【事件の表示】
　平成　５年特許願第３１２６３８号「半導体受光素子」拒絶査定に対する審判事件［平成　７年　６月　２日出願公開、特開平　７−１４２７６０］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は平成５年１１月１８日の出願であって、その請求項１ないし５に係る発明は平成１３年１１月２８日付けで補正された明細書の特許請求の範囲に記載される事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「第１導電型ＩｎＰ基板上に、半導体光吸収層およびノンドープまたは第１導電型のＩｎＰ窓層を順次積層し、前記ＩｎＰ窓層には部分的に第２導電型領域を設け、前記第２導電型領域上に電極を設けた半導体受光素子であって、前記電極は、ＩｎＰよりも０．６ｅＶ程度バンドギャップの小さい第２導電型半導体層を介してＩｎＰ窓層上に設けられていることを特徴とする半導体受光素子。」
　
２．引用発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された特開平５−８２８２６号公報（以下、「引用例」という。）には、次の記載がある。
「【０００８】【課題を解決するための手段】この発明は、半導体基板上に形成された第１の導電型の半導体層からなる光吸収層の上に、該光吸収層よりも禁制帯幅の大きな第１の導電型の半導体層からなり表面が保護膜で覆われてなるウィンド層が形成されているとともに、該ウィンド層の一部には第２の導電型の拡散領域からなる受光部が形成され、この受光部の表面の一部には電極が接触されてなる受光素子において、上記拡散領域の外側の上記ウィンド層上方には半導体多層膜からなる光反射層を形成するようにしたものである。
　また、上記受光素子の電極と拡散領域表面との間には上記ウィンド層よりも禁制帯幅の小さな第２の導電型の半導体からなるコンタクト層を形成するようにする。」
「【００１０】【実施例】以下、図面を用いて本発明をＩｎＰを基板とするＰＩＮフォトダイオードに適用した場合の実施例を説明する。
　図３には本発明に係るＰＩＮフォトダイオードの一実施例が示されている。
　…ＩｎＰ基板１の上にｎ型ＩｎＰバッファ層２とｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層３とｎ型ＩｎＰウィンド層４が順に形成されている。そして、上記ＩｎＰウィンド層４の一部には、Ｚｎのようなｐ型不純物が拡散され上記ｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層３との界面に達するようなｐ型拡散層からなる受光部６が設けられている。」
「【００１１】…また、上記受光部６の表面とその周辺に接触するように形成されるオーミック電極８ａとの間には、上記ウィンド層４を構成するｎ型ＩｎＰよりも禁制帯幅の小さなＩｎＧａＡｓＰ（またはｎ型ＩｎＧａＡｓ）からなるコンタクト層１０が形成されている。８ｂは基板１の裏面に形成されたオーミック電極である。」
　
　上記記載によれば、引用例には、
「半導体基板（ＩｎＰ基板１）上に形成された第１の導電型の半導体層からなる光吸収層（ｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層３）の上に、該光吸収層よりも禁制帯幅の大きな第１の導電型の半導体層からなるウィンド層（ｎ型ＩｎＰウィンド層４）が形成されているとともに、該ウィンド層の一部には第２の導電型の拡散領域からなる受光部（ｐ型拡散層からなる受光部６）が形成され、この受光部の表面の一部には電極８ａが接触されてなる受光素子において、上記受光素子の電極と拡散領域表面との間には上記ウィンド層よりも禁制帯幅の小さな第２の導電型の半導体からなるコンタクト層１０を形成した受光素子。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
３．対比・判断
　本願発明と引用発明を比較する。
　引用例には、ＩｎＰ基板１の導電型についての記載はないが、ＩｎＰバッファ層２及びＩｎＧａＡｓ光吸収層３がｎ型であり、基板１の裏面にオーミック電極８ｂが設けられていること、また、ＩｎＰ基板を用いた受光素子に関する他の文献（例えば、特開昭６２−２５４４７３号公報、特開平３−２５７８７５号公報、特開平４−１５５８７３号公報、特開平３−１６２７５号公報）ではＩｎＰ基板についてｎ型である旨が記載されていることからみて、引用発明の基板１の導電型もｎ型であると認められる。
　よって、引用発明の「ＩｎＰ基板１」が本願発明の「第１導電型ＩｎＰ基板」に相当し、また、引用発明の「ｎ型ＩｎＧａＡｓ光吸収層３」、「ｎ型ＩｎＰウィンド層４」、「ｐ型拡散層からなる受光部６」及び「電極８ａ」がそれぞれ、本願発明の「半導体光吸収層」、「ＩｎＰ窓層」、「第２導電型領域」及び「電極」に相当し、また、引用発明のコンタクト層１０も本願発明の第２導電型半導体層もともに窓層のＩｎＰよりも禁制帯幅すなわちバンドギャップが小さいから、両者は、
「第１導電型ＩｎＰ基板上に、半導体光吸収層およびノンドープまたは第１導電型のＩｎＰ窓層を順次積層し、前記ＩｎＰ窓層には部分的に第２導電型領域を設け、前記第２導電型領域上に電極を設けた半導体受光素子であって、前記電極は、ＩｎＰよりもバンドギャップの小さい第２導電型半導体層を介してＩｎＰ窓層上に設けられている半導体受光素子。」の発明である点で一致する。
　一方、上記第２導電型半導体層について、本願発明では、「ＩｎＰよりも０．６ｅＶ程度バンドギャップの小さい」とされているのに対し、引用例には、このような記載がない点で相違する。
　
　この点について検討するに、引用例には、「【００１１】…また、上記受光部６の表面とその周辺に接触するように形成されるオーミック電極８ａとの間には、上記ウィンド層４を構成するｎ型ＩｎＰよりも禁制帯幅の小さなＩｎＧａＡｓＰ（またはｎ型ＩｎＧａＡｓ）からなるコンタクト層１０が形成されている。」と記載されているように、コンタクト層としてＩｎＧａＡｓを使用することが記載されている。
　なお、引用例の段落【００１１】では、ｎ型ＩｎＧａＡｓと記載されているが、コンタクト層１０が第２導電型であることは段落【０００８】に記載されているところであり、また、段落【００１４】以下の製造プロセスについての記載によれば、コンタクト層１０は、ｐ型不純物であるＺｎを拡散させるときにｐ型になることが明らかであり、さらに、ｐ型拡散領域と電極との間に介在させるＩｎＧａＡｓコンタクト層について、特開平３−２５７８７５号公報には「第２導電型高濃度ＩｎＧａＡｓコンタクト層」（第１頁左下欄１８行）、「Ｐ+−ＩｎＧａＡｓコンタクト層６」（第２頁左上欄１７行）と記載されていることからみて、このコンタクト層１０を構成するＩｎＧａＡｓの導電型は第２導電型、すなわちｐ型であると認められる。
　さて、ここで、コンタクト層１０に用いられるＩｎＧａＡｓについて検討するに、ＩｎとＧａの組成比に関し、ＩｎＰ基板に格子整合するものを採用することが当業者には最も普通に想到されるものと認められる
　そして、ＩｎＰ基板に格子整合するＩｎＧａＡｓは、例えば、「化合物半導体デバイス［Ｉ］、２版、株式会社工業調査会、１９８５年９月５日、第９１頁第５〜６行」に「一方、ＩｎＰと格子整合のとれる組成域の混晶も，すべて直接遷移型のバンド構造を有しており、そのＥｇはＩｎＰの１．３５ＶからＧａ０．４７Ｉｎ０．５３Ａｓの０．７４Ｖまで連続的に変化する。」と記載されていることから分かるように、Ｉｎが０．５３でＧａが０．４７の割合のものであり、そのバンドギャップは０．７４Ｖである。（なお、上記記載について必要ならば、同書第５６頁のIII−Ｖ族系化合物半導体の格子定数と禁制帯幅の関係についての図１．２７も参照されたい。）
　そして、このバンドギャップは、ＩｎＰのバンドギャップ１．３５より０．６１Ｖ小さく、本願発明と同様に０．６Ｖ程度小さいものであるから、結局、本願発明は、引用発明における「ウィンド層よりも禁制帯幅の小さな第２の導電型の半導体」として、ＩｎＰ基板に格子整合するＩｎＧａＡｓを採用することにより、当業者が容易に発明できたものと認められる。
　なお、本願発明が奏するとする効果についても、引用例の記載からみて格別のものとはいえない。
　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、上記引用例に記載された発明に基いて当業者が容易に発明できたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。