(57)【要約】【課題】温度変化による階調特性の変化を抑制する回路装置、電気光学装置及び電子機器等を提供すること。【解決手段】回路装置は、電気光学装置の複数の画素１０−１〜１０−ｋを駆動する複数の画素回路２０−１〜２０−ｋと、温度センサー３１０を含む。そして、複数の画素回路２０−１〜２０−ｋの各画素回路は、１フレーム期間を分割した複数のサブフレームの各サブフレームの駆動信号ＰＶ１〜ＰＶｋとして、一定の長さのサブフレームにおいてオン駆動信号レベルに設定される期間が、温度センサー３１０からの温度検出結果ＴＳに応じて変化する駆動信号ＰＶ１〜ＰＶｋを出力する。【選択図】      図５
2012058537.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学装置の複数の画素を駆動する複数の画素回路と、
少なくとも１つの温度センサーと、
を含み、
前記複数の画素回路の各画素回路は、
１フレーム期間を分割した複数のサブフレームの各サブフレームの駆動信号として、一定の長さのサブフレームにおいてオン駆動信号レベルに設定されるオンレベル設定期間が、前記少なくとも１つの温度センサーからの温度検出結果に応じて変化する前記駆動信号を出力することを特徴とする回路装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記各画素回路は、
前記各サブフレームのデータ信号を受けて、前記データ信号に対応する前記駆動信号を前記各サブフレームにおいて出力し、
前記各画素回路は、
前記データ信号がオン駆動状態を表すオン論理レベルであるサブフレームにおいて、前記温度検出結果が表す温度が上昇するに従って、前記オンレベル設定期間が減少する前記駆動信号を出力することを特徴とする回路装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記少なくとも１つの温度センサーとして、複数の温度センサーを含み、
前記各画素回路は、
前記複数の温度センサーからの複数の温度検出結果に基づいて前記オンレベル設定期間が変化する前記駆動信号を出力することを特徴とする回路装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記電気光学装置は、
ＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）により構成され、
前記複数の温度センサーは、
前記ＬＣＯＳの半導体基板上に形成された半導体回路により構成されることを特徴とする回路装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかにおいて、
前記少なくとも１つの温度センサーは、
前記電気光学装置の表示エリアの周囲に配置されることを特徴とする回路装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかにおいて、
前記各画素回路は、
前記１フレーム期間を分割した前記複数のサブフレームのうちの特定サブフレームにおいて、前記温度検出結果に応じて、前記オンレベル設定期間が変化する前記駆動信号を出力することを特徴とする回路装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかにおいて、
前記各画素回路は、
前記各サブフレームのデータ信号を受けて、前記データ信号に対応する前記駆動信号を前記各サブフレームにおいて出力し、
前記各画素回路は、
前記データ信号がオン駆動状態を表すオン論理レベルであるサブフレームにおいて、前記オンレベル設定期間以外の期間がハイインピーダンス期間に設定された前記駆動信号を出力することを特徴とする回路装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記各画素回路は、
前記ハイインピーダンス期間において前記駆動信号をハイインピーダンスに設定するハイインピーダンス設定回路を有することを特徴とする回路装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれかにおいて、
前記駆動信号の波形を規定する信号である駆動用波形信号を、前記複数の画素回路に対して供給する波形信号供給回路を含み、
前記各画素回路は、
前記各サブフレームのデータ信号と、前記駆動用波形信号供給回路からのオン駆動用波形信号及びオフ駆動用波形信号を受けて、前記データ信号がオン駆動状態を表すオン論理レベルであるサブフレームにおいて、前記オン駆動用波形信号を出力し、前記データ信号がオフ駆動状態を表すオフ論理レベルであるサブフレームにおいて、前記オフ駆動用波形信号を出力し、
前記波形信号供給回路は、
前記オン駆動用波形信号として、サブフレームのうちの一部の期間であるオフ駆動期間がオフ駆動信号レベルに設定された信号を出力し、
前記オフ駆動用波形信号として、サブフレームのうちの一部の期間であるオン駆動期間がオン駆動信号レベルに設定された信号を出力することを特徴とする回路装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれかに記載の回路装置を含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項１１】
請求項１０に記載の電気光学装置を含むことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路装置、電気光学装置及び電子機器等に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置の画素を駆動する手法として、等間隔サブフレーム駆動がある（例えば、特許文献１，２）。この駆動手法では、１フレームを等間隔の複数サブフレームに分割する。そして、画素に対してオン電圧を印加するサブフレームと、画素に対してオフ電圧を印加するサブフレームを組み合わせることで、階調表現を行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−１４８４１７号公報
【特許文献２】特開２００１−１００７０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、等間隔サブフレーム駆動では、印加電圧に対する液晶透過率の応答特性により過渡的に透過率が変化するサブフレームが存在する。そのため、温度変化によって印加電圧に対する透過率の応答特性が変わると、階調特性が変化してしまうという課題がある。
【０００５】
例えば、特許文献１には、温度センサーの温度検出結果に応じてサブフレームの期間の長さを変えて、階調特性を一定にする手法が開示されている。しかしながら、この手法では、サブフレームの期間の長さに応じて、コントローラーからのデータ転送レートや制御信号タイミングを変更する必要がある。データ転送レートや制御信号タイミングを温度に応じて段階的に変化させることは、現実的には非常に困難である。
【０００６】
また、階調特性を一定にする手法として、オン電圧を印加するサブフレームとオフ電圧を印加するサブフレームの組み合わせパターンを温度に応じて変更する手法が考えられる。しかしながら、この手法では、階調数と温度ステップ数に応じて多数の組み合わせパターンが必要となってしまう。例えば、組み合わせパターンをルックアップテーブルで実現する場合、階調数×温度ステップ数分のルックアップテーブルを記憶するための記憶装置が必要となってしまう。
【０００７】
本発明の幾つかの態様によれば、温度変化による階調特性の変化を抑制できる回路装置、電気光学装置及び電子機器等を提供できる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様は、電気光学装置の複数の画素を駆動する複数の画素回路と、少なくとも１つの温度センサーと、を含み、前記複数の画素回路の各画素回路は、１フレーム期間を分割した複数のサブフレームの各サブフレームの駆動信号として、一定の長さのサブフレームにおいてオン駆動信号レベルに設定されるオンレベル設定期間が、前記少なくとも１つの温度センサーからの温度検出結果に応じて変化する前記駆動信号を出力する回路装置に関係する。
【０００９】
本発明の一態様によれば、１フレーム期間を分割した複数のサブフレームの各サブフレームの駆動信号が出力される。そして、その駆動信号として、一定の長さのサブフレームにおけるオンレベル設定期間が少なくとも１つの温度センサーからの温度検出結果に応じて変化する駆動信号が出力される。
【００１０】
これにより、温度変化による階調特性の変化を抑制すること等が可能になる。すなわち、画素の透過率の応答特性が温度変化により変化した場合であっても、オン駆動信号レベルにより画素が駆動されるオンレベル設定期間の長さが、温度検出結果に応じて調整されることで、温度変化による階調特性の変化を抑制できる。
【００１１】
また、本実施形態の一態様では、前記各画素回路は、前記各サブフレームのデータ信号を受けて、前記データ信号に対応する前記駆動信号を前記各サブフレームにおいて出力し、前記各画素回路は、前記データ信号がオン駆動状態を表すオン論理レベルであるサブフレームにおいて、前記温度検出結果が表す温度が上昇するに従って前記オンレベル設定期間が減少する前記駆動信号を出力してもよい。
【００１２】
このようにすれば、駆動信号がオン駆動信号レベルに設定されるオンレベル設定期間が、温度が上昇するに従って減少する。これにより、温度が上昇するに従って透過率の応答速度が増す場合に、温度上昇による階調の変化を抑制できる。
【００１３】
また、本発明の一態様では、前記少なくとも１つの温度センサーとして、複数の温度センサーを含み、前記各画素回路は、前記複数の温度センサーからの複数の温度検出結果に基づいて前記オンレベル設定期間が変化する前記駆動信号を出力してもよい。
【００１４】
このようにすれば、複数の温度センサーからの複数の温度検出結果を用いることで複数箇所の温度を測定できるため、温度測定の精度を向上できる。これにより、温度に応じた階調調整の精度を向上することが可能になる。
【００１５】
また、本発明の一態様では、前記電気光学装置は、ＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）により構成され、前記複数の温度センサーは、前記ＬＣＯＳの半導体基板上に形成された半導体回路により構成されることを特徴とする回路装置。
【００１６】
また、本発明の一態様では、前記少なくとも１つの温度センサーは、前記電気光学装置の表示エリアの周囲に配置されてもよい。
【００１７】
このようにすれば、電気光学装置をＬＣＯＳにより構成できる。また、表示エリアの周囲に複数の温度センサーを配置できる。例えば、ＬＣＯＳの表示エリア周辺に温度センサーを設けた場合、そのＬＣＯＳのシリコン基板に温度センサーを集積することが可能になり、実装面積の削減等が可能になる。
【００１８】
また、本発明の一態様では、前記各画素回路は、前記１フレーム期間を分割した前記複数のサブフレームのうちの特定サブフレームにおいて、前記温度検出結果に応じて前記オンレベル設定期間が変化する前記駆動信号を出力してもよい。
【００１９】
このようにすれば、オンレベル設定期間の長さの調整が特定サブフレームにおいて行われるため、全てのサブフレームでその期間の長さの調整を行う場合よりも、より小さな透過率の応答速度の変化に対応することが可能になる。
【００２０】
また、本発明の一態様では、前記各画素回路は、前記各サブフレームのデータ信号を受けて、前記データ信号に対応する前記駆動信号を前記各サブフレームにおいて出力し、前記各画素回路は、前記データ信号がオン駆動状態を表すオン論理レベルであるサブフレームにおいて、前記オンレベル設定期間以外の期間がハイインピーダンス期間に設定された前記駆動信号を出力してもよい。
【００２１】
このようにすれば、ハイインピーダンス期間が設定されることで、駆動信号がオン駆動信号レベルに設定されるオンレベル設定期間が減少する。これにより、画素の透過率の応答特性が温度変化により変化した場合であっても、温度変化に依らず階調特性を一定にすることが可能になる。
【００２２】
また、本発明の一態様では、前記各画素回路は、前記ハイインピーダンス期間において前記駆動信号をハイインピーダンスに設定するハイインピーダンス設定回路を有してもよい。
【００２３】
このようにすれば、ハイインピーダンス設定回路によりハイインピーダンス期間において駆動信号をハイインピーダンス状態に設定することが可能になる。
【００２４】
また、本発明の一態様では、前記駆動信号の波形を規定する信号である駆動用波形信号を、前記複数の画素回路に対して供給する波形信号供給回路を含み、前記各画素回路は、前記各サブフレームのデータ信号と、前記駆動用波形信号供給回路からのオン駆動用波形信号及びオフ駆動用波形信号を受けて、前記データ信号がオン駆動状態を表すオン論理レベルであるサブフレームにおいて、前記オン駆動用波形信号を出力し、前記データ信号がオフ駆動状態を表すオフ論理レベルであるサブフレームにおいて、前記オフ駆動用波形信号を出力し、前記波形信号供給回路は、前記オン駆動用波形信号として、サブフレームのうちの一部の期間であるオフ駆動期間がオフ駆動信号レベルに設定された信号を出力し、前記オフ駆動用波形信号として、サブフレームのうちの一部の期間であるオン駆動期間がオン駆動信号レベルに設定された信号を出力してもよい。
【００２５】
このようにすれば、オフ駆動期間用設定レジスターの設定値に基づいて、温度検出結果に応じたオフ駆動期間が対向電極駆動信号の信号レベル切り替え前に設定されたオン駆動用波形信号を出力できる。また、オン駆動期間用設定レジスターの設定値に基づいて、温度検出結果に応じたオン駆動期間が対向電極駆動信号の信号レベル切り替え後に設定されたオフ駆動用波形信号を出力できる。
【００２６】
また、本発明の他の態様は、上記のいずれかに記載の回路装置を含む電気光学装置に関係する。
【００２７】
また、本発明のさらに他の態様は、上記に記載の電気光学装置を含む電子機器に関係する。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】等間隔サブフレーム駆動についての説明図。
【図２】温度変化による液晶透過率の応答速度の変化についての説明図。
【図３】本実施形態が行う駆動手法についての説明図。
【図４】駆動手法の変形例についての説明図。
【図５】本実施形態の回路装置の構成例。
【図６】本実施形態の信号波形例。
【図７】トランジスターの耐圧を超える電圧の発生についての説明図。
【図８】本実施形態の第２の信号波形例。
【図９】図９（Ａ）は、階調調整用サブフレームについての説明図である。図９（Ｂ）は、温度用サブフレームについての説明図である。
【図１０】図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）は、本実施形態の第３の信号波形例。
【図１１】波形信号供給回路の詳細な構成例。
【図１２】図１２（Ａ）〜図１２（Ｃ）は、波形信号供給回路の信号波形例。
【図１３】画素回路の詳細な構成例。
【図１４】画素回路の信号波形例。
【図１５】本実施形態の第４の信号波形例。
【図１６】温度センサーの詳細な構成例。
【図１７】温度センサーの出力電圧の温度特性例。
【図１８】電気光学装置の詳細な構成例。
【図１９】電子機器の構成例。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお以下に説明する本実施形態は特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではなく、本実施形態で説明される構成の全てが本発明の解決手段として必須であるとは限らない。
【００３０】
１．本実施形態の手法
まず、図１を用いて、本実施形態が行う等間隔サブフレーム駆動について説明する。図１のＡ１に示すように、１フレームを例えば６つのサブフレームＳＦ１〜ＳＦ６に分割する。このサブフレームＳＦ１〜ＳＦ６は、それぞれ期間の長さが等しい等間隔のサブフレームである。
【００３１】
各サブフレームでは、画素をオン電圧またはオフ電圧で駆動する。なお、図１では、オン電圧で駆動するサブフレームを網掛けで表す。例えば、オン電圧は、印加電圧に対する液晶の透過率特性において、透過率が最大になる印加電圧である。オフ電圧は、印加電圧に対する液晶の透過率特性において、透過率が最小になる印加電圧である。
【００３２】
Ａ１に示すように、サブフレームＳＦ１においてオン電圧を印加し、サブフレームＳＦ２〜ＳＦ６においてオフ電圧を印加したとする。この場合、Ａ２に示すように、液晶の応答時間に対してサブフレームが短いため、サブフレームＳＦ１の期間内では透過率が最大にならず、透過率は徐々に上昇していく。そして、その後のサブフレームにおいて透過率は徐々に下降していく。このとき、画素値の階調は、Ａ２に示す透過率曲線の積分値により決まり、積分値が大きいほど高階調に対応する。
【００３３】
Ａ３に示すように、オン電圧とオフ電圧の組み合わせパターン（以下では、サブフレームパターンと呼ぶ）を変更すると、Ａ４に示すように、サブフレームパターンに応じて透過率曲線の形が変化する。そのため、所望の階調特性が得られるように、各階調に対するサブフレームパターンをあらかじめ設定しておくことで、画像の階調を表示することができる。
【００３４】
次に、図２を用いて、上記の等間隔サブフレーム駆動の課題について説明する。図２には、サブフレームＳＦ１，ＳＦ２において、画素をそれぞれオン電圧，オフ電圧で駆動する場合の透過率を示す。
【００３５】
図２に示すように、印加電圧に対する液晶透過率の応答速度は、液晶の温度が高いほど速くなる。すなわち、オン電圧が印加されたサブフレームでは、温度が高いほど透過率が速く上昇し、オフ電圧が印加されたサブフレームでは、温度が高いほど透過率が速く下降する。そのため、同じサブフレームパターンに対する透過率曲線の積分値（ハッチングで示すエリア）が、温度が高いほど大きくなり、液晶の温度によって階調特性が変化してしまう。このように、等間隔サブフレーム駆動では、液晶透過率の応答特性が変化した場合に階調特性が一定にならず、画質が劣化してしまうという課題がある。
【００３６】
そこで、本実施形態では、画素をオン電圧で駆動するサブフレームにおいてオフ電圧で駆動する期間を設け、透過率の応答特性の変化による階調特性の変化を抑制する。図３に、この本実施形態の駆動手法についての説明図を示す。
【００３７】
なお以下では、液晶の温度により応答特性が変化する場合を例に説明するが、本実施形態は、他の要因により応答特性が変化する場合にも適用可能である。例えば、液晶物質の違いや液晶パネルの製造バラツキによって応答特性が変化するが、本実施形態では、このような場合にも階調特性の変化を抑制可能である。
【００３８】
図３のＢ１に示すように、階調の基準となる基準温度を例えば１０℃に設定する。そして、その基準温度１０℃では、オン電圧で駆動するサブフレームＳＦ１にはオフ電圧で駆動する期間を設けず、オン電圧のみで駆動する。Ｂ２に示すように、オフ電圧で駆動するサブフレームＳＦ２にはオン電圧で駆動する期間を設けず、オフ電圧のみで駆動する。
【００３９】
一方、Ｂ３に示すように、基準温度１０℃よりも高い温度４０℃では、サブフレームＳＦ１にオフ電圧で駆動するオフ駆動期間ＴＯＦＦを設ける。また、Ｂ４に示すように、サブフレームＳＦ２にオン電圧で駆動するオン駆動期間ＴＯＮを設ける。そうすると、Ｂ５に示すように、オフ駆動期間ＴＯＦＦにおいて透過率が下降し、Ｂ６に示すように、オン駆動期間ＴＯＮにおいて透過率が上昇する。これにより、透過率曲線の積分値を基準温度１０℃の場合と同一（略同一を含む）にできるため、階調特性を一定に保つことが可能になる。
【００４０】
Ｂ７に示すように、さらに高い温度６０℃では、４０℃の場合よりもオフ駆動期間ＴＯＦＦを長くし、Ｂ８に示すように、４０℃の場合よりもオン駆動期間ＴＯＮを長くする。このように、温度が高くなるほど長いオフ駆動期間ＴＯＦＦとオン駆動期間ＴＯＮを設定することで、温度上昇により応答速度が増しても、同じサブフレームパターンに対して同じ階調を表示させることができる。
【００４１】
図４に、本実施形態の駆動手法の変形例についての説明図を示す。この変形例では、図４のＤ１に示すように、オフ駆動期間ＴＯＦＦをサブフレームＳＦ１の最後に設け、オン駆動期間ＴＯＮをサブフレームＳＦ２の最初に設ける。この場合も、サブフレームＳＦ１では、基準温度１０℃の場合よりもオン電圧で駆動する期間が短くなり、サブフレームＳＦ２では、基準温度１０℃の場合よりもオフ電圧で駆動する期間が短くなる。そのため、Ｄ２に示すように、応答速度の上昇による透過率曲線の積分値の変化を抑制し、階調特性の変化を抑制できる。
【００４２】
２．回路装置
図５に、上述の駆動手法により電気光学装置の画素を駆動する回路装置の構成例を示す。この回路装置は、第１〜第ｋの画素回路２０−１〜２０−ｋ（広義には、複数の画素回路。ｋは自然数）、波形信号供給回路３０（駆動用波形信号供給回路）、温度センサー３１０を含む。なお、本実施形態は図５の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素を追加したりする等の種々の変形実施が可能である。
【００４３】
画素回路２０−１〜２０−ｋは、駆動電圧ＰＶ１〜ＰＶｋ（広義には駆動信号）を出力して画素１０−１〜１０−ｋの画素電極を駆動する。より具体的には、画素回路２０−１〜２０−ｋは、それぞれ選択回路２１−１〜２１−ｋとラッチ回路２２−１〜２２−ｋを含む。なお以下では、画素回路２０−１を例にその動作等について説明するが、他の画素回路２０−２〜２０−ｋについても同様である。
【００４４】
ラッチ回路２２−１は、サブフレーム同期信号ＳＦ＿ＳＹＮＣ、データ信号ＳＤ、ゲート信号ＧＸを受けて、画素１０−１に対応するデータ信号ＤＴ１をラッチ（記憶、保持）する。より具体的には、ゲート信号ＧＸをクロックとしてデータ信号ＳＤからデータＤＴ１をラッチし、サブフレーム同期信号ＳＦ＿ＳＹＮＣに同期してデータＤＴ１を出力する。
【００４５】
選択回路２１−１は、オン駆動用波形電圧ＳＯＮ、オフ駆動用波形電圧ＳＯＦＦ、データ信号ＤＴ１を受けて、駆動電圧ＰＶ１を出力する。具体的には、選択回路２１−１は、データ信号ＤＴ１がオン論理レベルであるサブフレームにおいて、オン駆動用波形電圧ＳＯＮを駆動電圧ＰＶ１として出力する。一方、選択回路２１−１は、データ信号ＤＴ１がオフ論理レベルであるサブフレームにおいて、オフ駆動用波形電圧ＳＯＦＦを駆動電圧ＰＶ１として出力する。
【００４６】
データ信号ＤＴ１のオン論理レベルとは、画素のオン駆動状態に対応する第１の論理レベルであり、例えば論理レベル“１”である。また、データ信号ＤＴ１のオフ論理レベルとは、画素のオフ駆動状態に対応する第２の論理レベルであり、例えば論理レベル“０”である。例えば、ＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）等の液晶表示装置において、画素を光が透過可能な状態に駆動する駆動状態がオン駆動状態であり、画素を光が非透過な状態に駆動する駆動状態がオフ駆動状態である。図１等で上述のサブフレームパターンは、このオン論理レベルとオフ論理レベルの組み合わせによって表され、各階調データに対応してその組み合わせが設定される。
【００４７】
波形信号供給回路３０は、温度センサーからの温度検出結果ＴＳを受けて、その温度検出結果ＴＳに基づいてオン駆動用波形電圧ＳＯＮとオフ駆動用波形電圧ＳＯＦＦを出力する。また、波形信号供給回路３０は、対向電極駆動電圧ＶＣＯＭ（広義には、対向電極駆動信号）を出力して、画素１０−１〜１０−ｋの対向電極を駆動する。
【００４８】
波形信号供給回路３０が出力するオン駆動用波形電圧ＳＯＮ（広義には、オン駆動用波形信号）は、データ信号ＤＴ１のオン論理レベルに対応する駆動電圧ＰＶ１の電圧波形を規定する信号である。また、オフ駆動用波形電圧ＳＯＦＦ（広義には、オフ駆動用波形信号）は、データ信号ＤＴ１のオフ論理レベルに対応する駆動電圧ＰＶ１の電圧波形を規定する信号である。そして、この駆動電圧ＰＶ１の電圧波形と、対向電極駆動電圧ＶＣＯＭの電圧波形によって、画素１０−１に印加される電圧波形が決まる。この画素１０−１に印加される電圧波形には、図３等で上述のオフ駆動期間ＴＯＦＦやオン駆動期間ＴＯＮが含まれ、これらの期間の長さは温度検出結果ＴＳによって調整される。
【００４９】
温度センサー３１０は、電気光学装置の表示部の温度や表示部周辺の温度を測定し、その測定結果を温度測定結果ＴＳとして出力する。例えば、電気光学装置がＬＣＯＳにより構成される場合、温度センサー３１０は、ＬＣＯＳのシリコン基板に集積された半導体回路により構成される。なお、本実施形態では、回路装置が複数の温度センサーを含み、その複数の温度センサーの測定結果に基づいて温度検出結果ＴＳを出力してもよい。
【００５０】
ここで、上記では波形電圧ＳＯＮ，ＳＯＦＦが温度検出結果ＴＳに基づいて出力される場合を例に説明したが、本実施形態ではこれに限定されず、波形電圧ＳＯＮ，ＳＯＦＦは他の調整用信号に基づいて出力されてもよい。例えば、液晶の製造バラツキに応じた調整用信号が図示しないレジスターに製造時に設定されてもよく、あるいは、液晶物質に応じた調整用信号が図示しないレジスターに設定されてもよい。
【００５１】
３．信号波形例
図６に、上記回路装置の信号波形例を示す。なお以下では簡単のため、画素に印加される電圧を絶対値で表すが、本実施形態では極性反転駆動が行われ、１または複数サブフレーム毎に印加電圧の極性が反転される。
【００５２】
図６のＥ１に示すように、サブフレームＳＦ１においてオン駆動用波形電圧ＳＯＮが立ち上がり、Ｅ２に示すように、その後対向電極駆動電圧ＶＣＯＭが立ち下がる。Ｅ３に示すように、次のサブフレームＳＦ２においてオン駆動用波形電圧ＳＯＮが立ち下がり、Ｅ４に示すように、その後対向電極駆動電圧ＶＣＯＭが立ち上がる。このとき、Ｅ５に示すように、画素への印加電圧｜ＳＯＮ−ＶＣＯＭ｜には、オフ駆動期間ＴＯＦＦが生じる。このオフ駆動期間ＴＯＦＦの長さは、オン駆動用波形電圧ＳＯＮの立ち上がりエッジと立ち下がりエッジの位置が調整されることで、調整される。
【００５３】
一方、Ｅ６に示すように、サブフレームＳＦ１において、対向電極駆動電圧ＶＣＯＭが立ち下がった後にオフ駆動用波形電圧ＳＯＦＦが立ち下がる。Ｅ７に示すように、次のサブフレームＳＦ２において、対向電極駆動電圧ＶＣＯＭが立ち上がった後にオフ駆動用波形電圧ＳＯＦＦが立ち上がる。このとき、Ｅ８に示すように、画素への印加電圧｜ＳＯＦＦ−ＶＣＯＭ｜には、オン駆動期間ＴＯＮが生じる。このオン駆動期間ＴＯＮの長さは、オフ駆動用波形電圧ＳＯＦＦの立ち上がりエッジと立ち下がりエッジの位置が調整されることで、調整される。
【００５４】
Ｅ９に示すように、サブフレームＳＦ１において、例えばデータ信号ＤＴ１＝１であるとすると、Ｅ１０に示すように、画素には印加電圧｜ＰＶ１−ＶＣＯＭ｜＝｜ＳＯＮ−ＶＣＯＭ｜が印加される。Ｅ１１に示すように、サブフレームＳＦ２において、例えばデータ信号ＤＴ１＝０であるとすると、Ｅ１２に示すように、画素には印加電圧｜ＰＶ１−ＶＣＯＭ｜＝｜ＳＯＦＦ−ＶＣＯＭ｜が印加される。
【００５５】
なお、電圧レベルが立ち上がるとは、電圧レベルがローレベル（低電圧側の電圧レベル）からハイレベル（高電圧側の電圧レベル）に変化することである。電圧レベルが立ち下がるとは、電圧レベルがハイレベルからローレベルに変化することである。
【００５６】
さて上述のように、等間隔サブフレーム駆動では、印加電圧に対する液晶の応答速度が温度変化により変化することで階調特性が変化してしまう。そのため、その階調特性の変化によって適切な階調表示が行われなくなり、画質が劣化してしまうという課題がある。
【００５７】
この点、本実施形態によれば、図５に示すように、電気光学装置の複数の画素１０−１〜１０−ｋを駆動する複数の画素回路２０−１〜２０−ｋと、少なくとも１つの温度センサー（温度センサー３１０）を含む。そして、図６のＥ１０やＥ１２に示すように、複数の画素回路１０−１〜１０−ｋの各画素回路は、１フレーム期間を分割した複数のサブフレームの各サブフレームの駆動信号（例えばＰＶ１）として、一定の長さのサブフレームにおいてオン駆動信号レベルに設定されるオンレベル設定期間が、少なくとも１つの温度センサーからの温度検出結果ＴＳに応じて変化する駆動信号を出力する。
【００５８】
例えば本実施形態では、Ｅ１０に示すように、サブフレームＳＦ１において、オン信号レベルに設定される期間ＴＯＮ’がオンレベル設定期間である。そして、オフ駆動期間ＴＯＦＦが温度検出結果ＴＳに応じて調整されることで、期間ＴＯＮ’が変化する。あるいは、Ｅ１１に示すように、サブフレームＳＦ２において、オンレベル設定期間はオン駆動期間ＴＯＮであり、このオン駆動期間ＴＯＮが温度検出結果ＴＳに応じて変化する。あるいは、図１５等で後述するように、ハイインピーダンス期間ＴＨＺが温度検出結果ＴＳに応じて調整されることで、期間ＴＯＮ’が変化してもよい。
【００５９】
これにより、１フレーム期間を複数サブフレームに分割して画素を駆動する駆動手法において、温度変化による階調特性の変化を抑制することが可能になる。すなわち、図３等で上述のように、温度変化によって印加電圧に対する液晶透過率の応答速度が変化した場合であっても、オンレベル設定期間（期間ＴＯＮ’、オン駆動期間ＴＯＮ）の長さを調整することで階調特性を一定にすることができる。
【００６０】
また、オンレベル設定期間の長さの調整により階調特性を一定にできるため、上述の特許文献１のようなサブフレーム期間の変更が不要となる。これにより、データ転送レートの変更などの複雑な制御を行うことなく、液晶応答速度の変化に対応できる。また、サブフレームパターンを変更することなく階調特性を一定にできるため、温度ステップ等に応じたサブフレームパターンを用意する必要がなくなり、記憶容量を削減できる。また、期間ＴＯＮ’やオン駆動期間ＴＯＮの長さの調整を電気光学装置内で実行できるため、外部のコントローラー等が温度に応じて処理を変更する必要がなくなり、外部のコントローラー等の処理を簡素化できる。
【００６１】
ここで、上記のオフ駆動信号レベル（オフ駆動電圧レベル）とは、図３のＢ５に示すように液晶透過率を低下させる電圧レベルである。すなわち、画素への印加電圧｜ＰＶ１−ＶＣＯＭ｜が液晶透過率を低下させる電圧レベルに設定された場合における駆動信号ＰＶ１の電圧レベルであり、例えば、対向電極駆動信号ＶＣＯＭと同じ電圧レベルに設定された駆動信号ＰＶ１の電圧レベルである。
【００６２】
また、オン駆動信号レベル（オン駆動電圧レベル）とは、図３のＢ６に示すように液晶透過率を上昇させる電圧レベルである。すなわち、画素への印加電圧｜ＰＶ１−ＶＣＯＭ｜が液晶透過率を上昇させる電圧レベルに設定された場合における駆動電圧ＰＶ１の電圧レベルであり、例えば、対向電極駆動信号ＶＣＯＭと異なる電圧レベルに設定された駆動電圧ＰＶ１の電圧レベルである。
【００６３】
また、本実施形態では、各画素回路は、各サブフレームのデータ信号ＳＤ（ＤＴ１〜ＤＴｋ）を受けて、データ信号ＤＴ１〜ＤＴｋに対応する駆動信号ＰＶ１〜ＰＶｋを各サブフレームにおいて出力する。そして、各画素回路は、図６のＥ９に示すように、データ信号ＤＴ１〜ＤＴｋがオン駆動状態を表すオン論理レベルであるサブフレームにおいて、Ｅ１０に示すように、温度検出結果ＴＳが表す温度が上昇するに従ってオンレベル設定期間（期間ＴＯＮ’）が減少する駆動信号ＰＶ１〜ＰＶｋを出力する。
【００６４】
具体的には、本実施形態では、Ｅ１０に示すように、温度検出結果ＴＳが表す温度が上昇するに従って期間の長さが長くなるオフ駆動期間ＴＯＦＦが設定されることで、温度検出結果ＴＳが表す温度が上昇するに従って期間ＴＯＮ’が減少する。
【００６５】
このようにすれば、図３のＢ９に示すように、オン駆動信号レベルにより透過率が上昇していく期間ＴＯＮ’が、温度が上昇するに従って減少する。これにより、Ｂ１０に示すように、温度が上昇するに従って透過率の応答速度が増すのに対して、透過率曲線の積分値の増加が抑制され、温度変化による階調の変化を抑制できる。
【００６６】
また、本実施形態では、少なくとも１つの温度センサーとして、複数の温度センサーを含んでもよい。そして、各画素回路は、その複数の温度センサーからの複数の温度検出結果に基づいて、オンレベル設定期間（期間ＴＯＮ’、オン駆動期間ＴＯＮ）が変化する駆動信号を出力してもよい。
【００６７】
例えば、本実施形態では、複数の温度検出結果の平均値や、複数の温度検出結果の加重平均値に基づいて上記期間が変化してもよく、複数の温度検出結果の中から選択された温度検出結果に基づいてオンレベル設定期間が変化してもよい。
【００６８】
このようにすれば、複数の温度センサーからの複数の温度検出結果を用いることで、温度に応じた階調調整の精度を向上し、画質を向上できる。すなわち、液晶層が存在する表示部の温度は、回路が発生する熱や照射光の熱により変化し、表示部内の位置に依って異なる温度となる場合がある。このような場合に、複数の温度センサーを設けることで複数箇所の温度を測定でき、温度測定の精度を向上できる。
【００６９】
また、本実施形態では、電気光学装置は、図１８等で後述するＬＣＯＳ（Liquid Crystal On Silicon）により構成されてもよい。そして、上記の複数の温度センサーは、そのＬＣＯＳの半導体基板上に形成された半導体回路により構成されてもよい。具体的には、その複数の温度センサーは、電気光学装置の表示エリアの周囲に配置される。
【００７０】
このようにすれば、電気光学装置がＬＣＯＳにより構成され、そのＬＣＯＳにおいて液晶層を含む画素が集積された表示エリアの周囲に複数の温度センサーが配置される。これにより、ＬＣＯＳの表示エリア周辺のシリコン基板に温度センサーを集積することが可能になり、温度センサーを別部品として設ける場合に比べて実装面積を削減できる。また、表示エリアに接近して温度センサーを設けることが可能になるため、高精度に温度を測定することができる。
【００７１】
また、本実施形態では、図６のＥ５に示すように、波形信号供給回路３０は、対向電極駆動信号ＶＣＯＭの信号レベル切り替えタイミング前にオフ駆動期間ＴＯＦＦが設定されたオン駆動用波形信号ＳＯＮを出力する。また、Ｅ８に示すように、対向電極駆動信号ＶＣＯＭの信号レベル切り替えタイミング後にオン駆動期間ＴＯＮが設定されたオフ駆動用波形信号ＳＯＦＦを出力する。
【００７２】
このようにすれば、対向電極駆動信号ＶＣＯＭの信号レベル切替タイミングの前後にオフ駆動期間ＴＯＦＦやオン駆動期間ＴＯＮを設定し、透過率の応答速度の変化による階調特性の変化を抑制できる。また、図６のＥ１やＥ６に示すように、ＶＣＯＭの信号レベル切替タイミングにおいてＶＣＯＭとＳＯＮ，ＳＯＦＦの電圧レベルが同じにできる。これにより、図７で後述するように、極性反転駆動による電圧パルスの発生を抑止できるため、画素電極を駆動するトランジスターの劣化を抑制できる。
【００７３】
４．トランジスターの劣化抑制
さて、極性反転駆動を行う場合には、画素回路のトランジスターに耐圧を超える電圧が印加される可能性がある。本実施形態では、階調特性を一定に保つだけでなく、この耐圧を超える電圧の発生を抑制することも可能である。
【００７４】
まず、図７を用いて、耐圧を超える電圧の発生について説明する。なお以下では、画素電極や対向電極を駆動する電圧が０Ｖ〜５Ｖである場合を例に説明する。図７のＧ１に示すように、対向電極の駆動電圧が０Ｖであり、画素電極の駆動電圧が５Ｖであるとする。このとき、Ｇ２に示すように、液晶容量（液晶層の寄生容量）には、５Ｖ分の電荷がチャージされている。
【００７５】
Ｇ３に示すように、極性反転の際に、対向電極の駆動電圧が５Ｖに変化し、それと同時に画素電極の駆動電圧が０Ｖに変化するとする。このとき、上述のように液晶容量には５Ｖ分の電荷がチャージされているため、Ｇ４に示すように、画素電極の電圧が１０Ｖ程度まで上昇する。この電圧パルスは、画素電極を駆動するインバーターを構成するトランジスターのドレインに印加される。そして、この電圧パルスの電荷は、インバーターのＮ型トランジスターがオンしていることから、そのＮ型トランジスターを介して電源に抜けていく。あるいは、ドレインの寄生ダイオードを介して電源に抜けていく。
【００７６】
この電圧パルスによる電流は、液晶容量の容量値は数ｆＦと小さいことから画素単体で見れば小さいが、パネル全面で同時に極性反転が生じるためラッチアップのトリガー電流となる可能性がある。また、画素回路のエリア削減のため、画素回路には通常の５Ｖ耐圧のトランジスターを用いることが望ましい。５Ｖ耐圧のトランジスターを用いた場合、上述の電圧パルスにより耐圧以上の電圧がトランジスターに印加され、トランジスターの劣化に影響する可能性がある。
【００７７】
このように、対向電極と画素電極の駆動電圧が同時に反転すると、画素回路のトランジスターに耐圧を超える電圧が印加されるという課題がある。
【００７８】
この点、本実施形態では、図６のＥ１に示すように、オン駆動用波形電圧ＳＯＮの電圧レベルの変化点が、対向電極駆動電圧ＶＣＯＭの電圧レベルの変化点よりも前に設定される。これにより、対向電極と画素電極が一旦同じ電圧となった後に、対向電極駆動電圧ＶＣＯＭの電圧レベルが変化するため、画素電極の電圧を５Ｖ以下に保つことができる。
【００７９】
また、本実施形態では、図６のＥ６に示すように、オフ駆動用波形電圧ＳＯＦＦの電圧レベルの変化点が、対向電極駆動電圧ＶＣＯＭの電圧レベルの変化点よりも後に設定される。これにより、対向電極と画素電極が同じ電圧の状態で、対向電極駆動電圧ＶＣＯＭの電圧レベルだけが変化するため、画素電極の電圧を５Ｖ以下に保つことができる。
【００８０】
５．第２の信号波形例
図８に、本実施形態の第２の信号波形例を示す。図８のＨ１に示すように、この信号波形例では、対向電極駆動電圧ＶＣＯＭの変化周期が１サブフレームで１周期となっている。
【００８１】
Ｈ２に示すように、オン駆動用波形電圧ＳＯＮは、ローレベルからハイレベルに変化し、対向電極駆動電圧ＶＣＯＭと同時にローレベルに変化し、再びハイレベルに変化する。そうすると、Ｈ３に示すように、電圧｜ＳＯＮ−ＶＣＯＭ｜には、対向電極駆動電圧ＶＣＯＭの立ち下がりエッジの前後にわたってオフ駆動期間ＴＯＦＦ１が生じる。
【００８２】
次に、Ｈ４に示すように、オン駆動用波形電圧ＳＯＮは、ハイレベルからローレベルに変化し、対向電極駆動電圧ＶＣＯＭと同時にハイレベルに変化し、再びローレベルに変化する。そうすると、Ｈ５に示すように、電圧｜ＳＯＮ−ＶＣＯＭ｜には、対向電極駆動電圧ＶＣＯＭの立ち上がりエッジの前後にわたってオフ駆動期間ＴＯＦＦ２が生じる。
【００８３】
Ｈ６に示すように、オフ駆動用波形電圧ＳＯＦＦは、対向電極駆動電圧ＶＣＯＭが立ち上がった後に立ち上がり、対向電極駆動電圧ＶＣＯＭが立ち下がった後に立ち下がる。そうすると、Ｈ７に示すように、電圧｜ＳＯＦＦ−ＶＣＯＭ｜には、対向電極駆動電圧ＶＣＯＭの立ち上がりエッジ後にオン駆動期間ＴＯＮ１が生じ、対向電極駆動電圧ＶＣＯＭの立ち下がりエッジの後にオン駆動期間ＴＯＮ２が生じる。
【００８４】
例えば、上記のオフ駆動期間ＴＯＦＦ１，ＴＯＦＦ２は、ともに温度検出結果によって調整される。あるいは、オフ駆動期間ＴＯＦＦ１，ＴＯＦＦ２の一方だけが温度検出結果によって調整されてもよい。この場合、他方のオフ駆動期間は、後述する階調調整用のオフ駆動期間として用いられてもよいし、固定された長さの期間であってもよい。オン駆動期間ＴＯＮ１，ＴＯＮ２も同様に、ともに温度検出結果によって調整されてもよく、一方だけが温度検出結果によって調整されてもよい。
【００８５】
６．階調調整用サブフレーム
上記の実施形態では、温度変化に応じて階調特性を一定にするための駆動手法について説明したが、本実施形態では、同一温度における階調特性そのものを調整するための階調調整用サブフレームが設けられてもよい。
【００８６】
図９（Ａ）〜図１０（Ｂ）を用いて、この階調調整用サブフレームについて説明する。図９（Ａ）に示すように、１フレームがサブフレームＳＦ１〜ＳＦ１６に分割されているとする。このサブフレームＳＦ１〜ＳＦ１６には、上述のように温度に応じて期間の長さが調整されるオフ駆動期間やオン駆動期間が設定される。
【００８７】
例えば、階調調整用サブフレームは、サブフレームＳＦ１〜ＳＦ１６のうちの一部のサブフレームＳＦ１３〜ＳＦ１６に設定される。このサブフレームＳＦ１３〜ＳＦ１６には、温度に応じて期間の長さが調整されるオフ駆動期間やオン駆動期間に加えて、階調調整用のオフ駆動期間やオン駆動期間が設けられる。この階調調整用のオフ駆動期間やオン駆動期間の長さは、例えば図示しない階調調整用レジスターの設定値（広義には、調整用信号）によって変更される。そして、期間の長さが変更されることで、温度に関係なく透過率の積分値が変更され、階調データに対する表示階調の階調特性が調整される。
【００８８】
図１０（Ａ）、図１０（Ｂ）に、階調調整用サブフレームが設定される場合の信号波形例として、第３の信号波形例を示す。
【００８９】
まず、図１０（Ａ）を用いて、階調調整用でない通常サブフレームＳＦ１〜ＳＦ１２について説明する。図１０（Ａ）のＪ１に示すように、ＳＦ１では、オン駆動用波形電圧ＳＯＮは、ハイレベルからローレベルに変化し、対向電極駆動電圧ＶＣＯＭと同時にハイレベルに変化し、再びローレベルに変化する。また、ＳＦ２では、オン駆動用波形電圧ＳＯＮは、ローレベルからハイレベルに変化し、対向電極駆動電圧ＶＣＯＭと同時にローレベルに変化し、再びハイレベルに変化する。そうすると、Ｊ３に示すように、電圧｜ＳＯＮ−ＶＣＯＭ｜には、温度により期間の長さが調整されるオフ駆動期間ＴＯＦＦ１が設定される。
【００９０】
一方、Ｊ４に示すように、電圧｜ＳＯＦＦ−ＶＣＯＭ｜には、温度により期間の長さが調整されるオン駆動期間ＴＯＮ１が設定される。このオン駆動期間ＴＯＮ１の設定手法は、図５で上述の手法と同様であるため、説明を省略する。
【００９１】
次に、図１０（Ｂ）を用いて、階調調整用サブフレームＳＦ１３〜ＳＦ１６について説明する。図１０（Ｂ）のＪ５に示すように、ＳＦ１３では、オン駆動用波形電圧ＳＯＮは、ローレベルから始まってハイレベルに変化する。また、Ｊ６に示すように、オン駆動用波形電圧ＳＯＮがローレベルからハイレベルに変化して、サブフレームが終了する。次に、Ｊ７に示すように、ＳＦ１４では、オン駆動用波形電圧ＳＯＮは、ハイレベルから始まってローレベルに変化する。また、Ｊ８に示すように、オン駆動用波形電圧ＳＯＮがハイレベルからローレベルに変化して、サブフレームが終了する。そうすると、Ｊ９に示すように、電圧｜ＳＯＮ−ＶＣＯＭ｜には、サブフレームの最初に階調調整用のオフ駆動期間ＴＯＦＦ２が設定され、Ｊ１０に示すように、サブフレームの最後に階調調整用のオフ駆動期間ＴＯＦＦ３が設定される。
【００９２】
一方、Ｊ１１に示すように、オフ駆動用波形電圧ＳＯＦＦには、ＳＦ１３の開始時にハイレベルの期間が設定される。また、Ｊ１２に示すように、オフ駆動用波形電圧ＳＯＦＦには、ＳＦ１４の開始時にローレベルの期間が設定される。これにより、Ｊ１３に示すように、電圧｜ＳＯＦＦ−ＶＣＯＭ｜には、サブフレームの最初に階調調整用のオン駆動期間ＴＯＮ２が設定される。
【００９３】
上記の実施形態によれば、波形信号供給回路３０は、１フレーム期間を分割した複数のフレームＳＦ１〜ＳＦ１６のうちの階調調整用サブフレームＳＦ１３〜ＳＦ１６において、複数のフレームＳＦ１〜ＳＦ１６のうちの他のサブフレームＳＦ１〜ＳＦ１２とは異なるオン駆動用波形信号ＳＯＮとオフ駆動用波形信号ＳＯＦＦを出力する。
【００９４】
このようにすれば、階調調整用サブフレームＳＦ１３〜ＳＦ１６と他のサブフレームＳＦ１〜ＳＦ１２で異なるオン駆動用波形信号ＳＯＮとオフ駆動用波形信号ＳＯＦＦを出力することで、階調調整用サブフレームＳＦ１３〜ＳＦ１６を温度変化に対応する用途とは異なる用途に利用可能になる。
【００９５】
具体的には、本実施形態では、各サブフレームにおいてデータ信号がオン論理レベルまたはオフ論理レベルに設定され、複数のサブフレームＳＦ１〜ＳＦ１６におけるオン論理レベルとオフ論理レベルの組み合わせにより階調が表される。この場合に、階調調整用サブフレームＳＦ１３〜ＳＦ１６は、その組み合わせに対応する階調を調整するためのサブフレームである。
【００９６】
このようにすれば、階調調整用のサブフレームを設けることで、温度変化への対応とは別途に階調特性を変更することができる。これにより、液晶パネルの種類や照射光源の特性に応じて適切な階調特性に調整することが可能になる。
【００９７】
なお、上記では、温度に応じて期間の長さが調整されるオフ駆動期間ＴＯＦＦ１やオン駆動期間ＴＯＮ１が全てのサブフレームＳＦ１〜ＳＦ１６に設定される場合について説明したが、本実施形態はこれに限定されない。
【００９８】
すなわち、図９の（Ｂ）に示すように、本実施形態では、１フレーム期間を分割した複数のサブフレームＳＦ１〜ＳＦ１６のうちの特定サブフレームＳＦ１〜ＳＦ４（温度用サブフレーム）において、温度検出結果に応じてオフ駆動期間ＴＯＦＦ１やオン駆動期間ＴＯＮ１（駆動信号がオン駆動信号レベルに設定される期間）が変化する駆動信号が出力されてもよい。
【００９９】
このようにすれば、特定サブフレームのみで温度に応じた調整が行われるため、全てのサブフレームで温度に応じた調整を行う場合よりも微小な階調調整を行うことが可能になる。例えば、温度変化による透過率の応答速度の変化が小さく、全てのサブフレームでオフ期間等の調整を行うと過度な階調調整となってしまう場合がある。この場合、特定サブフレームのみでオフ期間等の調整を行うことで、適切な階調調整を行うことができる。
【０１００】
７．波形信号供給回路
図１１に、上述の電圧ＶＣＯＭ，ＳＯＮ，ＳＯＦＦを出力する波形信号供給回路３０の詳細な構成例を示す。この波形信号供給回路３０は、ＳＦ設定レジスター１００、ＶＣＯＭ用設定レジスター１１０、ＴＯＦＦ用設定レジスター１２０、ＴＯＮ用設定レジスター１３０、ＶＣＯＭ波形生成部１４０、オフパルス生成部１５０、オンパルス生成部１６０、基本波形生成部１７０、ＳＦ制御部１８０、ＳＯＮ生成部１９０、ＳＯＦＦ生成部２００を含む（ＳＦ：サブフレーム、ＶＣＯＭ：対向電極駆動信号、ＴＯＦＦ：オフ駆動期間、ＴＯＮ：オン駆動期間、ＳＯＮ：オン駆動用波形信号、ＳＯＦＦ：オフ駆動用波形信号）。
【０１０１】
なお以下では、１フレームを分割した複数サブフレームにおいて、温度に応じて期間の長さが調整されるオフ駆動期間やオン駆動期間が設定されるサブフレームを、温度用サブフレームと呼ぶ。
【０１０２】
まず、対向電極駆動電圧ＶＣＯＭの出力について説明する。ＶＣＯＭ用設定レジスター１１０には、対向電極駆動電圧ＶＣＯＭの波形を設定するための情報が設定値ＶＭＲとして設定される。具体的には、ＶＣＯＭ用設定レジスター１１０は、対向電極駆動電圧ＶＣＯＭのハイレベルとローレベルを切り替えるタイミングの情報が設定される切替タイミングレジスター１１１を含む。
【０１０３】
ＶＣＯＭ波形生成部１４０は、設定値ＶＭＲと、ＨＳＹＮＣカウンター３００からのカウント値ＨＣに基づいて、対向電極駆動電圧ＶＣＯＭの波形を規定する波形信号ＳＶＭを出力する。なお、ＨＳＹＮＣカウンター３００は、水平同期信号ＨＳＹＮＣに基づいて水平走査ライン数をカウントし、サブフレーム同期信号ＳＦ＿ＳＹＮＣに基づいて１サブフレーム毎にカウント値ＨＣをリセットする。
【０１０４】
基本波形生成部１７０は、波形信号ＳＶＭに基づいて、対向電極駆動電圧ＶＣＯＭ、基本オン駆動用波形信号ＢＯＮ、基本オフ駆動用波形信号ＢＯＦを出力する。具体的には、基本波形生成部１７０は、波形信号ＳＶＭを電圧レベルに変換して対向電極駆動電圧ＶＣＯＭを出力する。また、基本波形生成部１７０は、波形信号ＳＶＭの論理レベルを反転した信号を基本オン駆動用波形信号ＢＯＮとして出力し、波形信号ＳＶＭの論理レベルと同じ論理レベルの信号を基本オフ駆動用波形信号ＢＯＦとして出力する。
【０１０５】
次に、オン駆動用波形電圧ＳＯＮの出力について説明する。ＳＦ設定レジスター１００には、温度用サブフレームの設定位置が設定値ＳＦＲとして設定される。具体的には、ＳＦ設定レジスター１００は、オン駆動用波形電圧ＳＯＮにおける温度用サブフレームの設定位置が設定されるＳＯＮ用ＳＦ設定レジスター１０１と、オフ駆動用波形電圧ＳＯＦＦにおける温度用サブフレームの設定位置が設定されるＳＯＦＦ用ＳＦ設定レジスター１０２を含む。
【０１０６】
ＳＦ制御部１８０は、設定値ＳＦＲと、ＳＦ＿ＳＹＮＣカウンター３２０からのカウント値ＳＦＣに基づいて、温度用サブフレームの設定位置を制御する制御信号ＳＦ＿ＯＮ，ＳＦ＿ＯＦを出力する。なお、ＳＦ＿ＳＹＮＣカウンター３２０は、サブフレーム同期信号ＳＦ＿ＳＹＮＣに基づいてサブフレーム数をカウントし、垂直同期信号ＶＳＹＮＣに基づいて１フレーム毎にカウント値ＳＦＣをリセットする。
【０１０７】
ＴＯＦＦ用設定レジスター１２０には、オン駆動用波形電圧ＳＯＮにおけるオフ駆動期間を設定する情報が設定値ＯＮＲとして設定される。この設定値ＯＮＲは、温度ステップ毎に設定される。具体的には、ＴＯＦＦ用設定レジスター１２０は、オフ駆動期間の開始タイミングの情報が設定されるＴＯＦＦ開始タイミングレジスター１２１と、オフ駆動期間の終了タイミングの情報が設定されるＴＯＦＦ終了タイミングレジスター１２２を含む。
【０１０８】
オフパルス生成部１５０は、設定値ＯＮＲと、カウント値ＨＣと、温度センサー３１０からの温度検出結果ＴＳに基づいて、オフ駆動期間においてアクティブになるオフパルス信号ＯＦＰを出力する。具体的には、オフパルス生成部１５０は、設定値ＯＮＲの中から温度検出結果ＴＳに対応する設定値を選択し、その設定値に基づくパルス幅のオフパルス信号ＯＦＰを出力する。
【０１０９】
ＳＯＮ生成部１９０は、基本オン駆動用波形信号ＢＯＮと、オフパルス信号ＯＦＰと、制御信号ＳＦ＿ＯＮに基づいて、オン駆動用波形電圧ＳＯＮを出力する。具体的には、ＳＯＮ生成部１９０は、排他的論理和回路１９１、セレクター１９２を含む。そして、排他的論理和回路１９１は、基本オン駆動用波形信号ＢＯＮとオフパルス信号ＯＦＰの排他的論理和を信号ＣＯＮとして出力する。セレクター１９２は、制御信号ＳＦ＿ＯＮに基づいて、温度用サブフレームにおいて信号ＣＯＮを選択し、他のサブフレームにおいて基本オン駆動用波形信号ＢＯＮを選択し、選択した信号を電圧レベルに変換してオン駆動用波形電圧ＳＯＮを出力する。
【０１１０】
次に、オフ駆動用波形信号ＳＯＦＦの出力について説明する。ＴＯＮ用設定レジスター１３０には、オフ駆動用波形電圧ＳＯＦＦにおけるオン駆動期間を設定する情報が設定値ＯＦＲとして設定される。この設定値ＯＦＲは、温度ステップ毎に設定される。具体的には、ＴＯＮ用設定レジスター１３０は、オン駆動期間の開始タイミングの情報が設定されるＴＯＮ開始タイミングレジスター１３１と、オン駆動期間の終了タイミングの情報が設定されるＴＯＮ終了タイミングレジスター１３２を含む。
【０１１１】
オンパルス生成部１６０は、設定値ＯＦＲと、カウント値ＨＣと、温度センサー３１０からの温度検出結果ＴＳに基づいて、オン駆動期間においてアクティブになるオンパルス信号ＯＮＰを出力する。具体的には、オンパルス生成部１６０は、設定値ＯＦＲの中から温度検出結果ＴＳに対応する設定値を選択し、その設定値に基づくパルス幅のオンパルス信号ＯＮＰを出力する。
【０１１２】
ＳＯＦＦ生成部２００は、基本オフ駆動用波形信号ＢＯＦと、オンパルス信号ＯＮＰと、制御信号ＳＦ＿ＯＦに基づいて、オフ駆動用波形電圧ＳＯＦＦを出力する。具体的には、ＳＯＦＦ生成部２００は、排他的論理和回路２０１、セレクター２０２を含む。そして、排他的論理和回路２０１は、基本オフ駆動用波形信号ＢＯＦとオンパルス信号ＯＮＰの排他的論理和を信号ＣＯＦとして出力する。セレクター２０２は、制御信号ＳＦ＿ＯＦに基づいて、温度用サブフレームにおいて信号ＣＯＦを選択し、他のサブフレームにおいて基本オフ駆動用波形信号ＢＯＦを選択し、選択した信号を電圧レベルに変換してオフ駆動用波形電圧ＳＯＦＦを出力する。
【０１１３】
なお、上記では、オフパルス生成部１５０やオンパルス生成部１６０が、温度検出結果ＴＳに基づいてオフ駆動期間やオン駆動期間を調整する場合について説明したが、本実施形態はこれに限定されない。例えば、本実施形態では、温度検出結果ＴＳに応じたレジスター設定値が、図示しないコントローラー等からＴＯＦＦ用設定レジスター１２０やＴＯＮ用設定レジスターに設定されることで、オフ駆動期間やオン駆動期間が調整されてもよい。
【０１１４】
８．波形信号供給回路の信号波形例
次に、図１２（Ａ）〜図１２（Ｃ）に、上記の波形信号供給回路３０の信号波形例を示す。
【０１１５】
まず、同期信号の信号波形について説明する。図１２（Ａ）に示すように、電気光学装置に対して画像データを転送するためのクロック信号ＤＣＫに基づいて、水平同期信号ＨＳＹＮＣ、サブフレーム同期信号ＳＦ＿ＳＹＮＣ、垂直同期信号ＶＳＹＮＣが生成される。Ｋ１に示すように、１サブフレームにおいて、電気光学装置の１画面分の水平走査ラインが走査される。Ｋ２に示すように、１垂直走査期間において、１フレーム分のサブフレーム駆動が行われる。
【０１１６】
次に、電圧ＶＣＯＭ，ＳＯＮ，ＳＯＦＦの信号波形について説明する。図１２（Ｂ）のＫ３に示すように、ＨＳＹＮＣカウンター３００のカウント値ＨＣと、切替タイミングレジスター１１１に設定されたカウント値が一致したときに、信号ＳＶＭの論理レベルが反転する。例えば、信号ＳＶＭの論理レベルがハイレベル（ローレベル）のときに、対向電極駆動電圧ＶＣＯＭの電圧レベルがハイレベル（ローレベル）になる。
【０１１７】
Ｋ４に示すように、カウント値ＨＣと、ＴＯＦＦ開始タイミングレジスター１２１に設定されたカウント値が一致したときに、オフパルスＯＦＰがアクティブになる。そして、カウント値ＨＣと、ＴＯＦＦ終了タイミングレジスター１２２に設定されたカウント値が一致したときに、オフパルスＯＦＰが非アクティブになる。Ｋ５に示すように、信号ＢＯＮとオフパルスＯＦＰの排他的論理和により信号ＣＯＮが生成される。例えば、信号ＣＯＮ（または信号ＢＯＮ）の論理レベルがハイレベル（ローレベル）のときに、オン駆動用波形電圧ＳＯＮの電圧レベルがハイレベル（ローレベル）になる。
【０１１８】
Ｋ６に示すように、カウント値ＨＣと、ＴＯＮ開始タイミングレジスター１３１に設定されたカウント値が一致したときに、オンパルス信号ＯＮＰがアクティブになる。そして、カウント値ＨＣと、ＴＯＮ終了タイミングレジスター１３２に設定されたカウント値が一致したときに、オンパルス信号ＯＮＰが非アクティブになる。Ｋ７に示すように、信号ＢＯＦとオンパルス信号ＯＮＰの排他的論理和により信号ＣＯＦが生成される。例えば、信号ＣＯＦ（または信号ＢＯＦ）の論理レベルがハイレベル（ローレベル）のときに、オフ駆動用波形電圧ＳＯＦＦの電圧レベルがハイレベル（ローレベル）になる。
【０１１９】
次に、制御信号ＳＦ＿ＯＮ，ＳＦ＿ＯＦの信号波形について説明する。図１２（Ｃ）のＫ８に示すように、ＳＦ＿ＳＹＮＣカウンター３２０からのカウント値ＳＦＣと、ＳＯＮ用ＳＦ設定レジスター１０１に設定されたカウント値範囲が一致している期間において、制御信号ＳＦ＿ＯＮがアクティブになる。Ｋ９に示すように、カウント値ＳＦＣと、ＳＯＦＦ用ＳＦ設定レジスター１０２に設定されたカウント値範囲が一致している期間において、制御信号ＳＦ＿ＯＦがアクティブになる。そして、制御信号ＳＦ＿ＯＮがアクティブ（非アクティブ）の場合には、信号ＣＯＮ（信号ＢＯＮ）に基づくオン駆動用波形電圧ＳＯＮを出力する。制御信号ＳＦ＿ＯＦがアクティブ（非アクティブ）の場合には、信号ＣＯＦ（信号ＢＯＦ）に基づくオフ駆動用波形電圧ＳＯＦＦを出力する。
【０１２０】
また、本実施形態では、オフ駆動期間用設定レジスター（ＴＯＦＦ用設定レジスター１２０）には、温度検出結果ＴＳに応じてオフ駆動期間ＴＯＮの長さを設定するための設定値が設定される。オン駆動期間用設定レジスター（ＴＯＮ用設定レジスター１３０）には、温度検出結果ＴＳに応じてオン駆動期間ＴＯＮの長さを設定するための設定値が設定される。
【０１２１】
そして、波形信号供給回路３０は、そのオフ駆動期間用設定レジスターの設定値に基づいて、対向電極駆動信号ＶＣＯＭの信号レベル切り替えタイミング前にオフ駆動期間ＴＯＦＦが設定されたオン駆動用波形信号ＳＯＮ（図１２（Ｂ）のＫ５に示す信号ＣＯＮに基づくＳＯＮ）を出力する。また、波形信号供給回路３０は、オン駆動期間用設定レジスターの設定値に基づいて、対向電極駆動信号ＶＣＯＭの信号レベル切り替えタイミング後にオン駆動期間ＴＯＮが設定されたオフ駆動用波形信号ＳＯＦＦ（図１２（Ｂ）のＫ７に示す信号ＣＯＦに基づくＳＯＦＦ）を出力する。
【０１２２】
このようにすれば、オフ駆動期間用設定レジスターの設定値に基づいて、温度検出結果ＴＳに応じたオフ駆動期間ＴＯＦＦがＶＣＯＭ信号レベルの切り替え前に設定されたオン駆動用波形信号ＳＯＮを出力できる。また、オン駆動期間用設定レジスターの設定値に基づいて、温度検出結果ＴＳに応じたオン駆動期間ＴＯＮがＶＣＯＭ信号レベルの切り替え後に設定されたオフ駆動用波形信号ＳＯＦＦを出力できる。
【０１２３】
９．画素回路
図１３に、上述の画素回路の詳細な構成例を示す。この画素回路は、第１のラッチ回路ＬＴ１、第２のラッチ回路ＬＴ２、セレクターＳＬ、出力回路ＱＣを含む。
【０１２４】
ラッチ回路ＬＴ１は、ゲート信号ＧＸ１に基づいてデータ信号ＳＤ１をラッチし、出力信号ＬＱ１を出力する。具体的には、ラッチ回路ＬＴ１は、トランスファーゲートＴＧ１、インバーターＩＮ１、クロックドインバーターＣＩ１を含む。クロックドインバーターＣＩ１は、出力信号ＬＱ１をインバーターＩＮ１の入力ノードに帰還し、ループを形成する。
【０１２５】
ラッチ回路ＬＴ２は、サブフレーム同期信号ＳＦ＿ＳＹＮＣに基づいて信号ＬＱ１をラッチし、出力信号ＬＱ２，ＬＱ２Ｎを出力する。具体的には、ラッチ回路ＬＴ２は、トランスファーゲートＴＧ２、インバーターＩＮ２、クロックドインバーターＣＩ２を含む。クロックドインバーターＣＩ２は、出力信号ＬＱ２をインバーターＩＮ２の入力ノードに帰還し、ループを形成する。
【０１２６】
セレクターＳＬは、信号ＬＱ２，ＬＱ２Ｎに基づいて、オン駆動用波形電圧ＳＯＮ及びオフ駆動用波形電圧ＳＯＦＦのいずれかを選択し、選択した電圧を出力電圧ＳＱとして出力する。具体的には、セレクターＳＬは、トランスファーゲートＴＧ３，ＴＧ４を含む。例えば、トランスファーゲートＴＧ３は、信号ＬＱ２がハイレベルのときオンし、トランスファーゲートＴＧ４は、信号ＬＱ２がローレベルのときオンする。
【０１２７】
出力回路ＱＣは、電圧ＳＱを、画素電極の駆動電圧ＰＶ１として出力する。具体的には、出力回路ＱＣは、トランスファーゲートＴＧ５，ＴＧ６、抵抗素子ＲＱ、ダイオードＤＩ１，ＤＩ２を含む。トランスファーゲートＴＧ５は、制御信号ＨＺによりオン・オフ制御される。制御信号ＨＺがアクティブの場合には、トランスファーゲートＴＧ５がオフされ、駆動電圧ＰＶ１がハイインピーダンス状態に設定される。トランスファーゲートＴＧ６は、テスト信号ＴＥＳＴを画素電極に印加するためのものである。抵抗素子ＲＱとダイオードＤＩ１、ＤＩ２は、画素電極からの電荷を電源ＶＤＤや電源ＶＳＳに逃がすためのものである。
【０１２８】
なお、図中に示す信号ＧＸ１Ｎ，ＳＦ＿ＳＹＮＣＮ，ＬＱ２Ｎ，ＨＺＮ，ＴＳＮは、それぞれ信号ＧＸ１，ＳＦ＿ＳＹＮＣ，ＬＱ２，ＨＺ，ＴＳの論理レベルを反転した信号である。これらの信号ＧＸ１，ＳＦ＿ＳＹＮＣ，ＨＺ，ＴＳ，ＧＸ１Ｎ，ＳＦ＿ＳＹＮＣＮ，ＨＺＮ，ＴＳＮは、例えば図１８等で後述する表示コントローラー４３０から入力される。
【０１２９】
ここで、上記の構成例は、図１８で後述するゲート信号ＧＸ１とデータ信号ＳＤ１を受けて動作する画素回路ＰＣ１１に対応するが、他の画素回路についても同様に実現できる。すなわち、ゲート信号ＧＸ２〜ＧＸｍを受ける画素回路は、そのゲート信号に基づいてラッチ動作を行い、データ信号ＳＤ２〜ＳＤｎを受ける画素回路は、そのデータ信号をラッチする動作を行う。
【０１３０】
図１４に、上記の画素回路の信号波形例を示す。図１４のＭ１に示すように、ゲート信号ＧＸ１がハイレベル（アクティブ）になると、トランスファーゲートＴＧ１がオンし、クロックドインバーターＣＩ１がハイインピーダンス出力状態となり、データ信号ＳＤ１がラッチ回路ＬＴ１に取り込まれる。次に、Ｍ２に示すように、ゲート信号ＧＸ１がローレベル（非アクティブ）になると、トランスファーゲートＴＧ１がオフし、クロックドインバーターＣＩ１が出力状態となり、取り込まれたデータがホールドされる。
【０１３１】
次に、Ｍ３に示すように、サブフレーム同期信号ＳＦ＿ＳＹＮＣがハイレベルになると、トランスファーゲートＴＧ２がオンし、クロックドインバーターＣＩ２がハイインピーダンス出力状態となり、信号ＬＱ１がラッチ回路ＬＴ２に取り込まれる。次に、Ｍ４に示すように、ＳＦ＿ＳＹＮＣがローレベルになると、トランスファーゲートＴＧ２がオフし、クロックドインバーターＣＩ２が出力状態となり、取り込まれたデータがホールドされる。
【０１３２】
ここで、上述の実施形態では、例えば図６のＥ１０に示すように、オン駆動信号レベル（期間ＴＯＮ’）とオフ駆動信号レベル（期間ＴＯＦＦ）により画素を駆動する場合について説明したが、本実施形態では、画素回路がハイインピーダンスを出力する期間があってもよい。
【０１３３】
具体的には、図１５のＬ１に示すように、データ信号ＤＴ１がオン駆動状態を表すオン論理レベルであるサブフレームＳＦ１において、Ｌ２に示すように、オンレベル設定期間（期間ＴＯＮ’）以外の期間が、ハイインピーダンス期間ＴＨＺに設定される。ハイインピーダンス期間ＴＨＺでは、画素回路がハイインピーダンス出力状態となり、駆動電圧がハイインピーダンス状態に設定される。
【０１３４】
このようにすれば、ハイインピーダンス期間ＴＨＺが設定されることで、オン駆動信号レベルに設定される期間ＴＯＮ’が減少する。これにより、オン駆動信号レベルにより透過率が上昇する期間が減少し、温度変化に依らず階調特性を一定にすることが可能になる。
【０１３５】
より具体的には、図１３に示すように、各画素回路は、ハイインピーダンス期間ＴＨＺにおいて駆動信号ＰＶ１をハイインピーダンス状態に設定するハイインピーダンス設定回路（トランスファーゲートＴＧ５）を有する。
【０１３６】
このようにすれば、ハイインピーダンス設定回路によりハイインピーダンス期間ＴＨＺにおいて駆動信号ＰＶ１をハイインピーダンス状態に設定できる。例えば、図１５のＬ３に示すように、トランスファーゲートＴＧ５のオン・オフ制御を行う制御信号ＨＺが、非アクティブに設定されることで、トランスファーゲートＴＧ５がオフされ、駆動信号ＰＶ１がハイインピーダンス状態に設定される。
【０１３７】
１０．温度センサー
図１６に、温度検出結果を出力する温度センサーの詳細な構成例を示す。この温度センサーは、演算増幅器ＯＰ、ＣＭＯＳトランジスターＴＲ１，ＴＲ２、抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４、バイポーラトランジスターＢＰ１，ＢＰ２を含む。
【０１３８】
この温度センサーは、ダイオード接合のバンドギャップ電圧の温度依存性を利用して温度をセンシングするセンサーである。具体的には、演算増幅器ＯＰとトランジスターＴＲ１により、ノードＮ１とＮ２の電圧が同じ電圧となるようフィードバック制御される。このとき、演算増幅器ＯＰの出力電圧ＶＲは、トランジスターＢＰ１，ＢＰ２によるバンドギャップ電圧の温度特性により、温度依存性を有する。そして、この演算増幅器ＯＰの出力電圧ＶＲがトランジスターＴＲ２と抵抗素子Ｒ４により増幅されて、温度依存性を有する出力電圧ＶＱが出力される。
【０１３９】
なお、本実施形態では、温度センサーがＡ／Ｄ変換器を含み、そのＡ／Ｄ変換器が出力電圧ＶＱをＡ／Ｄ変換してデジタルデータの温度検出結果ＴＳとして出力してもよい。
【０１４０】
図１７に、上記の出力電圧ＶＱの温度特性例を示す。図１７に示すように、温度センサーの出力電圧ＶＱは、温度が上昇するに従ってその電圧値が大きくなる特性を有する。より具体的には、出力電圧ＶＱは、バンドギャップの温度特性により温度（絶対温度）に比例する温度特性を有する。
【０１４１】
１１．電気光学装置
図１８に、上述の回路装置が適用された電気光学装置の構成例を示す。この電気光学装置は、電気光学パネル４００（狭義には、液晶表示パネル）、ゲート信号出力回路４１０、データ信号出力回路４２０、表示コントローラー４３０、波形信号供給回路４４０、温度センサー４５０を含む。
【０１４２】
電気光学パネル４００は、表示画像を表示するための複数の画素と、その複数の画素を駆動する複数の画素回路を含む。この画素回路には、ゲート信号、データ信号、駆動用波形電圧ＳＯＮ，ＳＯＦＦ、対向電極駆動電圧ＶＣＯＭ、サブフレーム同期信号ＳＦ＿ＳＹＮＣが入力される。１つの画素には１つの画素回路が対応し、その画素と画素回路が、ゲートラインとデータラインに沿ってマトリックス状に配置される。例えば、ゲート信号ＧＸ１のラインとデータ信号ＳＤ１のラインの交点には、画素ＰＸ１１と画素回路ＰＣ１１が配置される。
【０１４３】
表示コントローラー４３０は、外部のホストコントローラー等からのデータ転送用クロック信号ＤＣＫ、データ信号ＤＡＴＡ、その他の制御信号を受けて、電気光学装置の各構成要素を制御し、電気光学装置の表示制御を行う。また、表示コントローラー４３０は、データ信号ＤＡＴＡに基づいて等間隔サブフレーム駆動用のデータ信号を生成する。すなわち、データ信号ＤＡＴＡの階調データを、オン論理レベルとオフ論理レベルの組み合わせであるサブフレームパターンに変換する。
【０１４４】
ゲート信号出力回路４１０は、電気光学パネル４００に対してゲート信号ＧＸ１〜ＧＸｍ（ｍは自然数）を供給する。ゲート信号ＧＸ１〜ＧＸｍは、画素回路によりデータ信号ＳＤ１〜ＳＤｎが取り込まれるゲートラインを指示する信号である。ゲート信号出力回路４１０には、表示コントローラー４３０からの水平同期信号ＨＳＹＮＣやサブフレーム同期信号ＳＦ＿ＳＹＮＣ等が入力される。
【０１４５】
データ信号出力回路４２０は、電気光学パネル４００に対してデータ信号ＳＤ１〜ＳＤｎを供給する。データ信号ＳＤ１〜ＳＤｎは、各データライン上の画素に対応する等間隔サブフレーム駆動用のデータ信号である。データ信号出力回路４２０には、表示コントローラー４３０からの水平同期信号ＨＳＹＮＣやサブフレーム同期信号ＳＦ＿ＳＹＮＣ、サブフレームパターンに変換されたデータ信号等が入力される。
【０１４６】
波形信号供給回路４４０は、電気光学パネル４００に対して、オン駆動用波形電圧ＳＯＮ、オフ駆動用波形電圧ＳＯＦＦ、対向電極駆動電圧ＶＣＯＭを供給する。波形信号供給回路３０には、温度センサー４５０からの温度検出結果ＴＳや、表示コントローラー４３０からの水平同期信号カウント値ＨＣ、サブフレーム同期信号カウント値ＳＦＣ、サブフレーム同期信号ＳＦ＿ＳＹＮＣが入力される。
【０１４７】
上記の電気光学装置は、例えばＬＣＯＳ（広義には、液晶表示装置）により構成される。ＬＣＯＳとは、シリコン基板（広義には、半導体基板）に画素回路や、配線層、反射電極（画素電極）、液晶層、対向電極が積層されて形成された液晶表示装置である。シリコン基板には、波形信号供給回路４４０等の周辺回路も集積される。ＬＣＯＳは、反射型の液晶表示装置であり、透明な対向電極側から入射された光が液晶層を通過して反射電極により反射され、その反射光が再び液晶層を通過して出射される。表示画像は、その出射光がスクリーン等に投影されることで得られる。
【０１４８】
１２．電子機器
図１９に、上記の電気光学装置が適用される電子機器の構成例を示す。この電子機器は、電気光学装置５００、コントローラー５１０（ホストコントローラー）、処理部５２０、記憶部５３０、外部インターフェース部５４０（Ｉ／Ｆ部）を含む。なお、本実施形態の電子機器は図１９の構成に限定されず、その構成要素の一部を省略したり、他の構成要素を追加するなどの種々の変形実施が可能である。
【０１４９】
この電子機器では、外部インターフェース部５４０を介して画像データや動画データが入力される。入力された画像データや動画データは記憶部５３０に記憶される。処理部５２０は、記憶部５３０からの画像データや動画データの処理を行う。例えば、処理部５２０は、階調補正処理や、画質を改善するための処理、データ形式を変換する処理等を行う。処理部５２０は、処理後のデータを電気光学装置５００に出力し、電気光学装置５００は、そのデータに基づいて上述の等間隔サブフレーム駆動により画像表示を行う。コントローラー５１０は、例えばＭＰＵにより構成され、上記の処理の制御を行う。
【０１５０】
上記の構成例によれば、液晶プロジェクター、プロジェクション方式のテレビジョン装置、３Ｄプロジェクター等の種々の電子機器を実現できる。
【０１５１】
なお、上記のように本実施形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは当業者には容易に理解できるであろう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。例えば、明細書又は図面において、少なくとも一度、より広義又は同義な異なる用語（オン駆動用波形信号、オフ駆動用波形信号、対向電極駆動信号、調整用信号、電気光学装置等）と共に記載された用語（オン駆動用波形電圧、オフ駆動用波形電圧、対向電極駆動電圧、温度検出結果、液晶表示装置等）は、明細書又は図面のいかなる箇所においても、その異なる用語に置き換えることができる。また画素回路、波形信号供給回路、回路装置、電気光学装置、電子機器等の構成、動作も本実施形態で説明したものに限定に限定されず、種々の変形実施が可能である。
【符号の説明】
【０１５２】
１０−１〜１０−ｋ  第１〜第ｋの画素、
２０−１〜２０−ｋ  第１〜第ｋの画素回路、
２１−１〜２１−ｋ  第１〜第ｋの選択回路、
２２−１〜２２−ｋ  第１〜第ｋのラッチ回路、
３０  波形信号供給回路、１００  ＳＦ設定レジスター、
１０１  ＳＯＮ用ＳＦ設定レジスター、１０２  ＳＯＦＦ用ＳＦ設定レジスター、
１１０  ＶＣＯＭ用設定レジスター、１１１  切替タイミングレジスター、
１２０  ＴＯＦＦ用設定レジスター、１２１  ＴＯＦＦ開始タイミングレジスター、
１２２  ＴＯＦＦ終了タイミングレジスター、１３０  ＴＯＮ用設定レジスター、
１３１  ＴＯＮ開始タイミングレジスター、
１３２  ＴＯＮ終了タイミングレジスター、１４０  ＶＣＯＭ波形生成部、
１５０  オフパルス生成部、１６０  オンパルス生成部、１７０  基本波形生成部、
１８０  ＳＦ制御部、１９０  ＳＯＮ生成部、１９１  排他的論理和回路、
１９２  セレクター、２００  ＳＯＦＦ生成部、２０１  排他的論理和回路、
２０２  セレクター、３００  ＨＳＹＮＣカウンター、３１０  温度センサー、
３２０  ＳＦ＿ＳＹＮＣカウンター、４００  電気光学パネル、
４１０  ゲート信号出力回路、４２０  データ信号出力回路、
４３０  表示コントローラー、４４０  波形信号供給回路、４５０  温度センサー、
５００  電気光学装置、５１０  コントローラー、５２０  処理部、
５３０  記憶部、５４０  外部インターフェース部、
ＤＡＴＡ  データ信号、ＤＣＫ  データ転送用クロック信号、
ＤＴ１〜ＤＴｋ  データ信号、ＧＸ  ゲート信号、
ＧＸ１〜ＧＸｍ  第１〜第ｍのゲート信号、ＨＣ  水平同期信号カウント値、
ＨＳＹＮＣ  水平同期信号、ＰＣ１１  画素回路、
ＰＶ１-ＰＶｋ  第１〜第ｋの駆動電圧、ＰＸ１１  画素、ＳＤ  データ信号、
ＳＤ１〜ＳＤｎ  第１〜第ｎのデータ信号、ＳＦ＿ＳＹＮＣ  サブフレーム同期信号、
ＳＦ１-ＳＦ１６  サブフレーム、ＳＦ１３-ＳＦ１６  階調調整用サブフレーム、
ＳＦＣ  サブフレーム同期信号カウント値、ＳＯＦＦ  オフ駆動用波形電圧、
ＳＯＮ  オン駆動用波形電圧、ＴＯＦＦ  オフ駆動期間、ＴＯＮ  オン駆動期間、
ＴＳ  温度検出結果、ＶＣＯＭ  対向電極駆動電圧、ＶＳＹＮＣ  垂直同期信号
【図１】
2012058537.tif 000003
【図２】
2012058537.tif 000004
【図３】
2012058537.tif 000005
【図４】
2012058537.tif 000006
【図５】
2012058537.tif 000007
【図６】
2012058537.tif 000008
【図７】
2012058537.tif 000009
【図８】
2012058537.tif 000010
【図９】
2012058537.tif 000011
【図１０】
2012058537.tif 000012
【図１１】
2012058537.tif 000013
【図１２】
2012058537.tif 000014
【図１３】
2012058537.tif 000015
【図１４】
2012058537.tif 000016
【図１５】
2012058537.tif 000017
【図１６】
2012058537.tif 000018
【図１７】
2012058537.tif 000019
【図１８】
2012058537.tif 000020
【図１９】
2012058537.tif 000021