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　特願２００９−５４２０１４「カプセル化モジュール、その生成のための方法、およびその使用」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　７月　３日国際公開、ＷＯ２００８／０７７８２１、平成２２年　４月３０日国内公表、特表２０１０−５１４１８０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１９年１２月１４日（パリ条約に基づく優先権主張外国庁受理　平成１８年１２月２１日　平成１９年１２月１４日　ドイツ（ＤＥ））を国際出願日とする特許出願であって、平成２４年１０月１５日付け拒絶理由通知に対する応答時、平成２５年４月２３日付けで手続補正がなされたが、同年６月３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１０月１１日付けで拒絶査定不服審判の請求及び手続補正がなされた。
　その後、当審がした平成２６年７月１６日付け拒絶理由通知に対する応答時、平成２７年１月２２日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．当審の拒絶の理由
　当審において平成２６年７月１６日付けで通知した拒絶理由のうち「理由２」は、
「本件出願は、発明の詳細な説明の記載及び特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第４項第１号及び第６項第１号・第２号に規定する要件を満たしていない。」
というものであって、具体的には以下のような記載不備に関する指摘事項を含むものである。
　
（１）理由２（７）として
「請求項１４において、『少なくとも１つの半導体電極（３）が、電気的に伝導性の表面、および励起／ドライブ装置またはメッキスルーホール（２）、のいずれか一方として、設計されている・・』なる記載は意味不明であり、この請求項１４に係る発明は明確でない。特に、 
 (a)『電気的に伝導性の表面』、『励起／ドライブ装置』とは、カプセル化モジュールのどの部分を意味するのかが発明の詳細な説明を参照しても不明である。 
 (b)また、少なくとも１つの半導体電極（３）がメッキスルーホール（２）として設計されていることの技術的意味も不明瞭である。〔上記（６）で指摘したように、メッキスルーホール（２）と半導体電極（３）とは連続した（エッチング）プロセスで一体的に形成されることを意味するのか？〕」
 　 
（２）理由２（９）として
「請求項１８において、『・・共通の相互接続表面を有する、少なくとも１つの半導体電極（３）に対応するやり方で形成される・・』なる記載は意味不明である。〔例えばかかる記載を、『少なくとも１つの半導体電極（３）を相互に接続させるように形成され、』のように日本語として適切に理解し得るような記載（表現）とされたい。〕」
 　 
（３）理由２（11）として
「請求項２０において、『・・および半導体電極（３）、および円板状に形成された本体（２０）内に埋封される半導体相互接続（４）の少なくともいずれか１つと電気的に相互作用する・・』とあるが、かかる記載より前にも、引用する請求項１２にも『半導体電極（３）』や『半導体相互接続（４）』に関する記載はなく、したがって、これら『半導体電極（３）』及び『半導体相互接続（４）』なるものがそれぞれどのようなものであるのかも明らかでなく、この点おいて請求項２０に係る発明は明確なものでない。」
　
（４）理由２（14）として
「請求項２４において、『・・または１つまたはそれ以上のメッキスルーホール（２）、および半導体電極（３）、および半導体相互接続（４）の少なくともいずれか１つによって、少なくとも１つの追加の微小集成装置（Ｂ２）、および少なくとも１つの追加の微小集成装置、・・』とあるが、
 (a)かかる記載は意味不明瞭である。（下線を付した部分は重複しており、不要なのでは？　削除すべき。） 
 (b)さらに、上記（11）で指摘したのと同様、かかる記載より前にも、引用する請求項１２または１３にも『半導体電極（３）』や『半導体相互接続（４）』に関する記載はなく、したがって、これら『半導体電極（３）』及び『半導体相互接続（４）』なるものがそれぞれどのようなものであるのかも明らかでない。 
　よって、請求項２４に係る発明は明確なものでない。」
　
（５）理由２（16）として
「請求項２７において、
 (a)『センサハウジング、および少なくとも１ｚの電子部品、および少なくとも１つの微小集成装置（Ｂ、Ｂ１）内に配置された少なくとも１つの電子回路（Ｃ）の少なくともいずれか１つは、・・』なる記載は意味不明である。〔センサハウジングに関連する明細書の段落【００９６】の記載と、図２７〜図２９によれば、かかる記載は『センサハウジング（Ｄ）内に、円板状に形成された本体（２０）、少なくとも１つの微小集成装置（Ｂ、Ｂ１）、少なくとも１つの電子回路（Ｃ）が配置され、・・』のように記載されるべき。〕 
 (b)また、『電子回路（Ｃ）』なる用語と、『外部電子回路（Ｃ）』なる用語とが混在して用いられており、記載不明瞭である。 
 (c)さらに、上記（11）で指摘したのと同様、かかる記載より前にも、引用する請求項１２または１３にも『半導体電極（３）』や『半導体相互接続（４）』に関する記載はなく、したがって、これら『半導体電極（３）』及び『半導体相互接続（４）』なるものがそれぞれどのようなものであるのかも明らかでない。 
　よって、請求項２７に係る発明は明確なものでない。」
　
３．本願特許請求の範囲について
　当審の平成２６年７月１６日付け拒絶理由通知に対する応答時に提出された平成２７年１月２２日付け手続補正書に記載した特許請求の範囲は、次のとおりである。
「【請求項１】
　メッキスルーホール（２）は、エッチングプロセスによって、不純物添加シリコンからなる電気的に伝導的な半導体材料の
ブランク
半導体電極（３）を形づくる
　【請求項２】
　埋封材料（９）をもってメッキスルーホール（２）の埋封をする間、およびその後埋封材料を硬化する間、の少なくともいずれか一方で、埋封材料（９）は、メッキスルーホール（２）が埋封される
板形状の
　【請求項３】
　少なくとも１つのカプセル化モジュール（Ａ）の外部表面（７、８）が、少なくとも１つの導体材料（２３、２４）で覆われることを特徴とする請求項１または２記載の方法。
　【請求項４】
　電子的な、および機械的な、少なくともいずれか一方の手段は、少なくとも１つの微小集成装置（Ｂ、Ｂ１）、および少なくとも１つのさらなる微小モジュールの少なくともいずれか一方に対するカプセル化モジュール（Ａ）の正確に嵌合する接続のために、カプセル化モジュール（Ａ）の少なくとも１つの外部表面（７、８）上に適用されることを特徴とする請求項１または２に記載の方法。
　【請求項５】
　ガラスが、埋封材料（９）として使用され、かつ、このガラスが、メッキスルーホール（２）の上に
液化の
　【請求項６】
　少なくとも１つのトンネル（１３）が、少なくとも２つの、少なくとも１つの組立てプロセス、およびエッチングプロセスの少なくともいずれか一方によってカプセル化モジュール（Ａ）の対向する外部表面（７、８）間に生成されることを特徴とする請求項１または２記載の方法。
　【請求項７】
　少なくとも１つのトンネル（１３）が、少なくとも１つのメッキスルーホール（２）を除去することによって生成されることを特徴とする請求項６記載の方法。
　【請求項８】
　少なくとも１つの追加の微小集成装置（Ｂ、Ｂ１）が、カプセル化され、カプセル化モジュール（Ａ）によって、カプセル化モジュールの少なくとも１つの電気的なメッキスルーホール（２）が、エッチングプロセスによって除去され、それによって、その対応する微小集成装置（Ｂ、Ｂ１）の内部（１２、１６）内にカプセル化モジュール（Ａ）を介するトンネル（１３）が生じ、さらにその後に、前記トンネル（１３）を通って、ほぼ規定された圧力を備えた規定された媒体が、その対応する微小集成装置（Ｂ、Ｂ１）のそれぞれの内部（１２、１６）内に導入されることを特徴とする請求項１または２記載の方法。
　【請求項９】
　少なくとも１つの追加の微小集成装置（Ｂ、Ｂ１）は、カプセル化モジュール（Ａ）によって密封してカプセル化されることを特徴とする請求項８記載の方法。
　【請求項１０】
　少なくとも１つのトンネル（１３）は、続いて閉じられていることを特徴とする請求項８または９記載の方法。
　【請求項１１】
　埋封する材料を、前記少なくとも１つのトンネルに導入し、そして続いてトンネル内に導入されたこの材料を硬化することによって、少なくとも１つのトンネル（１３）を後に閉じることを実行することを特徴とする請求項１０記載の方法。
　【請求項１２】
　カプセル化モジュール（Ａ）は、電気的に絶縁する埋封する材料からなるほぼ
板形状
気伝
、板
る板
しさらに、電気伝導性の半導体材料からなる少なくとも１つの電極（３）は、埋封材料（９）からなる板形状に形成された本体（２０）の外部表面（７、８）のうちの１つとの境界を有し、さらに、板形状に形成された本体（２０）内に塚形状に延びるように形成され、かつ前記本体内のメッキスルーホール（２）に一体に連続して形成され
　【請求項１３】
　少なくとも１つの半導体電極（３）が、電気伝導性の表面
である微小読出装置のコンデンサプレート、および
の少なくともいずれか一方として、またはメッキスルーホール（２）
１２
　【請求項１４】
　円板状に形成された本体（２０）は、２つの外部ベース表面（７、８）間の少なくとも１つのトンネル（
１３
２記
　【請求項１５】
　前記モジュールが、外部表面（７、８）で、共通の相互接続表面を有する、少なくとも１つの半導体電極（３）に対応するやり方で形成される電気伝導性の半導体材料からなる少なくとも１つの相互接続（４）を有することを特徴とする請求項１
２記
　【請求項１６】
　円板状に形成された本体（２０）は、それは、追加の微小集成装置をカプセル化し、かつ、電気接続、および追加の微小集成装置の接点の少なくともいずれか一方は、電気的に伝導的に接続されるか、または、１つまたはそれ以上のメッキスルーホール（２）、および半導体電極（３）、および円板状に形成された本体（２０）内に埋封される半導体相互接続（４）の少なくともいずれか１つと電気的に相互作用するような方法で、少なくとも１つの追加の微小集成装置（Ｂ、Ｂ１）に接続されるか、の少なくともいずれか一方であることを特徴とする請求項１２記載のカプセル化モジュール。
　【請求項１７】
　少なくとも１つの追加の微小集成装置（Ｂ、Ｂ１）は
、板
１６
　【請求項１８】
　少なくとも１つの追加の微小集成装置（Ｂ、Ｂ１）は、円板状に形成された本体（２０）によって、少なくとも１つの集積回路（Ｃ）に機械的に接続されることを特徴とする請求項
１７
　【請求項１９】
　円板状に形成された本体（２０）は、機械的に、１つまたはそれ以上のメッキスルーホール（２）、および半導体電極（３）、および半導体相互接続（４）の少なくともいずれか１つによって、
さらに
よって
気伝
２記
　【請求項２０】
　少なくとも１つの集積回路（Ｃ）が
、板
１９
　【請求項２１】
　少なくとも１つの追加の微小集成装置（Ｂ、Ｂ１）、および少なくとも１つの追加の微小集成装置、および少なくとも１つの集積回路（Ｃ）の少なくともいずれか１つは、円板状に形成された本体（２０）の１つのベース表面（７、８）に機械的にか、または少なくとも１つのメッキスルーホール（２）、および半導体電極（３）、および半導体相互接続（４）の少なくともいずれか１つによって電
気伝
１９
２０
　【請求項２２】
　
センサハウジング（Ｄ）内に、板状に形成された本体（２０）、少なくとも１つの微小集成装置（Ｂ、Ｂ１）、少なくとも１つの集積回路（Ｃ）が配置され
集積
２記
　
４．当審の判断
（１）理由２（７）に関して
　上記「２．（１）」に記載したとおりの指摘に対して、請求人は平成２７年１月２２日付けの意見書において、
「請求項１４については、電気伝導性の表面として微小読出装置のコンデンサプレートを限定して明確化したもので、対応する実施例が、段落０００７、００３９に記載されています。」などと述べている。
　しかしながら、請求項１３（旧請求項１４）の「少なくとも１つの半導体電極（３）が、電気伝導性の表面である微小読出装置のコンデンサプレート、
および励起／ドライブ装置の少なくともいずれか一方として、またはメッキスルーホール（２）として
 (a)「励起／ドライブ装置」なるものがどのようなものであるのか発明の詳細な説明（特に段落【０００７】、【００３９】）を参照しても明らかでなく、
　さらに言えば、「半導体電極（３）」が、励起／ドライブ装置として設計されていることの技術的意味も不明である。
 (b)また、「半導体電極（３）」が、メッキスルーホール（２）として設計されていることの技術的意味も不明瞭である（特に、引用する請求項１２に記載のように、「半導体電極（３）」は「メッキスルーホール（２）」に一体的に連続して形成されるものであるが、このこととどのような技術的関係にあるのかが明らかでない。）。
　したがって、請求項１３に係る発明は明確なものでない。
　
（２）理由２（９）に関して
　上記「２．（２）」に記載したとおりの指摘に対して、請求人は請求項１５（旧請求項１８）について何ら
実質的な補正をすることなく
意見書においても何ら具体的に反論していない
　よって依然として、請求項１５における「・・共通の相互接続表面を有する、少なくとも１つの半導体電極（３）に対応するやり方で形成される・・」なる記載は意味不明瞭であり、この指摘事項についての記載不備は解消しておらず、請求項１５に係る発明は明確なものでない。
　
（３）理由２（11）に関して
　上記「２．（４）」に記載したとおりの指摘に対して、請求人は平成２７年１月２２日付けの意見書において、
「請求項２０については、補正して明確化した請求項１２の記載に基づけば明確であり、さらには、段落００４１、００７６−００７７、００８２−００８３、００８８の記載からも明確であると思料します。」などと述べている。
　しかしながら、確かに請求項１６（旧請求項２０）が引用する請求項１２には補正によって「半導体電極（３）」に関する記載がなされたが、「半導体相互接続（４）」に関する記載は何らなされておらず、依然として、この「半導体相互接続（４）」なるものがどのようなものであるのかが明らかでなく（なお、「半導体相互接続（４）」に関する記載は、上記「（２）理由２（９）に関して」で指摘するように依然として記載不備があるものの、請求項１２を引用する請求項１５において初めてなされ、当該請求項においてどのようなものであるのかの特定がされている）、請求項１６に係る発明は明確なものでない。
　
（４）理由２（14）に関して
　上記「２．（４）」に記載したとおりの指摘に対して、請求人は平成２７年１月２２日付けの意見書において、
「請求項２４については、下線部が重複していないかとのご指摘でありますが、重複ではありません。すなわち、前項の請求項２０の場合と同様に、補正して明確化した請求項１２の記載に基づけば明確であり、さらには、段落００４１、００７６−００７７、００８２−００８３、００８８の記載からも明確であると思料します。」などと述べている。
　しかしながら、請求項１９（旧請求項２４）の「・・本体（２０）は、機械的に、１つまたはそれ以上のメッキスルーホール（２）、および半導体電極（３）、および半導体相互接続（４）の少なくともいずれか１つによって、
さらに
よって、電気伝導的に接続される
 (a)「少なくとも１つの追加の微小集成装置（Ｂ２）」と「少なくとも１つの追加の微小集成装置」とについて、一方には符号（Ｂ２）が付されているものの、たとえ発明の詳細な説明を参照したとしても両者を区別することはできず、上記「・・さらに少なくとも１つの追加の微小集成装置（Ｂ２）、および少なくとも１つの追加の微小集成装置、および少なくとも１つの集積回路（Ｃ）の少なくともいずれか１つによって・・」なる記載は意味不明である。
 (b)また、上記「（３）理由２（11）に関して」で指摘したのと同様、依然として、この「半導体相互接続（４）」なるものがどのようなものであるのかが明らかでない。
 (c)さらに言えば、請求項１９について補正（特に、上記の下線を付した部分）がなされた結果、本体（２０）が、機械的に、さらに電気伝導的に何と接続されるものであるのかが不明であるとともに、本体（２０）が、「少なくとも１つの追加の微小集成装置」および「少なくとも１つの集積回路（Ｃ）」の少なくともいずれか１つによって何らかのものと電気伝導的に接続される（つまり、「少なくとも１つの追加の微小集成装置」や「少なくとも１つの集積回路（Ｃ）」が電気伝導的な接続手段の働きをする）ものであるかのように解され技術的みて意味不明である〔本体（２０）は、「少なくとも１つの追加の微小集成装置」および「少なくとも１つの集積回路（Ｃ）」の少なくともいずれか１つに（と）電気的かつ機械的に接続する手段を介して接続されるものであるはず。〕。
　したがって、請求項１９に係る発明は明確なものでない。
　
（５）理由２（16）に関して
 上記「２．（４）」に記載したとおりの指摘に対して、請求人は平成２７年１月２２日付けの意見書において、
「請求項２７については、同様に補正された請求項１２に基づくこととなったので明確であり、同様に、段落００４１、００７６−００７７、００８２−００８３、００８８の記載からも明確であると思料します。」などと述べている。
　しかしながら、上記「（３）理由２（11）に関して」で指摘したのと同様、依然として、この「半導体相互接続（４）」なるものがどのようなものであるのかが明らかでなく、この点において請求項２２（旧請求項２７）に係る発明は明確なものでない。
　
　よって、本件出願は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
　
５．むすび
　以上のとおり、本件出願は、特許請求の範囲の記載が特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないから、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。