(57)【要約】【課題】銀（Ａｇ）の凝集現象を防止して反射効率及び表示品質を向上させることができる表示基板及びその製造方法並びにこれを有する表示装置を提供する。【解決手段】透明基板と、前記透明基板上に形成され、透過領域と反射領域とを有する複数の画素部がマトリクス形態で形成された画素層と、前記画素層上に形成される有機絶縁膜と、前記画素部に対応して前記有機絶縁膜上に形成される透過電極と、前記反射領域に対応して前記透過電極上に形成され、銀と銀に対する溶解度が低い不純物とを含む銀合金で形成される反射電極とを有する。【選択図】      図２
2007226186.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、
前記透明基板上に形成され、透過領域と反射領域とを有する複数の画素部がマトリクス形態で形成された画素層と、
前記画素層上に形成される有機絶縁膜と、
前記画素部に対応して前記有機絶縁膜上に形成される透過電極と、
前記反射領域に対応して前記透過電極上に形成され、銀と銀に対する溶解度が低い不純物とを含む銀合金で形成される反射電極とを有することを特徴とする表示基板。
【請求項２】
前記不純物は、金属を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項３】
前記金属は、アルミニウム（Ａｌ）、スカンジウム（Ｓｃ）、チタニウム（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオビウム（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、テクネチウム（Ｔｃ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、カドミウム（Ｃｄ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、ランタン（Ｌａ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、水銀（Ｈｇ）、タリウム（Ｔｌ）、鉛（Ｐｂ）、ビスマス（Ｂｉ）からなる群より選択される一種以上を含むことを特徴とする請求項２に記載の表示基板。
【請求項４】
前記金属は、モリブデン（Ｍｏ）を含み、前記モリブデン（Ｍｏ）は、１．１〜１．５重量％含まれることを特徴とする請求項３に記載の表示基板。
【請求項５】
前記不純物は、金属酸化物を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項６】
前記金属酸化物は、酸化リチウム（ＬｉＯ２，Ｌｉ２Ｏ，Ｌｉ２Ｏ２）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）、酸化ナトリウム（ＮａＯ２，Ｎａ２Ｏ，Ｎａ２Ｏ２）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ，ＭｇＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化カルシウム（ＣａＯ，ＣａＯ２）、酸化スカンジウム（Ｓｃ２Ｏ３）、酸化チタニウム（ＴｉＯ，ＴｉＯ２，Ｔｉ２Ｏ３，Ｔｉ３Ｏ５）、酸化バナジウム（ＶＯ，ＶＯ２，Ｖ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５）、酸化クロム（ＣｒＯ２，ＣｒＯ３，Ｃｒ２Ｏ３，Ｃｒ３Ｏ４）、酸化マンガン（ＭｎＯ，ＭｎＯ２）、酸化鉄（ＦｅＯ，Ｆｅ２Ｏ３，Ｆｅ３Ｏ４）、酸化コバルト（ＣｏＯ，Ｃｏ３Ｏ４）、酸化ニケル（ＮｉＯ，Ｎｉ２Ｏ３）、酸化銅（ＣｕＯ，Ｃｕ２Ｏ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニオビウム（ＮｂＯ，ＮｂＯ２）、酸化モリブデン（ＭｏＯ，ＭｏＯ２，ＭｏＯ３）、酸化パラジウム（ＰｄＯ，ＰｄＯ２）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、酸化鉛（ＰｄＯ，ＰｄＯ２）からなる群より選択される一種以上を含むことを特徴とする請求項５に記載の表示基板。
【請求項７】
前記不純物は、非金属を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項８】
前記非金属は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、珪素（Ｓｉ）、リン（Ｐ）、硫黄（Ｓ）からなる群より選択される一種以上を含むことを特徴とする請求項７に記載の表示基板。
【請求項９】
前記不純物は、金属と非金属との混合物を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項１０】
前記反射電極は、２０００Å〜３０００Åの厚さで形成されることを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項１１】
前記有機絶縁膜の上部には、マイクロレンズが形成されることを特徴とする請求項１に記載の表示基板。
【請求項１２】
透明基板上に透過領域と反射領域とを有する複数の画素部がマトリクス形態で形成された画素層を形成する段階と、
前記画素層上に有機絶縁膜を形成する段階と、
前記画素部に対応して前記有機絶縁膜上に透過電極を形成する段階と、
前記反射領域に対応して前記透過電極上に銀（Ａｇ）と銀（Ａｇ）に対する溶解度が低い不純物とを含む銀合金で形成された反射電極を形成する段階とを有することを特徴とする表示基板の製造方法。
【請求項１３】
前記不純物は、アルミニウム（Ａｌ）、スカンジウム（Ｓｃ）、チタニウム（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオビウム（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、テクネチウム（Ｔｃ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、カドミウム（Ｃｄ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、ランタン（Ｌａ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、水銀（Ｈｇ）、タリウム（Ｔｌ）、鉛（Ｐｂ）、ビスマス（Ｂｉ）からなる群より選択される一種以上を含むことを特徴とする請求項１２に記載の表示基板の製造方法。
【請求項１４】
前記不純物は、モリブデン（Ｍｏ）を含み、前記モリブデン（Ｍｏ）は、１．１〜１．５重量％含有されることを特徴とする請求項１３に記載の表示基板の製造方法。
【請求項１５】
前記不純物は、酸化リチウム（ＬｉＯ２，Ｌｉ２Ｏ，Ｌｉ２Ｏ２）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）、酸化ナトリウム（ＮａＯ２，Ｎａ２Ｏ，Ｎａ２Ｏ２）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ，ＭｇＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化カルシウム（ＣａＯ，ＣａＯ２）、酸化スカンジウム（Ｓｃ２Ｏ３）、酸化チタニウム（ＴｉＯ，ＴｉＯ２，Ｔｉ２Ｏ３，Ｔｉ３Ｏ５）、酸化バナジウム（ＶＯ，ＶＯ２，Ｖ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５）、酸化クロム（ＣｒＯ２，ＣｒＯ３，Ｃｒ２Ｏ３，Ｃｒ３Ｏ４）、酸化マンガン（ＭｎＯ，ＭｎＯ２）、酸化鉄（ＦｅＯ，Ｆｅ２Ｏ３，Ｆｅ３Ｏ４）、酸化コバルト（ＣｏＯ，Ｃｏ３Ｏ４）、酸化ニケル（ＮｉＯ，Ｎｉ２Ｏ３）、酸化銅（ＣｕＯ，Ｃｕ２Ｏ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニオビウム（ＮｂＯ，ＮｂＯ２）、酸化モリブデン（ＭｏＯ，ＭｏＯ２，ＭｏＯ３）、酸化パラジウム（ＰｄＯ，ＰｄＯ２）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、酸化鉛（ＰｄＯ，ＰｄＯ２）からなる群より選択される一種以上の金属酸化物を含むことを特徴とする請求項１２に記載の表示基板の製造方法。
【請求項１６】
前記不純物は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、珪素（Ｓｉ）、リン（Ｐ）、硫黄（Ｓ）からなる群より選択される一種以上の非金属を含むことを特徴とする請求項１２記載の表示基板の製造方法。
【請求項１７】
表示基板と、
対向基板と、
前記表示基板と前記対向基板との間に配置される液晶層とを有し、
前記表示基板は、透明基板と、前記透明基板上に形成され、透過領域と反射領域とを有する複数の画素部がマトリクス形態で形成された画素層と、前記画素層上に形成される有機絶縁膜と、前記画素部に対応して前記有機絶縁膜上に形成される透過電極と、前記反射領域に対応して前記透過電極上に形成され、銀と銀に対する溶解度が低い金属又は金属酸化物のうちで少なくとも一種以上の不純物とを含む銀合金で形成される反射電極とを有することを特徴とする表示装置。
【請求項１８】
前記不純物は、モリブデン（Ｍｏ）を含み、前記モリブデン（Ｍｏ）は、１．１〜１．５重量％含有されることを特徴とする請求項１７に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示基板及びその製造方法並びにこれを有する表示装置に係り、より詳細には、反射効率を向上させることができる表示基板及びその製造方法並びにこれを有する表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、液晶表示パネルの背面に位置したバックライトアセンブリから提供される光を用いて画像を表示する透過型液晶表示装置、外部光（自然光）を用いて画像を表示する反射型液晶表示装置、及び暗い環境では透過型として作動し、明るい環境では反射型として作動する半透過型液晶表示装置に区分する。
【０００３】
反射型液晶表示装置及び半透過型液晶表示装置は、外部光（自然光）を反射させるために表示パネル内に形成される反射電極を含む。一般的に、反射電極としてはアルミニウム（Ａｌ）、またはアルミニウム合金（Ａｌ−ａｌｌｏｙ）が用いられているが、最近は絶対反射率が最も高い純粋銀（Ａｇ）を用いて反射効率を高くしようと努力が進行している。
【０００４】
しかし、銀（Ａｇ）を反射電極の材料として用いる場合、高温の後工程中に反射電極上に不良が発生して表示品質を低下させる悪影響を及ぼすようになるという問題点が発生する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明は上記従来の表示基板における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、銀（Ａｇ）の凝集現象を防止して反射効率及び表示品質を向上させることができる表示基板を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、上記表示基板の製造方法を提供することにある。
さらに、本発明の他の目的は、上記表示基板を有する表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためになされた本発明による表示基板は、透明基板と、前記透明基板上に形成され、透過領域と反射領域とを有する複数の画素部がマトリクス形態で形成された画素層と、前記画素層上に形成される有機絶縁膜と、前記画素部に対応して前記有機絶縁膜上に形成される透過電極と、前記反射領域に対応して前記透過電極上に形成され、銀と銀に対する溶解度が低い不純物とを含む銀合金で形成される反射電極とを有することを特徴とする。
【０００７】
前記不純物は、金属を含むことが好ましい。
前記金属は、アルミニウム（Ａｌ）、スカンジウム（Ｓｃ）、チタニウム（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオビウム（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、テクネチウム（Ｔｃ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、カドミウム（Ｃｄ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、ランタン（Ｌａ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、水銀（Ｈｇ）、タリウム（Ｔｌ）、鉛（Ｐｂ）、ビスマス（Ｂｉ）からなる群より選択される一種以上を含むことが好ましい。
前記金属は、モリブデン（Ｍｏ）を含み、前記モリブデン（Ｍｏ）は約１．１〜１．５重量％含有されることが好ましい。
【０００８】
前記不純物は、金属酸化物を含むことが好ましい。
前記金属酸化物は、酸化リチウム（ＬｉＯ２，Ｌｉ２Ｏ，Ｌｉ２Ｏ２）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）、酸化ナトリウム（ＮａＯ２，Ｎａ２Ｏ，Ｎａ２Ｏ２）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ，ＭｇＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化カルシウム（ＣａＯ，ＣａＯ２）、酸化スカンジウム（Ｓｃ２Ｏ３）、酸化チタニウム（ＴｉＯ，ＴｉＯ２，Ｔｉ２Ｏ３，Ｔｉ３Ｏ５）、酸化バナジウム（ＶＯ，ＶＯ２，Ｖ２Ｏ３，Ｖ２Ｏ５）、酸化クロム（ＣｒＯ２，ＣｒＯ３，Ｃｒ２Ｏ３，Ｃｒ３Ｏ４）、酸化マンガン（ＭｎＯ，ＭｎＯ２）、酸化鉄（ＦｅＯ，Ｆｅ２Ｏ３，Ｆｅ３Ｏ４）、酸化コバルト（ＣｏＯ，Ｃｏ３Ｏ４）、酸化ニケル（ＮｉＯ，Ｎｉ２Ｏ３）、酸化銅（ＣｕＯ，Ｃｕ２Ｏ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニオビウム（ＮｂＯ，ＮｂＯ２）、酸化モリブデン（ＭｏＯ，ＭｏＯ２，ＭｏＯ３）、酸化パラジウム（ＰｄＯ，ＰｄＯ２）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、酸化鉛（ＰｄＯ，ＰｄＯ２）からなる群より選択される少なくとも一種以上を含むことが好ましい。
【０００９】
前記不純物は、非金属を含むことが好ましい。
前記非金属は、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、珪素（Ｓｉ）、リン（Ｐ）、硫黄（Ｓ）からなる群より選択される一種以上を含むことが好ましい。
前記不純物は、金属と非金属との混合物を含むことが好ましい。
前記反射電極は、２０００Å〜３０００Åの厚さで形成されることが好ましい。
前記有機絶縁膜の上部には、マイクロレンズが形成されることが好ましい
【００１０】
上記目的を達成するためになされた本発明による表示基板の製造方法は、透明基板上に透過領域と反射領域とを有する複数の画素部がマトリクス形態で形成された画素層を形成する段階と、前記画素層上に有機絶縁膜を形成する段階と、前記画素部に対応して前記有機絶縁膜上に透過電極を形成する段階と、前記反射領域に対応して前記透過電極上に銀（Ａｇ）と銀（Ａｇ）に対する溶解度が低い不純物とを含む銀合金で形成された反射電極を形成する段階とを有することを特徴とする。
【００１１】
上記目的を達成するためになされた本発明による表示装置は、表示基板と、対向基板と、前記表示基板と前記対向基板との間に配置される液晶層とを有し、前記表示基板は、透明基板と、前記透明基板上に形成され、透過領域と反射領域とを有する複数の画素部がマトリクス形態で形成された画素層と、前記画素層上に形成される有機絶縁膜と、前記画素部に対応して前記有機絶縁膜上に形成される透過電極と、前記反射領域に対応して前記透過電極上に形成され、銀と銀に対する溶解度が低い金属又は金属酸化物のうちで少なくとも一種以上の不純物とを含む銀合金で形成される反射電極とを有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の係る表示基板及びその製造方法並びにこれを有する表示装置によれば、銀に対する溶解度が低い不純物を含む銀合金で反射電極を形成することで、外部光に対する反射効率を増加させ、銀の凝集現象を防止して表示品質を向上させることができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
次に、本発明に係る表示基板及びその製造方法並びにこれを有する表示装置を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の一実施形態による表示基板を示した平面図であり、図２は、図１のＩ−Ｉ’線に沿って見た表示装置の断面図である。
図１及び図２を参照すると、本発明の一実施形態による表示装置１００は、表示基板２００、表示基板２００と対向する対向基板３００、及び表示基板２００と対向基板３００との間に配置された液晶層４００を含む。
【００１４】
表示基板２００は、上部から入射される自然光を反射させるための反射領域（ＲＲ）及び下部から入射されるバックライト光を透過させるための透過領域（ＴＲ）を含む。
表示基板２００は、透明基板２１０、画素層２２０、有機絶縁膜２３０、透過電極２４０、及び反射電極２５０を含む。
【００１５】
透明基板２１０は、光が透過可能である透明な物質からなる。例えば、透明基板２１０はガラスからなる。
画素層２２０は、透明基板２１０上に形成され、透過領域（ＴＲ）及び反射領域（ＲＲ）を有する画素部２２１がマトリクス形態で形成された構造を有する。
【００１６】
画素層２２０は、ゲートライン２２２、ゲート絶縁膜２２３、データライン２２４、薄膜トランジスタ２２５、及び保護膜２２６を含む。
ゲートライン２２２は、透明基板２１０上に形成され、画素部２２１の上側及び下側を定義する。
【００１７】
ゲート絶縁膜２２３は、ゲートライン２２２が形成された透明基板２１０上に形成され、ゲートライン２２２をカバーする。ゲート絶縁膜２２３は、例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）またはシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）からなる。
【００１８】
データライン２２４は、ゲート絶縁膜２２３上に形成され、画素部２２１の左側及び右側を定義する。
薄膜トランジスタ２２５は、ゲートライン２２２、及びデータライン２２４に連結されて画素部２２１内に形成される。薄膜トランジスタ２２５は、ゲートライン２２２を通じて印加されるスキャン信号に対応してデータライン２２４を通じて印加される画像信号を透過電極２４０に印加する。
【００１９】
薄膜トランジスタ２２５は、ゲート電極（Ｇ）、アクティブ層２２７、ソース電極（Ｓ）、及びドレイン電極（Ｄ）を含む。
ゲート電極（Ｇ）は、ゲートライン２２２と連結され、薄膜トランジスタ２２５のゲート端子を構成する。
【００２０】
アクティブ層２２７は、ゲート電極（Ｇ）に対応してゲート絶縁膜２２３上に形成される。アクティブ層２２７は、半導体層２２７ａ及びオーミックコンタクト層２２７ｂを含む。半導体層２２７ａは非晶質シリコン（以下、ａ−Ｓｉ）からなり、オーミックコンタクト層２２７ｂは、ｎ型不純物が高濃度でドープされた非晶質シリコン（以下、ｎ＋ａ−Ｓｉ）からなる。
【００２１】
ソース電極（Ｓ）はデータライン２２４と連結され、アクティブ層２２７の上部にまで延長するように形成される。ソース電極（Ｓ）は、薄膜トランジスタ２２５のソース端子を構成する。
【００２２】
ドレイン電極（Ｄ）は、ソース電極（Ｓ）と離隔するようにアクティブ層２２７上に形成される。ドレイン電極（Ｄ）は薄膜トランジスタ２２５のドレイン端子を構成する。ドレイン電極（Ｄ）は、保護膜２２６及び有機絶縁膜２３０に形成されたコンタクトホール２２８を通じて透過電極２４０と連結される。
ソース電極（Ｓ）とドレイン電極（Ｄ）は、アクティブ層２２７上に互いに離隔するように配置されて薄膜トランジスタ２２５のチャンネルを形成する。
【００２３】
保護膜２２６は、データライン２２４及び薄膜トランジスタ２２５が形成されたゲート絶縁膜２２３上に形成されてデータライン２２４及び薄膜トランジスタ２２５をカバーする。保護膜２２６は、例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）またはシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）で構成される。
【００２４】
一方、薄膜トランジスタ２２５のゲート電極（Ｇ）、ソース電極（Ｓ）、及びドレイン電極（Ｄ）の形状は多様に変更することができる。また、薄膜トランジスタ２２５は、ａ−Ｓｉではなく、ポリシリコンで形成された構造を有することもできる。
【００２５】
有機絶縁膜２３０は、表示基板２００の平坦化のために画素層２２０上に形成される。有機絶縁膜２３０と保護膜２２６には、薄膜トランジスタ２２５のドレイン電極（Ｄ）を露出させるためのコンタクトホール２２８が形成される。
【００２６】
透過電極２４０は、それぞれの画素部２２１に対応して有機絶縁膜２３０上に形成される。透過電極２４０は、有機絶縁膜２３０及び保護膜２２６に形成されたコンタクトホール２２８を通じてドレイン電極（Ｄ）と電気的に連結される。
【００２７】
透過電極２４０は、光が透過可能である透明な導電性物質からなる。例えば、透過電極２４０は、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）またはインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）で形成される。
【００２８】
反射電極２５０は、反射領域（ＲＲ）に対応して透過電極２４０上に形成される。したがって、反射電極２５０が存在する領域は外部光を反射させる領域になり、反射電極２５０が除去されて透過電極２４０が露出された領域はバックライト光が透過される領域になる。即ち、透過領域（ＴＲ）は下部から入射されるバックライト光の透過を用いて画像を表示する領域であり、反射領域（ＲＲ）は、上部から入射される外部光（自然光）の反射を用いて画像を表示する領域である。
【００２９】
反射電極２５０は、外部光に対する反射効率を向上させるために、銀（Ａｇ）及び銀（Ａｇ）に対する溶解度（ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ）が低い不純物を含む銀合金（Ａｇ−Ａｌｌｏｙ）で形成される。反射電極２５０は、約２０００Å〜３０００Åの厚さで形成される。
【００３０】
銀（Ａｇ）に対する溶解度が高い不純物を含む銀合金で反射電極２５０を形成する場合、不純物原子間の結合エネルギーが銀とほぼ同一であるので、銀原子間の不純物が原子レベルで均一に分布するようになる。したがって、銀原子が互いに集まる凝集現象を防止しにくくなる。
【００３１】
しかし、銀（Ａｇ）に対する溶解度が低い不純物を含む銀合金で反射電極２５０を形成する場合、不純物原子間の結合エネルギーが銀より高いので、銀（Ａｇ）原子の間に不純物の原子が集まった状態で反射電極２５０が形成される。本実施形態では、不純物の量が少ないので、不純物原子が集まった凝集の大きさは小さい。したがって、反射電極２５０の蒸着以後の工程で不純物の固まりが銀原子の間でバリア（ｂａｒｒｉｅｒ）として作用して、銀（Ａｇ）原子が集まることを防止する。
【００３２】
図３は、銀の凝集成長に対する界面模式図である。
図３を参照すると、銀（Ａｇ）を反射電極２５０として用いる場合には、後続工程中に、銀が部分溶融されて二つの凝集５００が成長しながらぶつかって（ｃ）に示したように探針形態を形成し、探針部分が上部に塗布される配向膜を貫通して対向基板３００と短絡を起こす問題が発生するおそれがある。また、（ｄ）に示したように、二つの凝集５００がぶつかる部分が凹むようになって反射電極２５０に欠陥を形成するおそれもある。更に、探針形態や凹形態は、入射光間の干渉現象による光消滅が発生しうる構造または大きさで構成されるので、反射電極２５０の特性である反射効率を減少させることになってしまう。
【００３３】
図４は、銀（Ａｇ）に対する溶解度が低い不純物を含む銀合金の凝集成長に対する界面模式図である。
図４を参照すると、銀（Ａｇ）に対する溶解度が低い不純物を含む銀合金を反射電極２５０として用いる場合には、不純物６００が銀凝集５００の成長のバリアとして作用して反射電極２５０の特性を向上させる。即ち、（ｃ）に示したように、不純物６００は、薄膜構造で銀の凝集５００が成長して互いに接合する部分に分散して分布しかつ銀凝集５００間の界面で発生する探針形態や凹形態を防止する。また、後続工程での温度が増加したとき、銀（Ａｇ）凝集５００が成長して発生する凝集成長のバリアとして作用して反射電極２５０の表面が均一になる。
【００３４】
本実施形態において、銀合金に含まれる不純物は銀に対する溶解度が低い金属からなる。銀に対する溶解度が低い金属としては、アルミニウム（Ａｌ）、スカンジウム（Ｓｃ）、チタニウム（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、クロム（Ｃｒ）、マンガン（Ｍｎ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、ニケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、亜鉛（Ｚｎ）、ガリウム（Ｇａ）、イットリウム（Ｙ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ニオビウム（Ｎｂ）、モリブデン（Ｍｏ）、テクネチウム（Ｔｃ）、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、カドミウム（Ｃｄ）、インジウム（Ｉｎ）、スズ（Ｓｎ）、ランタン（Ｌａ）、ハフニウム（Ｈｆ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、レニウム（Ｒｅ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、水銀（Ｈｇ）、タリウム（Ｔｌ）、鉛（Ｐｂ）、ビスマス（Ｂｉ）などが挙げられる。
【００３５】
また、銀合金は、上記金属から一種または二種以上の混合物を含んでもよい。また、ハロゲン化金属または硫化金属などの混合使用も可能である。一方、金属は銀（Ａｇ）と分子レベルで混ざる割合以上の割合で混合することが望ましい。
望ましくは、銀合金に含まれる不純物は、モリブデン（Ｍｏ）からなる。
【００３６】
図５は、反射電極の反射率を測定するための測定装置を示した図であり、以下に示す表１は、図５に示した測定装置を用いて反射電極の種類別反射率を測定したデータである。
【００３７】
図５を参照すると、透明基板２１０上にインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）からなる透過電極２４０及び反射電極２５０を形成したサンプル７３０に光源７１０から２５°の角度に光を照射し、光源７１０と対称になるよう２５°に傾けられたフォト測定器７２０で反射光を測定した。ここで、反射電極２５０は、約２０００Åの厚さで形成される。また、反射電極２５０の熱処理は約２５０℃の温度にて約１時間実施した。
【００３８】
【表１】
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【００３９】
表１において、アルミニウム合金を反射電極２５０として用いる場合、約９２．０％の反射率を示す。反面、絶対反射率が高い純粋銀を反射電極２５０として用いる場合、熱処理前には９９．０％で反射率がアルミニウム合金に比べて高く示すが、熱処理後には反射率が５５．０％に著しく減少することがわかる。
【００４０】
表１において、実施例１はモリブデン（Ｍｏ）の含量が約１．１重量％である場合であり、実施例２はモリブデンの含量が約１．３重量％である場合であり、実施例３はモリブデン（Ｍｏ）の含量が約１．５重量％である場合に対する反射率である。実施例１、２、及び３から分かるように、銀−モリブデン合金（Ａｇ−Ｍｏ  ａｌｌｏｙ）の場合、熱処理前には約９３％〜９５％の反射率を示したが、熱処理後にはむしろ反射率が約９７％〜９９％に増加した。
【００４１】
このように、銀−モリブデン合金の場合、熱処理前にはアルミニウム合金に比べて多少高く、純粋銀に比べて多少低い反射率を示したが、熱処理後にはアルミニウム合金及び銀に比べて反射率が向上することが分かる。
【００４２】
他の実施形態として、銀合金に含まれる不純物は、銀（Ａｇ）に対する溶解度が低い金属酸化物で形成することもできる。銀に対する溶解度が低い金属酸化物としては、酸化リチウム（ＬｉＯ２，Ｌｉ２Ｏ，Ｌｉ２Ｏ２）、酸化ベリリウム（ＢｅＯ）、酸化ナトリウム（ＮａＯ２，Ｎａ２Ｏ，Ｎａ２Ｏ２）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ，ＭｇＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化カルシウム（ＣａＯ，ＣａＯ２）、酸化スカンジウム（Ｓｃ２Ｏ３）、酸化チタニウム（ＴｉＯ，ＴｉＯ２，Ｔｉ２Ｏ３，Ｔｉ３Ｏ５）、酸化バナジウム（ＶＯ，ＶＯ２，Ｖ２Ｏ３，Ｖ２Ｖ５）、酸化クロム（ＣｒＯ２，ＣｒＯ３，Ｃｒ２Ｏ３，Ｃｒ３Ｏ４）、酸化マンガン（ＭｎＯ，ＭｎＯ２）、酸化鉄（ＦｅＯ，Ｆｅ２Ｏ３，Ｆｅ３Ｏ４）、酸化コバルト（ＣｏＯ，Ｃｏ３Ｏ４）、酸化ニケル（ＮｉＯ，Ｎｉ２Ｏ３）、酸化銅（ＣｕＯ，Ｃｕ２Ｏ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化ニオビウム（ＮｂＯ，ＮｂＯ２）、酸化モリブデン（ＭｏＯ，ＭｏＯ２，ＭｏＯ３）、酸化パラジウム（ＰｄＯ，ＰｄＯ２）、酸化カドミウム（ＣｄＯ）、酸化鉛（ＰｄＯ，ＰｄＯ２）などが挙げられる。
【００４３】
銀合金は、上記金属酸化物から一種または二種以上の混合物を含んでもよい。また、金属酸化物は、銀（Ａｇ）と分子レベルで混ざる割合以上の割合で混合されることが望ましい。
【００４４】
また、他の実施形態として、銀合金に含まれる不純物は銀に対する溶解度が低い非金属で形成することもできる。銀（Ａｇ）に対する溶解度が低い非金属としては、ホウ素（Ｂ）、炭素（Ｃ）、珪素（Ｓｉ）、リン（Ｐ）、硫黄（Ｓ）などを挙げることができる。銀合金は、上記非金属から一種又は二種以上の混合物を含むことができる。
また、銀合金に含まれる不純物としては、上記金属と非金属元素との混合物を用いることもできる。
【００４５】
再び図２を参照すると、液晶層４００を挟んで表示基板２００と向い合う対向基板３００は、対向透明基板３１０、カラーフィルタ層３２０、及び共通電極３３０を含む。
【００４６】
対向透明基板３１０は、光が透過することができる透明な物質からなる。例えば、対向透明基板３１０はガラスからなる。
カラーフィルタ層３２０は、表示基板１００と向い合う対向透明基板３１０の対向面に形成される。カラーフィルタ層３２０は色を具現するために赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）などの色画素を含む。一方、カラーフィルタ層３２０は、表示基板２００上に形成することもできる。
【００４７】
共通電極３３０は、液晶層４００を挟んで透過電極２４０、及び反射電極２５０と向い合うようにカラーフィルタ層３２０上に形成される。共通電極３３０は、光の透過のために透明な導電性物質からなる。例えば、共通電極３３０は、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）またはインジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）からなる。
【００４８】
液晶層４００は、異方性屈折率、異方性誘電率などの光学的、電気的特性を有する液晶が一定の形態で配列された構造を有する。液晶層４００は透過電極２４０と共通電極３３０との間に形成される電界によって液晶の配列が変化し、液晶の配列変化によって通過する光の透過率を制御する。
【００４９】
図６は、表示基板の他の実施形態を示す断面図である。図６で、有機絶縁膜を除いた構成は図２に示したものと同一であるので、同一の構成要素に対しては同一の参照番号を用い、その重複される詳細な説明は省略する。
【００５０】
図６を参照すると、有機絶縁膜２３０の上部には、外部光に対する反射効率を向上させるためのマイクロレンズ２３１が形成される。マイクロレンズ２３１は、有機絶縁膜２３０の全体領域にかけて形成される。これとは違って、マイクロレンズ２３１は反射電極２５０が形成された反射領域（ＲＲ）に対応して形成することもできる。
【００５１】
マイクロレンズ２３１は、有機絶縁膜２３０の上面から所定高さに突出された凸レンズの形状を有する。これとは違って、マイクロレンズ２３１は、凹レンズ形状を有することもできる。マイクロレンズ２３１は平面的に見るとき、円または多角形の形状を有する。
【００５２】
透過電極２４０及び反射電極２５０は、有機絶縁膜２３０上に薄い厚さで均一に形成されるので、有機絶縁膜２３０と同一な表面構造を有する。したがって、反射電極２５０は、有機絶縁膜２３０のマイクロレンズ２３１と実質的に同一な高さを有する外表面をなす。
【００５３】
以下、本発明の一実施形態による表示基板の製造方法について説明する。
図７乃至図９は、本発明の一実施形態による表示基板の製造工程を説明するための工程断面図である。
【００５４】
図１及び図７を参照すると、透明基板２１０上に透過領域（ＴＲ）と反射領域（ＲＲ）を有する画素部２２１がマトリクス形態で形成される画素層２２０を形成する。
具体的には、透明基板２１０上に第１金属膜を蒸着した後、フォトリソグラフィ工程を経てゲートライン２２２及びゲート電極（Ｇ）を形成する。
【００５５】
その後、ゲートライン２２２及びゲート電極（Ｇ）が形成された透明基板２１０上にゲート絶縁膜２２３を形成する。ゲート絶縁膜２２３は、例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）またはシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）からなり、約４５００Åの厚さで形成される。
その後、ゲート絶縁膜２２３上にａ−Ｓｉ層及びｎ＋ａ−Ｓｉ層を順次に積層した後、フォトリソグラフィ工程を経てゲート電極（Ｇ）に重なるようにアクティブ層２２７を形成する。
【００５６】
その後、ゲート絶縁膜２２３及びアクティブ層２２７上に第２金属膜を蒸着した後、フォトリソグラフィ工程を経てデータライン２２４、ソース電極（Ｓ）、及びドレイン電極（Ｄ）を形成する。
その後、ソース電極（Ｓ）とドレイン電極（Ｄ）との間に位置したオーミックコンタクト層２２７ｂをエッチングして、半導体層２２７ａを露出させる。
【００５７】
その後、データライン２２４、ソース電極（Ｓ）、及びドレイン電極（Ｄ）が形成されたゲート絶縁膜２２３上に保護膜２２６を形成する。保護膜２２６は、例えば、シリコン窒化膜（ＳｉＮｘ）またはシリコン酸化膜（ＳｉＯｘ）で構成され、約２０００Åの厚さで形成される。
【００５８】
次に図８を参照すると、基板の平坦化のために、画素層２２０上に有機絶縁膜２３０を塗布する。その後、フォトリソグラフィ工程を経て有機絶縁膜２３０及び保護膜２２６にコンタクトホール２２８を形成する。一方、有機絶縁膜２３０の上部にはマイクロレンズを形成することもできる。
【００５９】
次に図１及び図９を参照すると、有機絶縁膜２３０上に透明な導電層を形成した後、フォトリソグラフィ工程を経てそれぞれの画素部２２１に対応するように透過電極２４０を形成する。ここで、透過電極２４０は、有機絶縁膜２３０及び保護膜２２６に形成されたコンタクトホール２２８を通じて薄膜トランジスタ２２５のドレイン電極（Ｄ）と電気的に連結される。
【００６０】
その後、透過電極２４０上に銀（Ａｇ）及び銀（Ａｇ）に対する溶解度が低い不純物を含む銀合金を蒸着した後、フォトリソグラフィ工程を経て反射電極２５０を形成する。反射電極２５０で用いられる銀合金についての説明は上述したので省略する。
【００６１】
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００６２】
【図１】本発明の一実施形態による表示基板を示す平面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ’線に沿って見た表示装置の断面図である。
【図３】銀の凝集成長に対する界面模式図である。
【図４】銀に対する溶解度が低い不純物を含む銀合金の凝集成長に対する界面模式図である。
【図５】反射電極の反射率を測定するための測定装置を示す図である。
【図６】表示基板の他の実施形態を示す断面図である。
【図７】本発明の一実施形態による表示基板の製造工程を説明するための工程断面図である。
【図８】本発明の一実施形態による表示基板の製造工程を説明するための工程断面図である。
【図９】本発明の一実施形態による表示基板の製造工程を説明するための工程断面図である。
【符号の説明】
【００６３】
１００      表示装置
２００      表示基板
２１０      透明基板
２２０      画素層
２２１      画素部
２２２      ゲートライン
２２３      ゲート絶縁膜
２２４      データライン
２２５      薄膜トランジスタ
２２６      保護膜
２２７      アクティブ層
２２７ａ    半導体層
２２７ｂ    オーミックコンタクト層
２２８      コンタクトホール
２３０      有機絶縁膜
２３１      マイクロレンズ
２４０      透過電極
２５０      反射電極
３００      対向基板
３１０      対向透明基板
３２０      カラーフィルタ層
３３０      共通電極
４００      液晶層
７１０      光源
７２０      フォト測定器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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