【事件の表示】
　平成１０年特許願第　８９８０６号「薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成１１年１０月１９日出願公開、特開平１１−２８８５０３］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年４月２日の出願であって、平成１３年１０月１９日付で拒絶理由通知書が出され、平成１４年１月４日に、意見書および手続補正書を提出したが、平成１４年６月２６日付で拒絶査定がなされ、これに対し、平成１４年７月２５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１４年８月２６日付で手続補正がなされたものである。
　
２．
平成１４年８月２６日付の手続補正についての補正却下の決定
［
補正却下の決定の結論
　　平成１４年８月２６日付の手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）補正後の本願発明
　
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】　基体と、
　この基体によって支持された第１の磁性層と、
　この第１の磁性層の、前記基体によって支持された面とは反対側の面に形成された凹部内に、この面と同一平面となるように埋め込まれた第１の絶縁層と、
　これら第１の磁性層および第１の絶縁層の平坦な面に沿って設けられた平坦なライトギャップ層と、
　このライトギャップ層の、前記基体とは反対側の平坦な面に沿って、前記第１の磁性層の、前記第１の絶縁層が埋め込まれていない部分から第１の絶縁層が埋め込まれている部分まで延在する平坦な第２の磁性層と、
　前記ライトギャップ層の、前記基体とは反対側の平坦な面に、前記第２の磁性層の平坦な面と同一平面となるように平坦に形成した第２の絶縁層と、
　この第２の絶縁層によって絶縁分離された状態で配設された薄膜コイルと、
　前記第２の磁性層の、前記ライトギャップ層とは反対側の平坦な面の、エアベアリング面から後退した部分に連結されるとともにエアベアリング面から離れた後方位置において前記第１の磁性層と磁気的に結合された第３の磁性層と、
を具えることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。（以下、本願発明という。）」を
　
「【請求項１】　基体と、
　この基体によって支持された第１の磁性層と、
　この第１の磁性層の、前記基体によって支持された面とは反対側の面に形成された凹部内に、この面と同一平面となるように埋め込まれた第１の絶縁層と、
　これら第１の磁性層および第１の絶縁層の平坦な面に沿って設けられた平坦なライトギャップ層と、
　このライトギャップ層の、前記基体とは反対側の平坦な面に沿って、前記第１の磁性層の、前記第１の絶縁層が埋め込まれていない部分から第１の絶縁層が埋め込まれている部分まで延在する平坦な第２の磁性層と、
　前記ライトギャップ層の、前記基体とは反対側の平坦な面に形成された第１層目の薄膜コイルと、
　この第１層目の薄膜コイルを絶縁分離するように、前記第２の磁性層の平坦な面と同一平面となるように平坦に形成された第２の絶縁層と、
　この第２の絶縁層の平坦な表面に第３の絶縁層によって絶縁分離された状態で配設された第２層目の薄膜コイルと、
　前記第２の磁性層の、前記ライトギャップ層とは反対側の平坦な面の、エアベアリング面から後退した部分に連結されるとともにエアベアリング面から離れた後方位置において前記第１の磁性層と磁気的に結合された第３の磁性層と、
を具え、前記エアーベアリング面が、前記第１の磁性層の凹部に埋め込まれた第１の絶縁層の、エアベアリング面側の端縁をスロートハイト零の位置の基準として形成されたものであることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。（以下、補正発明という。）」
と補正することを含んでいる。
　
（補正事項１）
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である
「前記ライトギャップ層の、前記基体とは反対側の平坦な面に、前記第２の磁性層の平坦な面と同一平面となるように平坦に形成した第２の絶縁層」について
「前記ライトギャップ層の、前記基体とは反対側の平坦な面に
形成された第１層目の薄膜コイルと、この第１層目の薄膜コイルを絶縁分離するように、
　
（補正事項２）
　また、本願発明の
「この第２の絶縁層によって絶縁分離された状態で配設された薄膜コイル」を、
「この第２の絶縁層の平坦な表面に第３の絶縁層によって絶縁分離された状態で配設された第２層目の薄膜コイル」との限定を付加するものである。
　
（補正事項３）
　さらに、本願発明に、補正前の請求項３で特定した事項である
「前記エアーベアリング面が、前記第１の磁性層の凹部に埋め込まれた第１の絶縁層の、エアベアリング面側の端縁をスロートハイト零の位置の基準として形成されたものである」との限定を付加するものである。
　
　即ち、補正事項１は、補正前には特定される事項として記載のない「第１層目の薄膜コイル」と、「この第１層目の薄膜コイルを絶縁分離するように」と第２の絶縁膜の機能とが追加されている。補正事項２は、補正前には特定される事項として記載のない「第２層目の薄膜コイル」と、同じく記載のない「第３の絶縁層」とが追加されている。
　そして、補正事項１，２は、補正前の特定される事項を限定するものではないので、特許法第１７条の２第４項第２号に該当しない。また、特許法第１７条の２第４項の第１号、第３号、第４号に規定する補正にも該当しない。
　従って、平成１４年８月２６日付の手続補正は、審判請求から３０日以内にされた補正であり、特許法第１７条の２第１項第３号の補正に該当し、かつ、この補正事項１，２は、特許法第１７条の２第４項の各号に該当しないので、特許法第１５９条第１項で準用すると同法第５３条第１項の規定により、当該補正を却下する。
　
（２）　独立特許要件
　上記補正事項１が、第２の絶縁膜を限定し、補正事項２が、薄膜コイルを限定するとなれば、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかないか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について念のため以下に検討する。
　
（３）引用例
　（引用例１）
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平５−２０６３９号公報（以下、引用例１という。）には、図面とともに、
ａ　第２頁右欄第９行〜第４０行に、
　
「【０００４】【発明が解決しようとする課題】　ところで、磁気記録媒体に対して高記録密度化を図るためには、高保磁力を有する媒体が必要となるが、この高保磁力媒体を磁化するにあたっては、大きな漏れ磁界が必要となる。
【０００５】　そして、このような大きな漏れ磁界を発生させるために、上述したような薄膜磁気ヘッドにあっては、前記ギャップ深さ１３を短くして、書き込み効率を向上させる必要がある。
　しかし、スロートハイトを小さくし過ぎると、トレーリング側ポール１１内部のギャップ近傍に磁束が集中し、磁気的な飽和状態となる。このトレーリング側ポール１１内部のギャップ近傍が飽和すると、図５に示すように書き込み磁界のトレーリング側の勾配が緩やかになる。そして、媒体の磁化状態は、この書き込み磁界のトレーリング側勾配で決定されるために、上述したように書き込み磁界のトレーリング側勾配が緩やかになると、媒体の磁化遷移長が長くなり、ひいては再生波形の半値幅の増加、媒体ノイズの増加を引き起こしてしまうもので、このような問題点を解決し得る何らかの対策を講じることが望まれている。
【０００６】　本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであり、薄膜磁気ヘッドによる書き込み効率を上げるためにギャップ深さを小さくしても、トレーリング側ポールが飽和しないようにしてなる薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法を得ることを目的としている。
【０００７】【課題を解決するための手段】　このような要請に応えるために本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、リーディング側ポールの浮上面から遠ざかった部分を、浮上面に対して垂直な面から離れるように構成することにより、このリーディング側ポールにギャップ深さを設けるようにしたものである。」と記載され、
　
ｂ　第３頁左欄第４行〜右欄第６行に、
　
「【００１０】【実施例】　図１は本発明に係る薄膜磁気ヘッドの一実施例を示すものであり、同図において、基板上のリーディング側ポール１は、ＧＡＰ対向面側において、浮上面から、ある任意の高さに至っては、浮上面と垂直であり、それ以後浮上面に対して、図１において角度θで示した角度を有している。この角度θは、０°＜θ＜９０°の範囲内にある。
　また、前記浮上面と垂直な部分を、ギャップ深さ４とする。すなわち、従来例でトレーリング側ポールが有していたギャップ深さを、本発明によれば、リーディング側ポール１が有することになる。
【００１１】　ここで、図１において、符号１はリーディング側ポール、２はトレーリング側ポール、３はギャップ層、４はギャップ深さで、また５は第一層目のコイル、６は第二層目のコイル、７は第一の絶縁層、８は第二の絶縁層、９は第三の絶縁層である。
【００１２】　また、上述したリーディング側ポール１は、図３において（ａ）〜（ｅ）で示した製造工程によって製造し得るものである。
　すなわち、同図（ａ）に示されるアルミナ等の基板２０を、イオンエッチング等により同図（ｂ）に示すように、角度θをもつように部分的に除去する。このとき、除去する深さは、たとえば　１ｍｍとし、θはたとえば３０°とする。
　次に、前記エッチングを施した基板２０上に、同図（ｃ）に示したように、メッキ、スパッタ等により、後にリーディング側ポール１となるパーマロイ等の軟磁性体層２１を形成する。
　すると、軟磁性体層２１の上面は、基板２０と同じ角度θの部分を有する。そして、全てのウエハプロセスが終了した後、浮上面側からラッピングを始め、Ａ−Ａの位置にてラッピングを終了すれば、所要のギャップ深さ１４（４の誤記）を有するリーディング側ポール１となる。
　ここで、軟磁性体層２１上には、同図（ｄ）に示すように、アルミナ等の第１の絶縁層２２（図１における符号７で示した第１の絶縁層に相当する）を形成した後、上面からラッピングして平坦にし、同図（ｅ）に示すように、軟磁性体層２１を露出させる。
【００１３】　なお、その後の製造方法は、従来例と同じである。すなわち、同図（ｅ）の状態において、その上部にアルミナ等のギャップ層３を形成し、それぞれ二層づつのコイル、絶縁層を形成した後、トレーリング側ポール２が形成される。このとき、トレーリング側ポール２が、ギャップ層と接している長さは、ギャップ深さ４よりも長くなければならない。」と記載されている。
　
　そして、アルミナ等の基板２０を、イオンエッチング等により同図（ｂ）に示すように、角度θをもつように部分的に除去した後は、凹部が形成され、基板２０上に、メッキ、スパッタ等により、後にリーディング側ポール１となるパーマロイ等の軟磁性体層２１を形成すると、軟磁性体層２１にも、凹部が形成され、基板２０とは反対側の面に形成されていると認められる。
　さらに、第１図から、第一層目のコイル５は、第二の絶縁膜によって絶縁分離され、第二層目のコイル６は第三の絶縁膜９によって絶縁分離されていることが認められる。
　そして、トレーリング側ポール２は、ギャップ層３上に、接して形成されていると認められる。
　
　従って、引用例１には、
「基板２０と、
基板２０上に、メッキ、スパッタ等により形成されたリーディング側ポール１となるパーマロイ等の軟磁性体層２１と、
軟磁性体層２１の、基板２０とは反対側の面に形成されている凹部内に形成され、ラッピングして平坦にされたアルミナ等の第１の絶縁層２２と、
その上部に形成されたアルミナ等のギャップ層３と、
二層づつ形成されたコイル、絶縁層であって、第一層目のコイル５は、第二の絶縁膜によって絶縁分離され、第二層目のコイル６は第三の絶縁膜９によって絶縁分離され、
ギャップ層３上に、接して形成されているトレーリング側ポール２とを備え、
トレーリング側ポール２が、ギャップ層と接している長さは、ギャップ深さ４よりも長い薄膜磁気ヘッド。」
の発明（以下「引用例１発明」という。）が開示されていると認める。
　
（引用例２）
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平２−３０２９１６号公報（以下、引用例２という。）には、図面とともに、
ａ　第３頁左上欄第１１行〜左下欄第９行に、
　
「〔実施例〕　以下、本発明を第１図に示した実施例によって説明する。同図（ａ）は磁路方向に沿った薄膜磁気ヘッドの要部断面図、同図（ｂ）は同じく要部平面図である。
　第１図において、５は非磁性セラミックス等よりなる基板で、該基板５上に下部磁気コア１が形成されている。下部磁気コア１のフロント側には、その上面がギャップ深さ零位置Ａを規定すると共に所定のコア幅を持つギャップ形成面となる突起１ａが形成されており、また、下部磁気コア１のリア側にも接続用突起１ｂが形成されている。この下部磁気コア１上には、絶縁層３に埋設される形で信号コイル６が形成されており、絶縁層３は公知の薄膜形成技術で成膜された後、前記突起１ａ並びに接続用突起１ｂに対応する部位をエッチングで除去される。この際、フロント側では、前記ギャップ深さ零位置Ａよりも所定量だけ後方（リア側）に寄ったＢ点まで絶縁層３が除去される。４はギャップスペーサ材で、少なくとも前記突起１ａ上に被着される。
　２は、前記絶縁層３並びに前記突起１ａ、接続用突起１ｂ上に形成された上部磁気コアで、フロント側で下部磁気コア１の突起１ａとギャップスペーサ材４を介して接合されて作動ギャップを構成していると共に、リア側で下部磁気コア１の接続用突起１ｂと接続され、これにより下部，上部磁気コア１，２で閉磁路を形成している。この上部磁気コア２は、第１図（ａ）に示すように、フロント側のギャップ形成部ではトラック幅に相当する所定のコア幅Ｗを持ち、ギャップ形成部からリア側に行くに従って漸次コア幅が広がる形状となっており、そのフロント側の磁路方向に沿った断面における傾斜部分の傾斜立上がり位置Ｂは、前記ギャップ深さ零位置Ａよりも所定量だけリア側に位置するようになっている。また、平面方向から見た上部磁気コア２の広がり開始位置Ｘは、ギャップ深さ零位置Ａと傾斜立上り位置Ｂとの間に位置するようになっている。」と記載されている。
　
（引用例３）
　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６１−１７８７１０号公報（以下、引用例３という。審査時の引用例５）には、図面とともに、
特許請求の範囲１）に、
　
「基板上に薄膜堆積法とフォトリソグラフィ技術及びドライエッチングにより磁気回路及び電気回路を形成した薄膜磁気ヘッドにおいて、上部磁気コアを磁気ギャップ部を構成するポール部と下部磁気コアと磁気的に結合するヨーク部との２つの部分から構成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。」と記載されている。
（引用例４）
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平２−２４７８０９号公報（以下、引用例４という。審査時の引用例８）には、図面とともに、
第１１頁左下欄第４行〜第１２頁左上欄第４行に、
　
「　第８ 図（ａ ）は、本発明の薄膜磁気へッドの主要部分の断面図である。
　本発明の一実施例である薄膜磁気へッドはセラミック材料もしくはセラミック材料の表面に下地膜を形成した基板２１の上部に、下部磁性膜２２，下層絶縁膜１１，ギヤツプ膜２５，上部磁性膜先端部１２，保護膜１３，２層の導体コイル２６，２層の上層絶縁膜１４，上部磁性膜後部１５及び素子保護膜２８を積層した構造となっている。上部磁気コアは２つに分割され、先端部１２と後部１５とが、保護膜１３に設けたコンタクトホール１６を通して接続しており、下部磁性膜２２とともに磁気回路を形成している。
　上部磁性膜の後部１５の膜厚は４μｍであり、上部磁性膜の先端部１２の膜厚２μｍより大きくして磁束の絞り込み効果を高めている。
　また、上部磁性膜後部１５の先端（Ａ）は、ギヤツプ深さ０の点（Ｂ）よりも後方に位置している。これはギヤツプ深さをできるだけ小さくした場合、上部磁性膜後部１５から発生する漏れ磁束が記録媒体に影響を与えることを防ぐためであり、同時に記録媒体からの信号磁界が上部磁性膜後部１５を通って信号歪みを生ずることを防ぐためである。
　また、コンタクトホール１６の後端（Ｃ ）よりも上部磁性膜先端部１２の後端（Ｄ）は、ヘッドの後方に向かって突き出ているが、これはコンタクトホール１６を通して上部磁性膜先端部１２と後部１５を確実に接続させることを目的としている。ただし、この突き出し量（ＤとＣの位置の水平方向距離）が大き過ぎると、下部磁性膜２２との間の磁束漏れ畳が増加して磁気ヘッド効率が低下する場合がある。
　一方、下部磁性膜２２は、上部磁性膜と同様に磁束の絞り込み効果を高めるために、途中の位置（Ｅ）から後方では膜厚が増加した構造となっている。上部磁性膜から下部磁性膜への磁束の透過を防止するためにも膜厚を厚くすることが好ましい。
　また、磁束の飽和を防ぐために、Ｅの位置はＤの位置よりも前に配置している。」と記載され、
　
第１３頁左上欄第１行〜第１４行に、
　
「第１１図に、本発明の他の実施例である薄膜磁気ヘッドの構造を表わす主要部分の断面図を示す。第１１図では、基板２１に段差が形成されており、磁気ヘッド先端部が段差上部に、磁気ヘッド後部が段差下部に形成された構造となっている。この第１１図に示した構造を取ることにより、上部磁性膜先端部１２を形成する際の段差高さが第７図の場合より低くできることから、トラック幅精度がさらに向上することができる。
　また、導体コイル２６を形成する際の段差高さも、同様に低くできることから、微細かつアスペクト比の大きい導体コイルを形成するのが容易となり、より特性のすぐれた薄膜磁気ヘッドが実現できる。」と記載されている。
　
（引用例５）
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平６−３１４４１３号公報（以下、引用例５という。審査時の引用例９）には、図面とともに、
第２頁左欄第１４行〜第２２行に、
　
「【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜磁気ヘッドとして・・・薄膜磁気ヘッドの磁気回路は、上下のコアの他にそれらを接続する中間コアによって構成されており、全体が絶縁層によって平坦に構成されている。このため、フォトリソグラフィなどの薄膜技術による各部のパターン形成を良好に行うことができ、優れた磁気特性を得ることができる。」と記載されている。
　
（４）対比
ａ　そこで、補正発明と引用例１発明とを比較すると、
　引用例１発明の「基板２０」は、補正発明の「基体」に相当し、以下同様に、「軟磁性体層２１」は「第１の磁性層」に、「凹部内に形成され、ラッピングして平坦にされたアルミナ等の第１の絶縁層２２」は「凹部内に、この面（前記基体によって支持された面とは反対側の面）と同一平面となるように埋め込まれた第１の絶縁層」に、「その上部に形成されたアルミナ等のギャップ層３」は「これら第１の磁性層および第１の絶縁層の平坦な面に沿って設けられた平坦なライトギャップ層」に、「第一層目のコイル５」は「第１層目の薄膜コイル」に、「第二の絶縁膜」は「第２の絶縁層」に、「第二層目のコイル６」は「第２層目の薄膜コイル」に、「第三の絶縁膜９」は「第３の絶縁層」に、それぞれ相当するから、
　
ｂ　両者は、
「基体と、
　この基体によって支持された第１の磁性層と、
　この第１の磁性層の、前記基体によって支持された面とは反対側の面に形成された凹部内に、この面と同一平面となるように埋め込まれた第１の絶縁層と、
　これら第１の磁性層および第１の絶縁層の平坦な面に沿って設けられた平坦なライトギャップ層と、
　前記ライトギャップ層の、前記基体とは反対側の平坦な面に形成された第１層目の薄膜コイルと、
　この第１層目の薄膜コイルを絶縁分離するように、前記第２の磁性層の平坦な面と同一平面となるように平坦に形成された第２の絶縁層と、
　この第２の絶縁層の平坦な表面に第３の絶縁層によって絶縁分離された状態で配設された第２層目の薄膜コイルと、
　前記第２の磁性層の、前記ライトギャップ層とは反対側の平坦な面の、エアベアリング面から後退した部分に連結されるとともにエアベアリング面から離れた後方位置において前記第１の磁性層と磁気的に結合された第３の磁性層と、
を具え、前記エアーベアリング面が、前記第１の磁性層の凹部に埋め込まれた第１の絶縁層の、エアベアリング面側の端縁をスロートハイト零の位置の基準として形成されたものであることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。」
の点で一致し、
　
ｃ　以下の点で相違している。
　
［相違点１］補正発明は、「このライトギャップ層の、前記基体とは反対側の平坦な面に沿って、前記第１の磁性層の、前記第１の絶縁層が埋め込まれていない部分から第１の絶縁層が埋め込まれている部分まで延在する平坦な第２の磁性層」を有しているが、引用例１発明はギャップ層３上に、接して形成されているトレーリング側ポール２であって、トレーリング側ポール２が、ギャップ層と接している長さは、ギャップ深さ４よりも長いが、第２の磁性層ではない点、
　     
［相違点２］補正発明は、「基体とは反対側の平坦な面に形成された第１層目の薄膜コイル」を有しているが、引用例１発明は、平坦な面に形成されたとは明記されていない点、
　
［相違点３］補正発明は、「第２の磁性層の平坦な面と同一平面となるように平坦に形成された第２の絶縁層」としているが、引用例１発明は、絶縁層が平坦な面とは明記されていない点、
　
［相違点４］補正発明は、「第２の絶縁層の平坦な表面に第２層目の薄膜コイル」であるのに対して、引用例１発明は平坦な表面とは明記されていない点。
　
［相違点５］補正発明は、「前記第２の磁性層の、前記ライトギャップ層とは反対側の平坦な面の、エアベアリング面から後退した部分に連結されるとともにエアベアリング面から離れた後方位置において前記第１の磁性層と磁気的に結合された第３の磁性層」であるのに対して、引用例１発明は明記されていない点。
　
［相違点６］補正発明は、「前記エアーベアリング面が、前記第１の磁性層の凹部に埋め込まれた第１の絶縁層の、エアベアリング面側の端縁をスロートハイト零の位置の基準として形成されたものである」のに対して、引用例１発明は「トレーリング側ポール２が、ギャップ層と接している長さは、ギャップ深さ４よりも長い」とされているが、スローハイト零の位置の基準とは明記されていない点。
　
（５）判断
［相違点１］について
　引用例３において、上部磁気コアを磁気ギャップ部を構成するポール部と下部磁気コアと磁気的に結合するヨーク部との２つの部分から構成されており、ポール部は、本願発明の「第２の磁性層」に相当する。引用例１発明において、トレーリング側ポール２が、ギャップ層と接している長さは、ギャップ深さ４よりも長くされており、長くされた部分を引用例３のポール部として別体のものとすることに格別の困難性が認められない。そして、その際に平坦な第２の磁性層とすることは単なる設計的事項である。
　従って、この相違点は格別のものではない。
　
［相違点２］、［相違点３］、［相違点４］について
　引用例５には、「薄膜磁気ヘッドの磁気回路は、上下のコアの他にそれらを接続する中間コアによって構成されており、全体が絶縁層によって平坦に構成されている。」と記載されており、第１の薄膜コイル、第２の絶縁層、第２の薄膜コイルを平坦にすることに何ら格別の創造力を要しない。
　従って、これら相違点２〜４はいずれも格別のものではない。
　
［相違点５］について
　引用例１発明は、明示されていないが、トレーリング側ポール２は、磁気回路を形成する観点から、エアベアリング面から後退した部分に連結されるとともにエアベアリング面から離れた後方位置において前記第１の磁性層と磁気的に結合されているものと認められる。
　引用例３には、「上部磁気コアを磁気ギャップ部を構成するポール部と下部磁気コアと磁気的に結合するヨーク部との２つの部分から構成した」と記載され、ポール部は、本願発明の「第２の磁性層」に相当し、ヨーク部は、「第３の磁性層」に相当し、下部磁気コアは、「第１の磁性層」に相当するから、引用例３には、このライトギャップ層の、前記基体とは反対側の平坦な面に沿って、絶縁層上に形成された第２の磁性層、前記第２の磁性層の、前記ライトギャップ層とは反対側の平坦な面の、エアベアリング面から後退した部分に連結されるとともにエアベアリング面から離れた後方位置において前記第１の磁性層と磁気的に結合された第３の磁性層が示されており、補正発明のごとくすることに格別のことが認められない。
　
［相違点６］について
　引用例２には、フロント側の磁路方向に沿った断面における傾斜部分の傾斜立上がり位置Ｂは、前記ギャップ深さ零位置Ａよりも所定量だけリア側に位置するようになっており、引用例１発明において、トレーリング側ポール２が、ギャップ層と接している長さは、ギャップ深さ４よりも長くされており、ギャップ深さ零位置ないしギャップ深さが示されている。
　また、スロートハイトは、磁束吸い上げ高ともいわれ、エアベアリング面から、トレーリング側ポールが立ち上がる部分までの長さをいい、ギャップ深さ零位置ないしギャップ深さに相当し、それを所望の長さになるように電流を流しながら研磨して、モニタしていることが通常の製造方法であると認められるところ、スロートハイト零の位置を基準に製造することは、当業者が任意になしえることであると認められる。
　そして、本願発明は「薄膜磁気ヘッド」という物の発明であり、「前記エアーベアリング面が、前記第１の磁性層の凹部に埋め込まれた第１の絶縁層の、エアベアリング面側の端縁をスロートハイト零の位置の基準として形成されたものである」ということは、ものの構成としては、エアーベアリング面とスロートハイト零の位置とに長さを有することと同意義であるので、スロートハイト零の位置の基準として形成されたとしたことに格別のことが認められない。
　従って、この相違点も格別ではない。
　
　そして、本願補正発明の作用効果も、引用例１〜５から当業者が予測できる範囲のものである。
　したがって、本願補正発明は、引用例１〜５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（６）むすび
　以上のとおり、平成１４年８月２６日付の本件補正は、特許法第１７条の２第４項の各号に該当しないので、特許法第１５９条第１項で準用すると同法第５３条第１項の規定により、却下されるべきものであり、または、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１４年８月２６日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成１４年１月４日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、前記２．（１）に記載したとおりの本願発明である。
　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例、および、その記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　本願発明は、前記２．で検討した補正発明から上記の補正事項１〜３を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、引用例１〜５に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１〜５に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１〜５に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。