【事件の表示】
　特願２０１２−５３５９５１「発光ダイオード装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　５月１２日国際公開、ＷＯ２０１１／０５５２０２、平成２５年　３月　７日国内公表、特表２０１３−５０８９９４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、２０１０年（平成２２年）１１月１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理、２００９年（平成２１年）１１月６日　台湾）を国際出願日とする出願であって、平成２５年８月１６日付けの拒絶理由の通知に対し、同年１１月１９日に手続補正がなされたが、同年１２月９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成２６年４月１７日に審判請求がなされたものである。
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２５年１１月１９日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１６に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものであると認められる。
「発光ダイオード装置において、
　鏡面反射層と、
　該鏡面反射層の上に形成された第１導電性半導体層と、
　該第１導電性半導体層の上に形成された活性層と、
　該活性層の上に形成された第２導電性半導体層と、
　該第２導電性半導体層の上に形成されると共に、該第２導電性半導体層の外側に設置された第２金属電極と、
を包含し、該第２金属電極の両側がそれぞれ高光照射側と低光照射側とされ、該低光照射側は該鏡面反射層の幅範囲外に位置し、すなわち、該低光照射側は該鏡面反射層に被覆されず、中央に３本の金属電極線が設置されて該第２金属電極に接続され、且つ該鏡面反射層と該第１導電性半導体層の接触する面積が該第１導電性半導体層の面積の百分の７５以上であることを特徴とする、発光ダイオード装置。」
３　引用例
（１）引用例１
ア　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２０００−９１６３８号公報（以下「引用例１」という。）には、図とともに次の記載がある（下線は当審が引いた。以下同じ。）。
（ア）「【特許請求の範囲】」、
「透光性でかつ導電性であって第１の主面及び第２の主面を有する基板と、前記第１の主面の上に積層される窒化ガリウム系化合物半導体からなるｎ型層とｐ型層とを含む半導体積層構造と、前記半導体積層構造の最上層の表面に設けた第１の電極と、前記第２の主面の上に設けた第２の電極とを含み、前記第２の主面を主光取り出し面側とした化合物半導体発光素子であって、前記第１の電極を前記最上層の表面のほぼ全面に形成し、前記第２の電極を前記第２の主面の周縁部の一部または全部に形成していることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」（請求項１）
（イ）「【発明が解決しようとする課題】」、
「ところが、ｎ側電極２６及びｐ側電極２７を、基板２１及びｐ型コンタクト層２５の表面のほぼ中央部に設けると、基板２１側またはｐ型コンタクト層２５のいずれもを主光取り出し面と利用できるものの、発光面積はいずれも狭められてしまう。すなわち、これらの基板２１側及びｐ型コンタクト層２５のそれぞれの中央部が金属蒸着法等によって形成された遮光性のｎ側及びｐ側の電極２６，２７で覆われるので、活性層２３からの発光はこれらの電極２６，２７で遮られることになる。」（段落【０００７】）、
「一方、たとえば図３において上面側すなわちｐ型コンタクト層２５の表面を主光取出し面とする場合、活性層２３から基板２１へ向かう光はｎ側電極２６によって反射される。この場合、ｎ側電極２６からの反射光は主光取出し面側へ向かうものも含むが、側方へ抜けてしまう成分もある。したがって、主光取り出し面とは反対側の基板２１へ向かった光の全てを反射光として回収することはできず、主光取出し面からの光取り出し効率は低下することになる。また、基板２１側を主光取出し面とする場合でも同様である。」（段落【０００８】）、
「また、窒化ガリウム系化合物半導体は他の３−５族化合物半導体に比して抵抗率が高く、半導体積層構造側に形成された電極すなわちｐ型コンタクト層２５の表面のｐ側電極２７から供給される電流は半導体層で十分には広がりにくい。このため、基板２１側に形成するｎ側電極２６と対向する位置の半導体積層構造の表面の一部にｐ側電極２７を設けてしまうと、これらのｎ側及びｐ側の電極２６，２７を形成した部分に対応した活性層２３の領域でのみ発光することになる。したがって、活性層２３ではその全面に亘って均一な発光が得られず、効率の高い光の取り出しを確保することの困難さも大きい。」（段落【０００９】）、
「このように、ｎ側及びｐ側の電極２６，２７を基板２１側と半導体積層膜側に別けて設けるものでは、効率が高く十分な光取り出しを確保することは困難である。」（段落【００１０】）、
「また、主光取り出し面側から素子外部へ取り出される光は、ｎ側及びｐ側の電極２６，２７を除く領域であってこれらの電極２６，２７の辺に沿う範囲に過ぎない。したがって、主光取り出し面側での素子の直上における発光強度の分布は、ｎ側及びｐ側の電極２６，２７を形成していない領域でかつこれらの電極２６，２７の周辺に対応する部分では比較的強く、電極２６，２７を形成した領域に対応する部分では比較的弱くなるという凹状の分布となる。」（段落【００１１】）、
「このような発光分布の発光素子では、樹脂レンズを持たないチップ型発光ダイオードや、配線基板上に直接発光素子を載置して用いるライン状光源などのように、主光取り出し面側の素子直上において凸状または均一となる発光強度分布が望まれる用途には適用できない。」（段落【００１２】）、
「本発明において解決すべき課題は、主光取り出し面側における光取り出し効率と素子直上での発光強度分布を改善させた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を提供することにある。」（段落【００１３】）
（ウ）「【発明の実施の形態】」、
「請求項１に記載の発明は、透光性でかつ導電性であって第１の主面及び第２の主面を有する基板と、前記第１の主面の上に積層される窒化ガリウム系化合物半導体からなるｎ型層とｐ型層とを含む半導体積層構造と、前記半導体積層構造の最上層の表面に設けた第１の電極と、前記第２の主面の上に設けた第２の電極とを含み、前記第２の主面を主光取り出し面側とした化合物半導体発光素子であって、前記第１の電極を前記最上層の表面のほぼ全面に形成し、前記第２の電極を前記第２の主面の周縁部の一部または全部に形成していることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であり、半導体積層構造の最上層の表面のほぼ全面に電極を設けることにより、半導体積層構造の中の活性層において全面均一な発光を生じさせ、最上層のほうへ向かう光を最上層の表面に設けた電極で反射させて主光取り出し面側へ向かわせることができるという作用を有する。また、素子の主光取り出し面側となる基板の表面の周縁部に電極を形成させることにより、活性層において生じた発光を素子の主光取り出し面側からほぼ全面均一に取り出すことができるという作用を有する。」（段落【００１６】）、
「以下に、本発明の実施の形態の具体例を、図面を参照しながら説明する。
図１は本発明の一実施の形態に係る窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の構造
「
図１及び図２において、発光素子は、その下面を第１の主面とし上面を第２の主面としたＧａＮからなる基板１を備えたものである。そして、基板１の第１の主面上に、ＧａＮからなるｎ型クラッド層２と、ＩｎＧａＮからなる活性層３と、ＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層４と、ＧａＮからなるｐ型コンタクト層５とを順次積層したダブルヘテロ接合構造としている。また、基板１の第２の主面の表面及びｐ型コンタクト層５の表面上のそれぞれには、ｎ側電極６及びｐ側電極７を形成している。
「ここで、発光素子のｐ側及びｎ側に対向する電極を備えた窒化ガリウム系化合物半導体からなる基板を用いた発光素子では、活性層において発光が生じる領域が半導体積層構造の側に形成した電極に対応する領域に制限されるとともに、活性層で発生した光が主光取り出し面側へ向かう際に主光取り出し面側に形成された電極によって遮られ、素子の直上における発光強度分布が凹状となるというのが従来の構成であった。」（段落【００１９】）、
「これに対し、本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子においては、半導体積層構造側に形成する電極を表面のほぼ全面に形成することで、活性層における全面均一な発光を確保しつつ、活性層からこの電極の側へ向かう光を反射させて主光取り出し面側へ向かわせ、一方、主光取り出し面側に形成する電極を基板の主光取り出し面側の主面の周縁部に設けることにより、電極によって遮られる光量を低減して、活性層からの全面均一な発光を主光取り出し面側から容易に取り出せるすることで、この面側からの光取り出し効率を向上させるとともに、素子直上における発光強度分布を凸状でほぼ均一な分布となるように改善させることが可能となる。」（段落【００２０】）、
「すなわち、
図示のように、ｐ側電極７はｐ型コンタクト層５の表面のほぼ全面に形成され、活性層３からの全面均一な発光を得るためにｐ型コンタクト層５に対するオーミック電極として機能させている。これと同時に、ｐ側電極７は、活性層３で発生した光のうちｐ側電極７の方へ向かう光を反射させてｎ側電極６の方へ向かわせる反射電極としても機能する。
「一方、
ｎ側電極６は、図２から明らかなように、基板１の表面の周縁部にのみ形成されている。
活性層３で発生した光のうち、基板１側へ向かう光と、上述のようにｐ側電極７の方へ向かいｐ側電極７で反射されて基板１側へ向かう光とを、基板１の表面で遮ることがないよう構成となっている。
ｐ型コンタクト層５の表面のほぼ全面に形成したｐ側電極７は、先に説明したように、活性層３における全面均一な発光を確保すると同時に活性層３からの光を反射させて、主光取り出し面側からの発光輝度を向上させる。
ｎ側電極６としては、アルミニウムやチタン、金等を用いる
（エ）図１及び図２は以下のとおりである。
イ　上記アの各記載によれば、引用例１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、
　その下面を第１の主面とし上面を第２の主面としたＧａＮからなる基板１を備え、
　基板１の第１の主面上に、ＧａＮからなるｎ型クラッド層２と、ＩｎＧａＮからなる活性層３と、ＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層４と、ＧａＮからなるｐ型コンタクト層５とを順次積層したダブルヘテロ接合構造を備え、
　基板１の第２の主面の表面及びｐ型コンタクト層５の表面上のそれぞれには、ｎ側電極６及びｐ側電極７を形成しており、
　ｐ側電極７はｐ型コンタクト層５の表面のほぼ全面に形成され、活性層３からの全面均一な発光を得るためにｐ型コンタクト層５に対するオーミック電極として機能させていると同時に、活性層３で発生した光のうちｐ側電極７の方へ向かう光を反射させてｎ側電極６の方へ向かわせる反射電極としても機能し、
　ｐ型コンタクト層５の表面のほぼ全面に形成したｐ側電極７は、活性層３における全面均一な発光を確保すると同時に活性層３からの光を反射させて、主光取り出し面側からの発光輝度を向上させ、
　ｎ側電極６は、基板１の表面の周縁部にのみ形成され、活性層３で発生した光のうち、基板１側へ向かう光と、ｐ側電極７の方へ向かいｐ側電極７で反射されて基板１側へ向かう光とを、基板１の表面で遮ることがないような構成となっており、
　ｎ側電極６としては、アルミニウムやチタン、金等を用いる、
　窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」
（２）引用例２
ア　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特表２００８−５４３０６８号公報（以下「引用例２」という。）には、図とともに次の記載がある。
（ア）「【技術分野】」、
「側縁の長さが３００μｍより短い従来の発光ダイオードチップは、ビーム出力結合面上の中央部に配置構成されているボンディングパッドを用いることにより、発光ダイオードチップにおける比較的均一な電流分布を既に達成できている。しかしながら、例えば、側縁の長さが約１ｍｍ迄である広面積の発光ダイオードチップの場合には、このようなコンタクト接続では、発光ダイオードチップの不均一な電流の流れを生じさせることがあるので不利である。このような不均一な電流の流れは、順方向電圧を高め、また活性領域における量子効率を低減させる。この作用は、殊に、横方向導電性が小さい半導体材料、殊に、窒素化合物半導体において生じる。この場合、発光ダイオードチップの中央領域内で最大電流密度が生じ、中央のボンディングパッド故に、側縁の方向に向かってボンディングパッドからの間隔が大きくなるに連れて、最大電流密度は低減する。これにより、ビーム出口面の輝度が不所望に不均一になってしまうことが屡々ある。更に、発光ダイオードチップの中央領域内で放射される、最大の電流密度のビームが、少なくとも部分的に、非透過性のボンディングパッドの方に放射され、従って、少なくとも部分的に吸収されるという欠点がある。」（段落【０００４】）
（イ）「本発明の課題は、殊に、ボンディングパッド内でのビームの吸収が低減されていることを特徴とするように改善された、ビーム出口面上に設けられたコンタクト構造を有する発光ダイオードチップを提供することにある。」（段落【０００６】）
（ウ）「この課題は、請求項１の上位概念の特徴を備えた発光ダイオードチップにおいて、ボンディングパッドは、ビーム出口面の縁領域内に設けられていることによって解決される。本発明の有利な実施形態および発展形態は従属請求に記載されている。」（段落【０００７】）、
「ビーム出口面と、ビーム出口面上に設けられていて、
ボンディングパッドと、
ボンディングパッドと導電接続されたコンタクトウェブを有するコンタクト構造
「ビーム出口面の縁領域内にボンディングパッドを配置構成することによって、ビーム出口面の中央領域を通って発光ダイオードチップから放射されるビームは、ボンディングパッド内で吸収されない。ビーム出口面の縁領域内でのボンディングパッドの配置構成は、殊に、ボンディングパッドの中心点から、発光ダイオードチップの少なくとも１つの側縁迄の間隔が、ビーム出口面の中心点迄の間隔よりも短いようにして設けられる。有利には、ビーム出口面の縁領域内にボンディングパッドを配置構成することによって、ビーム出口面上の中央部に設けられたボンディングパッドを有する発光ダイオードチップとは異なり、ボンディングワイヤを、ビーム出口面上でボンディングパッドに案内する必要はない。これは、比較的高い電流の強さ、例えば、３００ｍＡより高い電流の強さで作動される発光ダイオードチップにとって、殊に有利である。と言うのは、そのように高い電流の強さで作動する際、ビーム出口面の上側にボンディングワイヤが設けられる場合、放射されたビームの吸収が無視し得ない程度で生じるので、比較的太いボンディングワイヤが必要であるからである。
ビーム出口面上に、ボンディングパッドと導電接続された複数のコンタクトウェブを設けることによって、ビーム出口面の縁領域内に設けられたボンディングパッドにも拘わらず、発光ダイオードチップ内に比較的均一な電流分布を達成することができる。
「有利な変形実施例では、少なくとも１つのコンタクトウェブは、発光ダイオードチップの側縁に沿って延在しており、その際、側縁に対する間隔は、１５μｍよりも小さい。殊に、コンタクトウェブは、側縁に接しているようにしてもよい。ビーム出口面上に発光変換層を有している発光ダイオードチップでは、側縁迄の間隔が短いのは有利である。例えば、製造中チップの損傷を検出することができるようにするために、縁領域は変換層によって覆われないようにしておく必要があるので、この縁領域は、電流分布の拡がり（Ｓｔｒｏｍａｕｆｗｅｉｔｕｎｇ）の利点を備えたコンタクトウェブの配置構成を用いて利用することができる。」（段落【００１２】）、
「
コンタクトウェブは、有利には、発光ダイオードチップのビーム出口面が均一な輝度を有するように、発光ダイオードチップの活性層に均一に電流が流れるように、ビーム出口面上に設けられている。
「有利には、コンタクトウェブは、複数の矩形又は正方形の輪郭を形成する。有利には、複数の矩形又は正方形は、各々少なくとも１つの共通の側縁、特に有利には２つの共通の側縁を有している。殊に、コンタクトウェブは、各々共通のコーナー点を有する複数の正方形及び／又は矩形の輪郭を形成することができる。この場合、コンタクトウェブが相互に入れ子式の複数の同心的な正方形又は矩形を形成するコンタクト構造とは異なって、相互に導電接続するために、各正方形及び／又は各矩形間の結合ウェブを必要としない。」（段落【００１４】）、
「本発明の特に有利な実施例では、ボンディングパッドは、輪郭がコンタクトウェブによって形成される、少なくとも１つの矩形又は正方形の１つのコーナー点に設けられている。殊に、ボンディングパッドは、複数の正方形及び／又は矩形の共通のコーナー点に設けることができ、その輪郭は、コンタクトウェブによって形成されている。」（段落【００１５】）、
「有利には、各コンタクトウェブにより、少なくとも、ビーム出口面の半分より多くが囲まれている。つまり、
例えば、コンタクトウェブは、ビーム出口面の主要な部分が、後述の幾何形状によって囲まれているように、閉じた又は少なくともほぼ閉じた、少なくとも１つの幾何形状で形成されている。
「少なくとも、ビーム出口面の主要な部分が、各コンタクトウェブによって囲まれていることにより、ビーム出口面の縁領域内に設けられたボンディングパッドにも拘わらず、発光ダイオードチップ内に比較的均一な電流分布を達成することができる。
ボンディングパッドとコンタクトウェブから構成されているコンタクト構造によって、僅かな横方向導電率を有する半導体材料製の発光ダイオードチップ、例えば、窒化物系化合物半導体材料に基づく発光ダイオードチップの場合でも、このようにして、比較的均一な電流密度と、従って、ビーム出口面の相応に均一な輝度が達成される。
「
コンタクト構造は、有利には、金属又は合金を有している。
「
有利には、ビーム出口面の面積の１５％より少なく、殊に有利には１０％より少ない面積が、コンタクト構造によって覆われている。コンタクト構造の内部での吸収損失は、それによって有利に僅かとなる。
「別の有利な実施例では、発光ダイオードチップは、活性層を有する半導体層列を有しており、その際、ビーム出口面に対向する半導体層列の主要面には、反射コンタクト層が設けられている。ボンディングパッドに対向する、主要面の領域は、有利には、反射コンタクト層によって覆われていない。」（段落【００３６】）、
「活性面から見て、ビーム出口面に対向しているコンタクト層は、垂直方向でボンディングパッドに、活性層から見て、コンタクト層によって覆われていない、主要面の領域が対向しているように構造化されている。これは、垂直方向でボンディングパッドの下側に位置している活性層の領域内の電流密度が低減され、その結果、ボンディングパッドの下側では僅かなビームしか形成されないようになるという利点を有している。更に、反射コンタクト層をなくすことにより、反射コンタクト層からボンディングパッドの方向に反射される、放射ビームの成分が減少する。このようにして、ボンディングパッドでのビームの吸収が減少される。このようにして、発光ダイオードチップの効率は有利に上昇する。」（段落【００３７】）
（エ）「図２及び３に図示されたコンタクト構造は、図１Ａに図示された第１の実施例のコンタクト構造とは、輪郭がコンタクトウェブ２，３によって形成されている正方形の個数が多いという点によって異なっている。」（段落【００６２】）、
「図２に図示されたコンタクト構造では、コンタクトウェブ２，３は、相互に入れ子式の４個の正方形８ａ，８ｂ，８ｃを形成する。第１の実施例の場合のように、相互に入れ子式の正方形は、各々２つの共通の側縁３を有しており、ボンディングパッド４は正方形８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄの、共通のコーナー点に設けられている。」（段落【００６３】）、
「図２に示された実施例では、コンタクト構造は、相互に入れ子式の５つの正方形８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄ，８ｅを有している。所要のコンタクトウェブ２，３の個数は、殊に、ビーム出口面１の大きさ、及び、ビーム出口面１の下側に位置している半導体材料の横方向の導電性に依存している。」（段落【００６４】、当審注：「図２」は「図３」の誤記と認める。）、
「コンタクトウェブ２，３によって形成された、ビーム出口面１上の構造は、必ずしも、閉じられた幾何的構造を形成する必要はない。例えば、図４に示された実施例では、ボンディングパッドから出た、可変の幅を有する２つのコンタクトウェブ３に基づいて、別の複数のコンタクトウェブ２がフィンガ状にビーム出口面上に形成されているが、ビーム出口面は、正方形となるように相互に結合されていない。」（段落【００６５】）、
「
図７に示された実施例では、図６に図示された実施例と較べて、正方形８ａの内部にコンタクトウェブが設けられていない。
「
図８に示された、コンタクト構造の実施例は、図７に示された実施例にほぼ相応し、その際、付加的に、ビーム出口面１の中心領域内に、内部の正方形８ｉが、各々各結合ウェブを用いて、外側の正方形８ａの各コーナー点と接続された４つのコンタクトウェブによって構成されている。
「図１１には、本発明の発光ダイオードチップの別の実施例の平面図が示されている。」（段落【００８４】）、
「ビーム出口面１上に設けられたコンタクト構造のボンディングパッド４は、ビーム出口面１のコーナー内に設けられている。有利には、ボンディングパッド４の２つの側縁は、チップの２つの側縁９及び１０と一致している。各側縁９及び１０に沿って、特に有利には、コンタクトウェブ３が延在している。この構成の利点は、縁領域が利用されないことはなく、電流分布を拡げる（Ｓｔｒｏｍａｕｆｗｅｉｔｕｎｇ）ために利用される。コンタクトウェブ３は、各コンタクトウェブ２と共に複数の正方形８ａ，８ｂ，８ｃ，８ｄの輪郭を形成する。」（段落【００８５】）
（オ）図１Ａ、図２、図３、図６、図７、図８及び図１１は以下のとおりである。
（カ）コンタクトウェブは、有利には、発光ダイオードチップのビーム出口面が均一な輝度を有するように、発光ダイオードチップの活性層に均一に電流が流れるように、ビーム出口面上に設けられている（上記（ウ）の段落【００１３】）ところ、図７（上記（エ）の段落【００６８】）と図８（上記（エ）の段落【００６９】）との対比から、外側の正方形のコンタクトウェブの内部に付加的にコンタクトウェブを設けることにより、発光ダイオードチップの活性層により均一に電流が流れ、発光ダイオードチップのビーム出口面がより均一な輝度を有することが把握できる。
イ　上記アの各記載によれば、引用例２には、次の事項が記載されていると認められる。
「ビーム出口面上に、ボンディングパッドと導電接続された複数のコンタクトウェブとからなるコンタクト構造を設けることによって、ビーム出口面の縁領域内に設けられたボンディングパッドにも拘わらず、発光ダイオードチップ内に比較的均一な電流分布を達成することができ、
　例えば、コンタクトウェブは、ビーム出口面の主要な部分が、後述の幾何形状によって囲まれているように、閉じた又は少なくともほぼ閉じた、少なくとも１つの幾何形状で形成されており、
　コンタクト構造は、金属又は合金を有しており、
　ビーム出口面の面積の１５％より少なく、殊に有利には１０％より少ない面積が、コンタクト構造によって覆われていることによって、コンタクト構造の内部での吸収損失は、有利に僅かとなり、
　外側の正方形のコンタクトウェブの内部に付加的にコンタクトウェブを設けることにより、発光ダイオードチップの活性層により均一に電流が流れ、発光ダイオードチップのビーム出口面がより均一な輝度を有する
　発光ダイオードチップの構造。」
３　対比
（１）本願発明と引用発明１とを以下に対比する。
ア　引用発明１の「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」は、本願発明の「発光ダイオード装置」に相当する。
イ　引用発明１の「ｐ側電極７」は、「活性層３で発生した光のうちｐ側電極７の方へ向かう光を反射させてｎ側電極６の方へ向かわせる反射電極としても機能」するから、本願発明の「鏡面反射層」に相当するといえる。
ウ　引用発明１の「ＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層４」及び「ＧａＮからなるｐ型コンタクト層５」は、本願発明の「第１導電性半導体層」に相当する。
　そして、引用発明１では、「ｐ型コンタクト層５の表面上」に「ｐ側電極７を形成して」いるから、引用発明１は、本願発明の「該鏡面反射層の上に形成された第１導電型半導体層」との特定事項を備えていることになる。
エ　引用発明１の「ＩｎＧａＮからなる活性層３」は、本願発明の「活性層」に相当する。
　そして、引用発明１では、「基板１の第１の主面上に、ＧａＮからなるｎ型クラッド層２と、ＩｎＧａＮからなる活性層３と、ＡｌＧａＮからなるｐ型クラッド層４と、ＧａＮからなるｐ型コンタクト層５とを順次積層したダブルヘテロ接合構造を備え」ているから、引用発明１は、本願発明の「該第１導電性半導体層の上に形成された活性層」との特定事項を備えていることになる。
オ　引用発明１の「ＧａＮからなるｎ型クラッド層２」は、本願発明の「第２導電性半導体層」に相当する。そして、上記エと同様の理由で、引用発明１は、本願発明の「該活性層の上に形成された第２導電性半導体層」との特定事項を備えていることになる。
カ　引用発明１の「アルミニウムやチタン、金等を用いる」「ｎ側電極６」は、本願発明の「第２金属電極」に相当する。
　そして、引用発明１の「ｎ側電極６」は、「ＧａＮからなる基板１」の「上面」である「第２の主面の表面」に「形成」されており、さらに、引用発明１では、「ＧａＮからなる基板１」の「下面」である「第１の主面上に」「ＧａＮからなるｎ型クラッド層２」が設けられているから、引用発明１は、本願発明の「該第２導電性半導体層の上に形成される」「第２の金属電極」との特定事項を備えていることになる。
　また、引用発明１の「ｎ側電極６」は、「基板１の表面の周縁部にのみ形成され、活性層３で発生した光のうち、基板１側へ向かう光と、ｐ側電極７の方へ向かいｐ側電極７で反射されて基板１側へ向かう光とを、基板１の表面で遮ることがないよう構成となって」いるから、引用発明１は、本願発明の「該第２導電性半導体層の外側に設置された第２金属電極」との特定事項を備えていることになる。
キ　引用発明１の「ｎ側電極６」（本願発明の「第２金属電極」に該当する。）は、「基板１の表面の周縁部にのみ形成され」ているから、ｎ側電極６の発光素子中央側の側面側が、ｎ側電極６の発光素子外方側の側面側よりも高い光照射を受けることが明らかである。そうすると、引用発明１の「ｎ側電極６」の発光素子中央側の側面側及び発光素子外方側の側面側が、それぞれ、本願発明の「高光照射側」及び「低光照射側」に相当し、その結果、引用発明１は、本願発明の「該第２金属電極の両側がそれぞれ高光照射側と低光照射側とされ」ているとの特定事項を備えていることになる。
（２）上記（１）によれば、本願発明と引用発明１とは、
「発光ダイオード装置において、
　鏡面反射層と、
　該鏡面反射層の上に形成された第１導電性半導体層と、
　該第１導電性半導体層の上に形成された活性層と、
　該活性層の上に形成された第２導電性半導体層と、
　該第２導電性半導体層の上に形成されると共に、該第２導電性半導体層の外側に設置された第２金属電極と、
を包含し、該第２金属電極の両側がそれぞれ高光照射側と低光照射側とされる、発光ダイオード装置。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
［相違点１］本願発明では、第２金属電極の低光照射側は鏡面反射層の幅範囲外に位置し、すなわち、該低光照射側は該鏡面反射層に被覆されていないのに対し、引用発明１はそうであるか明らかでない点。
［相違点２］本願発明では、中央に３本の金属電極線が設置されて第２金属電極に接続されているのに対し、引用発明１ではそうなっていない点。
［相違点３］本願発明では、鏡面反射層と第１導電性半導体層の接触する面積が該第１導電性半導体層の面積の百分の７５以上であるのに対し、引用発明１はそうであるか明らかでない点。
４　相違点についての判断
　上記各相違点について検討する。
（１）［相違点１］について
　引用発明１では、本願発明の「鏡面反射層」に相当する「ｐ側電極７」が、本願発明の「第１導電性半導体層」に含まれる「ｐ側コンタクト層５」の「表面の
ほぼ
ｎ側電極６は、基板１の表面の周縁部にのみ形成され
基板１の表面で遮ることがないような構成となって
　そして、発光ダイオード装置の技術分野において、鏡面反射層が発光ダイオード装置の側端面まで延在しない構造は周知（例えば、特開２００８−２９４４８２号公報の図５〜８の「第１の電極３」（６９頁の段落【００９２】・７０〜７１頁の段落【００９８】・７２頁の段落【０１０５】）、特開２００９−１１７７４４号公報の段落【００６１】を参照。）である。
　そうすると、当業者であれば、引用発明１において、上記［相違点１］のようにすることは適宜設計し得たことであるといえる。
（２）［相違点２］について
　引用例１には、電流が半導体層で十分に広がりにくいと、全面に亘って均一な発光が得られない旨の記載がある（上記３（１）ア（イ）の段落【０００８】）ところ、引用発明１では、「ｎ側電極６」（本願発明の「第２金属電極」に該当する。）は「基板１の表面の周縁部にのみ形成され」ているから、「活性層において生じた発光を素子の主光取り出し面側からほぼ全面均一に取り出すことができる」（同（ウ）の段落【００１６】）としても、当業者であれば、引用発明１では、上記記載に係る課題が依然として存在していることを認識できると認められる。
　他方、引用例２には、上記２（２）イのとおり、
「ビーム出口面上に、ボンディングパッドと導電接続された複数のコンタクトウェブとからなるコンタクト構造を設けることによって、ビーム出口面の縁領域内に設けられたボンディングパッドにも拘わらず、発光ダイオードチップ内に比較的均一な電流分布を達成することができ、
　例えば、コンタクトウェブは、ビーム出口面の主要な部分が、後述の幾何形状によって囲まれているように、閉じた又は少なくともほぼ閉じた、少なくとも１つの幾何形状で形成されており、
　コンタクト構造は、金属又は合金を有しており、
　ビーム出口面の面積の１５％より少なく、殊に有利には１０％より少ない面積が、コンタクト構造によって覆われていることによって、コンタクト構造の内部での吸収損失は、有利に僅かとなり、
　外側の正方形のコンタクトウェブの内部に付加的にコンタクトウェブを設けることにより、発光ダイオードチップの活性層により均一に電流が流れ、発光ダイオードチップのビーム出口面がより均一な輝度を有する
　発光ダイオードチップの構造。」
が記載されている。ここで、外側の正方形のコンタクトウェブの内部に付加的にコンタクトウェブを設けた構造（コンタクトウェブは金属又は合金を有している。）は、半導体層の上に形成されると共に、半導体層の外側に設置された金属電極であって、中央に複数本の金属電極線が設置されて金属電極に接続された構造であるということができる。
　そうすると、引用発明１において、電流が半導体層で十分に広がりにくく、全面に亘って均一な発光が得られないとの課題を解決するために、引用例２の記載事項を採用して、「ｎ側電極６」（本願発明の「第２金属電極」に該当する。）に複数本の金属電極線を接続し、当該金属電極線を中央に設置することは当業者が容易に想到できたものである。
　そして、引用例２の記載事項において、付加的に設けるコンタクトウェブ（閉じた又は少なくともほぼ閉じた、少なくとも１つの幾何形状で形成されている。）は、発光ダイオードチップの活性層により均一に電流が流れ、発光ダイオードチップのビーム出口面がより均一な輝度を有するためのものであるから、種々の構造が採用できることが当業者にとって明らかである。そうすると、引用発明１において引用例２の記載事項を採用するに当たり、付加的に設けるコンタクトウェブとして、３本の金属電極線のものとすることは、設計的事項であるといえる。
（３）［相違点３］について
　引用発明１では、本願発明の「鏡面反射層」に相当する「ｐ側電極７」が、本願発明の「第１導電性半導体層」に含まれる「ｐ側コンタクト層５」に接触していると認められるところ、「ｐ側電極７」は「ｐ側コンタクト層５」の「表面のほぼ全面に形成され」ており、その技術的意義は、「活性層３における全面均一な発光を確保すると同時に活性層３からの光を反射させて、主光取り出し面側からの発光輝度を向上させ」ることにあると認められる。そうすると、引用発明１において、上記［相違点３］のようにすることは、当業者が適宜なし得たことといえる。
（４）本願発明の効果について
ア　上記［相違点１］及び［相違点３］のようにしたことによる効果は、当業者が予測し得たものである。
イ　上記［相違点２］のうち、「中央に」「金属電極線が設置されて第２金属電極に接続されている」ようにしたことによる効果は、当業者が予測し得たものである。
　そして、上記［相違点２］のうち、「金属電極線」の本数が「３本」であることに関して、本願の明細書の段落【００１４】には、「注意すべきことは、この本数は、全体のＬＥＤ装置の外形輪郭及びサイズに合わせて、或いは必要により決定され得ることである。」と記載されていることに照らせば、このようにしたことによる効果は格別とはいえないものである。
（５）小括
　したがって、本願発明は、引用発明１、引用例１に記載された事項、引用例２に記載された事項及び周知技術に基づき、当業者が容易に発明をすることができたものである。
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。