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　特願２００８−９８０３４「部品内蔵配線板、部品内蔵配線板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年１０月２９日出願公開、特開２００９−２５２９４２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本願発明 
　本願は、平成２０年４月４日の出願であって、平成２５年９月６日付けで拒絶査定がされ（発送日：同年９月１０日）、これに対して、同年１２月３日に拒絶査定不服審判が請求され、その後、当審において、平成２６年８月２５日付けで拒絶理由が通知され（発送日：同年８月２６日）、その指定期間内である平成２６年１０月２３日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　そして、本願の請求項１ないし８に係る発明は、平成２６年１０月２３日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載されたとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　
「【請求項１】
　第１の絶縁層と、
　前記第１の絶縁層に対して積層状に位置する第２の絶縁層と、
　前記第２の絶縁層に埋設され、かつ、端子パッドを有する半導体チップと、該端子パッドに再配線層を介して電気的接続された、グリッド状配列の表面実装用端子とを備えた半導体素子と、
　前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とに挟まれて設けられた、前記半導体素子用の実装用ランドを含む配線パターンと、
　前記半導体素子の前記表面実装用端子と前記実装用ランドとを電気的、機械的に接続する、リフローされたはんだと、を具備し、
　前記第２の絶縁層が、前記半導体素子と前記第１の絶縁層との間への延設部分を有して該半導体素子と該第１の絶縁層との間を満たしており、
　前記半導体素子の前記表面実装用端子が、それぞれ個々に、円形の平面形状を有していること
　を特徴とする部品内蔵配線板。」
　
第２　刊行物及び引用発明
　これに対して、当審において通知した拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された特開２００５−３９０９４号公報（以下「刊行物１」という。）には、「半導体チップ内蔵配線板」に関して、図面と共に、次の事項が記載されている（下線は当審で付したものである。以下同じ。）。
　
（１）「【０００１】
　本発明は、半導体チップを基板中に内蔵する半導体チップ内蔵配線板およびその製造方法に係り、特に、生産性向上に適する半導体チップ内蔵配線板およびその製造方法に関する。」
　
（２）「【００４５】
　次に、上記各実施形態で使用できる半導体チップ１３についてさらに説明する。
上記で半導体チップ１３の入出力端子の配置ルールをより粗にするため金属バンプ１３を設けることについて言及したが、このような金属バンプの形成方法の例を以下図４を参照して説明する。図４は、本発明の各実施形態に係る半導体チップ内蔵配線板において部材として使用することができる半導体チップを調製する過程を示す模式的断面図である。
【００４６】
　まず、図４（ａ）に示すように、ウエハ５１上に完成された多数の半導体装置（すなわちウエハ状態の半導体装置）を用意する。半導体装置上にはそれぞれ入出力用のパッド５１ａが形成されている。この配置ルールは、半導体装置としてのルールによっており、通常きわめて密の間隔である。次に、図４（ｂ）に示すように、半導体装置上全面に例えばポリイミド５２などの絶縁層を塗布、硬化させる。そして、例えばフォトリソグラフィを用いてポリイミド５２の必要箇所にパッド５１ａに通じる開口を形成する。さらに、開口に露出したパッド５１ａ上にニッケルなどのバリアメタル層を形成し、続けて、図４（ｃ）に示すように、バリアメタル層に接続して銅などで再配線層５３を形成する。
この再配線層５３により、入出力端子としての配置ルールをより粗にすることが可能である。
【００４７】
　次に、図４（ｄ）に示すように、再び半導体装置上全面に例えばポリイミド５４などの絶縁層を塗布、硬化させる。そして、例えばフォトリソグラフィを用いてポリイミド５４の必要箇所に再配線層５３に通じる開口を形成する。さらに、開口に露出した再配線層５３上に金属バンプ５５を形成する。以上は、いわゆるウエハレベル・パッケージングとも呼ばれている技術である。続いて、図４（ｅ）に示すように、ウエハ５１はダイシングされ各半導体チップ５１Ａとして分離される。分離された半導体チップ５１Ａは、次に図４（ｆ）に示すように、厚さが１００μｍ程度となるように裏面が研削される（半導体チップ５１Ｂ）。ここで、半導体チップ５１Ｂが先の実施形態における半導体チップ１３に相当し、金属バンプ５５が先の実施形態における金属バンプ１５に相当する。半導体チップ５１Ｂの裏面には例えば熱硬化性の接着テープ（図示せず：接着樹脂１４に相当）が貼付される。
【００４８】
　
このように半導体チップ５１Ｂとして入出力端子が再配置化されていると、その入出力端子の配置ルールはより粗にされ得、半導体チップ５１Ｂのキャビティ内への配置にさほどの（通常のフリップチップ実装で要するほどの）精度を必要としなくなる。
【００４９】
　次に、本発明のさらに別の実施形態について図５を参照して説明する。図５は、本発明のさらに別の実施形態に係る半導体チップ内蔵配線板を製造する過程を示す模式的断面図である。図５において、すでに説明したものと同じものには同一符号を付してある。
【００５０】
　
まず、図５（ａ）に示すように、配線板素材６０上の配線パターン６２上の所定位置に半導体チップとの接続用のクリーム半田６５を例えばスクリーン印刷により付着させる。
【００５１】
　
次に、クリーム半田６５が付着された配線板素材６０上に、その付着位置に合致する位置の入出力端子を有する半導体チップ１３をフリップチップ実装する。この実装は、半導体チップ１３上に上記ですでに説明したような再配置による入出力端子があらかじめ設けられていれば、例えば通常の電子部品実装用のマウンタにより行なうことができる。
半導体チップ１３の実装のあと、クリーム半田６５を溶融、固化する（半田６５Ａ）。
【００５２】
　
次に、図５（ｃ）に示すような積層、一体化を行なう。すなわち、半導体チップ１３が実装された配線板素材６０の上に、半導体チップ１３に対応する位置にキャビティ８１ａを有する別の配線板素材を配置する。
【００５３】
　
図５（ｃ）に示す配置で積層方向に加圧かつ加熱して一体化することにより、図５（ｄ）に示す状態となる。
プリプレグ８１が熱により流動性を得て半導体チップ１３周りの空間が埋める。さらに、この一体化により、プリプレグ８１は、半硬化状態から完全に硬化した状態（硬化絶縁板８１Ａ）になる。
【００５４】
　
この実施形態では、
半導体チップ１３の入出力端子である金属バンプ１５と配線板側の配線パターン６２との接続が、より確実なものになる点で信頼性上好ましいものとなる。
　
（３）上記（２）の「まず、図５（ａ）に示すように、配線板素材６０上の配線パターン６２上の所定位置に半導体チップとの接続用のクリーム半田６５を例えばスクリーン印刷により付着させる。」（段落【００５０】）との記載並びに図５（ｂ）ないし（ｄ）からみて、配線パターン６２は、半導体チップ１３との接続部を有すると共に、該接続部は絶縁板６１と絶縁板７１及び硬化絶縁板８１Ａとに挟まれていることがわかる。
　
（４）上記（２）の「図５（ｃ）に示す配置で積層方向に加圧かつ加熱して一体化することにより、図５（ｄ）に示す状態となる。・・（略）・・プリプレグ８１が熱により流動性を得て半導体チップ１３周りの空間が埋める。さらに、この一体化により、プリプレグ８１は、半硬化状態から完全に硬化した状態（硬化絶縁板８１Ａ）になる。」（段落【００５３】）との記載並びに図５（ｃ）及び（ｄ）からみて、硬化絶縁板８１Ａの硬化前の状態であるプリプレグ８１は、半導体チップ１３と絶縁板６１との間の空間を埋めるように流動した後、硬化することがわかる。
　
　これらの記載事項、認定事項、及び図面の図示内容を総合し、本願発明の記載ぶりに則って整理すると、刊行物１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「絶縁板６１と、
　前記絶縁板６１に対して積層状に位置する絶縁板７１及び硬化絶縁板８１Ａと、
　前記硬化絶縁板８１Ａに埋められ、金属バンプ１５を備えた半導体チップ１３と、
　前記絶縁板６１と前記絶縁板７１及び前記硬化絶縁板８１Ａとに挟まれて設けられた、前記半導体チップ１３用の接続部を含む配線パターン６２と
　前記半導体チップ１３の前記金属バンプ１５と前記接続部とを接続する、溶融、固化された半田６５Ａと、を具備し、
　前記硬化絶縁板８１Ａが、前記半導体チップ１３と前記絶縁板６１との間への流動した部分を有して該半導体チップ１３と該絶縁板６１との間を埋めている　
　半導体チップ内蔵配線板。」
　
第３　対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、
　後者の「絶縁板６１」は前者の「第１の絶縁層」に相当し、以下同様に、
　「絶縁板７１」及び「硬化絶縁板８１Ａ」は「第２の絶縁層」に、
　「埋められ」は「埋設され」に、
　「金属バンプ１５」は「表面実装用端子」に、
　「半導体チップ１３」は「半導体素子」に、
　「接続部」は「実装用ランド」に、
　「配線パターン６２」は「配線パターン」に、
　「接続する、溶融、固化された半田６５Ａ」は「電気的、機械的に接続する、リフローされたはんだ」に、
　硬化絶縁板８１Ａが、半導体チップ１３と絶縁板６１との間への「流動した部分」を有して該半導体チップ１３と該絶縁板６１との間を「埋めている」ことは、第２の絶縁層が、半導体素子と第１の絶縁層との間への「延設部分」を有して該半導体素子と該第１の絶縁層との間を「満たして」いることに、
　「半導体チップ内蔵配線板」は「部品内蔵配線板」にそれぞれ相当する。
　
　したがって両者は、
「第１の絶縁層と、
　前記第１の絶縁層に対して積層状に位置する第２の絶縁層と、
　前記第２の絶縁層に埋設され、表面実装用端子を備えた半導体素子と、
　前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とに挟まれて設けられた、前記半導体素子用の実装用ランドを含む配線パターンと、
　前記半導体素子の前記表面実装用端子と前記実装用ランドとを電気的、機械的に接続する、リフローされたはんだと、を具備し、
　前記第２の絶縁層が、前記半導体素子と前記第１の絶縁層との間への延設部分を有して該半導体素子と該第１の絶縁層との間を満たしている
　部品内蔵配線板。」
　で一致し、次の点で相違する。
　
［相違点］
　本願発明では、半導体素子が、「端子パッドを有する半導体チップと、該端子パッドに再配線層を介して電気的接続された、グリッド状配列」であると共に「それぞれ個々に、円形の平面形状を有している」表面実装用端子を備えたものであるのに対し、
　引用発明１では、半導体チップ１３が、金属バンプ１５を備えたものである点。
　
第４　当審の判断
　上記相違点について検討する。
　前記「第２」の「（２）」で示した段落【００４５】ないし【００４８】並びに図４には、「本発明の各実施形態に係る半導体チップ内蔵配線板において部材として使用することができる半導体チップ」（段落【００４５】）を、パッド５１ａを有する半導体装置と、該パッド５１ａに再配線層５３を介して電気的接続された金属バンプ５５とを備えたものとすることが記載されている（以下「刊行物１に記載された事項」という。）。
　また、ベアチップの端子パッドに再配線層を介して電気的に接続された表面実装用端子を備えた半導体素子において、該表面実装用端子をグリッド状配列とすると共にそれぞれ個々に円形の平面形状を有したものとすることは周知技術である（例えば、特開２００２−２６１８１号公報（段落【００５０】ないし【００５４】並びに図１及び図２）、特開２００３−６８９３３号公報（段落【０００６】ないし【０００７】並びに図４参照。以下「周知技術」という。）
　そして、刊行物１に記載された事項及び周知技術は、半導体素子において、ベアチップの端子パッドに再配線層を介して電気的に接続された表面実装用端子を設けることで、該表面実装用端子の配置を粗くするものである点で共通する。
　そうすると、周知技術を踏まえつつ、引用発明に刊行物１に記載された事項を適用することで、引用発明における「半導体チップ１３」を、「端子パッドを有する半導体チップと、該端子パッドに再配線層を介して電気的接続された、グリッド状配列」であると共に「それぞれ個々に、円形の平面形状を有している」金属バンプ１５とを備えたものとすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
　また、本願発明が奏する効果は、引用発明、刊行物１に記載された事項、及び周知技術から、当業者が容易に予測できる範囲内のものであって、格別なものではない。
　
　したがって、本願発明は、引用発明、刊行物１に記載された事項、及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、刊行物１に記載された事項、及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願のその他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。