【事件の表示】
　特願２０１２−　１１５８９「基板部材上に構成された複数のエミッタを有するレーザーパッケージ」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　８月３０日出願公開、特開２０１２−１６４９８１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成２４年１月２４日（パリ条約による優先権主張、平成２３年１月２４日　米国）の出願であって、平成２５年７月４日付けの拒絶理由の通知に対し、同年１０月１１日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がなされたが、同年１２月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成２６年５月９日に審判請求がなされるとともに手続補正がなされたものである。
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２６年５月９日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１〜２４に記載されたとおりのものであって、その請求項２４に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりである。
「レーザー素子であって、
　前側および後側を有する基板、当該基板は、｛２０−２１｝面または｛２０−２１｝面から＋／−５度内にある面によって特徴付けられる表面領域を有する、と、
　前記基板内に配置された少なくとも１つの活性領域と、
　前記活性領域上に形成されたＮ個のエミッタのアレイ、ここで、Ｎは３よりも多く、当該Ｎ個のエミッタのアレイは、実質的に互いに平行であり、前記前側と前記後側との間に配置され、当該Ｎ個のエミッタはそれぞれ、前記前側で放射を出射するように構成され、当該Ｎ個のエミッタのアレイは、Ｎ本のレーザー光線を出射可能であり、当該Ｎ個のエミッタのアレイは、青色波長または緑色波長と関連し、当該Ｎ個のエミッタのアレイは、平均動作電力によって特徴付けられ、当該Ｎ個のエミッタはそれぞれ、長さおよび幅によって特徴付けられる、と、
　前記Ｎ個のエミッタのアレイに電気的に接続された少なくとも１つの電極と、
　前記エミッタからの放射を光学的に組み合わせるように、前記基板の前側に配置された少なくとも１つの光学部材と、
を備え、
　前記レーザー素子は、ＡｌＧａＮクラッドまたはＩｎＡｌＧａＮクラッドを実質的に含まない、
レーザー素子。」
３　引用例
（１）原査定の拒絶の理由で引用された、国際公開第２０１０／１２０８１９号（以下「引用例」という。）には、図とともに次の記載がある（当審による和訳を括弧内に付記した。また、下線は当審で付した（以下同じ）。）。
「[0012] In other embodiments, the present invention includes a device and method configured on other gallium and nitrogen containing substrate orientations. In a specific embodiment, the gallium and nitrogen containing substrate is configured on a family of planes including a {20-21} crystal orientation. In a specific embodiment, {20-21} is 14.9 degrees off of the m-plane towards the c-plane (0001). As an example, the miscut or off-cut angle is +/- 17 degrees from the m-plane towards c-plane or alternatively at about the {20-21} crystal orientation plane. As another example, the present device includes a laser stripe oriented in a projection of the c-direction, which is perpendicular to the a-direction (or alternatively on the m-plane, it is configured in the c-direction). In one or more embodiments, the cleaved facet would be the gallium and nitrogen containing face (e.g., GaN face) that is +/-5 degrees from a direction orthogonal to the projection of the c-direction (or alternatively, for the m-plane laser, it is the c-face). Of course, there can be other variations, modifications, and alternatives.」
（[0012]他の実施形態において、本発明は、他のガリウムおよび窒素含有基板配向上に構成された素子および方法を含む。特定の実施形態において、前記ガリウムおよび窒素含有基板は、｛２０−２１｝結晶配向を含む一群の面上に構成される。特定の実施形態において、｛２０−２１｝は、ｍ面からｃ面（０００１）に向かって１４．９度の角度でオフしている。一例として、そのミスカットまたはオフカット角度は、ｍ面からｃ面に向かって＋／−１７度であるか、あるいは、おおよそ｛２０−２１｝結晶配向面にある。別の例として、本素子は、ｃ方向の射影内に配向されたレーザストライプを含み、その方向はａ方向に対して垂直である（またはｍ面上では、レーザストライプはｃ方向に構成される）。１つ以上の実施形態において、劈開面は、ガリウムおよび窒素含有面（例えば、ＧａＮ面）であり、その劈開面は、ｃ方向のその射影に直交する方向から＋／−５度である（あるいは、ｍ面レーザでは、その劈開面はｃ面である）。もちろん、他の改変、変更および代替が可能である。）、
「[0013] Benefits are achieved over pre-existing techniques using the present invention. In particular, the present invention enables a cost-effective optical device for laser applications. In a specific embodiment, the present optical device can be manufactured in a relatively simple and cost effective manner. Depending upon the embodiment, the present apparatus and method can be manufactured using conventional materials and/or methods according to one of ordinary skill in the art. The present laser device uses a nonpolar gallium nitride material capable of achieve a laser having a wavelength of about 400 nanometers and 405 nanometers can greater, among others. In other embodiments, the device and method can achieve a wavelength of about 500 nanometers and greater including 520 nanometers. Depending upon the embodiment, one or more of these benefits may be achieved. These and other benefits may be described throughout the present specification and more particularly below.」
（[0013]本発明を用いれば、既存の技術に比して利点が達成される。詳細には、本発明により、レーザ用途のためのコスト効率の良い光学素子が可能となる。特定の実施形態において、本光学素子は、比較的単純かつコスト効率の良い方法で製造が可能である。実施形態に応じて、本装置および方法は、従来の材料を用いてかつ／または当業者に従った方法を用いて、製造が可能である。本レーザ素子は、波長が例えば約４００ナノメートルおよび４０５ナノメートル以上のレーザを達成することが可能な無極性窒化ガリウム材料を用いる。
他の実施形態において、前記素子および方法は、約５００ナノメートル以上（例えば、５２０ナノメートル）の波長を達成可能である。
「[0022] Figure 1 is a simplified perspective view of a laser device 100 fabricated on a non- polar substrate according to an embodiment of the present invention. This diagram is merely an example, which should not unduly limit the scope of the claims herein. One of ordinary skill in the art would recognize other variations, modifications, and alternatives. As shown, the optical device includes a gallium nitride substrate member 101 having a nonpolar crystalline surface region characterized by an orientation of about -2 degrees to about 2 degrees towards (000-1) and less than about 0.5 degrees towards (11-20). In a specific embodiment, the gallium nitride substrate member is a bulk GaN substrate characterized by having a nonpolar crystalline surface region, but can be others. In a specific embodiment, the bulk nitride GaN substrate comprises nitrogen and has a surface dislocation density below 105cm-2. The nitride crystal or wafer may comprise AlxInyGa1-x-yN, where 0  x, y, x+y  1. In one specific embodiment, the nitride crystal comprises GaN. In one or more embodiments, the GaN substrate has threading dislocations, at a concentration between about 105cm-2 and about 108cm-2, in a direction that is substantially orthogonal or oblique with respect to the surface. As a consequence of the orthogonal or oblique orientation of the dislocations, the surface dislocation density is below about 105cm-2.」
（[0022]図１は、本発明の実施形態による、無極性基板上に作製されたレーザ素子１００の簡単な斜視図である。本図は単に一例であり、本明細書中の特許請求の範囲を過度に限定するものではない。当業者であれば、他の変更、改変および代替を認識する。図示のように、前記光学素子は、窒化ガリウム基板部材１０１を含み、その部材は、（０００−１）に向かって約−２度〜約２度および（１１−２０）に向かって約０．５度未満の配向により特徴付けられる無極性結晶性表面領域を有する。特定の実施形態において、窒化ガリウム基板部材は、無極性結晶性表面領域を有することによって特徴付けられるバルクＧａＮ基板であるが、他もあり得る。特定の実施形態において、前記バルク窒化物ＧａＮ基板は窒素を含み、表面転位密度が１０５ｃｍ−２を下回る。前記窒化物結晶またはウェーハは、ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０＜ｘ、ｙ、ｘ＋ｙ＜１）を含み得る。１つの特定の実施形態において、前記窒化物結晶はＧａＮを含む。１つ以上の実施形態において、前記ＧａＮ基板は、約１０５ｃｍ−２〜約１０８ｃｍ−２の濃度において、前記表面に対して実質的に直交または斜めの方向において、貫通転位を有する。前記直交または斜め方向の転位に起因して、前記表面転位密度は、約１０５ｃｍ−２を下回る。）、
「[0026] In a specific embodiment, the laser stripe has a length and width. The length ranges from about 50 microns to about 3000 microns. The strip also has a width ranging from about 0.5 microns to about 50 microns, but can be other dimensions. In a specific embodiment, the width is substantially constant in dimension, although there may be slight variations. The width and length are often formed using a masking and etching process, which are commonly used in the art. Further details of the present device can be found throughout the present specification and more particularly below.」
（[0026]特定の実施形態において、そのレーザストライプは、長さおよび幅を有する。前記長さは、約５０ミクロン〜約３０００ミクロンの範囲である。前記ストライプの幅は、約０．５ミクロン〜約５０ミクロンの範囲であるが、他の寸法であってもよい。特定の実施形態において、前記幅は実質的に一定の寸法であるが、若干の変動もあり得る。前記幅および長さは、当該分野において一般的に用いられるマスキングおよびエッチングプロセスを用いて形成されることが多い。本素子のさらなる詳細は、本明細書中に記載され、以下により詳細に記載される。）、
「[0028] Figure 2 is a detailed cross-sectional view of a laser device 200 fabricated on a nonpolar substrate according to an embodiment of the present invention. This diagram is merely an example, which should not unduly limit the scope of the claims herein. One of ordinary skill in the art would recognize other variations, modifications, and alternatives. As shown, the laser device includes gallium nitride substrate 203, which has an underlying n-type metal back contact region 201. In a specific embodiment, the metal back contact region is made of a suitable material such as those noted below and others. Further details of the contact region can be found throughout the present specification and more particularly below.」
（[0028]図２は、本発明の実施形態による、無極性基板上に作製されたレーザ素子２００の詳細な断面図である。本図は単に一例であり、本明細書中の特許請求の範囲を過度に限定するものではない。当業者であれば、他の変更、改変および代替を認識する。図示のように、前記レーザ素子は、窒化ガリウム基板２０３を含み、その窒化ガリウム基板２０３は、下側にあるｎ型金属バックコンタクト領域２０１を有する。特定の実施形態において、前記金属バックコンタクト領域は、以下に記載されたような、または、それ以外の適切な材料によって構成される。前記コンタクト領域のさらなる詳細は、本明細書中に記載され、以下により詳細に記載される。）、
「[0029] In a specific embodiment, the device also has an overlying n-type gallium nitride layer 205, an active region 207, and an overlying p-type gallium nitride layer structured as a laser stripe region 209. In a specific embodiment, each of these regions is formed using at least an epitaxial deposition technique of metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), molecular beam epitaxy (MBE), or other epitaxial growth techniques suitable for GaN growth. In a specific embodiment, the epitaxial layer is a high quality epitaxial layer overlying the n-type gallium nitride layer. In some embodiments the high quality layer is doped, for example, with Si or O to form n-type material, with a dopant concentration between about 1016cm3 and 1020cm3.」
（[0029]特定の実施形態において、前記素子はまた、被覆しているｎ型窒化ガリウム層２０５と、活性領域２０７と、レーザストライプ領域２０９として構築された被覆しているｐ型窒化ガリウム層とを有する。特定の実施形態において、これらの各領域は、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）、またはＧａＮ成長に適した他のエピタキシャル成長技術といったエピタキシャル蒸着技術を少なくとも用いて形成される。特定の実施形態において、前記エピタキシャル層は、ｎ型窒化ガリウム層を被覆する高品質のエピタキシャル層である。いくつかの実施形態において、前記高品質の層は、例えばＳｉまたはＯによってドープされて、ｎ型材料を形成し、その際のドーパント濃度は、約１０１６ｃｍ−３および１０２０ｃｍ−３である。）、
[0032] In a specific embodiment, the laser stripe region is made of the p-type gallium nitride layer 209. In a specific embodiment, the laser stripe is provided by an etching process selected from dry etching or wet etching. In a preferred embodiment, the etching process is dry, but can be others. As an example, the dry etching process is an inductively coupled process using chlorine bearing species or a reactive ion etching process using similar chemistries. Again as an example, the chlorine bearing species are commonly derived from chlorine gas or the like. The device also has an overlying dielectric region, which exposes 213 contact region. In a specific embodiment, the dielectric region is an oxide such as silicon dioxide or silicon nitride, but can be others. The contact region is coupled to an overlying metal layer 215. The overlying metal layer is a multilayered structure containing gold and platinum (Pt/ Au), but can be others. Of course, there can be other variations, modifications, and alternatives.
（[0032]特定の実施形態において、前記レーザストライプ領域は、前記ｐ型窒化ガリウム層２０９によって構成される。特定の実施形態において、前記レーザストライプは、ドライエッチングまたはウェットエッチングから選択されたエッチングプロセスにより、提供される。好適な実施形態において、前記エッチングプロセスはドライであるが、他であってもよい。一例として、前記ドライエッチングプロセスは、塩素保有化学種を用いた誘導結合プロセスまたは類似の化学的性質を用いた反応性イオンエッチングプロセスである。やはり一例として、前記塩素保有化学種は、塩素ガスなどから一般的に抽出される。前記素子は、被覆している誘電領域も有する。前記領域は、コンタクト領域２１３を露出させる。特定の実施形態において、前記誘電領域は、酸化物（例えば、二酸化ケイ素）または窒化ケイ素であるが、他のものであってもよい。前記コンタクト領域は、被覆している金属層２１５に結合される。前記被覆している金属層は、金および白金（Ｐｔ／Ａｕ）を含む多層構造であるが、他のものであってもよい。もちろん、他の改変、変更および代替が可能である。）、
「[0061] In other embodiments, the present invention includes a device and method configured on other gallium and nitrogen containing substrate orientations. In a specific embodiment, the gallium and nitrogen containing substrate is configured on a family of planes including a {20-21} crystal orientation. In a specific embodiment, {20-21} is 14.9 degrees off of the m-plane towards the c-plane (0001). As an example, the miscut or off-cut angle is +/-17 degrees from the m-plane towards c-plane or alternatively at about the {20-21} crystal orientation plane. As another example, the present device includes a laser stripe oriented in a projection of the c-direction, which is perpendicular to the a-direction (or alternatively on the m-plane, it is configured in the c-direction). In one or more embodiments, the cleaved facet would be the gallium and nitrogen containing face (e.g., GaN face) that is +/-5 degrees from a direction orthogonal to the projection of the c-direction (or alternatively, for the m-plane laser, it is the c-face). Of course, there can be other variations, modifications, and alternatives.」
（[0061]他の実施形態において、本発明は、他のガリウムおよび窒素含有基板配向上に構成された素子および方法を含む。特定の実施形態において、前記ガリウムおよび窒素含有基板は、｛２０−２１｝結晶配向を含む一群の面上に構成される。特定の実施形態において、｛２０−２１｝は、ｍ面からｃ面（０００１）に向かって１４．９度の角度でオフしている。一例として、そのミスカットまたはオフカット角度は、ｍ面からｃ面に向かって＋／−１７度であるか、あるいは、おおよそ｛２０−２１｝結晶配向面にある。別の例として、本素子は、ｃ方向の射影内に配向されたレーザストライプを含み、その方向はａ方向に対して垂直である（またはｍ面上では、レーザストライプはｃ方向に構成される）。１つ以上の実施形態において、劈開面は、ガリウムおよび窒素含有面（例えば、ＧａＮ面）であり、その劈開面は、ｃ方向のその射影に直交する方向から＋／−５度である（あるいは、ｍ面レーザでは、その劈開面はｃ面である）。もちろん、他の改変、変更および代替が可能である。）、
「33. An optical device comprising: a gallium nitride substrate member having an m-plane crystalline surface region characterized by a off-cut orientation of about -17 degrees to about 17 degrees towards a c-plane; a laser stripe region formed overlying a portion of the m-plane crystalline orientation surface region, the laser strip region having a first end and a second end; a first cleaved facet provided on the first end of the laser stripe region; and a second cleaved facet provided on the second end of the laser stripe region.」
（３３．
光学素子であって、
　
ｃ面に向かって−１７度乃至１７度のオフカット配向によって特徴付けられるｍ面の結晶性表面領域を有するガリウムおよび窒素含有基板部材と、
　
前記ｍ面の結晶性配向表面領域の一部を被覆して形成されたレーザストライプ領域であって、第１の端部および第２の端部を有するレーザストライプ領域と、
　
前記レーザストライプ領域の前記第１の端部上に設けられた第１の劈開面と、前記レーザストライプ領域の前記第２の端部上に設けられた第２の劈開面と、を含む光学素子。
34. The device of claim 33 wherein the m-plane crystalline orientation surface region configured by the off-cut is a {20-21 } plane.
「３４．
前記オフカットによって構成される前記ｍ面の結晶表面領域は、｛２０−２１｝面であることを特徴とする請求項３３に記載の光学素子。
（２）上記（１）の各記載によれば、引用例には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「｛２０−２１｝面の結晶性表面領域を有するガリウムおよび窒素含有基板部材と、
　前記結晶性配向表面領域の一部を被覆して形成されたレーザストライプ領域であって、第１の端部および第２の端部を有するレーザストライプ領域と、
　前記レーザストライプ領域の前記第１の端部上に設けられた第１の劈開面と、前記レーザストライプ領域の前記第２の端部上に設けられた第２の劈開面と、を含み、
　約５００ナノメートル以上（例えば、５２０ナノメートル）の波長を達成可能である
　光学素子。」
４　対比
（１）本願発明と引用発明とを以下に対比する。
ア　引用発明の「光学素子」が、本願発明の「レーザー素子」に相当することは明らかである。
イ　引用発明の「｛２０−２１｝面の結晶性表面領域を有するガリウムおよび窒素含有基板部材」は、本願発明の「｛２０−２１｝面」「によって特徴付けられる表面領域を有する」「基板」に相当する。
　そして、引用発明は「第１の端部および第２の端部を有するレーザストライプ領域」を備えているから、引用発明の上記「基板部材」が「前側および後側を有する」ことは明らかである。
ウ　引用発明の「５２０ナノメートル」「の波長」は、本願発明の「緑色波長」に相当する。
エ　引用発明は「前記結晶性配向表面領域の一部を被覆して形成されたレーザストライプ領域であって、第１の端部および第２の端部を有するレーザストライプ領域」を備えており、当該「レーザストライプ領域」には「前記第１の端部上に設けられた第１の劈開面」と「前記第２の端部上に設けられた第２の劈開面」が備えられているから、引用発明は「前記基板内に配置された少なくとも１つの活性領域」と「前記基板上に形成された」「エミッタ」とを備えており、当該「エミッタ」は「前側で放射を出射するように構成され」ているとともに「レーザー光線を出射可能であ」ることが明らかである。
　そして、上記ウに照らせば、引用発明において、当該「エミッタ」が「緑色波長に関連し」ているといえる。
　また、引用発明が、当該「エミッタ」に「電気的に接続された」「電極」を備えていることは明らかである。
オ　本願発明の「当該Ｎ個のエミッタのアレイは、平均動作電力によって特徴付けられ、当該Ｎ個のエミッタはそれぞれ、長さおよび幅によって特徴付けられる」との特定事項について
（ア）上記特定事項の意義について検討する。
ａ　本願明細書には、次の記載がある。
「・・・これらＮ個のエミッタのアレイは、平均動作電力が少なくとも２５ｍＷである点により、特徴付けられる。これらＮ個のエミッタはそれぞれ、長さおよび幅により特徴付けられる。この長さは少なくとも４００ｕｍであり、この幅は少なくとも１ｕｍである。・・・」（段落【００１０】）、
「用途に応じて、高出力レーザー素子は、複数のキャビティ部材を持ち得る。・・・多様な実施形態において、前記キャビティ部材の長さは、３００ｕｍ〜２０００ｕｍの範囲であり得、場合によっては３０００ｕｍであり得る。」（段落【００４４】）、
「・・・各エミッタが生成し得る平均出力は、２５〜５０ｍＷ、５０〜１００ｍＷ、１００〜２５０ｍＷ、２５０〜５００ｍＷ、５００〜１０００ｍＷ、または１Ｗを超える範囲であり得る。・・・」（段落【００４５】）、
「現在の技術によれば、個々のエミッタの寸法については、幅が１．０〜３．０ｕｍ、３．０〜６．０ｕｍ、６．０〜１０．０ｕｍ、１０〜２０．０ｕｍ、および２０ｕｍを超える範囲であり得る。長さについては、４００ｕｍ〜８００ｕｍ、８００ｕｍ〜１２００ｕｍ、１２００ｕｍ〜１６００ｕｍ、または１６００ｕｍを超える範囲であり得る。」（段落【００４６】）
ｂ　また、本願の特許請求の範囲の請求項１には次の記載がある。
「レーザー素子であって、
　ガリウムおよび窒素材料を含む基板、当該基板は、｛２０−２１｝面または｛２０−２１｝面から＋／−５度内にある面によって特徴付けられる表面領域を有し、また当該基板は、前側および後側を有する、と、
　前記基板内に配置された少なくとも１つの活性領域と、
　前記活性領域上に形成されたＮ個のエミッタのアレイ、ここで、Ｎは３よりも多く、前記Ｎ個のエミッタのアレイは、実質的に互いに平行であり、前記前側と前記後側との間に配置され、前記Ｎ個のエミッタはそれぞれ、前記前側で放射を出射するように構成され、前記Ｎ個のエミッタのアレイは、Ｎ本のレーザー光線を出射可能であり、前記Ｎ個のエミッタのアレイは、青色波長または緑色波長と関連し、
前記Ｎ個のエミッタのアレイは、平均動作電力が少なくとも２５ｍＷであり、前記Ｎ個のエミッタはそれぞれ、長さおよび幅によって特徴付けられ、当該長さは少なくとも４００ｕｍであり、当該幅は少なくとも１ｕｍである
　前記Ｎ個のエミッタのアレイに電気的に接続された少なくとも１つの電極と、
　前記エミッタからの放射を光学的に組み合わせるように、前記基板の前記前側に配置された少なくとも１つの光学部材と、
を備え、
　前記レーザー素子は、ＡｌＧａＮクラッドまたはＩｎＡｌＧａＮクラッドを実質的に含まない、
レーザー素子。」
ｃ　上記ａ・ｂによれば、本願発明の上記特定事項は、Ｎ個のエミッタのアレイの平均動作電力とＮ個のエミッタのそれぞれの長さおよび幅とに係る数値限定を省いたものと解されるから、上記特定事項は、その文言にも照らし、「当該Ｎ個のエミッタのアレイは、所定の平均動作電力を有し、当該Ｎ個のエミッタはそれぞれ、所定の長さおよび幅を有する」ことを意味するものと解するのが相当である。
（イ）引用発明についてみると、「第１の端部および第２の端部を有するレーザストライプ領域」を備える「光学素子」（本願発明の「レーザー素子」に相当。）であるから、エミッタは、所定の平均動作電力を有し、所定の長さおよび幅を有することが明らかである。
　したがって、本願発明と引用発明とは、「当該」「エミッタ」「は、平均動作電力によって特徴付けられ、当該」「エミッタはそれぞれ、長さおよび幅によって特徴付けられる」点で一致する。
（２）上記（１）によれば、本願発明と引用発明とは、
「レーザー素子であって、
　前側および後側を有する基板、当該基板は、｛２０−２１｝面によって特徴付けられる表面領域を有する、と、
　前記基板内に配置された少なくとも１つの活性領域と、
　前記活性領域上に形成されたエミッタは、前記前側と前記後側との間に配置され、当該エミッタは、前記前側で放射を出射するように構成され、
　当該エミッタは、レーザー光線を出射可能であり、当該エミッタは、緑色波長と関連し、当該エミッタは、平均動作電力によって特徴付けられ、当該エミッタは、長さおよび幅によって特徴付けられる、と、
　前記エミッタに電気的に接続された電極と、
　を備える、
　レーザー素子。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
［相違点１］
　活性領域上に形成され、前側と後側との間に配置され、前記前側で放射を出射するように構成され、レーザー光線を出射可能であり、緑色波長と関連し、平均動作電力によって特徴付けられ、長さおよび幅によって特徴付けられるとともに少なくとも１つの電極が電気的に接続されるエミッタについて、本願発明は、実質的に互いに平行なＮ個のアレイ（Ｎは３よりも多い。）からなるのに対し、引用発明ではそうなっていない点。
［相違点２］
　本願発明では、「前記エミッタからの放射を光学的に組み合わせるように、前記基板の前側に配置された少なくとも１つの光学部材」を備えているのに対し、引用発明ではそうなっていない点。
［相違点３］
　本願発明では、「レーザー素子は、ＡｌＧａＮクラッドまたはＩｎＡｌＧａＮクラッドを実質的に含まない」のに対し、引用発明では、そのような特定がない点。
５　判断
　上記［相違点］について検討する。
（１）［相違点１］及び［相違点２］について
　本願発明の属する半導体レーザー素子の技術分野において、高出力化は例示するまでもなく周知の課題であるところ、その課題を解決するために、Ｎ個のアレイからなる半導体レーザー素子と、その各個からの放射を光学的に組み合わせるようにするための光学部材とを配置することは周知技術である（例えば、特開２００６−１２０９２３号公報の段落【０００７】・図５、国際公開第２００５／０５７７４３号の段落【０００３】・【０００４】・【００６２】〜【００６６】・【０１００】、特開２００１−２８４７３０号公報の段落【０００２】・【０００３】、特開２００５−２２９０６０号公報の段落【０００２】・【０００３】を参照。）。
　また、Ｎ個のアレイからなる半導体レーザー素子として、エミッタをＮ個のアレイにしたものであって、当該Ｎ個のエミッタのアレイは、実質的に互いに平行であるものも周知技術である（例えば、特開２００２−１８５０８２号公報の段落【００１８】・【００２６】〜【００３１】・図１・２を参照。）。
　そうすると、引用発明において、高出力化という周知の課題を解決するために、上記各周知技術を採用し、上記［相違点１］及び［相違点２］の構成となすことは、当業者が容易に想到し得たことである。
（２）［相違点３］について
　ＡｌＧａＮクラッドまたはＩｎＡｌＧａＮクラッドを実質的に含まないレーザー素子は引用例に記載されており（上記３（１）の[0029]の「被覆しているｎ型窒化ガリウム層２０５」及び「レーザストライプ領域２０９として構築された被覆しているｐ型窒化ガリウム層」を参照。）、引用発明において上記［相違点３］の構成となすことは、当業者が適宜なし得たことである。
（３）本願発明の効果は、引用発明、引用例の記載及び上記各周知技術に基づいて当業者が予測し得たものである。
（４）よって、本願発明は、引用発明、引用例の記載及び上記各周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。