(57)【要約】【課題】オペレータの負担を軽減する。【解決手段】可動ステージ１０ａ２ａ上に載置された上面にレジストが塗布された試料Ｍに対し、主偏向器１０ａ１ｅおよび副偏向器１０ａ１ｆによって偏向された荷電粒子銃１０ａ１ａからの荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを照射することにより、複数のパターンを試料Ｍの描画領域ＤＡに描画する荷電粒子ビーム描画装置１０において、スループット重視が選択された場合に、描画パラメータ準備部１０ｂ１ｂによって１通りのストライプ多重描画の多重回数Ｎおよびサブフィールド多重描画の多重回数ｎの組み合わせを決定し、描画精度重視が選択された場合に、描画パラメータ準備部１０ｂ１ｂによって１通りのストライプ多重描画の多重回数Ｎおよびサブフィールド多重描画の多重回数ｎの組み合わせを決定する。【選択図】図１
2012004413.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子ビームを照射する荷電粒子銃と、
レジストが上面に塗布された試料を載置する可動ステージと、
荷電粒子銃からの荷電粒子ビームを偏向する主偏向器と、
主偏向器によって偏向された荷電粒子ビームを更に偏向する副偏向器と、
副偏向器によって偏向された荷電粒子ビームを試料に照射することによって複数のパターンを試料の描画領域に描画する描画部と、
スループット重視が選択された場合に１通りのストライプ多重描画の多重回数およびサブフィールド多重描画の多重回数の組み合わせを決定すると共に、描画精度重視が選択された場合に１通りのストライプ多重描画の多重回数およびサブフィールド多重描画の多重回数の組み合わせを決定する描画パラメータ準備部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項２】
前記描画パラメータ準備部が、スループット重視であるか、あるいは、描画精度重視であるかの選択条件と、総多重度と、ストライプ多重描画の多重回数と、サブフィールド多重描画の多重回数との関係を示す多重描画条件対応表を具備することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項３】
前記描画パラメータ準備部が、総多重度から考え得る複数通りのストライプ多重描画の多重回数およびサブフィールド多重描画の多重回数の組み合わせのそれぞれについて、描画データ、ストライプのサイズおよびサブフィールドのサイズに基づいて描画時間および描画精度を予測するシミュレータを具備することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子ビーム描画装置。
【請求項４】
可動ステージ上に載置された上面にレジストが塗布された試料に対し、主偏向器および副偏向器によって偏向された荷電粒子銃からの荷電粒子ビームを照射することにより、複数のパターンを試料の描画領域に描画する荷電粒子ビーム描画方法において、
スループット重視が選択された場合に、描画パラメータ準備部によって１通りのストライプ多重描画の多重回数およびサブフィールド多重描画の多重回数の組み合わせを決定し、
描画精度重視が選択された場合に、描画パラメータ準備部によって１通りのストライプ多重描画の多重回数およびサブフィールド多重描画の多重回数の組み合わせを決定することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法。
【請求項５】
描画精度重視が選択された場合に、ストライプ多重描画の多重回数とサブフィールド多重描画の多重回数との積が、パターンを描画するために必要な荷電粒子ビームのドーズ値と、１回のショットにおける荷電粒子ビームのドーズ値の上限値である最大ドーズ閾値とから得られる総多重度よりも大きくなることを許容することを特徴とする請求項４に記載の荷電粒子ビーム描画方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は可動ステージ上に載置された上面にレジストが塗布された試料に対し、主偏向器および副偏向器によって偏向された荷電粒子銃からの荷電粒子ビームを照射することにより、複数のパターンを試料の描画領域に描画する荷電粒子ビーム描画装置および方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、可動ステージ上に載置された上面にレジストが塗布された試料（基板）に対し、主偏向器および副偏向器によって偏向された荷電粒子銃からの荷電粒子ビーム（電子ビーム）を照射することにより、複数のパターンを試料の描画領域に描画する荷電粒子ビーム描画装置（電子線描画装置）が知られている。この種の荷電粒子ビーム描画装置の例としては、例えば特許文献１（特開２００８−１７７６０４号公報）の段落〔００６２〕、段落〔００６３〕、段落〔００６６〕、段落〔００６７〕、段落〔００８３〕、段落〔０１１２〕などに記載されたものがある。
【０００３】
また、従来から、ストライプ多重描画を実行可能であると共に、サブフィールド多重描画を実行可能に構成された荷電粒子ビーム描画装置が知られている。この種の荷電粒子ビーム描画装置の例としては、例えば特許文献２（特開平１０−３２１８８号公報）の図２、図３、段落〔００２８〕などに記載されたものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１７７６０４号公報
【特許文献２】特開平１０−３２１８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１，２に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の一般的な荷電粒子ビーム描画装置では、例えば、多重描画の多重回数（多重度）を多くし、１回のショットにおける荷電粒子ビームの照射時間（ドーズ値）を小さく設定することによって、レジストヒーティングの影響を低減させることなどが図られている。多重描画の多重回数（多重度）（Ｎ×ｎ）が大きい値に設定される場合には、ストライプ多重描画の多重回数Ｎおよびサブフィールド多重描画の多重回数ｎの組み合わせの数が多くなる。
【０００６】
ところで、特許文献１，２に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の一般的な荷電粒子ビーム描画装置では、ストライプ多重描画の多重回数Ｎおよびサブフィールド多重描画の多重回数ｎの組み合わせの決定がオペレータの判断によって行われていた。そのため、特許文献１，２に記載された荷電粒子ビーム描画装置のような従来の一般的な荷電粒子ビーム描画装置では、多重描画の多重回数（多重度）（Ｎ×ｎ）が大きい値に設定される場合に、ストライプ多重描画の多重回数Ｎおよびサブフィールド多重描画の多重回数ｎの最適な組み合わせを決定する作業がオペレータの負担になっていた。
【０００７】
上述した問題点に鑑み、本発明は、オペレータの負担を軽減することができる荷電粒子ビーム描画装置および方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様によれば、荷電粒子ビームを照射する荷電粒子銃と、
レジストが上面に塗布された試料を載置する可動ステージと、
荷電粒子銃からの荷電粒子ビームを偏向する主偏向器と、
主偏向器によって偏向された荷電粒子ビームを更に偏向する副偏向器と、
副偏向器によって偏向された荷電粒子ビームを試料に照射することによって複数のパターンを試料の描画領域に描画する描画部と、
スループット重視が選択された場合に１通りのストライプ多重描画の多重回数およびサブフィールド多重描画の多重回数の組み合わせを決定すると共に、描画精度重視が選択された場合に１通りのストライプ多重描画の多重回数およびサブフィールド多重描画の多重回数の組み合わせを決定する描画パラメータ準備部とを具備することを特徴とする荷電粒子ビーム描画装置が提供される。
【０００９】
本発明の別の一態様によれば、可動ステージ上に載置された上面にレジストが塗布された試料に対し、主偏向器および副偏向器によって偏向された荷電粒子銃からの荷電粒子ビームを照射することにより、複数のパターンを試料の描画領域に描画する荷電粒子ビーム描画方法において、
スループット重視が選択された場合に、描画パラメータ準備部によって１通りのストライプ多重描画の多重回数およびサブフィールド多重描画の多重回数の組み合わせを決定し、
描画精度重視が選択された場合に、描画パラメータ準備部によって１通りのストライプ多重描画の多重回数およびサブフィールド多重描画の多重回数の組み合わせを決定することを特徴とする荷電粒子ビーム描画方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、オペレータの負担を軽減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の概略的な構成図である。
【図２】図１に示す制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１の詳細図である。
【図３】第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０において荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍのレジストに描画することができるパターンＰＡの一例を説明するための図である。
【図４】図１および図２に示す描画データＤの一部の一例を概略的に示した図である。
【図５】描画データＤに含まれている図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…に対応するパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序を説明するための図である。
【図６】描画データＤに含まれている図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…に対応するパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序の一例を詳細に説明するための図である。
【図７】２回多重のストライプ多重描画が実行される一例を示した図である。
【図８】２回多重のストライプ多重描画が実行される一例を示した図である。
【図９】２回多重のサブフィールド多重描画が実行される一例を示した図である。
【図１０】図２に示す描画パラメータ準備部１０ｂ１ｂの詳細図である。
【図１１】描画パラメータ準備部１０ｂ１ｂのバッファメモリ１０ｂ１ｂ１に格納されている多重描画条件対応表１０ｂ１ｂ１ａを示した図である。
【図１２】第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の描画パラメータ準備部１０ｂ１ｂの詳細図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の荷電粒子ビーム描画装置の第１の実施形態について説明する。図１は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の概略的な構成図である。図２は図１に示す制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１の詳細図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、レジストが上面に塗布された例えばマスク基板（レチクル）、ウエハなどのような試料Ｍに荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを照射することによって試料Ｍの描画領域ＤＡ（図５参照）に目的のパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）を描画するための描画部１０ａが設けられている。
【００１３】
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂとして例えば電子ビームが用いられるが、第２の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂとして例えばイオンビーム等の電子ビーム以外の荷電粒子ビームを用いることも可能である。
【００１４】
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、荷電粒子銃１０ａ１ａと、荷電粒子銃１０ａ１ａから照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを偏向する偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆと、偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによる描画が行われる試料Ｍを載置する可動ステージ１０ａ２ａとが、描画部１０ａに設けられている。詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、例えば、描画部１０ａの一部を構成する描画室１０ａ２に、試料Ｍが載置された可動ステージ１０ａ２ａが配置されている。この可動ステージ１０ａ２ａは、例えば、Ｘ方向（図１および図５の左右方向）およびＹ方向（図５の上下方向）に移動可能に構成されている。更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１に示すように、描画部１０ａの一部を構成する光学鏡筒１０ａ１に、荷電粒子銃１０ａ１ａと、偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆと、レンズ１０ａ１ｇ，１０ａ１ｈ，１０ａ１ｉ，１０ａ１ｊ，１０ａ１ｋと、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌと、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍとが配置されている。
【００１５】
具体的には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、試料Ｍの描画領域ＤＡ（図５参照）に対応する描画データＤが、制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１に入力されると、描画パラメータ準備部１０ｂ１ｂを介してショットデータ生成部１０ｂ１ｇに転送される。次いで、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇに転送された描画データＤが、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇにおいてデータ処理され、試料Ｍの描画領域ＤＡ（図５参照）のレジストにパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）を描画する荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを照射するためのショットデータが生成される。
【００１６】
次いで、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇによって生成されたショットデータが、偏向制御部１０ｂ１ｈに送られる。次いで、ショットデータに基づいて偏向制御部１０ｂ１ｈによって偏向器１０ａ１ｃ，１０ａ１ｄ，１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆが制御され、その結果、荷電粒子銃１０ａ１ａからの荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが試料Ｍの描画領域ＤＡ（図５参照）内の所望の位置に照射される。
【００１７】
詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈによってブランキング回路１０ｂ２を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃを制御することにより、荷電粒子銃１０ａ１ａから照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、例えば第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図３参照）を透過せしめられて試料Ｍに照射されるか、あるいは、例えば第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’以外の部分によって遮られて試料Ｍに照射されないかが、切り換えられる。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ブランキング偏向器１０ａ１ｃを制御することにより、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射時間を制御することができる。
【００１８】
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈによってビーム成形制御回路１０ｂ３を介してビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄを制御することにより、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’（図３参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって偏向される。次いで、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３参照）を透過せしめられる。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄによって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Ｍに照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの大きさ、形状などを調整することができる。
【００１９】
図３は第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０において荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの１回のショットで試料Ｍのレジストに描画することができるパターンＰＡの一例を説明するための図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図３に示すように、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのレジストにパターンＰＡ（図３参照）が描画される時に、荷電粒子銃１０ａ１ａ（図１参照）から照射された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの例えば正方形の開口１０ａ１ｌ’（図３参照）を透過せしめられる。その結果、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状が、例えば概略正方形になる。次いで、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの一部が、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３参照）を透過せしめられる。詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、第１成形アパーチャ１０ａ１ｌの開口１０ａ１ｌ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂをビーム寸法可変偏向器１０ａ１ｄ（図１参照）によって偏向することにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’を透過せしめられる荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状を、例えば矩形（正方形または長方形）にしたり、例えば三角形にしたりすることができる。次いで、例えば、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂを、試料Ｍのレジストの所定の位置に所定の照射時間だけ照射し続けることにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの水平断面形状と概略同一形状のパターンＰＡを試料Ｍのレジストに描画することができる。
【００２０】
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈによって主偏向制御回路１０ｂ４を介して主偏向器１０ａ１ｅを制御することにより、第２成形アパーチャ１０ａ１ｍの開口１０ａ１ｍ’（図３参照）を透過せしめられた荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、主偏向器１０ａ１ｅによって偏向される。また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、偏向制御部１０ｂ１ｈによって副偏向制御回路１０ｂ５を介して副偏向器１０ａ１ｆを制御することにより、主偏向器１０ａ１ｅによって偏向された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、副偏向器１０ａ１ｆによって更に偏向される。つまり、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、主偏向器１０ａ１ｅおよび副偏向器１０ａ１ｆによって荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが偏向される量、向きなどを調整することにより、試料Ｍの描画領域ＤＡ（図５参照）に照射される荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射位置を調整することができる。
【００２１】
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１および図２に示すように、例えば、ショットデータ生成部１０ｂ１ｇにより生成されたショットデータに基づき、ステージ制御部１０ｂ１ｉによってステージ制御回路１０ｂ６を介して可動ステージ１０ａ２ａの移動が制御される。
【００２２】
図１および図２に示す例では、例えば、半導体集積回路の設計者などによって作成されたＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）を荷電粒子ビーム描画装置１０用のフォーマットに変換することにより得られた描画データＤが、荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１に入力される。一般的に、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）には、多数の微小なパターンが含まれており、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）のデータ量はかなりの大容量になっている。更に、一般的に、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）等を他のフォーマットに変換すると、変換後のデータのデータ量は更に増大してしまう。この点に鑑み、ＣＡＤデータ（レイアウトデータ、設計データ）、および、荷電粒子ビーム描画装置１０の制御部１０ｂの制御計算機１０ｂ１に入力される描画データＤでは、データの階層化が採用され、データ量の圧縮化が図られている。
【００２３】
図４は図１および図２に示す描画データＤの一部の一例を概略的に示した図である。図４に示す例では、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０に適用される描画データＤが、例えば、チップ階層ＣＰ、チップ階層ＣＰよりも下位のフレーム階層ＦＲ、フレーム階層ＦＲよりも下位のブロック階層ＢＬ、ブロック階層ＢＬよりも下位のセル階層ＣＬ、および、セル階層ＣＬよりも下位の図形階層ＦＧに階層化されている。詳細には、例えば、チップ階層ＣＰの要素の一部であるチップＣＰ１が、フレーム階層ＦＲの要素の一部である３個のフレームＦＲ１，ＦＲ２，ＦＲ３に対応している。また、例えば、フレーム階層ＦＲの要素の一部であるフレームＦＲ１が、ブロック階層ＢＬの要素の一部である１８個のブロックＢＬ００，…，ＢＬ５２に対応している。更に、例えば、ブロック階層ＢＬの要素の一部であるブロックＢＬ００が、セル階層ＣＬの要素の一部である複数のセルＣＬＡ，ＣＬＢ，ＣＬＣ，ＣＬＤ，…に対応している。また、例えば、セル階層ＣＬの要素の一部であるセルＣＬＡが、図形階層ＦＧの要素の一部である多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…に対応している。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１、図２および図４に示すように、描画データＤに含まれている図形階層ＦＧ（図４参照）の多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…（図４参照）に対応するパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）が、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）によって試料Ｍ（図１および図５参照）の描画領域ＤＡ（図５参照）に描画される。
【００２４】
図５は描画データＤに含まれている図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…に対応するパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序を説明するための図である。図５に示す例では、例えば、試料Ｍの描画領域ＤＡが例えば６個の短冊状のストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，ＳＴＲ５，ＳＴＲ６に仮想分割されている。また、図５に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ストライプＳＴＲ１内を図５の左側から図５の右側に向かって走査され、描画データＤ（図１および図２参照）に含まれている多数の図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…（図４参照）に対応するパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ１内に描画される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂが、ストライプＳＴＲ２内を図５の右側から図５の左側に向かって走査され、描画データＤ（図１および図２参照）に含まれている多数の図形に対応するパターン（図示せず）が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ２内に描画される。次いで、同様に、描画データＤ（図１および図２参照）に含まれている多数の図形に対応するパターン（図示せず）が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって試料ＭのストライプＳＴＲ３，ＳＴＲ４，ＳＴＲ５，ＳＴＲ６内に描画される。
【００２５】
詳細には、図５に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってストライプＳＴＲ１内にパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…が描画される時、可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）が図５の右側から図５の左側に移動するように、ステージ制御部１０ｂ１ｉ（図２参照）によってステージ制御回路１０ｂ６（図１参照）を介して可動ステージ１０ａ２ａが制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってストライプＳＴＲ２内にパターン（図示せず）が描画される前に、可動ステージ１０ａ２ａが図５の上側から図５の下側に移動するように可動ステージ１０ａ２ａが制御される。次いで、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによってストライプＳＴＲ２内にパターン（図示せず）が描画される時、可動ステージ１０ａ２ａが図５の左側から図５の右側に移動するように可動ステージ１０ａ２ａが制御される。
【００２６】
図６は描画データＤに含まれている図形ＦＧ１，ＦＧ２，ＦＧ３，…に対応するパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂによって描画される描画順序の一例を詳細に説明するための図である。
【００２７】
図６に示す例では、例えば、ストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，ＳＴＲ５，ＳＴＲ６（図５および図６（Ａ）参照）内の領域が、サブフィールドＳＦ００，ＳＦ０１，ＳＦ０２，ＳＦ１０，ＳＦ１１，ＳＦ１２，ＳＦ２０，ＳＦ２１，ＳＦ２２，ＳＦ３０，ＳＦ３１，ＳＦ３２，…（図６（Ａ）参照）と呼ばれる複数の矩形の仮想領域によって更に分割されている。詳細には、図６に示す例では、例えば、描画データＤ（図１および図２参照）に含まれている図形ＦＧ１（図４参照）に対応するパターンＰＡ１（図６（Ｂ）参照）が荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）によって描画される場合、まず最初に、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）がサブフィールドＳＦ００（図６（Ａ）参照）内に照射されるように、偏向制御部１０ｂ１ｈ（図２参照）によって主偏向制御回路１０ｂ４（図１参照）を介して主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）が制御される。次いで、主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）の制御が完了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）によってパターンＰＡ１（図６（Ｂ）参照）が描画されるように、偏向制御部１０ｂ１ｈ（図２参照）によって副偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御される。次いで、副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）の制御が完了した時にパターンＰＡ１（図６（Ｂ）参照）を描画するための荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の照射が開始されるように、偏向制御部１０ｂ１ｈ（図２参照）によってブランキング回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。次いで、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）によるパターンＰＡ１（図６（Ｂ）参照）の描画が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の照射が停止されるように、偏向制御部１０ｂ１ｈ（図２参照）によってブランキング回路１０ｂ２（図１参照）を介してブランキング偏向器１０ａ１ｃ（図１参照）が制御される。
【００２８】
次いで、図６に示す例では、例えば、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）によってパターンＰＡ２（図６（Ｂ）参照）が描画されるように、偏向制御部１０ｂ１ｈ（図２参照）によって副偏向制御回路１０ｂ５（図１参照）を介して副偏向器１０ａ１ｆ（図１参照）が制御され、パターンＰＡ１（図６（Ｂ）参照）の描画と同様にパターンＰＡ２（図６（Ｂ）参照）の描画が実行される。
【００２９】
次いで、図６に示す例では、例えば、サブフィールドＳＦ００（図６（Ａ）参照）内のすべてのパターンＰＡ１，ＰＡ２，…（図６（Ｂ）参照）の描画が終了すると、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）がサブフィールドＳＦ０１（図６（Ａ）参照）内に照射されるように、偏向制御部１０ｂ１ｈ（図２参照）によって主偏向制御回路１０ｂ４（図１参照）を介して主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）が制御され、サブフィールドＳＦ００（図６（Ａ）参照）内のパターンＰＡ１，ＰＡ２の描画と同様にサブフィールドＳＦ０１（図６（Ａ）参照）内のすべてのパターンＰＡ３，…（図６（Ｂ）参照）の描画が実行される。次いで、図６に示す例では、サブフィールドＳＦ０２，ＳＦ１０，ＳＦ１１，ＳＦ１２，ＳＦ２０，ＳＦ２１，ＳＦ２２，ＳＦ３０，ＳＦ３１，ＳＦ３２，…（図６（Ａ）参照）内のすべてのパターンＰＡ１１ａ，…，ＰＡ２１ａ，…，ＰＡ２１ｂ，…（図６（Ｂ）参照）の描画が同様に実行され、ストライプＳＴＲ１（図５参照）内のすべてのパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）の描画が完了する。
【００３０】
ところで、制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）に入力される描画データＤ（図１および図２参照）によっては、あるいは、ストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，ＳＴＲ５，ＳＴＲ６（図５参照）のサイズの設定のやり方によっては、例えば、図６（Ｂ）に示すように、ストライプＳＴＲ１とストライプＳＴＲ２との境界線上に描画すべきパターンＰＡ１１が位置する場合がある。図６に示す例では、例えば、ストライプＳＴＲ１（図５参照）内のパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）の描画が実行される時に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）によってパターンＰＡ１１ａ（図６（Ｂ）参照）が描画され、次いで、ストライプＳＴＲ２（図５参照）内のパターン（図示せず）の描画が実行される時に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）によってパターンＰＡ１１ｂ（図６（Ｂ）参照）が描画され、その結果、パターンＰＡ１１ａ（図６（Ｂ）参照）とパターンＰＡ１１ｂ（図６（Ｂ）参照）とによってパターンＰＡ１１（図６（Ｂ）参照）が構成される。図６に示す例のように、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の１回のショットによってパターンＰＡ１１（図６（Ｂ）参照）全体を描画することができない場合には、パターンＰＡ１１（図６（Ｂ）参照）全体の描画精度を十分に向上させることができないおそれがある。この点に鑑み、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０は、多重描画を実行可能に構成されている。
【００３１】
図７および図８は２回多重のストライプ多重描画が実行される一例を示した図である。
【００３２】
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、Ｎ回多重のストライプ多重描画が実行される場合に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の１回のショットにおける荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の照射時間（ドーズ値）が、多重描画が実行されない場合の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の１回のショットにおける荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の照射時間（ドーズ値）の約Ｎ分の１に設定される。つまり、２回多重のストライプ多重描画が実行される場合に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の１回のショットにおける荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の照射時間（ドーズ値）が、多重描画が実行されない場合の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の１回のショットにおける荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の照射時間（ドーズ値）の約２分の１に設定される。
【００３３】
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、２回多重のストライプ多重描画が実行される場合に、多重描画が実行されない場合の約２分の１の照射時間（ドーズ値）に設定された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）によって、ストライプＳＴＲ１（図５および図６（Ｂ）参照）内のすべてのパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…，ＰＡ１１ａ，…，ＰＡ２１，…（図５および図６（Ｂ）参照）の描画が実行され、ストライプＳＴＲ２（図５および図６（Ｂ）参照）内のすべてのパターンＰＡ１１ｂ，…（図６（Ｂ）参照）の描画が実行され、ストライプＳＴＲ３（図５参照）内のすべてのパターン（図示せず）の描画が実行され、ストライプＳＴＲ４（図５参照）内のすべてのパターン（図示せず）の描画が実行され、ストライプＳＴＲ５（図５参照）内のすべてのパターン（図示せず）の描画が実行され、ストライプＳＴＲ６（図５参照）内のすべてのパターン（図示せず）の描画が実行される。
【００３４】
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、２回多重のストライプ多重描画が実行される場合に、ストライプＳＴＲ１（図５参照）の基準点Ａ（ｘ１，ｙ１）（図５参照）からＹ方向のプラス側（図５および図７の上側）にストライプＳＴＲ１（図５参照）のＹ方向寸法Ｙ１（図５参照）の２分の１（Ｙ１／２）だけずらした位置に基準点Ａａ（ｘ１，ｙ１＋Ｙ１／２）（図７参照）を有し、ストライプＳＴＲ１（図５参照）と同一サイズのストライプＳＴＲ１ａ（図７参照）が設定される。同様に、ストライプＳＴＲ２（図５参照）をＹ方向のプラス側（図５および図７の上側）にＹ１／２だけずらした位置にストライプＳＴＲ２（図５参照）と同一サイズのストライプＳＴＲ２ａ（図７参照）が設定され、ストライプＳＴＲ３（図５参照）をＹ方向のプラス側（図５および図７の上側）にＹ１／２だけずらした位置にストライプＳＴＲ３（図５参照）と同一サイズのストライプＳＴＲ３ａ（図７参照）が設定され、ストライプＳＴＲ４（図５参照）をＹ方向のプラス側（図５および図７の上側）にＹ１／２だけずらした位置にストライプＳＴＲ４（図５参照）と同一サイズのストライプＳＴＲ４ａ（図７参照）が設定され、ストライプＳＴＲ５（図５参照）をＹ方向のプラス側（図５および図７の上側）にＹ１／２だけずらした位置にストライプＳＴＲ５（図５参照）と同一サイズのストライプＳＴＲ５ａ（図７参照）が設定され、ストライプＳＴＲ６（図５参照）をＹ方向のプラス側（図５および図７の上側）にＹ１／２だけずらした位置にストライプＳＴＲ６（図５参照）と同一サイズのストライプＳＴＲ６ａ（図７参照）が設定される。
【００３５】
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、２回多重のストライプ多重描画が実行される場合に、多重描画が実行されない場合の約２分の１の照射時間（ドーズ値）に設定された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）によって、ストライプＳＴＲ０ａ（図７参照）内のすべてのパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図７参照）の描画が実行され、ストライプＳＴＲ１ａ（図７参照）内のすべてのパターン（図示せず）の描画が実行され、ストライプＳＴＲ２ａ（図７参照）内のすべてのパターン（図示せず）の描画が実行され、ストライプＳＴＲ３ａ（図７参照）内のすべてのパターン（図示せず）の描画が実行され、ストライプＳＴＲ４ａ（図７参照）内のすべてのパターン（図示せず）の描画が実行され、ストライプＳＴＲ５ａ（図７参照）内のすべてのパターン（図示せず）の描画が実行され、ストライプＳＴＲ６ａ（図７参照）内のすべてのパターン（図示せず）の描画が実行され、それにより、描画領域ＤＡ（図７のハッチング部分）内のすべてのパターン（図示せず）の描画が実行される。
【００３６】
詳細には、図７および図８に示す例では、例えば、ストライプＳＴＲ１ａ（図７および図８（Ａ）参照）内の領域が、サブフィールドＳＦ００ａ，ＳＦ０１ａ，ＳＦ０２ａ，ＳＦ１０ａ，ＳＦ１１ａ，ＳＦ１２ａ，ＳＦ２０ａ，ＳＦ２１ａ，ＳＦ２２ａ，ＳＦ３０ａ，ＳＦ３１ａ，ＳＦ３２ａ，…（図８（Ａ）参照）によって更に分割されている。
【００３７】
更に、図７および図８に示す例では、ストライプＳＴＲ１ａ（図７および図８（Ａ）参照）内のサブフィールドＳＦ１１ａ（図８（Ａ）参照）内のパターンの描画が実行される時に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の１回のショットによってパターンＰＡ１１（図８（Ｂ）参照）全体が描画される。
【００３８】
そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、複数回多重のストライプ多重描画を実行することにより、ストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，ＳＴＲ５，ＳＴＲ６（図５参照）の相互間の境界線上に位置するパターンＰＡ１１，…（図６（Ｂ）参照）の描画を十分に高い描画精度で実行することができる。
【００３９】
ところで、制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）に入力される描画データＤ（図１および図２参照）によっては、あるいは、サブフィールドＳＦ００，ＳＦ０１，ＳＦ０２，ＳＦ１０，ＳＦ１１，ＳＦ１２，ＳＦ２０，ＳＦ２１，ＳＦ２２，ＳＦ３０，ＳＦ３１，ＳＦ３２，…（図６（Ａ）参照）のサイズの設定のやり方によっては、図６（Ｂ）に示すように、Ｘ方向（図６（Ｂ）の左右方向）に隣接するサブフィールドＳＦ２１（図６（Ａ）参照）とサブフィールドＳＦ３１（図６（Ａ）参照）との境界線上に描画すべきパターンＰＡ２１が位置する場合がある。図６に示す例では、例えば、サブフィールドＳＦ２１（図６（Ａ）参照）内のパターンの描画が実行される時に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）によってパターンＰＡ２１ａ（図６（Ｂ）参照）が描画され、サブフィールドＳＦ３１（図６（Ａ）参照）内のパターンの描画が実行される時に荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）によってパターンＰＡ２１ｂ（図６（Ｂ）参照）が描画され、その結果、パターンＰＡ２１ａ（図６（Ｂ）参照）とパターンＰＡ２１ｂ（図６（Ｂ）参照）とによってパターンＰＡ２１（図６（Ｂ）参照）が構成される。図６に示す例のように、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の１回のショットによってパターンＰＡ２１（図６（Ｂ）参照）全体を描画することができない場合には、パターンＰＡ２１（図６（Ｂ）参照）全体の描画精度を十分に向上させることができないおそれがある。
【００４０】
ちなみに、Ｘ方向（図６（Ｂ）の左右方向）に隣接するサブフィールドＳＦ２１（図６（Ａ）参照）とサブフィールドＳＦ３１（図６（Ａ）参照）との境界線上に位置するパターンＰＡ２１（図６（Ｂ）参照）は、複数回多重のストライプ多重描画を実行しても、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の１回のショットによって全体を描画することができない。詳細には、図７および図８に示す例のように、２回多重のストライプ多重描画が実行される場合であっても、パターンＰＡ２１（図８（Ｂ）参照）は依然としてＸ方向（図８（Ｂ）の左右方向）に隣接するサブフィールドＳＦ２０ａ（図８（Ａ）参照）とサブフィールドＳＦ３０ａ（図８（Ａ）参照）との境界線上に位置する。そのため、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の１回のショットによってパターンＰＡ２１（図８（Ｂ）参照）全体を描画することができない。この点に鑑み、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０は、ストライプ多重描画を実行可能であると共に、サブフィールド多重描画を実行可能に構成されている。
【００４１】
図９は２回多重のサブフィールド多重描画が実行される一例を示した図である。
【００４２】
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、ｎ回多重のサブフィールド多重描画が実行される場合に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の１回のショットにおける荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の照射時間（ドーズ値）が、多重描画が実行されない場合の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の１回のショットにおける荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の照射時間（ドーズ値）の約ｎ分の１に設定される。つまり、２回多重のサブフィールド多重描画が実行される場合に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の１回のショットにおける荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の照射時間（ドーズ値）が、多重描画が実行されない場合の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の１回のショットにおける荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の照射時間（ドーズ値）の約２分の１に設定される。
【００４３】
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、２回多重のサブフィールド多重描画が実行される場合に、多重描画が実行されない場合の約２分の１の照射時間（ドーズ値）に設定された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）によって、サブフィールドＳＦ００（図６（Ａ）参照）内のすべてのパターンＰＡ１，ＰＡ２，…（図６（Ｂ）参照）の描画が実行され、サブフィールドＳＦ０１（図６（Ａ）参照）内のすべてのパターンＰＡ３，…（図６（Ｂ）参照）の描画が実行され、サブフィールドＳＦ０２，ＳＦ１０，ＳＦ１１（図６（Ａ）参照）内のすべてのパターン（図示せず）の描画が実行され、サブフィールドＳＦ１２（図６（Ａ）参照）内のすべてのパターンＰＡ１１ａ，…（図６（Ｂ）参照）の描画が実行され、サブフィールドＳＦ２０（図６（Ａ）参照）内のすべてのパターン（図示せず）の描画が実行され、サブフィールドＳＦ２１（図６（Ａ）参照）内のすべてのパターンＰＡ２１ａ，…（図６（Ｂ）参照）の描画が実行され、サブフィールドＳＦ２２，ＳＦ３０（図６（Ａ）参照）内のすべてのパターン（図示せず）の描画が実行され、サブフィールドＳＦ３１（図６（Ａ）参照）内のすべてのパターンＰＡ２１ｂ，…（図６（Ｂ）参照）の描画が実行され、サブフィールドＳＦ３２（図６（Ａ）参照）内のすべてのパターン（図示せず）の描画が実行され、ストライプＳＴＲ１（図５参照）内の残りのすべてのサブフィールド（図示せず）内のすべてのパターン（図示せず）の描画が実行される。
【００４４】
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、２回多重のサブフィールド多重描画が実行される場合に、サブフィールドＳＦ００（図６（Ａ）参照）の基準点Ｂ（ｘ１，ｙ１）（図６（Ａ）参照）からＸ方向のプラス側（図６（Ａ）および図９（Ａ）の右側）にサブフィールドＳＦ００（図６（Ａ）参照）のＸ方向寸法Ｘ２（図６（Ａ）参照）の２分の１（Ｘ２／２）だけずらした位置であって、Ｙ方向のプラス側（図６（Ａ）および図９（Ａ）の上側）にサブフィールドＳＦ００（図６（Ａ）参照）のＹ方向寸法Ｙ２（図６（Ａ）参照）の２分の１（Ｙ２／２）だけずらした位置に基準点Ｂａ（ｘ１＋Ｘ２／２，ｙ１＋Ｙ２／２）（図９（Ａ）参照）を有し、サブフィールドＳＦ００（図６（Ａ）参照）と同一サイズのサブフィールドＳＦ００ｂ（図９（Ａ）参照）が設定される。同様に、サブフィールドＳＦ０１，ＳＦ０２，ＳＦ１０，ＳＦ１１，ＳＦ１２，ＳＦ２０，ＳＦ２１，ＳＦ２２，ＳＦ３０，ＳＦ３１，ＳＦ３２，…（図６（Ａ）参照）のそれぞれをＸ方向のプラス側（図６（Ａ）および図９（Ａ）の右側）にＸ２／２だけずらした位置であって、Ｙ方向のプラス側（図６（Ａ）および図９（Ａ）の上側）にＹ２／２だけずらした位置にサブフィールドＳＦ０１，ＳＦ０２，ＳＦ１０，ＳＦ１１，ＳＦ１２，ＳＦ２０，ＳＦ２１，ＳＦ２２，ＳＦ３０，ＳＦ３１，ＳＦ３２，…（図６（Ａ）参照）のそれぞれと同一サイズのサブフィールドＳＦ０１ｂ，ＳＦ０２ｂ，ＳＦ１０ｂ，ＳＦ１１ｂ，ＳＦ１２ｂ，ＳＦ２０ｂ，ＳＦ２１ｂ，ＳＦ２２ｂ，ＳＦ３０ｂ，ＳＦ３１ｂ，ＳＦ３２ｂ，…（図９（Ａ）参照）が設定される。
【００４５】
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、２回多重のサブフィールド多重描画が実行される場合に、多重描画が実行されない場合の約２分の１の照射時間（ドーズ値）に設定された荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）によって、サブフィールドＳＦＺＺｂ（図９（Ａ）参照）内のすべてのパターンＰＡ２ｃ，…（図９（Ｂ）参照）の描画が実行され、サブフィールドＳＦＺ０ｂ（図９（Ａ）参照）内のすべてのパターンＰＡ１，…（図９（Ｂ）参照）の描画が実行され、サブフィールドＳＦＺ１ｂ，ＳＦＺ２ｂ（図９（Ａ）参照）内のすべてのパターン（図示せず）の描画が実行され、サブフィールドＳＦ０Ｚｂ（図９（Ａ）参照）内のすべてのパターンＰＡ２ｄ，…（図９（Ｂ）参照）の描画が実行され、サブフィールドＳＦ００ｂ（図９（Ａ）参照）内のすべてのパターンＰＡ３，…（図９（Ｂ）参照）の描画が実行され、サブフィールドＳＦ０１ｂ（図９（Ａ）参照）内のすべてのパターン（図示せず）の描画が実行され、サブフィールドＳＦ０２ｂ（図９（Ａ）参照）内のすべてのパターンＰＡ１１ｃ，…（図９（Ｂ）参照）の描画が実行され、サブフィールドＳＦ１Ｚｂ，ＳＦ１０ｂ，ＳＦ１１ｂ（図９（Ａ）参照）内のすべてのパターン（図示せず）の描画が実行され、サブフィールドＳＦ１２ｂ（図９（Ａ）参照）内のすべてのパターンＰＡ１１ｄ，…（図９（Ｂ）参照）の描画が実行され、サブフィールドＳＦ２Ｚｂ，ＳＦ２０ｂ（図９（Ａ）参照）内のすべてのパターン（図示せず）の描画が実行され、サブフィールドＳＦ２１ｂ（図９（Ａ）参照）内のすべてのパターンＰＡ２１，…（図９（Ｂ）参照）の描画が実行され、サブフィールドＳＦ２２ｂ，ＳＦ３Ｚｂ，ＳＦ３０ｂ，ＳＦ３１ｂ，ＳＦ３２ｂ（図９（Ａ）参照）内のすべてのパターン（図示せず）の描画が実行され、ストライプＳＴＲ１（図５参照）内の残りのすべてのサブフィールド（図示せず）内のすべてのパターン（図示せず）の描画が実行される。
【００４６】
つまり、図９に示す例では、ストライプＳＴＲ１ａ（図５および図９（Ａ）参照）内のサブフィールドＳＦ２１ｂ（図９（Ａ）参照）内のパターンの描画が実行される時に、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の１回のショットによってパターンＰＡ２１（図９（Ｂ）参照）全体が描画される。
【００４７】
そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、複数回多重のサブフィールド多重描画を実行することにより、例えばサブフィールドＳＦ２１（図６（Ａ）参照）とサブフィールドＳＦ３１（図６（Ａ）参照）との境界線上に位置するパターンＰＡ２１（図６（Ｂ）参照）のような、Ｘ方向（図６（Ｂ）の左右方向）に隣接する２つのサブフィールドの相互間の境界線上に位置するパターンの描画を十分に高い描画精度で実行することができる。
【００４８】
ところで、多重描画は、上述したようにパターンの描画精度を向上させるために実行されるのみならず、レジストヒーティングの影響を低減させるためにも実行される。つまり、多重描画の回数を多くし、荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の１回のショットにおける荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の照射時間（ドーズ値）を小さく設定することにより、レジストヒーティングの影響を低減させることができると考えられる。
【００４９】
例えば、多重描画の多重回数が４回に設定される場合（すなわち、多重描画の総多重度が４に設定される場合）には、ストライプ多重描画を実行せず（つまり、ストライプ多重描画の多重回数Ｎを１回に設定し）、サブフィールド多重描画の多重回数ｎを４回に設定する組み合わせ、ストライプ多重描画の多重回数Ｎを２回に設定し、サブフィールド多重描画の多重回数ｎを２回に設定する組み合わせ、および、ストライプ多重描画の多重回数Ｎを４回に設定し、サブフィールド多重描画を実行しない（つまり、サブフィールド多重描画の多重回数ｎを１回に設定する）組み合わせの３通りが考えられる。
【００５０】
また、例えば、多重描画の多重回数が１２回に設定される場合（すなわち、多重描画の総多重度が１２に設定される場合）には、ストライプ多重描画を実行せず（つまり、ストライプ多重描画の多重回数Ｎを１回に設定し）、サブフィールド多重描画の多重回数ｎを１２回に設定する組み合わせ、ストライプ多重描画の多重回数Ｎを２回に設定し、サブフィールド多重描画の多重回数ｎを６回に設定する組み合わせ、ストライプ多重描画の多重回数Ｎを３回に設定し、サブフィールド多重描画の多重回数ｎを４回に設定する組み合わせ、ストライプ多重描画の多重回数Ｎを４回に設定し、サブフィールド多重描画の多重回数ｎを３回に設定する組み合わせ、ストライプ多重描画の多重回数Ｎを６回に設定し、サブフィールド多重描画の多重回ｎ数を２回に設定する組み合わせ、および、ストライプ多重描画の多重回数Ｎを１２回に設定し、サブフィールド多重描画を実行しない（つまり、サブフィールド多重描画の多重回数ｎを１回に設定する）組み合わせの６通りが考えられる。
【００５１】
つまり、多重描画の多重回数が大きい値に設定される場合（すなわち、多重描画の総多重度が大きい値に設定される場合）には、ストライプ多重描画の多重回数Ｎおよびサブフィールド多重描画の多重回数ｎの組み合わせの数が多くなる。従来の荷電粒子ビーム描画装置では、ストライプ多重描画の多重回数Ｎおよびサブフィールド多重描画の多重回数ｎの組み合わせの決定がオペレータの判断によって行われていた。そのため、従来の荷電粒子ビーム描画装置では、例えばレジストヒーティングの影響を低減させるために多重描画の多重回数が大きい値に設定される場合（すなわち、多重描画の総多重度が大きい値に設定される場合）に、ストライプ多重描画の多重回数Ｎおよびサブフィールド多重描画の多重回数ｎの最適な組み合わせを決定する作業がオペレータの負担になっていた。この点に鑑み、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、ストライプ多重描画の多重回数Ｎおよびサブフィールド多重描画の多重回数ｎの組み合わせを決定する描画パラメータ準備部１０ｂ１ｂ（図２および図１０参照）が設けられている。
【００５２】
図１０は図２に示す描画パラメータ準備部１０ｂ１ｂの詳細図である。図１１は描画パラメータ準備部１０ｂ１ｂのバッファメモリ１０ｂ１ｂ１に格納されている多重描画条件対応表１０ｂ１ｂ１ａを示した図である。
【００５３】
第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）に入力された描画データＤ（図１および図２参照）に関する描画処理が実行される時に、オペレータによって、例えば、パターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）を描画するために必要な荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の照射時間（ドーズ値）（つまり、多重描画が実行されない場合の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の１回のショットにおける荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の照射時間（ドーズ値））ＤＯと、レジストヒーティング等の影響を考慮した荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の１回のショットにおける荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の照射時間（ドーズ値）の上限値ＤＯｔｈと、「スループット重視」であるか、あるいは、「描画精度重視」であるかの選択条件と、ストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，…（図５参照）のサイズと、サブフィールドＳＦ００，ＳＦ０１，…（図６（Ａ）参照）のサイズとが、例えば制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）のインターフェース部１０ｂ１ａ（図２参照）を介して入力される。
【００５４】
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、パターンを描画するために必要な荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射時間（ドーズ値）ＤＯと、１回のショットにおける荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射時間（ドーズ値）の上限値ＤＯｔｈとに基づき、例えば制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）の描画パラメータ準備部１０ｂ１ｂ（図２および図１０参照）の組み合わせ決定部１０ｂ１ｂ３（図１０参照）によって、総多重度Ｍ１（＝ＤＯ／ＤＯｔｈ）が算出される。詳細には、総多重度Ｍ１（＝ＤＯ／ＤＯｔｈ）の小数点以下の端数が切り上げられる。
【００５５】
また、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、「スループット重視」であるか、あるいは、「描画精度重視」であるかの選択条件と、ストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，…（図５参照）のサイズと、サブフィールドＳＦ００，ＳＦ０１，…（図６（Ａ）参照）のサイズと、例えば組み合わせ決定部１０ｂ１ｂ３（図１０参照）によって算出された総多重度Ｍ１とが、例えば制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）の描画パラメータ準備部１０ｂ１ｂ（図２および図１０参照）のバッファメモリ１０ｂ１ｂ２（図１０参照）に格納される。
【００５６】
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）の描画パラメータ準備部１０ｂ１ｂ（図２および図１０参照）のバッファメモリ１０ｂ１ｂ１（図１０参照）に格納されている多重描画条件対応表１０ｂ１ｂ１ａ（図１１参照）と、制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）の描画パラメータ準備部１０ｂ１ｂ（図２および図１０参照）のバッファメモリ１０ｂ１ｂ２（図１０参照）に格納されている「スループット重視」であるか、あるいは、「描画精度重視」であるかの選択条件と、総多重度Ｍ１とに基づき、例えば制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）の描画パラメータ準備部１０ｂ１ｂ（図２および図１０参照）の組み合わせ決定部１０ｂ１ｂ３（図１０参照）によって、１通りのストライプ多重描画の多重回数Ｎおよびサブフィールド多重描画の多重回数ｎの組み合わせが決定される。
【００５７】
詳細には、例えば、図５および図７に示す例（図６および図８に示す例）のように２回多重のストライプ多重描画が実行される場合には、ストライプＳＴＲ１（図５および図６（Ｂ）参照）内のパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…，ＰＡ１１ａ，…，ＰＡ２１ａ，…，ＰＡ２１ｂ，…，（図６（Ｂ）参照）の描画が実行される時と、ストライプＳＴＲ１ａ（図７および図８（Ｂ）参照）内のパターンＰＡ１１，…，ＰＡ２１ａ，…，ＰＡ２１ｂ，…，（図８（Ｂ）参照）の描画が実行される時との間に可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）をＹ方向（図５および図７の上下方向）に移動させる必要があるのに対し、図６および図９に示す例のように２回多重のサブフィールド多重描画が実行される場合には、ストライプＳＴＲ１（図６（Ａ）参照）内のサブフィールドＳＦ００，ＳＦ０１，…，ＳＦ３１，ＳＦ３２，…（図６（Ａ）参照）内のパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…，ＰＡ１１ａ，…，ＰＡ２１ａ，…，ＰＡ２１ｂ，…，（図６（Ｂ）参照）の描画が実行される時と、ストライプＳＴＲ１（図９（Ａ）参照）内のサブフィールドＳＦＺＺｂ，ＳＦＺ０ｂ，…，ＳＦ３１ｂ，ＳＦ３２ｂ，…（図９（Ａ）参照）内のパターンＰＡ２ｃ，ＰＡ１，…ＰＡ２ｄ，ＰＡ３，…，ＰＡ１１ｃ，…，ＰＡ１１ｄ，…，ＰＡ２１，…，（図９（Ｂ）参照）の描画が実行される時と間に可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）をＹ方向（図６および図９の上下方向）に移動させる必要がない。つまり、例えば総多重度Ｍが２の場合には、ストライプ多重描画の多重回数Ｎが２であって、サブフィールド多重描画の多重回数ｎが１の組み合わせよりも、ストライプ多重描画の多重回数Ｎが１であって、サブフィールド多重描画の多重回数ｎが２の組み合わせの方がスループットを向上させることができると考えられる。
【００５８】
この点に鑑み、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１１に示すように、例えば、「スループット重視」が選択されると、「ストライプ多重描画の多重回数Ｎ」が１になるように、多重描画条件対応表１０ｂ１ｂ１ａが設定されている。具体的には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１１に示すように、例えば、「スループット重視」が選択され、かつ、算出された「総多重度Ｍ１」が１０である場合に、「ストライプ多重描画の多重回数Ｎ」が１であって、「サブフィールド多重描画の多重回数ｎ」が１０の１通りの組み合わせが、例えば制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）の描画パラメータ準備部１０ｂ１ｂ（図２および図１０参照）の組み合わせ決定部１０ｂ１ｂ３（図１０参照）によって決定される。また、図１１に示すように、例えば、「スループット重視」が選択され、かつ、算出された「総多重度Ｍ１」が２２である場合に、「ストライプ多重描画の多重回数Ｎ」が１であって、「サブフィールド多重描画の多重回数ｎ」が２２の１通りの組み合わせが、例えば制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）の描画パラメータ準備部１０ｂ１ｂ（図２および図１０参照）の組み合わせ決定部１０ｂ１ｂ３（図１０参照）によって決定される。
【００５９】
また、例えば、図５および図７に示す例（図６および図８に示す例）のように２回多重のストライプ多重描画が実行される場合には、ストライプＳＴＲ１（図５および図６（Ａ）参照）内のサブフィールドＳＦ１２（図６（Ａ）参照）内のパターンＰＡ１１ａ（図６（Ｂ）参照）の描画が実行される時に、パターンＰＡ１１ａ（図６（Ｂ）参照）がストライプＳＴＲ１（図６（Ｂ）参照）内のＹ方向（図６（Ｂ）の上下方向）の端部に位置するのに対し、ストライプＳＴＲ１ａ（図７および図８（Ａ）参照）内のサブフィールドＳＦ１１ａ（図８（Ａ）参照）内のパターンＰＡ１１（図８（Ｂ）参照）の描画が実行される時に、パターンＰＡ１１（図８（Ｂ）参照）がストライプＳＴＲ１ａ（図８（Ｂ）参照）内のＹ方向（図８（Ｂ）の上下方向）の中央部に位置する。そのため、例えば、図５および図７に示す例（図６および図８に示す例）のように２回多重のストライプ多重描画が実行される場合には、ストライプＳＴＲ１（図５および図６（Ａ）参照）内のサブフィールドＳＦ１２（図６（Ａ）参照）内のパターンＰＡ１１ａ（図６（Ｂ）参照）の描画が実行される時における主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）による荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）のＹ方向（図６（Ｂ）の上下方向）の偏向量よりも、ストライプＳＴＲ１ａ（図７および図８（Ａ）参照）内のサブフィールドＳＦ１１ａ（図８（Ａ）参照）内のパターンＰＡ１１（図８（Ｂ）参照）の描画が実行される時における主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）による荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）のＹ方向（図６（Ｂ）の上下方向）の偏向量が小さくなる。すなわち、例えば、図５および図７に示す例（図６および図８に示す例）のように２回多重のストライプ多重描画を実行することにより、ストライプ多重描画が実行されない場合よりも、主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）による荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）のＹ方向（図６（Ｂ）の上下方向）の偏向量が小さい状態で、パターンＰＡ１１（図８（Ｂ）参照）を高精度に描画することができる。つまり、例えば総多重度Ｍ１が２の場合には、ストライプ多重描画の多重回数Ｎが１であって、サブフィールド多重描画の多重回数ｎが２の組み合わせよりも、ストライプ多重描画の多重回数Ｎが２であって、サブフィールド多重描画の多重回数ｎが１の組み合わせの方が描画精度を向上させることができると考えられる。
【００６０】
この点に鑑み、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１１に示すように、例えば、「描画精度重視」が選択されると、「ストライプ多重描画の多重回数Ｎ」が２以上の値になるように、多重描画条件対応表１０ｂ１ｂ１ａが設定されている。具体的には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１１に示すように、例えば、「描画精度重視」が選択され、かつ、算出された「総多重度Ｍ１」が１０である場合に、「ストライプ多重描画の多重回数Ｎ」が３であって、「サブフィールド多重描画の多重回数ｎ」が４の１通りの組み合わせが、例えば制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）の描画パラメータ準備部１０ｂ１ｂ（図２および図１０参照）の組み合わせ決定部１０ｂ１ｂ３（図１０参照）によって決定される。また、図１１に示すように、例えば、「描画精度重視」が選択され、かつ、算出された「総多重度Ｍ１」が２２である場合に、「ストライプ多重描画の多重回数Ｎ」が４であって、「サブフィールド多重描画の多重回数ｎ」が６の１通りの組み合わせが、例えば制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）の描画パラメータ準備部１０ｂ１ｂ（図２および図１０参照）の組み合わせ決定部１０ｂ１ｂ３（図１０参照）によって決定される。
【００６１】
換言すれば、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、オペレータによって「スループット重視」が選択された場合に、例えば制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）の描画パラメータ準備部１０ｂ１ｂ（図２および図１０参照）の組み合わせ決定部１０ｂ１ｂ３（図１０参照）によって、１通りのストライプ多重描画の多重回数Ｎおよびサブフィールド多重描画の多重回数ｎの組み合わせが決定される。また、オペレータによって「描画精度重視」が選択された場合に、例えば制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）の描画パラメータ準備部１０ｂ１ｂ（図２および図１０参照）の組み合わせ決定部１０ｂ１ｂ３（図１０参照）によって、１通りのストライプ多重描画の多重回数Ｎおよびサブフィールド多重描画の多重回数ｎの組み合わせが決定される。そのため、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、多数の組み合わせの中から１通りのストライプ多重描画の多重回数Ｎおよびサブフィールド多重描画の多重回数ｎの組み合わせがオペレータの判断によって決定される場合よりも、オペレータの負担を軽減することができる。
【００６２】
詳細には、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、図１１に示す例のように、「描画精度重視」が選択された場合に、「ストライプ多重描画の多重回数Ｎ」と「サブフィールド多重描画の多重回数ｎ」との積（Ｎ×ｎ）である「多重度Ｍ２」が、パターンを描画するために必要な荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射時間（ドーズ値）ＤＯと、１回のショットにおける荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射時間（ドーズ値）の上限値ＤＯｔｈとから得られる「総多重度Ｍ１（＝ＤＯ／ＤＯｔｈ）」よりも大きくなることが許容されている。
【００６３】
更に、第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば図１１に示す例のように、「描画精度重視」が選択された場合における「ストライプ多重描画の多重回数Ｎ」と「サブフィールド多重描画の多重回数ｎ」とが近い値になるように設定されている。詳細には、図１１に示す例では、「描画精度重視」が選択された場合における（ストライプ多重描画の多重回数Ｎ）／（サブフィールド多重描画の多重回数ｎ）の値が例えば０．５以上２以下になるように設定されている。
【００６４】
尚、図１１に示す例では、「スループット重視」が選択された場合における「ストライプ多重描画の多重回数Ｎ」が１になるように、多重描画条件対応表１０ｂ１ｂ１ａが設定されているが、例えば、「ストライプ多重描画の多重回数Ｎ」を１に設定すると「サブフィールド多重描画の多重回数ｎ」が実現可能な値を超えてしまう程度の大きい値の「総多重度Ｍ１」がオペレータによって要求される場合には、「ストライプ多重描画の多重回数Ｎ」が２以上の値に設定される。
【００６５】
図１２は第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０の描画パラメータ準備部１０ｂ１ｂの詳細図である。第１の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、図１０に示すように、多重描画条件対応表１０ｂ１ｂ１ａ（図１１参照）を格納しているバッファメモリ１０ｂ１ｂ１が描画パラメータ準備部１０ｂ１ｂに設けられているが、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、代わりに、図１２に示すように、描画時間および描画精度を予測するシミュレータ１０ｂ１ｂ４が描画パラメータ準備部１０ｂ１ｂに設けられている。
【００６６】
詳細には、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、制御部１０ｂ（図１参照）の制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）に入力された描画データＤ（図１および図２参照）に関する描画処理が実行される時に、オペレータによって、例えば、パターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…（図５参照）を描画するために必要な荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の照射時間（ドーズ値）（つまり、多重描画が実行されない場合の荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の１回のショットにおける荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の照射時間（ドーズ値））ＤＯと、レジストヒーティング等の影響を考慮した荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の１回のショットにおける荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図５参照）の照射時間（ドーズ値）の上限値ＤＯｔｈと、「スループット重視」であるか、あるいは、「描画精度重視」であるかの選択条件と、ストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，…（図５参照）のサイズと、サブフィールドＳＦ００，ＳＦ０１，…（図６（Ａ）参照）のサイズとが、例えば制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）のインターフェース部１０ｂ１ａ（図２参照）を介して入力される。
【００６７】
更に、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、パターンを描画するために必要な荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射時間（ドーズ値）ＤＯと、１回のショットにおける荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射時間（ドーズ値）の上限値ＤＯｔｈとに基づき、例えば制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）の描画パラメータ準備部１０ｂ１ｂ（図２および図１２参照）の組み合わせ決定部１０ｂ１ｂ３（図１２参照）によって、総多重度Ｍ１（＝ＤＯ／ＤＯｔｈ）が算出される。詳細には、総多重度Ｍ１（＝ＤＯ／ＤＯｔｈ）の小数点以下の端数が切り上げられる。
【００６８】
また、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、「スループット重視」であるか、あるいは、「描画精度重視」であるかの選択条件と、ストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，…（図５参照）のサイズと、サブフィールドＳＦ００，ＳＦ０１，…（図６（Ａ）参照）のサイズと、例えば組み合わせ決定部１０ｂ１ｂ３（図１２参照）によって算出された総多重度Ｍ１とが、例えば制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）の描画パラメータ準備部１０ｂ１ｂ（図２および図１２参照）のバッファメモリ１０ｂ１ｂ２（図１２参照）に格納される。
【００６９】
更に、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）の描画パラメータ準備部１０ｂ１ｂ（図２および図１０参照）のバッファメモリ１０ｂ１ｂ２（図１０参照）に格納されている総多重度Ｍ１から考え得る複数通りのストライプ多重描画の多重回数Ｎおよびサブフィールド多重描画の多重回数ｎの組み合わせのそれぞれについて、制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）の描画パラメータ準備部１０ｂ１ｂ（図２および図１２参照）に設けられているシミュレータ１０ｂ１ｂ４（図１２参照）により、描画データＤ（図１および図２参照）、ストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，…（図５参照）のサイズ、および、サブフィールドＳＦ００，ＳＦ０１，…（図６（Ａ）参照）のサイズに基づいて、描画時間および描画精度が予測される。更に、「スループット重視」が選択されている場合に、例えば制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）の描画パラメータ準備部１０ｂ１ｂ（図２および図１２参照）の組み合わせ決定部１０ｂ１ｂ３（図１２参照）によって、複数通りのストライプ多重描画の多重回数Ｎおよびサブフィールド多重描画の多重回数ｎの組み合わせの中から、描画時間（所要時間）が最も短い１通りのストライプ多重描画の多重回数Ｎおよびサブフィールド多重描画の多重回数ｎの組み合わせが決定される。また、「描画精度重視」が選択されている場合に、例えば制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）の描画パラメータ準備部１０ｂ１ｂ（図２および図１２参照）の組み合わせ決定部１０ｂ１ｂ３（図１２参照）によって、複数通りのストライプ多重描画の多重回数Ｎおよびサブフィールド多重描画の多重回数ｎの組み合わせの中から、描画精度が最も高い１通りのストライプ多重描画の多重回数Ｎおよびサブフィールド多重描画の多重回数ｎの組み合わせが決定される。
【００７０】
詳細には、例えば、図５および図７に示す例（図６および図８に示す例）のように２回多重のストライプ多重描画が実行される場合には、ストライプＳＴＲ１（図５および図６（Ｂ）参照）内のパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…，ＰＡ１１ａ，…，ＰＡ２１ａ，…，ＰＡ２１ｂ，…，（図６（Ｂ）参照）の描画が実行される時と、ストライプＳＴＲ１ａ（図７および図８（Ｂ）参照）内のパターンＰＡ１１，…，ＰＡ２１ａ，…，ＰＡ２１ｂ，…，（図８（Ｂ）参照）の描画が実行される時との間に可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）をＹ方向（図５および図７の上下方向）に移動させる必要があるのに対し、図６および図９に示す例のように２回多重のサブフィールド多重描画が実行される場合には、ストライプＳＴＲ１（図６（Ａ）参照）内のサブフィールドＳＦ００，ＳＦ０１，…，ＳＦ３１，ＳＦ３２，…（図６（Ａ）参照）内のパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３，…，ＰＡ１１ａ，…，ＰＡ２１ａ，…，ＰＡ２１ｂ，…，（図６（Ｂ）参照）の描画が実行される時と、ストライプＳＴＲ１（図９（Ａ）参照）内のサブフィールドＳＦＺＺｂ，ＳＦＺ０ｂ，…，ＳＦ３１ｂ，ＳＦ３２ｂ，…（図９（Ａ）参照）内のパターンＰＡ２ｃ，ＰＡ１，…ＰＡ２ｄ，ＰＡ３，…，ＰＡ１１ｃ，…，ＰＡ１１ｄ，…，ＰＡ２１，…，（図９（Ｂ）参照）の描画が実行される時と間に可動ステージ１０ａ２ａ（図１参照）をＹ方向（図６および図９の上下方向）に移動させる必要がない。
【００７１】
そのため、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、図５および図７に示す例（図６および図８に示す例）のように２回多重のストライプ多重描画が実行される場合よりも、図６および図９に示す例のように２回多重のサブフィールド多重描画が実行される場合の方が描画時間が短くなるとシミュレータ１０ｂ１ｂ４（図１２参照）によって予測される。
【００７２】
また、例えば、図５および図７に示す例（図６および図８に示す例）のように２回多重のストライプ多重描画が実行される場合には、ストライプＳＴＲ１（図５および図６（Ａ）参照）内のサブフィールドＳＦ１２（図６（Ａ）参照）内のパターンＰＡ１１ａ（図６（Ｂ）参照）の描画が実行される時に、パターンＰＡ１１ａ（図６（Ｂ）参照）がストライプＳＴＲ１（図６（Ｂ）参照）内のＹ方向（図６（Ｂ）の上下方向）の端部に位置するのに対し、ストライプＳＴＲ１ａ（図７および図８（Ａ）参照）内のサブフィールドＳＦ１１ａ（図８（Ａ）参照）内のパターンＰＡ１１（図８（Ｂ）参照）の描画が実行される時に、パターンＰＡ１１（図８（Ｂ）参照）がストライプＳＴＲ１ａ（図８（Ｂ）参照）内のＹ方向（図８（Ｂ）の上下方向）の中央部に位置する。そのため、例えば、図５および図７に示す例（図６および図８に示す例）のように２回多重のストライプ多重描画が実行される場合には、ストライプＳＴＲ１（図５および図６（Ａ）参照）内のサブフィールドＳＦ１２（図６（Ａ）参照）内のパターンＰＡ１１ａ（図６（Ｂ）参照）の描画が実行される時における主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）による荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）のＹ方向（図６（Ｂ）の上下方向）の偏向量よりも、ストライプＳＴＲ１ａ（図７および図８（Ａ）参照）内のサブフィールドＳＦ１１ａ（図８（Ａ）参照）内のパターンＰＡ１１（図８（Ｂ）参照）の描画が実行される時における主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）による荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）のＹ方向（図６（Ｂ）の上下方向）の偏向量が小さくなる。すなわち、例えば、図５および図７に示す例（図６および図８に示す例）のように２回多重のストライプ多重描画を実行することにより、ストライプ多重描画が実行されない場合よりも、主偏向器１０ａ１ｅ（図１参照）による荷電粒子ビーム１０ａ１ｂ（図１参照）のＹ方向（図６（Ｂ）の上下方向）の偏向量が小さい状態で、パターンＰＡ１１（図８（Ｂ）参照）を高精度に描画することができる。
【００７３】
そのため、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、図５および図７に示す例（図６および図８に示す例）のように２回多重のストライプ多重描画が実行される場合の方が、ストライプ多重描画が実行されない場合よりも、例えばパターンＰＡ１１（図６（Ｂ）、図８（Ｂ）および図９（Ｂ）参照）の描画精度が高くなるとシミュレータ１０ｂ１ｂ４（図１２参照）によって予測される。
【００７４】
また、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、図６に示す例では、ストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，ＳＴＲ５，ＳＴＲ６（図５参照）の相互間の境界線上に位置するパターンＰＡ１１（図６（Ｂ）参照）よりも、ストライプＳＴＲ１，ＳＴＲ２，ＳＴＲ３，ＳＴＲ４，ＳＴＲ５，ＳＴＲ６（図５参照）の相互間の境界線上に位置しないパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３（図６（Ｂ）参照）の方が、描画精度が高くなるとシミュレータ１０ｂ１ｂ４（図１２参照）によって予測される。
【００７５】
更に、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、例えば、図６に示す例では、サブフィールドＳＦ００，ＳＦ０１，…，ＳＦ２１，…，ＳＦ３１，…（図６（Ａ）参照）の相互間の境界線上に位置するパターンＰＡ２１（図６（Ｂ）参照）よりも、サブフィールドＳＦ００，ＳＦ０１，…，ＳＦ２１，…，ＳＦ３１，…（図６（Ａ）参照）の相互間の境界線上に位置しないパターンＰＡ１，ＰＡ２，ＰＡ３（図６（Ｂ）参照）の方が、描画精度が高くなるとシミュレータ１０ｂ１ｂ４（図１２参照）によって予測される。
【００７６】
換言すれば、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０では、オペレータによって「スループット重視」が選択された場合に、例えば制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）の描画パラメータ準備部１０ｂ１ｂ（図２および図１２参照）の組み合わせ決定部１０ｂ１ｂ３（図１２参照）によって、描画時間が最も短い１通りのストライプ多重描画の多重回数Ｎおよびサブフィールド多重描画の多重回数ｎの組み合わせが決定される。また、オペレータによって「描画精度重視」が選択された場合に、例えば制御計算機１０ｂ１（図１および図２参照）の描画パラメータ準備部１０ｂ１ｂ（図２および図１２参照）の組み合わせ決定部１０ｂ１ｂ３（図１２参照）によって、描画精度が最も高い１通りのストライプ多重描画の多重回数Ｎおよびサブフィールド多重描画の多重回数ｎの組み合わせが決定される。そのため、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０によれば、多数の組み合わせの中から１通りのストライプ多重描画の多重回数Ｎおよびサブフィールド多重描画の多重回数ｎの組み合わせがオペレータの判断によって決定される場合よりも、オペレータの負担を軽減することができる。
【００７７】
詳細には、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０においても、「描画精度重視」が選択された場合に、「ストライプ多重描画の多重回数Ｎ」と「サブフィールド多重描画の多重回数ｎ」との積（Ｎ×ｎ）である「多重度Ｍ２」（図１１参照）が、パターンを描画するために必要な荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射時間（ドーズ値）ＤＯと、１回のショットにおける荷電粒子ビーム１０ａ１ｂの照射時間（ドーズ値）の上限値ＤＯｔｈとから得られる「総多重度Ｍ１（＝ＤＯ／ＤＯｔｈ）」（図１１参照）よりも大きくなることが許容されている。
【００７８】
また、第３の実施形態の荷電粒子ビーム描画装置１０においても、「ストライプ多重描画の多重回数Ｎ」を１に設定すると「サブフィールド多重描画の多重回数ｎ」が実現可能な値を超えてしまう程度の大きい値の「総多重度Ｍ１」がオペレータによって要求される場合には、「ストライプ多重描画の多重回数Ｎ」が２以上の値に設定される。
【００７９】
第４の実施形態では、上述した第１および第２の実施形態および各例を適宜組み合わせることも可能である。
【符号の説明】
【００８０】
１０                                荷電粒子ビーム描画装置
１０ａ                              描画部
１０ａ１ａ                          荷電粒子銃
１０ａ１ｂ                          荷電粒子ビーム
１０ａ１ｅ，１０ａ１ｆ              偏向器
１０ａ２ａ                          可動ステージ
１０ｂ１ｂ                          描画パラメータ準備部
１０ｂ１ｂ３                        組み合わせ決定部
Ｍ                                  試料
Ｄ                                  描画データ
ＤＡ                                描画領域
【図１】
2012004413.tif 000003
【図２】
2012004413.tif 000004
【図３】
2012004413.tif 000005
【図４】
2012004413.tif 000006
【図５】
2012004413.tif 000007
【図６】
2012004413.tif 000008
【図７】
2012004413.tif 000009
【図８】
2012004413.tif 000010
【図９】
2012004413.tif 000011
【図１０】
2012004413.tif 000012
【図１１】
2012004413.tif 000013
【図１２】
2012004413.tif 000014