(57)【要約】【課題】層間密着性に優れ、高温高湿の環境下においても誘電特性の変動が少なく、伝送損失の小さい、シールドストリップラインを備えた多層基板を提供すること。【解決手段】伝送線路が埋設された第一の誘電体層の少なくとも片面に導体層を積層してなる回路板の両面に、第一の誘電体層よりも高い比誘電率を有する第二の誘電体層を積層してなる積層板を含んでなり、第一の誘電体層は脂環式構造含有ポリマーを含む架橋性樹脂成形体（Ｉ）を硬化してなるものである、多層基板。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
伝送線路が埋設された第一の誘電体層の少なくとも片面に導体層を積層してなる回路板の両面に、第一の誘電体層よりも高い比誘電率を有する第二の誘電体層を積層してなる積層板を含んでなり、第一の誘電体層は脂環式構造含有ポリマーを含む架橋性樹脂成形体（Ｉ）を硬化してなるものである、多層基板。
【請求項２】
架橋性樹脂成形体（Ｉ）が、少なくとも一つの架橋性基を有するカップリング剤をさらに含むものである請求項１記載の多層基板。
【請求項３】
伝送線路及び導体層が、表面粗度（Ｒｚ）２μｍ以下の金属箔からなる請求項１又は２記載の多層基板。
【請求項４】
第一の誘電体層の線膨張率が５０ｐｐｍ／℃以下である請求項１〜３いずれか記載の多層基板。
【請求項５】
第二の誘電体層が、脂環式構造含有ポリマー及び無機充填剤を含む架橋性樹脂成形体（ＩＩ）を硬化してなるものである請求項１〜４いずれか記載の多層基板。
【請求項６】
架橋性樹脂成形体（ＩＩ）の無機充填剤中、比誘電率５以下の無機充填剤の含有量が２０重量％以下である請求項５記載の多層基板。
【請求項７】
第一の誘電体層の厚さが第二の誘電体層の厚さよりも小さい請求項１〜６いずれか記載の多層基板。
【請求項８】
第一の誘電体層、導体層、及び第二の誘電体層を一括積層してなるものである請求項１〜７いずれか記載の多層基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シールドストリップラインを備えた多層基板に関する。より詳しくは、主にノイズフィルタ用バイパス素子や電源デカップリング用素子として用いられる、高速化、高周波化に適したシールドストリップラインを備えた多層基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
科学技術の進歩に伴なって、電子機器の小型化及び高性能化が求められている。パ−ソナルコンピュ−タやワ−クステ−ションなどの情報処理装置においては、演算速度の高速化にともない、半導体素子間に伝達される信号の周波数が上昇し、信号の波長とプリント基板上の配線の長さが同じオーダーになりつつある。このため、高周波の信号を伝達するためにマイクロストリップラインまたはストリップライン構造を有する印刷回路基板が使用されている。
Ｇｂｐｓクラスのデジタル信号を伝送する場合の課題は、信号波形が乱れることにある。これは配線を構成するプリント基板の電気的制約による。すなわち、金属配線は信号が高周波になるに従い表皮効果による減衰を受けると共に、絶縁体も伝送信号が高周波になると誘電損失が信号減衰の要因となっている。これらは周波数依存性を有し高い周波数ほど減衰が大きい。
【０００３】
シングルエンドのストリップラインにおける誘電損失αdは、
αd=27.3ｆtanδ√(εr)/c  (dB/m) 
で表される。ここで、ｆは周波数、εrは誘電体の比誘電率、cは真空中の光速、tanδは誘電体の誘電正接である。この関係からわかるように、低い誘電率と低い誘電正接を持つ誘電体を用いることで誘電損失は小さくできる。
差動配線においても低誘電率、低誘電正接によって低損失化が見込める点は同じであり、低誘電率または低誘電正接である低損失誘電体を用いたプリプレグや内層コア材が製造されている。
【０００４】
しかし、一般に低損失誘電体はコストが高いため、ＦＲ４など通常の損失誘電体からなるプリント基板の誘電体全てを低損失誘電体に置き換えると大幅な製品の価格上昇を招いてしまう。そこで、高速信号を通す層にのみ低損失材を用いたプリント基板の製造が行われている。しかし、積層プレス時の接着温度が誘電体材料によって異なっているため、一部の層の誘電体材料のみを変えると、複数回に分けて積層を行う必要が出てくる。これにより組み立て工程が増加し、コスト低減の妨げとなっている。
また、高周波数化によって、回路、特に電源回路に流れる高周波電流が増大し、電磁輻射の増大が顕著となる。加えて、プリント基板は、高密度化されると配線が近接し、隣接する配線からの信号の影響を受ける、いわゆるクロストークノイズが問題となる。このようにプリント基板に対する性能の要求は、厳しくなる一方である。
【０００５】
特許文献１では、伝送線路が形成された低誘電率の樹脂絶縁層と電源層とグランド層に挟まれた高誘電率の無機絶縁層とを含む高速信号用プリント配線板が開示されている。しかしながら、樹脂絶縁層が吸水率の大きいエポキシ系の材料を用いて形成されるため、高湿度雰囲気下における伝送品質に問題があった。また、無機絶縁層との吸水率差から、反り・剥離の問題が発生していた。かかる問題を改善する方策として、特許文献２には、熱硬化型のポリフェニレンエーテルとシリカまたは／およびガラスとからなる低誘電率層と、熱硬化型のポリフェニレンエーテルとチタン酸ストロンチウムとからなる高誘電率層とを含む積層板を用いた多層配線基板が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平０９−２３２７６２号公報
【特許文献２】特開２００３−１７８６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献２の多層配線基板に使用されるポリフェニレンエーテルは粘度が高いために流動性が低く、成形性に乏しいため、層間密着性に優れた多層配線板を得るのは難しいことが、本発明者らの検討により明らかになった。
本発明の目的は、層間密着性に優れ、高温高湿の環境下においても誘電特性の変動が少なく、伝送損失の小さい、シールドストリップラインを備えた多層基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者らは、前記課題を解決すべく、マイクロストリップラインなどの伝送線路が埋設される低誘電体層を構成する樹脂材料に着目して鋭意検討した結果、低誘電体層を脂環式構造含有ポリマーを含む組成物により形成すると、層間密着性に優れ、高温高湿の環境下においても誘電特性の変動が抑制され、信頼性が高く、伝送損失の小さい多層基板が得られることを見出した。本発明者らは、かかる知見に基づき、本発明を完成させるに至った。
【０００９】
かくして、本発明によれば、
〔１〕伝送線路が埋設された第一の誘電体層の少なくとも片面に導体層を積層してなる回路板の両面に、第一の誘電体層よりも高い比誘電率を有する第二の誘電体層を積層してなる積層板を含んでなり、第一の誘電体層は脂環式構造含有ポリマーを含む架橋性樹脂成形体（Ｉ）を硬化してなるものである、多層基板、
〔２〕架橋性樹脂成形体（Ｉ）が、少なくとも一つの架橋性基を有するカップリング剤をさらに含むものである前記〔１〕記載の多層基板、
〔３〕伝送線路及び導体層が、表面粗度（Ｒｚ）２μｍ以下の金属箔からなる前記〔１〕又は〔２〕記載の多層基板、
〔４〕第一の誘電体層の線膨張率が５０ｐｐｍ／℃以下である前記〔１〕〜〔３〕いずれか記載の多層基板、
〔５〕第二の誘電体層が、脂環式構造含有ポリマー及び無機充填剤を含む架橋性樹脂成形体（ＩＩ）を硬化してなるものである前記〔１〕〜〔４〕いずれか記載の多層基板、
〔６〕架橋性樹脂成形体（ＩＩ）の無機充填剤中、比誘電率５以下の無機充填剤の含有量が２０重量％以下である前記〔５〕記載の多層基板、
〔７〕第一の誘電体層の厚さが第二の誘電体層の厚さよりも小さい前記〔１〕〜〔６〕いずれか記載の多層基板、並びに
〔８〕第一の誘電体層、導体層、及び第二の誘電体層を一括積層してなるものである前記〔１〕〜〔７〕いずれか記載の多層基板、
が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、層間密着性に優れ、高温高湿の環境下においても誘電特性の変動が少なく、伝送損失の小さい、シールドストリップラインを備えた多層基板が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の多層基板の一態様を示す図である。
【図２】本発明の多層基板の一態様を示す図である。
【図３】本発明の多層基板の一態様を示す図である。
【図４】本発明の多層基板の一態様を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の多層基板は、伝送線路が埋設された第一の誘電体層の少なくとも片面に導体層を積層してなる回路板の両面に、第一の誘電体層よりも高い比誘電率を有する第二の誘電体層を積層してなる積層板を含んでなり、第一の誘電体層は脂環式構造含有ポリマーを含む架橋性樹脂成形体（Ｉ）を硬化してなるものである。
【００１３】
（伝送線路）
本発明の多層基板において、第一の誘電体層には伝送線路が埋設されており、第一の誘電体層の少なくとも片面に積層されている導体層と共にシールドストリップラインを形成する。
【００１４】
図１は、本発明の多層基板の一態様を示す図である。ストリップライン３は、第一の誘電体層３Ｂ中に埋設された伝送線路である導体３Ｄを導体層３Ａと導体層３Ｃとで挟んだ構成となっている。多層基板１は、ストリップライン３の両面に、第二の誘電体層２又は４、導体層６がこの順に積層されて構成されている。
【００１５】
図２は、本発明の多層基板の別の一態様を示す図である。ストリップライン３は、図１のものと同様の構造を有する。図２は、ストリップライン構造の差動配線の信号の伝搬方向と垂直な面での断面構造を示しており、内層の信号層に並んで配置された信号配線３Ｄおよび３Ｅが、第一の誘電体層３Ｂを介して上下を導体層（電源グラウンド層）３Ａと３Ｃで挟まれた構造となっている。このような構造の差動配線では信号配線３Ｄと３Ｅで１ビットの信号を構成する方式を用いる。具体的には、隣接信号線３Ｄと３Ｅに逆極性の信号を通し、受信側で電圧差を識別する。この方式は外部からのコモンノイズに強く、電源揺れを引き起こしにくいという特長を持つ。
【００１６】
図３は、本発明の多層基板の別の一態様を示す図である。本多層基板は、多層配線板１の上面に導体層５をパターン形成することにより構成される電極５ａが設けられ、多層配線板１の下面には導体層６をパターン形成することにより構成される電極６ｂが設けられた構成となっている。第二の誘電体層２を介して電極５ａと対向する位置には導体層３Ａをパターン形成することによって構成される電極３Ａａが設けられ、電極５ａ、電極３Ａａとこれらの間に設けられた第二の誘電体層２によってキャパシタＣ１として機能する。また、第二の誘電体層４を介して電極６ｂと対向する位置には導体層３Ｃをパターン形成することによって構成される電極３Ｃｂが設けられ、電極６ｂ、電極３Ｃｂとこれらの間に設けられた第二の誘電体層４によってキャパシタＣ２として機能する。
【００１７】
伝送線路及び導体層を構成する材料としては特に制限されない。当該材料としては、例えば、銅、金、銀又はこれらの合金等、及び炭素系材料が挙げられる。中でも銅が好ましい。多層基板の伝送損失を低減させる観点から、伝送線路及び導体層は、表面粗度（Ｒｚ）２μｍ以下の金属箔からなるのが好ましい。本明細書において表面粗度（Ｒｚ）は、ＡＦＭ（原子間力顕微鏡）により測定することができる。
【００１８】
（第一の誘電体層）
本発明における第一の誘電体層は、脂環式構造含有ポリマーを含む架橋性樹脂成形体（Ｉ）を硬化してなるものである。第一の誘電体層は、第二の誘電体層よりも低い比誘電率となればよく、脂環式構造含有ポリマー以外の任意の樹脂や後述するような無機充填剤などを含んでいてもよい。
【００１９】
（脂環式構造含有ポリマー）
本発明に用いる脂環式構造含有ポリマーとは、主鎖及び／又は側鎖に脂環式構造を有するポリマーをいう。機械的強度や耐熱性などを高める観点から、主鎖に脂環式構造を有するものが好ましい。
前記脂環式構造としては、飽和環状炭化水素（シクロアルカン）構造、不飽和環状炭化水素（シクロアルケン）構造などが挙げられるが、機械的強度や耐熱性などを向上させる観点から、シクロアルカン構造やシクロアルケン構造が好ましく、中でもシクロアルカン構造がより好ましい。脂環式構造を構成する炭素原子数には、格別な制限はないが、同様の観点より、通常、４〜３０個、好ましくは５〜２０個、より好ましくは５〜１５個の範囲である。脂環式構造含有ポリマー中の、脂環式構造を含有してなる繰り返し単位の割合は、目的に応じて適宜選択すればよいが、好ましくは５０重量％以上、より好ましくは７０重量％以上、さらに好ましくは９０重量％以上である。脂環式構造含有ポリマー中の、脂環式構造を含有してなる繰り返し単位の割合がこの範囲にあると、得られるポリマーの透明性や耐熱性が向上し、好ましい。
【００２０】
脂環式構造含有ポリマーとしては、特に限定はないが、例えば、シクロオレフィンモノマーの開環重合体、シクロオレフィンモノマーとこれと開環共重合可能なその他のモノマーとの開環共重合体、シクロオレフィンモノマーの付加重合体、シクロオレフィンモノマーとこれと共重合可能なその他のモノマーとの付加共重合体、及びスチレンやα−メチルスチレンなどのビニル芳香族系モノマーからなるポリマーの芳香環部分の水素添加物などが挙げられる。中でも、機械的強度や耐熱性に優れることから、シクロオレフィンモノマーの開環重合体が好ましい。本発明に用いる架橋性樹脂成形体中、これらの脂環式構造含有ポリマーは、それぞれ単独で、又は２種以上が含まれていてもよい。なお、本明細書において、シクロオレフィンとは、炭素−炭素二重結合を含む脂環式構造を有するオレフィンを、シクロオレフィンモノマーとは、シクロオレフィンからなる単量体をいう。
【００２１】
脂環式構造含有ポリマーの分子量は、目的に応じて適宜選択すればよいが、テトラヒドロフランを溶離液とするゲル・パーミエーション・クロマトグラフィーで測定したポリスチレン換算の重量平均分子量で、通常、１，０００〜１，０００，０００、好ましくは５，０００〜５００，０００、より好ましくは１０，０００〜１００，０００の範囲であれば、機械的強度と樹脂加工性とが良好にバランスされ好適である。
【００２２】
脂環式構造含有ポリマーとしては、得られる多層基板においてピール強度と配線埋め込み性を向上させる観点から、その主鎖及び／又は末端にカップリング剤の親水基を有する脂環式構造含有ポリマー（以下、脂環式構造含有ポリマー（Ａ）という場合がある。）が好ましい。
脂環式構造含有ポリマー（Ａ）中、ポリマーに結合しているカップリング剤の親水基は、特に限定されるものではない。カップリング剤の構造は一般に、ＴｉやＡｌ等の金属元素やＳｉなどに結合したアルコキシ基等からなる親水基と、樹脂などの疎水性表面と相互作用する疎水基とからなる。親水基中のアルコキシ基等の部分は加水分解し、縮合することで無機物表面と結合しうるため、脂環式構造含有ポリマーに結合しているカップリング剤の親水基は、得られる多層基板において層間密着性、例えば、樹脂層と金属箔との密着性の向上に寄与するものと推定される。
【００２３】
本発明においてカップリング剤の親水基としては、無機物表面への結合反応性が良好であることから、Ｔｉ、Ａｌ、又はＳｉに結合した、ヘテロ原子が含まれていてもよい、直鎖又は分岐鎖の炭素数１〜２０、好ましくは炭素数１〜５の、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキロイル基、又はアルケノイル基からなる親水基（Ｘ）が好ましく、Ｓｉに結合した、ヘテロ原子が含まれていてもよい、直鎖又は分岐鎖の炭素数１〜２０、好ましくは炭素数１〜５の、アルコキシ基、又はアルケニルオキシ基からなる親水基（ｘ）がより好ましい。へテロ原子としては、例えば、酸素原子、窒素原子、イオウ原子、リン原子、及びハロゲン原子が挙げられる。親水基部分にＴｉを含むカップリング剤としてはチタネートカップリング剤が、親水基部分にＡｌを含むカップリング剤としてはアルミネートカップリング剤が、親水基部分にＳｉを含むカップリング剤としてはシランカップリング剤が、それぞれ挙げられ、前記親水基（Ｘ）は、これらのカップリング剤の親水基部分に相当する。脂環式構造含有ポリマー（Ａ）中、親水基は、１種類の親水基からなっても、相異なる２種類以上の親水基からなってもよい。
【００２４】
前記チタネートカップリング剤としては、例えば、イソプロピルトリオクタノイルチタネート、イソプロピルジメタクリルイソステアロイルチタネート、イソプロピルトリステアロイルチタネート、イソプロピルトリイソステアロイルチタネート、イソプロピルジアクリルチタネート、ジクミルフェニルオキシアセテートチタネート、ジイソステアロイルエチレンチタネートなどが挙げられる。
【００２５】
前記アルミネートカップリング剤としては、例えば、トリメトキシアルミニウム、トリエトキシアルミニウム、トリプロポキシアルミニウム、トリイソプロポキシアルミニウム、トリブトキシアルミニウム等のアルコキシアルミニウムなどが挙げられる。
【００２６】
前記シランカップリング剤としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニル−トリ（β−メトキシエトキシ）シラン等のビニルシラン類；γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン等のアクリルシラン類；β−（３，４−エポキシシクロヘキシル）メチルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン等のエポキシシラン類；γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−β−（アミノエチル）−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ジメトキシメチルシリルプロピル）エチレンジアミン、Ｎ−（トリメトキシシリルプロピル）エチレンジアミン等のアミノシラン類などが挙げられる。
【００２７】
カップリング剤の親水基は、当該親水基の、アルコキシ基等ではなく、アルコキシ基等が結合している、ＴｉやＡｌ等の金属元素やＳｉなどと脂環式構造含有ポリマーとが、直接的に、又は、例えば、２価の炭素数１〜２０の有機基を介して間接的に結合することで、脂環式構造含有ポリマーの主鎖及び／又は末端に結合している。前記有機基としては、例えば、へテロ原子を含んでいてもよい、炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルキレン基、へテロ原子を含んでいてもよい、炭素数１〜２０の直鎖又は分岐鎖のアルケニレン基、及びアリーレン基などが挙げられる。へテロ原子は前記と同様である。脂環式構造含有ポリマー（Ａ）中、カップリング剤の親水基は、１つのモノマー単位に２以上結合していてもよく、また、必ずしも脂環式構造を有するモノマー単位に結合していなくてもよい。
【００２８】
脂環式構造含有ポリマー（Ａ）の全モノマー単位１００モル％中、カップリング剤の親水基が結合したモノマー単位の割合は、特に限定されないが、得られる多層基板においてピール強度と配線埋め込み性とを効率よく高める観点から、通常、０．００５〜１５モル％、好ましくは０．０１〜１０モル％、より好ましくは０．０５〜８モル％である。なお、カップリング剤の親水基が結合したモノマー単位の割合が１５モル％を超えると、得られる効果は、当該割合が１５モル％の場合と実質的に同じである。カップリング剤の親水基が結合したモノマー単位の割合は、例えば、ＮＭＲ（核磁気共鳴）法により求めることができる。かかる割合は、脂環式構造含有ポリマーへのカップリング剤の親水基の結合量を適宜調整することで調整可能である。
【００２９】
脂環式構造含有ポリマー（Ａ）中、末端にカップリング剤の親水基が結合した脂環式構造含有ポリマーの割合は、特に限定されないが、例えば、後述の連鎖移動基を有するカップリング剤を用いる架橋性樹脂成形体の製造方法において、連鎖移動基を有するカップリング剤と、当該カップリング剤を除く他の連鎖移動剤との配合割合を適宜調整することで調整可能である。
【００３０】
なお、脂環式構造含有ポリマー以外の任意の樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、シアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、フッ素樹脂、スチレン樹脂、オレフィン樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、マレイミド樹脂、トリアジン樹脂、及び液晶樹脂などが挙げられる。
【００３１】
本発明における第一の誘電体層は、以上の脂環式構造含有ポリマーを含む架橋性樹脂成形体（Ｉ）を硬化してなるものである。架橋性樹脂成形体（Ｉ）の基材樹脂には、本発明の効果の発現が阻害されない範囲であれば、脂環式構造含有ポリマー以外の公知の任意の樹脂が含まれていてもよいが、基材樹脂は、通常、脂環式構造含有ポリマーを５０重量％以上含有してなり、好ましくは脂環式構造含有ポリマーのみからなる。なお、前記架橋性樹脂成形体（Ｉ）には、前記任意の樹脂の他、その他の成分が含まれていてもよい。
【００３２】
第一の誘電体層の厚さとしては、通常、２０〜４００μｍ、好ましくは５０〜２００μｍである。また、第一の誘電体層の線膨張率としては、通常、５０ｐｐｍ／℃以下、好ましくは３０ｐｐｍ／℃以下である。第一の誘電体層の１ＧＨｚで２０℃の条件での比誘電率としては、好ましくは７以下、より好ましくは５以下、１ＧＨｚで２０℃の条件での誘電正接としては、通常、０．００８以下、好ましくは０．００５以下、より好ましくは０．００３以下、２ＧＨｚで−３０〜１００℃の範囲で温度変化する条件での比誘電率の温度変化率としては、絶対値で、好ましくは２００ｐｐｍ／℃以下、より好ましくは１００ｐｐｍ／℃以下である。
【００３３】
（第二の誘電体層）
第二の誘電体層は第一の誘電体層よりも高い比誘電率を持つ層である。第二の誘電体層を構成する材料は、第一の誘電体層よりも高い比誘電率となる材料であれば特に制限されないが、通常、脂環式構造含有ポリマー及び無機充填剤を含む架橋性樹脂成形体（ＩＩ）を硬化してなる硬化物で形成するのが好ましい。
架橋性樹脂成形体（ＩＩ）には、樹脂成分として、前記脂環式構造含有ポリマーの他、前記のような公知の任意の樹脂が含まれていてもよく、さらに無機材料が含まれていてもよい。当該樹脂成分は、架橋性樹脂成形体（ＩＩ）の基材樹脂をなす。無機材料としては、例えば、シリカ、アルミナ、フォルステライト、サファイア、及びジルコニア等が挙げられる。架橋性樹脂成形体（ＩＩ）の基材樹脂は、通常、脂環式構造含有ポリマーを５０重量％以上含有してなり、好ましくは脂環式構造含有ポリマーのみからなる。第二の誘電体層の比誘電率は、第一の誘電体層の比誘電率よりも高くなるよう、例えば、無機充填剤の種類や配合量を適宜選択して調整することができる。
【００３４】
（無機充填剤）
本発明に用いる無機充填剤としては、特に限定されないが、所望の誘電率を得る為に無機充填剤を第二の誘電体層に高濃度に配合することによる層平坦性の低下および機械的強度の低下を防止する観点から、架橋性樹脂成形体（ＩＩ）に用いる無機充填剤中、比誘電率５以下の無機充填剤の含有量を２０重量％以下とするのが好ましい。無機充填剤としては、通常、高誘電フィラーが好適に用いられる。高誘電フィラー以外の無機充填剤としては、例えば、低線膨張フィラーや非ハロゲン難燃剤などが挙げられる。
【００３５】
高誘電フィラーとは誘電性が概して高い無機フィラーである。高誘電フィラーを架橋性樹脂成形体（ＩＩ）に配合することで、得られる多層基板において誘電正接は小さく、かつ誘電率を大きくできるため、例えば、かかる多層基板によれば、誘電損失が低く、デバイス設計の小さな回路基板等が得られ、好適である。
高誘電フィラーとしては、工業的に使用されるものであれば格別な限定なく用いることができるが、特に１ＧＨｚにて２０℃で測定される比誘電率が、通常、５以上、好ましくは１０以上、より好ましくは１５以上のものが好適である。比誘電率は、インピーダンスアナライザー（アジレントテクノロジー社製）により測定することが出来る。かかる高誘電フィラーとしては、例えば、ジルコン酸カルシウム、ジルコン酸ストロンチウム、ジルコン酸鉛、及びジルコニアなどのジルコン酸化物；チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸カルシウム、チタン酸コバルト、チタン酸亜鉛、及びチタニアなどのチタン酸化物；などを挙げることができる。
【００３６】
低線膨張フィラーとは線膨張係数が概して低い無機フィラーである。低線膨張フィラーを架橋性樹脂成形体（Ｉ）に配合することで、得られる多層基板において機械的強度が向上し、線膨張係数を低減させることができ、好適である。
低線膨張フィラーの線膨張係数としては、通常、１５ｐｐｍ／℃以下である。線膨張係数は、熱機械分析装置（ＴＭＡ）により測定することができる。かかる低線膨張フィラーとしては、工業的に用いられるものであれば格別な限定なく用いることができる。例えば、シリカ、シリカバルーン、アルミナ、酸化鉄、酸化亜鉛、酸化マグネシウム、酸化すず、酸化ベリリウム、バリウムフェライト、及びストロンチウムフェライト等の無機酸化物；炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、及び炭酸水素ナトリウム等の無機炭酸塩；硫酸カルシウム等の無機硫酸塩；タルク、クレー、マイカ、カオリン、フライアッシュ、モンモリロナイト、ケイ酸カルシウム、ガラス、及びガラスバルーン等の無機ケイ酸塩；などが挙げられ、好ましくはシリカである。
【００３７】
非ハロゲン難燃剤は、ハロゲン原子を含まない難燃性化合物からなる。非ハロゲン難燃剤を架橋性樹脂成形体（Ｉ）に配合すれば、得られる多層基板の難燃性を向上でき、しかも多層基板の燃焼時にダイオキシン発生の心配がなく、好適である。非ハロゲン難燃剤としては、工業的に用いられるものであれば格別な限定なく用いることができる。例えば、水酸化アルミニウムや水酸化マグネシウム等の金属水酸化物難燃剤；ジメチルホスフィン酸アルミニウムやジエチルホスフィン酸アルミニウムなどのホスフィン酸塩難燃剤；酸化マグネシウムや酸化アルミニウム等の金属酸化物難燃剤；トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェート、トリキシレニルホスフェート、クレジルジフェニルホスフェート、レゾルシノールビス（ジフェニル）ホスフェート、ビスフェノールＡビス（ジフェニル）ホスフェート、及びビスフェノールＡビス（ジクレジル）ホスフェートなどの、ホスフィン酸塩以外の含燐難燃剤；メラミン誘導体類、グアニジン類、及びイソシアヌル類等の含窒素難燃剤；ポリ燐酸アンモニウム、燐酸メラミン、ポリ燐酸メラミン、ポリ燐酸メラム、燐酸グアニジン、及びフォスファゼン類等の燐及び窒素の双方を含有する難燃剤；などが挙げられる。非ハロゲン難燃剤としては、金属水酸化物難燃剤、ホスフィン酸塩難燃剤、及びホスフィン酸塩以外の含燐難燃剤が好ましい。含燐難燃剤としては、トリクレジルホスフェート、レゾルシノールビス（ジフェニル）ホスフェート、ビスフェノールＡビス（ジフェニル）ホスフェート、及びビスフェノールＡビス（ジクレジル）ホスフェートが特に好ましい。
【００３８】
また、本発明においては、比誘電率の温度変化率が正の無機充填剤、及び比誘電率の温度変化率が負の無機充填剤を組み合わせて用いることが好ましい。かかる２種類の無機充填剤を配合することで、第二の誘電体層が高比誘電率かつ低誘電正接であり、比誘電率の温度変化が効果的に抑制され、好適である。
【００３９】
本発明において、比誘電率の温度変化率とは、２ＧＨｚでの−３０〜１００℃の温度範囲における比誘電率の温度変化率をいう。比誘電率の温度変化率が正の無機充填剤としては、１ＧＨｚにて２０℃で測定した時、その誘電率が、通常、３０以下のものが好適に用いられる。また、比誘電率の温度変化率が負の無機充填剤としては、１ＧＨｚにて２０℃で測定した時、その誘電率が、通常、３０以上のものが好適に用いられる。
無機充填剤の比誘電率の温度変化率は、試料をオーブンに導入して所定の温度範囲にて誘電率を測定し、該誘電率を比誘電率に変換し、温度変化に対する比誘電率変化の割合として求めることができる。本明細書において、比誘電率の温度変化率が正の値となる場合を、比誘電率の温度変化率が正と、比誘電率の温度変化率が負の値となる場合を、比誘電率の温度変化率が負と、それぞれいう。
【００４０】
かかる無機充填剤の具体例としては、特開平８−２６９２２９号公報に記載されるものを格別な限定なく用いることができる。比誘電率の温度変化率が正の無機充填剤としては、例えば、アルミナ（比誘電率１１）、シリカ（比誘電率３．８）、酸化マグネシウム（比誘電率１２）、チタン酸マグネシウム（比誘電率１８）、水酸化アルミニウム（比誘電率９）、水酸化マグネシウム（比誘電率１１）などが挙げられる。これらの比誘電率の温度変化率が正の無機充填剤は、それぞれ単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。かかる無機充填剤は、難燃効果を発揮する場合、難燃剤としての機能を兼ねてもよい。
【００４１】
比誘電率の温度変化率が負の無機充填剤としては、例えば、チタニア（比誘電率９０）、チタン酸カルシウム（比誘電率１８０）、チタン酸ストロンチウム（比誘電率２５０）などが挙げられる。これらの比誘電率の温度変化率が負の無機充填剤は、それぞれ単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。かかる無機充填剤は、難燃効果を発揮する場合、難燃剤としての機能を兼ねてもよい。
【００４２】
比誘電率の温度変化率が正の無機充填剤と比誘電率の温度変化率が負の無機充填剤の好適な組合せとしては、本発明の所望の効果を向上させる観点から、前者としてチタン酸マグネシウム、水酸化アルミニウム及び水酸化マグネシウムからなる群より選ばれる少なくとも１種と、後者としてチタン酸カルシウム及び／又はチタン酸ストロンチウムとの組合せが挙げられる。
【００４３】
本発明の重合性組成物中での、比誘電率の温度変化率が正の無機充填剤と比誘電率の温度変化率が負の無機充填剤との配合割合は、得られる第二の誘電体層の比誘電率の温度変化が最低になるように適宜選択すればよいが、重量比（比誘電率の温度変化率が正の無機充填剤／比誘電率の温度変化率が負の無機充填剤）で、通常、５／９５〜９５／５、好ましくは１０／９０〜９０／１０、より好ましくは２０／８０〜８０／２０の範囲である。また、比誘電率の温度変化率が正の無機充填剤と比誘電率の温度変化率が負の無機充填剤との合計配合量は、所望により適宜選択すればよいが、シクロオレフィンモノマー１００重量部に対して、通常、２０〜６００重量部、好ましくは４０〜４００重量部、より好ましくは６０〜３００重量部の範囲である。
【００４４】
本発明に使用される無機充填剤の粒子径（平均粒子径）は、所望により適宜選択すればよいが、粒子を三次元的にみたときの長手方向と短手方向の長さの平均値として、通常、０．００１〜５０μｍ、好ましくは０．０１〜１０μｍ、より好ましくは０．１〜５μｍの範囲である。
【００４５】
以上の無機充填剤は、それぞれ単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの無機充填剤は、その表面が公知のカップリング剤で処理されたものであってもよい。
【００４６】
第二の誘電体層の厚さとしては、通常、１０〜３００μｍ、好ましくは２０〜１００μｍである。本発明の多層基板において、そりを抑えるという観点から、第二の誘電体層の厚さは第一の誘電体層の厚さよりも小さいのが好ましい。
【００４７】
第二の誘電体層の表面および／または内部には能動素子および／または受動素子を設けても良い。
【００４８】
能動素子とは、入力と出力とを持ち、外部からのエネルギー供給によりエネルギーの変換を行う機能を有する、電子回路に用いられる電子部品をいう。能動素子の具体例としては、トランジスタ、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、集積回路（ＩＣ）、大規模集積回路（ＬＳＩ）、送信増幅器（Ｐｏｗｅｒ  Ａｍｐ）、低雑音増幅器（Ｌｏｗ  Ｎｏｉｓｅ  ＡＭＰ）、及び電圧制御発振器（ＶＣＯ）等が挙げられる。
【００４９】
受動素子とは、エネルギー供給源及びエネルギーの変換機能を持たない、電子回路に用いられる電子部品をいう。受動素子としては、例えば、キャパシタ、インダクタ、抵抗、共振回路、及びこれらの組合せからなる各種フィルタが挙げられる。
【００５０】
また、受動素子を本発明の多層基板に内蔵する場合、第二の誘電体層の片面に受動素子を構成する平面線路を形成することで行うこともできる。受動素子を構成する平面線路は、第二の誘電体層上に所定の形状を有する導体パターンで形成される回路パターンの内、導体パターン単独、又は導体パターン、第二の誘電体層、及び第一の誘電体層上の導体パターンとの組合せで受動素子としての機能を発現する導体パターン部分を指す。受動素子を構成する平面線路以外の導体パターンとしては、受動素子としての機能を持たず、シールドや、端子、伝送路等の電気的接続をするために用いられる導体パターンを指す。電気的接続をするために用いられる導体パターンとしては、ランドやストリップライン型等の伝送路が挙げられる。回路パターンを構成する材料としては特に制限されないが、例えば、銅、金、銀又はこれらの合金等、及び炭素系材料が挙げられる。中でも銅が好ましい。受動素子の誘電体デバイスとしてのＱ値を向上させる観点から、回路パターンは、表面粗度（Ｒｚ）２μｍ以下の金属箔からなるのが好ましい。
【００５１】
受動素子は集中定数素子の組合せに限らず、導体パターンを素子として使用する分布定数素子で形成することも可能である。分布定数素子による受動素子は導体層をパターニングすることによって得ることができる。
受動素子を配置する位置は特に制限されない。キャパシタは、第一の誘電体層または第二の誘電体層を介して、電極を対向して配置することにより形成することができる。静電容量が必要とされるデカップリング用途の場合には第二の誘電体層を介して電極を形成することが好ましい。
インダクタは第一の誘電体層または第二の誘電体層の一面にリング状、矩形状、８字型等の所定の形状を形成することにより作成することができる。寄生容量を小さくできる観点から、インダクタは第二誘電体層から離れた位置に形成することが好ましい。
【００５２】
例えば、図３に示すように、第一の誘電体層、導体層、第二の誘電体層、及び回路パターンを構成することにより、受動素子を多層基板に内蔵することができる。かかる受動素子の例としてはキャパシタが挙げられる。キャパシタの容量は回路パターンの設計に依存するが、例えば、面積Ｓ＝１ｍｍ２、誘電体層の厚さｄ＝５０μｍで設計した場合、キャパシタの誘電体デバイスとしてのＱ値〔Ｑ値＝（誘電損失＋導体損失）−１〕は、１ＧＨｚで２０℃の条件で、通常、１５０以上であり、好ましくは２００以上である。
【００５３】
また、第二の誘電体層上において回路パターンによりインダクタを設ける場合、インダクタンスは回路パターンの設計に依存するが、Ｌ／Ｓ＝８０／８０の５巻きインダクタを１ｍｍ２内に作製した場合、インダクタの誘電体デバイスとしてのＱ値は、１ＧＨｚで２０℃の条件で、通常、３５以上であり、好ましくは４０以上である。共振回路はインダクタ素子などの集中定数素子の組合せに限らず、配線パターンを素子として使用する分布定数素子を組み合わせて形成することも可能である。分布定数素子の例としては、オープンスタブ、ショートスタブ、カプラ、ハイブリッド（ブランチライン）、パラレルカプラ、及びウィルキンソンカプラが挙げられ、これらはストリップライン等によって形成することができる。分布定数素子によるパラレルカプラ型共振器を用いたバンドパスフィルタの例としてはλ／４共振器によるバンドパスフィルタやλ／２共振器によるバンドパスフィルタ等が挙げられる。
【００５４】
受動素子の種類は使用する周波数に応じて適宜選択することができる。ストリップライン型の受動素子では線路長が共振周波数に対して反比例的に増加するため、ＧＨｚ以下の周波数帯では小型化の妨げになる恐れがある。一方、波長に対して線路長が無視できないミリ波の領域では（数ＧＨｚ）線路自身が持つキャパシタンス及びインダクタンス成分が無視できなくなり、集中定数のみでの設計が難しくなる傾向がある。
【００５５】
（架橋性樹脂成形体）
本発明に用いる架橋性樹脂成形体（Ｉ）は脂環式構造含有ポリマーを必須成分としてなり、所望によりその他の成分を含む。前記架橋性樹脂成形体（ＩＩ）は、さらに無機充填剤を必須成分とすること以外、架橋性樹脂成形体（Ｉ）と同様であり、架橋性樹脂成形体（Ｉ）の製造方法に準じて製造することができる。以下、架橋性樹脂成形体（Ｉ）と（ＩＩ）とをまとめて架橋性樹脂成形体という場合がある。
【００５６】
本発明に用いられる架橋性樹脂成形体（Ｉ）の製造方法としては、特に限定されないが、当該成形体を効率的に製造可能であることから、シクロオレフィンモノマー、メタセシス重合触媒、及び架橋剤を含む重合性組成物を開環重合する方法が好ましい。脂環式構造含有ポリマーを脂環式構造含有ポリマー（Ａ）とする場合は、例えば、少なくとも１つのシクロオレフィン構造を有するカップリング剤及び／又は少なくとも１つの連鎖移動基を有するカップリング剤を重合性組成物に配合し開環重合すればよい。
【００５７】
（シクロオレフィンモノマー）
前記シクロオレフィンモノマーの脂環構造としては、単環、多環、縮合多環、橋かけ環及びこれらの組み合わせ多環などが挙げられる。シクロオレフィンモノマーとしては、得られる多層基板の機械的強度を向上させる観点から、多環のシクロオレフィンモノマーが好ましい。各環構造を構成する炭素原子数に特に限定はないが、通常、４〜３０個、好ましくは５〜２０個、より好ましくは５〜１５個である。シクロオレフィンモノマーは、アルキル基、アルケニル基、アルキリデン基、及びアリール基などの炭素数１〜３０の炭化水素基や、カルボキシル基や酸無水物基などの極性基を置換基として有していてもよい。
【００５８】
本発明において、前記シクロオレフィンモノマーとしては、得られる多層基板の機械的強度を向上させる観点から、架橋性炭素−炭素不飽和結合を少なくとも１つ有するものが好適に用いられる。本明細書において架橋性炭素−炭素不飽和結合とは、メタセシス開環重合には関与せず、架橋反応に関与する炭素−炭素不飽和結合をいう。
【００５９】
前記架橋性炭素−炭素不飽和結合としては、芳香族炭素−炭素不飽和結合を除く炭素−炭素不飽和結合、すなわち、脂肪族炭素−炭素二重結合又は三重結合が挙げられ、本発明においては、通常、脂肪族炭素−炭素二重結合をいう。架橋性炭素−炭素不飽和結合を有するシクロオレフィンモノマー中、該不飽和結合の位置は特に限定されるものではなく、炭素原子で形成される脂環構造内の他、該脂環構造以外の任意の位置、例えば、側鎖の末端や内部に存在していてもよい。例えば、前記脂肪族炭素−炭素二重結合は、ビニル基、ビニリデン基、又はビニレン基として存在し得、良好にラジカル架橋性を発揮することから、ビニル基及び／又はビニリデン基として存在するのが好ましく、ビニリデン基として存在するのがより好ましい。
【００６０】
架橋性炭素−炭素不飽和結合を少なくとも１つ有するシクロオレフィンモノマーとしては、特に、架橋性炭素−炭素不飽和結合を少なくとも１つ有するノルボルネン系モノマーが好ましい。ノルボルネン系モノマーとは、ノルボルネン環構造を分子内に有するシクロオレフィンモノマーをいう。例えば、ノルボルネン類、ジシクロペンタジエン類、及びテトラシクロドデセン類などが挙げられる。
【００６１】
架橋性炭素−炭素不飽和結合を少なくとも１つ有するシクロオレフィンモノマーとしては、例えば、３−ビニルシクロヘキセン、４−ビニルシクロヘキセン、１，３−シクロペンタジエン、１，３−シクロへキサジエン、１，４−シクロへキサジエン、５−エチル−１，３−シクロへキサジエン、１，３−シクロへプタジエン、１，３−シクロオクタジエンなどの単環シクロオレフィンモノマー；５−エチリデン−２−ノルボルネン、５−メチリデン−２−ノルボルネン、５−イソプロピリデン−２−ノルボルネン、５−ビニルノルボルネン、５−アリルノルボルネン、５，６−ジエチリデン−２−ノルボルネン、ジシクロペンタジエン、２，５−ノルボルナジエンなどのノルボルネン系モノマー；を挙げることができる。これらの中では、架橋性炭素−炭素不飽和結合を少なくとも１つ有するノルボルネン系モノマーが好ましい。
【００６２】
本発明においてシクロオレフィンモノマーとしては、前記架橋性炭素−炭素不飽和結合を少なくとも１つ有するシクロオレフィンモノマーの他、架橋性炭素−炭素不飽和結合を持たないシクロオレフィンモノマーが用いられる。
【００６３】
架橋性炭素−炭素不飽和結合を持たないシクロオレフィンモノマーとしては、例えば、シクロペンテン、３−メチルシクロペンテン、４−メチルシクロペンテン、３，４−ジメチルシクロペンテン、３，５−ジメチルシクロペンテン、３−クロロシクロペンテン、シクロへキセン、３−メチルシクロへキセン、４−メチルシクロヘキセン、３，４−ジメチルシクロヘキセン、３−クロロシクロヘキセン、シクロへプテンなどの単環シクロオレフィンモノマー；ノルボルネン、５−メチルノルボルネン、５−エチルノルボルネン、５−プロピルノルボルネン、５，６−ジメチルノルボルネン、１−メチルノルボルネン、７−メチルノルボルネン、５，５，６−トリメチルノルボルネン、５−フェニルノルボルネン、テトラシクロドデセン、１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−メチル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−エチル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、２，３−ジメチル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−ヘキシル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−エチリデン−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−フルオロ−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、１，５−ジメチル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−シクロへキシル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、２，３−ジクロロ−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−イソブチル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、１，２−ジヒドロジシクロペンタジエン、５−クロロノルボルネン、５，５−ジクロロノルボルネン、５−フルオロノルボルネン、５，５，６−トリフルオロ−６−トリフルオロメチルノルボルネン、５−クロロメチルノルボルネン、５−メトキシノルボルネン、５，６−ジカルボキシルノルボルネンアンハイドレート、５−ジメチルアミノノルボルネン、５−シアノノルボルネンなどのノルボルネン系モノマー；を挙げることができる。これらの中でも、架橋性炭素−炭素不飽和結合を持たないノルボルネン系モノマーが好ましい。
【００６４】
以上のシクロオレフィンモノマーは、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。例えば、シクロオレフィンモノマーとして、架橋性炭素−炭素不飽和結合を少なくとも１つ有するシクロオレフィンモノマーと架橋性炭素−炭素不飽和結合を持たないシクロオレフィンモノマーとの混合物が用いられる。
【００６５】
重合性組成物に用いるシクロオレフィンモノマー中、架橋性炭素−炭素不飽和結合を少なくとも１つ有するシクロオレフィンモノマーと架橋性炭素−炭素不飽和結合を持たないシクロオレフィンモノマーとの配合割合は所望により適宜選択すればよいが、重量比（架橋性炭素−炭素不飽和結合を少なくとも１つ有するシクロオレフィンモノマー／架橋性炭素−炭素不飽和結合を持たないシクロオレフィンモノマー）で、通常、５／９５〜１００／０、好ましくは１０／９０〜９５／１０、より好ましくは１５／８５〜９０／１５の範囲である。当該配合割合がかかる範囲にあれば、得られる多層基板において耐熱性や機械的強度がバランス良く向上し、好適である。
【００６６】
なお、本発明に用いる重合性組成物には、本発明の効果の発現が阻害されない限り、以上のシクロオレフィンモノマーと共重合可能な任意のモノマーが含まれていてもよい。
【００６７】
（メタセシス重合触媒）
本発明に用いるメタセシス重合触媒は、前記シクロオレフィンモノマーをメタセシス開環重合可能なものであれば、特に限定されない。
メタセシス重合触媒としては、遷移金属原子を中心にして、複数のイオン、原子、多原子イオン及び／又は化合物が結合してなる錯体が挙げられる。遷移金属原子としては、５族、６族及び８族（長周期型周期表、以下同じ。）の原子が使用される。それぞれの族の原子は特に限定されないが、５族の原子としては、好ましくはタンタルが挙げられ、６族の原子としては、好ましくは、モリブデン及びタングステンが挙げられ、８族の原子としては、好ましくは、ルテニウム及びオスミウムが挙げられる。
【００６８】
これらの中でも、８族のルテニウムやオスミウムの錯体が好ましく、ルテニウムカルベン錯体が特に好ましい。ルテニウムカルベン錯体は、塊状重合時の触媒活性に優れるため、残留未反応モノマーに由来する臭気が少ないプリプレグを効率的に生産することができる。また、８族のルテニウムやオスミウムの錯体は、酸素や空気中の水分に対して比較的安定であって、失活しにくいので、大気下でもプリプレグの生産が可能である。
【００６９】
ルテニウムカルベン錯体の具体例としては、以下の式（１）又は式（２）で表される錯体が挙げられる。
【００７０】
【化１】
2012216685.tif 000002
【００７１】
式（１）及び（２）において、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立して水素原子、ハロゲン原子、又はハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子若しくは珪素原子を含んでもよい、環状又は鎖状の、炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。Ｘ１及びＸ２は、それぞれ独立して任意のアニオン性配位子を示す。Ｌ１及びＬ２はそれぞれ独立して、ヘテロ原子含有カルベン化合物又はヘテロ原子含有カルベン化合物以外の中性電子供与性化合物を表す。また、Ｒ１とＲ２は互いに結合して、ヘテロ原子を含んでいてもよい、脂肪族環又は芳香族環を形成してもよい。さらに、Ｒ１、Ｒ２、Ｘ１、Ｘ２、Ｌ１及びＬ２は、任意の組合せで互いに結合して多座キレート化配位子を形成してもよい。
【００７２】
ヘテロ原子とは、周期表１５族及び１６族の原子をいう。ヘテロ原子の具体例としては、窒素原子、酸素原子、リン原子、硫黄原子、砒素原子、及びセレン原子などが挙げられる。これらの中でも、安定なカルベン化合物が得られる観点から、窒素原子、酸素原子、リン原子、及び硫黄原子が好ましく、窒素原子が特に好ましい。
【００７３】
ヘテロ原子含有カルベン化合物は、カルベン炭素原子の両側にヘテロ原子が隣接して結合した構造を有するものが好ましく、さらにカルベン炭素原子とその両側のヘテロ原子とを含んでヘテロ環が形成された構造を有するものがより好ましい。また、カルベン炭素原子に隣接するヘテロ原子に嵩高い置換基を有するものが好ましい。
【００７４】
ヘテロ原子含有カルベン化合物としては、以下の式（３）又は式（４）で示される化合物が挙げられる。
【００７５】
【化２】
2012216685.tif 000003
【００７６】
式（３）又は式（４）において、Ｒ３〜Ｒ６は、それぞれ独立して水素原子；ハロゲン原子；又はハロゲン原子、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子若しくは珪素原子を含んでもよい、環状又は鎖状の、炭素数１〜２０個の炭化水素基を表す。また、Ｒ３〜Ｒ６は任意の組合せで互いに結合して環を形成していてもよい。
【００７７】
前記式（３）又は式（４）で表される化合物の具体例としては、１，３−ジメシチルイミダゾリジン−２−イリデン、１，３−ジ（１−アダマンチル）イミダゾリジン−２−イリデン、１−シクロヘキシル−３−メシチルイミダゾリジン−２−イリデン、１，３−ジメシチルオクタヒドロベンズイミダゾール−２−イリデン、１，３−ジイソプロピル−４−イミダゾリン−２−イリデン、１，３−ジ（１−フェニルエチル）−４−イミダゾリン−２−イリデン、１，３−ジメシチル−２，３−ジヒドロベンズイミダゾール−２−イリデンなどが挙げられる。
【００７８】
また、前記式（３）又は式（４）で示される化合物のほかに、１，３，４−トリフェニル−２，３，４，５−テトラヒドロ−１Ｈ−１，２，４−トリアゾール−５−イリデン、１，３−ジシクロヘキシルヘキサヒドロピリミジン−２−イリデン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトライソプロピルホルムアミジニリデン、１，３，４−トリフェニル−４，５−ジヒドロ−１Ｈ−１，２，４−トリアゾール−５−イリデン、３−（２，６−ジイソプロピルフェニル）−２，３−ジヒドロチアゾール−２−イリデンなどのヘテロ原子含有カルベン化合物も用い得る。
【００７９】
前記式（１）及び式（２）において、アニオン（陰イオン）性配位子Ｘ１とＸ２は、中心金属原子から引き離されたときに負の電荷を持つ配位子であり、例えば、弗素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子などのハロゲン原子、ジケトネート基、置換シクロペンタジエニル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、カルボキシル基などを挙げることができる。これらの中でもハロゲン原子が好ましく、塩素原子がより好ましい。
【００８０】
また、中性電子供与性化合物は、中心金属から引き離されたときに中性の電荷を持つ配位子であればいかなるものでもよい。その具体例としては、カルボニル類、アミン類、ピリジン類、エーテル類、ニトリル類、エステル類、ホスフィン類、チオエーテル類、芳香族化合物、オレフィン類、イソシアニド類、及びチオシアネート類などが挙げられる。これらの中でも、ホスフィン類、エーテル類及びピリジン類が好ましく、トリアルキルホスフィンがより好ましい。
【００８１】
前記式（１）で表される錯体化合物としては、ベンジリデン（１，３−ジメシチル−４−イミダゾリジン−２−イリデン）（トリシクロヘキシルホスフィン）ルテニウムジクロリド、ベンジリデン（１，３−ジメシチル−４，５−ジブロモ−４−イミダゾリン−２−イリデン）（トリシクロヘキシルホスフィン）ルテニウムジクロリド、（１，３−ジメシチル−４−イミダゾリン−２−イリデン）（３−フェニル−１Ｈ−インデン−１−イリデン）（トリシクロヘキシルホスフィン）ルテニウムジクロリド、（１，３−ジメシチル−４−イミダゾリジン−２−イリデン）（３−メチル−２−ブテン−１−イリデン）（トリシクロペンチルホスフィン）ルテニウムジクロリド、ベンジリデン（１，３−ジメシチル−オクタヒドロベンズイミダゾール−２−イリデン）（トリシクロヘキシルホスフィン）ルテニウムジクロリド、ベンジリデン［１，３−ジ（１−フェニルエチル）−４−イミダゾリン−２−イリデン］（トリシクロヘキシルホスフィン）ルテニウムジクロリド、ベンジリデン（１，３−ジメシチル−２，３−ジヒドロベンズイミダゾール−２−イリデン）（トリシクロヘキシルホスフィン）ルテニウムジクロリド、ベンジリデン（トリシクロヘキシルホスフィン）（１，３，４−トリフェニル−２，３，４，５−テトラヒドロ−１Ｈ−１，２，４−トリアゾール−５−イリデン）ルテニウムジクロリド、（１，３−ジイソプロピルヘキサヒドロピリミジン−２−イリデン）（エトキシメチレン）（トリシクロヘキシルホスフィン）ルテニウムジクロリド、ベンジリデン（１，３−ジメシチル−４−イミダゾリジン−２−イリデン）ピリジンルテニウムジクロリド、（１，３−ジメシチル−４−イミダゾリジン−２−イリデン）（２−フェニルエチリデン）（トリシクロヘキシルホスフィン）ルテニウムジクロリド、（１，３−ジメシチル−４−イミダゾリン−２−イリデン）（２−フェニルエチリデン）（トリシクロヘキシルホスフィン）ルテニウムジクロリド、（１，３−ジメシチル−４，５−ジブロモ−４−イミダゾリン−２−イリデン）［（フェニルチオ）メチレン］（トリシクロヘキシルホスフィン）ルテニウムジクロリド、（１，３−ジメシチル−４，５−ジブロモ−４−イミダゾリン−２−イリデン）（２−ピロリドン−１−イルメチレン）（トリシクロヘキシルホスフィン）ルテニウムジクロリドなどの、ヘテロ原子含有カルベン化合物及びヘテロ原子含有カルベン化合物以外の中性電子供与性化合物が各々１つ結合したルテニウム錯体化合物；
【００８２】
ベンジリデンビス（トリシクロヘキシルホスフィン）ルテニウムジクロリド、（３−メチル−２−ブテン−１−イリデン）ビス（トリシクロペンチルホスフィン）ルテニウムジクロリドなどの、ヘテロ原子含有カルベン化合物以外の２つの中性電子供与性化合物が結合したルテニウム錯体化合物；
【００８３】
ベンジリデンビス（１，３−ジシクロヘキシル−４−イミダゾリジン−２−イリデン）ルテニウムジクロリド、ベンジリデンビス（１，３−ジイソプロピル−４−イミダゾリン−２−イリデン）ルテニウムジクロリドなどの、２つのヘテロ原子含有カルベン化合物が結合したルテニウム錯体化合物；などが挙げられる。
【００８４】
前記式（２）で表される錯体化合物としては、（１，３−ジメシチル−４−イミダゾリジン−２−イリデン）（フェニルビニリデン）（トリシクロヘキシルホスフィン）ルテニウムジクロリド、（ｔ−ブチルビニリデン）（１，３−ジイソプロピル−４−イミダゾリン−２−イリデン）（トリシクロペンチルホスフィン）ルテニウムジクロリド、ビス（１，３−ジシクロヘキシル−４−イミダゾリン−２−イリデン）フェニルビニリデンルテニウムジクロリドなどが挙げられる。
【００８５】
これらの錯体化合物の中でも、前記式（１）で表され、かつ配位子として前記式（４）で表される化合物を１つ有するものが最も好ましい。
【００８６】
メタセシス重合触媒の使用量は、（触媒中の金属原子：シクロオレフィンモノマー）のモル比で、通常、１：２，０００〜１：２，０００，０００、好ましくは１：５，０００〜１：１，０００，０００、より好ましくは１：１０，０００〜１：５００，０００の範囲である。
【００８７】
メタセシス重合触媒は所望により、少量の不活性溶剤に溶解又は懸濁して使用することができる。かかる溶剤としては、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、流動パラフィン、ミネラルスピリットなどの鎖状脂肪族炭化水素；シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、トリメチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジエチルシクロヘキサン、デカヒドロナフタレン、ジシクロヘプタン、トリシクロデカン、ヘキサヒドロインデン、シクロオクタンなどの脂環式炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素；ニトロメタン、ニトロベンゼン、アセトニトリルなどの含窒素炭化水素；ジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどの含酸素炭化水素；などが挙げられる。これらの中では、工業的に汎用な芳香族炭化水素や脂肪族炭化水素、脂環式炭化水素の使用が好ましい。また、メタセシス重合触媒としての活性を低下させないものであれば、液状の老化防止剤、液状の可塑剤、液状のエラストマーを溶剤として用いてもよい。
【００８８】
メタセシス重合触媒は、重合活性を制御し、重合反応率を向上させる目的で活性剤（共触媒）と併用することもできる。
【００８９】
活性剤としては、アルミニウム、スカンジウム、スズの、アルキル化物、ハロゲン化物、アルコキシ化物及びアリールオキシ化物などを用いることができる。その具体例としては、トリアルコキシアルミニウム、トリフェノキシアルミニウム、ジアルコキシアルキルアルミニウム、アルコキシジアルキルアルミニウム、トリアルキルアルミニウム、ジアルコキシアルミニウムクロリド、アルコキシアルキルアルミニウムクロリド、ジアルキルアルミニウムクロリド、トリアルコキシスカンジウム、テトラアルコキシチタン、テトラアルコキシスズ、テトラアルコキシジルコニウムなどが挙げられる。
【００９０】
活性剤の使用量は、（触媒中の金属原子：活性剤）のモル比で、通常、１：０．０５〜１：１００、好ましくは１：０．２〜１：２０、より好ましくは１：０．５〜１：１０の範囲である。
【００９１】
また、メタセシス重合触媒として、５族及び６族の遷移金属原子の錯体を用いる場合には、メタセシス重合触媒及び活性剤は、いずれもモノマーに溶解して用いるのが好ましいが、生成物の性質を本質的に損なわない範囲であれば少量の溶剤に懸濁又は溶解させて用いることができる。
【００９２】
（架橋剤）
架橋剤は、本発明に用いられる架橋性樹脂成形体中、基材樹脂において架橋反応を誘起する目的で用いられる。本発明において、架橋剤としては、特に限定されないが、通常、ラジカル発生剤が好適に用いられる。ラジカル発生剤としては、有機過酸化物、ジアゾ化合物、及び非極性ラジカル発生剤などが挙げられる。
【００９３】
有機過酸化物としては、例えば、ｔ−ブチルヒドロペルオキシド、ｐ−メンタンヒドロペルオキシド、クメンヒドロペルオキシドなどのヒドロペルオキシド類；ジクミルペルオキシド、ｔ−ブチルクミルペルオキシド、α，α’−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ−ｍ−イソプロピル）ベンゼン、ジ−ｔ−ブチルペルオキシド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）−３−ヘキシン、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）ヘキサンなどのジアルキルペルオキシド類；ジプロピオニルペルオキシド、ベンゾイルペルオキシドなどのジアシルペルオキシド類；２，２−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）ブタン、１，１−ジ（ｔ−ヘキシルペルオキシ）シクロヘキサン、１，１−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）−２−メチルシクロヘキサン、１，１−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）シクロヘキサンなどのペルオキシケタール類；ｔ−ブチルペルオキシアセテート、ｔ−ブチルペルオキシベンゾエートなどのペルオキシエステル類；ｔ−ブチルペルオキシイソプロピルカルボナート、ジ（イソプロピルペルオキシ）ジカルボナートなどのペルオキシカルボナート類；ｔ−ブチルトリメチルシリルペルオキシドなどのアルキルシリルペルオキシド類；などが挙げられる。中でも、開環重合反応に対する障害が少ない点で、ジアルキルペルオキシド類及びペルオキシケタール類が好ましい。
【００９４】
ジアゾ化合物としては、例えば、４，４’−ビスアジドベンザル（４−メチル）シクロヘキサノン、４，４’−ジアジドカルコン、２，６−ビス（４’−アジドベンザル）シクロヘキサノン、２，６−ビス（４’−アジドベンザル）−４−メチルシクロヘキサノン、４，４’−ジアジドジフェニルスルホン、４，４’−ジアジドジフェニルメタン、２，２’−ジアジドスチルベンなどが挙げられる。
【００９５】
非極性ラジカル発生剤としては、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタン、２，３−ジフェニルブタン、１，４−ジフェニルブタン、３，４−ジメチル−３，４−ジフェニルヘキサン、１，１，２，２−テトラフェニルエタン、２，２，３，３−テトラフェニルブタン、３，３，４，４−テトラフェニルヘキサン、１，１，２−トリフェニルプロパン、１，１，２−トリフェニルエタン、トリフェニルメタン、１，１，１−トリフェニルエタン、１，１，１−トリフェニルプロパン、１，１，１−トリフェニルブタン、１，１，１−トリフェニルペンタン、１，１，１−トリフェニル−２−プロペン、１，１，１−トリフェニル−４−ペンテン、１，１，１−トリフェニル−２−フェニルエタンなどが挙げられる。
【００９６】
これらのラジカル発生剤は、１種単独で、又は２種以上を組み合わせて用いることができる。２種以上のラジカル発生剤を併用し、その量比を調整することで、架橋性樹脂成形体の基材樹脂のガラス転移温度や溶融状態を任意に制御することが可能である。ラジカル発生剤の１分間半減期温度としては、特に限定はないが、通常、１５０〜３００℃、好ましくは１８０〜２５０℃の範囲である。ここで１分間半減期温度とは、ラジカル発生剤の半量が１分間で分解する温度である。ラジカル発生剤の１分間半減期温度は、例えば、各ラジカル発生剤メーカー（例えば、日本油脂株式会社）のカタログやホームページを参照すればよい。
【００９７】
架橋剤の配合量は、シクロオレフィンモノマー１００重量部に対して、通常、０．１〜１０重量部、好ましくは０．５〜５重量部である。架橋剤の配合量がかかる範囲にあれば、架橋性樹脂成形体の硬化時に基材樹脂が充分な架橋密度を有し、所望の物性を有する多層基板が効率的に得られるので、好適である。
【００９８】
（シクロオレフィン構造を有するカップリング剤）
前記少なくとも１つのシクロオレフィン構造を有するカップリング剤とは、カップリング剤の疎水基部分に少なくとも１つのシクロオレフィン構造を含むカップリング剤をいう。かかるカップリング剤は、シクロオレフィン構造の存在によりシクロオレフィンモノマーとして機能し、その存在下にシクロオレフィンモノマーを開環重合すると、得られるポリマー鎖中にモノマー単位として組み込まれうる。シクロオレフィン構造を有するカップリング剤としては、特に限定されないが、シクロオレフィンモノマーとして前記したシクロオレフィンに、カップリング剤の親水基が、好ましくは前記親水基（Ｘ）が、より好ましくは前記親水基（ｘ）が、結合してなる化合物が挙げられる。シクロオレフィンとカップリング剤の親水基との結合様式は、脂環式構造含有ポリマーとカップリング剤の親水基との結合様式と同様である。少なくとも１つのシクロオレフィン構造を有するカップリング剤としては、例えば、６−トリエトキシシリル−２−ノルボルネンや２−(ビシクロヘプタ−５−エン−２−イル）エチルトリメトキシシランなどが挙げられる。少なくとも１つのシクロオレフィン構造を有するカップリング剤の配合量は、特に限定されないが、得られる脂環式構造含有ポリマー（Ａ）の全モノマー単位１００モル％中、カップリング剤の親水基が結合したモノマー単位の割合が前記範囲となるように重合性組成物に配合するのが好ましい。
【００９９】
（連鎖移動基を有するカップリング剤）
前記少なくとも１つの連鎖移動基を有するカップリング剤とは、カップリング剤の疎水基部分に少なくとも１つの連鎖移動基を含むカップリング剤をいう。かかるカップリング剤は、連鎖移動基の存在により、その存在下にシクロオレフィンモノマーを開環重合すると、連鎖移動剤として機能し、得られるポリマーにおいて末端に位置するモノマー単位に結合しうる。連鎖移動基としては、例えば、ビニル基などが挙げられる。連鎖移動基を有するカップリング剤としては、特に限定されないが、連鎖移動剤として後述する化合物に、カップリング剤の親水基が、好ましくは前記親水基（Ｘ）が、より好ましくは前記親水基（ｘ）が、結合してなる化合物が挙げられる。連鎖移動剤として後述する化合物とカップリング剤の親水基との結合様式は、脂環式構造含有ポリマーとカップリング剤の親水基との結合様式と同様である。連鎖移動基を有するカップリング剤としては、例えば、スチリルシラン、アリルシラン、及びアクリロキシシランなどが挙げられる。少なくとも１つの連鎖移動基を有するカップリング剤は、得られる脂環式構造含有ポリマー（Ａ）中の、末端にカップリング剤の親水基が結合した脂環式構造含有ポリマーの割合を調整する観点から、連鎖移動基を有するカップリング剤を除く他の連鎖移動剤と併用してもよい。
【０１００】
（その他の成分）
本発明の架橋性樹脂成形体の製造に用いられる重合性組成物には、前述の、シクロオレフィンモノマー、メタセシス重合触媒、無機充填剤、架橋剤、少なくとも１つのシクロオレフィン構造を有するカップリング剤、及び少なくとも１つの連鎖移動基を有するカップリング剤の他、所望により、少なくとも１つの架橋性基を有するカップリング剤、重合調整剤、重合反応遅延剤、連鎖移動剤、反応性流動化剤、架橋助剤、老化防止剤、及び着色料等のその他の成分を配合してもよい。
【０１０１】
（架橋性基を有するカップリング剤）
本発明に用いる少なくとも１つの架橋性基を有するカップリング剤とは、カップリング剤の疎水基部分に少なくとも１つの架橋性基を含むカップリング剤をいう。かかるカップリング剤は、架橋性基の存在により、本発明の架橋性樹脂成形体の架橋時に架橋反応に関与して脂環式構造含有ポリマーに結合しうる。従って、架橋性基を有するカップリング剤を含む架橋性樹脂成形体を硬化してなる誘電体層の基材樹脂は脂環式構造含有ポリマー（Ａ）の硬化物と実質的に同じものとなる。脂環式構造含有ポリマーに結合しているカップリング剤の親水基は無機物表面と結合しうるため、得られる多層基板において層間密着性の向上に寄与するものと推定される。
少なくとも１つの架橋性基を有するカップリング剤としては、特に限定されないが、架橋性基と、カップリング剤の親水基、好ましくは前記親水基（Ｘ）、より好ましくは前記親水基（ｘ）とが結合してなる化合物が挙げられる。架橋性基としては、特に限定されないが、例えば、エポキシ基、アミノ基、ラジカル重合性不飽和基、カルボキシル基、イソシアネート基、ヒドロキシル基、アルコキシシリル基等が挙げられる。中でも、脂環式構造含有ポリマーとの架橋反応性に優れることから、ラジカル重合性不飽和基が好ましく、ビニリデン基がより好ましい。ビニリデン基を含む架橋性基としては、イソプロペニル基やメタクリル基などが挙げられる。架橋性基とカップリング剤の親水基との結合様式は、脂環式構造含有ポリマーとカップリング剤の親水基との結合様式と同様である。架橋性基を有するカップリング剤としては、例えば、メタクリルシランなどが挙げられる。架橋性基を有するカップリング剤の配合量は、特に限定されないが、脂環式構造含有ポリマー（Ａ）の全モノマー単位１００モル％中、カップリング剤の親水基が結合したモノマー単位の割合が前記範囲となるように架橋性樹脂成形体に配合するのが好ましい。
【０１０２】
また、本発明の架橋性樹脂成形体には、得られる多層基板においてピール強度と配線埋め込み性をバランスよく高める観点から、テトラアルコキシシラン化合物、テトラアルケニロキシシラン化合物、及びテトラアリーロキシシラン化合物からなる群から選ばれる少なくとも１種のシラン化合物を含有させるのが好ましい。シラン化合物において、アルコキシ基、アルケニロキシ基、及びアリーロキシ基の炭素数としては、通常、１〜１０の範囲である。シラン化合物の具体例としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、及びテトラフェノキシシランなどが挙げられ、加水分解及び縮合の反応性に優れることから、テトラエトキシシランが好ましい。シラン化合物の配合量は、特に限定されないが、シクロオレフィンモノマー１００重量部に対し、通常、０．１〜１０重量部、好ましくは０．５〜５重量部である。
【０１０３】
（連鎖移動剤）
本発明に用いる重合性組成物には、所望により連鎖移動剤を配合してもよい。得られる架橋性樹脂成形体では、加熱硬化時に表面の樹脂追従性が向上しうるため、かかる成形体を積層し、加熱して溶融、架橋して得られる多層基板では、層間密着性及び配線埋め込み性が高まり、好ましい。
【０１０４】
連鎖移動剤は、架橋性の炭素−炭素不飽和結合を１以上有していてもよい。連鎖移動剤の具体例としては、１−ヘキセン、２−ヘキセン、スチレン、ビニルシクロヘキサン、アリルアミン、アクリル酸グリシジル、アリルグリシジルエーテル、エチルビニルエーテル、メチルビニルケトン、２−（ジエチルアミノ）エチルアクリレート、及び４−ビニルアニリンなどの、架橋性の炭素−炭素不飽和結合を持たない連鎖移動剤；ジビニルベンゼン、メタクリル酸ビニル、メタクリル酸アリル、メタクリル酸スチリル、アクリル酸アリル、メタクリル酸ウンデセニル、アクリル酸スチリル、及びエチレングリコールジアクリレートなどの、架橋性の炭素−炭素不飽和結合を１つ有する連鎖移動剤；アリルトリビニルシランやアリルメチルジビニルシランなどの、架橋性の炭素−炭素不飽和結合を２以上有する連鎖移動剤などが挙げられる。これらの中でも、得られる多層基板において、配線埋め込み性と耐熱性とを高度にバランスさせる観点から、架橋性の炭素−炭素不飽和結合を１以上有するものが好ましく、架橋性の炭素−炭素不飽和結合を１つ有するものがより好ましい。かかる連鎖移動剤の中でも、ビニル基とメタクリル基とを１つずつ有する連鎖移動剤が好ましく、メタクリル酸ビニル、メタクリル酸アリル、メタクリル酸スチリル、及びメタクリル酸ウンデセニルなどが特に好ましい。
これらの連鎖移動剤は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。本発明に用いる重合性組成物への連鎖移動剤の配合量としては、得られる多層基板の配線埋め込み性と耐熱性とのバランスを考慮し、シクロオレフィンモノマー１００重量部に対して、通常、０．０１〜１０重量部、好ましくは０．１〜５重量部である。
【０１０５】
（反応性流動化剤）
本発明に用いられる反応性流動化剤とは、本発明の架橋性樹脂成形体の基材樹脂において、流動化剤として該樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）を低下させ、かつ架橋剤により架橋反応が誘起された後においては当該反応に関与して該樹脂に結合反応性を示す化合物をいう。例えば、本発明の架橋性樹脂成形体が反応性流動化剤を含む場合、当該成形体を金属箔などと積層する際、当該成形体を加熱することで容易に溶融積層することができ、しかも得られる多層基板においては充分な層間密着性が得られる。さらに、反応性流動化剤は、積層する際の加熱で架橋剤により誘起される架橋反応に関与して基材樹脂に結合し得るため、当該加熱以後は、該樹脂中で実質的に遊離の状態で存在することはなく、従って、いわゆる可塑剤のように、得られる多層基板の耐熱性を低下させる因子となることもない。むしろ、得られる多層基板において耐熱性や耐クラック性を高める効果を奏し得る。
【０１０６】
本発明に使用される反応性流動化剤としては、シクロオレフィンモノマー中の重合性の炭素−炭素二重結合や、ビニル基などの、開環重合反応に関与し得る脂肪族炭素−炭素不飽和結合を持たず、かつ架橋剤により誘起される架橋反応に関与して重合体に結合し得る脂肪族炭素−炭素不飽和結合や有機基を１つ有する単官能化合物、中でも、重合性の脂肪族炭素−炭素不飽和結合を持たず、かつ架橋性の脂肪族炭素−炭素不飽和結合を１つ有する単官能化合物が好ましい。架橋剤により誘起される架橋反応に関与して脂環式構造含有ポリマーに結合し得る、架橋性の脂肪族炭素−炭素不飽和結合としては、反応性流動化剤を構成する化合物中、例えば、末端ビニリデン基として、特に、イソプロペニル基やメタクリル基として存在するのが好ましく、メタクリル基として存在するのがより好ましい。前記有機基としては、エポキシ基、イソシアネート基、及びスルホ基などが挙げられる。  
【０１０７】
かかる反応性流動化剤としては、例えば、ラウリルメタクリレート、ベンジルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、及びメトキシジエチレングリコールメタクリレートなどの、メタクリル基を１つ有する単官能化合物；イソプロペニルベンゼンなどの、イソプロペニル基を１つ有する単官能化合物；などが挙げられ、好ましくはメタクリル基を１つ有する単官能化合物である。これらの反応性流動化剤は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。反応性流動化剤の配合量は、所望により適宜選択すればよいが、シクロオレフィンモノマー１００重量部に対し、通常、０．１〜１００重量部、好ましくは０．５〜５０重量部、より好ましくは１〜３０重量部である。
【０１０８】
（架橋助剤）
本発明に用いられる架橋助剤は、開環重合に関与せず、架橋剤により誘起される架橋反応に関与可能な架橋性炭素−炭素不飽和結合を２以上有する化合物が好ましい。かかる架橋性炭素−炭素不飽和結合は、架橋助剤を構成する化合物中、例えば、末端ビニリデン基として、特に、イソプロペニル基やメタクリル基として存在するのが好ましく、メタクリル基として存在するのがより好ましい。
【０１０９】
架橋助剤の具体例としては、ｐ−ジイソプロペニルベンゼン、ｍ−ジイソプロペニルベンゼン、ｏ−ジイソプロペニルベンゼンなどの、イソプロペニル基を２以上有する多官能化合物；エチレンジメタクリレート、１，３−ブチレンジメタクリレート、１，４−ブチレンジメタクリレート、１，６−ヘキサンジオールジメタクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、ポリエチレングリコールジメタクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、ジエチレングリコールジメタクリレート、２，２’−ビス（４−メタクリロキシジエトキシフェニル）プロパン、トリメチロ−ルプロパントリメタクリレート、ペンタエリトリトールトリメタクリレートなどの、メタクリル基を２以上有する多官能化合物などを挙げることができる。中でも、架橋助剤としては、得られる多層基板の耐熱性や耐クラック性を向上させる観点から、メタクリル基を２以上有する多官能化合物が好ましい。メタクリル基を２以上有する多官能化合物の中では、特に、トリメチロ−ルプロパントリメタクリレートやペンタエリトリトールトリメタクリレートなどの、メタクリル基を３つ有する多官能化合物がより好適である。
【０１１０】
前記架橋助剤は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。架橋助剤の配合量としては、シクロオレフィンモノマー１００重量部に対して、通常、０．１〜１００重量部、好ましくは０．５〜５０重量部、より好ましくは１〜３０重量部である。
【０１１１】
反応性流動化剤と架橋助剤とを共に配合する場合、両者の配合割合は、所望により適宜選択すればよいが、重量比（反応性流動化剤／架橋助剤）で、通常、５／９５〜９０／１０、好ましくは１０／９０〜７０／３０、より好ましくは１５／８５〜７０／３０の範囲である。配合割合がかかる範囲にあれば、架橋性樹脂成形体においては樹脂の流動性が向上し、また、多層基板においては配線埋め込み性と耐熱性とがバランスされ、好適である。本発明において特に好適な反応性流動化剤と架橋助剤との組合せとしては、ベンジルメタクリレート（反応性流動化剤）とトリメチロ−ルプロパントリメタクリレート（架橋助剤
）とからなる組合せが挙げられる。
【０１１２】
反応性流動化剤と架橋助剤とからなる組合せの、重合性組成物への配合量（反応性流動化剤と架橋助剤との合計配合量）としては、シクロオレフィンモノマー１００重量部に対して、通常、０．２〜２００重量部、好ましくは１〜１００重量部、より好ましくは２〜６０重量部である。
【０１１３】
本発明に用いる重合性組成物は、上記成分を適宜混合して得ることができる。混合方法としては、常法に従えばよく、例えば、メタセシス重合触媒を適当な溶媒に溶解若しくは分散させた液（触媒液）を、シクロオレフィンモノマー、及び適宜、その他の成分等を配合した液（モノマー液）に添加し、攪拌することによって調製することができる。
【０１１４】
（架橋性樹脂成形体の製造方法）
架橋性樹脂成形体は、前記重合性組成物を開環重合することにより効率よく調製可能である。重合性組成物を開環重合して架橋性樹脂成形体を得る方法としては、例えば、（ａ）重合性組成物を支持体上に塗布し、次いで塊状重合する方法、（ｂ）重合性組成物を成形型内に注入し、次いで塊状重合する方法、（ｃ）重合性組成物を繊維状強化材に含浸させ、次いで塊状重合する方法などが挙げられる。
【０１１５】
（ａ）の方法によれば、フィルム状や板状等の架橋性樹脂成形体が得られる。支持体としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート、ポリアリレート、及びナイロンなどの樹脂からなるフィルムや板；鉄、ステンレス、銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、金、及び銀などの金属材料からなるフィルムや板；などが挙げられる。中でも、金属箔又は樹脂フィルムの使用が好ましい。金属箔又は樹脂フィルムの厚さは、作業性などの観点から、通常、１〜１５０μｍ、好ましくは２〜１００μｍ、より好ましくは３〜７５μｍである。金属箔としては、その表面が平滑であるものが好ましく、その表面粗度（Ｒｚ）としては、通常、１０μｍ以下、好ましくは５μｍ以下、より好ましくは３μｍ以下、さらに好ましくは２μｍ以下である。金属箔の表面粗度が上記範囲にあれば、例えば、得られる高周波回路基板において、高周波伝送におけるノイズ、遅延、及び伝送ロス等の発生が抑えられ、好ましい。金属箔の表面は、シランカップリング剤、チオールカップリング剤、及びチタネートカップリング剤などの公知のカップリング剤や接着剤などで処理されていてもよい。（ａ）の方法によれば、例えば、支持体として銅箔を用いた場合、樹脂付き銅箔〔Resin Coated Copper (ＲＣＣ)〕を得ることができる。
【０１１６】
支持体上に重合性組成物を塗布する方法としては、スプレーコート法、ディップコート法、ロールコート法、カーテンコート法、ダイコート法、及びスリットコート法などの公知の塗布方法が挙げられる。
【０１１７】
支持体上に塗布された重合性組成物を所望により乾燥させ、次いで塊状重合する。塊状重合は重合性組成物を所定の温度で加熱して行われる。重合性組成物の加熱方法としては特に制約されず、支持体に塗布された重合性組成物を、加熱プレート上に載せて加熱する方法、プレス機を用いて加圧しながら加熱（熱プレス）する方法、加熱したローラーで押圧する方法、加熱炉内で加熱する方法などが挙げられる。
【０１１８】
（ｂ）の方法によれば、任意の形状の架橋性樹脂成形体を得ることができる。その形状としては、シート状、フィルム状、柱状、円柱状、及び多角柱状等が挙げられる。
【０１１９】
ここで用いる型としては、従来公知の成形型、例えば、割型構造、すなわち、コア型とキャビティー型を有する成形型を用いることができ、それらの空隙部（キャビティー）に重合性組成物を注入して塊状重合させる。コア型とキャビティー型は、目的とする成形品の形状にあった空隙部を形成するように作製される。成形型の形状、材質、大きさなどは特に制限されない。さらに、ガラス板や金属板などの板状成形型と所定の厚さのスペーサーとを用意し、スペーサーを２枚の板状成形型で挟んで形成される空間内に重合性組成物を注入し塊状重合することにより、シート状又はフィルム状の架橋性樹脂成形体を得ることもできる。
【０１２０】
重合性組成物を成形型のキャビティー内に充填する際の充填圧力（注入圧）は、通常、０．０１〜１０ＭＰａ、好ましくは０．０２〜５ＭＰａである。充填圧力が低すぎると、キャビティー内周面に形成された転写面の転写が良好に行われない傾向にあり、充填圧が高すぎると、成形型の剛性を高くしなければならず経済的ではない。型締圧力は、通常、０．０１〜１０ＭＰａの範囲内である。重合性組成物の加熱方法としては、成形型に配設された電熱器やスチームなどの加熱手段を利用する方法や、成形型を電気炉内で加熱する方法などが挙げられる。
【０１２１】
（ｃ）の方法は、シート状又はフィルム状の架橋性樹脂成形体を得るのに好適に使用される。得られる成形体の厚さは、通常、０．００１〜１０ｍｍ、好ましくは０．００５〜１ｍｍ、より好ましくは０．０１〜０．５ｍｍの範囲である。この範囲にあれば、積層時の賦形性、及び多層基板の機械的強度や靭性などが向上し、好適である。例えば、重合性組成物の繊維状強化材への含浸は、重合性組成物の所定量を、スプレーコート法、ディップコート法、ロールコート法、カーテンコート法、ダイコート法、及びスリットコート法等の公知の方法により繊維状強化材に塗布し、所望によりその上に保護フィルムを重ね、上側からローラーなどで押圧することにより行うことができる。重合性組成物を繊維状強化材に含浸させた後、含浸物を所定温度に加熱することで重合性組成物を塊状重合させ、所望の架橋性樹脂成形体を得る。架橋性樹脂成形体中、繊維状強化材の含有量としては、通常、１０〜９０重量％、好ましくは２０〜８０重量％、より好ましくは３０〜７０重量％の範囲である。この範囲にあれば、得られる多層基板の誘電特性と機械的強度がバランスされ、好適である。
【０１２２】
繊維状強化材としては、無機系及び／又は有機系の繊維が使用できる。例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）繊維、アラミド繊維、超高分子ポリエチレン繊維、ポリアミド（ナイロン）繊維、及び液晶ポリエステル繊維などの有機繊維；ガラス繊維、炭素繊維、アルミナ繊維、タングステン繊維、モリブデン繊維、ブデン繊維、チタン繊維、スチール繊維、ボロン繊維、シリコンカーバイド繊維、及びシリカ繊維などの無機繊維；などが挙げられる。これらの中でも、有機繊維やガラス繊維が好ましく、特にアラミド繊維、液晶ポリエステル繊維、及びガラス繊維が好ましい。ガラス繊維としては、Ｅガラス、ＮＥガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、及びＨガラス等の繊維を好適に用いることができる。これらは１種単独で、又は２種以上を組合せて用いることができる。繊維状強化材の形態としては、特に限定されず、例えば、マット、クロス、及び不織布などが挙げられる。
【０１２３】
繊維状強化材に重合性組成物を含浸させてなる含浸物の加熱方法としては、例えば、含浸物を支持体上に設置して前記（ａ）の方法のようにして加熱する方法、予め型内に繊維状強化材を設置しておき、該型内で重合性組成物を含浸させて含浸物を得、前記（ｂ）の方法のようにして加熱する方法などが挙げられる。
【０１２４】
前記（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）のいずれの方法においても、重合性組成物を重合させるための加熱温度は、通常、３０〜２５０℃、好ましくは５０〜２００℃、より好ましくは９０〜１５０℃の範囲であって、かつ架橋剤、通常、ラジカル発生剤の１分間半減期温度以下、好ましくは１分間半減期温度の１０℃以下、より好ましくは１分間半減期温度の２０℃以下である。また、重合時間は適宜選択すればよいが、通常、１秒間〜２０分間、好ましくは１０秒間〜５分間である。重合性組成物をかかる条件で加熱することにより未反応モノマーの少ない架橋性樹脂成形体が得られるので好適である。
【０１２５】
本発明に用いる架橋性樹脂成形体は、その構成樹脂の一部分が架橋されたものであってもよい。例えば、型内で重合性組成物を塊状重合したときには、型の中心部分は重合反応熱が発散しにくいので、型内の一部の温度が高くなりすぎる場合がある。高温部では架橋反応が起き、架橋が生ずることがある。しかし、熱を発散しやすい表面部が架橋性の樹脂で形成されていれば、本発明に用いられる架橋性樹脂成形体は所望の効果を充分に発揮し得る。
【０１２６】
以上のようにして得られる架橋性樹脂成形体は、例えば、プリプレグとして、本発明の多層基板の製造に好適に用いられる。
【０１２７】
（多層基板の製造方法）
本発明の多層基板の製造は、生産効率を高める観点から、前述のようにして得られる架橋性樹脂成形体からなるプリプレグを用いて行うのが好適である。
架橋性樹脂成形体（Ｉ）からなるプリプレグの片面又は両面に金属箔を積層し、加熱プレスして基材樹脂を架橋し硬化する。金属箔のベタパターン上に、フォトリソグラフィーの手法を用いて、伝送線路を構成する導体パターンが形成されるようにパターニングされたエッチングレジストを形成し、続いて、エッチングを行うことにより伝送線路を形成する。伝送線路が形成された面に、架橋性樹脂成形体（Ｉ）からなるプリプレグ及び金属箔をこの順に積層し、加熱プレスして基材樹脂を架橋し硬化して、伝送線路が埋設された第一の誘電体層の少なくとも片面に導体層を積層してなる回路板を得る。導体層には、前記と同様にして回路パターンを形成してもよい。多層基板のＱ値を向上させる観点から、金属箔としては、表面粗度（Ｒｚ）が２μｍ以下であるものが好ましい。金属箔の厚さは、使用目的に応じて適宜選択すればよいが、通常、０．５〜５０μｍ、好ましくは１〜３０μｍ、より好ましくは２〜２０μｍ、最も好ましくは２〜１５μｍの範囲である。金属箔は、その表面が、シランカップリング剤、チオールカップリング剤、チタネートカップリング剤、各種接着剤などで処理されていてもよく、シランカップリング剤で処理されていることが好ましい。、シランカップリング剤で処理されていることで架橋性樹脂成形体（Ｉ）との接着力が向上する。加熱プレス時の温度は、基材樹脂において、架橋剤により架橋反応が誘起される温度以上である。例えば、架橋剤としてラジカル発生剤を使用する場合、通常、１分間半減期温度以上、好ましくは１分間半減期温度より５℃以上高い温度、より好ましくは１分間半減期温度より１０℃以上高い温度である。典型的には、１００〜３００℃、好ましくは１５０〜２５０℃の範囲である。加熱時間は、通常、０．１〜１８０分間、好ましくは０.５〜１２０分間、より好ましくは１〜６０分間の範囲である。加熱プレス時の圧力は、通常、０．５〜２０ＭＰａ、好ましくは３〜１０ＭＰａである。加熱プレスは、真空又は減圧雰囲気下で行ってもよい。加熱プレスは、平板成形用のプレス枠型を有する公知のプレス機、シートモールドコンパウンド（ＳＭＣ）やバルクモールドコンパウンド（ＢＭＣ）などのプレス成形機を用いて行なうことができる。
【０１２８】
次に、得られた回路板の導体層が設けられた面に架橋性樹脂成形体（ＩＩ）からなるプリプレグを積層し、前記と同様にして加熱プレスを行い、当該プリプレグの基材樹脂を架橋し硬化することにより、回路板の片面又は両面に第二の誘電体層を積層してなる積層板が得られる。当該積層板は、そのまま本発明の多層基板として用いることができるが、通常、積層板を得る際、架橋性樹脂成形体（ＩＩ）からなるプリプレグ上に、さらに金属箔を積層し加熱プレスを行い、金属箔に対し適宜所望の回路パターンを形成するのが好ましい。本発明の多層基板はまた、前記のようにして伝送線路が埋設された第一の誘電体層、導体層、及び第二の誘電体層を一括積層することにより効率よく製造することができる。
【０１２９】
なお、前記積層板に対し、回路パターンの形成及び誘電体層の形成をそれぞれ１回以上繰り返して行ってもよい。その場合、回路パターンは、必ずしも受動素子を構成する導体パターンを含む必要はなく、また、誘電体層は、架橋性樹脂成形体（Ｉ）又は（ＩＩ）を硬化して形成してもよいし、本発明の所望の効果の発現が阻害されない限り、公知の樹脂材料により形成してもよい。公知の樹脂材料としては、例えば、ＰＰＥ（ポリフェニレンエーテル）、ＢＴレジン（ビスマレイミドトリアジン）、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂、フェノール樹脂、及びポリアミドビスマレイミドなどが挙げられる。さらに、前記回路板、前記積層板、及び前記積層板に対し、回路パターンの形成及び誘電体層の形成をそれぞれ１回以上繰り返して行ったものに対し、所望により、公知の方法に従って、ビアホール及び／又はスルーホールを形成してもよい。また、形成されたホール内に導電性ペーストを充填して、層間の回路パターンを電気的に接続する為の電気的接続導体や放熱路を形成しても良い。
【０１３０】
以上のようにして本発明の多層基板は効率的に製造可能であるが、当該多層基板は、例えば、高速信号用の電子部品を備える多層回路板の製造に好適に用いられる。電子部品としては、プロセッサやメモリ等が挙げられる。本発明の多層基板を用いてなる多層回路板は、例えば、パソコン、サーバ、ルータ、及びストレージなどの情報処理機器、情報車載端末、テレビ、カメラ等に好適に用いられる。
【０１３１】
本発明の多層基板の表面には固体電子部品を搭載し実装することができる。なお、本明細書において「実装」という場合、電子部品を多層基板の導体回路に接続することをいう。また、多層基板の表面とは、多層基板の上面、すなわち、種々のチップ部品が搭載される主面を言う。
【０１３２】
固体電子部品としては、特に限定はないが、例えば、大規模集積回路（ＬＳＩ）、送信増幅器（Power Amp）、低雑音増幅器（Low Noise  AMP）、電圧制御発振器（ＶＣＯ）、又はそれらが多段に集積化されたＩＣなどの能動素子、バンドパスフィルタを始めとする各種高周波フィルタ（バンドエミッションフィルタ、ハイパスフィルタ、ローパスフィルタ、ダイプレクサ、及びデュプレクサ等）、及びバランやカプラなどの受動素子の他、ディスクリートタイプのトランジスタ、コンデンサ、レジスタ、コイルも含まれる。
【０１３３】
固体電子部品を多層基板の表面に搭載して実装する場合、実装領域が小さくて済み、高密度実装を可能にできることから、電子部品をチップ状態のまま基板上に実装するベアチップ実装によるのが好ましい。ベアチップ実装の方法としては、リード線を設けたフィルムを用いて基板側の電極とチップ側の電極とを接続するＴＡＢ（Tape Automated Bonding）実装、基板側の電極とチップ側の電極とをワイヤによって接続するワイヤボンディング実装、及びチップの電極部分にバンプ（突起電極）を形成して基板側の電極とチップ側の電極とを直接接続するフリップチップ実装等が挙げられる。中でも、フリップチップ実装によるのが好ましい。
【０１３４】
例えば、本発明の多層基板の表面に、ＬＳＩチップなどの半導体部品を搭載し実装することにより半導体パッケージを製造することができる。本発明の多層基板の少なくとも片面上に、半導体部品を前記実装方法により実装し、半導体部品電極と多層基板との接続部分をエポキシ樹脂等の封止材料で封止する。なお、封止材料として、本発明に係る、前記重合性組成物を用いることもできる。次に、上記半導体部品が実装された基板には、片面に金属配線によって複数の電極がエリア上に配置され、例えば、ハンダボール等の接続部材が設置される。このような半導体パッケージとしては、例えば、２個以上の複数の半導体部品を実装してなるマルチ・チップ・モジュール（ＭＣＭ）などが挙げられる。ＭＣＭは、例えば、コンピューターや通信機器に使用したり、接続部材を介して、さらにマザーボード（通常のプリント配線板）に接続したり、そのままマザーボードとして使用することができる。図４に、表面に半導体部品を実装してなる、本発明の多層基板の一態様を示す。
本態様において、半導体パッケージ１３はデカップリングコンデンサＣ１が内蔵された多層基板１の表面に半導体部品１２が実装された構成となっている。半導体部品１２は接続部材であるハンダボール１１によって、多層基板１の表面に形成された導体パターン８と電気的に接続されている。本態様においては導体パターン８はコンデンサＣ１の一方の電極９と素子位置決め用パッド１０の両方の機能を備えるものである。半導体素子の近傍にコンデンサを配置することで配線の引き回し距離は短くなり、インダクタンスの増加が抑制されるのでデカップリング効果を高めることができる。
【実施例】
【０１３５】
以下、実施例により、比較例と対比して、本発明をより詳細に説明するが、本発明は当該実施例に限定されるものではない。なお、実施例及び比較例における「部」及び「％」は、特に断らない限り、重量基準である。
【０１３６】
実施例及び比較例において積層体の物性評価はそれぞれ、以下の方法に従って行った。
（比誘電率）
インピーダンスアナライザー（アジレントテクノロジー社製、型番号Ｅ４９９１Ａ）を用いて周波数１ＧＨｚで２０℃における誘電率（ε）を容量法で測定し、比誘電率（εｒ）を算出して以下の基準で評価した。
Ａ：７以上
Ｂ：５以上、７未満
Ｃ：５未満
（誘電正接）
インピーダンスアナライザー（アジレントテクノロジー社製、型番号Ｅ４９９１Ａ）を用いて周波数１ＧＨｚで２０℃における誘電正接を容量法にて測定し、以下の基準で評価した。
Ａ：０．００３以下
Ｂ：０．００３超、０．００８以下
Ｃ：０．００８超
（温度変化率）
２ＧＨｚで共振するマイクロストリップライン共振器を設計し作製した。該共振器をネットワークアナライザー（アジレントテクノロジー社製）に接続し、周波数２ＧＨｚにおいて−３０〜１００℃の温度範囲での第二の誘電体層の誘電率（ε）の温度変化を測定した後、真空の誘電率をε０として、
比誘電率の温度変化率＝〔（ε−ε０）／ε０〕／〔１００−（−３０）〕
の式により、該変化率を求め、以下の基準で評価した。なお、数値は絶対値である。
Ａ：１００ｐｐｍ／℃以下
Ｂ：１００ｐｐｍ／℃超、２００ｐｐｍ／℃以下
Ｃ：２００ｐｐｍ／℃超
（耐熱性）
積層体を２０ｍｍ角に切断し、試験片を得た。該試験片を２６０℃の半田浴上に２０秒間フローさせた。かかる操作を別々の試験片を用いて３回繰り返し（ｎ＝３）、それぞれの試験片表面の膨れを目視により観察し、以下の基準で評価した。
Ａ：ｎ＝３で膨れなし
Ｂ：ｎ＝２で膨れなし
Ｃ：ｎ＝２以上で膨れ発生
（吸水率）
ＪＩＳ  Ｋ７２０９の方法に準拠して、積層体から４０ｍｍ×２０ｍｍ×厚み２ｍｍの試験片（誘電体層）を切り出し、２３℃、４８時間、蒸留水に浸漬した。浸漬前後での試験片の重量変化を測定することにより、以下の基準に従って吸水率を評価した。
Ａ：０．１％以下  
Ｂ：０．１％超
（ピール強度）
積層体から銅箔を引き剥がすときの強度を、ＪＩＳ  Ｃ６４８１に準拠して測定し、以下の基準に従ってピール強度を評価した。
Ａ：０．６ｋＮ／ｍ超  
Ｂ：０．４ｋＮ／ｍ超０．６ｋＮ／ｍ以下
Ｃ：０．４ｋＮ／ｍ以下
（配線形成性）
積層体の銅箔をエッチングして、配線を形成し下記基準で評価した。ここで、配線形成ができなかったとは、エッチングした後の樹脂面に銅箔の残りが観測されることを表す。
Ａ：２５／２５μｍラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）の配線形成ができた。
Ｂ：３０／３０μｍラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）の配線形成ができた。
Ｃ：４０／４０μｍラインアンドスペース（Ｌ／Ｓ）の配線形成ができた。
Ｄ：配線ができなかった。
（配線埋込性）
誘電体層を回路基板（ Ｌ／Ｓ＝１５μｍの配線を１５本配置した試験基板）上に重ね、２０５℃で１０分間、３ＭＰａにて加熱プレスを行い積層体を得た。該積層体を、配線方向に対し垂直な方向で任意に３箇所で切断した。得られた積層体の切断面を目視により観察し、回路基板上の樹脂層への微細配線埋め込み性について以下の基準で評価した。
Ａ：埋込不良が２本以下
Ｂ：埋込不良が２本超え、５本以下
Ｃ：埋込不良が５本超え
（容量変化）
積層体について、１３０℃、８５％ＲＨ、１００時間の高温高湿試験を行い、容量変化を、以下の基準で評価した。なお、試験は加速試験機（タバイエスペック社製  ＨＡＳＴチャンバー  ＥＨＳ−２２１ＭＤ）を用いて行った。変化率は、式：変化率（％）＝〔（試験前の値−試験後の値）／試験前の値〕×１００により求められる値である。
Ａ：容量変化が５％以下
Ｂ：容量変化が５％超
（比誘電率の面内分布）
積層体を３００ｍｍ×３００ｍｍに切り出し、任意の１０箇所について比誘電率を測定し、ばらつきを以下の基準で評価した。
Ａ：ばらつきが３％以下
Ｂ：ばらつきが３％を超え、５％以下
Ｃ：ばらつきが５％を超える
（線膨脹係数）
誘電体層のＸＹ方向の線膨張係数をセイコーインスツル社製ＥＸＳＴＡＲ６０００  ＴＭＡ／ＳＳを用いて、昇温速度５℃／分にて測定し、以下の基準で評価した。
Ａ：３０ｐｐｍ／℃以下
Ｂ：３０ｐｐｍ／℃を超え５０ｐｐｍ／℃以下
Ｃ：５０ｐｐｍ／℃を超える
【０１３７】
実施例及び比較例において多層板の物性評価はそれぞれ、以下の方法に従って行った。多層板の物性は多層基板の物性と同様である。
（耐クラック性）
多層板について、−６５〜１５０℃の温度範囲で所定回数の冷熱衝撃試験を行った後に外観観察を行い、誘電体層の剥離の有無を以下の基準に従って評価した。なお、冷熱衝撃試験は、冷熱衝撃試験装置（エスペック社製、型番ＴＳＡ−７１Ｈ−Ｗ）により行った。
Ａ：剥離なし
Ｂ：一部微小な剥離があり、実質上問題なし
Ｃ：一部微小な剥離があり、実質上使用不可
Ｄ：剥離、使用不可
（伝送損失）
ビアホールで接続した３層のストリップラインを含む積層体を作製し、以下の評価試験に供した。
比較例１のストリップラインの伝送ロスの値から、その他の各実施例のストリップラインの伝送ロスの値を差引いて得た値を、比較例１のストリップラインの伝送ロスの値で除し、得られた値に１００を乗じて、比較例１のストリップラインの伝送ロスを基準として、各実施例のストリップラインの伝送ロスの差分の割合（％）を求め、以下の基準に従って伝送損失を評価した。なお、伝送ロスは、ベクトルネットワークアナライザにより測定した。
Ａ：１５％低ロス
Ｂ：１０％低ロス
Ｃ：５％低ロス
Ｄ：比較例１のストリップラインの伝送ロスを超える伝送ロス
（反り状態の評価）
多層板を３００ｍｍ×３００ｍｍに切り出し、２６０℃の炉内に３０秒投入した後、常温で３分間放置した。上記操作を３回繰り返した。反り量の測定は、多層板の凸面を下にして平面に置き、片方の端を１点で押さえ、最大の高さをデータとした。以下の基準で評価した。
Ａ：２ｍｍ以下
Ｂ：２ｍｍを超え、５ｍｍ以下
Ｃ：５ｍｍを超える
（絶縁信頼性）
多層板に１００μｍの間隔をあけて一直線上に１０個並んだ、互いに電気的に接続されたビアホールの列を、１００μｍの間隔をあけて平行に２列作製したものを、サンプル基板として用いた。
１３０℃で８５％ＲＨの環境下、互いに絶縁が確保されている、一方のビアホールの列と他方のビアホールの列との間に１００Ｖの電圧を所定時間印加し、導通が確認されるまでの時間を測定し、以下の評価基準に従って絶縁信頼性を評価した。
Ａ：５００時間以上
Ｂ：２００時間以上５００時間未満
Ｃ：１００時間以上２００時間未満
Ｄ：１００時間未満
（配線埋込性）
積層体の銅箔をエッチングしてＬ／Ｓ＝１５μｍの配線を１５本形成した面に架橋性樹脂成形体（ＩＩ）を重ね、２０５℃で１０分間、３ＭＰａにて加熱プレスを行い試験用多層板を得た。該試験用多層板を、配線方向に対し垂直な方向で任意に３箇所で切断した。得られた試験用多層板の切断面を目視により観察し、回路基板上の樹脂層への微細配線埋め込み性について以下の基準で評価した。
Ａ：埋込不良が２本以下
Ｂ：埋込不良が２本超え、５本以下
Ｃ：埋込不良が５本超え
【０１３８】
（製造例１）架橋性樹脂成形体（Ｉ）−１の作製
ベンジリデン（１，３−ジメシチル−４−イミダゾリジン−２−イリデン）（トリシクロヘキシルホスフィン）ルテニウムジクロリド５１部と、トリフェニルホスフィン７９部とを、トルエン９５２部に溶解させて触媒液を調製した。これとは別に、シクロオレフィンモノマーとしてテトラシクロドデセン（ＴＣＤ）８０部及びジシクロペンタジエン２０部、酸化ケイ素粒子（アドマテックス社製、商品名ＳＯＣ０２、平均粒子径０．５μｍ）２００部、連鎖移動剤としてスチレン０．７４部、架橋剤としてジ−ｔ−ブチルペルオキシド（１分間半減期温度１８６℃）２部、反応性流動化剤としてベンジルメタクリレート１５部、架橋助剤としてトリメチロールプロパントリメタクリレート２０部、フェノール系老化防止剤として３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシアニソール１部、並びにメタクリルシラン２部を混合してモノマー液を調製した。ここに上記触媒液をシクロオレフィンモノマー１００ｇあたり０．１２ｍＬの割合で加えて撹拌し、重合性組成物を調製した。
ついで、得られた重合性組成物をガラスクロス（Ｅガラス）に含浸させ、これを１２０℃にて５分間で重合反応を行い、厚さ０．１５ｍｍの架橋性樹脂成形体（Ｉ）−１を得た。
【０１３９】
（製造例２）架橋性樹脂成形体（Ｉ）−２の作製
重合性組成物にメタクリルシランを配合しなかった以外は製造例１と同様にして、厚さ０．１５ｍｍの架橋性樹脂成形体（Ｉ）−２を得た。
【０１４０】
（製造例３）架橋性樹脂成形体（Ｉ）−３の作製
ガラスクロスへの含浸を行わなかった以外は製造例１と同様にして、厚さ０．０５ｍｍの架橋性樹脂成形体（Ｉ）−３を得た。
【０１４１】
（製造例４）架橋性樹脂成形体（Ｉ）−４の作製
多官能エポキシ２０部、硬化剤５部、酸化ケイ素粒子７５部を含むトルエン溶液を用いて、ダイコータにより厚さ０．１５ｍｍの架橋性樹脂成形体（Ｉ）−４を得た。
【０１４２】
（製造例５）架橋性樹脂成形体（ＩＩ）−１の作製
酸化ケイ素粒子に代えて、比誘電率の温度変化率が正の無機充填剤として水酸化アルミニウム１００部、比誘電率の温度変化率が負の無機充填剤としてチタン酸カルシウム１８０部を使用した以外は、製造例１と同様にして厚さ０．１５ｍｍの架橋性樹脂成形体（ＩＩ）−１を得た。
【０１４３】
（製造例６）架橋性樹脂成形体（ＩＩ）−２の作製
酸化ケイ素粒子に代えて、比誘電率の温度変化率が正の無機充填剤として水酸化アルミニウム１００部、比誘電率の温度変化率が負の無機充填剤としてチタン酸カルシウム１８０部を使用した以外は、製造例３と同様にして厚さ０．０５ｍｍの架橋性樹脂成形体（ＩＩ）−２を得た。
【０１４４】
（製造例７）架橋性樹脂成形体（ＩＩ）−３の作製
多官能エポキシ２０部、硬化剤５部、ジルコン酸化物７５部を含むトルエン溶液を用いて、ダイコータにより厚さ０．１５ｍｍの架橋性樹脂成形体（ＩＩ）−３を得た。
【０１４５】
（実施例１）
（多層基板１の作成）
架橋性樹脂成形体（Ｉ）−１の両面を銅箔１（厚さ１２μｍＦ２銅箔、シランカップリング剤処理電解銅箔、光沢面粗度Ｒｚ＝１，６００ｎｍ、古河サーキットホイル社製）で挟み、２１０℃で２０分間、３ＭＰａにて加熱プレスを行い両面銅貼積層体１を得た。
【０１４６】
次に、リソグラフィー法を用いて両面銅貼積層体１の一方の銅箔に、所定のパターンでドライフィルムを被覆して、露光および現象プロセスによって、所望のエッチング部分のみを露出させた後、エッチング液でエッチングすることによって、伝送路を含む第１回路層を形成した。
【０１４７】
次に、両面銅貼積層体１の回路層を形成した面に、架橋性樹脂成形体（Ｉ）−１及び銅箔１をこの順に重ね、２１０℃で２０分間、３ＭＰａにて加熱プレスを行い積層板１を得た。
続いて、リソグラフィー法を用いて積層体１の一方の銅箔に、所定のパターンでドライフィルムを被覆して、露光および現象プロセスによって、所望のエッチング部分のみを露出させた後、エッチング液でエッチングすることによって、回路パターンを形成した。同様に積層体１のもう一方の銅箔にリソグラフィー法を用いて、回路パターンを形成した。
【０１４８】
続いて、銅箔１、架橋性樹脂成形体（ＩＩ）−１、積層体１、架橋性樹脂成形体（ＩＩ）−１、及び銅箔１をこの順番で、２１０℃で２０分間、３ＭＰａにて加熱プレスを行い多層板１を得た。
【０１４９】
次に、前記積層プロセスによって得られた多層板１の一方の外層銅箔に、通常のリソグラフィー法を用いて、回路パターンを形成した。同様に、リソグラフィー法を用いて、前記多層板１の他方の銅箔に、回路パターンを形成した。
【０１５０】
さらにドリルでスルーホールを形成した後、無電解メッキを施すことで、スルーホールにめっきして層間回路を接続して多層基板１を得た。
【０１５１】
（実施例２）
実施例１において架橋性樹脂成形体（Ｉ）−１の代わりに架橋性樹脂成形体（Ｉ）−２を用いた以外は実施例１と同様にして、積層体２を得た。積層体１の代わりに積層体２を用いた以外は、実施例１と同様にして、多層板２を得た。多層板１の代わりに多層板２を用いた以外は、実施例１と同様にして、多層基板２を得た。
【０１５２】
（実施例３）
実施例１において銅箔１の代わりに銅箔２（厚さ１２μｍ、Ｆ３銅箔、シランカップリング剤処理電解銅箔、光沢面粗度Ｒｚ＝２，１００ｎｍ、古河サーキットホイル社製）を用いた以外は実施例１と同様にして、積層体３を得た。積層体１の代わりに積層体３を用いた以外は、実施例１と同様にして、多層板３を得た。多層板１の代わりに多層板３を用いた以外は、実施例１と同様にして、多層基板３を得た。
【０１５３】
（実施例４）
実施例１において架橋性樹脂成形体（Ｉ）−１の代わりに架橋性樹脂成形体（Ｉ）−３を用いた以外は実施例１と同様にして、積層体４を得た。積層体１の代わりに積層体４を用いた以外は、実施例１と同様にして、多層板４を得た。多層板１の代わりに多層板４を用いた以外は、実施例１と同様にして、多層基板４を得た。
【０１５４】
（実施例５）
実施例１において架橋性樹脂成形体（ＩＩ）−１の代わりに架橋性樹脂成形体（ＩＩ）−２を用いた以外は実施例１と同様にして、多層板５を得た。多層板１の代わりに多層板５を用いた以外は、実施例１と同様にして、多層基板５を得た。
【０１５５】
（比較例１）
実施例１において架橋性樹脂成形体（Ｉ）−１の代わりに架橋性樹脂成形体（Ｉ）−４を用いた以外は実施例１と同様にして、積層体６を得た。積層体１の代わりに積層体６を用い、架橋性樹脂成形体（ＩＩ）−１の代わりに架橋性樹脂成形体（ＩＩ）−３を用いた以外は、実施例１と同様にして、多層板６を得た。多層板１の代わりに多層板６を用いた以外は、実施例１と同様にして、多層基板６を得た。
【０１５６】
【表１】
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【０１５７】
表１より、本発明の多層基板は、層間密着性に優れ、高温高湿の環境下においても誘電特性の変動が少なく、伝送損失が小さい基板であることが分かる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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