(57)【要約】【課題】回路基板において発生する振動音の大きさを好適に低減することができるセラミックコンデンサを提供することを課題とする。【解決手段】誘電体素体２１と誘電体素体２１の両端部に設けられた外部電極２２とを有するセラミックコンデンサ素子１１と、外部電極２２と回路基板１３とを接続する接続端子１２と、を備えたセラミックコンデンサ１０であって、接続端子１２は、回路基板１３および外部電極２２から離れた部分において、複数回屈曲させた屈曲部２８を有していることを特徴とする。【選択図】図１
2012033651.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部電極を有するセラミックコンデンサ素子と、
前記外部電極と基板とを接続する接続端子と、を備え、
前記接続端子は、
前記基板および前記外部電極から離れた部分において、複数回屈曲させた屈曲部を有していることを特徴とするセラミックコンデンサ。
【請求項２】
前記接続端子は、前記外部電極と面接触している請求項１に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項３】
前記セラミックコンデンサ素子は、前記基板と対向する対向面と、前記対向面を挟んで両端側にある両端面とを有し、前記外部電極は、前記セラミックコンデンサ素子の両端側にそれぞれ設けられ、
前記接続端子は、その一端が、前記外部電極の前記対向面側に接続されている請求項１または２に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項４】
前記セラミックコンデンサ素子は、前記基板と対向する対向面と、前記対向面を挟んで両端側にある両端面とを有し、前記外部電極は、前記セラミックコンデンサ素子の両端側にそれぞれ設けられ、
前記接続端子は、その一端が、前記外部電極の前記端面側に接続されている請求項１または２に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項５】
前記接続端子は、その屈曲部が、前記セラミックコンデンサ素子と前記基板との間隙部分に設けられている請求項１から４のいずれか１項に記載のセラミックコンデンサ。
【請求項６】
前記セラミックコンデンサ素子は、前記基板と対向する対向面と、前記対向面を挟んで両端側にある両端面とを有し、前記外部電極は、前記セラミックコンデンサ素子の両端側にそれぞれ設けられ、
前記接続端子は、その屈曲部が、前記セラミックコンデンサ素子の両端面を結ぶ方向上において、前記セラミックコンデンサ素子の端面の外側に設けられている請求項１から４のいずれか１項に記載のセラミックコンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板に実装されるセラミックコンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
ノート型パーソナルコンピュータやＰＤＡ（Personal  Digital  Assistant）、携帯電話等各種携帯型の情報処理装置においては、電子部品として、コンデンサ、インダクタ、バリスタ又これらを複合した複合部品を回路基板に表面実装することにより、高密度に電子部品を搭載して回路基板全体の大きさの小型化が図られている。このような回路基板に搭載されるコンデンサとして、積層型のセラミックコンデンサが用いられている。
【０００３】
積層型のセラミックコンデンサは、誘電体と内部電極とが交互に積層されている。誘電体を形成するセラミック材料には、誘電率が比較的高いチタン酸バリウム等の強誘電体材料が一般的に用いられている。このような積層型のセラミックコンデンサに電圧を印加すると、誘電体を形成するセラミック材料は、電歪現象を伴うため、セラミックコンデンサは、印加電圧の大きさに応じた機械的歪みを生じる。このため、セラミックコンデンサに交流電圧を印加すると、電歪現象によりセラミックコンデンサが振動する。
【０００４】
この電歪現象によるセラミックコンデンサの振動は、セラミックコンデンサが実装されている基板に伝播する。この基板に伝わった振動により、基板において振動音（音鳴り）が発生する。特に、より大きな静電容量を得るために、複数のコンデンサを基板上に並列に接続した場合には、複数のコンデンサが同じ周期で振動するため、基板に伝わる振動が共振によって増幅され、この結果、振動音が増大する虞がある。
【０００５】
従来、このようなセラミックコンデンサとして、側面に外部電極を有するセラミックコンデンサ素子と、外部電極に接続された外部引き出し用電極端子とを備えたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。このセラミックコンデンサでは、外部引き出し用電極端子が波形に形成されており、波形に形成した外部引き出し用電極端子の頂部を、セラミックコンデンサ素子の外部電極にはんだ付けすることで、外部電極と外部引き出し用電極端子とが線接触する。これにより、セラミックコンデンサは、外部電極と外部引き出し用電極端子との接触面積を小さくすることができ、また、外部引き出し用電極端子の波形部に弾性を持たせることができるため、熱歪みによってセラミックコンデンサ素子に発生するクラックを抑制することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】実開昭６２−４０８１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従来のセラミックコンデンサのような構成の場合、セラミックコンデンサ素子と基板とを接続する外部引き出し用電極端子（接続端子）は、その波形部が、セラミックコンデンサ素子と基板とから離れた部分において、１回折り曲げた構成となっている。しかしながら、外部引き出し用電極端子を、セラミックコンデンサ素子と基板とから離れた部分において、１回折り曲げただけでは、基板において発生する振動音の大きさを好適に低減することは難しい。そもそも、従来のセラミックコンデンサは、振動音を低減するために、外部引き出し用電極端子の一部を波形部にしているわけではない。
【０００８】
そこで、本発明は、基板において発生する振動音の大きさを好適に低減することができるセラミックコンデンサを提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明者らはセラミックコンデンサについて鋭意研究をした。その結果、セラミックコンデンサ素子の外部電極と基板とを接続する接続端子に、複数回屈曲させた屈曲部を設け、基板から外部電極までの延べ長さを長くすることで、ばね定数を小さくすることができ、これにより、基板において発生する振動音の大きさを低減できることを見出した。本発明は、かかる知見に基づいて完成されたものである。
【００１０】
本発明のセラミックコンデンサは、外部電極を有するセラミックコンデンサ素子と、外部電極と基板とを接続する接続端子と、を備え、接続端子は、基板および外部電極から離れた部分において、複数回屈曲させた屈曲部を有していることを特徴とする。
【００１１】
この構成によれば、接続端子が、複数回屈曲させた屈曲部を有することにより、基板から外部電極までの延べ長さを、従来に比して長くすることができる。このとき、基板から外部電極までの部分におけるばね定数は、基板から外部電極までの延べ長さに依存しており、延べ長さが長くなればなるほど小さくなる。このため、屈曲部は、従来に比して弾性を有することとなり、これにより、セラミックコンデンサ素子の振動を吸収することができる。よって、屈曲部は、セラミックコンデンサ素子から基板へ向けて伝播される振動を吸収でき、これにより、基板において発生する振動音の大きさを好適に低減することができる。
【００１２】
本発明の好ましい態様として、接続端子は、外部電極と面接触している。
【００１３】
この構成によれば、接続端子は、外部電極との接触面積を大きくすることができるため、接触不良による等価直列抵抗（ＥＳＲ）の増大を抑制することができる。
【００１４】
本発明の好ましい態様として、セラミックコンデンサ素子は、基板と対向する対向面と、対向面を挟んで両端側にある両端面とを有し、外部電極は、セラミックコンデンサ素子の両端側にそれぞれ設けられ、接続端子は、その一端が、外部電極の対向面側に接続されている。
【００１５】
この構成によれば、接続端子は、その一端が、外部電極の対向面側に設けられるため、セラミックコンデンサ素子が基板と対向する方向に振動した場合、この振動を好適に吸収することができる。
【００１６】
本発明の好ましい態様として、セラミックコンデンサ素子は、基板と対向する対向面と、対向面を挟んで両端側にある両端面とを有し、外部電極は、セラミックコンデンサ素子の両端側にそれぞれ設けられ、接続端子は、その一端が、外部電極の端面側に接続されている。
【００１７】
この構成によれば、接続端子は、その一端が、外部電極の端面側に設けられるため、セラミックコンデンサ素子が、その両端面を結ぶ方向に振動した場合、この振動を好適に吸収することができる。
【００１８】
本発明の好ましい態様として、接続端子は、その屈曲部が、セラミックコンデンサ素子と基板との間隙部分に設けられている。
【００１９】
この構成によれば、屈曲部は、セラミックコンデンサ素子と基板との間隙部分に設けられるため、セラミックコンデンサ素子が基板と対向する方向に振動した場合、この振動を好適に吸収することができる。
【００２０】
本発明の好ましい態様として、セラミックコンデンサ素子は、基板と対向する対向面と、対向面を挟んで両端側にある両端面とを有し、接続端子は、その屈曲部が、セラミックコンデンサ素子の両端面を結ぶ方向上において、セラミックコンデンサ素子の端面の外側に設けられている。
【００２１】
この構成によれば、屈曲部は、セラミックコンデンサ素子の端面の外側に設けられるため、セラミックコンデンサ素子が、その両端面を結ぶ方向に振動した場合、この振動を好適に吸収することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明のセラミックコンデンサによれば、基板において発生する振動音の大きさを好適に低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】図１は、第１実施形態に係るセラミックコンデンサを模式的に表した斜視図である。
【図２】図２は、第１実施形態に係るセラミックコンデンサを幅方向に直交する面で切断した断面図である。
【図３】図３は、接続端子の寸法を示す説明図である。
【図４】図４は、第２実施形態に係るセラミックコンデンサを幅方向に直交する面で切断した断面図である。
【図５】図５は、第３実施形態に係るセラミックコンデンサを幅方向に直交する面で切断した断面図である。
【図６】図６は、従来のセラミックコンデンサを幅方向に直交する面で切断した断面図である。
【図７】図７は、音圧の測定を行なう際に用いた試験装置の構成を簡略に示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明を好適に実施するための形態（以下、実施形態という。）につき、詳細に説明する。なお、本発明は以下の実施形態及び実施例に記載した内容により限定されるものではない。また、以下に記載した実施形態及び実施例における構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、以下に記載した実施形態及び実施例で開示した構成要素は適宜組み合わせても良いし、適宜選択して用いてもよい。
【００２５】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係るセラミックコンデンサを模式的に表した斜視図であり、図２は、第１実施形態に係るセラミックコンデンサを幅方向に直交する面で切断した断面図である。図１および図２に示すように、セラミックコンデンサ１０は、積層型のセラミックコンデンサであり、セラミックコンデンサ素子１１と一対の接続端子（金属端子）１２とを含む。尚、本実施形態では、セラミックコンデンサ素子１１の長さ方向をＸ方向、幅方向をＹ方向、高さ方向（厚み方向）をＺ方向とする。
【００２６】
セラミックコンデンサ１０は、回路基板１３上に搭載されている。セラミックコンデンサ１０は、１つのセラミックコンデンサ素子１１により構成されているが、本実施形態はこれに限定されるものではなく、セラミックコンデンサ１０は、セラミックコンデンサ素子１１を複数組み合わせてもよい。回路基板１３は、例えば、ノート型パーソナルコンピュータ、ＰＤＡや携帯電話等の小型の処理装置に用いられる。セラミックコンデンサ１０が実装される回路基板１３の表面には、一対の基板電極１４が設けられており、一対の基板電極１４からは、一対の配線１５がそれぞれ延びている。一対の接続端子１２は、はんだ１６によって一対の基板電極１４に各々はんだ付けされる。
【００２７】
セラミックコンデンサ素子１１は、略直方体形状に形成され、例えば、幅Ｗが２．５ｍｍ、高さＨが２．５ｍｍ、長さＬが３．２ｍｍに形成される。セラミックコンデンサ素子１１は、その下面（高さ方向における一方の面）が、回路基板１３と対向する対向面となるように配置されている。セラミックコンデンサ素子１１は、誘電体素体２１と、一対の外部電極（端子電極）２２とを有する。一対の外部電極２２は、誘電体素体２１の長さ方向における両端面と、誘電体素体２１の両端面の縁部から所定の長さ分だけ内側に向かって延びるように誘電体素体２１の周囲を囲む部位とに設けられている。
【００２８】
誘電体素体２１は、上面、下面および四方側面を有する直方体形状に形成されており、複数の誘電体２３と、複数（例えば１００層程度）の内部電極２４とを有している。誘電体素体２１は、複数の誘電体２３と複数の内部電極２４とを交互に積層して形成されている。誘電体素体２１は、セラミックグリーンシート（未焼成セラミックシート）を複数枚積層した積層体を加熱圧着して一体化して、切断し、脱脂し、焼成することにより得られた直方体状の焼結体である。誘電体２３と内部電極２４との積層方向は、セラミックコンデンサ素子１１の高さ方向である。
【００２９】
誘電体２３は、例えば、誘電率の高い強誘電体材料として誘電率の高い強誘電体材料として高いチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）系セラミックス材料で構成され、層状に形成されている。誘電体２３としてチタン酸バリウムを主成分として用いて構成された誘電体素体２１は、誘電体２３としての機能を有し、電圧が加えられると歪みが生じる。このため、セラミックコンデンサ素子１１は、交流電圧が印加されると、交流電圧の大きさに応じた機械的歪みを生じ、この機械的歪みが振動となって回路基板１３に伝播することで、回路基板１３が振動し、可聴周波数帯域である場合、回路基板１３の振動が、振動音として現れることになる。
【００３０】
複数の内部電極２４は、正極側の内部電極２４と負極側の内部電極２４とを有している。正極側の内部電極２４は、その一端が一方（正極側）の外部電極２２に接続され、その他端が開放端となっている。負極側の内部電極２４は、その一端が他方（負極側）の外部電極２２に接続され、その他端が開放端となっている。正極側の内部電極２４と負極側の内部電極２４とは、誘電体２３を介して交互に対向し、所定間隔を持って複数積層されている。内部電極２４を構成する材料としては、積層型の電気素子の内部電極として通常用いられる導電性材料であれば用いることができ、例えば、卑金属であるＮｉを主成分とする導電性材料として含んだものが用いられる。
【００３１】
一対の外部電極２２は、誘電体素体２１の両端部にそれぞれ設けられ、内部電極２４と接続している。外部電極２２は、卑金属であるＣｕを主成分として含有するものが用いられ、Ｃｕ粉末を含有する導電性ペーストを誘電体素体２１の外表面に塗布して焼き付けることによって形成されている。外部電極２２は、複数の金属電極層で構成されていてもよく、例えば、外部電極２２は、Ｃｕを主成分とした下地電極に、Ｎｉめっき層、Ｓｎめっき層を形成するようにしてもよい。このように構成されたセラミックコンデンサ素子１１の一対の外部電極２２に電圧を印加すると、誘電体素体２１には、電荷が蓄えられる。
【００３２】
図３は、接続端子の寸法を示す説明図である。図３に示す接続端子１７は、一般的に用いられる従来のものである。接続端子１７は、その厚さをｔとし、その幅をｂとし、回路基板１３の基板面１３ａから接続部１７Ａとセラミックコンデンサ素子１１の外部電極２２とを接続するはんだ１８の基板面１３ａ側までの距離（接続端子取付長さ）をＬとする。このとき、接続端子１７のばね定数Ｋは、下記式（１）で表すことができる。下記式（１）中のＥは、接続端子１７のヤング率である。
【００３３】
【数１】
2012033651.tif 000003
【００３４】
接続端子１７のばね定数Ｋが小さい程、セラミックコンデンサ素子１１の電歪に起因する振動音を抑制する効果を高くすることができる。接続端子１７は、セラミックコンデンサ素子１１の外部電極２２と回路基板１３のランド（基板電極１４）とを電気的に接続するものであるため、導電性が必要である。導電性を有する材料としては金属材料があるが、金属材料は一般にヤング率が高い。このため、本実施形態では、平板の金属材料を用いて接続端子１２を製造する場合、接続端子１２のばね定数Ｋを小さくすべく、接続端子１２は、下記する形状となっている。
【００３５】
接続端子１２は、一対の基板電極１４と一対の外部電極２２とをそれぞれ接続するように一対設けられている。各接続端子１２は、帯状の金属平板をＭ字状に折り曲げて形成されている。具体的に説明すると、各接続端子１２は、基板電極１４に接続される基板接続部２６と、外部電極２２に接続される素子接続部２７と、基板接続部２６と素子接続部２７との間に設けられた屈曲部２８とを有しており、基板接続部２６、素子接続部２７および屈曲部２８は、一体となっている。
【００３６】
基板接続部２６は、金属平板の一方の端部であり、はんだ１６を介して基板電極１４に面接触させてはんだ付けされる。素子接続部２７は、金属平板の他方の端部であり、はんだ１６を介して、外部電極２２の下面側、すなわち外部電極２２と回路基板１３とが対向する対向面側に面接触させてはんだ付けされる。
【００３７】
屈曲部２８は、金属平板の中間部分であり、回路基板１３およびセラミックコンデンサ素子１１から離れた部分に設けられている。具体的に説明すると、屈曲部２８は、その高さ方向において、回路基板１３とセラミックコンデンサ素子１１との間隙部分Ｄに、収まるように配設されている。この屈曲部２８は、金属平板の中間部分を２回折り曲げて構成されており、第１折り曲げ部２８ａと第２折り曲げ部２８ｂとを有している。
【００３８】
図１および図２に示すように、接続端子１２は、計３箇所で折り曲げられており、折り曲げ部分としては、金属平板の他方の端部から中間部分へ至る部分において折り曲げられた第１折り曲げ部２８ａと、金属平板の中間部分において折り曲げられた第２折り曲げ部２８ｂと、金属平板の一方の端部から中間部分へ至る部分において折り曲げられた第３折り曲げ部２８ｃとがある。
【００３９】
屈曲部２８は、第１折り曲げ部２８ａおよび第２折り曲げ部２８ｂを含む一方で、第３折り曲げ部２８ｃを含まない。すなわち、第３折り曲げ部２８ｃは、基板電極１４に接触し、回路基板１３から離れた部分となっていないため、屈曲部２８には含まれない。一方で、第１折り曲げ部２８ａおよび第２折り曲げ部２８ｂは、回路基板１３およびセラミックコンデンサ素子１１から離れた部分となっているため、屈曲部２８に含まれる。なお、各折り曲げ部２８ａ，２８ｂ，２８ｃは、その折り曲げ角度が鋭角となっていることが、好ましい。
【００４０】
このように構成された屈曲部２８は、回路基板１３とセラミックコンデンサ素子１１とが対向する高さ方向に弾性を有する。すなわち、接続端子１２は、金属平板を折り曲げて構成することで、上記のように、間隙部分Ｄを変えることなく、基板電極１４から外部電極２２に至る延べ長さ（接続端子取付長さ）Ｌを、長くすることができる。
【００４１】
上記式（１）に示すように、延べ長さＬがパラメータの１つとなっており、延べ長さＬが長くなればなるほど、ばね定数Ｋは小さくなる。そして、ばね定数Ｋが小さくなれば、小さな力で屈曲部２８を高さ方向へ変位させることができる。このため、屈曲部２８の折り曲げ回数を増やせば、延べ長さＬを長くすることができ、これにより、ばね定数Ｋを小さくすることが可能となる。
【００４２】
以上の構成によれば、接続端子１２が、屈曲部２８を有することにより、基板電極１４から外部電極２２までの延べ長さＬを、従来に比して長くすることができる。このため、屈曲部２８におけるばね定数Ｋを小さくすることができ、屈曲部２８は、従来に比して弾性を有することとなる。これにより、接続端子１２は、屈曲部２８においてセラミックコンデンサ素子１１の振動を吸収することができ、セラミックコンデンサ素子１１から回路基板１３へ向けて伝播される振動を抑制できるため、回路基板１３において発生する振動音の大きさを好適に低減することができる。なお、振動音の大きさは、後述する集音マイク５２により音圧として測定される。
【００４３】
また、接続端子１２は、その素子接続部２７を外部電極２２と面接触させることで、外部電極２２との接触面積を大きくすることができ、これにより、接触不良によるＥＳＲの増大を抑制することができる。
【００４４】
また、接続端子１２は、その素子接続部２７を外部電極２２の下面側に接触させることができ、また、屈曲部２８を間隙部分Ｄに収めて設けることができるため、セラミックコンデンサ素子１１が、電歪効果により高さ方向（セラミックコンデンサ素子１１と回路基板１３とが対向する方向）に振動した場合であっても、この振動を好適に吸収することができる。
【００４５】
なお、第１実施形態のセラミックコンデンサ１０では、屈曲部２８の折り曲げ回数を２回としたが、２回以上であればよく、例えば、３回であってもよい。また、後述では、第１実施形態のセラミックコンデンサ１０において、屈曲部２８の折り曲げ回数を変化させた場合の振動音の大きさの変化を測定し、測定結果を比較している。
【００４６】
（第２実施形態）
図４を参照して、第２実施形態に係るセラミックコンデンサ３１について説明する。図４は、第２実施形態に係るセラミックコンデンサを幅方向に直交する面で切断した断面図である。なお、第２実施形態のセラミックコンデンサ３１の説明では、第１実施形態のセラミックコンデンサ１０と重複した記載を避けるべく、異なる部分についてのみ記載する。第２実施形態に係るセラミックコンデンサ３１は、その接続端子３４が、第１実施形態の接続端子１２と異なっている。以下、第２実施形態のセラミックコンデンサ３１に適用された接続端子３４について説明する。
【００４７】
接続端子３４は、一対の基板電極１４と一対の外部電極２２とをそれぞれ接続するように一対設けられている。各接続端子３４は、帯状の金属平板を折り曲げて形成されている。具体的に説明すると、各接続端子３４は、基板電極１４に接続される基板接続部３６と、外部電極２２に接続される素子接続部３７と、基板接続部３６と素子接続部３７との間に設けられた屈曲部３８とを有している。
【００４８】
基板接続部３６は、金属平板の一方の端部であり、はんだ１６を介して基板電極１４に面接触させてはんだ付けされる。素子接続部３７は、金属平板の他方の端部であり、はんだ１６を介して外部電極２２の端面側に面接触させてはんだ付けされる。
【００４９】
屈曲部３８は、金属平板の中間部分であり、回路基板１３およびセラミックコンデンサ素子１１から離れた部分に設けられている。具体的に説明すると、屈曲部３８は、その高さ方向において、回路基板１３とセラミックコンデンサ素子１１との間隙部分Ｄに、収まるように設けられている。この屈曲部３８は、金属平板の中間部分を２回折り曲げて構成されており、第２折り曲げ部３８ｂと第３折り曲げ部３８ｃとを有している。
【００５０】
図４に示すように、接続端子３４は、計４箇所で折り曲げられており、折り曲げ部分としては、金属平板の他方の端部から中間部分へ至る部分において折り曲げられた第１折り曲げ部３８ａと、金属平板の中間部分において折り曲げられた第２折り曲げ部３８ｂおよび第３折り曲げ部３８ｃと、金属平板の一方の端部から中間部分へ至る部分において折り曲げられた第４折り曲げ部３８ｄとがある。
【００５１】
屈曲部３８は、第２折り曲げ部３８ｂおよび第３折り曲げ部３８ｃを含む一方で、第１折り曲げ部３８ａおよび第４折り曲げ部３８ｄを含まない。すなわち、第１折り曲げ部３８ａは、素子接続部３７の一端となっており、素子接続部３７は、はんだ１６を介して外部電極２２と固着されている部分であることから、第１折り曲げ部３８ａは、弾性を有するように形成したものではないため、屈曲部３８には含まれない。また、第４折り曲げ部３８ｄは、基板電極１４に接触し、回路基板１３から離れた部分となっていないため、屈曲部３８には含まれない。一方で、第２折り曲げ部３８ｂおよび第３折り曲げ部３８ｃは、回路基板１３およびセラミックコンデンサ素子１１から離れた部分となっているため、屈曲部３８に含まれる。
【００５２】
以上の構成においても、接続端子３４が、屈曲部３８を有することにより、屈曲部３８が、セラミックコンデンサ素子１１の振動を吸収することができるため、セラミックコンデンサ素子１１から回路基板１３へ向けて伝播される振動を抑制でき、回路基板１３において発生する振動音の大きさを好適に低減することができる。
【００５３】
また、接続端子３４は、その素子接続部３７を外部電極２２の端面側に接触させることができるため、セラミックコンデンサ素子１１が、電歪効果により長さ方向（セラミックコンデンサ素子１１の両端を結ぶ方向）に振動した場合であっても、この振動を好適に吸収することができる。
【００５４】
なお、第２実施形態のセラミックコンデンサ３１でも、屈曲部３８の折り曲げ回数を２回以上としてもよい。また、後述では、第２実施形態のセラミックコンデンサ３１において、屈曲部３８の折り曲げ回数を変化させた場合の振動音の大きさの変化を測定し、測定結果を比較している。
【００５５】
（第３実施形態）
図５を参照して、第３実施形態に係るセラミックコンデンサ４１について説明する。図５は、第３実施形態に係るセラミックコンデンサを幅方向に直交する面で切断した断面図である。なお、第３実施形態のセラミックコンデンサ４１の説明でも、第１実施形態のセラミックコンデンサ１０と重複した記載を避けるべく、異なる部分についてのみ記載する。第３実施形態に係るセラミックコンデンサ４１は、その接続端子４４が、第１実施形態の接続端子１２と異なっている。以下、第３実施形態のセラミックコンデンサ４１に適用された接続端子４４について説明する。
【００５６】
接続端子４４は、一対の基板電極１４と一対の外部電極２２とをそれぞれ接続するように一対設けられている。各接続端子４４は、帯状の金属平板を折り曲げて形成されている。具体的に説明すると、各接続端子４４は、基板電極１４に接続される基板接続部４６と、外部電極２２に接続される素子接続部４７と、基板接続部４６と素子接続部４７との間に設けられた屈曲部４８とを有している。
【００５７】
基板接続部４６は、金属平板の一方の端部であり、はんだ１６を介して基板電極１４に面接触させてはんだ付けされる。素子接続部４７は、金属平板の他方の端部であり、はんだ１６を介して外部電極２２の端面側に面接触させてはんだ付けされる。
【００５８】
屈曲部４８は、金属平板の中間部分であり、回路基板１３およびセラミックコンデンサ素子１１から離れた部分に設けられている。具体的に説明すると、屈曲部４８は、セラミックコンデンサ素子１１の端面の外側に設けられている。この屈曲部４８は、金属平板の中間部分を２回折り曲げて構成されており、第２折り曲げ部４８ｂと第３折り曲げ部４８ｃとを有している。
【００５９】
図５に示すように、接続端子４４は、計４箇所で折り曲げられており、折り曲げ部分としては、金属平板の他方の端部から中間部分へ至る部分において折り曲げられた第１折り曲げ部４８ａと、金属平板の中間部分において折り曲げられた第２折り曲げ部４８ｂおよび第３折り曲げ部４８ｃと、金属平板の一方の端部から中間部分へ至る部分において折り曲げられた第４折り曲げ部４８ｄとがある。
【００６０】
屈曲部４８は、第２折り曲げ部４８ｂおよび第３折り曲げ部４８ｃを含む一方で、第１折り曲げ部４８ａおよび第４折り曲げ部４８ｄを含まない。すなわち、第１折り曲げ部４８ａは、外部電極２２に接触し、セラミックコンデンサ素子１１から離れた部分となっていないため、屈曲部４８には含まれない。また、第４折り曲げ部４８ｄは、基板電極１４に接触し、回路基板１３から離れた部分となっていないため、屈曲部４８には含まれない。一方で、第２折り曲げ部４８ｂおよび第３折り曲げ部４８ｃは、回路基板１３およびセラミックコンデンサ素子１１から離れた部分となっているため、屈曲部４８に含まれる。
【００６１】
以上の構成においても、接続端子４４が、屈曲部４８を有することにより、屈曲部４８が、セラミックコンデンサ素子１１の振動を吸収することができるため、セラミックコンデンサ素子１１から回路基板１３へ向けて伝播される振動を抑制でき、回路基板１３において発生する振動音の大きさを好適に低減することができる。
【００６２】
また、屈曲部４８をセラミックコンデンサ素子１１の端面の外側に設けることができるため、セラミックコンデンサ素子１１が、電歪効果により左右方向に振動した場合であっても、この振動を好適に吸収することができる。加えて、屈曲部４８をセラミックコンデンサ素子１１の端面の外側に設けることで、屈曲部４８は、第２折り曲げ部４８ｂと第３折り曲げ部４８ｃとの間の長さを、セラミックコンデンサ素子１１の高さ方向に長くとることができる。このため、屈曲部４８は、第１および第２実施形態に比して、ばね定数Ｋを効率よく小さくすることができ、セラミックコンデンサ素子１１の振動をより吸収することができる。
【００６３】
なお、第３実施形態のセラミックコンデンサ４１でも、屈曲部４８の折り曲げ回数を２回以上としてもよい。また、後述では、第３実施形態のセラミックコンデンサ４１において、屈曲部４８の折り曲げ回数を変化させた場合の振動音の大きさの変化を測定し、測定結果を比較している。
【実施例】
【００６４】
表１を参照して、第１実施形態のセラミックコンデンサ１０における実施例および比較例の振動音の音圧と、第２実施形態のセラミックコンデンサ３１における実施例および比較例の振動音の音圧と、第３実施形態のセラミックコンデンサ４１における実施例および比較例の振動音の音圧とを比較する。なお、本発明のセラミックコンデンサ１０，３１，４１は、以下の実施例に限定されるものではない。また、測定対象となるセラミックコンデンサ素子１１は、幅Ｗが２．５ｍｍ、高さＨが２．５ｍｍ、長さＬが３．２ｍｍに形成される。
【００６５】
【表１】
2012033651.tif 000004
【００６６】
表１において、比較対象の基準となる従来のセラミックコンデンサの構成を、図６に示す。図６は、従来のセラミックコンデンサを幅方向に直交する面で切断した断面図である。図６に示すように、従来のセラミックコンデンサ６１は、第２実施形態のセラミックコンデンサ３１において、屈曲部３８の折り曲げ回数を０回としたものである。簡単に説明すると、従来のセラミックコンデンサ６１は、その接続端子６２が、帯状の金属平板をＬ字状に折り曲げて形成されている。接続端子６２は、セラミックコンデンサ素子１１の外部電極２２の端面にはんだ１６を介して接合される長辺部６３と、回路基板１３の基板電極１４にはんだ１６を介して接合される短辺部６４とを有している。そして、上記の従来のセラミックコンデンサ６１を比較例２−１としており、比較例２−１のセラミックコンデンサ６１の振動音の音圧を基準音圧である「１００％」としている。
【００６７】
ここで、第１実施形態のセラミックコンデンサ１０において、屈曲部２８の折り曲げ回数を１回としたものを比較例１としている。また、第１実施形態のセラミックコンデンサ１０において、屈曲部２８の折り曲げ回数を２回としたものを実施例１−１としている。さらに、第１実施形態のセラミックコンデンサ１０において、屈曲部２８の折り曲げ回数を３回としたものを実施例１−２としている。
【００６８】
第２実施形態のセラミックコンデンサ３１において、屈曲部３８の折り曲げ回数を１回としたものを比較例２−２としている。また、第２実施形態のセラミックコンデンサ３１において、屈曲部３８の折り曲げ回数を２回としたものを実施例２−１としている。さらに、第２実施形態のセラミックコンデンサ３１において、屈曲部３８の折り曲げ回数を３回としたものを実施例２−２としている。
【００６９】
第３実施形態のセラミックコンデンサ４１において、屈曲部４８の折り曲げ回数を１回としたものを比較例３としている。また、第３実施形態のセラミックコンデンサ４１において、屈曲部４８の折り曲げ回数を２回としたものを実施例３−１としている。さらに、第３実施形態のセラミックコンデンサ４１において、屈曲部４８の折り曲げ回数を４回としたものを実施例３−２としている。
【００７０】
（振動音の測定）
各セラミックコンデンサ１０，３１，４１，６１を回路基板１３に搭載して交流電圧を印加した際に、回路基板１３から発生する振動音の大きさ（音圧）を測定した。図７は、音圧の測定を行なう際に用いた試験装置の構成を簡略に示す模式図である。図７に示すように、試験装置５０は、無響箱５１と、集音マイク（商品名；ＭＩ−１２３３、小野測器社製）５２と、電源装置５３と、ＦＦＴアナライザ（商品名：ＤＳ２１００、小野測器社製）５４とを備えている。そして、測定対象となるセラミックコンデンサ５５は、回路基板５６に設置された状態で、無響箱５１内に設置される。なお、セラミックコンデンサ５５は、第１実施形態から第３実施形態までのセラミックコンデンサ１０，３１，４１、および従来のセラミックコンデンサ６１に相当するものであり、回路基板５６は、回路基板１３に相当するものである。セラミックコンデンサ５５を設置した回路基板５６は、その両端に正負一対の電極がそれぞれ設けられる。
【００７１】
無響箱５１は、箱状に形成され、その内壁に吸音材５７が設けられている。吸音材５７は、グラスウール等を用いており、その表面を波型などに形成することで、音波の接触面積を拡大させ、吸音効果を高めている。
【００７２】
電源装置５３は、一対の配線５８を介して、回路基板５６の正負一対の電極にそれぞれ接続されており、回路基板５６は、配線５８に吊り下げられた状態で、セラミックコンデンサ５５が無響箱５１内の底面に対向するように、無響箱５１の中央部分に配置される。電源装置５３は、セラミックコンデンサ５５へ向けて、周波数を１ｋＨｚ〜１０ｋＨｚとし、ＤＣバイアス２０Ｖとして、３Ｖｐ−ｐの交流電圧を印加した。
【００７３】
集音マイク５２は、無響箱５１内の底面に設けられ、無響箱５１の中央部分に設置されたセラミックコンデンサ５５と所定距離を保つようにして配置される。ＦＦＴアナライザ５４は、集音マイク５２により集音された振動音の大きさ（音圧）を解析した。
【００７４】
従って、試験装置５０において、電源装置５３が回路基板５６へ向けて所定の交流電圧を印加すると、セラミックコンデンサ５５で振動が発生し、セラミックコンデンサ５５の振動が回路基板５６に伝達され、回路基板５６から振動音が発生する。この振動音を、集音マイク５２を用いて集音し、集音した振動音を、ＦＦＴアナライザ５４で解析することで、回路基板１３から発生する振動音の大きさ（音圧）を測定した。なお、音圧は、比較例２−１のセラミックコンデンサ６１を用いた場合に生じた振動音の音圧の８０％以下に低下させられれば音圧の抑制効果が良好であると判断した。
【００７５】
表１に示すように、折り曲げ回数が１回である比較例１のセラミックコンデンサ１０は、その音圧が９８％であり、比較例２−２のセラミックコンデンサ３１は、その音圧が９７％であり、比較例３のセラミックコンデンサ４１は、その音圧が９８％である。以上から、折り曲げ回数が１回である場合は、振動音を低減することは困難であることが分かった。
【００７６】
折り曲げ回数が２回である実施例１−１のセラミックコンデンサ１０は、その音圧が６５％であり、実施例２−１のセラミックコンデンサ３１は、その音圧が７１％であり、実施例３−１のセラミックコンデンサ４１は、その音圧が６６％である。以上から、折り曲げ回数が２回である場合は、折り曲げ回数が１回である場合に比して、振動音を大きく低減できることが分かった。
【００７７】
折り曲げ回数が３回である実施例１−２のセラミックコンデンサ１０は、その音圧が５７％であり、実施例２−２のセラミックコンデンサ３１は、その音圧が６０％であり、折り曲げ回数が４回である実施例３−２のセラミックコンデンサ４１は、その音圧が５３％である。以上から、折り曲げ回数が２回以上である場合は、折り曲げ回数が２回である場合に比して、振動音をさらに低減できることが分かった。
【００７８】
以上の比較結果から、第１、第２および第３実施形態のセラミックコンデンサ１０，３１，４１において、屈曲部２８，３８，４８の折り曲げ回数が２回以上であれば、振動音の大きさを好適に低減できることが判明した。これにより、折り曲げ回数が２回以上の屈曲部２８，３８，４８を有する第１、第２および第３実施形態のセラミックコンデンサ１０，３１，４１を、回路基板１３に搭載すれば、回路基板１３から発生する振動音の大きさを低減できる。また、複数のセラミックコンデンサ１０，３１，４１を回路基板１３に搭載したときに発生する共振による振動音の増大も抑制することが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００７９】
以上のように、本発明に係るセラミックコンデンサは、積層セラミックコンデンサを用いる場合において有用であり、特に、セラミックコンデンサが回路基板に実装される場合に適している。
【符号の説明】
【００８０】
１０  セラミックコンデンサ
１１  セラミックコンデンサ素子
１２  接続端子
１３  回路基板
１４  基板電極
１５  配線
１６  はんだ
２１  誘電体素体
２２  外部電極
２３  誘電体
２４  内部電極
２６  基板接続部
２７  素子接続部
２８  屈曲部
３１  セラミックコンデンサ（第２実施形態）
３４  接続端子（第２実施形態）
３６  基板接続部（第２実施形態）
３７  素子接続部（第２実施形態）
３８  屈曲部（第２実施形態）
４１  セラミックコンデンサ（第３実施形態）
４４  接続端子（第３実施形態）
４６  基板接続部（第３実施形態）
４７  素子接続部（第３実施形態）
４８  屈曲部（第３実施形態）
Ｄ    間隙部分
【図１】
2012033651.tif 000005
【図２】
2012033651.tif 000006
【図３】
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【図４】
2012033651.tif 000008
【図５】
2012033651.tif 000009
【図６】
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【図７】
2012033651.tif 000011