(57)【要約】【課題】基板に搭載された発光素子がガラス封止されてなる発光装置のホットプレス加工時における発光素子の熱損傷を抑制することが可能な発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】発光装置の製造方法は、低融点ガラス４の屈伏温度よりも高い温度に加熱された上金型６１により、上金型６１に面して配置された低融点ガラス４を加熱する第１の工程と、低融点ガラス４が屈伏温度以上に加熱された状態で、低融点ガラス４と下金型５１に支持されたＡｌ２Ｏ３基板３とを対向させて加圧し、Ａｌ２Ｏ３基板３に搭載されたＬＥＤ素子２を低融点ガラス４によって封止する第２の工程とを含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に搭載された発光素子をガラスにより封止してなる発光装置の製造方法であって、
前記ガラスの屈伏温度よりも高い温度に加熱された第１の金型により、前記第１の金型に面して配置された前記ガラスを加熱する第１の工程と、
前記ガラスが屈伏温度以上に加熱された状態で、前記ガラスと第２の金型に支持された前記基板とを対向させて加圧し、前記基板に搭載された前記発光素子を前記ガラスによって封止する第２の工程とを含む発光装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２の工程における前記第２の金型は、前記第１の金型よりも低い温度である請求項１に記載の発光装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１の金型は、前記第２の金型の下側に配置されている請求項１又は２に記載の発光装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の金型には、前記加圧による前記ガラスの流動を抑制するための突起が形成されている請求項１乃至３のいずれか１項に記載の発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、搭載基板上の発光素子が金型を用いてガラスにより封止される発光装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板上の発光素子がガラスにより封止された発光装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の発光装置は、複数の発光素子を配線基板に搭載しておき、板状の低融点ガラスのホットプレス加工を行うことにより各発光素子を一括してガラスにより封止し、その後ダイシングして個片化することで発光装置を製造している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１７７１３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、この種の発光装置を製造するに際しては、図６（ａ）に示すように、上側ヒータ１２０によって加熱される上金型１２０と、下側ヒータ１１０によって加熱される下金型１１１とを備えたプレス装置を用いて、下金型１１１の上に複数の発光素子１０１が搭載された基板１００を載置し、さらにこの基板１００及び発光素子１０１の上に低融点ガラス１０２を載置して、下側ヒータ１１０の熱を下金型１１１，基板１００，及び複数の発光素子１０１を介して低融点ガラス１０２に伝導させ、低融点ガラス１０２が屈伏温度以上に達した後に、下金型１１１よりも低い所定の温度に加熱された上金型１２０を下金型１１１に向かって下降させ、ホットプレス加工を行っていた。
【０００５】
このホットプレス加工により、図６（ｂ）に示すように、低融点ガラス１０２が複数の発光素子１０１の間の位置で基板１００に融着し、発光素子１０１がガラス封止される。
【０００６】
この製造方法によれば、発光素子１０１を介して低融点ガラス１０２を加熱するため、発光素子１０１は低融点ガラス１０２よりも高い温度に加熱されて、低融点ガラス１０２に熱を伝導させる必要がある。このため、基板１００に搭載された発光素子１０１のうちの一部が熱損傷を受け、光度が低下したり、順方向電圧が高くなってしまう場合があった。
【０００７】
本発明は、前記事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、ホットプレス加工時における発光素子の熱損傷を抑制することが可能な発光装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記目的を達成するため、基板に搭載された発光素子をガラスにより封止してなる発光装置の製造方法であって、前記ガラスの屈伏温度よりも高い温度に加熱された第１の金型により、前記第１の金型に面して配置された前記ガラスを加熱する第１の工程と、前記ガラスが屈伏温度以上に加熱された状態で、前記ガラスと第２の金型に支持された前記基板とを対向させて加圧し、前記基板に搭載された前記発光素子を前記ガラスによって封止する第２の工程とを含む発光装置の製造方法を提供する。
【０００９】
上記発光素子の製造方法において、前記第２の工程における前記第２の金型は、前記第１の金型よりも低い温度にするとよい。
【００１０】
また、上記発光素子の製造方法において、前記第１の金型は、前記第２の金型の下側に配置するとよい。
【００１１】
また、上記発光素子の製造方法において、前記第１の金型には、前記加圧による前記ガラスの流動を抑制するための突起を形成するとよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、ホットプレス加工時における発光素子の熱損傷を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る発光装置の断面図である。
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態に係るホットプレス加工を行うためのプレス装置、及びプレス装置にセットされた低融点ガラス４等を示す概略図であり、（ａ）はホットプレス加工前の状態を、（ｂ）はホットプレス加工中の状態を、それぞれ示す。
【図３】図３は、本発明の第２の実施の形態に係るホットプレス加工を行うためのプレス装置、及びプレス装置にセットされた低融点ガラス４等を示す概略図であり、（ａ）はホットプレス加工前の状態を、（ｂ）はホットプレス加工中の状態を、それぞれ示す。
【図４】図４は、本発明の第３の実施の形態に係るホットプレス加工を行うためのプレス装置、及びプレス装置にセットされた低融点ガラス４等を示す概略図であり、（ａ）はホットプレス加工前の状態を、（ｂ）はホットプレス加工中の状態を、それぞれ示す。
【図５】図５は、本発明の第４の実施の形態に係るホットプレス加工を行うためのプレス装置、及びプレス装置にセットされた低融点ガラス４等を示す概略図であり、（ａ）はホットプレス加工前の状態を、（ｂ）はホットプレス加工中の状態を、それぞれ示す。
【図６】図６は、従来の発光装置の製造方法を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
［第１の実施の形態］
（発光装置１の構成）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る発光装置の縦断面図である。
【００１５】
この発光装置１は、フリップチップ型のＧａＮ系半導体材料からなる発光素子としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode）素子２と、ＬＥＤ素子２を搭載するＡｌ２Ｏ３基板３と、タングステン（Ｗ）−ニッケル（Ｎｉ）−金（Ａｕ）で構成されてＡｌ２Ｏ３基板３に形成される回路パターン３１ａ，３１ｂと、ＬＥＤ素子２と回路パターン３１ａ，３１ｂとを電気的に接続するＡｕスタッドバンプ３２ａ，３２ｂと、ＬＥＤ素子２を封止するとともにＡｌ２Ｏ３基板３と融着されるガラス封止部４０とを有する。
【００１６】
Ａｌ２Ｏ３基板３は、基板の表面および裏面にメタライズされたＷ−Ｎｉ−Ａｕからなる回路パターン３１ａ，３１ｂを導通させるビアホール３０ａ，３０ｂを有している。
【００１７】
ガラス封止部４０は、低融点ガラスによって形成されており、金型によるホットプレス加工によってＡｌ２Ｏ３基板３と融着された後にダイサーでカットされ、上面４０ａおよび側面４０ｂを有して矩形状に形成されている。
【００１８】
このように構成された発光装置１は、回路パターン３１ａ，３１ｂ及びＡｕスタッドバンプ３２ａ，３２ｂを介してＬＥＤ素子２に通電することにより、ＬＥＤ素子２の発光光をガラス封止部４０の上面４０ａ及び側面４０ｂから放出する。
【００１９】
（発光装置１の製造方法）
次に、発光装置１の製造方法について、図２を参照して説明する。発光装置１の製造工程は、Ａｌ２Ｏ３基板３にＬＥＤ素子２を搭載する搭載工程、プレス装置１０内にＬＥＤ素子２が搭載されたＡｌ２Ｏ３基板３及びガラス封止部４０を構成する低融点ガラス４を配置する配置工程、Ａｌ２Ｏ３基板３，ＬＥＤ素子２，及び低融点ガラス４を加熱する加熱工程、ＬＥＤ素子２が搭載されたＡｌ２Ｏ３基板３と低融点ガラス４とを加圧してホットプレス加工を行うホットプレス工程、ホットプレス加工されたＡｌ２Ｏ３基板３等を取り出す取り出し工程、及びダイシングによりＬＥＤ素子２を個片化して発光装置１とするダイシング工程を含む。以下、これら各工程のそれぞれについて詳細に説明する。
【００２０】
（搭載工程）
まず、ビアホール３０ａ，３０ｂが形成されたＡｌ２Ｏ３基板３を用意し、Ａｌ２Ｏ３基板３の表面及び裏面に回路パターン３１ａ，３１ｂの形状に応じてタングステンペーストをスクリーン印刷する。このＡｌ２Ｏ３基板３は複数のＬＥＤ素子２を搭載可能な大きさ（例えば、２２．５ｍｍ角）であり、ビアホール３０ａ，３０ｂはそれぞれのＬＥＤ素子２について形成されている。
【００２１】
次に、タングステンペーストが印刷されたＡｌ２Ｏ３基板３を１０００℃余で熱処理することによりタングステンを基板３に焼き付け、さらにこのタングステン上にＮｉめっき、Ａｕめっきを施すことで回路パターン３１ａ，３１ｂを形成する。次に、Ａｌ２Ｏ３基板３の素子搭載面側（表面側）に複数のＬＥＤ素子２を搭載し、それぞれのＬＥＤ素子２の電極をＡｕスタッドバンプ３２ａ，３２ｂによって回路パターン３１ａ，３１ｂに電気的に接合する。
【００２２】
（配置工程）
図２は、ホットプレス加工を行うためのプレス装置１０、及びプレス装置１０にセットされたＡｌ２Ｏ３基板３等を示す概略図であり、（ａ）はホットプレス加工前の状態を、（ｂ）はホットプレス加工中の状態を、それぞれ示す。
【００２３】
図２（ａ）に示すように、プレス装置１０は、下側ヒータ５０と、下側ヒータ５０によって加熱される第１の金型としての下金型５１と、下金型５１に対向して配置され、下金型５１に対して鉛直方向に相対移動可能な第２の金型としての上金型６１と、上金型６１を加熱するための上側ヒータ６０とを有している。
【００２４】
上金型６１には、複数のＬＥＤ素子２が搭載されたＡｌ２Ｏ３基板３を保持するための係止部６２（第１係止爪６２ａ及び第２係止爪６２ｂ）が設けられている。この係止部６２は、Ａｌ２Ｏ３基板３の対向する２つの辺の端部を支持するように、これらの辺に沿って紙面に直交する方向に延びる第１係止爪６２ａ及び第２係止爪６２ｂを有している。
【００２５】
配置工程では、下金型５１の上側に、発光装置１のガラス封止部４０となる板状の低融点ガラス４を下金型５１に接するように載置する。また、上金型６１の下側に、複数のＬＥＤ素子２が搭載されたＡｌ２Ｏ３基板３を係止部６２に保持されるように配置する。
【００２６】
（加熱工程）
加熱工程では、下側ヒータ５０及び上側ヒータ６０に通電し、下金型５１及び上金型６１を加熱する。上側ヒータ６０及び下側ヒータ５０は、例えば電熱線への通電によって発生するジュール熱により上金型６１，下金型５１を加熱するものでもよく、赤外線の放射によって上金型６１，下金型５１を加熱するものでもよい。
【００２７】
下金型５１は、下側ヒータ５０からの熱を受け、低融点ガラス４をその屈伏温度以上に加熱する。この低融点ガラス４は、屈伏温度が例えば６００℃以下であり、その温度以上になると圧力を印加した場合に変形しやすくなる。
【００２８】
また、上金型６１は、上側ヒータ６０からの熱を受け、複数のＬＥＤ素子２及びＡｌ２Ｏ３基板３を下金型５１によって加熱された低融点ガラス４の温度よりも低い温度に加熱する。すなわち、加熱工程の完了時における上金型６１の温度は下金型５１の温度よりも低温であり、また上金型６１によって加熱されたＬＥＤ素子２及びＡｌ２Ｏ３基板３の温度は、低融点ガラス４の屈伏温度よりも低温である。
【００２９】
（ホットプレス工程）
ホットプレス工程では、図略の加圧装置により上金型６１を下金型５１に向かって相対移動させて低融点ガラス４とＡｌ２Ｏ３基板３とを接近させ、所定の圧力（例えば６０ｋｇｆ）で低融点ガラス４とＡｌ２Ｏ３基板３とを上下方向から加圧してホットプレス加工を行う。
【００３０】
このホットプレス加工により、低融点ガラス４がＡｌ２Ｏ３基板３の素子搭載面のうちＬＥＤ素子２が搭載されていない領域に融着し、複数のＬＥＤ素子２のそれぞれが低融点ガラス４によって封止される。
【００３１】
（取り出し工程）
ホットプレス加工が終了したら、上金型６１を下金型５１から離間させ、ガラス封止された複数のＬＥＤ素子２が搭載されたＡｌ２Ｏ３基板３をプレス装置１０から取り出す。この際、低融点ガラス４はＡｌ２Ｏ３基板３に融着しているので、Ａｌ２Ｏ３基板３と共に低融点ガラス４が下金型５１から離間する。
【００３２】
（ダイシング工程）
ダイシング工程では、プレス装置１０から取り出したＡｌ２Ｏ３基板３を、複数のＬＥＤ素子２の間の位置で低融点ガラス４と共にダイシングにより切断し、複数の発光装置１を個片化する。このダイシングは、Ａｌ２Ｏ３基板３をダイサーにセットし、複数のＬＥＤ素子２の間をダイシングブレードによりカットすることにより行う。個片化されたそれぞれのＬＥＤ素子２、Ａｌ２Ｏ３基板３、回路パターン３１ａ，３１ｂ、及び低融点ガラス４（ガラス封止部４０）は、発光装置１を構成する。
【００３３】
（実施の形態の効果）
以上説明した第１の実施の形態によれば、次に示す効果が得られる。
【００３４】
（１）低融点ガラス４をその屈伏温度以上に加熱するにあたり、Ａｌ２Ｏ３基板３及びＬＥＤ素子２を介して低融点ガラス４に熱伝導させる必要がないので、ＬＥＤ素子２が熱損傷することを抑制することができる。すなわち、低融点ガラス４は上金型６１によって屈伏温度以上に加熱された後にＡｌ２Ｏ３基板３及びＬＥＤ素子２に接触し、ホットプレス加工が行われるので、Ａｌ２Ｏ３基板３及びＬＥＤ素子２を屈伏温度以上に加熱する必要がなく、ＬＥＤ素子２の熱負荷が軽減される。なお、ホットプレス加工ではＡｌ２Ｏ３基板３及びＬＥＤ素子２が加熱された低融点ガラス４に接触するので、一時的にＬＥＤ素子２が屈伏温度以上になることがあるが、その時間はＡｌ２Ｏ３基板３及びＬＥＤ素子２を介して低融点ガラス４を加熱する場合に比べて短時間であるので、ＬＥＤ素子２の熱損傷が抑制される。
【００３５】
（２）加熱工程において、低融点ガラス４はＡｌ２Ｏ３基板３及びＬＥＤ素子２よりも熱伝導率が高い上金型６１からの熱伝導によって加熱されるので、Ａｌ２Ｏ３基板３及びＬＥＤ素子２を介して低融点ガラス４を加熱する場合に比較して、短時間で低融点ガラス４を屈伏温度以上に加熱することができ、加熱工程に要する時間を短縮することができる。
【００３６】
［第２の実施の形態］
次に、本発明の第２の実施の形態について、図３を参照して説明する。
図３は、本実施の形態に係る製造方法におけるホットプレス加工を示す概略図であり、（ａ）はホットプレス加工前の状態を、（ｂ）はホットプレス加工中の状態を、それぞれ示す。この図では、第１の実施の形態と共通する構成及び機能を有する要素には同一の符号を付してその説明を省略する。
【００３７】
本実施の形態では、第１の実施の形態と同様に、低融点ガラス４をその屈伏温度以上に加熱し、Ａｌ２Ｏ３基板３及びＬＥＤ素子２を低融点ガラス４よりも低い温度に加熱してホットプレス加工を行うが、下側ヒータ５０の熱を低融点ガラス４に伝導する下金型５１Ａの形状が第１の実施の形態とは異なっている。
【００３８】
図３（ａ）に示すように、本実施の形態に係るプレス装置１０Ａの下金型５１Ａには、上金型６１に向かって突出して形成された突起部５２が一体に設けられている。突起部５２は、Ａｌ２Ｏ３基板３の複数のＬＥＤ素子２が搭載された領域に対応して、その領域を囲むように四角形状に形成されている。
【００３９】
低融点ガラス４は、その表面が突起部５２に囲まれた内部の領域で下金型５１Ａに接するように下金型５１Ａに載置され、下側ヒータ５０の熱を受けた下金型５１Ａによって屈伏温度以上に加熱される。
【００４０】
また、図３（ｂ）に示すように、低融点ガラス４が複数のＬＥＤ素子２が搭載されたＡｌ２Ｏ３基板３にホットプレスされると、突起部５２が低融点ガラス４の水平方向への流動を規制する。
【００４１】
（実施の形態の効果）
本実施の形態によっても、上記した第１の実施の形態の（１）及び（２）と同様の効果がある。また、ホットプレス加工時における圧力による低融点ガラス４の水平方向への流動が突起部５２によって抑制されるので、Ａｌ２Ｏ３基板３の複数のＬＥＤ素子２が搭載された領域における低融点ガラス４の圧力を均一化することができ、ガラス封止をより適切に行うことができる。
【００４２】
［第３の実施の形態］
次に、本発明の第３の実施の形態について、図４を参照して説明する。
図４は、本実施の形態に係る製造方法におけるホットプレス加工を示す概略図であり、（ａ）はホットプレス加工前の状態を、（ｂ）はホットプレス加工中の状態を、それぞれ示す。この図では、第１の実施の形態と共通する構成及び機能を有する要素には同一の符号を付してその説明を省略する。
【００４３】
本実施の形態では、第１の実施の形態と同様に、低融点ガラス４をその屈伏温度以上に加熱し、Ａｌ２Ｏ３基板３及びＬＥＤ素子２を低融点ガラス４よりも低い温度に加熱してホットプレス加工を行うが、下側ヒータ５０の熱を低融点ガラス４に伝導する下金型５１Ｂの形状が第１及び第２の実施の形態とは異なっている。
【００４４】
図４（ａ）に示すように、本実施の形態に係るプレス装置１０Ｂの下金型５１Ｂには、上金型６１に向かって突出して形成された突起部５３が一体に設けられている。突起部５３は、Ａｌ２Ｏ３基板３の複数のＬＥＤ素子２が搭載された領域に対応して、その領域を囲むように四角形状に形成されている。
【００４５】
低融点ガラス４は、その表面が突起部５３の上面５３ａに接するように下金型５１Ｂに載置され、下側ヒータ５０の熱を受けた下金型５１Ｂによって屈伏温度以上に加熱される。なお、下金型５１Ｂには、突起部５３及び低融点ガラス４で囲まれる領域内の空気を外部に流出させるためのエアベント５４が形成されている。
【００４６】
また、図４（ｂ）に示すように、低融点ガラス４が複数のＬＥＤ素子２が搭載されたＡｌ２Ｏ３基板３にホットプレスされると、突起部５３が低融点ガラス４の端部に嵌まり込み、低融点ガラス４の水平方向への流動を規制する。
【００４７】
（実施の形態の効果）
本実施の形態によっても、上記した第１の実施の形態の（１）及び（２）と同様の効果がある。また、ホットプレス加工時に突起部５３が低融点ガラス４に嵌まり込んで低融点ガラス４の水平方向への流動を抑制するので、Ａｌ２Ｏ３基板３の複数のＬＥＤ素子２が搭載された領域における低融点ガラス４の圧力を均一化することができ、ガラス封止をより適切に行うことができる。
【００４８】
［第４の実施の形態］
次に、本発明の第４の実施の形態について、図５を参照して説明する。
図５は、本実施の形態に係る製造方法におけるホットプレス加工を示す概略図であり、（ａ）はホットプレス加工前の状態を、（ｂ）はホットプレス加工中の状態を、それぞれ示す。この図では、第１の実施の形態と共通する構成及び機能を有する要素には同一の符号を付してその説明を省略する。
【００４９】
本実施の形態では、第１の実施の形態と同様に、低融点ガラス４をその屈伏温度以上に加熱し、Ａｌ２Ｏ３基板３及びＬＥＤ素子２を低融点ガラス４よりも低い温度に加熱してホットプレス加工を行うが、低融点ガラス４が上金型８１によって加熱され、複数のＬＥＤ素子２が搭載されたＡｌ２Ｏ３基板３が下金型７１によって加熱される点で第１の実施の形態と異なっている。
【００５０】
本実施の形態におけるプレス装置１０Ｃは、図５（ａ）に示すように、下側ヒータ７０と、下側ヒータ７０によって加熱される第２の金型としての下金型７１と、下金型７１に対向して配置され、下金型７１に対して鉛直方向に相対移動可能な第１の金型としての上金型８１と、上金型８１を加熱するための上側ヒータ８０とを有している。
【００５１】
上金型８１には、板状の低融点ガラス４を保持するための係止部８２（第１係止爪８２ａ及び第２係止爪８２ｂ）が設けられている。この係止部８２は、低融点ガラス４の対向する２つの辺の端部を支持するように、これらの辺に沿って紙面に直交する方向に延びる第１係止爪８２ａ及び第２係止爪８２ｂを有している。
【００５２】
配置工程において、複数のＬＥＤ素子２が搭載されたＡｌ２Ｏ３基板３は、下金型７１に接するように、下金型７１の上に載置される。また、低融点ガラス４は、上金型８１の下側に、係止部８２に保持されるように配置される。
【００５３】
加熱工程において、上金型８１は、上側ヒータ８０からの熱により、低融点ガラス４をその屈伏温度以上に加熱する。また、下金型７１は、下側ヒータ７０からの熱により、Ａｌ２Ｏ３基板３及びＬＥＤ素子２を、上金型８１によって加熱された低融点ガラス４よりも低い温度に加熱する。
【００５４】
ホットプレス工程において、上金型８１は、下金型７１に向かって移動して、上金型８１に保持された低融点ガラス４をＡｌ２Ｏ３基板３及びＬＥＤ素子２に押し付けて加圧し、ＬＥＤ素子２をガラス封止する。
【００５５】
このホットプレス工程の後、上金型８１を下金型７１から離間させ、ガラス封止された複数のＬＥＤ素子２が搭載されたＡｌ２Ｏ３基板３をプレス装置１０Ｃから取り出し、ダイシングによってそれぞれのＬＥＤ素子２を個片化し、複数の発光装置１を得る。
【００５６】
（実施の形態の効果）
本実施の形態によっても、上記した第１の実施の形態の（１）及び（２）と同様の効果がある。また、ホットプレス加工の後において低融点ガラス４がＡｌ２Ｏ３基板３及びＬＥＤ素子２の上側に位置するので、低融点ガラス４が自重によってＡｌ２Ｏ３基板３及びＬＥＤ素子２に安定的に融着する。
【００５７】
［他の実施の形態］
以上、本発明の発光装置の製造方法を上記各実施の形態に基づいて説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。
【００５８】
例えば、上記各実施の形態では上金型を下金型に向かって移動させることによりホットプレス加工を行ったが、これに限らず、下金型を上金型に向かって移動させることによりホッププレス加工を行ってもよい。また、下金型と上金型とを相互に接近させるように、それぞれの金型を移動させてもよい。
【００５９】
また、上記各実施の形態では、１つの発光装置１に１つのＬＥＤ素子２が含まれるように発光装置１を構成したが、１つの発光装置が複数のＬＥＤ素子２を含んでもよい。
【００６０】
また、上記各実施の形態では、Ａｌ２Ｏ３基板３が配置された側の金型（上金型６１，下金型７１）にもヒータ（上側ヒータ６０，下側ヒータ７０）を設けたが、ホットプレス加工時における熱衝撃によりＬＥＤ素子２に損傷が生じないのであれば、Ａｌ２Ｏ３基板３が配置された側の金型にはヒータを設けなくともよい。
【００６１】
またさらに、上記の各実施の形態では、Ａｌ２Ｏ３基板にＬＥＤ素子を搭載したが、ＡｌＮ基板等のその他のセラミック基板やＣｕ−Ｗ基板等のメタル基板に代替することが可能である。
【符号の説明】
【００６２】
１…発光装置、２…ＬＥＤ素子、３…Ａｌ２Ｏ３基板、４…低融点ガラス、５…ヒータ、１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ…プレス装置、３０ａ，３０ｂ…ビアホール、３１ａ，３１ｂ…回路パターン、３２ａ，３２ｂ…Ａｕスタッドバンプ、４０…ガラス封止部、４０ａ…上面、４０ｂ…側面、５０…下側ヒータ、５１，５１Ｂ，５１Ｃ…下金型、５２，５３…突起部、５３ａ…上面、５４…エアベント、６０…上側ヒータ、６１…上金型、６２…係止部、６２ａ，６２ｂ…係止爪、７０…下側ヒータ、７１…下金型、８０…上側ヒータ、８１…上金型、８２…係止部、８２ａ，８２ｂ…係止爪、１００    …基板、１０１…発光素子、１０１…下金型、１０２…低融点ガラス、１１０…下側ヒータ、１１１…下金型、１２０…上側ヒータ、１２０…上金型
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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