【事件の表示】
　平成　４年特許願第３０５２８９号「半導体装置およびその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　６年　５月３１日出願公開、特開平　６−１５１８３３］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願の経緯および本願発明の要旨
　本願は、平成４年１１月１６日の出願であって、その請求項４に係る発明（以下、「本願第４発明」という。）は、平成１１年８月１７日付けの手続補正書で補正された明細書及び図面からみて、その特許請求の範囲の請求項４に記載された次のとおりである。
「半導体基板の主表面上にゲート絶縁膜とゲート電極を形成する工程と、
　前記半導体基板の主表面の少なくとも一部と前記ゲート絶縁膜の少なくとも一部に窒素をイオン注入する工程と、
　前記半導体基板の主表面にソースドレイン領域を形成する工程と、
　窒素をイオン注入された前記半導体基板の主表面上でかつ前記ソースドレイン領域上にサイドウォールを形成する工程とを含む半導体装置の製造方法。」
　
２．引用刊行物記載の発明
　これに対して、原審の拒絶の理由に引用された、本願出願前に頒布された刊行物である特開平４−１１６８６９号公報（公開日：平成４年４月１７日。以下、「引用例１」という）には、
「次に、上記半導体素子１１の製造方法を第２図（１）ないし（５）に示す工程断面図により説明する。第２図（１）に示す工程では、前述の従来の技術中第４図（ｉ）ないし（ｉｉｉ）で説明したと同様に、Ｐ型シリコン基板１２上に熱酸化法によって酸化シリコン膜を形成し、この酸化シリコン膜上に多結晶シリコン膜を形成する。この多結晶シリコン膜には、Ｎ型不純物のリンイオン（Ｐ＋）が注入される。そしてホトリソグラフィー技術とエッチング技術とによって、酸化シリコン膜でゲート絶縁膜１３を形成し、多結晶シリコン膜でゲート電極１４を形成する。その後熱酸化処理を行って、ゲート電極１４の表面とＰ型シリコン基板１２の表面に酸化シリコン膜１７を形成する。この時、ゲート電極１３が多結晶シリコン膜で形成されているために、ゲート電極１４の表面に形成される酸化シリコン膜１７（１７ａ）はＰ型シリコン基板１２の表面に形成される酸化シリコン膜１７（１７ｂ）より厚く形成される。またこの熱酸化処理によって、ゲート絶縁膜１３の両側部にはゲートバーズピーク１３ａ、１３ｂが生じる。そしてイオン注入装置を用いて、第２図（２）に示す如く、このゲートバーズピーク１３ａ、１３ｂに窒素イオン（Ｎ＋）を斜め（Ｐ型シリコン基板１２に対しておよそ４５°）方向より注入する。この時、酸化シリコン膜１７にも窒素イオンが注入される。なお、窒素イオンの注入では、ゲートバーズピーク１３ａ、１３ｂより内部のゲート絶縁膜１３に達しないように、イオン注入装置のイオン加速電圧が調整される。・・・次に第２図（３）に示す如く、ゲート電極１４上に形成された酸化シリコン膜１７ａをイオン注入用マスクにして、ゲート絶縁膜１３の両側でＰ型シリコン基板１２の表面にＮ型不純物のヒ素イオン（Ａｓ＋）を注入し、ソース領域１５とドレイン領域１６とを形成する。」（第３頁右下欄第１５行〜第４頁右上欄第１６行）が、第２図と共に記載されている。
　したがって、上記記載から、引用例１には、
「Ｐ型シリコン基板１２上に、酸化シリコン膜でゲート絶縁膜１３を形成し、多結晶シリコン膜でゲート電極１４を形成する工程。
　イオン注入装置を用いて、ゲート絶縁膜１３の両側部に生じたゲートバーズピーク１３ａ、１３ｂに、窒素イオン（Ｎ＋）を注入する工程。
　ゲート絶縁膜１３の両側でＰ型シリコン基板１２の表面に、ソース領域１５とドレイン領域１６とを形成する工程を有する、半導体素子１１の製造方法。」が記載されているものと認められる。
　
３．対比
　本願第４発明と引用例１記載の発明とを対比すると、本願第４発明の「半導体基板」は、引用例１に記載された発明の「Ｐ型シリコン基板１２」に相当する。
　そうすると、本願第４発明と、引用例１に記載された発明は、
「半導体基板の主表面上にゲート絶縁膜とゲート電極を形成する工程と、
　前記ゲート絶縁膜の少なくとも一部に窒素をイオン注入する工程と、
　前記半導体基板の主表面にソースドレイン領域を形成する工程と、
　とを含む半導体装置の製造方法。」である点で一致する。
　一方、本願第４発明が「前記半導体基板の主表面の少なくとも一部に窒素をイオン注入する工程」を有するのに対して、引用例１には、半導体基板の主表面の一部に窒素をイオン注入すると明記されていない点（相違点１）、
及び、本願第４発明が「窒素をイオン注入された前記半導体基板の主表面上でかつ前記ソースドレイン領域上にサイドウォールを形成する工程」を有するのに対して、引用例１には、サイドウォールの形成について記載がない点（相違点２）において相違する。
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
（相違点１について）
　引用例１に記載された発明では、ゲートバーズピーク１３ａ、１３ｂへの窒素イオンの注入は、ゲート電極１４の表面とＰ型シリコン基板１２の表面に酸化シリコン膜１７を有する状態で行っている。
　そして、前記窒素イオンの注入は、Ｐ型シリコン基板１２に対しておよそ４５°の方向よりするとあるから、前記ゲートバーズピーク１３ａ、１３ｂへの窒素イオンの注入は、ゲート電極１４の表面（側面）に形成された酸化シリコン膜１７（１７ａ）を通過して、ゲートバーズピーク１３ａ、１３ｂに窒素イオンが到達するような態様で行われていることは明らかである。
　一方、引用例１には、「ゲート電極１３が多結晶シリコン膜で形成されているために、ゲート電極１４の表面に形成される酸化シリコン膜１７（１７ａ）はＰ型シリコン基板１２の表面に形成される酸化シリコン膜１７（１７ｂ）より厚く形成される。」とある。
　してみれば、前記窒素イオンは、厚く形成されたゲート電極１４の表面の酸化シリコン膜１７（１７ａ）を通過してその背後にあるゲートバーズピーク１３ａ、１３ｂに達するのであるから、前記ゲートバーズピーク１３ａ、１３ｂへの窒素イオンの注入に際して、前記窒素イオンが、ゲート電極１４の表面の酸化シリコン膜１７（１７ａ）よりも薄く形成されたＰ型シリコン基板１２の表面の酸化シリコン膜１７（１７ｂ）を通過して、その下のＰ型シリコン基板１２の表面にも注入されることは明らかである。
　従って、引用例１に記載された発明も、「前記半導体基板の主表面の少なくとも一部に窒素をイオン注入する工程」を有するものと認められる。
　
（相違点２について）
　引用例１に記載された発明において、半導体基板の主表面に窒素がイオン注入されている点については、前記（相違点１について）において検討した通りである。
　また、半導体装置の製造方法において、ソースドレイン領域上にサイドウォールを形成する工程は慣用されているから、引用例１に記載された発明に、ソースドレイン領域上にサイドウォールを形成する工程を付加することは、慣用技術の付加にすぎない。
　そして、引用例１に記載された発明への、窒素をイオン注入された半導体基板の主表面上でかつソースドレイン領域上にサイドウォールを形成する工程の付加に格別の意義も認められない。
　
　従って、本願第４発明と引用例１に記載された発明は実質的に同一であるといえる。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項４に係る発明は、上記引用例１に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。そうである以上、他の発明について検討するまでもなく本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。