【事件の表示】
　特願２００９−５４９１４３「無極性および半極性（Ｇａ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｂ）Ｎダイオードレーザのためのレーザ棒配向の最適化」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　８月２１日国際公開、ＷＯ２００８／１００５０５、平成２２年　５月２７日国内公表、特表２０１０−５１８６２６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、２００８年（平成２０年）２月１２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理、２００７年（平成１９年）２月１２日　米国）を国際出願日とする出願であって、平成２４年８月１５日付けの拒絶理由の通知に対し、平成２５年３月５日に意見書が提出されるとともに手続補正がなされたが、同年７月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１２月１８日に審判請求がなされるとともに手続補正がなされたものである。
２　本願発明
（１）平成２５年１２月１８日付け手続補正書による補正は、当該補正前の請求項１を削除するとともに、当該補正前の請求項２を請求項１として新たに独立形式で書き下し、さらに、「結晶方位」との文言を、本願明細書で用いられている「結晶学的方位」との文言にそろえるように補正すること（以下「本件補正」という。）を含むものである。そうすると、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第１号の請求項の削除及び同３号の誤記の訂正又は同４号の明りょうでない記載の釈明を目的とするものに該当するので、適法である。
（２）したがって、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　「無極性または半極性ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザであって、光の偏光方向に対して光伝搬の軸を配向させることによって光学利得が制御され、該無極性または半極性ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザの結晶学的方位によって該光の偏光方向が決定されるとともに、該光学利得を最大にするため、該光伝搬の軸が該光の偏光方向にほぼ垂直に配向されることを特徴とする無極性または半極性ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザ。」
３　引用例１に基づく新規性欠如
（１）引用例１の記載事項
ア　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００１−２３０４９７号公報（以下「引用例１」という。）には、図面とともに次の記載がある（下線は当審で付与した。以下同じ。）。
（ア）「（第１の実施形態）以下、第１の実施形態に係る
窒化物半導体レーザ装置
「図１に示すように、有機金属気相成長装置（以下、ＭＯＣＶＤ装置と称する）のチャンバー内で基板温度を１０００℃に設定して、
主面を｛１１−２０｝面に垂直で且つ｛０００１｝面から所定の角度だけ傾斜した
面とするｎ型の窒化ガリウム基板１０の上に、ｎ型ＡｌＧａＮ層よりなる第１のクラッド層１１及びｎ型ＧａＮ層よりなる第１の光ガイド層１２をそれぞれ成長させる。
「次に、基板温度を８００℃に下げた状態で、
第１の光ガイド層１２の上に、アンドープＩｎＧａＮ層よりなり量子井戸構造を有する活性層１３を成長させる。
「次に、基板温度を再び１０００℃に設定して、
活性層１３の上に、ｐ型ＧａＮ層よりなる第２の光ガイド層１４、ｐ型ＡｌＧａＮ層よりなる第２のクラッド層１５及びｎ型ＡｌＧａＮ層よりなる電流ブロック層１６を順次成長する。
「次に、試料をＭＯＣＶＤ装置からリアクティブイオンエッチング装置（以下、ＲＩＥ装置と称する）に移送して、電流ブロック層１６に対してエッチングを行なって、［１１−２０］方向に延びる幅２μｍのストライプ状の電流狭窄領域（以下、ストライプ領域と称する）を形成する。」（段落【００５１】）、
「次に、試料を再びＭＯＣＶＤ装置に搬入して、基板温度を１０００℃に設定して、ストライプ領域が形成されている電流ブロック層１６の上に、ｐ型ＡｌＧａＮ層よりなる第３のクラッド層１７及びｐ型ＧａＮ層よりなるコンタクト層１８を順次成長する。これによって、半導体層の成長工程は完了する。この成長工程における各半導体層の主面の方位は、窒化ガリウム基板１０の主面の方位と同じである。」（段落【００５２】）、
「次に、窒化ガリウム基板１０の下面にｎ型のＴｉ／Ａｕ膜よりなる負電極２１を形成すると共に、コンタクト層１８の上面にｐ型のＮｉ／Ａｕ膜よりなる正電極２１を形成すると、ウェハープロセスは完了する。」（段落【００５３】）、
「次に、ウェハー状の窒化ガリウム基板１０に対して｛１１−２０｝面を１次劈開面とする１次劈開を行なって、基板の主面に垂直である｛１１−２０｝面よりなる光共振器面を得る。」（段落【００５４】）、
「この場合、基板の主面を｛１１−２０｝面と垂直な面に設定しているため、スクライブカッターの刃を主面に対して垂直に位置させた状態で、｛１１−２０｝面に沿う方向に力を加えることにより、ウエハーの全面に亘って｛１１−２０｝面に沿って１次劈開でき、これによって、レーザ装置が並んだバー状の積層体を得ることができる。」（段落【００５５】）、
「次に、１次劈開が行なわれたバー状の積層体に対して２次劈開を行なうと、第１の実施形態に係る半導体レーザ装置が得られる。」（段落【００５６】）、
「図２及び図３は、第１の実施形態に係る半導体レーザ装置における、｛０００１｝面からの傾斜角（以下、単に傾斜角と称する）θと１次劈開面と２次劈開面との関係を示している。」（段落【００５７】）、
「図２から分かるように、傾斜角θが９０°以下で且つ４５°以上のときには、２次劈開面は｛０００１｝面となる。また、図２に示す場合においては、ストライプ領域の方向は［１１−２０］方向である。」（段落【００５８】）、
「特に、傾斜角θが９０°のとき、すなわち主面が｛１−１００｝面のときには、２次劈開面も主面と垂直な｛０００１｝面になるので、２次劈開も非常に容易になると共に直方体状のデバイスを得ることができる。」（段落【００５９】）、
「傾斜角θが１３°以上で且つ４５°未満のときには、２次劈開面は｛１−１０１｝面である。」（段落【００６０】）、
「特に、傾斜角θが２８．１°のときは、２次劈開面も主面と垂直な｛１−１０１｝面となるので、２次劈開が非常に容易になると共に直方体状のデバイスを得ることができる。」（段落【００６１】）、
「尚、第１の実施形態においては、傾斜角θが９０°又は２８．１°のときには、２次劈開面が主面と垂直になるため、ストライプ領域の方向を［１１−２０］方向と異ならせることができる。以下、これらの場合について、図３を参照しながら説明する。」（段落【００６２】）、
「
傾斜角θが９０°のときには、図３の上段に示すように、ストライプ領域の方向を［０００１］方向に設定して、１次劈開面を｛０００１｝面とすると共に２次劈開面を｛１１−２０｝面とすることができる。
（イ）図３は次のとおりである。
（ウ）上記（ア）の段落【００６２】・【００６３】の記載を踏まえ図３の上段をみると、傾斜角θが９０°のときの主面が｛１−１００｝面であることが把握できる。
イ　上記アの各記載によれば、引用例１には次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「主面を｛１−１００｝面とするｎ型の窒化ガリウム基板１０の上に、ｎ型ＡｌＧａＮ層よりなる第１のクラッド層１１及びｎ型ＧａＮ層よりなる第１の光ガイド層１２をそれぞれ成長させ、
　第１の光ガイド層１２の上に、アンドープＩｎＧａＮ層よりなり量子井戸構造を有する活性層１３を成長させ、
　活性層１３の上に、ｐ型ＧａＮ層よりなる第２の光ガイド層１４、ｐ型ＡｌＧａＮ層よりなる第２のクラッド層１５及びｎ型ＡｌＧａＮ層よりなる電流ブロック層１６を順次成長させた窒化物半導体レーザ装置であって、
　ストライプ領域の方向を［０００１］方向に設定して、１次劈開面を｛０００１｝面とすると共に２次劈開面を｛１１−２０｝面とする
　窒化物半導体レーザ装置。」
（２）対比
ア　本願発明と引用発明１とを以下に対比する。
（ア）引用発明１は、「主面を｛１−１００｝面とする」「窒化物半導体レーザ装置」であって、「アンドープＩｎＧａＮ層よりなり量子井戸構造を有する活性層１３」を有するものであるから、本願発明の「無極性」「ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザ」との特定事項を備えている。
（イ）本願発明の「光の偏光方向に対して光伝搬の軸を配向させることによって光学利得が制御され」るとの特定事項について
ａ　本願明細書には以下の記載がある。
「市販のｃ面窒化物ＬＥＤは、電界発光特性においてなんら分極異方性を示さない。無極性ｍ面窒化物ＬＥＤは、反対に、電界発光特性において［１１−２０］軸に沿った強い分極異方性を示している（非特許文献１２〜１４）。この分極は、圧縮歪みを持つｍ面ＩｎｘＧａ１−ｘＮ量子井戸における、異方性歪みが誘起する重い正孔バンドと軽い正孔バンドの分離に起因する可能性があり、この分離が［１１−２０］と［０００１］方向に分極する光学遷移の行列要素における大幅な差異をもたらす。同様に、ｍ面窒化物ダイオードレーザからの発光も、同様の分極異方性を示すはずであることが期待される。・・・」（段落【０００７】）、
「前記した従来技術における制限を克服するために、また本明細書を読んで理解することによって明らかになる他の制限を克服するために、本発明は、ダイオードレーザの光の偏光方向または結晶学的方位に対して光伝搬の軸を配向することによって光学利得が制御される、無極性または半極性ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザを開示する。
　具体的には、光伝搬の軸は、ダイオードレーザの鏡のファセットにほぼ垂直であり、光の偏光方向は、ダイオードレーザの結晶学的方位によって決定される。」（段落【０００８】）、
「この点に関して、光学利得を最大にするために、光伝搬の軸は光の偏光方向にほぼ垂直に配向される。具体的には、光学利得を最大にするために、光伝搬の軸は、無極性または半極性ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザのｃ軸にほぼ沿って配向される。・・・」（段落【０００９】）、
「無極性ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザがｍ面ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザであり、光伝搬の軸がｍ面ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザのｃ軸とａ軸との間の角度で配向されている場合、光伝搬の軸をｃ軸からａ軸の方向へ回転させると光学利得は単調に減少し、光伝搬の軸がｃ軸に沿って配向されると光学利得が最大値に近づく。・・・」（段落【００１０】）、
「本発明は、無極性または半極性窒化物ダイオードレーザの最大利得を発生前記の利益を実現するため、無極性または半極性窒化物のレーザ棒を半導体結晶の面に対して適当に配向する必要があることを規定する。面内ダイオードレーザ（ｉｎ−ｐｌａｎｅ  ｄｉｏｄｅ  ｌａｓｅｒｓ）の場合「縦軸」という用語は鏡のファセットに垂直な軸を指す。
　ｍ面窒化物ダイオードレーザでは、圧縮歪みを持つｍ面ＩｎｘＧａ１−ｘＮ量子井戸に固有の偏光特性によって、光学利得は、レーザ棒がｃ軸に沿って配向されたときに最大値をとり、レーザ棒がａ軸に沿って配向されたときに最小値をとるはずである。更に、レーザ棒がｃ軸とａ軸との間の角度をもって配向されている場合、レーザ棒の縦軸をｃ軸からａ軸まで回転させると光学利得は単調に減少し、最適なレーザ棒の配向方向はｃ軸上またはその近傍にあるはずである。」（段落【００１７】）、
「この面内配向依存の利得は、現行では無極性または半極性窒化物ダイオードレーザに固有の新現象である。通常のＩｎＰベースおよびＧａＡｓベースのダイオードレーザ、ならびにｃ面ＧａＮベースのダイオードレーザは、レーザ棒の配向方向に関して等方的である利得特性を示す。このように、本発明は、特定用途向けのダイオードレーザの設計における、無極性または半極性窒化物ダイオードレーザに対する新しい制約条件を表すものである。」（段落【００１９】）
「最大光学利得を発生させるためには、レーザ光伝搬の軸（即ち、ダイオードレーザ棒の縦軸）を電界発光の光の偏光方向にほぼ垂直に配向することが必要である。このように、ｍ面窒化物ダイオードレーザの場合、圧縮歪みを持つｍ面ＩｎｘＧａ１−ｘＮ量子井戸に固有の偏光特性のため、光学利得は、ダイオードレーザ棒がｃ軸に沿って配向されたときに最大となり、ダイオードレーザ棒がａ軸に沿って配向されたとき最小になるはずである。更に、ダイオードレーザ棒がｃ軸とａ軸との間の角度をもって配向されている場合、レーザ棒の縦軸をｃ軸からａ軸まで回転させると、光学利得は単調に減少し、最適なダイオードレーザ棒の配向方向はｃ軸上またはその近傍にあるはずである。・・・」（段落【００２４】）
ｂ　上記ａの各記載によれば、本願明細書には、以下の各事項が記載されているものと認められる。
（ａ）市販のｃ面窒化物ＬＥＤは、電界発光特性においてなんら分極異方性を示さないが、無極性ｍ面窒化物ＬＥＤは、電界発光特性において［１１−２０］軸に沿った強い分極異方性を示しており、この分極は、圧縮歪みを持つｍ面ＩｎｘＧａ１−ｘＮ量子井戸における、異方性歪みが誘起する重い正孔バンドと軽い正孔バンドの分離に起因する可能性があり、ｍ面窒化物ダイオードレーザからの発光も、同様の分極異方性を示すはずであることが期待されること（段落【０００７】）
（ｂ）無極性ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザであるｍ面ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザでは、圧縮歪みを持つｍ面ＩｎｘＧａ１−ｘＮ量子井戸に固有の偏光特性によって、光学利得は、光伝搬の軸がｃ軸に沿って配向されたときに最大値をとり、光伝搬の軸がｃ軸とａ軸との間の角度をもって配向されている場合、光伝搬の軸をｃ軸からａ軸まで回転させると単調に減少し、光伝搬の軸がａ軸に沿って配向されたときに最小値をとるはずであること（段落【００１０】・【００１７】・【００２４】）
（ｃ）無極性ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザでは、光学利得を最大にするために、光伝搬の軸は光の偏光方向にほぼ垂直に配向されるものであり、具体的には、光伝搬の軸は無極性ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザのｃ軸にほぼ沿って配向されるものであること（段落【０００８】・【０００９】・【００２４】）
ｃ　上記ｂ（ａ）は、ｍ面窒化物ダイオードレーザの分極異方性（当審注：偏光異方性の意味であると解される。）を予想したものであるが、本願明細書には、その予想を否定する記載は存在せず、むしろ、段落【００１９】の記載は、その予想の妥当性を前提としたものと解される。したがって、上記ｂ（ａ）に基づき、圧縮歪みを持つｍ面ＩｎｘＧａ１−ｘＮ量子井戸を備えたｍ面ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザにおける「光の偏光方向」は、圧縮歪みを持つｍ面ＩｎｘＧａ１−ｘＮ量子井戸を備えたｍ面ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザの属性として定まるものと解することができる。
ｄ　上記ｂ（ｂ）・（ｃ）及びｃによれば、圧縮歪みを持つｍ面ＩｎｘＧａ１−ｘＮ量子井戸を備えたｍ面ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザは、光学利得が光伝搬の軸の配向方向に依存するとともに、光伝搬の軸を光の偏光方向にほぼ垂直に配向させると、すなわち、光伝搬の軸を無極性ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザのｃ軸にほぼ沿って配向させると、光学利得が最大になるとの属性を有するものと解される。
ｅ　上記ｄによれば、圧縮歪みを持つｍ面ＩｎｘＧａ１−ｘＮ量子井戸を備えたｍ面ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザは、「光の偏光方向に対して光伝搬の軸を配向させることによって光学利得が制御され」るとの属性を有するものと解される。
ｆ　しかるところ、引用発明１についてみると、上記（ア）のとおり、引用発明１は、ｍ面ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザに該当するものであるとともに、「主面を｛１−１００｝面とするｎ型の窒化ガリウム基板１０の上に、ｎ型ＡｌＧａＮ層よりなる第１のクラッド層１１及びｎ型ＧａＮ層よりなる第１の光ガイド層１２をそれぞれ成長させ、」「第１の光ガイド層１２の上に、アンドープＩｎＧａＮ層よりなり量子井戸構造を有する活性層１３を成長させ」たものであるから、圧縮歪みを持つｍ面ＩｎｘＧａ１−ｘＮ量子井戸を備えるものと認められる。
　したがって、引用発明１は、本願発明の「光の偏光方向に対して光伝搬の軸を配向させることによって光学利得が制御され」るとの特定事項を当然に備えているものと認められる。
（ウ）本願発明の「該無極性または半極性ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザの結晶学的方位によって該光の偏光方向が決定される」との特定事項について
　上記（イ）ｃのとおり、圧縮歪みを持つｍ面ＩｎｘＧａ１−ｘＮ量子井戸を備えたｍ面ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザにおける「光の偏光方向」は、圧縮歪みを持つｍ面ＩｎｘＧａ１−ｘＮ量子井戸を備えたｍ面ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザの属性として定まるものと解される。
　しかるところ、引用発明１についてみると、上記（イ）ｆのとおり、引用発明１は、圧縮歪みを持つｍ面ＩｎｘＧａ１−ｘＮ量子井戸を備えたｍ面ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザに該当するものであるから、本願発明の「該無極性」「ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザの結晶学的方位によって該光の偏光方向が決定される」との特定事項を当然に備えているものと認められる。
（エ）本願発明の「該光学利得を最大にするため、該光伝搬の軸が該光の偏光方向にほぼ垂直に配向される」との特定事項について
　上記（イ）ｄのとおり、圧縮歪みを持つｍ面ＩｎｘＧａ１−ｘＮ量子井戸を備えたｍ面ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザは、光学利得が光伝搬の軸の配向方向に依存するとともに、光伝搬の軸を光の偏光方向にほぼ垂直に配向させると、すなわち、光伝搬の軸を無極性ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザのｃ軸にほぼ沿って配向させると、光学利得が最大になるとの属性を有するものと解される。
　しかるところ、引用発明１についてみると、上記（イ）ｆのとおり、引用発明１は、圧縮歪みを持つｍ面ＩｎｘＧａ１−ｘＮ量子井戸を備えたｍ面ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザに該当するものである。さらに、引用発明１は、「ストライプ領域の方向を［０００１］方向に設定して、１次劈開面を｛０００１｝面とする」ものであるから、光伝搬の軸を無極性ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザのｃ軸にほぼ沿って配向させているものといえる。そうすると、引用発明１は、本願発明の「該光学利得を最大にするため、該光伝搬の軸が該光の偏光方向にほぼ垂直に配向される」との特定事項を当然に備えているものと認められる。
イ　上記アによれば、本願発明と引用発明１とは、
「無極性ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザであって、光の偏光方向に対して光伝搬の軸を配向させることによって光学利得が制御され、該無極性ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザの結晶学的方位によって該光の偏光方向が決定されるとともに、該光学利得を最大にするため、該光伝搬の軸が該光の偏光方向にほぼ垂直に配向されることを特徴とする無極性ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザ。」
である点で一致し、相違点はない。
　したがって、本願発明は、引用例１に記載された発明である。
４　引用例２に基づく新規性欠如
（１）引用例２の記載事項
ア　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平１０−３３５７５０号公報（以下「引用例２」という。）には、図面とともに次の記載がある
「図１はこの発明の第１の実施形態によるＧａＮ系半導体レーザを示す。図１に示すように、この第１の実施形態による
ＧａＮ系半導体レーザにおいては、｛０１−１０｝面（Ｍ面）を主面とするアンドープのＧａＮ基板１上に、ｎ型ＧａＮコンタクト層２、ｎ型Ａｌ
x
 Ｇａ
1-x 
Ｎクラッド層３、例えば低不純物濃度またはアンドープのｎ型のＧａ
1-y 
Ｉｎ
y
 Ｎからなる活性層４、ｐ型Ａｌ
z
 Ｇａ
1-z
Ｎクラッド層５およびｐ型ＧａＮコンタクト層６が順次積層されている。
「ｎ型ＧａＮコンタクト層２の上層部、ｎ型Ａｌx Ｇａ1-x Ｎクラッド層３、活性層４、ｐ型Ａｌz Ｇａ1-z Ｎクラッド層５およびｐ型ＧａＮコンタクト層６は〈０００１〉方向に延びるストライプ形状を有する。このストライプ部およびこのストライプ部以外の部分の表面を覆うように例えばＳｉＯ2 膜のような絶縁膜７が設けられている。この絶縁膜７には、ｐ型ＧａＮコンタクト層６の上の部分およびｎ型ＧａＮコンタクト層２の上の部分に、〈０００１〉方向に延びるストライプ形状の開口７ａ、７ｂがそれぞれ設けられている。これらの開口７ａ、７ｂの幅は例えば５μｍである。開口７ａを通じてｐ型ＧａＮコンタクト層６にｐ側電極８がコンタクトしているとともに、開口７ｂを通じてｎ型ＧａＮコンタクト層２にｎ側電極９がコンタクトしている。ｐ側電極８としては例えばＮｉ／Ａｕ膜が用いられ、ｎ側電極９としては例えばＴｉ／Ａｌ／Ａｕ膜が用いられる。」（段落【００２２】）、
「この第１の実施形態において、
一対の共振器端面およびこの共振器端面と同一面内にあるＧａＮ基板１の端面は｛０００１｝面（Ｃ面）からなり
「また、上述の第１、第２および第３の実施形態においては、ダブルヘテロ構造のＧａＮ系半導体レーザにこの発明を適用した場合について説明したが、この発明は、活性層とクラッド層との間に光導波層を設けたいわゆるＳＣＨ（SeparateConfinement Heterostructure）構造のＧａＮ系半導体レーザに適用することも可能であり、また、
活性層として多重量子井戸構造（ＭＱＷ）や単一量子井戸構造（ＳＱＷ）のものを用いてもよい
イ　上記アの各記載によれば、引用例２には次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「｛０１−１０｝面（Ｍ面）を主面とするアンドープのＧａＮ基板１上に、ｎ型ＧａＮコンタクト層２、ｎ型Ａｌx Ｇａ1-x Ｎクラッド層３、例えば低不純物濃度またはアンドープのｎ型のＧａ1-y Ｉｎy Ｎからなる活性層４、ｐ型Ａｌz Ｇａ1-zＮクラッド層５およびｐ型ＧａＮコンタクト層６が順次積層されているＧａＮ系半導体レーザであって、
　一対の共振器端面およびこの共振器端面と同一面内にあるＧａＮ基板１の端面は｛０００１｝面（Ｃ面）からなり、
　活性層として多重量子井戸構造（ＭＱＷ）や単一量子井戸構造（ＳＱＷ）のものを用いてもよい、
　ＧａＮ系半導体レーザ。」
（２）対比
ア　本願発明と引用発明２とを以下に対比する。
（ア）引用発明２の「｛０１−１０｝面（Ｍ面）を主面とするアンドープのＧａＮ基板１上に、ｎ型ＧａＮコンタクト層２、ｎ型Ａｌx Ｇａ1-x Ｎクラッド層３、例えば低不純物濃度またはアンドープのｎ型のＧａ1-y Ｉｎy Ｎからなる活性層４、ｐ型Ａｌz Ｇａ1-zＮクラッド層５およびｐ型ＧａＮコンタクト層６が順次積層されているＧａＮ系半導体レーザ」は、本願発明の「無極性」「ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザ」に相当する。
（イ）引用発明２は、「例えば低不純物濃度またはアンドープのｎ型のＧａ1-y Ｉｎy Ｎからなる活性層４」において、「活性層として多重量子井戸構造（ＭＱＷ）や単一量子井戸構造（ＳＱＷ）のものを用いてもよい」ものであるから、当業者であれば、低不純物濃度またはアンドープのｎ型のＧａ1-y Ｉｎy Ｎよりなる量子井戸構造の活性層を用いる態様を把握することができる。
　そして、引用発明２の当該態様は、「｛０１−１０｝面（Ｍ面）を主面とするアンドープのＧａＮ基板１」上に、当該活性層を成長させたものであるから、ｍ面ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザであって、圧縮歪みを持つｍ面ＩｎｘＧａ１−ｘＮ量子井戸を備えるものということができる。
　したがって、上記３（２）ア（イ）と同様の理由で、引用発明２は、本願発明の「光の偏光方向に対して光伝搬の軸を配向させることによって光学利得が制御され」るとの特定事項を当然に備えているものと認められる。
　また、上記３（２）ア（ウ）と同様の理由で、引用発明２は、本願発明の「該無極性」「ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザの結晶学的方位によって該光の偏光方向が決定される」との特定事項を当然に備えているものと認められる。
（ウ）引用発明２は、「一対の共振器端面およびこの共振器端面と同一面内にあるＧａＮ基板１の端面は｛０００１｝面（Ｃ面）からな」るものであるから、光伝搬の軸を無極性ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザのｃ軸にほぼ沿って配向させているものといえる。
　そうすると、上記３（２）ア（エ）と同様の理由で、引用発明２は、本願発明の「該光学利得を最大にするため、該光伝搬の軸が該光の偏光方向にほぼ垂直に配向される」との特定事項を当然に備えているものと認められる。
イ　上記アによれば、本願発明と引用発明２とは、
「無極性ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザであって、光の偏光方向に対して光伝搬の軸を配向させることによって光学利得が制御され、該無極性ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザの結晶学的方位によって該光の偏光方向が決定されるとともに、該光学利得を最大にするため、該光伝搬の軸が該光の偏光方向にほぼ垂直に配向されることを特徴とする無極性ＩＩＩ族窒化物ダイオードレーザ。」
である点で一致し、相違点はない。
　したがって、本願発明は、引用例２に記載された発明である。
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。