【事件の表示】
　特願２００９−　８９３００「発光ダイオード、発光ダイオードランプ及び照明装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１０月２１日出願公開、特開２０１０−２３９０９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００９年（平成２１年）４月１日（国内優先権主張　２００９年（平成２１年）３月１０日）を出願日とする出願であって、平成２４年１１月２７日付けの拒絶理由の通知に対し、平成２５年１月３１日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がなされ、同年９月１０日付けの拒絶理由の通知に対し、同年１１月１４日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がなされたが、平成２６年１月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月１８日付けで審判請求がなされるとともに手続補正がなされたものである。
第２　平成２６年４月１８日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２６年４月１８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１　補正の内容
（１）本件補正により、特許請求の範囲の請求項１の記載は、
「ｐｎ接合型の発光部と、前記発光部に積層された歪調整層とを少なくとも含む化合物半導体層を備え、
　前記発光部は、組成式ＧａＸＩｎ１−ＸＰ（０．３７≦Ｘ≦０．４６）からなり、厚さが８〜３０ｎｍの範囲である歪発光層と、バリア層との積層構造を有し、歪発光層とバリア層は交互に積層されており、
　前記歪発光層は、８〜４０層含まれており、
　バリア層の組成式が（ＡｌｘＧａ１−ｘ）ＹＩｎ１−ＹＰ（０．３≦Ｘ≦０．７、０．４８≦Ｙ≦０．５２）であり、
　前記歪調整層は、厚さが３〜１５μｍの範囲であって、発光波長に対して透明であると共に前記歪発光層及び前記バリア層の格子定数よりも小さい格子定数を有するとともに、　前記発光部の発光スペクトルのピーク発光波長が、６５５〜６７５ｎｍの範囲であることを特徴とする発光ダイオード。」
から、
「ｐｎ接合型の発光部と、前記発光部に積層された歪調整層とを少なくとも含む化合物半導体層を備え、
　前記発光部は、組成式ＧａＸＩｎ１−ＸＰ（０．３７≦Ｘ≦０．４６）からなり、厚さが８〜３０ｎｍの範囲である歪発光層と、バリア層との積層構造を有し、歪発光層とバリア層は交互に積層されており、
　前記歪発光層は、８〜４０層含まれており、
　バリア層の組成式が（ＡｌＸＧａ１−Ｘ）ＹＩｎ１−ＹＰ（０．３≦Ｘ≦０．７、０．４８≦Ｙ≦０．５２）であり、
　前記歪調整層は、
組成式が（Ａｌ
Ｘ
Ｇａ
１−Ｘ
）
Ｙ
Ｉｎ
１−Ｙ
Ｐ（０≦Ｘ≦１、０．６≦Ｙ≦１）であり、
　
前記歪発光層がプラス歪を有し、前記歪調整層がマイナス歪を有し、
　前記発光部の発光スペクトルのピーク発光波長が、６５５〜６７５ｎｍの範囲であることを特徴とする発光ダイオード。」
へと補正された（下線部は補正箇所であり、当審が引いた。）。
（２）上記補正は、補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「歪調整層」及び「歪発光層」について、「歪調整層」の組成式を限定するとともに、「歪発光層」及び「歪調整層」の歪の符号を限定するものであるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
２　補正の適否
　そこで、補正後の請求項１に記載された発明（以下「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか否か）について以下に検討する。
（１）本件補正発明
　本件補正発明は上記１（１）に記載したとおりのものである。
（２）引用例の記載事項
ア　引用例１
（ア）原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００７−１７３５５１号公報（以下「引用例１」という。）には、図とともに次の記載がある（下線は当審で引いた。以下同じ。）。
ａ　「【特許請求の範囲】」、
「
組成式（Ａｌ
X
Ｇａ
1-X
）
Y
Ｉｎ
1-Y
Ｐ（０≦Ｘ≦１，０＜Ｙ≦１）から成る発光層を含む発光部を有し、該発光部を含む化合物半導体層を透明基板と接合された発光ダイオードにおいて、発光ダイオードの主たる光取り出し面に第1の電極と、第１の電極と極性の異なる第２の電極とを有し、第２の電極は第１の電極と対向する側に露出させた化合物半導体層上に形成され、透明基板の側面は、発光層に近い側では発光層の発光面に対して略垂直である第１の側面と、発光層に遠い側では発光面に対して傾斜している第２の側面を有することを特徴とする発光ダイオード。
「
透明基板が、ｎ型のＧａＰ単結晶であることを特徴とする請求項１に記載の発光ダイオード。
「発光部が、ＧａＰ層を含み、第２の電極が、該ＧａＰ層上に形成されていることを特徴とする請求項１〜９の何れか１項に記載の発光ダイオード。」（請求項１０）
ｂ　「【技術分野】」、
「本発明は、燐化アルミニウム・ガリウム・インジウム（組成式（ＡｌXＧａ1-X）YＩｎ1-YＰ；０≦Ｘ≦１，０＜Ｙ≦１）から成る発光層を含む半導体層を透明基板に接合させた発光ダイオードおよびその製造方法に関する。」（段落【０００１】）
ｃ　「【発明を実施するための最良の形態】」、
「本発明に係る発光部は、（ＡｌXＧａ1-X）YＩｎ1-YＰ（０≦Ｘ≦１，０＜Ｙ≦１）から成る発光層を含む化合物半導体積層構造体である。発光層はｎ形またはｐ形の何れの伝導形の（ＡｌXＧａ1-X）YＩｎ1-YＰ（０≦Ｘ≦１，０＜Ｙ≦１）からも構成できる。
発光層は、
多重（ｍｕｌｔｉ）量子井戸（英略称：ＭＱＷ）の何れの構造であっても良いが、単色性に優れる発光を得るためにはＭＱＷ構造とするのが好適である。量子井戸（英略称：ＱＷ）構造をなす障壁（ｂａｒｒｉｅｒ）層及び井戸（ｗｅｌｌ）層を構成する（Ａｌ
X
Ｇａ
1-X
）
Y
Ｉｎ
1-Y
Ｐ（０≦Ｘ≦１，０＜Ｙ≦１）の組成は、所望の発光波長を帰結する量子準位が井戸層内に形成される様に決定する。
「
発光部は、上記の発光層と、放射再結合をもたらすキャリア（担体；ｃａｒｒｉｅｒ）及び発光を発光層に「閉じ込める」ために、発光層の両側に対峙して配置したクラッド（ｃｌａｄ）層を含む、所謂、ダブルヘテロ（英略称：ＤＨ）構造とする
「本願発明では、発光層を含む半導体層に、
透明基板（透明な支持体層）
　透明な支持体層は、発光部を機械的に充分な強度で支持できる様に凡そ、５０μｍ以上の厚みであるのが望ましい。また、接合後に透明な支持体層への機械的な加工を施し易くするため、約３００μｍの厚さを超えないものとするのが望ましい。（ＡｌXＧａ1-X）YＩｎ1-YＰ（０≦Ｘ≦１，０＜Ｙ≦１）から成る発光層を備えた化合物半導体ＬＥＤにあって、
透明な支持体層を、
ｎ型ＧａＰ単結晶体から構成するのが最適
「例えば、
燐化ガリウム（ＧａＰ）からなる透明な支持体層を発光部の最表層に接合させて設ける場合、その発光部の最表層を、発光部を構成するその他のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層とは格子定数を異にするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料から構成すると、透明な支持体層を接合させるのに際して発光部へ印加される応力を緩和する作用を発揮できる。これにより、接合時における発光層の損傷を防止でき、例えば、所望の波長の光を出射できる化合物半導体ＬＥＤを安定して提供するのに貢献できる。発光部の最表層の層厚は、透明な支持体層の接合時に、発光部へ印加される応力を充分に緩和するために０．５μｍ以上とするのが好適である。一方で、その最表層の層厚を極端に厚くすると、他の発光部構成層とは格子定数を相違する関係から、最表層を設ける段階で発光層に応力が印加されてしまう。これを避けるために最表層の層厚は２０μｍ以下とするのが好適である。
「特に、
（Ａｌ
X
Ｇａ
1-X
）
Y
Ｉｎ
1-Y
Ｐ（０≦Ｘ≦１，０＜Ｙ≦１）から成る発光層から出射される発光を外部へ透過させるのに好都合な透明な支持体層として、燐化ガリウム（ＧａＰ）を選択した場合、発光部の最表層をガリウム（Ｇａ）と燐（Ｐ）とを構成元素として含み、且つ、ＧａをＰより多く含む半導体材料から構成すると強固な接合を形成することができる。特に、最表層を非化学量論的な組成のＧａ
X
Ｐ
1-X
（０．５＜Ｘ＜０．７）から構成するのが好適である。
「接合させようとする透明な支持体層の表面、及び発光部の最表層の表面は、単結晶からなる表面であり、且つ、それらの面方位は同一とするのが好ましい。例えば、表面は、双方共に（１００）面、または、（１１１）面とするのが望ましい。表面を（１００）面、または、（１１１）面とする発光部の最表層を得るのには、発光部の最表層を基板上に形成するのに際し、表面を（１００）面、または、（１１１）面とする基板を用いれば事足りる。例えば、表面を（１００）面とする砒化ガリウム（ＧａＡｓ）単結晶を基板として用いれば、表面を（１００）面とする発光部の最表層を形成できる。」（段落【００１６】）、
「
発光部は、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）
などのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶基板
の表面上に形成できる。
「透明な支持体層或いはそれを接合させる発光部の最表層の表面が、２乗平均平方根（英略称：ｒｍｓ）値にして０．３ｎｍ以下と平滑である場合、特に強度な接合が果たせる。・・・」（段落【００１９】）、
「透明な支持体層または発光部の最表層は、圧力にして１×１０-2パスカル（圧力単位：Ｐａ）以下、望ましくは、１×１０-3Ｐａ以下の真空中で接合させる。特に、上記の如く、研磨された平滑な表面を相互に接合させることとすると強固な接合を形成できる。双方を接合させるのに際し、５０エレクトロンボルト（単位：ｅＶ）以上のエネルギーを有する原子のビーム（ｂｅａｍ）またはイオンビームを接合させようとする表面の各々に照射し、接合させる表面を活性化させるのが肝要である。活性化とは、接合させる表面に存在する酸化膜、炭素等を含む不純物層や汚染層などが除去された清浄な状態の表面を創出することを云う。この照射を、透明な支持体層または発光部の構成層の何れかの表面に行えば、双方を強固に確実に接合させられる。また、双方の表面に行うと、より強固な強度で双方を結合させることができる。」（段落【００２０】）、
「強固な接合をもたらすに有効となる照射種としては、水素（元素記号：Ｈ）原子、水素分子（分子式：Ｈ2）、または水素イオン（プロトン；Ｈ+）ビームを例示できる。また、接合させようとする表面領域に存在する元素を含むビームを照射すると、強度的に優れる接合を形成できる。例えば、透明な支持体層として亜鉛（元素記号：Ｚｎ）が添加された燐化ガリウム（ＧａＰ）を用いるのに際し、ガリウム（Ｇａ）、燐（Ｐ）、または亜鉛（Ｚｎ）を含む原子やイオンビームを接合させる表面に照射すると、強固な接合を形成できる。しかし、透明な支持体層や発光層の最表層の表面の電気抵抗が高いと、イオンを主体的に含むビームを表面に照射した場合、表面が帯電する場合がある。この表面の帯電に因る電気的な反発が起こると強固な接合を形成できないため、イオンビームの照射による表面の活性化は導電性に優れる表面の活性化のために利用するのが好ましい。」（段落【００２１】）、
「また、透明な支持体層または発光部の構成層の表面領域において、それらの組成等に顕著な変化を及ぼさないヘリウム（元素記号：Ｈｅ）、ネオン（元素記号：Ｎｅ）、アルゴン（元素記号：Ａｒ）、及びクリプトン（元素記号：Ｋｒ）等の不活性ガスのビームを用いると表面の活性化を安定して果たせる。中でも、アルゴン（Ａｒ）原子（一原子分子）ビームを用いると、表面を短時間に簡便に活性化でき利便でする。ヘリウム（Ｈｅ）は、アルゴン（Ａｒ）よりも原子量が小さく、このため、Ｈｅビームでは接合させようとする表面の活性化に時間が浪費される欠点がある。一方、アルゴンよりは原子量が大きいクリプトン（Ｋｒ）のビームを用いると、表面に衝撃損傷を与えかねず不都合である。」（段落【００２２】）、
「透明な支持体層と発光部の最表層との表面を対向させて重ね合わせて接合させるのに際し、接合面の全般に機械的圧力が及ぶ様にすると、双方を強固に接合させるのに好都合となる。具体的には、接合面に対して垂直方向に（鉛直に）、５グラム（ｇ）・ｃｍ-2以上で１００ｇ・ｃｍ-2以下の範囲の圧力を加える。この手法によれば、透明な支持体層または発光部の最表層、或いはその双方が例えば、反っていても、その反りを解消して、均一な強度で接合させるのに効果を上げられる。」（段落【００２３】）、
「透明な支持体層と発光部とは、上記の望ましい真空度の真空中において、支持体層または発光部の最表層、或いは、それらの双方の接合させる表面の温度を、１００℃以下、望ましくは５０℃以下、更に、望ましくは室温として接合させる。約５００℃を超える高温環境下で接合させると、発光部に備えられている（ＡｌXＧａ1-X）YＩｎ1-YＰ（０≦Ｘ≦１，０＜Ｙ≦１）から成る発光層が熱的に変性して、このため、所望の波長の発光を出射する化合物半導体ＬＥＤを安定して得るのに不都合となる。」（段落【００２４】）、
「
本発明では、発光部の最表層に支持体層を接合させ、発光部を機械的に支持できる状態とした後、その発光部を形成するために利用した基板を除去し、発光の外部への取り出し効率を向上させ、従って、高輝度の化合物半導体ＬＥＤを構成できる。
「
本発明では、発光部がＧａＰ層を含む構成とし
ｄ　「【実施例】」、
「本実施例では、本発明に係わる発光ダイオードを作製した例を具体的に説明する。
　図１および図２は、本実施例で作製した半導体発光ダイオードを示した図で、図１はその平面図、図２は図１のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。図３は、半導体発光ダイオードに用いられる半導体エピタキシャルウェーハの層構造の断面図である。
　本実施例で作製した半導体発光ダイオード１０は、ＡｌＧａＩｎＰ発光部を有する赤色発光ダイオード（ＬＥＤ）である。
　本実施例１では、
ＧａＡｓ基板上に設けたエピタキシャル積層構造体（エピウェーハ）とＧａＰ基板とを接合させて発光ダイオードを作製する
「ＬＥＤ１０は、Ｓｉをドープしたｎ型の（１００）面から１５°傾けた面を有する
ＧａＡｓ単結晶からなる半導体基板１１上に順次、積層した半導体層１３を備えたエピタキシャルウェーハを使用して作製した。積層した半導体層とは、Ｓｉをドープしたｎ型のＧａＡｓからなる緩衝層１３０、Ｓｉをドープしたｎ型の（Ａｌ
0.5
Ｇａ
0.5
）
0.5
Ｉｎ
0.5
Ｐからなるコンタクト層１３１、Ｓｉをドープしたｎ型の（Ａｌ
0.7
Ｇａ
0.3
）
0.5
Ｉｎ
0.5
Ｐからなる下部クラッド層１３２、アンドープの（Ａｌ
0.2
Ｇａ
0.8
）
0.5
Ｉｎ
0.5
Ｐ／Ａｌ
0.7
Ｇａ
0.3
）
0.5
Ｉｎ
0.5
Ｐの２０対からなる発光層１３３、およびＭｇをドープしたｐ型の（Ａｌ
0.7
Ｇａ
0.3
）
0.5
Ｉｎ
0.5
Ｐからなる上部クラッド層および薄膜（Ａｌ
0.5
Ｇａ
0.5
）
0.5
Ｉｎ
0.5
Ｐからなる中間層１３４、Ｍｇドープしたｐ型ＧａＰ層１３５である。
「・・・
発光層１３３は、アンドープの０．８μｍ
ＧａＰ層１３５のキャリア濃度は約３×１０
18
ｃｍ
-3
とし、層厚は９μｍとした。
　ｐ型ＧａＰ層１３５は、表面から約１μｍの深さに至る領域を研磨し、鏡面加工した。鏡面加工に依り、ｐ型ＧａＰ層１３５の表面の粗さを０．１８ｎｍとした。　一方、上記のｐ型ＧａＰ層１３５の鏡面研磨した表面に貼付するｎ型ＧａＰ基板１４を用意した。この貼付用ＧａＰ基板１４には、キャリア濃度が約２×１０17ｃｍ-3となる様にＳｉおよびＴｅを添加した、面方位を（１１１）とする単結晶を用いた。貼付用ＧａＰ基板１４の直径は５０ミリメートル（ｍｍ）で、厚さは２５０μｍであった。このＧａＰ基板１４の表面は、ｐ型ＧａＰ層１３５に接合させる以前に鏡面に研磨し、平方平均平方根値（ｒｍｓ）にして０．１２ｎｍに仕上げておいた。」（段落【００３６】）、
「一般の半導体材料貼付装置に、上記のＧａＰ基板１４及びエピタキシャルウェーハを搬入し、３×１０-5Ｐａまで装置内を真空に排気した。その後、炭素等の汚染を回避するために炭素（カーボン）材料からなる部材を排除した装置内に載置したＧａＰ基板１４の温度を真空中で約８００℃の温度に加熱しつつ、８００ｅＶのエネルギーに加速されたＡｒイオンを、ＧａＰ基板１４の表面に照射した。これより、ＧａＰ基板１４の表面に、非化学量論的な組成からなる接合層１４１を形成した。接合層１４１を形成した後、上記のＡｒイオンの照射を停止し、ＧａＰ基板１４の温度を室温迄、降下させた。」（段落【００３７】）
「次に、表面領域に非化学量論的な組成からなる接合層１４１を有するＧａＰ基板１４、及びＧａＰ層１３５の双方の表面に、電子を衝突させて中性（ニュートラル）化した中性のＡｒビームを３分間に亘り照射した。然る後、真空に維持した貼付装置内で、双方１３５，１４の表面を重ね合わせ、各々の表面での圧力が２０ｇ／ｃｍ2となる様に荷重を掛け、双方を室温で接合した（図４参照）。接合したウェーハを貼付装置の真空チャンバーから取り出し、接合界面を分析した。その結果接合部には、非化学量論的な組成を有するＧａ0.6Ｐ0.4からなる接合層１４１が存在していた。接合層１４１の厚さは約３ｎｍで、接合層１４１の酸素原子の濃度は、一般的なＳＩＭＳ分析法に依れば７×１０18ｃｍ-3であり、炭素の原子濃度は、９×１０18ｃｍ-3であった。」（段落【００３８】）、
「次に、接合したウェーハから、ＧａＡｓ基板１１およびＧａＡｓ緩衝層１３０をアンモニア系エッチャントにより選択的に除去した。
　コンタクト層１３１の表面に第１のオーミック電極１５として、ＡｕＧｅ、Ｎｉ合金を厚さが０．５μｍ、Ｐｔを０．２μｍ、Ａｕを1μｍとなるように真空蒸着法によりｎ形オーミック電極を形成した。一般的なフォトリソグラフィー手段を利用してパターニングを施し、電極１５を形成した。
　次に、p電極を形成する領域のエピ層１３１〜１３４を選択的に除去し、ＧａＰ層１３５を露出させた。ＧａＰ層の表面にＡｕＢｅを０．２μｍ、Ａｕを１μｍとなるように真空蒸着法でｐ形オーミック電極１６を形成した。
　４５０℃で１０分間熱処理を行い、合金化し低抵抗のｐ型およびｎ型オーミック電極を形成した（図１参照）。」（段落【００３９】）、
「マウント用基板４５の表面に設けられたｎ電極端子４３とｐ電極端子４４とを介してｎ型及びｐ型オーミック電極１５，１６間に電流を流したところ、主波長を６２０ｎｍとする赤色光が出射された。順方向に２０ミリアンペア（ｍＡ）の電流を通流した際の順方向電圧（Ｖｆ）は、ＧａＰ層１３５及びＧａＰ基板１４との接合界面での抵抗の低さ、及び各オーミック電極１５、１６の良好なオーミック特性を反映し、約１．９５ボルト（Ｖ）となった。また、順方向電流を２０ｍＡとした際の発光強度は、発光効率の高い発光部の構成及びチップへの裁断時に発生する破砕層を除去するなど外部への取り出し効率も向上させている事を反映して６００ｍｃｄの高輝度となった。」（段落【００４３】）
ｅ　「【産業上の利用可能性】」、
「
本発明の発光ダイオードは赤色、橙色、黄色或いは黄緑色等まで発光可能
ｆ　「【符号の説明】」、
「・・・１６　第２の電極（ｐ型オーミック）・・・・」（段落【００４９】）
ｇ　引用例１の発光部の最表層について検討する。
　段落【００１５】（上記ｃ）は、【発明を実施するための最良の形態】における記載であって、（ＡｌXＧａ1-X）YＩｎ1-YＰ（０≦Ｘ≦１，０＜Ｙ≦１）から成る発光層から出射される発光を外部へ透過させるのに好都合な透明な支持体層として、ＧａＰを選択した場合、発光部の最表層をＧａとＰとを構成元素として含み、且つ、ＧａをＰより多く含む半導体材料から構成すると強固な接合を形成することができ、最表層を非化学量論的な組成のＧａXＰ1-X（０．５＜Ｘ＜０．７）から構成するのが好適であるとされている。
　他方で、引用例１からは、以下の点が指摘できる。
（ａ）【実施例】では、発光部の最表層に相当する層はＧａＰ層１３５であると認められる（上記ｄの段落【００３４】・【００３６】〜【００３８】）。
（ｂ）発光部が含み、第２の電極が形成されるＧａＰ層（上記ｃの段落【００３０】）は、実施例ではＧａＰ層１３５に相当すると認められる（上記ｄの段落【００３９】・【００４９】）。
（ｃ）ＧａＰからなる透明な支持体層を発光部の最表層に接合させて設ける場合、その発光部の最表層を、発光部を構成するその他のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層とは格子定数を異にするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料から構成すると、透明な支持体層を接合させるのに際して発光部へ印加される応力を緩和する作用を発揮できるとされている（上記ｃの段落【００１４】）。
　そして、当業者であれば、この作用が、上記（ａ）のように、発光部の最表層に相当する層がＧａＰ層であっても奏することが把握できると認められる。
（ｄ）発光部の最表層を非化学量論的な組成のＧａXＰ1-X（０．５＜Ｘ＜０．７）から構成することは好適とされているにとどまる（上記ｃの段落【００１５】）。
　以上によれば、当業者は、発光部の最表層がＧａＰ層であっても、「燐化ガリウム（ＧａＰ）からなる透明な支持体層を発光部の最表層に接合させて設ける場合、その発光部の最表層を、発光部を構成するその他のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層とは格子定数を異にするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料から構成すると、透明な支持体層を接合させるのに際して発光部へ印加される応力を緩和する作用を発揮できる。これにより、接合時における発光層の損傷を防止でき、例えば、所望の波長の光を出射できる化合物半導体ＬＥＤを安定して提供するのに貢献できる。発光部の最表層の層厚は、透明な支持体層の接合時に、発光部へ印加される応力を充分に緩和するために０．５μｍ以上とするのが好適である。一方で、その最表層の層厚を極端に厚くすると、他の発光部構成層とは格子定数を相違する関係から、最表層を設ける段階で発光層に応力が印加されてしまう。これを避けるために最表層の層厚は２０μｍ以下とするのが好適である。」（上記ｃの段落【００１４】）との記載事項を満足することを把握できると認められる。
（イ）上記（ア）の各記載によれば、引用例１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　「組成式（ＡｌXＧａ1-X）YＩｎ1-YＰ（０≦Ｘ≦１，０＜Ｙ≦１）から成る発光層を含む発光部を有し、該発光部を含む化合物半導体層を透明基板と接合された発光ダイオードにおいて、発光ダイオードの主たる光取り出し面に第１の電極と、第１の電極と極性の異なる第２の電極とを有し、第２の電極は第１の電極と対向する側に露出させた化合物半導体層上に形成され、透明基板の側面は、発光層に近い側では発光層の発光面に対して略垂直である第１の側面と、発光層に遠い側では発光面に対して傾斜している第２の側面を有する発光ダイオードであって、
　発光層は、多重量子井戸構造とされ、障壁層及び井戸層を構成する（ＡｌXＧａ1-X）YＩｎ1-YＰ（０≦Ｘ≦１，０＜Ｙ≦１）の組成は、所望の発光波長を帰結する量子準位が井戸層内に形成される様に決定され、
　発光部は、発光層と、放射再結合をもたらすキャリア及び発光を発光層に閉じ込めるために、発光層の両側に対峙して配置したｐ型およびｎ型の各クラッド層を含む、所謂、ダブルヘテロ構造とされ、
　透明基板が、ｎ型のＧａＰ単結晶であり、
　発光部は、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）などのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶基板上に形成され、
　発光部の最表層は、ＧａＰ層であり、
　燐化ガリウム（ＧａＰ）からなる透明基板を発光部の最表層に接合させて設ける場合、その発光部の最表層を、発光部を構成するその他のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層とは格子定数を異にするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料から構成して、透明な支持体層を接合させるのに際して発光部へ印加される応力を緩和する作用を発揮できるようにし、
　発光部の最表層の層厚は、透明な支持体層の接合時に、発光部へ印加される応力を充分に緩和するために０．５μｍ以上とされるとともに、その最表層の層厚を極端に厚くすると、他の発光部構成層とは格子定数を相違する関係から、最表層を設ける段階で発光層に応力が印加されてしまうことを避けるために最表層の層厚は２０μｍ以下とされ、
　発光部の最表層に前記透明基板を接合させ、発光部を機械的に支持できる状態とした後、その発光部を形成するために利用した砒化ガリウム（ＧａＡｓ）などのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶基板を除去し、発光の外部への取り出し効率を向上させ、従って、高輝度の化合物半導体ＬＥＤを構成でき、
　赤色を発光可能である
　発光ダイオード。」
イ　引用例２
（ア）原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である、T.M.Ritter, et al., Energy Level Alignments in Strained-Layer GaInP/AlGaInP Laser Diodes: Model Solid Theory Analysis of Pressure-Photoluminescence Experiments, physica status solidi(b), Vol.211, No 2, pp.869-883（１９９９年発行、以下「引用例２」という。）には、図とともに次の記載がある。
「
Ga
0.4
In
0.6
P/(Al
0.6
Ga
0.4
)
0.5
In
0.5
P QW structures
commonly used in
LEDs
Both samples were grown on Si-doped GaAs substrates
The active well widths are 125 and 30Å, both compressively strained by 0.8% at 10
5
 Pa and room temperature to match the GaAs substrate. This results in PL emissions at 675 and 633nm, respectively.
（当審による訳）
「Ｇａ０．４Ｉｎ０．６Ｐ／（Ａｌ０．６Ｇａ０．４）０．５Ｉｎ０．５ＰのＱＷ（当審注：量子井戸（引用例２の８６９頁下から６行参照。））構造は、６００ｎｍ帯のレーザダイオードやＬＥＤで一般に用いられる、比較的高いバンドギャップのＩＩＩ−Ｖ族４元系である［１３］。この作業で測定された２つの試料は、ＯＭＶＰＥ（当審注：有機金属気相エピタキシャル法）を使用する商業的な応用のために製造され、それらの多層構造の概略図が図２に示されている。両方の試料は、Ｇａ０．４Ｉｎ０．６Ｐ活性領域が閃亜鉛鉱の相にあるとともに、ＣｕＰｔ型配列を示さないことを確保するために、（０００１）面から１０°チルトされたＳｉドープＧａＡｓ基板上に成長された。活性井戸の幅は１２５Åと３０Åであり、両方ともＧａＡｓ基板に整合するために、１０５Ｐａ（当審注：概ね大気圧である。）かつ室温において０．８％圧縮的に歪んでいる。これは、それぞれ、６７５ｎｍと６３３ｎｍのＰＬ発光を生じる。」
（イ）以上によれば、引用例２には、以下の事項が記載されていると認められる。
「Ｇａ０．４Ｉｎ０．６Ｐ／（Ａｌ０．６Ｇａ０．４）０．５Ｉｎ０．５Ｐの量子井戸構造が、ＬＥＤで一般に用いられること、及び、この量子井戸構造をＳｉドープＧａＡｓ基板上に成長させ、活性井戸の幅が１２５Åで、ＧａＡｓ基板に整合するために０．８％圧縮的に歪んだ状態において、６７５ｎｍのＰＬ発光が生じること。」
ウ　引用例３
（ア）原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開平１１−８７７６４号公報（以下「引用例３」という。）には、図とともに次の記載がある。
ａ　「【発明の属する技術分野】」、
「本発明は、半導体レーザー、
半導体発光ダイオード等の半導体発光装置、特に活性層部分に圧縮歪みまたは引っ張り歪みを持つ半導体発光装置
ｂ　「【発明が解決しようとする課題】」、
「しかしながら、上述したような、ウエル層に歪みを導入したり、バリア層にこの歪みを補償する構造は、半導体層のエピタキシャル成長に当たって、例えばその構成材料のＩｎに対するＧａの組成比を増減することで行うものであるが、実際には、エピタキシャル成長条件の微妙なずれ、すなわち成長温度、キャリア濃度のずれによって、導入する歪み量が大きく変動するものであり、半導体発光装置の特性に大きな影響を与えて安定して均一な特性を有するこの種の半導体発光装置を製造しにくいという問題がある。」（段落【０００７】）、
「また、エピタキシャル成長後のこれらのウエル層や、バリア層に導入した歪み量は、その成長層厚が薄いために、評価手段によって定量的に測定することができないものであり、このために、そのまま電極形成等の次のプロセス工程に移行することになる。」（段落【０００８】）、
「また、昨今、歪みが完全に結晶内で吸収されて、活性層付近の成長層にしか、その影響が波及しないということについても、反論が生じてきている。」（段落【０００９】）、
「本発明においては、複雑な構造を有する歪み量子井戸半導体レーザー等の歪み半導体発光装置において、その積層半導体全体に対する歪みの影響の波及を効果的に抑制することができるようにした半導体発光装置とその製造方法を提供するものである。」（段落【００１０】）
ｃ　「【課題を解決するための手段】」、
「本発明による半導体発光装置は、化合物半導体基体上に、少なくともバッファ層と、第１導電型の第１クラッド層と、活性層と、第２導電型の第２クラッド層と、一方の電極がオーミックコンタクトされるキャップ層とを有する積層半導体層が形成され、その活性層に圧縮歪みを有し、バッファ層およびキャップ層の少なくとも一方が、引っ張り歪みを有する構成とする。」（段落【００１１】）、
「上述の本発明によれば、
それぞれその厚さが比較的厚いバッファ層およびキャップ層の少なくとも一方に、活性層に導入した歪みとは逆、すなわち、活性層に導入する歪みが圧縮歪みである場合は引張り歪みを生じさせるようにし、活性層に導入する歪みが引っ張り歪みである場合には圧縮歪みを生じさせるようにしたことから、必要充分に活性層における歪みを、積層半導体全体として相殺ないしは所要の補償を行って、その歪みを実質ゼロにするとか、あるいはゼロに近い所定量に設定することができる。
ｄ　「【発明の実施の形態】」、
「尚、上述した例では、バッファ層２およびキャップ層７の双方に、それぞれ歪み層２１および２２を形成した場合であるが、いずれか一方にのみ歪み層を形成することもできる。また、上述した例では、いわゆるＤＨ型半導体レーザー構成とした場合であるが、ＳＣＨ(Separate Confinement Heterostructure)構造とすることもでき、活性層４においてＭＱＷ構造としたが、これに限られるものではなく、また、各種の半導体レーザーあるいは
半導体発光ダイオード等の半導体発光装置構造を採ることができる
ｅ　「【発明の効果】」、
「上述したように、本発明によれば、活性層において圧縮歪みを導入する構造とする場合は、バッファ層および／またはキャップ層に引っ張り歪みを有する第１および第２の歪み層を形成するものであり、活性層において引っ張り歪みを導入する構造とする場合は、バッファ層および／またはキャップ層に圧縮歪みを有する第１および第２の歪み層を形成するものであるので、活性層における歪みを、積層半導体層全体としては、相殺ないしは所要の補償を行って、その歪みをゼロもしくはゼロに近い所要の歪み量に設定することができる。」（段落【００３８】）、
「したがって、
安定した特性を有する信頼性の高い半導体発光装置を、容易に製造することができる。
「そして、この歪みを相殺する歪み層２１および２２は、それぞれ比較的厚く形成されるバッファ層２およびキャップ層７において形成するので、確実に所望の歪み量を設定することができる。」（段落【００４０】）
（イ）上記（ア）の各記載によれば、引用例３には、以下の事項が記載されていると認められる。
「活性層部分に圧縮歪みまたは引っ張り歪みを持つ半導体発光ダイオード等の半導体発光装置において、それぞれその厚さが比較的厚いバッファ層およびキャップ層の少なくとも一方に、活性層に導入した歪みとは逆の歪みを生じさせるようにしたことから、必要充分に活性層における歪みを、積層半導体全体として相殺ないしは所要の補償を行って、その歪みを実質ゼロにするとか、あるいはゼロに近い所定量に設定することができ、それによって、安定した特性を有する信頼性の高い半導体発光ダイオード等の半導体発光装置を得ることができること。」
（３）対比
ア　本件補正発明と引用発明１とを以下に対比する。
（ア）引用発明１の「発光層と、放射再結合をもたらすキャリア及び発光を発光層に閉じ込めるために、発光層の両側に対峙して配置した、ｐ型およびｎ型の各クラッド層」は、本件補正発明の「発光部」に相当する。
　そして、引用発明１では、「ｐ型およびｎ型の各クラッド層を含む、所謂、ダブルへテロ構造とされ」ているから、発光部が「ｐｎ接合型の」ものであることは明らかである。
（イ）引用発明１の「発光層」は、「多重量子井戸構造とされ、障壁層及び井戸層を構成する（ＡｌXＧａ1-X）YＩｎ1-YＰ（０≦Ｘ≦１，０＜Ｙ≦１）の組成」とされているところ、引用発明１の「障壁層」が本件補正発明の「バリア層」に相当し、引用発明１の「井戸層」と本件補正発明の「歪発光層」とは、放射再結合をする層（以下「放射再結合層」という。）である点で一致する。
　そして、引用発明１は、「多重量子井戸構造」に係るものであるから、放射再結合層「と、バリア層との積層構造を有し」、放射再結合層「とバリア層は交互に積層されて」いることが明らかである。
（ウ）引用発明１の「発光部」は、「発光層」、「クラッド層」及び「最表層」を含むものであり、「発光部の最表層を、発光部を構成するその他のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層とは格子定数を異にするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体材料から構成」しているから、引用発明１の「発光部の最表層」である「ＧａＰ層」と本件補正発明の「前記歪発光層及び前記バリア層の格子定数よりも小さい格子定数を有する」「発光部に積層された歪調整層」とは、「発光部に積層された」放射再結合層及びバリア層のいずれとも格子定数が異なる層である点で一致する（以下「放射再結合層及びバリア層のいずれとも格子定数が異なる層」を「格子定数相違層」という。）。
（エ）引用発明１の「化合物半導体層」は本件補正発明の「化合物半導体層」に相当する。
（オ）上記（ア）〜（エ）によれば、引用発明１は、「ｐｎ接合型の発光部と、前記発光部に積層された」格子定数相違「層とを少なくとも含む化合物半導体層を備え」ていることになる。
（カ）引用発明１の「発光部の最表層」は「ＧａＰ層」であるところ、ＧａＰは、本件補正発明の「組成式が（ＡｌＸＧａ１−Ｘ）ＹＩｎ１−ＹＰ（０≦Ｘ≦１、０．６≦Ｙ≦１）であ」るとの特定事項を備えている。
　そして、引用発明１では、ｎ型のＧａＰ単結晶が「透明」基板であるとされているから、「発光部の最表層」である「ＧａＰ層」も、「発光波長に対して透明である」と認められる。
（キ）本件補正発明の「プラス歪」と「マイナス歪」に関し、本件補正後の明細書の段落【００５４】には、「・・・図６に示すように、歪調整層８の格子定数は、基準となるＧａＡｓ基板の格子定数より小さい側にある。この状態を−（マイナス）歪とする。これに対して、発光層１０における歪発光層１２の格子定数は、基準となるＧａＡｓ基板の格子定数よりも大きい側にある。これを＋（プラス）歪とする。・・・」との記載がある。そうすると、「プラス歪」は、基準となるＧａＡｓ基板の格子定数よりも大きいことによって生じる歪みを少なくとも含むものと解され、「マイナス歪」は、基準となるＧａＡｓ基板の格子定数よりも大きいことによって生じる歪みを少なくとも含むものと解される。
　そして、引用発明１は、「発光部は、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）などのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶基板上に形成され」るものであるから、発光部の最表層のＧａＰ層は「マイナス歪を有し」ていると認められる。
イ　以上によれば、本件補正発明と引用発明１とは、
「ｐｎ接合型の発光部と、前記発光部に積層された格子定数相違層とを少なくとも含む化合物半導体層を備え、
　前記発光部は、放射再結合層と、バリア層との積層構造を有し、放射再結合層とバリア層は交互に積層されており、
　格子定数相違層は、組成式が（ＡｌＸＧａ１−Ｘ）ＹＩｎ１−ＹＰ（０≦Ｘ≦１、０．６≦Ｙ≦１）であり、発光波長に対して透明であると共に前記放射再結合層及び前記バリア層のいずれとも格子定数が異なるとともに、
　格子定数相違層がマイナス歪を有する
　発光ダイオード。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
［相違点］
　放射再結合層、バリア層、発光部の発光スペクトルのピーク波長及び格子定数相違層について、本件補正発明では、放射再結合層が、プラス歪を有する歪発光層であって、組成式ＧａＸＩｎ１−ＸＰ（０．３７≦Ｘ≦０．４６）からなり、厚さが８〜３０ｎｍの範囲であって、８〜４０層含まれており、バリア層の組成式が（ＡｌＸＧａ１−Ｘ）ＹＩｎ１−ＹＰ（０．３≦Ｘ≦０．７、０．４８≦Ｙ≦０．５２）であり、発光部の発光スペクトルのピーク波長が、６５５〜６７５ｎｍの範囲であり、格子定数相違層が歪調整層であり、厚さが３〜１５μｍの範囲であって、放射再結合層である歪発光層及びバリア層の格子定数よりも小さい格子定数を有するのに対し、引用発明１では、そのような特定がない点。
（４）相違点についての判断
ア　上記［相違点］の検討
　引用発明１では、発光層は、多重量子井戸構造とされ、障壁層及び井戸層を構成する（ＡｌXＧａ1-X）YＩｎ1-YＰ（０≦Ｘ≦１，０＜Ｙ≦１）の組成は、所望の発光波長を帰結する量子準位が井戸層内に形成される様に決定されており、赤色を発光するものである。
　しかるところ、引用例２には、Ｇａ０．４Ｉｎ０．６Ｐ／（Ａｌ０．６Ｇａ０．４）０．５Ｉｎ０．５Ｐの量子井戸構造が、ＬＥＤで一般に用いられること、及び、この量子井戸構造をＳｉドープＧａＡｓ基板上に成長させ、活性井戸の幅が１２５Åで、ＧａＡｓ基板に整合するために０．８％圧縮的に歪んだ状態において、６７５ｎｍのＰＬ発光が生じることが記載されている。ここで、上記量子井戸構造では、活性井戸（井戸層、放射再結合層）がＧａ０．４Ｉｎ０．６Ｐであって、障壁層が（Ａｌ０．６Ｇａ０．４）０．５Ｉｎ０．５Ｐであると認められ、これらの組成は、ともに、引用発明１の組成を満足する。
　さらに、ＬＥＤの赤色とされる発光波長として、引用例２記載の波長を含む領域のものが求められることは本願の優先日時点で周知であり、例えば、特開平９−３７６４８号公報の段落【０００７】・【０００８】ではピーク波長が６００〜７００ｎｍとされ、特開平９−２５２６５１号公報の段落【０００８】では波長領域６３０ｎｍ〜６８０ｎｍとされ、特開平１０−４２１６号公報の段落【００２１】では発光波長が６００ｎｍから７００ｎｍであるとされている。
　そうすると、引用発明１の赤色の発光波長として、上記周知技術において求められる発光波長を得るために、引用例２記載の量子井戸構造の井戸層（放射再結合層）の組成及び厚さ並びにバリア層の組成を採用して、上記［相違点］に係る特定事項のうち、「放射再結合層が、」「組成式ＧａＸＩｎ１−ＸＰ（０．３７≦Ｘ≦０．４６）からなり、厚さが８〜３０ｎｍの範囲であって、」「バリア層の組成式が（ＡｌＸＧａ１−Ｘ）ＹＩｎ１−ＹＰ（０．３≦Ｘ≦０．７、０．４８≦Ｙ≦０．５２）であり、」「発光部の発光スペクトルのピーク波長が、６５５〜６７５ｎｍの範囲であ」るようにすることは、当業者が適宜なし得たことである。そして、その結果、引用発明１の井戸層（放射再結合層）は、その組成からみて、「歪発光層」となるとともに「プラス歪を有す」ることにもなり、また、引用発明１の格子定数相違層に相当する層はＧａＰ層は、その組成からみて、「歪発光層及びバリア層の格子定数よりも小さい格子定数を有する」ことになり、「歪調整層」になるものと認められる。
　そして、引用発明１の井戸層（放射再結合層）の層数については、引用例１の実施例では２０対とされている（上記（２）ア（ア）ｄの段落【００３４】）ことからみて、上記［相違点］に係る特定事項のうち、「歪発光層が８〜４０層含まれて」いるようにすることは、当業者が適宜設計し得た程度のものである。
　また、引用発明１のＧａＰ層の厚さは、０．５μｍ以上２０μｍ以下であるとされているところ、引用例１の実施例では９μｍとされている（上記（２）ア（ア）ｄの段落【００３６】）ことにも照らすと、上記［相違点］に係る特定事項のうち、歪調整層の「厚さが３〜１５μｍの範囲であ」るようにすることは、当業者が適宜設計し得た程度のものである。
イ　本件補正発明の作用効果について
（ア）「歪調整層」に関する作用効果について
ａ　本件補正発明では、「歪調整層」に関し、「発光部に積層され」ていること、「厚さが３〜１５μｍの範囲であって、発光波長に対して透明であると共に前記歪発光層及び前記バリア層の格子定数よりも小さい格子定数を有」していること、「マイナス歪」を有していることが特定されているところ、その作用効果について、本件補正後の明細書には以下の記載がある。
「・・・また、本発明の発光ダイオードには、発光部上に歪調整層が設けられている。この歪調整層は、発光波長に対して透明であるため、発光部からの発光を吸収することなく高出力・高効率の発光ダイオードとすることができる。さらに、この歪調整層は、ＧａＡｓ基板の格子定数よりも小さい格子定数を有しているため、この半導体化合物層の反りの発生を抑制することができる。これにより、歪発光層の歪量のばらつきが低減されるため、単色性に優れた発光ダイオードとすることができる。
　したがって、本発明の発光ダイオードによれば、６５５ｎｍ以上の発光波長を有し、単色性に優れると共に、高出力・高効率であって応答速度が速い発光ダイオードを提供することができる。また、本発明の発光ダイオードによれば、従来のＡｌＧaＡｓ系の発光ダイオードと比較して、約４倍以上の発光効率を有する高出力発光ダイオードを提供することができる。」（段落【００１９】）、
「歪調整層８は、図４に示すように、発光部７の下方に設けられている。この歪調整層８は、ＧａＡｓ基板上に化合物半導体層２をエピタキシャル成長させる際に、歪発光層１２によって生じた歪を緩和させるために設けられたものである。
　また、歪調整層８は、発光部７（発光層１０）からの発光波長に対して透明である。
　さらに、歪調整層８は、歪発光層１２及びバリア層１３の格子定数よりも小さい格子定数を有している。更にまた、歪調整層８は、化合物半導体層２の形成（エピタキシャル成長による形成）に用いたＧａＡｓ基板の格子定数よりも小さい格子定数を有している。より具体的には、後述する組成から得られる歪調整層８の格子定数をＡ、バリア層１３の格子定数をＢ、歪発光層１２の格子定数をＣとした場合に、Ａ＜Ｂ＜Ｃとなる関係を有している。」（段落【００４８】）、
「歪調整層８としては、（ＡｌＸＧａ１−Ｘ）ＹＩｎ１−ＹＰ（０≦Ｘ≦１、０．６≦Ｙ≦１）の組成を有する材料を適用することができる。上記Ｘは、化合物半導体層２の素子構造にもよるが、Ａｌ濃度が低い材料が化学的に安定であることから、０．５以下であることが好ましく、０であることがより好ましい。また、上記Ｙの下限値は、０．６以上であることが好ましい。ここで、発光層１０（歪発光層１２）の有する歪量が同じ場合を比較すると、上記Ｙの値が小さいほうが歪調整層８の歪調整効果が小さくなる。このため、歪調整層８の層厚を厚くする必要が生じ、歪調整層８の成膜時の成長時間とコストが上昇してしまうため、上記Ｙの値は０．６以上であることが好ましく、０．８以上であることがより好ましい。」（段落【００４９】）、
「また、歪調整層８としては、発光波長に対して透明であり、ＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ１−ＹＰＹ（０≦Ｘ≦１、０．６≦Ｙ≦１）の組成を有するＩＩＩ−Ｖ属半導体材料も好適に用いることができる。上記組成を有する歪調整層８では、Ｙの値によって格子定数が変化する。上記Ｙの値が大きい方が、格子定数が小さくなる。また、発光波長に対する透明度は、上記Ｘ及びＹの値の双方に関連する為、透明な材料となるようにＸ及びＹの値を選択すれば良い。」（段落【００５０】）、
「さらに、歪調整層８として、ＧａＰ、好ましくは、例えばＭｇドープしたｐ型のＧａＰを用いることが好ましい。このＧａＰは、組成の調整が不要であると共に歪調整効果が大きいため、生産性及び安定性の面からも歪調整層８の材料として最も適している。」（段落【００５１】）、
「歪調整層８は、化合物半導体層２をエピタキシャル成長させる際に用いた基板であるＧａＡｓ基板の格子定数よりも小さい格子定数を有しているため、歪発光層１２が包含する歪量のばらつきを緩和する機能を備えている。このため、歪調整層８を設けることにより、発光波長などの特性の均一化、クラック発生等の結晶欠陥の発生防止の効果がある。ここで、歪調整層８の層厚は、０．５〜２０μｍの範囲であることが好ましく、３〜１５μｍの範囲であることがより好ましい。層厚が０．５μｍ未満であると、歪発光層１２の歪量のばらつきを緩和するのに十分ではなく、層厚が２０μｍを超えると成長時間が長くなり、製造コストが増加するために好ましくない。」（段落【００５２】）、
「このように、歪調整層８の組成を制御することにより、化合物半導体層２の反りを低減することができるため、面内波長分布の小さい発光ダイオード１の作製が可能である。さらに、本実施形態のように、機能性基板３と化合物半導体層２との接合を行なう構造を有する場合にも、化合物半導体層２の反りが大きい場合は割れなどの問題が生じるため、化合物半導体層２の反りを小さくすることが望ましい。」（段落【００５３】）、
「次に、歪調整層８が、化合物半導体層２の歪を緩和するメカニズム（歪調整層８と、化合物半導体層２との格子定数の関係）について、図６を参照しながら説明する。
　図６に示すように、歪調整層８の格子定数は、基準となるＧａＡｓ基板の格子定数より小さい側にある。この状態を−（マイナス）歪とする。これに対して、発光層１０における歪発光層１２の格子定数は、基準となるＧａＡｓ基板の格子定数よりも大きい側にある。これを＋（プラス）歪とする。本発明は、歪調整層８に起因する−歪の存在が、長波長化するために歪発光層１２に導入が必要な＋歪のバラツキを小さくする効果があることを見出した。上述したように、歪発光層１２の発光波長は、歪発光層１２の層厚、組成及び歪量によって決定される。このように、歪発光層１２の発光波長に影響を与える要素が多いため、各要素のばらつきの相乗効果によって波長のバラツキが大きくなりやすい傾向がある。」（段落【００５４】）、
「例えば、歪発光層１２の層厚は３０ｎｍ以下の薄膜が望ましいが、薄い膜であるために層厚を均一に制御することは困難である。そして、層厚と導入される歪量とには相関があるため、歪発光層１２の層厚がばらつくことによって導入される歪量もばらつき、結果として歪発光層１２の発光波長がばらつくこととなる。そこで、化合物半導体層２を形成する際に、＋歪を有する歪発光層１２を含む発光部７の上方（図４では、発光部７の下方となる）に歪調整層８を設けることにより、この歪調整層８の有する−歪が、歪発光層１２の層厚のばらつきによって＋側に大きくずれた歪を−側に引き寄せて、歪発光層１２の歪量のばらつきを小さくする作用があることを見出した。この歪調整層８の効果は、歪発光層１２の歪量のばらつきの原因が歪発光層１２の組成のばらつきの場合であっても同様である。」（段落【００５５】）、
「ところで、歪調整層８のない従来の発光ダイオードでは、発光波長等の特性のばらつきが大きいため、要求された品質を満足することができなかった。これに対し、本実施形態の発光ダイオード１では、発光部７の下方に歪調整層８を設けた素子構造としている。これにより、長波長化を行うために必要な歪発光層１２の歪量が発光層１０内において均一化されて、発光波長及び出力の特性のばらつきが小さくなる。また、化合物半導体層２の表面状態も改善される。」（段落【００５６】）、
「また、発光ダイオードランプ４１の発光スペクトルは、発光層１０の組成が調整されているため、ピーク発光波長が６５５〜６７５ｎｍの範囲となる。また、歪調整層８によって歪発光層１２の発光層１０内のばらつきが抑制されているため、発光スペクトルの半値幅が、１０〜４０ｎｍの範囲となる。また、発光波長７００ｎｍにおける発光強度が、ピーク発光波長における発光強度の１０％未満となる。したがって、発光ダイオード１を用いて作製した発光ダイオードランプ４１は、植物育成の光合成の促進に使用する照明として好適に用いることができる。」（段落【００９２】）、
「以上説明したように、本実施形態の発光ダイオード１によれば、組成式（ＡｌＸＧａ１−Ｘ）ＹＩｎ１−ＹＰ（０≦Ｘ≦０．１、０．３７≦Ｙ≦０．４６）からなる歪発光層１２を有する発光部７を含む化合物半導体層２を備えている。歪発光層１２の材質にＡｌＧａＩｎＰを採用することにより、発光部７からの発光効率及び応答速度を向上することができる。また、歪発光層１２の組成を上記範囲に規定することにより、６５５ｎｍ以上の発光波長を有する発光ダイオード１とすることができる。」（段落【００９３】）、
「また、本実施形態の発光ダイオード１には、発光部７上に歪調整層８が設けられている。この歪調整層８は、発光波長に対して透明であるため、発光部７からの発光を吸収することなく高出力・高効率の発光ダイオード１とすることができる。さらに、この歪調整層８は、ＧａＡｓ基板１４の格子定数よりも小さい格子定数を有しているため、この半導体化合物層２の反りの発生を抑制することができる。これにより、歪発光層１２の歪量の発光層１０内でのばらつきが低減されるため、単色性に優れた発光ダイオード１とすることができる。」（段落【００９４】）
ｂ　上記ａの各記載を踏まえて、本件補正発明をみると、本件補正発明の「歪調整層」について以下のことが指摘できる。
（ａ）「厚さが３〜１５μｍの範囲」であることについては、層厚が０．５μｍ未満であると、歪発光層１２の歪量のばらつきを緩和するのに十分ではなく、層厚が２０μｍを超えると成長時間が長くなり、製造コストが増加するために好ましくないとされている（段落【００５２】など）。
（ｂ）「発光波長に対して透明」であることについては、発光部からの発光を吸収することなく高出力・高効率の発光ダイオードとすることができるとされている（段落【００１９】など）。
（ｃ）「前記歪発光層及び前記バリア層の格子定数よりも小さい格子定数を有する」ことについては、歪調整層８が、化合物半導体層２をエピタキシャル成長させる際に用いた基板であるＧａＡｓ基板の格子定数よりも小さい格子定数を有しているという意味では（段落【００４８】）、半導体化合物層の反りの発生を抑制し、歪発光層１２が包含する歪量のばらつきを緩和する機能を備えることにより、発光波長などの特性の均一化、クラック発生等の結晶欠陥の発生防止の効果があるとされている（段落【００１９】・【００５２】など）。
（ｄ）「前記歪発光層がプラス歪を有し、前記歪調整層がマイナス歪を有し」ていることについては、歪調整層８に起因する−歪の存在が、長波長化するために歪発光層１２に導入が必要な＋歪のバラツキを小さくする効果があるとされている（段落【００５４】など）。
ｃ　上記作用効果の顕著性について検討する。
　引用発明１の発光部は、砒化ガリウム（ＧａＡｓ）などのＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体単結晶基板上に形成されたものであり、その最表層のＧａＰ層は、発光部を構成するその他のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体層とは格子定数を異にするものとされているから、当業者は、引用発明１のＧａＰ層を格子定数という観点から評価できるものと認められる。そして、歪が生じるかどうかに関し格子定数が依存することは技術常識である。
　他方、引用例２には、活性井戸であるＧａ０．４Ｉｎ０．６Ｐが、ＧａＡｓ基板上に成長されたものであり、ＧａＡｓ基板に整合するために、０．８％圧縮的に歪んでいることが記載されている。
　そして、引用例３のとおり、活性層部分に圧縮歪みまたは引っ張り歪みを持つ半導体発光ダイオード等の半導体発光装置において、それぞれその厚さが比較的厚いバッファ層およびキャップ層の少なくとも一方に、活性層に導入した歪みとは逆の歪みを生じさせるようにしたことから、必要充分に活性層における歪みを、積層半導体全体として相殺ないしは所要の補償を行って、その歪みを実質ゼロにするとか、あるいはゼロに近い所定量に設定することができ、それによって、安定した特性を有する信頼性の高い半導体発光ダイオード等の半導体発光装置を得ることができることは知られている。
　そうすると、当業者であれば、上記アのとおり、引用発明１に引用例２記載の量子井戸構造の放射再結合層の組成及び厚さ並びにバリア層の組成を採用した場合において、引用例３に照らせば、引用発明１のＧａＰ層が、放射再結合であるＧａ０．４Ｉｎ０．６Ｐに対して一定の歪補償作用をもたらすことにより、一定程度安定した特性を有する発光ダイオードを得ることを予想できたものと認められる。
　以上の点に加え、引用例１及び引用例２の記載に照らせば、本件補正発明所定の「歪調整層」を設けたことによる作用効果を、格別顕著なものであると認めることはできない。
（イ）その他の作用効果について
　引用例１、２に記載された事項及び上記周知技術に照らして格別のものとはいえない。
ウ　小括
　したがって、本件補正発明は、引用発明１、引用例１〜３に記載された事項及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
（５）本件補正についてのむすび
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項で準用する同法第１２６条第７項の規定に違反してなされたものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２６年４月１８日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２５年１１月１４日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１９に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される、前記第２の［理由］１（１）に記載のとおりのものである。
２　引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例１〜３及びその記載事項は、前記第２の［理由］２（２）に記載したとおりである。
３　対比・判断
　本願発明は、前記第２の［理由］２で検討した本件補正発明から、「歪調整層」の組成式並びに「歪発光層」及び「歪調整層」の歪の符号に係る限定事項を削除したものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記第２の［理由］２（３）・（４）に記載したとおり、引用発明１、引用例１〜３に記載された事項及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明１、引用例１〜３に記載された事項及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。