【事件の表示】
　平成２年特許願第１９４５４４号「半導体レーザ」拒絶査定に対する審判事件［平成４年３月１２日出願公開、特開平４−７９３９０］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
 
【1】手続の経緯・本願発明
　本願は平成2年7月23日に出願されたものであり、本願の請求項1、2に係る発明は、平成11年5月12日付け手続補正書にて補正された明細書の特許請求の範囲に記載されたとおりのものであり、その請求項1に係る発明(以下、「本願発明」という。)は以下のとおりである。なお、平成12年12月25日付けでされた手続補正及び平成13年11月27日付けでされた手続補正については、平成5年法律第26号による改正前の特許法第53条第1項による補正の却下が確定している。
　「【請求項1】 活性層を、これよりも禁制帯幅の大きいクラッド層ではさんだダブルヘテロ構造を有し、前記クラッド層のうちの一方のクラッド層がリッジストライプ形状をなし、前記リッジストライプを形成するクラッド層を互いに屈折率が異なる2層から構成し、この2層のクラッド層のうち前記活性層に近い方に屈折率の小さい方のクラッド層を設け、前記リッジストライプ上面に、前記リッジストライプを成すクラッド層と同じ導電性の半導体層を備え、リッジストライプ両側および発光端面近傍のリッジストライプの上部に、前記リッジストライプを成すクラッド層とは逆の導電性の電流ブロック層を備え、さらに前記半導体層及び電流ブロック層上にコンタクト層を設けたことを特徴とする半導体レーザ。」
　本願の特許請求の範囲の請求項1の記載において、「プロック」とあるのは、本来、「ブロック」とすべき明白な誤記であるので、本願発明を上記のとおり認定した。
　
【2】引用例
　これに対して、原査定の拒絶理由通知で引用した、引用例1:特開平2-159783号公報、引用例2: Electronics Letters Vol.23 No.18 (1987) PP.938-939には、以下の事項が記載されている。
　
【2-1】引用例1: 特開平2-159783号公報
　
特許請求の範囲(2)
　「(2)活性層をクラッド層で挟み且つ上側のp 型クラッド層にストライプ状のリッジを有するダブルヘテロ構造部と、前記リッジの側面及びレーザ光の出射端面部上の前記リッジ上に形成されたn 型半導体層とからなり、前記n型半導体層領域下の前記活性層領域のバンドギャップが他の前記活性層領域のバンドギャップより大きいことを特徴とする半導体レーザ装置。」
　
3頁左下欄15行〜右下欄3行
　「(課題を解決するための手段) 本発明の骨子は、InGaAlPからなる活性層を有する半導体レーザにおいて、活性層の光出射付近での光吸収を避けるために、活性層の光出射端面部のバンドギャップエネルギーを活性層の主たる発光部より大きくすることにあり、さらにクラッド層上に形成された電流狭窄層の形状により、活性層のバンドギャップエネルギーの差を作ることにある。」
　
7頁左上欄2行〜左下欄5行及び第3図
　「第3図は本発明の第2の実施例(請求項2記載の発明の実施例)に係わる半導体レーザを説明するためのもので、(a)は全体構造を示す斜視図、(b)は電流阻止層パターンを示す平面図、(c)は(b)の矢視C-C断面に相当する断面図、(d)は(b)の矢視D‐D断面に相当する断面図を示している。なお、この実施例は横モード制御構造InGaAlP系レーザにNAM構造を適用した例である。
　図中31はn‐GaAs基板であり、この基板31上に厚さ 0.5μmのn‐GaAsバッファ層32(Siドープ;8×1017cm‐3)が形成されている。また、バッファ層32上には、厚さ0.8μmのn-In0.5 Ga0.15Al0.35Pクラッド層33(Siドープ:4×1017cm‐3)厚さ 0.08μmのIn0.5 Ga0.5 P活性層34及び厚さ 0.8μmのP‐In0.5 Ga0.15Al0.35Pクラッド層35(Znドープ:4×1017cm‐3)を順次成長してなるダブルヘテロ構造部が形成されている。このダブルヘテロ構造の各層の組成は概略であり、実際はn-GaAs基板31との格子整合が取れることが本質であり、X線回折等で確認している。さらに、活性層34はアンドープであり、そのキャリア濃度は1×1017cm‐3以下のn型又はp型である。クラッド層35の中には、厚さ 0.005μmのp‐InGaPエッチングストップ層39(Znド-プ1×1018cm‐3)が形成されている。クラッド層35上には、厚さ0.05μmのp‐In0.5 Ga0.5 Pキャップ層36(Znドープ;2×1018cm‐3)が形成されている。エッチングストップ層39の上部にあるクラッド層35及びキャップ層36はストライプ状のリッジ構造となっている。ストライプ状リッジ部の出射光端面から5μm以上の部分とストライプ状リッジ部の側面及びエッチングストップ層39の上には、厚さ 0.5μmのn‐GaAs電流阻止層37(Siドープ;22×1018cm‐3)が成長形成されている。出射光端面付近を除くキャップ層36及び電流阻止層37の上には、厚さ3μmのP‐GaAsオーミックコンタクト層38(Znドーブ;3×2×1018cm‐3)が成長形成されている。」
　
【2-2】引用例2: Electronics Letters Vol.23 No.18 (1987) PP.938-939
　
タイトル
　「横モード安定化AlGaInP可視光(λL=683nm)半導体レーザのハイパワー動作」
　
938頁左欄下から3行〜939頁左欄3行及びFig.1
　「このレーザの断面図がFig.1に示されている。3段階の低圧(LP)MOVPEにより、エピタキシャル成長が行われた。エピタキシャル層は、・・・GaAs上に形成され、(i)Seドープn-GaAsバファ層(d≒0.25μm)、(ii)Seドープn-(Al0.4Ga0.6)0.5In0.5Pクラッド層(n≒4.5×1017cm-3,d≒0.8μm)、(iii) GaInP活性層(d≒0.1μm)、(iv) Znドープp-(Al0.4Ga0.6)0.5In0.5Pインナー-クラッド層(p≒4×1017cm-3,d≒0.3μm)、(v) Znドープp-Ga0.5In0.5Pエッチングストップ層(d≒40Å)、(vi) Mgドープp-(Al0.6Ga0.4)0.5In0.5Pアウター-クラッド層(p≒4.2×1017cm-3,d≒0.8μm)、及び(vii) Znドープp-GaAsキャップ層(p≒7×1018cm-3,d≒0.5μm)からなる。」
　メサ構造はSiO2マスクを介して選択的に化学エッチングすることにより形成され、これは40Åの厚さのGaInPエッチングストップ層を挿入することによりより容易に形成された。このGaInPエッチングストップ層は、これがレーザ波長に対して光吸収層として作用しないように、活性層よりも量子化された広いエネルギーギャップを持つように極薄く形成された。選択的メサエッチングを容易にするため及びキャリアと光閉じ込めを向上させるための両方の目的で、p-アウター-クラッド層はp-インナー-クラッド層よりも高いAlモル比(0.6)を有する。メサを形成した後、その底部の幅は5μmで、n-GaAs電流阻止層がメサ帯の外側にSiO2をLP-MOVPE選択的エピタキシャル成長のためのマスクとして使用して形成され、p-GaAsコンタクト層が形成される。」
　
【3】対比
　 本願発明と引用例1に記載された発明とを比較する。引用例1に記載された発明における「p‐In0.5 Ga0.5 Pキャップ層36」、「ストライプ状リッジ部の出射光端面から5μm以上の部分とストライプ状リッジ部の側面」、「n‐GaAs電流阻止層37」及び「P‐GaAsオーミックコンタクト層38」は本願発明の「リッジストライプを成すクラッド層と同じ導電性の半導体層」、「リッジストライプ両側および発光端面近傍のリッジストライプ」、「リッジストライプを成すクラッド層とは逆の導電性の電流ブロック層」及び「コンタクト層」に相当する。してみると、両者は「活性層を、これよりも禁制帯幅の大きいクラッド層ではさんだダブルヘテロ構造を有し、リッジストライプ上面に、前記リッジストライプを成すクラッド層と同じ導電性の半導体層を備え、リッジストライプ両側および発光端面近傍のリッジストライプの上部に、前記リッジストライプを成すクラッド層とは逆の導電性の電流ブロック層を備え、さらに前記半導体層及び電流ブロック層上にコンタクト層を設けたことを特徴とする半導体レーザ。」の点で一致する。
　そして、リッジストライプを形成するクラッド層が、本願発明においては、互いに屈折率が異なる2層から構成され、この2層のクラッド層のうち前記活性層に近い方に屈折率の小さい方のクラッド層が設けられ、前記クラッド層のうちの一方のクラッド層がリッジストライプ形状をなしているのに対して、引用例1に記載された発明においては、一方のクラッド層(活性層34から遠くに位置するクラッド層35)がリッジストライプ形状をなしているが、同じ組成比からなる2層(35,35)から構成されている点で、両者は相違する。
　
【4】判断
　上記相違について検討するに、引用例1と同じ元素から構成される活性層である(iii) GaInP活性層を、これよりも禁制帯幅の大きいクラッド層である(ii)n-クラッド層と(iv)p-インナー-クラッド層及び(v)p-アウター-クラッド層とではさんだダブルヘテロ構造を有し、前記リッジストライプ上面に、前記リッジストライプを成すクラッド層と同じ導電性の半導体層である(vii) p-GaAsキャップ層を備え、リッジストライプ両側の上部に、前記リッジストライプを成すクラッド層とは逆の導電性の電流ブロック層であるn-GaAs電流阻止層を備え、さらに前記半導体層及び電流ブロック層上にp-GaAsコンタクト層を設けた半導体レーザにおいて、光閉じ込めを向上させるために、リッジストライプを形成するクラッド層を、互いにAlのモル比が異なる2層(iv)と(v)から構成し、この2層のクラッド層のうち前記活性層に近い方にAlのモル比の小さい方のクラッド層(iv)を設け、前記クラッド層のうちの一方のクラッド層(v)をリッジストライプ形状とすることが、引用例2において公知である。ここで、Alのモル比が異なること、及びAlのモル比が小さいことは、それぞれ、屈折率が異なること、及び屈折率が小さいことを意味することは当業者に明らかである。(例えば、本願の明細書7頁17行〜20行参照)
　したがって、引用例1に記載された半導体レーザの2層のクラッド層を引用例2に記載されたAlのモル比の関係すなわち屈折率の関係とすることは当業者が容易に想到できた事項である。そして、本願発明の構成に基づく効果は引用例1及び引用例2の記載から当業者が予想し得る範囲のものである。
　よって、本願発明は、引用例1に記載された発明及び引用例2に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
　
【4】むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項1に係る発明は特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないものであり、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。