【事件の表示】
　平成１０年特許願第５３２７０２号「発光装置」拒絶査定に対する審判事件［平成１０年８月６日国際公開、ＷＯ９８／３４２８５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【1】手続の経緯・本願発明
　本願は平成9年12月26日(日本国の出願に基づく優先日:平成9年1月31日、平成9年2月4日、平成9年11月5日)に国際出願されたものであり、本願の請求項1〜8に係る発明は、平成13年11月19日付け手続補正書にて補正された明細書の特許請求の範囲に記載されたとおりのものである。
　その請求項1に係る発明(以下、「本願発明」という。)は以下のとおりである。
　「【請求項1】 透明基板と該透明基板上に設けられたp型半導体領域とn型半導体領域とを有する発光素子と、
　ダイオードからなる静電保護素子とを備え、
　前記発光素子は前記透明基板を上に向けた状態で前記静電保護素子の上に搭載されており、
　前記発光素子の前記n型半導体領域と前記ダイオードのp型半導体領域との間、及び前記発光素子の前記p型半導体領域と前記ダイオードのn型半導体領域との間がそれぞれ
径が
　複合素子として構成されているとともに、
　前記静電保護素子の順方向動作電圧は、前記発光素子の逆方向破壊電圧よりも小さく、
　前記静電保護素子の逆方向ブレークダウン電圧は、前記発光素子の動作電圧よりも大きくかつ前記発光素子の順方向破壊電圧よりも小さいことを特徴とする発光装置。」
　ただし、上記本願発明において、下線部「
径が
径が
　
【2】引用例
　これに対して、原査定の根拠として引用した、特開昭59-188181号公報(以下、「引用例1」という。)、実願平5-25263号(実開平6-79167号)のCD-ROM(以下、「引用例2」という。)及び特開昭58-162085号公報(以下、「引用例3」という。)には、以下の事項が記載されている。
　
【2-1】引用例1: 特開昭59-188181号公報
　
1頁左下欄11行〜右下欄19行
　「本発明は副マウントに関し、詳しくは、発光ダイオードの配線基板として用いる副マウントに関する。
・・・
　上記の目的を達成するために、本発明は、Siウエーハにp-n接合を作成したものを副マウントとして用い、これに発光ダイオードを接続する。これによって発光ダイオードに順方向電流が流れるときは、Si副マウントに逆方向に電圧がかかつて、絶縁膜がなくてもSi副マウントには電流が流れず、発光ダイオードの発光のみが行なわれる。また、発光ダイオードに逆方向の電圧が印加されたときは、Si副マウント内に電流が流れて発光ダイオードは保護される。」
　
2頁左上欄1行〜右上欄3行及び第1図
　「第1図(a),(b)は、それぞれ、本発明の一実施例の平面および断面構造を示す図である。n型Siウエハー(キャリア濃度〜1016/cm3)11の表面領域には、BNを拡散源としたBの選択拡散(拡散条件:1000℃、1時間、拡散深さ1μm)によつてp型領域12が形成されている。
　発光ダイオード20のp型層13およびn型層14によつて形成されるpn接合に、順方向の電圧を印加すると、Si副マウントには、逆方向のバイアスがかかるため、Siウエハー11内にはほとんど電流が流れず、全電流はほとんど発光ダイオード20のpn接合を流れ、発光に寄与する。
　発光ダイオード20に逆方向の電圧が印加されるときは、電流は、p型領域12からSiウエハー11へ流れ、発光ダイオード20には流れないので、Si副マウントは、発光ダイオード20の保護回路として有効に作用する。
　また、Si副マウントの金属電極16,18は、Siウエハー11上に直接被着されているため、発光ダイオード20のpn接合で発生した熱は、金属電極15,17を通つて、Siウエハー11へ効率よく放熱される。」
　
【2-2】引用例2: 実願平5-25263号(実開平6-79167号)のCD-ROMに記録された明細書
段落【0002】
　「【0002】【従来の技術】
　最近、GaN、GaAlN、InGaN、InAlGaN等の窒化ガリウム系化合物半導体を用いた青色発光デバイスが注目されている。その窒化ガリウム系化合物半導体は一般にサファイア基板の上に成長される。サファイアのような絶縁性基板を用いた発光デバイスは、ウエハーを発光チップに加工する際、他のGaAs、GaAlP等の半導体基板を用いた発光デバイスと異なり、基板側から電極を取り出すことが不可能であるため、半導体層に設けられる正、負、一対の電極は同一面側に形成される。特に窒化ガリウム系化合物半導体の発光チップの場合、サファイアが透光性であるため、電極面を下にして、サファイア基板側をを発光観測面とすることが多い。
段落【0003】
　「【0003】窒化ガリウム系化合物半導体を発光チップとする従来の一発光デバイスの構造を図3に示す。これは、サファイア基板1の上にn型層とp型層が順に積層された窒化ガリウム系化合物半導体層2をエッチングして、n型層を露出させ、n型層に負電極としてn型電極3、p型層に正電極としてp型電極4を形成した後、電極面を下にしてリードフレーム33とリードフレーム44とにまたがるように載置している。なお、電極3とリードフレーム33、および電極4とリードフレーム44とは半田、銀ペースト等の導電性材料5で電気的に接続された発光ダイオードである。
　
【2-3】引用例3: 特開昭58-162085号公報
　
1頁右下欄5行〜2頁左上欄8行及び第1, 2図
　「本発明はレーザダイオード等発光素子の保護回路に関し、素子に静電サージ等の異常な電圧が印加された場合の素子の破壊を確実に防止するようにしたものである。
　第1図は従来の保護回路を示すものであり、1,1は入力端子、2,2は出力端子R,ZDは入力端子1,1間に挿入された抵抗及びツェナーダイオード、3は出力端子2,2間に接続された発光素子である。
　上記構成において、入力端子1,1に静電サージのような異常電圧が加わると、入力電圧V1が異常に高くなる。ところが、ツェナーダイオードZDの作用により、第2図に示すように入力電圧V1がツェナーダイオードZDに対して逆方向に上昇しても、出力電圧V2はツェナーダイオードZDのツェナー電圧VZ以上にはならない。また、入力電圧V1が
ツェナーダイオードZDに対し順方向に上昇しても、出力電圧V2はツェナーダイオードZDのアノード・カソード間の順方向電圧VAK以上にはならない。このようにして入力端子1,1に異常な電圧が印加されても、出力端子2,2にはツェナーダイオードZDでクランプされた電圧以上の電圧は現れず、発光素子の破壊が防止される。」
　
2頁右上欄1行〜3頁右上欄4行及び第3図
　「本発明はツェナーダイオードの応答遅れを等価的に減らすことにより、このような従来の問題を解決する保護回路を提供するものである。以下本発明の一実施例を第3図とともに説明する。第3図において、第1図と実質的に同一機能を有するものについては同一符号を付して説明を省略する。D1,D2は逆並列接続したダイオードであり、この並列回路をツェナーダイオードZDに直列に接続することによってクランプ回路を構成している。R1〜R3は抵抗、Cはコイルである。なお、上記ダイオードD1,D2はツェナーダイオードZDの接合容量より小さい接合容量のもので構成されている。
(・・・2頁右下欄7行まで省略)
このように上記実施例によれば、等価的にツェナーダイオードZDの接合容量を減少させることができるから、異常電圧が加わった瞬間に、ツェナーダイオードZDが発光素子3よりも速く反応して異常電圧を確実に吸収し、ツェナー電圧の応答遅れにによる発光素子3の破壊や特性の劣化を防止することができる。
(・・・3頁右下欄7行まで省略)
もちろん、上述の抵抗R1〜R3、コイルL等は必ずしも必要ではない。」
　
【3】対比
【3-1】一致点
　本願発明と引用例1に記載された発明とを比較する。引用例1にはその記載からみて、「Siウエーハにp-n接合を作成したものをSi副マウントとし、Si副マウントのp型領域12に直接被着された金電極16はSi副マウントの表面と発光ダイオード20の表面との間に設けられた金電極15を介して発光ダイオード20のn型層14に接続され、Si副マウントのp型領域とされていない領域に直接被着された金電極18は副マウントの表面と発光ダイオード20の表面との間に設けられた金電極17を介して発光ダイオード20のp型層13に接続され、これにより、発光ダイオードに順方向電流が流れるときは、Si副マウントに逆方向に電圧がかかって絶縁膜がなくてもSi副マウントに電流が流れず、発光ダイオードの発光のみが行われ、発光ダイオードに逆方向の電圧が印加されたときは、Si副マウント内に電流が流れて発光ダイオードが保護されるようになった発光ダイオードとSi副マウントとを組み合わせた複合素子」が記載されている。
　そして、引用例1に記載された発光ダイオードはn型層14とp型層13とからなるから本願発明の「p型半導体領域とn型半導体領域とを有する発光素子」に相当する。
　また、引用例1に記載されたSi副マウントは発光ダイオードに逆方向の電圧が印加されたときは、Si副マウント内に電流が流れて発光ダイオードが保護されるようになっているから、本願発明の「ダイオードからなる静電保護素子」に相当し、Si副マウントの順方向動作電圧は、発光ダイオードの逆方向破壊電圧よりも小さいことは当業者に明らかである。
　さらに、引用例1の複合素子は発光装置であり、その「発光ダイオード20のn型層14」、「Si副マウントのp型領域12」、「発光ダイオード20のp型層13」及び「Si副マウントのp型領域とされていない領域」は、それぞれ、本願発明の「発光素子の前記n型半導体領域」、「ダイオードのp型半導体領域」、「発光素子の前記p型半導体領域」及び「ダイオードのn型半導体領域」に相当する。
　よって、本願発明と引用例1に記載された発明とは、「p型半導体領域とn型半導体領域とを有する発光素子と、ダイオードからなる静電保護素子とを備え、前記発光素子は前記静電保護素子の上に搭載されており、前記発光素子の前記n型半導体領域と前記ダイオードのp型半導体領域との間、及び前記発光素子の前記p型半導体領域と前記ダイオードのn型半導体領域との間が電気的に接続されており、複合素子として構成されているとともに、前記静電保護素子の順方向動作電圧は、前記発光素子の逆方向破壊電圧よりも小さい発光装置。」の点で一致する。
　
　
【3-2】相違点
　そして、本願発明と引用例1に記載された発明とは、以下の点で相違する。
相違点1:
　発光素子が、本願発明では透明基板と該透明基板上に設けられたp型半導体領域とn型半導体領域とを有し、前記透明基板を上に向けた状態で前記静電保護素子の上に搭載されているのに対して、引用例1に記載された発明では、透明基板を有すること及び該透明基板を上に向けた状態で搭載されることについて規定していない点。
相違点2:
　発光素子と静電保護素子との間の電気的接続が、本願発明ではマイクロバンプを介して行われているのに対して、引用例1に記載された発明では、金電極を用いて行われている点。
相違点3:
　本願発明は、静電保護素子の逆方向ブレークダウン電圧が発光素子の動作電圧よりも大きくかつ発光素子の順方向破壊電圧よりも小さいのに対して、引用例1に記載された発明は、Siウエーハにp-n接合を作成したものを静電保護素子とし、発光素子の逆方向電圧に対する保護のみを考慮しているため、静電保護素子の逆方向ブレークダウン電圧が発光素子の動作電圧よりも大きくなっていることは明らかであるものの、静電保護素子の逆方向ブレークダウン電圧と発光素子の順方向破壊電圧との関係を規定していない点。
　
【4】判断
【4-1】相違点1
　引用例2において、サファイア基板の上に成長されるp型半導体領域とn型半導体領域と電極を有する発光ダイオードを、発光ダイオードの電極面を下にしてリードフレーム33とリードフレーム44とにまたがるように載置し、導電材料で前記リードフレームと電気的に接続した発光デバイスが公知である。
　ここで、サファイア基板は透明であり、電極面を下にしてリードフレーム33とリードフレーム44とにまたがるように載置することはサファイア基板を上に向けた状態でリードフレームに搭載することを意味している。
　そして、引用例2の発光ダイオードは引用例1に記載された発明の発光素子と同様に、電極面を下にして下方に位置する素子上に載置され、導電性材料で電気的に接続されているのであるから、引用例1及び引用例2に接した当業者であれば、引用例1に記載された発明の発光素子に替えて、引用例2の発光ダイオードをサファイア基板を上に向けた状態で、すなわち、透明基板と該透明基板上に設けられたp型半導体領域とn型半導体領域とを有する発光素子を、前記透明基板を上に向けた状態で前記静電保護素子の上に搭載し、前記静電保護素子と電気的に接続することは容易に想到できた事項である。
　
【4-2】相違点2
　発光素子と他の素子とをマイクロバンプによる接続は、原査定の拒絶理由通知で特開平7-66456号公報等について指摘したように、本願の出願前、当業者に公知である。
　そして、引用例1に記載された発明の金電極として公知のマイクロバンプを使用することを阻害する要因は何ら存在しない。
　よって、引用例1に記載された発明の金電極をマイクロバンプとすることは当業者が容易に想到できた事項である。
　
【4-3】相違点3
　引用例1に記載された発明は、Siウエーハにp-n接合を作成したものを静電保護素子とし、発光素子の逆方向電圧に対する保護のみを考慮しているため静電保護素子の順方向動作電圧は発光素子の逆方向破壊電圧よりも小さくなっていることが明らかであり、また、発光素子の適正電圧の印加により発光素子が発光し逆バイアス状態にある静電保護素子には電流が流れない、すなわち、静電保護素子はブレークダウンしていないから静電保護素子の逆方向ブレークダウン電圧が発光素子の動作電圧よりも大きくなっていることは明らかである。しかし、引用例1に記載された発明では、静電保護素子の逆方向ブレークダウン電圧と発光素子の順方向破壊電圧との関係を規定していない。
　ここで、発光素子の静電サージ等による逆方向電圧及び順方向電圧に対する保護機能を有する保護回路に関する引用例3において、ツェナーダイオードZDの作用により、第2図に示すように入力電圧V1がツェナーダイオードZDに対して逆方向、すなわち発光素子に対して順方向に上昇しても、出力電圧V2はツェナーダイオードZDのツェナー電圧VZ(逆方向ブレークダウン電圧に相当)以上にはならないものが公知である。この場合、ツェナー電圧VZ(逆方向ブレークダウン電圧に相当)が印加されたとき発光素子は順方向に電圧が印加されこの状態で発光素子が破壊されていないことは明らかである。
　したがって、引用例1に記載された発明の静電保護素子の逆方向ブレークダウン電圧が発光素子の動作電圧よりも大きくかつ発光素子の順方向破壊電圧よりも小さいものとし、発光素子の逆方向電圧及び順方向電圧に対する保護機能を有する静電保護素子とすることは当業者が容易に想到できた事項である。
　なお、請求人は、請求書において、引用例3のものは第1図の抵抗が必須であり、この点で本願発明と相違する旨主張するが、引用例3の第1図の説明(「【2-3】
1頁右下欄5行〜2頁左上欄8行
　
　そして、本願発明の構成によりもたらされる効果は、引用例1〜引用例3、特開平7-66456号公報から予測される範囲のものである。
　よって、本願発明は、引用例1〜引用例3及び特開平7-66456号公報に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
　
【5】むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項1に係る発明は特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないものであり、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。