【事件の表示】
　平成１１年特許願第２０３５７２号「窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法」拒絶査定に対する審判事件〔平成１２年　２月　８日出願公開、特開２０００−　４０８４１、請求項の数（９）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成５年改正前特許法第４４条第１項の規定による特許出願であって（出願日：平成１１年７月１６日、原出願（特願昭６３−２３２８８６号）の出願日：昭和６３年９月１６日）、その請求項１ないし９に係る発明は、平成１４年５月２４日付けで補正された明細書の特許請求の範囲に記載される次のとおりのものである。
「【請求項１】基板上に直接的又は間接的に、Ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）からなる膜厚の厚い第１Ｎ層をハライド気相成長法により形成し、
　その第１Ｎ層の上にＮ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）からなる膜厚の薄い第２Ｎ層を有機金属化合物気相成長法（ＭＯＶＰＥ）により形成することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法。
 【請求項２】前記基板はサファイア基板であって、そのサファイア基板と前記第１Ｎ層との間に、バッファ層を形成することを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法。
 【請求項３】前記バッファ層は多結晶とすることを特徴とする請求項２に記載の窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法。
 【請求項４】前記バッファ層は室温から５００℃の範囲で形成することを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法。
 【請求項５】前記バッファ層は、１００〜１０００Åの厚さとすることを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法。
 【請求項６】前記バッファ層は分子線エピタキシー法（ＭＢＥ）により形成することを特徴とする請求項２乃至請求項５のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法。
 【請求項７】前記バッファ層は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）であることを特徴とする請求項２乃至請求項６のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法。
 【請求項８】前記サファイア基板の主面はｃ面（０００１）とすることを特徴とする請求項２乃至請求項７のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法。
 【請求項９】前記第１Ｎ層、又は／及び、前記第２Ｎ層は窒化ガリウム（ＧａＮ）であることを特徴とする請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の記載の窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法。」
　
２．前置報告書
　これに対して、前置報告書の内容は、次のとおりである。
「この審判請求に係る出願については、下記の通り報告する。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
・請求項　１−９　に対して　
　・適用条文　特許法第２９条第１項３号
　・引用文献　１（原出願の公開公報）　
　・備考
　本願特許請求の範囲の請求項１には基板の材料については何も記載されておらず、基板上に直接的または間接的にハライド気相成長法により膜厚の厚い窒化ガリウム系化合物半導体からなるＮ層を成長し、その上に有機金属気相成長法により膜厚の薄い窒化ガリウム系化合物半導体からなるＮ層を順次形成することのみが記載されている。この記載によれば、請求項１には基板材料としてサファイア以外のものも含まれ、基板上に直接的または間接的に前記２つのＮ型窒化ガリウム系化合物半導体を順に形成しさえすればいかなるものも含まれる。
　しかし、本出願の原出願である特願昭６３−２３２８８の出願当初の明細書には、基板材料としてはサファイアのみが記載されており、サファイア基板上に直接的または間接的にハライド気相成長法により膜厚の厚い窒化ガリウム系化合物半導体からなるＮ層を成長し、その上に有機金属気相成長法により膜厚の薄い窒化ガリウム系化合物半導体からなるＮ層と窒化ガリウム系化合物半導体からなるＩ層を順次成長することのみが記載されている。
　そして、基板材料としてサファイア以外のものを用い、Ｉ層を形成することなしに、単に基板上に直接的または間接的に前記２つのＮ型窒化ガリウム系化合物半導体を順に形成するという発明が前記原出願の出願当初の明細書の記載から明らかであるとはいえない。
　すなわち、本出願の原出願の出願当初の明細書には、Ｎ層上に形成されるＩ層の膜厚を薄く均一に結晶性良く成長させるために、該Ｉ層成長に先立ってサファイア基板上に直接的または間接的に前記２つのＮ型窒化ガリウム系化合物半導体を順に形成することが記載されているのである。ここに記載されたＩ層成長を含む一連の工程のうち、基板上に直接的または間接的に前記２つのＮ型窒化ガリウム系化合物半導体を順に形成する部分のみを取りだしても、Ｉ層成長工程がないので膜厚が薄く均一な結晶性良いＩ層が得られるはずもなく、本出願の原出願の出願当初の明細書の記載全体を見てもこの取りだした部分が別の発明として存在しうるとは認められない。
　従って、本願明細書には原出願の出願当初の明細書または図面に記載された事項の範囲内でないものを含むので、本願は適法な分割出願とは認められない。
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　　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
　　１．特開平２−８１４８３号公報　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
３．当審の判断
　本願が適法な分割出願であるかについて検討する。
　原出願の出願当初の明細書又は図面（以下、「原明細書」という。）に、本願の請求項１ないし９に係る発明が記載されていることは明らかである。
　例えば、本願請求項１に関していえば、原明細書には「サファイア基板」が記載されており、これが「基板」であることは文言上明らかであるから、原明細書に「基板上に…第１Ｎ層を…形成し、その第１Ｎ層の上に…第２Ｎ層を…形成する…窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法」が記載されていることは明らかである。
　ここで、前置報告書は、原明細書には、基板といってもサファイア基板上に第１Ｎ層及び第２Ｎ層を形成することが記載されているのみであって、サファイア以外の基板上に第１Ｎ層及び第２Ｎ層を形成するについては記載されていないから、本願請求項１に係る発明は、原明細書に記載された事項の範囲内でないものを含むことになり、本願は適法な分割出願とは認められないというが、原明細書に「基板上に…第１Ｎ層を…形成し、その第１Ｎ層の上に…第２Ｎ層を…形成する…窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法」が記載されていることは前記のとおりであり、また、本願明細書又は図面には、サファイア以外の基板上に第１Ｎ層及び第２Ｎ層を形成するとの原明細書に記載のない事項についての記載はないのであるから、本願請求項１のように「基板上に…」との記載がなされた明細書について、原出願の出願時に提出されたとみなしてよいものであることは明らかである。
　また、前置報告書におけるＩ層成長工程に関する議論も同様であり、原明細書に「基板上に…第１Ｎ層をハライド気相成長法により形成し、その第１Ｎ層の上に…第２Ｎ層を…（ＭＯＶＰＥ）により形成する…窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法」が記載されていることは明らかであり、ここで、本願請求項１にＩ層についての記載がないにしても、原明細書の「従来のＭＯＶＰＥ法だけで結晶成長させると、結晶成長速度が遅く、厚いＮ層を形成するのに時間がかかるという問題がある。」との記載からみて、Ｉ層から離れて上記成長方法が把握可能であり、また、本願明細書又は図面において、原明細書に記載のないＩ層以外の層を成長させることやＩ層を成長させないことについての記載はないのであるから、本願請求項１に係る発明が原出願に包含されるものであることは明らかである。
　同様に、本願請求項２ないし９に係る発明が原出願に包含されるものであることも明らかである。
　以上のとおり、本願は適法な分割出願であると認められ、前置報告書に記載の理由により本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。