【事件の表示】
　特願２００９−５３１５９０「金属シリケート膜のＡＬＤ」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　４月１０日国際公開，ＷＯ２００８／０４２９８１，平成２２年　２月２５日国内公表，特表２０１０−５０６４０８〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，２００７年１０月３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００６年１０月５日，アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって，平成２４年１０月３１日付けで拒絶の理由が通知され，平成２５年１月３１日に意見書と手続補正書が提出され，同年５月２９日に拒絶査定がされたものである。
　その後，同年１０月４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに，同時に手続補正書が提出され，平成２６年１月２０日付けで審尋を行い，同年５月１６日に回答書が提出された。
　
第２　補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２５年１０月４日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
［理　由］
１　補正の内容
　平成２５年１０月４日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１−２１を補正して，補正後の請求項１−１６とするものであって，補正前後の請求項１は各々次のとおりである。
　
＜補正前＞
「【請求項１】
　金属シリケート膜を形成する原子層堆積（ＡＬＤ）法であって，複数の堆積サイクルを含み，各サイクルは，反応空間内の基板を，ハロゲン化ケイ素原料化学物質，金属原料化学物質，及び酸化剤の空間的且つ時間的に離れた気相パルスと接触させることを含み，前記金属原料化学物質は，前記ハロゲン化ケイ素原料化学物質の後に供給されるすぐ後の反応物であり，前記金属シリケート膜が約６５原子％を超えるケイ素含量を有する，方法。」
　
＜補正後＞
「【請求項１】
　金属シリケート膜を形成する原子層堆積（ＡＬＤ）法であって，複数の堆積サイクルを含み，各サイクルは，反応空間内の基板を，ハロゲン化ケイ素原料化学物質，金属原料化学物質，及び酸化剤のそれぞれの気相パルスと接触させることを含み，前記気相パルスの各々がその次の気相パルスと空間的且つ時間的に離れており，前記金属原料化学物質は，前記ハロゲン化ケイ素原料化学物質の後に供給されるすぐ後の反応物であり，前記金属シリケート膜が約６５原子％を超えるケイ素含量を有する，方法。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１の「各サイクルは，反応空間内の基板を，ハロゲン化ケイ素原料化学物質，金属原料化学物質，及び酸化剤の空間的且つ時間的に離れた気相パルスと接触させることを含み」を補正して，補正後の請求項１の「各サイクルは，反応空間内の基板を，ハロゲン化ケイ素原料化学物質，金属原料化学物質，及び酸化剤のそれぞれの気相パルスと接触させることを含み，前記気相パルスの各々がその次の気相パルスと空間的且つ時間的に離れており」にすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項１２の「を含み，前記ハフニウムシリケート膜が約６５原子％を超えるケイ素含量を有する」を補正して，補正後の請求項１２の「を含み，ステップ（ｃ）とステップ（ｅ）の間で反応物が供給されないものであり，前記ハフニウムシリケート膜が約６５原子％を超えるケイ素含量を有する」にすること。
　
（３）補正事項３
　補正前の請求項１６−２０を削除するとともに，補正前の請求項２１に係る発明の請求項の番号を，「請求項２１」から，「請求項１６」に補正すること。
　
３　新規事項追加の有無，及び，補正の目的の適否についての検討
（１）補正事項１及び２について
　補正事項１及び２により補正された部分は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。また，本願の願書に最初に添付した明細書を「当初明細書」という。）に記載されているものと認められるから，補正事項１及び２は，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。
　したがって，補正事項１及び２は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また，補正事項１及び２が，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　さらに，補正事項１及び２は，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって，補正事項１及び２は，特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たす。
　
（２）補正事項３について
　補正事項３により補正された部分は，当初明細書等に記載されているものと認められるから，補正事項３は，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。
　したがって，補正事項３は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また，補正事項３が，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　さらに，補正事項３は，特許法第１７条の２第５項第１号及び第４号に掲げる，請求項の削除，及び，前記請求項の削除に伴う，明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当する。
　したがって，補正事項３は，特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たす。
　
（３）新規事項追加の有無，及び，補正の目的の適否についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから，本件補正は，特許法第１７条の２第３項，第４項及び第５項に規定する要件を満たす。
　
４　独立特許要件についての検討
　本件補正は，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正であるから，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定によって，本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであることを要する。
　そこで，本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か，すなわち，本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについて，請求項１及び請求項５に係る発明について，更に検討を行う。
　
（１）補正後の発明
　本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明１」という。）は，本件補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定されるとおりのものである。
　以下，再掲する。
　
「【請求項１】
　金属シリケート膜を形成する原子層堆積（ＡＬＤ）法であって，複数の堆積サイクルを含み，各サイクルは，反応空間内の基板を，ハロゲン化ケイ素原料化学物質，金属原料化学物質，及び酸化剤のそれぞれの気相パルスと接触させることを含み，前記気相パルスの各々がその次の気相パルスと空間的且つ時間的に離れており，前記金属原料化学物質は，前記ハロゲン化ケイ素原料化学物質の後に供給されるすぐ後の反応物であり，前記金属シリケート膜が約６５原子％を超えるケイ素含量を有する，方法。」
　
（２）引用例とその記載事項，及び，引用発明
　拒絶査定の理由で引用した，本願の優先権の主張の日前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である下記の引用例１には，図面とともに次の事項が記載されている。（なお，下線は，当合議体において付したものである。以下同じ。）
　
ア　引用例１：国際公開第２００５／１１３８５５号
（１ａ）「[0003] While conventional chemical vapor deposition (CVD) has proved successful for device geometries and aspect ratios down to 0.15 μｍ, the more aggressive device geometries require an alternative deposition technique. One technique that is receiving considerable attention is 
atomic layer deposition (ALD)
a first reactant is pulsed into the process chamber and is adsorbed onto the substrate surface
A second reactant is pulsed into the process chamber and reacts with the first reactant to form a deposited material
原子層堆積法（ＡＬＤ）
第１の反応剤はプロセスチャンバにパルスされて，基板表面上に吸着される
第２の反応剤はプロセスチャンバにパルスされて，第１の反応剤と反応して堆積材料を形成する
　
（１ｂ）「[0023] 
The invention provides methods for depositing hafnium-containing materials and other high-k dielectric materials on substrate surfaces by atomic layer deposition (ALD) processes
本発明は，原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスによって基板表面上にハフニウム含有材料および他の高誘電率誘電材料を堆積するための方法を提供する
　
（１ｃ）「[0027] A substrate may be exposed to a pretreatment process or a pre-soak process in order to terminate the substrate surface with a variety of functional groups, as depicted during step 115.」（[0027]ステップ１１５に描かれるように，多様な官能基によって基板表面を終端するために，基板は前処理プロセスや予浸プロセスに暴露されてもよい。）
　
（１ｄ）「[0043] In another embodiment, Figure 3 illustrates 
an exemplary process sequence 200 for forming a hafnium-containing material, such as hafnium silicate
starting an ALD cycle
The substrate is exposed to pulse of a hafnium precursor that is introduced into the process chamber for a time period in a range from about 0.1 seconds to about 5 seconds (step 210)
a pulse of oxidizing gas is introduced into the process chamber for a time period in a range from about 0.1 seconds to about 10 seconds (step 220)
exposed to pulse of a silicon precursor that is introduced into the process chamber for a time period in a range from about 0.1 seconds to about 10 seconds (step 230)
A pulse of purge gas is again pulsed into the process chamber (step 235) to purge or otherwise remove any residual silicon precursor or by-products
another pulse of oxidizing gas is introduced into the process chamber for a time period in a range from about 0.1 seconds to 10 seconds (step 240)
A pulse of purge gas is again introduced into the processing chamber (step 245) to purge or otherwise remove any residual oxidizing compound or by-products
[0044] Referring to step 250, after each deposition cycle (steps 210 through 245), a hafnium-containing material, such as hafnium silicate, having a first thickness is deposited on the substrate surface. Usually, each deposition cycle forms a layer with a thickness in the range from about 0.5 Å to about 10 Å. Depending on specific device requirements, subsequent deposition cycles may be needed to deposit a hafnium-containing material with a predetermined thickness. 
A deposition cycle (steps 210 through 245) may be repeated until the desired or predetermined thickness for the hafnium-containing material is achieved at step 250 and process sequence 200 is stopped at step 260
[0045] The hafnium silicate material formed by the deposition processes described herein has the empirical chemical formula HfSi y O x . Hafnium silicate may be a homogenous mixture of hafnium oxide (HfO x  or HfO 2 ) and silicon oxide (SiO x  or SiO 2 ) or a single phase HfSiO，material. Hafnium silicate may have the molecular chemical formula HfSiO４, but b
y varying process conditions
timing
hafnium silicates may vary by elemental concentration, for example, HfSiO
 3 . 8
  or HfSi
 0 .8
O 
3 . 8
ケイ酸ハフニウムなどのハフニウム含有材料を形成するための例示的なプロセスシーケンス
ＡＬＤサイクルを開始
基板は，約０．１秒〜約５秒の範囲の期間プロセスチャンバに導入されるハフニウム前駆体のパルスに暴露される（ステップ２１０）
酸化ガスのパルスが，約０．１秒〜約１０秒の範囲の期間プロセスチャンバに導入される（ステップ２２０）
約０．１秒〜約１０秒の範囲の期間プロセスチャンバに導入されるシリコン前駆体のパルスに暴露される（ステップ２３０）
パージガスのパルスが再度プロセスチャンバにパルスされて（ステップ２３５），残渣シリコン前駆体や副生成物をパージ，あるいは他の方法で除去
酸化ガスの別のパルスが，約０．１秒〜約１０秒の範囲の期間プロセスチャンバに導入される（ステップ２４０）
パージガスのパルスが再度処理チャンバに導入されて（ステップ２４５），残渣酸化化合物や副生成物をパージ，あるいは他の方法で除去する
[0044]ステップ２５０を参照すると，各堆積サイクル（ステップ２１０〜２４５）の後，第１の厚さを有するケイ酸ハフニウムなどのハフニウム含有材料が基板表面上に堆積される。通常，各堆積サイクルは，約０．５Å〜約１０Åの範囲の厚さの層を形成する。具体的なデバイス要件に応じて，後続の堆積サイクルが，所定の厚さのハフニウム含有材料を堆積するのに必要とされる場合がある。
堆積サイクル（ステップ２１０〜２４５）は，ハフニウム含有材料の所望または所定の厚さがステップ２５０で達成され，かつプロセスシーケンス２００がステップ２６０で停止されるまで反復
[0045]本明細書に説明された堆積プロセスによって形成されたケイ酸ハフニウム材料は実験化学式ＨｆＳｉｙＯｘを有する。ケイ酸ハフニウムは，酸化ハフニウム（ＨｆＯｘまたはＨｆＯ２）と酸化シリコン（ＳｉＯｘまたはＳｉＯ２）の均等な混合物か単相ＨｆＳｉＯ４材料であってもよい。ケイ酸ハフニウムは分子化学式ＨｆＳｉＯ４を有してもよいが，
プロセス条件
タイミング
を変更することによって，ケイ酸ハフニウムは元素濃度によって，例えばＨｆＳｉＯ
３．８
やＨｆＳｉ
０．８
Ｏ
３．８
に変更してもよい
　
（１ｅ）「[0054] 
In another embodiment, hafnium-containing materials, such as hafnium silicate, may be formed by omitting either of the steps that introduce the oxidizing gas and the subsequent purge step
In another example
steps 240 and 245 are omitted, therefore a hafnium silicate material may be formed by sequentially pulsing the hafnium precursor, purge gas, oxidizing gas, purge gas, silicon precursor and purge gas
別の実施形態では
ケイ酸ハフニウムなどのハフニウム含有材料は，酸化ガスを導入するステップおよび後続のパージステップのいずれかを省略することによって形成されてもよい
別の例では
ステップ２４０〜２４５が省略されるため，ケイ酸ハフニウム材料は，ハフニウム前駆体，パージガス，酸化ガス，パージガス，シリコン前駆体およびパージガスを順次パルスすることによって形成されてもよい
　
（１ｆ）「[0055] Figure ，illustrates an exemplary process sequence 300 for forming a hafnium-containing material, such as a hafnium silicate, according to another embodiment of the invention. A substrate is loaded into a process chamber capable of performing cyclical deposition and the process conditions are adjusted (step 310). The substrate may be exposed to an optional pre-soak process and purge prior to starting an ALD cycle (step 315). 
The substrate is exposed to a pulse of a hafnium precursor and a pulse of a silicon precursor that completely or at least partially overlap in time and are introduced into the process chamber for a time period in a range from about 0.1 seconds to about 5 seconds (step 320)
[0056] Referring to step 360, after each deposition cycle (steps 320 through 350), a hafnium-containing material, such as a hafnium silicate, having a first thickness will be deposited on the substrate surface. During the ALD process, each deposition cycle forms a layer with a thickness in the range from about 0.5 Å to about 10 Å. Depending on specific device requirements, subsequent deposition cycles may be needed to deposit a hafnium-containing material with a predetermined thickness. A deposition cycle (steps 320 through 350) may be repeated until the desired or predetermined thickness for the hafnium-containing material is achieved at step 360 and process sequence 300 is stopped at step 370.」（[0055]図４は，本発明の別の実施形態に従った，ケイ酸ハフニウムなどのハフニウム含有材料を形成するための例示的なプロセスシーケンス３００を図示している。基板は循環堆積を実行可能なプロセスチャンバにロードされ，プロセス条件が調整される（ステップ３１０）。基板はＡＬＤサイクルを開始する前に任意の予浸プロセスおよびパージに暴露されてもよい（ステップ３１５）。
基板は，完全または少なくとも部分的に時間が重複し，かつ約０．１秒〜約５秒の範囲の期間プロセスチャンバに導入されるハフニウム前駆体のパルスおよびシリコン前駆体のパルスに暴露される（ステップ３２０）
[0056]ステップ３６０を参照すると，各堆積サイクル（ステップ３２０〜３５０）の後，第１の厚さを有するケイ酸ハフニウムなどのハフニウム含有材料が基板表面上に堆積される。ＡＬＤプロセス中，各堆積サイクルは，約０．５Å〜約１０Åの範囲の厚さの層を形成する。具体的なデバイス要件に応じて，後続の堆積サイクルが，所定の厚さのハフニウム含有材料を堆積させるのに必要な場合がある。堆積サイクル（ステップ３２０〜３５０）は，ハフニウム含有材料の所望または所定の厚さがステップ３６０で達成され，かつプロセスシーケンス３００がステップ３７０で停止されるまで反復されてもよい。）
　
（１ｇ）「[0058] 
During step 320, the hafnium precursor and the silicon precursor are each introduced by flowing into the process chamber as a pulse of precursor
In Figures 5A-5E, t
１
corresponds to the time period that a hafnium precursor and a silicon precursor are pulsed during step 320, while t
2
 corresponds to the time period during steps 330, 340 and 350
In one embodiment depicted in Figure 5A, the hafnium precursor and silicon precursor are independently pulsed during the same time period, such that both precursors flow during all of t
１
ステップ３２０の際，ハフニウム前駆体およびシリコン前駆体は各々前駆体のパルスとしてプロセスチャンバに流れることによって導入される
図５Ａ〜５Ｅにおいて，ｔ１は，ハフニウム前駆体およびシリコン前駆体がステップ３２０でパルスされる期間に相当するのに対して，ｔ２はステップ３３０，３４０および３５０の期間に相当する
図５Ａに描かれた一実施形態では，両前駆体がｔ１の間ずっと流れるように，ハフニウム前駆体およびシリコン前駆体は同じ期間中独立してパルスされる
　
（１ｈ）「[0059] In another embodiment depicted by Figures 5B-5C, the hafnium precursor and silicon precursor are independently pulsed, so that a first precursor flows during all of t1 and the second precursor flows during the intermediate of t1. For example, in Figure 5B when t1 lasts about 2 seconds, a hafnium precursor is pulsed for about 2 seconds and a silicon precursor is pulsed for about 1.5 seconds during the intermediate of the pulsed hafnium precursor. Alternatively, in Figure 5C when t１ lasts about 2 seconds, a silicon precursor is pulsed for about 2 seconds and a hafnium precursor is pulsed for about 1.5 seconds during the intermediate of the pulsed silicon precursor.
[0060] 
In another embodiment depicted by Figures 5D-5E, the hafnium precursor and silicon precursor are independently pulsed with a partially overlap, such that a first precursor flows at the beginning of t
1
 but does not flow to the end of t
1
 and the second precursor does not flow at the beginning of t
１
, but does flow to the end of t
１
For example, in Figure 5D when t
１
 lasts about 2 seconds, a hafnium precursor is pulsed for about 1.5 seconds at the beginning of t
１
 and a silicon precursor is pulsed for about 1.5 seconds at the end of t
1
In another example, in Figure 5E when t
１
, lasts about 2 seconds, a silicon precursor is pulsed for about 1.75 seconds at the beginning of t
１
 and a hafnium precursor is pulsed for about 1.5 seconds at the end of t
1
[0061] 
Alternatively, a first precursor (e.g., hafnium precursor) may be pulsed during any portion of time period t
1
 while overlapping or not overlapping a second precursor (e.g., silicon precursor) may also be pulsed during any portion of time period t
1
Therefore, a hafnium precursor, a silicon precursor or other precursor may be independently pulsed into the process chamber with any partial overlap of time or with no overlap of time
In another example when t
1 
lasts about 2 seconds, a hafnium precursor is pulsed for about 0.5 seconds and a silicon precursor is pulsed for 0.5 seconds with no overlap of or not during the pulse of hafnium precursor
In another example when t
1
 lasts about 2 seconds, a hafnium precursor is pulsed for about 0.5 seconds and a silicon precursor is pulsed for 0.5 seconds with an overlap of or during the pulse of hafnium precursor
[0060]
図５Ｄ〜図５Ｅに描かれた別の実施形態では，第１の前駆体がｔ１の開始で流れるがｔ１の終わりまでは流れず，かつ第２の前駆体はｔ１の開始では流れないがｔ１の終わりまで流れるように，ハフニウム前駆体およびシリコン前駆体は部分的に重複して独立してパルスされる
例えば，図５Ｄにおいて，ｔ１が約２秒続く場合，ハフニウム前駆体はｔ１の開始で約１．５秒間パルスされ，シリコン前駆体はｔ１の終わりで約１．５秒間パルスされる
別の例では，図５Ｅにおいて，ｔ１が約２秒続く場合，シリコン前駆体はｔ１の開始で約１．７５秒間パルスされ，ハフニウム前駆体はｔ１の終わりで約１．５秒間パルスされる
[0061]
代替的に，第１の前駆体（例えば，ハフニウム前駆体）は，重複してもしなくても，期間ｔ１の任意の区間でパルスされてもよく，第２の前駆体（例えば，シリコン前駆体）はまた期間ｔ１の任意の区間パルスされてもよい
従って，ハフニウム前駆体，シリコン前駆体または他の前駆体は，期間が部分的に重複して，あるいは期間の重複なしでプロセスチャンバに独立してパルスされてもよい
別の例では，ｔ１が約２秒続く場合，ハフニウム前駆体は約０．５秒間パルスされ，シリコン前駆体はハフニウム前駆体のパルスと重複せずに，あるいはこの期間以外で約０．５秒間パルスされる
別の例では，ｔ１が約２秒続く場合，ハフニウム前駆体は約０．５秒間パルスされ，シリコン前駆体はハフニウム前駆体のパルスと重複せずに，あるいはこの期間中約０．５秒間パルスされる
　
（１ｉ）「[0065] 
In an alternative embodiment during step 320
The hafnium/silicon precursor mixture is formed by combining a proportional amount of a hafnium precursor and a silicon precursor in order to achieve a desired Hf:Si ratio within the deposited hafnium-containing material
Hafnium silicates deposited by the processes described herein have the empirical chemical formula HfSi 
y
 O 
x
 , wherein y may be adjusted by varying the molar ratio of the hafnium precursor and the silicon precursor within the hafnium/silicon precursor mixture
if the ratio of hafnium precursor to silicon precursor is less than 1 , than y is probably greater than 1
ステップ３２０の際の代替実施形態
ハフニウム／シリコン前駆体混合物は，堆積されたハフニウム含有材料内に所望のＨｆ：Ｓｉ比を達成するために比例量のハフニウム前駆体およびシリコン前駆体を結合させることによって形成される
本明細書に説明されたプロセスによって堆積されたケイ酸ハフニウムは実験化学式ＨｆＳｉ
ｙ
Ｏ
ｘ
を有しており，ここでｙはハフニウム／シリコン前駆体混合物内のハフニウム前駆体およびシリコン前駆体のモル比を変更することによって調整されてもよい
ハフニウム前駆体対シリコン前駆体の比が１未満である場合，ｙは恐らく１より大きい
　
（１ｊ）「[0072] 
Exemplary silicon precursors useful for depositing silicon-containing materials
SiCl
4
Si
 2
 Cl 
6
 
シリコン含有材料を堆積するのに有用な例示的なシリコン前駆体は
ＳｉＣｌ
４
Ｓｉ
２
Ｃｌ
６
　
（１ｋ）「[0078]・・・In one example, a dielectric stack material is formed by depositing a first hafnium-containing material on a substrate and subsequently depositing a second hafnium-containing material thereon. The first and second hafnium-containing materials may vary in composition, so that one layer may contain hafnium oxide and the other layer may contain hafnium silicate. In one aspect, the lower layer contains silicon.」（[0078]・・・一例では，誘電スタック材料は，第１のハフニウム含有材料を基板上に堆積し，次いで第２のハフニウム含有材料をその上に堆積することによって形成される。第１および第２のハフニウム含有材料は組成を変更してもよいため，一方の層が酸化ハフニウムを含有してもよく，かつ他方の層がケイ酸ハフニウムを含有してもよい。一態様では，下部層はシリコンを含有する。）
　
（１ｌ）「[00124] Atomic layer deposition or cyclical deposition as used herein refers to the sequential introduction of two or more reactive compounds to deposit a layer of material on a substrate surface. The two, three or more reactive compounds may alternatively be introduced into a reaction zone of a process chamber. Usually, each reactive compound is separated by a time delay to allow each compound to adhere and/or react on the substrate surface. In one aspect, a first precursor or compound A is pulsed into the reaction zone followed by a first time delay. Next, a second precursor or compound B is pulsed into the reaction zone followed by a second delay. During each time delay a purge gas, such as nitrogen, is introduced into the process chamber to purge the reaction zone or otherwise remove any residual reactive compound or by-products from the reaction zone. Alternatively, the purge gas may flow continuously throughout the deposition process so that only the purge gas flows during the time delay between pulses of reactive compounds. The reactive compounds are alternatively pulsed until a desired film or film thickness is formed on the substrate surface. In either scenario, the ALD process of pulsing compound A, purge gas, pulsing compound B and purge gas is a cycle. A cycle can start with either compound A or compound B and continue the respective order of the cycle until achieving a film with the desired thickness. In another embodiment, a first precursor containing compound A, a second precursor containing compound B and a third precursor containing compound C are each separately pulsed into the process chamber. Alternatively, a pulse of a first precursor may overlap in time with a pulse of a second precursor while a pulse of a third precursor does not overlap in time with either pulse of the first and second precursors.」（[00124]本明細書で使用される「原子層堆積法」や「循環堆積法」は，基板表面上に１層の材料を堆積するための２つ以上の反応化合物の順次導入のことをいう。２つ，３つ，またはこれ以上の反応化合物は代替的に，プロセスチャンバの反応ゾーンに導入されてもよい。通常，各反応混合物は，各化合物を基板表面に接着および／または反応させる時間遅延によって分離される。一態様では，第１の前駆体つまり化合物Ａは，第１の時間遅延が続く反応ゾーンにパルスされる。次に，第２の前駆体つまり化合物Ｂは，第２の遅延が続く反応ゾーンにパルスされる。各時間遅延中，窒素などのパージガスがプロセスチャンバに導入されて，反応ゾーンをパージするか，別の方法で残渣反応化合物や副生成物を反応ゾーンから除去する。代替的に，パージガスは堆積プロセス中ずっと連続的に流れてもよいため，パージガスのみが反応化合物のパルス間の時間遅延中に流れる。反応化合物は，所望の膜や膜厚が基板表面上に形成されるまで代替的にパルスされる。いずれのシナリオでも，化合物Ａ，パージガスをパルスし，化合物ＢおよびパージガスをパルスするＡＬＤプロセスは１サイクルである。サイクルは化合物Ａまたは化合物Ｂのいずれかから開始し，所望の厚さの膜を達成するまでサイクルのそれぞれの順序を継続する。別の実施形態では，化合物Ａを含有する第１の前駆体，化合物Ｂを含有する第２の前駆体，および化合物Ｃを含有する第３の前駆体は各々別個にプロセスチャンバにパルスされる。代替的に，第１の前駆体のパルスは第２の前駆体のパルスと時間的に重複することがあるのに対して，第３の前駆体のパルスは第１および第２の前駆体のいずれのパルスとも時間的に重複しない。）
　
（１ｍ）「[00125] During Examples 1-10, the ALD processes are maintained at a temperature in a range from about 70℃ to about 1 ,000℃, preferably from about 100℃ to about 650℃, for example, about 350℃. The ALD processes may be conducted having the process chamber at a pressure in the range from about 0.1 Torr to about 100 Torr, preferably from about 1 Torr to about 10 Torr. A carrier gas (e.g., N 2 ) may have a flow rate in the range from about 2 slm to about 22 slm, preferably about 10 slm. An oxidizing gas containing water vapor was produced by a water vapor generator (WVG) system containing a metal catalyst, available from Fujikin of America, Inc., located in Santa Clara, California. The WVG system formed the oxidizing gas from a hydrogen source gas and an oxygen source gas. The substrates were exposed to an oxidizing gas containing water vapor from the WVG system for about during a pre-treatment process. The pre-treatment process occurred for a period in a range from about 5 seconds to about 30 seconds. Deposited materials were formed with a thickness in the range from about 2 Å to about 1 ,000 Å, preferably, from about 5 Å to about 100 Å, and more preferably, from about 10 Å to about 50 Å.」（[00125]実施例１〜１０の際，ＡＬＤプロセスは約７０℃〜約１，０００℃，好ましくは約１００℃〜約６５０℃の範囲，例えば約３５０℃の温度に維持される。ＡＬＤプロセスは，約０．１トール〜約１００トール，好ましくは約１トール〜約１０トールの範囲の圧力のプロセスチャンバを有することによって行われてもよい。キャリアガス（例えば，Ｎ２）は，約２ｓｌｍ〜約２２ｓｌｍの範囲，好ましくは約１０ｓｌｍの流量を有してもよい。水蒸気を含有する酸化ガスは，カリフォルニア州サンタクララにあるＦｕｊｉｋｉｎ　ｏｆ　Ａｍｅｒｉｃａ，Ｉｎｃ．，から入手可能な金属触媒を含有する水蒸気発生器（ＷＶＧ）システムによって発生された。ＷＶＧシステムは水素源ガスおよび酸素源ガスから酸化ガスを形成した。基板は，ほぼ前処理プロセスの間ＷＶＧシステムからの水蒸気を含有する酸化ガスに暴露された。前処理プロセスは約５秒〜約３０秒の範囲の期間生じた。堆積された材料は約２Å〜約１，０００Å，好ましくは約５Å〜約１００Å，より好ましくは約１０Å〜約５０Åの範囲の厚さに形成された。）
　
（１ｎ）「[00129] Example - A hafnium silicate film is formed during with an ALD process by sequentially pulsing a hafnium precursor with oxidizing gas followed by pulsing a silicon precursor with the oxidizing gas. A substrate surface is exposed to a pretreatment process to form hydroxyl groups thereon. The hafnium precursor, HfCI , and silicon precursor, Tris-DMAS, are heated within separate precursor ampoules at room temperature (about 23℃). These precursors are vaporized individually in vaporizers at about 110℃ to about 130℃ and individually mixed with an inert carrier gas. The hafnium precursor saturates the carrier gas and is provided into the chamber for about 1 second. A purge gas of nitrogen is provided into the chamber for about 1 second. Hydrogen gas and oxygen gas with the flow rate of about 100 seem and about 120 seem respectively, are supplied to the WVG system. The oxidizing gas coming from the WVG system contains water with a flow rate of about 100 seem of water and oxygen with a flow rate of about 70 seem. The oxidizing gas is provided into the chamber for about 1.7 seconds. The purge gas of nitrogen is provided into the chamber for about 1 second to remove any unbound or non-reacted reagents, such as hafnium precursor, oxygen and/or water. A silicon precursor is provided into the chamber for about 1 second. A purge gas of nitrogen is provided into the chamber for about 1 second to remove any unbound precursor or contaminant. The oxidizing gas is precursor into the chamber for about 1.7 seconds. The purge gas of nitrogen is precursor into the chamber for about 5 seconds. Each ALD cycle forms about 1 A of a hafnium silicate film.」（[00129] 実施例４−ケイ酸ハフニウム膜は，ハフニウム前駆体を酸化ガスによって順次パルスしてからシリコン前駆体を酸化ガスによってパルスすることによってＡＬＤプロセス中に形成される。基板表面は前処理プロセスに暴露されて，その上にヒドロキシル基を形成する。ハフニウム前駆体ＨｆＣｌ４およびシリコン前駆体Ｔｒｉｓ−ＤＭＡＳは室温（約２３℃）で個別の前駆体アンプル内で加熱される。これらの前駆体は約１１０℃〜約１３０℃で気化器において個々に気化され，また不活性キャリアガスと個々に混合される。ハフニウム前駆体はキャリアガスを飽和させ，約１秒間チャンバに提供される。窒素のパージガスは約１秒間チャンバに提供される。それぞれ約１００ｓｃｃｍおよび約１２０ｓｃｃｍの流量の水素ガスおよび酸素ガスがＷＶＧシステムに供給される。ＷＶＧシステムからの酸化ガスは約１００ｓｃｃｍの流量の水および約７０ｓｃｃｍの流量の酸素を含有する。酸化ガスは約１．７秒間チャンバに提供される。窒素のパージガスは約１秒間チャンバに提供されて，ハフニウム前駆体，酸素および／または水などの未結合または未反応の試薬を除去する。シリコン前駆体は約１秒間チャンバに提供される。窒素のパージガスは約１秒間チャンバに提供され，未結合前駆体や汚染物質を除去する。酸化ガスは約１．７秒間チャンバに提供される。窒素のパージガスは約５秒間チャンバに提供される。各ＡＬＤサイクルは約１Åのケイ酸ハフニウム膜を形成する。）
　
（１ｏ）「[00131] Example 6 - A hafnium silicate film is formed during with an ALD process by simultaneously pulsing a hafnium precursor and a silicon precursor sequentially with oxidizing gas. A substrate surface is exposed to a pretreatment process to form hydroxyl groups thereon. The hafnium precursor, HfCl 4, and silicon precursor, Tris- DMAS, are heated within separate precursor ampoules at room temperature (about 23℃). These precursors are vaporized individually in vaporizers at about 110℃ to about 130℃ and individually mixed with an inert carrier gas. The hafnium precursor and the silicon precursor are each simultaneously provided into the chamber for about 1 second. A purge gas of nitrogen is provided into the chamber for about 1 second to remove any unbound hafnium or silicon precursors. Hydrogen gas and oxygen gas with the flow rate of about 100 seem and about 120 seem respectively, are supplied to the WVG system. The oxidizing gas comes from the WVG system contains water with a flow rate of about 100 seem and oxygen with a flow rate of about 70 seem. The oxidizing gas is provided into the chamber for about 1.7 seconds. The purge gas of nitrogen is provided into the chamber for about 5 seconds to remove any unbound or non-reacted reagents, such as byproducts, hafnium precursor, silicon precursor, oxygen and/or water. Each ALD cycle forms about 1 Å of a hafnium silicate film.」（[00131] 実施例６−ケイ酸ハフニウム膜は，ハフニウム前駆体およびシリコン前駆体を酸化ガスによって同時にパルスすることによってＡＬＤプロセス中に形成される。基板表面が前処理プロセスに暴露されて，その上にヒドロキシル基を形成する。ハフニウム前駆体ＨｆＣｌ４およびシリコン前駆体Ｔｒｉｓ−ＤＭＡＳが室温（約２３℃）で個別の前駆体アンプル内で加熱される。これらの前駆体は約１１０℃〜約１３０℃で気化器において個々に気化され，不活性キャリアガスと個々に混合される。ハフニウム前駆体およびシリコン前駆体は各々約１秒間チャンバに同時に提供される。窒素のパージガスは約１秒間チャンバに提供され，未結合のハフニウムまたはシリコン前駆体を除去する。それぞれ約１００ｓｃｃｍおよび約１２０ｓｃｃｍの流量の水素ガスおよび酸素ガスがＷＶＧシステムに供給される。ＷＶＧシステムからの酸化ガスは約１００ｓｃｃｍの流量の水および約７０ｓｃｃｍの流量の酸素を含有する。酸化ガスは約１．７秒間チャンバに提供される。窒素のパージガスは約５秒間チャンバに提供されて，副生成物，ハフニウム前駆体，シリコン前駆体，酸素および／または水などの未結合または未反応試薬を除去する。各ＡＬＤサイクルは約１Åのケイ酸ハフニウム膜を形成する。）
　
イ　引用発明
　引用例１の上記摘記（１ｍ）及び（１ｏ）の記載から，引用例１には，引用例１の特許請求の範囲に記載された発明の「実施例６」として，以下に示す発明（以下「引用発明」という。）が開示されていることが認められる。
「ケイ酸ハフニウム膜を，ハフニウム前駆体およびシリコン前駆体を酸化ガスによって同時にパルスすることによってＡＬＤプロセス中に形成する方法であって，
　基板表面が前処理プロセスに暴露されて，その上にヒドロキシル基を形成する工程と，
　ハフニウム前駆体ＨｆＣｌ４およびシリコン前駆体Ｔｒｉｓ−ＤＭＡＳを室温（約２３℃）で個別の前駆体アンプル内で加熱して，これらの前駆体を約１１０℃〜約１３０℃で気化器において個々に気化し，不活性キャリアガスと個々に混合して，ハフニウム前駆体およびシリコン前駆体を各々約１秒間チャンバに同時に提供する工程と，
　窒素のパージガスを約１秒間チャンバに提供して，未結合のハフニウムまたはシリコン前駆体を除去する工程と，
　それぞれ約１００ｓｃｃｍおよび約１２０ｓｃｃｍの流量の水素ガスおよび酸素ガスをＷＶＧシステムに供給して，ＷＶＧシステムから，約１００ｓｃｃｍの流量の水および約７０ｓｃｃｍの流量の酸素を含有する酸化ガスを，約１．７秒間チャンバに提供する工程と，
　窒素のパージガスを約５秒間チャンバに提供して，副生成物，ハフニウム前駆体，シリコン前駆体，酸素および／または水などの未結合または未反応試薬を除去する工程と，
　を含む，各ＡＬＤサイクルごとに，約１Åのケイ酸ハフニウム膜を形成する方法であって，
　前記ＡＬＤプロセスは約７０℃〜約１，０００℃，好ましくは約１００℃〜約６５０℃の範囲，例えば約３５０℃の温度に維持され，ＡＬＤプロセスは，約０．１トール〜約１００トール，好ましくは約１トール〜約１０トールの範囲の圧力のプロセスチャンバを有することによって行われ，キャリアガス（例えば，Ｎ２）は，約２ｓｌｍ〜約２２ｓｌｍの範囲，好ましくは約１０ｓｌｍの流量を有し，水蒸気を含有する酸化ガスは，カリフォルニア州サンタクララにあるＦｕｊｉｋｉｎ　ｏｆ　Ａｍｅｒｉｃａ，Ｉｎｃ．，から入手可能な金属触媒を含有する水蒸気発生器（ＷＶＧ）システムによって発生されるものであり，ＷＶＧシステムは水素源ガスおよび酸素源ガスから酸化ガスを形成し，基板は，ほぼ前処理プロセスの間ＷＶＧシステムからの水蒸気を含有する酸化ガスに暴露され，前処理プロセスは約５秒〜約３０秒の範囲の期間行われ，堆積された材料は約２Å〜約１，０００Å，好ましくは約５Å〜約１００Å，より好ましくは約１０Å〜約５０Åの範囲の厚さに形成される，方法。」
　
（３）本願補正発明１の進歩性についての検討
ア　本願補正発明１と引用発明との対比
（ア）ハフニウムは金属の一種であるから，引用発明の「ケイ酸ハフニウム膜」は，「金属シリケート膜」の一種といえる。また，引用例１の上記摘記（１ａ），及び（１ｂ）に記載された定義から，引用発明の「ＡＬＤ」は，本願補正発明１の「原子層堆積（ＡＬＤ）法」に相当する。
　
（イ）引用発明は「『各ＡＬＤサイクルごとに，約１Åのケイ酸ハフニウム膜を形成する方法であって』『堆積された材料は約２Å〜約１，０００Å，好ましくは約５Å〜約１００Å，より好ましくは約１０Å〜約５０Åの範囲の厚さに形成される，方法。』」であるから，引用発明が，ＡＬＤサイクルを複数含むことは明らかである。したがって，本願補正発明１と，引用発明は，「複数の堆積サイクルを含」む点で一致する。
　
（ウ）引用発明の「チャンバ」は，本願補正発明１の「反応空間」に相当する。そして，引用発明の，「ハフニウム前駆体ＨｆＣｌ４およびシリコン前駆体Ｔｒｉｓ−ＤＭＡＳを室温（約２３℃）で個別の前駆体アンプル内で加熱して，これらの前駆体を約１１０℃〜約１３０℃で気化器において個々に気化し，不活性キャリアガスと個々に混合して，ハフニウム前駆体およびシリコン前駆体を各々約１秒間チャンバに同時に提供する工程」における，「ハフニウム前駆体ＨｆＣｌ４を室温（約２３℃）で前駆体アンプル内で加熱して，この前駆体を約１１０℃〜約１３０℃で気化器において気化し，不活性キャリアガスと混合して，ハフニウム前駆体を約１秒間チャンバ内の基板表面に提供」すること，「シリコン前駆体Ｔｒｉｓ−ＤＭＡＳを室温（約２３℃）で前駆体アンプル内で加熱して，この前駆体を約１１０℃〜約１３０℃で気化器において気化し，不活性キャリアガスと混合して，シリコン前駆体を約１秒間チャンバ内の基板表面に提供」すること，及び，「約１００ｓｃｃｍの流量の水および約７０ｓｃｃｍの流量の酸素を含有する酸化ガスを，約１．７秒間チャンバ内の基板表面に提供」することは，それぞれ，「反応空間内の基板を，金属原料化学物質の気相パルスと接触させること」，「反応空間内の基板を，ケイ素原料化学物質の気相パルスと接触させること」，及び，「反応空間内の基板を，酸化剤の気相パルスと接触させること」に相当する。
　
（エ）したがって，上記（ア）−（ウ）の対応関係から，本願補正発明１と引用発明との一致点及び相違点は，次のとおりである。
　
＜一致点＞
「金属シリケート膜を形成する原子層堆積（ＡＬＤ）法であって，複数の堆積サイクルを含み，各サイクルは，反応空間内の基板を，ケイ素原料化学物質，金属原料化学物質，及び酸化剤のそれぞれの気相パルスと接触させることを含む，方法。」
　
＜相違点＞
・相違点１：ケイ素原料化学物質が，本願補正発明１では，「ハロゲン化ケイ素原料化学物質」であるのに対して，引用発明では，「シリコン前駆体Ｔｒｉｓ−ＤＭＡＳ」である点。
　
・相違点２：本願補正発明１が，「前記気相パルスの各々がその次の気相パルスと空間的且つ時間的に離れており，前記金属原料化学物質は，前記ケイ素原料化学物質の後に供給されるすぐ後の反応物であり」という特定事項を備えるのに対して，引用発明では，ケイ素原料化学物質と金属原料化学物質とが同時に供給されている点。
　
・相違点３：本願補正発明１が，「前記金属シリケート膜が約６５原子％を超えるケイ素含量を有する」の特定事項を備えるのに対して，引用発明では，このような特定がされていない点。
　
イ　本願補正発明１と引用発明との相違点についての判断
・相違点１について
　引用例１の上記摘記（１ｊ）に，シリコン含有材料を堆積するのに有用な例示的なシリコン前駆体として，「ＳｉＣｌ４」，「Ｓｉ２Ｃｌ６」を含む材料が記載されている。
　そして，引用例１における，前記例示的な記載が，引用発明の「シリコン前駆体Ｔｒｉｓ−ＤＭＡＳ」に対する代替可能な材料を列記したものであることは明らかである。
　そうすると，引用発明の「シリコン前駆体Ｔｒｉｓ−ＤＭＡＳ」に替えて，引用例１にシリコン含有材料を堆積するのに有用な例示的なシリコン前駆体として例示されている材料の中から，前記「ＳｉＣｌ４」，「Ｓｉ２Ｃｌ６」等のハロゲン化ケイ素原料化学物質を使用することは当業者が適宜なし得たことである。
　また，ケイ素原料化学物質として，ハロゲン化ケイ素原料化学物質を選択したことによる格別の効果を，本願の発明の詳細な説明及び図面の記載からは認めることはできない。
　したがって，上記相違点１について，本願補正発明１の特定事項とすることは，当業者が容易になし得たことである。また，このような特定事項としたことによる効果は当業者が予測する範囲内のものと認められる。
　
・相違点２について
（ア）引用例１の上記摘記（１ｈ）には，次の記載がある。
「[0061]代替的に，第１の前駆体（例えば，ハフニウム前駆体）は，重複してもしなくても，期間ｔ１の任意の区間でパルスされてもよく，第２の前駆体（例えば，シリコン前駆体）はまた期間ｔ１の任意の区間パルスされてもよい。従って，ハフニウム前駆体，シリコン前駆体または他の前駆体は，期間が部分的に重複して，あるいは期間の重複なしでプロセスチャンバに独立してパルスされてもよい。一例では，ｔ１が約２秒続く場合，ハフニウム前駆体は約２秒間パルスされ，シリコン前駆体はハフニウム前駆体のパルス中約０．５秒間パルスされる。別の例では，ｔ１が約２秒続く場合，ハフニウム前駆体は約０．５秒間パルスされ，シリコン前駆体はハフニウム前駆体のパルスと重複せずに，あるいはこの期間以外で約０．５秒間パルスされる。別の例では，ｔ１が約２秒続く場合，ハフニウム前駆体は約０．５秒間パルスされ，シリコン前駆体はハフニウム前駆体のパルスと重複せずに，あるいはこの期間中約０．５秒間パルスされる。また第１の前駆体および第２の前駆体は，期間ｔ１の期間中，複数回パルスされてもよい。」
　そうすると，上記記載から，
　「代替的」に，「第１の前駆体（例えば，ハフニウム前駆体）」は，「期間ｔ１の任意の区間でパルスされ」，「第２の前駆体（例えば，シリコン前駆体）」はまた「期間ｔ１の任意の区間パルスされ」，「従って，ハフニウム前駆体，シリコン前駆体」は，「期間の重複なしでプロセスチャンバに独立してパルスされ」る，
　という実施形態を読み取ることができる。
　そして，「第１の前駆体（例えば，ハフニウム前駆体）」及び「第２の前駆体（例えば，シリコン前駆体）」は，いずれも「期間ｔ１の任意の区間パルスされ」ると記載されていることから，当該実施形態の，「期間ｔ１」内における「第１の前駆体（例えば，ハフニウム前駆体）」及び「第２の前駆体（例えば，シリコン前駆体）」の，パルスの順序は，「期間ｔ１」内において，互いに任意なものとして記載されていると解することが自然といえる。
　すなわち，引用例１の前記記載から，先にハフニウム前駆体をパルスし，その後，シリコン前駆体をパルスするという実施形態に併せて，先にシリコン前駆体をパルスし，その後，ハフニウム前駆体をパルスするという実施形態をも記載されているに等しい実施形態として，当業者であれば直ちに理解するものと認められる。
　
（イ）また，引用例１の前記[0061]の前記「代替的に・・・」と記載された実施態様は，前記記載に先立つ[0060]等の記載に照らして，次のように理解することが自然であるといえる。
　すなわち，引用例１の上記摘記（１ｈ）の[0061]に記載された実施形態の文頭に「代替的に」と記載されていることから，当該[0061]に記載された実施形態は，前記実施形態に先立つ[0060]に記載された，「別の実施形態」の代替であり，それゆえ，[0061]に記載された実施形態は，[0060]に先だって記載された「別の実施形態」を前提として理解することが自然といえる。
　そして，引用例１の上記摘記（１ｈ）には，[0060]に記載された「別の実施形態」について，次の記載がある。
「[0060]図５Ｄ〜図５Ｅに描かれた別の実施形態では，第１の前駆体がｔ１の開始で流れるがｔ１の終わりまでは流れず，かつ第２の前駆体はｔ１の開始では流れないがｔ１の終わりまで流れるように，ハフニウム前駆体およびシリコン前駆体は部分的に重複して独立してパルスされる。例えば，図５Ｄにおいて，ｔ１が約２秒続く場合，ハフニウム前駆体はｔ１の開始で約１．５秒間パルスされ，シリコン前駆体はｔ１の終わりで約１．５秒間パルスされる。別の例では，図５Ｅにおいて，ｔ１が約２秒続く場合，シリコン前駆体はｔ１の開始で約１．７５秒間パルスされ，ハフニウム前駆体はｔ１の終わりで約１．５秒間パルスされる。」
　すなわち，[0060]では，「ｔ１が約２秒続く場合，ハフニウム前駆体はｔ１の開始で約１．５秒間パルスされ，シリコン前駆体はｔ１の終わりで約１．５秒間パルスされる」という，図５Ｄに描かれた実施形態と，
「ｔ１が約２秒続く場合，シリコン前駆体はｔ１の開始で約１．７５秒間パルスされ，ハフニウム前駆体はｔ１の終わりで約１．５秒間パルスされる」という，図５Ｅに描かれた実施形態との，
　パルスの順序が異なる二つの実施形態を併せて，「図５Ｄ〜図５Ｅに描かれた『別の実施形態』」として，説明がされている。
　そうすると，「別の実施形態」は，ハフニウム前駆体を先にパルスし，シリコン前駆体を後でパルスする実施形態と，シリコン前駆体を先にパルスし，ハフニウム前駆体を後でパルスする実施形態との両方を含むものであるといえるから，前記「別の実施形態」の代替である，[0061]に記載された「期間の重複なしでプロセスチャンバに独立してパルス」する実施形態の理解としても，ハフニウム前駆体を先にパルスし，シリコン前駆体を後でパルスする実施形態と，シリコン前駆体を先にパルスし，ハフニウム前駆体を後でパルスする実施形態との両方の形態を含むものであるとして理解することが自然であるといえる。
　すなわち，[0060]の記載に照らして[0061]の記載を理解することによっても，引用例１の[0061]の記載から，先にシリコン前駆体をパルスし，その後，ハフニウム前駆体をパルスするという実施形態を，当業者であれば直ちに理解するものと認められる。
　
（ウ）すなわち，上記（ア）及び（イ）の理由から，引用例１には，期間ｔ１内において，先にシリコン前駆体をパルスし，その後，期間の重複なしでプロセスチャンバに独立してハフニウム前駆体をパルスする実施形態が開示されているに等しいものと認められる。
　
（エ）ところで，引用例１の上記摘記（１ｆ），（１ｇ），（１ｍ）及び（１ｏ）の記載から，引用例１の前記摘記（１ｍ）及び（１ｏ）に記載された「実施例６」に係る「引用発明」は，引用例１の上記摘記（１ｆ）及び（１ｇ）に記載された実施形態を具体化した実施例であると理解できる。
　一方，引用例１の記載から，引用例１の上記摘記（１ｈ）の[0060]に記載された「別の実施形態」，及び，[0061]に記載された「代替的に・・・」と記載された実施形態は，いずれも，前記摘記（１ｆ），（１ｇ）に記載された実施形態の変形例であると理解できる。
　そうすると，引用発明が，上記摘記（１ｆ），（１ｇ）に記載された実施形態の実施例であり，他方で，上記摘記（１ｈ）の[0060]及び[0061]に記載された各変形例が，上記摘記（１ｆ），（１ｇ）に記載された実施形態の変形例であることから，引用発明について，上記摘記（１ｈ）の[0060]及び[0061]に記載された各変形例に対応する変形例を想起することは，当業者が容易になし得たことである。
　
（オ）すなわち，引用発明において，ケイ素原料化学物質と金属原料化学物質とを同時に供給することに替えて，期間ｔ１内において，先にシリコン前駆体をパルスし，その後，期間の重複なしでプロセスチャンバに独立してハフニウム前駆体をパルスすることは，引用例１の記載から，当業者が容易になし得たことである。
　そして，この「期間ｔ１内において，先にシリコン前駆体をパルスし，その後，期間の重複なしでプロセスチャンバに独立してハフニウム前駆体をパルスする」という時間的な特定事項が，「シリコン前駆体，ハフニウム前駆体，及び，酸化ガスの各気相パルスが，その次の気相パルスと時間的に離れており」という本願補正発明１に係る特定事項と共通することは明らかであり，また，真空ポンプがプロセスチャンバを空にして，プロセスチャンバ内部の圧力を維持するために使用されていることが明らかな引用発明においては，プロセスチャンバ内に提供された各気相パルスは，前記プロセスチャンバ内に提供された後に，直ちに前記真空ポンプによって前記プロセスチャンバから排気されることで，前記気相パルスが提供された位置から移動するものといえるから，「時間的に離れて提供された各気相パルス」は，空間的にも離れた気相パルスであると認められる。
　したがって，引用発明において，シリコン前駆体，ハフニウム前駆体，及び，酸化ガスの各気相パルスを，その次の気相パルスと空間的且つ時間的に離れており，前記ハフニウム前駆体を，前記シリコン前駆体の後に供給されるすぐ後の反応物となすことは，当業者が容易になし得たことと認められる。
　
（カ）しかも，引用例１の上記摘記（１ｄ），（１ｅ）の記載から，
（ａ）基板は，約０．１秒〜約５秒の範囲の期間プロセスチャンバに導入されるハフニウム前駆体のパルスに暴露される（ステップ２１０）。
（ｂ）パージガスのパルスはプロセスチャンバに導入されて（ステップ２１５），残渣ハフニウム前駆体や副生成物をパージ，または他の方法で除去する。
（ｃ）酸化ガスのパルスが，約０．１秒〜約１０秒の範囲の期間プロセスチャンバに導入される（ステップ２２０）。
（ｄ）パージガスのパルスは再度プロセスチャンバに導入され（ステップ２２５），残渣酸化化合物や副生成物をパージ，あるいは他の方法で除去する。
（ｅ）基板は，約０．１秒〜約１０秒の範囲の期間プロセスチャンバに導入されるシリコン前駆体のパルスに暴露される（ステップ２３０）。
（ｆ）パージガスのパルスが再度プロセスチャンバにパルスされて（ステップ２３５），残渣シリコン前駆体や副生成物をパージ，あるいは他の方法で除去する。
（ｇ）酸化ガスの別のパルスが，約０．１秒〜約１０秒の範囲の期間プロセスチャンバに導入される（ステップ２４０）。
（ｈ）パージガスのパルスが再度処理チャンバに導入されて（ステップ２４５），残渣酸化化合物や副生成物をパージ，あるいは他の方法で除去する。
　を含む，堆積サイクル（ステップ２１０〜２４５）を，ハフニウム含有材料の所望または所定の厚さが達成されるまで反復するケイ酸ハフニウムなどのハフニウム含有材料を形成するための方法において，
　ステップ２４０〜２４５を省略して，ハフニウム前駆体，パージガス，酸化ガス，パージガス，シリコン前駆体およびパージガスを順次パルスすることを反復することで，ケイ酸ハフニウム材料を形成する方法。
　が記載されていることが理解できる。
　そして，上記摘記（１ｄ），（１ｅ）に記載された「ハフニウム前駆体，パージガス，酸化ガス，パージガス，シリコン前駆体およびパージガスを順次パルス」することを反復することでケイ酸ハフニウム材料を形成する前記方法は，上記（ア）−（ウ）で検討した，先にシリコン前駆体をパルスし，その後，前記シリコン前駆体の後に供給されるすぐ後の反応物として，期間の重複なしで，プロセスチャンバに独立してハフニウム前駆体をパルスする形態に相当するプロセスシーケンスであるといえる。
　そうすると，引用例１には，先にシリコン前駆体をパルスし，その後，前記シリコン前駆体の後に供給されるすぐ後の反応物として，期間の重複なしで，プロセスチャンバに独立してハフニウム前駆体をパルスするというプロセスシーケンスによってケイ酸ハフニウムを所望または所定の厚さに形成することが示されているのであるから，上記（ア）−（オ）で検討したように，引用発明において，ケイ素原料化学物質と金属原料化学物質とを同時に供給することに替えて，期間ｔ１内において，先にシリコン前駆体をパルスし，その後，期間の重複なしでプロセスチャンバに独立してハフニウム前駆体をパルスすることを行った場合においても，ケイ酸ハフニウムを所望または所定の厚さに形成することができるものと認められる。すなわち，引用発明において，ケイ素原料化学物質と金属原料化学物質とを同時に供給することに替えて，期間ｔ１内において，先にシリコン前駆体をパルスし，その後，期間の重複なしでプロセスチャンバに独立してハフニウム前駆体をパルスすることによってケイ酸ハフニウムを形成することに，成膜が不可能である等の阻害事由の存在を認めることもできない。
　
（キ）したがって，上記相違点２について，本願補正発明１の特定事項とすることは，当業者が容易になし得たことである。また，このような特定事項としたことによる，格別の効果を認めることもできない。
　
・相違点３について
（ア）引用例１の上記摘記（１ｄ）には，次の記載がある。
「[0045]本明細書に説明された堆積プロセスによって形成されたケイ酸ハフニウム材料は実験化学式ＨｆＳｉｙＯｘを有する。ケイ酸ハフニウムは，酸化ハフニウム（ＨｆＯｘまたはＨｆＯ２）と酸化シリコン（ＳｉＯｘまたはＳｉＯ２）の均等な混合物か単相ＨｆＳｉＯ４材料であってもよい。ケイ酸ハフニウムは分子化学式ＨｆＳｉＯ４を有してもよいが，
プロセス条件
タイミング
を変更することによって，ケイ酸ハフニウムは元素濃度によって，例えばＨｆＳｉＯ
３．８
やＨｆＳｉ
０．８
Ｏ
３．８
に変更してもよい
　
（イ）また，上記摘記（１ｉ）には，次の記載がある。
「[0065]
ステップ３２０の際の代替実施形態
ハフニウム／シリコン前駆体混合物は，堆積されたハフニウム含有材料内に所望のＨｆ：Ｓｉ比を達成するために比例量のハフニウム前駆体およびシリコン前駆体を結合させることによって形成される
本明細書に説明されたプロセスによって堆積されたケイ酸ハフニウムは実験化学式ＨｆＳｉ
ｙ
Ｏ
ｘ
を有しており，ここでｙはハフニウム／シリコン前駆体混合物内のハフニウム前駆体およびシリコン前駆体のモル比を変更することによって調整されてもよい
ハフニウム前駆体対シリコン前駆体の比が１未満である場合，ｙは恐らく１より大きい
　
（ウ）すなわち，上記摘記（１ｄ）の「ケイ酸ハフニウムは元素濃度によって，例えばＨｆＳｉＯ３．８やＨｆＳｉ０．８Ｏ３．８に変更してもよい。」，並びに，上記摘記（１ｉ）の「ハフニウム／シリコン前駆体混合物は，堆積されたハフニウム含有材料内に所望のＨｆ：Ｓｉ比を達成するために比例量のハフニウム前駆体およびシリコン前駆体を結合させることによって形成される。」，「本明細書に説明されたプロセスによって堆積されたケイ酸ハフニウムは実験化学式ＨｆＳｉｙＯｘを有しており，ここでｙはハフニウム／シリコン前駆体混合物内のハフニウム前駆体およびシリコン前駆体のモル比を変更することによって調整されてもよい。」及び「ハフニウム前駆体対シリコン前駆体の比が１未満である場合，ｙは恐らく１より大きい。」との記載から，引用例１には，堆積されたハフニウム含有材料内に所望のＨｆ：Ｓｉ比を達成するために，ハフニウム前駆体対シリコン前駆体の比を変更して，ケイ酸ハフニウムのケイ素含量を調整すること，すなわち，ハフニウム前駆体対シリコン前駆体の比を１未満とすることで，ＨｆＳｉｙＯｘのｙを１よりも大きくすることが記載されているといえる。
　また，引用例１の上記摘記（１ｈ）の「例えば，図５Ｄにおいて，ｔ１が約２秒続く場合，ハフニウム前駆体はｔ１の開始で約１．５秒間パルスされ，シリコン前駆体はｔ１の終わりで約１．５秒間パルスされる。別の例では，図５Ｅにおいて，ｔ１が約２秒続く場合，シリコン前駆体はｔ１の開始で約１．７５秒間パルスされ，ハフニウム前駆体はｔ１の終わりで約１．５秒間パルスされる。」との記載から，シリコン前駆体のパルスの時間を「約１．５秒間」及び「約１．７５秒間」と異ならせることで，ハフニウム前駆体対シリコン前駆体の比を変更する方法も認めることができる。
　
（エ）さらに，上記摘記（１ｉ）に「[0065]ステップ３２０の際の代替実施形態では・・・」と記載されているところ，上記ステップ３２０は，引用例１の上記摘記（１ｆ）に記載された実施形態の一ステップであり，かつ，引用発明が，上記摘記（１ｆ）に記載された前記実施形態に係る実施例であることに照らして，引用発明について，上記摘記（１ｉ）に記載された技術的思想を適用することは当業者が容易に想到し得たことといえる。
　
（オ）したがって，引用発明において，ハフニウム前駆体対シリコン前駆体の比を変更して，ＨｆＳｉｙＯｘのｙを１よりも大きくすることは，当業者が容易になし得たことと認められる。
　そして，引用発明において，ハフニウム前駆体対シリコン前駆体の比を変更して，ＨｆＳｉｙＯｘのｙを１よりも大きくする際に，「前記金属シリケート膜が約６５原子％を超えるケイ素含量を有する」ようにすることは，下記の理由から，当該「約６５％」という値に臨界的な意義を見いだすことができないから，当業者が適宜なし得たことといえる。
　
（カ）すなわち，引用例１の上記摘記（１ｉ）の「本明細書に説明されたプロセスによって堆積されたケイ酸ハフニウムは実験化学式ＨｆＳｉｙＯｘを有しており，ここでｙはハフニウム／シリコン前駆体混合物内のハフニウム前駆体およびシリコン前駆体のモル比を変更することによって調整されてもよい。例えば，ハフニウム前駆体対シリコン前駆体の比が１より大きい場合，ｙは恐らく１未満である。しかしながら，ハフニウム前駆体対シリコン前駆体の比が１未満である場合，ｙは恐らく１より大きい。」との記載から，引用発明のプロセスによって形成するケイ酸ハフニウム内に所望のＨｆ：Ｓｉ比を達成するためには，引用発明のプロセス中のハフニウム前駆体およびシリコン前駆体のモル比を変更すればよいことを直ちに理解するところ，前記プロセス中に供給するハフニウム前駆体の量を，限りなくゼロに近づけることで，堆積されるケイ酸ハフニウムのケイ素含量（Ｓｉ／（Ｓｉ＋Ｈｆ））を，限りなく１００原子％に近づけることができることは自明であり，また，本願補正発明１で規定する「約６５％」というケイ素含量を境として，その上下において何らかの利点あるいは欠点が顕著に生じるとは，本願の明細書の記載からは認めることはできない。
　
（キ）しかも，下記の周知例１−２の記載からも明らかなように，約６５原子％を超えるケイ素含量を有する金属シリケート膜自体も，本願の優先権主張の日前において周知なものであったといえる。
　
・周知例１：特開２００６−５４３８２号公報
（周１ａ）「【請求項１】
　金属シリケート膜の膜厚方向において膜の内部側より膜の界面側で，金属シリケート膜を構成するシリコンの組成比が金属の組成比と比較して高く，
　前記金属シリケート膜の膜厚方向において膜の界面側より膜の内部側で，金属シリケート膜を構成する金属の組成比がシリコンの組成比と比較して高い
　ことを特徴とする金属シリケート膜。
【請求項２】
　前記金属シリケート膜はハフニウムシリケート膜からなる
　ことを特徴とする請求項１記載の金属シリケート膜。
【請求項３】
　前記金属シリケート膜はハフニウムシリケート膜からなり，
　前記ハフニウムシリケート膜の界面側では，
　前記ハフニウムシリケート膜中のシリコンに対するハフニウムの組成比は０％より大きく３０％以下であり，
　前記
ハフニウムシリケート膜中のハフニウムに対するシリコンの組成比は７０％以上１００％未満
　ことを特徴とする請求項１記載の金属シリケート膜。
【請求項４】
　前記金属シリケート膜はハフニウムシリケート膜からなり，
　前記ハフニウムシリケート膜の内部側では，
　前記ハフニウムシリケート膜中のシリコンに対するハフニウムの組成比は３０％以上１００％未満であり，
　前記
ハフニウムシリケート膜中のハフニウムに対するシリコンの組成比は０％より大きく７０％以下
　ことを特徴とする請求項１記載の金属シリケート膜。」
　
（周１ｂ）「【０００４】
　しかしながら，半導体装置の微細化・高集積化が進むにつれて，単位メモリセルにおけるキャパシタ占有面積は減少している。これは，キャパシタの蓄積容量も減少することを意味する。したがって，微細化・高集積化された半導体装置では，そこに組み込まれるキャパシタの蓄積容量を増加させるために，深いトレンチ（Deep Trench：ＤＴ）形状を用いて，キャパシタ絶縁膜にＳｉＯやＳｉＯＮよりも比誘電率の高い金属酸化膜（ＨｆＯ2やＡｌ2Ｏ3，ＺｒＯ2など）や
金属シリケート膜（ＨｆＳｉＯ
2
など）の高誘電率（Ｈｉｇｈ−ｋ）材料の採用が提案
【０００５】
　
金属酸化膜は一般に比誘電率は高いものの成膜後の熱処理により膜の結晶化が発生し，キャパシタ絶縁膜として用いた場合に結晶粒界を通過してリーク電流が増加する問題やそれに応じて耐熱性が悪化する問題が生じていた（ＨｆＯ
2
は耐熱性がおよそ７００℃である）
金属シリケート膜は金属酸化膜よりも比誘電率は小さいが，シリコン酸化物が含まれることから金属酸化物単体の膜よりも熱的に安定で結晶化温度が高くなる
　
（周１ｃ）「【発明の効果】
【００１２】
　本発明の金属シリケート膜は，金属シリケート膜の膜厚方向において膜の内部側より膜の界面側で，
金属シリケート膜を構成するシリコンの組成比が金属の組成比と比較して高いため，酸化シリコン（ＳｉＯ
2
）膜に近い金属シリケート膜となるので，Ｓｉ界面と金属との反応が抑制され，リークパスとなる結晶化が防止できる
この金属シリケート膜をキャパシタの容量絶縁膜に用いた場合には，キャパシタリークを減少させることができる。また，ＳｉＯ
2
に近い金属シリケート膜となるので耐熱性も向上する
　
（周１ｄ）「【００５３】
　ここで，成膜の１サイクルにおいて，「Ｓｉ-Ｏサイクル」Ｓ２と「金属-Ｏサイクル」Ｓ３との実施回数を変えた場合の
シリコンの組成比〔Ｓｉ／（Ｈｆ＋Ｓｉ）〕
　
（周１ｅ）表１から，サイクル比（Ｓ２：Ｓ３）が，３：１，及び，２：１の場合に，
Ｓｉ組成比（％）〔Ｓｉ／（Ｈｆ＋Ｓｉ）〕が
７６％，及び，７０％
　
・周知例２：KAUPO KUKLI ET AL，JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY，２００４年，Vol.151 No.5，F98-F104
（周２ａ）F100頁のTableIIIの最下段には，パルスシーケンスＴＥＯＳ／Ｈ２Ｏ／Ｈｆ４／Ｈ２Ｏについて，Ｈｆ：９±２atom％，Ｓｉ：２７±３atom％，すなわちケイ素含量が，２７／（９＋２７）＝
７５原子％
　
（ク）しかも，本願の明細書には次の記載がある。
（本ａ）「【００１５】
　本明細書で説明される方法は，各サイクルにおいて成長膜中に組み込まれるＨｆの量を制限し，それゆえ，より多くのケイ素を組み込むことを可能にすることによって，シリコンリッチ金属シリコン膜の形成を可能にする。これは，各ＡＬＤサイクルにおいて，ケイ素前駆体パルスに続く次の反応物として金属前駆体パルスを供給することによって達成され得る。
実施形態によっては，この方法により，６５％を超える，７５％以上，又は８０％以上のケイ素含量を有する金属シリケート膜の形成を可能にする
　
（本ｂ）「【００４０】
　実施形態によっては，
第１のパルスシーケンスは，酸化剤／ケイ素反応物／金属反応物である。このパルスシーケンスを繰り返して，約６０at％のケイ素含量を有する金属シリケート膜を作製することができる
　
（本ｃ）「【００４１】
　
ケイ素濃度をさらに増大させるために，ケイ素反応物／金属反応物／酸化剤の第１のサイクルを繰り返すことに先立って，ケイ素反応物／酸化剤の第２の反応物パルスサイクルを１回又は複数回繰り返してもよい
このようにして，６０at％を超えるケイ素濃度を有するシリコンリッチ金属シリケート膜を作製することができる
実施形態によっては，第１のサイクル毎に５回，第２のサイクルを繰り返して，約８０at％を超えるケイ素濃度を有するシリコンリッチ金属シリケート膜を作製する
　
（本ｄ）「【００６０】
　さらに，本明細書で説明した方法に従って形成される金属シリケート膜は，「ウェハ内（within wafer）」（ＷＩＷ）均一性（１シグマ）が表面上で約１％未満であり得る。実施形態によっては，漏れ電流密度は，約１．５ｎｍの有効酸化膜厚（ＥＯＴ）において約１×１０−３Ａ／ｃｍ２以下であり，約１．５ｎｍのＥＯＴにおいて約１×１０−４Ａ／ｃｍ２以下であり，又は約１．５ｎｍのＥＯＴにおいて約１×１０−５Ａ／ｃｍ２以下である。
本明細書で説明した方法に従って形成される金属シリケート膜は，金属及びケイ素の濃度が，約１０％金属／９０％Ｓｉ〜約９０％金属／１０％Ｓｉを有し得る
　
（本ｅ）「【００６２】
[実施例１]
　ASM America, Inc.製のＰｕｌｓａｒ（商標）反応器を使用して，３００ｍｍシリコンウェハ上にハフニウムシリケート膜を堆積させた。堆積は約３００℃〜３５０℃の範囲の基板温度で行った。シーケンス処理ステップは以下を含む。
（１）Ｈ２Ｏパルス，
（２）Ｎ２パージ，
（３）ＳｉＣｌ４パルス，
（４）Ｎ２パージ，
（５）ＨｆＣｌ４パルス，及び
（６）Ｎ２パージ。
　【００６３】
　シリコンウェハ上に厚さが約４０Åのハフニウムシリケート膜が形成されるまで，ステップ（１）〜ステップ（６）を繰り返した。」
　
　すなわち，本願の明細書には，
（ａ）酸化剤／ケイ素反応物／金属反応物である第１のパルスシーケンスを繰り返して，約６０at％のケイ素含量を有する金属シリケート膜を作製すること，
（ｂ）ケイ素反応物／金属反応物／酸化剤の第１のサイクルを繰り返すことに先立って，ケイ素反応物／酸化剤の第２の反応物パルスサイクルを１回又は複数回繰り返して，６０at％を超えるケイ素濃度を有するシリコンリッチ金属シリケート膜を作製すること，
（ｃ）第１のサイクル毎に５回，第２のサイクルを繰り返して，約８０at％を超えるケイ素濃度を有するシリコンリッチ金属シリケート膜を作製すること，
の実施形態が開示されるとともに，
　唯一の実施例である[実施例１]には，堆積したハフニウムシリケート膜のケイ素含量が明記されていないといえる。
　
　そうすると，本願明細書には，本願補正発明１に対応する，酸化剤／ケイ素反応物／金属反応物である第１のパルスシーケンスの繰り返しによっては，約６０at％のケイ素含量を有する金属シリケート膜を作製することができることが開示されているだけであって，唯一の実施例においてもケイ素含量が明記されていないものであり，また，本願の明細書で説明した方法に従って形成される金属シリケート膜は，金属及びケイ素の濃度が，約１０％金属／９０％Ｓｉ〜約９０％金属／１０％Ｓｉを有し得るのであるから，本願の明細書の記載からは，前記「約６５原子％」という値に臨界的な意義を認めることはできない。
　
（ケ）したがって，「約６５％」という値に臨界的な意義を見いだすことはできないから，引用発明において，ハフニウム前駆体対シリコン前駆体の比を変更して，ケイ酸ハフニウム膜が約６５原子％を超えるケイ素含量を有するようにすること，すなわち，上記相違点３について，本願補正発明１の特定事項とすることは，当業者が容易になし得たことといえる。また，このような特定事項としたことによる効果は当業者が予測する範囲内のものと認められる。
　
（コ）小活
　相違点１−３については，以上のとおりであるから，本願補正発明１は，上記引用例１に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）むすび
　相違点１−３については，以上のとおりであるから，本願補正発明１は，上記引用例１に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。したがって，本願補正発明１は，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
５　補正の却下の決定のむすび
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２５年１０月４日に提出された手続補正書による補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項１−２１に係る発明は，平成２５年１月３１日に提出された手続補正書によって補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１−２１に記載されている事項により特定されるとおりのものであるところ，そのうち請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，次のとおりである。
　
「【請求項１】
　金属シリケート膜を形成する原子層堆積（ＡＬＤ）法であって，複数の堆積サイクルを含み，各サイクルは，反応空間内の基板を，ハロゲン化ケイ素原料化学物質，金属原料化学物質，及び酸化剤の空間的且つ時間的に離れた気相パルスと接触させることを含み，前記金属原料化学物質は，前記ハロゲン化ケイ素原料化学物質の後に供給されるすぐ後の反応物であり，前記金属シリケート膜が約６５原子％を超えるケイ素含量を有する，方法。」
　
２　進歩性について
（１）引用例及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に頒布された刊行物である引用例１に記載されている事項は，上記「第２　４　（２）引用例とその記載事項，及び，引用発明」の項で指摘したとおりである。
　
（２）当審の判断
　本願発明１を限定したものである本願補正発明１が，前記「第２　４　（３）本願補正発明１の進歩性についての検討」で判断したとおり，引用例１に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものと判断されるから，本願発明１も同様に，引用例１に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　
第４　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１に係る発明は，引用例１に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。したがって，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。