(57)【要約】【課題】十分な鮮鋭性が得られ高い発光効率を確保可能な放射線画像検出装置のシンチレータパネルを得る。【解決手段】放射線を可視光に変換する複数のシンチレータと複数の光検出素子とが基板上に一対一に対応して配置されて成る放射線画像検出装置に用いられるシンチレータパネルであって、前記光検出素子に対応する複数の区画に分割され、前記区画内にシンチレータが配置されているシンチレータ層を有し、前記区画内のシンチレータは、中心部の平均厚みが、周辺部の平均厚みよりも厚いことを特徴とするシンチレータパネル。【選択図】図４
2012058170.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線を可視光に変換する複数のシンチレータと複数の光検出素子とが基板上に一対一に対応して配置されて成る放射線画像検出装置に用いられるシンチレータパネルであって、
前記光検出素子に対応する複数の区画に分割され、前記区画内にシンチレータが配置されているシンチレータ層を有し、
前記区画内のシンチレータは、中心部の平均厚みが、周辺部の平均厚みよりも厚いことを特徴とするシンチレータパネル。
【請求項２】
前記区画内のシンチレータは、放射線の照射面側から見た上面視形状が矩形形状であり、１区画のシンチレータを、上面から見て縦横をそれぞれ３等分して全部で９区分に分割した際に、中心部の平均厚みをｗｃ、それ以外の周辺部の平均厚みをｗｅとしたときに、
１．１＜ｗｃ／ｗｅ＜２．０
の関係式を満たすことを特徴とする請求項１に記載のシンチレータパネル。
【請求項３】
前記区画内のシンチレータは、放射線の照射面側から見た上面視形状が円形形状であり、１区画のシンチレータを、上面から見て半径が３分の１の同心円の内側の平均厚みをｗｃ、外側の平均厚みをｗｅとしたときに、
１．１＜ｗｃ／ｗｅ＜２．０
の関係式を満たすことを特徴とする請求項１に記載のシンチレータパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、医療用や工業用の放射線画像撮影等に用いられる放射線画像検出装置のシンチレータパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、Ｘ線画像のような放射線画像撮影装置は医療現場において病状の診断に広く用いられている。特に、増感紙−Ｘ線フィルムによる放射線画像撮影装置は、長い歴史の中で高感度化と高画質化が図られた結果、世界中の医療現場で用いられている。
【０００３】
近年では、フラットパネル型放射線ディテクタ（ＦＰＤ：Flat Panel Detector）等に代表されるデジタル方式の放射線画像検出装置も登場しており、放射線画像をデジタル情報として取得して自由に画像処理を行い、画像情報を直ちに電送することが可能となっている。
【０００４】
放射線画像検出装置は、放射線を蛍光に変換する、シンチレータパネルを有している。シンチレータパネルは被写体を通過した放射線を受けて、その放射線量に対応した強度で蛍光体（シンチレータ）による蛍光を瞬時に発光するものであり、基板上に蛍光体層を備えた構成を有する。そしてシンチレータの発光を光電変換層の検出画素により検出して電気信号に変換する。
【０００５】
検出画素で検出する電気信号を増加させるためにはシンチレータパネルの発光効率が高いことが望ましく、その発光効率はシンチレータ層の厚みが厚いほど高くなる。シンチレータは等方的に発光するので、厚みが厚くなるほどシンチレータ層の内部での散乱光が発生し、そのために発光がシンチレータ層の厚み方向と直交する横方向にも広がり周囲の画素にまで影響することにより鮮鋭性が低下するという、いわゆるクロストークの問題が発生する。
【０００６】
診断性の向上を図るためには、鮮鋭性の高い画像を得ることが好ましい。これまで蛍光体粒子を塗布した塗布型のシンチレータパネルや柱状の蛍光体結晶を基板上で蒸着させた蒸着型シンチレータパネルが存在したが、いずれにおいてもシンチレータ層の内部で生じる散乱光により十分な鮮鋭性が得られていない。
【０００７】
このような問題に対する手段として、特許文献１に開示された放射線検出器では光電変換層の検出画素の区画に対応させてシンチレータパネルのシンチレータ層を区画構造にしている。
【０００８】
また、特許文献２に開示された放射線検出器では、シンチレータ層の区画構造の中に導光体を設け、発生した光を検出画素に導いている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００４−３４０７３７号公報
【特許文献２】特開平５−１８８１４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１、２に記載の放射線検出器では光電変換層とシンチレータ層との接合部における光の横方向への漏れに対する対策は十分ではなく、鮮鋭性向上効果に対しての達成レベルは不十分であった。
【００１１】
本願発明はこのような問題に鑑み、十分な鮮鋭性が得られ高い発光効率を確保可能なシンチレータパネルを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の目的は、下記に記載する発明により達成される。
【００１３】
１．放射線を可視光に変換する複数のシンチレータと複数の光検出素子とが基板上に一対一に対応して配置されて成る放射線画像検出装置に用いられるシンチレータパネルであって、
前記光検出素子に対応する複数の区画に分割され、前記区画内にシンチレータが配置されているシンチレータ層を有し、
前記区画内のシンチレータは、中心部の平均厚みが、周辺部の平均厚みよりも厚いことを特徴とするシンチレータパネル。
【００１４】
２．前記区画内のシンチレータは、放射線の照射面側から見た上面視形状が矩形形状であり、１区画のシンチレータを、上面から見て縦横をそれぞれ３等分して全部で９区分に分割した際に、中心部の平均厚みをｗｃ、それ以外の周辺部の平均厚みをｗｅとしたときに、
１．１＜ｗｃ／ｗｅ＜２．０
の関係式を満たすことを特徴とする前記１に記載のシンチレータパネル。
【００１５】
３．前記区画内のシンチレータは、放射線の照射面側から見た上面視形状が円形形状であり、１区画のシンチレータを、上面から見て半径が３分の１の同心円の内側の平均厚みをｗｃ、外側の平均厚みをｗｅとしたときに、
１．１＜ｗｃ／ｗｅ＜２．０
の関係式を満たすことを特徴とする前記１に記載のシンチレータパネル。
【発明の効果】
【００１６】
本願発明によれば、シンチレータパネルの区画内のシンチレータの中心部の平均厚みを周辺部の平均厚みよりも厚くすることにより、光電変換層とシンチレータ層との接合部における光の横方向への漏れを減少させることが可能となり、十分な鮮鋭性が得られ高い発光効率を確保可能な放射線画像検出装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本実施形態に係る放射線画像検出装置１の断面図である。
【図２】図１の拡大断面図であり、シンチレータ層１２１と光電変換層１３を示す断面図である。
【図３】図２に示したシンチレータ層１２１に配置された１区画分のシンチレータ１２１ｓの拡大斜視図である。
【図４】図４（ａ）は、図３に示すシンチレータ１２１ｓ上面視形状の外形図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図５】逆正四角推台形状のシンチレータ１２１ｓの例である。
【図６】逆正四角推台形状のシンチレータ１２１ｓの例である。
【図７】円錐台形状のシンチレータ１２１ｓの例である。
【図８】円錐台形状のシンチレータ１２１ｓの例である。
【図９】各種形状のシンチレータ１２１ｓを用いたシンチレータ層１２１の例である。
【図１０】各種形状のシンチレータ１２１ｓを用いたシンチレータ層１２１の例である。
【図１１】比較例に係る四角柱形状のシンチレータ１２１ｓを用いたシンチレータ層１２１の例である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明を実施の形態に基づいて説明するが、本発明は該実施の形態に限られない。
【００１９】
図１は、本実施形態に係る放射線画像検出装置１の断面図である。放射線画像検出装置１は、筐体１１内に、被写体を透過した放射線を受けてその線量に対応した強度で蛍光を瞬時に発光するシンチレータパネル１２、シンチレータパネル１２に対して圧接して設けられシンチレータパネル１２からの光を光電変換する複数の受光素子１３ｓ（図２参照）が２次元状に配置された光電変換層１３、及びシンチレータパネル１２を保護する保護カバー１４を備えている。なお図１以降において、ｚ方向は放射線７の照射方向と反対の方向であり、ｘ方向、ｙ方向は受光素子の配置方向を示す。
【００２０】
シンチレータパネル１２は、シンチレータ層１２１が形成された基板１２２の裏面にクッション層１２３が配置された構成となっている。
【００２１】
基板１２２は、放射線を透過させる材質から構成される。基板１２２は、光電変換層１３の表面に均一にシンチレータパネル１２を接触させることができるよう、可撓性を有することが好ましい。例えば、１２５μｍ厚の可撓性を有するポリイミドフィルムを用いることができる。ポリイミドフィルムの他には、セルロースアセテートフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム等を用いることができる。厚みとしては、５０〜５００μｍが好ましい。
【００２２】
クッション層１２３は、シンチレータパネル１２を適度な圧力で光電変換層１３に圧接させるためのものある。例えば、Ｘ線の吸収が少ないシリコン系又はウレタン系の発泡材を用いることができる。
【００２３】
保護フィルム１２５は、シンチレータ層１２１を防湿しシンチレータ層１２１の劣化を抑制するためのもので、透湿度の低いフィルムから構成される。例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム（ＰＥＴ）を用いることができる。ＰＥＴの他には、ポリエステルフィルム、ポリメタクリレートフィルム、ニトロセルロースフィルム、セルロースアセテートフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム等を用いることができる。
【００２４】
光電変換層１３は、２次元状に配置された複数の受光素子１３ｓ（図２参照）から構成されている。例えば、フォトダイオード＋薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）により構成することができる。フォトダイオードにより光電変換した信号電荷を、ＴＦＴを用いて読み出す。受光素子１３ｓとしては他に、ＣＭＯＳ、ＣＣＤ等を用いることができる。
【００２５】
保護カバー１４は、シンチレータパネル１２を外部の衝撃等から保護するとともに、クッション層１２３を圧縮してシンチレータパネル１２を適度な圧力で光電変換層１３に圧接する役割も果たしている。例えば、Ｘ線の吸収の少ないカーボン板により構成される。保護カバー１４としては他に、アルミ板を用いることができる。
【００２６】
図２は、シンチレータ層１２１と光電変換層１３を示す断面図である。シンチレータ層１２１は、隔壁部材１２１ｂにより複数の区画に分割され、各区画内にはシンチレータ１２１ｓ（「蛍光体）ともいう）が配置されている。同図に示すように放射線画像検出装置１においては、光電変換層１３とシンチレータ層１２１とは接合部ｓａを介して接合している。光電変換層１３を構成する受光素子１３ｓとシンチレータ１２１ｓが形成された面は相対して向き合っており、それぞれの受光素子１３ｓと各区画内のシンチレータ１２１ｓとは一対一に対応して配置されている。またシンチレータ１２１ｓの中心部（ｘｙ平面における中心部のこと、以下同じ）と受光素子１３ｓの中心部とは一致するように配置している。シンチレータパネル１２側からの放射線７（図１参照）をシンチレータ１２１ｓが可視光に変換し、変換した可視光を受光素子１３ｓで検出する。シンチレータ１２１ｓは隔壁部材１２１ｂにより複数の区画に仕切られている。そして隔壁部材１２１ｂは可視光を反射するあるいは吸収するように構成されている。このような構成としているのでシンチレータ内で発生した可視光が横方向に広がって隣接する受光素子１３ｓで検出されることを防ぐことができる。これにより鮮鋭性が向上する。
【００２７】
［シンチレータ］
本発明に適用可能なシンチレータ１２１ｓの材料としては、公知のいかなるものでも構わないが、シンチレータ１２１ｓへの要求特性に合わせて任意に選択できる。具体的には、ＣｓＩ、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ、Ｌｕ２Ｏ２Ｓ、Ｙ２Ｏ２Ｓ、ＬａＣｌ３、ＬａＢｒ３、ＬａＩ３、ＣｅＢｒ３、ＣｅＩ３、ＬｕＳｉＯ５、Ｂａ（Ｂｒ、Ｆ、Ｉ）等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２８】
本発明に適用可能な賦活剤原料としては、公知のいかなるものでも構わないが、発光波長等の要求特性に合わせて任意に選択できる。具体的には、Ｉｎ、Ｔｌ、Ｌｉ、Ｋ、Ｒｂ、Ｎａ、Ｅｕ、Ｃｕ、Ｃｅ、Ｚｎ、Ｔｉ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｐｒ等の化合物が挙げられる。特にＣｓＩ：ＴｌやＬａＢｒ３：Ｃｅ、ＣｅＢｒ３、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ、Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｐｒ、Ｃｅ、ＦがＸ線吸収と発光輝度の観点から好適に用いることができる。
【００２９】
シンチレータ１２１ｓの作製には既存のいかなる方法を用いても構わない。蒸着法や引き上げ法などにより単結晶としたり、粉末を加圧や焼結により隙間を減らしたり、粉末の間にシンチレータ１２１ｓに近い屈折率を持つ材料を充填することで、透明性を高めることができる。特に、発光輝度向上のために、シンチレータ１２１ｓの可視光（３６０〜８３０ｎｍの波長範囲内の光）平均透過率が８０％以上であることが好ましい態様である。また、シンチレータ層１２１の厚さは、感度等の観点から、１００〜３０００μｍの範囲が好ましい。
【００３０】
隔壁部材１２１ｂの基板材料としては、ガラス基板、カーボン基板、ガラスペースト基板、石膏基板などを用いることができる。
【００３１】
隔壁構造を備えるシンチレータ層１２１の作成方法としては、以下の方法から選択できる。先に隔壁構造の隔壁部材１２１ｂを形成してその後に、各隔壁部材の隙間にシンチレータ１２１ｓを充填してもよく、先にシンチレータ１２１ｓの層を形成し、その後に溝を形成して隔壁部材１２１ｂを埋め込んでもよい。
【００３２】
前者の方法による隔壁構造の形成方法としては転写法、サンドブラスト法、レーザ加工法、マシニング加工法、フォトレジスト法、ケミカルエッチング法、ＬＩＧＡ法等がある。隔壁構造の隙間へのシンチレータ１２１ｓの形成方法としては、粉末充填法、溶融充填法、蒸着法、厚密法などが挙げられる。
【００３３】
後者の方法におけるシンチレータ１２１ｓへの溝の形成方法としては、転写法、サンドブラスト法、マシニング加工法、フォトレジスト法、ケミカルエッチング法、ＬＩＧＡ法、そーワイヤー法、ダイシング法などが挙げられる。
【００３４】
［シンチレータ１２１ｓの平均厚み］
（第１の例、正四角錐台形状）
図３は、図２に示したシンチレータ層１２１に配置された１区画分のシンチレータ１２１ｓの拡大斜視図である。図４は、図３と同一のシンチレータ１２１ｓを示す図であり、図４（ａ）は上面視形状の外形図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【００３５】
図３、図４に示すシンチレータ１２１ｓは、正四角錐の上方を底面に並行な面で切り取った正四角錐台の例である。底辺の長さは３Ｌ、上辺の長さはその２／３の２Ｌ、全体の厚み（高さ）はｈである。同図に示す例では各区画のシンチレータ１２１ｓは、放射線の照射面側の開口面積（ｘｙ平面）が狭く、受光素子側（受光素子１３ｓ側）の開口面積が広くなっている。また各区画のシンチレータ１２１ｓの側面は中心軸側から見たときに照射面側から受光素子側に向かって外側に傾斜している。また図４（ｂ）の断面図に示すようにその側面は直線状である。
【００３６】
図４（ａ）に示すように上面視の外形、つまり底面を縦横（ｘｙ方向）でそれぞれ３分割して全部で９区分に分割した場合を考え、中心部ｃと、それ以外の周辺部全体（ｅ１からｅ８の合計）の平均厚み（ｚ方向厚み）について説明する。
【００３７】
平均厚みとは単位面積あたりの体積のことであり、体積Ｖを上面視の面積Ｓで除することにより算出できる。中心部ｃは四角柱であることから平均厚みｗｃ＝ｈであることは容易に理解できる。
【００３８】
次に中心部ｃ以外の周辺部全体における体積Ｖｅの算出を行う。正四角推台の全体の体積Ｖ＝１／３×（（３Ｌ）２×（３Ｌ×２Ｌ）＋（２Ｌ）２）×ｈ＝１９／３×Ｌ２×ｈである。中心部ｃの四角柱の体積Ｖｃ＝Ｌ２×ｈであることから中心部ｃを除いた周辺部全体の体積Ｖｅ＝Ｖ−Ｖｃ＝１６／３×Ｌ２×ｈである。
【００３９】
中心部ｃを除いた周辺部全体の上面視の面積Ｓｅは、８Ｌ２（＝３Ｌ２−Ｌ２）であることから、周辺部の平均厚みｗｅ＝Ｖｅ／Ｓｅ＝２／３ｈとなる。よって中心部の平均厚みｗｃが、周辺部の平均厚みｗｅよりも厚くなっている。また両者の比はｗｃ／ｗｅ＝３／２となり下記の式（１）も満たしていることがわかる。
１．１＜ｗｃ／ｗｅ＜２．０          式（１）
（変形例、逆正四角錐台形状）
図５、図６は、それぞれ図３、図４に対応する図であり、これらの図に示す例はｚ方向の向きを反対にした逆正四角推台形状のシンチレータ１２１ｓの例である。同図に示す例では各区画のシンチレータ１２１ｓは、放射線の照射面側の開口面積が広く、受光素子側の開口面積が狭くなっている。また各区画のシンチレータ１２１ｓの側面は中心軸側から見たときに照射面側から受光素子側に向かって内側に傾斜している。また図６（ｂ）の断面図に示すようにその側面は直線状である。
【００４０】
このような形状のシンチレータ１２１ｓにおいても同様の結果となり、中心部ｃの平均厚みｗｃはｈ、周辺部の平均厚みｗｅ＝２／３ｈである。よって中心部の平均厚みｗｃが、周辺部の平均厚みｗｅよりも厚くなっている。また両者の比はｗｃ／ｗｅ＝３／２となり、式（１）も満たしている。
【００４１】
（第２の例、円錐台形状）
図７は、図８は、それぞれ図３、図４に対応する図であり円錐台形状のシンチレータ１２１ｓの例である。円錐の上方を底面に並行な面で切り取った円錐台形状であり、底面円の半径は３ｒ、上面円の半径は２ｒ、全体の厚み（高さ）はｈである。同図に示す例では各区画のシンチレータ１２１ｓは、放射線の照射面側の開口面積が狭く、受光素子側の開口面積が広くなっている。また各区画のシンチレータ１２１ｓの側面は中心軸側から見たときに照射面側から受光素子側に向かって外側に傾斜している。また図８（ｂ）の断面図に示すようにその側面は直線状である。
【００４２】
図８（ｂ）に示すように上面視の外形、つまり底面円を半径が３分の１の同心円で２分割した場合を考え、同心円の内側の中心部ｃ、外側を周辺部ｅとしたときにそれぞれの平均厚み（ｚ方向厚み）について説明する。
【００４３】
平均厚みは、体積Ｖを上面視の面積Ｓで除することにより算出できる。中心部ｃは円柱であることから中心部ｃの平均厚みｗｃ＝ｈである。
【００４４】
次に中心部ｃ以外の周辺部ｅにおける体積Ｖの算出を行う。円推台の体積Ｖ＝１／３×π×（（３ｒ）２×（３ｒ×２ｒ）＋（２ｒ）２）×ｈ＝１９／３×π×ｒ２×ｈである。中心部ｃの円柱の体積は、π×ｒ２×ｈであることから中心部ｃを除いた周辺部ｅの体積Ｖｅ＝１６／３×π×ｒ２×ｈである。
【００４５】
中心部ｃを除いた上面視の面積Ｓｅは、８πｒ２（＝９πｒ２−πｒ２）であることから、周辺部の平均厚みｗｅ＝Ｖｅ／Ｓｅ＝２／３ｈとなる。よって中心部の平均厚みｗｃが、周辺部の平均厚みｗｅよりも厚くなっている。また両者の比はｗｃ／ｗｅ＝３／２であり、前述の式（１）も満たしている。
【００４６】
（その他の例）
図９、図１０は各種形状のシンチレータ１２１ｓを用いたシンチレータ層１２１の例である。図９、図１０に示すシンチレータ１２１ｓは回転体（ｚ方向に延びる中心軸の回りに平面を１回転させたときに軌跡により得られる立体図形）である。
【００４７】
図９（ａ）〜図９（ｄ）では、放射線の照射面側（同図で上方向）の開口面積が最も狭く、下方に向けて除々に広がってゆき、光電変換層１３に接触する底面で最も開口面積が広くなるような形状となっている。また各区画のシンチレータ１２１ｓの側面は中心軸側から見たときに照射面側から受光素子側に向かって外側に傾斜している。図９（ａ）は釣り鐘型形状のシンチレータ１２１ｓを用いた例であり、同断面図に示すようにその側面は照射面側で円弧状に内側に曲がりその後に変曲点を経て受光素子側に向けて直線上に伸びている。図９（ｂ）、図９（ｃ）はラッパ状のシンチレータ１２１ｓを用いた例であり、図９（ｂ）、図９（ｃ）の例では、同断面図に示すようにその側面は照射面側では、中心軸に並行に伸びて除々に傾斜角度を増加（外側により広がるように）させながら円弧状に外側に曲がっている。図９（ｄ）は、円錐形状のシンチレータ１２１ｓの例である。側面が直線上に伸びている例である。但し、図９（ｃ）、図９（ｄ）では照射面側の開口面積は、他の例にくらべて非常に狭くなっている。
【００４８】
図１０（ａ）、図１０（ｂ）は、それぞれ図９（ａ）、図９（ｂ）に対してｚ方向の向きを反対にした形状であり。放射線の照射面側（同図で上方向）の開口面積（ｘｙ平面）が最も大きく、下方に向けて除々に狭まってゆき、受光素子側で最も開口面積が狭くなるような形状となっている。
【００４９】
図１０（ｃ）は、壷状のシンチレータ１２１ｓの例であり、中腹部が最も広く、上下方向ではそれよりも狭くなっている形状である。
【００５０】
本実施形態においては、シンチレータ１２１ｓの中心部の平均厚みｗｃが、周辺部の平均厚みｗｅよりも厚い構成とすることにより、放射線の照射により各区画のシンチレータ１２１ｓで発光する光量は、中心部の方が周辺部よりも多くすることができる。このようなことから発光した光量のほとんどは対応する受光素子１３ｓに注がれることになり、接合部ｓａから横方向への光の漏れを減少させることができ、ひいては十分な鮮鋭性が得られ高い発光効率を確保可能な放射線画像検出装置を得ることができる。
【実施例】
【００５１】
以下、実施例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明の実施態様はこれに限定されるものではない。下記の方法に従って試料１から６の６種類のシンチレータ層１２１を形成し、それぞれのシンチレータ層１２１を用いて放射線画像検出装置１を作製した。
【００５２】
（光電変換層１３）
光電変換層１３としては、ＣＭＯＳフラットパネル（ラドアイコン社製Ｘ線ＣＭＯＳカメラシステムＳｈａｄｏｗ＿Ｂｏｘ  ４ＫＥＶ）を使用した。受光素子１３ｓの配置ピッチ（画素ピッチ）は４８μｍである。光電変換層１３は、試料１から６で共通である。
【００５３】
（試料１から５の共通条件）
１００ｍｍ□のカーボン基板を用いて、サンドブラスト法の処理により４８μｍピッチで複数の区画に分けられた隔壁部材１２１ｂを形成した。形成後、めっきにより銀反射層を隔壁部材１２１ｂの表面に形成し、その後、銀反射膜の保護層としてその表面に透明アクリル膜を約２μｍの厚みで形成した。その後、平均粒径２μｍのＣｓＩ：ＴｌＩ蛍光体粉末を隔壁部材１２１ｂの隙間に高圧充填してシンチレータ層１２１を形成した。また最後に表面を研磨処理した。そして形成したシンチレータ層１２１を用いてシンチレータパネル１２を作成し、これを図２等に示すようにそれぞれの受光素子１３ｓと各区画のシンチレータ１２１ｓとの中心部が一致するように位置合わせしてシンチレータ層１２１と光電変換層１３とを貼り合わせ放射線画像検出装置１を作製した。
【００５４】
（試料１から５のシンチレータ１２１ｓの形状）
試料１は比較例であり、試料２から試料５は実施例である。
【００５５】
試料１は、図１１に示した正四角柱の形状である。
【００５６】
試料２は、図２に示した正四角錐台の形状である。
【００５７】
試料３は、図９（ａ）に示した釣り鐘形状である。
【００５８】
試料４は、図９（ｄ）に示した四角錐形状である。
【００５９】
試料５は、図９（ｃ）に示したラッパ形状である。
【００６０】
（鮮鋭性の評価）
鉛製のＭＴＦチャートを通して管電圧８０ｋＶｐのＸ線を各実施例の放射線画像検出装置１の裏面（図１の矢印７方向）から照射し、画像データを光電変換層１３で検出してハードディスクに記録した。その後、ハードディスク上の記録をパソコンで分析して当該ハードディスクに記録されたＸ線像の変調伝達関数（ＭＴＦ(Modulation Transfer Function)）を算出した。ＭＴＦチャートは空間周波数１ｃｙｃｌｅ／ｍｍ及び５ｃｙｃｌｅ／ｍｍの２種類のものを用いた。ＭＴＦは５０回測定し、その平均値を算出結果として用いた。結果を表１に示す。なお、下記の表１中の結果において、ＭＴＦ（％）が高いほど解像力に優れていることを示している。
【００６１】
（輝度の評価）
上記鮮鋭性の測定の際に得られた画像データの中で、ＭＴＦチャートの鉛で遮蔽されていない部分の輝度を測定した。５０箇所の平均値を輝度値として用い、試料１の輝度値を基準（１００％）として相対値を相対輝度として表１に示した。
【００６２】
【表１】
2012058170.tif 000003
【００６３】
表１から明らかなように、比較例の試料１に比べて、実施例の試料２から５では、ＭＴＦ値が高く鮮鋭性に優れていることが分かる。更に式（１）を満たしたより好ましい実施例である試料２から４では、更に相対輝度も高いことが分かる。なお表１に示すように試料１と比較して試料２から５では同等の製造コストであることから全ての評価を○としている。
【符号の説明】
【００６４】
１  放射線画像検出装置
１２  シンチレータパネル
１２１  シンチレータ層
１２１ｓ  シンチレータ
１２１ｂ  隔壁部材
１２２  基板
１２３  クッション層
１２５  保護フィルム
１３  光電変換層
１３ｓ  受光素子
【図１】
2012058170.tif 000004
【図２】
2012058170.tif 000005
【図３】
2012058170.tif 000006
【図４】
2012058170.tif 000007
【図５】
2012058170.tif 000008
【図６】
2012058170.tif 000009
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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