【事件の表示】
　平成　５年特許願第３０４１０５号「アクティブマトリックス型液晶表示装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　７年　６月２３日出願公開、特開平　７−１５９８０６］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願発明
　本願の請求項１及び２に係る発明についての出願は、平成５年１２月３日に特許出願したものであって、その請求項に係る発明は、平成１３年６月１日付け及び平成１５年６月１６日付け手続補正書により補正された明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、請求項２に係る発明は次のものである。
「【請求項２】　互いに平行配置された複数のゲートラインと、互いに平行配置され、かつ、前記各ゲートラインに直交配置された複数の信号ラインと、前記複数のゲートライン及び前記複数の信号ラインの各交点部分に配置された薄膜トランジスタと、画素電極と、前記複数の信号ラインに近接配置された共通ラインと、前記画素電極及び前記共通ライン上に配置された液晶層とを具備し、前記薄膜トランジスタは、絶縁基板上に配置された活性層と、前記活性層上にコンタクト層を介して離間配置されたソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極間の活性層上にゲート絶縁層を介して配置されたゲート電極とからなり、前記ソース電極の延長部が前記画素電極を構成し、前記ゲート電極が前記ゲートラインに対応するもので、前記ドレイン電極が前記信号ラインに対応するものでそれぞれ構成され、前記活性層は、多結晶シリコンを主成分とする部分とアモルファスシリコンを主成分とする部分とを同一成膜により形成したものであり、少なくとも前記ゲート絶縁層との接触部分が多結晶シリコンを主成分とする部分であり、前記ゲート電極は、アルミニウムまたはタンタルもしくはその合金からなり、その表面が陽極化成で形成した保護膜で被覆されていることを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装置。」
　
２．刊行物記載の発明
　当審における拒絶理由に引用された、この出願前公知の刊行物である特開平３−１８５８４０号公報（以下、「引用例１」という。）には、下記の記載が認められる。
「本発明は例えばアクティブマトリックス型液晶表示装置の画素電極選択用スイッチング素子として用いられる薄膜トランジスタに関するものである。・・・従来、この種の薄膜トランジスタは第３図（ここではコプラナ型を示す）に示すような構造となっており、ガラス等からなる基板１上にはアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）からなる半導体層２が基板１を覆うように形成されている。この半導体層２の上にはｎ型シリコン（ｎ＋−Ｓｉ）からなるコンタクト層３がトランジスタのチャンネル部を除く半導体層２の全面に形成されており、このコンタクト層３の上にクロム（Ｃｒ）等の金属からなるソース電極４およびドレイン電極５が形成されている。そして、窒化シリコン（ＳｉＮ）等からなるゲート絶縁膜６が上記ソース電極４およびドレイン電極５と前記半導体層６（「半導体層２」の誤り：審決注）のチャンネル部の上にこれらを覆うように形成されており、このゲート絶縁膜６の上にクロム（Ｃｒ）等の金属からなるゲート電極７が形成されている。」（１頁左欄１６行〜同右欄１７行）。
　
　同じく、特開昭５６−９１２７７号公報（以下、「引用例２」という。）には、アクティブマトリクス型の液晶表示パネルに関して、「第６図の本発明では基準用電極の役割を果たす電極Ｚ＊もスイッチング素子と同一の基板上に形成され、表示用電極Ａと電極Ｚ＊との間に印加される電圧は図中破線の如くパネル平面に平行な成分を有する様になる。尚、電極Ｚ＊は、基準電極Ｚの事もあるが、行電極Ｙや列電極Ｘが役割を兼用する事もある」（３頁右下欄９〜１５行）と記載されている。また、第６図には、表示パネルの断面図が示され、表示用電極Ａ及び電極Ｚ＊の上に液晶層３を具備することが見て取れ、第７図には、水平方向に電界が加わる液晶表示パネルの一単位要素の素子配置が示され、スイッチング素子Ｓｉｊのゲート電極が行電極Ｙに、ソース電極が列電極Ｘｉに接続され、ドレイン電極の延長部が画素電極Ａｉｊを構成し、前記複数の列電極Ｘｉ，Ｘｉ＋１に基準電極Ｚが近接配置されていることが見て取れる。
　
　同じく、特開平４−１３３０２９号公報（以下、「引用例３」という。）には、
「薄膜トランジスタはチャンネル形成領域部が非晶質半導体層で構成されているものと、チャンネル形成領域が結晶性を有する半導体層で構成されているものとを有する」（１頁左下欄９〜１２行）
「薄膜トランジスタは、非晶質半導体をレーザーアニールにより結晶性を高めて、・・・半導体をチャンネルとすることを特徴とする液晶装置。」（１頁右下欄５〜９行）
「従来より知られたＴＦＴに比べて、高速で動作するＴＦＴを、・・・提供することをその目的とする」（２頁右下欄２〜５行）
「本実施例においては、液晶ディスプレイに用いるためのコプレナー型の薄膜トランジスタの作成について示す。」（３頁右上欄１７〜１９行）
と記載され、第１図（ｆ）には、ソース領域とドレイン領域の間の非晶質半導体層の結晶性を高めた領域にゲート絶縁膜６を介してゲート電極７が配置されたものが図示されている。
　
３．対比
　本願の請求項２に係る発明（以下、「本願発明」という。）と引用例１記載のものとを対比する。
　引用例１記載のものの「ガラス等からなる基板」、「アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）からなる半導体層」は、本願発明の「絶縁基板」、「活性層」に相当し、引用例１記載のものの「アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）からなる半導体層」がアモルファスシリコンを主成分とすることは明らかである。
　よって、両者は、
「前記薄膜トランジスタは、絶縁基板上に配置された活性層と、前記活性層上にコンタクト層を介して離間配置されたソース電極及びドレイン電極と、前記ソース電極及び前記ドレイン電極間の活性層上にゲート絶縁層を介して配置されたゲート電極とからなり、前記活性層は、アモルファスシリコンを主成分とする部分を形成したものであるアクティブマトリックス型液晶表示装置。」で一致し、下記の点で相違する。
　
（相違点１）　本願発明は、互いに平行配置された複数のゲートラインと、互いに平行配置され、かつ、前記各ゲートラインに直交配置された複数の信号ラインと、前記複数のゲートライン及び前記複数の信号ラインの各交点部分に配置された薄膜トランジスタと、画素電極と、前記複数の信号ラインに近接配置された共通ラインと、前記画素電極及び前記共通ライン上に配置された液晶層とを具備しているのに対して、引用例１には、この点の記載がない点、
（相違点２）  前記活性層は、本願発明では、多結晶シリコンを主成分とする部分とアモルファスシリコンを主成分とする部分とを同一成膜により形成したものであり、少なくとも前記ゲート絶縁層との接触部分（チャンネル部）が多結晶シリコンを主成分とする部分であるのに対して、引用例１記載のものでは、アモルファスシリコンで形成され、チャンネル部も同じくアモルファスシリコンからなる点、
（相違点３）　本願発明の前記ゲート電極は、アルミニウムまたはタンタルもしくはその合金からなり、その表面が陽極化成で形成した保護膜で被覆されているのに対して、引用例１記載のものは、クロム（Ｃｒ）等の金属からなるとされている点。
　
４．判断
　上記相違点に付き検討する。
（１）相違点１について
　引用例２に記載されたものにおける「行電極」、「列電極」、「表示用電極」、「基準電極」は、本願発明の「ゲートライン」、「信号ライン」、「画素電極」、「共通ライン」に各々相当し、引用例２には、本願発明の相違点１の構成が実質的に備わっているが、この相違点１の構成は横電界方式として従来周知のものである。よって、アクティブマトリックス型液晶表示装置の画素電極選択用スイッチング素子として用いられる引用例１記載のものの薄膜トランジスタを、引用例２に記載されたような従来周知のアクティブマトリクス型液晶表示パネルのスイッチング素子として用いることは当業者が任意に設計し得る程度のことである。
　
（２）相違点２について
　薄膜トランジスタのチャネル部において、キャリアの移動度を大きくすることにより、該薄膜トランジスタを高速で動作するために、ゲート絶縁層との接触部分の非晶質半導体をレーザーアニールにより結晶性を高めることが引用例３に記載されている。そして、非晶質半導体をレーザーアニールすることによって、多結晶化することは周知の事項であるから、引用例１記載のものの薄膜トランジスタの活性層に引用例３記載の技術を適用し本願発明の相違点２の構成を得ることは当業者が容易に想到し得たものである。
　
（３）相違点３について
　ゲート電極を含む配線をＡｌもしくはその合金で構成し、その表面を陽極化成で形成した絶縁保護膜（Ａｌ２Ｏ３）で被覆することは、従来周知（例えば、特開平３−２３２２７４号公報、特開平３−５８０１９号公報及び特開平４−７８８２６号公報参照）であり、しかも、ゲート電極を含む配線として、Ｃｒ及びＡｌは共に周知の材料である。よって、Ａｌもしくはその合金の表面を陽極化成で形成した絶縁保護膜で被覆する上記周知技術を引用例１記載のもののゲート電極に適用することに格別困難性はない。
　なお、請求人は平成１５年５月１６日付け意見書において、「陽極化成は、薄膜トランジスタの最上層のゲート電極に施され、特別に絶縁膜を設けなくても、ゲート電極を液晶層に対して保護することができる」と主張している。しかし、本願発明には、ゲート電極を直接液晶層に接触するものであるとの規定はないから、この点は本願発明の構成に基づかない主張である。しかも、液晶表示パネルの液晶に接する面には、配向膜あるいは必要に応じて平坦化膜を設けることが極めて一般的であるから、その効果も格別とはいえない。また仮に、ゲート電極が直接液晶層に接触するようなものであるとすれば、Ａｌが変質しやすいものであることは良く知られているのであるから、陽極酸化により絶縁被膜を設ける程度のことは当業者であれば適宜なし得る設計事項に過ぎない。
　結局、本願発明は、引用例１〜３記載のもの及び従来周知の技術を寄せ集めることにより当業者が容易に想到し得たものであり、本願発明によってもたらされる効果は、引用例１〜３及び従来周知の技術から、当業者が予測し得る程度のものであり、格別とはいえない。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１〜３に記載された発明及び従来周知の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。