(57)【要約】【課題】経時変化が少なく、安定した膜質を有する保護層を任意に形成するのに適したスパッタリングターゲット、及び、そのスパッタリングターゲットを用いた信頼性、反射率、記録感度、記録特性（ＳＤＲ、ジッタ、ＰＲＳＮＲ、エラー率等）に優れた高密度光記録媒体の提供。【解決手段】（１）ＳｒＳを含み、充填密度が７０〜９８％である光情報記録媒体用ＳｒＳ含有スパッタリングターゲット。（２）更にＭとＯを含む（１）記載のスパッタリングターゲット（但し、ＭはＭｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｗ、希土類元素から選ばれる少なくとも１つの元素）。（３）組成式（ＳｒαＳ１−α）γ（ＭβＯ１−β）１−γ（但し、α、βは原子比、γはモル比）で表され、かつ、０．４≦α≦０．６、０．２≦β≦０．５、０．５≦γ≦１である（１）又は（２）記載のスパッタリングターゲット。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＳｒＳを含み、充填密度が７０〜９８％であることを特徴とする光情報記録媒体用ＳｒＳ含有スパッタリングターゲット。
【請求項２】
ＳｒＳ結晶を含むことを特徴とする請求項１記載のスパッタリングターゲット。
【請求項３】
更にＭとＯを含むことを特徴とする請求項１又は２記載のスパッタリングターゲット（但し、ＭはＭｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｗ、希土類元素から選ばれる少なくとも１つの元素）。
【請求項４】
Ｍの酸化物を含むことを特徴とする請求項３記載のスパッタリングターゲット。
【請求項５】
組成式（ＳｒαＳ１−α）γ（ＭβＯ１−β）１−γ（但し、α、βは原子比、γはモル比）で表され、かつ、０．４≦α≦０．６、０．２≦β≦０．５、０．５≦γ≦１であることを特徴とする請求項３又は４記載のスパッタリングターゲット。
【請求項６】
請求項１〜５の何れかに記載のスパッタリングターゲットを用いて成膜した上引層及び／又は下引層を有することを特徴とする光記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光記録媒体用スパッタリングターゲットであって、ビスマス及び／又はビスマス酸化物を主成分として含有する記録層を有する光記録媒体の上引層及び／又は下引層の成膜に好適に使用されるスパッタリングターゲットに係る。また、そのスパッタリングターゲットを用いて製造した光記録媒体、特に青色レーザ波長領域でも高密度の記録が可能な追記型光記録媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
青色レーザ波長以下で記録再生が可能な追記型光記録媒体を提供するため、超高密度の記録が可能となる青色レーザの開発は急速に進んでおり、それに対応した追記型光記録媒体の開発が行われている。本出願人は、先願（特許文献１参照）において、Ｂｉ、Ｆｅ、酸素を含む膜を用いた追記型光記録媒体が優れた特性を示すことを開示した。更に、特願２００４−３６３０１０号では、上引層及び／又は下引層を設けた追記型光記録媒体において、上引層及び／又は下引層に硫化物を用いること、例えば硫化物にＳｒＳを主成分とした材料を用いることにより、反射率、記録感度、記録特性（ＳＤＲ、ジッタ、ＰＲＳＮＲ、エラー率等）に優れた追記型光記録媒体を提供できることを開示した。
【０００３】
記録層や、上引層及び／又は下引層はスパッタリング法で形成するのが好ましい。スパッタリング法は薄膜の気相形成法の１つとして従来から広く知られており、工業的な薄膜製造にも利用されてきた。スパッタリング法では、目的とする膜の成分からなるターゲット材を用意し、通常は、このターゲット材にグロー放電で発生させたアルゴンガスイオンを衝突させてターゲット材の構成原子を叩き出し、基板上に原子を堆積させることにより成膜が行われる。蒸着法に比べて量産性に優れており、高周波を印加する高周波スパッタリングがよく用いられる。
スパッタリング法を用いるには各層を構成する材料からなるスパッタリングターゲットが必要である。しかし、本発明者らが検討した結果によると、ＳｒＳターゲットは経時変化が顕著であり、経時的にターゲット強度が低下し、スパッタリング時に割れが発生した。また、膜質が安定しなかった。このため、反射率や記録特性といった媒体特性のばらつきが大きくなるという問題があった。
【０００４】
公知技術としては、例えば、特許文献２に、ＳｒＳ粉末を硫化性ガス雰囲気で熱処理した上で不活性ガス雰囲気下で加熱加圧成型することを特徴とするＳｒＳターゲットの製造方法が開示されている。そして、結晶粒径の大きな高結晶化した発光層を得ることにより高輝度に発光する薄膜ＥＬ素子を作製できること、粉末粒子間の焼結が促進され、高い緻密度の焼結体タ−ゲットが得られることが記載されている。しかし、この文献には、極めて微細な記録マークを形成する高密度記録光記録媒体に用いる保護層については何ら記載されておらず、保護層の経時変化や膜質変化についての記載もない。
また、特許文献３には、ＳｒＳを含む複数の化合物の混合物で構成された複合スパッタリングターゲットを用いて保護層を形成した相変化記録媒体が開示されている。しかし、保護層の経時変化や膜質変化についての記載はない。
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１０８３９６号公報
【特許文献２】特開平６−３３１０６号公報
【特許文献３】特許第３６０１１６８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
反射率、記録感度、記録特性（ＳＤＲ、ジッタ、ＰＲＳＮＲ、エラー率等）に優れた追記型光記録媒体を実現するには、Ｂｉ、Ｆｅ、酸素を含む記録膜に加えて、上引層及び／又は下引層にＳｒＳを主成分とした材料を用いることが望ましいが、そのためには適切なスパッタリングターゲットが必要となる。しかし、ＳｒＳターゲットには前述したような問題がある。そこで、本発明は、経時変化が少なく、安定した膜質を有する保護層を任意に形成するのに適したスパッタリングターゲット、及び、そのスパッタリングターゲットを用いた信頼性、反射率、記録感度、記録特性（ＳＤＲ、ジッタ、ＰＲＳＮＲ、エラー率等）に優れた高密度光記録媒体の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題は次の１）〜６）の発明（以下、本発明１〜６という）によって解決される。
１）  ＳｒＳを含み、充填密度が７０〜９８％であることを特徴とする光情報記録媒体用ＳｒＳ含有スパッタリングターゲット。
２）  ＳｒＳ結晶を含むことを特徴とする１）記載のスパッタリングターゲット。
３）  更にＭとＯを含むことを特徴とする１）又は２）記載のスパッタリングターゲット（但し、ＭはＭｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｗ、希土類元素から選ばれる少なくとも１つの元素）。
４）  Ｍの酸化物を含むことを特徴とする３）記載のスパッタリングターゲット。
５）  組成式（ＳｒαＳ１−α）γ（ＭβＯ１−β）１−γ（但し、α、βは原子比、γはモル比）で表され、かつ、０．４≦α≦０．６、０．２≦β≦０．５、０．５≦γ≦１であることを特徴とする３）又は４）記載のスパッタリングターゲット。
６）  １）〜５）の何れかに記載のスパッタリングターゲットを用いて成膜した上引層及び／又は下引層を有することを特徴とする光記録媒体。
【０００８】
以下、上記本発明について詳しく説明する。
本発明１は、ＳｒＳを含み、充填密度が７０〜９８％である光記録媒体用ＳｒＳ含有スパッタリングターゲットである。ＳｒＳは主成分として含まれるが、ここで主成分とは、ターゲット材料全体の５０モル％以上を占めることを意味する。
前述したように、Ｂｉ、Ｆｅ、酸素を含む記録膜に加えて、上引層及び／又は下引層にＳｒＳを主成分とした材料を用いた光記録媒体は優れた記録特性を示す。ＳｒＳは相変化光記録媒体などで広く用いられている硫化物であるＺｎＳに比べて低屈折率であるため、光学膜厚変化を抑えた膜厚設計が可能という特徴がある。このため、特に断熱層としての役割を担う上引層に用いる場合に厚膜化が可能となる利点があり、高速化や多層化に必要な高感度化が可能となる。また、微細なマークを形成するため加熱条件に敏感となる超高密度記録に対応した追記型光記録媒体に対して有用性が高い。但し、ＳｒＳターゲットには前述した経時変化に起因する問題がある。
【０００９】
そこで本発明者らは、経時劣化が少ない上引層及び／又は下引層を提供すべく鋭意研究を重ねてきた。また、十分なターゲット強度を確保することについても鋭意研究を重ねてきた。その結果、充填密度を高めて７０〜９８％とした光記録媒体用ＳｒＳ含有スパッタリングターゲットを用いることにより経時変化を低減でき、また十分なターゲット強度を確保できることを見出し本発明を完成した。
本発明の光記録媒体用ＳｒＳ含有スパッタリングターゲットは、ビスマス及び／又はビスマス酸化物を主成分として含有する記録層を有する光記録媒体の上引層及び／又は下引層の成膜に好適に使用され、これを用いて成膜された上引層及び／又は下引層は、経時安定性に優れている。
本発明のＳｒＳ含有スパッタリングターゲットを用いて成膜された光記録媒体用上引層及び／又は下引層は、ＳｒＳを含む膜からなる。ＳｒＳを含む膜は前述した特徴もあることなどから、反射率、記録感度、記録特性（ＳＤＲ、ジッタ、ＰＲＳＮＲ、エラー率等）に優れた追記型光記録媒体を提供できる。
【００１０】
経時変化が低減される一つの理由は、ＳｒＳはイオン性が高いため潮解性が高く、経時的にターゲットの劣化が進行すると考えられるが、充填密度を高めることにより大気と接する面積が減少し、経時変化が低減するためと考えられる。
充填密度は７０〜９８％が好ましく、より好ましくは８０〜９８％、更に好ましくは９０〜９８％である。７０％未満ではターゲットの経時劣化が大きく、９８％を越えると硬いため破損し易くなる。なお、ここでいう充填密度とは、ターゲットの体積を目的の物質で１００％占めたときの重量を計算で求め、実際に作製したターゲットの重量と比較して密度として求めたものである。
更に、ＳｒＳはＳｒＳ結晶として含まれていることが膜の安定性を高める点から好ましい。
【００１１】
更に、本発明３は、該ターゲットが更にＭとＯを含むようにしたスパッタリングターゲットである（但し、ＭはＭｇ、Ａｌ、Ｓｉ、Ｃｒ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｔａ、Ｗ、希土類元素から選ばれる少なくとも１つの元素）。これにより更に安定性が高まる。これは他成分を含ませることによりターゲットの結晶の微細化や非晶質化が進み、潮解によるターゲットの安定性が高まるためと考えられる。更には、膜の微細化や非晶質化が進むことで、膜の安定性が高まる。また、粒界ノイズが減るためにディスク特性が向上する。
ＭはＳｉであることが特に好ましい。Ｓｉは安定な酸化物を形成する。代表的な酸化物であるＳｉＯ２は耐熱性が高く、また複合化した際にガラス化を促進する傾向があるため、保護層としての安定性を向上させる。
更に、ＭとＯは、Ｍの酸化物として含まれていることが膜の安定性を高める点から好ましい。
更に、本発明５のような、組成式（ＳｒαＳ１−α）γ（ＭβＯ１−β）１−γ（但し、α、βは原子比、γはモル比）で表され、かつ０．４≦α≦０．６、０．２≦β≦０．５、０．５≦γ≦１であるスパッタリングターゲットを用いると、優れた特性を示し、特に高密度記録に適した光記録媒体が得られる。
【００１２】
本発明１〜２のスパッタリングターゲットは、原料のＳｒＳ粉末を焼結することにより作成される。粉末はごく普通に存在するものである。これらの粉末を乾式又は湿式で粉砕し分級して粒径の揃った粉末にする。次いで混合し加熱加圧成型して形状を整えたのち焼成を行う。焼成は大気中、不活性ガス中、硫化物雰囲気等から適宜選択するが、Ａｒ等の希ガス、窒素等の不活性ガス中で行うのが望ましい。
焼成法としては、ホットプレス法やＨＩＰ法などの加圧加熱焼成法を用いることができる。焼成温度に関しては、ターゲット強度を向上させるためには高温であることが好ましいが、ＳｒＳの場合、約２０００℃以上では分解、融解などが起こり、均一なターゲットを焼成することが難しくなる。そこで焼成温度は２０００℃程度を超えないように制御する必要がある。１２００〜２０００℃が望ましく、より望ましくは１５００〜２０００℃であり、更に望ましくは１８００〜２０００℃である。
【００１３】
また、ＭとＯを含む本発明３〜５のスパッタリングターゲットの場合は、原料のＳｒＳ粉末と酸化物粉末とを混合焼成することにより作成される。焼成手段は基本的に上記の場合と同様であるが、原料粉末をそれぞれ粒径の揃った粉末にしたのち混合する工程が必要になる。また焼成時における分解や融解を避けるために、混合する粉末のうち融点が最も低い物質を基準にして、該融点より０〜８００℃低い温度で焼成を行うことが望ましい。より望ましくは０〜５００℃低い温度、更に望ましくは０〜２００℃低い温度である。
更に、上記の何れの場合においても、一度焼成したものを再度粉砕し加熱加圧成型を行うという工程を繰り返すことにより、ターゲットの強度を向上させることも可能である。
次いで、上記のようにして焼成したターゲットを金属ボンディング又は樹脂ボンディングにより無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングすることにより、スパッタリングターゲットが得られる。
上記した製造工程の大まかな流れとしては、原料の秤量、乾式ボールミル混合、ホットプレス、成型加工、ボンディング、又は、原料の秤量、湿式ボールミル混合、スプレードライヤー、ホットプレス、成型加工、ボンディングである。
【００１４】
本発明６は、本発明１〜５の何れかのスパッタリングターゲットを用いて成膜した上引層及び／又は下引層を有する光記録媒体である。
ポリカーボネートなどの樹脂基板の上に必要な膜を成膜し光記録媒体とする。樹脂基板にはトラッキングなどの制御を行うための溝やピットを形成しても良い。真空中でアルゴンガスを導入し、高周波電力を印加することにより上引層及び／又は下引層を成膜する。また、記録層にはＢｉＦｅＯ膜が好ましく、反射層として金属膜を設けても良い。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、経時変化が少なく、安定した膜質を有する保護層を任意に形成するのに適したスパッタリングターゲット、及び、そのスパッタリングターゲットを用いた信頼性、反射率、記録感度、記録特性（ＳＤＲ、ジッタ、ＰＲＳＮＲ、エラー率等）に優れた高密度光記録媒体を提供できる。
【実施例】
【００１６】
以下、実施例及び比較例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例により限定されるものではない。
【００１７】
実施例１
ＳｒＳの粉末を１００〜２００ＭＰａで加圧成型し、Ａｒガス中において１５００℃で５時間焼成することによりスパッタリングターゲットを作成した。ターゲットの大きさは直径７６．２ｍｍφ、厚さ４ｍｍの円盤状とした。このターゲットを金属ボンディングにより無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングし、スパッタリングターゲット１を得た。
このスパッタリングターゲット１の充填密度は８５％であった。
【００１８】
実施例２
実施例１で作成したスパッタリングターゲット１を上引層材料に用いて図１に示す層構成の光記録媒体を作製した。
案内溝（溝深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．４０μｍ、図示せず）を形成したポリカーボネート基板１１上に、スパッタ法を用いて、記録層１２、上引層１３、反射層１４を順次形成し、更に、反射層上にスピンコート法で紫外線硬化型樹脂からなる膜厚約５μｍの保護層１５を設けて追記型光記録媒体を作製した。記録層は膜厚５ｎｍのＢｉＦｅＯ、上引層は膜厚２５ｎｍのＳｒＳ、反射層は膜厚８０ｎｍのＡｇ合金（Ａｇ：Ｉｎ：Ｃｌ＝９８．９：０．６０：０．５０重量％）とし、保護層には日本化薬社製のアクリル樹脂：Ａ０８１を用い、膜厚を約５μｍとした。ＢｉＦｅＯ薄膜の組成は酸素欠損したＢｉ１０Ｆｅ５Ｏｘである。
この光記録媒体に対し、パルステック工業（株）製の光ディスク評価装置ＤＤＵ−１０００（波長：４０５ｎｍ、ＮＡ：０．６５）を用いて、ＨＤ  ＤＶＤ−Ｒ規格に準拠した記録再生を行なった。記録線密度：１Ｔ＝０．１０２（μｍ）、最短マーク長：２Ｔ＝０．２０４（μｍ）、記録線速度：６．６１（ｍ／ｓ）とした。
その結果、最適記録パワーが９ｍＷでＰＲＳＮＲ２０という良好な記録特性を実現することができた。この特性は、使用開始段階、エロージョンが２ｍｍ、及び３．５ｍｍ進行した段階においても変化しなかった。また、寿命が尽きるまでターゲットに割れ等の破損は生じなかった。ここで、ＰＲＳＮＲは、ＨＤ  ＤＶＤ−Ｒ規格に基く信号品質を表す指標である。
【００１９】
実施例３
ＳｒＳとＳｉＯ２の粉末をモル比８：２になるように混合し、ボールミルで１時間乾式混合した。この混合粉末を１００〜２００ＭＰａで加圧成型し、Ａｒガス中１８００℃で５時間焼成することによりスパッタリングターゲットを作成した。ターゲットの大きさは直径７６．２ｍｍφ、厚さ４ｍｍの円盤状とした。このターゲットを金属ボンディングにより無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングし、スパッタリングターゲット２を得た。
このスパッタリングターゲット２の充填密度は８０％であった。
【００２０】
実施例４
実施例３で作成したスパッタリングターゲット２を上引層材料に用いた点以外は、実施例２と同様にして光記録媒体を作製し、記録再生を行なった。
その結果、最適記録パワーが８ｍＷでＰＲＳＮＲ２５という実施例１よりも更に良好な記録特性を実現することができた。この特性は、使用開始段階、エロージョンが２ｍｍ、及び３．５ｍｍ進行した段階においても変化しなかった。また、寿命が尽きるまでターゲットに割れ等の破損は生じなかった。
また、記録パワーが最適記録パワーを超えた場合でも、記録マーク部の再生信号レベル（ＲＦ  Ｌｅｖｅｌ）が大きく変化することがなく、高い変調度と広い記録パワーマージンを有する追記型光記録媒体を実現することができた。
【００２１】
比較例１
ＳｒＳの粉末を１００〜２００ＭＰａで加圧成型し、Ａｒガス中において１０００℃で３時間焼成することによりスパッタリングターゲットを作成した。ターゲットの大きさは直径７６．２φ、厚さ４ｍｍの円盤状とした。このターゲットを金属ボンディングにより無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングし、スパッタリングターゲットを得た。
このスパッタリングターゲットの充填密度は６７％であった。
この充填密度が６７％のスパッタリングターゲットを上引層材料に用いた点以外は、実施例２と同様にして光記録媒体を作製し、記録再生を行なった。
その結果、初期の１０００枚については、全て最適記録パワーが９ｍＷ未満でＰＲＳＮＲ２０という良好なジッタが得られたが、ターゲットのエロージョンが１ｍｍ進行した段階以降は、ＰＲＳＮＲ２０未満となり、２ｍｍ進行した段階以降は、１５未満となった。
【００２２】
比較例２
ＳｒＳの粉末を１００〜２００ＭＰａで加圧成型し、Ａｒガス中において１５５０℃で１０時間焼成することによりスパッタリングターゲットを作成した。ターゲットの大きさは直径７６．２φ、厚さ４ｍｍの円盤状とした。このターゲットを金属ボンディングにより無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングしスパッタリングターゲットを得た。
このスパッタリングターゲットの充填密度は９８．５％であった。
この充填密度が９８．５％のスパッタリングターゲットを上引層材料に用いた点以外は、実施例２と同様にして光記録媒体を作製し、記録再生を行なった。
その結果、最適記録パワーが９ｍＷ未満でＰＲＳＮＲ２０という良好なジッタが得られた。しかし、ターゲットが破損しやすかった。
【００２３】
実施例５
ＳｒＳとＡｌ２Ｏ３の粉末をモル比６：４になるように混合し、ボールミルで１時間乾式混合した。この混合粉末を１００〜２００ＭＰａで加圧成型し、大気中１８００℃で５時間焼成することによりスパッタリングターゲットを作成した。ターゲットの大きさは直径７６．２ｍｍφ、厚さ４ｍｍの円盤状とした。このターゲットを金属ボンディングにより無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングし、スパッタリングターゲット３を得た。
このスパッタリングターゲット３の充填密度は７５％であった。
【００２４】
実施例６
実施例５で作成したスパッタリングターゲット３を用いて上引層を形成した点以外は、実施例２と同様にして光記録媒体を作製し、記録再生を行なった。
その結果、最適記録パワーが８．０ｍＷでＰＲＳＮＲ２３が得られ、良好な記録特性を実現することができた。また、記録パワーが最適記録パワーを超えた場合でも、記録マーク部の再生信号レベル（ＲＦ  Ｌｅｖｅｌ）が大きく変化することがなく、高い変調度と広い記録パワーマージンを有する追記型光記録媒体を実現することができた。
【００２５】
実施例７〜９
実施例７として、ＳｒＳとＭｇＯの粉末をモル比８：２になるように混合し、実施例８として、ＳｒＳとＹ２Ｏ３の粉末をモル比８：２になるように混合し、実施例９として、ＳｒＳとＡｌ２Ｏ３の粉末をモル比４：６になるように混合し、それぞれ、ボールミルで１時間乾式混合した。これらの混合粉末を１００〜２００ＭＰａで加圧成型し、大気中１８００℃で５時間焼成することによりスパッタリングターゲットを作成した。ターゲットの大きさは直径７６．２φ、厚さ４ｍｍの円盤状とした。これらのターゲットを金属ボンディングにより無酸素銅製のバッキングプレートにボンディングし、実施例７〜９の各スパッタリングターゲット４〜６を得た。
これらスパッタリングターゲット４〜６の充填密度は、それぞれ７０％、９６％、７２％であった。
【００２６】
実施例１０〜１２
実施例７〜９で作成したスパッタリングターゲット４〜６を上引層材料に用いて、図２に示す層構成の実施例１０〜１２の光記録媒体をそれぞれ作製した。
案内溝（溝深さ２０ｎｍ、トラックピッチ０．４０μｍ、図示せず）を形成したポリカーボネート基板１１上に、スパッタ法を用いて、下引層１６、記録層１２、上引層１３、反射層１４を順次形成し、更に、反射層上にスピンコート法で紫外線硬化型樹脂からなる膜厚約５μｍの保護層１５を設けて追記型光記録媒体を作製した。下引層は膜厚１５ｎｍのＡｌ２Ｏ３、記録層は膜厚５ｎｍのＢｉＦｅＯ、上引層は膜厚２５ｎｍ、反射層は膜厚８０ｎｍのＡｇ合金（Ａｇ：Ｉｎ：Ｃｌ＝９８．９：０．６０：０．５０重量％）とし、保護層には紫外線硬化型樹脂（日本化薬社製アクリル樹脂：Ａ０８１）を用い、膜厚を約５μｍとした。ＢｉＦｅＯ薄膜の組成は酸素欠損したＢｉ１０Ｆｅ５Ｏｘである。
これらの光記録媒体に対し、実施例１と同様にして記録再生を行なった。
その結果、実施例１０では、最適記録パワーが８．５ｍＷでＰＲＳＮＲ２２が得られ、実施例１１では、最適記録パワーが８．０ｍＷでＰＲＳＮＲ２２が得られ、何れも良好な記録特性を実現することができた。一方、実施例１２ではＰＲＳＮＲ２３が得られたが、ＳｒＳの含有量が少ないせいか、最適記録パワーは１０ｍＷであった。
実施例１０〜１２において、上記の特性は、使用開始段階、エロージョンが２ｍｍ及び３．５ｍｍ進行した段階においても変化しなかった。また、寿命が尽きるまでスパッタリングターゲットに割れ等の破損は生じなかった。
【００２７】
実施例１３
実施例１で作成したスパッタリングターゲット１を下引層材料に用いて、図２に示す層構成の光記録媒体を作製した。下引層を膜厚２０ｎｍのＳｒＳ、上引層を膜厚２０ｎｍのＺｎＳ−ＳｉＯ２とした点以外は、実施例１０〜１２と同様にして作製した。
この光記録媒体に対し、実施例１と同様にして記録再生を行なった。
その結果、９．０ｍＷでＰＲＳＮＲ２２が得られ、良好な記録特性を実現することができた。この特性は、使用開始段階、エロージョンが２ｍｍ及び３．５ｍｍ進行した段階においても変化しなかった。また、寿命が尽きるまでスパッタリングターゲットに割れ等の破損は生じなかった。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の光記録媒体の一例の層構成を示す図。
【図２】本発明の光記録媒体の他の層構成例を示す図。
【図１】
2007238986.tif 000003
【図２】
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