【事件の表示】
　平成６年特許願第１６２７０６号「処理装置」拒絶査定に対する審判事件［平成７年９月２６日出願公開、特開平７−２４９５８６］について、
　次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】手続の経緯及びこの出願の発明
【１-1】手続の経緯
　本願は、平成６年６月２０日(優先権主張、平成５年１２月２２日)の出願であって、平成１３年１０月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月２９日に拒絶査定に対する審判請求がなされると共に、同日から３０日以内の平成１３年１２月２７日に、その明細書についての手続補正書が提出されたものである。
　　
【１-2】この出願の発明
　前記平成１３年１２月２７日付けの手続補正は、その補正前(拒絶査定時)の特許請求の範囲に記載した請求項２を残し、その他の請求項をすべて削除すると共に当該請求項２の項番を繰り上げて、上記補正後の請求項１とするものであって、特許法第１７条の２第３項第１号に規定する請求項の削除に該当し、また、当該特許請求の範囲についてした補正以外の明細書に対する補正は、請求項が一つになったことに合わせて、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであり適法なものと認める。
　従って、この出願の明細書の特許請求の範囲の請求項１に係る発明(以下、「本願発明」という)は次に示すとおりの、
「処理室内に配設された温度調整可能な第１電極の支持面により複数のリフタピンを介して受け取った被処理体を支持し、上記第１電極とこれに対向する第２電極との間でプラズマを発生させ、このプラズマにより上記第１電極を介して温度調整された上記被処理体にプラズマ処理を施すように構成された処理装置において、上記第１電極内にその支持面の外周縁部及びその内側それぞれの複数箇所で開口する第１、第２ガス通路を設けると共に第１、第２ガス通路それぞれに同一の熱伝導性ガスを供給する上記第１、第２ガス供給手段を接続し、且つ上記複数の第２ガス通路の一部の開口部を上記各リフタピンが進退動する孔によって構成し、上記第１、第２ガス通路の圧力を個別に制御して上記支持面の外周縁部と上記被処理体間の細隙に介在する上記熱伝導性ガスの圧力をその内側の細隙に介在する上記熱伝導性ガスの圧力より高く設定することを特徴とする処理装置。」である。
　　
【２】原査定の概要
　この出願の請求項１，２に係る発明は、次の引用文献１〜５および慣用手段例１〜３に記載された技術内容から、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
引用文献１　；特開平０４−３６４７２５号公報
引用文献２　；特開平０１−２５１７３５号公報(以下、「引用例」という)
引用文献３　；特開平０５−０１３３５０号公報
引用文献４　；特開平０５−２４３１９１号公報
引用文献５　；特開平０２−２４０９２３号公報
慣用手段例１；特開平４−５１５４１号公報(以下、「周知例」という)
慣用手段例２；特開平２−２７０３２０号公報
慣用手段例３；特開平１−１８９１２４号公報
　　
【３】引用例，周知例の記載事項及びその開示内容
【３-1-1】引用例の記載事項
　第１頁右下欄第２０行〜第２頁右上欄第２行に、
(引a)「反応性イオンエッチング装置(ＲＩＥ)において・・・昇温によりエッチングの特性は大きく変化する。従って、ウェハを十分に冷却することが重要となる。
　ウェハを冷却するためには、内部に冷却水を流す等して温度制御した電極(試料台)の表面にウェハを密着させなければならない。この密着させる方法には、ウェハの周辺部を金属等のツメで押さえる方法があるが、ツメがプラズマの分布を乱したり、メツ自体が新たな熱源となってしまう問題がある。そこで、静電気力でウェハを吸着し固定する静電チャック装置が考案されている。さらに、ウェハと電極との熱伝導を良くするためにウェハ裏面に数Torrのガス(Ｈｅ，Ｎ２等)を導入することが行われており、これによってウェハを十分に冷却することが可能となっている」と記載され、
　第２頁右下欄第１１〜１５行に、
(引b)「本発明は、・・・大口径のウェハであってもその中央から周辺部まで均一に温度制御することができ、各種処理の均一性、再現性及び歩留りの向上等に寄与し得る」と記載され、
　第３頁左上欄第３〜１４行に、
(引c)「本発明は、被処理基体の裏面を静電気力により吸着し温度制御された試料台上に固定する静電チャック装置において、前記試料台と被処理基体との間の熱伝導率を、前記被処理基体の表面に施す処理により生じる熱の分布に応じて局所的に変化させ、被処理基体の表面の温度分布を均一に保持するようにしたものである。さらに、熱伝導率を変化させる手段として、前記被処理基体の裏面に冷却用のガスを導入し(例えば被処理基体の周辺部裏面に冷却用のガスを選択的に導入する)、このガス圧力を局所的に変化させるようにしたものである」と記載され、
　第３頁右上欄第１２〜１６行に、
(引d)「プラズマからの電極保護のため、ウェハ７３のエッジ部は静電チャック板７４には吸着しておらず、冷却されていない。この点からもウェハ７３の周辺部の温度が上昇し易い」と記載され、
　第３頁左下欄第１１行〜同頁右下欄第４行に、
(引e)「第１図は本発明の一実施例に係わる静電チャック板を用いたドライエッチング装置を示す概略構成図である。図中１１は真空容器であり、この容器１１の上端開口には絶縁環１２を介して電極(陽極)１３が取付けられている。容器１１の底部には、電極１３と対向して試料台となる電極(陰極)１４が取付けられている。この電極１４にはマッチング回路１５を介して高周波電源１６から高周波電力が印加される。そして、電極１４と接地された電極１３との間に放電プラズマが生成される。また、電極１４の内部には冷媒流路が設けられており、配管１７により冷却水を通流することにより電極１４が冷却されるものとなっている」と記載され、
　第３頁右下欄第８〜第４頁左上欄第３行に、
(引f)「静電チャック板２０は、熱伝導の良い銅等の金属箔２１をポリイミド等の絶縁膜２２で被覆した構造である。・・・これによりウェハ１８が静電チャック板２０の上面に吸着固定されるものとなっている。
　静電チャック板２０の上面には、第２図(a)に平面図を、第２図(b)に同図(a)の矢視Ａ−Ａ断面を示す如く、同心円状に複数本の溝２５が形成され、溝２５の一部にガス導入孔２６が形成されている。そして、導入孔２６に電極１４を貫通した冷却ガス導入管２７を接続することにより、ウェハ裏面に冷却ガスを供給できるものとなっている。なお、ガス導入管２７には、熱伝導の良いＨｅ・・・等のガスを供給する」と記載され、
　第４頁右上欄第８行〜同頁左下欄第１４行に、
(引g)「ウェハ１８は静電チャック板２０上に吸着固定されており、静電チャック板２０及びウェハ裏面に導入する冷却ガスを介して電極１４と熱的に接続されている。従って、電極１４を冷却水により冷却しておくことにより、ウェハ１８も冷却されることになる。
　ここで、ガスによる熱伝導率はウェハ１８と静電チャック板２０との距離がガスの平均自由行程より小さければ、そのガス圧に比例する。従って、ガス圧力を制御することにより、ウェハ温度を制御することが可能となる。本実施例では、ウェハ裏面のガス圧を局所的に変化させることにより、ウェハ温度を均一にしている。・・・本実施例では、ガス導入孔を複数の同心円状に形成し、それぞれの同心円部分に溝を設けて異なる圧力でガスを導入することにより、ウェハ温度を効果的に制御している。例えば、周辺部の溝に供給するガス圧力を中央部に供給するガス圧力よりも高くする。これにより、ウェハ周辺部の冷却効率を高めることができ、ウェハ中央よりも周辺部に多くの熱が流入される場合であっても、ウェハ温度を均一に保持することが可能となる」と記載され、
　第４頁右下欄第１〜１０行に、
(引h)「かくして本実施例によれば、静電チャック板に複数の冷却ガス導入孔を設け、ウェハの周辺部の方が中央部よりも冷却ガスの圧力が高くなるようにしているので、ウェハ周辺部をより効率良く冷却することができ・・・ウェハ表面の温度を均一に保持することが可能となる。このため、ウェハの表面の温度分布の均一化をはかることができ、良好なエッチングを行うことができる」と記載されている。
　　
【３-1-2】引用例の開示内容
　前記(引a)〜(引h)の記載から、引用例には、
(引z)「真空容器内に配設された温度制御可能な電極(陰極)の静電チャック板の上面により被処理基体を支持し、上記電極(陰極)とこれに対向する電極(陽極)との間でプラズマを発生させ、このプラズマにより上記電極(陰極)を介して温度制御された上記被処理基体にプラズマ処理を施すように構成されたドライエッチング装置において、上記電極(陰極)内にその静電チャック板の上面の周辺部及び中央部それぞれの複数箇所で開口する第１、第２ガス導入孔を設けると共に第１、第２ガス導入孔それぞれに同一の熱伝導の良いガスを供給する複数のガス導入管を接続し、上記第１、第２ガス導入孔の圧力を個別に制御して上記静電チャック板の上面の周辺部と上記被処理基体間の溝や細隙に介在する上記熱伝導の良いガスの圧力を中央部の溝や細隙に介在する上記熱伝導の良いガスの圧力より高く設定することを特徴とするドライエッチング装置」の発明(以下、「引用発明」という)が開示されている。
　　
【３-2-1】周知例の記載事項
　第１頁右下欄第１〜１０行に、
(周a)「従来、半導体集積回路の製造においては、エッチング装置，イオン注入装置あるいはスパッタリング装置等が用いられ、これらの装置においては、真空中で半導体ウエハを載置台に固定して、薄膜形成や微細パターンの高密度形成等の処理を行う。
　このような処理時に半導体ウエハが高温になり物理特性等が変化するのを防止するために、半導体ウエハをクランプや静電吸着等を用いて載置台の凸状載置面に載置固定して冷却を行う」と記載され、
　第２頁左上欄第７〜１０行に、
(周b)「半導体基板と載置面との間に充填される気体の量を部分的に変えることで、半導体基板の全面での温調温度を均一にし、処理の均一性を図ることができる」と記載され、
　第３頁右上欄第４〜１４行に、
(周c)「下部電極８の中央付近の内部には、半導体基板３０を下部電極２８に対して昇降可能な如く、連結部３８を介してピン昇降機構４０例えばエアシリンダ等に連結された例えば３本のＳＵＳ製リフトピン４２が設けられている。このリフトピン４２は、下部電極２８内に穿設された孔４４の一部を利用して下部電極２８内に挿入されている。そして、孔４４は、図示しない冷却ガス供給源からの冷却ガス例えばヘリウムガスを半導体基板３０裏面に供給可能な如く冷却ガス供給パイプ４６に接続されている」と記載され、
　第３頁右下欄第２０行〜第４頁左上欄第４行に、
(周d)「リフトピン４２を上昇させた状態で、真空容器１０内部に半導体基板３０を搬入し、リフトピン４２上に載置する。その後、リフトピン４２を下降することで、半導体基板３０を下部電極２８上に載置する」と記載され、
　第４頁右上欄第１３行〜同頁左下欄第２０行に、
(周e)「半導体基板３０はクランプリング３２で下部電極２８に圧着されているが、ミクロ的には表面粗さ等のため、下部電極２８と半導体基板３０との間には空隙が存在している。この空隙の存在により、特に真空状態にあっては半導体基板３０と下部電極２８との間の熱伝達が良好に行われず、たとえ下部電極２８を冷却パイプ２４を介しての冷却液の循環により冷却しても、半導体基板３０を有効に冷却することが不可能となる。
　そこで、半導体基板３０と下部電極２８との間・・・に気体を充填し、この気体の対流により両者間の熱伝達を確保するようにしている。この気体は、例えばＨｅ等のガスを所定の圧力と流量例えば数cc／min程度で供給している。このようなガスは、冷却された下部電極２８とプラズマにより加熱される半導体基板３０との間の熱伝達を良好とし、かつ、自らの冷媒作用により半導体基板３０を冷却することになる。
　ここで、このようなエッチング装置の特性として、半導体基板３０の中心領域よりも周辺領域での温度が高くなることが本発明者等によって確認された。そこで、本実施例では下部電極２８の比較的変温部である周辺部・・・において比較的多くガスが充填され均一な冷却が行われるように構成している」と記載され、
　第４頁右下欄第１〜５行に、
(周f)「このように半導体基板３０の周辺部と対応する領域に多くの量のガスを充填することで、半導体基板３０の中心部と周辺部との温度分布のばらつきを抑制でき、半導体基板３０の全面での温度の均一性を確保することができた」と記載されている。
　　
【３-2-2】周知例の開示内容
　前記(周a)〜(周f)の記載から、周知例には、
(周z)「真空容器中で半導体基板をクランプや静電吸着により載置台に固定してプラズマエッチングする装置であって、冷却液の循環により温度調整された載置台としての下部電極と半導体基板との圧着部分におけるミクロ的な空隙の存在に起因する熱伝達不良を解消し、半導体基板の全面での温度の均一性を確保してエッチング処理の均一化を図るため、下部電極と半導体基板との間にヘリウムガスを半導体基板裏面の中心領域よりその周辺領域に多く充填するものにおいて、」，
「複数のリフトピン上に載置した半導体基板を、当該リフトピンを下降させることで下部電極上に載置し、ヘリウムガスを半導体基板裏面に供給できるように下部電極内に穿設された複数の孔のうちの下部電極中央部の孔の一部を利用して前記各リフトピンが昇降可能に構成されている装置」(以下特に、「周知事項」という)が開示されている。
　　
【４】当審の判断
【４-1】本願発明と引用発明との対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、
　引用発明の「真空容器」，「温度制御」，「電極(陰極)」，「静電チャック板の上面」，「被処理基体」，「電極(陽極)」，「ドライエッチング装置」，「周辺部」，「中央部」，「ガス導入孔」，「熱伝導の良いガス」，「溝や細隙」は、
　本願発明の「処理室」，「温度調整」，「第１電極」，「支持面」，「被処理体」，「第２電極」，「処理装置」，「外周縁部」，「その内側」，「ガス通路」，「熱伝導性ガス」，「細隙」にそれぞれ相当し、これらは使用された用語の差異でしかない。
　従って、両者は「処理室内に配設された温度調整可能な第１電極の支持面により被処理体を支持し、上記第１電極とこれに対向する第２電極との間でプラズマを発生させ、このプラズマにより上記第１電極を介して温度調整された上記被処理体にプラズマ処理を施すように構成された処理装置において、上記第１電極内にその支持面の外周縁部及びその内側それぞれの複数箇所で開口する第１、第２ガス通路を設けると共に第１、第２ガス通路それぞれに同一の熱伝導性ガスを供給する複数のガス供給管を接続し、上記第１、第２ガス通路の圧力を個別に制御して上記支持面の外周縁部と上記被処理体間の細隙に介在する上記熱伝導性ガスの圧力をその内側の細隙に介在する上記熱伝導性ガスの圧力より高く設定することを特徴とする処理装置」である点で一致する。
　一方、本願発明では、「被処理体を複数のリフタピンを介して受け取ると共に、複数の第２ガス通路の一部の開口部を上記各リフタピンが進退動する孔によって構成する」のに対して、引用発明では、「被処理体を受け取るリフタピンに関する構成」が示されていない点(相違点ａ)で相違し、
　さらに、本願発明では、第１，第２ガス通路それぞれに同一の熱伝導性ガスを供給する「第１、第２ガス供給手段」を有するとしているのに対して、引用発明では、同一の熱伝導性ガスを供給する「複数のガス導入管」を有する点(相違点ｂ)で相違する。
　　
【４-2】相違点の検討
［１］相違点ａについて考察するに、
　本願発明の処理装置として基本となるプラズマエッチング装置は、引用発明でも、さらにまた、周知例の上記(周z)においても共に既知・周知の一般的なものである。
　また、本願発明の「リフタピン」については、引用発明ではたまたま省略されてはいるが、そのプラズマエッチング装置に当然に組み込まれているものである。
　そして、本願発明におけるように、「被処理体を複数のリフタピンを介して受け取ると共に、複数の中央部ガス通路の一部の開口部を前記各リフタピンが進退動する孔によって構成」することは、上記(周z)に摘記した「複数のリフトピン上に載置した半導体基板を、当該リフトピンを下降させることで下部電極上に載置し、ヘリウムガスを半導体基板裏面に供給できるように下部電極内に穿設された複数の孔のうちの下部電極中央部の孔の一部を利用して前記各リフトピンが昇降可能に構成」されているという上記の周知事項と同様である。　従って、この相違点ａは、周知事項から当業者が容易に想到したものと認められる。
［２］相違点ｂについて考察するに、
　引用発明の「複数のガス導入管」は、本願発明でいう「被処理体裏面の外周縁部及びその内側それぞれの複数箇所に開口する第１、第２ガス通路にそれぞれ接続され」かつ「第１、第２ガス通路にそれぞれ異なった圧力で同一の熱伝導性ガス(ヘリウムガス)を供給するように」、二つの系統になっている。
　従って、前記「複数のガス導入管」の二つの系統を、本願発明における「第１、第２ガス供給手段」と表現することに特段の不合理はない。
　よって、この相違点ｂは、格別な差異ではないといえる。
　　
【４-3】本願発明の作用効果
　本願発明の作用効果として、本願明細書の段落【0058】に、「被処理体とこれを保持する第１電極間の細隙のバラツキによる被処理体の外周縁部とその内側との間の冷却ムラや加熱ムラを抑制し、被処理体全面を満遍なく均一に温度調整し被処理体の面内での温度分布を抑制し、安定したプラズマ処理を施すことができ、しかも製造コストを低減することができる処理装置を提供することができる」と記載されている。
　一方、引用発明については、上記(引c)，(引h)に摘記の如く、「本発明は、被処理基体の裏面を静電気力により吸着し温度制御された試料台上に固定する静電チャック装置において、前記試料台と被処理基体との間の熱伝導率を、前記被処理基体の表面に施す処理により生じる熱の分布に応じて局所的に変化させ、被処理基体の表面の温度分布を均一に保持するようにしたものである。さらに、熱伝導率を変化させる手段として、前記被処理基体の裏面に冷却用のガスを導入し(例えば被処理基体の周辺部裏面に冷却用のガスを選択的に導入する)、このガス圧力を局所的に変化させるようにしたものである。」従って、「本実施例によれば、静電チャック板に複数の冷却ガス導入孔を設け、ウェハの周辺部の方が中央部よりも冷却ガスの圧力が高くなるようにしているので、ウェハ周辺部をより効率良く冷却することができ・・・ウェハ表面の温度を均一に保持することが可能となる。このため、ウェハの表面の温度分布の均一化をはかることができ、良好なエッチングを行うことができる」という作用効果が認められる。
　よって、本願発明の作用効果が引用発明のそれに比べ格別顕著なものとはいえない。
　　
【５】むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、上記の引用例に記載された発明及び周知事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。