【事件の表示】
　特願２０１０−５１０２８４「太陽電池製造のための小さなコンタクトのアレイ」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１２月１１日国際公開、ＷＯ２００８／１５０３４４、平成２２年　８月１９日国内公表、特表２０１０−５２８４８７、請求項の数（１０）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００８年５月１２日（優先権主張２００７年５月２９日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年５月９日付けで手続補正書が提出され、平成２４年１２月２８日付けで拒絶理由が通知され、平成２５年４月８日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、同年７月１２日付けで拒絶理由（最後）が通知され、同年１０月１６日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出されたが、その後、同年１２月６日付けで平成２５年１０月１６日付けの手続補正の補正の却下の決定がなされるとともに、同日付けで拒絶査定がなされた。
　本件は、これに対して、平成２６年４月９日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、平成２６年６月２５日付けで、前置報告がなされた。
　
１．平成２５年７月１２日付けの拒絶理由の内容　
　原審で通知され、拒絶査定の理由となった平成２５年７月１２日付けの拒絶理由（以下、単に「拒絶理由」という。）は、以下のとおりのものである。
　
「
　　　　　　　　　　　　　　　　理　由
　
（理由１）
　この出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。
  
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　請求項１に係る発明が不明瞭な事項を含んでいる点。
　
　請求項１において、「複数の第２の誘電層間の少なくとも開口に、複数のドットをインクジェット印刷し、前記複数のドットの交差部によって形成された複数のギャップを形成し、該ギャップの間隔が、前記複数のドットを供給するインクジェットプリンタノズルの整列と、前記複数のドットの大きさによって決定される」ことが規定されている。
　しかし、本願出願時の技術常識を参酌すると、インクジェットプリンタを使用する塗布方法において、複数あるノズルの全てを使用するのではなく、所望の印刷を行うために複数あるノズルの内、所定のノズルを適宜選択、使用するのであって、ドットの交差部により形成されるギャップは、複数あるインクジェットプリンタノズルの何れを使用したかにもよってもその大きさが変わるものである（必要であれば、特開２００４−２０９８８７号公報の図１３Ａ，図１３Ｂ、図２４、図２６等を参照されたい。）。
　そうすると、ギャップの間隔は、当該ギャップはノズルの整列と、複数のドットの大きさに対応し、さらに、複数あるインクジェットプリンタノズルの何れを使用したかにより大きく変わり得るものであって、複数のドットを供給するインクジェットプリンタノズルの整列と、前記複数のドットの大きさによって決定され得るものではないと思料される。
　よって、ドットのギャップの間隔が、複数のドットを供給するインクジェットプリンタノズルの整列と、前記複数のドットの大きさによって決定されることを規定する請求項１に係る発明は、不明瞭な事項を含んでいる。
　
　請求項１を引用する請求項２〜７についても同様である。
　
　
（理由２）
　この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
　
・請求項１、３、４
・引用文献１、２
備考：
　引用文献１には、基板の背面にｎドープ領域、ｐドープ領域を設けたシリコン基板上における当該ｎドープ領域、ｐドープ領域間にＳｉＯ２等からなる誘電体層をｎドープ領域、ｐドープ領域に対応する開口が備えられるようにして形成し、該開口に各導電型の電極を形成し、各導電型の電極を互いに絶縁するポリイミドからなる絶縁層を形成した太陽電池が記載されている（特に、【００４９】〜【００６１】、【００７７】、【図６】、【図７】、【図１２】を参照）。
　
　引用文献１には、インクジェット印刷方法でマスクを形成し、ＳｉＯ２等からなる保護層やポリイミドからなる絶縁体層の開口を形成していない。
　
　
　しかし、引用文献２には、半導体チップに二層の絶縁膜を形成した後、インクジェット法でが記載されている。また、絶縁膜用の材料として、酸化シリコンやポリイミドを用いることが記載されている（特に、【００５９】、【００８２】〜【００９３】、【図７】、【図８】を参照）。
　
　
　引用文献１に記載の発明と引用文献２に記載の発明とは、ともにＳｉＯ２等からなる膜及びポリイミドからなる層を備えた半導体素子に形成する電極形成方法という技術分野に属し、密接に連関しているため、引用文献１に記載の発明の絶縁膜における開口形成方法として、引用文献２に記載されている方法を適用することは、当業者が容易になし得たことである。
　
　また、インクジェット方式では、所定のピッチで並んだノズルの、所定の径を有する開口部からインク乃至液滴が吐出されるのであるから、インクに挟まれるギャップの間隔が、複数のノズルの整列と、ドットの大きさによって決定されるのであれば、インクジェット方式で付与される限り、付与されたインク同士のギャップの間隔は、インク吐出装置に由来するノズルの並び具合や当該インクとインクが適用される媒体との親和性等に起因するドットの大きさに対応する何らかの間隔に必然的になると認められる。
　
　してみると、本願請求項１、３、４に係る発明は、引用文献１、２に記載の発明から当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
・請求項２
・引用文献１〜４
備考：
　引用文献１では、絶縁層の形成方法は不明であるが、スクリーン印刷は、ポリイミドからなる絶縁層の当業者にごくよく知られた形成方法であるから（引用文献３、４参照）、引用文献１に記載の発明のポリイミドからなる絶縁層の形成方法として、当該慣用されているスクリーン印刷を適用することは、当業者が容易になし得たことである。
　
　
・請求項５、８〜１０
・引用文献１〜４
備考：
　絶縁層を設ける領域は、電極間を電気的に絶縁する構成を備えた範囲内で半導体素子の種類や当該半導体素子に求められる諸特性に応じて当業者が適宜決め得ることであるから、引用文献１に記載の発明において、ポリイミドからなる絶縁層を設ける領域をＮ型層上の一部として、本願請求項５、８〜１０に係る発明とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
　
・請求項６、７
・引用文献１〜６
備考：
　インクジェット印刷において、１つの印刷領域に１回のパスでインクを重ねて印刷を行うことや、複数回のパスでインクを重ねて印刷を行うことは、いずれも本願出願時における慣用事項であり（引用文献５、６参照）、印刷を行うパスの回数は、所望とする印刷速度や印刷精度等に応じて当業者が適宜決め得ることであるから、引用文献１に記載の発明において適宜パスの回数を設定して、本願請求項６、７に係る発明とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　
　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
１．特開２００１−１８９４８２号公報
２．特開２００２−１５８２４８号公報
３．特開２００６−２６１０８９号公報
４．特開２００３−２９８０７８号公報
５．特開２００７−１２５８５５号公報
６．特開平１１−１３８７８７号公報
 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」 
　
２．平成２５年１２月６日付けの拒絶査定の内容
　平成２５年１２月６日付けの拒絶査定（以下、単に「拒絶査定」という。）の内容は、以下のとおりである。
　
「
　この出願については、平成２５年　７月１２日付け拒絶理由通知書に記載した理由によって、拒絶をすべきものです。
　なお、意見書の内容を検討しましたが、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせません。
　
備考
　
　平成２５年１０月１６日付け手続補正書は、本査定と同時に却下されました、
 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」 
　
３．平成２６年６月２５日付けの前置報告の内容
　
　平成２６年６月２５日付けの前置報告（以下、単に「前置報告」という。）の内容は、以下のとおりである。
　
「
　この審判請求に係る出願については、下記の通り報告します。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
　
　請求項１についての補正は限定的減縮を目的としている。この場合、補正後の請求項１に係る発明は特許出願の際独立して特許を受けることができるものでなければならない。
　しかしながら、開口部を有するマスクパターンをインクジェット方法で形成し、所望の領域をエッチングすることは、本願出願前における周知慣用事項であるから（引用文献２、３参照）、引用文献１に記載の発明の絶縁膜の貫通孔形成方法として、当該周知慣用の方法を採用することは、当業者にとって容易である。
　また、インクを吐出しなかった領域にインクジェットのヘッドのノズル間隔とインクのドット径に応じた大きさの開口が形成されることは、引用文献４の図面等から（【図１３】、【図２４】、【図２６】）、当業者にとって自明と言える事項であるから、所望とする開口部の大きさを得るために、当該開口部の大きさや開口部形成領域と、インクジェットのヘッドのノズルピッチとに応じて、インクのドット径や吐出するか否かを決めることは、当業者の通常の創作能力発揮の範囲内において適宜なし得たことである。
　したがって、当該補正後の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　また、補正後の請求項３、４についても、引用文献１〜４に記載の発明から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　そして、補正後の請求項２、５、８〜１０に係る発明と、補正後の請求項６、７については、それぞれ、引用文献１〜６に記載の発明、引用文献１〜８に記載の発明から当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
　よって、この補正は同法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　そして、この出願は原査定の理由に示したとおり拒絶されるべきものである。
　
引用文献等一覧
１．特開２００１−１８９４８２号公報
２．特開２００２−１５８２４８号公報
３．特開２００６−１２４８０５号公報
４．特開２００４−２０９８８７号公報
５．特開２００６−２６１０８９号公報
６．特開２００３−２９８０７８号公報
７．特開２００７−１２５８５５号公報
８．特開平１１−１３８７８７号公報
 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」 
　
　
第２　本件補正発明
　平成２６年４月９日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、本願の特許請求の範囲は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げられた特許請求の範囲の減縮を目的として補正された。
　
　よって、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１〜１０に係る発明（以下、それぞれ、「本件補正発明１〜１０」という。）は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１〜１０に記載された、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　太陽電池へと加工されるウェハ上に第１の誘電層を形成し、
　前記第１の誘電層上に複数の第２の誘電層を形成し、
　前記複数の第２の誘電層間の少なくとも複数の開口に、複数のドットをインクジェット印刷し、前記複数のドットの交差部によって形成された当該複数のドットよりも小さな領域を有する複数のギャップを形成し、該ギャップのサイズが、少なくとも（ｉ）前記複数のドットを供給する複数のインクジェットプリンタノズルの整列と、（ｉｉ）前記複数のドットのサイズと、（ｉｉｉ）いずれのノズルを使用したか、によって決定される、太陽電池の製造方法。
　【請求項２】
　前記複数の第２の誘電層が、前記ウェハ上にスクリーン印刷されたポリイミドを含む、請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
　【請求項３】
　前記複数のドットをマスクとして使用して、前記第１の誘電層を貫通する複数のコンタクト領域を形成し、
　前記ウェハから前記複数のドットを除去し、
　前記第１の誘電層の上に複数の金属コンタクトフィンガーを形成し、前記複数のコンタクト領域を通して、前記第１の誘電層の下に設けられている複数の拡散領域との複数の電気的な接続を形成する
ことをさらに含む、請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
　【請求項４】
　前記複数の金属コンタクトフィンガーの少なくともいくつかが、前記複数のコンタクト領域の少なくともいくつかを通って、対応する複数のＮ型拡散領域との複数の電気的な接続を生成するために形成された複数のＮ型金属コンタクトフィンガーと、前記複数のコンタクト領域の少なくともいくつかを通って、対応する複数のＰ型拡散領域との複数の電気的な接続を生成するために形成された複数のＰ型金属コンタクトフィンガーとを含み、
　前記複数のＰ型拡散領域及び前記複数のＮ型拡散領域が、前記ウェハの、通常の運転時に太陽の方を向くウェハの前面とは反対側の背面に形成されている、請求項３に記載の太陽電池の製造方法。
　【請求項５】
　前記複数の第２の誘電層上に、前記複数のＮ型金属コンタクトフィンガーが形成され、前記複数のＰ型金属コンタクトフィンガーが形成されていない、請求項４に記載の太陽電池の製造方法。
　【請求項６】
　前記複数のドットが、複数のノズルを有するプリントヘッドの、前記ウェハ上での一方向での１回のパスで印刷される、請求項１に記載の太陽電池の製造方法。
　【請求項７】
　少なくとも別のパスで、前記ウェハ上でプリントヘッドを通過させ、前記複数のギャップのうち１つのギャップを覆う別のドットを印刷することをさらに含む、請求項６に記載の太陽電池の製造方法。
　【請求項８】
　互いに隣接する複数の拡散領域を有する太陽電池ウェハ上に第１の誘電層を形成し、
　前記第１の誘電層上であって、一対の隣接する前記複数の拡散領域の境界の上に複数の第２の誘電層を形成し、
　前記複数の第２の誘電層のうちの少なくとも２つの誘電層の間の開口に、複数のドットを印刷し、前記複数のドットが、当該複数のドットよりも小さな領域を有する複数のギャップを形成するコンタクトマスクを形成し、前記複数のギャップのそれぞれが、前記複数のドットにおいて重ねられた複数のドットの交差部によって画定され、
　前記第１の誘電層の、前記複数のギャップを通って露出している複数の部分をエッチングし、複数のコンタクト領域を形成して、前記太陽電池の前記複数の拡散領域を露出させることを含む、太陽電池の製造方法。
　【請求項９】
　前記複数のドットを前記ウェハから除去し、
　前記複数のコンタクト領域内に複数の金属コンタクトフィンガーを形成し、前記複数の拡散領域のうち対応するものに電気的に接続すること
をさらに含む、請求項８に記載の太陽電池の製造方法。
　【請求項１０】
　前記第１の誘電層が二酸化シリコンを含む、請求項８に記載の太陽電池の製造方法。」
　
　これに対して、前置報告では、本件補正発明１〜１０は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである旨報告しているので、以下に、本件補正発明１〜１０は、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができるか否かについて、検討する。
　
１．本件補正発明１について
（１）引用文献１
　拒絶理由、拒絶査定及び前置報告に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００１−１８９４８２号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は当審で付した。）
　
（ａ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、
ソーラーセルの製造方法
　
（ｂ）「【００２８】図２は、この発明に係る裏面ポイントコンタクト型の珪素基板からなるソーラーセル（図１（ｂ）に示す）の製造工程を示す工程フロー・チャートであり、図３および図４は、その製造工程を説明するための説明断面図である。尚、図３（ａ）などにおいて、基板１０は裏面を上にして示すと共に、図示の便宜のため、部材のサイズおよび形状は変形あるいは誇張して示す。
【００２９】先ず、Ｓ１０において、図３（ａ）に示す如く、
基板１０に酸化珪素からなる第１の保護層１８が形成されると共に、第１の保護層１８の上に窒化珪素からなる第２の保護層２０を形成する。
第１および第２の保護層１８，２０に開口窓３４を穿設して基板１０の表面を露出させ、燐でドープされたガラス３６を第２の保護層２０に付着させると共に、開口窓３４に充填する。
【００３０】次いで、Ｓ１２に進み、図３（ｂ）に示す如く、
最初に穿設した第１群の開口窓３４の間に第２群の開口窓３８をそれぞれ穿設し、ホウ素でドープされたガラス４０を基板１０の表面に付着させると共に、第２群の開口窓３８に充填する。
ドープされた酸化層（ガラス）３６，４０のドーパントを基板１０の表面に拡散させて前記したｎドープ領域１４とｐドープ領域１６を形成する。
基板表面の酸化層（ガラス）３６，４０を全て除去し、
【００３１】尚、以下の説明において「上述のように構成された基板」とは、それ以前の工程での処理が行われた基板を意味するものとする。
【００３２】次いで、Ｓ１４に進み、例えばアルミニウムをスパッタさせて第１の金属層２４を第２の保護層２０の全面にわたって厚さ２から４μｍで堆積させ、図３（ｄ）に示す如く、全てのｎドープ領域１４とｐドープ領域１６を接続（導通）する。次いで、第１の金属層２４に、図４（ａ）に示す如く、ドープ領域１４，１６がそれぞれ独立した接点を備えるようにパターン処理およびエッチング処理を行う。」
　
（ｃ）「【００３８】図２の製造工程の説明に戻ると、第１の金属層２４をパターン処理した後、Ｓ１６に進み、図４（ｂ）に示す如く、ポリイミド（例えば日立製PiX3400 （商標））からなる絶縁体層２６を約５μｍの厚さとなるように第１の金属層２４の上に付着させる（コーティングする）。
【００３９】次いで予備加熱（予備硬化）を行って付着させ（コーティングし）たポリイミドの中の溶剤を除去した後、絶縁体層２６をパターン処理し、図４（ｃ）に示す如く、開口窓４４を穿設する。より具体的には、フォトレジスト（例えば、Shipley 1813（商標））の薄膜を形成し、フォトリソグラフィマスク（図示せず）を介してフォトレジスト膜に紫外線を露光させる。
【００４０】次いで、現像液（例えばShipley M319（商標））を用いてフォトレジスト膜を現像する。この現像処理でポリイミドもエッチングされる。次いで、溶剤（例えば酢酸ｎ−ブチル）を加えてフォトレジスト膜を除去する。このとき、必要なポリイミドのパターン部分を除去しないようにする。尚、酢酸セロソルブなどの他の溶剤を用いても良い。
【００４１】図２フロー・チャートにおいて、次いでＳ１８に進み、上述のように構成された基板１０を炉の中で加熱し、ポリイミドからなる絶縁体層２６を硬化させる。より具体的には、上述のように構成された基板１０を（大気中あるいは窒素雰囲気において）１２０°Ｃで３０分間加熱し、さらに２００°Ｃで３０分間加熱し、さらに３５０°Ｃで１時間加熱する。
【００４２】次いでＳ２０に進み、上述のように構成された基板１０を（大気中あるいは窒素雰囲気において）一層高い温度である４００°Ｃで３０分間、追加的に加熱する。この追加的な加熱により、ポリイミドからなる絶縁体層２６は十分に硬化させられて収縮し、開口窓４４の縁部は丸みを帯びた滑らかな形状を呈するようになる。即ち、絶縁体層２６を、比較的、平坦化した形状にすることができる。
【００４３】尚、Ｓ２０の追加的な硬化処理における温度および時間は例示であり、それらはポリイミドの種類あるいは特性ならびに絶縁体層２６の厚さによって異なる。発明者達が知見した限り、４００°Ｃで加熱時間を１時間まで延長したところ、依然、所期の結果を得ることができたが、温度を５００°Ｃまで昇温したところ、絶縁体層２６が硬化し過ぎて絶縁体層２６にクラックが生じた。
【００４４】次いでＳ２２に進み、アルミニウム／クロム／ニッケル／銅の（厚さ約１から２μｍの）多層金属層からなる第２の金属層２８を第２の絶縁体層２６および第１の金属層２４に堆積させ、図４（ｄ）に示す如く、第２の金属層２８の中のアルミニウム層とアルミニウムからなる第１の金属層２４のアルミニウムを焼鈍して接合させる。」
　
（ｄ）「【００５２】図６を参照して第２の実施の形態を説明すると、
製造工程はＳ１００で開始し、Ｓ１０２まで第１の実施の形態と同様の処理を行った後、
第１の金属層２４を堆積させた後、ドープ領域１４，１６がそれぞれ独立した設定を備えるよう、パターン処理およびエッチング処理を行う。
ポリイミド（例えば日立製PiX3400 （商標））からなる第１の絶縁体層２６ａを約２から４μｍの厚さとなるように第１の金属層２４の上に付着させる（コーティングする）。
【００５３】次いで予備加熱（予備硬化）を行ってポリイミド中の溶剤を除去した後、
第１の絶縁体層２６ａをパターン処理して開口窓４４を穿設する。より具体的には、第１の実施の形態と同様に、フォトレジスト（例えば、Shipley 1813（商標））の薄膜をポリイミド層２６の上に形成し、フォトリソグラフィマスク（図示せず）を介して紫外線をフォトレジスト膜に露光させる。
【００５４】次いで、
現像液（例えばShipley M319（商標））を用いてフォトレジスト膜を現像すると共に、ポリイミドをエッチングする。
【００５５】次いでＳ１０８に進み、上述のように構成された基板１０を炉の中で加熱し、ポリイミドからなる第１の絶縁体層２６ａを硬化させる。より具体的には、上述のように構成された基板１０を（大気中あるいは窒素雰囲気において）１２０°Ｃで３０分間加熱し、さらに２００°Ｃで３０分間加熱し、さらに３５０°Ｃで１時間加熱する。
【００５６】尚、Ｓ１０８で行われる処理は追加的なものであり、省略しても良い。
【００５７】次いでＳ１１０に進み、同様にポリイミドからなる第２の絶縁体層２６ｂを第１の絶縁体層２６ａの上に付着させる（コーティングする）。このとき、第２の絶縁体層２６ｂは、第１の絶縁体層２６ａの付着（コーティング）速度に比して高い速度で（即ち、より短い時間で）付着させる（コーティングする）。第２の絶縁体層２６ｂに使用する素材は第１の絶縁体層２６ａと同一であるが、第２の絶縁体層２６ｂは粘度が小さい（薄い）素材を用い、約１μｍの薄いポリイミド層を形成する。次いで、図７（ｂ）に示すように第２の絶縁体層２６ｂを第１の絶縁体層２６ａと同様にパターン処理およびエッチング処理すると共に、開口窓４４を穿設する。
【００５８】ただし、第２の絶縁体層２６ｂは、第１の金属層２４の頂部２４０を僅かに超えるようにする。このように、第１の絶縁体層２６ａと第２の絶縁体層２６ｂを、図７（ｃ）に示す如く、開口窓４４が穿設されるようにパターン処理およびエッチング処理する。
【００５９】次いでＳ１１２に進み、第１の絶縁体層２６ａと同様の手順で、第２の絶縁体層２６ｂを硬化させる。
【００６０】次いでＳ１１４に進み、第１の実施の形態において使用したのと同様の（厚さ約１から２μｍの）多層金属層からなる第２の金属層２８を第２の絶縁体層２６ｂおよび第１の金属層２４の上に堆積させ、図７（ｄ）に示す如く、第２の金属層２８の中のアルミニウム層と第１の金属層２４のアルミニウムを焼鈍して接合させる。
【００６１】上記したように、第２の実施の形態においてはポリイミドを２層に分けて付着させる（コーティングする）ように構成したので、基板表面に所望の厚さのポリイミド層を形成するのが容易となる。その結果、縁部の隆起を低減させて絶縁体層を一層良く平坦化させることができ、ボイドを減少させると共に、電極基板１００へのストレスも軽減させて、半田疲労に対する信頼性を向上させることができる。」
　
（ｅ）「【図２】
　
　【図３】
　
　【図４】
　
　【図６】
　
　【図７】
　
　
 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」 
　
（ｆ）上記（ｅ）の【図４】（ｃ）の記載から、第１の絶縁体層２６ａに複数の開口窓４４が穿設されることは明らかである。
　
　すると、上記引用文献１の記載事項から、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「基板１０に酸化珪素からなる第１の保護層１８が形成されると共に、第１の保護層１８の上に窒化珪素からなる第２の保護層２０を形成し、第１および第２の保護層１８，２０に開口窓３４を穿設して基板１０の表面を露出させ、燐でドープされたガラス３６を第２の保護層２０に付着させると共に、開口窓３４に充填し、
最初に穿設した第１群の開口窓３４の間に第２群の開口窓３８をそれぞれ穿設し、ホウ素でドープされたガラス４０を基板１０の表面に付着させると共に、第２群の開口窓３８に充填し、ドープされたガラス３６，４０のドーパントを基板１０の表面に拡散させてｎドープ領域１４とｐドープ領域１６を形成し、
基板表面のガラス３６，４０を全て除去し、
第１の金属層２４を堆積させた後、
ドープ領域１４，１６がそれぞれ独立した設定を備えるよう、パターン処理およびエッチング処理を行い、
ポリイミドからなる第１の絶縁体層２６ａを第１の金属層２４の上に付着させ、
第１の絶縁体層２６ａをパターン処理して開口窓４４を穿設する、より具体的には、フォトレジストの薄膜をポリイミド層２６の上に形成し、フォトリソグラフィマスクを介して紫外線をフォトレジスト膜に露光させ、現像液を用いてフォトレジスト膜を現像すると共に、ポリイミドをエッチングして複数の開口窓４４を穿設する、ことを含むソーラーセルの製造方法」
　
（２）引用文献２
　拒絶理由、拒絶査定及び前置報告に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００２−１５８２４８号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は当審で付した。）
　
（ａ）「【００５７】半導体チップ１０におけるパッド１２が形成された面には、絶縁膜１４が形成されている。絶縁膜１４は、各パッド１２を覆って形成されている。本実施の形態では絶縁膜１４は、単一層から形成されているが、後述する例に示すように複数層から形成されてもよい。また、絶縁膜１４の厚さは必要に応じて自由に決めることができる。絶縁膜１４は、一般的なパッシベーション膜であってもよい。
絶縁膜１４は、例えば、ＳｉＯ
２
、ＳｉＮ又はポリイミド樹脂などで形成することができる。
【００５８】図２（Ａ）に示すように、レジスト層２０を形成する。
半導体チップ１０のパッド１２の形成された面に、すなわち絶縁膜１４上に、レジスト層２０を形成する。レジスト層２０は、パッド１２の上方に貫通穴２２を有する。
【００５９】あるいは、非感光性のレジスト層２０をエッチングして貫通穴２２を形成してもよい。また、
レジスト層２０は、スクリーン印刷又はインクジェット方式を適用して形成してもよい。
【００６０】貫通穴２２は、パッド１２の外周を超えない形状で形成することが好ましい。これによって、狭ピッチで設けられた複数のパッド１２のそれぞれに、バンプを形成することができる。また、貫通穴２２は、半導体チップ１０の面に対して垂直に立ち上がる壁面にて形成されることが好ましい。こうすることで、垂直に立ち上がるバンプを形成することができる。なお、貫通穴２２の平面形状は、例えば円形又は矩形であってもよく限定されない。
【００６１】図２（Ｂ）に示すように、レジスト層２０をマスクとして、貫通穴２２内の絶縁膜１４の部分を除去して、パッド１２の少なくとも一部を露出させる開口部１６を形成する。開口部１６は、エッチングによって形成することができる。エッチングの手段は、化学的、物理的又はこれらの性質を組み合わせて利用したもののいずれであっても構わない。また、エッチングの特性は、等方性又は異方性のいずれであってもよい。後述するように、あらゆる方向に等しくエッチングされる等方性のエッチングであっても、本発明を適用することができる。」
　
（ｂ）「【００８３】本実施の形態では、図７（Ａ）に示すように、
絶縁膜１５が形成された半導体チップ１０を用意する。
絶縁膜１５は、単一層から形成されてもよく、複数層から形成されてもよい。
絶縁膜１５は、上層５０及び下層６０から形成されてもよい。
下層６０は、パッド１２の中央部に開口部６２を有し、半導体チップ１０の面からパッド１２の端部を覆うように形成される。また、上層５０は、下層６０及びパッド１２の中央部上に形成される。
【００８４】図７（Ａ）に示すように、
半導体チップ１０の絶縁膜１５上に、貫通穴２２を有するレジスト層２０を形成する。
　
（ｃ）「【図２】
　
　【図７】
　
　
 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」 
　
　すると、上記引用文献２の記載事項から、引用文献２には、
　
「絶縁膜１５が形成された半導体チップ１０を用意し、絶縁膜１５は、上層５０及び下層６０から形成され、下層６０は、パッド１２の中央部に開口部６２を有し、半導体チップ１０の面からパッド１２の端部を覆うように形成され、上層５０は、下層６０及びパッド１２の中央部上に形成され、絶縁膜１５上に、貫通穴２２を有するレジスト層２０を形成し、絶縁膜１４は、例えば、ＳｉＯ２、ＳｉＮ又はポリイミド樹脂などで形成することができ、レジスト層２０は、スクリーン印刷又はインクジェット方式を適用して形成してもよい、という技術事項」（以下「引用文献２の技術事項」という。）が記載されている。
　
（３）引用文献３
　前置報告に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００６−１２４８０５号公報（以下「引用文献３」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は当審で付した。）
　
（ａ）「【００２６】
  以下、図面に示した実施の形態に基づいて、本発明を詳細に説明する。
  最初に、本発明の第一の実施の形態による箔の製造方法について、図１に模式的に示す部分斜視図を参照して説明する。
  図示するように、
箔２には、インクジェット方式を用いた印刷機により、網目状のマスクパターン３が印刷される。網目状のマスクパターンにおいて、丸状の孔部分が、インクが印刷されていない開口部３ａとなっている。
  ここで、インクは、後述する箔２のエッチングに用いる薬品にはエッチングされない材料からなっており、熱あるいは紫外線により硬化する樹脂、半重合体、モノマーのいずれかあるいは複数を含むインク、または無機系のゾル分散液を用いることが好ましい。
　なお、本発明においては、マスクは、インクが印刷されたマスクパターン３とインクが印刷されない開口部３ａとから構成されているが、インクが印刷された部分を、適宜マスクパターン３と呼ぶことにする。」
　
（ｂ）「【図１】
　
　
 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」 
　
　すると、上記引用文献３の記載事項から、引用文献３には、
 
「箔２には、インクジェット方式を用いた印刷機により、網目状のマスクパターン３が印刷され、網目状のマスクパターンにおいて、丸状の孔部分が、インクが印刷されていない開口部３ａとなっている、という技術事項」（以下「引用文献３の技術事項」という。）が記載されている。
　
（４）引用文献４
　前置報告に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００４−２０９８８７号公報（以下「引用文献４」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は当審で付した。）
　
（ａ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、媒体に液体を吐出する液体吐出装置に関する。また、このような液体吐出装置を用いた液体吐出方法、プログラム及びコンピュータシステムに関する。
【０００２】
【従来技術】
紙、布、フィルム等の各種の媒体に画像を印刷する印刷装置として、インクを吐出して印刷を行うインクジェットプリンタが知られている。このようなインクジェットプリンタでは、ノズルからインクを吐出する印刷動作（吐出動作）と、媒体を搬送方向に移動させる搬送動作（移動動作）と、を交互に繰り返し、印刷を行っている。」
　
（ｂ）「【００２１】
＜バンディングについて＞
図１３Ａは、印刷用紙に形成されたドット列（ラスタラインとも言う）の説明図である。同図において、紙などの媒体である印刷用紙には、バンド印刷方式によりドット列が形成されている。「バンド印刷方式」とは、１回のパスによって連続するドット列を形成する印刷方式である。「パス」とは、ヘッドが走査方向に移動し、移動中に間欠的にインクを吐出する動作をいう。」
　
（ｃ）「【０１１６】
図２４は、印刷用紙Ｐに形成されたドット列の説明図である。図１３Ａの場合と比較すると、８０％の画素にドットが形成されている点で同じだが、印刷用紙に形成されるドットの径が小さい。同図と図１３Ａとを比較して分かる通り、吐出されるインク滴が小さければ（印刷用紙Ｐに形成されるドットが小さければ）、ドット列間で混ざるインクの量は少なくなる。また、吐出されるインク滴が小さければ（印刷用紙Ｐに形成されるドットが大きければ）、ドット列間で混ざるインクの量は多くなる。このように、インクの混ざり具合は、ノズルから吐出されるインク滴の大きさによって異なる。」
　
（ｄ）「【０１３０】
図２６は、疑似バンド印刷方式により形成されたドット列の説明図である。「疑似バンド印刷方式」とは、複数回のパス（印刷動作）によって連続するドット列が完成する印刷方式である。本実施形態では、２回のパスによって連続するドット列が完成する。ノズルの間隔が１８０ｄｐｉなので、印刷用紙に形成されるドット列の間隔Ｄは、３６０ｄｐｉになる。」
　
（ｅ）「【図１３】
　
　【図２４】
　
　【図２６】
　
　
 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」 
　
（ｆ）上記（ｂ）〜（ｄ）の記載から、（ｅ）の図１３、図２４及び図２６には、液体吐出装置により形成されたドット列が図示されており、それらの図示内容からは、インクが吐出されなかった領域にドットが形成されないドット列における開口部分が存在することが見て取れる。
　
　すると、上記引用文献４の記載事項から、引用文献４には、
　
「液体吐出装置により形成されたドット列において、インクが吐出されなかった領域にドットが形成されないドット列における開口部分が存在する、という技術事項」（以下「引用文献４の技術事項」という。）が記載されている。
　
（５）対比
　本件補正発明１と引用発明を対比する。
　
（ａ）引用発明の「基板１０」、「第１の絶縁体層２６ａ」、「ソーラーセルの製造方法」は、それぞれ、本件補正発明１の「ウエハ」、「第２の誘電層」、「太陽電池の製造方法」に相当する。
　
（ｂ）引用発明の「基板１０」は、「基板１０の表面に拡散させてｎドープ領域１４とｐドープ領域１６を形成」することでソーラーセルの一構成要素に加工されることは明らかであるから、「表面に拡散させてｎドープ領域１４とｐドープ領域１６を形成」する「基板１０」は、本件補正発明１の「太陽電池へと加工されるウェハ」に相当する。
　
（ｃ）引用発明の「酸化珪素からなる第１の保護層１８」及び「窒化珪素からなる第２の保護層２０」はいずれも誘電体で形成された膜であるから、引用発明の「第１および第２の保護層１８，２０」は、本件補正発明１の「第１の誘電層」に相当する。
　また、引用発明の「基板１０に酸化珪素からなる第１の保護層１８が形成されると共に、第１の保護層１８の上に窒化珪素からなる第２の保護層２０を形成」する構成は、本件補正発明１の「ウェハ上に第１の誘電層を形成」する構成に相当する。
　
（ｄ）引用発明の「第１の絶縁体層２６ａ」は、「第１および第２の保護層１８，２０に開口窓３４を穿設して基板１０の表面を露出させ、燐でドープされたガラス３６を第２の保護層２０に付着させると共に、開口窓３４に充填し、最初に穿設した第１群の開口窓３４の間に第２群の開口窓３８をそれぞれ穿設し、ホウ素でドープされたガラス４０を基板１０の表面に付着させると共に、第２群の開口窓３８に充填し、ドープされたガラス３６，４０のドーパントを基板１０の表面に拡散させてｎドープ領域１４とｐドープ領域１６を形成し、基板表面のガラス３６，４０を全て除去し、第１の金属層２４を堆積させた後、ドープ領域１４，１６がそれぞれ独立した設定を備えるよう、パターン処理およびエッチング処理を行い、ポリイミドからなる第１の絶縁体層２６ａを第１の金属層２４の上に付着させ、第１の絶縁体層２６ａをパターン処理して複数の開口窓４４を穿設する」ことで形成されたものであり、パターン処理された第１の金属層２４の間の「第１および第２の保護層１８，２０」の上に複数形成されていることは明らかであるから、「第１および第２の保護層１８，２０に開口窓３４を穿設して基板１０の表面を露出させ、燐でドープされたガラス３６を第２の保護層２０に付着させると共に、開口窓３４に充填し、最初に穿設した第１群の開口窓３４の間に第２群の開口窓３８をそれぞれ穿設し、ホウ素でドープされたガラス４０を基板１０の表面に付着させると共に、第２群の開口窓３８に充填し、ドープされたガラス３６，４０のドーパントを基板１０の表面に拡散させてｎドープ領域１４とｐドープ領域１６を形成し、基板表面のガラス３６，４０を全て除去し、第１の金属層２４を堆積させた後、ドープ領域１４，１６がそれぞれ独立した設定を備えるよう、パターン処理およびエッチング処理を行い、ポリイミドからなる第１の絶縁体層２６ａを第１の金属層２４の上に付着させ、第１の絶縁体層２６ａをパターン処理して複数の開口窓４４を穿設する」ことで「第１の絶縁体層２６ａ」を形成する構成は、本件補正発明１の「第１の誘電層上に複数の第２の誘電層を形成」する構成に相当する。
　また、上記引用発明の複数形成されている「第１の絶縁体層２６ａ」に「穿設]された「複数の開口窓４４」は、本件補正発明１の「複数の第２の誘電層間の」「複数の開口」に相当する。
　
（ｅ）引用発明において、「第１の絶縁体層２６ａ」の形成後に「フォトレジスト膜」が形成されることは明らかであり、当該「フォトレジスト膜」は、「第１の絶縁体層２６ａ」に「開口窓４４を穿設する」ための開口を有することも明らかである。
　また、本件補正発明１の「複数のドット」は、「第２の誘電層」を形成した後に形成されることは明らかである。
　そのため、引用発明の「第１の絶縁体層２６ａをパターン処理して開口窓４４を穿設する、より具体的には、フォトレジストの薄膜をポリイミド層２６の上に形成し、フォトリソグラフィマスクを介して紫外線をフォトレジスト膜に露光させ、現像液を用いてフォトレジスト膜を現像すると共に、ポリイミドをエッチングして複数の開口窓４４を穿設する」構成と、本件補正発明１の「前記複数の第２の誘電層間の少なくとも複数の開口に、複数のドットをインクジェット印刷し、前記複数のドットの交差部によって形成された当該複数のドットよりも小さな領域を有する複数のギャップを形成し、該ギャップのサイズが、少なくとも（ｉ）前記複数のドットを供給する複数のインクジェットプリンタノズルの整列と、（ｉｉ）前記複数のドットのサイズと、（ｉｉｉ）いずれのノズルを使用したか、によって決定される」構成とは、「第２の誘電層を形成した後に複数のギャップを有する膜を形成する」ことで共通している。
　
（６）一致点
　してみると、両者は、
「太陽電池へと加工されるウェハ上に第１の誘電層を形成し、
前記第１の誘電層上に複数の第２の誘電層を形成することを含み、
第２の誘電層を形成した後に複数のギャップを有する膜を形成することを含み、
複数の第２の誘電層間に複数の開口を備える、
太陽電池の製造方法」
で一致し、次の点で相違する。
　
（７）相違点
　本件補正発明１では、「複数のドットをインクジェット印刷」しており、「前記複数のドットの交差部によって形成された当該複数のドットよりも小さな領域を有する複数のギャップを形成し、該ギャップのサイズが、少なくとも（ｉ）前記複数のドットを供給する複数のインクジェットプリンタノズルの整列と、（ｉｉ）前記複数のドットのサイズと、（ｉｉｉ）いずれのノズルを使用したか、によって決定され」ており、「複数のドット」が「前記複数の第２の誘電層間の少なくとも複数の開口に」印刷されているのに対し、引用発明では、「フォトレジスト膜」の成膜方法が不明であり、「フォトレジスト膜」の「開口窓４４を穿設する」ための開口がどのように形成されているか不明かつそのサイズも不明であり、引用発明には「複数のドット」の記載はなく、「複数のドット」が「前記複数の第２の誘電層間の少なくとも複数の開口に」形成されているか不明な点。
　
（８）判断
　引用文献２の技術事項及び引用文献３の技術事項のように、インクジェット方式によるレジストマスクパターン形成技術は周知の技術であり、上記周知の技術を適用することを阻害する要因もないから、引用発明の「フォトレジスト膜」を形成する技術に周知のインクジェット方式によるレジストマスクパターン形成技術を適用することで、「第１の絶縁体層２６ａ」上に「フォトレジスト膜」を「複数のドットをインクジェット印刷」して形成する構成となすことは、当業者が容易に想到し得るものである。
　しかしながら、上記周知のインクジェット方式においては、複数のドットを連ならせてパターンを形成し、ドットを形成しない領域に任意形状の開口を得ることが一般的であり、その意味では、当該開口のサイズは、インクジェットプリンタノズルの整列、ドットのサイズ、いずれのノズルを使用したかによって決定されるといえるものの、上記複数のドットを連ならせてパターンを形成し、ドットを形成しない領域に任意形状の開口を得る周知のインクジェット方式は、本件補正発明１のように「複数のドットの交差部によって形成された当該複数のドットよりも小さな領域を有する複数のギャップを形成」するものではない。
　
　また、引用文献４の技術事項は、液体吐出装置により形成されたドット列において、インクが吐出されなかった領域にドットが形成されないドット列における開口部分が存在するという、液体吐出装置における周知の技術であるところ、引用文献４の【０００２】に背景技術として記載されるように「紙、布、フィルム等の各種の媒体に画像を印刷する印刷装置として、インクを吐出して印刷を行うインクジェットプリンタ」に関するものであるから、当該周知技術においては、印刷の対象である画像をインクのドットで描画した結果として「インクが吐出されなかった領域にドットが形成されないドット列における開口部分が存在する」ものであり、開口部分を形成するためにドットが形成されない領域を設けるものではない。
　一方、本件補正発明１の「複数のドットをインクジェット印刷し、前記複数のドットの交差部によって形成された当該複数のドットよりも小さな領域を有する複数のギャップを形成し」た構成における「ギャップ」は、本願明細書の【００１７】〜【００２０】に、
「【００１７】
　図４に、本発明の態様による、ギャップ３２１と隣接するドット３０６との位置関係を図示する上面図を示す。図４の例では、コンタクトマスク４００は、ギャップ３２１が形成されるようにインクジェット印刷された複数の重ねられたドット３０６を含む。ギャップ３２１は、ドット３０６が印刷されていないエリアである。図４に示すように、各ギャップ３２１は、複数の（例えば４つの）重ねられたドット３０６の交差部によって形成さ
れていてよい。有利には、ギャップ３２１のサイズ及び位置は、ドット３０６を供給するノズルの物理的な整列によって規定し、決定することができる。例えば、ドット３０６の中心間の寸法４０１は、インクジェットノズルのピッチによって規定することができる。したがって、ギャップ間の間隔も、ドットを供給するノズルの物理的な整列によって決定される。
・・・（中略）・・・
　【００２０】
　図３Ｃへと続き、層３０４の部分を除去してその層３０４を貫通するコンタクト領域３１１を形成するために、コンタクトマスク４００が利用される。一態様では、コンタクト領域３１１は、エッチングマスクとしてコンタクトマスク４００を使用し且つ層３０５をあまり顕著にエッチングをしないエッチャントによって層３０４をエッチングすることによって形成される。例えば、二酸化シリコンを含む層３０４及びポリイミドを含む層３０
５の場合は、コンタクト領域３１１は、エッチャントとしてフッ化水素酸を使用する緩衝酸化物エッチング（ＢＯＥ）プロセスで、層３０４の露出した部分（つまりギャップ３２１の直下の部分）を湿式エッチングすることによって形成することができる。層３０５は、そのようなエッチングプロセスにおいて、エッチ停止層として働く。図３Ｃに、ＢＯＥプロセス及びそれに続くコンタクトマスク４００の除去後の図３Ｂのサンプルを示す。ホットメルト樹脂を含むコンタクトマスク４００は、水酸化カリウム（ＫＯＨ）を使用するマスクストリッププロセスで除去することができる。」
と記載されているように、エッチングマスクとして使用されるコンタクトマスクの開口部分に対応するものであり、エッチングマスクとして使用可能な開口部分として、「複数のドットの交差部によって形成された当該複数のドットよりも小さな領域を有する複数のギャップを形成」するものである。
　そのため、引用文献４の技術事項から、液体吐出装置により、インクを吐出しないことでドットが形成されない開口部分が存在するドット列を得ることが自明であるとしても、当該引用文献４の技術事項は、画像をインクのドットで描画した結果として「インクが吐出されなかった領域にドットが形成されないドット列における開口部分が存在」するものであって、「複数のドットの交差部によって形成された当該複数のドットよりも小さな領域を有する複数のギャップを形成」するようにドットを形成するものでないから、引用文献４の技術事項に基づいて、本件補正発明１のように、エッチングマスクとして使用可能な開口部分として、「複数のドットの交差部によって形成された当該複数のドットよりも小さな領域を有する複数のギャップを形成」することまで自明であるとはいえない。
　さらに、引用文献１、引用文献２〜３にも、エッチングマスクとして使用可能な開口部分として、「複数のドットの交差部によって形成された当該複数のドットよりも小さな領域を有する複数のギャップを形成」することは、記載されていない。
　
　さらに、上記のように引用発明の「フォトレジスト膜」を形成する技術に周知のインクジェット方式によるレジストマスクパターン形成技術を適用することで、「第１の絶縁体層２６ａ」上に「フォトレジスト膜」を「複数のドットをインクジェット印刷」して形成する構成となした場合であっても、本件補正発明１の「前記複数の第２の誘電層間の少なくとも複数の開口に、複数のドットをインクジェット印刷」する構成について、引用発明、引用文献２〜４のいずれにも記載はなく、当該構成が技術常識でもないから、本件補正発明１の「前記複数の第２の誘電層間の少なくとも複数の開口に、複数のドットをインクジェット印刷」する構成は、引用発明、引用文献２〜３記載の周知技術、引用文献４記載の周知技術に基づいて、容易に想到し得るものでない。
　
　したがって、引用発明、引用文献２〜３記載の周知技術、引用文献４記載の周知技術に基づいても、上記相違点１に係る構成は得られるものでない。
　
（９）結論
　してみると、本件補正発明１は、引用発明、引用文献２〜３記載の周知技術、引用文献４記載の周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえないから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとすることはできない。
　また、その他に、特許を受けることができないとする理由もない。
　
２．本件補正発明２〜７について
　本件補正発明２〜７は、いずれも、本件補正発明１の発明特定事項の全てを有するものであるため、本件補正発明１と同様、引用発明、引用文献２〜４の技術事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえないから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとすることはできない。
　また、その他に、特許を受けることができないとする理由もない。
　
３．本件補正発明８について
（１）引用文献１〜４
　引用文献１〜４の記載内容、引用発明、引用文献２〜４の記載事項は、上記「１．本件補正発明１について」の（１）〜（４）に記載したとおりである。
　
（２）引用文献５
　拒絶理由、拒絶査定及び前置報告に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００６−２６１０８９号公報（以下「引用文献５」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は当審で付した。）
　
（ａ）「【０００１】
  本発明は色素増感太陽電池素子に関する。」
　
（ｂ）「【００６４】
（実施例１）
　表面抵抗値１２Ω／ｓｑの２０ｃｍ角ＳｎＯ２：Ｆガラス（ガラス基板上にＳｎＯ２：Ｆ膜を形成した透明導電性ガラスで、ガラスの辺から約１５ｍｍの距離に１ｍｍφの開口部があるもの）上に、チタニアペーストを基板上にスクリーン印刷するために、ポリエステル２７メッシュ上に長さ１８０ｍｍ、幅９ｍｍのパターンを１ｍｍの間隔を設けて１８パターン作製した印刷版を用いてＳＯＬＡＲＯＮＩＸＳ社製のチタニアペーストＴｉ−Ｎａｎｏｘｉｄｅ Ｔ／ＳＰをスクリーン印刷法により塗布し１００℃で乾燥させた。塗布した基板を、５００℃で３０分焼成した。焼成後のチタニア半導体層の膜厚を触針式膜厚計で計測したところ１２μｍであることが分かった。次にチタニアを印刷していない１ｍｍ幅の部分に０．５ｍｍ幅で銀ペーストをスクリーン印刷して１２０℃で乾燥後、熱処理温度５５０℃で１０分間焼成しバスバー層を作製した。得られたバスバー層の膜厚は８μｍで比抵抗を測定した結果、５μΩ・ｃｍであった。
【００６５】
　このバスバー層上に第１保護層としてガラスペースト材料を０．７ｍｍ幅でスクリーン印刷して１２０℃で乾燥後、５５０℃で１０分焼成した。この操作を２回繰り返して第１保護層を作製した。得られた膜厚は１７μｍであった。
　次に第２保護層として
ポリイミド樹脂材料を０．７ｍｍ幅でスクリーン印刷
　得られた基板に下記式（１）で示されるルテニウム色素／エタノール溶液（３．０×１０−４ｍｏｌ／Ｌ）を１５時間浸し、色素を吸着させた。
　また触媒電極基板として、２０ｃｍ角チタン板上に膜厚３０ｎｍでＰｔを成膜した。
【００６６】
　これらのように作製したチタニア電極基板および触媒電極基板を５０μｍの間隔を隔てて対向させ、これら基板間の周縁部を全てシール剤を用いて接着し、セル断面ではなくセル表面に電解液注入口を備える２０×２０ｃｍサイズのセルを組み立てた。
　次に電解質として０．５ｍｏｌ／Ｌのヨウ化リチウ．０５ｍｏｌ／Ｌのヨウ素と０．５ｍｏｌ／Ｌの４−ｔ−ブチルピリジンを含むメトキシプロピオニトリル電解液を真空注入法によりセル内に注入し、注入口を封止した。
　上記操作を繰返すことにより２０ｃｍ角セルを５セル作製した。
　このようにして得られたセルにＡＭ１．５Ｇの疑似太陽光を照射し、電流電圧特性を測定し、その結果を表１に示した。
　作製した５セルの太陽電池性能（変換効率）の変動幅は０．３％であった。」
　
　すると、上記引用文献５の記載事項から、引用文献５には、
 
「ポリイミド樹脂材料を０．７ｍｍ幅でスクリーン印刷する、という技術事項」（以下「引用文献５の技術事項」という。）が記載されている。
　
（３）引用文献６
　拒絶理由、拒絶査定及び前置報告に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００３−２９８０７８号公報（以下「引用文献６」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は当審で付した。）
　
（ａ）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光入射面と反対の面にＰＮ接合と正負の電極を配置した裏面接合型太陽電池等の光起電力素子に関するものである。」
　
（ｂ）「【００２１】次に、図６を参照して本発明の光起電力素子の製造方法について説明する。まず、図６（ａ）に示すように、Ｎ型の単結晶または多結晶シリコン基板１１を準備する。これは、上述したようにデンドリックウェブ結晶またはリボン多結晶を用いることができる。そして、次に洗浄を行い表面に付着した酸化膜等を除去し、表面を清浄な状態にする。次に、図６（ｂ）に示すように、触媒ＣＶＤにより非結晶真性シリコン膜１２，２０を基板１１の表裏両面に形成する。この厚さは、０．１ｎｍ以上５０ｎｍ以下が好ましいが、一例として１０ｎｍ程度に形成する。この非結晶真性シリコン膜の形成条件の一例は、次のとおりである。
ガス流量：ＳｉＨ４＝２０ｓｃｃｍ
ガス比：ＳｉＨ４／Ｈ２＝１：１０
成膜圧力：１Ｐａ
基板温度：２５０℃
フィラメント温度：１８００℃
【００２２】次に、図６（ｃ）に示すように、触媒ＣＶＤにより非結晶導電性シリコン層１３を形成する。ここで導電性シリコン層１３はＰ型であり、例えば膜厚を３０ｎｍ程度とする。このＰ型非結晶シリコン層は、
ガス流量：ＳｉＨ４＝２０ｓｃｃｍ、Ｂ２Ｈ６＝１ｓｃｃｍ（１％、Ｈ２希釈）、
ガス比：ＳｉＨ４／Ｈ２＝１：１０、
成膜圧力：１Ｐａ、
基板温度：２５０℃、
フィラメント温度：１８００℃、
により形成している。
【００２３】次に、図６（ｄ）に示すようにＮ型の非結晶導電性シリコン層１４を形成する。これも同様にメタルマスクを用いて導電性シリコン層１３の間に櫛の歯状に間挿するように多数の平行パターンを形成する。膜厚は例えば３０ｎｍ程度である。この条件は、
ガス流量：ＳｉＨ４＝２０ｓｃｃｍ、ＰＨ３＝１ｓｃｃｍ（１％、Ｈ２希釈）、
ガス比：ＳｉＨ４／Ｈ２＝１：１０、
成膜圧力：１Ｐａ、
基板温度：２５０℃、
フィラメント温度：１８００℃、
により形成している。
【００２４】次に、図６（ｅ）に示すように、保護膜１７を形成する。これは、例えば
ポリイミド樹脂ペーストをスクリーン印刷法等により
形成する。
　
（ｃ）「【図６】
　
　
 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」 
　
　すると、上記引用文献６の記載事項から、引用文献６には、
　
「ポリイミド樹脂ペーストをスクリーン印刷法等により形成する、という技術事項」（以下「引用文献６の技術事項」という。）が記載されている。
　
（４）対比
　本件補正発明８と引用発明を対比する。
（ａ）引用発明の「ｎドープ領域１４とｐドープ領域１６」、「基板１０」、「第１および第２の保護層１８，２０」、「第１の絶縁体層２６ａ」、「ソーラーセルの製造方法」は、それぞれ、本件補正発明８の「複数の拡散領域」、「太陽電池ウェハ」、「第１の誘電層」、「第２の誘電層」、「太陽電池の製造方法」に相当する。
　
（ｂ）引用発明の「ドープされたガラス３６，４０のドーパントを基板１０の表面に拡散させてｎドープ領域１４とｐドープ領域１６を形成し」た「基板１０」と、本件補正発明８の「互いに隣接する複数の拡散領域を有する太陽電池ウェハ」とは、「複数の拡散領域を有する太陽電池ウェハ」で共通する。
　
（ｃ）引用発明の「基板１０に酸化珪素からなる第１の保護層１８が形成されると共に、第１の保護層１８の上に窒化珪素からなる第２の保護層２０を形成」する構成は、本件補正発明８の「太陽電池ウェハ上に第１の誘電層を形成」する構成に相当する。
　
（ｄ）引用発明の「第１の絶縁体層２６ａ」は、「第１および第２の保護層１８，２０に開口窓３４を穿設して基板１０の表面を露出させ、燐でドープされたガラス３６を第２の保護層２０に付着させると共に、開口窓３４に充填し、最初に穿設した第１群の開口窓３４の間に第２群の開口窓３８をそれぞれ穿設し、ホウ素でドープされたガラス４０を基板１０の表面に付着させると共に、第２群の開口窓３８に充填し、ドープされたガラス３６，４０のドーパントを基板１０の表面に拡散させてｎドープ領域１４とｐドープ領域１６を形成し、基板表面のガラス３６，４０を全て除去し、第１の金属層２４を堆積させた後、ドープ領域１４，１６がそれぞれ独立した設定を備えるよう、パターン処理およびエッチング処理を行い、ポリイミドからなる第１の絶縁体層２６ａを第１の金属層２４の上に付着させ、第１の絶縁体層２６ａをパターン処理して複数の開口窓４４を穿設する」ことで形成されたものであり、パターン処理された第１の金属層２４の間の「第１および第２の保護層１８，２０」の上に複数形成されていることは明らかであるから、「第１および第２の保護層１８，２０に開口窓３４を穿設して基板１０の表面を露出させ、燐でドープされたガラス３６を第２の保護層２０に付着させると共に、開口窓３４に充填し、最初に穿設した第１群の開口窓３４の間に第２群の開口窓３８をそれぞれ穿設し、ホウ素でドープされたガラス４０を基板１０の表面に付着させると共に、第２群の開口窓３８に充填し、ドープされたガラス３６，４０のドーパントを基板１０の表面に拡散させてｎドープ領域１４とｐドープ領域１６を形成し、基板表面のガラス３６，４０を全て除去し、第１の金属層２４を堆積させた後、ドープ領域１４，１６がそれぞれ独立した設定を備えるよう、パターン処理およびエッチング処理を行い、ポリイミドからなる第１の絶縁体層２６ａを第１の金属層２４の上に付着させ、第１の絶縁体層２６ａをパターン処理して複数の開口窓４４を穿設する」ことで「第１の絶縁体層２６ａ」を形成する構成は、本件補正発明８の「第１の誘電層上」「に複数の第２の誘電層を形成」する構成に相当する。
　また、上記引用発明の複数形成されている「第１の絶縁体層２６ａ」に「穿設]された「複数の開口窓４４」は、本件補正発明８の「複数の第２の誘電層の」「誘電層の間の開口」に相当する。
　
（ｅ）引用発明において、「第１の絶縁体層２６ａ」の形成後に「フォトレジスト膜」が形成されることは明らかであり、当該「フォトレジスト膜」は、「第１の絶縁体層２６ａ」に「開口窓４４を穿設する」ための開口を有することも明らかである。
　また、本件補正発明８の「複数のドット」は、「第２の誘電層」を形成した後に形成されることは明らかである。
　そのため、引用発明の「第１の絶縁体層２６ａをパターン処理して開口窓４４を穿設する、より具体的には、フォトレジストの薄膜をポリイミド層２６の上に形成し、フォトリソグラフィマスクを介して紫外線をフォトレジスト膜に露光させ、現像液を用いてフォトレジスト膜を現像すると共に、ポリイミドをエッチングして開口窓４４を穿設する」構成と、本件補正発明８の「前記複数の第２の誘電層のうちの少なくとも２つの誘電層の間の開口に、複数のドットを印刷し、前記複数のドットが、当該複数のドットよりも小さな領域を有する複数のギャップを形成するコンタクトマスクを形成し、前記複数のギャップのそれぞれが、前記複数のドットにおいて重ねられた複数のドットの交差部によって画定され」る構成とは、「第２の誘電層」を形成した後に複数のギャップを有するコンタクトマスクを形成することで共通している。
　
（ｆ）引用発明の「第１および第２の保護層１８，２０に開口窓３４を穿設して基板１０の表面を露出させ、」「最初に穿設した第１群の開口窓３４の間に第２群の開口窓３８をそれぞれ穿設」する構成と、本件補正発明８の「前記第１の誘電層の、前記複数のギャップを通って露出している複数の部分をエッチングし、複数のコンタクト領域を形成して、前記太陽電池の前記複数の拡散領域を露出させる」構成とは、「前記第１の誘電層の、複数の部分をエッチングし、複数のコンタクト領域を形成」することで一致する。
　
（５）一致点
　してみると、両者は、
「太陽電池ウェハ上に第１の誘電層を形成し、
前記第１の誘電層上に複数の第２の誘電層を形成し、
第２の誘電層を形成した後に複数のギャップを有するコンタクトマスクを形成することを含み、
前記第１の誘電層の、複数の部分をエッチングし、複数のコンタクト領域を形成することを含み、
太陽電池ウェハが複数の拡散領域を有し、複数の第２の誘電層間に複数の開口を備える、
太陽電池の製造方法」
で一致し、次の各点で相違する。
　
（６）相違点
（ａ）相違点１
　本件補正発明８では、「互いに隣接する複数の拡散領域を有する太陽電池ウェハ上に第１の誘電層を形成し」ているのに対し、引用発明では、「第１および第２の保護層１８，２０」の形成後に「ｎドープ領域１４とｐドープ領域１６」が形成されるものであり、さらに「ｎドープ領域１４とｐドープ領域１６」が隣接していない点。
　
（ｂ）相違点２
　本件補正発明８では、「前記第１の誘電層上であって、一対の隣接する前記複数の拡散領域の境界の上に複数の第２の誘電層を形成し」ているのに対し、引用発明では、「第１および第２の保護層１８，２０」の上に複数の「第１の絶縁体層２６ａ」が形成されるものの、「ｎドープ領域１４とｐドープ領域１６」の境界の上ではない点。
　
（ｃ）相違点３
　本件補正発明８では、「複数のドットを印刷し」ており、「前記複数のドットが、当該複数のドットよりも小さな領域を有する複数のギャップを形成するコンタクトマスクを形成し、前記複数のギャップのそれぞれが、前記複数のドットにおいて重ねられた複数のドットの交差部によって画定され」ており、「複数のドット」が「前記複数の第２の誘電層のうちの少なくとも２つの誘電層の間の開口に」印刷されているのに対し、引用発明では、「フォトレジスト膜」の成膜方法が不明であり、「フォトレジスト膜」の「開口窓４４を穿設する」ための開口がどのように形成されているか不明であり、引用発明には「複数のドット」の記載はなく、「複数のドット」が「前記複数の第２の誘電層間の少なくとも複数の開口に」形成されているか不明な点。
　
（ｄ）相違点４
　本件補正発明８では、「前記第１の誘電層の、前記複数のギャップを通って露出している複数の部分をエッチングし、複数のコンタクト領域を形成して、前記太陽電池の前記複数の拡散領域を露出させ」ているのに対して、引用発明では、「第１および第２の保護層１８，２０に開口窓３４を穿設して基板１０の表面を露出させ」ており、拡散領域が露出されるものではない点。
　
（７）判断
（ａ）相違点１、相違点２及び相違点４について
　引用発明において、拡散領域を隣接するように形成するか、間隔が空くよう形成するかは、当業者が適宜選択し得るものといえる。この場合、「ドープ領域１４，１６がそれぞれ独立した設定を備えるよう、パターン処理およびエッチング処理」された「第１の金属層２４」の間に位置した「第１の絶縁体層２６ａ」は、「ドープ領域１４，１６」の境界上に位置することになるから、引用発明において上記相違点２に係る構成となすことは、当業者が容易に想到し得るものである。
　しかしながら、引用発明は、「基板１０に酸化珪素からなる第１の保護層１８が形成されると共に、第１の保護層１８の上に窒化珪素からなる第２の保護層２０を形成し、第１および第２の保護層１８，２０に開口窓３４を穿設して基板１０の表面を露出させ、燐でドープされたガラス３６を第２の保護層２０に付着させると共に、開口窓３４に充填し、
最初に穿設した第１群の開口窓３４の間に第２群の開口窓３８をそれぞれ穿設し、ホウ素でドープされたガラス４０を基板１０の表面に付着させると共に、第２群の開口窓３８に充填し、ドープされたガラス３６，４０のドーパントを基板１０の表面に拡散させてｎドープ領域１４とｐドープ領域１６を形成」するものであって、引用文献１には、上記引用発明の構成に換えて「ｎドープ領域１４とｐドープ領域１６を形成」した「基板１０に酸化珪素からなる第１の保護層１８が形成されると共に、第１の保護層１８の上に窒化珪素からなる第２の保護層２０を形成」する構成とすることの記載も示唆もなく、引用文献２〜６にも「互いに隣接する複数の拡散領域を有する太陽電池ウェハ上に第１の誘電層を形成」することは記載されていないため、引用発明において、上記相違点１に係る構成となすことは、容易に想到し得るものでない。
　そのため、引用発明において、「第１および第２の保護層１８，２０に開口窓３４を穿設して基板１０の表面を露出させ」ることで、「ｎドープ領域１４とｐドープ領域１６」を露出させる構成、すなわち上記相違点４に係る構成についても、容易に想到し得るものでない。
　したがって、引用発明、引用文献２〜３記載の周知技術、引用文献４記載の周知技術、及び、上記引用文献５〜６の技術事項であるポリイミド樹脂材料をスクリーン印刷する技術に基づいても、上記相違点１及び相違点４に係る構成は得られるものでない。
　
（ｂ）相違点３について
　相違点３は、上記「１．本件補正発明１について」「（７）」に記載した相違点と同様のものであり、当該相違点３についても上記「１．本件補正発明１について」「（８）」に記載した判断と同様に、引用発明、引用文献２〜３記載の周知技術、引用文献４記載の周知技術に基づいて、相違点３に係る構成が得られるものでない。
　また、上記引用文献５〜６の技術事項であるポリイミド樹脂材料をスクリーン印刷する技術に基づいても、相違点３に係る構成が得られるものでない。
　したがって、引用発明、引用文献２〜３記載の周知技術、引用文献４記載の周知技術、及び、上記引用文献５〜６の技術事項であるポリイミド樹脂材料をスクリーン印刷する技術に基づいても、上記相違点３に係る構成は得られるものでない。
　
（８）結論
　してみると、本件補正発明８は、引用発明、引用文献２〜３記載の周知技術、引用文献４記載の周知技術、引用文献５〜６の技術事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえないから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとすることはできない。
　また、その他に、特許を受けることができないとする理由もない。
　
４．本件補正発明９〜１０について
　本件補正発明９〜１０は、いずれも、本件補正発明８の発明特定事項の全てを有するものであるから、本件補正発明８と同様、引用発明、引用文献２〜３記載の周知技術、引用文献４記載の周知技術、引用文献５〜６の技術事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえないから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとすることはできない。
　また、その他に、特許を受けることができないとする理由もない。
　
５．小括
　以上のとおり、本件補正発明１〜１０は、前置報告のように特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとすることはできず、その他に、特許を受けることができないとする理由もないから、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものとすることはできない。
　
　
第３　拒絶査定について
　拒絶査定の理由により、本願は拒絶すべきものであるか否かを検討する。
　
　上述のとおり、本件補正は却下すべきものとすることはできないから、本願の特許請求の範囲の請求項１〜１０に係る発明は、本件補正発明１〜１０である。
 
　そして、上述のとおり、本件補正発明１〜７は、引用発明、引用文献２〜４の技術事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえず、また、本件補正発明８〜１０は、引用発明、引用文献２〜６の技術事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえず、本件補正発明１〜１０は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとすることはできないから、拒絶査定の理由により、本願は拒絶すべきものであるとすることはできない。
　
　
第４　むすび
　したがって、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。