【事件の表示】
　特願２００７−５５７０１０「高光抽出ＬＥＤ用の基板除去方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　８月３１日国際公開、ＷＯ２００６／０９１２４２、平成２０年　８月１４日国内公表、特表２００８−５３２２８１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本願は、２００５年９月１５日（パリ条約による優先権主張２００５年２月２３日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２０年６月５日付けで手続補正がなされ、平成２３年５月６日付けで拒絶理由通知がなされ、同年８月１２日付けで手続補正がなされ、平成２４年４月２７日付けで最後の拒絶理由通知がなされ、同年１１月１２日付けで手続補正がなされたが、平成２５年６月２０日付けで前記平成２４年１１月１２日付け手続補正が却下されるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２５年１０月２８日に拒絶査定不服審判請求がなされると同時に手続補正がなされ、平成２６年８月２１日に上申書が提出されたものである。
　
第２　平成２５年１０月２８日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　
　平成２５年１０月２８日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
　
１　補正の内容
　平成２５年１０月２８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲の請求項１につき、補正前（平成２３年８月１２日付け手続補正後）の、
　
（１）「【請求項１】
　半導体ベースの発光素子を製造する方法であって、
　基板ウェハ上に複数の半導体層を設けるステップであって、前記複数の半導体層は複数の発光素子を形成し、前記発光素子のそれぞれはエピタキシャル層と、前記基板ウェハと前記エピタキシャル層の間のリフトオフ層とを備える、複数の半導体層を設けるステップと、
　キャリアを用意するステップと、
　前記発光素子が、前記キャリアと基板ウェハの間に挟まれるように、前記発光素子を、前記キャリア上にフリップチップ実装するステップと、
　前記発光素子から、前記基板ウェハと、前記リフトオフ層の少なくとも一部とを取り除くステップと、
　ＫＯＨ及び水を含む溶液に前記リフトオフ層をさらして光を照射することによって、前記発光素子から前記基板ウェハを取り除くステップと、
　前記発光素子のそれぞれが他から分離され、前記発光素子のそれぞれが前記キャリアのそれぞれの部分に取り付けられるように、前記キャリアを各部分に分離するステップと
　を有することを特徴とする方法。」
　
を、
　
（２）「【請求項１】
　半導体ベースの発光素子を製造する方法であって、
　基板ウェハ上に複数の半導体層を設けるステップであって、前記複数の半導体層は複数の発光素子を形成し、前記発光素子のそれぞれはエピタキシャル層と、前記基板ウェハと前記エピタキシャル層の間のリフトオフ層とを備える、複数の半導体層を設けるステップと、
　キャリアを用意するステップと、
　前記発光素子が、前記キャリアと
前記
　前記発光素子から、前記基板ウェハと、前記リフトオフ層の少なくとも一部とを取り除くステップと、
　ＫＯＨ及び水を含む溶液に前記リフトオフ層をさらして
レーザ
であって、前記基板ウェハ及び前記エピタキシャル層は、前記レーザ光を通すものであり、前記リフトオフ層は、前記レーザ光を吸収するものである、ステップ
　前記発光素子のそれぞれが他から分離され、前記発光素子のそれぞれが前記キャリアのそれぞれの部分に取り付けられるように、前記キャリアを
単一化された
　を有することを特徴とする方法。」
　
に補正する内容を含むものである（当審注：下線は、請求人が補正箇所に付したものである。）。
　
　そして、本件補正は、「（照射する）光」につき、「レーザ光」に限定し、「基板ウェハ及び前記エピタキシャル層」と「リフトオフ層」につき、「前記基板ウェハ及び前記エピタキシャル層は、前記レーザ光を通すものであり、前記リフトオフ層は、前記レーザ光を吸収するものである」ことを限定するものである。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
２　独立特許要件
　
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（１）引用刊行物の記載事項
　
　ア　引用刊行物１の記載
　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００４−２６６２４０号公報（以下「引用刊行物１」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている（下線は当審で付した。以下同様。）。
　
（ア）「【００４１】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明に係る窒化物半導体発光素子の製造方法における製造工程の一例を示す模式断面図である。成長用基板１の表面に、バッファ層３と高温成長層４とから成る下地層２を形成する（図１（ａ））。次に、下地層２上にｎ型クラッド層５、活性層６、ｐ型クラッド層７、ｐ型コンタクト層８、そして、１層以上の金属層から成る第１の接合層９を形成する（図１（ｂ））。ここで、第１の接合層９において、ｐ型コンタクト層８上にｐ電極を形成した後、オーミック接触を得るためのアニール処理を行う。次に、１層以上の金属層から成る第２の接合層１１を表面に形成した導電性基板１０を、第１の接合層９と第２の接合層１１とが対向するように成長用基板１の上に積層し、加熱圧接して接合する。
【００４２】
次に、導電性基板１０と接合した成長用基板１を研磨器に設置し、成長用基板１のラッピングを行い、成長用基板１と下地層２を除去して、ｎ型クラッド層５を露出させる（図１（ｄ））。
【００４３】
次に、露出させたｎ型クラッド層５の表面をポリシングした後、ｎ型クラッド層５上にｎ電極１２を形成する一方、導電性基板１０上にはｐ電極用パッド電極１３を全面に形成する。次に、
ダイシングにより発光素子をチップ状に分離する
　
（イ）「【０１３２】
【実施例】
実施例１．
本実施例では、発光波長が３７５ｎｍの
発光ダイオード
図１（ａ）〜（ｅ）に示す製造方法
（成長用基板）
成長用基板１
【０１３３】
（
下地層２
バッファ層３
【０１３４】
高温成長層４
【０１３５】
（
ｎ型クラッド層５
次に、１０５０℃でＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、シランを用い、Ｓｉを５×１０１７／ｃｍ３ドープしたｎ型Ａｌ０．１８Ｇａ０．８２Ｎよりなるｎ型クラッド層５を４００Åの膜厚で形成した。
【０１３６】
（
活性層６
次に、温度を８００℃にして、原料ガスにＴＭＩ（トリメチルインジウム）、ＴＭＧ、ＴＭＡを用い、ＳｉドープのＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎよりなる障壁層、その上にアンドープのＩｎ０．０３Ａｌ０．０２Ｇａ０．９５Ｎよりなる井戸層を、障壁層▲１▼／井戸層▲１▼／障壁層▲２▼／井戸層▲２▼／障壁層▲３▼の順に積層した。この時、障壁層▲１▼を２００Å、障壁層▲２▼と▲３▼を４０Å、井戸層▲１▼と▲２▼を７０Åの膜厚で形成した。活性層６は、総膜厚約４２０Åの多重量子井戸構造（ＭＱＷ）となる。
【０１３７】
（
ｐ型クラッド層７
次に、水素雰囲気中、１０５０℃でＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、Ｃｐ２Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用い、Ｍｇを１×１０２０／ｃｍ３ドープしたＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなるｐ型クラッド層７を６００Åの膜厚で成長させた。
【０１３８】
（
ｐ型コンタクト層８
続いて、ｐ型クラッド層上に、ＴＭＧ、ＴＭＡ、アンモニア、Ｃｐ２Ｍｇを用いて、Ｍｇを１×１０１９／ｃｍ３ドープしたＡｌ０．０４Ｇａ０．９６Ｎよりなる第１のｐ型コンタクト層を０．１μｍの膜厚で成長させ、その後、ガスの流量を調整してＭｇを２×１０２１／ｃｍ３ドープしたＡｌ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第２のｐ型コンタクト層を０．０２μｍの膜厚で成長させた。
【０１３９】
成長終了後、窒素雰囲中、ウェハを反応容器内において、７００℃でアニーリングを行い、ｐ型層７及び８をさらに低抵抗化した。
【０１４０】
（第１の接合層９）
アニーリング後、ウェハを反応容器から取出し、ｐ型コンタクト層の上にＲｈ膜を膜厚２０００Åで形成してｐ電極とした。その後、オーミックアニールを６００℃で行った後、ｐ電極以外の露出面に絶縁性の保護膜ＳｉＯ２を膜厚０．３μｍで形成した。
【０１４１】
次に、ｐ電極の上に、Ｎｉ−Ｐｔ−Ａｕ−Ｓｎ−Ａｕの多層膜を、膜厚２０００Å−３０００Å−３０００Å−３００００Å−１０００Åで形成した。ここでで、Ｎｉは密着層、Ｐｔはバリア層、Ｓｎは第１の共晶形成層、そしてＰｔとＳｎの間のＡｕ層は、Ｓｎがバリア層へ拡散するのを防止する役割を果たし、最外層のＡｕ層は第２の共晶形成層との密着性を向上させる役割を果たす。
【０１４２】
（第２の接合層１１）
一方、導電性の支持基板として、膜厚が２００μｍで、Ｃｕ３０％とＷ７０％の複合体から成る金属基板１０を用い、その金属基板１０の表面に、Ｔｉから成る密着層、Ｐｔから成るバリア層、そしてＡｕから成る第２の共晶形成層を、この順で、膜厚２０００Å−３０００Å−１２０００Åで形成した。
【０１４３】
次に、第１の接合層９と第２の接合層１１とを対向させた状態で、接合用積層体と導電性の支持基板１０とを、ヒータ温度を２５０℃でプレス加圧して
加熱圧接
【０１４４】
（
成長用基板１の除去
次に、導電性の支持基板１０を接合した接合用積層体から研削によってサファイア基板１を除去した後、露出したバッファ層３及び高温成長層４を研磨して、さらにｎ型クラッド層５のＡｌＧａＮ層が露出するまで研磨して、面荒れを無くした。
【０１４５】
（ｎ電極）
次に、ｎ型コンタクトとしても機能するｎ型クラッド層５上に、Ｔｉ−Ａｌ−Ｔｉ−Ｐｔ
−Ａｕから成る多層電極を、膜厚１００Å−２５００Å−１０００Å−２０００Å−６０００Åで形成してｎ電極とした。その後、導電性の支持基板１０を１００μｍまで研磨した後、導電性の支持基板１０の裏面にｐ電極用のパッド電極１３として、Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕから成る多層膜を１０００Å−２０００Å−３０００Åで成膜した。尚、ｐ電極用のパッド電極１３は、パッケージへの接合部分となるため、パッケージとの接合に適した材料が選択される。次に、
ダイシングにより素子を分離
【０１４６】
得られたＬＥＤ素子は、サイズが１ｍｍ×１ｍｍであり、順方向電流２０ｍＡにおいて、３７３ｎｍの紫外発光を示し、出力は４．２ｍＷ、Ｖｆは３．４７Ｖであった。」
　
（ウ）「【０１４８】
実施例３．
成長用基板１の除去に際し、研磨法に代えてレーザ照射法を用いた以外は、実施例１と同様
【０１４９】
（成長用基板１の除去）
導電性の支持基板１０を接合した接合用積層体について、
サファイヤ基板１の下地層側の反対面から
レーザ照射により下地層２の窒化物半導体を分解して、サファイヤ基板１を除去
　
（エ）　図１は、次のものである。
　
　
　イ　引用発明１
　
　以下、引用刊行物１に記載された発明を、上記ア（ウ）の実施例３に基づいて検討するが、実施例３は、「成長用基板１の除去に際し、研磨法に代えてレーザ照射法を用いた以外は、実施例１と同様」であるので、この点以外については、上記ア（イ）の実施例１の記載を参酌する。
　
（ア） 上記ア（イ）の【０１３２】の記載によれば、実施例１を参酌する実施例３には、発光ダイオードの製造方法が記載されている。
　
（イ）　上記ア（イ）の【０１３２】〜【０１３４】の記載によれば、成長基板１上に、バッファ層３及び高温成長層４からなる下地層２を成長させる。
　
（ウ）　上記ア（イ）の【０１３５】〜【０１３９】の記載によれば、下地層２上に、ｎ型クラッド層５、活性層６、ｐ型クラッド層７及びｐ型コンタクト層８を成長させる。
　
（エ）　上記ア（イ）の【０１４３】〜【０１４４】の記載とともに図１をみれば、下地層２、ｎ型クラッド層５、活性層６、ｐ型クラッド層７及びｐ型コンタクト層８が、導電性の支持基板１０と成長基板１の間に挟まれるように、導電性の支持基板１０と成長基板１とを加熱圧接する。
　
（オ）　上記ア（ウ）によれば、成長基板１の下地層２の反対面から、レーザ光を照射し、レーザ照射により下地層２を分解して、成長基板１を除去する。
　
（カ）　上記ア（イ）の【０１４５】、及び上記ア（ア）の【００４３】の記載によれば、ダイシングにより発光素子をチップ状に分離する。
　
　上記（ア）〜（カ）によれば、引用刊行物１には、以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　
「発光ダイオードの製造方法であって、
　成長基板１上に、バッファ層３及び高温成長層４からなる下地層２を成長させ、
　下地層２上に、ｎ型クラッド層５、活性層６、ｐ型クラッド層７及びｐ型コンタクト層８を成長させ、
　下地層２、ｎ型クラッド層５、活性層６、ｐ型クラッド層７及びｐ型コンタクト層８が、導電性の支持基板１０と成長基板１の間に挟まれるように、導電性の支持基板１０と成長基板１とを加熱圧接し、
　成長基板１の下地層２の反対面から、レーザ光を照射し、レーザ照射により下地層２を分解して、成長基板１を除去し、
　ダイシングにより発光ダイオードをチップ状に分離する、
　発光ダイオードの製造方法。」
　
　ウ　引用刊行物２の記載
　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００３−３０４０３６号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　
（ア）「【００８１】（
第３の実施形態
ＧａＮ系レーザを
製造する方法
【００８２】以下、本発明の第４の実施形態によるＭＯＶＰＥ法を用いたＧａＮ系半導体の結晶成長方法の詳細について図面を参照しながら説明する。
【００８３】図１２は本実施形態に係るＧａＮ系半導体の構成断面図を示している。
【００８４】まず、（０００１）面を主面とするサファイア基板５１を、酸溶液を用いて洗浄を行なう。その後、洗浄した基板５１をＭＯＶＰＥ装置の反応炉内のサセプタに保持し、反応炉を真空排気する。続いて、反応炉内を圧力が３００Ｔｏｒｒの水素雰囲気とし、温度を約１１００℃にまで昇温して基板５１を加熱し表面のサーマルクリーニングを約１０分間行なう。
【００８５】次に、反応炉を約５００℃にまで降温した後、基板５１の主面上に、供給量７ｓｃｃｍのトリメチルガリウム（ＴＭＧ）と、供給量が７．５ｓｌｍのアンモニア（ＮＨ3）ガスと、キャリアガスとして水素とを同時に供給することにより、厚さが２０ｎｍのＧａＮよりなる低温バッファ層を成長する。続いて、反応炉を約１０００℃にまで昇温し、厚さが約１mｍ  のＧａＮ層５２を成長する。続いて、温度を約８００℃にまで降温し、キャリアガスを水素から窒素に変更して、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）とＴＭＧを供給して厚さが約０．１mｍ  のＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ層５３を成長する。引き続いて、再び反応炉内の温度を約１０００℃にまで昇温しキャリアガスを窒素から水素に戻して、厚さが約０．５mｍのＧａＮ  キャップ層５４を成長する。（図１２（ａ））。
【００８６】この後、基板５１を反応炉から取り出し、ＧａＮキャップ層５４上にドライエッチングのマスクとして絶縁膜３５を堆積させる。絶縁膜５５はＳｉＯ2とし、プラズマＣＶＤ装置で１００ｎｍ程度堆積させる（図１２（ｂ））。続いて、絶縁膜５５上にレジスト膜５６を塗布しフォトリソグラフィー法により、ラインアンドスペース状のレジストパターンを形成する（図１２（ｃ））。なお、この実施形態では、「レジスト膜の幅（Ｗｓ）：レジスト除去幅（Ｗｌ）＝３mｍ：１５mｍ」としている。ただし、このストライプ方向はＧａＮ膜の＜１−１００＞方向である。この後、レジスト膜５６をエッチングマスクとして、レジスト除去部の絶縁膜５５をフッ酸溶液で除去しＧａＮキャップ層５４を露出させる。続いて、アセトンなどの有機溶液によりレジスト膜５６を除去する（図１２（ｄ））。次に、絶縁膜５５をドライエッチングのマスクとして、ドライエッチングでサファイア基板５１の主面が露出するまでＧａＮキャップ層５４から掘り込む。この結果、ＧａＮ系結晶成長層に凸部（幅：３mｍ）と凹部（幅：１５mｍ）が形成される（図１２（ｅ））。
【００８７】この後、基板５１を酸化炉に搬送して、選択酸化をおこなう（図１２（ｆ））。酸化条件は、９５０℃で１２時間の熱処理で、酸素雰囲気中のドライ酸化とした。選択酸化処理中では、ＧａＮキャップ層５４の凸部上にある絶縁膜５５は、保護膜として機能しており、絶縁膜５５下のＧａＮキャップ層５４の酸化を防いでいる。しかしながら、凸形状のＧａＮ層５２、Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ層５３およびＧａＮキャップ層５４の側面は酸素雰囲気中に露出しているために、酸化が進行する。ＧａＮ層およびＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ層の凸部側面から結晶内部に進行する酸化の領域は、酸化条件に依存しており、上記条件の場合、この酸化領域５７はＧａＮ層で１mｍ程度である。また、Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ層の酸化領域５７は１．２mｍ程度である。Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ層で酸化領域５７が広いのは、ＧａＮと比較してＩｎ0.1Ｇａ0.9Ｎでは結晶結合が弱いために、容易に酸化が進行するものと推測される。選択酸化終了後、ＧａＮキャップ層５４の凸部上にある絶縁膜５５をフッ酸溶液で除去する（図１２（ｇ））。この後、ＧａＮを再度成長した場合には、選択酸化された領域がマスクとなり、ＧａＮ層が選択成長されることになる。
【００８８】次に、ＧａＮ層を選択成長するために、基板５１を上記ＭＯＶＰＥ装置の反応炉内のサセプタに再び保持し、反応炉を真空排気する。続いて、反応炉内を圧力が２００Ｔｏｒｒの水素雰囲気とし、温度を約１０００℃にまで昇温して、供給量７ｓｃｃｍのトリメチルガリウム（ＴＭＧ）と、供給量が７．５ｓｌｍのアンモニア（ＮＨ3）ガスと、キャリアガスとして水素を同時に供給することにより、ＧａＮ層５８を平坦化するまで選択成長する（図１２（ｈ））。
【００８９】この後、
結晶成長したＧａＮ系半導体とサファイア基板の分離
【００９０】まず、ＧａＮ層５８上にＴｉおよびＡｕで構成される電極５９を蒸着する（図１３（ａ））。続いて、主面上にＡｕ電極６０が蒸着された保持基板６１を準備し、基板５１と保持基板６１を熱的に融着させる（図１３（ｂ））。具体的には、基板５１の電極５９側と、保持基板６１の電極６０側が対向するように配置し、両基板に加重を加え、３００℃程度に加熱することで電極同士を融着させる。保持基板６１としては、ＧａＮに熱膨張係数が近い材料を選択することで、サファイア基板分離時にＧａＮに加わる熱歪を緩和することができる。この観点から、本実施形態では、保持基板６１としてＧａＡｓ基板を使用した。次に、
光学電気化学（ＰＥＣ）エッチング法
水酸化カリウム（ＫＯＨ）中でサファイア基板の裏面から紫外線（ＵＶ）を照射
Ｉｎ
0.12
Ｇａ
0.88
Ｎのみが選択的にエッチング（アンダーカット）される
この選択エッチングは
Ｉｎ
0.12
Ｇａ
0.88
ＮはＧａＮよりもバンドギャップエネルギーが小さいために、Ｉｎ
0.12
Ｇａ
0.88
Ｎで電子−正孔対が選択的に生成され、この正孔が電気化学エッチングに寄与することに起因する
このようなＰＥＣ法によると、Ｉｎ
0.05
Ｇａ
0.95
Ｎ層５３が選択的にエッチングされ、サファイア基板３１とＧａＮ膜５８が、ＧａＮ層５２とＧａＮキャップ層５５との間で空間的に分離できる
　
（イ）「【００９４】（第４の実施形態）本発明に係る第４の実施形態は、上記第３の実施形態において、高温および高光出力動作においても長寿命化が可能な
ＧａＮ系レーザを
製造する方法
【００９５】以下、本発明の第４の実施形態によるＧａＮ系レーザの結晶成長方法の詳細について図面を参照しながら説明する。
【００９６】
図１４
【００９７】選択酸化法を用いてＧａＮ層５８を選択成長するまでは、上記第３の実施形態と同様である。
【００９８】ＧａＮ層５８を平坦化するまで成長後、ｎ型ドーパントとしてＳｉＨ4ガスも供給して、厚さが約１００mｍ  でＳｉ不純物濃度が約１Ｅ１８ｃｍ-3のｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層６２を成長する。次に、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）も供給しながら、厚さが約０．７mｍでＳｉ不純物濃度が約１Ｅ１８ｃｍ-3のｎ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎよりなるｎ型クラッド層６３を成長する。続いて、厚さが約１２０ｎｍでＳｉ不純物濃度が約１Ｅ１８ｃｍ-3のｎ型ＧａＮよりなる第１の光ガイド層６４を成長した後、温度を約８００℃にまで降温し、キャリアガスを水素から窒素に変更して、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）とＴＭＧを供給して厚さが約３ｎｍのＩｎ0.1Ｇａ0.9Ｎよりなる量子井戸（３層）と、厚さが約９ｎｍのＧａＮよりなるバリア層（３層）からなる多重量子井戸活性層を成長する。この際、活性層の発光効率を向上させるために、バリア層の成長時にＳｉＨ4ガスも供給して、バリア層のみにＳｉ不純物濃度が２Ｅ１８ｃｍ-3程度のＳｉをドーピングしている。尚、活性層の層構造の詳細は、光ガイド層６４に近い方から順番に、第１のＧａＮバリア層６５、第１のＩｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ量子井戸６６、第２のＧａＮバリア層６７、第２のＩｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ量子井戸６８、第３のＧａＮバリア層６９、第３のＩｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ量子井戸７０である。引き続いて、再び反応炉内の温度を約１０００℃にまで昇温しキャリアガスを窒素から水素に戻して、ｐ型ドーパントであるＣｐ2Ｍｇガスを供給しながら、厚さが約２０ｎｍでＭｇ不純物濃度が約１Ｅ１９ｃｍ-3のｐ型Ａｌ0.18Ｇａ0.82Ｎよりなるキャップ層７１を成長する。次に、厚さが約１２０ｎｍでＭｇ不純物濃度が約１Ｅ１９ｃｍ-3のｐ型  ＧａＮよりなる第２の光ガイド層７２を成長する。
【００９９】続いて、厚さが約０．５mｍでＭｇ不純物濃度が約１Ｅ１９ｃｍ-3のｐ型Ａｌ0.07Ｇａ0.93Ｎよりなるｐ型クラッド層７３を成長する。最後に、厚さが約０．０５mｍでＭｇ不純物濃度が約１Ｅ１９ｃｍ-3のｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層５４を成長する（図１４）。
【０１００】次に、プロセス後のレーザ構成断面図を示した
図１５
【０１０１】
ＰＥＣ法を用いた選択エッチングの要領は
第３の実施形態と同様
サファイア基板５１とレーザ構造部分が分離
　
（ウ）　図１２乃至１５は次のものである。
　
　
　エ　引用発明２
　
（ア）　上記ウ（ア）及び上記ウ（イ）によれば、引用刊行物２には、水酸化カリウム（ＫＯＨ）中でサファイア基板の裏面から紫外線（ＵＶ）を照射する光学電気化学（ＰＥＣ）エッチング法を用いて、Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ層３３の選択エッチングをおこなうことにより、サファイア基板５１とレーザ構造部分を分離するプロセスを含むＧａＮ系レーザの製造方法が記載されている。
　
（イ）　上記ウ（ア）の【００９０】の「
Ｉｎ
0.12
Ｇａ
0.88
ＮをＧａＮで挟込んだ構造
紫外線（ＵＶ）を照射
Ｉｎ
0.12
Ｇａ
0.88
Ｎのみが選択的にエッチング（アンダーカット）される
Ｉｎ
0.12
Ｇａ
0.88
ＮはＧａＮよりもバンドギャップエネルギーが小さいために、Ｉｎ
0.12
Ｇａ
0.88
Ｎで電子−正孔対が選択的に生成
　
　上記（ア）（イ）によれば、引用刊行物２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　
　「水酸化カリウム（ＫＯＨ）中でサファイア基板の裏面から、選択エッチングされるＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ層３３に選択的に吸収され、周囲の層に吸収されない波長の紫外線（ＵＶ）を照射する光学電気化学（ＰＥＣ）エッチング法を用いて、Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ層３３の選択エッチングをおこなうことにより、サファイア基板５１とレーザ構造部分を分離するプロセスを含む、
　ＧａＮ系レーザの製造方法。」
　
（２）対比、判断
　
　本願補正発明と引用発明１とを対比する。
　
　ア　引用発明１の「発光ダイオードの製造方法」は、本願補正発明の「半導体ベースの発光素子を製造する方法」に相当する。
　
　イ　本願補正発明の「基板ウェハ上に複数の半導体層を設けるステップであって、前記複数の半導体層は複数の発光素子を形成し、前記発光素子のそれぞれはエピタキシャル層と、前記基板ウェハと前記エピタキシャル層の間のリフトオフ層とを備える、複数の半導体層を設けるステップ」と、引用発明１の「成長基板１上に、バッファ層３及び高温成長層４からなる下地層２を成長させ、下地層２上に、ｎ型クラッド層５、活性層６、ｐ型クラッド層７及びｐ型コンタクト層８を成長させ」、「成長基板１の下地層２の反対面から、レーザ光を照射し、レーザ照射により下地層２を分解して、成長基板１を除去し、ダイシングにより発光ダイオードをチップ状に分離する」ことを対比する。
　引用発明１の「成長基板１」は、本願補正発明の「基板ウェハ」に相当し、引用発明１の「下地層２」と「ｎ型クラッド層５、活性層６、ｐ型クラッド層７及びｐ型コンタクト層８」は、本願補正発明の「複数の半導体層」に相当する。
　また、後工程において「ダイシングにより発光ダイオードをチップ状に分離する」のであるから、引用発明１の「下地層２」と「ｎ型クラッド層５、活性層６、ｐ型クラッド層７及びｐ型コンタクト層８」は、本願補正発明の「複数の半導体層」と同じく、複数の発光素子を形成するものである。
　また、引用発明１の「下地層２」は、「成長基板１を除去」する際に「レーザ照射により」「分解」されるものであるから、本願補正発明の「リフトオフ層」に相当し、引用発明１の「ｎ型クラッド層５、活性層６、ｐ型クラッド層７及びｐ型コンタクト層８」は、本願補正発明の「エピタキシャル層」に相当する。
　してみると、両者は相当関係にある。
　
　ウ　本願補正発明の「キャリアを用意するステップと、前記発光素子が、前記キャリアと前記基板ウェハの間に挟まれるように、前記発光素子を、前記キャリア上にフリップチップ実装するステップ」と、引用発明１の「下地層２、ｎ型クラッド層５、活性層６、ｐ型クラッド層７及びｐ型コンタクト層８が、導電性の支持基板１０と成長基板１の間に挟まれるように、導電性の支持基板１０と成長基板１とを加熱圧接」することを対比する。
　引用発明１の「導電性の支持基板１０」、「成長基板１」、「下地層２、ｎ型クラッド層５、活性層６、ｐ型クラッド層７及びｐ型コンタクト層８」は、それぞれ本願補正発明の「キャリア」、「基板ウェハ」、「複数の半導体層」に相当するので、引用発明１の「下地層２、ｎ型クラッド層５、活性層６、ｐ型クラッド層７及びｐ型コンタクト層８が、導電性の支持基板１０と成長基板１の間に挟まれるように、導電性の支持基板１０と成長基板１とを加熱圧接」することは、本願補正発明の「キャリアを用意」し「前記キャリアと前記基板ウェハの間に挟まれるように、前記発光素子を、前記キャリア上にフリップチップ実装する」ことに相当する。また、引用発明１において「導電性の支持基板１０と成長基板１とを加熱圧接」する前に、「導電性の支持基板１０」の用意しなければならないことは明らかである。
　してみると、両者は相当関係にある。
　
　エ　本願補正発明の「前記発光素子から、前記基板ウェハと、前記リフトオフ層の少なくとも一部とを取り除くステップと、ＫＯＨ及び水を含む溶液に前記リフトオフ層をさらしてレーザ光を照射することによって、前記発光素子から前記基板ウェハを取り除くステップであって、前記基板ウェハ及び前記エピタキシャル層は、前記レーザ光を通すものであり、前記リフトオフ層は、前記レーザ光を吸収するものである、ステップと」を有することと、引用発明１の「成長基板１の下地層２の反対面から、レーザ光を照射し、レーザ照射により下地層２を分解して、成長基板１を除去」することを対比する。
　引用発明１の「レーザ照射により下地層２を分解して、成長基板１を除去」することは、本願補正発明の「前記発光素子から、前記基板ウェハと、前記リフトオフ層の少なくとも一部とを取り除く」ことに相当する。
　してみると、両者は、「前記発光素子から、前記基板ウェハと、前記リフトオフ層の少なくとも一部とを取り除くステップ」を有する点で一致する。
　
　オ　引用発明１の「ダイシングにより発光ダイオードをチップ状に分離する」ことは、本願補正発明の「前記発光素子のそれぞれが他から分離され、前記発光素子のそれぞれが前記キャリアのそれぞれの部分に取り付けられるように、前記キャリアを単一化された各部分に分離するステップ」に相当する。
　
　したがって、本願補正発明と引用発明１とは、
「半導体ベースの発光素子を製造する方法であって、
　基板ウェハ上に複数の半導体層を設けるステップであって、前記複数の半導体層は複数の発光素子を形成し、前記発光素子のそれぞれはエピタキシャル層と、前記基板ウェハと前記エピタキシャル層の間のリフトオフ層とを備える、複数の半導体層を設けるステップと、
　キャリアを用意するステップと、
　前記発光素子が、前記キャリアと前記基板ウェハの間に挟まれるように、前記発光素子を、前記キャリア上にフリップチップ実装するステップと、
　前記発光素子から、前記基板ウェハと、前記リフトオフ層の少なくとも一部とを取り除くステップと、
　前記発光素子のそれぞれが他から分離され、前記発光素子のそれぞれが前記キャリアのそれぞれの部分に取り付けられるように、前記キャリアを単一化された各部分に分離するステップと
　を有する方法。」
　
である点で一致し、次の点で相違する。
　
　本願補正発明は、「ＫＯＨ及び水を含む溶液に前記リフトオフ層をさらしてレーザ光を照射することによって、前記発光素子から前記基板ウェハを取り除くステップであって、前記基板ウェハ及び前記エピタキシャル層は、前記レーザ光を通すものであり、前記リフトオフ層は、前記レーザ光を吸収するものである、ステップ」を有するものであるのに対し、引用発明１は、「レーザ照射により下地層２を分解して、成長基板１を除去」するものである点（以下「相違点」という。）
　
　上記相違点につき検討する。
　
　上記（１）エによれば、引用刊行物２には、「水酸化カリウム（ＫＯＨ）中でサファイア基板の裏面から、選択エッチングされるＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ層３３に選択的に吸収され、周囲の層に吸収されない波長の紫外線（ＵＶ）を照射する光学電気化学（ＰＥＣ）エッチング法を用いて、Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ層３３の選択エッチングをおこなうことにより、サファイア基板５１とレーザ構造部分を分離するプロセスを含む、ＧａＮ系レーザの製造方法。」、すなわち、基板と発光素子構造部分を分離するための方法として、水酸化カリウム（ＫＯＨ）中で基板の裏面から、選択エッチングされるＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ層３３に選択的に吸収され、周囲の層に吸収されない波長の紫外線（ＵＶ）を照射する光学電気化学（ＰＥＣ）エッチング法を用いて、Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ層３３の選択エッチングをおこなうことにより、基板と発光素子構造部分を分離する発明（引用発明２）が記載されているから、引用発明１の「レーザ照射により下地層２を分解して、成長基板１を除去」する方法として、引用発明２の上記「基板と発光素子構造部分を分離するための方法として、水酸化カリウム（ＫＯＨ）中で基板の裏面から、選択エッチングされるＩｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ層３３に選択的に吸収され、周囲の層に吸収されない波長の紫外線（ＵＶ）を照射する光学電気化学（ＰＥＣ）エッチング法を用いて、Ｉｎ0.05Ｇａ0.95Ｎ層３３の選択エッチングをおこなうことにより、基板と発光素子構造部分を分離する」方法を用いることは当業者が容易になし得ることである。そして、その際、照射する紫外線（ＵＶ）として、レーザ光を採用することに格別の困難性はない。また、レーザ光を採用した点に設計的事項の域を超えるほどの格別の技術的意義があるものとは認められない。また、水酸化カリウム（ＫＯＨ）は溶液として用いるものと認められるところ、水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液を用いることに格別の困難性はない。
　したがって、引用発明１において、上記相違点に係る本願補正発明の構成となすことは、当業者が容易になし得ることである。
　
　よって、本願補正発明は、引用刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　
１　本願発明
　
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２３年８月１２日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２の１（１）において補正前のものとして記載したとおりのものである。
　
２　刊行物記載の発明
　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された引用刊行物１、２及び引用発明１、２は、上記第２の２（１）のとおりである。
　
３　判断
　
　本願発明は、上記第２の２（２）で検討した本願補正発明において、「（照射する）光」が「レーザ光」であるとの限定と、「前記基板ウェハ及び前記エピタキシャル層は、前記レーザ光を通すものであり、前記リフトオフ層は、前記レーザ光を吸収するものである」との限定を省いたものである。そうすると、本願発明を減縮したものである本願補正発明が、上記第２の２（２）で検討したとおり、引用刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。