【事件の表示】
　特願２００７−　６２７３１「ＧａＮ系ＨＥＭＴアクティブデバイスのためのリークバリヤ」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　９月２７日出願公開、特開２００７−２５１１７１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１９年３月１３日（パリ条約による優先権主張２００６年３月１４日、アメリカ合衆国）の出願であって、平成２４年１１月５日付けの拒絶理由通知に対して、平成２５年５月７日に手続補正がなされるとともに意見書が提出されたが、同年８月１３日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年１２月１３日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同日に手続補正がなされたものである。
　
２．補正の却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成２５年１２月１３日になされた手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容
　平成２５年１２月１３日になされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし１０を、補正後の特許請求の範囲の請求項１に補正するものであり、補正前後の請求項は、以下のとおりである。
　
（補正前）
「　【請求項１】
　高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を形成する方法であって、
　基板を提供し；
　基板上に１以上の窒化ガリウム（ＧａＮ）に基づく材料を堆積し；
　メサの反対側の基板上に側壁並びにドレイン及びソース領域を規定するＧａＮに基づく材料でメサを形成し；
　ドレイン及びソース領域に配置され、さらにメサ表面の頂部まで側壁に接触して配置される絶縁材料でドレイン及びソース領域を埋め戻し；
　メサの頂部および絶縁材料にゲート金属を堆積し；
　メサおよび絶縁材料と接触するようにソース及びドレインコンタクトを堆積する
ことを含む方法。
　　【請求項２】
　ＧａＮに基づく材料がバルクＧａＮである、請求項１の方法。
　　【請求項３】
　ＧａＮに基づく材料がＧａＮ及び窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）を含む、請求項１の方法。
　　【請求項４】
　請求項３の方法であって、１以上のＧａＮに基づく材料を堆積する工程が、
　基板の頂部にＧａＮ層を堆積し；
　ＧａＮ層の頂部にＡｌＧａＮのバッファ層を堆積し；
　バッファ層の頂部に頂部ＧａＮ層を堆積する
ことを含む方法。
　　【請求項５】
　絶縁材料が窒化ケイ素（ＳｉＮ）である、請求項１の方法。
　　【請求項６】
　基板；
　基板上に形成された１以上のＧａＮに基づく材料であって、１以上のＧａＮに基づく層はメサに形成され、ステップ状不連続部がドレイン及びソース領域を規定する、１以上のＧａＮに基づく材料；
　ドレイン及びソース領域に配置され、メサの頂部表面までメサによって規定される側壁に接触して配置される絶縁材料、これによりステップ状不連続部が排除される；
　前記頂部表面および絶縁材料上に部分的に配置された相対的に平坦なゲート金属コンタクト；及び
　前記メサの頂部表面と接触するように配置されたソース及びドレインコンタクト
を含むＨＥＭＴ。
　　【請求項７】
　ＧａＮに基づく材料がバルクＧａＮである、請求項６のＨＥＭＴ。
　　【請求項８】
　ＧａＮに基づく材料がＧａＮ及びＡｌＧａＮを含む、請求項６のＨＥＭＴ。
　　【請求項９】
　請求項８のＨＥＭＴであって、
　基板上に形成されたＧａＮ層；
　ＧａＮ層上に形成されたＡｌＧａＮから形成されたバッファ層；及び
　バッファ層の頂部に形成されたＧａＮ層
を含むＨＥＭＴ。
　　【請求項１０】
　絶縁材料がＳｉＮである、請求項６のＨＥＭＴ。」
　
（補正後）
「　【請求項１】
　高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を形成する方法であって、
　基板を提供し；
　基板上に１以上の窒化ガリウム（ＧａＮ）に基づく材料を堆積し；
　ＧａＮに基づく材料でメサを形成し、ここで、前記メサは、メサの向かい合った側であって基板上に側壁並びにドレイン及びソース領域を規定する；
　ドレイン及びソース領域内の基板上に配置され、さらにメサ表面の頂部まで側壁に接触して配置される絶縁材料でドレイン及びソース領域を埋め戻し；
　メサの頂部および絶縁材料にゲート金属を堆積し；
　メサおよび絶縁材料と接触するようにソース及びドレインコンタクトを堆積する
ことを含む方法。」
　
（２）補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると、以下のとおりである。
　
（補正事項ａ）
（補正事項ａ−１）
　補正前の請求項１の「メサの反対側の基板上に側壁並びにドレイン及びソース領域を規定するＧａＮに基づく材料でメサを形成し；」を、補正後の請求項１の「ＧａＮに基づく材料でメサを形成し、ここで、前記メサは、メサの向かい合った側であって基板上に側壁並びにドレイン及びソース領域を規定する；」と補正すること。
　
（補正事項ａ−２）
　補正前の請求項１の「ドレイン及びソース領域に配置され、さらにメサ表面の頂部まで側壁に接触して配置される絶縁材料でドレイン及びソース領域を埋め戻し；」を、補正後の請求項１の「ドレイン及びソース領域内の基板上に配置され、さらにメサ表面の頂部まで側壁に接触して配置される絶縁材料でドレイン及びソース領域を埋め戻し；」と補正すること。
　
（補正事項ｂ）
　補正前の請求項２ないし１０を削除すること。
　
（３）新規事項追加の有無及び補正の目的の適否についての検討
（３−１）補正事項ａについて
（３−１−１）補正事項ａ−１について
　補正事項ａ−１は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項」という。）第３号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とする補正である。　また、この補正は、本願の願書に最初に添付した明細書に記載された事項の範囲内で行われたものであることは明らかであり、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項（以下「特許法第１７条の２第３項」という。）の規定を満たすものである。
　
（３−１−２）補正事項ａ−２について
　補正事項ａ−２は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「ドレイン及びソース領域上に配置され・・・る絶縁材料」について、「ドレイン及びソース領域内の基板上に配置され・・・る絶縁材料」と限定的に減縮する補正であって、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正である。
　また、この補正は、本願の願書に最初に添付した明細書に記載された事項の範囲内で行われたものであることは明らかであるから、特許法第１７条の２第３項の規定を満たすものである。
　
（３−２）補正事項ｂについて
　補正事項ｂは、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものである。
　
（３−３）新規事項追加の有無及び補正の目的の適否についてのまとめ
　以上、検討したとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たすものである。
　
（４）独立特許要件について
（４−１）はじめに
　上記（３）において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、本件補正が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項（以下「特許法第１７条の２第５項」という。）において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか否かについて、検討する。
　
（４−２）補正後の請求項１に係る発明
　本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下「補正後の発明」という。）は、平成２５年１２月１３日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正後の請求項１として記載したとおりのものである。
　
（４−３）刊行物に記載された事項及び発明
（４−３−１）特開２００１−２６７５５４号公報
（４−３−１−１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された特開２００１−２６７５５４号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、以下の事項が記載されている。なお、下線は、当審において付与したものである（以下、同じ。）。
　
「【０００３】
図１にＦＥＴのレイアウトを示す。以下、素子分離方法を中心に議論する。トランジスタ領域を規定するためには、図１の点線で示した領域１４の外側の領域を電気的に分離する必要がある。
【０００４】
この問題を回避するために、メサエッチングにより素子分離を行う方法がある。図３にその断面構造を示す。この場合、ゲート電極３５は、寄生容量を低減するため、ゲート電極引出し部はトランジスタ領域から分離しておく必要がある。
【０００５】このように、リーク電流を増大させたり、耐圧や高周波特性を低下させることなく、高歩留まりで素子分離を確実に行うＦＥＴ構造は、未だかつて得られていない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】以上のように、リーク電流を増大させたり、耐圧や高周波特性を低下させることなく、高歩留まりで素子分離を確実に行うＦＥＴ構造は、未だかつて得られていない。
【０００７】本発明は、上記の点を鑑みなされたもので、リーク電流を増大させたり、耐圧や高周波特性を低下させることなく、高い歩留まりで素子分離を確実に行うＦＥＴ構造及びその製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するために、
本発明は、メサエッチングにより素子分離を行った後、その領域に例えばアンドープＧａＮを再成長し、トランジスタ領域から再成長ＧａＮにかけてゲート電極を形成した構造とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】
実施例として、本発明をＡｌＧａＮ／ＧａＮ系ヘテロ接合電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）に適用した場合を説明する。まず、図４に示したように、分子線エピタキシャル（ＭＢＥ）法もしくは有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法等の成長方法により、サファイア基板４１上に、ＧａＮバッファ層４２、アンドープＧａＮ電子走行層４３、アンドープＡｌＧａＮスペーサ層４４、ｎ型ＡｌＧａＮ電子供給層４５、アンドープＡｌＧａＮショットキーコンタクト層４６、ｎ型ＧａＮオーミックコンタクト層４７を順次積層する。
【００１０】
次に、全面に熱ＣＶＤ法等により、ＳｉＯ
２
膜５１を堆積させた後、トランジスタ領域を保護するようにフォトレジスト５２をパターニングする（図５）。フォトレジスト５２をマスクとして、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法等のドライエッチング、もしくは弗化アンモニウムを用いたウェットエッチングにより、ＳｉＯ
２
膜５１をエッチングする。フォトレジストを酸素アッシングや有機溶剤を用いて除去した後、今度は、残ったＳｉＯ
２
膜５３をマスクにして、ｎ型ＧａＮオーミックコンタクト層４７、アンドープＡｌＧａＮショットキーコンタクト層４６、ｎ型ＡｌＧａＮ電子供給層４５、アンドープＡｌＧａＮスペーサ層４４、アンドープＧａＮ電子走行層４３を順次エッチングする（図６）。
【００１１】続いて、燐酸、塩酸、硝酸等の酸にディップすることにより、表面処理を行った後に、
再びＭＯＣＶＤ法等の成長方法によりアンドープＧａＮ５４を再成長する。ここでは、成長温度は１１００℃で行った。すると、ＳｉＯ
２
膜上には、ＧａＮは成長せず、図７のようにＧａＮやＡｌＧａＮ上にのみ選択的に成長される。エッチング端面にも結晶成長する。
【００１２】
ＳｉＯ
２
膜を弗化アンモニウムにより除去したのち、ソース電極及びドレイン電極形成領域を開口するようにフォトレジストをパターニングし、ｎ型ＧａＮ層上にＴｉ／Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕを順次蒸着・リフトオフする。続いて、窒素雰囲気中で９００℃、３０秒の熱処理を行うことにより、オーミック接合を得る。
【００１３】
次に、ゲート電極形成領域を開口するように、レジストをパターニングする。
続いて、ｎ型ＧａＮオーミックコンタクト層４７を、例えば塩素系ガスおよびアルゴン等の不活性ガスを用いたＥＣＲ（Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｃｙｃｌｏｔｒｏｎ　Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ）−ＲＩＥによりエッチングし、アンドープＡｌＧａＮショットキーコンタクト層４６を露出してから、Ｎｉ／Ａｕを順次蒸着・リフトオフする（図８）。その後に、９００℃にて熱処理することにより、ショットキー特性を改善させる。
　
（４−３−１−２）引用刊行物１の「本発明は、
メサエッチングにより素子分離を行った後、その領域に例えばアンドープＧａＮを再成長し、
ｎ型ＧａＮオーミックコンタクト層４７、アンドープＡｌＧａＮショットキーコンタクト層４６、ｎ型ＡｌＧａＮ電子供給層４５、アンドープＡｌＧａＮスペーサ層４４、アンドープＧａＮ電子走行層４３を順次エッチングする
アンドープＧａＮ５４を再成長する。
　
（４−３−１−３）引用刊行物１の「再びＭＯＣＶＤ法等の成長方法によりアンドープＧａＮ５４を再成長する。・・・
ＳｉＯ
２
膜上には、ＧａＮは成長せず、図７のようにＧａＮやＡｌＧａＮ上にのみ選択的に成長される。エッチング端面にも結晶成長する。
　
（４−３−１−４）引用刊行物１の「本発明は、メサエッチングにより素子分離を行った後、その領域に例えば
アンドープＧａＮを再成長し、トランジスタ領域から再成長ＧａＮにかけてゲート電極を形成した
アンドープＡｌＧａＮショットキーコンタクト層４６を露出してから、Ｎｉ／Ａｕを順次蒸着・リフトオフする
　
（４−３−１−５）引用刊行物１の「ソース電極及びドレイン電極形成領域を開口するようにフォトレジストをパターニングし、
ｎ型ＧａＮ層上にＴｉ／Ａｌ／Ｎｉ／Ａｕを順次蒸着・リフトオフする。
　
（４−３−１−６）そうすると、引用刊行物１には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「サファイア基板４１上に、ＧａＮバッファ層４２、アンドープＧａＮ電子走行層４３、アンドープＡｌＧａＮスペーサ層４４、ｎ型ＡｌＧａＮ電子供給層４５、アンドープＡｌＧａＮショットキーコンタクト層４６、ｎ型ＧａＮオーミックコンタクト層４７を順次積層し、
　ＳｉＯ２膜５３をマスクにして、前記ｎ型ＧａＮオーミックコンタクト層４７、前記アンドープＡｌＧａＮショットキーコンタクト層４６、前記ｎ型ＡｌＧａＮ電子供給層４５、前記アンドープＡｌＧａＮスペーサ層４４、前記アンドープＧａＮ電子走行層４３を順次エッチングすることにより、前記ｎ型ＧａＮオーミックコンタクト層４７、前記アンドープＡｌＧａＮショットキーコンタクト層４６、前記ｎ型ＡｌＧａＮ電子供給層４５、前記アンドープＡｌＧａＮスペーサ層４４、前記アンドープＧａＮ電子走行層４３からなるメサを形成し、ここで、前記メサは、前記メサの向かい合った側であって前記サファイア基板４１上に側壁を規定し、
　前記サファイア基板４１上に配置され、前記メサの頂部まで前記側壁に接触して配置するようにアンドープＧａＮ５４を再成長し、
　前記メサの頂部および前記アンドープＧａＮ５４上にＮｉ／Ａｕからなるゲート電極を形成し、
　前記メサに接触するようにソース電極及びドレイン電極を形成する
　ＡｌＧａＮ／ＧａＮ系ヘテロ接合電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）の製造方法。」
　
（４−３−２）特開平４−３６５３３３号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された特開平４−３６５３３３号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図１〜２０とともに、以下の事項が記載されている。
「【０００１】
【産業上の利用分野】ＩｎＧａＡｓを活性層に有するヘテロ接合電界効果トランジスタにおいて特にゲートリークの少ないヘテロ接合電界効果トランジスタ及びその製造方法に関するものである。」
「【０００２】
【従来の技術】・・・
図２０に従来例のＩｎＰ基板上のＩｎＧａＡｓ／ＩｎＡｌＡｓ　ＨＥＭＴを示す。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
図２０の従来例で示した構造において素子間の分離を行うため一般に電界効果トランジスタが形成される領域の周囲の部分をバッファ層付近までエッチングにより除去を行ったメサ構造を用いる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は前記の問題点を解決するため、メサの側壁部にＳｉＯ2及びシリコン窒化膜からなる絶縁層を形成しゲートの引き出し部をこの絶縁層上に形成する。また
メサの周囲の基板上にメサの厚さと同じ厚さのシリコン窒化膜を形成し、シリコン窒化膜上にゲート引き出し部及びゲートパッドを配線した構造とする。
【０００５】
【作用】上記のような構造では、ゲートの引き出し部がＩｎＧａＡｓ活性層に直接触れないためゲートのリークが低減される。またゲート引き出し部及びゲートパッドをシリコン窒化膜上に配線する事によりさらに
基板を通じての素子間の影響が低減され、特性の良好なＦＥＴ及び、これを用いた集積回路を実現できる。
【０００６】
【実施例】
本発明の第１の実施例を図１〜８を用いて述べる。
この様なヘテロ構造上に、フォトレジスト８をマスク（図２）に前記ＩｎＡｌＡｓバッファ層２内までエッチングを行いメサ構造を形成する（図３）。
【０００７】次に
本発明の第２の実施例を図９〜１９を用いて説明する。
【０００８】次に
基板上で膜厚がメサの厚さと同じ層厚になるよう膜厚を有するシリコン窒化膜１０を基板全面に形成する。メサ周辺部の基板上の平坦部のシリコン窒化膜１０上にフォトリソグラフィによりレジスト層８を残し、このレジスト層８をマスクとしてメサ上部、基板から側壁部及び基板上部にかけての傾斜した部分のシリコン窒化膜を基板上のシリコン窒化膜とＳｉＯ
2
下のメサの上部の面が同一平面に成るまでＣＦ
4
とＯ
2
の混合ガスを用いた反応性イオンエッチングにより除去する
　
（４−４）対比
（４−４−１）刊行物発明の「ＡｌＧａＮ／ＧａＮ系ヘテロ接合電界効果トランジスタ（ＨＦＥＴ）」は、補正後の発明の「高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）」に相当する。
　
（４−４−２）刊行物発明の「サファイア基板４１」及び「ＧａＮバッファ層４２、アンドープＧａＮ電子走行層４３、アンドープＡｌＧａＮスペーサ層４４、ｎ型ＡｌＧａＮ電子供給層４５、アンドープＡｌＧａＮショットキーコンタクト層４６、ｎ型ＧａＮオーミックコンタクト層４７」は、各々補正後の発明の「基板」及び「１以上の窒化ガリウム（ＧａＮ）に基づく材料」に相当するから、刊行物発明の「サファイア基板４１上に、ＧａＮバッファ層４２、アンドープＧａＮ電子走行層４３、アンドープＡｌＧａＮスペーサ層４４、ｎ型ＡｌＧａＮ電子供給層４５、アンドープＡｌＧａＮショットキーコンタクト層４６、ｎ型ＧａＮオーミックコンタクト層４７を順次積層」することは、補正後の発明の「基板を提供し；基板上に１以上の窒化ガリウム（ＧａＮ）に基づく材料を堆積」することに相当する。
　
（４−４−３）刊行物発明の「ＳｉＯ２膜５３をマスクにして、ｎ型ＧａＮオーミックコンタクト層４７、アンドープＡｌＧａＮショットキーコンタクト層４６、ｎ型ＡｌＧａＮ電子供給層４５、アンドープＡｌＧａＮスペーサ層４４、アンドープＧａＮ電子走行層４３を順次エッチングすることにより、ｎ型ＧａＮオーミックコンタクト層４７、アンドープＡｌＧａＮショットキーコンタクト層４６、ｎ型ＡｌＧａＮ電子供給層４５、アンドープＡｌＧａＮスペーサ層４４、アンドープＧａＮ電子走行層４３からなるメサを形成し、ここで、前記メサは、前記メサの向かい合った側であってサファイア基板４１上に側壁を規定」することと、補正後の発明の「ＧａＮに基づく材料でメサを形成し、ここで、前記メサは、メサの向かい合った側であって基板上に側壁並びにドレイン及びソース領域を規定する」ことは、「ＧａＮに基づく材料でメサを形成し、ここで、前記メサは、メサの向かい合った側であって基板上に側壁を規定する」点で共通する。
　
（４−４−４）刊行物発明において、「アンドープＧａＮ５４」は、「サファイア基板４１上」において、「ｎ型ＧａＮオーミックコンタクト層４７、アンドープＡｌＧａＮショットキーコンタクト層４６、ｎ型ＡｌＧａＮ電子供給層４５、アンドープＡｌＧａＮスペーサ層４４、アンドープＧａＮ電子走行層４３」が「順次エッチング」された部分に「再成長」されるのであるから、当該「再成長」することは、補正後の発明の「埋め戻」すことに相当する。そうすると、刊行物発明の「サファイア基板４１上に配置され、メサの頂部まで側壁に接触して配置するようにアンドープＧａＮ５４を再成長」することと、補正後の発明の「ドレイン及びソース領域内の基板上に配置され、さらにメサ表面の頂部まで側壁に接触して配置される絶縁材料でドレイン及びソース領域を埋め戻」すこととは、「基板上に配置され、さらにメサ表面の頂部まで側壁に接触して配置される材料で埋め戻」すという点で共通する。
　
（４−４−５）刊行物発明の「Ｎｉ／Ａｕからなるゲート電極」は、補正後の発明の「ゲート金属」に相当するから、刊行物発明の「メサの頂部およびアンドープＧａＮ５４にＮｉ／Ａｕからなるゲート電極を形成」することと、補正後の発明の「メサの頂部および絶縁材料にゲート金属を堆積」することとは、「メサの頂部および材料にゲート金属を堆積」するという点で共通する。
　
（４−４−６）刊行物発明の「ソース電極及びドレイン電極」は、補正後の発明の「ソース及びドレインコンタクト」に相当するから、刊行物発明の「メサに接触するようにソース電極及びドレイン電極を形成する」ことと、補正後の発明の「メサおよび絶縁材料と接触するようにソース及びドレインコンタクトを堆積する」こととは、「メサと接触するようにソース及びドレインコンタクトを堆積する」という点で共通する。
　
（４−４−７）そうすると、補正後の発明と刊行物発明とは、
「高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を形成する方法であって、
　基板を提供し；
　基板上に１以上の窒化ガリウム（ＧａＮ）に基づく材料を堆積し；
　ＧａＮに基づく材料でメサを形成し、ここで、前記メサは、メサの向かい合った側であって基板上に側壁を規定する；
　基板上に配置され、さらにメサ表面の頂部まで側壁に接触して配置される材料で埋め戻し；
　メサの頂部および材料にゲート金属を堆積し；
　メサと接触するようにソース及びドレインコンタクトを堆積する
ことを含む方法。」
である点で一致し、次の４点で相違する。
　
（相違点１）補正後の発明では、「前記メサは、メサの向かい合った側であって基板上に・・・ドレイン及びソース領域を規定する」のに対し、刊行物発明では、そのような特定がなされていない点。
　
（相違点２）補正後の発明では、「ドレイン及びソース領域内の基板上に配置され、・・・絶縁材料でドレイン及びソース領域を埋め戻」すのに対し、刊行物発明では、そのような特定がなされていない点。
　
（相違点３）補正後の発明では、「絶縁材料にゲート金属を堆積」するのに対し、刊行物発明では、そのような特定がなされていない点。
　
（相違点４）補正後の発明は、「絶縁材料と接触するようにソース及びドレインコンタクトを堆積する」のに対し、刊行物発明では、そのような特定がなされていない点。
　
（４−５）判断
　以下、上記相違点について、検討する。
（４−５−１）相違点１について
　本願明細書の段落【００１４】の「図３Ａに示されるデバイスは慣用のフォトリソグラフ技術によってマスクされ、例えば、ＢＣｌ３＋Ａｒドライエッチングによってエッチングされてメサ５０を形成する。図３Ｂに示されるように、
メサ５０は２つのステップ状不連続部５２及び５４を規定し、これらは、順に、ソース及びドレイン領域５２及び５４を規定する。
ソース及びドレイン領域５２及び５４は、窒化ケイ素（ＳｉＮ）などの絶縁材料５６で充填される。」及び
図３Ｆに示されるように、ソース６０及びドレイン６２のコンタクトは慣用の技術によってゲート金属５８に隣接して堆積される。
　一方、引用刊行物１の図４〜８の断面図は、図１の平面図を前提としたものと認められるところ、
図１からは、ドレイン電極１１及びソース電極１２は、点線で示された領域１４の外側、すなわち、素子分離領域上にも形成されていることが見て取れる。
　よって、相違点１は、実質的なものでない。
　
（４−５−２）相違点２〜４について
　一般に、素子分離膜として絶縁材料を使用することは、周知の技術であり、ＨＥＭＴにおいても、素子間の分離を行うために、トランジスタが形成される領域の周囲の部分をバッファ層付近までエッチングにより除去を行ってメサを形成し、当該メサの側壁部にＳｉＯ2及びシリコン窒化膜からなる絶縁層を形成することは、上記引用刊行物２に記載されているように公知の技術である。
　そうすると、刊行物発明において、上記の周知技術、公知技術を勘案することにより、「アンドープＧａＮ５４を再成長」することに換えて、絶縁材料を堆積することにより、補正後の発明のように、「ドレイン及びソース領域内の基板上に配置され、・・・絶縁材料でドレイン及びソース領域を埋め戻」す構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　また、刊行物発明における「アンドープＧａＮ５４上」に「形成」された「ゲート電極」についても、補正後の発明のように、「絶縁材料にゲート金属を堆積」することも当業者が容易になし得たことであり、上記（４−５−１）において述べたように、引用刊行物１の図１からは、ドレイン電極１１及びソース電極１２は、点線で示された領域１４の外側、すなわち、素子分離領域上（アンドープＧａＮ５４）にも形成されていることが見て取れるから、刊行物発明における「ドレイン電極１１及びソース電極１２」についても、補正後の発明のように、「絶縁材料と接触するようにソース及びドレインコンタクトを堆積する」ことも、当業者が容易になし得たことである。
　よって、相違点２〜４は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−６）独立特許要件についてのまとめ
　以上検討したとおり、補正後の発明と刊行物発明との相違点は、実質的なものでないか、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、補正後の発明は、引用刊行物１及び２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（５）補正の却下についてのむすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるが、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合しないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明
　平成２５年１２月１３日になされた手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２５年５月７日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
４．刊行物に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物１及び２には、上記２．（４−３−１−１）及び（４−３−２）に記載したとおりの事項及び（４−３−１−６）に記載された発明が記載されているものと認められる。
　
 ５．判断
　上記２．（３）において検討したとおり、本件補正の補正事項ａ−１は、補正前の請求項１の「メサの反対側の基板上に側壁並びにドレイン及びソース領域を規定するＧａＮに基づく材料でメサを形成し；」について、不明りょうな記載の釈明を目的とする補正である。しかしながら、補正前の請求項１の「メサの反対側の基板上に側壁並びにドレイン及びソース領域を規定するＧａＮに基づく材料でメサを形成し；」という記載も、本願明細書の段落【００１４】の「図３Ａに示されるデバイスは慣用のフォトリソグラフ技術によってマスクされ、例えば、ＢＣｌ３＋Ａｒドライエッチングによってエッチングされてメサ５０を形成する。図３Ｂに示されるように、メサ５０は２つのステップ状不連続部５２及び５４を規定し、これらは、順に、ソース及びドレイン領域５２及び５４を規定する。」という記載及び図３を参酌すれば、拒絶理由となるほどの不明りょうな記載とはいえず、補正後の請求項１の「ＧａＮに基づく材料でメサを形成し、ここで、前記メサは、メサの向かい合った側であって基板上に側壁並びにドレイン及びソース領域を規定する；」と同様の意味に解釈することができる。
　また、本件補正の補正事項ａ−２は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「ドレイン及びソース領域上に配置され・・・る絶縁材料」について、「ドレイン及びソース領域内の基板上に配置され・・・る絶縁材料」と限定的に減縮する補正である。
　そうすると、本件補正前の請求項１に係る発明（本願発明）は、補正後の発明から補正事項ａ−２の限定をなくしたものであり、上記２．（４）において検討したように、補正後の発明が，引用刊行物１及び２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、当然に、引用刊行物１及び２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものといえる。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。