【事件の表示】
　平成　３年特許願第２９４５６８号「セラミックス回路基板」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年　６月　１日出願公開、特開平　５−１３６２９０］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯・本願発明
　本願は、平成３年１１月１１日の出願であって、その請求項１〜８に係る発明は、特許法第１７条の２の規定に基づき平成１３年１０月２３日付け手続補正書によって全文補正された明細書と一部補正された出願当初の図面（以下、「本願明細書及び図面」という。）の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜８に記載されたとおりの「セラミックス回路基板」にあるものと認められるところ、その請求項１に記載された発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
「セラミックス基板に銅回路板を、Ｔｉを含む活性な金属の接合層を介して一体的に接合するとともに、前記銅回路板の表面に半導体チップを半田層を介して接合したセラミックス回路基板において、前記銅回路板の半田層側の表面に、当該表面を外部に連通する深さ５０μｍ以上の溝を形成することにより、前記半田層中に存在する半田巣を８％以下にしたことを特徴とするセラミックス回路基板。」
　　
［２］引用刊行物の記載事項
　これに対して、当審において平成１３年８月１０日付けで通知した拒絶の理由に引用した、以下に示す本願出願前頒布された刊行物には、それぞれ下記の事項が記載されている。
刊行物：
　特開昭６０−１７７６３５号公報（以下、「引用刊行物１」という。）、　特公昭４８−３１０２２号公報（以下、「引用刊行物２」という。）、
　特開昭５４−１２２０８８号公報（以下、「引用刊行物３」という。）、　特開昭５０−５７５７９号公報（以下、「引用刊行物４」という。）
　　
［２−１］引用刊行物１：
「第４図に断面的に示す如く複数枚のＣｕ部材１２及びＣｕ製熱拡散板１７の接合面に蒸着法によってＴｉ層を１μｍ堆積した後、………ＡｌＮ基体１１とを厚さ２μｍのＡｇ層を介在させ、２×１０−５ｔｏｒｒの真空度に保持したホットプレス中にセットした。ひきつづき、上方のＣｕ部材１２と下方の熱拡散板１７の間に上下方向から０．１ｋｇ／ｍｍ２の圧力を加え、高周波加熱によりＡｌＮ基体１１とＣｕ部材１２及びＡｌＮ基体１１と熱拡散板１７の接合部を８３０℃に１０分間保持し、Ａｇ−Ｔｉ−Ｃｕ合金融液を生成しこの後アルゴンガス中で冷却してＡｌＮ基体１１の上面にＣｕ部材１２をＡｌＮ基体１１の下面に熱拡散板１７を、夫々Ａｇ−Ｔｉ−Ｃｕ合金層１３’を介して接合した。次いで熱拡散板１７の下面にＣｕ製ヒートシンク１８をＰｄ−Ｓｎ系半田１６を介して接合し第４図に示すパワー半導体モジュール基板１４’を製造した。得られたモジュール基板１４’はＡｌＮ基体１１とＣｕ部材１２及びＡｌＮ基体１１と熱拡散板１７が夫々合金層１３’により強固に接合され、また合金層１３’の接合部外へのはみだし広がりのないものであった。また、前記モジュール基板１４’のＣｕ部材１２に第５図に示す如く半導体素子１５をＰｄ−Ｓｎ系半田１６を介して実装したところ半導体素子１５からＡｌＮ基体１１方向（厚み方向）の熱伝導率は８８Ｗ／Ｋ・ｃｍであり半導体素子１５からの多量の熱をＣｕ部材１２、ＡｌＮ基体１１、熱拡散板１７及びヒートシンク１８より良好に放出できるパワー半導体モジュールを得ることができた。」（第３頁左下欄１０行〜第４頁左上欄１行）、
「まず蒸着法にてＴｉ層及びＡｇ層さらにＣｕ層を夫々順に０．５μｍ，２μｍ，２μｍ堆積した複数枚のＣｕ部材とＡｌＮ基体とを………蒸着面を接合面として、０．０１ｋｇ／ｍｍ２の圧力を加え、８３０℃に保持された高純度アルゴンガス（Ａｒ）雰囲気炉にて１０分間保持し、Ａｇ−Ｔｉ−Ｃｕの合金層を生成した後アルゴン雰囲気中で冷却して、ＡｌＮ基体にＣｕ部材をＡｇ−Ｔｉ−Ｃｕ合金層を介して接合した構造のパワー半導体モジュール基板を得た。………また前記モジュール基板のＣｕ部材に、半導体素子をＰｂ−Ｓｎ系半田を介して実装したところ、厚み方向の熱伝導率は８８Ｗ／Ｋ・ｃｍであり半導体素子からの多量の熱をＣｕ部材及びＡｌＮ基体より良好に放出できるパワー半導体モジュールを得ることができた。」（第４頁左下欄８行〜右下欄６行）と記載されており、
そして、上述の記載に対応させて第４図、第５図が示されている。
　　
［２−２］引用刊行物２：
「（ａ）第１図及び第２図に示すように支持板１主面に一方向に規則的な一様な幅及び深さの溝２を複数形成し、この溝を有する主面に半田層３を介して半導体素子４を固着する際に、該溝２内に融けた半田が流れこみ、支持板の周縁部に流れ出る際、これと一緒に半田の鬆及びガスを半導体素子と支持板との実質的な固着部より附加的な固着部に導き出して固着する」（第１頁第２欄３６行〜第２頁第３欄６行）、
「第７図及び第８図に示すように、銅のような良熱伝導性で且つ良導電性の金属からなる平板状の支持板１０主面に、その中心部で互に交差する例えば十字状の溝１１を形成する。………半田付けの際に発生したガスによる半田の鬆も、ガスが圧力の小さい方へ向う性質があることからしてほぼ完全に半導体素子と支持板との実質的固着部より附加的固着部に導き出される。その結果本発明方法の一実施例によれば、半導体装置の電気的特性の劣化、放熱効果の減少、熱的安定性の悪化及び固着部の機械的強度の弱化等を極めて容易に改善できるという優れた利点がある。第１０図及び第１１図は本発明方法の他の一実施例を示すもので、支持板１０主面における溝１５を一様な深さで、且つ支持板の中心部に向うにつれて段々と幅狭に形成し、支持板の中心側の圧力を周縁側の圧力よりも大きくして溝内に流れこむ半田を強制的に支持板周縁方向に流し出すようにしておき、この支持板主面に半田層１２を介して半導体素子１３を固着させる。この方法によっても、………半田付けの際に発生するガスによる半田の鬆も、ガスが圧力の小さい方へ向う性質があることからしてほぼ完全に半導体素子と支持板との実質的固着部より附加的固着部に導き出されるので、上記実施例と同様の効果を奏する。」（第２頁第３欄３２行〜第３頁第５欄５行）、
「支持板に一定方向に規則的に溝を形成したり或は支持板に主面より裏面に貫通する溝を形成し、該支持板に半田層を介して半導体素子を固着する方法にも適用できる」（第３頁第６欄１〜４行）と記載されており、
そして、上述の記載に対応させて第１、２、７〜１１図が示されている。
　　
［２−３］引用刊行物３：
「図において、（１）は銅製の金属基板、（２）はペレットが装着されるペレット装着部で、………」（第１頁右下欄１６〜１７行）、
「細溝（３）の断面形状を深さｔ２≒５０μｍ，幅Ｗ２≒１５０μｍ程度にすることができた。このように第５図に示した細溝（３）の断面積を従来のものゝそれに比べて２倍以上にすることができるので、従来例において述べた半田層（７）の巣（８）の発生を少なくすることができる。…………………金属基板（１）とペレット（６）との間に十分な固着が得られると共に、半導体装置のより小さな熱抵抗を実現でき、耐ヒートサイクル性の向上が可能となった。実際に本発明を適用して組立てた結果、上記諸特徴のうち特に半田の巣（８）は従来のものに比べて大きなものは全くなくなり、細溝（３）の底部付近に極く一部存在するのみにまで改善でき、また、固着強度も十分な値が得られるに至った。」（第３頁左上欄５〜１９行）（上記の「≒」は、当該箇所の記号が本審決の起案システムでは使用できないため、それに代えて使用した。）、
「ペレット装着部の少なくとも細溝を横切る方向の両側に、上記ペレット装着部から離れるにつれて深さが深くなるような形状の溝部を設けるようにしたので、上記ペレット装着部のコイニング成形が容易となり、ペレット装着部の主面部に十分な大きさの幅と深さを有する細溝を形成することができるので、上記ペレット装着部にペレットを装着する半田層内に気泡が発生するのを抑制し、上記半田層の接着強度の減少を防止するとともにその放熱抵抗が増大するのを防止することができる。」（第３頁右上欄１５行〜左下欄６行）と記載されており、
そして、上述の記載に対応させて第１〜５図が示されている。
　　
［２−４］引用刊行物４：
「第１図および第２図には、ヘッダ１２、ヒートシンク１４および半導体チップ１６より成る部分的に組立てられたパワートランジスタ装置１０が示されている。…………ヒートシンク１４は一表面（上面）３０に複数個のほぼ平行な溝２８を有する比較的厚い銅板２６から成っている。………トランジスタチップ１６は………この被膜４２上に、例えば、はんだ（５％の錫と９５％の鉛）のような溶融性接合部材の被膜４６を被着する。………ヒートシンク１４の下面５０がヘッダの上面２２に接合され、チップ１６の下面５４がヒートシンクの上面５６に接合される。接合面間に気泡すなわち空隙が生じないようにするための手段を設けて、接合面間の熱伝導性が悪くならないように、かつ電気抵抗が比較的に高くならないようにする。この目的のために、（溶融性接合材料によって）相互に接合される２つの平坦面のうちの大きい方に、複数個のほぼ平行な溝、すなわち前述の溝２４および２８と同様の溝を形成する。………溝２４は、深さが０．０２５ｍｍ乃至０．０７５ｍｍで、２．５４ｃｍにつき約２５本乃至１００本の溝が形成されている。溝２４は、Ｖ字形で、互いに約０．２５乃至１ｍｍの間隔を有していることが望ましく、それぞれの溝２４は、その頂点で３０°乃至９０°、望ましくは６０°、の角度を形成する。溝２４は溝形成工具６０によって、板１８の上面２２をプレスして形成することが好ましい。第３図には、溝形成工具６０の一部が示されている。溝形成工具６０は、焼入鋼のダイであって、ヘッダ１２の溝２４の形状に対応する形状の複数のほぼ等間隔に設けられたうね状部６２が形成されている。………溝２４の如き溝はＶ字形以外の形状であってもよい。従って、例えば、その形状がＵ字形または矩形であってもよい。しかし、溝の深さは溝２４に関して示したものとほぼ同じでなければならない。」（第２頁左上欄１９行〜第３頁左上欄３行）、
「チップ１６の下面５４は、ヒートシンクの銅板２６の上面３０に複数個の溝２８を形成することによってヒートシンクの上面５６に接合される。ヒートシンク１４の銅板２６の上面３０の溝２８は、ヘッダ１２の板１８の上面２２に溝２４を形成するための前記の方法と同様にして、溝形成工具６０で形成する。………チップ１６は、ヒートシンク１４の設けられニッケルで被覆された上面５６に対向させてその下面５４を配置することによりヒートシンク１４へ接合する。次に、ステムとチップ１６との構体を炉の中に置いて、はんだの被膜４６が融溶するまで、表面５４と５６の温度を約４００℃まで上げる。加熱工程中に形成される気泡すなわち空洞は、毛管作用によって、ヒートシンク１４の面５６中の溝を通って、チップ１６の周辺部の外側へ押し出され、チップ１６の周辺にはんだが球状化することはほとんどない。………溝を設けたヒートシンクへ接合されたチップを持つパワートランジスタは、溝を設けていないヒートシンクへチップが接着されているパワートランジスタよりも大きな電流を導通させることができ、熱抵抗も低かった。」（第３頁右上欄４行〜左下欄１１行）と記載されており、
そして、上述の記載に対応させて第１〜４図が示されている。
　　
［３］対比・判断
［２−１］に摘記した事項を総合すると、引用刊行物１には、ＡｌＮ基体にＣｕ部材を、Ａｇ−Ｔｉ−Ｃｕ合金層を介して一体的に接合するとともに、前記Ｃｕ部材の表面に半導体素子を半田層を介して接合するパワー半導体モジュール基板の発明が記載されているものといえる。
　そこで、本願発明１と引用刊行物１に記載された発明とを対比すると、後者の「ＡｌＮ基体」、「Ｃｕ部材」、「Ａｇ−Ｔｉ−Ｃｕ合金層」、「半導体素子」、「パワー半導体モジュール基板」はそれぞれ、前者の「セラミックス基板」、「銅回路板」、「Ｔｉを含む活性な金属の接合層」、「半導体チップ」、「セラミックス回路基板」に該当するので、両者は「セラミックス基板に銅回路板を、Ｔｉを含む活性な金属の接合層を介して一体的に接合するとともに、前記銅回路板の表面に半導体チップを半田層を介して接合したセラミックス回路基板。」の点で一致し、本願発明１では、銅回路板の半田層側の表面に、当該表面を外部に連通する深さ５０μｍ以上の溝を形成することにより、半田層中に存在する半田巣を８％以下にしているのに対し、引用刊行物１に記載された発明では、そのような記載がない点で相違する。
　　
　次いで、上記相違点について検討する。
　引用刊行物２には、「半田付けの際に発生したガスによる半田の鬆も、ガスが圧力の小さい方に向う性質があることからしてほぼ完全に半導体素子と支持板との実質的固着部より附加的固着部に導き出される。その結果本発明方法の一実施例によれば、半導体装置の電気的特性の劣化、放熱効果の減少、熱的安定性の悪化及び固着部の機械的強度の弱化等を極めて容易に改善できる」（第２頁第４欄２５〜３１行）と、「半田付けの際に発生するガスによる半田の鬆も、ガスが圧力の小さい方に向う性質があることからしてほぼ完全に半導体素子と支持板との実質的固着部より附加的固着部に導き出されるので、上記実施例と同様の効果を奏する。」（第２頁第４欄４４行〜第３頁第５欄５行）により、また、引用刊行物３には、「金属基板（１）とペレット（６）との間に十分な固着が得られると共に、半導体装置のより小さな熱抵抗を実現でき、耐ヒートサイクル性の向上が可能となった。実際に本発明を適用して組立てた結果、上記諸特徴のうち特に半田の巣（８）は従来のものに比べて大きなものは全くなくなり、細溝（３）の底部付近に極く一部存在するのみにまで改善でき、また、固着強度も十分な値が得られるに至った。」（第３頁左上欄１２〜１９行）により、また、引用刊行物４には、「加熱工程中に形成される気泡すなわち空洞は、毛管作用によって、ヒートシンク１４の面５６中の溝を通って、チップ１６の周辺部の外側へ押し出され、チップ１６の周辺にはんだが球状化することはほとんどない。この新規な方法により、溝を設けたヒートシンクへ接合されたチップを持つパワートランジスタは………………大きな電流を導通させることができ、熱抵抗も低かった。」（第３頁左下欄２〜１１行）により、それぞれ、半導体チップを各銅部材（支持板、金属基板、ヒートシンク）表面に半田層を介して接合するに際して、該各銅部材表面に外部に連通する溝を形成すると、半導体チップと該各銅部材間の半田層中に従来発生していた半田巣の大部分を該半田層中から除去できるとともに、該半田層の結合強度、該半導体装置の熱伝導性、電気的特性も向上することが開示されている。
　そして、引用刊行物１に記載された、Ｔｉを含む活性な金属の接合層を介してセラミックス基板に一体的に接合される銅回路板の表面に半田層を介して半導体チップを接合する場合も、その半田層中に発生する半田巣による障害を解消すべきであることは、上記各銅部材の場合と同じであり、該銅回路板の半田層側表面に、上記各銅部材表面と同様の溝を形成すれば、その半田層中に発生する半田巣の大部分を上記各銅部材の場合と同様に除去できるとともに、その半田層の接合強度、その半導体装置の熱伝導性、電気的特性も同様に向上することは、半田層を介する接合構造の共通性により、当業者が普通に予測できたものと認められる。
　また、引用刊行物３には、「細溝（３）の断面形状を深さｔ２≒５０μｍ，幅Ｗ２≒１５０μｍ程度にすることができた。このように第５図に示した細溝（３）の断面積を従来のものゝそれに比べて２倍以上にすることができるので、従来例において述べた半田層（７）の巣（８）の発生を少なくすることができる。」（第３頁左上欄５〜１０行）により、また、引用刊行物４には、「溝２４は、深さが０．０２５ｍｍ乃至０．０７５ｍｍで、２．５４ｃｍにつき約２５本乃至１００本の溝が形成されている。溝２４は、Ｖ字形で、互いに約０．２５乃至１ｍｍの間隔を有していることが望ましく、………………溝２４は溝形成工具６０によって、板１８の上面２２をプレスして形成することが好ましい。第３図には、溝形成工具６０の一部が示されている。溝形成工具６０は、焼入鋼のダイであって、ヘッダ１２の溝２４の形状に対応する形状の複数のほぼ等間隔に設けられたうね状部６２が形成されている。」（第２頁右下欄１〜１２行）と、「ヒートシンク１４の銅板２６の上面３０の溝２８は、ヘッダ１２の板１８の上面２２に溝２４を形成するための前記の方法と同様にして、溝形成工具６０で形成する。」（第３頁右上欄７〜１０行）により、半田巣を少なくするために、銅部材表面に形成する溝深さを５０μｍ程度、又は０．０２５ｍｍ乃至０．０７５ｍｍ程度とすること、及び、溝幅を１５０μｍ程度、又は溝ピッチを０．２５乃至１ｍｍ程度とすることが開示されている。
　ところで、本願明細書及び図面全体をみても、半田巣の上限を８％に設定する技術上の理由、或いはその臨界的な作用・効果については、格別のものは示されておらず、また、半田巣を８％以下にする手段としては、溝深さを５０μｍ以上の適切な範囲の寸法にすること、及び、溝幅、溝ピッチを適切な範囲の寸法にすることしか示されていないので、本願発明１における「半田巣を８％以下」の規定は、接合強度と半導体チップの信頼性の向上を図る上の目安として、当業者によって適宜に設定できた程度のものであると解され、また、上記規定のように半田巣を除去することは、溝深さ、溝幅、溝ピッチを本願明細書において適切とされる範囲の寸法に調整することによって達成できるものであると解される。そして、本願明細書には、「さらに好ましくは、溝深さｆが５０〜１５０μｍ、溝幅ｇが１００〜２００μｍ、溝ピッチｈが１．０〜３．０ｍｍの範囲である。」（段落【００２８】【００４３】）との記載により、溝深さ、溝幅、溝ピッチの適切な範囲が示されているが、それらと上記引用刊行物３、４に開示された溝深さ、溝幅、溝ピッチとは、各々重複している。
　そうであれば、引用刊行物１に記載された銅回路板の半田層側表面に半田巣を除去するための溝を形成するに当たり、上記引用刊行物３、４に開示された溝深さ、溝幅、溝ピッチに基づいて、その溝深さを５０μｍ以上に調整し、併せて溝幅、溝ピッチを調整することにより、その半田層中の半田巣を８％以下にすることは、当業者にとって困難なこととはいえない。
　してみると、上記相違点は、引用刊行物２〜４に記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到できたものと認められる。
　更にまた、接合強度の向上と半導体チップの信頼性の向上を図ることができるという、本願発明１の作用・効果について検討してみても、引用刊行物１〜４に記載された発明から、当業者によって普通に予測される程度のものであって、格別のものは見当たらない。
　　
［４］むすび
　したがって、本願発明１は、引用刊行物１〜４に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。