【事件の表示】
　特願２００９−　４２８２１「有機光起電力素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　８月２０日出願公開、特開２００９−１８８４０９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００２年６月７日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００１年６月１１日、米国、２００１年９月６日、米国）を国際出願日とする出願である特願２００３−５０４４７６号（以下「原出願」という。）の一部を平成２１年２月２５日に新たな特許出願としたものであって、平成２４年２月８日付けで拒絶理由が通知され、同年８月１４日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、平成２５年３月８日付けで拒絶査定がなされた。これに対して、同年７月１２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、当審において、平成２６年４月１６日付けで拒絶理由が通知され、同年９月２２日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出された。
　
　
第２　本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２６年９月２２日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１（ただし、請求項１は補正されていない。）に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「アノード；
光伝導性有機半導体材料からなる電子ドナー層；
Ｃ６０フラーレンを含む、前記電子ドナー層上の電子輸送層；
励起子障壁層；及び
カソード；
を備え、
少なくとも３．６％の外部電力変換効率を有することができる感光性有機オプトエレクトロニクス素子。」
　
　
第３　特許法第２９条第２項について
１．引用刊行物
（１）当審で通知した拒絶の理由に引用され、原出願の優先日前に頒布された刊行物である、国際公開第０１／３９２７６号（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。（日本語訳として、ファミリー文献である特表２００３−５１５９３３号公報（以下「引用文献１’」という。）の記載を用いた。日本語訳における下線は、当審が付した。）
　
（ａ）「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
（引用文献１：明細書第１頁第６〜１０行）
　
（日本語訳）
「　（発明の分野）
　本発明は一般的には有機薄膜感光性オプトエレクトロニクス素子に関する。より詳しくは、本発明は励起子阻止層（ｅｘｃｉｔｏｎ  ｂｌｏｃｋｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）を有する有機感光性オプトエレクトロニクス素子たとえば太陽電池及び可視スペクトル受光素子に関する。」
（引用文献１’：段落【０００２】）　
　
（ｂ）「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
（引用文献１：明細書第３頁第１３行〜第７頁第１２行）
　
（日本語訳）
「半導電性有機材料たとえば有機分子結晶（ｏｒｇａｎｉｃ  ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  ｃｒｙｓｔａｌ）（ＯＭＣ）材料またはポリマーに十分なエネルギーの電磁輻射線が入射すると、光子は吸収されて励起分子状態を生じることができる。これは記号で、Ｓ０＋ｈν→Ｓ０*として表わされる。ここでＳ０およびＳ０*はそれぞれ基底および励起分子状態を示す。このエネルギー吸収は、π−結合であってもよい価電子帯での束縛状態（ｂｏｕｎｄ  ｓｔａｔｅ）からの電子の、π*−結合であってもよい伝導帯への昇進、または均等的には、伝導帯からの正孔の、価電子帯への昇進、に関連している。有機薄膜光導電体においては、生成された分子状態は励起子である、すなわち、準粒子として輸送される束縛状態にある電子−正孔ペアである、と一般的には信じられる。励起子は対再結合（ｇｅｍｉｎａｔｅ  ｒｅｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎ）の前に十分な寿命を有することができる。対再結合は元の電子と正孔が互いに再結合することを称しており、他のペアからの正孔または電子との再結合とはちがう。光電流を生じるには、電子−正孔ペアは分離されなければならない。電荷が分離しないと、それらは対再結合プロセスで再結合してしまい、それは消光（ｑｕｅｎｃｈｉｎｇ）としても知られており、入射光より低いエネルギーの光を再び発して発光的にか又は熱の発生をもって非発光的にかどちらかでの消光である。
　これら帰結のどちらも感光性オプトエレクトロニクス素子には望ましくない。励起子のイオン化または解離は、完全には理解されてはいないが、一般的には、欠陥、不純物、接点（ｃｏｎｔａｃｔ）、界面またはその他の異質部分（ｉｎｈｏｍｏｇｅｎｅｉｔｙ）で起こると信じられている。しばしば、イオン化はＭで示される結晶欠陥のまわりに誘発される電界の中で起こる。この反応はＳ０*＋Ｍ→ｅ−＋ｈ＋で表わされる。全面電界（ｏｖｅｒａｌｌ  ｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｆｉｅｌｄ）をもたない材料の領域における無作為欠陥でイオン化が起こると、生成された電子−正孔ペアは多分再結合するであろう。有効な光電流を達成するには、電子と正孔はそれぞれの反対電極（ｏｐｐｏｓｉｎｇ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）（それらはしばしば接点と称される）に分かれて集められなければならない。励起子解離は高い電界領域で電界放出（ｆｉｅｌｄ−ｅｍｉｓｓｉｏｎ）によって起こるか、又は界面で、例えば、銅フタロシアニン（ｃｏｐｐｅｒ  ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）（ＣｕＰｃ）と３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボキシリック−ビス−ベンズイミダゾール（ｐｅｒｙｌｅｎｅｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ−ｂｉｓ−ｂｅｎｚｉｍｉｄａｚｏｌｅ）（ＰＴＣＢＩ）のようなドナー様材料とアクセプター様材料の間の界面で、電荷移動によって起こる。後者は発熱性化学反応、すなわち、いくらかのエネルギーが振動エネルギーとして放出される反応、としてみることができる。この反応が起こるのは、解離励起子のエネルギー分離、すなわち、自由電子（たとえばＰＴＣＢＩの中の）と自由正孔（たとえばＣｕＰｃの中の）のエネルギー差、が解離前励起子のエネルギーより小さいからである。
　接点における電場または異質部分は励起子を解離よりむしろ消光させるかも知れず、結果として電流に対する正味寄与を生じない。従って、光生成された励起子を接点から離しておくことが望ましい。これは励起子の拡散を接合（ｊｕｎｃｔｉｏｎ）近くの領域に制限する効果を有するので、接合関連の（ｊｕｎｃｔｉｏｎ  ａｓｓｏｃｉａｔｅｄ）電場は接合近くの励起子の解離によって解放された電荷担体を分離するための増加した機会を有する。
　この点では、有機感光性オプトエレクトロニクス素子（ｏｒｇａｎｉｃ  ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｄｅｖｉｃｅｓ）（ＯＰＯＤｓ）と有機発光素子（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｅｖｉｃｅｓ）（ＯＬＥＤｓ）との間の区別のいくつかについて認識されるべきである。ＯＬＥＤにおいては、素子の中への正孔と電子の流れを生じさせるために素子にバイアスが印加される。ＯＬＥＤｓにおいては、やがては発光的に（ｒａｄｉａｔｉｖｅｌｙ）又は非発光的に（ｎｏｎ−ｒａｄｉａｔｉｖｅｌｙ）再結合するであろう励起子が一般に形成される。ＯＬＥＤｓにおいては、最大発光性再結合が望まれる結果である。ＯＰＯＤｓにおいては、最大励起子生成および解離が望まれる結果である。素子の異なる目的は材料および層厚さの異なる選択に通じる。ＯＰＯＤ感光性材料はそれらの吸収特性について選ばれるが、ＯＬＥＤｓ用の発光性（ｐｈｏｔｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ）材料はそれらの発光特性（ｅｍｉｓｓｉｖｅ  ｐｒｏｐｅｒｔｙ）について選ばれる。
　かなりの容積を占める内在発生電界を生じさせるためには、通常の方法は適切に選ばれた伝導特性をもった材料の２つの層を並置する（ｊｕｘｔａｐｏｓｅ）ことであり、特に、分子の量子エネルギー状態についてのそれらの分布に関している。これら２つの材料の界面は光起電性ヘテロ接合（ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ  ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ）と呼ばれる。伝統的な半導体理論においては、ＰＶヘテロ接合を形成するための材料は一般的には、ｎまたはドナー型、又は、ｐまたはアクセプター型、のどちらかであるといわれている。ここで、ｎ型は主要担体のタイプが電子であることを云う。これは多数の電子を比較的自由エネルギー状態で有する材料としてみることができる。ｐ型は主要担体のタイプが正孔であることを云う。かかる材料は多数の正孔を比較的自由エネルギー状態で有する。背景（ｂａｃｋｇｒｏｕｎｄ）のタイプ、すなわち、光生成されなかった、主要担体濃度は、欠陥または不純物による故意でないドーピングに主として依存する。不純物のタイプおよび濃度はフェルミ・エネルギーまたは準位の値を、最高被占分子軌道（ｈｉｇｈｅｓｔ  ｏｃｃｕｐｉｅｄ  ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  ｏｒｂｉｔａｌ）（ＨＯＭＯ）と最低空分子軌道（ｌｏｗｅｓｔ  ｕｎｏｃｃｕｐｉｅｄ  ｍｏｌｅｃｕｌａｒ  ｏｒｂｉｔａｌ）（ＬＵＭＯ）の間のギャップいわゆるＨＯＭＯ−ＬＵＭＯギャップの範囲内で、決定する。フェルミ・エネルギーは占有の確率が１／２に等しいところのエネルギーの値によって表わされる分子の量子エネルギー状態の統計的占有を特徴付ける。ＬＵＭＯエネルギーに近いフェルミ準位は電子が主要担体であることを示している。ＨＯＭＯエネルギーに近いフェルミ・エネルギーは正孔が主要担体であることを示している。従って、フェルミ・エネルギーは伝統的な半導体の第一の特性決定用の性質であり、そして原型的ＰＶヘテロ接合は伝統的にｐ−ｎ界面である。
　相対的な自由担体濃度のほかに、有機半導体における有意な性質は担体移動度（ｃａｒｒｉｅｒ  ｍｏｂｉｌｉｔｙ）である。移動度は電界に応答して電荷担体が伝導性材料の中を移動できる容易性を測定する。自由担体濃度とちがって、担体移動度は結晶対称性および周期性のような有機材料の固有特性によってかなり決定される。適切な対称性および周期性は、より高い正孔移動度を生じるＨＯＭＯ準位のより高い量子波動関数の重なり、又は同様に、より高い電子移動度を生じるＬＵＭＯ準位のより高い重なりを生じることができる。さらに、有機半導体たとえば３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボキン酸二無水物（ｐｅｒｙｌｅｎｅｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ）（ＰＴＣＤＡ）のドナー性またはアクセプター性はより高い担体移動度をもって争っているかも知れない。たとえば、化学推論はＰＴＣＤＡについてドナーまたはｎ型の特性を示唆するが、実験は正孔移動度が電子移動度よりも数オーダーも大きいので正孔移動度が決定的なファクター（ｃｒｉｔｉｃａｌ  ｆａｃｔｏｒ）であることを示している。結果はドナー／アクセプター判定基準からの構成予測が実際のデバイス性能によって支持されないかも知れないということである。有機材料のこれら独特の電子工学的性質のために、それらを「ｐ型」または「アクセプター型」および「ｎ型」または「ドナー型」として示すよりも、「正孔輸送層」（ｈｏｌｅ−ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ−ｌａｙｅｒ）（ＨＴＬ）または「電子輸送層」（ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ−ｌａｙｅｒ）（ＥＴＬ）の名称がしばしば使用される。この表示法においては、ＥＴＬは優先的に電子伝導性であり、そしてＨＴＬは優先的に正孔輸送性である。用語「整流（ｒｅｃｔｉｆｙｉｎｇ）」は、中でも、界面が非対称性伝導特性を有する、すなわち、界面が電子的電荷輸送、好ましくは一方向の、を支持する、ということを意味する。整流作用は適切に選ばれた材料間のヘテロ接合に生じるビルトイン電界（ｂｕｉｌｔ−ｉｎ  ｅｌｅｃｔｒｉｃ  ｆｉｅｌｄ）と通常関連している。」
（引用文献１’：段落【０００６】〜【００１１】）　
　
（ｃ）「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
（引用文献１：明細書第１１頁第１０行〜第１６頁第２３行）
　
（日本語訳）
「　（発明の概要および目的）
　効率的な有機感光性オプトエレクトロニクス素子の設計にはいくつかの指針が銘記されなければならない。励起子拡散長さＬＤは層厚さＬより大きいか又はそれに匹敵することが望ましい、何故ならば、殆どの励起子解離（ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）は界面で起こるであろうからである。ＬＤがＬ未満であると、多数の励起子が解離前に再結合するかも知れない。さらには、光導電性材料の全厚は太陽電池に入射した輻射線のほぼ全てが吸収されて励起子を生成するように電磁輻射線吸収長さ１／α（ここで、αは吸収係数である）のオーダーであることが望ましい。しかしながら、厚さはヘテロ接合電界の度合に比べて大きすぎて多数の励起子が無電界領域（ｆｉｅｌｄ−ｆｒｅｅ  ｒｅｇｉｏｎ）で生成されるようにはなるべきではない。これについての１つの理由は電界が励起子の解離を助けるということである。別の理由は励起子が無電界領域で解離すると対再結合、または消光、をこうむり光電流に何も寄与しないらしいということである。さらに、電界は電極／半導体界面に存在するかもしれない。電極界面におけるこれら電界も励起子消滅を促すことがある。さらに、光導電層の厚さは有機半導体の高いバルク抵抗率（ｂｕｌｋ  ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）のせいで過度の直列抵抗を避けるために可能な限り薄くすべきである。
　他方、別の考慮されるべき相殺事項は励起子解離界面と隣接電極との間の離隔が増すほど界面周辺の電界領域がより大きい容積にわたってより高い値を有するであろうということである。電界強さの増加とともに光吸収が増加するので、より多くの励起子が生成されるであろう。また、より高い電界はより速い励起子解離も促進するであろう。
　 拡散長さ制約を免れるための１つの手段はナノテキスチャード（ｎａｎｏｔｅｘｔｕｒｅｄ）材料、ポリマーブレンド、狭い間隔、反復される界面、または空間分布された（ｓｐａｔｉａｌｌｙ  ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ）解離部位を使用して達成できるような、多重の又は高度に何倍にもされた（ｈｉｇｈｌｙ  ｆｏｌｄｅｄ）界面を有する薄いセルを使用することであるということが示唆されていた。今までは、これら提案はどれも、太陽電池の全体性能における有意な改良を、特に高い照射強度では、もたらさなかった。
　従って、本発明においては、より高い内部および外部の量子効率は解離する界面近くの領域に光生成励起子を閉じ込めるため且つ感光性有機／電極界面で消光する寄生（ｐａｒａｓｉｔｉｃ）励起子を防ぐために１つ以上の励起子阻止層（ＥＢＬｓ）をＯＰＯＤｓの中に包含させることによって達成された。励起子が拡散されるであろう容積を限定することに加えて、ＥＢＬは電極のデポジション中に導入される物質に対する拡散障壁としても作用することができる。いくつかの情況においては、ＥＢＬはそうしないとＯＰＯＤを機能しなくさせ得るピンホールや短絡性欠陥（ｓｈｏｒｔｉｎｇ  ｄｅｆｅｃｔ）を充填するのに十分なほどに厚くすることができる。従って、励起子阻止層は脆い有機層をその有機材料上への電極デポジション時に生じる損傷から防護する助けができる。
　本発明を構成するＥＢＬｓは、励起子が阻止される隣接有機半導体のそれよりも実質的に大きいＨＯＭＯ−ＬＵＭＯエネルギーギャップを有することから、それらＥＢＬｓの励起子阻止特性を引き出すと考えられる。従って、閉じ込められた励起子は量子エネルギーを考慮するとＥＢＬの中に存在することを妨げられる。ＥＢＬが励起子を阻止することは望ましいが、ＥＢＬがさらに全ての電荷運搬量子を阻止することは望ましくない。しかしながら、隣接エネルギー準位の本質によって、ＥＢＬは必然的に一方の符号の電荷担体を阻止するであろう。設計によって、ＥＢＬは２つの隣接層間に、通常、有機感光性半導体層と電極または電荷移動層との間に、常に存在するであろう。隣接する電極か又は電荷移動層かは、陰極または陽極どちらかとの関係にあろう。従って、素子の中の与えられた位置におけるＥＢＬのための材料は所望の符号の担体が電極または電荷移動層へのその輸送を妨害されないように選ばれるであろう。適切なエネルギー準位の整合（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）は電荷移動に対する障壁が存在しないことを確実にし、直列抵抗の増加を防ぐ。材料の励起子阻止性が固有の性質ではないということは認識されるべきである。与えられた材料が励起子阻止材（ｂｌｏｃｋｅｒ）として作用するかどうかは隣接の有機感光性材料のＨＯＭＯとＬＵＭＯの相対準位に依存する。従って、或るクラスの化合物を励起子阻止材として孤立して同定することはそれらが使用される素子の関係を考慮せずには不可能である。しかしながら、ここの教示をもってすれば、当業者は与えられた材料がＯＰＯＤを構成するために選ばれた材料の組と共に使用されるとき励起子阻止層として機能するかどうかを同定できるであろう。
　たとえば、
図２Ａ〜図２Ｃは望まれない励起子拡散を抑制しそして素子効率を向上させるための１つ以上のＥＢＬｓを有する２重層ＯＰＯＤｓの３タイプを図解している。
　図２Ａに関しては、ＯＰＯＤデバイス２Ａ００は陽極層２Ａ０１、たとえば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、正孔輸送層（ＨＴＬ）２Ａ０２、たとえば、約１．７ｅＶのＬＵＭＯ−ＨＯＭＯ分離を有すると考えられるＣｕＰｃ、電子輸送層（ＥＴＬ）２Ａ０３、たとえば、やはり約１．７ｅＶのＬＵＭＯ−ＨＯＭＯ分離を有すると考えられるＰＴＣＢＩ、励起子阻止層（ＥＢＬ）２Ａ０４、たとえば、約３．５ｅＶのＬＵＭＯ−ＨＯＭＯ分離を有すると考えられる２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（バトクプロイン（ｂａｔｈｏｃｕｐｒｏｉｎｅ）またはＢＣＰとも呼ばれる）、および陰極層２Ａ０５、たとえば、銀、を含む。ＥＢＬ２Ａ０４における大きなＬＵＭＯ−ＨＯＭＯエネルギーギャップはＥＴＬ２Ａ０３からＥＢＬ２Ａ０４への励起子の拡散を妨げるであろうことが認識されるはずである。また、同時に、ＥＢＬ２Ａ０４は、ＥＴＬ２Ａ０３とＥＢＬ２Ａ０４のＨＯＭＯ準位間の逆ギャップ（ｕｎｆａｖｏｒａｂｌｅ  ｇａｐ）、すなわち、ＥＢＬの高いイオン化電位、のために、ＥＴＬ２Ａ０３から陰極へ向かう正孔の輸送を阻止するであろう。しかしながら、この効果は殆ど重要にはならない、何故ならば、ＨＴＬ／ＥＴＬ界面の周辺に発生した内部電界は正孔を陽極層１に向かって駆動させてＥＴＬ／ＥＢＬ界面領域の近くには比較的少数の正孔しか存在しないようにする傾向があろうからである。この正孔阻止局面の１つの結果はＥＢＬ２Ａ０４が最適には陰極側ＥＢＬであるということである。また、ＥＴＬとしてＰＴＣＢＩをそしてＥＢＬとしてＢＣＰを使用する図解例においてはＥＴＬ／ＥＢＬ界面における電子にとって僅かに逆のＬＵＭＯギャップが付随的に存在することも留意されたい。最適には、陰極側ＥＢＬとして使用される材料は電子に対する望まない障壁が最小になるように隣接ＥＴＬ材料のＬＵＭＯ準位に接近して調和するＬＵＭＯ準位を有することが望ましい。
　図２Ｂには、陽極側ＥＢＬの似た状況が描かれている。ＯＰＯＤ素子２Ｂ００は陽極層２Ｂ０１、たとえば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、励起子阻止層（ＥＢＬ）２Ｂ０２、たとえば、４，４’，４”−トリス｛Ｎ，−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ｝トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）またはポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）を含む。ｍ−ＭＴＤＡＴＡおよびＰＥＤＯＴについてのＬＵＭＯ−ＨＯＭＯ分離は正確には知られていないが、図２Ｂに描かれているようであると考えられる。ＯＰＯＤはさらに正孔輸送層（ＨＴＬ）２Ｂ０３、たとえば、ＣｕＰｃ、電子輸送層（ＥＴＬ）２Ｂ０４、たとえば、ＰＴＣＢＩ、および陰極層２Ｂ０５、たとえば、銀を含む。ＥＢＬ２Ｂ０２における大きなＬＵＭＯ−ＨＯＭＯエネルギーギャップはＨＴＬ２Ｂ０３からＥＢＬ２Ｂ０２への励起子の拡散を妨げるであろうことが認識されるはずである。また、同時に、ＥＢＬ２Ｂ０２はＨＴＬ２Ｂ０３とＥＢＬ２Ｂ０２のＬＵＭＯ準位間の逆ギャップすなわちＥＢＬの高いＬＵＭＯ準位によってＨＴＬ２Ｂ０３から陰極へ向かっての電子の輸送を阻止するのであろう。しかしながら、この効果は殆ど重要にはならない、何故ならば、ＨＴＬ／ＥＴＬ界面の周辺に発生した内部電界は電子を陰極層２Ｂ０５に向かって駆動させてＨＴＬ／ＥＢＬ界面領域の近くには比較的少数の電子しか存在しないようにする傾向があろうからである。この電子阻止局面の１つの結果はＥＢＬ２Ｂ０２が最適には陽極側ＥＢＬであることである。
　最後に、
図２Ｃには、陽極側および陰極側両方のＥＢＬｓを有するＯＰＯＤ２Ｃ００の様々な相対エネルギー層が図解されている。陽極層２Ｃ０１、たとえば、ＩＴＯ、陽極側ＥＢＬ２Ｃ０２、たとえば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡまたはＰＥＤＯＴ、ＨＴＬ２Ｃ０３、たとえば、ＣｕＰｃ、ＥＴＬ２Ｃ０４、たとえば、ＰＴＣＢＩ、陰極側ＥＢＬ２Ｃ０５、たとえば、ＢＣＰ、および陰極層２Ｃ０６、たとえば、銀。
　そのエネルギー状態が図２Ｄに描かれているところの複層構造は高度に効率的な受光素子（ｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒ）である。図２Ｄにおいては、２Ｄ０１は透明陽極、たとえば、ＩＴＯであり、それは、幾つかのＨＴＬたとえばＣｕＰｃ、層２Ｄ０２、の１つに隣接している。ＨＴＬ層２Ｄ０２の間には、そして励起子阻止層２Ｄ０４に隣接して、幾つかのＥＴＬ、たとえばＰＴＣＢＩ、層２Ｄ０３がある。励起子阻止層２Ｄ０４はこの例ではＢＣＰである。励起子阻止層２Ｄ０４は、たとえば銀である陰極２Ｄ０５に隣接している。アーバー等およびフォレストのケミ．レヴ．１９９７は、多数のＨＴＬ−ＥＴＬ界面は素子から励起子を抽出するためにバイアスが付与されたときに効率的な自由担体発生を提供できるということを示唆した。しかしながら、アーバーおよびフォレストはかかる素子における効力をさらに高めるためのここに記載されたような励起子阻止層の使用を示唆しなかった。
　本発明によればバイアスなしで操作するそしてＥＢＬを包含するＯＰＯＤｓは光電流の重大な損失を伴わずに非常に薄くできる。従って、ＥＢＬｓを包含するＯＰＯＤｓは、フォレスト等の米国特許出願第０９／１３６，３４２号、第０９／１３６，１６６号、第０９／１３６，３７７号、第０９／１３６，１６５号、第０９／１３６，１６４号（以後、まとめて「フォレストＯＰＯＤ出願」）（それらはそれらの全体が本願明細書の中に組み入れられる）の高度に効率的なＯＰＯＤｓと組み合わせて使用されてもよい。ＥＢＬｓを包含するそして多数のサブセルを有するおよび（または）導波路構成を包含する積層（ｓｔａｃｋｅｄ）ＯＰＯＤｓは高い内部および外部の量子効率を達成するために本発明に従って構成されてもよい。」
（引用文献１’：段落【００１９】〜【００２９】）　
　
（ｄ）「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
（引用文献１：明細書第２７頁第９〜２２行）
　
（日本語訳）
「
本発明に従うＯＰＯＤの性能パラメーターの、ＡＭ１．５オプティカル・フラックス（ｏｐｔｉｃａｌ  ｆｌｕｘ）に対する依存性が図８に示されている。
ＡＭ１．５における外部パワー変換効率（ｅｘｔｅｒｎａｌ  ｐｏｗｅｒ  ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ  ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）（η
Ｐ
）は単にゆっくり変動する照射強度の関数であり、０．１〜１０サンに延びる広い高原にわたるη
Ｐ
＝（１．１±０．１）％の最大に達する。
（引用文献１’：段落【００５６】）　
　
（ｅ）「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
（引用文献１：明細書第２８頁第１９行〜第３１頁第１２行）
　
（日本語訳）
「
これまでに記載した態様の薄い光活性層のせいで、吸収剤層（ａｂｓｏｒｂａｎｔ  ｌａｙｅｒ）の有効厚さを増大させる手段を提供するデバイスジオメトリーが好ましい。１つのかかる態様は積層ＯＰＯＤである。励起子阻止層を含む積層ＯＰＯＤ１０００は図１０に概略的に図解されている。層１００１、１００３、１００５、および１００７は、上記に及びフォレストＯＰＯＤ出願の中に記載された通りの金属または金属代用物であってもよい電極または電荷移動層である。セクション１００２、１００４および１００６は積層ＯＰＯＤ１０００のＯＰＯＤサブセルを形成する図２Ａ〜２Ｃに描かれているような感光性ヘテロ構造を表わす。電極または電荷移動層１００３および１００５は好ましくは透明でありながら、デバイス１０００の最上面または最下面どちらかに入射した光が光変換用にデバイスの中に入るように層１００１または１００７の少なくとも１つが好ましくは透明である。層１００８はガラス、金属、プラスチックなどのような通常の基板材料である。基板は光が基板の中を通されるべきであるときには透明である。場合によっては、１００１または１００７の一方が反射性であってもよいし、または入射光とは反対の面に追加の反射性層が加えられてもよい。かかる積層構造には追加のサブセルが組み込まれてもよい。フォレストＯＰＯＤ出願に記載されているように、デバイス１０００のサブセルは直列もしくは並列に又は直列と並列の組合せで電気接続されてもよい。また、励起子阻止層はフォレストＯＰＯＤ出願の中に記載されている単層および複層構造のような他のヘテロ構造設計の中に組み込まれてもよい。
　代わりに、増大したηＰは光子が薄い吸収性領域（ｔｈｉｎ  ａｂｓｏｒｂｉｎｇ  ｒｅｇｉｏｎ）を多数回通過させられるコンセントレーター（ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｏｒ）構造で達成できるということは、ηＩＮＴの測定から明らかである。態様１０００に関しては、デバイスの透明な面に入射した光は一般的には反対側の内反射性層（ｉｎｔｅｒｉｏｒ  ｒｅｆｌｅｃｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）から一度反射され次いで吸収されるか又は可能ならばデバイスを透過して裏側から出ることができるということが認識されるはずである。同時係属中の米国特許出願、代理人事件整理番号１０６４４／５０５０１、（「５０５０１出願」）（本願明細書の中に組み入れられる）の中には、デバイスに入った何らかの光を何回も反射させて吸収効率を増加させるデバイス構成が記載されている。
　
小さな開口をもった反射性Ａｇ層１１０１を基板表面に有する本発明のデバイス（図１１に描かれた）はこの効率増加を実証するために使用された。たとえばガラスまたはプラスチックの透明層１１０２は光コヒーレンス長さ（ｏｐｔｉｃａｌ  ｃｏｈｅｒｅｎｃｅ  ｌｅｎｇｔｈ）よりもはるかに幅広かった。縮退的にドープされたＩＴＯ１１０３の透明陽極は電子的に活性な層１１０４に光が到達することを許した。金属性陰極１１０５は吸収されなかった光を反射した。濃厚輻射線（ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｅｄ  ｒａｄｉａｔｉｏｎ）（ＡＭ１．５において１０サン）は反射性層１１０１の中の開口に焦点を結び、そして陰極とＡｇ反射性表面１１０１との間で数回反射する近法線（ｎｅａｒ  ｎｏｒｍａｌ）入射ビームを形成し、各パスはＢＣＰ  ＥＢＬに隣接したＣｕＰｃ／ＰＴＣＢＩの２重層（まとめて１１０４として示されており、そして図２Ａと同様である）による追加の吸収を受ける。図１２は反射性層１１０１の中の円形開口を図解するのに図１１と同じ引用数字を使用している、何故ならば、層１１０２は図１１における線Ａ−Ａに沿ってなされた態様１１００のこの眺めの中の開口を通して見ることができるからである。この技法を使用して、η
Ｐ
＝２．４±０．３％の外部パワー効率は６０オングストロームのＣｕＰｃ、６０オングストロームのＰＴＣＢＩ、および１５０オングストロームのＢＣＰを有するセルについて測定された。これは有機の薄膜の光起電力セルについて報告されたＡＭ１．５における最高外部パワー変換効率であると信じられる。小さなトップ電極（ｔｏｐ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）のために、この例では入射輻射線の全てが捕獲されたわけではなかったことにも留意されたい。よって、得られたパワー効率は下限を表わしている。複数の並列接続されたセル（フォレストＯＰＯＤ出願の中に開示されたもののような）を反射性ビーム行路の中に置くことによって、十分な数のパスが与えられると３％を越す効率が改良された光トラッピング（ｔｒａｐｐｉｎｇ）のもとで達成できると信じられる。
　成長プロセスのよりよい制御はより薄く従ってより効率的なデバイスになるよう成長させることを可能にすることがまた認識されるべきである。電極の透過性と反射性のさらなる最適化は寄生吸収（ｐａｒａｓｉｔｉｃ  ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ）を減じるであろう。加えて、電子供与体（ｄｏｎｏｒ）および受容体（ａｃｃｅｐｔｏｒ）材料のエネルギー準位配列を、励起子の結合エネルギー（〜１ｅＶ）が開路電圧に更に接近して調和するように、調整することはデバイス性能をさらに向上させるであろう。〜８％パワー変換効率に相当する〜８０％内部効率はかかる最適化された有機系太陽電池の達成範囲内であると信じられる。
　導波路タイプのデバイス中にＥＢＬを有するＯＰＯＤの利点はシミュレートされた濃縮日光を使用して実証されたことが認識されるべきである。いずれにしても、実際の日光は濃縮されることができ、そして５０５０１出願の中に記載されているようにＯＰＯＤの光活性領域に導かれることができる。」
（引用文献１’：段落【００５９】〜【００６３】）
　
（ｆ）「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　
　すると、上記引用文献１の記載事項から、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「陽極層２Ｃ０１、たとえば、ＩＴＯ、陽極側ＥＢＬ２Ｃ０２、たとえば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡまたはＰＥＤＯＴ、ＨＴＬ２Ｃ０３、たとえば、ＣｕＰｃ、ＥＴＬ２Ｃ０４、たとえば、ＰＴＣＢＩ、陰極側ＥＢＬ２Ｃ０５、たとえば、ＢＣＰ、および陰極層２Ｃ０６、たとえば、銀を含むＯＰＯＤ２Ｃ００。」
　
（２）当審で通知した拒絶の理由に引用され、原出願の優先日前に頒布された刊行物である、特開平６−９３２５８号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は、当審が付した。）
　
（ａ）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は各種機能素子として用いられる有機薄膜素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、有機物の超薄膜を用いた各種電子デバイスの研究が盛んに行われている。例えば、特開昭５２−３５５８７号、特開昭５５−１７５０５号、特開昭５７−５１７８１号、特開昭５７−１９６１４３号、特開昭５９−１９４３９３号、特開昭６０−２３９７３９号、特開昭６１−３７８９１号、特開昭６２−６５４７７号、特開昭６２−２２９９７１号、特開昭６３−２９５６９５号、特開平１−２４３３９６号、特開平１−２４５０８７号などが知られている。
【０００３】
これらはアクセプタ性分子やドナー性分子を含む有機薄膜を備えた有機薄膜素子であり、その多くはアクセプタ性分子の薄膜とそれより電子親和力が小さいドナー性分子の薄膜とのヘテロ接合を利用した素子である。
【０００４】これまで、ドナー性分子については、電子写真用感光体に用いられる正孔輸送剤の研究から、フタロシアニン類やその他の色素分子など、酸化還元の繰り返しにより劣化が起こりにくい分子が判明している。しかし、
アクセプタ性分子については、酸化還元の繰り返しに対して十分に満足できる分子は知られていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】以上のような理由で、
積層構造を有する有機薄膜を備えた従来の有機薄膜素子においては、アクセプタ性分子の酸化還元の繰り返しによる劣化のために、素子寿命が短くなるという問題があった。
【０００６】本発明の目的は、素子寿命の長い有機薄膜素子を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段と作用】本発明の有機薄膜素子は、フラーレン分子を含む薄膜と、フラーレン分子よりも電子親和力が小さい有機分子を含む薄膜との積層構造を有する有機薄膜を備えたことを特徴とするものである。
【０００８】本発明において用いられるフラーレン分子（Ｃ６０、Ｃ７０など）は、球状のクラスタをなしており、近年サッカーボール状分子として注目されている。これらはアルカリ金属やハロゲン元素のドーピングにより、かなり高い温度で超電導を示すことが報告されている。また、これらの還元電位は比較的小さく、ベンゾキノンなどと同様のアクセプタ性を有するため、特異な電子物性や光物性も期待されている。
【０００９】フラーレン分子について、サイクリックボルタモグラムで酸化還元のサイクルを測定すると、一般のアクセプタ性分子に比べて可逆性が高い。したがって、
アクセプタ性分子としてフラーレン分子を用いた素子の寿命は、他のアクセプタ性分子を用いたものよりも長くなる。また、フラーレン分子は通常の有機物と比較すると、極めて耐熱性に優れている。
　
（ｂ）「【００１９】（有機太陽電池素子）可視光線を吸収して電子と正孔とを生じる色素分子を含む電荷発生層と電子輸送層との二層構造からなる有機薄膜、または正孔輸送層と電子輸送層との間に前記電荷発生層を有する三層構造もしくはそれ以上の多層構造からなる有機薄膜を、少なくとも片方は透明電極である二つの電極で挟んだ構造を有する。
【００２０】いずれの構造の素子でも、発生した電子および正孔が再結合するのを防止して電荷分離を効率よく行わせ、光電変換効率を増大させる働きを有する。」
　
（ｃ）「【００３６】実施例５（
有機太陽電池素子
ＩＴＯ膜／ガラス基板上に構造式（１）で示されるトリフェニルアミン誘導体を５０ｎｍの厚さに蒸着した（正孔輸送層）。その上に、銅フタロシアニンを５０ｎｍの厚さに蒸着した（電荷発生層）。さらにその上に、フラーレン分子Ｃ
６０
を５０ｎｍの厚さに蒸着し（電子輸送層）、３層構造からなる有機薄膜を形成した。最後に、面積１ｃｍ
２
のアルミニウム電極を形成した。
【００３８】実施例６（有機太陽電池素子）
フラーレン分子Ｃ６０の代わりに、フラーレン分子Ｃ７０を用いた以外は実施例５と同様にして有機太陽電池素子を作製した。
【００３９】この有機太陽電池素子を作製後直ちに、真空下において、ガラス基板側から４００ｎｍ以下の紫外線をカットしたタングステンランプ光を照射し、初期光電変換効率を測定したところ、１．３〜１．５％を示した。この素子を連続して動作させたところ、光電変換効率は１か月以上経過してもほとんど変化しなかった。」
　
２．対比
（１）本願発明と引用発明との対比
　引用発明の「陽極層２Ｃ０１、たとえば、ＩＴＯ」、「ＨＴＬ２Ｃ０３、たとえば、ＣｕＰｃ」、「ＥＴＬ２Ｃ０４、たとえば、ＰＴＣＢＩ」、「陰極側ＥＢＬ２Ｃ０５、たとえば、ＢＣＰ」、「陰極層２Ｃ０６、たとえば、銀」及び「ＯＰＯＤ２Ｃ００」が、それぞれ、本願発明の「アノード」、「光伝導性有機半導体材料からなる電子ドナー層」、「前記電子ドナー層上の電子輸送層」、「励起子障壁層」、「カソード」及び「感光性有機オプトエレクトロニクス素子」に相当する。
　
（２）一致点
　してみると、両者は、
「アノード；
光伝導性有機半導体材料からなる電子ドナー層；
前記電子ドナー層上の電子輸送層；
励起子障壁層；及び
カソード；
を備える感光性有機オプトエレクトロニクス素子。」で一致し、次の各点で相違する。
　
（３）相違点
（イ）電子輸送層について、本願発明は、「Ｃ６０フラーレンを含む」のに対して、引用発明では、「たとえば、ＰＴＣＢＩ」である点。
　
（ロ）本願発明は、「少なくとも３．６％の外部電力変換効率を有することができる」のに対して、引用発明は、外部電力変換効率が明らかでない点。
　
３．判断
（１）相違点（イ）について
　引用文献２には、アクセプタ性分子やドナー性分子を含む有機薄膜を備えた有機薄膜素子において、アクセプタ性分子については、酸化還元の繰り返しに対して十分に満足できる分子は知られておらず、アクセプタ性分子の酸化還元の繰り返しによる劣化のために、素子寿命が短くなるという問題があったところ、アクセプタ性分子としてフラーレン分子を用いた素子の寿命は、他のアクセプタ性分子を用いたものよりも長くなり、また、フラーレン分子は通常の有機物と比較すると、極めて耐熱性に優れていることから、有機太陽電池素子を、ＩＴＯ膜／ガラス基板上に正孔輸送層を、その上に、銅フタロシアニン（電荷発生層）を、さらにその上に、フラーレン分子Ｃ６０（電子輸送層）を蒸着して、３層構造からなる有機薄膜を形成し、最後に、アルミニウム電極を形成したものとすることが記載されている。
　そして、感光性有機オプトエレクトロニクス素子において、寿命を長くすることは周知の課題であるから、引用発明においても、素子寿命を長くするために、「ＥＴＬ２Ｃ０４」を、「ＰＴＣＢＩ」に換えてＣ６０フラーレンで形成し、上記相違点（イ）に係る本願発明の発明特定事項を得ることは当業者が容易になし得ることである。
　
（２）相違点（ロ）について
　引用文献１の明細書第２７頁第９〜２２行（引用文献１’の段落【００５６】：上記記載事項（ｄ）参照）には、「本発明に従うＯＰＯＤの性能パラメーターの、ＡＭ１．５オプティカル・フラックス（ｏｐｔｉｃａｌ  ｆｌｕｘ）に対する依存性が図８に示されている。・・・ＡＭ１．５における外部パワー変換効率（ｅｘｔｅｒｎａｌ  ｐｏｗｅｒ  ｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ  ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ）（ηＰ）は単にゆっくり変動する照射強度の関数であり、０．１〜１０サンに延びる広い高原にわたるηＰ＝（１．１±０．１）％の最大に達する。」と記載され、また、引用文献１の明細書第３０頁第１〜１６行（引用文献１’の段落【００６１】：上記記載事項（ｅ）参照）、図１１、１２には、より具体的に、「ＩＴＯ１１０３」、「ＣｕＰｃ／ＰＴＣＢＩ」、ＢＣＰ　ＥＢＬ」、「金属製陰極１１０５」からなるＯＰＯＤの「ＩＴＯ１１０３」側に「透明層１１０２」、「小さな開口をもった反射性Ａｇ層１１０１」を設けたデバイスにおいて、ＣｕＰｃを６０Å、ＰＴＣＢＩを６０Å、ＢＣＰを１５０Åとしたものにより、ηＰ＝２．４±０．３％の外部パワー効率が得られたと記載されている。
　ここで、引用発明は、「陽極層２Ｃ０１、たとえば、ＩＴＯ」と、「ＨＴＬ２Ｃ０３、たとえば、ＣｕＰｃ」の間に、更に、「陽極側ＥＢＬ２Ｃ０２、たとえば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡまたはＰＥＤＯＴ」を有するものであって、上記明細書第３０頁第１〜１６行、図１１、１２に記載されたデバイスの「ＩＴＯ１１０３」と「ＣｕＰｃ」の間に、さらに、「陽極側ＥＢＬ２Ｃ０２、たとえば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡまたはＰＥＤＯＴ」を追加したものに相当し、また、励起子阻止層（「陽極側ＥＢＬ」及び「陰極側ＥＢＬ」）は望まれない励起子拡散を抑制し素子効率を向上させるためのものである（引用文献１の明細書第１４頁第２行（引用文献１’の段落【００２４】）ことを考慮すれば、引用発明において、「陽極層２Ｃ０１、たとえば、ＩＴＯ」側に「透明層１１０２」、「小さな開口をもった反射性Ａｇ層１１０１」を設け、ＣｕＰｃを６０Å、ＰＴＣＢＩを６０Å、ＢＣＰを１５０Åとしたものにより、ηＰ＝２．４±０．３％を超える外部パワー効率が得られることは、当業者であれば、容易に想到し得ることである。
　
　また、引用文献１の明細書第３０頁第１〜１６行（引用文献１’の段落【００６１】）には、「小さなトップ電極（ｔｏｐ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）のために、この例では入射輻射線の全てが捕獲されたわけではなかったことにも留意されたい。よって、得られたパワー効率は下限を表わしている。複数の並列接続されたセル（フォレストＯＰＯＤ出願の中に開示されたもののような）を反射性ビーム行路の中に置くことによって、十分な数のパスが与えられると３％を越す効率が改良された光トラッピング（ｔｒａｐｐｉｎｇ）のもとで達成できると信じられる。」と記載されており、上記明細書第３０頁第１〜１６行、図１１、１２に記載されたデバイスにおいて、複数の並列接続されたセル（フォレストＯＰＯＤ出願の中に開示されたもののような）を反射性ビーム行路の中に置くこと（引用文献１の明細書第２８頁第１９行〜第２９頁第１４行（引用文献１’の段落【００５９】）：上記記載事項（ｅ）参照）によって、ηＰ＝２．４±０．３％の外部パワー効率が３％を越すことが達成できると信じられることが記載されているところ、有機オプトエレクトロニクス素子において、タンデム構造とすることにより効率を向上することができることが当業者にはよく知られていることから、当業者であれば、上述の達成できると信じられると記載された事項が確かに達成できるものであると理解するものといえる。
　
　また、引用文献２に「いずれの構造の素子でも、発生した電子および正孔が再結合するのを防止して電荷分離を効率よく行わせ、光電変換効率を増大させる働きを有する。」（段落【００２０】）と記載されるほか、特開平７−７４３７７号公報に「フラーレン薄膜とこれに接してフタロシアニン薄膜を設けることで、光起電力効果の優れた光電変換素子を得ることができる」（段落【０００６】）、特開平９−７４２１６号公報に「本発明者らは、電子受容性のフラーレンと電子供与性化合物として例えばフタロシアニンを用いて接合素子を作成した結果、フラーレンがｎ型半導体、フタロシアニンがｐ型半導体であるｐｎ接合素子となり、その接合面に光をあてると起電力および電流を発生する太陽電池として機能することを見出した。しかも、この有機太陽電池は単純なｐｎ接合太陽電池ではなく、フラーレンの励起子の寿命がフタロシアニンのそれに比べてきわめて長いために、フラーレン内部で発生したフラーレンの励起子がｐｎ接合面まで拡散して、そこで光電荷分離を起こすことも光電流発生に寄与している有機太陽電池と考えられる。特に大きな光電流を得るためには、基板上に形成された第１層から第４層による素子のうち、少なくとも第２層から第４層が高真空中で真空を一度も破らずに蒸着法により作成されたものを用いる必要があることを見出した。」（段落【００１３】）と記載されるように、ｐｎヘテロ接合型の有機太陽電池素子において、電子輸送層をＣ６０フラーレンで形成したものは高い光電変換効率を有することできることが当業者には周知である。
　
　すると、引用発明において、「陽極層２Ｃ０１、たとえば、ＩＴＯ」側に「透明層１１０２」、「小さな開口をもった反射性Ａｇ層１１０１」を設け、ＣｕＰｃを６０Å、ＰＴＣＢＩを６０Å、ＢＣＰを１５０Åとし、また、複数の並列接続されたセル（フォレストＯＰＯＤ出願の中に開示されたもののような）を反射性ビーム行路の中に置くように構成し、また、上記（１）で記載したとおり、「ＥＴＬ２Ｃ０４」を「ＰＴＣＢＩ」に換えてＣ６０フラーレンで形成すれば、３％をある程度超える３．６％程度の外部電力変換効率を有することができることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　
（３）効果について
　そして、本願発明が奏し得る効果は、引用発明、引用文献２に記載された技術事項及び周知の技術事項から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
（４）結論
　したがって、本願発明は、引用発明、引用文献２に記載された技術事項及び周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　
第４　特許法第３６条第６項第１号について
１．当審で通知した拒絶理由
　当審が平成２６年４月１６日付けで通知した拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）において、以下のとおり、拒絶理由を通知している。
　
「２．本願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 記
　
　（１）本願発明１〜１８の「少なくとも３．６％の外部電力変換効率を有することができる」という記載が、３．６％以上の外部電力変換効率を有することができる、すなわち、例えば、５％、１０％、２０％といった外部電力変換効率を有することができることを意味し、本願発明１〜１８は、５％、１０％、２０％といった外部電力変換効率を有することができるものを含むことは明らかである。
　しかし、外部電力変換効率については、本願の明細書及び図面の全記載を精査しても、明細書段落【００７４】、図１４に記載される、「最適化素子構造：ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（Ａｒ処理）／２００ÅＣｕＰｃ／４００ÅＣ６０／１２０ÅＢＣＰ／１０００ÅＡｌ」において、ＡＭ１．５Ｇで４４ｍＷ／ｃｍ２（０．４４ｓｕｎ）の入射エネルギーレベルで得られる（３．７±０．２）％が最大であって、（３．７±０．２）％を超える外部電力変換効率が得られることは記載されていない。
　すると、本願発明１〜１８の「少なくとも３．６％の外部電力変換効率を有することができる」は、本願の発明の詳細な説明に記載したものではない。
　なお、本願の明細書段落【００７５】には、「我々は、これらのＣｕＰｃ／Ｃ６０の２重ヘテロ構造セルと共に光閉じ込め構造を用いることなどの、これらの素子のさらなる改良により、電力変換効率は５％を超えるであろうと予想する。」という記載があるが、この記載では、５％を超えることを「予想」しているのみであって、実際に、５％を超える外部電力変換効率が得られたことを記載しているものではなく、さらに、具体的にどのように「改良」すれば５％を超える外部電力変換効率が得られるのかも不明であって、５％を超える外部電力変換効率が得られるという技術事項を実質的に記載したものであるとはいえないから、この記載をもって、（３．７±０．２）％を超える外部電力変換効率が得られることが記載されていると認めることはできない。」
　
２．特許請求の範囲の請求項１
　本願の特許請求の範囲の請求項１の記載は、上記「第２」に挙げたとおりであって、その「少なくとも３．６％の外部電力変換効率を有することができる」は、３．６％以上の外部電力変換効率を有することができる、すなわち、例えば、５％、１０％、２０％といった外部電力変換効率を有することができることを意味するから、本願発明は、５％、１０％、２０％といった外部電力変換効率を有することができるものを含むことは明らかである。
　そこで、本願の発明の詳細な説明に、５％、１０％、２０％といった外部電力変換効率を有することができる本願発明が記載されているか否かを、以下に、検討する。
　
３．本願の発明の詳細な説明の記載
　本願の発明の詳細な説明には、電子輸送層としてＣ６０フラーレンを使用した感光性有機オプトエレクトロニクス素子の外部電力変換効率の数値を具体的に示した記載としては、
「【００７４】
　図１３に、我々は、最適化素子構造：ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（Ａｒ処理）／２００ÅＣｕＰｃ／４００ÅＣ６０／１２０ÅＢＣＰ／１０００ÅＡｌのＩ−Ｖ特性を、入射光エネルギー密度の関数として示す。この素子の、入射光エネルギー密度の関数としての外部電力変換効率（ηＰ）、開回路電圧（ＶＯＣ）及びＦＦが図１４ａにプロットされている。変換効率ηＰは、４４ｍＷ／ｃｍ２（０．４４ｓｕｎ）の入射エネルギーレベルで、（３．７±０．２）％の最大値に達し、より強い照射強度では、（６．２±１．２）Ω−ｃｍ２のセル直列抵抗（Ｒｓ）のために急に低下する。１５０ｍＷ／ｃｍ２の照射強度で、ηＰ＝（３．６±０．２）％、ＪＳＣ＝１８．８ｍＡ／ｃｍ２、ＶＯＣ＝０．５８Ｖ、及びｆｆ＝０．５２であり、一方、１２００ｍＷ／ｃｍ２の照射では、ＪＳＣは１３８ｍＡ／ｃｍ２のように大きく値になる。直列抵抗の影響を図１３で明白に見ることができる。強度＞１５０ｍＷ／ｃｍ２では、最大の電力出力に比較的小さい電圧で到達するので、ｆｆの値、したがってまたηＰは小さくなる。ＣｕＰｃ／ＰＴＣＢＩ／ＢＣＰセルでの結果と対照的に、直列抵抗の影響を増大させる、より大きい電力変換効率の結果として、最大電力変換効率の広い平坦域は見られない。図１４ｂには、この素子の外部量子効率と太陽光スペクトル密度が波長の関数としてプロットされている。Ｃ６０の光電流への寄与が、λ＝４００ｎｍから５５０ｎｍの間で発生しており、他方、ＣｕＰｃ層はλ＝５５０ｎｍから７５０ｎｍで寄与しており、その結果、λ＜７５０ｎｍの太陽光スペクトルが完全にカバーされている。
　【００７５】
　要約として、我々は、ＥＢＬを用いる有機太陽電池の効率は、材料選択及び加工パラメータに応じて、従来のセルよりかなり大きいものでありうることを示した。特に、接点の最適化と共に、大きな励起子拡散長をもつＣ６０の使用により、１５０ｍＷ／ｃｍ２の強度をもつＡＭ１．５Ｇの太陽光照射下で、外部電力変換効率は（３．６±０．２）％となる。我々は、これらのＣｕＰｃ／Ｃ６０の２重ヘテロ構造セルと共に光閉じ込め構造を用いることなどの、これらの素子のさらなる改良により、電力変換効率は５％を超えるであろうと予想する。このように、本発明は、少なくとも約３．６％のエネルギー外部変換効率をもつ有機太陽電池を対象とする。」
という記載のみである。
　そして、段落【００７４】、図１４（ａ）の記載では、「外部電力変換効率（ηＰ）」は、「最適化素子構造：ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（Ａｒ処理）／２００ÅＣｕＰｃ／４００ÅＣ６０／１２０ÅＢＣＰ／１０００ÅＡｌ」において、ＡＭ１．５Ｇで４４ｍＷ／ｃｍ２（０．４４ｓｕｎ）の入射エネルギーレベルで得られた（３．７±０．２）％が最大であることは明らかであって、（３．７±０．２）％を超える外部電力変換効率が実際に得られたことは記載されていない。
　また、段落【００７５】には、「我々は、これらのＣｕＰｃ／Ｃ６０の２重ヘテロ構造セルと共に光閉じ込め構造を用いることなどの、これらの素子のさらなる改良により、電力変換効率は５％を超えるであろうと予想する。」との記載がある。確かに、当業者であれば、「最適化素子構造」において、「ＣｕＰｃ／Ｃ６０の２重ヘテロ構造セル」（「２重ヘテロ構造セル」は、本願の発明の詳細な説明では、「タンデム型セル」とも記載されている。）とし、「光閉じ込め構造を用いる」ことにより、３．６％をある程度超える外部電力変換効率が得られることは理解し得るが、３．６％を大きく超え、さらには、５％をも大きく超える、１０％、２０％といった高い外部電力変換効率が得られるとまでは理解できないと解するのが相当である。
　すると、本願の発明の詳細な説明には、３．６％を大きく超え、さらには、５％をも大きく超える１０％、２０％といった外部電力変換効率を有することができる本願発明が記載されているとは認められない。
　
４．請求人の主張について
（１）請求人は、平成２６年９月２２日付けの意見書（以下、単に「意見書」という。）において、
「本願の明細書には以下のように記載しています。段落［００７５］には以下の点、ＥＢＬすなわち励起子障壁層を用いる太陽電池の効率は、材料選択及び加工パラメータに応じて、従来のセルよりかなり大きいものでありうること、特に、接点の最適化と共に、大きな励起子拡散長をもつＣ６０の使用により、１５０ｍＷ／ｃｍ２の強度をもつＡＭ１．５Ｇの太陽光照射下で、外部電力変換効率は（３．６±０．２）％となること、を記載しています。したがって、当業者には、本願発明が、約３．６％の外部電力変換効率を有する太陽電池を目的としていることが理解できます。したがって、この記載から、当業者は、本願明細書の段落［００４４］に記載したようにフラーレンを含む電子輸送層を励起子障壁層と組み合わせて有するように素子を構成することで、少なくとも３．６％の電力変換効率を達成できる素子が可能になることを理解できます。実際に、本願明細書には、その構成を有し約３．６％の外部電力変換効率を達成している素子の実施例を示しています（段落［００７４］）。」
と主張している。確かに、本願の発明の詳細な説明には、約３．６％の外部電力変換効率を達成している素子の実施例が示されているが、その実施例の記載のみをもって、少なくとも３．６％、すなわち、３．６％以上の外部電力変換効率を有することができることが記載されているとはいえないことは明らかである。
　
（２）請求人は、意見書において、
「本願発明素子を実施し、素子の性能を最適化するために適切な本願明細書には、上の段落に記載した「接点の最適化」について段落［００４８］及び［００４９］に適切な電気的接点をどのように選択するかについて記載しており、励起子障壁層（ＥＢＬ）についてどのような材料を選択するかについては段落［００５３］〜［００５６］に記載しており、アクセプタ材料であるフラーレンに対するドナー材料をどのように選択するかについては段落［００４２］及び［００４６］に記載しており、さらに、段落［００３６］には、素子の個々の層の厚さを調節することが素子の外部量子効率を最大化するために必要であること、及び［００３７］には励起子拡散層の厚さをどのように設定するかについての指針も記載しています。」
と主張しているので、ここで挙げられた各段落の記載を検討する。
　段落【００４８】及び【００４９】には、電極についての記載があり、段落【００４９】に「電極は、好ましくは、金属又は「金属代替物」からなる。本明細書では、用語「金属」は、単体金属からなる材料、例えばＭｇ、そしてまた２種以上の単体金属からなる材料である金属合金、例えばＭｇ：Ａｇと表記され、ＭｇとＡｇを合わせたもの、の両方を含めて使用される。ここで、用語「金属代替物」は、通常の定義の範囲内では金属でないが、特定の適切な用途で望まれる、金属のような性質をもつ材料を表す。電極及び電荷移動層に広く用いられている金属代替物には、ドープされたワイドバンドギャップ半導体、例えば、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、ガリウムインジウムスズ酸化物（ＧＩＴＯ）、及び亜鉛インジウムスズ酸化物（ＺＩＴＯ）などの透明導電性酸化物が含まれる。」と記載されている。
　段落【００５３】〜【００５６】には、励起子障壁層についての記載があり、段落【００５５】に「ＥＢＬとして好ましい材料には、約３．５ｅＶのＬＵＭＯ−ＨＯＭＯ分離があると考えられる２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（バソクプロイン又はＢＣＰとも呼ばれる）、あるいはビス（２−メチル−８−ヒドロキシキノリノアート）−アルミニウム（ＩＩＩ）フェノラート（Ａｌｑ２ＯＰＨ）が含まれる。」と記載されている。
　段落【００４２】、【００４６】には、ドナー材料についての記載があり、段落【００４６】に「ドナー層に好ましい材料は、フタロシアニン又はポルフィリン、あるいはこれらの誘導体又は遷移金属錯体である。銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）が特に好ましいドナー材料である。」という記載がある。
　段落【００３６】、【００３７】には、層の厚さについての記載があり、段落【００３６】に「具体的には、個々の層の厚さを調節して、積層型素子のサブセルの全数を選択することとの組合せで、１個のセルで可能な外部量子効率より大きな外部量子効率が得られるように、素子の外部量子効率を最大化することができる。」という記載がある。
　
　これら発明の詳細な説明に記載された技術事項と、約３．６％の外部電力変換効率を有する、段落【００７４】に記載された「最適化素子構造：ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（Ａｒ処理）／２００ÅＣｕＰｃ／４００ÅＣ６０／１２０ÅＢＣＰ／１０００ÅＡｌ」とを比較する。
　電極については、「最適化素子構造」の「ＩＴＯ」は、段落【００４９】に記載された「インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）」と一致するものであるが、「最適化素子構造」の「Ａｌ」は、段落【００４９】に記載された「Ｍｇ」、「Ｍｇ：Ａｇ」とは一致しない。
　励起子障壁層については、「最適化素子構造」の「ＢＣＰ」は、段落【００５５】に記載された「２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（バソクプロイン又はＢＣＰとも呼ばれる）」と一致する。
　ドナー材料については、「最適化素子構造」の「ＣｕＰｃ」は、段落【００４６】に記載された「銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）」に一致する。
　すると、「最適化素子構造」において、電極のうちの「Ａｌ」を「Ｍｇ」又は「Ｍｇ：Ａｇ」にさらに最適化する意味はあるが、電極のうちの透明電極である「ＩＴＯ」、励起子障壁層の「ＢＣＰ」及びドナー材料の「ＣｕＰｃ」は、発明の詳細な説明に記載された好ましいとされるものと一致するから、他の構造に最適化する意味は乏しい。
　また、層の厚さについては、「最適化素子構造」における「２００ÅＣｕＰｃ／４００ÅＣ６０／１２０ÅＢＣＰ／１０００ÅＡｌ」という厚さは最適化されたものであることは明らかであるが、「ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（Ａｒ処理）」の厚さについては、最適化の余地があるかもしれない。
　したがって、「最適化素子構造」において、「ＣｕＰｃ／Ｃ６０の２重ヘテロ構造セル」とし、「光閉じ込め構造を用いる」ことに加えて、上記請求人の主張に基づいて、上述した最適化を行っても、「最適化素子構造」の約３．６％の外部電力変換効率を、３．６％を大きく超え、さらには、５％をも大きく超える１０％、２０％といった高い外部電力変換効率とすることができるとは、当業者には理解できないことは明らかである。
　
５．結論
　以上のとおり、本願の発明の詳細な説明には、３．６％を大きく超え、さらには、５％をも大きく超える１０％、２０％といった外部電力変換効率を有することができる本願発明が記載されているとは認められないから、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明の範囲まで、発明の詳細な説明に開示された内容を拡張ないし一般化できるとはいえない。
　したがって、本願の特許請求の範囲の請求項１の記載は特許法第３６条第６項第１号に適合するものではなく、本願は特許法第３６条第６項に規定する要件を満たしていない。
　
　
第５　特許法第３６条第４項第１号について
１．当審で通知した拒絶理由
　当審拒絶理由において、以下のとおり、拒絶理由を通知している。
　
「４．本願は、明細書及び図面の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 記 
　
（１）本願発明１〜１８の「少なくとも３．６％の外部電力変換効率を有することができる」という記載が、３．６％以上の外部電力変換効率を有することができる、すなわち、例えば、５％、１０％、２０％といった外部電力変換効率を有することができることを意味し、本願発明１〜１８は、５％、１０％、２０％といった外部電力変換効率を有することができるものを含むことは明らかである。
　しかし、外部電力変換効率については、本願の明細書及び図面の全記載を精査しても、最大で（３．７±０．２）％の外部電力変換効率が得られる構成が、明細書段落【００７４】、図１４に記載されるのみであって、例えば、５％、１０％、２０％といった外部電力変換効率を得るための具体的な構成は記載されていない。（なお、段落【００７５】の記載については、上記理由２（１）で記載したとおりである。）
　すると、当業者といえども、本願の発明の詳細な説明から、本願発明１〜１８を実施することができないことは明らかである。」
　
２．特許請求の範囲の請求項１
　本願の特許請求の範囲の請求項１の記載は、上記「第２」に挙げたとおりであって、本願発明は「少なくとも３．６％の外部電力変換効率を有することができる」という発明特定事項を有する。
　そして、この「少なくとも３．６％の外部電力変換効率を有することができる」は、３．６％以上の外部電力変換効率を有することができる、すなわち、例えば、５％、１０％、２０％といった外部電力変換効率を有することができることを意味するから、本願発明は、５％、１０％、２０％といった外部電力変換効率を有することができるものを含むことは明らかである。
　そこで、５％、１０％、２０％といった外部電力変換効率を有することができることについて、本願の発明の詳細な説明に、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるか否かを、以下に、検討する。
　
３．本願の発明の詳細な説明の記載
　本願の発明の詳細な説明には、電子輸送層としてＣ６０フラーレンを使用した感光性有機オプトエレクトロニクス素子の外部電力変換効率の数値を具体的に示した記載としては、上記「第４」「３．」で挙げたとおりである。
　
　そして、上記「第４」「３．」で指摘したとおり、発明の詳細な説明には、少なくとも３．６％の外部電力変換効率を有することができる感光性有機オプトエレクトロニクス素子としては、段落【００７４】、図１４（ａ）に記載された、ＡＭ１．５Ｇで４４ｍＷ／ｃｍ２（０．４４ｓｕｎ）の入射エネルギーレベルで得られる最大（３．７±０．２）％の外部電力変換効率を有する「最適化素子構造：ＩＴＯ／ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（Ａｒ処理）／２００ÅＣｕＰｃ／４００ÅＣ６０／１２０ÅＢＣＰ／１０００ÅＡｌ」のみであって、他に、段落【００７５】の「我々は、これらのＣｕＰｃ／Ｃ６０の２重ヘテロ構造セルと共に光閉じ込め構造を用いることなどの、これらの素子のさらなる改良により、電力変換効率は５％を超えるであろうと予想する。」との記載を考慮しても、「最適化素子構造」において、「ＣｕＰｃ／Ｃ６０の２重ヘテロ構造セル」（「２重ヘテロ構造セル」は、本願の発明の詳細な説明では、「タンデム型セル」とも記載されている。）とし、「光閉じ込め構造を用いる」ことにより、３．６％をある程度超える外部電力変換効率を得ることができることは理解し得るが、３．６％を大きく超え、さらには、５％をも大きく超える１０％、２０％といった高い外部電力変換効率が得られるとまでは理解できないと解される。
　また、本願の発明の詳細な説明の他の全記載に加えて、図面の全記載を精査しても、３．６％を大きく超え、さらには、５％をも大きく超える１０％、２０％といった外部電力変換効率を得るための具体的な構成が記載されているとは認められない。
　
４．請求人の主張について
　請求人の主張については、上記「第４」「４．」で論及したとおりである。
　
５．結論
　以上のとおり、３．６％を大きく超え、さらには、５％をも大きく超える１０％、２０％といった外部電力変換効率を有することができることについて、本願の発明の詳細な説明に、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるとは認められない。
　したがって、本願の発明の詳細な説明の記載は特許法第３６条第４項第１号に適合するものではなく、本願は特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
　
第６　むすび
　以上のとおり、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、本願は特許法第３６条第６項に規定する要件を満たしていない、及び、本願は特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないから、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。