【事件の表示】
　特許第３１８４３４１号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第３１８４３４１号に係る明細書及び図面を本件審判請求書に添付された訂正明細書及び図面のとおり訂正することを認める。
【理　由】
１．請求の要旨
　本件審判請求の趣旨は、特許第３１８４３４１号の明細書を審判請求書に添付された訂正明細書のとおり、すなわち下記２．（１）〜（９）のとおり訂正することを求めるものである。
　
２．訂正の内容
（１）訂正事項１
　明りょうでない記載の釈明を目的として、
　発明の名称において、「窒素−３族元素化合物半導体発光素子及び製造方法」を「窒素−３族元素化合物半導体発光素子」と訂正する。
　
（２）訂正事項２
　特許請求の範囲の減縮を目的として、
　特許請求の範囲の請求項１において、「前記サファイア基板上に、温度４００℃〜８００℃において、非品質のＡｌｘＧａ１−ｘＮ；０＜Ｘ＜１が厚さ１００Å〜５００Åに形成されたバッファ層と、」を「前記サファイア基板上に温度約４００℃、厚さ約５００Åで形成することにより、無定形構造の中に多結晶又は微結晶が混在した状態とした非晶質のＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎから成るバッファ層と、」
と訂正する。
　
（３）訂正事項３
　明りょうでない記載の釈明を目的として、
　特許請求の範囲の請求項１において、「前記バッファ層の上に形成されたシリコン（Ｓｉ）がドープされたｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（一般式ＡｌＸ１ＧａＹ１Ｉｎ１−Ｘ１−Ｙ１Ｎ、０≦Ｘ１≦１，０≦Ｙ１≦１，０≦Ｘ１＋Ｙ１≦１）から成るｎ層と、前記ｎ層の上に形成されたインジウム（Ｉｎ）を含むノンドープの窒素−３族元素化合物半導体（一般式ＡｌＸ２ＧａＹ２Ｉｎ１−Ｘ２−Ｙ２Ｎ、０≦Ｘ２≦１，０≦Ｙ２≦１，０≦Ｘ２＋Ｙ２≦１）から成る発光層と、前記発光層上に形成されたマグネシウム（Ｍｇ）がドープされたｐ型の窒素−３族元素化合物半導体（一般式ＡｌＸ３ＧａＹ３Ｉｎ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ、０≦Ｘ３≦１，０≦Ｙ３≦１，０≦Ｘ１＋Ｙ１≦１）から成るｐ層とを有する」を
　「前記バッファ層の上に形成されたシリコン（Ｓｉ）がドープされたｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）から成るｎ層と、前記ｎ層の上に形成されたインジウム（Ｉｎ）を含むノンドープの窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙを含む）から成るｎ型の層と、前記ｎ型の層上に形成されたマグネシウム（Ｍｇ）がドープされたｐ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）から成るｐ層とを有する」
と訂正する。
　
（４）訂正事項４
　特許請求の範囲の減縮を目的として、
　特許請求の範囲の請求項２乃至請求項６を削除する。
　
（５）訂正事項５
　誤記の訂正を目的として、
　特許掲載公報の段落０００４において、「窒素−３属元素化合物半導体」を、「窒素−３族元素化合物半導体」に訂正する。
　
（６）訂正事項６
　明りょうでない記載の釈明を目的として、
　特許掲載公報の段落０００５において、「請求項１の発明は、サファイア基板と、サファイア基板上に、温度４００℃〜８００℃において、非晶質のＡｌｘＧａ１−ＸＮ；０＜Ｘ＜１が厚さ１００Å〜５００Åに形成されたバッファ層と、バッファ層の上に形成されたシリコン（Ｓｉ）がドープされたｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（一般式ＡｌＸ１ＧａＹ１Ｉｎ１−Ｘ１−Ｙ１Ｎ、０≦Ｘ１≦１，０≦Ｙ１≦１，０≦Ｘ１＋Ｙ１≦１）から成るｎ層と、ｎ層の上に形成されたインジウム（Ｉｎ）を含むノンドープの窒素−３族元素化合物半導体（一般式ＡｌＸ２ＧａＹ２Ｉｎ１−Ｘ２−Ｙ２Ｎ、０≦Ｘ２≦１，０≦Ｙ２≦１，０≦Ｘ２＋Ｙ２＜１）から成る発光層と、発光層上に形成されたマグネシウム（Ｍｇ）がドープされたｐ型の窒素−３族元素化合物半導体（一般式ＡｌＸ３ＧａＹ３Ｉｎ１−Ｘ３−Ｙ３Ｎ、０≦Ｘ３≦１，０≦Ｙ３≦１，０≦Ｘ１＋Ｙ１≦１）から成るｐ層とを有することを特徴とする。」を　
「請求項１の発明は、サファイア基板と、前記サファイア基板上に温度約４００℃、厚さ約５００Åで形成することにより、無定形構造の中に多結晶又は微結晶が混在した状態とした非晶質のＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎから成るバッファ層と、前記バッファ層の上に形成されたシリコン（Ｓｉ）がドープされたｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）から成るｎ層と、前記ｎ層の上に形成されたインジウム（Ｉｎ）を含むノンドープの窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）から成るｎ型の層と、前記ｎ型の層上に形成されたマグネシウム（Ｍｇ）がドープされたｐ型の窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）から成るｐ層とを有することを特徴とする。」と訂正する。
　
（７）訂正事項７
　明りょうでない記載の釈明を目的として、
　特許掲載公報の段落０００５において、「また、請求項２の発明は、非晶質のＡｌＸＧａ１−ＸＮ；０＜Ｘ＜１が厚さ１００Å〜５００Åに形成されたバッファ層は、多結晶又は微結晶の存在割合が１〜９０％であることを特徴とする。請求項３の発明は、ｐ層は、窒素−３族元素化合物半導体を低抵抗化したことを特徴とする。請求項４の発明は、発光層はｎ伝導型であることを特徴とする。請求項５の発明は、サファイア基板上に窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）から成る層をエピタキシャル成長させる方法において、サファイア基板上に、温度４００℃〜８００℃において、厚さ１００Å〜５００Åの非晶質のＡｌＸＧａ１−ＸＮ；０＜Ｘ＜１から成るバッファ層を成長させ、そのバッファ層上に温度１０００℃〜１２００℃で窒素−３族元素化合物半導体（ＡｌＸＧａＹＩｎ１−Ｘ−ＹＮ；Ｘ＝０，Ｙ＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）をエピタキシャル成長させることを特徴とする。請求項６の発明は、バッファ層を、多結晶又は微結晶の存在割合が１〜９０％となるよう成長させることを特徴とする。」を削除する。
　
（８）訂正事項８
　明りょうでない記載の釈明を目的として、
　特許掲載公報の段落０００６において、「上記のように、請求項１及び請求項５では、サファイア基板上に、温度４００℃〜８００℃において、厚さ１００Å〜５００ÅのＡｌＸＧａ１−ＸＮ；０＜Ｘ＜１から成る非晶質のバッファ層を形成した結果、その上にエピタキシャル成長されるシリコン（Ｓｉ）がドープされたｎ型の窒素−３族元素化合物半導体から成るｎ層、インジウム（Ｉｎ）を含むノンドープの窒素−３族元素化合物半導体からなる発光層、マグネシウム（Ｍｇ）がドープされた窒素−３族元素化合物半導体から成るｐ層の結晶性を向上させることができた。即ち、各半導体層を良結晶性で導電率を高くすることができる結果、発光層への注入効率が向上するために発光強度が向上し、駆動電圧が低下する。また、ダブルヘテロ接合が可能となり、発光波長の調整及び発光層での電子と正孔の閉じ込めによる発光強度を向上できる。請求項２及び請求項６では、多結晶又は微結晶の存在割合が１〜９０％であることから、無定形構造の中に、多結晶又は微結晶が混在した状態とすることができ、上層の窒素−３族元素化合物半導体層を更に良結晶性で導電率をより高くすることができる。請求項３では、低抵抗化のｐ層により発光強度を向上できる。請求項４では、発光層をｎ伝導型とすることで、発光強度が向上する。」を「上記のように、本発明では、サファイア基板上に、温度約４００℃、厚さ約５００Åで形成することにより、無定形構造の中に多結晶又は微結晶が混在した状態とした非晶質のＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎから成るバッファ層を形成した結果、その上にエピタキシャル成長されるシリコン（Ｓｉ）がドープされたｎ型の窒素−３族元素化合物半導体から成るｎ層、インジウム（Ｉｎ）を含むノンドープの窒素−３族元素化合物半導体からなるｎ型の層、マグネシウム（Ｍｇ）がドープされた窒素−３族元素化合物半導体から成るｐ層の結晶性を向上させることができた。この結果、発光素子の発光輝度が向上した。」と訂正する。
　
（９）訂正事項９
　明りょうでない記載の釈明を目的として、
　特許掲載公報の段落０００８において、「膜厚約１．５μｍのＧａＮ から成る発光層である低キャリア濃度ｎ層４が形成されており、」を「膜厚約１．５μｍのＧａＮ から成る低キャリア濃度ｎ層４が形成されており、」に訂正する。
　
３．当審の判断
３−１．訂正について
（１）訂正事項１は、特許請求の範囲の訂正に伴い、発明の名称を訂正するものであり、明りょうでない記載の釈明である。
　
（２）訂正事項２は、バッファ層を形成する温度、厚さ、組成比、結晶状態を、特許明細書の【００１２】における「次に、温度を４００℃まで低下させて、・・・ＡｌＸＧａ１−ＸＮ（Ｘ＝０．１）のバッファ層２が約５００Åの厚さに形成された。」及び【００２１】における「バッファ層の結晶構造は無定形構造の中に、多結晶又は微結晶が混在した状態」との記載に基づいて限定したものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載された事項の範囲内でなされたものである。
　
（３）訂正事項３は、下記の理由ア）、イ）により、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　ア）「ｎ層の上に形成されたインジウム(Ｉｎ)を含むノンドープの窒素−３族元素化合物半導体発光層」は、願書に最初に添付された明細書から特許明細書まで一貫して記載されている段落【００１０】〜【００１８】の記載からみて、実施例の「低キャリヤ濃度ｎ層４」に対応するものと認められ、これは「ｎ型の層」であること、また、特許明細書の【００１８】の記載からみて、「低キャリヤ濃度ｎ層４」のみが「発光層」でないことは明らかであることから、上記「発光層」を「ｎ型の層」とすることは明りょうでない記載の釈明である。
　イ）ｎ層、ｎ層上の層、ｐ層のＡｌ及びＧａの組成比、Ｘ１，Ｙ１、Ｘ２，Ｙ２、Ｘ３，Ｙ３をＸ、Ｙとする訂正は、上記各層の組成比が異なる組成となることが不明確であったのを、特許明細書の実施例の記載に整合させ、かつ、出願当初明細書の記載の範囲内に戻すように訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明である。
　
（４）訂正事項４は、請求項２〜６を削除するものであるから、特許請求の範囲の減縮に該当する。
　
（５）訂正事項５は、願書に最初に添付した明細書中の他の記載からみても、明らかな誤記の訂正に該当する。
　
（６）訂正事項６ないし訂正事項９は、特許請求の範囲の訂正に伴い、発明の詳細な説明の、課題解決手段の欄、作用及び発明の効果の欄等の記載をこれと整合させるためのものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当する。
　
（７）訂正についてのまとめ
　以上のとおり、訂正事項１ないし訂正事項９はいずれも、特許請求の範囲の減縮、明りょうでない記載の釈明又は誤記の訂正を目的とし、願書に添付した（誤記の訂正に関しては願書に最初に添付した）明細書又は図面に記載された事項の範囲内においてなされたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
３−２．独立特許要件について
　訂正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された発明（以下、「訂正発明」という。）の独立特許要件について検討する。
　
（１）訂正発明
　訂正発明は下記のとおりのものである。
「【請求項１】　サファイア基板と、
　前記サファイア基板上に温度約４００℃、厚さ約５００Åで形成することにより、無定形構造の中に多結晶又は微結晶が混在した状態とした非晶のAl０．１Ga０．９Nからなるバッファ層と、
　前記バッファ層の上に形成されたシリコン(Si)がドープされたｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（AlXGaY1n１-X-YN；Ｘ＝０, Y＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）から成るｎ層と、
　前記ｎ層の上に形成されたインジウム(In)を含むノンドープの窒素−３族元素化合物半導体（AlXGaY1n１-X-YN；Ｘ＝０, Y＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）から成るｎ型の層と、
　前記ｎ型の層上に形成されたマグネシウム(Mg)がドープされたｐ型の窒素−３族元素化合物半導体（AlXGaY1n１-X-YN；Ｘ＝０, Y＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）から成るｐ層とを有する窒素−３族元素化合物半導体発光素子。」
　
（２）引用例記載の事項
　本件特許第３１８４３４１号に対する異議２００２−７００２７号の異議申立の理由に引用された公知の刊行物である特開平４−２９７０２３号公報（以下、「引用例１」という。）には、下記の記載が認められる。
「【０００８】
　【課題を解決するための手段】
　本発明の窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法は、反応容器内に反応ガスを供給し、低温で成長させるバッファ層の上に、高温で成長させる窒化ガリウム系化合物半導体の結晶を成長させる方法であって、前記バッファ層の一般式がＧａXＡｌ1-XＮで表されることを特徴とするものである。但しＸは０＜Ｘ≦１の範囲に特定される。
【０００９】
　前記バッファ層の厚さは０．００２μｍ以上、０．５μｍ以下、さらに好ましくは０．０１〜０．２μｍの範囲に調整する。その厚さが０．０２μｍより薄く、また、０．５μｍより厚いと、バッファ層の上に形成する窒化ガリウム系化合物半導体の結晶の表面モフォロジーが悪くなる傾向にある。
【００１０】
　また前記バッファ層の成長温度は２００℃以上９００℃以下、好ましくは４００〜８００℃の範囲に調整する。２００℃より低いと、バッファ層が形成しにくく、また９００℃より高いと、バッファ層が単結晶となってしまい、以下に述べるバッファ層としての作用を果たさなくなる傾向にある。
【００１３】
　低温（約６００℃）で成長させるＡｌＮは多結晶層であり、この層が、例えばＧａＮを成長させるために約１０００℃にまで温度を上げる際、層が部分的に単結晶化する。部分的に単結晶化した部分が、１０００℃でＧａＮを成長させる時に方位の揃った種結晶となり、その種結晶からＧａＮ結晶が成長し、均一なＧａＮ単結晶層が成長できる。・・・
【００２３】
　図８に示す装置を用いて窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長を行った。
［実施例１］
　下記の工程でサファイア基板にＧａＮのエピタキシャル層を４μｍの膜厚で成長させた。・・・サセプター２の温度が５００℃に安定するまで待つ。
（７）その後、バッファー層を形成するため、反応ガス噴射管４からアンモニアガスとＨ2ガスに加えて、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）ガスを２．７×１０-5モル／分で１分間流す。
（８）次にＴＭＧガスのみを止めて、バッファ層の成長を止める。ここで膜厚０．０２μｍのバッファ層が形成できた。さらに他のガスは流しながらサセプター２の温度を１０００℃まで上昇させる。
（９）サセプター２の温度が１０２０℃まで上昇した後、反応ガス噴射管４からアンモニアガスとＨ2ガスに加えて、ＴＭＧガスを５．４×１０-5モル／分の流量で６０分間供給して、ＧａＮエピタキシャル層を、４．０μｍの膜厚で成長させる。・・・
【００２８】
［実施例２］（７）のバッファ層を形成する工程において、Ｇａ0.5Ａｌ0.5Ｎのバッファ層を　０．０２μｍの膜厚で形成する以外は、実施例１と同様にしてバッファ層の上にＧａＮエピタキシャル層を成長した。なおバッファ層を形成する際、反応ガス噴射管４からアンモニアガスと、Ｈ2 ガスに加えて、ＴＭＧを２．７×１０−５モル／分、ＴＭＡを２．７×１０−５モル／分でそれぞれ０．５分間流した。」
　これらによれば、引用例１には、
「サファイア基板にＧａＮのエピタキシャル層を介して、４００〜８００℃の温度で、０．０１〜０．２μｍの厚さのＧａXＡｌ1-XＮ（Ｘは０＜Ｘ≦１）で表されるバッファ層（実施例２では、温度５００℃、厚さ０．０２μｍのＧａ0.5Ａｌ0.5Ｎ）を形成し、その上にＧａＮエピタキシャル層を成長させること」、及び、「低温（約６００℃）で成長させるＡｌＮは多結晶層であり、この層が、例えばＧａＮを成長させるために約１０００℃にまで温度を上げる際、層が部分的に単結晶化すること」が記載されている。
　
　同じく、特開平４−２４２９８５号公報（以下、「引用例２」という。）には、下記の記載が認められる。
「【請求項４】　
　禁制帯幅の比較的小さい窒化ガリウム系化合物半導体（(Ａｌｘ’Ｇａ１−　ｙ’)　Ｉｎ１−ｙ’Ｎ：０≦ｘ’≦１，０≦ｙ’≦１,但しｘ’=ｙ’=１は含まない）から成る層を、相互に禁制帯幅及び混晶組成が同一又は異なり、前記層に対して禁制帯幅の比較的大きい窒化ガリウム系化合物半導体・・・から成るｐ型導電性を示す層とｎ型導電性を示す層との２つの層で、両側から挟んだ構造の接合を有する窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード。
【００４２】
　次に、サファイア基板１の温度を６００℃程度まで降温し、トリメチルアルミニウム(ＴＭＡ)及びアンモニア（ＮＨ３）を供給して、サファイア基板１上に５０ｎｍ程度の膜厚を持つＡｌＮ層２を形成する。　次に、ＴＭＡの供給のみを止め、基板温度を１０４０℃まで上げ、ＴＭＡ,トリメチルガリウム(ＴＭＧ)及びシラン（ＳｉＨ４）を供給しＳｉドープｎ型ＧａＡｌＮ層３（ｎ層）を成長する。
【００４３】
　一旦、ウェハを成長炉から取り出し、ＧａＡｌＮ層３の表面の一部をＳｉＯ２でマスクした後、再び成長炉に戻して真空排気して水素及びＮＨ３を供給し１０４０℃まで昇温する。次に、ＴＭＧを供給して、ＳｉＯ２でマスクされていない部分に厚さ０．５μｍのＧａＮ層４を成長させる。次に、ＴＭＡ及びビスシクロペンタディエニルマクネシウム（Ｃｐ２Ｍｇ）を更に供給してドープＧａＡｌＮ 層５（ｐ層）を ０．５μｍ成長する。」　　
　
　同じく、電気学会資料　ＥＦＭ−８７−２１（１９８７年８月１９日発行）、ＧａＡｌＮの結晶成長と光電物性　赤崎勇　他４名（以下、「引用例３」という。）５４頁には、ＡｌＮバッファ層の成長温度が８００℃よりも低い場合はアモルファス状に、それよりも高い場合には多結晶状になる傾向があったと記載されている。
　
（３）対比・判断
　訂正発明と上記引用例２に記載された事項（以下、「引用発明」という。）とを対比するに、引用発明の「ＡｌＮ層２」、「窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオード」は、訂正発明の「バッファ層」、「窒素−３族元素化合物半導体発光素子」に相当し、引用発明の「Ｓｉドープｎ型ＧａＡｌＮ層３（ｎ層）」、「ＭｇドープＧａＡｌＮ 層５（ｐ層）」は、訂正発明の「シリコン(Ｓｉ)がドープされたｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（AlXGaY1n１-X-YN；Ｘ＝０, Y＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）から成るｎ層」、「マグネシウム(Mg)がドープされたｐ型の窒素−３族元素化合物半導体（AlXGaY1n１-X-YN；Ｘ＝０, Y＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）」に相当する。また、引用発明における「禁制帯幅の比較的小さい窒化ガリウム系化合物半導体(Ａｌｘ’Ｇａ１−　ｙ’)Ｉｎ１−ｙ’Ｎ：０≦ｘ’≦１，０≦ｙ’≦１,但しｘ’=ｙ’=１は含まない）から成る層」は、訂正発明の「ｎ層の上に形成されたインジウム(In)を含むノンドープの窒素−３族元素化合物半導体（AlXGaY1n１-X-YN；Ｘ＝０, Y＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）から成るｎ型の層」に対応することは明らかである。
　したがって、両者は、「サファイア基板と、前記サファイア基板上に形成されたバッファ層と、前記バッファ層の上に形成されたシリコン(Si)がドープされたｎ型の窒素−３族元素化合物半導体（AlXGaY1n１-X-YN；Ｘ＝０, Y＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）から成るｎ層と、前記ｎ層の上に形成されたインジウム(In)を含むノンドープの窒素−３族元素化合物半導体（AlXGaY1n１-X-YN；Ｘ＝０, Y＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）から成るｎ型の層と、前記ｎ型の層上に形成されたマグネシウム(Mg)がドープされたｐ型の窒素−３族元素化合物半導体（AlXGaY1n１-X-YN；Ｘ＝０, Y＝０，Ｘ＝Ｙ＝０を含む）から成るｐ層とを有する窒素−３族元素化合物半導体発光素子。」で一致し、下記の点で相違する。
（相違点）
　訂正発明は、バッファ層を、温度約４００℃、厚さ約５００Åで形成することにより、無定形構造の中に多結晶又は微結晶が混在した状態とした非晶質のAl０．１Ga０．９Nから成る、と規定しているのに対し、引用発明のバッファ層は、温度６００℃程度、膜厚５０ｎｍ程度で形成したＡｌＮ層から成り、結晶状態については記載がない点。
　
　そこで、上記相違点に付き検討する。
　引用例１には、Ｇａ0.5Ａｌ0.5Ｎのバッファ層を５００℃で、０．０２μｍ（２００Å）の膜厚で形成すること、及び、低温（約６００℃）で成長させるＡｌＮは多結晶層であり、この層が、例えばＧａＮを成長させるために約１０００℃にまで温度を上げる際、層が部分的に単結晶化することが記載されている。
　また、引用例３には、ＡｌＮバッファ層の成長温度が８００℃よりも低い場合はアモルファス状に、それよりも高い場合には多結晶状になる傾向があることが記載されている。
　しかし、温度約４００℃、厚さ約５００Åで形成することにより、無定形構造の中に多結晶又は微結晶が混在した状態とした非晶質のAl０．１Ga０．９Nのバッファ層は、引用例１及び引用例３に記載がなく、また、この点は当該技術分野において周知の事項でもない。
　そして、訂正発明は、上記相違点の構成を有することにより、バッファ層の上に順次成長するｎ層、ｎ型の層、ｐ層の結晶性を向上させ、発光素子の発光輝度が向上するという明細書記載の作用効果を奏するものである。
　したがって、訂正発明は、引用例１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえず、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
　
３．むすび
　したがって、本件審判の請求は、特許法第１２６条第１項第１号ないし第３号に掲げる事項を目的とし、かつ同条第２項ないし第４項の規定に適合する。
　よって、結論のとおり審決する。