【事件の表示】
　特願２０１０−１４４７２９「マイクロ・ナノソリッド利用型半導体洗浄システム」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　９月　１日出願公開、特開２０１１−１７１６９１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成２２年６月２５日（国内優先権主張　平成２２年１月２１日）を出願日とする出願であって、平成２６年１月２４日付けで拒絶理由が通知され、同年３月３１日に手続補正がなされるとともに意見書が提出され、同年５月１日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年７月７日に意見書が提出されたが、同年７月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１０月２８日に拒絶査定不服審判請求ががなされるとともに、同時に手続補正がなされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２６年１０月２８日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。
「表面にレジストを有している基体からレジストをはく離・除去する半導体ウエハー洗浄法において、
前記レジストを有している基体を100℃以上に加温又は加熱せしめ、
該加温又は加熱された半導体ウエハー表面上のレジストに対して極低温不活性ガスと過冷却液体窒素の二流体により生成され、固体粒子が平均粒子径10μm以下であり且つ流速15m/s又はそれ以上の流速である極低温マイクロ・ナノソリッド窒素噴霧ジェット流を衝突させ、
当該極低温マイクロ・ナノソリッド窒素噴霧ジェット流をレジスト洗浄媒体として使用することを特徴とする半導体ウエハー洗浄法。」（以下「本願発明」という。）
　
３　刊行物の記載
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願の優先日前に頒布された特表２００９−５１３０１５号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の記載がある（下線は当審にて付した。以下同じ。）。
ア　「【０００１】
　発明の分野
　本発明は、
パターニングするために基板上にフォトレジストをもつ基板表面からフォトレジストを除去する方法
【背景技術】
【０００２】
　発明の背景
　例として、半導体、金属、誘電体及び半導体ウエハまたは集積回路の他の表面などの基板表面は、加工処理の間に基板表面内にフォトレジストが付着されることがよくある。このフォトレジストは、１キロ電子ボルト(“keV”)〜100KeVのエネルギーでイオン注入を必要とする特定の段階でマスクとして作用する。このイオン注入プロセスによりフォトレジスト表面にイオン衝撃が与えられる。これによって、(スカムまたは
クラスト
　
イ　「【０００９】
　本発明は、例えば
半導体ウエハなどの基板
　基板から除去するためにハードベーキングしたフォトレジストを弱める方法であって、前記フォトレジストのクラスト及びバルク層の界面を変形させるためにフォトレジストを加熱し、これによってフォトレジストに亀裂を生じさせることを含む、前記方法。
【００１０】
　基板からフォトレジストを除去する方法であって、フォトレジストのクラストに亀裂を生じさせるために基板から熱を伝え、フォトレジストにエーロゾルを供給して、
基板から亀裂を生じたフォトレジストを動かす(displace)
　
ウ　「【００１５】
　図面は本発明のプロセスのフローチャートを表す。
　詳細な説明
　本発明は、特に先行するイオン注入プロセスのためにフォトレジストがクラストで覆われたときに、基板上に付着したフォトレジストを除去するために基板を処理するプロセスに関する。たとえば、本方法は、加工されるべき半導体基板表面で使用されるか、または集積デバイス(以後、たとえば「基板」または「表面」という)上で使用することができる。・・・
【００１９】
　
基板の表面は、その基板表面に付着されたフォトレジストを有し
【００２０】
　本プロセスの一例として、
基板は、プラテン
またはプラットフォームなどの支持部材上で加熱するために配置され
【００２１】
　フォトレジストの加熱は対流または輻射によっても可能であるが、伝導によるフォトレジストの加熱が好ましい手段である。基板の加熱は、フォトレジストのクラスト及びバルクレジストに亀裂を生じさせることによって、フォトレジスト除去能力の増大を促進する。
【００２２】
　
プラテンを
170〜280℃の範囲に
加熱
熱はプラテンから基板に伝えられて、結果的に基板は170℃〜280℃の温度に
加熱され
【００２３】
　フォトレジストのクラスト及びフォトレジストのバルクの下にある部分はそれぞれ異なる弾性特性をもつ。すなわち、クラストは本質的に殆どまたは全く弾性がないが、イオン衝撃の間にクラストによって保護されているバルクレジストは比較的弾性である。
熱を基板に適用すると
フォトレジストに亀裂が生じ
【００２４】
　クラスト及びバルクレジストに生じる
亀裂または割れ目
【００２５】
　
その後、亀裂又は割れ目を発生させたクラスト及びバルクレジストの除去は、エーロゾルまたは流体ジェットを使用し
エーロゾルは
気体中に取り込まれた固体粒子からな
固体粒子は、アルゴン、窒素、二酸化炭素またはその組み合わせなどの極低温粒子であ
流体ジェットは基板に向けた液体または気体の流れを含
【００２６】
　本発明の別の態様では、
加熱段階と、エーロゾルまたは流体ジェット適用段階を同時に実施
極低温エーロゾル
極低温スプレー
【００２９】
　このプロセスにおいて、エーロゾルスプレーまたは液滴は、基板表面から除去されるべきフォトレジストに対して物理的に作用するのに十分である。
エーロゾルスプレーまたは流体ジェットは極低温剤
または流体、たとえば二酸化炭素、アルゴン、窒素またはこれらの任意の好適な組み合わせを含む極低温ガスであって
　
エ　図１は、次のものである。
　
オ　引用発明
　上記アないしエによれば、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「半導体ウエハなどの基板の表面は、その基板表面に付着されたフォトレジストを有し、
　前記基板は、プラテンまたはプラットフォームなどの支持部材上で加熱するために配置され、
　前記プラテンを170℃〜280℃の範囲に加熱し、熱はプラテンから基板に伝えられて、結果的に基板は170℃〜280℃の温度に加熱され、
　前記熱を前記基板に適用すると、前記フォトレジストに亀裂または割れ目が生じ、
　その後、前記亀裂又は割れ目を発生させたクラスト及びバルクレジストの除去は、エーロゾルまたは流体ジェットを使用し、
　前記エーロゾルは気体中に取り込まれた固体粒子からなり、
　前記固体粒子は、アルゴン、窒素、二酸化炭素またはその組み合わせなどの極低温粒子であり、
　前記流体ジェットは基板に向けた液体または気体の流れを含み、
　加熱段階と、エーロゾルまたは流体ジェット適用段階を同時に実施し、
　前記エーロゾルは、極低温エーロゾルの極低温スプレーであって、エーロゾルスプレーまたは流体ジェットは極低温剤または流体、たとえば二酸化炭素、アルゴン、窒素またはこれらの任意の好適な組み合わせを含む極低温ガスであって、
　基板から亀裂を生じたフォトレジストを動かし(displace)、パターニングするために基板上にフォトレジストをもつ基板表面からフォトレジストを除去する方法。」
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願の優先日前に頒布された特開２００８−２７１５号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の記載がある。
「【００１０】
　該マイクロスラッシュ窒素は、液体窒素の中に固体の窒素粒子を含んでいる固液二相からなる極低温の液体であり、且つ、固体窒素として存在しているものが少なくとも平均粒子径において2〜5mmサイズより小さいものであるもの、例えば、固体窒素粒子あるいは結晶状窒素粒子の
粒子径
ミクロンオーダーのサイズ
【００１１】
　本発明の技術では、当該マイクロスラッシュ窒素は、液体窒素の流れあるいは過冷却された液体窒素の流れ（
過冷却液体窒素流
を極低温のヘリウムガスの流れの作用で微粒化噴霧冷却
に付すことにより行う
マイクロスラッシュ流体の生成法
液化ガスのスラッシュ固液二相流体
【００１２】
　該
液化ガス
は、
液体窒素、液体酸素、液体水素、液体アルゴンなど
　
（３）原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願の優先日前に頒布された特開２００９−３０２２７５号公報（以下「引用文献３」という。）には、以下の記載がある。
「【００１４】
　本明細書で「スラッシュ」又は「スラッシュ粒子」とは、液体窒素、液体酸素、液体水素などの液化ガスを凍らせて、その結果、得られる固体窒素、固体酸素、固体水素などの固体粒子であって、液体窒素、液体酸素、液体水素などの液化ガスに懸濁あるいは分散化した状態で存在しているものあるいはそうした系を指す。本発明では、好ましいものとして、窒素スラッシュ（又は窒素スラッシュ粒子）が挙げられ、特に好ましいものとして、窒素のマイクロスラッシュが挙げられる。そして「マイクロスラッシュ」又は「マイクロスラッシュ粒子」と称した場合、その粒子径、すなわち、固体粒子の直径のサイズが、下記マイクロスラッシュ窒素について説明するように、比較的小さなものを指しており、ある場合には、その粒子の平均粒径が1.0mm以下のもの、さらには、0.5mm以下あるいは0.2mm以下であるようなものを指している意味であってよい。本発明では、好ましいものとして、窒素のマイクロスラッシュ粒子が挙げられる。特に好適には、固体状の粒子のサイズが均一な分布を示すものが挙げられる。
【００１５】
　本明細書で「マイクロスラッシュ窒素」とは、液体窒素と固体窒素とを含有しており、窒素の固液境界線上に存在している状態にある平衡混合物であって、固体窒素粒子として、微細な粒子であり、且つ、比較的均一なものを含んでいるものを意味する。ここで「微細な」及び／又は「均一な」粒子とは、電子機器、例えば、次世代半導体部品、IC、LSIなどの半導体素子、コンピューターチップ、CPU、GPUなどのマイクロプロセッサなどの高い発熱密度及び／又はホットスポットの生成を示すようなものを、効率的に冷却することを実質的に実施できるものを指していてよく、その実質的に実施できるとは、長期にわたり使用できることを含んでいたり、あるいは当業者が実用上満足できると判断する程度を意味してよい。
【００１６】
　該マイクロスラッシュ窒素は、液体窒素の中に固体の窒素粒子を含んでいる固液二相からなる極低温の液体であり、且つ、固体窒素として存在しているものが少なくとも平均粒子径において2〜5mmサイズより小さいものであるもの、例えば、固体窒素粒子あるいは結晶状窒素粒子の粒子径についてその平均粒子径が1.5mm以下であるもの、あるいは1.3mm以下、好ましくは、1.0mm以下、より好ましくは、0.8mm以下あるいは0.6mm以下、さらには0.5mm以下あるいは0.3mm以下、典型的な場合では、0.2mm以下、さらには0.1mm以下やミクロンオーダーのサイズであるものが挙げられる。さらに好ましい態様では、固体窒素として存在しているものが少なくとも
平均粒子径において1〜100μmサイズより小さいもので
　本発明の一つの態様では、該微粒子状固体窒素（あるいは結晶状窒素）を含有する液体混合物は、粒子体積分率が0.05〜0.3であるもので、ある場合には、粒子体積分率が0.08〜0.28であるもので、好適な場合、粒子体積分率が0.1〜0.26であるもので、より好ましくは、0.125〜0.25であるもので、特定の場合には、粒子体積分率が0.15〜0.25であるものである。
【００１７】
　本発明技術で利用する当該マイクロスラッシュ窒素の生成法としては、液体窒素の流れあるいは過冷却された液体窒素の流れ（
過冷却液体窒素流
を極低温のヘリウムガスの流れの作用で微粒化噴霧冷却
に付すことにより行う
マイクロスラッシュ流体の生成法
液化ガスのスラッシュ固液二相流体
【００１８】
　該
液化ガス
は、
液体窒素、液体酸素、液体水素、液体アルゴンなど
　
（４）原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願の優先日前に頒布された特開平８−２９８２５２号公報（以下「引用文献４」という。）には、以下の記載がある。
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は
表面のエアロゾル洗浄
【０００２】表面洗浄は、たとえば、半導体メモリ、プリント回路、フラット・パネル表示装置、およびＣＤ−ＲＯＭを製造する場合の重要ステップである。
ウエーハ表面
【０００３】
【従来の技術】半導体工業において
回路の微細化が進ん
　
イ　「【００１３】
極低温の固体アルゴン粒子のエアロゾルも基板表面の洗浄に使われてい
【００１９】本発明による洗浄は、基板や基板上の形態を損傷することなく、微粒子、有機被膜および金属系汚染物など広範囲の異物を基板表面から除去できる。本発明によりえられる
高速エアロゾル粒子は、
硬くベーキングされたホトレジストやイオン注入されたホトレジスト
も除去でき
　
ウ　「【００４１】図２について説明すると、典型的な表面処理操作時に以下の各ステップは行われる。固体または液体のエアロゾル粒子を発生させる（ステップ２１）。エアロゾル粒子を同伴するのに用いられるガス流が供給される（ステップ２３）。
エアロゾル粒子を同伴するのに用いられるガスを少なくとも音速に加速
基板表面の除去対象の異物に対し噴出する
【００４２】本発明者らは、エアロゾル粒子の発生ステップと加速ステップを分離することにより各ステップを最適化でき、洗浄効果を向上できることを実現した。
粒子の速度、密度およびサイズ等の洗浄条件を注意して選択すると、異物が表面から完全に除去され、表面に再付着しないことを保証でき
【００４３】
基板１４
は
加熱し
基板に直接熱的に接触している基板ホルダーの抵抗加熱で
　
エ　「【００８１】エアロゾル発生
エアロゾルの形成に使用する液体は、単独でも使用できるし、あるいはキャリアガスや希釈媒体としても役立つ高純度窒素のような別の高純度ガスと混合して使用することもできる。キャリアガス（たとえば、窒素、アルゴン、ヘリウム、水素、酸素、アンモニア、およびオゾン、あるいはこれらのガスの種々の組み合わせ）を使う場合は、キャリアガスは凍結エアロゾル粒子を加速するために気相にとどまっている方が好ましい。窒素、ヘリウム、または水素などの高純度物質の追加は、希釈媒体としても役立ち、希釈媒体は液体流を迅速に蒸発させたり小滴に分割して凍結エアロゾル粒子のサイズや速度を制御する手段にもなる。
【００８２】１実施例において、洗浄対象の基板表面から異物を除去するために
アルゴン含有エアロゾル
粒子直径は０．５μｍと１０μｍの間に制御され
粒子速度は１０−３００ｍ／秒
汚染物と基板の特性に依存
　
４　対比・判断
（１）本願発明と引用発明とを対比する。
ア　引用発明の「半導体ウエハ」、「基板」及び「フォトレジスト」は、本願発明の「半導体ウエハー」、「基体」及び「レジスト」にそれぞれ相当する。
　
イ　引用発明は、「その基板表面に付着されたフォトレジストを有」する「半導体ウエハなどの基板の表面」から「基板から亀裂を生じたフォトレジストを動かし(displace)、パターニングするために基板上にフォトレジストをもつ基板表面からフォトレジストを除去する方法」であるところ、「亀裂を生じたフォトレジストを動かす(displace)こと」は、本願発明のレジストをはく離することに相当し、また、「半導体ウエハなどの」「基板表面に付着されたフォトレジストを」「除去する」ことは、本願発明の半導体ウエハー洗浄に相当する。
　したがって、引用発明の、「その基板表面に付着されたフォトレジストを有」する「半導体ウエハなどの基板の表面」から「亀裂を生じたフォトレジストを動かす(displace)ことを含み、パターニングするために基板上にフォトレジストをもつ基板表面からフォトレジストを除去する方法」は、本願発明の「表面にレジストを有している基体からレジストをはく離・除去する半導体ウエハー洗浄法」に相当する。
　
ウ　引用発明は、「その基板表面に付着されたフォトレジストを有」する「半導体ウエハなどの基板」を、「プラテンまたはプラットフォームなどの支持部材上で加熱するために配置され、前記プラテンを170℃〜280℃の範囲に加熱し、熱はプラテンから基板に伝えられて、結果的に基板は170℃〜280℃の温度に加熱され」る「加熱段階」を実施するから、「その基板表面に付着されたフォトレジストを有」する「半導体ウエハなどの基板」を、170℃以上の温度に加熱する「加熱段階」を実施するものであるといえる。
　したがって、引用発明の、「その基板表面に付着されたフォトレジストを有」する「半導体ウエハなどの基板」を、「プラテンまたはプラットフォームなどの支持部材上で加熱するために配置され、前記プラテンを170℃〜280℃の範囲に加熱し、熱はプラテンから基板に伝えられて、結果的に基板は170℃〜280℃の温度に加熱され」る「加熱段階」を実施することは、本願発明の「レジストを有している基体を100℃以上に加温又は加熱せしめ」る点に相当する。
　
エ　引用発明の「亀裂又は割れ目を発生させたクラスト及びバルクレジストの除去」は、「エーロゾルまたは流体ジェットを使用」するものであって、「前記エーロゾルは気体中に取り込まれた固体粒子からなり、前記固体粒子は、アルゴン、窒素、二酸化炭素またはその組み合わせなどの極低温粒子であり」、「前記エーロゾルは、極低温エーロゾルの極低温スプレーであって、前記エーロゾルスプレーまたは流体ジェットは極低温剤または流体、たとえば二酸化炭素、アルゴン、窒素またはこれらの任意の好適な組み合わせを含む極低温ガスであ」り、また、「前記流体ジェットは基板に向けた液体または気体の流れを含み」、「加熱段階と、エーロゾルまたは流体ジェット適用段階を同時に実施する」ことにより、「基板から亀裂を生じたフォトレジストを動かし(displace)、パターニングするために基板上にフォトレジストをもつ基板表面からフォトレジストを除去する」ものであるから、170℃以上の温度に加熱した「その基板表面に付着されたフォトレジストを有」する「半導体ウエハなどの基板」に、アルゴンを含む極低温ガスに取り込まれた窒素の極低温粒子からなる「エーロゾル」により、「基板から亀裂を生じたフォトレジストを動かし(displace)、パターニングするために基板上にフォトレジストをもつ基板表面からフォトレジストを除去する」（洗浄）媒体として使用するものであるといえる。
　ここで、アルゴンを含む極低温ガスは、本願発明における「極低温不活性ガス」に相当する。
　したがって、引用発明の、「エーロゾルまたは流体ジェットを使用」するものであって、「前記エーロゾルは気体中に取り込まれた固体粒子からなり、前記固体粒子は、アルゴン、窒素、二酸化炭素またはその組み合わせなどの極低温粒子であり」、「前記エーロゾルは、極低温エーロゾルの極低温スプレーであって、前記エーロゾルスプレーまたは流体ジェットは極低温剤または流体、たとえば二酸化炭素、アルゴン、窒素またはこれらの任意の好適な組み合わせを含む極低温ガスであ」り、また、「前記流体ジェットは基板に向けた液体または気体の流れを含み」、「加熱段階と、エーロゾルまたは流体ジェット適用段階を同時に実施する」ことにより、「基板から亀裂を生じたフォトレジストを動かし(displace)、パターニングするために基板上にフォトレジストをもつ基板表面からフォトレジストを除去する」「亀裂又は割れ目を発生させたクラスト及びバルクレジストの除去」と、本願発明の、「加温又は加熱された半導体ウエハー表面上のレジストに対して極低温不活性ガスと過冷却液体窒素の二流体により生成され、固体粒子が平均粒子径10μm以下であり且つ流速15m/s又はそれ以上の流速である極低温マイクロ・ナノソリッド窒素噴霧ジェット流を衝突させ、当該極低温マイクロ・ナノソリッド窒素噴霧ジェット流をレジスト洗浄媒体として使用すること」とは、「加熱された半導体ウエハー表面上のレジストに対して極低温不活性ガスと窒素の固体粒子である極低温ソリッド窒素噴霧ジェット流を衝突させ、当該極低温ソリッド窒素噴霧ジェット流をレジスト洗浄媒体として使用すること」である点で一致する。
　
オ　したがって、両者は、
「表面にレジストを有している基体からレジストをはく離・除去する半導体ウエハー洗浄法において、
前記レジストを有している基体を100℃以上に加温又は加熱せしめ、
該加熱された半導体ウエハー表面上のレジストに対して極低温不活性ガスと窒素の固体粒子である極低温ソリッド窒素噴霧ジェット流を衝突させ、当該極低温ソリッド窒素噴霧ジェット流をレジスト洗浄媒体として使用する半導体ウエハー洗浄法。」
である点で一致し、下記点で相違する。
　
カ　本願発明の「レジスト洗浄媒体」の「極低温ソリッド窒素噴霧ジェット流」をなす「固体粒子」は、「極低温不活性ガスと過冷却液体窒素の二流体により生成され」るものであって、「平均粒子径10μm以下（すなわち、「マイクロ・ナノ（ソリッド）」である）であり且つ流速15m/s又はそれ以上の流速で」で流れるものであるのに対して、引用発明の「エーロゾル」の極低温ソリッド窒素噴霧ジェット流をなす「固体粒子」は、生成方法、平均粒子径、及び、流速が特定されない点で相違する（以下「相違点」という）。
　
（２）判断
ア　上記相違点について検討する。
（ア）「レジスト洗浄媒体」の「固体粒子」の平均粒子径、及び、流速について検討する。
ａ　引用文献４には、「極低温の固体アルゴン粒子のエアロゾルも基板表面の洗浄に使われてい」て、「高速エアロゾル粒子は」、「硬くベーキングされたホトレジストやイオン注入されたホトレジスト」「も除去でき」、「基板は基板に直接熱的に接触している基板ホルダーの抵抗加熱で加熱し」つつ、「エアロゾル粒子を同伴するのに用いられるガスを少なくとも音速に加速」して「基板表面の除去対象の異物に対し噴出する」ものであって、「粒子の速度、密度およびサイズ等の洗浄条件を注意して選択すると、異物が表面から完全に除去され、表面に再付着しないことを保証でき」、「アルゴン含有エアロゾル」は「汚染物と基板の特性に依存」して、「粒子直径は０．５μｍと１０μｍの間に制御され」、「粒子速度は１０−３００ｍ／秒」である「回路の微細化が進ん」だ「ウエーハ表面」の「エアロゾル洗浄」方法が記載されている（上記３（４））。
　
ｂ　したがって、引用発明を実施するに際して、「エーロゾル」の「固体粒子」の平均粒子径、及び、流速は、「汚染物と基板の特性に依存」して適宜定めるべきものであるといえるところ、引用文献４の上記ａの「エアロゾル粒子」についての記載を参酌して、「粒子直径は０．５μｍと１０μｍの間に制御され」、「粒子速度は１０−３００ｍ／秒」となすことに格別の困難性はない。
　
（イ）次に、「固体粒子」の生成方法について検討する。
ａ　引用文献２には、液化ガスである過冷却液体窒素流を極低温のヘリウムガスの流れの作用で微粒化噴霧冷却に付すことにより行う、前記液化ガスは、液体窒素、液体酸素、液体水素、液体アルゴンなどであり、粒子径がミクロンオーダーのサイズである、液化ガスのスラッシュ固液二相流体によるマイクロスラッシュ流体の生成法（上記３（２））が、また、引用文献３には、液化ガスである過冷却液体窒素流を極低温のヘリウムガスの流れの作用で微粒化噴霧冷却に付すことにより行う、前記液化ガスは、液体窒素、液体酸素、液体水素、液体アルゴンなどであり、平均粒子径において1〜100μmサイズより小さいものである、液化ガスのスラッシュ固液二相流体によるマイクロスラッシュ流体の生成法（上記３（３））が記載され、平均粒子径がミクロンオーダーのサイズないし1〜100μmサイズより小さい、窒素、酸素、水素、アルゴンなどの固体粒子の製造方法として、過冷却液体窒素（酸素、水素、アルゴン）流を極低温のヘリウムガスの流れの作用で微粒化噴霧冷却に付すことにより行う、液化ガスのスラッシュ固液二相流体によるマイクロスラッシュ流体の生成法は従来周知の技術であったといえる。
　
ｂ　そうすると、引用発明の「エーロゾル」のアルゴン固体粒子の平均粒子径、及び、流速を、引用文献４の上記（ア）ａの記載を参酌して、「粒子直径は０．５μｍと１０μｍの間に制御され」、「粒子速度は１０−３００ｍ／秒」とするに際して、引用発明の「エーロゾル」のアルゴン固体粒子の生成方法として、上記ａの従来周知の技術のマイクロスラッシュ流体は、具体的用途が引用発明とは相違しているものの、引用発明の「エーロゾル」の「アルゴン固体粒子の生成方法」として採用することを阻害する格別の事由はみあたらないから、上記ａの従来周知の技術の平均粒子径がミクロンオーダーのサイズないし1〜100μmサイズより小さい、窒素、酸素、水素、アルゴンなどの固体粒子の製造方法である、過冷却液体窒素（酸素、水素、アルゴン）流を極低温のヘリウムガスの流れの作用で微粒化噴霧冷却に付すことにより行う、液化ガスのスラッシュ固液二相流体によるマイクロスラッシュ流体の生成法を適用することに技術的困難はなく、引用発明に、引用文献２、３に記載された上記ａの従来周知の技術のマイクロスラッシュ流体の生成法を適用しつつ、引用文献４の上記（ア）ａの記載を参酌した平均粒子径、及び、流速となして本願発明に係る上記相違点の構成となすことに格別の困難はない。
　
イ　小括
　上記アでの検討によれば、引用発明及び引用文献２ないし４に記載の事項に基づいて、相違点に係る本願発明の構成とすることは当業者が容易になしうる程度のことと認められる。
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用発明及び引用文献２ないし４に記載の事項に基づいて、容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。