(57)【要約】【課題】機能層の厚みのばらつきを抑えることができる電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。【解決手段】電気光学装置としての有機ＥＬ装置１１は、基板３１上において第１電極としての陽極２４と第２電極としての陰極２５との間に配置された発光層６４を含む機能層２６と、機能層２６を発光領域４２毎に区画する隔壁部としてのバンク（第１バンク６１、第２バンク６２）と、を備えた有機ＥＬ装置１１であって、第２隔壁部としての第２バンク６２には、発光領域４２を囲む開口穴６５が設けられており、第２バンク６２における開口穴６５の周縁部６２ａは、第２バンク６２の他の領域と比較して基板３１上における高さが高く形成されていると共に、撥液性を有する撥液材６６が設けられている。【選択図】図３
2012022784.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上において第１電極と第２電極との間に配置された発光層を含む機能層と、前記機能層を発光領域に区画する隔壁部と、を備えた電気光学装置であって、
前記隔壁部には、前記発光領域を囲む開口穴が設けられており、
前記隔壁部における前記開口穴の周縁部は、前記隔壁部の他の領域と比較して前記基板上における高さが高く形成されていると共に、撥液性を有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気光学装置であって、
前記基板上には、配線及び駆動回路のうち少なくとも一方が設けられており、
前記隔壁部は、前記第１電極側に配置された第１隔壁部と、少なくとも一部が前記第１隔壁部上に配置された第２隔壁部と、を有し、
前記第１隔壁部の高さは、前記配線及び前記駆動回路の高さと比較して高く形成されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の電気光学装置であって、
前記隔壁部において、前記開口穴の周縁部は平面視で直線部分と円弧部分とを含み、前記直線部分の高さを前記円弧部分の高さと比較して高くすることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項２又は請求項３に記載の電気光学装置であって、
前記第１隔壁部は、隣接する前記発光領域に亘り周縁部の一部分に沿って連続して設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項２乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記第１隔壁部は、無機材料からなると共に、前記第１隔壁部の前記開口穴の端部が前記第２隔壁部の前記開口穴の端部より前記開口穴の内側に出るように設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項６】
請求項２乃至請求項５のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記第２隔壁部は、有機材料からなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記開口穴の周縁部は、転写法を用いて撥液化されていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
基板上において第１電極と第２電極との間に配置された発光層を含む機能層と、前記機能層を発光領域に区画する隔壁部と、を備えた電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上に前記発光領域を囲むように開口穴を形成すると共に、前記開口穴の周縁部の高さを他の領域の高さと比較して高くなるように前記隔壁部を形成する隔壁部形成工程と、
転写法を用いて前記隔壁部に撥液材を転写する転写工程と、
前記開口穴の中に機能材料を塗布する塗布工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上に配線及び駆動回路のうち少なくとも一方を形成する配線回路形成工程を有し、
前記隔壁部形成工程は、前記第１電極側に第１隔壁部を形成する第１隔壁部形成工程と、前記第１隔壁部上に少なくとも一部が積層するように第２隔壁部を形成する第２隔壁部形成工程と、を含み、
前記第１隔壁部形成工程は、前記第１隔壁部の高さを、前記配線及び前記駆動回路の高さと比較して高く形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項８又は請求項９に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記開口穴の周縁部は平面視で直線部分と円弧部分とを含み、
前記隔壁部形成工程は、前記開口穴の前記直線部分の高さが前記円弧部分の高さと比較して高くなるように前記隔壁部を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項９又は請求項１０に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記第１隔壁部形成工程は、隣接する前記発光領域に亘り周縁部の一部分に沿って連続して前記第１隔壁部を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項９乃至請求項１１のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記第１隔壁部形成工程は、前記第１隔壁部を無機材料から形成すると共に、前記第１隔壁部の前記開口穴の端部が前記第２隔壁部の前記開口穴の端部より前記開口穴の内側に出るように形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項９乃至請求項１２のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記第２隔壁部形成工程は、前記第２隔壁部を有機材料から形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電気光学装置の一つとして、例えば、陽極と陰極との間に発光層などの有機膜が挟持された構造の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）装置がある。前記有機ＥＬ装置の製造方法としては、基板上に設けられた陽極を囲むようにバンク（隔壁）を形成する。次に、バンクで囲まれた開口穴（発光領域）の中に、インクジェット法などを用いて有機膜形成材料を含む機能液を塗布して固化することにより前記有機膜を形成する液相法が知られている。このような液相法では、開口穴に機能液を塗布したときに開口穴から外部に機能液が溢れてしまう場合がある。
【０００３】
そこで、例えば、特許文献１に記載のように、バンクの表面にＣＦ4などのフッ素系処理ガスによるプラズマ処理を施して、バンクの表面を機能液に対して撥液性にする方法が開示されている。これにより、バンクに対する機能液の接触角がプラズマ処理前に比べて大きくなり、開口穴から機能液が溢れ難くなる。しかし、バンクで囲まれた開口穴の中に形成されている陽極の表面も撥液性になることから、陽極上に機能液が濡れ広がらず、機能液の充填不良が発生する。これにより、形成された有機膜に欠陥が生じたり、有機膜上に陰極を形成すると、陽極と陰極とが前記欠陥部分において電気的にショート（短絡）するなどの不具合が発生する。
【０００４】
そこで、特許文献２及び特許文献３に記載のように、基板上に設けられたバンクに撥液材を転写して、バンクの上面のみを撥液化する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３３４７８２号公報
【特許文献２】特開２００２−３０５０７７号公報
【特許文献３】特許第３８７９４２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記特許文献２，３に示された撥液化の方法では、バンクが形成される基板上の凹凸に起因して、機能液が留まってほしいバンクの開口穴の周縁部よりも、バンクの他の領域の高さが高くなり、その部分に撥液材が転写されることがあった。これにより、開口穴の周縁部が撥液化されず、開口穴から機能液が溢れるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、基板上において第１電極と第２電極との間に配置された発光層を含む機能層と、前記機能層を発光領域に区画する隔壁部と、を備えた電気光学装置であって、前記隔壁部には、前記発光領域を囲む開口穴が設けられており、前記隔壁部における前記開口穴の周縁部は、前記隔壁部の他の領域と比較して前記基板上における高さが高く形成されていると共に、撥液性を有することを特徴とする。
【０００９】
この構成によれば、隔壁部における他の領域の高さと比較して高く形成されている開口穴の周縁部に撥液性が付与されているので、開口穴の中に機能材料を塗布した際、開口穴から外部に機能材料が溢れ出ることを抑えることができる。また、撥液性が付与されている部分が開口穴の周縁部なので、開口穴の中に機能材料を濡れ広げることが可能となり十分な量の機能材料を充填することができる。その結果、発光領域において膜厚のばらつきが抑えられた機能層を得ることができる。つまり、発光ムラが少ない電気光学装置を提供できる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に係る電気光学装置において、前記基板上には、配線及び駆動回路のうち少なくとも一方が設けられており、前記隔壁部は、前記第１電極側に配置された第１隔壁部と、少なくとも一部が前記第１隔壁部上に配置された第２隔壁部と、を有し、前記第１隔壁部の高さは、前記配線及び前記駆動回路の高さと比較して高く形成されていることが好ましい。
【００１１】
この構成によれば、第１隔壁部の高さが配線や駆動回路の高さと比較して高く形成されているので、第１隔壁部の上に第２隔壁部を設けた際、開口穴の周縁部の高さを他の領域の高さと比較して高くすることができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置において、前記隔壁部において、前記開口穴の周縁部は平面視で直線部分と円弧部分とを含み、前記直線部分の高さを前記円弧部分の高さと比較して高くすることが好ましい。
【００１３】
この構成によれば、液体が円弧部分より溢れやすい直線部分の隔壁部の高さを高くするので、開口穴の中に機能材料を十分に充填させることができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第１隔壁部は、隣接する前記発光領域に亘り周縁部の一部分に沿って連続して設けられていることが好ましい。
【００１５】
この構成によれば、例えば、第１隔壁部が隣接する同種の機能層が設けられる発光領域に亘り周縁部の一部分に沿って連続して設けられていることにより、共通の隔壁部として利用することができる。これにより、隣接する発光領域に機能材料を塗布することが可能となり、隣接する発光領域において機能層の厚みを均一にすることができる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第１隔壁部は、無機材料からなると共に、前記第１隔壁部の前記開口穴の端部が前記第２隔壁部の前記開口穴の端部より前記開口穴の内側に出るように設けられていることが好ましい。
【００１７】
この構成によれば、第１隔壁部が無機材料からなるので、開口穴の中の濡れ性を確保することができる。また、第１隔壁部の端部が第２隔壁部の端部より開口穴の内側に出るように設けられているので、発光層の膜厚が開口穴の中央部分よりも変動し易い開口穴の周縁部分を隠すことが可能となり、発光領域における発光ムラを抑えることができる。
【００１８】
［適用例６］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第２隔壁部は、有機材料からなることが好ましい。
【００１９】
この構成によれば、第２隔壁部に有機材料を用いるので、コーティング法などにより比較的簡単に第１隔壁部上に第２隔壁部を形成することができる。
【００２０】
［適用例７］上記適用例に係る電気光学装置において、前記開口穴の周縁部は、転写法を用いて撥液化されていることが好ましい。
【００２１】
この構成によれば、隔壁部の高い部分に転写するので、第１電極の表面の濡れ性を低下させることなく、開口穴の周縁部のみを撥液化させることができる。
【００２２】
［適用例８］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、基板上において第１電極と第２電極との間に配置された発光層を含む機能層と、前記機能層を発光領域に区画する隔壁部と、を備えた電気光学装置の製造方法であって、前記基板上に前記発光領域を囲むように開口穴を形成すると共に、前記開口穴の周縁部の高さを他の領域の高さと比較して高くなるように前記隔壁部を形成する隔壁部形成工程と、転写法を用いて前記隔壁部に撥液材を転写する転写工程と、前記開口穴の中に機能材料を塗布する塗布工程と、を有することを特徴とする。
【００２３】
この方法によれば、開口穴の周縁部における隔壁部の高さを、隔壁部の他の領域と比較して高く形成するので、転写法を用いて撥液化する際、隔壁部における開口穴の周縁部に撥液材をより選択的に転写することができる。よって、開口穴の中に機能材料を塗布した際、開口穴の中から外部に機能材料が溢れ出ることを抑えることができる。また、撥液性（撥液材）が付与されている部分が開口穴の周縁部なので、開口穴の中に機能材料を濡れ広げることが可能となり十分な量の機能材料を充填することができる。その結果、膜厚ムラが少ない機能層を形成でき、発光ムラが少ない電気光学装置を歩留まりよく製造することができる。
【００２４】
［適用例９］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記基板上に配線及び駆動回路のうち少なくとも一方を形成する配線回路形成工程を有し、前記隔壁部形成工程は、前記第１電極側に第１隔壁部を形成する第１隔壁部形成工程と、前記第１隔壁部上に少なくとも一部が積層するように第２隔壁部を形成する第２隔壁部形成工程と、を含み、前記第１隔壁部形成工程は、前記第１隔壁部の高さを、前記配線及び前記駆動回路の高さと比較して高く形成することが好ましい。
【００２５】
この方法によれば、第１隔壁部の高さを配線や駆動回路の高さと比較して高く形成するので、第１隔壁部の上に第２隔壁部を形成した際、開口穴の周縁部の高さを他の領域の高さと比較して高くすることができる。よって、周縁部に撥液材を容易に転写することができる。
【００２６】
［適用例１０］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記開口穴の周縁部は平面視で直線部分と円弧部分とを含み、前記隔壁部形成工程は、前記開口穴の前記直線部分の高さが前記円弧部分の高さと比較して高くなるように前記隔壁部を形成することが好ましい。
【００２７】
この方法によれば、液体が円弧部分より溢れやすい直線部分の隔壁部の高さを高くするので、開口穴の中に機能材料を十分に充填させることができる。
【００２８】
［適用例１１］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記第１隔壁部形成工程は、隣接する前記発光領域に亘り周縁部の一部分に沿って連続して前記第１隔壁部を形成することが好ましい。
【００２９】
この方法によれば、例えば、第１隔壁部を、隣接する同種の機能層が設けられる発光領域に亘り周縁部の一部分に沿って連続して形成することにより、共通の隔壁部として利用することができる。これにより、隣接する発光領域に機能材料を塗布することが可能となり、隣接する発光領域において機能層の厚みを均一にすることができる。
【００３０】
［適用例１２］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記第１隔壁部形成工程は、前記第１隔壁部を無機材料から形成すると共に、前記第１隔壁部の前記開口穴の端部が前記第２隔壁部の前記開口穴の端部より前記開口穴の内側に出るように形成することが好ましい。
【００３１】
この方法によれば、無機材料から第１隔壁部を形成することにより開口穴の中の濡れ性を確保することができる。また、第１隔壁部の端部が第２隔壁部の端部より開口穴の内側に出るように形成するので、発光層の膜厚が開口穴の中央部分に比べて変動し易い開口穴の周縁部分を隠すことが可能となり、発光領域における発光ムラを抑えることができる。
【００３２】
［適用例１３］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記第２隔壁部形成工程は、前記第２隔壁部を有機材料から形成することが好ましい。
【００３３】
この方法によれば、有機材料から第２隔壁部を形成するので、コーティング法などにより比較的簡単に第１隔壁部上に第２隔壁部を形成することができる。
【００３４】
［適用例１４］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする。
【００３５】
この構成によれば、発光領域において均一な膜厚の機能材料が得られ、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】第１実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図２】有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図。
【図３】（ａ）は有機ＥＬ装置を構成する画素の構造を示す模式平面図、（ｂ）は（ａ）に示す有機ＥＬ装置のＡ−Ａ'線に沿う模式断面図。
【図４】有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程図。
【図５】有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図６】有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図７】有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図。
【図８】有機ＥＬ装置を備えた電子機器の一例としてテレビを示す模式斜視図。
【図９】（ａ）は第２実施形態の有機ＥＬ装置を構成する画素の構造を示す模式平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示す有機ＥＬ装置のＢ−Ｂ'線に沿う模式断面図。
【図１０】第３実施形態の有機ＥＬ装置を構成する画素の構造を示す模式平面図。
【図１１】図１０に示す有機ＥＬ装置のＣ−Ｃ'線に沿う模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
（第１実施形態）
＜電気光学装置の構成＞
図１は、電気光学装置としての有機ＥＬ装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図１を参照しながら説明する。なお、以下参照する各図面において構成をわかりやすく示すため、各構成要素の層厚や寸法の比率、角度等は適宜異ならせてある。また、本実施形態の有機ＥＬ装置は、トップエミッション構造でもよいし、ボトムエミッション構造でも適用可能である。
【００３８】
図１に示すように、有機ＥＬ装置１１は、複数の走査線１２と、走査線１２に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３と、信号線１３に並行に延びる複数の電源線１４とを備えている。そして、走査線１２と信号線１３とにより区画された領域が画素領域として構成されている。信号線１３は、信号線駆動回路１５に接続されている。また、走査線１２は、走査線駆動回路１６に接続されている。
【００３９】
各画素領域には、走査線１２を介して走査信号がゲート電極に供給されるスイッチング用ＴＦＴ（Thin Film Transistor）２１と、このスイッチング用ＴＦＴ２１を介して信号線１３から供給される画素信号を保持する保持容量２２と、保持容量２２によって保持された画素信号がゲート電極に供給される駆動用ＴＦＴ２３とが設けられている。更に、各画素領域には、駆動用ＴＦＴ２３を介して電源線１４に電気的に接続したときに、電源線１４から駆動電流が流れ込む第１電極としての陽極２４と、第２電極としての陰極２５と、この陽極２４と陰極２５との間に挟持された機能層２６とが設けられている。
【００４０】
有機ＥＬ装置１１は、陽極２４と陰極２５と機能層２６とにより構成される発光素子２７を複数備えている。また、有機ＥＬ装置１１は、複数の発光素子２７で構成される表示領域を備えている。
【００４１】
この構成によれば、走査線１２が駆動されてスイッチング用ＴＦＴ２１がオン状態になると、そのときの信号線１３の電位が保持容量２２に保持され、保持容量２２の状態に応じて、駆動用ＴＦＴ２３のオン・オフ状態が決まる。そして、駆動用ＴＦＴ２３のチャネルを介して、電源線１４から陽極２４に電流が流れ、更に、機能層２６を介して陰極２５に電流が流れる。機能層２６は、ここを流れる電流量に応じた輝度で発光する。
【００４２】
図２は、有機ＥＬ装置の構成を示す模式平面図である。以下、有機ＥＬ装置の構成を、図２を参照しながら説明する。
【００４３】
図２に示すように、有機ＥＬ装置１１は、ガラス等からなる基板３１に表示領域３２（図中一点鎖線の内側の領域）と非表示領域３３（一点鎖線の外側の領域）とを有する構成になっている。表示領域３２には、実表示領域３２ａ（二点鎖線の内側の領域）とダミー領域３２ｂ（図中二点鎖線の外側の領域）とが設けられている。
【００４４】
実表示領域３２ａ内には、光が射出されるサブ画素３４（発光領域）がマトリクス状に配列されている。この、サブ画素３４の各々は、スイッチング用ＴＦＴ２１及び駆動用ＴＦＴ２３（図１参照）の動作に伴って、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）各色を発光する構成となっている。
【００４５】
ダミー領域３２ｂには、主として各サブ画素３４を発光させるための回路が設けられている。例えば、実表示領域３２ａの図中左辺及び右辺に沿うように走査線駆動回路１６が配置されており、実表示領域３２ａの図中上辺に沿うように検査回路３５が配置されている。
【００４６】
基板３１の下辺には、フレキシブル基板３６が設けられている。フレキシブル基板３６には、各配線と接続された駆動用ＩＣ３７が備えられている。
【００４７】
図３（ａ）は、有機ＥＬ装置のサブ画素の構造を示す模式平面図である。図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ'線に沿うサブ画素の模式断面図である。以下、画素を備える有機ＥＬ装置の構成を、図３を参照しながら説明する。なお、図３（ａ）は、機能層２６、後述する第２隔壁部としての第２バンク６２、陰極２５などの図示を省略している。
【００４８】
図３（ａ）に示すように、有機ＥＬ装置１１は、走査線１２と、信号線１３と、電源線１４とによって平面的に囲まれた発光領域（サブ画素３４）において発光が行われるものであり、スイッチング用ＴＦＴ２１と、保持容量２２と、駆動用ＴＦＴ２３と、陽極２４と、を有して構成されている。
【００４９】
具体的には、有機ＥＬ装置１１は、図３（ｂ）に示すように、基板３１と、基板３１上に形成された回路素子層４３と、回路素子層４３上に形成された発光素子層４４とを有する。基板３１としては、例えば、透光性を有するガラス基板が挙げられる。
【００５０】
回路素子層４３には、基板３１上にシリコン酸化膜（ＳｉＯ2）からなる下地保護膜４５が形成され、下地保護膜４５上に駆動用ＴＦＴ２３が形成されている。詳しくは、下地保護膜４５上に、ポリシリコン膜からなる島状の半導体膜４６が形成されている。半導体膜４６には、ソース領域４７及びドレイン領域４８が不純物の導入によって形成されている。そして、不純物が導入されなかった部分がチャネル領域５１となっている。
【００５１】
更に、回路素子層４３には、下地保護膜４５及び半導体膜４６を覆うシリコン酸化膜等からなる透明なゲート絶縁膜５２が形成されている。ゲート絶縁膜５２上には、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）などの低抵抗金属配線材料からなるゲート電極５３（走査線）が形成されている。
【００５２】
ゲート絶縁膜５２及びゲート電極５３上には、透明な第１層間絶縁膜５４、第２層間絶縁膜５５が形成されている。第１層間絶縁膜５４及び第２層間絶縁膜５５は、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ2）、チタン酸化膜（ＴｉＯ2）などから構成されている。ゲート電極５３は、半導体膜４６のチャネル領域５１に対応する位置に設けられている。
【００５３】
半導体膜４６のソース領域４７は、ゲート絶縁膜５２及び第１層間絶縁膜５４を貫通して設けられたコンタクトホール５６を介して、第１層間絶縁膜５４上に形成された電源線１４と電気的に接続されている。一方、ドレイン領域４８は、ゲート絶縁膜５２、第１層間絶縁膜５４、第２層間絶縁膜５５を貫通して設けられたコンタクトホール５７を介して、第２層間絶縁膜５５上に形成された陽極２４と電気的に接続されている。
【００５４】
陽極２４は、例えば、発光領域４２ごとに形成されている。また、陽極２４は、透明なＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜からなり、例えば、平面的に直線部分と円弧部分とを有するトラック形状に形成されている（図３（ａ）参照）。なお、回路素子層４３には、保持容量２２及びスイッチング用ＴＦＴ２１（図３（ａ）参照）が形成されている。また、上記したように、回路素子層４３には、各陽極２４に接続された駆動用のトランジスター（駆動用ＴＦＴ２３）が形成されている。
【００５５】
発光素子層４４は、マトリクス状に配置された発光素子２７（図１参照）を具備して基板３１上に形成されている。詳述すると、発光素子層４４は、陽極２４上に形成された機能層２６と、機能層２６を区画する第１隔壁部としての第１バンク６１及び第２バンク６２とを主体として構成されている。機能層２６は、例えば、正孔注入層６３と、発光層６４などから構成されている。
【００５６】
第１バンク６１は、陽極２４上の発光領域４２となる領域を囲むように、例えば、平面的に直線部分と円弧部分とを有するトラック形状に形成されている（図３（ａ）参照）。第１バンク６１の材料としては、例えば、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）やシリコン窒化膜（ＳｉＮ）などの無機材料である。第１バンク６１は、第２バンク６２における開口穴６５の周縁部６２ａの高さを、その周囲の高さと比較して高くするために設けられている。つまり、周縁部６２ａの高さを高く形成し、その部分に撥液材６６を転写させるために設けられている。
【００５７】
第１バンク６１の周辺にある配線（走査線１２、信号線１３、電源線１４など）の厚みは、例えば、０．４μｍである。また、駆動用ＴＦＴ２３の厚みは、例えば、０．４μｍである。また、第１バンク６１が無機材料から形成されるので、開口穴６５の中の濡れ性を確保することができる。また、第１バンク６１の開口穴の端部が第２バンク６２の開口穴６５の端部より開口穴６５の内側に出るように設けられているので、発光層６４の膜厚が開口穴６５の中央部分に比べて変動し易い開口穴６５の周縁部分を隠すことが可能となり、発光領域４２における発光ムラを抑えることができる。
【００５８】
第２バンク６２は、発光領域４２を除く基板３１上の全体に設けられている。第２バンク６２の材料としては、例えば、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等の有機材料である。
【００５９】
第２バンク６２は、例えば、断面に見て傾斜面を有する略台形状であり、発光領域４２（発光素子２７）を囲むように形成されている。つまり、第２バンク６２によって囲まれた領域が開口穴６５となる。
【００６０】
また、第２バンク６２は、発光領域４２の周縁に第１バンク６１が設けられていることにより、開口穴６５の周縁部６２ａの高さが、他の領域の高さと比較して、高くなっている。
【００６１】
第２バンク６２における開口穴６５の周縁部６２ａには、機能層２６となる機能材料としての機能液が開口穴６５から溢れないようにするための撥液材６６が設けられている。具体的には、撥液材６６を転写法を用いて設けることにより、他の領域に比較して高い位置にある開口穴６５の周縁部６２ａに撥液性を付与することができる。これにより、開口穴６５の中に塗布された機能液を開口穴６５の中に留めておくことが可能となり、隣りの開口穴６５に機能液が流れ出ることを防ぐことができる。撥液材６６としては、例えば、フッ素系の樹脂である。
【００６２】
ここで、「撥液性が高い」とは、液体（機能液）との接触角が相対的に大きいことを指す。つまり、撥液性が高くなった開口穴６５の周縁部６２ａから、外部に液体が溢れにくくなったと言える。一方、「撥液性が低い」とは、液体との接触角が相対的に小さいことを指す。つまり、液体（機能液）が塗布される開口穴６５の周縁部６２ａに撥液性が付与されているので、開口穴６５から液体（機能液）が溢れ難く、開口穴６５の中に液体（機能液）が充填しやすくなったと言える。
【００６３】
機能層２６は、上記したように、正孔注入層６３と発光層６４とを有して構成されており、第１バンク６１及び第２バンク６２に囲まれた領域、すなわち開口穴６５の中に、インクジェット法を用いて順に形成される。
【００６４】
正孔注入層６３は、導電性高分子材料中にドーパントを含有する導電性高分子層からなる。このような正孔注入層６３は、例えば、ドーパントとしてポリスチレンスルホン酸を含有する３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）などから構成することができる。
【００６５】
発光層６４は、正孔注入層６３の上に形成されており、エレクトロルミネッセンス現象を発現する有機発光物質の層である。機能層２６上及び第２バンク６２上を含む基板３１上の全体には、陰極２５が全面成膜（ベタ成膜）されている。
【００６６】
陰極２５は、例えば、カルシウム（Ｃａ）及びアルミニウム（Ａｌ）の積層体である。陰極２５の上には、水や酸素の侵入を防ぐための、無機材料や有機樹脂などからなる封止部材（図示せず）が積層されている。
【００６７】
上述した発光層６４は、陽極２４と陰極２５との間に電圧を印加することによって、発光層６４には、正孔注入層６３から正孔が、また、陰極２５から電子が注入される。発光層６４において、これらが結合したときに光を発する。以下、インクジェット法を用いて、有機ＥＬ装置１１を形成する方法について説明する。
【００６８】
＜電気光学装置の製造方法＞
図４は、電気光学装置の製造方法としての有機ＥＬ装置の製造方法を示す工程図である。図５〜図７は、有機ＥＬ装置の製造方法のうち一部の工程を示す模式断面図である。以下、有機ＥＬ装置の製造方法を、図４〜図７を参照しながら説明する。なお、図５〜図７は、回路素子層４３などの図示を省略している。
【００６９】
まず、ステップＳ１１（配線回路形成工程）では、基板３１上に公知の成膜技術を用いて回路素子層４３を形成する。具体的には、基板３１上に駆動用ＴＦＴ２３や走査線１２や信号線１３などを形成する。第２層間絶縁膜５５の表面は、駆動用ＴＦＴ２３や配線（１２，１３，１４）の厚みに影響を受けて凹凸状になっている（図３（ｂ）参照）。
【００７０】
ステップＳ１２では、第２層間絶縁膜５５上における発光領域４２周辺に、ＩＴＯからなる陽極２４を形成する。
【００７１】
ステップＳ１３（隔壁部形成工程、第１隔壁部形成工程）では、陽極２４の周縁部に第１バンク６１を形成する。具体的には、例えば、第１バンク６１の材料である酸化シリコン（ＳｉＯ2）を含む絶縁層を、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により、基板３１上を覆うように形成する。次に、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、絶縁層のうち陽極２４の周縁部を除く部分を除去する。これにより、第１バンク６１が完成する。なお、第１バンク６１の厚みは、例えば、０．５μｍである。
【００７２】
ステップＳ１４（隔壁部形成工程、第２隔壁部形成工程）では、図５に示すように、基板３１上における発光領域４２を除く領域に第２バンク６２を形成する。第２バンク６２の形成方法としては、まず、基板３１上にポリイミドやアクリルなどの有機材料を塗布する。次に、有機材料を乾燥させて有機層を形成する。次に、有機層における発光領域４２の部分を除去する。これにより第２バンク６２が完成する。
【００７３】
第２バンク６２の開口穴６５の周縁部６２ａは、図５に示すように、下層に第１バンク６１が形成されているので、他の領域の高さと比較して高くなっている。なお、第２バンク６２の厚みは、例えば、２μｍである。上述した有機材料を用いて第２バンク６２を形成するので、第１バンク６１に比べて厚い（高さがある）第２バンク６２を比較的容易に形成できる。
【００７４】
ステップＳ１５（転写工程）では、転写法を用いて第２バンク６２に撥液材６６を転写する。具体的には、第２バンク６２の上面の高い部分、つまり、開口穴６５の周縁部６２ａに確実に撥液材６６を転写することができる。
【００７５】
転写法は、例えば、図６に示す転写装置７１によって行われる。転写装置７１は、有機ＥＬ装置１１となる前の段階の基板１１ａを搬送する搬送ベルト７２及び搬送ローラー７３と、撥液材６６が塗布された撥液材付フィルム７４を搬送する供給ローラー７５と、テンションローラー７６と、転写ローラー７７と、圧着ローラー７８とを備えている。
【００７６】
撥液材付フィルム７４は、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）のフィルムにフッ素系の樹脂（撥液材）がコーティングされたものである。
【００７７】
基板１１ａは、搬送ベルト７２に載置されており、複数の搬送ローラー７３と圧着ローラー７８とによって、所定の方向に搬送される。撥液材付フィルム７４は、供給ローラー７５から供給され、テンションローラー７６によって搬送方向が規定される。撥液材付フィルム７４の撥液材６６は、転写ローラー７７が圧着ローラー７８側に可動することにより、撥液材付フィルム７４と基板１１ａとを圧着（例えば、熱圧着）し、接触した部分の撥液材６６が基板１１ａ転写される。
【００７８】
なお、第２バンク６２において、撥液材６６を設けたい部分（開口穴６５の周縁部６２ａ）の高さと、それ以外の部分（配線１３，１４や駆動用ＴＦＴ２３などの上）の高さとの関係は、必ずしも周縁部６２ａが高くならなくてもよい。具体的には、転写ローラー７７と圧着ローラー７８との圧着により転写可能な段差の範囲であればよい。例えば、第２バンク６２において、周縁部６２ａとそれ以外の部分の高さの段差が、±０．１μｍ以内であれば、第２バンク６２の上面全体に亘って撥液材６６を転写することも可能である。
【００７９】
これによれば、図７（ａ）に示すように、第２バンク６２における開口穴６５の周縁部６２ａに確実に撥液材６６を転写することができる。
【００８０】
ステップＳ１６（塗布工程）では、図７（ｂ）に示すように、第２バンク６２の開口穴６５に機能液２６ａを吐出する。具体的には、機能液２６ａの液滴を、液滴吐出法（例えば、インクジェット法）を用いて、陽極２４を底部とし第１バンク６１及び第２バンク６２を側壁とする凹部に向けて吐出する。機能液としては、正孔注入層６３の材料を含んだ機能液や、発光層６４の材料を含んだ機能液２６ａなどである。以下、発光層６４を例に説明する。
【００８１】
ステップＳ１７では、図７（ｃ）に示すように、機能液２６ａを乾燥させて発光層６４を形成する。詳しくは、機能液２６ａを高温環境下又は減圧下で乾燥して溶媒を蒸発させて固形化する。これにより、開口穴６５の中に発光層６４が形成される。
【００８２】
上述したように、第２バンク６２における開口穴６５の周縁部６２ａに撥液性が確実に付与されているので、機能液２６ａが開口穴６５の外側に溢れることを抑えることができる。
【００８３】
ステップＳ１８では、発光層６４が形成された基板３１上の略全体に、カルシウム膜及びアルミニウム膜をこの順に、例えば蒸着法によって積層させることにより、陰極２５（図３（ｂ）参照）を形成する。
【００８４】
ステップＳ１９では、陰極２５上に、例えば、接着剤及びガラス基板を用いて封止を行うことにより有機ＥＬ装置１１が完成する。
【００８５】
＜電子機器の構成＞
図８は、上記した有機ＥＬ装置を備えた電子機器の一例としてテレビを示す模式斜視図である。以下、有機ＥＬ装置を備えたテレビの構成を、図８を参照しながら説明する。
【００８６】
図８に示すように、テレビ８１は、表示部８２と、枠部８３と、脚部８４と、リモコン８５とを有する。表示部８２は、内部に組み込まれた有機ＥＬ装置１１によって、均一に発光することができる等、高品位な表示を行うことができる。なお、上記した有機ＥＬ装置１１は、上記テレビの他、ディスプレイ、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、車載機器、オーディオ機器、照明機器、光プリンターの光源などの各種電子機器に用いることができる。
【００８７】
以上詳述したように、第１実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
【００８８】
（１）第１実施形態の有機ＥＬ装置１１およびその製造方法は、陽極２４の周囲に形成された第１バンク６１の高さが配線１３，１４や駆動用ＴＦＴ２３の高さと比較して高くなるように形成すると共に、第１バンク６１の上に第２バンク６２を形成するので、開口穴６５の周縁部６２ａの高さを第２バンク６２の他の領域の高さと比較して高くすることができる。よって、転写法を用いて周縁部６２ａに選択的に撥液材６６を転写することが可能となり、開口穴６５の中に機能液２６ａを塗布した際、開口穴６５の中から外部に機能液２６ａが溢れ出ることを抑えることができる。これにより、混色を防ぐことができる。また、撥液材６６が転写されている部分が開口穴６５の周縁部６２ａなので、陽極２４の表面の濡れ性を低下させることがなく、開口穴６５の中に機能液２６ａを濡れ広げることが可能となり十分な量の機能液２６ａを充填することができる。その結果、膜厚ムラが少ない機能層２６を形成でき、発光ムラを少なくすることができる。
【００８９】
（２）第１実施形態の電子機器は、上記した有機ＥＬ装置１１を備えているので、発光領域４２において均一な膜厚の機能層２６が得られ、表示品質を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
【００９０】
（第２実施形態）
＜電気光学装置の構造＞
図９（ａ）は、第２実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置を構成するサブ画素の構造を示す模式平面図である。図９（ｂ）は、図９（ａ）のＢ−Ｂ'線に沿うサブ画素の模式断面図である。以下、画素を備えた有機ＥＬ装置の構成を、図９（ａ），（ｂ）を参照しながら説明する。
【００９１】
なお、図９（ａ）及び（ｂ）に示す有機ＥＬ装置１１１は、第１実施形態と同様に、上記した機能層２６及び陰極２５等の図示を省略している。また、第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１は、第２バンク１６２における開口穴６５の周縁部１６２ａ，１６２ｂのうち直線の周縁部１６２ａの高さが、円弧の周縁部１６２ｂの高さと比較して高くなるように設けられている点が、第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。
【００９２】
図９（ａ）に示すように、有機ＥＬ装置１１１は、第１実施形態と同様に、信号線１３と、走査線１２と、電源線１４とによって平面的に囲まれた発光領域４２（画素１３４）において発光が行われるものであり、スイッチング用ＴＦＴ２１と、保持容量２２と、駆動用ＴＦＴ２３と、陽極２４と、を有して構成されている。
【００９３】
詳述すると、第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１は、図９に示すように、開口穴６５における直線部分の領域に相当する第１バンク１６１ａの高さが、円弧部分の領域に相当する第１バンクの高さと比較して高くなるように設けられている。これにより、第１バンク１６１上に設けられた第２バンク１６２において、開口穴６５の周縁部１６２ａ，１６２ｂのうち直線部分の周縁部１６２ａの高さが円弧部分の高さより高くなっている。
【００９４】
更に、第２バンク１６２の開口穴６５の周縁部１６２ａ，１６２ｂに撥液材６６が設けられている。このように、開口穴６５における円弧の部分に比べて機能液２６ａ（図７（ｂ）参照）が溢れやすい直線部分の領域の高さが高いので、開口穴６５の中に正孔注入層６３や発光層６４などの機能液（２６ａ）を吐出した際、開口穴６５から機能液２６ａが外部に溢れ出すことを抑えることができる。以下、第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１を形成する方法について説明する。なお、第１実施形態の有機ＥＬ装置１１の製造方法と比較して異なる部分を主体に説明する。
【００９５】
＜電気光学装置の製造方法＞
第２実施形態の有機ＥＬ装置１１１の製造方法は、図４に示した第１実施形態の有機ＥＬ装置１１の製造方法と基本的に同様であって、以下、第１実施形態と異なる部分について説明する。
【００９６】
ステップＳ１３では、図９（ｂ）に示すように、第２層間絶縁膜５５上に第１バンク１６１を形成する。詳述すると、駆動用ＴＦＴ２３や配線１２，１３などが形成されている領域の第２層間絶縁膜５５の高さより、陽極２４の周縁部分が高くなるように、陽極２４の周縁部分に第１バンク１６１を形成する。
【００９７】
第１バンク１６１の形成方法としては、例えば、第２層間絶縁膜５５上に一つ目のマスクを用いて陽極２４の周縁部の全周に一層目の第１バンク１６１を成膜する。次に、二つ目のマスクを用いて陽極２４の周縁部のうち直線部分のみに二層目の第１バンク１６１を成膜する。これにより、第１バンク１６１（１６１ａ）の高さが駆動用ＴＦＴ２３や配線１２，１３などが形成された領域の高さより高くなると共に、第１バンク１６１における円弧の領域の第１バンク１６１の高さより直線部分の領域の第１バンク１６１ａの高さを高くすることができる。
【００９８】
次に、ステップＳ１４では、基板３１上における発光領域４２を除く領域に第２バンク１６２を形成する。第２バンク１６２の形成方法は、第１実施形態と同様である。ステップＳ１３において第１バンク１６１を形成したので、第１バンク１６１が形成された領域の第２バンク１６２の高さは、他の領域の第２バンク１６２の高さと比べて高くなっている。
【００９９】
更に、発光領域４２（開口穴６５）の周縁領域において、円弧部分の第２バンク１６２の高さに比べて、直線部分の第２バンク１６２の高さが高くなっている。
【０１００】
ステップＳ１５では、第２バンク１６２に撥液材６６を転写する。具体的には、第２バンク１６２の表面における高い部分、つまり、第２バンク１６２における開口穴６５の周縁部１６２ａ，１６２ｂに撥液材６６が転写される。
【０１０１】
これによれば、図９に示すように、第２バンク１６２の表面の中で高さの高い領域（１６２ａ，１６２ｂ）に撥液材６６を転写することができ、開口穴６５の周縁部のうち直線部分の高さを、円弧部分の高さと比較して高くすることができる。なお、開口穴６５のうち円弧部分では、液体が溢れにくいので、撥液材６６は円弧部分において必ずしも転写されなくてもよい。
【０１０２】
ステップＳ１６では、第１バンク１６１及び第２バンク１６２で囲まれた開口穴６５の中に機能液２６ａを吐出する。なお、機能液２６ａの吐出方法は、第１実施形態と同様である。開口穴６５の周縁部において円弧部分より液体が溢れやすい直線部分の高さが高いので、機能液２６ａが開口穴６５から外部に溢れ出ることを抑えることができる。以下、第１実施形態と同様に、ステップＳ１７からステップＳ１９まで実施することにより、有機ＥＬ装置１１１が完成する。
【０１０３】
以上詳述したように、第２実施形態によれば、上記した第１実施形態の（１）、（２）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【０１０４】
（３）第２実施形態によれば、第２バンク１６２の開口穴６５の周縁部１６２ａ，１６２ｂにおいて、直線部分の周縁部１６２ａの高さが円弧部分の周縁部１６２ｂの高さより高くなるように第１バンク１６１ａを用いて形成するので、開口穴６５の中に機能液２６ａを塗布した際、機能液２６ａが直線部分の領域の周縁部１６２ａから外部に溢れることを抑えることができる。よって、開口穴６５の中に機能液２６ａを十分に充填することができる。
【０１０５】
（第３実施形態）
＜電気光学装置の構造＞
図１０は、第３実施形態の電気光学装置としての有機ＥＬ装置を構成する画素の構造を示す模式平面図である。図１１は、図１０に示す有機ＥＬ装置のＣ−Ｃ'線に沿う模式断面図である。以下、画素を備えた有機ＥＬ装置の構成を、図１０及び図１１を参照しながら説明する。
【０１０６】
なお、図１０及び図１１に示す有機ＥＬ装置２１１は、第１実施形態と同様に、上記した機能層２６及び陰極２５等の図示を省略している。また、第３実施形態の有機ＥＬ装置２１１は、開口穴６５の直線領域に相当する領域に第１バンク２６１ａ，２６１ｂが設けられていると共に、第１バンク２６１ａ，２６１ｂが隣接する画素２３４（発光領域４２）に跨って設けられている部分が、第２実施形態と異なっている。以下、第２実施形態と同じ構成部材には同一符号を付し、ここではそれらの説明を省略又は簡略化する。
【０１０７】
図１０に示すように、第３実施形態の有機ＥＬ装置２１１は、第１実施形態及び第２実施形態と同様に、信号線１３と、走査線１２と、電源線１４とによって平面的に囲まれた発光領域４２（画素２３４）において発光が行われるものであり、スイッチング用ＴＦＴ２１と、保持容量２２と、駆動用ＴＦＴ２３と、陽極２４と、を有して構成されている。
【０１０８】
詳述すると、第３実施形態の有機ＥＬ装置２１１は、ＲＧＢ配置がストライプ配置であり、図１０に示すように、開口穴６５における直線部分に相当する領域に第１バンク２６１ａ，２６１ｂが設けられていると共に、第１バンク２６１ａ，２６１ｂが隣接する画素２３４（発光領域４２）に亘って連続して設けられている。言い換えれば、共通バンクとして用いることができる。このように、発光領域４２を区画することは、一つの発光領域４２を区画するだけでなく、複数の発光領域４２を区画することも含む。これにより、第１バンク２６１ａ，２６１ｂ上に設けられる第２バンク２６２の高さを高くすることができ、撥液材６６を転写することができる。
【０１０９】
このように、第１バンク２６１ａ，２６１ｂ上の第２バンク２６２の上に撥液材６６が設けられているので、開口穴６５の中に正孔注入層６３や発光層６４を形成するための機能材料を含む機能液を吐出した際、開口穴６５から機能液が外部に溢れ出すことを抑えることができる。また、共通化された領域では、機能液の量を均一にすることが可能となり、正孔注入層６３や発光層６４などの膜厚が発光領域内でばらつくことを抑えることができる。以下、第３実施形態の有機ＥＬ装置２１１を形成する方法について説明する。なお、第１実施形態及び第２実施形態の有機ＥＬ装置１１，１１１の製造方法と比較して異なる部分を主体に説明する。
【０１１０】
＜電気光学装置の製造方法＞
第３実施形態の有機ＥＬ装置２１１の製造方法は、図４に示すステップＳ１１からステップＳ１２までは、第１実施形態と同様に形成する。ステップＳ１３以降の製造方法について説明する。
【０１１１】
ステップＳ１３では、図１１に示すように、第２層間絶縁膜５５上に第１バンク２６１ａ，２６１ｂを形成する。詳述すると、駆動用ＴＦＴ２３（図３（ｂ）参照）や配線１２，１３，１４などが形成されている領域の第２層間絶縁膜５５の高さより、陽極２４の直線部分に相当する第１バンク２６１ａ，２６１ｂが高くなるように、更に、隣接する画素２３４に亘って繋がるように、第２層間絶縁膜５５上に第１バンク２６１ａ，２６１ｂを形成する。
【０１１２】
第１バンク２６１ａ，２６１ｂの形成方法としては、例えば、マスクを用いて、第２層間絶縁膜５５上に第１バンク２６１ａ，２６１ｂを形成する。第１バンク２６１ａ，２６１ｂは、隣接する画素２３４に亘って陽極２４の直線部分に相当する領域が繋がったレール状に形成される。
【０１１３】
次に、ステップＳ１４では、基板３１上における発光領域４２を除く領域に第２バンク２６２を形成する。第２バンク２６２の形成方法は、第１実施形態と同様である。ステップＳ１３において第１バンク２６１ａ，２６１ｂを形成したので、第１バンク２６１ａ，２６１ｂが形成された領域の第２バンク２６２の周縁部２６２ａの高さは、他の領域の第２バンク２６２の高さと比べて高くなっている。
【０１１４】
ステップＳ１５では、第２バンク２６２に撥液材６６を転写する。具体的には、第２バンク２６２の表面において高さの高い部分、つまり、第１バンク２６１ａ，２６１ｂ上の第２バンク２６２の上に撥液材６６が転写される。
【０１１５】
ステップＳ１６では、第２バンク２６２の開口穴６５に機能液２６ａを吐出する。なお、機能液２６ａの吐出方法は、第１実施形態と同様である。第１バンク２６１ａ，２６１ｂ上の第２バンク２６２の上に撥液材６６が転写されているので、機能液２６ａが開口穴６５から外部に溢れ出ることを抑えることができる。以下、第１実施形態と同様に、ステップＳ１７からステップＳ１９まで実施することにより、有機ＥＬ装置２１１が完成する。
【０１１６】
以上詳述したように、第３実施形態によれば、上記した第１実施形態及び第２実施形態の（１）〜（３）の効果に加えて、以下に示す効果が得られる。
【０１１７】
（４）第３実施形態によれば、第１バンク２６１ａ，２６１ｂを、隣接する発光領域４２の直線部分を繋ぐように連続して形成し、その上に第２バンク２６２を形成するので、隣接する発光領域４２に亘ってつながる共通バンクとして利用することができる。これにより、隣接する発光領域４２に機能液２６ａを塗布することが可能となり、隣接する発光領域４２において機能層２６の厚みを均一にすることができる。
【０１１８】
なお、実施形態は上記に限定されず、以下のような形態で実施することもできる。
【０１１９】
（変形例１）
上記したように、第２バンク６２の開口穴６５の下層に第１バンク６１を形成することにより、第２バンク６２の開口穴６５の周縁部６２ａを高くして、その部分に撥液材６６が転写できるようにしていることに代えて、第１バンク６１を設けることなく、第２バンク６２を形成し、高くしたい領域以外をエッチングで除去し、周縁部６２ａが高くなるようにしてもよい。つまり、第２バンク６２の表面の高さ関係は、上記した実施形態と略同一に形成することができる。これによれば、第１バンク６１を形成することなく、１層のバンク（第２バンク６２）で対応することができる。
【０１２０】
また、第２バンク６２における低くしたい領域をエッチングによって除去することに代えて、第２バンク６２における高くしたい領域（周縁部６２ａ）のみに膜を積層して厚くするようにしてもよい。これによれば、上記と同様に、第１バンク６１を予め形成しなくてもよい。
【０１２１】
（変形例２）
上記したように、発光領域４２（開口穴６５）の平面視の形状は、トラック形状であることに限定されず、例えば、四角形状、丸形状、多角形状であってもよい。この場合、機能液２６ａが溢れやすい部分を考慮して、その部分の第２バンク６２が高くなるように形成することが好ましい。
【０１２２】
（変形例３）
上記したように、陽極２４の周囲に第１バンク６１が平面視で重なるように形成することに限定されず、第２バンク６２の開口穴６５の周縁部６２ａが高くなればよく、例えば、陽極２４と平面視で重ならない陽極２４の周囲に第１バンク６１を形成するようにしてもよい。
【０１２３】
（変形例４）
上記したように、有機ＥＬ装置１１は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の発光が得られる発光素子２７を有するものに限定されない。例えば、白色などの単色発光が可能な照明装置に適用してもよい。また、発光素子２７を白色発光するトップエミッション構造として、発光素子２７の上方にカラーフィルターを備える構成としてもよい。
【０１２４】
（変形例５）
上記した実施形態では、有機ＥＬ装置１１における第２バンク６２の構造を例に説明したが、これに限定されず、液晶装置などのカラーフィルターを区画するバンクの構造に適用するようにしてもよい。
【符号の説明】
【０１２５】
１１，１１１，２１１…電気光学装置としての有機ＥＬ装置、１２…走査線、１３…信号線、１４…電源線、１５…信号線駆動回路、１６…走査線駆動回路、２１…スイッチング用ＴＦＴ、２２…保持容量、２３…駆動用ＴＦＴ、２４…第１電極としての陽極、２５…第２電極としての陰極、２６…機能層、２６ａ…機能材料としての機能液、２７…発光素子、３１…基板、３２…表示領域、３２ａ…実表示領域、３２ｂ…ダミー領域、３３…非表示領域、３４…サブ画素、３５…検査回路、３６…フレキシブル基板、３７…駆動用ＩＣ、４２…発光領域、４３…回路素子層、４４…発光素子層、４５…下地保護膜、４６…半導体膜、４７…ソース領域、４８…ドレイン領域、５１…チャネル領域、５２…ゲート絶縁膜、５３…ゲート電極、５４…第１層間絶縁膜、５５…第２層間絶縁膜、５６…コンタクトホール、５７…コンタクトホール、６１，１６１ａ，２６１ａ，２６１ｂ…第１隔壁部としての第１バンク、６２，１６２，２６２…第２隔壁部としての第２バンク、６２ａ，１６２ａ，１６２ｂ…周縁部、６３…正孔注入層、６４…発光層、６５…開口穴、６６…撥液材、７１…転写装置、７２…搬送ベルト、７３…搬送ローラー、７４…撥液材付フィルム、７５…供給ローラー、７６…テンションローラー、７７…転写ローラー、７８…圧着ローラー、８１…テレビ、８２…表示部、８３…枠部、８４…脚部、８５…リモコン。
【図１】
2012022784.tif 000003
【図２】
2012022784.tif 000004
【図３】
2012022784.tif 000005
【図４】
2012022784.tif 000006
【図５】
2012022784.tif 000007
【図６】
2012022784.tif 000008
【図７】
2012022784.tif 000009
【図８】
2012022784.tif 000010
【図９】
2012022784.tif 000011
【図１０】
2012022784.tif 000012
【図１１】
2012022784.tif 000013