【事件の表示】
　特願２００９−　８１３２７「カルコパイライト型太陽電池の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１０月１４日出願公開、特開２０１０−２３２６０８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯 
　本願は、平成２１年３月３０日の出願であって、平成２５年８月１日付けで拒絶査定がなされた。
　本件は、これを不服として、同年１１月１３日に請求された拒絶査定不服審判であって、当審において、平成２６年８月２５日付けで拒絶の理由が通知され、これに対して、同年１０月２７日付けで意見書が提出されるととともに、手続補正がなされたものである。
 　 
２　本願発明 
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２６年１０月２７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。 
「【請求項１】
　基板の一端面の上方に形成された第１電極層と第２電極層との間に、少なくとも、カルコパイライト型化合物からなる光吸収層が介在されたカルコパイライト型太陽電池の製造方法であって、
　Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金ターゲットを用いるスパッタリングによって、前記第１電極層上にＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金層を形成する工程と、
　前記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金層に対してセレン化処理を施すことでＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金をカルコパイライト型化合物に変化させることにより、前記光吸収層を得る工程と、
　を有し、
　前記第２電極層はＺｎＯ：Ａｌにより形成されており、
　前記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金層を形成する工程では、前記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金ターゲットとして、該ターゲットに含まれるＣｕ、Ｉｎ、Ｇａの組成比が下記の式（１）、（２）を同時に満足するものを用いることを特徴とするカルコパイライト型太陽電池の製造方法。
　　　０．７≦Ｃｕ／（Ｉｎ＋Ｇａ）≦０．９９　…（１）
　　　０．４≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）≦０．７　…（２）」 
　 
３　引用刊行物
（１）引用刊行物１
　これに対して、当審における平成２６年８月２５日付けの拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された「INDIUM CORPORATION カタログ（２００８）」（以下「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。（当審による日本語訳。また、下線は当審で付した。）
ａ　記載事項 
「OnSpec CIG 合金スパッタリングターゲット　銅−インジウム−ガリウム
　
利点
・簡単
・効率的
・カスタマイズ可能
・高スループット
　
簡単で効率的
銅、インジウム、ガリウムから作られた
CIG合金スパッタリングターゲット
CIGS（Cu/In/Ga/ジセレン化）太陽電池を製造するために使用される
「優れた品質
・不純物を１０億分の１レベルで分析、制御する能力
・高い太陽光変換効率を可能にする、鉄、ニッケル、亜鉛、カドミウム、及び水銀のしっかりとした制御
    Hg=10 ppm max*
    Fe=25 ppm max*
    Ni=25 ppm max*
    Zn=25 ppm max*
・
Cu/III 比が 0.1 - 0.99、Ga/III 比が 0.2 - 0.3の合金
・ターゲットは、輸送中に汚染や損傷を避けるよう安全に梱包されている。カスタムパッケージは、リクエストに応じて利用可能。」（「OnSpec CIG Alloy Sputtering Targets Copper-Indium-Galliium」頁）
　
ｂ　上記ａの記載事項の考察
　引用例１記載のCIGS太陽電池は、技術常識からみて、基板上の電極層と電極層との間にカルコパイライト型のCIGS光吸収層が介在されたものであると認められる。
　また、引用例１記載の「CIG合金スパッタリングターゲット」が「使用される」ことは、CIG合金スパッタリングターゲットを使用してスパッタリングによりCIG合金を形成することを意味することは明らかである。
　
ｃ　引用発明
　上記ａの記載事項及び上記ｂの考察によると、引用例１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「基板上の電極層と電極層との間にカルコパイライト型のCIGS光吸収層が介在されたCIGS太陽電池を製造する方法において、銅、インジウム、ガリウムから作られ、Cu/III比が 0.1 - 0.99、Ga/III 比が 0.2 - 0.3であるCIG合金スパッタリングターゲットを使用してスパッタリングによりCIG合金を形成する工程を有する、CIGS太陽電池を製造する方法。」
　
（２）引用刊行物２
　また、当審における平成２６年８月２５日付けの拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された「特開２００３−３１８４２４号公報」（以下「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。
ａ　発明の詳細な説明の記載
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、化合物半導体による薄膜太陽電池およびその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図１は、一般的なカルコパイライト系化合物半導体による薄膜太陽電池の基本構造を示している。それは、ＳＬＧ（ソーダライムガラス）基板１上に裏面電極（プラス電極）となるＭｏ電極２が形成され、そのＭｏ電極２上に光吸収層５が形成され、その光吸収層５上にＺｎＳ，ＣｄＳなどからなるバッファ層６を介して、マイナス電極となるＺｎＯ：Ａｌなどからなる透明電極７が形成されている。
【０００３】その化合物半導体による薄膜太陽電池における光吸収層４としては、現在１８％を超す高いエネルギー変換効率が得られるものとして、Ｃｕ，（Ｉｎ，Ｇａ），ＳｅをベースとしたＩｂ−ＩＩＩｂ−ＶＩｂ２族系のＣｕ（Ｉｎ＋Ｇａ）Ｓｅ２によるＣＩＧＳ薄膜が用いられている。」
「【００２４】
【実施例】本発明による薄膜太陽電池は、図３に示すように、ＳＬＧ基板１上に、Ｍｏ電極２、ＣＩＧＳ系の光吸収層５′、バッファ層６および透明電極７が順次積層された構造のものにあって、特に光吸収層５′としてＮａ元素が添加されたものを用いるとともに、ＳＬＧ基板１とＭｏ電極２との間にＳＬＧ基板１に含まれるＮａ元素が光吸収層５′に拡散するのを制御する拡散制御層８を設けるようにしている。」
「【００６４】図１２は、光吸収層５′の他の作製方法を示している。
【００６５】ここでは、化合物半導体による薄膜太陽電池における光吸収層５′を形成するに際して、Ｉｂ族系金属元素とＩＩＩｂ族系金属元素とを同時に供給して単層による合金のプリカーサ膜を形成して、その形成されたプリカーサ膜をＳｅ雰囲気中で熱処理してセレン化するようにしている。
【００６６】具体的には、ＳＬＧ基板１に成膜されたＭｏ電極２上にＣＩＧＳ薄膜による光吸収層５′を形成するに際して、ＩｎターゲットＴ１およびＣｕ−Ｇａ合金ターゲットＴ２を設けた対向ターゲット式のスパッタリングによって、アルカリ層９上に各ターゲット材料の各スパッタ粒子が混り合った状態でＣｕ−Ｇａ−Ｉｎ合金からなる単層のプリカーサ膜１０を形成するスパッタ工程ＦＴ−ＳＰＴと、そのプリカーサ膜１０をＳｅ雰囲気中で熱処理して、ＣＩＧＳ薄膜による光吸収層５を形成する熱処理工程ＨＥＡＴとをとるようにしている。
【００６７】図１３は、対向ターゲット式のスパッタリングによって、ＩｎターゲットＴ１およびＣｕ−Ｇａ合金ターゲットＴ２における各スパッタ粒子が混り合った状態でＣｕ−Ｇａ−Ｉｎ合金のプリカーサ膜１０が形成されるときのスパッタ粒子の状態を示している。
【００６８】一対に設けられたＩｎターゲットＴ１および２Ｃｕ−Ｇａ合金ターゲットＴ２のスパッタリングを同時に行わせると、一方のターゲットからスパッタされた粒子が他方のターゲット表面に到達する。これにより各ターゲット表面では双方のターゲット材料による金属元素Ｃｕ，Ｇａ，Ｉｎが混り合った状態になり、その状態でさらにスパッタリングが行われて、双方のターゲット材料が混り合ったスパッタ粒子が基材におけるアルカリ層９上に付着堆積してＣｕ−Ｇａ−Ｉｎ合金のプリカーサ膜１０が形成される。
【００６９】その際、各ターゲットＴ１，Ｔ２からスパッタされたＩｎ粒子およびＣｕ−Ｇａ粒子の一部は他方のターゲット表面に到達することなく、直接基材に向けて飛び出すが、スパッタ粒子の飛び出し角度の確率からして、混合されていないＣｕ−Ｇａ粒子およびＩｎ粒子の付着はきわめて少なく、混合されたスパッタ粒子による基材への付着が支配的となる。
【００７０】この方法によれば、Ｉｎ層とＣｕ−Ｇａ層とが積層されたプリカーサとしてではなく、最初から各ターゲットＴ１，Ｔ２からスパッタされたＩｎ粒子およびＣｕ−Ｇａ粒子が混り合った単層のプリカーサ膜１０を形成させるようにしているので、積層プリカーサの場合に比へて、Ｃｕ，Ｇａ，Ｉｎの金属元素が薄膜中に均一に配され、金属元素間での固層拡散による合金化促進を抑制できるようになる。また、後で行われる熱処理工程において、プリカーサ膜１０のセレン化を均等に行わせることができるようになる。
【００７１】結果として、化合物半導体による薄膜太陽電池の性能劣下の要因となる異相（本来作成しようとしている結晶構造とは異なる結晶相）の抑制にも効果がある。また、金属プリカーサ３の成膜された層はアモルファス疑似構造であることも高品質なＣＩＧＳ薄膜による光吸収層５′を得ることができる要因となる。
【００７２】また、成膜されるプリカーサ膜１０が３元合金の堆積構造なので、電池としてのショートが生じにくいものとなる。
【００７３】また、各ターゲットＴ１，Ｔ２の同時スパッタによって、プリカーサ膜１０の成膜を高速で行わせることができるようになる。
【００７４】そして、このようにＣｕ，Ｇａ，Ｉｎの金属元素が薄膜中に均一に配された単層のプリカーサ膜１０をＳｅ雰囲気中で熱処理することによってセレン化することで、高品質なＣｕ（Ｉｎ＋Ｇａ）Ｓｅ２のＣＩＧＳ薄膜による光吸収層（ｐ型半導体）５′を形成できるようになる。
【００７５】プリカーサ膜１０をセレン化することによって形成された光吸収層５′の光電変換効率が１５％以上であることが確認されている。」
ｂ　図面の記載
「【図１２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
「【図１３】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
（３）引用刊行物３
　さらに、当審における平成２６年８月２５日付けの拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された「特開２００４−２１４３００号公報」（以下「引用例３」という。）には、次の事項が記載されている。
ａ　発明の詳細な説明の記載
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ヘテロ接合を有する太陽電池に関し、特に、ＣＩＧＳと呼ばれるＣｕ（ＩｎＧａ）Ｓｅ2などを光吸収層とするヘテロ接合を有する太陽電池に関し、より詳しくは、太陽電池の要素のうち透明電極層、窓層（光吸収層との間にｐｎ接合を形成する層）および光吸収層（主たる光電変換層）の材料の電子親和力の関係に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
シリコン太陽電池以外の太陽電池は２種の異なった化合物半導体のｐｎ接合（ヘテロ接合）によることが普通であり、禁制帯幅（Ｅg）の大きい方が窓層として受光側に位置し、Ｅgの小さい方が主たる光吸収（光電変換）層となる。大きい光電変換効率を得るには光吸収層のＥgが太陽光スペクトルに対して最適化されることが重要であって、その値として理論的に示される１．４ｅＶ〜１．５ｅＶが最適値であると一般に信じられている［例えば、非特許文献１、２参照］。窓層については太陽光スペクトルの大部分を透過させるに十分な大きさのＥgであること（およそ３ｅＶ以上）が第一の条件で、その上で透過領域における光吸収係数が小さいことに主として注意が払われてきた。」
「【０００７】
ＣＩＧＳ太陽電池の場合、実際に光吸収層材料ＣｕＩｎ1-xＧａxＳｅ2のＥgはｘの増加に伴って増大しｘ〜０．７のときにＥgの最適値１．４ｅＶ〜１．５ｅＶになるが（図８参照）、ｘ〜０．３をピークとしてそれ以上のｘになると期待に反して変換効率が低下する。その状況を図５に示す。図５は、横軸に禁制帯幅、縦軸に変換効率をとり、理論限界を実曲線で示し、試作例の実測値を白丸等でプロットしたものである。図５に示されるように、理論限界値は禁制帯幅が１．４ｅＶ付近で最大となる。このように、理論限界値が最大となる禁制帯幅と実製作例での変換効率が最大となる禁制帯幅とが乖離していることに符合して、図６に示されるように、ｘ〜０．３以上では開放電圧の増加勾配は緩やかになる。図６は、横軸に組成比、縦軸に開放電圧をとり、試作例の実測値を黒丸でプロットしたものである。図６に示されるように、ｘが０．３までは、開放電圧はリニアに増大するがｘが０．３以上では開放電圧が飽和する傾向を示し、禁制帯幅が１．４ｅＶ（ｘが約０．７）では期待値より小さくなる。すなわち、ｘが０．３以上で十分な開放電圧を得られないことが変換効率を上げられない直接の原因と考えられる。」
「【００１６】
【作用】
ヘテロ接合太陽電池の変換効率が期待されたほどには向上しない理由について鋭意探求した結果、本発明者等は、変換効率の向上には光吸収層と窓層との間のバンドオフセットが影響しているとしても、実際にはその外にある透明電極層材料の電子親和力がそれ以上に重要であることを見出した。ＣＩＧＳ太陽電池では、透明電極層とするためにＺｎＯに添加するIII族元素はＡｌ、Ｇａ、Ｂなどで、Ａｌを用いることが多い。透明電極層材料には高濃度にキャリアが存在して縮退しているのでその電子親和力は仕事関数と考えてもよい。
【００１７】
透明電極層材料の電子親和力が光吸収層と窓層のそれより小さい場合（本願発明による場合）と逆に透明電極層材料の電子親和力が光吸収層と窓層のそれより大きい場合のバンド構造をそれぞれ図１（ａ）と図１（ｂ）に示す。図１において、ＣＢ１、ＶＢ１およびＥF１はそれぞれ光吸収層材料の伝導帯下端、価電子帯上端およびフェルミ準位を、ＣＢ２およびＶＢ２はそれぞれ窓層材料の伝導帯下端および価電子帯上端を、ＣＢ3、ＶＢ3およびＥF3はそれぞれ透明電極層材料の伝導帯下端、価電子帯上端およびフェルミ準位を示し、ΔＥCおよびΔＥC＊は、それぞれ光吸収層材料の電子親和力χ１と窓層材料の電子親和力χ2とのバンドオフセット（ΔＥC＝χ１−χ2）および窓層材料の電子親和力χ2と透明電極層材料の電子親和力χ３とのバンドオフセット（ΔＥC＊＝χ2−χ3）を示す。
ΔＥC≧０、ΔＥC＊≧０が満たされる場合、図１（ａ）に示されるように、光電変換により大きな順方向電圧Ｖを得ることができるが、ΔＥC≧０が満たされていても、ΔＥC＊＜０である場合には、図１（ｂ）に示されるように、順方向電圧Ｖは小さくなってしまう。すなわち、ΔＥC、ΔＥC＊≧０である場合には、大きな変換効率を期待することができるが、ΔＥC＊＜０である場合には変換効率は下がってしまう。
【００１８】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
本発明のヘテロ接合を有する太陽電池は、図２または図３に示すように構成され、その好ましいバンド構造の１例は図１（ａ）に示される。
基板１には、ガラス基板、ステンレスなどからなる金属基板、液晶ポリマーなどからなる樹脂基板、樹脂被覆金属基板などを用いることができる。また、裏面電極層２は、Ｍｏ、Ｗなどの高融点金属材料を用いて０．５〜２μｍ程度の膜厚に形成される。
光吸収層３は、好ましくはＡ（Ｂ1-xＣx）Ｄ2（但し、ＡはＩＢ族元素、Ｂ、ＣはIIIＢ族元素、ＤはVIＢ族元素、０≦ｘ≦１）で表される化合物半導体により形成される。例えば、Ｃｕ（Ｉｎ1-ｘＧａｘ）Ｓｅ2、Ｃｕ（Ｉｎ1-ｘＧａｘ）Ｓ2を用いて１ないし数μｍの膜厚に形成される。ここで、Ｃｕ（Ｉｎ1-ｘＧａｘ）Ｓｅ2を用いて光吸収層を形成する場合、高い変換効率が期待できるｘが０．５≦ｘ≦０．８の範囲の材料を用いることが特に好ましい。
【００１９】
バッファ層４は、省略可能な半導体層であるが、形成する場合には、ＣｄＳ、ＺｎＳ、ＺｎＳｅ、Ｚｎ（Ｏ，ＯＨ，Ｓ）、Ｚｎ（ＯＨ，Ｓｅ）、Ｉｎ（ＯＨ，Ｓ）、ＺｎＩｎＳｅのいずれかにより形成することが好ましい。その望ましい膜厚は５〜１００ｎｍである。
窓層５は、好ましくはＺｎ1-ｘＭｘＯ（但し、ＭはＢｅあるいはＭｇあるいはＣａ、０＜ｘ＜１）により５０〜２００の膜厚に形成される。Ｚｎ1-ｘＭｘＯ窓層は、ｎ型半導体層であるが、故意には不純物が添加されないか低濃度に不純物が添加（＜１０19ｃｍ-3）された高抵抗半導体層である。いずれの材料を用いる場合であっても、その電子親和力が、光吸収層３のそれと等しいかそれより小さくなるように（すなわち、ΔＥ≧０）選定される。光吸収層３がＣｕ（Ｉｎ1-ｘＧａｘ）Ｓｅ2（０≦ｘ≦１）であるとき、Ｚｎ1-xＭｇxＯ（０≦ｘ≦０．２）により窓層を形成することが特に好ましい。
透明電極層６は、本発明により、その電子親和力（若しくはその仕事関数）が、窓層５の電子親和力と等しいかよれより小さくなるように（すなわち、ΔＥ＊≧０）規定される、膜厚が０．５ないし１．５μｍの半導体層である。好ましくは、ＡｌあるいはＧａあるいはＩｎを１０19ｃｍ-3以上添加したＺｎ1-ｘＭｘＯ（但し、ＭはＢｅあるいはＭｇあるいはＣａ、０＜ｘ＜１）により形成される。透明電極層６は、窓層５と同一材料を用いて形成することもできるが、ΔＥ＊≧０の条件が満たされる限り異なる材料であってもよい。
反射防止層７は例えばＭｇＦ２を用いて、陰極端子８、陽極端子９は例えばＡｌ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｐｄなどを用いて形成される。
【００２０】
【実施例】
３ｍｍ厚のガラス基板上にＤＣマグネトロンスパッタ法により、Ｍｏを１μｍ厚に堆積して裏面電極層を形成した。Ｃｕ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｅの各元素の蒸発源〔セル〕を有する蒸着装置を用いて各材料を蒸発させ、Ｇ／Ｇ＋Ｉ＝０．７になるように調整して、光吸収層となるＣＩＧＳ層を２μｍ厚に形成した。その上に化学析出法によりＣｄＳを厚さ１０ｎｍに析出させて、バッファ層を形成した。次に、ＺｎＯターゲットとＭｇＯターゲットの二元ターゲットを用いたスパッタ法によりＺｎ０．８５Ｍｇ０．１５Ｏを１．２μｍの膜厚に形成した。透明電極層を形成するために、Ｚｎ０．７Ｍｇ０．３Ｏ層表面にイオン注入法によりＡｌを高濃度にドープして、窓層と透明電極層とを形成した。その上に、スパッタ法によりＭｇＦ２を１μｍの膜厚に堆積して反射防止層を形成した。最後に、裏面電極層と透明電極層の表面の一部を露出させ、Ａｕ／ＮｉＣｒからなる陰・陽極端子を形成した。」
 　 
４　対比 
　以下、本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「CIGS光吸収層」及び「CIGS太陽電池」は、本願発明の「カルコパイライト型化合物からなる光吸収層」及び「カルコパイライト型太陽電池」にそれぞれ相当する。
　また、本願発明の「第１電極層」は、「第１電極層上にＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金層を形成する」ものであるから、引用発明の「基板上の電極層と電極層」のうち下層の「電極層」が本願発明の「第１電極層」に、同じく上層の「電極層」が本願発明の「第２電極層」にそれぞれ相当する。
　そうすると、引用発明の「基板上の電極層と電極層との間にカルコパイライト型のCIGS光吸収層が介在されたCIGS太陽電池を製造する方法」は、本願発明の「基板の一端面の上方に形成された第１電極層と第２電極層との間に、少なくとも、カルコパイライト型化合物からなる光吸収層が介在されたカルコパイライト型太陽電池の製造方法」に相当する。
　
（２）引用発明は「電極層と電極層との間にカルコパイライト型のCIGS光吸収層が介在されたCIGS太陽電池を製造する方法」であるから、引用発明の「銅、インジウム、ガリウムから作られ」た「CIG合金スパッタリングターゲットを使用してスパッタリングによりCIG合金を形成する工程を有する」構成は、本願発明の「Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金ターゲットを用いるスパッタリングによって、前記第１電極層上にＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金層を形成する工程」「を有」する構成に相当する。
　
（３）引用発明は、「銅、インジウム、ガリウムから作られ」た「CIG合金スパッタリングターゲットを使用してスパッタリングによりCIG合金を形成」し、「カルコパイライト型のCIGS光吸収層が介在されたCIGS太陽電池を製造する方法」であるから、引用発明は、本願発明の「Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金をカルコパイライト型化合物に変化させることにより、前記光吸収層を得る工程」に相当する構成を有するものである。
　
（４）引用発明の「CIG合金スパッタリングターゲット」は「Cu/III比が 0.1 - 0.99、Ga/III比が 0.2 - 0.3である」構成と、本願発明の「Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金ターゲットとして、該ターゲットに含まれるＣｕ、Ｉｎ、Ｇａの組成比が下記の式（１）、（２）を同時に満足するものを用いる」
「　　０．７≦Ｃｕ／（Ｉｎ＋Ｇａ）≦０．９９　…（１）
　　　０．４≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）≦０．７　…（２）」構成とは、「Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金ターゲットとして、該ターゲットに含まれるＣｕ、Ｉｎ、Ｇａの組成比が下記の式（１）を」「満足するものを用いる」
「　　０．７≦Ｃｕ／（Ｉｎ＋Ｇａ）≦０．９９　…（１）」構成で共通する。
　
　上記（１）ないし（４）から、本願発明と引用発明は、
「基板の一端面の上方に形成された第１電極層と第２電極層との間に、少なくとも、カルコパイライト型化合物からなる光吸収層が介在されたカルコパイライト型太陽電池の製造方法であって、
　Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金ターゲットを用いるスパッタリングによって、前記第１電極層上にＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金層を形成する工程と、
　Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金をカルコパイライト型化合物に変化させることにより、前記光吸収層を得る工程と、
　を有し、
　前記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金層を形成する工程では、前記Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金ターゲットとして、該ターゲットに含まれるＣｕ、Ｉｎ、Ｇａの組成比が下記の式（１）を満足するものを用いるカルコパイライト型太陽電池の製造方法。
　　　０．７≦Ｃｕ／（Ｉｎ＋Ｇａ）≦０．９９　…（１）」 
で一致し、以下の点で相違する。 
 　 
（相違点） 
ａ　Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金をカルコパイライト型化合物に変化させる際に、本願発明は、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金層に対してセレン化処理を施すのに対し、引用発明は、如何なる方法で変化させるのか不明である点。
ｂ　第２電極層が、本願発明は、ＺｎＯ：Ａｌにより形成されているのに対し、引用発明は、如何なるものか不明である点。
ｃ　Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金ターゲットに含まれるＣｕ、Ｉｎ、Ｇａの組成比のうちＧａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）が、本願発明は、０．４以上０．７以下であるのに対し、引用発明は、0.2 - 0.3である点。
 　 
５　当審の判断 
　以下、上記ａないしｃの相違点について検討する。
（ａの相違点について）
　薄膜太陽電池のＣＩＧＳ薄膜による光吸収層５’を形成するに際して、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金からなるプリカーサ膜１０（本願発明の「Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金層」に相当。）をＳｅ雰囲気中で熱処理を施してＣＩＧＳ薄膜（技術常識からみて、本願発明の「カルコパイライト型化合物」に相当することは明らか。）による光吸収層５’とすることが、引用例２（【００２４】、【００６４】〜【００７５】、図１２，１３）に記載されている。 
　そして、引用発明も引用例２記載の事項も、ＣＩＧＳ太陽電池の製造方法である点で共通するものであるから、引用発明のＣＩＧＳ光吸収層の形成方法として、引用例２記載の事項を採用して、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金層に対してセレン化処理を施すことでＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金をカルコパイライト型化合物に変化させることにより光吸収層を得て、上記ａの相違点に係る発明特定事項を構成することは、当業者が容易になし得たことである。 
（ｂの相違点について）
　カルコパイライト型太陽電池の電極として、ＺｎＯ：Ａｌを用いることは、引用例２の【０００２】にも示されているように周知技術であるから、引用発明の電極層（上層）として、ＺｎＯ：Ａｌを用いることは、当業者が容易になし得たことである。
（ｃの相違点について）
　ＣＩＧＳ太陽電池において、大きい光電変換効率を得るには光吸収層の禁制帯幅が太陽光スペクトルに対して最適化されることが重要であって、光吸収層材料ＣｕＩｎ1-ｘＧａｘＳｅ2の組成比がｘ＝０．７の時に禁制帯幅の最適値となることが、引用例３（【０００２】、【０００７】、【００２０】）に記載されている。
　そして、スパッタリングターゲットの組成を変化させることにより、堆積する膜の組成を変化させることは技術常識であるから、引用発明において、引用例３に記載された事項を採用して、引用発明のCIG合金スパッタリングターゲットの組成比を、０．４≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）≦０．７となるようにして、上記ｃの相違点に係る発明特定事項を構成することは、当業者が容易になし得たことである。 
　上記ａないしｃの相違点については上記のとおりであり、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明、引用例２，３に記載された事項、周知技術及び技術常識から当業者が予測できる範囲内のものと認められる。
　よって、本願発明は、引用発明、引用例２，３に記載された事項、周知技術及び技術常識に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６　審判請求人の主張
　審判請求人は平成２６年１０月２７日付けの意見書において、「引用文献３の段落［０００７］には、「Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）の組成比を、０．３を超えて、禁制帯幅の最適値である０．７に近づけると、かえって変換効率が低下する」旨が記載されています。加えて、引用文献３の段落［００１６］、［００１７］には、「ヘテロ接合太陽電池の変換効率が期待されたほどには向上しない理由について鋭意探求した結果、本発明者等は、変換効率の向上には光吸収層と窓層との間のバンドオフセットが影響しているとしても、実際にはその外にある透明電極層材料の電子親和力がそれ以上に重要であることを見出した。ＣＩＧＳ太陽電池では、透明電極層とするためにＺｎＯに添加するＩＩＩ族元素はＡｌを用いることが多いが、このような透明電極層材料（ＺｎＯ：Ａｌ）では、図１（ｂ）のバンド構造にも示されるように、変換効率が下がってしまう」旨が開示されています。
　これを解決するために、引用文献３に係る太陽電池では、ＺｎＯ：Ａｌからなる透明電極層材料をあえて避け、電子親和力が光吸収層材料のそれに等しいかそれより小さい透明電極層材料を用いています。具体的には、引用文献３の段落［００１９］に記載されるように、ＡｌあるいはＧａあるいはＩｎを１０19ｃｍ-3以上添加したＺｎ1-xＭxＯ（但し、ＭはＢｅあるいはＭｇあるいはＣａ、０＜ｘ＜１）により形成された透明電極層６を採用しています。
　すなわち、引用文献３の記載によれば、第２電極層（透明電極層）がＺｎＯ：Ａｌにより形成されている場合には、変換効率の低下を回避する観点から、Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）の組成比を、上記のように０．３を超えて０．７に近づけることは、当業者の通常の認識として、忌避すべきであることが一層明確になっています。従いまして、引用文献３を精査した当業者であっても、新請求項１に係る本願発明のように「透明電極層をＺｎＯ：Ａｌで形成するときに、Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）が０．４〜０．７であるＣＩＧ合金ターゲットを用いる」ことを想到し得るものではありません」と主張している。
　しかしながら、本願発明のカルコパイライト型太陽電池のように、第２電極層としてＺｎＯ：Ａｌを用い、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金ターゲットとしてＣｕ、Ｉｎ、Ｇａの組成比が０．４≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）≦０．７を満足したものが、Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．３のものと比較して変換効率が上昇することは、本願の願書に添付された特許請求の範囲、明細書及び図面には何ら記載されていないし、データ等の提示もない。また、引用例３の上記記載からすると、第２電極層としてＺｎＯ：Ａｌを用い、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金ターゲットとしてＣｕ、Ｉｎ、Ｇａの組成比が０．４≦Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）≦０．７を満足する本願発明のカルコパイライト型太陽電池は、Ｇａ／（Ｉｎ＋Ｇａ）＝０．３のものと比較して変換効率が低下している蓋然性が高い。
　してみると、変換効率が低下してもよいのであれば、光吸収層の禁制帯幅を太陽光スペクトルに対して最適化するという観点から、引用発明に引用例３に記載された事項を適用することに、阻害要因や困難性があるとはいえない。
　よって、審判請求人の主張は採用できない。
　 
７　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用例２，３に記載された事項、周知技術及び技術常識に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。