(57)【要約】【課題】外部基板へのハンダ実装時における電子部品の固着強度を向上させることができ、且つ、その電子部品の実装信頼性を十分に高めることができる電子部品及び電子デバイスを提供する。【解決手段】電子部品であるコンデンサ１は、基板上に形成された回路素子３，４，５ａ，５ｂ，７と、回路素子３，４，５ａ，５ｂ，７に接続され、且つ、平面視で対向配置された少なくとも１対の端子電極９ａ，９ｂと、少なくとも１対の端子電極９ａ，９ｂ間のエリアに設けられた突起支持部１０ａ，１０ｂと、を備えているので、突起支持部１０ａ，１０ｂが外部基板と接触することで、ハンダ実装時に生じ得る電子部品の傾きを矯正且つ防止でき、ハンダ実装時におけるコンデンサ１の固着強度及び実装信頼性を向上させることができる。【選択図】図１
2012015299.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成され、且つ、１面に対向配置された少なくとも１対の端子電極と、
前記少なくとも１対の端子電極間に配置された突起部と、
を備える電子部品。
【請求項２】
前記突起部は、前記少なくとも１対の端子電極が配置された面において、前記少なくとも１対の端子電極よりも厚い、又は、高く形成されたものである、
請求項１記載の電子部品。
【請求項３】
前記突出部を複数有する、
請求項１又は２記載の電子部品。
【請求項４】
前記突起部は、前記少なくとも１対の端子電極と交差する方向に沿って設けられている、
請求項１乃至３のいずれか１項記載の電子部品。
【請求項５】
前記電子部品が内部に機能層を有しており、
前記突起部は、前記少なくとも１対の端子電極が配置された面の平面視において前記機能層と重ならない領域に配置されている、
請求項１乃至４のいずれか１項記載の電子部品。
【請求項６】
前記突起部は、前記少なくとも１対の端子電極が配置された面において、当該電子部品の中央側の部位よりも、当該電子部品の外周側の部位が厚く形成されたものである
請求項１乃至５のいずれか１項記載の電子部品。
【請求項７】
前記複数の突起部は、前記少なくとも１対の端子電極が配置された面において、当該電子部品の中央側に配置された突起部よりも、当該電子部品の外周側に配置された突起部が厚く形成されたものである、
請求項３乃至６のいずれか１項記載の電子部品。
【請求項８】
前記複数の突起部は、前記少なくとも１対の端子電極が配置された面の平面視において、当該電子部品の中央側に配置された突起部よりも、当該電子部品の外周側に配置された突起部の面積が大きく形成されたものである、
請求項３乃至７のいずれか１項記載の電子部品。
【請求項９】
前記電子部品は、保護層を有しており、
前記少なくとも１対の端子電極は、前記保護層を貫通して露出しており、
前記突起部は、該突起部の少なくとも一部が、前記保護層の上に形成されている、
請求項１乃至５のいずれか１項記載の電子部品。
【請求項１０】
配線導体が形成された基板と、
前記基板上に実装され、且つ、少なくとも１面に対向配置され、且つ、前記配線導体に接続された少なくとも１対の端子電極、及び、前記少なくとも１対の端子電極間に配置された突起部を有する電子部品と、
を備える電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品、及び、その電子部品が搭載された電子部品パッケージ、電子部品モジュール、電子デバイス等（以下、まとめて「電子デバイス」という。「発明の名称」、「特許請求の範囲」においても同様とする。）に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化や高機能化及び多機能化に伴い、その電子機器に用いられるＩＣチップ（ベアチップ：ダイ（Die））等の半導体装置といった能動部品や、コンデンサ（キャパシタ）、インダクタ、サーミスタ、抵抗等の受動部品等の電子部品の高密度実装技術が著しく進歩しつつある。かかる高密度実技術に資するものの一例として、多層プリント配線基板の形成方法を利用して作製されるＳＭＤ（表面実装部品：Surface Mount Device）が知られており、例えばＩＣチップを外部基板に搭載してワイヤ・ボンディング等で固定したＣＳＰ (Chip Size Package：表面実装型ＩＣと呼ばれることもある。) や、ＬＧＡ（Land Grid Array）、ＢＧＡ（Ball Grid Array）等の接続端子が高密度で配設されたもの等、多種多様なものが挙げられる。
【０００３】
また、小型のセラミックス表面実装部品の代表的な例として、チップコンデンサ、チップインダクタ、チップ抵抗等が挙げられ、例えば特許文献１には、底面に端子対を有するチップコンデンサ（底面端子部品の一例）が、外部基板にＬＧＡ構造で接続されたものが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平５−０４７５８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、上記従来のチップコンデンサのような底面端子部品（電子部品、チップ部品）の場合、ＰＣＢ（プリント回路基板：Printed Circuit Board）等の外部基板に実装される際に、チップ部品が端子対（通常、部品の長手方向の両端側に設けられる）に対して、すなわち、電子部品の長手軸に対して左右方向に傾いてしまうことがある。これは、底面端子を有する電子部品をＰＣＢ等の基板にハンダ接合する過程において、リフロー温度に達した液状のハンダがその表面張力によって球状の形になり、その際、電子部品がハンダの表面に持ち上げられ、それからハンダが冷却されて電子部品が外部基板上に固定されるが、局所的な温度の不均一性、表面の濡れ性、不純物による影響等により、電子部品の位置がハンダの冷却過程でずれてしまうことが一因と考えられる。かかる電子部品の傾きは、底面端子部品の場合に顕著となる傾向にある。このように、実装された電子部品が傾くと、（１）隣接している電子部品間が接触してしまうおそれがあるため、高密度実装が困難となる、（２）電子部品の端子と外部基板の固着強度が不均一になるため、実装信頼性が低下してしまう、（３）電子部品、及び／又は、その電子部品が搭載された電子デバイスの電気的な特性（例えば、高周波帯域での特性）や機能が劣化したり動作が不安定になったりと不都合を引き起こす要因になり得るといった不都合が生じ易くなる。
【０００６】
そこで、本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、外部基板へのハンダ実装時における傾きを防止することができ、これにより、外部基板により高密度で実装することができ、また、外部基板への固着強度を向上させて実装信頼性を十分に高めることができ、かつ、それ自身及び／又はそれが搭載された電子デバイスの電気的な特性への悪影響を抑止することが可能な電子部品、及び、その電子部品が搭載された電子デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明による電子部品は、基板上に形成され、且つ、１面に対向配置された少なくとも１対の端子電極と、少なくとも１対の端子電極間（対向する端子電極間の領域）に配置された突起部を備える。
【０００８】
このように構成された電子部品においては、１面（例えば、底面端子部品の端子が設けられた底面）に対向配置された１対の端子電極間に突起部が設けられるので、電子部品を基板（外部基板）とハンダ接合する際に、電子部品が傾こうとしても、その突起部が基板と干渉するため、ハンダ実装時において、電子部品が傾かない状態で実装することができる。つまり、かかる突起部は、ハンダ実装時に電子部品を支持する役割を果たす。そして、かかる固着バランスの向上により固着強度の不均一性が抑制されるため、その電子部品の実装信頼性をも高めることができ、その結果、電子部品が搭載された電子デバイスの電気的な特性（高周波帯域での特性）や機能の劣化を防止し得る。なお、「電子デバイス」とは、基板に能動部品及び／又は受動部品が搭載されたもの、また、それらが適宜の形態でパッケージ化されたものを含むものであり、先述したとおり、電子部品パッケージや電子部品モジュールを包含する概念を示す。
【０００９】
また、突起部は、少なくとも１対の端子電極が配置された（電子部品の）面において、少なくとも１対の端子電極よりも厚い、又は、高く形成されたものであると好適である。このようにすれば、少なくとも１対の端子電極よりも、突起部が、外部基板に接し易くなるので、その部位でのハンダ接合によって、電子部品の位置決め固定が行われ易くなり、また、電子部品が傾こうとしたときに、突起部が基板とより干渉し易くなるので、電子部品が溶融したハンダ上で傾いた状態のまま固着されることが、より一層防止される。
【００１０】
さらに、電子部品の傾きを矯正する機能を有する突起部は、その機能を発現する観点から、少なくとも１対の端子電極間に設けられていれば、単数でも複数でもよく、例えば、少なくとも１対の端子電極間と交差する方向（例えば、直交又は略直交する方向：すなわち、電子部品が長手方向と短手方向を有しており、１対の端子電極が長手方向に沿って対向配置されているときの幅方向）に沿って、単数（１本）又は複数（個）配置されている構成が挙げられる。
【００１１】
ここで、上記従来の特許文献１に記載されたＬＧＡ構造を有するコンデンサ（キャパシタ）の場合、端子電極の直下に、コンデンサの機能を発現させるための機能層たる誘電体層が形成された構成が採用されている。かかる構成を有するコンデンサを外部基板と接合（例えば、圧着接合）する際に、端子電極にコンデンサの厚さ方向の荷重が印加され、よって、端子電極の直下に形成された誘電体層にもその荷重が印加されてしまい、これによって、誘電体層を損傷させてしまうというおそれがある。また、かかる荷重が、コンデンサの外周に集中する場合には、誘電体層の外周部位にクラック等の機械的な破壊が生じてしまい（殊に、誘電体層が薄膜の場合に顕著となり得る）、実装信頼性の低下を更に招くおそれがある。
【００１２】
これに対し、本発明において、特に、電子部品が、例えば薄膜チップコンデンサのように、その内部にコンデンサとしての機能を発現させる誘電体層といった機能層を有しており、また、突起部が複数設けられている場合、それらの突起部が、電子部品の幅方向（上記参照）に間隔をおいて、且つ、少なくとも１対の端子電極が配置された面の平面視においてその機能層たる誘電体層と重ならない領域に配置されていると好適である。ただし、「機能層」は誘電体層に限定されず、例えば、他の回路素子や配線構造も「機能層」に含まれる。このように構成すれば、突起部の直下に機能層が存在しない構成を生起することができるので、荷重集中し易い突起部に印加される荷重が、その突起部を介して機能層に印加され難くなるので、誘電体層等の破損や破壊を防止することができる。
【００１３】
また、突起部は、少なくとも１対の端子電極が配置された面において、電子部品の中央側の部位よりも、電子部品の外周側の部位が厚く形成されていれば、すなわち、突起部が、電子部品の外方に向かって厚く（高く）なるように形成されていれば、突起部に印加される電子部品の厚さ方向の荷重を、電子部品の外周側の領域（エリア）に集中させることができるので、電子部品の内部に形成された誘電体層、回路素子、配線構造といった機能層の損傷や機械的な破壊が一層回避され得る。
【００１４】
より具体的には、一例として、少なくとも１対の端子電極が、電子部品の長手方向に沿って対向するように配置されており、突起部が２つ設けられており、且つ、電子部品の幅方向に沿って対向するように設けるようにしてもよい。換言すれば、突起部は、少なくとも１対の端子電極が配置された面の平面視において、端子電極間を結ぶ長手方向と直交又は略直交する幅方向に設けられるようにしてもよい。
【００１５】
こうすることにより、電子部品を外部基板とハンダ接合する際に、電子部品が傾こうとしても、電子部品の外周側に設けられた厚い突起部が基板と接しやすくなる。このことから、電子部品がその幅方向に傾くことが有効に回避され、外部基板に対する電子部品の平行度をハンダ実装前後において確実に維持し易くなる。その結果、電子部品の更なる高密度実装化を実現することができ、また、電子部品の固着強度も均一化且つ向上されるので、電子部品の外部基板への実装信頼性を更に高めることができる。
【００１６】
さらに、複数の突起部が、具体的には少なくとも３つ以上であり、少なくとも１対の端子電極が配置された面において、電子部品の中央側に配置された突起部よりも、電子部品の外周側に配置された突起部が厚くなるように構成したり、又は、少なくとも１対の端子電極が配置された面の平面視において、電子部品の中央側に配置された突起部よりも、電子部品の外周側に設けられた突起部の面積が大きくなるように構成したりすれば、電子部品のより外周側に設けられた突起部により、電子部品の厚さ方向に印加される荷重を電子部品の外周側に集中させることができると同時に、基板の外周側に配置された突起部で吸収しきれなかった荷重を、他の突起部を介して端子電極間の適宜の領域（エリア）に分散させることができる。
【００１７】
またさらに、かかる電子部品は、その内部に形成された例えば誘電体層、回路素子、配線構造等の機能層を覆う保護層を有しており、少なくとも１対の端子電極は、例えば回路素子や配線構造に接続され、且つ、保護層を貫通して露出しており、突起部は、その少なくとも一部が、保護層の上に形成されていても有用である。これにより、ハンダ実装時において、電子部品の厚さ方向に荷重（電子部品に作用する外部からの力）が印加されても、その荷重は、端子電極よりも先に突起部で確実に受圧されるため、電子部品の内部の、誘電体層、回路素子、配線構造等の機能層に荷重が印加されることを更に一層有効に回避することができる。これにより、かかる機能層の損傷や機械的な破壊をより確実に抑止することができ、その結果、電子部品の実装信頼性を飛躍的に高めることができる。加えて、このような構成において、ハンダ実装時におけるハンダの表面張力によって電子部品が持ち上げられても、突起部は外部基板に接合され易いので、電子部品の傾きや位置ずれの発生を食い止めることができる。
【００１８】
また、本発明による電子デバイスは、本発明の電子部品を備えるものであり、すなわち、配線導体が形成された基板と、基板上に実装され、且つ、少なくとも１面に対向配置され、且つ、配線導体に接続された少なくとも１対の端子電極、及び、少なくとも１対の端子電極間に配置された突起部を有する電子部品とを備えるものである。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の電子部品、及びそれを備える電子デバイスによれば、対向して配置される少なくとも１対の端子電極間に突起部が形成されているので、これにより、ハンダ実装時に生じ得る電子部品の傾きを矯正且つ防止でき、その結果、電子部品の更なる高密度実装化が可能となるとともに、電子部品の固着強度を向上させることができる。また、このように、電子部品の更なる高密度実装化や固着強度を高める等の作用効果を奏することができるので、その電子部品が搭載された電子デバイス（製品）の電気的な特性や機能を十分に高めることができる。さらに、ハンダ実装時における電子部品の内部に印加される荷重が分散されるので、電子部品の実装信頼性を十分に高めることができ、電子部品の実装における歩留まりを改善して生産性をも高めることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明による電子部品の好適な一実施形態であるコンデンサ１の構造を示す斜視図である。
【図２】図１に示すコンデンサ１の平面図である。
【図３】図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。
【図４】図２のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。
【図５】リフロー試験及び荷重試験の試験結果を示した表である。
【図６】本発明によるコンデンサ１００の第２実施形態を示す断面図である。
【図７】本発明によるコンデンサ２００の第３実施形態の構造を示す平面図である。
【図８】図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して説明する。なお、図面中、同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また、上下左右等の位置関係は、特に断らない限り、図面に示す位置関係に基づくものとする。さらに、図面の寸法比率は、図示の比率に限定されるものではない。また、以下の実施の形態は、本発明を説明するための例示であり、本発明をその実施の形態のみに限定する趣旨ではない。さらに、本発明は、その要旨を逸脱しない限り、さまざまな変形が可能である。
【００２２】
（第１実施形態）
図１は、本発明による電子部品の好適な一実施形態であるコンデンサ１の構造を示す斜視図であり、図２は、図１に示すコンデンサ１の平面図である。図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図であり、図４は、図２のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。
【００２３】
コンデンサ１（電子部品）は、コンデンサ１間の所定の部位で基板２（これは電子部品が形成される基板であり、本発明における「外部基板」とは異なる。）を切断（ダイシング）することによって個片化されたものである。また、コンデンサ１は、平面矩形状をなす基板２上に、下部電極３、誘電体層４、第１電極５ａ（接続導体）、第１電極５ｂ(上部電極層)、第１保護層６（保護層）、第２電極７（電極層）、第２保護層８（保護層）、端子電極９ａ，９ｂ、及び突起支持部１０ａ，１０ｂが、この順に積層されたものである。なお、端子電極９ａ，９ｂと突起支持部１０ａ，１０ｂとの積層順序は、特に制限されず、例えば突起支持部１０ａ，１０ｂが端子電極９ａ，９ｂの形成より先に形成されていてもよい。
【００２４】
基板２の材料としては、特に制限されず、金属基板、アルミナ等のセラミックス基板、ガラスセラミックス基板、ガラス基板、サファイア、ＭｇＯ、ＳｒＴｉＯ等の単結晶基板、ＳｉやＳｉＧｅ等の半導体基板等が挙げられ、化学的且つ熱的に安定であり、かつ、応力発生が少なく表面の平滑性を保持し易いものを用いることが好ましい。なお、基板２は必要に応じて適宜の厚さとすることができる。
【００２５】
下部電極３は、基板２の外周よりも内側の領域上に設けられており、例えば、Ａｌ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｗ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｎｂ等の単体金属、又は、これらを含む合金等の複合金属から形成されている。
【００２６】
誘電体層４は、下部電極３の上面，及び側壁面、さらに下部電極３の外方に位置する基板２上面の一部を覆うように形成された薄膜からなる。なお誘電体層４の端部は、基板２上面の端部まで形成されていても、端部に達しなくてもよい。また誘電体層４の膜の材料は特に制限されず、例えば、ＰｂＴｉＯ3、Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3（ＰＺＴ）、ＰｂＮｂ2Ｏ3、Ｐｂ（Ｍｇ，Ｎｂ）Ｏ3（ＰＭＮ）、ＢａＴｉＯ3、(Ｂａ，Ｓｒ)ＴｉＯ3（ＢＳＴ）、ＣａＴｉＯ3、ＺｒＯ2、ＨｆＯ2、ＴｉＯ2、Ｔａ2Ｏ6、Ｂｉ4Ｔｉ4Ｏ12、ＳｒＢｉ2Ｔａ2Ｏ9、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、ＳｉＯ2等の高誘電体セラミック材料を用いることができる。
【００２７】
第１電極５ａは、その端部が誘電体層４を介して下部電極３の上面を覆うように形成された薄膜である。このため、第１電極５ａの中央部は、下部電極３と電気的に接続されることとなり、下部電極３と第１電極５ａの中央部との間で電流が流れる構造となる。また、第１電極５ａは、下部電極３同様、例えば、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｗ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｎｂ等の単体金属、又は、これらを含む合金等の複合金属から形成されている。
【００２８】
第１電極５ｂは、誘電体層４の上面を覆うように形成された薄膜であり、誘電体層４の実装領域より内方に形成されている。このため、第１電極５ｂは、誘電体層４を介して下部電極３と電気的に絶縁されていることとなり、誘電体層４を介して、下部電極３と第１電極５ｂとの間で容量部を形成する構造となる。第１電極５ｂは、下部電極３、及び第１電極５ａ同様、例えば、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｗ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｎｂ等の単体金属、又は、これらを含む合金等の複合金属から形成されている。
【００２９】
また、第１電極５ａ，５ｂ上に形成された第１保護層６は、第１電極５ａ，５ｂの角部のみならず、誘電体層４の上面角部及び側壁面を覆うように形成されており、その材質は特に制限されず、例えば、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＳｉＮ等の無機絶縁体、ポリイミド、エポキシ等の樹脂等の有機絶縁体を列挙することができる。
【００３０】
さらに第２電極７は、第１保護層６上に形成され、かつ、第１電極５ａ，５ｂを覆うように形成されており、第１電極５ａ，５ｂ上に形成されたビア導体Ｖａ，Ｖａを介して電気的に接続されている。第２電極７は、下部電極３及び第１電極５ａ，５ｂと同様、例えば、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｗ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｎｂ等の単体金属、又は、これらを含む合金等の複合金属から形成されている。
【００３１】
そして、この第２電極７の上層として形成された第２保護層８は、第１保護層６の形成領域より内方に形成され、且つ、第２電極７の角部を覆うように形成されており、その材質は、第１保護層６と同様、特に制限されず、例えば、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＳｉＮ等の無機物、ポリイミド、エポキシ等の樹脂等の絶縁体を列挙することができる。
【００３２】
その上層として形成されている端子電極９ａ，９ｂは、コンデンサ１（又は基板２）の長手方向Ｌに沿って対向配置するように、短手側の両端部に設けられており、第２保護層８を貫通して形成された開口内に充填されたビア導体Ｖｂと、第１保護層６を貫通して形成された開口内に充填されたビア導体Ｖａ、及び第１電極５を介して下部電極３に接続されている。これらのビア導体Ｖａ，Ｖｂ、及び、端子電極９ａ，９ｂの材料も特に制限されず、下部電極３、第１電極５ａ，５ｂ、及び第２電極７と同様に、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｇ、Ｓｎ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｗ、Ｐｄ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｒｕ、Ｎｂ等の単体金属、又は、これらを含む合金等の複合金属が挙げられる。
【００３３】
突起支持部１０ａ，１０ｂは、端子電極９ａ，９ｂ間であって、且つ、コンデンサ１（又は基板２）の長手方向Ｌに伸びる両端部の略中央に対向するように設けられており、コンデンサ１の幅方向Ｗに沿って切断した断面視において（図３）、第２保護層８の上面端部、側壁面、及び第１保護層６の側壁面を覆うように形成されている。換言すれば、突起支持部１０ａ，１０ｂは、第２の保護層８上、且つ、端子電極９ａ，９ｂ間であって、平面視で端子電極９ａ，９ｂを結ぶ方向（長手方向Ｌ）と直交する方向（幅方向Ｗ）に形成されている。そして、突起支持部１０ａ，１０ｂは、第２保護層８の側壁面、及び第１保護層６の側壁面を覆うように形成されており、誘電体層４の上面まで延在されている。
【００３４】
また、通常、突起支持部１０ａ，１０ｂの厚みΔＴ１が、端子電極９ａ，９ｂの厚みΔＴ２より厚くなるように形成されている（すなわち、ΔＴ１＞ΔＴ２の関係が成り立つ）おり、好ましくは、突起支持部１０ａ，１０ｂにおける厚みΔＴ１と端子電極９ａ，９ｂにおける厚みΔＴ２との厚み差（ΔＴ１−ΔＴ２）は、ハンダの表面張力によってコンデンサ１が持ち上げられる際に生じるコンデンサ１の移動距離に相当する。ハンダ実装時において、ハンダが溶解する温度に達すると、その表面張力によって端子電極９ａ，９ｂの表面でハンダが球状になり、コンデンサ１が持ち上げられることに起因する。なお、図３において、突起支持部１０ａ，１０ｂの厚みΔＴ１は、第２保護層８の上面から突起支持部１０ａ，１０ｂの上面までの厚みを示し、端子電極９ａ，９ｂの厚みΔＴ２は、第２保護層８の上面から端子電極９ａ，９ｂの上面までの厚みを示している。
【００３５】
突起支持部１０ａ，１０ｂの材質は、端子電極９ａ，９ｂ間が短絡しない材質であれば、特に制限されないが、微細構造によるパターニングの実現、及び突起支持部１０ａ，１０ｂにおける厚膜形成の容易さを確保する観点から、ポリイミド、エポキシ等の樹脂等の絶縁体であることが好ましい。
【００３６】
以上、詳述したように、突起支持部１０ａ，１０ｂは、端子電極９ａ，９ｂ間であって、平面視で端子電極９ａ，９ｂを結ぶ方向（長手方向Ｌ）と直交する方向（幅方向Ｗ）に設けることとした。これにより、ハンダ実装時、特にハンダ溶融時に、電子部品が傾こうとしても、その突起支持部１０ａ，１０ｂが外部基板と接触する。その結果、コンデンサ１が幅方向Ｗに傾くことが回避され、外部基板に対するコンデンサ１の平行度をハンダ実装前後において維持することができる。この結果、コンデンサ１の更なる高密度実装化を実現することができる。また、コンデンサ１の固着強度も均一になるので、コンデンサ１の実装信頼性を向上することができる。
【００３７】
さらに、突起支持部１０ａ，１０ｂの厚みは、端子電極９ａ，９ｂの厚みより厚く設けることとした。換言すれば、基板２の表面（コンデンサ形成側の表面）から突起支持部１０ａ，１０ｂの基板２とは逆側の表面までの距離は、基板２の表面（コンデンサ形成側の表面）から端子電極９ａ，９ｂの基板２とは逆側の表面までの距離よりも長くなるように形成した。このため、ハンダ実装時において、ハンダが溶解する温度に達すると、その表面張力によって端子電極９ａ，９ｂの表面でハンダが球状になり、コンデンサ１が持ち上げられるが、突起支持部１０ａ，１０ｂの厚みΔＴ１が、端子電極９ａ，９ｂの厚みΔＴ２より厚くなるように形成すれば、コンデンサ１が持ち上げられても、突起支持部１０ａ，１０ｂが外部基板と接合しているので、コンデンサ１の傾きや位置ずれの発生を食い止めることができる。また、ハンダ実装時において、端子電極９ａ，９ｂより先に突起支持部１０ａ，１０ｂにコンデンサ１（又は基板２）の厚さ方向の荷重（コンデンサ１に作用する外部からの力）がかかるため、端子電極９ａ，９ｂの真下に誘電体層４が形成されていても、誘電体層４にかかる荷重を回避することができる。これにより、誘電体層４の損傷や機械的な破壊を回避することができ、その結果、コンデンサ１の実装信頼性を十分に高めることができる。
【実施例】
【００３８】
以下、実施例により本発明を説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３９】
（実施例１）
まず、複数のコンデンサ１を有するワークボード（集合基板）を以下の手順で形成した。
【００４０】
まず、平面矩形状をなす基板２上に、下部電極３、誘電体層４、第１電極５ａ、第１電極５ｂ、第１保護層６、第２電極７、第２保護層８、及び端子電極９ａ，９ｂを、この順に積層する。端子電極９ａ，９ｂの厚みΔＴ２は、０．１〜１０μｍであった。
【００４１】
次に、第２保護層８上に、突起支持部１０ａ，１０ｂの前駆体であるネガ型の感光性ポリイミド樹脂を塗布し、ΔＴ１が１〜１００μｍとなるようにスピンコーティングを実施した。
【００４２】
そして、ベーク炉の温度が１００℃、ベーク処理が５分間という条件下でベーク処理を行い、第２保護層８と突起支持部１０ａ，１０ｂの前駆体であるネガ型の感光性ポリイミド樹脂との密着を行った。
【００４３】
その後、フォトリソグラフィの露光量およびフォーカス等の条件を調整し、第２保護層８の長手方向の両端部上に突起支持部１０ａ，１０ｂが形成されるように作成されたフォトマスクを用いて露光処理を実施した。
【００４４】
そして、ベーク炉の温度が１１５℃、ベーク処理が３分間という条件下で再びベーク処理を行った後、アルカリ系の現像液を用いて、突起支持部１０ａ，１０ｂの前駆体であるネガ型の感光性ポリイミド樹脂を現像することにより、ネガ型の感光性ポリイミド樹脂を突起支持部１０ａ，１０ｂの形状にパターニングした。
【００４５】
その後、硬化温度が３００〜４００℃、硬化時間が１時間という条件下でネガ型の感光性ポリイミド樹脂を硬化し、突起支持部１０ａ，１０ｂを形成した。
【００４６】
その後、ダイシングマシン、スライサー、又はレーザ加工装置を用いて、ワークボードを所定のサイズに切断し、コンデンサ１を得た。
【００４７】
実施例１においては、上記の手順を用いて、コンデンサ１Ａ（１．０ｍｍ×１．０ｍｍ，厚み０．５ｍｍ），コンデンサ１Ｂ（０．６ｍｍ×０．６ｍｍ，厚み０．３ｍｍ），コンデンサ１Ｃ（０．４ｍｍ×０．４ｍｍ，厚み０．２ｍｍ）、の各コンデンサを得た。
【００４８】
（比較例）
突起支持部１０ａ，１０ｂを形成しないこと以外は、実施例１と同様に操作して、比較例のコンデンサを得た。
【００４９】
＜リフロー処理試験＞
次に、上記のようにして得られた実施例１並びに比較例のコンデンサについて、以下に示す手順を用いて、リフロー処理試験を実施した。試験結果を図５に示す。
【００５０】
まず、外部基板の電極ランドに厚み８０μｍのスクリーンを用いてクリーム状のハンダを印刷した。その後、マウンタ装置を用いて、実施例１のコンデンサ１Ａ〜１Ｃ及び比較例のコンデンサをそれぞれハンダ上に載置した。そして、リフロー炉の最大温度勾配が約２６０℃という条件下でリフロー処理を実施し、実施例１の各コンデンサ１Ａ〜１Ｃ、及び比較例のコンデンサを外部基板に実装し、そのときの各コンデンサの傾きを測定した。
【００５１】
比較例のコンデンサによれば、外部基板に対する傾きは３°以上、最大の傾きは１０°以上であり、３°以上の傾きを有するコンデンサの発生率は１０％であることが確認された。これに対し、実施例１の各コンデンサ１Ａ〜１Ｃによれば、外部基板に対する傾きは、３°以下と非常に小さく、ハンダが融解することによって生じていたコンデンサの傾きを大幅に軽減できることが確認された。
【００５２】
＜荷重試験＞
次に、上記のようにして得られた実施例１並びに比較例のコンデンサについて、以下に示す手順を用いて、荷重試験を実施した。試験結果を図５に示す。
【００５３】
まず、端子電極が下向きになるように、実施例１並びに比較例のコンデンサを平らな面に載置した。そして、端子電極を有する面に対する反対の面から各コンデンサに１０Ｎの荷重を印加し、そのときの各コンデンサが有する電気抵抗の変化を参照することにより、各誘電体層の損傷を確認した。
【００５４】
比較例のコンデンサによれば、電気抵抗の変化が生じ、特に、荷重試験の対象となった比較例のコンデンサ１０個のうち、２個のコンデンサにショート不良が生じたことが確認された。これに対し、実施例１の各コンデンサ１Ａ〜１Ｃによれば、電気抵抗の変化が生じることはなく、各誘電体層には損傷が生じていないことが確認された。
【００５５】
（第２実施形態）
図６は、本発明によるコンデンサ１００の第２実施形態の構造を示す断面図である。コンデンサ１００は、図示の如く、突起支持部１０ｃ，１０ｄの上面が、コンデンサ１００（又は基板２）の内方から外方に向かって傾斜を有するように形成され、且つ、突起支持部１０ｃ，１０ｄは、第２保護層８及び第１保護層６の側壁面を覆うように延在しないこと以外は、上述した第１実施形態のコンデンサ１と同様に構成されたものである。
【００５６】
コンデンサ１００を幅方向に沿って切断した断面視において（図６）、第２保護層８から突起支持部１０ｃ，１０ｄの上面までの厚みは、コンデンサ１００の中心側の厚みΔＴ３に比して、コンデンサ１００の外周側の厚みΔＴ４が厚く形成されている。また、第１実施形態と同様に、突起支持部１０ｃ，１０ｄは、端子電極９ａ，９ｂ間であって、平面視で端子電極９ａ，９ｂを結ぶ方向（長手方向Ｌ）と直交する方向（幅方向Ｗ）に形成されている。
【００５７】
（実施例２）
突起支持部１０ｃ，１０ｄは、突起支持部１０ｃ，１０ｄの前駆体であるネガ型の感光性ポリイミド樹脂の露光光量を制御することで形成された。すなわち、突起支持部１０ｃ，１０ｄの形状は、突起支持部１０ｃ，１０ｄの前駆体であるネガ型の感光性ポリイミド樹脂を露光する際に、段階的な明暗差をつけたフォトマスクを用いて、露光・現像を行った。このようにして形成された実施例２のコンデンサを用いても、実施例１と同様の結果を得ることが確認された。
【００５８】
このような突起支持部１０ｃ，１０ｄを用いても、第１実施形態と同様の作用効果が奏される。しかも、本実施形態による突起支持部１０ｃ，１０ｄは、コンデンサ１００の中心側の厚みΔＴ３に比して、コンデンサ１００の外周側の厚みΔＴ４を厚く設けたため、コンデンサ１００の長手方向Ｌの外周側に、厚さ方向の荷重がかかるよう形成される。このため、端子電極９ａ，９ｂの真下に誘電体層４が形成されていても、誘電体層４が容量として機能する第１電極５ｂの領域への荷重を回避することができる。これにより、誘電体層４の損傷や機械的な破壊を防止することができ、その結果、コンデンサ１００の実装信頼性を十分に高めることができる。
【００５９】
（第３実施形態）
図７は、本発明によるコンデンサ２００の第３実施形態の構造を示す平面図であり、図８は図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う断面図である。コンデンサ２００は、図示の如く、突起支持部１０ｅ，１０ｆ，１０ｇ，１０ｈ，１０ｉが、端子電極９ａ，９ｂ間であって、且つ、コンデンサ２００の長手方向に沿った中心線に対して非対称となるように形成されたこと、及び、突起支持部１０ｅ，１０ｆ，１０ｇ，１０ｈ，１０ｉの形状以外は、上述した第１実施形態のコンデンサ１と同様に構成されたものである。
【００６０】
複数形成された突起支持部１０ｅ，１０ｆ，１０ｇ，１０ｈ，１０ｉのうち、コンデンサ２００の外周に形成された突起支持部１０ｅ，１０ｉは、その他の突起支持部１０ｆ，１０ｇ，１０ｈの断面積に比して大きな断面積となるように形成されることが好ましい。
【００６１】
また、突起支持部１０ｇは、コンデンサ２００の中心点に形成されることが好ましく、その他の突起支持部１０ｅ，１０ｆ，１０ｈ，１０ｉは、端子電極９ａ，９ｂ間であって、且つ、厚さ方向の荷重をコンデンサ２００に印加した際に該荷重が分散するように配置されることが好ましい。さらに、突起支持部１０ｇの断面積に比して、突起支持部１０ｆ，１０ｈの断面積は約２倍に、突起支持部１０ｅ，１０ｉの断面積は約４倍になるように形成されることが好ましい。そして、突起支持部１０ｇの厚みは、端子電極９ａ，９ｂの厚みと同等又は厚く形成されている。
【００６２】
突起支持部１０ｅ〜１０ｉは、平面視で略円状、又は略楕円状を有する。突起支持部１０ｅ〜１０ｉに丸み付け（面取り）を行うことにより、外力による変形防止のためにコンデンサ２００を樹脂でモールド（封止）する際に、樹脂を流し込み易くすることができる。
【００６３】
（実施例３）
実施例３の突起支持部１０ｅ〜１０ｉは、ネガ型の感光性ポリイミド樹脂への露光と現像時間とを調整することにより形成される。突起支持部１０ｅ〜１０ｉの前駆体であるネガ型の感光性ポリイミド樹脂を用いると、露光部分のレジストパターンが残るが、残る部分の面積が小さくなるように形成する。このような場合に現像時間を長く設定すると、残った部分は現像液に溶解し、残った部分の厚みは、露光前に塗布したネガ型の感光性ポリイミド樹脂の厚みに比して薄くなる。このように露光と現像時間とを調整して、実施例３の突起支持部１０ｅ〜１０ｉを形成した。そして、このように形成された実施例３のコンデンサを用いても、実施例１と同様の結果を得ることが確認された。
【００６４】
このような突起支持部１０ｅ〜１０ｉを用いても、第１実施形態と同様の作用効果が奏される。しかも、本実施形態による突起支持部１０ｅ〜１０ｉは、端子電極９ａ，９ｂ間に複数設けたため、コンデンサ２００の幅方向に発生する荷重を確実に吸収し、且つ、厚さ方向の荷重を分散することができる。加えて、コンデンサ１００の外周側に、他の突起支持部と比して断面積の大きな突起支持部を設けたので、誘電体層４の損傷や機械的な破壊を確実に防止することができ、その結果、コンデンサ１の実装信頼性を十分に高めることができる。
【００６５】
なお、上述したとおり、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を変更しない限度において様々な変形が可能である。例えば、本発明における突起支持部１０ａ〜１０ｄの形状は、角部を有していることを前提として説明したが、樹脂を流し込み易くするために、丸み付け（面取り）を行ってもよい。また、本発明における突起支持部１０ｅ〜１０ｉのそれぞれは、コンデンサ２００の外周側に形成された厚みが、コンデンサ２００の中央側に形成された厚みよりも厚く形成されていてもよい。さらに、電子部品はコンデンサに限られず、インダクタ、サーミスタ、抵抗等の受動部品，ＩＣチップ等の能動部品を用いてもよい。加えて、図示を省略するが、コンデンサ１を適宜の外部基板にハンダ接合等により実装（搭載）したものが、本発明による電子デバイスである。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
以上説明したとおり、本発明の電子部品によれば、外部基板へのハンダ実装時に生じ得る電子部品の傾きを矯正且つ防止でき、その結果、電子部品の更なる高密度実装化が可能となるとともに、電子部品の固着強度を向上させることができ、且つ、その電子部品の実装信頼性を十分に高めることができるので、電子部品を内蔵する機器、装置、システム、各種デバイス等、特に小型化及び高性能化が要求されるもの、並びにそれらの生産、製造等に広く且つ有効に利用することができる。
【符号の説明】
【００６７】
１，１００，２００…コンデンサ（電子部品）、２…基板、３…下部電極（回路素子，機能層）、４…誘電体層（回路素子，機能層）、５ａ…第１電極（回路素子，機能層）、５ｂ…第１電極（回路素子，機能層）、６…第１保護層（保護層）、７…第２電極（回路素子，機能層）、８…第２保護層（保護層）、９ａ，９ｂ…端子電極、１０ａ〜１０ｉ…突起支持部（突起部）、Ｖａ，Ｖｂ…ビア導体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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