【事件の表示】
　特願２０１３−５２９４９３「窒化物半導体発光装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　８月　１日国際公開，ＷＯ２０１３／１１１５４２〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，２０１３年１月１７日（特許法第４１条の規定による優先権主張　平成２４年１月２３日）を国際出願日とする出願であって，平成２５年７月２日に手続補正がされ，同年８月３０日付けで拒絶理由が通知され，同年９月１０日に意見書が提出され，同年１２月１７日付けで拒絶査定がされ，これに対して平成２６年３月１１日に審判請求がされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項１ないし２０に係る発明は，平成２５年７月２日にされた手続補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載から見て，その請求項１ないし２０に記載された事項により特定されるものであり，そのうち請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
　
「【請求項１】
　偏光光を出射し，非極性面または半極性面を成長面に有する活性層を有する窒化物半導体発光チップと，
　前記窒化物半導体発光チップの側方の領域のうち，前記偏光光の偏光方向に垂直な方向に配置され，前記活性層からの光を透過する第１の透光性部材と，
を備えた窒化物半導体発光装置であって，
　前記第１の透光性部材は，透光性基材と複数の粒子とを含み，
　前記粒子は前記透光性基材とは異なる屈折率を有し，
　前記第１の透光性部材は，０．４重量％以上１５重量％以下の前記複数の粒子を含み，
　前記複数の粒子は，ＴｉＯ2，ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，Ｎｂ2Ｏ5，ＺｎＯ，Ａｌ2Ｏ3およびＡｌＮを含む群から選択した少なくとも１種の材料から形成される，
　窒化物半導体発光装置。」
　
３　刊行物の記載事項
（１）特開２００８−１０９０９８号公報
　ア　原査定の拒絶の理由に引用された，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００８−１０９０９８号公報（以下「引用例」という。）には，図４ないし６，８及び９とともに次の記載がある（下線は当合議体において付加。以下同様。）。
　
（ア）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，発光ダイオード装置に関し，特に，発光ダイオードチップを備えた発光ダイオード装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
　従来，発光ダイオードチップを備えた発光ダイオード装置において，窒化ガリウムＣ面（０００１）基板上に作製したＧａＩｎＮ量子井戸には，量子井戸面と垂直な方向に大きなピエゾ電場が生じることが知られている。このように，ＧａＩｎＮ量子井戸にピエゾ電場が存在する場合，無電場時と比較してエネルギー準位が低エネルギー側にシフトする量子閉じこめシュタルク効果が起こったり，電子と正孔とが引き離されるために発光確率が低下して，発光効率が低下するなどの不都合があった。
【０００３】
　この不都合を解消するために，
窒化ガリウムにおいてピエゾ効果を低減させた素子構造として，Ｃ面（０００１）ではなく，Ａ面｛１１−２０｝，Ｍ面｛１−１００｝または（２−１−１４）面で量子井戸を形成する発光ダイオードチップや，（１０−１−３）面を主面とする発光ダイオードチップが提案されている
【非特許文献１】Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．８７巻，２３１１１０（２００５）」
　
（イ）「【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　しかしながら，上記Ｃ面以外の量子井戸では，発光層（量子井戸）の主面の面内方向において，発光層の振動子強度が大きい異方性を有していることが報告されている。具体的には，Ｃ面を主面とするＧａＩｎＮ量子井戸は，ｃ軸が６回回転対称軸をなすため，＜１１−２０＞偏光と＜１−１００＞偏光との振動子強度は等しく，量子井戸面内の直線偏光に対する振動子強度の異方性はない。一方，Ｃ面以外を主面とするＧａＩｎＮ量子井戸は，回転対称性がないので，一般的に，量子井戸面内の直線偏光に対する振動子強度は異方性を有する。すなわち，直線偏光に対する振動子強度は，量子井戸面内の直線偏光の方向に依存して複数の異なる大きさを有する。このため，
Ｃ面以外の量子井戸では，井戸層の法線方向で量子井戸から出射する光を観測した場合，その光は直線偏光している
【０００５】
　このような
Ｃ面以外の量子井戸を主面とする発光ダイオードチップから出射される光は，振動子強度の大きい方向と垂直な方向に対して発光強度が大きくなる分布を有することが理論的に予想される。たとえば，従来の発光ダイオードチップでは，発光ダイオードチップから出射される光は［１１−２０］方向の偏光が強く，［１１−２０］方向に出射する光は弱く，［１１−２０］方向と垂直な方向に出射する光は強くなることが予想される。このように発光層の主面の面内の方位角の違いにより，発光層から出射される光が発光強度の大きな異方性を有している場合，発光ダイオードチップを備えた発光ダイオード装置から出射される光も発光強度の大きな異方性を有すると考えられる
発光ダイオード装置から出射される光は，通常，パッケージのチップ配置面の面内の方位角に関して，発光強度の大きな異方性を有することになる。このため，パッケージから出射される光のチップ配置面の面内の方位角の違いによる発光強度の差を低減することが困難であるという問題点がある。この場合，発光ダイオード装置を，パッケージのチップ配置面の面内の方位角に関して，光の発光強度の均一性が要求される，たとえば，照明や表示灯などに用いることができないという不都合がある
【０００６】
　この発明は，上記のような課題を解決するためになされたものであり，
この発明の１つの目的は，パッケージから出射される光のチップ配置面の面内の方位角の違いによる強度の差を低減することが可能な発光ダイオード装置を提供することである
　
（ウ）「【課題を解決するための手段および発明の効果】
【０００７】
　この発明の一の局面による発光ダイオード装置は，
主面を有する発光層を含む発光ダイオードチップと，発光ダイオードチップが配置されるチップ配置面を有するパッケージとを備え，発光層の主面から出射される光は，発光層の主面の面内の方位角に依存して複数の異なる発光強度を有し，発光ダイオードチップおよびパッケージの少なくとも一方は，パッケージから出射される光のチップ配置面の面内の方位角の違いによる強度の差を低減する構造を有する
【０００８】
　この一の局面による発光ダイオード装置では，上記のように，
発光ダイオードチップおよびパッケージの少なくとも一方に，パッケージから出射される光のチップ配置面の面内の方位角の違いによる発光強度の差を低減する構造を設けることによって，発光層の主面から出射される光が，発光層の主面の面内の方位角に依存して複数の異なる発光強度を有する場合にも，パッケージから出射される光のチップの配置面の面内の方位角の違いによる発光強度の差を低減することができる。これにより，発光ダイオード装置を，パッケージのチップ配置面の面内の方位角に関して，光の発光強度の均一性が要求される，たとえば，照明や表示灯などに用いることができる
【０００９】
　上記一の局面による発光ダイオード装置において，
好ましくは，パッケージは，パッケージから出射される光のチップ配置面の面内の方位角の違いによる強度の差を低減する構造に形成されている
　
（エ）「【００３１】
　（第１実施形態）
　図４は，本発明の第１実施形態による発光ダイオード装置の構造を示した平面図である。図５は，図４に示した第１実施形態による発光ダイオード装置の構造を示した断面図である。図６は，図４に示した第１実施形態による発光ダイオード装置の支持部材の構造を示した平面図である。まず，図４〜図６を参照して，第１実施形態による発光ダイオード装置の構造について説明する。
【００３２】
　第１実施形態による発光ダイオード装置では，図４および図５に示すように，４つの発光ダイオードチップ１０と，４つの発光ダイオードチップ１０が内部に配置されるパッケージ２０とを含んでいる。
【００３３】
　発光ダイオードチップ１０は，（１１−２０）面を主面とするウルツ鉱構造の窒化物系半導体からなる。発光ダイオードチップ１０の外形は，図４に示すように，上面側から見て，正方形状，長方形状，菱形状または平行四辺形状などからなる。
【００３４】
　・・・（中略）・・・
【００３５】
　ここで，第１実施形態では，
各々の発光ダイオードチップ１０の発光層１２の振動子強度は，［０００１］偏光した光よりも［１−１００］偏光した光に対して大きくなる。したがって，発光層１２からの発光強度は，［１−１００］方向に平行な方位角の方向の光よりも，［０００１］方向に平行に近い方位角の光の方が大きくなる
　
（オ）「【００４２】
　（第２実施形態）
　図８は，本発明の第２実施形態による発光ダイオード装置の構造を示した平面図である。図９は，図８に示した第２実施形態による発光ダイオード装置の構造を示した断面図である。図８および図９を参照して，この第２実施形態では，上記第１実施形態と異なり，パッケージの反射側面に，パッケージから出射される光のチップ配置面の面内の方位角の違いによる強度の差を低減する形状が形成されている場合について説明する。
【００４３】
　第２実施形態による発光ダイオード装置では，図８および図９に示すように，１つの発光ダイオードチップ３０と，１つの発光ダイオードチップ３０が内部に配置されるパッケージ４０とを含んでいる。
【００４４】
　
発光ダイオードチップ３０は，（１−１００）面を主面とするウルツ鉱構造の窒化物系半導体からなる
【００４５】
　また，発光ダイオードチップ３０では，図９に示すように，ｎ型ＧａＮ層３１上に，Ｇａ０．７Ｉｎ０．３Ｎからなる約２ｎｍの厚みを有する井戸層（図示せず）と，Ｇａ０．９Ｉｎ０．１Ｎからなる障壁層（図示せず）とを積層したＭＱＷからなる発光層３２が形成されている。また，発光層３２上には，ｐ型ＧａＮ層３３が形成されている。また，上記第１実施形態と同様，ｎ型ＧａＮ層３１の下面上には，ｎ側電極１４が形成されているとともに，ｐ型ＧａＮ層３３上には，透光性を有するｐ側電極１５が形成されている。
【００４６】
　ここで，第２実施形態では，上記第１実施形態と同様，
発光層３２から出射される光の発光強度は，発光層３２の主面（上面）３２ａの面内の方位角に関する異方性を有する。すなわち，発光層３２から出射される光の発光強度は，［１１−２０］方向に平行な方位角の方向の光よりも，［０００１］方向に平行に近い方位角の方向の光の方が大きくなる
【００４７】
　また，
パッケージ４０は，図８に示すように，支持部材４１と，透光性の樹脂モールド４２とにより構成されている。この支持部材４１は，発光ダイオードチップ３０が配置される平面からなるチップ配置面４１ａと，チップ配置面４１ａの外周部に配置されるとともに，チップ配置面４１ａに対して傾斜する反射側面４１ｂとを有する凹部が形成されている。なお，反射側面４１ｂは，本発明の「反射面」の一例である
【００４８】
　また，チップ配置面４１ａには，図９に示すように，チップ配置面４１ａの中央部近傍に配置される銅などからなる一方電極４１ｃと，チップ配置面４１ａの周辺部近傍に配置される銅などからなる他方電極４１ｄとが形成されている。また，一方電極４１ｃには，一方リード電極４１ｅが接続されているとともに，他方電極４１ｄには，他方リード電極４１ｆが接続されている。
【００４９】
　また，第２実施形態では，反射側面４１ｂには，ＡｌまたはＡｇなどからなる反射材４１ｇが形成されている。反射側面４１ｂは，支持部材４１の凹部の表面に凹凸形状を形成するとともに，支持部材４１の凹部の表面に反射材４１ｇを形成することにより形成される。この反射側面４１ｂには，図８に示すように，光の出射方向（上方向）から見て，支持部材４１の凹部の表面の凹凸形状を反映した凹凸形状を有する反射材４１ｇが形成されている。具体的には，反射側面４１ｂは，図９に示すように，チップ配置面４１ａ近傍の部分において，約１ｍｍの内径Ｌ１を有している。また，図８に示すように，反射側面４１ｂに形成された凹凸形状の凸部と凸部との間隔Ｗ１は，約２０μｍであるとともに，凹部の深さＤ１は，約２０μｍであり，凸部の頂点の角度θ１は，約５０度である。
これにより，発光ダイオードチップ３０から出射される光が反射側面４１ｂにより散乱される
【００５０】
　なお，第２実施形態のその他の構造は，上記第１実施形態と同様である。
【００５１】
　第２実施形態では，上記のように，
反射側面４１ｂに，光の出射方向（上方向）から見て，凹凸形状を形成することによって，発光ダイオードチップ３０から出射される光を反射側面４１ｂにより散乱することができるので，発光層３２の主面３２ａから出射される光が，発光層３２の主面３２ａの面内の方位角に依存して複数の異なる発光強度を有する場合にも，パッケージ４０から出射される光の支持部材４１のチップ配置面４１ａの面内の方位角の違いによる発光強度の差を低減することができる
【００５２】
　なお，第２実施形態のその他の効果は，上記第１実施形態と同様である。」
　
（カ）図８，９はそれぞれ次のものである。
　
イ（ア）ここで，前記ア（イ）の「Ｃ面以外の量子井戸を主面とする発光ダイオードチップから出射される光は，振動子強度の大きい方向と垂直な方向に対して発光強度が大きくなる分布を有することが理論的に予想される。たとえば，従来の発光ダイオードチップでは，発光ダイオードチップから出射される光は［１１−２０］方向の偏光が強く，［１１−２０］方向に出射する光は弱く，［１１−２０］方向と垂直な方向に出射する光は強くなることが予想される。」（段落【０００５】），及び前記ア（エ）の「各々の発光ダイオードチップ１０の発光層１２の振動子強度は，［０００１］偏光した光よりも［１−１００］偏光した光に対して大きくなる。したがって，発光層１２からの発光強度は，［１−１００］方向に平行な方位角の方向の光よりも，［０００１］方向に平行に近い方位角の光の方が大きくなる。」の各記載から，Ｃ面以外の量子井戸を主面とする発光ダイオードチップから出射される光は偏光しており，当該偏光の方向に垂直な方向に出射する光は強くなることは明らかである。それゆえ，前記ア（オ）の「発光層３２から出射される光の発光強度は，発光層３２の主面（上面）３２ａの面内の方位角に関する異方性を有する。すなわち，発光層３２から出射される光の発光強度は，［１１−２０］方向に平行な方位角の方向の光よりも，［０００１］方向に平行に近い方位角の方向の光の方が大きくなる」（段落【００４６】）と記載されたものにおいては，［１１−２０］方向の偏光が強く，これと垂直な［０００１］方向に平行に近い方位角の方向の光の方が大きくなっていることがわかる。
　
（イ）前記ア（オ）の記載とともに図８及び図９に示された発光ダイオード装置を見ると，透光性の樹脂モールド４２は，支持部材４１の凹部内を満たして発光ダイオードチップ３０の上面及び側面の全てに接して取り囲んでいることが見て取れる。
　
ウ　以上によれば，引用例には以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「発光ダイオードチップ３０と，発光ダイオードチップ３０が内部に配置されるパッケージ４０とを含む発光ダイオード装置であって，
　発光ダイオードチップ３０は，（１−１００）面を主面とするウルツ鉱構造の窒化物系半導体からなり，その発光層３２から出射される光は［１１−２０］方向の偏光が強く，またその発光強度が，［１１−２０］方向に平行な方位角の方向の光よりも，これと垂直な［０００１］方向に平行に近い方位角の方向の光の方が大きいものであり，
　パッケージ４０は，支持部材４１と，透光性の樹脂モールド４２とにより構成され，
支持部材４１は，発光ダイオードチップ３０が配置される平面からなるチップ配置面４１ａと，チップ配置面４１ａの外周部に配置されるとともに，チップ配置面４１ａに対して傾斜する反射側面４１ｂとを有する凹部を備え，反射側面４１ｂに，光の出射方向（上方向）から見て，凹凸形状が形成されることによって，発光ダイオードチップ３０から出射される光を反射側面４１ｂにより散乱し，パッケージ４０から出射される光の支持部材４１のチップ配置面４１ａの面内の方位角の違いによる発光強度の差を低減することができるものであり，
透光性の樹脂モールド４２は，支持部材４１の凹部内を満たして発光ダイオードチップ３０の上面及び側面の全てに接して取り囲んでいるものである，
発光ダイオード装置。」
　
４　対比
　引用発明を本願発明と対比する。
　
（１）引用発明の「（１−１００）面を主面とするウルツ鉱構造の窒化物系半導体からな」る「発光ダイオードチップ３０」は，その主面である（１−１００）面が非極性面であって，「その発光層３２」が非極性面である（１−１００）面を成長面としていることは明らかであり，さらに「発光ダイオードチップ３０は，」「その発光層３２から出射される光は［１１−２０］方向の偏光が強」いものであるから，本願発明の「偏光光を出射し，非極性面または半極性面を成長面に有する活性層を有する窒化物半導体発光チップ」に相当する。
　
（２）引用発明の「発光ダイオードチップ３０は，」「その発光層３２から出射される光は［１１−２０］方向の偏光が強く，またその発光強度が，［１１−２０］方向に平行な方位角の方向の光よりも，これと垂直な［０００１］方向に平行に近い方位角の方向の光の方が大きいものであ」るところ，偏光が強い方向，すなわち偏光光の偏光方向である［１１−２０］方向は，主面である（１−１００）面に対して並行であり，また，［１１−２０］方向と垂直な［０００１］方向も主面である（１−１００）面に対して並行であることは明らかである。
　ここで，引用発明の「透光性の樹脂モールド４２は，支持部材４１の凹部内を満たして発光ダイオードチップ３０の上面及び側面の全てに接して取り囲んでいるものであ」るところ，前記側面の面方位は明らかではないが，透光性の樹脂モールド４２が「側面の全てに接して取り囲んでいる」ことから，発光ダイオードチップ３０の「側方の領域のうち」，主面である（１−１００）面に対して並行である全ての「方向に垂直な方向」には透光性の樹脂モールド４２が配置されているといえる。すなわち，偏光光の偏光方向である［１１−２０］方向に垂直な方向にも透光性の樹脂モールド４２が配置されている。
　それゆえ，引用発明の「透光性の樹脂モールド４２」であって，「支持部材４１の凹部内を満たして発光ダイオードチップ３０の上面及び側面に接しているもの」は，本願発明の「前記窒化物半導体発光チップの側方の領域のうち，前記偏光光の偏光方向に垂直な方向に配置され，前記活性層からの光を透過する第１の透光性部材」に相当する。
　
　したがって，引用発明と本願発明とは以下の点で一致する。
「偏光光を出射し，非極性面または半極性面を成長面に有する活性層を有する窒化物半導体発光チップと，
　前記窒化物半導体発光チップの側方の領域のうち，前記偏光光の偏光方向に垂直な方向に配置され，前記活性層からの光を透過する第１の透光性部材と，を備えた窒化物半導体発光装置。」
　
　一方，両者は以下の点で相違する。
《相違点》
　本願発明は，「前記第１の透光性部材は，透光性基材と複数の粒子とを含み，　前記粒子は前記透光性基材とは異なる屈折率を有し，　前記第１の透光性部材は，０．４重量％以上１５重量％以下の前記複数の粒子を含み，　前記複数の粒子は，ＴｉＯ2，ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，Ｎｂ2Ｏ5，ＺｎＯ，Ａｌ2Ｏ3およびＡｌＮを含む群から選択した少なくとも１種の材料から形成される」構成を備えるのに対し，引用発明は「第１の透光性部材」に対応する構成は備えるものの，本願発明に係る上記構成は備えない点。
　
５　判断
ア　前記３（１）ア（イ）及び（オ）に記載のとおり，引用発明は，発光ダイオードチップの発光層から出射される光が発光強度の大きな異方性を有している発光ダイオードチップを備え，発光ダイオードチップから出射される光を反射側面４１ｂにより散乱し，パッケージ４０から出射される光の支持部材４１のチップ配置面４１ａの面内の方位角の違いによる発光強度の差を低減するものである。
　一方，輝度むらのない均一な光を得るために，透光性樹脂内に散乱剤として粒子を混入させて発光素子の発光光を散乱させることは，周知例１ないし３に示されているように従来から周知の技術であり，散乱剤として，透光性樹脂とは屈折率が異なるＴｉＯ2から成る粒子を用いることも，周知例１及び３に示されているように従来から周知である。
　
周知例１：　特開２０１０−２３８８４６号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０１０−２３８８４６号公報（以下「周知例１」という。）には，図１，２とともに次の記載がある。
「【００１２】
（実施の形態１）
　図１，２は，本発明の実施の形態１に係る発光装置１００の概略図であり，図１（ａ）は概略上面図の図１（ｂ）のＡ−Ａにおける概略断面図であり，図２は光源部周辺の概略断面図である。図１，２に示す例の発光装置１００は，主として，発光素子１０と，光透過部材２０と，被覆部材３０と，波長変換部材４０と，実装基板５０と，から構成される。基板５０は，枠体５５と，複数個（図中では２個）の発光素子１０がフリップチップ実装された配線５１を備えている。この波長変換部材４０は，板状で互いに対向する第１および第２の面を有し，その第２の面が各発光素子１０の裏面に接合されている。そして，
光反射材料３５を含有する被覆部材３０が枠体５５の内側に充填され，光源部の発光素子１０と波長変換部材４０は，第１の面を露出面として，被覆部材３０に被覆されている
「【００３０】
　（被覆部材）
　被覆部材３０は，図１に示すように，光源部の一部と光透過部材の表面を被覆し，具体的には少なくとも発光素子を含む光源部を埋め込むように被覆して，加えて光透過部材の入射側表面まで延在して被覆する。さらに，光源部内の波長変換部材４０の一部，具体的にはその側面を被覆し，そこから露出された光源部表面から出射面となり光透過部材へ入射する。
被覆部材３０の基材としては，樹脂材料であり，さらに透光性がよく，シリコーン樹脂組成物，変性シリコーン樹脂組成物等を使用することが好ましいが，エポキシ樹脂組成物，変性エポキシ樹脂組成物，アクリル樹脂組成物等の透光性を有する絶縁樹脂組成物を用いることができる
　・・・（中略）・・・
【００３１】
　また，
被覆部材３０は，上記基材中に少なくとも１種類の光反射性材料３５を含有してなる。光反射性材料を含有することで，被覆部材の反射率が高まり，更に好適には低吸収性の粒子を用いると，光吸収，損失が低減され，光散乱性を備えた被覆部材とでき
光反射性材料としては
具体的にはＴｉＯ
2
，ＺｒＯ
2
，Ｎｂ
2
Ｏ
5
，Ａｌ
2
Ｏ
3
，ＭｇＦ，ＡｌＮ，ＳｉＯ
2
よりなる群から選択される少なくとも１種である。光反射性材料の粒子が，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ａｌからなる群から選択される１種の酸化物であることで，材料の高い反射性及び低吸収性とでき，基材，特に透光性樹脂との屈折率差を高められ，好ましい
　・・・（中略）・・・
【００３２】
　上述した
母材中に光反射性材料３５を含有する被覆部材３０では，その含有濃度，密度により光の漏れ出す深さが異なるため，発光装置の形状，大きさに応じて，適宜濃度，密度を調整すると良い。例えば，比較的小さな発光装置で肉厚を小さくする場合，高濃度の光反射性材料を備えることが好ましい
光反射性材料３５の含有濃度は２０重量パーセント濃度以上，被覆部材３０の肉厚は２０μｍ以上
　・・・（中略）・・・
【００３５】
　本発明において，光透過部材は光入射側表面に，光源部の入射領域の外側に反射領域を備え，その反射領域は，光透過部材の表面，更には被覆部材との界面に設けられるため，その反射機能が各部材の材質，表面形態に大きく依存する。実施の形態１では，
光反射材料を含有する被覆部材と，その上に成形された光透過部材との界面に形成されることで，好適な反射，散乱機能を備える。具体的には，互いに透光性の材料であることでその透光性の材料同士の界面が形成され，高い反射率が得られ，さらに被覆部材内の光反射性材料による散乱機能が付与される。これにより，光取り出し効率の向上，輝度，色むらの改善が図れ
　
　ここで，光反射性材料３５が光の散乱剤として作用していることは明らかである。
　
周知例２：　特開２００６−７３５４７号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００６−７３５４７号公報（以下「周知例２」という。）には次の記載がある。
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，
ＬＥＤチップの周囲を透明樹脂によりモールドしたＬＥＤに関する
「【００１３】
　本発明は，以上の点から，ランバーシアン分布の配光特性が得られると共に，ＬＥＤチップの占有面積が大きくなってもレンズ部に応力によるクラック，反り等の歪みが発生しないようにしたＬＥＤを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
　上記目的は，本発明によれば，ＬＥＤチップ搭載部，接続パターン及び外部電極を含む導電パターンを備えたシリコン基板と，このシリコン基板上に陽極接合された，ランプハウスを画成する貫通孔を備えたガラス枠体と，上記ガラス枠体の貫通孔内にて，シリコン基板上にマウントされるＬＥＤチップと，上記
ガラス枠体の貫通孔内に充填されるシリコーン樹脂から成るモールド部
「【００３３】
　上記
モールド部を構成するシリコーン樹脂に，拡散剤が混入されている場合には，ＬＥＤチップから出射した光が，モールド部を構成するシリコーン樹脂に混入された拡散剤に入射し，拡散される。これにより，ＬＥＤチップ自体の配光特性が全体として均一化される
【００３４】
　このようにして，本発明によれば，ランバーシアン分布の配光特性が得られると共に，ＬＥＤチップの占有面積が大きくなってもレンズ部に応力によるクラック，反り等の歪みが発生しないようにしたＬＥＤが構成され得ることになる。」
　
周知例３:　特開２００７−２２７７９１号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００７−２２７７９１号公報（以下「周知例３」という。）には次の記載がある。
「【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
　ところで，半導体発光素子の利点を活かし，照明までも含めた光源として利用されるには，従来の発光装置では十分でなく，配光色度（配光特性）および量産性の改良が求められている。なお，配光特性の制御は，通常はリフレクタの光反射面や発光素子の光を受けるレンズや遮蔽部材の形状を工夫しているが，
リフレクタやレンズに依存しないで低コストで配光特性を制御し，しかも，光利用効率が良く，小電力駆動を可能とすることが望まれる
【０００６】
　かかる事情に鑑みて本発明者らは鋭意研究の結果，蛍光物質および拡散剤を含む透光性樹脂の硬化に際して，蛍光物質を発光素子に近い部分に偏在するように積極的に沈降させ，
拡散剤を蛍光物質の沈降部よりも発光素子から離れた部分に分散させて光拡散層とするように
　
「【００１３】
　＜第１の実施形態＞
　支持体上に実装されて外部端子に電気的に接続された発光素子を透光性樹脂により封止した発光装置を製造する際，透光性樹脂に発光素子からの光を吸収して異なる波長を有する光を発する蛍光物質および拡散剤を含ませておき，前記蛍光物質を前記発光素子に近い部分に偏在するように沈降させ，
当該蛍光物質の沈降部分よりも前記発光素子から離れた部分に拡散剤を分散させることにより，配光特性および量産性に優れた発光装置を実現した
「【００２１】
　蛍光物質は，一例として，Ｃｅで付活されるイットリウム・アルミニウム・ガーネット系蛍光体（ＹＡＧ）を用いることができる。拡散剤として，酸化チタン（ＴｉＯ2 ），チタン酸バリウム，酸化アルミニウム，酸化珪素およびそれらの混合物が好適に用いられる。　表１は，前記樹脂封止に際して，透光性樹脂として変成シリコーン樹脂，蛍光物質としてＹＡＧを用い，
拡散剤としてＴｉＯ
2 
の添加量を０％，０．１％，０．２％，０．３％，０．４％に変化させた５つのサンプル（発光装置）について，それぞれ測定により得られた配光特性の変化を示す
【００２２】
　上記配光特性の測定は，発光素子４０３上でマウントリード４０５とインナーリード４０６を結ぶ直線上（０°方向）において，出射光の出射角度θの中心を０°として−９０°〜＋９０°の範囲において配光色度を測定した。そして，配光色度の変化（色ムラ）として色度図のｙ軸の数値の最大値と最小値との差Δｙを表１に示している。このΔｙが小さいほど色ムラが少ないといえる。
【表１】
【００２３】
　表１によれば，
ＴｉＯ
2 
を０．１％添加すると配光特性が改善され，ＴｉＯ
2 
の添加量をさらに増やすとさらに改善されることが分かる
「【００４５】
　［拡散剤］
　本明細書において拡散剤とは，中心粒径が１ｎｍ以上５μｍ未満のものをいう。１ｎｍ以上５μｍ未満の拡散剤は，蛍光物質からの光を良好に乱反射させ，大きな粒径の蛍光物質を用いることにより生じやすい色ムラを抑制することができ好ましい。拡散剤の光拡散作用により，発光装置の色度ばらつきが改善される。１ｎｍ以上１μｍ未満が特に好ましい。また，
本発明における拡散剤は，従来の拡散剤に比べて，透光性樹脂との屈折率差が大きいため拡散作用が高い
本発明における拡散剤としては特にＴｉＯ
2
を用いるのが好ましい
　
イ　してみると，引用発明においては，方位角の違いによる発光強度の差を低減させるために，「反射側面４１ｂに，光の出射方向（上方向）から見て，凹凸形状」を「形成」して「発光ダイオードチップ３０から出射される光を反射側面４１ｂにより散乱」させているところ，これに代えて，上記の周知技術を用いて，「透光性の樹脂モールド４２」に，散乱剤として「透光性の樹脂モールド４２」の樹脂とは屈折率が異なるＴｉＯ2から成る粒子を混入させて発光素子の発光光を散乱させることにより，「パッケージ４０から出射される光の支持部材４１のチップ配置面４１ａの面内の方位角の違いによる発光強度の差を低減する」ことは当業者が適宜になし得たことである。
　そして，この際の粒子の濃度は，上記周知例１にも記載されているように，輝度むらのない均一な光となるように当業者が適宜に設定することであり，周知例１には具体的な値として２０重量％が記載され，周知例３には０．４重量％が記載されているから，これらの値の間の範囲にあたる，０．４重量％以上１５重量％の範囲内の値とすることは当業者が適宜になし得たことである。
　したがって，引用発明において上記相違点に係る本願発明の構成とすることは，当業者が適宜になし得た程度のことであり，本願発明に係る構成は，当業者が容易に想到し得たものといえる。
　そして，本願明細書の段落【０２９７】の記載及び図５１によれば，本願発明においては，粒子濃度が増加するに伴い，出射方向によって出射する光の波長が異なることを低減させる作用が増えるとされていることが認められる。しかし，上記の作用は，粒子濃度に応じて出射する光の波長が異なることが低減されることを明らかとしたにとどまるというべきものであり，本願発明において，格別顕著な効果が奏されるものとは認められない。
　
６　むすび
　以上の検討によれば，本願発明は，周知技術を勘案して引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって，結論のとおり審決する。