【事件の表示】
　平成　２年特許願第４０６５９８号「炭化珪素を用いたｐｎ接合型発光ダイオード」拒絶査定に対する審判事件［平成　４年　３月　５日出願公開、特開平　４−　７１２７８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【1】手続の経緯・本願発明 
　本願は平成２年１２月２６日に出願されたものであり、本願の請求項１−６に係る発明は、平成１１年８月２７日付け、平成１３年２月２６日付け及び平成１３年１０月９日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項1に係る発明(以下、「本願発明」という。)は以下のものである。
「炭化珪素を用いたｐｎ接合型発光ダイオードであって、該炭化珪素を用いた単結晶基板上に発光に関与するｐｎ接合を構成するｎ型層を有し、該ｎ型層が、ｐｎ接合界面に隣接して形成された第１のｎ型層と、該単結晶基板と該第１のｎ型層との間に形成された第２のｎ型層とから構成され、該第１のｎ型層におけるドナー不純物濃度が５×１０１６ｃｍ-3またはそれ以下であり、該第２のｎ型層におけるドナー不純物濃度が５×１０１６ｃｍ-3またはそれ以上であり、前記第１のｎ型層および第２のｎ型層は気相成長により順次形成され、自由励起子の再結合による発光のみを実質的に利用したｐｎ接合型発光ダイオード。」
         
【2】引用例 　　　　　　　　　　　　　　
　これに対して、原審の拒絶理由で引用した、刊行物：米国特許第４９１８４９７号明細書には、以下の事項が記載されている。　　　　　　　　　　
「FIG.3 illustrates a first type of light emitting diode which will emit the characteristic 424 nanometer photon. The diode is generally designated at 40 and includes an n-type substrate 41 of alpha silicon carbide and an ohmic contact 42 to the n-type substrate 41. A substantially uncompensated n-type epitaxial layer 43 of alpha silicon carbide is upon the n-type substrate 41 and a substantially uncompensated p-type epitaxial layer 44 of alpha silicon carbide is upon the n-type epitaxial layer 43 and forms a p-n junction with the n-type epitaxial layer.」(第３図は４２４ｎｍの光子を発生する特性の第１タイプの発光ダイオードを示す。このダイオード４０はα炭化珪素のｎ型基板４１とこの基板に対するオーム接点４２を有する。α型炭化珪素のほぼ無補償のｎ型エピタキシャル層４３をｎ型基板４１上に設け、α型炭化珪素のほぼ無補償のｐ型エピタキシャル層４４をｎ型エピタキシャル層４３上に設けてこのｎ型層とｐ−ｎ接合を形成する。)(９欄１９〜２９行)　、
「with both the n-type layer 43 and the p-type layer 44 being formed by Davis-type chemical vaper deposition」（ｎ型層４３及びｐ型層４４はディビス型化学気相成長により形成される。）（９欄３２〜３４行）、
「For the diodes illustrated in FIGS.3 and 4, the p or n substrate would typically have a carrier  concentration of between about 5×1017 and 1×1018 cm-3 ,the p epitaxial layer would have a carrier concentration of between about 1 and 2×1018 cm-3 ,and the n epitaxial layer would have a carrier concentration of between about 1×1016 and 1×1017cm-3.」（３、４図に示すダイオードに対してはｐ型又はｎ型基板は約５×１０１７〜１×１０１８ｃｍ−３のキャリア濃度を有し、ｐ型エピタキシャル層は約１〜２×１０１８ｃｍ−３のキャリア濃度を有し、ｎ型エピタキシャル層は約１×１０１６〜１×１０１７ｃｍ−３のキャリア濃度を有するものである。）（１０欄８〜１４行）　        　　        　　           
　上記記載からみて、刊行物１には以下の発明が記載されている。
「炭化珪素を用いたｐｎ接合型発光ダイオードであって、炭化珪素を用いたｎ型基板４１上にｎ型エピタキシャル層４３を有し、該ｎ型エピタキシャル層４３が、ｐｎ接合界面に隣接して形成され、該ｎ型基板におけるキャリア濃度が約５×１０１７〜１×１０１８ｃｍ−３であり、該ｎ型エピタキシャル層におけるキャリア濃度が１×１０１６〜５×１０１７ｃｍ−３であり、前記ｎ型エピタキシャル層は化学気相成長法により形成されるｐｎ接合型発光ダイオード。」(以下「引用発明」という。)　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　        
【3】対比 
　本願発明と引用発明とを比較すると、引用発明における「キャリア濃度」「化学気相成長法」はそれぞれ本願発明における「ドナー不純物濃度」「気相成長」に相当する。
　引用発明のｐ層、ｎ層は炭化珪素から構成されていることから、引用発明と本願発明は、共に炭化珪素を用いたｐｎ接合型発光ダイオードであることは明らかである。
　ｎ型層に関しては、その配置関係から見て、引用発明における「ｎ型基板」、「ｎ型エピタキシャル層」はそれぞれ本願発明における「第２のｎ型層」「第１のｎ型層」に相当するとともに、引用発明の「ｎ型基板」、「ｎ型エピタキシャル層」のキャリア濃度は、それぞれ本願発明の「第２のｎ型層」「第１のｎ型層」の濃度と重複している。
　また、複数のｎ型層を気相成長させる際に、「順次」層を形成することは自明のことである。
　よって、両者は「炭化珪素を用いたｐｎ接合型発光ダイオードであって、発光に関与するｐｎ接合を構成するｎ型層を有し、該ｎ型層が第１のｎ型層と第２のｎ型層からなり、該第１のｎ型層におけるドナー不純物濃度がそれぞれのドナー不純物濃度が１×１０１６〜５×１０１６ｃｍ−３ 、該第２のｎ型層におけるドナー不純物濃度が５×１０１７〜１×１０１８ｃｍ−３であり、前記第１のｎ型層および第２のｎ型層は気相成長により順次形成されるｐｎ接合型発光ダイオード」である点で一致し、次の点で相違する。
相違点１：本願発明のものは、「単結晶基板」を有しており、それに伴い第２のｎ型層は、単結晶基板と第１のｎ型層との間に形成されているのに対し、引用発明のものは、第２のｎ型層（ｎ型基板）の下に単結晶基板を有しておらず、したがって、第２のｎ型層も、単結晶基板と第１のｎ型層との間に形成されていない点。
相違点２：本願発明は、「自由励起子の再結合による発光のみを実質的に利用した」ものであるのに対し、引用発明はそのような記載はない点。
　　      　
【4】判断 　
　上記相違点１，２を検討する。
（１）相違点１について
　炭化珪素基板上にｎ型層等を積層して発光ダイオードを製造する技術は周知（例えば　特開昭６２−６９５１４号公報、特開平２−４６７７９号公報参照）であり、その場合には、「第２のｎ型層は、単結晶基板と第１のｎ型層との間に形成」されることになるから、上記相違点１の技術的事項とすることは当業者が容易になし得る程度のことである。
　この点について、請求人は、平成１４年１月９日付審判請求書手続補正書において「引例文献では、ｎ型炭化珪素基板とｐ型エピキシャル層の間に配されたｎ型エピタキシャル層は１層であるのに対し、本願発明では、炭化珪素基板上に気相成長されたｎ型層は２層存在します。半導体発光素子において、基板とエピタキシャル層とは大きく性質を異にします。特に炭化珪素はウェットエッチングができない材料であることより、炭化珪素基板の表面には基板作製時の表面機械研磨などによる結晶欠陥が多く残留しています。また、基板表面には気相成長前に大気に曝された時に付着する不純物（酸化物や炭化物）が多く存在ることは言うまでもありません。これらの、基板表面の結晶欠陥や不純物は、その上に気相成長される半導体層に結晶欠陥を誘起します。引用文献Ｆｉｇ．１では、基板直上に不純物濃度が５×１０18ｃｍ-3より高いｎ型層を形成し、そのｎ型層の上にｐ型層を接合させ発光素子を構成しています。このように、基板直上に形成するｎ型層の不純物濃度が５×１０18ｃｍ-3より高い場合は、ｎ型層の気相成長を進行させてもｎ型層中の結晶欠陥密度は減少せず、基板表面の結晶欠陥と同等の密度の結晶欠陥が気相成長されたｎ型層の表面にもそのまま残ることになります。従って、このようなｎ型層に直接ｐ型層を接合させた引用文献Ｆｉｇ．１の発光素子は信頼性に乏しく、特にｐｎ接合部でのリーク電流が大きくなる問題が発生します。」（３頁２４行〜４頁８行）と主張するが、本願出願以前において、炭化珪素基板にエッチングを施して表面を整え、エピタキシャル成長を良好にする技術は知られており（必要で有れば、特開昭６３−１１７４２５号公報参照）、上記出願人の主張する引用発明の欠点が必ず生じるものとは認められないから、その効果が格別のものとも認められない。
（２）相違点２について　
　本願明細書には、上記「自由励起子の再結合による発光のみを実質的に利用した」の説明として、「得られた各発光ダイオードに約３．５Ｖの動作電圧を印加したところ，２０ｍＡの電流が流れ，ｎ型ＳｉＣ単結晶層１１の窒素不純物濃度がいずれの値の場合にも，青から紫色の発光が得られた。しかし，窒素不純物濃度が５×１０１６ｃｍ−３より高い場合には，図８に示すような波長４２５ｎｍの発光過程Ｆによるピークと，波長４５５ｎｍの発光過程Ｅによるピークとが混在し，単色性に劣る発光しか得られなかった。これに対し，窒素不純物濃度が５×１０１６ｃｍ−３またはそれ以下の場合には，自由励起子の再結合による発光過程Ｆが支配的であり，単色性の極めて高い紫色発光が得られた。その代表的な発光スペクトルを図３に示す。この発光スペクトルの半値幅は約２０ｎｍであり，従来の炭化珪素を用いた紫色発光ダイオードの発光スペクトルの半値幅の約１／４であった。」（段落【００４１】）と記載されている。
　また、上記刊行物には、「ダイオードは約４２４〜４２８ｎｍの間のピーク発光を生じ、ピーク波長におけるスペクトル半値幅は約５０ｎｍ以下になる。好適実施例では半値幅は２５ｎｍ以下になる。」（９欄３９〜４４行）と記載されている。
　上記記載を見ると、本願発明のピーク波長が４２５ｎｍであるのに対し、引用例発明のピーク波長は４２４〜４２８ｎｍ、本願発明の半値幅が約２０ｎｍであるのに対し、引用発明の好適実施例では２５ｎｍ以下である。
　そして、本願発明と引用発明の層構造の類似性、ドナー不純物濃度に重複があること、及びピーク波長がほぼ同じであることを参酌すると、引用例発明においても上記「自由励起子の再結合による発光のみを実質的に利用した」ものと認められるから、上記相違点２は、単に現象を記載したにすぎないものであって、実質的な相違ではない。
       　
【5】むすび 
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は刊行物に記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。