【事件の表示】
　特願２００９−１１０６５１「露光装置用瞳フィルタ、回折光学素子及びそれを備えた露光装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年１２月１０日出願公開、特開２００９−２９０２０６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２１年４月３０日（優先権主張平成２０年５月１日）の出願であって、平成２５年４月４日付けで拒絶理由が通知され、同年６月７日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出されたが、その後、同年１２月２日付けで拒絶査定がなされた。
　本件は、これに対して、平成２６年２月２８日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
　
第２　本願発明について
１．本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２５年６月７日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「ＡｒＦエキシマレーザの光源より発した光を、照明光学系を介してマスクに照射し、
　ピッチが１５０ｎｍ〜２５０ｎｍである前記マスク上のパターンを、投影光学系を介して被露光基板上へ投影露光する露光装置の前記照明光学系で用いられる瞳フィルタにおいて、
　前記瞳フィルタは、光透過部と、遮光部と、光低透過率領域を備え、
　中心部に前記光透過部より透過率が低く、前記遮光部より透過率が高い前記光低透過率領域を配置し、
　前記光低透過率領域の外周に、同心に円環状の前記光透過部を配置し、
　前記光透過部の外周に、同心に円環状の前記遮光部を配置し、
　前記光低透過率領域の透過率は、５％〜３０％の範囲内であり、
　前記遮光部の透過率は、１％以下であり、
　前記瞳フィルタの径を１とした場合、前記光低透過率領域の径方向の寸法割合は０．８であり、前記光透過部の径方向の寸法割合は０．１であり、前記遮光部の径方向の寸法割合は０．１である
ことを特徴とする露光用瞳フィルタ。」
　
２．引用刊行物
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開平７−１１５０５９号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は、当審が付した。）
　
（ａ）「【００２０】
【実施例】まず、縮小投影露光装置における結像原理が簡単に説明される。
【００２１】
図１６（Ａ）を参照して、縮小投影露光装置において従来の通常照明を用いた投影が概略的な断面図で図解されている。コンデンサレンズ１９を通過した照明光は、フォトマスク２０上のパターンによって回折され、０次回折ビームＬ０と２つの±１次回折ビームＬ１に分離される。
したがって、回折ビームＬ０とＬ１がなす回折角がさほど大きくならず、３つの回折ビームのすべてが投影レンズシステム２１の瞳内に進入する。そして、それらの３ビームによって半導体ウエハ２２のような結像面上にマスク２０上のパターンが縮小投影される。
【００２２】しかし、図１６（Ｂ）中の丸印２０ｂの領域を拡大した丸印２０Ｂ内に見られるように、フォトマスク２０が微細パターンを有するとき、０次回折光Ｌ０と１次回折光Ｌ１がなす角度が大きくなる。その回折角が大きくなれば、１次回折光Ｌ１は投影レンズシステム２１の瞳内に入ることができず、半導体ウエハ２２上に微細パターンを結像することができなくなる。
【００２３】このような問題を解決するために、先行技術において、図１７（Ａ）に示されているようなオフ・アキシス（傾斜）照明方法が提案されている。先行技術による図１４の投影露光装置は、このようなオフ・アキシス照明を利用している。すなわち、図１７（Ａ）において、図１５（Ａ）に示されているのと同様な空間フィルタ３１がコンデンサレンズ１９の上方に配置される。空間フィルタ３１中の開口を通過してコンデンサレンズ１９によってフォトマスク２０上に照射される光線束は、フォトマスク２０に対して傾斜させられている。したがって、フォトマスク２０が丸印２０Ｂ内に示されているように微細パターンを有していて回折角が大きい場合であっても、１対の１次回折ビームＬ１の片方が投影レンズシステム２１の瞳内に進入することができなくても、他方の１次回折ビームＬ１と０次回折ビームＬ０の２つのビームが瞳内に進入することができる。そして、これら２つのビームによってマスク２０上の微細パターンが半導体ウエハ２２上に結像される。このとき、瞳内に進入する２つのビーム間において光路差をほとんどなくすことによって位相の整合性を改善することが可能であり、良好な解像度と焦点深度が得られる。他方、図１６（Ａ）に示されているような３ビーム結像においては、０次回折ビームＬ０と１対の１次回折ビームＬ１との間においてジャストフォーカス条件以外では位相が互いに不整合であり、十分な焦点深度を得ることができない。
【００２４】図１７（Ａ）に示されているようなオフ・アキシス照明方法において、図１５（Ａ）に示されているような空間フィルタの代わりに、図１８に示されているようなアニュラー（環状）タイプの空間フィルタを用いることによって、パターンのレイアウトの方向に依存することなく解像度と焦点深度の改善を図ることができる。
【００２５】しかし、このようなオフ・アキシス照明技術においても、最適化されたパターンサイズの範囲より大きなサイズを有するパターンに関しては、図１６（Ａ）に示されているような通常照明に比べても大幅にＤＯＦ特性が低下し、また、パターン内に密度の変動がある場合にもＤＯＦ特性の劣化が著しくなる。
【００２６】たとえば、図１７（Ｂ）中の丸印２０Ａ内に示されているように、パターンサイズが大きくなって回折角が減少すれば、１対の１次回折ビームＬ１の両方が投射レンズシステムの瞳内に入射することが可能となり、マスク２０上のパターンは３つの回折ビームによって半導体ウエハ２２上に投影されることになる。図１７（Ｂ）に示されているようなオフ・アキシス照明における３ビーム結像においては、図１６（Ａ）に示されているようなオン・アキシス（対称）照明における３ビーム結像に比べて、ビーム間の位相のずれが大きくなる。したがって、図１７（Ｂ）に示されているようなオフ・アキシス照明による３ビーム結像においては、図１６（Ａ）に示されているような通常のオン・アキシス照明による３ビーム結像に比べてもＤＯＦ特性が劣ることになる。
【００２７】このようなＤＯＦ特性の低下を防止する方法が、図１９（Ａ）において図解されている。図１９（Ａ）においては、コンデンサレンズ１９の上方にハーフトーン・アニュラータイプの空間フィルタ３２が配置され、その空間フィルタ３２の中央領域３２Ａは、所定の光透過率を有している。破線の矢印で示されているように、中央領域３２Ａを透過した光によるオン・アキシス照明によって、図１６（Ａ）に示されている通常照明と同様の結像が行なわれる。すなわち、図１７（Ｂ）に示されているようなオフ・アキシス照明による３ビーム結像に、減少させられた光強度を有するオン・アキシス照明成分によるバランスさせられた３ビーム結像を重ね合わせることによって、通常照明に比較したＤＯＦ特性の劣化を抑制することができる。
【００２８】しかし、図１９（Ｂ）内の丸印２０Ｂ内に示されているようにパターンサイズが小さい場合には、オフ・アキシス照明の２ビームによる結像に、低減された強度を有するオン・アキシス照明の３ビームによる結像が重ね合わされることになる。このとき、図２０（Ａ）の振幅分布２３を表わすグラフからわかるように、オフ・アキシス照明の２ビームによる振幅分布のメインピークは比較的狭い幅を有しており、他方、低減された光強度を有するオン・アキシス照明２４の３ビームによる振幅分布のメインピークは広い幅を有している。
【００２９】図２０（Ｂ）の強度分布を表わすグラフ中の曲線２６は、図２０（Ａ）中の振幅分布２３と２４を重ね合わせて得られる強度分布を表わしている。振幅分布２３と２４は同符号の位相を有しているので、それら２つの振幅分布を重ね合わせて得られる光強度分布２６のメインピークの幅は、振幅分布２３のメインピークの幅より大きくなる。
【００３０】すなわち、マスクのパターンサイズが小さい場合には、図１９（Ｂ）に示されているようにオフ・アキシス照明の２ビームによる結像に、低減された強度を有するオン・アキシス照明の３ビームによる結像を重ね合わせる投影方法においては、図１７（Ａ）に示されているようなオフ・アキシス照明の２ビームのみによる投影方法に比べて解像度とＤＯＦ特性の両方が劣ることになる。
【００３１】本発明は、パターンの方向に依存することなくかつパターンのサイズや密度にも依存することなく縮小投影露光装置の解像度とＤＯＦ特性を改善し得る空間フィルタを提供する。
本発明による空間フィルタは、中央領域が所定の光透過率を有するアニュラータイプに属するが、その中央領域を通過する光と周辺領域を通過する光との間で１８０°の位相差を生じさせる手段を含んでいる。
【００３２】本発明による空間フィルタの作用効果が、図２０（Ａ）および（Ｂ）とともに図１を参照して説明される。
図１において、投影露光装置の照明光学系が模式的な断面図で示されている。光源（図示せず）からの光は、フライアイレンズ１８を通過した後には、基本的には部分的コヒーレント光である。
空間フィルタ４０を通過した光は、コンデンサレンズ１９によってオン・アキシス成分とオフ・アキシス成分に空間変調され、それらの光成分は１８０°の位相差を維持したままマスク２０上に照射される。
【００３３】
図１に示されているような照明系を有する露光装置においてマスク２０上の微細パターンを結像面上に投影する場合、図１９（Ｂ）の場合に類似して、オフ・アキシス照明の２ビームによる結像とオン・アキシス照明の３ビームによる結像とが重ね合わせられることになる。
【００３４】以上のように、本発明による位相／透過率変調空間フィルタは、用いられるマスクパターンの方向やサイズや密度に依存することなく、投影露光装置の解像度とＤＯＦ特性を改善することができる。
【００３５】本発明による空間フィルタの基板として、石英などが用いられ得る。空間フィルタにおけるアニュラー開口の外径と内径は、σファクタを用いて表わすことにする。σファクタはσ＝ＮＡi／ＮＡpで定義され、ここでＮＡiは照明系の開口数を表わし、ＮＡpは投射系の開口数を表わす。投影露光装置が用いられるとき、投射系の開口数ＮＡpは一般に一定の最大値に設定され、照明系の開口数ＮＡiは照明系に挿入される絞りのサイズによって変化する。
本発明による空間フィルタのアニュラー開口の外径はσ
1
＝０．４〜０．７に対応する値に設定することができ、アニュラー開口の内径はσ
2
＝０．２〜０．６に対応する値に設定することができる。
【００３６】空間フィルタの中央領域の透過率変調は、中央領域の遮光膜に複数の微小な開口を設けるか、または約１５０ｎｍ以下の膜厚を有するＣｒ，Ａｌ，Ｔａ，またはＭｏなどのセミ透過膜を用いることによって実現され得る。また、空間フィルタの中央部を通過した光線束と周辺部を通過した光線束との間で相対的な１８０°の位相差を生じさせる光路差は、エッチングによってフィルタ基板の厚さを変化させることによって得ることができる。そのような光路差は、所定の厚さのＳＯＧ（スピンオングラス）膜，スパッタされたＳｉＯ2膜，または有機膜などの付加的な層を設けることによっても得ることができる。１８０°の位相差を生じさせるための基板厚さの変化量ｔまたは付加的な層の厚さｔは、次式（３ａ）または（３ｂ）によって求めることができる。
【００３７】ｎ・ｔ−ｔ＝ｍ・λ／２      …（３ａ）
ｔ＝ｍ・λ／２（ｎ−１）  …（３ｂ）
ここで、ｎはフィルタ基板の屈折率または積層材料の屈折率を表わし、ｍは正の奇数を表わしている。
【００３８】図２（Ａ）は本発明の第１の実施例による空間フィルタの平面図を概略的に示しており、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）中の線２Ｂ−２Ｂに沿った断面を示している。
この第１実施例による空間フィルタにおいては、石英基板１上に遮光パターン２が形成されている。遮光パターン２はアニュラー開口３と中央領域内の複数の小さな開口４を含んでいる。
【００３９】図３は、図２（Ｂ）に示されている空間フィルタを製造するプロセスを図解している。まず図３（Ａ）において石英基板１が用意され、図３（Ｂ）において基板１上に約４００ｎｍの厚さを有するＡｌ層からなる遮光膜２が形成される。次に図３（Ｃ）において、通常のフォトリソグラフィ技術を用いてＡｌ層２がパターン化され、アニュラー開口３が形成される。図３（Ｄ）において、ＲＩＥ（反応イオンエッチング）などのドライプロセスまたはＨＦなどを用いたウェットプロセスによってアニュラー開口３下の領域において基板１がエッチングされる。図３（Ｅ）において、再び通常のフォトリソグラフィ技術を用いてＡｌ層２がパターニングされ、アニュラー開口３の内側の中央領域内に複数の微小な開口４が形成される。これによって、図２（Ａ）および（Ｂ）に示されている位相／透過率変調フィルタが完成する。」
　
（ｂ）「【００４４】図６のグラフにおいて、第１実施例と第２実施例による新規な位相／透過率変調フィルタを用いた場合の投影露光装置における解像度が、先行技術との比較において示されている。このグラフにおいて、横軸は結像面上における設計されたライン幅（μｍ）を表わし、縦軸は結像面上において実際に測定されたライン幅（μｍ）を示している。丸印は本発明による新規な空間フィルタを用いた場合を表わし、三角印は図１８に示されているような先行技術による通常のアニュラータイプの空間フィルタに対応し、正方形印は中央領域が半透明のアニュラー型空間フィルタに対応し、そして菱形印は図１６（Ａ）に示されているような従来の通常照明に対応している。図６の測定において、投影露光装置の投射系の開口数はＮＡ＝０．４５であり、λ＝２４８ｎｍの波長のＫｒＦエキシマレーザが用いられた。また、いずれのアニュラータイプの空間フィルタも、σ1＝０．５とσ2＝０．４に設定された。
さらに、半導体ウエハ上のレジスト層として、化学増幅ネガティブレジストが用いられた。さらに、本発明の空間フィルタにおける中央領域の光透過率は１５％に設定された。
【００４５】図６からわかるように、先行技術においては、通常のアニュラータイプの空間フィルタが最も優れた０．２８μｍの解像限界を示すのに対して、本発明による位相／透過率変調フィルタは０．２５μｍ以下の解像限界を示している。すなわち、図６のグラフから、本発明による新規な空間フィルタは、先行技術におけるいずれのタイプの空間フィルタよりも優れた解像限界を実現し得ることが理解されよう。」
　
（ｃ）「【００５３】また、以上の実施例ではλ＝２４８ｎｍのＫｒＦエキシマレーザの照明光を用いて説明されたが、本発明による新規な空間フィルタはλ＝４３６ｎｍのｇ線、λ＝３６５ｎｍのｉ線、
λ＝１９３ｎｍのＡｒＦエキシマレーザ光などの照明光に関しても有効であることは言うまでもない。
　
（ｄ）「　
【図１】
　
　
【図２】
　
【図１５】
　
　
【図１６】
　
　
【図１７】
　
　
【図１８】
　
　
【図１９】
　
　
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」 
　
（ｅ）上記記載事項（ａ）の【００３２】における「図１において、投影露光装置の照明光学系が模式的な断面図で示されている。光源（図示せず）からの光は、フライアイレンズ１８を通過した後には、基本的には部分的コヒーレント光である。」、「空間フィルタ４０を通過した光は、コンデンサレンズ１９によってオン・アキシス成分とオフ・アキシス成分に空間変調され、それらの光成分は１８０°の位相差を維持したままマスク２０上に照射される。」との記載、【００３３】における「図１に示されているような照明系を有する露光装置においてマスク２０上の微細パターンを結像面上に投影する場合、図１９（Ｂ）の場合に類似して、オフ・アキシス照明の２ビームによる結像とオン・アキシス照明の３ビームによる結像とが重ね合わせられることになる。」との記載、及び上記記載事項（ｄ）の【図１】の記載から、引用文献１の「投影露光装置」は、「光源からの光」が、「空間フィルタ４０」を含む「照明光学系」を通過し「マスク２０上に照射され」、「マスク２０上の微細パターンを結像面上に投影する」構成を有するものである。
　そして、上記記載事項（ａ）の【００３３】における「図１９（Ｂ）の場合に類似して」との記載、【００２１】の「図１６（Ａ）を参照して、縮小投影露光装置において従来の通常照明を用いた投影が概略的な断面図で図解されている。コンデンサレンズ１９を通過した照明光は、フォトマスク２０上のパターンによって回折され、０次回折ビームＬ０と２つの±１次回折ビームＬ１に分離される。」、「したがって、回折ビームＬ０とＬ１がなす回折角がさほど大きくならず、３つの回折ビームのすべてが投影レンズシステム２１の瞳内に進入する。そして、それらの３ビームによって半導体ウエハ２２のような結像面上にマスク２０上のパターンが縮小投影される。」との記載、【００２２】〜【００３０】の記載内容、及び上記記載事項（ｄ）の【図１５】〜【図１９】の記載から、引用文献１の「投影露光装置」は、「マスク２０上の微細パターンを結像面上に投影する」構成について、「フォトマスク２０上のパターンによって回折され」た「３つの回折ビームのすべてが投影レンズシステム２１の瞳内に進入」し、「それらの３ビームによって半導体ウエハ２２のような結像面上にマスク２０上のパターンが縮小投影される」ものであることが理解される。
　
（ｆ）上記記載事項（ａ）の【００３８】の「この第１実施例による空間フィルタにおいては、石英基板１上に遮光パターン２が形成されている。遮光パターン２はアニュラー開口３と中央領域内の複数の小さな開口４を含んでいる。」との記載、及び上記記載事項（ｄ）の図２の記載から、空間フィルタは、中央領域の外周に同心にアニュラー開口３が配置され、アニュラー開口３の外周に遮光パターン２が配置されていることは、明らかである。また、「遮光パターン２」は、光を遮る目的で配置されるものであるから、その光透過率が実質的に０％となるよう設けられていることは明らかである。
　
　すると、上記引用文献１の記載事項から、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。 
 「光源からの光が、空間フィルタ４０を含む照明光学系を通過しマスク２０上に照射され、マスク２０上のパターンによって回折された３つの回折ビームのすべてが投影レンズシステム２１の瞳内に進入し、それらの３ビームによって半導体ウエハ２２のような結像面上にマスク２０上のパターンが縮小投影される投影露光装置における、空間フィルタであって、空間フィルタは、石英基板１上に遮光パターン２が形成され、遮光パターン２はアニュラー開口３と中央領域内の複数の小さな開口４を含んでおり、中央領域の光透過率は１５％に設定され、中央領域の外周に同心にアニュラー開口３が配置され、アニュラー開口３の外周に遮光パターン２が配置されており、遮光パターン２の光透過率が実質的に０％であり、光源がＡｒＦエキシマレーザであり、アニュラー開口３の外径はσ1＝０．４〜０．７に対応する値に設定することができ、アニュラー開口の内径はσ2＝０．２〜０．６に対応する値に設定することができる、空間フィルタ」
　
　
３．対比
（１）本願発明と引用発明の対比
（ａ）引用発明の「ＡｒＦエキシマレーザ」、「光源」、「マスク２０」、「マスク２０上のパターン」、「投影レンズシステム２１」、「半導体ウエハ２２のような結像面上」、「投影露光装置」、「空間フィルタ」は、それぞれ、本願発明の「ＡｒＦエキシマレーザ」、「光源」、「マスク」、「マスク上のパターン」、「投影光学系」、「被露光基板上」、「露光装置」、「瞳フィルタ」及び「露光用瞳フィルタ」に相当する。
　
（ｂ）引用発明の「光源がＡｒＦエキシマレーザであり、」「光源からの光が、空間フィルタ４０を含む照明光学系を通過しマスク２０上に照射され、マスク２０上のパターンによって回折された３つの回折ビームすべてが投影レンズシステム２１の瞳内に進入し、それらの３ビームによって半導体ウエハ２２のような結像面上にマスク２０上のパターンが縮小投影される投影露光装置における、空間フィルタ」は、本願発明の「ＡｒＦエキシマレーザの光源より発した光を、照明光学系を介してマスクに照射し、」「前記マスク上のパターンを、投影光学系を介して被露光基板上へ投影露光する露光装置の前記照明光学系で用いられる瞳フィルタ」に相当する。
　
（ｃ）引用発明の「光透過率は１５％に設定され」た「中央領域」は、本願発明の「光低透過率領域」に相当する。
　引用発明の「遮光パターン２」は、「遮光パターン２の光透過率が実質的に０％であ」るから、本願発明の「遮光部」に相当する。
　引用発明の「アニュラー開口３」は、「アニュラー」が英語のａｎｎｕｌａｒのカタカナ表記であることは明らかであって、その意味が環状であるから、引用発明の「アニュラー開口３」は、本願発明の「円環状の」「光透過部」に相当する。
　そして、引用発明の「中央領域」が「空間フィルタ」の中央の領域であることは明らかであるから、引用発明の「空間フィルタは、石英基板１上に遮光パターン２が形成され、遮光パターン２はアニュラー開口３と中央領域内の複数の小さな開口４を含んでおり、中央領域の光透過率は１５％に設定され、中央領域の外周に同心にアニュラー開口３が配置され、アニュラー開口３の外周に遮光パターン２が配置されており、遮光パターン２の光透過率が実質的に０％であ」る構成は、本願発明の「前記瞳フィルタは、光透過部と、遮光部と、光低透過率領域を備え、中心部に前記光透過部より透過率が低く、前記遮光部より透過率が高い前記光低透過率領域を配置し、前記光低透過率領域の外周に、同心に円環状の前記光透過部を配置し、前記光透過部の外周に、」「前記遮光部を配置し、前記光低透過率領域の透過率は、５％〜３０％の範囲内であり、前記遮光部の透過率は、１％以下であ」る構成に相当する。
　
（２）一致点
　してみると、両者は、
 「ＡｒＦエキシマレーザの光源より発した光を、照明光学系を介してマスクに照射し、
　前記マスク上のパターンを、投影光学系を介して被露光基板上へ投影露光する露光装置の前記照明光学系で用いられる瞳フィルタにおいて、
　前記瞳フィルタは、光透過部と、遮光部と、光低透過率領域を備え、
　中心部に前記光透過部より透過率が低く、前記遮光部より透過率が高い前記光低透過率領域を配置し、
　前記光低透過率領域の外周に、同心に円環状の前記光透過部を配置し、
　前記光透過部の外周に、前記遮光部を配置し、
　前記光低透過率領域の透過率は、５％〜３０％の範囲内であり、
　前記遮光部の透過率は、１％以下である
露光用瞳フィルタ」で一致し、次の各点で相違する。 
　
（３）相違点
（イ）本願発明では、「マスク上のパターン」が「ピッチが１５０ｎｍ〜２５０ｎｍである」のに対して、引用発明では、具体的なピッチについて不明な点。
　
（ロ）本願発明では、「前記光透過部の外周に、同心に円環状の前記遮光部を配置し、」「前記瞳フィルタの径を１とした場合、前記光低透過率領域の径方向の寸法割合は０．８であり、前記光透過部の径方向の寸法割合は０．１であり、前記遮光部の径方向の寸法割合は０．１である」のに対して、引用発明では、「アニュラー開口３の外周に遮光パターン２が配置されて」いるものの、「同心に円環状」ではなく、「アニュラー開口３の外径はσ1＝０．４〜０．７に対応する値に設定することができ、アニュラー開口の内径はσ2＝０．２〜０．６に対応する値に設定することができる」点。
　
　
４．判断
（１）相違点（イ）について
　ピッチが１５０ｎｍ〜２５０ｎｍであるマスク上のパターンは、本願出願時においては普通に使用されているものであって、引用発明の「マスク２０上のパターン」のピッチを１５０ｎｍ〜２５０ｎｍとすることを阻害する要因もないから、引用発明の「マスク２０上のパターン」のピッチを１５０ｎｍ〜２５０ｎｍとすることは、当業者が適宜なし得ることである。
　
（２）相違点（ロ）について
　一般に投影露光装置の照明光学系で用いられる絞りの外縁部分の遮光部の形状は、各々の装置に応じて適宜設計されるものであり、投影露光装置の照明光学系で用いられる輪帯状の開口部を有する絞りにおいて、例えば特開平６−１２０１１４号公報（特に図２）に記載されているような輪帯状の開口の周囲に同心状の輪帯遮光部を有するものや、例えば特開２０００−３１１８４８号公報（特に図７）に記載されているような複数の絞りが形成される絞り切り換え部材における絞り以外の部分がそれぞれの絞りにおける開口外縁の遮光部をなすもの等、様々な外縁部分の遮光部形状となすことは周知事項である。
　そして、引用発明の「空間フィルタ」において、これら周知の外縁部分のような遮光部の形状とすることを阻害する要因はないから、引用発明の「空間フィルタ」の「アニュラー開口３の外周に」配置される「遮光パターン２」を、「アニュラー開口３」と同心状の輪帯状の遮光部の形状とすることは、当業者にとって設計上適宜選択する事項にすぎない。
　また、引用文献１の【００３５】に、「本発明による空間フィルタの基板として、石英などが用いられ得る。空間フィルタにおけるアニュラー開口の外径と内径は、σファクタを用いて表わすことにする。σファクタはσ＝ＮＡi／ＮＡpで定義され、ここでＮＡiは照明系の開口数を表わし、ＮＡpは投射系の開口数を表わす。投影露光装置が用いられるとき、投射系の開口数ＮＡpは一般に一定の最大値に設定され、照明系の開口数ＮＡiは照明系に挿入される絞りのサイズによって変化する。」と記載されているように、引用発明の「アニュラー開口３の外径はσ1＝０．４〜０．７に対応する値に設定することができ、アニュラー開口の内径はσ2＝０．２〜０．６に対応する値に設定することができる」構成は、「空間フィルタ」における具体的寸法割合を直接設計したものではなく、投射系の開口数に対する照明系の開口数の割合に基づいて設計されるものであり、本願発明の「前記瞳フィルタの径を１とした場合、前記光低透過率領域の径方向の寸法割合は０．８であり、前記光透過部の径方向の寸法割合は０．１であり、前記遮光部の径方向の寸法割合は０．１である」に格別な技術的意味もないことを勘案すると、引用発明において、「アニュラー開口３」の外径、内径を、それぞれσ1、σ2に対応して、適宜設計して、「前記瞳フィルタの径を１とした場合、前記光低透過率領域の径方向の寸法割合は０．８であり、前記光透過部の径方向の寸法割合は０．１であり、前記遮光部の径方向の寸法割合は０．１である」といった事項を得ることは、当業者が容易になし得ることである。
　
（４）効果について
　本願発明が奏し得る効果は、引用発明及び周知事項から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
（５）結論
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　
第３　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。