【事件の表示】
　特願２０１１−１７８４８１「有機層を有する光活性部品」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年１１月１０日出願公開、特開２０１１−２２８７５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００４年３月１９日（パリ条約による優先権主張２００３年３月１９日、独国）を国際出願日とする特願２００６−５０４２６８号（以下「原出願」という。）の一部を平成２３年８月１７日に新たな特許出願としたものであって、平成２４年９月２８日付けで拒絶理由が通知され、平成２５年１月１８日付けで意見書が提出されたが、その後、同年９月３０日付けで拒絶査定がなされた。
　本件は、これを不服として、平成２６年２月２１日に請求された拒絶査定不服審判であって、請求と同時に手続補正がなされたものである。
　その後、平成２６年５月３０日付けで前置報告がなされ、同年９月４日付けで上申書が提出された。
　
　
第２　本願発明について
１．本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２６年２月２１日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「透明な基板と、
基板の一方の側に配置された導電性の接点層と、
導電性の接点層の、基板と逆側に配置された層構造と、
を備えた、有機層を有する光活性素子において、
この層構造が、
第一の電荷型の荷電粒子を伝導するための第一のドーピングされた第一の電荷型の有機荷電粒子伝導層と、
この荷電粒子伝導層の、基板と逆側に配置された、光エネルギーを電気エネルギーに変換するための有機光活性層と、
を有し、
この荷電粒子伝導層が、この光活性層よりも大きな光学バンドギャップを有し、
この層構造の、基板と逆側には、更に別の導電性の接点層が配置されており、
第一の電荷型の荷電粒子を伝導するための第一の電荷型のドーピングされた更に別の有機荷電粒子伝導層と、
この荷電粒子伝導層の、基板と逆側に配置された、光エネルギーを電気エネルギーに変換するための更に別の有機光活性層と、
を備えた更に別の層構造が配備され、
この更に別の荷電粒子伝導層が、この更に別の光活性層よりも大きな光学バンドギャップを有し、
この更に別の層構造が、前記の層構造とこの更に別の導電性の接点層の間に配置されている、
素子。」
　
２．引用刊行物
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、原出願の優先日前に頒布された刊行物である国際公開第０１／３９２７６号（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。（日本語訳として、ファミリー文献である特表２００３−５１５９３３号公報（以下「引用文献１’」という。）の記載を用いた。日本語訳における下線は、当審が付した。） 
　
（ａ）「
　
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」 
（引用文献１：明細書第１頁第６〜１０行） 
　
（日本語訳） 
「　（発明の分野） 
　本発明は一般的には有機薄膜感光性オプトエレクトロニクス素子に関する。より詳しくは、
本発明は励起子阻止層（ｅｘｃｉｔｏｎ ｂｌｏｃｋｉｎｇ ｌａｙｅｒ）を有する有機感光性オプトエレクトロニクス素子たとえば太陽電池
（引用文献１’：段落【０００２】）　 
　
（ｂ）「
　
　
　
　
　
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」 
（引用文献１：明細書第５頁第７行〜第９頁第２３行） 
　
（日本語訳） 
「　この点では、
有機感光性オプトエレクトロニクス素子（ｏｒｇａｎｉｃ  ｐｈｏｔｏｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  ｄｅｖｉｃｅｓ）（ＯＰＯＤｓ）
　かなりの容積を占める内在発生電界を生じさせるためには、通常の方法は適切に選ばれた伝導特性をもった材料の２つの層を並置する（ｊｕｘｔａｐｏｓｅ）ことであり、特に、分子の量子エネルギー状態についてのそれらの分布に関している。
これら２つの材料の界面は光起電性ヘテロ接合（ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ  ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ）と呼ばれる。伝統的な半導体理論においては、ＰＶヘテロ接合を形成するための材料は一般的には、ｎまたはドナー型、又は、ｐまたはアクセプター型、のどちらかであるといわれている。
原型的ＰＶヘテロ接合は伝統的にｐ−ｎ界面である
　相対的な自由担体濃度のほかに、有機半導体における有意な性質は担体移動度（ｃａｒｒｉｅｒ  ｍｏｂｉｌｉｔｙ）である。移動度は電界に応答して電荷担体が伝導性材料の中を移動できる容易性を測定する。自由担体濃度とちがって、担体移動度は結晶対称性および周期性のような有機材料の固有特性によってかなり決定される。適切な対称性および周期性は、より高い正孔移動度を生じるＨＯＭＯ準位のより高い量子波動関数の重なり、又は同様に、より高い電子移動度を生じるＬＵＭＯ準位のより高い重なりを生じることができる。さらに、有機半導体たとえば３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボキン酸二無水物（ｐｅｒｙｌｅｎｅｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ  ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ）（ＰＴＣＤＡ）のドナー性またはアクセプター性はより高い担体移動度をもって争っているかも知れない。たとえば、化学推論はＰＴＣＤＡについてドナーまたはｎ型の特性を示唆するが、実験は正孔移動度が電子移動度よりも数オーダーも大きいので正孔移動度が決定的なファクター（ｃｒｉｔｉｃａｌ  ｆａｃｔｏｒ）であることを示している。結果はドナー／アクセプター判定基準からの構成予測が実際のデバイス性能によって支持されないかも知れないということである。
有機材料のこれら独特の電子工学的性質のために、それらを「ｐ型」または「アクセプター型」および「ｎ型」または「ドナー型」として示すよりも、「正孔輸送層」（ｈｏｌｅ−ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ−ｌａｙｅｒ）（ＨＴＬ）または「電子輸送層」（ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ−ｌａｙｅｒ）（ＥＴＬ）の名称がしばしば使用される。
　感光性オプトエレクトロニクス素子の中に使用される電極または接点は重要な考慮すべき事項である。感光性オプトエレクトロニクス素子においては、素子の外部からの周囲電磁放射の最大量が光導電的に活性な内部領域に入れるようにすることが望ましい。すなわち、電磁輻射線が光導電的吸収によって電気に変換されることができる場所へ電磁輻射線を獲得することが望ましい。しばしば、これは電気的接点の少なくとも１つが入射電磁輻射線を最小に吸収し且つ最小に反射するべきであることを要求する。すなわち、かかる接点は実質的に透明であるべきである。ここに使用されるとき、用語「電極（ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）」および「接点（ｃｏｎｔａｃｔ）」は光生成電力を外部回路に引き渡すための又はバイアス電圧を素子に付与するための媒体を提供する層を称するに過ぎない。すなわち、電極または接点は有機感光性オプトエレクトロニクス素子の光導電的に活性な領域と、電荷を外部回路に又はから輸送するためのワイヤ、リード、トレースまたはその他手段との間の界面を提供する。用語「電荷移動層（ｃｈａｒｇｅ  ｔｒａｎｓｆｅｒ  ｌａｙｅｒ）」はここでは、電極に似ているが電荷移動層だけが電荷担体をオプトエレクトロニクス素子の１つのサブセクションから隣接サブセクションに送達するという点で電極とは異なっている層を称するために使用される。ここで使用されるとき、材料の層、または異なる材料の一連の数層は、層（単数または複数）が関係波長（ｒｅｌｅｖａｎｔ  ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ）の周囲電磁輻射線の少なくとも５０％が層（単数または複数）を通って透過されるのを許すときに「透明（ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ）」であると云う。同様に、関連波長の周囲電磁輻射線の若干のしかし５０％未満の透過を許す層は「半透明（ｓｅｍｉ−ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ）」であるという。
　電極または接点は通常、金属または「金属代用物（ｍｅｔａｌ  ｓｕｂｓｔｉｔｕｔｅｓ）」である。ここで、用語「金属」は基本的に純粋な金属たとえばＭｇからなる材料、および２つ以上の基本的に純粋な金属たとえばＭｇ：Ａｇと表わすＭｇとＡｇからなる材料である金属合金、の両方を包含して使用される。ここでは、用語「金属代用物」は通常の定義における金属ではないが或る妥当な応用に望まれる金属様性質を有する材料を称する。電極および電荷移動層のための慣用される金属代用物はドープされた広いバンドギャップの半導体、たとえば、透明な伝導性酸化物、たとえば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化ガリウムインジウム錫（ＧＩＴＯ）、および酸化亜鉛インジウム錫（ＺＩＴＯ）を包含するであろう。特に、ＩＴＯはそれを約３９００オングストロームより大きい波長に対して透明にする約３．２ｅＶの光バンドギャップ（ｏｐｔｉｃａｌ  ｂａｎｄｇａｐ）をもった高度にドープされた縮退型（ｄｅｇｅｎｅｒａｔｅ）ｎ＋半導体である。別の適する金属代用物材料は透明な伝導性重合体ポリアナリン（ｐｏｌｙａｎａｌｉｎｅ）（ＰＡＮＩ）およびその化学関係物である。金属代用物はさらに広範囲の非金属材料から選ばれてもよく、ここで用語「非金属（ｎｏｎ−ｍｅｔａｌｌｉｃ）」は材料がその化学結合されてない形態の金属を含有しないことを条件に広範囲の材料を包含することを意味する。金属がその化学的に結合されてない形態で、単独でか又は合金として別の１つ以上の金属との組合せでかのどちらかで存在するときには、金属はその金属形態（ｍｅｔａｌｌｉｃ  ｆｏｒｍ）で存在するとか又は「フリーメタル（ｆｒｅｅ  ｍｅｔａｌ）」であるとか替わりに云われてもよい。従って、本発明の金属代用物電極は時には「無金属（ｍｅｔａｌ−ｆｒｅｅ）」と称されてもよく、ここで用語「無金属」はその化学的に結合されてない形態の金属を含有しない材料を包含することを明白に意味する。フリーメタルは電子伝導帯の中で金属格子全体に自由に動ける価電子の海から結果生じる化学結合のタイプと考えてもよい金属結合の形態を典型的に有する。金属代用物は金属成分を含有していてもよいが、それらは幾つかの基材（ｂａｓｅ）上で「非金属」である。それらは純粋なフリーメタルでもないしフリーメタルの合金でもない。金属がそれらの金属形態で存在するときには、電子伝導帯はその他の金属的性質の中でも高い電気伝導率および光線に対する高い反射率を提供する傾向がある。
　代表的な従来の光起電性デバイスの構成は有機２重層セルである。２重層セル（ｂｉｌａｙｅｒ  ｃｅｌｌ）においては、電荷分離は主に有機ヘテロ接合で起こる。拡散電位（ｂｕｉｌｔ−ｉｎ  ｐｏｔｅｎｔｉａｌ）はヘテロ接合を形成するために接している２つの材料間のＨＯＭＯ−ＬＵＭＯギャップエネルギー差によって定まる。かかるヘテロ接合についてのＨＯＭＯ−ＬＵＭＯエネルギー準位は図１に概略的に図解されており、図１では、１０１は陽極を表わし、１０２はＨＴＬ層を表わし、１０３はＥＴＬ層を表わし、そして１０４は陰極を表わす。ＨＬＴとＥＴＬの間のＨＯＭＯ−ＬＵＭＯギャップオフセット（ｏｆｆｓｅｔ）はＨＴＬ／ＥＴＬ界面のまわりに電界を生じる。」 
（引用文献１’：段落【０００９】〜【００１４】）　 
　
（ｃ）「
　
　
　
　
　
　
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」 
（引用文献１：明細書第１１頁第１０行〜第１６頁第２３行）
　
（日本語訳） 
「　（発明の概要および目的） 
　効率的な有機感光性オプトエレクトロニクス素子の設計にはいくつかの指針が銘記されなければならない。励起子拡散長さＬＤは層厚さＬより大きいか又はそれに匹敵することが望ましい、何故ならば、殆どの励起子解離（ｄｉｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）は界面で起こるであろうからである。ＬＤがＬ未満であると、多数の励起子が解離前に再結合するかも知れない。さらには、光導電性材料の全厚は太陽電池に入射した輻射線のほぼ全てが吸収されて励起子を生成するように電磁輻射線吸収長さ１／α（ここで、αは吸収係数である）のオーダーであることが望ましい。しかしながら、厚さはヘテロ接合電界の度合に比べて大きすぎて多数の励起子が無電界領域（ｆｉｅｌｄ−ｆｒｅｅ ｒｅｇｉｏｎ）で生成されるようにはなるべきではない。これについての１つの理由は電界が励起子の解離を助けるということである。別の理由は励起子が無電界領域で解離すると対再結合、または消光、をこうむり光電流に何も寄与しないらしいということである。さらに、電界は電極／半導体界面に存在するかもしれない。電極界面におけるこれら電界も励起子消滅を促すことがある。さらに、光導電層の厚さは有機半導体の高いバルク抵抗率（ｂｕｌｋ ｒｅｓｉｓｔｉｖｉｔｙ）のせいで過度の直列抵抗を避けるために可能な限り薄くすべきである。 
　他方、別の考慮されるべき相殺事項は励起子解離界面と隣接電極との間の離隔が増すほど界面周辺の電界領域がより大きい容積にわたってより高い値を有するであろうということである。電界強さの増加とともに光吸収が増加するので、より多くの励起子が生成されるであろう。また、より高い電界はより速い励起子解離も促進するであろう。 
　拡散長さ制約を免れるための１つの手段はナノテキスチャード（ｎａｎｏｔｅｘｔｕｒｅｄ）材料、ポリマーブレンド、狭い間隔、反復される界面、または空間分布された（ｓｐａｔｉａｌｌｙ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ）解離部位を使用して達成できるような、多重の又は高度に何倍にもされた（ｈｉｇｈｌｙ ｆｏｌｄｅｄ）界面を有する薄いセルを使用することであるということが示唆されていた。今までは、これら提案はどれも、太陽電池の全体性能における有意な改良を、特に高い照射強度では、もたらさなかった。 
　従って、本発明においては、より高い内部および外部の量子効率は解離する界面近くの領域に光生成励起子を閉じ込めるため且つ感光性有機／電極界面で消光する寄生（ｐａｒａｓｉｔｉｃ）励起子を防ぐために１つ以上の励起子阻止層（ＥＢＬｓ）をＯＰＯＤｓの中に包含させることによって達成された。励起子が拡散されるであろう容積を限定することに加えて、ＥＢＬは電極のデポジション中に導入される物質に対する拡散障壁としても作用することができる。いくつかの情況においては、ＥＢＬはそうしないとＯＰＯＤを機能しなくさせ得るピンホールや短絡性欠陥（ｓｈｏｒｔｉｎｇ ｄｅｆｅｃｔ）を充填するのに十分なほどに厚くすることができる。従って、励起子阻止層は脆い有機層をその有機材料上への電極デポジション時に生じる損傷から防護する助けができる。 
　
本発明を構成するＥＢＬｓは、励起子が阻止される隣接有機半導体のそれよりも実質的に大きいＨＯＭＯ−ＬＵＭＯエネルギーギャップを有することから、それらＥＢＬｓの励起子阻止特性を引き出すと考えられる。
ＥＢＬが励起子を阻止することは望ましいが、ＥＢＬがさらに全ての電荷運搬量子を阻止することは望ましくない。しかしながら、隣接エネルギー準位の本質によって、ＥＢＬは必然的に一方の符号の電荷担体を阻止するであろう。
従って、素子の中の与えられた位置におけるＥＢＬのための材料は所望の符号の担体が電極または電荷移動層へのその輸送を妨害されないように選ばれるであろう。適切なエネルギー準位の整合（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）は電荷移動に対する障壁が存在しないことを確実にし、直列抵抗の増加を防ぐ。
　たとえば、図２Ａ〜図２Ｃは望まれない励起子拡散を抑制しそして素子効率を向上させるための１つ以上のＥＢＬｓを有する２重層ＯＰＯＤｓの３タイプを図解している。これらの図は１つ以上のＥＢＬｓを有するＯＰＯＤセルの様々な態様を構成する様々な材料の相対エネルギー準位を概略的に描いている。各図中の終端の線は端部の電極または電荷移動層の仕事関数を表わしている。陰影ボックスはＯＰＯＤの様々な成分層の相対的なＨＯＭＯ−ＬＵＭＯエネルギーギャップを表わしている。 
　
図２Ａに関しては、ＯＰＯＤデバイス２Ａ００は陽極層２Ａ０１、
正孔輸送層（ＨＴＬ）２Ａ０２、たとえば、約１．７ｅＶのＬＵＭＯ−ＨＯＭＯ分離を有すると考えられるＣｕＰｃ、電子輸送層（ＥＴＬ）２Ａ０３、たとえば、やはり約１．７ｅＶのＬＵＭＯ−ＨＯＭＯ分離を有すると考えられるＰＴＣＢＩ、励起子阻止層（ＥＢＬ）２Ａ０４、たとえば、約３．５ｅＶのＬＵＭＯ−ＨＯＭＯ分離を有すると考えられる２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（バトクプロイン（ｂａｔｈｏｃｕｐｒｏｉｎｅ）またはＢＣＰとも呼ばれる）、および陰極層２Ａ０５、
を含む。ＥＢＬ２Ａ０４における大きなＬＵＭＯ−ＨＯＭＯエネルギーギャップはＥＴＬ２Ａ０３からＥＢＬ２Ａ０４への励起子の拡散を妨げるであろうことが認識されるはずである。また、同時に、ＥＢＬ２Ａ０４は、ＥＴＬ２Ａ０３とＥＢＬ２Ａ０４のＨＯＭＯ準位間の逆ギャップ（ｕｎｆａｖｏｒａｂｌｅ ｇａｐ）、すなわち、ＥＢＬの高いイオン化電位、のために、ＥＴＬ２Ａ０３から陰極へ向かう正孔の輸送を阻止するであろう。
　図２Ｂには、陽極側ＥＢＬの似た状況が描かれている。ＯＰＯＤ素子２Ｂ００は陽極層２Ｂ０１、たとえば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、励起子阻止層（ＥＢＬ）２Ｂ０２、たとえば、４，４’，４”−トリス｛Ｎ，−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ｝トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）またはポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＯＴ）を含む。ｍ−ＭＴＤＡＴＡおよびＰＥＤＯＴについてのＬＵＭＯ−ＨＯＭＯ分離は正確には知られていないが、図２Ｂに描かれているようであると考えられる。ＯＰＯＤはさらに正孔輸送層（ＨＴＬ）２Ｂ０３、たとえば、ＣｕＰｃ、電子輸送層（ＥＴＬ）２Ｂ０４、たとえば、ＰＴＣＢＩ、および陰極層２Ｂ０５、たとえば、銀を含む。ＥＢＬ２Ｂ０２における大きなＬＵＭＯ−ＨＯＭＯエネルギーギャップはＨＴＬ２Ｂ０３からＥＢＬ２Ｂ０２への励起子の拡散を妨げるであろうことが認識されるはずである。また、同時に、ＥＢＬ２Ｂ０２はＨＴＬ２Ｂ０３とＥＢＬ２Ｂ０２のＬＵＭＯ準位間の逆ギャップすなわちＥＢＬの高いＬＵＭＯ準位によってＨＴＬ２Ｂ０３から陰極へ向かっての電子の輸送を阻止するのであろう。しかしながら、この効果は殆ど重要にはならない、何故ならば、ＨＴＬ／ＥＴＬ界面の周辺に発生した内部電界は電子を陰極層２Ｂ０５に向かって駆動させてＨＴＬ／ＥＢＬ界面領域の近くには比較的少数の電子しか存在しないようにする傾向があろうからである。この電子阻止局面の１つの結果はＥＢＬ２Ｂ０２が最適には陽極側ＥＢＬであることである。 
　最後に、図２Ｃには、陽極側および陰極側両方のＥＢＬｓを有するＯＰＯＤ２Ｃ００の様々な相対エネルギー層が図解されている。陽極層２Ｃ０１、たとえば、ＩＴＯ、陽極側ＥＢＬ２Ｃ０２、たとえば、ｍ−ＭＴＤＡＴＡまたはＰＥＤＯＴ、ＨＴＬ２Ｃ０３、たとえば、ＣｕＰｃ、ＥＴＬ２Ｃ０４、たとえば、ＰＴＣＢＩ、陰極側ＥＢＬ２Ｃ０５、たとえば、ＢＣＰ、および陰極層２Ｃ０６、たとえば、銀。従って、陽極側ＥＢＬおよび陰極側ＥＢＬの両方をもって、ＨＴＬ２Ｃ０３およびＥＴＬ２Ｃ０４の中に生成された励起子はそれらが好ましくは解離するまで又は望ましくないことには消光するまで有効に閉じ込められる。 
　そのエネルギー状態が図２Ｄに描かれているところの複層構造は高度に効率的な受光素子（ｐｈｏｔｏｄｅｔｅｃｔｏｒ）である。図２Ｄにおいては、２Ｄ０１は透明陽極、たとえば、ＩＴＯであり、それは、幾つかのＨＴＬたとえばＣｕＰｃ、層２Ｄ０２、の１つに隣接している。ＨＴＬ層２Ｄ０２の間には、そして励起子阻止層２Ｄ０４に隣接して、幾つかのＥＴＬ、たとえばＰＴＣＢＩ、層２Ｄ０３がある。励起子阻止層２Ｄ０４はこの例ではＢＣＰである。励起子阻止層２Ｄ０４は、たとえば銀である陰極２Ｄ０５に隣接している。アーバー等およびフォレストのケミ．レヴ．１９９７は、多数のＨＴＬ−ＥＴＬ界面は素子から励起子を抽出するためにバイアスが付与されたときに効率的な自由担体発生を提供できるということを示唆した。しかしながら、アーバーおよびフォレストはかかる素子における効力をさらに高めるためのここに記載されたような励起子阻止層の使用を示唆しなかった。 
　本発明によればバイアスなしで操作するそしてＥＢＬを包含するＯＰＯＤｓは光電流の重大な損失を伴わずに非常に薄くできる。従って、ＥＢＬｓを包含するＯＰＯＤｓは、フォレスト等の米国特許出願第０９／１３６，３４２号、第０９／１３６，１６６号、第０９／１３６，３７７号、第０９／１３６，１６５号、第０９／１３６，１６４号（以後、まとめて「フォレストＯＰＯＤ出願」）（それらはそれらの全体が本願明細書の中に組み入れられる）の高度に効率的なＯＰＯＤｓと組み合わせて使用されてもよい。ＥＢＬｓを包含するそして多数のサブセルを有するおよび（または）導波路構成を包含する積層（ｓｔａｃｋｅｄ）ＯＰＯＤｓは高い内部および外部の量子効率を達成するために本発明に従って構成されてもよい。 」 
（引用文献１’：段落【００１９】〜【００２９】）
　
（ｄ）「
　
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」 
（引用文献１：明細書第２６頁第１４行〜第２７頁第８行）
　
（日本語訳） 
「　
ＢＣＰ層は〜１０％（重量による）のＰＴＣＢＩをドープされたことが認識されるべきである。
（引用文献１’：段落【００５５】）　 
　
（ｅ）「
　
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」 
（引用文献１：明細書第２８頁第１９行〜第２９頁第１４行）
　
（日本語訳） 
「　これまでに記載した態様の薄い光活性層のせいで、吸収剤層（ａｂｓｏｒｂａｎｔ  ｌａｙｅｒ）の有効厚さを増大させる手段を提供するデバイスジオメトリーが好ましい。
１つのかかる態様は積層ＯＰＯＤである。励起子阻止層を含む積層ＯＰＯＤ１０００は図１０に概略的に図解されている。層１００１、１００３、１００５、および１００７は、上記に及びフォレストＯＰＯＤ出願の中に記載された通りの金属または金属代用物であってもよい電極または電荷移動層である。セクション１００２、１００４および１００６は積層ＯＰＯＤ１０００のＯＰＯＤサブセルを形成する図２Ａ〜２Ｃに描かれているような感光性ヘテロ構造を表わす。電極または電荷移動層１００３および１００５は好ましくは透明でありながら、デバイス１０００の最上面または最下面どちらかに入射した光が光変換用にデバイスの中に入るように層１００１または１００７の少なくとも１つが好ましくは透明である。層１００８はガラス、金属、プラスチックなどのような通常の基板材料である。基板は光が基板の中を通されるべきであるときには透明である。
（引用文献１’：段落【００５９】）　 
　
（ｆ）「　
　
　
　
　
　
 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」 
　
（ｇ）上記記載事項（ｃ）の「これら２つの材料の界面は光起電性ヘテロ接合（ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ  ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ）と呼ばれる。伝統的な半導体理論においては、ＰＶヘテロ接合を形成するための材料は一般的には、ｎまたはドナー型、又は、ｐまたはアクセプター型、のどちらかであるといわれている。」、「原型的ＰＶヘテロ接合は伝統的にｐ−ｎ界面である」、「有機材料のこれら独特の電子工学的性質のために、それらを「ｐ型」または「アクセプター型」および「ｎ型」または「ドナー型」として示すよりも、「正孔輸送層」（ｈｏｌｅ−ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ−ｌａｙｅｒ）（ＨＴＬ）または「電子輸送層」（ｅｌｅｃｔｒｏｎ−ｔｒａｎｓｐｏｒｔｉｎｇ−ｌａｙｅｒ）（ＥＴＬ）の名称がしばしば使用される。」との記載から、正孔輸送層（ＨＴＬ）及び電子輸送層（ＥＴＬ）は、その界面に光起電性ヘテロ接合を形成していることは明らかである。
　
（ｈ）上記記載事項（ｃ）の「素子の中の与えられた位置におけるＥＢＬのための材料は所望の符号の担体が電極または電荷移動層へのその輸送を妨害されないように選ばれるであろう。」との記載から、励起子阻止層（ＥＢＬ）が、所望の符号の担体を輸送するものであることは明らかである。
　
（ｉ）上記記載事項（ｃ）の「本発明を構成するＥＢＬｓは、励起子が阻止される隣接有機半導体のそれよりも実質的に大きいＨＯＭＯ−ＬＵＭＯエネルギーギャップを有する」及び「正孔輸送層（ＨＴＬ）２Ａ０２、たとえば、約１．７ｅＶのＬＵＭＯ−ＨＯＭＯ分離を有すると考えられるＣｕＰｃ、電子輸送層（ＥＴＬ）２Ａ０３、たとえば、やはり約１．７ｅＶのＬＵＭＯ−ＨＯＭＯ分離を有すると考えられるＰＴＣＢＩ、励起子阻止層（ＥＢＬ）２Ａ０４、たとえば、約３．５ｅＶのＬＵＭＯ−ＨＯＭＯ分離を有すると考えられる２，９−ジメチル−４，７−ジフェニル−１，１０−フェナントロリン（バトクプロイン（ｂａｔｈｏｃｕｐｒｏｉｎｅ）またはＢＣＰとも呼ばれる）」との記載、及び上記記載事項（ｆ）の「Ｆｉｇ．２Ａ」の記載から、励起子阻止層（ＥＢＬ）は、正孔輸送層（ＨＴＬ）及び電子輸送層（ＥＴＬ）よりも大きなＬＵＭＯ−ＨＯＭＯエネルギーギャップを有していることは明らかである。
　
（ｊ）上記記載事項（ｅ）及び上記記載事項（ｆ）の「ＦＩＧ．１０」から、ＯＰＯＤが、基板１００８の一方の側に順に積層された、第一の電極１００７、第一の感光性ヘテロ構造１００６、第二の電極１００５、第二の感光性ヘテロ構造１００４、第三の電極１００３、第三の感光性ヘテロ構造１００２及び第四の電極１００１を備えていることは明らかである。
　
　すると、上記引用文献１の記載事項から、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。 
 「透明である基板１００８と、基板１００８の一方の側に順に積層された、第一の電極１００７、第一の感光性ヘテロ構造１００６、第二の電極１００５、第二の感光性ヘテロ構造１００４、第三の電極１００３、第三の感光性ヘテロ構造１００２及び第四の電極１００１を備えた、有機感光性オプトエレクトロニクス素子（ＯＰＯＤｓ）であって、第一の感光性ヘテロ構造１００６、第二の感光性ヘテロ構造１００４及び第三の感光性ヘテロ構造１００２は、それぞれ、ＣｕＰｃの正孔輸送層（ＨＴＬ）、ＰＴＣＢＩの電子輸送層（ＥＴＬ）及び励起子阻止層（ＥＢＬ）を有し、励起子阻止層（ＥＢＬ）は、〜１０％（重量による）のＰＴＣＢＩをドープされたＢＣＰ層よりなり、正孔輸送層（ＨＴＬ）及び電子輸送層（ＥＴＬ）は、その界面に光起電性ヘテロ接合を形成しており、励起子阻止層（ＥＢＬ）が、所望の符号の担体を輸送するものであり、励起子阻止層（ＥＢＬ）は、正孔輸送層（ＨＴＬ）及び電子輸送層（ＥＴＬ）よりも大きなＬＵＭＯ−ＨＯＭＯエネルギーギャップを有している、有機感光性オプトエレクトロニクス素子（ＯＰＯＤｓ）」
　
３．対比
（１）本願発明と引用発明の対比
（ａ）引用発明の「透明である基板１００８」、「第一の電極１００７」、「第一の感光性ヘテロ構造１００６」、「有機感光性オプトエレクトロニクス素子（ＯＰＯＤｓ）」は、それぞれ、本願発明の「透明な基板」、「導電性の接点層」、「層構造」、「有機層を有する光活性素子」及び「素子」、に相当する。
　また、引用発明の「基板１００８の一方の側に順に積層された、第一の電極１００７、第一の感光性ヘテロ構造１００６」「を備えた」構成は、本願発明の「基板の一方の側に配置された導電性の接点層と、導電性の接点層の、基板と逆側に配置された層構造と」「を備えた」構成に相当する。
　
（ｂ）引用発明の「第一の感光性ヘテロ構造１００６」が有する「〜１０％（重量による）のＰＴＣＢＩをドープされたＢＣＰ層よりなり、」「所望の符号の担体を輸送するものであ」る「励起子阻止層（ＥＢＬ）」は、本願発明の「第一の電荷型の荷電粒子を伝導するための第一のドーピングされた第一の電荷型の有機荷電粒子伝導層」に相当する。
　また、引用発明の「第一の感光性ヘテロ構造１００６」が有する「ＣｕＰｃの正孔輸送層（ＨＴＬ）」及び「ＰＴＣＢＩの電子輸送層（ＥＴＬ）」は、「その界面に光起電性ヘテロ接合を形成して」いるから、本願発明の「光エネルギーを電気エネルギーに変換するための有機光活性層」に相当する。
　そして、引用発明の「第一の感光性ヘテロ構造１００６」「は、」「ＣｕＰｃの正孔輸送層（ＨＴＬ）、ＰＴＣＢＩの電子輸送層（ＥＴＬ）及び励起子阻止層（ＥＢＬ）を有し、励起子阻止層（ＥＢＬ）は、〜１０％（重量による）のＰＴＣＢＩをドープされたＢＣＰ層よりなり、正孔輸送層（ＨＴＬ）及び電子輸送層（ＥＴＬ）は、その界面に光起電性ヘテロ接合を形成しており、励起子阻止層（ＥＢＬ）が、所望の符号の担体を輸送するものであ」る構成は、本願発明の「この層構造が、第一の電荷型の荷電粒子を伝導するための第一のドーピングされた第一の電荷型の有機荷電粒子伝導層と、」「光エネルギーを電気エネルギーに変換するための有機光活性層と、を有」する構成に相当する。
　
（ｃ）引用発明の「第一の感光性ヘテロ構造１００６」の「励起子阻止層（ＥＢＬ）は、正孔輸送層（ＨＴＬ）及び電子輸送層（ＥＴＬ）よりも大きなＬＵＭＯ−ＨＯＭＯエネルギーギャップを有している」構成は、本願発明の「この荷電粒子伝導層が、この光活性層よりも大きな光学バンドギャップを有し」ている構成に相当する。
　
（ｄ）引用発明の「第四の電極１００１」、「第三の感光性ヘテロ構造１００２」は、それぞれ、本願発明の「更に別の導電性の接点層」、「更に別の層構造」に相当する。
　また、引用発明の「基板１００８の一方の側に順に積層された、第一の電極１００７、第一の感光性ヘテロ構造１００６、第二の電極１００５、第二の感光性ヘテロ構造１００４、第三の電極１００３、第三の感光性ヘテロ構造１００２及び第四の電極１００１を備えた」構成は、本願発明の「この層構造の、基板と逆側には、更に別の導電性の接点層が配置されており、」「この更に別の層構造が、前記の層構造とこの更に別の導電性の接点層の間に配置されている」構成に相当する。
　
（ｅ）引用発明の「第三の感光性ヘテロ構造１００２」が有する「〜１０％（重量による）のＰＴＣＢＩをドープされたＢＣＰ層よりなり、」「所望の符号の担体を輸送するものであ」る「励起子阻止層（ＥＢＬ）」は、本願発明の「第一の電荷型の荷電粒子を伝導するための第一の電荷型のドーピングされた更に別の有機荷電粒子伝導層」に相当する。
　また、引用発明の「第三の感光性ヘテロ構造１００２」が有する「ＣｕＰｃの正孔輸送層（ＨＴＬ）」及び「ＰＴＣＢＩの電子輸送層（ＥＴＬ）」は、「その界面に光起電性ヘテロ接合を形成して」いるから、本願発明の「光エネルギーを電気エネルギーに変換するための更に別の有機光活性層」に相当する。
　そして、引用発明の「ＣｕＰｃの正孔輸送層（ＨＴＬ）、ＰＴＣＢＩの電子輸送層（ＥＴＬ）及び励起子阻止層（ＥＢＬ）を有し、励起子阻止層（ＥＢＬ）は、〜１０％（重量による）のＰＴＣＢＩをドープされたＢＣＰ層よりなり、正孔輸送層（ＨＴＬ）及び電子輸送層（ＥＴＬ）は、その界面に光起電性ヘテロ接合を形成しており、励起子阻止層（ＥＢＬ）が、所望の符号の担体を輸送するものであ」る「第三の感光性ヘテロ構造１００２」「を備えた」構成は、本願発明の「第一の電荷型の荷電粒子を伝導するための第一の電荷型のドーピングされた更に別の有機荷電粒子伝導層と、」「光エネルギーを電気エネルギーに変換するための更に別の有機光活性層と、を備えた更に別の層構造が配備され」た構成に相当する。
　
（ｆ）引用発明の「第三の感光性ヘテロ構造１００２」の「励起子阻止層（ＥＢＬ）は、正孔輸送層（ＨＴＬ）及び電子輸送層（ＥＴＬ）よりも大きなＬＵＭＯ−ＨＯＭＯエネルギーギャップを有している」構成は、本願発明の「この更に別の荷電粒子伝導層が、この更に別の光活性層よりも大きな光学バンドギャップを有し」ている構成に相当する。
　
（２）一致点
　してみると、両者は、
 「透明な基板と、
基板の一方の側に配置された導電性の接点層と、
導電性の接点層の、基板と逆側に配置された層構造と、
を備えた、有機層を有する光活性素子において、
この層構造が、
第一の電荷型の荷電粒子を伝導するための第一のドーピングされた第一の電荷型の有機荷電粒子伝導層と、
光エネルギーを電気エネルギーに変換するための有機光活性層と、
を有し、
この荷電粒子伝導層が、この光活性層よりも大きな光学バンドギャップを有し、
この層構造の、基板と逆側には、更に別の導電性の接点層が配置されており、
第一の電荷型の荷電粒子を伝導するための第一の電荷型のドーピングされた更に別の有機荷電粒子伝導層と、
光エネルギーを電気エネルギーに変換するための更に別の有機光活性層と、
を備えた更に別の層構造が配備され、
この更に別の荷電粒子伝導層が、この更に別の光活性層よりも大きな光学バンドギャップを有し、
この更に別の層構造が、前記の層構造とこの更に別の導電性の接点層の間に配置されている、
素子」
で一致し、次の点で相違する。 
　
（３）相違点
　本願発明では、「有機光活性層」が「荷電粒子伝導層の、基板と逆側に配置され」、かつ「更に別の有機光活性層」が「更に別の有機」「荷電粒子伝導層の、基板と逆側に配置され」ているのに対して、引用発明では、「第一の感光性ヘテロ構造１００６」の「ＣｕＰｃの正孔輸送層（ＨＴＬ）、ＰＴＣＢＩの電子輸送層（ＥＴＬ）」の配置、及び「第三の感光性ヘテロ構造１００２」の「ＣｕＰｃの正孔輸送層（ＨＴＬ）、ＰＴＣＢＩの電子輸送層（ＥＴＬ）」の配置が不明な点。
　
４．判断
（１）相違点について
　引用発明における「第一の電極１００７」及び「第四の電極１００１」のうち、いずれか一方が陰極であり他方が陽極であるのは技術常識であり、上記「第一の電極１００７」及び「第四の電極１００１」のいずれの一方を陰極とし他方を陽極とするのかは、適宜選択される設計的事項である。
　そして、引用発明において「第一の電極１００７」を陰極に設計することで、「第一の感光性ヘテロ構造１００６」が、基板側から、「励起子阻止層（ＥＢＬ）」、「ＣｕＰｃの正孔輸送層（ＨＴＬ）、ＰＴＣＢＩの電子輸送層（ＥＴＬ）」の順に積層された構造を有し、「第三の感光性ヘテロ構造１００２」が、基板側から、「励起子阻止層（ＥＢＬ）」、「ＣｕＰｃの正孔輸送層（ＨＴＬ）、ＰＴＣＢＩの電子輸送層（ＥＴＬ）」の順に積層された構造を有するところ、本願発明における「基板」と「有機荷電粒子伝導層」及び「有機光活性層」の配置関係、及び、「基板」と「更に別の有機荷電粒子伝導層」及び「更に別の有機光活性層」の配置関係に格別な技術的意味もないことを勘案すると、引用発明において、「第一の電極１００７」を陰極に設計することにより、「第一の感光性ヘテロ構造１００６」を、基板側から、「励起子阻止層（ＥＢＬ）」、「ＣｕＰｃの正孔輸送層（ＨＴＬ）、ＰＴＣＢＩの電子輸送層（ＥＴＬ）」の順に積層された構造とし、「第三の感光性ヘテロ構造１００２」を、基板側から、「励起子阻止層（ＥＢＬ）」、「ＣｕＰｃの正孔輸送層（ＨＴＬ）、ＰＴＣＢＩの電子輸送層（ＥＴＬ）」の順に積層された構造として、上記相違点に係る事項を得ることは、当業者が容易になし得ることである。
　
（２）効果について
　本願発明が奏し得る効果は、引用発明から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
（３）結論
　したがって、本願発明は、引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
５．上申書における主張について
　請求人は、平成２６年９月４日付けの上申書において、「前置報告書において、審査官は、引用文献１のＥＢＬ層（ＢＣＰ層）が本願発明の第一の電荷型の有機荷電伝導層に相当すると判断されていますが、引用文献１には、正孔伝導層と電子伝導層として、ＥＢＬ層以外のＨＴＬ層とＥＴＬ層が配置されていますので、それらのＨＴＬ層とＥＴＬ層が、本願発明の荷電粒子伝導層に相当すると考えるのが至当であると考えます。更に、本願発明の第一の電荷型の有機荷電伝導層がドーピングされ、光活性層よりも大きな光学バンドギャップを有するのに対しまして、引用文献１のＨＴＬ層とＥＴＬ層は、ドーピングされておらず、光活性層よりも大きな光学バンドギャップを有しません。」と主張している。
　しかしながら、上記「第２　本願発明について」「３．対比」にて対比したとおり、引用発明の「感光性ヘテロ構造１００６」が有する「ＣｕＰｃの正孔輸送層（ＨＴＬ）」及び「ＰＴＣＢＩの電子輸送層（ＥＴＬ）」は、本願発明の「光エネルギーを電気エネルギーに変換するための有機光活性層」に相当するものであるから、引用発明において、本願発明の「層構造」に相当する「感光性ヘテロ構造１００６」が有する、「ＣｕＰｃの正孔輸送層（ＨＴＬ）」及び「ＰＴＣＢＩの電子輸送層（ＥＴＬ）」とは別の層としての「励起子阻止層（ＥＢＬ）」について、本願発明の「第一の電荷型の荷電粒子を伝導するための第一のドーピングされた第一の電荷型の有機荷電粒子伝導層」に相当することが相応であり、上記請求人の主張は採用することができない。
　また、請求人は、上記上申書において、「また、審判請求書の「（４）本願発明と引用例の対比」で説明しました通り、本願発明と引用文献１に記載された発明におけるドーピングの技術的意義が大きく異なっていますので、その違いを明確にするために、本願発明の明細書の段落０００６の「この場合、ｎ又はｐは、熱平衡状態において自由電子又は正孔の密度を増大させることとなるｎ型又はｐ型にドーピングすることを意味する。この観点において、このような層は、主に伝導層であると解釈することができる。」との記載に基づき、「ここで、ドーピングは、熱平衡状態において自由電子又は正孔の密度を増大させるために行なわれる」との記載を請求項１に追加してもよいと考えております。」との主張もしている。
　しかしながら、引用発明における「励起子阻止層（ＥＢＬ）」は、「第２　本願発明について」「２．引用刊行物」の記載事項（ｃ）における、「本発明を構成するＥＢＬｓは、励起子が阻止される隣接有機半導体のそれよりも実質的に大きいＨＯＭＯ−ＬＵＭＯエネルギーギャップを有することから、それらＥＢＬｓの励起子阻止特性を引き出すと考えられる。」との記載、「従って、素子の中の与えられた位置におけるＥＢＬのための材料は所望の符号の担体が電極または電荷移動層へのその輸送を妨害されないように選ばれるであろう。」との記載より、励起子を阻止する特性を有しつつ、所望の符号の担体の輸送を妨害しない特性も有するものであることは明らかであり、これらの特性に影響するＨＯＭＯ及びＬＵＭＯの準位を調整するためドーピングを行うことは周知の技術であるから、仮に本願発明において当該限定を行ったとしても、本願発明は、引用発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、との上記結論に変わりはない。
　
　
第３　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。