(57)【要約】【課題】薄い半導体ウェーハの強度や剛性を安価に確保して容易に取り扱うことのできる半導体ウェーハの取り扱い方法を提供する。【解決手段】サポート基板１の表面２と可撓性を有する粘着層１０の弱粘着面１１とを着脱自在に粘着するとともに、この粘着層１０の強粘着面１２と薄い半導体ウェーハＷとを着脱自在に粘着し、サポート基板１と薄い半導体ウェーハＷとを一体化することにより、薄い半導体ウェーハＷに強度や剛性を付与して取り扱う。専用の保持具やその関連機器を何ら使用する必要がないので、設備投資を最小限度に抑制し、薄い半導体ウェーハＷの強度や剛性を確保して安全、かつ安価に取り扱うことができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハの製造工程で薄く撓み易い半導体ウェーハを取り扱う半導体ウェーハの取り扱い方法であって、
剛性のサポート基板と可撓性を有する粘着層の弱粘着面とを着脱自在に粘着するとともに、この粘着層の強粘着面と半導体ウェーハとを着脱自在に粘着して取り扱うことを特徴とする半導体ウェーハの取り扱い方法。
【請求項２】
粘着層をシリコーンゴム製のシートとして半導体ウェーハの大きさ以上の大きさに形成し、このシートの表裏両面のいずれか一方の面を弱粘着面に形成し、他方の面を強粘着面に形成する請求項１記載の半導体ウェーハの取り扱い方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハの製造工程で薄く撓み易い半導体ウェーハを安全、かつ簡易に取り扱うことのできる半導体ウェーハの取り扱い方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハは、製造の前工程が終了すると、薄い半導体パッケージに適合させる観点から、バックグラインド工程で１００μｍ以下の薄さに研削され、ハンダリフロー工程やダイシング工程に供されるが、バックグラインドに伴い非常に薄く撓み易く、損傷し易くなるので、そのままの状態では、後の作業に支障を来たすこととなる（特許文献１、２参照）。そこで、バックグラインドされた薄い半導体ウェーハは、専用の保持具上に搭載され、強度や剛性を確保した状態で取り扱われる。
【０００３】
この種の保持具は、様々なタイプがあるが、例えば真空ポンプに着脱自在に接続される剛性の硬質基板を備え、この硬質基板の凹凸の表面に弾性密着層を接着し、この弾性密着層の上面に薄い半導体ウェーハを着脱自在に密着保持させて強度や剛性を確保するようにし、半導体ウェーハを取り外す場合には、真空ポンプを駆動して弾性密着層を硬質基板の凹凸に沿わせて変形させ、この変形した弾性密着層から半導体ウェーハを取り外すタイプが知られている（特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２１２３００号公報
【特許文献２】特開２００９−２６０２３０号公報
【特許文献３】特開２００５−６２３３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来における半導体ウェーハの取り扱い方法は、以上のようになされ、専用の保持具に薄い半導体ウェーハを搭載すれば、この薄い半導体ウェーハの強度や剛性を確保して安全に取り扱うことができる。
【０００６】
しかしながら、半導体を製造する側には、専用の保持具やその関連機器を使用する場合だけではなく、既存の治具等を使用したり、流用することにより、設備投資を最小限度に止め、薄い半導体ウェーハの強度や剛性を確保して安全に取り扱いたい場合がある。
【０００７】
本発明は上記に鑑みなされたもので、薄い半導体ウェーハの強度や剛性を安価に確保して容易に取り扱うことのできる半導体ウェーハの取り扱い方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明においては上記課題を解決するため、半導体ウェーハの製造工程で薄く撓み易い半導体ウェーハを取り扱う半導体ウェーハの取り扱い方法であって、
剛性のサポート基板と可撓性を有する粘着層の弱粘着面とを着脱自在に粘着するとともに、この粘着層の強粘着面と半導体ウェーハとを着脱自在に粘着して取り扱うことを特徴としている。
【０００９】
なお、粘着層をシリコーンゴム製のシートとして半導体ウェーハの大きさ以上の大きさに形成し、このシートの表裏両面のいずれか一方の面を弱粘着面に形成し、他方の面を強粘着面に形成することができる。
また、粘着層を、弱粘着性のシートと強粘着性のシートとを積層することにより形成し、弱粘着性のシートの露出面を弱粘着面とし、強粘着性のシートの露出面を強粘着面とすることができる。
【００１０】
ここで、特許請求の範囲における半導体ウェーハの製造工程には、バックグラインド工程後のフラックスやハンダペーストの印刷工程、ハンダリフロー工程、ダイシング工程、ボンディング工程等が含まれる。また、半導体ウェーハには、φ２００、３００、４５０ｍｍのシリコンウェーハ等が含まれる。粘着層は、単体でも良いが、表裏両面の粘着性を変更する観点から、二層構造や三層構造、多層構造等とすることができる。この粘着層は、透明、不透明、半透明を特に問うものではない。
【００１１】
本発明によれば、半導体の製造工程において、薄く撓み易い半導体ウェーハに強度や剛性を付与して安全に取り扱う場合には、サポート基板と粘着層の弱粘着面とを粘着し、この粘着層の強粘着面と薄い半導体ウェーハとを粘着すれば、サポート基板と薄い半導体ウェーハとが一体化するので、薄い半導体ウェーハに強度や剛性を付与することができ、半導体ウェーハの撓み等に伴う損傷を防ぐことができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、薄い半導体ウェーハの強度や剛性を安価に確保して容易に取り扱うことができるという効果がある。
【００１３】
また、請求項２記載の発明によれば、粘着層に耐熱性、耐候性、難燃性、電気特性等を付与することができる。さらに、粘着性の異なる複数枚のシートを積層して粘着層を形成する必要がないので、材料やコストの削減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明に係る半導体ウェーハの取り扱い方法の実施形態を模式的に示す斜視説明図である。
【図２】本発明に係る半導体ウェーハの取り扱い方法の実施形態を模式的に示す断面説明図である。
【図３】本発明に係る半導体ウェーハの取り扱い方法の実施形態における粘着層を模式的に示す説明図である。
【図４】本発明に係る半導体ウェーハの取り扱い方法の実施形態におけるサポート基板と粘着層とを順次剥離する状態を模式的に示す説明図である。
【図５】本発明に係る半導体ウェーハの取り扱い方法の第２の実施形態を模式的に示す断面説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明すると、本実施形態における半導体ウェーハの取り扱い方法は、図１ないし図４に示すように、サポート基板１と可撓性を有する粘着層１０の弱粘着面１１とを粘着するとともに、この粘着層１０の強粘着面１２と薄い半導体ウェーハＷとを粘着して取り扱うようにしている。
【００１６】
サポート基板１は、例えば耐熱性や剛性に優れる既存のガラス板等を使用して粘着層１０や半導体ウェーハＷよりも拡径の平面円形に形成され、平坦な表面２に粘着層１０の弱粘着面１１がローラの圧接等により着脱自在に粘着される。このサポート基板１には、半導体ウェーハＷの製造状況に応じ、難燃性や電気特性等が選択的に付与される。
【００１７】
粘着層１０は、例えば耐熱性、耐候性、難燃性、電気特性等に優れる屈曲可能な薄いシリコーンゴム製のシートからなり、半導体ウェーハＷの大きさ以上の大きさの平面円形に形成される。この粘着層１０には、導電フィラー等の各種のフィラーが必要に応じて配合される。
【００１８】
粘着層１０は、その表裏両面のうち、サポート基板１の表面２に対向する平坦な対向面が弱粘着面１１に形成され、半導体ウェーハＷに対向する平坦な対向面が弱粘着面１１よりも粘着性に優れる強粘着面１２に形成されており、この強粘着面１２が半導体ウェーハＷに着脱自在に粘着する。粘着層１０の平坦な弱粘着面１１と強粘着面１２とは、例えばシートの表面や裏面に、シボ加工、凹凸加工、又は鏡面加工等が適宜施されることにより形成される。粘着層１０の弱粘着性と強粘着性とは、一般的に流通している既存の粘着シートの粘着性を基準に適宜調整される。
【００１９】
半導体ウェーハＷは、例えばφ２００ｍｍのシリコンウェーハからなり、薄い半導体パッケージに適合させる観点から、バックグラインド工程で１００μｍ以下の薄さに研削され、サポート基板１に粘着層１０を介して粘着保持された後、ハンダリフロー工程やダイシング工程に供される。
【００２０】
上記において、ハンダリフロー工程やダイシング工程でバックグラインドされた薄く撓み易い半導体ウェーハＷに強度や剛性を付与して取り扱う場合には、サポート基板１の表面２に粘着層１０の弱粘着面１１を隙間なく粘着し、この粘着層１０の露出した強粘着面１２に薄い半導体ウェーハＷを図示しないロボットハンドにより隙間なく押圧して粘着すれば、サポート基板１と薄い半導体ウェーハＷとが一体化するので、撓み易い半導体ウェーハＷに強度や剛性を付与し、半導体ウェーハＷの姿勢を安定させて簡便に取り扱うことができる。
【００２１】
このようにして強度や剛性が確保された薄い半導体ウェーハＷは、図４に示すチャックテーブル２０上に真空吸着して各種の加工や処理が施されたり、保管されたり、搬送等される。チャックテーブル２０は、例えば多孔質の材料を用いて表面が平坦な円盤形に形成され、負圧源の真空ポンプ２１等に接続される。
【００２２】
チャックテーブル２０上に真空吸着された半導体ウェーハＷに各種の加工や処理を施す場合には、サポート基板１と粘着層１０とを取り外す必要があるが、この場合には図４に示すように、粘着層１０の弱粘着面１１からサポート基板１を周縁部から徐々に取り外し、その後、半導体ウェーハＷから粘着層１０を剥離装置により周縁部から徐々に剥離すれば良い。
【００２３】
上記によれば、安価なサポート基板１と粘着層１０とを用いるだけで良く、専用の高価な保持具やその真空ポンプ等の関連機器を何ら使用する必要がないので、設備投資を最小限度に抑制し、薄い半導体ウェーハＷの強度や剛性を確保して安全、かつ安価に取り扱うことができる。また、粘着層１０として、シリコーンゴム製のシートを用いるので、例え２５０℃のハンダリフロー装置に半導体ウェーハＷをセットしても、粘着層１０が高温で悪影響を蒙ることがなく、サポート基板１と半導体ウェーハＷとが分離することがない。
【００２４】
次に、図５は本発明の第２の実施形態を示すもので、この場合には、粘着層１０を、弱粘着性のシートと強粘着性のシートとを積層接着することにより上下二層構造に形成し、弱粘着性のシートの露出面を弱粘着面１１とするとともに、強粘着性のシートの露出面を強粘着面１２として利用するようにしている。
各シートの材質は、特に限定されるものではないが、例えば粘着性のシリコーンゴム等があげられる。その他の部分については、上記実施形態と略同様であるので説明を省略する。
【００２５】
本実施形態においても上記実施形態と同様の作用効果が期待でき、しかも、粘着層１０に鏡面加工、シボ加工、又は凹凸加工を施すことができない場合等に有意義であり、粘着層１０の構成の多様化を図ることができるのは明らかである。
【００２６】
なお、上記実施形態では、サポート基板１と粘着層１０とをそれぞれ平面円形に形成したが、何らこれに限定されるものではない。例えばサポート基板１や粘着層１０を平面矩形や多角形等に形成しても良い。また、粘着層１０を、半導体ウェーハＷと同じ大きさに形成しても良い。さらに、半導体ウェーハＷから粘着層１０を剥離する際、粘着層１０に必要数の粘着テープを粘着し、この粘着テープを引き上げることにより粘着層１０を共に剥離しても良い。
【符号の説明】
【００２７】
１        サポート基板
２        表面
１０      粘着層
１１      弱粘着面
１２      強粘着面
Ｗ        半導体ウェーハ
【図１】
2012033737.tif 000003
【図２】
2012033737.tif 000004
【図３】
2012033737.tif 000005
【図４】
2012033737.tif 000006
【図５】
2012033737.tif 000007