(57)【要約】【課題】可動電極構造体に安定した状態で接点電極が形成できるようにする。【解決手段】第２電極１０３の上部の後述する接点部が形成される接点部形成領域において、第２開口部１０５ａを有する密着膜１０５を犠牲膜１０４の上に形成し、次に、第２開口部１０５ａを覆って密着膜１０５の上に接点電極膜１０６を形成する。密着膜１０５は、例えば、チタン、クロム、ジルコニウム、タンタルなどの遷移金属、およびこれらの酸化物から構成することができる。接点電極膜１０６は、例えば、ルテニウム，ロジウム，パラジウム，オスミウム，イリジウム，および白金などの白金属の金属および金などから構成することができる。【選択図】  図１Ｄ
2012086315.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に犠牲膜を形成する犠牲膜形成工程と、
接点部が形成される接点部形成領域の外側の前記犠牲膜の上に密着膜を形成する密着膜形成工程と、
前記接点部形成領域および前記密着膜の上に接点電極膜を形成する接点電極膜形成工程と、
前記接点部形成領域を含む前記犠牲膜の上に離間電極構造体を形成する離間電極構造体形成工程と、
前記犠牲膜を除去し、前記基板の上に支持部で支持された前記離間電極，および前記接点部を備える前記離間電極構造体が形成され、前記接点部に前記密着膜および前記接点電極膜が配置され、露出する前記接点電極膜からなる接点電極が前記基板の側に向いて形成された状態とする接点電極形成工程と、
前記接点電極に対向して配置される対向電極を形成する対向電極形成工程と
を少なくとも備えることを特徴とする微細可動構造体の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の微細可動構造体の製造方法において、
前記接点電極膜を形成する前に、前記接点部形成領域における前記犠牲膜に凹部を形成する工程を備えることを特徴とする微細可動構造体の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２記載の微細可動構造体の製造方法において、
前記密着膜は、リフトオフ法により形成することを特徴とする微細可動構造体の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の微細可動構造体の製造方法において、
前記密着膜の形成では、
前記密着膜である第１密着膜を形成し、
加えて、前記第１密着膜の上に第２密着膜を形成し、
前記接点電極膜は、前記第２密着膜の上に形成する
ことを特徴とする微細可動構造体の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の微細可動構造体の製造方法において、
前記第１密着膜および前記第２密着膜は、真空中で連続して形成することを特徴とする微細可動構造体の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の微細可動構造体の製造方法において、
前記密着膜は、遷移金属およびこれらの酸化物の中より選択された材料から構成し、
前記接点電極膜は、白金属および金の中より選択された材料から構成することを特徴とする微細可動構造体の製造方法。
【請求項７】
請求項４または５記載の微細可動構造体の製造方法において、
前記第１密着膜は、遷移金属およびこれらの酸化物の中より選択された材料から構成し、
前記第２密着膜は、白金属および金の中より選択された材料から構成し、
前記接点電極膜は、白金属および金の中より選択された材料から構成することを特徴とする微細可動構造体の製造方法。
【請求項８】
基板の上に支持部により支持されて前記基板と離間して配置される離間電極および接点部を備える離間電極構造体と、
前記接点部に形成された接点電極膜と、
前記接点電極膜に少なくとも一部が接触して形成された密着膜と、
露出する前記接点電極膜からなる接点電極と、
前記接点電極に対向して配置される対向電極と
を少なくとも備えることを特徴とする微細可動構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、微細な可動部を備える微細可動構造体の製造方法および微細可動構造体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、薄膜形成技術，フォトリソグラフィ技術，および各種のエッチング技術を用いた微細加工により立体的な構造を形成することで、マイクロスイッチなどの微細可動構造体を作製するＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）技術が開発されている（非特許文献１参照）。このような微細可動構造体の一例を図４Ａ，図４Ｂに示す。図４Ａは断面図であり、図４Ｂは、平面図である。図４Ａは、図４ＢのＸＸ’線の断面を示している。
【０００３】
この微細可動構造体は、基板４０１の上に形成された下部電極４０２、配線電極４０３、および可動電極構造体４０６を備える。可動電極構造体４０６は、可動電極構造体４０６を支持する支持部４６１、上部電極４６２，および接点部４６３を備える。また、上部電極４６２は、可撓性を有する梁部４６４により支持部４６１に連結している。また、接点部４６３の配線電極４０３と対向する箇所には、接点電極４０５が設けられている。
【０００４】
この微細可動構造体は、配線電極４０３と接点電極４０５との接触／非接触により、スイッチとしての機能を発現する。例えば、上部電極４６２と下部電極４０２との間に電圧を印加すると、静電引力によって上部電極４６２が下部電極４０２の側に引き寄せられる。この力により梁部４６４が変形し、図４Ｃに示すように、接点電極４０５が配線電極４０３に接する。この接触によって、例えば、配線電極４０３と上部電極４６２とが導通し、スイッチがオン状態となる。
【０００５】
一方、上部電極４６２と下部電極４０２との間への電圧の印加を停止すると、梁部４６４の復元力によって上部電極４６２は元の位置に戻り、接点電極４０５と配線電極４０３が離間する。これにより、配線電極４０３と上部電極４６２との接続が解消され、スイッチはオフ状態となる。このようにして、上述した微細可動構造体において、スイッチとしての機能が実現される。
【０００６】
上述した接点電極４０５を備えた微細可動構造体について、一般的な製造方法について、概略を説明する。
【０００７】
まず、図５Ａに示すように、基板４０１の上に金属からなる配線電極４０３および下部電極４０２を形成する。次に、図５(b)に示すように、基板４０１の上に下部電極４０２および配線電極４０３を覆う犠牲膜５０４を形成する。犠牲膜５０４は、支持部となる領域に基板４０１に到達する開口部５０４ａが形成されている。次に、図５Ｃに示すように、配線電極４０３上部の犠牲膜５０４の上に、接点電極４０５を形成する。次に、図５Ｄに示すように、開口部５０４ａを充填して接点電極４０５の上に連続する可動電極構造体４０６を形成する。
【０００８】
この後、犠牲膜５０４を選択的に除去することで、図５Ｅに示すように、上部電極４６２および接点電極４０５が、下部電極４０２および配線電極４０３の上に離間して配置される状態となる。ここで、接点電極４０５は、接点電極４０５と配線電極４０３が接触したときに、良好な導通状態を得るために用いられるものである。このため、一般には、金や白金属などの、低い抵抗率および高い化学的安定性を備えた金属から、接点電極４０５は構成される。このような金属から構成することで、製造過程において接点電極４０５表面に酸化膜が形成されることなく、良好な電気的接続が維持できる。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】A.P.De Silva et al. , "Motorola MEMS Switch Technology for High Frequency Applications", Microelectromechanical Systems Conference, pp.22-24, 2001.
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、接点電極４０５と犠牲膜５０４との間の密着力が十分ではないため、例えば、可動電極構造体４０６を形成する前に接点電極４０５が剥がれ、可動電極構造体４０６に接点電極４０５を形成することができないという問題が発生する場合がある。上述したように、接点電極４０５は、製造過程などにおける酸化膜などの形成を抑制するために、主に、金や白金属から構成している。しかしながらこれらの金属材料は、酸化物を形成しないなど化学的に安定であるため、よく知られているように、犠牲膜５０４として用いられる有機材料や酸化シリコンなどとの密着力が低い。このため、犠牲膜５０４の上に安定して接点電極４０５を形成することが容易ではなく、可動電極構造体４０６に接点電極４０５を安定して形成することが容易ではないという問題があった。
【００１１】
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、可動電極構造体に安定した状態で接点電極が形成できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明に係る微細可動構造体の製造方法は、基板の上に犠牲膜を形成する犠牲膜形成工程と、接点部が形成される接点部形成領域の外側の犠牲膜の上に密着膜を形成する密着膜形成工程と、接点部形成領域および密着膜の上に接点電極膜を形成する接点電極膜形成工程と、接点部形成領域を含む犠牲膜の上に離間電極構造体を形成する離間電極構造体形成工程と、犠牲膜を除去し、基板の上に支持部で支持された離間電極，および接点部を備える離間電極構造体が形成され、接点部に密着膜および接点電極膜が配置され、露出する接点電極膜からなる接点電極が基板の側に向いて形成された状態とする接点電極形成工程と、接点電極に対向して配置される対向電極を形成する対向電極形成工程とを少なくとも備える。
【００１３】
上記微細可動構造体の製造方法において、接点電極膜を形成する前に、接点部形成領域における犠牲膜に凹部を形成する工程を備えるようにしてもよい。
【００１４】
また、上記微細可動構造体の製造方法において、密着膜は、リフトオフ法により形成してもよい。
【００１５】
また、上記微細可動構造体の製造方法において、密着膜の形成では、密着膜である第１密着膜を形成し、加えて、第１密着膜の上に第２密着膜を形成し、接点電極膜は、第２密着膜の上に形成するようにしてもよい。この場合、第１密着膜および第２密着膜は、真空中で連続して形成するとよい。
【００１６】
上記微細可動構造体の製造方法において、密着膜は、遷移金属およびこれらの酸化物の中より選択された材料から構成し、接点電極膜は、白金属および金の中より選択された材料から構成すればよい。また、第１密着膜は、遷移金属およびこれらの酸化物の中より選択された材料から構成し、第２密着膜は、白金属および金の中より選択された材料から構成し、接点電極膜は、白金属および金の中より選択された材料から構成すればよい。
【００１７】
また、本発明の微細可動構造体は、基板の上に支持部により支持されて基板と離間して配置される離間電極および接点部を備える離間電極構造体と、接点部に形成された接点電極膜と、接点電極膜に少なくとも一部が接触して形成された密着膜と、露出する接点電極膜からなる接点電極と、接点電極に対向して配置される対向電極とを少なくとも備える。
【発明の効果】
【００１８】
以上説明したように、本発明によれば、密着膜の上に密着膜に接して接点電極膜を形成するようにしたので、可動電極構造体などの基板と離間して配置される離間電極に安定した状態で接点電極が形成できるようになるという優れた効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１Ａ】図１Ａは、本発明の実施の形態１における微細可動構造体の製造方法を説明する各工程における状態を示す断面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、本発明の実施の形態１における微細可動構造体の製造方法を説明する各工程における状態を示す断面図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、本発明の実施の形態１における微細可動構造体の製造方法を説明する各工程における状態を示す断面図である。
【図１Ｄ】図１Ｄは、本発明の実施の形態１における微細可動構造体の製造方法を説明する各工程における状態を示す断面図である。
【図１Ｅ】図１Ｅは、本発明の実施の形態１における微細可動構造体の製造方法を説明する各工程における状態を示す断面図である。
【図１Ｆ】図１Ｆは、本発明の実施の形態１における微細可動構造体の製造方法を説明する各工程における状態を示す断面図である。
【図１Ｇ】図１Ｇは、本発明の実施の形態１における微細可動構造体の製造方法を説明する各工程における状態を示す平面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、本発明の実施の形態２における微細可動構造体の製造方法を説明する各工程における状態を示す断面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、本発明の実施の形態２における微細可動構造体の製造方法を説明する各工程における状態を示す断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、本発明の実施の形態２における微細可動構造体の製造方法を説明する各工程における状態を示す断面図である。
【図２Ｄ】図２Ｄは、本発明の実施の形態２における微細可動構造体の製造方法を説明する各工程における状態を示す断面図である。
【図２Ｅ】図２Ｅは、本発明の実施の形態２における微細可動構造体の製造方法を説明する各工程における状態を示す断面図である。
【図２Ｆ】図２Ｆは、本発明の実施の形態２における微細可動構造体の製造方法を説明する各工程における状態を示す断面図である。
【図２Ｇ】図２Ｇは、本発明の実施の形態２における微細可動構造体の製造方法を説明する各工程における状態を示す断面図である。
【図２Ｈ】図２Ｈは、本発明の実施の形態２における微細可動構造体の製造方法を説明する各工程における状態を示す断面図である。
【図２Ｉ】図２Ｉは、本発明の実施の形態２における微細可動構造体の製造方法を説明する各工程における状態を示す断面図である。
【図２Ｊ】図２Ｊは、本発明の実施の形態２における微細可動構造体の製造方法を説明する各工程における状態を示す断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、本発明の実施の形態３における微細可動構造体の製造方法を説明する各工程における状態を示す断面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、本発明の実施の形態３における微細可動構造体の製造方法を説明する各工程における状態を示す断面図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、本発明の実施の形態３における微細可動構造体の製造方法を説明する各工程における状態を示す断面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、微細可動構造体の構成を示す断面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、微細可動構造体の構成を示す断面図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、微細可動構造体の構成を示す断面図である。
【図５Ａ】図５Ａは、微細可動構造体の製造方法を説明する各工程における状態を示す断面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、微細可動構造体の製造方法を説明する各工程における状態を示す断面図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、微細可動構造体の製造方法を説明する各工程における状態を示す断面図である。
【図５Ｄ】図５Ｄは、微細可動構造体の製造方法を説明する各工程における状態を示す断面図である。
【図５Ｅ】図５Ｅは、微細可動構造体の製造方法を説明する各工程における状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について図を参照して説明する。
【００２１】
［実施の形態１］
はじめに、本発明の実施の形態１について説明する。図１Ａ〜図１Ｇは、本発明の実施の形態１における微細可動構造体の製造方法を説明する各工程における状態を示す断面図である。
【００２２】
まず、図１Ａに示すように、基板１０１の上に第１電極１０２および第２電極１０３を形成する。例えば、スパッタ法などの公知の金属膜形成技術で金属膜を形成し、この金属膜を、公知のフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によりパターニングすることで、第１電極１０２および第２電極１０３が形成できる。また、めっき法により、第１電極１０２および第２電極１０３を形成してもよい。なお、基板１０１は、各電極を形成する表面が、絶縁性を備えているものであればよい。
【００２３】
次に、図１Ｂに示すように、基板１０１の上に、第１電極１０２および第２電極１０３を覆う犠牲膜１０４を形成する。また、後述する可動電極構造体の支持部となる部分が形成される領域の犠牲膜１０４に基板１０１に到達する第１開口部１０４ａを形成する。犠牲膜１０４は、例えば、有機樹脂を塗布することで形成すればよい。また、犠牲膜１０４は、酸化シリコンから構成してもよい。この場合、例えば、よく知られた化学的気相成長（ＣＶＤ）法により酸化シリコンを堆積することで、犠牲膜１０４を形成すればよい。
【００２４】
なお、第１開口部１０４ａは、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術により犠牲膜１０４をパターニングすることで形成すればよい。また、有機樹脂を用いる場合、感光性を有する有機樹脂を用いれば、この有機樹脂の膜をフォトリソグラフィ技術でパターニングすることで、第１開口部１０４ａが形成できる。
【００２５】
次に、図１Ｃに示すように、第２電極１０３の上部の後述する接点部が形成される接点部形成領域において、第２開口部１０５ａを有する密着膜１０５を犠牲膜１０４の上に形成する。密着膜１０５は、上述した接点部形成領域より広く形成する。密着膜１０５は、例えば、チタン、クロム、ジルコニウム、タンタルなどの遷移金属、およびこれらの酸化物から構成することができる。例えば、これらの材料の膜をスパッタ法などにより堆積して形成し、形成した膜を公知のフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によりパターニングすることで、密着膜１０５が形成できる。また、いわゆるリフトオフ法により密着膜１０５を形成してもよい。上述した材料で構成された密着膜１０５は、犠牲膜１０４に対して高い密着性（密着力）を備えている。
【００２６】
次に、図１Ｄに示すように、第２開口部１０５ａを覆って密着膜１０５の上に接点電極膜１０６を形成する。接点電極膜１０６は、例えば、ルテニウム，ロジウム，パラジウム，オスミウム，イリジウム，および白金などの白金属の金属および金などから構成することができる。例えば、これらの材料の膜を、スパッタ法および蒸着法などの成膜技術とリフトオフ法とによりパターニングすることで、接点電極膜１０６が形成できる。
【００２７】
接点電極膜１０６は、第２開口部１０５ａでは、犠牲膜１０４に接触して形成されているが、この周囲では、密着膜１０５が犠牲膜１０４との間に設けられていることになる。従って、密着膜１０５が形成されている箇所では、接点電極膜１０６は、密着膜１０５に接触して形成されている。密着膜１０５は、接点電極膜１０６に対して高い密着性（密着力）を備えている。また、前述したように、密着膜１０５は、犠牲膜１０４に対しても高い密着性を有している。また、第２開口部１０５ａにおける接点電極膜１０６は、密着膜１０５の上の接点電極膜１０６と連続して一体に形成されている。この結果、接点電極膜１０６は、密着膜１０５を介することで、犠牲膜１０４の上に剥離などが抑制された状態で安定して形成された状態となる。このため、後述する可動電極構造体の形成などの以降の工程で、接点電極膜１０６が犠牲膜１０４より剥がれるなどの問題が抑制されるようになる。
【００２８】
次に、図１Ｅに示すように、第１開口部１０４ａを充填して接点電極膜１０６が形成されている接点部形成領域の上に連続する可動電極構造体１０７を形成する。例えば、よく知られためっき法を用いることで所望とする領域に選択的に金属膜を形成することで、可動電極構造体１０７を形成すればよい。
【００２９】
以上のように可動電極構造体１０７を形成した後、犠牲膜１０４を除去すれば、図１Ｆに示すように、基板１０１の上に支持部１７１で支持された片持ち梁状の可動電極構造体１０７が形成される。可動電極構造体１０７は、図１Ｇの平面図にも示すように、支持部１７１，可動電極１７２，および接点部１７３を備え、可動電極１７２が、梁部１７４で支持部１７１に連結している。なお、図１Ｆは、図１ＧのＸＸ’線の断面を示している。
【００３０】
また、可動電極１７２が第１電極１０２の上に離間して配置されている。また、接点部１７３の第２電極１０３との対向面に、接点電極膜１０６および密着膜１０５が形成されている。また、密着膜１０５の第２開口部１０５ａに露出する接点電極膜１０６により、接点電極１０８が構成される。また、接点電極１０８は、第２電極１０３の上に離間して配置される。
【００３１】
上述したように、本実施の形態では、まず、基板の上に第１電極および第２電極を形成し、次に、基板の上に第１電極および第２電極を覆う犠牲膜を形成し、次に、可動電極の支持部が形成される領域の犠牲膜に基板に到達する第１開口部を形成し、次に、第２電極の上部の接点部が形成される接点部形成領域より広く接点部形成領域に第２開口部を有する密着膜を犠牲膜の上に形成し、第２開口部を覆って密着膜の上に接点電極膜を形成し、第１開口部を充填して接点部形成領域の上に連続する可動電極構造体を形成し、この後、犠牲膜を除去し、支持部，可動電極，および接点部を備える可動電極構造体が支持部で基板の上に支持され、可動電極が第１電極の上に離間して配置され、接点部に密着膜および接点電極膜が配置され、密着膜の第２開口部で露出する接点電極膜からなる接点電極が第２電極の上に離間して配置された状態とするようにしている。このようにした本実施の形態によれば、可動電極構造体に安定した状態で接点電極が形成できるようになる。
【００３２】
なお、上述しように形成された微細可動構造体は、可撓性を有する梁部１７４の弾性変形により、可動電極１７２および接点部１７３は、基板１０１の側に変位可能とされている。例えば、可動電極１７２と第１電極１０２との間に電圧を印加すると、静電引力によって可動電極１７２が第１電極１０２の側に引き寄せられる。この力により梁部１７４が変形し、接点電極１０８が第２電極１０３に接する。この接触によって、例えば、第２電極１０３と可動電極１７２とが導通し、スイッチがオン状態となる。
【００３３】
一方、可動電極１７２と第１電極１０２との間への電圧の印加を停止すると、梁部１７４の復元力によって可動電極１７２は元の位置に戻り、接点電極１０８と第２電極１０３が離間する。これにより、第２電極１０３と可動電極１７２との接続が解消され、スイッチはオフ状態となる。このようにして、上述した微細可動構造体において、スイッチとしての機能が実現される。
【００３４】
［実施の形態２］
次に、本発明の実施の形態２について説明する。図２Ａ〜図２Ｊは、本発明の実施の形態２における微細可動構造体の製造方法を説明する各工程における状態を示す断面図である。
【００３５】
まず、図２Ａに示すように、基板２０１の上に、シード層２０２を形成する。基板２０１は、表面に酸化膜が形成されているシリコン基板であればよい。シード層２０２は、めっき法で金蔵膜を形成するために形成するものであり、例えば、スパッタ法および蒸着法などにより、チタンおよび金などの金属を堆積することで形成すればよい。シード層２０２は、例えば、層厚０．１μｍのチタン層と層厚０．１μｍ程度の金層との積層構造とすればよい。
【００３６】
次に、図２Ｂに示すように、めっき法により、金属パターン２０４および金属パターン２０５を形成する。例えば、公知のフォトリソグラフィ技術により、開口部２０３ａおよび開口部２０３ｂを備えるレジストパターン２０３を、シード層２０２の上に形成する。レジストパターン２０３は、膜厚１μｍ程度に形成すればよい。この後、開口部２０３ａおよび開口部２０３ｂに露出するシード層２０２の上に、よく知られためっき法により金膜を膜厚０，５μｍ程度に堆積することで、金属パターン２０４および金属パターン２０５を形成すればよい。
【００３７】
次に、レジストパターン２０３を除去し、引き続いて、金属パターン２０４および金属パターン２０５をマスクとしてシード層２０２を選択的にエッチング除去することで、図２Ｃに示すように、基板２０１の上に第１電極２４１および第２電極２５１を形成する。例えば、ヨウ素，ヨウ化アンモニウム，水，およびエタノールからなるエッチング液を用いることで、シード層２０２の上層の金をエッチングできる。このエッチングでは、金属パターン２０４および金属パターン２０５もエッチングされるが、エッチング量が少ないため、第１電極２４１および第２電極２５１の形成には影響を与えない。また、フッ化水素水溶液によるエッチング液を用いることで、シード層２０２の下層のチタンをエッチングできる。
【００３８】
次に、図２Ｄに示すように、基板２０１の上に、第１電極２４１および第２電極２５１を覆う犠牲膜２０６を形成する。また、後述する可動電極構造体の支持部となる部分が形成される領域の犠牲膜２０６に基板２０１に到達する開口部（第１開口部）２０６ａを形成する。犠牲膜２０６は、例えば、有機樹脂を塗布することで形成すればよい。有機樹脂としては、ポリアミド、ポリアミド酸、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾオキサゾールの前駆体などのベース樹脂に、ポジ型感光剤を添加したものを用いればよい。ポリベンゾオキサゾールをベース樹脂とするポジ型の感光性を有する樹脂としては、住友ベークライト株式会社製の「ＣＲＣ８３００」がある。
【００３９】
このような樹脂を、回転塗布法により塗布して塗布膜を形成し、形成した塗布膜を公知のリソグラフィ技術によりパターニングすることで、犠牲膜２０６を形成し、また、犠牲膜２０６に開口部２０６ａが形成できる。塗布膜は、例えば、膜厚１μｍ程度に形成すればよい。
【００４０】
次に、図２Ｅに示すように、開口部２０６ａの内部を含む犠牲膜２０６の上に、第１密着膜２０７を形成し、第１密着膜２０７の上に第２密着膜２０８を形成する。
【００４１】
第１密着膜２０７は、例えば、蒸着法やスパッタ法によりチタンを堆積することで形成する。第１密着膜２０７は、チタンに限るものではなく、チタン、クロム、ジルコニウム、タンタルなどの遷移金属、およびこれらの酸化物などを用いることができる。第１密着膜２０７の膜厚は０.１μｍ程度とすればよい。
【００４２】
第２密着膜２０８は、例えば、蒸着法やスパッタ法により金を堆積することで形成する。第２密着膜２０８は、金に限るものではなく、ルテニウム，ロジウム，パラジウム，オスミウム，イリジウム，および白金などの白金属などの金属材料を用いることができる。第２密着膜２０８の膜厚は０.１μｍ程度とすればよい。
【００４３】
ここで、第１密着膜２０７は、犠牲膜２０６との密着力に優れており、一方、第２密着膜２０８は、化学的安定に優れ、かつ以降の工程で形成する接点電極膜との密着力に優れている。犠牲膜２０６との密着性に優れる第１密着膜２０７は、化学的安定性が不十分であるため、大気中に晒されることによる酸化などの反応などにより、第２密着膜２０８との密着力が低下する場合がある。このため、第２密着膜２０８は、第１密着膜２０７の形成に引き続いて真空中で連続して堆積するとよい。第２密着膜２０８は、化学的に安定であるため、例えば、大気などの酸化雰囲気に晒しても、接点電極膜との高い密着力が維持できる。
【００４４】
次に、図２Ｆに示すように、第２密着膜２０８の上に、開口部２０９ａを備えるレジストパターン２０９を形成する。開口部２０９ａは、第２電極２５１の上部にあたる接点部形成領域に形成する。接点部形成領域は、後述するように、可動電極構造体の接点部が形成される領域である。また、レジストパターン２０９をマスクとし、第１密着膜２０７および第２密着膜２０８を選択的にエッチング除去し、開口部（第２開口部）２０７ａおよび開口部２０８ａを形成する。本実施の形態では、第２密着膜２０８から第１密着膜２０７を貫通して犠牲膜２０６に到達する開口部を形成することで開口部２０７ａおよび開口部２０８ａを形成する。
【００４５】
第２密着膜２０８を金から構成した場合、ヨウ素，ヨウ化アンモニウム，水，およびエタノールからなるエッチング液を用いることで、第２密着膜２０８をエッチングできる。また、第１密着膜２０７をチタンから構成した場合、フッ化水素水溶液によるエッチング液を用いることで、第１密着膜２０７をエッチングできる。
【００４６】
次に、レジストパターン２０９を除去した後、図２Ｇに示すように、第１密着膜２０７および第２密着膜２０８をマスクとして犠牲層２０６を選択的にエッチングし、凹部２０６ｂを形成する。凹部２０６ｂは、第２電極２５１の上部にあたる接点部形成領域に形成する。
【００４７】
例えば、フッ化炭素および酸素よりなる混合ガスのプラズマ種としたドライエッチングにより、犠牲膜２０６を選択的にエッチングすることができる。エッチング量は、０．１μｍ程度とし、深さ０．１μｍ程度の凹部２０６ｂを形成する。この処理により、開口部２０７ａにおける金属材料の残渣を除去できる。開口部２０７ａにおける犠牲膜２０６上の金属材料の残渣は、後述する接点電極の接点に悪影響を与えるため、上述したように除去しておくとよい。
【００４８】
次に、図２Ｈに示すように、第２密着膜２０８の上に、接点電極膜２１０を形成する。
接点電極膜２１０は、凹部２０６ｂも覆うように形成する。接点電極膜２１０は、例えば、蒸着法およびスパッタ法などにより、金を堆積して形成すればよい。接点電極膜２１０は、金に限るものではなく、ルテニウム，ロジウム，パラジウム，オスミウム，イリジウム，および白金などの白金属などの金属材料を用いればよい。また、接点電極膜２１０は、膜厚０．１μｍ程度に形成すればよい。
【００４９】
上述したように形成する接点電極膜２１０は、凹部２０６ｂ以外の領域では第２密着膜２０８の上に形成され、ほとんどの領域が第２密着膜２０８に接して形成される。前述したように、第１密着膜２０７は、犠牲膜２０６と高い密着性を有して密着し、第２密着膜２０８は、第１密着膜２０７と高い密着性を有して密着している。また、同様の材料から構成されている接点電極膜２１０と第２密着膜２０８とも、高い密着性を有して密着している。また、凹部２０６ｂの上の接点電極膜２１０は、第２密着膜２０８の上の接点電極膜２１０と連続して一体に形成されている。このため、後述する可動電極構造体の形成などの以降の工程で、接点電極膜２１０が剥がれるなどの問題が抑制されるようになる。
【００５０】
次に、図２Ｉに示すように、開口部２０６ａを充填して凹部２０６ｂが形成されている接点部形成領域の上に連続する可動電極構造体２１２を形成する。例えば、まず、接点電極膜２１０の上に、開口部２１１ａを備えるレジストパターン２１１を形成する。次いで、開口部２１１ａに露出している接点電極膜２１０をシード層として金をめっきすれば、可動電極構造体２１２が形成できる。このとき、金のめっき膜は、膜厚０．５μｍ程度とすればよい。
【００５１】
以上のようにして可動電極構造体２１２を形成した後、レジストパターン２１１を除去し、可動電極構造体２１２をマスクとして接点電極膜２１０，第２密着膜２０８，および第１密着膜２０７を選択的に除去する。これにより、接点電極膜２１０，第２密着膜２０８，および第１密着膜２０７は、可動電極構造体２１２の下部にのみ形成された状態となる。この後、犠牲膜２０６を除去すれば、図２Ｊに示すように、基板２０１の上に支持部２１３で支持された片持ち梁状の可動電極構造体２１２が形成される。犠牲膜２０６は、例えば、オゾン雰囲気で２５０〜３００℃に加熱することで除去可能である。
【００５２】
可動電極構造体２１２は、支持部２１３，可動電極２１４，および接点部２１５を備え、可動電極２１４が、梁部２１６で支持部２１３に連結している。例えば、可動電極２１４の部分は、幅２μｍ程度に形成されている。また、可動電極構造体２１２は、支持部２１３から接点部２１５にかけて、例えば、長さ５μｍ程度に形成されている。また、可動電極２１４が第１電極２４１の上に離間して配置されている。また、接点部２１５において、第１密着膜２０７の開口部（第２開口部）２０７ａに露出する接点電極膜２１０により、接点電極２２０が構成される。また、接点電極２２０は、第２電極２５１の上に離間して配置される。
【００５３】
以上に説明したように、本実施の形態によれば、可動電極構造体２１２に安定した状態で接点電極２２０が形成できるようになる。
【００５４】
［実施の形態３］
次に、本発明の実施の形態３について説明する。図３Ａ〜図３Ｃは、本発明の実施の形態３における微細可動構造体の製造方法を説明する各工程における状態を示す断面図である。本実施の形態は、図２Ｅ，図２Ｆ，図２Ｇを用いて説明した実施の形態２における工程を他の方法で実施した変形例である。
【００５５】
まず、図２Ｄを用いて説明したように、基板２０１の上に、第１電極２４１および第２電極２５１を覆う犠牲膜２０６を形成する。この後、本実施の形態では、この次に、図３Ａに示すように、第２電極２５１の上部にあたる接点部形成領域に、レジストパターン３０１を形成する。
【００５６】
次に、図３Ｂに示すように、開口部２０６ａの内部を含む犠牲膜２０６の上に、第１密着膜２０７を形成し、第１密着膜２０７の上に第２密着膜２０８を形成する。これらの膜は、前述したように、スパッタ法や蒸着法により形成すればよい。第１密着膜２０７および第２密着膜２０８は、レジストパターン３０１の上にも形成される。
【００５７】
次に、レジストパターン３０１を除去すれば、図３Ｃに示すように、第１密着膜２０７および第２密着膜２０８に、開口部２０７ａおよび開口部２０８ａが形成できる。本実施の形態では、犠牲膜２０６に凹部を形成する必要はない。この後、凹部の形成以外は、図２Ｈ〜図２Ｊを用いて説明した前述した実施の形態２と同様にする。本実施の形態では、上述するように、いわゆるリフトオフ法により、開口部２０７ａおよび開口部２０８ａを備える状態で、第１密着膜２０７および第２密着膜２０８を形成する。このため、犠牲膜２０６の上に接点部形成領域には、密着膜を構成する金属材料が堆積されることがなく、これらの材料の残渣が残ることがない。このため、本実施の形態では、凹部を形成する必要がない。
【００５８】
上述した実施の形態においても、前述した実施の形態と同様に、可動電極構造体２１２に安定した状態で接点電極２２０が形成できるようになる。
【００５９】
ところで、上述では、可動電極に接続する電極（第２電極１０３）を、可動電極の下の基板の上に形成したが、これに限るものではない。例えば、基板側から見て可動電極より上に可動電極に接続する配線などの電極（離間電極構造体）が配置されていてもよい。この場合、可動電極より上の電極（上部固定電極）の、基板側の面（下面）に接点電極を形成することになる。この場合、可動電極の上の上部固定電極は、犠牲膜を用いて形成するため、前述同様に、上部固定電極の下面に接点電極を形成しようとすると、犠牲膜の上に接点電極となる金属膜を形成することになり、前述同様に、密着性の問題が発生する。
【００６０】
これに対し、上述した実施の形態と同様に、上部固定電極の下面の位置の犠牲膜上に、密着膜を介して接点電極膜を形成して接点電極を形成すれば、密着性の問題を解消することができる。このように、本発明は、犠牲膜の上に形成する電極の下面に接点電極を形成する構成に適用することで、上述した効果を奏するものである。
【００６１】
従って、本発明の微細可動構造体の製造方法は、次に示す工程を備えることが特徴となる。
【００６２】
基板の上に犠牲膜を形成する犠牲膜形成工程と、接点部が形成される接点部形成領域の外側の犠牲膜の上に密着膜を形成する密着膜形成工程と、接点部形成領域および密着膜の上に接点電極膜を形成する接点電極膜形成工程と、接点部形成領域を含む犠牲膜の上に離間電極構造体を形成する離間電極構造体形成工程と、犠牲膜を除去し、基板の上に支持部で支持された離間電極，および接点部を備える離間電極構造体が形成され、接点部に密着膜および接点電極膜が配置され、露出する接点電極膜からなる接点電極が基板の側に向いて形成された状態とする接点電極形成工程と、接点電極に対向して配置される対向電極を形成する対向電極形成工程とを少なくとも備える。
【００６３】
また、上述した製造方法で形成される微細可動構造体は、基板の上に支持部により支持されて基板と離間して配置される離間電極および接点部を備える離間電極構造体と、接点部に形成された接点電極膜と、接点電極膜に少なくとも一部が接触して形成された密着膜と、露出する接点電極膜からなる接点電極と、接点電極に対向して配置される対向電極とを少なくとも備えるものとなる。
【００６４】
ここで、前述した実施の形態１では、可動電極構造体１０７が上記離間電極構造体に対応し、接点部１７３が上記離間電極に対応し、第２電極１０３が上記対向電極に対応している。また、実施の形態１では、開口部（第２開口部）を備えて密着膜を形成し、接点電極膜の周囲のほぼ全域が、密着膜に接触する構成としているため、犠牲膜からの接点電極膜の剥離が、より効果的に抑制できるようになる。
【００６５】
以上に説明したように、本発明によれば、犠牲膜の上に密着膜を形成し、密着膜と一部が接触するようにして接点電極膜を形成することで、接点電極を形成した。この結果、電気特性や化学的安定性に優れた接点電極を形成するための接点電極膜を、犠牲膜の上に安定性して形成することが可能となり、低抵抗で安定な接点電極を備えた微細可動構造体を作製することができるようになる。
【００６６】
なお、本発明は以上に説明した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で、当分野において通常の知識を有する者により、多くの変形および組み合わせが実施可能であることは明白である。例えば、支持部は、離間電極構造体（可動電極）と一体に形成する必要はなく、別体に形成してもよい。例えば、支持部を予め形成しておき、この状態で犠牲膜を形成し、犠牲膜の上に、形成されている支持部に連結する離間電極構造体を形成してもよい。
【００６７】
また、前述した実施の形態１において、接点部形成領域（第２開口部１０５ａ）の犠牲膜１０４に、前述した実施の形態２と同様に、凹部を形成してもよい。これは、基板側から見て可動電極より上に可動電極に接続する電極が配置されている形態においても適用できる。例えば、可動電極上部に配置する電極を形成するための犠牲膜の接点ぶ形成領域に凹部を形成すればよい。
【００６８】
また、実施の形態１では、第２開口部１０５ａを備えて密着膜１０５を形成し、接点電極膜１０６の周囲のほぼ全域が、密着膜１０５に接触するようにしたが、これに限るものではない。例えば、接点電極となる領域の周囲の３箇所に密着膜を形成し、接点部形成領域の周囲の３箇所で接点電極膜と密着膜が接触することで、接点電極膜の剥離を抑制するようにしてもよい。
【００６９】
また、例えば、第１電極、第２電極、および可動電極構造体などを金から構成したが、これに限定されるものではない。これらの構造体は、アルミニウム，ニッケル，銅，銀などの金属材料、シリコン，ポリシリコン，シリコンゲルマニウムなどの半導体材料、シリコン酸化膜，シリコン窒素膜などの絶縁材料などを用いるようにしてもよい。これらの材料を用い、公知の微細加工技術を用いて加工すれば、各構造体を形成することが可能である。
【符号の説明】
【００７０】
１０１…基板，１０２…第１電極，１０３…第２電極，１０４…犠牲膜，１０４ａ…第１開口部，１０５…密着膜，１０５ａ…第２開口部，１０６…接点電極膜，１０７…可動電極構造体，１７１…支持部，１７２…可動電極，１７３…接点部，１７４…梁部，１０８…接点電極
【図１Ａ】
2012086315.tif 000003
【図１Ｂ】
2012086315.tif 000004
【図１Ｃ】
2012086315.tif 000005
【図１Ｄ】
2012086315.tif 000006
【図１Ｅ】
2012086315.tif 000007
【図１Ｆ】
2012086315.tif 000008
【図１Ｇ】
2012086315.tif 000009
【図２Ａ】
2012086315.tif 000010
【図２Ｂ】
2012086315.tif 000011
【図２Ｃ】
2012086315.tif 000012
【図２Ｄ】
2012086315.tif 000013
【図２Ｅ】
2012086315.tif 000014
【図２Ｆ】
2012086315.tif 000015
【図２Ｇ】
2012086315.tif 000016
【図２Ｈ】
2012086315.tif 000017
【図２Ｉ】
2012086315.tif 000018
【図２Ｊ】
2012086315.tif 000019
【図３Ａ】
2012086315.tif 000020
【図３Ｂ】
2012086315.tif 000021
【図３Ｃ】
2012086315.tif 000022
【図４Ａ】
2012086315.tif 000023
【図４Ｂ】
2012086315.tif 000024
【図４Ｃ】
2012086315.tif 000025
【図５Ａ】
2012086315.tif 000026
【図５Ｂ】
2012086315.tif 000027
【図５Ｃ】
2012086315.tif 000028
【図５Ｄ】
2012086315.tif 000029
【図５Ｅ】
2012086315.tif 000030