【事件の表示】
　特願２０１０−５２６１５１「ミラー層を有する薄膜ＬＥＤおよびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　４月　２日国際公開、ＷＯ２００９／０３９８２０、平成２２年１２月２４日国内公表、特表２０１０−５４１２１８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願発明
　本願は、２００８年９月４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００７年９月２８日、ドイツ国）を国際出願日とする出願であって、平成２５年１月１５日に手続補正がなされ、同年７月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月２９日に拒絶査定不服審判請求がなされると同時に手続補正がなされ、その後、当審において平成２６年９月１６日付けで拒絶理由が通知され、平成２７年３月２３日に手続補正がなされたものであって、その請求項に係る発明は、平成２７年３月２３日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２１に記載される事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　
「薄膜ＬＥＤであって、
−　バリア層（３）と、
−　前記バリア層（３）に続いて前記バリア層（３）上に積層される第１のミラー層（２）と、
−　前記第１のミラー層（２）に続いて前記第１のミラー層（２）上に積層される積層体（５）であって、電磁放射を放出する少なくとも１つの活性層（５ａ）を有する、前記積層体（５）と、
−　前記積層体（５）に続いて積層され、放射出口領域（４）の上に配置されており、コンタクト領域（７）を有する少なくとも１つのコンタクト構造体（６）と、
　を備え、
　前記第１のミラー層（２）は、前記コンタクト構造体（６）の前記コンタクト領域（７）とは反対側に位置している領域に、前記コンタクト構造体（６）の前記コンタクト領域（７）よりも大きい切り欠き部を有し、
　前記バリア層（３）は、前記第１のミラー層（２）へ材料が拡散することを防止するように構成されており、
　前記積層体（５）に面している前記コンタクト構造体（６）の主領域は、反射層（９）を有する、
　薄膜ＬＥＤ。」
　　
２．引用例
（１）引用例の記載
　これに対して、当審の平成２６年９月１６日付け拒絶理由通知書に引用し、本願の優先日前に頒布された刊行物である国際公開第２００７／０３６１６４号（以下「引用例」という。）には、図とともに次の記載がある（日本語訳及び下線は当審による）。
　
　「[0061] FIG. 13 illustrates a process for fabricating an LED with complementary electrodes, wherein the upper electrode has a ring shape. Based on a generally known InGaAlN-device fabrication process, a GaN light-emitting layered structure is first fabricated on a growth Si substrate 1302 in Step A. Typically, a buffer layer 1304 is grown on substrate 1302. An n-type GaN layer 1306 is then grown on buffer layer 1304. In one embodiment, an InGaN/GaN multi-quantum-well active layer 1307 and a p-type GaN layer 1308 are formed on n-type GaN layer 1306. Chemical vapor deposition (CVD) can be used to fabricate these layers. In a further embodiment, the layered structure is placed in a 760℃ N2  environment for approximately 20 minutes for the purpose of annealing. 
　[0062] In Step B, an ohmic-contact layer 1310 is formed on the p-type GaN layer. In one embodiment, this fabrication step uses physical vapor deposition methods, such as electron- beam evaporation, filament evaporation, or sputter deposition. Ohmic-contact layer 1310 can also be a reflective material. Preferably, ohmic-contact layer 1310 has a reflectivity not less than 30%. In one embodiment, ohmic-contact layer 1310 comprises Pt. 
　[0063] Step C of the fabrication process removes portion of the ohmic-contact layer using photo lithography to produce a patterned ohmic-contact layer 1311. The removed portion corresponds to the shape of a ring. Note that ohmic-contact layer 1311 becomes the lower electrode after the structure is flipped upside down in subsequent steps.
　[0064] In Step D, a bonding metal material 1312 is deposited over ohmic-contact layer 134. Bonding metal material 1312, although being a conductive material, can form a high-resistance contact with the p-type layer. In one embodiment, bonding metal material 1312 comprises Au, because Au can form a Schottky barrier with p-type GaN.
　[0065] In Step E, the entire layered structure 1314 obtained in Step D is flipped upside down and bonded to a second Si substrate 1318, which is of low resistance. In addition, the bonding side of substrate 1318 is coated with a bonding metal material 1316 which is the same as bonding material 1312. On the other side of substrate 1318 is a layer of protective material 1320 which protects substrate 1318 from subsequent etching. In one embodiment, protective layer 1320 also comprises Au. Note that protective layer 1320 is generally a conductive material, so that a conductive path can form from the p-type GaN layer through bonding layer 1316, substrate 1318, and protective layer 1320.
　[0066] After bonding, a layered structure 1322 which includes two substrates is formed in Step F. In Step G, growth Si substrate 1302 is removed using, for example, wet etching based on KOH or HNA. Note that the resulting structure 1324 includes substrate 1318, because protective layer 1320 protects substrate 1318 from being attacked by the etchant.
　[0067] In Step H, another ohmic-contact layer 1326 is deposited on the top surface of structure 1324. Portions of ohmic-contact layer 1326 are then removed in Step I using photo lithography to produce a shaped upper ohmic-contact layer 1328. Ohmic-contact layer 1328 has a ring shape and substantially corresponds to the removed portion of lower ohmic-contact layer 1311. In general, the fabrication process illustrated in FIG. 13 can produce any substantially complementary electrode shapes, such as those illustrated in FIGs. 5-12. For example, the same process can be used to produce a star-shaped upper electrode and the corresponding lower electrode, as is illustrated in FIG. 7. In addition, the area of the removed portion of the lower electrode can be larger than the area of the upper electrode. In one embodiment, the area of the removed portion of the lower electrode is 1.5 times the area of the upper electrode.
　[0068] In a further embodiment, a high-resistance material can fill the region where the lower ohmic-contact layer is removed. For example, referring to FIG. 13, after portions of ohmic-contact layer 1311 are removed in Step C, a layer of SiO2 can fill the void where ohmic-contact layer 1311 is removed. The SiO2 layer can then be patterned and etched to expose ohmic-contact layer 1311 which has not been removed. Bonding ohmic-contact layer 1312 is then deposited over ohmic-contact layer 1311 and the SiO2 layer in Step D. Besides SiO2 , other conductive metals, such as Au, Al, and Ag, can also be used to fill the void, so long as the material can form a Schottky contact with p-type GaN layer 1308.」
（［００６１］図１３は、
上電極
相補的電極を有するＬＥＤ
緩衝層１３０４
ｎ型ＧａＮ層１３０６
ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸活性層１３０７
ｐ型ＧａＮ層１３０８
　［００６２］ステップＢでは、オーム接触層１３１０が、ｐ型ＧａＮ層上に形成される。一実施形態では、この加工ステップは、電子ビーム蒸着、フィラメント蒸着、またはスパッタ蒸着等の物理蒸着法を使用する。また、
オーム接触層１３１０は、反射物質であることができる。好ましくは、オーム接触層１３１０は、３０％以上の反射性を有する
　［００６３］加工プロセスのステップＣでは、
パターン化されたオーム接触層１３１１を生成するために、光リソグラフィを使用してオーム接触層の一部を除去する
オーム接触層１３１１は、次のステップで構造を上下逆に反転させた後、下電極となる
　［００６４］ステップＤでは、
接合金属物質１３１２
　［００６５］ステップＥでは、ステップＤで得られた層状構造１３１４全体が、上下逆に反転され、低抵抗性を有する第二のＳｉ基板１３１８に接合される。加えた、基板１３１８の接合面は、
接合物質１３１２と同じ接合金属物質１３１６
接合層１３１６
基板１３１８
保護層１３２０
　［００６６］ステップＦでは、接合後、２つの基板を含む層状構造１３２２が形成される。
ステップＧでは、成長Ｓｉ基板１３０２が、例えばＫＯＨまたはＨＮＡを基礎とするウェットエッチングを使用して除去される。
　［００６７］ステップＨでは、別のオーム接触層１３２６が、基板１３２４の上面上に成膜される。その後、成形された上
オーム接触層１３２８
下電極の除去された部分の領域は、上電極の領域よりも大きくすることもできる。一実施形態では、下電極の除去された部分の領域は、上電極の領域の１．５倍である
　［００６８］さらに別の実施形態では、高抵抗物質を、下オーム接触層が除去された領域に充填することができる。例えば、図１３を参照すると、ステップＣでオーム接触層１３１１の一部が除去された後、ＳｉＯ２層は、オーム接触層１３１１が除去された空洞を充填することができる。その後、除去されていないオーム接触層１３１１を暴露するために、ＳｉＯ２層は、パターン化され、エッチングされることが可能である。その後、ステップＤで、接合オーム接触層１３１２を、オーム接触層１３１１およびＳｉＯ２層上に成膜させる。また、物質がｐ型ＧａＮ層１３０８とショットキー接触を形成可能である限り、ＳｉＯ２に加え、Ａｕ、Ａｌ、およびＡｇ等の他の導電性金属を使用して、空洞を充填することもできる。）
　　　
（２）引用発明
　上記記載を参照して、引用例の図１３Ｉに示されるＬＥＤについてみれば、引用例には、
「保護層１３２０、基板１３１８、接合金属物質１３１６と接合金属物質１３１２の層、オーム接触層１３１１、ｐ型ＧａＮ層１３０８、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸活性層１３０７、ｎ型ＧａＮ層１３０６、緩衝層１３０４及びオーム接触層１３２８が順に積層されたＬＥＤであって、
　オーム接触層１３１１は、反射性を有するオーム接触層１３１０の一部を除去したものであり、
　下電極であるオーム接触層１３１１の除去された部分の領域は、上電極であるオーム接触層１３２８の領域よりも大きい、相補的電極を有するＬＥＤ。」（以下「引用発明」という。）
が記載されているものと認められる。
　　　　　
３．対比
　本願発明と引用発明を対比する。
（１）本願明細書の【００１３】には、「薄膜ＬＥＤ」について、「本発明によると、このＬＥＤは薄膜ＬＥＤとして具体化されている。薄膜ＬＥＤの場合、ＬＥＤの積層体が上に成膜させた（特に、堆積させた）製造基板（production substrate）を、部分的または完全に除去する。」と記載されているところ、引用発明の「ＬＥＤ」も、引用例の［００６６］に「ステップＧでは、成長Ｓｉ基板１３０２が、例えばＫＯＨまたはＨＮＡを基礎とするウェットエッチングを使用して除去される。」と記載されるように、成長基板を除去するものであるから、本願発明と同様に「薄膜ＬＥＤ」であるといえる。
（２）引用発明の「オーム接触層１３１１」は、「反射性を有するオーム接触層１３１０の一部を除去したもの」であるから、「ミラー層」であるといえ、本願発明の「第１のミラー層（２）」に相当する。
（３）引用発明の「ｐ型ＧａＮ層１３０８、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸活性層１３０７、ｎ型ＧａＮ層１３０６、緩衝層１３０４」は、「ＩｎＧａＮ／ＧａＮ多重量子井戸活性層１３０７」が本願発明の「活性層（５ａ）」に相当するところであり、本願発明の「前記第１のミラー層（２）に続いて前記第１のミラー層（２）上に積層される積層体（５）であって、電磁放射を放出する少なくとも１つの活性層（５ａ）を有する、前記積層体（５）」に相当する。
（４）引用発明の「オーム接触層１３２８」は、本願発明の「前記積層体（５）に続いて積層され、放射出口領域（４）の上に配置されており、コンタクト領域（７）を有する少なくとも１つのコンタクト構造体（６）」に相当する。
（５）引用発明は、「下電極であるオーム接触層１３１１の除去された部分の領域は、上電極であるオーム接触層１３２８の領域よりも大きい、相補的電極を有するＬＥＤ」であるから、本願発明と同様に、「前記第１のミラー層（２）は、前記コンタクト構造体（６）の前記コンタクト領域（７）とは反対側に位置している領域に、前記コンタクト構造体（６）の前記コンタクト領域（７）よりも大きい切り欠き部を有」するものといえる。
　
（６）以上のことから、両者は、
「薄膜ＬＥＤであって、
−　第１のミラー層（２）と、
−　前記第１のミラー層（２）に続いて前記第１のミラー層（２）上に積層される積層体（５）であって、電磁放射を放出する少なくとも１つの活性層（５ａ）を有する、前記積層体（５）と、
−　前記積層体（５）に続いて積層され、放射出口領域（４）の上に配置されており、コンタクト領域（７）を有する少なくとも１つのコンタクト構造体（６）と、
　を備え、
　前記第１のミラー層（２）は、前記コンタクト構造体（６）の前記コンタクト領域（７）とは反対側に位置している領域に、前記コンタクト構造体（６）の前記コンタクト領域（７）よりも大きい切り欠き部を有する、
　薄膜ＬＥＤ。」の点で一致する。
　
（７）一方、両者は、次の点で相違する。
　ａ．本願発明は、バリア層（３）を有し、第１のミラー層（２）が前記バリア層（３）に続いて該バリア層（３）上に積層され、前記バリア層（３）は、前記第１のミラー層（２）へ材料が拡散することを防止するように構成されているのに対し、引用発明は、このようなバリア層を有していない点。
　ｂ．本願発明は、積層体（５）に面しているコンタクト構造体（６）の主領域が反射層（９）を有しているのに対し、引用発明は、上電極であるオーム接触層１３２８が、このような反射層を有していない点。　
　　　　
４．判断
（１）上記相違点ａについて検討する。
　上記拒絶理由通知書で引用した、国際公開第２００６／１２８４４６号（「反射コンタクト層１７」と「接合層２０」との間に「バリア層１９」が設けられている点。）、国際公開第２００５／０７１７６３号（「第２のコンタクト層５」と「接続層３」との間に「バリア層４」が設けられている点。）、特開２００６−８６２０８号公報（「反射電極層２３」と「複合電極層３３」との間に「ＴａＮ層２４」が設けられている点。）、特開２００６−１２８２２７号公報（【００４０】に記載のように、ミラー層と表面層の間にバリア層を介在させる点。）、国際公開第２００６／０７６２１０号（第７頁７〜２３行に記載されるように、例えば、Ａｇ／Ｐｔミラー層の上方にＴｉＷＮ等のバリア層を形成してから銅等を成膜する点。）、国際公開第２００６／０３６５８２号（「ミラー層２４」と「はんだ層２６」の間に「バリア層２５」が設けられている点。）にみられるように、電極層と結合層の間に「バリア層」を設けることは、本願優先日において周知の技術であるから、引用発明において、「オーム接触層１３１１」と「接合金属物質１３１２」との間にバリア層を設けるようにして、上記相違点ａに係る本願発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
（２）上記相違点ｂについて検討する。
　上記拒絶理由通知書において、特開２００７−１０３６８９号公報（段落【００８１】、【００８２】及び図５等参照）及び特開２００７−１４２４２０号公報（段落【００２４】及び図２等参照）を引用して指摘したように、半導体発光素子の技術分野において、Ｎ側電極に反射層を有する構成は、本願優先日時点で周知であるから、引用発明のｎ型ＧａＮ層１３０６側の上電極であるオーム接触層１３２８に反射層を設けるようにすることに格別の困難性は認められない。
　請求人は、意見書において、これらの引用文献における反射層は、それらの下方の発光層で生成された光を反射するものであり、放射の生成が抑えられた領域に配置されるものでない旨の主張をするが、これらの引用文献における反射層が直下の発光層で生成された光のみを反射するものでないことは明らかである（どういう経路を経てきた光であろうと、反射層に到達した光を反射するものであることは明らかである）から、オーム接触層１３２８が放射の生成が抑えられた領域に配置されている引用発明においても、オーム接触層１３２８に到達する光を反射すべく反射層を設けることは、当業者が容易に想到し得るものと認められる。
　また、そのようにしたことによる効果についても当業者が予測可能なものであって、格別のものとはいえない。
　
５．むすび
　以上のとおりであって、本願発明は、引用発明及び上記周知技術に基いて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。