【事件の表示】
　特願２０１０−５３７８４７「個別アドレッシングが可能な大面積のＸ線システム」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　６月２５日国際公開、ＷＯ２００９／０７８５８２、平成２３年　３月１０日国内公表、特表２０１１−５０８３６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、２００８年１１月１３日（優先権主張２００７年１２月１７日、韓国）を国際出願日とする出願であって、平成２４年１２月２５日に手続補正がなされたが、平成２５年９月２０日付けで拒絶査定がなされた。
　これに対し、平成２６年１月２２日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２６年１月２２日付けの手続補正の補正の却下の決定 
［補正の却下の決定の結論］
　　平成２６年１月２２日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］ 
１．補正後の請求項に記載された発明 
　平成２６年１月２２日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、本願の特許請求の範囲の請求項１は、特許請求の範囲の減縮を目的として、以下のように補正された。
　「多数のＣＮＴエミッタが微細パターニングされた陰極部と、前記ＣＮＴエミッタから放出された電子を集束するゲート部とを含む電界放出部と；
　前記電子放出部の上部に配置され、前記ＣＮＴエミッタから放出された電子を加速させて、電子の衝突によりＸ線を発生させる陽極部と；を備え
　前記ゲート部及び前記陽極部は、大面積の単一基板よりなり、
　前記陰極部は、薄膜トランジスタよりなり、
　前記薄膜トランジスタに含まれた各トランジスタが前記多数のＣＮＴエミッタに各々連結され、個別アドレッシング動作にしたがい、各トランジスタのゲートに印加するパルス電圧のみを調整することによって各ＣＮＴエミッタから所望量の電子を放出させ、前記各ＣＮＴエミッタに対応する各陽極部から同一のＸ線量が出力されるようにすることを特徴とする個別アドレッシングが可能な大面積のＸ線システム。」
　
　そこで、本件補正後の上記請求項１に記載された発明（以下「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下に検討する。
　
２．引用刊行物 
（１）引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００７−２６５９８１号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。
（１ａ）「【０００１】
　本発明は、Ｘ線源を用いた医療機器や産業機器分野の非破壊Ｘ線撮影、診断応用等に使用するマルチＸ線発生装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
　従来から、Ｘ線管球は電子源に熱電子源を用いたものであり、高温度に加熱したフィラメントから放出される熱電子をウエネルト電極、引出電極、加速電極、及びレンズ電極を通して、電子ビームを高エネルギに加速する。そして、所望の形状に電子ビームを成形した後に、金属から成るＸ線ターゲットに照射してＸ線を発生させている。
【０００３】
　近年、この熱電子源に代る電子源として冷陰極型電子源が開発され、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の応用として広く研究されている。冷陰極の代表的なものとして、数１０ｎｍの針の先端に高電界を掛けて電子を取り出すスピント（Spindt）型タイプの電子源が知られている。更に、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を材料とした電子放出エミッタや、ガラス基板の表面にｎｍオーダの微細構造を形成して、電子を放出する表面伝導型電子源がある。」
（１ｂ）「【００１２】
　図１はマルチＸ線源本体１０の構成図であり、真空室１１内にはマルチ電子ビーム発生部１２、透過型ターゲット１３が配置されている。マルチ電子ビーム発生部１２は、素子基板１４と、その上に複数個のマルチ電子放出素子１５が配列された素子アレイ１６により構成され、電子放出素子１５は駆動信号部１７により駆動が制御されるようになっている。電子放出素子１５から発生するマルチ電子ビームｅを制御するために絶縁体１８に固定されたレンズ電極１９とアノード電極２０が設けられ、これらの電極１９、２０に高電圧導入部２１、２２を介して高電圧が供給されている。
【００１３】
　発生したマルチ電子ビームｅが衝突する透過型ターゲット１３は、マルチ電子ビームｅに対応して離散的に配置されている。更に、ターゲット１３に重金属から成る真空内Ｘ線遮蔽板２３が設けられ、この真空内Ｘ線遮蔽板２３にＸ線取出部２４が設けられ、その前方の真空室１１の壁部２５にはＸ線透過膜２６を備えたＸ線取出窓２７が設けられている。
【００１４】
　マルチ電子放出素子１５から発生した電子ビームｅは、レンズ電極１９によるレンズ作用を受け、アノード電極２０の透過型ターゲット１３の部分で最終電位の高さに加速される。ターゲット１３で発生したＸ線ビームｘはＸ線取出部２４を通り、更にＸ線取出窓２７から大気中に取り出される。
【００１５】
　マルチ電子放出素子１５は図２に示すように素子アレイ１６上に二次元的に配列されている。近年のナノテクノロジの進歩に伴って、決められた位置にｎｍサイズの微細な構造体をデバイスプロセスによって形成することが可能であり、電子放出素子１５はこのナノテクノロジ技術を使って製作されている。また、これらの電子放出素子１５のそれぞれは、駆動信号部１７を介して後述する駆動信号Ｓ１、Ｓ２によって個別に電子放出量の制御が行われる。このことは、駆動信号Ｓ１、Ｓ２のマトリックス信号により素子アレイ１６の電子放出量を個別に制御することで、マルチＸ線ビームのオン／オフを制御できることになる。」
（１ｃ）「【００１７】
　図４はカーボンナノチューブ型のマルチ電子放出素子１５の構成図である。エミッタ３５の材料として、数１０ｎｍの微細な構造体から成るカーボンナノチューブを用いたものであり、エミッタ３５が引出電極３６の中心に形成されている。
　【００１８】
　これらのスピント型素子とカーボンナノチューブ型素子は、引出電極３３、３６に数１０〜数１００Ｖの電圧を印加することで、エミッタ３４、３５の先端に高電界が印加され、電界放出現象によって電子ビームｅが放出される。」
（１ｄ）「【００２０】
　図６はこれらのスピント型素子、カーボンナノチューブ型素子、表面伝導型素子の電圧電流特性を示している。一定の放射電流を得るためには、平均の駆動電圧Ｖｏに対して補正電圧ΔＶの補正した電圧を、駆動電圧としてマルチ電子放出素子１５に供給することで、電子放出素子１５のエミッション電流のばらつきを補正することができる。」
（１ｅ）「【実施例３】
【００４４】
　図１３はマルチＸ線撮影装置の構成図を示している。この撮影装置は図１で示すマルチＸ線源本体１０の前方に、透過型Ｘ線検出器５１を備えたマルチＸ線強度測定部５２が配置され、更に図示しない被検体を介してＸ線検出器５３が配置されている。強度測定部５２、Ｘ線検出器５３はそれぞれＸ線検出信号処理部５４、５５を介して制御部５６に接続されている。また、制御部５６の出力はマルチ電子放出素子駆動回路５７を介して駆動信号部１７に接続されている。更に制御部５６の出力は、高電圧制御部５８、５９を介してそれぞれレンズ電極１９、アノード電極２０の高電圧導入部２１、２２に接続されている。
【００４５】
　マルチＸ線源本体１０でマルチ電子ビーム発生部１２から取り出した複数の電子ビームｅを、透過型ターゲット１３に照射してＸ線を発生する構成であることは、実施例１で説明した通りである。発生したＸ線ビームｘは壁部２５に設けられたＸ線取出窓２７を通してマルチＸ線ビームｘとして、大気中のマルチＸ線強度測定部５２に向けて取り出される。Ｘ線ビームｘは強度測定部５２のＸ線検出器５１を透過した後に被検体に照射される。そして、被検体を透過したＸ線ビームｘはＸ線検出器５３で検出され被検体のＸ線透過画像が得られる。
【００４６】
　素子アレイ１６上に配列されたマルチ電子放出素子１５では、電子放出素子１５間の電流電圧特性に多少のばらつきが生ずる。このエミッション電流のばらつきは、マルチＸ線ビームｘの強度分布のばらつきとなり、Ｘ線撮影の際にコントラストのむらとなるため、電子放出素子１５のエミッション電流の均一化が必要となる。
【００４７】
　マルチＸ線強度測定部５２のＸ線検出器５１は半導体を利用した検出器である。このＸ線検出器５１はＸ線ビームｘの一部を吸収して電気信号に変換し、その後にＸ線検出信号処理部５４でデジタルデータに変換され、マルチＸ線ビームｘのそれぞれの強度データとして制御部５６に保存される。
【００４８】
　更に、制御部５６には図６の各マルチ電子放出素子１５の電圧電流特性に相当する電子放出素子１５の補正データが保存されており、マルチＸ線ビームｘの検出強度データと比較して、各電子放出素子１５に対する補正電圧の設定値が決められる。この補正電圧を用いて、マルチ電子放出素子駆動回路５７が制御するマルチ放出素子駆動信号部１７による駆動信号Ｓ１、Ｓ２の駆動電圧を補正する。これにより、電子放出素子１５のエミッション電流の均一化ができると同時に、マルチＸ線ビームｘの強度の均一化を図ることができる。
【００４９】
　この透過型Ｘ線検出器５１を用いたＸ線強度補正方法は、被検体に関係なくＸ線強度が計測できるため、Ｘ線撮影中にリアルタイムでマルチＸ線ビームｘの強度の補正を行うことができる。
【００５０】
　上述の補正方法とは別に、撮影用のＸ線検出器５３を用いてもマルチＸ線ビームｘの強度補正が可能である。Ｘ線検出器５３はＣＣＤ固体撮像素子やアモルファスシリコンを用いた撮像素子等の二次元型のＸ線検出器を用いており、それぞれのＸ線ビームｘの強度分布を計測することができる。
【００５１】
　Ｘ線検出器５３を用いてマルチＸ線ビームｘの強度補正を行うには、１個のマルチ電子放出素子１５を駆動して電子ビームｅを取り出し、発生するＸ線ビームｘの強度をＸ線検出器５３で同期検出ればよい。この場合、マルチＸ線ビームのそれぞれの発生信号と撮影用のＸ線検出器からの検出信号を同期させて計測すれば、効率的な強度分布計測ができる。この検出信号はＸ線検出信号処理部５５でデジタル変換処理された後に、データは制御部５６に保存される。
【００５２】
　全てのマルチ電子放出素子１５に対してこの操作を行い、全マルチＸ線ビームｘの強度分布データとして制御部５６に保存すると同時に、Ｘ線ビームｘの強度分布の一部、又は積分値を用いて各電子放出素子１５に対する駆動電圧の補正値が決定される。
【００５３】
　そして、被検体のＸ線撮影時に、マルチ電子放出素子駆動回路５７は駆動電圧の補正値に従ってマルチ電子放出素子１５を駆動する。これらの一連の操作は、通常は定期的な装置校正として行うことで、マルチＸ線ビームｘの強度の均一化を図ることができる。
【００５４】
　ここでは、マルチ電子放出素子１５を個別に駆動してＸ線強度測定する例を説明をしたが、Ｘ線検出器５３上で放射Ｘ線ビームｘが重ならない個所のＸ線ビームｘを、複数個所で同時に放射して計測を高速化することもできる。
【００５５】
　更に、本補正方法は個々のＸ線ビームｘの強度分布をデータとして持っているため、Ｘ線ビームｘ内のむら補正にも使用することができる。
【００５６】
　本実施例のマルチＸ線源本体１０を用いたＸ線撮影装置は、上述したようにマルチＸ線ビームｘを並べて被検体サイズの平面型Ｘ線源を実現できるため、マルチＸ線源本体１０とＸ線検出器５３の間を接近させて、装置を小型化することもできる。更に、Ｘ線ビームｘは上述したように、マルチ電子放出素子駆動回路５７の駆動条件や駆動する素子領域を指定することで、Ｘ線照射強度と照射領域を任意に選択することができる。」
（１ｆ）「【図１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（１ｇ）「【図２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（１ｈ）「【図４】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（１ｉ）「【図６】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（１ｊ）「【図１３】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
　これらの記載事項を含む引用文献１全体の記載及び当業者の技術常識を総合すれば、引用文献１には、以下の発明が記載されている。
　「真空室（１１）内にマルチ電子ビーム発生部（１２）、透過型ターゲット（１３）が配置され、マルチ電子ビーム発生部は、素子基板（１４）と、その上に、数１０ｎｍの微細な構造体から成るカーボンナノチューブを用いたエミッタ（３５）が引出電極（３６）の中心に形成されている複数個のマルチ電子放出素子（１５）が二次元的に配列された素子アレイ（１６）により構成され、電子放出素子は駆動信号部（１７）により駆動が制御されるようになっており、電子放出素子から発生するマルチ電子ビーム（ｅ）を制御するために絶縁体（１８）に固定されたレンズ電極（１９）とアノード電極（２０）が設けられ、これらの電極に各高電圧導入部（２１、２２）を介して高電圧が供給されており、
　マルチ電子放出素子から発生した電子ビームは、レンズ電極によるレンズ作用を受け、アノード電極の透過型ターゲットの部分で最終電位の高さに加速され、ターゲットで発生したＸ線ビーム（ｘ）はＸ線取出部（２４）を通り、更にＸ線取出窓（２７）から大気中に取り出されるマルチＸ線発生装置において、
　一定の放射電流を得るために、平均の駆動電圧（Ｖｏ）に対して補正電圧（ΔＶ）の補正した電圧を、駆動電圧としてマルチ電子放出素子に供給することで、電子放出素子のエミッション電流のばらつきを補正することができ、
　マルチ電子放出素子駆動回路（５７）の駆動条件や駆動する素子領域を指定することで、Ｘ線照射強度と照射領域を任意に選択することができる、
マルチＸ線発生装置。」（以下「引用発明」という。）
　
（２）引用文献２
　同じく、特開２００７−１２８７４９号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の事項が記載されている。
（２ａ）「【０００１】
　本発明は、電界放出素子に関し、特に薄膜トランジスタ付き電界放出素子に関する。」
（２ｂ）「【０００３】
　図１２に示す薄膜トランジスタ付き電界放出素子では、薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ　Ｆｉｌｍ　Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）部（以下ＴＦＴ部と省略して用いる）１と、コーン状のエミッタ１６とエミッタ１６が接続されるカソード電極１５と多数個の穴部１３ａが形成されるゲート電極１３とを有する電界放射陰極列（Ｆｉｅｌｄ　Ｅｍｉｓｓｉｏｎ　Ａｒｒａｙ）部（以下ＦＥＡ部と省略して用いる）とを備えている。そして、エミッタ１６とゲート電極１３との間に電圧を印加することによって、近接して設けられたエミッタ１６とゲート電極１３との間に高電界を生じさせ、エミッタ１６のコーン状の先端部から電界放出を生じさせることができるようになされている。そして、このような電界放出素子に、表示基板部としてのアノード電極３と、蛍光体層５と、を備えて画像表示装置を構成している。そして、ＴＦＴ部１は、トランジスタＴｒ１とトランジスタＴｒ１に接続される信号制御用トランジスタとを有しており、エミッタ１６にカソード電極１５を介してトランジスタＴｒ１のドレイン８が接続され、トランジスタＴｒ１のゲート１１に、コンデンサが接続され、ゲート１１の電圧Ｖｇは信号制御用トランジスタによって制御される。すなわち、信号制御用トランジスタのゲートに走査信号が与えられるとともに信号制御用トランジスタのドレインにクリア信号と表示信号の何れかが選択的に与えられる。このような構成によって、コンデンサの電圧、すなわち、トランジスタＴｒ１のゲート１１の電圧Ｖｇを制御して、カソード電極１５に流れるカソード電流の電流値を自由に制御することができるものである。」
（２ｃ）「【００１１】
　まず、図１を参照して、本実施形態のＴＦＴ部（図９、図１０を参照）、ＦＥＡ部（図９、図１０を参照）の等価回路について説明する。ここで、ゲート電極１３の電圧を電圧Ｖｅｘｔ、トランジスタＴｒ１のゲート１１の電圧を電圧Ｖｇ、エミッタ１６とゲート電極１３との間の電圧を電圧Ｖ１、トランジスタＴｒ１のドレイン８とソース７との間の電圧を電圧Ｖ２とする。ここで、ゲート電極１３の電圧である電圧Ｖｅｘｔの値は電圧Ｖ１と電圧Ｖ２との加算電圧となる。また、図１２、図１３と同一の構成要素については同一符号を付してある。
【００１２】
　このような構成における電界放出素子の動作を以下に説明するが、まず、抵抗Ｒが存在しない場合の動作を説明して、その後に、抵抗Ｒを設けた場合の動作を説明し、さらに、そのような抵抗Ｒの形成方法について説明する。
【００１３】
　まずＴＦＴ部の単体の特性を図２に沿って説明する。トランジスタＴｒ１が十分な耐圧を有する場合には、ドレイン８からソース７へ流れる電流であるドレイン電流は、ドレイン８とソース７との間の電圧である電圧Ｖｓｄの値に依存することなく略一定の値となる。図２において、Ｖｇ１、Ｖｇ２、Ｖｇ３の符号を付した各々の曲線は、ゲートの電圧Ｖｇの値として、電圧Ｖｇ１、電圧Ｖｇ２、電圧Ｖｇ３とする場合を示すものであり、電圧Ｖｇ１＜電圧Ｖｇ２＜電圧Ｖｇ３の関係が成立するものである。なお、図２に示す縦軸のＬｏｇ（Ｉ）はログスケールでドレイン電流を表すものである。ここで、本実施形態においては、トランジスタＴｒ１はカソード電極電流制御用素子として機能し、トランジスタＴｒ１のドレイン８はカソード電流制御用電力端子として機能し、トランジスタＴｒ１のゲート１１はカソード電流制御端子として機能する。
【００１４】
　次に、図３に沿ってＦＥＡ部の単体の特性を説明する。図１の等価回路において、ＦＥＡ部の電圧Ｖ１に対する放射電流の関係である電圧電流特性を示す。図３に示すように、カソード電極１５とゲート電極１３との間の電圧Ｖ１の値を、閾値の電圧Ｖｔｈ以上とすると、急激にカソード電極１５に流れるカソード電極電流の値は増加するものである。すなわち、電圧Ｖｔｈ以上とすると、ゲート電極１３とエミッタ１６の間の電界強度が閾値を越えて電界放出が開始する。なお、図３に示す縦軸のＬｏｇ（Ｉ）はログスケールでカソード電極電流を表すものである。また、抵抗Ｒがない場合には、カソード電極電流とエミッタに流れる電流である放射電流との値は一致している。
【００１５】
　図４は、このような特性を有するＴＦＴ部とＦＥＡ部とを組み合わせた場合の、トランジスタＴｒ１のゲート１１の電圧Ｖ１に対する電界放出素子の負荷曲線である。図４に示す２つの曲線、すなわち、ＴＦＴ部の特性曲線とＦＥＡ部の特性曲線との交点が動作点であり、エミッタ１６から放出される電子によって生じる放射電流の大きさとなる。図４に示す縦軸のＬｏｇ（Ｉ）はログスケールで放射電流を表すものである。ここで、抵抗Ｒ（図６を対比して参照）がないので、ドレインに流れる電流であるドレイン電流の値と、カソード電極に流れるカソード電極電流の値と、エミッタ１６に流れる電流である放射電流の値とは一致している。また、エミッタから放出される電子の量（数）と放射電流の値とは比例関係にある。また、この放射電流の値と、蛍光体層（図示せず）における発光輝度の関係も略比例した関係である。
【００１６】
　図５は、このような特性を有するＴＦＴ部とＦＥＡ部とを組み合わせた場合の、ゲート電極１３の電圧Ｖｅｘｔに対する電界放出素子の負荷曲線である。図５から分かるように、電圧Ｖｅｘｔの値を十分に高い電圧値、例えば、破線で示す電圧Ｖｅｘｔ１に設定しておき、トランジスタＴｒ１のゲート１１の電圧である電圧Ｖｇの電圧値を電圧Ｖｇ１、電圧Ｖｇ２、電圧Ｖｇ３と変化させることで、エミッタ１６に流れる放射電流の電流値を安定に制御することができ、輝度の階調を表現することができることを表している。なお、図５に示す縦軸のＬｏｇ（Ｉ）はログスケールで放射電流を表すものであり、図５における破線は、ＦＥＡ部の特性を表すものである。ここで、抵抗Ｒ（図６を対比して参照）がないので、ドレインに流れる電流であるドレイン電流の値と、カソード電極に流れるカソード電極電流の値と、エミッタ１６に流れる電流である放射電流の値とは一致している。」
（ｄ）「【図１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（ｅ）「【図２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（ｆ）「【図３】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（ｇ）「【図４】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
（ｈ）「【図５】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
　これらの記載事項を含む引用文献２全体の記載及び当業者の技術常識を総合すれば、引用文献２には、以下の発明が記載されている。
　「薄膜トランジスタ部（以下「ＴＦＴ部」と省略）（１）と、コーン状のエミッタ（１６）とエミッタが接続されるカソード電極（１５）と多数個の穴部（１３ａ）が形成されるゲート電極（１３）とを有する電界放射陰極列部（以下ＦＥＡ部と省略）とを備え、　エミッタとゲート電極との間に電圧を印加することによって、近接して設けられたエミッタとゲート電極との間に高電界を生じさせ、エミッタのコーン状の先端部から電界放出を生じさせることができるようになされてい電界放出素子に、表示基板部としてのアノード電極（３）と、蛍光体層（５）と、を備えて画像表示装置を構成し、
　ＴＦＴ部は、トランジスタ（Ｔｒ１）とトランジスタに接続される信号制御用トランジスタとを有しており、エミッタにカソード電極を介してトランジスタのドレイン（８）が接続され、トランジスタのゲート（１１）に、コンデンサが接続され、ゲートの電圧（Ｖｇ）は信号制御用トランジスタによって制御され、
　コンデンサの電圧、すなわち、トランジスタのゲートの電圧を制御して、カソード電極に流れるカソード電流の電流値を自由に制御することができる、
薄膜トランジスタ付き電界放出素子。」（以下「引用２発明」という。）
　
３．対比 
　補正発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「カーボンナノチューブを用いたエミッタ」は補正発明の「ＣＮＴエミッタ」に相当し、引用発明の「数１０ｎｍの微細な構造体から成るカーボンナノチューブを用いたエミッタ」「が・・・形成されている複数個のマルチ電子放出素子が二次元的に配列された」構成及び「素子アレイ」は、それぞれ補正発明の「多数のＣＮＴエミッタが微細パターニングされた」構成及び「陰極部」に相当する。
（２）引用発明の「レンズ電極」は、これにより「発生した電子ビーム」が「レンズ作用を受け」るから、補正発明の「ＣＮＴエミッタから放出された電子を集束するゲート部」に相当する。
　また、引用発明の「マルチ電子放出素子」は補正発明の「電子放出部」（当審注：「電界放出部」は「電子放出部」の誤記と認める。）に相当する。
（３）引用発明の「アノード電極」は、「発生した電子ビームは、アノード電極の透過型ターゲットの部分で最終電位の高さに加速され、ターゲットで」「Ｘ線ビーム」を発生させるから、補正発明の「ＣＮＴエミッタから放出された電子を加速させて、電子の衝突によりＸ線を発生させる陽極部」に相当する。アノード電極がマルチ電子放出素子（補正発明の「電子放出部」に相当）の上部に配置されることは自明である。
（４）引用発明は「駆動する素子領域を指定することで、・・・照射領域を任意に選択することができる」から、「個別アドレッシングが可能」である。
　また、引用発明は「Ｘ線照射強度と照射領域を任意に選択することができ」「一定の放射電流を得るために、平均の駆動電圧に対して補正電圧の補正した電圧を、駆動電圧としてマルチ電子放出素子に供給することで、電子放出素子のエミッション電流のばらつきを補正することができ」るから、補正発明の「個別アドレッシング動作にしたがい」、「印加する」「電圧」「を調整することによって各ＣＮＴエミッタから所望量の電子を放出させ、前記各ＣＮＴエミッタに対応する各陽極部から同一のＸ線量が出力されるようにすること」に相当する構成を有する。
（５）引用発明の「マルチＸ線発生装置」は補正発明の「Ｘ線システム」に相当する。
　
　以上のことから、両者は、 
　「多数のＣＮＴエミッタが微細パターニングされた陰極部と、前記ＣＮＴエミッタから放出された電子を集束するゲート部とを含む電界放出部と；
　前記電子放出部の上部に配置され、前記ＣＮＴエミッタから放出された電子を加速させて、電子の衝突によりＸ線を発生させる陽極部と；を備え
　個別アドレッシング動作にしたがい、印加する電圧を調整することによって各ＣＮＴエミッタから所望量の電子を放出させ、前記各ＣＮＴエミッタに対応する各陽極部から同一のＸ線量が出力されるようにする個別アドレッシングが可能なＸ線システム。」
の点で一致し、次の各点で相違している。
　
（相違点１）
　補正発明が「ゲート部及び陽極部は、大面積の単一基板よりな」る、「大面積の」Ｘ線システムであるのに対して、引用発明がそのような構成を有するかどうか不明な点。
（相違点２）
　補正発明が「陰極部は、薄膜トランジスタよりなり、薄膜トランジスタに含まれた各トランジスタが多数のＣＮＴエミッタに各々連結され」「各トランジスタのゲートに印加するパルス電圧のみを調整する」のに対して、引用発明はそのような薄膜トランジスタを有さない点。
　
４．判断 
　上記各相違点について検討する。
（１）相違点１について
　補正発明における「大面積」の指し示す技術的意味は必ずしも明確ではないので、本願明細書の記載を参酌する。
　本願明細書の段落【００１１】の「各ＣＮＴエミッタから放出される電子量が均一でないので、大面積への適用が非常に難しいという問題点がある。」、段落【００１２】の「ＣＮＴエミッタを大面積の単一板に広く具現して形成するとしても、全体電子ビーム放出領域内において放出電子量の均一度が確保されないので、大面積で均一に放出されるＸ線システムを具現することは難しい実情である。」及び段落【００１６】の「前記大面積の陽極部の全体領域で均一なＸ線量が出力される。」等の記載を参酌すれば、補正発明の「大面積の単一基板」とは、「Ｘ線を均一に放出できる面積の単一基板」のことであり、同じく「大面積」とは、「Ｘ線を均一に放出できる面積」のことと認められる。
　そうであるなら、引用発明は「各ＣＮＴエミッタに対応する各陽極部から同一のＸ線量が出力される」から、「大面積のＸ線システム」である。
　また、補正発明の「ゲート部及び陽極部」に相当する引用発明の「レンズ電極及びアノード電極」をそれぞれ「単一基板よりなる」ものとすることは、アレイ状の素子を製造する場合に、同一の機能を有する部分を単一基板で構成することが当業者の技術常識であること、引用文献１には、例えば図１や図１３にみられるように、アノード電極の透過型ターゲットを単一基板で構成することが示唆されていること、等を考慮すれば、当業者が適宜採用しうる事項である。
　してみると、引用発明に上記相違点１に係る構成を採用することは、当業者が容易になしうる事項である。
　
（２）相違点２について
　引用２発明と上記相違点２に係る補正発明の構成を対比する。
　引用２発明の「エミッタが接続されるカソード電極」及び「ＴＦＴ部」は、それぞれ上記相違点２に係る補正発明の構成の「陰極部」及び「薄膜トランジスタ」に相当する。
　同じく、引用２発明の「エミッタにカソード電極を介してトランジスタのドレインが接続され」る構成は、上記相違点２に係る補正発明の構成の「薄膜トランジスタに含まれた各トランジスタが多数のＣＮＴエミッタに各々連結され」る構成に相当する。
　さらに、引用２発明の「トランジスタのゲートの電圧を制御」する構成と、上記相違点２に係る補正発明の構成の「各トランジスタのゲートに印加するパルス電圧のみを調整する」構成は、ともに「各トランジスタのゲートに印加する電圧を調整する」点で共通する。
　すなわち、引用２発明と上記相違点２に係る構補正発明の構成は、印加する電圧がパルスである点と当該電圧のみを調整する点を除いて一致する。
　引用発明も引用２発明も、ともに、補正発明と同様に、電子放出素子であること、放出した電子をターゲットに衝突されることにより電磁波を発生させるものであること、発生する電磁波の均一性を目的とするものであること、そして引用発明が、引用２発明のようなフラットディスプレイの応用技術であること（上記摘記事項（１ａ）参照）等を考慮すれば、引用発明の電圧調整手段として引用２発明を用いることに、格別の阻害要因も技術的困難性もない。
　そして、引用２発明がトランジスタのゲートの電圧のみを調整することでカソード電極に流れるカソード電流の電流値を自由に制御することができることは明らかであり、制御の容易性や素子構成の簡略化等の種々の目的で、当業者が引用２発明をそのように構成することを妨げる要因はない。
　また、印加する電圧をパルス電圧とすることも、当業者が適宜採用しうる事項である。
　してみると、引用発明に上記相違点２に係る構成を採用することは、当業者が容易になしうる事項である。
　
（３）補正発明の効果
　そして、補正発明全体の効果も、引用発明及び引用２発明から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
（４）小括
　したがって、補正発明は、引用発明及び引用２発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５．まとめ 
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記［補正の却下の決定の結論］のとおり、決定する。
 　
第３　本願発明について 
　平成２６年１月２２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、平成２４年１２月２５日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「多数のＣＮＴエミッタが微細パターニングされた陰極部と、前記ＣＮＴエミッタから放出された電子を集束するゲート部とを含む電界放出部と；
　前記電子放出部の上部に配置され、前記ＣＮＴエミッタから放出された電子を加速させて、電子の衝突によりＸ線を発生させる陽極部と；を備え
　前記ゲート部及び前記陽極部は、大面積の単一基板よりなり、
　前記陰極部は、薄膜トランジスタよりなり、
　前記薄膜トランジスタに含まれた各トランジスタが前記多数のＣＮＴエミッタに各々連結され、個別アドレッシング動作にしたがい、各トランジスタから各ＣＮＴエミッタに印加されるパルス電圧によって、前記各ＣＮＴエミッタに対応する各陽極部から同一のＸ線量が出力されるように調整することを特徴とする個別アドレッシングが可能な大面積のＸ線システム。」（以下「本願発明」という。）
　
１．引用刊行物
　原査定に引用され、本願優先日前に頒布された刊行物、その記載内容及び引用発明並びに引用２発明は、前記「第２」の「２．」に記載したとおりである。
　
２．対比・判断
　本願発明は、前記「第２」で検討した補正発明の「各トランジスタのゲートに印加するパルス電圧のみを調整することによって」という特定事項を「各トランジスタから各ＣＮＴエミッタに印加されるパルス電圧によって」に拡張したものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、更に限定したものに相当する補正発明が、前記「第２」の「４．」に記載したとおり、引用発明及び引用２発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第５　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用２発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。