(57)【要約】【課題】高密度実装される電子部品に生じた熱を好適に放熱し得る回路基板を提供する。【解決手段】基板面１１ａに複数の電子部品が実装される回路基板１０であって、複数の電子部品のうち放熱を必要とするトランジスタ３１が接続される配線パターン１２には、内側に向かって延びる放熱用ビア４１が形成され、放熱用ビア４１に対して絶縁部２１を介して対向する受熱用ビア４２が、放熱用ビア４１が形成される配線パターン１２と異なる電位のパターンに形成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板面に複数の電子部品が実装される回路基板であって、
前記複数の電子部品のうち放熱を必要とする電子部品が接続される配線パターンには、内側に向かって延びる放熱用経路が形成され、
前記放熱用経路に対して絶縁部を介して対向する受熱用経路が、前記放熱用経路が形成される配線パターンと異なる電位のパターンに形成されることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記受熱用経路が形成されるパターンには、前記複数の電子部品のうち当該パターンを介した受熱に対して影響を受けにくい電子部品が接続されることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
当該回路基板は、導体層と絶縁層とが交互に積層されて構成され、
前記受熱用経路は、内層側の導体層に設けられるグランドパターンに接続されることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項４】
前記放熱用経路および前記受熱用経路は、両経路が対向する方向に対して直交する方向に長く形成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の記載の回路基板。
【請求項５】
前記放熱用経路および前記受熱用経路は、レーザ加工により形成されるビアを用いて構成されることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の記載の回路基板。
【請求項６】
前記受熱用経路が形成されるパターンの一部が、当該回路基板が収容される筐体の一部に対して収容時に接触することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の記載の回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板面に発熱する電子部品が実装される回路基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、基板面に発熱する電子部品が実装される回路基板に関する技術として、例えば、下記特許文献１に開示される配線基板が知られている。この配線基板には、ＩＣの裏面中央部に設けられる伝熱部に対応する位置に、上面から下面に貫通するネジ穴が設けられており、このネジ穴に放熱部材の挿入部が螺嵌される。そして、ＩＣの伝熱部と放熱部材とが当接した状態で半田にて接続される。これにより、ＩＣにて発生した熱が、伝熱部から放熱部材へ直接伝導されるとともに、伝熱部から半田を通じて放熱部材へ伝導されることで、ＩＣにて発生した熱を配線基板の下面側へ放熱している。
【０００３】
また、下記特許文献２に開示される多層配線基板は、４つの絶縁層を備えている。半導体素子は、第４の絶縁層の表面に形成される半導体素子搭載パターン上に搭載されており、この半導体素子搭載パターンは、第４のビアホールを介して、第３の絶縁層の表面に形成される第２の冷却パターンに熱的に接続されている。この第２の冷却パターンは、第３のビアホールを介して、第２の絶縁層の表面に形成される第１の冷却パターンに熱的に接続されている。この第１の冷却パターンは、第５のビアホールを介して、第４の絶縁層の表面に形成されるヒートシンク搭載パターンに熱的に接続され、このヒートシンク搭載パターンにヒートシンクが熱伝導性のシリコーン接着剤を介して接着されている。
【０００４】
このように構成される多層配線基板において、半導体素子の駆動に応じて熱が放出されると、この熱は、半導体素子搭載パターン、第４のビアホール、第２の冷却パターン、第３のビアホール、第１の冷却パターン、第５のビアホールおよびヒートシンク搭載パターンを介して、ヒートシンクへ伝導されることで、放熱される。このように互いに接続された放熱経路を内層に設けることで、放熱経路を基板面に形成する場合と比較して、冷却性能を維持しつつ高密度化を図っている。
【０００５】
また、下記特許文献３に開示されるプリント配線基板は、発熱素子が上面の銅箔平面パターン上にはんだやペースト等により固着されている。また、基板の上面と下面とを貫通するように複数の熱伝導ビアホールが形成されており、これら各熱伝導ビアホールを介して、上面のビアホール形成領域上に形成された銅箔平面パターンと下面に形成された銅箔平面パターンとが電気的に接続されている。
【０００６】
このような構成において、素子から発生する熱は、銅箔平面パターンに伝達されることで、当該銅箔平面パターンを介して放熱されるとともに、各ビアホールやこれら各ビアホールに接続される下面の銅箔平面パターンを介して放熱される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００８−２８２５４号公報
【特許文献２】特開平１１−３３０７０８号公報
【特許文献３】特開平０９−１４８６９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、さらなる高密度化や軽量化が要望される回路基板では、基板面に実装される電子部品に生じた熱を放熱するための放熱領域を構成することが困難であり、特に、実装される電子部品が多くなりこれらの電子部品からの発熱量が大きくなるほど、必要な放熱領域の確保が困難になるという問題がある。
【０００９】
上記特許文献１や特許文献３における放熱構成では、高密度化に対応することが困難であり、上記特許文献２における放熱構成では、高密度化により最表層だけでなく内層にも複数のパターンが配置される場合には、内層側であってもパターン等の配置が制約されて、内層側に放熱経路を設けることができないという問題がある。
【００１０】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、高密度実装される電子部品に生じた熱を好適に放熱し得る回路基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、特許請求の範囲に記載の請求項１の回路基板では、基板面に複数の電子部品が実装される回路基板であって、前記複数の電子部品のうち放熱を必要とする電子部品が接続される配線パターンには、内側に向かって延びる放熱用経路が形成され、前記放熱用経路に対して絶縁部を介して対向する受熱用経路が、前記放熱用経路が形成される配線パターンと異なる電位のパターンに形成されることを特徴とする。
【００１２】
請求項２の発明は、請求項１に記載の回路基板において、前記受熱用経路が形成されるパターンには、前記複数の電子部品のうち当該パターンを介した受熱に対して影響を受けにくい電子部品が接続されることを特徴とする。
【００１３】
請求項３の発明は、請求項１に記載の回路基板において、当該回路基板は、導体層と絶縁層とが交互に積層されて構成され、前記受熱用経路は、内層側の導体層に設けられるグランドパターンに接続されることを特徴とする。
【００１４】
請求項４の発明は、請求項１〜３のいずれか一項に記載の回路基板において、前記放熱用経路および前記受熱用経路は、両経路が対向する方向に対して直交する方向に長く形成されることを特徴とする。
【００１５】
請求項５の発明は、請求項１〜４のいずれか一項に記載の回路基板において、前記放熱用経路および前記受熱用経路は、レーザ加工により形成されるビアを用いて構成されることを特徴とする。
【００１６】
請求項６の発明は、請求項１〜５のいずれか一項に記載の回路基板において、前記受熱用経路が形成されるパターンの一部が、当該回路基板が収容される筐体の一部に対して収容時に接触することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１の発明では、基板面に実装される複数の電子部品のうち放熱を必要とする電子部品（以下、発熱部品という）が接続される配線パターンには、内側に向かって延びる放熱用経路が形成される。そして、この放熱用経路に対して接触することなく対向する受熱用経路が、上記放熱用経路が形成される配線パターンと異なる電位のパターンに形成される。
【００１８】
これにより、発熱部品にて生じた熱は、その配線パターンを介して放熱用経路に伝熱されると、この放熱用経路に対向する受熱用経路に絶縁部を介して伝熱されることで、当該受熱用経路が形成されるパターンに伝熱されて放熱される。特に、異なる電位のパターンを放熱用パターンとして利用できるため、全ての放熱経路を熱的に接続する必要がないので、放熱経路を形成する自由度が増し、高密度化される回路基板であっても放熱経路を容易に確保することができる。
したがって、高密度実装される電子部品に生じた熱を好適に放熱することができる。
【００１９】
請求項２の発明では、受熱用経路が形成されるパターンには、複数の電子部品のうち当該パターンを介した受熱に対して影響を受けにくい電子部品が接続されるため、受熱用経路に伝熱される熱が上記パターンを介して放熱される場合でも、この熱が当該パターンに接続される電子部品に影響を及ぼすことはない。また、複数の電子部品のうち当該パターンを介した受熱に対して影響を受けやすい電子部品には、受熱用経路が形成されないために放熱用経路を介した熱が伝熱することもないので、当該電子部品に対して発熱部品からの熱が影響を及ぼすことを抑制することができる。
【００２０】
請求項３の発明では、受熱用経路は、内層側の導体層に設けられるグランドパターンに接続される。内層側の導体層に設けられるグランドパターンは、一般的に他のパターンと比較して広い表面積を有するように形成されるため、広い放熱領域が確保されて、上記両経路を介する放熱経路における放熱効果を向上させることができる。
【００２１】
請求項４の発明では、放熱用経路および受熱用経路は、両経路が対向する方向に対して直交する方向（以下、長手方向という）に長く形成されるため、両経路間での対向する面積が増加するので、両経路間での熱伝達が促進されて、上記両経路を介する放熱経路における放熱効果を向上させることができる。
【００２２】
請求項５の発明では、放熱用経路および受熱用経路は、レーザ加工により形成されるビアを用いて構成されるため、両経路を精度良く形成することができる。このため、放熱用経路および受熱用経路の両経路間の絶縁を確保しつつ両経路間の隙間を小さくできるので、上記両経路を介する放熱経路における放熱効果を向上させることができる。特に、複数のビアを上記長手方向に隣接させることで、当該長手方向に長くなる放熱用経路および受熱用経路を容易に形成することができる。
【００２３】
請求項６の発明では、受熱用経路が形成されるパターンの一部が、当該回路基板が収容される筐体の一部に対して収容時に接触するため、受熱用経路に伝熱された熱が上記パターンや筐体を介して放熱されるので、受熱用経路を介した放熱が促進されて、上記両経路を介する放熱経路における放熱効果を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】図１（Ａ）は、第１実施形態に係る回路基板の概略を示す上面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す１Ｂ−１Ｂ線相当の切断面による断面図である。
【図２】トランジスタにて発生した熱の放熱経路を説明する断面図である。
【図３】図３（Ａ）は、第１実施形態の変形例に係る回路基板の概略を示す上面図であり、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）に示す３Ｂ−３Ｂ線相当の切断面による断面図である。
【図４】第２実施形態に係る回路基板の概略を示す断面図である。
【図５】第２実施形態の変形例に係る回路基板の概略を示す断面図である。
【図６】図６（Ａ）は、第３実施形態に係る回路基板の概略を示す上面図であり、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）に示す６Ｂ−６Ｂ線相当の切断面による断面図である。
【図７】図７（Ａ）は、第３実施形態の変形例に係る回路基板の概略を示す上面図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）に示す７Ｂ−７Ｂ線相当の切断面による断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
［第１実施形態］
以下、本発明の回路基板を具現化した第１実施形態について、図面を参照して説明する。図１（Ａ）は、第１実施形態に係る回路基板１０の概略を示す上面図であり、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）に示す１Ｂ−１Ｂ線相当の切断面による断面図である。
図１（Ａ）に示す回路基板１０は、例えば、自動車に搭載されるエンジンＥＣＵに採用される電源回路を構成するための基板であって、箱状の筐体に収容された状態で車体の適所に車載されている。
【００２６】
回路基板１０は、図１（Ｂ）に示すように、高密度化を図るために、導体層１１と絶縁層として機能する絶縁性の樹脂層２０とが交互に積層されることで多層基板として構成されている。最表層の導体層は基板面１１ａを形成し、この基板面１１ａには、電源制御に関する処理を実現するための複数の電子部品、例えば、図１（Ａ）に例示するように、トランジスタ３１、アルミ電解コンデンサ３２および複数のチップ抵抗３３等が実装されている。トランジスタ３１は、各端子が対応する配線パターン１２〜１４にそれぞれ接続され、アルミ電解コンデンサ３２は、両端子が対応する配線パターン１５，１６にそれぞれ接続され、各チップ抵抗３３は、各端子が対応する配線パターン１７，１８にそれぞれ接続されている。これら各配線パターンは、それぞれ内層の所定の配線パターンとビア１２ａ〜１８ａ等を介して電気的に接続されている。
【００２７】
ここで、上述した複数の電子部品のうち、トランジスタ３１は、上記電源制御の実施に伴い発熱するために、放熱を必要とする電子部品（発熱部品）である。また、アルミ電解コンデンサ３２は、配線パターンを介した受熱に対してトランジスタ３１よりも比較的影響を受けやすい電子部品であり、各チップ抵抗３３は、配線パターンを介した受熱に対してトランジスタ３１よりも比較的影響を受けにくい電子部品である。
【００２８】
図１（Ｂ）に示すように、トランジスタ３１の一端子が接続される配線パターン１２には、レーザ加工により形成されるＬＶＨ（Ｌａｓｅｒ  Ｖｉａ  Ｈｏｌｅ）を用いて、内層側に向かって長穴状に延びる放熱用ビア４１が設けられている。また、各チップ抵抗３３の一端子が接続される配線パターン１７には、レーザ加工により形成されるＬＶＨを用いて、放熱用ビア４１に対して樹脂層２０の一部（以下、絶縁部２１という）を介して対向するように、内層側に向かって長穴状に延びる受熱用ビア４２が設けられている。
【００２９】
これら放熱用ビア４１および受熱用ビア４２は、両ビアが対向する方向（図１（Ａ）の左右方向）に対して直交する方向（図１（Ａ）の上下方向：以下、長手方向という）に長くなるように、ＬＶＨを多点で配置することでそれぞれ長穴状に形成されている。特に、配線パターン１２と配線パターン１７とは互いに異なる電位の配線パターンであるため、放熱用ビア４１および受熱用ビア４２は、両ビア間の絶縁を確保することを前提に両ビア間における絶縁部２１を介した熱伝達を促すために、当該両ビア間の隙間が極力小さくなるように、例えば、０．２ｍｍに設定される。また、放熱用ビア４１とアルミ電解コンデンサ３２が接続される配線パターン１５とは、例えば、０．５ｍｍ以上離れるように配置される。なお、放熱用ビア４１は、特許請求の範囲に記載の「放熱用経路」の一例に相当し、受熱用ビア４２は、特許請求の範囲に記載の「受熱用経路」の一例に相当し得る。
【００３０】
次に、上述のように構成される回路基板１０の放熱効果について、図２を用いて説明する。図２は、トランジスタ３１にて発生した熱の放熱経路を説明する断面図である。
上記電源制御の実施に伴いトランジスタ３１が発熱すると、この熱の一部が、図２の矢印α１にて示すように、配線パターン１２を介して放熱用ビア４１に伝熱される。このように放熱用ビア４１に伝熱された熱は、図２の矢印α２にて示すように、放熱用ビア４１に対向する受熱用ビア４２に絶縁部を介して伝熱される。そして、このように受熱用ビア４２に伝熱された熱の一部は、図２の矢印α３にて示すように、配線パターン１７に伝熱されることで放熱され、残部は、受熱用ビア４２に熱的に接続される内層側のパターン等に伝熱されることで放熱される。
【００３１】
このように、トランジスタ３１にて生じた熱は、両ビア４１，４２を介する放熱経路を伝熱することで、配線パターン１７等により好適に放熱されることとなる。特に、異なる電位のパターンである配線パターン１７を放熱用パターンとして利用できるため、全ての放熱経路を形成する配線パターン等をそれぞれ熱的に接続する必要がないので、放熱経路を形成する自由度が増し、高密度化される回路基板１０であっても放熱経路を容易に確保することができる。
したがって、高密度実装されるトランジスタ３１等の電子部品に生じた熱を好適に放熱することができる。
【００３２】
また、受熱用ビア４２が形成される配線パターン１７には、複数の電子部品のうち当該配線パターン１７を介した受熱に対して影響を受けにくいチップ抵抗３３が接続されるため、受熱用ビア４２に伝熱される熱が上記配線パターン１７を介して放熱される場合でも、この熱が各チップ抵抗３３に影響を及ぼすことはない。また、複数の電子部品のうち当該パターンを介した受熱に対して影響を受けやすいアルミ電解コンデンサ３２が接続される配線パターン１５，１６には、受熱用ビアが形成されないために放熱用ビア４１を介した熱が伝熱することもないので、アルミ電解コンデンサ３２に対してトランジスタ３１からの熱が影響を及ぼすことを抑制することができる。
【００３３】
さらに、放熱用ビア４１および受熱用ビア４２は、両ビア４１，４２が対向する方向に対して直交する長手方向に長く形成されるため、両ビア間での対向する面積が増加するので、両ビア間での熱伝達が促進されて、上記両ビア４１，４２を介する放熱経路における放熱効果を向上させることができる。
【００３４】
さらにまた、放熱用ビア４１および受熱用ビア４２は、レーザ加工により形成されるビアを用いて構成されるため、両ビア４１，４２を精度良く形成することができる。このため、放熱用ビア４１および受熱用ビア４２の両ビア間の絶縁を確保しつつ両ビア間の隙間を小さくできるので、上記両ビア４１，４２を介する放熱経路における放熱効果を向上させることができる。特に、複数のビアを上記長手方向に隣接させることで、当該長手方向に長くなる放熱用ビア４１および受熱用ビア４２を容易に形成することができる。
【００３５】
図３（Ａ）は、第１実施形態の変形例に係る回路基板１０の概略を示す上面図であり、図３（Ｂ）は、図３（Ａ）に示す３Ｂ−３Ｂ線相当の切断面による断面図である。
第１実施形態の変形例として、図３（Ａ），（Ｂ）に示す回路基板１０のように、配線パターン１７に複数の受熱用ビア４２を形成してもよい。これにより、複数の放熱経路が構成されるので、上記両ビア４１，４２を介する放熱経路における放熱効果をより向上させることができる。なお、上記変形例の特徴的構成は、他の実施形態および変形例に適用することで、上記効果を奏する。
【００３６】
［第２実施形態］
次に、本発明の第２実施形態に係る回路基板について図４を参照して説明する。図４は、第２実施形態に係る回路基板１０ａの概略を示す断面図である。
図４に示すように、本第２実施形態に係る回路基板１０ａは、上記両ビア４１，４２を介する放熱経路における放熱効果をさらに向上させるために、非貫通ビア４３が形成される点が、上記第１実施形態に係る回路基板と異なる。したがって、第１実施形態の回路基板と実質的に同一の構成部分には、同一符号を付し、その説明を省略する。
【００３７】
図４に示すように、受熱用ビア４２が熱的に接続される内層側のパターン１９ａには、ＩＶＨ（Ｉｎｔｅｒｓｔｉｔｉａｌ  Ｖｉａ  Ｈｏｌｅ）を用いて、さらに内層側にて配置されるグランドパターン１９に熱的に接続するための非貫通ビア４３が設けられている。このグランドパターン１９は、他の電子部品との共用を可能とするために、一般的に他のパターンと比較して広い表面積を有するように形成される。
【００３８】
このように、受熱用ビア４２がパターン１９ａを介して比較的広い表面積を有するグランドパターン１９に熱的に接続されることにより、広い放熱領域が確保されて、放熱用ビア４１および受熱用ビア４２を介する放熱経路における放熱効果をさらに向上させることができる。
【００３９】
図５は、第２実施形態の変形例に係る回路基板１０ａの概略を示す断面図である。
第２実施形態の変形例として、図５に示す回路基板１０ａのように、複数の非貫通ビア４３を用いてグランドパターン１９とパターン１９ａとを熱的に接続してもよい。これにより、複数の放熱経路が構成されるので、上記両ビア４１，４２を介する放熱経路における放熱効果をより向上させることができる。なお、上記変形例の特徴的構成は、他の実施形態および変形例に適用することで、上記効果を奏する。
【００４０】
［第３実施形態］
次に、本発明の第３実施形態に係る回路基板について図６を参照して説明する。図６（Ａ）は、第３実施形態に係る回路基板の概略を示す上面図であり、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）に示す６Ｂ−６Ｂ線相当の切断面による断面図である。なお、図６（Ａ）では、便宜上、筐体５０は突起５１のみを波線にて図示している。
【００４１】
本第３実施形態に係る回路基板１０ｂは、上記両ビア４１，４２を介する放熱経路における放熱効果をさらに向上させるために、受熱用ビア４２が筐体５０の一部と接触する配線パターン１７ｂに形成される点が、上記第１実施形態に係る回路基板と異なる。したがって、第１実施形態の回路基板と実質的に同一の構成部分には、同一符号を付し、その説明を省略する。
【００４２】
図６（Ｂ）に示すように、当該回路基板１０ｂを収容する金属製の筐体５０には、その内壁から内方に突出する突起５１が設けられており、この突起５１は、その下面にて、回路基板１０ｂが収容される際に、配線パターン１７ｂに接触するように形成されている。配線パターン１７ｂは、配線パターン１２と異なる電位の配線パターンであって、上述した受熱用ビア４２が、放熱用ビア４１に対して絶縁部２１を介して対向するように形成されている。
【００４３】
これにより、受熱用ビア４２が形成される配線パターン１７ｂの一部が、当該回路基板１０ｂが収容される筐体５０の突起５１に対して収容時に接触するため、受熱用ビア４２に伝熱された熱が配線パターン１７ｂや筐体５０を介して放熱されることとなる。このため、受熱用ビア４２を介した放熱が促進されて、放熱用ビア４１および受熱用ビア４２を介する放熱経路における放熱効果をさらに向上させることができる。
【００４４】
なお、筐体５０は、収容時に、突起５１にて配線パターン１７ｂに接触するように形成されることに限らず、他の一部にて配線パターン１７ｂに接触するように形成されてもよい。また、上記第３実施形態の特徴的構成は、他の実施形態および変形例に適用することで、上記効果を奏する。
【００４５】
図７（Ａ）は、第３実施形態の変形例に係る回路基板１０ｂの概略を示す上面図であり、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）に示す７Ｂ−７Ｂ線相当の切断面による断面図である。なお、図７（Ａ）では、便宜上、筐体５０は突起５１のみを波線にて図示している。
第３実施形態の変形例として、図７（Ａ），（Ｂ）に示す回路基板１０ｂのように、受熱用ビア４２と筐体５０の突起５１とが内層側に配置される配線パターン１７ｃを介して熱的に接続されることで、両ビア４１，４２を介する放熱経路における放熱効果を向上させてもよい。
【００４６】
具体的には、上述した受熱用ビア４２が、内層側の配線パターン１７ｃに熱的に接続されるとともに、この配線パターン１７ｃと収容時に突起５１に接触する配線パターン１７ｄとがビア４４を介して熱的に接続される。
【００４７】
このようにしても、受熱用ビア４２に伝熱された熱が筐体５０等を介して放熱されることとなるため、受熱用ビア４２を介した放熱が促進されて、上記両ビア４１，４２を介する放熱経路における放熱効果をさらに向上させることができる。なお、上記変形例の特徴的構成は、他の実施形態および変形例に適用することで、上記効果を奏する。
【００４８】
なお、本発明は上記各実施形態およびその変形例に限定されるものではなく、以下のように具体化してもよい。
（１）本発明に係る回路基板の構成は、エンジンＥＣＵに採用される電源回路に採用されることに限らず、高密度実装される電子部品に生じた熱の放熱が必要な回路基板に採用されてもよい。
【００４９】
（２）放熱用ビア４１が形成される配線パターン１２には、上述したトランジスタ３１が接続されることに限らず、例えば、ＩＧＢＴのように所定の制御処理の実施に伴い発熱するために放熱を必要とする電子部品が接続されてもよい。
【００５０】
（３）受熱用ビア４２が形成される配線パターン１７には、上述したチップ抵抗３３が接続されることに限らず、単にＯＮ／ＯＦＦするスイッチング素子のように受熱しても影響を受けない電子部品やセラミックコンデンサのように耐熱性が十分にある電子部品が接続されてもよい。
【００５１】
（４）受熱用ビア４２は、基板面に設けられる配線パターンに形成されることに限らず、放熱用ビア４１に対して絶縁部２１を介して対向することを前提に、内層側に配置される配線パターンに形成されてもよい。
【符号の説明】
【００５２】
１０，１０ａ，１０ｂ…回路基板
１１…導体層
１１ａ…基板面
１２〜１８…配線パターン
１９…グランドパターン
２０…樹脂層（絶縁層）
２１…絶縁部
３１…トランジスタ
３２…アルミ電解コンデンサ
３３…チップ抵抗
４１…放熱用ビア（放熱用経路）
４２…受熱用ビア（受熱用経路）
５０…筐体
５１…突起
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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