【事件の表示】
　特願２００８−５１４７５３「保護のために表面を処理する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１２月　７日国際公開、ＷＯ２００６／１３０５４８、平成２０年１１月２７日国内公表、特表２００８−５４２５４３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、２００６年５月３１日（パリ条約による優先権主張　２００５年６月２日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年６月２９日付けで拒絶理由通知がなされ、同年１１月４日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成２４年７月３日付けで拒絶理由通知がなされ、平成２５年１月７日付けで意見書及び手続補正書が提出され、同年１０月８日付けで拒絶査定され、平成２６年２月１２日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正書が提出されたものである。
　
第２．平成２６年２月１２日付け手続補正の補正却下の決定
＜結論＞
　平成２６年２月１２日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
＜理由＞
１．補正の適否
（１）補正の目的
  本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を下記のとおりに補正する補正を含むものである。
「【請求項１】
　少なくとも一つの金属を含む層を構造体の未組み立て部品の基板に付与して記基板上に被着金属層を作る工程および
　前記被着金属層を前記構造体の組み立て前に大気圧以下の圧力で還元環境で硬化させて前記基板上に金属保護層を作る工程を含み、
　前記基板が、炭素鋼、軟鋼、合金鋼、ステンレス鋼、又はオーステナイトステンレス鋼であ
り、
前記金属保護層が、前記基板から得られる反応性金属を含む
　
　上記補正は、補正前の請求項１に記載された「金属保護層」について、その構成成分が、「前記基板から得られる反応性金属を含む」ものであることを特定するものであって、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（２）独立特許要件
　本件補正後の上記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかどうか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）について検討する。
　
（２−１）引用刊行物の記載事項
　原査定の拒絶の理由において引用刊行物２として引用された、本願優先日前に日本国内において頒布された特開２００１−２２０５８６号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、以下の事項が記載されている。
（ａ）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  低硫黄条件下での炭化水素の接触改質用の接触改質反応器装置であって、下記の：複数の炉管を有する炉；硫黄−感受性の触媒を含有する触媒床を有する改質反応器；及び炭化水素を含有する低硫黄流と接触し、改善された炭素化抵抗性を有する、接触改質反応器装置の一部；を含有する、接触改質反応器装置。
　・・・
【請求項９】  炭素化に対する改善された抵抗性が、改質反応器の一部の上へのクラッド、被覆又はペイントによってもたらされるものである、請求項１に記載の接触改質反応器装置。
【請求項１０】  ペイントが、還元条件下で加熱された、還元可能なペイントを含有する、請求項９に記載の接触改質反応器装置。
【請求項１１】  ペイントが、錫含有ペイントを含有する、請求項１０に記載の接触改質反応器装置。
　・・・
【請求項１８】  接触改質反応器装置の一部が、炭素化と金属顆粒化に対する抵抗性を与える材料から構成されている、請求項１に記載の接触改質反応器装置。
【請求項１９】   材料が、３４７ステンレス鋼又は低硫黄改質条件下において３４７ステンレス綱以上の炭素化と金属顆粒化に対する抵抗性を有するものである、請求項１８に記載の接触改質反応器装置。」
　
（ｂ）「【００１３】最近の40年間、接触改質反応器装置は、通常の軟鋼(例えば、２1/4Ｃr、１ Ｍo）から製造されていた。・・・全く驚いたことに、炉管、配管、反応器壁、及び鉄を含む触媒及び反応器中の金属網の如き他の周辺を含めた全反応器装置の潜在的なひどい物理的劣化を起こす原因になる条件が発見された。最終的に、この問題は工程炭素が金属中に注入されることにより鋼の脆弱化を起こす鋼の過度の炭素化(carburization)に伴われるものであることが発見された。恐らく、反応器系の破滅的物理的崩壊を起こす結果になり得るものである。
　・・・
【００１６】第１Ｂ図は、低硫黄／低含水試験プラントの反応器内部で僅か13週間入れておいた軟鋼試料片の一部分の顕微鏡写真である。この写真は、金属の顆粒化(dusting)が起きた試料の腐食した表面（黒い背景に対してコントラストが付いている）を示している。暗灰色状の脈状部分は鋼の周囲の炭素化を示し、それは深さ１mmよりも深い炭素化及び脆弱化を起こしている。」
　
（ｃ）「【００４３】本発明で用いられる300系列のステンレス鋼よりも好ましい抵抗性材料には、銅、錫、砒素、アンチモン、ビスマス、クロム、及び真鍮、及びそれらの金属間化合物及び合金〔例えば、Ｃu-Ｓn合金、Ｃu-Ｓb合金、錫化物（stannide）、アンチモン化物(antimonide)、ビスマス化物(bismuthide)等〕が含まれる。鋼及びこれらの金属を含むニッケルに富む合金でさえも、炭素化の減少を示すことができる。好ましい態様として、これらの材料はメッキ、クラッド、ペイント(例えば、酸化物ペイント)、又は他の被覆として基礎構造材料に与えられる。これは特に有利である。なぜなら、軟鋼の如き慣用的構造材料は、依然として処理炭化水素と表面だけが接触するようにし使用することができるからである。これらの中で錫が特に好ましい。・・・
【００４４】実際的には、それらの抵抗性材料はペイント状の配合物（以下「ペイント」と呼ぶ）として、新しい又は現存する反応器装置に適用するのが好ましい。そのようなペイントは軟鋼又はステンレス鋼の如き反応器装置表面に噴霧、刷毛塗り、注型等により適用することができる。そのようなペイントは、還元雰囲気中で加熱すると還元されて反応性錫になり、金属錫化物（例えば、錫化鉄及びニッケル／鉄錫化物）を形成する分解可能な反応性錫含有ペイントであるのが最も好ましい。前述のペイントは少なくとも４種類の成分（又はそれらの機能的同等物）を含むのが最も好ましい；（ｉ）水素分解性錫化合物、（ｉｉ）溶媒系、（ｉｉｉ）微粉砕錫金属、及び（ｉｖ）還元性スポンジ／分散／結合剤としての酸化錫。ペイントは沈降をできるだけ少なくするため微粉砕した固体を含むべきであり、反応器装置の表面と反応性錫との反応を妨げるような非反応性材料を含むべきではない。
【００４５】水素分解性錫化合物として、オクタン酸錫が特に有用である。この化合物自体の商業的配合物を入手することができ、鋼表面上で部分的に乾燥すると、殆どチューインガム状の層になる。その層は亀裂及び（又は）分裂したりしない。この性質は、本発明で用いられるどのような被覆組成物にとっても必要である。なぜなら、被覆された材料は水素で処理される前に数カ月間保存されると考えられるからである。また、部品を組立る前に被覆した場合、それらは組立中欠けにくいものでなければならない。上述の如く、オクタン酸錫は市販されている。それは適切な値段を持ち、円滑に分解して反応性錫層になり、それは600゜Ｆ位の低い温度で水素中で錫化鉄を形成する。」
　
（ｄ）「【００７４】材料の選択に関し、鉄、ニッケル及びコバルトの如き第ＶＩＩＩ族金属の酸化された表面は、それらの酸化されていないものよりもコークス化及び炭素化に対して一層活性であることが発見されている。例えば、347ステンレス鋼の空気焙焼試料は同じ鋼の酸化されていない試料よりも著しく活性であることが見出されている。このことは、非常に微細な粒子の鉄及び（又は）ニッケル金属を生ずる酸化鋼の再還元によるものと考えられる。そのような金属は特に炭素化及びコークス化に対して活性である。従って、接触改質で典型的に用いられている材料のようなそれら材料は、酸化性再生工程中できるだけ使用しないようにするのが望ましい。」
　
（２−２）引用刊行物記載の発明
　上記記載事項（ｂ）によれば、接触改質反応器装置における炉管、配管、反応器壁を構成する鋼中に工程炭素が注入されること、すなわち、鋼の炭素化により脆弱化が起こることが記載されており、同（ａ）、（ｃ）によれば、これに対し、鋼に水素分解性錫化合物含有ペイントを適用して水素分解性錫化合物含有層とし、水素雰囲気中で加熱することにより、鋼上に錫化鉄を形成して鋼の炭素化を減少させることが記載されている。
　そして、この錫化鉄は、反応器装置の表面と、ペイントを水素還元性雰囲気中で加熱することにより還元生成した反応性錫との反応により形成されたものと解されるから、錫化鉄に含まれる鉄は反応器装置を構成する鋼から得られたものといえる。
　また、（ｃ）によれば、部品を組立てる前に被覆することも記載されている。
　
　そうすると、引用刊行物には、
「水素分解性錫化合物含有ペイントを接触改質反応器装置の組立て前の炉管、配管、反応器壁等を構成する軟鋼又はステンレス鋼に適用して前記鋼上に水素分解性錫化合物含有層を形成する工程および、
　前記水素分解性錫化合物含有層を水素雰囲気中で加熱することにより、前記鋼上に錫化鉄を形成する工程を含み、前記錫化鉄が、前記鋼から得られる鉄を含む、鋼の処理方法。」（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
（２−３）対比・判断
　本願補正発明と引用発明を対比すると、引用発明における「水素分解性錫化合物含有ペイント」、「接触改質反応器装置」、「組立て前の炉管、配管、反応器壁等」、「軟鋼又はステンレス鋼」、「水素分解性錫化合物含有層」、「鋼から得られる鉄」、「錫化鉄」は、それぞれ、本願補正発明の「少なくとも一つの金属を含む層」、「構造体」、「未組み立て部品」、「基板」、「被着金属層」、「前記基板から得られる反応性金属」、「金属保護層」に相当する。
　また、本願明細書の「被着金属層は、約３１６°Ｃ〜約７６０°Ｃの温度および／または約２１７２ｋＰａ〜約０．０５Ｐａの圧力で硬化させてもよい。」との記載によれば、本願補正発明において、被着金属層は、約３１６°Ｃ〜約７６０°Ｃの温度下におくことで硬化されるものであるところ、上記記載事項（ｃ）によれば、引用発明における水素雰囲気中での加熱も、600゜Ｆ（３１６℃）位の温度で行われているのであるから、引用発明における「水素雰囲気中で加熱することにより」は、本願補正発明における「還元環境で硬化させて」に相当する。
　
　よって、両者は、
「少なくとも一つの金属を含む層を構造体の未組み立て部品の基板に付与して記基板上に被着金属層を作る工程および
　前記被着金属層を還元環境で硬化させて前記基板上に金属保護層を作る工程を含み、
　前記基板が、軟鋼、ステンレス鋼であり、
　前記金属保護層が、前記基板から得られる反応性金属を含む、基板の処理方法。」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　還元環境での硬化が、本願補正発明では、大気圧以下の圧力で行なわれるのに対し、引用発明では、その記載がない点。
　
（相違点２）
　本願補正発明では、前記被着金属層を前記構造体の組み立て前に硬化させるのに対し、引用発明では、その記載がない点。
　
  上記相違点について検討する。
・（相違点１）について
　物品を水素雰囲気中で加熱する場合、例えば、下記周知例１、２にも記載されるように、減圧した水素雰囲気中で行うことは、技術常識である。また、表面が酸化した金属膜を有する物品を加熱する場合、酸化膜が効率的に還元され、酸化膜のないクリーンな表面になることも広く知られている。
　そして、工業的に使用される水素ガスには、通常、酸素、水分などの不純物が含まれることや、水素を封入した炉の運転継続とともに、空気などの不純物が混入し、製品の酸化を起こすことも周知の事項である（例えば、下記周知例３、４参照）。
　
・周知例１：特開平１１−２２９０３０号公報
「【０００２】
【従来の技術】図４は、真空炉を用い還元雰囲気で熱処理する従来の真空熱処理設備（以下、還元真空熱処理設備という）の模式図である。……、真空ポンプ３により排気弁５を介して真空炉１内を減圧し、水素供給弁４から水素ガスを供給しながら、加熱室２内の被処理物（ワーク）を水素ガス雰囲気で熱処理するようになっている。」
　
・周知例２：特開平１０−３１３００５号公報
「【００２１】そこで、図２（ａ）に示したように、金属膜４の表面が酸化した状態のウェハを減圧した水素（Ｈ２）還元雰囲気２０を保持したチャンバーに搬送し、この減圧した水素還元雰囲気中でレーザリフロー装置により金属膜４の表面を走査しながら塩化キセノン（ＸｅＣｌ）レーザ光２１等からなるレーザ光を照射して、リフローさせる。これにより、レーザ照射された部分の酸化膜１０が還元される」　
　
・周知例３：特開平７-２２３８０２号公報
「水素ガスは近年目覚ましく発展した半導体製造工業で、各種工程中の雰囲気ガスとして盛んに用いられている。そして半導体の集積度の向上と共に水素ガスの純度向上への要求はますます強くなっている。このため水素ガス中にｐｐｍオーダーで存在する、……、酸素、および水分などの不純物を除去してｐｐｂオーダーまたはそれ以下のようなレベルの高純度に精製することが望まれている。」
　
・周知例４：特開平１０−２０３８０２号公報
「【０００２】
【従来の技術】  水素炉、ＣＶＤ炉等には製品の酸化を防ぐために高純度の水素ガスが封入されている。この水素ガスの純度は、運転の継続とともに製品から発生する不純物ガスや混入してくる空気などの不純物によって次第に低下してくる。この純度低下を放置しておくと製品の酸化を起こし、性能が低下するので水素ガス純度を維持するための対策が必要となる。」
　
　一方、上記記載事項（ｄ）によれば、引用刊行物には、鉄等の酸化表面はコークス化及び炭素化しやすいことから、これらを使用しないのが望ましい旨の記載がある。
　また、引用発明は、そもそも、水素雰囲気中で加熱することにより、水素分解性錫化合物含有ペイントを還元するものであるから、酸化は望ましくなく、避けるべきなのは自明のことである。
　そうすると、上記のとおり、引用発明は、鋼の炭素化を減少させることを課題とするものであるから、水素環境での加熱（硬化）の際には、酸化を防止すべく、なるべく酸素を含まない状態、すなわち減圧して行った方が好ましいこと、また、既に鋼表面の酸化が生じている場合には、効果的に酸化膜を除去するために、減圧した水素環境て加熱を行うことは、当業者が容易に想起しうることである。
　よって、引用発明において、「大気圧以下の圧力で」との相違点に係る構成とすることは、所望に応じ適宜なし得る事項にすぎない。
　
　また、本願補正発明における「大気圧以下の圧力で」硬化させるとは、文言上、「大気圧下で」硬化させることも含むものである。
　一方、引用刊行物には、圧力について何ら記載がないことから、引用発明においては、常圧、すなわち、大気圧下で加熱（すなわち、硬化）しているものとも解される。
　そうすると、当該相違点は実質的なものとはいえない。
　
・（相違点２）について
　前記被着金属層を前記構造体の組み立て前に硬化させることは、作業性等を考慮して適宜決定すべき設計的事項にすぎない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用刊行物に記載された発明および周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
２．まとめ
　以上のとおり、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成２５年１月７日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲に記載された以下のとおりのものである。
「【請求項１】
　少なくとも一つの金属を含む層を構造体の未組み立て部品の基板に付与して記基板上に被着金属層を作る工程および
　前記被着金属層を前記構造体の組み立て前に大気圧以下の圧力で還元環境で硬化させて前記基板上に金属保護層を作る工程を含み、
　前記基板が、炭素鋼、軟鋼、合金鋼、ステンレス鋼、又はオーステナイトステンレス鋼である、基板の処理方法。」（以下、「本願発明」という。）
　
２．引用刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物（特開２００１−２２０５８６号公報）の記載事項及び引用発明は、上記「第２．１．（２）（２−１）」、「第２．１．（２）（２−２）」のとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、上記「第２．１．」で検討した本願補正発明から、実質的に「前記金属保護層が、前記基板から得られる反応性金属を含む」との事項を省いたものに相当する。
　そうすると、本願発明に係る発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２．１．」に記載したとおり、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、引用刊行物に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。