【事件の表示】
　特願２００９−１６５８３９「半導体露光装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　２月　３日出願公開、特開２０１１−　２３４７１、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
第１　手続の概要
１．手続の経緯
　本願は、平成２１年７月１４日の出願であって、 平成２５年４月１９日付けで拒絶理由が通知され、同年６月２０日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、平成２６年１月２４日付けで拒絶査定がなされた。本件は、これに対して、同年４月２４日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、平成２６年６月２７日付けで前置報告がなされ、当審において、平成２７年６月４日に求釈明を行ったところ、同年６月９日に請求人からファクシミリにより回答が送付された。
２．平成２５年４月１９日付けの拒絶理由の内容
　平成２５年４月１９日付けの拒絶理由（以下、単に「拒絶理由」という。）の内容は、以下のとおりである。
　　　　　　　　　　　　　　　　理　由
１．この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
２．この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
・請求項１／引用文献１／理由１，２
（備考）
　引用文献１（【００１８】【００１９】を特に参照）には、露光装置において迷光をカットするために、レチクルブラインドの機能を有するシャッターをレチクルステージのすぐ下方に設けることが記載されている。
・請求項２，３／引用文献１−３／理由２
（備考）
　引用文献２（【００５２】を参照）には、ブレードの未研磨面上の反射防止コーティングがマスキング・デバイス組立体内における不要な反射を防止することが記載されており、引用文献１に記載のシャッター表面に反射防止膜を形成することは当業者には容易であり、また、凹凸形状とすることにより反射防止膜を形成することは、引用文献３（【０００２】【０００３】を特に参照）等により周知である。
　　　　　　　　　　　引　用　文　献　等　一　覧
１.特開平１１−１２１３３０号公報
２.特開２００４−３６３５８９号公報
３.特開２００６−１７８２１３号公報
３．平成２６年１月２４日付けの拒絶査定の内容
　平成２６年１月２４日付けの拒絶査定（以下、単に「拒絶査定」という。）の内容は、以下のとおりである。
　この出願については、平成２５年４月１９日付け拒絶理由通知書に記載した理由１，２によって、拒絶をすべきものです。
　なお、意見書及び手続補正書の内容を検討しましたが、拒絶理由を覆すに足りる根拠が見いだせません。
備考
・請求項１／理由１，２、請求項２，３／理由２
　出願人は、上記意見書において、上記通知書で引用した引用文献１に記載の発明では、レチクルブラインド４は、図５に示されるレチクル８の有効露光エリア１５の四方を囲むように照明領域を規定し、シャッタ２３ａ、２３ｂは有効露光エリア１５の外にあるレチクルアライメントマーク１６，１７、バーコード領域１８，１９、マークや文字が記入された領域２０などからなる非露光エリアを遮蔽するものであるから、引用文献１に記載の発明においては、レチクルブラインド４とシャッタ２３ａ、２３ｂとが異なる開口を有し、シャッタの数が識別マークの配置に連動するのに対し、本願請求項１に係る発明では、上下両方のマスキングブレードとも、識別マークの配置に連動することなく、回路パターンからなる露光領域を開口する構造であるから、両者は異なるという旨主張しているが、、識別マークの配置に連動するか否かについては、請求項に記載されておらず、本願の請求項１が規定しているのは、「第一及び第二のマスキングブレード」が「露光領域を他の部分から区分する」ということであり、引用文献１に記載のレチクルブラインド４は、有効露光エリア１５は遮光せず、その周囲が遮光されるように照明領域を規定しており、シャッタ２３ａ、２３ｂも有効露光エリア１５は遮光せず、レチクルアライメントマーク１６、１７、バーコード領域１８、１９、マークや文字が記入された領域２０を遮蔽するものであるから、レチクルブラインド４及びシャッタ２３ａ、２３ｂはともに有効露光エリア１５をその周囲の部分から区分しており、出願人の上記主張を採用することができない。
４．平成２６年６月２７日付けの前置報告の内容
　平成２６年６月２７日付けの前置報告（以下、単に「前置報告」という。）の内容は、以下のとおりである。
　この審判請求に係る出願については、下記の通り報告します。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　　　　　記　　　（引用文献等については引用文献等一覧参照）
　請求項１についての補正は限定的減縮を目的としている。この場合、補正後の請求項１に係る発明は特許出願の際独立して特許を受けることができるものでなければならない。
　出願人は、審判請求書において、本願発明における迷光とは、縮小投影レンズの光路に入り込んだ不要な光を指しており、引用文献１に記載の発明が課題とする迷光とは異なっており、また、引用文献１には、上下一組のマスキングブレードによって効果的に縮小投影レンズの光路に入り込んだ不要な光である迷光を防止するという本願の課題に関する記載も示唆もないという旨主に主張しているが、本願の発明の詳細な説明の【００１４】にも記載されるように、露光時に縮小投影レンズからの反射による迷光が少なからず発生することは従来から知られており、露光時に縮小投影レンズからの反射による迷光が少なからず発生する露光装置において、引用文献１（【００１８】【００１９】を特に参照）に記載されるようにレチクルブラインドの機能を有するシャッター２３をレチクルステージのすぐ下方に設けることは、当業者にとって容易であり、その場合、一対のレチクルブラインド４と前記シャッター２３は、当該縮小投影レンズの光路に入り込んだ不要な光である迷光を遮光する効果を有することになるものと認められる。
　したがって、当該補正後の請求項１に係る発明は、引用文献１及び引用文献２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到し得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　よって、この補正は同法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　そして、この出願は原査定の理由に示したとおり拒絶されるべきものである。
引用文献等一覧
１.特開平１１−１２１３３０号公報
２.特開２００４−３６３５８９号公報
３.特開２００６−１７８２１３号公報
第２　本願補正発明
１．本件補正の適否について
　平成２６年４月２４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、本願の特許請求の範囲は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げられた特許請求の範囲の減縮を目的として補正された。
　よって、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１〜２に係る発明（以下、それぞれ、「本願補正発明１〜２」という。）は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１〜２に記載された、次のとおりのものである。
【請求項１】
　光源と縮小投影レンズと一組のマスキングブレードを含む照明系と、露光領域に半導体ウエハ上に転写を行う為の回路パターンと前記露光領域の外側に非回路パターンが形成されたフォトレチクルを載置するレチクルステージを有し、前記フォトレチクルのパターンを半導体ウエハに投影露光する半導体露光装置において、前記フォトレチクル上の前記露光領域を他の部分から区分する第一の開口部を形成する第一のマスキングブレードを前記レチクルステージの上部に有し、前記フォトレチクル上の前記露光領域を前記他の部分から区分する第二の開口部を形成するとともに、前記縮小投影レンズの表面からの反射による迷光を遮光するための第二のマスキングブレードを前記レチクルステージの下部であって前記縮小投影レンズの手前に有し、前記第一の開口部と前記第二の開口部は同じ大きさであって、前記第一のマスキングブレードおよび前記第二のマスキングブレードの表面には、反射防止膜が形成されていることを特徴とする半導体露光装置。
【請求項２】
　光源と縮小投影レンズと一組のマスキングブレードを含む照明系と、露光領域に半導体ウエハ上に転写を行う為の回路パターンと前記露光領域の外側に非回路パターンが形成されたフォトレチクルを載置するレチクルステージを有し、前記フォトレチクルのパターンを半導体ウエハに投影露光する半導体露光装置において、前記フォトレチクル上の前記露光領域を他の部分から区分する第一の開口部を形成する第一のマスキングブレードを前記レチクルステージの上部に有し、前記フォトレチクル上の前記露光領域を前記他の部分から区分する第二の開口部を形成するとともに、前記縮小投影レンズの表面からの反射による迷光を遮光するための第二のマスキングブレードを前記レチクルステージの下部であって前記縮小投影レンズの手前に有し、前記第一の開口部と前記第二の開口部は同じ大きさであって、前記第一のマスキングブレードおよび前記第二のマスキングブレードの表面に
は、微小な凹凸を有する膜が形成されていることを特徴とする半導体露光装置。
　これに対して、前置報告では、
「したがって、当該補正後の請求項１に係る発明は、引用文献１及び引用文献２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到し得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　よって、この補正は同法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。」旨報告しているので、以下に、本願補正発明１は、引用文献１及び引用文献２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到し得たものであるか否かについて、検討する。
２．本願補正発明１について
（１）引用文献１
　拒絶理由、拒絶査定及び前置報告に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である、特開平１１−１２１３３０号公報（以下、「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は当審で付した。）
　
（ａ）「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子や液晶表示素子等のパターンを基板上に露光する露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子や液晶表示素子等を製造するフォトリソグラフィ工程では、フォトマスク又はレチクル（以下、レチクルという）に形成されたパターンをフォトレジスト等の感光剤が塗布された半導体ウエハやガラスプレート等の感光基板（以下、単に基板という）上に投影露光することが行われる。この投影露光を行う露光装置としては、レチクル上に形成されたパターンを基板上の所定のショット領域に露光した後、基板を一定距離だけステッピングさせて、次のショット領域に再びレチクルのパターンを露光することを繰り返す、いわゆるステップ・アンド・リピート方式の露光装置が多く使用されている。また、他の方式の露光装置として、矩形状又は円弧状の照明領域に対してレチクル及び基板を相対的に同期して走査しながら、基板上にレチクルのパターンを露光する走査型の露光装置も知られている。
【０００３】図４は、従来の露光装置の構成を示す模式図である。超高圧水銀灯のような光源及びオプチカルインテグレータ等を含む光源系１から出射した露光用の照明光３は、第１リレーレンズ２、レチクルブラインド４、第２リレーレンズ５、ミラー６、及び主コンデンサーレンズ７を介して、均一な照度でレチクル８のパターンを照明する。レチクルブラインド４の配置面はレチクル８のパターン形成面とほぼ共役であり、レチクルブラインド４の開口の位置及び形状により、レチクル８上の照明領域９の位置及び形状が設定される。レチクル８のパターン像は投影光学系１０によって、フォトレジスト等の感光剤が塗布された基板１１上の投影領域１２に投影露光される。
【０００４】図５は、レチクルの一例の平面図である。レチクル８には、露光光が届く有効露光エリア１５内に基板１１に露光すべき各種パターンが配置されている。また、有効露光エリア１５の外側には、レチクル８の位置決めを行うためのマークが設けられたレチクルアライメントマーク領域１６，１７、及びレチクル８の自動管理を行うためのバーコード領域１８，１９が設けられており、これらの領域以外はクロムが蒸着され光が透過しないようになっている。バーコード領域１８，１９には、露光装置がレチクルを識別できるようにそのレチクルに関する情報を保持している。また、有効露光エリア１５を挟んでバーコードが形成された領域と反対側の領域２０には、オペレータが目視でレチクルを識別できるように光透過性のマークや文字が記入されることがある。
【０００５】レチクル８の位置決めは、レチクル８のレチクルアライメントマーク領域１６，１７に形成されたレチクルマークをアライメントセンサ１３，１４（図４参照）で検出することによって行われる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
従来の露光装置においては、レチクルブラインド４とレチクル８間の光学系において、レンズ表面での反射によるフレアーあるいは反射鏡やレンズ表面へのゴミ等の不純物付着による散乱により、レチクルブラインド４にて露光領域を限定したにもかかわらず、その外側に迷光が回り込んでしまうことがあった。その結果、本来なら有効露光エリア外にあって露光光が照射されるはずのないレチクル識別用のバーコードやマーク、文字等がプレート上に露光されてしまうことがあるという問題があった。
【０００７】本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされたもので、レチクルの有効露光エリア外のパターンが露光されるのを確実に防止することができる露光装置を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明においては、レチクルの有効露光エリア外へ回り込む迷光をカットする遮光装置を設けることによって前記目的を達成する。遮光装置は、レチクルを露光光で照明する照明光学系のコンデンサーレンズと基板との間で前記迷光をカットできる位置に設置される。
【０００９】すなわち、本発明は、一実施例を表す図１と図２とに対応付けて説明すると、パターンと、該パターンが形成されている領域外に前記パターンの識別に関する識別用マーク（１８，１９）とを有するレチクル（８）のパターンを基板（１１）に露光する露光装置において、レチクル（８）のパターンの照明領域を規定するレチクルブラインド（４）と、レチクルブラインド（４）を通過した光束をレチクルに導く光学系（５，７）と、光学系（５，７）と基板（１１）との間に配設され、前記識別用マークを覆う遮光装置（２２ａ，２２ｂ）とを設けたことを特徴とする。
【００１０】遮光装置（２２ａ，２２ｂ）はレチクルの近傍に配設するのが好ましい。識別用マークは、例えばバーコードで構成される。遮光装置は移動可能であり、遮光装置の移動を制御する制御装置（１００）を設けるのが好ましい。レチクル（８）のパターンは、投影光学系（１０）によって基板（１１）に投影して露光することができる。
【００１１】レチクル（８）の前記パターンが形成されている領域外にはレチクル（８）の位置決めを行うアライメントマーク（１６，１７）を形成し、制御装置（１００）は、アライメントマーク（１６，１７）を用いたレチクル（８）の位置合わせが行われる際に、遮光装置（１００）を識別用マークを覆う位置から退避させるようにするのが好ましい。
【００１２】また、本発明は、パターンと、該パターンが形成されている領域外に前記パターンの識別に関する識別用マーク（１８，１９）とを有するレチクル（８）のパターンを基板（１１）に露光する露光装置において、レチクル（８）を照明する照明光学系（２，４，５，６，７）と、レチクル（８）の近傍に配列され、識別用マークを覆う遮光装置（２２ａ，２２ｂ）とを設けたことを特徴とする。本発明によると、レチクル（８）の有効露光エリア外へ迷光が回り込まないため、レチクルアライメントマークや、バーコード等が基板（１１）上に露光されることがなくなる。
【００１３】
【実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。以下の図において、従来技術を示す図４の露光装置と同じ機能部分には図４と同じ符号を付す。
図１は、本発明による液晶表示素子用露光装置の一例を示す模式図である。基板１１は、寸法が５００ｍｍ×６００ｍｍ、厚さ１．１ｍｍの角形のガラス基板であり、基板ステージ４０上に保持されている。レチクル８はレチクルステージ３０上に保持されている。超高圧水銀灯のような光源及びオプチカルインテグレータ等を含む光源系１から出射した露光用の照明光３は、第１リレーレンズ２、レチクルブラインド４、第２リレーレンズ５、ミラー６、及び主コンデンサーレンズ７を介して、均一な照度でレチクル８のパターンを照明する。レチクルブラインド４の配置面はレチクル８のパターン形成面とほぼ共役であり、レチクルブラインド４の開口の位置及び形状により、レチクル８上の照明領域９の位置及び形状が設定される。レチクル８のパターン像は投影光学系１０によって、フォトレジスト等の感光剤が塗布された基板１１上の投影領域１２に投影露光される。
【００１４】この露光装置は、露光光でレチクル８を照明するレチクル照明光学系のコンデンサーレンズ７とレチクル８の間で、レチクル８のすぐ上の位置に、シャッタ２１ａ，２１ｂを設置した点で、図４に示す従来の露光装置と異なる。シャッタ２１ａ，２１ｂはエアシリンダ２２ａ，２２ｂにより可動になっている。シャッタ２１ａ，２１ｂの材質としては、アルミニウムや真ちゅうなどの金属を用いることができ、表面にアルマイトなどの処理を施すことが好ましい。
【００１５】制御装置１００は、レチクルブラインド４、レチクルステージ３０、基板ステージ４０の制御を含め、露光装置全体を制御するものであり、本実施の形態では特にシャッタ２１ａ，２１ｂを制御している。レチクル８のレチクルアライメントマーク領域に形成されたレチクルマークは、アライメントセンサ１３，１４によって検出される。レチクル８の位置決めは、アライメントセンサ１３，１４の出力を受けた制御装置１００がレチクルステージ３０を駆動することにより行われる。
【００１６】図２は、図１のレチクル８とシャッタ２１ａ，２１ｂの部分を拡大して示した説明図である。
シャッタ２１ａは、レチクル８の有効露光エリア１５の外に配置されたレチクルアライメントマーク１６及びレチクル８を識別するためのレチクル情報を有したバーコード領域１８，１９を遮蔽できる位置に移動可能である。また、シャッタ２１ｂは、レチクルアライメントマーク１７及びレチクル識別用のマークや文字が記入される可能性のある領域２０を遮蔽できる位置に移動可能である。
【００１７】レチクル８は特定パターンを露光するごとに取り換えられるが、その際レチクルアライメントマーク１６，１７に設けられたマークを使い、位置合わせを行う必要が生じる。この位置合わせは、基板１１を載置して移動する基板ステージ４０上に設けられた不図示の発光スリットとレチクルアライメントマーク１６，１７との重なりをアライメントセンサ１３、１４で検出することによって行われる。その際にはシャッタ２１ａ，２１ｂはじゃまになるため、制御装置１００から駆動信号を受けたエアシリンダ２２ａ，２２ｂによってシャッタ２１ａ，２１ｂがレチクルアライメントマーク１６，１７及びバーコード領域１８，１９を覆う位置から退避する。なお、アライメントマーク１６，１７を遮蔽しないようにシャッタ２１ａ，２１ｂを構成すれば、シャッタ２１ａ，２１ｂを退避させる必要はない。
【００１８】図３は、
本発明による露光装置の他の例を示す模式図である。この露光装置は、レチクル８のすぐ下方の位置に、シャッタ２３ａ，２３ｂを設置した点で、図１に示す露光装置と異なる。シャッタ２３ａ，２３ｂはエアシリンダ２４ａ，２４ｂにより可動になっている。制御装置１００は、少なくともレチクル８のパターンが露光されている間バーコード領域を遮蔽するように、シャッタ２３ａ，２３ｂを制御している。
【００１９】本実施例においては、２つのシャッタ２１ａ，２１ｂ（または２３ａ，２３ｂ）を用いたが、レチクル８の識別マークによっては１つでもよいし、３つ以上設けてもよい。また、基板１１に塗布されるレジストはポジタイプでもネガタイプでもどちらにも適用できる。また、露光装置として、ステップ・アンド・リピートタイプでも走査露光タイプでも構わない。さらに、露光装置の光源もｇ線、Ｉ線、レーザ、Ｘ線、いずれの光源にも適用できる。
【００２０】
【発明の効果】本発明によると、レチクルの有効露光エリア外の迷光をカットするため、識別用マークが基板上に露光されることを防止することができる。」
（ｂ）「【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　
　上記記載事項（ａ）の段落【００１６】、図２の記載から、「レチクル８」は、有効露光エリア１５と、その外に配置されたレチクルアライメントマーク１６，１７、レチクル８を識別するためのレチクル情報を有したバーコード領域１８，１９及びレチクル識別用のマークや文字が記入される可能性のある領域２０とを有することは明らかである。
上記記載事項（ａ）の段落【０００６】及び上記記載事項（ｂ）の【図１】〜【図４】の記載から、「レチクルブラインド４」により設定される「照明領域９」は、「有効露光エリア１５」であることは明らかである。
　上記記載事項（ｄ）の図２、３の記載から、「シャッタ２３ａ，２３ｂ」が「バーコード領域１８，１９」を遮蔽する際にも、「シャッタ２３ａ，２３ｂ」の間に開口が形成されることは明らかである。
　すると、上記引用文献１の記載事項から、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「寸法が５００ｍｍ×６００ｍｍ、厚さ１．１ｍｍの角形のガラス基板である基板１１が、基板ステージ４０上に保持されており、
　有効露光エリア１５と、その外に配置されたレチクルアライメントマーク１６，１７、レチクル８を識別するためのレチクル情報を有したバーコード領域１８，１９及びレチクル識別用のマークや文字が記入される可能性のある領域２０とを有するレチクル８が、レチクルステージ３０上に保持されており、
　超高圧水銀灯のような光源及びオプチカルインテグレータ等を含む光源系１から出射した露光用の照明光３は、第１リレーレンズ２、レチクルブラインド４、第２リレーレンズ５、ミラー６、及び主コンデンサーレンズ７を介して、均一な照度でレチクル８のパターンを照明し、レチクルブラインド４の配置面はレチクル８のパターン形成面とほぼ共役であり、レチクルブラインド４の開口の位置及び形状により、レチクル８上の照明領域９の位置及び形状が有効露光エリア１５となるように設定されて、レチクル８のパターン像は投影光学系１０によって、フォトレジスト等の感光剤が塗布された基板１１上の投影領域１２に投影露光される液晶表示素子用露光装置において、
　レチクル８のすぐ下方の位置に、シャッタ２３ａ，２３ｂを設置し、シャッタ２３ａ，２３ｂはエアシリンダ２４ａ，２４ｂにより可動になっており、制御装置１００は、少なくともレチクル８のパターンが露光されている間バーコード領域を遮蔽し、シャッタ２３ａ，２３ｂの間に開口が形成されるように、シャッタ２３ａ，２３ｂを制御している液晶表示素子用露光装置。」
（２）引用文献２
　拒絶理由、拒絶査定及び前置報告に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である、特開２００４−３６３５８９号公報（以下、「引用文献２」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は当審で付した。）
　
（ａ）「【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
　本発明は、リソグラフィ投影装置であって、
　放射線の投影ビームを供給するための照射系であって、使用の際に前記投影ビームが通過する焦点面を規定する照射系と、
　所望のパターンに従って前記投影ビームをパターン化するように機能するパターン化手段を１つの位置に支持するための支持構造と、
　前記パターン化手段の少なくとも一部を前記投影ビームから覆い隠すためのマスキング・デバイスであって、前記マスキング組立体は前記位置に関する第１の方向において前記位置の一部を覆い隠すように構成される第１のマスキング手段、前記位置に関する第２の異なる方向において前記位置の一部を覆い隠すように構成される第２のマスキング手段を含むデバイスと、
　基板を保持するための基板テーブル、及び、
　前記基板の目標部分上にパターン化されたビームを描くための投影系を含む装置に関する。」
（ｂ）「【実施例】
【００２２】　 図１は本発明の特定の実施例によるリソグラフィ投影装置の概略を示す図である。装置は以下を含む。
　放射線（例えば、紫外放射線）の投影ビームＰＢを供給するための放射線システムＥｘ、ＩＬ。この特定の場合において、放射線システムは放射線源ＬＡも含む。
　
投影ビームからマスクＭＡ（例えば、レチクル）の一部を選択的に遮蔽するために設けられるマスキング・デバイスＭＤ。
　マスクＭＡにマスキング・デバイスを通過する放射線を投影するために設けられる中継光学部品ＲＬ。
　マスクＭＡを保持するためのマスク・ホルダが設けられ、品目ＰＬに関してマスクを正確に位置決めするための第１の位置決め手段に接続される第１の物体テーブル（マスク・テーブル）ＭＴ。
　基板Ｗの（１又は複数のダイを含む）目標部分Ｃ上にマスクＭＡの照射された部分を結像するための投影システム（「レンズ」）ＰＬ（例えば、投影レンズ）。
　基板Ｗ（例えば、レジスト塗布済みシリコン・ウェハ）を保持するための基板ホルダが設けられ、物品ＰＬに関して基板を正確に位置決めするための第２の位置決め手段に接続される第２の物体テーブル（基板テーブル）ＷＴ。」
（ｃ）「【００３０】
　図２は本発明の実施例によるマスキング・デバイスを示す。
マスキング・デバイスＭＤは第１のマスキング手段及び第２のマスキング手段を含む。マスキング手段は、使用中にパターン化手段が位置する位置を選択的に覆い隠すために適するプレート又はブレード又は他の構造体であってよい。
（ｄ）「【００５２】
　
ブレードの未研磨面上の反射防止コーティングがマスキング・デバイス組立体内の不要な反射を削減することが見出されている。
（ｅ）「【図１】
【図２】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　
　すると、上記引用文献２の記載事項から、引用文献２には、
　リソグラフィ投影装置において、投影ビームからマスクＭＡ（例えば、レチクル）の一部を選択的に遮蔽するために設けられるマスキング・デバイスＭＤが、第１のマスキング手段及び第２のマスキング手段を含み、該マスキング手段は、使用中にパターン化手段が位置する位置を選択的に覆い隠すために適するブレードであり、該ブレードの未研磨面上の反射防止コーティングを形成して、マスキング・デバイス組立体内の不要な反射を削減するという技術事項（以下「引用文献２の技術事項」という。）が記載されている。
（３）対比
　本願補正発明１と引用発明を対比する。
（ａ）引用発明の「超高圧水銀灯のような光源」及び「投影光学系１０」は、それぞれ、本願補正発明１の「光源」及び「縮小投影レンズ」に相当する。
（ｂ）引用発明の「寸法が５００ｍｍ×６００ｍｍ、厚さ１．１ｍｍの角形のガラス基板である」「フォトレジスト等の感光剤が塗布された基板１１と、本願補正発明の「半導体ウエハ」は、基板であることで一致するから、引用発明の「寸法が５００ｍｍ×６００ｍｍ、厚さ１．１ｍｍの角形のガラス基板である基板１１が、基板ステージ４０上に保持されており、」「レチクル８のパターン像は投影光学系１０によって、フォトレジスト等の感光剤が塗布された基板１１上の投影領域１２に投影露光される液晶表示素子用露光装置」と、本願補正発明１の「前記フォトレチクルのパターンを半導体ウエハに投影露光する半導体露光装置」は、「前記フォトレチクルのパターンを基板に投影露光する露光装置」で一致する。
（ｃ）引用発明の「有効露光エリア１５」、「その外に配置されたレチクルアライメントマーク１６，１７、レチクル８を識別するためのレチクル情報を有したバーコード領域１８，１９及びレチクル識別用のマークや文字が記入される可能性のある領域２０」，「レチクル８」及び「レチクルステージ３０」が、それぞれ、本願補正発明１の「露光領域に」「転写を行う為の回路パターン」、「前記露光領域の外側」の「非回路パターン」、「フォトレチクル」及び「レチクルステージ」に相当するから、引用発明の「有効露光エリア１５と、その外に配置されたレチクルアライメントマーク１６，１７、レチクル８を識別するためのレチクル情報を有したバーコード領域１８，１９及びレチクル識別用のマークや文字が記入される可能性のある領域２０とを有するレチクル８が、レチクルステージ３０上に保持されて」いることと、本願補正発明１の「露光領域に半導体ウエハ上に転写を行う為の回路パターンと前記露光領域の外側に非回路パターンが形成されたフォトレチクルを載置するレチクルステージを有」することは、「露光領域に基板上に転写を行う為の回路パターンと前記露光領域の外側に非回路パターンが形成されたフォトレチクルを載置するレチクルステージを有」することで一致する。
（ｄ）本願補正発明の「他の部分」は「前記露光領域の外側に非回路パターン」が形成された部分であることは明らかであるから、引用発明の「開口の位置及び形状により、レチクル８上の照明領域９の位置及び形状が有効露光エリア１５となるように設定され」る「レチクルブラインド４」は、本願補正発明の「前記フォトレチクル上の前記露光領域を他の部分から区分する第一の開口部を形成する第一のマスキングブレード」に相当する。
　なお、引用発明の「レチクルブラインド４の配置面はレチクル８のパターン形成面とほぼ共役であ」ることについて、引用文献１の図１、３、４を参照すると、「レチクルブラインド４」が「レチクルステージ３０」の上部にあるということもできるが、本願補正発明の「第一のマスキングブレードを前記レチクルステージの上部に有」することについて、本願の明細書及び図面の全記載に加えて、請求人が、平成２７年６月９日に送付したファクシミリによる回答において、「・・・前略・・・従って、第一のマスキングブレードは引例１のシャッタ２１ａ、２１ｂのようにレクチル４の近くの物だけを言い、引例１のレクチルブラインド４のようにレクチル８から離れた構成の物は含みません。」と回答していることも参酌すると、引用発明の「レチクルブラインド４の配置面はレチクル８のパターン形成面とほぼ共役であ」ることは、本願補正発明の「第一のマスキングブレードを前記レチクルステージの上部に有」することには相当しない。
（ｅ）引用発明の「レチクル８のすぐ下方の位置」が本願補正発明の「前記レチクルステージの下部であって前記縮小投影レンズの手前」に相当することは明らかである。
　また、引用発明の「シャッタ２３ａ，２３ｂ」は「レチクル８のすぐ下方の位置に」接地されていることから、引用文献１には明記はないものの、「シャッタ２３ａ，２３ｂ」がその下方にある「投影光学系１０」からの迷光を遮光することができることは、当業者には当然のことと理解し得ることである。
　すると、引用発明の「レチクル８のすぐ下方の位置に、シャッタ２３ａ，２３ｂを設置し、シャッタ２３ａ，２３ｂはエアシリンダ２４ａ，２４ｂにより可動になっており、制御装置１００は、少なくともレチクル８のパターンが露光されている間バーコード領域を遮蔽し、シャッタ２３ａ，２３ｂの間に開口が形成されるように、シャッタ２３ａ，２３ｂを制御している」ことは、本願補正発明の「前記フォトレチクル上の前記露光領域を前記他の部分から区分する第二の開口部を形成するとともに、前記縮小投影レンズの表面からの反射による迷光を遮光するための第二のマスキングブレードを前記レチクルステージの下部であって前記縮小投影レンズの手前に有」することに相当する。
（ｆ）本願補正発明の「一組のマスキングブレード」は「第一のマスキングブレード」及び「第２のマスキングブレード」であることは明らかであるから、引用発明の「オプチカルインテグレータ等を含む光源系１」、「第１リレーレンズ２、レチクルブラインド４、第２リレーレンズ５、ミラー６、及び主コンデンサーレンズ７」及び「シャッタ２３ａ，２３ｂ」が、本願補正発明の「一組のマスキングブレードを含む照明系」に相当する。
（４）一致点
　してみると、両者は、
「光源と縮小投影レンズと一組のマスキングブレードを含む照明系と、露光領域に基板上に転写を行う為の回路パターンと前記露光領域の外側に非回路パターンが形成されたフォトレチクルを載置するレチクルステージを有し、前記フォトレチクルのパターンを基板に投影露光する露光装置において、前記フォトレチクル上の前記露光領域を他の部分から区分する第一の開口部を形成する第一のマスキングブレードを前記レチクルステージの照明光学系側に有し、前記フォトレチクル上の前記露光領域を前記他の部分から区分する第二の開口部を形成するとともに、前記縮小投影レンズの表面からの反射による迷光を遮光するための第二のマスキングブレードを前記レチクルステージの下部であって前記縮小投影レンズの手前に有している露光装置。」
で一致し、次の各点で相違する。
　
（５）相違点
（イ）本願補正発明１では、「露光領域に
半導体ウエハ
半導体ウエハ
半導体
「寸法が５００ｍｍ×６００ｍｍ、厚さ１．１ｍｍの角形のガラス基板である
液晶表示素子用
（ロ）本願補正発明１では、「第一のマスキングブレードを前記レチクルステージの上部に有し、」「前記第一の開口部と前記第二の開口部は同じ大きさであ」るのに対して、引用発明では、「レチクルブラインド４の配置面はレチクル８のパターン形成面とほぼ共役であり」、「レチクルブラインド４の開口」と「シャッタ２３ａ，２３ｂの間」の「開口」の大きさの関係が不明である点。
（ハ）本願補正発明１では、「前記第一のマスキングブレードおよび前記第二のマスキングブレードの表面には、反射防止膜が形成されている」のに対して、引用発明では、「レチクルブラインド４」、「シャッタ２３ａ，２３ｂ」の表面に、反射防止膜が形成されているか否かが不明である点。
（６）判断
上記相違点について検討する。
（ａ）相違点（イ）について
　半導体露光装置と液晶表示素子用露光装置は極めて類似した装置であって、両者の共通部分が互いに転用できることは当業者の技術常識であるから、引用発明の「寸法が５００ｍｍ×６００ｍｍ、厚さ１．１ｍｍの角形のガラス基板である基板１１」に投影露光する「液晶表示素子用露光装置」を、「半導体ウエハ」に投影露光する「半導体露光装置」とすることは、当業者が容易になし得ることである。
（ｂ）相違点（ロ）について
　引用文献１には、「レチクル８のパターン形成面とほぼ共役」な位置に配置された「レチクルブライド４」を有する「液晶表示素子用露光装置」において、迷光による「アライメントマーク１６」等が露光されることをより確実に防止するために、引用発明のように「レチクル８のすぐ下方の位置に、シャッタ２３ａ，２３ｂを設置し」た構成、「レチクル８のすぐ上の位置に、シャッタ２１ａ，２１ｂを設置した」構成（引用文献１の段落【００１４】、図１等参照）、あるいは、「投影光学系１０と基板１１の間で基板１１のすぐ上に、投影領域１２以外の領域を遮蔽できるシャッタ２５ａ，２５ｂを配置した」構成（引用文献１の段落【００１８】、図３等参照）を採用するという技術事項が開示されているのみであって、「レチクル８のすぐ下方の位置に、シャッタ２３ａ，２３ｂを設置し」た構成及び「レチクル８のすぐ上の位置に、シャッタ２１ａ，２１ｂを設置した」構成の２つの構成を同時に採用するという技術事項は開示も示唆もされていない。
　すると、引用文献１の全記載事項を参酌すると、引用発明に、「レチクル８のすぐ上の位置に、シャッタ２１ａ，２１ｂを設置した」構成をも加えて、上記相違点（ロ）に係る本願補正発明１の「第一のマスキングブレードを前記レチクルステージの上部に有」するという発明特定事項を得ることは、当業者が容易に想到し得ることであるとはいえない。
　さらに、本願補正発明１の「前記第一の開口部と前記第二の開口部は同じ大きさであ」る」構成は、「第一のマスキングブレードを前記レチクルステージの上部に有し、」「第二のマスキングブレードを前記レチクルステージの下部であって前記縮小投影レンズの手前に有」する構成を前提とするものであるから、該構成が、引用発明に基づいて当業者が容易に想到し得ることであるとはいえないことは明らかである。
（ｃ）相違点（ハ）について
　引用発明の「レチクルブラインド４」及び「シャッタ２３ａ，２３ｂ」と、引用文献２の技術事項の「ブレード」は、マスク（レチクル）の一部を選択的に遮蔽するために設けられるマスキング手段である点で一致し、また、ともに、露光装置内の不要な反射光（迷光）を防止する点でも一致するから、引用発明の「レチクルブラインド４」及び「シャッタ２３ａ，２３ｂ」の表面に、反射防止コーティングを形成して、上記相違点（ハ）に係る本願補正発明１の発明特定事項を得ることは、当業者が容易に想到し得ることである。
（ｄ）効果について
　本願補正発明１は、「第一のマスキングブレードを前記レチクルステージの上部に有し、」「第二のマスキングブレードを前記レチクルステージの下部であって前記縮小投影レンズの手前に有」する構成により、迷光によりレチクル上の被露光領域を透過した光を投影レンズ内に入り込むことをより確実に防止できるという作用効果を奏し得るものである。
（７）結論
　上述のようであるから、本願補正発明１は、上記相違点（ロ）において、引用発明及び引用文献２に記載された技術事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
　すると、前置報告された理由では、本件補正は却下されるべきものであるとすることはできないので、さらに、本願補正発明２について、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないか否かについて、以下、検討する。
３．本願補正発明２について
　本願補正発明２は、本件補正前の請求項３に係る発明を減縮するものであって、拒絶査定の備考、拒絶理由を参照すると、本願補正発明２は、引用文献１に記載された発明及び引用文献３等に記載されるような周知技術に基づいて、当業者が容易に想到し得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとされたものであるから、本願補正発明２は、引用文献１及び引用文献３等に記載されるような周知技術に基づいて、当業者が容易に想到し得たものであるか否かについて、検討する。
（１）引用文献１
　引用文献１の記載事項及び引用発明は、上記「第２」「２．」「（１）」に記載したとおりである。
（２）引用文献３
　拒絶理由、拒絶査定及び前置報告に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である、特開２００６−１７８２１３号公報（以下、「引用文献３」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
「【０００２】
  従来より、ガラス、プラスチックなどの透光性基板を用いた光学素子においては、表面反射による光を減少させるために、基板の光入射面に反射防止層が設けられている。反射防止層としては、薄膜の誘電体膜を重畳させた多層膜や表面に微細且つ緻密な凹凸形状を形成したものが知られている。」
　そして、引用文献３に、上記のように記載されるように、光学素子において、表面反射による光を減少させるために、表面に微細且つ緻密な凹凸形状を形成することは、周知技術である。
（３）対比
　本願補正発明２と引用発明を対比すると、上記「第２」「２．」「（３）」の「（ａ）」〜「（ｆ）」と同様であり、
　両者は、
「光源と縮小投影レンズと一組のマスキングブレードを含む照明系と、露光領域に基板上に転写を行う為の回路パターンと前記露光領域の外側に非回路パターンが形成されたフォトレチクルを載置するレチクルステージを有し、前記フォトレチクルのパターンを基板に投影露光する露光装置において、前記フォトレチクル上の前記露光領域を他の部分から区分する第一の開口部を形成する第一のマスキングブレードを前記レチクルステージの照明光学系側に有し、前記フォトレチクル上の前記露光領域を前記他の部分から区分する第二の開口部を形成するとともに、前記縮小投影レンズの表面からの反射による迷光を遮光するための第二のマスキングブレードを前記レチクルステージの下部であって前記縮小投影レンズの手前に有している露光装置。」
で一致し、上記「第２」「２．」「（５）」で挙げた相違点（イ）、（ロ）の他に、次の点で相違する。
（ニ）本願補正発明２では、「前記第一のマスキングブレードおよび前記第二のマスキングブレードの表面には、微かに凹凸を有する膜が形成されている」のに対して、引用発明では、「レチクルブラインド４」、「シャッタ２３ａ，２３ｂ」の表面に、微かに凹凸を有する膜が形成されているか否かが不明である点。
（４）判断
（ａ）相違点（イ）、（ロ）については、「第２」「２．」「（６）」の「（ａ）」、「（ｂ）」と同様である。
（ｂ）相違点（ニ）について
　引用発明の「レチクルブラインド４」及び「シャッタ２３ａ，２３ｂ」は光学素子であり、露光装置内の不要な反射光（迷光）を防止するものであるから、引用発明に上記周知技術を採用し、引用発明の「レチクルブラインド４」及び「シャッタ２３ａ，２３ｂ」の表面に、微細且つ緻密な凹凸形状を形成して、上記相違点（ニ）に係る本願補正発明２の発明特定事項を得ることは、当業者が容易に想到し得ることである。
（５）効果について
　上記「第２」「２．」「（６）」の「（ｄ）」と同様である。
（６）結論
　上述のようであるから、本願補正発明２は、上記相違点（ロ）において、引用発明及び引用文献３等に記載されるような周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
４．小括
  以上のとおり、本願補正発明１及び２は、特許出願の際独立して特許を受けることができないとすることはできないから、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものとすることはできない。
第３　拒絶査定について
１．拒絶査定の理由により、本願は拒絶すべきものであるか否かについて
　上述のとおり、本件補正は却下すべきものとすることはできないから、本願の特許請求の範囲の請求項１〜２に係る発明は、本願補正発明１〜２である。
２．本願補正発明１について
　本願補正発明１は、本件補正前の請求項２に係る発明を減縮するものであって、拒絶査定の備考、拒絶理由を参照すると、本願補正発明１は、引用文献１及び引用文献２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到し得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとされたものであるから、本願補正発明１は、引用文献１及び引用文献２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に想到し得たものであるか否かについて、検討するに、上記「第２」「２．」で検討したとおり、本願補正発明１は、引用発明及び引用文献２の技術事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
３．本願補正発明２について
　本願補正発明２は、本件補正前の請求項３に係る発明を減縮するものであって、拒絶査定の備考、拒絶理由を参照すると、本願補正発明２は、引用文献１及び引用文献３等に記載されるような周知技術に基づいて、当業者が容易に想到し得たものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとされたものであるから、本願補正発明２は、引用文献１及び引用文献３等に記載されるような周知技術に基づいて、当業者が容易に想到し得たものであるか否かについて、検討するに、上記「第２」「３．」で検討したとおり、本願補正発明２は、引用発明及び引用文献３等に記載されるような周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえない。
４．結論
　上述のとおり、本願補正発明１は、引用発明及び引用文献２の技術事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえず、また、本願補正発明２は、引用発明及び３等に記載されるような周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものとはいえないから、ともに、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないとすることはできない。
　したがって、本願は拒絶すべきものであるとすることはできない。
第４　むすび
　以上のとおり、本願については、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。