【事件の表示】
　特願２００８−５１４７８３「有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）による平坦な無極性｛１−１００｝ｍ面窒化ガリウムの成長方法及び装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１２月　７日国際公開、ＷＯ２００６／１３０６２２、平成２０年１１月２７日国内公表、特表２００８−５４３０８７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００６年５月３１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００５年５月３１日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年８月１２日付けで最初の拒絶理由が通知され、平成２４年３月６日に意見書及び手続補正書が提出され、同年５月２４日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年１２月１８日に意見書、誤訳訂正書及び手続補正書が提出され、同年１２月１９日に意見書、補正書及び上申書が提出されたところ、平成２４年１２月１８日付けの手続補正及び同年１２月１９日付けの手続補正は平成２５年７月２日付けで却下されるとともに、同日に拒絶査定がなされた。
　それに対して、同年１１月２９日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出された。
　
第２　平成２５年１１月２９日に提出された手続補正書による補正についての却下の決定
［補正の却下の決定の結論］ 
　平成２５年１１月２９日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 
　
［理由］ 
１　本件補正の内容
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１〜２９を、補正後の特許請求の範囲の請求項１〜２９と補正するものであり、補正前後の請求項１、３、４、７、１１、１５、２０、２３、２５は、それぞれ次のとおりである。
　
 （補正前）
「【請求項１】
（ａ）有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）を用いて１０００℃〜１２７５℃の温度で基板上に第１の窒化物層を成長する工程と、
（ｂ）無極性｛１−１００｝ｍ面ＩＩＩ族窒化物層を前記第１の窒化物層上にＭＯＣＶＤを用いて１０００℃〜１２７５℃の前記温度で成長する工程を含むことを特徴とする、ＩＩＩ族窒化物のエピタキシャル薄膜を成長する方法。」
「【請求項３】
　前記無極性ｍ面ＩＩＩ族窒化物はｍ面窒化ガリウム（ＧａＮ）を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。」
「【請求項４】
　前記第１の窒化物層は核形成層であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。」
「【請求項７】
　請求項１に記載の方法を用いて作られるデバイス、ウェーハ、基板、或いはテンプレート。」
「【請求項１１】
　前記工程（ａ）および（ｂ）における成長は、１００Ｔｏｒｒ未満または５０〜７６０Ｔｏｒｒの間で変わる成長ガス圧で行われることを特徴とする、請求項１０に記載の方法。」
「【請求項１５】
　前記無極性ｍ｛１−１００｝面ＩＩＩ族窒化物膜は、表面凹凸値が少なくとも５μｍ×５μｍの範囲で２．５４ｎｍ未満の窒化ガリウムであることを特徴とする、請求項１に記載の方法。」
「【請求項２０】
　上面を含む無極性ｍ面ＩＩＩ族窒化物膜であって、
　該上面はエピタキシャル成長され、
　該成長された上面の表面凹凸値は少なくとも５μｍ×５μｍの範囲で２．５４ｎｍ未満であることを特徴とする、該無極性ｍ面ＩＩＩ族窒化物膜からなるデバイス構造。」
「【請求項２３】
　さらに基板上に成長される第１の窒化物層と、
　該第１の窒化物層上に成長される前記無極性ｍ面窒化物膜からなることを特徴とする、
請求項２０に記載のデバイス構造。」
「【請求項２５】
　前記無極性ＩＩＩ族窒化物膜は、デバイス、ウェーハ、基板或いはテンプレートであることを特徴とする、請求項２０に記載のデバイス構造。」
　
（補正後）
「【請求項１】
（ａ）有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）を用いて１０００℃〜１２７５℃の温度で基板上に核生成層として第１の窒化物層を成長する工程と、
（ｂ）無極性｛１−１００｝ｍ面ＩＩＩ族窒化物層を前記第１の窒化物層上にＭＯＣＶＤを用いて１０００℃〜１２７５℃の前記温度で成長する工程を含むことを特徴とする、ＩＩＩ族窒化物のエピタキシャル薄膜を成長する方法。」
「【請求項３】
　前記無極性ｍ面ＩＩＩ族窒化物は５μｍ×５μｍの範囲にわたって表面凹凸値が０〜１５ｎｍであるｍ面窒化ガリウム（ＧａＮ）を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。」
「【請求項４】
　前記第１の窒化物層は１０００℃〜１１６０℃の温度で成長した窒化ガリウム核生成層であり、前記無極性｛１−１００｝ｍ面ＩＩＩ族窒化物層は１０００℃〜１１６０℃の温度で成長した無極性｛１−１００｝ｍ面窒化ガリウム層を含むことを特徴とする、請求項１に記載の方法。」
「【請求項７】
　請求項１に記載の方法を用いて作られる、エピタキシャル成長した状態で５μｍ×５μｍの範囲で自乗平均根表面凹凸値が２．５４ｎｍ以下および／または表面凹凸値が０〜１５ｎｍであるエピタキシャル成長された上面を有する無極性ｍ面窒化ガリウム膜を含むデバイス、ウェーハ、基板、或いはテンプレート。」
「【請求項１１】
　前記工程（ａ）および（ｂ）における成長は、５０〜７６０Ｔｏｒｒの間の成長ガス圧で行われることを特徴とする、請求項９に記載の方法。」
「【請求項１５】
　前記温度、前記圧力および前記Ｖ／ＩＩＩ比は、前記無極性ｍ｛１−１００｝面ＩＩＩ族窒化物膜が、５μｍ×５μｍの範囲で２．５４ｎｍ以下である自乗平均根表面凹凸値と、ｘ線回折により測定される半値全幅（ＦＷＨＭ）がわずか１．２°であるロッキングカーブにより特徴づけられる結晶品質とを有する窒化ガリウム膜となるような温度、圧力、およびＶ／ＩＩＩ比であることを特徴とする、請求項１に記載の方法。」
「【請求項２０】
　異なるＩＩＩ族窒化物層からなり、上面を有する窒化ガリウム膜を含む無極性ｍ面ＩＩＩ族窒化物膜であって、
　該上面はエピタキシャル成長され、
　該成長された該上面は平坦であり、該上面の自乗平均根表面凹凸値は５μｍ×５μｍの範囲で２．５４ｎｍ以下であることを特徴とする、該無極性ｍ面ＩＩＩ族窒化物膜からなるデバイス構造。」
「【請求項２３】
　さらに基板上に成長される第１の窒化物層と、
　該第１の窒化物層上に成長される前記無極性ｍ面窒化物膜からなり、前記無極性ｍ面窒化ガリウム膜がｘ線回折により測定された半値全幅（ＦＷＨＭ）が０．２２°〜１．２°であるロッキング・カーブにより特徴づけられる結晶品質を有することを特徴とする、請求項２０に記載のデバイス構造。」
「【請求項２５】
　前記無極性ＩＩＩ族窒化物膜は、デバイス、ウェーハ、基板或いはテンプレートであり、前記窒化ガリウム膜は、
（ａ）有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）を用いて１１００℃〜１２７５℃の温度、４００〜５５００のＶ／ＩＩＩ比、および５０〜７６０Ｔｏｒｒの圧力で基板上に核生成層として第１の窒化物層を成長する工程と、
（ｂ）無極性｛１−１００｝ｍ面窒化ガリウム層を前記第１の窒化物層上にＭＯＣＶＤを用いて１０００℃〜１１６０℃の温度、２００〜３０００のＶ／ＩＩＩ比、および５０〜７６０Ｔｏｒｒの圧力で成長する工程
　を含む方法を用いて作製された基層であることを特徴とする、請求項２０に記載のデバイス構造。」
　
 ２　本件補正についての検討
（１）補正事項の整理
　本件補正は、次の事項を含む補正である。
［補正事項１］
　補正前の請求項３に記載された「ｍ面窒化ガリウム（ＧａＮ）」を、「５μｍ×５μｍの範囲にわたって表面凹凸値が０〜１５ｎｍであるｍ面窒化ガリウム（ＧａＮ）」として、補正後の請求項３とすること。
［補正事項２］
　補正前の請求項４に記載された「核形成層である」を、「１０００℃〜１１６０℃の温度で成長した窒化ガリウム核生成層であり、前記無極性｛１−１００｝ｍ面ＩＩＩ族窒化物層は１０００℃〜１１６０℃の温度で成長した無極性｛１−１００｝ｍ面窒化ガリウム層を含む」として、補正後の請求項４とすること。
［補正事項３］
　補正前の請求項７に記載された「デバイス、ウェーハ、基板、或いはテンプレート」を、「、エピタキシャル成長した状態で５μｍ×５μｍの範囲で自乗平均根表面凹凸値が２．５４ｎｍ以下および／または表面凹凸値が０〜１５ｎｍであるエピタキシャル成長された上面を有する無極性ｍ面窒化ガリウム膜を含むデバイス、ウェーハ、基板、或いはテンプレート」として、補正後の請求項７とすること。
［補正事項４］
　補正前の請求項１１に記載された「前記工程（ａ）および（ｂ）における成長は、１００Ｔｏｒｒ未満または５０〜７６０Ｔｏｒｒの間で変わる成長ガス圧で行われることを特徴とする、請求項１０に記載の方法」を、「前記工程（ａ）および（ｂ）における成長は、５０〜７６０Ｔｏｒｒの間の成長ガス圧で行われることを特徴とする、請求項９に記載の方法」として、補正後の請求項１１とすること。
［補正事項５］
　補正前の請求項１５に記載された「前記無極性ｍ｛１−１００｝面ＩＩＩ族窒化物膜は、表面凹凸値が少なくとも５μｍ×５μｍの範囲で２．５４ｎｍ未満の窒化ガリウムである」を、「前記温度、前記圧力および前記Ｖ／ＩＩＩ比は、前記無極性ｍ｛１−１００｝面ＩＩＩ族窒化物膜が、５μｍ×５μｍの範囲で２．５４ｎｍ以下である自乗平均根表面凹凸値と、ｘ線回折により測定される半値全幅（ＦＷＨＭ）がわずか１．２°であるロッキングカーブにより特徴づけられる結晶品質とを有する窒化ガリウム膜となるような温度、圧力、およびＶ／ＩＩＩ比である」として、補正後の請求項１５とすること。
［補正事項６］
　補正前の請求項２０に記載された「上面を含む無極性ｍ面ＩＩＩ族窒化物膜」を、「異なるＩＩＩ族窒化物層からなり、上面を有する窒化ガリウム膜を含む無極性ｍ面ＩＩＩ族窒化物膜」とし、さらに、補正前の請求項２０に記載された「該成長された上面の表面凹凸値は少なくとも５μｍ×５μｍの範囲で２．５４ｎｍ未満である」を、「該成長された該上面は平坦であり、該上面の自乗平均根表面凹凸値は５μｍ×５μｍの範囲で２．５４ｎｍ以下である」として、補正後の請求項２０とすること。
［補正事項７］
　補正前の請求項２３に記載された「前記無極性ｍ面窒化物膜からなること」を、「前記無極性ｍ面窒化物膜からなり、前記無極性ｍ面窒化ガリウム膜がｘ線回折により測定された半値全幅（ＦＷＨＭ）が０．２２°〜１．２°であるロッキング・カーブにより特徴づけられる結晶品質を有すること」として、補正後の請求項２３とすること。
［補正事項８］
　補正前の請求項２５に記載された「である」を、「であり、前記窒化ガリウム膜は、（ａ）有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）を用いて１１００℃〜１２７５℃の温度、４００〜５５００のＶ／ＩＩＩ比、および５０〜７６０Ｔｏｒｒの圧力で基板上に核生成層として第１の窒化物層を成長する工程と、（ｂ）無極性｛１−１００｝ｍ面窒化ガリウム層を前記第１の窒化物層上にＭＯＣＶＤを用いて１０００℃〜１１６０℃の温度、２００〜３０００のＶ／ＩＩＩ比、および５０〜７６０Ｔｏｒｒの圧力で成長する工程　を含む方法を用いて作製された基層である」として、補正後の請求項２５とすること。
　
（２）新規事項の追加の有無及び補正の目的の適否についての検討
　以下、上記補正事項１〜５、７、及び８について検討する。
　
ア　補正事項１について
（ア）本願の願書に最初に添付された外国語書面の翻訳文の平成２４年１２月１８日付けの誤訳訂正書による補正後の外国語書面の翻訳文（以下「当初明細書等」という。）には、「『ｍ面』ＧａＮ材料」の「表面凹凸」について、以下のように記載されている（段落【００２５】は平成２４年１２月１８日付けの誤訳訂正書によって補正されている。）。
　
・「【００２５】
  出来上がったｍ面ＧａＮ材料の５μｍ×５μｍの原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）表面像を図４に示す。結晶粒は＜１１−２０＞の方向に沿っていて、表面凹凸値（自乗平均根）は５μｍ×５μｍの走査（審決注：「捜査」は誤記と認定した。）範囲で約２．５４ｎｍ以下であった。
【００２６】
  図５は軸上及び非軸上ｘ線回折ロッキング・カーブを示すω（°）対カウント数／秒の図である。下の表１に示すように軸上（１−１００）半値全幅（ＦＷＨＭ）は、ａモザイク度及びｃモザイク度がそれぞれ０．２２°及び１．２°という低い値が測定された。また非軸上（１０−１２）反射はＦＷＨＭ値が０．３８°である。これらの凹凸とＦＷＨＭ値は核形成層とＧａＮエピタキシャル薄膜自体の成長条件を変えても大きくは変化しないことがわかった。」
・「【図面の簡単な説明】
…（略）…
【図４】原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）による５μｍ×５μｍの表面像であり、表面凹凸は２．５４ｎｍであることを示している。」
　
（イ）上記のように、当初明細書等には、請求項３に記載された「５μｍ×５μｍの範囲にわたって表面凹凸値が０〜１５ｎｍであるｍ面窒化ガリウム（ＧａＮ）」が記載も示唆もされているとはいえず、かつ、当初明細書等の記載から自明な事項であるとも認められない。
　したがって、補正事項１は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものといえるから、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものではない。
　よって、補正事項１は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものではないから、特許法第１７条の２第３項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項をいう。以下同じ。）に規定する要件を満たしていない。
　
イ　補正事項２について
（ア）補正後の請求項４には「『前記第１の窒化物層』は『窒化ガリウム核生成層』であり」と記載され、また、補正後の請求項４は請求項１を引用しており、補正後の請求項１には「核生成層として第１の窒化物層を成長する」と記載されているので、先ず、「核生成層」の用語について検討する。
　ところが、当初明細書等には、「核生成層」の用語は記載されていない。
　
（イ）他方、当初明細書等には、「核形成層」または「核形成層の成長温度」等について、以下のように記載されている（下線は合議体が付加した。段落【００２３】は上記誤訳訂正書によって補正されている。）。
　
・「【００２１】
　技術的な説明
  成長の前に、ｍ面ＳｉＣ基板を水素中で熱処理する。ＧａＮ薄膜成長の前に、
ＡｌＮ層を核形成層として形成する
最後にＧａＮ層をＭＯＣＶＤによって成長する
【００２２】
　最適な品質のｍ面ＧａＮを実現するために、ＡｌＮ層と
ＧａＮ層の成長に対してそれぞれ
１，０００℃〜１，１６０℃の範囲の成長温度シリーズがテストされた
【００２３】
　高品質のＧａＮを得るために最適なＡｌＮ核形成層は、核形成層の厚さ１５０ｎｍ以下のとき、１，１７５℃以上の温度、比較的低い圧力、及び３，５００以下のＶ／ＩＩＩ比にて実現された。」
・「【００３５】
　
無極性エピタキシャル薄膜は
ＧａＮ
のような
核形成層上
に成長核が作られて成長する
・「【００３９】
　そのような変形は本発明の全体的な実施形態を基本的に変えるものではない。
利点と改良点
　ｍ−｛１−１００｝面ＧａＮの成長はＨＶＰＥ法とＭＢＥ法では既に実験されて成功している。しかしながら、ＭＯＣＶＤ法によって高品質平坦な無極性ｍ−｛１−１００｝面ＧａＮの成長を実験して成功したのは未だかつて本発明が初めてである。
【００４０】
  ＭＯＣＶＤ法を用いた平坦なｍ面ＧａＮの成長は、平坦なａ−｛１１−２０｝面ＧａＮの成長に比べて、大きな成長窓を持っていて、安定性良く成長できるという利点がある。この利点が発揮されるのは、
ＡｌＮ核形成層やＧａＮエピタキシャル薄膜
【００４１】
  最適な品質のｍ面ＧａＮを実現するためには、ＡｌＮと
ＧａＮに対してそれぞれ
成長温度シリーズとして
１，０００℃〜１，１６０℃の範囲が調べられた
　
（ウ）そこで、仮に、請求項１に記載された「核生成層」が、当初明細書等に記載の「核形成層」の誤記であるか、または当該「核形成層」と同義であり、また、請求項４に記載された「窒化ガリウム核生成層」が、「窒化ガリウム核形成層」の誤記であるか、または「窒化ガリウム核形成層」と同義であるとして、以下で、当初明細書等の記載について検討する。
　
　当初明細書等の段落【００２２】には、「『ＧａＮ層』の成長に対して『１，０００℃〜１，１６０℃』の範囲の成長温度シリーズがテストされた」ことが開示されている。
　ここで、当該「ＧａＮ層」は、当初明細書等の段落【００２１】及び【００４０】〜【００４１】、特に段落【００４０】の記載を勘案すると、「ＡｌＮ核形成層上に成長するＧａＮ層」として開示されており、「ＧａＮ核形成層」は開示されていないことは明らかである。
　
　他方、段落【００３５】には、「無極性エピタキシャル薄膜は、『ＧａＮ』のような『核形成層上』に成長核が作られ成長する」ことが開示されているものの、「ＧａＮ核形成層」の「成長温度」は開示されていない。
　段落【００３５】に記載のように、核形成層を「ＧａＮの核形成層」とする場合に、組成が同じであるからといって、「ＡｌＮ核形成層上に成長するＧａＮ層」について開示されている成長温度である「１，０００℃〜１，１６０℃」と同じ範囲の成長温度を選択することが当初明細書等の記載からみて自明な事項であるとは認められない。
　
　したがって、当初明細書等には、請求項４の「１０００℃〜１１６０℃の温度で成長した窒化ガリウム核生成層」が記載も示唆もされているとはいえず、かつ、当初明細書等の記載から自明な事項であるとも認められない。
　
　したがって、補正事項２は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものといえるから、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものではない。
　よって、補正事項２は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものではないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　
ウ　補正事項３について
　上記「ア　補正事項１について」の「（ア）」及び「（イ）」で検討したように、当初明細書等には、請求項７に記載された「『表面凹凸値が０〜１５ｎｍである』『無極性ｍ面窒化ガリウム膜』」が記載も示唆もされているとはいえず、かつ、当初明細書等の記載から自明な事項であるとも認められない。
　したがって、補正事項３は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものといえるから、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものではない。
　よって、補正事項３は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものではないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　
エ　補正事項４について
（ア）補正事項４により補正された事項は、当初明細書等の段落【００２２】及び【００４１】に記載されているから、補正事項４は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項４は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしている。
　
（イ）補正事項４は、補正前の請求項１１が請求項１０を引用していたものを、補正後の請求項１１が請求項９を引用するものとする。
　すなわち、補正前の請求項１１は、引用する請求項１０に記載されていた「前記第１の窒化物層を１０００℃〜１２７５℃の温度で成長し、　前記無極性｛１−１００｝ｍ面ＩＩＩ族窒化物層を１０００℃〜１１６０℃の温度で成長する」との限定事項を含むものであり、補正後の請求項１１が新たに引用する請求項９には、当該限定事項は含まれていないから、補正事項４は、当該限定事項を削除する補正を含むものである。
　したがって、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しない。
　よって、補正事項４は、特許法第１７条の２第４項（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項をいう。以下同じ。）第１号ないし第４号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当しないから、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
オ　補正事項５について
（ア）上記「ア　補正事項１について」の「（ア）」に記載したように、当初明細書等の段落【００２５】には、「表面凹凸値（自乗平均根）は５μｍ×５μｍの走査範囲で約２．５４ｎｍ以下であった」と記載されており、補正事項５により補正された事項は、当初明細書等に記載されているといえるから、補正事項５は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものである。
　したがって、補正事項５は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしている。
　
（イ）補正前の請求項１５では、「表面凹凸値が少なくとも５μｍ×５μｍの範囲で２．５４ｎｍ未満の窒化ガリウム」を発明特定事項としており、当該「表面凹凸値」が「少なくとも５μｍ×５μｍの範囲で『２．５４ｎｍ』」を含まないものであったが、補正後の請求項１５では、「『５μｍ×５μｍの範囲で２．５４ｎｍ以下である自乗平均根表面凹凸値』を有する窒化ガリウム膜」を発明特定事項とするものであり、「『２．５４ｎｍである自乗平均根表面凹凸値』」を含むものであるから、補正事項５は、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれを目的とするものにも該当しない。
　したがって、補正事項５は、特許法第１７条の２第４項第１号ないし第４号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当しないから、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしていない。
　
カ　補正事項７について
（ア）当初明細書等には、「『ｍ面』ＧａＮ材料」の「ｘ線回折ロッキング・カーブ」について、以下のように記載されている。
　
・「【００２６】
　図５は軸上及び非軸上ｘ線回折ロッキング・カーブを示すω（°）対カウント数／秒の図である。下の表１に示すように軸上（１−１００）
半値全幅（ＦＷＨＭ）は、ａモザイク度及びｃモザイク度がそれぞれ０．２２°及び１．２°という低い値
　
（イ）上記のように、当初明細書等には、請求項２３に記載された「前記無極性ｍ面窒化ガリウム膜がｘ線回折により測定された半値全幅（ＦＷＨＭ）が０．２２°〜１．２°であるロッキング・カーブにより特徴づけられる結晶品質を有すること」が記載も示唆もされているとはいえず、かつ、当初明細書等の記載から自明な事項であるとも認められない。
　したがって、補正事項７は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものといえるから、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものではない。
　よって、補正事項７は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものではないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　
キ　補正事項８について
（ア）補正事項８は、補正事項６による請求項２０における補正事項の「窒化ガリウム膜」について、請求項２５において、「前記窒化ガリウム膜は、（ａ）有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）を用いて１１００℃〜１２７５℃の温度、４００〜５５００のＶ／ＩＩＩ比、および５０〜７６０Ｔｏｒｒの圧力で基板上に核生成層として第１の窒化物層を成長する工程と、（ｂ）無極性｛１−１００｝ｍ面窒化ガリウム層を前記第１の窒化物層上にＭＯＣＶＤを用いて１０００℃〜１１６０℃の温度、２００〜３０００のＶ／ＩＩＩ比、および５０〜７６０Ｔｏｒｒの圧力で成長する工程　を含む方法を用いて作製された基層である」とするものである。
　
（イ）上記「イ　補正事項２について」の「（イ）」に記載したように、当初明細書等の段落【００２１】〜【００２３】、【００３９】〜【００４１】には、「『１１００℃〜１２７５℃の温度、４００〜５５００のＶ／ＩＩＩ比、および５０〜７６０Ｔｏｒｒの圧力で基板上に核生成層』として『ＡｌＮ層』を成長する」こと、及び「窒化ガリウム膜」は、「『無極性｛１−１００｝ｍ面窒化ガリウム層』を『ＡｌＮ層』上に『ＭＯＣＶＤを用いて１０００℃〜１１６０℃の温度、２００〜３０００のＶ／ＩＩＩ比、および５０〜７６０Ｔｏｒｒの圧力』で成長する」ことによって作製された層であることは開示されているものの、請求項２５に記載の「『前記窒化ガリウム膜は』、『核生成層として第１の窒化物層を成長する工程』を『含む方法を用いて作製された』『基層』である」ことは記載も示唆もされていない。
　したがって、補正事項８は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものといえるから、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものではない。
　よって、補正事項８は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものではないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　
ケ　新規事項の追加の有無及び補正の目的の適否についての検討のまとめ
　以上のとおり、本件補正は、補正事項１、２、３、７、及び８を含むものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしておらず、また、本件補正は、補正事項４及び５を含むものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第４項に規定する要件も満たしていない。
　
３　補正の却下の決定についてのむすび
　以上検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第４項に規定する要件を満たしていないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
第３　原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由は、
「１．平成２４年　３月　６日付けでした手続補正は、下記の点で国際出願日における国際特許出願の明細書若しくは図面（図面の中の説明に限る。）の翻訳文、国際出願日における国際特許出願の請求の範囲の翻訳文（特許協力条約第１９条（１）の規定に基づく補正後の請求の範囲の翻訳文が提出された場合にあっては、当該翻訳文）又は国際出願日における国際特許出願の図面（図面の中の説明を除く。）（以下、翻訳文等という。）（誤訳訂正書を提出して明細書、特許請求の範囲又は図面について補正をした場合にあっては、翻訳文等又は当該補正後の明細書、特許請求の範囲若しくは図面）に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない（同法第１８４条の１２第２項参照）。
２．この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第４号に規定する要件を満たしていない。」というものであり、
　
「理由：１」について、「備考」の概要は、
「（１）請求項１における『有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）を用いて１０００℃〜１２７５℃の温度で基板上に第１の窒化物層を成長する工程』、『無極性｛１−１００｝ｍ面ＩＩＩ族窒化物層を前記第１の窒化物層上にＭＯＣＶＤを用いて１０００℃〜１２７５℃の前記温度で成長する工程』について、本願明細書には、ＡｌＮ核生成層を１０００℃〜１１００℃で形成することや、ＧａＮ層を１１６０℃〜１２７５℃で形成することは、記載されていない。
　請求項１０の『前記第１の窒化物層を１０００℃〜１２７５℃の温度で成長し』についても同様である。
（２）請求項９，１１における数値範囲についても、本願明細書における根拠が不明である。
（３）請求項２０における『表面凹凸値は少なくとも５μｍ×５μｍの範囲で２．５４ｎｍ未満』について、本願明細書には、『２．５４ｎｍ未満』の数値範囲は記載も示唆もされていない。
　請求項１５についても同様である。
（４）請求項１８，２１の『ａモザイクに対して０．２２°未満、および／またはＩＩＩ族窒化物結晶のｃモザイクに対して１．２°未満』、『ｘ線回折により測定された０．３８°未満』についても、本願明細書に根拠となる数値範囲の記載がない。」
というものであり、
請求項２２に対する「理由：２」について、その「備考」は、「請求項２２は、先行する請求項を引用していない。　よって、請求項２２の記載は、経済産業省令で定めるところにより記載されたものではない。」というものである。
　
第４　当審の判断
　当審も、平成２４年３月６日に提出された手続補正書による補正（以下「前審補正」という。）は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものではないと判断する。その理由は以下のとおりである。
　
１　「理由：１」備考（１）について
ア　前審補正後の請求項１には、「（ａ）有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）を用いて１０００℃〜１２７５℃の温度で基板上に第１の窒化物層を成長する工程と、（ｂ）無極性｛１−１００｝ｍ面ＩＩＩ族窒化物層を前記第１の窒化物層上にＭＯＣＶＤを用いて１０００℃〜１２７５℃の前記温度で成長する工程を含むことを特徴とする、ＩＩＩ族窒化物のエピタキシャル薄膜を成長する方法。」と記載されている。
　
イ　他方、当初明細書等には、「第１の窒化物層を成長する」こと、または「ＩＩＩ族窒化物層を前記第１の窒化物層上にＭＯＣＶＤを用いて」成長すること等について、以下のように記載されている。
　
・「【００２１】
　技術的な説明
　成長の前に、ｍ面ＳｉＣ基板を水素中で熱処理する。
ＧａＮ薄膜成長の前に、ＡｌＮ層を
形成する
最後にＧａＮ層をＭＯＣＶＤによって成長する
無極性ｍ面ＧａＮ（１−１００）結晶面
【００２２】
　最適な品質のｍ面ＧａＮを実現するために、
ＡｌＮ層とＧａＮ層の成長に対してそれぞれ
１，１００℃〜１，２７５℃、及び１，０００℃〜１，１６０℃の範囲の成長温度シリーズがテストされた
【００２３】
　高品質のＧａＮを得るために最適なＡｌＮ核形成層は、核形成層の厚さ１５０ｎｍのとき、１，１７５℃以上の温度、比較的低い圧力、及び約３，５００のＶ／III比にて実現された。
【００２４】
　ＧａＮ層のエピタキシャル成長に関しては、最も好ましい条件は、１００Ｔｏｒｒ未満のような低圧で、１，１１０℃〜１，１６０℃の範囲の温度で、ＮＨ３の低い蒸気圧で７００未満のＶ／III比で実現された。」
・「【００３９】
　そのような変形は本発明の全体的な実施形態を基本的に変えるものではない。
利点と改良点
　ｍ−｛１−１００｝面ＧａＮの成長はＨＶＰＥ法とＭＢＥ法では既に実験されて成功している。しかしながら、
ＭＯＣＶＤ法によって
無極性ｍ−｛１−１００｝面ＧａＮの成長
【００４０】
  
ＭＯＣＶＤ法を用いた平坦なｍ面ＧａＮの成長
ＡｌＮ核形成層やＧａＮエピタキシャル薄膜
【００４１】
  最適な品質のｍ面ＧａＮを実現するためには、
ＡｌＮとＧａＮに対してそれぞれ
成長温度シリーズとして１，１００℃〜１，２７５℃および１，０００℃〜１，１６０℃の範囲が調べられた
　
ウ　以下で、上記当初明細書等の記載について検討する。
　上記記載を総合すると、当初明細書等には、「『ＡｌＮ層』の成長に対して『１，１００℃〜１，２７５℃』の範囲の成長温度シリーズをテスト」したこと、及び「『ＡｌＮ層』上への『ＭＯＣＶＤ』法による『無極性ｍ−｛１−１００｝面ＧａＮ層』の成長に対して、『１，０００℃〜１，１６０℃』の範囲の成長温度シリーズをテスト」したことが開示されているといえるものの、「『１０００℃〜１１００℃』の温度で基板上にＡｌＮ層を成長する」こと、及び「ＧａＮ層を１１６０℃〜１２７５℃』の温度で成長する」ことは記載も示唆もされていない。
　したがって、前審補正後の請求項１の「（ａ）有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）を用いて１０００℃〜１２７５℃の温度で基板上に第１の窒化物層を成長する」こと、及び「『（ｂ）無極性｛１−１００｝ｍ面ＩＩＩ族窒化物層を前記第１の窒化物層上にＭＯＣＶＤ』を用いて『１，１６０℃〜１２７５℃』の前記温度で成長する工程を含む」ことは、当初明細書等に記載も示唆もされているとはいえない。
　
　前者の「（ａ）有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）を用いて１０００℃〜１２７５℃の温度で基板上に第１の窒化物層を成長する」ことに関し、仮に、「『有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）を用いて』『第１の窒化物層を成長する』」ことは、当初明細書等の記載からみて自明な事項であるとしても、「『１０００℃〜１１００℃』の温度で基板上に第１の窒化物層を成長する」ことが当初明細書等の記載からみて自明な事項であるとは認められない。
　また、「『（ｂ）無極性｛１−１００｝ｍ面ＩＩＩ族窒化物層を前記第１の窒化物層上にＭＯＣＶＤ』を用いて『１，１６０℃〜１２７５℃』の前記温度で成長する工程を含む」ことが当初明細書等の記載からみて自明な事項であるとも認められない。
　
　したがって、前審補正後の請求項１とする補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものといえるから、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものではない。
　
エ　前審補正後の請求項１０には、「前記第１の窒化物層を１０００℃〜１２７５℃の温度で成長し、前記無極性｛１−１００｝ｍ面ＩＩＩ族窒化物層を１０００℃〜１１６０℃の温度で成長することを特徴とする、請求項１９に記載の方法」と記載されている。
　
　そして、上記「ウ」に記載したように、当初明細書等には、「『１０００℃〜１１００℃』の温度で基板上にＡｌＮ層を成長する」ことは記載も示唆もされておらず、かつ、当初明細書等の記載からみて自明な事項であるとは認められない。
　したがって、前審補正後の請求項１０を「前記第１の窒化物層を１０００℃〜１２７５℃の温度で成長し」とする補正も、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものといえるから、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものではない。
　
２　「理由：１」備考（２）について
ア　前審補正後の請求項９には、「前記工程（ａ）および（ｂ）における成長は、〜３５００以下のＶ／ＩＩＩ比または２００〜３０００のＶ／ＩＩＩ比を用いることを特徴とする、請求項１に記載の方法。」と記載されている。
　
イ　他方、当初明細書等には、成長の「Ｖ／ＩＩＩ比」について、以下のように記載されている。
　
・「【００２２】
　最適な品質のｍ面ＧａＮを実現するために、
ＡｌＮ層とＧａＮ層の成長に対してそれぞれ４００〜５，５００と２００〜３，０００のＶ／III比
がテストされた
【００２３】
　高品質のＧａＮを得るために
最適なＡｌＮ核形成層は
約３，５００のＶ／III比にて実現された
【００２４】
　
ＧａＮ層
に関しては
７００未満のＶ／III比で実現された
・「【００４１】
　最適な品質のｍ面ＧａＮを実現するためには、
ＡｌＮとＧａＮに対してそれぞれ、Ｖ／III比としては４００〜５，５００および２００〜３，０００の範囲の値が
調べられた
　
ウ　以下で、上記当初明細書等の記載について検討する。　
　上記記載を総合すると、当初明細書等には、「『ＡｌＮ層とＧａＮ層の成長に対してそれぞれ４００〜５，５００と２００〜３，０００のＶ／III比』」がテストされた」こと、「最適なＡｌＮ核形成層は、約３，５００のＶ／III比にて実現された」こと、及び「ＧａＮ層は、７００未満のＶ／III比で実現された」ことが開示されているといえるものの、「『ＡｌＮ層またはＧａＮ層』の成長に対して『〜３５００以下のＶ／ＩＩＩ比』を用いる」こと、及び「『ＡｌＮ層』の成長に対して『２００〜３０００のＶ／ＩＩＩ比』を用いる」ことは記載も示唆もされていない。
　したがって、前審補正後の請求項９の「『前記工程（ａ）および（ｂ）における成長は、〜３５００以下のＶ／ＩＩＩ比』を用いる」こと、及び「『前記工程（ａ）』における成長は、『２００〜３０００のＶ／ＩＩＩ比』を用いる」ことは、当初明細書等に記載も示唆もされているとはいえず、かつ当初明細書等の記載からみて自明な事項であるとも認められない。
　
エ　前審補正後の請求項１１には、「前記工程（ａ）および（ｂ）における成長は、１００Ｔｏｒｒ未満または５０〜７６０Ｔｏｒｒの間で変わる成長ガス圧で行われることを特徴とする、請求項１０に記載の方法。」と記載されている。
　
オ　他方、当初明細書等には、「成長ガス圧」について、以下のように記載されている。
　
・「【００２２】
　最適な品質のｍ面ＧａＮを実現するために、
ＡｌＮ層とＧａＮ層の成長に対してそれぞれ
５０〜７６０Ｔｏｒｒの間で変わる成長ガス圧
がテストされた
【００２３】
　高品質のＧａＮを得るために
最適なＡｌＮ核形成層は
比較的低い圧力
にて実現された
【００２４】
　
ＧａＮ層
に関しては
１００Ｔｏｒｒ未満のような低圧で
実現された
・「【００４１】
　最適な品質のｍ面ＧａＮを実現するためには、
ＡｌＮとＧａＮに対してそれぞれ
成長圧力としては５０〜７６０Ｔｏｒｒの範囲が
調べられた
　
カ　以下で、上記当初明細書等の記載について検討する。　
　上記記載を総合すると、当初明細書等には、「『ＡｌＮ層とＧａＮ層の成長に対してそれぞれ５０〜７６０Ｔｏｒｒの間で変わる成長ガス圧』がテストされた」こと、「最適なＡｌＮ核形成層は、比較的低い圧力にて実現された」こと、及び「ＧａＮ層は、１００Ｔｏｒｒ未満のような低圧で実現された」ことが開示されているといえるものの、「『ＡｌＮ層』における成長が『１００Ｔｏｒｒ未満』で変わる成長ガス圧で行われる」ことは記載も示唆もされていない。
　したがって、前審補正後の請求項１１の「『前記工程（ａ）』における成長は、『１００Ｔｏｒｒ未満』で変わる成長ガス圧で行われる」ことは、当初明細書等に記載も示唆もされているとはいえず、かつ当初明細書等の記載からみて自明な事項であるとも認められない。
　
３　当審の判断のむすび
　したがって、前審補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものといえるから、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものではない。
　　
第５　むすび
　したがって、平成２４年３月６日に提出された手続補正書による補正（前審補正）は、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものではないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　よって、結論のとおり審決する。