(57)【要約】【課題】信頼性の高い電子機器を効率よく製造することが可能な配線基板を製造する方法を提供する。【解決手段】配線基板の製造方法は、ベース基板１０と、ベース基板１０上に形成された配線パターン２０と、ベース基板１０上に形成された認識マーク３０とを有する基板１００を用意する工程と、認識マーク３０にめっき金属が付着しないように、配線パターン２０にめっき処理を行う工程と、を含む。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、前記ベース基板上に形成された配線パターンと、前記ベース基板上に形成された認識マークとを有する基板を用意する工程と、
前記認識マークにめっき金属が付着しないように、前記配線パターンにめっき処理を行う工程と、
を含む配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の配線基板の製造方法において、
前記基板は、前記認識マークを覆う被覆層をさらに有し、
前記めっき処理工程を、前記被覆層で前記認識マークを覆った状態で行う配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の配線基板の製造方法において、
前記配線パターンと前記認識マークとは電気的に絶縁されてなり、
前記めっき処理工程では、電解めっき処理を行う配線基板の製造方法。
【請求項４】
ベース基板と、
前記ベース基板上に形成されてなる、導電材料で形成された認識マークと、
前記ベース基板上に形成されてなる、前記認識マークと同じ組成で形成された配線パターンと、
前記配線パターンの表面に形成された他の金属層と、
を含む配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、配線基板には、半導体チップや表示パネルなどの電子部品が搭載される。そして、配線基板に電子部品を搭載する際には、認識マークを利用して、両者の位置合わせが行われる。
【０００３】
ところで、認識マークは、画像データとして処理されることがある。すなわち、カメラ等の撮像器で認識マークを認識し、そのデータを利用して、位置合わせがなされることがある。
【０００４】
カメラ等に、容易かつ正確に認識マークを認識させるためには、認識マークの外形が精度よく形成されていること、及び、認識マークの上面が平坦面であることが重要である。
【特許文献１】特開平５−２１５３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、信頼性の高い電子機器を効率よく製造することが可能な配線基板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
（１）本発明に係る配線基板の製造方法は、
ベース基板と、前記ベース基板上に形成された配線パターンと、前記ベース基板上に形成された認識マークとを有する基板を用意する工程と、
前記認識マークにめっき金属が付着しないように、前記配線パターンにめっき処理を行う工程と、
を含む。
【０００７】
本発明によると、画像による認識が容易な認識マークを有する配線基板を製造することができる。すなわち、本発明によると、信頼性の高い電子機器を効率よく製造することが可能な配線基板を製造することができる。
【０００８】
（２）この配線基板の製造方法において、
前記基板は、前記認識マークを覆う被覆層をさらに有し、
前記めっき処理工程を、前記被覆層で前記認識マークを覆った状態で行ってもよい。
【０００９】
これにより、認識マークにめっき金属が付着しないように、配線パターンにめっき処理を行うことができる。なお、この配線基板の製造方法は、めっき処理工程後に、認識マークを露出させる工程を含んでいてもよい。
【００１０】
（３）この配線基板の製造方法において、
前記配線パターンと前記認識マークとは電気的に絶縁されてなり、
前記めっき処理工程では、電解めっき処理を行ってもよい。
【００１１】
（４）本発明に係る配線基板は、
ベース基板と、
前記ベース基板上に形成されてなる、導電材料で形成された認識マークと、
前記ベース基板上に形成されてなる、前記認識マークと同じ組成で形成された配線パターンと、
前記配線パターンの表面に形成された他の金属層と、
を含む。
【００１２】
本発明によると、信頼性の高い電子機器を効率よく製造することが可能な配線基板を提供することができる。
【００１３】
本発明に係る配線基板では、認識マークと配線パターンとは、同じ組成で形成される。例えば、認識マークが単層の金属層で構成されている場合には、配線パターンも同じ金属層で構成される。そして、認識マークが複数層の金属層で構成されている場合には、配線パターンは、同じ金属層が積層された構成をなす。また、認識マークと配線パターンとは、同じ高さをなしていてもよい。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明を適用した実施の形態について図面を参照して説明する。ただし、本発明は以下の実施の形態に限定されるものではない。また、本発明は、以下の内容を自由に組み合わせたものを含むものとする。
【００１５】
（第１の実施の形態）
図１（Ａ）〜図７は、本発明を適用した第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明するための図である。
【００１６】
本実施の形態に係る配線基板の製造方法は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示す基板１００を用意することを含む。なお、図１（Ａ）は、基板１００の上視図である。また、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）のIB−IB線断面の一部拡大図である。以下、基板１００の構成について説明する。
【００１７】
基板１００は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、ベース基板１０を有する。ベース基板１０の材料や構造は特に限定されず、既に公知となっているいずれかの基板を利用してもよい。ベース基板１０の材料は、有機系又は無機系のいずれかであってもよく、これらの複合構造からなるものであってもよい。ベース基板１０として、例えばポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）からなる基板又はフィルムを使用してもよい。あるいは、ベース基板１０としてポリイミド樹脂からなるフレキシブル基板を使用してもよい。また、無機系の材料から形成されたベース基板１０として、例えばセラミックス基板やガラス基板が挙げられる。
【００１８】
基板１００は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、ベース基板１０上に形成された配線パターン２０を有する。配線パターン２０は、ベース基板１０の表面に形成されている。配線パターン２０は、複数の金属層が積層された構造をなしていてもよい。すなわち、図１（Ｂ）に示すように、配線パターン２０は、ベース基板１０上に形成された第１の層２２と、第１の層２２上に形成された第２の層２４とによって構成されていてもよい。配線パターン２０の材料についても、特に限定されるものではない。例えば、配線パターン２０は、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタンタングステン（Ｔｉ−Ｗ）のうちのいずれかを積層して形成されていてもよい。ただし、配線パターン２０は、単層の金属層で構成されていてもよい。あるいは、配線パターン２０は、３層以上の金属層で構成されていてもよい。また、基板１００は、ベース基板１０の内部に形成された他の配線をさらに含んでいてもよい（図示せず）。
【００１９】
基板１００は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、認識マーク３０を有する。認識マーク３０は、ベース基板１０の表面に形成されてなる。認識マーク３０は、基板１００の位置を認識するためのマークである。認識マーク３０は、例えば、基板１００に電子部品（例えば半導体チップ）を搭載する工程で、両者の位置合わせに利用されるマークであってもよい。
【００２０】
認識マーク３０の材料や構造は特に限定されるものではない。認識マーク３０は、配線パターン２０と同じ構成をなしていてもよい。例えば、認識マーク３０は、配線パターン２０と同じ組成の複数の金属層で構成されていてもよい。すなわち、認識マーク３０は、ベース基板１０の表面に形成された第１の層３２と、第１の層３２上に形成された第２の層３４とによって構成されていてもよい。そして、第１の層３２は、第１の層２２と同じ材料で構成されていてもよい。また、第２の層３４は、第２の層２４と同じ材料で構成されていてもよい。ただし、認識マーク３０は、単層の金属層で構成されていてもよい。あるいは、認識マーク３０は、絶縁材料で形成されていてもよい。また、認識マーク３０は、配線パターン２０と同じ高さをなしていてもよい。このとき、第１の層３２と第１の層２２とが同じ高さをなし、第２の層３４と第２の層２４とが同じ高さをなしていてもよい。なお、「高さ」とは、ベース基板１０の厚み方向の高さを指していてもよい。また、認識マーク３０及び配線パターン２０の高さとは、それぞれの、ベース基板１０からの高さを指していてもよい。
【００２１】
基板１００では、配線パターン２０と認識マーク３０とは、電気的に絶縁されている。すなわち、認識マーク３０は、配線パターン２０と電気的に独立した導電体である。
【００２２】
基板１００を形成する方法は特に限定されるものではないが、以下、図２（Ａ）〜図２（Ｅ）を参照して、基板１００を形成する方法の一例について説明する。
【００２３】
はじめに、図２（Ａ）に示すように、ベース基板１０に金属層１５を形成する。金属層１５は、単層で形成してもよく、複数層で形成してもよい。金属層１５は、スパッタリングで形成してもよい。金属層１５は、Ｔｉ又はＴｉ−Ｗで形成してもよい。
【００２４】
そして、図２（Ｂ）に示すように、金属層１５上にレジスト層１７を形成する。レジスト層１７は、金属層１５を部分的に覆うように形成する。レジスト層１７は、配線パターン２０及び認識マーク３０を形成するための領域を露出させる開口１８を有していてもよい。すなわち、レジスト層１７は、配線パターン２０及び認識マーク３０を形成するための領域（のみ）を露出させるように形成する。
【００２５】
そして、図２（Ｃ）に示すように、金属層１５におけるレジスト層１７からの露出部（開口１８とオーバーラップする領域）に、導電パターン１９を形成する。導電パターン１９は、例えば、開口１８内に導電材料を設けることで形成してもよい。導電パターン１９は、例えば、めっき処理（電解めっき及び無電解めっきを含む）によって形成してもよい。導電パターン１９は、例えば、Ｃｕによって形成してもよい。なお、導電パターン１９は、単一の導電材料のみで形成してもよいが、複数の導電材料を積層させて形成してもよい。
【００２６】
そして、図２（Ｄ）に示すように、レジスト層１７を除去する。その後、図２（Ｅ）に示すように、金属層１５における導電パターン１９からの露出部を除去することによって、金属層１５をパターニングする。例えば、導電パターン１９をマスクとして金属層１５をエッチングすることによって、金属層１５をパターニングしてもよい。
【００２７】
以上の工程によって、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示す、基板１００（配線パターン２０及び認識マーク３０）を形成してもよい。本方法によると、配線パターン２０及び認識マーク３０の形状は、レジスト層１７の開口１８の形状によって規制される。そのため、本方法によると、設計通りの形状に、配線パターン２０及び認識マーク３０を形成することができる。なお、本方法で形成される基板１００では、配線パターン２０と認識マーク３０とは、同時に形成され、同じ組成の構造となる。また、本方法では、配線パターン２０と認識マーク３０とは、同じ高さに形成することができる。
【００２８】
本実施の形態に係る配線基板の製造方法は、図３に示すように、配線パターン２０を部分的に覆うレジスト層４０を形成することを含んでいてもよい。レジスト層４０は、配線パターン２０のうち、他の電子部品との電気的な接続に利用される部分を露出させるように形成する。すなわち、レジスト層４０は、配線パターン２０のうち、他の電子部品との電気的な接続に利用されない領域を保護する役割を果たすものであるといえる。なお、レジスト層４０は、認識マーク３０を露出させるように形成してもよい。これによると、後の工程で、レジスト層４０から認識マーク３０を露出させるための処理が不要になるため、効率よく配線基板を製造することができる。
【００２９】
本実施の形態に係る配線基板の製造方法は、図４に示すように、認識マーク３０にめっき金属が付着しないように、配線パターン２０にめっき処理を行うことを含む。すなわち、本工程では、認識マーク３０がめっきされないように、配線パターン２０にめっき処理を行うと言える。本工程によって、配線パターン２０におけるレジスト層４０からの露出部に、金属層４２を形成する。金属層４２を、めっき層と称してもよい。そして、配線パターン２０のうち金属層４２が形成された領域（レジスト層４０からの露出部）を指して、電気的接続部４５と称してもよい。すなわち、配線パターン２０のうち、金属層４２が形成された領域は、他の電子部品の電極との電気的な接続に利用される部分であってもよい。
【００３０】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法では、本工程として、電解めっき処理を適用する。例えば、図示しないめっきリードを介して配線パターン２０に電流を流すことによって、配線パターン２０にめっき処理を行ってもよい。このときに、認識マーク３０に電流が流れないように、配線パターン２０に電流を流すことで、認識マーク３０にめっき金属が付着しないように配線パターン２０のめっき処理を行うことができる。本実施の形態によると、先に説明したように、認識マーク３０は配線パターン２０と電気的に絶縁されている。そのため、配線パターン２０に電流を流した場合にも、認識マーク３０には電流が流れない。そのため、認識マーク３０を覆う部材を利用することなく、配線パターン２０のみに、選択的にめっき処理を行うことができる。
【００３１】
本実施の形態に係る配線基板の製造方法は、ベース基板１０を切断する工程をさらに含んでいてもよい。ベース基板１０を切断することで、図５に示す、配線基板１を製造してもよい。本発明によると、電子部品との位置合わせが容易で、精度よく効率的に電子部品を搭載することが可能な配線基板を製造することができる。以下、その理由について説明する。
【００３２】
はじめに、図６（Ａ）及び図６（Ｂ）を参照して、配線基板１に半導体チップ６０（広義には電子部品）を搭載する工程について説明する。
【００３３】
まず、図６（Ａ）に示すように、配線基板１と半導体チップ６０とを対向させて、両者の位置合わせを行う。すなわち、配線基板１の電気的接続部４５と、半導体チップ６０の電極６２とが対向するように、配線基板１と半導体チップ６０とを位置合わせする。この位置合わせに、認識マーク３０を利用する。すなわち、認識マーク３０の位置を、例えばカメラで認識し、これに基づいて半導体チップ６０の位置を調整して、配線基板１と半導体チップ６０との位置合わせを行ってもよい。
【００３４】
なお、半導体チップ６０は、認識マーク６５を有していてもよい。認識マーク６５は、認識マーク３０と同じ形状をなしていてもよい。また、配線基板１と半導体チップ６０とは、それぞれの認識マーク３０，６５が対向するように位置合わせをしてもよい。すなわち、配線基板１及び半導体チップ６０は、認識マーク３０，６５が対向したときに、電気的接続部４５と電極６２とが対向するように設計されていてもよい。この場合、認識マーク３０は、半導体チップ６０を搭載するための領域内に配置される。
【００３５】
そして、図６（Ｂ）に示すように、配線基板１と半導体チップ６０とを近接させて、電気的接続部４５と電極６２とを対向させて電気的に接続させる。このとき、電気的接続部４５と電極６２とは、接触させて電気的に接続させてもよい。あるいは、間に導電材料を介在させることによって、電気的接続部４５と電極６２とを電気的に接続させてもよい。
【００３６】
以上の工程によって、電子機器２を製造してもよい。
【００３７】
通常、配線基板には、電子部品（半導体チップや表示パネル、他の配線基板等）が搭載される。すなわち、配線基板の配線パターン（電気的接続部）は、電子部品の外部端子と電気的に接続される。信頼性の高い電子機器を製造するためには、配線基板と電子部品とを、精度よく位置合わせすることが不可欠である。
【００３８】
ここで、配線基板と電子部品との位置合わせには、通常、画像処理が利用される。すなわち、配線基板上に設けられたマーク（認識マーク）を画像で認識し、マークの位置（位置情報）に基づいて、配線基板と電子部品との位置合わせがなされる。そのため、精度よく位置合わせするためには、マーク（認識マーク）が、精度よく形成されていることが重要である。
【００３９】
ところで、レジスト層などで形状を規制せずにめっき処理工程を行う場合には、めっき層の形状を制御することが困難である。例えば、図７（Ａ）に示す認識マーク３０にめっき処理を行うことで、図７（Ｂ）に示すように、認識マークの輪郭がにじむことがあった。あるいは、認識マークの表面が凹凸面になることがあった。すなわち、配線パターン２０にめっき処理を行う際に、認識マーク３０にめっき金属が付着すると、その外形の精度を低下させるおそれがある。電子機器の小型化の要請が高まる今日では、高精度に位置合わせを行うことが必要であり、認識マーク３０の外形精度の低下は電子機器の信頼性を低下させるおそれがある。また、認識マーク３０の外形精度が低下すると、位置認識に時間がかかり、電子機器の製造効率を低下させる原因になる。
【００４０】
本発明に係る配線基板の製造方法によると、認識マーク３０にめっき金属が付着しないように、配線パターン２０にめっき処理を行う。そのため、本発明によると、認識マーク３０の位置及び形状の精度の高い配線基板を製造することができる。すなわち、本発明によると、信頼性の高い電子機器を効率よく製造することが可能な配線基板１を提供することができる。
【００４１】
配線基板１は、ベース基板１０を含む。配線基板１は、ベース基板１０上に形成された認識マーク３０を含む。認識マーク３０は、導電材料で形成されてなる。配線基板１は、ベース基板１０上に形成された配線パターン２０を含む。配線パターン２０は、認識マーク３０と同じ組成で構成されてなる。例えば、認識マーク３０が単層の金属層で形成されている場合には、配線パターン２０も、同じ金属で形成されてなる。あるいは、認識マークが複数の金属層（第１〜第Ｎの金属層：Ｎは２以上の整数）で形成されている場合には、配線パターン２０も、同じ金属層（第１〜第Ｎの金属層）で形成されている。なお、認識マーク３０と配線パターン２０とは、同じ高さをなしていてもよい。ここで、「高さ」とは、ベース基板１０の表面からの高さを指していてもよい。そして、配線基板１は、配線パターン２０の表面に形成された金属層４２を有する。金属層４２は、例えば、Ａｕで形成されていてもよい。金属層４２は、配線パターン２０におけるレジスト層４０からの露出部のみに形成されている。金属層４２は、配線パターン２０の上面及び側面に形成されていてもよい。
【００４２】
（第２の実施の形態）
図８（Ａ）〜図１１（Ｂ）は、本発明を適用した第２の実施の形態に係る配線基板の製造方法について説明するための図である。
【００４３】
本実施の形態に係る配線基板の製造方法は、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示す、基板１０１を用意することを含む。ここで、図８（Ａ）は、基板１０１の上視図であり、図８（Ｂ）は、図８（Ａ）のVIIIB−VIIIB線断面の一部拡大図である。
【００４４】
基板１０１は、ベース基板１０を有する。また、基板１０１は、ベース基板１０上に形成された配線パターン７０を有する。そして、基板１０１は、ベース基板１０上に形成された認識マーク８０を有する。配線パターン７０と認識マーク８０とは、同じ組成で構成されていてもよい。配線パターン７０と認識マーク８０とは、図８（Ｂ）に示すように、単層構造をなしていてもよい。このとき、配線パターン７０と認識マーク８０とは、同じ材料で構成されていてもよい。配線パターン７０と認識マーク８０とは、電気的に接続されていてもよく、電気的に接続されていなくてもよい。
【００４５】
基板１０１を製造する方法は特に限定されないが、図９（Ａ）〜図９（Ｃ）を参照して、基板１０１を製造する方法について説明する。
【００４６】
はじめに、図９（Ａ）に示すように、ベース基板１０に金属層７２を形成する。金属層７２は、図９（Ａ）に示すように、単層の金属層で形成してもよい。ただし、金属層７２は、複数層の金属層で形成してもよい（図示せず）。金属層７２は、例えば、ベース基板１０に導電箔を貼り付けることによって形成してもよい。このとき、導電箔は、ベース基板１０に直接貼り付けてもよく、図示しない接着剤を介してベース基板１０に貼り付けてもよい。あるいは、金属層７２は、めっき処理によって形成してもよい。
【００４７】
そして、図９（Ｂ）に示すように、金属層７２上に、レジスト層７４を形成する。レジスト層７４は、金属層７２を部分的に覆うように形成する。
【００４８】
そして、図９（Ｃ）に示すように、金属層７２におけるレジスト層７４からの露出部を除去することによって金属層７２をパターニングする。
【００４９】
以上の工程によって、図８（Ａ）及び図８（Ｂ）に示す、基板１０１を形成してもよい。この方法によると、配線パターン７０及び認識マーク８０の形状は、レジスト層７４によって規制される。そのため、配線パターン７０及び認識マーク８０を、高精度に製造することができる。また、認識マーク８０を、上面に凹凸が少ない、平坦面に形成することができる。
【００５０】
本実施の形態に係る配線基板の製造方法は、図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示すように、レジスト層９０を形成することを含む。レジスト層９０は、図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示すように、認識マーク８０を覆うように形成する。すなわち、レジスト層９０を、被覆層と称してもよい。また、本実施の形態に係る配線基板の製造方法では、基板１０１とレジスト層９０（被覆層）とをあわせて、基板と称してもよい。
【００５１】
本実施の形態に係る配線基板の製造方法は、認識マーク８０にめっき金属が付着しないように、配線パターン７０にめっき処理を行うことを含む。本実施の形態では、レジスト層９０（被覆層）で認識マーク８０を覆った状態で、めっき処理を行ってもよい。これにより、認識マーク８０にめっき金属が付着しないように、めっき処理を行うことができる。ただし、本実施の形態に係る配線基板の製造方法では、レジスト層９０以外の被覆層によって認識マーク８０を覆った状態で、めっき処理工程を行ってもよい。なお、本工程では、めっき処理として、電解めっき処理又は無電解めっき処理のいずれを適用してもよい。
【００５２】
本実施の形態に係る配線基板の製造方法は、図１１（Ａ）及び図１１（Ｂ）に示すように、認識マーク８０を露出させることを含む。例えば、レジスト層９０に、認識マーク８０とオーバーラップする開口を形成し、該開口から、認識マーク８０を露出させてもよい。これにより、認識マーク８０を利用した、配線基板と電子部品との位置合わせが可能になる。
【００５３】
以上の方法によっても、信頼性の高い電子機器を効率よく製造することが可能な配線基板を製造することができる。
【００５４】
図１２に、本発明を適用した実施の形態に係る方法で製造した配線基板を有する電子機器の一例として、表示デバイス１０００を示す。表示デバイス１０００は、例えば液晶表示デバイスやＥＬ（Electrical Luminescence）表示デバイスであってもよい。
【００５５】
なお、本発明は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明するための図である。
【図２】第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明するための図である。
【図３】第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明するための図である。
【図４】第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明するための図である。
【図５】第１の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明するための図である。
【図６】配線基板に電子部品を搭載する工程を説明するための図である。
【図７】配線基板の製造方法を説明するための図である。
【図８】第２の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明するための図である。
【図９】第２の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明するための図である。
【図１０】第２の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明するための図である。
【図１１】第２の実施の形態に係る配線基板の製造方法を説明するための図である。
【図１２】本発明に係る配線基板を有する電子機器を示す図である。
【符号の説明】
【００５７】
１…配線基板、  ２…電子機器、  １０…ベース基板、  １５…金属層、  １７…レジスト層、  １８…開口、  １９…導電パターン、  ２０…配線パターン、  ３０…認識マーク、  ４０…レジスト層、  ４２…金属層、  ４５…電気的接続部、  ６０…半導体チップ、  ６２…電極、  ６５…認識マーク、  ７０…配線パターン、  ７２…金属層、  ７４…レジスト層、  ８０…認識マーク、  ９０…レジスト層、  １００…基板、  １０１…基板
【図１】
2007165466.tif 000003
【図２】
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【図３】
2007165466.tif 000005
【図４】
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【図５】
2007165466.tif 000007
【図６】
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【図７】
2007165466.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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