【事件の表示】
　特願２０１１−１２６９０５「電子部品」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１２月２０日出願公開、特開２０１２−２５３２９２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２３年６月７日の出願であって、平成２５年７月１２日付け拒絶理由通知に対する応答時、同年９月１０日付けで手続補正がなされたが、平成２６年２月２８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年５月２８日付けで拒絶査定不服審判の請求及び手続補正がなされたものである。
　
２．平成２６年５月２８日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２６年５月２８日付けの手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　平成２６年５月２８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】
　最外層にＳｎめっき皮膜を含む電極を備える電子部品において、
　
前記Ｓｎめっき皮膜の下にはＮｉめっき皮膜が形成されており、
　前記Ｓｎめっき皮膜は、互いに緻密性の異なる２以上のめっき層の積層構造からなり、かつ、前記２以上のめっき層のそれぞれの界面には境界面を有し、　
　前記めっき層のうち、最表層のめっき層は、緻密性の低いめっき層であ
り、前記めっき層のうち、前記Ｎｉめっき皮膜に接するように形成されためっき層の厚みは前記最表層のめっき層の厚みより大きい
と補正された。
　
　上記補正は、
　ア．請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である、最外層にＳｎめっき皮膜を含む「電極」について、「前記Ｓｎめっき皮膜の下にはＮｉめっき皮膜が形成されて」いることの限定を付加し、
　イ．同じく請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である、互いに緻密性の異なる２以上のめっき層の積層構造からなる「Ｓｎめっき皮膜」について、「前記めっき層のうち、前記Ｎｉめっき皮膜に接するように形成されためっき層の厚みは前記最表層のめっき層の厚みより大きい」との限定を付加するものである。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の上記請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定する要件を満たすか）否かについて以下検討する。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００８−１６６６４５号公報（以下、「引用例」という。）には、「めっき部材」に関し、図面とともに以下の記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。
　
　ア．「【請求項１】
　
基材の表面に鉛フリーの材料からなるめっき層を有するめっき部材において、前記めっき層は２層以上の層構造とされており、各層を形成するめっき粒子の平均粒径は各層ごとに異なっており、かつ
前記めっき層のめっき粒子体積率は１００％未満とされている
めっき部材
【請求項２】
　
前記鉛フリーの材料はＳｎ
である
　
　イ．「【０００１】
　
本発明は
半導体装置のような電子部品における外部端子のように、表面にめっき層を有するめっき部材
に関する
　
　ウ．「【０００９】
　
本発明は
ウィスカの抑制と良好なはんだ濡れ性の双方を満足することのできる、新規なめっき部材
を提供することを課題とする
【００１０】
　上記の課題を解決すべく、本発明者らは、鉛フリー材料からなるめっき層に生成するウィスカに関して多くの実験と研究を行ってきているが、そこにおいて、
ウィスカの発生原因の１つとして、めっき層の内部応力増加があり、それは主要な要因を占めることを知見した
【００１１】
　
そこで、めっき層中にボイドやピンホールを形成することにより、上記のような内部応力増加は緩和できるものと考え、そのようなめっき層を基材の表面に形成したところ、鉛フリー材料からなるめっき層であっても、ウィスカの発生が抑制されることを確認した。また、めっき層中に存在するボイドやピンホールの量を適切に制御することにより、ウィスカの抑制と良好なはんだ濡れ性の双方を同時に満足できることも確認した
　　　　　　　・・・・・（中　略）・・・・・
【００１３】
　
上記構成のめっき部材では、めっき層の前記めっき粒子体積率は１００％未満とされており、めっき粒子体積率１００％からの差分に応じたボイドやピンホールがめっき層内部に存在する。そのために、内部応力増加の原因となる何らかの要因が生じたときに、形成されているボイドやピンホールによって内部応力の増加分は吸収され、ウィスカ発生の原因となるような大きな内部応力増加は実質的に生じない。それにより、ウィスカの発生は抑制される
　
　エ．「【００１８】
　本発明によるめっき部材は、異なった平均粒径のめっき粒子を含む複数のめっき液に基材を順次浸漬していくような方法によっても製造することができる。製造の容易性から、電解めっき法を採用することは望ましく、その際に、電解めっきの開始から終了までの間で電流値を変化させて電解めっきを行うことにより、本発明によるめっき部材を製造することができる。電解めっき法において、電流値と電着するめっき粒子の粒径に相関があることは知られており、電流が大きいほど、電着するメッキ粒子の粒径は小さくなる。従って、
電解メッキ法において、電流値と時間とを適宜設定することによって、２層以上の層構造を有し、各層を形成するめっき粒子の平均粒径は各層ごとに異なっており、かつめっき層全体での前記めっき粒子体積率が１００％未満とされた本発明によるめっき部材を製造することができる。その際に、電流値の変化は段階的な変化であることが望ましい
　
　オ．「【００２０】
　
本発明によれば、基材の表面に対して、鉛フリーの材料からなる所望のめっき層を容易に形成することができ、かつ形成されためっき層は、ウィスカの抑制と良好なはんだ濡れ性の双方を満足することのできる、新規なめっき部材が得られる
　
　カ．「【００２２】
　図１において、１０は半導体装置、１１はＩＣチップであり、該ＩＣチップ１１がダイパット１２を備えたリードフレーム１３に搭載されている。リードフレーム１３は例えば銅合金で作られる。半導体装置１０は、全体がエポキシやシリコーンのような封止樹脂１４で覆われており、リードフレーム１３の端部が外部端子１５として、外部に露出している。
外部端子１５を基材として、その表面には、鉛フリー材料からなる、本発明によるめっき層１６が形成されている。鉛フリー材料は、純Ｓｎでもよく
【００２３】
　
図２
（ｂ）の模式図を示すように、本発明によるめっき層１６は、２層以上の層構造（図示のものでは３層構造）とされており、各層を形成するめっき粒子の平均粒径は各層ごとに異なっている
【００２４】
　
さらに、各層ａ３，ａ２，ａ１における単位体積に対するめっき粒子が占める割合、すなわち、めっき粒子体積率は、各層毎に異なっており
　　　　　　　　・・・・・（中　略）・・・・・
【００２６】
　
図２（ｂ）は、本発明によるめっき部材の他の態様を模式的に示している。ここでのめっき層１６ａの層構造はやはり３層構造であるが、各層でのめっき粒子の平均粒径の大きさが、図２（ａ）に示したものとは逆になっている。この場合でも、めっき層１６ａにおける単位体積２０でのめっき粒子体積率は１００％未満となり、その結果、めっき層１６ａには、ピンホール領域１８が存在する
【００２７】
　
このようなめっき層
１６ａでは
前記
ピンホール領域１８の存在により、前記した内部応力の増加分は吸収され、ウィスカ発生の原因となるような大きな内部応力増加が、めっき層内部に実質的に生じない。それにより、ウィスカの発生は抑制される
　
　・上記引用例に記載の「めっき部材」は、上記「イ．」の記載事項、及び図１によれば、半導体装置のような電子部品における外部端子のように、表面にめっき層を有するめっき部材に関し、
　より具体的には、上記「ア．」の【請求項１】の記載事項によれば、基材の表面に鉛フリーの材料からなるめっき層を有するめっき部材において、めっき層は２層以上の層構造とされており、各層を形成するめっき粒子の平均粒径は各層ごとに異なっており、かつめっき層のめっき粒子体積率は１００％未満とされているめっき部材に関する。
　・上記「ア．」の【請求項２】、「カ．」の段落【００２２】の記載事項によれば、鉛フリーの材料からなるめっき層は、たとえばＳｎめっき層である。
　・上記「ウ．」の段落【００１３】、「カ．」の段落【００２３】〜【００２６】の記載事項、及び図２（ｂ）によれば、めっき層の粒子体積率も各層毎に異なり、最上層のめっき粒子体積率が最も小さくそれに応じたピンホールが存在し、その結果、上記「ウ．」、「オ．」、「カ．」の段落【００２７】の記載事項によれば、めっき層の内部応力増加が緩和され、ピンホールの量を適切に制御することによりウィスカの抑制と良好なはんだ濡れ性の双方を満足できるようにしたものである。
　
　したがって、図２（ｂ）に示されるものに着目し、かかる「めっき部材」としての外部端子を有する「電子部品」の発明として捉え、上記記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「外部端子の基材の表面にＳｎめっき層が形成されている電子部品において、
　前記Ｓｎめっき層は２以上の層構造とされており、
　前記Ｓｎめっき層の各層を形成するめっき粒子の平均粒径は各層ごとに異なり、かつめっき層のめっき粒子体積率は１００％未満とされて各層毎のめっき粒子体積率も異なるものであり、
　最上層のめっき粒子体積率が最も小さくそれに応じたピンホールが存在し、その結果、めっき層の内部応力増加が緩和され、ピンホールの量を適切に制御することによってウィスカの抑制と良好なはんだ濡れ性の双方を満足できるようにした電子部品。」
　
（３）対比
　そこで、本願補正発明と引用発明とを対比する。
　ア．引用発明における「Ｓｎめっき層」、「電子部品」は、本願補正発明における「Ｓｎめっき皮膜」、「電子部品」に相当し、
　また、引用発明における「外部端子」は、外部の回路基板等に対してはんだによって電気的に接続するために電子部品が備えるものであることから、本願補正発明の「電極」に相当するとみることができ、
　引用発明における「外部端子の基材の表面にＳｎめっき層が形成されている電子部品において」によれば、
　本願補正発明と引用発明とは、「最外層にＳｎめっき皮膜を含む電極を備える電子部品において」の点で一致するといえる。
　
　イ．引用発明における「前記Ｓｎめっき層は２以上の層構造とされており、前記Ｓｎめっき層の各層を形成するめっき粒子の平均粒径は各層ごとに異なり、かつめっき層のめっき粒子体積率は１００％未満とされて各層毎のめっき粒子体積率も異なるものであり」によれば、
　引用発明の「Ｓｎめっき層」は、２以上の層構造とされており、各層毎のめっき粒子体積率も異なっているのであるから、各層毎に緻密性が異なるということができ、
　本願補正発明と引用発明とは、「前記Ｓｎめっき皮膜は、互いに緻密性の異なる２以上のめっき層の積層構造からなり」の点で一致する。
　
　ウ．引用発明における「最上層のめっき粒子体積率が最も小さくそれに応じたピンホールが存在し、その結果、めっき層の内部応力増加が緩和され、ピンホールの量を適切に制御することによってウィスカの抑制と良好なはんだ濡れ性の双方を満足できるようにした・・」によれば、
　引用発明の「Ｓｎめっき層」は、最上層のめっき粒子体積率が最も小さいくそれに応じたピンホールが存在するのであるから、最上層つまり最表層のめっき層が最も緻密性が低いといえ、
　本願補正発明と引用発明とは、「前記めっき層のうち、最表層のめっき層は、緻密性の低いめっき層であ」る点で一致するといえる。
　
　よって、本願補正発明と引用発明とは、
「最外層にＳｎめっき皮膜を含む電極を備える電子部品において、
　前記Ｓｎめっき皮膜は、互いに緻密性の異なる２以上のめっき層の積層構造からなり、
　前記めっき層のうち、最表層のめっき層は、緻密性の低いめっき層であることを特徴とする、電子部品。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点１］
　本願補正発明では、「前記Ｓｎめっき皮膜の下にはＮｉめっき皮膜が形成されて」いる旨特定するのに対し、引用発明では、そのような特定を有していない点。
　
［相違点２］
　２以上のめっき層の積層構造からなるＳｎめっき皮膜について、本願補正発明では、「前記２以上のめっき層のそれぞれの界面には境界面を有し」ている旨特定するのに対し、引用発明では、そのような明確な特定を有していない点。
　
［相違点３］
　めっき層について、本願補正発明では、「前記Ｎｉめっき皮膜に接するように形成されためっき層の厚みは前記最表層のめっき層の厚みより大きい」と特定するのに対し、引用発明では、そのような特定を有してない点。
　
（４）判断
　上記相違点について検討する。
［相違点１］及び［相違点３］について
　電子部品の外部端子（外部電極）の表面にＳｎめっき層を設ける際に、その下にＮｉめっき層を形成しておくことは、例えば、特開２０１０−８４２２８号公報（段落【００２５】を参照）、特開２００６−３３９５３６号公報（段落【０００３】を参照）、特開２００３−１４７５８０号公報（【請求項１】、段落【０００２】を参照）に記載されているように周知の技術事項であり、引用発明においても、上記周知技術を採用し、Ｓｎめっき層の下にはＮｉめっき層が形成されてなるものとすることは当業者であれば容易になし得ることである。
　そしてその際、Ｓｎめっき層の各層の厚さは、ウィスカの抑制と良好なはんだ濡れ性の双方を満足することを損ねない範囲内で適宜定められるものであるといえるところ、例えば上記特開２００３−１４７５８０号公報には、第１層であるニッケルめっき皮膜上に錫めっき皮膜を２層構造で形成してなるものにおいて、第２層（本願補正発明の「Ｎｉめっき皮膜に接するように形成されためっき層」に相当）の厚みを、第３層（本願補正発明の「前記最表層のめっき層」に相当、１．０μｍ）の厚みより大きくした例も記載（表４の実施例１ないし４を参照）されており、引用発明において、Ｎｉめっき層に接するように形成されためっき層の厚みを最表層のめっき層の厚みより大きいものとすることも当業者が適宜なし得ることである。
　
［相違点２］について
　引用発明にあっても、２以上の層構造であるＳｎめっき層は、各層毎にめっき粒子の平均粒径及びめっき粒子体積率が異なる（相違する）ものであり、しかも、引用例の段落【００１８】には、各層を電解めっき法で形成する際、電流値を
段階的に
　
　そして、上記相違点を総合的に勘案しても本願補正発明が奏する効果は、引用発明及び周知の技術事項から当業者が予測できたものであって、格別顕著なものがあるとはいえない。
　
　なお請求人は、審判請求書において「本願発明によると、・・・上記効果のうち、はんだぬれ性の効果を高めるためには、出願当初の明細書における段落［００１７］に記載されますように、Ｓｎめっき皮膜の下に形成された第１のめっき皮膜（Ｎｉめっき皮膜）を確実にカバーする必要があります。すなわち、第１のめっき層（Ｎｉめっき皮膜に接するように形成されためっき層）の厚みが、第２のめっき層（最表層のめっき層）の厚みより大きく形成されることで、第１のめっき層により第１のめっき皮膜（Ｎｉめっき皮膜）を確実にカバーする必要があります。このことから、本願の補正後の請求項１に記載の発明は、「…前記めっき層のうち、前記Ｎｉめっき皮膜に接するように形成されためっき層の厚みは前記最表層のめっき層の厚みより大きい…」という構成を含んでおります。」などと主張している。
　しかしながら、当初明細書には、「【００１７】第１のめっき層２６ａおよび２６ｂは、緻密性の高いめっき層として形成されている。第１のめっき層２６ａおよび２６ｂの厚みは、１μｍ以上１０μｍ以下の厚みで形成されるのが好ましい。
第１のめっき層２６ａおよび２６ｂの厚みが、１μｍ以上に形成されると
第１のめっき皮膜２２ａおよび２２ｂをより確実にカバーすることができる
　
（５）むすび
　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　平成２６年５月２８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２５年９月１０日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのものである。
「【請求項１】
　最外層にＳｎめっき皮膜を含む電極を備える電子部品において、
　前記Ｓｎめっき皮膜は、互いに緻密性の異なる２以上のめっき層の積層構造からなり、かつ、前記２以上のめっき層のそれぞれの界面には境界面を有し、　
　前記めっき層のうち、最表層のめっき層は、緻密性の低いめっき層であることを特徴とする、電子部品。」
　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
  本願発明は、上記「２．」で検討した本願補正発明の発明特定事項である、最外層にＳｎめっき皮膜を含む「電極」について、「前記Ｓｎめっき皮膜の下にはＮｉめっき皮膜が形成されて」いることの限定を省き、同じく発明特定事項である、互いに緻密性の異なる２以上のめっき層の積層構造からなる「Ｓｎめっき皮膜」について、「前記めっき層のうち、前記Ｎｉめっき皮膜に接するように形成されためっき層の厚みは前記最表層のめっき層の厚みより大きい」との限定を省いたものに相当する。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、更に他の限定事項を付加したものに相当する本願補正発明が前記「２．（４）」に記載したとおり、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願補正発明から周知の技術事項に相当する上記限定事項を省いた本願発明も、同様の理由により、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。