【事件の表示】
　特願２０１１−５２３７８３「Ｓｎ膜におけるウイスカの軽減」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年２月２５日国際公開、ＷＯ２０１０／０２１６２４、平成２４年１月５日国内公表、特表２０１２−５００４９３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２００８年８月２１日を国際出願日とする出願であって、平成２５年１２月２５日付け（発送日：平成２６年１月７日）で拒絶査定がなされ、これに対し、平成２６年５月７日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、同時に手続補正がなされ、その後、平成２７年１月１６日に上申書が提出されたものである。
　
２．本願発明
　平成２６年５月７日付け手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲に記載された
「【請求項１】
　表面を有する導電性金属リードと、
　前記表面を覆うはんだ前コーティングであり、結晶粒界領域を含み、本質的に、スズおよびアルミニウムまたは前記スズとの金属間化合物を形成可能な１種または数種のランタニド希土類元素からなるはんだ前コーティングとを備え、
　前記結晶粒界領域中の前記アルミニウムまたは前記１種または数種のランタニド希土類元素の濃度は、前記はんだ前コーティング中の前記アルミニウムまたは前記１種または数種のランタニド希土類元素の平均濃度よりも高い
　電子デバイス。
【請求項２】
　前記はんだ前コーティングが、本質的に、前記スズおよび前記１種または数種のランタニド希土類元素からなる、請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
　前記はんだ前コーティングにおける前記１種または数種のランタニド希土類元素の全濃度が約０．１重量％から約７重量％である、請求項１又は２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
　前記結晶粒界領域中の前記濃度は、前記平均濃度よりも約１０％高い、請求項１、２又は３に記載の電子デバイス。
【請求項５】
　電気リードの上にはんだ前コーティングを形成する方法であって、
　表面を有する導電性金属リードを提供すること、
　結晶粒界領域によって分離された結晶粒を含むスズ層を前記表面を覆って形成すること、および
　前記はんだ前コーティングが本質的にスズおよびアルミニウムまたは前記スズとの金属間化合物を形成可能な１種または数種のランタニド希土類元素からなるように、前記スズ層に、アルミニウムまたは１種または数種のランタニド希土類元素を平均濃度でドープすることを含み、
　前記結晶粒界領域における前記アルミニウムまたは前記１種または数種のランタニド希土類元素の濃度が前記平均濃度よりも相当に高い
　方法。
【請求項６】
　前記はんだ前コーティングが、本質的に、前記スズおよび前記１種または数種のランタニド希土類元素からなる、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
　前記はんだ前コーティングにおける前記１種または数種のランタニド希土類元素の全濃度が約１．５重量％から約３．５重量％である、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
　前記スズ層がドープ前に形成される、請求項５、６又は７に記載の方法。」を、
「【請求項１】
　表面を有する導電性金属リードと、
　前記表面を覆うはんだ前コーティング
とを備え、
　
前記はんだ前コーティングは本質的にスズ、およびアルミニウムまたは１種もしくは数種のランタノイド希土類元素からなり、前記アルミニウムまたは１種もしくは数種のランタノイド希土類元素は
　前記結晶粒界領域中の前記アルミニウムまたは前記１種
もしくは
ノイド
ノイド
　電子デバイス。
【請求項２】
　前記はんだ前コーティングが、本質的に、前記スズおよび前記１種
もしくは
【請求項３】
　前記はんだ前コーティングにおける前記１種
もしくは
ノイ
が０
ら７
の範囲
【請求項４】
　前記結晶粒界領域中の前記濃度は、前記平均濃度より
も１
と補正するものである。
　なお、下線は、補正箇所を示し、本件補正において付されたとおりである。
　
　本件補正は、拒絶査定において、審査官が「不明りょうである。」、「誤記である」と指摘した点に関し、「スズ、アルミニウム、希土類元素」の組み合わせが明りょうになるよう、その記載順序を入れ替え・整理し、「約０．１重量％から約７重量％」を「０．１重量％から７重量％の範囲」に、「約１０％」を「１０％」に、それぞれ補正し、かつ、「ランタニド」を「ランタノイド」と訂正し、さらに、請求項５ないし８を削除するものであるから、明りょうでない記載の釈明、誤記の訂正及び請求項の削除に該当する。
　この点は、当該補正について、請求人が、「補正前の請求項１に現れていた『スズおよびアルミニウムまたは・・・ランタニド希土類元素』を、
審査官殿のご指摘を基に
　すなわち、本件補正は、明りょうでない記載の釈明、誤記の訂正及び請求項の削除を目的とするものであるから、特許法第１７条の２第５項の規定に適合する。
　したがって、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載のとおりのもの（以下「本願発明」という。）である。
　
３．刊行物に記載された事項及び発明 
　(１)原査定の拒絶の理由に引用された、本願の国際出願日前に日本国内において頒布された特開２００７−２９４７３５号公報（以下「刊行物１」という。）には、「実装基板」に関し、図面（特に、図５(Ａ)、図９Ｉ等参照）とともに、次の事項が記載されている。
　以下、下線は当審で付与するものである。
　
　ア．「【００２３】
　図３は、本発明の実施例１による実装基板１００を模式的に示した平面図である。図３を参照するに、本図に示す
実装基板１００は、絶縁層１０１に、半導体チップに接続されるための接続パッド１０３が形成された構造を有している
　イ．「【００３２】
　まず、図５（Ａ）の状態においては、前記
接続パッド１０３Ａ（前記パッドエリア１０３ａ，１０３ｂ）上に、例えば半田などよりなる低融点の金属層１０３Ｓを形成しておく
　ウ．「【００５６】
　次に、図９Ｉに示す工程において、前記ソルダーレジスト層１０２から露出した前記
接続パッド１０３Ｂの表面に、例えば半田よりなる金属層１０３Ｓを形成する
パターン配線１０８Ｂの表面に、例えば半田よりなる金属層１１０を形成する
　
　上記記載事項及び図示内容を総合して、図９Ｉに示されたものを本願発明に則って整理すると、刊行物１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されているものと認められる。
「半導体チップに接続される表面を有する接続パッド１０３Ｂと、
　前記接続パッド１０３Ｂの表面を覆う半田などよりなる低融点の金属層１０３Ｓを備える、
　実装基板１００。」
　
　(２)同じく引用された、本願の国際出願日前に日本国内において頒布された特開平７−２６６０８０号公報（以下「刊行物２」という。）には、「はんだ材料」に関し、次の事項が記載されている。
　
　エ．「【００２２】（第１発明の作用）本発明の
はんだ材料は、ＳｎまたはＰｂを主成分とするはんだ母材と、該はんだ母材中に分散させた希土類元素の１種以上を含有する化合物とからなる
はんだ母材中で、希土類元素含有化合物は、母材のマトリックス中、粒界
微細に分散して
　オ．「【００２７】次いで、該溶湯を１０２ ℃／秒以上の冷却速度で急速に冷却することにより、
ＳｎまたはＰｂを主成分とするはんだ母材中に、希土類元素の１種以上を含有する化合物を析出・分散させる
希土類元素の１種以上を含有する強化物質は、はんだ母材中の１種以上の元素と金属間化合物を形成
　カ．「【００３３】本発明の
はんだ母材は
Ｓｎ含有量が５〜１００ｗｔ％のＳｎ系はんだが好適である
　キ．「【００３８】また、
希土類元素含有化合物の分散形態としては、はんだ材料中に希土類元素含有化合物が分散されていればよく
粗大化し易い結晶粒の内部でも、粗大化し易い結晶粒の近傍（例えば、粒界）でも、あるいは、それ以外の部分でもよい
希土類元素含有化合物が
粒界に分散・存在する場合には、希土類元素含有化合物の分散による強化効果が優れているので好ましい
これらの箇所を含め、はんだ材料の全体に均一に分散させた場合には、本発明の効果をよりよく発揮することができ、より好ましい
　ク．「【００４５】
強化物質原料は、希土類元素の１種以上を含有する物質である
原料の溶湯を急冷凝固させたときに母材中に微細に析出・分散
具体的には、サマリウム（Ｓｍ），ネオジム（Ｎｄ），ランタン（Ｌａ），セリウム（Ｃｅ），イットリウム（Ｙ）などの希土類元素の単体（純物質）
　
　ａ．記載事項エによれば、刊行部２記載のはんだ材料は、ＳｎまたはＰｂを主成分とするものであるところ、同じく記載事項オの「はんだ母材は、Ｓｎ含有量が５〜１００ｗｔ％のＳｎ系はんだが好適」との記載からみて、刊行物２には、はんだ母材として、Ｐｂを含まないＳｎ１００ｗｔ％のものが記載されている。
　ｂ．記載事項オのとおり、刊行物２記載の希土類元素は、母材（Ｓｎ）中の元素と金属間化合物を形成するものである。
　ｃ．記載事項キによれば、
希土類元素の分散形態は
結晶粒の粒界でもよく
凝固させたときに希土類が母材中に微細に分散する
　即ち、刊行物２記載のはんだ材料が凝固したはんだ層は、結晶粒界領域を含んでいることは明らかである。
　ｄ．記載事項クに、具体的に例示される「サマリウム（Ｓｍ），ネオジム（Ｎｄ），ランタン（Ｌａ），セリウム（Ｃｅ），イットリウム（Ｙ）」は、ランタノイド希土類元素である。
　
　上記記載事項及び認定事項を総合して、本願発明に則って整理すると、刊行物２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されているものと認められる。
「はんだ材料は、はんだ母材であるＳｎ、および、１種もしくは数種のランタノイド希土類元素からなり、
　前記１種もしくは数種のランタノイド希土類元素は、Ｓｎとの金属間化合物を形成可能であり、はんだ材料が凝固したはんだ層は、結晶粒界領域を含む、
　はんだ材料。」
　
４．対比 
　本願発明と引用発明１とを対比する。 
　ａ．引用発明１の「半導体チップに接続される表面を有する接続パッド１０３Ｂ」は、その機能、構造等からみて、本願発明の「表面を有する導電性の金属リード」に相当し、同様に、引用発明１の「半田などよりなる低融点の金属層１０３Ｓ」は、本願発明の「はんだ前コーティング」に、相当する。
　ｂ．引用発明１の「実装基板１００」は、半導体チップに接続されるものであるから、本願発明の「電子デバイス」に含まれる。
　
　以上の点からみて、本願発明と引用発明１とは、
「表面を有する導電性金属リードと、
　前記表面を覆うはんだ前コーティングとを備える、電子デバイス。」
　である点で一致し、次の点で相違する。
　［相違点］ 
　はんだ前コーティングが、本願発明では、「本質的にスズ、およびアルミニウムまたは１種もしくは数種のランタノイド希土類元素からなり、前記アルミニウムまたは１種もしくは数種のランタノイド希土類元素は前記スズとの金属間化合物を形成可能であり、前記はんだ前コーティングは結晶粒界領域を含み、前記結晶粒界領域中の前記アルミニウムまたは前記１種もしくは数種のランタノイド希土類元素の濃度は、前記はんだ前コーティング中の前記アルミニウムまたは前記１種もしくは数種のランタノイド希土類元素の平均濃度よりも高い」のに対して、引用発明１では、「半田などよりなる低融点の金属層１０３Ｓ」であって、その組成、濃度等について明らかでない点。
　
５．判断 
　引用発明２のはんだ材料は、はんだ母材であるＳｎ、および、１種もしくは数種のランタノイド希土類元素からなり、前記１種もしくは数種のランタノイド希土類元素はＳｎとの金属間化合物を形成可能であり、また、引用発明２のはんだ材料が凝固したはんだ層（以下「はんだ層」と言う。）は結晶粒界領域を含むものであるから、本願発明の「はんだ前コーティング」と引用発明２のはんだ層とは、その組成、及び、結晶粒界領域を含む点で、同じものである。
　しかしながら、上記記載事項エ、キのとおり、引用発明２のはんだ材料（はんだ層）は、はんだ母材中の、
希土類元素の分散について、その分散形態は、結晶粒の内部でも、結晶粒界でもよく、はんだ材料の全体に均一に分散させることが好ましい
　
　他方、例えば、特開平９−１３８３号公報の段落【００１４】に「
結晶粒界に希土類元素濃度の高い相
結晶粒内部５よりも該結晶粒界６近傍に高濃度の該不純物を含有
主として結晶粒界に介在
　
　そうすると、引用発明２のはんだ層には、結晶粒と結晶粒界領域とが形成されており、上記周知の技術事項を参酌・勘案すれば、引用発明２のはんだ層においても、希土類濃度は、結晶粒内より結晶粒界の方が高いと推認される。
　また、はんだ層（全体）の平均希土類濃度についてみると、結晶粒界における希土類濃度は、結晶粒内の濃度より高いのであるから、結晶粒内と結晶粒界との濃度の平均値を取れば、結晶粒界の方が高いことは明らかである。
　結局、引用発明２のはんだ層は、組成、物性、濃度等、全体としてみても、本願発明の「はんだ前コーティング」と同じものといえる。
　
　してみると、引用発明２は電子部品にも用いられる「はんだ材料」であって（段落【０００２】参照）、刊行物１及び２を検討しても、その適用を阻害する要因は何ら見出せないから、引用発明２のはんだ材料を、引用発明１の（接続パッド１０３Ａの表面を覆う）半田として適用することは、当業者が容易に想到し得たことといわざるをえない。
　そして、引用発明２のはんだ材料を引用発明１の半田として適用したものは、はんだ材料は凝固して、はんだ層（はんだ前コーティング）となり、そのはんだ層は、上記のとおり、本願発明の「はんだ前コーティング」と同じものであるから、結局、本願発明は、引用発明１及び引用発明２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　したがって、本願発明は、引用発明１及び引用発明２に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　なお、請求人は、平成２７年１月１６日付け上申書において、請求項１の３行目に「スズ内全体にわたって分布する」との特定事項を追加する補正案を提示しているが、刊行物２には、記載事項キのとおり、希土類元素の分散形態は、結晶粒の内部でも、粒界でもよく、更に、はんだ材料の全体に均一に分散させるとより好ましいと記載されており、当該記載からみて、刊行物２記載の希土類元素も、はんだ母材であるＳｎ内全体に分散されるものといえるから、補正案に係る特定事項を追加しても、その発明に進歩性があるとはいえず、請求人の主張は採用できない。
　
６．むすび 
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、他の請求項に係る発明を検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。