(57)【要約】【課題】複数の光学サブアセンブリ間の熱的な干渉を避けながら光学サブアセンブリの半導体発光素子毎の検査を可能にする構造を有する光源装置を提供する。【解決手段】光源装置１１では、アセンブリホルダ１７は半導体発光素子２１の光出射面２１ａを光導波路１３の一端面１３ａに向き付ける。光学サブアセンブリ１５の支持部材２３はアセンブリホルダ１７の内側面１７ａにおいて単一の光導波路１３に対して光学的にアライメントされる。アセンブリホルダ１７の内側面１７ａは、複数の光学サブアセンブリ１５が、それぞれ、光導波路１３の一端面１３ｃに光学的に結合されて複数の基準線Ｒｅｆ１、Ｒｅｆ２上に配列されるように複数の光学サブアセンブリ１５を支持する。基準線Ｒｅｆ１、Ｒｅｆ２は、コア領域１３ａからクラッド領域１３ｂの方向に、コア領域１３ａの中心に位置する軸Ａｘ上の一点から互いに異なる方向に延びる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の軸に沿って延在するコア領域、該コア領域の周囲を覆い前記所定の軸に沿って延在するクラッド領域、及び前記所定の軸に交差する平面に沿って延在する一端面を含む単一の光導波路と、
複数の光学サブアセンブリと、
前記複数の光学サブアセンブリがそれぞれ複数の基準線上に配列されて前記光導波路の前記一端面に光学的に結合されるように前記複数の光学サブアセンブリを支持する内側面を有するアセンブリホルダと、
を備え、
前記光学サブアセンブリの各々は、
前記光導波路の前記一端面に光学的に結合された光出射面を有する半導体発光素子と、
前記半導体発光素子を搭載する支持部材と、
を含み、
前記支持部材は、前記半導体発光素子の第１及び第２の電極にそれぞれ電気的に接続された第１及び第２の電極を有し、
前記光学サブアセンブリの前記支持部材は、前記アセンブリホルダ内において互いに離れており、
前記アセンブリホルダは、前記半導体発光素子の前記光出射面を前記光導波路の前記一端面に向き付けており、
前記複数の基準線は、前記コア領域から前記クラッド領域の方向に前記所定の軸上の一点から互いに異なる方向に延びる、光源装置。
【請求項２】
前記アセンブリホルダは、該アセンブリホルダの一端から他端まで前記所定の軸の方向に延在する孔を有し、
前記複数の支持部材は前記アセンブリホルダの前記孔内に配列されている、請求項１に記載された光源装置。
【請求項３】
前記支持部材は、前記半導体発光素子をダイボンドしたヒートシンクと、前記ヒートシンクを搭載する主面及び前記アセンブリホルダに支持された裏面を有する搭載部材とを含み、
前記光学サブアセンブリは前記搭載部材に支持されたリード端子を更に含む、請求項１又は請求項２に記載された光源装置。
【請求項４】
前記アセンブリホルダの内側面は、前記複数の光学サブアセンブリをそれぞれ支持する複数の支持面と、前記複数の支持面の間に設けられた複数の分離溝とを有する、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載された光源装置。
【請求項５】
前記半導体発光素子は、基板と、前記基板の上に設けられた半導体積層とを含み、
前記支持部材は前記半導体発光素子の前記基板を支持する、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載された光源装置。
【請求項６】
前記コア領域の断面は円形であり、
前記半導体発光素子の前記光出射面における発光エリアが前記所定の軸上の一点を中心とする円周に沿って配列される、請求項１〜請求項５のいずれか一項に記載された光源装置。
【請求項７】
前記円周の直径は前記コア領域の前記断面の直径より小さい、請求項６に記載された光源装置。
【請求項８】
前記光導波路を支持する導波路ホルダを更に備え、
前記アセンブリホルダはアライメント面を有し、
前記アライメント面は、前記所定の軸に交差する基準平面に沿って延在すると共に、前記導波路ホルダの一端を支持する、請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載された光源装置。
【請求項９】
前記光導波路を支持する導波路ホルダを更に備え、
前記アセンブリホルダ及び前記導波路ホルダの各々は、前記アセンブリホルダと前記導波路ホルダとの間の光学的な位置決めを行う位置決め構造を有する、請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載された光源装置。
【請求項１０】
前記光導波路は大口径光ファイバを含む、請求項１〜請求項９のいずれか一項に記載された光源装置。
【請求項１１】
前記光導波路は、ブラスチックからなるコアを有する光ファイバ、石英ガラスからなるコアを有する光ファイバ、ポリイミド材料からなるコアを有する光ファイバ、ブラスチックからなるコアを有する平面導波路、石英ガラスからなるコアを有する平面導波路、ポリイミド材料からなるコアを有する平面導波路、及びフォトニック結晶のいずれか一つを含む、請求項１〜請求項９のいずれか一項に記載された光源装置。
【請求項１２】
請求項１〜請求項１１のいずれか一項に記載された光源装置と、
前記光源装置の前記光導波路の他端面からの光を受けるミラーデバイスと、
前記ミラーデバイスからの反射光から投射光を生成するレンズと、
前記光源装置の前記半導体発光素子を駆動すると共に、前記ミラーデバイスを制御する制御装置と、
を備えるディスプレイ装置。
【請求項１３】
請求項１〜請求項１１のいずれか一項に記載された光源装置と、
前記光導波路の前記他端面からの光をコリメートするレンズと、
前記レンズからの光を受けるミラーを含むＭＥＭＳと、
前記光源装置の前記半導体発光素子を駆動すると共に、前記ＭＥＭＳを制御して前記ＭＥＭＳからの反射光を走査する制御装置と、
を備えるディスプレイ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光源装置、及びディスプレイ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、携帯性に優れたレーザ表示装置を実現可能な小型のレーザ光源が記載されている。
【０００３】
特許文献２には、レーザ装置が記載されている。このレーザ装置では、複数のレーザダイオードとコリメーターレンズアレイとの組合せを有するレーザ装置において、レーザダイオードの発光点ピッチとレンズアレイのピッチとが互いにずれることを防止している。
【０００４】
特許文献３には、合波光源が記載されている。この合波光源は、複数の光源からの光を合波して、合波光を生成している。この合波光は高出力であり高輝度である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−１８６０６６号公報
【特許文献２】特開２００４−２７３６２０号公報
【特許文献３】特開２００７−０４１３４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１では、ＲＧＢのレーザ光を出射するレーザ光源１００は、青色のレーザ光を出射する青色半導体レーザ（第１レーザダイオード）と、赤色のレーザ光を出射する赤色半導体レーザ（第２レーザダイオード）と、ＤＢＲ−ＬＤ及びそこから出射されるレーザ光の波長を変換する波長変換素子により構成され緑色のレーザ光を出射するレーザ（第３レーザダイオード）とを備える。上記の第１〜第３レーザダイオードは、同一のヒートシンクに接触して同一パッケージ内に実装される。波長変換素子の周囲を覆うようにヒートシンクを設けるので、波長変換素子と青色半導体レーザ及び赤色半導体レーザとを同一パッケージ内に実装した場合でも、青色半導体レーザ及び赤色半導体レーザからの熱によって波長変換素子の特性が変動してしまうこと防止できる。これ故に、特許文献１では同一のパッケージに３つのレーザダイオードからの熱を単一のヒートシンクを介して放出するので、レーザダイオード間の熱的干渉が大きく、熱的干渉は更なる小型化の妨げとなる。熱的な干渉は、素子温度を上昇させる。これは、所望の光量を得るためには結果として更なる発熱を引き起こす。また、同一のパッケージに組み上げられるまで、電気的な特性の検査を行うことができない。これ故に、光源装置の良品率は、個々のレーザ素子の良品率の積に関連することになる。
【０００７】
特許文献２では、レーザ装置は、複数の発光点が一列に並ぶように構成されたレーザダイオードと、発光点から発せられたレーザビームを各々平行光するコリメータ・レンズアレイと、コリメートされたレーザビームを集光する集光レンズと、集光されたレーザビームを１本に合波する光ファイバとを備える。このレーザ装置で、レーザダイオードおよび／またはコリメータ・レンズアレイをヒータを用いて加温すると共に、光ファイバから出射したレーザビームの光量を光量検出手段を用いて検出する。ヒータの駆動は、この光量検出手段によって検出された光量が最大となるように制御される。これ故に、特許文献２では複数のレーザ素子とレンズアレイとの光学的位置合わせが必要である。また、別個のレンズ部品を用いることは煩雑である。
【０００８】
特許文献３では、合波光源では、複数の光源から出射された光ビームは、マルチモード光ファイバを伝搬すると共に、いくつかの第１ファイバ合波器において合波されて、各第１ファイバ合波器は第１の合波光を生成する。第１の合波光は第２ファイバ合波器において更に合波されて、各第２ファイバ合波器は第２の合波光を形成する。特許文献３では、融着により光ファイバの光学的な接続を行っており、融着接続における光結合の損失を小さくするためには、融着する光ファイバのコアの位置をサブミクロンの精度で合わせることが必要である。光伝送路における損失の低減が求められる。
【０００９】
光源装置の小型化促進の視点から、特許文献１のような放熱構造に起因する熱的な干渉を低減すること、特許文献２のような光結合（つまり、レンズ部品を介する光結合）を避けることが求められる。
【００１０】
本発明は、このような事情を鑑みて為されたものであり、複数の光学サブアセンブリ間の熱的な干渉を避けながら、光学サブアセンブリの半導体発光素子毎の検査を可能にする構造を有する光源装置を提供することを目的とし、また、この照明装置を含むディスプレイ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一側面に係る光源装置は、（ａ）所定の軸に沿って延在するコア領域、該コア領域の周囲を覆い前記所定の軸に沿って延在するクラッド領域、及び前記所定の軸に交差する平面に沿って延在する一端面を含む単一の光導波路と、（ｂ）複数の光学サブアセンブリと、（ｃ）前記複数の光学サブアセンブリがそれぞれ複数の基準線上に配列されて前記光導波路の前記一端面に光学的に結合されるように前記複数の光学サブアセンブリを支持する内側面を有するアセンブリホルダとを備える。前記光学サブアセンブリの各々は、前記光導波路の前記一端面に光学的に結合された光出射面を有する半導体発光素子と、前記半導体発光素子を搭載する支持部材とを含む。前記支持部材は、前記半導体発光素子の第１及び第２の電極にそれぞれ電気的に接続された第１及び第２の電極を有し、前記光学サブアセンブリの前記支持部材は、前記アセンブリホルダ内において互いに離れており、前記アセンブリホルダは、前記半導体発光素子の前記光出射面を前記光導波路の前記一端面に向き付けている。前記複数の基準線は前記コア領域から前記クラッド領域の方向に前記所定の軸上の一点から互いに異なる方向に延びる。
【００１２】
この光源装置によれば、個々の光学サブアセンブリは半導体発光素子及び支持部材を含み、この支持部材は半導体発光素子の第１及び第２の電極にそれぞれ電気的に接続された第１及び第２の電極を有する。これ故に、光学サブアセンブリを光源装置に組み込む前に、電気的な特性の検査を光学サブアセンブリ毎に行うことができる。また、アセンブリホルダが半導体発光素子を光導波路の一端面に向き付けるので、半導体発光素子の光出射面からのビームが光導波路の一端面を介してコアに入射させることができる。これ故に、別個のレンズ部品を用いることなく、複数の半導体発光素子と単一の光導波路との光結合が可能になる。さらに、複数の光学サブアセンブリがそれぞれ複数の基準線上に配列されるようにアセンブリホルダが個々の光学サブアセンブリを支持しており、個々の基準線は、コア領域からクラッド領域の方向に所定の軸上の一点から互いに異なる方向に延びる。これ故に、光導波路と半導体発光素子との光結合を実現しながら、半導体発光素子を互いに近づけて所定の軸の回りに配置できる。半導体発光素子毎に光学サブアセンブリが構成され、また光学サブアセンブリの支持部材が互いに離れてアセンブリホルダにより支持されるので、支持部材を介した直接的な熱的な干渉が発光素子間に生じることが避けられる。
【００１３】
本発明の一側面に係る光源装置では、前記アセンブリホルダは、該アセンブリホルダの一端から他端まで前記所定の軸の方向に延在する孔を有し、前記複数の搭載部材は前記アセンブリホルダの前記孔内に配列されていることが好ましい。この光源装置によれば、複数の搭載部材をアセンブリホルダの孔内に配列できるので、アセンブリホルダの孔と光導波路との位置合わせにより光学的結合が可能になる。これ故に、該搭載部材上の半導体発光素子を光導波路の一端面に光学的に結合させることが容易になる。
【００１４】
本発明の一側面に係る光源装置では、前記支持部材は、前記半導体発光素子をダイボンドしたヒートシンクと、前記ヒートシンクを搭載する主面及び前記アセンブリホルダに支持された裏面を有する搭載部材とを含み、前記光学サブアセンブリは前記搭載部材に支持されたリード端子を更に含むことが好ましい。この光源装置によれば、支持部材はヒートシンクを含むと共に光学サブアセンブリがリード端子を有するので、半導体発光素子からの放熱及び半導体発光素子の電気的接続がそれぞれ支持部材及びリード端子を介して可能になる。
【００１５】
本発明の一側面に係る光源装置では、前記アセンブリホルダの内側面は、前記複数の光学サブアセンブリをそれぞれの支持する複数の支持面と、前記複数の支持面の間に設けられた複数の分離溝とを有することが好ましい。この光源装置によれば、支持面を介して半導体発光素子からの放熱が容易になる。また、分離溝により、個々の支持面上の光学サブアセンブリ間の熱的干渉がより低減される。
【００１６】
本発明の一側面に係る光源装置では、前記半導体発光素子は、基板と前記基板上に設けられた半導体積層とを含み、前記支持部材は前記半導体発光素子の前記基板を支持することが好ましい。この光源装置によれば、支持部材が半導体発光素子の基板を支持するので、光導波路のクラッド領域からコア領域へ向かう方向に半導体発光素子の基板と半導体積層が順に配列される。これ配列により、活性層を含む半導体積層が、基板よりもコア領域の中心に近く配置される。これ故に、活性層の出射面がコア領域の中心に近づけられる。
【００１７】
本発明の一側面に係る光源装置では、前記コアの断面は実質的に円形であり、前記半導体発光素子の前記光出射面における発光エリアが前記所定の軸上の一点を中心とする円周に沿って配列されることが好ましい。この光源装置によれば、半導体発光素子の光出射面における発光エリアが所定の軸上の一点を中心とする円周に沿って配列されるので、個々の半導体発光素子の光出射面がコア領域の一端面に効率的に光結合できる。
【００１８】
本発明の一側面に係る光源装置では、前記円周の直径は、前記コア断面の直径より小さいことが好ましい。この光源装置によれば、個々の半導体発光素子の光出射面とコア領域の一端面との光結合を高めることができる。
【００１９】
本発明の一側面に係る光源装置は、前記光導波路を支持する導波路ホルダを更に備えることができる。前記アセンブリホルダはアライメント面を有し、前記アライメント面は、前記導波路ホルダの一端を支持すると共に、前記所定の軸に交差する基準平面に沿って延在することが好ましい。
この光源装置によれば、前記導波路ホルダの一端をアセンブリホルダのアライメント面にスライドすることにより、アセンブリホルダの内側面に指示された複数の光学サブアセンブリと導波路ホルダに指示された光導波路との光学的アライメントを可能にする。
【００２０】
本発明の一側面に係る光源装置は、前記光導波路を支持する導波路ホルダを更に備えることができる。前記アセンブリホルダ及び前記導波路ホルダの各々は、前記アセンブリホルダと導波路ホルダとの間の光学的な位置決めを行う位置決め構造を有することが好ましい。この光源装置によれば、アセンブリホルダ及び導波路ホルダの各々における位置決め構造により、アセンブリホルダの内側面に支持された複数の光学サブアセンブリと導波路ホルダに支持された光導波路との光学的アライメントを可能になる。
【００２１】
本発明の一側面に係る光源装置では、前記光導波路は、大口径光ファイバを含むことができる。この光源装置によれば、いわゆる大口径光ファイバを用いることにより良好な光結合を提供できる。
【００２２】
本発明の一側面に係る光源装置では、前記光導波路は、ブラスチックからなるコアを有する光ファイバ、石英ガラスからなるコアを有する光ファイバ、ポリイミド材料からなるコアを有する光ファイバ、ブラスチックからなるコアを有する平面導波路、石英ガラスからなるコアを有する平面導波路、ポリイミド材料からなるコアを有する平面導波路、及びフォトニック結晶のいずれか一つを含むことができる。この光源装置によれば、上記の光導波路が好適に適用される。
【００２３】
本発明の別の側面は、上記の光源装置を備えるディスプレイ装置である。
【００２４】
本発明の別の側面に係るディスプレイ装置は、（ａ）上記のいずれかの光源装置と、（ｂ）前記光源装置の前記光導波路の他端面からの光を受けるミラーデバイスと、（ｃ）前記ミラーデバイスからの反射光から投射光を生成するレンズと、（ｄ）前記光源装置の前記半導体発光素子を駆動すると共に、前記ミラーデバイスを制御する制御装置とを備える。また、本発明の別の側面に係るディスプレイ装置は、（ａ）上記のいずれかの光源装置と、（ｂ）前記光導波路の前記他端面からの光をコリメートするレンズと、（ｃ）前記レンズからの光を受けるミラーを含むＭＥＭＳと、（ｄ）前記光源装置の前記半導体発光素子を駆動すると共に、前記ＭＥＭＳを制御して前記ＭＥＭＳからの反射光を走査する制御装置とを備える。
【００２５】
本発明の上記の目的および他の目的、特徴、並びに利点は、添付図面を参照して進められる本発明の好適な実施の形態の以下の詳細な記述から、より容易に明らかになる。
【発明の効果】
【００２６】
以上説明したように、本発明の一側面によれば、複数の光学サブアセンブリ間の熱的な干渉を避けながら、光学サブアセンブリの半導体発光素子毎の検査を可能にする構造を有する光源装置が提供される。また、本発明の別の側面によれば、この光源装置を含むディスプレイ装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】図１は、本実施の形態に係る光源装置を概略的に示す図面である。
【図２】図２は、光学サブアセンブリを概略的に示す図面である。
【図３】図３は、実施形態に係る光源装置においてアセンブリホルダに支持される光学サブアセンブの配置を示す図面である。
【図４】図４は、サブアセンブリホルダに光学サブアセンブを配列する一例を示す図面である。
【図５】図５は、第１の光学サブアセンブ及び第２の光学サブアセンブの配置における座標の一例を示す図面である。
【図６】図６は、光導波路及び導波路サブアセンブリの配置を示す図面である。
【図７】図７は、光源装置のための一実施例を示す図面である。
【図８】図８は、光源装置のための別の実施例を示す図面である。
【図９】図９は、光源装置を製造する方法における主要なステップを示す図面である。
【図１０】図１０は、本実施の形態に係るディスプレイ装置の一例を示す図面である。
【図１１】図１１は、本実施の形態に係るディスプレイ装置の一例を示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
本発明の知見は、例示として示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解できる。引き続いて、添付図面を参照しながら、本発明の光源装置、照明装置及びディスプレイ装置に係る実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付する。
【００２９】
図１は、本実施の形態に係る光源装置を概略的に示す図面である。図１の（ａ）は図１の（ｂ）部及び（ｃ）部に示されたI−I線に沿ってとられた断面を示す。図１の（ｂ）部は、図１の（ａ）に示された矢印A１の方向からの光源装置端面を示す。図１の（ｃ）部は図１の（ａ）に示されたII−II線に沿ってとられた断面を示す。
【００３０】
光源装置１１は、単一の光導波路１３と、複数の光学サブアセンブリ１５と、アセンブリホルダ１７とを備える。光導波路１３はコア領域１３ａ及びクラッド領域１３ｂを含む。コア領域１３ａの屈折率はクラッド領域１３ｂの屈折率より大きい。コア領域１３ａは所定の軸Ａｘに沿って延在する。クラッド領域１３ｂは該コア領域１３ａの周囲を覆うと共に、所定の軸Ａｘに沿って延在する。所定の軸Ａｘは例えばコア領域１３ａの中心に位置することができる。また、光導波路１３は一端面１３ｃ及び他端面１３ｄを含み、一端面１３ｃは、所定の軸Ａｘに交差する平面に沿って延在する。アセンブリホルダ１７は内側面１７ａを有しており、内側面１７ａは複数の光学サブアセンブリ１５を支持する。また、アセンブリホルダ１７は、光学サブアセンブリ１５が光導波路１３の一端面１３ｃに光学的に結合されるように光学サブアセンブリ１５の各々を支持する。この支持により、アセンブリホルダ１７は半導体発光素子２１の光出射面２１ａを光導波路１３の一端面１３ｃに向き付けている。光学サブアセンブリ１５の各々は半導体発光素子２１及び支持部材２３を含む。支持部材２３はアセンブリホルダ１７の内側面１７ａにおいて光導波路１３に対して位置決めされる。複数の光学サブアセンブリ１５が、それぞれ、光導波路１３の一端面１３ｃに光学的に結合されて複数の基準線（例えばＲｅｆ１、Ｒｅｆ２）上に配列されるように、アセンブリホルダ１７の内側面１７ａは複数の光学サブアセンブリ１５を支持する。図１の（ｂ）部を参照すると、基準線Ｒｅｆ１、Ｒｅｆ２は、コア領域１３ａからクラッド領域１３ｂの方向に所定の軸Ａｘ上の一点から互いに異なる方向に延びる。
【００３１】
図２は、光学サブアセンブリを概略的に示す図面である。図１及び図２を参照すると、光学サブアセンブリ１５において、半導体発光素子２１は、光導波路１３の一端面１３ｃに光学的に結合された光出射面２１ａを有し、また第１及び第２の電極２５ａ、２５ｂを有する。半導体発光素子２１は例えば端面発光型であることができる。支持部材２３は半導体発光素子２１を搭載する。支持部材２３は、半導体発光素子２１の第１及び第２の電極２５ａ、２５ｂにそれぞれ電気的に接続された第１及び第２の電極２７ａ、２７ｂを有する。光学サブアセンブリ１５の支持部材２３はアセンブリホルダ１７内において互いに離れている。
【００３２】
この光源装置１１によれば、個々の光学サブアセンブリ１５は半導体発光素子２１及び支持部材２３を含み、この支持部材２３は半導体発光素子２１の第１及び第２の電極２５ａ、２５ｂにそれぞれ電気的に接続された第１及び第２の電極２７ａ、２７ｂを有する。これ故に、光学サブアセンブリ１５毎に、電気的な特性の検査を行うことができる。また、アセンブリホルダ１７が半導体発光素子２１を光導波路１３の一端面１３ｃに向き付けるので、半導体発光素子２１の光出射面２１ａが光導波路１３の一端面１３ｃのコア面に向くことになる。これ故に、別個のレンズ部品を用いることなく、複数の半導体発光素子２１と単一の光導波路１３との光結合が可能になる。さらに、アセンブリホルダ１７が複数の光学サブアセンブリ１５を支持して、複数の光学サブアセンブリ１５がそれぞれ複数の基準線（例えばＲｅｆ１、Ｒｅｆ２）上に配列されて光導波路１３の一端面１３ｃに光学的に結合させる。個々の基準線（例えばＲｅｆ１、Ｒｅｆ２）は、コア領域１３ａからクラッド領域１３ｂの方向に所定の軸Ａｘ上の一点から互いに異なる方向に延びる。例えば、光導波路１３の一端面１３ｃにおいて規定されるコア領域１３ａとクラッド領域１３ｂとの境界線に沿って、半導体発光素子２１の配列を成すことができる。これ故に、光結合を実現しながら、半導体発光素子２１を互いに近づけて配置できる。半導体発光素子２１が光学サブアセンブリ１５に搭載され、またこれらの光学サブアセンブリ１５がアセンブリホルダ１７により支持されるので、半導体発光素子２１間の熱的な干渉が避けられる。
【００３３】
本実施例では、半導体発光素子２１は、単一の光導波路１３の一端面１３ｃに、半導体発光素子２１や光導波路１３と別個のレンズを介することなく直接に光学的結合を成している。
【００３４】
また、光源装置１１では、光導波路１３は、大口径光ファイバを含むことができる。この光源装置１１によれば、いわゆる大口径光ファイバを用いることにより良好な光結合を提供できる。大口径光ファイバの径は例えば２００μｍから１０００μｍ程度であることができ、例えば直径０．５ｍｍである。大口径光ファイバの開口率は例えば０．１から０．５程度であることができる。光導波路１３には、例えばディスプレイの用途の光源装置１１においては、例えば４６０ｎｍ〜６５０ｎｍ程度の波長の（例えば可視光）光が伝搬する。ディスプレイが正しく表示されているかを監視するセンサや人体センサの用途の光源装置１１においては、例えば８００ｎｍ〜５０００ｎｍ程度の波長の（例えば赤外線）光が伝搬する。光導波路１３の長さは例えば３ｍｍ〜２０ｍｍ程度であることができるが、これに限定されるものではない。
【００３５】
光源装置１１では、光導波路１３は、ブラスチックからなるコアを有する光ファイバ、石英ガラスからなるコアを有する光ファイバ、ポリイミド材料からなるコアを有する光ファイバ、ブラスチックからなるコアを有する平面導波路、石英ガラスからなるコアを有する平面導波路、ポリイミド材料からなるコアを有する平面導波路、及びフォトニック結晶のいずれか一つを含むことができる。フォトニック結晶としては例えばシリコンが用いられる。この光源装置１１によれば、上記の光導波路が好適に適用される。
【００３６】
図１を参照すると、光源装置１１では、アセンブリホルダ１７は孔１７ｂを有し、孔１７ｂは該ホルダ１７の一端１７ｃから他端１７ｄまで所定の軸Ａｘの方向に延在する。複数の支持部材２３はアセンブリホルダ１７の孔１７ｂ内に配列されていることが好ましい。この光源装置１１によれば、複数の支持部材２３をアセンブリホルダ１７の孔１７ｂ内に配列できるので、孔１７ｂと光導波路１３との位置合わせにより光学的結合が可能になる。これ故に、該支持部材２３上の半導体発光素子２１を光導波路１３の一端面１３ｃに光学的に結合させることが容易になる。
【００３７】
図１及び図２に示されるように、光源装置１１では、支持部材２３は、ヒートシンク３１、及び搭載部材３３を含む。半導体発光素子２１はヒートシンク３１にダイボンドされている。搭載部材３３の裏面はアセンブリホルダ１７の内側面１７ａに支持される。光学サブアセンブリ１５はリード端子３５を更に含む。支持部材２３はヒートシンク３１を含むと共に光学サブアセンブリ１５がリード端子３５を有するので、半導体発光素子２１からの放熱及び半導体発光素子２１の電気的接続がそれぞれ支持部材２３及びリード端子３５を介して可能になる。
【００３８】
搭載部材３３はヒートシンク３１を搭載する。ヒートシンク３１は例えば窒化アルミニウム等のセラミックス、Ｓｉ、ＳｉＣ等からなる。ヒートシンク３１の主面には、ＡｕＳｎやＳｎＡｇなどの導電膜が例えば蒸着により形成されることができる。リード端子３５は、搭載部材３３に支持されている。本実施例では、搭載部材３３は支持体３７及び配線部材３９を含む。支持体３７は主面３７ａ及び裏面３７ｂを有する。支持体３７の裏面３７ｂはアセンブリホルダ１７の内側面１７ａに固定される。支持体３７の主面３７ａは配線部材３９を支持しており、配線部材３９はリード端子３５を支持している。半導体発光素子２１への給電線は、支持体３７及び配線部材３９上の一対の配線によってアセンブリホルダ１７の一端まで引き出される。配線部材３９は、リード端子３５に接続された導電パターンを有しており、この導電パターンは所定に軸Ａｘの方向に延在する。また、支持体３７の主面３７ａには、配線部材３９の導電パターンと絶縁された別の導電パターンが設けられており、この別の導電パターンは所定に軸Ａｘの方向に延在する。支持体３７は例えばＦｅ、ＣｕＷ等の比較的高い熱伝導性を示す材料からなることができる。半導体発光素子２１からの熱は、ヒートシンク３１及び支持体３７を介してアセンブリホルダ１７に到達する。
【００３９】
図１に示されるように、光源装置１１は、光導波路１３を保持する導波路ホルダ４１を更に備えることができる。アセンブリホルダ１７は、所定の軸Ａｘに交差する基準平面に沿って延在するアライメント面１７ｅを有し、このアライメント面１７ｅは導波路ホルダ４１の一端４１ａを支持する。この光源装置１１によれば、導波路ホルダ４１の一端４１ａをアセンブリホルダ１７のアライメント面１７ｅにスライドすることにより、アセンブリホルダ１７の内側面１７ａに支持された複数の光学サブアセンブリ１５と導波路ホルダ４１に支持された光導波路１３との光学的アライメントが可能になる。光学サブアセンブリ１５は、例えば半田、Ａｇペースト、や高い放熱性を有する樹脂等を用いて固定されることができる。
【００４０】
図２に示されるように、半導体発光素子２１は、基板４３と、基板４３の主面４３ａ上に設けられた半導体積層４５とを含む。半導体積層４５は、例えば活性層４５ａ、ｎ型クラッド層を含むｎ型半導体領域４５ｂ及びｐ型クラッド層を含むｐ型半導体領域４５ｃを含み、活性層４５ａはｎ型半導体領域４５ｂとｐ型半導体領域４５ｃとの間に設けられる。基板４３の裏面４３ｂ上には電極２５ｂが接触しており、半導体積層４５の上面４５ｄには電極２５ａが接触している。
【００４１】
光学サブアセンブリ１５において、電極２５ａは、ボンディングワイヤ４７ａといった導電線を介して電極２７ａに接続されており、電極２５ｂは、ボンディングワイヤ４７ｂといった導電線を介して電極２７ｂに接続されている。
【００４２】
光源装置１１では、支持部材２３は半導体発光素子２１の基板４３を支持することが好ましい。この光源装置１１によれば、支持部材２３が半導体発光素子２１の基板４３を支持するので、光導波路１３のクラッド領域１３ｂからコア領域１３ａへ向かう方向に半導体発光素子２１の基板４３と半導体積層４５が順に配列される。これ配列により、活性層４５ａを含む半導体積層４５が、基板４３よりも軸Ａｘ（例えばコア領域１３ａの中心線）に近く配置される。これ故に、活性層４５ａの出射面がコア領域１３ａの中心に近づけられる。
【００４３】
光源装置１１において、例えば導波路ホルダ４１及びアセンブリホルダ１７の各々は、導波路ホルダ４１とアセンブリホルダ１７との間の光学的な位置決めを行う位置決め構造を有することが好ましい。この位置決め構造として例えば凹凸部を形成する等がある。この光源装置１１によれば、導波路ホルダ４１とアセンブリホルダ１７の各々における位置決め構造は、アセンブリホルダ１７の内側面１７ａに支持された複数の光学サブアセンブリ１５と導波路ホルダ４１に支持された光導波路１３との光学的アライメントを可能にする。導波路ホルダ４１は例えば金属や樹脂等からなることができる。また、アセンブリホルダ１７は例えば金属、セラミック等の良好な熱伝導性の材料からなることができる。
【００４４】
図３は、実施形態に係る光源装置においてアセンブリホルダに支持される光学サブアセンブの配置を示す図面である。図３では、複数の光学サブアセンブ１５の配置を明示するためにアセンブリホルダ１７が描かれていない。図３の（ａ）を参照すると、図１の（ａ）部に示された光源装置１１における２個の光学サブアセンブ１５Ａ１、１５Ａ２の配置が示されている。光学サブアセンブ１５Ａ１及び１５Ａ２の一方の位置は、他方を基準にして軸Ａｘ上の一点を中心に１８０度の角度で回転させることにより規定される。図１の（ｂ）部に示されるように、光学サブアセンブ１５Ａ１、１５Ａ２の配列はアセンブリホルダ１７の２つの内側面１７ａによって提供され、２つの内側面１７ａは互いに平行である。光学サブアセンブ１５Ａ１、１５Ａ２の配列はアセンブリホルダ１７の２つの内側面の向きによって実現され、２つの内側面は、それぞれ、ある四角柱の２つの側面に沿って延在する。
【００４５】
図３の（ｂ）部を参照すると、３個の光学サブアセンブ１５Ｂ１、１５Ｂ２、１５Ｂ３の配置が示されている。光学サブアセンブ１５Ｂ１〜１５Ｂ３の位置は、例えば光学サブアセンブ１５Ｂ１を基準にして軸Ａｘ上の一点を中心に１２０度、２４０度の角度で回転させることにより規定される。光学サブアセンブ１５Ｂ１、１５Ｂ２、１５Ｂ３の配置は、アセンブリホルダ１７の３つの内側面によって実現され、３つの内側面は、それぞれ、ある三角柱の３つの側面に沿って延在する。図３の（ｂ）部には、３本の基準線（例えばＲｅｆ１、Ｒｅｆ２、Ｒｅｆ３）が描かれており、これらの基準線上に光学サブアセンブ１５Ｂ１、１５Ｂ２、１５Ｂ３が配列されて光導波路１３の一端面１３ｃに光学的に結合される。基準線Ｒｅｆ１、Ｒｅｆ２、Ｒｅｆ３は、コア領域１３ａからクラッド領域１３ｂの方向に所定の軸Ａｘ上の一点から互いに異なる方向に延び、本実施例では、互いに１２０度の角度を成す。
【００４６】
図３の（ｃ）を参照すると、４個の光学サブアセンブ１５Ｃ１、１５Ｃ２、１５Ｃ３、１５Ｃ４の配置が示されている。光学サブアセンブ１５Ｃ１〜１５Ｃ４の位置は、例えば光学サブアセンブ１５Ｃ１を基準にして軸Ａｘ上の一点を中心に９０度、１８０度、２７０度の角度で回転させることにより規定される。光学サブアセンブ１５Ｃ１〜１５Ｃ４の配置は、アセンブリホルダ１７の４つの内側面によって実現され、４つの内側面は、それぞれ、ある四角柱の４つの側面の各々に沿って延在する。
【００４７】
図３の（ｄ）部を参照すると、４個の光学サブアセンブ１５Ｄ１、１５Ｄ２、１５Ｄ３、１５Ｄ４、１５Ｄ５の配置が示されている。光学サブアセンブ１５Ｄ１〜１５Ｃ５の位置は、例えば光学サブアセンブ１５Ｄ１を基準にして軸Ａｘ上の一点を中心に７２度、１４４度、２１６度、２１６度、２８８度の角度で回転させることにより規定される。光学サブアセンブ１５Ｄ１〜１５Ｄ４の配置は、アセンブリホルダ１７の５つの内側面によって実現され、５つの内側面は、それぞれ、ある五角柱の５つの側面に沿って延在する。
【００４８】
このように、光学サブアセンブのサイズに応じて、ｎ個の光学サブアセンブ１５Ｎ１、１５Ｄ２・・・１５Ｎｎ（ｎは自然数）の配置が示されている。光学サブアセンブ１５Ｎ１〜１５Ｎｎの位置は、例えば光学サブアセンブ１５Ｎ１を基準にして軸Ａｘ上の一点を中心に３６０／ｎ度の角度で回転させることにより規定される。光学サブアセンブ１５Ｎ１〜１５Ｎｎの配置は、アセンブリホルダ１７のｎ個の内側面によって実現され、ｎ個の内側面は、それぞれ、あるｎ角柱のｎ個の側面に沿って延在する。これらの配置により、半導体発光素子２１間の熱的な干渉が避けられる。
【００４９】
図４を参照しながら、光学サブアセンブ１５の配列の指針を説明する。図４には、直交座標系Ｓが示されている。直交座標系Ｓの原点は、コア領域１３ａの中心に規定し、好ましくは軸Ａｘ上に位置する。第１の光学サブアセンブにおいて、半導体発光素子２１の幅ｗ、半導体発光素子２１の出射端面２１ａにおける発光点の座標（０．−ｒ）、半導体発光素子２１の出射端面２１ａの上エッジの座標の左端（ｗ／２．△ｒ−ｒ）、右端（−ｗ／２．△ｒ−ｒ）と表す。半時計回りに第１の回転３６０／ｎ（＝Ｔ）を行って、第２の光学サブアセンブの発光点の座標（ＸＬ，ＹＬ）を導く。ここで、“△ｒ”は発光中心のｙ座標と素子上面のｙ座標との差を示す。
ＸＬ＝ｒ×ｓｉｎ（Ｔ）。
ＹＬ＝−ｒ×ｃｏｓ（Ｔ）。
第２の光学サブアセンブの左端の座標（ＸＥ１，ＹＥ１）を導く。
ＸＥ１＝（ｒ−△ｒ）×ｓｉｎ（Ｔ）−ｗ／２×ｓｉｎ（９０−Ｔ）。
ＹＥ１＝（ｒ−△ｒ）×ｃｏｓ（Ｔ）−ｗ／２×ｃｏｓ（９０−Ｔ）。
第２の光学サブアセンブの右端の座標（ＸＥ２，ＹＥ２）を導く。
ＸＥ２＝（ｒ−△ｒ）×ｓｉｎ（Ｔ）＋ｗ／２×ｓｉｎ（９０−Ｔ）。
ＹＥ２＝（ｒ−△ｒ）×ｃｏｓ（Ｔ）＋ｗ／２×ｃｏｓ（９０−Ｔ）。
このような回転により、光学サブアセンブの位置を順に決定するとき、発光点の座標は、コア領域に沿って延在する軸上の一点を中心とする半径ｒの円周上に配列される。なお、“△ｒ”の値は、例えば数マイクロメートル（例えば△ｒ＝３μｍ）であるので、簡易な計算においては省略可能である。
【００５０】
第１の光学サブアセンブの半導体発光素子は第２の光学サブアセンブの半導体発光素子と重なることができなので、第１の光学サブアセンブの右端の座標及び第２の光学サブアセンブの左端の座標には制約がある。図５は、第１の光学サブアセンブ及び第２の光学サブアセンブの配置における座標の一例を示す図面である。回転の角度Ｔ＝７２度、半導体発光素子２１の幅ｗ＝０．４ｍｍ、及び発光点の座標に係る半径ｒ＝−０．５ｍｍとするとき、第１の光学サブアセンブの右端の座標（０．２、−０．５）及び第２の光学サブアセンブの左端の座標（０．４１４、−０．０３６）となり、第１の光学サブアセンブの半導体発光素子は第２の光学サブアセンブの半導体発光素子と重ならない。なお、上記の計算及び図５において煩雑さを避けるために、△ｒ＝０μｍであるとした。
【００５１】
この配列では、半導体発光素子２１の光出射面２１ａにおける発光エリアが所定の軸Ａｘ上の一点を中心とする円周に沿って配列される。この配置は、コアの断面は実質的に円形であるときに好適である。個々の半導体発光素子２１の光出射面２１ａがコア領域１３ａの一端面に効率的に光結合できる。また、円周の直径２×ｒは、コア断面の直径より小さいとき、個々の半導体発光素子２１の光出射面２１ａとコア領域１３ａの一端面との光結合を高めることができる。
【００５２】
既に説明したように、光源装置１１のための光導波路１３は、図１及び図６の（ａ）部に示されるように、光導波路１３の断面においてコア領域１３ａが実質的に円形であることができ、また光導波路１３の外周が実質的に円形であることができる。光導波路１３は例えば光ファイバであることができる。或いは、光源装置１１のための光導波路１３は、光導波路１３の断面においてコア領域１３ａがｎ角形であることができ、図６の（ｂ）部に示されるように、例えば四角形であることができる。
【００５３】
図７は、光源装置の一実施例を示す図面である。図７の（ａ）部及び（ｂ）部を参照すると、光源装置１１ａ、１１ｂでは、アセンブリホルダ１７の内側面１７ａは、複数の支持面１８ａ及び複数の分離溝１８ｂを有する。支持面１８ａ及び分離溝１８ｂは、軸Ａｘの方向に延在する。複数の支持面１８ａは、それぞれ、複数の光学サブアセンブリ１５を支持する。複数の分離溝１８ｂは、複数の支持面１８ａの間に設けられる。これらの実施例においても、アセンブリホルダ１７は、半導体発光素子２１の光出射面２１ａを光導波路１３の一端面に向き付けている。この光源装置１１ａ、１１ｂによれば、支持面１８ｂを介して半導体発光素子２１からの放熱が容易になる。また、分離溝１８ｂにより、個々の支持面１８ａ上の光学サブアセンブリ１５間の熱的干渉がより低減される。
【００５４】
図８は、図１の矢印Ａ１の方向から見た光源装置の別の実施例を示す図面である。半導体発光素子２２は面発光素子であることができる。半導体発光素子２２の各々はアセンブリホルダ１６の支持面によって支持され、図８では、支持面の反対側の裏面が描かれており、これ故に、半導体発光素子２２の位置を示すために、半導体発光素子２２を破線で描いている。アセンブリホルダ１６の支持面上の半導体発光素子２２は、光導波路１３に光学的に結合される。図８の（ａ）部における光源装置１１ｃでは、アセンブリホルダ１６は２個の半導体発光素子２２を搭載している。半導体発光素子２２の各々はアセンブリホルダ１６上において２回の回転対称である位置に配置される。図８の（ｂ）部における光源装置１１ｄでは、アセンブリホルダ１６は３個の半導体発光素子２２を搭載している。半導体発光素子２２の各々はアセンブリホルダ１６上において３回の回転対称である位置に配置される。図８の（ｃ）部における光源装置１１ｃでは、アセンブリホルダ１６は４個の半導体発光素子２２を搭載している。半導体発光素子２２の各々はアセンブリホルダ１６上において４回の回転対称である位置に配置される。図８の（ｄ）部における光源装置１１ｃでは、アセンブリホルダ１６は５個の半導体発光素子２２を搭載している。半導体発光素子２２の各々はアセンブリホルダ１６上において５回の回転対称である位置に配置される。
【００５５】
図９は、光源装置を製造する方法における主要なステップを示す図面である。ステップS１０１では、図２に示される光学サブアセンブリ１５を形成する。光学サブアセンブリ１５のための部品、例えば半導体発光素子２１、ヒートシンク３１、及び搭載部材３３を準備する。半導体発光素子２１をヒートシンク３１にダイボンドして組立体を形成した後に、この組立体を搭載部材３３の主面に搭載する。半導体発光素子２１の電極を搭載部材３３上の導体パターンにボンディングワイヤ４７ａ、４７ｂといった導電体で接続する。搭載部材３３の一例では、搭載部材３３は支持体３７及び配線部材３９を含むので、支持体３７の主面に配線部材３９を搭載すると共に配線部材３９にリード端子３５を固定することができる。光学サブアセンブリ１５は、例えばこのように形成されて、半導体発光素子２１からの放熱及び半導体発光素子２１の電気的接続がそれぞれ支持部材２３及びリード端子３５を介して可能になる。これ故に、工程Ｓ１０２では、光学サブアセンブリ１５の電気的検査を行う。例えば、半導体発光素子２１に電圧を印加して発光の検査（強度及び／又は波長）を行うことができる。この検査の結果、所定の検査基準を満たさない組立体が次の工程に送られることはない。また、所定の検査基準を満たした組立体は、光学サブアセンブリ１５として次の工程に送られる。
【００５６】
工程Ｓ１０３では、電気的検査をパスした光学サブアセンブリ１５をアセンブリホルダ１７に固定して、光素子モジュールを作成する。図１に示されたアセンブリホルダ１７を準備する。アセンブリホルダ１７の孔１７ｂは、一端から他端まで延在しており、その孔１７ｂは内側面１７ａによって規定される。内側面１７ａは光学サブアセンブリ１５を支持する支持面を有しており、各支持面は軸Ａｘの方向に延在する。これ故に、アセンブリホルダ１７の搭載部材３３の裏面を内側面１７ａの支持面上に載せた後に光学サブアセンブリ１５を押し入れることによって、孔１７ｂに光学サブアセンブリ１５を配置できる。これを繰り返すことによって、所望の数の光学サブアセンブリ１５をアセンブリホルダ１７に配置できる。光学サブアセンブリ１５をアセンブリホルダ１７することは、例えば個々の光学サブアセンブリ１５の配置毎に行うことができる。これによって、光素子モジュールが形成される。
【００５７】
工程Ｓ１０４では、光導波路１３を導波路ホルダ４１に固定して、光導波路モジュールを作成する。光源装置１１の製造では、多数の光素子モジュール及び多数の光導波路モジュールを予め準備しておくことが通常であるので、工程Ｓ１０３及び工程Ｓ１０４の順序は製造フローにおいて重要ではない。
【００５８】
工程Ｓ１０５では、光素子モジュール及び光導波路モジュールを組み立てて、光源装置１１を形成する。この組み立ての一例では、光素子モジュール及び光導波路モジュールの光学的なアライメントを行う。このアライメントは、例えばパッシブアライメントによることができる。例えば光素子モジュールのホルダ１７及び光導波路モジュールのホルダ４１の機械的な組み立て、例えば嵌め合わせにより、光導波路１３及び光学サブアセンブリ１５の光結合が所望の光結合率を提供できるとき、パッシブアライメントを使用できる。必要な場合には、光結合の提供のためにアクティブアライメントを行うことができる。光素子モジュール内の光学サブアセンブリ１５の全てに通電して発光させて、これらの発光素子からの光を光導波路モジュールの光導波路１３の一端面１３ａに結合させると共に、光導波路１３の他端面１３ｂにおいて光強度を測定する。光導波路１３の他端面１３ｂからの光強度が所望の値を超えるように、光素子モジュール及び光導波路モジュールの位置決めを行う。
【００５９】
具体例を示せば、半導体発光素子２１を搭載部材２３に実装する際のクリアランスは、例えば−０．０２ｍｍ〜＋０．０２ｍｍ程度であり、また、アセンブリホルダ１７に光学サブアセンブリ１５を実装する際のクリアランスは、例えば−０．０２ｍｍ〜＋０．０２ｍｍ程度である。これらの値から、最大で−０．０４ｍｍ〜＋０．０４ｍｍ程度の発光エリアの位置ばらつきがある。この位置ばらつきを考慮にいれて、光導波路１３のコアサイズを選定することが良い。これらの工程によって、光源装置１１が作製される。
【００６０】
図１０は、本実施の形態に係るディスプレイ装置の一例を示す図面である。ディスプレイ装置５１は、本実施の形態において説明された様々な光源装置を備えることができる。ディスプレイ装置５１は、ミラーデバイス５２と、投影レンズ５３と、制御装置５４とを備える。ミラーデバイス５２は、例えば光源装置１１の光導波路１３の他端面１３ｄからの光ＩＬＭを受け、ミラーデバイス５２は、照射された光の一部及び全部を反射する。ミラーデバイス５２は例えば電磁力で、反射ミラーを回転させる原理で光を一次元もしくは二次元的に反射させるものであり、例えばMEMS（Micro  Electro  Mechanical  Systems）である。投影レンズ５３は、ミラーデバイス５２からの反射光ＬＲＦ１から、スクリーン５９への投影光（又は投射光）ＬＰＲを生成する。制御装置５４は、光源装置１１の駆動及び光源装置１１の照明の制御（例えば、光パワーや演色性）を行うと共に、ミラーデバイス５２の制御（ミラーの角度や投影方向）を行う。このディスプレイ装置５１によれば光源から投影までの光損失が小さいため光源の低消費電力化が可能である。ディスプレイ装置５１におけるミラーデバイス５２としては、デジタル・ライト・プロセッシング（ＤＬＰ）、やリクイッドクリスタル・オン・シリコン（ＬＣｏｓ）等がある。このディスプレイ装置５１は例えば以下のように動作する。光源装置１１の発光素子は、赤、青及び緑の光を発生し、光導波路１３において、これらの複数の波長の光が合成されて白色光が生成される。この白色光は、ミラーデバイス５２に照射され、制御装置５４からの映像信号に応じた色の光をミラーデバイス５２が反射する。この反射光は、投影レンズ５３を介してスクリーンに投影される。
【００６１】
図１１は、本実施の形態に係るディスプレイ装置の一例を示す図面である。ディスプレイ装置６１は、本実施の形態において説明された様々な光源装置を備えることができる。ディスプレイ装置６１は、レンズ６２と、ＭＥＭＳデバイス６３と、制御装置６５とを備える。レンズ６２は、光導波路１３の他端面１３ｄからの光ＬＣＯＬをコリメートして、コリメート光ＬＣＯＬを生成する。ＭＥＭＳデバイス６３は、レンズからのコリメート光ＬＣＯＬを受けるミラーを含む。ミラーは、コリメート光ＬＣＯＬから投影光ＬＲＦ２を生成する。ＭＥＭＳデバイス６３は例えばＭＥＭＳのアレイを含むことができる。制御装置６４は、光源装置１１の駆動及び光源装置１１の照明の制御（例えば、光パワーや演色性）を行うと共に、投影光ＬＲＦ２のスクリーン５９への走査のためにＭＥＭＳ６３ａのミラー角等の制御を行う。このディスプレイ装置６１によれば、光源から投影までの光損失が小さいため光源の低消費電力化が可能である。このディスプレイ装置６１は例えば以下のように動作する。光源装置１１の発光素子は、赤、青及び緑の光を発生し、光導波路１３において、これらの複数の波長の光が合成されて白色光が生成される。この白色光は、レンズ６２により、平行ビームに変換される。ＭＥＭＳは、この平行ビームを受けて、ＭＥＭＳのミラーの回転により、反射光でスクリーンを走査する。
【００６２】
好適な実施の形態において本発明の原理を図示し説明してきたが、本発明は、そのような原理から逸脱することなく配置および詳細において変更され得ることは、当業者によって認識される。本発明は、本実施の形態に開示された特定の構成に限定されるものではない。したがって、特許請求の範囲およびその精神の範囲から来る全ての修正および変更に権利を請求する。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
以上説明したように、本実施の形態によれば、複数の光学サブアセンブリ間の熱的な干渉を避けながら、光学サブアセンブリの半導体発光素子毎の検査を可能にする小型化可能な構造を有する光源装置が提供される。また、本実施の形態によれば、この光源装置を含むディスプレイ装置が提供される。
【符号の説明】
【００６４】
１１…光源装置、１３…光導波路、１３ａ…コア領域、１３ｂ…クラッド領域、１３ｃ、１３ｄ…光導波路端面、１５…光学サブアセンブリ、１７、１６…アセンブリホルダ、１７ａ…アセンブリホルダ内側面、１７ｃ、１７ｄ…アセンブリホルダの端部、２１、２２…半導体発光素子、２１ａ…光出射面、２３…支持部材、Ｒｅｆ１、Ｒｅｆ２…基準線、２５ａ、２５ｂ…電極、２７ａ、２７ｂ…電極、３１…ヒートシンク、３３…搭載部材、３５…リード端子、３７…支持体、３９…配線部材、４１…導波路ホルダ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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