(57)【要約】【課題】処理槽の被処理体が処理される処理領域内に流入する処理液の流量をより均一化することにより、処理槽内での液相処理をより均一に行うことができる処理装置等を提供する。【解決手段】本発明に係る処理装置は、被処理体を第１開口から収容し、側面に第２開口を有する処理槽と、前記第２開口から前記処理槽内に延び、複数の第１の孔を有する配管と、前記被処理体が配置される領域と前記配管との間に位置し、第２の孔を有し、中央部分となる第１の部分と、前記第１の部分を囲む第２の部分とを有する板と、前記板と処理槽の底面との間の処理槽の側面を覆い、前記第２の部分の一部とオーバーラップする前記壁部と、を含み、前記第１の孔は、前記底面に向かうように配置され、前記配管から前記処理液が供給される場合に、前記第２の部分の前記壁部とオーバーラップしない部分には、前記第１の部分よりも高い第２の圧力がかかる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
底面と、前記底面に連続する側面と、前記側面に連続する第１開口と、前記側面に位置する第２開口と、を有し、被処理体を前記第１開口から収容する処理槽と、
前記第２開口から前記処理槽内に第１の方向に沿って延び、末端部および複数の第１の孔を有し、前記第１の孔から処理液を前記処理槽内に供給する配管と、
前記被処理体が配置される領域と、前記配管と、の間に位置することで、前記処理槽を、前記被処理体が処理される処理領域と、前記配管が設けられる供給領域と、に分割し、中央部分となる第１の部分であって、少なくとも１以上の第２の孔が形成される前記第１の部分と、前記第１の部分を囲む第２の部分と、を有する板と、
前記板と前記底面との間の前記側面を覆うように位置し、前記第２の部分の一部とオーバーラップする前記壁部と、
を含み、
前記第１の孔は、前記配管において、前記底面に向かって前記処理液を吐出するように配置され、
前記配管から前記処理液が供給される場合に、前記板の前記第１の部分には、第１の圧力がかかり、前記第２の部分の前記壁部とオーバーラップしない部分には、前記第１の圧力よりも高い第２の圧力がかかる、処理装置。
【請求項２】
底面と、前記底面に連続する側面と、前記側面と連続する第１開口と、前記側面に位置する第２開口と、を有し、被処理体を前記第１開口から収容する処理槽と、
前記第２開口から前記処理槽内に第１の方向に沿って延び、末端部および複数の第１の孔を有し、前記第１の孔から処理液を前記処理槽内に供給する配管と、
前記被処理体が配置される領域と、前記配管と、の間に位置することで、前記処理槽を、前記被処理体が処理される処理領域と、前記配管が設けられる供給領域と、に分割し、中央部分となる第１の部分であって、少なくとも１以上の第２の孔が形成される前記第１の部分と、前記第１の部分を囲む第２の部分と、を有する板と、
を含み、
前記第１の孔は、前記配管において、前記底面に向かって前記処理液を吐出するように配置され、
前記配管から前記処理液が供給される場合に、前記板の前記第１の部分には、第１の圧力がかかり、前記第２の部分には、前記第１の圧力よりも高い第２の圧力がかかる、処理装置。
【請求項３】
請求項１において、
前記第２の部分の前記壁部とオーバーラップしない部分の長さであって、前記第１の方向と直交する第２の方向における長さをＬ１とし、
前記第２の圧力は、前記壁部に近い程、圧力が高くなる圧力勾配を有し、
前記長さＬ１は、前記第２の領域が、前記圧力勾配が形成される領域とオーバーラップするように決定される、処理装置。
【請求項４】
請求項２において、
前記第２の部分の長さであって、前記第１の方向と直交する第２の方向における長さをＬ１とし、
前記第２の圧力は、前記側面に近い程、圧力が高くなる圧力勾配を有し、
前記長さＬ１は、前記第２の部分が、前記圧力勾配が形成される領域とオーバーラップするように決定される、処理装置。
【請求項５】
請求項３において、
前記壁部から前記配管の前記第２の方向における中心位置までの長さをＬ２とし、
前記処理液の粘度を０．０１Ｐａ・ｓ以下とした場合、
前記長さＬ１は、Ｌ１≦０．３５Ｌ２を満たす、処理装置。
【請求項６】
請求項４において、
前記側面から前記配管の前記第２の方向における中心位置までの長さをＬ２とし、
前記処理液の粘度を０．０１Ｐａ・ｓ以下とした場合、
前記長さＬ１は、Ｌ１≦０．３５Ｌ２を満たす、処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体デバイスの製造工程における半導体ウエハーに対するエッチング処理、めっき処理、洗浄処理などのウエットプロセスを行うための処理装置が知られている（特許文献１）。
【０００３】
特許文献１に開示されるように、このような処理装置は、半導体ウエハーなどの被処理体を収容する処理槽に処理液を供給する複数の吐出孔を備えた配管を有する。
【０００４】
このような配管では、それぞれの吐出孔が、処理槽の底面に向かって処理液を吐出した後、処理液は、処理槽の側面に沿って上昇し、複数の孔を有する整流版によって、処理液の流入圧力が減圧される。
【０００５】
このとき、処理液が処理槽の側面に沿って流れる場合、整流版の側面に近い領域における処理液の流入圧力は、整流版の中央領域における流入圧力よりも高くなる。つまりは、処理液の流入圧力の圧力分布には、不均一な圧力勾配が形成される。しかしながら、整流板は、複数の孔が設けられているのみの構造である。したがって、該整流板によって、処理槽の被処理体が処理される処理領域内に流入する処理液の流量の圧力分布を均一化することはできない。よって、処理槽において、エッチングやめっきなどの液相処理を均一に行うことができない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平４−５６３２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、本発明のいくつかの態様によれば、処理槽の被処理体が処理される処理領域内に流入する処理液の流量をより均一化することにより、液相処理をより均一に行うことができる処理装置等を提供することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）本形態に係る処理装置は、底面と、前記底面に連続する側面と、前記側面と連続する第１開口と、前記側面に位置する第２開口と、を有し、処理が行われる被処理体を前記第１開口から収容する処理槽と、前記第２開口から前記処理槽内に第１の方向に沿って延び、末端部および複数の第１の孔を有し、前記第１の孔から処理液を前記処理槽内に供給する配管と、前記被処理体が配置される領域と前記配管との間に位置することで、前記処理槽を、前記被処理体が処理される処理領域と前記配管が設けられる供給領域とに分割し、中央部分となる第１の部分であって、少なくとも１以上の第２の孔が形成される前記第１の部分と、前記第１の部分を囲む第２の部分とを有する板と、前記板と前記底面との間の前記側面を覆うように位置し、前記第２の部分の一部とオーバーラップする前記壁部と、を含み、前記第１の孔は、前記配管において、前記底面に向かって前記処理液を吐出するように配置され、前記配管から前記処理液が供給される場合に、前記板の前記第１の部分には、第１の圧力がかかり、前記第２の部分の前記壁部とオーバーラップしない部分には、前記第１の圧力よりも高い第２の圧力がかかる。
【０００９】
本発明によれば、処理槽の被処理体が処理される処理領域内に流入する処理液の流量をより均一化することにより、処理槽内での液相処理をより均一に行うことができる処理装置を提供することができる。
【００１０】
（２）本形態に係る処理装置は、底面と、前記底面に連続する側面と、前記側面と連続する第１開口と、前記側面に位置する第２開口と、を有し、処理が行われる被処理体を前記第１開口から収容する処理槽と、前記第２開口から前記処理槽内に第１の方向に沿って延び、末端部および複数の第１の孔を有し、前記第１の孔から処理液を前記処理槽内に供給する配管と、前記被処理体が配置される領域と前記配管との間に位置することで、前記処理槽を、前記被処理体が処理される処理領域と前記配管が設けられる供給領域とに分割し、中央部分である第１の部分であって、少なくとも１以上の第２の孔が形成される前記第１の部分と、前記第１の部分を囲む第２の部分とを有する板と、を含み、前記第１の孔は、前記配管において、前記底面に向かって前記処理液を吐出するように配置され、前記配管から前記処理液が供給される場合に、前記板の前記第１の部分には、第１の圧力がかかり、前記第２の部分には、前記第１の圧力よりも高い第２の圧力がかかる。
【００１１】
本発明によれば、処理槽の被処理体が処理される処理領域内に流入する処理液の流量をより均一化することにより、処理槽内での液相処理をより均一に行うことができる処理装置を提供することができる。
【００１２】
（３）本形態に係る処理装置において前記第２の部分の前記壁部とオーバーラップしない部分の長さであって、前記第１の方向と直交する第２の方向における長さをＬ１とし、前記第２の圧力は、前記壁部に近い程、圧力が高くなる圧力勾配を有し、前記長さＬ１は、前記第２の領域が、前記圧力勾配が形成される領域とオーバーラップするように決定されてもよい。
【００１３】
（４）本形態に係る処理装置において、前記第２の部分の長さであって、前記第１の方向と直交する第２の方向における長さをＬ１とし、前記第２の圧力は、前記側面に近い程、圧力が高くなる圧力勾配を有し、前記長さＬ１は、前記第２の部分が、前記圧力勾配が形成される領域とオーバーラップするように決定されてもよい。
【００１４】
（５）本形態に係る処理装置において、前記壁部から前記配管の前記第２の方向における中心位置までの長さをＬ２とし、前記処理液の粘度を０．０１Ｐａ・ｓ以下とした場合、前記長さＬ１は、Ｌ１≦０．３５Ｌ２を満たしてもよい。
【００１５】
（６）本形態に係る処理装置において、前記側面から前記配管の前記第２の方向における中心位置までの長さをＬ２とし、前記処理液の粘度を０．０１Ｐａ・ｓ以下とした場合、前記長さＬ１は、Ｌ１≦０．３５Ｌ２を満たしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本実施形態に係る処理装置を模式的に説明する図。
【図２】本実施形態に係る処理装置を模式的に説明する図。
【図３】本実施形態に係る処理装置を模式的に説明する図。
【図４】本実施形態に係る処理装置の変形例を模式的に説明する図。
【図５】本実施形態に係る処理装置の変形例を模式的に説明する図。
【図６】本実施形態に係る処理装置の変形例を模式的に説明する図。
【図７】シミュレーション結果を示す流体の圧力分布と流速分布。
【図８】シミュレーション結果を示す流体の圧力分布と流速分布。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態のみに限定されるものではない。本発明は、以下の実施の形態および変形例を自由に組み合わせたものを含むものとする。
【００１８】
１．  処理装置
以下、図面を参照して、本実施の形態に係る処理装置について説明する。
【００１９】
図１は、本実施の形態に係る処理装置１００を模式的に説明する断面図である。図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線における断面図、図３は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。
【００２０】
なお、図１においては、図示されないウエハーキャリアなどによって保持された半導体ウエハー１２０が、純水、薬液（エッチャントや洗浄液）、またはめっき液などの処理液１１０によって液相処理されている状態における処理装置１００を模式的に示す。
【００２１】
本実施の形態に係る処理装置１００は、図１に示すように、処理槽１０と、配管２０と、板３０と、壁部４０と、を含む。
【００２２】
処理槽１０は、図１に示すように、底面１１と、底面１１に連続する側面１２と、側面１２と連続する第１開口１３と、側面１２に位置する第２開口１４と、を有する。言い換えれば、処理槽１０は、底面１１と側面１２が内面を構成する凹部を有する。
【００２３】
底面１１および側面１２の形状は、半導体ウエハーなどの被処理を処理槽１０内に収容することができる限り特に限定されない。ここで、図１に示すように、被処理体を設ける領域を、処理領域１６とする。処理槽１０内に供給された処理液１１０は、第１開口１３から処理槽１０外へ排出される。
【００２４】
処理槽１０の材質としては、使用される処理液１１０と反応性が低いものを好適に選択する。例えば、石英ガラス、フッ素樹脂、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）、ＳＵＳ（ステンレス鋼）などが挙げられる。また、処理槽１０としてフッ素樹脂を用いる場合、例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ＰＦＡ（ペルフルオロアルコキシフッ素樹脂）、ＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン）などを用いてもよい。
【００２５】
第２開口１４が側面１２に設けられる位置は、第１開口１３から収容された被処理体が液相処理される処理領域１６を上方に確保することができる限り、特に限定されない。また、図示はしないが、側面１２には、複数の第２開口１４が設けられていてもよい。
【００２６】
配管２０は、図２に示すように、第２開口１４から処理槽１０内に第１の方向（図示の例では、Ｘ軸方向）に沿って延び、末端部２３および複数の第１の孔２１を有し、第１の孔２１から処理液１１０を処理槽１０内に供給する。したがって、外部から配管２０に供給された処理液１１０は、第１の孔２１から処理槽１０内に流入する。ここで、図１に示すように、配管２０が延び、処理液１１０が供給される領域を、供給領域１７とする。供給領域１７と、処理領域１６は、後述される板３０によって区画される。末端部２３は、配管２０の配管経路の長さ（流路の長さ）において、第１開口１４からの長さが最大となる部分である。
【００２７】
図１に示すように、複数の第１の孔２１は、底面１１に向かって処理液１１０を吐出するように配置される。言い換えれば、複数の第１の孔２１は、底面１１側を向くように、配管２０に設けられる。より具体的には、配管２０の延びる方向（図示の例ではＸ軸方向）における中心Ｃを通り、底面１１と水平な断面線ＩＩ−ＩＩよりも底面１１側の配管２０において、第１の孔２１は配置される。これによれば、供給領域１７において、配管２０から処理槽１０内に供給される処理液１１０は、まず底面１１に向かって流れため、主に底面１１に沿った流れとなることができる。なお、複数の第１の孔２１が設けられる間隔またその個数は、特に限定されない。
【００２８】
配管２０の材質としては、使用される処理液１１０と反応性が低い材質を好適に選択する。例えば、石英ガラス、フッ素樹脂、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）、ＳＵＳ（ステンレス鋼）などが挙げられる。また、処理槽１０としてフッ素樹脂を用いる場合、例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ＰＦＡ（ペルフルオロアルコキシフッ素樹脂）、ＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン）などを用いてもよい。
【００２９】
図２に示すように、配管２０は、処理槽１００外に設けられた液体供給装置２００から処理液１１０を処理装置１００に導入する部分である。配管２０は、第２開口１４において、液体供給装置２００からの液体供給配管２１０と連続した配管であってもよい。ここで、液体供給装置２００は、純水や薬液などの処理液を所定の圧力で供給することができる装置であって、例えば、処理液用タンクやポンプなどを備える。
【００３０】
板３０は、図１に示すように、処理領域１６と配管２０との間に位置することで、処理槽１０を、処理領域１６と、供給領域１７と、に分割し、少なくとも１以上の第２の孔３３が形成される第１の部分３３ａを有する。ここで、板３０の供給領域１７側の面を第１の面３１とし、処理領域１６側の面を第２の面３２とする。
【００３１】
第１の部分３３ａは、図１および図３に示すように、板３０の中央部分である。第１の部分３３ａの形状は、特に限定されず、図３に示すように矩形であってもよいし、略円形であってもよい（図示せず）。また、図１および図３に示すように、第１の部分３３ａを囲む領域を第２の部分３３ｂとする。言い換えれば、第２の部分３３ｂは、第２の孔３３が形成されない領域である。
【００３２】
板３０の材質としては、使用される処理液との反応性が低い材質を好適に選択する。例えば、石英ガラス、フッ素樹脂、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニル）、ＳＵＳ（ステンレス鋼）などが挙げられる。また、処理槽１０としてフッ素樹脂を用いる場合、例えばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ＰＦＡ（ペルフルオロアルコキシフッ素樹脂）、ＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン）などを用いてもよい。
【００３３】
壁部４０は、図１および図２に示すように、板３０と底面１１との間の側面１２を覆うように位置し、第２の部分３３ｂの一部とオーバーラップする（図示の例で、斜線で示す部分）。言い換えれば、第２の部分３３ｂは、図１および図３に示すように、壁部４０とオーバーラップしない第３の部分３５を有する。また、図１に示すように、壁部４０は、内面４１を有する。壁部４０の形状は特に限定されず、例えば、図２に示すように、側面１２を一定の厚みＷ１で連続して覆う形状であってもよい。本実施形態に係る処理装置１００において、壁部４０を備えることにより、処理領域１６に供給される処理液１１０の全体としての流入圧力をあげることができる。
【００３４】
以上により、本実施形態に係る処理装置１００の供給領域１７が区画される。
【００３５】
ここで、供給領域１７では、配管２０から処理液が供給される場合に、板３０の第１の部分３３ａには、第１の圧力Ｐ１がかかり、第２の部分３３ｂの壁部４０とオーバーラップしない部分（第３の部分３５）には、第１の圧力Ｐ１よりも高い第２の圧力Ｐ２がかかるように、板３０は設計される。以下に詳細を説明する。
【００３６】
図１および図３に示すように、第２の部分３３ｂの壁部４０とオーバーラップしない部分（第３の部分３５）の長さであって、第１の方向（図示の例ではＸ軸方向）と直交する第２の方向（図示の例ではＹ軸方向）における長さをＬ１とする。上述のように、供給領域１７に供給された処理液１１０は、底面１１と、底面１１と連続する壁部４０の側面４１において、最も大きな流入圧力（最大の流量）を有するように流れる。したがって、側面４１と連続する面である第３の部分３５には、壁部４０に近い程、圧力が高くなる圧力勾配を有した第２の圧力がかかる。第３の部分３５は、側面４１と直交する第１の面３１を有するため、処理液１１０は、第３の部分３５において減圧された後、第２の孔３３を介して処理領域１６に流入する。第３の部分３５は、処理液１１０の流入圧力勾配を実質的に減圧することができる長さＬ１となるように設定される。
【００３７】
より具体的には、処理液１１０の粘度などの物性データを実際に使用される材料から決定し、供給領域１７における圧力分布を求めるシミュレーションを行うことで、壁部４０に近い程、圧力が高くなる圧力勾配を有した第２の圧力が発生する領域を算出することができる。例えば、処理液１００の粘度を０．０１Ｐａ・ｓ以下とし、壁部４０から配管２０の第２の方向（図示の例ではＹ軸方向）における中心位置Ｃまでの長さをＬ２とした場合、第３の部分３５の長さＬ１は、Ｌ１≦０．３５Ｌ２を満たすように設定されてもよい。
【００３８】
本実施の形態に係る処理装置１００は、例えば、以下の特徴を有する。
【００３９】
本実施の形態に係る処理装置１００は、配管２０から処理液１１０が供給される場合に、板３０の第１の部分３３ａには、第１の圧力Ｐ１がかかり、第２の部分３３ｂの壁部４０とオーバーラップしない部分（第３の部分３５）には、第１の圧力Ｐ１よりも高い第２の圧力Ｐ２がかかる。これによれば、底面１１と連続する壁部４０の側面４１において、最も大きな流入圧力（最大の流量）を有するように流れる処理液１１０を、第３の部分３５において減圧することができる。したがって、処理槽１０の被処理体が処理される処理領域１６内に流入する処理液１１０の流量をより均一化することにより、処理槽１０内での液相処理をより均一に行うことができる処理装置１００を提供することができる。
【００４０】
例えば、処理装置１００は、処理液１１０としてエッチャントを用いるウェットエッチング装置であってもよい。これによれば、半導体ウエハーなどの被処理体を均一にエッチングすることができるエッチング装置を提供することができる。
【００４１】
また、例えば、処理装置１００は、処理液１１０として純水などの洗浄水を用いる洗浄装置であってもよい。これによれば、半導体ウエハーなどの被処理体を均一に効率よく洗浄することができる洗浄装置を提供することができる。
【００４２】
また、例えば、処理装置１００は、処理液１１０として純水などのめっき液を用いるめっき装置であってもよい。これによれば、半導体ウエハーなどの被処理体に均一な金属膜を形成することができるめっき装置を提供することができる。
【００４３】
２．  変形例
なお、本実施形態に係る処理装置１００は、上記において説明したものに限られない。以下において、本実施形態係る処理装置１００の変形例について、図面を参照しながら説明する。
【００４４】
図４は、変形例に係る処理装置１０１を説明する断面図である。図５は、図４のＶ−Ｖ線における断面図であり、図６は、図４のＶＩ−ＶＩ線における断面図である。
【００４５】
本変形例に係る処理装置１０１は、壁部４０が形成されない点において、本実施形態に係る処理装置１００と異なる。以下、変形例に係る処理装置１０１において、本実施形態に係る処理装置１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００４６】
図４および図５に示すように、変形例に係る処理装置１０１においては、壁部４０が形成されない。したがって、本実施形態の係る処理装置１００と同様に、板１３０が、第１の部分１３３ａと、第２の部分１３３ｂとを有する。したがって、変形例に係る処理装置１０１においては、第３の部分３５が形成されず、第２の部分１３３ｂが、本実施形態の係る処理装置１００の第３の部分３５と同様の構成となる。
【００４７】
具体的には、配管２０から供給される処理液１１０は、図１に示すように、供給領域１７に供給された処理液１１０は、底面１１と、底面１１と連続する側面１２において、最も大きな流入圧力（最大の流量）を有するように流れる。したがって、板１３０の第１の部分１３３ａには、第１の圧力Ｐ１がかかり、第２の部分３３ｂには、第１の圧力Ｐ１よりも高い第２の圧力Ｐ２がかかる。より具体的には、側面１２と連続する面である第２の部分１３３ｂには、側面１２に近い程、圧力が高くなる圧力勾配を有した第２の圧力Ｐ２がかかる。したがって、第２の部分１３３ｂの長さＬ１´は、第２の部分１３３ｂが、圧力勾配が形成される領域とオーバーラップするように決定される。第２の部分１３３ｂは、側面１２と直交する第１の面１３１を有するため、処理液１１０は、第２の部分１３３ｂにおいて減圧された後、第２の孔１３３を介して処理領域１６に流入する。第２の部分１３３ｂは、処理液１１０の流入圧力勾配を実質的に減圧することができる長さＬ１となるように設定される。
【００４８】
本変形例に係る処理装置１０１は、例えば、以下の特徴を有する。
【００４９】
本変形例に係る処理装置１０１は、底面１１と連続する側面１２において、最も大きな流入圧力（最大の流量）を有するように流れる処理液１１０を、第２の部分１３３ｂにおいて減圧することができる。したがって、処理槽１０の被処理体が処理される処理領域１６内に流入する処理液１１０の流量をより均一化することにより、処理槽１０内での液相処理をより均一に行うことができる処理装置１０１を提供することができる。
【００５０】
３．  シミュレーション例
次に、シミュレーション例について説明する。図７および図８は、比較例に係るシミュレーション結果を示す図であり、第３の部分３５が設けられていない形態を有した処理装置の供給領域における流体の圧力分布（上図）と、流速分布（下図）を示す。図７は、流体の粘度が０．００１［Ｐａ・ｓ］である場合のシミュレーション結果であり、図８は、流体の粘度が０．０１［Ｐａ・ｓ］である場合のシミュレーション結果である。図７および図８の流体の圧力分布（上図）では、グレースケールの濃淡で圧力分布を示す。具体的には、濃いグレー部分ほど、圧力が高いことを意味する。また、図７および図８の流体の流速分布（下図）では、矢印で流速分布を示す。具体的には、矢印が集中し、グレースケールが濃くなっている部分ほど、速度が速いことを意味する。
【００５１】
本シミュレーションでは、供給される流体の流量を１２［Ｌ／ｍｉｎ］、流体の密度を１５５９Ｋｇ／ｍ３であると設定した。また、板３０に設けられる第２の孔３３の孔径は５Φと設定した。更に、乱流モデルとして、ｋ-ε乱流モデルとｋ-ω乱流モデルのハイブリッドモデルを採用した。なお、本シミュレーションにおいて、本実施形態に係る処理装置１００の構成部材と同様の機能を有する部材については同一の符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【００５２】
以上の条件の下、本シミュレーションを実施した。以下に、その結果を、図面を用いて説明する。
【００５３】
図７に示すように、第１の部分３３ａの側面４１に近いほど、圧力が高い領域Ａが形成された。また、流速分布においても、領域Ａにおいて、高い流速が確認された。つまりは、配管２０から供給された流体は、主に、底面１１と側面４１とに沿って流れ、第１の部分３３ａの側面４１に近い部分で、壁部４０に近い程、圧力が高くなる圧力勾配を有した第２の圧力Ｐ２が発生する領域Ａが形成されていることが確認された。
【００５４】
図８に示すように、流体の粘度が大きくなった場合であっても、図７と同様に、領域Ａが確認された。
【００５５】
図７に示すように、第２の圧力Ｐ２が発生する領域Ａの側面４１からの長さＬ１は、２４ｍｍであった。また、図８に示すように、第２の圧力Ｐ２が発生する領域Ａの側面４１からの長さＬ１は、３７ｍｍであった。ここで、図７に示すように、壁部４０から配管２０の中心位置までの長さをＬ２は、１０５ｍｍである。これによれば、流体の粘度を０．００１［Ｐａ・ｓ］であった場合、第３の部分３５の長さＬ１は、Ｌ１≦０．２３Ｌ２であればよいことが確認された。また、流体の粘度を０．０１［Ｐａ・ｓ］であった場合、第３の部分３５の長さＬ１は、Ｌ１≦０．３５Ｌ２であればよいことが確認された。
【００５６】
上記のように、本発明の実施の形態について詳細に説明したが、本発明の新規事項および効果から実体的に逸脱しない多くの変形が可能であることは、当業者には容易に理解できよう。従って、このような変形例はすべて本発明の範囲に含まれるものとする。
【符号の説明】
【００５７】
１０  処理槽、１１  底面、１２  側面、１３  第１開口、１４  第２開口、
１６  処理領域、１７  供給領域、２０  配管、２１  第１の孔、２３  末端部、
３０  板、３１  第１の面、３２  第２の面、３３  第２の孔、３３ａ  第１の部分、
３３ｂ  第２の部分、４０  壁部、４１  側面、１００  処理装置、１１０  処理液、
１２０  被処理体（半導体ウエハー）、２００  液体供給装置、２１０  液体供給配管。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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