【事件の表示】
　平成　４年特許願第３０５８９０号「半導体装置及び半導体装置の製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　６年　５月１３日出願公開、特開平　６−１３２３０６］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯・本願発明
　本願は、平成４年１０月２１日の出願であって、その請求項１に係る発明は、平成１３年３月１４日付け及び平成１３年６月１９日付けの手続補正書で補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの「半導体装置」であると認められるところ、その請求項１には、次のとおり記載されている。　　
　
　「ＮＭＯＳＦＥＴ及びＰＭＯＳＦＥＴで構成される半導体装置であって、
　ガラス基板上に設けられ、膜厚が１０００〜２０００Å程度の窒化シリコン薄膜からなり、ガラス中に含まれる不純物の浸透性の悪い下側下地層と、
　前記下側下地層上に設けられた前記酸化シリコン薄膜からなる熱伝導率の低い上側下地層と、
　前記上側下地層上に設けられた活性層となるポリシリコン薄膜と、
　を有することを特徴とする半導体装置。」
　　
　ここで、「前記シリコン酸化膜」なる技術用語の前には、「シリコン酸化膜」との記載はないので、「前記シリコン酸化膜」は「シリコン酸化膜」の誤記であるものと解し、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）を次のように認定する。
　
　「ＮＭＯＳＦＥＴ及びＰＭＯＳＦＥＴで構成される半導体装置であって、
　ガラス基板上に設けられ、膜厚が１０００〜２０００Å程度の窒化シリコン薄膜からなり、ガラス中に含まれる不純物の浸透性の悪い下側下地層と、
　前記下側下地層上に設けられた酸化シリコン薄膜からなる熱伝導率の低い上側下地層と、
　前記上側下地層上に設けられた活性層となるポリシリコン薄膜と、
　を有することを特徴とする半導体装置。」
　
２．引用例
　これに対して、拒絶の理由に引用された、本願の出願日前の平成４年８月２１日に頒布された刊行物である特開平４−２３４１３４号公報（以下「引用例１」という。）には、次のとおり記載されている。
　
・「（ａ）・・・ガラス基板；
（ｂ）前記基板に堆積した比較的に薄いアルカリ不活性無機材料層 ;
（ｃ）前記アルカリ不活性無機材料に堆積した最初の比較的に厚い酸化珪素層 ;
（ｄ）前記最初の比較的に厚い酸化珪素層に堆積した第１の比較的に薄いポリシリコン層；
（ｅ）前記第１の比較的に薄いポリシリコン層に堆積した比較的に薄いゲート酸化物層；
（ｆ）比較的に多くドープされた区域により設けたゲート ;
（ｇ）前記ゲート酸化物層の表面の部分に設けた第２の比較的に厚いポリシリコン層；
（ｈ）前記ゲートに横方に隣接する前記第１の比較的に薄いポリシリコン層の部分に設けた・・・ドープされたソースおよびドレイン区域；
（ｉ）前記ゲートに、および前記・・・ドープされたソースおよびドレイン区域に設けた比較的に薄い酸化珪素層；および
（ｊ）前記・・・ドープされたソースおよびドレイン区域に横方に隣接する前記第１の比較的に薄いポリシリコン層の部分に設けた比較的に多くドープされたソースおよびドレイン区域からなり、前記ソースおよびドレイン区域を焼もどししたことからなることを特徴とする逆バイアスの際に低い漏れ電流を示す薄膜トランジスタ。」（特許請求の範囲請求項１４）
・「アルカリ不活性無機材料を窒化珪素とする請求項１４記載の薄膜トランジスタ。」（特許請求の範囲請求項１５）
・「ガラス基板を用いて薄膜トランジスタを製造する本発明の方法は、先づ薄いアルカリ不活性無機材料層をガラス基板に堆積するのが好ましい。このアルカリ無機材料としては窒化珪素を例示することができる。・・・アルカリ不活性無機材料層の厚さは約８００〜１２００Åが好ましい。次いで、比較的に厚い酸化珪素層をアルカリ不活性無機材料層に化学蒸着によって堆積する。次いで、比較的薄いポリシリコン層を酸化珪素層に５２０〜５７０ ℃の温度で堆積する。・・・」（明細書００１３）
・「次いで、このポリシリコン層の選定部分を腐食により除去してこのポリシリコン層に所望とする島を形成し、酸化珪素層の選定区域を露出する。次いで薄いゲート酸化物層をこれらの島に、この島を高圧下６５０℃以下の温度で酸化することによって形成する。・・・次いで、ゲートをゲート酸化物層に形成する。この場合、多くドープされたポリシリコン層をゲート酸化物層に堆積し、この比較的に多くドープされたポリシリコン層の部分を腐食してゲートを形成する。ｐまたはｎドープ剤はゲートに僅かに隣接するポリシリコンの島の区域に注入して少なくドープされたソースおよびドレイン区域を形成する。」（明細書００１４）
・「次いで、薄い酸化珪素層（好ましくは５００〜５０，０００Å）をゲートおよび隣接するドープされたソースおよびドレイン区域に化学蒸着によって設ける。次いで、比較的に少なくドープされたソースおよびドレイン区域に隣接するシリコン層にｐまたはｎドープ剤を多く注入し、６５０ ℃以下の温度で焼なましする。・・・」（明細書００１５）
　
　これらの記載より、引用例１には、
　「ガラス基板上に形成された厚さ約８００〜１２００Åの窒化珪素層と、
　前記窒化珪素層上に形成された酸化珪素層と、
　前記酸化珪素層上に形成されたポリシリコン層と、
　前記ポリシリコン層にｐまたはｎドープ剤が注入されたソースおよびドレイン区域と
　を備えた薄膜トランジスタ。」　　
   が記載されている。
　
　また、同様に、拒絶の理由として引用された、本願の出願日前の昭和５６年９月２日に頒布された刊行物である特開昭５６−１１１２５８号公報（以下「引用例２」という。）には、次のとおり記載されている。
　
・「シリコンナイトライドからなる・・・膜の上にシリコンオキサイド膜を介して単結晶半導体膜を形成すると共にこの半導体膜に活性領域を形成したことを特徴とする薄膜半導体装置。」（特許請求の範囲請求項１）
・「本発明による装置は、シリコンナイトライドがイオン性汚染物質を阻止する性質を有することを巧みに利用して単結晶半導体膜の下地膜としてのＳｉＯ２膜にイオン性汚染物質が侵入するのを防止するようにしたことを特徴とするもの・・・」（第１頁右下欄第６から１０行）
　　　　　
３．対比
　本願発明と引用例１に記載された発明（以下「引用発明」という。）とを対比すると、
　引用発明の「薄膜トランジスタ」が半導体装置であることは明らかであるので、
　引用発明の「窒化珪素膜」、「酸化珪素膜」、「ポリシリコン層」、「薄膜トランジスタ」は、それぞれ、
　本願発明の「窒化シリコン薄膜」、「酸化シリコン薄膜」、「ポリシリコン薄膜」、「半導体装置」に相当する。
　
　また、引用発明は、ポリシリコン層にソース及びドレイン区域（領域）が形成された薄膜トランジスタに関するものであるので、引用発明のポリシリコン層が薄膜トランジスタの活性層となることは明らかであり、引用発明は、本願発明の活性層に相当する部分を備えていることは、当業者に明らかである。
　また、引用発明において、窒化珪素膜はガラス基板上に形成され、酸化珪素膜は窒化珪素膜上に形成され、ポリシリコン層は酸化珪素膜上に形成されているので、窒化珪素膜及び酸化珪素膜がポリシリコン層を形成するための下地となる層となっており、「窒化珪素膜」及び「酸化珪素膜」が、それぞれ、本願発明の「窒化シリコン薄膜」からなる「下側下地層」及び「酸化シリコン薄膜」からなる「上側下地層」に相当することは明らかである。
　さらに、引用発明の窒化珪素膜の厚さの「約８００〜１２００Å」の範囲の一部（１０００〜１２００Å）は、本願発明の窒化シリコン薄膜の厚さの「１０００〜２０００Å程度」に含まれている。
　
　よって、両者は、
　「ガラス基板上に設けられ、膜厚が１０００〜２０００Å程度の窒化シリコン薄膜からなる下側下地層と、
　前記下側下地層上に設けられた酸化シリコン薄膜からなる上側下地層と、
　前記上側下地層上に設けられた活性層となるポリシリコン薄膜と、
　を有することを特徴とする半導体装置。」
である点で一致し、
　以下の点で相違する。
　
　相違点１
　本願発明では、半導体装置が「ＮＭＯＳＦＥＴ及びＰＭＯＳＦＥＴで構成される半導体装置」であるのに対して、
　引用発明においては、その点が記載されていない点。
　
　相違点２
　本願発明では、窒化シリコン薄膜からなる下側下地層が「ガラス中に含まれる不純物の浸透性の悪い」層であるのに対して、
　引用発明においては、上記の点が記載されていない点。
　
　相違点３
　本願発明においては、酸化シリコン薄膜からなる上側下地層が「熱伝導率の低い」層であるのに対して、
　引用発明においては、上記の点が記載されていない点。
　
４．当審の判断
　上記相違点について、以下で検討する。
　
　（１）相違点１について
　引用例１には、ガラス基板上に窒化珪素膜及び酸化珪素膜を介して形成したポリシリコン層にｐ型又はｎ型ドープ剤をソース及びドレイン区域（領域）に導入した薄膜トランジスタ、即ち、ｐ型又はｎ型のＭＯＳＦＥＴを形成することが記載されており、
　また、ガラス等の透明基板上にＮＭＯＳＦＥＴ及びＰＭＯＳＦＥＴで構成される半導体装置を形成することは従来周知であるので（必要とあらば、特開平１−２８９９１７号公報（第３図、第４図、及び第４頁右下欄〜第６頁右下欄）、特開平３−２８０４６８号公報（第１図及び第３頁左上欄〜６頁右上欄）を参照）、引用例１に記載される、ｐ型ＭＯＳＦＥＴとｎ型ＭＯＳＦＥＴとを、従来周知の如く同一基板上に形成することにより、ｐ型ＭＯＳＦＥＴ及びｎ型ＭＯＳＦＥＴとを備えた薄膜トランジスタ、即ち、本願発明の如く、ＮＭＯＳＦＥＴ及びＰＭＯＳＦＥＴで構成される半導体装置とすることは当業者が何ら困難性なくなし得たものである。　　
　
　（２）相違点２について
　窒化シリコン薄膜からなる下側下地層が「ガラス中に含まれる不純物の浸透性の悪い」層であることは、引用例１には記載されてはいないが、例えば、引用例２に記載されるように窒化珪素膜がイオン性汚染物質を阻止する性質を備える薄膜であることは半導体の分野において従来から周知の技術事項であるので、引用発明においても、窒化珪素膜が、ガラス中に含まれる不純物の浸透性が悪いものであることは明らかであり、この点は実質的な相違点ではない。
　　　
　（３）相違点３について
　酸化シリコン薄膜からなる上側下地層が「熱伝導率の低い」層であることは、引用例１には記載されてはいないものの、引用発明の酸化珪素膜が窒化珪素膜に比較して熱伝導率が低いことは、従来から周知の技術的事項であるので、この点は実質的な相違点ではない。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、各引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。