(57)【要約】【課題】有機ＥＬ素子を封止する際の封止空間内の圧力上昇を防止する。【解決手段】ＥＬ基板１０と封止基板９との間であって、有機ＥＬ素子４０よりも外側部分に、一部に脱気孔５が形成されるように封止材４を配置し、次に、ＥＬ基板１０と封止基板９とを、脱気孔５が形成された位置と反対側から接近させ、次に、ＥＬ基板１０及び封止基板９により、封止材４を脱気孔５が形成された位置と反対側から押しつぶすことで、ＥＬ基板１０と封止基板９との間の気体を脱気孔５から排出し、脱気孔５が形成された位置の封止材４を最後に押しつぶすことで、脱気孔５を塞ぐ発光パネル１の製造方法である。【選択図】図２３
2012064365.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一基板に発光素子を形成し、
第二基板に、前記第一基板の発光素子が形成された領域に対応する領域の外周部を囲むように、一部に孔を有する環状に封止材を形成し、
前記第一基板の発光素子が形成された面側と前記第二基板の前記封止材が形成された面側とを対向させ、前記第一基板に、前記第二基板に形成された前記封止材を前記孔が形成された位置と反対側から接触させることで、前記第一基板と前記第二基板との間の気体を前記孔から排出することを特徴とする発光パネルの製造方法。
【請求項２】
前記孔が形成された位置の前記封止材を最後に押しつぶすことで、前記孔を塞ぐことを特徴とする請求項１に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項３】
前記孔は前記第二基板の第一の辺に沿って設けられており、
前記孔が形成された位置と反対側とは、前記第二基板の前記第一の辺と対向する第二の辺側であることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項４】
前記封止材は、熱硬化性樹脂又は紫外線硬化樹脂からなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項５】
前記封止材にはスペーサが含まれていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光パネルの製造方法。
【請求項６】
一方の面に発光素子が形成された第一基板を支持する第一基板支持部と、
前記発光素子を封止する第二基板を前記第一基板と対向させた状態で保持する第二基板保持部と、
前記第一基板支持部と前記第二基板保持部との距離を調整する距離調整機構と、
前記第一基板支持部と前記第二基板保持部との角度を調整する角度調整機構と、
前記距離調整機構及び前記角度調整機構を制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記距離調整機構及び前記角度調整機構を駆動して、前記第一基板と前記第二基板との間であって、前記発光素子の外側部分に、一部に孔が形成されるように環状に封止材を配置された状態で、前記第一基板と前記第二基板とを、前記孔と反対側から接近させ、
前記第一基板及び前記第二基板により、前記封止材を前記孔が形成された位置と反対側から押しつぶすことで、前記第一基板と前記第二基板との間の気体を前記孔から排出し、
前記孔が形成された位置の前記封止材を最後に押しつぶすことで、前記孔を塞ぐことを特徴とする発光パネルの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光パネルの製造方法及び発光パネルの製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）はカソード電極とアノード電極との間に例えば電子注入層、発光層、正孔注入層が介在した積層構造を為している。アノード電極とカソード電極の間に順バイアス電圧が印加されると、電子注入層から発光層に電子が注入され、正孔注入層から発光層に正孔が注入され、発光層内で電子と正孔が再結合を引き起こして発光層が発光する。
【０００３】
発光層や正孔注入層は有機化合物からなり、これらの材料を溶媒に溶かした有機化合物溶液を各画素の電極上に塗布し、乾燥させることで形成される（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
発光層や正孔注入層等の有機化合物層は、水分と接触すると発光特性が劣化してしまう。このため、有機ＥＬ素子を外気から遮断するために、複数の有機ＥＬ素子が形成されたＥＬ基板に対して、有機ＥＬ素子が形成された面に封止基板を対向させるとともに、有機ＥＬ素子が形成された領域を囲むように封止材を配置し、ＥＬ基板と封止基板とを貼り合わせた後、その封止材を硬化させることで有機ＥＬ素子を封入する方法がある(例えば、特許文献２参照)。また、ＥＬ基板と封止基板との間の空間（封止空間）に不活性ガスを封入する方法もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２３４３９１号公報
【特許文献２】特開２００６−１９６４２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、ＥＬ基板の有機ＥＬ素子が形成された領域を囲むように封止材を環状に配置した状態で、封止基板を有機ＥＬ素子が形成された面に対向させて近づけていくと、ＥＬ基板と封止基板とが近づくにつれて、封止材が圧縮され薄くなる。すると、ＥＬ基板、封止基板、封止材により封止された封止空間の体積が小さくなるため、封止空間内の気体が圧縮され、圧力が上昇する。圧力が一定以上高くなると、シールパンクや、ＥＬ基板及び封止基板の変形が生じるおそれがある。
【０００７】
本発明の課題は、有機ＥＬ素子を封止する際の封止空間内の圧力上昇を防止することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
以上の課題を解決するため、本発明の一の態様によれば、第一基板に発光素子を形成し、第二基板に、前記第一基板の発光素子が形成された領域に対応する領域の外周部を囲むように、一部に孔を有する環状に封止材を形成し、前記第一基板の発光素子が形成された面側と前記第二基板の前記封止材が形成された面側とを対向させ、前記第一基板に、前記第二基板に形成された前記封止材を前記孔が形成された位置と反対側から接触させることで、前記第一基板と前記第二基板との間の気体を前記孔から排出することを特徴とする発光パネルの製造方法が提供される。
【０００９】
前記孔が形成された位置の前記封止材を最後に押しつぶすことで、前記孔を塞ぐことを特徴とする。
前記孔は前記第二基板の第一の辺に沿って設けられており、前記孔が形成された位置と反対側とは、前記第二基板の前記第一の辺と対向する第二の辺側であることを特徴とする。
前記封止材は、熱硬化性樹脂又は紫外線硬化樹脂からなることを特徴とする。
前記封止材にはスペーサが含まれていることを特徴とする。
【００１０】
本発明の他の態様によれば、一方の面に発光素子が形成された第一基板を支持する第一基板支持部と、前記発光素子を封止する第二基板を前記第一基板と対向させた状態で保持する第二基板保持部と、前記第一基板支持部と前記第二基板保持部との距離を調整する距離調整機構と、前記第一基板支持部と前記第二基板保持部との角度を調整する角度調整機構と、前記距離調整機構及び前記角度調整機構を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記距離調整機構及び前記角度調整機構を駆動して、前記第一基板と前記第二基板との間であって、前記発光素子の外側部分に、一部に孔が形成されるように環状に封止材を配置された状態で、前記第一基板と前記第二基板とを、前記孔と反対側から接近させ、前記第一基板及び前記第二基板により、前記封止材を前記孔が形成された位置と反対側から押しつぶすことで、前記第一基板と前記第二基板との間の気体を前記孔から排出し、前記孔が形成された位置の前記封止材を最後に押しつぶすことで、前記孔を塞ぐことを特徴とする発光パネルの製造装置が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、有機ＥＬ素子を封止する際の封止空間内の圧力上昇を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】有機ＥＬディスプレイパネル１の模式的な平面図である。
【図２】図１のII−II矢視断面図である。
【図３】有機ＥＬディスプレイパネル１における１つの画素ＰＸの回路図である。
【図４】１つの画素ＰＸを示す平面図である。
【図５】図４のIV−IV矢視断面図である。
【図６】図４のV−V矢視断面図である。
【図７】図４のVI−VI矢視断面図である。
【図８】図１のVII−VII矢視断面図である。
【図９】図７と同じ断面における有機ＥＬディスプレイパネル１の製造工程について説明するための断面図である。
【図１０】図７と同じ断面における有機ＥＬディスプレイパネル１の製造工程について説明するための断面図である。
【図１１】図７と同じ断面における有機ＥＬディスプレイパネル１の製造工程について説明するための断面図である。
【図１２】図７と同じ断面における有機ＥＬディスプレイパネル１の製造工程について説明するための断面図である。
【図１３】図７と同じ断面における有機ＥＬディスプレイパネル１の製造工程について説明するための断面図である。
【図１４】図７と同じ断面における有機ＥＬディスプレイパネル１の製造工程について説明するための断面図である。
【図１５】図７と同じ断面における有機ＥＬディスプレイパネル１の製造工程について説明するための断面図である。
【図１６】図７と同じ断面における有機ＥＬディスプレイパネル１の製造工程について説明するための断面図である。
【図１７】封止装置１００Ａの立面図である。
【図１８】図１７のXVIII矢印方向から見たトランジスタアレイパネル１０及び封止基板９を示す立面図である。
【図１９】図１７のXVIII矢印方向から見た封止基板９の下面図である。
【図２０】封止装置１００Ａの立面図である。
【図２１】図２０のXXI矢印方向から見たトランジスタアレイパネル１０及び封止基板９を示す立面図である。
【図２２】図２１のXXII矢印方向から見た封止基板９の下面図である。
【図２３】封止装置１００Ａの立面図である。
【図２４】図２３のXXIV矢印方向から見たトランジスタアレイパネル１０及び封止基板９を示す立面図である。
【図２５】図２３のXXV矢印方向から見た封止基板９の下面図である。
【図２６】封止装置１００Ａの立面図である。
【図２７】図２６のXXVII矢印方向から見たトランジスタアレイパネル１０及び封止基板９を示す立面図である。
【図２８】図２６のXXVIII矢印方向から見た封止基板９の下面図である。
【図２９】封止装置１００Ｂによる有機ＥＬ素子４０の封止方法を示す図である。
【図３０】封止装置１００Ｂによる有機ＥＬ素子４０の封止方法を示す図である。
【図３１】封止装置１００Ｂによる有機ＥＬ素子４０の封止方法を示す図である。
【図３２】封止装置１００Ｂによる有機ＥＬ素子４０の封止方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、本発明を実施するための最良の形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。また、以下の説明において、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence）という用語をＥＬと略称する。
【００１４】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイパネル１の模式的な平面図であり、図２は図１のII−II矢視断面図である。図１、図２に示すように、有機ＥＬディスプレイパネル１は、透明基板２の中央部に複数の画素ＰＸ（有機ＥＬ素子４０を有する）が形成されるとともに、複数の画素ＰＸが形成された領域（画素領域）の外周部を囲むように封止材４が設けられ、封止材４を介して透明基板２と封止基板９とが対向配置されている。透明基板２と封止基板９との間であって、封止材４により封止された領域が封止空間３である。
【００１５】
この有機ＥＬディスプレイパネル１においては、赤、青及び緑の画素ＰＸによって１ドットの画素が構成され、このような画素が表示領域全域にマトリクス状に配列されている。図１の横方向の配列に着目すると赤の画素ＰＸ、青の画素ＰＸ、緑の画素ＰＸの順に繰り返し配列され、図１の縦方向の配列に着目すると同じ色が一列に配列されている。
【００１６】
この有機ＥＬディスプレイパネル１においては、画素ＰＸに各種の信号を出力するために、複数の信号線Ｌｄ、走査線Ｌｓ、及び共通電源線Ｌａが設けられている。走査線Ｌｓと、信号線Ｌｄとは、互いに直交する方向に延在している。図１の縦方向に信号線Ｌｄが、横方向に走査線Ｌｓ及び共通電源線Ｌａが延在している。
信号線Ｌｄ、走査線Ｌｓ、及び共通電源線Ｌａの端部には、それぞれ端子ＰＬｄ、ＰＬｓ、ＰＬａが設けられている。また、画素ＰＸに共通するカソードＣの端子ＰＬｃが設けられている。
【００１７】
図３は、有機ＥＬディスプレイパネル１の１つの画素ＰＸにおけるスイッチング素子の回路図である。画素ＰＸは、３つのｎチャネル型トランジスタ１１、１２、１３、キャパシタＣＳと、を有する画素回路ＰＣ及び有機ＥＬ素子４０を有する。３つのｎチャネル型トランジスタ１１、１２、１３及びキャパシタＣＳは、信号線Ｌｄ及び走査線Ｌｓの入力信号に応じて共通電源線Ｌａから供給される電力を有機ＥＬ素子４０に供給する。
【００１８】
図４は１つの画素ＰＸを示す平面図であり、図５は図４のIV−IV矢視断面図であり、図６は図４のV−V矢視断面図であり、図７は図４のVI−VI矢視断面図であり、図８は図４のVII−VII矢視断面図である。なお、図１と図４の縦横方向は対応している。
【００１９】
図４〜図８に示すように、透明な絶縁基板２の上に、キャパシタＣＳの第一電極ＣＳ１が設けられている。第一電極ＣＳ１は透明な導電性膜からなる。このような第一電極ＣＳ１は、例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又はカドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ）を成膜し、フォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いてパターニングすることによって形成することができる。
【００２０】
また、絶縁基板２の上には、トランジスタ１１、１２、１３のゲート電極１１Ｇ、１２Ｇ、１３Ｇ、及び信号線Ｌｄが設けられている。なお、図４に示すように、ゲート電極１１Ｇ、１２Ｇは一体に形成されている。また、ゲート電極１３Ｇは、図４、図５に示すように、一部で第一電極ＣＳ１と重なるように形成されている。
ゲート電極１１Ｇ、１２Ｇ、１３Ｇ、信号線Ｌｄは、例えばＡｌ、ＡｌＴｉ、ＡｌＴｉＮｄ、ＭｏＮｂ等の金属薄膜（ゲートメタル）をパターニングすることで形成される。
【００２１】
ゲート電極１１Ｇ、１２Ｇ、１３Ｇ、第一電極ＣＳ１、信号線Ｌｄは共通のゲート絶縁膜３１によって被覆されている。ゲート絶縁膜３１はＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の無機絶縁体をＣＶＤ法もしくはスパッタ法で成膜することにより形成することができる。
【００２２】
ゲート絶縁膜３１には、図５に示すように、第一電極ＣＳ１の上部であってトランジスタ１１のソース電極１１Ｓと重なる部分にコンタクトホール３１ａが形成されている。また、図６に示すように、信号線Ｌｄの上部であってトランジスタ１２のドレイン電極１２Ｄと重なる部分にコンタクトホール３１ｂが形成されている。同様に、図４に示すように、トランジスタ１２のゲート電極１２Ｇの上部であって走査線Ｌｓと重なる部分にコンタクトホール３１ｃが形成されている。
【００２３】
図４〜図８に示すように、ゲート絶縁膜３１の上面には、半導体膜２１、チャネル保護膜２２、ｎ型半導体膜２３が順に形成されている。また、ｎ型半導体膜２３の上面には、トランジスタ１１、１２、１３のソース電極１１Ｓ、１２Ｓ、１３Ｓ及びドレイン電極１１Ｄ、１２Ｄ、１３Ｄ、走査線Ｌｓ及び共通電源線Ｌａが設けられている。ソース電極１１Ｓ、１２Ｓ、１３Ｓ及びドレイン電極１１Ｄ、１２Ｄ、１３Ｄ、走査線Ｌｓ及び共通電源線Ｌａは、共通の金属層（ドレインメタル）からなる。
【００２４】
半導体膜２１は、ソース電極１１Ｓ、１２Ｓ、１３Ｓ、ドレイン電極１１Ｄ、１２Ｄ、１３Ｄ、走査線Ｌｓ、共通電源線Ｌａが形成される領域、及び、ゲート電極１１Ｇ、１２Ｇ、１３Ｇの上方に形成されている。半導体膜２１はアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）等を成膜しパターニングしてなる。
【００２５】
チャネル保護膜２２は半導体膜２１の上部であって、ゲート電極１１Ｇ、１２Ｇ、１３Ｇの上方に形成されている。チャネル保護膜２２は、ＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の無機絶縁体を成膜しパターニングしてなる。
ｎ型半導体膜２３は、半導体膜２１の上面に形成されるとともに、一部がチャネル保護膜２２と重なるように設けられている。
【００２６】
共通電源線Ｌａはマトリクス状に配列される画素電極４１の間に、横方向に形成されている。また、共通電源線Ｌａはトランジスタ１１、１３のドレイン電極１１Ｄ、１３Ｄと一体に形成されている。ドレイン電極１１Ｄ、１３Ｄは、一部がゲート電極１１Ｇ、１３Ｇと重なるように形成されている。
【００２７】
走査線Ｌｓは、マトリクス状に配列される画素電極４１の間に、共通電源線Ｌａと平行に横方向に形成されている。また、走査線Ｌｓの一部はゲート電極１２Ｇとが重なる位置に形成されている。走査線Ｌｓの一部がコンタクトホール３１ｃ内に形成されることで、走査線Ｌｓとゲート電極１２Ｇとが導通する。
【００２８】
ソース電極１１Ｓは一端がゲート電極１１Ｇ、他端が第一電極ＣＳ１と重なるように形成されている。図５に示すように、ソース電極１１Ｓの一部がコンタクトホール３１ａ内に形成されることで、ソース電極１１Ｓと第一電極ＣＳ１とが導通する。
ドレイン電極１２Ｄは一部が信号線Ｌｄと重なるように形成されている。図６に示すように、ドレイン電極１２Ｄの一部がコンタクトホール３１ｂ内に形成されることで、ドレイン電極１２Ｄと信号線Ｌｄとが導通する。
【００２９】
ソース電極１２Ｓ、１３Ｓは、一部がゲート電極１２Ｇ、１３Ｇの上方に重なるように形成されている。
ソース電極１２Ｓ、１３Ｓの上部には、一部にキャパシタＣＳの第二電極ＣＳ２が重なるように形成される。なお、第二電極ＣＳ２は有機ＥＬ素子４０の画素電極４１を兼ねている。
【００３０】
画素電極４１は透明な導電性膜をフォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いてパターニングすることによって形成される。このような導電性膜としては、例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又はカドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ）を用いることができる。
有機ＥＬ素子４０の画素電極４１はキャパシタＣＳの第二電極ＣＳ２を兼ねており、マトリクス状に配列されている。
【００３１】
半導体膜２１、チャネル保護膜２２、ｎ型半導体膜２３、ソース電極１１Ｓ、１２Ｓ、１３Ｓ、ドレイン電極１１Ｄ、１２Ｄ、１３Ｄ、第二電極ＣＳ２（画素電極４１）、走査線Ｌｓ及び共通電源線Ｌａは、共通の層間絶縁膜３２によって被覆されている。層間絶縁膜３２はＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の無機絶縁体をＣＶＤ法もしくはスパッタ法で成膜することにより形成することができる。
【００３２】
また、層間絶縁膜３２には、図５、図７に示すように、画素電極４１の少なくとも一部を露出させる開口部３３が形成されている。開口部３３が形成されることにより層間絶縁膜３２は画素電極４１の間を縫うように網目状に形成されるとともに画素電極４１の一部外縁部に重なり、画素電極４１を囲繞している。
【００３３】
画素電極４１の外縁部、及び、走査線Ｌｓ、補助共通電源線ｓＬａは、共通の層間絶縁膜３２により被覆されている。
なお、絶縁基板２から層間絶縁膜３２までの積層構造がトランジスタアレイパネル１０（ＥＬ基板）である。
【００３４】
層間絶縁膜３２の上部には、網目状の隔壁６が形成されている。隔壁６の開口８からは少なくとも一部の画素電極４１が露出している。
隔壁６は、例えばポリイミド等のポジ型の感光性樹脂により形成されたものであり、トランジスタ１１、１２、１３の各電極、信号線Ｌｄ、走査線Ｌｓ、共通電源線Ｌａ、よりも十分に厚い。隔壁６は、感光性樹脂をトランジスタアレイパネル１０上に塗布し、フォトマスクを用いてパターニングすることで形成される。
【００３５】
開口８、開口部３３より露出された画素電極４１及び隔壁６には、正孔注入層４２が設けられている。正孔注入層４２は、画素電極４１から担体輸送層４３に向けて正孔を注入する機能を有する。この正孔注入層４２は、遷移金属酸化物である酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化タングステン、酸化チタン等をスパッタリングすることで形成することができる。特に酸化モリブデンであることが好ましい。
【００３６】
正孔注入層４２の上部であって開口８、開口部３３内には、担体輸送層４３、発光層４４が順に形成されている。担体輸送層４３は、導電性高分子であるＰＥＤＯＴ及びドーパントであるＰＳＳからなり、発光層４４は、ポリフェニレンビニレン系発光材料やポリフルオレン系発光材料等の共役ポリマーからなる。サブピクセルが赤の場合には発光層４４が赤色に発光し、サブピクセルが緑の場合には発光層４４が緑色に発光し、サブピクセルが青の場合には発光層４４が青色に発光するように、それぞれの材料を設定する。この担体輸送層４３、発光層４４の積層構造が有機ＥＬ層である。
【００３７】
担体輸送層４３及び発光層４４は、湿式塗布法（例えば、インクジェットプリント法）によって成膜される。この場合、担体輸送層４３となるＰＥＤＯＴ及びＰＳＳを含有する有機化合物含有液を画素電極４１に塗布して成膜し、その後、発光層４４となる共役ポリマー発光材料を含有する有機化合物含有液を塗布して成膜する。なお、厚膜の隔壁６が設けられるので、隣り合う画素電極４１に塗布された有機化合物含有液が隔壁６を越えて混ざり合うことを防止することができる。
【００３８】
なお、発光層４４の上にさらに電子輸送層を設けても良い。また、有機ＥＬ層は画素電極４１の上に形成された発光層、電子輸送層からなる二層構造であっても良いし、担体輸送層と発光層との組合せは任意に設定できる。また、これらの層構造において適切な層間に担体輸送を制限するインタレイヤ層が介在した積層構造であってもよいし、その他の積層構造であってもよい。
【００３９】
担体輸送層４３及び発光層４４が形成されていない正孔注入層４２の上部、及び、発光層４４の上部には、有機ＥＬ素子４０のカソードＣの一部となる電子注入層４５がべた一面に成膜されている。電子注入層４５は、画素電極４１よりも仕事関数の低い材料で形成されており、例えば、インジウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム、バリウム等のアルカリ金属またはアルカリ土類金属、または希土類金属の少なくとも一種を含む単体又は合金より１〜１０ｎｍの厚さに形成されている。あるいは、電子注入層４５は、上記各種材料の層が積層された積層構造となっていても良い。
【００４０】
電子注入層４５の上部には、例えばアルミニウム、クロム、銀やパラジウム銀系の合金等の導電性材料を気相成長法によって成膜されたカソードＣの一部となる対向電極（第２電極）４６が形成されている。
画素電極４１、正孔注入層４２、有機ＥＬ層（担体輸送層４３及び発光層４４）、電子注入層４５、対向電極４６の順に積層されたものが有機ＥＬ素子４０である。
【００４１】
対向電極４６は、図８に示すように、トランジスタアレイパネル１０の外周部において、層間絶縁膜３２に設けられたコンタクトホール３２ｅを介して、ゲート絶縁膜３１上に半導体膜２１、ｎ型半導体膜２３を介して形成された配線２６と接続されている。配線２６は、ソース電極１１Ｓ、１２Ｓ、１３Ｓ及びドレイン電極１１Ｄ、１２Ｄ、１３Ｄ、走査線Ｌｓ及び共通電源線Ｌａと共通の金属層からなる。
【００４２】
配線２６は、ゲート絶縁膜３１に形成されたコンタクトホール３１ｄを介して、絶縁基板２上に形成されたパッド層１４Ｐと接続されている。パッド層１４Ｐは、ゲート電極１１Ｇ、１２Ｇ、１３Ｇ、信号線Ｌｄと同様に、ゲートメタルをパターニングすることで形成される。
また、配線２６は、コンタクトホール３１ｄ内において層間絶縁膜３２に形成されたコンタクトホール３２ｆを介して、パッド層３９と接続されている。パッド層３９は、例えばＡｌ、ＡｌＴｉ、ＡｌＴｉＮｄ等、少なくともＡｌを含む合金、銅または銀、および銅または銀を含む合金のいずれかからなり、例えばスパッタ法で厚さ約２００〜５００ｎｍの金属膜を成膜した後、感光性レジストを用いてエッチングすることで形成することができる。
パッド層３９は、コンタクトホール３２ｆ内において層間絶縁膜３２に形成されたコンタクトホール３３ｂにより露出されている。この露出部分により外部配線と接続される。
【００４３】
上記の有機ＥＬ素子４０が形成されたトランジスタアレイパネル１０には、図５〜図８に示すように、対向電極４６の上面にパッシベーション膜４７が形成される。パッシベーション膜４７は、例えばアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）、ＳｉＡｌＯＮ等をスパッタリングすることにより成膜することができる。
【００４４】
パッシベーション膜４７まで形成されたトランジスタアレイパネル１０の、画素領域の外周部には、図１、図２に示すように、封止材４が塗布され、封止材４により絶縁基板２と封止基板９とを接合することで有機ＥＬ素子４０が封止される。封止材４は、例えばエポキシ系熱硬化樹脂、エポキシ系紫外線硬化樹脂等が用いられる。透明基板２と封止基板９との間であって、封止材４により封止された封止空間３には、窒素、希ガス等の不活性ガスが封入される。
【００４５】
以上の構造の有機ＥＬディスプレイパネル１では、有機ＥＬ素子４０がボトムエミッション型の発光構造を有するので、有機ＥＬ層４２で発光した光は、画素電極４１及び絶縁基板２を介して、絶縁基板２の他面側（図５〜図８の下方）に放射される。
【００４６】
次に、有機ＥＬディスプレイパネル１の製造工程について図９〜図１６を用いて説明する。
まず、図９に示すように、透明電極膜を成膜し、パターニングすることで第一電極ＣＳ１を形成する。
次に、図１０に示すように、Ａｌ、ＡｌＴｉ、ＡｌＴｉＮｄ等の金属によりゲートメタル層を形成し、パターニングすることによりゲート電極１１Ｇ、１２Ｇ、１３Ｇ、第一電極ＣＳ１、信号線Ｌｄ、パッド層１４Ｐを形成する。
【００４７】
次に、図１１に示すように、ゲート絶縁膜３１、半導体膜２１を順にべた一面に形成する。次に、半導体膜２１の上部にＳｉＯ２、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の無機絶縁体を成膜し、パターニングすることでチャネル保護膜２２を形成する。
【００４８】
次に、図１２に示すように、ｎ型半導体膜２３をべた一面に形成する。次に、ドライエッチングを行うことによりゲート絶縁膜３１にコンタクトホール３１ａ〜３１ｃを形成する。
【００４９】
次に、ドレインメタル層をべた一面に形成し、図１３に示すように、半導体膜２１及びｎ型半導体膜２３とともにパターニングすることで、ソース電極１１Ｓ、１２Ｓ、１３Ｓ、ドレイン電極１１Ｄ、１２Ｄ、１３Ｄ、走査線Ｌｓ、共通電源線Ｌａ、配線２６を形成する。
【００５０】
次に、図１４に示すように、透明電極膜を成膜し、パターニングすることで、第二電極ＣＳ２（画素電極４１）を形成する。
【００５１】
次に、図１５に示すように、層間絶縁膜３２をべた一面に形成し、パターニングするとともに、ドライエッチングを行うことにより、開口部３３、コンタクトホール３２ｅ、３２ｆを形成する。以上により、トランジスタアレイパネル１０が形成される。
【００５２】
次に、図１６に示すように、トランジスタアレイパネル１０の上面にポリイミド系等のポジ型の感光性樹脂材料を塗布し、露光・現像処理を行うことで隔壁６を形成する。
その後、正孔注入層４２、担体輸送層４３、発光層４４、電子注入層４５、対向電極４６、パッシベーション膜４７を順に形成することで、有機ＥＬ素子４０を形成する。
【００５３】
次に、封止材４を塗布した封止基板９をトランジスタアレイパネル１０の有機ＥＬ素子４０が形成された面に近づけ、有機ＥＬ素子４０を封止する。
【００５４】
ここで、有機ＥＬ素子４０を封止基板９により封止する封止装置１００Ａについて、図１７〜図２８を用いて説明する。図１７には、有機ＥＬ素子４０まで形成されたトランジスタアレイパネル１０、及び、トランジスタアレイパネル１０に対して封止材４が塗布された封止基板９を貼り付ける封止装置１００Ａが記載されている。
【００５５】
封止装置１００Ａは、図１７に示すように、角度調整盤１０１Ａと、ロッド１０２Ａ、１０３Ａ、１０５Ａと、モーターＭ１、Ｍ２と、距離調整盤１０４Ａと、下定盤１０６Ａと、モーターＭ１、Ｍ２を制御する図示しない制御部と、を備える。
角度調整盤１０１Ａは、封止基板９の封止材４が塗布された面を下に向けた状態で、真空吸着などによって封止基板９の上面を支持する平板である。
【００５６】
ロッド１０２Ａは、下端が角度調整盤１０１Ａに対して回動自在に取り付けられるとともに、上端が距離調整盤１０４Ａに対して固定されている。
ロッド１０３Ａは、下端が角度調整盤１０１Ａに対して回動自在に取り付けられるとともに、モーターＭ２により上下方向に移動可能に保持されている。モーターＭ２は距離調整盤１０４Ａの下部に固定されている。
モーターＭ１は距離調整盤１０４Ａの上部に固定されており、ロッド１０５Ａに対して上下方向に移動可能となるようにロッド１０５Ａを保持している。ロッド１０５Ａはこれらを収納する図示しないチャンバの天井に固定されている。なお、チャンバは、内部にトランジスタアレイパネル１０や封止基板９などを出し入れするために開閉できるドア部を備えている。
【００５７】
下定盤１０６Ａは、上面に有機ＥＬ素子４０まで形成されたトランジスタアレイパネル１０を、有機ＥＬ素子４０が形成された面を上に向けた状態で支持する平板である。
【００５８】
次に、封止装置１００Ａによる有機ＥＬ素子４０の封止方法について説明する。
まず、図１７に示すように、上面に有機ＥＬ素子４０まで形成されたトランジスタアレイパネル１０を下定盤１０６Ａ上に配置すると共に、封止材４が塗布された面を下にした状態の封止基板９を角度調整盤１０１Ａにより保持する。
【００５９】
図１８は図１７のXVIII矢印方向から見たトランジスタアレイパネル１０及び封止基板９を示す立面図であり、図１９は図１７のXVIII矢印方向から見た封止基板９の下面図である。図１９に示すように、封止材４には、略Ｃ字型に形成され、両端部に隙間５が形成されている。つまり、一部に隙間５を有する環状に形成されている。この隙間５が脱気孔となる。図１７、図１８に示すように、封止材４の隙間５が形成された側のほうが、トランジスタアレイパネル１０と封止基板９との距離が大きくなるように、角度調整盤１０１Ａが傾いている。このため、封止基板９は、トランジスタアレイパネル１０に対して傾けた状態で保持されている。
【００６０】
次に、モーターＭ１を駆動し、距離調整盤１０４Ａ以下の部分を下降させ、図２０に示すように、封止材４の一部がトランジスタアレイパネル１０に接触するまで傾けた状態の封止基板９を近づける。
【００６１】
図２１は図２０のXXI矢印方向から見たトランジスタアレイパネル１０及び封止基板９を示す立面図であり、図２２は図２１のXXII矢印方向から見た封止基板９の下面図である。図２１に示すように、この時点では、封止材４の隙間５が形成された側はまだトランジスタアレイパネル１０に接触していない。また、図２２に示すように、封止材４の形状は変化していない。
【００６２】
次に、モーターＭ１を駆動し、距離調整盤１０４Ａ以下の部分をさらに下降させ、図２３に示すように、傾けた状態の封止基板９とトランジスタアレイパネル１０とにより封止材４が押しつぶす。
【００６３】
図２４は図２３のXXIV矢印方向から見たトランジスタアレイパネル１０及び封止基板９を示す立面図であり、図２５は図２３のXXV矢印方向から見た封止基板９の下面図である。図２３、図２４に示すように、この時点では、封止材４の隙間５が形成された側はトランジスタアレイパネル１０に接触しているが、まだ形状を維持している。一方、図２５に示すように、封止材４の隙間５と反対側は、封止基板９とトランジスタアレイパネル１０との間に挟まれ、押しつぶされている。
なお、封止材４には、図示しないスペーサが含まれており、一定の厚さ以下に押しつぶされることがない。このため、距離調整盤１０４Ａは図２２に示す位置以下には下がらず、封止基板９と有機ＥＬ素子４０との接触を防ぐことができる。距離調整盤１０４Ａがこれ以上下がらなくなる位置でモーターＭ１は停止する。
【００６４】
隙間５を維持した状態で隙間５と反対側から封止材４を押しつぶすことで、トランジスタアレイパネル１０と封止基板９との間の気体を隙間５から封止材４に囲まれた空間の外部へ押し出すことができる。
【００６５】
次に、モーターＭ２を駆動し、ロッド１０３Ａを下降させることで、図２６に示すように、角度調整盤１０１Ａをトランジスタアレイパネル１０と平行にする。
【００６６】
図２７は図２６のXXVII矢印方向から見たトランジスタアレイパネル１０及び封止基板９を示す立面図であり、図２８は図２６のXXVIII矢印方向から見た封止基板９の下面図である。図２７、図２８に示すように、この時点で、封止材４全体が押しつぶされることにより、封止材４の両端部が接触し隙間５が塞がれる。つまり、隙間５が塞がると完全な環状となる。加熱又は紫外線照射等により封止材４を硬化させ、トランジスタアレイパネル１０と封止基板９とが固定する。以上により、有機ＥＬ素子４０の封止が終了し、有機ＥＬディスプレイパネル１が完成する。
【００６７】
以上の実施形態においては、封止材４の隙間５が形成された側と反対側から封止材４を押しつぶすことで、封止材４に囲まれた空間から気体を押し出すことができる。また、封止材４の隙間５が形成された側を最後に押しつぶすため、封止材４に囲まれた空間から気体を押し出した後で隙間５が塞がる。このため、封止材４に囲まれた封止空間３内の圧力上昇を抑えることができ、シールパンクや、トランジスタアレイパネル１０及び封止基板９の内圧による変形を抑えることができる。
【００６８】
なお、以上の実施形態においては、トランジスタアレイパネル１０を水平に保ち、封止基板９を傾けた状態で近づけたが、トランジスタアレイパネル１０を傾け、封止基板９を水平に保った状態で近づけてもよい。
【００６９】
〔変形例〕
図２９〜図３２は他の形態の封止装置１００Ｂによる有機ＥＬ素子４０の封止方法を示す図である。
封止装置１００Ｂは、距離調整盤１０４Ｂと、モーターＭ１と、ロッド１０５Ｂと、下定盤１０６Ｂと、を備える。
【００７０】
距離調整盤１０４Ｂは、真空吸着などによって封止基板９の上面を支持する。モーターＭ１は距離調整盤１０４Ｂの上部に固定されており、ロッド１０５Ｂに対して上下方向に移動可能となるようにロッド１０５Ｂを保持している。ロッド１０５Ｂはこれらを収納する図示しないチャンバの天井に固定されている。
【００７１】
下定盤１０６Ｂは、上面に有機ＥＬ素子４０まで形成されたトランジスタアレイパネル１０を、有機ＥＬ素子４０が形成された面を上に向けた状態で支持する平板である。下定盤１０６Ｂには、バネやスポンジ等の弾性材１０８Ｂが収納される収納穴１０７Ｂが設けられている。弾性材１０８Ｂは、図２９に示すように、通常は収納穴１０７Ｂから突出した状態でトランジスタアレイパネル１０の一端の下部を支持し、トランジスタアレイパネル１０を傾けた状態に維持する。また、弾性材１０８Ｂは、トランジスタアレイパネル１０が上面から押圧されることで圧縮され、図３２に示すように収納穴１０７Ｂ内に収納される。
【００７２】
次に、封止装置１００Ｂによる有機ＥＬ素子４０の封止方法について説明する。まず、図２９に示すように、上面に有機ＥＬ素子４０まで形成されたトランジスタアレイパネル１０を下定盤１０６Ｂ上に配置すると共に、封止材４が塗布された面を下にした状態の封止基板９を距離調整盤１０４Ｂにより保持する。なお、封止材４の隙間５が形成された側を、弾性材１０８Ｂと反対側に配置する。このため、封止材４の隙間５が形成された側のほうが、トランジスタアレイパネル１０と封止基板９との距離が大きくなるように、トランジスタアレイパネル１０が傾いている。
【００７３】
次に、モーターＭ１を駆動し、距離調整盤１０４Ｂ以下の部分を下降させ、図３０に示すように、封止材４の一部が傾けた状態のトランジスタアレイパネル１０に接触するまで封止基板９を近づける。この時点では、封止材４の隙間５が形成された側はまだトランジスタアレイパネル１０に接触していない。また、封止材４の形状は変化していない。
【００７４】
次に、モーターＭ１を駆動し、距離調整盤１０４Ｂ以下の部分をさらに下降させ、図３１に示すように、封止材４のトランジスタアレイパネル１０と接触した部分に圧力がかかるように封止基板９をトランジスタアレイパネル１０に近づける。この時点では、封止材４の隙間５が形成された側はトランジスタアレイパネル１０に接触しているが、まだ形状を維持している。一方、封止材４の隙間５と反対側は、封止基板９とトランジスタアレイパネル１０との間に挟まれ、押しつぶされている。隙間５を維持した状態で隙間５と反対側から封止材４を押しつぶすことで、トランジスタアレイパネル１０と封止基板９との間の気体を隙間５から封止材４に囲まれた空間の外部へ押し出すことができる。
【００７５】
次に、モーターＭ１を駆動し、距離調整盤１０４Ｂ以下の部分をさらに下降させることで、図３２に示すように、弾性材１０８Ｂを圧縮して収納穴１０７Ｂ内に押し込め、トランジスタアレイパネル１０を封止基板９と平行にする。この時点で、封止材４全体が押しつぶされることにより、封止材４の両端部が接触し隙間５が塞がれる。つまり、隙間５が塞がると完全な環状となる。加熱又は紫外線照射等により封止材４を硬化させ、トランジスタアレイパネル１０と封止基板９とが固定する。以上により、有機ＥＬ素子４０の封止が終了し、有機ＥＬディスプレイパネル１が完成する。
【００７６】
本変形例においても、封止材４の隙間５が形成された側と反対側から封止材４を押しつぶすことで、封止材４に囲まれた空間から気体を押し出すことができる。また、封止材４の隙間５が形成された側を最後に押しつぶすため、封止材４に囲まれた空間から気体を押し出した後で隙間５が塞がる。このため、封止材４に囲まれた封止空間３内の圧力上昇を抑えることができ、シールパンクや、トランジスタアレイパネル１０及び封止基板９の内圧による変形を抑えることができる。
【００７７】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の改良並びに設計の変更を行ってもよい。例えば、本実施形態においては、ボトムエミッション型の発光構造の有機ＥＬ素子４０について説明したが、トップエミッション型の発光構造の有機ＥＬ素子に本発明を適用してもよい。また、封止材４を封止基板９側に設け、封止基板９と透明基板２とを近づけることで封止する方法について説明したが、透明基板２側に封止材４を設け、封止基板９と透明基板２とを近づけることで封止してもよい。
【００７８】
また、略Ｃ字型の封止材４を用いた場合について説明したが、本発明はこれに限らず、完全な環状に形成するとともに、一部に半径方向に貫通する脱気孔を設けた封止材４を用い、脱気孔と反対側から封止基板９と透明基板２とを近づけることで脱気孔より脱気をしてもよい。
上記実施形態においては、ＥＬディスプレイパネルのような表示装置について説明したが、本発明はこれに限らず、例えばプリンタヘッド等の露光装置や、照明装置に応用してもよい。
【符号の説明】
【００７９】
ＣＳ  キャパシタ
ＣＳ１  第一電極
ＣＳ２  第二電極
Ｌｄ  信号線（下部配線）
Ｌｓ  走査線（上部配線）
Ｌａ  共通電源線（上部配線）
ＰＸ  画素
ＰＬｄ、ＰＬｓ、ＰＬａ  端子
２  基板
４  封止材
６  隔壁
８  開口
９  封止基板
１  有機ＥＬディスプレイパネル（発光パネル）
１１、１２、１３  トランジスタ
１１Ｄ、１２Ｄ、１３Ｄ  ドレイン電極
１１Ｇ、１２Ｇ、１３Ｇ  ゲート電極
１１Ｓ、１２Ｓ、１３Ｓ  ソース電極
１４Ｐ  パッド層
２１  半導体膜
２２  チャネル保護膜
２３  ｎ型半導体膜
２４  走査線接続層
２５ａ、２５ｂ、２５ｃ、２５ｄ  導電層
２６  配線
３１  ゲート絶縁膜
３１ａ〜３１ｃ、３２ｅ、３２ｆ  コンタクトホール
３２  層間絶縁膜
３３  開口部
４０  有機ＥＬ素子
４１  画素電極（第二電極）
４２  正孔注入層
４３  担体輸送層
４４  発光層
４５  電子注入層
４６  対向電極
４７  パッシベーション膜
１０  トランジスタアレイパネル（ＥＬ基板）
１００Ａ、１００Ｂ  封止装置（発光パネルの製造装置）
１０１Ａ  角度調整盤（封止基板保持部）
１０２Ａ、１０３Ａ、１０５Ａ、１０５Ｂ  ロッド
Ｍ１  モーター（距離調整機構）
Ｍ２  モーター（角度調整機構）
１０４Ａ  距離調整盤
１０４Ｂ  距離調整盤（封止基板保持部）
１０６Ａ、１０６Ｂ  下定盤（ＥＬ基板支持部）
１０７Ｂ  収納穴
１０８Ｂ  弾性材（角度調整機構）
【図１】
2012064365.tif 000003
【図２】
2012064365.tif 000004
【図３】
2012064365.tif 000005
【図４】
2012064365.tif 000006
【図５】
2012064365.tif 000007
【図６】
2012064365.tif 000008
【図７】
2012064365.tif 000009
【図８】
2012064365.tif 000010
【図９】
2012064365.tif 000011
【図１０】
2012064365.tif 000012
【図１１】
2012064365.tif 000013
【図１２】
2012064365.tif 000014
【図１３】
2012064365.tif 000015
【図１４】
2012064365.tif 000016
【図１５】
2012064365.tif 000017
【図１６】
2012064365.tif 000018
【図１７】
2012064365.tif 000019
【図１８】
2012064365.tif 000020
【図１９】
2012064365.tif 000021
【図２０】
2012064365.tif 000022
【図２１】
2012064365.tif 000023
【図２２】
2012064365.tif 000024
【図２３】
2012064365.tif 000025
【図２４】
2012064365.tif 000026
【図２５】
2012064365.tif 000027
【図２６】
2012064365.tif 000028
【図２７】
2012064365.tif 000029
【図２８】
2012064365.tif 000030
【図２９】
2012064365.tif 000031
【図３０】
2012064365.tif 000032
【図３１】
2012064365.tif 000033
【図３２】
2012064365.tif 000034