【事件の表示】
　平成１０年特許願第２４１４８３号「外部共振器付半導体レーザモジュール」拒絶査定に対する審判事件［平成１２年　３月１４日出願公開、特開２０００−　７７７７３］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１０年８月２７日の出願であって、平成１３年４月６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月１６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年６月６日付けで手続補正がなされたものである。
　　　
２．平成１３年６月６日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１３年６月６日付けの手続補正を却下する。
［理由］
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
　「半導体レーザの共振光路上に光ファイバを設けてなる外部共振器付半導体レーザモジュールの構成に当たり、
　レーザモジュール部内に特定の波長を透過する半値幅が１ｎｍ〜５ｎｍのバンドパスフィルタを配置するとともに、このバンドパスフィルタを透過した光を反射させる反射点を半導体レーザ素子から５０ｃｍ以上離れた光ファイバの先端に配置し、更に前記反射点を透過した光を外部から保護する部品を挿入することができるコリメータモジュールを前記反射点の光が透過する側に配置したことを特徴とする外部共振器付半導体レーザモジュール。」
と補正された。
　上記補正は、外部共振器付半導体レーザモジュールに対し、「更に前記反射点を透過した光を外部から保護する部品を挿入することができるコリメータモジュールを前記反射点の光が透過する側に配置した」という限定を付加するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　ところで、この補正の根拠とされる願書に最初に添付した明細書の段落【００１７】及び【００２０】には、次のように記載されている。
「【００１７】
  すなわち、本発明に係る外部共振器付半導体レーザモジュールにおける外部共振器は、９８０ｎｍ帯ファブリペロー型半導体レーザ素子１の後面と光ファイバ５の先端に設けた反射点２０との間で形成される。
  この外部共振器により、発振波長幅の広い９８０ｎｍ帯ファブリペロ型半導体レーザ素子１の波長範囲のうち、バンドパスフィルタ４で決定される特定の波長のみを、例えば、１ｎｍ程度の半値幅以下で狭帯域発振させることが可能であり、狭帯域発振させられた光は、コリメータモジュール部１０１を通過し、光ファイバ１３を介して出射光として取り出される。」、
「【００２０】
  また、図３に開示した如く、コリメータモジュール１０１内に、他の波長域帯カットフィルタ４１、また、半導体レーザ素子と同波長帯の光アイソレータ４２等の光部品を挿入することにより、レーザモジュールの特性を向上させることができる。例えば他の波長域帯（例えば、信号光１５５０ｎｍ帯）カットフィルタを挿入すれば信号光に対する反射減衰量を確保することができる。」
　しかしながら、「反射点を透過した光を外部から保護する」ことについては、段落【００１７】及び【００２０】には全く記載されていない。段落【００２０】に記載される光アイソレータは反射点を透過した光とは逆方向の光（戻り光）を遮断するものであつて、反射点を透過した光を外部から保護するものではなく、またカットフイルタは反射点を透過した光（実施例では９８０ｎｍ帯）とは異なる１５５０ｎｍ等の波長帯域に対するカットフィルタであって、反射点を透過した光に対して作用し、あるいはこれを外部から保護する意味のものではない。
　また、明細書において、他に「反射点を透過した光を外部から保護する」ことについては記載されていない。
　そうすると、上記補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものではないので、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　さらに、上記補正により補正される特許請求の範囲の請求項１に係る発明における「反射点を透過した光を外部から保護する」ことについては、発明の詳細な説明に記載されておらず、また、その技術的意義は明らかでないので、上記補正により補正される特許請求の範囲の請求項１の記載は、特許法第３６条第６項第１号及び第２号に規定する要件に適合せず、請求項１に係る発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではないから、特許法第１７条の２第５項において準用する特許法第１２６条第４項に規定する要件を満たしていない。
　したがって、上記補正は、特許法第１５９条第１項において準用する特許法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　　　
３．本願発明
　平成１３年６月６日付けの手続補正は、上記のとおり却下すべきものであるので、本願の請求項１〜１１に係る発明は、平成１３年２月９日付けの請求項１〜１１に各々記載されたとおりのものであるところ、請求項１に係る発明（以下、本願発明という）は次のとおりである。
　「半導体レーザの共振光路上に光ファイバを設けてなる外部共振器付半導体レーザモジュールの構成に当たり、
　レーザモジュール部内に特定の波長を透過する半値幅が１ｎｍ〜５ｎｍ程度のバンドパスフィルタを配置するとともに、このバンドパスフィルタを透過した光を反射させる反射点を半導体レーザ素子から５０ｃｍ程度以上離れた光ファイバの先端に配置し、
　前記反射点を透過した光を外部に出力できるよう構成した
ことを特徴とする外部共振器付半導体レーザモジュール。」　
　　　
４．引用刊行物に記載の発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用され、本願出願前に頒布された刊行物である特開昭６１−６４１８２号公報（以下、引用例１という）には、次のように記載されている。
　「本発明は、光ファイバ通信用光源として用いることができる光帰還型半導体レーザ装置の改良に関するものである。」（第１頁右下欄第１８〜２０行）
　「第２図は、・・・・外部共振器型レーザで、７は光ファイバ、７Ａは球状部、７Ｂは反透光膜、７Ｃはテーパ部である。このような構成では、レンズ、平面鏡を用いることなく、その役目を一本の光ファイバ７によって行っているため、光路長Ｌ及び反射率を任意に選択することができ、光路長Ｌを大きくしても、小型化が可能である。・・・・また、レーザ光出力８の取り出しを、外部共振器の共振器端面であるファイバ端面７Ｃから取り出し、半導体レーザへき開面１ａに反射増加膜をつけており、光ファイバ７の長さについても、明確に規定していない。」（第２頁左下欄第２〜１９行）
　「本発明は、活性層の屈折率がｎ１、共振器長がｌ１の化合物半導体よりなる光学長ｎ１ｌ１の半導体レーザ素子の一方の出射端面に対向して屈折率ｎ２の光ファイバを配置し、前記光ファイバの前記半導体レーザ素子からの距離ｌ２の遠端に、高振幅反射率ｒ０を持つ光学素子を有して、ｎ２ｌ２／ｎ１ｌ１≧１００，ｒ０≧０．７とし、前記半導体レーザ素子からの出射光を前記半導体レーザ素子に帰還して、単一モード発振の半導体レーザ素子とし、・・・・」（第２頁右下欄第７〜１６行）
　また、第２図において、従来の外部共振器型半導体レーザ例が示され、この図において、半導体レーザ素子１の端面１ａと光ファイバ７の端面７Ｃとで共振器が構成され、レーザ光出力が光ファイバ７の端面７Ｃから取り出されている。
　以上の記載からすれば、引用例１には、「半導体レーザ素子と光ファイバからなり、半導体レーザ素子のへき開面と、光ファイバ７の半導体レーザ素子とは反対側の端面７Ｃとで共振器が構成され、光ファイバ７を共振器光路としてその端面７Ｃを通ってレーザ光出力が取り出される外部共振器型半導体レーザ装置」が記載されているものと認める。
　同じく引用された特開昭６１−３２４８８号公報（以下、引用例２という）には、次のように記載されている。
　「半導体レーザ素子１と反射板２との間には、偏波保存単一モード光ファイバ３−１及び３−２が配置され、これらの偏波保存単一モード光ファイバ３−１、３−２の間には、一個の偏光子４が配置されている。
　半導体レーザ素子１の一方の出射端から出射された光ビームは、偏波保存単一モード光ファイバ３−１に入射される。半導体レーザ素子１の他方の出射端から出射された光ビームは、この半導体レーザ装置の出力となる。」（第２頁左下欄第１１〜２０行）
　「・・・・本発明の半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子の単一の軸モードで選択的に発振させることが可能である。また、等価的な共振器長は光ファイバの長さによって決定されるため、光ファイバを長くとれば、スペクトル線幅、すなわち発振波長の帯域を狭くすることが可能である。さらに、光回路部品に要求される位置精度は、発振モードが光ファイバ内を伝送されるモードによって決定されるため、位置ずれによる発振モードの変化は少ない。例えば、偏波保存単一モード光ファイバ３−１、３−２の１ｍの場合の数ｍｍ程度の誤差は、特性にほとんど影響しない。また、光を光ファイバ内で処理しているために、装置を小型化できる効果がある。」（第３頁右下欄第２〜１５行）
　また、同じく引用された特開平６−２１５４９号公報（以下、引用例３という）には、次のように記載されている。
　「半導体レーザーの外部共振光路内にバンドパスフィルターを配置し、このバンドパスフィルターの回転軸平面に対して半導体レーザーの向きを約４５度傾けてなる、波長可変半導体レーザー。」（特許請求の範囲請求項１）
　「【実施例】半導体レーザー１の出力側面に反射防止膜８を付着し、集光レンズ２，回転自在なバンドパスフィルター３、部分反射鏡４を光路上に順番に配置して外部共振光路を形成する。・・・・（第１図）・・・・第２図は、半導体レーザー１と集光レンズ２との間に光ファイバー１０と集光レンズ１１を介在し、部分反射鏡を光ファイバー７の入口端に設け、光アイソレーター１３をこの光ファイバー７内に配置したものである。・・・・」（段落【００１０】）
　さらに、同じく引用された特開平４−６９９８７号公報（以下、引用例４という）には、半導体レーザー（１）の非出力側端面から取り出した放出光を球レンズ（２）で平行光にし、反射鏡（３）で再び球レンズ（２）に戻すようにして閉光路が形成され、球レンズ（２）と反射鏡（３）の間に多層膜フィルターからなるバンドパスフィルター（４）を回転自在に配置したものが記載されている。（第２頁左下欄第７〜１７行、第１図）
　　　
５．対比、判断
　本願発明と引用例１に記載のものとを対比すると、引用例１に記載のものにおける「外部共振器型半導体レーザ」、「光ファイバ７の半導体レーザ素子とは反対側の端面７Ｃ」は、それぞれ本願発明における「外部共振器付半導体レーザ」、「反射点」に相当するものであり、また、引用例１に記載のものにおいて、光ファイバは半導体レーザの共振光路上にあって、端面を透過した光を外部に出力できるものであるから、本願発明と引用例１に記載のものとは、「半導体レーザの共振光路上に光ファイバを設けてなる外部共振器付半導体レーザの構成にあたり、光を反射させる反射点を光ファイバの先端に配置し、前記反射点を透過した光を外部に出力できるよう構成した外部共振器付半導体レーザ」である点において一致するが、次の点において相違する。
ａ．本願発明において、半導体レーザをモジュールとして構成しているのに対し、引用例１に記載のものにおいては、半導体レーザモジュールとして構成することについて明記していない点。
ｂ．本願発明において、レーザモジュール部内に特定の波長を透過する半値幅が１ｎｍ〜５ｎｍ程度のバンドパスフィルタを配置しているのに対し、引用例１に記載のものにおいては、半導体レーザ装置においてバンドパスフィルタを配置していない点。
ｃ．本願発明において、バンドパスフィルタを透過した光を反射させる反射点を半導体レーザ素子から５０ｃｍ程度以上離れた光ファイバ先端に配置しているのに対し、引用例１に記載のものにおいては、半導体レーザ素子から反射点となる光ファイバの端面までの距離について明記していない点。
　そこで、上記相違点について検討する。
相違点ａについて：
　半導体レーザ素子と光ファイバとが光学的に結合した系を半導体レーザモジュールとして形成することは周知の事項であり（例えば、特開平１−２１５０８２号公報、特開平１−３０３７７７号公報を参照）、この点は実際の装置の設計において適宜考慮し得るところである。
相違点ｂについて：
　半導体レーザの共振器構造において、波長の単一性、スペクトル幅を狭くする等のためにバンドパスフィルタを配置することは、引用例３及び４に示されるように、周知の手段であり、引用例１に記載される半導体レーザ装置においてこのようなバンドパスフィルタを配置することは容易になし得るところであり、また、半値幅が１〜５ｎｍ程度のものを用いることも、装置を使用する条件等に応じて適宜設定し得ることである。
相違点ｃについて：
　引用例２に「等価的な共振器長は光ファイバの長さによって決定されるため、光ファイバを長くとれば、スペクトル線幅、すなわち発振波長の帯域を狭くすることが可能である。・・・・」と記載されるように、外部共振器型の半導体レーザの共振器長は発振波長帯域、スペクトル線幅等に応じて適宜設定すべきことであり、また、引用例３に記載のものにおいて、偏波保存単一モード光ファイバの長さとして１ｍのものが示されていることからすれば、光ファイバの先端が半導体レーザ素子から５０ｃｍ程度以上離れた位置とすることは、何ら創意工夫を要することなくなし得るところである。
　また、上記相違点ａ〜ｃを総合しても、技術的に格別なものはない。
　　　
６．むすび　　　　　
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例１及び２に記載された発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。