【事件の表示】
　平成１１年特許願第３５３３２５号「液晶装置の製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成１２年　５月１６日出願公開、特開２０００−１３７２４９］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯及び本願発明
　本願は、平成３年１０月９日に特許出願した特願平３−２８９５１２号の一部を平成１１年２月１９日に新たな特許出願とした特願平１１−４２１３０号の一部を平成１１年１２月１３日にさらに新たな特許出願としたものであって、その特許請求の範囲の請求項１及び２に係る発明は、平成１３年２月２２日付け及び平成１３年７月９日付けの手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その請求項１及び２に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明」という。）は次のものである。
「一方のみをラビング処理した一対の基板間に、等方相の状態まで加熱した反強誘電性液晶を注入した後、等方相の温度から反強誘電相を生じる温度まで冷却させ、これによって反強誘電性液晶を生じさせ、さらに、一対の偏光子を用い、該一対の偏光子のうちの一方の偏光子を前記反強誘電性液晶の３つの安定状態のうちの反強誘電相の時の分子軸に対して平行配置させることを特徴とする液晶装置の製造方法。」
　
２．引用例等
　これに対して、原査定の拒絶理由に引用された特開平３−２２３３９０号公報（以下、「引用例」という。）、原査定の備考欄に引用された特開昭６４−６３９２４号公報（以下、「周知例１」という。）、同じく特開平３−１２５１１７号公報（以下、「周知例２」という。）及び同じく特開平３−２０８０２０号公報（以下、「周知例３」という。）にはそれぞれ、次の発明が記載されている。　
　引用例（特開平３−２２３３９０号公報）； 
　三安定状態間のスイッチングを示す反強誘電性液晶組成物を含有する液晶素子に関するもので、
（１）２頁左上欄下から３行〜同右上欄９行には、
　「らせんピッチ長よりも薄い液晶セルに封入するなどしてらせんをほどいてやると、第１図（ａ）に示すように一層ごとにダイポールがキャンセルするような分子配列になり、この状態に電界を印加すると電圧方向にダイポールがそろう第1図（ｂ）または（ｃ）のような分子配列に変化すると考えられている。それゆえ、例えば、偏光板を組み合わせてやることにより、明暗の表示を行うことが可能となる。印加電庄とチルト角との関係は第２図のようになっている。３つの安定状態１〜３をとることができ、ヒステリシス曲線を描くので、この関係を用いて駆動を行うことが可能となる。」と記載される。（第１図、第２図参照。）
（２）４頁右上欄には、「第３図は本発明の反強誘電性液晶組成物を用いた液晶素子の例を示す説明図である。第３図は透過型表示素子の一例であり、１は絶縁性基板、２は導電性膜、３は絶縁性膜、４は配向制御層、５はシール材、６は反強誘電性液晶組成物、７は偏光板を示す。」と記載される。（第３図参照。）
（３）マトリクス型液晶素子に関して、５頁右上欄１２行〜１３行には「偏向板の偏向軸（「偏光板の偏光軸」の誤記）を第２図の状態２のスメチック（「スメクチック」の誤記）層に垂直の方向に合わせておく」と記載される。
（４）５頁左下欄〜６頁左上欄には、「実施例１」について次のように記載されている。
　「実施例１
　第１表に示す化合物Ｎｏ．１１，Ｎｏ．２１及びＮｏ．２２を用いて第２表に示す組成の液晶組成物Ｎｏ．３１および３２を作成した。
　・・・
　次いでＩＴＯ膜のついた２枚のガラス基板にポリイミド膜を塗布し、その一方のみをラビング処理し、この２枚の基板をセル厚３μｍになるように貼り合わせて液晶セルを作製した。
　液晶組成物Ｎｏ．３１および３２をそれぞれ液晶セルに注入し、注入後いったん液晶組成物が等方性液体に変化する温度にセルを加熱し、その後１℃／ｍｉｎで室温まで冷却して反強誘電性液晶素子を得た。この強誘電性液晶素子に１Ｈｚの三角波電圧を印加したところ、第８図に示すような２本の分極反転電流が測定できた。また、同時にクロスニコル下で通過光強度を測定し、第２図に示すようなダブルヒステリシス曲線を得た。」
　
　周知例１ないし３；
　周知例１ないし３には、一対の基板間に、等方相の状態まで加熱した強誘電性液晶を注入した後、等方相の温度から強誘電相を生じる温度まで冷却させて強誘電性液晶を生じさせる液晶装置の製造方法、が記載されている。
　
３．対比
　本願発明と引用例に記載された発明とを対比する。
　引用例の「液晶素子」、「偏光板」は、本願発明の「液晶装置」、「偏光子」に相当する。
　引用例の実施例１には、「液晶組成物Ｎｏ．３１および３２をそれぞれ液晶セルに注入し、注入後いったん液晶組成物が等方性液体に変化する温度にセルを加熱し、その後１℃／ｍｉｎで室温まで冷却して反強誘電性液晶素子を得た。」と記載されていることからして、引用例には、本願発明にいう「反強誘電性液晶を注入した後、等方相の温度から反強誘電相を生じる温度まで冷却させ、これによって反強誘電性液晶を生じさせる液晶装置の製造方法」が記載されているといえる。
　引用例の第３図についての記載及び実施例１の「クロスニコル下で通過光強度を測定する」との記載からして、引用例の液晶装置は一対の偏光子を用いていることが明らかである。
　また、引用例には「偏光板の偏光軸を第２図の状態２のスメクチック層に垂直の方向に合わせておく」と記載されている。そして、引用例の上記「第２図の状態２のスメクチック層」は「第１図（ａ）の無電界時の状態」に相当するから、本願発明にいう「反強誘電性液晶の３つの安定状態のうちの反強誘電相」であることが明らかであり、しかも上記「第２図の状態２のスメクチック層」は第１図（ａ）の記載から明らかなように、液晶分子が概ね一定方向にそろって並び、層状の構造となっている。したがって、引用例の「偏光板の偏光軸を第２図の状態２のスメクチック層に垂直の方向に合わせておく」ということは、本願発明にいう「一対の偏光子のうちの一方の偏光子を前記反強誘電性液晶の３つの安定状態のうちの反強誘電相の時の分子軸に対して平行配置させる」ことに相当するといえる。仮に、引用例の「偏光板の偏光軸を第２図の状態２のスメクチック層に垂直の方向に合わせておく」ということが、本願発明にいう「一対の偏光子のうちの一方の偏光子を前記反強誘電性液晶の３つの安定状態のうちの反強誘電相の時の分子軸に対して平行配置」ではなく、「前記分子軸に対して垂直配置」を意味するものであるとしても、引用例は一対の偏光子を「クロスニコル」に配置するのであるから、一対の偏光子のうちの他方の偏光子は「前記分子軸に対して平行配置されることとなる」ことは明らかである。以上述べたことからして、引用例には、いずれにしろ本願発明にいう「一対の偏光子のうちの一方の偏光子を前記反強誘電性液晶の３つの安定状態のうちの反強誘電相の時の分子軸に対して平行配置させる」ことが記載されているといえる。
　また、引用例の実施例１には、一方の基板のみをラビング処理することが記載されている。
　よって、両者は、「一方のみをラビング処理した一対の基板間に、反強誘電性液晶を注入した後、等方相の温度から反強誘電相を生じる温度まで冷却させ、これによって反強誘電性液晶を生じさせ、さらに、一対の偏光子を用い、該一対の偏光子のうちの一方の偏光子を前記反強誘電性液晶の３つの安定状態のうちの反強誘電相の時の分子軸に対して平行配置させる液晶装置の製造方法」である点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点：本願発明は、一対の基板間に「等方相の状態まで加熱した反強誘電性液晶を注入」するのに対して、引用例のものは、液晶セルに該液晶を注入した後加熱する点。
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
　一対の基板間に、等方相の状態まで加熱した強誘電性液晶を注入した後、等方相の温度から強誘電相を生じる温度まで冷却させて強誘電性液晶を生じさせる液晶装置の製造方法は周知（周知例１ないし３参照）のことにすぎず、加熱時点をいつにするかは適宜なし得る程度のことである。
　したがって、引用例に記載された発明において、等方相の状態まで加熱する時点を、液晶セルに液晶を注入した後とする換わりに、液晶注入前とすることは上記周知技術を基に当業者が容易になし得ることである。
　そして、使用する液晶が、本願発明は反強誘電性液晶であるのに対して引用例は強誘電性液晶ではあるが、いずれの液晶もスメクチック液晶の範疇に入るもので共通しており、反強誘電性液晶を注入する際に等方相の状態まで加熱した状態で注入し得ない特別の事情はない。
　
５．むすび
　以上のとおり、上記相違点の構成を有する本願発明は、引用例に記載された発明及び引用例２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
  よって、結論のとおり審決する。