【事件の表示】
　特願２０１１−５１０７７９「少なくとも１つの電子構成部品をプリント回路基板に組み込むための方法、およびプリント回路基板」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年１２月　３日国際公開、ＷＯ２００９／１４３５５０、平成２３年　７月２８日国内公表、特表２０１１−５２２４０３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本件出願は、２００９年５月２９日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２００８年５月３０日　オーストリア国）を国際出願日とする出願であって、平成２５年８月２６日付け（平成２５年９月３日：発送日）で拒絶査定がなされ、これに対し、平成２６年１月６日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、その請求と同時に特許請求の範囲を補正する手続補正がなされたものである。その後、平成２６年１０月３日付けで当審により拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）が通知され、平成２７年４月７日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
第２．本願発明  
　本願の請求項１ないし９に係る発明は、平成２３年１月２７日付けの明細書の翻訳文及び平成２７年４月７日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲並びに願書に最初に添付した図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、その請求項６に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。  
 　 
　「【請求項６】
　電子構成部品（１、２、３、１６）を支持するための金属層または金属被覆層（４）を備え、電子構成部品（１、２、３、１６）の接点または接合部（７）が、伝熱性のある接着剤（５）から離れた面または表面に設けられるように、少なくとも１つの電子構成部品（１、２、３、１６）が接着剤（５）により金属層または金属被覆層（４）の上に直接固定される、少なくとも組み込まれた１つの電子構成部品を含むプリント回路基板であって、電子構成部品（１、２、３、１６）の固定後に、少なくとも１つの電気的導体層（８、２３、２４）が、電子構成部品（１、２、３、１６）上または電子構成部品（１、２、３、１６）に配置され、電子構成部品（１、２、３、１６）の接点（７）および／または導体トラックまたはプリント回路基板に従ってパターン形成され、
　電気的導体層から離れた電子構成部品（１、２、３、１６）側、詳細には電子構成部品の固定領域で、少なくとも１つの開口部（１５、１８、２６）が熱の除去および／または電子構成部品の接点への接触のために形成されることを特徴とする、プリント回路基板。」
　
第３．刊行物の記載事項  
　当審拒絶理由に引用され、本願の優先日前に頒布された特開２００７−１５０００２号公報（以下、「刊行物」という。）には、「半導体ＩＣ内蔵基板及びその製造方法」に関して、図面（【図１】、【図１３】、【図２３】及び【図２４】参照。）と共に次の事項が記載されている。  
ア．「【００１９】
　図１に示すように、本実施形態による半導体ＩＣ内蔵基板１００は、最外層に位置するコア層１０１，１０２と、コア層１０１とコア層１０２との間に設けられた樹脂層１１１，１１２と、樹脂層１１１と樹脂層１１２との間に埋め込まれた半導体ＩＣ１２０と、アライメントマーク１３０と、各種配線パターン１４０，１５０，１６０と、貫通電極１７１〜１７４とを備えて構成されている。半導体ＩＣ１２０のパッド電極（図１には示されていない）上には、導電性突起物の一種であるスタッドバンプ１２１がそれぞれ形成されており、各パッド電極は対応するスタッドバンプ１２１を介して、配線パターン１４０と電気的に接続されている。スタッドバンプ１２１は、図１に示すように、樹脂層１１２の表面から突出している。」
　
イ．「【００３３】
　樹脂層１１１，１１２の材料としては、リフロー耐久性を有する材料であれば熱硬化性、熱可塑性樹脂を問わず用いることができる。具体的には、エポキシ樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂（ＢＴレジン）、フェノール樹脂、ビニルベンジル樹脂、ポリフェニレンエーテル（ポリフェニレンエーテルオキサイド）樹脂（ＰＰＥ，ＰＰＯ）、シアネート樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ポリイミド樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂などを選択することができる。また、上記樹脂にフィラーを含有させた材料を用いてもよい。
【００３４】
　また、コア層１０１，１０２は、いずれもガラスクロス、ケブラー、液晶ポリマーなどの樹脂クロス、アラミド、芳香族ポリエステルなどの不織布、フッ素樹脂などの多孔質シート等からなる芯材に、熱硬化性樹脂や熱可塑性樹脂等を含浸させた構成を有している。このため、樹脂層１１１，１１２に比べて強度が非常に強い。本発明では、コア層１０１，１０２の厚さがいずれも１００μｍ以下、好ましくは６０μｍ以下と通常用いられるコア層と比べて非常に薄く設定されている。しかしながら、本実施形態では、コア層１０１，１０２を半導体ＩＣ内蔵基板１００の最外層に位置させ、これらの間に強度の弱い樹脂層１１１，１１２や半導体ＩＣ１２０をサンドイッチしていることから、全体の厚さを十分に薄くしつつ、高い強度を確保することができる。」
　
ウ．「【００３８】
　まず、図３に示すように、両面に導体層１３０ａ，１８１が形成されたコア層１０１を用意し、これに支持基板１９１を貼り付ける。本実施形態では、支持基板１９１の貼り付けに熱剥離シート１９２を用いている。熱剥離シート１９２は、加熱により接着力が低下するシートであり、支持基板１９１の剥離を容易とする役割を果たす。支持基板１９１の材料については、特に限定されるものではないが、例えば、ニッケル（Ｎｉ）やステンレスを用いることができる。支持基板１９１の厚さについては、必要な機械的強度が確保される限り特に限定されず、例えば５０〜２０００μｍ程度に設定すればよい。一方、コア層１０１の厚さについては、上述のとおり、１００μｍ以下、好ましくは６０μｍ以下に設定される。」
　
エ．「【００４２】
　次に、図７に示すように、未硬化又は半硬化状態である樹脂層１１２と導体層１８２の積層シートを、樹脂層１１２と半導体ＩＣ１２０の主面１２０ａとが向き合うよう重ね、熱を加えながら両者をプレスする。これにより樹脂層１１２は硬化し、図８に示すように、半導体ＩＣ１２０の主面１２０ａ及び側面１２０ｃが樹脂層１１２によって完全に覆われた状態となる。つまり、この時点で、半導体ＩＣ１２０は、樹脂層１１１，１１２に挟み込まれた状態となる。」
　
オ．「【００５１】
　次に、図１２に示すように、基材の両面、つまり、下地導体層１４１の表面及び支持基板１９１の表面に感光性のドライフィルム２０１，２０２をそれぞれ貼り付けた後、図示しないフォトマスクを用いてドライフィルム２０１を露光し、配線パターン１４０を形成すべき領域１４０ａのドライフィルム２０１を除去する。これにより、配線パターン１４０を形成すべき領域１４０ａにおいては、下地導体層１４１が露出した状態となる。」
　
カ．「【００６４】
　次に、図２３に示すように、導体層１８１を除去又は薄膜化した後、レーザー照射などによってコア層１０１に貫通孔１０１ａ，１０１ｂを形成する。貫通孔１０１ａは、コア層１０１を貫通してアライメントマーク１３０を露出させる貫通孔であり、貫通孔１０１ｂはコア層１０１を貫通して半導体ＩＣ１２０の裏面に形成された金属層１２２を露出させる貫通孔である。
【００６５】
　その後、図１１〜図１３又は図１８〜図２０を用いて説明した工程と同様の工程を行うことにより、図２４に示すように、最外面の配線パターン１６０を形成する。この工程により、貫通孔１０１ａの内部は貫通電極１７３によって満たされ、これにより、配線パターン１６０とアライメントマーク１３０とが接続される。また、貫通孔１０１ｂの内部は貫通電極１７４によって満たされ、これにより、配線パターン１６０と金属層１２２とが接続される。貫通電極１７４はサーマルビアとして機能し、これにより半導体ＩＣ１２０が発する熱を効率よく外部に伝導させることができる。」
　
キ．「【００８１】
　さらに、上記実施形態では、半導体ＩＣ１２０を樹脂層１１１に直接搭載しているが、半導体ＩＣ１２０にダイアタッチフィルムを設け、ダイアタッチフィルムを介して樹脂層１１１に搭載しても構わない。一例として、図２９に示すように、半導体ＩＣ１２０の裏面にダイアタッチフィルム１２９を設け、ダイアタッチフィルム１２９と樹脂層１１１とを接着することによって、半導体ＩＣ１２０を樹脂層１１１に仮止めしても構わない。この場合、樹脂層１１１が接着性を有している必要はない。図２９に示す例の場合、半導体ＩＣ１２０の裏面１２０ｂと樹脂層１１１との間にダイアタッチフィルム１２９が介在するため、両者は直接接触しなくなるが、半導体ＩＣ１２０の裏面１２０ｂは、ダイアタッチフィルム１２９を介して樹脂層１１１によって覆われることになる。」
　
ク．上記ア．の「半導体ＩＣ１２０のパッド電極（図１には示されていない）上には、導電性突起物の一種であるスタッドバンプ１２１がそれぞれ形成されており、各パッド電極は対応するスタッドバンプ１２１を介して、配線パターン１４０と電気的に接続されている。」との記載及び【図１】からみて、半導体ＩＣ１２０の固定後に、配線パターン１４０が、半導体ＩＣ１２０上に配置され、半導体ＩＣ１２０のスタッドバンプ１２１に従ってパターン形成されていることが分かる。  
  
ケ．上記イ．の段落【００６４】の「貫通孔１０１ｂはコア層１０１を貫通して半導体ＩＣ１２０の裏面に形成された金属層１２２を露出させる貫通孔である」との記載及び上記イ．の段落【００６５】の「貫通孔１０１ｂの内部は貫通電極１７４によって満たされ、これにより、配線パターン１６０と金属層１２２とが接続される。貫通電極１７４はサーマルビアとして機能し、これにより半導体ＩＣ１２０が発する熱を効率よく外部に伝導させることができる」との記載並びに【図２３】及び【図２４】からみて、配線パターン１４０から離れた電子部品固定領域で、貫通孔１０１ｂが熱の除去のために形成されることが分かる。 
　
　上記記載事項及び認定事項並びに図示事項を総合し、本願発明の記載ぶりに則って整理すると、刊行物には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。  
  
「半導体ＩＣ１２０を支持するための樹脂層１１１を備え、半導体ＩＣ１２０のスタッドバンプ１２１が、樹脂層１１１から離れた面に設けられるように、半導体ＩＣ１２０が樹脂層１１１に直接固定される、半導体ＩＣ１２０を含む半導体ＩＣ内蔵基板１００であって、半導体ＩＣ１２０の固定後に、配線パターン１４０が、半導体ＩＣ１２０上に配置され、半導体ＩＣ１２０のスタッドバンプ１２１に従ってパターン形成され、
　配線パターン１４０から離れた電子部品固定領域で、貫通孔１０１ｂが熱の除去のために形成される、半導体ＩＣ内蔵基板１００。」
　
第４．対比  
　本願発明と引用発明とを対比すると、その技術的意義、機能または構造からみて、引用発明における「半導体ＩＣ１２０」は本願発明における「電子構成部品」に相当し、以下同様に、「スタッドバンプ１２１」は「接点」に、「半導体ＩＣ内蔵基板１００」は「プリント回路基板」に、「配線パターン１４０」は「電気的導体層」に、「貫通孔１０１ｂ」は「開口部」に、それぞれ相当する。  
　また、引用発明における「樹脂層１１１」は、「支持層」という限りにおいて、本願発明における「金属層または金属被覆層」に相当する。
　そして、引用発明における「樹脂層１１１から離れた面」は、半導体ＩＣ１２０を支持する樹脂層は接着層としても機能することから、「支持層から離れた面」という限りにおいて本願発明における「伝熱性のある接着剤から離れた面」に相当する。 
　そこで、両者は、本願発明の用語を用いて表現すると、次の点で一致する。  
［一致点］ 
「電子構成部品を支持するための支持層を備え、電子構成部品の接点が、支持層から離れた面に設けられるように、電子構成部品が支持層に直接固定される、電子構成部品を含むプリント回路基板であって、電子構成部品の固定後に、電気的導体層が、電子構成部品上に配置され、電子構成部品の接点に従ってパターン形成され、 
　電気的導体層から離れた電子構成部品の固定領域で、開口部が熱の除去のために形成される、プリント回路基板。」
 　 
　そして、両者は次の点で相違する。  
［相違点］  
　本願発明においては、電子構成部品を支持する「支持層」が、「金属層または金属被覆層」であって、電子構成部品が伝熱性のある接着剤を用いて「金属層または金属被覆層」に直接固定されているのに対して、引用発明においては半導体ＩＣ１２０（本願発明における「電子構成部品」に相当。）を支持する「支持層」が、「樹脂層１１１」であって、半導体ＩＣ１２０が「樹脂層１１１」に直接固定されている点。 
 　 
第５．当審の判断  
　上記相違点について検討する。
　半導体ＩＣ等の電子構成部品を内蔵する基板に関する技術において、電子構成部品を金属層により支持し、その際に電子構成部品を接着剤により固定することは周知の技術（以下、「周知技術１」という。例えば、特開２００７−２８８１０９号公報の段落【００２３】、【００３７】、【図４】（ａ）、特開２００８−１２４２４７号公報の段落【００１６】、【００３０】、【図９】、及び特開２００６−１６５１７５号公報の段落【００３５】、【００４３】、【図４】等参照。）であり、また、半導体ＩＣ等の電子構成部品を内蔵する基板においては、放熱のために接着剤として伝熱性のあるものを用いることは周知の技術（以下、「周知技術２」という。例えば、特開２００８−１２４２４７号公報の段落【００１６】、【００３０】、【図９】、特開２００６−１６５１７５号公報の段落【００３５】、【００４３】、【図４】、及び特開２００３−６０５２３号公報の段落【００５３】、【００５４】、【図１】等参照。）である。　 
　そして、引用発明並びに上記周知技術１及び２はいずれも半導体ＩＣ等の電子構成部品を内蔵する基板に関する技術に属することを参酌すれば、上記周知技術２を考慮した上で、引用発明における半導体ＩＣ１２０の支持に関して上記周知技術１を適用して、相違点に係る本願発明の発明特定事項とすることは、当業者であれば容易に想到し得ることである。 
 　  
　また、本願発明を全体としてみても、本願発明の効果は、引用発明並びに上記周知技術１及び２から当業者が予測し得る範囲内のものであって格別なものとはいえない。  
 　  
　したがって、本願発明は、引用発明並びに上記周知技術１及び２に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
  
第６．むすび  
　以上のとおり、本願発明は、引用発明並びに上記周知技術１及び２に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
　したがって、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
　よって、結論のとおり審決する。