【事件の表示】
　特願２０１１−１８３８５７「振動式差圧センサとその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　３月　４日出願公開、特開２０１３−　４４６７５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　この審判事件に関する出願（以下，「本件出願」という。）は，平成２３年８月２５日にされた特許出願であって，その手続の経緯の概略は，以下のとおりである。
平成２５年　７月　３日：拒絶理由通知（同年同月１０日発送）
平成２５年　８月２７日：意見書
平成２５年　８月２７日：手続補正書（以下，「補正１」という。）
平成２６年　４月１１日：拒絶査定（同年同月１５日送達）
平成２６年　７月　８日：手続補正書（以下，「本件補正」という。）
平成２６年　７月　８日：審判請求
　
第２　補正却下の決定
［結論］
　本件補正を却下する。
［理由］
１　補正の内容
　本件補正は，本件補正前，すなわち補正１の特許請求の範囲の請求項１を次のように補正することを含む。なお，下線は請求人が付したものであり，補正箇所を示す。
（本件補正前）
「ダイアフラムに設けられた振動子形歪ゲージを具備する振動式差圧センサにおいて，
　一方の面に振動子形歪ゲージ素子が設けられ他方の面が前記ダイアフラムに相当する厚さに研磨されて形成されシリコンよりなるセンサ基板と，
　このセンサ基板の他方の面に一方の面が直接に接合されたシリコンよりなるベース基板と，
　前記ベース基板の前記センサ基板との接合部に設けられ前記センサ基板に実質的に前記ダイアフラムを形成し，異物の混入により前記ダイアフラムの可動範囲が制限されることなく且つ前記振動子形歪ゲージ素子の振動によって励起される前記ダイアフラムの振動に対して制動作用をなすための所定の隙間を有する凹部と，
　この凹部の開口部周縁に対向して前記センサ基板に設けられ前記ダイアフラムへの応力集中を緩和するリング状の丸み部と，
　前記凹部に測定圧を導入する導入孔と，
　前記凹部に導入孔を介して圧力を伝搬しダイアフラムを制動するための流体と，
　を具備したことを特徴とする振動式差圧センサ。」
　
（本件補正後）
「ダイアフラムに設けられた振動子形歪ゲージを具備する振動式差圧センサにおいて，
　
素子
，前記素子面に対向する研削研磨
　このセンサ基板の
研削研磨
　前記ベース基板の前記センサ基板との接合部に設けられ前記センサ基板に実質的に前記ダイアフラムを形成し，異物の混入により前記ダイアフラムの可動範囲が制限されることなく且つ前記振動子形歪ゲージ素子の振動によって励起される前記ダイアフラムの振動に対して制動作用をなすための所定の隙間を有する凹部と，
　この凹部の開口部周縁に対向して前記センサ基板に設けられ前記ダイアフラムへの応力集中を緩和するリング状の丸み部と，
　前記凹部に測定圧を導入する導入孔と，
　前記凹部に導入孔を介して圧力を伝搬し前記ダイアフラムを制動するための流体と
を具備し
，
　
前記凹部の表面の一部は前記研削研磨面により形成される
ことを特徴とする振動式差圧センサ。」
　
２　補正の適否（補正の目的要件）について
　本件補正のうち，請求項１についての補正は，「他方の面」に関して「
研削研磨
凹部の表面の一部は前記研削研磨面により形成される
　そこで，本件補正後発明が特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるかについて，以下に検討する。
　
３　補正の適否（特許法２９条２項による独立特許要件）について
（１）本件補正発明
　本件補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定される発明のうち，その請求項１に係る発明は，上記「第２　１　（本件前正後）」に記載したとおりである。（以下，「本件補正発明」という。）
　
（２）引用例記載の事項，引用発明，技術事項，周知技術
ア　引用例１
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である特開平１１−１４８８７９号公報（発明の名称：半導体圧力測定装置とその製造方法，出願人：横河電機株式会社，公開日：平成１１年６月２日，以下，「引用例１」という。）には，次の事項（ａ）ないし（ｄ）が図面とともに記載されている。なお，下線は，当審が付与した。
（ａ）
 「【００２３】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するために，本発明は，（１）ダイアフラムの一面側に空隙室が設けられこのダイアフラムの他面側に測定圧が印加される半導体圧力測定装置において，
第１の単結晶シリコン基板と，この第１の単結晶シリコン基板の一面に半導体導体プロセスにより形成されたポリシリコン層と，前記ポリシリコン層の他面に一面が接して設けられ前記ポリシリコン層と共にダイアフラムを構成する第２の単結晶シリコン基板
前記第１の単結晶シリコン基板の一面側に設けられ前記ポリシリコン層と空隙室を形成する凹部
前記ダイアフラムに設けられた歪検出センサ
前記第１の単結晶シリコン基板の他面
から前記空隙室に連通されこの空隙室と外部とを連通する導圧孔
半導体圧力測定装置
（ｂ）
「【００２４】
【作用】以上の構成において，
高圧側測定圧力又は低圧側測定圧力の一方が第２の単結晶シリコン基板に印加され，高圧側測定圧力又は低圧側測定圧力の他方が空隙室に印加される
圧力差に応じてダイアフラムが歪み，この歪量が歪検出素子によって電気的に検出され，圧力の測定が行われる
（ｃ）
「【００３１】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施例の要部構成説明図，図２は図１の製作工程説明図である。図において，ポリシリコン層１２は，第１の単結晶シリコン基板１１の一面に，半導体導体プロセスにより形成されている。
【００３２】第２の単結晶シリコン基板１３は，ポリシリコン層１２の他面に，一面が接して設けられ，ポリシリコン層１２と共にダイアフラム１４を構成する。凹部１５は，第１の単結晶シリコン基板１１の一面側に設けられ，ポリシリコン層１２と空隙室１６を形成する。
【００３３】
歪検出素子１７は，
振動式ストレンゲージが使用され
【００３４】導圧孔１８は，第１の単結晶シリコン基板１１の他面，あるいは第２の単結晶シリコン基板１３の他面から，空隙室１６に連通され，空隙室１６と外部とを連通する。
【００３５】この場合は，第１の単結晶シリコン基板１１の他面から，空隙室１６に連通されている。なお，導圧孔１８は，第２の単結晶シリコン基板１３の他面から，空隙室１６に連通され，空隙室１６と外部とを連通しても良いことは勿論である。
【００３６】この様な装置は，図２に示す如く，以下の如くして製作される。
（ａ）図２（ａ）に示す如く，第１の単結晶シリコン基板２０１の表面に，第１の窒化シリコン膜２０２を形成する。
（ｂ）図２（ｂ）に示す如く，フォトリソグラフィにより，第１の単結晶シリコン基板２０１上の，第１の窒化シリコン膜２０２の所要箇所２０３を除去する。
【００３７】（ｃ）図２（ｃ）に示す如く，第１の単結晶シリコン基板２０１を酸化して，所要箇所２０３に第１の酸化シリコン膜２０４を形成する。
（ｄ）図２（ｄ）に示す如く，この第１の酸化シリコン膜２０４を除去する。
【００３８】（ｅ）図２（ｅ）に示す如く，この第１の酸化シリコン膜２０４が除去された個所２０３の第１の単結晶シリコン基板２０１の表面と，第１の窒化シリコン膜２０２の表面とに，第２の窒化シリコン膜２０５を形成する。
【００３９】（ｆ）図２（ｆ）に示す如く，この第２の窒化シリコン膜２０５を異方性エッチングによって除去する。
（ｇ）図２（ｇ）に示す如く，この第２の窒化シリコン膜２０５を除去した個所の，第１の単結晶シリコン基板２０１を酸化して，第２の酸化シリコン膜２０６を形成する。
【００４０】（ｈ）図２（ｈ）に示す如く， 第１の単結晶シリコン基板２０１に形成されている，第１の窒化シリコン膜２０２と第２の窒化シリコン膜２０５とを除去する。
（ｉ）)図２（ｉ）に示す如く，第１の単結晶シリコン基板２０１の一面にポリシリコン層２０７を形成する。
【００４１】（ｊ）図２（ｊ）に示す如く，このポリシリコン層２０７の表面を研磨により平坦化する。
（ｋ）図２（ｋ）に示す如く，第１の単結晶シリコン基板２０１の第２の酸化シリコン膜２０６が形成されている面と，第２の単結晶シリコン基板２０８とを接合する。
【００４２】（ｌ）図２（ｌ）に示す如く，
第２の単結晶シリコン基板２０１をダイアフラム１４の厚さ分を残して研磨
（ｍ）図２（ｍ）に示す如く，このダイアフラム１４に，歪み検出センサ２０９を形成する。
【００４３】（ｎ）図２（ｎ）に示す如く，第１の単結晶シリコン基板２０１に，第２の酸化シリコン膜２０６に達する孔２１１を形成する。
（ｏ）図２（ｏ）に示す如く，第２の酸化シリコン膜２０６に達する孔２１１より，選択エッチングにより，第２の酸化シリコン膜２０６を除去する。」
（ｄ）
「【００４４】この結果，
（１）第１のシリコン単結晶基板１１に空隙室１６が設けられたので，ダイアフラム１４を形成するポリシリコン層１２が薄膜化出来る。具体的には，たとえば，１μｍ以下に出来る。
【００４５】このことにより，ポリシリコン層１２が有する残留歪の影響を低減出来，ダイアフラム１４の薄膜化が可能になり，測定精度，感度特性が向上された，半導体圧力測定装置が得られる。
（２）図２の（ｈ）に示す如く，空隙室１６を形成する第２の酸化シリコン膜２０６は，第１のシリコン単結晶基板２０１に埋め込まれた状態になる。
【００４６】このような状態では，空隙室１６を形成する第２の酸化シリコン膜２０６の厚さが大きくなっても，第１の酸化シリコン膜２０４と第２の酸化シリコン膜２０６との厚さを最適化すれば，図２の（ｈ）での第２の酸化シリコン膜２０６と第１のシリコン単結晶基板２０１との段差を，具体的には，例えば，０．１μｍ以下の段差に制御することが出来る。
【００４７】すなわち，空隙室１６を形成する第２の酸化シリコン膜２０６の厚さが，例えば，１μｍ以上に厚膜化した場合でも，段差が０．１μｍ以下に制御出来る。つまり，空隙室１６の隙間を大きくできるので，
空隙室３に細かな異物が侵入して付着しても，使用出来，
　
　また，「図１，図２には，
ダイアフラムを構成する第２の単結晶シリコン基板の一面側に空隙室が設けられ，他面側に歪検出センサ（歪検出素子）が設けられる
　
　これら記載内容からみて，引用例１には次の発明が記載されているものと認められる。
「第１の単結晶シリコン基板と，この第１の単結晶シリコン基板の一面に半導体導体プロセスにより形成されたポリシリコン層と，前記ポリシリコン層の他面に一面が接して設けられ前記ポリシリコン層と共にダイアフラムを構成する第２の単結晶シリコン基板と，前記第１の単結晶シリコン基板の一面側に設けられ前記ポリシリコン層と空隙室を形成する凹部と，前記ダイアフラムに設けられた歪検出センサと，前記第１の単結晶シリコン基板の他面から前記空隙室に連通されこの空隙室と外部とを連通する導圧孔とを具備する半導体圧力測定装置であって，
　高圧側測定圧力又は低圧側測定圧力の一方が第２の単結晶シリコン基板に印加され，高圧側測定圧力又は低圧側測定圧力の他方が空隙室に印加され，圧力差に応じてダイアフラムが歪み，この歪量が歪検出素子によって電気的に検出され，圧力の測定が行われ，
　歪検出素子は，振動式ストレンゲージが使用され，
　第２の単結晶シリコン基板をダイアフラムの厚さ分を残して研磨し，
　空隙室に細かな異物が侵入して付着しても，使用出来，
　ダイアフラムを構成する第２の単結晶シリコン基板の一面側に空隙室が設けられ，他面側に歪検出センサ（歪検出素子）が設けられる
　半導体圧力測定装置 。」（以下，「引用発明」という。）
　
イ　引用例２
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である特開平１１−２９８００９号公報（発明の名称：半導体圧力センサの製造方法，出願人：株式会社デンソー，公開日：平成１１年１０月２９日，以下，「引用例２」という。）には，次の事項（ａ）ないし（ｄ）が図面とともに記載されている。また，下線は，当審が付与したものである。
（ａ）
「【０００５】本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり，その目的は，圧力基準室内の圧力が変動する事態を未然に防止できると共に，ダイヤフラムの厚さ寸法を高精度に管理可能になり，以て圧力検出精度の向上を図り得るようになる
半導体圧力センサの製造方法
（ｂ）
 「【００２４】図１には，上記構成の半導体圧力センサ１の製造工程が模式的な断面図により示されており，以下，これについて説明する。まず，図１（ａ）に示すように，シリコンウェハ８（本発明でいう支持基板に相当）上に，最終的に前記単結晶シリコン層４となる単結晶シリコン層９（本発明でいう半導体層に相当）が絶縁分離膜１０を介して形成されたＳＯＩ基板１１（第２半導体基板に相当）と，シリコンウェハ１２（第１半導体基板に相当）とを用意する。このシリコンウェハ１２は，最終的に前記シリコン基板２になるものであり，その上面には，前記圧力基準室６のための凹部１３が形成されていると共に，前記シリコン酸化膜３に相当するシリコン酸化膜１４が熱酸化法によって形成されている。尚，このシリコン酸化膜１４は，過剰な水分子を吸収できるように比較的厚い状態（例えば１μｍ以上）で形成される。また，
上記ＳＯＩ基板１１側の単結晶シリコン層９の表面，並びにシリコンウェハ１２側のシリコン酸化膜１４の表面は鏡面化された状態となっている
（ｃ）
「【００３０】この場合，上記貼り合わせ工程での熱処理温度は，半導体圧力センサ１の実際の最高使用温度（例えば自動車用の場合は２００℃）より高い温度に設定されているから，その半導体圧力センサ１の実使用時において圧力基準室６内の圧力を安定なものとすることができて，その検出感度が不安定になる事態を確実に防止できるようになる。しかも，
ダイヤフラム５の厚さ寸法は，ＳＯＩ基板１１側に予め設けられた単結晶シリコン層９の厚さ寸法に依存したものとなって，そのダイヤフラム５の厚さ寸法を高精度に管理できる手段を採用可能になる
（ｄ）
「【００３３】（第２の実施の形態）図３には本発明の第２実施例が示されており，以下，これについて前記第１実施例と異なる部分のみ説明する。まず，図３（ａ）に示すように，シリコンウェハ８上に絶縁分離膜１０を介して
単結晶シリコン層９を形成したＳＯＩ基板１１と，凹部１３が形成されたシリコンウェハ１２とを用意し
それらＳＯＩ基板１及びシリコンウェハ１２を活性化処理面で互いに貼り合わせる。
　
　前記（ａ）ないし（ｄ）の記載，及び，鏡面化の手段として研磨手段が一般的であることから（例えば，下記キ　引用例６段落００１７参照。），引用例２には，「鏡面研磨された単結晶シリコン層（ダイヤフラム）の表面と，凹部が形成されたシリコンウェハとを互いに貼り合わせる半導体圧力センサの製造方法」との技術事項が記載されているといえる。
　また，「上記ＳＯＩ基板１１側の単結晶シリコン層９の表面，並びにシリコンウェハ１２側のシリコン酸化膜１４の表面は鏡面化された状態となっている。」（段落００２４）と，「ダイヤフラム５の厚さ寸法は，ＳＯＩ基板１１側に予め設けられた単結晶シリコン層９の厚さ寸法に依存したものとなって，そのダイヤフラム５の厚さ寸法を高精度に管理できる手段を採用可能になる」（段落００３０）の記載，及び鏡面化の一般的手段は，研磨であることを考慮すると，引用例２には，「ダイヤフラムの厚さ寸法は，単結晶シリコン層を鏡面研磨することで高精度に管理している」との技術事項が記載されているといえる。
　
ウ　引用例３
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である特表平４−５０２２０３号公報（発明の名称：過大圧係止機構および自由端構造を有する固体差圧センサー，出願人：ローズマウント　インコ．，公表日：平成４年４月１６日，以下，「引用例３」という。）には，次の事項（ａ）ないし（ｄ）が図面とともに記載されている。なお，下線は，当審が付与した。
（ａ）
「第１図に，本発明に従って形成された
圧力検知セル
　　
（ｂ）
「
ダイヤフラム３６は，周縁溝４３および４４
（ｃ）
「図示されているように，ベースプレート上のダイヤフラム支持すなわち係止表面３７Ａおよび３７Ｂは，
ベースプレート
の中心部に
凹所
（ｄ）
「図示されているように，
溝４３および４４は，許容できない集中を起こすことなく応力を分散させるような，丸みを帯びたコーナーを備える略平坦なまたは極めて緩やかな曲面をなす底面４３Ａおよび４４Ａを有する
円形
　
　上記記載（ａ）ないし（ｄ）及び図面から，引用例３には，「圧力検知セルにおいて，ベースプレートの円形の中心部に形成された凹所の周縁に対向して，ダイヤフラムに，丸みを帯びた周縁溝を具備し，許容できない集中を起こすことなく応力を分散させる」ことが記載されてるといえる。
　
エ　引用例４
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である特表昭６１−５０２３６５号公報（発明の名称：半導体トランスジユ−サ，出願人：タクテイル・パ−セプシヨンズ・インコ−ポレ−テツド，公表日：昭和６１年１０月１６日，以下，「引用例４」という。）には，次の事項（ａ）ないし（ｃ）が図面とともに記載されている。なお，下線は，当審が付与した。
（ａ）
「
圧力トランスジユーサ
（ｂ）
「
ダイアフラム内に発生する最大応力及び歪は，ウエルの周辺のダイアフラムの締め付はエツジに発生する
（ｃ）
「第２図を見るとよく判るように，半導体層１４は，第１面２６及び第１面２６に実質的に共面関係にある第２面２８を有している。第１面２６は，そのエツジ部分をウエル１８の周辺エツジ２２ａ−ｂ及び２４ａ−ｂの近辺の基板１２の面２０に接着せしめている。半導体層１４は，ウエル１８の上を包むようにダイアフラム３０を形成している。」（５頁左上欄１行〜６行）
（ｄ）
「半導体層１４は更に，第１面２６内にチヤンネル３６を含んでいる。
チヤンネル３６は，ウエル１８の周辺エツジ２２ａ−ｂ及び２４ａ−ｂの上にわたつて配置されている
　
　また，ＦＩＧＵＲＥ　３には，
ウエル１８の周辺エツジ２２ｂに対向して，ダイアフラムに丸みのあるチヤンネル３６
　
　上記記載（ａ）ないし（ｄ）及び図面から，引用例４には，「圧力トランスジユーサにおいて，ウエルの周辺エツジに対向して，ダイアフラムに丸みのあるチヤンネルが設けられる」ことが記載されているといえる。
　
オ　引用例３及び４に記載された周知技術
　引用例３には，「圧力検知セルにおいて，ベースプレートの円形の中心部に形成された凹所の周縁に対向して，ダイヤフラムに，丸みを帯びた周縁溝を具備し，許容できない集中を起こすことなく応力を分散させる」ことが記載され，引用例４には，「圧力トランスジユーサにおいて，ウエル（凹部）の周辺エツジ（縁）に対向して，ダイアフラムに丸みのあるチヤンネル（溝）が設けられる」ことが記載されているように，圧力センサにおいて，凹所の周縁に対向してダイヤフラムに丸み部をを帯びた周縁溝を具備することは，本願出願前に周知技術である。
　
カ　引用例５
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である特開平４−２０６６６３号公報（発明の名称：シリコン振動式歪センサの製造方法，出願人：横河電機株式会社，公開日：平成４年７月２８日，以下，「引用例５」という。）には，次の事項（ａ）ないし（ｃ）が図面とともに記載されている。なお，下線は，当審が付与した。
（ａ）
「〈産業上の利用分野〉
本発明は，
振動式歪ゲージを用いるシリコン振動式歪センサ
（ｂ）
「しかしながら，この様な従来の振動式歪センサは，振動式歪ゲージが外部回路と結合して自励発振をさせてその共振周波数の変化から
測定圧力を検出する
（ｃ）
「２１はシリコンオイルであり，この
シリコンオイルを凹部１１の内部に封入することによって振動式歪ゲージ１４の自励振動の影響を狭い間隙Δによってダンピングさせて除去させ
　
　前記（ａ）ないし（ｃ）の記載から，引用例５には，「測定圧力を検出する振動式歪ゲージを用いるシリコン振動式歪センサにおいて，凹部の内部にシリコンオイルを封入することによって振動式歪ゲージの自励振動の影響を狭い間隙Δによってダンピングさせて除去させ」るとの技術事項が記載されている。
　
キ　引用例６
　本願出願前に日本国内又は外国において頒布された刊行物である特開平７−２５４７１７号公報（発明の名称：シリコン結晶体の接合方法，出願人：株式会社東芝，公開日：平成７年１０月３日，以下，「引用例６」という。）には，次の事項（ａ）ないし（ｂ）が図面とともに記載されている。なお，下線は，当審が付与した。
（ａ）
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はシリコン結晶体の接合方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より知られている
半導体圧力変換器
【０００３】中央部分に拡散抵抗層からなる起歪抵抗ゲージ２が形成されたシリコン単結晶板１の，起歪抵抗ゲージ２を含む領域の反対側の面をエッチングによって除去して肉薄ダイヤフラムを形成する。そして肉薄ダイヤフラム部の周辺の厚い部分（肉厚周辺部）を，ガラスからなる基板３上に接着剤４を介して接着固定して接合する。
【０００４】このような半導体圧力変換器では，基板３の中央部に設けられた孔５から導入される，図中のＰで示される圧力がダイヤフラムを変形させ，これにより起歪抵抗ゲージ２の抵抗値が変化して，この抵抗値変化から圧力Ｐを検出する。
【０００５】この場合，起歪抵抗ゲージ２は圧力Ｐに対してのみ高感度に感応することが必要である。ところがシリコン単結晶板１とガラス基板３との熱膨張率が異なるので接着固定された接合部分に熱膨張率差が生じ，これによって発生する応力がダイヤフラムに加わってしまうという問題があった。
【０００６】そこで
ダイヤフラムを形成したシリコン単結晶板１と同じシリコン結晶を基板３として用い
熱膨張率差の問題を回避する
（ｂ）
「【００１６】ところが本発明者はシリコンに次のような処理を施すことによって，ガラス同士の接合のようにシリコン結晶体同士の接合も可能なことを見いだした。
【００１７】まず２つの
シリコン結晶体の接合すべき面
を
鏡面研磨して平滑化し
シリコン結晶体同士を直接密着させ
　
　上記（ａ）及び（ｂ）の記載から，引用例６には，
「熱膨張率差の問題を回避するために，ダイヤフラムを形成したシリコン単結晶板と同じシリコン結晶を基板として用い，シリコン結晶体の接合すべき面鏡面を鏡面研磨して平滑化しシリコン結晶体同士を直接密着させた半導体圧力変換器。」が記載されている。
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明とを，主たる構成要件毎に順次対比する。
ア
　引用発明において，「圧力差に応じてダイアフラムが歪み，この歪量が歪検出素子によって電気的に検出され，圧力の測定が行われ」る「半導体圧力測定装置」であって，「振動式ストレンゲージが使用され」る歪検出素子は，「ダイアフラムを構成する第２の単結晶シリコン基板の他面側に」設けられ，振動式ストレンゲージは，振動子形歪ゲージということができるから，引用発明の「半導体圧力測定装置」は，本願補正発明の「ダイアフラムに設けられた振動子形歪ゲージを具備する振動式差圧センサ」に相当する。
イ
　引用発明において，「振動式ストレンゲージが使用され」る歪検出素子は，「ダイアフラムを構成する第２の単結晶シリコン基板の他面側に設けられ」，歪検出素子が設けられる面は，素子面と言えるから，引用発明は，本願補正発明の「素子面に振動子形歪ゲージ素子が設けられ」ている構成を備えているということができる。
ウ
　引用発明において，「振動式ストレンゲージが使用され」る歪検出素子は，「ダイアフラムを構成する第２の単結晶シリコン基板の他面側に設けられ」るから，引用発明における歪検出素子が設けられる「第２の単結晶シリコン基板」は，本願補正発明の「シリコンよりなるセンサ基板」に相当する。
　そして，引用発明の「ダイアフラムの厚さ分を残して研磨」される「第２の単結晶シリコン基板」は，本願補正発明の「前記素子面に対向する研削研磨面が前記ダイアフラムに相当する厚さに研磨されて形成されシリコンよりなるセンサ基板」と，「前記ダイアフラムに相当する厚さに研磨されて形成されシリコンよりなるセンサ基板」である点で共通する。
エ
　上記ウを踏まえると，「第２の単結晶シリコン基板」は，本願補正発明の「シリコンよりなるセンサ基板」に相当するから，もう一方の基板である「第１の単結晶シリコン基板」は，本願補正発明の「シリコンよりなるベース基板」に相当する。
　そして，引用発明の，「第１の単結晶シリコン基板と，この第１の単結晶シリコン基板の一面に半導体導体プロセスにより形成されたポリシリコン層と，前記ポリシリコン層の他面に一面が接して設けられ前記ポリシリコン層と共にダイアフラムを構成する第２の単結晶シリコン基板」との構成において，センサ基板に相当する第２の単結晶シリコン基板と，ベース基板に相当する第１の単結晶シリコン基板に形成されたポリシリコン層は接合されていると捉えることができるから，引用発明の「第１の単結晶シリコン基板」は，本願補正発明の「このセンサ基板の研削研磨面に一方の面が直接に接合されたシリコンよりなるベース基板」と，「このセンサ基板の面に一方の面が接合されたシリコンよりなるベース基板」である点で共通する。
オ
　引用発明の「前記第１の単結晶シリコン基板の一面側に設けられ前記ポリシリコン層と空隙室を形成する凹部」は，「ダイアフラムを構成する第２の単結晶シリコン基板の一面側に空隙室が設けられ」ることから，第１の単結晶シリコン基板とダイアフラムを構成する第２の単結晶シリコン基板との接合部に形成されるものである。また，「空隙室に細かな異物が侵入して付着しても，使用出来」るものであるから，引用発明の「空隙室を形成する凹部」は，本願補正発明の「前記ベース基板の前記センサ基板との接合部に設けられ前記センサ基板に実質的に前記ダイアフラムを形成し，異物の混入により前記ダイアフラムの可動範囲が制限されることなく且つ前記振動子形歪ゲージ素子の振動によって励起される前記ダイアフラムの振動に対して制動作用をなすための所定の隙間を有する凹部」と，「前記ベース基板の前記センサ基板との接合部に設けられ前記センサ基板に実質的に前記ダイアフラムを形成し，異物の混入により前記ダイアフラムの可動範囲が制限されることない隙間を有する凹部」である点で共通する。
カ
　引用発明において，「高圧側測定圧力又は低圧側測定圧力の他方が空隙室に印加される」ものであるから，引用発明の「前記第１の単結晶シリコン基板の他面から前記空隙室に連通されこの空隙室と外部とを連通する導圧孔」は，高圧側測定圧力又は低圧側測定圧力を空隙室に導く孔であり，本願補正発明の「前記凹部に測定圧を導入する導入孔」に相当する。
　
　してみると，両者の一致点及び相違点は，以下のとおりである。
（一致点）
「ダイアフラムに設けられた振動子形歪ゲージを具備する振動式差圧センサにおいて，
　素子面に振動子形歪ゲージ素子が設けられ，
　前記ダイアフラムに相当する厚さに研磨されて形成されシリコンよりなるセンサ基板と，
　このセンサ基板の面に一方の面が接合されたシリコンよりなるベース基板と，
　前記ベース基板の前記センサ基板との接合部に設けられ前記センサ基板に実質的に前記ダイアフラムを形成し，異物の混入により前記ダイアフラムの可動範囲が制限されることなく隙間を有する凹部と，
　前記凹部に測定圧を導入する導入孔と，
を具備する振動式差圧センサ。」
　
（相違点１）
　振動子形歪ゲージ素子が設けられる素子面に対向する面について，本願補正発明は，「研削研磨面」であり，シリコンよりなるベース基板と「直接に」接合し，「前記凹部の表面の一部は前記研削研磨面により形成される」のに対し，引用発明は，研削研磨面であるか明らかでなく，シリコンよりなるベース基板と直接に接合し，前記凹部の表面の一部は前記研削研磨面により形成されるとはいえない点。
　
（相違点２）
　本願補正発明は，「凹部の開口部周縁に対向して前記センサ基板に設けられ前記ダイアフラムへの応力集中を緩和するリング状の丸み部」を具備するのに対し，引用発明は，そのような丸み部を具備していない点。
　
（相違点３）
　本願補正発明は，「前記振動子形歪ゲージ素子の振動によって励起される前記ダイアフラムの振動に対して制動作用をなすための所定の」隙間を有する凹部であって，「前記凹部に導入孔を介して圧力を伝搬し前記ダイアフラムを制動するための流体を具備」するのに対し，引用発明の「凹部」は，「前記ダイアフラムの振動に対して制動作用をなすための所定の隙間」であるか，「前記ダイアフラムを制動するための流体を具備」するか明らかでない点。
　
（４）判断
ア　上記相違点１について検討する。
　引用例２には，「鏡面研磨された単結晶シリコン層（ダイヤフラム）の表面と，凹部が形成されたシリコンウェハとを互いに貼り合わせる半導体圧力センサの製造方法」及び「ダイヤフラムの厚さ寸法は，単結晶シリコン層を鏡面研磨することで高精度に管理している」との技術事項が記載されている。
　引用発明は，「ダイアフラムを構成する第２の単結晶シリコン基板」と，「空隙室を形成する凹部」を有する「第１の単結晶シリコン基板」とを具備する「半導体圧力測定装置」であるところ，その製造方法として，シリコンのダイヤフラムと凹部が形成されたシリコンウェハという同様の構成要素を用いた半導体圧力センサの製造方法を採用することに困難性は見いだせない。
　よって，引用発明に引用例２に記載された製造方法を採用し，ダイヤフラムの厚さ寸法となるように鏡面研磨された「ダイアフラムを構成する第２の単結晶シリコン基板」の表面と，凹部が形成された「第１の単結晶シリコン基板」とを互いに貼り合わせ，「ダイアフラムを構成する第２の単結晶シリコン基板」と「第１の単結晶シリコン基板」とを直接に接合すること，つまり，本願補正発明のように，「前記素子面に対向する研削研磨面が前記ダイアフラムに相当する厚さに研磨されて形成されシリコンよりなるセンサ基板と，このセンサ基板の研削研磨面に一方の面が直接に接合されたシリコンよりなるベース基板」を具備するようにすることは，当業者が容易に想到し得ることである。
　また，その際には，本願補正発明のように，「前記凹部の表面の一部は前記研削研磨面により形成される」ことになるものである。
　また，シリコンよりなるセンサ基板とシリコンよりなるベース基板が直接に接合されることにより生じる効果について検討すと，例えば，引用例６に，「熱膨張率差の問題を回避するために，ダイヤフラムを形成したシリコン単結晶板と同じシリコン結晶を基板として用い，シリコン結晶体の接合すべき面鏡面研磨して平滑化しシリコン結晶体同士を直接密着させた半導体圧力変換器。」と記載されているように，シリコンよりなるセンサ基板とシリコンよりなるベース基板が直接に接合されることにより，熱膨張率差の問題を回避するという効果が生じることは，本願出願時に周知であったといえる。さらに，研削研磨することにより各部の寸法精度を高くすることによる効果も周知であって格別のものではない。
　
イ　上記相違点２について検討する。
　一般の圧力センサは，圧力差に応じてダイアフラムが歪み，この歪量が歪検出素子によって電気的に検出され，圧力の測定が行われるものであり，ダイアフラムは歪むことによりダイアフラム内に応力を生じる。この応力は，空隙室を形成する凹部の周縁に対向する箇所で大きくなることから（上記（２）ウ（ｄ）及びエ（ｂ）参照。），ダイアフラムへの応力を分散する手段として，凹所の周縁に対向してダイヤフラムに丸み部をを帯びた周縁溝を具備するようにすることが当業者には周知技術になっている（上記（２）オ参照。）。
　引用発明も，圧力差に応じてダイアフラムが歪みダイアフラム内に応力を生じる圧力センサであるから，ダイアフラムへの応力集中を緩和するための周知技術を採用することに困難性はない。また，ダイヤフラムの中心部である凹部は，一般に円形であることから（上記（２）ウ（ｄ）（Ｆｉｇ．２）参照。），凹部の周縁は，円形つまりリング状であることを踏まえると，引用発明に，ダイアフラムへの応力集中を緩和するための周知技術を採用し，本願補正発明のように「凹部の開口部周縁に対向して前記センサ基板に設けられ前記ダイアフラムへの応力集中を緩和するリング状の丸み部を具備」することは，当業者が容易に想到し得ることである。
　
ウ　上記相違点３について検討する。
　引用例５には，「測定圧力を検出する振動式歪ゲージを用いるシリコン振動式歪センサにおいて，凹部の内部にシリコンオイルを封入することによって振動式歪ゲージの自励振動の影響を狭い間隙Δによってダンピングさせて除去させ」るとの技術事項が記載されている。　
　引用発明も振動式ストレンゲージが使用された圧力測定装置であるから，振動式ストレンゲージの自励振動の影響を除去するという課題を有するものであるところ，引用例５に記載された振動式歪ゲージの自励振動の影響を除去する技術を採用することに困難性はない。
　よって，引用発明に引用例５に記載された技術事項を採用し，本願補正発明のように，「空隙室を形成する凹部」に，「前記ダイアフラムを制動するための流体を具備」させ，「空隙室を形成する凹部」を，「振動子形歪ゲージ素子の振動によって励起される前記ダイアフラムの振動に対して制動作用をなすための所定の」隙間を有するものとすることは，当業者が容易に想到し得ることである。
　
（５）まとめ
　以上のとおり，本願補正発明は，引用発明，引用例２，５に記載された技術事項，及び引用例３，４に記載された周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１ないし４に係る発明は，補正１によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ，その請求項１に係る発明は，上記「第２　１　（本件補正前）」に記載したとおりである。（以下，「本願発明」という。）
　
２　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は，概略，特許請求の範囲に記載の各発明は，いずれも出願前に国内又は外国において頒布された刊行物である引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない，というものである。
　
３　引用例記載の事項・引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１に記載の事項及び引用発明は，前記「第２　３（２）ア」に記載したとおりである。
　
４　対比，判断
　本願発明は，前記「第２」で検討した本願補正発明から，振動子形歪ゲージ素子が設けられる面（素子面）に対向する「面」に関して「研削研磨面」との特定を省いたものであり，また，「凹部」に関して「凹部の表面の一部は前記研削研磨面により形成される」との特定を省いたものである。
　そうすると，本願発明の構成を全て含み，さらに他の限定を付したものに相当する本件補正後発明が，前記「第２」３(３)〜(５)で述べたとおり，引用発明，引用例２，５に記載された技術事項，及び引用例３，４に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであることを考慮すると，本願発明も，同様に，引用発明，引用例２，５に記載された技術事項，及び引用例３，４に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものである。　
（５）むすび
　以上のとおり，本願発明は，引用発明，引用例２，５に記載された技術事項，及び引用例３，４に記載された周知技術に基づいて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，他の請求項に係る発明について審理するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。