【事件の表示】
　特願２００９−２８５８８３「光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法、および光半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　６月３０日出願公開、特開２０１１−１２９６５８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成２１年１２月１７日の出願であって、平成２５年３月２９日付けで拒絶理由が通知され、同年５月３１日に手続補正がなされ、平成２６年２月２１日付けで拒絶理由が通知され、同年４月２３日に手続補正がなされたが、同年１０月３１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２７年２月６日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に手続補正がなされたものである。
　
　
II．平成２７年２月６日付け手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２７年２月６日付け手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１を、
「導電性基体上にロジウムまたはロジウム合金からなる反射層が形成された光半導体装置用リードフレームであって、
　前記反射層の厚さが、０．００５〜０．５μｍであり、
　前記反射層の表面の少なくとも一部に、金、パラジウム、白金またはこれらの合金からなる厚さ０．００１〜０．０５μｍの最表層が配されており、
　前記導電性基体と前記反射層との間であって、かつ前記反射層と隣接する位置に、中間層が少なくとも１層配されており、
　前記中間層が、ニッケルまたはニッケル合金、コバルトまたはコバルト合金、銅または銅合金、パラジウムまたはパラジウム合金の群から選ばれた金属または合金からなり、かつ前記導電性基体とは異なる材質とされていることで、
　前記最表層における良好なワイヤボンディング性を確保するとともに、波長３００〜８００ｎｍにおける６０％以上の光反射率と、レイティングナンバー９以上の耐食性とを満足する
と補正することを含むものであり、特許法第１７条の２第５項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められるので、以下に、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について、独立特許要件の検討を行う。
　
２．引用例
（１）引用例１及び引用発明
　原査定の拒絶理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００７−３２４４５１号公報（以下「引用例１」という。）には、図とともに次の記載がある（下線は当審による。以下同じ。）。　
　ア　「【０００１】
  本発明は、白色以外の発光ダイオード（以下、ＬＥＤ）、例えば青色のＬＥＤを使用して白色光を得る半導体発光装置に関するものである。」　
　イ　「【００１２】
  図１は半導体発光装置１の斜視図である。前記
半導体発光装置１
介して接続されている一対の
リードフレーム７，８
　ウ　「【００１６】
  前記リードフレーム７は、略方形状のベース部７ａと、該ベース部７ａの第１の辺７ｂ側に略直角に起立した状態で設けられた第１の折曲部７ｃと、前記ベース部７ａの第２の辺７ｄ側に略直角に起立した状態で設けられた第２の折曲部７ｅと、を備えている。そして、前記第１の折曲部７ｃの内面に前記基板４およびＬＥＤ３が搭載されているとともに、前記第１の折曲部７ｃの内面に設けたランド部７ｆに前記ボンディングワイヤ５の一端部が接続されている。また、前記ベース部７ａおよび第２の折曲部７ｅは、前記外筐２の外部に配置される。
【００１７】
  前記リードフレーム８も前記リードフレーム７と同様に略方形状のベース部８ａと、該ベース部８ａの第１の辺８ｂ側に略直角に起立した状態で設けられた第１の折曲部８ｃと、前記ベース部８ａの前記第１の辺８ｂに連続する第２の辺８ｄ側に略直角に起立した状態で設けられた第２の折曲部８ｅと、を備えている。そして、前記第１の折曲部７ｃの内面に設けたランド部８ｆに前記ボンディングワイヤ６の一端部が接続されている。また、前記ベース部８ａおよび第２の折曲部８ｅは、前記外筐２の外部に配置される。
【００１８】
  前記
リードフレーム７は、図４に示すように、銅等のベース材１３の表面に、前記銀よりも硫化が起こり難い素材、例えば
ロジウム、
によって反射膜層１４を設けることにより形成されている
リードフレーム８も同様に形成されている
　　　
　上記によれば、引用例１には、リードフレーム７，８を備える半導体発光装置１が記載され、そのリードフレーム７，８は、銅等のベース材１３の表面に、銀よりも硫化が起こり難い素材、例えば、ロジウムによって反射膜層１４を設けることにより形成されていることが記載されているものと認められる。
　
　してみると、引用例１には、
「銅等のベース材の表面にロジウムの反射膜層が設けられた半導体発光装置用のリードフレーム。」（以下「引用発明」という。）
が記載されているものと認められる。　
　
（２）引用例２
　同じく、特開２００８−５３５６４号公報（以下「引用例２」という。）には、図とともに次の記載がある。　
　ア　「【０００１】
  本発明は、光半導体装置に関し、特に高出力の光半導体装置における、使用による光源周辺部の外観劣化を防止する技術に関する。」　
　イ　「【００２１】
  …。
  一方、
白金族の金属元素の中
ロジウム
、熱によって表面酸化を引き起こすものがあり、第二金属被膜２２を構成するこれらの白金族の金属元素が表面酸化されると、発光素子１２とリード１１とを電気接続するための電気接続用ワイヤー１３との接続性が悪くなり
【００２２】
  従って、上記のようなデメリットを解消するために、図２（ｂ）に示すように、さらに、標準電極電位が大きく、酸化されにくく、半田との濡れ性にすぐれた
金メッキの被膜からなる第三金属被膜２３で第二金属被膜２２を被覆する
第三金属被膜２３の膜厚としては、０．００５μｍ〜０．０２μｍの範囲内
  これにより、光反射効率の低下を防止しつつ、上記デメリットを解消することができる。又、第二金属被膜２２を金メッキの被膜で構成した場合においても、同様の効果を得ることができる。」
　
　上記によれば、引用例２には、
　ロジウムは、電気接続用ワイヤーとの接続性が悪くなることがあるので、ロジウムを金メッキの被膜で被覆するのが望ましく、この金メッキの膜厚は、０．００５μｍ〜０．０２μｍの範囲内であれば良いこと、
が記載されているものと認められる。
　
（３）引用例３
　同じく、特開２００５−１２９９７０号公報（以下「引用例３」という。）には、図とともに次の記載がある。
　ア　「【０００１】
  本発明は、半導体装置用リードフレームの特に表面反射率の改善に関するものである。」
　イ　「【０００７】
  本発明は、上記問題を解決するものであり、めっき表面の色調の影響を受けにくいめっきをリードフレームに施すことで、発光効率を向上し低消費電力の半導体装置に用いる発光装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
  上記課題を解決するために本発明の半導体装置用リードフレームは、素材面に第一被膜層が形成され、第一被膜層上に第二被膜層が形成され、第二被膜層上に第三被膜層が形成されたものであり、さらに、第二被膜がＰｄまたはＰｄ合金、第三被膜がＲｈ被膜である。
【０００９】
  また、素子載置部とインナーリード部とアウターリード部とに第一被膜層が形成され、第一被膜層上に第二被膜層が形成され、第二被膜層上に第三被膜層が形成されたものであり、さらに、第二被膜がＰｄまたはＰｄ合金、第三被膜がＲｈ被膜である。
【００１０】
  これによれば、半導体装置用リードフレーム表面の反射率に優れる。
【発明の効果】
【００１１】
  以上説明したように本発明によれば、表面にＲｈ被膜を形成することで、反射率に優れた半導体装置用リードフレームを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
  （実施の形態）
  以下、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。図１（ａ）は本発明に係る半導体装置用リードフレームを示した上面図、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＸ−Ｘ′線に沿った断面図である。図１（ａ）、（ｂ）において、
１は素材が特に限定されることのない、ＦｅまたはＦｅ−Ｎｉ合金やＣｕまたはＣｕ合金などからなるリードフレーム
リードフレーム１上には、Ｎｉめっきなどの第一被膜層８として例えばＮｉめっきが０．５μmから２．０μm形成され、第一被膜層８上には、ＰｄまたはＰｄ合金などからなる第二被膜層９として例えばＰｄめっきが０．００５μmから０．１５μm形成され、第二被膜層９上にはＲｈめっき被膜１０が０．００３μmから０．０５μm形成されている
【００１３】
  詳細の構成を下記に説明する。リードフレーム１は、フープ条材（図示せず。）を連続プレス加工により、両端縁におけるフレーム６をセクションバー７にて互いに連結されている。フレーム６にアウターリードが内向きに形成され、セクションバーから支持バーを介して素子載置部４が形成されている。アウターリード２から、さらに内側に延在したインナーリード３が形成されている。このとき、
第三被膜層に０．００３μmから０．０１μmなるＲｈめっき被膜を形成することで、ＬＥＤ素子を搭載したときの発光効率表面の反射率が優れた表面状態となる
　
　上記によれば、引用例３には、
　ＣｕまたはＣｕ合金などからなるリードフレーム上に、第一被膜層として例えばＮｉめっきを０．５μmから２．０μm形成し、第一被膜層上に、第二被膜層として例えばＰｄめっきを０．００５μmから０．１５μm形成し、第二被膜層上に、Ｒｈ（ロジウム）めっき被膜を０．００３μmから０．０５μm形成すること、及び、Ｒｈめっき被膜は、反射率が優れた表面状態となること、
が記載されているものと認められる。
　
（４）引用例４
　原査定で引用された特開２００８−１３５５８８号公報（以下「引用例４」という。）には、次の記載がある。
　ア　「【００１５】
  第１電極層２０及び第２電極層４０は、電極反射層２２、４２と、接合層２４、４４とを積層して構成されている。
  電極反射層２２、４２は、第１電極層２０及び第２電極層４０に到達した光を反射するための層であり、Ａｇ合金膜から形成されている。電極反射層２２、４２の膜厚は、光を透過しないだけの厚さが必要であるが、特に、２μｍ以上２０μｍ以下であるのが好ましい。膜厚が２μｍより薄いと、Ａｇ合金膜の結晶性を充分なものとできないので反射率が十分でなく、また、光が透過して光の損失が起こる可能性があるので好ましくない。膜厚が２０μｍより厚くなっても、膜厚の増加による耐久性や反射性能が改善されることはなく、単に製造コストが高くなるだけなので好ましくない。
【００１６】
  
接合層２４、４４は、導電ワイヤ３４をワイヤボンディングするときの密着性を高めるための層であり、Ａｕ又はＡｕ合金の薄膜から形成されている
接合層２４、４４の膜厚は、導電ワイヤ３４との密着性と、光の透過性との観点から、０．１ｎｍ以上１００ｎｍ以下にするのが好ましい。膜厚が０．１ｎｍより薄いと、導電ワイヤ３４との密着性が低くなるので好ましくない。膜厚が１００ｎｍより厚いと、光の透過性が低くなるので好ましくない
  接合層２２、２４の材料として用いられるＡｕ又はＡｕ合金は、上述したように青色〜緑色の光に対する反射率が低いため、特に青色〜緑色の光を発光する発光素子３２を用いる場合に、このような膜厚とすることで反射率の高い支持体とすることができる。」
　
　上記によれば、引用例４には、
　導電ワイヤをワイヤボンディングするときの密着性を高めるためのＡｕ又はＡｕ合金の薄膜から形成されている接合層を反射電極層上に設けること、また、その接合層の膜厚は、膜厚が０．１ｎｍより薄いと導電ワイヤとの密着性が低くなり、膜厚が１００ｎｍより厚いと光の透過性が低くなるので、導電ワイヤとの密着性と、光の透過性との観点から、０．１ｎｍ以上１００ｎｍ以下にするのが好ましいこと、
が記載されているものと認められる。
　
（５）引用例５
　本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００６−２２２２７１号公報（以下「引用例５」という。）には、図とともに次の記載がある。
　
　ア　「【０００９】
  更に、本発明には、前記一対の
リードフレームにおける各反射面
の表面には
Ｒｈ
のメッキ膜からなる光反射層が形成されている
  これによれば、対向する一対の各反射面により、全体が円錐形、長円錐形、楕円錐形、四角錐形を呈する光反射層が形成されので、追って実装される発光素子からの光を効率良く反射でき、且つ所定の範囲に集光しつつ外部に放射することが可能となる。尚、前記
光反射層は、反射面の上にＮｉや、Ａｕなどのメッキ膜を介して形成される
Ｒｈ
のメッキ膜である
　　
　上記によれば、引用例５には、
　リードフレームの反射面に形成されるＲｈ（ロジウム）のメッキ膜からなる光反射層は、Ｎｉや、Ａｕなどのメッキ膜を介して形成されること、
が記載されているものと認められる。
　
（６）引用例６
　本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００６−２６９６６７号公報（以下「引用例６」という。）には、図とともに次の記載がある。
　ア　「【０００１】
  本発明は、特に、樹脂製の基材の表面に形成されて、当該表面を光反射面とするための光反射膜と、この
光反射膜を備えた発光ダイオード用パッケージ
　イ　「【００１２】
  本発明の目的は、
光の反射率が高く、かつ変色しにくいロジウムからなる表面金属層を備える
【課題を解決するための手段】
【００１３】
  請求項１記載の発明は、基材の表面に形成されて、当該表面を光反射面とするための光反射膜であって、
基材側から順に、少なくとも１層の下地金属層と、金、パラジウムおよび白金からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含む中間金属層と、少なくともロジウムを含む表面金属層とを有する
【００１４】
  請求項２記載の発明は、
表面金属層の厚みが０．００１〜１μｍ
　ウ　「【００４６】
  表面金属層１３は、銀と同様に白銀色で、反射光の色味に影響を及ぼさず、また、銀に次いで、可視領域の全域に亘る反射率が高い上、銀よりも化学的に安定で、変色しにくいロジウムによって形成される。ロジウムからなる表面金属層１３は、従来同様に、公知のロジウムめっき浴を用いて、中間金属層１２の表面を陽極として用いて、当該中間金属層１２の上に積層される。
【００４７】
  
ロジウムからなる表面金属層１３の厚みは、０．００１〜１μｍであるのが好ましい
表面金属層１３の厚みがこの範囲未満では、光の反射率が高く、当該面金属層の表面が良好な光沢面とされた光反射膜が得られないおそれがある。逆に、この範囲を超える場合には、当該表面金属層自身の応力によってクラックが発生しやすくなり、クラックが発生すると、光の散乱を起こして、反射率が低下するおそれがある
表面金属層１３の厚みは、上記の範囲内でも、特に、０．０１〜０．２０μｍであるのが好ましい
　
　上記によれば、引用例６には、
　発光ダイオード用パッケージの光反射膜に、光の反射率が高く、かつ変色しにくいロジウムからなる表面金属層を用いること、このロジウムからなる表面金属層の厚みは、０．００１〜１μｍであるのが好ましく、表面金属層の厚みがこの範囲未満では、反射率の高い良好な光沢面とされた光反射膜が得られないおそれがあり、逆に、この範囲を超える場合には、当該表面金属層自身の応力によってクラックが発生しやすくなり、反射率が低下するおそれがあり、表面金属層の厚みは特に、０．０１〜０．２０μｍであるのが好ましく、また、このロジウムからなる表面金属層は、金、パラジウムおよび白金からなる群より選ばれる少なくとも１種の金属を含む中間金属層上に形成されることが記載されているものと認められる。
　
３．対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「銅等のベース材」、「ロジウムの反射膜層」、「半導体発光装置」及び「リードフレーム」が、それぞれ、本願補正発明の「導電性基体」、「ロジウムまたはロジウム合金からなる反射層」、「光半導体装置」及び「リードフレーム」に相当するところであり、本願補正発明と引用発明は、「導電性基体上にロジウムまたはロジウム合金からなる反射層が形成された光半導体装置用リードフレーム。」の点で一致する。
（２）一方、両者は、次の点で相違する。
ａ．本願補正発明では、「前記反射層の厚さが、０．００５〜０．５μｍ」であるのに対し、引用発明の「反射膜層」の厚さが不明な点。
ｂ．本願補正発明では、「前記反射層の表面の少なくとも一部に、金、パラジウム、白金またはこれらの合金からなる厚さ０．００１〜０．０５μｍの最表層が配されて」いるのに対し、引用発明は、このような「最表層」が配されていない点。
ｃ．本願補正発明では、「前記導電性基体と前記反射層との間であって、かつ前記反射層と隣接する位置に、中間層が少なくとも１層配されており、前記中間層が、ニッケルまたはニッケル合金、コバルトまたはコバルト合金、銅または銅合金、パラジウムまたはパラジウム合金の群から選ばれた金属または合金からなり、かつ前記導電性基体とは異なる材質とされている」のに対し、引用発明は、このような「中間層」が配されていない点。
ｄ．本願補正発明は、「前記最表層における良好なワイヤボンディング性を確保するとともに、波長３００〜８００ｎｍにおける６０％以上の光反射率と、レイティングナンバー９以上の耐食性とを満足する」ものであるのに対し、引用発明は、このようなものとされていない点。
　
４．判断
（１）上記相違点ａについて検討する。
　引用発明における「ロジウムの反射膜層」の厚さをどの程度とするかは、当業者が適宜決定するべき設計事項であるところ、引用例３には、Ｒｈ（ロジウム）めっき被膜の厚さとして、「０．００３μmから０．０５μm」の記載があり、あるいは、引用例６には、ロジウムからなる表面金属層の厚みは、薄いと高い反射率が得られず、厚いとクラックが発生しやすくなることから「特に、０．０１〜０．２０μｍであるのが好ましい」と記載されていることからすれば、引用発明における「ロジウムの反射膜層」の厚さとして本願補正発明のごとく「０．００５〜０．５μｍ」の範囲内のものを採用することが当業者において格別困難なこととはいえない。
（２）上記相違点ｂについて検討する。
　引用例２には、ロジウムは、電気接続用ワイヤーとの接続性が悪くなることがあるので、金メッキの被膜で被覆することが望ましく、その膜厚としては、０．００５μｍ〜０．０２μｍの範囲内であれば良い旨記載されていること、また、引用例４には、導電ワイヤをワイヤボンディングするときの密着性を高めるためのＡｕ又はＡｕ合金の薄膜から形成されている接合層を反射電極層上に設けること、また、その接合層の膜厚は、膜厚が０．１ｎｍより薄いと導電ワイヤとの密着性が低くなり、膜厚が１００ｎｍより厚いと光の透過性が低くなるので、導電ワイヤとの密着性と、光の透過性との観点から、０．１ｎｍ以上１００ｎｍ以下にするのが好ましいことが記載されていることに鑑みれば、引用発明の「ロジウムの反射膜層」上に金の被覆層を設けるようにして、上記相違点ｂに係る本願補正発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
（３）上記相違点ｃについて検討する。
　引用例３には、Ｐｄめっきの第二被膜層上にＲｈ（ロジウム）めっき被膜を形成することが記載され、引用例５には、Ｒｈのメッキ膜からなる光反射層がＮｉなどのメッキ膜を介して形成されることが記載され、また、引用例６には、ロジウムからなる表面金属層がパラジウムの中間金属層上に形成されることが記載されていることに鑑みれば、引用発明の「銅等のベース材」と「ロジウムの反射膜層」の間にこのような中間層を設けるようにして、上記相違点ｃに係る本願補正発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
（４）相違点ｄについて検討する。
　ア　本願補正発明における「前記最表層における良好なワイヤボンディング性を確保する」の点について検討するに、上記（２）で検討したように、引用発明の「ロジウムの反射膜層」上に金の被覆層を設けて、上記相違点ｂに係る本願補正発明の発明特定事項としたものは、良好なワイヤボンディング性を確保するものであると認められる。
　イ　本願補正発明における「波長３００〜８００ｎｍにおける６０％以上の光反射率」の点について検討するに、本願当初明細書【００４２】の表１及び【００４４】の表２にみられるように、反射層がロジウムで、最表層が金でその厚さが０．０２μｍ以下のもの（発明例７〜１２、発明例２４〜２９、発明例３６〜５０、比較例１）については、「波長３００〜８００ｎｍにおける６０％以上の光反射率」となっているから、引用発明において、「ロジウムの反射膜層」上に設ける金の被覆層に、引用例２に記載される厚みの範囲内のものや引用例４に記載される厚みの範囲のうち薄い部分を採用したものは、「波長３００〜８００ｎｍにおける６０％以上の光反射率」を満足するものと認められる。
　ウ　本願補正発明における「レイティングナンバー９以上の耐食性」の点について検討するに、本願当初明細書【００４４】の表２において、反射層をＡｇとした従来例１は、レイティングナンバーが５となっているが、反射層にロジウムを採用したものは、全て、レイティングナンバー９以上となっているから、「ロジウムの反射膜層」が設けられた引用発明も「レイティングナンバー９以上の耐食性」を満足するものと認められる。
　エ　以上のとおりであって、上記相違点ｄに係る事項は、引用発明において、上記（２）で指摘した当業者が容易に想到し得た構成とすることにより満足されるものと認められ、格別のものとはいえない。　
　
５．むすび
　以上のとおり、本願補正発明は、引用例１ないし引用例６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
　
III．本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願請求項に係る発明は、平成２６年４月２３日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載される事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次の事項によって特定されるものである。
　
「導電性基体上にロジウムまたはロジウム合金からなる反射層が形成された光半導体装置用リードフレームであって、
　前記反射層の厚さが、０．００５〜０．５μｍであり、
　前記反射層の表面の少なくとも一部に、金、パラジウム、白金またはこれらの合金からなる厚さ０．００１〜０．０５μｍの最表層が形成されており、
　波長３００〜８００ｎｍの光反射率が６０％以上であることを特徴とする、光半導体装
置用リードフレーム。」
　　
２．判断
　本願発明は、実質的に、本願補正発明から、「前記導電性基体と前記反射層との間であって、かつ前記反射層と隣接する位置に、中間層が少なくとも１層配されており、前記中間層が、ニッケルまたはニッケル合金、コバルトまたはコバルト合金、銅または銅合金、パラジウムまたはパラジウム合金の群から選ばれた金属または合金からなり、かつ前記導電性基体とは異なる材質とされている」との事項、及び、「前記最表層における良好なワイヤボンディング性を確保するとともに」、「レイティングナンバー９以上の耐食性とを満足する」との事項を省いたものであるから、上記II．［理由］２．ないし４．における検討からみて、引用例１ないし引用例４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
　　　
３．むすび
　したがって、本願発明は、引用例１ないし引用例４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。