【事件の表示】
　特願２００９−２５５４５１「歪み緩和Ｓｉ１−ｘＧｅｘ層を有する半導体ウェハをポリシングする方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　６月１０日出願公開、特開２０１０−１３０００９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２１年１１月６日（パリ条約による優先権主張２００８年１１月２６日、ドイツ連邦共和国）の出願であって、その主な手続の経緯は、以下のとおりである。
　平成２４年　３月３０日　拒絶理由通知
　平成２４年　８月　３日　意見書及び手続補正書提出
　平成２５年　２月２２日　拒絶査定
　平成２５年　６月２５日　審判請求書及び手続補正書提出
　平成２５年　８月　１日　手続補正書提出
　平成２５年１１月１１日　審尋
　平成２６年　２月１２日　回答書提出
　
２．本願発明
　本願の請求項１ないし１８に係る発明は、平成２５年６月２５日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１８に記載された事項により特定されるとおりのものと認めるところ、その請求項１８の記載は以下のとおりである。
「　【請求項１８】
　ダイヤモンド、酸化アルミニウム及び炭化ケイ素からなるグループから選択される０．１〜０．５５μｍの平均粒径を有する研磨材料を含有する研磨布の、シリコン−ゲルマニウム層の機械的加工のための使用。」
（以下、上記請求項１８に係る発明を「本願発明」という。なお、上記各手続補正書により補正された特許請求の範囲を対比すると、当該請求項１８は、願書に最初に添付した特許請求の範囲の請求項２２であり、平成２４年８月３日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項２０である。）
　
３．刊行物の記載事項及び刊行物発明
　平成２４年３月３０日付けの拒絶理由通知書で引用され、本願優先日前に頒布された刊行物である特開２００８−１８５２８号公報（以下、「刊行物」という。）には、以下の技術的事項、及び発明が記載されている。
　
（１）第４ページ第２７行ないし３９行
「【請求項１０】
　複数の半導体ウェハを同時に両面研磨する方法であって、
　各半導体ウェハは、ローリング装置によって回転させられる複数の回転ディスクのうちの１つの切り欠き部において自由に運動できるように配置されており、またこれによってサイクロイドの軌跡曲線上を運動し、
　回転する２つの加工ディスクの間で材料を削り取ることによって半導体ウェハを加工し、
　各加工ディスクは、結合された研磨材を有する加工層を含んでいる形式の、複数の半導体ウェハを同時に両面研磨する方法において、
　全材料削り取りに対する、加工層の摩耗の過程において遊離した研磨剤によって発生した材料削り取りの割合が、加工層に固定的に結合された研磨剤によって発生した材料削り取りの割合よりもつねに小さいことを特徴とする、
　複数の半導体ウェハを同時に両面研磨する方法。」
　
（２）第５ページ第５０行ないし第６ページ第２３行
「【背景技術】
【０００２】
　エレクトロニクス、マイクロエレクトロニクス、マイクロエレクトロメカニクスに対しては、出発材料（基板）として、大域的および局所的な平坦度、片側についての局所的平坦度（ナノトポロジ）、粗さおよび清浄度についての要求が極めて高い半導体ウェハが必要である。半導体ウェハは、半導体材料からなるウェハであり、この半導体材料は、例えば、ガリウムヒ素などの化合物半導体、ならびに時としてゲルマニウムのこともあるがケイ素が大部分を占める元素半導体である。場合によっては、半導体ウェハに使用して素子を作製する前に、この半導体ウェハにまず層構造が形成されることがある。層構造は、例えば、絶縁体上の構成部材を支持するシリコン上部層（“ｓｉｌｉｃｏｎ　ｏｎ　ｉｎｓｕｌａｔｏｒ”，ＳＯＩ）、またはシリコンウェハ上の歪ませたケイ素ゲルマニウム層（「歪みシリコン」）、または両者の組み合わせ（「歪みシリコンＳＯＩ」である。従来技術によれば、半導体ウェハは、連続する多数のプロセスステップにおいて作製され、これはふつうつぎのグループに分けることができる。すなわち、
　ａ）　単結晶半導体インゴッド（結晶成長）
　ｂ）　インゴッドを個々のウェハに切断
　ｃ）　機械的な加工
　ｄ）　化学的な加工
　ｅ）　化学的機械的加工
　ｆ）　場合によって層構造の作製
に分けることができるのである。
【０００３】
　上記のグループに割り当てられる個別ステップの組み合わせならびそれらの順序は、適用目的に応じて変化する。」
　
（３）第１０ページ第１１ないし１６行
「【００２０】
　上記の装置を本発明の方法に使用する場合、各加工ディスク１，４は、加工面に加工層１１，１２を有しており、これは、有利には布（織物、編み物、フェルト、繊維の束、繊維で補強したプラスチック型また繊維で補強していないプラスチック型など）、シート（単層または複層）または発泡成形材からなり、半導体ウェハとの接触によって材料が削り取られるこれらの表面層を研磨材としての研磨布が包んでいる。」
　
（４）第１９ページ第１０ないし２２行
「【００６８】
　加工層に接着される研磨剤として、６以上のモース硬度を有する硬質組成物が有利である。従来技術から公知の考えられ得る研磨材には、ダイヤモンド、シリコンカーバイド（ＳｉＣ），セレン２酸化物（ＣｅＯ２）、コランダム（酸化アルミニウム、Ａｌ２Ｏ３）、ジルコン２酸化物（ＺｒＯ２）、窒化ホウ素（ＢＮ；立方晶系窒化ホウ素ＣＢＮ）、さらにシリコン２酸化物（ＳｉＯ２）、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）、実質的により柔らしい材料、例えば炭酸バリウム（ＢａＣＯ３）、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ３）または炭酸マグネシウム（ＭｇＣＯ３）までがある。しかしながら殊に有利であるのはダイヤモンド、シリコンカーバイド（ＳｉＣ）および酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３；コランダム）である。
【００６９】
　研磨材の平均粒径は９μｍ以下とするとよい。加工層に接着される研磨粒子の有利なサイズは、研磨材としてダイヤモンドを使用する場合、平均で０．１〜９μｍであり、殊に有利には０．１〜６μｍである。」
（なお、当該記載事項における「研磨剤」との記載は、「研磨材」の誤記と認める。）
　
（５）刊行物発明
　上記（１）には、「回転する２つの加工ディスクの間で材料を削り取ることによって半導体ウェハを加工し、各加工ディスクは、結合された研磨材を有する加工層を含んでいる形式の、複数の半導体ウェハを同時に両面研磨する方法」が記載されているところ、上記（３）には、加工ディスクの加工面が有している「加工層」として「布」が例示されているから、刊行物には、研磨材を有する布の間で材料を削り取ることによって半導体ウェハを加工する方法が開示されているということができる。そして、当該半導体ウェハを加工する方法は、半導体ウェハを加工するために、研磨材を有する布を使用する方法、すなわち、「研磨材を有する布の、半導体ウェハの加工のための使用」を含んでいることは明らかである。
　また、上記（４）には、「研磨材」として「ダイヤモンド」が例示され、その平均粒径として「０．１〜９μｍ」とすることが例示されている。
　以上の記載事項を、本願発明の記載に沿って整理すると、刊行物には、以下の発明が記載されていると認める。
「ダイヤモンドから選択される０．１〜９μｍの平均粒径を有する研磨材を含有する布の、半導体ウェハの材料を削り取ることによる加工のための使用。」
（以下、当該発明を「刊行物発明」という。）
　
４．対比
　本願発明と刊行物発明とを対比すると、刊行物発明の「ダイヤモンド」が、本願発明の「ダイヤモンド、酸化アルミニウム及び炭化ケイ素からなるグループ」における「ダイヤモンド」と一致する。また、刊行物発明の「研磨材」が本願発明の「研磨材料」に相当することは明らかであり、以下同様に、「布」が「研磨布」に相当し、「材料を削り取ることによる加工」が「機械的加工」に相当する。
　また、刊行物発明の「０．１〜９μｍの平均粒径」と本願発明の「０．１〜０．５５μｍの平均粒径」とは、「０．１μｍないし所定の上限値の平均粒径」という点で共通する。
　また、刊行物発明の「半導体ウェハ」と本願発明の「シリコン−ゲルマニウム層」とは、「半導体」という点で共通する。
　
　以上から、本願発明と刊行物発明とは、以下の点で一致及び相違する。
＜一致点＞
　両発明は、「ダイヤモンドから選択される０．１μｍないし所定の上限値の平均粒径を有する研磨材料を含有する研磨布の、半導体の機械的加工のための使用。」である点。
　
＜相違点１＞
　半導体が、本願発明では「シリコン−ゲルマニウム層」であるのに対して、刊行物発明では「半導体ウェハ」である点。
　
＜相違点２＞
　研磨材料の平均粒径の上限値が、本願発明では「０．５５μｍ」であるのに対して、刊行物発明では「９μｍ」である点。
　
５．相違点についての判断
（１）相違点１について
　上記３．（２）に摘示するように、刊行物には、「半導体ウェハ」として「シリコンウェハ上の歪ませたケイ素ゲルマニウム層（「歪みシリコン」）」が形成されたものが記載されているところ、当該「ケイ素ゲルマニウム層」が、本願発明の「シリコン−ゲルマニウム層」に相当することは明らかである。
　また、刊行物の当該記載における「歪みシリコン」が、「シリコン−ゲルマニウム層」の上に、さらにシリコン層を成長させて作成される半導体であることや、シリコン層を成長させる前に、「シリコン−ゲルマニウム層」を研磨する必要があることは、例えば特開２００２−７６３３４号公報の段落【００５１】ないし【００５２】や、特開２００５−３８９６４号公報の段落【０００９】に示すように周知の技術的事項である。
　そうすると、刊行物発明において、研磨布を機械的加工のために使用するにあたり、半導体として「シリコン−ゲルマニウム層」が形成されたものを対象とすることは、刊行物の上記の記載に接した当業者が、容易になし得たものである。
　
（２）相違点２について
　刊行物発明の研磨材料の平均粒径の範囲は、「０．１〜９μｍ」であるから、本願発明の研磨材料の平均粒径の「０．１〜０．５５μｍ」という範囲の上限値を含んでいる。研磨材料の粒径は、粒径が小さいと加工精度が優れる反面、加工速度が遅くなることは技術常識であるところ、当業者であれば、刊行物発明の研磨材料であるダイヤモンドの平均粒径を選択するにあたり、少なくとも「０．１〜９μｍ」の範囲内で、加工精度や加工速度、コスト等の観点から、最適な数値を決定しようと試みるはずである。そして、本願発明において、研磨材料の平均粒径の上限値として「０．５５μｍ」を特定したことにより、何らかの効果に関して当業者の予測を超える臨界的な意義が存在することについて立証されているわけではない。
　したがって、刊行物発明の研磨材料の平均粒径の数値範囲の上限値を「０．５５μｍ」としたことは、「０．１〜９μｍ」の範囲内における最適化の結果として、当業者が容易に想到できたものである。
　
６．むすび
　したがって、本願発明は、上記刊行物発明、刊行物の記載事項、及び周知の技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、他の請求項１ないし１７に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。