【事件の表示】
　平成４年特許願第３５１９４８号「ＬＥＤ素子」拒絶査定に対する審判事件［平成６年６月２４日出願公開、特開平６−１７７４２９］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【1】手続の経緯・本願発明
　本願は平成4年12月8日に出願されたものであり、本願の請求項1に係る発明は、平成13年2月5日付け手続補正書にて補正された明細書の特許請求の範囲、請求項1に記載された以下のとおりのものである。
　「【請求項1】透光性基板と、該透光性基板上にn型及びp型窒化ガリウム系半導体層とを有し、前記n型及びp型窒化ガリウム系半導体層の電極が同一面側に形成されたLEDチップが、一対のリードフレームのうちの一方のリードフレーム上に載置されてなるLED素子であって、前記一方のリードフレームは前記LEDチップの側面を全周に亙って包囲するカップ部を有し、該カップ部の底部に、表面にn側とp側の金属電極層が形成された絶縁スペーサが載置され、前記LEDチップの電極と、前記絶縁スペーサの金属電極層とが対向して接続されていることを特徴とするLED素子。」(以下、「本願発明」という。)
　
【2】引用例
　これに対して、原査定の拒絶理由として引用した、特開平2-198178号公報、特開昭63-15483号公報(以下、「引用例1」、「引用例2」という。)には、以下の事項が記載されている。
【2-1】引用例1
1頁左下欄下から2行〜右下欄9行
　「(産業上の利用分野) 本発明は、発光ダイオード装置、特に発光面がドーム状となる発光ダイオード素子(以下、単にチップとも称する。)を光取り出し面が曲面となる透明樹脂からなるパッケージで封止した発光ダイオード装置に関する。 (従来の技術) 発光ダイオード(発光ダイオード素子)は光通信用光源として、あるいはカメラやVTR(Video Tape Recorder)等のオートフフォーカス用光源として使用されている。」
3頁右上欄3行〜13行
　「(実施例) 以下図面を参照して本発明の一実施例について説明する。第1図は本発明の一実施例による発光ダイオード装置を示す正面図、第2図は同じく発光ダイオード素子の固定状態を示す断面図、第3図は同じく発光ダイオード素子とサブマウントとの位置関係を示す分解斜視図、第4図は同じく発光ダイオード装置の組立状態を示す正面図、第5図は同じく発光ダイオード装置の製造におけるモールド状態を示す断面図」
3頁右上欄3行〜4頁右上欄15行
　「この実施例による発光ダイオード装置1は、第1図に示されるように、外観的には下部が太い段付円柱状の透明レジンからなるレジンパッケージ2と、このレジンパッケージ2の下端から突出する2本のリード3とからなっている。前記レジンパッケージ2の上端は光取り出し面4となり、曲率半径の逆数である曲率Rを有する曲面となっている。また、このレジンパッケージ2内にあっては、前記リード3の一方の一端面(上端面)には、第2図の拡大断面図で示すように金とシリコンとからなる共晶層5によってサブマウント6が固定されているとともに、このサブマウント6上にはフェイスダウン構造でドーム状の発光ダイオード素子(ドーム状チップ)7が固定されている。また、前記ドーム状チップ7の発光源(発光位置)から前記レジンパッケージ2の光取り出し面4に至る距離hは1.0mmとなっている。ここで前記ドーム状チップ7について簡単に説明する。前記ドーム状チップ7は、第2 図および第3図に示されるように、一面が半球状(ドーム状)のドーム面10となっていて、同図では下面となる主面、すなわち平坦面11にカソード電極12およびアノード電極13を有している。前記カソード電極12は、主面の中央に位置し、数十から百μm前後の直径の点電極となっている。また、前記アノード電極13は、この点電極であるカソード電極12を同心円的に取り図むような馬蹄形電極となっている。また、第2図に示されるように、前記カソード電極12の下層のn+形層14と、前記アノード電極13の下層のp+形層15とは、リング状に設けられた溝(メサエッチ溝)によって電気的に分断されている。また、前記n+形層14の内側には、n形層16,p形層17,GaAlAs層18が順次設けられている。前記p形層17は前記p+形層15と接し、かつ前記溝はpn 接合をリング状に分断するように深く設けられている。また、前記溝はPSG膜やSiO2膜を重ねたパッシベーション膜19で被われている。前記ドーム状チップ7はドーム高さ200μm,ドーム半径が200μmとなっている。また、前記溝で規定される発光径は100〜300μm前後、たとえば、200μmとなっている。一方、前記リード3の先端に取り付けられたサブマウント6はシリコンで形成されているが、サブマウント6上に固定されるドーム状チップ7と、このサブマウント6を取り付けるリード3とを電気的に絶縁する必要があることから、その上面には絶縁層25が設けられている。また、第3図に示されるように、前記サブマウント6の主面(上面)には、所望のパターンからなるアノード配線層26およびカソード配線層27が設けられている。前記アノード配線層26はドーム状チップ7のアノード電極13に対応するパターンとなるとともに、一部はサブマウント6の一端側に延在し、ワイヤを接続するためのボンディングパッド28を構成している。また、前記カソード配線層27はドーム状チップ7のカソード電極12に対応するパターンとなるとともに、一部はサブマウント6の他端側に延在し、ワイヤを接続するためのボンディングパッド29を構成している。そして、前記ドーム状チップ7は、第2図に示されるように、フェイスダウンボンディングによって、前提サブマウント6に位置決め固定されている。また、前記サブマウント6のボンディングパッド28,29と、これに対応するリード3は金線からなるワイヤ30によって電気的に接続されている。このような発光ダイオード装置1は、前記2本のリード3に所���の電圧を印加することによって、前記レジンパッケージ2内に封入されたドーム状チップ7から光31を発光するようになっている。」
5頁左上欄末行〜右上欄10行
　「一方、前記サブマウント6上にはドーム状チップ7アノード配線層26およびカソード配線層27に対して位置決めされかつフュイスダウンボンディングによって固定される。そこで、このようにドーム状チップ7が取り付けられたサブマウント6が前記リードフレーム40の固定部43上に共晶層5によって固定される。つぎに、前記サブマウント6のアノード配線層26およびカソード配線層27のボンディングパッド28,29と、両リード3がAuからなるワイヤ30で電気的に接続される。」
6頁右上欄14行〜左下欄4行
　「4.図面の簡単な説明 第1図は本発明の一実施例による発光ダイオード装置を示す正面図、第2図は同じく発光ダイオード素子の固定状態を示す断面図、第3図は同じく発光ダイオード素子とサブマウントとの位置関係を示す分解斜視図、第4図は同じく発光ダイオード装置の組立状態を示す正面図、第5 図は同じく発光ダイオード装置の製造におけるモールド状態を示す断面図」
　
【2-2】引用例2
(1)1頁右下欄13行〜2頁左上欄下から4行
　「従来より発光ダイオード(以下「LED」という)用リードフレームは、正負1対の電極部が両端面に分かれたLEDに適するものとして、第5図〜第7図に示すリードフレームが知られている。ここで第5図は製造時のリードフレームの斜視図、第6図は第5図に示すリードフレームを切断、整形して得られたリードフレームの断面図、第7図はLEDを装着した状態の断面図である。このリードフレーム101は間隔をへだてて並列に配置された正負1対のリード部材110、120により構成されている。一方のリード部材110はその先端にLED130を載置する平坦部111と、載置されるLED130の側周面をその近傍で囲むように堤状の反射部112が一体的に形成されている。そして他方のリード部材120は、その先端が一方のリード部材110の堤状の反射部112の先端よりも突出した状態で配置されている。このリードフレーム101にLED130が結着された状態を第7図に示す。この場合LED130は、一方の面側にある電極部が、反射部をもつ一方のリード部材110の平坦部111に、導電性ペースト140によって接着され載置されている。そして他方の面側にある電極部は、他方のリード部材120の先端部と金線150によって接続されている。」
(2)2頁右上欄13行〜2頁左下欄1行
　「ところがGaN青色LEDは、i-GaN、n‐GaN およびサファイヤ基板を積層し、i-GaNの一部に設けられた孔内にn‐GaNを貫通させて、i‐GaN側の表面にi‐GaNとn-GaNによる両電極部が形成されている。そして通電しこれが発光した場合に、青色光はi‐GaNとn‐GaNの間から積層面に沿った方向へ飛び出す。従って光が周囲に分散され、発光効率が非常に悪いという問題が生じていた。」
　
【3】対比
　引用例1(「【2-1】」参照)には、その記載からみて「下面となる主面、すなわち平坦面11にn+形層14のカソード電極12およびp+形層15のアノード電極13を有している発光ダイオード素子7が、一対のリード3のうちの一方のリード上に載置されてなる発光ダイオード装置であって、該リードの先端に、表面にボンディングパッド29およびボンディングパッド28が形成され発光ダイオード素子7とサブマウント6を取り付けるリード3とを電気的に絶縁する絶縁層25を備えたサブマウント6が載置され、前記発光ダイオード素子7のカソード電極12およびアノード電極13と、前記絶縁スペーサのボンディングパッド29およびボンディングパッド28とが対向して接続されている発光ダイオード装置。」なる発明(以下、「引用発明」という。)が記載されている。
　
　本願発明と引用発明とを比較すると、引用発明における技術事項a〜eは、それぞれ、本願発明の技術事項A〜Eに相当する。
a:「n+形層14」及び「p+形層15」
b:「発光ダイオード素子7」、
c:「リード3」、
d:「カソード電極12およびアノード電極13」、
e:「ボンディングパッド29およびボンディングパッド28」、
f:「発光ダイオード装置」
A:「n型及びp型・・・半導体層」、
B:「LEDチップ」、
C:「リードフレーム」、
D:「n型及びp型・・・半導体層の電極」、
E:「絶縁スペーサ」、
F:「絶縁スペーサの金属電極層」(「n側とp側の金属電極層」)、
F:「LED素子」
　
　よって、両者は、「n型及びp型半導体層とを有し、前記n型及びp型半導体層の電極が同一面側に形成されたLEDチップが、一対のリードフレームのうちの一方のリードフレーム上に載置されてなるLED素子であって、前記一方のリードフレームは表面にn側とp側の金属電極層が形成された絶縁スペーサが載置され、前記LEDチップの電極と、前記絶縁スペーサの金属電極層とが対向して接続されていることを特徴とするLED素子。」を発明の構成とする点で一致する。
　そして、本願発明は以下の点で引用発明と相違する。
　
相違点1
　
相違点2
　
【4】判断
　まず、
相違点1
【2-2】引用例2(2)
　
　つぎに、
相違点2
【2-2】引用例2(1)
　したがって、引用発明のLEDチップを載置したリードフレームの先端の形状を、LEDチップの側面に堤状の反射部を形成して全周に亙って包囲するカップ部と成すことは当業者が容易に想到できた事項である。
　なお、請求人は、引用例2の2頁左上欄20行〜右上欄3行の、同一面側に電極部を持つLEDを使用する場合にはカップ部を有するリードフレームを使用できないという趣旨の記載を取り上げて、同一面側に電極部を持つLEDをカップ部を有するリードフレームに適用することは困難である旨主張するが、引用例2の前記記載は、絶縁スペーサを用いない場合にLEDチップの一対の電極がリードフレームによって短絡するから同一面側に電極部を持つLEDを使用する場合にはカップ部を有するリードフレームを使用できないという意味であり、引用発明(引用例1)は絶縁スペーサを用いるので、堤状の反射部を形成するか否かに関わらず、LEDチップの一対の電極は絶縁スペーサによって絶縁されているのであ。このように、引用発明ではLEDチップの一対の電極は絶縁スペーサによって絶縁されているため、引用発明のLEDチップを載置したリードフレームの先端の形状を、チップを囲むようなカップ状となすに際して、その実現を阻害する要因は存在しない。
　
　そして、本願発明の、前記相違点1、2に係る構成によりもたらされる効果は、引用例1、2に記載された発明及び周知の事項から予測できる範囲のものである。
　よって、本願発明は引用例1、2に記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
　
【5】むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項1に係る発明は特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないものである。
　よって、結論のとおり審決する。