【事件の表示】
　特願２００５−１０５７２１「高密度ナノ構造化相互接続」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年１０月２０日出願公開、特開２００５−２９４８４４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１７年４月１日（パリ条約による優先権主張２００４年４月１日、米国）を出願日とする出願であって、平成２３年１月１４日付けの拒絶理由通知に対して、同年７月１９日に意見書のみが提出され、平成２４年４月６日付けの拒絶理由通知に対して、同年１０月１１日に意見書及び手続補正書が提出され、同年１０月２９日付けで拒絶査定がされ、これに対して、平成２５年３月１日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され、同年６月１７日付けの審尋に対して、同年９月１８日に回答書が提出され、その後、当審における平成２６年１月１７日付けの拒絶理由通知に対して同年５月１９日に意見書及び手続補正書が提出された。
　
第２　本願発明に対する判断
１　本願発明
　本願の請求項１〜９に係る発明は、平成２６年５月１９日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という）により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜９に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、本件補正後の請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　第１の表面（６０１）と第２の表面（６０３）とを相互接続する電気的構成要素を使用する相互接続であって、
　第１の表面と、
　第２の表面と、
　前記第１の表面及び前記第２の表面の少なくとも１つに配置された複数のナノ構造（６０２）とを含み、前記複数のナノ構造（６０２）は、分子間力を使用して、前記ナノ構造が前記第１の表面と前記第２の表面の間に少なくとも第１の伝導性接続を形成するようなやり方で、前記第１の表面と前記第２の表面を接着するように構成される相互接続。」
　
２　引用例１の記載と引用発明
（１）引用例１の記載
　本願の優先権主張日前に日本国内において頒布され、当審における平成２６年１月１７日付けの拒絶理由通知書において引用文献１として引用された刊行物である、特開２００１−１７７０５２号公報（以下「引用例１」という。）には、「原位置微小相互接続回路装置およびその製造方法」（発明の名称）に関して、図１Ａ〜１Ｃ、図４Ａ〜４Ｃ及び図５Ａ〜５Ｂとともに次の記載がある。（ここにおいて、下線は当合議体が付加したものである。以下同様。）
　
　ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】  
少なくとも第１の回路基盤と第２の回路基盤と、それらの間に配置された複数の実質的に平行なナノワイヤとを含む相互接続された回路装置
少なくとも前記第１の回路基盤と第２の回路基盤を間隔を空けた実質的に平行な関係で整列して、それらの間に隙間を画定するステップと、
少なくとも前記第１の回路基盤上に触媒核形成層を堆積するステップと、
少なくとも前記第１の回路基盤上に、前記触媒核形成層から前記複数のナノワイヤを成長形成するステップと、
前記成長形成したナノワイヤを前記第２の回路基盤に接続して、相互接続された回路装置を提供するステップとを含む方法。」
　
　イ　「【０００２】
本発明は微小相互接続回路
に関し、特に、電導性ナノワイヤと相互接続された構造
に関する
【０００３】
【従来の技術】
直径１〜１００ナノメートルで長さ０．１〜１００μｍ程度の、非常に小さい寸法のカーボン・ナノチューブなどのナノ・スケール・ワイヤは、近年大きな注目を集めいている
【０００４】カーボン・ナノチューブは、独特な原子配列、ナノ・スケール構造、ならびに一次元的電気作用、量子コンダクタンスおよびバリスティック輸送特性などの興味深い物理的特性を示す。Frank 等によって報告されたように、
カーボン・ナノチューブにおけるバリスティック輸送は、いくつかの超伝導体の電流密度の大きさに匹敵するかそれよりも大きい電流密度の大きさでの、電気回路における大量の電流通過を可能にする。カーボン・ナノチューブは、概して高いアスペクト比を有する、最小寸法のナノワイヤ材料の１つである。これらは、単壁ナノチューブの場合には〜１ｎｍの、また、多壁ナノチューブの場合には〜５０ｎｍ未満の小径を有する
【０００５】高品質の単壁カーボン・ナノチューブは、通常、レーザーアブレーションまたはアーク法による、任意に配向された、針状または麺状の、絡まったナノチューブとして成長形成される（黒鉛状またはアモルファス相などの非ナノチューブ材料、触媒金属などを除去するために、アーク生成カーボン・ナノチューブには、化学的洗浄工程が通常は必要である）。Ren 等、Fan 等、およびLi 等によって使用されているような、
化学蒸着法（ＣＶＤ）は、基板に対して直立した半整列または整列の平行成長形成を伴うことが多い、基板に取り付けられた多壁ナノチューブを生成する傾向にある
　
　ウ　「【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
電気回路設計、相互接続およびパッケージングにおける現在の趨勢は、より微細なフィーチャの使用に向かっており、近年にはサブミクロンのフィーチャ・サイズに到達した。所望の超高密度電子パッケージングを製作するためには、回路線幅が狭いこと、ならびに垂直統合回路層を備えた三次元多層構成が重要である
電気的な短絡や回路がない信頼できる回路相互接続のためには、均等で特定の所定の長さを有するナノワイヤを作製することが望ましい
回路パッド間またはコンポーネント間の原位置にナノワイヤを成長形成する方法を提供し、それによって均等化およびはんだ付け作業を回避することも有利であろう
　
　エ　「【０００８】
【発明実施の形態】本発明を理解し易くするために、例示的な実施形態を、付属の図面を参照しながら以下で説明する。ここで参照する図面は、本発明の概念を図示することを目的としており、限定するためのものではないことを理解されたい。
図面中で使用する同様の符号は、同様の特徴を意味する
出願人は、回路装置層の間でワイヤを接続する、ナノ・スケールとして有用なカーボン・ナノチューブなどの、導電性のナノワイヤを作製する方法を発見した
ナノワイヤは、たとえば、望ましくない応力によって引き起こされる、短期および長期の信頼性の問題を回避するに当たって、有利な、相互接続媒体の弾性コンプライアンスおよび柔軟性を提供する。相互接続媒体に掛かる応力の共通の発生源は、局所的な温度勾配、装置に用いられている異なった材料間の熱膨張係数の不整合に起因する応力、エレクトロマイグレーションに誘起された応力、および装置組立、取り扱い、試験、または輸送中において発生する機械的応力および熱応力を含む
　
　オ　「【００１１】図面を参照すると、図１Ａ〜１Ｃは、２つの回路基盤の間におけるナノワイヤの原位置成長形成に関する例示的工程を示す略図である。
図１Ａにおいて、電気接触パッド１２ａ、１２ｂ、１２ａ'及び１２ｂ'を有する２つの嵌合回路基盤１０、１０'が、接触パッドが互いに対面するように配置されている
【００１２】ナノワイヤがパッド表面上で選択的に成長形成されるように、触媒核形成層２６は、各接触パッドの表面上に選択的に設けることが好ましい。触媒核形成層は、通常、約１〜５００ｎｍ、更に好適には２〜５０ｎｍの範囲にある厚さを有する、触媒（接触）材料の薄膜を含む。 核形成層は、スパッタリング、蒸着、ＣＶＤ、及び電気化学的堆積などの、当該事業分野において既知の堆積方法によって堆積してもよい。 核形成層を形成する例示的な触媒材料は、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｆｅ、またはこれらの材料の合金を含む。触媒材料は、回路相互接続を有効にするに当たり使用するために導電性を有するべきであり、たとえば、金属、合金、炭化物、窒化物、またはケイ化物を含んでもよい。
【００１３】接触パッド１２ａ、１２ｂ，１２ａ'、１２ｂ'を製造するのに使用する材料は、たとえば、Ａｌ、Ｃｕ、Ｗ、ＴａまたはＣｏＳｉ2などの、半導体回路製造において一般的に使用する材料から選択することができる。（・・・途中省略・・・）
図１Ａにおいては、嵌合回路基盤１０、１０'の間の所望の隙間「ｇ」は、通常は０．０１〜５００ミクロンの範囲にあり、０．１〜１００ミクロンの範囲にあることが好ましく、また、０．２〜１０ミクロンの範囲にあることが更に好ましい。この隙間を維持するためにスペーサ１７を使用することができ、これは基盤１０、１０'の一方または両方に堆積された膜で構成してもよく、あるいは、それらの間に置かれたセラミックまたはポリマーの結合層で構成してもよい
【００１４】図１Ａに示したように、嵌合基盤１０、１０'が一旦適切に整列されると、ナノワイヤを互いの方に向けて 核形成して成長形成することができる。たとえば、図１Ｂは、互いの方に向いて成長形成している２つのナノワイヤ１４、１４を示している。
触媒核形成層を接触パッドのみの上に堆積すると、ナノワイヤは図示したようにパッドの範囲からのみ成長形成し、パッド間の表面１８では成長形成しない
【００１５】ＣＶＤ処理が続くと、上側または下側の嵌号回路基盤から成長形成するナノワイヤが接触する。十分な電界の存在下では、たとえば「基礎成長メカニズム」または「チップ成長メカニズム」（S. Amelinckx等, SCIENCE Vol. 265 (1994), p. 635、ならびに上記で引用したFanおよびLiによる記事を参照）などの、関係する成長メカニズムに応じて、近接した対のナノワイヤが、図１Ｃに示したように、単一のナノワイヤ１４ａ、１４ｂ、１４ｃ．．．１４ｉへと結合されることがある。原位置垂直相互接続は、このようにして実現される。ナノワイヤの全てまたはほぼ全てが結合する必要はなく、垂直相互接続を有効にするために、十分な数のナノワイヤが結合することが必要なだけである。」
　
　カ　「【００１８】図４Ａ〜４Ｃは、対向する方向から互いに成長形成し接近するナノチューブが互いに近接する前に、印加された電界を除去することにより行われる、原位置成長形成および垂直相互接続に関する代替的な例示的工程を示している。電界がない場合には、対向する回路基盤１０、１０'から接近するナノワイヤが結合する可能性ははるかに低く、このため、図４Ａの構造は、たとえば、互いにすれ違うナノワイヤで達成される。図４Ｂに示したように、ファンデルワールス引力結合１５が発生しうるので、特に単壁のナノワイヤまたは薄い他壁のナノワイヤでは、自然にあるいは隣接するナノワイヤ間の物理的接触を刺激することにより、ナノワイヤは互いに接触する。物理的接触は、空気流を当てることまたはナノワイヤを機械的に振動させる他の技術を介して刺激してもよい。
ファンデルワールス引力結合によるナノワイヤの平行な取り付けは、非類似な回路材料または基盤材料の、大きな熱膨張の不整合によって引き起こされることがあるような、望ましくないほどに大きい応力や引っ張り力が誤って掛かったときの信頼性について特に有利である。かかる状況下では、取り付けられたワイヤは単に互いに対して摺動することができ、電気的接触を維持するが、ナノワイヤを破損することなく大きな引っ張り力を調節する
ファンデルワールス引力結合自体は、所望の垂直相互接続を達成するのに十分であるが、更なる電気的相互接続およびより低い抵抗を望むのであれば、図４Ｂの平行な取り付け構成の応力調節能力を幾分か犠牲にしながらナノワイヤの接着を更に強化してもよい。たとえば、導電性金属１６は、たとえば、ＣＶＤ金属堆積または電気化学的堆積で、図４Ｃに示したように少なくともワイヤの一部上に堆積される
　
　キ　「【００１９】代替的に、
ナノワイヤはまず、２つの嵌号回路基盤１０、１０'上で個別に成長形成してから、回路を整列させ、互いに対面するように配置して、図５Ａに示したように互いに近づけてもよい
各基盤上のナノワイヤの長さは、たとえば図５Ａのように基盤を合わせたときに、ナノワイヤの結合した長さが隙間よりも長くなるように、隙間（ｇ）の半分よりも長いことが好ましい（図５Ｂ）
特に、ナノワイヤの直径が小さい（たとえば、１０ｎｍ未満）ときには、図５Ｂに示したように、ファンデルワールス引力結合１５が隣接するナノワイヤ間で発生し、垂直な電気的相互接続を可能にする
　
　ク　接触パッド１２ａについて
　図１Ａ〜１Ｃ、図４Ａ〜４Ｃ及び図５Ａ〜５Ｂに記載された各実施例において、段落【０００８】に記載されているように、図面中同じ符号で示された部材は、同じ特徴を有しているものである。
　そこで、摘記した上記段落【００１１】の記載「図１Ａにおいて、電気接触パッド１２ａ、１２ｂ、１２ａ'及び１２ｂ'を有する２つの嵌合回路基盤１０、１０'が、接触パッドが互いに対面するように配置されている。」を参照すると、図５Ａにおいても、回路基盤１０の表面に配置された１２ａで示された部材は、接触パッド１２ａであるものと認められる。
　また、摘記した上記段落【００１４】の記載「触媒核形成層を接触パッドのみの上に堆積すると、ナノワイヤは図示したようにパッドの範囲からのみ成長形成し、パッド間の表面１８では成長形成しない。」を参照すると、図５Ａにおいても、ナノワイヤは、回路基盤１０の表面に配置された接触パッド１２ａから成長形成されているものと認められる。また、回路基盤１０'においても、同様に、その表面に配置された接触パッドからナノワイヤが成長形成されているものと認められる。
　
　ケ　スペーサ１７について
　摘記した上記段落【００１３】の記載「図１Ａにおいては、嵌合回路基盤１０、１０'の間の所望の隙間「ｇ」は、通常は０．０１〜５００ミクロンの範囲にあり、０．１〜１００ミクロンの範囲にあることが好ましく、また、０．２〜１０ミクロンの範囲にあることが更に好ましい。この隙間を維持するためにスペーサ１７を使用することができ、これは基盤１０、１０'の一方または両方に堆積された膜で構成してもよく、あるいは、それらの間に置かれたセラミックまたはポリマーの結合層で構成してもよい。」を参照すると、図５Ａの実施例においても、スペーサ１７は、基盤１０、１０'の一方または両方に膜を堆積することによって形成することができ、そのような膜からなるスペーサ１７は、回路基盤１０，１０'の間の隙間ｇを一定の距離に維持するためのものであると認められるが、回路基盤１０または１０'と接着する機能を有するものであるとは記載されておらず、回路基盤１０または１０'と接着する必要があるとも記載されていない。
　
　コ　ファンデルワールス引力結合１５について
　「ファンデルワールス引力結合」の結合強度については、摘記した上記段落【００１８】に、図４Ａ〜４Ｃに記載された別の実施例について、「ファンデルワールス引力結合によるナノワイヤの平行な取り付けは、非類似な回路材料または基盤材料の、大きな熱膨張の不整合によって引き起こされることがあるような、望ましくないほどに大きい応力や引っ張り力が誤って掛かったときの信頼性について特に有利である。かかる状況下では、取り付けられたワイヤは単に互いに対して摺動することができ、電気的接触を維持するが、ナノワイヤを破損することなく大きな引っ張り力を調節する。」と記載されていることから、ファンデルワールス引力結合によって結合されたナノワイヤは、「大きな引っ張り力」に対して破損することなく結合を維持できるものであり、具体的には、「望ましくないほどに大きい応力や引っ張り力」が掛かったときに、ナノワイヤが互いに摺動することによって、当該ナノワイヤの破損を防ぐものである。
　また、摘記した上記段落【００１８】には、「ファンデルワールス引力結合自体は、所望の垂直相互接続を達成するのに十分であるが、更なる電気的相互接続およびより低い抵抗を望むのであれば、図４Ｂの平行な取り付け構成の応力調節能力を幾分か犠牲にしながらナノワイヤの接着を更に強化してもよい。たとえば、導電性金属１６は、たとえば、ＣＶＤ金属堆積または電気化学的堆積で、図４Ｃに示したように少なくともワイヤの一部上に堆積される。」とも記載されており、「ファンデルワールス引力結合」はＣＶＤ金属堆積等によって接着を更に強化することもできるが、そのような接着の強化をしなくても、所望の垂直相互接続を達成するために十分であると記載されている。
　したがって、段落【００１８】の上記記載を参照すれば、図５Ａ，５Ｂに記載された実施例においても、「ファンデルワールス引力結合」によって結合された「ナノワイヤ」は、「大きな引っ張り力」に対して破損することなく接合を維持できるものであり、所望の垂直相互接続を達成するために十分なものと認められる。
　そして、摘記した上記段落【００１９】には、図５Ａ，５Ｂに記載された実施例において、隣接するナノワイヤ間に発生するファンデルワールス引力結合１５は、「電気的相互接続を可能にする」ものであることが記載されている。
　
（２）引用発明
　上記（１）のア〜コを図５Ｂの実施例に注目して総合すると、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
【引用発明】
「　第１の回路基盤１０と第２の回路基盤１０'の間に配置された複数の実質的に平行なナノワイヤを含む、前記第１の回路基盤１０と前記第２の回路基盤１０'を電気的に接続する相互接続であって、
　前記ナノワイヤは、前記第１の回路基盤１０表面の接触パッドに成長形成された第１のナノワイヤと、前記第２の回路基盤１０'表面の接触パッドに成長形成された第２のナノワイヤが、ファンデルワールス引力結合１５によって結合されたものであり、
　前記第１の回路基盤１０と前記第２の回路基盤１０'とは、スペーサ１７によって、所定の隙間ｇが維持されており、
　前記第１のナノワイヤ及び第２のナノワイヤは、前記隙間ｇの半分よりも長い長さを有しており、
　前記第１の回路基盤１０と前記第２の回路基盤１０'とは、前記ファンデルワールス引力結合１５によって結合された前記第１のナノワイヤ及び第２のナノワイヤを介して接続されている相互接続。」
　
３　本願発明と引用発明との対比
（１）次に、本願発明と引用発明を対比する。
　ア　摘記した引用例１の上記段落【００１９】に「ナノワイヤの直径が小さい（たとえば、１０ｎｍ未満）ときには、図５Ｂに示したように、ファンデルワールス引力結合１５が隣接するナノワイヤ間で発生し、垂直な電気的相互接続を可能にする。」と記載されていることから、引用発明の「ファンデルワールス引力結合１５によって結合」されている「第１のナノワイヤ」及び「第２のナノワイヤ」は、直径が１０ｎｍ未満のワイヤ状の構造物であるものと認められる。また、「前記第１のナノワイヤ及び第２のナノワイヤは、前記隙間の半分よりも長い長さを有して」いるものであり、隙間ｇの大きさについては摘記した引用例１の上記段落【００１３】に「通常は０．０１〜５００ミクロンの範囲にあり、０．１〜１００ミクロンの範囲にあることが好ましく、また、０．２〜１０ミクロンの範囲にあることが更に好ましい。」と記載されていることから、隙間ｇの半分よりも長い長さを有している、第１、第２のナノワイヤの長さは、高々５００μｍの半分を超える程度の長さを有するものである。
　一方、本願明細書の段落【０００８】には「ナノ構造」について「本発明者は、１ミリメートルよりも小さな少なくとも１つの寸法を有するその構造と１マイクロメートルよりも小さな少なくとも１つの寸法を有する構造とを両方とも含むように、ナノ構造を定義する。」と記載されている。
　したがって、引用発明の「第１のナノワイヤ」及び「第２のナノワイヤ」はいずれも、「１ミリメートルよりも小さな少なくとも１つの寸法を有する」構造であるから、本願発明の「ナノ構造」に相当する。
　
　イ　本願明細書の例えば段落【００１１】の記載「図５に示すように、再び例示のマイクロプロセッサである部品５０１の表面に多数のナノポストの領域５０２を配置し、そして、例示としてプリント配線基板の表面である表面５０４のナノポストの対応する領域５０３と接触させて、マイクロプロセッサ５０１が動作するのに必要な電気的接続をつくることができる。」等から、本願発明における「表面」とは、ナノポストが形成される、マイクロプロセッサの表面や、プリント配線基板の表面を表すものと認められる。そして、マイクロプロセッサは、シリコン等の基板（基盤）に多数の回路が形成されたものであることは周知であり、プリント配線基板も回路基板（回路基盤）として周知のものである。一方、引用発明において、第１及び第２のナノワイヤは、それぞれ、第１及び第２の回路基盤それぞれの表面に配置された接触パッドに成長形成されている。
　したがって、引用発明において、「第１のナノワイヤ」及び「第２のナノワイヤ」がそれぞれ成長形成されている「第１の回路基盤表面の接触パッド」及び「第２の回路基盤表面の接触パッド」、もしくは、「接触パッド」が形成されている「第１の回路基盤表面」及び「第２の回路基盤表面」は、本願発明の「第１の表面（６０１）」及び「第２の表面（６０３）」に相当する。
　また、引用発明において、「第１の回路基盤表面の接触パッド」及び「第２の回路基盤表面の接触パッド」のいずれにもナノワイヤが「成長形成されている」ことは、本願発明において「複数のナノ構造（６０２）」が「前記第１の表面及び前記第２の表面の少なくとも１つに配置され」ていることに相当する。
　
　ウ　引用発明の「第１の回路基盤１０と第２の回路基盤１０'の間に配置された複数の実質的に平行なナノワイヤ」は、「前記第１の回路基盤１０表面の接触パッドに成長形成された第１のナノワイヤと、前記第２の回路基盤１０'表面の接触パッドに成長形成された第２のナノワイヤが、ファンデルワールス引力結合１５によって結合されたもの」であるから、「第１の回路基盤１０と第２の回路基盤１０'の間に配置」された「複数の実質的に平行なナノワイヤ」は、「第１の回路基盤表面」と「第２の回路基盤表面」を相互接続しているものであるということができる。また、「複数の実質的に平行なナノワイヤ」は「前記第１の回路基盤１０と前記第２の回路基盤１０'を電気的に接続する相互接続」でもある。
　したがって、引用発明の「電気的に接続する相互接続」である「ナノワイヤ」は、本願発明の「電気的構成要素」に相当しており、そのため、引用発明の「第１の回路基盤１０と第２の回路基盤１０'の間に配置された複数の実質的に平行なナノワイヤを含む、前記第１の回路基盤１０と前記第２の回路基盤１０'を電気的に接続する相互接続」は、本願発明の「第１の表面（６０１）と第２の表面（６０３）とを相互接続する電気的構成要素を使用する相互接続」に相当する。
　
　エ　一般的な技術用語として「分子間力」とは、「化学辞典」の下記「分子間力」についての記載を参照すれば、分子間に作用する力のことであり、遠距離においても有効な引力として働く「ファンデルワールス力」を含むものである。
　そして、引用発明の「ファンデルワールス引力結合」は、「ファンデルワールス引力」による「結合」を意味することは明らかであるから、当該「ファンデルワールス引力」は「分子間力」に相当する。
　一方、本願明細書の段落【００１０】の「各表面のナノポストの分子間のよく知られているファン・デル・ワールスの力のような分子間力」との記載によれば、本願発明の「分子間力」は、特定の力に限定されるものではなく、一般的な「ファン・デル・ワールスの力」を含むものと解される。
　したがって、引用発明の「ファンデルワールス引力」は本願発明の「分子間力」に相当する。
　
・「化学辞典」（１９９３年１０月３０日普及版第９刷発行、森北出版株式会社）には、「分子間力」の項目に次の記載がある。
　
　「分子間に作用する力で、大別して次の二つの種類がある。その第一は、かなりの近距離においてのみ有効で、距離が遠くなるにつれて急激に減少する斥力である。（・・途中省略・・）第二の種類の力は比較的遠距離においても有効な引力であり、ファンデルワールス力、電荷移動力がこれである。このうちファンデルワールス力はさらに、有極性分子間に働く配向力と誘起力、有極性無極性を問わずすべての分子間に働く分散力に分けられる。また電荷移動力は電子供与体Ｄと電子受容体Ａとの間に働く引力で、非結合構造Ｄ・・・Ａと電荷移動構造Ｄ＋−Ａ−との間の共鳴による安定化に相当する。上に述べたように、分子間力は遠距離でもかなり有効な引力とかなりの近距離でしか働かない交換斥力からなっているので、そのポテンシャルエネルギーは引力と斥力の二つの項からなる形で表される（以下省略）」
　
　オ　引用発明においては、「第１の回路基盤１０」と「第２の回路基盤１０'」、もしくは、「第１の回路基盤１０表面」と「第２の回路基盤１０'表面」とは、「ファンデルワールス引力結合１５によって結合」された「第１のナノワイヤ」及び「第２のナノワイヤ」、すなわち「ナノワイヤ」を介して「接続」されている。
　一方、本願発明においては、「第１の表面」と「第２の表面」は、「前記複数のナノ構造（６０２）は、分子間力を使用して、前記ナノ構造が前記第１の表面と前記第２の表面の間に少なくとも第１の伝導性接続を形成するようなやり方」で「接着」されている。
　そして、上記ア、イ、エで検討したように、引用発明の「第１のナノワイヤ」及び「第２のナノワイヤ」が、本願発明の「ナノ構造」に相当し、引用発明の「第１の回路基盤表面」及び「第２の回路基盤表面」が、本願発明の「第１の表面」及び「第２の表面」に相当し、引用発明の「ファンデルワールス引力結合」の「ファンデルワールス引力」が本願発明の「分子間力」に相当するものであり、また、上記ウで検討したように、引用発明の「ナノワイヤ」は「電気的に接続する相互接続」であることを考慮すれば、引用発明において、「第１のナノワイヤ」及び「第２のナノワイヤ」が「ファンデルワールス引力結合１５によって結合」することによって「第１の回路基盤１０と第２の回路基盤１０'の間」に「ナノワイヤ」を形成していることは、本願発明において、「前記複数のナノ構造（６０２）は、分子間力を使用して、前記ナノ構造が前記第１の表面と前記第２の表面の間に少なくとも第１の伝導性接続を形成する」ことに相当する。
　
（２）以上を総合すると、本願発明と引用発明の一致点と相違点は、次のとおりとなる。
　
《一致点》
「第１の表面（６０１）と第２の表面（６０３）とを相互接続する電気的構成要素を使用する相互接続であって、
　第１の表面と、
　第２の表面と、
　前記第１の表面及び前記第２の表面の少なくとも１つに配置された複数のナノ構造（６０２）とを含み、前記複数のナノ構造（６０２）は、分子間力を使用して、前記ナノ構造が前記第１の表面と前記第２の表面の間に少なくとも第１の伝導性接続を形成している相互接続。」
　
《相違点１》
　本願発明は、「前記複数のナノ構造（６０２）は、分子間力を使用して、前記ナノ構造が前記第１の表面と前記第２の表面の間に少なくとも第１の伝導性接続を形成する」ようなやり方によって、「前記第１の表面と前記第２の表面」を「接着」しているのに対して、引用発明は、同様のやり方によって、「前記第１の回路基盤１０と前記第２の回路基盤１０'」を「接続」している点。
　
４　相違点１についての判断
（１）相違点１について
　ア　本願発明における「接着」とは「複数のナノ構造」が「分子間力を使用」することによって「少なくとも第１の伝導性接続を形成するようなやり方」で「前記第１の表面と前記第２の表面」を「接着」することである。
　ここで「接着」とは、広辞苑第５版によれば、「くっつくこと。また、くっつけること」という意味であり、「分子間力」とは、上記３（１）エで検討したように、「ファン・デル・ワールスの力」を含むものである。
　したがって、本願発明における「接着」とは、「複数のナノ構造」が、「ファン・デル・ワールスの力」を含む「分子間力を使用」することによって、「少なくとも第１の伝導性接続を形成するようなやり方」で、「前記第１の表面と前記第２の表面」を「接着」すなわち「くっつける」ことを意味するものにすぎない。
　
　イ　そして、本願の請求項１においては、「複数のナノ構造（６０２）」の具体的な構成、すなわち、ナノ構造の形状や、本願の請求項２に記載されているような「複数のナノ構造の直径、ピッチ、密度、又はこれらの任意の組合せ」について何ら限定されていないため、本願発明の「接着」が、例えば、本願の図４Ａ，４Ｂに記載されている実施例のように、「分子間力」に加えて、「分子間力」以外の力である「ナノポスト間に生じる摩擦力」をも発生させることによって得られる「大きな付着力」を伴うものに限定されるものでもない。
　
　ウ　引用発明において、「第１の回路基盤１０」と「第２の回路基盤１０'」は複数の「ナノワイヤ」を介して「接続」されており、上記「ナノワイヤ」は「ファンデルワールス引力結合１５」によって「第１のナノワイヤ」及び「第２のナノワイヤ」を結合することによって形成されたものである。
　そして、引用発明における、このような「ナノワイヤ」による「接続」は、上記２（１）コの検討によれば、「大きな引っ張り力」に対しては、摺動することにより、破損することなく結合を維持できるものである。また、上記「大きな引っ張り力」よりも小さな力に対しては、ナノワイヤが摺動することがないのは明らかであるから、少なくとも、摺動を起こさない程度の力に対して、「第１の回路基盤１０」と「第２の回路基盤１０'」は「くっついている」ものといえる。
　
　エ　したがって、引用発明の「接続」も、本願発明の「接着」も、ファン・デル・ワールスの力を含む「分子間力」によって形成される、「ナノワイヤ」もしくは「第１の伝導性接続」によって、「第１の回路基盤１０」の表面と「第２の回路基盤１０'」の表面、もしくは、「前記第１の表面と前記第２の表面」を「くっつける」という同様の技術的意味を有しているものであるから、引用発明の「接続」と本願発明の「接着」は、特に相違するものではないといえる。
　
　オ　以上から、引用発明の「接続」と本願発明の「接着」が、実質的に相違するものであるということはできない。
　したがって、相違点１は、本願発明と引用発明の実質的な相違点ではない。
　
（２）判断についてのまとめ
　上記（１）で検討したとおり、相違点１は、本願発明と引用発明の実質的な相違点ではなく、本願発明と引用発明との間に相違点は存在しない。
　
第３　結言
　以上のとおり、本願発明と引用発明との間に相違点は存在せず、本願発明は、引用例１に記載された発明であると認められるので、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。