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　平成　５年特許願第　２９２０６号「強誘電体のドメイン反転構造形成方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　６年　９月　２日出願公開、特開平　６−２４２４７８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成５年２月１８日の特許出願であって、原審において平成１３年４月６日付で拒絶理由が通知され、これに対し、同年６月１８日付で手続補正がなされたところ、同年７月３１日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１０月９日付で手続補正がなされたところ、前置審査において平成１４年２月８日付で拒絶理由が通知され、これに対し、同年４月２２日付で手続補正がなされたものであって、その請求項に係る発明は、上記手続補正がなされた明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１及び２に記載されたものと認められるところ、請求項２に係る発明は次のものである。（以下、「本願発明」という。）
「単分極化された非線形光学効果を有する強誘電体にその外部から電場を印加して局部的なドメイン反転部を形成する方法において、
　前記強誘電体として、ＭｇＯのドープ量が３ ｍｏｌ％〜９ ｍｏｌ％の範囲内にあるＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ３基板あるいはＭｇＯ−ＬｉＴａＯ３基板を用い、
　この強誘電体の表面に設けた、相対向する電極を介して該強誘電体に２０ｋＶ／ｃｍ〜４０ｋＶ／ｃｍの範囲にある電場を、該強誘電体を加熱しない状態で印加することを特徴とする強誘電体のドメイン反転構造形成方法。」
２．引用例
　前置審査の拒絶の理由に引用された特開平４−３３５６２０号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、
「本発明は、例えば光第２高調波発生素子（以下ＳＨＧ素子という）等の光デバイス装置の形成に適用して好適な分極反転制御方法に係わる。」（段落【０００１】）、
「単分域化された強誘電体材料に、その分極方向に第１及び第２の電極を配置し、
　少なくとも第１の電極は最終的に得る分極反転構造のパターンに対応するパターンに形成され、
　１５０℃未満の温度下において、上記第１及び第２の電極間に、上記強誘電体材料の自発分極の負側を負電位、正側を正電位となるように１ｋＶ／ｍｍ〜１００ｋＶ／ｍｍの電圧を印加して、分極反転構造を形成するようにしたことを特徴とする分極反転制御方法。」（【請求項１】）、
「・・・各例共に、強誘電体材料としてＫＴＰ，ＬＮ，ＬｉＴａＯ３等の非線形光学材料の単結晶、例えばＬＮ単結晶を用いた場合で、このＬＮ単結晶上に周期的な分極反転構造を形成すると共に、・・・各例共に１５０℃以下の例えば室温において電圧印加を行った。」（段落【００２４】）、
「即ち、ＬＮ単結晶に対して分極反転領域を形成し得る印加電圧はほぼ１０ｋＶ／ｍｍ程度以上であることがわかる。しかしながら、ＬＮ単結晶以外の例えばＫＴＰ，ＬｉＴａＯ３等の電気伝導度が比較的大なる強誘電体材料を用いる場合は分極反転が比較的生じ易いため、１ｋＶ／ｍｍ以上程度の電圧印加によって良好な分極反転構造を得ることができる。」（段落【００５０】）、
との記載が認められ、
  また、図１，３，５〜８の記載を参酌すれば、第１及び第２の電極が、強誘電体の表面に相対向して設けられていることが明らかであるから、
これらの記載によれば、引用例１には、
「単分域化された非線形光学効果を有するＫＴＰ，ＬＮ，ＬｉＴａＯ３ 等の強誘電体材料の表面に、その分極方向に第１及び第２の電極を対向配置し、
　少なくとも第１の電極は最終的に得る分極反転構造のパターンに対応するパターンに形成され、
　１５０℃未満の例えば室温において、上記第１及び第２の電極間に、上記強誘電体材料の自発分極の負側を負電位、正側を正電位となるように１ｋＶ／ｍｍ〜１００ｋＶ／ｍｍの電圧を印加して、分極反転構造を形成するようにしたことを特徴とする分極反転制御方法。」
との発明（以下、「引用例１発明」という。）が開示されていると認めることができる。
　
　同じく、前置審査の拒絶の理由に引用された特開平４−２６４５３４号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに、
「 本発明は・・・、ＬｉＴａＯ３結晶による周期的な分極反転を形成し、数μｍという短周期で、かつ深い分極反転層を形成することにより、変換効率の高い波長変換素子の製造方法を提供することを目的とする。」（段落【０００６】）、
「・・・また、本実施例では基板にＬｉＴａＯ３基板を用いたが他にＭｇＯをドープしたＬｉＴａＯ３基板でも同様な素子が作製できる。」（段落【００１４】）、
と記載されていることが認められる。
　
３．対比
　そこで、本願発明と引用例１発明とを比較すると、引用例１発明の「単分域化」は、本願発明の「単分極化」に相当し、引用例１発明の印加電圧範囲である「１ｋＶ／ｍｍ〜１００ｋＶ／ｍｍ」は、単位を本願発明に合わせると「１０ｋＶ／ｃｍ〜１ＭＶ／ｃｍ」に相当し、これは本件発明の印加電圧範囲である「２０ｋＶ／ｃｍ〜４０ｋＶ／ｃｍ」を総て包含する印加電圧範囲であることが明らかであり、同様に「室温において、電圧を印加」することは、「電場を、該強誘電体を加熱しない状態で印加すること」に等しいから、両者は、
「単分極化された非線形光学効果を有する強誘電体にその外部から電場を印加して局部的なドメイン反転部を形成する方法において、
　強誘電体の表面に設けた、相対向する電極を介して該強誘電体に２０ｋＶ／ｃｍ〜４０ｋＶ／ｃｍの範囲にある電場を、該強誘電体を加熱しない状態で印加することを特徴とする強誘電体のドメイン反転構造形成方法。」
である点で一致し、次の点で相違している。
［相違点］本願発明は、強誘電体として、「ＭｇＯのドープ量が３ｍｏｌ％〜９ｍｏｌ％の範囲内にあるＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ３　基板あるいはＭｇＯ−ＬｉＴａＯ３基板を用い」るものであるのに対し、引用例１発明は、ＬＮ，ＬｉＴａＯ３，ＫＴＰ等の基板を用いる点。
　（なお、引用例１発明のＬＮは、ＬｉＮｂＯ３の略称である。審決注。）
４．判断
［相違点］について
　引用例２には、「 本発明は・・・、ＬｉＴａＯ３結晶による周期的な分極反転を形成し、数μｍという短周期で、かつ深い分極反転層を形成することにより、変換効率の高い波長変換素子の製造方法を提供することを目的とする。」（段落【０００６】）、「・・・また、本実施例では基板にＬｉＴａＯ３基板を用いたが他にＭｇＯをドープしたＬｉＴａＯ３基板でも同様な素子が作製できる。」（段落【００１４】）と記載されており、
　これは局部的なドメイン反転部を形成する強誘電体材料として、ＬｉＴａＯ３基板に代えてＭｇＯ−ＬｉＴａＯ３基板を用いることも可能であることを示唆したものといえる。
　また、光波長変換素子（ＳＨＧ）基板に、ＭｇＯを３〜５ｍｏｌ％ドープしたＬｉＮｂＯ３を用いること、及びＭｇＯを３〜５ｍｏｌ％ドープする目的が、ＬｉＮｂＯ３基板の光損傷特性を向上する点にあること、は従来周知である（例えば、１．日立金属技報 Vol.7, pp.41-46 (1991) 佐藤正純、古川保典、２．日本結晶成長学会誌 Vol.17, No.34, pp.277-283 (1990) 古川保典、佐藤正純、等参照）。
　そして本願発明の方法によって形成されたドメイン反転構造を有する強誘電体は、光波長変換素子に用いるものである（段落【０００２】）から、上記周知例のものが、本願発明と同じ用途に使用される基板であることは明らかである。
　また、上記周知例において、ＭｇＯを３〜５ｍｏｌ％ドープする趣旨は、ＬｉＮｂＯ３基板の光損傷特性を向上することであって、本願発明における、自発分極が反転する最小の電場（いわゆるしきい値電場）を低下せしめること、とは異なるが、本願明細書の段落【０００３】には、ＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ３は、ノンドープのＬｉＮｂＯ３に比べると光損傷しきい値が２桁以上も高いので、これに周期ドメイン反転構造を形成すれば、高強度の波長変換波を発生する光波長変換素子が得られる旨記載されており、ＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ３を用いる理由の一つが、光損傷特性を向上する点にあることを示唆したものといえる。
　以上を総合すると、ノンドープの基板に代えて、ＭｇＯをドープした基板を、周期ドメイン反転構造を形成する基板に用いることが上記引用例２に示唆されており、本願発明において、ＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ３を用いる理由の一つが、光損傷特性を向上することにあると解され、これは上記周知例と共通すること、また、ＭｇＯを３〜５ｍｏｌ％ドープしたＬｉＮｂＯ３基板を光波長変換素子に用いることは、従来周知であるから、
　引用例１発明のＬｉＮｂＯ３，ＬｉＴａＯ３，ＫＴＰ等の基板に代えて、従来周知のＭｇＯのドープ量が３ ｍｏｌ％〜５ ｍｏｌ％の範囲内にあるＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ３基板を採用することに特段の阻害要因があるとはいえず、引用例１、引用例２に記載された事項及び周知技術に基づき、当業者が容易に想到しえたものということができる。
　なお、請求人は前置審査における拒絶理由通知に対する意見書において、「ＭｇＯドープ量を３〜５ｍｏｌ％の範囲とした上で、電場の最大値を４０ｋＶ／ｃｍ、最小値を２０ｋＶ／ｃｍとした点、すなわち本願発明におけるＭｇＯドープ量の範囲と電場の組み合わせは引用文献には何ら示唆されてなく、これによって本願発明者が初めて見出した、ＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ３基板等を用いる場合の特有の問題である電場印加による結晶破壊、を防止しつつ確実な分極反転を実現するものであるから、この点には十分な進歩性が認められてしかるべきである。」旨主張している。
　しかしながら、「本願発明者が初めて見出した、ＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ３基板等を用いる場合の特有の問題である電場印加による結晶破壊」なる事項は、本願明細書に記載されているとはいえない。
　すなわち、これに関連して明細書には、
　段落【０００７】に、「例えばＬＴ（ＬｉＴａＯ３の略称、審決注）基板を用いる場合は２００ｋＶ／ｃｍ程度の高い電場を加える必要があり、そのため強誘電体の結晶破壊を招きやすく」、
　段落【０００８】に、「ＭｇＯ−ＬＮ基板やＭｇＯ−ＬＴ基板の結晶破壊を招くことなく」、
　段落【００２１】に、「ＭｇＯ−ＬＮ基板１に加わる電場は２０ｋＶ／ｃｍであった。それに対して、ＭｇＯ−ＬＮ以外の非線形光学効果を有する強誘電体として良く知られているＬＴの基板に電場を印加してドメイン反転構造を形成する場合は、２００ｋＶ／ｃｍ程度の高い電場を印加しないとその自発分極を反転させることができない。本発明による上記の方法では、それよりも１桁低い電場を印加するだけでＭｇＯ−ＬＮ基板１の自発分極が反転しており、したがって、高電場印加による基板１の結晶破壊を招くことなく、周期ドメイン反転部９を制御性良く形成可能となる。」と記載されており、
　これらの記載から、ＬＴ基板を用いる場合は２００ｋＶ／ｃｍ程度の高い電場を加える必要があり、これによって強誘電体の結晶破壊を招く虞があるが、ＭｇＯ−ＬＮ基板１に加わる電場は２０ｋＶ／ｃｍであって、ＬＴ基板を用いる場合よりも１桁低い電場で済むから、結晶破壊を招く虞がないことを窺い知ることはできるものの、そもそもＭｇＯ−ＬＮ基板にどの程度の電場を加えると、結晶破壊を招くのかについては、本願明細書は何も開示していないのであるから、上記「本願発明者が初めて見出した、ＭｇＯ−ＬｉＮｂＯ３基板等を用いる場合の特有の問題である電場印加による結晶破壊」なる事項を、本願明細書から把握することはできない。
　そして、「相違点」について既に判断したように、ＭｇＯを３〜５ｍｏｌ％ドープしたＬｉＮｂＯ３基板は従来周知であって、これを用いることに特段の阻害要因がないこと、さらに、電場の最大値を４０ｋＶ／ｃｍ、最小値を２０ｋＶ／ｃｍとした点は、ＭｇＯを３〜９ｍｏｌ％ドープしたＬｉＮｂＯ３基板の自発分極を反転させるのに必要な最小の電場（いわゆるしきい値電場）を開示したものであって（図９の記載から明らかである）、これは本願発明の趣旨が、電場を印加して自発分極を反転させることにある点に鑑みると、自発分極の反転を促すにたる必要な強度の電場を印加すべきことは自明の理であって、上記のようにＭｇＯ−ＬＮ基板がどの程度の電場を加えた場合に、結晶破壊を招くのかについての何らの考察、教示もないことを併せ考えると、単なるしきい値の開示にすぎないというほかはない。
　したがって、本願発明におけるＭｇＯドープ量の範囲と電場の組み合わせに格別の技術的意義を見出すことはできないから、この点に進歩性を認めるべきであるという、請求人の主張は採用できない。
　なお、請求人は前置審査における拒絶理由通知に対する意見書において、さらに「ＬｉＮｂＯ３基板について１０ｋＶ／ｃｍ以上程度の電場印加によって分極反転構造が形成できるという引用例１の記載は、当業者にとってそのまま首肯することが難しいものである。すなわち、参考資料１として添付したApplied Physics Letters, Vol.70, No.10,(1997) p.1202 左欄第６〜１３行には、ＬｉＴａＯ３を分極反転させる際には、電場の値を２１０ｋＶ／ｃｍ以上にする必要がある旨を実験に基づいて見出したことが記載されている。これに対して上記引用例１の記載は、温度が１５０℃未満の場合について、分極反転可能な電場の値の範囲を２桁もの極めて広い範囲に亘って示したものである。」旨主張している。
　これについて検討するに、請求人の上記指摘は、引用例１の、
「即ち、ＬＮ単結晶に対して分極反転領域を形成し得る印加電圧はほぼ１０ｋＶ／ｍｍ程度以上であることがわかる。しかしながら、ＬＮ単結晶以外の例えばＫＴＰ，ＬｉＴａＯ３ 等の電気伝導度が比較的大なる強誘電体材料を用いる場合は分極反転が比較的生じ易いため、１ｋＶ／ｍｍ以上程度の電圧印加によって良好な分極反転構造を得ることができる。」（段落【００５０】）、
　なる記載に基づくものと解されるが、上記引用例１の記載の趣旨は、ＬｉＮｂＯ３よりも電気伝導度が比較的大なる強誘電体材料を用いる場合は、分極反転が比較的生じ易いため、１０ｋＶ／ｃｍ以上程度の電圧印加によって分極反転を得ることが可能であることを示唆したものと解することができ、また本願発明において、電場の最大値を４０ｋＶ／ｃｍ、最小値を２０ｋＶ／ｃｍとした点が、単なるしきい値の開示にすぎないのであるから、ＬｉＴａＯ３ についての数値の是非に拘わらず、上記引用例１の記載は肯首できるものといえる。
　そして、本願発明の作用効果も、引用例１、引用例２に記載された事項及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１、引用例２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。