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　平成　９年特許願第　５１２３２号「窒化物半導体素子」拒絶査定に対する審判事件〔平成１０年１０月２７日出願公開、特開平１０−２９００４７、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
 １．本願発明
　本願は平成９年３月６日（国内優先権主張平成９年２月１７日）の出願であって、その請求項１ないし２に係る発明は、補正された明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし２に記載された事項により特定されるとおりの次のものである。
「【請求項１】　ＧａＮ基板と、該ＧａＮ基板上に、ｎ型不純物がドープされていない膜厚０．１μｍ以上のアンドープＧａＮよりなる第１の層とを有し、さらに該第１の層上に、ｎ型不純物が１×１０１７／ｃｍ３〜１×１０２１／ｃｍ３ドープされ膜厚が０．２μｍ以上４μｍ以下の窒化物半導体よりなり、負電極が形成される第２の層を有することを特徴とする窒化物半導体素子。
【請求項２】　ＧａＮ基板と、該ＧａＮ基板上に、ｎ型不純物がドープされ、そのｎ型不純物濃度が小さい膜厚０．１μｍ以上のＧａＮよりなる第１の層とを有し、さらに該第１の層上に、前記第１の層よりｎ型不純物濃度が大きい窒化物半導体よりなり膜厚が０．２μｍ以上４μｍ以下の第２の層を有し、その第２の層に負電極が形成されたことを特徴とする窒化物半導体素子。」
　
２．引用例記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願出願前の特許出願であって、その出願後に出願公開がされた特願平９−１６８２５号（特開平１０−２１５０３４号公報参照）の願書に最初に添付された明細書又は図面（以下「先願明細書１」という。）には、窒化物系化合物半導体素子に関して下記の記載が認められる。
「【００３１】
　サファイア基板１１上に、バッファ層・・・を介して、アンドープＧａＮ下地層１２，ｎ型ＧａＮコンタクト層１３，ｎ型ＡｌＧａＮ電流注入層１４，ＧａＮ光ガイド層１５，ＩｎＧａＮ活性層１６，ＧａＮ光ガイド層１７，ｐ型ＡｌＧａＮ電流注入層１８，ｐ型ＧａＮコンタクト層１９が、上記の順に形成されている。
【００３２】
　・・・また、上記多層構造の一部はｎ型ＧａＮコンタクト層１３に達するまで除去され、露出したコンタクト層１３上にＴｉ／Ａｌから成るｎ側電極２１が形成されている。・・・
【００３５】
　次いで、サファイア基板１１上に５５０℃程度の低温においてバッファ層（図示せず）を成長した後、基板温度を１１００℃にし、キャリアガスとして水素２０．５Ｌ／分を流し、アンモニアを９．５Ｌ／分、ＴＭＧを１００ｃｃ／分を６０分間供給することにより、アンドープＧａＮ下地層１２（２．０μｍ）を形成し、次にＳｉＨ4 を１０ｃｃ加え、連続してｎ型ＧａＮコンタクト層１３（４．０μｍ）を形成した。」
　
　同じく、特願平８−１０７８３４号（特開平９−２９３８９７号公報参照）の願書に最初に添付された明細書又は図面（以下「先願明細書２」という。）には、窒化物半導体素子に関して下記の記載が認められる。
「【００３８】
  図１中、１はサファイヤ絶縁基板、２は基板１上に形成された・・・非単結晶バッファ層、３はバッファ層２上に形成された層厚０．２μｍのアンドープのＧａＮ単結晶下地層、４は下地層３上に形成された層厚１．４μｍのｎ型クラッド層を兼用するＳｉドープのｎ型ＧａＮコンタクト層、・・・である。
【００３９】
・・・１０はｐ型コンタクト層８からｎ型コンタクト層４の層中の所定位置に至って除去されｎ型コンタクト層４が露出したｎ側電極形成領域上に形成されたＡｌからなるｎ側電極である。」
　
　同じく、この出願前公知の刊行物：特開平７−３０２９２９号公報（以下、「引用例」という。）には、窒化物半導体発光素子に関して下記の記載が認められる。
「【００１９】
　・・・　本発明の発光素子は、前記の本発明の３−５族化合物半導体を用いたものであり、公知の方法で作製することができる。具体的な例を図２に示す。ここでは、サファイア基板２２の上に、順にＡｌＮバッファ層２４、ＧａＮ層２５、Ｉｎ0.1Ｇａ0.9ＮとＩｎ0.1Ｇａ0.8Ａｌ0.1Ｎの積層構造からなるバッファ層２６、ＩｎＧａＡｌＮ電荷注入層２７、ＩｎＧａＮ発光層２８、ＩｎＧａＡｌＮ電荷注入層２９を成長させる。ここで、ＧａＮ層２５から電荷注入層２７まではｎ型の、電荷注入層２９はｐ型の不純物をドープする。
　次に、こうして作製した該化合物半導体を常法にしたがい部分的にエッチングし、さらにＩｎＧａＡｌＮ電荷注入層２７の上にｎ電極３０を形成し、ＩｎＧａＡｌＮ電荷注入層２９の上にｐ電極３１を形成する。
【００２０】
【実施例】
・・・サファイア基板を気相クリーニングした。次に、温度を６００℃まで低下させて、・・・窒化ガリウムのバッファ層を形成した。次に、・・・３μｍの膜厚のＧａＮ膜を成長した。こうして得られたサファイア基板とＧａＮとをあわせて本発明における基板とする。
【００２１】
　次に、・・・Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎの層を１００Å成長した。続いて、・・・Ｉｎ0.1Ｇａ0.8Ａｌ0.1Ｎの層を１００Å成長した。この操作を交互に２０回繰り返して、・・・積層構造を成長した。
　次に、ＴＭＧ、ＴＭＡ、ＴＭＩ、シランガス、ＭＣｐ２Ｍｇを用いてＳｉ濃度が１×１０１９／ｃｍ３のＩｎ0.1Ｇａ0.8Ａｌ0.1Ｎの電荷注入層を１８００Å、・・・成長させた。・・・こうして得られた３−５族化合物半導体基板を用いて、通常の半導体プロセスにより図２に示す構造の発光素子を作製した。・・・」
　上記によれば、引用例には、「サファイア基板にバッファ層、ＧａＮ層を順に成長して得られた基板の上に、Ｉｎ0.1Ｇａ0.9ＮとＩｎ0.1Ｇａ0.8Ａｌ0.1Ｎの積層構造からなるバッファ層、厚さ１８００Å、Ｓｉ濃度が１×１０１９／ｃｍ３のＩｎＧａＡｌＮ電荷注入層が形成され、該電荷注入層の上にｎ電極を形成してなる窒化物半導体発光素子」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
３．当審の判断
３−１．特許法第２９条の２について
（本願発明１について）
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明１」という。）と上記先願明細書１または２に記載された発明とを対比する。
　先願明細書１または２には、本願発明１の「基板と、基板上に、ｎ型不純物がドープされていない膜厚０．１μｍ以上のアンドープＧａＮよりなる第１の層とを有し、さらに該第１の層上に、ｎ型不純物がドープされ膜厚が０．２μｍ以上４μｍ以下の窒化物半導体よりなり、負電極が形成される第２の層を有する窒化物半導体素子。」に相当する発明が記載されている。
　しかし、基板がＧａＮであること及び第２の層にｎ型不純物が１×１０１７／ｃｍ３〜１×１０２１／ｃｍ３ドープされていることは記載されておらず、示唆もされていない。
　したがって、本願発明１は、先願明細書１または２に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　
（本願発明２について）
　本願の請求項２に係る発明（以下、「本願発明２」という。）と上記先願明細書１または２に記載された発明とを対比する。
　先願明細書１または２には、本願発明２の「基板と、基板上に、膜厚０．１μｍ以上のＧａＮよりなる第１の層とを有し、さらに該第１の層上に、前記第１の層よりｎ型不純物濃度が大きい窒化物半導体よりなり膜厚が０．２μｍ以上４μｍ以下の第２の層を有し、その第２の層に負電極が形成された窒化物半導体素子。」に相当する発明が記載されている。
　しかし、基板がＧａＮであること及びＧａＮよりなる第１の層にｎ型不純物がドープされていることは記載されておらず、示唆もされていない。
　したがって、本願発明２は、先願明細書１または２に記載された発明と同一であるとすることはできない。
　
３−２．特許法第２９条第２項違反について
（本願発明１について）
　本願発明１と引用発明とを対比する。
　引用発明の「サファイア基板にバッファ層、ＧａＮ層を順に成長して得られた基板」、「Ｓｉ濃度が１×１０１９／ｃｍ３のＩｎＧａＡｌＮ電荷注入層」、「ｎ電極」は、本願発明１の「基板」、「ｎ型不純物がドープされた窒化物半導体よりなる第２の層」、「負電極」に相当する。
　そして、両者は、（１）基板が、本願発明１では、ＧａＮであるのに対して、引用発明では、サファイア基板にバッファ層、ＧａＮ層を順に成長して得られた３層構造のものである点、及び（２）本願発明１は、基板上にアンドープＧａＮよりなる第１の層を有するのに対して、引用発明では、基板上にＩｎ0.1Ｇａ0.9ＮとＩｎ0.1Ｇａ0.8Ａｌ0.1Ｎの積層構造からなるバッファ層を有する点で相違する。
　上記相違点（２）について検討するに、引用発明のバッファ層は、図３にバッファ層の層数とピーク強度の関係が示され、バッファ層の層数が４０までは、ピーク強度が徐々に増加するが、それ以上では変化がないことが示されているように、Ｉｎ0.1Ｇａ0.9ＮとＩｎ0.1Ｇａ0.8Ａｌ0.1Ｎの積層数を適当に選択することにより、発光強度を高めようとするものであるから、これを単層のアンドープＧａＮ層に置き換えることはできない。
　したがって、本願発明１は、相違点（１）について検討するまでもなく、引用例に記載された発明から容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
（本願発明２について）
　本願発明２と引用発明とを対比するに、両者は、（１）本願発明１の基板がＧａＮであるのに対して、引用発明では、サファイア基板、バッファ層、ＧａＮ層からなるものである点、及び（２）本願発明２は、ｎ型不純物がドープされ、そのｎ型不純物濃度が小さい膜厚０．１μｍ以上のＧａＮよりなる第１の層とを有するのに対して、引用発明では、基板上にＩｎ0.1Ｇａ0.9ＮとＩｎ0.1Ｇａ0.8Ａｌ0.1Ｎの積層構造からなるバッファ層を有する点で相違する。
　上記相違点（２）について検討するに、引用発明のバッファ層は、上記（本願発明１について）で述べたとおり、Ｉｎ0.1Ｇａ0.9ＮとＩｎ0.1Ｇａ0.8Ａｌ0.1Ｎの積層数を適当に選択することにより、発光強度を高めるために設けたものであるから、これをｎ型不純物がドープされ、そのｎ型不純物濃度が小さいＧａＮ層に置き換えることはできない。
　したがって、本願発明２は、相違点（１）について検討するまでもなく、引用例に記載された発明から容易に発明をすることができたものとはいえない。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明１及び２は、先願明細書１または２に記載された発明と同一であるとも、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるともすることができない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　
　よって、結論のとおり審決する。