてビスフェノールＡ型フェノキシ樹脂（東都化成社製、ＹＰ−５０）１８．０重量部と、（Ｅ）硬化促進剤である２―フェニルー４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）１．０重量部と、（Ｆ）シランカップリング剤としてβ−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−３０３）１．０重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例１と同様に接着フィルムの製造を行った。
【０１４７】
（実施例９）
接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
（Ａ）熱硬化性樹脂としてビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＰＩＣＬＯＮ−８４０Ｓ）２２．０重量部と、（Ｂ）硬化剤として４−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸（新日本理化社製、リカシットＭＨ）１２．５重量部と、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物としてフェノールフタリン（東京化成工業社製）６．０重量部と、（Ｄ）成膜性樹脂としてビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂（東都化成社製、ＹＰ−７０）９．０重量部と、（Ｅ）硬化促進剤である２―フェニルー４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１重量部と、（Ｆ）シランカップリング剤としてβ−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−３０３）０．４重量部と、（Ｇ）充填材として球状シリカフィラー（アドマテックス社製、ＳＣ１０５０−ＬＣ、平均粒径０．２５μｍ）５０．０重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例１と同様に接着フィルムの製造を行った。
【０１４８】
（実施例１０）
接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
（Ａ）熱硬化性樹脂としてイソシアヌル酸エチレングリコール変性トリアクレート（東亜合成社製、Ｍ−３１５）１６．５重量部と、（Ｂ）硬化剤としてｔ−ブチルパーオキシペンゾエート（日油社製、パーチブルＺ）０．５重量部と、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物としてフェノールフタリン（東京化成工業社製）２．０重量部と、（Ｄ）成膜性樹脂としてポリビニルブチラール樹脂（積水化学工業社製、ＢＸ−１）５．５重量部と、（Ｆ）シランカップリング剤としてβ−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−３０３）０．５重量部と、（Ｇ）充填材として球状シリカフィラー（（アドマテックス社製、ＳＣ１０５０−ＬＣ、平均粒径０．２５μｍ）７５．０重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度２０％の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例１と同様に接着フィルムの製造を行った。
【０１４９】
（比較例１）
接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
（Ａ）熱硬化性樹脂としてビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＰＩＣＬＯＮ−８３０ＬＶＰ）５９．０重量部と、（Ｂ）硬化剤としてフェノールノボラック樹脂（三井化学社製、ＶＲ−９３０５）３４．９重量部と、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物としてセバシン酸（東京化成工業社製）３．０重量部と、（Ｄ）成膜性樹脂としてビスフェノールＦ型フェノキシ樹脂（東都化成社製、ＹＰ−７０）２．０重量部と、（Ｅ）硬化促進剤である２―フェニルー４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．１重量部と、（Ｆ）シランカップリング剤としてβ−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−３０３）１．０重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例１と同様に接着フィルムの製造を行った。
【０１５０】
（比較例２）
接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
（Ａ）熱硬化性樹脂としてクレゾールノボラック型エポキシ樹脂（日本化薬社製、ＥＯＣＮ−１０２０−７０）２０．０重量部と、（Ｂ）硬化剤としてフェノールノボラック樹脂（住友ベークライト社製、ＰＲ５５１６７）１０．０重量部と、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物としてフェノールフタリン（東京化成工業社製）８．０重量部と、（Ｄ）成膜性樹脂としてアクリル酸エステル共重合樹脂（ナガセケムテックス社製、ＳＧ−Ｐ３）６０．０重量部と、（Ｅ）硬化促進剤である２―フェニルー４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）１．０重量部と、（Ｆ）シランカップリング剤としてβ−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−３０３）１．０重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例１と同様に接着フィルムの製造を行った。
【０１５１】
（比較例３）
接着フィルム用ワニスおよび接着フィルムを下記のとおり製造した点以外は実施例１と同様にしてダイシングテープ一体型接着シートおよび半導体装置の製造を行った。
＜接着フィルム用ワニスの調製＞
（Ａ）熱硬化性樹脂としてビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業社製、ＥＰＩＣＬＯＮ−８３０ＬＶＰ）４２．０重量部と、（Ｂ）硬化剤としてフェノールノボラック樹脂（三井化学社製、ＶＲ−９３０５）３０．０重量部と、（Ｃ）フラックス機能を有する化合物としてセバシン酸（東京化成工業社製）３．０重量部と、（Ｄ）成膜性樹脂としてアクリル酸エステル共重合樹脂（東都化成社製、ＳＧ−Ｐ３）１５．０重量部と、（Ｅ）硬化促進剤である２―フェニルー４−メチルイミダゾール（四国化成工業社製、２Ｐ４ＭＺ）０．０１重量部と、（Ｆ）シランカップリング剤としてβ−（３，４エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン（信越化学工業社製、ＫＢＭ−３０３）１０．０重量部とを、メチルエチルケトンに溶解し、樹脂濃度５０％の樹脂ワニスを調製した以外は、実施例１と同様に接着フィルムの製造を行った。
【０１５２】
また、各実施例および比較例で得られた接着フィルム、半導体装置について、以下の評価を行った。評価項目を内容と共に示す。得られた結果を表１に示す。
【０１５３】
１．接着フィルムの最低溶融粘度
各実施例および比較例で得られた接着フィルムを、粘弾性測定装置（ＨＡＡＫＥ社製「ＲｈｅｏＳｔｒｅｓｓ  ＲＳ１５０」）を用いて、パラレルプレート２０ｍｍφ、ギャップ０．０５ｍｍ、周波数０．１Ｈｚ、昇温速度は、１０℃／分の条件で溶融粘度を測定し、最低となる溶融粘度を測定値とした。
【０１５４】
２．接着フィルムの５％重量加熱減量温度（ｂ）−発熱ピーク温度（ａ）
各実施例および比較例で得られた接着フィルムの発熱ピーク温度（ａ）を、示差走査熱量計（セイコーインスツルメンツ（株）製、ＤＳＣ−６２００）を用い、昇温速度１０℃／分で硬化発熱量を測定し、ピーク温度を測定値とした。
次いで、各実施例および比較例で得られた接着フィルムの５％重量加熱減量温度（ｂ）を、熱重量／示差熱同時測定装置（セイコーインスツルメンツ（株）製、ＴＧ／ＤＴＡ６２００）を用い、昇温速度１０℃／分で加熱減量を測定し、５％重量減少する温度を測定値とした。
得られた（ａ）および（ｂ）から、（ｂ）−（ａ）を算出した。
【０１５５】
３．半導体装置の空洞及びボイド
各実施例および比較例で得られた半導体装置それぞれ２０個ずつについて、半導体チップの半田バンプと回路基板のパッド部の断面観察をＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）により行い、空洞及びボイド（気泡）の評価を実施した。各符号は、以下の通りである。
○：５μｍ以上の空洞及びボイドが全く観察されなかった。
×：５μｍ以上の空洞及びボイドが観察された。
【０１５６】
４．半導体装置の導通接続性
各実施例および比較例で得られた半導体装置それぞれ２０個ずつについて、半導体チップと回路基板間の接続抵抗値をそれぞれデジタルマルチメーターで１０点測定し、接続信頼性を評価した。各符号は、以下の通りである。
○：２０個すべての（測定点：２０×１０＝２００）半導体装置の接続抵抗値が３Ω以下であった。
△：導通しない点は無いが、１０〜２０点の接続抵抗値が３Ω以上であった（実用上は問題なし）。
×：２０点以上の接続抵抗値が３Ω以上、または、オープン不良が１点以上あった（実用上問題あり）。
【０１５７】
５．半導体装置の絶縁信頼性
各実施例および比較例で得られた半導体装置それぞれ２０個について、１３０℃、８５％ＲＨの環境下で３Ｖの電圧を印加しながら、隣接バンプ間の絶縁抵抗値をそれぞれ３点連続測定（２００ｈｒ）し、イオンマイグレーションを評価した。各符号は、以下の通りである。
○：すべての測定点（２０×３＝６０）において、絶縁破壊が発生しなかった。
△：絶縁破壊が発生した点が３点未満であった。
×：絶縁破壊が発生した点が３点以上であった。
【０１５８】
【表１】
2012195414.tif 000007
【０１５９】
実施例１で得られたダイシングテープ一体型接着シートに用いた接着フィルムは、最低溶融粘度が０．０２Ｐａ・ｓであり、また、５％重量加熱減量温度（ｂ）と発熱ピーク温度（ａ）の差が１６８℃であった。実施例１で得られた接着フィルムで半導体装置を製造し評価を行ったところ、空洞及びボイド、導通接続性、絶縁信頼性のいずれも表１の通り良好であった。
【０１６０】
また、各実施例２〜１０で得られた接着フィルムおよび半導体装置とも実施例１とほぼ同様の挙動を示した。
【符号の説明】
【０１６１】
１                    介在層
１１                  外周縁
２                    ダイシングテープ
２１                  外周部
３、３１              接着フィルム 
４                    支持フィルム
４１                  外周部
４ａ、４ｂ            基材
５                    被着体
６１〜６４            積層体
７                    半導体ウエハー（支持体）
７１                  半導体素子
８                    積層体
８１                  切り込み
８２                  ダイシングブレード
８３                  個片
９                    ウエハーリング
１０、１０’          ダイシングテープ一体型接着シート
２５０                ダイボンダー
２６０                コレット
２７０                台（ヒーター）
２８０                装置本体
４００                台（突き上げ装置）
【図１】
2012195414.tif 000010
【図２】
2012195414.tif 000011
【図３】
2012195414.tif 000012