【事件の表示】
　特許第５５５７２９４号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第５５５７２９４号に係る明細書及び特許請求の範囲を本件審判請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり訂正することを認める。
【理　由】
第１．手続の経緯 
　
　本件特許第５５５７２９４号は、平成２１年８月１３日（パリ優先権主張米国　平成２０年９月１８日）を国際出願日とする国際特許出願であって、平成２４年１０月３１日付け、平成２５年５月２日付け及び平成２６年２月６日付けでそれぞれ手続補正がなされ、平成２６年６月１３日に特許権の設定登録がなされたものである。 
　 
　そして、本件訂正審判は、平成２６年９月５日に請求されたものである。
　
　
第２．請求の趣旨 
　 
　本件訂正審判の請求の趣旨は、特許第５５５７２９４号の明細書及び特許請求の範囲を、本件審判請求書に添付した訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり一群の請求項ごとに訂正することを求めるものである。 
　
　
第３．訂正の内容 
　
　本件訂正の内容は、以下のとおりである。 
　 
１．訂正事項１
　願書に添付した明細書の段落【００１０】に
　「図３は、第２の多層基板２２を概略示しており、多層基板２２は、実効寄生キャパシタンス２０に適応するように作動可能であり、また、電子部品１２から接地構造１８へ熱を伝達するように作動可能である。基板２２は、対応する複数の導電層１４ａ、１４ｂによって隔離された複数の薄い高絶縁耐力絶縁層１６ａ、１６ｂを備える。「高絶縁耐力」という用語は、１ミル当たり５００Ｖ（１μｍ当たり１９．６８Ｖ）を超える絶縁耐力のことを言う。一実施例では、「高絶縁耐力」とは、１ミル当たり少なくとも約１５，８７６Ｖ（１μｍ当たり少なくとも６．２５Ｖ）の絶縁耐力のことを言う。図３に示すように、基板２２は、接地構造１８と、接地構造１８上に形成された第１の絶縁層１６ａと、第１の絶縁層１６ａ上に形成された第１の導電層１４ａとを備える。接地構造１８は、接地板などの接地接続に使用される任意の構造を含むことが可能である。」
とあるのを、
　「図３は、第２の多層基板２２を概略示しており、多層基板２２は、実効寄生キャパシタンス２０に適応するように作動可能であり、また、電子部品１２から接地構造１８へ熱を伝達するように作動可能である。基板２２は、対応する複数の導電層１４ａ、１４ｂによって隔離された複数の薄い高絶縁耐力絶縁層１６ａ、１６ｂを備える。「高絶縁耐力」という用語は、１ミル当たり５００Ｖ（１μｍ当たり１９．６８Ｖ）を超える絶縁耐力のことを言う。一実施例では、「高絶縁耐力」とは、１ミル当たり少なくとも約１５，８７６Ｖ（１μｍ当たり少なくとも
６２５
と訂正する。 
　
２．訂正事項２ 
　特許請求の範囲の請求項１に
　「対応する複数の導電層によって隔離された複数の絶縁耐力絶縁層を備える多層基板であって、複数の絶縁耐力絶縁層のそれぞれが、１μｍ当たり少なくとも約６．２５Ｖの絶縁耐力を有し、複数の導電層の１つが、複数の導電層の別の１つと短絡されており、多層基板は、
  接地構造と、
  接地構造上に形成された第１の絶縁層と、
  第１の絶縁層上に形成された第１の導電層と、
  第１の導電層と接地構造との間の実効寄生キャパシタンスと、
  第１の導電層上に形成された第２の絶縁層と、
  第２の絶縁層上に形成された第２の導電層と、
  ２つの導電層の間の電気的接続であって、第１の導電層と接地構造との間の実効寄生キャパシタンスの効果を打ち消す第２の実効寄生キャパシタンスを与える、電気的接続と、
  を備えることを特徴とする多層基板。」
とあるのを、
　「対応する複数の導電層によって隔離された複数の絶縁耐力絶縁層を備える多層基板であって、複数の絶縁耐力絶縁層のそれぞれが、１μｍ当たり少なくとも約
６２５
  接地構造と、
  接地構造上に形成された第１の絶縁層と、
  第１の絶縁層上に形成された第１の導電層と、
  第１の導電層と接地構造との間の実効寄生キャパシタンスと、
  第１の導電層上に形成された第２の絶縁層と、
  第２の絶縁層上に形成された第２の導電層と、
  ２つの導電層の間の電気的接続であって、第１の導電層と接地構造との間の実効寄生キャパシタンスの効果を打ち消す第２の実効寄生キャパシタンスを与える、電気的接続と、
  を備えることを特徴とする多層基板。」
と訂正する。 
　
　
第４．当審の判断 
　
 １．訂正事項２について 
　まず、特許請求の範囲の請求項１ないし１２からなる一群の請求項に係る訂正事項２から判断を行う。
　
（１）訂正の目的について 
　訂正事項２に係る訂正は、願書に添付した明細書の段落【００１０】に記載された「１ミル当たり少なくとも約１５，８７６Ｖ」の数値について、ボルト毎ミクロン（Ｖ／μｍ）に単位を換算した際に誤った数値を訂正するものである。１ミルは約２５．４μｍであるから、約１５，８７６Ｖ／ミルは、約６２５Ｖ／μｍとなる。
　また、上記段落【００１０】には、「「高絶縁耐力」という用語は、１ミル当たり５００Ｖ（１μｍ当たり１９．６８Ｖ）を超える絶縁耐力のことを言う。」との記載に続いて「一実施例では、「高絶縁耐力」とは、１ミル当たり少なくとも約１５，８７６Ｖ（１μｍ当たり少なくとも６．２５Ｖ）の絶縁耐力のことを言う。」と記載されているが、両者を比較すると、１ミル当たりでは後者は前者の「約３１．７５倍」である１５，８７６Ｖにも係わらず、１μｍ当たりの換算では後者は前者の「約０．３１７５倍」である６．２５Ｖとなっている点からも、換算の際における誤記と認められる。
　したがって、訂正事項２に係る訂正は、特許法第１２６条第１項ただし書第２号に掲げる「誤記の訂正」を目的とするものである。 
　
（２）新規事項の有無について 
　訂正事項２に係る訂正は、上記（１）で指摘したとおり、出願当初の明細書の段落【００１０】に記載されていた事項であって、誤記の訂正を目的とするものであるから、新たな技術的事項を導入するものではなく、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてするものであるから、新規事項を追加するものではないことは明らかである。 
　したがって、訂正事項２に係る訂正は、特許法第１２６条第５項の規定に適合するものである。 
　
（３）実質上特許請求の範囲の拡張・変更の存否について 
　訂正事項２に係る訂正は、上記（１）で指摘したとおり、誤記の訂正を目的とするものであり、かかる訂正によって特許請求の範囲は、複数の絶縁耐力絶縁層がそれぞれ有する絶縁耐力の数値範囲の下限が「６．２５Ｖ」から「６２５Ｖ」となるので、訂正後の数値範囲は訂正前の数値範囲に含まれ、また、訂正後の数値範囲は実質的に狭くなるから、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものではない。 
　したがって、訂正事項２に係る訂正は、特許法第１２６条第６項の規定に適合するものである。 
　
（４）独立特許要件について 
　上記（１）及び（３）で指摘したとおり、訂正事項２に係る訂正は、誤記の訂正を目的とするものであって、特許請求の範囲の内容が拡張・変更されるものではなく、新たな拒絶理由が生じるものでもないから、訂正後の特許請求の範囲の請求項１ないし１２からなる一群の請求項に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。 
　したがって、訂正事項２係る訂正は、特許法第１２６条第７項の規定に適合するものである。 
　
２．訂正事項１について 
　訂正事項１に係る訂正は、願書に添付した明細書の段落【００１０】の訂正であり、上記「１．訂正事項２について」と同様、特許法第１２６条第１項ただし書第２号に掲げる「誤記の訂正」を目的とするものであり、かつ、同条第５項ないし第７項の規定に適合するものであることは明らかである。　
　
第５．むすび 
　
　以上のとおり、本件訂正審判の請求は、特許法第１２６条第１項ただし書第２号に掲げる事項を目的とし、かつ、同条第５項ないし第７項の規定に適合するものである。 
　
　よって、結論のとおり審決する。