【事件の表示】
　平成　７年特許願第　　９３６９号「レーザーアニール法及び液晶表示装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　８年　８月　９日出願公開、特開平　８−２０１８４６］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願発明
　本願の請求項１〜６に係る発明についての出願は、平成７年１月２５日に特許出願したものであって、その請求項１〜６に係る発明は、平成１３年５月７日付け手続補正書により補正された明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、請求項４に係る発明は次のものである。
「【請求項４】　液晶表示器に用いられる薄膜トランジスタ基板に対して、パルスレーザービームをその一部が重なるようにずらして照射するレーザーアニール処理により、薄膜トランジスタが形成された前記薄膜トランジスタ基板を用いた液晶表示装置において、画面用の薄膜トランジスタを駆動する駆動用の薄膜トランジスタを形成する半導体薄膜が、前記薄膜トランジスタ基板に対する前記レーザーアニール処理の際に、前記パルスレーザービームのエッジ部分にて必ず照射される液晶表示装置。」
　
２．刊行物記載の発明
　原審における拒絶理由に引用された、この出願前公知の刊行物である特開平５−１９０４５１号公報（以下、「引用例１」という。）には、下記の記載が認められる。
「【０００２】
　【従来の技術】
　・・・ガラス基板上にアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を堆積した後、エキシマレーザーから照射される紫外線でアニールすることにより多結晶シリコン（poiy-Si）層を得る。・・・その際、紫外線が照射されない部分を排除するため、及びビームスポットの照射面積端部で照射エネルギーが急激に減少するためにアニールが不完全になるのを防止するため、ビームスポットの照射面積端部で重なり合うよう（図４及び図５のＬ部分）に照射を行なっていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら、上記方法によると、前記したビームスポットの重なり部分における照射される総エネルギー量を、他の部分と均一にするのが困難であり、その結果、その重なり部分で膜ストレスが増加したり表面平坦性が劣化し高品質な多結晶半導体層を得ることができないという問題点があった。・・・
【０００４】
　本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、大面積基板上に堆積された非晶質半導体層上に紫外線を照射させて多結晶半導体層を得る際、従来使用されているエキシマレーザー装置を用いながら、結晶性の均一を図ることにより高品質の多結晶半導体層を得ることができる半導体素子の製造方法を提供することを目的としている。
【０００９】
【実施例】
　本発明方法の第１の実施例について、図２（ａ）〜（ｄ）に示すｎ型薄膜トランジスタの製造方法を例に説明する。大面積の液晶パネルや密着型イメージセンサでは、能動素子として複数の薄膜トランジスタが絶縁性基板上に形成される。
　絶縁性基板としてガラス基板１を使用し、ステージ（図示せず）上に配置されたガラス基板１の表面にＬＰＣＶＤ法により５００℃の着膜温度で１０００オングストロームの厚膜でアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜２を堆積し（図２（ａ））、エキシマレーザー（ＫｒＦ　２４８ｎｍ，１０Ｈｚ）からの紫外線の照射によりアニールを行なって多結晶シリコン（poly-Si）層２′を形成する（図２（ｂ））。・・・エキシマレーザーのビームスポットは、ビームホモジナイザー（図示せず）等を介することにより約１０ｍｍ角の照射面積とし、ビームスポット内のエネルギーの均一性は±５％以下にできる。
【００１０】
　前記アニールは、エキシマレーザーとステージとを相対的に移動させることにより、図１に示すように、ガラス基板１上に堆積されたアモルファスシリコン膜２上をビームスポットが０．５ｍｍずつ移動してアモルファスシリコン膜２の全体面を走査するようになっている。・・・
【００１５】
　上記実施例によれば、エキシマレーザーのビームスポットによる照射面積が０．５ｍｍのピッチでずれるように走査するので、ビームスポット内にエネルギー密度のバラツキが存在しても、小さいピッチで照射面積が進行していくので、アモルファスシリコン層の微小部分でみた場合、照射される総エネルギー量はアモルファスシリコン層の各部分において均一となり、結晶性の均一化を図ることができる（図３）。
【００１６】
　また、・・・実験結果によれば、隣接部分に有効な温度上昇を与えるためには、走査ピッチ量Ｍは０．５ｍｍ以下にすることが望ましい。
【００１８】
　次に、具体的な数値例をあげて上記実施例の効果について説明する。
　第１の実施例（微小ピッチ走査あり、ステップアニール）及び第２の実施例（微小ピッチ走査あり、シングルアニール）で形成された薄膜トランジスタの移動度μ，しきい値電圧Ｖth，リーク電流Ｉleakの各々のガラス基板内でのバラツキを特性均一性（３σ／aveで示される。σ：分布の標準偏差、ave：平均値）を測定し、照射方法依存性として表１に示す。表１では比較のため、従来例で述べたようにビームスポットの重なり幅Ｌ（図４及び図５）を０．５ｍｍとし、４５０ｍＪ／ｃｍ2のエネルギー密度を有するビームスポットでアニールを行なった場合（微小ピッチ走査なし、シングルアニール）と、ビームスポットの重なり幅Ｌを０．５ｍｍとし、１回めは２７０ｍＪ／ｃｍ2のエネルギー密度で、２回めは４５０ｍＪ／ｃｍ2のエネルギー密度でアニールを行なった場合（微小ピッチ走査なし、ステップアニール）で得られた薄膜トランジスタの移動度μ，しきい値電圧Ｖth，リーク電流Ｉleakの特性均一性を示した。
【００１９】
　　【表１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　特性均一性［％］（３σ／ave）
　　レーザー照射方法　　　　　　　　　　　μ　　　Ｖth　　　Ｉleak
微小ピッチ走査あり、ステップアニール　　　５　　　２２　　　　２２
微小ピッチ走査あり、シングルアニール　　２０　　　１５　　　　５２
微小ピッチ走査なし、ステップアニール　　３５　　　３７　　　　５６
微小ピッチ走査なし、シングルアニール　　８１　　　３８　　　１１８
【００２０】
　表１より、ステップアニール及びシングルアニールの両方の場合において、ビームスポットを０．５ｍｍずつ移動してアニールを行なう（微小ピッチ走査あり）方法によって形成された薄膜トランジスタの方が、特性の均一性が向上していることが確認できた。」
　　
　上記によれば、引用例１には、「薄膜トランジスタが形成される絶縁性基板上にアモルファスシリコン膜を堆積し、エキシマレーザーからの紫外線の照射によりアニールを行なって多結晶シリコン層を形成するものであって、前記エキシマレーザーのビームスポットは約１０ｍｍ角の照射面積で、ビームスポットの走査ピッチ量を０．５ｍｍ以下として、前記アモルファスシリコン膜の全体面を走査することにより、薄膜トランジスタの特性の均一性を向上した液晶パネル。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
　
　同じく、特開平５−１０７５５８号公報（以下、「引用例２」という。）には、アクティブマトリクス基板の製造方法に関して、
「【０００５】
　・・・従来のようにパルスレーザのビームを重なり部分が生じるように照射する方法では、図１２に示すように、多結晶シリコン薄膜ＣＰＳの間に微結晶シリコン層の領域が発生し、パルスレーザのビームよりも広い面積のシリコン薄膜を均一に多結晶シリコン化することができない。このように、パルスレーザ照射では、ビームより大きな大面積にわたって均一な特性の結晶性のシリコン薄膜を得られることは極めて困難であった。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
　本発明は、上記の問題を鑑み、安価なガラス基板上にアクティブマトリクス型の液晶表示装置の電気的に均一な駆動回路をパルスレーザの照射によって構成することのできる構造とその製造方法を提供するものである。
【００３７】
【発明の効果】
  本発明の方法によって構成された信号線側駆動回路及び走査線側駆動回路は、・・・レーザビームの照射によって結晶化されたシリコン薄膜の物性的なばらつきの原因であるレーザビームのエッジ部が駆動回路の内部で発生することがないので、極めて電気的性質が均一な駆動回路を構成することが可能である。・・・」と記載されている。
　
　同じく、特開平４−２８２８６９号公報（以下、「引用例３」という。）には、
「本発明の実施例を図３を参照しながら説明する。対角１０インチ用ガラス基板１上にクロム膜（２０００オングストローム）をスパッ法（「スパッタ法」の誤記；審決注）により堆積した後、ホトエッチ工程によりゲート電極５を形成する。次に、プラズマＣＶＤ法により、ゲート絶縁膜６としての窒化膜（３０００オングストローム）、ｉ層アモルファスシリコン膜７（３００オングストローム）を連続堆積する。次に、周辺回路形成領域をレーザアニールする。」（【００１６】参照。）と記載されている。
　
３．対比
　本願の請求項４に係る発明（以下、「本願発明」という。）と上記引用発明とを対比する。
　引用発明の「液晶パネル」、「薄膜トランジスタが形成される絶縁性基板」、「エキシマレーザー」、「アモルファスシリコン膜」は、本願発明の「液晶表示器」、「薄膜トランジスタ基板」、「パルスレーザー」、「半導体薄膜」に相当する。又、引用発明において、エキシマレーザーのビームスポットは、約１０ｍｍ角の照射面積で、ビームスポットが０．５ｍｍずつ移動してアモルファスシリコン膜の全体面を走査するのであるから、「レーザービームをその一部が重なるようにずらして照射し」ていることは明らかである。
　よって、両者は、
「液晶表示器に用いられる薄膜トランジスタ基板に対して、パルスレーザービームをその一部が重なるようにずらして照射するレーザーアニール処理により、薄膜トランジスタが形成された前記薄膜トランジスタ基板を用いた液晶表示装置において、薄膜トランジスタを形成する半導体薄膜が、前記薄膜トランジスタ基板に対する前記レーザーアニール処理の際に、前記パルスレーザービームにて照射される液晶表示装置。」で一致し、下記の点で相違する。
（相違点）　本願発明は、画面用の薄膜トランジスタを駆動する駆動用の薄膜トランジスタを形成する半導体薄膜が、前記薄膜トランジスタ基板に対する前記レーザーアニール処理の際に、前記パルスレーザービームのエッジ部分にて必ず照射されるのに対して、引用発明では、薄膜トランジスタを形成する半導体薄膜が、前記パルスレーザービームにて照射されるものであり、前記レーザーのビームスポットは、ビームスポットの走査ピッチ量を０．５ｍｍ以下として、アモルファスシリコン膜の全体面を走査することにより、薄膜トランジスタの特性の均一性を向上したものである点。
　
４．判断
　上記相違点に付き検討する。
（１）　先ず、駆動回路（周辺回路）が形成される部分（本願発明の「画面用の薄膜トランジスタを駆動する駆動用の薄膜トランジスタを形成する半導体薄膜部分」に相当。）をレーザ照射することは刊行物２及び３に記載されているように従来周知の事項である。
（２）　次に、本願発明の上記相違点のうちの「薄膜トランジスタ基板に対する前記レーザーアニール処理の際に、前記パルスレーザービームのエッジ部分にて必ず照射される」点は、液晶表示装置における薄膜トランジスタを、半導体薄膜の照射処理方法によって限定しようとするものと解されるので、その技術的意義について検討する。
　本願明細書には、【０００９】【発明が解決しようとする課題】の欄に、「しかしながら上記のような従来のレーザーアニール法では、連続するパルスレーザービームをその一部をオーバーラップさせながらビーム位置をずらして照射しており、この場合、駆動用薄膜トランジスタ７，９に用いられる半導体薄膜が、ビームエッジ部により照射されたりされなかったりし、特に、その場所のシリコン薄膜にとって最初に照射されたビームのエッジ部（以下、第１照射のビームエッジ部と称する）が照射された部分で作成された素子の特性が、他の部分に比べて異なるという現象がおこり、その素子能力にばらつきが生じるという問題点を有していた。」と記載され、また、【００１２】に、「本発明は、走査側の駆動用薄膜トランジスタ及び信号側の駆動用薄膜トランジスタの素子能力のばらつきを抑えることができ、画像ムラの発生をなくして画像品質の低下を防止することができるレーザーアニール法及び液晶表示装置を提供することを目的とする。」と記載されている。
　すなわち、本願発明は、レーザービームのエッジ部で照射された部分で作成された素子の特性が他の部分に比べて異なることによる問題点を解消し、
薄膜トランジスタの素子能力のばらつきを抑える
　
　これに対して、引用例１記載のものは、ビームスポットの照射面積端部で重なり合うように照射を行なっても、前記ビームスポットの重なり部分における照射される総エネルギー量を、他の部分と均一にするのが困難であり、その結果、高品質な多結晶半導体層を得ることができないという問題点があった、という本願発明と同様の課題を、結晶性の均一を図ることにより解決したもの（前掲【０００３】、【０００４】参照。）である。
　すなわち、引用発明は、ビームスポットの走査ピッチ量を０．５ｍｍ以下とすることにより、結晶性の均一化を図り、結果として
薄膜トランジスタの特性の均一性を向上した
　してみると、薄膜トランジスタの素子能力のばらつきを抑えるという点において、ビームスポットの走査ピッチ量を０．５ｍｍ以下として、特性の均一性を向上した引用発明における薄膜トランジスタと、パルスレーザービームのエッジ部分にて必ず照射される特定のレーザーアニール処理によって形成された本願発明における薄膜トランジスタとの間に格別の差異はない。
　したがって、本願発明は、引用発明の液晶表示装置において、アモルファスシリコン膜の全体面をパルスレーザービームにて照射する際に、刊行物２及び刊行物３に示されるように従来周知の事項を適用して、駆動回路が形成される部分にもパルスレーザービームを照射し、本願発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　なお、請求人は、「ビームスポットを０．５ｍｍづつ移動する」ことは、液晶表示装置における画素の大きさを考慮すると、この画素よりも十分大きい値であり、このような寸法でビームスポットを移動させてレーザー照射する引用例からは、本願発明のように、「駆動用の薄膜トランジスタを形成する半導体薄膜が、パルスレーザービームのエッジ部分にて必ず照射される」ことは示唆されるものではない旨主張する。
　しかし、本願発明における「画面用の薄膜トランジスタを駆動する駆動用の薄膜トランジスタを形成する半導体薄膜」と画素の大きさの関係は、特許請求の範囲に何も規定されていないから、この点は本願発明の構成に基づかない主張であり、採用できない。ちなみに、本願明細書の記載をみても、「半導体層１９のビームずらし方向の幅」、「レーザービームの横方向幅」及び「レーザービームの横方向のずらし量」の具体的数値が全く示されていない。
　なお、仮に、本願発明の「画面用の薄膜トランジスタを駆動する駆動用の薄膜トランジスタを形成する半導体薄膜」の大きさが画素に比べて小さいものであり、かつ、画面用の薄膜トランジスタと同じピッチで配置されるものであるとしても、引用例１には、「ビームスポットを０．５ｍｍづつ移動する」ことが実施例に記載され、さらに、結晶性の均一化には、走査ピッチ量を０．５ｍｍ以下にすることが望ましいと記載されていること、及び走査ピッチ量を可及的に小さくすれば、照射むらが無くなり、結晶性が均一になることは、容易に予測できることであるから、走査ピッチ量を通常の画素ピッチ程度（０．３ｍｍ前後、本願明細書では、０．０５〜０．３ｍｍ程度としている。）にすることは、当業者が容易になしうる事項にすぎない。また、その際、「駆動用の薄膜トランジスタを形成する半導体薄膜が、パルスレーザービームのエッジ部分にて必ず照射される」ことが、素子の特性にとって有利であるとはいえないから、液晶表示装置における当該規定は、薄膜トランジスタの素子能力のばらつきを抑えるという以上の格別な技術的意義を有するとはいえない。
　　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用例２，３に記載された従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。