【事件の表示】
　平成　４年特許願第２２２２３３号「薄膜磁気ヘッド及びその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　６年　２月２５日出願公開、特開平　６−　５２５１７］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　経緯
特許出願　　　　　　　　　　　　　平成　４年　７月３０日
拒絶査定　　　　　　　　　　　　　平成１３年　１月１０日
審判請求　　　　　　　　　　　　　平成１３年　２月２２日
手続補正書　　　　　　　　　　　　平成１３年　３月１４日
前置報告　　　　　　　　　　　　　平成１３年　５月１７日
拒絶理由通知　　　　　　　　　　　平成１４年　５月２７日
意見書・手続補正　　　　　　　　　平成１４年　８月　２日
　
２　本願発明
　本件特許出願の請求項１，２に係る発明は、平成１４年８月２日付け手続補正書で補正された特許請求の範囲請求項１，２に記載されたとおりのものであり、そのうち請求項１に記載された発明は次のとおりである。
「下部シールド層上に下部ギャップ絶縁層を介して磁気抵抗膜とリードとを形成し、その上に上部ギャップ絶縁層を介して上部シールド層を形成するシールド型薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、前記下部ギャップ絶縁層及び前記上部ギャップ絶縁層の各々が、ＣＶＤ法又はスパッタ法を少なくとも含み同一材料による層を形成する複数回の真空成膜工程で１５００Å以下の膜厚に形成されることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。（以下、本願発明という。）」
　
３　引用例記載事項
（１）　当審の拒絶理由
　当審の平成１４年５月２７日付け拒絶理由通知に引用された引用例は、引用例１（特開昭６３−１１７３０８号公報）、引用例２（特開昭６０−２５７５８２号公報）であり、いずれも本件出願前日本国内において頒布された刊行物である。
　
（２）　引用例１の記載事項
ａ　第１頁左下欄の特許請求の範囲に、
「１）薄膜として形成された磁気抵抗効果素子上に、該素子に信号磁界を印加する磁気導入層が非磁性絶縁層を介して積層して設けられる磁気抵抗効果型磁気へッドにおいて、前記絶縁層として第１の絶縁層と、該第１の絶縁層に形成されるピンホールを塞ぐための無機材料よりなる第２の絶縁層を積層して設けたことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気へッド。
２）薄膜として形成した磁気抵抗効果素子上に第１の非磁性絶縁層を形成する工程と、該第１の絶縁層上に非磁性無機絶縁材料の溶液を塗布した後にこれを焼成して第２の非磁性絶縁層を形成する工程と、該第２の絶縁膜上に前記磁気抵抗効果素子に信号磁界を印加する磁気導入層を形成する工程を有することを特徴とする磁気抵抗効果型磁気へッドの製造方法。」と記載され、
ｂ　従来例の説明で、第２頁左下欄第５行〜右下欄第１６行に、
「次にこのようなＭＲヘッドの従来の製造方法を説明すると、まずＮｉ−ＺｎまたはＭｎ−Ｚｎフェライトなどから形成した磁性基板６上にＳｉＯ２などから絶縁層７をスパッタにより形成する。
　次に絶縁膜７上にバイアス用電極３としてＡｌ，Ｃｕなどからなる導電膜をスパッタにより形成し、化学エッチングあるいはイオンエッチングにより図示のパターンに加工する。
　続いてバイアス用電極３上にＳｉＯ２などからなる絶縁層８をスパッタにより形成する。
　次に絶縁層８上にＭＲ素子１として一軸磁気異方性を有するＮｉ−ＦｅあるいはＮｉ−Ｃｏ合金などからなる強磁性合金薄膜を真空蒸着により数１００Åの膜厚で形成し、化学エッチングあるいはイオンエッチングにより図示のパターンに加工する。　次は信号電極２，２としてＡｌ，Ｃｕなどからなる薄膜をスパッタにより形成し、ＭＲ素子１の両端部に接する図示のパターンにイオンエッチングで加工する。
　さらにＭＲ素子１上にＳｉＯ２などからなる絶縁層９をスパッタにより形成した後、絶縁層７〜９をイオンエッチングしてフロントギャップ１２部分とバックスルーホール１３を加工、形成する。
　続いてパーマロイやセンダストなどの軟磁性材からなる磁気導入層４，５をスパッタにより形成し、イオンエッチングにより図示のパターン形状に加工する。
　最後に全体の上にＳｉＯ２などからなる絶縁性保護層１０をスパッタなどにより形成してＭＲヘッドが完成する。」と記載され、
ｃ　さらに、第２頁右下欄第１７行〜第３頁左上欄第９行に
「【発明が解決しようとする問題点】
　ところがこのようなＭＲヘッドでは，ＭＲ素子１上に絶縁層９をスパッタで形成する時に絶縁層９に微小なピンホールができる場合がある。
　この場合この上に形成される磁気導入層４，５が上記ピンホールを介してＭＲ素子１と電気的に短絡してしまい、ヘッドが不良品となってしまうという問題があった。
　これに対して絶縁膜９の厚さを例えば１μｍ以上と厚くすればピンホールは解消されるが、そうするとＭＲ素子１と次期導入層４，５との間の磁気抵抗が増大し、ＭＲヘッドの再生効率が低下するという問題があった。」と記載され、
ｄ　第３頁右上欄第１７行〜左下欄第３行に、
「［実施例］
　以下，本発明の実施例の詳細を説明する。
　第１図は本発明の実施例によるヨークタイプのＭＲヘッドの構造を説明する断面図である。同図において従来例の第２図、第３図と同一もしくは相当する部分には同一符号が付してあり、同一部分の説明は省略する。」と記載され、
ｅ　第３頁左下欄第１３行〜右下欄第１２行に、
「次に本実施例ヘッドの製造方法を説明する。
　まず磁性基板６上に絶縁層７，バイアス用電極３，絶縁層８，ＭＲ素子１および信号電極２，２をそれぞれ従来と同様の材料と方法で順次形成する。
　しかる後にＭＲ素子１上に絶縁層９をＳｉＯ２やＳｉＯなどからスパッタや真空蒸着などの方法により１０００〜２０００Åの厚さで形成する。
　次に絶縁層９上に絶縁層１１を形成するために，まず絶縁層９上に非磁性の無機絶縁材料を溶剤に溶かした溶液をスピンコートなどの方法により数１０００Åの厚さで塗布する。この溶液としては例えばシリコン系のもので塗布型ＳｉＯ２などが用いられる。塗布された溶液は絶縁層９上に拡がるとともに絶縁層９にできているピンホールに充填される。
　次に焼成することにより上記溶液の層を硬化させて上記の絶縁層１１が形成される。この場合上記ピンホール中の溶液が硬化してピンホールが確実に塞がれる。」と記載されている。
　
　即ち、引用例１には、
　磁性基板６上にＳｉＯ２をスパッタして絶縁膜７を形成し、導電膜をスパッタしてバイアス用電極３を形成し、続いてバイアス用電極３上にＳｉＯ２をスパッタして絶縁層８を形成し、絶縁膜８上にＭＲ素子１を真空蒸着により形成し、次に信号電極２，２を形成し、さらにＭＲ素子１上に絶縁層９をスパッタにより形成した磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法において、
　ＭＲ素子１上に絶縁層９をスパッタで形成する時に絶縁層９に微小なピンホールができるので、絶縁層９をＳｉＯ２やＳｉＯなどからスパッタや真空蒸着などの方法により１０００〜２０００Åの厚さで形成し、
　次に絶縁層９上に、非磁性の無機絶縁材料を溶剤に溶かした溶液（塗布型ＳｉＯ２）をスピンコートなどの方法により数１０００Åの厚さで塗布し、　次に焼成することにより上記溶液の層を硬化させて上記の絶縁層１１が形成し、上記ピンホール中の溶液が硬化してピンホールが確実に塞がれた磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法
が、記載されている。
（３）　引用例２記載事項
ａ　特許請求の範囲に、
「絶縁基板上に所定パターンに形成された感磁性薄膜と、少なくともこの感磁性薄膜上にスパッタ処理により堆積された厚さ０．１〜０．８μｍのシリコン酸化膜及びこの膜上に堆積された厚さ０．５〜２．５μｍのプラズマ窒化膜を含む多層構造の保護膜を設けたことを特徴とする磁気抵抗装置。」と記載され、
ｂ　第１頁左下欄第１５行〜第１９行に、
「また、スパッタリングによるシリコン酸化膜（スパッタＳｉＯ２膜）で保護膜を形成することができるが、この場合、無欠陥のＳｉＯ２膜を形成することは至難の技である。」と記載されている。
　
（４）　周知例
（周知技術１）
  「下部シールド層上に下部ギャップ絶縁層を介して磁気抵抗膜とリードとを形成し、その上に上部ギャップ絶縁層を介して上部シールド層を形成するシールド型薄膜磁気ヘッドの製造方法」は、特開昭６２−４０６１０号公報、特開昭６４−８２３１２号公報に見られるように周知である。
（周知技術２）
　特開昭６３−２０８５２号公報は、薄膜装置の製造方法に関する発明であり、特に表示装置のＴＦＴにおける「大面積の所に、均一でピンホールのない無機絶縁層を形成することが非常に困難であり、」（第１頁右下欄第１行〜第３行）、これを解決するために、「基板上に順次第１導体層、無機絶縁層及び第２導体層を形成してなる薄膜装置の製造方法において、前記無機絶縁層は複数回の段階に分けて形成し、各段階の間に機械的な表面処理を入れることを特徴とする薄膜装置の製造方法。」（特許請求の範囲）であるとし、「無機絶縁層（３２）としてゲート絶縁膜が形成されている。」（第２頁右上欄第８行、第９行）、「まず第１図（ａ）に示すように基板（３０）上に例えばＣｒからなる第１導電層（３１）を約１５００Åの厚さに形成する。次に、無機絶縁層（３２）を例えばプラズマＣＶＤ法により、複数回例えば２回の段階に分けて形成する。即ち、最初に第１図（ｂ）に示すように、第１導電体層（３１）を覆うように例えばＳｉＯ２からなる第１無機絶縁層（３２１）を約１５００Åの厚さに形成する。次に第１無機絶縁層（３２１）上に機械的な表面処理として、例えばブラシスクラバー或いはジェットスクラバー等により第１無機絶縁層（３２１）についたごみや異常成長部分の取り除きを行う。　続いて、第１図（ｃ）に示すように、第１無機絶縁層（３２１）上に例えばＳｉＯ２からなる第２無機絶縁層（３２２）を約１５００Åの厚さに形成し、更にこうして形成が完了した無機絶縁層（３２）上に順次厚さが約３０００Åの半導体層（３３）、厚さ約５００Åのオーミックコンタクト層（３８）を例えばプラズマＣＶＤ法により形成する。」（第２頁左下欄第１行〜第１８行）と記載されており、ピンホールのない無機絶縁膜を、ＳｉＯ２からなる第１無機絶縁層と第２無機絶縁層をプラズマＣＶＤ法により複数の層として形成する技術は周知である。
　
４　本願発明と引用例との対比
（１）　本願発明と引用例１記載の発明との対比
　引用例１には、上部シールド層は記載されていないが、磁性基板６上に絶縁膜７が設けられているので、磁性基板６はシールド効果を有するものと認められ、引用例１の「磁性基板６」、「絶縁膜７及び絶縁膜８」、「ＭＲ素子１」、「信号電極２，２」が、本願発明の「下部シールド層」、「下部ギャップ絶縁層」、「磁気抵抗膜」、「リード」に夫々相当し、引用例１の「絶縁膜９及び絶縁膜１０」は、磁気抵抗素子とその上部にあるものとを絶縁するという点で、即ち絶縁膜という点で本願発明の「上部ギャップ絶縁層」に相当する。
　従って、本願発明と引用例１記載のものとは、次の点で一致する。
（一致点）
「下部シールド層上に下部ギャップ絶縁層を介して磁気抵抗膜とリードとを形成し、その上に上部絶縁層を形成するシールド型薄膜磁気ヘッドの製造方法であって、
前記下部ギャップ絶縁層及び前記上部絶縁層の各々が、ＣＶＤ法又はスパッタ法を少なくとも含む真空成膜工程で形成されることを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。」
　そして、次の点で両者は相違している。
（相違点１）
　本願発明は、上部ギャップ絶縁層を介して上部シールド層を形成しているが、引用例１には、上部絶縁膜はあるが、ギャップ絶縁膜ではなく、上部シールド層がない点、
（相違点２）
　本願発明は、下部ギャップ絶縁層及び前記上部ギャップ絶縁層の各々が、同一材料による層を形成する複数回の真空成膜工程で１５００Å以下の膜厚に形成されるのに対して、引用例１のものは、上部絶縁膜９をＳｉＯ２やＳｉＯなどからスパッタや真空蒸着などの方法により１０００〜２０００Åの厚さで形成し、次に絶縁層９上に、非磁性の無機絶縁材料を溶剤に溶かした溶液（塗布型ＳｉＯ２）をスピンコートなどの方法により数１０００Åの厚さで塗布し、次に焼成するものである点。
　
（２）　相違点の検討
（相違点１について）
　周知技術１に見られるように、「下部シールド層上に下部ギャップ絶縁層を介して磁気抵抗膜とリードとを形成し、その上に上部ギャップ絶縁層を介して上部シールド層を形成するシールド型薄膜磁気ヘッドの製造方法」の点は、周知である。
　そして、本願発明は、出願当初の明細書において、「【０００６】　しかしながら従来技術によると、これらギャップ絶縁層は絶縁性の関係から最低でも２０００Å程度の膜厚を必要としている。ギャップ絶縁層を１０００Å程度に薄くすると、ＭＲ素子４１やリード４６が下部シールド層４０や上部シールド層４４に短絡したり電流漏れを引き起こしてヘッド特性が大幅に悪化するという問題が生じる。」という問題点に鑑み、膜厚を薄くしても絶縁膜の絶縁性を高めているのであり、引用例１の上部絶縁膜９についても、「この場合この上に形成される磁気導入層４，５が上記ピンホールを介してＭＲ素子１と電気的に短絡してしまい、ヘッドが不良品となってしまうという問題があった。」としており、膜厚を薄くしても絶縁膜の絶縁性を高めている点で軌を一にしている。してみると、上記周知の上部シールド層及び下部シールド層を有する磁気ヘッドを製造する際に、上下のギャップ絶縁層に対して、引用例１の上部絶縁膜の製造方法を用いることに何ら阻害要件がない。
　従って、相違点１は格別のものではない。
（相違点２について）
　引用例２には、感磁性薄膜上にスパッタ処理により堆積された厚さ０．１〜０．８μｍのシリコン酸化膜及びこの膜上に堆積された厚さ０．５〜２．５μｍのプラズマ窒化膜を含む多層構造の保護膜を設けることが示されており、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜の２層により欠陥のない絶縁膜を形成している。
　半導体における絶縁膜の形成方法であるが、周知技術２のように、ピンホールのない無機絶縁膜を、ＳｉＯ２からなる第１無機絶縁層と第２無機絶縁層をプラズマＣＶＤ法により複数の層として形成する技術は周知である。そして、半導体の絶縁膜にしろ、シールド層と磁気抵抗膜との間のギャップ絶縁膜にしろ、絶縁膜の形成方法において、技術的に格別な違いはないので、、引用例２のようにスパッタ法とプラズマによりシリコン酸化膜とシリコン窒化膜を形成する製造方法が示されており、周知技術２のようにＳｉＯ２からなる第１無機絶縁層と第２無機絶縁層をプラズマＣＶＤ法により複数の層として形成する技術が周知技術であるから、下部ギャップ絶縁層及び前記上部ギャップ絶縁層の各々が、同一材料による層を形成する複数回の真空成膜工程で形成することは当業者が容易に想到することができたものであると認められ、その際膜厚を１５００Å以下とすることは、磁気抵抗効果素子の形状に応じて選択できる設計的事項である。
　なお、出願人は、意見書において、「本願発明のこの「複数回の真空成膜工程が同一材料による層を形成するものである」という特別の思想により初めて、成膜後の各膜の膜内部応力が等しくなり界面における解離が生じにくくなり、それ以後の工程において、膜応力の大きい材料を使用することが可能となるので、プロセスマージンが増大する、及び、その後の例えばＡＢＳの研磨工程においてＲＩＥやウェットエッチングによる段差が発生するような不都合が生じないから、ＡＢＳ上に形成される保護膜の段差発生によるカバレッジ悪化を防止することができるという予期し得ない格段の効果が得られるのである。」と主張しているが、上述したように、複数回の真空成膜工程が同一材料による層を形成する技術は周知であると共に、この効果の記載は、出願当初の明細書に記載されておらず、格別な効果として認めることができない。
　従って、本願発明は、その出願前に記載された引用例１，２記載の発明及び周知技術１，２に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
５　まとめ
　本願発明は、その出願前に記載された引用例１，２記載の発明及び周知技術１，２に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないので、請求項２に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶を免れない。
　よって上記結論のとおり審決する。