(57)【要約】【課題】使用周波数帯域においてリプルの発生を抑制することができるスイッチを提供する。【解決手段】ベース基板１には、一の面１０２側にストリップ導体である入力側伝送線路１１および第１，２の出力側伝送線路１２，１３が設けられている。入力側伝送線路１１と第１の出力側伝送線路１２との間には第１の間隙１１５が形成され、入力側伝送線路１１と第２の出力側伝送線路１３との間には第２の間隙１１６が形成されている。可動部を構成する主可動部２２および第１，２の補助可動部２３，２４は、入力側伝送線路１１と第１，２の出力側伝送線路１２，１３との間の一方をオン状態にし、他方をオフ状態にするように第１，２の可動接点２５，２６を可動させる。入力側伝送線路１１は、主導体１１１の側縁と第１，２の間隙１１５，１１６の各々との間の第１，２の距離Ｌ１，Ｌ２がいずれも使用周波数帯域の上限の波長の１／４未満になるように形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
厚み方向の一の面側にストリップ導体である共通伝送線路および一対の分岐伝送線路が設けられ、前記共通伝送線路と前記一対の分岐伝送線路の各々との間に間隙が形成されているベース基板と、
前記一対の分岐伝送線路に１対１で対応し、対応する分岐伝送線路と前記共通伝送線路との間を電気的にオンオフする一対の可動接点と、
前記ベース基板の前記一の面に対向して配置され、前記一対の分岐伝送線路の各々と前記共通伝送線路との間の一方をオン状態にし他方をオフ状態にするように前記一対の可動接点を可動させる可動部とを備え、
前記共通伝送線路は、端子と接続する主導体を有し、当該主導体の側縁と前記間隙との間の距離が使用周波数帯域の上限の波長の１／４未満になるように形成されている
ことを特徴とするスイッチ。
【請求項２】
前記可動部は、両端間の所定位置を通る軸を第１の支点として揺動する主可動部と、各々の先端が対向するように前記主可動部の前記両端から延びて設けられた一対の補助可動部とを有し、
前記一対の補助可動部は、前記先端側に前記一対の可動接点が１対１で対応して設けられ、前記先端と基端との間の１点を第２の支点とし、前記主可動部の揺動に連動して揺動する
ことを特徴とする請求項１記載のスイッチ。
【請求項３】
前記一対の分岐伝送線路に１対１で対応し、対応する分岐伝送線路と接地領域との間を電気的にオンオフする一対の接地用可動接点を備え、
前記一対の接地用可動接点は、前記可動部の動きによって、前記一対の分岐伝送線路の各々について前記共通伝送線路との間がオフ状態である場合に前記接地領域との間がオン状態になるように可動する
ことを特徴とする請求項１記載のスイッチ。
【請求項４】
前記一対の分岐伝送線路に１対１で対応するように前記一対の補助可動部の基端側に１対１で設けられ、対応する分岐伝送線路と接地領域との間を電気的にオンオフする一対の接地用可動接点を備え、
前記一対の接地用可動接点は、前記主可動部および前記一対の補助可動部の揺動によって、前記一対の分岐伝送線路の各々について前記共通伝送線路との間がオフ状態である場合に前記接地領域との間がオン状態になるように可動する
ことを特徴とする請求項２記載のスイッチ。
【請求項５】
前記ベース基板の厚み方向の他の面側には、地導体が設けられていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のスイッチ。
【請求項６】
前記ベース基板の前記一の面側には、接地導体が前記一対の分岐伝送線路に並んで設けられていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のスイッチ。
【請求項７】
電気信号に応じて前記一対の可動接点を電気的にオンオフさせるように前記可動部を駆動する駆動部を備えることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載のスイッチ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、単極双投（ＳＰＤＴ：Single Pole Double Through）型のスイッチに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、種々のスイッチが知られている（例えば特許文献１，２参照）。特許文献１には、単極単投（ＳＰＳＴ：Single Pole Single Through）型のスイッチが開示されている。特許文献２には、単極双投型のスイッチが開示されている。
【０００３】
特許文献２に記載されたスイッチは、３つの端子電極を有し、これらの中の一の端子電極と残り２つの端子電極のいずれかとを電気的に接続するためのスイッチである。特許文献２に記載されたスイッチは、先端に接続電極が設けられた駆動アームを撓ませて、一の端子電極と残り２つの端子電極のいずれかとに接続電極を接触させることによって、２つの端子電極間を電気的に接続する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−２０４７６８号公報
【特許文献２】特開２００５−３０２７１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献２に記載されたような従来のスイッチでは、図８（ａ）に示すように、一の端子電極４１においてオープン構造になった経路がオープンスタブ４２となる。このため、図８（ｂ）に示すようにある周波数（図８（ｂ）では３３ＧＨｚ付近）においてリプルが発生するという問題があった。図８（ｂ）に示すリプルは、オープンスタブ４２の長さが信号の波長の｛（１／４）＋ｎ／２｝（ｎ＝０，１，２……）倍となる周波数で発生する。上記問題は、使用周波数帯域が高周波である場合、短い長さのオープンスタブでも顕著に表われる。
【０００６】
本発明は上記の点に鑑みて為され、本発明の目的は、使用周波数帯域においてリプルの発生を抑制することができるスイッチを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のスイッチは、厚み方向の一の面側にストリップ導体である共通伝送線路および一対の分岐伝送線路が設けられ、前記共通伝送線路と前記一対の分岐伝送線路の各々との間に間隙が形成されているベース基板と、前記一対の分岐伝送線路に１対１で対応し、対応する分岐伝送線路と前記共通伝送線路との間を電気的にオンオフする一対の可動接点と、前記ベース基板の前記一の面に対向して配置され、前記一対の分岐伝送線路の各々と前記共通伝送線路との間の一方をオン状態にし他方をオフ状態にするように前記一対の可動接点を可動させる可動部とを備え、前記共通伝送線路は、端子と接続する主導体を有し、当該主導体の側縁と前記間隙との間の距離が使用周波数帯域の上限の波長の１／４未満になるように形成されていることを特徴とする。
【０００８】
このスイッチにおいて、前記可動部は、両端間の所定位置を通る軸を第１の支点として揺動する主可動部と、各々の先端が対向するように前記主可動部の前記両端から延びて設けられた一対の補助可動部とを有し、前記一対の補助可動部は、前記先端側に前記一対の可動接点が１対１で対応して設けられ、前記先端と基端との間の１点を第２の支点とし、前記主可動部の揺動に連動して揺動することが好ましい。
【０００９】
このスイッチにおいて、前記一対の分岐伝送線路に１対１で対応し、対応する分岐伝送線路と接地領域との間を電気的にオンオフする一対の接地用可動接点を備え、前記一対の接地用可動接点は、前記可動部の動きによって、前記一対の分岐伝送線路の各々について前記共通伝送線路との間がオフ状態である場合に前記接地領域との間がオン状態になるように可動することが好ましい。
【００１０】
このＭＥＭＳスイッチにおいて、前記一対の分岐伝送線路に１対１で対応するように前記一対の補助可動部の基端側に１対１で設けられ、対応する分岐伝送線路と接地領域との間を電気的にオンオフする一対の接地用可動接点を備え、前記一対の接地用可動接点は、前記主可動部および前記一対の補助可動部の揺動によって、前記一対の分岐伝送線路の各々について前記共通伝送線路との間がオフ状態である場合に前記接地領域との間がオン状態になるように可動することが好ましい。
【００１１】
このＭＥＭＳスイッチにおいて、前記ベース基板の厚み方向の他の面側には、地導体が設けられていることが好ましい。
【００１２】
このＭＥＭＳスイッチにおいて、前記ベース基板の前記一の面側には、接地導体が前記一対の分岐伝送線路に並んで設けられていることが好ましい。
【００１３】
このＭＥＭＳスイッチにおいて、電気信号に応じて前記一対の可動接点を電気的にオンオフさせるように前記可動部を駆動する駆動部を備えることが好ましい。
【発明の効果】
【００１４】
本発明では、共通伝送線路の主導体と間隙との間の距離が使用周波数帯域の上限の波長の１／４未満になるので、オフ状態におけるオープンスタブの長さを使用周波数帯域の上限の波長の１／４未満にすることができる。その結果、使用周波数帯域において、オープンスタブに起因するリプルの発生を抑制することができ、使用周波数帯域が高周波側に広がった場合に対応することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施形態１に係るＭＥＭＳスイッチであって、（ａ）はベース基板および可動部形成基板の斜視図、（ｂ）はベース基板の斜視図である。
【図２】同上に係るＭＥＭＳスイッチの要部を示す斜視図である。
【図３】同上に係るＭＥＭＳスイッチの要部を示す概略図である。
【図４】同上に係るＭＥＭＳスイッチの回路構成を示す回路図である。
【図５】同上に係るＭＥＭＳスイッチの動作を示す動作説明図である。
【図６】実施形態２に係るＭＥＭＳスイッチであって、（ａ）はベース基板および可動部形成基板の斜視図、（ｂ）はベース基板の斜視図である。
【図７】同上に係るＭＥＭＳスイッチの要部を示す斜視図である。
【図８】従来のＭＥＭＳスイッチであって、（ａ）は要部を示す概略図、（ｂ）は周波数特性を示す特性図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下の実施形態１，２では、単極双投（ＳＰＤＴ：Single Pole Double Through）型のＭＥＭＳ（MicroElectro Mechanical Systems）スイッチについて説明する。
【００１７】
（実施形態１）
実施形態１に係るＭＥＭＳスイッチは、図１に示すように、ベース基板１と、可動部形成基板２とを備えている。図示していないが、ＭＥＭＳスイッチは、カバー基板と、駆動部とをさらに備えている。
【００１８】
ベース基板１は、絶縁性基板の一種であるガラス基板からなる基板１０１を用いて形成されている。基板１０１は、ガラス基板に限らず、例えば、高抵抗率のシリコン基板または低温同時焼成セラミック基板（Low Temperature Co-fired Ceramic Substrate：ＬＴＣＣ基板）などであってもよい。基板１０１として用いられるガラス基板のガラス材料としては、硼珪酸ガラスが採用されるが、硼珪酸ガラスに限らず、ソーダガラス、無アルカリガラス、石英ガラスなどであってもよい。
【００１９】
ベース基板１は、矩形板状に形成されている。ベース基板１の一の面１０２側には、入力側伝送線路１１と第１の出力側伝送線路１２と第２の出力側伝送線路１３と第１の接地パッド１４と第２の接地パッド１５との組み合わせが２組設けられている。入力側伝送線路１１と第１の出力側伝送線路１２との間には第１の間隙１１５が形成され、入力側伝送線路１１と第２の出力側伝送線路１３との間には第２の間隙１１６が形成されている。ベース基板１の他の面１０３には、入力端子１６と第１の出力端子１７と第２の出力端子１８と地導体１９との組み合わせが２組設けられている。本実施形態のベース基板１には、マイクロストリップライン構造が設けられている。
【００２０】
入力側伝送線路１１は、金属層などにより構成されたストリップ導体である。入力側伝送線路１１に用いられる金属は、例えばＡｕ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓの群から選択される１種またはこれらの合金である。
【００２１】
入力側伝送線路１１は、入力端子１６と接続する主導体１１１と、主導体１１１から分岐した第１の分岐導体１１２と、第１の分岐導体１１２とは別に主導体１１１から分岐した第２の分岐導体１１３とを備えている。主導体１１１は、長方形状に形成されている。第１の分岐導体１１２は第１の出力側伝送線路１２に１対１で対応し、第２の分岐導体１１３は第２の出力側伝送線路１３に１対１で対応している。入力側伝送線路１１は、主導体１１１において、貫通孔配線１１４によって入力端子１６と電気的に接続されている。
【００２２】
第１の出力側伝送線路１２および第２の出力側伝送線路１３は、金属層などにより構成されたストリップ導体であり、ベース基板１の長手方向（図１のｘ軸方向）に沿って設けられている。第１の出力側伝送線路１２および第２の出力側伝送線路１３に用いられる金属は、例えばＡｕ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓの群から選択される１種またはこれらの合金である。
【００２３】
第１の出力側伝送線路１２は、貫通孔配線１２１によって第１の出力端子１７と電気的に接続されている。第２の出力側伝送線路１３は、貫通孔配線１３１によって第２の出力端子１８と電気的に接続されている。
【００２４】
第１の接地パッド１４および第２の接地パッド１５は、金属層などにより構成されている。第１の接地パッド１４および第２の接地パッド１５に用いられる金属は、例えばＡｕ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｏｓの群から選択される１種またはこれらの合金である。
【００２５】
第１の接地パッド１４は、貫通孔配線１４１によって地導体１９と電気的に接続されている。第２の接地パッド１５は、貫通孔配線１５１によって地導体１９と電気的に接続されている。
【００２６】
カバー基板（図示せず）は、例えばガラス基板、高抵抗率のシリコン基板またはＬＴＣＣ基板など、ベース基板１の基板１０１と同じ材料であり、ベース基板１の一の面１０２に対向して配置されている。
【００２７】
可動部形成基板２は、シリコン基板からなる半導体基板を用いて形成されている。可動部形成基板２に用いられる半導体基板は、シリコン基板に限らず、例えば、シリコン層／絶縁層（ＳｉＯ２層）／シリコン層の３層構造を有するＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板などであってもよい。また、上記半導体基板は、シリコン層／絶縁層（ＳｉＯ２層）／シリコン層／絶縁層（ＳｉＯ２層）／シリコン層の５層構造（ダブルＳＯＩ構造）を有するダブルＳＯＩ基板であってもよい。
【００２８】
可動部形成基板２は、図１（ａ）に示すように、フレーム部２１と、主可動部２２と、複数（図示例では２つ）の第１の補助可動部２３，２３と、複数（図示例では２つ）の第２の補助可動部２４，２４とを備えている。可動部形成基板２は、ベース基板１とカバー基板（図示せず）との間に配置されている。主可動部２２と複数の第１の補助可動部２３，２３と複数の第２の補助可動部２４，２４との組み合わせは、可動部としての機能を有している。
【００２９】
フレーム部２１は、主可動部２２よりも大きな長方形状に形成され、長手方向（図１（ａ）のｘ軸方向）の中心には、主可動部２２に接続される一対の支持部２１１，２１１が設けられている。
【００３０】
主可動部２２は、略長方形状に形成され、長手方向（図１（ａ）のｘ軸方向）の中心で一対の支持部２１１，２１１に接続されてフレーム部２１に支持された状態で、ベース基板１の一の面１０２に対向して配置されている。主可動部２２は、駆動部（図示せず）によって、図２の矢印のように、フレーム部２１に支持される位置を支点として揺動する。
【００３１】
第１の補助可動部２３および第２の補助可動部２４の組み合わせは、主可動部２２の長手方向の両端から長手方向に沿って延びて２組設けられている。第１の補助可動部２３の先端２３１には、第１の可動接点２５が設けられている。第２の補助可動部２４の先端２４１には、第２の可動接点２６が設けられている。
【００３２】
第１の可動接点２５は、第１の出力側伝送線路１２に１対１で対応し、第１の出力側伝送線路１２と入力側伝送線路１１との間を電気的にオンオフする。第２の可動接点２６は、第２の出力側伝送線路１３に１対１で対応し、第２の出力側伝送線路１３と入力側伝送線路１１との間を電気的にオンオフする。
【００３３】
第１の可動接点２５および第２の可動接点２６は、導電性が良好な金属材料などで形成されている。第１の可動接点２５および第２の可動接点２６は、例えば、スパッタ法、電気めっき法、真空蒸着法などを利用して形成される。なお、第１の可動接点２５および第２の可動接点２６の材料は、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕの群から選択される１種またはこれらの合金であってもよい。また、第１の可動接点２５および第２の可動接点２６は、単層構造に限らず、多層構造であってもよい。
【００３４】
第１の補助可動部２３および第２の補助可動部２４の先端２３１，２４１と基端２３２，２４２との間には、カバー基板側に突出する突片２３３，２４３が設けられている。第１の補助可動部２３および第２の補助可動部２４は、主可動部２２の揺動に従って、突片２３３，２４３を支点として揺動する。つまり、第１の補助可動部２３および第２の補助可動部２４は、主可動部２２の揺動に従って基端２３２，２４２が可動し、基端２３２，２４２と支点を挟んで位置する先端２３１，２４１は基端２３２，２４２とは反対側に可動する。
【００３５】
上記より、第１の可動接点２５は、主可動部２２および第１の補助可動部２３の揺動により、第１の出力側伝送線路１２と入力側伝送線路１１との間のオン状態とオフ状態とを切り替えるように可動する。第２の可動接点２６は、主可動部２２および第２の補助可動部２４の揺動により、第２の出力側伝送線路１３と入力側伝送線路１１との間のオン状態とオフ状態とを切り替えるように可動する。このとき、第１の可動接点２５および第２の可動接点２６は、１つの可動部の揺動によって、第１の出力側伝送線路１２と入力側伝送線路１１との間および第２の出力側伝送線路１３と入力側伝送線路１１との間の一方をオン状態にし、他方をオフ状態にするように可動する。
【００３６】
駆動部（図示せず）は、電磁駆動式であり、例えばカバー基板に収納された電磁石装置と、主可動部２２に設けられた磁性体板からなるアーマチュアとを備えている。電磁石装置がアーマチュアを動かすことにより、駆動部は主可動部２２を揺動させる。なお、駆動部は、電磁駆動式に限らず、静電駆動式であってもよい。また、駆動部の電磁石装置は、カバー基板ではなく、ベース基板１に収納されていてもよい。
【００３７】
上記のような構成の本実施形態のＭＥＭＳスイッチにおいて、入力側伝送線路１１は、主導体１１１と第１の間隙１１５との間の第１の距離Ｌ１および主導体１１１と第２の間隙１１６との間の第２の距離Ｌ２のいずれもが使用周波数帯域の上限の波長λの１／４未満になるように形成されている。第１の距離Ｌ１は、図１のｘ軸方向における第１の分岐導体１１２の基端から先端までの距離（第１の分岐導体１１２の長さ）である。第２の距離Ｌ２は、図１のｘ軸方向における第２の分岐導体１１３の基端から先端までの距離（第２の分岐導体１１３の長さ）である。第１の分岐導体１１２は、第１の可動接点２５がオフ状態であって第２の可動接点２６がオン状態である場合にオープンスタブとなる部分である。第２の分岐導体１１３は、第２の可動接点２６がオフ状態であって第１の可動接点２５がオン状態である場合にオープンスタブとなる部分である。オープンスタブとなる第１の分岐導体１１２および第２の分岐導体１１３の第１，２の距離Ｌ１，Ｌ２をλ／４未満とすることによって、オフ状態であっても、使用周波数帯域において、オープンスタブに起因するリプル（図８（ｂ）参照）の発生を抑制することができる。
【００３８】
図３は、入力側伝送線路１１に第１の分岐導体１１２および第２の分岐導体１１３が存在しないように形成された場合を示す。図３に示す入力側伝送線路１１は最も好ましい形状であり、オープンスタブが存在しない。したがって、いずれの周波数帯域においても、オープンスタブに起因するリプルは発生しない。
【００３９】
ところで、本実施形態のＭＥＭＳスイッチは、図１に示すように、第１の補助可動部２３の基端２３２側に第１の接地用可動接点２７を備え、第２の補助可動部２４の基端２４２側に第２の接地用可動接点２８を備えている。
【００４０】
第１の接地用可動接点２７および第２の接地用可動接点２８は、導電性が良好な金属材料などで形成されている。第１の接地用可動接点２７および第２の接地用可動接点２８は、例えばスパッタ法、電気めっき法または真空蒸着法などを利用して形成される。なお、第１の接地用可動接点２７および第２の接地用可動接点２８の材料は、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕの群から選択される１種またはこれらの合金であってもよい。また、第１の接地用可動接点２７および第２の接地用可動接点２８は、単層構造に限らず、多層構造であってもよい。
【００４１】
第１の接地用可動接点２７は、第１の出力側伝送線路１２に１対１で対応し、第１の出力側伝送線路１２と第１の接地パッド１４との間を電気的にオンオフする。第２の接地用可動接点２８は、第２の出力側伝送線路１３に１対１で対応し、第２の出力側伝送線路１３と第２の接地パッド１５との間を電気的にオンオフする。
【００４２】
第１の接地用可動接点２７は、主可動部２２の揺動により、第１の出力側伝送線路１２について入力側伝送線路１１とオフ状態である場合に第１の接地パッド１４とオン状態になるように可動する。第２の接地用可動接点２８は、主可動部２２の揺動により、第２の出力側伝送線路１３について入力側伝送線路１１とオフ状態である場合に第２の接地パッド１５とオン状態になるように可動する。
【００４３】
上記より、第１の接地用可動接点２７および第２の接地用可動接点２８は、１つの可動部の可動によって第１の出力側伝送線路１２および第２の出力側伝送線路１３の各々と接地パッド１４，１５との間を電気的にオンオフする。
【００４４】
次に、本実施形態に係るＭＥＭＳスイッチの動作について図１，４，５を用いて説明する。本実施形態のＭＥＭＳスイッチの回路構成は図４に示すような構成である。まず、主可動部２２の左側（図１の左側）がベース基板１のほうへ下がって右側（図１の右側）がカバー基板（図示せず）のほうへ上がるように駆動部（図示せず）が主可動部２２を駆動すると、主可動部２２の揺動と第１の補助可動部２３および第２の補助可動部２４の揺動とによって、図５の上段に示すように、第１の可動接点２５はオン状態になり、第２の可動接点２６はオフ状態になる。このとき、第１の接地用可動接点２７はオフ状態になり、第２の接地用可動接点２８はオン状態になる。これにより、第１の出力端子１７はオン状態になり、第２の出力端子１８はオフ状態になる。
【００４５】
一方、主可動部２２の左側（図１の左側）がカバー基板のほうへ上がって右側（図１の右側）がベース基板１のほうへ下がるように駆動部が主可動部２２を駆動すると、主可動部２２の揺動と第１の補助可動部２３および第２の補助可動部２４の揺動とによって、図５の下段に示すように、第１の可動接点２５はオフ状態になり、第２の可動接点２６はオン状態になる。このとき、第１の接地用可動接点２７はオン状態になり、第２の接地用可動接点２８はオフ状態になる。これにより、第１の出力端子１７はオフ状態になり、第２の出力端子１８はオン状態になる。
【００４６】
以上の説明より、本実施形態のＭＥＭＳスイッチは、入力側伝送線路１１の第１の分岐導体１１２および第２の分岐導体１１３の第１，２の距離Ｌ１，Ｌ２が使用周波数帯域の上限の波長λの１／４未満になる。これにより、オフ状態におけるオープンスタブの長さ（＝Ｌ１，Ｌ２）を使用周波数帯域の上限の波長λの１／４未満にすることができる。その結果、使用周波数帯域において、オープンスタブに起因するリプルの発生を抑制することができ、使用周波数帯域が高周波側に広がった場合に対応することができる。
【００４７】
また、本実施形態のＭＥＭＳスイッチは、入力側伝送線路１１との間がオフ状態である出力側伝送線路１２（１３）に対して接地パッド１４（１５）との間をオン状態にする。これにより、上記出力側伝送線路１２（１３）からの電流漏れの発生を抑制することができる。つまり、アイソレーションを改善することができる。
【００４８】
さらに、本実施形態のＭＥＭＳスイッチは、第１の可動接点２５および第２の可動接点２６を１つの可動部で可動させる。これにより、第１の可動接点２５および第２の可動接点２６に１対１で対応させて複数の可動部を備える場合より、構造を簡単にすることができる。
【００４９】
（実施形態２）
実施形態２に係るＭＥＭＳスイッチは、ベース基板１にマイクロストリップライン構造ではなく、図６に示すようにコプレナー線路（ＣＰＷ）構造が設けられている点で、実施形態１に係るＭＥＭＳスイッチ（図１参照）と相違する。なお、実施形態１のＭＥＭＳスイッチと同様の構成要素については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００５０】
本実施形態のベース基板１には、第１の接地導体３１と第２の接地導体３２と第３の接地導体３３との組み合わせが２組設けられている。なお、実施形態１のベース基板１（図１参照）と同様の機能については説明を省略する。
【００５１】
第１の接地導体３１および第２の接地導体３２は、ベース基板１の長手方向（図６のｘ軸方向）に細長い線路状に形成されている。第１の接地導体３１は、第１の接地用可動接点２７が接触する第１の接地パッドを一部に含んでいる。第２の接地導体３２は、第２の接地用可動接点２８が接触する第２の接地パッドを一部に含んでいる。第３の接地導体３３は、第１の出力側伝送線路１２および第２の出力側伝送線路１３と、第１の接地導体３１および第２の接地導体３２と平行に設けられている。
【００５２】
本実施形態においても、主可動部２２は、図７の矢印のように揺動する。本実施形態の主可動部２２の揺動は、実施形態１の主可動部２２の揺動（図２参照）と同様である。これにより、第１の補助可動部２３および第２の補助可動部２４も、実施形態１の第１の補助可動部２３および第２の補助可動部２４（図２参照）と同様に揺動する。
【００５３】
上記より、本実施形態においても、第１の可動接点２５は、主可動部２２および第１の補助可動部２３の揺動により、第１の出力側伝送線路１２と入力側伝送線路１１との間のオン状態とオフ状態とを切り替えるように可動する。第２の可動接点２６は、主可動部２２および第２の補助可動部２４の揺動により、第２の出力側伝送線路１３と入力側伝送線路１１との間のオン状態とオフ状態とを切り替えるように可動する。
【００５４】
また、本実施形態の入力側伝送線路１１は、図６に示すように、第１の分岐導体１１２および第２の分岐導体１１３の各々の第１，２の距離Ｌ１，Ｌ２が使用周波数帯域の上限の波長λの１／４未満になるように形成されている。
【００５５】
以上の説明より、本実施形態のＭＥＭＳスイッチでも、入力側伝送線路１１との間がオフ状態である出力側伝送線路１２（１３）に対して接地導体３１（３２）との間をオン状態にする。これにより、上記出力側伝送線路１２（１３）からの電流漏れの発生を抑制することができる。
【００５６】
なお、各実施形態のＭＥＭＳスイッチは、第１の接地用可動接点２７および第２の接地用可動接点２８を備えていない構成でもよい。上記の構成であっても、入力側伝送線路１１の第１の分岐導体１１２および第２の分岐導体１１３の第１，２の距離Ｌ１，Ｌ２が使用周波数帯域の上限の波長λの１／４未満になることによって、オフ状態におけるオープンスタブの長さ（＝Ｌ１，Ｌ２）を使用周波数帯域の上限の波長λの１／４未満にすることができる。これにより、使用周波数帯域において、オープンスタブに起因するリプルの発生を抑制することができ、使用周波数帯域が高周波側に広がった場合に対応することができる。
【００５７】
また、各実施形態のＭＥＭＳスイッチは、入力側伝送線路１１と第１の出力側伝送線路１２と第２の出力側伝送線路１３との組み合わせを２組ではなく１組のみ備えていてもよい。入力側伝送線路１１と第１の出力側伝送線路１２と第２の出力側伝送線路１３との組み合わせが１組である場合、第１の接地用可動接点２７と第２の接地用可動接点２８との組み合わせも１組でよい。
【００５８】
さらに、各実施形態のＭＥＭＳスイッチは、入力側と出力側とを反対にしてもよい。
【符号の説明】
【００５９】
１  ベース基板
１０２  一の面
１１  入力側伝送線路（共通伝送線路）
１１１  主導体
１１５  第１の間隙
１１６  第２の間隙
１２  第１の出力側伝送線路（第１の分岐伝送線路）
１３  第２の出力側伝送線路（第２の分岐伝送線路）
１４  第１の接地パッド（接地領域）
１５  第２の接地パッド（接地領域）
１９  地導体
２２  主可動部（可動部）
２３  第１の補助可動部（可動部）
２４  第２の補助可動部（可動部）
２５  第１の可動接点
２６  第２の可動接点
２７  第１の接地用可動接点
２８  第２の接地用可動接点
３１  第１の接地導体（接地領域）
３２  第２の接地導体（接地領域）
Ｌ１  第１の距離
Ｌ２  第２の距離
λ  波長
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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