【事件の表示】
　平成　９年特許願第　５５６７１号「冷電子放出素子」拒絶査定に対する審判事件［平成１０年　９月２５日出願公開、特開平１０−２５５６４５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年３月１１日の出願であって、平成１２年１１月１４日付で拒絶査定がなされ、これに対して同年１２月２０日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付で手続補正がなされたものである。
　
２．平成１２年１２月２０日付の手続補正（以下、「本件補正」ともいう。）についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１２年１２月２０日付の手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
　
「　　【請求項１】　絶縁基板上に形成されたｎ型またはｐ型の単一伝導性を有し、かつ、内部にp/n接合部を一切有しておらず、また、その表面においてもp/n接合を形成するような異伝導性半導体とは接していない半導体薄膜と、
　前記半導体薄膜と同じ材料から前記半導体薄膜の一端に設けられた突起部からなり鋭利な先端を有するエミッタと、
　前記半導体薄膜の他端に設けられたカソード電極と、
　前記エミッタと前記カソード電極の間に設けられ、前記半導体薄膜を流れる電流を制御するための少なくとも１個のゲート電極と、
　前記エミッタを除いて前記半導体薄膜、前記カソード電極、および前記ゲート電極のすべてを覆う絶縁層と、
　該絶縁層上に前記エミッタの先端を囲んで形成された引き出し電極を有することを特徴とする電界放射型の冷電子放出素子。」
　
　と補正された。
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「半導体薄膜」について「ｎ型またはｐ型の単一伝導性を有し、かつ、内部にp/n接合部を一切有しておらず、また、その表面においてもp/n接合を形成するような異伝導性半導体とは接していない」との限定を付加し、同じく「エミッタ」について「前記半導体薄膜と同じ材料から」なるとの限定を付加するものであって、特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
　
（２）引用刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願の日前に頒布された米国特許第５３５９２５６号明細書（以下、「引用刊行物」という。）には、
　
「FIG.26 illustrates a further embodiment of the present invention using a MESFET made from a semi-insulating semiconductor material such as gallium arsenide. A semi-insulating type-substrate 131, preferably gallium arsenide GaAs, is provided. An n-type layer 133 and a FET gate 150 is formed thereon to provide a Schottky barrier 157 therebetween. An n+source region 137 is formed in the n-type layer 133 for an ohmic contact to the source metalization 140. However, it is not necessary to form an n+region for the drain 120. The drain 120 can be accommodated merely by provision of the electron field emitter 110 at the appropriate drain location. However, an n+region at the drain could also be provided in other embodiments such as in the MESFET embodiment of FIG.26. Likewise, the n+region at the drain could be omitted in other embodiments such as in the MOSFET embodiment of FIG.24.」（第９欄第２７行〜第４４行）と記載されており、これとＦＩＧ．２６の記載からみて、引用刊行物には、以下の発明が記載されているものと認められる。
　
「半絶縁性基板上に形成されたｎ型の単一伝導性を有し、かつ、内部にp/n接合部を一切有しておらず、また、その表面においてもp/n接合を形成するような異伝導性半導体とは接していない半導体薄膜と、
　前記半導体薄膜の一端に設けられた突起部からなり鋭利な先端を有するエミッタと、
　前記半導体薄膜の他端に設けられたソース電極と、
　前記エミッタと前記ソース電極の間に設けられ、前記半導体薄膜を流れる電流を制御するための少なくとも１個のゲート電極と、
　絶縁層上に前記エミッタの先端を囲んで形成された引き出しゲート電極を有することを特徴とする電界放射型の冷電子放出素子。」（以下、「引用刊行物記載の発明」という。）
                
（３）対比
　本願補正発明と引用刊行物記載の発明とを対比すると、引用刊行物記載の発明における「ソース電極」(FETS SOURCE 140)及び「引き出しゲート電極」(EXTRACTOR GATE 170)は、それぞれ本願発明の「カソード電極」、「引き出し電極」に相当するものである。
　よって、両者は
「基板上に形成されたｎ型またはｐ型の単一伝導性を有し、かつ、内部にp/n接合部を一切有しておらず、また、その表面においてもp/n接合を形成するような異伝導性半導体とは接していない半導体薄膜と、
　前記半導体薄膜の一端に設けられた突起部からなり鋭利な先端を有するエミッタと、
　前記半導体薄膜の他端に設けられたカソード電極と、
　前記エミッタと前記カソード電極の間に設けられ、前記半導体薄膜を流れる電流を制御するための少なくとも１個のゲート電極と、
　絶縁層上に前記エミッタの先端を囲んで形成された引き出し電極を有することを特徴とする電界放射型の冷電子放出素子。」
である点で一致し、次の点で相違する。
        
相違点１：本願補正発明においては「絶縁基板」が用いられているのに対し、引用刊行物記載の発明においては「半絶縁基板」(SEMI-INSULATING TYPE SUBSTRATE 131)が用いられている点。
　
相違点２：本願補正発明においては「エミッタを除いて半導体薄膜、カソード電極、およびゲート電極のすべてを覆う絶縁層」が設けられているのに対し、引用刊行物記載の発明においては絶縁層(SiO2 180)はエミッタ(ELECTRON FIELD EMITTER 110)の周囲のみに設けられている点。
　
相違点３：本願補正発明においては「エミッタ」が「半導体薄膜と同じ材料から」なるのに対し、引用刊行物記載の発明においてはそのような特定が明示されておらず、ＦＩＧ．２６にはエミッタ部分がｎ＋領域であるものが示されている点。
　
        
（４）当審の判断
　上記相違点について検討する。
　
相違点１について：
　冷電子放出素子やＦＥＴなどの素子基板として絶縁基板は周知なものであり、引用刊行物記載の発明において、基板が絶縁性でなく半絶縁性であることが素子の動作に何らかの寄与を有するものとも認められないため、引用刊行物記載の発明における基板を絶縁基板とすることに困難性は認められない。
　
相違点２について：
　冷電子放出素子においてエミッタを除いた部分を絶縁層で覆った構成は、特開平６−１７６６８６号公報（原審における平成１１年１１月２日付拒絶理由通知書で引用された引用文献２）の図１（Ｂ）にも示されているように周知なものであり、引用刊行物記載の発明においてもエミッタを除いた部分、すなわち半導体薄膜(n-TYPE LAYER 133)、カソード電極(FETS SOURCE 140)、およびゲート電極(FETS GATE 150)のすべてを覆うように絶縁層を設けることに困難性は認められない。
　
相違点３について：
　引用刊行物の上記引用箇所には「However, it is not necessary to form an n+region for the drain 120. 」と記載されており、エミッタがｎ＋領域でなくともよいことが示されているから、エミッタを半導体薄膜と同じ材料から形成することに困難性は認められない。
　
　したがって、本願補正発明は引用刊行物記載の発明及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際に独立して特許を受けることができない。
　
　なお、請求人は審判請求書において「引用文献２及び３に記載のように、半導体表面を絶縁層で覆うもの自体は公知であるとしても、これは、内部或いは表面に、p/n接合部を有するものの技術に関するものであって、本願発明とは全く異なるものであります。本願発明には十分に特許性があると考えます。」との主張を行っているが、p/n接合部の有無にかかわらず素子表面の汚染などを防止するための保護膜として絶縁層が必要であることは当業者にとって自明なものであるから、引用刊行物記載の発明においてもエミッタを除いた部分すべてを覆うように絶縁層を設けることに困難性は認められない。したがって上記主張を採用することはできない。
        　
（５）むすび
　以上のとおりであるから、本件補正は特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
　
３．本願発明について
　平成１２年１２月２０日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１２年１月１４日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「  【請求項１】　絶縁基板上に形成された半導体薄膜の一端に設けられた突起部からなり鋭利な先端を有するエミッタと、
　前記半導体薄膜の他端に設けられたカソード電極と、
　前記エミッタと前記カソード電極の間に設けられ、前記半導体薄膜を流れる電流を制御するための少なくとも１個のゲート電極と、
　前記エミッタを除いて前記半導体薄膜、前記カソード電極、および前記ゲート電極のすべてを覆う絶縁層と、
　該絶縁層上に前記エミッタの先端を囲んで形成された引き出し電極を有することを特徴とする電界放射型の冷電子放出素子。」
　
（１）引用刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物、およびそれに記載された発明は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（２）対比、判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から、「半導体薄膜」の限定事項である「ｎ型またはｐ型の単一伝導性を有し、かつ、内部にp/n接合部を一切有しておらず、また、その表面においてもp/n接合を形成するような異伝導性半導体とは接していない」との事項を省き、また「エミッタ」の限定事項である「前記半導体薄膜と同じ材料から」なるとの事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明を特定する事項を全て含み、さらに他の事項を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、引用刊行物記載の発明及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用刊行物記載の発明及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は引用刊行物記載の発明及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。そして、本願発明が特許を受けることができないものであるから、他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。