(57)【要約】【課題】  出力画像に半導体基板の裏面に形成された配線のパターンが映り込むという問題を解消した半導体装置を提供する。【解決手段】  半導体基板２の表面に、赤外線を検知可能なＣＣＤ型イメージセンサやＣＭＯＳ型イメージセンサなどの受光素子１が形成され、半導体基板２の裏面には、複数のボール状の導電端子１１が配置される。個々の導電端子１１は配線層９を介して、半導体基板２の表面のパッド電極４と電気的に接続されている。ここで、配線層９と導電端子１１は、半導体基板２の裏面のうち、垂直方向からみた場合に受光素子１の形成領域と重畳した領域を除く領域に形成させ、受光素子１の形成領域と重畳した領域には配線層９、導電端子１１が配置されないように構成する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に受光素子が形成された半導体基板と、
前記受光素子の上方であって、前記半導体基板と貼り合わされた光透過性基板と、
前記半導体基板の裏面に形成された配線層と、
前記配線層を被覆する保護層とを備え、
前記配線層は、前記半導体基板の裏面のうち前記受光素子の形成領域に重畳した領域を除く領域に形成されたことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記保護層は赤外線吸収材料が混合されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記半導体基板の裏面のうち前記受光素子の形成領域に重畳した領域に、前記光透過性基板から前記半導体基板を介してその裏面の方向に入射する赤外線を前記受光素子側に反射させる反射層が形成されたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記反射層と前記配線層は同一材料で形成されたことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記材料は金属であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体基板の表面にパッド電極が形成され、前記配線層は前記パッド電極と電気的に接続されるとともに、前記半導体基板の側面から裏面に延在していることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体基板の表面にパッド電極が形成され、
前記半導体基板を貫通し前記パッド電極に到達するビアホールが形成され、
前記配線層は、前記ビアホール内に形成された貫通電極と電気的に接続されていることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
表面に受光素子及びパッド電極が形成された半導体基板を準備し、前記半導体基板の表面に光透過性基板を貼り合せる工程と、
前記半導体基板の裏面のうち前記受光素子の形成領域に重畳した領域を除く領域に、前記パッド電極と電気的に接続された配線層を形成する工程と、
前記配線層を被覆する保護層を形成する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記保護層を形成する工程において、前記保護層に赤外線吸収材料を混合させることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記半導体基板の裏面のうち前記受光素子の形成領域に重畳した領域に、前記光透過性基板から前記半導体基板を介して前記半導体基板の裏面の方向に入射する赤外線を前記受光素子側に反射させる反射層を形成する工程を備えることを特徴とする請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記配線層と前記反射層は同一材料であって、同一工程で形成されることを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関し、特に、受光素子を備えるチップサイズパッケージ型の半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、新たなパッケージ技術として、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）が注目されている。ＣＳＰとは、半導体チップの外形寸法と略同サイズの外形寸法を有する小型パッケージをいう。
【０００３】
従来より、ＣＳＰの一種として、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型の半導体装置が知られている。このＢＧＡ型の半導体装置は、半田等の金属部材から成るボール状の導電端子をパッケージの一主面上に複数配列し、パッケージの他の面上に搭載される半導体チップと電気的に接続したものである。
【０００４】
そして、このＢＧＡ型の半導体装置を電子機器に組み込む際には、各導電端子をプリント基板上の配線パターンに実装することで、半導体チップとプリント基板上に搭載される外部回路とを電気的に接続している。
【０００５】
このようなＢＧＡ型の電子装置は、側部に突出したリードピンを有するＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）やＱＦＰ（Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋａｇｅ）等の他のＣＳＰ型の半導体装置に比べて、多数の導電端子を設けることが出来、しかも小型化できるという長所を有するため、幅広く用いられている。
【０００６】
図６（ａ）は、受光素子を備える従来のＢＧＡ型の半導体装置の概略構成を示す断面図である。シリコン（Ｓｉ）等から成る半導体基板１００の表面には、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）型イメージセンサやＣＭＯＳ型イメージセンサ等の受光素子１０１が設けられ、さらに、パッド電極１０２が第１の絶縁膜１０３を介して形成されている。また、半導体基板１００の表面には、例えばガラスや石英等の光透過性基板１０４がエポキシ樹脂等から成る樹脂層１０５を介して接着されている。また、半導体基板１００の側面及び裏面にはシリコン酸化膜もしくはシリコン窒化膜等から成る第２の絶縁膜１０６が形成されている。
【０００７】
さらに、第２の絶縁膜１０６上には、パッド電極１０２と電気的に接続された配線層１０７が、半導体基板１００の表面から側面に沿って裏面に形成されている。また、第２の絶縁膜１０６及び配線層１０７を被覆して、ソルダーレジスト等から成る保護層１０８が形成されている。配線層１０７上の保護層１０８の所定領域には開口部が形成され、この開口部を通して配線層１０７と電気的に接続されたボール状の導電端子１０９が形成されている。
【０００８】
上述した技術は、例えば以下の特許文献に記載されている。
【特許文献１】特許公表２００２−５１２４３６
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら上述した従来のＣＳＰ型の半導体装置において、赤外線を使用する場合、図６（ａ）の矢印で示したように光透過性基板１０４を透過した赤外線が、さらに半導体基板１００をも透過し、半導体基板１００の裏面に形成された配線層１０７にまで到達する場合がある。そして、その赤外線は配線層１０７で反射して上方（受光素子１０１側）に向かい、受光素子１０１がその反射光を受光してしまう結果、図６（ｂ）に示すように、出力画像１１０に導電端子１０９及び配線層１０７のパターン１１１が映り込んでしまうという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その主な特徴は以下のとおりである。すなわち、本発明の半導体装置は、表面に受光素子が形成された半導体基板と、前記受光素子の上方であって、前記半導体基板と貼り合わされた光透過性基板と、前記半導体基板の裏面に形成された配線層と、前記配線層を被覆する保護層とを備え、前記配線層は、前記半導体基板の裏面のうち前記受光素子の形成領域に重畳した領域を除く領域に形成されたことを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の半導体装置は、前記保護層に赤外線吸収材料が混合されていることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の半導体装置の製造方法の主な特徴は、以下のとおりである。すなわち、本発明の半導体装置の製造方法は、表面に受光素子及びパッド電極が形成された半導体基板を準備し、前記半導体基板の表面に光透過性基板を貼り合せる工程と、前記半導体基板の裏面のうち前記受光素子の形成領域に重畳した領域を除く領域に、前記パッド電極と電気的に接続された配線層を形成する工程と、前記配線層を被覆する保護層を形成する工程と、を備えることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の半導体装置の製造方法は、保護層を形成する工程において、前記保護層に赤外線吸収材料を混合させることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、製造工程を複雑化させることなく、半導体基板の裏面に形成された導電端子や配線層のパターンが出力画像に写り込むことを防止できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
次に、本発明の第１の実施形態について図面を参照しながら説明する。図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置１５０を裏面から見た概略平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ−Ｘ線に沿った断面図である。なお、図１（ａ）では、保護層１０やパッド電極４等，構成の一部を便宜上省略して図示している。
【００１６】
この半導体装置１５０に係る半導体基板２の表面には、約７００ｎｍから２５００ｎｍの波長の赤外線を検知可能なＣＣＤ型イメージセンサやＣＭＯＳ型イメージセンサなどの受光素子１が形成されている。また、半導体基板２の裏面には、複数のボール状の導電端子１１が配置され、個々の導電端子１１は配線層９を介して、半導体基板２の表面のパッド電極４と電気的に接続されている。
【００１７】
本実施形態では、半導体基板２の裏面のうち垂直方向（図１（ａ）では、紙面に対して垂直方向）からみた場合に受光素子１の形成領域に重畳した領域を除く領域に配線層９及び導電端子１１を形成させ、受光素子１の形成領域と重畳した領域には配線層９及び導電端子１１が配置されないように構成されている。
【００１８】
また、このように構成すると、光透過性基板６から半導体基板２を介してその裏面の方向に入射した赤外線や半導体基板２の裏面側から入射する赤外線がソルダーレジスト等の保護層１０や半導体装置１５０の底部（他の部品との接触面）などで乱反射を起こし、受光素子１がその反射光を受光する結果、出力画像がぼやけるなどの悪影響が生じる場合も考えられる。
【００１９】
従って、信頼性の一層の向上を図る観点から半導体基板２の裏面を被覆する保護層１０に、例えば黒色顔料等の赤外線吸収剤を添加させておくことが好ましい。かかる構成によれば、保護層１０に到達した赤外線は全て吸収されるか、全て吸収されなくとも極僅かの赤外線しか反射しないので、乱反射の影響が極めて少なくなる。また、同じく乱反射の影響を防止する観点から、保護層１０とは別に、同様の赤外線吸収効果を有する赤外線吸収層を、受光素子１の形成領域と重畳した領域に設けてもよい。なお、保護層１０に添加する赤外線吸収剤や赤外線吸収剤層は、約７００ｎｍから２５００ｎｍの波長の赤外線を吸収する性質を有することが好ましい。
【００２０】
また、このように受光素子１の形成領域と重畳した領域に配線層９及び導電端子１１を配置しない構成を採用すると、受光素子１の形成領域の大きさや配置等によっては、複数の導電端子１１が裏面上の所定領域に集中し、その結果、半導体装置１５０をプリント基板等のモジュールに実装する際にそのバランスが悪くなり、適切に実装されない場合がある。そのため、必要に応じて半導体基板２の裏面にダミー電極５０を設けることで、実装する際の力が等しく分散されるように改善することもできる。
【００２１】
次に、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置１５０の製造方法を説明する。図２〜図３はそれぞれ、図１（ａ）のＸ−Ｘ線に沿った断面図において、製造工程順に示したものである。
【００２２】
まず、図２（ａ）に示すように、その表面に受光素子１が形成されたシリコン（Ｓｉ）等から成る半導体基板２を準備する。そして、半導体基板２の表面に第１の絶縁膜３（例えば、熱酸化法やＣＶＤ法等によって形成されたシリコン酸化膜）を例えば２μｍの膜厚に形成する。
【００２３】
次に、スパッタリング法やメッキ法、その他の成膜方法によりアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）等の金属層を形成し、その後不図示のホトレジスト層をマスクとして当該金属層をエッチングし、第１の絶縁膜３上にパッド電極４を例えば１μｍの膜厚に形成する。パッド電極４は受光素子１やその周辺素子と電気的に接続された外部接続用電極である。次に、前記半導体基板２の表面にパッド電極４の一部上を被覆する不図示のパッシベーション膜（例えば、ＣＶＤ法により形成されたシリコン窒化膜）を形成する。
【００２４】
次に、パッド電極４を含む半導体基板２の表面上に、エポキシ樹脂等の樹脂層５を介して光透過性基板６を貼りあわせる。光透過性基板６は、ガラスや石英のような透明もしくは半透明の材料から成るものである。
【００２５】
次に、半導体基板２の裏面に対してバックグラインドを行い、半導体基板２の厚さを例えば１００μｍ程度に薄くする。
【００２６】
次に、図２（ｂ）に示すように、パッド電極４に対応する半導体基板２の位置のみを、半導体基板２の裏面側から選択的にエッチングし、パッド電極４の一部上を含む第１の絶縁膜３を露出させる。以下、この露出部分を開口部７とする。なお、本実施形態では、当該開口部は半導体基板２の裏面側から表面側に行くほどその開口径が狭くなるテーパー形状である。
【００２７】
次に、図２（ｃ）に示すように、開口部７内を含む半導体基板２の側面及び裏面上に第２の絶縁膜８を形成する。この第２の絶縁膜は、例えばプラズマＣＶＤ法によって形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜である。
【００２８】
次に、図３（ａ）に示すように、不図示のホトレジスト層をマスクとして、第１の絶縁膜３及び第２の絶縁膜８の選択的なエッチングを行う。このエッチングにより、パッド電極４の一部上からダイシングラインＤＬに至る領域にかけて形成された第１の絶縁膜３及び第２の絶縁膜８が除去され、開口部７の底部においてパッド電極４の一部が露出される。
【００２９】
次に、図３（ｂ）に示すように、スパッタリング法やメッキ法、その他の成膜方法により、配線層９となるアルミニウム（Ａｌ）や銅（Ｃｕ）等の金属層を形成する。その後、不図示のホトレジスト層をマスクとしてエッチングし、パッド電極４の一部上及び第２の絶縁膜８上に配線層９を例えば、１μｍの膜厚に形成する。
【００３０】
次に、図３（ｃ）に示すように、配線層９を含む半導体基板２の裏面上にソルダーレジストのようなレジスト材料から成る保護層１０を形成する。そして、図３（ｃ）に示すように、保護層１０の所定領域を開口させ、当該開口から露出した前記配線層１０上にニッケルや金等から成る層を形成し、その上にハンダやアルミニウムや金等からなるボール状の導電端子１１を形成する。なお、前記保護層１０がネガ型のレジスト材料である場合には、光が照射された領域が保護層１０として残り、光が照射されなかった領域の保護層１０が除去されて前記開口が形成される。
【００３１】
このようにして、半導体基板２の表面のパッド電極４から、半導体基板２の側壁に沿って、その裏面に形成された導電端子１１に至るまでの配線が可能となる。
【００３２】
なお、既述のとおり、必要に応じて導電端子１１と同一工程でダミー電極５０を形成することもできる。具体的には、ダミー電極５０となる保護層１０の所定領域を開口させて、当該開口にハンダやアルミニウムや金やニッケル等から成るボール状のダミー電極５０を形成する。
【００３３】
そして、多数の半導体装置の境界であるダイシングラインＤＬに沿ってダイシングを行うことにより、個々の半導体装置１５０に切断分離する。
【００３４】
以上の工程により、受光素子１を備えるチップサイズパッケージ型の半導体装置が完成する。
【００３５】
本発明の第１の実施形態によれば、半導体基板２の裏面のうち受光素子１の形成領域と重畳した領域には配線層９及び導電端子１１が配置されていないため、従来問題となっていた配線層９や導電端子１１のパターンが出力画像に写り込むことを確実に防止できる。また、配線層９と導電端子１１の配置の変更によってかかる効果を得ることができるため、製造工程数が増えることはない。そして、保護層１０に赤外線吸収材料を混合させるか、別途赤外線吸収剤層を設けることで、乱反射の影響を防止することが可能である。
【００３６】
次に、本発明の第２の実施形態について図面を参照しながら説明する。図４（ａ）は、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置２００を裏面から見た平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＹ−Ｙ線に沿った断面図である。なお、第１の実施形態と同様の構成については同一記号を用い、その説明を省略する。また、図４（ａ）において保護層１０等の構成の一部が便宜上省略されている点や半導体基板２の裏面のうち受光素子１の形成領域と重畳した領域に配線層９及び導電端子１１が配置されていない点は第１の実施形態と同様である。
【００３７】
第２の実施形態に係る半導体装置２００では、図４（ａ），（ｂ）に示すように、少なくとも受光素子１の形成領域と重畳した領域に、例えばアルミニウムや金、銀、銅等の金属材料から成る反射層２０が面状に一様に形成されていることが特徴である。反射層２０は、光透過性基板６から半導体基板２を介してその裏面の方向に入射される赤外線や半導体基板２の裏面側から入射される赤外線をさらに先まで透過させずに反射させる機能を有する層であり、当該機能を有するのであればその材料や膜厚は特に限定されない。
【００３８】
また、当該反射層２０は、配線層９と同一材料を用い、同一工程で形成することができる。具体的には例えば、図３（ｂ）に示したようなスパッタリング法やメッキ法、その他の成膜方法によりアルミニウムや銅等の金属層を形成し、その後、当該金属層を配線層９にパターニングする際に、反射層２０のパターニングを同時にすることができる。
【００３９】
第２の実施形態に係る半導体装置２００によれば、光透過性基板６から反射層２０に到達した赤外線は、当該反射層２０で受光素子１側に反射されることになる。そのため、従来問題となっていた配線層９や導電端子１１が出力画像に写りこむことを防止できることに加えて、受光素子１に入射される赤外線の光強度が上昇し出力画像のコントラストが上昇するという利点がある。また、既述のとおり、反射層２０は配線層９と同一工程で形成することができるため、製造工程数が増えることはない。
【００４０】
なお、以上の実施形態では、半導体基板２の表面に形成されたパッド電極４から半導体基板２の側面に沿って裏面に延在した配線層９が形成されるような半導体装置について説明したが、半導体基板２の裏面に配線層や導電端子が形成されているものであれば広く適用することができる。
【００４１】
従って例えば図５に示すように、半導体基板２のパッド電極４に対応する位置の表面から裏面にかけて貫通したビアホールが形成され、当該ビアホール内に貫通電極２１と、半導体基板２の裏面に貫通電極２１と電気的に接続された配線層２２とが形成されたいわゆる貫通電極型の半導体装置においても適用することができる。なお、図５（ｂ）は図５（ａ）におけるＺ−Ｚ線の断面図であり、既述の半導体装置と同様の構成については同一符号を用い、その説明を省略する。なお、図５における２３は、例えばチタン（Ｔｉ）層、酸化チタン（ＴｉＯ２）層、チタンナイトライド（ＴｉＮ）層、もしくはタンタルナイトライド（ＴａＮ）層等の金属から成るバリアメタル層である。
【００４２】
当該貫通電極型の半導体装置は例えば、受光素子１及び第１の絶縁膜３を介してパッド電極４が形成された半導体基板２を準備し、パッド電極４に対応する位置に半導体基板２を貫通するビアホールを形成する工程と、当該ビアホールの側壁及び半導体基板２の裏面を被覆する第２の絶縁膜８ａを形成する工程と、ビアホール底部の第２の絶縁膜８ａを除去し、その後ビアホール内に前記バリアメタル層２３を形成し、ビアホール内に例えば電解メッキ法などで銅等からなる貫通電極２１を形成する工程と、半導体基板２の裏面のうち受光素子１の形成領域に重畳した領域を除く領域に、貫通電極２１と電気的に接続された配線層２２をパターニングし、その後ボール状の導電端子１１，保護層１０を形成する工程によって製造される。なお、上記工程は貫通電極型の半導体装置の製造工程の一例であって、その製造工程は限定されない。なお、図示はしないが、上記第２の実施形態に係る半導体装置と同様に、少なくとも受光素子１の形成領域と重畳した領域に、反射層を形成することもできる。
【００４３】
また、以上の実施形態では、ボール状の導電端子を有するＢＧＡ型の半導体装置について説明したが、本発明はＬＧＡ（Ｌａｎｄ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）型の半導体装置に適用するものであっても構わない。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法を説明する平面図及び断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法を説明する断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法を説明する断面図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置及びその製造方法を説明する平面図及び断面図である。
【図５】本発明に係る半導体装置及びその製造方法を説明する平面図及び断面図である。
【図６】従来の半導体装置を説明する断面図及び出力画像図である。
【符号の説明】
【００４５】
１  受光素子    ２  半導体基板    ３  第１の絶縁膜    ４  パッド電極
５  樹脂層    ６  光透過性基板    ７  開口部    ８，８ａ  第２の絶縁膜
９  配線層    １０  保護層    １１  導電端子    ２０  反射層
２１  貫通電極    ２２  配線層    ２３  バリアメタル層    ５０  ダミー電極
１００  半導体基板    １０１  受光素子    １０２  パッド電極
１０３  第１の絶縁膜    １０４  ガラス基板    １０５  樹脂層
１０６  第２の絶縁膜    １０７  配線層    １０８  保護層
１０９  導電端子    １１０  出力画像    １１１  パターン
１５０  半導体装置    ２００  半導体装置    ＤＬ  ダイシングライン
【図１】
2007165696.tif 000003
【図２】
2007165696.tif 000004
【図３】
2007165696.tif 000005
【図４】
2007165696.tif 000006
【図５】
2007165696.tif 000007
【図６】
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