【事件の表示】
　特願２０１２−　　７９００「半導体基板の割断方法及び太陽電池の割断方法並びに太陽電池」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　４月２６日出願公開、特開２０１２−　８４９２１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、平成１９年３月２０日に出願した特願２００７−７２０８５号（以下「原出願」という）の一部を平成２４年１月１８日に新たな特許出願としたものであって、平成２５年５月２４日付けで拒絶理由が通知され、平成２５年８月１日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２５年１１月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２６年２月２５日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同時に手続補正書が提出された。
　その後、当審から平成２７年２月１６日付けで拒絶理由が通知され、これに対し、平成２７年４月１７日に意見書及び手続補正書が提出された。
第２　本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、平成２７年４月１７日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものと認められ、次のとおり記載されている。
　なお、下線は補正箇所を示すものとして請求人が付したものである。
「（１００）面を有するシリコン結晶基板に、エッチング加工を施して凹凸を形成するとともに、半導体ｐｎ接合または半導体ｐｉｎ接合を有する光電変換部を形成する第１の工程と、
　前記第１の工程後、前記光電変換部上に集電電極を形成する第２の工程と、
　前記第２の工程後、前記光電変換部に、レーザー光を照射することにより分割溝を形成する第３の工程と、
　前記第３の工程後、前記分割溝に沿って前記光電変換部を折り曲げることにより、前記分割溝に沿って前記光電変換部を割断する第４の工程と、
を備え、
　
前記分割溝は、第１の方向を向く第１の直線領域と、第１の方向とは異なる第２の方向を向き、かつ前記第１の直線領域と隣り合う第２の直線領域と、を有し、
　
前記第１の方向及び前記第２方向は、いずれも、
く、
　
前記第１の方向と前記第２の方向とがなす角度が鈍角である
第３　引用文献とその記載事項
１．引用文献１
　当審が通知した平成２７年２月１６日付け拒絶理由に引用文献１として引用され、原出願の出願日前に頒布された刊行物である特開２００６−３１０７７４号公報（以下「引用文献１」という）には、以下の事項が記載されている。
（ア）「【０００９】
図１２は、太陽電池５０にレーザ光を照射した後の、レーザ光が照射された付近を拡大した太陽電池５０の断面を示す模式図である。上記の現象の理由について、図１２を用いて説明する。」
（イ）「【００３１】
図１は、本実施形態に係る光起電力素子の製造方法によって製造する構造体の構造を示す模式的断面図である。構造体１は、ｎ型の結晶系半導体基板２の第１の主面上に、第１の積層体１１が形成され、第１の主面と対向する第２の主面上に、第２の積層体１２が形成された構造となっている。結晶系半導体基板としては、単結晶や多結晶の構造を有するシリコン基板又はゲルマニウム基板等を用いることができる。前記第１の積層体１１は、ｎ型結晶系半導体基板２の第１の主面上に真性非晶質半導体層３、ｎ型結晶系半導体基板２と異なる導電型を有するｐ型非晶質半導体層４、ｐ側透明導電膜層５及びｐ側集電極６がこの順に形成された構造を有している。さらに、前記第２の積層体１２は、ｎ型結晶系半導体基板２の第２の主面上に真性非晶質半導体層７、ｎ型結晶系半導体基板２と同じ導電型を有するｎ型非晶質半導体層８、ｎ側透明導電膜層９及びｎ側集電極１０がこの順に形成されている。非晶質半導体としては、シリコン又はゲルマニウム等を用いることができる。」
（ウ）「【００３３】
次に、前記構造体１にレーザ光を照射することによって、該構造体１に溝を形成する工程について、図２を参照して説明する。図２は、図１に示す構造体１にレーザ光を照射することにより構造体１に溝を形成した構造体１３を示す模式的断面図である。構造体１に、図２に示すように、レーザ光を矢印Ｌに示すように、ｎ型結晶系半導体基板２の前記第２の主面側、本実施形態の場合、ｎ型結晶系半導体基板２と同じ導電型を有するｎ型非晶質半導体層８を含む前記第２の積層体１２側から照射することにより、第２の積層体１２及びｎ型結晶系半導体基板２に溝１５を形成し、構造体１３を作製する。」
（エ）「【００３８】
続いて、図３に示すように、前記構造体１３を溝１５に沿って分割する。図３は、前記構造体１３を溝１５に沿って分割することによって得られた、本発明に係る光起電力素子１４を示す模式的断面図である。分割の方法としては、例えば、溝１５の部分を中心にして構造体１３の周辺部を保持部材で挟み折り曲げることにより、折り曲げ切断する方法や、スクラバー、ダイシングソー等を用いて切断する方法等を用いることができる。かかる分割によって、所望のサイズの光起電力素子１４を作製できる。」
（オ）上記摘記事項（ア）ないし（エ）から、引用文献１に記載された事項を技術常識を考慮しながら整理すると、引用文献１には以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「単結晶シリコン基板２に、半導体ｐｎ接合を有する構造を形成する第１の工程と、
　前記第１の工程後、前記構造にｐ型集電極６及びｎ型集電極１０を形成して構造体１を形成する第２の工程と、
　前記第２の工程後、前記構造体１に、レーザー光を照射することにより溝１５を形成して構造体１３を形成する第３の工程と、
　前記第３の工程後、前記溝１５に沿って前記構造体１３を折り曲げることにより、前記溝１５に沿って前記構造体１３を割断する第４の工程と、
を備える、太陽電池５０の割断方法。」
第４　対比・検討
１．対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、その機能及び作用からみて、引用発明の「単結晶シリコン基板２」、「ｐ型集電極６及びｎ型集電極１０」、「溝１５」、「太陽電池５０」は、それぞれ本願発明の「シリコン結晶基板」、「集電電極」、「分割溝」、「太陽電池」に相当する。
　また、引用発明の「構造」、「構造体１」、「構造体１３」のいずれにも光電変換の作用を奏する部分があるので、引用発明の「構造」、「構造体１」、「構造体１３」は、本願発明の「光電変換部」に相当する。
 
　そうすると、本願発明と引用発明は以下の点で一致しかつ相違する。
 
［一致点］
 「シリコン結晶基板に、半導体ｐｎ接合を有する光電変換部を形成する第１の工程と、
　前記第１の工程後、前記光電変換部上に集電電極を形成する第２の工程と、
　前記第２の工程後、前記光電変換部に、レーザー光を照射することにより分割溝を形成する第３の工程と、
　前記第３の工程後、前記分割溝に沿って前記光電変換部を折り曲げることにより、前記分割溝に沿って前記光電変換部を割断する第４の工程と、
を備える、太陽電池の割断方法。」である点。
［相違点］
（１）相違点１
　シリコン結晶基板が、本願発明では「（１００）面を有する」ものであるのに対して、引用発明ではそうであるかが明らかではない点。
（２）相違点２
　シリコン結晶基板に対して、本願発明では「エッチング加工を施して凹凸を形成する」のに対して、引用発明ではそのようにしているか不明である点。
（３）相違点３
　分割溝が、本願発明では「前記分割溝は、第１の方向を向く第１の直線領域と、第１の方向とは異なる第２の方向を向き、かつ前記第１の直線領域と隣り合う第２の直線領域と、を有し、前記第１の方向及び前記第２方向は、いずれも、前記エッチング加工を施して凹凸が形成された前記シリコン結晶基板の劈開面である（０１１）面及び（０ −１ −１）面と平行ではなく、前記第１の方向と前記第２の方向とがなす角度が鈍角である」のに対して、引用発明ではそのようになっているか明らかではない点。
２．検討
（１）相違点１について
　（１００）面を有するシリコン結晶基板については、当審が通知した平成２７年２月１６日付け拒絶理由に引用され、原出願の出願日前に頒布された刊行物である特開２０００−２１６１１４号公報（【００２５】を参照）、特開昭６２−１０５４４６号公報（第２頁左上欄１８行を参照）に示されるように当業者にとって当然知られた従来周知の技術事項であり、引用発明のシリコン結晶基板として上記相違点１に係る構成を備えたものとすることは当業者にとって格別困難なことではない。
（２）相違点２について
　太陽電池におけるシリコン結晶基板において、斜めから入る日光に対応するために表面にエッチング加工を施して凹凸を形成することは当審が通知した平成２７年２月１６日付け拒絶理由に引用され、原出願の出願日前に頒布された刊行物である特開平５−２９１５９７号公報（【００１８】、第１図を参照）に提示されているとおり従来より周知の技術事項に過ぎないものであり、１日において太陽の傾きが変化することを鑑みれば引用発明に係る太陽電池においても同様の課題を有することは明らかであるから、引用発明において上記技術事項を適用することにより上記相違点２に係る本願発明の発明特定事項のようにすることは、当業者が通常の創作能力を発揮することにより適宜なし得たことである。
（３）相違点３について
　シリコン結晶基板を分割する場合において、基板を無駄なく使用すべく広い面積となるように分割するために、鈍角をなす直線同士により分割溝を形成することは、原出願の出願日前に頒布された刊行物である実願昭６０−１２６８０５号（実開昭６２−３４４５１号）のマイクロフィルム（第３頁１４〜１７行、第５頁１〜７行、第１図を参照）、特開平９−１４８６０１号公報（第２頁右欄１０〜１６行、第４図を参照）、特開昭５７−２４５７１号公報（第２頁左上欄１〜４行、第２図を参照）に示されるように従来周知の技術事項であり、そして、基板の無駄を少なくするという課題は引用発明も当然有するものと解される。さらに、当審が通知した平成２７年２月１６日付け拒絶理由において指摘したように、半導体結晶基板の割断を行う場合において、基板の割れを防止すべく、分割溝を基板の劈開面と平行でないように形成することは、特開昭６２−１０５４４６号公報（第２頁右上欄１６行〜左下欄６行、第１図を参照）、特開昭５９−１５２６３８号公報（第１頁左欄４〜７行、第１図を参照）、特開２０００−２１６１１４号公報（【００４１】、【００４２】を参照）に示されるように当業者にとって一般的に知られたことであるので、これを踏まえて、引用発明に上記従来周知の技術事項を適用する際に、分割溝をシリコン結晶基板の劈開面と平行ではなく形成し上記相違点３に係る本願発明の発明特定事項のようにすることは、当業者が格別の創意なくなし得たことである。
　そして、本願発明による効果も、引用発明及び従来周知の技術事項から当業者が予測し得る範囲のものであって、格別のものとはいえない。  
第５　まとめ
　以上のとおりであるから、本願発明は引用発明及び従来周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
 
　よって、本願のその余の請求項に係る発明について検討するまでも無く、本願は拒絶されるべきであるから、結論のとおり審決する。