(57)【要約】【課題】  ナフィオンと同等かそれ以上のプロトン伝導性を有する固体高分子電解質膜を低コストで提供する。【解決手段】  テトラカルボン酸二無水物、イオン伝導性官能基を有するジアミン、及びヘキサフルオロプロパン骨格を有するジアミンを反応させて合成した第１共重合体に、テトラカルボン酸二無水物、及びイオン伝導性官能基を有するジアミンを反応させて合成した第２共重合体を混合させて共重合体を作製し、この共重合体により固体高分子電解質膜を作製する。共重合体の混合は、テトラカルボン酸二無水物及びイオン伝導性官能基を有するジアミンとから成る成分と、テトラカルボン酸二無水物及び前記ヘキサフルオロプロパン骨格を有するジアミンとから成る成分の割合を事前に設定し、第１共重合体に第２共重合体を混合することで、事前に設定した割合とする。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
テトラカルボン酸二無水物及びイオン伝導性官能基を有するジアミンと、ヘキサフルオロプロパン骨格を有するジアミンを反応させて合成した第１共重合体に、
テトラカルボン酸二無水物及びイオン伝導性官能基を有するジアミンを反応させて合成した第２共重合体を混合することを特徴とする共重合体。
【請求項２】
前記共重合体において、テトラカルボン酸二無水物及びイオン伝導性官能基を有するジアミンとから成る成分と、前記テトラカルボン酸二無水物及び前記ヘキサフルオロプロパン骨格を有するジアミンとから成る成分の割合を事前に設定し、前記第１共重合体に第２共重合体を混合することにより、事前に設定した割合とすることを特徴とする請求項１に記載の共重合体。
【請求項３】
前記テトラカルボン酸二無水物及びイオン伝導性官能基を有するジアミンとから成る成分と、前記テトラカルボン酸二無水物及び前記ヘキサフルオロプロパン骨格を有するジアミンとから成る成分との割合を、モル比で７０：３０の割合に設定したことを特徴とする請求項２に記載の共重合体。
【請求項４】
前記テトラカルボン酸二無水物は１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物であり、
前記イオン伝導性官能基を有するジアミンは２，２'−ベンジジンジスルホン酸であり、
前記ヘキサフルオロプロパン骨格を有するジアミンは２，２'−ジアミノジフェニルヘキサフルオロプロパンであり、
前記第１共重合体は
【化６】
2007161981.tif 000013
で表され、
前記第２共重合体は
【化７】
2007161981.tif 000014
で表されることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の共重合体。
【請求項５】
前記第１共重合体のＸの値と前記第２共重合体のｎの値との合計は、５〜９５であることを特徴とする請求項４に記載の共重合体。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか１項に記載の共重合体から成る固体高分子電解質膜。
【請求項７】
テトラカルボン酸二無水物及びイオン伝導性官能基を有するジアミンと、ヘキサフルオロプロパン骨格を有するジアミンとを反応させて合成した第１共重合体に、
テトラカルボン酸二無水物及びイオン伝導性官能基を有するジアミンを反応させて合成した第２共重合体を混合させて合成することを特徴とする共重合体の製造方法。
【請求項８】
前記共重合体において、テトラカルボン酸二無水物及びイオン伝導性官能基を有するジアミンとから成る成分と、前記テトラカルボン酸二無水物及び前記ヘキサフルオロプロパン骨格を有するジアミンとから成る成分の割合を事前に設定し、前記第１共重合体に第２共重合体を混合することにより、事前に設定した割合とすることを特徴とする請求項７に記載の共重合体の製造方法。
【請求項９】
前記テトラカルボン酸二無水物及びイオン伝導性官能基を有するジアミンとから成る成分と、前記テトラカルボン酸二無水物及び前記ヘキサフルオロプロパン骨格を有するジアミンとから成る成分との割合を、モル比で７０：３０の割合に設定したことを特徴とする請求項８に記載の共重合体の製造方法。
【請求項１０】
前記テトラカルボン酸二無水物はナフタレンテトラカルボン酸二無水物であり、
前記イオン伝導性官能基を有するジアミンはベンジジンスルホン酸であり、
前記ヘキサフルオロプロパン骨格を有するジアミンは２，２'−ジアミノジフェニルヘキサフルオロプロパンであり、
前記第１共重合体及び前記共重合体は
【化６】
2007161981.tif 000015
で表され、
前記第２共重合体は
【化７】
2007161981.tif 000016
で表されることを特徴とする請求項７乃至９の何れか１項に記載の共重合体の製造方法。
【請求項１１】
前記第１共重合体のＸの値と前記第２共重合体のｎの値との合計は、５〜９５であることを特徴とする請求項１０に記載の共重合体の製造方法。
【請求項１２】
請求項７乃至１１の何れか１項に記載の共重合体の製造方法によって共重合体を得、当該共重合体から固体高分子電解質膜を作製することを特徴とする固体高分子電解質膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、共重合体、特に固体高分子形燃料電池に用いる固体高分子電解質膜を作製するための共重合体、及び当該共重合体から成る固体高分子電解質膜（スルホン化ポリイミド電解質膜）に関する。
【背景技術】
【０００２】
イオン交換膜を電解質に使用する固体高分子形燃料電池は、固体でセルを構成することが可能であり、電解質の散逸や保持の問題がない、低温での動作が可能である、起動時間が極めて短い、高エネルギー密度化や小型軽量化が可能である等の長所を有している。
【０００３】
そのため、家庭用やビル用の分散型電源、自動車用電源等、種々の用途で使用が期待され、開発が進められている。
【０００４】
この固体高分子形燃料電池の電解質としてはデュポン社のナフィオン (登録商標) １１７（以下「ナフィオン」と省略する）に代表されるスルホン酸基を有するイオン交換膜が用いられている(例えば、非特許文献１参照。)。
【非特許文献１】編者  燃料電池研究会、「燃料電池の本」、初版、日刊工業新聞社、２００１年１１月、ｐ．３０−３３
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、ナフィオンは、製造工程が複雑であるため、コストの低減が困難で、製品が高価であるという問題がある。
【０００６】
このため、製造が容易で、低コスト化が可能なスルホン化炭化水素系高分子膜を電解質に用いることが検討されている。
【０００７】
そこで、ナフィオンと同等かそれ以上のプロトン伝導性を有するスルホン化炭化水素系高分子膜をナフィオンよりも低コストで提供する技術の実現を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
膜中のイオン伝導性経路が連結していると膜のイオン伝導性が向上するので、上記課題の解決につながると考えられる。そこで、膜を親水性領域と疎水性領域に相分離させて、膜中のイオン伝導性官能基であるスルホン酸基が集中する領域を存在させることとした。
【０００９】
このために、テトラカルボン酸二無水物及びイオン伝導性官能基を有するジアミンと、ヘキサフルオロプロパン骨格を有するジアミンを反応させて合成した第１共重合体に、テトラカルボン酸二無水物及びイオン伝導性官能基を有するジアミンを反応させて合成した第２共重合体を混合した共重合体（スルホン化ランダムポリイミド共重合体とスルホン化ホモポリイミド共重合体とを混合させた共重合体）により固体高分子電解質膜を作製することとした。
そして、共重合体を混合するにあたっては、テトラカルボン酸二無水物及びイオン伝導性官能基を有するジアミンとから成る成分と、テトラカルボン酸二無水物及び前記ヘキサフルオロプロパン骨格を有するジアミンとから成る成分の割合を事前に設定し、第１共重合体に第２共重合体を混合することにより、事前に設定した割合となるようにした。
【００１０】
この時、テトラカルボン酸二無水物及びイオン伝導性官能基を有するジアミンとから成る成分と、テトラカルボン酸二無水物及び前記ヘキサフルオロプロパン骨格を有するジアミンとから成る成分との割合は、モル比で７０：３０の割合に設定することが好ましい。
【００１１】
このスルホン化ランダムポリイミド共重合体は、
【００１２】
【化１】
2007161981.tif 000002
【００１３】
により合成することが可能である。
【００１４】
また、スルホン化ホモポリイミド共重合体は、
【００１５】
【化２】
2007161981.tif 000003
【００１６】
により合成することが可能である。
【００１７】
また、第１共重合体のＸの値と第２共重合体のｎの値との合計は、５〜９５の範囲で任意に設定すれば良い。
【００１８】
そして、以上のようにして得た共重合体を用いて、固体高分子電解質膜を得た。
【発明の効果】
【００１９】
請求項１〜６及び請求項８〜１１に記載の発明によれば、ナフィオンよりも優れたプロトン伝導性を有し、且つ耐熱性に優れた共重合体を、ナフィオンよりも低コストで提供することが可能となる。
【００２０】
更に、請求項７及び請求項１２によれば、ナフィオン膜よりも優れたプロトン伝導性を有し、且つ耐熱性に優れた固体高分子電解質膜体を、ナフィオン膜よりも低コストで提供することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
１．本発明に至る経緯の説明
発明者等は、新規なスルホン化ポリイミド膜について研究を進めており、これまでにナフィオンに迫るプロトン伝導性能が得られる共重合体を確認している。以下に、これまでの研究の概要を説明する。なお、以下、これまでの実験により得た共重合体を「スルホン化ランダムポリイミド共重合体」として説明する。
【００２２】
(スルホン化ランダムポリイミド共重合体の合成)
先ず、スルホン化ランダムポリイミド共重合体の合成について説明する。なお、説明は代表例として、上記式化６においてＸ＝３０ｍｏｌ％の場合について示す。
【００２３】
窒素雰囲気下で、溶媒であるｍ−クレゾール４８．０ｍｌに２，２'−ベンジジンジスルホン酸（ＢＤＳＡ）
【００２４】
【化３】
2007161981.tif 000004
【００２５】
を１．７１ｇ(４．９６×１０-3ｍｏｌ)、トリエチルアミン５．５１ｍｌ(３．９６×１０-2ｍｏｌ)を加えてスルホン酸塩を形成させた。
【００２６】
さらに、２，２'−ジアミノジフェニルヘキサフルオロプロパン（６ＦＡＰ）
【００２７】
【化４】
2007161981.tif 000005
【００２８】
を３．８６ｇ(１．１５×１０-2ｍｏｌ)加え、８０℃まで加熱して２，２'−ベンジジンジスルホン酸、及び２，２'−ジアミノジフェニルヘキサフルオロプロパンを溶解させた。
【００２９】
４時間後、２，２'−ベンジジンジスルホン酸、及び２，２'−ジアミノジフェニルヘキサフルオロプロパンが完全に溶解したことを確認し、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物（ＮＴＤＡ）
【００３０】
【化５】
2007161981.tif 000006
【００３１】
４．４３ｇ(１．６５×１０-2ｍｏｌ)を加えて１２０℃になるように加熱した。
【００３２】
この状態で２４時間反応させてポリアミック酸を得た。
【００３３】
ここに、トリエチルアミン５．５１ｍｌ(３．９６×１０-2ｍｏｌ)、安息香酸２．２５ｇ(１．８４×１０-2ｍｏｌ)を加えて、１８０℃になるように加熱し、２４時間化学イミド化反応を行ってスルホン化ランダムポリイミド共重合体（ＮＴＤＡ−ＢＤＳＡ(x)―ｒ―６ＦＡＰ(100-x)）
【００３４】
【化６】
2007161981.tif 000007
【００３５】
を得た。
【００３６】
合成したスルホン化ランダムポリイミド共重合体は、酢酸エチルを用いて再沈殿した後、洗浄して回収した。これを約２４時間自然乾燥させてから、１５０℃で真空乾燥させて溶媒を除去した。
【００３７】
以上のようにして合成したスルホン化ランダムポリイミド共重合体（ＮＴＤＡ−ＢＤＳＡ(x)―ｒ―６ＦＡＰ(100-x)）について1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを測定して構造確認を行った。図１にその結果を示す。
【００３８】
１１．４〜１１．５ｐｐｍの範囲にピークが無いことからポリアミック酸が存在しないことが確認できる。また、ポリイミドはトリエチルアミン塩を形成しており、トリエチルアミン塩のピークが１ｐｐｍ、２．５〜３ｐｐｍに確認され、７〜９ｐｐｍには芳香族プロトンのピークを確認した。
【００３９】
そして、上記合成方法と同様の操作で、Ｘ＝３０ｍｏｌ％の他に、試薬の添加量を変えてＸ＝２０ｍｏｌ％、４０ｍｏｌ％、５０ｍｏｌ％、７０ｍｏｌ％のスルホン化ランダムポリイミド共重合体を各々合成した。（以下、各スルホン化ランダムポリイミド共重合体を、Ｘの少ない順から「ランダム１」、「ランダム２」、「ランダム３」、「ランダム４」、「ランダム５」という。）
(固体高分子電解質膜の作製)
次に、上記のようにして合成した５種類の各スルホン化ランダムポリイミド共重合体（ランダム１乃至５）を用いて、各々固体高分子電解質膜の作製を行った。
【００４０】
スルホン化ランダムポリイミド共重合体をジメチルスルホキシドに加えて、２４時間攪拌して溶解させた。
【００４１】
この溶液をシャーレ上に均一になるように流し込み、これをオーブン中で１１０℃になるように加熱してから０．０１ＭＰａ／１ｈで徐々に減圧させながらジメチルスルホキシドを除去した。
【００４２】
０．１ＭＰａまで減圧した後、温度を１１０℃に保った状態で１２時間ジメチルスルホキシドを除去した。
【００４３】
その後、オーブン内の温度が室温近くまで下がってからシャーレを取り出した。
【００４４】
シャーレ上の膜をエタノールに４時間ほど浸漬して、残存溶媒や不純物を除去した。
【００４５】
その後、エタノールから取り出した膜を４時間ほどイオン交換水に浸漬して、エタノールを除去した。
【００４６】
その後、イオン交換水から取り出した膜を０．１ＮのＨＣｌに４時間ほど浸漬して、膜中のスルホン酸基を−ＳＯ3Ｈとした。
【００４７】
その後、ＨＣｌから取り出した膜をイオン交換水に４時間ほど浸漬して、残存するエタノール等を除去して、これを乾燥させて固体高分子電解質膜を作製した。
【００４８】
この固体高分子電解質膜の膜厚は３０〜１００μｍであった。
【００４９】
(プロトン伝導率の測定)
次に、上記のように５種類の共重合体（ランダム１乃至５）によって作製した５種類の固体高分子電解質膜のプロトン伝導率を各々以下のようにして測定した。
【００５０】
金電極(田中金属製)と１ｃｍ×３ｃｍの固体高分子電解質膜を２つの伝導率測定用テフロンセル(テフロンは登録商標)(２．５ｃｍ×５ｃｍ)で挟み、クランプで固定した。金電極は１ｃｍ間隔で並べた。テフロンセルを小型環境試験器(エスペック社製、ＳＨ−２２１)内に設置し、テフロンコーティングケーブルを用いてインピーダンスアナライザー(日置電機社製  ＬＣＲ‐ハイテスタ３５３２‐５０)と接続した。
【００５１】
小型環境試験器内で相対湿度１００％以下、温度３０℃〜８０℃の条件でインピーダンスアナライザーの周波数を５０Ｈｚ〜５０ｋＨｚと変化させて固体高分子電解質膜のプロトン伝導率を測定した。また、同様の方法、条件によって、ナフィオン膜のプロトン伝導率も測定した。測定した結果を表１に示す。
【００５２】
【表１】
2007161981.tif 000008
【００５３】
表１の結果から明らかなように、Ｘ＝７０ｍｏｌ％とした共重合体ランダム５を用いた膜において、ナフィオン膜を上回るプロトン伝導率を示すことを確認した。
【００５４】
即ち、発明者等は、これらの実験によって、スルホン化ランダムポリイミド共重合体において、特にテトラカルボン酸二無水物及びイオン伝導性官能基を有するジアミンとから成る成分と、前記テトラカルボン酸二無水物及び前記ヘキサフルオロプロパン骨格を有するジアミンとから成る成分との割合を、モル比で７０：３０に設定した場合に、ナフィオンを上回るプロトン伝導性能が得られることを確認した。
【００５５】
２．本発明の説明
上記研究成果を踏まえ、発明者等は更なるプロトン伝導性能の向上を図るべく創意工夫を行った。そして、その結果、共重合体として同じ配合であっても、混合を段階的に行うことで、膜の特性に違いが生じることを確認するに至った。以下、本発明について説明する。
【００５６】
膜中のプロトン伝導性経路が連結していると膜のプロトン伝導性が向上すると考えられる。そこで、膜を親水性領域と疎水性領域に相分離させて、膜中のイオン伝導性官能基であるスルホン酸基が集中する領域を存在させることを検討し、上述したスルホン化ランダムポリイミド共重合体に、後述するスルホン化ホモポリイミド共重合体を混合（ブレンド）させて共重合体を得る、即ち段階的な混合によって最終的な共重合体を得て、この共重合体によって固体高分子電解質膜（以下、「スルホン化ポリイミドブレンド膜」という）を作製することとした。
【００５７】
(スルホン化ホモポリイミド共重合体の合成)
窒素雰囲気下で、溶媒であるｍ−クレゾール４８．０ｍｌに２，２'−ベンジジンジスルホン酸５．６２ｇ(１．６３×１０-2ｍｏｌ)、トリエチルアミン５．４５ｍｌ(３．９１×１０-2ｍｏｌ)を加えてスルホン酸塩を形成させ、８０℃になるように加熱して２，２'−ベンジジンジスルホン酸を溶解させた。
【００５８】
４時間後、２，２'−ベンジジンジスルホン酸が完全に溶解したことを確認して、１，４，５，８−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物４．３８ｇ(１．６３×１０-2ｍｏｌ)を加えて１２０℃になるように加熱した。
【００５９】
この状態で２４時間反応させてポリアミック酸を得た。
【００６０】
ここに、トリエチルアミン５．４５ｍｌ(３．９１×１０-2ｍｏｌ)、安息香酸２．２３ｇ(１．８２×１０-2ｍｏｌ)を加えて、１８０℃になるように加熱し、２４時間化学イミド化反応を行ってスルホン化ホモポリイミド共重合体
【００６１】
【化７】
2007161981.tif 000009
【００６２】
を得た。
【００６３】
合成したスルホン化ホモポリイミド共重合体は、酢酸エチルを用いて再沈殿した後、洗浄して回収した。これを約２４時間自然乾燥させてから、１５０℃で真空乾燥させて溶媒を除去した。
【００６４】
（スルホン化ポリイミドブレンド膜の作製）
上記のようにして作製したスルホン化ホモポリイミド共重合体とスルホン化ランダムポリイミド共重合体とをブレンドさせて最終的な共重合体を得て、この共重合体によってスルホン化ポリイミドブレンド膜を作製することとした。
【００６５】
この時、最終的な共重合体におけるテトラカルボン酸二無水物及びイオン伝導性官能基を有するジアミンとから成る成分と、前記テトラカルボン酸二無水物及び前記ヘキサフルオロプロパン骨格を有するジアミンとから成る成分との割合は、スルホン化ランダムポリイミド共重合体において最も優れたプロトン伝導性能を示した７０：３０（モル比）に事前に設定した。そして、Ｘ＝２０ｍｏｌ％、３０ｍｏｌ％、４０ｍｏｌ％、５０ｍｏｌ％としたスルホン化ランダムポリイミド共重合体を用い、ブレンド比を各々表２に示す通りとして、４種類のスルホン化ポリイミドブレンド膜を作製した。（表２において、４種類のスルホン化ポリイミドブレンド膜作製に用いた共重合体を、Ｘの値が少ない順に各々ブレンド１、ブレンド２、ブレンド３、ブレンド４と示す。）なお、ここでは１例として、Ｘ＝３０とした共重合体（ブレンド２）を用いたスルホン化ポリイミドブレンド膜の作製方法を示す。
【００６６】
【表２】
2007161981.tif 000010
【００６７】
スルホン化ホモポリイミド共重合体０．２４６７ｇ、及びスルホン化ランダムポリイミド共重合体(２)０．１５３２ｇをジメチルスルホキシド１０ｍｌに加えて、２４時間攪拌して溶解させた。
【００６８】
この溶液をシャーレ上に均一になるように流し込み、これをオーブン中で１１０℃になるように加熱してから０．０１ＭＰａ／１ｈで徐々に減圧させながらジメチルスルホキシドを除去した。
【００６９】
０．１ＭＰａまで減圧した後、温度を１１０℃に保った状態で１２時間ジメチルスルホキシドを除去した。
【００７０】
その後、オーブン内の温度が室温近くまで下がってからシャーレを取り出した。
【００７１】
シャーレ上の膜をエタノールに４時間ほど浸漬して、残存溶媒や不純物を除去した。
【００７２】
その後、エタノールから取り出した膜を４時間ほどイオン交換水に浸漬して、エタノールを除去した。
【００７３】
その後、イオン交換水から取り出した膜を０．１ＮのＨＣｌに４時間ほど浸漬して、膜中のスルホン酸基を−ＳＯ3Ｈとした。
【００７４】
その後、ＨＣｌから取り出した膜をイオン交換水に４時間ほど浸漬して、残存するエタノール等を除去して、これを乾燥させてスルホン化ポリイミドブレンド膜（固体高分子電解質膜）を作製した。
【００７５】
このスルホン化ポリイミドブレンド膜の膜厚は３０〜１００μｍであった。
【００７６】
作製したスルホン化ポリイミドブレンド膜についてＩＲスペクトル測定を行った。図２にその測定結果を示す。
【００７７】
１６７４ｃｍ-1及び１７１４ｃｍ-1にイミド環のカルボニル基のピークが存在し、１３５４ｃｍ-1にはイミド環のＣＮ結合のピークが存在しており、イミド化が確認できる。
【００７８】
(プロトン伝導率の測定)
上記のようにして作製した４種類のスルホン化ポリイミドブレンド膜（以下、ブレンド１乃至４の各共重合体によって作製したスルホン化ポリイミドブレンド膜を「ブレンド膜１」、「ブレンド膜２」、「ブレンド膜３」、「ブレンド膜４」という。）のプロトン伝導率を、上述のスルホン化ランダムポリイミドで作製した固体高分子電解質膜と同様の方法で測定し、ナフィオン膜、スルホン化ランダムポリイミド膜とのプロトン伝導率の比較を行った。その結果を、表３に示す。
【００７９】
【表３】
2007161981.tif 000011
【００８０】
表２に示すように、何れのブレンド膜もナフィオンを上回るプロトン伝導率を示した。また、スルホン化ランダムポリイミド膜と比較しても、スルホン化ランダムポリイミド膜以上のプロトン伝導率を示しており、ブレンド膜１乃至膜３はスルホン化ランダムポリイミド膜を上回るプロトン伝導率を示し、特にブレンド２が最も優れたプロトン伝導率を示した。
【００８１】
更に表３の結果は、共重合体として同じ配合であっても、混合を段階的に行うことで、プロトン伝導性が向上することを示している。
【００８２】
(分解温度測定)
次に、各ブレンド膜の耐熱性を確認するために、セイコー電子工業社製のＴＧ／ＤＴＡ３００  ＳＳＣ／５２００Ｈを用いて膜の分解温度の測定を行った。測定は、細分化したブレンド膜５ｍｇを直径０．５ｃｍの白金パンに入れ、窒素下(２００ｍｌ／ｍｉｎ)、昇温速度２０℃／ｍｉｎで室温から６５０℃まで昇温させて熱分解温度を測定した。
【００８３】
図３は、昇温過程におけるブレンド膜１の変化を示したものであり、２４９℃からスルホン酸基脱離による損失が生じていることがわかる。
【００８４】
また、ブレンド膜のうち、プロトン伝導率の値が最も高かったブレンド膜２、プロトン伝導率の値が最も低かったブレンド膜４、及び両者の中間のプロトン伝導率を示したブレンド膜１、３についての熱特性を測定し、ランダム５及びナフィオンとの比較を行った。その結果を表４に示す。
【００８５】
【表４】
2007161981.tif 000012
【００８６】
表４の結果から、スルホン酸基脱離温度はいずれのブレンド膜もナフィオン膜、及びスルホン化ランダムポリイミド膜よりも高い。また、５％分解温度はいずれの固体高分子電解質膜も３１０℃を超えている。
【００８７】
これらの結果から、本発明のスルホン化ポリイミドブレンド膜は、ナフィオン膜と比較して簡易な製造工程で製造することができ、プロトン伝導性能、耐熱性においても、ナフィオン膜、及びスルホン化ランダムポリイミド膜よりも優れていることが確認できた。
【図面の簡単な説明】
【００８８】
【図１】スルホン化ランダムポリイミド共重合体の1Ｈ−ＮＭＲスペクトル測定結果。
【図２】スルホン化ポリイミドブレンド膜のＩＲスペクトル測定結果。
【図３】スルホン化ポリイミドブレンド膜の熱分解温度測定結果。
【図１】
2007161981.tif 000017
【図２】
2007161981.tif 000018
【図３】
2007161981.tif 000019