【事件の表示】
　特願２０１２−　８９５１２「シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　８月　９日出願公開、特開２０１２−１５１５０６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続きの経緯
　本願は、平成１８年９月２９日（優先権主張平成１７年１０月３日）を国際出願日とする特願２００７−５３８７４７号（以下「原出願」という。）の一部を平成２４年４月１０日に新たな特許出願したものであって、平成２５年７月１１日付けで拒絶理由が通知され、同年９月１７日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされたが、平成２６年３月３日付けで拒絶査定がなされた。本件は、これに対して同年６月１０日に審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
第２　平成２６年６月１０日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成６月１０日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１　本件補正の内容
（１）本件補正後の特許請求の範囲
　平成２６年６月１０日付け手続補正（以下「本件補正」という。）は、本件補正前の特許請求の範囲を以下のとおり補正することを含むものである（下線部は請求人が付与した。）。
「   【請求項１】
　基板上に形成された透明導電膜上に、第１のｐ型半導体層、ｉ型非晶質シリコン系光電変換層、第１のｎ型半導体層、第２のｐ型半導体層、ｉ型微結晶シリコン系光電変換層および第２のｎ型半導体層を、同一のプラズマＣＶＤ成膜室内で、順次
連続して
することにより、
　前記第１のｐ型半導体層、前記ｉ型非晶質シリコン系光電変換層および前記第１のｎ型半導体層は、前記プラズマＣＶＤ成膜室における成膜圧力が２００Ｐａ以上３０００Ｐａ以下および電極単位面積当たりの電力密度が０．０１Ｗ／ｃｍ２以上０．３Ｗ／ｃｍ２以下で形成されることを特徴とするシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。」
（２）本件補正前の特許請求の範囲
　本件補正前の特許請求の範囲は、平成２５年９月１７日付け手続補正の特許請求の範囲の請求項１により、下記のとおりのものとなっていた。
「   【請求項１】
　基板上に形成された透明導電膜上に、第１のｐ型半導体層、ｉ型非晶質シリコン系光電変換層、第１のｎ型半導体層、第２のｐ型半導体層、ｉ型微結晶シリコン系光電変換層および第２のｎ型半導体層を、同一のプラズマＣＶＤ成膜室内で、順次形成して二重ｐｉｎ構造積層体を形成し、
　前記第１のｐ型半導体層、前記ｉ型非晶質シリコン系光電変換層および前記第１のｎ型半導体層は、前記プラズマＣＶＤ成膜室における成膜圧力が２００Ｐａ以上３０００Ｐａ以下および電極単位面積当たりの電力密度が０．０１Ｗ／ｃｍ２以上０．３Ｗ／ｃｍ２以下で形成されることを特徴とするシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。」
２　本件補正の目的
　本件補正は、補正前の請求項１の「順次形成して二重ｐｉｎ構造積層体を形成し」を「順次連続して形成することにより、二重ｐｉｎ構造積層体を形成し」と限定するものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
３　独立特許要件違反
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）否かについて以下に検討する。
（１）本願補正発明の認定
　本願補正発明は、上記１において、補正後の特許請求の範囲の請求項１として記載したとおりのもの（上記「第２　１（２）」参照。）と認める。
（２）刊行物、各刊行物の記載事項及び引用発明の認定
ア　原査定の拒絶の理由に引用された、原出願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００２−２８０５８４号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の記載がある（下線は当審でした。）。
 
（ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜光電変換装置に関し、特に、
ハイブリッド型薄膜光電変換装置とその製造方法の改善に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から非晶質シリコン薄膜をプラズマＣＶＤで形成する場合にはシランおよび適宜の希釈水素と１３３Ｐａ（１Ｔｏｒｒ）以下のガス圧とが採用されていたが、特開平１１−３３０５２０においては、５０倍以上の大きな水素希釈率と６６７Ｐａ（５Ｔｏｒｒ）以上の高いガス圧を利用したプラズマＣＶＤによって、比較的低温で良質の結晶質シリコン薄膜を迅速に形成し得ることが述べられている。
【０００３】そして近年では、薄膜光電変換装置の典型例である薄膜太陽電池も多様化し、従来の非晶質薄膜太陽電池の他に結晶質薄膜太陽電池も開発され、これらを積層したハイブリッド型薄膜太陽電池も実用化されつつある。なお、本願明細書において、「結晶質」の用語は、薄膜光電変換装置の技術分野において通常用いられているように部分的に非晶質を含むものをも意味し、少なくとも５０％を超える体積結晶化分率を有するものを意味するものとする。」
（イ）「【００１１】
【発明が解決しようとする課題】以上述べられたように、単一の非晶質ユニットのみを含む非晶質薄膜光電変換装置に比べて、ハイブリッド型薄膜光電変換装置は高い光電変換効率を有し得ることが明らかである。しかし、そのようなハイブリッド型薄膜光電変換装置においても、更なる性能改善が望まれている。
【００１２】また、ハイブリッド型薄膜光電変換装置において、非晶質ユニットを形成する際に最適なプラズマＣＶＤ条件と結晶質ユニットを形成するのに最適なプラズマＣＶＤ条件とは互いに異なるので、互いに別々のプラズマＣＶＤ装置でそれぞれの最適条件のもとで形成することが好ましい。また、結晶質ユニットは非晶質ユニットに比べて長い形成時間を要するので、単一の製造ラインで形成された非晶質ユニット上に、結晶質ユニットを複数の製造ラインで迅速に形成することが望まれる場合もある。
【００１３】しかし、
たとえば基板上に非晶質ユニットを形成した後に、その基板をプラズマＣＶＤ装置から一旦大気中に取出して他のプラズマＣＶＤ装置に移して結晶質ユニットをさらに形成した場合、得られるハイブリッド型薄膜光電変換装置の変換特性は基板を大気中に取出すことなく両ユニットを連続的に形成した場合に比べて低下するという事実を本発明者は経験している。
（ウ）「【００２０】（比較例１）
比較例１として、図１に示されているようなハイブリッド型薄膜太陽電池が作製された。まず、ガラス基板１上に、酸化錫の透明電極層２が熱ＣＶＤで形成された。その後、基板１はプラズマＣＶＤ装置内に導入され、基板温度は２００℃に設定された。
【００２１】そして、非晶質光電変換ユニット３に含まれる厚さ１５ｎｍの非晶質ｐ型シリコンカーバイド層３ｐ、厚さ２５０ｎｍのノンドープ非晶質ｉ型シリコン光電変換層３ｉ、および厚さ１５ｎｍのｎ型シリコン層３ｎが、プラズマＣＶＤによって順次に堆積された。
【００２２】その際に、ｎ型シリコン層３ｎのプラズマＣＶＤ条件において、反応ガス流量として、シランが２０ｓｃｃｍ、水素が１７００ｓｃｃｍ、そして５０００ｐｐｍに水素希釈されたホスフィンが１００ｓｃｃｍに設定された。また、反応ガス圧は３３３Ｐａ（２．５Ｔｏｒｒ）に設定され、プラズマ励起用高周波電力が１００ｍＷ／ｃｍ
２
の密度で印加された。
【００２３】次に、結晶質光電変換ユニット４に含まれる厚さ１２ｎｍのｐ型シリコン層４ｐ、厚さ２．０μｍの結晶質ｉ型シリコン光電変換層４ｉ、および厚さ１５ｎｍのｎ型シリコン層４ｎが、プラズマＣＶＤによって順次に堆積された。
【００２４】その際に、ｐ型シリコン層４ｐのプラズマＣＶＤ条件において、反応ガス流量として、シランが２０ｓｃｃｍ、水素が１７００ｓｃｃｍ、そして５０００ｐｐｍに水素希釈されたジボランが７５ｓｃｃｍに設定された。
プラズマ励起用高周波電力が１００ｍＷ／ｃｍ
２
の密度で印加された
【００２５】すなわち、非晶質光電変換ユニット３のｎ型シリコン層３ｎとその上の結晶質光電変換ユニット４のｐ型シリコン層４ｐとは、同じ反応ガス圧と同じ水素希釈率によるプラズマＣＶＤで堆積された。
【００２６】結晶質光電変換ユニット４が形成された後には、裏面電極層５として、厚さ９０ｎｍの酸化亜鉛膜５ａと厚さ２４０ｎｍの銀膜がスパッタリングによって順次に堆積された。
【００２７】以上のようにして得られた比較例１のハイブリッド型薄膜太陽電池に関して、ソーラシミュレータを用いてＡＭ１．５に近いスペクトル分布を有する擬似太陽光を１００ｍＷ／ｃｍ２のエネルギ密度で照射して出力特性を測定したところ、開放端電圧が１．３２Ｖ、短絡電流密度が１１．５０ｍＡ／ｃｍ２、曲線因子が７１．５％、そして変換効率が１０．８５％であった。
【００２８】（実施例１）
実施例１においても、比較例１の場合と同様にして図１に示されているようなハイブリッド型薄膜太陽電池が作製された。ただし、実施例１は、結晶質光電変換ユニット４のｐ型シリコン層４ｐを堆積する際に希釈水素流量が４５００ｓｃｃｍに高められるとともに反応ガス圧が６６７Ｐａ（５Ｔｏｒｒ）に高められたことのみにおいて比較例１と異なっていた。
【００２９】こうして得られた実施例１のハイブリッド型薄膜太陽電池に関して、比較例１の場合と同一の条件で擬似太陽光を照射して出力特性を測定したところ、開放端電圧が１．３６Ｖ、短絡電流密度が１１．６１ｍＡ／ｃｍ２、曲線因子が７３．０％、そして変換効率が１１．５３％であった。
【００３０】以上の比較例１と実施例１との比較から、実施例１のハイブリッド型薄膜太陽電池は比較例１に比べて明らかに改善された出力特性を有していることがわかる。この理由としては、以下のことが考えられる。
【００３１】一般に、ｎ型シリコン層とｐ型シリコン層を同一の反応ガス圧と同一のシランに対する水素希釈率とのもとでプラズマＣＶＤによって堆積させた場合、ｐ型シリコン層はｎ型シリコン層に比べて結晶化しにくく、その体積結晶化分率が低くなる。このような状況のもとにおいて、比較例１に比べて、実施例１では結晶質光電変換ユニット４のｐ型シリコン層４ｐを堆積する際に水素希釈率が２倍以上に高められるとともに反応ガス圧も２倍に高められている。したがって、比較例１に比べて、実施例１では結晶質光電変換ユニット４のｐ型シリコン層４ｐにおける体積結晶化分率が向上していると考えられる。そして、実施例１では体積結晶化分率の向上したｐ型シリコン層４ｐを下地層としてその上に良質の結晶質ｉ型シリコン光電変換層４ｉが形成され、ハイブリッド型薄膜太陽電池の性能が改善されたものと考えられる。」
（エ）図１
（オ）上記（ア）ないし（エ）より、引用文献１には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「ガラス基板１上に、酸化錫の透明電極層２が熱ＣＶＤで形成され、その後、基板１はプラズマＣＶＤ装置内に導入され、基板温度は２００℃に設定され、そして、非晶質光電変換ユニット３に含まれる厚さ１５ｎｍの非晶質ｐ型シリコンカーバイド層３ｐ、厚さ２５０ｎｍのノンドープ非晶質ｉ型シリコン光電変換層３ｉ、および厚さ１５ｎｍのｎ型シリコン層３ｎが、プラズマＣＶＤによって順次に堆積され、
　前記ｎ型シリコン層３ｎのプラズマＣＶＤ条件において、反応ガス流量として、シランが２０ｓｃｃｍ、水素が１７００ｓｃｃｍ、そして５０００ｐｐｍに水素希釈されたホスフィンが１００ｓｃｃｍに設定され、反応ガス圧は３３３Ｐａに設定され、プラズマ励起用高周波電力が１００ｍＷ／ｃｍ２の密度で印加され、次に、結晶質光電変換ユニット４に含まれる厚さ１２ｎｍのｐ型シリコン層４ｐ、厚さ２．０μｍの結晶質ｉ型シリコン光電変換層４ｉ、および厚さ１５ｎｍのｎ型シリコン層４ｎが、プラズマＣＶＤによって順次に堆積され、
　前記ｐ型シリコン層４ｐのプラズマＣＶＤ条件において、反応ガス流量として、シランが２０ｓｃｃｍ、水素が４５００ｓｃｃｍ、そして５０００ｐｐｍに水素希釈されたジボランが７５ｓｃｃｍに設定され、反応ガス圧は６６７Ｐａに設定され、プラズマ励起用高周波電力が１００ｍＷ／ｃｍ２の密度で印加された、ハイブリッド型薄膜光電変換装置の製造方法。」
イ　原査定の拒絶の理由に引用された、原出願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００５−１２３４６６号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の記載がある（下線は当審でした。）。
（ア）「【００１３】
　
本発明のシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法は、次工程において予定されているｐｉｎ層の形成時における、ｎ型残留不純物による影響を除去する工程を有することを特徴とする。かかる工程により、シングルチャンバ方式で光電変換装置を製造しても、ｎ型残留不純物による影響を除去することができ、ｐ型半導体層およびｉ型光電変換層中へのｎ型不純物原子の混入を大幅に抑制できる。このため、良好な品質および性能を有するｐｉｎ層を繰返し形成できるようになり、シングルチャンバ方式で製造できるため、インライン方式やマルチチャンバ方式よりも設備を簡略化し、低コスト化を図ることができる。
（イ）「【００３３】
　本実施例では、図１のフローチャートに示す工程に従い、シリコン系光電変換装置を製造した。光電変換装置を構成する各ｐｉｎ層は、ＲＦプラズマＣＶＤ法により以下の条件で、同一の成膜室において形成した。成膜ガスにはシランと水素とを用い、さらにドーピングガスとしてｐ型シリコン層形成時にはジボランをシランに対して０．５原子％、ｎ型シリコン層形成時にはホスフィンをシランに対して０．３原子％加えた。また、ｐ型シリコン層の形成時には、基板の下地温度を２００℃とし、シランガスと水素ガスとの流量比を１：１５０とした。一方、ｉ型光電変換層の形成時には、基板の下地温度を２００℃、シランガスと水素ガスとの流量比を１：７０とした。一方、ｎ型シリコン層の形成時には、基板の下地温度を２００℃とし、シランガスと水素ガスとの流量比を１：５０とした。
【００３４】
　このようにして作製したシリコン系薄膜光電変換装置に、擬似太陽光シミュレータによりＡＭ１．５、１００ｍＷ／ｃｍ２を照射したときの光電変換効率は８．３％であった。続いて、この基板を搬出した後の成膜室に、エッチングガスと希釈ガスに、濃度２０容積％で３フッ化窒素とアルゴンガスを導入し、６７Ｐａの圧力で成膜室内のエッチングを行なった結果、１０ｎｍ／ｓ以上のエッチング速度が得られ、ｎ層と、厚さ５０ｎｍのｉ層がエッチングされた。その後、つぎの基板を成膜室に搬入し、１回目のｐｉｎ形成と同様に、ボロンドープのｐ型シリコン層を厚さ１０ｎｍ、ノンドープのｉ型微結晶シリコン光電変換層を厚さ３μｍ、さらに、リンドープのｎ型シリコン層を２０ｎｍの厚さで、それぞれＲＦプラズマＣＶＤ法により形成した。これにより、ｐｉｎ接合の薄膜シリコン光電変換装置が得られた。
【００３５】
　光電変換装置におけるｐｉｎの各シリコン層は、ＲＦプラズマＣＶＤ法により同一の成膜室にて形成した。原料ガスにはシランと水素とを用い、さらにドーピングガスとしてｐ型半導体層の形成時には、ジボランをシランに対して０．５原子％、ｎ型半導体層形成時にはホスフィンをシランに対して０．３原子％加えた。また、ｐ型半導体層の形成時には、基板の下地温度を２００℃とし、シランガスと水素ガスとの流量比を１：１５０とした。一方、ｉ型光電変換層の形成時には、基板の下地温度を２００℃とし、シランガスと水素ガスとの流量比を１：７０とした。一方、ｎ型半導体層の形成時には、基板の下地温度を２００℃とし、シランガスと水素ガスとの流量比を１：５０とした。さらに、裏面電極部として、ＺｎＯからなる導電膜を厚さ５０ｎｍ、Ａｇからなる金属電極を厚さ３００ｎｍ、それぞれスパッタ法により形成した。」
（ウ）「【００３９】
　実施例３
　非晶質シリコン系光電変換層を含む光電変換装置に、実施例１と同様の方法で形成した第１回目の微結晶シリコン系光電変換層を含む光電変換装置を積層し、図５に示す構成の積層型光電変換装置を得た。得られた積層型光電変換装置について、実施例１と同様に、光電変換効率を測定した結果、１２．５％であった。その後、実施例１と同様の方法で、ｎ型残留不純物を除去するクリーニングプロセスを経た後、第２回目の微結晶シリコン系光電変換層を含む光電変換装置を得、得られた光電変換装置を、非晶質シリコン系光電変換層を含む光電変換装置に積層し、図５に示すような、積層型光電変換装置を得た。得られた積層型光電変換装置について、実施例１と同様に、光電変換効率を測定した結果、１２．４％であり、第１回目の微結晶シリコン系光電変換層を含む光電変換装置を積層した積層型光電変換装置とほぼ同等の特性であった。その後、実施例１と同様に、成長室内のｎ型残留不純物による影響を除去しながら、同一の成長室内で繰り返しｐｉｎ層を形成した。図４に、成膜回数と光電変換効率との関係を示す。図４からも明らかなとおり、成膜回数が１０回目になっても、顕著な特性の変化は現れなかった。また、歩留まりは、いずれの成膜回数においても１００％であり、良好であった。」
（エ）上記（ア）ないし（ウ）より、引用文献２には以下の事項が記載されていると認められる（以下「引用文献２に記載された事項」という。）。
「シングルチャンバ方式で製造するシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。」
ウ　原査定の拒絶の理由に引用された、原出願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２０００−２５２４９５号公報（以下「引用文献３」という。）には、以下の記載がある（下線は当審でした。）。
（ア）「【００１４】本願発明者らは、同一反応室内でｐ、ｉ、ｎ層の順に形成し、かつｐ型半導体層形成時における反応室内の圧力を５Ｔｏｒｒ以上と高くすることによって、良好な品質および性能を有する光電変換装置の得られることを見出した。以下、そのことを説明する。
【００１５】ｐ、ｉ、ｎ層の順に成膜することにより、ｎ、ｉ、ｐ層の順に成膜する場合よりも、ｉ型光電変換層中への導電型決定不純物原子の混入が少なくなる。これは、ｐ型不純物原子（たとえばボロン原子）の方が、ｎ型不純物原子（たとえばリン原子）よりも拡散しにくいためである。つまり、ｐ型半導体層形成時に反応室の内壁面やプラズマ放電電極などに付着したｐ型不純物原子が、ｉ型光電変換層形成時にｉ型光電変換層側へ拡散してくるが、その拡散の程度がｎ型不純物原子よりも小さいため、ｉ型光電変換層中への混入が抑制される。
【００１６】
また、ｐ型半導体層が５Ｔｏｒｒ以上の高圧力条件下で形成されるため、ｐ型半導体層の成膜の速度を高速にでき、ｐ型半導体層の成膜を短時間で完了することができる。これにより、ｐ型半導体層形成用の原料ガスを反応室内へ導入する時間も短くできるため、反応室内の電極などに付着するｐ型不純物原子の蓄積が抑制される。したがって、これによってもｉ型光電変換層中へのｐ型不純物原子の混入が抑制される。
【００１７】上記より、
シングルチャンバ方式で光電変換装置を製造
【００１８】また、
シングルチャンバ方式で製造できるため、インライン方式やマルチチャンバ方式よりも設備を簡略化することができる。
（イ）「【００４５】一方、本実施の形態のようにｐ、ｉ、ｎ層の順で成膜する場合にも、ｐ型半導体層１１１形成時に堆積室の内壁面やプラズマ放電電極などにｐ型不純物原子が付着し残存する。しかし、このｐ型不純物原子はｎ型不純物原子に比べて拡散し難い。このため、ｉ型光電変換層１１２へ拡散してくる量については、ｎ型の場合よりもｐ型不純物原子の方を格段に少なくでき、ｉ型光電変換層１１１中へのｐ型不純物原子の混入を抑制することができる。
【００４６】また、ｐ型半導体層１１１が５Ｔｏｒｒ以上の高圧力条件下で形成されるため、ｐ型半導体層１１１の成膜速度を高速にでき、ｐ型半導体層１１１の成膜を短時間で完了することができる。これにより、ｐ型半導体層１１１形成用の原料ガスを堆積室２ｐｉｎ内へ導入する時間も短くできるため、堆積室２ｐｉｎの内壁面やプラズマ放電電極などに付着するｐ型不純物原子の蓄積を抑制することができる。したがって、これによっても後工程で形成されるｉ型光電変換層１１２中へのｐ型不純物の混入を抑制することが可能となる。」
（ウ）「【００５５】（実施例１）図１に示す構成の薄膜多結晶シリコン太陽電池を作製した。基板１にはガラスを用い、透明導電膜２にはＳｎＯ２ を用いた。この上に、ボロンドープのｐ型シリコン層１１１を１５ｎｍ、ノンドープのｉ型多結晶シリコン光電変換層１１２を３μｍ、リンドープのｎ型シリコン層１１３を１５ｎｍの膜厚で、それぞれＲＦプラズマＣＶＤ法により成膜した。これにより、ｐ−ｉ−ｎ接合の薄膜多結晶シリコン光電変換ユニット１１を形成した。さらに、裏面電極部１２として、ＺｎＯ膜１２１を１００ｎｍ、Ａｇ膜１１２を３００ｎｍの膜厚で、それぞれスパッタ法により形成した。
【００５６】
光電変換ユニット１１を構成するｐ、ｉ、ｎ型の各シリコン薄膜１１１、１１２、１１３を、ＲＦプラズマＣＶＤ法により同一反応室にて堆積した。
ｐ型シリコン層１１１の成膜条件については、下地温度を２００℃、シランガスと水素ガスとの流量比を１：１５０、反応室圧力を５．０Ｔｏｒｒ、成膜速度を１２ｎｍ／分（成膜時間７５秒）とした。一方、ｉ型光電変換層１１２およびｎ型シリコン層１１３の成膜条件については、下地温度を２００℃、シランガスと水素ガスとの流量比を１：１００、反応室圧力を５．０Ｔｏｒｒ、成膜速度を１５ｎｍ／分とした。
（エ）「【００６２】（実施例２）図３に示す構成の非晶質シリコン太陽電池ユニット２１に実施例１に示す方法で形成した薄膜多結晶シリコン太陽電池ユニット２２を積層した、タンデム型太陽電池を作製した。この太陽電池についても実施例１と同様に光電変換効率を測定した結果、１３．０％の値が得られた。」
（オ）上記（ア）ないし（エ）より、引用文献３には以下の事項が記載されていると認められる（以下「引用文献３に記載された事項」という。）。
「シングルチャンバ方式で製造する光電変換装置の製造方法。」
（３）対比・判断
ア　本願補正発明と引用発明を対比する。
（ア）引用発明の「ガラス基板１」、「酸化錫の透明電極層２」、「厚さ１５ｎｍの非晶質ｐ型シリコンカーバイド層３ｐ」、「厚さ２５０ｎｍのノンドープ非晶質ｉ型シリコン光電変換層３ｉ」、「厚さ１５ｎｍのｎ型シリコン層３ｎ」、「厚さ１２ｎｍのｐ型シリコン層４ｐ」、「厚さ１５ｎｍのｎ型シリコン層４ｎ」、「プラズマＣＶＤ装置」及び「反応ガス圧」は、本願補正発明の「基板」、「透明導電膜」、「第１のｐ型半導体層」、「ｉ型非晶質シリコン系光電変換層」、「第１のｎ型半導体層」、「第２のｐ型半導体層」、「第２のｎ型半導体層」、「プラズマ成膜室」及び「成膜圧力」に、それぞれ相当する。
（イ）引用文献１の【０００３】の「本願明細書において、「結晶質」の用語は、薄膜光電変換装置の技術分野において通常用いられているように部分的に非晶質を含むものをも意味し、少なくとも５０％を超える体積結晶化分率を有するものを意味するものとする。」との記載事項により、引用発明の「厚さ２．０μｍの結晶質ｉ型シリコン光電変換層４ｉ」は本願補正発明の「ｉ型微結晶シリコン系光電変換層」に相当する。
（ウ）引用発明は「非晶質光電変換ユニット３に含まれる厚さ１５ｎｍの非晶質ｐ型シリコンカーバイド層３ｐ、厚さ２５０ｎｍのノンドープ非晶質ｉ型シリコン光電変換層３ｉおよび厚さ１５ｎｍのｎ型シリコン層３ｎ」が、「プラズマＣＶＤによって順次に堆積され」、「次に、結晶質光電変換ユニット４に含まれる厚さ１２ｎｍのｐ型シリコン層４ｐ、厚さ２．０μｍの結晶質ｉ型シリコン光電変換層４ｉおよび厚さ１５ｎｍのｎ型シリコン層４ｎ」が、「プラズマＣＶＤによって順次に堆積され」るものであるから、引用発明の「ハイブリッド型薄膜光電変換装置の製造方法」は、本願補正発明の「二重ｐｉｎ構造積層体を形成」する「シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法」に相当する。
　そうすると、引用発明の「ガラス基板１上に、酸化錫の透明電極層２が熱ＣＶＤで形成され、その後、基板１はプラズマＣＶＤ装置内に導入され、基板温度は２００℃に設定され、そして、非晶質光電変換ユニット３に含まれる厚さ１５ｎｍの非晶質ｐ型シリコンカーバイド層３ｐ、厚さ２５０ｎｍのノンドープ非晶質ｉ型シリコン光電変換層３ｉ、および厚さ１５ｎｍのｎ型シリコン層３ｎが、プラズマＣＶＤによって順次に堆積され」、「次に、結晶質光電変換ユニット４に含まれる厚さ１２ｎｍのｐ型シリコン層４ｐ、厚さ２．０μｍの結晶質ｉ型シリコン光電変換層４ｉ、および厚さ１５ｎｍのｎ型シリコン層４ｎが、プラズマＣＶＤによって順次に堆積され」る「ハイブリッド型薄膜光電変換装置の製造方法」と、本願補正発明の「基板上に形成された透明導電膜上に、第１のｐ型半導体層、ｉ型非晶質シリコン系光電変換層、第１のｎ型半導体層、第２のｐ型半導体層、ｉ型微結晶シリコン系光電変換層および第２のｎ型半導体層を、同一のプラズマＣＶＤ成膜室内で、順次連続して形成することにより、二重ｐｉｎ構造積層体を形成される、シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法」は、「基板上に形成された透明導電膜上に、第１のｐ型半導体層、ｉ型非晶質シリコン系光電変換層、第１のｎ型半導体層、第２のｐ型半導体層、ｉ型微結晶シリコン系光電変換層および第２のｎ型半導体層を、プラズマＣＶＤ成膜室内で、順次形成することにより、二重ｐｉｎ構造積層体を形成される、シリコン系薄膜光電変換装置の製造方法」の点で一致する。
（エ）引用発明の「ｎ型シリコン層３ｎのプラズマＣＶＤ条件において」、「反応ガス圧は３３３Ｐａに設定され、プラズマ励起用高周波電力が１００ｍＷ／ｃｍ２の密度で印加され」るところ、「３３３Ｐａ」は「２００Ｐａ以上３０００Ｐａ以下」の数値範囲に包含され、「１００ｍＷ／ｃｍ２」は「０．０１Ｗ／ｃｍ２以上０．３Ｗ／ｃｍ２以下」の数値範囲に包含されるので、引用発明の「ｎ型シリコン層３ｎのプラズマＣＶＤ条件において、反応ガス流量として、シランが２０ｓｃｃｍ、水素が１７００ｓｃｃｍ、そして５０００ｐｐｍに水素希釈されたホスフィンが１００ｓｃｃｍに設定され、反応ガス圧は３３３Ｐａに設定され、プラズマ励起用高周波電力が１００ｍＷ／ｃｍ２の密度で印加され」ることと、本願補正発明の「第１のｐ型半導体層、ｉ型非晶質シリコン系光電変換層および第１のｎ型半導体層は、プラズマＣＶＤ成膜室における成膜圧力が２００Ｐａ以上３０００Ｐａ以下および電極単位面積当たりの電力密度が０．０１Ｗ／ｃｍ２以上０．３Ｗ／ｃｍ２以下で形成されること」は、「第１のｎ型半導体層は、プラズマＣＶＤ成膜室における成膜圧力が２００Ｐａ以上３０００Ｐａ以下および電極単位面積当たりの電力密度が０．０１Ｗ／ｃｍ２以上０．３Ｗ／ｃｍ２以下で形成されること」の点で一致する。
（オ）上記（ア）ないし（エ）より、本願補正発明と引用発明は、
「基板上に形成された透明導電膜上に、第１のｐ型半導体層、ｉ型非晶質シリコン系光電変換層、第１のｎ型半導体層、第２のｐ型半導体層、ｉ型微結晶シリコン系光電変換層および第２のｎ型半導体層を、プラズマＣＶＤ成膜室内で、順次形成することにより、二重ｐｉｎ構造積層体を形成し、
　前記第１のｎ型半導体層は、前記プラズマＣＶＤ成膜室における成膜圧力が２００Ｐａ以上３０００Ｐａ以下および電極単位面積当たりの電力密度が０．０１Ｗ／ｃｍ２以上０．３Ｗ／ｃｍ２以下で形成されるシリコン系薄膜光電変換装置の製造方法。」
の点で一致し、以下の点で相違するものと認められる。
＜相違点１＞
　「基板上に形成された透明導電膜上に、第１のｐ型半導体層、ｉ型非晶質シリコン系光電変換層、第１のｎ型半導体層、第２のｐ型半導体層、ｉ型微結晶シリコン系光電変換層および第２のｎ型半導体層を、」本願発明は「同一のプラズマＣＶＤ成膜室内で、順次連続して形成する」のに対し、引用発明は、「プラズマＣＶＤによって順次に堆積され」ることにとどまり、同一のプラズマ成膜室内で、順次連続して形成されるかどうか明らかでない点。
＜相違点２＞
　本願補正発明の「第１のｐ型半導体層」及び「ｉ型非晶質シリコン系光電変換層」は、「プラズマＣＶＤ成膜室における成膜圧力が２００Ｐａ以上３０００Ｐａ以下および電極単位面積当たりの電力密度が０．０１Ｗ／ｃｍ２以上０．３Ｗ／ｃｍ２以下で形成される」のに対し、引用発明の「厚さ１５ｎｍの非晶質ｐ型シリコンカーバイド層３ｐ」及び「厚さ２５０ｎｍのノンドープ非晶質ｉ型シリコン光電変換層３ｉ」のプラズマＣＶＤ成膜室における成膜圧力及び電極単位面積当たりの電力密度が明らかでない点。
イ　相違点の判断
（ア）上記相違点１について
　引用文献１には、「【００１３】しかし、たとえば基板上に非晶質ユニットを形成した後に、その基板をプラズマＣＶＤ装置から一旦大気中に取出して他のプラズマＣＶＤ装置に移して結晶質ユニットをさらに形成した場合、得られるハイブリッド型薄膜光電変換装置の変換特性は基板を大気中に取出すことなく両ユニットを連続的に形成した場合に比べて低下するという事実を本発明者は経験している。」と記載されているので、引用文献１には非晶質ユニットを形成した後に、その基板をプラズマＣＶＤ装置から大気中に取出すことなくハイブリッド型薄膜光電変換装置を形成するとの技術思想が開示されている。そして、基板をプラズマＣＶＤ装置から大気中に取出すことなく光電変換装置を形成する方法として、シングルチャンバ方式を用いることは、引用文献２及び引用文献３のとおり周知技術である。
　してみると、引用発明において、非晶質ユニットを形成した後に、その基板をプラズマＣＶＤ装置から大気中に取出すことなくハイブリッド型薄膜光電変換装置を形成するために、周知技術を適用して相違点１にかかる構成とすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
（イ）上記相違点２について
　プラズマＣＶＤによる成膜の条件は、成膜の組成、成膜の結晶状態（非晶質か結晶質であるか、非晶質と結晶質の割合等）、成膜の導電性（ｎ型、ｉ型、ｐ型）、成膜の膜厚等に応じて決定されるところ、プラズマＣＶＤ成膜室における成膜圧力及び電力密度は、当業者が当然考慮に入れるべき条件である。
　引用発明においては「ｎ型シリコン層３ｎのプラズマＣＶＤ条件において、反応ガス圧は３３３Ｐａに設定され、プラズマ励起用高周波電力が１００ｍＷ／ｃｍ２の密度」である。引用文献３には「ｐ型シリコン層１１１の成膜条件については・・・（中略）・・・反応室圧力を５．０Ｔｏｒｒ」と記載されている。特開２００３−１９７５３６号公報には「【００１３】【発明の実施の形態】まず、本発明において、ａ−Ｓｉ系薄膜は、アモルファス状態のＳｉを含む限り特に限定されない。具体的な、ａ−Ｓｉ系薄膜には、ａ−Ｓｉ：（Ｈ、ｎ型不純物又はｐ型不純物）薄膜、ａ−ＳｉＣ薄膜、ａ−ＳｉＧｅ薄膜等が挙げられる。更に、本発明のａ−Ｓｉ系薄膜には、少量のシリコン系結晶を含んでいてもよい。」、「【００１５】・・・（前略）・・・高周波電力のパワー密度は、１００ｍＷ／ｃｍ２以上であることが好ましく、１００〜５００ｍＷ／ｃｍ２であることがより好ましい。・・・（後略）・・・」、「【００１６】・・・（前略）・・・圧力は３〜２０Ｔｏｒｒであることが好ましく・・・（後略）・・・」と記載されている。特開２００３−１３５９８７号公報には「【００５８】このような非晶質酸素化シリコンは、反応ガスとして、ＳｉＨ４、ＣＯ２、Ｈ２、ＰＨ３（またはＢ２Ｈ６を用い、プラズマＣＶＤで作製できる（製法としてプラズマＣＶＤ法が好ましいが、各種形成方法も使用可能である）。このとき、製膜条件は、容量結合型の平行平板電極を用いて、電源周波数１０〜１００ＭＨｚ、パワー密度５０〜５００ｍＷ／ｃｍ２、圧力３０〜１５００Ｐａ、基板温度１３０〜２５０℃である。・・・（後略）・・・」と記載されている。
　上記のとおり、シリコンを成膜するためのプラズマＣＶＤ成膜室における成膜圧力は及び電力密度は、それぞれ数百〜数千Ｐａ程度、０．１〜０．５Ｗ／ｃｍ２程度のものであることが普通に用いられている。
　そして、本願明細書においては「第１のｐ型半導体層」及び「ｉ型非晶質シリコン系光電変換層」のプラズマＣＶＤ成膜室における成膜圧力及び電極単位面積当たりの電力密度は、それぞれ「５００Ｐａ」、「０．０５Ｗ／ｃｍ２」（【０１４７】）、「５００Ｐａ」、「０．０７Ｗ／ｃｍ２」（【０１４８】）のみであって、比較例についての記載はなく、プラズマＣＶＤ成膜室における成膜圧力及び電極単位面積当たりの電力密度の数値範囲の臨界的意義は認められない。
　してみると、引用発明の「厚さ１５ｎｍの非晶質ｐ型シリコンカーバイド層３ｐ」及び「厚さ２５０ｎｍのノンドープ非晶質ｉ型シリコン光電変換層３ｉ」がプラズマＣＶＤ成膜室における成膜圧力及び電極単位面積当たりの電力密度をそれぞれ２００Ｐａ以上３０００Ｐａ以下および電極単位面積当たりの電力密度が０．０１Ｗ／ｃｍ２以上０．３Ｗ／ｃｍ２以下で形成されるようにすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
（４）相違点の検討・判断の小括
　以上のとおり、相違点１及び２は、引用発明及び周知技術から当業者が容易に想到し得ることである。
　そして、本願補正発明が奏する作用効果も、当業者が予測できる域を超えるものではない。
　よって、本願補正発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
（５）独立特許要件についての小括
　以上検討のとおり、本願補正発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たさないものである。
４　本件補正についての結び
  以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１　本願発明
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２５年９月１７日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１３に記載された事項によって特定されると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記「第２　１（２）」において、補正前の特許請求の範囲の請求項１として示したとおりのものである。
２　刊行物、各刊行物の記載事項及び引用発明の認定
　上記「第２　３（２）」のとおりである。
３　対比・判断
　上記「第２　２　本件補正の目的」のとおり、本願発明は、本願補正発明の「順次連続して形成することにより、二重ｐｉｎ構造積層体を形成し」を「順次形成して二重ｐｉｎ構造積層体を形成し」としたものである。
　そして、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに限定を付加した本願補正発明が、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである以上、上記「第２　３（３）」での検討と同様の理由により、本願発明は引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
第４　結び
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　よって、結論のとおり結審する。