(57)【要約】【課題】より簡単な構造によってレーザチップの熱を外部へ充分に放出することのできる半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】半導体レーザ装置１０は、円形基準面１ａを有する放熱可能な円盤状ステム１と、ステム１にこれを貫通して基準面１ａから突出する状態に取り付けられ、ステム１と電気的に絶縁された２本のリード２と、ステム１の基準面１ａに設けられた、湾曲面（図１において太線で断面輪郭が示されている）および平坦面を有する蒲鉾状の放熱用ブロック３と、ブロック３の平坦面に搭載された長方形板状サブマウント４と、サブマウント４に搭載されたレーザチップ５とを備えてなる。ステム１およびブロック３は、ブロック３が外部放熱体１１の嵌合部１２に嵌合されたときに、ステム１の基準面１ａおよびブロック３の前記湾曲面の大部分が外部放熱体１１の特定の面および嵌合部１２に直接接触する。【選択図】図１
2007165722.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基準面を有する放熱可能なステムと、ステムにこれを貫通して基準面から突出する状態に取り付けられたリードと、ステムの基準面に設けられた放熱用ブロックと、ブロックに搭載されたサブマウントと、サブマウントに搭載されたレーザチップとを備え、専用の外部放熱体に嵌合されて放熱を図るものであり、ステムおよびブロックは、外部放熱体に嵌合されたときにこれらの一部が外部放熱体に直接接触するように構成されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
【請求項２】
ブロックの一部は、外部放熱体に設けられたブロック嵌合部の内周壁に直接、面状接触するように構成されている請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項３】
ブロックの一部は、外部放熱体に設けられたブロック嵌合部の内周壁に直接、線状接触するように構成されている請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項４】
ブロックの一部は、外部放熱体に設けられたキャップ付き半導体レーザ装置用キャップ嵌合部の内周壁に直接、面状接触するように構成されている請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項５】
ブロックの一部は、外部放熱体に設けられたキャップ付き半導体レーザ装置用キャップ嵌合部の内周壁に直接、線状接触するように構成されている請求項１に記載の半導体レーザ装置。
【請求項６】
ブロックにサブマウント搭載用凹部が設けられ、サブマウントは、ブロックのその凹部に施された蝋材によりその凹部に埋め込み状に搭載されている請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体レーザ装置。
【請求項７】
ブロックとサブマウントとは、これらにわたるように施された導電性蝋材により電気的に接続されている請求項６に記載の半導体レーザ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ装置に関し、さらに詳しくは、高出力を得るために従来よりも高い放熱性を必要とする半導体レーザ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の半導体レーザ装置としては、図７に示されたものが知られている。図７において、半導体レーザ装置１００は、円形基準面１０１ａを有する放熱可能な円盤状ステム１０１と、ステム１０１にこれを貫通して基準面１０１ａから突出する状態に取り付けられたリード１０２と、ステム１０１の基準面１０１ａに設けられた放熱用ブロック１０３と、ブロック１０３に搭載されたサブマウント１０４と、サブマウント１０４に搭載されたレーザチップ１０５と、ステム１０１の基準面１０１ａに取り付けられ、リード１０２の突出部分、ブロック１０３、サブマウント１０４およびレーザチップ１０５を覆うキャップ１０８とを備えてなる。半導体レーザ装置１００は、専用の外部放熱体２００の嵌合部２０１に嵌合されて放熱を図るものである。
【０００３】
リード１０２は、ステム１０１の基準面１０１ａを貫通し、低融点ガラスなどでステム１０１と電気的に絶縁された２〜３本（図７では２本）のリード１０２と、ステム１０１およびブロック１０３に電気的に接続された１本のリード１０２とからなっている。
【０００４】
ブロック１０３には、レーザチップ１０５の搭載されたサブマウント１０４が搭載されている。レーザチップ１０５は、Ａｕ線によりリード１０２に電気的に接続されている。Ａｕ線は、レーザチップ１０５の極性、サブマウント１０４の形状などにより、その配置がさまざまであるため、図示を省略している。また、ブロック１０３は、一体成型または銀蝋などで後付けにより形成されたものがある。
【０００５】
キャップ１０８は、ステム１０１の基準面１０１ａの周縁部における溶接部に抵抗溶接で取り付けられている。このキャップ１０８により、ブロック１０３、サブマウント１０４、レーザチップ１０５、リード１０２の突出部およびＡｕ線が保護されている。キャップ１０８に覆われていない基準面１０１ａの周縁部は、キャップ１０８の外周部とステム１０１の外周部とが外部放熱体２００の嵌合部２０１に嵌合されて、半導体レーザ光の回転位置調整をするときに必要になる。
【０００６】
この種の半導体レーザ装置としては他に、特許文献１および特許文献２に記載されたものもある。
【特許文献１】特開２００４−１５２８４５号公報
【特許文献２】特開２００４−４７８９０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年における市場要求の多角化（ハイパワー化、保証動作温度の高温化）により、半導体レーザ装置の放熱要求はいっそう厳しくなってきている。しかしながら、コストアップや最終製品の大型化や設計変更を伴う、従来の半導体レーザ装置における形状の変更(単純な置き換えが不可能なもの)は、市場に受け入れられにくい。
【０００８】
従来のキャップ付き半導体レーザ装置１００は、放熱のために、キャップ１０８の外周部とステム１０１の外周部とが外部放熱体２００の嵌合部２０１に嵌合される。しかしながら、発熱部（レーザチップ１０５）に近い内部放熱体であるブロック１０３は、キャップ１０８により覆われているため、熱容量の大きい外部放熱体２００に直接接触することができない。そこで、レーザチップ１０５からの熱は、外部放熱体２００の嵌合部２０１に嵌合したステム１０１の外周部を介して放出するようにしている。つまり、従来のキャップ付き半導体レーザ装置１００の放熱経路は次のとおりである。
【０００９】
レーザチップ１０５→サブマウント１０４→ブロック１０３→ステム１０１（→キャップ１０８）→外部放熱体２００
【００１０】
本発明は、このような実情に鑑みてなされたものであって、その課題は、より簡単な構造によってレーザチップの熱を外部へ充分に放出することのできる半導体レーザ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明によれば、基準面を有する放熱可能なステムと、ステムにこれを貫通して基準面から突出する状態に取り付けられたリードと、ステムの基準面に設けられた放熱用ブロックと、ブロックに搭載されたサブマウントと、サブマウントに搭載されたレーザチップとを備え、専用の外部放熱体に嵌合されて放熱を図るものであり、ステムおよびブロックは、外部放熱体に嵌合されたときにこれらの一部が外部放熱体に直接接触するように構成されていることを特徴とする半導体レーザ装置が提供される。
【００１２】
すなわち、本発明では、放熱の効率を向上させるために、従来の半導体レーザ装置からキャップを取り除き、放熱経路を次のようにしている。
【００１３】
レーザチップ→サブマウント→ブロック→ステム→外部放熱体
↓＿＿＿＿＿＿＿＿＿↑
【００１４】
このように、ブロックからステムおよび外部放熱体を介して放熱する経路に加えて、ブロックから直接、外部放熱体を介して放熱する経路を有するようにした本発明の半導体レーザ装置によれば、従来の半導体レーザ装置よりも放熱経路が短くなり、さらに外部放熱体との接触面積がいっそう拡大することで、より簡単な構造によってレーザチップの熱を外部へ充分に放出することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明による半導体レーザ装置にあっては、従来の半導体レーザ装置のキャップを省略することにより、放熱経路が従来よりも短くなり、さらに外部放熱体との接触面積がいっそう拡大するので、より簡単な構造によってレーザチップの熱を外部へ充分に放出することができる。また、ブロックの形状の自由度が大きくなり、熱容量の拡大や特殊形状の形成が可能になる。
【００１６】
本発明による半導体レーザ装置は、ブロックの一部が、外部放熱体に設けられたブロック嵌合部の内周壁に直接、面状接触するか線状接触するように構成されているのが好ましい。このように構成されていると、レーザチップの熱は、ブロック嵌合部の内周壁に直接、面状接触するか線状接触したブロックの一部から外部放熱体を介して外部へより迅速に放出することができる。
【００１７】
本発明による半導体レーザ装置は、ブロックの一部が、外部放熱体に設けられたキャップ付き半導体レーザ装置用キャップ嵌合部の内周壁に直接、面状接触するか線状接触するように構成されているのが好ましい。このように構成されていると、従来のキャップ付き半導体レーザ装置用キャップ嵌合部をその形状変更によることなく利用して、レーザチップの放熱を行うことができる。
【００１８】
本発明による半導体レーザ装置は、ブロックにサブマウント搭載用凹部が設けられ、サブマウントが、ブロックのその凹部に施された蝋材（例えば、Ａｇペーストなどの高放熱性樹脂やＡｕやＡｕＳｎなどの金属）によりその凹部に埋め込み状に搭載されるように構成されているのが好ましい。このように構成されていると、サブマウントをブロックのその凹部に埋め込んで蝋材を施すことにより、レーザチップが搭載されたサブマウントからブロックまでの放熱経路を、サブマウントの下面だけからサブマウントの下面および側面にまで拡大することができる。
【００１９】
この場合において、ブロックとサブマウントとは、これらにわたるように施された導電性蝋材により電気的に接続されるように構成されているのが好ましい。このように構成されていると、ブロックとサブマウントとの導通をとることが容易である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に、本発明におけるいくつかの実施の形態に係る半導体レーザ装置について、添付図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明はこれらの実施の形態によって限定されるものではない。また、以下の実施の形態において、共通する部材には同じ符号を用いて説明を行う。
【００２１】
〔実施の形態１〕
図１に、実施の形態１に係る半導体レーザ装置１０の全体図を示す。この半導体レーザ装置１０は、円形基準面１ａを有する放熱可能な円盤状ステム１と、ステム１にこれを貫通して基準面１ａから突出する状態に取り付けられ、低融点ガラスなどでステム１と電気的に絶縁された２本のリード２と、ステム１の基準面１ａに設けられた、湾曲面（図１において太線で断面輪郭が示されている）および平坦面を有する蒲鉾状の放熱用ブロック３と、ブロック３の平坦面に搭載された長方形板状サブマウント４と、サブマウント４に搭載されたレーザチップ５とを備えてなる。
【００２２】
半導体レーザ装置１０は、専用の外部放熱体１１の嵌合部１２に嵌合されて放熱を図るものである。このため、ステム１およびブロック３は、ブロック３が外部放熱体１１の嵌合部１２に嵌合されたときに、ステム１の基準面１ａおよびブロック３の前記湾曲面の大部分が外部放熱体１１の特定の面および嵌合部１２に直接接触するように構成されている。
【００２３】
すなわち、外部放熱体１１は、直方体の金属片からなっており、特定の面としての一面１１ａに開口する嵌合部１２を有している。外部放熱体１１の一面１１ａは、半導体レーザ装置１０が外部放熱体１１の嵌合部１２に嵌合されたときにステム１の基準面１ａが直接、面状接触する部分である。
【００２４】
嵌合部１２は、一面１１ａに開口する空洞部分であり、直線部分および円弧部分からなる略半円状の断面形状を有する第１嵌合部１２ａと、第１嵌合部１２ａの直線部分に連なる蒲鉾状の断面形状を有する第２嵌合部１２ｂとからなっている。
【００２５】
第１嵌合部１２ａは、その内周壁に、従来の半導体レーザ装置におけるキャップの外周部８ａの一部が直接、面状接触する部分である。第２嵌合部１２ｂは、その内周壁に、本発明の半導体レーザ装置１０におけるブロック３の前記湾曲面の大部分が直接、面状接触する部分である。なお、ブロック３の前記湾曲面と外部放熱体１１の嵌合部１２における第２嵌合部１２ｂとの位置決め・固定については、ブロック３の回転調整の余裕を持たせた形状の外部放熱体１１により行われる。このとき、ブロック３と第２嵌合部１２ｂとの回転調整用の隙間は、金属や高放熱性の樹脂ペーストで埋める。
【００２６】
半導体レーザ装置１０は、以上のように構成されているので、外部放熱体１１の嵌合部１２に嵌合されると、すなわち、リード２のうちステム１の基準面１ａから突出している部分、ブロック３、サブマウント４およびレーザチップ５が外部放熱体１１の嵌合部１２に挿入されると、ステム１の基準面１ａが外部放熱体１１の一面１１ａに直接、面状接触するとともに、ブロック３の前記湾曲面の大部分が外部放熱体１１の第２嵌合部１２ｂの内周壁に直接、面状接触する。
【００２７】
以上のように、半導体レーザ装置１０は、ブロック３からステム１および外部放熱体１１を介して放熱する経路に加えて、ブロック３の前記湾曲面から直接、外部放熱体１１を介して放熱する経路を有している。従って、半導体レーザ装置１０によれば、従来の半導体レーザ装置のキャップを省略することにより、放熱経路が従来よりも短くなり、さらに外部放熱体１１の嵌合部１２に嵌合されたときの接触面積がいっそう拡大するので、より簡単な構造でレーザチップ５の熱を外部へ充分に放出することができる。
【００２８】
〔実施の形態２〕
図２に、実施の形態２に係る半導体レーザ装置２０の全体図を示す。この半導体レーザ装置２０は、円形基準面１ａを有する放熱可能な円盤状ステム１と、２本のリード２と、ステム１の基準面１ａに設けられた、湾曲面（図２において太線で断面輪郭が示されている）および平坦面を有する蒲鉾状の放熱用ブロック２３と、ブロック２３の平坦面に搭載された長方形板状サブマウント４と、サブマウント４に搭載されたレーザチップ５とを備えてなる。
【００２９】
半導体レーザ装置２０は、実施の形態１に係る半導体レーザ装置１０の場合に類似した専用の外部放熱体（図示略）の嵌合部に嵌合されて放熱を図るものである。このため、ステム１およびブロック２３は、ブロック２３が外部放熱体の嵌合部に嵌合されたときにステム１の基準面１ａおよびブロック２３の湾曲面の全部が外部放熱体の特定の面および嵌合部１２にそれぞれ直接接触するように構成されている。
【００３０】
すなわち、外部放熱体は、直方体の金属片からなっており、特定の面としての一面に開口する嵌合部を有している。外部放熱体の前記一面は、半導体レーザ装置２０が外部放熱体の嵌合部に嵌合されたときにステム１の基準面１ａが直接、面状接触する部分である。
【００３１】
嵌合部は、前記一面に開口する、断面形状が円形の空洞部分である。嵌合部は、その内周壁の略半分に、従来の半導体レーザ装置におけるキャップの外周部８ａの一部が直接、面状接触する部分であるとともに、その内周壁の残りの略半分に、本発明の半導体レーザ装置２０におけるブロック２３の前記湾曲面の全部が直接、面状接触する部分である。
【００３２】
半導体レーザ装置２０は、以上のように構成されているので、外部放熱体の嵌合部に嵌合されると、すなわち、リード２のうちステム１の基準面１ａから突出している部分、ブロック２３、サブマウント４およびレーザチップ５が外部放熱体の嵌合部に挿入されると、ステム１の基準面１ａが外部放熱体の前記一面に直接、面状接触するとともに、ブロック２３の前記湾曲面の全部が外部放熱体の嵌合部の内周壁の略半分部分に直接、面状接触する。なお、ブロック２３の前記湾曲面と外部放熱体の嵌合部との位置決め・固定については、ブロック２３の回転調整の余裕を持たせた形状の外部放熱体により行われる。このとき、ブロック２３と嵌合部との回転調整用の隙間は、金属や高放熱性の樹脂ペーストで埋める。
【００３３】
以上のように、半導体レーザ装置２０は、ブロック２３からステム１および外部放熱体を介して放熱する経路に加えて、ブロック２３の前記湾曲面から直接、外部放熱体１１を介して放熱する経路を有している。従って、半導体レーザ装置２０によれば、従来の半導体レーザ装置のキャップを省略することにより、放熱経路が従来よりも短くなり、さらに外部放熱体の嵌合部に嵌合されたときの接触面積がいっそう拡大するので、より簡単な構造でレーザチップ５の熱を外部へ充分に放出することができる。また、外部放熱体の形状変更をすることなく、放熱やレーザ光の回転位置調整を行うことができる。
【００３４】
〔実施の形態３〕
図３に、実施の形態３に係る半導体レーザ装置３０の全体図を示す。この半導体レーザ装置３０は、円形基準面１ａを有する放熱可能な円盤状ステム１と、２本のリード２と、ステム１の基準面１ａに設けられた直方体状（図３において太線で断面輪郭が示されている）の放熱用ブロック３３と、ブロック３３の１つの平坦面に搭載された長方形板状サブマウント４と、サブマウント４に搭載されたレーザチップ５とを備えてなる。
【００３５】
半導体レーザ装置３０は、従来の半導体レーザ装置における専用の外部放熱体（図示略）の嵌合部に嵌合されて放熱を図るものである。このため、ステム１およびブロック３３は、ブロック３３が外部放熱体の嵌合部に嵌合されたときに、ステム１の基準面１ａおよびブロック３３の２つの稜が外部放熱体の特定の面および嵌合部１２にそれぞれ直接接触するように構成されている。
【００３６】
すなわち、外部放熱体は、直方体の金属片からなっており、特定の面としての一面に開口する嵌合部を有している。外部放熱体の前記一面は、半導体レーザ装置３０が外部放熱体の嵌合部に嵌合されたときにステム１の基準面１ａが直接、面状接触する部分である。
【００３７】
嵌合部は、前記一面に開口する空洞部分であり、円形の断面形状を有している。嵌合部は、その内周壁に、本発明の半導体レーザ装置３０における直方体状ブロック３３の２つの稜が直接、線状接触する部分である。なお、ブロック３３の前記２つの稜と外部放熱体の嵌合部との位置決め・固定については、ブロック３３の回転調整の余裕を持たせた形状の外部放熱体により行われる。このとき、ブロック３３と嵌合部との回転調整用の隙間は、金属や高放熱性の樹脂ペーストで埋める。
【００３８】
半導体レーザ装置３０は、以上のように構成されているので、外部放熱体の嵌合部に嵌合されると、すなわち、リード２のうちステム１の基準面１ａから突出している部分、ブロック３３、サブマウント４およびレーザチップ５が外部放熱体の嵌合部に挿入されると、ステム１の基準面１ａが外部放熱体の前記一面に直接、面状接触するとともに、ブロック３３の前記２つの稜が外部放熱体の嵌合部の内周壁に直接、線状接触する。
【００３９】
以上のように、半導体レーザ装置３０は、ブロック３３からステム１および外部放熱体を介して放熱する経路に加えて、ブロック３３の前記２つの稜から直接、外部放熱体１１を介して放熱する経路を有している。
【００４０】
従って、半導体レーザ装置３０によれば、従来の半導体レーザ装置のキャップを省略することにより、放熱経路が従来よりも短くなり、さらに外部放熱体の嵌合部に嵌合されたときの接触面積がいっそう拡大するので、より簡単な構造でレーザチップ５の熱を外部へ充分に放出することができる。また、外部放熱体の形状変更をすることなく、放熱やレーザ光の回転位置調整を行うことができる。さらに、ブロック３３の形状については、従来の半導体レーザ装置におけるキャップ１０８の外径１０８ａ（図７）に少なくとも１点の接触点を持たせることにより、レーザ光回転位置調整の基準点を設けることを特徴としている。ブロック３３の形状に自由度を持たせることにより、ステム１形成の容易化、安価化を可能とする。
【００４１】
〔実施の形態４〕
図４に、実施の形態４に係る半導体レーザ装置４０の全体図を示す。この半導体レーザ装置４０は、円形基準面１ａを有する放熱可能な円盤状ステム１と、２本のリード２と、ステム１の基準面１ａに設けられた長方形板状（図４において太線で断面輪郭が示されている）の放熱用ブロック４３と、ブロック４３の１つの平坦面に搭載された長方形板状サブマウント４と、サブマウント４に搭載されたレーザチップ５とを備えてなる。
【００４２】
この半導体レーザ装置４０は、専用の外部放熱体４０１の嵌合部４０２に嵌合されて放熱を図るものである。このため、ステム１およびブロック４３は、ブロック４３が外部放熱体４０１の嵌合部４０２に嵌合されたときに、ステム１の基準面１ａおよびブロック４３の２つの稜が外部放熱体４０１の特定の面および嵌合部４０２にそれぞれ直接接触するように構成されている。
【００４３】
すなわち、外部放熱体４０１は、直方体の金属片からなっており、特定の面としての一面４０１ａに開口する嵌合部４０２を有している。外部放熱体４０１の一面４０１ａは、半導体レーザ装置４０が外部放熱体４０１の嵌合部４０２に嵌合されたときにステム１の基準面１ａが直接、面状接触する部分である。
【００４４】
嵌合部４０２は、一面４０１ａに開口する空洞部分であり、略半円状の断面形状を有する第１嵌合部４０２ａと、第１嵌合部４０２ａに連なる略台形状の断面形状を有する第２嵌合部４０２ｂとからなっている。
【００４５】
第１嵌合部４０２ａは、その内周壁に、従来の半導体レーザ装置におけるキャップの外周部８ａの一部が直接、面状接触する部分である。第２嵌合部４０２ｂは、その内周壁に、本発明の半導体レーザ装置４０におけるブロック４３の前記２つの稜が直接、線状接触する部分である。なお、ブロック４３の前記２つの稜と外部放熱体４０１の嵌合部４０２における第２嵌合部４０２ｂとの位置決め・固定については、ブロック４３の回転調整の余裕を持たせた形状の外部放熱体４０１により行われる。このとき、ブロック４３と第２嵌合部４０２ｂとの回転調整用の隙間は、金属や高放熱性の樹脂ペーストで埋める。
【００４６】
ブロック４３は、実施の形態３に係る半導体レーザ装置３０のブロック３３に比べて厚さが薄くされている。換言すれば、ブロック４３は、ブロック３３に比べて、外部放熱体４０１までの距離Ｄがより短くなるように構成されている。
【００４７】
従って、半導体レーザ装置４０によれば、従来の半導体レーザ装置のキャップを省略することにより、放熱経路が従来よりも短くなり、さらに外部放熱体４０１の嵌合部４０２に嵌合されたときの接触面積がいっそう拡大するので、より簡単な構造でレーザチップ５の熱を外部へ充分に放出することができる。そのうえ、実施の形態３に係る半導体レーザ装置３０に比べて外部放熱体４０１までの距離Ｄがより短いので、放熱性をより高くすることができる。
【００４８】
〔実施の形態５〕
図５の上半部に、実施の形態５に係る半導体レーザ装置５０の全体図を示す。この半導体レーザ装置５０は、円形基準面１ａを有する放熱可能な円盤状ステム１と、２本のリード２と、ステム１の基準面１ａに設けられた、湾曲面および平坦面を有する蒲鉾状の放熱用ブロック５３と、ブロック５３の平坦面に設けられたサブマウント搭載用凹部５３ａに蝋材により埋め込み状に搭載された長方形板状サブマウント４と、サブマウント４に搭載されたレーザチップ５とを備えてなる。
【００４９】
半導体レーザ装置５０によれば、サブマウント４がブロック５３の凹部５３ａに埋め込み状に搭載されているので、レーザチップ５からの熱は、サブマウント４の下面を経るだけでなくサブマウント４の側面をも経てブロック５３へ伝達され、その後、ブロック５３の嵌合された外部放熱体（図示略）へ移ることができる。
【００５０】
半導体レーザ装置５０における他の部分の構成および作用・効果は、実施の形態２に係る半導体レーザ装置２０のそれらと実質的に同一である。
【００５１】
〔実施の形態６〕
図５の下半部に、実施の形態６に係る半導体レーザ装置６０の全体図を示す。この半導体レーザ装置６０は、円形基準面１ａを有する放熱可能な円盤状ステム１と、２本のリード２と、ステム１の基準面１ａに設けられた長方形板状の放熱用ブロック６３と、ブロック６３の平坦面に設けられたサブマウント搭載用凹部６３ａに蝋材により埋め込み状に搭載された長方形板状サブマウント４と、サブマウント４に搭載されたレーザチップ５とを備えてなる。
【００５２】
半導体レーザ装置６０によれば、サブマウント４がブロック６３の凹部６３ａに埋め込み状に搭載されているので、レーザチップ５からの熱は、サブマウント４の下面を経るだけでなくサブマウント４の側面をも経てブロック６３へ伝達され、その後、ブロック６３の嵌合された外部放熱体（図示略）へ移ることができる。
【００５３】
半導体レーザ装置６０における他の部分の構成および作用・効果は、実施の形態４に係る半導体レーザ装置４０のそれらと実質的に同一である。
【００５４】
〔実施の形態７〕
図６の上半部に、実施の形態７に係る半導体レーザ装置７０の全体図を示す。この半導体レーザ装置７０は、円形基準面１ａを有する放熱可能な円盤状ステム１と、２本のリード２と、ステム１の基準面１ａに設けられた、湾曲面および平坦面を有する蒲鉾状の放熱用ブロック５３と、ブロック５３の平坦面に設けられたサブマウント搭載用凹部５３ａに蝋材により埋め込み状に搭載された長方形板状サブマウント４と、サブマウント４に搭載されたレーザチップ５とを備えてなる。ブロック５３とサブマウント４とは、これらにわたるように施された導電性蝋材７１により電気的に接続されている。
【００５５】
半導体レーザ装置７０によれば、サブマウント４がブロック５３の凹部５３ａに埋め込み状に搭載されているので、レーザチップ５からの熱は、サブマウント４の下面を経るだけでなくサブマウント４の側面をも経てブロック５３へ伝達され、その後、ブロック５３の嵌合された外部放熱体（図示略）へ移ることができる。また、ブロック５３とサブマウント４との導通をとることが容易である。
【００５６】
半導体レーザ装置７０における他の作用・効果は、実施の形態５に係る半導体レーザ装置５０のそれらと実質的に同一である。
【００５７】
〔実施の形態８〕
図６の下半部に、実施の形態８に係る半導体レーザ装置８０の全体図を示す。この半導体レーザ装置８は、円形基準面１ａを有する放熱可能な円盤状ステム１と、２本のリード２と、ステム１の基準面１ａに設けられた長方形板状の放熱用ブロック６３と、ブロック６３の平坦面に設けられたサブマウント搭載用凹部６３ａに蝋材により埋め込み状に搭載された長方形板状サブマウント４と、サブマウント４に搭載されたレーザチップ５とを備えてなる。ブロック６３とサブマウント４とは、これらにわたるように施された導電性蝋材７１により電気的に接続されている。
【００５８】
半導体レーザ装置８０によれば、サブマウント４がブロック６３の凹部６３ａに埋め込み状に搭載されているので、レーザチップ５からの熱は、サブマウント４の下面を経るだけでなくサブマウント４の側面をも経てブロック６３へ伝達され、その後、ブロック６３の嵌合された外部放熱体（図示略）へ移ることができる。また、ブロック６３とサブマウント４との導通をとることが容易である。
【００５９】
半導体レーザ装置８０における他の作用・効果は、実施の形態６に係る半導体レーザ装置６０のそれらと実質的に同一である。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の実施形態１による半導体レーザ装置の全体構成を示す説明図である（図１（ａ）は側面図、図１（ｂ）は正面図、図１（ｃ）は外部放熱体の平面図）。
【図２】本発明の実施形態２による半導体レーザ装置の全体構成を示す説明図である（図２（ａ）は側面図、図２（ｂ）は正面図）。
【図３】本発明の実施形態３による半導体レーザ装置の全体構成を示す説明図である（図３（ａ）は側面図、図２（ｂ）は正面図）。
【図４】本発明の実施形態４による半導体レーザ装置の全体構成を示す説明図である（図４（ａ）は側面図、図４（ｂ）は正面図、図４（ｃ）は外部放熱体の平面図）。
【図５】本発明の実施形態５による半導体レーザ装置および本発明の実施形態６による半導体レーザ装置の全体構成を示す説明図である（図５（ａ）は側面図、図５（ｂ）は正面図）。
【図６】本発明の実施形態７による半導体レーザ装置および本発明の実施形態８による半導体レーザ装置の全体構成を示す説明図である（図６（ａ）は側面図、図６（ｂ）は正面図）。
【図７】従来の半導体レーザ装置の全体構成を示す説明図である（図７（ａ）は斜視図、図７（ｂ）は別の斜視図）。
【符号の説明】
【００６１】
１・・・ステム
１ａ・・基準面
２・・・リード
３・・・ブロック
４・・・サブマウント
５・・・レーザチップ
１０・・・半導体レーザ装置
１１・・・外部放熱体
１１ａ・・一面
１２・・・嵌合部
１２ａ・・第１嵌合部
１２ｂ・・第２嵌合部
２０・・・半導体レーザ装置
２３・・・ブロック
３０・・・半導体レーザ装置
３３・・・ブロック
４０・・・半導体レーザ装置
４３・・・ブロック
４０１・・外部放熱体
４０１ａ・一面
４０２・・嵌合部
４０２ａ・第１嵌合部
４０２ｂ・第２嵌合部
５０・・・半導体レーザ装置
５３・・・ブロック
５３ａ・・凹部
６０・・・半導体レーザ装置
６３・・・ブロック
６３ａ・・凹部
７０・・・半導体レーザ装置
７１・・・蝋材
８０・・・半導体レーザ装置
【図１】
2007165722.tif 000003
【図２】
2007165722.tif 000004
【図３】
2007165722.tif 000005
【図４】
2007165722.tif 000006
【図５】
2007165722.tif 000007
【図６】
2007165722.tif 000008
【図７】
2007165722.tif 000009