【事件の表示】
　平成６年特許願第１２８７９１号「プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法」拒絶査定に対する審判事件［平成７年１２月２２日出願公開、特開平７−３３５６２６］について、
　次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】手続の経緯
　本願は、平成６年６月１０日の出願であって、平成１３年１０月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月２９日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日から３０日以内の平成１３年１２月１７日にその明細書について手続補正がなされたものである。
　　
【２】補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１３年１２月１７日付けの手続補正を却下する。
［理由］
［１］補正後の発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「プラズマ発生装置及び真空処理室を備えたプラズマ処理装置によるプラズマ処理方法において、
　前記プラズマ発生装置によりフッ素原子を含む処理ガスをプラズマ化するステップと、
　前記真空処理室内で、該処理ガスのプラズマを用いて試料を処理するステップと、
　前記所定の処理条件に達する毎に、前記プラズマ発生装置により、リフォーミングガスをプラズマ化するステップと、
　該リフォーミングガスのプラズマを用いて、前記プラズマ処理装置内の前記処理ガスに接してフッ化された壁面を薄く除去して該壁面を初期状態に回復させるステップとからなる、
　ことを特徴とするプラズマ処理方法。」(以下、「本件発明」という)と補正された。
　上記補正は、補正前の請求項１に記載した「処理ガス」について「フッ素原子を含む処理ガス」と限定し、同じく「処理ガスに接した部分の壁面」について「処理ガスに接してフッ化された壁面」と限定するものであって、特許法第１７条の２第３項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか(特許法第１７条の２第４項において準用する同法第１２６条第３項の規定に適合するか)について以下に検討する。
　　
［２］先の出願について
　本願の出願の日前の他の特許出願であって、当該本願の出願後に出願公開された、特願平５−２７１８５０号(特開平７−１３０７０６号公報)の願書に最初に添付した明細書又は図面(以下、「先願明細書等」という)には次のことが示されている。
　　
［３］先願明細書等の記載事項およびその開示内容
［３-1］先願明細書等の記載事項
　明細書段落【0002】に、
(先a)「半導体デバイスの微細加工技術としては、マイクロ波プラズマエッチング、反応性イオンエッチング等が知られている。前記反応性イオンエッチングにおいては、平行平板電極を使用した方法、ＥＣＲ（サイクロトロン共鳴）を使用した方法等がある」と記載され、
　明細書段落【0004】に、
(先b)「被処理体１５のエッチングを行う場合、上部電極１１の複数の透孔１４から反応処理室１９の内部に反応ガスを導入するとともに、排気パイプ２０からこれを排気し、反応処理室１０内の圧力を制御する。これとともに、高周波電源１７より下部電極１２に高周波電力を供給し、上部電極１１および下部電極１２の相互間にプラズマを生成することにより、被処理体１５の被エッチング膜がエッチングされる。このとき、プラズマにさらされている反応処理室１０の内壁２１のアルミニウムやアルマイト等も同時にエッチングされる」と記載され、
　明細書段落【0005】に、
(先c)「・・・このときに発生するＡｌＦ３なる反応生成物は非常に蒸気圧が低いため排気されにくく、反応処理室１０の内壁に堆積２１する現象が発生する。これら反応生成物は処理毎に経時的に厚くなり、パーティクルの発生源となる」と記載され、
　明細書段落【0006】，【0007】に、
(先d)「上記反応生成物を除去するためには、反応処理室１０を大気開放し、物理的に拭き取る方法がとられている。しかし、反応生成物の膜質は非常に強固であるため、完全に除去することが困難なものであった。
　この発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、反応処理室を真空状態に保持したまま、反応処理室の内壁に堆積した反応生成物を除去することができ、反応生成物に起因した発塵を防止する」と記載され、
　明細書段落【0009】に、
(先e)「この発明は、アルミニウムを母材とした反応処理室内に塩素系または臭素系のガスを導入するとともにこのガスをプラズマ化し、被処理体を処理する際に発生した発塵源となる低蒸気圧の反応生成物を高蒸気圧の物質に置換して排気させている。このため、反応処理室を大気開放することなく、反応処理室の内壁に堆積した反応生成物を除去することができ、反応生成物に起因した発塵を防止できる」と記載され、
　明細書段落【0010】，【0011】に、
(先f)「・・・ＣＨＦ３、ＣＦ４、Ｃ２ Ｆ６等のフッ素系ガス単体、もしくはその他添加ガスとの混合ガスでプラズマエッチング処理が行われる。これら反応ガスは導入パイプ１３により反応処理室１０内に導入される。この導入されたガスは高周波電力によってプラズマ化され、このプラズマによってシリコンウェハ上の絶縁膜がエッチングされる。このとき、反応処理室１０の内壁２１のアルミニウムもしくはアルマイトも被処理体１５とともにエッチングされ、同図に２２で示すＡｌＦ３等の低蒸気圧の反応生成物が生成される。この反応生成物は反応処理室１０の内壁に堆積される。経時的に堆積したこれらの膜は膜自身のストレス、もしくはプラズマにさらされることにより、反応処理室１０の内壁２１から剥がれ落ち、パーティクルの原因となる。
　この実施例では、反応生成物が反応処理室１０の内壁から剥がれ落ちる前に、反応処理室１０に対して本来のプラズマ処理とは異なるクリーニングのためのプラズマ処理（以下、クリーニング処理と称す）を行う。このクリーニング処理の間隔は、例えば本来のプラズマ処理１０時間に対して２時間の頻度で行われる・・・」と記載され、
　明細書段落【0012】に、
(先g)「・・・本来のプラズマ処理において反応処理室１０の内壁に堆積したＡｌＦ３からなる反応生成物はＣｌ２ガスによるプラズマ処理によりＡｌＣｌ３なる物質に変化する。このＡｌＣｌ３は周知のように高蒸気圧のガスであり、気化、排気され易い物質である。したがって、排気パイプ２０から容易に排気することができる」と記載され、
　明細書段落【0018】に、
(先h)「この発明によれば、反応処理室を真空状態に保持したまま、反応処理室の内壁に堆積した反応生成物を除去することができ、反応生成物に起因した発塵を防止することが可能・・・」と記載されている。
　　
［３-2］先願明細書等の開示内容その１
　前記(先a)〜(先h)の記載事項から、先願明細書等には、
「プラズマ発生装置及び反応処理室を備えたプラズマエッチング装置によるプラズマエッチング方法において、
　前記プラズマ発生装置によりフッ素系の反応ガスをプラズマ化するステップと、
　前記反応処理室内で、該反応ガスのプラズマを用いて被処理体を処理するステップと、
　前記所定の処理条件に達する毎に(例えば１０時間毎に１回)、前記プラズマ発生装置により、Ｃｌ２ガスをプラズマ化するステップと、
　該Ｃｌ２ガスのプラズマを用いて、前記プラズマエッチング装置内の、前記反応ガスに接することによって反応生成したフッ化物(ＡｌＦ３)が堆積した内壁を、薄く除去して該内壁を初期状態に回復させるステップとからなる、
　ことを特徴とするプラズマエッチング方法」の発明(以下、「先願発明１」という)が開示されている。
　　
［４］対比および判断
［４-1］本件発明と先願発明１との対比
　本件発明と先願発明１とを対比すると、
　先願発明１の「反応処理室」，「プラズマエッチング装置」，「プラズマエッチング方法」，「フッ素系の反応ガス」，「被処理体」，「内壁」は、
　本件発明の「真空処理室」，「プラズマ処理装置」，「プラズマ処理方法」，「フッ素原子を含む処理ガス」，「試料」，「壁面」にそれぞれ相当し、これらは使用された用語の差異でしかない。
　したがって、両者は「プラズマ発生装置及び真空処理室を備えたプラズマ処理装置によるプラズマ処理方法において、
　前記プラズマ発生装置によりフッ素原子を含む処理ガスをプラズマ化するステップと、
　前記真空処理室内で、該処理ガスのプラズマを用いて試料を処理するステップと、
　前記所定の処理条件に達する毎に、前記プラズマ発生装置により、所定のガスをプラズマ化するステップと、
　該所定のガスのプラズマを用いて、前記プラズマ処理装置内の前記処理ガスに接した壁面を薄く除去して該壁面を初期状態に回復させるステップとからなる、
　ことを特徴とするプラズマ処理方法」である点で一致する。
　一方、本件発明において、「所定のガス」を「リフォーミングガス」と称しそれに基づいて、「リフォーミングガスのプラズマを用いて、前記プラズマ処理装置内の前記処理ガスに接してフッ化された壁面を薄く除去」するとしているのに対して、
　先願発明１では、これに対応する部分について「Ｃｌ２ガスのプラズマを用いて、前記プラズマエッチング装置内の、前記反応ガスに接することによって反応生成したフッ化物(ＡｌＦ３)が堆積した内壁を、薄く除去」するとしていることで、両者は形式上一応相違する。
　　
［４-2］前記相違の検討および判断
　本件明細書において、「リフォーミングガス」としては「Ｃｌ２ガス」が使用され、このＣｌ２ガスのプラズマによる壁面のエッチングをリフォーミング処理と称している。また、前記リフォーミング処理により、フッ素原子を含む処理ガスに接してフッ化されたアルミニウムの壁面を薄く除去している。
　一方、先願明細書等においては、上記(先f)〜(先h)に摘記したごとく、「所定のガス」として「Ｃｌ２ガス」が使用され、このＣｌ２ガスによる内壁のプラズマ処理をクリーニング処理と称している。また、前記クリーニング処理により、フッ素系反応ガスに接してアルミニウムの内壁に生成されたＡｌＦ３の低蒸気圧反応生成物の膜を、(薄く)除去している。そして、さらに具体的には、ＡｌＦ３からなる反応生成物はパーティクルや塵の原因となる固体物質であり、これをＣｌ２ガスによるクリーニング処理により高蒸気圧のガスであるＡｌＣｌ３なる物質に変化させて反応処理室から排気している。
　このように、本件発明と先願発明１とを、その実体的内容から比較検討すると、両者間には技術的な実質的相違がないことがわかる。
　したがって、本件発明は先願発明１と実質的に同一である。
［５］まとめ
　以上のとおりであるから、本件発明は、先願明細書等に記載された発明と同一であり、特許法第２９条の２の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項で準用する同法第１２６条第３項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　　
【３】この出願の発明
　平成１３年１２月１７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜９に係る発明は、平成１３年９月１１日付けの手続補正書により補正された明細書の、特許請求の範囲の請求項１〜９に記載されたとおりのものである。
　そして、その請求項１に係る発明(以下、「本願発明」という)は、
「プラズマ発生装置及び真空処理室を備えたプラズマ処理装置によるプラズマ処理方法において、
　前記プラズマ発生装置により処理ガスをプラズマ化するステップと、
　前記真空処理室内で、該処理ガスのプラズマを用いて試料を処理するステップと、
　前記所定の処理条件に達する毎に、前記プラズマ発生装置により、リフォーミングガスをプラズマ化するステップと、
　該リフォーミングガスのプラズマを用いて、前記プラズマ処理装置内の前記処理ガスに接した部分の壁面を薄く除去して該壁面を初期状態に回復させるステップとからなる、
　ことを特徴とするプラズマ処理方法。」である。
　　
【４】原査定の概要
　一方、原審における拒絶の理由の概要は、
「本願発明は、本願の出願の日前の他の特許出願であって、当該本願の出願後に出願公開された、特願平５−２７１８５０号(特開平７−１３０７０６号公報)の先願明細書等に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。」というものである。
　　
【５】当審の判断
　先願明細書等の記載事項は、上記【２】段落の［３-1］に摘記したとおりである。
【５-1】先願明細書等の開示内容その２
　上記(先a)〜(先h)の記載事項から、先願明細書等には、
「プラズマ発生装置及び反応処理室を備えたプラズマエッチング装置によるプラズマエッチング方法において、
　前記プラズマ発生装置により反応ガスをプラズマ化するステップと、
　前記反応処理室内で、該反応ガスのプラズマを用いて被処理体を処理するステップと、
　前記所定の処理条件に達する毎に(例えば１０時間毎に１回)、前記プラズマ発生装置により、Ｃｌ２ガスをプラズマ化するステップと、
　該Ｃｌ２ガスのプラズマを用いて、前記プラズマエッチング装置内の前記反応ガスに接した部分の内壁を薄く除去して該内壁を初期状態に回復させるステップとからなる、
　ことを特徴とするプラズマエッチング方法」の発明(以下、「先願発明２」という)が開示されている。
　　
【５-2】対比
　上記【３】段落で認定した本願発明と先願発明２とを対比すると、
　先願発明２の「反応処理室」，「プラズマエッチング装置」，「プラズマエッチング方法」，「反応ガス」，「被処理体」，「内壁」は、
　本願発明の「真空処理室」，「プラズマ処理装置」，「プラズマ処理方法」，「処理ガス」，「試料」，「壁面」にそれぞれ相当し、これらは使用された用語の差異でしかない。
　したがって、両者は「プラズマ発生装置及び真空処理室を備えたプラズマ処理装置によるプラズマ処理方法において、
　前記プラズマ発生装置により処理ガスをプラズマ化するステップと、
　前記真空処理室内で、該処理ガスのプラズマを用いて試料を処理するステップと、
　前記所定の処理条件に達する毎に、前記プラズマ発生装置により、所定のガスをプラズマ化するステップと、
　該所定のガスのプラズマを用いて、前記プラズマ処理装置内の前記処理ガスに接した部分の壁面を薄く除去して該壁面を初期状態に回復させるステップとからなる、
　ことを特徴とするプラズマ処理方法」である点で一致する。
　一方、本願発明において、「所定のガス」を「リフォーミングガス」と称しそれに基づいて、「リフォーミングガスのプラズマを用いて、前記プラズマ処理装置内の前記処理ガスに接した部分の壁面を薄く除去」するとしているのに対して、
　先願発明２では、これに対応する箇所について「Ｃｌ２ガスのプラズマを用いて、前記プラズマエッチング装置内の前記反応ガスに接した部分の内壁を薄く除去」するとしていることで、両者は形式上一応相違する。
　　
【５-3】前記相違の検討および判断
　本願明細書において、「リフォーミングガス」としては「Ｃｌ２ガス」が使用され、このＣｌ２ガスのプラズマによる壁面のエッチングをリフォーミング処理と称している。また、前記リフォーミング処理により、処理ガスに接したアルミニウムの壁面を薄く除去している。
　一方、先願明細書等においては、上記(先f)〜(先h)に摘記したごとく、「所定のガス」として「Ｃｌ２ガス」が使用され、このＣｌ２ガスによる内壁のプラズマ処理をクリーニング処理と称している。また、前記クリーニング処理により、反応ガスに接したアルミニウムの内壁に生成されたＡｌＦ３の低蒸気圧反応生成物の膜を、(薄く)除去している。そして、さらに具体的には、ＡｌＦ３からなる反応生成物はパーティクルや塵の原因となる固体物質であり、これをＣｌ２ガスによるクリーニング処理により高蒸気圧のガスであるＡｌＣｌ３なる物質に変化させて反応処理室から排気している。
　このように、本願発明と先願発明２とを、その実体的内容から比較検討すると、両者間には技術的な実質的相違がないことがわかる。
　したがって、本願発明は先願発明２と実質的に同一である。
　　
【６】むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、上記の先願明細書等に記載された発明であるから、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。