(57)【要約】【課題】  静電容量Ｃｓｄによるクロストークをより一層改善した能動素子基板を提供するとともに、当該能動素子基板を備えることによって、表示品位を向上させ、ＤＶ表示を行う場合であっても高い表示品位を示すことが可能な表示装置を提供する。【解決手段】  ＴＦＴ基板１ａは、画素電極５Ａ・５Ｂと、これらの画素Ａ・Ｂを充電する信号線とを備えている。画素電極５Ａは、信号線１２Ａに重畳しており、かつ信号線１２Ａ近傍において信号線１２Ａ側に突出した画素電極突出部５Ａ−ａを有している。画素電極突出部５Ａ−ａは、信号線１２Ａから生じる電気力線を吸収する。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の信号線と当該信号線に交差する複数の走査線とが形成されているとともに、当該信号線と走査線の各交差部に能動素子と画素電極とがそれぞれ配され、かつ上記信号線は、絶縁膜を介して、当該信号線が充電する上記画素電極に重畳して配されている能動素子基板において、
上記画素電極は、補助容量電極と画素電極を接続する突出部と、上記信号線近傍において当該信号線の側に突出した画素電極突出部とを有していることを特徴とする能動素子基板。
【請求項２】
上記画素電極突出部は、上記信号線の長さ方向に沿って形成されていることを特徴とする請求項１に記載の能動素子基板。
【請求項３】
上記画素電極突出部は、上記信号線と重畳するように形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の能動素子基板。
【請求項４】
上記信号線は、上記画素電極のエッジと上記画素電極突出部との間に配されていることを特徴とする請求項１または２に記載の能動素子基板。
【請求項５】
上記信号線は、上記画素電極のエッジよりも内側に配されており、
上記画素電極突出部は、上記画素電極のエッジと上記信号線との間に配されるように設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の能動素子基板。
【請求項６】
上記絶縁膜における上記画素電極のエッジ付近の領域では、当該領域以外の領域よりも誘電率が低い材料によって構成されていることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の能動素子基板。
【請求項７】
上記複数の走査線のうち、上記信号線と交差する走査線は、当該信号線の長さ方向に沿って突出した走査線突出構造を有しており、当該走査線突出構造は絶縁材料を介して当該信号線よりも下層に配されていることを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の能動素子基板。
【請求項８】
上記信号線よりも下層に絶縁材料を介して補助容量線が配されていることを特徴とする請求項１から６の何れか１項に記載の能動素子基板。
【請求項９】
請求項１から８の何れか１項に記載の能動素子基板と、共通電極が形成された対向基板と、これら基板間に挟持された液晶層とを備えていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
上記液晶層に印加される電圧の極性が、上記走査線毎または上記画素電極毎に反転されるように構成されていることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
上記画素電極間のギャップおよび上記能動素子を遮光する遮光パターン部が、能動素子基板または対向基板側に設けられていることを特徴とする請求項１０または１１に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
請求項１から８の何れか１項に記載の能動素子基板を備えた表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、能動素子基板およびそれを備えた表示装置に関し、より詳細には、信号線と画素電極との間のクロストークを低減させた能動素子基板と、当該能動素子基板を備えた、液晶テレビ等に使用されるアクティブマトリクス型液晶表示装置に関して、隣接する画素からの映り込みを低減させて、デュアルビュー表示を行う場合であっても高い表示品位を実現できる表示装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
現在、数多くの表示装置が知られており、中でも液晶表示装置は薄型・軽量・低消費電力であることからテレビやビデオなどの画像表示装置や、モニター、ワープロ、パーソナルコンピュータなどのＯＡ（Office Automation）機器に広く用いられている。
【０００３】
以下に、マトリックス状に配置された各画素に薄膜トランジスタの駆動素子をもつアクティブマトリクス型の液晶表示装置について説明する。図１６はアクティブマトリクス型液晶表示装置の一例を示した平面図であり、図１７はその断面図を示している。アクティブマトリクス型液晶表示装置は、液晶パネル１０１と、ゲートドライブ回路１０２と、ソースドライブ回路１０３と、バックライト１０４（図１７）とを備えている。
【０００４】
さらに、上記液晶パネル１０１は、アクティブマトリクス基板１０５と、対向基板１０６と、両基板１０５・１０６間に挟まれた液晶層１０７と、両基板１０５・１０６の外側に密着された偏向板（図示せず）とを備えている。
【０００５】
上記アクティブマトリクス基板１０５には、平行に配設された複数の走査配線（図示せず）と、絶縁膜１０８を介して上記走査配線と直交して平行に配設された複数の信号配線１０９と、上記走査配線と信号配線１０９との各交差位置近傍に配置された薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）１１０と、上記走査配線と信号配線１０９とによって囲まれた領域に配置された複数の画素電極１１１とを備えている。図１８は、上記アクティブマトリクス基板１０５における１画素部分の平面図を示す。画素電極１１１は、信号配線１０９と同じ層に形成されているために、信号配線１０９と所定の距離を保って接触しないように形成されている。ＴＦＴ１１０は、３端子素子であり、ゲート電極１１２に印加される電圧によってドレイン電極１１３とソース電極１１４との間の電流の導通が制御される。そして、ゲート電極１１２は隣接する走査配線１１５に接続され、ソース電極１１４は隣接する信号配線１０９に接続され、ドレイン電極１１３は画素電極１１１に接続されている。
【０００６】
一方、上記対向基板１０６には、各画素電極１１１に対応する位置に赤・緑・青の配列順にカラーフィルタ１１６が形成されている。そして、各カラーフィルタ１１６・１１６の間には、走査配線１１５および信号配線１０９と画素電極１１１との間からの光漏れを防ぐ遮光膜であるブラックマトリクス１１７が形成されている。さらにこの上層に、透明導電材料からなる対向電極１１８が形成されている。なお、ゲートドライブ回路１０２およびソースドライブ回路１０３は、各々液晶パネル１０１の周囲部に配置された走査配線１１５の端子および信号配線１０９の端子に接続されている。
【０００７】
ところで近年では、このような液晶表示装置は携帯電話などのモバイル機器に広く適用されており、携帯性向上の観点から更なる低消費電力化が要求されている。
【０００８】
そこで、このような要求に対して、層間絶縁膜上に画素電極を設けて、この画素電極と信号配線とを別層に形成し、画素電極を信号配線上に重ねる構造の液晶表示装置が提案されている（例えば、特許文献１〜３を参照のこと）。図１９に、画素電極を信号配線上に重ねた構造を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置における１画素分の断面図を示す。また、図２０に、図１９に示すアクティブマトリクス基板の平面図を示す。このような構成においては、画素電極１２１と信号配線１２２とが別層に形成されており、画素電極１２１と信号配線１２２とに層間絶縁膜１２３を介して重なりを持たせて、画素電極１２１と信号配線１２２との隙間を無くすことができる。そのために、画素電極１２１の面積（開口率）を拡大することができ、アクティブマトリクス型液晶表示装置の消費電力を抑えることができる。なお、１２４はアクティブマトリクス基板、１２５はＴＦＴ、１２６は液晶層、１２７は対向電極、１２８は対向基板、１２９は走査配線、１３０はコンタクトホール、１３１は補助容量電極、１３２は補助容量配線である。
【０００９】
しかしながら、図１９に示した構造のアクティブマトリクス型液晶表示装置の場合、図１８に示したような画素電極１１１が信号配線１０９と所定の間隔を有しているアクティブマトリクス型液晶表示装置に比べ、画素電極１２１と信号配線１２２との間の静電容量Ｃｓｄが増大するという問題がある。
【００１０】
ここで、特許文献２に開示された構成の画素電極を信号配線上に重ねたタイプのアクティブマトリクス型液晶表示装置の断面図を図２１に示す。図２１に示したタイプのアクティブマトリクス型液晶表示装置は、ソース配線２０２ａと画素電極２０５が重畳した領域と重畳していない領域が形成されている。そのため、ソース配線２０２ａと画素電極２０５の間に形成される静電容量Ｃｓｄを重畳していない領域で小さくすることができ、ソース信号振幅がＣｓｄを介して画素電極に重畳されるのを抑制できるという構成である。
【特許文献１】特許第２９９８２５５号明細書（１９９９年１１月５日登録）
【特許文献２】特開２００３−２８７７６２号公報（２００３年１０月１０日公開）
【特許文献３】特許第３３２３８８０号明細書（２００２年６月２８日登録）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
近年、共通の表示画面を用いて、複数の方向に対してそれぞれ異なる画像を表示（ＤＶ（デュアルビュー）表示）することが可能な表示装置が提案されている。このＤＶ表示の原理を、図２２を用いて説明する。図２２はＤＶ表示を行う液晶表示装置３００の側面図である。なお、説明の便宜上、液晶表示装置３００の詳細な構成は省略している。ＤＶ表示を行う液晶表示装置３００には、図２２に示すように、視聴者Ａの方向に表示される画像３０１ａ、および視聴者Ｂの方向に表示される画像３０１ｂが互いに隣接した液晶パネル３０１と、当該液晶パネル３０１における視聴者側面にスリット構造体３０２とを備えている。このようにスリット構造体３０２を配設していることにより、視聴者Ａの方向に関しては、画像３０１ｂが遮断されるため、画像３０１ａのみが透過され、視聴者Ｂの方向に関しては、画像３０１ａが遮断されるため、画像３０１ｂのみが透過される。これにより、視聴者Ａおよび視聴者Ｂはそれぞれ異なる画像を視聴することができる。
【００１２】
このように、ＤＶ表示を行う液晶表示装置では、上述したように隣接する画素同士から異なる画像が発信される。そのため、図２３のように隣接する画素（Ｌ画素・Ｒ画素）同士の画像信号は略同等である場合は静電容量Ｃｓｄによるクロストークは発生しない、または視聴に支障がない程度の発生であるが、隣接する画素への画像信号がそれぞれ異なる場合、図２４のように静電容量Ｃｓｄによるクロストークが表示品位に大きく影響を与えてしまう。
【００１３】
したがって、図２４のようなＤＶ表示の場合では、図２１のような構造のアクティブマトリクス型液晶表示装置であっても、静電容量Ｃｓｄによって生じるクロストークの抑制が充分ではなく、表示品位が劣化する虞がある。
【００１４】
そこで、本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、静電容量Ｃｓｄによるクロストークをさらに改善した能動素子基板を提供するとともに、当該能動素子基板を備えることによって、表示品位を向上させ、ＤＶ表示を行う場合であっても高い表示品位を示すことが可能な表示装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明に係る能動素子基板は、上述した課題を解決するために、複数の信号線と当該信号線に交差する複数の走査線とが形成されているとともに、当該信号線と走査線の各交差部に能動素子と画素電極とがそれぞれ配され、かつ上記信号線は絶縁膜を介して当該信号線が充電する上記画素電極に重畳して配されている能動素子基板において、上記画素電極は、補助容量電極と画素電極を接続する突出部（以下、コンタクトホールと呼ぶ）と、上記信号線近傍において当該信号線の側に突出した画素電極突出部とを有していることを特徴としている。具体的には、本発明に係る能動素子基板は、上記画素電極突出部が、上記信号線から発生する電気力線のうち、上記画素電極に隣接する他の上記画素電極に向けて発生する電気力線を吸収するように構成されていることが好ましい。
【００１６】
上記の構成によれば、上記画素電極（以下、これを第一の画素電極と呼ぶ）に隣接する他の画素電極（以下、これを第二の画素電極と呼ぶ）と、上記信号線（以下、これを第一の信号線と呼ぶ）との間の静電容量Ｃｓｄに関する信号線の容量を低減させることができる。
【００１７】
すなわち、本発明の能動素子基板では、第一の信号線は、絶縁膜を介して当該第一の信号線が充電する上記第一の画素電極に重畳して配されており、かつ、この第一の画素電極は、上記第一の信号線近傍において当該第一の信号線の側に突出した画素電極突出部を有している。このように構成することによって、第一の画素電極を充電するための第一の信号線から生じる電気力線を画素電極突出部によって吸収させることができる。具体的には、第一の信号線から生じる電気力線のうち、上記第一の画素電極以外の画素電極（つまり第二の画素電極）に及ぶ電気力線の密度を低減させることができる。
【００１８】
これにより、例えば第一の画素電極に上記第一の画素電極突出部が形成されていない構成であって、第一の信号線が絶縁膜を介して第一の画素電極に重畳して配されている能動素子基板と比較して、第二の画素電極と第一の信号線との間の静電容量Ｃｓｄに関する第一の信号線の容量を低減させることができる。
【００１９】
また、本発明に係る能動素子基板は、上記画素電極突出部が、上記信号線の長さ方向に沿って形成されていることが好ましい。
【００２０】
これにより、画素電極突出部が、信号線から生じる電気力線を効率的に吸収することができる。そのため、信号線との間の静電容量Ｃｓｄに関する信号線の容量をより効果的に低減させることができる。
【００２１】
また、本発明に係る能動素子基板は、上記画素電極突出部が、上記信号線と重畳するように形成されていることが好ましい。
【００２２】
上記の構成とすれば、画素電極突出部と信号線との間の距離が最も短くなることから、信号線から生じる電気力線を、より効果的に吸収することができる。すなわち、画素電極との間の静電容量Ｃｓｄに関する信号線の容量をより一層効果的に低減させることができる。
【００２３】
また、本発明に係る能動素子基板は、上記信号線が、上記画素電極のエッジと上記画素電極突出部との間に配されていてもよい。
【００２４】
また、本発明に係る能動素子基板は、上記信号線が、上記画素電極のエッジよりも内側に配されており、上記画素電極突出部は、上記画素電極のエッジと上記信号線との間に配されるように設けられていてもよい。
【００２５】
また、本発明に係る能動素子基板は、上記絶縁膜における上記画素電極のエッジ付近では、上記絶縁膜における他の領域よりも誘電率が低い材料によって構成されていることが好ましい。
【００２６】
すなわち、本発明の能動素子基板の絶縁膜は、上記画素電極のエッジ付近において、他の領域よりも誘電率が低い材料によって構成されることが好ましい。絶縁膜における画素電極のエッジ付近（領域ａとする）を、他の領域（領域ｂとする）よりも誘電率が低い材料によって構成することによって、絶縁膜の全領域を領域ｂの誘電率を有する材料から構成する場合と比較して、Ｃｓｄ容量が小さくなり、クロストークを抑制することができる。
【００２７】
また、本発明に係る能動素子基板は、上記複数の走査線のうち、上記信号線と交差する走査線は、当該信号線の長さ方向に沿って突出した走査線突出構造を有しており、当該走査線突出構造は絶縁材料を介して当該信号線よりも下層に配されていてもよい。
【００２８】
上記の構成によれば、走査線突出構造によって信号線から生じる電気力線を吸収することができる。すなわち、信号線と画素電極との間の静電容量Ｃｓｄに関する信号線の容量をより一層効果的に低減させることができる。
【００２９】
また、本発明に係る能動素子基板は、上記信号線よりも下層に絶縁材料を介して補助容量線が配されていてもよい。
【００３０】
上記の構成によれば、補助容量線によって信号線から生じる電気力線を吸収することができる。すなわち、信号線と画素電極との間の静電容量Ｃｓｄに関する信号線の容量をより一層効果的に低減させることができる。
【００３１】
さらに、本発明に係る液晶表示装置は、上記の課題を解決するために、上記した構成を備えた能動素子基板と、共通電極が形成された対向基板と、これら基板間に挟持された液晶層とを備えていることを特徴としている。
【００３２】
上記の構成によれば、本発明の液晶表示装置は上記した構成を備えた能動素子基板を備えている。これにより、上記能動素子基板は、上記信号線は、絶縁膜を介して当該信号線が充電する上記画素電極に重畳して配されており、かつ画素電極には、上記信号線近傍において当該信号線の側に突出した画素電極突出部が形成されているため、画素電極を充電するための信号線から生じる電気力線を、画素電極突出部によって吸収させることができる。すなわち、信号線から生じる電気力線のうち、上記画素電極に隣接する他の画素電極に影響する電気力線の密度を低減させることができる。
【００３３】
これにより、信号線が絶縁膜を介して画素電極に重畳して配されていて、かつ画素電極に上記画素電極突出部が形成されていない構成の能動素子基板と比較して、画素電極と信号線との間の静電容量Ｃｓｄに関する信号線の容量を低減させることができる。
【００３４】
したがって、本発明の液晶表示装置は、例えば画素電極に上記画素電極突出部が形成されていない構成であって、信号線が絶縁膜を介して画素電極に重畳して配されている能動素子基板を備えた液晶表示装置と比較して、画素電極と信号線との間の静電容量Ｃｓｄによるクロストークを低減させることができる。
【００３５】
すなわち、本発明によれば、静電容量Ｃｓｄによるクロストークを改善したことによって高い表示品位を備えた液晶表示装置を提供することができる。
【００３６】
よって、共通の表示画面を用いて、複数の方向に対してそれぞれ異なる画像を表示（ＤＶ（デュアルビュー）表示）する表示装置として本発明に係る液晶表示装置を用いることによって、それぞれ異なる方向から視聴する視聴者に対して、他の方向の視聴者が視聴する画像が自分の方向に向けて透過される画像に映り込むことがなく、各視聴者が互い異なる画像を良好に視聴することが可能となる。
【００３７】
また、本発明に係る液晶表示装置は、上記液晶層に印加される電圧の極性が、上記走査線毎または上記画素電極毎に反転されるように構成することができる。
【００３８】
このように構成することにより、薄膜トランジスタ（能動素子の一例）をオフしている期間に、能動素子基板における信号線が隣接する画素電極の電位に影響を与える、当該信号線と、当該信号線が充電する画素電極に隣接する他の画素電極との間の静電容量Ｃｓｄを小さくすることができ、表示品位の向上を図ることができる。
【００３９】
また、本発明に係る液晶表示装置は、上記画素電極間のギャップおよび上記能動素子を遮光する遮光パターン部が、能動素子基板または対向基板側に設けられているが好ましい。
【００４０】
これにより、薄膜ギャップ部分を通過して出射する光をなくすことができる。また、能動素子としての薄膜トランジスタは光が当たると誤作動するので、このような遮光パターンを設けておくことによって、光による誤作動を防止することができる。
【発明の効果】
【００４１】
本発明に係る能動素子基板は、以上のように、上記画素電極が、コンタクトホールと、上記信号線近傍において当該信号線の側に突出した画素電極突出部とを有していることを特徴としている。
【００４２】
これにより、画素電極を充電するための信号線から生じる電気力線を、画素電極突出部によって吸収させることができ、この画素電極に隣接する他の画素電極に及ぶ当該電気力線の密度を低減させることができる。よって、例えば画素電極に上記画素電極突出部が形成されていない構成であって、信号線が絶縁膜を介して画素電極に重畳して配されている能動素子基板と比較して、隣接する他の画素電極と上記信号線との間の静電容量Ｃｓｄに関する当該信号線の容量を低減させることができる。
【００４３】
また、本発明に係る液晶表示装置は、上記した構成を備えた能動素子基板と、共通電極が形成された対向基板と、これら基板間に挟持された液晶層とを備えていることを特徴としている。
【００４４】
これにより、本発明の液晶表示装置は、画素電極と信号線との間の静電容量Ｃｓｄによるクロストークをより一層低減させることができ、高い表示品位を備えた液晶表示装置を提供することができる。
【００４５】
また、このような液晶表示装置を、デュアルビュー表示を行う表示装置として用いれば、それぞれ異なる方向から視聴する視聴者に対して、自分の方向に向けて透過される画像に他の方向の視聴者が視聴する画像が映り込むことがなく、各視聴者が互い異なる画像を良好に視聴することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４６】
本発明に係る実施の形態について、図１から図１５に基づいて説明すれば以下のとおりである。
【００４７】
なお、本実施形態では、能動素子基板を用いて液晶表示装置を構成した場合を例示するが、ここで示す能動素子基板の用途は、液晶表示装置に限られるものではなく、例えばエレクトロルミネッセンス表示装置のような他の表示装置にも適用可能である。また、能動素子基板は、表示装置に限らず、受光装置、つまり、光の照射によって生じた電荷を画素電極で溜める、例えば、Ｘ線を受光する装置（レントゲン）等にも適用可能である。さらに、能動素子としては、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を例示するが、画素電極と信号線とで形成される寄生容量による影響は、電界効果トランジスタやダイオード等の他の能動素子においても同様であるので、ＴＦＴの代わりに、電界効果トランジスタやダイオード等を適用することもできる。
【００４８】
また、本実施形態ではデュアルビュー表示を行う液晶表示装置（以下、ＤＶ液晶表示装置）について説明するが、本発明はこれに限定されるものではなく、通常の表示を行う液晶表示装置にも適用することができる。
【００４９】
後述する各実施の形態の能動素子基板であるＴＦＴ基板１は、例えば図１に示すように、対向基板２との間に液晶層３を挟持して液晶セルを構成し、該液晶セルを挟み込むように一対の偏光板９・１０が配置されることで液晶表示装置２０を構成している。
【００５０】
対向基板２は、ガラス等の光透過性の基板６上にカラーフィルタ７および共通電極８がこの順に成膜されてなる。ＴＦＴ基板１は、詳細については後述するが、ガラス等からなる光透過性の基板４上に、複数の信号線（不図示）とこれらに交差する複数の走査線（不図示）とが形成されるとともに、信号線と走査線の各交差部に能動素子としてのＴＦＴ（不図示）と、画素電極５とが配された構成である。なお、画素電極５の具体的な構造についても後述する。
【００５１】
液晶層３としては、例えば、正の誘電率異方性を有するネマティック液晶材料からなり、該液晶材料に含まれる液晶分子の長軸が各基板４・６の基板面にほぼ平行で、しかも上下の基板６・４間で連続的に９０度捩れた配列（ツイスト配列）している構成とすることができる。このような液晶層３とすることで、ＴＮ（捩れネマティック）モードのＴＮモードセルを構成できる。
【００５２】
このようなＴＮモードの液晶表示装置２０では、電圧印加がない状態では、入射した直線偏光は、セルの旋光性によって９０度偏光方向を変えてセルから出射し（図１における左端と中央の画素）、一方電圧印加された状態（図１における右端の画素）では、偏光方向を変えることなく出射する。したがって、液晶セルを挟持する一対の偏光板９・１０の各偏光軸のうち、光入射側の偏光軸を液晶分子の長軸の向きと一致させ、出射側の偏光軸を直交させておけば、電圧印加がない状態で明表示となり、電圧印加状態で暗表示となる（以後、これをノーマリーホワイトモードと呼ぶ）。反対に、両偏光板９・１０の偏光軸を液晶分子の長軸の向きと一致させておけば、前記とは逆の明暗状態となる。
【００５３】
また、液晶表示装置２０ではＴＦＴ基板１と対向基板２との対向面に、ラビング処理を施した配向膜を設けてもよい。配向処理が施されていることで、液晶の配向の秩序の度合いを向上させることができる。
【００５４】
このような液晶表示装置２０では、液晶層に印加される電圧の極性が走査線毎に反転するライン反転駆動が行われる。しかしながら、本発明に関わる液晶表示装置はこれに限定されるものではなく、液晶層に印加される電圧の極性が画素電極毎に反転するドット反転駆動でもよい。
【００５５】
以下、このような液晶表示装置２０において採用されるＴＦＴ基板１の基板構造について説明する。
【００５６】
まず、図２を用いて、ＴＦＴ基板１の平面図を示す。図において横方向に伸びる複数のラインがそれぞれ走査線１４であり、これに交差する複数のラインがそれぞれ信号線１２である。そして、各走査線１４と各信号線１２とに周端部を重畳して配置された仮想線にて示す画素電極５Ａ〜Ｃである。走査線１４、信号線１２、および画素電極５は、図１で示したガラス等からなる基板４上に、走査線１４、信号線１２、画素電極５の順で形成されている。走査線１４を有する電極層と信号線１２を有する電極層との間には、図示しないゲート絶縁膜が介在され、信号線１２を有する電極層と画素電極５を有する電極層との間には、図示しない層間絶縁膜が介在されている。また、図において、１３は、信号線１２に印加される信号を画素電極５に供給するＴＦＴ（能動素子）である。
【００５７】
また、図２において１５および１６にて示すものは、蓄積容量を構成する補助容量配線と補助容量電極である。補助容量配線１５は、走査線１４・１４間に１本配され、走査線１４と同じ電極層に形成されている。補助容量電極１６は、画素毎に配され、信号線１２と同じ電極層に形成されている。補助容量配線１５と補助容量電極１６の重畳部分に、その間に介在するゲート絶縁膜との間で、蓄積容量が形成されている。また、画素毎に設けられている一点鎖線にて示す３０は、補助容量電極１６と画素電極５とを接続するコンタクトホールである。
【００５８】
次に、図３を用いて、第１の実施の形態であるＴＦＴ基板１ａの基板構造を説明する。図３は、図２に示したＴＦＴ基板１における線分Ｐ−Ｐ′で切断した矢視断面図である。図３に示したＴＦＴ基板１ａは、基板４と、ゲート絶縁膜１７と、層間絶縁膜１８とともに、図において横方向となる走査線（不図示）に平行な方向に並ぶ任意の２画素Ａ・Ｂの、画素電極５Ａ（第一の画素電極）・５Ｂ（第二の画素電極）と、これらの画素Ａ・Ｂを充電する信号線と、補助容量電極の配置を示している。
【００５９】
図３に示すように、第１の実施の形態であるＴＦＴ基板１ａでは、画素電極５Ａが信号線１２Ａに重畳しており、画素電極５Ａには、コンタクトホール３０と、信号線１２Ａ近傍において信号線１２Ａ側に突出した画素電極突出部５Ａ−ａとが設けられている。具体的には、第１の実施の形態であるＴＦＴ基板１ａでは、画素電極突出部５Ａ−ａが、信号線１２Ａと、画素Ａに隣接する画素Ｂとの間に、当該信号線１２Ａの長さ方向に沿って設けられている。
【００６０】
ここで、画素電極突出部５Ａ−ａの形成方法を、ＴＦＴ基板１ａの製造工程とともに説明する。
【００６１】
まず、基板４上に、図２に示した走査線１４（およびゲート電極）と、補助容量配線１５とをパターン形成した後、走査線１４を覆うゲート絶縁膜１７（図３）を形成する。さらに、半導体層を形成し、半導体層の一部を覆うソース電極およびドレイン電極を形成して、ＴＦＴを形成する。なお、図２に示す信号線１２は、ソース電極とともに形成される。
【００６２】
次に、ＴＦＴが形成された基板４の表面に、層間絶縁膜１８となるポジ型の感光性樹脂を塗布する。感光性樹脂は、約１μｍ〜約４μｍの厚さを有することが好ましい。
【００６３】
ここで、画素電極突出部５Ａ−ａの突出量（深さ）を、図２に示したコンタクトホール３０の深さと同じとする場合は、１つのフォトマスクを利用して露光を行うことによって、画素電極突出部５Ａ−ａおよびコンタクトホール３０となる凹部を形成することができる。また、コンタクトホールの深さとは異なる突出量を有する画素電極突出部５Ｂ−ａを形成する場合は、まず、第１のフォトマスクを利用して第１の露光を行い、コンタクトホール３０となる凹部を形成し、引き続いて第２のフォトマスクを利用して第２の露光を行い、画素電極突出部５Ｂ−ａとなる凹部を形成する。これにより、コンタクトホールの深さとは異なる突出量を有する画素電極突出部５Ｂ−ａを形成することができる。
【００６４】
その後、基板４上の感光性樹脂を現像液によって現像することによって、コンタクトホール３０および画素電極突出部５Ａ−ａとなる凹部が形成された層間絶縁膜１８が完成する。
【００６５】
そして、層間絶縁膜１８の表面に、例えばスパッタリング法によって画素電極・補助容量配線材料からなる層を形成することにより、ドレイン電極の一部が露出するコンタクトホールと、画素電極突出部５Ａ−ａとが形成され、ＴＦＴ基板１ａが完成する。
【００６６】
なお、本実施形態では、信号線１２と画素電極５との間は１層の絶縁層（層間絶縁膜１８）から構成されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、第１の絶縁層と第２の絶縁層からなる２層の絶縁層から構成されるものであってもよい。この構成では、第１の絶縁層が信号線１２を被覆するように配され、ＴＦＴ３１を保護し、第１の絶縁層上に構成される第２の絶縁層が層間絶縁膜となる。
【００６７】
次に、画素電極突出部５Ａ−ａの作用効果について説明する。
【００６８】
ここでは、本実施形態の比較例として、ＴＦＴ基板４００の断面図を図４に示す。ＴＦＴ基板４００は、図４に示すように、基板４４０と、ゲート絶縁膜４１７と、層間絶縁膜４１８とともに、図において横方向となる走査線（不図示）に平行な方向に並ぶ任意の２画素Ａ・Ｂの、画素電極４５０Ａ・４５０Ｂおよび、これらの画素Ａ・Ｂを充電する信号線４１２Ａ・４１２Ｂとを備えているが、図３に示す画素電極突出部５Ａ−ａを有していない。次に、図５は、ＴＦＴ基板４００における信号線４１２Ａ・４１２Ｂから発生する電気力線４２２Ａ・４２２Ｂの分布を模式的に示している。電気力線４２２Ａ・４２２Ｂは、図５に示すようにそれぞれの信号線を中心として全方向に発生している。すなわち、電気力線４２２Ａの一部は、図５に示すように、画素電極４５０Ａに隣接する画素電極４５０Ｂに及ぶ。すなわち、信号線４１２Ａと画素電極４５０Ｂとの間に静電容量Ｃｓｄが形成される。そこで、次に、図４・５に示したＴＦＴ基板４００が設けられた液晶表示装置を用いて静電容量Ｃｓｄによるクロストークについて説明する。本説明はライン反転駆動の場合であるが、ドット反転駆動の場合でも、同様な原理でクロストークが発生する。
【００６９】
以下の説明においては、画素電極４５０Ｂと信号線４１２Ｂとを備えた画素Ｂを「自画素」と呼び、画素電極４５０Ａと信号線４１２Ａとを備えた画素Ａを「他画素」と呼ぶ。また、これに伴い、自画素における、画素電極４５０Ｂと信号線４１２Ｂとの間に形成される静電容量を「Ｃｓｄ自」と呼び、画素電極４５０Ｂと信号線４１２Ａとの間に形成される静電容量を「Ｃｓｄ他」と呼ぶ。また、画素電極と容量結合をするすべての容量（共通電極、補助容量電極等）を「Ｃｐｉｘ自」と呼ぶ。なお、説明の便宜上、信号線４１２Ａと信号線４１２Ｂとの間の容量は省略する。また、本説明においては図２３及び２４に示すような表示でのクロストークであり、視聴者Ａ方向の画像を自画素が発信し、視聴者Ｂ方向の画像を画素電極他画素が発信しているとする。ここで、自画素が選択されている場合の信号線４１２Ｂに供給される電位を「Ｖｓ自」とし、他画素が選択されている場合の信号線４１２Ａに供給される電位を「Ｖｓ他」とする。同じ走査線上の自画素及び他画素の選択がオフされて、同じ信号線上の他の画素（不図示）が選択された場合を考える。信号線４１２Bに接続されている画素への書き込み電圧は±Ｖｓ自となり、信号線４１２Ａに接続されている画素への書き込みは±Ｖｓ他となるとする（走査線毎に極性は異なるが、各々の信号線に接続される画素電極に供給される電位は同じとする）。この場合、自画素の電圧は以下のようになる。
【００７０】
Vd＝Vs自  ・・・（１-Ａ）
Vd＝Vs自−（Csd自／Cpix自×Vspp自+Csd他／Cpix自×Vspp他）  ・・・（１-Ｂ）
（式中のdは、自画素電圧）
なお、式（１-Ａ）は、自画素の選択がオフされた時、自画素と同じ極性が信号線４１２Ｂに接続されている画素に書き込まれたときの自画素電圧を示したものであり。式（１-Ｂ）は、自画素の選択がオフされた時、自画素と逆の極性が信号線４１２Ｂに接続されている画素に書き込まれたときの自画素電圧を示したものである。Vspp自は、信号線４１２Ｂの振幅（２×Vs自）をVspp他は信号線４１２Ａの振幅（２×Vｓ他）を示している。
【００７１】
このように、式（１-Ｂ）においては、他画素のＣｓｄ及びＶｓ他電圧が影響し、これによって自画素の実効値電圧が閾値を超えて変動すれば、自画素の輝度が変動し、カラー表示の場合は色目が変化する。これがクロストークの原理である。
【００７２】
ここで、この比較構成のＴＦＴ基板４４０が設けられた液晶表示装置においてデュアルビュー表示を行った場合を考える。
【００７３】
上述したように、デュアルビュー表示では、画素Ａが視聴者Ｂの方向に表示される画像を表示し、画素Ｂが視聴者Ａの方向に表示される画像を表示する。そのため、画素Ｂは、画素Ａの信号線の影響を（Csd他／Cpix自×Vspp他）だけ受ける。画素Ｂが中間調表示時に、画素Ａが中間調表示の場合と黒表示の場合（但し、ノーマリーホワイトモード）とでは、以下の式（２）
（Csd他／Cpix他）×（Vspp他黒−Vspp他中）・・・（２）
に示されるだけ、画素Ｂに対する影響に差が表れる。この差がクロストーク（階調ズレ）の原因となり、視聴者Ａが視聴する画像に視聴者Ｂの画像が映り込み、表示品位を劣化させる。なお、「Vspp他黒」は信号線４１２Ａに接続されている画素の黒信号の振幅（２×Vｓ他黒）を、「Vspp他中」は信号線４１２Ａに接続されている画素の中間調信号の振幅（２×Vｓ他中）を示している。
【００７４】
以上のようなクロストークによる表示劣化を回避するため、第１の実施形態では、ＴＦＴ基板１ａの画素電極５Ａに画素電極突出部５Ａ−ａを設けている。画素電極突出部５Ａ−ａの作用について、図６を用いて説明する。
【００７５】
図６は、第１の実施形態のＴＦＴ基板１ａにおける、信号線１２Ａから発生する電気力線２２Ａの分布を模式的に示したＴＦＴ基板１ａの断面図である。第１の実施形態のＴＦＴ基板１ａは、画素電極突出部５Ａ−ａが設けられていることによって、電気力線２２Ａの一部は、画素電極突出部５Ａ−ａによって吸収される。具体的には、上記した比較構成の場合に画素電極４５０Ｂに及んでいた電気力線４２２Ａ（図６では電気力線２２Ａ）が画素電極突出部５Ａ−ａによって大部分が吸収され、その密度が低減する。
【００７６】
これにより、比較構成の場合と比較して、信号線４１２Ａと画素電極４５０Ｂとの間に形成される静電容量（Ｃｓｄ）が低減するため、静電容量Ｃｓｄによるクロストークを低減させることができる。
【００７７】
具体的に説明すると、まず、信号線４１２Ｂ及び信号線４１２Ａに接続されている画素に中間調電圧が印加されている場合、上記（１-Ａ）をａ及び上記（１-Ｂ）をｂとすると自画素の実効値電圧（Ｖｒｍｓ）は、以下の式（３）
【００７８】
【数１】
2007086204.tif 000003
【００７９】
となる。
【００８０】
そこで、信号線４１２Ａの黒信号の影響により低減した実効値の大きさをｘと表し、Ｃｓｄによるクロストークが見えなくなる実効値をＡと表すと、次の式（４）
【００８１】
【数２】
2007086204.tif 000004
【００８２】
の関係が成り立ち、ここから次の式（５）
【００８３】
【数３】
2007086204.tif 000005
【００８４】
が導出される。ここで、ｘは上記式（２）であるから、次の式（６）
【００８５】
【数４】
2007086204.tif 000006
【００８６】
が導出される。
【００８７】
そこで、本実施形態では、実効値（Ａ）が一定電圧に対する輝度変化が最も起こる電圧において、３ｍＶ以下（ノーマリーホワイトモード）となるように画素電極突出部５ＢＡ−ａを設計することによって、Ｃｓｄによるクロストークをなくすことができる。具体的には、画素電極突出部５Ａ−ａの大きさ（つまり、画素電極から信号線に向けて突出する突出量）や配設位置を、上記式（６）において実効値（Ａ）が３ｍＶ以下となるよう設計する。これにより、Ｃｓｄによるクロストークをなくすことができ、表示品位の向上を図ることができ、このＴＦＴ基板１ａを、ＤＶ表示を行う液晶表示装置に備えた場合であっても、それぞれ異なる方向に表示される複数の画像が互いに映り込む虞がなく、良好なＤＶ表示を行うことが可能となる。
【００８８】
なお、本実施形態のＤＶ液晶表示装置におけるＴＦＴ基板１ａ〜１ｃ以外の構成は、従来公知のデュアルビュー表示装置の構成を適用することができる。一例としては、スリット構造体を、本実施形態のＤＶ液晶表示装置における視聴者側に配設した構成を用いることができる。スリット構造体を設けることによって、視聴者Ａの方向には画像Ａが遮断されて画像Ｂのみが透過され、視聴者Ｂの方向には画像Ｂが遮断されて画像Ａのみが透過される。これにより、視聴者Ａおよび視聴者Ｂはそれぞれ異なる画像を視聴する
また、図７（ａ）・（ｂ）に示すように、画素電極間のギャップおよびＴＦＴ１３を遮光するブラックマトリクス（遮光パターン部）３３が設けられていることが好ましい。また、ブラックマトリクス３３の配設箇所は、図７（ａ）に示すようにＴＦＴ基板１ａに設けられてもよく、図７（ｂ）に示すように対向基板２に設けられていてもよい。なお、上記した走査線突出構造１４Ａまたは補助容量線１５Ａがブラックマトリクスの代わりに設けられ、画素電極間のギャップおよびＴＦＴ１３を遮光するように構成されていてもよい。
【００８９】
また、本実施形態で説明した画素電極突出部５Ａ−ａは、図３に示すように窪んだ内部に液晶層が充填された矩形構造を有しているが、本発明はその構造（形状）に限定されるものではなく、信号線から発生する電気力線を吸収することができればよく、例えば、図８（ａ）に示すような三角形の１頂点を信号線側に突出させた構造であってもよい。また、図３に示すように、窪んだ内部に液晶層が充填された構造に限定されるものでもなく、図８（ｂ）に示すような構造であってもよい。
【００９０】
さらに、本実施形態では、画素電極突出部５Ａ−ａは画素電極５Ａの一部が突出した構成となっているが、本発明はこれに限定されるものではなく、電極として浮遊していない構成のものであれば、画素電極とは異なる導電体から構成されていてもよい。すなわち、画素電極突出部５Ａ−ａと同様の効果を奏するものであれば、補助容量電極や共通電極によって形成されていてもよい。
【００９１】
また、層間絶縁層１８は、単一な材料から構成してもよいが、例えば図９に示すように、複数の異なる材料（１８ａ・１８ｂ）によって構成してもよい。この場合、層間絶縁層１８ａの材料としては、上記式（６）を満たす、層間絶縁層１８ｂの誘電率よりも小さい誘電率の材料を用いることができる。また、このような材料は、図９に示すように、信号線１２Ａと、画素電極５Ａにおける画素電極５Ｂ側のエッジとの間に設けることができる。このように、層間絶縁層１８を複数の異なる材料（１８ａ・１８ｂ）から構成し、層間絶縁層１８ａの材料として、層間絶縁層１８ｂよりも誘電率の低い材料を用いることによって、層間絶縁層１８ｂを単層で用いた構成のものと比較してＣｓｄ容量が小さくなり、クロストークを抑制することができる。
【００９２】
また、第１の実施形態に示すＴＦＴ基板１ａの別の構成として、図１０に示すように、走査線１４から枝分かれした走査線突出構造（第一の走査線突出構造）１４Ａが、ゲート絶縁膜１７を介して信号線１２Ａの下層に設けられていてもよい。このように走査線突出構造１４Ａを設けることによって、走査線突出構造１４Ａが信号線１２Ａから生じる電気力線を吸収することができる。すなわち、画素電極５Ｂと信号線１２Ａとの間の静電容量Ｃｓｄに関する信号線１２Ａの容量をより一層効果的に低減させることができる。
【００９３】
また、図１０に示した走査線突出構造１４Ａの代わりに、図１１に示すように、補助容量配線１５が枝分かれした補助容量線１５Ａが設けられていてもよい。
【００９４】
次に、本発明のＴＦＴ基板の第２の実施形態を、図１２を用いて説明する。図１２は、第２の実施形態のＴＦＴ基板１ｂの基板構造を示した断面図である。上記した第１の実施形態のＴＦＴ基板１ａは、図３に示したように画素電極突出部５Ａ−ａが信号線１２Ａと、画素Ａに隣接する画素Ｂとの間に設けられている。これに対し、第２の実施形態のＴＦＴ基板１ｂは、図１２に示すように、画素電極突出部５Ａ−ｂが信号線１２Ａに重畳した構造となっている。なお、画素電極突出部５Ａ−ｂ以外は上記した第１の実施形態と同一であるため、同一番号を付し、その説明を省略する。
【００９５】
なお、第２の実施形態のＴＦＴ基板１ｂも、第１の実施形態のＴＦＴ基板１ａと同様、層間絶縁層１８を、図１３（ａ）に示すように、複数の異なる材料（１８ａ・１８ｂ）によって構成してもよい。また、図１３（ｂ）に示すように、走査線１４から枝分かれした走査線突出構造１４Ａが、ゲート絶縁膜１７を介して信号線１２Ａの下層に設けられていてもよい。また、図１３（ｃ）に示すように、補助容量配線１５が枝分かれして補助容量線１５Ａが設けられていてもよい。
【００９６】
次に、本発明のＴＦＴ基板の第３の実施形態を、図１４を用いて説明する。図１４は、第３の実施形態のＴＦＴ基板１ｃの基板構造を示した断面図である。上記した第１の実施形態のＴＦＴ基板１ａは、図３に示したように画素電極突出部５Ａ−ａが信号線１２Ａと、画素Ａに隣接する画素Ｂとの間に設けられている。これに対し、第３の実施形態のＴＦＴ基板１ｃは、図１４に示すように、信号線１２Ａが、画素電極５Ａにおける画素電極５Ｂ側のエッジと、画素電極突出部との間に位置するように画素電極突出部５Ａ−ｃが設けられた構造となっている。なお、画素電極突出部５Ａ−ｃ以外は上記した第１の実施形態と同一であるため、同一番号を付し、その説明を省略する。
【００９７】
なお、第３の実施形態のＴＦＴ基板１ｂも、第１・２の実施形態のＴＦＴ基板１ａ・１ｂと同様、層間絶縁層１８を、図１５（ａ）に示すように、複数の異なる材料（１８ａ・１８ｂ）によって構成してもよい。また、図１５（ｂ）に示すように、走査線１４から枝分かれした走査線突出構造１４Ａが、ゲート絶縁膜１７を介して信号線１２Ａの下層に設けられていてもよい。また、図１５（ｃ）に示すように、補助容量配線１５が枝分かれして補助容量線１５Ａが設けられていてもよい。
【００９８】
以上のように、本実施形態のＤＶ液晶表示装置は、上記した構成を備えたＴＦＴ基板１ａ〜１ｃを備えていることから、信号線１２（例えば信号線１２Ａ）から生じる電気力線を、画素電極５（例えば画素電極５Ａ）の画素電極突出部（例えば画素電極突出部５Ａ−ａ）によって吸収させることができる。すなわち、第一の信号線から生じる電気力線のうち、画素電極５Ａ以外の画素電極（特に画素電極５Ａに隣接する画素電極５Ｂ）に影響する電気力線を吸収し、その密度を低減させることができる。
【００９９】
そのため、画素電極突出部が形成されていない画素電極に、絶縁膜を介して信号線が重畳した構成のＴＦＴ基板と比較して、当該信号線が充電しない隣接画素電極と、当該信号線との間の静電容量Ｃｓｄに関する信号線の容量を低減させることができる。
【０１００】
したがって、ＤＶ液晶表示装置は、上記した比較構成のＴＦＴ基板を備えた液晶表示装置と比較して、隣接する画素電極５Ｂと信号線１２Ａとの間の静電容量Ｃｓｄによるクロストークを低減させることができ、高い表示品位を備えた液晶表示装置を提供することができる。
【０１０１】
すなわち、本発明によれば、それぞれ異なる方向から視聴する視聴者に対して、他の方向の視聴者が視聴する画像が自分の方向に向けて透過される画像に映り込むことがなく、各視聴者が互い異なる画像を良好に視聴することが可能となる。
【０１０２】
なお、本発明は上述した各実施の形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１０３】
本発明の能動素子基板およびそれを用いた液晶表示装置は、隣接画素に対する信号線の容量を低減させることができ、これにより、Ｃｓｄによるクロストークを低減させることができ、表示品位の向上を図ることができる。
【０１０４】
したがって、液晶表示装置に好適であり、特にクロストークによる画像劣化が大きく影響するデュアルビュー表示を行う液晶表示装置に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【０１０５】
【図１】本発明の一実施形態（第１の実施形態）に係るＴＦＴ基板を備えた液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図２】図１に示したＤＶ液晶表示装置のＴＦＴ基板の構成を示した平面図である。
【図３】図２に示したＴＦＴ基板における線分Ｐ−Ｐ’で切断した断面図である。
【図４】比較構成であるＴＦＴ基板の構成を示した断面図である。
【図５】図４に示した信号線から生じる電気力線の影響を模式的に示したＴＦＴ基板の断面図である。
【図６】図３に示したＴＦＴ基板における、信号線から発生する電気力線の分布を模式的に示したＴＦＴ基板の断面図である。
【図７】図１に示したＤＶ液晶表示装置の具体的な構成を示した断面図である。
【図８】（ａ）・（ｂ）はともに、図３に示したＴＦＴ基板における画素電極に設けられた画素電極突出部の他の構造を示した断面図である。
【図９】図３に示したＴＦＴ基板における他の構成を示した断面図である。
【図１０】図３に示したＴＦＴ基板における他の構成を示した断面図である。
【図１１】図３に示したＴＦＴ基板における他の構成を示した断面図である。
【図１２】本発明の他の実施形態（第２の実施形態）に係るＴＦＴ基板の構成を示した断面図である。
【図１３】（ａ）〜（ｃ）は、図１２に示したＴＦＴ基板における他の構成を示した断面図である。
【図１４】本発明の他の実施形態（第３の実施形態）に係るＴＦＴ基板の構成を示した断面図である。
【図１５】（ａ）〜（ｃ）は、図１４に示したＴＦＴ基板における他の構成を示した断面図である。
【図１６】従来技術を示したものであり、アクティブマトリクス型液晶表示装置の一例を示した平面図である。
【図１７】図１６に示したアクティブマトリクス型液晶表示装置の断面図である。
【図１８】図１６に示したアクティブマトリクス型液晶表示装置に設けられたアクティブマトリクス基板の１画素部分の平面図である。
【図１９】従来技術を示したものであり、画素電極を信号配線上に重ねた構造を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置における１画素分の断面図である。
【図２０】図１９に示したアクティブマトリクス型液晶表示装置に設けられたアクティブマトリクス基板の平面図である。
【図２１】従来技術を示したものであり、画素電極を信号配線上に重ねた構成のアクティブマトリクス型液晶表示装置の断面図である。
【図２２】デュアルビュー表示を行う液晶表示装置におけるデュアルビュー表示原理を説明した液晶表示装置の断面図である。
【図２３】デュアルビュー表示を行う液晶表示装置における隣接する画素同士から表示される画像を模式的に示した図である。
【図２４】デュアルビュー表示を行う液晶表示装置における隣接する画素同士から表示される画像を模式的に示した図であり、視聴者Ａ側に視聴者Ｂ側の画層が映り込んでいる状態を示した図である。
【符号の説明】
【０１０６】
１、１ａ、１ｂ、１ｃ      ＴＦＴ基板
２      対向基板
３      液晶層
４      基板
５（５Ａ〜５Ｃ）      画素電極
５Ａ    第二の画素電極
５Ｂ    第一の画素電極
５Ａ−ａ〜５Ａ−ｃ    画素電極突出部
６      基板
７      カラーフィルタ
８      共通電極
９      偏光板
１０      偏光板
１２（１２Ａ〜１２Ｃ）    信号線
１２Ｂ  第二の信号線
１２Ａ  第一の信号線
１４      走査線
１４Ａ  走査線突出構造
１５      補助容量配線
１５Ａ  補助容量線
１６      補助容量電極
１７      ゲート絶縁膜
１８      層間絶縁膜
２０      液晶表示装置
２２Ａ  電気力線
３０      コンタクトホール（補助容量電極と画素電極を接続する突出部）
【図１】
2007086204.tif 000007
【図２】
2007086204.tif 000008
【図３】
2007086204.tif 000009
【図４】
2007086204.tif 000010
【図５】
2007086204.tif 000011
【図６】
2007086204.tif 000012
【図７】
2007086204.tif 000013
【図８】
2007086204.tif 000014
【図９】
2007086204.tif 000015
【図１０】
2007086204.tif 000016
【図１１】
2007086204.tif 000017
【図１２】
2007086204.tif 000018
【図１３】
2007086204.tif 000019
【図１４】
2007086204.tif 000020
【図１５】
2007086204.tif 000021
【図１６】
2007086204.tif 000022
【図１７】
2007086204.tif 000023
【図１８】
2007086204.tif 000024
【図１９】
2007086204.tif 000025
【図２０】
2007086204.tif 000026
【図２１】
2007086204.tif 000027
【図２２】
2007086204.tif 000028
【図２３】
2007086204.tif 000029
【図２４】
2007086204.tif 000030