【事件の表示】
　特願２００８−５３３４１７「変化する厚さ、プロファイルおよび／または形状を有する誘電材料および／または空洞を備える静電チャックアセンブリ、その使用方法、ならびにそれを組み込む装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　４月１２日国際公開、ＷＯ２００７／０４０９５８、平成２１年　３月１２日国内公表、特表２００９−５１０７７４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本件出願は、平成１８（２００６）年９月１５日（パリ条約による優先権主張平成１７（２００５）年９月３０日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする特許出願であって、平成２３年９月３０日付けで拒絶の理由が通知され、同２４年１月６日に意見書とともに手続補正書が提出され、同２４年５月１５日付けで特許法第１７条の２第１項第３号に規定される最後の拒絶の理由が通知され、同２４年８月７日に意見書とともに手続補正書が提出され、特許請求の範囲について補正がなされ、同２４年１０月１日付けでさらに拒絶の理由が通知され、同２４年１２月２８日に意見書が提出されたが、同２５年４月９日付けで拒絶をすべき旨の査定がなされた。 
　これに対し、平成２５年８月１３日に該査定の取消を求めて本件審判の請求がされると同時に手続補正書が提出され、特許請求の範囲についてさらに補正がなされた。その後、当審からの平成２５年１０月１１日付け審尋に対して、同２５年１２月２５日に回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２５年８月１３日付けの手続補正についての補正却下の決定 
［補正却下の決定の結論］ 
　平成２５年８月１３日付けの手続補正を却下する。 
　
［理由］ 
１　補正の内容の概要 
　平成２５年８月１３日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、平成２４年８月７日付けで補正された特許請求の範囲をさらに補正するものであって、特許請求の範囲の請求項５に関する以下の補正を含んでいる。なお、下線部は補正箇所を示す。 
　
（１）＜補正前の請求項５＞ 
「　【請求項５】
　プラズマ処理装置用の静電チャックアセンブリにおいて、
　第１表面と、第２表面とを有し、前記プラズマ処理装置のＲＦ回路への接続のためのコネクタに対して動作可能なように接続される導電支持体と、
　前記導電支持体の前記第２表面に接触して第１境界を形成する第１表面を有し、加工物を受け取るように第２表面を有する静電チャックセラミック層と、
　前記静電チャックセラミック層の前記第２表面内の空洞と
　を含むことを特徴とする静電チャックアセンブリ。」 
　
（２）＜補正後の請求項５＞ 
「　【請求項５】
　プラズマ処理装置用の静電チャックアセンブリにおいて、
　第１表面と、第２表面とを有し、前記プラズマ処理装置のＲＦ回路への接続のためのコネクタに対して動作可能なように接続される導電支持体と、
　前記導電支持体の前記第２表面に接触して第１境界を形成する第１表面を有し、加工物を受け取るように第２表面を有する静電チャックセラミック層と、
　前記静電チャックセラミック層の前記第２表面内の
真空
　を含むことを特徴とする静電チャックアセンブリ。」 
　
２　補正の適否　　　 
　本件補正のうち特許請求の範囲の請求項５についてする補正は、補正前の請求項５の「空洞」について、「真空空洞」と限定的に減縮するものである。 
　そこで、補正後の特許請求の範囲の請求項５に係る発明（以下、「補正発明」という。）が特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち独立特許要件について検討する。 
　
（１）補正発明 
　補正発明は、特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、上記１（２）に示す特許請求の範囲の請求項５に記載された事項により特定されるとおりの「静電チャックアセンブリ」であると認める。 
　
（２）刊行物 
　これに対して、原審の平成２４年１０月１日付け拒絶の理由にも引用された、本件優先日前に頒布された刊行物である以下の文献には、以下の発明が記載されていると認められる。 
　　刊行物１：特開２００２−３２９７７５号公報
　
ア　刊行物１に記載された事項 
　刊行物１には、「静電チャック」に関して、図面とともに以下の事項が記載されている。なお、下線は理解の便のため、当審で付したものである。
　
（ア）特許請求の範囲の請求項１
「【請求項１】板状セラミック体の内部又は一方の主面に静電吸着用電極を備え、上記板状セラミック体の他方の主面には、その外周部を残して凹部を有し、該凹部底面の周縁部にはガス溝を備え、かつ上記凹部底面の中央部には窪みを具備してなり、上記ガス溝を除く凹部底面を第一吸着面とするとともに、上記外周部を第二吸着面としたことを特徴とする静電チャック。」
　
（イ）
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＰＶＤ装置、ＣＶＤ装置、イオンプレーティング装置、蒸着装置等の成膜装置やエッチング装置において、例えば半導体ウエハ等の被加工物を保持するのに用いる静電チャックに関するものである。」
　
（ウ）
「【００１７】図１，図２に示すように、本発明の
静電チャック１
一方の主面
他方の主面
平面形状が円形をした凹部４を備え
凹部底面５の中央には滑らかな窪み１０を形成
被加工物Ｗ
【００１８】ここで、本発明の静電チャック１において、凹部底面５は、窪み１０及びガス溝７を除く凹部底面５を、板状セラミック体２の一方の主面と平行な平坦面１７としてあり、この平坦面１７から第二吸着面１２までの高さ（ｈ）は、比較的浅く、具体的には０．５〜５μｍとしてある。」 
　
（エ）
「【００２０】また、板状セラミック体２には、ガス溝底面８に開口するガス導入孔９を間隔を開けて穿孔してあり、このガス導入孔９よりガス溝７を介してＨｅ等の熱伝達性ガスを被加工物Ｗと凹部４とで形成される空間に供給するようになっている。」
　
（オ）
「【００２１】なお、この静電チャック１は、板状セラミック体２の一方の主面側に、
金属材料からなるベース板１３
　
（カ）
「【００２４】そして、この静電チャック１により被加工物Ｗを固定するには、図２（ａ）に示すように、被加工物Ｗの周縁部が板状セラミック体２の第二吸着面１２と当接するように、被加工物Ｗを板状セラミック体２の他方の主面側に載せた状態で、給電端子１６間に通電すると、静電吸着用電極３と被加工物Ｗとの間に静電吸着力が発現し、
被加工物Ｗを板状セラミック体２の他方の主面に吸着固定する
【００２５】この時、被吸着物Ｗは、図２（ｂ）に示すように、被加工物Ｗの中央部は第一吸着面側に引っ張られて第一吸着面１１の平坦部１７と当接するのに対し、被加工物Ｗの周縁部は第一吸着面１１より高い位置にある第二吸着面１２と当接しているため、被加工物Ｗは結果的にその中央部が下凸となるように湾曲した状態で固定されることになる・・・（後略）」
　
（キ）
「【００２８】次に、ガス導入孔９よりガス溝７と被加工物Ｗとで形成される空間にＨｅ等の熱伝導性ガスを数１０００パスカル（Ｐａ）の圧力で供給することにより、被加工物Ｗと凹部底面５との間の熱伝達特性を高めるのであるが・・・（中略）・・・本発明の静電チャック１では、凹部底面５の中央部に滑らかな
窪み１０を設け
熱伝導性ガスが凹部４の中央部に流れ易くなるようにし
　
（ク）図１及び図２
　ベース板１３は、第１表面（下側面）と、第２表面（上側面）とを有し、その第２表面が板状セラミック体２の一方の主面に接触していることが看取できる。
　
イ　刊行物１に記載の発明
　上記摘記事項（イ）に「本発明は・・・イオンプレーティング装置・・・において、例えば半導体ウエハ等の被加工物を保持するのに用いる静電チャック」とあるところ、イオンプレーティング装置はプラズマ処理が必要なことが技術常識であることを踏まえ、刊行物１の「静電チャック１」は、プラズマ処理装置用の静電チャック１、ということができる。
　また、上記認定事項（ク）の第２表面が板状セラミック体２の一方の主面に接触しているベース板１３は、「板状セラミック体２の一方の主面側に・・・接合剤層１８にて接合」（摘記事項（オ））されるものであるから、板状セラミック体２の一方の主面がベース板１３の第２表面に接触して境界を形成する、と表現できる。　
　さらに、摘記事項（ウ）に「板状セラミック体２の他方の主面・・・平面形状が円形をした凹部４を備え、この・・・凹部底面５の中央には滑らかな窪み１０を形成したもので」とあるところ、これらをまとめて、板状セラミック体２の他方の主面内に窪み１０を備えるもの、ということができる。
　
　そこで、上記摘記事項（ア）ないし（キ）及び認定事項（ク）を、図面を参照しつつ技術常識を踏まえて補正発明に照らして整理すると刊行物１には以下の発明が記載されていると認める。（以下、「刊行物１発明」という。）
「プラズマ処理装置用の静電チャック１において、
　第１表面と、第２表面とを有し、金属材料からなるベース板１３と、
　前記金属材料からなるベース板１３の前記第２表面に接触して境界を形成する一方の主面を有し、被加工物Ｗを吸着固定するように他方の主面を有する板状セラミック体２と、
　前記板状セラミック体２の前記他方の主面内の窪み１０と
　を含み、熱伝達性ガスを窪み１０に供給する静電チャック１。」 
　
（３）対比 
　補正発明と刊行物１発明とを対比すると以下のとおりである。 
　刊行物１発明の「静電チャック１」は、補正発明の「静電チャックアセンブリ」に相当することは、その機能及び技術常識に照らして明らかであり、以下同様にそれぞれの機能を踏まえれば、「金属材料からなるベース板１３」は「導電支持体」に、「境界」は「第１境界」に、「一方の主面」は「第１表面」に、「被加工物Ｗを吸着固定する」は「加工物を受け取る」に、「他方の主面」は「第２表面」に、「板状セラミック体２」は「静電チャックセラミック層」に相当することも明らかである。 
　また、刊行物１発明の「窪み１０」は、補正発明の「真空空洞」と、「空洞」である限りにおいて共通する。
　
　したがって、補正発明と刊行物１発明とは、以下の点で一致しているということができる。 
＜一致点＞ 
「プラズマ処理装置用の静電チャックアセンブリにおいて、
　第１表面と、第２表面とを有する導電支持体と、
　前記導電支持体の前記第２表面に接触して第１境界を形成する第１表面を有し、加工物を受け取るように第２表面を有する静電チャックセラミック層と、
　前記静電チャックセラミック層の前記第２表面内の空洞と
　を含む静電チャックアセンブリ。」 
　
　そして、補正発明と刊行物１発明とは、以下の２点で相違している。 
＜相違点１＞ 
　補正発明の導電支持体は、プラズマ処理装置のＲＦ回路への接続のためのコネクタに対して動作可能なように接続されるのに対し、刊行物１発明の金属材料からなるベース板１３（導電支持体）は、そのようなものか不明である点。
＜相違点２＞
　空洞に関し、補正発明の空洞は真空空洞であるのに対し、刊行物１発明の窪み１０（空洞）は、熱伝達性ガスが供給されるものである点。
　
（４）相違点の検討 
ア　相違点１について
　相違点１について検討する。刊行物１発明は、プラズマ処理装置用の静電チャック１であるところ、プラズマ処理装置である以上、何らかの高圧電源が必要なことは技術常識であり、そのためにＲＦ回路を金属板に接続することも例えば特表２００２−５２６９２３号公報（【図２】、段落【００５３】等参照）に示されるように従来周知の事項である。そして、刊行物１発明にかかる従来周知の事項を適用して、プラズマ処理装置のＲＦ回路への接続のためのコネクタに対して動作可能なように金属材料からなるベース板１３（導電支持体）を接続して、相違点１に係る補正発明の特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得たものである。
　
イ　相違点２について
　次に、相違点２について検討する。補正発明の「真空空洞」に関する明細書の記載としては、「【００３７】 図８の静電チャックアセンブリ８００において、導電支持体８０２は第１表面８１０と、第２表面８１２とを有し、静電チャックセラミック層８０４は、導電支持体８０２の第２表面８１２に接触する第１表面８２０を有し、第１境界８２２を形成し、また加工物８２６を受け取る第２表面８２４を有する。
好ましい実施形態では、空洞は真空空洞である。
　しかも、補正発明のように空洞を真空とすれば、加工物を吸着し易くなる反面、処理後に加工物を取り外すためには（真空を破壊する等）何らかの仕組みが必要なはずであるが、それに関しても何ら記載されていない。
　したがって、補正発明における空洞を真空とすることの技術的意義は、きわめて乏しいものと考えざるを得ない。
　
　ここで、プラズマ処理装置等において、加工物の保持のため、静電チャックと真空吸着を併用することは、例えば、特開平５−３２６４５１号公報（図２等参照）、特開２００４-２２９７９号公報（段落【００５７】等参照）に示されるように、従来周知の事項である。
　そして、刊行物１発明の窪み１０（空洞）は、熱伝達性ガスが供給されるものではあるが、当業者が熱伝達よりも吸着性の向上を重視して、上記従来周知の技術を適用して、窪み１０（空洞）に熱伝達性ガスを供給することに代えて、窪み１０（空洞）を真空空洞とすることに、格別阻害事由はなく、当業者が通常の創作能力の発揮によりなし得ることというべきである。
　
　以上を総合すると、刊行物１発明に上記従来周知の事項を適用して相違点２に係る補正発明の特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得たものと解するのが相当である。
　
ウ　小括
　したがって、補正発明は、刊行物１発明及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
３　むすび 
　よって、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである 
　よって、上記［補正却下の決定の結論］のとおり、決定する。
　
第３　本件出願の発明について 
１　本件出願の発明 
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の特許請求の範囲の請求項に係る発明は、明細書及び図面の記載からみて、平成２４年８月７日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、その請求項５に係る発明（以下、「本件出願の発明」という。）は、上記第２の１（１）に示す特許請求の範囲の請求項５に記載された「静電チャックアセンブリ」である。
　
２　刊行物 
　これに対して、原審の拒絶の理由に引用された刊行物は、上記第２の２（２）に示した刊行物１等であり、その刊行物１の記載事項は上記第２の２（２）のとおりである。
　
３　対比・検討 
　本件出願の発明は、上記第２の２で検討した補正発明から、実質的に、「真空空洞」について、「真空」という限定を削除したものである。 
　そうすると、本件出願の発明と刊行物１発明とは、上記第２の２（３）で示した一致点を有し、上記第２の２（３）で示した相違点１においてのみ相違する。 
　そして、相違点１については、上記第２の２（４）で検討したとおりである。したがって、本件出願の発明は、刊行物１発明及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものということになる。 
　
４　むすび 
　以上により、本件出願の発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　よって、本件出願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきであるから、結論のとおり審決する。