【事件の表示】
　平成１１年特許願第　１９１２０号「スピンバルブ型磁気抵抗効果素子およびその製造方法とその素子を備えた薄膜磁気ヘッド」拒絶査定に対する審判事件［平成１２年　８月　４日出願公開、特開２０００−２１５４２２］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　経緯・本願発明
　本件特許出願は、平成１１年１月２７日に出願され、拒絶査定され、審判請求されたものであり、平成１３年５月２２日付け手続補正書で補正された明細書及び図面の記載から見て、本件出願の発明は、特許請求の範囲請求項１〜１８に記載されたとおりの特定される事項からなると認められ、そのうち請求項１に係るものは次のとおりである。
「【請求項１】　第１の反強磁性体からなる保磁力増大層と、この保磁力増大層による交換結合磁界により保磁力が大きくされて磁化方向が固定された固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性導電層を介して形成され前記固定磁性層の磁化方向と交差する方向に磁化が揃えられたフリー磁性層とを具備し、前記固定磁性層の固定された磁化方向と交差する方向にセンス電流が流され、固定磁性層とフリー磁性層の磁化のなす角度の関係によって電気抵抗変化が検出されるスピンバルブ型磁気抵抗効果素子であり、
　前記固定磁性層が非磁性中間層を介して保磁力増大層に近い側の第１の副固定磁性層と非磁性導電層に近い側の第２の副固定磁性層の２層に分断されるとともに、前記第１の副固定磁性層の磁化の向きと第２の副固定磁性層の磁化の向きとが反平行方向とされたフェリ磁性状態とされてなり、前記保磁力増大層がα−Ｆｅ２Ｏ３からなり、前記固定磁性層の保磁力が２０００Ｏｅ〜５０００Ｏｅとされたことを特徴とするスピンバルブ型磁気抵抗効果素子。（以下、本願発明という。）」
　
２　引用例
（１）　拒絶の理由に引用された刊行物、特開平１１−７６１４号公報（以下、引用例１という。）、特開平７−１６９０２６号公報（以下、引用例２という。）、特開平１０−１１２５６２号公報（以下、引用例３という。）は、いずれも本件出願前に公開された刊行物である。
（２）引用例１（特開平１１−７６１４号公報）記載事項
ａ　従来の逆平行ピンスピン・バルブに関して、【０００５】には、
「【０００５】以下に逆平行ピン（AP; Antiparallel Pinned）スピン・バルブとして言及される改良されたスピン・バルブは、ここで参照として引用する、公共に登録されたHeimとParkinによる米国特許出願第５４６５１８５号において記載されている。逆平行スピン・バルブは、ピン層が多重薄膜を有するという点において、上記に記載のスピン・バルブと異なる。ピン層は、第一の強磁性層と第二の強磁性層とに挟まれた非磁性スペーサ膜を有する。第一の薄膜は、自由層に即接して、これに交換結合される。この第一の強磁性層の磁モーメントは、第一の方向を向いている。第二の薄膜は自由層に即接しており、第一の薄膜と第二の薄膜の間の最小の厚み（２５オングストローム単位）のスペーサ層によって第一の薄膜に交換結合される。第二の薄膜の磁気モーメントは、第一の薄膜の磁気モーメントの方向と逆方向である第二の方向を向いている。第一の薄膜の磁気モーメントと第二の薄膜の磁気モーメントとは、ピン層の有効ピン・モーメント提供するように、減極状に結合する。有効ピン・モーメントの方向は、第一の薄膜層厚と第二の薄膜層厚とによって決定される。第一の薄膜層厚と第二の薄膜層厚とは、有効ピン・モーメントが小さくなるように設定される。小さな有効ピン・モーメントの結果、ピン層の減磁場（demag; demagnetization）が小さくなる。反強磁性交換結合はピン層の有効ピン・モーメントに逆比例するので、この結果、交換結合が大きくなる。」と記載され、
ｂ　【００２１】及び【００２２】には、
「【００２１】筆者の発明の結果として、逆平行ピン・スピン・バルブ・センサ５３の２つの実施態様を示す。スピン・バルブ・センサ５３ａのこれらの実施態様の１つを図８と図９に示す。もう一方ののスピン・バルブ・センサ５３ｂの実施態様を図１０と図１１に示す。実施態様５３ａと５３ｂの１つの相異点は、センス電流Ｉｓの方向が逆方向であるということである。図８と図９において、センス電流Ｉｓの結果、逆平行ピン・スピン・バルブ・センサ５３がより非実効的になる様子を示し、図１０と図１１において、センス電流Ｉｓの結果、逆平行ピン・スピン・バルブ・センサ５３ｂが非常に実効的になる様子を示す。したがって、逆平行ピン・スピン・バルブ・センサ５３ｂが、本適用法の発明である。図１２から図１４では、図１０と図１１にある適切な方向のセンス電流Ｉｓによって、逆平行ピン・スピン・バルブ・センサ５３ｂが改良される理由を示す。
【００２２】図８と図９のスピン・バルブ・センサ５３ａは、強磁性自由層１１０、逆平行ピン強磁性層１１２、および、非磁性電気導伝性スペーサ層１１４を有する。スペーサ層１１４は、自由層１１０とピン層１１２の間に挟まれる。逆平行ピン層１１２が、非磁性電気導伝性スペーサ層１２０によって分割された第一と第二の強磁性膜１１６及び１１８を具備するという点で、逆平行ピン層１１２は典型的なスピン・バルブ・センサとは異なる。第一の強磁性膜１１６は、反強磁性層１２２の面とインターフェースする面を有することによって、反強磁性層１２２は、空気支持面から遠ざかりかつ垂直なピン方向に第一の膜の磁気モーメント１２４をピンする。第一の膜１１６の磁気モーメントは、反強磁性層１２２との交換結合によって、この方向にピンされる。スペーサ膜１２０は、８オングストロームの単位と非常に薄く、第一の膜１１６と第二の膜１１８の間に反強磁性交換結合を可能にする。したがって、第二の膜の磁気モーメント１２６は、第一の膜１１６の磁気モーメント１２４と反対の方向、すなわち、空気支持面に向かいかつ垂直な方向を向いている。この２つの第一の薄膜１１６と第二の薄膜１１８の厚さが、逆平行ピン層１１２の有効磁気モーメントを決定する。第一の膜１１６は、２枚の膜のうちでより厚く設定され、これによって、有効磁気モーメントは、空気支持面から遠ざかりかつ垂直な方向を向く。キャップ層１２７は、自由層１１０を覆うようになっている。」と記載され、
ｃ　【００３１】には、
「【００３１】逆平行ピン・スピン・バルブ・センサ５３ａおよび５３ｂの典型的な素材は、自由層１１０ではニッケル鉄、スペーサ層１１４では銅、第一の膜１１６と第二の膜１１８ではニッケル鉄、スペーサ層１２０ではルビジウム、キャップ層１２３ではタンタルである。」と記載されている。
ｄ　即ち、引用例１には、
「反強磁性層１２２と、
非磁性電気導伝性スペーサ層１２０によって分割された第一と第二の強磁性膜１１６及び１１８を具備した逆平行ピン層１１２と、
自由層１１０とピン層１１２の間に挟まれた非磁性電気導伝性スペーサ層１１４と、
強磁性自由層１１０とを有し、
第一の強磁性膜１１６は、反強磁性層１２２の面とインターフェースする面を有することによって、反強磁性層１２２は、空気支持面から遠ざかりかつ垂直なピン方向に第一の膜の磁気モーメント１２４をピンし、第一の膜１１６の磁気モーメントは、反強磁性層１２２との交換結合によって、この方向にピンされ、
第一の膜１１６と第二の膜１１８の間に反強磁性交換結合された
スピン・バルブ・センサ」が示され、
「小さな有効ピン・モーメントの結果、ピン層の減磁場（demag; demagnetization）が小さくなる。反強磁性交換結合はピン層の有効ピン・モーメントに逆比例するので、この結果、交換結合が大きくなる。」と示している。
（３）引用例２（特開平７−１６９０２６号公報）記載事項
　【特許請求の範囲】の請求項１３〜２４には、
「【請求項１３】基板と、基板上に形成された層状構造とを備え、この層状構造が、印加磁界が存在しない時に磁化容易軸を有する自由強磁性体層と、自由強磁性体層に隣接する非磁性体スペーサ層と、スペーサ層に隣接し、自由強磁性体層の磁化容易軸に対してある角度を成す磁化容易軸を有する第１の固定強磁性体膜と、第１の固定強磁性体膜に隣接する反強磁性的結合膜と、反強磁性的結合膜に隣接し、第１の固定強磁性体膜の磁化方向に全般的に反平行な磁化方向を有するように、第１の固定強磁性体膜に反強磁性的に結合された第２の固定強磁性体膜と、第２の固定強磁性体膜に隣接しこれと接触する、第２の固定強磁性体膜における磁化方向を所望の方向に固定するための反強磁性体の交換バイアス層とを備えることを特徴とする、スピン・バルブ磁気抵抗センサ。
【請求項１４】第１の固定強磁性体膜と第２の固定強磁性体膜の間の反強磁性的結合膜が基本的にＲｕから構成されることを特徴とする、請求項１３に記載のスピン・バルブ磁気抵抗センサ。
【請求項１５】Ｒｕ反強磁性的結合膜の厚さが約３〜６オングストロームの範囲であることを特徴とする、請求項１４に記載のスピン・バルブ磁気抵抗センサ。
【請求項１６】第１および第２の固定強磁性体膜が基本的にＮｉ−Ｆｅから構成されることを特徴とする、請求項１４に記載のスピン・バルブ磁気抵抗センサ。
【請求項１７】第１および第２の固定強磁性体膜が基本的にＦｅから構成され、第１の固定強磁性体膜と第２の固定強磁性体膜の間の反強磁性的結合膜が基本的にＣｒから構成されることを特徴とする、請求項１３に記載のスピン・バルブ磁気抵抗センサ。
【請求項１８】第１および第２の固定強磁性体膜が、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、およびそれらの合金から成る群から選択された材料で製造され、反強磁性的結合膜が、Ｒｕ、Ｃｒ、ロジウム（Ｒｈ）、イリジウム（Ｉｒ）、およびそれらの合金から成る群から選択された材料で製造されることを特徴とする、請求項１３に記載のスピン・バルブ磁気抵抗センサ。
【請求項１９】第１の固定強磁性体と第２の固定強磁性体の厚さがほぼ同じであることを特徴とする、請求項１３に記載のスピン・バルブ磁気抵抗センサ。
【請求項２０】反強磁性的に結合された第１および第２の固定強磁性体膜の正味の磁気モーメントが基本的にゼロであることを特徴とする、請求項１３に記載のスピン・バルブ磁気抵抗センサ。
【請求項２１】交換バイアス層に隣接する第２の固定強磁性体膜が第１の固定強磁性体膜より厚いことを特徴とする、請求項１３に記載のスピン・バルブ磁気抵抗センサ。
【請求項２２】反強磁性体の交換バイアス層が、鉄−マンガンおよびニッケル−マンガンから成る群から選択された材料から構成されることを特徴とする、請求項１３に記載のスピン・バルブ磁気抵抗センサ。
【請求項２３】自由強磁性体層と第１の固定強磁性体膜の間の非磁性体スペーサ層が、銀、金、銅、および銀、金、銅の合金から成る群から選択された材料を含むことを特徴とする、請求項１３に記載のスピン・バルブ磁気抵抗センサ。
【請求項２４】第１の固定強磁性体膜がスペーサ層に隣接する薄いＣｏ膜を含むことを特徴とする、請求項１３に記載のスピン・バルブ磁気抵抗センサ。」と記載されており、
ｂ　【００１７】〜【００１９】には、
「【００１７】本発明のスピン・バルブ構造の好ましい実施例を図５に概略的に示す。図５に示すスピン・バルブＭＲセンサ６０を製造するため、まず直流マグネトロン・スパッタ付着により、７０オングストロームのタンタル（Ｔａ）膜をシリコン（Ｓｉ）基板６１上に緩衝層６２として付着した。次に、磁化方向が矢印６４の方向（図５の紙面へ向かう）となるように、外部印加磁界の存在下で、７０オングストロームのＮｉ８１Ｆｅ１９自由強磁性体層６３を付着した。次いでＮｉ−Ｆｅ自由層６３上に銅（Ｃｕ）層６５を２７オングストロームの厚さに付着した。この銅層は非強磁性金属スペーサ層として機能する。この実施例においてはＣｕをスペーサ層として用いたが、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）およびそれらの合金など、高い導電性を有する別の非強磁性金属材料も使用できる。図３に示した従来技術の構造における単一層の固定層３９の代わりに用いられる固定強磁性体層７０は、銅のスペーサ層６５上に直接形成された厚さ３０オングストロームの第１のＮｉ８１Ｆｅ１９膜７２と、この第１のＮｉ−Ｆｅ膜７２上に付着された厚さ５オングストロームのルテニウム（Ｒｕ）膜７３と、このＲｕ膜７３上に形成された厚さ３０オングストロームの第２のＮｉ８１Ｆｅ１９膜７４とを含む多重膜積層構造である。２つの固定強磁性体膜７２と７４は、自由強磁性Ｎｉ−Ｆｅ層６３の付着中に印加される磁界から約９０度回転した印加磁界の存在下で付着させた。次いで第２のＮｉ−Ｆｅ膜７４上に厚さ９０オングストロームの鉄−マンガン（Ｆｅ−Ｍｎ）膜６６を付着して、第２のＮｉ−Ｆｅ膜７４と結合交換させた。最後に、Ｆｅ−Ｍｎ膜６６上に厚さ２５オングストロームのＲｕキャップ層６７を形成した。その他の適当なキャップ材料は、タンタル（Ｔａ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、またはＣｕとＡｕの合金などの高抵抗材料である。
【００１８】図５には、ＭＲセンサを磁気記録システム中の感知回路に接続する手段も概略的に示されている。ＭＲセンサと電流源８２および感知手段８４の間に回路経路を形成するための電気リード８０が設けられる。当技術分野において周知のように、最適のＭＲセンサ応答回路を得るために、横方向バイアス層や縦方向バイアス層（図示せず）などの追加のセンサ素子が必要となることもある。好ましい実施例においては、記録済み媒体からの印加磁気信号に応答して自由強磁性体層６３の磁化方向が回転するときの、ＭＲ素子の抵抗値の変化、ΔＲを検出する感知手段８４によって媒体中の磁気信号を検出する。
【００１９】積層固定層７０中の２つのＮｉ−Ｆｅ膜７２、７４の磁化方向をそれぞれ矢印７６、７８で示す。２つのＮｉ−Ｆｅ膜７２、７４の磁化が反平行に整列するのは、ＲｕのＡＦ結合膜７３を介する反強磁性交換結合によるものである。この反強磁性結合のため、および２つのＮｉ−Ｆｅ膜７２、７４の厚さがほぼ同じであるために、各膜の磁気モーメントが互いに打ち消しあって、固定層７０における正味の磁気モーメントが基本的になくなる。したがって、固定層７０によって発生される双極子磁界が基本的にゼロとなり、したがって、自由強磁性体層６３の磁化方向６４に影響を及ぼす磁界が存在しない。」と記載されている。
ｃ　そして、「第１の固定強磁性体膜に反強磁性的に結合された第２の固定強磁性体膜」ということは、第２の側から見れば「第２の固定強磁性体膜に反強磁性的に結合された第１の固定強磁性体膜」と同じことであるから、図５を参照すると、引用例２には、
「反強磁性体の交換バイアス層６６と、
反強磁性的結合膜７３に隣接し、反強磁性体の交換バイアス層６６により、磁化方向を所望の方向に固定される固定強磁性体層７０と、
固定強磁性体層７０は、第１の固定強磁性体膜７２と第２の固定強磁性体膜７４の間の、反強磁性的結合膜７３からなり、
第２の固定強磁性体膜７４に反強磁性的に結合された第１の固定強磁性体膜７２と、
自由強磁性体層６３と第１の固定強磁性体膜の間の非磁性体スペーサ層と、
印加磁界が存在しない時に磁化容易軸を有する自由強磁性体層とを有する
スピン・バルブ磁気抵抗センサであり、
２つの固定強磁性体膜７２と７４は、自由強磁性Ｎｉ−Ｆｅ層６３の付着中に印加される磁界から約９０度回転した印加磁界の存在下で付着させられ、
第２のＮｉ−Ｆｅ膜７４上に厚さ９０オングストロームの鉄−マンガン（Ｆｅ−Ｍｎ）膜６６を付着して、第２のＮｉ−Ｆｅ膜７４と結合交換させたスピン・バルブ磁気抵抗センサ」が示されており、
反強磁性体の交換バイアス層は、鉄−マンガンおよびニッケル−マンガンから成る群から選択された材料から構成され、
非磁性体スペーサ層は、銀、金、銅、および銀、金、銅の合金から成る群から選択された材料を含むことも示されている。
（４）引用例３（特開平１０−１１２５６２号公報）記載事項
ａ　【特許請求の範囲】の請求項１〜３には、
「【請求項１】 少なくとも２層の強磁性層が、非磁性層を介して設けられ、前記強磁性層のうち、一方がその強磁性層と隣接して設けられた第１の反強磁性体よりなる保磁力増大層により保磁力が大きくされて磁化反転がピン止めされ、他方の強磁性層の磁化反転が自由にされてなる磁気抵抗効果型センサであり、前記磁化反転が自由にされてなる強磁性層に対し、この強磁性層に縦バイアスを印加して一方向性の交換バイアス磁界により磁気異方性を誘起させて磁区を安定化する第２の反強磁性体よりなる反強磁性層が隣接配置されてなることを特徴とする磁気抵抗効果型センサ。
【請求項２】 前記磁化反転がピン止めされた強磁性層の磁化と、磁化が自由にされた強磁性層の磁化が、外部磁界のない状態で互いに略直交されてなることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果型センサ。
【請求項３】 前記保磁力増大層がα−Ｆｅ２Ｏ３からなり、この保磁力増大層に磁化反転をピン止めされた強磁性層の保磁力が、前記保磁力増大層により強磁性層に誘起される一方向性の交換バイアス磁界よりも大きくされてなることを特徴とする請求項１または２記載の磁気抵抗効果型センサ。」と記載され、　
ｂ　【００４９】には、
「次に図８は、本発明者らが先に、特願平７―７８０２２号明細書において提案しているα−Ｆｅ２Ｏ３を用いた磁気抵抗効果型センサ試料のブロッキング温度Ｔｂを示すものである。また、比較のために、特願平７−７８０２２号明細書に記載の比較例構造（ＮｉＦｅ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ／ＦｅＭｎ（１１０Å）の積層体とＮｉＦｅ／Ｃｕ／ＣｏＰｔ（８０Å）の積層体）のＦｅＭｎを用いた構造の試料とＦｅＭｎに代えてＮｉＯを用いた試料の温度特性も併記した。ここでＨｂｐは、反強磁性膜に隣接したＮｉＦｅ膜の磁化反転がシフトするバイアス磁界をいい、Ｈｃｐは、そのヒステリシスによる保磁力を意味する。図８に示す結果から、α−Ｆｅ２Ｏ３を用いた磁気抵抗効果型センサ試料は優れた耐熱性も有していることが明らかになった。これは、α−Ｆｅ２Ｏ３自体のネール温度（６７７℃）がＦｅＭｎやＮｉＯに比べて高いことに起因しているものと思われる。従ってこのα−Ｆｅ２Ｏ３を用いた磁気抵抗効果型センサ試料であるならば、温度変化によっても特性劣化の少ない磁気抵抗効果型センサを提供できる。」と記載され、
ｃ　図８から、ＦｅＭｎでは、Ｈｃｂは２００以下、ＮｉＯでもＨｃｂは２００以下であるが、α−Ｆｅ２Ｏ３ではＨｃｂが４５０〜８７１であることが読みとれる。
ｄ　【００５６】には、
「また、本発明においては、磁化反転が自由にされてなる強磁性層に対して一方向の磁気異方性を誘起させて磁区を安定化する反強磁性体の反強磁性層を設けたので、強磁性層を単磁区化することができ、外部磁界によって強磁性層の磁化反転の方向をピン止めされた強磁性層の磁化の方向と異ならせることにより抵抗変化を生じさせることができ、この抵抗変化により外部磁界を感度良く検出できるとともに、バルクハウゼンノイズを無くすることができる。また、強磁性層を単磁区化することにより、線形応答性の優れた磁界検出ができる。更に、磁化反転がピン止めされた強磁性層の磁化と磁化の反転が自由にされた強磁性層の磁化の向きが９０゜異なることにより、効率良く大きな磁気抵抗変化を得ることができる。また、磁化の向きをピン止めする反強磁性層として、α−Ｆｅ２Ｏ３の層を用いるならば、α−Ｆｅ２Ｏ３のネール温度が高いことに起因して、熱変化に強く、熱変化によって検出感度の低下しない磁気抵抗効果型センサを提供できる。」と記載されている。
　
３　本願発明と引用例との対比
（１）　本願発明と、引用例２記載の発明を対比すると、
引用例２の「スピン・バルブ磁気抵抗センサ」、「固定強磁性体層７０」、「自由強磁性体層６３」は、本願発明の「スピンバルブ型磁気抵抗効果素子」、「固定磁性層」、「フリー磁性層」に相当し、その動作原理から見て、引用例２においても、固定強磁性体層７０（固定磁性層）の固定された磁化方向と交差する方向にセンス電流が流され、固定強磁性体層７０（固定磁性層）と自由強磁性体層６３（フリー磁性層）の磁化のなす角度の関係によって電気抵抗変化が検出されるスピン・バルブ磁気抵抗センサ（スピンバルブ型磁気抵抗効果素子）であることは明らかである。
　そして、引用例２の「非磁性体スペーサ層」、「反強磁性的結合膜７３」、「第２の固定強磁性体膜７４」、「第１の固定強磁性体膜７２」、「第２の固定強磁性体膜７４に反強磁性的に結合された第１の固定強磁性体膜７２」の状態は、本願発明の「非磁性導電層」、「非磁性中間層」、「第１の副固定磁性層」、「第２の副固定磁性層」、「第１の副固定磁性層の磁化の向きと第２の副固定磁性層の磁化の向きとが反平行方向とされたフェリ磁性状態」に相当するから、両者は次の点で一致する。
（２）　一致点
「第１の反強磁性体からなる保磁力増大層と、この保磁力増大層による交換結合磁界により保磁力が大きくされて磁化方向が固定された固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性導電層を介して形成され前記固定磁性層の磁化方向と交差する方向に磁化が揃えられたフリー磁性層とを具備し、前記固定磁性層の固定された磁化方向と交差する方向にセンス電流が流され、固定磁性層とフリー磁性層の磁化のなす角度の関係によって電気抵抗変化が検出されるスピンバルブ型磁気抵抗効果素子であり、
　前記固定磁性層が非磁性中間層を介して保磁力増大層に近い側の第１の副固定磁性層と非磁性導電層に近い側の第２の副固定磁性層の２層に分断されるとともに、前記第１の副固定磁性層の磁化の向きと第２の副固定磁性層の磁化の向きとが反平行方向とされたフェリ磁性状態とされてなる
ことを特徴とするスピンバルブ型磁気抵抗効果素子。」
　（なお、本件出願の図面に記載された層構成と、引用例の図面に示された層構成は積層の順が反対であるが、本願発明においては、層の順については第１の副固定磁性層が保磁力増大層に近いとされるのみの規定であり、積層の順は規定されていないので相違点にならない。従って上記の通り一致点と認定する。）
（３）　相違点
　そして、次の点で相違する。
　本願発明は「保磁力増大層がα−Ｆｅ２Ｏ３からなり、固定磁性層の保磁力が２０００Ｏｅ〜５０００Ｏｅとされた」のに対して、引用例２の反強磁性体の交換バイアス層は、鉄−マンガンおよびニッケル−マンガンから成る群から選択された材料あり、固定磁性層の保持力については示されていない点。
（４）　相違点の検討
ａ　本願発明の「第１の実施形態」として、明細書の【００３５】〜【００３７】において、
「保磁力増大層１は、反強磁性体、特に、酸化物反強磁性体から構成されることが好ましく、具体例として、α−Ｆｅ２Ｏ３、ＮｉＯ、ＣｏＯを例示できるが、α−Ｆｅ２Ｏ３が最も好ましい。
第１の副固定磁性層１１と第２の副固定磁性層１２は、例えば
Ｃｏ
ＮｉＦｅ合金
非磁性中間層１０は、
Ｒｕ
Ｃｒ
　ところで、引用例３には、「保磁力増大層がα−Ｆｅ２Ｏ３からなり、この保磁力増大層に磁化反転をピン止めされた強磁性層の保磁力が、前記保磁力増大層により強磁性層に誘起される一方向性の交換バイアス磁界よりも大きくされてなること」、及び図８から、ＦｅＭｎでは、Ｈｃｂは２００以下、ＮｉＯでもＨｃｂは２００以下であるが、α−Ｆｅ２Ｏ３ではＨｃｂが４５０〜８７１であることが読みとれる。
　そして、引用例１において、「小さな有効ピン・モーメントの結果、ピン層の減磁場（demag; demagnetization）が小さくなる。反強磁性交換結合はピン層の有効ピン・モーメントに逆比例するので、この結果、交換結合が大きくなる。」と示されているので、引用例３で示される保磁力増大層がα−Ｆｅ２Ｏ３とすることにより、ＦｅＭｎ、ＮｉＯよりも保持力を増加することができる知見を、引用例１で示され、引用例２も同様の構造を有する、固定層を２層に分離し、フェリ状態にすることで交換結合を大きくする知見は、交換結合を大きくする点で軌を一にし、交換結合を大きくする目的で、引用例２の鉄−マンガンにかえて、引用例３に示されるα−Ｆｅ２Ｏ３を用いることとすると想到することに格別の困難は認められない。
　固定磁性層の保磁力が２０００Ｏｅ〜５０００Ｏｅとされたことは、上記両知見により、保持力が上昇することは予想できたものであり、具体的な保持力の大きさについては示されたいなくても、引用例２の２層構造と引用例３のα−Ｆｅ２Ｏ３を用いることから、奏する効果であり、格別顕著な効果であるとはいえない。
　なお、本願の請求項１０では、「前記固定磁性層が、Ｃｏ、ＮｉＦｅ合金、ＣｏＮｉＦｅ合金、ＣｏＦｅ合金のいずれかからなることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載のスピンバルブ型磁気抵抗効果素子。」としており、引用例２の第１および第２の固定強磁性体膜が、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、およびそれらの合金から成る群から選択された材料（引用例２請求項１８）に対して、対象とする固定磁性層が同じ材料であるので、α−Ｆｅ２Ｏ３を用いることとすることに何ら阻害要件を有しない。
　従って、この相違点は格別のものではない。
　
４　まとめ
　本願発明は、引用例１〜３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許を受けることができない発明であり、他の請求項に係る発明を検討するまでもなく、本件出願は拒絶を免れ得ない。
　よって結論のとおり審決する。