(57)【要約】【課題】ステージの上に切削屑のない状態でのウエハの搬入を行うことができる半導体製造装置を提供すること。【解決手段】本発明に係る半導体製造装置１は、ウエハ５を切削するブレード３と、ウエハ５のブレード３による切削が行われるステージ２と、ステージ２へのウエハ５の搬入、及びステージ２からのウエハ５の搬出を行う搬送機構８と、ウエハ５の搬出の後にステージ２を清浄化する切削屑除去機構１１とを備える。【選択図】図２Ｃ
2012086301.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハを切削するブレードと、
前記ウエハの前記ブレードによる切削が行われるステージと、
前記ステージへの前記ウエハの搬入、及び前記ステージからの前記ウエハの搬出を行う搬送機構と、
前記ウエハの前記搬出の後に前記ステージを清浄化する切削屑除去機構と
を備える
半導体製造装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体製造装置であって、
前記切削屑除去機構は、
気体を吹き付けるエアーノズルを備え、
前記エアーノズルは、
前記搬送機構に取り付けられて連動することで前記ステージに前記気体が行き渡るように構成されている
半導体製造装置。
【請求項３】
請求項１、又は２に記載の半導体製造装置であって、
前記切削屑除去機構は、
除去対象物を前記ステージから掃き出すブラシを備え、
前記ブラシは、
前記搬送機構に取り付けられて連動することで前記ステージに行き届くように構成されている
半導体製造装置。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体製造装置であって、
前記切削屑除去機構は、
前記搬送機構とは独立して移動して前記ウエハの前記搬出の後に前記ステージを清浄化するように構成されている
半導体製造装置。
【請求項５】
請求項２、又は４に記載の半導体製造装置であって、
前記エアーノズルは、
前記搬入の向きとは垂直方向に前記ステージの両端まで延びる筒状に形成された
半導体製造装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体製造装置であって、
前記ステージは、
前記ステージを清浄化している間に逆噴射する多孔質吸着ステージによって形成される
半導体製造装置。
【請求項７】
ブレードが、ステージでウエハを切削するステップと、
搬送機構が、前記ステージからの前記ウエハの搬出を行うステップと、
切削屑除去機構が、前記ウエハの前記搬出の後に前記ステージを清浄化するステップと、
前記搬送機構が、清浄化された前記ステージへの前記ウエハの搬入を行うステップと
を備える
半導体製造方法。
【請求項８】
請求項７に記載の半導体製造方法であって、
前記切削屑除去機構が、前記ステージを清浄化するステップは、
前記切削屑除去機構の備えるエアーノズルが、前記搬送機構に取り付けられて連動することで前記ステージに気体が行き渡るように前記気体を吹き付けるステップ
を含む
半導体製造方法。
【請求項９】
請求項７、又は８に記載の半導体製造方法であって、
前記切削屑除去機構が、前記ステージを清浄化するステップは、
前記切削屑除去機構の備えるブラシが、前記搬送機構に取り付けられて連動することで前記ステージに行き届いて除去対象物を前記ステージから掃き出すステップ
を含む
半導体製造方法。
【請求項１０】
請求項７に記載の半導体製造方法であって、
前記切削屑除去機構が、前記ステージを清浄化するステップは、
前記切削屑除去機構の備えるエアーノズルが、前記搬送機構とは独立して移動して前記ステージに気体が行き渡るように前記気体を吹き付けるステップ
を含む
半導体製造方法。
【請求項１１】
請求項７乃至１０のいずれか１項に記載の半導体製造方法であって、
前記切削屑除去機構が、前記ステージを清浄化するステップは、
多孔質吸着ステージによって形成される前記ステージが、逆噴射するステップ
を含む
半導体製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置に関し、特に、ダイシング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハを切断して半導体チップを製造するダイシング工程においてダイシング装置が用いられている。図１は、半導体製造装置のダイシング装置、及びダイシング工程の一例を説明するための断面図であり、図１Ａ〜図１Ｆが工程順で示されている。
【０００３】
図１Ａを参照すると、ダイシング装置１の概略が示されている。ダイシング装置１は、ステージ２とブレード３とを備えている。ブレード３を有するダイシング部には冷却水ノズル４が設けられている。冷却水ノズル４からは冷却水が噴射されてブレード３が冷却される。半導体ウエハ５のダイシングはダイシング装置１のステージ２の上で行われる。ウエハ５のダイシングが行われる際には、ウエハ５の裏全面がダイシングシート６で固定される。そのダイシングシート６の外周部が、ダイシングリング７によって固定される。
【０００４】
ウエハ５のダイシングが行われる際には切削屑が発生する。ダイシングの際のウエハ５上には切削水が流れている。これによって、殆どの切削屑はウエハ５上から除去される。
【０００５】
図１Ｂを参照すると、搬送機構である搬送アーム８の概略が示されている。なお、以下の図においては、説明を簡単にするためにダイシング部の記載は省略される。搬送アーム８はその先端に、吸着パッド９を有している。吸着パッド９は、図示せぬ負圧発生源によって生じた吸引力ｆｐによってダイシングリング７を吸着する。吸引力ｆｐは鉛直上方向に働く。
【０００６】
図１Ｃを参照すると、搬送アーム８によるウエハ５の持ち上げ工程が示されている。図中の矢印は、鉛直上方向に搬送アーム８がステージ２から離れる隔離方向Ｃｕｐを示している。ウエハ５は、隔離方向Ｃｕｐに動く搬送アーム８によって持ち上げられてステージ２から離れる。
【０００７】
図１Ｄを参照すると、搬送アーム８によるウエハ５の搬出工程が示されている。図中の矢印は、ダイシング装置１からウエハ５が搬出される搬出方向Ｃｏｕｔを示している。ウエハ５は、搬出方向Ｃｏｕｔに動く搬送アーム８によってダイシング装置から搬出されて次の工程へと送られる。
【０００８】
切削水によってウエハ５上から吹き飛ばされた切削屑１０が搬送アーム８上に載ることはありうる。この状態で、ステージ２において、ウエハ５の入れ替えが行われると、その振動等によって、搬送アーム８上から切削屑１０がステージ２上に落ちる。
【０００９】
図１Ｅを参照すると、搬送アーム８による次のウエハ５の搬入工程が示されている。図中の矢印は、ダイシング装置１へウエハ５が搬入される搬入方向Ｃｉｎを示している。次のウエハ５は、搬入方向Ｃｉｎに動く搬送アーム８によってダイシング装置まで運ばれてくる。
【００１０】
図１Ｆを参照すると、搬送アーム８によるウエハ５の載置工程が示されている。図中の搬送アーム８の部分に示された矢印は、鉛直下方向に搬送アーム８がステージ２に近付く載置方向Ｃｄｏｗｎを示している。図中のステージ２の部分に示された矢印は、ステージ２の表裏面間を鉛直下方向に通り抜ける空気によるウエハ５の吸引方向ｆｉｎを示している。ウエハ５は、載置方向Ｃｄｏｗｎに動く搬送アーム８によってステージ２上に載置される。その際に、ステージ２とダイシングシート６との間に切削屑１０が挟み込まれる。更に、ステージ２は、吸引方向ｆｉｎに空気を吸引する真空吸着によってシート６を固定する。このときに、挟み込まれた切削屑１０によってウエハ５に、変形や割れ等の不具合が生じる可能性がある。この結果として、半導体チップの歩留まりが低下する。また、ダイシングを行うブレード３と切削屑１０とが接触することによってブレード３を始めとしたダイシング装置１、及びウエハ５の破損が引き起こされることもありうる。
【００１１】
上の記述に関連して、ダイシング装置およびダイシング用ブレードが特開平６−３２６１８５号公報に開示されている。これは、真空吸着ステージ上に載置された半導体ウエハをノズルの先端から洗浄液を吹き付けながらブレードでダイシングを行うダイシング装置であって、ブレードの両側面には羽根が設けられている。ブレードの高速回転によって羽根は強い風を起こす。この風は切削屑を含むウエハ上の洗浄液に作用し、洗浄液をウエハの表面で止めることなく一定の方向に強制的に流すことから、順次発生する切削屑は洗浄液と共にウエハ表面から外に排除され、ダイシング終了時点のウエハの表面に切削屑が残留することがなくなるとしている。
【００１２】
また、特開平５−１９０６６４号公報には、ダイシング装置が開示されている。これは、ウェハーをセットしたダイシングステージを水平面に対し傾斜させる機構と、ダイシングブレードに対しウェハーを傾斜方向に送る機構とを有する構成によって、ダイシング作業中の切削水の溜りをなくすことによって、切削水中に含まれる切削屑のウェハー表面への付着を防止するようにしている。
【００１３】
そして、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍ）の製造方法が特開２００４−３４９４１６号公報で開示されている。この発明のＭＥＭＳの製造方法では、半導体基板の素子面（ＭＥＭＳが形成されている側の面）に例えば熱剥離型の粘着テープを貼付した後、裏面側から半導体基板を切断するようにしている。即ち、素子面は粘着テープにより保護されているので、ダイシングの際に、洗浄水または切断屑が素子面に付着することはない。このため、確実に切断屑が洗い流されるように、充分な量の洗浄水を噴きつけることができる。切断後は、粘着テープの粘着強度を充分に小さくしてから、粘着テープを剥離する。従って、粘着テープの剥離時に、ＭＥＭＳの微細構造が破損することはない。この結果、ダイシング工程において、洗浄水の量や圧力を小さくせずに、ＭＥＭＳの微細構造を確実に保護できるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開平６−３２６１８５号公報
【特許文献２】特開平５−１９０６６４号公報
【特許文献３】特開２００４−３４９４１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
上述した文献においては、ダイシングの後におけるウエハの表面に切削屑を残さないという目的が達成されている。しかし、ダイシングの際にウエハ上から吹き飛ばされた切削屑はウエハの入れ替えの間にステージに再び付着することがありうる。
【００１６】
本発明が解決しようとする課題は、ステージの上に切削屑のない状態でのウエハの搬入を行うことができる半導体製造装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
以下に、発明を実施するための形態で使用される符号を括弧付きで用いて、課題を解決するための手段を記載する。この符号は、特許請求の範囲の記載と発明を実施するための形態の記載との対応を明らかにするために付加されたものであり、特許請求の範囲に記載されている発明の技術的範囲の解釈に用いてはならない。
【００１８】
本発明の半導体製造装置１は、ウエハ（５）を切削するブレード（３）と、ウエハ（５）のブレード（３）による切削が行われるステージ（２）と、ステージ（２）へのウエハ（５）の搬入、及びステージ（２）からのウエハ（５）の搬出を行う搬送機構（８）と、ウエハ（５）の搬出の後にステージ（２）を清浄化する切削屑除去機構（１１、１３）とを備える。
【００１９】
本発明の半導体製造方法は、ブレード（３）が、ステージ（２）でウエハ（５）を切削するステップと、搬送機構（８）が、ステージ（２）からのウエハ（５）の搬出を行うステップと、切削屑除去機構（１１、１３）が、ウエハ（５）の搬出の後にステージ（２）を清浄化するステップと、搬送機構（８）が、清浄化されたステージ（２）へのウエハ（５）の搬入を行うステップとを備える。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、ステージの上に切削屑のない状態でのウエハの搬入を行うことができる半導体製造装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１Ａ】図１Ａは、半導体製造装置のダイシング装置、及びダイシング工程の一例を説明するための断面図である。
【図１Ｂ】図１Ｂは、半導体製造装置のダイシング装置、及び搬送機構、並びに搬送工程の一例を説明するための断面図である。
【図１Ｃ】図１Ｃは、半導体製造装置のダイシング装置、及び搬送機構、並びに搬送工程の搬送機構によるウエハの持ち上げ工程の一例を説明するための断面図である。
【図１Ｄ】図１Ｄは、半導体製造装置のダイシング装置、及び搬送機構、並びに搬送工程の搬送機構によるウエハの搬出工程の一例を説明するための断面図である。
【図１Ｅ】図１Ｅは、半導体製造装置のダイシング装置、及び搬送機構、並びに搬送工程の搬送機構によるウエハの搬入工程の一例を説明するための断面図である。
【図１Ｆ】図１Ｆは、半導体製造装置のダイシング装置、及び搬送機構、並びに搬送工程の搬送機構によるウエハの載置工程の一例を説明するための断面図である。
【図２Ａ】図２Ａは、本発明の第１の実施形態における半導体製造装置のダイシング装置、及び搬送機構、並びに半導体製造工程の搬送機構による搬出工程の一例を説明するための断面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、本発明の第１の実施形態における半導体製造装置のダイシング装置、及び搬送機構、並びに半導体製造工程の搬送機構による搬入工程の一例を説明するための断面図である。
【図２Ｃ】図２Ｃは、本発明の第１の実施形態における半導体製造装置のダイシング装置、及び搬送機構、並びに半導体製造工程のステージ清浄化工程の一例を説明するための断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、本発明の第２の実施形態における半導体製造装置のダイシング装置、及び搬送機構、並びに半導体製造工程の搬送機構による搬出工程の一例を説明するための断面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、本発明の第２の実施形態における半導体製造装置のダイシング装置、及び搬送機構、並びに半導体製造工程の搬送機構による搬入工程の一例を説明するための断面図である。
【図３Ｃ】図３Ｃは、本発明の第２の実施形態における半導体製造装置のダイシング装置、及び搬送機構、並びに半導体製造工程のステージ清浄化工程の一例を説明するための断面図である。
【図４Ａ】図４Ａは、本発明の第３の実施形態における半導体製造装置のダイシング装置、及び搬送機構、並びに半導体製造工程の搬送機構による搬出工程の一例を説明するための断面図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、本発明の第３の実施形態における半導体製造装置のダイシング装置、及び搬送機構、並びに半導体製造工程のステージ清浄化工程の一例を説明するための断面図である。
【図４Ｃ】図４Ｃは、本発明の第３の実施形態における半導体製造装置のダイシング装置、及び搬送機構、並びに半導体製造工程の搬送機構による搬入工程の一例を説明するための断面図である。
【図５Ａ】図５Ａは、本発明の第４の実施形態における半導体製造装置のダイシング装置、及び搬送機構、並びに半導体製造工程の搬送機構による搬出工程の一例を説明するための断面図である。
【図５Ｂ】図５Ｂは、本発明の第４の実施形態における半導体製造装置のダイシング装置、及び搬送機構、並びに半導体製造工程の搬送機構による搬入工程の一例を説明するための断面図である。
【図５Ｃ】図５Ｃは、本発明の第４の実施形態における半導体製造装置のダイシング装置、及び搬送機構、並びに半導体製造工程のステージ清浄化工程の一例を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
（第１の実施形態）
以下に、添付図面を参照しながら、本発明の第１の実施形態に係る半導体製造装置、及び半導体製造方法を詳細に説明する。
【００２３】
まず、本実施形態の半導体製造装置の構成を詳細に説明する。
【００２４】
図２Ａは、本発明の第１の実施形態における半導体製造装置のダイシング装置、及び搬送機構、並びに半導体製造工程の搬送機構によるウエハの搬出工程の一例を説明するための断面図である。
【００２５】
図２Ａを参照すると、本実施形態に係るダイシング装置１、及び搬送機構の搬送アーム８の概略が示されている。ダイシング装置１は、ステージ（ダイシングステージ）２と、図示せぬブレード（図１Ａにおける３）と、図示せぬ冷却水ノズル（図１Ａにおける４）と等を備えている。なお、説明を簡単にするために、図上でのダイシング装置１はステージ２のみが示されている。
【００２６】
半導体ウエハ（ワーク）５のダイシングはダイシング装置１のステージ２の上で行われる。ダイシングシート６は粘着性を有するシートである。ウエハ５のダイシングが行われる際には、ウエハ５の一方の面（裏全面）がダイシングシート６で固定される。そのダイシングシート６の外周部が、ダイシングリング（フレーム）７によって固定される。このウエハ５の接着されたダイシングシート６はステージ２上に載せられてステージ２上を覆う。そして、ウエハ５の他方の面（表面）側から図示せぬブレードによるダイシングが行われる。
【００２７】
ウエハ５のダイシングが行われる際には切削屑が発生する。切削屑には特に、非成形三角チップが含まれる。非成形三角チップとは、ウエハ５の外縁で、製品にならない部分から発生するチップである。ダイシングによって分断された非成形三角チップは面積が小さい。このこともあって、非成形三角チップは製品チップより、ダイシングシート６から剥離しやすい傾向がある。また、一方で、ダイシングの際のウエハ５上には切削水が流れている。これによって、殆どの切削屑はウエハ５上から除去される。
【００２８】
ここで、ステージ２上には、切削屑（除去対象物）１０が存在している。これは、ウエハ５のダイシングの行われた際に発生した切削屑である。切削水によってウエハ５上から吹き飛ばされた切削屑１０は、例えば搬送アーム８上等のダイシング装置１内に引っかかることがありうる。この状態で、ステージ２において、ウエハ５の入れ替えが行われると、その振動等によって、搬送アーム８上等から切削屑１０がステージ２上に落ちる。
【００２９】
搬送アーム８はその先端に、吸着パッド９を有している。吸着パッド９は、シリコンゴム等に例示される弾性体よって形成されている。吸着パッド９は、図示せぬ負圧発生源によって生じた吸引力ｆｐを有している。吸引力ｆｐは鉛直上方向に働く。吸着パッド９は、吸引力ｆｐによってダイシングリング７を吸着する。吸着パッド９が、ダイシングリング７を吸着することで、搬送アーム８はウエハ５を搬送可能な状態となる。
【００３０】
搬送アーム８は更に、切削屑１０除去機構として、エアーノズル１１と配管１２とを備えている。エアーノズル１１は、図示せぬ気体供給元から延びる配管１２と接続されている。ゴム管などに例示される配管１２は搬送アーム８に固定されている。エアーノズル１１は、搬送アーム８と一体化して移動するように構成されている。好適には、搬送アーム８は、エアーノズル１１を先頭にしてステージ２に近付く形態となっている。また、好適には、エアーノズル１１は、ステージ２上を通過する向きとは垂直方向にステージ２の両端まで延びる筒状の構造となっている。エアーノズル１１からはステージ２に向けて圧縮気体が噴出される。こうして、エアーノズル１１が搬送アーム８に取り付けられて連動することで噴出気体がステージ２に行き渡るように構成されている。そして、ウエハ５の入れ替えの最中に、気体の圧力によって切削屑１０がステージ２上から除去される構成となっている。
【００３１】
次に、本実施形態の半導体製造装置の動作を詳細に説明する。
【００３２】
ダイシング装置１のステージ２上で図示せぬブレードによってウエハ５のダイシングが行われる際に切削屑が発生する。切削水によってウエハ５上から吹き飛ばされた切削屑１０が搬送アーム８上等に載った状態となっている。この状態で、ウエハ５の入れ替えが行われてステージ２の表面が露出する。
【００３３】
図２Ａ〜図２Ｃは、本発明の第１の実施形態における半導体製造装置のダイシング装置、及び搬送機構、並びに半導体製造工程の一例を説明するための断面図であり、図２Ａ〜図２Ｃが工程順で示されている。図２Ａでは、搬送アーム８によるウエハ５の搬出工程が示されている。図中の矢印は、ダイシング装置１からウエハ５が搬出される搬出方向Ｃｏｕｔを示している。ウエハ５は、搬出方向Ｃｏｕｔに動く搬送アーム８によってダイシング装置から搬出されて次の工程へと送られる。ウエハ５の搬送時の振動等によって搬送アーム８上から切削屑１０がステージ２上に落ちる。
【００３４】
図２Ｂを参照すると、搬送アーム８による次のウエハ５の搬入工程が示されている。図中の矢印は、ダイシング装置１へウエハ５が搬入される搬入方向Ｃｉｎを示している。次のウエハ５は、搬入方向Ｃｉｎに動く搬送アーム８によってダイシング装置まで運ばれてくる。エアーノズル１１は、搬送アーム８と一体化して移動する。搬送アーム８は、エアーノズル１１を先頭にしてステージ２に近付く。エアーノズル１１からはステージ２に向けて圧縮気体が噴出される。図中のエアーノズル１１の部分における線はエアーノズル１１からの気体流れｂを示している。エアーノズル１１は、ステージ２の端から順次、気体を噴出してウエハ５の搬出後のステージ２上を清浄化していく。
【００３５】
図２Ｃを参照すると、搬送アーム８による次のウエハ５の搬入工程が更に進んだ状態が示されている。切削屑１０の位置まで進んだエアーノズル１１の噴出する圧縮気体は切削屑１０をステージ外に吹き飛ばす。搬送アーム８に取り付けられてその動きに連動するエアーノズル１１はステージ２全体に行き渡るように圧縮気体を吹き付ける。こうして全体が清浄化されたステージ２にウエハ５の搬入が行われる。ウエハ５の静置されるステージ２上には切削屑１０が残っていない。このため、ステージ２に吸着されたウエハ５に変形や割れ等の不具合が生じることがない。また、ダイシングを行うブレード３と切削屑１０とが接触することがない。よって、ブレード３を始めとしたダイシング装置１、及びウエハ５の破損が引き起こされることも阻止される。この結果として、本実施形態によって製造される半導体チップの歩留まりが上がる。
【００３６】
以上に、本実施形態に係る半導体製造装置、及び半導体製造方法の説明を行った。
【００３７】
本実施形態では、搬送アーム８に、エアーノズル１１が取り付けられた構成によって、ウエハ５がダイシング加工処理される一連の工程中にステージ２の清掃が可能となり、洗浄のための動作時間が不要となる効果を有する。
【００３８】
また、本実施形態では、エアーノズル１１が、ステージ２上を通過する向きとは垂直方向にステージ２の両端まで延びる筒状の構成によって、搬送アーム８の１回の通過で、ステージ２の表面全体を清浄化することができる効果を有する。
【００３９】
（第２の実施形態）
以下に、添付図面を参照しながら、本発明の第２の実施形態に係る半導体製造装置、及び半導体製造方法を詳細に説明する。
【００４０】
まず、本実施形態の半導体製造装置の構成を詳細に説明する。
【００４１】
図３Ａは、本発明の第２の実施形態における半導体製造装置のダイシング装置、及び搬送機構、並びに半導体製造工程の搬送アームによるウエハの搬出工程の一例を説明するための断面図である。
【００４２】
図３Ａを参照すると、本実施形態に係るダイシング装置１、及び搬送機構の搬送アーム８の概略が示されている。本実施形態の構成は第１の実施形態に準じている。第１の実施形態と同様の構成についての説明は省略する。
【００４３】
本実施形態による搬送アーム８は、切削屑１０除去機構として、第１の実施形態によるエアーノズル１１と配管１２とに代えてブラシ１３と取り付け管１２とを備えている。ブラシ１３は、取り付け管１２と接続されている。取り付け管１２は搬送アーム８に固定されている。ブラシ１３は、搬送アーム８と一体化して移動するように構成されている。好適には、搬送アーム８は、ブラシ１３を先頭にしてステージ２に近付く形態となっている。また、好適には、ブラシ１３は、ステージ２上を通過する向きとは垂直方向にステージ２の両端まで延びる構造となっている。ブラシ１３は、物理的に、ステージ２上の清掃を行うように構成されている。こうして、ブラシ１３は、搬送アーム８に取り付けられて連動することでステージ２に行き届くように構成されている。そして、ウエハ５の入れ替えの最中に、ブラシ１３によって切削屑１０がステージ２上から掃き出されて除去される構成となっている。なお、ブラシ１３は、第１の実施形態との組み合わせでエアーノズル１１の先端に取り付けても良い。また、取り付け管１２は、第１の実施形態との組み合わせでゴム管を用いても良い。
【００４４】
次に、本実施形態の半導体製造装置の動作を詳細に説明する。
【００４５】
ダイシング装置１のステージ２上で図示せぬブレードによってウエハ５のダイシングが行われる際に切削屑が発生する。切削水によってウエハ５上から吹き飛ばされた切削屑１０が搬送アーム８上等に載った状態となっている。この状態で、ウエハ５の入れ替えが行われてステージ２の表面が露出する。
【００４６】
図３Ａ〜図３Ｃは、本発明の第２の実施形態における半導体製造装置のダイシング装置、及び搬送機構、並びに半導体製造工程の一例を説明するための断面図であり、図３Ａ〜図３Ｃが工程順で示されている。図３Ａでは、搬送アーム８によるウエハ５の搬出工程が示されている。ウエハ５は、搬出方向Ｃｏｕｔに動く搬送アーム８によってダイシング装置から搬出されて次の工程へと送られる。ウエハ５の搬送時の振動等によって搬送アーム８上から切削屑１０がステージ２上に落ちる。
【００４７】
図３Ｂを参照すると、搬送アーム８による次のウエハ５の搬入工程が示されている。次のウエハ５は、搬入方向Ｃｉｎに動く搬送アーム８によってダイシング装置まで運ばれてくる。ブラシ１３は、搬送アーム８と一体化して移動する。搬送アーム８は、ブラシ１３を先頭にしてステージ２に近付く。ブラシ１３は、物理的に、ステージ２上の清掃を行う。ブラシ１３は、ステージ２の端から順次、ウエハ５の搬出後のステージ２上を清浄化していく。
【００４８】
図３Ｃを参照すると、搬送アーム８による次のウエハ５の搬入工程が更に進んだ状態が示されている。切削屑１０の位置まで進んだブラシ１３は切削屑１０をステージ外に掃き出す。搬送アーム８に取り付けられてその動きに連動するブラシ１３はステージ２全体に行き届く。こうして全体が清浄化されたステージ２にウエハ５の搬入が行われる。ウエハ５の静置されるステージ２上には切削屑１０が残っていない。このため、ステージ２に吸着されたウエハ５に変形や割れ等の不具合が生じることがない。また、ダイシングを行うブレード３と切削屑１０とが接触することがない。よって、ブレード３を始めとしたダイシング装置１、及びウエハ５の破損が引き起こされることも阻止される。この結果として、本実施形態によって製造される半導体チップの歩留まりが上がる。
【００４９】
以上に、本実施形態に係る半導体製造装置、及び半導体製造方法の説明を行った。
【００５０】
本実施形態では、搬送アーム８に、ブラシ１３が取り付けられた構成によって、ウエハ５がダイシング加工処理される一連の工程中にステージ２の清掃が可能となり、洗浄のための動作時間が不要となる効果を有する。
【００５１】
また、本実施形態では、ブラシ１３が、ステージ２上を通過する向きとは垂直方向にステージ２の両端まで延びる構成によって、搬送アーム８の１回の通過で、ステージ２の表面全体を清浄化することができる効果を有する。
【００５２】
（第３の実施形態）
以下に、添付図面を参照しながら、本発明の第３の実施形態に係る半導体製造装置、及び半導体製造方法を詳細に説明する。
【００５３】
まず、本実施形態の半導体製造装置の構成を詳細に説明する。
【００５４】
図４Ａは、本発明の第２の実施形態における半導体製造装置のダイシング装置、及び搬送機構、並びに半導体製造工程の搬送アームによるウエハの搬出工程の一例を説明するための断面図である。
【００５５】
図４Ａを参照すると、本実施形態に係るダイシング装置１、及び搬送機構の搬送アーム８の概略が示されている。本実施形態の構成は第１の実施形態に準じている。第１の実施形態と同様の構成についての説明は省略する。
【００５６】
本実施形態による搬送アーム８は、第１の実施形態のようなエアーノズル１１と配管１２とを有していない。
【００５７】
図４Ｂを参照すると、本実施形態に係る切削屑１０除去機構が示されている。本実施形態による切削屑１０除去機構は搬送アーム８とは別機構で単独動作する。図中では、切削屑１０除去機構としてエアーノズル１１が例示されている。これは、第２実施形態において説明したブラシ１３に置き換えても良く、またエアーノズル１１とブラシ１３とを組み合わせても良い。図中のエアーノズル１１の部分における矢印はエアーノズル１１の移動方向ｔを示している。好適には、移動方向ｔは、搬送アーム８の搬入、及び搬出の際の移動方向と同一となるようにされる。また、好適には、エアーノズル１１は、ステージ２上を通過する向き（移動方向ｔ）とは垂直方向にステージ２の両端まで延びる構造となっている。こうして、エアーノズル１１の噴出気体がステージ２に行き渡るように構成されている。そして、ウエハ５の入れ替えの最中に、エアーノズル１１によって切削屑１０がステージ２上から除去される構成となっている。なお、エアーノズル１１は、上述の機能を果たすことができれば上述したような構成に限定されるものではない。
【００５８】
次に、本実施形態の半導体製造装置の動作を詳細に説明する。
【００５９】
ダイシング装置１のステージ２上で図示せぬブレードによってウエハ５のダイシングが行われる際に切削屑が発生する。切削水によってウエハ５上から吹き飛ばされた切削屑１０が搬送アーム８上等に載った状態となっている。この状態で、ウエハ５の入れ替えが行われてステージ２の表面が露出する。
【００６０】
図４Ａ〜図４Ｃは、本発明の第３の実施形態における半導体製造装置のダイシング装置、及び搬送機構、並びに半導体製造工程の一例を説明するための断面図であり、図４Ａ〜図４Ｃが工程順で示されている。図４Ａでは、搬送アーム８によるウエハ５の搬出工程が示されている。ウエハ５は、搬出方向Ｃｏｕｔに動く搬送アーム８によってダイシング装置から搬出されて次の工程へと送られる。ウエハ５の搬送時の振動等によって搬送アーム８上から切削屑１０がステージ２上に落ちる。
【００６１】
図４Ｂを参照すると、ステージ２の清浄化工程が示されている。ウエハ５の搬入に先立ってステージ２の清浄化が行われる。エアーノズル１１は、搬送アーム８とは独立して移動する。エアーノズル１１は移動方向ｔにステージ２上を移動する。エアーノズル１１からはステージ２に向けて圧縮気体が噴出される。エアーノズル１１は、ステージ２の端から順次、気体を噴出してウエハ５の搬出後のステージ２上を清浄化していく。切削屑１０の位置まで進んだエアーノズル１１の噴出する圧縮気体は切削屑１０をステージ外に吹き飛ばす。エアーノズル１１はステージ２全体に行き渡るように圧縮気体を吹き付ける。エアーノズル１１は必要に応じて往復移動する。エアーノズル１１の１回の通過では除去し切れなかった切削屑１０がこれによって除去される。この機構を実現するために、切削屑１０検出機構を併設しても良い。
【００６２】
図４Ｃを参照すると、搬送アーム８による次のウエハ５の搬入工程が示されている。全体が清浄化されたステージ２にウエハ５の搬入が行われる。次のウエハ５は、搬入方向Ｃｉｎに動く搬送アーム８によってダイシング装置まで運ばれてくる。ウエハ５の静置されるステージ２上には切削屑１０が残っていない。このため、ステージ２に吸着されたウエハ５に変形や割れ等の不具合が生じることがない。また、ダイシングを行うブレード３と切削屑１０とが接触することがない。よって、ブレード３を始めとしたダイシング装置１、及びウエハ５の破損が引き起こされることも阻止される。この結果として、本実施形態によって製造される半導体チップの歩留まりが上がる。
【００６３】
以上に、本実施形態に係る半導体製造装置、及び半導体製造方法の説明を行った。
【００６４】
本実施形態では、切削屑１０除去機構が単独動作できるように取り付けられた構成によって、切削屑１０の除去の確実性を上げて、ダイシング装置１、及びウエハ５の不具合発生を抑える効果を有する。
【００６５】
（第４の実施形態）
以下に、添付図面を参照しながら、本発明の第４の実施形態に係る半導体製造装置、及び半導体製造方法を詳細に説明する。
【００６６】
まず、本実施形態の半導体製造装置の構成を詳細に説明する。
【００６７】
図５Ａは、本発明の第４の実施形態における半導体製造装置のダイシング装置、及び搬送機構、並びに半導体製造工程の搬送アームによるウエハの搬出工程の一例を説明するための断面図である。
【００６８】
図５Ａを参照すると、本実施形態に係るダイシング装置１、及び搬送機構の搬送アーム８の概略が示されている。本実施形態の構成は第１の実施形態に準じている。第１の実施形態と同様の構成についての説明は省略する。
【００６９】
本実施形態のステージ２は、ウエハ５の吸引方向ｆｉｎとは反対方向に気体を逆噴射することのできる多孔質吸着ステージによって形成されている。図中のステージ２の部分における矢印は気体の噴射方向ｆｏｕｔを示している。本実施形態のステージ２は、搬送アーム８によるウエハ５の持ち上げの後に噴射方向ｆｏｕｔに気体が逆噴射されることでステージ２上の切削屑１０を浮き上がらせて除去しやすくするように構成されている。
【００７０】
次に、本実施形態の半導体製造装置の動作を詳細に説明する。
【００７１】
ダイシング装置１のステージ２上で図示せぬブレードによってウエハ５のダイシングが行われる際に切削屑が発生する。切削水によってウエハ５上から吹き飛ばされた切削屑１０が搬送アーム８上等に載った状態となっている。この状態で、ウエハ５の入れ替えが行われてステージ２の表面が露出する。ステージ２の表面が露出した時点から噴射方向ｆｏｕｔに気体が逆噴射される。
【００７２】
図５Ａ〜図５Ｃは、本発明の第４の実施形態における半導体製造装置のダイシング装置、及び搬送機構、並びに半導体製造工程の一例を説明するための断面図であり、図５Ａ〜図５Ｃが工程順で示されている。図５Ａでは、搬送アーム８によるウエハ５の搬出工程が示されている。ウエハ５は、搬出方向Ｃｏｕｔに動く搬送アーム８によってダイシング装置から搬出されて次の工程へと送られる。ウエハ５の搬送時の振動等によって搬送アーム８上から切削屑１０がステージ２上に落ちる。ステージ２上では、噴射方向ｆｏｕｔに気体が逆噴射されていることによって切削屑１０がステージ２に張り付くことが阻止される。
【００７３】
図５Ｂを参照すると、搬送アーム８による次のウエハ５の搬入工程が示されている。次のウエハ５は、搬入方向Ｃｉｎに動く搬送アーム８によってダイシング装置まで運ばれてくる。エアーノズル１１は、搬送アーム８と一体化して移動する。搬送アーム８は、エアーノズル１１を先頭にしてステージ２に近付く。エアーノズル１１からはステージ２に向けて圧縮気体が噴出される。エアーノズル１１は、ステージ２の端から順次、気体を噴出してウエハ５の搬出後のステージ２上を清浄化していく。
【００７４】
図５Ｃを参照すると、搬送アーム８による次のウエハ５の搬入工程が更に進んだ状態が示されている。切削屑１０の位置まで進んだエアーノズル１１の噴出する圧縮気体は切削屑１０をステージ外に吹き飛ばす。この際に、ステージ２上では、噴射方向ｆｏｕｔに気体が逆噴射されていることによって切削屑１０が除去されやすくなる。搬送アーム８に取り付けられてその動きに連動するエアーノズル１１はステージ２全体に行き渡るように圧縮気体を吹き付ける。こうして全体が清浄化されたステージ２にウエハ５の搬入が行われる。ウエハ５の静置されるステージ２上には切削屑１０が残っていない。このため、ステージ２に吸着されたウエハ５に変形や割れ等の不具合が生じることがない。また、ダイシングを行うブレード３と切削屑１０とが接触することがない。よって、ブレード３を始めとしたダイシング装置１、及びウエハ５の破損が引き起こされることも阻止される。この結果として、本実施形態によって製造される半導体チップの歩留まりが上がる。
【００７５】
以上に、本実施形態に係る半導体製造装置、及び半導体製造方法の説明を行った。
【００７６】
本実施形態では、ステージ２上で、噴射方向ｆｏｕｔに気体が逆噴射自在の構成によって、切削屑１０が除去されやすくなり、更に、切削屑１０の除去の確実性を上げて、ダイシング装置１、及びウエハ５の不具合発生を抑える効果を有する。
【００７７】
以上に説明した各実施形態は、可能な限り適宜組み合わせて実施しても良く、その場合には、組み合わせた効果が得られる。特に、第１の実施形態と第２の実施形態、及び第４の実施形態と他の実施形態とは組み合わせが容易である。
【００７８】
以上に、各実施形態に係る半導体製造装置、及び半導体製造方法の説明を行った。
【００７９】
本発明の実施形態によれば、ウエハ５の入れ替えの最中にステージ２上に入り込んだ切削屑１０はステージ２上から除去される。よって、本発明の実施形態においては、ステージの上に切削屑のない状態でのウエハの搬入を行うことができる半導体製造装置を提供することが可能となる。
【００８０】
よって、本発明の実施形態においては、ステージ２に吸着されるウエハ５に変形や割れ等の不具合が生じることがない。また、ダイシングを行うブレード３と切削屑１０とが接触することがない。よって、ブレード３を始めとしたダイシング装置１、及びウエハ５の破損が引き起こされることも阻止される。この結果として、各実施形態によって製造される半導体チップの歩留まりが上がる。
【００８１】
以上、本発明の実施形態を説明した。しかし、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００８２】
１          ダイシング装置
２          ステージ
３          ブレード
４          冷却水ノズル
５          ウエハ（ワーク）
６          ダイシングシート
７          ダイシングリング（フレーム）
８          搬送アーム
９          吸着パッド
１０        切削屑（除去対象物）
１１        エアーノズル
１２        配管（取り付け管）
１３        ブラシ
ｂ          エアーノズル１１からの気体流れ
Ｃｄｏｗｎ  搬送アーム８によるウエハ５のステージ２への載置方向
Ｃｉｎ      搬送アーム８によるウエハ５のダイシング装置１への搬入方向
Ｃｏｕｔ    搬送アーム８によるウエハ５のダイシング装置１からの搬出方向
Ｃｕｐ      搬送アーム８によるウエハ５のステージ２からの隔離方向
ｆｉｎ      ステージ２の表裏面間を通り抜ける気体によるウエハ５の吸引方向
ｆｏｕｔ    ステージ２の表裏面間を通り抜けて切削屑１０を浮き上がらせる気体の噴射方向
ｆｐ        吸着パッドの吸引力
ｔ          エアーノズル１１の移動方向
【図１Ａ】
2012086301.tif 000003
【図１Ｂ】
2012086301.tif 000004
【図１Ｃ】
2012086301.tif 000005
【図１Ｄ】
2012086301.tif 000006
【図１Ｅ】
2012086301.tif 000007
【図１Ｆ】
2012086301.tif 000008
【図２Ａ】
2012086301.tif 000009
【図２Ｂ】
2012086301.tif 000010
【図２Ｃ】
2012086301.tif 000011
【図３Ａ】
2012086301.tif 000012
【図３Ｂ】
2012086301.tif 000013
【図３Ｃ】
2012086301.tif 000014
【図４Ａ】
2012086301.tif 000015
【図４Ｂ】
2012086301.tif 000016
【図４Ｃ】
2012086301.tif 000017
【図５Ａ】
2012086301.tif 000018
【図５Ｂ】
2012086301.tif 000019
【図５Ｃ】
2012086301.tif 000020