【事件の表示】
　平成　７年特許願第３３８１１５号「３族窒化物半導体素子」拒絶査定に対する審判事件［平成　９年　６月１０日出願公開、特開平　９−１５３６４３］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は平成７年１１月３０日の出願であって、平成１３年１０月１７日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月２９日付で拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１３年１２月１９日付けで、特許法第１７条の２第１項第３号の規定による手続補正がなされたものである。
　
２．平成１３年１２月１９日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　 平成１３年１２月１９日付の手続補正を却下する。
［理由］
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】基板と基板上に形成されたバッファ層とそのバッファ層上に形成された３族窒化物半導体から成る基底層とその基底層上に形成された３族窒化物半導体から成る素子層とを有する半導体素子において、
　前記基底層が、厚さを１０〜５０μｍとし、有機金属化合物気相成長法により形成され、
　前記基底層のエッチピット密度が１０６〜４×１０４／ｃｍ２であることを特徴とする３族窒化物半導体素子。」
と補正された。
　上記補正は、補正前の請求項１（平成１３年７月１３日付手続補正書）に記載した基底層をさらに限定するものであって、特許法第１７条の２第３項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とし、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。　
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて検討する。
　
（１）引用例記載の発明
　原審における拒絶理由に引用された、この出願前公知の刊行物である特開平２−８１４８４号公報（以下、「引用例」という。）には、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に関して、次の記載が認められる。
「従来、青色の発光ダイオードとしてＧａＮ系の化合物半導体を用いたものが知られている。・・・その成長方法には有機金属化合物気相成長法（ＭＯＶＰＥ）とハライド気相成長法とが採用されている。」（１頁右下欄１〜１３行）
「上記の発光ダイオードの発光輝度を向上させるためには、発光に寄与するキャリア数を多くするために、Ｎ層の厚さはできるだけ厚い方が望ましい。又、良質なＩ層の結晶を得るためにもＮ層の厚さは厚い方が望ましい。一方、動作電圧を均一にするためには、Ｉ層の膜厚は薄く均一に精度良く制御される必要がある。ところが、従来のＭＯＶＰＥ法だけで結晶成長させると、結晶成長速度が遅く、厚いＮ層を形成するのに時間がかかるという問題がある。」（１頁右下欄１５行〜２頁左上欄４行）
「第１実施例
　・・・サファイア基板２をＭＯＶＰＥ装置のサセプタに取り付けた。その後、サファイア基板２を６００℃に加熱して、・・・ＡｌＮから成るバッファ層３を厚さ約０．１μｍに形成した。その後、そのサファイア基板２をＭＯＶＰＥ装置から取り出し、ハライド気相成長装置のサセプタに取り付けた。その後・・・サファイア基板２上に成長したＮ型のＧａＮから成る第１Ｎ層４の厚さは２０μｍであり、その成長速度は約１μｍ／分であった。次に、第１Ｎ層４が成長したサファイア基板２をハライド気相成長装置から取り出し、ＭＯＶＰＥ装置の反応室のサセプタに載置した。そして、サファイア基板２を１０００℃に加熱して、キャリアガスとしてＨ２を２．５ｌ／分、ＮＨ３を１．５ｌ／分、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）を１５ｍｌ／分の割合で１２分間供給し、膜厚約２μｍのＮ型のＧａＮから成る第２Ｎ層８を形成した。次に、・・・Ｉ型のＧａＮから成るＩ層５を膜厚１．０μｍに形成した。」（２頁左下欄４行〜３頁左上欄１行）。
　上記によれば、引用例には、
「サファイア基板と、ＡｌＮから成るバッファ層と、ハライド気相成長法で形成した厚さ２０μｍのＮ型のＧａＮから成る第１Ｎ層、Ｎ型のＧａＮから成る第２Ｎ層、Ｉ型のＧａＮから成るＩ層が順に形成されてなる窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
（２）対比
　本件補正発明と上記引用発明とを対比する。
　引用発明の「サファイア基板」、「ＡｌＮから成るバッファ層」、「Ｎ型のＧａＮから成る第１Ｎ層」、「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」は、
　本件補正発明の「基板」、「バッファ層」、「３族窒化物半導体から成る基底層」、「３族窒化物半導体素子」に各々相当する。
　また、引用発明の「Ｎ型のＧａＮから成る第２Ｎ層、Ｉ型のＧａＮから成るＩ層」は、本件補正発明の「３族窒化物半導体から成る素子層」に相当することは明らかである。
　よって、両者は、
「基板と基板上に形成されたバッファ層とそのバッファ層上に形成された３族窒化物半導体から成る基底層とその基底層上に形成された３族窒化物半導体から成る素子層とを有する半導体素子において、前記基底層が、厚さを２０μｍとしたものである３族窒化物半導体素子。」
で一致し、下記の点で相違する。
（相違点１）本件補正発明は、前記基底層が、有機金属化合物気相成長法により形成されたものであるのに対し、引用発明では、ハライド気相成長法で形成した点、　
（相違点２）本件補正発明は、前記基底層のエッチピット密度が１０６〜４×１０４／ｃｍ２であるのに対して、引用発明は、この構成を有しない点。
　
（３）判断
　上記相違点に付き検討する。
（相違点１について）　
　半導体素子の製造方法として、有機金属化合物気相成長法及びハライド気相成長法は、引用例の従来技術にも記載されているように、従来共に周知であり、しかも引用例には、前掲のとおり「上記の発光ダイオードの発光輝度を向上させるためには、発光に寄与するキャリア数を多くするために、Ｎ層の厚さはできるだけ厚い方が望ましい。又、良質なＩ層の結晶を得るためにもＮ層の厚さは厚い方が望ましい。一方、動作電圧を均一にするためには、Ｉ層の膜厚は薄く均一に精度良く制御される必要がある。ところが、
従来のＭＯＶＰＥ法だけで結晶成長させると
時間がかかる
　そうしてみると、時間がかかることを問題にしなければ（本願明細書の【００１１】の記載によれば、３００分）、引用発明の「厚さ２０μｍのＮ型のＧａＮから成る第１Ｎ層」を有機金属化合物気相成長法で形成することは従来行われていたことであるか、或いは、当業者が容易に想到し得る程度のものであり、その厚さを１０〜５０μｍと規定することも任意になし得る範囲にすぎない。
（相違点２について）
　ＭＯＶＰＥ法で、サファイア基板上にＧａＮを形成すると、エッチピット（欠陥）の多い結晶しか得られなかったのを、ＡｌＮの低温バッファ層を介在することにより良質なＧａＮのエピタキシャル膜が得られるようになり、特にＡｌＮ層直上の界面から数１００ｎｍ成長した後は欠陥が著しく減少し、これによってＧａＮ膜の結晶性、光学的特性さらに電気的特性も格段に改善されることは、この出願前周知の事項（例えば、請求人が審判理由補充を目的として提出した、III−Ｖ族化合物半導体、培風館１９９４年５月２０日発行、赤崎勇編著　３３４頁〜３３７頁参照。）である。
　そうしてみると、本件補正発明の上記相違点２の構成は、低温バッファ層上にＭＯＶＰＥ法で形成された比較的厚い（１０〜５０μｍ）ＧａＮ層の質を、エッチピット密度という別の観点で計測した結果を単に表現したにすぎないというべきものである。
　したがって、本件補正発明は、引用例記載の事項及び上記従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反してなされたものであるから、特許法第１５９条第１項の規定により準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願についての当審の判断
　ア）本願発明
　平成１３年１２月１９日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１３年７月１３日付手続補正書により補正された明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明は以下のとおりのものである。
「【請求項１】基板と基板上に形成されたバッファ層とそのバッファ層上に形成された３族窒化物半導体から成る基底層とその基底層上に形成された３族窒化物半導体から成る素子層とを有する半導体素子において、
　前記基底層が、厚さを１０〜５０μｍとし、有機金属化合物気相成長法により形成したことを特徴とする３族窒化物半導体素子。」
　
　イ）刊行物記載の発明
　原査定の拒絶理由に引用された、本願出願前公知の刊行物である特開平２−８１４８４号公報（以下、「引用例」という。）の記載事項は、上記２．（１）引用例記載の発明に記載したとおりである。
　　
　ウ）対比・判断
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記本件補正発明に比べて、「前記基底層のエッチピット密度が１０６〜４×１０４／ｃｍ２である」という構成要件を欠くもので、その他の構成を全て備えている。
　したがって、本願発明は、上記構成要件に関する事項を除き、本件補正発明に対すると同様の理由により、引用例に記載された事項及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
  以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された事項及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。