【事件の表示】
　特願２００８−２３９７４４「オプトエレクトロニクス素子およびオプトエレクトロニクス素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　４月　９日出願公開、特開２００９−　７６９１１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
（１）手続の経緯
　本願は、平成２０年９月１８日（パリ条約による優先権主張２００７年９月２０日、独国、２００７年１０月３１日、独国）の出願であって、平成２３年８月１日及び平成２５年４月２６日に手続補正がなされ、平成２５年６月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１０月１８日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正がなされ、当審において、平成２６年９月２日付けで拒絶の理由（以下「当審拒絶理由」という。）が通知され、平成２７年３月２日に手続補正がなされたものである。
　なお、請求人は、当審拒絶理由に対して平成２７年３月２日に意見書を提出している。
　
（２）本願発明
　本願の請求項１〜２３に係る発明は、平成２７年３月２日になされた手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜２３に記載の事項により特定されるものであるところ、そのうち請求項１に係る発明は、その特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの次のものであると認める。
　
「基板（１）と、
　前記基板（１）上に配置されている第１の電極（２）と、
　駆動時に電磁的な１次放射を放出する活性領域（３０）を備えた放射放出型の層列（３）と、
　前記放射放出型の層列（３）上に配置されている、前記１次放射に対して透過性である第２の電極（４）と、
　前記第２の電極（４）上に被着されているカプセル化装置（１０）とを有し、
　前記カプセル化装置（１０）は、前記電極（２，４）及び前記層列（３）を酸素及び湿気から保護する３層以上のバリア層（６１，６２，６３）と、前記１次放射を少なくとも部分的に電磁的な２次放射に変換する、３層以上の波長変換層（５１，５２）とを備えた積層体を有し、ただし、前記３層以上のバリア層（６１，６２，６３）および３層以上の波長変換層（５１，５２）は交互に重なって配置されており、
　前記カプセル化装置（１０）は少なくとも部分的に前記１次放射及び前記２次放射に対して透過性であることを特徴とする、
　オプトエレクトロニクス素子。」（以下「本願発明」という。）
　
２　当審拒絶理由
　当審拒絶理由は概ね次のとおりである。
　
「１　本件出願の請求項１６に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
 　 
 　　　　　　　　　　　　　　　　　　記
引用文献１．特開２００６−１４８１４７号公報
　
　
２　本件出願の請求項１〜２３に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
 　　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
引用文献１．特開２００６−１４８１４７号公報
引用文献２．特開平１０−１６２９５８号公報
引用文献３．特開２００６−３２０１０号公報
引用文献４．特開２００４−２２０８７４号公報
引用文献５．特開２００７−１９４２８９号公報
引用文献６．特開２００７−１３４６５６号公報
引用文献７．特開２００７−１８０５８３号公報
引用文献８．特開２００５−１９１５１４号公報
引用文献９．特開２００５−６３９２６号公報」
　
３　刊行物の記載事項
　当審拒絶理由で引用文献１として引用した本願の優先権主張の日（以下「優先日」という。）前に頒布された刊行物である特開２００６−１４８１４７号公報（以下「引用例」という。）には、次の事項が図とともに記載されている。
　
（１）「【特許請求の範囲】
　・・・略・・・
【請求項２６】
　
支持構造体に取り付けた発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイと、
　
前記ＬＥＤダイの上に成形されて該ＬＥＤダイを封入する第１のレンズと、
　
含む
発光素子
【請求項２７】
　
望ましい光パターンを得るために前記第１のレンズに取り付けた光学要素を更に含む
　
（２）「【発明を実施するための最良の形態】
【０００７】
　予備的なこととして、従来型ＬＥＤが成長基板上に形成される。用いた実施例においては、ＬＥＤは、青色光又はＵＶ光を生成させるためのＡｌＩｎＧａＮのＬＥＤのようなＧａＮベースＬＥＤである。通常、
比較的厚いｎ型ＧａＮ層が
サファイア成長基板上に形成され
この比較的厚いＧａＮ層は、
低温核生成層と、ｎ型クラッド層及び活性層のための低欠陥格子構造を提供するための１以上の追加層とを含む
１以上のｎ型クラッド層が厚いｎ型層の上に形成され、引続き、活性層、１以上のｐ型クラッド層、及びｐ型接点層
が形成される
【０００８】
　様々な技術がｎ型層への電気的アクセスを得るために使用される。フリップチップ実施例においては、ｐ層及び活性層の一部はエッチングで除去され、メタライゼーションのためにｎ層が露出される。このようにして、ｐ接点及びｎ接点がチップの同じ側にされ、パッケージ（又はサブマウント）接点パッドに直接電気的に接続することができる。ｎ金属接点からの電流は、最初に側面に沿って流れてｎ層を通過する。対照的に、
垂直注入型（非フリップチップ型）ＬＥＤ
ｎ接点は、チップの一方の側に形成され、ｐ接点は、チップの他方の側に形成される。ｐ又はｎ接点の一方への電気接触は、ワイヤ又は金属ブリッジを用いて行われ、他方の接点は、
サブマウント
接点パッドに直接結合される
【０００９】
　ＬＥＤ形成の例は、共に「Ｌｕｍｉｌｅｄｓ　Ｌｉｇｈｔｉｎｇ」に譲渡され、本明細書において引用により組み込まれている米国特許第６，６４９，４４０号及び第６，２７４，３９９号に説明されている。
　任意的に、導電性基板がＬＥＤ層（通常ｐ層）に結合され、サファイア基板が取り外される。図５及び図６に関してより詳細に説明すると、導電性基板がサブマウントに直接結合した状態で、１以上のＬＥＤダイをサブマウントに結合することができる。１以上のサブマウントは、他のＬＥＤ又は電源部への接続のための金属リードを含むプリント基板に結合することができる。プリント基板は、様々なＬＥＤと直列及び／又は並列に相互接続する。
　形成される特定のＬＥＤ及びそれらがサブマウントに装着されているか否かは、本発明を理解する目的のためには重要ではない。
【００１０】
　図１は、支持構造体１２上に装着された４つのＬＥＤ１０の側面図である。
支持構造体は、サブマウント（例えば、金属リードを有するセラミック又はシリコン）、金属放熱板、プリント基板、又は何れかの他の構造体とすることができる
　モールド１４は、各ＬＥＤダイ１０の上のレンズの望ましい形状に対応する凹部１６を有する。モールド１４は、好ましくは金属で形成される。モールド１４の概略の形状を有する非常に薄い付着防止フィルム１８がモールド１４の上に置かれる。フィルム１８は、金属に対するシリコーンの付着を防止する公知の従来材料のものである。
　レンズ材料がモールドに付着しない時にはフィルム１８を必要としない。これは、付着防止モールドコーティングの使用、非付着性モールド材料の使用、又は非付着性境界面を生じさせる成形処理の使用によって達成される。そのような処理には、付着を最小にするための所定の処理温度を選択することが含まれる。フィルム１８を使用しないことにより、より複雑なレンズを形成することができる。　
【００１１】
　図２において、モールドの凹部１６は、熱硬化性の液体レンズ材料２０で充填されている。
レンズ材料２０は、シリコーン、エポキシ、又はシリコーン／エポキシ混成物のような何れかの適切な光学透明材料とすることができる。
　真空密封が支持構造体１２の周囲とモールド１４の間に作り出され、この２つの部分は
、互いに押付けられ、それによって各ＬＥＤダイ１０が液体のレンズ材料２０内に挿入され、レンズ材料２０が圧縮状態となる。
【００１２】
　モールドは、次に、摂氏約１５０度（又は他の適切な温度）までレンズ材料２０が固化するための時間に亘って加熱される。
　次に、支持構造体１２がモールド１４から分離される。フィルム１８は、得られる固化レンズがモールド１４から容易に離れるようにするものである。次に、フィルム１８は取り外される。
　別の実施形態では、図１のＬＥＤダイ１０は、シリコーン又は結合剤中の燐光体のような材料で最初に覆うことができる。モールドの凹部１６は、別の材料で充填される。ダイがモールド内に置かれた時に、モールド材料が被覆材料の上に成形される。
【００１３】
　図３は、各ＬＥＤダイ１０の上に成形レンズ２２がある得られる構造体を示している。一実施形態では、成形レンズは、１ｍｍと５ｍｍと間の直径である。レンズ２２は、あらゆる寸法又は形状にすることができる。
　図４は、得られる構造体の斜視図であり、支持構造体１２は、各々が成形レンズ２２を有するＬＥＤダイのアレイを支持している。使用されるモールドは、対応する凹部のアレイを有するであろう。仮に支持構造体１２がセラミック又はシリコンサブマウントであれば、各ＬＥＤは（その下にあるサブマウント部分と共に）、サブマウント１２を切断又は破断することによって分離され、個々のＬＥＤダイを形成することができる。代替的に、支持構造体１２は、ＬＥＤのサブグループを支持するために分離／ダイシングすることができ、又は分離／ダイシングされずに使用することもできる。
【００１４】
　
レンズ２２は、ＬＥＤダイからの光抽出を向上させて望ましい放射パターンを作り出すように光を反射させるのみならず、このレンズはまた、汚染からＬＥＤダイを保護し、機械的強度を付加し、あらゆるワイヤ結合を保護するためにＬＥＤダイを封入する
　図５は、セラミック又はシリコンのような何れかの適切な材料で形成されたサブマウント２４上の単一フリップチップ型ＬＥＤダイ１０の一実施形態の簡略化した詳細図である。一実施形態では、図１−図４の支持構造体１２の役目を果たすサブマウント２３及び図５のダイ／サブマウントは、切断によって図４の構造体から分離されたものである。図５のＬＥＤダイ１０は、底部ｐ接点層２６、ｐ金属接点２７、ｐ型層２８、発光活性層３０、ｎ型層３２、及びｎ型層３２に接触するｎ金属接点３１を有する。サブマウント２４上の金属パッドは、接点２７及び３１に直接に金属結合される。サブマウント２４を通過するバイアは、サブマウント２４の底面上の金属パッド内で終端となり、それらは、回路基板４５上の金属リード４０及び４４に結合される。金属リード４０及び４４は、他のＬＥＤ又は電源部に接続することができる。回路基板４５は、絶縁層の上にある金属リード４０及び４４を有する金属プレート（例えば、アルミニウム）とすることができる。図１−図３の技術を用いて形成された成形レンズ２２は、ＬＥＤダイ１０を封入する。
【００１５】
　図５のＬＥＤダイ１０は、サブマウント２４上の金属パッドに上部ｎ層３２を接続するワイヤを有する非フリップチップ型ダイとすることができる。レンズ２２は、このワイヤを封入することができる。
　一実施形態では、回路基板４５それ自体を図１−図３の支持構造体１２とすることができる。そのような実施形態は図６に示されている。図６は、ワイヤ３８によって回路基板４５上の金属リード４０に接続した上部ｎ金属接点３４を有する非フリップチップ型ＬＥＤダイ１０の簡略化した詳細図である。ＬＥＤダイ１０は、図６の実施例においては金属スラブであるサブマウント３６に装着される。ワイヤ４２は、ｐ層２６／２８を回路基板４５上の金属リード４４に電気的に接続する。レンズ２２は、ワイヤ及びサブマウント３６を完全に封入して示されているが、他の実施形態では、全サブマウント又は全ワイヤが封入されることを要しない。
【００１６】
　よく用いられる従来技術の封入方法は、保護コーティング上のスピン法によるものである。この封入処理は、ＬＥＤダイに燐光体コーティングを付加するためには不適切であり、それは、ＬＥＤダイの上の封入材料の厚みが不均一であることによる。また、このような封入方法はレンズを形成しない。ＬＥＤの上の燐光体を提供するための通常の技術は、シリコーン／燐光体組成物をＬＥＤダイを取囲む反射カップに充填することである。しかし、その技術は、変化する厚みを有する燐光体を形成し、適切なレンズを形成しない。レンズが要望される時は、付加的な処理により、依然としてプラスチック成形レンズを作成し、ＬＥＤダイの上にこのレンズを取り付けなければならない。
【００１７】
　
図７−図１１は、上述の技術を用いて形成することができる様々なレンズを示している
　図７は、何れかの適切な方法を用いて燐光体６０で被覆されているＬＥＤダイ１０を示している。１つのそのような方法は、「Ｌｕｍｉｌｅｄｓ　Ｌｉｇｈｔｉｎｇ」に譲渡され、本明細書において引用により組み込まれている米国特許第６，５７６，４８８号に説明されている電気泳動法によるものである。適切な燐光体は公知のものである。レンズ２２は、上述の技術を用いて形成される。
燐光体６０は、ＬＥＤ放射（例えば、青色光又はＵＶ光）によって励起され、緑、黄、又は赤のような異なる波長の光を放射する
【００１８】
　ＬＥＤを燐光体で被覆する処理は、長時間を要するものである。ＬＥＤダイを燐光体で被覆する処理を除くために、燐光体粉末は、図８に示すように、レンズ６２内に組み込まれるように液体シリコーンに混合することができる。
　図９に示すように、ＬＥＤダイの上の燐光体材料の注意深く制御された厚みを提供するために、内側レンズ６４が上述の技術を用いて形成され、別々の成形段階（より深くより広い凹部を用いる）が用いられて、内側レンズ６４の上にあらゆる厚みの外側燐光体／シリコーンシェル６６が直接形成される。
【００１９】
　図１０は、ビームを更に成形するために別のモールドを用いて燐光体／シリコーンシェル６６の上に形成することができる外側レンズ６８を示している。
　図１１は、
透明シリコーンシェル７６、７８、及び８０の上にあるそれぞれ赤色、緑色、及び青色放射燐光体のシェル７０、７２、及び７４を示している。この場合には、ＬＥＤダイ１０は、ＵＶ光を放射し、赤色、緑色、及び青色放射の組合せで白色光が生成される
　
（３）上記（２）で摘記した【００１７】に「図７−図１１は、上述の技術を用いて形成することができる様々なレンズを示している」と記載されているように、図７〜図１１は、【０００７】〜【００１６】及び図１〜図６に記載の技術を用いて形成されたものであり、図１〜図６におけるレンズ２２は、図７では「２２」、図８では「６２」、図９では「６４」及び「６６」、図１０では「６４」、「６６」及び「６８」、図１１では「７６」、「７８」及び「８０」、並びに、「７０」、「７２」及び「７４」が対応している。また、図７〜図１１及び【００１７】〜【００１９】で明示されていない構成については【０００７】〜【００１６】及び図１〜図６に記載された構成と同じであるといえるから、図１１の「透明シリコーンシェル７６、７８、及び８０の上にあるそれぞれ赤色、緑色、及び青色放射燐光体のシェル７０、７２、及び７４を示している。この場合には、ＬＥＤダイ１０は、ＵＶ光を放射し、赤色、緑色、及び青色放射の組合せで白色光が生成される」発光素子は、図５，６と同様なレンズ、サブマウント（支持構造体）及びＬＥＤダイを有しているといえる。
　
（４）様々なレンズが上に形成されたＬＥＤダイの断面図の１つを示した図である図１１から、透明シリコーンシェル７６、７８、及び８０が、
ＬＥＤダイ１０を外部から保護するように設けられた
　
（５）上記（１）ないし（４）から、引用例には次の発明が記載されているものと認められる。
「支持構造体に取り付けた発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイと、前記ＬＥＤダイの上に成形されて該ＬＥＤダイを封入する第１のレンズとを含み、望ましい光パターンを得るために前記第１のレンズに取り付けた光学要素を更に含む発光素子であって、
　支持構造体は、例えば、金属リードを有するセラミック又はシリコンからなるサブマウント、金属放熱板、プリント基板、又は何れかの他の構造体とすることができ、
　レンズは、ＬＥＤダイからの光抽出を向上させて望ましい放射パターンを作り出すように光を反射させるのみならず、このレンズはまた、汚染からＬＥＤダイを保護し、機械的強度を付加し、あらゆるワイヤ結合を保護するためにＬＥＤダイを封入し、
　ＬＥＤダイは、比較的厚いｎ型ＧａＮ層がサファイア成長基板上に形成された垂直注入型（非フリップチップ型）ＬＥＤであって、前記ＧａＮ層が低温核生成層、ｎ型クラッド層及び活性層のための低欠陥格子構造を提供するための１以上の追加層を含み、１以上のｎ型クラッド層が厚いｎ型層の上に形成され、引続き、活性層、１以上のｐ型クラッド層、及びｐ型接点層が形成されてなり、ｎ接点がチップの一方の側に形成され、ｐ接点がチップの他方の側に形成され、ｐ又はｎ接点の一方への電気接触がワイヤ又は金属ブリッジを用いて行われ、他方の接点がサブマウント接点パッドに直接結合されたものであり、
　ＬＥＤダイ１０を外部から保護するように設けられた透明シリコーンシェル７６、７８、及び８０の上にそれぞれ赤色、緑色、及び青色放射燐光体のシェル７０、７２、及び７４を有し、ＬＥＤダイ１０は、ＵＶ光を放射し、赤色、緑色、及び青色放射の組合せで白色光が生成される、発光素子。」（以下「引用発明」という。）
　
３　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「『支持構造体』又は『サブマウント』」、「活性層」、「『赤色放射』、『緑色放射』又は『青色放射』」及び「発光素子」は、それぞれ、本願発明の「基板」、「駆動時に電磁的な１次放射を放出する活性領域」、「電磁的な２次放射」及び「オプトエレクトロニクス素子」に相当する。
　
（２）引用発明の「ｎ型ＧａＮ層」は、「駆動時に電磁的な１次放射を放出する活性領域（活性層）」を備えた層列といえるから、本願発明の「放射放出型の層列」に相当する。
　
（３）引用発明の「レンズ２２」は、ＬＥＤダイからの光抽出を向上させて望ましい放射パターンを作り出すように光を反射させるのみならず、汚染からＬＥＤダイを保護し、機械的強度を付加し、あらゆるワイヤ結合を保護するためにＬＥＤダイを封入するものであるから、本願発明の「バリア層」に相当する。そして、引用発明の「透明シリコーンシェル７６」、「透明シリコーンシェル７８」及び「透明シリコーンシェル８０」も「レンズ２２」と同様にＬＥＤダイを保護しているから、本願発明の「３層以上のバリア層」に相当する。
　
（４）引用発明の「赤色放射燐光体のシェル７０」、「緑色放射燐光体のシェル７２」及び「青色放射燐光体のシェル７４」は、引用例の【００１７】（上記２（２））に記載されているように、そもそも燐光体が、ＬＥＤ放射（例えば、青色光又はＵＶ光）によって励起され、緑、黄、又は赤のような異なる波長の光を放射するものであるから、本願発明の「１次放射を少なくとも部分的に電磁的な２次放射に変換」する「３層以上の波長変換層」に相当する。
　
（５）引用発明において、ｎ接点が、「放射放出型の層列（ｎ型ＧａＮ層）」からなる垂直注入型（非フリップチップ型）ＬＥＤのチップの一方の側に形成され、ｐ接点は、前記チップの他方の側に形成され、ｐ又はｎ接点の一方への電気接触は、ワイヤ又は金属ブリッジを用いて行われ、他方の接点は、「支持構造体（サブマウント）」接点パッドに直接結合されているから、ｎ接点及びｐ接点自体が電極であるか、仮にそうでないとしても、ｎ接点及びｐ接点と「放射放出型の層列（ｎ型ＧａＮ層）」との接続箇所に電極を有することは当業者に自明である。
　してみると、引用発明の「オプトエレクトロニクス素子（発光素子）」と、本願発明の「オプトエレクトロニクス素子」とは、「基板上に配置されている第１の電極」及び「放射放出型の層列に配置されている第２の電極」を有する点で一致する。
　
（６）引用発明において、電極を備えるＬＥＤダイを外部から保護するように設けられた「３層以上のバリア層（透明シリコーンシェル７６、透明シリコーンシェル７８及び透明シリコーンシェル８０）」の上にそれぞれ「３層以上の波長変換層（赤色放射燐光体のシェル７０、緑色放射燐光体のシェル７２及び青色放射燐光体のシェル７４）」を有し、「バリア層」及び「波長変換層」全体でＬＥＤダイ１０を外部から保護しているから、引用発明の「３層以上のバリア層」と「３層以上の波長変換層」とを備えた積層体は、本願発明の「３層以上のバリア層および３層以上の波長変換層は交互に重なって配置されて」いる「第２の電極上に被着されているカプセル化装置」に相当する。
　
（７）引用発明の「オプトエレクトロニクス素子（発光素子）」は、上記（６）のように「カプセル化装置」を有し、ＬＥＤダイ１０がＵＶ光を放射し、「電磁的な２次放射（赤色、緑色、及び青色放射）」の組合せで白色光が生成され、該白色光は「カプセル化装置」を透過して外部へ放射されていることは当業者に自明であるから、引用発明の「カプセル化装置」と、本願発明の「カプセル化装置」とは、「少なくとも部分的に前記１次放射及び前記２次放射に対して透過性である」点で一致する。
　
（８）上記（１）ないし（７）からみて、本願発明と引用発明とは、
「基板と、
　前記基板上に配置されている第１の電極と、
　駆動時に電磁的な１次放射を放出する活性領域を備えた放射放出型の層列と、
　前記放射放出型の層列に配置されている第２の電極と、
　前記第２の電極上に被着されているカプセル化装置とを有し、
　前記カプセル化装置は、前記電極及び前記層列を保護する３層以上のバリア層と、前記１次放射を少なくとも部分的に電磁的な２次放射に変換する、３層以上の波長変換層とを備えた積層体を有し、ただし、前記３層以上のバリア層および３層以上の波長変換層は交互に重なって配置されており、
　前記カプセル化装置は少なくとも部分的に前記１次放射及び前記２次放射に対して透過性である、
　オプトエレクトロニクス素子。」の点で一致し、次の点で相違する。
　
・相違点１：
　前記バリア層は、
　本願発明では、酸素及び湿気から保護するのに対し、
　引用発明では、酸素及び湿気から保護するかどうかが不明である点。
　
・相違点２：
　前記第２の電極が、
　本願発明では、前記放射放出型の層列上に配置され、１次放射に対して透過性であるのに対し、
　引用発明では、前記放射放出型の層列上に配置されているのか不明であり、且つ、１次放射に対して透過性であるのかも不明である点。
　
４　判断
（１）上記相違点１について検討する。
　ア　酸素や水分から保護するために発光素子をエポキシ樹脂組成物で保護することは本願の優先日前に周知（以下、「周知技術１」という。例．特開２００７−１６０６３号公報（【０００２】の「・・・酸素や水分あるいは機械的損傷から保護するために、通常、発光素子はエポキシ樹脂組成物で封止されている。」の記載参照。）、特開２００１−１０２６３９号公報（【０００２】の「発光ダイオード（ＬＥＤ）およびレーザーダイオード装置・・・これらの装置のための封止材には素子を外界の水や酸素などの劣化因子から遮断するために一般にエポキシ樹脂が用いられている。」の記載参照。）、特開２００６−２９５０５４号公報（【０００３】の「そして、発光素子材料が酸素や水との反応による変質劣化防止や、ワイヤ接続部などの損傷防止のために、発光素子５１と配線部の一部がエポキシ樹脂などの封止材５２で被覆されて封止された構造となっている。」の記載参照。）、特開２００６−３３２２６２号公報（【０００３】の「ＬＥＤは水分、酸素等により劣化するので、ベアチップの状態では長期の発光特性を維持することができない。そこで樹脂によって封止し、水分、酸素等から保護することが行われている。　通常ＬＥＤ封止用樹脂としては、エポキシ樹脂が使用されている。このエポキシ樹脂は耐熱性、接着性、耐水性、機械的強度及び電気特性に優れており、封止用樹脂として好適に用いることができる。」の記載参照。））である。
　イ　引用例には、「レンズ材料２０は、シリコーン、
エポキシ
　ウ　そして、引用発明の透明シェル７６、７８、及び８０をエポキシで形成した際に、上記アからみて、エポキシが、ＬＥＤダイを酸素及び湿気から保護することは当業者に自明であるから、引用発明において、上記相違点１に係る本願発明の構成となすことは当業者が引用例の記載事項及び周知技術１に基づいて適宜なし得たことである。
　
（２）上記相違点２について検討する。
　ア　光を透過する電極、すなわち透明電極を発光層の上方に備え、該透明電極がワイヤによって外部と電気的に接続された発光素子は本願の優先日前に周知である（以下「周知技術２」という。例．原査定で引用文献５として引用した特開２００７−１９４２８９号公報（【００３６】の「窒化物半導体層４は、ｎ型コンタクト層４１、発光層４２及びｐ型コンタクト層４３がこの順序で基板３の窒化物半導体基板３２上に形成されて成り、ｐ型コンタクト層４３の上には透明ｐ型電極５が形成されている。符号５１で示されるのは透明ｐ型電極５を外部と電気的に接続するためのリード線である。」及び図１の記載参照。）、原査定で引用文献６として引用した特開２００７−１３４６５６号公報（【００２０】の「ＬＥＤ素子３には、パッド電極１０のサファイア基板側に位置し、かつｐ−ＧａＮ層２８のパッド電極側面を覆う電流拡散導電膜としての酸化インジウム・酸化錫（ＩＴＯ）からなる透明電極２９が配設されている。」の記載及び図１，２の記載参照。）、原査定で引用文献７として引用した特開２００７−１８０５８３号公報（【０２１０】の「図５７は、本発明による画像表示装置の光源の具体例を表す概略断面図である。同図に示した光源２２Ｂは、窒化ガリウム系化合物半導体を用いた発光素子２２Ｂを表す。・・・ｐ型コンタクト層３２４の上には、透明電極層３２６が堆積されている。」の記載及び図４７〜図５１、図５３、図５５〜図５７の記載参照。））。
　イ　引用発明は、活性層を備えた発光素子であり、ｎ接点がチップの一方の側に形成され、ｐ接点がチップの他方の側に形成されているとともに、ｐ又はｎ接点の一方への電気接触がワイヤ又は金属ブリッジを用いて行われているから、上記アからみて、引用発明において、電極（第２の電極）を活性層の上方（放射放出型の層列上）に配置し、該電極が活性層が放射する光（１次放射）を遮蔽して素子外部への光の放射に支障がある場合に、前記光を透過するようになすこと、すなわち、上記相違点２に係る本願発明の構成となすことは当業者が周知技術２に基づいて適宜なし得たことである。
　
（３）本願発明の奏する効果は、引用発明の奏する効果、周知技術１の奏する効果及び周知技術２の奏する効果から当業者が予測することができた程度のことである。
　
（４）したがって、本願発明は、当業者が引用例に記載された発明、周知技術１及び周知技術２に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
５　むすび
　本願発明は、当業者が引用例に記載された発明、周知技術１及び周知技術２に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。