(57)【要約】【課題】複数の半導体ウエハ等といった複数の被処理物を処理液に浸漬するに際して、これら被処理物の間で処理具合にばらつきが生じないようにする。【解決手段】処理装置１が、処理液３０が貯留される処理槽２と、処理槽２内に配置され、処理槽２内で回転する回転車４と、被処理物３２をそれぞれ保持し、回転車４に取り付けられ、回転車４の第１の回転軸６を中心にした円周方向に沿って配列された複数の保持具１０と、を備える。【選択図】図１
2012036467.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理液が貯留される処理槽と、
前記処理槽に配置された回転車と、
前記回転車に取り付けられ、被処理物をそれぞれ保持する複数の保持具と、
を備えることを特徴とする処理装置。
【請求項２】
前記回転車を等速度で回転させる駆動部を更に備え、
前記保治具は、前記処理槽に設けられた第１の回転軸を中心とした円周方向に沿って配列され、前記処理液と各前記被処理物との接触時間は互いに等しいことを特徴とする請求項１に記載の処理装置。
【請求項３】
前記保持具は、前記回転車に取り付けられた第２の回転軸から垂下しており、前記第２の回転軸に回転可能に取り付けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の処理装置。
【請求項４】
前記第１の回転軸は水平であり、前記第１の回転軸と前記第２の回転軸は、互いに平行に設けられていることを特徴とする請求項３に記載の処理装置。
【請求項５】
前記保持具は、
前記被処理物が載置される受部と、
前記回転車に回転可能に取り付けられたアームと、
を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の処理装置。
【請求項６】
前記アームは、第２の回転軸から垂下していることを特徴とする請求項５に記載の処理装置。
【請求項７】
処理槽内に処理液を貯留し、
前記処理槽内に配置された回転車に取り付けられた保持具に被処理物を保持させることを特徴とする処理方法。
【請求項８】
前記被処理物は複数有り、前記回転車の回転軸を中心にした円周方向に沿って配列され、前記被処理物を前記処理液に浸漬した状態で前記回転軸を中心にして前記被処理物を旋回させることを特徴とする請求項７に記載の処理方法。
【請求項９】
前記回転車を等速度で回転させることによって前記保持具及び前記被処理物を等速度で旋回させ、前記処理液と各前記被処理物との接触時間は互いに等しいことを特徴とする請求項８に記載の処理方法。
【請求項１０】
前記複数の保持具の旋回中に前記複数の保持具の幾つかを前記処理液から引き上げ、
前記複数の保持具のうち、前記処理液から引き上げられた保持具に保持された被処理物を新たな被処理物に交換することを特徴とする請求項９に記載の処理方法。
【請求項１１】
前記被処理物は、板状、シート状又は棒状の部材であり、前記被処理物を常に水平な状態にして旋回させることを特徴とする請求項８から１０の何れか一項に記載の処理方法。
【請求項１２】
前記回転軸が水平であることを特徴とする請求項８から１１の何れか一項に記載の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理装置及び処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程の中には、処理液に半導体ウエハを浸漬する処理工程がある。処理工程としては、無電解メッキ工程、レジストの現像工程、レジストの剥離工程及びエッチング工程等があり、それぞれ無電解メッキ液、現像液、剥離液、エッチング液を処理液として用いる。
【０００３】
引用文献１には、バッチ方式の処理装置が記載されている。引用文献１の処理装置では、複数枚の半導体ウエハが水平状態で浴槽内の処理液に浸漬される。この処理装置は処理液の循環装置を有し、浴槽内の処理液が循環装置によって吸い込まれるとともに、吸い込まれた処理液が循環装置のノズルによって半導体ウエハの横から水平方向に噴き出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−３１１０２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
引用文献１に記載の技術では、ノズルから噴き出された処理液の流速は、ノズル近傍で高く、ノズルから離れるにつれて低くなる。また、半導体ウエハ同士の間隔や、浴槽の壁面から半導体ウエハまでの間隔も処理液の流速に影響を与える。更には、ノズルの位置・大きさ・向き等も処理液の流速に影響を与える。
それゆえ、浴槽内での位置が変わると、処理液の流速も変化してしまい、浴槽内の処理液の流速が均一にならない。処理液の流速が不均一であると、半導体ウエハごとに処理具合が異なってしまう。
そこで、本発明が解決しようとする課題は、複数の半導体ウエハ等といった複数の被処理物を処理液に浸漬するに際して、これら被処理物の間で処理具合にばらつきが生じないようにすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
以上の課題を解決するための本発明に係る処理装置は、処理液が貯留される処理槽と、前記処理槽に配置された回転車と、前記回転車に取り付けられ、被処理物をそれぞれ保持する複数の保持具と、
を備える。
【０００７】
好ましくは、前記処理装置が、前記回転車を等速度で回転させる駆動部を更に備え、前記保治具は、前記処理槽に設けられた第１の回転軸を中心とした円周方向に沿って配列され、前記処理液と各前記被処理物との接触時間は互いに等しい。
好ましくは、前記保持具は、前記回転車に取り付けられた第２の回転軸から垂下しており、前記第２の回転軸に回転可能に取り付けられている。
好ましくは、前記第１の回転軸は水平であり、前記第１の回転軸と前記第２の回転軸は、互いに平行に設けられている。
好ましくは、前記保持具は、前記被処理物が載置される受部と、前記回転車に回転可能に取り付けられたアームと、を有する。
好ましくは、前記アームは、第２の回転軸から垂下している。
【０００８】
以上の課題を解決するための本発明に係る処理方法は、処理槽内に処理液を貯留し、前記処理槽内に配置された回転車に取り付けられた保持具に被処理物を保持させる方法である。
【０００９】
好ましくは、前記被処理物は複数有り、前記回転車の回転軸を中心にした円周方向に沿って配列され、前記被処理物を前記処理液に浸漬した状態で前記回転軸を中心にして前記被処理物を旋回させる。
好ましくは、前記回転車を等速度で回転させることによって前記保持具及び前記被処理物を等速度で旋回させ、前記処理液と各前記被処理物との接触時間は互いに等しい。
好ましくは、前記複数の保持具の旋回中に前記複数の保持具の幾つかを前記処理液から引き上げ、前記複数の保持具のうち、前記処理液から引き上げられた保持具に保持された被処理物を新たな被処理物に交換する。
好ましくは、前記被処理物は、板状、シート状又は棒状の部材であり、前記被処理物を常に水平な状態にして旋回させる。
好ましくは、前記回転軸が水平である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、複数の被処理物を同一の軌跡で処理液内を旋回させるから、被処理物ごとに処理具合がばらつくことを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係る処理方法に用いる処理装置を正面に向かって示した概略断面図。
【図２】同処理装置を側面に向かって示した概略断面図。
【図３】半導体装置を製造するのに用いる半導体ウエハの断面図。
【図４】図３に示された半導体ウエハを用いた半導体装置の製造方法の一工程における断面図。
【図５】図４の後の工程における断面図。
【図６】図５の後の工程における断面図。
【図７】図６の後の工程における断面図。
【図８】図７の後の工程における断面図。
【図９】図８の後の工程における断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下に、本発明を実施するための形態について、図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。
【００１３】
図１、図２は、処理装置１の概略断面図である。図１の見る方向は、図２の見る方向に対して垂直である。
図１、図２に示すように、処理装置１は、処理槽２、回転車４、駆動部８、保持具１０及びコントローラ１８等を有する。
【００１４】
処理槽２内には、内部空間が形成されている。処理槽２の上面が開放されている。処理槽２内には、処理液３０が貯留されている。処理液３０は、露光済みレジスト（感光材）を現像するための現像液、現像済みレジストを剥離するための剥離液、無電解メッキ液、エッチング液その他の処理液である。
【００１５】
回転車４の全体又は下部が、処理槽２内に配置されている。回転車４の中心には第１の回転軸６が設けられている。第１の回転軸６は、軸受等を介して処理槽２に連結されている。回転車４及び第１の回転軸６のラジアル荷重が処理槽２に受けられ、回転車４が第１の回転軸６を中心にして回転可能に設けられている。第１の回転軸６が水平に設けられ、回転車４の回転面（第１の回転軸６に垂直な面）が鉛直に立てられている。回転車４は骨組であってもよいし、ディスクホイールであってもよい。なお、第１の回転軸６が水平面に対して傾斜し、回転車４の回転面が鉛直面に対して傾斜していてもよい。
【００１６】
駆動部８は、回転車４を第１の回転軸６の回りに回転させる動力源である。駆動部８は、モータ等を有する。駆動部８は、回転車４を一定の回転速度で回転させるものでもよいし、回転車４の回転速度を可変制御することができるものでもよい。駆動部８の制御は、コントローラ１８によって行われる。なお、駆動部８及びコントローラ１８が設けられずに、手動で回転車４を回転させるものとしてもよい。
【００１７】
回転車４の外周寄り部分（例えば、回転車４のリム部分）には、被処理物３２をそれぞれ保持する複数の保持具１０が取り付けられている。被処理物３２がシート状、板状又は棒状である場合、保持具１０は被処理物３２を水平な状態で保持するものが好ましい。
これら保持具１０は、回転車４の外周に沿って、第１の回転軸６を中心にした円周方向に配列されている。図１では保持具１０の数が８であったが、２〜７であってもよいし、９以上であってもよい。
【００１８】
それぞれの保持具１０の上端部には、第２の回転軸１６が設けられている。これら第２の回転軸１６は、軸受等を介して回転車４の外周寄り部分に連結されている。これら第２の回転軸１６は、第１の回転軸６を中心にした円周方向に配列されている。
【００１９】
保持具１０の第２の回転軸１６と回転車４の第１の回転軸６は互いに平行であり、保持具１０が第２の回転軸１６を中心にして回転可能に設けられている。第１の回転軸６が水平であれば、第２の回転軸１６と第１の回転軸６が互いに平行であるから、第２の回転軸１６も水平である。なお、第２の回転軸１６と第１の回転軸６が平行でなくもよい。また、第１の回転軸６と第２の回転軸１６が平行でない場合、第１の回転軸６と第２の回転軸１６のどちらか一方が水平に設けられ、他方が水平面に対して傾斜していてもよいし、第１の回転軸６と第２の回転軸１６の両方が水平面に対して傾斜していてもよい。
【００２０】
保持具１０が第２の回転軸１６によって回転車４に回転可能に連結されているから、第２の回転軸１６を中心とした円周方向に沿う保持具１０の位置が回転車４の回転によって変化しても、保持具１０が常に第２の回転軸１６から垂下した状態となっている。そのため、保持具１０は被処理物３２を常に水平な状態に保持することができる。なお、保持具１０がボールジョイントによって回転車４に連結されていてもよい。
【００２１】
保持具１０の一例について具体的に説明する。保持具１０は、一対のアーム１２及び受部１４を有する。アーム１２の基端部が第２の回転軸１６に連結され、アーム１２が第２の回転軸１６を中心にして回転可能に設けられている。第２の回転軸１６を中心とした円周方向に沿う保持具１０の位置が回転車４の回転によって変化しても、アーム１２が第２の回転軸１６から垂下した状態となっている。アーム１２がクランク状に設けられ、アーム１２の先端部に受部１４が連結されている。受部１４がアーム１２の先端からもう一方のアーム１２に向けて延出し、アーム１２が受部１４に対して立てた状態に設けられている。一方のアーム１２及び受部１４と、他方のアーム１２及び受部１４とは、側面に向かって見て、面対称となっている。受部１４がメッシュ状の板材であってもよいし、網材であってもよい。受部１４に穴が形成されていなくてもよい。
【００２２】
被処理物３２が一対の受部１４を跨るようにしてこれら受部１４の上に載置されることによって、被処理物３２が保持具１０に保持される。被処理物３２がシート状、板状又は棒状である場合、被処理物３２は伏せた状態で受部１４上に載置されることが好ましい。被処理物３２がシート状、板状又は棒状である場合、被処理物３２の被処理面が上に向いた状態で被処理物３２が受部１４上に載置さてもよいし、被処理物３２の被処理面が下に向いた状態で被処理物３２が受部１４上に載置されてもよい。被処理物３２としては、半導体ウエハ、プリント基板、ガラス基板、ガラスシート、樹脂基板、樹脂シート等が挙げられる。なお、受部１４の代わりに吸着部又は把持部がアーム１２の先端部に設けられていてもよい。吸着部は、被処理物３２を吸着するものであり、把持部は、被処理物３２を挟み込むようにして被処理物３２を把持するものである。被処理物３２が吸着部に吸着され、又は把持部に把持される場合でも、被処理物３２が水平な状態であることが好ましい。
【００２３】
保持具１０が回転車４に回転可能に取り付けられているのではなく、保持具１０が回転車４に固定されていてもよい。つまり、アーム１２の上端が回転車４の外周寄り部分に固定されていてもよい。この場合、アーム１２の先端部に受部１４が設けられているのではなく、把持部又は吸着部がアーム１２の先端に設けられていることが好ましい。
【００２４】
図１、図２に示された保持具１０は一例であり、被処理物３２の形態・大きさ等に応じて保持具１０を適宜変更してもよい。例えば、保持具１０が網状の籠であり、その籠が６によって回転車４に連結され、その籠内に被処理物３２が収容されるものとしてもよい。また、保持具１０がアタッチメントであり、被処理物３２の形態・大きさ等に応じて保持具１０を交換できるものとしてもよい。
【００２５】
処理槽２内に収容された回転車４の下部が処理液３０に浸漬されている。また、これらの保持具１０のうち、下方の幾つか（図１では、５つ）の保持具１０が処理液３０に浸漬され、上方の他の幾つか（図１では、３つ）の保持具１０が処理液３０から上げられている。なお、保持具１０の数が３以上であれば、回転車４が回転している際に、同時に処理液３０に浸漬されている保持具１０の数は２以上であり、回転車４が回転している際に、同時に処理液３０から引き上げられている保持具１０の数は１又は２以上である。同時に処理液３０から引き上げられている保持具１０の数は、同時に処理液３０に浸漬されている保持具１０の数よりも少ないことが好ましい。
【００２６】
処理装置１を用いた処理方法について説明する。
まず、処理液３０を処理槽２内に注入して、処理槽２内に処理液３０を貯留する。
次に、回転車４を駆動部８によって一方向に（図１では、反時計回りに）回転させる。回転車４の回転速度は等速度であることが好ましい。回転車４の回転速度を等速度とする場合には、駆動部８がコントローラ１８によって等速度制御されることが好ましい。また、回転車４の回転によって、処理液３０の上にある保持具１０が図１中の左側で処理液３０に浸漬され、処理液３０に浸漬された保持具１０が図１中の右側で処理液３０から引き上げられる。
【００２７】
被処理物３２を保持具１０の受部１４上に載置する。特に、処理液３０から引き上げられた保持具１０の受部１４に被処理物３２を載置する。処理液３０から引き上げられた保持具１０の受部１４に処理済みの被処理物３２が載置されている場合には、処理済みの被処理物３２を新たな未処理の被処理物３２に交換する。被処理物３２の交換タイミングは、保持具１０が第１の回転軸６の回りに一回旋回する毎でもよいし、保持具１０が二回以上旋回する毎でもよい。被処理物３２を載置する時や被処理物３２を交換する時に、回転車４の回転が一時的に停止してもよい。回転車４の一時的な停止は、コントローラ１８が駆動部８を間欠的に停止させることによって行われる。被処理物３２がシート状、板状又は棒状である場合、被処理物３２の載置に際して被処理物３２を伏せた状態にする。
【００２８】
受部１４に載置された被処理物３２は、保持具１０とともに、第１の回転軸６の回りを旋回する。駆動部８がコントローラ１８によって等速度制御されていれば、受部１４に載置された被処理物３２が等速度で旋回する。
【００２９】
受部１４に載置された被処理物３２が保持具１０とともに処理液３０に浸漬されると、その被処理物３２が保持具１０とともに処理液３０から引き上げられるまでの間に、以下の（１）〜（４）等のような処理が被処理物３２に施される。
【００３０】
（１）現像処理
処理液３０が現像液である場合には、被処理物３２の表面（surface）に形成された露光済みレジストが現像され、露光済みレジストに形成された潜像が顕在化する。これにより、レジストに所定パターンの開口が形成される。レジストは、ドライフィルムレジストでもよいし、レジストが硬化したものでもよい。
【００３１】
（２）剥離処理
処理液３０が剥離液である場合には、被処理物３２の表面（surface）に形成された現像済みレジストが剥離される。レジストは、ドライフィルムレジストでもよいし、レジストが硬化したものでもよい。なお、剥離処理の場合、保持具１０及び被処理物３２が処理液３０に浸漬されてから保持具１０及び被処理物３２が処理液３０から引き上げられるまでの接触時間が２０〜３０分であり、保持具１０が第１の回転軸６の回りに一回旋回する毎に被処理物３２の交換を行うことが好ましい。
【００３２】
（３）無電解メッキ処理
処理液３０が無電解メッキ液である場合には、被処理物３２の表面（surface）にメッキ（例えば、導体膜）が成長する。
【００３３】
（４）エッチング処理
処理液３０がエッチング液である場合には、被処理物３２の表面（surface）に形成された膜（例えば、導体膜、金属膜、金属酸化物膜、絶縁膜、有機膜、無機膜等。その膜の上に更に現像済みレジストが形成されていてもよい。）がエッチングされる。
【００３４】
以上のような処理方法によれば、複数の保持具１０が回転車４の外周に沿って円周方向に配列されているから、何れの被処理物３２も同一の軌跡で処理液３０中を旋回する。そのため、処理液３０の濃度が均一でなく、場所ごとに濃度が異なっていても、何れの被処理物３２も平均的な濃度に曝されることになる。従って、被処理物３２ごとに処理具合（現像性・解像度、剥離具合、メッキ成長具合、エッチング具合）がばらつくことはない。
【００３５】
また、回転車４の回転速度が等速度であれば、何れの被処理物３２でも、処理液３０に浸漬される接触時間が概ね等しい。そのため、被処理物３２ごとに処理具合がばらつくことはない。
【００３６】
また、複数の被処理物３２が同時に処理液３０に浸漬され（図１の場合、同時に浸漬される被処理物３２の数は５である。）、複数の被処理物３２が順次処理されるから、スループットの向上が図れる。
【００３７】
また、保持具１０が回転車４に回転可能に取り付けられているから、保持具１０はその自重によって常に垂下した状態になっている。そうすると、被処理物３２が板状、シート状又は棒状であり、その被処理物３２が常に伏せた状態で処理液３０に浸漬される。被処理物３２が常にほぼ水平になっていると、被処理物３２の処理具合が被処理物３２内の位置ごとにばらつくことはない。
【００３８】
このことについて、更に具体的に説明する。被処理物が立てられた状態であるとする。その場合に、被処理物の表面に形成されたレジストを剥離液に浸漬すると、被処理物の表面のレジストがその自重で下に落下するように剥離する。そのため、被処理物の上の部分と下の部分では、レジストの剥離具合が異なってしまう。特に、被処理物の上の部分でのレジストの剥離タイミングと、被処理物の下の部分でのレジストの剥離タイミングがずれてしまう。従って、剥離液がレジストの下地部分をエッチングする性質を有すると、被処理物の上の部分と下の部分では、下地部分のエッチング具合が異なってしまう。
しかし、本実施形態では、被処理物３２が常に伏せられた状態であるから、被処理物３２の表面に形成されたレジストが概ね水平になっており、レジストの剥離具合はどの位置でも均一になる。特に、被処理物３２に形成されたレジストは、どの位置でもほぼ同時に剥離される。従って、剥離液が、被処理物３２のレジストの下地部分をエッチングする性質を有していてもと、被処理物の上の部分と下の部分では、被処理物３２の表面に形成されたレジストの下地部分はどの位置でも均一にエッチングされる。
【００３９】
また、回転車４の回転面が水平でないから、処理液３０の量を調整すれば、幾つかの保持具１０を処理液３０に浸漬していない状態とすることができる。そのため、処理液３０に浸漬していない保持具１０に対して被処理物３２の交換を行えば、その交換を容易に行える。
【００４０】
なお、上記実施形態では、回転車４の下部が処理液３０に浸漬され、幾つかの保持具１０が処理液３０から上げられている。それに対して、回転車４の全体が処理液３０に浸漬され、全ての保持具１０が浸漬されていてもよい。この場合、回転車４の回転中では、最も上に位置する保持具１０に対して被処理物３２の交換を行うとよい。
【００４１】
また、上記実施形態では、回転車４が等速度で回転するものとしたが、回転車４の回転速度が等速度である必要はない。回転車４の回転速度が変化するものとしても、何れの被処理物３２でも、処理液３０に浸漬された時から処理液３０から引き上げられる時までの接触時間が等しいことが望ましい。
【００４２】
また、上記実施形態では、受部１４がアーム１２の先端部に連結されていた。それに対して、吸着部がアーム１２の先端部に連結され、被処理物３２が吸着部に吸着されることによって被処理物３２が保持具１０に保持されるものとしてもよい。吸着部や受部１４でなく、被処理物３２を把持する把持部がアーム１２の先端部に連結されていてもよい。
【００４３】
また、上記実施形態では、処理液３０として、現像液、剥離液、無電解メッキ液、エッチング液を一例として挙げたが、これらに限るものではない。更に、本出願の出願時に公知でない処理液も処理液３０として用いることができる。
【００４４】
〔応用例〕
半導体装置の製造方法について説明する。
半導体装置の製造方法は幾つかの工程からなり、これらの工程には処理工程がある。その処理工程に上述の処理装置１を用いる。
【００４５】
図３に示された半導体ウエハ１０１から半導体装置を製造する。半導体ウエハ１０１は、分割予定線としての格子状の境界線（ダイシングストリート）１０２によって複数のチップ領域１０３に区画されている。これらチップ領域１０３がマトリクス状に配列されている。半導体ウエハ１０１の表側の面には、集積回路層１０４が形成されている。集積回路層１０４には、チップ領域１０３ごとに集積回路が形成されている。集積回路層１０４上には、複数のパッド１０９が形成されている。パッド１０９は、集積回路層１０４に形成された導電性パターン（配線）の一部である。集積回路層１０４の上にパッシベーション膜１０５が成膜され、パッシベーション膜１０５の上に絶縁膜１０７が成膜されている。パッシベーション膜１０５のうちパッド１０９に重なる位置には、開口１０６が形成されている。絶縁膜１０７のうちパッド１０９に重なる位置には、開口１０８が形成されている。パッシベーション膜１０５は、無機材料（例えば、酸化シリコン若しくは窒化シリコン又はこれらの両方）を含有する。絶縁膜１０７は、例えばポリイミド、エポキシ、フェノール、ビスマレイミド、アクリル、合成ゴム若しくはポリベンゾオキサイド又はこれらのうち２以上の組合せを主成分とした有機材料を含有する。なお、絶縁膜１０７は、無くてもよい。
【００４６】
図４に示すように、無電解メッキ法若しくは気相成長法（例えば、スパッタ法）又はこれらの組合せによって、絶縁膜１０７（絶縁膜１０７が無い場合には、パッシベーション膜１０５）の上全体や開口１０６，１０８内にシード層１１０を成長させる。無電解メッキ法では、図１に示された処理装置１を用いて、被処理物３２である半導体ウエハ１０１を処理液３０に浸漬する。処理液３０には、無電解メッキ液を用いる。形成されたシード層１１０は、銅（Ｃｕ）の薄膜、チタン（Ｔｉ）の薄膜、チタンに銅を積層した薄膜その他の金属薄膜である。
【００４７】
次に、図５に示すように、感光材であるレジスト１１１をシード層１１０の上全体に形成した後、そのレジスト１１１を露光することによってレジスト１１１に潜像を形成する。そして、その露光済みレジスト１１１を現像することによって、潜像に従った開口１１２をレジスト１１１に形成する。現像に際しては、図１に示された処理装置１を用いて、被処理物３２であるレジスト１１１及び半導体ウエハ１０１を処理液３０に浸漬する。処理液３０には、現像液を用いる。
【００４８】
現像後、半導体ウエハ１０１をリンス液で洗浄し、半導体ウエハ１０１を乾燥させる。
次に、シード層１１０を電極として電解メッキを行う。これにより、開口１１２内であってシード層１１０の上に所定形状の導体層（導体パターン）１１３を成長させる。導体層１１３は、シード層１１０よりも厚く成長させる。導体層１１３は、銅その他の金属からなる。
【００４９】
次に、レジスト１１１を剥離する。剥離に際しては、図１に示された処理装置１を用いて、被処理物３２であるレジスト１１１及び半導体ウエハ１０１を処理液３０に浸漬する。処理液３０には、剥離液を用いる。
【００５０】
次に、図６に示すように、シード層１１０及び導体層１１３の上全体にドライフィルムレジスト１１５を貼り付けた後、ドライフィルムレジスト１１５を露光することによってドライフィルムレジスト１１５に潜像を形成する。ドライフィルムレジスト１１５は、導体層１１３よりも厚い。なお、ドライフィルムレジスト１１５の代わりに、厚膜のレジストを形成してもよい。
【００５１】
次に、ドライフィルムレジスト１１５を現像することによって、潜像に従った開口１１６をドライフィルムレジスト１１５に形成する。ここで、鉛直方向に見た場合、開口１１６は円形状又は多角形状であることが好ましい。開口１１６が形成される位置は導体層１１３の一部１１４の上である。その部分１１４はランドである。現像に際しては、図１に示された処理装置１を用いて、被処理物３２であるドライフィルムレジスト１１５及び半導体ウエハ１０１を処理液３０に浸漬する。処理液３０には、現像液を用いる。
【００５２】
次に、シード層１１０及び導体層１１３を電極として電解メッキを行う。これにより、開口１１６内であって導体層１１３の上に柱状電極１１７を成長させる。柱状電極１１７の高さ（厚さ）は、導体層１１３の厚さよりも充分に大きくする。柱状電極１１７は、銅その他の金属からなる。
【００５３】
次に、ドライフィルムレジスト１１５を剥離する。剥離に際しては、図１に示された処理装置１を用いて、被処理物３２であるドライフィルムレジスト１１５及び半導体ウエハ１０１を処理液３０に浸漬する。処理液３０には、剥離液を用いる。
【００５４】
次に、図７に示すように、印刷法、液滴吐出法（インクジェット法）、スピンコート法、滴下法その他の塗布法によって封止樹脂を絶縁膜１０７（絶縁膜１０７が無い場合には、パッシベーション膜１０５）上に塗布し、その封止樹脂によって導体層１１３、柱状電極１１７及び絶縁膜１０７を覆って、その封止樹脂を硬化させる。これにより、封止層１１９を形成する。封止層１１９は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂その他の絶縁性樹脂を含有し、好ましくは、絶縁性樹脂（エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等）にフィラー（例えば、ガラスフィラー、シリカフィラー）又は繊維（例えば、ガラス繊維）を配合した強化樹脂からなる。なお、プリプレグを絶縁膜１０７に貼り付けて、そのプリプレグを硬化させて、そのプリプレグから封止層１１９を形成してもよい。
【００５５】
次に、図８に示すように、封止層１１９を研削し、柱状電極１１７の頭頂面を露出させる。柱状電極１１７の頭頂面も研削される。必要に応じて、半導体ウエハ１０１の裏側も研削し、柱状電極１１７の頭頂面を軽くエッチングする。
【００５６】
次に、図９に示すように、半田バンプ１２０を柱状電極１１７の頭頂面に形成した後、半導体ウエハ１０１、集積回路層１０４、パッシベーション膜１０５、絶縁膜１０７及び封止層１１９の積層体を境界線１０２に沿って切断する。これにより、複数の半導体装置１３０が完成する。
【符号の説明】
【００５７】
１  処理装置
２  処理槽
４  回転車
６  第１の回転軸
１０  保持具
１２  アーム
１４  受部
１６  第２の回転軸
３０  処理液
３２  被処理物
【図１】
2012036467.tif 000003
【図２】
2012036467.tif 000004
【図３】
2012036467.tif 000005
【図４】
2012036467.tif 000006
【図５】
2012036467.tif 000007
【図６】
2012036467.tif 000008
【図７】
2012036467.tif 000009
【図８】
2012036467.tif 000010
【図９】
2012036467.tif 000011