【事件の表示】
　平成１０年特許願第　９９５８５号「窒化ガリウム系化合物半導体の電極」拒絶査定に対する審判事件［平成１０年１０月　９日出願公開、特開平１０−２７０７５７］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願発明
　本願は、平成５年３月１９日に出願した特願平５−８５４９２号の一部を平成１０年４月１０日に新たな特許出願としたものであって、その請求項１〜８に係る発明は、平成１１年２月１日付け及び平成１３年９月１７日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、請求項３に係る発明は次のものである。
「【請求項３】　ｐ−ｎ接合型窒化ガリウム系化合物半導体ｐ型層にｐ電極をオーミックに接続するのに適したｐ電極用コンタクト層構造であって、
　該コンタクト層が、正孔キャリア濃度１×１０１５／ｃｍ３以上を有し、ｐ−電極と共に４００℃以上でアニーリングされて抵抗率が低下しているＭｇドープｐ型窒化ガリウム系化合物半導体からなり、ノンドープＧａＮ層上に接して位置していることを特徴とする、ｐ−ｎ接合型窒化ガリウム系化合物半導体ｐ型層に適したｐ電極用コンタクト層構造。」
　
２．刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、この出願前公知の刊行物である特開平４−２４２９８５号公報（以下、「引用例」という。）には、ｐｎ接合を有する窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオードに関し、下記の記載が認められる。
（１）層構造について、「サファイア基板１上に５０ｎｍ程度の膜厚を持つＡｌＮ層２を形成する。次に、・・・Ｓｉドープｎ型ＧａＡｌＮ層３（ｎ層）を成長する。・・・次に、・・・厚さ０．５μｍのＧａＮ層４を成長させる。次に、ＴＭＡ及びビスシクロペンタディエニルマグネシウム（Ｃｐ２Ｍｇ）を更に供給してドープＧａＡｌＮ層５（ｐ層）を０．５μｍ成長する。・・・次に、・・・ドープＧａＡｌＮ層５（ｐ層）に電子線照射処理を行う。・・・次に、ドープＧａＡｌＮ層５（ｐ層）の窓８の部分と、Ｓｉドープｎ型ＧａＡｌＮ層３（ｎ層）に、それぞれ、金属電極を形成する。」（４頁右欄１２行〜４３行）
　また、【図１】には、窒化ガリウム系化合物半導体レーザダイオードにおいて、ＧａＮ層４上に接して、ドープＧａＡｌＮ層５（ｐ層）が位置し、その上に電極６Ａが接続されたｐ電極用コンタクト層構造が図示されている。
　
（２）ｐ層のアクセプタ不純物について、「例えばベリリウム（Ｂｅ），マグネシウム（Ｍｇ）、亜鉛（Ｚｎ）・・・を含む化合物を成長炉に導入してアクセプタ不純物をドープした・・・単結晶（ｐ層）の成長を行う。」（３頁右欄２２〜２６行）
　
（３）オーム性電極について、「アクセプタドープ層（ｐ層）の・・・上に金属を接触させ、ｐ層に対するオーム性電極を形成する。」（３頁右欄３３〜３６行）
　
（４）キャリア濃度に関し、「ヘテロ接合を利用する場合も、同一組成の結晶によるｐｎ接合の場合と同様に、オーム性電極組成を容易にするため電極と接触する部分付近のキャリア濃度は高濃度にしても良い。・・・ｐ型結晶のキャリア濃度はアクセプタ不純物のドーピング濃度及び電子線照射処理条件により制御する。」（４頁左欄３５〜４２行）
　
３．対比
　本願の請求項３に係る発明（以下、「本願発明」という。）と引用例に記載された発明（以下、「引用発明」という。）とを対比する。
　引用発明の「電子線照射されたドープＧａＡｌＮ層５（ｐ層）」は、Ｍｇをドープされたものであるから、本願発明の「Ｍｇドープｐ型窒化ガリウム系化合物半導体」に相当し、引用発明の「ドープＧａＡｌＮ層５（ｐ層）に接続された金属電極」は、ｐ層に対するオーム性の電極であり、本願発明の「ｐ電極」に相当する。
　また、引用発明の「電子線照射されたドープＧａＡｌＮ層５（ｐ層）」は、オーム性電極組成を容易にするため電極と接触する部分付近のキャリア濃度を高濃度にするとされているところからみて、本願発明の「ｐ電極をオーミックに接続するのに適したｐ電極用コンタクト層」に相当することは明らかである。さらに、引用発明の「ＧａＮ層４」は、本願発明の「ノンドープＧａＮ層」に相当する。
　よって、両者は、
「 ｐ−ｎ接合型窒化ガリウム系化合物半導体ｐ型層にｐ電極をオーミックに接続するのに適したｐ電極用コンタクト層構造であって、該コンタクト層が、Ｍｇドープｐ型窒化ガリウム系化合物半導体からなり、ノンドープＧａＮ層上に接して位置している、ｐ−ｎ接合型窒化ガリウム系化合物半導体ｐ型層に適したｐ電極用コンタクト層構造。」
で一致し、下記の点で相違する。
（相違点１）　本願発明は、該コンタクト層が、正孔キャリア濃度１×１０１５／ｃｍ３以上を有しているのに対して、引用発明では、電極と接触する部分付近のキャリア濃度を高くすることが記載されているものの、コンタクト層の正孔キャリア濃度の具体的な数値は示されていない点。
（相違点２）  本願発明は、該コンタクト層が、ｐ−電極と共に４００℃以上でアニーリングされて抵抗率が低下しているのに対して、引用発明は、このような構成を有しない点。
　
４．判断
　上記相違点に付き検討する。
（１）相違点１について
  Ｍｇ、Ｚｎのようなアクセプタ不純物をドープした窒化ガリウム系化合物半導体ｐ型層のキャリア濃度を１×１０１５／ｃｍ３以上とすることは、従来周知（例えば、原査定の拒絶理由で引用した特開平４−２９７０２３号公報（Ｍｇドープｐ型ＧａＮエピタキシャル層のキャリア濃度２．０×１０１５／ｃｍ３【００３２】、Ｍｇドープｐ型ＧａＮエピタキシャル層のキャリア濃度３．５×１０１５／ｃｍ３【００３３】参照）、及び、特開昭４９−２９７７１号公報（ＺｎドープＧａＮｐ層のキャリア濃度３×１０１７／ｃｍ３、３頁左上欄２３〜２４行参照。））であるから、引用発明において、ｐ電極用コンタクト層構造であるＭｇドープＧａＡｌＮ層５（ｐ層）の正孔キャリア濃度を１×１０１５／ｃｍ３以上と規定することは当業者が容易になし得たものである。
　
（２）相違点２について
　一般に、オーミック電極を形成する際、半導体層と金属の電極材料とのなじみを良くするために、電極形成後に４００℃以上でアニーリングすることは、原査定の拒絶理由で引用した特開昭４９−２９７７０号公報（「ｐ層にはＡｕ−Ｚｎを蒸着し、約６００℃で３０分加熱して抵抗性電極とした。」３頁右上欄８〜９行）、特開昭４９−２９７７１号公報（「ｐ層側にはＡｕ−Ｚｎを蒸着し、約５００℃で３０分加熱して抵抗性電極とした。」３頁左上欄１７〜１９行）、及び、特開昭５０−１５９９８３号公報（「電極金属層・・・を被着した後、・・・４５０〜５００℃に加熱し・・・オーミック接触層４，５を形成し」１頁右下欄１０〜１５行）、特開平３−２４７２２号公報（「・・・蒸着後、３８０℃〜６１０℃で１０分以上加熱処理すると、・・・低接触抵抗のオーミックコンタクト３が形成される。」２頁右上欄４〜１６行参照。）等に示されるように従来周知の技術である。
　また、本願発明の実施例１には、Ｍｇドープ窒化ガリウム系化合物半導体成長後、７００℃でアニーリングして低抵抗化してｐ型とし、次に前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層表面に合金を蒸着した後、５００℃で１０分間アニーリングを行うことで、オーミック接触が得られていることが確認された、旨記載されている。（本願明細書【００１３】〜【００１４】参照。）
　そうしてみると、ドープＧａＡｌＮ層５を電子線照射によりｐ型化した引用発明のｐ電極用コンタクト層において、該ｐ電極用コンタクト層に接続する金属電極を形成した後、さらに、従来周知の加熱処理（４００℃以上でアニーリング）を行うことを妨げる理由もない。
　そして、本願発明の上記相違点２の構成のうち、「コンタクト層の抵抗率が低下している」点は、引用発明においては、ドープＧａＡｌＮ層５を電子線照射によりｐ型化したことにより、すでに達成されている。なお、仮に、本願発明における抵抗率の低下が、ｐ電極と共にアニーリングされることによってもたらされるものであるとしても、この点は、引用発明の金属電極に上記従来周知の加熱処理を施すことにより当然もたらされる効果を記載したに過ぎないものである。
　したがって、本願発明の相違点２の構成は、引用発明において、ｐ電極用コンタクト層に接続する金属電極を形成した後、従来周知の加熱処理を行うことにより、当業者が容易に想到し得たものである。
　しかも、本願発明によってもたらされる効果は、引用例及び上記従来周知の技術から、当業者が予測し得る程度のものであり、格別とはいえない。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。