【事件の表示】
　平成７年特許願第１２１８５号「半導体圧力センサ」拒絶査定に対する審判事件［平成８年８月９日出願公開、特開平８−２０１１９８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成７年１月３０日に特許出願されたものであり、平成１２年７月３１日付けで拒絶査定がされ、同年８月８日に発送されたところ、同年９月７日に拒絶査定に対する審判が請求され、同年１０月４日に同日付けの手続補正書が提出されたものである。
　
２　平成１２年１０月４日付けの手続補正についての補正却下の決定
（１）補正却下の決定の結論
　平成１２年１０月４日付けの手続補正を却下する。
（２）理由
　　ア　補正後の発明
　上記補正は、本願特許請求の範囲を次のとおり補正するものであり、「溝」について「その深さが５０ミクロン乃至３００ミクロン」との限定を付加し、特許請求の範囲を限定的に減縮するものである。
「【請求項１】ダイヤフラムを略中央に備え、そのダイヤフラムの下部に空洞部が形成された半導体圧力センサチップが、ボディの上部に形成された凹状のチップ収納部の底面に形成された、圧力導入孔の内側開口を塞ぐように、その周縁部で前記ボディに接着固定された半導体圧力センサであって、前記空洞部の側壁は前記ダイヤフラムの周縁から外向き斜め下方へと伸びる傾斜を有しており、該側壁の下方の範囲内において、前記チップ収納部の底面に、その深さが５０ミクロン乃至３００ミクロンの溝が形成されていることを特徴とする半導体圧力センサ。」
　　イ　特願平５−１７３４４７号（以下「先願」という。）の出願当初の明細書又は図面に記載された発明（以下「先願発明」という。）
　原査定の拒絶の理由に引用された先願（平成５年７月１３日出願、平成７年１月３１日出願公開。特開平７−２７６３９号公報参照。）の出願当初の明細書には、図面とともに、「【０００１】【産業上の利用分野】この発明は、自動車、航空機、家電製品等に用いられ、特性のバラツキを小さく一定に保つことができる複数対のピエゾ抵抗素子を用いた半導体圧力センサに関するものである。」、「【０００２】【従来の技術】従来、自動車、航空機、家電製品等においては、様々な圧力センサが用いられている。図５は、これらの圧力センサの一例である半導体圧力センサ１を示すもので、ピエゾ抵抗を感圧部としたセンサチップ２と、該センサチップ２が接合されたモールド部３とから構成されている。センサチップ２は、ｎ型シリコン（Ｓｉ）基板（半導体基板）４の中央部に異方性エッチング等により薄肉のダイアフラム部（弾性部）５が形成され、このダイアフラム部５の表面５ａの中央部にはホウ素（Ｂ）等の不純物を拡散させることにより複数のピエゾ抵抗６、６が互いに平行になる様に形成され、同周辺部には複数のピエゾ抵抗７、７が中央部に対して互いに対称の位置になる様に上述の不純物拡散により形成されている。一方、モールド部３は、例えば、エポキシ等の熱硬化型樹脂をモールド成形したもので、樹脂本体１０の中央部にセンサチップ２を接合するための接合面１１が形成され、該接合面１１の中央部には垂直下方に延在する圧力導入口１２が形成され、前記接合面１１にはボンディング用樹脂１３により前記センサチップ２が接合されている。・・・【０００３】この半導体圧力センサ１においては、ダイアフラム部５に圧力が加わると、このダイアフラム部５が圧力に応じて弾性的に変位し、中央部のピエゾ抵抗６、６に圧縮応力が、また周辺部のピエゾ抵抗７、７に引張応力が発生することとなり、したがって、ピエゾ抵抗６、６は抵抗値が減少し、ピエゾ抵抗７、７は抵抗値が増大する。これらのピエゾ抵抗６、６、７、７によりブリッジ回路を形成して電流駆動することにより、圧力の大きさに比例した電圧出力を得ることができる。この半導体圧力センサ１は、格子欠陥が極めて少ないシリコン結晶基板を用いているために理想的なダイアフラムが得られ、半導体プロセス技術をそのまま転用することができ、ヒステリシス、クリープ、疲労等がなく、構造が簡単で、電圧感度が極めて大きく、簡単に増幅可能等、使い勝手の面においても非常に優れている等の優れた特徴を有することから、自動車、家電製品、その他様々な分野で広く用いられている圧力センサである。」、「【０００４】【発明が解決しようとする課題】ところで、従来の半導体圧力センサ１においては、ダイアフラム部５と接合面１１との間隔が数百μｍと狭いために、ボンディング用樹脂１３を用いて接合面１１にセンサチップ２を接合した場合、ボンディング用樹脂１３の量やセンサチップ２を接合する位置のずれ等により、図６に示すように、ボンディング用樹脂１３がダイアフラム部５に回り込み、センサ特性に悪影響を及ぼす虞れがあるという問題点があった。【０００５】本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、ボンディング用樹脂等を用いてセンサチップをモールド部に接合する���合に、ボンディング用樹脂等がダイアフラム部に回り込むのを防止することができる半導体圧力センサを提供する・・・。」、「【００１４】【実施例】以下、本発明の各実施例の半導体圧力センサについて図面に基づき説明する。（実施例１）図１は、本発明の実施例１の半導体圧力センサ２１を示す正断面図である。この半導体圧力センサ２１は、従来の半導体圧力センサ１のモールド部３を改良したもので、この改良したモールド部２２以外の構成要素については従来のものと同様であり説明を省略する。」、「【００１７】（実施例２）図２は、本発明の実施例２の半導体圧力センサ３１を示す正断面図である。この半導体圧力センサ３１は、そのモールド部３２の構成が実施例１のモールド部２２の構成と異なるもので、このモールド部３２以外の構成要素については上記実施例１のものと全く同様である。このモールド部３２は、接合面１１に、前記センサチップ２とモールド部３２との接合部の内周３３に沿って溝３４が形成されたものである。この溝３４は、モールド成形時に同時に成形することができるので、工程が増加する等の不都合が生じない。【００１８】この半導体圧力センサ３１においては、接合面１１に、センサチップ２とモールド部３２との接合部の内周３３に沿って溝３４を形成したことにより、該接合部の内周３３においては、ダイアフラム部５と溝３４の底面３４ａとの間隔が従来のものよりも広がる。したがって、ボンディング用樹脂１３を用いて接合面１１にセンサチップ２を接合した場合、ボンディング用樹脂１３の量やセンサチップ２を接合する位置のずれ等に無関係に、過剰のボンディング用樹脂１３がダイアフラム部５に回り込むことなく溝３４に落ち込むこととなる。よって、該ボンディング用樹脂１３がダイアフラム部５に回り込む虞れがなくなる。【００１９】本実施例の半導体圧力センサ３１によれば、接合面１１に、センサチップ２とモールド部３２との接合部の内周３３に沿って溝３４を形成したので、ボンディング用樹脂１３を用いて接合面１１にセンサチップ２を接合した場合に、過剰のボンディング用樹脂１３を溝３４に落し込むことができ、該ボンディング用樹脂１３がダイアフラム部５に回り込むことを防止することができ、したがって、センサ特性に悪影響を及ぼす虞れがなくなり、感度の低下を防止することができる。」、「【００２７】【発明の効果】・・・【００２８】また、請求項２記載の半導体圧力センサによれば、半導体基板の中央部を薄肉化してなるダイアフラム部と、該ダイアフラム部の上面側に形成された複数対のピエゾ抵抗とを有するセンサチップと、該センサチップを接合する接合面を有するモールド部とを備えた半導体圧力センサにおいて、前記接合面の前記センサチップとモールド部との接合部の内側に溝を形成したので、ボンディング用樹脂を用いて前記接合面にセンサチップを接合した場合に、過剰のボンディング用樹脂を前記溝に落し込むことができ、該ボンディング用樹脂がダイアフラム部に回り込むことを防止することができ、したがって、センサ特性に悪影響を及ぼす虞れがなくなり、感度の低下を防止することができる。」との記載がされ、特に図２には実施例２の半導体圧力センサの正断面図が示されて���る。
　　ウ　対比・判断
　上記補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）と先願発明とを対比すると、先願発明の「ダイアフラム部５」、「センサチップ２」、「モールド部３２」、「圧力導入口１２」、「溝３４」は、それぞれ本願補正発明の「ダイヤフラム」、「半導体圧力センサチップ」、「ボディ」、「圧力導入孔」、「溝」に相当するから、両者は、「ダイヤフラムを略中央に備え、そのダイヤフラムの下部に空洞部が形成された半導体圧力センサチップが、ボディの上部に形成された凹状のチップ収納部の底面に形成された、圧力導入孔の内側開口を塞ぐように、その周縁部で前記ボディに接着固定された半導体圧力センサであって、前記空洞部の側壁は前記ダイヤフラムの周縁から外向き斜め下方へと伸びる傾斜を有しており」、「該側壁の下方の範囲内において、前記チップ収納部の底面に」、「溝が形成」されている「半導体圧力センサ」である点で一致し、本願補正発明では溝の深さが「５０ミクロン乃至３００ミクロン」との限定がされている点で一応の相違点が認められる。
　上記一応の相違点について検討する。
　本願明細書には、「【００１２】・・・溝２ｆの断面形状は、方形、三角形等があるが特に限定されるものではない。また、例えば、接着剤３の厚みを約１０〜６０μｍとすると、断面方形状の溝２ｆの深さを、約５０μｍ〜３００μｍ程度にし、溝２ｆの幅を、数１００μｍ程度にすれば良いが限定されるものではない。さらに、溝を複数形成するようにしてもよい。」、「【００１４】【発明の効果】以上に説明したように、本発明の半導体圧力センサによれば、半導体圧力センサチップの、空洞部の側壁またはダイヤフラムへの接着剤の付着を防止することができるため、半導体圧力センサのオフセット電圧の温度依存性を小さくすることができる。【００１５】さらに、本発明の半導体圧力センサによれば、溝を形成したことにより、圧力導入孔への接着剤の侵入を防止することができるので、圧力導入孔の詰まりによる、応答感度の低下または応答不能を防止することができる。」との記載がされている。これによれば、溝の深さを「約５０μｍ〜３００μｍ程度」とすることは単なる一例であって、このような溝の深さによって新たな格別の効果を奏するものではない。空洞部の側壁またはダイヤフラムへの接着剤の付着を防止することができるため、半導体圧力センサのオフセット電圧の温度依存性を小さくすることができ、圧力導入孔への接着剤の侵入を防止することができるので、圧力導入孔の詰まりによる、応答感度の低下または応答不能を防止することができるという本願補正発明の作用、効果は、先願発明の奏する作用、効果と異なるものではないから、上記一応の相違点は課題解決のための具体化手段における微差にすぎず、この点が実質的な相違点であるということはできない。
　そうすると、本願補正発明は、先願発明と実質的に同一であり、しかも、先願の発明者が本願の発明者と同一ではなく、本願の出願の時に本願の出願人と先願の出願人とが同一の者でもないから、特許法２９条の２の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　なお、請求人は、本願補正発明における溝は、接着に寄与しない余剰分の接着剤を略完全に捕捉、収容し、効果を奏するに必要かつ十分な溝の深さ等の寸法レベルを特定した点において顕著に相違するものであり、溝の深さが必要以上に深い場合は相対的にボディの強度を弱める等の弊害を生じ、また、圧力センサの基本特性発揮の障害に繋がる不要な空間を残すことになると主張する。
　しかしながら、本願補正発明では溝の深さのみについての限定はされているが、接着剤の量、溝の幅、ボディの厚さ、幅等についての限定は何らされておらず、本願補正発明が接着に寄与しない余剰分の接着剤を略完全に捕捉、収容し、ボディの強度を弱めず、基本特性発揮の障害に繋がる不要な空間を残さないものであるということはできない。したがって、請求人の主張には十分な根拠が認められない。
　　エ　補正却下の決定についてのむすび
　以上のとおりであるから、上記手続補正は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）による改正前の特許法１７条の２第４項で準用する同法１２６条３項の規定に違反するものであり、同法１５９条１項で準用する同法５３条の規定により却下されるべきものである。
　
３　本願発明について
（１）平成１２年１０月４日付けの手続補正は上記のとおり却下したので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成１２年７月７日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
「【請求項１】ダイヤフラムを略中央に備え、そのダイヤフラムの下部に空洞部が形成された半導体圧力センサチップが、ボディの上部に形成された凹状のチップ収納部の底面に形成された、圧力導入孔の内側開口を塞ぐように、その周縁部で前記ボディに接着固定された半導体圧力センサであって、前記空洞部の側壁は前記ダイヤフラムの周縁から外向き斜め下方へと伸びる傾斜を有しており、該側壁の下方の範囲内において、前記チップ収納部の底面に、溝が形成されていることを特徴とする半導体圧力センサ。」
（２）原査定の拒絶の理由に引用された先願の出願当初の明細書又は図面に記載された先願発明は、上記のとおりである。
（３）対比・判断
　本願発明は、本願補正発明から「溝」の限定事項である「その深さが５０ミクロン乃至３００ミクロン」との点を省いたものである。
　そうすると、本願発明は、本願補正発明について記載した理由と同様の理由により、先願発明と同一であるということができる。
（４）むすび
　以上のとおり、本願発明は、先願発明と同一であり、しかも、先願の発明者が本願の発明者と同一ではなく、本願の出願の時に本願の出願人と先願の出願人とが同一の者でもないから、特許法２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。