(57)【要約】【課題】半導体チップと外部基板とを接合させた場合に発生する接合応力のばらつきによる、チップ内のトランジスタ特性の差を低減する。【解決手段】本発明に係る半導体装置５００は、半導体ウェハ１０と、半導体ウェハ１０上面の外周領域２５１に形成されている外周電極パッド３１と、半導体ウェハ１０上面の内周領域２５２に形成されている内周電極パッド３２と、外周電極パッド３１上に外周開口部４１が形成されており、内周電極パッド３２上に内周開口部４２が形成されている表面保護膜４０と、外周電極パッド３１上に形成されており、外周開口部４１を介して、外周電極パッド３１と接続されている外周バンプ５１と、内周電極パッド３２上に形成されており、内周開口部４２を介して、内周電極パッド３２と接続されている内周バンプ５２とを備え、外周開口部４１の外周開口寸法２６１は、内周開口部４２の内周開口寸法２６２より大きい。【選択図】図１
2012015468.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上面の外周領域に形成されている外周電極パッドと、
前記半導体基板上面の内周領域に形成されている内周電極パッドと、
前記半導体基板上面を覆うように形成されており、前記外周電極パッド上に外周開口部が形成されており、前記内周電極パッド上に内周開口部が形成されている保護膜と、
前記外周電極パッド上に形成されており、前記外周開口部を介して、前記外周電極パッドと接続されている外周バンプと、
前記内周電極パッド上に形成されており、前記内周開口部を介して、前記内周電極パッドと接続されている内周バンプとを備え、
前記外周開口部の寸法は、前記内周開口部の寸法より大きい
半導体装置。
【請求項２】
前記外周電極パッドの寸法は、前記内周電極パッドの寸法より小さい
請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記外周バンプの寸法は、前記内周バンプの寸法より小さい
請求項１又は２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記外周バンプの高さは、前記内周バンプの高さより低い
請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体装置は、
前記外周電極パッドを含み、前記外周領域に形成されている複数の外周電極パッドと、
前記内周電極パッドを含み、前記内周領域に形成されている複数の内周電極パッドとを備え、
前記複数の外周電極パッドのパッドピッチ寸法は、前記複数の内周電極パッドのパッドピッチ寸法より狭い
請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体装置は、
前記外周電極パッドを含み、前記外周領域に形成されている複数の外周電極パッドと、
前記内周電極パッドを含み、前記内周領域に形成されている１以上の内周電極パッドとを備え、
前記外周電極パッドの数は、前記内周電極パッドの数よりも多い
請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体装置は、さらに、
前記外周バンプ及び前記内周バンプと接続された外部基板を備える
請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体装置は、さらに、
前記半導体基板と前記外部基板との間に形成されている接合樹脂を備える
請求項７記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に、電極パッドを備える半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電極パッドの下部にトランジスタで構成される半導体回路などが形成された半導体装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。以下、従来の半導体装置について説明する。
【０００３】
図１０は、従来の半導体装置１５００の電極パッド周辺の断面構造の一例を詳細に示す図ある。
【０００４】
図１０に示すように通常、Ｓｉ又はＧａＡｓなどの半導体ウェハ１０１０の中に半導体回路を構成するトランジスタ１００２が形成されている。また、この半導体装置１５００と外部装置との電気的接合を取るための電極パッド１０３０が設けられている。また、この電極パッド１０３０が形成されている領域以外は表面保護膜１０４０で覆われている。通常、この電極パッド１０３０は、Ａｌなどで形成されており、表面保護膜１０４０はＳｉＮなどで形成されている。
【０００５】
また、電極パッド１０３０の上部にはパッケージ基板をはじめとする外部基板と電気的接合を取るためのバンプ１０５０が形成されている。通常、このバンプ１０５０には、はんだ、Ａｕ又はＣｕなどが用いられる。またこのバンプ１０５０は、通常、めっき方式などを用いて形成される。
【０００６】
図１１は、図１０に示す半導体装置１５００を、パッケージ基板をはじめとする外部基板１００６と接合させた半導体装置１５０１の断面構造の一例を詳細に示す図である。
【０００７】
図１１に示すように通常、半導体ウェハ１０１０をダイシングなどで個片化し半導体チップ１０１１とする。その後、半導体チップ１０１１上に形成されたバンプ１０５０と、外部基板１００６上に形成された外部基板電極１００７とを圧着させ電気的な接合をとる。その後、半導体チップ１０１１と外部基板１００６との間に接合樹脂１００８を注入して接合が完了する。
【０００８】
図１２及び図１３は、図１０に示す従来の半導体装置１５００の電極パッド周辺を上面からみた構造を詳細に示す図である。図１２は全体図であり、図１３は、図１２の領域１２００を局所的に拡大した図である。
【０００９】
図１２及び図１３に示すように半導体チップ１０１１上に電極パッド１０３０が規則正しく形成されている。また、電極パッド１０３０上に表面保護膜１０４０で保護していない開口部１０４１が設けられ、この部分にバンプ１０５０が形成される。これにより、外部との電気的接合をとる構造になっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１０−１２９９５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、図１１に示す半導体装置１５０１の構造では以下に示す問題がある。
【００１２】
図１４は、図１１に示す従来の半導体装置１５０１において、接合応力がトランジスタ１００２にどのように働くかを示す図である。具体的には、接合樹脂１００８の接合応力が半導体チップ１０１１に働き、結果的にその接合応力でトランジスタ１００２を大きく変動させてしまう。このような接合に用いられる一般的な接合樹脂１００８の特性により、接合樹脂１００８によるチップ外周部分応力１０９０がチップ内周部分応力１１００より大きくなってしまう現象が発生する。このことでチップ外周部分１２１０とチップ内周部分１２２０とで、トランジスタ１００２のトランジスタ特性とに大きな差異が発生してしまう。これにより、最終的に回路異常を引き起こす恐れがある。
【００１３】
以上の現象を図１５及び図１６を用いて詳細に説明する。図１５は、チップ外周部分１２１０において、図１４に示すチップ外周部分応力１０９０が電極パッド１０３０下のトランジスタ１００２及びそれ以外のトランジスタ１００２にどのように働くかを示す図である。また、図１６は、チップ内周部分１２２０において、図１４に示すチップ内周部分応力１１００が電極パッド１０３０下のトランジスタ１００２及びそれ以外のトランジスタ１００２にどのように働くかを示す図である。
【００１４】
通常、図１５に示すようにチップ外周部分応力１０９０は非常に大きいため、チップ外周部分１２１０の開口部１０４１直下のチップ外周部分応力１０９１、及びチップ外周部分１２１０の開口部１０４１直下以外のチップ外周部分応力１０９２は共に強く働く。逆に図１６に示すようにチップ内周部分応力１１００は小さいため、チップ内周部分１２２０の開口部１０４１直下のチップ内周部分応力１１０１、及びチップ内周部分１２２０の開口部１０４１直下以外のチップ内周部分応力１１０２はあまり強くは働かない。
【００１５】
この結果、チップ外周部分応力１０９１とチップ内周部分応力１１０１とが大きく異なる。このことでチップ外周部分１２１０とチップ内周部分１２２０とで、開口部１０４１直下のトランジスタ１００２のトランジスタ特性に大きな差異が発生してしまう。
【００１６】
同様に、チップ外周部分応力１０９２とチップ内周部分応力１１０２とが大きく異なる。このことでチップ外周部分１２１０とチップ内周部分１２２０とで、開口部１０４１直下以外のトランジスタ１００２のトランジスタ特性に大きな差異が発生してしまう。
【００１７】
そこで、本発明は上記問題点に鑑み、半導体チップと外部基板とを接合させた場合に発生する接合応力のばらつきによる、チップ内のトランジスタ特性の差を低減できる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記目的を達成するために、本発明の一形態に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上面の外周領域に形成されている外周電極パッドと、前記半導体基板上面の内周領域に形成されている内周電極パッドと、前記半導体基板上面を覆うように形成されており、前記外周電極パッド上に外周開口部が形成されており、前記内周電極パッド上に内周開口部が形成されている保護膜と、前記外周電極パッド上に形成されており、前記外周開口部を介して、前記外周電極パッドと接続されている外周バンプと、前記内周電極パッド上に形成されており、前記内周開口部を介して、前記内周電極パッドと接続されている内周バンプとを備え、前記外周開口部の寸法は、前記内周開口部の寸法より大きい。
【００１９】
このようにすると、半導体装置の外周領域に働く応力を緩和することができ、結果として半導体装置の全面にかかる応力を均一化することができる。これにより、本発明の一形態に係る半導体装置は、半導体チップと外部基板とを接合させた場合に発生する接合応力のばらつきを低減できるので、チップ内のトランジスタ特性の差を低減できる。
【００２０】
また、前記外周電極パッドの寸法は、前記内周電極パッドの寸法より小さくてもよい。
このようにすると、半導体装置の外周領域に働く応力をより緩和することができる。
【００２１】
また、前記外周バンプの寸法は、前記内周バンプの寸法より小さくてもよい。
また、前記外周バンプの高さは、前記内周バンプの高さより低くてもよい。
【００２２】
このようにすると、半導体装置の外周領域に働く応力をより緩和することができる。
また、前記半導体装置は、前記外周電極パッドを含み、前記外周領域に形成されている複数の外周電極パッドと、前記内周電極パッドを含み、前記内周領域に形成されている複数の内周電極パッドとを備え、前記複数の外周電極パッドのパッドピッチ寸法は、前記複数の内周電極パッドのパッドピッチ寸法より狭くてもよい。
【００２３】
このようにすると、半導体装置の外周領域に働く応力をより緩和することができる。
また、前記半導体装置は、前記外周電極パッドを含み、前記外周領域に形成されている複数の外周電極パッドと、前記内周電極パッドを含み、前記内周領域に形成されている１以上の内周電極パッドとを備え、前記外周電極パッドの数は、前記内周電極パッドの数よりも多くてもよい。
【００２４】
このようにすると、一つ一つの外周電極パッドにかかる応力を分散させることができるので、半導体装置の外周領域に働く応力をより緩和することができる。
【００２５】
また、前記半導体装置は、さらに、前記外周バンプ及び前記内周バンプと接続された外部基板を備えてもよい。
【００２６】
また、前記半導体装置は、さらに、前記半導体基板と前記外部基板との間に形成されている接合樹脂を備えてもよい。
【００２７】
なお、本発明は、このような半導体装置として実現できるだけでなく、このような半導体装置を製造する半導体装置の製造方法として実現してもよい。
【発明の効果】
【００２８】
以上より、本発明は、半導体チップと外部基板とを接合させた場合に発生する接合応力のばらつきによる、チップ内のトランジスタ特性の差を低減できる半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体装置の電極パッド周辺の断面図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る半導体装置の電極パッド周辺の上面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る半導体装置の電極パッド周辺の拡大図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る、外部基板と接合された半導体装置の断面図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る半導体装置における接合応力を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る半導体装置のチップ外周領域における応力を示す図である。
【図７】本発明の実施の形態に係る半導体装置のチップ内周領域における応力を示す図である。
【図８】本発明の実施の形態に係る、Ｎｃｈトランジスタでの開口部の寸法差によるトランジスタ特性の変動差異を示す図である。
【図９】本発明の実施の形態に係る、Ｐｃｈトランジスタでの開口部の寸法差によるトランジスタ特性の変動差異を示す図である。
【図１０】従来の半導体装置の電極パッド周辺の断面図である。
【図１１】従来の、外部基板と接合された半導体装置の断面図である。
【図１２】従来の半導体装置の電極パッド周辺の上面図である。
【図１３】従来の半導体装置の電極パッド周辺の拡大図である。
【図１４】従来の半導体装置における接合応力を示す図である。
【図１５】従来の半導体装置のチップ外周領域における応力を示す図である。
【図１６】従来の半導体装置のチップ内周領域における応力を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
本発明の実施の形態に係る半導体装置の構造、特に、電極パッドの下部にトランジスタで構成される半導体回路などが形成されている半導体装置の構造について図面を参照しながら説明する。
【００３１】
図１、図２及び図３は本発明の実施の形態に係る半導体装置５００の電極パッド周辺の構造及びその製造方法についての一例を詳細に示す図である。図１は、半導体装置５００の断面図であり、図２は半導体装置５００の上面図である。また図３は図２の領域２００を局所的に拡大した図である。
【００３２】
図１、図２及び図３に示す半導体装置５００は、半導体ウェハ１０（半導体基板）と、トランジスタ２と、外周電極パッド３１と、内周電極パッド３２と、表面保護膜４０と、外周バンプ５１と、内周バンプ５２とを備える。
【００３３】
また、図２に示すように、半導体装置５００は、半導体装置５００のチップ中央部分に位置する内周領域２５２と、当該内周領域２５２を囲むように、半導体装置５００のチップ外周部分に位置する外周領域２５１とを含む。なお、図２に示す外周電極パッド３１の数、及び内周電極パッド３２に数は一例であり、図２に示す数以外であってもよい。
【００３４】
まず、図１に示すように通常、Ｓｉ又はＧａＡｓなどの半導体ウェハ１０の中に半導体回路を構成するトランジスタ２を形成する。その後、このトランジスタ２で構成された半導体回路と外部装置との電気的接合をとるための外周電極パッド３１及び内周電極パッド３２を設ける。
【００３５】
また、外周電極パッド３１は、半導体ウェハ１０上面の外周領域２５１に形成され、内周電極パッド３２は半導体ウェハ１０上面の内周領域２５２に形成される。
【００３６】
また、複数の外周電極パッド３１は、外周領域２５１に規則的に配置されている。また、複数の内周電極パッド３２は、内周領域２５２に規則的に配置されている。また、複数の外周電極パッド３１の数は、複数の内周電極パッド３２の数より多い。
【００３７】
また、外周電極パッド３１及び内周電極パッド３２が形成された半導体ウェハ１０上面を覆うように表面保護膜４０が形成される。この表面保護膜４０には、外周電極パッド３１上に外周開口部４１が形成されており、内周電極パッド３２上に内周開口部４２が形成されている。
【００３８】
ここで、図３に示すように、外周開口部４１の寸法（例えば、最大の径）である外周開口寸法２６１は、内周開口部４２の寸法（例えば、最大の径）である内周開口寸法２６２より大きい。例えば、外周開口寸法２６１は５０μｍ〜６０μｍであり、内周開口寸法２６２は３０μｍ〜４０μｍである。また、例えば、外周開口寸法２６１は、内周開口寸法２６２より１５μｍ以上大きく、より好ましくは２０μｍ以上大きい。また、例えば、外周開口寸法２６１は、内周開口寸法２６２の１５％以上であり、より好ましくは２０％以上である。
【００３９】
また、外周電極パッド３１の寸法（例えば、最大の径）である外周電極パッド寸法２８１は、内周電極パッド３２の寸法（例えば、最大の径）である内周電極パッド寸法２８２より小さい。
【００４０】
また、外周バンプ５１の寸法（例えば、最大の径）である外周バンプ寸法２７１は、内周バンプ５２の寸法（例えば、最大の径）である内周バンプ寸法２７２より小さい。
【００４１】
また、外周電極パッド寸法２８１を小さくした分、外周電極パッド３１のピッチ（隣接する外周電極パッド３１の中心間の距離）である外周パッドピッチ寸法２９１を、内周電極パッド３２のピッチ（隣接する内周電極パッド３２の中心間の距離）である内周パッドピッチ寸法２９２より狭くする。このように、全体的な電極パッド数を増やすかたちをとる。
【００４２】
一方、逆に言えば、図３に示すように、内周開口寸法２６２は外周開口寸法２６１より小さい。また、内周電極パッド寸法２８２、内周バンプ寸法２７２及び内周パッドピッチ寸法２９２のそれぞれは、外周電極パッド寸法２８１、外周バンプ寸法２７１及び外周パッドピッチ寸法２９１以上である。また、内周電極パッド寸法２８２を大きくした分、内周パッドピッチ寸法２９２を外周パッドピッチ寸法２９１より広くする。このように、全体的な電極パッド数を減らすかたちをとる。
【００４３】
また、この外周電極パッド３１及び内周電極パッド３２は、例えば、Ａｌで形成されており、表面保護膜４０はＳｉＮで形成されている。
【００４４】
また、外周電極パッド３１の上部にはパッケージ基板をはじめとする外部基板と電気的接合を取るための外周バンプ５１が形成される。また、内周電極パッド３２の上部にはパッケージ基板をはじめとする外部基板と電気的接合を取るための内周バンプ５２が形成される。
【００４５】
外周バンプ５１は、外周電極パッド３１上に形成されている。また、外周バンプ５１は、外周開口部４１を介して、外周電極パッド３１と接続されている。
【００４６】
内周バンプ５２は、内周電極パッド３２上に形成されている。また、内周バンプ５２は、内周開口部４２を介して、内周電極パッド３２と接続されている。
【００４７】
通常、この外周バンプ５１及び内周バンプ５２には、はんだ、Ａｕ、又はＣｕなどが用いられる。また、この外周バンプ５１及び内周バンプ５２は、通常、めっき方式などで形成される。
【００４８】
その後、半導体ウェハ１０をダイシングなどでチップ状に切り出すことによりし半導体チップ１１（半導体基板）にした上で、図４に示すようにチップ状の半導体装置５００を、パッケージ基板をはじめとする外部基板６と接合させることにより半導体装置５０１を形成する。この外部基板６は、外周バンプ５１及び内周バンプ５２と接続される。具体的には、図４に示すように半導体チップ１１上に形成した外周バンプ５１及び内周バンプ５２と、外部基板６上に形成した外部基板電極７とを圧着させ電気的な接合をとる。その後、半導体チップ１１と外部基板６との間に接合樹脂８を形成する。具体的には、半導体チップ１１と外部基板６との間に接合樹脂８を注入して接合が完了する。
【００４９】
図５は、図４に示すチップ状の半導体装置５０１において、接合応力がトランジスタ２にどのように働くかを示す図である。具体的には接合樹脂８の接合応力が半導体チップ１１に働き、結果的にその接合応力でトランジスタ２の特性を大きく変動させてしまう。ここで、従来の半導体装置では、接合樹脂８によるチップ外周部分応力９０が接合樹脂８によるチップ内周部分応力１００より過剰に大きくなってしまう現象が発生する。このことで外周領域２５１のトランジスタ２のトランジスタ特性と、内周領域２５２のトランジスタ２のトランジスタ特性とに大きな差異が発生してしまう。これにより、最終的に回路異常を引き起こす恐れがあった。
【００５０】
しかし、本発明の実施の形態に係る半導体装置５００では、まず、外周電極パッド寸法２８１及び外周バンプ寸法２７１は、内周電極パッド寸法２８２及び内周バンプ寸法２７２より小さく形成されている。逆に言えば、内周電極パッド寸法２８２、内周バンプ寸法２７２及び内周パッドピッチ寸法２９２は、外周電極パッド寸法２８１、外周バンプ寸法２７１及び外周パッドピッチ寸法２９１と、同じかもしくはそれより大きく形成されている。このことで外周バンプ５１は内周バンプ５２より面積が小さくなるので、外周バンプ５１の高さである外周バンプ高３０１は、内周バンプ５２の高さである内周バンプ高３０２より低く形成される。つまり、外周バンプ高３０１が低い分、外部基板６と接合されたときにかかる応力が従来よりも小さくなり、チップ外周部分応力９０とチップ内周部分応力１００との差が小さくなる効果がある。例えば、外周バンプ高３０１は８０μｍ〜１００μｍであり、内周バンプ高３０２は６０μｍ〜８０μｍである。また、例えば、外周バンプ高３０１は、内周バンプ高３０２より１５μｍ以上低く、より好ましくは２０μｍ以上低い。また、例えば、外周バンプ高３０１は、内周バンプ高３０２の１５％以下であり、より好ましくは２０％以下である。
【００５１】
また、外周開口寸法２６１を内周開口寸法２６２と同じかもしくはそれより大きく形成している。逆に言えば、内周開口寸法２６２を外周開口寸法２６１と同じかもしくはそれより小さく形成している。また、外周電極パッド寸法２８１を小さくした分、外周パッドピッチ寸法２９１を内周パッドピッチ寸法２９２より狭くし全体的な電極パッド数を増やすかたちをとっている。逆に言えば、内周電極パッド寸法２８２を大きくした分、内周パッドピッチ寸法２９２を外周パッドピッチ寸法２９１より広くし全体的な電極パッド数を減らすかたちをとっている。
【００５２】
このことの効果について図６１（ｄ）及び図７を用いて詳細に説明する。図６は、図５に示す、外周領域２５１に含まれる領域２１０において、接合樹脂８によるチップ外周部分応力９０が外周電極パッド３１下のトランジスタ２、及びそれ以外のトランジスタ２にどのように働くかを示す図である。図７は、図５に示す、内周領域２５２に含まれる領域２２０において、接合樹脂８によるチップ内周部分応力１００が内周電極パッド３２下のトランジスタ２、及びそれ以外のトランジスタ２にどのように働くかを示す図である。
【００５３】
本発明の実施の形態に係る半導体装置５００では、外周開口寸法２６１を内周開口寸法２６２と同じかもしくはそれより大きく形成し、逆に言えば、内周開口寸法２６２を外周開口寸法２６１と同じかもしくはそれより小さく形成している。このことで外周開口部４１直下のチップ外周部分応力９１が小さくなり、内周開口部４２直下のチップ内周部分応力１０１が大きくなる現象が発生する。
【００５４】
図８及び図９に本効果の実験結果を示す。図８は、Ｎｃｈトランジスタにおける、表面保護膜４０の開口部の寸法差によるトランジスタ特性の変動の差異を示す図である。図９は、Ｐｃｈトランジスタにおける、表面保護膜４０の開口部の寸法差によるトランジスタ特性の変動の差異を示す図である。また、図８及び図９は、電極パッド直下のトランジスタ２の特性の変動値を示している。
【００５５】
図８及び図９に示すように、表面保護膜４０の開口部の寸法を大きくすることでトランジスタの特性の変動が０．３％減少することが分かる。
【００５６】
上記効果により外周開口部４１直下のチップ外周部分応力９１と内周開口部４２直下のチップ内周部分応力１０１との差が小さくなる。結果として、外周開口部４１直下のトランジスタ２のトランジスタ特性と、内周開口部４２直下のトランジスタ２のトランジスタ特性との差異が低減される。
【００５７】
また、外周電極パッド寸法２８１を小さくした分、外周パッドピッチ寸法２９１を内周パッドピッチ寸法２９２より狭くし全体的な電極パッド数を増やすかたちをとっている。逆に言えば、内周電極パッド寸法２８２を大きくした分、内周パッドピッチ寸法２９２を外周パッドピッチ寸法２９１より広くし全体的な電極パッド数を減らすかたちをとっている。
【００５８】
このように外周電極パッド３１の数が相対的に増えることにより、複数の外周電極パッド３１の総面積が増加する。この総面積の増加により、チップ外周部分応力９１及びチップ外周部分応力９２が分散されるので、各トランジスタ２に係る応力が小さくなる効果が発生する。逆に内周電極パッド３２の数が相対的に減ることにより、複数の内周電極パッド３２の総面積が減少する。この総面積の減少により、チップ内周部分応力１０１及びチップ内周部分応力１０２のうち、一つの内周電極パッド３２にかかる応力が増加する。このことで外周開口部４１直下のチップ外周部分応力９１と、内周開口部４２直下のチップ内周部分応力１０１との差が小さくなる。結果として、外周開口部４１直下のトランジスタ２のトランジスタ特性と、内周開口部４２直下のトランジスタ２のトランジスタ特性との差が低減される。
【００５９】
同様に、チップ外周部分応力９２とチップ内周部分応力１０２との差が小さくなる。結果として、外周開口部４１直下以外のトランジスタ２のトランジスタ特性と内周開口部４２直下以外のトランジスタ２のトランジスタ特性との差が低減される。
【００６０】
このように、本発明の実施の形態に係る半導体装置５００は、半導体チップ１１と外部基板６とを接合させた場合に発生する接合応力のばらつきを低減できるので、チップ内のトランジスタ特性の差を低減できる。
【００６１】
以上、本発明の実施の形態に係る半導体装置５００及び５０１について説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されるものではない。
【００６２】
例えば、上記各図において、各構成要素の角部及び辺を直線的に記載しているが、製造上の理由により、角部及び辺が丸みをおびたものも本発明に含まれる。
【００６３】
また、上記説明では、外周電極パッド３１、内周電極パッド３２、外周開口部４１、内周開口部４２、外周バンプ５１、及び内周バンプ５２は、円形であるが、それ以外の形状であってもよい。例えば、外周電極パッド３１、内周電極パッド３２、外周開口部４１、内周開口部４２、外周バンプ５１、及び内周バンプ５２のうち少なくとも一つの形状は、楕円又は矩形であってもよい。
【００６４】
また、上記で用いた数字は、全て本発明を具体的に説明するために例示するものであり、本発明は例示された数字に制限されない。また、上記で示した各構成要素の材料は、全て本発明を具体的に説明するために例示するものであり、本発明は例示された材料に制限されない。
【００６５】
また、上記説明では、ＭＯＳトランジスタを用いた例を示したが、バイポーラトランジスタ等の他のトランジスタを用いてもよい。
【００６６】
更に、本発明の主旨を逸脱しない限り、本実施の形態に対して当業者が思いつく範囲内の変更を施した各種変形例も本発明に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
本発明は、半導体装置に適用でき、特に電極パッドの下部にトランジスタで構成される半導体回路が形成されている半導体装置、及びその製造方法に有用である。
【符号の説明】
【００６８】
２、１００２  トランジスタ
６、１００６  外部基板
７、１００７  外部基板電極
８、１００８  接合樹脂
１０、１０１０  半導体ウェハ
１１、１０１１  半導体チップ
３１  外周電極パッド
３２  内周電極パッド
４０、１０４０  表面保護膜
４１  外周開口部
４２  内周開口部
５１  外周バンプ
５２  内周バンプ
９０、９１、９２、１０９０、１０９１、１０９２  チップ外周部分応力
１００、１０１、１０２、１１００、１１０１、１１０２  チップ内周部分応力
２００、２１０、２２０、１２００  領域
２５１  外周領域
２５２  内周領域
２６１  外周開口寸法
２６２  内周開口寸法
２７１  外周バンプ寸法
２７２  内周バンプ寸法
２８１  外周電極パッド寸法
２８２  内周電極パッド寸法
２９１  外周パッドピッチ寸法
２９２  内周パッドピッチ寸法
３０１  外周バンプ高
３０２  内周バンプ高
５００、５０１、１５００、１５０１  半導体装置
１０３０  電極パッド
１０４１  開口部
１０５０  バンプ
１２１０  チップ外周部分
１２２０  チップ内周部分
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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