【事件の表示】
　特願２００９−　　７２８８「多層３次元構造を製造するための方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　５月１４日出願公開、特開２００９−１０２７４３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、１９９８年４月３日（パリ優先権主張　１９９７年４月４日　米国（ＵＳ））を国際出願日とする特願平１０−５４２９１７号の一部を平成１３年５月１１日に新たな特許出願とした特願２００１−１４２２１０号（以下、「原出願」という。）について、その一部をさらに平成２１年１月１６日に新たな特許出願としたものであって、平成２３年５月２５日付けの拒絶理由に対して、同年１１月２９日付けで意見書が提出され、平成２４年８月２３日付けの拒絶理由に対して、同年１０月１０日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成２５年７月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月１９日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、前置審査における平成２６年３月３１日付けの拒絶理由に対して、請求人からは何ら応答がなされなかったものである。
　
第２　平成２５年１１月１９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）の適否　
１　補正の内容　
　本件補正は、請求項１７ないし２４を削除（以下、「補正事項１」という。）するとともに、補正前の明細書段落【００９４】の「入力装置６１６は、ユーザー入力（例えばキーボード、マウスなど）のエントリのためのを入力メディアを含む。」を、「入力装置６１６は、ユーザー入力（例えばキーボード、マウスなど）のエントリのための入力メディアを含む。」と補正（以下、「補正事項２」という。）し、補正前の明細書段落【０１０３】の「もしそうならば、プロセッサ６１２は、・・・（中略）・・・電気めっき装置を駆動するプロセッサ６１２は、基板にマスクを接触するように電気めっき装置を駆動し、上記した処理を、Ｐが層Ｍ上の金属の数に等しくなるまで繰り返す。」を「もしそうならば、プロセッサ６１２は、・・・（中略）・・・電気めっき装置を駆動する。プロセッサ６１２は、基板にマスクを接触するように電気めっき装置を駆動し、上記した処理を、Ｐが層Ｍ上の金属の数に等しくなるまで繰り返す。」と補正（以下、「補正事項３」という。）し、補正前の段落【０１１２】の「基板状に選択的に堆積される。」を「基板上に選択的に堆積される。」と補正（以下、「補正事項４」という。）するものである。　
　
２　補正の適否　
（１）　補正事項１について
　補正事項１は、特許法第１７条の２第５項第１号の請求項の削除を目的とするものに該当する。また、同法第１７条の２第３項及び第４項に違反するところはない。　
　
（２）　補正事項２ないし４について
　補正事項２ないし４は、特許法第１７条の２第５項第３号の誤記の訂正を目的とするものに該当する。また、同法第１７条の２第３項に違反するところはない。
　
（３）　むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項ないし第５項の規定に適合する。
　したがって、本件補正は適法になされたものである。　
　
第３　分割要件の適否　
　前置審査における拒絶理由では、本願の出願日を現実に出願された日と判断しているので、本願が適法に分割されたものであるかを検討する。
　
１　前置審査における拒絶理由において、審査官は、「請求項９に記載された、『（ｉ）３次元構造を作図するデータを処理して、前記構造のサイズを計ること』は、特願２００１−１４２２１０号の願書に最初に添付した明細書に記載されていない。」と判断している。
　他方、請求人は、請求項９に記載されている「（ｉ）３次元構造を作図するデータを処理して、前記構造のサイズを計ること」（以下、「発明特定事項１」という。）が、原出願の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「原出願明細書等」という。）に記載されていることについて、平成２３年１１月２９日付け意見書において、「
（ｉ）３次元構造を作図するデータを処理して、前記構造のサイズを計ること、
　段落『００１４』の『本発明の他の特徴は、３次元オブジェクトの横断面ジオメトリの、計算、記憶、および回復(retrieval)にある。これは、そのジオメトリを反映するパターン化されたマスクの生成および電気めっき方法の使用のために用いられる。本発明のデータおよび制御プロセスは、汎用コンピューティングシステムにおいて、実行されるソフトウェアアプリケーションプログラムによって具現化され得る。』の記載、段落『００９５』の記載中特に『プロセッサ６１２は、ブロック６２５に示すように、例えば、３次元ジオメトリのスケーリング、層厚さ、マスクの寸法、コピーおよびスペースの数、およびマスク最小化のための許容範囲を含む各マスクジオメトリに関連した入力を読み取る。』の記載および図２９中のブロック６２５の『３次元ジオメトリのスケーリング、層厚さ、マスクディメンジョン、コピーおよびスペースの数、マスク最小化のための許容範囲など』の記載等に基づくものである。」と主張している。
　
２　そこで検討するに、原出願明細書等の段落【００１４】、【００９５】及び図２９に記載された事項のうち、請求人が根拠とした上記記載には、三次元構造を作図するデータを処理して、前記構造のサイズを記憶すること、又は、読み取ることは記載されているといえるものの、前記構造のサイズを計ることは、記載も示唆もされていない。また、上記発明特定事項１は、上記記載から自明であるともいえない。
　そして、原出願明細書等のその余の記載を見ても、上記発明特定事項１については何ら記載も示唆もされていないし、上記発明特定事項１は、原出願明細書等のその余の記載から自明であるともいえない。　
　
３　したがって、上記発明特定事項１は、原出願明細書等に記載された事項の範囲内であるとはいえないから、本願は、適法に分割されたものではない。　
　よって、本願の出願日は、現実の出願日（平成２１年１月１６日）である。　
　
第３　本願発明
　本願発明は、平成２５年１１月１９日付けの手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１６に記載された事項により特定されるとおりのものであり、そのうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりである。
　「【請求項１】
　多層３次元構造を製造するための方法において、この方法は、
　（ｉ）３次元構造を作図するデータを処理し、前記構造の多くのコピーを望ましい間隔で作ること、
　（ｉｉ）第１層を形成すること、これは、下記の（ａ）から（ｃ）を含む：
　　（ａ）基板に接触して、複数の３次元構造の断面の形成に関連した堆積パターンを表す複数の開口を有する第１マスクを用意する、
　　（ｂ）前記第１のマスクを用いて第１材料を前記第１材料の源から前記基板上に堆積して、第１層の一部を形成する、
　　（ｃ）前記第１マスクを前記基板から除去する、および
　（ｉｉｉ）先に形成された層に隣接し、且つ、接着するように追加の層を形成し、複数の３次元構造を形成することを含む。」
　
第４　刊行物の記載事項　
　平成２６年３月３１日付け拒絶理由において引用され、本願出願前に日本国内において頒布された、特願２００１−１４２２１０号（特開２００１−３５５０９５号）の平成１７年８月４日に発行された、出願公開後における補正の掲載（以下、「刊行物１」という。）には、以下の記載がある。　　
　「【請求項１３】
　
多層３次元構造を製造するための方法において、この方法は、
（ｉ）３次元構造を作図するデータを処理し、前記構造の多くのコピーを望ましい間隔で作ること、
（ｉｉ）第１層を形成すること、これは、下記の（ａ）から（ｃ）を含む：
（ａ）基板に接触して、複数の３次元構造の断面の形成に関連した堆積パターンを表す複数の開口を有する第１マスクを用意する、
（ｂ）前記第１のマスクを用いて第１材料を前記第１材料の源から前記基板上に堆積して、第１層の一部を形成する、
（ｃ）前記第１マスクを前記基板から除去する、および
（ｉｉｉ）先に形成された層に隣接し、且つ、接着するように追加の層を形成し、複数の３次元構造を形成することを含む。
　
第５　当審の判断　
１　引用発明　
　上記第４の記載事項から、刊行物１には、「多層３次元構造を製造するための方法において、この方法は、
　（ｉ）３次元構造を作図するデータを処理し、前記構造の多くのコピーを望ましい間隔で作ること、
　（ｉｉ）第１層を形成すること、これは、下記の（ａ）から（ｃ）を含む：
　　（ａ）基板に接触して、複数の３次元構造の断面の形成に関連した堆積パターンを表す複数の開口を有する第１マスクを用意する、
　　（ｂ）前記第１のマスクを用いて第１材料を前記第１材料の源から前記基板上に堆積して、第１層の一部を形成する、
　　（ｃ）前記第１マスクを前記基板から除去する、
および
　（ｉｉｉ）先に形成された層に隣接し、且つ、接着するように追加の層を形成し、複数の３次元構造を形成することを含む。」との発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。　
　
２　対比・判断
　本願発明１と引用発明とを対比すると、両者は、「多層３次元構造を製造するための方法において、この方法は、
　（ｉ）３次元構造を作図するデータを処理し、前記構造の多くのコピーを望ましい間隔で作ること、
　（ｉｉ）第１層を形成すること、これは、下記の（ａ）から（ｃ）を含む：
　　（ａ）基板に接触して、複数の３次元構造の断面の形成に関連した堆積パターンを表す複数の開口を有する第１マスクを用意する、
　　（ｂ）前記第１のマスクを用いて第１材料を前記第１材料の源から前記基板上に堆積して、第１層の一部を形成する、
　　（ｃ）前記第１マスクを前記基板から除去する、
および
　（ｉｉｉ）先に形成された層に隣接し、且つ、接着するように追加の層を形成し、複数の３次元構造を形成することを含む。」点で一致し、何ら相違するところはない。
　したがって、本願発明１は、引用発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
　
第６　むすび　
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができないものであるから、その余の請求項について判断するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。　
　よって、結論のとおり審決する。