【事件の表示】
　特願２０１１−６６０５「モノリシックシリコン微細加工式サーモパイル赤外線センサー」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年７月２８日出願公開、特開２０１１−１４５２９６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年１月１７日（パリ条約による優先権主張平成２２年１月１８日、平成２２年１０月７日、ドイツ）の出願であって、平成２４年８月１日付けで拒絶理由が通知され、同年１１月２０日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がなされ、平成２５年２月５日付けで拒絶理由が通知され、同年７月２日付けで意見書が提出されるとともに手続補正がなされたが、同年１２月４日付けで拒絶査定がなされたのに対し、平成２６年４月３０日に拒絶査定不服審判が請求され、それと同時に手続補正がなされ、同年９月１２日付けで上申書が提出されたものである。
　
第２　平成２６年４月３０日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２６年４月３０日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］　
１　本件補正の内容
　本件補正により補正された特許請求の範囲の請求項１の記載は次のとおりである（下線は補正箇所を示す。）。
　
「光学系と、良好に熱を伝導するフレーム形式の支持体（２）の上側に引っ張る形で固定した膜（３）上にサーモパイル式センサー構造の形の熱電対（１６）を備えたチップとを有し、この支持体（２）が垂直な壁を有する、筐体内の赤外線温度センサーにおいて、
　
ａ）
が
壁の
　
ｂ）支持体（２）は、裏側からのエッチングによって、センサー素子（１６）に対して垂直又はほぼ垂直な分離壁を残す形で、膜（３）の下を膜にまで完全に掘り抜かれて、底板（１０）の上に設置されていることと、
　
ｃ）
　
ｄ）
　
ｅ）
　
ｆ）
　
ｇ）筐体が、熱伝導率が空気又は窒素よりも小さい、周囲雰囲気の標準圧力によるガスで充たされていることと、
を特徴とする赤外線温度センサー。」
　
２　本件補正の目的
　本件補正は、補正前の請求項１における「赤外線温度センサー」について、「
ｂ）支持体（２）は、裏側からのエッチングによって、センサー素子（１６）に対して垂直又はほぼ垂直な分離壁を残す形で、膜（３）の下を膜にまで完全に掘り抜かれて、底板（１０）の上に設置されていること
ｇ）筐体が、熱伝導率が空気又は窒素よりも小さい、周囲雰囲気の標準圧力によるガスで充たされていること
が
壁の
　ここで、明確化する補正は「壁」について「垂直」である点が削除されているが、請求項１の他の部分で「壁」を「垂直な」壁と限定していることから、この補正は、実質的に発明の内容を変更するものではない。
　したがって、本件補正は、補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項を限定するものであるから、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的するものに該当する。
　
３　独立特許要件
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下、「補正発明」という。）が、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか、すなわち、本件の特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるかについて以下に検討する。
　
（１）刊行物の記載事項
ア　本願優先日前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された特開２０００−１１１３９６号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図面の図示と共に、次の事項が記載されている（下線は当審で付した。）。
　
（ア）「【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
−赤外線検出素子の構造−
図１は本発明の実施の形態による赤外線検出素子の構造を示す図である。図２は図１の赤外線検出素子を上から見た平面図であり、図３は図２の赤外線検出素子のＡ−Ａ’における断面図を示し、図４はＢ−Ｂ’における断面図である。
赤外線検出素子は、熱分離領域としての空所１１が形成されたシリコン基板１と、熱分離領域１１の上部を覆うように形成されたメンブレン１０の上面に薄膜として形成された赤外線吸収膜５と、赤外線吸収膜５と基板１とを熱的に分離して支持する梁部１５と、赤外線吸収膜５の温度上昇を検出するための温度検出素子２０とから構成される。温度検出素子２０は梁部１５上に形成され、赤外線吸収膜５と梁部１５は熱分離領域１１上に位置している。
【００１４】
温度検出素子２０は、ｐ型ポリＳｉ抵抗７とｎ型ポリＳｉ抵抗８とが直列に接続されたサーモパイルＳＰで構成され、温接点１３は赤外線吸収膜５に、冷接点１４は基板１にそれぞれ接続されている。
（イ）「【００１８】−赤外線検出素子の製造方法−
図５（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施の形態による赤外線検出素子を製造するプロセスフロー図である。図２の平面図のＣ−Ｃ’における断面図で表した図であり、この図を参照してプロセス順に説明する。
（ａ）まず、Ｓｉ等からなる基板１の主表面に、温度検出素子２０となるｐ型ポリＳｉ抵抗７およびｎ型ポリＳｉ抵抗８を支持する窒化膜２を形成する
【００１９】
（ｂ）次に、窒化膜２の上面を覆うようにパターニング用酸化膜３を
形成し、
７および８で示された領域に挟まれた部分を残してその他の部分をドライエッチングにより除去する
次工程で形成するｐ型ポリＳｉ抵抗７とｎ型ポリＳｉ抵抗８
パターニングされる
さらに、パターニングされた酸化膜３を覆うように
ポリＳｉ抵抗を形成し、ポリＳｉ抵抗に対してイオン注入による不純物の導入を行う
そして、
ドライエッチングによりｐ型およびｎ型ポリＳｉ抵抗７，８それぞれの線幅が約２μｍとなるように除去する
これにより、パターニング酸化膜３の両側面には
ｐ型ポリＳｉ抵抗７とｎ型ポリＳｉ抵抗８が形成される
【００２０】
（ｃ）次いで、ｐ型ポリＳｉ抵抗７とｎ型ポリＳｉ抵抗８を絶縁分離するため、両ポリＳｉ抵抗を覆う厚さの酸化膜４を形成する
温接点を形成する領域の酸化膜４をエッチング処理により除去し、アルミ配線９にてｐ型ポリＳｉ抵抗７とｎ型ポリＳｉ抵抗８とを直列に接続して温接点１３を形成する
再び、酸化膜４およびアルミ配線９の上からアルミ配線９を覆い隠す厚さの酸化膜４を形成し、酸化膜４の上にはプラズマＳｉＮ膜等からなる保護膜６を形成する
【００２１】
（ｄ）最後に、
赤外線吸収膜５の上から基板１の表面が露出するまで削り、このエッチング孔１２からヒドラジン等のアルカリ系エッチング液を用いて基板１の一部を除去する。すなわち、基板１の窒化膜２で保護されないエッチング孔１２からエッチング液が浸食し、基板１のメンブレン１０の下部を（１１１）面に沿って除去し、熱分離領域となる四角錐状の空所１１を形成する。この処理により、素子中央部メンブレン１０および梁部１５は、基板１から物理的、熱的に分離された熱分離領域１１の上部に形成される
その後、最上部には、
赤外線吸収膜５を形成する
（ウ）図１〜図４から、梁部１５上のｐ型ポリＳｉ抵抗７とｎ型ポリＳｉ抵抗８とが、窒化膜２の中央の領域であるメンブレン１０の周りを左辺及び下辺において取り巻いていることがみてとれる。
（エ）図１〜図４から、梁部１５が、スリット状のエッチング孔１２によって、窒化膜２の中央の領域であるメンブレン１０とシリコン基板１の壁たる（１１１）面１６の両方から分離されていることがみてとれる。
　上記の（ア）〜（エ）から、刊行物１には、以下の発明が記載されていると認められる。
　
「熱分離領域としての空所１１が形成されたシリコン基板１と、熱分離領域１１の上部を覆うように形成されたメンブレン１０の上面に薄膜として形成された赤外線吸収膜５と、赤外線吸収膜５と基板１とを熱的に分離して支持する梁部１５と、赤外線吸収膜５の温度上昇を検出するための温度検出素子２０とから構成される赤外線検出素子において、
　温度検出素子２０は梁部１５上に形成され、赤外線吸収膜５と梁部１５は熱分離領域１１上に位置しており、
　温度検出素子２０は、ｐ型ポリＳｉ抵抗７とｎ型ポリＳｉ抵抗８とが直列に接続されたサーモパイルＳＰで構成され、温接点１３は赤外線吸収膜５に、冷接点１４は基板１にそれぞれ接続されており、
　その製造方法は、
　（ａ）まず、シリコン基板１の主表面に、温度検出素子２０となるｐ型ポリＳｉ抵抗７およびｎ型ポリＳｉ抵抗８を支持する窒化膜２を形成し、
　（ｂ）次に、窒化膜２の上面を覆うようにパターニング用酸化膜３を形成し、次工程で形成するｐ型ポリＳｉ抵抗７とｎ型ポリＳｉ抵抗８の領域に挟まれた部分を残してその他の部分をドライエッチングにより除去してパターニングし、さらに、パターニングされた酸化膜３を覆うようにポリＳｉ抵抗を形成し、ポリＳｉ抵抗に対してイオン注入による不純物の導入を行い、そして、ドライエッチングによりｐ型およびｎ型ポリＳｉ抵抗７，８それぞれの線幅が約２μｍとなるように除去し、これによりパターニング酸化膜３の両側面にｐ型ポリＳｉ抵抗７とｎ型ポリＳｉ抵抗８を形成し、
　（ｃ）次いで、ｐ型ポリＳｉ抵抗７とｎ型ポリＳｉ抵抗８を絶縁分離するため、両ポリＳｉ抵抗を覆う厚さの酸化膜４を形成し、そして、温接点を形成する領域の酸化膜４をエッチング処理により除去し、、アルミ配線９にてｐ型ポリＳｉ抵抗７とｎ型ポリＳｉ抵抗８とを直列に接続して温接点１３を形成し、再び、酸化膜４およびアルミ配線９の上からアルミ配線９を覆い隠す厚さの酸化膜４を形成し、酸化膜４の上にはプラズマＳｉＮ膜等からなる保護膜６を形成し、
　（ｄ）最後に、赤外線吸収膜５の上から基板１の表面が露出するまで削り、このエッチング孔１２からヒドラジン等のアルカリ系エッチング液を用いて基板１の一部を除去、すなわち、基板１の窒化膜２で保護されないエッチング孔１２からエッチング液が浸食し、基板１のメンブレン１０の下部を（１１１）面１６に沿って除去し、熱分離領域となる四角錐状の空所１１を形成し、この処理により、素子中央部メンブレン１０および梁部１５は、基板１から物理的、熱的に分離された熱分離領域１１の上部に形成され、その後、最上部には、赤外線吸収膜５を形成するものであり、
　梁部１５上のｐ型ポリＳｉ抵抗７とｎ型ポリＳｉ抵抗８とが、窒化膜２の中央の領域であるメンブレン１０の周りを左辺及び下辺において取り巻いており、
　梁部１５が、スリット状のエッチング孔１２によって、窒化膜２の中央の領域であるメンブレン１０とシリコン基板１の壁たる（１１１）面１６の両方から分離されている
赤外線検出素子。」（以下「引用発明１」という。）
　
イ　本願優先日前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された特開平７−１２０３０８号公報（以下、「刊行物２」という。）には、図面の図示と共に、次の事項が記載されている（下線は当審で付した。）。
「【００２５】次に、中空部１３ａの形成であるが、従来は、６時間の異方性エッチングが必要であったが、厚さ１０μｍ　の超薄膜ウェハを基板に用いることにより、　ＲＩＥによるドライエッチングが可能となり、短時間にエッチングを行うことができる。
赤外線検出素子は
シュテム２１に接着剤でボンディング接合される
【００２６】
シュテム２１の上方に、金属製のキャップ２５を被せ、外周部分をシュテム２１に溶接封止する。キャップ２５のうち、赤外線検出素子の赤外線検出部と対峙する位置には、特定の波長の赤外線を選択的に透過するフィルタ２６が設けられた赤外線入射窓２５ａが形成されている
【００２７】上記工程で、
赤外線検出素子を搭載したシュテム２１をキャップ２５で溶接封止する際に、この溶接封止作業を、１気圧のキセノンガスが充填されたチャンバ内で行う。このことにより、パッケージの封入空間が、低熱伝導性の封入ガスであるキセノンガス２７で満たされた状態になり、赤外線検出素子の赤外線検出部がキセノンガス２７の雰囲気中に封入された状態となる
　上記の記載事項から、刊行物２には、以下の発明が記載されていると認められる。
「赤外線検出素子が、シュテム２１に接着剤でボンディング接合され、シュテム２１の上方に、金属製のキャップ２５を被せ、外周部分をシュテム２１に溶接封止された装置であって、
　キャップ２５のうち、赤外線検出素子の赤外線検出部と対峙する位置に、特定の波長の赤外線を選択的に透過するフィルタ２６が設けられた赤外線入射窓２５ａが形成され、
赤外線検出素子を搭載したシュテム２１をキャップ２５で溶接封止する際に、この溶接封止作業を、１気圧のキセノンガスが充填されたチャンバ内で行うことにより、パッケージの封入空間が、低熱伝導性の封入ガスであるキセノンガス２７で満たされた状態になり、赤外線検出素子の赤外線検出部がキセノンガス２７の雰囲気中に封入された状態となる装置。」（以下、「引用発明２」という。）
（２）補正発明と引用発明１との対比
ア　引用発明１の「シリコン基板１」、「窒化膜２」、「ｐ型ポリＳｉ抵抗７およびｎ型ポリＳｉ抵抗８」、「（１１１）面１６」、「素子」及び「梁部１５」は、補正発明の「支持体２」、「膜（３）」、「熱電対（１６）」、「壁」、「チップ」及び「接続ブリッジ（６）」に相当する。
　
イ　引用発明１の「四角錐状の空所１１を形成」する「基板１の」「（１１１）面１６」が、垂直ではなく、傾斜していることは自明である。
ウ　引用発明１の「シリコン基板１」は、「シリコン」であるから「良好に熱を伝導」すること、及び、「基板」であるから「フレーム形式」のものであることは、いずれも自明である。
　また、引用発明１の「窒化膜２」が「ｐ型ポリＳｉ抵抗７およびｎ型ポリＳｉ抵抗８を支持する」のであるから、「窒化膜２」の上に「ｐ型ポリＳｉ抵抗７およびｎ型ポリＳｉ抵抗８」を備えたものといえる。
　さらに、引用発明１の「赤外線検出素子」は、補正発明の「チップ」「を有」する「赤外線温度センサー」に相当する。
　したがって、引用発明１の「シリコン基板１」「の主表面に」「形成」した「窒化膜２」上に「サーモパイルＳＰを構成」する「ｐ型ポリＳｉ抵抗７およびｎ型ポリＳｉ抵抗８を」備え、「シリコン基板１」が「四角錘状の空所１１を形成する」「（１１１）面１６」を有する、「赤外線検出素子」と、補正発明の「光学系と、良好に熱を伝導するフレーム形式の支持体（２）の上側に引っ張る形で固定した膜（３）上にサーモパイル式センサー構造の形の熱電対（１６）を備えたチップとを有し、この支持体（２）が垂直な壁を有する、筐体内の赤外線温度センサー」とは、「良好に熱を伝導するフレーム形式の支持体の上側に固定した膜上にサーモパイル式センサー構造の形の熱電対を備えたチップ」「を有し、この支持体が壁を有する、赤外線温度センサー」の点で共通する。
エ　引用発明１において、「窒化膜２」が「メンブレン１０」に含まれることは自明である。
　したがって、引用発明１の「ｐ型ポリＳｉ抵抗７とｎ型ポリＳｉ抵抗８」が、「ｐ型ポリＳｉ抵抗７とｎ型ポリＳｉ抵抗８」の「温接点１３は」「窒化膜２」を含む「メンブレン１０の上面に」「形成された」「赤外線吸収膜５に」、「ｐ型ポリＳｉ抵抗７とｎ型ポリＳｉ抵抗８」の「冷接点１４は基板１にそれぞれ接続され」、「梁部１５上に形成され」ていることと、補正発明の「ａ）熱電対（１６）は、熱電対（１６）の温接点（９）が膜（３）上の吸収層（５）の上に配置され、熱電対（１６）の冷接点（８）が支持体（２）の壁の上に配置された形で接続ブリッジ（６）上に配置されていること」とは、「ａ）熱電対は、熱電対の温接点が膜上の吸収層に配置され、熱電対の冷接点が支持体の壁に配置された形で接続ブリッジ上に配置されていること」の点で共通する。
オ　引用発明１の「基板１」が「窒化膜２で保護されないエッチング孔１２からエッチング液が浸食し、基板１のメンブレン１０の下部を（１１１）面に沿って除去し、熱分離領域となる四角錐状の空所１１を形成し、この処理により、素子中央部メンブレン１０および梁部１５は、基板１から物理的、熱的に分離された熱分離領域１１の上部に形成される」ことと、補正発明の「ｂ）支持体（２）は、裏側からのエッチングによって、センサー素子（１６）に対して垂直又はほぼ垂直な分離壁を残す形で、膜（３）の下を膜にまで完全に掘り抜かれて、底板（１０）の上に設置されていること」とは、「ｂ）支持体は、エッチングによって、センサー素子に対して分離壁を残す形で、膜の下を膜にまで完全に掘り抜かれていること」の点で共通する。
カ　引用発明１の「メンブレン１０」において「赤外線吸収膜５」の下部に「窒化膜２」を有するのは自明である。
　したがって、引用発明１の「赤外線吸収膜５」が「梁部１５」によって「基板１と熱的に分離して支持」されることは、「窒化膜２」が「梁部１５」によって「基板１と熱的に分離して支持」されることに他ならず、この構成は、補正発明の「膜（３）が」「接続ブリッジ（６）によって吊るされていること」に相当する。
　したがって、引用発明１の「赤外線吸収膜５」の下部の「窒化膜２」が、「基板１のメンブレン１０の下部を（１１１）面に沿って除去し」「四角錐状の空所１１」として「形成」される「熱分離領域１１上に位置している」「梁部１５」によって「基板１と熱的に分離して支持」されることと、補正発明の「ｃ）膜（３）が、支持体（２）の垂直な壁の上側で複数の接続ブリッジ（６）によって吊るされていること」とは、「ｃ）膜が、支持体の壁の上側で接続ブリッジによって吊るされていること」の点で共通する。
キ　引用発明１の「梁部１５上のｐ型ポリＳｉ抵抗７とｎ型ポリＳｉ抵抗８とが、窒化膜２の中央の領域であるメンブレン１０の周りを左辺及び下辺において取り巻いている」ことは、補正発明の「ｄ）接続ブリッジ上の熱電対が、膜の中央の領域の周りを取り巻いていること」に相当する。
ク　引用発明１の「梁部１５が、スリット状のエッチング孔１２によって、窒化膜２の中央の領域であるメンブレン１０とシリコン基板１の壁たる（１１１）面の両方から分離されていること」と、補正発明の「ｅ）接続ブリッジ（６）が、スリットによって、膜（３）の中央の領域（４）と支持体（２）の垂直な壁の両方から分離されていること」とは、「ｅ）接続ブリッジが、スリットによって、膜の中央の領域と支持体の壁の両方から分離されていること」の点で共通する。
ケ　引用発明１の「メンブレン１０の上面に薄膜として」「赤外線吸収膜５」を「形成する」ことは、補正発明の「ｆ）少なくとも膜（３）の中央の領域（４）が、吸収層（５）によって覆われていること」に相当する。
　
　そうすると、両者は
「良好に熱を伝導するフレーム形式の支持体の上側に固定した膜上にサーモパイル式センサー構造の形の熱電対を備えたチップを有し、この支持体が壁を有する、赤外線温度センサーにおいて、
　ａ）熱電対は、熱電対の温接点が膜上の吸収層に配置され、熱電対の冷接点が支持体の壁に配置された形で接続ブリッジ上に配置されていることと、
　ｂ）支持体は、エッチングによって、センサー素子に対して分離壁を残す形で、膜の下を膜にまで完全に掘り抜かれていることと、
　ｃ）膜が、支持体の壁の上側で接続ブリッジによって吊るされていることと、
　ｄ）接続ブリッジ上の熱電対が、膜の中央の領域の周りを取り巻いていることと、
　ｅ）接続ブリッジが、スリットによって、膜の中央の領域と支持体の壁の両方から分離されていることと、
　ｆ）少なくとも膜の中央の領域が、吸収層によって覆われていることと、
を特徴とする赤外線温度センサー。」
の点で一致し、以下の点で相違する。
　
（相違点１）
　支持体（２）の上側に固定した膜（３）が、補正発明では「引っ張る形で」固定したものであるのに対し、引用発明１はそのようなものではない点。
（相違点２）
　支持体の「壁」が、補正発明では「垂直」であるのに対し、引用発明１では基板１の（１１１）面（傾斜しているものといえる）である点。また、エッチングが、補正発明では「裏側から」行われ、「垂直又はほぼ垂直な分離壁を残す」のに対し、引用発明１では「基板１の表面」の「エッチング孔１２からアルカリ系エッチング液を用いて基板１の一部を除去」し、「熱分離領域となる四角錐状の空所１１を形成する」ものである点。
（相違点３）
　赤外線温度センサーが、補正発明では「光学系」を「有し」、「筐体内の」ものであり、「支持体」が「底板（１０）の上に設置され」、「ｇ）筐体が、熱伝導率が空気又は窒素よりも小さい、周囲雰囲気の標準圧力によるガスで充たされている」ものであるのに対し、引用発明１ではそのようなものではない点。
（相違点４）
　吸収層に配置される温接点及び支持体の壁に配置される冷接点が、補正発明ではそれぞれ吸収層の「上」及び支持体の壁の「上」に配置されるのに対し、引用発明１では、「温接点を形成する」「アルミ配線９」の上に酸化膜４、その上に保護膜６を形成し、その後、最上部に赤外線吸収膜を形成するものであるところ、アルミ配線と赤外線吸収膜の接続個所は不明であって温接点１３の具体的配置が不明であり、また、冷接点１４についてもその具体的配置が不明である点。
（相違点５）
　接続ブリッジが、補正発明では、「複数」であるのに対し、引用発明１ではそのようなものではない点。
（３）相違点についての検討・判断
（相違点１及び５について）
　サーモパイルを用いた赤外線検出素子において、メンブレン（膜の中央領域）を複数の梁部（接続ブリッジ）で支持することは、例えば、拒絶の理由に引用された特開２００３−１０６８９４号公報（第１の支持ビーム６ａ、６ｂ）、拒絶の理由に引用された特開２０００−２２２７３７４号公報（梁部２Ｂ、２Ｆ）、拒絶の理由に引用された特開平１１−３３７４０３号公報（多孔質絶縁膜梁２）に開示されるように周知技術である。
　そして、引用発明１において、梁部による支持を安定させるために、この周知技術を適用することに格別の困難性はない。
　また、メンブレンを複数の梁部で支持すれば、メンブレンの「窒化膜２」を引っ張る形となることは自明である。
　したがって、引用発明１に上記周知技術を適用して相違点１に係る補正発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たというべきである。
　
（相違点２について）
　基板を垂直に掘り込むことができるように基板の裏側からＲＩＥ等のドライエッチングにより中空部を形成することは、例えば、刊行物２（段落【００２５】及び【００２８】参照。）及び特表２００８−５４１１０２号公報（段落【００７４】〜【００７５】参照。）に開示されるように周知技術である。
　そして、引用発明１において、実装密度を高くするために、上記周知技術を適用して相違点２に係る補正発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たというべきである。
（相違点３について）
　補正発明と引用発明２を対比すると、
　引用発明２の「特定の波長の赤外線を選択的に透過するフィルタ２６」を有し、「赤外線検出素子」が「搭載」される「シュテム２１」が「キャップ２５で溶接封止」されるものであり、「赤外線検出素子の赤外線検出部が」「１気圧の」「廷熱伝導性の」「キセノンガス２７の雰囲気中に封入された状態となる装置」は、相違点３に係る補正発明の「光学系」を「有し」、「筐体内の」ものであり、「支持体」が「底板（１０）の上に設置され」、「ｇ）筐体が、熱伝導率が空気又は窒素よりも小さい、周囲雰囲気の標準圧力によるガスで充たされている」「赤外線温度センサー」に相当する。よって、引用発明２は、相違点３に係る補正発明の構成を備える。
　そして、引用発明１において、赤外線吸収膜から周囲に熱が逃げることを防ぐために、引用発明２を適用して相違点３に係る補正発明の構成を備えるようにすることは、当業者が容易になし得たというべきである。
（相違点４について）
　引用発明１においては、「温接点１３は赤外線吸収膜５に、冷接点１４は基板１にそれぞれ接続されて」いるところ、温接点１３と冷接点１４をそれぞれ赤外線吸収膜５及び基板１の上下のいずれに接続するかは、当業者が適宜選択し得る設計的事項というべきであり、温接点１３と冷接点１４をそれぞれ赤外線吸収膜５及び基板１の上に配置して接続するものとすることは、当業者が容易になし得たというべきである。
　そして、補正発明の効果も、当業者であれば引用発明１、引用発明２及び周知技術から予測し得る範囲内のものであり、格別顕著なものとはいえない。
　
（４）小括
　以上のとおり、補正発明は、引用発明１、引用発明２及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４　まとめ
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明に対する判断
１　本願発明の認定
　平成２６年４月３０日付けの手続補正は、上記のとおり却下されることとなったので、本願の請求項１に係る発明は、平成２５年７月２日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるものであると認められ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「光学系と、良好に熱を伝導するフレーム形式の支持体（２）の上側に引っ張る形で固定した膜（３）上にサーモパイル式センサー構造の形の熱電対（１６）を備えたチップとを有し、この支持体（２）が垂直な壁を有する、筐体内の赤外線温度センサーにおいて、
　熱電対（１６）は、熱電対（１６）の温接点（９）が膜（３）上の吸収層（５）の上に配置され、熱電対（１６）の冷接点（８）が垂直な壁を備えた支持体（２）の上に配置された形で接続ブリッジ（６）上に配置されていることと、
　膜（３）が、支持体（２）の垂直な壁の上側で複数の接続ブリッジ（６）によって吊るされていることと、
　接続ブリッジ（６）上の熱電対（１６）が、膜（３）の中央の領域（４）の周りを取り巻いていることと、
　接続ブリッジ（６）が、スリットによって、膜（３）の中央の領域（４）と支持体（２）の垂直な壁の両方から分離されていることと、
　少なくとも膜（３）の中央の領域（４）が、吸収層（５）によって覆われていることと、
を特徴とする赤外線温度センサー。」
　
２　刊行物
　原査定の拒絶理由で引用された刊行物、及び、その記載事項は、前記「第２」の「３」の「（１）」に記載したとおりである。
　
３　判断
　本願発明は、前記「第２」の「２」で検討した補正発明の「赤外線温度センサー」について、「ｂ）支持体（２）は、裏側からのエッチングによって、センサー素子（１６）に対して垂直又はほぼ垂直な分離壁を残す形で、膜（３）の下を膜にまで完全に掘り抜かれて、底板（１０）の上に設置されていること」と「ｇ）筐体が、熱伝導率が空気又は窒素よりも小さい、周囲雰囲気の標準圧力によるガスで充たされていること」の限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明の特定事項を全て含み、さらに他の特定事項を付加したものに相当する補正発明が、前記「第２」の「３」に記載したとおり、引用発明１、引用発明２及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明１、引用発明２及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明１、引用発明２及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。