【事件の表示】
　特願２００９−５２００８７「分子診断における検出のためのフォトダイオード」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　１月３１日国際公開、ＷＯ２００８／０１２７０５、平成２１年１２月１７日国内公表、特表２００９−５４５１３１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、２００７年７月５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００６年７月２１日、欧州）を国際出願日とする出願であって、平成２５年４月３０日付けで手続補正がなされたが、同年８月２３日付けで拒絶査定がなされた。
　本件は、これに対し、同年１２月２５日に請求された拒絶査定不服審判であって、同日付けで手続補正がなされたものである。
　
２　平成２５年１２月２５日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　［補正の却下の決定の結論］
　平成２５年１２月２５日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　［理由］
　（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであって、その補正は、
「【請求項１】
　生物学的物質のサンプル中の目標分子の存在を検出するためのフォトダイオードであって、
　第１不純物によりドーピングされ、少なくとも３５０ｎｍの中心波長を持つスペクトル分布を有する入射放射を受ける第１半導体層と、
　第２不純物によりドーピングされた第２半導体層と、
　前記入射放射の少なくとも一部により励起された場合に、自由電子及び自由ホールを発生することができる第３半導体領域と、
を有し、
　前記入射放射は第１スペクトル分布及び第２スペクトル分布を有する放射を含み、前記第１スペクトル分布は、前記サンプルを照明する照明放射がもつスペクトル分布に等しく又はそれに対応するものであり、前記第２スペクトル分布を有する放射は、前記サンプルが前記照明放射により照明されることにより前記目標分子の存在に応じて放出されるものであり、前記第１スペクトル分布は前記第２スペクトル分布からスペクトル的にずらされており、
　前記第１半導体層は前記第１スペクトル分布を持つ入射放射を吸収することができ、該第１スペクトル分布を持つ放射の吸収は光電流を発生させず、
　前記第１半導体層は前記第２スペクトル分布を持つ入射放射を透過させることができ、
　前記第２スペクトル分布を持つ放射により発生された前記第３半導体領域における前記自由電子及び自由ホールが光電流を発生させる、
フォトダイオード。
　　【請求項２】
　請求項１に記載のフォトダイオードにおいて、前記第１半導体層が該第１半導体層の体積内で前記第１スペクトル分布を持つ放射の選択された割合を吸収するように調整された厚さを有するフォトダイオード。
　　【請求項３】
　請求項２に記載のフォトダイオードにおいて、前記第１半導体層の厚さが、１００ｎｍより大きく、好ましくは２００ｎｍより大きく、又は一層好ましくは３００ｎｍより大きいフォトダイオード。
　　【請求項４】
　請求項１に記載のフォトダイオードにおいて、前記第１半導体層が、前記第１スペクトル分布を持つ入射放射の少なくとも８０％、好ましくは少なくとも９０％又は一層好ましくは少なくとも９９％を吸収することができるフォトダイオード。
　　【請求項５】
　請求項１に記載のフォトダイオードにおいて、前記第３半導体領域が、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に配置された真性半導体物質の第３層であるフォトダイオード。
　　【請求項６】
　請求項１又は請求項５に記載のフォトダイオードにおいて、
　前記第１半導体層はアクセプタ不純物によりドーピングされたｐドーピング層であり、
　前記第２半導体層はドナ不純物によりドーピングされたｎドーピング層である、
フォトダイオード。
　　【請求項７】
　請求項１又は請求項５に記載のフォトダイオードにおいて、
　前記第１半導体層はドナ不純物によりドーピングされたｎドーピング層であり、
　前記第２半導体層はアクセプタ不純物によりドーピングされたｐドーピング層である、
フォトダイオード。
　　【請求項８】
　請求項１又は請求項５に記載のフォトダイオードにおいて、前記第１スペクトル分布と前記第２スペクトル分布との間のスペクトルのずれが少なくとも５０ｎｍ、好ましくは少なくとも１００ｎｍ、又は一層好ましくは少なくとも２００ｎｍであるフォトダイオード。
　　【請求項９】
　請求項１又は請求項５に記載のフォトダイオードにおいて、前記第１半導体層及び／又は前記第２半導体層がａ−Ｓｉ、ａ−ＳｉＣ、マイクロ結晶性Ｓｉ及び低温ポリＳｉを含む群から選択された材料から形成されるフォトダイオード。
　　【請求項１０】
　請求項１又は請求項５に記載のフォトダイオードにおいて、前記第１半導体層の上面に反射防止コーティングが塗布されるフォトダイオード。
　　【請求項１１】
　生物学的物質のサンプル中の目標分子の存在及びオプションとして量を検出することができる検出装置であって、
　目標分子を含む前記サンプルが供給され、前記目標分子と結合するためのプローブ分子が更に供給され、前記目標分子及び／又は前記プローブ分子は発光特性を持つ標識剤により標識を付され、前記標識剤は第１スペクトル分布に対応するスペクトル分布を持つ放射により照明された場合に第２スペクトル分布を持つ放射を放出する処理デバイスと、
　前記第１スペクトル分布に対応するスペクトル分布を持つ放射により前記サンプルを照明することができる照明器と、
　前記サンプルから放出される前記第２スペクトル分布及び該第２スペクトル分布からスペクトル的にずらされた前記第１スペクトル分布を有する放出放射を受けることができる請求項１に記載のフォトダイオードと、
を有し、
　前記フォトダイオードは、前記第１半導体層において、光電流を発生させることなく前記第１スペクトル分布を持つ放射の少なくとも８０％を吸収することができ、
　前記フォトダイオードは前記第２スペクトル分布を持つ放射に対応する検出可能な光電流を発生することができ、該検出可能な光電流が、前記第２スペクトル分布を持つ放射により励起された際の前記第３半導体領域における自由電子及び自由ホールの発生により生じる、
検出装置。
　　【請求項１２】
　請求項１１に記載の検出装置において、前記照明器からの前記放射の方向が、前記第１半導体層の表面の法線に対して垂直である検出装置。
　　【請求項１３】
　請求項１１又は請求項１２に記載の検出装置において、前記標識剤が量子ドットを有する検出装置。
　　【請求項１４】
　請求項１１に記載の検出装置において、前記生物学的物質のサンプルが、細胞、組織片、ＤＮＡ、血液及び尿を含む群から選択された物質を含む検出装置。
　　【請求項１５】
　請求項１１に記載の検出装置において、ポリメラーゼ連鎖反応によりＤＮＡの濃度を増幅することができる第２の処理デバイスを更に有する検出装置。
　　【請求項１６】
　生物学的物質のサンプル中の目標分子の存在を検出する方法であって、
　目標分子に結合するためのプローブ分子を検出装置に供給するステップであって、前記目標分子及び／又は前記プローブ分子は発光特性を持つ標識剤により標識を付され、該標識剤は第１スペクトル分布に対応するスペクトル分布を持つ放射により照明された場合に第２スペクトル分布を持つ放射を放出するステップと、
　目標分子を含む前記サンプルを前記検出装置に供給するステップと、
　前記サンプルを前記第１スペクトル分布に対応するスペクトル分布を持つ放射により照明するステップと、
　請求項１に記載のフォトダイオードを用いることにより前記サンプルからの放出放射を受けるステップであって、前記放出放射が前記第１スペクトル分布及び前記第２スペクトル分布を有するステップと、
を有し、
　前記第１スペクトル分布は前記第２スペクトル分布からスペクトル的にずらされており、
　前記フォトダイオードは、前記第１半導体層において、光電流を発生させることなく前記第１スペクトル分布を持つ放射の少なくとも８０％を吸収し、
　前記フォトダイオードは前記第２スペクトル分布を持つ放射に対応する検出可能な光電流を発生し、該検出可能な光電流が、前記第２スペクトル分布を持つ放射により励起された際の前記第３半導体領域における自由電子及び自由ホールの発生により生じる、
方法。」を
「【請求項１】
　生物学的物質のサンプル中の目標分子の存在及びオプションとして量を検出することができる検出装置であって、
　目標分子を含む前記サンプルが供給され、前記目標分子と結合するためのプローブ分子が更に供給され、前記目標分子及び／又は前記プローブ分子は発光特性を持つ標識剤により標識を付され、前記標識剤は、第１スペクトル分布に対応するスペクトル分布を持つ放射により照明された場合に、前記第１スペクトル分布とスペクトル的にずらされた第２スペクトル分布を持つ放射を放出し、該第２スペクトル分布を有する放射が、前記サンプル中の前記目標分子の存在に応じて放出される、処理デバイスと、
　前記第１スペクトル分布に対応するスペクトル分布を持つ放射により前記サンプルを照明することができる照明器と、
　前記目標分子の存在に応じて前記サンプルから放出される前記第２スペクトル分布及び前記サンプルを照明する前記第１スペクトル分布を持つ放射を受けることができるフォトダイオードと、
を有し、前記フォトダイオードは、
　第１不純物によりドーピングされ、３５０ｎｍの中心波長を持つ前記第１スペクトル分布を少なくとも有する入射放射を受ける第１半導体層であって、前記サンプルを照明する前記第１スペクトル分布及び前記目標分子の存在に応じて放出される前記第２スペクトル分布を含む入射放射を受け、前記第１スペクトル分布を持つ入射放射を、光電流を発生させることなく吸収し、前記第２スペクトル分布を持つ入射放射を透過させることができる、第１の半導体層と、
　第２不純物によりドーピングされた第２半導体層と、
　前記入射放射の少なくとも一部により励起された場合に、自由電子及び自由ホールを発生することができる第３半導体領域であって、前記目標分子の存在に応じて放出される前記第２スペクトル分布を持つ放射による励起によって発生された自由電子及び自由ホールが光電流を発生させる、第３半導体領域と、
を有し、
　前記フォトダイオードは、前記第１半導体層において、光電流を発生させることなく前記第１スペクトル分布を持つ放射の少なくとも８０％を吸収することができ、
　前記フォトダイオードは前記第２スペクトル分布を持つ放射に対応する検出可能な光電流を発生することができ、該検出可能な光電流が、前記第２スペクトル分布を持つ放射により励起された際の前記第３半導体領域における自由電子及び自由ホールの発生により生じる、
検出装置。
　　【請求項２】
　請求項１に記載の検出装置において、前記第１半導体層が該第１半導体層の体積内で前記第１スペクトル分布を持つ放射の選択された割合を吸収するように調整された厚さを有する検出装置。
　　【請求項３】
　請求項２に記載の検出装置において、前記第１半導体層の厚さが、１００ｎｍより大きく、好ましくは２００ｎｍより大きく、又は一層好ましくは３００ｎｍより大きい検出装置。
　　【請求項４】
　請求項１に記載の検出装置において、前記第１半導体層が、前記第１スペクトル分布を持つ入射放射の少なくとも８０％、好ましくは少なくとも９０％又は一層好ましくは少なくとも９９％を吸収することができる検出装置。
　　【請求項５】
　請求項１に記載の検出装置において、前記第３半導体領域が、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に配置された真性半導体物質の第３層である検出装置。
　　【請求項６】
　請求項１又は請求項５に記載の検出装置において、
　前記第１半導体層はアクセプタ不純物によりドーピングされたｐドーピング層であり、
　前記第２半導体層はドナ不純物によりドーピングされたｎドーピング層である、
検出装置。
　　【請求項７】
　請求項１又は請求項５に記載の検出装置において、
　前記第１半導体層はドナ不純物によりドーピングされたｎドーピング層であり、
　前記第２半導体層はアクセプタ不純物によりドーピングされたｐドーピング層である、
検出装置。
　　【請求項８】
　請求項１又は請求項５に記載の検出装置において、前記第１スペクトル分布と前記第２スペクトル分布との間のスペクトルのずれが少なくとも５０ｎｍ、好ましくは少なくとも１００ｎｍ、又は一層好ましくは少なくとも２００ｎｍである検出装置。
　　【請求項９】
　請求項１又は請求項５に記載の検出装置において、前記第１半導体層及び／又は前記第２半導体層がａ−Ｓｉ、ａ−ＳｉＣ、マイクロ結晶性Ｓｉ及び低温ポリＳｉを含む群から選択された材料から形成される検出装置。
　　【請求項１０】
　請求項１又は請求項５に記載の検出装置において、前記第１半導体層の上面に反射防止コーティングが塗布される検出装置。
　　【請求項１１】
　請求項１に記載の検出装置において、前記照明器からの前記放射の方向が、前記第１半導体層の表面の法線に対して垂直である検出装置。
　　【請求項１２】
　請求項１に記載の検出装置において、前記標識剤が量子ドットを有する検出装置。
　　【請求項１３】
　請求項１に記載の検出装置において、前記生物学的物質のサンプルが、細胞、組織片、ＤＮＡ、血液及び尿を含む群から選択された物質を含む検出装置。
　　【請求項１４】
　請求項１に記載の検出装置において、ポリメラーゼ連鎖反応によりＤＮＡの濃度を増幅することができる第２の処理デバイスを更に有する検出装置。
　　【請求項１５】
　生物学的物質のサンプル中の目標分子の存在を検出する方法であって、
　目標分子に結合するためのプローブ分子を検出装置に供給するステップであって、前記目標分子及び／又は前記プローブ分子は発光特性を持つ標識剤により標識を付され、該標識剤は、第１スペクトル分布に対応するスペクトル分布を持つ放射により照明された場合に、前記第１スペクトル分布とスペクトル的にずらされた第２スペクトル分布を持つ放射を放出するステップと、
　目標分子を含む前記サンプルを前記検出装置に供給するステップと、
　前記サンプルを前記第１スペクトル分布に対応するスペクトル分布を持つ放射により照明するステップと、
　フォトダイオードを用いることにより前記サンプルからの放出放射を受けるステップであって、前記放出放射が前記第１スペクトル分布及び前記第２スペクトル分布を有するステップと、
を有し、
　前記フォトダイオードは、
　第１不純物によりドーピングされ、３５０ｎｍの中心波長を持つ前記第１スペクトル分布を少なくとも有する入射放射を受ける第１半導体層であって、前記サンプルを照明する前記第１スペクトル分布及び前記目標分子の存在に応じて放出される前記第２スペクトル分布を含む入射放射を受け、前記第１スペクトル分布を持つ入射放射を、光電流を発生させることなく吸収し、前記第２スペクトル分布を持つ入射放射を透過させることができる、第１の半導体層と、
　第２不純物によりドーピングされた第２半導体層と、
　前記入射放射の少なくとも一部により励起された場合に、自由電子及び自由ホールを発生することができる第３半導体領域であって、前記目標分子の存在に応じて放出される前記第２スペクトル分布を持つ放射による励起によって発生された自由電子及び自由ホールが光電流を発生させる、第３半導体領域と、
を有し、
　前記フォトダイオードは、前記第１半導体層において、光電流を発生させることなく前記第１スペクトル分布を持つ放射の少なくとも８０％を吸収し、
　前記フォトダイオードは前記第２スペクトル分布を持つ放射に対応する検出可能な光電流を発生し、該検出可能な光電流が、前記第２スペクトル分布を持つ放射により励起された際の前記第３半導体領域における自由電子及び自由ホールの発生により生じる、
方法。」と補正するものである。
　
（２）補正の適否
　請求人は、審判請求書の「【請求の理由】」「（３）本願発明が特許されるべき理由」において、
「（ｂ）補正の根拠の明示
　前記手続補正書において、元の請求項１を削除した。新たな請求項１−１５は、元の請求項１１、２−１０、１２−１６に対応する。
　前記手続補正書の新たな請求項１は、元の請求項１１に対応するとともに、当初明細書段落００１０、００１６、００５９、００７１、００７４等の記載に基づいて補正をしたものである。
　新たな請求項２−１０は、新たな請求項１を引用するように補正したものである。
　新たな請求項１５は、元の請求項１６に対応するとともに、当初明細書段落００１０、００１６、００５９、００７１、００７４等の記載に基づいて補正したものである。
　前記手続補正書における補正は、限定的減縮に該当する」と主張する。
　
　まず、本件補正後の請求項１、１１〜１４については、請求人の主張のとおり、本件補正後の請求項１は、本件補正前の請求項１１を限定的に減縮するものであり、同様に、本件補正後の請求項１を引用する請求項１１〜１４は、本件補正前の請求項１１を引用する請求項１２〜１５を限定的に減縮するものであると認められる。
　
　次に、本件補正後の請求項２〜１０について検討する。
　本件補正後の請求項２〜１０は、いずれも「検出装置」に係るものであり、本件補正前の特許請求の範囲には、「検出装置」に係るものは請求項１１〜１５のみであって、これらは、それぞれ上述のとおり、本件補正後の請求項１、１１〜１４に補正されたものである。
　すると、本件補正後の請求項２〜１０には、その補正前の請求項に相当する請求項が本件補正前の特許請求の範囲には、存在しないことになるから、本件補正後の請求項２〜１０は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるとは認められない。
　なお、請求人は、上述のとおり、「新たな請求項１−１５は、元の請求項１１、２−１０、１２−１６に対応する」として、本件補正後の請求項２〜１０は、本件補正前の請求項２〜１０に対応するとしているが、本件補正前の請求項２〜１０は、いずれも「フォトダイオード」に係るものであって、本件補正後の請求項２〜１０は、「フォトダイオード」に「処理デバイス」及び「照明器」を付加して構成した「検出装置」に係るものであるから、本件補正後の請求項２〜１０が、本件補正前の請求項２〜１０を限定的に減縮するものであるということはできない。
　また、請求人は、「新たな請求項２−１０は、新たな請求項１を引用するように補正したものである」としているが、本件補正前の請求項２〜１０を、本件補正前の請求項１から本件補正後の請求項１に付け替えて本件補正後の請求項２〜１０とすることにより、上述のとおり、本件補正前の「フォトダイオード」に係るものから本件補正後の「検出装置」に係るものに変更されているのであるから、請求人の主張を参酌しても、本件補正後の請求項２〜１０が、本件補正前の請求項２〜１０を限定的に減縮するものであるということはできない。
　さらに、本件補正後の請求項２〜１０が、誤記の訂正、または、明りょうでない記載の釈明を目的とするものではないことも明らかである。
　したがって、本件補正後の請求項２〜１０は、特許法第１７条の２第５項各号に規定された事項を目的とするものではない。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３　本願発明
　平成２５年１２月２５日付けの手続補正は、上記のとおり却下されるべきものであるから、本願請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２５年４月３０日付けの手続補正書における特許請求の範囲の請求項１に記載された通りのものと認める。（上記「２」［理由］「（１）」参照。）
　
４　引用刊行物記載の発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された「特開平４−４９６７６号公報 」（以下、「引用例」という。）には、次の事項が記載されている。
（１）記載事項ａ
「［産業上の利用分野］
本発明は
カメラの自動露光装置などに用いられる半導体可視光センサ
［従来の技術］
　可視光領域の光を検知する
フォトダイオードタイプの半導体可視光センサ
（２）記載事項ｂ
「［作用］
　光入射側に最も近いドープ層とｉ層との厚さおよびエネルギー禁制帯幅を制御して適切に組合わせることによって、光学フィルタを用いることなく、
フォトダイオード自体の分光感度特性を人間の比視感度に近づけることができる
［実施例］
　現在、
ｉ型のアモルファスシリコン層として、水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）を用い
ｐ型のアモルファスシリコン層としては、ボロン（Ｂ）を添加したａ−Ｓｉ：Ｈ
を用い
ｎ型のアモルファスシリコン層としては、リン（ｐ）を添加したａ−Ｓｉ：Ｈ
を用い
　
これらのアモルファスシリコン層を用いて、ｐ−ｉ−ｎ接合を含むアモルファスシリコン薄膜のフォトダイオードが形成され得る
（３）記載事項ｃ
「第３図を参照して、アモルファスシリコン薄膜のフォトダイオードの分光感度特性の変化のもう１つの例が示されている。第３図に示された分光感度特性曲線ＥないしＨのそれぞれに相当するフォトダイオードの各々において、ｐ層は１．８９ｅＶのエネルギー禁制帯を有し、ｉ層は１．７９ｅＶのエネルギー禁制帯幅と４０００Åの厚さを有している。しかし、フォトダイオードＥ，Ｆ，ＧおよびＨにおいて、ｐ層の厚さは、それぞれ５０Å、２００Å、４００Åおよび８００Åにされている。
　すなわち、ｐ層の厚さが増大するに従って、ｐ層による短波長の光の吸収が増大し、その結果、分光感度特性の短波長側の感度が低下していくことがわかる。
　なお、ｐ層およびｉ層のエネルギー禁制帯幅が変化した場合、それらの層の厚さの変化が分光感度特性曲線の変化に及ぼす影響の傾向は、第２図および第３図に示されたものと類似しており、その変化の度合が異なるだけである。」（第２頁右下欄第１５行〜第３頁左上欄第１４行）
（４）記載事項ｄ
「第１図を参照して、本発明の一実施例による半導体可視光センサの分光感度特性が示されている。第１図の半導体可視光センサにおいては、
ｐ層は４００Åの厚さと１．８９ｅＶのエネルギー禁制帯幅を有し、ｉ層は４０００Åと１．７９ｅＶの禁制帯幅を有し、さらにｎ層は７０００Åの厚さと１．７８ｅＶのエネルギー禁制帯幅を有している
（５）記載事項ｅ
「なお、以上の実施例では、
光入射側のドープ層がｐ層である
（６）記載事項ｆ
「　　　　　　　　　　第３図
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（７）上記記載事項ｆの考察
　引用例の第３図には、ｐ層は１．８９ｅＶのエネルギー禁制帯幅を有し、ｉ層は１．７９ｅＶのエネルギー禁制帯幅と４０００Åの厚さを有しており、ｐ層の厚さがそれぞれ５０Å、２００Å、４００Åおよび８００ÅであるフォトダイオードＥ，Ｆ，ＧおよびＨの分光感度特性が示されているが、同図には、約３２０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の波長では、フォトダイオードＥ，Ｆ，ＧおよびＨの分光感度が異なるのに対し、約５５０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の波長では、フォトダイオードＥ，Ｆ，ＧおよびＨの分光感度が同じであることが示されている。
　フォトダイオードＥ，Ｆ，ＧおよびＨは、光入射側のドープ層がｐ層である、ｐ−ｉ−ｎ接合を含むアモルファスシリコン薄膜のフォトダイオードであって、ｐ−ｉ−ｎ接合を含むフォトダイオードは、ｐ層は光を吸収するものの光電流を発生させないという技術常識からすると、上記第３図の分光感度の違いは、ｐ層での光の吸収により生じるものであることは当業者には自明である。
　そうすると、ｐ層が１．８９ｅＶのエネルギー禁制帯幅を有し、ｉ層が１．７９ｅＶのエネルギー禁制帯幅を有するフォトダイオードは、約３２０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の波長では、ｐ層で光の吸収があるが光電流を発生させないのに対し、約５５０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の波長では、ｐ層で光の吸収が少ないものであるといえる。
（８）引用例記載の事項
　上記記載事項ａないしｆ及び上記（７）の考察によると、引用例には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「カメラの自動露光装置などに用いられる半導体可視光センサとしての、分光感度特性を人間の比視感度に近づけることができる、アモルファスシリコン層を用いた、ｐ−ｉ−ｎ接合を含むアモルファスシリコン薄膜のフォトダイオードであって、
ｉ型のアモルファスシリコン層として、水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）を用い、
ｐ型のアモルファスシリコン層としては、ボロン（Ｂ）を添加したａ−Ｓｉ：Ｈを用い、
ｎ型のアモルファスシリコン層としては、リン（ｐ）を添加したａ−Ｓｉ：Ｈを用い、
光入射側のドープ層がｐ層であり、
ｐ層は４００Åの厚さと１．８９ｅＶのエネルギー禁制帯幅を有し、ｉ層は４０００Åと１．７９ｅＶの禁制帯幅を有し、さらにｎ層は７０００Åの厚さと１．７８ｅＶのエネルギー禁制帯幅を有し、
約３２０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の波長では、ｐ層で光の吸収があるが光電流を発生させないのに対し、約５５０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の波長では、ｐ層で光の吸収が少ない
フォトダイオード。」
　
５　対比
（１）引用発明は、「カメラの自動露光装置などに用いられる半導体可視光センサとしての」「フォトダイオード」の発明であるから、様々な異なるスペクトル分布を含む光を受けるものである。
　そうすると、引用発明の「ｐ型のアモルファスシリコン層としては、ボロン（Ｂ）を添加したａ−Ｓｉ：Ｈを用い」る構成は、本願発明の「第１不純物によりドーピングされ、少なくとも３５０ｎｍの中心波長を持つスペクトル分布を有する入射放射を受ける第１半導体層」「を有」する構成に相当する。
（２）引用発明の「ｎ型のアモルファスシリコン層としては、リン（ｐ）を添加したａ−Ｓｉ：Ｈを用い」る構成は、本願発明の「第２不純物によりドーピングされた第２半導体層」「を有」する構成に相当する。
（３）引用発明の「ｉ型のアモルファスシリコン層」は、本願発明の「第３半導体領域」に相当する。
　また、アモルファスシリコンの受光素子が波長３５０ｎｍの光により自由電子及び自由ホールを発生することができることは、技術常識であるから、引用発明は、本願発明の「少なくとも３５０ｎｍの中心波長を持つスペクトル分布を有する」「入射放射の少なくとも一部により励起された場合に、自由電子及び自由ホールを発生することができる」構成に相当する構成を有するものである。
　そうすると、引用発明の「ｉ型のアモルファスシリコン層として、水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）を用い」る構成は、本願発明の「前記入射放射の少なくとも一部により励起された場合に、自由電子及び自由ホールを発生することができる第３半導体領域」「を有」する構成に相当する。
（４）本願発明は「生物学的物質のサンプル中の目標分子の存在を検出するためのフォトダイオードであ」って、本願発明の「第１半導体層」は「少なくとも３５０ｎｍの中心波長を持つスペクトル分布を有する入射放射を受ける」ものであるから、本願発明の「サンプルを照明する照明放射がもつスペクトル分布に等しく又はそれに対応するものであ」る「第１スペクトル分布」「を有する放射」は、波長３５０ｎｍ前後の紫外光であり、「サンプルが前記照明放射により照明されることにより前記目標分子の存在に応じて放出されるものであ」る「第２スペクトル分布を有する放射」は、上記波長３５０ｎｍ前後の紫外光より波長のずれた光を意味すると認められる。
　そして、この点を考慮すれば、本願発明の「前記入射放射は第１スペクトル分布及び第２スペクトル分布を有する放射を含み、前記第１スペクトル分布は、前記サンプルを照明する照明放射がもつスペクトル分布に等しく又はそれに対応するものであり、前記第２スペクトル分布を有する放射は、前記サンプルが前記照明放射により照明されることにより前記目標分子の存在に応じて放出されるものであり、前記第１スペクトル分布は前記第２スペクトル分布からスペクトル的にずらされており、前記第１半導体層は前記第１スペクトル分布を持つ入射放射を吸収することができ、該第１スペクトル分布を持つ放射の吸収は光電流を発生させず、前記第１半導体層は前記第２スペクトル分布を持つ入射放射を透過させることができ、前記第２スペクトル分布を持つ放射により発生された前記第３半導体領域における前記自由電子及び自由ホールが光電流を発生させる」構成は、「第１半導体層」が波長３５０ｎｍ前後の紫外光を吸収することができるが、光電流を発生させず、かつ、波長３５０ｎｍ前後の紫外光からずれた波長の光を透過させる半導体層であり、「第３半導体領域」が「第１半導体層」を透過した光を吸収して、光電流を発生するような半導体領域であることを意味していることに他ならない。
　そうすると、引用発明の「光入射側のドープ層がｐ層であり、ｐ層は４００Åの厚さと１．８９ｅＶのエネルギー禁制帯幅を有し、ｉ層は４０００Åと１．７９ｅＶの禁制帯幅を有し、」「約３２０ｎｍ以上５５０ｎｍ未満の波長では、ｐ層で光の吸収があるが光電流を発生させないのに対し、約５５０ｎｍ以上７５０ｎｍ以下の波長では、ｐ層で光の吸収が少ない」構成は、本願発明の「前記入射放射は第１スペクトル分布及び第２スペクトル分布を有する放射を含み、前記第１スペクトル分布は、前記サンプルを照明する照明放射がもつスペクトル分布に等しく又はそれに対応するものであり、前記第２スペクトル分布を有する放射は、前記サンプルが前記照明放射により照明されることにより前記目標分子の存在に応じて放出されるものであり、前記第１スペクトル分布は前記第２スペクトル分布からスペクトル的にずらされており、前記第１半導体層は前記第１スペクトル分布を持つ入射放射を吸収することができ、該第１スペクトル分布を持つ放射の吸収は光電流を発生させず、前記第１半導体層は前記第２スペクトル分布を持つ入射放射を透過させることができ、前記第２スペクトル分布を持つ放射により発生された前記第３半導体領域における前記自由電子及び自由ホールが光電流を発生させる」構成に相当する。
　
　上記（１）〜（４）の点から、本願発明と引用発明は、
「第１不純物によりドーピングされ、少なくとも３５０ｎｍの中心波長を持つスペクトル分布を有する入射放射を受ける第１半導体層と、
　第２不純物によりドーピングされた第２半導体層と、
　前記入射放射の少なくとも一部により励起された場合に、自由電子及び自由ホールを発生することができる第３半導体領域と、
を有し、
　前記入射放射は第１スペクトル分布及び第２スペクトル分布を有する放射を含み、前記第１スペクトル分布は、前記サンプルを照明する照明放射がもつスペクトル分布に等しく又はそれに対応するものであり、前記第２スペクトル分布を有する放射は、前記サンプルが前記照明放射により照明されることにより前記目標分子の存在に応じて放出されるものであり、前記第１スペクトル分布は前記第２スペクトル分布からスペクトル的にずらされており、
　前記第１半導体層は前記第１スペクトル分布を持つ入射放射を吸収することができ、該第１スペクトル分布を持つ放射の吸収は光電流を発生させず、
　前記第１半導体層は前記第２スペクトル分布を持つ入射放射を透過させることができ、
　前記第２スペクトル分布を持つ放射により発生された前記第３半導体領域における前記自由電子及び自由ホールが光電流を発生させる、
フォトダイオード。」
で一致し、以下の点で相違する。
（相違点）
　本願発明は、「生物学的物質のサンプル中の目標分子の存在を検出するための」ものであるのに対し、引用発明は、「カメラの自動露光装置などに用いられる半導体可視光センサとしての」ものである点。
　
６　当審の判断
　以下、上記相違点について検討する。
　本願発明の「生物学的物質のサンプル中の目標分子の存在を検出するための」構成は、上記「５」「（４）」で述べたとおり、本願発明の「第１スペクトル分布」及び「第２スペクトル分布」を特定するものであるが、「第１スペクトル分布」及び「第２スペクトル分布」に関する構成は、上記「５」「（４）」で検討したとおり、引用発明との相違点ではないから、上記相違点は実質的な相違点ではない。
　
　したがって、本願発明と引用発明との間に差異はないから、本願発明は引用発明である。
　
７　むすび
　以上のとおり、本願発明は引用発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定された発明に該当し特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。