【事件の表示】
　特願２０１０−１３０３３１「半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年１２月２２日出願公開、特開２０１１−２５８６５７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２２年６月７日の出願であって、平成２５年９月１３日付けの拒絶理由の通知に対し、同年１１月６日に意見書が提出されるとともに手続補正がなされ、同年１１月１３日付けの拒絶理由の通知に対し、同年１２月１７日に意見書が提出されるとともに手続補正がなされたが、同年１２月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成２６年４月１日に審判請求がなされるとともに手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２６年４月１日提出の手続補正（以下「本件補正」という。）についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
［理由］
１　補正の内容
　本件補正は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１である
「第１主面と、前記第１主面の反対面である第２主面と、前記第２主面上に形成された第１電極部および第２電極部と、を有する発光部と、
　前記第１主面側に設けられ、蛍光体を含有する波長変換部と、
　前記第１電極部に設けられた第１導電部と、
　前記第２電極部に設けられた第２導電部と、
　前記第２主面側に設けられ、前記第１導電部の端部および前記第２導電部の端部を露出させつつ前記第１導電部および前記第２導電部を封止した封止部と、
　を複数組備え、
　前記複数の波長変換部のそれぞれは、内部における光路長がそれぞれが対応する前記発光部の発光特性と、前記含有された蛍光体の分布と、に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような形状を有したこと、を特徴とする半導体発光装置。」
を、
「第１主面と、前記第１主面の反対面である第２主面と、前記第２主面上に形成された第１電極部および第２電極部と、を有する発光部と、
　前記第１主面側に設けられ、蛍光体を含有する波長変換部と、
　前記第１電極部に設けられた第１導電部と、
　前記第２電極部に設けられた第２導電部と、
　前記第２主面側に設けられ、
前記発光部を収納し、前記第１主面と直交する方向に伸びる側壁を有する凹部を備え、
　を複数組備え、
　前記複数の波長変換部のそれぞれは、内部における光路長がそれぞれが対応する前記発光部の発光特性と、前記含有された蛍光体の分布と、に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような形状を有したこと、を特徴とする半導体発光装置。」
に補正する（下線は補正箇所。）ことを含むものである。
　
２　本件補正の目的についての判断
　上記補正は、本件補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「封止部」について、「前記発光部を収納し、前記第１主面と直交する方向に伸びる側壁を有する凹部を備え」るとの限定をするものであるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
３　独立特許要件についての判断
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか否か）について以下に検討する。
（１）本件補正発明
　本件補正発明は、上記１に記載したとおりのものである。
（２）引用刊行物
ア　引用例１について
（ア）原査定の拒絶の理由で引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００９−１２３８０３号公報（以下「引用例１」という。）には、図とともに以下の記載がある（下線は当審が引いた。以下同じ。）。
ａ　「【特許請求の範囲】」、
　「
主面を有する発光層を含む発光ダイオードチップと、
　
前記発光ダイオードチップを収容するパッケージと、
　
前記発光ダイオードチップの前記発光層からの出射光の波長を変換する波長変換材料を含む波長変換部とを備え、
　
前記発光層の主面内で基準方向に対してなす角度を方位角と定義し、前記発光層の主面の法線に対してなす角度を極角と定義し、互いに異なる第１および第２の方位角を有しかつ互いに等しい極角を有する第１および第２の方向を定義した場合に
　
前記出射光の発光強度は方位角への依存性を有し、前記第１の方向に出射される光の発光強度は前記第２の方向に出射される光の発光強度よりも大きく、
　
前記波長変換材料の量の分布は前記方位角への依存性を有し、前記第１の方向における前記波長変換材料の量は前記第２の方向における前記波長変換材料の量よりも大きいことを特徴とする発光ダイオード装置。
　「前記波長変換部における前記波長変換材料の濃度の分布が前記方位角への依存性を有し、前記第１の方向における前記波長変換材料の濃度が前記第２の方向における前記波長変換材料の濃度よりも高いことを特徴とする請求項１記載の発光ダイオード装置。」（請求項２）、
　「
前記波長変換部の厚さの分布が前記方位角への依存性を有し、前記第１の方向における前記波長変換部の厚さが前記第２の方向における前記波長変換部の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項１または２記載の発光ダイオード装置。
ｂ　「【発明が解決しようとする課題】」、
　「しかしながら、上記Ｃ面以外の量子井戸では、発光層（量子井戸）の主面の面内方位において、発光層の振動子強度が大きい異方性を有していることが報告されている。具体的には、Ｃ面を主面とするＧａＩｎＮ量子井戸は、ｃ軸が６回回転対称軸をなすため、量子井戸面内の直線偏光に対する振動子強度の異方性はなく、＜１１−２０＞偏光と＜１−１００＞偏光との振動子強度は等しい。一方、Ｃ面以外を主面とするＧａＩｎＮ量子井戸は、回転対称性がないので、一般的に、量子井戸面内の直線偏光に対する振動子強度は異方性を有する。すなわち、直線偏光に対する振動子強度は、量子井戸面内の直線偏光の方向に依存して複数の異なる大きさを有する。このため、Ｃ面以外の量子井戸では、井戸層の法線方向で量子井戸から出射する光を観測した場合、その光は直線偏光している。例えば、上記非特許文献１で提案されたように、サファイアの（１−１００）面上に作製した（１−１０−３）面を主面とするＧａ０．６Ｉｎ０．４Ｎからなる４ｎｍの井戸層とＧａＮの障壁層とを積層したＭＱＷを発光層とするＬＥＤチップでは、発光層から出射される光は、［１１−２０］方向の偏光が強くなっている。」（段落【０００６】）、
　「このようなＣ面以外の量子井戸を主面とするＬＥＤチップから出射される光は、主面面内のおいて、振動子強度の大きい方向と垂直な方向に対して発光強度が大きくなる分布を有することが理論的に予想される。例えば、上記非特許文献１のＬＥＤチップでは、ＬＥＤチップから出射される光は［１１−２０］方向の偏光が強く、［１１−２０］方向および［−１−１２０］方向に出射する光は弱く、［１１−２０］方向と垂直な方向に出射する光は強くなることが予想される。このように発光層の主面の面内の方位角の違いにより、発光層から出射される光が発光強度の大きな異方性を有している場合、ＬＥＤチップを備えたＬＥＤ装置から出射される光も発光強度の大きな異方性を有すると考えられる。具体的には、ＬＥＤ装置が、ＬＥＤチップと、ＬＥＤチップの主面（光出射面）に平行で、かつ、ＬＥＤチップが配置されるチップ配置面を有するパッケージとを備えている場合、ＬＥＤ装置から出射される光は、通常、パッケージのチップ配置面の面内の方位角に関して、発光強度の大きな異方性を有することになる。」（段落【０００７】）、
　「また、一定の放射強度の光が蛍光体にあたる場合、蛍光体の膜厚によって光の出力が変化する。そのため、発光強度に異方性があるＬＥＤチップと面内の方位角に関して等方的な膜厚の蛍光体とを組み合わせた場合には、出射光が波長変換材料で波長変換される割合が方位角に依存して異なることになり、見る方位角により色度が異なるという問題がある。また、ＬＥＤからの発光強度が小さい方位角において蛍光体の膜厚が大き過ぎる場合は、光出力を十分に向上させることができない。」（段落【０００８】）、
　「本発明の目的は、発光効率を低減させることなく、色むらが低減された発光ダイオード装置を提供することである。」（段落【０００９】）
ｃ　「【課題を解決するための手段】」、
　「（１）本発明に係る発光ダイオード装置は、主面を有する発光層を含む発光ダイオードチップと、発光ダイオードチップを収容するパッケージと、発光ダイオードチップの発光層からの出射光の波長を変換する波長変換材料を含む波長変換部とを備え、発光層の主面内で基準方向に対してなす角度を方位角と定義し、発光層の主面の法線に対してなす角度を極角と定義し、互いに異なる第１および第２の方位角を有しかつ互いに等しい極角を有する第１および第２の方向を定義した場合に、出射光の発光強度は方位角への依存性を有し、第１の方向に出射される光の発光強度は第２の方向に出射される光の発光強度よりも大きく、波長変換材料の量の分布は方位角への依存性を有し、第１の方向における波長変換材料の量は第２の方向における波長変換材料の量よりも大きいものである。」（段落【００１０】）、
　「この発光ダイオード装置においては、パッケージ内に発光ダイオードチップが収容され、発光ダイオードチップの発光層からの出射光は、波長変換材料によって波長変換され、外部に放射される。発光層の主面内で基準方向に対してなす角度を方位角と定義し、発光層の主面の法線に対してなす角度を極角と定義した場合、出射光の発光強度は発光層の主面の面内の方位角への依存性を有する。互いに異なる第１および第２の方位角を有しかつ互いに等しい極角を有する第１および第２の方向に関して、第１の方向に出射される光の発光強度は、第１の方向に出射される光の発光強度より大きい。」（段落【００１１】）、
　「ここで、
波長変換材料の量の分布は方位角への依存性を有し、第１の方向における波長変換材料の量が第２の方向における波長変換材料の量よりも大きい。そのため、第１の方向への出射光のうち波長変換材料で波長変換される割合と、第２の方向への出射光のうち波長変換材料で波長変換される割合との差が小さくなる。したがって、第１の方向への出射光と第２の方向への出射光との色度の差が低減され、その結果、色むらの方位角依存性が低減される。
　「（２）波長変換部における波長変換材料の濃度の分布が方位角への依存性を有し、第１の方向における波長変換材料の濃度が第２の方向における波長変換材料の濃度よりも高くてもよい。」（段落【００１３】）、
　「この場合、第１の方向への出射光のうち波長変換材料で波長変換される割合と、第２の方向への出射光のうち波長変換材料で波長変換される割合との差が小さくなる。したがって、第１の方向への出射光と第２の方向への出射光との色度の差が低減され、その結果、色むらの方位角依存性が低減される。また、発光ダイオードチップからの発光強度が小さい方位角を有する方向において波長変換材料の濃度が大き過ぎることがなくなるので、光出力を十分に向上させることができる。加えて、波長変換部の波長変換材料の濃度を変化させることにより、第１の方向への出射光のうち波長変換材料で波長変換される割合と、第２の方向への出射光のうち波長変換材料で波長変換される割合との差を小さくすることができるので、波長変換部の形状の自由度が高くなる。」（段落【００１４】）、
　「（３）波長変換部の厚さの分布が方位角への依存性を有し、第１の方向における波長変換部の厚さが第２の方向における波長変換部の厚さよりも大きくてもよい。」（段落【００１５】）、
　「この場合、第１の方向への出射光のうち波長変換材料で波長変換される割合と、第２の方向への出射光のうち波長変換材料で波長変換される割合との差が小さくなる。したがって、第１の方向への出射光と第２の方向への出射光との色度の差が低減され、その結果、色むらの方位角依存性が低減される。また、発光ダイオードチップからの発光強度が小さい方位角を有する方向において波長変換部の厚さが大き過ぎることがなくなるので、光出力を十分に向上させることができる。加えて、波長変換部の厚さを変化させることにより、波長変換部に含まれる波長変換材料の濃度が略均一であっても、第１の方向への出射光のうち波長変換材料で波長変換される割合と、第２の方向への出射光のうち波長変換材料で波長変換される割合との差を小さくすることができる。」（段落【００１６】）
ｄ　「【発明の効果】」、
　「本発明によれば、発光強度が大きい第１の方向と発光強度が小さい第２の方向との色度の差が低減され、その結果、色むらの方位角依存性が低減される。また、発光ダイオードチップからの発光強度が小さい方向において波長変換材料の量が大き過ぎることがなくなるので、光出力を十分に向上させることができる。」（段落【００３１】）
ｅ　「（４）第３の実施の形態
　第３の実施の形態に係るＬＥＤ装置について、第１の実施の形態に係るＬＥＤ装置２００ａと異なる点を説明する。」（段落【００９０】）、
　「チップ配置部８２を閉塞するように、支持部材８１上に、波長変換シート７２が設けられている。波長変換シート７２の上面には、Ｖ１方向に沿った中心線Ｌ１から外側下方に向かって傾斜するように傾斜面７２ａ，７２ｂが形成されている。中心線Ｌ１は、ＬＥＤチップ３０の中央部の上方を通る。中心線Ｌ１に沿った波長変換シート７２の部分の厚さＴ１（図９（ａ））は例えば１．０ｍｍであり、傾斜面７２ａ，７２ｂの下端部における波長変換シート７２の厚さＴ２（図９（ａ））は例えば０．５ｍｍである。波長変換シート７２の材料としては、上記第２の実施の形態の波長変換シート７１ａ，７１ｂと同様の材料を用いることができる。なお、波長変換シート７２の厚さは、本願の「波長変換部の厚さ」の一例である。」（段落【００９８】）、
　「ここで、発光層３２から［１１−２４］方向と例えばθ２の角度をなす方向に出射した光に対して、図９（ａ）に示すように［１−１００］の方位角に出射した場合、波長変換シート７２の中でｄ３の距離を進み、図９（ｂ）に示すようにＶ１の方位角に出射した場合、波長変換シート７２の中でｄ４（＝Ｔ１／ｃｏｓθ２）の距離を進む。なお、ここでは、説明を簡単にするため、波長変換シート７２の表面での屈折は考慮していない。したがって、波長変換シート７２の厚さを発光強度の大きいＶ１方向において大きく、発光強度の小さい［１−１００］方向において小さくしたので、ｄ３＜ｄ４であり、発光強度の大きい方向において実質的に蛍光体の量が多くなる。その結果、発光強度の大きい方位角と小さい方位角との両方向で、ＬＥＤチップ３０からの光と蛍光体で波長変換された光との強度比がほぼ同様になり、色むらが低減する。」（段落【００９９】）
（イ）上記各記載から、引用例１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「主面を有する発光層を含む発光ダイオードチップと、
　前記発光ダイオードチップを収容するパッケージと、
　前記発光ダイオードチップの前記発光層からの出射光の波長を変換する波長変換材料を含む波長変換部とを備え、
　前記発光層の主面内で基準方向に対してなす角度を方位角と定義し、前記発光層の主面の法線に対してなす角度を極角と定義し、互いに異なる第１および第２の方位角を有しかつ互いに等しい極角を有する第１および第２の方向を定義した場合に、
　前記出射光の発光強度は方位角への依存性を有し、前記第１の方向に出射される光の発光強度は前記第２の方向に出射される光の発光強度よりも大きく、
　前記波長変換材料の量の分布は前記方位角への依存性を有し、前記第１の方向における前記波長変換材料の量は前記第２の方向における前記波長変換材料の量よりも大きい発光ダイオード装置であって、
　前記波長変換部の厚さの分布が前記方位角への依存性を有し、前記第１の方向における前記波長変換部の厚さが前記第２の方向における前記波長変換部の厚さよりも大きいので、第１の方向への出射光のうち波長変換材料で波長変換される割合と、第２の方向への出射光のうち波長変換材料で波長変換される割合との差が小さくなり、したがって、第１の方向への出射光と第２の方向への出射光との色度の差が低減され、その結果、色むらの方位角依存性が低減される発光ダイオード装置。」
　
イ　引用例２について
（ア）原査定の拒絶の理由で引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００３−２８２９５７号公報（以下「引用例２」という。）には、図とともに以下の記載がある。
ａ　「【特許請求の範囲】」、
　「第１の電極が設けられた第１の半導体と、前記第１の半導体に形成され前記第１の半導体とは異なる導電型を有する第２の電極が設けられた第２の半導体と、前記第１の電極及び前記第２の電極のそれぞれに電気的に接続された導電体と、前記第１及び第２の半導体の少なくとも一部を覆うように設けられた絶縁保護膜と、を少なくとも構成中に含有するフリップチップ型半導体素子であって、前記導電体が接続されている前記電極の上部は、前記絶縁保護膜で覆われており、前記導電体の一部分には、電気的に接続される接続部を有しており、前記接続部は、前記導電体が接続されている前記電極の半導体に対して、前記導電体が接続されている前記電極の上部とは異なる位置に前記接続部が形成されており、前記対応する接続部間の距離は、前記対応する第１及び第２の電極間の距離よりも広いことを特徴とするフリップチップ型半導体素子。」（請求項２）
ｂ　「【発明の実施の形態】以下、本発明に係るフリップチップ型半導体素子、発光装置及びそれら製造方法を、実施の形態及び実施例を用いて説明する。だたし、本発明は、この実施の形態及び実施例に限定されない。」（段落【００２９】）、
　「本発明に係るフリップチップ型半導体素子は、フリップチップ型の半導体発光素子であることが好ましいが、レーザー素子、フォト素子、太陽電池などの光素子、トランジスタ等にも応用できる。一例として本発明に係るフリップチップ型半導体素子は、フリップチップ型半導体発光素子であり、該フリップチップ型半導体発光素子を実装基板に実装した発光装置であるとして、説明するが、これに限定されない。図１（ａ）は、本発明に係るフリップチップ型半導体発光素子２００のＡ−Ａ断面図を示す。図１（ｂ）は、本発明に係るフリップチップ型半導体発光素子２００を上方から見た概略図を示す。・・・」（段落【００３０】）、
　「以下、本発明の各構成について詳述する。以下において、フリップチップ型半導体発光素子２００は、単に半導体素子２００という。高効率に発光輝度の高い可視光を発光可能な半導体素子２００として、窒化物半導体（ＩｎｘＧａｙＡｌ１−ｘ−ｙＮ、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）を活性層に利用したものが好適に挙げられる。半導体素子２００は、第１の半導体２が設けられている裏面と反対の表面からの光を出力するため、基板１は、透光性のあるものが好ましい。・・・」（段落【００３１】）、
　「第１の電極４は、ｎ型である第１の半導体２上に設けられている。第１の電極４は、ｎ型窒化物半導体とオーミック接触が可能な電極材料であれば特に限定されない。・・・」（段落【００３２】）、
　「第２の電極５は、ｐ型である第２の半導体２上に設けられている。第２の電極５は、ｐ型窒化物半導体とオーミック接触可能な電極材料であれば特に限定されない。・・・」（段落【００３３】）、
　「導電体６は、第１の電極４に接続され、導電体７は、第２の電極５に接続されている。導電体６は、第１の導電体６ａと第２の導電体６ｂとから構成されていることが好ましいが、一体的に成形されているものでも良い。第１の導電体６ａは、第１の絶縁保護膜８ａ上に形成され、第１の電極４の上部より外側に延びていることが好ましい。該外側に延びた第１の導電体６ａに、電気的に接続されている第２の導電体６ｂが形成されている。第２の導電体６ｂは、実装基板１５の第１の電極１３と、電気的に接続するため、半導体素子２００の外周まで延びている。その第２の導電体６ｂに設けられた接続部６ｃを介して、実装基板１５の第１の電極１３と接続されている。導電体７も、導電体６と同様の構成を有するが、半導体素子２００の大きさ、性能等により、導電体６と異なる構成を有するものでも良い。接続部６ｃ、接続部７ｃ及び絶縁保護膜８の上面は、ほぼ同一平面になるように切削又は成型することが好ましい。これにより、実装基板１５へ実装する際の接地安定性の向上を図り、信頼性の高い発光装置を得ることができるからである。・・・」（段落【００３４】）、
　「
絶縁保護膜８は、主に正負の電極間の短絡を防止するため、機械的、熱的ストレス、湿度などの外的要因から保護するために、第１の半導体２、第２の半導体３、第１の電極４及び第２の電極５等を覆うように設けることが好ましい。絶縁保護膜８は、封止材としての役割も有する。
　「
第２の絶縁保護膜８ｂは、封止材としての役割も有する。
　「＜製造方法＞本発明に係るフリップチップ型半導体素子２００の製造方法を、図２を用いて詳細に説明する。但し、本発明に係るフリップチップ型半導体素子の製造方法は、以下の製造方法に限定されない。」（段落【００３８】）、
　「まず、基板１に第１の半導体２を形成する。基板１を用いないフリップチップ型半導体素子２００も本発明の製造方法で製造可能であるため省略する。第１の半導体２に第２の半導体３を形成する（Ｐ１）。基板１に第１の半導体２を形成する方法、及び、第１の半導体２に第２の半導体３を形成する方法は、公知の半導体の積層方法等により積層、形成することができるが、この方法に限定されない。公知の半導体の積層方法としては、基板１上に第１の半導体（ｎ型半導体）２を結晶成長させる方法が、一般に使用されている。結晶成長させる方法には、融液成長、気相成長、溶液成長、固相成長などがある。第１の半導体２及び第２の半導体３に、２以上の異なる半導体層を設けることができる。また、第１の半導体２と第２の半導体３との間には、活性層を設けることもできる。第１の半導体２は、その端部をエッチング等により除去し、基板１より狭い面積としているが、この場合でも、端部からの光取り出し効率が変化しないため、消費電力の低減を図ることができる。エッチング手段としては、例えば反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、反応性イオンビームエッチング（ＲＩＢＥ）、イオンミリング等のドライエッチング手段を用いることが好ましい。」（段落【００３９】）、
　「第１の半導体２に第１の電極４を設ける。第２の半導体３に第２の電極５を設ける（Ｐ２）。半導体と電極との剥離を抑えるように、半導体と電極とを設ける。第１の電極２は、第２の半導体３の一部分をエッチングにより除去し、第１の半導体２を露出させる。この露出された第１の半導体２に、第１の電極３を設ける。半導体に電極を設ける代替手段として、基板１と第１の半導体２との間、又は、第１の半導体２と第２の半導体３との間に導電性の層を設ける場合や、素子の周りに金属を施して、基板と半導体層の導電をとる場合もある。」（段落【００４０】）、
　「第１の電極４、第２の電極５、第１の半導体２及び第２の半導体３に第１の絶縁保護膜８ａを設ける（Ｐ３）。絶縁保護膜８を形成する方法は、熱酸化、ＣＶＤ、スピン塗布方式、スパッタなどが用いられる。第１の電極４及び第２の電極５の上面の一部は、第１の絶縁保護膜８ａが形成されないように、覆いを施して絶縁保護膜を形成させる。その後、覆いを取り外すと、第１の電極４及び第２の電極５上が開口部となる第１の絶縁保護膜８ａが形成される。これにより、第１の電極４及び第２の電極５の一部分は、第１の絶縁保護膜８ａで覆われておらず、露出されている。また、第１の電極４及び第２の電極５を第１の絶縁保護膜８ａで覆った後、研磨、切削等により、第１の電極４及び第２の電極５の一部分を露出させることもできる。第１の絶縁保護膜８ａは、基板１の裏面の一部を覆うまで、形成されていることが好ましい。これは、第１の半導体２及び第２の半導体３が、基板１から剥離するのを防止するためである。」（段落【００４１】）、
　「第１の電極４及び第２の電極５に第１の導電体６ａを設ける（Ｐ４）。Ｐ３の製造工程において製造される第１の絶縁保護膜８ａで覆われていない第１の電極４及び第２の電極５の部分に、第１の導電体６ａ、７ａを電気的に接続するように設ける。第１の導電体６ａ、７ａは、圧着形成方法、スパッタ蒸着等の固着手段により、電極と導電体とが容易に剥離しないように設ける。圧着形成方法により第１の電極４及び第２の電極５に第１の導電体６ａ、７ａを接続し、その第１の導電体６ａ、７ａの他の一部分を第１の絶縁保護膜８ａ上まで延伸させる。」（段落【００４２】）、
　「第１の導電体６ａ、７ａに第２の導電体６ｂ、７ｂを設ける（Ｐ５）。第２の導電体６ｂ、７ｂの形成位置は、実装基板１５の電極１３、１４に対向する位置に設けることが好ましい。これにより、実装基板１５の電極１３、１４の位置変更に応じて、第２の導電体６ｂ、７ｂの形成位置を変更すればよく、従来のように、電極の位置を変更する必要がなく、製造費の低廉を図ることができる。Ｐ５の製造工程において、第１の導電体６ａ，７ａの一部分に、メッキ手段を用いて電気的に接続される第２の導電体６ｂ、７ｂを設ける。メッキ手段は、上述のように、無電解メッキ手段が好ましい。メッキ手段を用いて導電体を形成するとき、第２の導電体６ｂ、７ｂの側面はテーパー形状であることが好ましいため、テーパー形状となるように側壁を設け、メッキ手段により第２の導電体６ｂ、７ｂを設ける。」（段落【００４３】）、
　「第１の電極４及び第２の電極５のそれぞれの上面を覆うように第２の絶縁保護膜８ｂを設ける（Ｐ６）。また、第２の導電体６ｂ、７ｂの外周を覆うように、第２の絶縁保護膜８ｂを設ける。第２の導電体６ｂ、７ｂの接続部６ｃ、７ｃの上面と第２の絶縁保護膜８ｂの上面とが、ほぼ同一平面になるように、第２の絶縁保護膜８ｂを成形することが好ましい。又は、第２の導電体６ｂ、７ｂの上面及び第２の絶縁保護膜８ｂの上面を、研磨などの切削手段を用いて切削し、第２の導電体６ｂ、７ｂの接続部６ｃ、７ｃの上面及び第２の絶縁保護膜８ｂの上面を、ほぼ同一平面にすることが好ましい。切削手段は、スラリーを用いた研磨や固定砥粒による研磨、ＣＭＰ等を用いることができる。切削後、最終的に仕上げるには、ポリッシングクロスを用いて行うＣＭＰが表面粗さを低くすることができるため好ましい。切削手段を用いて切削したあと、該接続部６ｃ、７ｃの上面は、Ａｕメッキを施すことが好ましい。導電性接着剤にハンダを用いた場合、ハンダの濡れ性や酸化による劣化から、第２の導電体を保護するためである。」（段落【００４４】）、
　「以上の工程により、フリップチップ型半導体素子２００を製造することができる。」（段落【００４５】）、
　「更に、上述の工程により製造されたフリップチップ型半導体発光素子２００を実装基板１５に実装し、
該フリップチップ型半導体発光素子２００をフリップチップ型半導体発光素子２００からの光の一部を吸収してそれよりも長波長の光が発光可能な蛍光物質１６で覆う
ｃ　「【実施例１】以下、本発明の実施例を、図１を用いて説明する。但し、本発明は、この実施例１に限定されるものではない。」（段落【００５６】）、
　「図１（ａ）は、本発明に係るフリップチップ型半導体素子２００のＡ−Ａ断面図を示す。図１（ｂ）は、本発明に係るフリップチップ型半導体発光素子を上方から見た概略図を示す。」（段落【００５７】）、
　「絶縁性のサファイア基板１に、有機金属気相成長方法（ＭＯＣＶＤ法）により、ｎ型半導体層２を積層する。サファイア基板１は、厚さ約５０〜８０μｍのものを使用する。サファイア基板１を切り出した最終製造物は、縦０．６〜０．８ｍｍと横０．８〜１．０ｍｍの矩形のチップである。以下の説明は１個のフリップチップ型半導体発光素子について行う。ｎ型半導体層２には、ＧａＮ半導体層等を用いる。サファイア基板１に、窒化物半導体層との格子定数の不整合を緩和させる低温堆積緩衝層（図示しない）を積層する。
ｎ型半導体層２を積層後、活性層（発光層）（図示しない）を設け、活性層の上面にｐ型半導体層３を積層する。
ｄ　「【実施例３】図４は、実施例３のフリップチップ型半導体素子の断面図を示す。
実施例１とほぼ同一部分については、同符号のものを使い、説明を省略する。
　「
サファイア基板１に、ｎ型半導体層２、ｐ型半導体層３を積層する。
上記製造方法は、実施例１とほぼ同様である。
　「上記製造工程後、ｎ型電極４に導電体６を圧着形成させ、ｐ型電極５に導電体７を圧着形成させる。
導電体６の一部は、ｎ型電極４に接続されており
導電体７の一部は、ｐ型電極５に接続されており
　「
前記導電体６、導電体７及び第１の絶縁保護膜８ａの上面をＡｌＮとポリシラザンとを含有する第２の絶縁保護膜８ｂで覆うように形成する。その後、第２の絶縁保護膜８ｂを研磨して導電体６及び導電体７の上面を露出させる。
　「上記製造工程により、フリップチップ型半導体発光素子２２０を製造した。該フリップチップ型半導体発光素子２１０も、実施例１及び実施例２と同様に、表裏を逆にして実装基板１５に実装する。これにより発光素子を製造することができる。」（段落【００７０】）
ｅ　実施例３（図４）において、サファイア基板１に積層されたｎ型半導体層２及びｐ型半導体層３と、ｎ型半導体層２に形成されたｎ型電極４及びｐ型半導体層３に形成されたｐ型電極５を「発光部」ということができる（上記ｄの段落【００６７】・【００６６】、上記ｃの段落【００５８】）。
　そして、上記ｄの段落【００６７】・【００６８】と図４をも併せみると、第１主面と、前記第１主面の反対側である第２主面と、前記第２主面上に形成されたｎ型電極４およびｐ型電極５、を有する発光部と、前記第１主面側に設けられた蛍光物質１６の層と、前記ｎ型電極４に設けられた導電体６と、前記ｐ型電極５に設けられた導電体７と、からなる構造を把握することができる。
ｆ　実施例３（図４）では、第２の絶縁保護膜８ｂについて、「前記導電体６、導電体７及び第１の絶縁保護膜８ａの上面を・・・第２の絶縁保護膜８ｂで覆うように形成する。その後、第２の絶縁保護膜８ｂを研磨して導電体６及び導電体７の上面を露出させる。」（上記ｄの段落【００６９】）との記載がある。また、引用例２には、「絶縁保護膜８は、主に正負の電極間の短絡を防止するため、機械的、熱的ストレス、湿度などの外的要因から保護するために、第１の半導体２、第２の半導体３、第１の電極４及び第２の電極５等を覆うように設けることが好ましい。絶縁保護膜８は、封止材としての役割も有する。」（上記ｂの段落【００３６】）、「第２の絶縁保護膜８ｂは、封止材としての役割も有する。・・・」（上記ｂの段落【００３７】）との記載がある。以上の各記載に加え、引用例２の図１（ａ）（ｂ）における第２の絶縁保護膜８ｂと導電体６・７の位置関係にも照らせば、実施例３（図４）の絶縁保護膜８ｂは、導電体６の端部および導電体７の端部を露出させつつ導電体６および導電体７を封止した封止部であると認められる。
　そして、図４をも併せみると、当該封止部は、第２主面側に設けられ、発光部を収納し、第１主面と直交する方向に延びる側壁を有する凹部を備えていることが把握できる。
（イ）上記各記載から、引用例２には、次の事項が記載されていると認められる。
　「第１主面と、前記第１主面の反対側である第２主面と、前記第２主面上に形成されたｎ型電極４およびｐ型電極５、を有する発光部と、前記第１主面側に設けられた蛍光物質１６の層と、前記ｎ型電極４に設けられた導電体６と、前記ｐ型電極５に設けられた導電体７と、前記第２主面側に設けられ、前記発光部を収納し、第１主面と直交する方向に延びる側壁を有する凹部を備え、前記導電体６の端部および前記導電体７の端部を露出させつつ前記導電体６および前記導電体７を封止した封止部８ｂとを備えたフリップチップ型半導体素子であって、前記導電体６，７の一部分には、電気的に接続される接続部を有しており、前記接続部は、前記導電体６，７が接続されている前記ｎ型電極４，ｐ型電極５の半導体に対して、前記導電体６，７が接続されている前記ｎ型電極４，ｐ型電極５の上部とは異なる位置に前記接続部が形成されており、前記対応する接続部間の距離は、前記対応するｎ型電極４及びｐ型電極５間の距離よりも広いフリップチップ型半導体素子。」
　
（３）対比
ア　本件補正発明と引用発明１とを以下に対比する。
（ア）引用発明１の「発光ダイオード装置」は、本件補正発明の「半導体発光装置」に相当する。
（イ）引用発明１は「主面を有する発光層を含む発光ダイオードチップ」を備えているから、本件補正発明の「発光部」を備えている。
（ウ）引用発明１の「波長変換材料」が、本件補正発明の「蛍光体」に相当することは明らかであり、また、引用発明１の「波長変換部」は、本件補正発明の「波長変換部」に相当する。
（エ）引用発明１では「波長変換部の厚さの分布が前記方位角への依存性を有し、前記第１の方向における前記波長変換部の厚さが前記第２の方向における前記波長変換部の厚さよりも大きいので、第１の方向への出射光のうち波長変換材料で波長変換される割合と、第２の方向への出射光のうち波長変換材料で波長変換される割合との差が小さくなり、したがって、第１の方向への出射光と第２の方向への出射光との色度の差が低減され、その結果、色むらの方位角依存性が低減される」ところ、引用例１には「（２）波長変換部における波長変換材料の濃度の分布が方位角への依存性を有し、第１の方向における波長変換材料の濃度が第２の方向における波長変換材料の濃度よりも高くてもよい。」、「この場合、第１の方向への出射光のうち波長変換材料で波長変換される割合と、第２の方向への出射光のうち波長変換材料で波長変換される割合との差が小さくなる。したがって、第１の方向への出射光と第２の方向への出射光との色度の差が低減され、その結果、色むらの方位角依存性が低減される。・・・」と記載されている（上記（２）ア（ア）ｃの段落【００１３】・【００１４】）ことにも照らせば、引用発明１は、「波長変換部」「は、内部における光路長が」「前記発光部の発光特性と、前記含有された蛍光体の分布と、に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような形状を有した」ものとされていると認められる。
イ　上記アによれば、本件補正発明と引用発明１とは、
「発光部と、
　蛍光体を含有する波長変換部と、
　を備え、
　前記波長変換部は、内部における光路長が前記発光部の発光特性と、前記含有された蛍光体の分布と、に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような形状を有した半導体発光装置。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
［相違点１］
　半導体発光装置が備えている、発光手段の具体的構造に関し、本件補正発明では、第１主面と、前記第１主面の反対面である第２主面と、前記第２主面上に形成された第１電極部および第２電極部と、を有する発光部と、前記第１主面側に設けられ、蛍光体を含有する波長変換部と、前記第１電極部に設けられた第１導電部と、前記第２電極部に設けられた第２導電部と、前記第２主面側に設けられ、前記発光部を収納し、前記第１主面と直交する方向に伸びる側壁を有する凹部を備え、前記第１導電部の端部および前記第２導電部の端部を露出させつつ前記第１導電部および前記第２導電部を封止した封止部であるのに対し、引用発明１では、そうなっていない点。
［相違点２］
　半導体発光装置が備えている、発光手段の数に関し、本件補正発明では、複数であり、前記複数の波長変換部のそれぞれは、内部における光路長がそれぞれが対応する前記発光部の発光特性と、前記含有された蛍光体の分布と、に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような形状を有しているのに対し、引用発明１では、単数である点。
　なお、本件補正発明では「・・・発光部と、・・・波長変換部と、・・・第１導電部と、・・・第２導電部と、・・・封止部と、を複数
組
（４）相違点についての判断
ア　本件補正発明の技術的意義
　まず、本件補正発明の技術的意義について検討する。
（ア）本件補正後の明細書には以下の記載がある。
ａ　「【技術分野】」、
　「本発明は、半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法に関する。」（段落【０００１】）、
ｂ　「【背景技術】」、
　「窒化ガリウム（ＧａＮ）などのIII族窒化物半導体を用い、高輝度の青色光を発光する半導体発光装置が知られている。そして、青色光を発光する半導体発光装置に波長変換可能な蛍光体を含む波長変換部を設けることで白色光を出射させる技術が提案されている。
　この様な白色光を出射する半導体発光装置においては、青色光を発光する半導体発光装置上に波長変換可能な蛍光体を含む樹脂を単に塗布または滴下し、これを硬化させることにより波長変換部を形成するようにしている。
　そのため、白色光を出射する半導体発光装置を見る方向によって色度が異なるものとなる色度ずれが大きくなるおそれがある。」（段落【０００２】）
ｃ　「【発明の概要】」、
　「【発明が解決しようとする課題】」、
　「本発明の実施形態は、色度ずれを抑制することができる半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供する。」（段落【０００４】）
ｄ　「【課題を解決するための手段】」、
　「実施形態によれば、第１主面と、前記第１主面の反対面である第２主面と、前記第２主面上に形成された第１電極部および第２電極部と、を有する発光部と、前記第１主面側に設けられ、蛍光体を含有する波長変換部と、前記第１電極部に設けられた第１導電部と、前記第２電極部に設けられた第２導電部と、前記第２主面側に設けられ、前記発光部を収納し、前記第１主面と直交する方向に伸びる側壁を有する凹部を備え、前記第１導電部の端部および前記第２導電部の端部を露出させつつ前記第１導電部および前記第２導電部を封止した封止部と、を複数組備えた半導体発光装置が提供される。
　前記複数の波長変換部のそれぞれは、内部における光路長がそれぞれが対応する前記発光部の発光特性と、前記含有された蛍光体の分布と、に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような形状を有する。
」（段落【０００５】）、
　「また、他の実施形態によれば、第１主面と、前記第１主面の反対面である第２主面と、前記第２主面上に形成された第１電極部および第２電極部を有する発光部と、前記第１主面側に設けられた蛍光体を含有する波長変換部と、を複数組有する半導体発光装置の製造方法であって、前記第２主面側に、前記発光部を収納し、前記第１主面と直交する方向に伸びる側壁を有する凹部を備えた封止部を形成する工程と、内部における光路長がそれぞれが対応する前記発光部の発光特性と、前記含有された蛍光体の分布と、に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような形状をそれぞれ有する前記複数の波長変換部を形成する工程を備えたことを特徴とする半導体発光装置の製造方法が提供される。」（段落【０００６】）
ｅ　「【発明を実施するための形態】」、
　「以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
　図１は、本実施の形態に係る半導体発光装置を例示する模式断面図である。
　図１に示すように、半導体発光装置１には、発光部２、透光部３、波長変換部４、第１導電部６、第１接続部材７、第２電極部８、第２導電部９、第２接続部材１０、絶縁部１１、封止部１２が設けられている。」（段落【０００８】）、
　「発光部２は、第１主面Ｍ１と、第１主面Ｍ１の反対面である第２主面Ｍ２と、を有する。また、第２主面Ｍ２上に形成された第１電極部５および第２電極部８を有する。
　発光部２には、半導体部２ａ、活性部２ｂ、半導体部２ｃが設けられている。
　・・・」（段落【０００９】）、
　「波長変換部４は、第１主面Ｍ１側に設けられ、後述する蛍光体を含有している。
　波長変換部４は、波長変換可能な蛍光体が混合された樹脂などから形成されるものとすることができる。
　波長変換部４の透過率は、例えば、４２０ｎｍ〜７２０ｎｍの波長領域において９０％以上となるようにすることができる。
　波長変換部４は、色度ずれを抑制することができる形状とされている。すなわち、波長変換部４は、内部における光路長が発光部２の発光特性に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような形状を有したものとされている。なお、波長変換部４の形状に関する詳細は後述する。」（段落【００１６】）、
　「蛍光体は、例えば、粒子状とすることができ、その粒子径を１０μｍ以下とすることができる。
　波長変換部４は、４４０ｎｍ以上４７０ｎｍ以下(青色)、５００ｎｍ以上５５５ｎｍ以下(緑色)、５６０ｎｍ以上５８０ｎｍ以下(黄色)、６００ｎｍ以上６７０ｎｍ以下(赤色)にピークの発光波長を持つ蛍光体の少なくとも１つ以上を含むものとすることができる。
　また、発光波長の帯域が３８０ｎｍ〜７２０ｎｍの蛍光体を含むものとすることができる。・・・」（段落【００１７】）、
　「第１電極部５は、半導体部２ａに設けられ、Ｎｉ（ニッケル）／Ａｕ（金）の二重層などからなるものとすることができる。この場合、例えば、Ｎｉ（ニッケル）層の厚みを１μｍ程度、Ａｕ（金）層の厚みを１μｍ程度とすることができる。ただし、第１電極部５の材質や厚みは例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。第１電極部５の形状は、例えば、円形とすることができる。ただし、第１電極部５の形状は円形に限定されるわけではなく、後述する第１接続部６ａの断面形状、大きさなどに応じて適宜変更することができる。」（段落【００２３】）、
　「第１導電部６は、凹部１２ａの底面と封止部１２の端面との間を貫通するようにして設けられている。第１導電部６は、例えば、円柱状を呈しＣｕ（銅）などの金属材料からなるものとすることができる。また、第１導電部６には断面積の小さな第１接続部６ａが設けられている。そして、第１接続部６ａは第１電極部５に設けられ、第１電極部５を介して第１導電部６と半導体部２ａとが電気的に接続されている。ただし、第１導電部６、第１接続部６ａの形状、材質などは例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。」（段落【００２４】）、
　「第２電極部８は、半導体部２ｃに設けられ、Ｎｉ（ニッケル）／Ａｕ（金）の二重層などからなるものとすることができる。この場合、例えば、Ｎｉ（ニッケル）層の厚みを１μｍ程度、Ａｕ（金）層の厚みを１μｍ程度とすることができる。ただし、第２電極部８の材質や厚みは例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。第２電極部８の形状は、例えば、円形とすることができる。ただし、第２電極部８の形状は円形に限定されるわけではなく、後述する第２接続部９ａの断面形状、大きさなどに応じて適宜変更することができる。」（段落【００２７】）、
　「第２導電部９は、凹部１２ａの底面と封止部１２の端面との間を貫通するようにして設けられている。第２導電部９は、例えば、円柱状を呈しＣｕ（銅）などの金属材料からなるものとすることができる。また、第２導電部９には断面積の小さな第２接続部９ａが設けられている。そして、第２接続部９ａは第２電極部８に設けられ、第２電極部８を介して第２導電部９と半導体部２ｃとが電気的に接続されている。ただし、第２導電部９、第２接続部９ａの形状、材質などは例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。」（段落【００２８】）、
　「封止部１２は、第２主面Ｍ２側に設けられ、第１導電部６の端部および第２導電部９の端部を露出させつつ第１導電部６および第２導電部９を封止する。
　封止部１２は、熱硬化性樹脂などから形成されるものとすることができる。封止部１２は、発光部２、第１電極部５、第２電極部８をも封止する役割を有している。なお、封止部１２と絶縁部１１とが一体的に形成されているようにすることもできる。」（段落【００３２】）、
　「次に、波長変換部４の形状に関してさらに例示をする。
　図２は、発光部２の発光特性を例示するための模式図である。なお、発光特性はモノトーン色の濃淡で表し、青色となる程濃く、黄色となる程淡くなるように表示した。
　図２に例示をしたものの場合には、発光部２の中心部分が黄色となり、周縁になるにしたがい青色となっている。
　この様に発光部２の発光特性に分布があると、半導体発光装置１を見る方向によって色度が異なるものとなる色度ずれが大きくなるおそれがある。」（段落【００３３】）、
　「本発明者らの得た知見によれば、波長変換部の内部における光路長を発光部の発光特性に応じて変化させるようにすれば色度ずれを抑制することができる。
　以下においては、一例として、発光部２の発光特性が図２に例示をしたものの場合について例示をする。すなわち、発光部２の中心部分が黄色となり、周縁になるにしたがい青色となる場合について例示をする。この様な発光特性を有する発光部２としては、例えば、ＧａＮ（窒化ガリウム）などの窒化物半導体からなるものを例示することができる。」（段落【００３４】）、
　「図３は、比較例に係る半導体発光装置１００を例示する模式断面図である。
　図３に示すように、半導体発光装置１００には、発光部２、透光部３、波長変換部１０４、第１電極部５、第１導電部６、第１接続部材７、第２電極部８、第２導電部９、第２接続部材１０、絶縁部１１、封止部１２が設けられている。この場合、波長変換部１０４は平板状を呈し、出射面１０４ａが平坦面となっている。」（段落【００３５】）、
　「図４は、波長変換部の形状と色度ずれとの関係を例示するための模式図である。すなわち、図４（ａ）は波長変換部の形状を例示するための模式図、図４（ｂ）は波長変換部の形状と色度ずれとの関係を例示するための模式グラフ図である。なお、図４（ａ）中のＲは波長変換部の曲率半径を表している。
　また、図４（ｂ）は所定の位置から出射し波長変換部を透過した光をシミュレーション分析したものである。図４（ｂ）における横軸は視野角度を表しており、０°は半導体発光装置の上方正面側から見た場合、９０°、−９０°は半導体発光装置の側面側から見た場合である。図４（ｂ）における縦軸は色度を表しており、図中の上側になるほど黄色となり、図中の下側になるほど青色となる。また、色度ずれは、視野角度に対する色度の差で表される。そのため、例えば、０°における色度と、９０°または−９０°における色度との差が小さくなるほど色度ずれが小さいことになる。」（段落【００３６】）、
　「図４（ｂ）から分かるように、波長変換部の形状を変化させるようにすれば色度ずれを抑制することができる。例えば、波長変換部の形状を平板状から凸状とすれば色度ずれを抑制することができる。また、波長変換部の曲率半径Ｒを変化させれば色度ずれをさらに抑制することができる。
　本発明者らの得た知見によれば、波長変換部の内部における光路長が発光部の発光特性に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような形状を有した波長変換部とすれば、色度ずれを抑制することができる。すなわち、波長変換部の内部における光路長を発光部の発光特性に応じて適正化すれば色度ずれを抑制することができる。」（段落【００３７】）、
　「次に、半導体発光装置１の作用について例示をする。
　第１導電部６に電圧が印加されると、第１電極部５を介して半導体部２ａに電位が与えられる。また、第２導電部９に電圧が印加されると、第２電極部８を介して半導体部２ｃに電位が与えられる。そして、半導体部２ａと半導体部２ｃとに電位が与えられると、活性部２ｂにおいて正孔および電子が再結合して光が発生する。活性部２ｂから出射した光の一部は、半導体部２ａ、透光部３を透過して波長変換部４に入射する。波長変換部４に入射した光は蛍光体により波長が変換され波長変換部４から外部に向けて出射される。例えば、活性部２ｂから出射した青色光と、その光により励起された光（黄色、あるいは、赤色及び緑色）とが混合され、白色光として波長変換部４から外部に向けて出射される。　本実施の形態においては、波長変換部４の内部における光路長を発光部２の発光特性に応じて適正化するようにしている。すなわち、波長変換部４は凸状を呈し、内部における光路長が発光部２の発光特性に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような形状を有する出射面４ａが備えられている。そのため、色度ずれを抑制することができる。例えば、白色光を出射する半導体発光装置１を見る方向にかかわらず色度ずれを少なくすることができ、波長変換部４のほぼ全域において白色光が出射されるようにすることができる。」（段落【００３８】）、
　「図５、図６は、他の実施形態に係る半導体発光装置を例示する模式断面図である。
　図５に示すように、半導体発光装置２０には、発光部２、透光部３、波長変換部２４、第１導電部６、第１接続部材７、第２電極部８、第２導電部９、第２接続部材１０、絶縁部１１、封止部１２が設けられている。
　波長変換部２４は凹状を呈し、凹状の形状を有する出射面２４ａを備えている。」（段落【００３９】）、
　「また、図６に示すように、半導体発光装置３０には、発光部２、透光部３、波長変換部３４、第１導電部６、第１接続部材７、第２電極部８、第２導電部９、第２接続部材１０、絶縁部１１、封止部１２が設けられている。
　波長変換部３４は凹状を呈し、凹状の形状を有する出射面３４ａ１と、出射面３４ａ１の周縁に設けられた平坦状の出射面３４ａ２を備えている。」（段落【００４０】）、
　「図５、図６に例示をしたように、波長変換部の形状を凹状としても、波長変換部の内部における光路長を発光部の発光特性に応じて適正化することができる。また、凹状の形状を有する出射面３４ａ１の周縁に平坦状の出射面３４ａ２を備えるようにすることで周縁部における光路長を調整することができる。すなわち、平坦状の出射面を適宜備えるようにすることで、色度ずれがさらに小さくなるように波長変換部の内部における光路長を適正化することができる。」（段落【００４１】）、
　「表１は、各波長変換部を備えた場合の色度ずれを例示するものである。
　【表１】
　表１から分かるように、波長変換部の形状を変化させるようにすれば色度ずれを抑制することができる。すなわち、波長変換部の内部における光路長を発光部の発光特性に応じて適正化するようにすれば色度ずれを抑制することができる。
　なお、波長変換部の形状は例示をしたものに限定されるわけではなく、発光部の発光特性に応じて適宜変更することができる。例えば、凸状の形状、凹状の形状、平坦面を適宜組み合わせるようにしてもよい。
　また、曲率半径を適宜変化させるようにしてもよい。この場合、凸状の形状の曲率半径を２５０ｎｍ以上とすることが好ましい。また、凹状の形状の曲率半径を２００ｎｍ以上とすることが好ましい。
　また、波長変換部の面内における蛍光体の種類とその割合の分布を変えるようにすれば色度ずれをさらに抑制することができる。例えば、図２に例示をしたもののように、発光部２の周縁になるにしたがい青色となるものの場合には、波長変換部の周縁になるほど黄色の蛍光を発する蛍光体の割合が多くなるようにすることで、波長変換部のほぼ全域において白色光が出射されるようにすることができる。」（段落【００４２】）、
　「次に、半導体発光装置２０、３０の作用について例示をする。なお、半導体発光装置１の場合と同様の部分に関しては説明を適宜省略する。
　半導体発光装置２０、３０の場合も活性部２ｂにおいて光が発生し、波長変換部２４、３４に入射する。そして、波長変換部２４、３４に入射した光は蛍光体により波長が変換され波長変換部２４、３４から外部に向けて出射される。」（段落【００４３】）、
　「本実施の形態においても波長変換部２４、３４の内部における光路長を発光部２の発光特性に応じて適正化するようにしている。すなわち、波長変換部２４は凹状を呈し、内部における光路長が発光部２の発光特性に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような形状を有する出射面２４ａが備えられている。また、波長変換部３４は凹状を呈し、内部における光路長が発光部２の発光特性に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような形状を有する出射面３４ａ１が備えられている。また、周縁部における光路長を調整するために出射面３４ａ１の周縁に平坦状の出射面３４ａ２が備えられている。そのため、色度ずれを抑制することができる。例えば、白色光を出射する半導体発光装置２０、３０を見る方向にかかわらず色度ずれを少なくすることができ、波長変換部２４、３４のほぼ全域において白色光が出射されるようにすることができる。」（段落【００４４】）
ｆ　「次に、本実施の形態に係る半導体発光装置の製造方法について例示をする。
　図７は、本実施の形態に係る半導体発光装置の製造方法について例示をするためのフローチャートである。
　まず、サファイアなどからなる基板上に所定の形状の半導体部２ａ、活性部２ｂ、半導体部２ｃをこの順で積層させる（ステップＳ１）。
　この場合、既知の気相成長法などを用いてこれらの積層を行うようにすることができる。気相成長法としては、例えば、有機金属気相成長（MOCVD:Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法、ハイドライド気相成長（HVPE:Hydride Vapor Phase Epitaxy）法、分子線エピタキシャル成長（MBE;Molecular Beam Epitaxy）法などを例示することができる。」（段落【００４５】）、
　「次に、半導体部２ａ上に第１電極部５を形成し、半導体部２ｃ上に第２電極部８を形成する（ステップＳ２）。
　この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長（PVD：Physical Vapor Deposition）法、各種の化学的気相成長（CVD:Chemical Vapor Deposition）法、メッキ法などと、リソグラフィ技術やエッチング技術などとを組み合わせることで第１電極部５、第２電極部８を形成するようにすることができる。」（段落【００４６】）、
　「次に、この様にして基板上に積層された積層体を覆うようにして所定の形状の絶縁部１１を形成する（ステップＳ３）。
　この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長（PVD：Physical Vapor Deposition）法、各種の化学的気相成長（CVD:Chemical Vapor Deposition）法などと、リソグラフィ技術やエッチング技術などとを組み合わせることで絶縁部１１を形成するようにすることができる。」（段落【００４７】）、
　「次に、絶縁部１１を覆うようにして所定の形状の封止部１２を形成する（ステップＳ４）。
　この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長（PVD：Physical Vapor Deposition）法、各種の化学的気相成長（CVD:Chemical Vapor Deposition）法などと、リソグラフィ技術やエッチング技術などとを組み合わせることで封止部１２を形成するようにすることができる。」（段落【００４８】）、
　「次に、第１導電部６、第２導電部９を形成する（ステップＳ５）。
　この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長（PVD：Physical Vapor Deposition）法、各種の化学的気相成長（CVD:Chemical Vapor Deposition）法、メッキ法などと、リソグラフィ技術やエッチング技術などとを組み合わせることで第１導電部６、第２導電部９を形成するようにすることができる。」（段落【００４９】）、
　「次に、第１導電部６の端面に第１接続部材７を形成し、第２導電部９の端面に第２接続部材１０を形成する（ステップＳ６）。
　この場合、真空蒸着法やスパッタリング法などの各種の物理的気相成長（PVD：Physical Vapor Deposition）法、各種の化学的気相成長（CVD:Chemical Vapor Deposition）法、メッキ法などと、リソグラフィ技術などとを組み合わせることで第１接続部材７、第２接続部材１０を形成するようにすることができる。」（段落【００５０】）、
　「次に、この様にして形成された積層体を基板から剥離させる（ステップＳ７）。
　この場合、レーザリフトオフ法などを用いて積層体を基板から剥離させるようにすることができる。」（段落【００５１】）、
　「次に、剥離させた積層体を反転させ、半導体部２ａを覆うようにして透光部３を形成する（ステップＳ８）。
　この場合、樹脂などを塗布し、これを硬化させることで透光部３を形成するようにすることができる。」（段落【００５２】）、
　「次に、透光部３を覆うようにして所定の形状の波長変換部を形成する（ステップＳ９）。すなわち、内部における光路長が発光部２の発光特性に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような形状を有する波長変換部を形成する。
　図８は、波長変換部の形成を例示するための模式工程断面図である。
　ここでは一例として、ナノインプリント法やモールド法を用いて波長変換部２４を形成する場合について例示をする。
　まず、図８（ａ）に示すように、積層体１２７の透光部３側の主面に所定の蛍光体が混合された樹脂１２５を塗布する。
　この場合、スキージ法、スクリーン法やスピン法などの印刷および塗布方法などを用いて樹脂１２５を塗布するようにすることができる。」（段落【００５３】）、
　「次に、図８（ｂ）に示すように、樹脂１２５が塗布された積層体１２７を成形型１２６の直下に載置する。」（段落【００５４】）、
　「次に、図８（ｃ）に示すように、成形型１２６を樹脂１２５に押し付けることで成形型１２６の成形面１２６ａの形状を樹脂１２５に転写させる。
　ここで、ＵＶナノインプリント法を用いる場合には、成形型１２６を樹脂１２５に押し付けた状態で紫外線が照射され、成形された樹脂１２５を硬化させることで波長変換部２４が形成される。なお、ＵＶナノインプリント法を用いる場合には、成形型１２６は紫外線が透過可能な材料から形成され、樹脂１２５は紫外線硬化性樹脂とされる。
　また、モールド法を用いる場合には、成形型１２６を樹脂１２５に押し付けた状態で加熱が行われ、成形された樹脂１２５を硬化させることで波長変換部２４が形成される。なお、モールド法を用いる場合には、成形型１２６などには加熱ヒータなどが設けられ、樹脂１２５は熱硬化性樹脂とされる。
　この場合、波長変換部が形成される工程において、内部における光路長が発光部の発光特性に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような形状が波長変換部に形成される。そのため、波長変換部の内部における光路長を発光部の発光特性に応じて適正化することができるので、色度ずれを抑制することができる。
　次に、図８（ｄ）に示すように、成形型１２６を波長変換部２４から離隔させる。
　なお、波長変換部２４を形成する場合を例示したが、成形型１２６の成形面の形状を変えることで種々の形状を有する波長変換部を形成することができる。例えば、前述した凸状の形状を有する出射面４ａを備えた波長変換部４、凹状の形状を有する出射面３４ａ１と、出射面３４ａ１の周縁に設けられた平坦状の出射面３４ａ２を備えた波長変換部３４なども形成することができる。」（段落【００５５】）、
　「また、波長変換部の形成はナノインプリント法やモールド法に限定されるわけではなく適宜変更することができる。
　例えば、インクジェット法やディスペンス法などの微少液滴塗布方法などを用いて蛍光体が混合された樹脂を所定の形状に積層させることで波長変換部を形成するようにしてもよい。」（段落【００５６】）、
　「次に、図８に例示をしたように複数の半導体発光装置が一体的に形成されている場合には、各半導体発光装置を個片化する（ステップＳ１０）。
　この場合、ブレードダイシング法などを用いて各半導体発光装置を個片化するようにすることができる。」（段落【００５７】）、
　「以上、実施の形態について例示をした。しかし、本発明はこれらの記述に限定されるものではない。
　前述の実施の形態に関して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、または、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の特徴を備えている限り、本発明の範囲に包含される。
　例えば、半導体発光装置１、半導体発光装置２０、半導体発光装置３０が備える各要素の形状、寸法、材料、数、配置などは、例示をしたものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
　また、前述した各実施の形態が備える各要素は、可能な限りにおいて組み合わせることができ、これらを組み合わせたものも本発明の特徴を含む限り本発明の範囲に包含される。」（段落【００５８】）
（イ）上記（ア）の各記載によれば、本件補正発明の技術的意義について、以下のとおり把握することができる。
ａ　本件補正発明は、青色光を発光する半導体発光装置に波長変換可能な蛍光体を含む波長変換部を設けることで白色光を出射させる技術においては、青色光を発光する半導体発光装置上に波長変換可能な蛍光体を含む樹脂を単に塗布または滴下し、これを硬化させることにより波長変換部を形成するようにしているため、白色光を出射する半導体発光装置を見る方向によって色度が異なるものとなる色度ずれが大きくなるおそれがある（上記（ア）ｂの段落【０００２】）ので、色度ずれを抑制することができる半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法を提供することを発明が解決しようとする課題としたものである（上記（ア）ｃの段落【０００４】）。
ｂ　上記課題を解決するために、本件補正発明では、第１主面と、前記第１主面の反対面である第２主面と、前記第２主面上に形成された第１電極部および第２電極部と、を有する発光部と、前記第１主面側に設けられ、蛍光体を含有する波長変換部と、前記第１電極部に設けられた第１導電部と、前記第２電極部に設けられた第２導電部と、前記第２主面側に設けられ、前記発光部を収納し、前記第１主面と直交する方向に伸びる側壁を有する凹部を備え、前記第１導電部の端部および前記第２導電部の端部を露出させつつ前記第１導電部および前記第２導電部を封止した封止部と、を複数組備えた半導体発光装置が提供され、前記複数の波長変換部のそれぞれは、内部における光路長がそれぞれが対応する前記発光部の発光特性と、前記含有された蛍光体の分布と、に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような形状を有している（上記（ア）ｄの段落【０００５】）。
ｃ　本件補正発明では、波長変換部の内部における光路長を発光部の発光特性と含有された蛍光体の分布に応じて変化させるようにしているので、色度ずれを抑制することができる（上記（ア）ｄの段落【０００５】・同ｅの段落【００１６】・【００３４】・【００３７】・【００３８】・【００４１】・【００４２】・【００４４】・【００５３】・【００５５】）。
ｄ　実施形態に係る半導体発光装置１では、第１導電部６に電圧が印加されると、第１電極部５を介して半導体部２ａに電位が与えられ、また、第２導電部９に電圧が印加されると、第２電極部８を介して半導体部２ｃに電位が与えられる。そして、半導体部２ａと半導体部２ｃとに電位が与えられると、活性部２ｂにおいて正孔および電子が再結合して光が発生する。活性部２ｂから出射した光の一部は、半導体部２ａ、透光部３を透過して波長変換部４に入射する。波長変換部４に入射した光は蛍光体により波長が変換され波長変換部４から外部に向けて出射される。
　そして、本実施の形態においては、波長変換部４の内部における光路長を発光部２の発光特性に応じて適正化するようにしている。すなわち、波長変換部４は凸状を呈し、内部における光路長が発光部２の発光特性に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような形状を有する出射面４ａが備えられている。そのため、色度ずれを抑制することができる。例えば、白色光を出射する半導体発光装置１を見る方向にかかわらず色度ずれを少なくすることができ、波長変換部４のほぼ全域において白色光が出射されるようにすることができる。（上記（ア）ｅの段落【００３８】）
（ウ）以上によれば、本件補正発明は、波長変換部の内部における光路長を発光部の発光特性と含有された蛍光体の分布に応じて適正化することにより色度ずれを抑制することを課題解決原理としたものと認められる。
イ　［相違点１］について
（ア）上記アによれば、本件補正発明の［相違点１］に係る特定事項は、本件補正発明の課題解決原理との間に特段の関係を見いだせず、本件補正発明の課題との関係では、発光手段の具体的構造の一例を単に特定した以上の技術的意義は有さないものと解される。
（イ）引用例１に記載された発明は、一定の放射強度の光が蛍光体にあたる場合、蛍光体の膜厚によって光の出力が変化するので、発光強度に異方性があるＬＥＤチップと面内の方位角に関して等方的な膜厚の蛍光体とを組み合わせた場合には、出射光が波長変換材料で波長変換される割合が方位角に依存して異なることになり、見る方位角により色度が異なるという問題があり、また、ＬＥＤからの発光強度が小さい方位角において蛍光体の膜厚が大き過ぎる場合は、光出力を十分に向上させることができないことを課題とするものであって、発光効率を低減させることなく、色むらが低減された発光ダイオード装置を提供することを目的とし、発光強度が大きい第１の方向と発光強度が小さい第２の方向との色度の差が低減され、その結果、色むらの方位角依存性が低減されるとの作用効果を奏するものである（上記（２）ア（ア）ｂの段落【０００８】・【０００９】、同ｄの段落【００３１】）。
　そうすると、引用発明１では、その発光手段については、発光強度と波長変換材料の量の分布とに方向依存性があることが本質的特徴であり、その具体的構造を問わないものであることが当業者にとって明らかである。
（ウ）他方、引用例２には、上記（２）イ（イ）のとおり、第１主面と、前記第１主面の反対側である第２主面と、前記第２主面上に形成されたｎ型電極４およびｐ型電極５、を有する発光部と、前記第１主面側に設けられた蛍光物質１６の層と、前記ｎ型電極４に設けられた導電体６と、前記ｐ型電極５に設けられた導電体７と、前記第２主面側に設けられ、前記発光部を収納し、第１主面と直交する方向に延びる側壁を有する凹部を備え、前記導電体６の端部および前記導電体７の端部を露出させつつ前記導電体６および前記導電体７を封止した封止部８ｂとを備えたフリップチップ型半導体素子であって、前記導電体６，７の一部分には、電気的に接続される接続部を有しており、前記接続部は、前記導電体６，７が接続されている前記ｎ型電極４，ｐ型電極５の半導体に対して、前記導電体６，７が接続されている前記ｎ型電極４，ｐ型電極５の上部とは異なる位置に前記接続部が形成されており、前記対応する接続部間の距離は、前記対応するｎ型電極４及びｐ型電極５間の距離よりも広いフリップチップ型半導体素子が記載されていると認められるから、上記［相違点１］に係る発光手段の具体的構造が記載されているといえる。
（エ）上記（イ）によれば、当業者であれば、引用発明１の発光手段の具体的構造として適宜のものが採用できることを把握できるから、出願前に公知である引用例２に記載された構造を採用し、上記［相違点１］のようにすることは、適宜なし得たものということができる。
ウ　［相違点２］について
　発光手段を複数設けた半導体発光装置は周知である（例えば、原査定で示された特開２００４−３６２９００号公報）から、引用発明１において、発光手段を複数設けるようにすることは、当業者が適宜なし得たものといえる。
　そして、その際、波長変換部が複数になるところ、それらのそれぞれについて、内部における光路長がそれぞれが対応する前記発光部の発光特性と、前記含有された蛍光体の分布と、に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような形状を有するようにすることは、引用発明１の技術的意義（上記イ（イ）参照。）に照らせば、当然なされるべき変更にすぎない。
ウ　本件補正発明の作用効果については、当業者が予測しうる程度のものである。
エ　請求人は、審判請求書において、本件補正発明は、「前記第２主面側に設けられ、前記発光部を収納し、前記第１主面と直交する方向に伸びる側壁を有する凹部を備え、前記第１導電部の端部および前記第２導電部の端部を露出させつつ前記第１導電部および前記第２導電部を封止した封止部」との特定事項を備えているので、発光部の側面から出射した光は、凹部の側壁に垂直な方向から入射し、凹部の側壁に垂直な方向から入射した光は、凹部の側壁と発光部の側面との間で反射されるので、波長変換部に向かうことを抑制することができ、その結果、意図しない方向から波長変換部に入射する光を少なくすることができるので、波長変換部の形状などにより、効果的な色度ずれの抑制を行うことができるようになる旨主張する。
　しかしながら、請求人の上記主張については、本件補正後の明細書及び図面には記載されていない上、本件補正後の請求項１では、封止部が透光性であることが排除されていないため、当該請求項１の記載にも基づかないものと言わざるを得ない。
　したがって、請求人の主張は採用できない。
オ　以上によれば、本件補正発明は、引用発明１、引用例２に記載された事項及び上記周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
（５）本件補正についてのむすび
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反してなされたものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明の認定
　本件補正は、上記第２のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２５年１２月１７日提出の手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１２に記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
　「第１主面と、前記第１主面の反対面である第２主面と、前記第２主面上に形成された第１電極部および第２電極部と、を有する発光部と、
　前記第１主面側に設けられ、蛍光体を含有する波長変換部と、
　前記第１電極部に設けられた第１導電部と、
　前記第２電極部に設けられた第２導電部と、
　前記第２主面側に設けられ、前記第１導電部の端部および前記第２導電部の端部を露出させつつ前記第１導電部および前記第２導電部を封止した封止部と、
　を複数組備え、
　前記複数の波長変換部のそれぞれは、内部における光路長がそれぞれが対応する前記発光部の発光特性と、前記含有された蛍光体の分布と、に応じて色度ずれが抑制される長さとなるような形状を有したこと、を特徴とする半導体発光装置。」
　
２　引用刊行物
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例１、２及びその記載事項は、前記第２の［理由］３（２）に記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　本願発明は、前記第２の［理由］３で検討した本件補正発明から、封止部についての「前記発光部を収納し、前記第１主面と直交する方向に伸びる側壁を有する凹部を備え、」との限定事項を削除したものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記第２の［理由］３（３）、（４）に記載したとおり、引用発明１、引用例２に記載された事項及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明１、引用例２に記載された事項及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。