(57)【要約】      （修正有）【課題】製造工程における歩留りを向上させ、品質の良い面発光レーザを提供する。【解決手段】面発光レーザ素子１は、アルミニウムを含まない材料からなる基板１ａ上に、第１の半導体多層膜（下部半導体ＤＢＲ１ｂ）と活性層１ｃおよび第２の半導体多層膜（上部半導体ＤＢＲ１ｄ）からなるアルミニウムを含む半導体層１ｅを有しており、この半導体層１ｅを、基板１ａにいたる深さまでエッチングして第１の分離溝１ｆを形成し、半導体層１ｅに保護膜１ｇを形成し、第１の分離溝１ｆの中心部における基板１ａを予め定められた深さまでエッチングして第２の分離溝１ｉを形成し、この第２の分離溝１ｉに沿って分離してなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、第１の半導体多層膜と活性層および第２の半導体多層膜からなるアルミニウムを含む半導体層を有する面発光レーザ素子であって、
前記半導体層を除去して前記基板にいたる深さまで形成された第１の分離溝と、
前記半導体層を保護するよう形成された保護膜と、
前記第１の分離溝における前記基板に予め定められた深さの第２の分離溝を形成した
ことを特徴とする面発光レーザ素子。
【請求項２】
請求項１に記載の面発光レーザ素子であって、
前記第１の半導体多層膜にＡｌＡｓ層を含むことを特徴とする面発光レーザ素子。
【請求項３】
請求項１もしくは請求項２のいずれかに記載の面発光レーザ素子であって、
前記第２の分離溝が複数本形成されていることを特徴とする面発光レーザ素子。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれかに記載の面発光レーザ素子であって、
前記基板における前記第２の分離溝に対向する位置に形成された第３の分離溝を有することを特徴とする面発光レーザ素子。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の面発光レーザ素子が集積されてなることを特徴とする面発光レーザアレイ。
【請求項６】
光によって被走査面を走査する光走査装置であって、
請求項１から請求項４のいずれかに記載の面発光レーザ素子を有する光源と、
該光源からの光を偏向する光偏向器と、
該光偏向器で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と
を有することを特徴とする光走査装置。
【請求項７】
光によって被走査面を走査する光走査装置であって、
請求項５に記載の面発光レーザアレイを有する光源と、
該光源からの光を偏向する光偏向器と、
該光偏向器で偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と
を有することを特徴とする光走査装置。
【請求項８】
少なくとも１つの像担持体と、
該像担持体に対して画像情報に応じて変調された光を走査する少なくとも１つの請求項６もしくは請求項７のいずれかに記載の光走査装置と
を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項９】
請求項８に記載の画像形成装置であって、
前記画像情報は、多色のカラー画像情報であることを特徴とする画像形成装置。
【請求項１０】
請求項１から請求項４のいずれかに記載の面発光レーザ素子、もしくは、請求項５に記載の面発光レーザアレイのいずれかと、
該面発光レーザ素子もしくは面発光レーザアレイのいずれかを駆動する駆動回路と、
レーザ光を受光して電気信号に変換して出力する受光素子と
を有することを特徴とする光送受信モジュール。
【請求項１１】
光信号を用いて情報の伝達を行う光通信装置であって、
上記光信号を、請求項１から請求項４のいずれかに記載の面発光レーザ素子、もしくは、請求項５に記載の面発光レーザアレイのいずれかから出射される光ビームによって生成することを特徴とする光通信装置。
【請求項１２】
アルミニウムを含まない材料からなる基板上に、第１の半導体多層膜と活性層および第２の半導体多層膜からなるアルミニウムを含む半導体層を有する面発光レーザ素子の製造方法であって、
前記半導体層を、前記基板にいたる深さまでエッチングして第１の分離溝を形成する工程と、
前記半導体層に保護膜を形成する工程と、
前記第１の分離溝の中心部における前記基板を予め定められた深さまでエッチングして第２の分離溝を形成する工程と、
前記第２の分離溝に沿って前記面発光レーザ素子を分離する工程と
を有することを特徴とする面発光レーザ素子製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の面発光レーザ素子製造方法であって、
前記第２の分離溝を複数本形成することを特徴とする面発光レーザ素子製造方法。
【請求項１４】
請求項１２もしくは請求項１３のいずれかに記載の面発光レーザ素子製造方法であって、
前記基板における前記第２の分離溝に対向する位置に第３の分離溝を形成することを特徴とする面発光レーザ素子製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリンタや複写機等の画像形成装置に設けられる光走査装置の光源、ならびに、光ディスク装置の光ピックアップの光源、光伝送システムの光送受信モジュールや光通信装置などの光源として用いられる垂直共振器型の面発光レーザ素子（ＶＣＳＥＬ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ）および面発光レーザアレイに係り、特に、アルミニウム（Ａｌ）を含む半導体体多層膜を有する面発光レーザ素子と面発光レーザアレイを、高品質・高効率に製造するのに好適な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
垂直共振器型の面発光レーザ素子および面発光レーザアレイは、基板に垂直な方向に光を射出するものであり、基板に平行な方向に光を射出する端面発光型の半導体レーザ素子よりも低価格、低消費電力、小型、２次元デバイスに好適、かつ、高性能であることから、近年、注目されている。
【０００３】
このような面発光レーザ素子および面発光レーザアレイの応用分野としては、プリンタにおける光書き込み系の光源（発振波長：７８０ｎｍ帯）や、光ディスク装置における書き込み用光源（発振波長：７８０ｎｍ帯、８５０ｎｍ帯）、光ファイバを用いるＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ  Ａｒｅａ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）などの光伝送システムの光源（発振波長：１．３μｍ帯、１．５μｍ帯）が挙げられる。さらには、ボード間、ボード内、集積回路（ＬＳＩ：Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）のチップ間、および集積回路のチップ内の光伝送用光源などとしても期待されている。
【０００４】
この面発光レーザ素子および面発光レーザアレイの製造工程においては、例えば、特許文献１や特許文献２に記載のように、基板上に生成された複数の面発光レーザ素子（チップ）の外周部に分離溝を形成し、スクライブ・ブレーキング工程やダイシング工程により、個々の面発光レーザ素子に分離する場合が多い。
【０００５】
しかし、このような分離技術の場合、スクライブ時にパーティクルが発生するといった不都合や、ブレーキング時にスクライブラインに沿ってヘキ開できない場合があるとの不都合、あるいは、ダイシング時にチッピングが発生する、といった不都合がある。
【０００６】
このような不都合により、面発光レーザ素子および面発光レーザアレイの製造工程における歩留まりが低下してしまうとの問題が発生する。面発光レーザ素子および面発光レーザアレイの製造工程における歩留まりを高めることは、面発光レーザ素子および面発光レーザアレイそのものの品質とコストの向上と共に、それらを用いたプリンタや複写機等の画像形成装置に設けられる光走査装置ならびに光ディスク装置や光伝送を行う光通信装置などの品質とコストの向上に有効である。
【０００７】
このような分離工程時における問題を解決する技術として、例えば特許文献３と特許文献４に記載の技術がある。特許文献３においては、半導体ウェハをレーザ照射により分離溝を形成し、ダイサーやスクライバーの刃先を当該分離溝に沿って合わせて駆動させることで半導体ウェハを分離する技術が提案され、さらに、特許文献４においては、半導体層中に基板にいたらない深さの第１の分離溝を形成し、その第１の分離溝の中心部に、さらに、レーザ光を使用して、第２の分離溝を形成し、また、第２の分離溝に対向する位置に、同じくレーザ光を使用して、第１，第２の分離溝より幅の広いＶ字状の第３の分離溝を形成する技術が提案されている。
【０００８】
しかし、この特許文献３，４に記載の技術においても、アルミニウム（Ａｌ）を含む半導体体多層膜を有する面発光レーザ素子および面発光レーザアレイの製造に用いた場合には、Ａｌ（アルミニウム）を含む半導体多層膜に腐食が発生し、半導体素子として機能しなくなるといった極めて大きな不都合が発生する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
解決しようとする問題点は、従来の、面発光レーザ素子および面発光レーザアレイを製造する際の分離工程における基板表面をケガクといった技術では、スクライブ工程におけるパーティクルの発生、スクライブラインに沿わないブレーキング、ダイシング時のチッピングにより、歩留りが低下してしまうという点と、従来のレーザ光を用いた分離技術でも、Ａｌ（アルミニウム）を含む半導体多層膜に腐食が発生してしまう点である。
【００１０】
本発明の目的は、これら従来技術の課題を解決し、製造工程における歩留りを向上させ、安価で品質の良い（アルミニウムを含む半導体多層膜を有する）面発光レーザ素子および面発光レーザアレイを提供し、それらを用いた光走査装置と画像形成装置ならびに光ディスク装置等の電気機器や、光通信装置などの低価格化と高品質化を可能とすることである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明の面発光レーザ素子および面発光レーザアレイは、アルミニウムを含まない材料からなる基板上に、第１の半導体多層膜と活性層および第２の半導体多層膜からなるアルミニウムを含む半導体層を有しており、半導体層を、基板にいたる深さまでエッチングして第１の分離溝を形成し、半導体層に保護膜を形成し、第１の分離溝の中心部における基板を予め定められた深さまでエッチングして第２の分離溝を形成し、第２の分離溝に沿って分離してなり、そして、プリンタや複写機等の画像形成装置に設けられる光走査装置の光源、ならびに光ディスク装置等の電気機器の光源、光通信装置の光源などとして用いられることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、Ａｌ（アルミニウム）を含む半導体多層膜を有する面発光レーザ素子および面発光レーザアレイを、半導体多層膜を腐食させることなく、且つ、パーティクルの発生とブレーキングおよびチッピングによる歩留り低下を発生させることなく製造することができ、それらを用いた光走査装置と画像形成装置および光ディスク装置等の電気機器ならびに光通信装置の低価格化と高品質化が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に係る面発光レーザ素子の第１の構成例を示す平面図および断面図である。
【図２】本発明に係る面発光レーザ素子の第２の構成例を示す平面図および断面図である。
【図３】本発明に係る面発光レーザ素子の第３の構成例を示す断面図である。
【図４】本発明に係る面発光レーザ素子の第４の構成例を示す断面図である。
【図５】本発明に係る画像形成装置としてのレーザプリンタの構成例を示す断面図である。
【図６】本発明に係る光走査装置の構成例を示す断面図である。
【図７】本発明に係る面発光レーザ素子の第５の構成例を示す断面図である。
【図８】図７における基板の構造例を示す説明図である。
【図９】ＡｌｘＧａ１−ｘＡｓにおけるｘの値と熱抵抗率との関係を説明するための図である。
【図１０】本発明に係る面発光レーザアレイの構成例を示す平面図である。
【図１１】図１０における面発光レーザアレイの発行部の構造例（配列状態）を示す説明図である。
【図１２】図１０における面発光レーザアレイの構成例を示す断面図である。
【図１３】本発明に係る画像形成装置としてのカラープリンタの構成例を示す断面図である。
【図１４】本発明に係る光送受信モジュールを用いた光通信装置の構成例を示すブロック図である。
【図１５】本発明に係る面発光レーザ素子を用いた電気機器としての光ディスク装置の構成例を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図を用いて本発明を実施するための形態例を説明する。図１においては、本発明に係る製造方法により製造した面発光レーザ素子１の構成を示しており、本例の面発光レーザ素子１は、アルミニウムを含まない材料からなる基板１ａ上に、少なくともアルミニウムを含む材料を有する第１の半導体多層膜（下部半導体ＤＢＲ）１ｂと活性領域１ｃおよび第２の半導体多層膜（上部半導体ＤＢＲ）１ｄを含む半導体層１ｅが積層され、この半導体層１ｅをエッチングすることにより、基板１ａにいたる深さを有する第１の分離溝１ｆが形成される。つまり、半導体層１ｅを除去し、基板１ａにいたる深さを有するように第１の分離溝１ｆを形成すればよい。
【００１５】
さらに、半導体層１ｅの腐食などを防止するための保護膜１ｇが形成され、この保護膜１ｇ上に電極１ｈが形成される。なお、面発光レーザ素子１に隣接し、基板により連なっている他の面発光レーザ素子が存在する。そこで、第１の分離溝１ｆの中心部、つまり、面発光レーザ素子１と他の面発光レーザ素子の間に設けられた第１の分離溝１ｆの真ん中に、さらに第２の分離溝１ｉをエッチングなどにより形成された構成となっている。つまり、面発光レーザ素子１の単体で見ると、第１の分離溝１ｆの端に第２の分離溝１ｉが形成された構成となる。
【００１６】
より詳しく説明すると、図２（Ｂ）を参照すると、例えば、面発光レーザ素子を右側の素子とし、他の面発光レーザ素子を真ん中の素子とした場合、第１の分離溝１ｆは、互いの素子の間の基板に設けられた溝を指す。つまり、図２（Ｂ）の２１ａ、２１ｂが、第１の分離溝１ｆの全体幅の真ん中に相当し、２１ａ、２１ｂが、第２の分離溝１ｉとなる。
【００１７】
この面発光レーザ素子１の分離前の構成を図２に示す。図２（Ａ）においては、基板１ａ表面を上にした方向から見た構成を示しており、図２（Ｂ）においては、図２（Ａ）におけるＡ−Ａの断面図を示している。
【００１８】
図２（Ｂ）に示す第２の分離溝２１ａ，２１ｂにより、基板１ａの表面をケガクといったスクライブ工程を行わずに、ブレーキング工程が可能であるため、スクライブ工程におけるパーティクルの発生を無くすことが可能である。
【００１９】
これにより、チップ分離工程で歩留りを下げることがなく、安価な面発光レーザ素子を提供することができる。
【００２０】
また、図３に示すように、第２の分離溝３１ａ，３１ｂを、複数本形成してもよい。さらに、図４に示すように、第２の分離溝４１ａ，４１ｂ部分の基板の裏面部分に、第３の分離溝４２ａ，４２ｂを形成してもよい。
【００２１】
また、このような面発光レーザ素子１と同様にして、後述の図１０で示す面発光レーザアレイ５００を製造することでも良い。すなわち、上述のように、アルミニウムを含まない材料からなる基板上に、少なくともアルミニウムを含む材料を有する第１の半導体多層膜（下部半導体ＤＢＲ）と活性領域および第２の半導体多層膜（上部半導体ＤＢＲ）を含む半導体層を積層し、この半導体層をエッチングにより、基板にいたる深さを有する第１の分離溝を形成し、半導体層の腐食などを防止するための保護膜を形成し、この保護膜上に電極を形成し、そして、第１の分離溝の中心部にさらに第２の分離溝を形成する工程により、後述の図１０で示す面発光レーザアレイ５００を製造する。
【００２２】
これにより、チップ分離工程で歩留りを下げることがなく、安価な面発光レーザアレイを提供することができる。
【００２３】
また、図１〜図４で示した面発光レーザ素子１もしくは図１０に示す面発光レーザアレイ５００を、光によって被走査面を走査する光走査装置における光源として用い、この光源からの光を偏向手段により偏向し、偏向手段で偏向された光を走査光学系により被走査面上に集光することにより、結果として安価な光走査装置を提供することができる。
【００２４】
また、このような光走査装置を画像形成装置に設け、画像形成装置において、具備した少なくとも１つの像担持体に対して、光走査装置から、画像情報が含まれる光を走査する構成とすることにより、結果として安価な画像形成装置を提供することができる。
【００２５】
また、図１〜図４で示した面発光レーザ素子１もしくは図１０に示す面発光レーザアレイ５００を、光ディスク装置における光ピックアップ用の光源や光インターコネクションなどの光通信装置用の光源として用いることにより、光ディスク装置等の電気機器ならびに光通信装置を安価に提供することができる。
【００２６】
以下、図５において、このように、基板上に設けたアルミニウムを含む下部半導体ＤＢＲと活性層および上部半導体ＤＢＲを有する半導体層を、アルミニウムを含まない材料からなる基板に至る深さまでエッチングして第１の分離溝を形成し、半導体膜に保護膜を形成した後、第１の分離溝の中心部にさらにエッチングにより第２の分離溝を形成する工程により製造した面発光レーザ素子を用いた光走査装置を具備した画像形成装置としてのレーザプリンタ１０００の構成に関して説明する。
【００２７】
図５に示すレーザプリンタ１０００は、光走査装置１０１０と、感光体ドラム１０３０、帯電チャージャ１０３１、現像ローラ１０３２、転写チャージャ１０３３、除電ユニット１０３４、クリーニングユニット１０３５、トナーカートリッジ１０３６、給紙コロ１０３７、給紙トレイ１０３８、レジストローラ対１０３９、定着ローラ１０４１、排紙ローラ１０４２、排紙トレイ１０４３、通信制御装置１０５０、および上記各部を統括的に制御するプリンタ制御装置１０６０などを備えている。尚、これらは、プリンタ筐体１０４４の中の所定位置に収容されている。
【００２８】
通信制御装置１０５０は、ネットワークなどを介してパソコン等の上位装置１０７０との双方向の通信を制御する。感光体ドラム１０３０は、円柱状の部材であり、その表面には感光層が形成されている。すなわち、感光体ドラム１０３０の表面が被走査面である。そして、感光体ドラム１０３０は、図５における矢印方向に回転するようになっている。
【００２９】
帯電チャージャ１０３１、現像ローラ１０３２、転写チャージャ１０３３、除電ユニット１０３４およびクリーニングユニット１０３５は、それぞれ感光体ドラム１０３０の表面近傍に配置されている。そして、感光体ドラム１０３０の回転方向に沿って、帯電チャージャ１０３１→現像ローラ１０３２→転写チャージャ１０３３→除電ユニット１０３４→クリーニングユニット１０３５の順に配置されている。
【００３０】
帯電チャージャ１０３１は、感光体ドラム１０３０の表面を均一に帯電させる。光走査装置１０１０は、帯電チャージャ１０３１で帯電された感光体ドラム１０３０の表面を、上位装置からの画像情報に基づいて変調された光束により走査し、感光体ドラム１０３０の表面に画像情報に対応した潜像を形成する。ここで形成された潜像は、感光体ドラム１０３０の回転に伴って現像ローラ１０３２の方向に移動する。尚、この光走査装置１０１０の構成については後述する。
【００３１】
トナーカートリッジ１０３６にはトナーが格納されており、このトナーは現像ローラ１０３２に供給される。現像ローラ１０３２は、感光体ドラム１０３０の表面に形成された潜像にトナーカートリッジ１０３６から供給されたトナーを付着させて画像情報を顕像化させる。ここでトナーが付着した潜像（以下では、便宜上「トナー像」ともいう）は、感光体ドラム１０３０の回転に伴って転写チャージャ１０３３の方向に移動する。
【００３２】
給紙トレイ１０３８には記録紙１０４０が格納されている。この給紙トレイ１０３８の近傍には給紙コロ１０３７が配置されており、この給紙コロ１０３７は、記録紙１０４０を給紙トレイ１０３８から１枚ずつ取り出し、レジストローラ対１０３９に搬送する。
【００３３】
レジストローラ対１０３９は、給紙コロ１０３７によって取り出された記録紙１０４０を一旦保持するとともに、記録紙１０４０を感光体ドラム１０３０の回転に合わせて感光体ドラム１０３０と転写チャージャ１０３３との間隙に向けて送り出す。
【００３４】
転写チャージャ１０３３には、感光体ドラム１０３０の表面のトナーを電気的に記録紙１０４０に引きつけるために、トナーとは逆極性の電圧が印加されている。この電圧により、感光体ドラム１０３０の表面のトナー像が記録紙１０４０に転写される。ここで転写された記録紙１０４０は、定着ローラ１０４１に送られる。
【００３５】
定着ローラ１０４１では、熱と圧力とが記録紙１０４０に加えられ、これによってトナーが記録紙１０４０上に定着される。ここで定着された記録紙１０４０は、排紙ローラ１０４２を介して排紙トレイ１０４３に送られ、排紙トレイ１０４３上に順次スタックされる。
【００３６】
除電ユニット１０３４は、感光体ドラム１０３０の表面を除電する。クリーニングユニット１０３５は、感光体ドラム１０３０の表面に残ったトナー（残留トナー）を除去する。残留トナーが除去された感光体ドラム１０３０の表面は、再度帯電チャージャ１０３１に対向する位置に戻る。
【００３７】
次に、図６を用いて、光走査装置１０１０の構成と動作について説明する。図６に示すように、光走査装置１０１０は、偏向器側走査レンズ６１１ａ、像面側走査レンズ６１１ｂ、ポリゴンミラー６１３、光源６１４、カップリングレンズ６１５、開口板６１６、シリンドリカルレンズ６１７、反射ミラー６１８、および走査制御装置（図示省略）などを備えている。そして、これらは、ハウジング６３０の中の所定位置に組み付けられている。
【００３８】
以下、便宜上、主走査方向に対応する方向を「主走査対応方向」と略述し、副走査方向に対応する方向を「副走査対応方向」と略述して説明する。
【００３９】
カップリングレンズ６１５は、光源６１４から出力された光束を略平行光とする。開口板６１６は、開口部を有し、カップリングレンズ６１５を介した光束のビーム径を規定する。シリンドリカルレンズ６１７は、開口板６１６の開口部を通過した光束を、反射ミラー６１８を介してポリゴンミラー６１３の偏向反射面近傍に副走査対応方向に関して結像する。
【００４０】
光源６１４とポリゴンミラー６１３との間の光路上に配置される光学系は、偏向器前光学系とも呼ばれている。本例では、偏向器前光学系は、カップリングレンズ６１５と開口板６１６とシリンドリカルレンズ６１７と反射ミラー６１８とから構成されている。
【００４１】
ポリゴンミラー６１３は、一例として内接円の半径が１８ｍｍの６面鏡を有し、各鏡がそれぞれ偏向反射面となる。このポリゴンミラー６１３は、副走査対応方向に平行な軸の周りを等速回転しながら、反射ミラー６１８からの光束を偏向する。
【００４２】
偏向器側走査レンズ６１１ａは、ポリゴンミラー６１３で偏向された光束の光路上に配置されている。像面側走査レンズ６１１ｂは、偏向器側走査レンズ６１１ａを介した光束の光路上に配置されている。そして、この像面側走査レンズ６１１ｂを介した光束が、感光体ドラム１０３０の表面に照射され、光スポットが形成される。
【００４３】
この光スポットは、ポリゴンミラー６１３の回転に伴って感光体ドラム１０３０の長手方向に移動する。すなわち、感光体ドラム１０３０上を走査する。このときの光スポットの移動方向が「主走査方向」である。また、感光体ドラム１０３０の回転方向が「副走査方向」である。
【００４４】
ポリゴンミラー６１３と感光体ドラム１０３０との間の光路上に配置される光学系は、走査光学系とも呼ばれている。本例では、走査光学系は、偏向器側走査レンズ６１１ａと像面側走査レンズ６１１ｂとから構成されている。
【００４５】
尚、偏向器側走査レンズ６１１ａと像面側走査レンズ６１１ｂの間の光路上、および像面側走査レンズ６１１ｂと感光体ドラム１０３０の間の光路上の少なくとも一方に、少なくとも１つの折り返しミラーが配置されても良い。
【００４６】
本例では、光源６１４として、図７に示す面発光レーザ素子１００を有している。以下、図７において、レーザ発振方向をＺ軸方向とし、Ｚ軸方向に垂直な面内における互いに直交する２つの方向をＸ軸方向およびＹ軸方向として、面発光レーザ素子１００の説明を行う。
【００４７】
面発光レーザ素子１００は、発振波長が７８０ｎｍ帯の面発光レーザ素子であり、基板１０１と、バッファ層１０２、下部半導体ＤＢＲ１０３、下部スペーサ層１０４、活性層１０５、上部スペーサ層１０６、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９などを有している。
【００４８】
基板１０１は、表面が鏡面研磨面であり、図８（Ａ）に示されるように、鏡面研磨面（主面）の法線方向が、結晶方位［１  ０  ０］方向に対して、結晶方位［１  １  １］Ａ方向に向かって１５度（θ＝１５度）傾斜したｎ−ＧａＡｓ単結晶基板である。
【００４９】
すなわち、基板１０１はいわゆる傾斜基板である。ここでは、図８（Ｂ）に示されるように、結晶方位［０  −１  １］方向が＋Ｘ方向、結晶方位［０  １  −１］方向が−Ｘ方向となるように配置されている。
【００５０】
図７において、バッファ層１０２は、基板１０１の＋Ｚ側の面上に積層され、ｎ−ＧａＡｓからなる層である。
【００５１】
下部半導体ＤＢＲ１０３は、バッファ層１０２の＋Ｚ側の面上に積層され、発振波長をλとしたとき、光学的厚さがλ／４となる膜厚のｎ−ＡｌＡｓからなる低屈折率層と、光学的厚さがλ／４となる膜厚のｎ−Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓからなる高屈折率層のペアが３７ペア積層されており、さらに、その＋Ｚ側に、光学的厚さが３λ／４となる膜厚のｎ−ＡｌＡｓと、光学的厚さがλ／４となる膜厚のｎ−Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓが３ペア積層されている。
【００５２】
この構成では、図９に示されるように、ＡｌＡｓ層の熱抵抗が、任意の組成により形成されるＡｌＧａＡｓ層の熱抵抗よりも小さいため、効率よく放熱を行うことが可能であり、発光時の発熱による素子特性の悪化の抑制や素子寿命の増大に効果がある。
【００５３】
また、各屈折率層の間には、電気抵抗を低減するため、一方の組成から他方の組成へ向かって組成を徐々に変化させた厚さ２０ｎｍの組成傾斜層が設けられている。
【００５４】
尚、各屈折率層の膜厚はいずれも、隣接する組成傾斜層の１／２を含んでいる。また、光学的厚さがλ／４のとき、その層の実際の厚さＤは、Ｄ＝λ／４ｎ（但し、ｎはその層の媒質の屈折率）である。
【００５５】
また、下部半導体ＤＢＲは、上述のような例に限らず、光学的厚さが３λ／４となる膜厚のｎ−ＡｌＡｓを含まなくてもよく、低屈折率層を全て光学的厚さがλ／４となる膜厚のｎ−ＡｌＡｓで積層してもよい。
【００５６】
また、同様に、低屈折率層を、全て、光学的厚さがλ／４となる膜厚のｎ―ＡｌＧａＡｓ（例えばｎ−Ａｌ０．９３Ｇａ０．０７Ａｓ）で積層してもよい。
【００５７】
図７において、下部スペーサ層１０４は、下部半導体ＤＢＲ１０３の＋Ｚ側に積層され、光学的厚さがλ／４となる厚さのノンドープの（Ａｌ０．１Ｇａ０．９）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなる層である。
【００５８】
活性層１０５は、下部スペーサ層１０４の＋Ｚ側に積層され、ＧａＩｎＡｓＰ／Ａｌ０．３３Ｇａ０．６７Ａｓからなる３重量子井戸構造の活性層である。
【００５９】
上部スペーサ層１０６は、活性層１０５の＋Ｚ側に積層され、ノンドープの（Ａｌ０．１Ｇａ０．９）０．５Ｉｎ０．５Ｐからなる層である。
【００６０】
下部スペーサ層１０４と活性層１０５と上部スペーサ層１０６とからなる部分は、共振器構造体とも呼ばれており、隣接する組成傾斜層の１／２を含んで、その厚さが１波長の光学的厚さとなるように設定されている。尚、活性層１０５は、高い誘導放出確率が得られるように、電界の定在波分布における腹に対応する位置である共振器構造体の中央に設けられている。
【００６１】
上部半導体ＤＢＲ１０７は、上部スペーサ層１０６の＋Ｚ側に積層され、ｐ−Ａｌ０．９３Ｇａ０．０７Ａｓからなる低屈折率層とｐ−Ａｌ０．３１Ｇａ０．６９Ａｓからなる高屈折率層のペアを２３ペア有している。各屈折率層の間には組成傾斜層が設けられている。そして、各屈折率層はいずれも、隣接する組成傾斜層の１／２を含んで、λ／４の光学的厚さとなるように設定されている。
【００６２】
上部半導体ＤＢＲ１０７における低屈折率層の１つには、ＡｌＡｓからなる被選択酸化層が厚さ３０ｎｍで挿入されている。この被選択酸化層の挿入位置は、上部スペーサ層１０６から２ペア目の低屈折率層中である。
【００６３】
コンタクト層１０９は、上部半導体ＤＢＲ１０７の＋Ｚ側に積層され、ｐ−ＧａＡｓからなる層である。
【００６４】
このように基板１０１上に複数の半導体層が積層されたものを、以下では、便宜上「積層体」ともいう。
【００６５】
次に、面発光レーザ素子１００の製造方法について説明する。面発光レーザ素子１００の製造は下記の第１〜第１６の工程を含む。
【００６６】
第１の工程：前述の積層体を有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ法）あるいは分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ法）による結晶成長によって形成する。
【００６７】
ここでは、ＩＩＩ族の原料には、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）を用い、Ｖ族の原料には、フォスフィン（ＰＨ３）、アルシン（ＡｓＨ３）を用いている。また、ｐ型ドーパントの原料には四臭化炭素（ＣＢｒ４）、ジメチルジンク（ＤＭＺｎ）を用い、ｎ型ドーパントの原料にはセレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）を用いている。
【００６８】
第２の工程：積層体の表面に所望のメサ形状に対応する１辺が２５μｍの正方形状のレジストパターンを形成する。また、必要に応じて内周溝のレジストパターンも形成する。
【００６９】
第３の工程：ＩＣＰドライエッチング法で、上記レジストパターンをフォトマスクとして四角柱のメサを形成する。
【００７０】
第４の工程：フォトマスクを除去する。
【００７１】
第５の工程：メサが形成された積層体を酸化対象物として、酸化処理を行う。ここでは、メサの外周部から被選択酸化層１０８中のＡｌ（アルミニウム）が選択的に酸化される。そして、メサの中央部に、Ａｌの酸化層１０８ａによって囲まれた酸化されていない領域１０８ｂを残留させる。これにより、発光部の駆動電流の経路をメサの中央部だけに制限する、酸化狭窄構造体が形成される。上記酸化されていない領域１０８ｂが電流通過領域（電流注入領域）である。
【００７２】
第６の工程：酸化処理が完了した積層体に対して、外周部溝形成部のみを露出させるようリソグラフィによりレジストパターンを形成し、ＩＣＰドライエッチング法を用いて第１の分離溝１１６を形成し、レジストパターンを除去する。
【００７３】
第７の工程：リソグラフィにより、第２の分離溝を形成するためのレジストパターンを形成し、ＩＣＰドライエッチング法を用いて深さがおよそ１０μｍの第２の分離溝１１７を形成し、レジストパターンを除去する。尚、第２の溝の深さは１０μｍでなくともよく、ヘキ開可能な深さであればよい。
【００７４】
第８の工程：積層体を加熱チャンバーに入れ、窒素雰囲気中に３８０〜４００℃の温度で３分間保持する。これにより、大気中で表面に付着した酸素や水、もしくは加熱処理用のチャンバー内の微量な酸素や水による自然酸化膜が、窒素雰囲気中での加熱処理により安定した不動態皮膜１１５になる。
【００７５】
第９の工程：気相化学堆積法（ＣＶＤ法）を用いて、ＳｉＮ、ＳｉＯＮあるいはＳｉＯ２からなる保護層１１１を形成する。
【００７６】
第１０の工程：メサ上部にＰ側電極コンタクトの窓開けを行う。ここでは、フォトレジストによるマスクを施した後、メサ上部の開口部を露光してその部分のフォトレジストを除去し、ＢＨＦにて保護層１１１をエッチングして開口した。
【００７７】
第１１の工程：メサ上部の光射出部となる領域に一辺１０μｍの正方形状のレジストパターンを形成し、ｐ側の電極材料の蒸着を行う。ｐ側の電極材料としてはＣｒ／ＡｕＺｎ／Ａｕからなる多層膜、もしくはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる多層膜が用いられる。
【００７８】
第１２の工程：光射出部の電極材料をリフトオフし、ｐ側の電極１１３を形成する。
【００７９】
第１３の工程：基板１０１の裏側を所定の厚さ（例えば１００μｍ程度）まで研磨した後、ｎ側の電極１１４を形成する。ここでは、ｎ側の電極１１４はＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなる多層膜である。
【００８０】
第１４の工程：アニールによって、ｐ側の電極１１３とｎ側の電極１１４のオーミック導通をとる。これにより、メサは発光部となる。
【００８１】
第１５の工程：ブレーキングにより、チップ毎に切断する。
【００８２】
第１６の工程：そして、種々の後工程を経て、面発光レーザ素子１００となる。
【００８３】
尚、上述の製造方法は、面発光レーザ素子に限定されず、面発光レーザアレイでも、同様の各工程を含む方法で製造することが可能である。
【００８４】
実際に、以上の製造方法によって面発光レーザアレイ３０００個を製造したところ、チッピングやスクライブライン（ここでは第２の分離溝を指す）に沿わないヘキ開は発生しなかった。
【００８５】
さらに、図３に示すように、第２の分離溝を３本形成して分離することによって面発光レーザアレイ３０００個を製造したところ、スクライブライン（ここでは、第２の分離溝を指す）に沿わないヘキ開は発生しなかった。
【００８６】
このように、複数形成した第２の分離溝は、何らかの影響（例えば、基板上のパーティクルがハードマスクになることで発生するエッチング不良など）で中心のスクライブラインに沿わずにヘキ開がなされようとするとき、予備のスクライブラインとしての効果があり、歩留りを下げることを防止することができる。
【００８７】
また、図４に示すように、基板の裏面に、ドライエッチングにより分離溝１２０を１本形成した面発光レーザアレイを３０００個製造したところ、スクライブライン（ここでは、第２の分離溝を指す）に沿わないヘキ開は発生せず、裏面に溝を形成しない面発光レーザアレイの半分の圧力でヘキ開可能であった。
【００８８】
すなわち、裏面に溝を形成することで、ブレーキング時の衝撃を小さくすることが可能であり、異種材料間の界面（例えば半導体層と層間膜）の応力が開放されることによる膜剥がれを抑制する効果がある。
【００８９】
このような実例に対し、従来のスクライブ・ブレーキング工程により、面発光レーザアレイを３０００個製造したところ、スクライブライン（ここでは、基板表面をケガクといったスクライブ工程により形成したものを指す）に沿わないヘキ開が４箇所発生した。
【００９０】
また、Ａｌ（アルミニウム）を含まない材料からなる基板に達しない深さからなり、下部半導体ＤＢＲ中で停止した第１の分離溝を形成したところ、Ａｌが酸化されたことにより、第２の溝を形成するためのエッチング時に突起がウェハ全面に発生し、分離溝として機能しないという不都合があった。
【００９１】
また、Ａｌを含まない材料からなる基板に達しない深さからなり、下部半導体ＤＢＲ中で停止した第１の分離溝は、ＡｌＡｓの酸化速度が著しく大きいため、腐食が発生し、半導体素子として機能しなくなるといった極めて大きな不都合がある。
【００９２】
このような結果から、本例の面発光レーザアレイは、従来の第２の溝を形成しない構造の面発光レーザアレイや、基板に達しない深さで第２の溝を形成した面発光レーザアレイよりも、歩留りを向上させることが可能であることが確認できる。
【００９３】
このような面発光レーザアレイを、図５の光走査装置１０１０における図６に示す光源６１４として用いることもできる。
【００９４】
すなわち、図６における光源６１４は、図７に示す面発光レーザ素子１００に代えて、一例として図１０に示されるように、面発光レーザ素子１００の製造方法と同様な製造方法で製造された面発光レーザアレイ５００を有していても良い。
【００９５】
この面発光レーザアレイ５００は、同一基板上に２次元的に配列されている複数（ここでは１６個）の発光部５０１を有している。図１０におけるＭ方向は主走査対応方向であり、Ｓ方向は副走査対応方向である。尚、発光部の数は１６個に限定されるものではない。
【００９６】
このような複数（ここでは１６個）の発光部５０１は、図１１に示されるように、全ての発光部をＳ方向に伸びる仮想線上に正射影したときに、発光部間隔が等間隔ｃとなるように配置されている。
【００９７】
尚、本明細書では、「発光部間隔」とは２つの発光部５０１の中心間距離をいう。ここでは、間隔ｃは６μｍ、Ｓ方向の発光部間隔ｄは２４μｍ、Ｍ方向の発光部間隔Ｘは３０μｍである。
【００９８】
各発光部５０１は、図１１のＡ−Ａ断面図である図１２に示されるように、前述の図７に示した面発光レーザ素子１００と同様な構造を有している。すなわち、面発光レーザアレイ５００は、面発光レーザ素子１００が集積された面発光レーザアレイである。そこで、面発光レーザ素子１００と同様な効果を得ることができる。
【００９９】
この場合に、面発光レーザアレイ５００では、各発光部を副走査対応方向に延びる仮想線上に正射影したときの発光部間隔が等間隔ｃであるので、点灯のタイミングを調整することで感光体ドラム１０３０上では副走査方向に等間隔で発光部が並んでいる場合と同様な構成と捉えることができる。
【０１００】
そして、前述の間隔ｃが６μｍであるため、図５，図６における光走査装置１０１０の光学系の倍率を約１．８倍とすれば、２４００ｄｐｉ（ドット／インチ）の高密度書込みができる。
【０１０１】
もちろん、主走査対応方向の発光部数を増加したり、前記間隔ｄを狭くして間隔ｃを更に小さくするアレイ配置としたり、光学系の倍率を下げる等を行えばより高密度化でき、より高品質の印刷が可能となる。尚、主走査方向の書き込み間隔は、発光部の点灯タイミングで容易に制御できる。
【０１０２】
また、この場合には、図５におけるレーザプリンタ１０００では、書きこみドット密度が上昇しても印刷速度を落とすことなく印刷することができる。また、同じ書きこみドット密度の場合には印刷速度を更に速くすることができる。
【０１０３】
尚、２つの発光部の間の溝は、各発光部の電気的および空間的分離のために、５μｍ以上とすることが好ましい。あまり狭いと製造時のエッチングの制御が難しくなるからである。
【０１０４】
また、メサの大きさ（１辺の長さ）は１０μｍ以上とすることが好ましい。あまり小さいと動作時に熱がこもり、特性が低下するおそれがあるからである。
【０１０５】
また、本例において、図５，図６に示す光走査装置１０１０における面発光レーザ素子１００に代えて、この面発光レーザ素子１００と同様の製造方法で製造され、当該面発光レーザ素子１００と同様の発光部が１次元配列された面発光レーザアレイを用いても良い。
【０１０６】
また、本例では、画像形成装置として、図５に示すレーザプリンタ１０００の場合について説明したが、これに限定されるものではない。要するに、図５に例示した光走査装置１０１０を備えた画像形成装置であれば良い。
【０１０７】
例えば、レーザ光によって発色する媒体（例えば、用紙）に直接、レーザ光を照射する画像形成装置であっても良い。
【０１０８】
また、像担持体として銀塩フィルムを用いた画像形成装置であっても良い。この場合には、光走査により銀塩フィルム上に潜像が形成され、この潜像は通常の銀塩写真プロセスにおける現像処理と同等の処理で可視化することができる。そして、通常の銀塩写真プロセスにおける焼付け処理と同等の処理で印画紙に転写することができる。このような画像形成装置は光製版装置や、ＣＴスキャン画像等を描画する光描画装置として実施できる。
【０１０９】
また、図１〜図４で示した面発光レーザ素子１もしくは図１０に示す面発光レーザアレイ５００を、電気機器としての光ディスク装置における光ピックアップ用の光源や、光インターコネクションなどの光通信装置の光源などとして用いることにより、当該電気機器（光ディスク装置）や光通信装置を安価に提供することが可能となる。
【０１１０】
また、図１３に示されるように、図１〜図４で示した面発光レーザ素子１もしくは図１０に示す面発光レーザアレイ５００を、複数の感光体ドラムを備えるカラープリンタ２０００であっても良い。
【０１１１】
この図１３に示すカラープリンタ２０００は、４色（ブラック、シアン、マゼンタ、イエロー）を重ね合わせてフルカラーの画像を形成するタンデム方式の多色カラープリンタであり、ブラック用のステーション（感光体ドラムＫ１、帯電装置Ｋ２、現像装置Ｋ４、クリーニングユニットＫ５、および転写装置Ｋ６）と、シアン用のステーション（感光体ドラムＣ１、帯電装置Ｃ２、現像装置Ｃ４、クリーニングユニットＣ５、および転写装置Ｃ６）と、マゼンタ用のステーション（感光体ドラムＭ１、帯電装置Ｍ２、現像装置Ｍ４、クリーニングユニットＭ５、および転写装置Ｍ６）と、イエロー用のステーション（感光体ドラムＹ１、帯電装置Ｙ２、現像装置Ｙ４、クリーニングユニットＹ５、および転写装置Ｙ６）と、光走査装置２０１０と、転写ベルト２０８０と、定着ユニット２０３０などを備えている。
【０１１２】
各感光体ドラムは、図１３中の矢印の方向に回転し、各感光体ドラムの周囲には、回転方向に沿って、それぞれ帯電装置、現像装置、転写装置、クリーニングユニットが配置されている。各帯電装置は、対応する感光体ドラムの表面を均一に帯電する。帯電装置によって帯電された各感光体ドラム表面に光走査装置２０１０により光が照射され、各感光体ドラムに潜像が形成されるようになっている。
【０１１３】
そして、対応する現像装置により各感光体ドラム表面にトナー像が形成される。さらに、対応する転写装置により、転写ベルト２０８０上の記録紙に各色のトナー像が転写され、最終的に定着ユニット２０３０により記録紙に画像が定着される。
【０１１４】
この光走査装置２０１０は、図６に示す光源６１４と同様な光源を色毎に有しており、図５，図６における光走査装置１０１０と同様な効果を得ることができる。また、カラープリンタ２０００は、光走査装置２０１０を備えているため、図５に示すレーザプリンタ１０００と同様な効果を得ることができる。
【０１１５】
尚、カラープリンタ２０００では、各部品の製造誤差や位置誤差等によって色ずれが発生する場合がある。このような場合であっても、光走査装置２０１０の各光源が、図１０に示す面発光レーザアレイ５００と同様な面発光レーザアレイを有していると、点灯させる発光部（５０１）を変更することで、色ずれを低減することができる。
【０１１６】
次に、図１４を用いて、本発明に係る面発光レーザ素子および面発光レーザアレイを用いた光送受信モジュールおよび当該光送受信モジュールを用いた光通信装置について説明する。
【０１１７】
図１４おいては、複数の面発光レーザ素子を同一の基板上に配置して構成した面発光レーザアレイ１４０１ａ，１４０２ａと、面発光レーザアレイ１４０１ａ，１４０２ａの各素子から出射されたレーザ光を受光して電気信号に変換出力する受光素子１４０１ｂ，１４０２ｂを、ボード１４０１，１４０２上に設け、光送受信モジュールを構成している。
【０１１８】
また、ボード１４０１，１４０２上には、面発光レーザアレイ１４０１ａ，１４０２ａを駆動する駆動回路、および、受光素子１４０１ｂ，１４０２ｂからの出力の信号処理を行う制御回路等が搭載されている。
【０１１９】
ボード１４０１，１４０２上の面発光レーザアレイ１４０１ａ，１４０２ａの各面発光レーザ素子と受光素子１４０１ｂ，１４０２ｂのそれぞれは相互に、光ファイバ１４０３を介して、光信号の送受信を行う光通信装置構成となっている。
【０１２０】
ボード１４０１，１４０２は、さらに、図示していないコンピュータ装置等の通信装置に接続され、データ処理が行われる。
【０１２１】
このように、本例の面発光レーザ素子・アレイを用いることにより、光送受信モジュールの低価格化と高品質化を図ることができ、かつ、それを用いた光通信装置の低価格化および高品質化を図ることができる。
【０１２２】
次に、図１５を用いて、本発明に係る面発光レーザ素子もしくは面発光レーザアレイを用いた電気機器の例として、面発光レーザ素子を用いた光ディスク装置について説明する。
【０１２３】
図１５において、本例の光ディスク装置は、光ディスク１５０１へのデータの書き込みや、光ディスク１５０１に書き込まれたデータの再生に、本発明に係る面発光レーザ素子からなるレーザ装置１５０２を用いている。
【０１２４】
光ディスク装置では、光ディスク１５０１へのデータの書き込み時、レーザ装置１５０２から光ディスク１５０１へ向けて信号光(レーザ光)を出射し、この信号光を、コリメートレンズ１５０３により平行光とし、ビームスプリッタ１５０４を透過してλ／４偏光板１５０５で偏光状態を調節した後、レーザ光照射用対物レンズ１５０６により光ディスク１５０１の表面に集光させる。
【０１２５】
また、光ディスク１５０１に記録されたデータを読み出す際には、レーザ装置１５０２から、データ信号がのっていないレーザ光を書き込み時と同じ経路をたどって光ディスク１５０１の表面に照射し、光ディスク１５０１の表面で反射させたレーザ光を、レーザ光照射用対物レンズ１５０６、λ／４偏光板１５０５を経由し、ビームスプリッタ１５０４により光軸の方向を９０°変えて、再生光用対物レンズ１５０７で信号検出用受光素子１５０８の表面に集光させ、この信号検出用受光素子１５０８において、レーザ光が示すデータ信号を電気信号に変換して信号光再生回路１５０９に出力する。そして、この信号光再生回路１５０９において、電気信号を元の信号に再生する。
【０１２６】
このように、本発明に係る面発光レーザ素子を光ディスク装置に用いることにより、光ディスク装置の低価格化と高品質化を図ることができる。
【０１２７】
以上、図１〜図１５を用いて説明したように、本例の面発光レーザ素子１，１００および面発光レーザアレイ５００は、アルミニウムを含まない材料からなる基板上に、第１の半導体多層膜（下部半導体ＤＢＲ）と活性層および第２の半導体多層膜（上部半導体ＤＢＲ）からなるアルミニウムを含む半導体層を有しており、この半導体層を、基板にいたる深さまでエッチングして第１の分離溝（１ｆ，１１６）を形成し、半導体層に保護膜（１ｇ，１１１）を形成し、第１の分離溝の中心部における基板を予め定められた深さまでエッチングして、１以上の第２の分離溝（１ｉ，２１ａ，２１ｂ，３１ａ，３１ｂ，４１ａ，４１ｂ）を形成し、この第２の分離溝に沿って分離してなる。
【０１２８】
また、基板における第２の分離溝に対向する位置に、第３の分離溝（４２ａ，４２ｂ）を形成し、これらの第２の分離溝と第３の分離溝に沿って分離してなる。
【０１２９】
そして、プリンタや複写機等の画像形成装置に設けられる光走査装置ならびに電気機器としての光ディスク装置、ならびに光送受信モジュールおよびそれを用いた光通信装置などの光源として用いられる。
【０１３０】
例えば、光送受信モジュールとしては、面発光レーザ素子１，１００、もしくは、面発光レーザアレイ５００のいずれかからなる光源と、これらの面発光レーザ素子１，１００もしくは面発光レーザアレイ５００のいずれかを駆動する駆動回路と、レーザ光を受光して電気信号に変換して出力する受光素子とにより構成する。
【０１３１】
また、光信号を用いて情報の伝達を行う光通信装置としては、当該光信号を、面発光レーザ素子１，１００、もしくは、面発光レーザアレイ５００のいずれかから出射される光ビームによって生成する構成とする。
【０１３２】
また、電気機器としての光ディスク装置は、面発光レーザ素子１，１００、もしくは、面発光レーザアレイ５００のいずれかを光源として、これらの面発光レーザ素子１，１００もしくは面発光レーザアレイ５００のいずれかを駆動する駆動回路を設けて構成する。
【０１３３】
これにより、従来技術の問題点（スクライブ工程におけるパーティクルの発生、スクライブラインに沿わないブレーキング、ダイシング時のチッピングにより、歩留りが低下してしまうという点と、アルミニウムを含む半導体多層膜に腐食が発生してしまう点）を解決し、Ａｌ（アルミニウム）を含む半導体多層膜を有する面発光レーザ素子および面発光レーザアレイを、半導体多層膜を腐食させることなく、且つ、パーティクルの発生とブレーキングおよびチッピングによる歩留り低下を発生させることなく製造することができ、製造工程における歩留りを向上させ、安価で品質の良い（アルミニウムを含む半導体多層膜を有する）面発光レーザ素子および面発光レーザアレイの提供が可能となり、それらを用いた光走査装置と画像形成装置、および光ディスク装置等の電気機器、ならびに光通信装置などの低価格化と高品質化が可能となる。
【０１３４】
このように、本例によれば、面発光レーザ素子や面発光レーザアレイにおける製造過程での歩留りを向上させることが可能であり、安価で高品質な面発光レーザ素子や面発光レーザアレイを提供することが可能である。そして、このような安価で高品質な面発光レーザ素子や面発光レーザアレイを用いた光走査装置は、高コスト化を招くことなく、高い精度の光走査を行うのに適している。さらに、この光走査装置を用いた画像形成装置は、高コスト化を招くことなく、高品質の画像を形成するのに適している。また、安価な面発光レーザ素子や面発光レーザアレイを光源として用いた光ディスク装置等の電気機器、ならびに光通信装の低コスト化と高品質化を図ることができる。
【０１３５】
尚、本発明は、図１〜図１５を用いて説明した例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。例えば、本例では、図８において、基板１０１の主面の法線方向が、結晶方位［１  ０  ０］方向に対して、結晶方位［１  １  １］Ａ方向に向かって１５度傾斜している場合について説明したが、これに限定されるものではない。傾斜基板を用いるときには、基板１０１の主面の法線方向が、結晶方位＜１  ０  ０＞の一の方向に対して、結晶方位＜１  １  １＞の一の方向に向かって傾斜していれば良い。
【０１３６】
さらに、本例では、基板１０１が傾斜基板である場合について説明したが、これに限定されるものではない。
【０１３７】
また、本例では、発光部の発振波長が７８０ｎｍ帯の場合について説明したが、これに限定されるものではない。感光体の特性に応じて、発光部の発振波長を変更しても良い。
【０１３８】
また、面発光レーザ素子１００は、画像形成装置以外の用途に用いることができる。その場合には、発振波長は、その用途に応じて、６５０ｎｍ帯、８５０ｎｍ帯、９８０ｎｍ帯、１．３μｍ帯、１．５μｍ帯等の波長帯であっても良い。
【符号の説明】
【０１３９】
１：面発光レーザ素子、１ａ：基板、１ｂ：第１の半導体多層膜（下部半導体ＤＢＲ）、１ｃ：活性領域、１ｄ：第２の半導体多層膜（上部半導体ＤＢＲ）、１ｅ：半導体層、１ｆ：第１の分離溝、１ｇ：保護膜、１ｈ：電極、１ｉ，２１ａ，２１ｂ，３１ａ，３１ｂ，４１ａ，４１ｂ：第２の分離溝、４２ａ，４２ｂ：第３の分離溝、１００：面発光レーザ素子、１０１：基板、１０２：バッファ層、１０３：下部半導体ＤＢＲ（第１の半導体多層膜）、１０４：下部スペーサ層（共振器構造体の一部）、１０５：活性層、１０６：上部スペーサ層（共振器構造体の一部）、１０７：上部半導体ＤＢＲ（第２の半導体多層膜）、１０８：被選択酸化層、１０８ａ：酸化層、１０８ｂ：電流通過領域（電流注入領域）、１０９：コンタクト層、１１１：保護層、１１３：ｐ側の電極、１１４：ｎ側の電極、１１５：不動態被膜、１１６：第１の分離溝、１１７：第２の分離溝、５００：面発光レーザアレイ、５０１：発光部、５０２：電極パッド、６１１ａ：偏向器側走査レンズ（走査光学系の一部）、６１１ｂ：像面側走査レンズ（走査光学系の一部）、６１３：ポリゴンミラー（光偏向器）、６１４：光源、６１５：カップリングレンズ、６１６：開口板、６１７：シリンドリカルレンズ、６１８：反射ミラー、６３０：ハウジング、１０００：レーザプリンタ（画像形成装置）、１０１０：光走査装置、１０３０：感光体ドラム（像担持体）、１０３１：帯電チャージャ、１０３２：現像ローラ、１０３３：転写チャージャ、１０３４：除電ユニット、１０３５：クリーニングユニット、１０３６：トナーカートリッジ、１０３７：給紙コロ、１０３８：給紙トレイ、１０３９：レジストローラ対、１０４０：記録紙、１０４１：定着ローラ、１０４２：排紙ローラ、１０４３：排紙トレイ、１０４４：プリンタ筐体、１０５０：通信制御装置、１０６０：プリンタ制御装置、１０７０：上位装置、１４０１，１４０２：ボード、１４０１ａ，１４０２ａ：面発光レーザアレイ、１４０１ｂ，１４０２ｂ：受光素子、１４０３：光ファイバ、１５０１：光ディスク、１５０２：レーザ装置、１５０３：コリメートレンズ、１５０４：ビームスプリッタ、１５０５：λ／４偏光板、１５０６：レーザ光照射用対物レンズ、１５０７：再生光用対物レンズ、１５０８：信号検出用受光素子、１５０９：信号光再生回路、２０００：カラープリンタ（画像形成装置）、２０１０：光走査装置、２０３０：定着ユニット、２０８０：転写ベルト、ＬＡ：面発光レーザアレイ、Ｋ１：感光体ドラム（ブラック用）、Ｋ２：帯電装置（ブラック用）、Ｋ４：現像装置（ブラック用）、Ｋ５：クリーニングユニット（ブラック用）、Ｋ６：転写装置（ブラック用）、Ｃ１：感光体ドラム（シアン用）、Ｃ２：帯電装置（シアン用）、Ｃ４：現像装置（シアン用）、Ｃ５：クリーニングユニット（シアン用）、Ｃ６：転写装置（シアン用）、Ｍ１：感光体ドラム（マゼンタ用）、Ｍ２：帯電装置（マゼンタ用）、Ｍ４：現像装置（マゼンタ用）、Ｍ５：クリーニングユニット（マゼンタ用）、Ｍ６：転写装置（マゼンタ用）、Ｙ１：感光体ドラム（イエロー用）、Ｙ２：帯電装置（イエロー用）、Ｙ４：現像装置（イエロー用）、Ｙ５：クリーニ���グユニット（イエロー用）、Ｙ６：転写装置（イエロー用）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０１４０】
【特許文献１】特表２００４−５３５０５７号公報
【特許文献２】特開２０００−２０８８１１号公報
【特許文献３】特許第３２３０５７２号公報
【特許文献４】特開２００６−８６５１６号公報
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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