【事件の表示】
　平成　５年特許願第２８４８３１号「光学的情報記録媒体」拒絶査定に対する審判事件［平成　６年　９月３０日出願公開、特開平　６−２７４９３８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成５年１１月１５日の出願（優先権主張　平成４年１１月２５日、平成５年１月１９日）であって、その請求項１〜１３にかかる発明は、平成１３年５月１４日付け、平成１３年７月１６日付け、平成１４年１０月１８日付けの手続補正で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１３に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１にかかる発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
　【請求項１】「基材上方に、第一の透明層と、前記第一の透明層の上方に、レーザー光照射によって光学的に検知しうる変化を生じる相変化型記録薄膜材料層と、前記記録薄膜材料層の上方に第二の透明層と、前記第二の透明層の上方に反射層とを設けた光学的情報記録媒体であって、前記記録薄膜材料層の相変化の前後で入射光量全体を１００％とした光吸収率の差が絶対値で±１０％以内であり、かつ相変化の前後で反射率の差が±１０％以内であり、かつ、 反射光の位相の変化△φが３π／２≧Δφ≧π／２あるいは−３π／２≦Δφ≦−π／２の範囲となる、前記第一の透明層、前記記録薄膜材料層、前記第二の透明層および前記反射層の膜厚を備え、検知し得る変化が入射した光の反射光の位相の変化であることを特徴とする光学的情報記録媒体。」
　
ＩＩ．引用例
　これに対し、当審の拒絶の理由に引用された本願出願前の刊行物である、特開平３−４１６３８号公報（以下、「引用例１」という。）、及び特開平１−１４９２３８号公報（以下、「引用例２」という。）には、それぞれ次のように記載されている。
　引用例１には、
（1-i）「（１）基材上に、レーザー光照射によって光学的に検知し得る変化を生じる記録薄膜材料層を設けた光学的情報記録媒体であって、基材の記録薄膜層を設ける面に入射した光の反射光あるいは透過光の変化させる凹凸をあらかじめ形成し、薄膜材料はレーザー光照射により光学定数が変化し、検知し得る変化が主として入射した光の反射光あるいは透過光の位相の変化によるものであることを特徴とする光学的記録情報媒体。」（請求項１参照）、及び、
（1-ii）「（２）変化の前後で入射した光の透過率あるいは反射率の変化が小さいことを特徴とする請求項（１）記載の光学的情報記録媒体。」（請求項２参照）、
（1-iii）「（３）基材上に基材と屈折率が異なる第一の透過層を設け、その上に記録薄膜層を設け、さらにその上に第二の透過層を設け、その上に反射層を設けた構造の光学的情報記録媒体であって、前記第一の透過層、記録薄膜層、第二の透過層および反射層の膜厚を記録材料の変化に際して入射した光の反射光の位相が変化するように選ぶことを特徴とする請求項（１）または（２）のいずれかに記載の光学的情報記録媒体。」（請求項３参照）、
（1-iv）「（４）位相変化が略々　（１±２ｎ）π　　ｎ：整数　であることを特徴とする請求項（１）または（２）のいずれかに記載の光学的情報記録媒体。」（請求項４参照）、
（1-v）「（５）位相変化が略々　（−１／２±２ｎ）π　　ｎ：整数　であることを特徴とする請求項（１）または（２）のいずれかに記載の光学的情報記録媒体。」（請求項５参照）、
（1-vi）「（６）位相変化が略々　（＋１／２±２ｎ）π　　ｎ：整数　であることを特徴とする請求項（１）または（２）のいずれかに記載の光学的情報記録媒体。」（請求項６参照）、
（1-vii）「産業上の利用分野　　本発明は、光・熱を用いて高速かつ高密度に情報を記録再生する光学的情報記録媒体に関するものである。」（第２頁右上欄６〜９行参照）こと、
（1-viii）「課題を解決するための手段　　入射した光の反射光あるいは透過光の位相を変化させる凹凸をあらかじめ形成した基体上に、レーザー光照射によって光学的定数が変化する薄膜材料を設けて、変化の前後で入射した光の反射光あるいは透過光の位相が変化し、この位相変化による全体の反射光量あるいは透過光量の変化を検知する構成とする。　さらに、その際に変化の前後で反射率あるいは透過率は変化がない、あるいは小さい構成とする。　　作用　上記のような構成にすると光学的には凹凸による位相変化記録と等価な記録が行なえる。従って、位相変化記録でありながら記録密度の大きい記録が行え、凹凸ピットによる複製盤（オーディオディスク、ビデオディスク等）との互換も取り易い。さらに、凹凸にあらかじめ形成した情報信号の記録状態からの再生光と相変化記録を行った状態からの再生光が等価となり同じ再生光学系および、信号処理回路を用いて情報信号の再生が行なえる。また、相変化記録は形状変化を伴わず材料を選ぶことによって記録した状態をもとに戻す、すなわち消去・書き換えも可能であり、書き換え型の位相変化記録が実現できる。」（第３頁右上欄１１行〜同頁左下欄１４行参照）こと、
（1-ix）「以上から反射率変化記録よりも位相変化記録の方が高密度な記録再生が出来ることがわかる。　従って相変化記録において位相変化を得ることが出来れば凹凸記録並の記録密度が得られる。しかも、反射率変化は無いことあるいは小さいことが望ましい。」（第４頁右上欄１６行〜同頁左下欄１行〜行参照）こと、
（1-x）「第５図から膜厚ｔ2、ｔ4により反射率差ΔＲおよび位相差φは変化し、その変化のしかたが互いに異なるために、ΔＲ＝０でかつ位相差が大きい膜厚ｔ2、ｔ4が存在することがわかる。　例えば、透明層２の膜厚が１４２ｎｍ（２３／６４×λ相当）、透明層４の膜厚が３７ｎｍ（６／６４／λ相当）のときに位相差約９πで反射率差約０％がえられる。また・・・（中略）・・・。　　以上の結果から各層の厚さを適当に選ぶことによって反射率の変化がほとんどなく、反射光の位相だけが変化する構成を得ることがわかる。」（第６頁右上欄２〜１６行参照）こと、が記載されている。
　
　引用例２には、
（2-i）「（１）光線の照射条件に対応して光学的に検出可能な二つの状態間を可逆的に変化し得る記録層を備えた光学情報記録媒体において、上記記録における二つの状態が上記照射光線の波長に対して等しい光吸収率を有することを特徴とする光学的情報記録媒体。」（請求項１参照）、及び、
（2-ii）「（２）光線の照射条件に対応して光学的に検出可能な二つの状態ａおよびｂの間を、可逆的に変化しうる記録層を備えた光学的情報記録媒体であって、上記二つの状態ａおよびｂをある一定の温度に昇温させるに必要な照射光量Ｌ、熱量Ｅが　Ｌａ≧Ｌｂ　または　Ｅａ≧Ｅｂ　の関係にあるとき、照射光線の波長に対する上記二つの状態ａおよびｂにおける光吸収率Ａを　Ａａ≧Ａｂ　としたことを特徴とする光学的情報記録媒体。」（請求項２参照）、
（2-iii）「（３）光線の照射条件に対応して、結晶相−アモルファス相間を可逆的に変化する記録層を備えた光学的情報記録媒体において、照射光線の波長に対応する光吸収率が、結晶相の部分においてアモルファス相の部分と同等または相対的に大なることを特徴とする特許請求の範囲第２項記載の光学的情報記録媒体。」（請求項３参照）、
（2-iv）「記録のメカニズムは結晶相とアモルファス相との間の原子レベルでの可逆的構造変化に基づく光学的な特性の違いを利用するもので、特定の波長の光に対する反射光量、あるいは透過光量の差を信号として検出する。」（第２頁左上欄２〜７行参照）こと、
（2-v）「・・・。　ところが最近では、一本のレーザービームだけで重ね書きする方法（いわゆるダイレクト・オーバーライト）が提唱され、主流となろうとしている。　この方法は、レーザーパワーを記録レベルと消去レベルの二段階として、この間で情報信号に応じて変調し、信号の記録された情報トラック上に、直接次の信号を書き込んでいくというものである。　これによれば光学ヘッドの設計が楽になるといったメリットがある反面、以下のようなデメリットが生じる。すなわち予め消去するという作業がなされていないために、アモルファスの部分に記録する（すなわち再度アモルファス化する）場合と、結晶の部分に記録する場合とで次の記録状態が異なるという点である。具体的には記録ビットの大きさが微妙に変化し、これによって消去したはずの前の信号成分が残るという問題が生じてきた。前記問題は、以下の二つの点によって引き起こされるものと考えられる。　一つはアモルファスの部分と、結晶の部分とでは光学的な吸収率が異なることであり、もう一つはアモルファスの部分と、結晶の部分とでは融解のための必要なエネルギー（潜熱）が異なることである。」（第２頁右上欄３行〜同頁左下欄５行参照）こと、
（2-vi）「問題点を解決するための手段　　アモルファス状態のときと結晶状態のときとで光学的な吸収率を等しくする、あるいは潜熱の差が大きいときには、むしろ結晶状態の方の光吸収率を相対的に高くする。　　作用　結晶状態における光吸収率をアモルファス状態における光吸収率と同等、もしくは高くすることで、いずれの部分においても、ほぼ同様な昇温プロファイルを得ることができピットの大きさを揃えることが可能となる。　すなわち高い消去率でオーバーライトが可能になる。」（第２頁左下欄６〜１７行参照）こと、
（2-vii）「実施例　　本発明の光学情報記録媒体は、第１図および第２図に示すように、ＰＭＭＡ、ポリカーボネイト等の樹脂、Ａｌ，Ｃｕ等の金属、ガラス等の表面の平滑な基板１の上にＳｉＯ２、ＺｎＳ等の誘電体３でサンドイッチした記録層２を形成して構成される。レーザー光線の入射する側とは反対側の誘電体層の上に、更に光反射層４を設けた構成もある。最上部に保護板を張り合わせることもできる。　本発明のポイントは、上記構成において、各層の膜厚を適当に選び、記録前後の二つの状態（記録状態、消去状態）における光吸収率を等しくする。または、むしろ相対的に溶融しにくい状態のほうの光吸収率を相対的に高くして、いずれの状態においても、時間的、空間的に同様な昇温プロファイルを得ることにある。」（第２頁左下欄下から３行目〜同頁右下欄１４行参照）こと、が記載されていて、更に、
（2-viii）「第１表中にダイナミックな測定を行った実施例の膜厚構成例を、第２表に記録前後の光吸収率、反射率およびその記録消去特性を示す。」（第２頁右下欄１４〜１７行参照）ことが記載されるとともに、第２表中に、ディスクＮｏ．１として反射率がアモルファスで２．９％，結晶で２２．０％，吸収率がアモルファスで７０．０％，結晶で６２．６％，ディスクＮｏ．２として反射率がアモルファスで６．０％，結晶で１８．０％，吸収率がアモルファスで６３．０％，結晶で６３．０％などの例が示されている。
　
ＩＩＩ．対比、判断
　そこで、本願発明と引用例１記載の発明とを対比する。
　引用例１には、上記摘示より、書き換え型の位相変化記録が実現できる、「基材上に基材と屈折率が異なる第一の透過層を設け、その上にレーザー光照射によって光学的に検知し得る変化を生じる相変化型記録薄膜層を設け、さらにその上に第二の透過層を設け、その上に反射層を設けた構造の光学的情報記録媒体であって、相変化の前後で反射率の変化が無いことあるいは小さいものであり、かつ、反射光の位相変化が（１±２ｎ）πまたは（±１／２±２ｎ）π（ｎは整数）であり、前記第一の透過層、記録薄膜層、第二の透過層および反射層の膜厚を記録材料の変化に際して入射した光の反射光の位相が変化するように選んだものであり、検知し得る変化が入射した光の反射光の位相の変化であることを特徴とする光学的記録情報媒体。」の発明が記載されているものと認められる。
　そして、（イ）引用例１記載の発明の「基材と屈折率が異なる第一の透過層」、「相変化型記録薄膜層」、「第二の透過層」は、それぞれ本願発明の「第一の透明層」、「相変化型記録薄膜材料層」、「第二の透明層」に相当する。　また、（ロ）引用例１記載の発明の「相変化の前後で反射率の変化が無いことあるいは小さいもの」と本願発明の「相変化の前後で反射率の差が±１０％以内で」とは、いずれも相変化の前後で反射率の差が小さいことを意味する点で同じである。　（ハ）引用例１記載の発明の「反射光の位相変化が（１±２ｎ）πまたは（±１／２±２ｎ）π（ｎは整数）で」は、本願発明の「 反射光の位相の変化△φが３π／２≧Δφ≧π／２あるいは−３π／２≦Δφ≦−π／２の範囲となる」ことを満たし一致している。
　
　してみると、本願発明１と引用例１記載の発明は、書き換えが可能な、「基材上方に、第一の透明層と、前記第一の透明層の上方に、レーザー光照射によって光学的に検知しうる変化を生じる相変化型記録薄膜材料層と、前記記録薄膜材料層の上方に第二の透明層と、前記第二の透明層の上方に反射層とを設けた光学的情報記録媒体であって、前記記録薄膜材料層の相変化の前後で反射率の差が小さく、かつ、 反射光の位相の変化が（１±２ｎ）πまたは（±１／２±２ｎ）π（ｎは整数）の範囲となる、前記第一の透明層、前記記録薄膜材料層、前記第二の透明層および前記反射層の膜厚を備え、検知し得る変化が入射した光の反射光の位相の変化であることを特徴とする光学的情報記録媒体。」の発明である点で一致している。
　他方、
（Ａ）相変化の前後での反射率の差の小ささに関して、本願発明が「±１０％以内であり」と特定しているのに対して、引用例１記載の発明ではかような数値で限定していない点で形式的に相違し、
（Ｂ）本願発明が、「記録薄膜材料層の相変化の前後で入射光量全体を１００％とした光吸収率の差が絶対値で±１０％以内であり」と特定しいるのに対して、引用例１記載の発明では、そのことに言及していない点で一応相違し、そして、
（Ｃ）「第一の透明層、前記記録薄膜材料層、前記第二の透明層および前記反射層の膜厚を備える」ことに関し、本願発明では、特定された光吸収率の差と反射率の差と位相変化の差を生じるものであるのに対して、引用例１記載の発明では、特定された反射率の差と位相変化の差を生じるものである点では軌を一にするものではあるが、更に特定された光吸収率の差を生じるものであることについて言及していない点で一応相違する。
　
　（Ａ）の点について検討する。
　本願発明では、この±１０％以内との数値にデータを伴った臨界的な意義が示されているわけではなく、差が無い場合（０％）を含み数値は小さい方が良いことを示しているにすぎない。　一方、引用例１には、反射率の差が±１０％以内との数値は記載されていないけれども、「反射率変化は無いことあるいは小さいことが望ましい」（摘示（1-ix）参照）とされ、実施例でもほぼ差がない状態を示している（摘示（1-x）参照）のであるから、±１０％以内との数値の記載は無くとも、そのことによって両者に実質的に相違があるということはできない。
　よって、（Ａ）の点は実質的な相違点ではない。
　
　（Ｂ）の点について検討する。
　ところで、引用例２には、相変化型の書き換え可能な記録媒体において、ダイレクト・オーバーライトが主流になろうとしている旨記載（摘示（2-v）参照）されている。　してみると、引用例１記載の相変化型の書き換え可能な記録媒体の発明においてダイレクト・オーバーライトを試みることは、当業者が容易に為し得ることと認められる。その際に、引用例２には、ダイレクト・オーバーライトを行うには、結晶状態とアモルファス状態（即ち相変化の前後）のいずれの場合でも、記録ピットの大きさを同じにすべく両状態での光吸収率を同程度とすることが示されているから、ダイレクト・オーバーライトを適切に行うためには相変化の前後で光吸収率を同程度とすることが必要なことは明らかといえる。
　これに対して、請求人は、引用例２記載の発明は、反射光量の差ΔＲが変化の前後でできるだけ大きくなるように選択するものであり、引用例１の記録媒体の目的とは相反するものである旨主張している。　しかし、位相変化型であれ、反射率変化型であれ、いずれも反射光量の差を検知している点で相違があるわけではない。　なるほど、引用例２の実施例では、アモルファスと結晶の反射率が異なる例が示されておりいわゆる反射率型の例と認められるけれども、発明の詳細な説明の他の箇所には反射光量で検出すると記載（摘示（2-iv）参照）されているものの、反射率型に限定すべきことや位相変化型を除外すべきことまで記載されているわけではない。　かように、引用例２には位相変化を利用することは記載されていないけれども、それは記録の再生手段としての位相変化の利用が記載されていないだけで、記録する手段まで限定されることを意味するものではない。　即ち、引用例２にはダイレクト・オーバーライトを行うに際して相変化材料の相変化を生じさせる光の吸収（吸収率）が同程度であることが望ましいことが明らかにされていて、かかる論理が位相変化型と反射率変化型で相違する理由がないから、引用例２記載の発明の技術を引用例１記載の発明に転用することを阻害する理由とはなり得ない。　よって、前記請求人の主張は失当である。
　次に、光吸収率の差を±１０％以下とすることは、引用例２にもその数値は記載されていない。　しかしながら、その数値に関しては、本願明細書（段落【００２１】参照）でも「吸収差ΔＡは小さいほどよく略々ゼロが望ましいが絶対値で±１０％以下（入射光量全体を１００％として）なら十分である。またアモルファス状態と結晶状態での熱伝導率や融解潜熱などの熱物性の差が無視できないほど大きい場合は・・・（中略）・・・１０％≧ΔＡ≧０％が良好な範囲であり、２０％≧ΔＡ≧０％の範囲でも効果がある。」と記載されているように、単に好ましい範囲を恣意的に示した数値にすぎず、引用例２記載の発明で吸収率が同程度と示唆されていることを勘案すれば、両者は光吸収率を同程度とすることで一致するから、光吸収率の差を±１０％以下とすることは実質的な相違点とはなり得ない。
　よって、上記（Ｂ）の点は、周知技術を勘案して引用例２の記載から当業者が容易に想到し得る程度のものと認められ、この相違点によって格別予想外の作用効果を奏しているとも認められない。
　
　（Ｃ）の点について検討する。
　引用例２には、記録前後の二つの状態における光吸収率を等しくするために、各層の膜厚を適当に選ぶ旨が記載（摘示（2-viii）参照）されているように、各層の膜厚を選んで、光反射率を特定の範囲とし位相の変化を特定の範囲のものとすることに加え、光吸収率を実質的に等しい状態とすることは当然のことと認められる。
　
　以上のとおりであるから、本願発明は、周知技術を勘案し引用例１と引用例２記載の発明に基づいて当業者が容易に想到し得る。
　
ＩＶ．むすび
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。