(57)【要約】【課題】半導体基板に常温を基準として低温及び高温を印加するに際して、容易・迅速且つ確実に検査体の温度を均一に調節し、検査体の局所的の温度差に起因する検査体の変形の発生を防止し、半導体基板の信頼性の高い電気的検査を実現する。【解決手段】  第２の温度制御機構２０は、所期の温度の気体、ここではエアーを循環させる気体循環部２１と、装着されたプローブカード４の上下面にそれぞれ設置される一対の温度センサ２２と、気体循環部２１で循環されるエアーの温度を調節制御する気体温度制御部２３とを備えて構成されている。【選択図】図１
2007165390.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査体が設置される被検査体設置手段と、
前記被検査体に対応した電気的検査を行うための検査体が装着される検査体装着手段と、
装着された前記検査体を用いて前記被検査体の前記電気的検査を行う電気的検査手段と、
前記検査体の少なくとも一部に対して所期の温度の気体を循環させて、前記検査体を全体的に均一な温度に調節制御する温度制御手段と
を含むことを特徴とする検査装置。
【請求項２】
前記電気的検査の際に、前記被検査体を所期の設定温度に調節する温度設定機構を更に含み、
前記温度制御手段は、前記設定温度に対応して、前記検査体が全体的に均一な温度となるように前記気体の温度を調節制御することを特徴とする請求項１に記載の検査装置。
【請求項３】
前記温度設定機構は、
前記被検査体設置手段から前記被検査体を加熱する加熱手段と、
前記被検査体の周囲の雰囲気を冷却する冷却手段と
を含み構成されていることを特徴とする請求項２に記載の検査装置。
【請求項４】
前記検査体の上面に位置する空洞部を有する気体送通手段を更に含み、
前記温度制御手段は、前記気体送通手段の前記空洞内に気体を送通させることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の検査装置。
【請求項５】
前記被検査体の複数箇所に設置される温度測定手段を更に含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の検査装置。
【請求項６】
前記温度制御手段には、前記検査体に生じる局所的な温度差の許容範囲が規定されており、
前記電気的検査の際に、前記検査体に生じた局所的な温度差が前記許容範囲を逸脱したときに、当該電気的検査を中断する機能を有する検査中断手段を更に含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の検査装置。
【請求項７】
前記検査中断手段は、前記中断の後、前記温度差が前記許容範囲内となったときに、前記電気的検査を再開する機能を有することを特徴とする請求項６に記載の検査装置。
【請求項８】
被検査体が設置され、前記被検査体に対応した電気的検査を行うための検査体が装着された状態で、前記検査体を用いて前記被検査体の前記電気的検査を行うに際して、
前記検査体の少なくとも一部に対して所期の温度の気体を循環させて、前記検査体を全体的に均一な温度に調節制御することを特徴とする検査方法。
【請求項９】
前記電気的検査の際に、前記被検査体を所期の設定温度に調節し、
前記設定温度に対応して、前記検査体が全体的に均一な温度となるように前記気体の温度を調節制御することを特徴とする請求項８に記載の検査方法。
【請求項１０】
前記検査体の上面に設けられてなる空洞内に気体を送通することを特徴とする請求項８又は９に記載の検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検査体である例えばプローブカードを装着して、被検査体である例えば半導体基板の試験を行うための検査装置及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、早期不良のリジェクトや基板状態での販売を目的として、基板、例えば半導体基板（半導体ウェーハ）に多数の半導体チップが作り込まれた状態で、高温又は低温下において各半導体チップの各種電気的検査を行う半導体検査装置が開発されている。
【０００３】
従来の一般的な半導体検査装置を図３に示す。
この半導体検査装置は、被検査体である半導体ウェーハ１０５が１枚ずつ載置固定されるウェーハステージ部１０６と、内部にウェーハステージ部１０６が収められるプローバ本体１０７と、半導体ウェーハ１０５の検査機構１１０と、半導体ウェーハ５の温度を常温を基準として冷却・加熱する温度制御機構を備えて構成されている。
【０００４】
半導体ウェーハ１０５の表面には、複数の半導体チップ（不図示）が形成されており、この半導体検査装置を用いて、半導体ウェーハ１０５に半導体チップが形成された状態（各半導体チップ毎に未だ分離されていない状態）で各種電気的検査が実行される。
【０００５】
プローバ本体１０７には、検査体であるプローブカード１０４が装着されるカード装着部１１２が形成されている。このカード装着部１１２は、プローブカード１０４が装着されると当該プローブカード１０４が半導体ウェーハ１０５と対向する位置に設けられている。
【０００６】
プローブカード１０４は、検査対象である半導体ウェーハ１０５（に形成された各半導体チップ）に対応した電気的検査を行うための電気・電子回路を備えた検査体である。プローブカード１０４の表面には半導体ウェーハ１０５の各半導体チップに対応した多数の探針１０４ａ（図示の例では２本のみ示す）が設けられており、プローバ本体１０７のカード装着部１１２にプローブカード１０４が装着されると、これら探針１０４ａが各半導体チップの電極（不図示）と電気的に接触する。
【０００７】
検査機構１１０は、各種のプローブカード１０４に対応した電気・電子回路を備えたマザーボード１０２と、プローブカード１０４及びマザーボード１０２を介して各種電気的検査を行うテストヘッド１０１とを備えて構成されている。この検査機構１１０は、コンタクトリング１０３を介してプローブカード１０４と電気的に接続される。
【０００８】
温度制御機構は、加熱機構１１１及び冷却機構１１３から構成されている。
加熱機構１１１は、ヒータ等であり、ウェーハステージ部１０６の内部に設けられており、ウェーハステージ部１０６から半導体ウェーハ１０５を加熱するものである。
冷却機構１１３は、プローバ本体１０７に設けられており、プローバ本体１０７内部の雰囲気を冷却することにより、半導体ウェーハ１０５を冷却するものである。
【０００９】
半導体ウェーハ１０５の各種電気的検査を行う際には、半導体チップの使用環境に適合させるべく、常温（２０℃〜２５℃程度）のみならず低温（例えば−３０℃程度）及び高温環境（例えば８５℃〜９５℃程度）を作出し、当該各環境下で電気的検査を実行する。この半導体検査装置においてこれらの温度環境を作出するには、低温とするには冷却機構１１３によりプローバ本体１０７内部の雰囲気を冷却し、高温とするには加熱機構１１１によりウェーハステージ部１０６から半導体ウェーハ１０５を加熱する。
【００１０】
【特許文献１】特開平１１−５１９７２号公報
【特許文献２】特開２０００−１３８２６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、プローブカード１０４がプローバ本体１０７のカード装着部１１２に装着された状態において、上記のように低温又は高温印加を行う場合に、以下に示すような問題が生じる。
【００１２】
プローブカード１０４の下面側（探針１０４ａ側）は、加熱機構１１１による高温印加の場合には、半導体ウェーハ１０５と接触する探針１０４ａを通して熱が伝わることにより、低温印加の場合には低温雰囲気にあることにより、それぞれ略印加温度に近似した温度となる。一方、プローブカード１０４の上面側は、常温雰囲気に接しているために略常温を保つことになる。
【００１３】
このように、プローブカード１０４には、その上面と下面とで温度差が生じ、この温度差に起因してプローブカード１０４に反りが発生するという問題がある。このプローブカード１０４の反りが原因となって、半導体ウェーハ１０５の電気的検査時に探針１０４ａの接触異常による測定不良や、針跡異常による外観不良が発生することになる。
【００１４】
この問題を低減する一手法として、特許文献１では、プローブカードに金属の補強板を取り付けて、反りを防止する手法が開示されている。しかしながら、大口径化したプローブカードの反りを抑えるためには、補強板の材質を変えたり、大きくしたりする必要がある。この場合、プローブカードの重量が増加し、取り扱いが容易でなく、且つ補強板部品のコスト上昇によりプローブカードの価格上昇を招く等の問題がある。また、特許文献２では、プローブカードの上面側にヒータを設けて加熱する手法が開示されている。しかしながらこの場合、高温印加には対応できるが、低温印加には対応できないという問題がある。
【００１５】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、半導体基板に常温を基準として低温及び高温を印加するに際して、容易・迅速且つ確実に検査体の温度を均一に調節し、検査体の局所的な温度差に起因する検査体の反りの発生を防止し、半導体基板の信頼性の高い電気的検査を実現するとともに、検査体の軽量化や部品費のコスト削減に大幅に寄与する半導体検査装置及び方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の半導体検査装置は、被検査体が設置される被検査体設置手段と、前記被検査体に対応した電気的検査を行うための検査体が装着される検査体装着手段と、装着された前記検査体を用いて前記被検査体の前記電気的検査を行う電気的検査手段と、前記検査体の少なくとも一部に対して所期の温度の気体を循環させて、前記検査体を全体的に均一な温度に調節制御する温度制御手段とを含む。
【００１７】
本発明の半導体検査方法は、被検査体が設置され、前記被検査体に対応した電気的検査を行うための検査体が装着された状態で、前記検査体を用いて前記被検査体の前記電気的検査を行うに際して、前記検査体の少なくとも一部に対して所期の温度の気体を循環させて、前記検査体を全体的に均一な温度に調節制御する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、半導体基板に常温を基準として低温及び高温を印加するに際して、容易・迅速且つ確実に検査体の温度を均一に調節し、検査体の局所的の温度差に起因する検査体の変形（検査体がプローブカードの場合には反り）の発生を防止し、半導体基板の信頼性の高い電気的検査を実現するとともに、検査体の軽量化や部品費のコスト削減に大幅に寄与することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
−本発明の基本骨子−
本発明者は、比較的簡素な構成で、常温を基準としてプローブカードの少なくとも一部を冷却及び加熱する手法として、当該一部に半導体ウェーハの温度に見合った温度の気体を循環させる構成に想到した。プローブカードを冷却・加熱する手段として気体、例えばエアーを用いることにより、容易且つ迅速にプローブカードの温度を調節し、プローブカードの温度差に起因する反りを防止することができる。
【００２０】
ここで、気体を循環させる具体的構成としては、装着されたプローブカードの上面に位置する空洞部を有する気体送通部を設け、空洞内に所期の温度の気体を送通させる構成を採用する。更に、プローブカードの下面及び上面にそれぞれ温度センサを設け、下面及び上面の各温度をセンシングすることにより、プローブカードを全体的に均一な温度に調節制御する。
【００２１】
更に、本発明の検査装置では、上記の温度センサに、プローブカードに生じる局所的な温度差の許容範囲が規定されており、電気的検査の際に、プローブカードに局所的な温度差が前記許容範囲を逸脱したときに、当該電気的検査を中断する。そして、上記のように気体を循環させることにより温度差が許容範囲内となったときに、電気的検査を再開する構成を採用する。このような構成の検査装置を用いることにより、半導体チップの使用環境に適合した各種温度に対応した自動的な電気的検査を最小限の時間で確実に実行することが可能となる。
【００２２】
−本発明を適用した具体的な実施形態−
以下、本発明を半導体検査に適用した具体的な実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００２３】
［半導体検査装置の構成］
図１は、本実施形態による半導体検査装置の概略構成を示す模式図である。
この半導体検査装置は、被検査体である半導体ウェーハ５が載置固定されるウェーハステージ部６と、内部にウェーハステージ部６が収められるプローバ本体７と、半導体ウェーハ５の検査機構１０と、半導体ウェーハ５の温度を常温を基準として冷却・加熱する第１の温度制御機構と、所期の温度の気体を循環させてプローブカード４を調節制御する第２の温度制御機構２０と、半導体ウェーハ５の温度制御に応じて電気的検査の中断・再始動を制御する検査制御部３０と、装置全体の駆動を統括的に制御する統括制御部４０とを備えて構成されている。
【００２４】
半導体ウェーハ５の表面には、複数の半導体チップ（不図示）が形成されており、この半導体検査装置を用いて、半導体ウェーハ５に半導体チップが形成された状態（各半導体チップ毎に未だ分離されていない状態）で各種電気的検査が実行される。
【００２５】
プローバ本体７には、検査体であるプローブカード４が装着されるカード装着部１２が形成されている。このカード装着部１２は、プローブカード４が装着されると当該プローブカード４が半導体ウェーハ５と対向する位置に設けられている。
【００２６】
プローブカード４は、検査対象である半導体ウェーハ５（に形成された各半導体チップ）に対応した電気的検査を行うための電気・電子回路を備えた検査体である。プローブカード４の表面には半導体ウェーハ５の各半導体チップに対応した多数の探針４ａ（図示の例では２本のみ示す）が設けられており、プローバ本体７のカード装着部１２にプローブカード４が装着されると、これら探針４ａが各半導体チップの電極（不図示）と電気的に接触する。
【００２７】
検査機構１０は、各種のプローブカード４に対応した電気・電子回路を備えたマザーボード２と、プローブカード４及びマザーボード２を介して各種電気的検査を行うテストヘッド１とを備えて構成されている。この検査機構１０は、コンタクトリング３を介してプローブカード４と電気的に接続される。
【００２８】
コンタクトリング３は、その内部に、装着されたプローブカード４の上面に空洞部が位置する構造とされた気体送通部８を有している。この気体送通部８は、後述する気体循環部２１の一構成要素とされている。
【００２９】
第１の温度制御機構は、加熱機構１１及び冷却機構１３から構成されている。
加熱機構１１は、ヒータ等であり、ウェーハステージ部６の内部に設けられており、ウェーハステージ部６から半導体ウェーハ５を加熱するものである。
冷却機構１３は、プローバ本体７に設けられており、プローバ本体７内部の雰囲気を冷却することにより、半導体ウェーハ５を冷却するものである。
【００３０】
第２の温度制御機構２０は、プローブカード４を冷却・加熱する手段として気体、例えばエアーを用いることにより、容易且つ迅速にプローブカード４の温度を調節するものである。
この第２の温度制御機構２０は、所期の温度の気体、ここではエアーを循環させる気体循環部２１と、装着されたプローブカード４の上下面にそれぞれ設置される一対の温度センサ２２ａ，２２ｂと、気体循環部２１で循環されるエアーの温度を調節制御する気体温度制御部２３とを備えて構成されている。
【００３１】
気体循環部２１は、エアーを供給する気体供給部２４と、エアーを吸引する気体吸引部２５と、コンタクトリング３に設けられた気体送通部８と、気体供給部２４と気体温度制御部２３との間及び気体供給部２４と気体送通部８との間を接続し、気体送通部８へ供給されるエアーの通路を構成する気体供給側パイプライン２６と、気体吸引部２５と気体温度制御部２３との間及び気体吸引部２５と気体送通部８との間を接続し、気体送通部８から吸引されるエアーの通路を構成する気体吸引側パイプライン２７とを備えて構成されている。
【００３２】
温度センサ２２ａ，２２ｂは、プローブカード４において温度差の生じる箇所、ここでは上面及び下面の各温度を測定するものであり、装着されたプローブカード４の上面及び下面と接触するように設けられている。
【００３３】
気体温度制御部２３は、気体送通部８内を送通するエアーの温度を、加熱機構１１及び冷却機構１３による半導体ウェーハ５の設定温度、及び一対の温度センサ２２ａ，２２ｂにおける測定温度との関係で調節制御するコントローラであり、設定温度及び測定温度に対応して、プローブカード４の全体で均一な温度となるように、エアーの調節温度を制御する。なお、図示の便宜上、図１では、気体温度制御部２３と温度センサ２２ａ，２２ｂとが接続された様子を省略する。
【００３４】
この気体温度制御部２３は、気体供給部２４及び気体吸引部２５と、気体供給側パイプライン２６の一部及び気体吸引側パイプライン２７の一部を介して接続されており、気体送通部８、気体供給部２４及び気体吸引部２５と一体となってエアーの循環系を構成している。図示の例では、エアーの供給経路を実線の矢印で、エアーの吸引経路を破線の矢印でそれぞれ示す。
【００３５】
検査制御部３０は、一対の温度センサ２２及び統括制御部４０と接続されており、半導体ウェーハ５の電気的検査時において温度センサ２２ａ，２２ｂの温度差が規定された許容範囲以上、例えば５℃程度以上となった場合に、当該電気的検査を中断する機能を有する。そして、検査制御部３０は、気体温度制御部２３の駆動により当該温度差が規定範囲内の値となった場合に、当該電気的検査を再開する機能を有する。
【００３６】
統括制御部４０は、当該装置の検査動作を統括制御するコントローラであり、検査機構１０、第１の温度制御機構、第２の温度制御機構２０及び検査制御部３０と接続されている。統括制御部４０は、検査機構１０を用いた半導体ウェーハ５の電気的検査、第１の温度制御機構における加熱機構１１及び冷却機構１３を用いた半導体ウェーハ５の温度制御、第２の温度制御機構２０における気体温度制御部２３の動作管理、検査制御部３０からの検査中断信号・検査再開信号を受けて検査機構１０への検査中断・再開の指令等を適宜実行する。
【００３７】
［半導体検査方法］
図２は、本実施形態による半導体検査方法をステップ順に示すフロー図である。
先ず、ウェーハステージ部６に半導体ウェーハ５を設置し、対応するプローバ本体７のカード装着部１２を装着した状態で、統括制御部４０は、検査機構１０を駆動して、半導体ウェーハ５（に形成された各半導体チップ）の電気的検査を常温状態（２０℃〜２５℃程度）から開始する（ステップＳ１）。
【００３８】
常温状態における電気的検査（常温検査）が終了すると、引き続いて半導体ウェーハ５の低温状態又は高温状態における電気的検査（低温検査又は高温検査）、ここでは低温検査を行う。
具体的には、常温を基準とした所期の低温状態（例えば−３０℃程度）とすべく、統括制御部４０は、第１の温度制御機構の冷却機構１３を駆動して、プローバ本体７の内部の雰囲気を所期の設定温度に冷却する（ステップＳ２）。
【００３９】
ここで、ステップＳ２の冷却処理により、プローブカード４の下面の温度が低下してゆく。本実施形態では、プローブカード４の全体の温度を均一化する。即ち、第２の温度制御機構２０は、温度センサ２２ａ，２２ｂで測定されたプローブカード４の上下面における温度差を解消すべく、プローブカード４の上面を含む気体送通部８内に所期の温度のエアーを循環させる（ステップＳ３）。
【００４０】
ここで、第２の温度制御機構２０の気体温度制御部２３は、温度センサ２２ａ，２２ｂで測定された上記の温度差が許容範囲内の値であるか否かを継続的に判断する（ステップＳ４）。温度差が当該許容範囲を逸脱した場合、気体温度制御部２３は、電気的検査を中断する旨の信号（検査中断信号）を統括制御部４０へ送る。この検査中断信号を受けた統括制御部４０は、検査機構１０による検査動作を一時的に中断させる（ステップＳ５）。
【００４１】
ステップＳ５に続き、気体温度制御部２３は、温度差が許容範囲内の値であるか否かの判断を続け（ステップＳ６）、気体送通部８内にエアーを循環させる温度調節により、許容範囲を逸脱した当該温度差が許容範囲内に収まったときに、電気的検査を再開する旨の信号（検査再開信号）を統括制御部４０へ送る。この検査中断信号を受けた統括制御部４０は、検査機構１０による検査動作を再開させる（ステップＳ７）。
【００４２】
続いて、ステップＳ４において温度差が許容範囲を逸脱することなく低温検査を終了し、又はステップＳ５，Ｓ７において検査中断・再開を行って低温検査を終了すると、引き続いて高温検査を行う。
具体的には、常温を基準とした所期の高温状態（例えば８５℃〜９５℃程度）とすべく、統括制御部４０は、第１の温度制御機構の加熱機構１３を駆動して、ウェーハステージ部６から半導体ウェーハ５を所期の設定温度に加熱する（ステップＳ８）。
【００４３】
ここで、ステップＳ８の加熱処理により、プローブカード４の下面の温度が上昇してゆく。本実施形態では、プローブカード４の全体の温度を均一化する。即ち、第２の温度制御機構２０は、温度センサ２２ａ，２２ｂで測定されたプローブカード４の上下面における温度差を解消すべく、プローブカード４の上面を含む気体送通部８内に所期の温度のエアーを循環させる（ステップＳ９）。
【００４４】
ここで、第２の温度制御機構２０の気体温度制御部２３は、温度センサ２２ａ，２２ｂで測定された上記の温度差が許容範囲内の値であるか否かを継続的に判断する（ステップＳ１０）。温度差が当該許容範囲を逸脱した場合、気体温度制御部２３は、電気的検査を中断する旨の信号（検査中断信号）を統括制御部４０へ送る。この検査中断信号を受けた統括制御部４０は、検査機構１０による検査動作を一時的に中断させる（ステップＳ１１）。
【００４５】
ステップＳ１１に続き、気体温度制御部２３は、温度差が許容範囲内の値であるか否かの判断を続け（ステップＳ１２）、気体送通部８内にエアーを循環させる温度調節により、許容範囲を逸脱した当該温度差が許容範囲内に収まったときに、電気的検査を再開する旨の信号（検査再開信号）を統括制御部４０へ送る。この検査中断信号を受けた統括制御部４０は、検査機構１０による検査動作を再開させる（ステップＳ１３）。
【００４６】
そして、ステップＳ１０において温度差が許容範囲を逸脱することなく低温検査を終了し、又はステップＳ１１，Ｓ１３において検査中断・再開を行って低温検査を終了すると、統括制御部４０は、検査機構１０の駆動を停止させ、当該半導体ウェーハ５に対する電気的検査を終了する。
【００４７】
なお、上記した半導体検査方法では、常温検査、低温検査、及び高温検査の順で電気的検査を行う場合を例示したが、これらは順不同に実行することも可能であり、またこれらのうち、一乃至２の検査のみを行うことも当然に可能である。
【００４８】
以上説明したように、本実施形態によれば、半導体ウェーハ５に、常温を基準として低温及び高温を印加するに際して、容易・迅速且つ確実にプローブカード４の温度を均一に調節し、プローブカード４の上下面の温度差に起因するプローブカード４の反りの発生を防止し、半導体ウェーハ５の信頼性の高い電気的検査を実現するとともに、プローブカード４の軽量化や部品費のコスト削減に大幅に寄与することが可能となる。
【００４９】
以下、本発明の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【００５０】
（付記１）被検査体が設置される被検査体設置手段と、
前記被検査体に対応した電気的検査を行うための検査体が装着される検査体装着手段と、
装着された前記検査体を用いて前記被検査体の前記電気的検査を行う電気的検査手段と、
前記検査体の少なくとも一部に対して所期の温度の気体を循環させて、前記検査体を全体的に均一な温度に調節制御する温度制御手段と
を含むことを特徴とする検査装置。
【００５１】
（付記２）前記電気的検査の際に、前記被検査体を所期の設定温度に調節する温度設定機構を更に含み、
前記温度制御手段は、前記設定温度に対応して、前記検査体が全体的に均一な温度となるように前記気体の温度を調節制御することを特徴とする付記１に記載の検査装置。
【００５２】
（付記３）前記温度設定機構は、
前記被検査体設置手段から前記被検査体を加熱する加熱手段と、
前記被検査体の周囲の雰囲気を冷却する冷却手段と
を含み構成されていることを特徴とする付記２に記載の検査装置。
【００５３】
（付記４）前記検査体の上面に位置する空洞部を有する気体送通手段を更に含み、
前記温度制御手段は、前記気体送通手段の前記空洞内に気体を送通させることを特徴とする付記１〜３のいずれか１項に記載の検査装置。
【００５４】
（付記５）前記被検査体の複数箇所に設置される温度測定手段を更に含むことを特徴とする付記１〜４のいずれか１項に記載の検査装置。
【００５５】
（付記６）前記温度制御手段には、前記検査体に生じる局所的な温度差の許容範囲が規定されており、
前記電気的検査の際に、前記検査体に生じた局所的な温度差が前記許容範囲を逸脱したときに、当該電気的検査を中断する機能を有する検査中断手段を更に含むことを特徴とする付記１〜５のいずれか１項に記載の検査装置。
【００５６】
（付記７）前記検査中断手段は、前記中断の後、前記温度差が前記許容範囲内となったときに、前記電気的検査を再開する機能を有することを特徴とする付記６に記載の検査装置。
【００５７】
（付記８）前記被検査体は、表面に複数の半導体チップが形成されてなる半導体基板であることを特徴とする付記１〜７のいずれか１項に記載の検査装置。
【００５８】
（付記９）前記検査体は、前記各半導体チップに対応して複数の探針を備えた板状のものであることを特徴とする付記８に記載の検査装置。
【００５９】
（付記１０）被検査体が設置され、前記被検査体に対応した電気的検査を行うための検査体が装着された状態で、前記検査体を用いて前記被検査体の前記電気的検査を行うに際して、
前記検査体の少なくとも一部に対して所期の温度の気体を循環させて、前記検査体を全体的に均一な温度に調節制御することを特徴とする検査方法。
【００６０】
（付記１１）前記電気的検査の際に、前記被検査体を所期の設定温度に調節し、
前記設定温度に対応して、前記検査体が全体的に均一な温度となるように前記気体の温度を調節制御することを特徴とする付記１０に記載の検査方法。
【００６１】
（付記１２）前記検査体の上面に設けられてなる空洞内に気体を送通することを特徴とする付記１０又は１１に記載の検査方法。
【００６２】
（付記１３）前記検査体に生じる局所的な温度差の許容範囲が規定されており、
前記電気的検査の際に、前記検査体に生じた局所的な温度差が前記許容範囲を逸脱したときに、当該電気的検査を中断することを特徴とする付記１０〜１２のいずれか１項に記載の検査方法。
【００６３】
（付記１４）前記中断の後、前記温度差が前記許容範囲内となったときに、前記電気的検査を再開することを特徴とする付記１３に記載の検査方法。
【００６４】
（付記１５）前記被検査体は、表面に複数の半導体チップが形成されてなる半導体基板であることを特徴とする付記１０〜１４のいずれか１項に記載の検査方法。
【００６５】
（付記１６）前記検査体は、前記各半導体チップに対応して複数の探針を備えた板状のものであることを特徴とする付記１５に記載の検査方法。
【図面の簡単な説明】
【００６６】
【図１】本実施形態による半導体検査装置の概略構成を示す模式図である。
【図２】本実施形態による半導体検査方法をステップ順に示すフロー図である。
【図３】従来の一般的な半導体検査装置の概略構成を示す模式図である。
【符号の説明】
【００６７】
１  テストヘッド
２  マザーボード
３  コンタクトリング
４  プローブカード
４ａ  探針
５  半導体ウェーハ
６  ウェーハステージ部
７  プローバ本体
８  気体送通部
１０  検査機構
１１  加熱機構
１２  カード装着部
１３  冷却機構
２０  第２の温度制御機構
２１  気体循環部
２２ａ，２２ｂ  温度センサ
２３  気体温度制御部
２４  気体供給部
２５  気体吸引部
２６  気体供給側パイプライン
２７  気体吸引側パイプライン
３０  検査制御部
４０  統括制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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