(57)【要約】【課題】イオン性不純物トラップ用の周辺電極を設けた場合でも、周辺電極に印加した電位が、周囲に電気的な影響を及ぼすことを防止することができる液晶装置、当該液晶装置を備えた投射型表示装置、および電子機器を提供すること。【解決手段】液晶装置１００の素子基板１０において、画像表示領域１０ａとシール材１０７とにより挟まれた周辺領域１０ｂには、第１駆動信号（共通電位Ｖcom）が印加される第１周辺電極８１が設けられている。これに対して、対向基板２０において第１周辺電極８１に対向する領域には、第１駆動信号（共通電位Ｖcom）を基準にしたときの極性が反転する第２駆動信号Ｖtrap82が印加された第２周辺電極８２と、第１駆動信号（共通電位Ｖcom）を基準にしたときに第２駆動信号Ｖtrap82に対して逆極性となる第３駆動信号Ｖtrap83が印加された第３周辺電極８３とが設けられている。【選択図】図２
2012220911.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像表示領域に複数の画素電極が設けられた素子基板と、
共通電位が印加される共通電極が設けられた対向基板と、
前記素子基板と前記対向基板とを貼り合わせるシール材と、
前記素子基板と前記対向基板との間において前記シール材で囲まれた領域内に保持された液晶層と、
を有し、
前記素子基板の前記画像表示領域と前記シール材とに挟まれた領域には第１駆動信号が供給される第１周辺電極が設けられ、
前記対向基板の前記第１周辺電極に対向する領域には、所定電位よりも高い電位と低い電位とを交互に繰り返す第２駆動信号が供給される第２周辺電極と、前記第２駆動信号に対して電位差をもって変化する第３駆動信号が供給される第３周辺電極と、が設けられていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記第１駆動信号は、前記所定電位の信号であることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記所定電位は、前記共通電位であり、
前記第２駆動信号および前記第３駆動信号は、逆相のパルス信号であることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記素子基板と前記対向基板との間には、前記素子基板側から前記共通電極に前記共通電位を供給する共通電位供給用基板間導通部と、前記素子基板側から前記第２周辺電極に前記第２駆動信号を供給する第２駆動信号供給用基板間導通部と、前記素子基板側から前記第３周辺電極に前記第３駆動信号を供給する第３駆動信号供給用基板間導通部と、が設けられていることを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記共通電極は、導電性および透光性を備えた金属酸化膜であり、
前記共通電位供給用基板間導通部は複数個所に設けられていることを特徴とする請求項４に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記第１周辺電極、前記第２周辺電極、および前記第３周辺電極は、前記画像表示領域の４つの辺部に沿って延在していることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記第２周辺電極と前記第３周辺電極とは、前記画像表示領域の側から前記シール材の側に向けて交互に複数列設けられていることを特徴とする請求項６に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記画素電極の前記液晶層側および前記共通電極の前記液晶層側には無機配向膜が設けられ、
前記液晶層には、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物が用いられていることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の液晶装置。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか一項に記載の液晶装置を備えた投射型表示装置であって、
前記液晶装置に供給される光を出射する光源部と、
前記液晶装置によって変調された光を投射する投射光学系と、
を有していることを特徴とする投射型表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至８の何れか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一対の基板間に液晶層が保持された液晶装置、当該液晶装置をライトバルブとして用いた投射型表示装置、および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、一方面側に複数の画素電極が配列した画像表示領域が設けられた素子基板と、共通電位が印加される共通電極が設けられた対向基板とがシール材によって貼り合わされ、素子基板と対向基板との間においてシール材で囲まれた領域内には液晶層が保持されている。かかる液晶装置において、液晶注入時に混入したイオン性不純物やシール材から溶出したイオン性不純物が、液晶装置の駆動により、画像表示領域内で凝集すると、画像の焼き付き（シミ）等といった表示品位の低下を招く。そこで、画像表示領域の外側に周辺電極を設け、かかる周辺電極にイオン性不純物を引き寄せて滞留させることにより画像表示領域内でイオン性不純物が凝集することを防止する技術が提案されている（特許文献１参照）。
【０００３】
具体的には、特許文献１に記載の技術では、画像表示領域と水平転送回路（周辺回路部）との間、および画像表示領域と垂直転送回路（周辺回路部）との間を通って画像表示領域の周りを囲むように第１周辺電極と第２周辺電極とが設けられている。従って、第１周辺電極および第２周辺電極に異なる電位を印加するとともに、フレーム毎に第１周辺電極および第２周辺電極に印加する電位の極性を反転させると、第１周辺電極と第２周辺電極との間の横電界が発生するので、第１周辺電極および第２周辺電極にイオン性不純物を引き寄せ、そこに滞留させることがでる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−５８４９７号公報の図４等
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、周辺電極（第１周辺電極および第２周辺電極）をシール材に沿って延在させると、周辺電極にイオン性不純物トラップ用電位を供給する給電線は、周辺回路部（水平転送回路および垂直転送回路）に設けた信号線、あるいは駆動回路部に向けて延在する信号線と交差することになる。このため、周辺電極に交流を印加した際、周辺回路部に設けた信号線、あるいは周辺回路部に向けて延在する信号線との間の容量的なカップリングが原因で、信号線を流れる信号に波形歪み等が発生し、表示品位が低下するという問題点がある。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、イオン性不純物トラップ用の周辺電極を設けた場合でも、周辺電極に印加した電位が、周囲に電気的な影響を及ぼすことを防止することができる液晶装置、当該液晶装置を備えた投射型表示装置、および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明に係る液晶装置は、画像表示領域に複数の画素電極が設けられた素子基板と、共通電位が印加される共通電極が設けられた対向基板と、前記素子基板と前記対向基板とを貼り合わせるシール材と、前記素子基板と前記対向基板との間において前記シール材で囲まれた領域内に保持された液晶層と、を有し、前記素子基板の前記画像表示領域と前記シール材とに挟まれた領域には第１駆動信号が供給される第１周辺電極が設けられ、前記対向基板の前記第１周辺電極に対向する領域には、所定電位よりも高い電位と低い電位とを交互に繰り返す第２駆動信号が供給される第２周辺電極と、前記第２駆動信号に対して電位差をもって変化する第３駆動信号が供給される第３周辺電極と、が設けられていることを特徴とする。なお、本発明における「第１駆動信号」における「信号」とは、高い電位と低い電位とを交互に繰り返す形態に限らず、定電位である場合も含む意味である。
【０００８】
本発明では、素子基板には、周辺領域に、第１駆動信号が印加される第１周辺電極が設けられており、対向基板において第１周辺電極に対向する領域には、所定電位よりも高い電位と低い電位とを交互に繰り返す第２駆動信号が供給される第２周辺電極と、第２駆動信号に対して電位差をもって変化する第３駆動信号が供給される第３周辺電極が設けられている。このため、第１周辺電極と第２周辺電極との間、および第１周辺電極と第３周辺電極との間には、液晶層の層厚方向の電界が生成される。また、第２周辺電極と第３周辺電極との間には横方向の電界が生成される。従って、液晶注入時に混入したイオン性不純物や、シール材から溶出したイオン性不純物が液晶層中に存在し、かかるイオン性不純物が液晶駆動に伴って画像表示領域の端部に凝集しようとした場合でも、イオン性不純物は、周辺領域において、第１周辺電極、第２周辺電極、および第３周辺電極に引き寄せられ、引き寄せられたイオン性不純物は、そこで凝集した状態のまま周辺領域に滞留する。従って、画像表示領域でイオン性不純物が凝集することを防止することができるので、イオン性不純物の凝集に起因する表示品位の低下を防止することができる。ここで、第２周辺電極および第３周辺電極は対向基板の側に設けられている。このため、素子基板側に周辺回路部が設けられている場合でも、第２周辺電極および第３周辺電極に印加されたイオン性不純物トラップ用の電位（第２駆動信号および第３駆動信号）が、周辺回路部、周辺回路部に向けて延在する信号線、周辺回路部に設けた信号線、および周辺回路部から延在する信号線に影響を及ぼすことがない等、イオン性不純物トラップ用の電位が周囲に電気的な影響を及ぼすことを防止することができる。それ故、イオン性不純物トラップ用電位に起因する表示品位の低下を防止することができる。
【０００９】
本発明において、前記第１駆動信号は、例えば、前記所定電位の信号である。すなわち、第２周辺電極には、第１周辺電極に印加される第１駆動信号よりも高い電位と低い電位とを交互に繰り返す第２駆動信号が供給される。
【００１０】
本発明において、前記所定電位は、前記共通電位であり、前記第２駆動信号および前記第３駆動信号は、逆相のパルス信号である構成を採用することができる。
【００１１】
本発明において、前記素子基板と前記対向基板との間には、前記素子基板側から前記共通電極に前記共通電位を供給する共通電位供給用基板間導通部と、前記素子基板側から前記第２周辺電極に前記第２駆動信号を供給する第２駆動信号供給用基板間導通部と、前記素子基板側から前記第３周辺電極に前記第３駆動信号を供給する第３駆動信号供給用基板間導通部と、が設けられていることが好ましい。かかる構成によれば、対向基板に直接、フレキシブル配線基板等を接続しなくても、対向基板に共通電位、第２駆動信号、および第３駆動信号を供給することができる。
【００１２】
本発明において、前記共通電極は、導電性および透光性を備えた金属酸化膜であり、前記共通電位供給用基板間導通部は複数個所に設けられていることが好ましい。素子基板と対向基板との間に共通電位供給用基板間導通部、第２駆動信号供給用基板間導通部、および第３駆動信号供給用基板間導通部を設けると、その分、共通電位供給用基板間導通部の数が制限されるが、それでも、共通電位供給用基板間導通部を複数個所に確保すれば、共通電極が、比較的シート抵抗が高い金属酸化膜からなる場合でも、共通電極全体に共通電位を確実に印加することができる。
【００１３】
本発明において、前記第１周辺電極、前記第２周辺電極、および前記第３周辺電極は、前記画像表示領域の４つの辺部に沿って延在していることが好ましい。本発明では、第２周辺電極および第３周辺電極が対向基板側に設けられているので、第２周辺電極および第３周辺電極を配置する位置に対する制約が少ない。従って、第１周辺電極、第２周辺電極、および第３周辺電極を画像表示領域の４つの辺部に沿って延在させることができ、その結果、イオン性不純物に対するトラップ能力を高めることができる。
【００１４】
本発明において、前記第２周辺電極と前記第３周辺電極とは、前記画像表示領域の側から前記シール材の側に向けて交互に複数列設けられていることが好ましい。本発明では、第２周辺電極および第３周辺電極が対向基板側に設けられているので、第２周辺電極および第３周辺電極を配置する位置に対する制約が少ない。従って、第２周辺電極と第３周辺電極とを交互に複数列設けることができ、その結果、イオン性不純物に対するトラップ能力を高めることができる。
【００１５】
本発明は、前記画素電極の前記液晶層側および前記共通電極の前記液晶層側には無機配向膜が設けられ、前記液晶層には、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物が用いられている場合に適用すると効果的である。無機配向膜は、イオン性不純物を吸着しやすい傾向にあるが、本発明によれば、無機配向膜を用いた場合でも、画像表示領域内でイオン性不純物が凝集することを確実に防止することができる。また、液晶層に、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物が用いられている場合、液晶分子は、長さ方向の一箇所を中心に回転するので、イオン性不純物を特定箇所に集めやすい分、画像の劣化を発生させやすいが、本発明によれば、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を用いた場合でも、画像表示領域内でイオン性不純物が凝集することを確実に防止することができる。
【００１６】
本発明を適用した液晶装置は、投射型表示装置に用いることができ、かかる投射型表示装置は、前記液晶装置に供給される光を出射する光源部と、前記液晶装置によって変調された光を投射する投射光学系と、を有している。
【００１７】
本発明に係る投射型表示装置は、投射型表示装置以外にも各種電子機器に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明を適用した液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。
【図２】本発明を適用した液晶装置で採用したイオン性不純物トラップのための電気的構成を示す説明図である。
【図３】本発明を適用した液晶装置の液晶パネルの説明図である。
【図４】本発明を適用した液晶装置の画素の説明図である。
【図５】本発明を適用した液晶装置に形成されている電極等の説明図である。
【図６】本発明を適用した液晶装置の素子基板に形成されている電極等の説明図である。
【図７】本発明を適用した液晶装置の対向基板に形成されている電極等の説明図である。
【図８】本発明を適用した液晶装置の周辺領域の断面構成を模式的に示す説明図である。
【図９】本発明を適用した液晶装置で用いられる別のイオン性不純物トラップ用の電位の説明図である。
【図１０】本発明を適用した液晶装置を用いた投射型表示装置の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。なお、電界効果型トランジスターを流れる電流の方向が反転する場合、ソースとドレインとが入れ替わるが、以下の説明では、便宜上、画素電極が接続されている側をドレインとし、データ線が接続されている側をソースとして説明する。また、素子基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側（対向基板が位置する側とは反対側）を意味する。
【００２０】
［全体構成］
（画像表示領域等の電気的構成）
図１は、本発明を適用した液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。なお、図１は、あくまで電気的な構成を示すブロック図であり、配線や電極の形状や延在方向、レイアウト等を示しているものではない。
【００２１】
図１において、液晶装置１００は、ＴＮ（Twisted Nematic）モードやＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶パネル１００ｐを有しており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画像表示領域１０ａを備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、後述する素子基板１０（図２および図３等を参照）では、画像表示領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａおよび複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交差に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスターからなる画素トランジスター３０、および後述する画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００２２】
素子基板１０において、画像表示領域１０ａより外周側には、走査線駆動回路部１０４、データ線駆動回路部１０１および各種配線を備えた周辺回路部１０６が設けられている。データ線駆動回路部１０１では、画像表示領域１０ａ側に位置する内側端部から画像表示領域１０ａに向けて複数のデータ線６ａが延在しており、データ線駆動回路部１０１はデータ信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路部１０４では、画像表示領域１０ａ側に位置する内側端部から画像表示領域１０ａに向けて複数の走査線３ａが延在しており、走査線駆動回路部１０４は走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００２３】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板２０（図２および図３等を参照）に形成された共通電極と液晶層を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に蓄積容量５５が付加されている。本形態では、蓄積容量５５を構成するために、複数の画素１００ａに跨って走査線３ａと並行して延びた容量線５ｂが形成されている。
【００２４】
かかる液晶装置１００において、素子基板１０には、共通電位Ｖcomが印加された共通電位線５ｃや、共通電位Ｖcomとは異なるイオン性不純物トラップ用の電位Ｖtrap（イオン性不純物トラップ用の第２駆動信号Ｖtrap82および第３駆動信号Ｖtrap83）を供給するトラップ用給電線５ｓ（トラップ用給電線５ｓ82、５ｓ83）が設けられている。容量線５ｂは共通電位線５ｃに電気的に接続され、後述する周辺電極は、トラップ用給電線５ｓに電気的に接続されている。
【００２５】
（イオン性不純物トラップのための電気的構成）
図２は、本発明を適用した液晶装置１００で採用したイオン性不純物トラップのための電気的構成を示す説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は、液晶装置１００の断面構成を模式的に示す説明図、素子基板の電気的構成を示す説明図、対向基板の電気的構成を示す説明図、およびイオン性不純物トラップ用の電位Ｖtrap等の説明図である。
【００２６】
図２（ａ）に示すように、本形態の液晶装置１００は、素子基板１０と対向基板２０とシール材１０７で貼り合わされており、素子基板１０と対向基板２０との間においてシール材１０７で囲まれた領域内に液晶層５０が保持されている。図２（ａ）、（ｂ）に示すように、素子基板１０の一方面１０ｓ側において、画像表示領域１０ａには複数の画素電極９ａが設けられ、画像表示領域１０ａより外側の領域には、周辺回路部１０６（データ線駆動回路部１０１および走査線駆動回路部１０４）が設けられている。ここで、画像表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた周辺領域１０ｂには、第１駆動信号が印加された第１周辺電極８１が設けられている。
【００２７】
図２（ａ）、（ｃ）に示すように、対向基板２０の一方面２０ｓ側には、画像表示領域１０ａの全体にわたって、共通電位Ｖcomが印加された共通電極２１が形成されている。また、対向基板２０において、第１周辺電極８１に対向する領域には、所定電位よりも高い電位と低い電位とを交互に繰り返す不純物イオントラップ用の第２駆動信号Ｖtrap82が印加された第２周辺電極８２と、第２駆動信号Ｖtrap82に対して電位差をもって変化する不純物イオントラップ用の第３駆動信号Ｖtrap83が印加された第３周辺電極８３とが並列して設けられている。本形態において、第１周辺電極８１に印加される第１駆動信号は、前記の所定電位であり、第２駆動信号Ｖtrap82は、第１周辺電極８１に印加される第１駆動信号よりも高い電位と低い電位とを交互に繰り返す。
【００２８】
より具体的には、図２（ｄ）に示すように、本形態において、第１周辺電極８１に印加される第１駆動信号は、共通電位Ｖcomであり、０Ｖである。第２駆動信号Ｖtrap82および第３駆動信号Ｖtrap83は逆相の交流信号であり、共通電位Ｖcomを基準にしたときに極性が反転する矩形パルス信号である。例えば、第２駆動信号Ｖtrap82および第３駆動信号Ｖtrap83は、＋５Ｖと−５Ｖとの間で変化するパルス信号である。
【００２９】
再び図２（ｂ）、（ｃ）において、本形態では、第１周辺電極８１、第２周辺電極８２、および第３周辺電極８３は各々、画像表示領域１０ａの４つの辺部に沿って延在している。ここで、第１周辺電極８１は幅広の１本の帯状電極からなるのに対して、第２周辺電極８２、および第３周辺電極８３は、画像表示領域１０ａの側からシール材１０７の側に向けて交互に複数列設けられている。本形態において、第２周辺電極８２、および第３周辺電極８３は、画像表示領域１０ａの側からシール材１０７の側に向けて交互に２列ずつ設けられている。但し、２列の第２周辺電極８２のうち、内側の第２周辺電極８２は、第３周辺電極８３の途切れ部分等を通って、外側の第２周辺電極８２と導通している。また、２列の第３周辺電極８３のうち、内側の第３周辺電極８３は、第２周辺電極８２の途切れ部分等を通って、外側の第３周辺電極８３と導通している。また、周辺領域１０ｂでは、最も外周側に第３周辺電極８３が位置しているので、第３周辺電極８３は、シール材１０７より外側の領域までそのまま延在している。これに対して、周辺領域１０ｂでは、第２周辺電極８２より外周側に第３周辺電極８３が位置しているが、第２周辺電極８２は、第３周辺電極８３の途切れ部分を通ってシール材１０７より外側の領域まで延在している。
【００３０】
ここで、素子基板１０と対向基板２０との間には、シール材１０７より外側の領域に、素子基板１０側から共通電極２１に共通電位Ｖcomを供給する共通電位供給用基板間導通部１０９ａと、素子基板１０側から第２周辺電極８２に第２駆動信号Ｖtrap82を供給する第２駆動信号供給用基板間導通部１０９ｂと、素子基板１０側から第３周辺電極８３に第３駆動信号Ｖtrap83を供給する第３駆動信号供給用基板間導通部１０９ｃとが設けられている。従って、対向基板２０に直接、フレキシブル配線基板等を接続しなくても、対向基板２０に共通電位Ｖcom、第２駆動信号Ｖtrap82、および第３駆動信号Ｖtrap83を供給することができる。
【００３１】
本形態では、共通電位供給用基板間導通部１０９ａを構成するにあたって、素子基板１０では、共通電位Ｖcomを供給する給電端子１０２ａから共通電位線５ｃが延在しており、共通電位線５ｃは、基板間導通電極２１ｓに導通している。対向基板２０では、基板間導通電極２１ｓと重なる位置に、共通電極２１に電気的に接続する基板間導通電極２１ｔが設けられており、基板間導通電極２１ｓと基板間導通電極２１ｔとは、導電粒子を含む基板間導通材１０９を介して導通している。
【００３２】
第２駆動信号供給用基板間導通部１０９ｂを構成するにあたって、素子基板１０では、第２駆動信号Ｖtrap82を供給する給電端子１０２ｂからトラップ用給電線５ｓ（トラップ用給電線５ｓ82）が延在しており、トラップ用給電線５ｓ82は、基板間導通電極８２ｓに導通している。対向基板２０では、基板間導通電極８２ｓと重なる位置に、第２周辺電極８２に電気的に接続する基板間導通電極８２ｔが設けられており、基板間導通電極８２ｓと基板間導通電極８２ｔとは、導電粒子を含む基板間導通材１０９を介して導通している。
【００３３】
第３駆動信号供給用基板間導通部１０９ｃを構成するにあたって、素子基板１０では、第３駆動信号Ｖtrap83を供給する給電端子１０２ｃからトラップ用給電線５ｓ（トラップ用給電線５ｓ83）が延在しており、トラップ用給電線５ｓ83は、基板間導通電極８３ｓに導通している。対向基板２０では、基板間導通電極８３ｓと重なる位置に、第３周辺電極８３に電気的に接続する基板間導通電極８３ｔが設けられており、基板間導通電極８３ｓと基板間導通電極８３ｔとは、導電粒子を含む基板間導通材１０９を介して導通している。
【００３４】
ここで、共通電極２１は、導電性および透光性を備えた金属酸化膜であり、シート抵抗が比較的大である。また、共通電極２１は、画像表示領域１０ａの全体にわたって形成されており、共通電位供給用基板間導通部１０９ａから大きく離間した位置にまで形成されている。そこで、本形態では、第２駆動信号供給用基板間導通部１０９ｂおよび第３駆動信号供給用基板間導通部１０９ｃについては１個所ずつ設けられているのに対して、共通電位供給用基板間導通部１０９ａは２個所、設けられている。従って、共通電極２１全体に共通電位Ｖcomを確実に印加することができる。
【００３５】
（イオン性不純物トラップ等に対する主な効果）
このように本形態の液晶装置１００の素子基板１０では、周辺領域１０ｂに、第１駆動信号（共通電位Ｖcom）が印加される第１周辺電極８１が設けられている。これに対して、対向基板２０において第１周辺電極８１に対向する領域には、第２駆動信号Ｖtrap82が印加された第２周辺電極８２と、第２駆動信号Ｖtrap82に対して電位差をもって変化する第３駆動信号Ｖtrap83が印加された第３周辺電極８３とが設けられている。このため、第１周辺電極８１と第２周辺電極８２との間、および第１周辺電極８１と第３周辺電極８３との間には、液晶層５０の層厚方向の電界が生成される。また、第２周辺電極８２と第３周辺電極８３との間には横方向の電界が生成される。従って、液晶注入時に混入したイオン性不純物や、シール材から溶出したイオン性不純物が液晶層５０中に存在し、かかるイオン性不純物が液晶駆動に伴って画像表示領域１０ａの端部に凝集しようとした場合でも、イオン性不純物は、周辺領域１０ｂにおいて、第１周辺電極８１、第２周辺電極８２、および第３周辺電極８３に引き寄せられ、引き寄せられたイオン性不純物は、そこで凝集した状態のまま周辺領域１０ｂに滞留する。従って、画像表示領域１０ａでイオン性不純物が凝集することを防止することができるので、イオン性不純物の凝集に起因する表示品位の低下を防止することができる。
【００３６】
ここで、交流が印加される第２周辺電極８２、および第３周辺電極８３はいずれも、対向基板２０の側に設けられている。このため、素子基板１０側に周辺回路部１０６が設けられている場合でも、トラップ用給電線５ｓが、周辺回路部１０６に向けて延在する信号線、周辺回路部１０６に設けた信号線、および周辺回路部１０６から延在する信号線（データ線６ａおよび走査線３ａ）と交差することがない。それ故、トラップ用給電線５ｓと信号線との間に容量的なカップリングが発生するという事態が発生しないので、周辺回路部１０６で用いられる信号に影響を及ぼすことがない。すなわち、本形態では、イオン性不純物トラップ用の第２駆動信号Ｖtrap82および第３駆動信号Ｖtrap83が周辺に電気的な悪影響を及ぼさないので、表示品位の低下を防止することができる等の効果を奏する。
【００３７】
また、本形態では、第１周辺電極８１、第２周辺電極８２、および第３周辺電極８３は各々、画像表示領域１０ａの４つの辺部に沿って延在している。また、第２周辺電極８２、および第３周辺電極８３は、画像表示領域１０ａの側からシール材１０７の側に向けて交互に複数列設けられている。このため、第１周辺電極８１、第２周辺電極８２、および第３周辺電極８３の形成面積が広いので、イオン性不純物に対するトラップ能力が高い。
【００３８】
［液晶装置１００の具体的構成例］
（液晶パネル１００ｐおよび素子基板１０の構成）
図３は、本発明を適用した液晶装置１００の液晶パネル１００ｐの説明図であり、図３（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した液晶装置１００の液晶パネル１００ｐを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００３９】
図３（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が配合されている。
【００４０】
本形態において、シール材１０７には、液晶注入口として利用される途切れ部分１０７ａが設けられており、かかる途切れ部分１０７ａは、液晶材料を減圧注入する際の注入口として利用され、液晶材料の注入後、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる封止材１０５によって封止されている。本形態では、素子基板１０の４つ基板辺１０ｄ〜１０ｇのうち、基板辺１０ｄが位置する側に途切れ部分１０７ａおよび封止材１０５が設けられている。本形態では、シール材１０７および封止材１０５として、アクリル系あるいはエポキシ系の光硬化樹脂が用いられている。
【００４１】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、液晶パネル１００ｐの略中央には、図１および図２を参照して説明した画像表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、シール材１０７の内周縁と画像表示領域１０ａの外周縁との間には、略四角形の周辺領域１０ｂが額縁状に設けられている。
【００４２】
素子基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、一方面１０ｓの側（対向基板２０が位置する面側）において、画像表示領域１０ａより外側の領域では、素子基板１０の一辺（基板辺１０ｄ）に沿ってデータ線駆動回路部１０１（周辺回路部１０６）および複数の端子１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺（基板辺１０ｅ、１０ｇ）に沿って走査線駆動回路部１０４（周辺回路部１０６）が形成されている。従って、画像表示領域１０ａの４つの辺部分１０ａ1〜１０ａ4のうち、辺部分１０ａ1（第１辺部分）に沿ってデータ線駆動回路部１０１が構成され、辺部分１０ａ1（第１辺部分）に交差する２つの辺部分１０ａ2、１０ａ4（第２辺部分）に沿って走査線駆動回路部１０４が構成されている。また、データ線駆動回路部１０１に対して画像表示領域１０ａが位置する側とは反対側では、基板辺１０ｄに沿って複数の端子１０２が設けられており、データ線駆動回路部１０１の外側端部と基板辺１０ｄとの間に複数の端子１０２が設けられている。かかる複数の端子１０２からは、データ線駆動回路部１０１に向けて信号線１０６ｅ等が延在しているとともに、走査線駆動回路部１０４に向けて信号線１０６ｆ等が延在している。
【００４３】
また、詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面１０ｓにおいて、画像表示領域１０ａには、図１を参照して説明した画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続する矩形の画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には、後述する配向膜１６が形成されている。
【００４４】
また、図３（ｂ）に示すように、素子基板１０の一方面１０ｓにおいて、周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。従って、配向膜１６は、画素電極９ａおよびダミー画素電極９ｂの上層側に形成されている。ダミー画素電極９ｂについては、電位が印加された構成、あるいは電位が印加されていないフロート状態にある構成が採用される。
【００４５】
対向基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、素子基板１０と対向する一方面２０ｓには共通電極２１が形成されており、共通電極２１の上層には、後述する配向膜２６が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の画像表示領域１０ａに相当する領域の全面に形成されており、複数の画素１００ａに跨って形成されている。また、対向基板２０の一方面２０ｓには、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成されている。本形態において、遮光層２９は、画像表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁状に形成されている。ここで、遮光層２９の外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にあり、遮光層２９とシール材１０７とは重なっていない。なお、対向基板２０において、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた領域と重なる領域等にブラックマトリクス部として形成されることがある。本形態において、遮光層２９は、金属、金属化合物、金属シリサイド等の導電性の遮光膜によって構成されており、後述するように、対向基板２０において中継電極等として利用されている。
【００４６】
このように構成した液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０には、シール材１０７より外側において対向基板２０の角部分と重なる領域に、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通部が４個所に形成されており、対向基板２０の４つの角部分のうち、素子基板１０の端子１０２から離間した位置に配置された２つの基板間導通部が、図２を参照して説明した共通電位供給用基板間導通部１０９ａである。また、対向基板２０の４つの角部分のうち、素子基板１０の端子１０２から近い位置に配置された２つの基板間導通部が、図２を参照して説明した第２駆動信号供給用基板間導通部１０９ｂおよび第３駆動信号供給用基板間導通部１０９ｃである。なお、シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられている。このため、シール材１０７は、略四角形である。但し、シール材１０７は、対向基板２０の角部分と重なる領域では共通電位供給用基板間導通部１０９ａ、第２駆動信号供給用基板間導通部１０９ｂおよび第３駆動信号供給用基板間導通部１０９ｃを避けて内側を通るように設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。
【００４７】
かかる構成の液晶装置１００において、画素電極９ａおよび共通電極２１をＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。これに対して、画素電極９ａおよび共通電極２１の一方を透光性導電膜により形成し、他方をアルミニウム膜等の反射性導電膜により形成すると、反射型の液晶装置を構成することができる。液晶装置１００が反射型である場合、素子基板１０および対向基板２０のうち、一方側の基板から入射した光が他方側の基板で反射して出射される間に変調されて画像を表示する。液晶装置１００が透過型である場合、素子基板１０および対向基板２０のうち、一方側の基板から入射した光が他方側の基板を透過して出射される間に変調されて画像を表示する。
【００４８】
液晶装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０には、カラーフィルター（図示せず）や保護膜が形成される。また、液晶装置１００では、使用する液晶層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、液晶装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各液晶装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００４９】
本形態において、液晶装置１００が、後述する投射型表示装置においてＲＧＢ用のライトバルブとして用いられる透過型の液晶装置であって、対向基板２０から入射した光が素子基板１０を透過して出射される場合を中心に説明する。また、本形態において、液晶装置１００は、液晶層５０として、誘電異方性（誘電率異方性）が負のネマチック液晶化合物を用いたＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えている場合を中心に説明する。
【００５０】
（画素の具体的構成）
図４は、本発明を適用した液晶装置１００の画素の説明図であり、図４（ａ）、（ｂ）は各々、本発明を適用した液晶装置１００に用いた素子基板１０において隣り合う画素の平面図、および図４（ａ）のＦ−Ｆ′線に相当する位置で液晶装置１００を切断したときの断面図である。なお、図４（ａ）では、半導体層１ａは細くて短い点線で示し、走査線３ａは太い実線で示し、データ線６ａおよびそれと同時形成された薄膜は一点鎖線で示し、容量線５ｂは二点鎖線で示し、画素電極９ａは太くて長い点線で示し、ドレイン電極４ａは細い実線で示してある。なお、走査線３ａや容量線５ｂ等と重なる領域には遮光層７ａが形成されているが、図４（ａ）では遮光層７ａの図示を省略してある。
【００５１】
図４（ａ）に示すように、素子基板１０の一方面１０ｓ側には、複数の画素１００ａの各々に四角形の画素電極９ａが形成されており、各画素電極９ａの縦横の境界に各々沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。データ線６ａおよび走査線３ａは各々、直線的に延びており、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素トランジスター３０が形成されている。素子基板１０上には、走査線３ａと重なるように容量線５ｂが形成されている。本形態において、容量線５ｂは、走査線３ａと重なるように直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なるように延びた副線部分とを備えている。
【００５２】
図４（ａ）、（ｂ）に示すように、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、および配向膜１６を主体として構成されている。対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗの一方面側に形成された共通電極２１、および配向膜２６を主体として構成されている。
【００５３】
素子基板１０において、基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側には、金属シリサイド膜あるいは金属膜からなる遮光層７ａが形成されており、かかる遮光層７ａの表面側には下地絶縁膜１２が形成されている。また、複数の画素１００ａの各々には、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。半導体層１ａは、走査線３ａの一部からなるゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇと、ソース領域１ｂと、ドレイン領域１ｃとを備えており、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、低濃度領域および高濃度領域を備えている。半導体層１ａは、例えば、下地絶縁膜１２の表面に形成された多結晶シリコン膜等によって構成され、ゲート絶縁層２は、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜からなる。また、ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化してなるシリコン酸化膜と、ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜やシリコン窒化膜との２層構造を有する場合もある。走査線３ａには、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜が用いられる。なお、本形態では、液晶装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止することを目的に画素トランジスター３０と重なる領域に遮光層７ａが設けられている。但し、遮光層７ａを走査線として形成し、ゲート電極３ｃと遮光層７ａとをコンタクトホールを介して電気的に接続した構造を採用してもよい。
【００５４】
走査線３ａの上層側にはシリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁膜４１が形成されており、第１層間絶縁膜４１の上層にはドレイン電極４ａが形成されている。ドレイン電極４ａは、走査線３ａとデータ線６ａとの交差する位置を基点として走査線３ａおよびデータ線６ａに沿って延出する略Ｌ字型に形成されている。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなり、コンタクトホール４１ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続されている。
【００５５】
ドレイン電極４ａの上層側には、シリコン窒化膜やシリコン酸化膜等からなる誘電体層４２が形成されている。誘電体層４２の上層側には、誘電体層４２を介してドレイン電極４ａと対向するように容量線５ｂが形成され、かかる容量線５ｂ、誘電体層４２およびドレイン電極４ａによって、蓄積容量５５が形成されている。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなる。
【００５６】
容量線５ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる第２層間絶縁膜４３が形成され、第２層間絶縁膜４３の上層にはデータ線６ａおよび中継電極６ｂが形成されている。データ線６ａはコンタクトホール４３ａを介してソース領域１ｂに電気的に接続している。中継電極６ｂはコンタクトホール４３ｂを介してドレイン電極４ａに電気的に接続し、ドレイン電極４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。データ線６ａおよび中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、あるいは金属膜等からなる。
【００５７】
データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側には、シリコン酸化膜等からなる第３層間絶縁膜４４が形成されている。第３層間絶縁膜４４には、中継電極６ｂへ通じるコンタクトホール４４ａが形成されている。第３層間絶縁膜４４の上層には、ＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる画素電極９ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール４４ａを介して中継電極６ｂに電気的に接続されている。本形態において、第３層間絶縁膜４４の表面は平坦面になっている。
【００５８】
ここで、第３層間絶縁膜４４の表面には、図３（ｂ）を参照して説明したダミー画素電極９ｂ（図４には図示せず）が形成されており、かかるダミー画素電極９ｂは、画素電極９ａと同時形成された透光性導電膜からなる。
【００５９】
画素電極９ａの表面には配向膜１６が形成されている。配向膜１６は、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）であり、配向膜１６と画素電極９ａとの層間にはシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の表面絶縁膜１７が形成されている。
【００６０】
表面絶縁膜１７は、表面が平坦面になっており、画素電極９ａの間に形成された凹部を埋めている。従って、配向膜１６は、表面絶縁膜１７の平坦な表面に形成されている。かかる構成は、画素電極９ａの表面側に表面絶縁膜１７を形成した後、表面絶縁膜１７の表面を研磨することによって実現することができる。かかる研磨には化学機械研磨を利用でき、化学機械研磨では、研磨液に含まれる化学成分の作用と、研磨剤と素子基板１０との相対移動によって、高速で平滑な研磨面を得ることができる。より具体的には、研磨装置において、不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂等からなる研磨布（パッド）を貼り付けた定盤と、素子基板１０を保持するホルダーとを相対回転させながら、研磨を行なう。その際、例えば、平均粒径が０．０１〜２０μｍの酸化セリウム粒子、分散剤としてのアクリル酸エステル誘導体、および水を含む研磨剤を研磨布と素子基板１０との間に供給する。その際、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの間に大きな高低差が存在すると、研磨工程を行っても、画像表示領域１０ａ内を平坦面とすることが困難であるが、本形態では、図３（ｂ）を参照して説明したように、周辺領域１０ｂにダミー画素電極９ｂが形成されている。従って、表面絶縁膜１７を成膜した時点で画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの間に大きな高低差が存在しないので、研磨工程を行うことにより、画像表示領域１０ａ内において表面絶縁膜１７の表面を平坦面とすることができる。
【００６１】
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗの一方面側に共通電極２１が形成されており、かかる共通電極２１を覆うように配向膜２６が形成されている。本形態では、遮光層２９と共通電極２１との層間にシリコン酸化膜やシリコン窒化膜等の絶縁膜２７が形成されている。
【００６２】
本形態において、共通電極２１は、対向基板２０の一方面２０ｓのうち、画像表示領域１０ａよりわずかに広めに形成されており、周辺領域１０ｂのうち、外周側領域には形成されていない。配向膜２６は、配向膜１６と同様、ポリイミド等の樹脂膜、あるいはシリコン酸化膜等の斜方蒸着膜からなる。本形態において、配向膜２６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜（垂直配向膜）である。かかる配向膜１６、２６は、液晶層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。
【００６３】
（周辺領域１０ｂの詳細構成）
図５は、本発明を適用した液晶装置１００に形成されている電極等の説明図である。図６は、本発明を適用した液晶装置１００の素子基板１０に形成されている電極等の説明図であり、図６（ａ）、（ｂ）は、素子基板１０全体に形成されている電極等の説明図、およびダミー画素電極９ｂの説明図である。図７は、本発明を適用した液晶装置１００の対向基板２０に形成されている電極等の説明図である。図８は、本発明を適用した液晶装置１００の周辺領域１０ｂの断面構成を模式的に示す説明図である。なお、図５〜図７においては画素電極９ａの数等について少なく示してある。
【００６４】
図５および図６に示すように、素子基板１０の一方面１０ｓ側において、画像表示領域１０ａには複数の画素電極９ａが設けられ、画像表示領域１０ａより外側の領域には、周辺回路部１０６（データ線駆動回路部１０１および走査線駆動回路部１０４）が設けられている。ここで、画像表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた周辺領域１０ｂには、第１駆動信号が印加された第１周辺電極８１が設けられている。
【００６５】
かかる第１周辺電極８１を構成するにあたって、本形態では、図６（ｂ）に示すダミー画素電極９ｂが利用されている。より具体的には、図８に示すように、周辺領域１０ｂには、第３層間絶縁膜４４の表面にダミー画素電極９ｂが形成されており、かかるダミー画素電極９ｂは、周辺領域１０ｂにおいて、周辺回路部１０６の空き領域等を利用して、共通電位線（図示せず）に電気的に接続されている。かかるダミー画素電極９ｂと共通電位線との電気的な接続には、第３層間絶縁膜４４等に形成したコンタクトホール等（図示せず）が利用される。ここで、ダミー画素電極９ｂは、図６（ｂ）に示すように、画素電極９ａと同一形状および同一サイズをもって画素電極９ａと同一ピッチで形成されている。また、複数のダミー画素電極９ｂのうち、隣り合うダミー画素電極９ｂ同士は、ダミー画素電極９ｂより幅が狭い連結部９ｕを介して繋がっている。従って、一部のダミー画素電極９ｂに共通電位Ｖcomを印加すれば、全てのダミー画素電極９ｂに共通電位Ｖcomが印加されることになる。従って、ダミー画素電極９ｂを利用すれば、画像表示領域１０ａの４つの辺部分１０ａ1〜１０ａ4およびシール材１０７に沿って延在する第１周辺電極８１を構成することができる。また、ダミー画素電極９ｂに共通電位Ｖcomを印加すれば、画像表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止することができる。
【００６６】
また、素子基板１０には、シール材１０７より外側において対向基板２０の角部分と重なる４つの領域のうち、素子基板１０の端子１０２から離間した２個所に基板間導通電極２１ｓが形成されている。また、端子１０２のうち、両端において端から２番目に設けられた２つの給電端子１０２ａからは共通電位線５ｃが各々、延在しており、２本の共通電位線５ｃは各々、基板間導通電極２１ｓに導通している。本形態において、給電端子１０２ａには、共通電位Ｖcomが供給される。
【００６７】
また、素子基板１０には、端子１０２から近い位置で対向基板２０の角部分と重なる領域には、基板間導通電極８２ｓ、８３ｓが形成されている。また、複数の端子１０２のうち、一方の端部に設けられたる給電端子１０２ｂからは、トラップ用給電線５ｓ82が延在しており、トラップ用給電線５ｓ82は基板間導通電極８２ｓに導通している。また、複数の端子１０２のうち、他方の端部に設けられたる給電端子１０２ｃからは、トラップ用給電線５ｓ83が延在しており、トラップ用給電線５ｓ83は基板間導通電極８３ｓに導通している。本形態において、給電端子１０２ｂには、イオン性不純物トラップ用の第２駆動信号Ｖtrap82が供給され、給電端子１０２ｃには、イオン性不純物トラップ用の第３駆動信号Ｖtrap83が供給される。
【００６８】
図５および図７に示すように、対向基板２０の一方面２０ｓ側には、画像表示領域１０ａの全体にわたって、共通電位Ｖcomが印加された共通電極２１が形成されている。また、周辺領域１０ｂにおいて、第１周辺電極８１に対向する領域には、不純物イオントラップ用の第２駆動信号Ｖtrap82が印加された第２周辺電極８２と、不純物イオントラップ用の第３駆動信号Ｖtrap83が印加された第３周辺電極８３とが並列して設けられている。本形態においては、図２（ｄ）を参照して説明したように、第１周辺電極８１に印加される第１駆動信号（共通電位Ｖcom）は０Ｖの定電位であり、第２駆動信号Ｖtrap82および第３駆動信号Ｖtrap83は、逆相の交流信号である。本形態では、第２駆動信号Ｖtrap82および第３駆動信号Ｖtrap83に印加される逆相の交流信号として、逆相の矩形パルス信号が用いられている。
【００６９】
ここで、第２周辺電極８２および第３周辺電極８３は、画像表示領域１０ａの側からシール材１０７の側に向けて交互に複数列設けられている。より具体的には、第２周辺電極８２、および第３周辺電極８３は、画像表示領域１０ａの側からシール材１０７の側に向けて交互に２列ずつ設けられている。但し、２列の第２周辺電極８２のうち、内側の第２周辺電極８２は、第３周辺電極８３の途切れ部分等を通って、外側の第２周辺電極８２と導通している。また、２列の第３周辺電極８３のうち、内側の第３周辺電極８３は、第２周辺電極８２の途切れ部分等を通って、外側の第３周辺電極８３と導通している。また、周辺領域１０ｂでは、最も外周側に第３周辺電極８３が位置しているので、第３周辺電極８３は、シール材１０７より外側の領域までそのまま延在している。これに対して、周辺領域１０ｂでは、第２周辺電極８２より外周側に第３周辺電極８３が位置しているが、第２周辺電極８２は、第３周辺電極８３の途切れ部分を通ってシール材１０７より外側の領域まで延在している。
【００７０】
また、対向基板２０の角部分のうち、素子基板１０の基板間導通電極８２ｓ、８３ｓと重なる位置には基板間導通電極８２ｔ、８３ｔが形成され、素子基板１０の基板間導通電極２１ｓと重なる位置には基板間導通電極２１ｔが形成されている。また、第２周辺電極８２は、第３周辺電極８３の途切れ部分を通ってシール材１０７より外側の領域まで延在して基板間導通電極８２ｔに導通している。第３周辺電極８３も、第２周辺電極８２と同様、シール材１０７より外側の領域まで延在して基板間導通電極８３ｔに導通している。
【００７１】
また、共通電極２１は、周囲が第２周辺電極８２および第３周辺電極８３によって囲まれているが、本形態では、図８を参照して後述する構成を採用することにより、共通電極２１と基板間導通電極２１ｔとが導通している。従って、素子基板１０と対向基板２０とをシール材１０７で貼り合わせる際、素子基板１０の基板間導通電極２１ｓ、８２ｓ、８３ｓと対向基板２０の基板間導通電極２１ｔ、８２ｔ、８３ｔとの間に、導電粒子を含有する基板間導通材１０９を配置しておけば、基板間導通電極２１ｓ、８２ｓ、８３ｓと基板間導通電極２１ｔ、８２ｔ、８３ｔとが基板間導通材１０９を介して導通する。従って、共通電極２１には、給電端子１０２ａ、共通電位線５ｃ、および共通電位供給用基板間導通部１０９ａ（基板間導通電極２１ｓ、基板間導通材１０９および基板間導通電極２１ｔ）を介して素子基板１０から共通電位Ｖcomが供給される。また、第２周辺電極８２には、給電端子１０２ｂ、トラップ用給電線５ｓ82、第２駆動信号供給用基板間導通部１０９ｂ（基板間導通電極８２ｓ、基板間導通材１０９および基板間導通電極８２ｔ）を介して素子基板１０からイオン性不純物トラップ用の第２駆動信号Ｖtrap82が供給される。また、第３周辺電極８３には、給電端子１０２ｃ、トラップ用給電線５ｓ83、第３駆動信号供給用基板間導通部１０９ｃ（基板間導通電極８３ｓ、基板間導通材１０９および基板間導通電極８３ｔ）を介して素子基板１０からイオン性不純物トラップ用の第３駆動信号Ｖtrap83が供給される。
【００７２】
このような第２周辺電極８２および第３周辺電極８３を構成するにあたって、本形態では、図８に示すように、共通電極２１を形成する際、第２周辺電極８２および第３周辺電極８３を同時形成する。従って、第２周辺電極８２および第３周辺電極８３は、共通電極２１と同様、ＩＴＯ膜等の透光性および導電性を備えた金属酸化膜からなる。
【００７３】
また、本形態では、第２周辺電極８２および第３周辺電極８３が形成されている領域の下層側に、遮光層２９と同一の導電膜からなる中継電極２９ａが形成されており、かかる中継電極２９ａは、第２周辺電極８２および第３周辺電極８３が形成されている領域の両端から張り出している。また、絶縁膜２７には、中継電極２９ａの両端部と重なる位置に開口部２７ａ、２７ｂが形成されており、共通電極２１は、中継電極２９ａの一方の端部と重なっている。このため、共通電極２１は、開口部２７ａを介して中継電極２９ａに導通している。また、中継電極２９ａの他方の端部と重なる位置に共通電極２１と同時形成された中継電極２１ａが形成されており、かかる中継電極２１ａの端部によって基板間導通電極２１ｔが構成されている。従って、共通電極２１は、周囲が第２周辺電極８２および第３周辺電極８３によって囲まれているが、中継電極２９ａを利用したブリッジ構造を利用すれば、共通電極２１と共通電位供給用の基板間導通電極２１ｔとを導通させることができる。
【００７４】
（本形態の主な効果）
このように本形態の液晶装置１００の素子基板１０では、周辺領域１０ｂに、第１駆動信号（共通電位Ｖcom）が印加される第１周辺電極８１が設けられている。これに対して、対向基板２０において第１周辺電極８１に対向する領域には、第２駆動信号Ｖtrap82が印加された第２周辺電極８２と、第３駆動信号Ｖtrap83が印加された第３周辺電極８３とが設けられている。このため、第１周辺電極８１と第２周辺電極８２との間、および第１周辺電極８１と第３周辺電極８３との間には、液晶層５０の層厚方向の電界が生成される。また、第２周辺電極８２と第３周辺電極８３との間には横方向の電界が生成される。従って、液晶注入時に混入したイオン性不純物、シール材から溶出したイオン性不純物、あるいは封止材１０５から溶出したイオン性不純物が液晶層５０中に存在し、かかるイオン性不純物が液晶駆動に伴って画像表示領域１０ａの端部に凝集しようとした場合でも、イオン性不純物は、周辺領域１０ｂにおいて、第１周辺電極８１、第２周辺電極８２、および第３周辺電極８３に引き寄せられ、引き寄せられたイオン性不純物は、そこで凝集した状態のまま周辺領域１０ｂに滞留する。従って、画像表示領域１０ａでイオン性不純物が凝集することを防止することができるので、イオン性不純物の凝集に起因する表示品位の低下を防止することができる等、図２を参照して説明した効果を奏する。
【００７５】
特にＶＡモードの液晶装置１００の場合、液晶分子が垂直姿勢と水平に平伏した姿勢とに切り換わる際の流動によって、プレチルトの方位に対応する対角の角領域イオン性不純物が偏在しやすいが、本形態では、第１周辺電極８１、第２周辺電極８２および第３周辺電極８３によって、イオン性不純物を効果的にトラップすることができる。また、配向膜１６、２６として無機配向膜を用いた場合、無機配向膜は、イオン性不純物を吸着しやすい傾向にあるが、本形態では、第１周辺電極８１、第２周辺電極８２および第３周辺電極８３によって、イオン性不純物を効果的にトラップすることができる。それ故、ＶＡモードの液晶装置１００において無機配向膜を用いた場合でも、画像表示領域１０ａでイオン性不純物が凝集することを確実に防止することができる。よって、画像表示領域１０ａでイオン性不純物が凝集することを防止することができるので、イオン性不純物の凝集に起因する表示品位の低下を防止することができる。
【００７６】
また、素子基板１０には、画像表示領域１０ａの辺部分１０ａ1と基板辺１０ｄとの間にデータ線駆動回路部１０１および端子１０２が設けられ、画像表示領域１０ａの辺部分１０ａ2、１０ａ4に沿うように走査線駆動回路部１０４が設けられている。しかるに本形態では、トラップ用給電線５ｓは、基板間導通電極８２ｓ、８３ｓまで延在しているだけである。従って、トラップ用給電線５ｓは、走査線駆動回路部１０４やデータ線駆動回路部１０１に設けた信号線や、データ線駆動回路部１０１や走査線駆動回路部１０４に向けて延在する信号線１０６ｅ、１０６ｆ、データ線駆動回路部１０１や走査線駆動回路部１０４から延在する信号線（データ線６ａおよび走査線３ａ）とは交差していない。従って、トラップ用給電線５ｓに交流を印加した際、トラップ用給電線５ｓと信号線１０６ｅ、１０６ｆ等との間にカップリングが発生しないので、周辺回路部１０６で用いられる信号に影響を及ぼすことがない。それ故、イオン性不純物トラップ用の電位Ｖtrapに起因する表示品位の低下を防止することができる。
【００７７】
（イオン性不純物トラップ用の電位Ｖtrapの他の形態）
図９は、本発明を適用した液晶装置１００で用いられる別のイオン性不純物トラップ用の電位の説明図である。上記実施の形態では、第２駆動信号Ｖtrap82および第３駆動信号Ｖtrap83として、共通電位Ｖcom（第１駆動信号）を基準にしたときに極性が反転する矩形パルス信号を用いたが、図９（ａ）に示すように、０Ｖと＋５Ｖとの間で変化する第２駆動信号Ｖtrap82と、−５Ｖと０Ｖとの間で変化する第３駆動信号Ｖtrap83とが同相で変化する構成を採用してもよい。また、図９（ｂ）に示すように、０Ｖと＋５Ｖとの間で変化する第２駆動信号Ｖtrap82と、０Ｖと＋５Ｖとの間で変化する第３駆動信号Ｖtrap83とが逆相で変化する構成を採用してもよい。
【００７８】
また、上記実施の形態では、第１駆動信号が定電位（共通電位Ｖcom）であったが、周囲に電気的な悪影響を及ぼさない低い周波数で高電位と低電位とを交互に繰り返す信号を第１駆動信号として用いてもよい。
【００７９】
［他の実施の形態］
上記実施の形態において、内側の第２周辺電極８２は、第３周辺電極８３の途切れ部分等を通って、外側の第２周辺電極８２と導通し、内側の第３周辺電極８３は、第２周辺電極８２の途切れ部分等を通って、外側の第３周辺電極８３と導通している構成を採用したが、図８を参照して説明したブリッジ構造を採用して導通を図ってもよい。また、上記実施の形態においては、ダミー画素電極９ｂを利用して第１周辺電極８１を構成したが、ダミー画素電極９ｂとは別工程で形成した導電膜によって第１周辺電極８１を構成してもよい。
【００８０】
上記実施の形態では、透過型の液晶装置１００に本発明を適用したが、反射型の液晶装置１００に本発明を適用してもよい。
【００８１】
［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る液晶装置１００を適用した電子機器について説明する。図１０は、本発明を適用した液晶装置１００を用いた投射型表示装置の概略構成図であり、図１０（ａ）、（ｂ）は各々、透過型の液晶装置１００を用いた投射型表示装置の説明図、および反射型の液晶装置１００を用いた投射型表示装置の説明図である。
【００８２】
（投射型表示装置の第１例）
図１０（ａ）に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７（液晶装置１００）と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９と、リレー系１２０とを備えている。
【００８３】
光源１１２は、赤色光、緑色光及び青色光を含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光を透過させると共に緑色光及び青色光を反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光及び青色光のうち青色光を透過させると共に緑色光を反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光と緑色光と青色光とに分離する色分離光学系を構成する。
【００８４】
ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２１及び偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
【００８５】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、液晶パネル１１５ｃ及び第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光は、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【００８６】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１５ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光を変調し、変調した赤色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００８７】
なお、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ及び第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【００８８】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、液晶パネル１１６ｃ及び第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光は、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、液晶パネル１１６ｃは、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光を変調し、変調した緑色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【００８９】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置１００である。そして、液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、液晶パネル１１７ｃ及び第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光は、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
【００９０】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、液晶パネル１１７ｃは、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光を変調し、変調した青色光をクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ及び第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【００９１】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光の光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光をリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光を液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。
【００９２】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光を反射して緑色光を透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光を反射して緑色光を透過する膜である。したがって、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７のそれぞれで変調された赤色光と緑色光と青色光とを合成し、投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。
【００９３】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射トランジスター特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光及び青色光をｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光をｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
【００９４】
（投射型表示装置の第２例）
図１０（ｂ）に示す投射型表示装置１０００は、光源光を発生する光源部１０２１と、光源部１０２１から出射された光源光を赤、緑、青の３色に分離する色分離導光光学系１０２３と、色分離導光光学系１０２３から出射された各色の光源光によって照明される光変調部１０２５とを有している。また、投射型表示装置１０００は、光変調部１０２５から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム１０２７（合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１０２７を経た像光をスクリーン（不図示）に投射するための投射光学系である投射光学系１０２９とを備えている。
【００９５】
かかる投射型表示装置１０００において、光源部１０２１は、光源１０２１ａと、一対のフライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅと、偏光変換部材１０２１ｇと、重畳レンズ１０２１ｉとを備えている。本形態においては、光源部１０２１は、放物面からなるリフレクタ１０２１ｆを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅは、システム光軸と直交する面内にマトリクス状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変換部材１０２１ｇは、フライアイ光学系１０２１ｅから出射した光源光を、例えば図面に平行なｐ偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ１０２１ｉは、偏光変換部材１０２１ｇを経た光源光を全体として適宜収束させることにより、光変調部１０２５に設けた複数の液晶装置１００を各々均一に重畳照明可能とする。
【００９６】
色分離導光光学系１０２３は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａと、ダイクロイックミラー１０２３ｂと、反射ミラー１０２３ｊ、１０２３ｋとを備える。色分離導光光学系１０２３において、光源部１０２１からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａに入射する。クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する一方の第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された赤色（Ｒ）の光は、反射ミラー１０２３ｊで反射されダイクロイックミラー１０２３ｂを透過して、入射側偏光板１０３７ｒ、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、および光学補償板１０３９ｒを介して、ｐ偏光のまま、赤色（Ｒ）用の液晶装置１００に入射する。
【００９７】
また、第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された緑色（Ｇ）の光は、反射ミラー１０２３ｊで反射され、その後、ダイクロイックミラー１０２３ｂでも反射されて、入射側偏光板１０３７ｇ、ｐ偏光を透過させ、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｇ、および光学補償板１０３９ｇを介して、ｐ偏光のまま、緑色（Ｇ）用の液晶装置１００に入射する。
【００９８】
これに対して、クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する他方の第２ダイクロイックミラー１０３１ｂで反射された青色（Ｂ）の光は、反射ミラー１０２３ｋで反射されて、入射側偏光板１０３７ｂ、ｐ偏光を透過する一方でｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｂ、および光学補償板１０３９ｂを介して、ｐ偏光のまま、青色（Ｂ）用の液晶装置１００に入射する。なお、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂは、液晶装置１００への入射光および出射光の偏光状態を調整することで、液晶層の特性を光学的に補償している。
【００９９】
このように構成した投射型表示装置１０００では、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂを経て入射した３色の光は各々、各液晶装置１００において変調される。その際、液晶装置１００から出射された変調光のうち、ｓ偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂで反射し、出射側偏光板１０３８ｒ、１０３８ｇ、１０３８ｂを介してクロスダイクロイックプリズム１０２７に入射する。クロスダイクロイックプリズム１０２７には、Ｘ字状に交差する第１誘電体多層膜１０２７ａおよび第２誘電体多層膜１０２７ｂが形成されており、一方の第１誘電体多層膜１０２７ａはＲ光を反射し、他方の第２誘電体多層膜１０２７ｂはＢ光を反射する。従って、３色の光は、クロスダイクロイックプリズム１０２７において合成され、投射光学系１０２９に出射される。そして、投射光学系１０２９は、クロスダイクロイックプリズム１０２７で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン（図示せず。）投射する。
【０１００】
（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【０１０１】
（他の電子機器）
本発明を適用した液晶装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【０１０２】
９ａ・・画素電極、９ｂ・・ダミー画素電極、１０・・素子基板、１０ａ・・画像表示領域、１０ｂ・・周辺領域、２０・・対向基板、２１・・共通電極、５０・・液晶層、８１・・第１周辺電極、８２・・第２周辺電極、８３・・第３周辺電極、１０７・・シール材、１００・・液晶装置、１０６・・周辺回路部、１１０、１０００・・投射型表示装置、Ｖcom・・共通電位、Ｖtrap・・イオン性不純物トラップ用の電位
【図１】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図２】
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