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　特願２００９−５５２８２０「酸化防止剤含有ポリマーの架橋」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　９月１２日国際公開、ＷＯ２００８／１０９５１５、平成２２年　８月２６日国内公表、特表２０１０−５２９２１３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　主な手続の経緯
　本願は，国際出願日である平成２０年３月３日（パリ条約による優先権主張　平成１９年３月２日及び同年５月１日，２件ともアメリカ合衆国（ＵＳ））にされたとみなされる特許出願であって，平成２４年１１月１４日付けで拒絶理由が通知され，平成２５年２月１８日に意見書が提出されるとともに誤訳訂正書により特許請求の範囲及び明細書が補正され，同年１１月１１日付けで拒絶査定がされたところ，これに対して，平成２６年３月７日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に特許請求の範囲が補正されたので，特許法１６２条所定の審査がされた結果，同年６月５日付けで同法１６４条３項の規定による報告がされ，平成２７年２月２７日に上申書が提出されたものである。
　
第２　補正の却下の決定
　
　［結論］
　平成２６年３月７日付けの手続補正を却下する。
　
　［理由］
　１　平成２６年３月７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）の内容
　本件補正は特許請求の範囲の全文を変更する補正事項からなるものであるところ，特許請求の範囲全体の記載のうち，本件補正前の請求項１並びに当該請求項に対応する本件補正後の請求項１の記載を掲記すると，それぞれ以下のとおりである。
　・　本件補正前（平成２５年２月１８日付け誤訳訂正書）
　「高度に架橋した，酸化的に安定な高結晶性ポリマー材料の製造方法であって，
　ａ）酸化防止剤と，ポリマー材料の樹脂，その粉末，またはそのフレークとを混合し，
　ｂ）当該混合物を固化させ，
　ｃ）当該固化したポリマー材料を，室温より高い温度で，かつ前記ポリマー材料の融点より低い温度で照射し，そして
　ｄ）当該照射および固化したポリマー材料を空気中でまたは不活性環境下で前記ポリマー材料の融点より低い温度でアニールし，それにより高度に架橋した，酸化的に安定な高結晶性ポリマー材料を形成すること
を含んでなる，方法。」
　・　本件補正後
　「高度に架橋した，酸化的に安定な高結晶性超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＷＰＥ）の製造方法であって，
　ａ）酸化防止剤と，ＵＨＭＷＰＥの樹脂，その粉末，またはそのフレークとを混合し，
　ｂ）当該混合物を固化させ，
　ｃ）当該固化したＵＨＭＷＰＥを，室温より高い温度で，かつ前記ＵＨＭＷＰＥの融点より低い温度で照射し，そして
　ｄ）当該照射および固化したＵＨＭＷＰＥを空気中でまたは不活性環境下で前記ＵＨＭＷＰＥの融点より低い温度でアニールし，それにより高度に架橋した，酸化的に安定な高結晶性ＵＨＭＷＰＥを形成すること
を含んでなる，方法。」
　
　２　本件補正の目的
　本件補正は，請求項１の記載に係る発明を特定するために必要な事項である樹脂について，補正前において「ポリマー材料」と特定していたものを「超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＷＰＥ）」又は「ＵＨＭＷＰＥ」と特定することで，補正前の発明特定事項を限定するものである。そして，本件補正の前後で，請求項１の記載に係る発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題は変わらない。
　よって，本件補正は，請求項１についてする補正については，特許法１７条の２第５項２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであると認める。
　なお，本件補正は，いわゆる新規事項を追加するものではないと判断される。
　
　３　独立特許要件違反の有無について
　上記２のとおりであるから，本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか，要するに，本件補正が特許法１７条の２第６項で準用する同法１２６条７項の規定に適合するものであるか（いわゆる独立特許要件違反の有無）について検討するところ，以下説示のとおり，本件補正は当該要件に違反すると判断される。
　すなわち，本願補正発明は，本願の優先日前に頒布された刊行物である下記引用文献１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない（なお，引用文献１は，原査定の理由で引用された「引用文献１」と同じである。）。
　・　引用文献１：　国際公開第２００５／０７４６１９号
　
　４　本願補正発明
　本願補正発明は，本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものであると認める。
　「高度に架橋した，酸化的に安定な高結晶性超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＷＰＥ）の製造方法であって，
　ａ）酸化防止剤と，ＵＨＭＷＰＥの樹脂，その粉末，またはそのフレークとを混合し，
　ｂ）当該混合物を固化させ，
　ｃ）当該固化したＵＨＭＷＰＥを，室温より高い温度で，かつ前記ＵＨＭＷＰＥの融点より低い温度で照射し，そして
　ｄ）当該照射および固化したＵＨＭＷＰＥを空気中でまたは不活性環境下で前記ＵＨＭＷＰＥの融点より低い温度でアニールし，それにより高度に架橋した，酸化的に安定な高結晶性ＵＨＭＷＰＥを形成すること
を含んでなる，方法。」
　
　５　本願補正発明が特許を受けることができない理由
　(1)　引用発明
　　ア　引用文献１には，次の記載がある。（なお，引用文献１は外国語（英語）で記載された刊行物であるので，審決の便宜上，その記載については，引用文献１に係る国際出願による特許出願の公表特許公報（特表２００７−５２０６２０号公報）を用いることとする。この点，請求人も，引用文献１の記載事項について，上記公表特許公報を援用して主張している。また，下線の一部は当合議体による。以下同じ。）
　・「…【請求項５０】
　耐酸化性の，架橋した，高結晶性の高分子材料と添加剤とのブレンドを製造する方法であって，
　ａ）前記高分子材料を添加剤とブレンドし，
　ｂ）前記ブレンドを固化させ，
　ｃ）前記ブレンドを，その溶融状態よりも高い温度に加熱し，
　ｄ）前記ブレンドを，少なくとも１０〜１０００ＭＰａ下で加圧し，
　ｅ）前記圧力および温度に保持し，
　ｆ）前記加熱されたブレンドを略室温に冷却し，
　ｇ）前記圧力を略大気圧レベルに解除し，それによって，高結晶性のブレンドを形成し，
　ｈ）前記ブレンドを，その溶融状態よりも低い温度で，イオン化放射線で照射し，それによって，高結晶性の，架橋したブレンドを形成し，
　ｉ）前記高結晶性の，高度に架橋したブレンドを，その融点より低い温度で機械的に変形させ，そして
　ｊ）前記機械的に変形させた，高結晶性の，高度に架橋したブレンドを，その融点より低い温度でアニーリングし，それによって，耐酸化性で，高結晶性の，高度に架橋した，高分子材料と添加剤のブレンドを形成する，
ことを含んでなる，方法。
　【請求項５１】
　耐酸化性の，架橋した，高結晶性の高分子材料と添加剤とのブレンドを製造する方法であって，
　ａ）前記高分子材料を添加剤とブレンドし，
　ｂ）前記ブレンドを固化させ，
　ｃ）前記ブレンドを，少なくとも１０〜１０００ＭＰａ下で加圧し， 
　ｄ）前記加圧されたブレンドを，１００℃より高く，前記加圧されたブレンドの溶融状態よりも低い温度に加熱し，
　ｅ）前記圧力および温度に保持し， 
　ｆ）前記加熱されたブレンドを略室温に冷却し， 
　ｇ）前記圧力を略大気圧レベルに解除し，それによって，高結晶性のブレンドを形成し，
　ｈ）前記ブレンドを，その溶融状態よりも低い温度で，イオン化放射線で照射し，それによって，高結晶性の，架橋したブレンドを形成し， 
　ｉ）前記高結晶性の，高度に架橋したブレンドを，その融点より低い温度で機械的に変形させ，そして
　ｊ）前記機械的に変形させた，高結晶性の，高度に架橋したブレンドを，その融点より低い温度でアニーリングし，それによって，耐酸化性で，高結晶性の，高度に架橋した，高分子材料と添加剤のブレンドを形成する，
ことを含んでなる，方法。… 」（【特許請求の範囲】）
　・「高分子材料の架橋密を高めると，耐摩耗性が著しく高くなるため，支持表面用途での関節形成術に好ましい。耐酸化性の架橋高分子材料，例えばＵＨＭＷＰＥは，装置の耐摩耗性を著しく増加させるので医療用装置に望ましい。架橋の方法は，ＵＨＭＷＰＥにイオン化放射線を照射することによる。しかし，架橋によってポリエチレンの疲労強度も低下するため，構成部品が高い応力を伴う周期的な負荷にさらされる膝全体においては，高架橋密度のポリエチレンの使用は制限される。
イオン化放射線は，架橋に加えて，残留フリーラジカルも発生させ，これが酸化により誘発される脆化の前駆体となる
照射の後，残留フリーラジカルの濃度を，好ましくは検出不可能なレベルにまで，下げ，長期間の酸化を回避することが望まれる
　
照射したＵＨＭＷＰＥ中の残留フリーラジカル濃度を実質的に下げる一つの方法は，照射したＵＨＭＷＰＥをその融解温度（例えば約１３７〜１４０℃）より上に加熱することである
　照射による架橋は，ＵＨＭＷＰＥの疲労強度を低下させる。さらに，照射後の融解により，ＵＨＭＷＰＥの疲労強度はさらに低下する。放射線および融解により，ＵＨＭＷＰＥの降伏強度，極限引張強度，靱性および破断伸度も低下する。…
　従って，低摩耗性を必要とする高応力用途向けの高い疲労耐性を達成するには，結晶化度を下げずに，架橋したＵＨＭＷＰＥ中の，照射により形成された残留フリーラジカルを減少させることが望ましい。
融解に代わる方法を使用し，照射されたＵＨＭＷＰＥの長期間酸化を阻止して高レベルの結晶化度および疲労強度を保存することができる
　・「本発明の別の態様としては，耐酸化性の，高度に架橋した重合体のブレンドを製造する方法であって，
酸化防止性可塑剤，例えばビタミンＥのような添加剤
　・「１．
経路Ｉまたは経路IIのいずれかを使用する，未照射／未架橋ポリエチレンの高圧結晶化
　Ａ．経路Ｉ
　所望の温度，例えば溶融状態よりも高い（例えば，約１４０℃，約１８０℃，約２００℃，約２５０℃，または約３００℃）温度に加熱し，次いで加圧し，次いで圧力をほぼ同じ圧力に，１分間〜１日以上，好ましくは約０．５時間〜１２時間，より好ましくは１〜６時間保持し，次いで除圧する（圧力は，高圧下で達成された結晶の融解を避けるために，室温に冷却した後で解除する）。
　Ｂ．経路II
　所望の圧力に加圧し，次いで所望の温度，例えば加圧されたポリエチレンの溶融状態よりも低い温度（例えば約１５０℃，約１８０℃，約１９５℃，約２２５℃，約３００℃，および約３２０℃），に加熱し，次いで圧力をほぼ同じ圧力に，１分間〜１日以上，好ましくは約０．５時間〜１２時間，より好ましくは１〜６時間保持し，次いで室温に冷却し，次いで除圧する（圧力は，高圧下で達成された結晶の融解を避けるために，室温に冷却した後で解除する必要がある）。」（【００９３】）
　・「２．
続く，低温または温照射を用いた高圧結晶化させた（ＨＰＣ）ポリエチレンへの照射
　Ａ．低温照射（ＣＩ）
　略室温〜９０℃で，ｅ−線またはガンマ放射線を使用して照射する。ＨＰＣ−ポリエチレンの結晶化度が高過ぎる場合，十分な無定形ポリエチレンが架橋に使用できない場合がある。従って，所望の耐摩耗性または架橋密度を達成するには，通常の線量レベル，すなわち高圧を使用せずに結晶化させたポリエチレンに必要な線量レベル（本明細書で記載するように，例えば通常線量レベル７５ｋＧｙまたは１００ｋＧｙ），よりも高くする必要がある。
　Ｂ．温照射（ＷＩ）  
　約９０℃〜ＨＰＣ−ポリエチレンのピーク融点，一般的には約１４５℃で照射する。照射の際に，照射の温度を調節し，所望の無定形程度を達成することができる。」（【００９４】）
　・「…本発明は，重合体と添加剤のブレンドを高圧および高温で結晶化させ，そうして形成された高結晶性のブレンドを照射し，高結晶性の，架橋した，重合体と添加剤のブレンドを得る方法も提供する。本発明は，
重合体と，酸化防止剤でもある添加剤のブレンドを高圧および高温で結晶化させ，そうして形成された高結晶性のブレンドを照射し，高結晶性の，架橋した，耐酸化性の，重合体と，酸化防止剤でもある添加剤のブレンドを得る方法
　本発明は，
高結晶性の，架橋したＵＨＭＷＰＥの耐酸化性を，融解させずに改良する方法も提供
融点より低い温度で酸化防止剤または機械的変形を使用する方法
機械的変形は，照射の後に，重合体を融解させずに，残留フリーラジカル密度を下げるのに使用
本発明により，機械的変形の後にも持続することがある配向および熱的応力の一部は，融点未満の高温でさらにアニーリングし，冷却することにより，低減させる
　本明細書に記載するように，機械的変形は，放射線架橋したＵＨＭＷＰＥ中の残留フリーラジカルを排除できることが立証されている。本発明は，ＵＨＭＷＰＥを，固体または溶融状態で，例えば圧縮により，先ず新しい形状に変形させることができる方法も提供する。本発明の方法により，ＵＨＭＷＰＥの機械的変形を溶融状態で行うと，重合体は負荷の下で結晶化し，変形した新しい形状を維持する。変形工程に続いて，変形したＵＨＭＷＰＥ試料を融点より低い温度で照射し，架橋させるが，これは残留フリーラジカルを発生させる。これらのフリーラジカルを減少させるか，または排除するために，照射された重合体試料を，変形させ，照射したポリエチレンの融点より低い温度（例えば，約１５０℃まで）に加熱し，形状記憶により，本来の形状を部分的に回復させる。一般的に，本来の形状の約８０〜９０％が回復すると期待される。この回復の際，結晶は運動を受け，フリーラジカルの再結合および排除に役立つ。上記の方法は，「逆ＩＢＭＡ」と呼ばれる。逆ＩＢＭＡ（溶融状態よりも低い温度での逆照射および機械的アニーリング）技術は，ＵＨＭＷＰＥを基材とする医療用装置の大規模製造に応用するのに適した方法である。」（【００９９】〜【０１０１】）
　・「照射により，高圧結晶化したポリエチレンが架橋し，耐摩耗性が得られる。照射は，室温またはポリエチレンの融点より低い温度で行うことができる。照射は，空気中，真空中，または不活性ガス，例えば窒素または希ガス，を包含する，酸素を含まない環境で行うことができる。照射は，電子線，ガンマ放射線，またはＸ線照射により行うことができる。 」（【０１０７】）
　・「一般的に，例えば酸化防止剤としてビタミンＥの場合，樹脂粉末，フレーク，粒子，またはそれらの混合物をビタミンＥと混合し，固化させた後，高分子材料の色が黄色に変化する。…」（【０１１９】）
　・「「高圧結晶化された」（ＨＰＣ）とは，本発明により，本明細書に記載する高圧結晶化過程を受けた高分子材料の状態を意味する。
　「高圧結晶化」とは，本発明により，本明細書に記載する，高圧結晶化されたポリエチレンを製造する方法を意味する。
　「高結晶性の」または「高結晶化度」とは，材料の結晶化度が少なくとも約５１％である状態を意味する。」（【０１６６】〜【０１６８】）
　・「本発明の製品および方法は，様々な種類の高分子材料，例えば，高密度ポリエチレン，低密度ポリエチレン，直鎖状低密度ポリエチレン，
超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＷＰＥ）
　・「用語「添加剤」とは，ベース重合体に５０ｖ／ｖ％未満で加えることができるすべての材料を意味する。この材料は，ベース重合体の分子量より低い分子量を有する，有機または無機材料でよい。添加剤は，高分子材料に異なった特性を与えることができ，例えば，添加剤は，可塑剤，核形成剤，または
酸化防止剤
　・「
「ブレンドする」とは，一般的に，ポリオレフィンをその固化前の形態で添加剤と混合することを意味する
　・「
照射
　・「
不活性雰囲気
不活性雰囲気は，高分子材料，例えばＵＨＭＷＰＥ，を含んでなる医療用装置を酸化する恐れがあるＯ
２
を避けるために使用する
　不活性雰囲気条件，例えば窒素，アルゴン，ヘリウム，ネオン，または真空は，イオン化放射線により医療用充填材中の重合体−金属および／または重合体−重合体の界面を滅菌処理することにも使用される。」（【０２１２】〜【０２１３】）
　・「
残留フリーラジカル
　・「
用語「アニーリング」とは，重合体をそのピーク融点より低い温度に加熱することを意味する
　　イ　上記アでの摘記，特に特許請求の範囲の記載及び明細書の【０１００】，【０１８３】などを総合すると，引用文献１には次のとおりの発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認めることができる。
　「耐酸化性の架橋した高結晶性の超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＷＰＥ）と酸化防止剤とのブレンドを製造する方法であって，
　超高分子量ポリエチレンを酸化防止剤とブレンドし，
　前記ブレンドを固化させ，
　前記ブレンドをその溶融状態よりも高い温度に加熱したのちに少なくとも１０〜１０００ＭＰａ下で加圧するか，前記ブレンドを少なくとも１０〜１０００ＭＰａ下で加圧したのちに前記加圧されたブレンドを１００℃より高く前記加圧されたブレンドの溶融状態よりも低い温度に加熱し，
　前記圧力および温度に保持し，
　前記加熱されたブレンドを略室温に冷却し，
　前記圧力を略大気圧レベルに解除して高結晶性のブレンドを形成し，
　前記ブレンドをその融点よりも低い温度でイオン化放射線で照射して高結晶性の架橋したブレンドを形成し，
　前記高結晶性の高度に架橋したブレンドをその融点より低い温度で機械的に変形させ，
　前記機械的に変形させた高結晶性の高度に架橋したブレンドをその融点より低い温度でアニーリングして耐酸化性で高結晶性の高度に架橋した超高分子量ポリエチレンと酸化防止剤のブレンドを形成する，ことを含んでなる方法。」
　
　(2)　対比
　　ア　本願補正発明と引用発明を対比する。
　引用発明の「耐酸化性の架橋した高結晶性の超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＷＰＥ）と酸化防止剤とのブレンド」は，本願補正発明の「高度に架橋した，酸化的に安定な高結晶性超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＷＰＥ）」に相当するといえる。
　　イ　したがって，本願補正発明と引用発明との一致点，相違点（相違点１及び２）は，それぞれ次のとおりのものと認めることができる。
　・　一致点
　「高度に架橋した酸化的に安定な高結晶性超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＷＰＥ）の製造方法であって，酸化防止剤とＵＨＭＷＰＥとを混合し，当該混合物を固化させ，当該固化したＵＨＭＷＰＥをその融点より低い温度で照射し，そして，当該照射および固化したＵＨＭＷＰＥを前記ＵＨＭＷＰＥの融点より低い温度でアニールし，それにより高度に架橋した酸化的に安定な高結晶性ＵＨＭＷＰＥを形成することを含んでなる方法。」である点。
　・　相違点１
　照射の温度について，本願補正発明は「室温より高い温度で，かつ前記ＵＨＭＷＰＥの融点より低い温度」と特定するのに対し，引用発明は「融点よりも低い温度」とあるものの「室温より高い温度」との特定がない点。
　・　相違点２
　アニール（アニーリング）について，本願補正発明は「空気中でまたは不活性環境下」で行われる旨特定するのに対し，引用発明はそのような特定を有しない点。
　
　(3)　相違点についての判断
　　ア　相違点１について
　引用発明の照射について，引用文献１には低温照射が例示されている（【００９４】など）。そうすると，引用発明の照射の温度について，引用文献１の上記記載を参考に，その下限を「室温より高い温度」に設定することは，当業者であれば想到容易である。
　　イ　相違点２について
　引用文献１には，引用発明の照射を空気中や不活性雰囲気中で行うことができる旨の記載があり（【０１０７】など），さらに不活性雰囲気はＵＨＭＷＰＥを含んでなる医療用装置を酸化する恐れがあるＯ２を避けるために使用される旨の記載もある（【０２１２】）。
　さすれば，ＵＨＭＷＰＥを含むブレンドの製造方法である引用発明において，その一工程であるアニーリングを不活性雰囲気中（不活性環境下）で行うようにすることは，当業者が容易に想到しうることであるといえる。
　
　(4)　請求人らの主張について
　　ア　請求人らは，本願補正発明は加圧することを必要とせずに高度に架橋した酸化的に安定な高結晶性超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＷＰＥ）を製造することができるのに対し，引用発明は加圧，加熱，加圧・加熱状態の保持及び照射またはアニーリング前の冷却の工程が必要である点で，両発明は異なる旨主張する（上申書２頁）。
　そこで検討するに，なるほど確かに引用発明は，固化の工程と照射の工程との間に，「前記ブレンドをその溶融状態よりも高い温度に加熱したのちに少なくとも１０〜１０００ＭＰａ下で加圧するか，前記ブレンドを少なくとも１０〜１０００ＭＰａ下で加圧したのちに前記加圧されたブレンドを１００℃より高く前記加圧されたブレンドの溶融状態よりも低い温度に加熱」する工程，「前記圧力および温度に保持」する工程，「前記加熱されたブレンドを略室温に冷却」する工程及び「前記圧力を略大気圧レベルに解除して高結晶性のブレンドを形成」する工程を有するものである。
　しかし，本願補正発明は上記工程を含むことを何ら除外していない。しかも，本願の明細書には混合物の結晶化度は高圧結晶化によって高められる旨の記載があるところ（【００４９】，【０１５０】），上記工程は本願の明細書でいう高圧結晶化にほかならない。そうすると，引用発明が上記工程を有する点は，本願補正発明との実質的な相違点とはならない。
　請求人らの上記主張は，採用できない。
　　イ　また請求人らは，引用発明はアニーリングの工程の前に機械的に変形させる工程を含む方法であるのに対し，本願補正発明は機械的に変形させる工程を不可欠なものとして含まない点で，両発明は異なる旨主張する（審判請求書５頁など）。
　しかし，本願補正発明は，上記機械的に変形させる工程を含むことを何ら除外していない。しかも，本願の明細書には，本願補正発明が上記工程を含んでもよい旨の記載もある（例えば【００５５】）。そうすると，引用発明が上記工程を有する点は，本願補正発明との実質的な相違点とはならないといわざるを得ない。
　請求人らの上記主張も，採用の限りでない。
　
　(5)　小括
　よって，本願補正発明は，引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないといえる。
　
　６　まとめ
　以上のとおりであるから，本件補正は，特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項の規定に違反するので，同法１５９条１項において読み替えて準用する同法５３条１項の規定により却下すべきものである。
　よって，結論のとおり決定する。 
　
第３　本願発明について
　１　本願発明
　上記第２のとおり，本件補正は却下されたので，本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，平成２５年２月１８日付けの誤訳訂正書で補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
　「高度に架橋した，酸化的に安定な高結晶性ポリマー材料の製造方法であって，
　ａ）酸化防止剤と，ポリマー材料の樹脂，その粉末，またはそのフレークとを混合し，
　ｂ）当該混合物を固化させ，
　ｃ）当該固化したポリマー材料を，室温より高い温度で，かつ前記ポリマー材料の融点より低い温度で照射し，そして
　ｄ）当該照射および固化したポリマー材料を空気中でまたは不活性環境下で前記ポリマー材料の融点より低い温度でアニールし，それにより高度に架橋した，酸化的に安定な高結晶性ポリマー材料を形成すること
を含んでなる，方法。」
　
　２　原査定の理由
　原査定の理由は，要するに，本願発明は，引用文献１に記載された発明（引用発明）に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない，という理由を含むものである。
　
　３　引用発明
　引用発明は，上記第２＿５(1)イにおいて認定のとおりである。
　
　４　対比・判断
　本願発明は，本願補正発明との比較において，本願補正発明の「超高分子量ポリエチレン（ＵＨＭＷＰＥ）」を，その上位概念である「ポリマー材料」と特定するものである（上記第２＿１参照）。すなわち，本願補正発明は，本願発明の構成を包含するものであるといえる。
　そして，本願発明の特定事項をすべて含む本願補正発明が，上述のとおり，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものである以上，本願発明も，同様の理由により，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものであるといえる。
　
第４　むすび
　以上のとおり，本願発明は，本願の優先日前に頒布された刊行物に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないと判断される。
　原査定の理由は妥当なものである。
　そうすると，本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。