【事件の表示】
　特願２００７−５５７３１５「ＬＥＤアレイ」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　８月３１日国際公開、ＷＯ２００６／０８９５０８、平成２０年　８月１４日国内公表、特表２００８−５３２２９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　平成１８年　２月　６日　国際出願（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００５年２月２８日、同年４月２６日、ドイツ）
　平成２３年　８月　１日　拒絶理由通知（同年８月３日発送）
　平成２４年　１月１９日　意見書・手続補正書
　平成２４年　３月１２日　拒絶査定（同年３月１４日送達）
　平成２４年　７月　４日　本件審判請求・手続補正書
　平成２４年　９月１８日　審尋（同年９月２１日発送）
　平成２５年　１月２１日　回答書
　平成２５年　３月２６日　拒絶理由通知（同年３月２７日発送）
　平成２５年　７月２６日　意見書・手続補正書
　平成２５年１０月２９日　拒絶理由通知（同年１１月５日発送、以下「当審拒絶理由通知」という。）
　平成２６年　４月３０日　意見書・手続補正書
　
２　本願発明
　本願の請求項１乃至１５に係る発明は、平成２６年４月３０日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１乃至１５に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、請求項１の記載は以下のとおりである。　
「それぞれ１つの放射線取出し面（５）を有する、放射線を発する複数の半導体チップ（２）を備えたＬＥＤアレイであって、半導体チップ（２）により発せられた放射線（４）が、主として放射線取出し面（５）を通じて取り出されるようになっており、さらに、発せられた放射線（４）に対して透過性の透明なカバー体（８）が設けられている形式のものにおいて、
−透明なカバー体（８）が、半導体チップ（２）の放射線取出し面（５）に面した側の表面に、発せられた放射線（４）に対して透過性の透明な導電性の材料から成る１つまたは複数の導体路（９，１０）を有しており、半導体チップ（２）が、放射線取出し面（５）にそれぞれ少なくとも１つの電気的なコンタクト（７）を有しており、該電気的なコンタクト（７）が、前記１つの導体路（９，１０）または前記複数の導体路（９，１０）のうちの少なくとも１つの導体路に接続されており、
−少なくとも１つのルミネッセンス変換物質が、透明なカバー体（８）に含まれており、かつ／または層（１１）の形でカバー体（８）および／または半導体チップ（２）に被着されており、
−透明なカバー体（８）が、半導体チップ（２）から発せられた放射線のビーム成形のための光学素子として形成されており、
−カバー体（８）の側面が、湾曲された形状を有していて、該カバー体（８）は、封止用の流込み材料で充填された中空体であり、該中空体の壁は楕円状、双曲線状または放物線状に湾曲させられている
ことを特徴とするＬＥＤアレイ。」（以下「本願発明」という。）
　
３　当審拒絶理由通知
　当審拒絶理由通知で通知した拒絶理由の概要は、本件出願の特許請求の範囲の請求項に係る発明は、その最先の優先日前に日本国内または外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基いて、その最先の優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、という理由を含むものである。
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　
　刊行物１：特表２００４−５１７５０２号公報
　刊行物２：特表２００４−５２６３０７号公報
　
４　引用発明
（１）　引用する刊行物
　当審拒絶理由通知に引用し、本願の最先の優先日（２００５年２月２８日）前に頒布された刊行物１（特表２００４−５１７５０２号公報）には、図面とともに以下の記載がある（当審注：下線は、当審が付した。）。
　
ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（４）上に形成された光子を放射する活性層（５）と、基板（４）から見て活性層（５）の後に置かれた接触層（８）とを有する半導体チップ（２）を備えた発光ダイオードにおいて、
　
放射される光子に対して透過性であり、耐放射性の固体材料から形成されていて、かつ活性層（５）からの損失熱を放散するレンズ（３）を接触層（８）に配置し
ダイオード
【請求項２】
レンズ（３）が、接触層（８）に接触する導体帯（１２）を備える
…」
　
イ　「【０００８】
以下、図１乃至図６を参照しながら説明する実施例から、本発明の更なる利点および好ましい構成展開を明らかにする。これらの図において、実施例の同じ構成要素又は同じ働きをする構成要素には各々同じ参照番号が付している。」
　
ウ　「【０００９】
図１の発光ダイオードは、半導体チップ２とこれに取り付けられたレンズ３を有する。半導体チップ２は基板４を有し、基板上に単一量子井戸構造又は多重量子井戸構造のｐｎ接合６を備えた活性層５が形成されている。活性層５は、例えばＧａｘＡｌｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ（但し、０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）を基礎にしている。基板４の背面にはｎ側接触層が形成されていて、この層は特に反射するように形成されている。半導体チップ２の前面に、活性層５から発せられた光子に対し透過性のｐ側接触層８が配置されている。レンズ３は、このｐ側接触層８に境を接するか、ｐ側接触層８に対し物理的な接触を有する。ｐ側接触層８は、例えば約６ｎｍの厚みの白金膜、島状又は網状の金属構造、インジウム・錫酸化物（ＩＴＯ）或いはＺｎＯからなる。
【００１０】
ここでレンズ３は平凸面レンズであり、その平坦面に半導体チップ２を、これから放射される光子がレンズ３に入射するよう配置している。レンズ３は耐光性の無機固体材料から
なり、活性層５からの損失熱を放散する。
【００１１】
ここで耐光性とは、発光ダイオードの寿命期間を越えてなお、固体の吸収係数が１０％以上変化しないことを意味する。かかる素材は、例えばＳｉＣ、酸化アルミニウムＡｌ２Ｏ３、ガラスおよびガーネット結晶である。
【００１２】
活性層５から放射された光子が半導体チップとレンズを通過する経路を、図１に線９、１０で示す（屈折効果は無視）。活性層５から放射された光子は、ｐ側接触層８とレンズ３を通り抜けて出射面１１に達する。レンズ３の光学的特性が、発光ダイオード１の寿命期間にわたり僅かしか変化しないので、発光ダイオード１の寿命期間を超えてすら良好な出射効率を保証できる。
【００１３】
レンズ３の面の内、半導体チップ２に向う面に導体帯１２を形成している。更にレンズ３の下面に冷却体１３を配置しており、該冷却体は半導体チップ２からレンズ３に伝わる熱をレンズ３から放出するのに役立つ。」
　
エ　「【００１４】
図２に示す発光ダイオード１の実施例では、レンズ３が平坦面の側に凹部１４を有し、活性層６の大部分が凹部１４内にあるよう、凹部１４内に半導体チップ２を取り付けている。特に凹部１４を、ｐｎ接合６がその中にあるよう形成したので、半導体チップ２から横方向に出る光１７ｂをレンズ３が受容できる。
【００１５】
更に、レンズ３の出射面１１に反射防止層１５を設けてある。該層１５は出射面１１における屈折率の跳ね上がりを減らし、その結果レンズ３からの光の出射を容易にする。反射防止層１５は誘電体から作るとよい。該防止層１５は、
所定の波長の光を、より長い波長の光に変換する１つ以上の、光学的に活性な変換物質
この物質はレンズ３自体に埋めることもできる
【００１６】
更に図３に示す如く、図２の実施例による発光ダイオード１の底面側に反射層１６を設けている。反射層１６は導体帯１２で覆われていないレンズ３の底面上に広がっている。代替的に、この層１６をレンズの平らな面の内、凹部１４の外側の平面上に全面的に施してもよい。この場合、導体帯１２とレンズ３との間に反射層があり、その結果導体帯１２における吸収が大幅に減少する。
【００１７】
レンズ３の凸面に最初に突き当たった際、反射層１６により、図２に示す光線１７ａ，１７ｂの如く出射面１１から出射せず、出射面１１で後方へ反射させられた光線は反射層１６からレンズ３へ反射されるので、それらの光線は、場合により出射面１１に２回目に衝突した際にレンズ３から出射する。」
　
オ　「【００１８】
図４は変形した実施例を示す。この実施例では
レンズ３の下面に多数の半導体チップ２を固定
【００１９】
図５は、図４による発光ダイオード１を下から見た図を示す。これから
導体帯１２上における半導体チップ２の一連の接触
【００２０】
図１乃至５に示す発光ダイオード１は、例えば図４の実施例に対し、図６に示すように、ケース２０を備えることもでき、このケースは、例えばネジ部２１を介して従来の電球ソケットに捩じ込むことができる。
【００２１】
しかしながら、ケース２０については、例えば半導体技術において広まっている表面実装技術のような他の適当な接続技術を選ぶこともできる。」
　
カ　「【図面の簡単な説明】
…
【図４】
図４は発光ダイオードの他の変形された実施例の概略断面図を示す。
【図５】
図５は図４の発光ダイオードの概略底面図を示す。
…」
　
キ　図４、図５は、以下のとおりである。　
　
ク　上記オの記載を踏まえて図４、図５を見ると、半導体チップ２は、マトリクス状に配置されていることが理解できる。また、図４に描かれた光線１８、１９の軌跡によれば、活性層５から放出される光子は、接触層８を透過し、レンズ３の出射面で屈折して出射することが看て取れる。
　
（２）　引用発明
　以下、上記（１）アの記載、変形した実施例に係る上記（１）オの記載と図４、図５に基づいて引用発明を認定する。その際、上記（１）イには、「実施例の同じ構成要素又は同じ働きをする構成要素には各々同じ参照番号が付している」との記載があるから、同じ参照番号が付されている構成要素については、他の実施例の記載を参酌する。
　
ア　上記（１）アによれば、
「基板（４）上に形成された光子を放射する活性層（５）と、基板（４）から見て活性層（５）の後に置かれた接触層（８）とを有する半導体チップ（２）を備えた発光ダイオードにおいて、
　放射される光子に対して透過性であり、耐放射性の固体材料から形成されていて、かつ活性層（５）からの損失熱を放散するレンズ（３）を接触層（８）に配置し、
　レンズ（３）が、接触層（８）に接触する導体帯（１２）を備える、
　ダイオード。」
が記載されている。
　
イ　上記（１）オ、クによれば、半導体チップは、マトリクス状に配置されてレンズ３の下面に固定されている。また、活性層（５）から放出される光子は、接触層（８）を透過し、レンズ（３）の出射面で屈折する。
　
ウ　してみると、刊行物１には以下の発明が記載されている。
「基板上に形成された光子を放射する活性層と、基板から見て活性層の後に置かれた接触層とを有する半導体チップを備えた発光ダイオードにおいて、
　放射される光子に対して透過性であり、耐放射性の固体材料から形成されていて、かつ前記活性層からの損失熱を放散するレンズを前記接触層に配置し、
　前記半導体チップは、マトリクス状に配置されて前記レンズの下面に固定され、
　前記レンズが、前記接触層に接触する導体帯を備え、
　前記活性層から放出される光子は、前記接触層を透過し、前記レンズの出射面で屈折して出射する、
　発光ダイオード。」（以下「引用発明」という。）
　
５　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「半導体チップ」は、「基板上に形成された光子を放射する活性層と、基板から見て活性層の後に置かれた接触層とを有する」ところ、「前記活性層から放出される光子は、前記接触層を透過…して出射する」から、引用発明の「接触層」は、本願発明の「放射線取出し面（５）」に相当する。
　また、引用発明の「前記半導体チップ」は、「マトリクス状に配置され」ているから、その数は複数である。そして、引用発明の「放射される光子に対して透過性であ…るレンズ」は、本願発明の「発せられた放射線（４）に対して透過性の透明なカバー体（８）」に相当し、引用発明の「発光ダイオード」は、本願発明の「ＬＥＤアレイ」に相当する。
　してみると、本願発明の「それぞれ１つの放射線取出し面（５）を有する、放射線を発する複数の半導体チップ（２）を備えたＬＥＤアレイであって、半導体チップ（２）により発せられた放射線（４）が、主として放射線取出し面（５）を通じて取り出されるようになっており、さらに、発せられた放射線（４）に対して透過性の透明なカバー体（８）が設けられている形式のもの」と、引用発明の「光子を放射する活性層と、基板から見て活性層の後に置かれた接触層とを有する半導体チップを備えた発光ダイオードにおいて、放射される光子に対して透過性であ…るレンズを…配置し、前記半導体チップは、マトリクス状に配置され」ていることは、相当関係にある。
　
（２）本願発明の「透明なカバー体（８）が、半導体チップ（２）の放射線取出し面（５）に面した側の表面に、発せられた放射線（４）に対して透過性の透明な導電性の材料から成る１つまたは複数の導体路（９，１０）を有して」いることと、引用発明の「前記レンズが、前記接触層に接触する導体帯を備え」ることを対比すると、両者は、「透明なカバー体（８）が、半導体チップ（２）の放射線取出し面（５）に面した側の表面に、導電性の材料から成る１つの導体路（９，１０）を有して」いる点で一致する。
　また、本願発明の「半導体チップ（２）が、放射線取出し面（５）にそれぞれ少なくとも１つの電気的なコンタクト（７）を有し」ていることと、引用発明の「半導体チップ」が「基板から見て活性層の後に置かれた接触層とを有する」ことは、「半導体チップ（２）が、放射線取出し面（５）にそれぞれ１つの電気的なコンタクト（７）を有し」ている点で一致する。
　そして、本願発明の「該電気的なコンタクト（７）が、前記１つの導体路（９，１０）または前記複数の導体路（９，１０）のうちの少なくとも１つの導体路に接続されて」いることと、引用発明の「前記接触層に接触する導体帯」は、「該電気的なコンタクト（７）が、前記１つの導体路（９，１０）に接続されて」いる点で一致する。
　
（３）本願発明の「透明なカバー体（８）が、半導体チップ（２）から発せられた放射線のビーム成形のための光学素子として形成されて」いることと、引用発明の「前記活性層から放出される光子は、…前記レンズの出射面で屈折して出射する」ことは、「透明なカバー体（８）が、半導体チップ（２）から発せられた放射線の成形のための光学素子として形成されて」いる点で一致する。
　
（４）してみると、両者は、
「それぞれ１つの放射線取出し面（５）を有する、放射線を発する複数の半導体チップ（２）を備えたＬＥＤアレイであって、半導体チップ（２）により発せられた放射線（４）が、主として放射線取出し面（５）を通じて取り出されるようになっており、さらに、発せられた放射線（４）に対して透過性の透明なカバー体（８）が設けられている形式のものにおいて、
−透明なカバー体（８）が、半導体チップ（２）の放射線取出し面（５）に面した側の表面に、導電性の材料から成る１つの導体路（９，１０）を有しており、半導体チップ（２）が、放射線取出し面（５）にそれぞれ１つの電気的なコンタクト（７）を有しており、該電気的なコンタクト（７）が、前記１つの導体路（９，１０）に接続されており、
−透明なカバー体（８）が、光学素子として形成されている、
ＬＥＤアレイ。」
の点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点１：導体路が、本願発明では、「発せられた放射線（４）に対して透過性の透明」なものであるのに対し、引用発明では、そのようなものなのか否か不明である点。
　
相違点２：本願発明では、少なくとも１つのルミネッセンス変換物質が、透明なカバー体（８）に含まれており、かつ／または層（１１）の形でカバー体（８）および／または半導体チップ（２）に被着されているのに対し、引用発明では、そのようなものなのか否か不明である点。
　
相違点３：「光学素子として形成され」ている「カバー体（８）」が、本願発明では、「半導体チップ（２）から発せられた放射線のビーム成形のための」ものであり、「側面が、湾曲された形状を有していて、該カバー体（８）は、封止用の流込み材料で充填された中空体であり、該中空体の壁は楕円状、双曲線状または放物線状に湾曲させられている」のに対し、引用発明では、そのようなものなのか否か不明である点。
　
６　判断
　以下、上記相違点について検討する。
（１）相違点１について：
　半導体チップの光出力側に設ける配線として透明な導電材料を用いることは周知技術（例えば、当審拒絶理由通知で引用した刊行物２（特表２００４−５２６３０７号公報）【００４７】等には、エレクトロルミネッセント・エミッタ１２（当審注：引用発明の「半導体チップ」に相当する。）の光出射側に、パターン化した透明伝導層２２を設け、前記エミッタを独立に作動させることが記載されている。）であるから、引用発明に該周知技術を用い、半導体チップの活性層が放射する光子に対して透明な「導体帯」と為し、上記相違点１に係る本願発明の発明特定事項と為すことは、当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　
（２）相違点２について
　刊行物１には、図２の発光ダイオードについて、「【００１５】更に、レンズ３の出射面１１に反射防止層１５を設けてある。該層１５は出射面１１における屈折率の跳ね上がりを減らし、その結果レンズ３からの光の出射を容易にする。反射防止層１５は誘電体から作るとよい。該防止層１５は、所定の波長の光を、より長い波長の光に変換する１つ以上の、光学的に活性な変換物質を含む。この物質はレンズ３自体に埋めることもできる。」との記載があり、「所定の波長の光を、より長い波長の光に変換する１つ以上の、光学的に活性な変換物質」を「レンズ３自体に埋める」旨の技術事項が開示されている。そうすると、引用発明に上記技術事項を適用し、上記相違点２に係る本願発明の発明特定事項と為すことは、当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　
（３）相違点３について
　半導体チップから発せられる放射線（当審注：引用発明では、「放射される光子」）を光学素子によりビーム成形する技術手段は、周知であるから、引用発明において、レンズがビーム成形の機能を備えるよう為すことに困難性はない。そしてその際、該光学素子の側面形状は、成形するビーム形状に応じて当業者が適宜決定しうる設計事項であるところ、「側面が、湾曲された形状を有していて、」「楕円状、双曲線状または放物線状に湾曲させられている」光学素子は、例えば、特開２００６−５２４９０９号公報（【００３３】〜【００４４】、図１等参照。）に記載されるよう周知であるから、引用発明のレンズ形状として、上記周知の側面形状の光学素子を採用することに困難性は無い。
　また、レンズの形成方法として、外形がレンズ状の中空成形品の中空部分に、透明なモノマー状樹脂を封入し、反応硬化させることは、例えば特開昭５６−６７８０１号公報（例えば、特許請求の範囲の記載等を参照。）に記載されるよう、周知技術であるから、引用発明のレンズの形成方法として上記周知技術を採用することに困難性は無い。
　そうすると、引用発明のレンズとして、側面形状が円状、双曲線状または放物線状に湾曲したものである周知のレンズ形状を採用してビーム成形の機能を備えるように為すとともに、レンズの形成方法として、中空成形品に樹脂を封入する周知の形成方法を採用し、上記相違点３に係る本願発明の発明特定事項のように為すことは、当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　
（５）本願発明の作用効果について
　本願発明が奏する作用効果は、引用発明と周知技術に基づいて当業者が容易に予測しうる程度のものであり、格別顕著なものとは認められない。
　
７　むすび　
　以上のとおり、本願発明は、引用発明と周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。