【事件の表示】
　平成　５年特許願第１８１０１５号「磁気記録媒体」拒絶査定に対する審判事件［平成　７年　２月　７日出願公開、特開平　７−　３７２３７］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成５年７月２２日の出願であって、その請求項１〜５に係る発明は、平成１１年１１月１０日付け、平成１３年１０月２５日付け、平成１４年１２月２５日付けの手続補正で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜５に記載されたとおりのものであり、その内、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
　【請求項１】「非磁性基板と、該非磁性基板上に設けられた下地層及び磁性膜とを有する磁気記録媒体において、上記非磁性基板表面の半径方向に測定された中心線平均粗さＲａは、０．３ｎｍ以上、１．９ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体。」
　
ＩＩ．引用例
　これに対し、原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前の刊行物である、特開平３−１９４７２５号公報（以下、「引用例」という。）には、次のように記載されている。
　引用例には、
　（1-i）「（１）その表面に半径方向に凹部と凸部が繰り返される凹凸が形成された円板状基材と、この基材の表面に対してなす角度が２０°以上の入射角度でスパッタリングすることにより形成された下地層と、この下地層上に形成された磁性層とを有し、この磁性層は円周方向の残留磁化量Ｍ１と半径方向の残留磁化量Ｍ２との比（Ｍ１／Ｍ２）が２以上であることを特徴とする磁気記録媒体。」（特許請求の範囲の請求項１参照）、
　（1-ii）「第１図は本発明の実施例に係る磁気記録媒体を示す断面図、第４図はその磁性層３に示す平面図である。基材６は、第４図に示すように、円板状をなし、その中央には磁気記録媒体を磁気記録再生装置に設置するための孔７が形成されている。そして、この基材６の表面には、第１図に示すように、その円周方向に延びる疵をつけることにより、テキスチャリング部５が設けられている。このテキスチャリング部５は微細な同心円状の疵であり、従って、その半径方向に凹部と凸部とが繰り返される凹凸部となっている。　このテキスチャリング部５が形成された基材６の上には下地層４が形成され、この下地層４上には磁性層３が形成されている。更に、この磁性層３上にはこの磁性層３を保護するための保護層２が形成されており、この保護層２上には、潤滑層１が形成されている。」（第３頁右上欄１７行〜同頁左下欄１３行参照）こと、
　（1-iii）「この場合に、テキスチャリング処理により形成される基材表面の凹凸は、最大表面粗さ（Ｒmax）が６００Å以下であることが好ましい。この最大表面粗さ（Ｒmax）が６００Åよりも大きい場合は、磁気ヘッドの浮上量が大きくなるため、記録密度が低下するので好ましくない。　この基材６の表面に、スパッタリング法により、下地層４、磁性層３、保護層２及び潤滑層１の各薄膜を順次形成する。」（第３頁右下欄１２行〜末行参照）こと、
　（1-iv）「この磁気異方性（Ｍ１／Ｍ２）が大きいほど、また磁性層内において磁気異方性のバラツキが小さい程、磁気特性が均一で記録再生特性が優れた磁気記録媒体が得られる。」（第４頁右下欄１５〜１８行参照）こと、
　（1-v）「アルミニウム合金基板（外径９５ｍｍ、内径２５ｍｍ、厚さ１．３ｍｍ）の表面に無電解メッキ法により、膜厚が２０μｍのＮｉ−Ｐめっき膜を形成し、表面を鏡面研磨した後、テキスチャリングを施し、最大表面粗さＲmax及び表面平均粗さＲａが夫々（Ｒmax＝５６０Å，Ｒａ＝６０Å）、（Ｒmax＝２８０Å，Ｒａ＝３５Å）、（Ｒmax＝１６０Å，Ｒａ＝２０Å）の三種類の基板を作成した。　次いで、これらの基板を上記調整部材を配置したターゲット間に通過させ、Ｃｒをスパッタして下地層を被着した。その後、ＣｏＮｉＣｒのターゲット間を調整部材がない状態で通過させて磁性層を被着し、磁気記録媒体を作製した。この磁気記録媒体の磁気特性、即ち、保磁力と円周方向及び半径方向の残留磁化量を、第４図位置３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄについて測定した。但し、各位置３ａ，３ｂ，３ｃ，３ｄの基板中心からの距離は２５．４ｍｍである。　その結果、これらの媒体の円周方向の保磁力は１３００±５０ Ｏｅであり、円周方向の残留磁化量Ｍ１は５００ガウス・ミクロンで一定として、半径方向の残留磁化量Ｍ２を測定した結果、磁気異方性を示すＭ１／Ｍ２及びその位置によるバラツキは下記第２表及び第３表に示すとおりであった。　磁気異方性Ｍ１／Ｍ２の位置によるバラツキは前記（１）式に基づいて算出した。なお、第２表及び第３表には入射角度１０°の比較例１も併せて示した。　　その結果、最小入射角度が２０°以上のものは磁気異方性（Ｍ１／Ｍ２）が大きく、また位置によるその差Δ（Ｍ１／Ｍ２）が小さかった。」（第５頁右上欄末行〜同頁右下欄９行参照）ことが記載され、
　（1-vi）第２表において、スパッタリング粒子の最小入射角度（θ）が順に２０，３０，４５，７０，１０である実施例１，２，３，４及び比較例１の磁気異方性（Ｍ１／Ｍ２）が、基板の表面粗さＲmax５６０Å、Ｒａ６０Åの時に順に２．４５，２．７０，２．９５，３．１，１．８０、Ｒmax２８０Å、Ｒａ３５Åの時に順に２．３５，２．６０，２．８５，３．０，１．７０、Ｒmax１６０Å、Ｒａ２０Åの時に順に２．１８，２．３０，２．５０，２．６，１．６０、であること（第６頁左上欄参照）が示されている。
　
　これらの記載から見て、引用例には、磁気特性が均一で記録再生特性が優れた、「円板状基材と、該円板状基材上に設けられた下地層及び磁性層とを有し、好ましくはテキスチャリング処理により形成される基材表面の凹凸が最大表面粗さ（Ｒmax）で６００Å以下であることを特徴とする磁気記録媒体。」の発明が記載されているものと認められる。
　
ＩＩＩ．対比、判断
　そこで、本願発明と引用例記載の発明とを対比する。
　引用例記載の発明の「円板状基材」は、本願発明の「非磁性基板」に相当（本願発明の実施例でも円板状の基板が用いられていることが、半径方向の用語が用いられ又図７からみて明らかである。）し、磁性層と磁性膜は単に表現上の相違にすぎないことから、本願発明と引用例記載の発明は、「非磁性基板と、該非磁性基板上に設けられた下地層及び磁性膜とを有する磁気記録媒体。」の発明である点で一致し、他方、非磁性基板の表面の粗さに関して、本願発明が「非磁性基板表面の半径方向に測定された中心線平均粗さＲａは、０．３ｎｍ以上、１．９ｎｍ以下である」と特定しているのに対して引用例記載の発明ではそのような特定をしていない点で一応相違している。
　
　この相違点について検討する。
　引用例記載の発明では、基板表面の凹凸（表面粗さ）に関しては、記録密度を低下させる要因である磁気ヘッドの浮上量を大きくしないためにＲmaxが６００Å以下が好ましいと説明（摘示（1-iii）参照）されている。　この基板表面の凹凸は、テキスチャリングにより円周方向に延びる疵をつけるため、「その半径方向に凹部と凸部とが繰り返される凹凸部となっている」との記載（摘示（1-ii）参照）から、基板表面の半径方向に測定される粗さを意味することは明らかである。　更に、実施例を検討すると、Ｒmax５６０ÅがＲａ６０Åに相当し、同じくＲmax２８０ÅがＲａ３５Åに、Ｒmax１６０ÅがＲａ２０Å（即ち２ｎｍ）に各々相当しているもので、ＲａがＲmaxよりかなり小さくなることを示唆している（なお、Ｒａが中心線平均粗さを意味することは自明であり、ＲａがＲmaxよりかなり小さいことは知られている。）。　してみると、引用例の実施例１〜４には、非磁性基板表面の半径方向に測定された中心線平均粗さＲａが２ｎｍの実例が明示されているといえる。
　ところで、実施例のこの２ｎｍの数値は、「０．３ｎｍ以上、１．９ｎｍ以下」の範囲外である。　しかしながら、かかる実施例に限定される理由はなく、Ｒmaxが磁気ヘッドの浮上量を大きくしないために好ましい範囲を示唆しているのであるから、その主旨に従えば小さいほど良いのである。　当然に、Ｒmaxと相関があるＲａも小さいほどよいと認められるので、引用例記載の発明において、Ｒａとしては実施例の２ｎｍより少し小さなもの、例えば１．９ｎｍ以下のものを用いることは、当業者が容易に想い到る程度のことと認められる。
　この点に関して、請求人は、審判請求理由の補正書（第２頁）において、「引用文献１（注：引用例）には、円盤上基板のＲａが２．０ｎｍから６ｎｍと大きくなるほど、磁気異方性を示す残留磁化量の比（Ｍ１／Ｍ２）は２以上と大きくなること（表２〜４）、磁気異方性が大きいほど磁気特性が均一で記録再生特性が優れた磁気記録媒体が得られること（４頁右下：１５行目から１８行目）が記載されており、円盤状基板のＲａをできるだけ大きくすることの示唆はあるが、本願発明のように、基板におけるＲａを従来に比べて小さくすること、具体的には０．３ｎｍ以上、１．９ｎｍ以下とすることについては示唆がなく、本願発明は引用文献１（注：引用例）に記載の発明から容易になし得るものではない。」と主張している。
　しかしながら、当該主張は、次の理由で失当である。
　即ち、該表から磁気異方性を示す残留磁化量の比（Ｍ１／Ｍ２）は基板のＲａが大きくなるほど大きくなることは一応首肯できたとしても、（イ）結果的にそのようになっているだけで、摘示（1-iii）にあるように磁気ヘッドの浮上量を大きくしない観点から基板の最大表面粗さＲmax、即ちこれに相関する中心線平均粗さＲａが小さい方が良いことが明らかであるし、（ロ）磁気異方性を示す残留磁化量の比（Ｍ１／Ｍ２）は２以上であることが規定されているのであって、実施例１〜４の２．１８や２．６を下限としているわけではないので、Ｒａを１．９ｎｍ程度の場合に磁気異方性を示す残留磁化量の比（Ｍ１／Ｍ２）が、Ｒａが２ｎｍの場合の磁気異方性を示す残留磁化量の比（Ｍ１／Ｍ２）に比べて若干小さくなるとしても表２のデータからみて２を下回るとは認められないから、基板の半径方向のＲａを１．９ｎｍ以下にすることに阻害要因はないばかりか、むしろその程度の基板の表面粗さは使用できる示唆された範囲というべきである。　なお、基板の表面粗さが２ｎｍ以下でも使用できることは、例えば、拒絶理由に先行技術として示された特開平５−１２０６６４号公報（請求項２の「円周方向に形成したテクスチャの半径方向の平均粗さＲａが２ｎｍ以下で、」）や、特開平５−８９４０２号公報（請求項２，段落【００１４】の磁気記録媒体の中心線平均粗さＲａが１ｎｍ以下となるように基体の表面粗さを制御した旨の記載）などで知られている。
　更に、本願明細書には、「基板表面にＲａが２ｎｍ以上のテクスチャーが形成されており、浮上量を下げるとテクスチャーの突起部とヘッドが接触しやすく、浮上量を０．１μｍ以下に低減できないという問題があった。」（段落【００２６】）と記載され、審判請求理由の補正書（第１頁下から２行〜第２頁２行）において低浮上量を達成できる旨主張しているように、本願発明と引用例記載の発明とは浮上量を大きくしないために表面粗さを大きくしないとの点で軌を一にするものであって、その観点からは基板表面の半径方向のＲａが小さいほど良いことが明らかである。
　
　また、「Ｒａは、０．３ｎｍ以上、１．９ｎｍ以下であること」に関して本願明細書を検討すると（審判請求理由では格別に主張されていないものの）、Ｒａが１．９ｎｍとなるようにテクスチャー加工すると磁性膜結晶の磁化容易軸が基板面とほぼ平行となる旨（段落【００１４】）、および磁性膜の磁化容易軸を含む結晶面のうねりが低減するため、ヘッド走行方向の磁気異方性が向上してＢｒの配向比が向上する旨（段落【００３２】）などが記載されている。
　しかしながら、実施例を検討しても基板の表面粗さＲａが１．９ｎｍを越える比較例すら示されておらず、１．９ｎｍ以下との数値限定に臨界的な技術的意義（有利な作用効果）があるのか不明であって、何ら裏付けのない数値というしかない（なお、段落【００３９】に、「基板表面の中心線平均粗さＲａを０．３ｎｍ以上、１．９ｎｍ以下の範囲で変化させた。」との記載はあるものの、基板の回転速度や処理時間も変え、溝の平均密度も変化させているから、どのように結果と対応するのか不明であるばかりか、そもそもＲａが１．９ｎｍを越える比較例は示されていない。また、段落【００４８】に、保護膜のＲａが３ｎｍを上回るとまた磁性層表面のＲａが１．９ｎｍを上回るとヘッド浮上量０．１μｍ、１０万回シークでヘッドと磁気記録媒体の接触が起こる旨記載されているけれども、この説明は基板のＲａについてのものではなく基板のＲａの比較例でもないし、そもそもＲａが大きいほど接触し易いことは知られている。）。
　そればかりか、例えば、「溝の平均密度を増すと、ヘッド走行方向の磁気異方性が向上し、Ｒａが１．９ｎｍ以下でも配向比Ｂｒ１／Ｂｒ２を１．３以上、３以下とすることが可能である。」（段落【００３２】）と記載し、段落【００６２】の比較例では基板表面に設けた溝の平均密度を小さく乃至は大きくして、配向比を小さく乃至は大きくした旨記載していることを勘案すれば、単にＲａを１．９ｎｍ以下にしても必要とする配向比が得られない（場合がある）ことの示唆があり、記載自体に矛盾乃至は必要条件の欠如を示しているものであるし、また、Ｒａを０．３ｎｍ以上、１．９ｎｍ以下とすることは、当初のＢｒ１・δ積と残留磁化比Ｂｒ１／Ｂｒ２を特定した磁気記録媒体の発明の一態様の特定にすぎないものであって、その実施態様の特定だけを取り出しても臨界的な技術的意義があることは認識されていない。　加えて、本願発明で良いとされているＢｒの配向比１．３〜３は、引用例記載の発明においても、２以上であってその実施例に示された磁気異方性を示す残留磁化量の比（Ｍ１／Ｍ２）はほぼ３程度以下であるから、引用記載の発明とはほぼ一致している。
　
　以上のとおりであるから、上記相違点は、当業者が容易に想到し得る程度のものと認められ、この相違点によって格別予想外の作用効果を奏しているとも認められない。
　よって、本願発明は、周知技術を勘案して引用例記載の発明に基づいて当業者が容易に想到し得る。
　
ＩＶ．むすび
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。