【事件の表示】
　特願２０１１−５０２６２５「超音波トランスデューサ、その製造方法、および、それを用いた超音波探触子」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　９月１０日国際公開、ＷＯ２０１０／１００８６１、請求項の数（９）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２２年２月２３日（優先権主張　平成２１年３月５日　日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２５年９月２７日付け拒絶理由通知に対して同年１１月２６日付けで手続補正がなされたが、平成２６年８月２２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月２１日付けで拒絶査定不服審判が請求されると共に手続補正がなされたものである。
第２　平成２６年１１月２１日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２６年１１月２１日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１.本件補正
　平成２６年１１月２１日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲および明細書についてするもので、
　本件補正前の特許請求の範囲が、
「【請求項１】
（ａ）基板と、
（ｂ）前記基板上に形成された配線と、
（ｃ）前記配線を覆うように形成された第１絶縁膜と、
（ｄ）前記第１絶縁膜に形成した、前記配線に達する第１開口部に、導電膜を埋め込んで形成した第１の電気接続部と、
（ｅ）前記第１絶縁膜上に形成した、前記第１の電気接続部に達する下部電極と、
（ｆ）前記下部電極を覆うように形成された第２絶縁膜と、
（ｇ）前記第２絶縁膜上に、上面から見て、前記下部電極と重なるように形成された空洞部と、
（ｈ）前記空洞部を覆うように形成された第３絶縁膜と、
（ｉ）前記第３絶縁膜上に、上面から見て、前記空洞部と重なるように形成された上部電極とを備えた超音波トランスデューサにおいて、
（ｊ）前記第１の電気接続部が、上面から見て、前記空洞部と重ならない位置に配置されていることを特徴とする超音波トランスデューサ。
【請求項２】
（ａ）基板と、
（ｂ）前記基板上に形成された配線と、
（ｃ）前記配線を覆うように形成された第１絶縁膜と、
（ｄ）前記第１絶縁膜に形成した、前記配線に達する複数の第１開口部に、導電膜を埋め込んで形成した複数の第１の電気接続部と、
（ｅ）前記第１絶縁膜上に形成した、前記複数の第１の電気接続部に達する複数の下部電極と、
（ｆ）前記複数の下部電極を覆うように形成された第２絶縁膜と、
（ｇ）前記第２絶縁膜上に、上面から見て、前記複数の下部電極とそれぞれ重なるように形成された複数の空洞部と、
（ｈ）前記複数の空洞部を覆うように形成された第３絶縁膜と、
（ｉ）前記第３絶縁膜上に、上面から見て、前記複数の空洞部とそれぞれ重なるように形成された複数の上部電極とを備えた超音波トランスデューサにおいて、
（ｊ）前記複数の第１の電気接続部が、上面から見て、前記複数の空洞部とそれぞれ重ならない位置に配置されていることを特徴とする超音波トランスデューサ。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の超音波トランスデューサにおいて、
前記基板が、半導体基板である超音波トランスデューサ。
【請求項４】
請求項１または請求項２記載の超音波トランスデューサにおいて、さらに、
（ｋ）第２の電気接続部を備え、
（ｌ）前記第１絶縁膜の第２の開口部を通して、前記第２の電気接続部の一端が前記上部電極と接続され、他端が前記基板上に形成された前記配線と接続されている超音波トランスデューサ。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一つに記載の超音波トランスデューサを用いた超音波探触子。
【請求項６】
（ａ）基板上に配線を形成する工程と、
（ｂ）前記配線を覆う第１絶縁膜を形成する工程と、
（ｃ）前記第１絶縁膜を平坦化する工程と、
（ｄ）前記第１絶縁膜に前記配線に達する第１開口部を形成する工程と、
（ｅ）前記第１開口部に導電膜を埋め込み、電気接続部を形成する工程と、
（ｆ）前記第１絶縁膜上に前記電気接続部に達する下部電極を形成する工程と、
（ｇ）前記下部電極を覆うように第２絶縁膜を形成する工程と、
（ｈ）前記第１絶縁膜上に、上面から見て、前記下部電極と重なるように、かつ、前記電気接続部と重ならない位置に犠牲層を形成する工程と、
（ｉ）前記犠牲層を覆うように第３絶縁膜を形成する工程と、
（ｊ）前記第３絶縁膜上に、上面からみて、前記犠牲層と重なるように上部電極を形成する工程と、
（ｋ）前記上部電極および前記第３絶縁膜を覆う第４絶縁膜を形成する工程と、
（ｌ）前記第３絶縁膜および前記第４絶縁膜を貫通して前記犠牲層に達する第２開口部を形成する工程と、
（ｍ）前記第２開口部を利用して前記犠牲層を除去することにより空洞部を形成する工程と、
（ｎ）前記第２絶縁膜と前記犠牲層に達する開口部を覆うように第５絶縁膜を形成し、前記空洞部を封止する工程とを備える超音波トランスデューサの製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の超音波トランスデューサの製造方法において、
前記第１開口部に導電膜を埋め込み、電気接続部を形成する工程と、前記電気接続部上に下部電極を形成する工程とを、一つの工程で行うことを特徴とする超音波トランスデューサの製造方法。
【請求項８】
請求項６または請求項７記載の超音波トランスデューサの製造方法において、
前記配線を形成する工程が、半導体基板上に前記配線を形成するものであることを特徴とする超音波トランスデューサの製造方法。」
であったところ、
本件補正の特許請求の範囲は、
「【請求項１】
（ａ）基板と、
（ｂ）前記基板上に形成された
複数の
（ｃ）前記
複数の
（ｄ）前記第１絶縁膜に形成した、前記
複数の
の一つ
（ｅ）前記第１絶縁膜上に形成した、前記複数の配線の他の一つに達する第２開口部に、導電膜を埋め込んで形成した第２の電気接続部と、
（
ｆ
（
ｇ
（
ｈ
（
ｉ
（
ｊ
前記第２の電気接続部と電気的に接続された
（
ｋ
および第２の電気接続部
【請求項２】
　
請求項１において、
　
前記第１絶縁膜は、前記第１の電気接続部および前記第２の電気接続部を覆うように形成され、前記下部電極は、前記第１絶縁膜と接することを特徴とする超音波トランスデューサ
【請求項３】
（ａ）基板と、
（ｂ）前記基板上に形成された配線と、
（ｃ）前記配線を覆うように形成された第１絶縁膜と、
（ｄ）前記第１絶縁膜に形成した、前記配線に達する複数の第１開口部に、導電膜を埋め込んで形成した複数の第１の電気接続部と、
（ｅ）前記第１絶縁膜上に形成した、前記配線に達する複数の第２開口部に、導電膜を埋め込んで形成した複数の第２の電気接続部と、
（
ｆ
（
ｇ
（
ｈ
（
ｉ
（
ｊ
、前記第２の電気接続部と電気的に接続された
（
ｋ
および第２の電気接続部
【請求項４】
請求項１
乃至請求項３のいずれか一つに
前記基板が、半導体基板である超音波トランスデューサ。
【請求項５】
請求項１
乃至請求項３のいずれか一つに
さらに、
（
ｌ
３
（
ｍ
３
前記第２の電気接続部を介して
【請求項６】
請求項１乃至請求項
５
【請求項７】
（ａ）基板上に
複数の
（ｂ）前記
複数の
（ｃ）前記第１絶縁膜を平坦化する工程と、
（ｄ）前記第１絶縁膜に前記
複数の
のそれぞれ
（ｅ）前記第１開口部に導電膜を埋め込み、
第１の
（ｆ）前記第１絶縁膜上に
それぞれの
第１の
（ｇ）前記下部電極を覆うように第２絶縁膜を形成する工程と、
（ｈ）前記第
２
第１の
（ｉ）前記犠牲層を覆うように第３絶縁膜を形成する工程と、
（ｊ）前記第２絶縁膜および第３絶縁膜に前記第１の電気接続部に達する第２の開口部を形成する工程と、
（
ｋ
とともに、前記上部電極を構成する導電膜を前記第２の開口部に埋め込んで前記第１の電気接続部と接続する第２の電気接続部を形成する工程と、
（
ｌ
（
ｍ
３
（
ｎ
３
（
ｏ
前記第３
前記第４絶縁膜上に
前記第３絶縁膜と前記犠牲層に達する位置まで前記第３開口部に前記第５絶縁膜を埋め込むことで
【請求項８】
請求項
７
前記第１開口部に導電膜を埋め込み、
第１の
第１の
【請求項９】
請求項
７
８
前記配線を形成する工程が、半導体基板上に前記配線を形成するものであることを特徴とする超音波トランスデューサの製造方法。」
と補正された。
２．補正の適否
　上記本件補正前の特許請求の範囲と本件補正の特許請求の範囲とを比較すると、以下の事がいえる。
（１）本件補正における請求項２は、補正前の特許請求の範囲に対応する請求項がなく、新たに追加された請求項である。
　なお、審判請求書の第３頁７行目「請求項２は新たに請求項１の従属項として追加しています。」、同頁１０〜１１行目「上記請求項２の追加に伴い、請求項番号を整序する補正を新請求項１−９としています。」からも、当該請求項２が新たに追加されたのは明らかである。
（２）本件補正における請求項５は、新たに「第３の電気接続部を備え」との発明特定事項を付加するものである。（本件補正前の特許請求の範囲には、「第１の電気接続部」及び「第２の電気接続部」しか記載されていなかったが、本件補正の特許請求の範囲には、「第１の電気接続部」、「第２の電気接続部」及び「第３の電気接続部」と電気接続部の構成が増えている。）
　上記事項（１）は新たな請求項の追加であり、また、上記事項（２）は新たな構成事項の付加であるから、いずれも、特許法第１７条の２第５項第１号ないし第４号に掲げる請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、及び明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項の規定に違反するものであり、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成２６年１１月２１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし８に係る発明は、平成２５年１１月２６日付けで手続補正された特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定されるとおりのものである。
　まず、請求項１に係る発明（上記「第２　１．」の本件補正前の請求項１を参照。以下「本願発明」という。）について検討する。
２．原査定の理由の概要
　請求項１ないし８に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　記　　　
・備考
　ＣＭＵＴにおいて、電気接続部が上面から見て、空洞部と重ならない位置に配置することは、周知技術であると認められる（例えば、引用文献２、３、特開２００８−０９９０３６号公報）。
　したがって、引用文献１に記載された発明の下部電極の電気接続部を、上面から見て空洞部と重ならない位置に配置するように半導体基板上に形成することに格別の困難性は認められない。
　したがって、出願人の主張は採用することができず、補正後の請求項１−８に係る発明は、引用文献１−３に記載された発明、及び周知技術より当業者が容易に想到し得ることである。
　また、補正後の請求項１−８に係る発明の効果は、引用文献１−３に記載された発明、及び周知技術の各効果の総和に比べ、格別のものとは認められない。
　引用文献１：特開２００６−２１１１８５号公報（以下、「引用例１」という。）
　引用文献２：特開２００７−０９７７６０号公報（以下、「引用例２」という。）
　引用文献３：特開２００７−２２９３２７号公報（以下、「引用例３」という。）
　周知技術　：特開２００８−０９９０３６号公報（以下、「引用例４」という。）
３．当審の判断
（１）引用例の記載事項
　引用例１には、次の事項が図面とともに記載されている。（なお、下線は当審で付与した。）
ア．「【０００３】
　これまでは、圧電体の振動を利用した超音波トランスデューサが用いられてきたが、近年のＭＥＭＳ技術の進歩により、振動部をシリコン基板上に作製した
容量検出型超音波トランスデューサ
ＣＭＵＴ
イ．「【００３２】
　図３（ａ）は図２のＡ−Ａ断面を示しており、図３（ｂ）は図２のＢ−Ｂ断面を示している。図３（ａ）および図３（ｂ）に示すように、
半導体基板に形成された配線層３０１
層間絶縁膜３０３に形成されたビア３０２を介してＣＭＵＴの下部電極３０４
と
電気接続している
下部電極３０４の上層には空洞部３０５
が形成されている
空洞部３０５を囲むように絶縁膜
３０８を形成し
絶縁膜３０８の上層に上部電極３０７が形成されている
　【００３３】
　本実施の形態１の特徴は、図２および図３（ａ）、（ｂ）に示すように、
下部電極３０４の大きさを空洞部３０５の大きさよりも大きくなるようにした点にある
このように構成することにより、下部電極３０４の段差の影響を受けずに空洞部３０５を形成することができる
下部電極３０４が空洞部３０５に比べて小さい場合、空洞部３０５には段差が生じる
ウ．「【００３５】
　まず、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、窒化チタン膜とアルミニウム合金膜と窒化チタン膜の積層して配線４０１を形成する。そして、この配線４０１上にプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により酸化シリコン膜（層間絶縁膜）４０２を約７００ｎｍ堆積させる。その後、酸化シリコン膜４０２の上面をＣＭＰ法により平坦化を行う。次に、フォトリソグラフィ技術とドライエッチング技術により、
配線４０１と
ＣＭＵＴとを電気的に接続するための孔４０３を開口する
開口部４０３を埋め込むことができる膜厚のタングステン膜を堆積する
・上記アによれば、引用例１に記載された発明は、容量検出型超音波トランスデューサに係わるものである。
・上記イによれば、配線層３０１は、半導体基板に形成されている。また、図３（ａ）を参照すると、層間絶縁膜３０３は、配線層３０１を覆うように形成されているといえる。
・上記イ及びウによれば、ビア３０２は、層間絶縁膜３０３の開口部にタングステン膜を埋め込んで形成されている。また、図３（ａ）を参照すると、下部電極３０４は、層間絶縁膜３０３上に形成され、ビア３０２に達しているといえる。
・上記イによれば、空洞部３０５は、下部電極３０４の上層に形成されている。また、絶縁膜３０８は、空洞部３０５を囲むように形成されている。また、上部電極３０７は、絶縁膜３０８の上層に形成されている。
　以上の点を踏まえて、上記記載事項アないしウ、及び図面を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「半導体基板と、
　前記半導体基板上に形成された配線層３０１と、
　前記配線層３０１を覆うように形成された層間絶縁膜３０３と、
　前記層間絶縁膜３０３に形成された開口部にタングステン膜を埋め込んで形成されたビア３０２と、
　前記層間絶縁膜３０３上に形成された、前記ビア３０２に達する下部電極３０４と、
　前記下部電極３０４の上層に形成された空洞部３０５と、
　前記空洞部３０５を囲むように形成された絶縁膜３０８と、
　前記絶縁膜３０８の上層に形成された上部電極３０７とを備えた容量検出型超音波トランスデューサ。」
　また、引用例２には、次の事項が図面とともに記載されている。（なお、下線は当審で付与した。）
エ．「【００４６】
　本発明にかかる静電容量型超音波振動子は、半導体基板上の静電容量型超音波振動子の近傍に、直流高電圧発生手段、さらには、半導体スイッチ、チャージアンプ等のデバイスを一体的に配置することにより、
静電容量型超音波振動子装置
　　　　　・・・（中略）・・・
　【００８６】
　図６において、
昇圧回路領域は
下部電極７３，７４
上部電極７７，７８
から構成される
　【００８７】
　同図において、
高誘電率誘電体又は強誘電体を用いた大容量薄膜コンデンサ７５
７６
　また、引用例３には、次の事項が図面とともに記載されている。（なお、下線は当審で付与した。）
オ．「【００４０】
　本発明にかかる実施形態について、以下に説明する。
　＜第１の実施形態＞
　図２は、本実施形態における
静電容量型超音波振動子
　　　　・・・（中略）・・・
　【００４３】
　メンブレン支持部１３間における表面酸化したシリコン基板１２の表面には下部電極１４が配設されている。
シリコン基板１２には、信号線配線孔１９が設けられ
ている
　また、引用例４には、次の事項が図面とともに記載されている。（なお、下線は当審で付与した。）
カ．「【００３２】
　本実施形態の振動子セル１００は、いわゆるMEMS（Micro Electro Mechanical Systems）の技術範囲に属するものである。振動子セル１００は、シリコン基板１０１上にマイクロマシニング技術により形成された
静電容量型
超音波トランスデューサ
　　　　・・・（中略）・・・
　【００３７】
　シリコン基板１０１のセル形成面上、すなわち第１絶縁膜１０２上には、上方から見て略円形状に、導電層である下部電極１１０が形成されている。下部電極１１０は、Ｍｏ（モリブデン）をスパッタリングにより成膜しパターニングすることで形成される。
下部電極１１０は、上方から見て隣接する４つの下部電極１１０同士が、略Ｘ字形状の下部電極配線１１１により電気的に接続されている
　　　　・・・（中略）・・・
　【００３９】
　上方から見て
略Ｘ字形状の下部電極配線１１１の、配線の交差部には、シリコン基板１０１を貫通して形成されたウェハ貫通電極１１２が設けられている
　　　　・・・（中略）・・・
　【００４１】
　
下部電極１１０上には、該下部電極１１０を被覆するように、電気絶縁性を有する第２絶縁膜１０３が形成されている
　
（２）対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
ａ．引用発明の「半導体基板」は、本願発明の「基板」に相当する。
ｂ．引用発明の「配線層３０１」は、本願発明の「配線」に相当し、半導体基板上に形成されたものであるから、本願発明と引用発明とは、「前記基板上に形成された配線」で共通する。
ｃ．引用発明の「層間絶縁膜３０３」は、本願発明の「第１絶縁膜」に相当し、配線層３０１を覆うように形成されたものであるから、本願発明と引用発明とは、「前記配線を覆うように形成された第１絶縁膜」で共通する。
ｄ．引用発明の「開口部」、「タングステン膜」、「ビア３０２」は、本願発明の「第１開口部」、「導電膜」、「第１の電気接続部」にそれぞれ相当する。そして、引用発明の「ビア３０２」は、層間絶縁膜３０３に形成された開口部にタングステン膜を埋め込んで形成されたものであるから、本願発明と引用発明とは、「前記第１絶縁膜に形成した、前記配線に達する第１開口部に、導電膜を埋め込んで形成した第１の電気接続部」で共通する。
ｅ．引用発明の「下部電極３０４」は、本願発明の「下部電極」に相当し、層間絶縁膜３０３上に形成されたビア３０２に達するものであるから、引用発明と本願発明とは、「前記第１絶縁膜上に形成した、前記第１の電気接続部に達する下部電極」で共通する。
ｆ．引用発明には、本願発明の「下部電極を覆うように形成された第２絶縁膜」に相当する構成を備えていない。
ｇ．引用発明の「空洞部３０５」は、本願発明の「空洞部」に相当し、下部電極３０４の上層に形成され、上面から見て下部電極３０４と重なるように形成されているから、引用発明と本願発明とは、「上面から見て、前記下部電極と重なるように形成された空洞部」で共通する。
ｈ．引用発明の「絶縁膜３０８」は、本願発明の「第３絶縁膜」に相当し、空洞部３０５を囲むように形成されており、更に絶縁膜３０８が空洞部３０５を覆ように形成されているから、引用発明と本願発明とは、「前記空洞部を覆うように形成された第３絶縁膜」で共通する。
ｉ．引用発明の「上部電極３０７」は、本願発明の「上部電極」に相当し、絶縁膜３０８の上層に形成されており、絶縁膜３０８上に上面から見て空洞部３０５と重なるように形成されているから、引用発明と本願発明とは、「前記第３絶縁膜上に、上面から見て、前記空洞部と重なるように形成された上部電極」で共通する。
ｊ．引用発明の「容量検出型超音波トランスデューサ」は、本願発明の「超音波トランスデューサ」に相当する。但し、引用発明には、本願発明の「第１の接続部が、上面から見て、空洞部と重ならない位置に配置されている」構成がない。
　そうすると、本願発明と引用発明の一致点及び相違点は、以下のとおりである。
＜一致点＞
「基板と、
前記基板上に形成された配線と、
前記配線を覆うように形成された第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜に形成した、前記配線に達する第１開口部に、導電膜を埋め込んで形成した第１の電気接続部と、
前記第１絶縁膜上に形成した、前記第１の電気接続部に達する下部電極と、
上面から見て、前記下部電極と重なるように形成された空洞部と、
前記空洞部を覆うように形成された第３絶縁膜と、
前記第３絶縁膜上に、上面から見て、前記空洞部と重なるように形成された上部電極とを備えた超音波トランスデューサ。」
＜相違点１＞
　本願発明は、「前記下部電極を覆うように形成された第２絶縁膜」を備えているのに対し、引用発明は、そのような絶縁膜を備えていない点。
＜相違点２＞
　本願発明は、「前記第１の電気接続部が、上面から見て、前記空洞部と重ならない位置に配置されている」のに対し、引用発明は、ビア（本願発明の「第１の電気接続部」に相当。）が空洞部と重なっている点。　
（３）判断
　まず、上記相違点１について検討する。
　静電容量型超音波トランスデューサにおいて、下部電極上に該下部電極を被覆するように絶縁膜を形成することは、例えば引用例４（上記カを参照。）に記載されているように周知の技術である。
　そうすると、引用発明において、引用例４に記載された周知の技術事項を適用することにより相違点１の構成とすることは、当業者が容易になし得たものである。
　
　次に、上記相違点２について検討する。
　引用例１には、ビア３０２（本願発明の「第１の電気接続部」に相当。）が上面から見て空洞部３０５と重ならない位置に配置されていることについては記載されていないし、また、示唆する記載もない。
　引用例２には、静電容量型超音波振動子装置の昇圧回路における大容量薄膜コンデンサに関する発明が記載されており、静電容量型超音波振動子における下部電極の電気接続についての記載はない。
　引用例３（上記オを参照。）には、シリコン基板１２に設けられた信号線配線孔１９が上面から見て、キャビティ（空隙部）１７と重ならない位置に配置された静電容量型超音波振動子が記載されている。
　引用例４（上記カを参照。）には、隣接する４つの振動子セルの下部電極同士を接続する略Ｘ字形状の下部電極配線の交差部にシリコン基板を貫通して形成されたウェハ貫通電極を上面から見てキャビティ（空隙層）と重ならない位置に配置された超音波トランスデューサが記載されている。
　ここで、本願発明は、「前記第１の電気接続部が、上面から見て、前記空洞部と重ならない位置に配置されている」との発明特定事項により、下部電極への電気接続部が、空洞部と上面から見て接続部が重ならない配置となるため、空洞部の変形や、空洞部を囲む絶縁膜厚さの不均一性を抑制し、さらには、メンブレンの表面形状の平坦性の劣化も抑制できる（本願明細書【００２９】）という特段の効果を奏するものである。
　しかしながら、引用例３、引用例４には、（第１開口部に導電膜を埋め込んで形成した）第１の電気接続部を上面から見て空洞部と重ならない位置に配置することによる具体的な作用効果は記載されておらず、引用例１も引用例３及び引用例４も本願発明の課題が認められないので組み合わせる動機付けを何ら見出すことはできない。
　よって、相違点２は、引用例１ないし４から容易になし得た事項ではない。
　したがって、本願発明は、原査定の拒絶理由を検討しても当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　そして、請求項２ないし５は、本願発明をさらに限定した発明であり、請求項６は実質的に請求項１とカテゴリが相違するものであり、請求項７，８は請求項６をさらに限定したものであるから、本願の請求項２ないし８に係る発明も、請求項１と同様に、引用例１ないし４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
（４）むすび
　以上のとおり、本願の請求項１ないし８に係る発明は、引用例１ないし４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとはいえないから、原査定の理由によっては、本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。