(57)【要約】【課題】製造工程において危険有害性の高い材料を用いることなく、膜均一性の高いセラミックス膜前駆体組成物の製造方法を提供すること。【解決手段】金属の酢酸塩と、２−エチルヘキサン酸と、を混合し混合溶液を得る混合溶液調製工程（Ｓ１）と、前記混合溶液を酢酸の沸点以上２−エチルヘキサン酸の沸点未満の温度に加熱して、２−エチルヘキサン酸を配位子とする金属錯体を含む錯体溶液を得る加熱工程（Ｓ２）と、前記錯体溶液にプロピオン酸を添加するプロピオン酸添加工程（Ｓ３）と、を備えることによりセラミックス前駆体組成物を得る。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属の酢酸塩と、２−エチルヘキサン酸と、を混合し混合溶液を得る工程と、
前記混合溶液を酢酸の沸点以上２−エチルヘキサン酸の沸点未満の温度に加熱して、２−エチルヘキサン酸を配位子とする金属錯体を含む錯体溶液を得る工程と、
前記錯体溶液にプロピオン酸を添加する工程と、を備える
ことを特徴とするセラミックス膜前駆体組成物の製造方法。
【請求項２】
前記錯体溶液に、液体アルカンまたはエステルをさらに添加する
ことを特徴とする請求項１に記載のセラミックス膜前駆体組成物の製造方法。
【請求項３】
前記金属の酢酸塩が、酢酸バリウム、酢酸ストロンチウム、酢酸カルシウム、酢酸ビスマス、酢酸鉛、酢酸クロム、酢酸マンガン、酢酸鉄、酢酸コバルト、酢酸ニッケル、酢酸亜鉛、酢酸ランタン、酢酸セリウム、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸リチウムからなる群から選択される少なくとも１つである
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のセラミックス膜前駆体組成物の製造方法。
【請求項４】
前記温度が１気圧下で１１８〜２２７℃である
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のセラミックス膜前駆体組成物の製造方法。
【請求項５】
前記混合溶液に、酢酸をさらに添加することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のセラミックス膜前駆体組成物の製造方法。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載のセラミックス膜前駆体組成物の製造方法により製造された前駆体溶液を塗布し、焼成する工程を備える
ことを特徴とする圧電セラミックス膜の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミックス膜を作製するためのセラミックス膜前駆体組成物の製造方法及び圧電セラミックス膜の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
セラミックス膜を形成するための原料としては、有機金属化合物が用いられている。例えば、セラミックス膜は、有機金属化合物を含むセラミックス膜前駆体組成物を被対象物上に塗布した後、これを乾燥して焼成させることにより形成される。そして、セラミックス膜前駆体組成物等に好適に用いられる有機金属化合物として、２−エチルヘキサン酸を配位子とする金属錯体が挙げられる。
ここで、２−エチルヘキサン酸を配位子とした金属錯体について、例えば、バリウムの場合、バリウム原料として金属バリウムを使用し、２−メトキシエタノール及び２−エチルヘキサン酸中に添加して反応させることにより２−エチルヘキサン酸を配位子とするバリウム錯体溶液を得る方法が提案されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表平８−５０２９４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の方法では、腐食性や反応性が高い金属バリウムを原料として使用しており、また、危険有害性の高い２−メトキシエタノールを使用しているため、製造工程において環境汚染や作業者の安全性、健康被害等の問題があった。
本発明はこのような事情に鑑み、製造工程において危険有害性の高い材料を用いることなく、膜均一性の高いセラミックス膜前駆体組成物の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決する本発明の態様は、金属の酢酸塩と２−エチルヘキサン酸とを混合し混合溶液を得る工程と、前記混合溶液を酢酸の沸点以上２−エチルヘキサン酸の沸点未満の温度に加熱して、２−エチルヘキサン酸を配位子とする金属錯体を含む錯体溶液を得る工程と、前記錯体溶液にプロピオン酸を添加する工程と、を備えることを特徴とするセラミックス前駆体組成物の製造方法にある。
かかる態様では、製造工程において危険有害性の高い材料を用いることなく、膜均一性が良好なセラミックス膜前駆体組成物を容易に製造することができる。
【０００６】
本発明の実施態様としては、前記錯体溶液には、液体アルカンまたはエステルをさらに添加してセラミックス膜前駆体組成物とすると好ましい。
かかる態様では、適切な粘度を有するセラミックス前駆体組成物を得ることができる。
【０００７】
本発明の実施態様としては、前記金属の酢酸塩が、酢酸バリウム、酢酸ストロンチウム、酢酸カルシウム、酢酸ビスマス、酢酸鉛、酢酸クロム、酢酸マンガン、酢酸鉄、酢酸コバルト、酢酸ニッケル、酢酸亜鉛、酢酸ランタン、酢酸セリウム、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸リチウムからなる群から選択される少なくとも１つのものが挙げられる。
【０００８】
本発明の実施態様としては、前記温度が１気圧下で１１８〜２２７℃であるのが好ましい。
かかる態様では、２−エチルヘキサン酸を配位子とする金属錯体を含むセラミックス膜前駆体組成物をより容易に製造することができる。
【０００９】
本発明の実施態様としては、前記混合溶液に、酢酸をさらに添加することが好ましい。
かかる態様では、酢酸バリウムなど２−エチルヘキサン酸に溶解し難い酢酸塩も、酢酸には比較的容易に溶解することができる。
【００１０】
本発明の他の態様は、上記セラミックス膜前駆体組成物の製造方法により製造された前駆体溶液を塗布し、焼成する工程を備えることを特徴とする圧電セラミックス膜の製造方法にある。
かかる態様によれば、製造工程において危険有害性の高い材料を用いることなく、膜均一性が良好な圧電セラミックス膜を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態のセラミックス膜前駆体組成物の製造方法を示すフローチャート図。
【図２】実施形態の圧電セラミックス膜の製造方法を示すフローチャート図。
【図３】実施例１の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示すグラフ。
【図４】実施例１のＴＧ−ＤＴＡ測定結果を示すグラフ。
【図５】比較例１のＴＧ−ＤＴＡ測定結果を示すグラフ。
【図６】実施例２のＸＲＤ測定結果を示すグラフ。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１に、実施形態におけるセラミックス膜前駆体組成物の製造方法を表すフローチャート図を示した。
図１において、セラミックス膜前駆体組成物の製造方法は、金属の酢酸塩と、２−エチルヘキサン酸と、を含む混合溶液を調製する混合溶液調整工程としてのステップ１（Ｓ１）と、混合溶液を酢酸の沸点以上２−エチルヘキサン酸の沸点未満の温度に加熱して、２−エチルヘキサン酸を配位子とする金属錯体を含む錯体溶液を得る加熱工程としてのステップ２（Ｓ２）と、錯体溶液にプロピオン酸を添加するプロピオン酸添加工程としてのステップ３（Ｓ３）と、を備え、セラミックス膜前駆体組成物を得るものである。
【００１３】
具体的には、まず、混合溶液調製工程（Ｓ１）において、金属の酢酸塩と、２−エチルヘキサン酸と、を含む不均一系の混合溶液を調製する。金属の酢酸塩としては、例えば、酢酸バリウム、酢酸ストロンチウム、酢酸カルシウム、酢酸ビスマス、酢酸鉛、酢酸クロム、酢酸マンガン、酢酸鉄、酢酸コバルト、酢酸ニッケル、酢酸亜鉛、酢酸ランタン、酢酸セリウム、酢酸ナトリウム、酢酸カリウム、酢酸リチウムが挙げられ、これらは２種以上配合するようにしてもよい。
混合溶液調製工程（Ｓ１）では、酢酸を添加して、混合溶液が酢酸を含有するようにするのが好ましい。例えば、酢酸バリウムは、２−エチルヘキサン酸には溶解し難いが、酢酸には比較的溶けやすいためである。
【００１４】
次に、加熱工程（Ｓ２）において、混合溶液を酢酸の沸点以上、２−エチルヘキサン酸の沸点未満の温度に加熱する。これにより、配位子置換反応が進行し、２−エチルヘキサン酸を配位子とした金属錯体を含む錯体溶液を得ることができる。
１気圧下の酢酸の沸点は１１８℃、２−エチルヘキサン酸の沸点は２２７℃であるため、１気圧下の場合は１１８℃以上２２７℃未満に加熱すればよく、１５０〜２００℃に加熱するのが好ましい。１５０〜２００℃に加熱することにより、酢酸の揮発を促進させ、酢酸と２−エチルヘキサン酸の配位子置換反応を速やかに進行させることができる。実施形態では、混合溶液を１気圧下で２００℃に加熱した。
【００１５】
以下ではわかりやすくするため、酢酸バリウムを例として、２−エチルヘキサン酸との反応を説明する。
酢酸バリウム（Ｂａ（ＯＯＣＣＨ3）2）と２−エチルヘキサン酸（ＣＨ3（ＣＨ2）3ＣＨ（Ｃ2Ｈ5）ＣＯＯＨ）とを混合した場合、平衡反応である場合は、下記の２つの平衡が存在することになる。
【００１６】
【化１】
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したがって、上述した平衡は、下記式のような平衡反応とみなすことができる。
【００１７】
【化２】
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【００１８】
しかしながら、酢酸バリウムと２−エチルヘキサン酸とを混合した場合、酢酸バリウムは、２−エチルヘキサン酸への溶解度が低い。すなわち、実施形態で用いる混合溶液は、不均一系の混合溶液となっている。このような不均一系の混合溶液は、通常の加熱温度、例えば、４０〜８０℃程度に混合溶液を昇温させても、配位子置換反応はほとんど進行しない。なお、酢酸バリウムは、酢酸には溶解しやすいが、酢酸に溶解した場合においても、通常の加熱温度では配位子置換反応はほとんど進行しない。
【００１９】
本発明では、加熱工程（Ｓ２）において、混合溶液を酢酸の沸点以上２−エチルヘキサン酸の沸点未満の温度に加熱することにより、下記に示すように、酢酸が選択的に揮発して非平衡状態となり、２−エチルヘキサン酸バリウム等の２−エチルヘキサン酸を配位子とした金属錯体が生成する。
【００２０】
【化３】
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【００２１】
上述したように、実施形態の加熱工程（Ｓ２）では、混合溶液を高温に加熱することにより、生成する酢酸を除去して反応を進行させる、すなわち、酢酸を除去することにより、（Ｂａ（ＯＯＣ（Ｃ2Ｈ5）ＣＨ（ＣＨ2）3ＣＨ3）2）生成側へ反応を進行させている。なお、この配位子置換反応は、酢酸を除去していることで不可逆反応である。
また、混合溶液が酢酸バリウム以外の他の金属の酢酸塩（Ｍ（ＯＯＣＣＨ3）x）を含有する場合は、加熱工程（Ｓ２）において、他の金属でも同様の反応が進行して、２−エチルヘキサン酸を配位子とした金属錯体（Ｍ（ＯＯＣ（Ｃ2Ｈ5）ＣＨ（ＣＨ2）3ＣＨ3）x）が形成される。
【００２２】
【化４】
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【００２３】
なお、加熱工程（Ｓ２）では、実際には２−エチルヘキサン酸の揮発も起こるが、酢酸の揮発量と比較して非常に少ない。このため、混合溶液調製工程（Ｓ１）において、混合溶液が２−エチルヘキサン酸を十分量（具体的には、配位子として必要な量及び揮発量を考慮した量）含むように調製したり、加熱工程（Ｓ２）において２−エチルヘキサン酸の不足分を系中に添加したりすることにより、特に問題とはならない。
加熱工程（Ｓ２）により得られる錯体溶液は、２−エチルヘキサン酸を配位子とした金属錯体を含むものとなる。
【００２４】
さらに、プロピオン酸添加工程（Ｓ３）において、加熱工程（Ｓ２）により得られた錯体溶液に、プロピオン酸を添加する。
プロピオン酸を添加することにより、セラミックス膜前駆体組成物の濃度や粘度を調整し、膜厚が一定で膜均一性が良好なセラミックス膜を形成することができる。
【００２５】
濃度や粘度の調整としては、例えば、ｎ−オクタンや１−ブタノールなどを用いることができるが、ｎ−オクタンは沸点が低いため常温においても揮発し、濃度変調や塗布時に膜ムラなどの原因となる。また、１−ブタノールのようなアルコールの場合、加熱工程（Ｓ２）により得られる錯体溶液は２−エチルヘキサン酸を含むため、下記式のような酸とアルコールとのエステル化反応により、副生成物としてエステルと水が生成してしまう。
【００２６】
【化５】
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ここで生成する水の存在のため、アルコキシ基を有するような溶液と混合した場合、水と反応して加水分解を行い、酸化物、水酸化物などの沈殿が生じる。
【００２７】
一方、プロピオン酸は比較的沸点も高いため、常温における揮発も極僅かであり、膜均一性が良好なセラミックス膜を得ることができる。また、配位子として使用している２−エチルヘキサン酸と同様のカルボン酸であるため、アルコールを用いた場合のような反応も起こらない。さらに、極性を有するため、増粘剤としてしばしば使用される親水性高分子のような添加物も添加可能となる。
なお、上述した溶液に、液体アルカンまたはエステルなどをさらに添加して、セラミックス膜前駆体組成物の粘度を所望の値に調整することもできる。
【００２８】
上述したように、実施形態では、プロピオン酸と、２−エチルヘキサン酸と、を添加してセラミックス膜前駆体組成物としている。これにより、製造工程において、２−メトキシエタノールやトルエン等の危険有害性の高い溶媒を含まず、化学的に安定で且つ膜厚が一定で膜均一性が良好なセラミックス膜を形成することができるセラミックス膜前駆体組成物とすることができる。
【００２９】
上述したように、金属の酢酸塩と、２−エチルヘキサン酸と、を含む混合溶液を調製し、混合溶液を酢酸の沸点以上２−エチルヘキサン酸の沸点未満の温度に加熱することにより、製造工程において、危険有害性の高い材料、例えば、トルエンや２−メトキシエタノールを用いることなく、２−エチルヘキサン酸を配位子とする金属錯体を含むセラミックス膜前駆体組成物を容易に製造することができる。
【００３０】
さらに、実施形態では、プロピオン酸と、２−エチルヘキサン酸と、を添加してセラミックス膜前駆体組成物としている。これにより、製造工程において、２−メトキシエタノールやトルエン等の危険有害性の高い溶媒を含まず、化学的に安定で且つ膜厚が一定で膜均一性が良好なセラミックス膜を形成することができるセラミックス膜前駆体組成物とすることができる。
【００３１】
なお、実施形態におけるセラミックス膜前駆体組成物を用いて圧電セラミックス膜を製造する方法に特に限定されないが、ゾル−ゲル法やＭＯＤ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｄｅｃｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等の化学溶液法により製造することができる。
具体的には、セラミックス膜前駆体組成物を塗布乾燥し、さらに高温で焼成して結晶化することで金属酸化物からなるセラミックス膜を得ることができる。
【００３２】
図２に、実施形態における圧電セラミックス膜の製造方法を表すフローチャート図を示した。
詳述すると、例えば、圧電セラミックス膜の製造方法は、まず、セラミックス膜前駆体組成物を被対象物上にスピンコート法、ディップコート法、インクジェット法等で塗布しセラミックス膜前駆体膜を形成する塗布工程としてのステップ１（Ｓ１）を行なう。次いで、このセラミックス膜前駆体膜を所定温度（例えば１４０〜２００℃程度）に加熱して一定時間乾燥させる乾燥工程としてのステップ２（Ｓ２）を行なう。次に、乾燥したセラミックス膜前駆体膜を所定温度（例えば３００〜４００℃程度）に加熱して一定時間保持することによって脱脂する脱脂工程としてのステップ３（Ｓ３）を行なう。なお、ここで言う脱脂とは、セラミックス膜前駆体膜に含まれる有機成分を、例えば、ＮＯ2、ＣＯ2、Ｈ2Ｏ等として離脱させることである。
次に、セラミックス膜前駆体膜を所定温度（５５０〜８００℃、好ましくは、６００〜７５０℃程度）に加熱して一定時間保持することによって結晶化させ、例えば０．１〜２．０μｍのセラミックス膜を形成する焼成工程としてのステップ４（Ｓ４）を行なう。
【００３３】
なお、乾燥工程（Ｓ２）、脱脂工程（Ｓ３）及び焼成工程（Ｓ４）で用いられる加熱装置としては、例えば、赤外線ランプの照射により加熱するＲＴＡ（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）装置やホットプレート等が挙げられる。また、上記では一定時間所定温度に保持した状態で、乾燥・脱脂・焼成を行う方法を例示したが、昇温し続けてもよい。
また、セラミックス膜は、上述した塗布工程（Ｓ１）、乾燥工程（Ｓ２）及び脱脂工程（Ｓ３）や、塗布工程（Ｓ１）、乾燥工程（Ｓ２）、脱脂工程（Ｓ３）及び焼成工程（Ｓ４）を所望の膜厚等に応じて複数回繰り返すことにより、複数層のセラミックス膜からなるものとしてもよい。
【００３４】
セラミックス膜前駆体組成物から形成されるセラミックス膜としては、チタン酸バリウム系、鉄酸ビスマス系、チタン酸ビスマスナトリウム系、チタン酸鉛系、ニオブ酸カリウム系のペロブスカイト構造の複合酸化物が挙げられる。
【００３５】
チタン酸バリウム系としては、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3）、チタン酸バリウムストロンチウム（（Ｂａ，Ｓｒ）ＴｉＯ3）などがある。上述した複合酸化物に、例えば、Ｂｉ（Ｚｎ1/2Ｔｉ1/2）Ｏ3、（Ｂｉ1/2Ｎａ1/2）ＴｉＯ3、ＢｉＦｅＯ3、（Ｎａ，Ｋ）ＮｂＯ3、ＰｂＴｉＯ3を添加してもよい。
【００３６】
鉄酸ビスマス系としては、鉄酸ビスマス（ＢｉＦｅＯ3）、鉄酸マンガン酸チタン酸ビスマスバリウム（（Ｂｉ，Ｂａ）（Ｆｅ，Ｍｎ，Ｔｉ）Ｏ3）などがある。上述した複合酸化物に、例えば、ＢａＴｉＯ3、Ｂｉ（Ｚｎ1/2Ｔｉ1/2）Ｏ3、（Ｂｉ1/2Ｎａ1/2）ＴｉＯ3、（Ｎａ，Ｋ）ＮｂＯ3、ＰｂＴｉＯ3を添加してもよい。
【００３７】
チタン酸ビスマスナトリウム系としては、チタン酸ビスマスナトリウム（Ｂｉ1/2Ｎａ1/2）ＴｉＯ3）、チタン酸ビスマスカリウム（Ｂｉ1/2Ｋ1/2）ＴｉＯ3）などがある。上述した複合酸化物に、例えば、ＢａＴｉＯ3、Ｂｉ（Ｚｎ1/2Ｔｉ1/2）Ｏ3、ＢｉＦｅＯ3、（Ｎａ，Ｋ）ＮｂＯ3、ＰｂＴｉＯ3を添加してもよい。
【００３８】
チタン酸鉛系としては、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ3）、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ3）などがある。上述した複合酸化物に、例えば、ＢａＴｉＯ3、Ｂｉ（Ｚｎ1/2Ｔｉ1/2）Ｏ3、（Ｂｉ1/2Ｎａ1/2）ＴｉＯ3、ＢｉＦｅＯ3、（Ｎａ，Ｋ）ＮｂＯ3を添加してもよい。ニオブ酸カリウム系としては、ニオブ酸カリウム（ＫＮｂＯ3）、ニオブ酸ナトリウム（ＮａＮｂＯ3）、ニオブ酸ナトリウムカリウム（（Ｎａ，Ｋ）ＮｂＯ3）などがある。上述した複合酸化物に、例えば、ＢａＴｉＯ3、Ｂｉ（Ｚｎ1/2Ｔｉ1/2）Ｏ3、（Ｂｉ1/2Ｎａ1/2）ＴｉＯ3、ＢｉＦｅＯ3、ＰｂＴｉＯ3を添加してもよい。
【００３９】
以下、実施形態におけるセラミックス膜前駆体組成物の製造方法を実施例および比較例に基づいてさらに詳細に説明する。
（実施例１）
まず、酢酸バリウム１．２８ｇ（０．００５ｍｏｌ）、及び酢酸１０ｍｌをビーカーに加えた。酢酸バリウムを酢酸に溶解後、２−エチルヘキサン酸１０ｍｌを添加し、２００℃のホットプレート上で約３０分間加熱攪拌して、錯体溶液を得た。この錯体溶液に、プロピオン酸を１０ｍｌ加えることで、実施例１のセラミックス膜前駆体組成物を製造した。
【００４０】
（比較例１）
実施例１と同様に、酢酸バリウム１．２８ｇ（０．００５ｍｏｌ）、及び酢酸１０ｍｌをビーカーに加えた。酢酸バリウムを酢酸に溶解後、２−エチルヘキサン酸１０ｍｌを添加し、２００℃のホットプレート上で約３０分間加熱攪拌して、錯体溶液を得た。この錯体溶液に、ｎ−オクタン１０ｍｌ加えることで、実施例１のプロピオン酸をｎ−オクタンに変更した比較例１のセラミックス膜前駆体組成物を製造した。
【００４１】
実施例１と比較例１とを、以下に示す試験例によって比較した。
（試験例１）
Ｖａｒｉａｎ社製『Ｖａｒｉａｎ／５００ＮＢ』を使用し、室温にて実施例１で得られたセラミックス膜前駆体組成物の1Ｈ−ＮＭＲ測定を行った。
図３に実施例１のセラミックス膜前駆体組成物の1Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。図３に示すように、酢酸に帰属されるピークは観測されず、酢酸と２−エチルヘキサン酸の配位子置換、及び酢酸の揮発は十分に進行していることがわかった。
【００４２】
（試験例２）
ブルカー社製『ＴＧ−ＤＴＡ  ２０００ＳＡ』を使用し、実施例１及び比較例１のセラミックス膜前駆体組成物の室温から５００℃までのＴＧ−ＤＴＡ測定を行なった。図４に実施例１のセラミックス膜前駆体組成物のＴＧ−ＤＴＡ測定結果を示す。また、図５に比較例１のセラミックス膜前駆体組成物のＴＧ−ＤＴＡ測定結果を示す。
図４より、プロピオン酸を添加したセラミックス膜前駆体組成物では、溶媒の揮発に伴う峻な重量減少は４５℃程度から始まっているのがわかる。これに対し、図５に示すように、ｎ−オクタンを添加したセラミックス膜前駆体組成物では、測定を開始した室温からすでに溶媒の揮発に伴うより急峻な重量減少が起こっているのがわかった。
【００４３】
以下、実施形態における圧電セラミックス膜及びその製造方法を実施例に基づいてさらに詳細に説明する。
（実施例２）
実施例１で得られたセラミックス膜前駆体組成物と、チタン化合物（具体的には、２・エチルヘキサン酸チタン）を含むセラミックス膜前駆体組成物と、を、バリウムとチタンとのモル比が１：１となるように混合し、基板上にスピンコート法により圧電セラミックス膜を形成した。基板としては、サイズが一辺２．５ｃｍでプラチナ被覆シリコン基板、具体的には、Ｐｔ／ＴｉＯx／ＳｉＯ2／Ｓｉを使用した。
【００４４】
まず、塗布工程（Ｓ１）として、前駆体溶液としてのセラミックス膜前駆体組成物を基板上に滴下し、１５００ｒｐｍで基板を回転させて圧電セラミックス膜前駆体膜を形成した。
次に、乾燥工程（Ｓ２）及び脱脂工程（Ｓ３）として、ホットプレート上に基板を置き、１８０℃で２分間加熱した後、３５０℃で３分間加熱した。この工程を３回繰り返した。
焼成工程（Ｓ４）として、Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅｌ（ＲＴＡ）を使用し、８００℃で５分間焼成して結晶化させた。これにより、計３層からなる厚さ約１５０〜４００ｎｍの実施例２の圧電セラミックス膜を形成した。
【００４５】
実施例２を、以下に示す試験例によって比較した。
（試験例３）
ブルッカ社製『Ｄ８  Ｄｉｓｃｏｖｅｒ』を用い、Ｘ線源にＣｕＫα線を使用したＸ線回折（Ｘ―ｒａｙ  ｄｉｆｆｒａｃｔｉｏｎ：ＸＲＤ）により、室温で実施例２の圧電セラミックス膜のＸ線回折チャートを求めた。結果を図６に示す。
図６に示すように、実施例２の圧電セラミックス膜においてペロブスカイト構造単相のチタン酸バリウムの回折ピーク（２θで２２、３２、４６付近に現れるピーク）が得られ、チタン酸バリウムが形成されていることが明らかとなった。
以上のことから、実施例１のセラミックス膜前駆体組成物は、チタン酸バリウム薄膜形成に適した組成物であることがわかった。
【００４６】
（他の実施形態）
本発明のセラミックス膜前駆体組成物の製造方法により製造されるセラミックス膜前駆体組成物は、強誘電体デバイス、焦電体デバイス、圧電体デバイス、及び光学フィルターの強誘電体薄膜を形成するのに好適に用いることができる。
強誘電体デバイスとしては、強誘電体メモリー（ＦｅＲＡＭ）等が挙げられ、焦電体デバイスとしては、温度センサー、赤外線検出器、温度−電気変換器等が挙げられる。圧電体デバイスとしては、液体吐出装置、超音波モーター、加速度センサー、圧力−電気変換器等が挙げられ、光学フィルターとしては、赤外線等の有害光線の遮断フィルター、量子ドット形成によるフォトニック結晶効果を使用した光学フィルター、薄膜の光干渉を利用した光学フィルターが挙げられる。
また、本発明の金属錯体の製造方法により形成される金属錯体は、上述したようなセラミックス膜を形成することができるセラミックス膜前駆体組成物の原料として好適なものであるが、例えば、ガラス、金属皮膜等を形成するための原料としても好適に用いることができるものである。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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