【事件の表示】
　特願２０１０−１４２４９２「エピタキシャル被覆された半導体ウェハの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　１月１３日出願公開、特開２０１１−　　９７４６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件出願は、平成２２年６月２３日（パリ条約による優先権主張　２００９年（平成２１年）６月２４日、ドイツ連邦共和国）の出願であって、平成２４年９月３日付けで拒絶の理由が通知され、同年１２月１０日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２５年５月２８日付けで拒絶の査定がなされた。
　これに対し、上記拒絶の査定を不服として平成２５年１０月３日に審判の請求がなされると同時に手続補正書が提出された。
　
第２　平成２５年１０月３日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２５年１０月３日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容の概要
　平成２５年１０月３日付けの手続補正（以下「本件補正」という）は、特許請求の範囲について補正をするものであって、特許請求の範囲の請求項１についての補正前後の記載は、以下のとおりである（補正箇所に下線を付した）。
　
（１）補正前
「記載された順序で次の工程：（ａ）半導体ウェハの片面にエピタキシャル層を堆積させる工程、（ｂ）前記半導体ウェハのエピタキシャル被覆された側を固定砥粒を有する研磨パッドを使用して固体を含まない研磨剤溶液を供給しながら第１の研磨を行う工程、（ｃ）前記半導体ウェハのエピタキシャル被覆された側を、固定砥粒を有していない軟質の研磨パッドを使用して研磨剤懸濁液を供給しながらＣＭＰ研磨を行う工程、（ｄ）前記半導体ウェハの予めエピタキシャル被覆されかつ研磨された側に新たなエピタキシャル層を堆積させる工程を有する、エピタキシャル被覆された半導体ウェハを製造する方法。」
　
（２）補正後
「記載された順序で次の工程：（ａ）半導体ウェハの片面にエピタキシャル層を堆積させる工程、（ｂ）前記半導体ウェハのエピタキシャル被覆された側を固定砥粒を有する研磨パッドを使用して固体を含まない研磨剤溶液を供給しながら第１の研磨を行う
ことでエピタキシャル被覆された前記半導体ウェハの表面の成長縞を低減する
　
２　補正の適否
（１）新規事項・目的要件
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について、「第１の研磨を行う工程」を、「第１の研磨を行う
ことでエピタキシャル被覆された前記半導体ウェハの表面の成長縞を低減する
　また、本願明細書の段落【００４３】には、「前記工程は、第１のエピタキシャル工程の後に見られる前記半導体ウェハの表面上の成長縞を低減するか又は完全に除去するために用いられる。前記堆積されたエピタキシャル層の全ては取り去られない。」と記載され、当該記載の「前記工程」が「第１の研磨を行う工程」であり、「第１のエピタキシャル工程」が「半導体ウェハの表面をエピタキシャル被覆する工程」であることは、明細書全体の記載からみて明らかであるから、本件補正は新規事項を追加するものではない。
　
（２）独立特許要件
　次に、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて検討する。
　
ア　引用刊行物及びその記載事項
（ア）刊行物１
　本件優先日前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開２００９−３３１５９号公報（以下「刊行物１」という）には、次の事項が記載されている（下線は理解の便のため当審で付した）。
　
ａ　「【請求項１】
　
半導体材料から構成された基板を研磨する方法において、
研磨パッド中に結合された研磨材を含有する研磨パッド上で基板を研磨し、研磨材溶液が研磨工程中に基板と研磨パッドとの間に導入される、タイプＡの少なくとも１つの研磨工程
研磨パッド中に結合された研磨材を含有する研磨パッド上で基板を研磨し、結合されていない研磨材を含有する研磨材スラリーが研磨工程中に基板と研磨パッドとの間に導入される、タイプＢの少なくとも１つの研磨工程を有することを特徴とする、半導体材料から構成された基板を研磨する方法。
【請求項２】
　タイプＢの研磨工程をタイプＡの研磨工程の前または後に実施する、請求項１記載の方法。」
　
ｂ　「【請求項５】
　
基板を研磨材が結合されていない研磨パッドを用いて研磨するタイプＣの少なくとも１つの研磨工程を有し、結合されていない研磨材を含有する研磨材スラリーを、研磨工程中に基板と研磨パッドとの間に導入する
　
ｃ　「【０００９】
　
研磨材溶液は、最も簡単な場合には、水であり
　
ｄ　「【００１０】
　
本発明により研磨される適当な基板は、
ケイ素から構成された半導体ウェーハおよびこのケイ素に由来する基板である。
ケイ素から構成された半導体ウェーハに由来する基板は、殊に１つの層構造を有する基板、例えばエピタキシーにより析出された層を有する半導体ウェーハ
を意味する
基板の研磨すべき表面は、ケイ素である必要はない
Ｓｉ
ｘ
Ｇｅ
１−ｘ
層の表面は、しばしば転位によって引き起こされたパターンによって特徴付けられており、
クロスハッチ（cross hatch）
として公知であり、一般に１つ以上の他の層が前記表面上に析出されうる前に平坦化されなければならない
　
ｅ　「【００１２】
　本発明による方法は、原理的に両面研磨の形で実施されうる。この場合、半導体ウェーハの両面は、同時に研磨される。しかし、特に好適な適用範囲は、片面研磨される。この場合、
大きな直径を有する基板、例えば３００ｍｍの直径を有するケイ素から構成された半導体ウェーハは、通常、片面研磨される
　
ｆ　「【００１６】
　更に、
本発明による方法は、研磨工程、例えばＣＭＰ工程を有することができ、この工程は、本明細書中で、タイプＣの研磨工程と呼称される
　
ｇ　刊行物１に記載された発明
　上記摘記事項ａ〜ｆを、技術常識を踏まえ補正発明に照らして整理すると、刊行物１には以下の発明が記載されていると認められる。
「記載された順序で次の工程：（ａ）エピタキシーにより析出された層を有する半導体ウェーハを用意する工程、（ｂ−１）前記半導体ウェーハのエピタキシー層側を研磨パッド中に結合された研磨材を含有する研磨パッドを使用して研磨材溶液の水を供給しながら研磨を行うことで平坦化する工程、（ｂ−２）前記半導体ウェーハのエピタキシー層側を研磨パッド中に結合された研磨材を含有する研磨パッドを使用して結合されていない研磨材を含有する研磨材スラリーを供給しながら研磨を行うことで平坦化する工程、（ｃ）前記半導体ウェーハのエピタキシー層側を、研磨材が結合されていない研磨パッドを使用して結合されていない研磨材を含有する研磨材スラリーを供給しながらＣＭＰ研磨を行う工程を有する、エピタキシー層を有する半導体ウェーハを研磨する方法。」（以下「刊行物１発明」という）
　
（イ）刊行物２
　本件優先日前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物である特開平１０−１２５４７号公報（以下「刊行物２」という）には、次の事項が記載されている（下線は理解の便のため当審で付した）。
　
ａ　「【０００６】
【本発明が解決しようとする課題】本発明は、上述したような問題点を解決し、サファイア基板上にバルクのシリコン基板並の結晶欠陥の少ないシリコン層を得る工業的製造方法を提供することを目的とする。」
　
ｂ　「【０００８】そこで、１度の成膜で平坦な薄膜を得る成長条件を検討するのではなく、サファイア基板上に形成されたシリコン層を一旦強制的に平坦化することにより、擬似的にバルクのシリコン基板に近い表面を作り出し、その表面に再度シリコン層を形成する工程を検討したところ従来法に比べ極めて著しい改善が見られた。すなわち、本発明は
サファイア基板上にシリコン層２を形成する工程と、該形成したシリコン層の表面を平坦化する工程と、該平坦化されたシリコン層２’上に再度シリコン層３を形成する工程とを有することを特徴とする半導体基板の製造方法
　
ｃ　「【００１４】
【実施例１】以下実施例によって本発明の実施の形態を詳細に説明する。第１図は、本発明による基板の製造方法を工程順に示した概略図である。まず、第１図（ａ）に示すように
サファイア基板１上に化学気相成長法で堆積温度７００℃、ガス（ＳｉＨ
４
　＋Ｈ
２
　の混合ガス）圧力１０Ｐａ、ＳｉＨ
４
　の分圧０．２Ｐａ、堆積時間１８０分の条件によりシリコン２を１．２μｍ形成
【００１５】その後、サファイア基板１上のシリコン２を機械的化学研磨法（ＣＭＰ法）で研磨剤ヒュームドシリカ（粒径１５００Å）、研磨圧力４０ｋｇ／ｗａｆｅｒ、定盤回転数３０ｒｐｍ、研磨時間３分の条件により、０．２μｍまで研磨し、図１（ｂ）のように
表面の凹凸を１ｎｍ以下まで平坦化
平坦化したシリコン２の表面に再度シリコン層３を化学気相成長法で堆積温度８００℃、ガス（ＳｉＨ
４
　＋Ｈ
２
　の混合ガス）圧力１０Ｐａ、ＳｉＨ
４
　の分圧０．２Ｐａ、堆積時間２０分の条件で０．２μｍ成長させ
　
ｄ　刊行物２に記載された事項
　上記摘記事項ａ〜ｃを、技術常識を踏まえて整理すると、刊行物２には以下の事項が記載されていると認められる。
「半導体基板の製造方法において、基板上に化学気相成長法でシリコン層を堆積させる工程、研磨を行うことで形成したシリコン層の表面の凹凸を平坦化する工程、基板上に化学気相成長法でシリコン層を堆積させかつ研磨で平坦化した側に再度シリコン層を化学気相成長法で堆積させる工程を有する点」（以下「刊行物２事項」という）
　
イ　対比
　補正発明と刊行物１発明とを対比する。
　刊行物１発明の「半導体ウェーハのエピタキシー層側」は、補正発明の「半導体ウェハのエピタキシャル被覆された側」に相当し、同様に、「研磨パッド中に結合された研磨材を含有する研磨パッド」は「固定砥粒を有する研磨パッド」に、「研磨材溶液の水」は「固体を含まない研磨剤溶液」に、「研磨材が結合されていない研磨パッド」は「固定砥粒を有していない軟質の研磨パッド」に、「結合されていない研磨材を含有する研磨材スラリー」は「研磨剤懸濁液」に、それぞれ相当する。そして、刊行物１発明の「エピタキシー層を有する半導体ウェーハを研磨する方法」と補正発明の「エピタキシャル被覆された半導体ウェハを製造する方法」とは、「エピタキシャル被覆された半導体ウェハを研磨する方法」である限りでは共通するものである。
　そうすると、補正発明と刊行物１発明とは、以下の点で一致する。
＜一致点＞
　「記載された順序で次の工程：（ｂ）前記半導体ウェハのエピタキシャル被覆された側を固定砥粒を有する研磨パッドを使用して固体を含まない研磨剤溶液を供給しながら第１の研磨を行う工程、（ｃ）前記半導体ウェハのエピタキシャル被覆された側を、固定砥粒を有していない軟質の研磨パッドを使用して研磨剤懸濁液を供給しながらＣＭＰ研磨を行う工程を有する、エピタキシャル被覆された半導体ウェハを研磨する方法。」
　そして、補正発明と刊行物１発明とは、以下の点で相違する。
＜相違点１＞
　「半導体ウェハのエピタキシャル被覆された側を固定砥粒を有する研磨パッドを使用して研磨を行う工程」について、補正発明は、「固体を含まない研磨剤溶液を供給しながら」行う工程だけであるのに対し、刊行物１発明では、さらに「結合されていない研磨材を含有する研磨材スラリーを供給しながら」行う工程も有している点。
＜相違点２＞
　補正発明は、「半導体ウェハを製造する方法」であって「（ａ）半導体ウェハの片面にエピタキシャル層を堆積させる工程」及び「（ｄ）前記半導体ウェハの予めエピタキシャル被覆されかつ研磨された側に新たなエピタキシャル層を堆積させる工程」も有しているのに対し、刊行物１発明は、「エピタキシーにより析出された層を有する半導体ウェーハを用意する工程」を有する「半導体ウェハを研磨する方法」である点。
＜相違点３＞
　補正発明が、「第１の研磨を行うことでエピタキシャル被覆された前記半導体ウェハの表面の成長縞を低減する」ものであるのに対し、刊行物１発明が、「第１の研磨を行うことで平坦化する」ものであるが、「エピタキシャル被覆された前記半導体ウェハの表面の成長縞を低減する」ものであるかは不明な点。
　
ウ　相違点の検討
（ア）＜相違点１＞について
　補正発明において、研磨に関する工程の順序については、（ｂ）の「第１の研磨を行う工程」及び（ｃ）の「ＣＭＰ研磨を行う工程」を有し、（ｂ）工程後に（ｃ）工程を行う順番であることが特定されているものの、他の研磨工程の有無及びその順番については、特に特定されていない。一方、刊行物１発明は、補正発明の上記（ｂ）工程及び上記（ｃ）工程に相当する研磨工程を有し、その順番も（ｂ）工程後に（ｃ）工程を行っているから、この点で補正発明と一致するものである。また、刊行物１発明の「（ｂ−２）前記半導体ウェーハのエピタキシー層側を研磨パッド中に結合された研磨材を含有する研磨パッドを使用して結合されていない研磨材を含有する研磨材スラリーを供給しながら研磨を行うことで平坦化する工程」については、上記（ｂ）工程及び上記（ｃ）工程に相当する研磨工程による研磨作用の効果を補強するものではあってもこれを阻害するものではないから、上記（ｂ−２）の工程を有しているからといって、上記補正発明との一致点が覆されることにはならない。そうすると、相違点１は実質的な相違点とはならないものである。
　なお、仮に相違点１が実質的な相違点であったとしても、半導体ウェハの研磨技術において、研磨パッドや研磨液の種類を適宜選択した異なる研磨工程をどのように組み合わせて研磨を行うかは、当業者が行う設計的事項になるべきことが技術常識であるところ、刊行物１発明の（ｂ−１）工程、（ｂ−２）工程及び（ｃ）工程のうち、（ｂ−２）工程を含む場合と含まない場合とで適宜選択することが可能であることは、例えば、特開２００９−１２４１５３号公報の段落【００１６】にも、工程順序ａ）及びｂ）として例示されており（「ＦＡポリシング」、「研磨布ポリシング」及び「ＣＭＰ」がそれぞれ刊行物１発明の（ｂ−１）工程、（ｂ−２）工程及び（ｃ）工程に相当するものである）、刊行物１発明において（ｂ−２）工程を行わないことで、相違点１に係る特定事項とすることも、当業者にとって格別の困難性はないものと認められる。
　
（イ）＜相違点２＞について
　上記刊行物２事項を補正発明と対比すると、刊行物２事項の「半導体基板の製造方法」は補正発明の「半導体ウェハを製造する方法」に相当し、同様に「基板上に化学気相成長法でシリコン層を堆積させる工程」は「（ａ）半導体ウェハの片面にエピタキシャル層を堆積させる工程」に、「基板上に化学気相成長法でシリコン層を堆積させかつ研磨で平坦化した側に再度シリコン層を化学気相成長法で堆積させる工程」は「（ｄ）前記半導体ウェハの予めエピタキシャル被覆されかつ研磨された側に新たなエピタキシャル層を堆積させる工程」に、それぞれ相当する。
　そうすると、刊行物２事項は、＜相違点２＞に係る「半導体ウェハを製造する方法」の「（ａ）半導体ウェハの片面にエピタキシャル層を堆積させる工程」及び「（ｄ）前記半導体ウェハの予めエピタキシャル被覆されかつ研磨された側に新たなエピタキシャル層を堆積させる工程」を全て有していることになる。そして、刊行物２事項は、半導体ウェハのエピタキシャル層の研磨工程を有する半導体ウェハの製造方法に係る技術である。したがって、エピタキシャル被覆された半導体ウェハの研磨を行う技術である刊行物１発明に、当該刊行物２事項の技術を適用し、半導体ウェハの製造方法にすることで、＜相違点２＞に係る補正発明のように構成することは、当業者であれば容易に想到し得たものである。
　
（ウ）＜相違点３＞について
　エピタキシャル成長により製造した基板表面に成長縞やピットなどの荒れが見られた場合に、結晶成長を阻害させないように基板表面を研磨により平坦化する技術は、例えば、特開２００７−１９７２４０号公報（段落【００３０】の記載を参照）にも示されているように、従来周知の事項である。そして、刊行物１発明の半導体ウェハについて、その表面にエピタキシャル被覆を行った場合に、多少なりとも成長縞による表面の荒れが生じ得ることは、刊行物１に明示されていなくとも当業者には自明の事項である。また、刊行物１発明の「平坦化する」ことが、半導体ウェハの表面の荒れを平坦化する意味であることは技術常識である。そうすると、刊行物１発明が、「第１の研磨を行うことで平坦化する」際に、上記従来周知の事項を勘案し、成長縞を低減するように研磨を行うことは、当業者にとって格別困難な事項ではない。
　
（エ）効果について
　補正発明によってもたらされる効果も、刊行物１発明、刊行物２事項及び上記従来周知の事項から、当業者であれば予測できる程度のものであって、格別のものではない。
　
エ　小結
　したがって、補正発明は、刊行物１発明、刊行物２事項及び従来周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（３）補正の適否についてのむすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記［補正の却下の決定の結論］のとおり、決定する。
　
第３　本件出願について
１　本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されることとなるので、本件出願の請求項１ないし１０に係る発明は、平成２４年１２月１０日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という）は、上記第２の１（１）に示す特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりのものである。
　
２　引用刊行物
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物１、２及びその記載事項は、上記第２の２（２）アに記載したとおりである。
　
３　当審の判断
　本願発明は、補正発明の特定事項である「第１の研磨を行う工程」について、当該研磨を行うことで「エピタキシャル被覆された前記半導体ウェハの表面の成長縞を低減する」という限定事項を削除するものである。
　そこで、本願発明と刊行物１発明とを対比すると、両者は上記第２の２（２）イに示された＜相違点１＞及び＜相違点２＞でのみ相違し、他は一致することになる。そして、当該＜相違点１＞及び＜相違点２＞については、上記第２の２（２）ウで検討したとおり、刊行物１発明及び刊行物２事項から当業者が容易に想到し得たものである。
　そうすると、本願発明は、刊行物１発明及び刊行物２事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものといえる。
　
第４　まとめ
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本件出願のその他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。