【事件の表示】
　平成　９年特許願第１０１２３９号「光学情報記録媒体および光学情報記録再生消去方法」拒絶査定に対する審判事件［平成１０年１１月　４日出願公開、特開平１０−２９３９４２］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成９年４月１８日の出願であって、平成１１年８月１３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月２０日に拒絶査定に対する審判請求理由がなされるとともに、同年９月２０日付けで手続補正がなされたものである。
　
ＩＩ．平成１１年９月２０日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　平成１１年９月２０日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
　　平成１１年９月２０日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、特許法第１２１条第１項の審判［拒絶査定に対する審判］を請求する場合において、その審判の請求の日から３０日以内にされたものであって、同法第１７条の２第１項第３号の補正に該当する。
　本件補正によって、特許請求の範囲の請求項７，９は、
　「【請求項７】  透過性剛性基板上に、レーザ光の照射により記録膜の相変化によって情報の記録再生消去を行う相変化型光記録媒体を、透過性スペーサを介して複数積層し、前記透過性剛性基板上に積層した最上層を除く前記相変化型光記録媒体は、透明下部保護膜、相変化記録膜、透明上部保護膜、透明反射膜、透明干渉膜を順次形成したものであって、最上層の前記相変化型光記録媒体は、透明下部保護膜、相変化記録膜、透明上部保護膜、金属反射膜を順次形成したものであり、前記最上層を除く相変化型光記録媒体の１ユニットの透過率が前記レーザ光の波長において、３０％以上であることを特徴とする光学情報記録媒体。」、および、
　「【請求項９】  前記透明反射膜がＳｉであることを特徴とする請求項１から８のいずれかに記載の光学情報記録媒体。」と補正された。
　上記補正は、「最上層を除く相変化型光記録媒体の１ユニットの透過率が前記レーザ光の波長において、３０％以上である」との限定を付加するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項７，９に記載された発明（以下、いずれも「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について検討すると、本件補正発明は、以下に示すように特願平９−１２２５３０号（特開平１０−１１６４４１号公報参照）の当初明細書に記載された発明（以下、「先願発明」という。）と認められるので、特許法第２９条の２の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。　（なお、この独立特許要件違反についての判断は、平成１４年６月２７日付けの審尋により請求人に意見を求めたが、回答書には補正案が提示されただけで、該判断について格別の反論は回答されていない。）
　
　１．先願発明
　特願平９−１２２５３０号（特開平１０−１１６４４１号公報参照）の先願当初明細書には、次のような記載がある。
　なお、該先願は、その出願日が平成９年５月１３日であって、本願出願日の平成９年４月１８日よりも後であるけれども、パリ条約による優先権主張（優先日１９９６年５月２８日）を伴うものであって、その基礎となる米国０８／６５４４０８の米国出願の出願日は本願前記出願日よりも前であるから、本願の出願日前の他の出願に該当する。　ちなみに、前記優先権の基礎となる米国出願の明細書には、下記に摘示する事項に相当する内容の開示（摘示箇所に対応する米国出願明細書の箇所を併記した）があり、その優先権主張は有効と認める。
　
　（i）「【０００１】　【発明の属する技術分野】　本発明は、全般的には光データ記憶システムに関し、具体的には、複数の記録層を有する光媒体を使用する光データ記憶システムに関する。」（段落【０００１】参照）（米国出願明細書第１頁４〜６行参照）こと、
　（ii）「【０００９】　【課題を解決するための手段】　本発明は、複数記録層再書込相変化光ディスク及びディスク駆動装置に係わるものである。ディスクは、レーザ光が入射する光透過性基板を有する。基板は、少なくとも２つの空間的に分離された複数層記録スタックを支持し、各スタックには、可逆または再書込可能の相変化材料の活動状態の記録層が含まれる。ディスクは、各記録スタックが別の基板に支持され、基板がエア・ギャップによって分離されるエアギャップ構造か、中実光透過性スペーサ層によって記録スタックが分離される中実構造のいずれかである。レーザ光が入射する基板の最も近くに置かれる記録スタックには、逆書込タイプの可逆相変化材料（すなわち、アモルファス開始相を有し、データ領域を結晶相に変換するレーザ加熱によって記録される相変化材料）が含まれる。この第１記録層には、誘電体層が接触しており、この誘電体層は、隣接する記録層に対して高い屈折率を有し、光学干渉薄膜として働いて、記録スタック内に強めあう光学干渉効果をもたらす。光学干渉薄膜によって、記録スタックのコントラスト、反射率及び透過率が最適化される。この光学干渉薄膜は、非吸収性でもあり、その結果、レーザ光は、これを通過して、その向こうの記録スタック内の記録層に焦点を合わせることができる。これによって、適度なレーザ出力を用いて別の記録層に書き込むことができる。」（段落【０００９】参照）（米国出願明細書第３頁２２行〜第４頁１３行参照）こと、
　（iii）「【００２５】　図７は、それぞれ再書込可能相変化型の記録層５３または６４を含む、複数の記録スタック９０及び９２を有するディスク１２の断面図である。ディスク１２は、レーザ光ビームが入射する外面４９を有する基板５０を有する。基板５０は、ポリカーボネート、アモルファス・ポリオレフィン（ＡＰＯ）、ポリエチルメタクリル酸エステル（ＰＭＭＡ）またはガラスから作られることが好ましく、記録波長では非吸収性である。基板５０は、０．６ｍｍの厚さを有するが、他の厚さを使用することができる。レーザ光ビームのトラッキング・サーボ用のプリアドレス及びプリグルーブを、基板５０の外面４９と反対の面に形成することができる。薄い誘電体の層５１を、基板５０へのスパッタリングまたは蒸着によって堆積する。誘電体の層５１は、書込中と消去中に記録層５３が受ける高温で基板５０が変形しないようにする保護層として働く。誘電体の層５１は、より遠くの記録スタック９２でもデータを読み書きできるようにするため、入射光ビームにより近い第１の記録スタック９０の透過率を最適化するための光学干渉層としても働く。」（段落【００２５】参照）（米国出願明細書第１２頁１〜１６行参照）こと、
　（iv）「【００２７】　本発明では、光学干渉層としての層５５、５９や半透明非金属熱放散層としての層５７など、１つまたは複数の追加の層が、記録層５３上に堆積される。薄膜の光学干渉効果を使用することによって、複数層の記録スタック９０（記録層５３と、誘電体の層５１、層５５及び層５９と、非金属熱放散層である層５７）の透過率、反射率及び吸収を、個々の層の厚さを変更することによって調節できる。層５１、記録層５３、層５５、層５７及び層５９が一緒になって、干渉構造を形成する。強めあう干渉が発生するのは、各層の厚さと屈折率の実数部（ｎ）に基づいて、層の厚さが正しく選択される場合である。隣接層（記録層５３）の屈折率に対して層５１、層５５、層５７及び層５９のｎの値が大きく異なると、所与の層厚さに対する干渉効果が高まり、記録スタック９０の信号コントラストと反射率が最適化される。光学干渉薄膜である層５１、層５５、層５７及び層５９は、低い吸収（屈折率の虚数部が小さい、すなわち、消衰係数ｋが低い）を有し、その結果、光スポットが第２の記録層６４に集光される時に、光が記録層５３と層５１、層５５、層５７及び層５９を最小の吸収で通過するようになっていなければならない。消衰係数は、媒質を伝搬するにつれて光が減衰することを表すからである。　　【００２８】　Ｓ、Ｓｅ及びＴｅのうちの１つまたは複数と混合されたＺｎまたはＣｒなどの誘電材料が、光学干渉薄膜としての層５１、層５５、層５７及び層５９に好ましい。これらの材料は、スパッタリング、蒸着またはスピン・コーティングによって、基板５０上に堆積できる。ＳｉＯx、ＴｉＯx、ＺｒＯx及びＣｕxＯ（ここで、ｘは１と２．１の間である）、ＳｉＮ、ＳｉＣ、アモルファスＳｉまたは有機ポリマーもしくは異なる誘電体の混合物などの誘電材料も使用可能である。光学干渉薄膜としての層５１、層５５、層５７及び層５９に適した他の材料は、Ａｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｕ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｃｒ及びＷからなるグループから選択された元素の酸化物及び窒化物である。これらの材料またはこれらの材料の混合物は、アモルファス相または結晶相になることができる。アモルファス相の場合、広範囲の組成が許容される。たとえば、ＳｉＯxは、１＜ｘ＜２．１の組成を有することができる。光学干渉効果は、たとえばヘブンス（O.H. Heavens）「Optical Properties of Thin Solid Films」、Academic Press、１９５５年に記載されているように、標準薄膜干渉計算を使用して計算される。」（段落【００２７】，【００２８】参照）（米国出願明細書第１３頁７行〜第１４頁９行参照）こと、
　（v）「【００２９】　層５１及び層５９のもう１つの重要な特徴が、低い熱伝導率であり、これに対して層５５及び層５７は、熱放散のために高い熱伝導率を有する必要がある。層５１は、基板５０を書込／消去処理中の変形から保護するために使用され、したがって、層５１の誘電材料は、高い融点と低い熱伝導率を有する必要がある。記録スタック９０には金属の熱放散層がないので、記録層５３の結晶化温度と結晶化時間は、記録層５３の組成と層５５及び層５７の厚さを適当に選択することによって、十分にバランスをとらなければならない。したがって、記録層５３に隣接する熱放散層である層５５は、熱的に安定で高い熱伝導率を有する必要がある。熱的安定性は、記録層５３が書込／消去処理中に溶融状態である間に移動しないようにして、その消去サイクル能力を高めるために必要である。しかし、層５５に、剛性があり透過性が高く、熱伝導率の高い誘電体を使用しない場合、これらの機能を、層５５と層５７によって共有することができる。たとえば、層５５は、その厚さが十分に小さく、記録スタック９０の熱伝導率に悪影響を及ぼさないならば、高い透過率を有する安定した誘電体とすることができ、高い熱伝導率を有する必要はない。その場合、層５７は、記録層５３内で生成された熱を層５５を介して放散するための透過性の熱伝導体とすることができる。しかし、層５７が、高い剛性と熱伝導率の両方を有する場合、誘電体の層５５は必要ない。一般に、０．０５Ｗ／ｃｍＫ未満の熱伝導率を有する非吸収性の材料を、層５１に使用することができる。層５５及び層５７については、０．０１を越える熱伝導率が好ましい。たとえば、ＳｉＯxは、４００°Ｋで０．０１５　Ｗ／ｃｍＫの熱伝導率を有する。層５９は、記録スタック９０の光学干渉効果を最大にするという目的のために働くので、高いｋ値を有する必要がある。干渉層である層５９のもう１つの機能は、記録層５３の記録済み領域と非記録領域の反射率コントラストを最適化することである。 」（段落【００２９】参照）（米国出願明細書第１４頁１０行〜第１５頁８行参照）こと、
　（vi）「【００３０】　中実のスペーサ層４４は、光学干渉薄膜である層５９に隣接し、２つの記録スタック９０及び９２を分離する。スペーサ層４４は、スピンコーティングされたフォトポリマー（紫外線硬化型アクリレート）または光透過性セメントなど、非吸収性であり、２つの基板５０及び５６をそれぞれ記録スタック９０及び９２と共に接着することが好ましい。第２の記録スタック９２には、第２の記録層６４にスパッタリングまたは蒸着された剛性があり透過性の誘電体層６２が含まれる。記録層６４は、もう１つの剛性がある誘電体層６６に堆積され、誘電体層６６は、基板５６に堆積された熱放散層６８に隣接する。記録スタック９２は、この複数記録層光ディスクの最後の記録スタックであり、光透過性である必要はないので、熱放散層６８に金属薄膜を使用することができる。通常の熱放散層６８を使用する場合、記録層６４の組成と厚さを調節しなければならず、これらは第１の記録層５３と異なることになる。記録層６４、誘電体層６２、誘電体層６６及び熱放散層６８からなる記録スタック９２は、基板５６上に堆積される。基板５６は、基板５０と同一の材料から形成するか、不透明プラスチック材料やアルミニウムなどの金属材料などの不透明材料から形成することができる。」（段落【００３０】参照）（米国出願明細書第１５頁９〜２６行参照）こと、
　（vii）「【００３１】　図７に示された、レーザが波長６５０ｎｍで動作する、ディスク１２の好ましい実施例では、基板５０及び５６が、０．６ｍｍ厚のポリカーボネートである。第１の剛性がある誘電体の層５１は、７０ｎｍないし１５０ｎｍの厚さの、ＺｎＳまたはＳｉＯ2もしくはこれらの混合物である。第１の記録層５３は、１５ｎｍ厚のＧｅ11Ｔｅ47Ｓｂ42である。誘電体の層５５は、１０ｎｍの厚さの、ＺｎＳまたはＳｉＯ2もしくはこれらの混合物である。熱放散層である層５７は、厚さ５０ｎｍのアモルファスＳｉである。光学干渉薄膜である層５９は、厚さ６０ｎｍのＳｉ3Ｎ4である。これらの層を有する記録スタック９０の透過率は、記録層５３がアモルファス（または非書込）相の時に３１％、結晶（または書込）相で１５％である。従来の再書込可能相変化材料（結晶相が開始相）が、記録スタック９０内の記録層として使用される場合、記録スタック９０を介して第２の記録スタック９２に書き込むのに必要なレーザ出力が高すぎるので、記録スタック９０は、許容可能な透過率を有しないはずである。しかし、アモルファス開始相（結晶相でビットが記録される）を有する逆書込相変化材料を使用すると、より遠くの記録スタック９２の記録層６４への書込に必要なレーザ出力が低下する。データ・ビットが記録層５３に書き込まれる時には、記録層５３は、完全にアモルファス状態ではなくなる。しかし、記録トラック幅／トラック・ピッチが通常は１／２であり、ビット間隔のアモルファス領域があることを考慮すると、完全に記録された層の場合であっても、記録層のうちのアモルファス相である部分の比率は、通常は７０％を越えるはずである。」（段落【００３１】参照）（米国出願明細書第１５頁２７行〜第１６頁１９行参照）こと、
　（viii）「【００３２】　３０％を越える透過率と１０％を越える反射率を有するこのような逆書込タイプの再書込可能相変化記録構造は、既存のレーザ・ダイオード供給源を用いてよい信号対雑音を有する信頼性のある動作を行うために必要である。スペーサ層４４は、２００μｍ厚のスピンコーティングされた紫外線硬化型フォトポリマーである。記録スタック９２の誘電体層６２は、１００ｎｍの厚さの、ＺｎＳまたはＳｉＯ2もしくはこれらの混合物である。記録スタック９２の第２の記録層６４は、２５ｎｍ厚の通常タイプの再書込可能相変化材料（ＧｅＴｅＳｂの非逆書込合金）から形成される。第２の誘電体層６６は、１５ｎｍの厚さの、ＺｎＳまたはＳｉＯ2もしくはこれらの混合物である。金属の熱放散層６８は、１００ｎｍ厚のＡｌである。レーザ光が短波長の場合、スポット・サイズを小さくし、これによって記録密度を高めるために、熱放散層である層５７と誘電体の層５９の厚さの調節が必要である。たとえば、波長５００ｎｍのレーザ光では、層５７の厚さは２５ｎｍ、層５９の厚さは６５ｎｍが最適である。」（段落【００３２】参照）（米国出願明細書第１６頁２０行〜第１７頁５行参照）こと、
　（ix）「【００３３】　図７に図示し、説明した上記の好ましい実施例に類似の二重記録層ディスクの半透明の記録スタック９０の特定の例では、記録スタック９０用の記録層５３が、Ｇｅ11Ｔｅ47Ｓｂ42から形成された。透明の誘電体層である層５１及び５５は、ＳｉＯ2から形成された。半透明の熱放散層である層５７は、アモルファスＳｉから形成され、光学干渉薄膜である層５９は、Ｓｉ3Ｎ4から形成された。記録スタック９０は、ポリカーボネートの基板５０上に堆積された。誘電体の層５１は、基板５０上で７０ｎｍの厚さまでスパッタ堆積された。記録層５３は、１５ｎｍ厚であり、層５１上にスパッタ堆積された。厚さ１ｎｍの第２の誘電体の層５５は、記録層５３上にスパッタリングされた。層５７は、誘電体の層５５にスパッタリングされた厚さ５０ｎｍのアモルファスＳｉである。光学干渉層である層５９は、７５ｎｍ厚であり、層５７上にスパッタリングされた。記録スタック９２に関して、記録層６４は、ＧｅＴｅＳｂの非逆書込合金から形成された。透明の誘電体層６２及び誘電体層６６は、ＺｎＳ（８０％）＋ＳｉＯ2（２０％）の混合物から形成された。金属の熱放散層６８は、Ａｌから形成された。記録スタック９２は、ポリカーボネートの基板５６に堆積された。記録スタック９０及び記録スタック９２は、波長７８０ｎｍで下の表１に示された透過率、反射率及び吸収の値を有する。」（段落【００３３】参照）（米国出願明細書第１７頁６〜２３行参照）こと、
　（x）表１として、図７参照の記録スタックがスタック９０の厚さが２２５ｎｍで透過率が３６％で、反射率が２９％で、吸収が３５％であり、スタック９２の厚さが２４５ｎｍで透過率が０％で、反射率が２０％で、吸収が８０％である旨（段落【００３４】参照）（米国出願明細書第１８頁Table１参照）、が記載され、
　（xi）図７として前記摘示の如く説明されていて、基板５０，誘電体の層５１、相変化の記録層５３、誘電体の層５５、半透明非金属熱放散層５７、干渉層５９、スペーサ４４、誘電体の層６２、相変化型の記録層６４、誘電体の層６６、熱放散層（金属薄膜）６８、基板５６の層構成を有する図が示されている。　なお、米国出願明細書におけるＦｉｇ５が、該図７に対応する。
　
　これらの記載から、そして、３０％を越える透過率が必要である旨の記載（摘示（viii参照）から（実施例と認められる表１の記録スタック９０の透過率は３６％である）、最上層を除く記録スタックの透過率が前記レーザ光の波長において３０％以上と認められること、及び最上層の熱放散層として金属薄膜を採用し得ることを勘案して、先願当初明細書には、下記の発明が開示されているものと認める。
　「レーザ光ビームが入射する外面を有する基板５０上に、レーザ光の照射により記録膜の相変化によって情報の記録再生消去を行う相変化型の記録スタック９０，９２を、光透過性のスペーサを介して複数積層し、前記基板上に積層した最上層を除く前記記録スタック９０は、誘電体の層５１、相変化型の記録層５３、誘電体の層５５、アモルファスＳｉなどからなる半透明非金属熱放散層５７、干渉層５９を順次形成したものであって、最上層の前記記録スタック９２は、誘電体の層６２、相変化型の記録層６４、誘電体の層６６、金属薄膜６８を順次形成したものであり、前記最上層を除く記録スタックの透過率が前記レーザ光の波長において、３０％以上であることを特徴とする光学情報記録媒体。」
　
２．対比、判断
　そこで、本件補正発明と先願発明とを対比する。
　先願発明の「レーザ光ビームが入射する外面を有する基板５０」、「相変化型の記録スタック９０，９２」は、それぞれ本願発明の「透過性剛性基板」、「相変化型光記録媒体」に相当する。　そして、先願発明の最上層を除く記録スタック９０の「誘電体の層５１」、「相変化型の記録層５３」、「誘電体の層５５」、「半透明非金属熱放散層５７」、「干渉層５９」は、誘電体として透明な材質が用いられていて、「光が記録層５３と層５１、層５５、層５７及び層５９を最小の吸収で通過するようになっていなければならない」（摘示（iv）参照）ことなどの記載からみても、各層は透明と呼ぶことができ、また保護膜の機能を有することも自明であるから、そして、図７からも明白なように５３の上下に５１と５５が積層されていることから、それぞれ本願発明の最上層を除く層変化記録媒体の「透明下部保護膜」、「相変化記録膜」、「透明上部保護膜」、「透明反射膜」を構成する透明非金属層、「透明干渉膜」に相当する。　更に、先願発明の最上層の記録スタック９２の「誘電体の層６２」、「相変化型の記録層６４」、「誘電体の層６６」、「金属薄膜６８」は、前記と同様な理由でそれぞれ本願発明の最上層の相変化型光記録媒体の「透明下部保護膜」、「相変化記録膜」、「透明上部保護膜」、「金属反射膜」を構成する金属膜、に相当する。　先願発明の「最上層を除く記録スタックの透過率」は、本願発明の「最上層を除く相変化型光記録媒体の１ユニットの透過率」に相当する。
　してみると、両発明は、「 透過性剛性基板上に、レーザ光の照射により記録膜の相変化によって情報の記録再生消去を行う相変化型光記録媒体を、透過性スペーサを介して複数積層し、前記透過性剛性基板上に積層した最上層を除く前記相変化型光記録媒体は、透明下部保護膜、相変化記録膜、透明上部保護膜、透明非金属層、透明干渉膜を順次形成したものであって、最上層の前記相変化型光記録媒体は、透明下部保護膜、相変化記録膜、透明上部保護膜、金属膜を順次形成したものであり、前記最上層を除く相変化型光記録媒体の１ユニットの透過率が前記レーザ光の波長において、３０％以上であることを特徴とする光学情報記録媒体。」の発明である点で一致し、更に、透明非金属層がＳｉである点でも一致している。
　他方、（１）最上層を除く相変化記録媒体の透明非金属層に関して、本件補正発明が「透明反射膜」と表現しているのに対して、先願発明では「半透明非金属熱放散層」と表現している点で形式的に相違し、（２）最上層の相変化記録媒体の金属層に関して、本件補正発明が「金属反射膜」と表現しているのに対して、先願発明では「金属薄膜」と表現している点で形式的に相違している。
　（１）の相違点について検討する。
　先願発明の「半透明非金属熱放散層５７」は、熱放散の機能が期待されていることは明らかであるが、「層５１、記録層５３、層５５、層５７及び層５９が一緒になって、干渉構造を形成する。」（摘示（iv）参照）ことからみて、層５７が光反射作用を有していることも明らかである。　また、先願発明の「半透明非金属熱放散層５７」の材質としてアモルファスＳｉを用いているところ、本件補正発明の「透明反射膜」の材質としてＳｉを用いている如く同じ材質が使用されているから、その作用機能に相違が生じるはずもない。
　よって、（１）の相違点は、単なる表現上の差異にすぎず、実質的な相違というべきではない。
　（２）の相違点について検討する。
　先願発明の最上層の「金属薄膜」は、光透過性である必要がないことが言及されているだけで反射作用について言及されていないけれども、記録薄膜の実施例にＡｌが用いられていることからみても、相変化記録媒体における技術常識から、いわゆる反射膜と言って過言ではない。　また、該Ａｌは、本件補正発明の金属反射膜の材質として使用されているから、その作用機能に相違が生じるはずもない。
　よって、（２）の相違点も、単なる表現上の差異にすぎず、実質的な相違というべきではない。
　 以上のとおりであるから、本件補正発明は、先願当初明細書に記載された発明であり、しかも、本願発明の発明者が先願発明の発明者と同一であるとも、また本願の出願時に、その出願人が他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本件補正発明は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　よって、本件補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
３．むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
　
ＩＩＩ．本願発明について
　平成１１年９月２０日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、明細書及び図面の記載からみて、本願の請求項１〜１７に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１〜１７に記載された次のとおりのものと認めるところ、その内の請求項１に記載された発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、以下の通りのものである。
　 「【請求項１】　透過性剛性基板上に、レーザ光の照射により記録膜の相変化によって情報の記録再生消去を行う相変化型光記録媒体を、透過性スペーサを介して複数積層したことを特徴とする光学情報記録媒体。」
　
１．引用例
　これに対して、原査定の拒絶の理由で引用された、特開平３−２１９４４０号公報（以下、「引用例」という。）には、
　（i）「厚み方向には複数の記録層が形成されており、これら記録層のトラックに光ビームを集光させて記録層に情報を記録、再生する多層記録光ディスクにおいて、前記各記録層には、各記録層のアドレスが記録された識別部が形成されていることを特徴とする多層記録光ディスク。」（第１頁第左下欄特許請求の範囲請求項１参照）、
　（ii）「本発明はかかる現状を鑑みてなされたものであり、記録密度を飛躍的に向上することができると共に、隣接するトラック間や各層間でのクロストークを防止することができる多層記録光ディスクを提供することを目的とする。」（第２頁左下欄第１８行〜右下欄第２行参照）こと、
　（iii）「多層記録光ディスク１は、第１図に示すようにプラスチックから成るディスク基材２・２間に、第１記録層３及び第２記録層４と、紫外線硬化（ＵＶ）樹脂から成り上記記録層３，４を分離するためのスペーサ５とが設けられるような構造である。」（第３頁右上欄第１２〜１７行参照）こと、
　（iv）「また、多層記録光ディスクは各記録層がそれぞれ異なる波長感度を持つ波長多重媒体に限定されものではなく、通常の光磁気媒体（ＴｂＦｅＣｏ）や、相変化媒体（ＴｅＧｅＳｂ）等を記録膜として多層構造にした多層記録光ディスクにも適用されることは勿論である。」（第５頁右下欄第１９行〜第６頁左上欄第４行参照）こと、が記載されている。
　これらの記載からすると、引用例には、記録密度を飛躍的に向上することができると共に、隣接するトラック間や各層間でのクロストークを防止することができる多層記録光ディスクに関し、「プラスチックから成るディスク基材上に、相変化媒体を、紫外線硬化樹脂からなるスペーサを介して複数積層した多層記録光ディスク。」の発明が記載されいるものと認める。
　
２．対比、判断
　そこで、本願発明と引用例に記載された発明とを対比すると、引用例の「プラスチックから成るディスク基材」、「相変化媒体」、「紫外線硬化樹脂からなるスペーサ」、「多層記録光ディスク」は、それぞれ本願発明の「透過性剛性基板」、「レーザ光の照射により記録膜の相変化によって情報の記録再生消去を行う相変化型記録媒体」、「透過性スペーサ」、「光学情報記録媒体」に相当する。
　してみると、両者は、記録密度を飛躍的に向上することができる光学情報記録媒体であって、「透過性剛性基板上に、レーザ光の照射により記録膜の相変化によって情報の記録再生消去を行う相変化型光記録媒体を、透過性スペーサを介して複数積層した光学情報記録媒体。」の発明である点で一致し、両者には差異がない。
　
３．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明と同一であり、特許法第２９条第１項第３号に規定の発明に該当するので、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。