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　特願２００８−２２６６２４「部品内蔵配線板、部品内蔵配線板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　３月１８日出願公開、特開２０１０−　６２３３９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯  
　本願は、平成２０年９月４日の出願であって、平成２６年１月２９日付け（平成２６年２月４日：発送日）で拒絶査定がなされ、これに対し、平成２６年５月２日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、その審判の請求と同時に手続補正がなされたものである。その後、平成２７年１月８日付けで当審により拒絶理由（以下、「当審拒絶理由」という。）が通知され、平成２７年３月１３日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
第２．本願発明  
　本願の請求項１ないし１１に係る発明は、平成２７年３月１３日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１１に記載された事項により特定されるものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。  
　
　「【請求項１】
　第１の絶縁層と、
　前記第１の絶縁層に対して積層状に位置する第２の絶縁層と、
　前記第２の絶縁層に埋設された、端子パッドを有する半導体チップと、
　前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とに挟まれて設けられた、前記半導体チップ用の実装用ランドを含む銅の配線パターンと、
　前記半導体チップの前記端子パッドと前記配線パターンの前記実装用ランドとの間に挟設された、該端子パッドと該実装用ランドとを電気的に接続するはんだ材と、
　前記半導体チップと前記第１の絶縁層および前記実装用ランドとの間に設けられた、Ｓｎを含有するはんだの粒子と樹脂とを有する異方性導電性樹脂と、を具備し、
　前記異方性導電性樹脂が、前記半導体チップと前記第１の絶縁層との間においてはＳｎを含有する前記はんだの粒子が前記樹脂中に分散されたままで導電性が発現されておらず、前記半導体チップと前記実装用ランドとの間においては前記樹脂中に分散された前記はんだの粒子が溶融することによって前記はんだ材に変化しており、該はんだ材の前記実装用ランドの銅との接合部位にはＣｕ−Ｓｎの金属間化合物が生成されていること
　を特徴とする部品内蔵配線板。」
　
第３．刊行物の記載事項  
（１）引用発明
　当審拒絶理由に引用され、本願の出願前に頒布された特開２００２−９３９５７号公報（以下、「刊行物１」という。）には、「電子回路装置」に関して、図面（【図１】、【図４】及び【図１１】参照。）と共に次の事項が記載されている。
ア．「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば抵抗やコンデンサ等の電子部品が基板に実装されてなる電子回路装置であって、その基板に半導体チップを内蔵する電子回路装置およびその製造方法に関する。」
　
イ．「【０００６】本発明は、上述の問題に鑑みて成されたものであって、半導体チップを内蔵した電子回路装置において、温度変化に対する信頼性の向上した電子回路装置およびその製造方法を提供することを目的とする。」
　
ウ．「【００２１】プリント配線板１ａは、絶縁樹脂層８上に積層されており、このプリント配線板１ａは、たとえば、ガラス布にエポキシ樹脂を含浸させたガラスエポキシ材からなる基板１０と、この基板１０の両面に形成された、たとえば、銅からなる配線（１１ａ，１２ａ）とから構成されている。このプリント配線板１ａ上には、半導体チップ４がスタッドバンプ５および異方性導電膜６を介して実装されており、半導体チップ４の電子回路と配線１１ａが電気的に接続されている。
【００２２】半導体チップ４は、たとえば、シリコンチップであり、電子回路を有している。また、半導体チップ４は、ウェーハから切り出したままの、いわゆるベアチップの状態である。スタッドバンプ５は、半導体チップ４の下面に配列されており、たとえば、金線から形成されている。
【００２３】異方性導電膜６は、たとえば、異方性導電フィルムあるいは異方性導電ペーストからなる。異方性導電フィルムとは、微細な導電ボールを絶縁性樹脂中に分散してフィルム上に加工したものであり、フィルムそのものは絶縁性であるが、この異方性導電フィルムを１対の電極で挟んで押しつぶすと、導電ボールが１対の電極に接触して、両電極間を導通させると同時に、両電極を固着することができるものである。異方性導電ペーストは、微細な導電ボールを絶縁性樹脂中に分散したペーストであり、塗布することにより異方性導電膜は上記の異方性導電フィルムと同様の効果を有している。
【００２４】絶縁樹脂層７は、プリント配線板１ａ上に積層されており、この絶縁樹脂層７は、ガラスクロスなどにエポキシ樹脂などを含浸させて形成されたプリプレグからなる。また、絶縁樹脂層７は、半導体チップ４のスタッドバンプ５が形成されていない面に接する領域に、半導体チップ４の厚み方向における熱膨張係数が他の領域よりも高い高膨張部４０を有する。この高膨張部４０は、半導体チップ４の面積と略同じ面積を有している。また、高膨張部４０は、たとえば、エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂にフィラ（ガラス繊維）が含まれる材料等で形成されている。なお、高膨張部４０は絶縁樹脂層７と一体化されている。」
　
エ．「【００４６】次に、図４（ｄ）に示すように、プリント配線板１ａの配線１１ａ側のチップ搭載部分に異方性導電膜６を形成する。異方性導電膜６の形成は、異方性導電ペーストをチップ搭載部分に塗布する、あるいは、チップ搭載部分に異方性導電フィルムを敷くことにより形成する。
【００４７】次いで、複数のスタッドバンプ５が形成された半導体チップ４を用意する。スタッドバンプ５は、たとえば、ワイヤボンディング法を利用した公知の方法により形成した。すなわち、ワイヤボンディングマシンにおいて、ソフト的にキャピラリーの動きを通常とは変えて形成する。スタッドバンプ５の寸法は、直径が６０μｍ、高さが５０μｍとした。また、半導体チップ４には、電子回路が形成された、厚さｔ２ が０．２ｍｍ程度のシリコンチップを用いた。
【００４８】次に、図４（ｅ）に示すように、一面にスタッドバンプ５が形成された半導体チップ４を、不図示のマウント治具によりスタッドバンプ５の形成面を下にして保持して位置合わせを行い、半導体チップ４を加圧・加熱しながら、プリント配線板１ａ上にマウントする。」
　
オ．上記ア．の「本発明は、例えば抵抗やコンデンサ等の電子部品が基板に実装されてなる電子回路装置であって」との記載及び上記ウ．の段落【００２１】の「プリント配線板１ａは、絶縁樹脂層８上に積層されており、このプリント配線板１ａは、たとえば、ガラス布にエポキシ樹脂を含浸させたガラスエポキシ材からなる基板１０と、この基板１０の両面に形成された、たとえば、銅からなる配線（１１ａ，１２ａ）とから構成されている。このプリント配線板１ａ上には、半導体チップ４がスタッドバンプ５および異方性導電膜６を介して実装されており、半導体チップ４の電子回路と配線１１ａが電気的に接続されている。」との記載並びに図１からみて、電子回路装置は、基板１０と、前記基板１０に対して積層状に位置する絶縁樹脂層７と、前記絶縁樹脂層７に埋設された半導体チップ４からなることが分かり、また、前記基板１０と前記絶縁樹脂層７とに挟まれて、前記半導体チップ４用の実装用ランドを含む銅の配線１１ａが設けられることが分かる。
　
カ．上記ウ．の段落【００２２】の「半導体チップ４は、ウェーハから切り出したままの、いわゆるベアチップの状態である。スタッドバンプ５は、半導体チップ４の下面に配列されており、たとえば、金線から形成されている。」との記載及び図４からみて、半導体チップ４はその下面にスタッドバンプ５が設けられる部位を有することが分かる。
  
キ．上記ウ．の段落【００２１】の「銅からなる配線（１１ａ，１２ａ）とから構成されている。このプリント配線板１ａ上には、半導体チップ４がスタッドバンプ５および異方性導電膜６を介して実装されており、半導体チップ４の電子回路と配線１１ａが電気的に接続されている。」との記載、上記ウ．の段落【００２３】の「異方性導電膜６は、たとえば、異方性導電フィルムあるいは異方性導電ペーストからなる。異方性導電フィルムとは、微細な導電ボールを絶縁性樹脂中に分散してフィルム上に加工したものであり、フィルムそのものは絶縁性であるが、この異方性導電フィルムを１対の電極で挟んで押しつぶすと、導電ボールが１対の電極に接触して、両電極間を導通させると同時に、両電極を固着することができるものである。異方性導電ペーストは、微細な導電ボールを絶縁性樹脂中に分散したペーストであり、塗布することにより異方性導電膜は上記の異方性導電フィルムと同様の効果を有している。」との記載及び図１及び上記カ．からみて、スタッドバンプ５が設けられる部位と該実装用ランドとを電気的に接続する導電ボールは、半導体チップ４の前記スタッドバンプ５が設けられる部位と配線１１ａの実装用ランドとの間に挟設されることが分かり、また、導電ボールと絶縁性樹脂とを有する異方性導電膜６が、半導体チップ４と基板１０および実装用ランドとの間に設けられることが分かる。　
　
　上記記載事項及び認定事項並びに図示事項を総合し、本願発明の記載ぶりに則って整理すると、刊行物１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。  
　
 「基板１０と、
　前記基板１０に対して積層状に位置する絶縁樹脂層７と、
　前記絶縁樹脂層７に埋設された、スタッドバンプ５が設けられる部位を有する半導体チップ４と、
　前記基板１０と前記絶縁樹脂層７とに挟まれて設けられた、前記半導体チップ４用の実装用ランドを含む銅の配線１１ａと、
　前記半導体チップ４の前記スタッドバンプ５が設けられる部位と前記配線１１ａの前記実装用ランドとの間に挟設された、該スタッドバンプ５が設けられる部位と該実装用ランドとを電気的に接続する導電ボールと、
　前記半導体チップ４と前記基板１０および前記実装用ランドとの間に設けられた、導電ボールと絶縁性樹脂とを有する異方性導電膜６と、を具備する
　半導体チップを内蔵した電子回路装置。」  
　
（２）刊行物２に記載された技術事項
　当審拒絶理由に引用され、本願の出願前に頒布された特開２００４−２６０１３１号公報（以下、「刊行物２」という。）には、「端子間の接続方法」に関して、図面（【図１】、【図２】及び【図１２】（ａ）（ｂ）参照。）と共に次の事項が記載されている。
サ．「【０００１】
　本発明は、半導体チップやディスクリート部品等の電子部品に設けられた電極等の端子を外部端子に接続するための端子間の接合方法、及び、該接合方法を用いた半導体装置の実装方法に関するものである。」
　
シ．「【００１５】
　このように、上記の方法を用いれば、導電性粒子を溶融させて、導電性粒子間及び、導電性粒子と端子との間に、金属結合等の化学的な結合を形成することができる。つまり、互いに対向する端子間は、化学的結合によって接続された状態となる。それゆえ、上記端子間の電気抵抗を金属接合と同等レベルにて得ることができるので、上記端子間の電気的接続が信頼性の高いものとなる。」
　
ス．「【００３８】
　図１に示すように、本実施の形態の半導体装置は、端子である回路電極（以下、ランドと記載する）１１を有するシリコン等からなる基板（配線基板）１０上に、導電性樹脂層１ａを介して、半導体チップ２０が実装されてなる。上記半導体装置の基板１０上のランド１１は、半導体チップ２０上に設けられた電極パッド（端子）２１に対応するようにパターニングされ、ランド１１と電極パッド２１とが対向している。なお、半導体チップ２０表面に設けられた電極パッド２１は、該半導体チップ２０上に形成された図示しない集積回路を外部に接続するために設けられている。上記電極パッド２１上には、半田や金等を用いてバンプを形成しておいてもよい。
【００３９】
　上記半導体装置では、図１に示すように、基板１０上のランド１１と半導体チップ２０表面の電極パッド２１とが、導電性樹脂層１ａを介して、互いに電気的に接続されている。この導電性樹脂層１ａは、絶縁性の硬化樹脂２ａに導電物質３ａが含まれてなり、導電性樹脂層１ａに含まれる導電物質３ａが、上記電極パッド２１とランド１１とを電気的に接続している。この導電物質３ａは、詳細は後述するが、複数の導電性粒子３ｂが溶融して化学的に結合したものである。
【００４０】
　次に、上記半導体装置にて、基板１０上のランド１１と半導体チップ２０上の電極パッド２１とを接合する接合方法について、図２及び図３に基づいて、説明する。
【００４１】
　まず、電極パッド２１が形成された半導体チップ２０と、半導体チップ２０表面の電極パッド２１に対応するようにランド１１がパターニングされた基板１０とを用意する。上記電極パッド２１表面や、ランド１１表面は、後述する「ぬれ」た導電性粒子との接触を良好にするために、洗浄、研磨、メッキ、表面活性化等の処理を施しておいてもよい。そして、図２（ａ）に示すように、基板１０又は基板１０のランド１１上に、樹脂（樹脂成分）２ｂ中に導電性粒子３ｂが分散してなる導電性接着剤（異方性導電樹脂）１ｂを供給する。ここで、詳細は後述するが、上記導電性接着剤１ｂに含まれる樹脂２ｂは、導電性粒子３ｂの溶融温度（融点）で、硬化が完了せず、かつ導電性粒子の一部が流動可能な程度の粘度を有していることが好ましい。」
　
セ．「【００５４】
　このような導電性粒子３ｂとしては、具体的には、錫（Ｓｎ），インジウム（Ｉｎ），ビスマス（Ｂｉ），銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ），亜鉛（Ｚｎ），鉛（Ｐｂ），カドミウム（Ｃｄ），ガリウム（Ｇａ），銀（Ａｇ），タリウム（Ｔｌ）等の金属や、これらの金属からなる合金を挙げることができる。上記合金としては、例えば、Ｓｎ／４８Ｉｎ，Ｓｎ／５７Ｂｉ／１Ａｇ，Ｓｎ／９Ｚｎ，Ｓｎ／８Ｚｎ／３Ｂｉ，Ｓｎ／３．５Ａｇ（いずれも組成比）や、表１に示す金属や合金等を挙げることができる。なお、表１には、各金属及び各合金の融点もあわせて示している。」
　
ソ．「【００９５】
　これから分かるように、基板同士で挟まれる対向空間全体に充填した導電性接着剤１ｂ（低融点金属フィラー含有樹脂）を加熱・加圧制御することにより、導電性接着剤１ｂの硬化後は、銅部分に金属粒子が凝集し、銅以外の箇所には樹脂のみが存在する。このようにして銅パッド間がＳｎ／Ｉｎ合金により金属接合され、隣接する銅パッド間には樹脂材料で絶縁がとられるとともに、十分な接着強度が確保された接着接合が達成される。」
　
タ．上記ス．の段落【００３９】の「上記半導体装置では、図１に示すように、基板１０上のランド１１と半導体チップ２０表面の電極パッド２１とが、導電性樹脂層１ａを介して、互いに電気的に接続されている。この導電性樹脂層１ａは、絶縁性の硬化樹脂２ａに導電物質３ａが含まれてなり、導電性樹脂層１ａに含まれる導電物質３ａが、上記電極パッド２１とランド１１とを電気的に接続している。この導電物質３ａは、詳細は後述するが、複数の導電性粒子３ｂが溶融して化学的に結合したものである。」との記載、上記ス．の段落【００４１】の「基板１０又は基板１０のランド１１上に、樹脂（樹脂成分）２ｂ中に導電性粒子３ｂが分散してなる導電性接着剤（異方性導電樹脂）１ｂを供給する。ここで、詳細は後述するが、上記導電性接着剤１ｂに含まれる樹脂２ｂは、導電性粒子３ｂの溶融温度（融点）で、硬化が完了せず、かつ導電性粒子の一部が流動可能な程度の粘度を有していることが好ましい。」との記載及び上記セ．の段落【００５４】の「このような導電性粒子３ｂとしては、具体的には、錫（Ｓｎ），・・・等の金属や、これらの金属からなる合金を挙げることができる。上記合金としては、例えば、Ｓｎ／４８Ｉｎ，・・・や、表１に示す金属や合金等を挙げることができる。」との記載並びに図２からみて、異方性導電樹脂１ｂは、Ｓｎ／４８Ｉｎ合金からなる導電性粒子３ｂと樹脂２ｂとを有し、異方性導電樹脂１ｂが、半導体チップ２０と配線パターンのランド１１との間においては樹脂２ｂ中に分散されたＳｎ／４８Ｉｎ合金からなる導電性粒子３ｂが溶融することによって、Ｓｎ／４８Ｉｎ合金からなる導電物質３ａに変化していることが分かり、また、Ｓｎ／４８Ｉｎ合金からなる導電物質３ａは、半導体チップ２０の電極パッド２１とランド１１との間に挟設され、該電極パッド２１とランド１１とを電気的に接続することが分かる。  
  
チ．上記シ．の「このように、上記の方法を用いれば、導電性粒子を溶融させて、導電性粒子間及び、導電性粒子と端子との間に、金属結合等の化学的な結合を形成することができる。つまり、互いに対向する端子間は、化学的結合によって接続された状態となる。それゆえ、上記端子間の電気抵抗を金属接合と同等レベルにて得ることができるので、上記端子間の電気的接続が信頼性の高いものとなる。」、上記ス．の段落【００３９】の「導電性樹脂層１ａに含まれる導電物質３ａが、上記電極パッド２１とランド１１とを電気的に接続している。」、及び上記ソ．の「このようにして銅パッド間がＳｎ／Ｉｎ合金により金属接合され、隣接する銅パッド間には樹脂材料で絶縁がとられるとともに、十分な接着強度が確保された接着接合が達成される。」との記載からみて、Ｓｎ／４８Ｉｎ合金からなる導電物質３ａのランド１１の銅との接合部位が金属接合されていることが分かり、このＳｎ／４８Ｉｎ合金からなる導電物質３ａのランド１１の銅との金属接合される部位には、Ｃｕ−Ｓｎの金属間化合物が生成されていることは明らかである。
　上記記載事項及び認定事項並びに図示事項を総合すると、刊行物２には、次の技術事項（以下、「刊行物２に記載された技術事項」という。）が記載されている。  
  
「配線板において、電気的接続をするための導電材がはんだ材であり、はんだ材が異方性導電性樹脂に分散されたＳｎを含有するはんだの粒子の溶融により生ずるものであり、はんだ材の実装用ランドの銅との接合部位にＣｕ−Ｓｎの金属間化合物が生成されている技術。」  
　
第４．対比  
　そこで、本願発明と引用発明とを対比すると、その技術的意義、機能または構造からみて、引用発明における「基板１０」は本願発明における「第１の絶縁層」に相当し、以下同様に、「絶縁樹脂層７」は「第２の絶縁層」に、「スタッドバンプ５が設けられる部位」は「端子パッド」に、「半導体チップ４」は「半導体チップ」に、「配線１１ａ」は「配線パターン」に、「絶縁性樹脂」は「樹脂」に、「異方性導電膜６」は「異方性導電性樹脂」に、「半導体チップを内蔵した電子回路装置」は「部品内蔵配線板」に、それぞれ相当する。  
　また、引用発明における「導電ボール」は、「導電材」という限りにおいて、本願発明における「はんだ材」に相当し、また、引用発明における「導電ボール」は、「導電粒子」という限りにおいて、本願発明における「Ｓｎを含有するはんだの粒子」に相当する。
 　 
　そこで、両者は、本願発明の用語を用いて表現すると、次の点で一致する。 
［一致点］  
「第１の絶縁層と、
　前記第１の絶縁層に対して積層状に位置する第２の絶縁層と、
　前記第２の絶縁層に埋設された、端子パッドを有する半導体チップと、
　前記第１の絶縁層と前記第２の絶縁層とに挟まれて設けられた、前記半導体チップ用の実装用ランドを含む銅の配線パターンと、
　前記半導体チップの前記端子パッドと前記配線パターンの前記実装用ランドとの間に挟設された、該端子パッドと該実装用ランドとを電気的に接続する導電材と、
　前記半導体チップと前記第１の絶縁層および前記実装用ランドとの間に設けられた、導電粒子と樹脂とを有する異方性導電性樹脂と、を具備する
　部品内蔵配線板。」
　
　そして、両者は次の点で相違する。  
［相違点］  
　本願発明においては、異方性導電性樹脂に含まれる「導電材」及び「導電粒子」が「はんだ材」及び「Ｓｎを含有するはんだの粒子」であり、「異方性導電性樹脂が、半導体チップと第１の絶縁層との間においてはＳｎを含有するはんだの粒子が樹脂中に分散されたままで導電性が発現されておらず、前記半導体チップと実装用ランドとの間においては前記樹脂中に分散された前記はんだの粒子が溶融することによって前記はんだ材に変化しており、該はんだ材の前記実装用ランドの銅との接合部位にはＣｕ−Ｓｎの金属間化合物が生成されている」のに対し、引用発明においては、「異方性導電膜６」に含まれる「導電材」及び「導電粒子」が「導電ボール」であって、「導電材」及び「導電粒子」が「はんだ材」及び「Ｓｎを含有するはんだの粒子」であるかどうかが明らかでなく、そのため、「異方性導電性樹脂が、半導体チップと第１の絶縁層との間においてはＳｎを含有するはんだの粒子が樹脂中に分散されたままで導電性が発現されておらず、前記半導体チップと実装用ランドとの間においては前記樹脂中に分散された前記はんだの粒子が溶融することによって前記はんだ材に変化しており、該はんだ材の前記実装用ランドの銅との接合部位にはＣｕ−Ｓｎの金属間化合物が生成されている」かどうかが明らかでない点。 
　
第５．当審の判断  
［相違点］に対して  
　上記のとおり、刊行物２には、「配線板において、電気的接続をするための導電材がはんだ材であり、はんだ材が異方性導電性樹脂に分散されたＳｎを含有するはんだの粒子の溶融により生ずるものであり、はんだ材の実装用ランドの銅との接合部位にＣｕ−Ｓｎの金属間化合物が生成されている技術。」が記載されている。  
　
　ここで、引用発明及び刊行物２に記載された技術事項はいずれも異方性導電性樹脂を用いた半導体チップの実装という共通の技術分野に属するものであるから、引用発明における「異方導電膜６」における導電粒子及び導電材として、刊行物２に記載された技術事項を適用する動機付けは十分にあるといえる。
　
　一方、異方性導電性樹脂を用いた半導体チップと基板の端子間を接続する場合において、異方性導電性樹脂の導電粒子として、Ｓｎを含有するはんだの粒子を使用すると、はんだの粒子が樹脂中に分散されたままで半導体チップと絶縁層との間においては導電性が発現されないようなものとなることは周知の事項（例えば、特開平１１−１７６８７９号公報の段落【００３５】及び【００３７】並びに特開２００６−１１４８６５号公報の段落【００３９】及び【００６５】等参照。）である。
　
　してみれば、上記周知の事項からみて、引用発明における「異方導電膜６」における導電粒子及び導電材として、上記刊行物２に記載された技術事項を適用することにより、相違点に係る本願発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
　また、本願発明を全体としてみても、本願発明の効果は、引用発明及び刊行物２に記載された技術事項から当業者が予測し得る範囲内のものであって格別なものとはいえない。  
　
　したがって、本願発明は、引用発明及び刊行物２に記載された技術事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。  
　
第６．むすび  
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び刊行物２に記載された技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
　したがって、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
　よって、結論のとおり審決する。