【事件の表示】
　平成　３年特許願第２６１６３１号「銅配線構造体の製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年　４月２３日出願公開、特開平　５−１０２１５５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成３年１０月９日の出願であって、その請求項１に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。（以下、「本願発明」という。）
「【請求項１】銅配線の露出表面にＡｌ金属膜を形成する工程と、
　熱処理を施して、銅配線の表面にＣｕとＡｌとから成りアルミニウム濃度が３０％〜６０％の合金膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする銅配線構造体の製造方法。」
　
２．引用刊行物記載の発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前日本国内に頒布された特開昭６２−２９０１５０号公報（以下「刊行物３」という。）には、「半導体装置及びその製造方法」（発明の名称）に関して、「１．第１の絶縁膜（２）と第２の絶縁膜（４）の間に配設される銅配線（３）の側面及び上面に銅・アルミニウム化合物層（５）が形成されてなることを特徴とする半導体装置。
２．半導体基板（１）上を覆う第１の絶縁膜（２）上に銅配線（３）を形成し、該銅配線（３）形成面上にアルミニウム層（６）を被着し、熱処理を施して該銅配線（３）の表面に銅・アルミニウム化合物層（５）を形成し、残留アルミニウム層（６）を選択的に除去し、該銅配線（３）形成面上に第２の絶縁膜（４）を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲）であって、「第１図は本発明に係る半導体装置の一実施例における要部を示す模式側断面図で、第２図（ａ）〜（ｄ）は本発明に係る製造方法の一実施例を示す工程断面図である。
　全図を通じ同一対象物は同一符合で示す。
　本発明に係る半導体装置は例えば第１図に示すように、素子（図示せず）及び下層配線（図示せず）等が形成された半導体基板１上に気相成長により形成された例えばＳｉＯ２よりなる第１の絶縁膜（層間絶縁膜）２上に、厚さ５０〜２００　Å程度のＣｕを主成分とするＣｕｘＡｌｙ組成のＣｕ・Ａｌ化合物層５を表面即ち側面及び上面に有する厚さ１μｍ、幅２μｍ程度の単一組成よりなるＣｕ配線３が配設され、該配線形成面上に気相成長によるＰＳＧ膜等よりなる第２の絶縁膜（被覆絶縁膜）４が形成されてなっている。
　そして上記構造を有する半導体装置は、以下に第２図（ａ）〜（ｄ）及び第１図を参照して説明する本発明に係わる製造方法によって形成される。
　第２図（ａ）参照
　即ち、通常の半導体装置の製造方法によって図示しない素子の形成、下層絶縁膜の形成、下層配線（Ａｌよりなる）の形成を終わった半導体基板１上にモノシラン（ＳｉＨ４）を反応ガスとして用いる通常の化学気相成長（ＣＶＤ）法により厚さ６０００〜８０００Å程度のＳｉＯ２膜よりなる第１の絶縁膜（層間絶縁膜）２を形成し、次いで第１の絶縁膜２に通常のリソグラフィ技術により下層配線を表出する図示しないコンタクト窓を形成し、次いで蒸着若しくはスパッタリング法により第１の絶縁膜２上に厚さ１μｍ程度の単一組成のＣｕ層を形成し、塩素系のガスを用いるリアクティブ・イオンエッチング（ＲＩＥ）処理、或いはアルゴンによるスパッタエッチング処理等を用いる通常のリソグラフィ手段により該Ｃｕ層のパターンニングを行って、前記図示しないコンタクト窓において図示しない下層配線に接続する幅２μｍ程度の上層のＣｕ配線３を形成する。
　第２図（ｂ）参照
　次いで上記配線形成面上に蒸着若しくはスパッタリング法により厚さ例えば５００〜１０００Å程度のＡｌ層６を形成する。
　第２図（ｃ）参照
　次いで該基板を不活性ガス例えば水素（Ｈ２）−窒素（Ｎ２）混合ガス中において　４５０℃程度の温度に所定の時間加熱し、Ｃｕ配線３とＡｌ層６との接触面においてＣｕとＡｌを反応せしめ、Ｃｕ配線３の表面に５０〜２００Å程度の厚さのＣｕを主成分しＣｕｘＡｌｙ組成を有するＣｕ・Ａｌ化合物層５を形成せしめる。（この際Ｃｕがリッチであるので、ＣｕＡｌ２が形成される場合が多い。）
　第２図（ｄ）参照
　次いで燐酸処理等により残留Ａｌ層６を選択的にエッチング除去し、表面がＣｕ・Ａｌ化合物層５に覆われたＣｕ配線３が形成される。」（第２頁右下欄第４行〜第３頁右上欄第１８行）ことが、第１図、第２図と共に記載されている。
　以上の記載から、刊行物３には、「銅配線形成面上にアルミニウム層を形成する工程と、熱処理を施して該銅配線の表面に銅・アルミニウム化合物層（この際Ｃｕがリッチであるので、ＣｕＡｌ２が形成される場合が多い。）を形成する工程と、を備えた、表面が銅・アルミニウム化合物層に覆われた銅配線の製造方法」が示されている。
　
３．対比
　本願発明と上記刊行物３に記載された発明を対比すると、上記刊行物３に記載された発明の「銅配線形成面上にアルミニウム層を形成する工程」は、本願発明の「銅配線の露出表面にＡｌ金属膜を形成する工程」に相当し、上記刊行物３に記載された発明の「表面が銅・アルミニウム化合物層に覆われた銅配線」は、本願発明の「銅配線構造体」に相当し、また、上記刊行物３に記載された発明の「銅・アルミニウム化合物層」と、本願発明の「ＣｕとＡｌとから成る合金膜」とは、いずれもＣｕとＡｌとから成る膜であるから、
両者は、「銅配線の露出表面にＡｌ金属膜を形成する工程と、
　熱処理を施して、銅配線の表面にＣｕとＡｌとから成る膜を形成する工程と、を備えたことを特徴とする銅配線構造体の製造方法。」の点で一致し、
　銅配線の表面に形成するＣｕとＡｌとから成る膜として、本願発明では、アルミニウム濃度が３０％〜６０％の合金膜を形成するのに対して、上記刊行物３に記載された発明では、銅・アルミニウム化合物層を形成するものであり、この際Ｃｕがリッチであるので、ＣｕＡｌ２が形成される場合が多い点（以下、「相違点」という。）で相違している。
　
４．当審の判断
　上記相違点について検討する。
　上記刊行物３に記載された発明は、銅・アルミニウム化合物層を形成するものであり、この際Ｃｕがリッチであるので、ＣｕＡｌ２が形成される場合が多いのであるが、本願明細書の発明の詳細な説明の【００１０】段落を参照すると、
「【００１０】このように、合金相がＣｕＡｌ２（４５．９重量％Ａｌ）になるような条件で銅配線上に銅−アルミニウム合金相を形成することが望ましいが、１０％程度のアルミニウムの濃度差があっても、問題となる程度の抵抗上昇（銅膜中に拡散するアルミニウムに起因するものと銅の酸化起因するものがある）を生じないことから銅−アルミニウム中のアルミニウム濃度としては３０〜６０％とすることにより、上記作用を奏する。」という記載があり、この記載によれば、銅−アルミニウム合金相としてＣｕＡｌ２が望ましいのであるから、合金膜と化合物層との違いはあるものの、上記刊行物３に記載の銅・アルミニウム化合物層としてＣｕＡｌ２が形成される場合は、アルミニウム濃度に関しては、本願発明の合金膜の数値範囲内にあるものと認められる。
　また、ＣｕとＡｌとから成る膜として合金膜を形成するか、化合物層を形成するかは、当業者が適宜選択できた程度のことと認められる。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、上記刊行物３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。