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　平成　５年特許願第１２９９６９号「固体撮像素子の欠陥検出装置及びこれを用いた欠陥補正装置並びにカメラ」拒絶査定に対する審判事件［平成　６年１１月１５日出願公開、特開平　６−３１９０８６］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯・本願発明
　本願は、平成５年５月６日の出願であって、「固体撮像素子の欠陥検出装置及びこれを用いた欠陥補正装置並びにカメラ」（請求項の数５）に係る発明であるところ、平成１３年７月２３日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「マトリクス状に２次元配列されたフォトセンサ及びこのフォトセンサの垂直列毎に配された垂直転送レジスタを具備した固体撮像素子において、
　前記フォトセンサから前記垂直転送レジスタへ信号電荷を読み出すための読み出しパルス及び前記垂直転送レジスタを駆動して信号電荷を垂直転送するための垂直転送クロックを発生するとともに、前記固体撮像素子をフィールド読出しにて駆動するタイミングジェネレータと、
　欠陥検出時に前記読出しパルスの発生を２以上の偶数の数のフィールドだけ停止し、その後に前記読出しパルスを発生させて全ての画素の信号電荷を読み出し、かつ前記垂直転送クロックを連続して発生させて全ての画素の信号電荷を出力させるべく前記タイミングジェネレータを制御する制御手段と、
　前記固体撮像素子の撮像出力レベルに基づいて欠陥画素を検出する欠陥検出手段と、
　前記欠陥画素についての欠陥データを記憶するメモリと
　を備えたことを特徴とする欠陥検出装置。」
　
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶理由で引用された特開平５−１０３２６５号公報（発明の名称「固体撮像装置」。以下「引用例１」という。）、特開平４−１１７０８３号公報（発明の名称「欠陥画素検出装置」。以下「引用例２」という。）には、次のとおりのことが記載されている。
　
　引用例１について
（ａ）「画素単位で２次元配列されて入射光を信号電荷に変換して蓄積する複数個のフォトセンサ１と、これらフォトセンサ１の垂直列毎に配されかつ読出しゲート２を介して読み出された信号電荷を垂直転送する垂直シフトレジスタ（垂直転送部）３とによって撮像領域４が構成されている。
　垂直シフトレジスタ３は垂直駆動パルスφＶ１〜φＶ４によって４相駆動される。この垂直シフトレジスタ３の電極のうち、垂直駆動パルスφＶ１，φＶ３が印加される電極は、フォトセンサ１に蓄積された信号電荷を読み出す読出しゲート２を兼ねている。垂直シフトレジスタ３に読み出された信号電荷は、１水平期間の周期で水平シフトレジスタ（水平転送部）５へ転送される。」（段落【０００７】〜【０００８】、図１）
（ｂ）「タイミングジェネレータ７からは、垂直シフトレジスタ３を４相駆動する垂直駆動パルスφＶ１〜φＶ４や、水平シフトレジスタ５を２相駆動する水平駆動パルスφＨ１，φＨ２等の各種のタイミング信号が発生される。発生された各種タイミング信号のうち、垂直駆動パルスφＶ１〜φＶ４および水平駆動パルスφＨ１，φＨ２は駆動回路８を介して垂直シフトレジスタ３および水平シフトレジスタ５にそれぞれ供給される。」（段落【００１０】）
（ｃ）「タイミングジェネレータ７は、例えば１画素の信号蓄積時間がフレーム周期となるフレーム蓄積（フレーム読出し）方式を例に挙げると、通常動作モードでは、図３に示すように１／３０秒の周期で、画像欠陥判定モードでは、図４に示すように（１／３０）×ｎ秒の周期で読出しパルスＶＴを発生する。ここに、ｎは２以上の整数であり、本例では、ｎ＝４として説明する。なお、１画素の信号蓄積時間がフィールド周期となるフィールド蓄積（フィールド読出し）方式の場合には、通常動作モードでは１／６０秒の周期で、画像欠陥判定モードでは（１／６０）×ｎ秒の周期で読出しパルスＶＴを発生する。」（段落【００１２】）
（ｄ）「電荷検出部６から時系列的に出力される画素信号は、サンプルホールド回路１０においてタイミングジェネレータ７から水平駆動パルスφＨ１，φＨ２に同期して発生されるサンプルホールド信号ＳＰによってサンプルホールドされ、各フォトセンサ１に発生した信号電荷に対応した画素データを出力する。この画素データは通常動作モードではそのままビデオ出力となってモニタ（図示せず）に供給され、画像欠陥判定モードでは測定器１１に供給される。測定器１１は画像欠陥を判定するために画素データ中に含まれるノイズ成分のレベルを測定する。（段落【００１３】、図１）
（ｅ）「画像欠陥判定モードでは、信号電荷の読出しの基本的な動作は通常動作モードの場合と同じであるが、その読出し周期が通常動作モードの場合の読出し周期（１／３０秒）のｎ（本例では、ｎ＝４）倍となっている。すなわち、図４に示すように、読出しパルスＶＴの発生を一定時間だけ停止し、通常動作モードの場合に対して間引くのである。これにより、１つの画素の信号電荷の蓄積時間が４倍に延長されるので信号電荷を４倍に増幅させたのと等価となる。
　ここで、微小点欠陥の如き画像欠陥の判定の場合を考えると、通常動作モードで判定を行ったのでは、図６に示すように、電荷検出部６の出力レベルが非常に小さいことから、微小点欠陥の原因となるノイズ成分が駆動系やアンプ系で発生する外来ノイズ中に埋もれてしまい、人間の目で見て分かるような画像欠陥を正確に判定することができないことになる。
　これに対し、本発明において、１つの画素の信号電荷の蓄積時間を４倍に延長することにより、図７に示すように、電荷検出部６の出力レベルが４倍になり、微小点欠陥の原因となるノイズ成分も増幅されるため、外来ノイズが存在してもそれらとは明らかに識別でき、人間の目で見て分かるような画像欠陥を正確に判定できることになる。信号電荷の蓄積時間は、読出しパルスＶＴを抜く回数ｎの選定によって任意に設定できる。」（段落【００１６】〜【００１８】）
　
　引用例２について
（ｆ）「メモリ１４には例えば第４図(ｂ)に示すメモリ領域Ｍ４等に、欠陥画素であることを示すハイレベルの欠陥画素位置データが記憶され、他のメモリ領域には正常な画素であることを示すローレベルのデータが記憶される。
　なお、上記メモリ１４にＣＣＤイメージセンサ４上の各画素に対応するメモリ領域を設け、このメモリ領域にハイレベルの欠陥画素位置データ等を記憶するようにしたが、上記メモリ１４に上記差分出力がハイレベルになったときのみ、このハイレベルの差分出力を出力した画素の位置を記憶するようにしてもよい。」（第４頁右下欄７行〜同欄１８行）
　
３．対比
　本願発明と引用例１に記載された発明とを対比すると、次のことがいえる。
イ．引用例１は固体撮像装置の画像欠陥をみつけているものだから、本願発明の「欠陥検出装置」に相当する技術分野である。
ロ．引用例１は、上記（ａ）に記載されているように、２次元配列された複数個の「フォトセンサ１」と前記フォトセンサ１の垂直列毎に配された「垂直シフトレジスタ３」とによって撮像領域を構成しているのであるから、本願発明の「マトリクス状に２次元配列されたフォトセンサ及びこのフォトセンサの垂直列毎に配された垂直転送レジスタを具備した固体撮像素子」を備えているものである。
ハ．引用例１は、上記（ａ）及び（ｂ）に記載されているように、フォトセンサ１に蓄積された電荷を読み出す読み出しゲートを兼ねた垂直シフトレジスタ３を駆動する垂直駆動パルスをタイミングジェネレータ７から発生させているから、本願発明の「フォトセンサから垂直転送レジスタへ信号電荷を読み出すための読み出しパルス及び前記垂直転送レジスタを駆動して信号電荷を垂直転送するための垂直転送クロックを発生するタイミングジェネレータ」を備えているものである。
　また、引用例１のタイミングジェネレータ７は、上記（ｃ）に記載されているように、フレーム読出しを例にあげて説明しているが、フィールド読出しも適宜行える旨の記載となっていることから、本願発明のタイミングジェネレータと同様に「固体撮像素子をフィールド読出しにて駆動する」ことができるといえる。
ニ．引用例１は、上記（ｄ）及び（ｅ）に記載されているように、欠陥検出時に読出しパルスの発生が通常の読出し周期のｎ倍（上記（ｃ）の記載によると、ｎは２以上の整数）となるように読出しパルスの発生を一定時間停止し、その後に画素の信号電荷を読み出して電荷検出部６に出力し、それを測定器１１に供給して画素データ中に含まれるノイズ成分のレベルを測定するものである。このレベルの測定は、画素の欠陥を判定するために行うものであるから、全ての画素各々についてレベルを測定すると解するのが自然である。したがって、引用例１に記載された発明も、パルスの発生を一定期間停止した後に、全ての画素の信号電荷を読み出し・出力させているものといえる。また、上記（ｃ）に記載されているように、引用例１に記載された発明はフィールド読出しで行うこともでき、この場合にもパルスの発生を一定数以上のフィールドだけ停止させるものである。そして、上記（ｅ）によれば、読出しパルスを抜く回数は任意に選定することができる。
　したがって、引用例１は、本願発明の「欠陥検出時に読出しパルスの発生を一定数のフィールドだけ停止し、その後に前記読出しパルスを発生させて全ての画素の信号電荷を読み出し、かつ垂直転送クロックを連続して発生させて全ての画素の信号電荷を出力させるべくタイミングジェネレータを制御」することを行っているものといえる。
ホ．引用例１は、上記（ｄ）に記載されているように、出力された画素データ中に含まれるノイズ成分のレベルを測定して画像欠陥を判定する測定器１１を備えており、これは本願発明の「固体撮像素子の撮像出力レベルに基づいて欠陥画素を検出する欠陥検出手段」に相当する。
　
　以上、上記イないしホの対比結果によれば、本願発明と引用例１に記載された発明とは次の点で一致する。
「マトリクス状に２次元配列されたフォトセンサ及びこのフォトセンサの垂直列毎に配された垂直転送レジスタを具備した固体撮像素子において、
　前記フォトセンサから前記垂直転送レジスタへ信号電荷を読み出すための読み出しパルス及び前記垂直転送レジスタを駆動して信号電荷を垂直転送するための垂直転送クロックを発生するとともに、前記固体撮像素子をフィールド読出しにて駆動するタイミングジェネレータと、
　欠陥検出時に前記読出しパルスの発生を一定数のフィールドだけ停止し、その後に前記読出しパルスを発生させて全ての画素の信号電荷を読み出し、かつ前記垂直転送クロックを連続して発生させて全ての画素の信号電荷を出力させるべく前記タイミングジェネレータを制御する制御手段と、
　前記固体撮像素子の撮像出力レベルに基づいて欠陥画素を検出する欠陥検出手段と、
　を備えたことを特徴とする欠陥検出装置。」の点。
　
　そして、本願発明と引用例１に記載された発明とは次の２点で一応相違をする。
（１）本願発明は「欠陥検出時に前記読出しパルスの発生を２以上の偶数の数のフィールドだけ停止」するのに対し、引用例１には「２以上の偶数の数だけ停止」させる旨の直接の記載がない点。
（２）本願発明は「欠陥画素についての欠陥データを記憶するメモリ」を備えているのに対して、引用例１にはその旨の記載がない点。
　
　４．当審の判断
　上記相違点（１）について検討する。
　引用例１は、上記（ｃ）に記載されているように、画像欠陥を測定する場合にはフィールド読出しを通常動作モードのｎ（ｎは２以上の整数）倍の周期で読出しパルスを発生することが可能なものである。ここでフィールド読出しにした場合は、ｎを偶数にすると同一のフィールドしか読出すことができないから、ｎを３以上の奇数に限定するものである。そして、引用例１の発明において、「ｎは３以上の奇数」とすることに阻害要因はなく、そうすることにより本願発明の「２以上の偶数の数のフィールドだけパルスの発生を停止」させることになる。したがって、上記相違点（１）は、引用例１に記載された発明から必要に応じて適宜選択し得る事項であって格別なものとはいえない。
　
　上記相違点（２）について検討する。
　欠陥画素を検出した欠陥データを記憶するためのメモリを設けることは、引用例２（上記（ｆ）の記載を参照）に記載されているように、欠陥検出装置において適宜なし得ることである。したがって、上記相違点（２）は必要に応じて適宜なし得る事項であって格別なものとはいえない。
　
　以上のとおり、本願発明における上記相違点（１）ないし（２）は、いずれも当業者が容易に想到し得たといえるものであり、各相違点相互の関係を考慮しても想到困難な格別な事項は見い出せない。
　また、本願発明の効果についても、当業者が当然に予測し得る程度のものにすぎず、格別顕著なものがあるとはいえない。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、他の請求項２ないし５に係る発明について検討するまでもなく、本願は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。