【事件の表示】
　特願２０１１−５０００８３「チップをウェハ上にボンディングするための方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　９月２４日国際公開、ＷＯ２００９／１１５２４０、平成２３年　５月　６日国内公表、特表２０１１−５１４６８６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成２１年３月１３日（パリ条約に基づく優先権主張外国庁受理　平成２０年３月１８日　欧州特許庁（ＥＰ））を国際出願日とする特許出願であって、平成２５年２月１８日付け拒絶理由通知に対する応答時、同年５月１４日付けで手続補正がなされたが、平成２６年２月２１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年７月３日付けで拒絶査定不服審判の請求及び手続補正がなされたものである。
　 
２．平成２６年７月３日付けの手続補正についての補正却下の決定 
［補正却下の決定の結論］ 
　平成２６年７月３日付けの手続補正を却下する。 
［理　由］ 
（１）補正後の本願発明 
　平成２６年７月３日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項１は、 
「【請求項１】
　複数のチップ（３）を一つのベースウェハ（１）にボンディングする方法であって、前記チップ（３）が複数の層になって前記ベースウェハ（１）上にスタックされ、これら垂直方向に隣接するチップ（３）ならびに前記ベースウェハ（１）と、前記ベースウェハ（１）に垂直方向に隣接するチップ（３）層との間に導電性接続（７）が存在する方法において、以下のステップ；
　ａ）前記ベースウェハ（１）を担体（５）上に固定するステップ、
　ｂ）チップ（３）の少なくとも一つの層を前記ベースウェハ（１）上の所定の位置に配置するステップ、
　ｃ）前記担体（５）に固定された前記ベースウェハ（１）の上で
、前記チップ（３）に圧力をかけて
をこの順番で有し、
　前記ステップｂ）およびステップｃ）が異なる装置内で実施され、
　前記担体（５）が前記ベースウェハ（１）の大きさにほぼ相当していることを特徴とする方法。」 
と補正された。
　
　上記補正は、請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「前記チップ（３）を熱処理するステップ」について、「前記チップ（３）に圧力をかけて」行う旨の限定を付加するものである。 
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
　
　そこで、本件補正後の上記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定する要件を満たすか）否かについて以下に検討する。 
 　 
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００４−２７３５２５号公報（以下、「引用例」という。）には、「半導体装置の製造方法」について、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した。）。 
　ア．「【００１０】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態による半導体装置の製造方法、半導体装置、及び電子機器について詳細に説明する。
本実施形態の半導体装置の製造方法は、概説すると薄板化したウェハ（基板）上に個々の半導体チップを積層する点を特徴とするものであり、全体の製造工程は半導体チップが積層させる基板を処理する第１処理工程と、積層する半導体チップを製造する第２処理と、基板上にチップを積層する第３処理とに大別される。
製造効率の観点からは、予め第２処理工程により半導体チップを形成しておき、第１処理工程が終了した後に第３処理工程を行うことが好ましい
　
　イ．「【００１１】
〔
第１処理工程
図１は、本発明の一実施形態による半導体装置の製造方法において処理対象として用いられる基板（半導体基板）の上面図である。
処理対処の基板１０は、例えばＳｉ（シリコン）基板であり
　　　　　　　　　　・・・・・（中　略）・・・・・
【００３６】
下地膜２２の形成が終了すると、基板１０の能動面１０ａ上にメッキレジストを塗布し、接続端子２４を形成する部分のみが開口した状態にパターニングしてメッキレジストパターン２８を形成する。図２（ｅ）はメッキレジストパターンを形成した状態を示す断面図である。その後、
Ｃｕ電解メッキを行って、図２（ｆ）に示す通り基板１０の孔部Ｈ３及びメッキレジストパターン２８の開口部にＣｕ（銅）を埋め込み、接続部としての接続端子２４を形成する
　　　　　　　　　　・・・・・（中　略）・・・・・
【００４３】
以上の工程が完了すると、基板１０の裏面１０ｂをエッチングして基板１０の厚みを減ずる工程が行われる
基板１０の厚みを減ずると基板１０の強度が低下して反りが生じたり又は基板１０が破損することがある。このため、基板１０の厚みを減じても基板１０の強度を保つため基板１０の能動面１０ａ側（再配置配線３２が形成された側）に支持部材を取り付けてある
【００４４】
図９（ａ）は、基板１０の能動面側に支持部材を取り付けた状態を示す断面図である。本実施形態においては、
支持部材として粘着樹脂４０と平坦なガラス基板４２とを用いている
ガラス基板４２は基板１０の強度を保つとともに、薄板化した基板１０の裏面に対する処理を行う上で取り扱いを容易にするためのものである
【００４５】
基板１０の能動面１０ａ側に粘着樹脂４０及びガラス基板４２を取り付けるには、まず液状の粘着樹脂４０をスピンコート等の塗布方法を用いて基板１０の能動面１０ａ側に塗布する。次に、塗布した粘着樹脂４０に対して加熱又はＵＶ照射を行って粘着樹脂４０を硬化させる。粘着樹脂４０の硬化後、粘着樹脂４０上に接着剤を塗布してガラス基板４２を粘着樹脂４０に接着する
【００４６】
粘着樹脂４０及びガラス基板４２の取り付けが完了すると、基板１０の裏面１０ｂに処理を行って基板１０を薄板化し、基板１０内に埋め込み形成された接続端子２４を吐出させる工程が行われる
　
　ウ．「【００６４】
〔
第３処理工程
第１処理工程を終えた基板１０は、図９（ｄ）に示す通り、基板１０の能動面１０ａ側に粘着樹脂４０及びガラス基板４２が取り付けられ
この基板１０に対して第２処理工程で製造された半導体チップ６０を積層する
【００６５】
次に、
基板１０の裏面１０ｂに形成されたアライメントマークＡＭの位置を検出し、この検出結果に基づいて半導体チップ６０を積層すべき位置に搬送し、半導体チップ６０と基板１０との位置合わせを行って、半導体チップ６０を基板１０の裏面１０ｂ側に積層する
【００６６】
次に、アライメントマークＡＭの検出結果に基づいて、次に積層すべき半導体チップ６０を積層すべき位置に搬送し、基板１０の裏面１０ｂ上に積層された半導体チップ６０上に半導体チップ６０を積層する
【００６７】
この工程を繰り返して複数段に亘り半導体チップ６０を積層する
【００６８】
半導体チップ６０の積層が完了すると、基板１０に形成された接続電極２４と半導体チップ６０に形成された接続電極５４との接合、及び半導体チップ６０に形成された接続電極５４同士の接合が行われる。この接合工程においては、半導体チップ６０が積層された基板６０をリフロー装置に入れて、接続電極２４及び接続電極５４並びに接続電極５４同士を無鉛ハンダ５８により接合する
【００６９】
図１３は、基板１０に形成された接続電極２４と半導体チップ６０に形成された接続電極５４とが接合されて基板１０上に半導体チップ６０が積層された状態を示す断面図である
【００７０】
以上の工程が終了すると、積層した半導体チップ６０及び基板１０をトランスファーモールドにより一括して封止する工程が行われる
【００７１】
基板１０及び半導体チップ６０の封止が完了すると、基板１０から粘着樹脂４０及びガラス基板４２を取り外す工程が行われる
　
　エ．「【００７４】
図１６に示すように、
半導体装置は接続部としての接続端子２４が形成された第１半導体チップとしての基板１０上に、貫通電極としての接続端子５４が形成された第２半導体チップとしての半導体チップ６０が複数積層された構造である
【００７５】
以上説明したように、本発明の一実施形態による
半導体装置の製造方法は、基板１０を切断せずに、いわゆるウェハの状態の基板１０上に半導体チップ６０を積層し、
　
　オ．「【００８１】
また、
上記実施形態においては、無鉛ハンダ５８を用いて半導体チップ６０と基板１０との接合（電気的接続）
を行っていたが、無鉛ハンダに代えて金等の金属又は合金を用いても良い
　
　・上記引用例に記載の「半導体装置の製造方法」は、上記「ア．」の記載事項によれば、全体の製造工程として、半導体チップが積層される基板を処理する第１処理工程と、積層する半導体チップを製造する第２処理工程と、第１処理工程及び第２処理工程が終了した後、基板上に半導体チップを積層する第３処理工程とからなるものである。
　・上記「エ．」の段落【００７４】の記載事項、及び図１６によれば、製造される半導体装置は、接続部としての接続端子２４が形成された基板１０上に、貫通電極としての接続端子５４が形成された半導体チップ６０が複数積層された構造である。
　・上記「ア．」、「イ．」、「エ．」の段落【００７５】の記載事項によれば、基板１０は、例えばシリコンウェハの状態のものであり、この状態の基板１０に対して半導体チップ６０が積層される。
　・上記「イ．」の記載事項によれば、第１処理工程として、基板１０の孔部Ｈ３等にＣｕ（銅）を埋め込み、接続部としての接続端子２４を形成する工程、基板１０の強度を保つとともに、基板１０の裏面に対する処理を行う上で取り扱いを容易にするために基板の能動面１０ａ側に支持部材を取り付ける工程、基板の裏面１０ｂの処理（エッチング）を行って基板１０の厚みを減ずる工程等を有する。
　・上記「ウ．」の記載事項によれば、第３処理工程は、第１処理工程によって能動面１０ａ側に支持部材が取り付けられた基板１０に対して第２処理工程で製造れた半導体チップ６０を積層すべき所定位置に複数段に亘り積層する工程を有する。
　そして、半導体チップ６０の積層が完了すると、半導体チップ６０が積層された基板１０をリフロー装置に入れて、基板１０に形成された接続電極２４と半導体チップ６０に形成された接続電極５４、及び半導体チップ６０に形成された接続電極５４同士を無鉛ハンダ５８により接合する工程が行われる。
　その後、積層した半導体チップ６０及び基板１０をトランスファーモールドにより一括して封止し、封止が完了すると、基板１０から支持部材を取り外す工程が行われる。
　
　したがって、上記記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「接続部としての接続端子が形成されたシリコンウェハの状態の基板上に、貫通電極としての接続端子が形成された半導体チップが複数積層された構造の半導体装置の製造方法であって、
　前記半導体チップが積層される前記シリコンウェハの状態の基板を処理する第１処理工程と、積層する前記半導体チップを製造する第２処理工程と、前記第１処理工程及び前記第２処理工程が終了した後、前記シリコンウェハの状態の基板上に前記半導体チップを積層する第３処理工程とからなり、
　前記第１処理工程は、前記シリコンウェハの状態の基板の孔部等にＣｕ（銅）を埋め込み、前記接続部としての接続端子を形成する工程と、前記シリコンウェハの状態の基板の強度を保つとともに、当該基板の裏面に対する処理を行う上で取り扱いを容易にするために当該基板の能動面側に支持部材を取り付ける工程と、前記シリコンウェハの状態の基板の裏面の処理（エッチング）を行って当該基板の厚みを減ずる工程、等を有し、
　前記第３処理工程は、前記第１処理工程によって能動面側に前記支持部材が取り付けられた前記シリコンウェハの状態の基板に対して前記第２処理工程で製造された前記半導体チップを積層すべき所定位置に複数段に亘り積層する工程と、前記半導体チップが積層された前記シリコンウェハの状態の基板をリフロー装置に入れて、当該基板に形成された前記接続電極と前記半導体チップに形成された前記接続電極、及び前記半導体チップに形成された前記接続電極同士を無鉛ハンダにより接合する工程と、積層した前記半導体チップ及び前記シリコンウェハの状態の基板をトランスファーモールドにより一括して封止し、封止が完了すると、前記シリコンウェハの状態の基板から前記支持部材を取り外す工程と、を有する半導体装置の製造方法。」
　
（３）対比 
　そこで、本願補正発明と引用発明とを対比すると、 
　ア．引用発明における「半導体チップ」、「シリコンウェハの状態の基板」は、それぞれ本願補正発明における「チップ」、「ベースウェハ」に相当し、
　引用発明における「接続部としての接続端子が形成されたシリコンウェハの状態の基板上に、貫通電極としての接続端子が形成された半導体チップが複数積層された構造の半導体装置の製造方法であって・・・・前記半導体チップが積層された前記シリコンウェハの状態の基板をリフロー装置に入れて、当該基板に形成された前記接続電極と前記半導体チップに形成された前記接続電極、及び前記半導体チップに形成された前記接続電極同士を無鉛ハンダにより接合する工程と・・」によれば、
　引用発明における、シリコンウェハの状態の基板に形成された接続部としての「接続端子」及び半導体チップに形成された貫通電極としての「接続端子」は、シリコンウェハの状態の基板と当該基板に積層方向に隣接する半導体チップとの間、及び積層方向に隣接する半導体チップ間において接合すなわち電気的接続がなされるものであることから、本願補正発明でいう「導電性接続」に相当するといえ、
　本願補正発明と引用発明とは、「複数のチップを一つのベースウェハにボンディングする方法であって、前記チップが複数の層になって前記ベースウェハ上にスタックされ、これら垂直方向に隣接するチップならびに前記ベースウェハと、前記ベースウェハに垂直方向に隣接するチップ層との間に導電性接続が存在する方法において」の点で一致する。
　
　イ．引用発明における「支持部材」は、本願補正発明における「担体」に相当し、
　引用発明における「前記半導体チップが積層される前記シリコンウェハの状態の基板を処理する第１処理工程と、・・・・前記第１処理工程は、前記シリコンウェハの状態の基板の孔部等にＣｕ（銅）を埋め込み、前記接続部としての接続端子を形成する工程と、前記シリコンウェハの状態の基板の強度を保つとともに、当該基板の裏面に対する処理を行う上で取り扱いを容易にするために当該基板の能動面側に支持部材を取り付ける工程と、前記シリコンウェハの状態の基板の裏面の処理（エッチング）を行って当該基板の厚みを減ずる工程、等を有し、」によれば、
　引用発明においても、シリコンウェハの状態の基板の能動面側に支持部材を取り付ける工程、つまりシリコンウェハの状態の基板を支持部材上に固定する工程を有しているから、
　本願補正発明と引用発明とは、「ａ）前記ベースウェハを担体上に固定するステップ」を有する点で一致する。
　
　ウ．引用発明における「・・前記第１処理工程及び前記第２処理工程が終了した後、前記シリコンウェハの状態の基板上に前記半導体チップを積層する第３処理工程とからなり、・・・・前記第３処理工程は、前記第１処理工程によって能動面側に前記支持部材が取り付けられた前記シリコンウェハの状態の基板に対して前記第２処理工程で製造された前記半導体チップを積層すべき所定位置に複数段に亘り積層する工程と、・・」によれば、
　引用発明においても、半導体チップをシリコンウェハの状態の基板上の積層すべき所定位置に複数段に亘り積層する工程を有しているから、
　本願補正発明と引用発明とは、「ｂ）チップの少なくとも一つの層を前記ベースウェハ上の所定の位置に配置するステップ」を有する点で一致する。
　
　エ．引用発明における「前記半導体チップが積層される前記シリコンウェハの状態の基板を処理する第１処理工程と、・・・・前記第１処理工程及び前記第２処理工程が終了した後、前記シリコンウェハの状態の基板上に前記半導体チップを積層する第３処理工程とからなり、・・・・前記第３処理工程は、前記第１処理工程によって能動面側に前記支持部材が取り付けられた前記シリコンウェハの状態の基板に対して前記第２処理工程で製造された前記半導体チップを積層すべき所定位置に複数段に亘り積層する工程と、前記半導体チップが積層された前記シリコンウェハの状態の基板をリフロー装置に入れて、当該基板に形成された前記接続電極と前記半導体チップに形成された前記接続電極、及び前記半導体チップに形成された前記接続電極同士を無鉛ハンダにより接合する工程と、積層した前記半導体チップ及び前記シリコンウェハの状態の基板をトランスファーモールドにより一括して封止し、封止が完了すると、前記シリコンウェハの状態の基板から前記支持部材を取り外す工程と、を有する半導体装置の製造方法。」によれば、
 (a)引用発明においても、半導体チップが積層されたシリコンウェハの状態の基板をリフロー装置に入れて、当該基板や半導体チップに形成された接続電極同士の無鉛ハンダによる接合を行う工程を有しており、リフロー装置において熱処理されることは自明であり、その際、シリコンウェハの状態の基板には支持部材が取り付けられたままである。
 (b)そして、シリコンウェハの状態の基板に対して半導体チップを積層する工程が終わった後に、当該半導体チップが積層されたシリコンウェハの状態の基板をリフロー装置に入れるのであるから、半導体チップを積層する工程とリフロー装置による接合工程（熱処理工程）とは異なる装置内で実施されるものであることは明らかであるといえる。
　したがって、本願補正発明と引用発明とは、後述の相違点を除いて「ｃ）前記担体に固定された前記ベースウェハの上で、前記チップを熱処理するステップ、をこの順番で有し、前記ステップｂ）およびステップｃ）が異なる装置内で実施される方法。」る点で共通するといえる。
　
　よって、本願補正発明と引用発明とは、
「複数のチップを一つのベースウェハにボンディングする方法であって、前記チップが複数の層になって前記ベースウェハ上にスタックされ、これら垂直方向に隣接するチップならびに前記ベースウェハと、前記ベースウェハに垂直方向に隣接するチップ層との間に導電性接続が存在する方法において、以下のステップ；
　ａ）前記ベースウェハを担体上に固定するステップ、
　ｂ）チップの少なくとも一つの層を前記ベースウェハ上の所定の位置に配置するステップ、
　ｃ）前記担体に固定された前記ベースウェハの上で、前記チップを熱処理するステップ、
をこの順番で有し、
　前記ステップｂ）およびステップｃ）が異なる装置内で実施される方法。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
［相違点１］　 
　チップを熱処理するステップについて、本願補正発明では、「前記チップに圧力をかけて」行う旨特定するのに対し、引用発明では、そのような特定を有していない点。
　
［相違点２］ 
　本願補正発明では、「前記担体が前記ベースウェハの大きさにほぼ相当している」と特定するのに対し、引用発明では、そのような明確な特定を有していない点。
　
（４）判断 
　上記相違点について検討する。 
［相違点１］について 
　引用例の段落【００８１】には、半導体チップと基板との接合を「無鉛ハンダに代えて金等の金属又は合金を用いても良い」と記載（上記「（２）オ．」を参照）され、金属接合によるボンディングも示唆されているところ、例えば原査定の拒絶の理由に引用された特開２００６−１７９５６２号公報（段落【００５４】を参照）、さらには特開平９−３２６４１８号公報（段落【００２１】を参照）、特開２００５−２６５６４号公報（段落【００３１】を参照）、特開２００７−１５８２００号公報（段落【０００８】を参照）に記載のように、チップボンディング等における接続端子（電極）同士の接合において、ハンダを用いてリフロー（加熱溶融）する方法も、金属を用いて加熱・加圧（熱圧着）する方法もともに周知の技術事項であり、引用発明においても、ハンダを用いたリフロー（加熱溶融）による接合に代えて金属を用いた加熱・加圧（熱圧着）による方法を採用して相違点１に係る構成とすることは当業者であれば容易になし得ることである。
　
［相違点２］について 
　引用発明において、支持部材（本願補正発明における「担体」に相当）は基板の強度を保つとともに、薄板化した基板の裏面に対する処理を行う上で
取り扱いを容易
　
　そして、上記各相違点を総合的に判断しても本願補正発明が奏する効果は、引用発明及び周知の技術事項から当業者が十分に予測できたものであって、格別顕著なものがあるとはいえない。 
　 
（５）むすび 
　以上のとおり、本願補正発明は、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
３．本願発明について 
　平成２６年７月３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２５年５月１４日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのものである。 
「【請求項１】
　複数のチップ(３)を一つのベースウェハ(１)にボンディングする方法であって、前記チップ(３)が複数の層になって前記ベースウェハ(１)上にスタックされ、これら垂直方向に隣接するチップ(３)ならびに前記ベースウェハ(１)と、前記ベースウェハ(１)に垂直方向に隣接するチップ(３)層との間に導電性接続(７)が存在する方法において、以下のステップ；
　ａ)前記ベースウェハ(１)を担体(５)上に固定するステップ、
　ｂ)チップ(３)の少なくとも一つの層を前記ベースウェハ(１)上の所定の位置に配置するステップ、
　ｃ)前記担体(５)に固定された前記ベースウェハ(１)の上で前記チップ(３)を熱処理するステップ、
をこの順番で有し、
　前記ステップｂ)およびステップｃ)が異なる装置内で実施され、
　前記担体(５)が前記ベースウェハ(１)の大きさにほぼ相当していることを特徴とする方法。」
 　 
（１）引用例 
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。 
 　 
（２）対比・判断 
　本願発明は、前記「２．」で検討した本願補正発明の発明特定事項である「前記チップ（３）を熱処理するステップ」について、「前記チップ（３）に圧力をかけて」行う旨の限定を省いたものに相当する。 
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、更に他の限定事項を付加したものに相当する本願補正発明が前記「２．（４）」に記載したとおり、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび 
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。