【事件の表示】
　平成　６年特許願第　５８４０６号「半導体装置の製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　７年１０月２０日出願公開、特開平　７−２７３２２４］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成６年３月２９日の出願であって、平成１２年４月２７日付けで拒絶理由通知がなされ、平成１２年１０月１３日付けでその拒絶の理由により拒絶査定されたものである。
　
２．本願発明
　請求項１及び請求項２に係る発明（以下それぞれ「本願第１発明」及び「本願第２発明」という）は、平成１２年７月１３日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び請求項２に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その本願第１発明は次のとおりのものである。
　
「メモリセル部となるトランジスタの閾値電圧をイオン注入で相違させることによりデータを書き込むマスクＲＯＭを有する半導体装置の製造方法において、
　半導体基板上に上記トランジスタを形成し、層間絶縁膜を形成し、上記トランジスタのゲート電極及び上記半導体基板に形成された不純物拡散層のうちの、上記不純物拡散層上にのみコンタクト孔を形成した後、イオン注入により、上記データの書き込みを行う工程と、
　アニール処理温度を７００〜８００℃とし、不活性ガス雰囲気中で注入イオンの活性化アニールを行った後、配線形成を行う工程とを有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。」
　
３．刊行物
３−１．刊行物１
　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６２−７６７７３号公報（以下、「刊行物１」という。）は、多結晶シリコンゲートを用いたＭＯＳ型半導体記憶装置の製造方法に関するものであり、第１図（ｈ）及び第２図（ａ）〜（ｄ）と共に、以下の点が記載されている。
「ＭＯＳ型半導体装置において、リードオンリーメモリー（マスクＲＯＭ）を作製する場合、あらかじめ選択されたＭＯＳトランジスタのチャネル領域に不純物をイオン注入することによって記憶情報を与えることが行われる。」（第１頁右下欄第７〜１１行）
「第５図はこのような従来の製造方法の一例を説明するための素子断面図である。・・・
　しかしこのような製造方法による場合には、金属層２０の形成後にＲＯＭ形成のためのイオン注入を行っているため、イオン注入後のいわゆるアニール工程においてアニール温度を金属層２０の融点以上の温度に上げることができず、充分な熱処理を行うことが困難である。したがって、注入した不純物の電気的活性化が十分でないため、形成されたＲＯＭの特性が劣化するという問題点がある。」（第２頁右上欄第５行〜左下欄第３行）
「ついで第１図（ｆ）および（ｇ）に示すようにこの多結晶シリコン膜２７を所定の形状にエッチングしてゲート電極を形成し、この多結晶シリコン２７によるゲート電極をマスクとして自己整合的に不純物を注入してソース・ドレイン領域２８を形成する。
　その後全面に保護膜２９を被着し、所定の熱処理を行なって第１図（ｈ）に示す構造を得る。保護膜２９としては酸化膜あるいはリンおよびホウ素がドープされたリンシリケートガラス（ＢＰＳＧ）およびこれらの積層体が通常用いられる。なお保護膜２９の被着後の熱処理によりソース・ドレイン領域２８は深さ方向および横方向に広がる。」（第３頁左上欄第１〜１４行）
「第２図は本発明の他の実施例を示す工程別素子断面図である。第１図と同じ部分には同じ番号を付すこととする。まず第１図（ｈ）に示すような構造を形成したのち、第２図（ａ）に示すうよに電極取り出しのためのコンタクトとＲＯＭ用のイオン注入個所とを同時に選択的に除去するマスクを用いて保護膜２９のエッチングを行ない、図に示すような開口３５を形成する。
　なおこのエッチングは反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）により行なうことができる。このような状態でＲＯＭ用のイオン注入を行なうと、第２図（ｂ）に示すようにチャネル領域のイオン注入層３６の他にソース・ドレイン領域２８のコンタクトの部分にもイオン注入層３９が注入される。この不純物３４がソース・ドレイン拡散層２８と同一導電型を与える不純物であるならば、コンタクト部分の不純物濃度は高くなる。
　不純物３４の注入後熱処理を施し注入された不純物の活性化を行ない、そののちに第２図（ｃ）に示すような金属層３８による電極取り出しを行ない、ついで第２図（ｄ）に示すように、全面に保護膜３９を被着して装置を完成させる。」（第３頁右上欄第２０行〜右下欄第１行）
「また、ＲＯＭ用イオン注入によって導入された不純物のアニールによる活性化を十分に行なうことができるため、良好なＲＯＭ特性を持った装置を製造することができる。」（第４頁右上欄第２０行〜左下欄第３行）
　また、第１図（ｈ）には、シリコン基板２１上に形成されたゲート電極２７及びソース・ドレイン領域２８を備えるＭＯＳトランジスタが記載されている。
　以上まとめると、刊行物１には「あらかじめ選択されたＭＯＳトランジスタのチャネル領域に不純物をイオン注入することによって記憶情報を与えるマスクＲＯＭを有する半導体装置の製造方法において、
　シリコン基板上に上記ＭＯＳトランジスタを形成し、保護膜を形成し、上記トランジスタのゲート電極及び上記シリコン基板に形成されたソース・ドレイン領域の両者に開口を形成した後、イオン注入により、上記記憶情報を与える工程と、
　注入された不純物の活性化のための熱処理を行った後、金属層による電極取り出し工程とを有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。」が記載されている。
　
３−２．刊行物２
　同じく原査定の拒絶の理由に引用された特開平５−１２１６９９号公報（以下、「刊行物２」という。）は、不揮発性記憶機能を有するＭＩＳ型半導体装置の製造方法に関するものであり、以下の点が記載されている。
「【０００３】
【従来の技術】不揮発性記憶機能を有する半導体装置の一つににマスクＲＯＭがある。このマスクＲＯＭは、通常ＭＩＳＦＥＴでメモリーセルを構成しており、メモリーセルの”０”、”１”の情報は、、情報書き込み工程でＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧を変化させることで得られる。
【０００４】従来のＭＩＳ型半導体装置を、ＭＯＳ型半導体装置の製造方法を一例に取り概略を示そう。
【０００５】まず、第１の閾値電圧を有するＭＩＳＦＥＴを形成する。この後、ＭＩＳＦＥＴを覆う層間絶縁膜を形成する、次に情報が書き込まれるＭＩＳＦＥＴのチャネル領域上が開口されたフォトレジストマスクを形成する。そしてこのフォトレジストマスクを用い、前記層間絶縁膜及びゲート電極を通してチャネル形成領域に不純物（例えばほう素または燐）を導入する。
【０００６】この後、８００℃前後にてアニールする事によって注入した不純物を活性化させる、この不純物の導入で第１の閾値電圧と異なる第２閾値電圧を有するＭＩＳＦＥＴが形成され、情報書き込み工程が行なわれる。次に、ＭＩＳＦＥＴに接続するデータ線及びソース線等の配線層を形成する。最後に表面保護膜を形成することでマスクＲＯＭの製造工程は終了する。」（第２頁左欄第３２行〜右欄第４行）　
　
３−３．刊行物３
　同じく原査定の拒絶の理由に引用された特開平５−２１８３５５号公報（以下、「刊行物３」という。）は、不揮発性記憶機能を有するＭＩＳ型半導体装置の製造方法に関するものであり、以下の点が記載されている。
「【０００３】
【従来の技術】不揮発性記憶機能を有する半導体装置の一つににマスクＲＯＭがある。このマスクＲＯＭは、通常ＭＩＳＦＥＴでメモリーセルを構成しており、メモリーセルの”０”、”１”の情報は、、情報書き込み工程でＭＩＳＦＥＴのいわゆるオン電流値（ＭＩＳトランジスタで、ソース、ドレイン、ゲート、サブストレートに印加する電圧を一定に保ったとき、ドレインに流れる電流値）を変化させることで得られる。
【０００４】従来のＭＩＳ型半導体装置を、ＭＯＳ型半導体装置の製造方法を一例に取り概略を示す。（図２）
まず、例えばＰ型半導体基板１００上に第１のオン電流値を有するＮ型ＭＩＳ電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）１０１を形成する。この後、このＭＩＳＦＥＴを覆う層間絶縁膜１０２を形成する。（図２（ａ））次に情報が書き込まれるＭＩＳＦＥＴのチャネル領域上が開口されたフォトレジストパターン１０３を形成する。ついでこのフォトレジストをマスクにして、前記層間絶縁膜１０２及びゲート電極１０４を通してチャネル形成領域１０５に不純物（例えばほう素）１１５を導入する。（図２（ｂ））
この後、８００℃にて窒素ガス中でアニールすることによって注入した不純物を電気的に活性化させる、この不純物の導入で追加不純物の導入を行わなかった第１のオン電流値と、前記イオン注入を行った第２のオン電流値を有するＭＩＳＦＥＴ１０６が形成され、情報書き込み工程が行なわれる。次に、ＭＩＳＦＥＴに接続するデータ線及びソース線等の配線層１０７を形成する。最後に表面保護膜１０８を形成することでマスクＲＯＭの製造工程は終了する。（図２（ｃ））」（第２頁左欄第２２行〜右欄第１行）　
　
３−４．刊行物４
　同じく原査定の拒絶の理由に引用された特開昭５８−２１５０７３号公報（以下、「刊行物４」という。）は、絶縁ゲート型電界効果半導体装置の製造方法に関するものであり、第７図及び第８図と共に、以下の点が記載されている。
「次いで第６図のように、基板１の裏面から遠赤外波長のレーザービーム２４を照射する。・・・例えばゲート酸化膜の加熱によつてゲート酸化膜−基板の界面が約６００〜８００℃に加熱されることになる。この加熱温度は、上記チャネル部２２に打込まれている不純物２３を活性化するのに充分である。」（第３頁左上欄第３〜１７行）
「次に、上記した工程とは異なって、第７図及び第８図のように処理することも可能である。
　第８図のように（第８図は第７図の誤記と認められる）、上述の第３図の工程までは同様の工程を経た後にホトレジスト膜２７をパターニングしてイオン打込みのマスクとする。このマスクの穴からりんガラス膜１０，ゲート電極８及びゲート酸化膜を通してイオン２１を打込む。
　次いで第８図のように、ホトレジスト膜２７を除去後、ファイナルパッシベーション膜１９の形成後に、上述したと同様にレーザービーム２４を基板１裏面から照射し、打ち込み不純物２３を活性化する。
　この場合、Ｖｔｈ制御用のイオン打込みは上述の例に比べて早い段階で行なうが、全工程の後半段階で行なうためにやはりＴＡＴは短かいものとなる。また、レーザービーム２４の照射はファイナルパシベーション膜１９の形成以前に行なうことも可能である。」（第３頁右上欄第１４行〜左下欄第１１行）　
　
４．対比・判断
　本願第１発明と刊行物１記載の発明とを対比すると、刊行物１に記載された「ＭＯＳトランジスタ」、「シリコン基板」、「保護膜」、「ソース・ドレイン領域」、「開口」、「記憶情報」、「熱処理」はそれぞれ本願第１発明の「トランジスタ」、「半導体基板」、「層間絶縁膜」、「不純物拡散層」、「コンタクト孔」、「データ」、「アニール」に相当している。
　また、刊行物１に記載された「あらかじめ選択されたＭＯＳトランジスタ」がマスクＲＯＭのメモリセル部を構成していること、刊行物１に記載された「あらかじめ選択されたＭＯＳトランジスタのチャネル領域に不純物をイオン注入する」ことによってＭＯＳトランジスタの閾値電圧を相違させていること、刊行物１に記載された「記憶情報を与える」と本願第１発明の「データを書き込む」とは同じ意味であることは、いずれも当業者には自明のことである。
　また、刊行物１に記載の発明において、金属層３８による電極取り出し工程を表す第２図（ｃ）は、パターン化された金属層３８が保護膜２９上に延在している様子が記載されており、これは本願図１（ｃ）の金属配線１０の形成に対応するものであるから、上記金属層３８による電極取り出し工程は、本願第１発明における配線形成を行う工程に相当するものと認められる。
　したがって、本願第１発明と刊行物１記載の発明とは、「メモリセル部となるトランジスタの閾値電圧をイオン注入で相違させることによりデータを書き込むマスクＲＯＭを有する半導体装置の製造方法において、
　半導体基板上に上記トランジスタを形成し、層間絶縁膜を形成し、上記トランジスタのゲート電極及び上記半導体基板に形成された不純物拡散層のうちの、少なくとも上記不純物拡散層上にコンタクト孔を形成した後、イオン注入により、上記データの書き込みを行う工程と、
　注入イオンの活性化アニールを行った後、配線形成を行う工程とを有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。」の点で一致し、次の点で相違している。
１）刊行物１記載の発明は、トランジスタのゲート電極及び上記半導体基板に形成された不純物拡散層の両者の上にコンタクト孔を形成しているが、本願第１発明は、トランジスタのゲート電極及び上記半導体基板に形成された不純物拡散層のうちの、上記不純物拡散層上にのみコンタクト孔を形成している点（以下、相違点１という）。
２）刊行物１記載の発明においては、アニール処理の詳細については不明であるが、本願第１発明においては、アニール処理がアニール処理温度７００〜８００℃で不活性ガス雰囲気中で行うアニールである点（以下、相違点２という）。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
　最初に、上記相違点１）について検討する。
　刊行物２には、マスクＲＯＭのメモリーセルであるＭＩＳＦＥＴのチャネル部に不純物を導入してしきい値電圧を変化させることにより情報を書き込む方法であって、チャネル領域上が開口されたフォトレジストマスクを形成し、層間絶縁膜及びゲート電極を通してチャネル形成領域に不純物を導入することが記載されている。また、刊行物３には、マスクＲＯＭのメモリーセルであるＭＩＳＦＥＴのオン電流を変化させることにより情報を書き込む方法であって、情報が書き込まれるＭＩＳＦＥＴのチャネル領域上が開口されたフォトレジストパターンを形成し、層間絶縁膜及びゲート電極を通してチャネル形成領域に不純物を導入することが記載されている。また、刊行物４には、ＭＩＳＦＥＴのチャネル域にイオン打込みを行いＭＩＳＩＦＥＴのしきい値電圧を制御して情報の書き込みを行う方法であって、ＭＩＳＦＥＴ上に形成されたホトレジスト膜２７をマスクとして、りんガラス膜１０，ゲート電極８及びゲート酸化膜を通してイオン２１を打込むことが記載されている。
　以上、刊行物２〜４に記載されているように、マスクＲＯＭのメモリセルであるトランジスタに情報を書き込む際に、情報を書き込むトランジスタのチャネル領域上の層間絶縁膜及びゲート電極を通して不純物を導入することは当該技術分野の周知の技術であると認められる。
　したがって、刊行物１に記載の発明において、ゲート電極上の層間絶縁膜を除去してイオン注入することに代えてゲート電極上の層間絶縁膜を残したままイオン注入すること、すなわち、データを書き込むトランジスタのゲート電極及び半導体基板に形成された不純物拡散層の両者の上にコンタクト孔を形成した後、イオン注入する工程に代えて、半導体基板に形成された不純物拡散層上のみにコンタクト孔を形成した後、イオン注入する工程とすることは、刊行物２〜４に記載された周知技術を採用することにより当業者が適宜なし得たことである。
　
　なお、請求人は、この点に関して平成１２年１２月２０日付けの手続補正書において、「引用文献１は「ゲートを露出させ、該露出させたゲートを介してイオン注入を行う」ことを必須要件としており、この内容は「トランジスタのゲート電極上において、保護膜に孔の形成を行わずイオン注入を行う」という引用文献５の内容と相反するものであるので、引用文献１記載の発明に引用文献５の内容を持ち込むことはできない。」と主張しているので、この点について以下検討する。
　刊行物１に記載の発明においては、電極取り出しのためのコンタクトとＲＯＭ用のイオン注入個所とを同時に除去するマスクを用いて保護膜のエッチングを行い、同じ状態でＲＯＭ用のイオン注入を行っている（第３頁左下欄第４〜１０行）ので、この工程に要するマスク工程は１回のみであるが、上記の如く、刊行物１記載の発明において、ゲート電極上にコンタクト孔を形成せずに層間絶縁膜を残したままイオン注入する工程を採用した場合には、電極取り出しのためのコンタクトを除去するためのマスク工程と、ＲＯＭ用のイオンを注入するためのマスク工程の合わせて２回のマスク工程が必要となり、工程数削減の観点からは不利となってしまう。
　しかしながら、刊行物１に記載の発明の目的は「ＲＯＭパターン変更後の工程が短くしかも形成されるＲＯＭの特性が良好な半導体装置の製造方法を提供すること」（第２頁左下欄第６〜８行）であり、たとえ上記のようにマスク工程が２回に増えたとしても、ＲＯＭ用のイオン注入工程より前段階の工程が増えるだけであって、ＲＯＭ用イオン注入工程の後については工程数はなんら変わるものではなく、また、イオン注入した不純物活性化のための熱処理後に電極取り出し工程を行うので充分高温の熱処理が可能である点についても変わりはないから、ＲＯＭパターン変更後の工程を短くしＲＯＭの特性が良好な半導体装置の製造方法を提供するという、刊行物１記載の発明の上記目的に反するとは言えない。そして、ゲート電極上の保護膜を形成したままイオン注入することは刊行物２〜４に記載のようにマスクＲＯＭの技術分野において周知の技術事項であるので、同一技術分野に属する刊行物１に記載の発明と刊行物２〜４に記載の発明を組み合わせることに、なんら阻害要因は認められないので、請求人の上記主張は採用できない。
　
　次に、上記相違点２）について検討する。
　刊行物１には、アニール処理の詳細については記載されていないが、刊行物１に記載の発明は、金属層による配線を行った後ＲＯＭ形成のためのイオン注入を行うと該金属層の融点以上の温度に上げることができず不純物の電気活性化が十分にできないという従来の問題点（第２頁右上欄第５行〜左下欄第３行）を解決するものであり、ＲＯＭ用イオンの注入によって導入された不純物のアニールによる活性化を十分に行うことができるという効果を有することが記載されている（第４頁右上欄第２０行〜左下欄第３行）。したがって、刊行物１には、金属層の融点を考慮せずに、注入したイオンの活性化に必要な高温でのアニールを行うことができることが示唆されているといえる。
　また、刊行物２には、層間絶縁膜及びゲート電極を通してチャネル形成領域に不純物を導入した後に、８００℃前後にてアニールすることにより注入した不純物を活性化することが、刊行物３には、層間絶縁膜及びゲート電極を通してチャネル形成領域に不純物を導入した後、８００℃にて窒素ガス中でアニールすることが、刊行物４には、りんガラス膜，ゲート電極及びゲート酸化膜を通してイオンを打込んだ後、レーザービームを照射して６００〜８００℃に加熱することがそれぞれ記載されている。更に、上記窒素ガス等の不活性ガスは、アニールの際用いられるガスとして周知のガスであるから、マスクＲＯＭにデータを書き込む際に、イオン注入後に８００℃乃至それより若干低い温度で不活性ガス雰囲気中でアニールすることによってイオンの活性化をすることは、当該技術分野の周知の技術であると認められる。
　以上の技術事項を参酌すれば、刊行物１に記載の発明において、注入したイオンを充分に活性化するためのアニール処理として、不活性ガス雰囲気中で処理温度が７００〜８００℃程度のアニール処理を採用することは当業者が容易になし得たことである。
　よって、本願第１発明は、上記刊行物１乃至刊行物４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願第２発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。