(57)【要約】【課題】樹脂からなる突出体を備えた突起電極において電極の狭ピッチ化を容易に実現できるとともに、製造工程の長時間化や製造コストの増加を抑制することのできる構造若しくは製法を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置は、樹脂により形成された突出体１２４及び該突出体上に形成された電極層１２５を有する突起電極１２０Ｂを備え、前記突出体は、複数の山状の突出部１２４ａをそれらの周縁部１２４ｂの一部が接続された態様で一体に連結した形状を有し、複数の前記突出部にそれぞれ前記導電層が形成されることにより複数の前記突起電極が設けられてなり、隣接してなる前記突出部同士が接続されてなる接続部１２４ｖは、前記隣接してなる突出部にそれぞれ設けられてなる前記電極層の間に配置されてなることを特徴とする。【選択図】図１
2007165744.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性部材により形成された突出体及び該突出体上に形成された電極層を有する突起電極
を備えた半導体装置において、
前記突出体は、複数の山状の突出部をそれらの周縁部の一部が接続された態様で一体に
連結した形状を有し、
複数の前記突出部にそれぞれ前記電極層が形成されることにより複数の前記突起電極が
設けられてなり、
隣接してなる前記突出部同士が接続されてなる接続部は、前記隣接してなる突出部にそ
れぞれ設けられてなる前記電極層の間に配置されてなることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記突出部は凸曲面状の頂部を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記突出部は直線状に配列されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体
装置。
【請求項４】
前記突出部は千鳥状に配列されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体
装置。
【請求項５】
弾性部材により形成された突出体及び該突出体上に形成された電極層を有する突起電極
を備えた電子部品と、前記突起電極に導電接触した導電体を備えた基板と、前記電子部品
と前記基板とを接着する絶縁樹脂とを具備する実装構造体において、
前記突出体は、複数の山状の突出部をそれらの周縁部の一部が接続された態様で一体に
連結した形状を有し、
複数の前記突出部にそれぞれ前記電極層が形成されることにより複数の前記突起電極が
設けられてなり、
隣接してなる前記突出部同士が接続されてなる接続部は、前記隣接してなる突出部にそ
れぞれ設けられてなる前記電極層の間に配置されてなることを特徴とする実装構造体。
【請求項６】
弾性部材により形成された突出体及び該突出体上に形成された電極層を有する突起電極
を備えた電子部品と、電気光学物質が配されてなる基板を有し、当該基板上に前記突起電
極に導電接触した導電体を備えた電気光学パネルと、前記電子部品と前記基板とを接着す
る絶縁樹脂とを具備する電気光学装置において、
前記突出体は、複数の山状の突出部をそれらの周縁部の一部が接続された態様で一体に
連結した形状を有し、
複数の前記突出部にそれぞれ前記電極層が形成されることにより複数の前記突起電極が
設けられてなり、
隣接してなる前記突出部同士が接続されてなる接続部は、前記隣接してなる突出部にそ
れぞれ設けられてなる前記電極層の間に配置されてなることを特徴とする電気光学装置。
【請求項７】
弾性部材により形成された突出体及び該突出体上に形成された電極層を有する突起電極
を備えた半導体装置の製造方法において、
複数の突出部をそれらの周縁部の一部が接続された態様で一体に連結した形状の前記突
出体を形成する突出体形成工程と、
複数の前記突出部上にそれぞれ前記電極層を形成する電極層形成工程と、
を具備し、
隣接してなる前記突出部同士が接続されてなる接続部は、前記隣接してなる突出部にそ
れぞれ設けられてなる前記電極層の間に配置されてなることを特徴とする半導体装置の製
造方法。
【請求項８】
前記電極層形成工程の後に、前記突出体における前記突出部の間の領域の一部若しくは
全部を除去する工程をさらに具備することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製
造方法。
【請求項９】
弾性部材により形成された突出体及び該突出体上に形成された電極層を有する突起電極
を備えた電子部品と、前記突起電極に導電接触した導電体を備えた基板と、前記電子部品
と前記基板とを接着する絶縁樹脂とを具備する実装構造体の製造方法において、
前記電子部品に複数の突出部をそれらの周縁部の一部が接続された態様で一体に連結し
た形状の前記突出体を形成する突出体形成工程と、
複数の前記突出部上にそれぞれ前記電極層を形成する電極層形成工程と、
前記突起電極が前記導電体に導電接続されるように前記電子部品を前記基板上に実装す
る電子部品実装工程と、
を具備し、
隣接してなる前記突出部同士が接続されてなる接続部は、前記隣接してなる突出部にそ
れぞれ設けられてなる前記電極層の間に配置されてなることを特徴とする実装構造体の製
造方法。
【請求項１０】
弾性部材により形成された突出体及び該突出体上に形成された電極層を有する突起電極
を備えた電子部品と、電気光学物質が配されてなる基板を有し、当該基板上に前記突起電
極に導電接触した導電体を備えた電気光学パネルと、前記電子部品と前記基板とを接着す
る絶縁樹脂とを具備する電気光学装置の製造方法において、
前記電子部品に複数の突出部をそれらの周縁部の一部が接続された態様で一体に連結し
た形状の前記突出体を形成する突出体形成工程と、
複数の前記突出部上にそれぞれ前記電極層を形成する電極層形成工程と、
前記突起電極が前記導電体に導電接続されるように前記電子部品を前記基板上に実装す
る電子部品実装工程と、
を具備し、
隣接してなる前記突出部同士が接続されてなる接続部は、前記隣接してなる突出部にそ
れぞれ設けられてなる前記電極層の間に配置されてなすることを特徴とする電気光学装置
の製造方法。
【請求項１１】
請求項６に記載の電気光学装置を搭載してなる電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置、実装構造体、電気光学装置、半導体装置の製造方法、実装構造体
の製造方法、電気光学装置の製造方法、及び、電子機器に係り、特に、半導体装置その他
の電子部品に設けられる場合に好適な突起電極の構造及び製法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶表示体に駆動用ＩＣを実装する方法としては、駆動用ＩＣにメッキ等によ
り突起（バンプ）電極を形成し、液晶表示体を構成するガラス基板上に形成した配線パタ
ーンに対して、異方性導電材（ＡＣＦ又はＡＣＰ）を介して駆動用ＩＣを加熱しながら加
圧することにより、異方性導電材中の導電性粒子を挟んだ状態で突起電極が配線パターン
に導電接続され、しかも、駆動用ＩＣが異方性導電材中の絶縁樹脂によってガラス基板上
に接着されるようにした、ＣＯＧ実装とよばれる方法が広く知られている。
【０００３】
ところが、近年では、液晶表示体の高精細化に伴って電極数が増大したことにより、駆
動用ＩＣの電極間隔が小さくなって（狭ピッチ化されて）きているため、上記方法では、
隣接する突起電極間に導電性粒子を介在した電気的短絡が発生しやすくなり、実装不良が
多くなるという問題点がある。
【０００４】
そこで、上記の異方性導電材を用いた実装方法に代えて、図１３乃至図１５に示すよう
に、パッド２及び絶縁膜３を形成してなる駆動用ＩＣの基板１上に、樹脂よりなる突出体
４を形成し、この突出体４上に金属薄膜等からなる電極層５を形成してなる突起電極を構
成する方法が提案されている（例えば、以下の特許文献１参照）。この方法では、この突
起電極をガラス基板上に形成された配線パターンに接触させて加圧するとともに、絶縁樹
脂８によって駆動用ＩＣを基板に接着することで、導電性粒子を用いずに実装を行うこと
ができるため、狭ピッチ化が進んでも、隣接電極間の短絡を防止することができる。
【０００５】
また、図１４及び図１５に示すように、上記の突出体４の表面を凸曲面状に構成するこ
とにより、実装時における突出体の弾性変形を測定しやすくして、接続信頼性の検査が容
易に行えるようにした突起電極の構造並びに半導体装置の製造方法が提案されている（例
えば、以下の特許文献２参照）。この方法では、突出体４を半球状に構成したり半円柱状
に構成したりすることにより、実装時における加圧力で突出体が弾性変形すると、突起電
極と、実装すべき基板６上の配線パターン７との間の接触部が点接触状態若しくは線接触
状態から面接触状態へと変わるため、当該接触部の形状を見ることで簡単に導電接続状態
を知ることができる。
【特許文献１】特開平２−２７２７３７号公報
【特許文献２】特開２００５−１３６４０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、前述の樹脂からなる突出体を備えた突起電極を用いる方法においては、
上述の突出体の弾性変形量を確保して充分な接続信頼性を得るために、突起電極の高さを
通常１０〜２０μｍ程度とする必要がある。このため、特許文献１に開示されている突起
電極や特許文献２に開示されている半球状の突起電極（図１３（ａ）参照）のように、突
出体ごとに一つの電極層を形成して突起電極とする場合には、突起電極の間隔（ピッチ）
を上記の高さの２倍以上に設定しなければならず、電極の狭ピッチ化に限界があるという
問題点がある。
【０００７】
また、特許文献２に開示されている半円柱状の突出体を備えた突起電極（図１３（ｂ）
参照）のように、突出体を延長形状とし、一つの突出体上に複数の電極層を形成して複数
の突起電極を構成する場合には、上記とは異なり、突起電極の高さによって電極間隔が制
約を受けることはない。しかし、実装時において電極層間に突出体が存在すると突起電極
が変形しにくくなるとともに絶縁樹脂の流動性を妨げることとなるので、電極の狭ピッチ
化を図るためには、特許文献２に記載されているように、電極層５間の突出体４の一部又
は全部を酸素プラズマエッチング等によって除去する必要があり、これによって製造工程
が長時間化し、製造コストが増加するという問題点がある。
【０００８】
そこで、本発明は上記問題点を解決するものであり、その目的は、樹脂からなる突出体
を備えた突起電極において電極の狭ピッチ化を容易に実現できるとともに、製造工程の長
時間化や製造コストの増加を抑制することのできる構造若しくは製法を実現することにあ
る。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
斯かる実情に鑑み、本発明の半導体装置は、弾性部材（弾性素材、例えば樹脂）により
形成された突出体及び該突出体上に形成された電極層を有する突起電極を備えた半導体装
置において、前記突出体は、複数の山状の突出部をそれらの周縁部の一部が接続された態
様で一体に連結した形状を有し、複数の前記突出部にそれぞれ前記電極層が形成されるこ
とにより複数の前記突起電極が設けられてなり、隣接してなる前記突出部同士が接続され
てなる接続部は、前記隣接してなる突出部にそれぞれ設けられてなる前記電極層の間に配
置されてなることを特徴とする。
【００１０】
この発明によれば、複数の山状の突出部をそれらの周縁部が接続された態様で一体に連
結した形状を有する突出体に対して、それらの突出部にそれぞれ電極層を形成して突起電
極とすることにより、電極間隔を短縮して狭ピッチ化することが可能になるとともに、実
装時の突起電極の弾性変形を容易にすることができ、しかも、突起電極間の絶縁樹脂の流
動性を確保することができる。また、複数の突出部はそれぞれ山状に構成されているので
、頂点の全周が下方に傾斜する構造とされるため、突出部間の間隔が近接しても、突出部
の弾性変形や絶縁樹脂の流動性を妨げにくいという利点がある。
【００１１】
なお、山状とは、半球状、半回転楕円体状、円錐状、円錐台状、角錐状、角錐台状、凸
曲面状などといった、頂部の全周囲に傾斜面が存在する形状を言う。
【００１２】
本発明において、前記突出部は凸曲面上の頂部を有することが好ましい。これによれば
、突出部とこの上に形成された電極層とによって構成される突起電極は、突出部が凸曲面
状の頂部を有することによって頂部近傍の傾斜がなだらかになることから、導電体に導電
接触して圧力を受けた際に導電接触面積を確保しやすいとともに、突出部の弾性変形量に
応じて導電体との接触面積が急増するので、導電接続状態の安定性や再現性を高めること
ができ、しかも、接触面形状を確認することで導電接続状態の検査を容易に行うことが可
能になる。
【００１３】
本発明において、前記突出部は直線状に配列されていることが好ましい。突出部を直線
状に配列させることにより、突起電極を直線状に配列形成することができるため、例えば
、電子部品に配列された複数のパッド部に対応させて突起電極を形成できる。
【００１４】
本発明において、前記突出部は千鳥状に配列されていることが好ましい。突出部を千鳥
状に配列させることにより、突起電極の実質的な狭ピッチ化をさらに容易に達成できる。
【００１５】
次に、本発明の実装構造体は、弾性部材（弾性素材、例えば樹脂）により形成された突
出体及び該突出体上に形成された電極層を有する突起電極を備えた電子部品と、前記突起
電極に導電接触した導電体を備えた基板と、前記電子部品と前記基板とを接着する絶縁樹
脂とを具備する実装構造体において、前記突出体は、複数の山状の突出部をそれらの周縁
部の一部が接続された態様で一体に連結した形状を有し、複数の前記突出部にそれぞれ前
記導電層が形成されることにより複数の前記突起電極が設けられてなり、隣接してなる前
記突出部同士が接続されてなる接続部は、前記隣接してなる突出部にそれぞれ設けられて
なる前記電極層の間に配置されてなることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の電気光学装置は、弾性部材（弾性素材、例えば樹脂）により形成された
突出体及び該突出体上に形成された電極層を有する突起電極を備えた電子部品と、電気光
学物質が配されてなる基板を有し、当該基板上に前記突起電極に導電接触した導電体を備
えた電気光学パネルと、前記電子部品と前記基板とを接着する絶縁樹脂とを具備する電気
光学装置において、前記突出体は、複数の山状の突出部をそれらの周縁部の一部が接続さ
れた態様で一体に連結した形状を有し、複数の前記突出部にそれぞれ前記導電層が形成さ
れることにより複数の前記突起電極が設けられてなり、隣接してなる前記突出部同士が接
続されてなる接続部は、前記隣接してなる突出部にそれぞれ設けられてなる前記電極層の
間に配置されてなることを特徴とする。
【００１７】
さらに、本発明の半導体装置の製造方法は、弾性部材により形成された突出体及び該突
出体上に形成された電極層を有する半導体装置の製造方法において、複数の突出部をそれ
らの周縁部の一部が接続された態様で一体に連結した形状の前記突出体を形成する突出体
形成工程と、複数の前記突出部上にそれぞれ前記電極層を形成する電極層形成工程と、を
具備し、隣接してなる前記突出部同士が接続されてなる接続部は、前記隣接してなる突出
部にそれぞれ設けられてなる前記電極層の間に配置されてなることを特徴とする。
【００１８】
この発明によれば、突出体形成工程において複数の突出部をそれらの周縁部の一部が接
続された態様で一体に連結された形状の突出体を形成し、その後、電極層を突出部上に形
成するようにしたので、突起電極の狭ピッチ化を図ることができる。また、複数の突出部
の周縁部は接続されているものの、頂部はそれぞれ独立しているため、突起電極の弾性変
形を容易化し、しかも絶縁樹脂の流動性を確保するために、電極層の形成後に電極層間の
領域の一部若しくは全部を除去する工程を設けなくてもよく、或いは、当該工程を設けた
場合でも処理時間を低減できるため、製造工程数の削減、若しくは、製造時間の短縮を図
ることができる。
【００１９】
本発明において、前記突出体が山状に形成されることが好ましい。これによれば、各突
出部が山状に形成されるので、突出体形成工程における突出体の成形が容易になる。例え
ば、ドライエッチング法などの手間がかかり生産性の低い方法ではなく、フォトリソグラ
フィ法やインプリント法（転写法）等の簡易で量産性の良好な方法によってきわめて簡単
に突出体を形成できる。
【００２０】
本発明において、前記電極層形成工程の後に、前記突出体における前記突出部間の領域
の一部若しくは全部を除去する工程をさらに具備することが好ましい。電極層形成工程の
後に突出部間の領域の一部若しくは全部を除去する工程をさらに設けることにより、突起
電極の弾性変形をさらに容易にすることができるとともに、絶縁樹脂の流動性をさらに高
めることができる。また、最初から突出体には凹部が設けられていることにより、当該工
程の処理時間を短縮することができる。
【００２１】
また、本発明の実装構造体の製造方法は、樹脂により形成された突出体及び該突出体上
に形成された電極層を有する突起電極を備えた電子部品と、前記突起電極に導電接触した
導電体を備えた基板と、前記電子部品と前記基板とを接着する絶縁樹脂とを具備する実装
構造体の製造方法において、前記電子部品に複数の突出部をそれらの周縁部の一部が接続
された態様で一体に連結した形状の前記突出体を形成する突出体形成工程と、複数の前記
突出部上にそれぞれ前記電極層を形成する電極層形成工程と、前記突起電極が前記導電体
に導電接続されるように前記電子部品を前記基板上に実装する電子部品実装工程と、を具
備し、隣接してなる前記突出部同士が接続されてなる接続部は、前記隣接してなる突出部
にそれぞれ設けられてなる前記電極層の間に配置されてなることを特徴とする。
【００２２】
さらに、本発明の電気光学装置の製造方法は、樹脂により形成された突出体及び該突出
体上に形成された電極層を有する突起電極を備えた電子部品と、電気光学物質が配されて
なる基板を有し、当該基板上に前記突起電極に導電接触した導電体を備えた電気光学パネ
ルと、前記電子部品と前記基板とを接着する絶縁樹脂とを具備する電気光学装置の製造方
法において、前記電子部品に複数の突出部をそれらの周縁部の一部が接続された態様で一
体に連結した形状の前記突出体を形成する突出体形成工程と、複数の前記突出部上にそれ
ぞれ前記電極層を形成する電極層形成工程と、前記突起電極が前記導電体に導電接続され
るように前記電子部品を前記基板上に実装する電子部品実装工程と、を具備し、隣接して
なる前記突出部同士が接続されてなる接続部は、前記隣接してなる突出部にそれぞれ設け
られてなる前記電極層の間に配置されてなることを特徴とする。
【００２３】
次に、本発明の電気光学装置は、上記の電気光学装置を搭載してなることを特徴とする
。電子機器としては、例えば、携帯電話機、携帯型情報端末、電子時計、テレビジョン装
置、プロジェクタなどが挙げられる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
次に、添付図面を参照して本発明の実施形態について詳細に説明する。図１は本発明に
係る突起電極の構造を示す部分平面図、図２は図１のII−II断面矢視図、図３は実装時の
断面図である。
【００２５】
本発明に係る突起電極が形成される基体としては、各種電子部品或いは半導体装置が挙
げられるが、特に、以下の説明では、シリコン単結晶等よりなる半導体基板等で構成され
る基板１２１上にアルミニウム等で構成されるパッド１２２が露出するように形成され、
このパッド１２２以外の表面が酸化シリコン膜等で構成される絶縁膜１２３で被覆された
ものを例示する。
【００２６】
本実施形態では、上記の基板１２１における上記パッド１２２の形成部位とは異なる部
位に、弾性部材である樹脂により突出体１２４が基板１２１の表面より突出するように設
けられている。突出体１２４は任意の樹脂を用いることができるが、特に、アクリル樹脂
、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン変性ポリイミド樹脂、
エポキシ樹脂などを用いることができる。突出体１２４は製造を容易にする関係上、感光
性樹脂で構成されることが好ましい。感光性樹脂としては、露光条件によって形状制御が
可能であるアクリル樹脂がパターニングを容易にする上で最も好ましい。なお、実装構造
において必要な弾性特性を有するものであれば、上記の樹脂に限らず、他の任意の弾性素
材を用いることができる。
【００２７】
本実施形態の突出体１２４は、複数の突出部１２４ａがそれらの周縁部の一部が接続さ
れる態様で連結した形状を有している。各突出部１２４ａはそれぞれ山状に構成されてお
り、それぞれに頂部を備えている。ここで、山状というのは、頂部の全周囲に傾斜面が存
在する形状を言う。したがって、本実施形態の突出体１２４はいわゆる山脈状に構成され
たものとなる。図示例の場合、突出部１２４ａは半球状に構成され、この半球状の周縁部
が隣接する突出部１２４ａに周縁部の一部（接続部）１２４ｂにて接続されている。また
、突出体１２４は、複数の突出部１２４ａが一列に直線状に配列された形状となっている
。
【００２８】
突出体１２４上には電極層１２５が形成されている。電極層１２５は、パッド２に導電
接続されるとともに突出部１２４ａの頂部上に配置されるように構成され、パッド２上か
ら突出部１２４ａの少なくとも頂部にまで伸びる帯形状の薄膜（ストリップ）として形成
されている。電極層１２５の素材構成としては、Ｔｉ−Ｗ上にＡｕを積層した構造、或い
は、Ｃｒ上にＡｕを積層した構造などが好適に用いられる。ただし、Ａｕ、Ｔｉ−Ｗ、Ｃ
ｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ−Ｖ、鉛フリー半田等の各種金属（合金）
を単層とした構造、或いは、これらを適宜の組み合わせで積層した構造を用いることもで
きる。
【００２９】
本実施形態では、突出体１２４上に複数の電極層１２５が形成されることにより、各電
極層に対応する複数の突起電極１２０Ｂが構成されている。各電極層１２５は突出体１２
４の複数の突出部１２４ａの頂部上にそれぞれ配置されるように構成されている。特に、
図示例の場合、電極層１２５は突出体１２４の全ての突出部１２４ａ上に形成されている
。なお、隣接する突出部１２４間に設けられた谷部１２４ｖは、隣接する電極層１２５の
間に配置されている。
【００３０】
図３に示すように、上記の突起電極１２０Ｂは、実装されるべき基板１１１上に形成さ
れた導電体（配線パターン、後述する駆動配線及び入力配線）１１７，１１８に対して導
電接続される。この基板１１１は特に限定されるものではないが、本実施形態の場合、ガ
ラス基板、半導体基板、セラミック基板、硬質樹脂基板等の硬質基板であることが好まし
い。これらの硬質基板では基板素材自体が弾性変形しにくいため、上記の弾性変形可能な
樹脂からなる突出体１２４を備えた突起電極１２０Ｂを設けることが導電接続状態を安定
かつ再現性よく得る上で効果的である。
【００３１】
実装時においては、突起電極１２０Ｂを導電体１１７，１１８に当接させ、圧力を加え
ることによって突出体１２４を弾性変形させる。そして、この状態で基板１２１と１１１
との間に絶縁樹脂１２８を導入して、接着固定する。なお、絶縁樹脂１２８としては、流
動性を有する絶縁樹脂材（ＮＣＰ）を用いてもよく、或いは、半固形状態のシート状の絶
縁樹脂材（ＮＣＦ）を基板１２１と１１１の間に介挿し、加熱・加圧によって軟化・流動
させる態様で用いてもよい。すなわち、半固形状態の絶縁樹脂材を介して基板１１１上に
基板１２１を配置し、基板１２１を加熱しながら加圧することで、絶縁樹脂材が軟化して
上記突起電極１２０Ｂの電極層１２５が導電体１１７，１１８に導電接続され、しかも、
突出体１２４の各突出部１２４ａが弾性変形した状態となり、さらに、この状態で、絶縁
樹脂１２８が熱硬化することによって絶縁樹脂１２８の接着力により導電接続状態が保持
される。
【００３２】
図４は実装前の突起電極１２０Ｂの断面形状を示す拡大断面図、図５は実装後の突起電
極１２０Ｂの断面形状を示す拡大断面図である。図４に示すように、本実施形態の突出部
１２４ａは、従来の突起電極の半球状の突出体とほぼ同様の寸法や形状を有するものであ
り、突出部１２４ａの高さをｈとし、突起電極１２０Ｂが配列される方向に見た突出部１
２４ａの幅をｗとすると、通常、幅ｗは高さｈの約２倍、ｗ〜２ｈとなる。ここで、一般
的な高さｈの値は１０〜２０μｍ程度である。そして、従来構造では、半球状の突出体の
幅によって突起電極の配列方向の間隔が制限されるため、突起電極の配列ピッチは突出体
の幅以上、すなわち、突出体の高さｈの２倍以上となっていた。
【００３３】
本実施形態では、複数の突出部１２４ａをそれらの周縁部が接続される態様で一体に連
結してなる突出体１２４を設け、突出部１２４ａごとに電極層１２５を形成して突起電極
１２０Ｂとしているので、突出部１２４ａの形状寸法を従来の突出体と同様に設定しても
、突起電極１２０Ｂの配列ピッチＰは突出部１２４ａの幅ｗ未満となる。例えば、配列ピ
ッチＰを幅ｗ未満で高さｈ以上とすることが可能であり、高さｈ以下とすることも不可能
ではない。
【００３４】
また、突出部１２４ａを山状に形成したことにより、図１及び図２に示すように、突起
電極１２０Ｂの頂部１２０ｐの周囲が全て傾斜面として構成されることとなるため、各突
起電極１２０Ｂの弾性変形が突起電極１２０Ｂの配列方向についても発生しやすくなり、
実装時における弾性変形の態様が等方的になるため、突起電極１２０Ｂの間隔を狭めても
弾性変形の容易性を確保しやすいという効果が得られる。また、同様の理由により、突出
体１２４の谷部１２４ｖ上に形成される、隣接する突出体１２４ａ間の間隙は、図１の平
面図に示すように突起電極１２０Ｂの頂部１２０ｐ間を結ぶ線上（図示しないが図１中で
は水平線となる。）の平面位置から突出部１２４ａの配列方向と直交する方向（図１の上
下両側）に向けて開くように構成されるため、実装時における絶縁樹脂１２８の突起電極
１２０Ｂ間の流動性が良好となり、突起電極１２０Ｂ間の領域から絶縁樹脂１２８が円滑
に排出され、突起電極１２０Ｂと導電体１１７，１１８との導電接触状態が確実に得られ
るという効果もある。
【００３５】
特に、図示例では突出部１２４ａは半球状に構成されているので、頂部１２０ｐ近傍の
突出部表面の傾斜が少なく、したがって、加圧によって大きな導電接触面積を確実に得る
ことができるとともに、突出部１２４ａの弾性変形形状も安定するので、確実な導電接続
状態を再現性よく実現できる。なお、このような効果は突出部１２４ａを半球状に構成す
る場合だけでなく、半回転楕円体状などの種々の凸曲面状の表面を有する突出部を形成し
た場合にも得られる。なお、このような形状による効果を得るには基本的に突出部１２４
ａの頂部のみが上記形状となっていれば充分である。
【００３６】
図４に示すように、実装前においては突起電極１２０Ｂの頂部１２０ｐと突出体１２４
の谷部１２４ｖとの間には高低差δｈが存在する。この高低差δｈは大きいほど実装時に
おける突起電極１２０Ｂの弾性変形が容易になるとともに絶縁樹脂１２８の流動性も良好
となるが、突出部１２４ａが同じ形状であれば、高低差δｈを大きくするほど突起電極１
２０Ｂの配列ピッチも大きくなる。したがって、高低差δｈは、例えば突出部１２４の高
さｈの１／３〜２／３の範囲内であることが好ましく、同高さｈの半分程度が最も好まし
い。
【００３７】
図５に示すように、実装後においては、突起電極１２０Ｂが導電体１１７、１１８に対
して加圧されるので、突出部１２４ａが押しつぶされるように弾性変形し、頂部１２０ｐ
は平坦化される。その結果、突起電極１２０Ｂの頂部１２０ｐと突出体１２４の谷部１２
４ｖとの高低差δｈ′は上記高低差δｈより小さくなる。実装後の高低差δｈ′としては
、例えば、高さｈの３／１２〜７／１２の範囲であることが好ましい。
【００３８】
次に、図６を参照して本発明に係る突起電極１２０Ｂの製造方法について説明する。本
実施形態では、図６（ａ）に示すように、最初に、半導体基板等の基板１２１を有する基
体上に感光性樹脂からなる樹脂層１２４Ａをスピンコーティング法、印刷法等により形成
する。次に、樹脂層１２４Ａに図示しないマスクを用いて露光を行い、現像処理、焼成処
理等によってパターニングし、図６（ｂ）に示すように突出体１２４を形成する。このパ
ターニング工程では、突出体１２４を従来と同様に島状、或いは、枠状に残すだけでなく
、複数の突出部１２４ａをそれらの周縁部１２４ｂが接続される態様で一体に連結した形
状に成形する。
【００３９】
マスク等による露光パターンは、複数の突出部１２４ａに対応する複数の部分が連結さ
れた形状としてもよく、或いは、複数の突出部１２４ａに対応する複数の部分が離散的に
設けられた形状としてもよい。特に、後者の場合にはプロキシミティ露光等によって露光
パターンを意図的にぼやけさせることにより、露光強度を適宜の分布とすることで、突出
部１２４ａを山状に形成することが可能である。また、ハーフトーンマスクを用いて露光
強度を調整することで、突出部１２４ａの山形状を形成することもできる。
【００４０】
上記のパターニング工程は、上述のフォトリソグラフィ法に限らず、他の方法で行うこ
ともできる。例えば、樹脂層１２４Ａにインプリント法（転写法）を適用し、樹脂層１２
４Ａを型によって上記の形状に成形することも可能である。また、樹脂層１２４Ａを突出
部１２４ａに対応する位置にのみ残すように構成し、その後、残存した樹脂層を加熱等に
よって軟化・流動させることにより、突出部１２４ａの周縁部同士が連結されるようにし
てもよい。
【００４１】
上記のパターニング工程は、基本的に従来のパターニング工程と同じ方法で同じ工程時
間で処理することができる。すなわち、露光パターンを変えたり、型形状を変えたりする
だけでよく、工程そのものを変更する必要がない。
【００４２】
次に、図６（ｃ）に示すように、上記の突出体１２４の各突出部１２４ａ上にそれぞれ
電極層１２５を形成する。これらの電極層１２５は、金属層その他の導電層を蒸着法、ス
パッタリング法、ＣＶＤ法、無電解めっき法等の適宜の成膜法により成膜した後に、マス
ク等を用いて選択的に導電層の不要部分を除去（パターニング）することによって形成で
きる。電極層１２５は少なくとも突出部１２４ａの頂部上に配置されるように形成される
。通常、電極層１２５は基板１２１上の図１に示すパッド１２２に導電接続されるように
構成される。
【００４３】
本実施形態では、上記のように突出部１２４ａと電極層１２５とからなる突起電極１２
０Ｂが一体の突出体１２４に対して複数設けられる。そして、これらの突起電極１２０Ｂ
を備えた電子部品（例えば半導体装置）を図３に示すように基板１１１上に実装すればよ
い。
【００４４】
ただし、この場合、突出体１２４における突出部１２４ａ間の谷部１２４ｖが充分に深
く形成されておらず、実装時において各突出部１２４ａが弾性変形しにくく、また、突出
部１２４ａ間において谷部１２４ｖ上の間隙が不十分で絶縁樹脂１２８の流動不足によっ
て導電接触状態が悪くなる可能性もある。そこで、上記の工程の後に、突出体１２４にお
ける突出部１２４ａ間の領域の一部又は全部を除去する工程を設け、図６（ｄ）に示すよ
うに、上記領域に凹溝１２４ｕを形成してもよい。この工程は、例えば、酸素ガスのプラ
ズマを基板１２１上に照射することによるプラズマ処理、その他のドライエッチング法や
ウエットエッチング法などによって実施する。特に、酸素プラズマ処理では、樹脂材料の
エッチングができる一方で金属材料のエッチング速度が低いために充分な選択比を確保で
きることから、マスクなしで（電極層１２５をマスクとして）処理を施すことが可能であ
る。
【００４５】
この場合には、凹溝１２４ｕを設ける工程が別途必要になるが、もともと突出部１２４
ａ間には谷部１２４ｖが設けられているために、従来方法に比べて当該工程の処理時間を
大幅に低減することができる。
【００４６】
図７乃至図９は、本実施形態の突出体の各種の例の概略斜視図（ａ）及び概略平面図（
ｂ）を示すものである。図７に示す突出体１２４は先に説明した形状を有するものであり
、複数の半球状の突出部１２４ａが一体に連結され、それらの突出部１２４ａが一列で直
線状に並んだ例を示す。また、図８に示す突出部１２４′は、複数の半円柱状の突出部１
２４ａ′が直線状に並んだ例を示す。さらに、図９に示す突出体１２４″は、複数の半球
状の突出部１２４ａ″が一体に連結され、それらの突出部１２４ａ′が千鳥状に配列され
た例を示す。なお、複数の突出部の配列態様は上記のような一列に配列されたものだけに
限られず、例えば、二列、或いはそれ以上の列となるように配列されたものであってもよ
い。また、直線状に限らず、曲線状に配列されていても構わない。
【００４７】
図１０は、上記の突起電極１２０Ｂを備えた電子部品（半導体装置）１２０を基板１１
１上に実装してなる実装構造体、或いは、電気光学装置の構成例を示す概略斜視図である
。電気光学装置１００は、電気光学パネル１１０と、電子部品１２０とを有している。電
気光学パネル１１０は、一対のガラスや合成樹脂等よりなる基板１１１と１１２とをシー
ル材１１３で所定間隔（３〜１０μｍ程度）を有するように貼り合わせ、基板１１１と１
１２の間に電気光学物質が配置されてなるものである。図示例では、基板１１１と１１２
の間のシール材１１３で閉鎖された領域に液晶１１４が封入された液晶表示体が構成され
ている。
【００４８】
基板１１１と１１２の内面上には図示しない駆動電極が形成され、これらの駆動電極に
よって液晶１１４に所定の電界を印加することで、画素ごとに光変調特性を制御できるよ
うに構成されている。画素はシール材１１３の内側に設定された表示領域内に例えばマト
リクス状に配列されている。基板１１１及び１１２の外面上には偏光板１１５、１１６が
配置（貼着）されている。
【００４９】
基板１１１には、基板１１２と対向する対向部１１１ａと、基板１１２の外形よりも外
側へ張り出してなる張り出し部１１１ｂとが設けられ、対向部１１１ａには上記の画素を
構成する駆動電極が配列形成され、張り出し部１１１ｂには、上記の駆動電極に対して直
接若しくは間接的に接続された複数の駆動配線１１７が引き出されている。また、張り出
し部１１１ｂの端部には、複数の入力配線１１８が形成されている。
【００５０】
上記電子部品１２０は、先に説明した複数の突起電極１２０Ｂを表面（図１０における
下面）上に形成したものであり、典型的には、半導体基板の能動面上に複数の突起電極１
２０Ｂを配列させてなる半導体装置（半導体チップ）である。電子部品１２０は張り出し
部１１１ｂの表面上に実装され、各突起電極１２０Ｂは上記の駆動配線１１７及び入力配
線１１８にそれぞれ導電接続されている。
【００５１】
入力配線１１８は張り出し部１１１ｂの端部に図示しない入力端子を有し、これらの入
力端子は、張り出し部１１１ｂの端部上に実装されたフレキシブル配線基板１３１の配線
パターンに導電接続されている。
【００５２】
本実施形態では、上記の電子部品１２０が上述のように狭ピッチで形成された複数の突
起電極１２０Ｂを備えているため、電気光学パネル１１０が高精細化されることによって
多数の駆動配線１１７を有するものとなっても、短絡不良や導通不良のない電気信頼性の
高い電気光学装置１００（実装構造体）を構成することができる。
【００５３】
次に、図１１及び図１２を参照して、本発明に係る電子機器の例について説明する。図
１１は、本発明に係る電子機器の一実施形態であるノート型パーソナルコンピュータを示
している。このパーソナルコンピュータ２００は、複数の操作ボタン２０１ａや他の操作
装置２０１ｂを備えた本体部２０１と、この本体部２０１に接続され、表示画面２０２ａ
を備えた表示部２０２とを備えている。図示例の場合、本体部２０１と表示部２０２は開
閉可能に構成されている。表示部２０２の内部には上述の液晶装置１００が内蔵されてお
り、表示画面２０２ａに所望の表示画像が表示されるようになっている。この場合、パー
ソナルコンピュータ２００の内部には、上記液晶装置１００を制御する表示制御回路が設
けられる。この表示制御回路は、液晶装置１００に対して映像信号その他の入力データや
所定の制御信号を送り、その動作態様を決定するように構成されている。
【００５４】
図１２は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここ
に示す携帯電話機３００は、複数の操作ボタン３０１ａ，３０１ｂ及び送話口などを備え
た操作部３０１と、表示画面３０２ａや受話口などを備えた表示部３０２とを有し、表示
部３０２の内部に上記の液晶装置１００が組み込まれてなる。そして表示部３０２の表示
画面３０２ａにおいて液晶装置１００により形成された表示画像を視認することができる
ようになっている。この場合、携帯電話機３００の内部には、上記液晶装置１００を制御
する表示制御回路が設けられる。この表示制御回路は、液晶装置１００に対して映像信号
その他の入力データや所定の制御信号を送り、その動作態様を決定するように構成されて
いる。
【００５５】
尚、本発明の実装構造体、半導体装置、及び、電気光学装置、並びに、突起電極等の製
造方法は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲
内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記各実施形態の電気光学装
置は液晶表示体を構成する電気光学パネルを含むものとして説明したが、本発明では、液
晶表示体に限らず、有機エレクトロルミネッセンス装置、電気泳動表示体、プラズマディ
スプレイパネル等の各種の電気光学パネルを用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】実施形態の突起電極の構造を示す概略平面図。
【図２】実施形態の突起電極の構造を示す断面矢視図。
【図３】実施形態の突起電極と導電体の実装構造を示す概略縦断面図。
【図４】実施形態の実装前の突起電極の構造を示す拡大断面図。
【図５】実施形態の実装後の実装構造を示す拡大断面図。
【図６】実施形態の突起電極の製造方法を示す工程断面図。
【図７】実施形態の突出体の形状を示す斜視図（ａ）及び平面図（ｂ）。
【図８】実施形態の突出体の別の形状例を示す斜視図（ａ）及び平面図（ｂ）。
【図９】実施形態の突出体のさらに別の形状例を示す斜視図（ａ）及び平面図（ｂ）。
【図１０】実施形態の電気光学装置の全体構成を模式的に示す概略斜視図。
【図１１】実施形態の電子機器の一例を示す概略斜視図。
【図１２】実施形態の電子機器の他の例を示す概略斜視図。
【図１３】従来の突起電極を形成してなる半導体装置の一部を示す部分平面図（ａ）及び（ｂ）。
【図１４】従来の突起電極の構造を示す概略縦断面図。
【図１５】従来の突起電極を備えた半導体装置の実装構造を示す拡大部分断面図。
【符号の説明】
【００５７】
１００…電気光学装置、１１０…電気光学パネル、１１１…基板、１２０…電子部品（半
導体装置）、１２０Ｂ…突起電極、１２０ｐ…頂部、１２１…基板、１２２…パッド、１
２３…絶縁膜、１２４…突出体、１２４ａ…突出部、１２４ｂ…周縁部（接続部）、１２
４ｖ…谷部、１２５…電極層
【図１】
2007165744.tif 000003
【図２】
2007165744.tif 000004
【図３】
2007165744.tif 000005
【図４】
2007165744.tif 000006
【図５】
2007165744.tif 000007
【図６】
2007165744.tif 000008
【図７】
2007165744.tif 000009
【図８】
2007165744.tif 000010
【図９】
2007165744.tif 000011
【図１０】
2007165744.tif 000012
【図１１】
2007165744.tif 000013
【図１２】
2007165744.tif 000014
【図１３】
2007165744.tif 000015
【図１４】
2007165744.tif 000016
【図１５】
2007165744.tif 000017