【事件の表示】
　特願２０１１−５２７０３２「誘電材料処理システム及び当該システムの操作方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　３月２５日国際公開、ＷＯ２０１０／０３３４６９、平成２４年　２月　２日国内公表、特表２０１２−５０３３１３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２００９年９月１４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００８年９月１６日、アメリカ合衆国、２００８年９月１６日、アメリカ合衆国、２００８年９月１６日、アメリカ合衆国、２００８年９月１６日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２６年１月１５日付けの拒絶理由通知に対して、同年３月３１日に手続補正がなされるとともに、同日に意見書が提出され、同年４月１８日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年７月２２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日に手続補正がなされたものである。
　
２．補正の却下の決定
〔補正の却下の決定の結論〕
　平成２６年７月２２日になされた手続補正を却下する。
　
〔理由〕
（１）補正の内容
　平成２６年７月２２日になされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし８０を、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし６１に補正するものであり、そのうちの補正前後の請求項は、以下のとおりである。
　
（補正前）
「　【請求項１】
　基板上の誘電膜を処理する処理モジュールであって、
　当該処理モジュールは、処理チャンバ、該処理チャンバと結合して、上に誘電体膜を有する基板を支持するように備えられている基板ホルダ、前記処理チャンバと結合して前記誘電膜を電磁(EM)放射線へ曝露させるように備えられている放射線源を有し、
　前記放射線源は1つ以上の赤外(IR)放射線源を有し、
　前記1つ以上のIR放射線源は、スペクトル範囲が9μm乃至10μmの範囲内の波長でのEM放射線を含む狭帯域の波長を有する単色の電磁放射線を有する、
　処理モジュール。
　　【請求項２】
　前記基板ホルダが複数の基板を支持するように備えられている、請求項1に記載の処理モジュール。
　　【請求項３】
　前記基板ホルダと結合して、該基板ホルダを並進及び/又は回転させるように備えられた駆動システム；並びに
　前記駆動システムと結合して、基板の位置の監視、調節、又は制御のうちの少なくとも1つを実行するように備えられている運動制御システム；
　を有する、請求項1に記載の処理モジュール。
　　【請求項４】
　前記1つ以上のIR放射線源が、複数のIR放射線源を有する、請求項1に記載の処理モジュール。
　　【請求項５】
　前記放射線源が、9μm乃至10μmの波長でのレーザー放出を行うように設計された1つ以上のCO2レーザーを有する、請求項1に記載の処理モジュール。
　　【請求項６】
　前記放射線源が、前記放射線源からの複数のEM放射線のコヒーレントビームを受光し、前記複数のEM放射線のコヒーレントビームのうちの2つ以上を集合ビームとするように結合し、かつ該集合ビームを前記の処理チャンバ内の基板の少なくとも一部に照射するように備えられている、光学系を有する、
　請求項4に記載の処理モジュール。
　　【請求項７】
　前記放射線源が、前記放射線源からの複数のEM放射線のコヒーレントビームを受光し、前記複数のEM放射線のコヒーレントビームの全てを集合ビームとするように結合し、かつ該集合ビームを前記の処理チャンバ内の基板の少なくとも一部に照射するように備えられている、光学系を有する、
　請求項6に記載の処理モジュール。
　　【請求項８】
　前記光学系が：
　前記複数のEM放射線のコヒーレントビーム及び/若しくは前記集合ビームのサイズを調節するように備えられたビームサイズ調節デバイス；又は、
　前記複数のEM放射線のコヒーレントビーム及び/若しくは前記集合ビームを整形するように備えられたビーム整形デバイス；
　を有する、請求項6に記載の処理モジュール。
　　【請求項９】
　前記光学系は、前記基板の全てを投光照射するため、前記集合ビームのサイズ調節及び/又は整形を行うように備えられている、請求項8に記載の処理モジュール。
　　【請求項１０】
　前記放射線源が、前記放射線源からの複数のEM放射線のコヒーレントビームを受光し、かつ該複数のEM放射線のコヒーレントビームを前記の処理チャンバ内の基板の複数の位置に照射するように備えられている、光学系を有する、
　請求項4に記載の処理モジュール。
　　【請求項１１】
　前記処理チャンバと結合して、前記誘電膜を紫外(UV)放射線へ曝露するように備えられているUV放射線源を有する請求項1に記載の処理モジュールであって、
　前記UV放射線源は、150nm〜400nmの範囲の放出を含む波長帯域のUV放射線源を有する、
処理モジュール。
　　【請求項１２】
　前記UV放射線源が1つ以上のUVランプを有する、請求項11に記載の処理モジュール。
　　【請求項１３】
　前記IR放射線及び/又は前記UV放射線が通り抜ける1つ以上の窓をさらに有する請求項11に記載の処理モジュールであって、
　前記IR放射線及び/又は前記UV放射線が通り抜けて、前記処理チャンバへ入射することで前記基板が照射される、処理モジュール。
　　【請求項１４】
　前記1つ以上の窓が、サファイア、CaF2、BaF2、ZnSe、ZnS、若しくはGaAs、又は上記の2つ以上の混合物を有する、請求項13に記載の処理モジュール。
　　【請求項１５】
　前記処理チャンバと結合して前記基板の温度を制御するように備えられている温度制御システムをさらに有する、請求項1に記載の処理モジュール。
　　【請求項１６】
　前記温度制御システムが前記基板ホルダと結合する抵抗加熱素子を有し、かつ
　前記温度制御システムは、前記抵抗加熱素子を制御することで100℃〜600℃の範囲の値にまで前記基板温度を昇温させるように備えられている、
　請求項1に記載の処理モジュール。
　　【請求項１７】
　前記処理チャンバと結合して、該処理チャンバへ処理ガスを導入するように備えられているガス供給システムであって、前記処理チャンバへ反応性ガス及び/又は不活性ガスを供給するように備えられている、ガス供給システム；並びに、
　前記処理チャンバと結合して該処理チャンバを排気するように備えられている真空排気システム；
　をさらに有する、請求項1に記載の処理モジュール。
　　【請求項１８】
　前記ガス供給システムが、前記処理チャンバへ窒素ガスを供給するように備えられている、請求項17に記載の処理モジュール。
　　【請求項１９】
　前記処理チャンバと結合して前記の基板上の誘電膜の1つ以上の特性を測定するように備えられているその場計測システムをさらに有する、請求項1に記載の処理モジュール。
　　【請求項２０】
　前記その場計測システムがレーザー干渉計を有する、請求項19に記載の処理モジュール。
　　【請求項２１】
　基板上の誘電膜を処理する処理モジュールであって：
　処理チャンバ；
　該処理チャンバと結合して基板を支持するように備えられている基板ホルダ；
　前記処理チャンバと結合して前記誘電膜を赤外(IR)放射線へ曝露させるように備えられている赤外(IR)放射線源であって、1つ以上のIRレーザーを有するIR放射線源；及び、
　前記処理チャンバと結合して、前記IR放射線源からの1本以上のIRビームで前記基板全体を走査するように備えられている放射線走査デバイス；
　を有する処理モジュール。
　　【請求項２２】
　前記基板ホルダが複数の基板を支持するように備えられている、請求項21に記載の処理モジュール。
　　【請求項２３】
　前記基板ホルダと結合して、該基板ホルダを並進及び/又は回転させるように備えられた駆動システム；並びに
　前記駆動システムと結合して、基板の位置の監視、調節、又は制御のうちの少なくとも1つを実行するように備えられている運動制御システム；
　を有する、請求項21に記載の処理モジュール。
　　【請求項２４】
　前記IR放射線源が、8μm〜14μmの範囲の波長帯域のIR放射線源を有する、請求項21に記載の処理モジュール。
　　【請求項２５】
　前記IR放射線源が、1つ以上のCO2レーザーを有する、請求項21に記載の処理モジュール。
　　【請求項２６】
　前記放射線走査デバイスと結合する走査運動制御システムをさらに有する請求項21に記載の処理モジュールであって、
　前記走査運動制御システムは、前記1本以上のIRビームの位置の監視、調節、又は制御のうちの少なくとも1つを実行するように備えられている、処理モジュール。
　　【請求項２７】
　前記IR放射線源が：
　複数のIRレーザー；
　前記複数のIRレーザーからの複数のIRビームを受光し、前記複数のIRビームのうちの2本以上を集合IRビームとするように結合し、かつ該集合IRビームを前記の処理チャンバ内の基板の少なくとも一部に照射するように備えられている、IR光学系；
　を有する、
　請求項21に記載の処理モジュール。
　　【請求項２８】
　前記IR光学系が：
　前記複数のIRビームのうちの少なくとも1本のサイズを調節するように備えられたビームサイズ調節デバイス；又は
　前記複数のIRビームのうちの少なくとも1本を整形するように備えられたビーム整形デバイス；
　を有する、請求項21に記載の処理モジュール。
　　【請求項２９】
　前記IR光学系は、前記1本以上のIRビームのサイズ調節及び/又は整形を行うことでIRシートを生成するように備えられ、かつ
　前記放射線走査デバイスは、前記IRシートで前記基板全体を走査するように備えられている、
　請求項28に記載の処理モジュール。
　　【請求項３０】
　前記放射線走査デバイスが1つ以上の回転ミラー及び/又は1つ以上の並進ミラーをさらに有する、請求項21に記載の処理モジュール。
　　【請求項３１】
　前記放射線走査デバイスが1つ以上のミラーガルバノメータを有する、請求項21に記載の処理モジュール。
　　【請求項３２】
　前記処理チャンバと結合して、前記誘電膜を紫外(UV)放射線へ曝露するように備えられているUV放射線源を有する請求項21に記載の処理モジュールであって、
　前記UV放射線源は、150nm〜400nmの範囲の放出を含む波長帯域のUV放射線源を有する、
処理モジュール。
　　【請求項３３】
　前記UV放射線源が1つ以上のUVランプを有する、請求項32に記載の処理モジュール。
　　【請求項３４】
　前記IR放射線及び/又は前記UV放射線が通り抜ける1つ以上の窓をさらに有する請求項32に記載の処理モジュールであって、
　前記IR放射線及び/又は前記UV放射線が通り抜けて、前記処理チャンバへ入射することで前記基板が照射される、処理モジュール。
　　【請求項３５】
　前記1つ以上の窓が、サファイア、CaF2、BaF2、ZnSe、ZnS、若しくはGaAs、又は上記の2つ以上の混合物を有する、請求項34に記載の処理モジュール。
　　【請求項３６】
　前記処理チャンバと結合して前記基板の温度を制御するように備えられている温度制御システムをさらに有する、請求項21に記載の処理モジュール。
　　【請求項３７】
　前記温度制御システムが前記基板ホルダと結合する抵抗加熱素子を有し、かつ
　前記温度制御システムは、100℃〜600℃の範囲の値にまで前記基板温度を昇温させるように備えられている、
　請求項21に記載の処理モジュール。
　　【請求項３８】
　前記処理チャンバと結合して、該処理チャンバへ処理ガスを導入するように備えられているガス供給システムであって、前記処理チャンバへ反応性ガス及び/又は不活性ガスを供給するように備えられている、ガス供給システム；並びに、
　前記処理チャンバと結合して該処理チャンバを排気するように備えられている真空排気システム；
　をさらに有する、請求項21に記載の処理モジュール。
　　【請求項３９】
　前記ガス供給システムが、前記処理チャンバへ窒素ガスを供給するように備えられている、請求項38に記載の処理モジュール。
　　【請求項４０】
　前記処理チャンバと結合して前記の基板上の誘電膜の1つ以上の特性を測定するように備えられているその場計測システムをさらに有する、請求項21に記載の処理モジュール。
　　【請求項４１】
　基板上の誘電膜を処理する処理モジュールであって、
　当該処理モジュールは：
　処理チャンバ；
　該処理チャンバと結合して基板を支持するように備えられている基板ホルダ；
　前記処理チャンバと結合して前記誘電膜を赤外(IR)放射線へ曝露させるように備えられている赤外(IR)放射線源であって、1つ以上のIRレーザーを用いて1本以上のIRビームを生成するIR放射線源；及び、
　IR光学系；
　を有し、
　前記IR光学系は：
　前記1本以上のIRビームのうちの少なくとも1本を分配して複数のIRビームを生成するように備えられている1つ以上のビーム分配デバイス；
　前記複数のIRビームを前記基板の少なくとも一部上で結合するように備えられている1つ以上のビーム結合デバイス；
　を有する、
　処理モジュール。
　　【請求項４２】
　前記基板ホルダが複数の基板を支持するように備えられている、請求項41に記載の処理モジュール。
　　【請求項４３】
　前記基板ホルダと結合して、該基板ホルダを並進及び/又は回転させるように備えられた駆動システム；並びに
　前記駆動システムと結合して、基板の位置の監視、調節、又は制御のうちの少なくとも1つを実行するように備えられている運動制御システム；
　を有する、請求項41に記載の処理モジュール。
　　【請求項４４】
　前記IR放射線源が、8μm〜14μmの範囲の波長帯域のIR放射線源を有する、請求項41に記載の処理モジュール。
　　【請求項４５】
　前記IR放射線源が、1つ以上のCO2レーザーを有する、請求項41に記載の処理モジュール。
　　【請求項４６】
　前記IR光学系が：
　前記複数のIRビームのうちの少なくとも1本のサイズを調節するように備えられたビームサイズ調節デバイス；又は
　前記複数のIRビームのうちの少なくとも1本を整形するように備えられたビーム整形デバイス；
　を有する、請求項41に記載の処理モジュール。
　　【請求項４７】
　前記ビーム結合デバイスが、前記基板上の実質的に同一の位置に前記複数のIRビームを照射するように備えられている、請求項41に記載の処理モジュール。
　　【請求項４８】
　前記ビーム結合デバイスが、前記基板上の複数の位置に前記複数のIRビームを照射するように備えられ、かつ
　前記複数の位置は実質的に互いに隣接し、かつ前記基板の全てが照射される、
　請求項41に記載の処理モジュール。
　　【請求項４９】
　前記ビーム結合デバイスが、前記基板上の複数の位置に前記複数のIRビームを照射するように備えられ、かつ
　前記複数の位置のうちの少なくとも2つは互いに重なっている、
　請求項41に記載の処理モジュール。
　　【請求項５０】
　前記IR放射線源が複数のIRレーザーを有する、請求項41に記載の処理モジュール。
　　【請求項５１】
　前記処理チャンバと結合して、前記誘電膜を紫外(UV)放射線へ曝露するように備えられているUV放射線源を有する請求項41に記載の処理モジュールであって、
　前記UV放射線源は、150nm〜400nmの範囲の放出を含む波長帯域のUV放射線源を有する、
処理モジュール。
　　【請求項５２】
　前記UV放射線源が1つ以上のUVランプを有する、請求項51に記載の処理モジュール。
　　【請求項５３】
　前記IR放射線及び/又は前記UV放射線が通り抜ける1つ以上の窓をさらに有する請求項51に記載の処理モジュールであって、
　前記IR放射線及び/又は前記UV放射線が通り抜けて、前記処理チャンバへ入射することで前記基板が照射される、処理モジュール。
　　【請求項５４】
　前記1つ以上の窓が、サファイア、CaF2、BaF2、ZnSe、ZnS、若しくはGaAs、又は上記の2つ以上の混合物を有する、請求項53に記載の処理モジュール。
　　【請求項５５】
　前記処理チャンバと結合して前記基板の温度を制御するように備えられている温度制御システムをさらに有する、請求項41に記載の処理モジュール。
　　【請求項５６】
　前記温度制御システムが前記基板ホルダと結合する抵抗加熱素子を有し、かつ
　前記温度制御システムは、100℃〜600℃の範囲の値にまで前記基板温度を昇温させるように備えられている、
　請求項41に記載の処理モジュール。
　　【請求項５７】
　前記処理チャンバと結合して、該処理チャンバへ処理ガスを導入するように備えられているガス供給システムであって、前記処理チャンバへ反応性ガス及び/又は不活性ガスを供給するように備えられている、ガス供給システム；並びに、
　前記処理チャンバと結合して該処理チャンバを排気するように備えられている真空排気システム；
　をさらに有する、請求項41に記載の処理モジュール。
　　【請求項５８】
　前記ガス供給システムが、前記処理チャンバへ窒素ガスを供給するように備えられている、請求項57に記載の処理モジュール。
　　【請求項５９】
　前記処理チャンバと結合して前記の基板上の誘電膜の1つ以上の特性を測定するように備えられているその場計測システムをさらに有する、請求項41に記載の処理モジュール。
　　【請求項６０】
　前記その場計測システムがレーザー干渉計を有する、請求項41に記載の処理モジュール。
　　【請求項６１】
　基板上の誘電膜を処理する処理用プラットフォームであって：
　各々が基板上に誘電膜を堆積させるように備えられている1つ以上の気相成長システムであって、前記誘電膜は、有孔性誘電膜、非有孔性誘電膜、又は低誘電率(low-k)膜、又は超low-k膜を有する、1つ以上の気相堆積システム；
　前記の基板上の誘電膜を紫外(UV)放射線及び赤外(IR)放射線に曝露するように備えられている、1つ以上の誘電膜硬化システム；並びに、
　前記1つ以上の気相堆積システム及び前記1つ以上の誘電膜硬化システムと結合して、前記1つ以上の気相堆積システム及び前記1つ以上の誘電膜硬化システムに対して1つ以上の基板を搬入出するように備えられている、基板ハンドリングシステム；
　処理用プラットフォーム。
　　【請求項６２】
　前記1つ以上の気相堆積システムが、少なくとも1つの化学気相成長(CVD)システムを有する、請求項61に記載の処理用プラットフォーム。
　　【請求項６３】
　前記1つ以上の誘電膜硬化システムが、IR放射線のみで前記基板を処理するように備えられた少なくとも1つのIR処理モジュール、及び、UV放射線のみで前記基板を処理するように備えられた少なくとも1つのUV処理モジュールを有する、請求項61に記載の処理用プラットフォーム。
　　【請求項６４】
　前記少なくとも1つのIR処理モジュールが、前記基板の温度を、100℃〜600℃の範囲の値にまで昇温させるように備えられ、かつ
　前記少なくとも1つのUV処理モジュールが、前記基板の温度を、100℃〜600℃の範囲の値にまで昇温させるように備えられている、
　請求項63に記載の処理用プラットフォーム。
　　【請求項６５】
　前記少なくとも1つのIR処理モジュールと前記少なくとも1つのUV処理モジュールが直列に配置されることで、
　前記少なくとも1つのUV処理モジュールは前記基板ハンドリングシステムと接続し、かつ
　前記少なくとも1つのIR処理モジュールは前記少なくとも1つのUV処理モジュールと接続する、
　請求項63に記載の処理用プラットフォーム。
　　【請求項６６】
　前記少なくとも1つのIR処理モジュールと前記少なくとも1つのUV処理モジュールが直列に配置されることで、
　前記少なくとも1つのIR処理モジュールは前記基板ハンドリングシステムと接続し、かつ
　前記少なくとも1つのUV処理モジュールは前記少なくとも1つのIR処理モジュールと接続する、
　請求項63に記載の処理用プラットフォーム。
　　【請求項６７】
　前記1つ以上の誘電膜硬化システムが、IR放射線とUV放射線の両方で前記基板を処理するように備えられた少なくとも1つの処理モジュールを有する、請求項61に記載の処理用プラットフォーム。
　　【請求項６８】
　前記少なくとも1つの処理モジュールが、前記基板の温度を、100℃〜600℃の範囲の値にまで昇温させるように備えられている、請求項67に記載の処理用プラットフォーム。
　　【請求項６９】
　前記少なくとも1つの処理モジュールが、前記基板を、IR放射線とUV放射線へ順次曝露するように備えられているか、かつ/又は、IR放射線とUV放射線へ同時曝露するように備えられている、請求項67に記載の処理用プラットフォーム。
　　【請求項７０】
　前記基板ハンドリングシステムが、クラスタを構成するように、前記1つ以上の気相堆積システムの各々及び前記1つ以上の誘電膜硬化システムと接続する、請求項61に記載の処理用プラットフォーム。
　　【請求項７１】
　前記基板ハンドリングシステムが、直列となるように、前記1つ以上の気相堆積システムの各々及び前記1つ以上の誘電膜硬化システムと接続する、請求項61に記載の処理用プラットフォーム。
　　【請求項７２】
　前記1つ以上の誘電膜硬化システムのうちの少なくとも1つが、8μm〜14μmの範囲のIR波長帯域を有するIR放射線源を利用する、請求項61に記載の処理用プラットフォーム。
　　【請求項７３】
　前記1つ以上の誘電膜硬化システムのうちの少なくとも1つが、150nm〜400nmの範囲のUV波長帯域を有するUV放射線源を利用する、請求項61に記載の処理用プラットフォーム。
　　【請求項７４】
　前記1つ以上の誘電膜硬化システムのうちの少なくとも1つが、1つ以上のUVランプ及び/又は1つ以上のUVレーザーを有するUV放射線源を利用する、請求項61に記載の処理用プラットフォーム。
　　【請求項７５】
　前記1つ以上の誘電膜硬化システムのうちの少なくとも1つが、1つ以上のIRレーザーを利用する、請求項61に記載の処理用プラットフォーム。
　　【請求項７６】
　前記1つ以上のIRレーザーは、前記基板の全てを投光照射する1本以上のIRビームを生成する、請求項75に記載の処理用プラットフォーム。
　　【請求項７７】
　前記1つ以上のIRレーザーは、前記基板全体を走査するIRビームを生成する、請求項75に記載の処理用プラットフォーム。
　　【請求項７８】
　前記1つ以上の誘電膜硬化システムのうちの少なくとも1つが、複数のIRレーザーを利用して前記基板の複数の位置へ照射し、かつ
　前記1つ以上の誘電膜硬化システムのうちの少なくとも1つが、前記基板を並進及び/又は回転させるように備えられた基板ホルダを利用する、
　請求項61に記載の処理用プラットフォーム。
　　【請求項７９】
　基板上の誘電膜を処理する処理モジュールであって：
　処理チャンバ；
　該処理チャンバと結合して基板を支持するように備えられている基板ホルダ；
　前記基板ホルダと結合して、前記基板ホルダを垂直並進及び回転させるように備えられた駆動システム；
　前記処理チャンバと結合して、前記基板ホルダの上側表面に対して前記基板を運搬するように備えられた1組のリフトピン；
　第1放射線源；並びに、
　第2放射線源；
　を有し、
　前記第1放射線源は、該第1放射線源に属するEM放射線に前記基板を曝露するように備えられ、かつ
　前記第2放射線源は、該第2放射線源に属するEM放射線に前記基板を曝露するように備えられている、
　処理モジュール。
　　【請求項８０】
　前記第1放射線源はUV放射線源を有し、
　前記第2放射線源はIR放射線源を有し、
　前記基板ホルダは、前記1組のリフトピンが前記基板ホルダを貫通する第1位置へ垂直並進し、かつ前記基板は前記の基板ホルダの上側表面から持ち上げられ、
　前記基板ホルダは、前記基板が回転して、前記IR放射線及び/又は前記UV放射線へ曝露される第2位置へ垂直並進する、
　請求項79に記載の処理モジュール。」
　
（補正後）
「　【請求項１】
　基板上の誘電膜を処理する処理モジュールであって、
　当該処理モジュールは、処理チャンバ、該処理チャンバと結合して、上に誘電体膜を有する基板を支持するように備えられている基板ホルダ、前記処理チャンバと結合して前記誘電膜を電磁(EM)放射線へ曝露させるように備えられている放射線源を有し、
　前記放射線源は1つ以上の赤外(IR)放射線源を有し、
　前記1つ以上のIR放射線源は、スペクトル範囲が9μm乃至10μmの範囲内の波長でのEM放射線を含む狭帯域の波長を有する単色の電磁放射線を
有し
　
前記放射線源は、前記処理チャンバと結合して、前記誘電膜を紫外(UV)放射線に曝露するように構成されるUV放射線源を含み、かつ、
　前記UV放射線源は、150nm乃至400nmの範囲の放射を含むUV帯域源を含む、
　処理モジュール。
　　【請求項２】
　前記基板ホルダが複数の基板を支持するように備えられている、請求項1に記載の処理モジュール。
　　【請求項３】
　前記基板ホルダと結合して、該基板ホルダを並進及び/又は回転させるように備えられた駆動システム；並びに
　前記駆動システムと結合して、基板の位置の監視、調節、又は制御のうちの少なくとも1つを実行するように備えられている運動制御システム；
　を有する、請求項1に記載の処理モジュール。
　　【請求項４】
　前記1つ以上のIR放射線源が、複数のIR放射線源を有する、請求項1に記載の処理モジュール。
　　【請求項５】
　前記放射線源が、9μm乃至10μmの波長でのレーザー放出を行うように設計された1つ以上のCO2レーザーを有する、請求項1に記載の処理モジュール。
　　【請求項６】
　前記放射線源が、前記放射線源からの複数のEM放射線のコヒーレントビームを受光し、前記複数のEM放射線のコヒーレントビームのうちの2つ以上を集合ビームとするように結合し、かつ該集合ビームを前記の処理チャンバ内の基板の少なくとも一部に照射するように備えられている、光学系を有する、
　請求項4に記載の処理モジュール。
　　【請求項７】
　前記放射線源が、前記放射線源からの複数のEM放射線のコヒーレントビームを受光し、前記複数のEM放射線のコヒーレントビームの全てを集合ビームとするように結合し、かつ該集合ビームを前記の処理チャンバ内の基板の少なくとも一部に照射するように備えられている、光学系を有する、
　請求項6に記載の処理モジュール。
　　【請求項８】
　前記光学系が：
　前記複数のEM放射線のコヒーレントビーム及び/若しくは前記集合ビームのサイズを調節するように備えられたビームサイズ調節デバイス；又は、
　前記複数のEM放射線のコヒーレントビーム及び/若しくは前記集合ビームを整形するように備えられたビーム整形デバイス；
　を有する、請求項6に記載の処理モジュール。
　　【請求項９】
　前記光学系は、前記基板の全てを投光照射するため、前記集合ビームのサイズ調節及び/又は整形を行うように備えられている、請求項8に記載の処理モジュール。
　　【請求項１０】
　前記放射線源が、前記放射線源からの複数のEM放射線のコヒーレントビームを受光し、かつ該複数のEM放射線のコヒーレントビームを前記の処理チャンバ内の基板の複数の位置に照射するように備えられている、光学系を有する、
　請求項4に記載の処理モジュール。
　　【請求項１１】
　
前記処理チャンバと結合して、前記誘電膜を紫外(UV)放射線へ曝露するように備えられているUV放射線源を有する請求項1に記載の処理モジュールであって、
　前記UV放射線源は、150nm〜400nmの範囲の放出を含む波長帯域のUV放射線源を有し、
　前記UV放射線源が1つ以上のUVランプを有する、
　
処理モジュール
　　【請求項１２】
　
前記処理チャンバと結合して、前記誘電膜を紫外(UV)放射線へ曝露するように備えられているUV放射線源と
を有する請求項1に記載の処理モジュールであって、
　前記UV放射線源は、150nm〜400nmの範囲の放出を含む波長帯域のUV放射線源を有し、
　前記IR放射線及び/又は前記UV放射線が通り抜けて、前記処理チャンバへ入射することで前記基板が照射される、処理モジュール。
　　【請求項１３】
　前記1つ以上の窓が、サファイア、CaF2、BaF2、ZnSe、ZnS、若しくはGaAs、又は上記の2つ以上の混合物を有する、請求項
12
　　【請求項１４】
　前記処理チャンバと結合して前記基板の温度を制御するように備えられている温度制御システムをさらに有する、請求項1に記載の処理モジュール。
　　【請求項１５】
　前記温度制御システムが前記基板ホルダと結合する抵抗加熱素子を有し、かつ
　前記温度制御システムは、前記抵抗加熱素子を制御することで100℃〜600℃の範囲の値にまで前記基板温度を昇温させるように備えられている、
　請求項1に記載の処理モジュール。
　　【請求項１６】
　前記処理チャンバと結合して、該処理チャンバへ処理ガスを導入するように備えられているガス供給システムであって、前記処理チャンバへ反応性ガス及び/又は不活性ガスを供給するように備えられている、ガス供給システム；並びに、
　前記処理チャンバと結合して該処理チャンバを排気するように備えられている真空排気システム；
　をさらに有する、請求項1に記載の処理モジュール。
　　【請求項１７】
　前記ガス供給システムが、前記処理チャンバへ窒素ガスを供給するように備えられている、請求項17に記載の処理モジュール。
　　【請求項１８】
　前記処理チャンバと結合して前記の基板上の誘電膜の1つ以上の特性を測定するように備えられているその場計測システムをさらに有する、請求項1に記載の処理モジュール。
　　【請求項１９】
　前記その場計測システムがレーザー干渉計を有する、請求項
18
　　【請求項２０】
　基板上の誘電膜を処理する処理モジュールであって：
　処理チャンバ；
　該処理チャンバと結合して基板を支持するように備えられている基板ホルダ；
　
前記処理チャンバと結合して、前記誘電膜を紫外(UV)放射線に曝露するように構成されるUV放射線源；
　前記処理チャンバと結合して前記誘電膜を赤外(IR)放射線へ曝露させるように備えられている赤外(IR)放射線源であって、1つ以上のIRレーザーを有するIR放射線源；及び、
　前記処理チャンバと結合して、
前記IR放射線源からの1本以上のIRビームを変位させ、
　を
有し、
　
前記UV放射線源は、150nm乃至400nmの範囲の放射を含むUV帯域源を含み、
　前記放射線走査デバイスは、前記基板全体にわたって、第1方向と該第1方向とは異なる第2方向に前記IR放射線源からの1本以上のIRビームを変位及び走査するように備えられている、
　処理モジュール。
　　【請求項２１】
　前記基板ホルダが複数の基板を支持するように備えられている、請求項
20
　　【請求項２２】
　前記基板ホルダと結合して、該基板ホルダを並進及び/又は回転させるように備えられた駆動システム；並びに
　前記駆動システムと結合して、基板の位置の監視、調節、又は制御のうちの少なくとも1つを実行するように備えられている運動制御システム；
　を有する、請求項
20
　　【請求項２３】
　前記IR放射線源が、8μm〜14μmの範囲の波長帯域のIR放射線源を有する、請求項
20
　　【請求項２４】
　前記IR放射線源が、1つ以上のCO2レーザーを有する、請求項
20
　　【請求項２５】
　前記放射線走査デバイスと結合する走査運動制御システムをさらに有する請求項
20
　前記走査運動制御システムは、前記1本以上のIRビームの位置の監視、調節、又は制御のうちの少なくとも1つを実行するように備えられている、処理モジュール。
　　【請求項２６】
　前記IR放射線源が：
　複数のIRレーザー；
　前記複数のIRレーザーからの複数のIRビームを受光し、前記複数のIRビームのうちの2本以上を集合IRビームとするように結合し、かつ該集合IRビームを前記の処理チャンバ内の基板の少なくとも一部に照射するように備えられている、IR光学系；
　を有する、
　請求項
20
　　【請求項２７】
　前記IR光学系が：
　前記複数のIRビームのうちの少なくとも1本のサイズを調節するように備えられたビームサイズ調節デバイス；又は
　前記複数のIRビームのうちの少なくとも1本を整形するように備えられたビーム整形デバイス；
　を有する、請求項
20
　　【請求項２８】
　前記IR光学系は、前記1本以上のIRビームのサイズ調節及び/又は整形を行うことでIRシートを生成するように備えられ、かつ
　前記放射線走査デバイスは、前記IRシートで前記基板全体を走査するように備えられている、
　請求項
27
　　【請求項２９】
　前記放射線走査デバイスが1つ以上の回転ミラー及び/又は1つ以上の並進ミラーをさらに有する、請求項
20
　　【請求項３０】
　前記放射線走査デバイスが1つ以上のミラーガルバノメータを有する、請求項
20
　　【請求項３１】
　前記UV放射線源が1つ以上のUVランプを有する、請求項
20
　　【請求項３２】
　前記処理チャンバと結合して、前記誘電膜を紫外(UV)放射線へ曝露するように備えられているUV放射線源
並びに前記IR放射線及び/又は前記UV放射線が通り抜ける1つ以上の窓
20
　前記UV放射線源は、150nm〜400nmの範囲の放出を含む波長帯域のUV放射線源を
有し
　前記IR放射線及び/又は前記UV放射線が通り抜けて、前記処理チャンバへ入射することで前記基板が照射される、処理モジュール。
　　【請求項３３】
　前記1つ以上の窓が、サファイア、CaF2、BaF2、ZnSe、ZnS、若しくはGaAs、又は上記の2つ以上の混合物を有する、請求項
32
　　【請求項３４】
　前記処理チャンバと結合して前記基板の温度を制御するように備えられている温度制御システムをさらに有する、請求項
20
　　【請求項３５】
　前記温度制御システムが前記基板ホルダと結合する抵抗加熱素子を有し、かつ
　前記温度制御システムは、100℃〜600℃の範囲の値にまで前記基板温度を昇温させるように備えられている、
　請求項
20
　　【請求項３６】
　前記処理チャンバと結合して、該処理チャンバへ処理ガスを導入するように備えられて
いるガス供給システムであって、前記処理チャンバへ反応性ガス及び/又は不活性ガスを供給するように備えられている、ガス供給システム；並びに、
　前記処理チャンバと結合して該処理チャンバを排気するように備えられている真空排気システム；
　をさらに有する、請求項
20
　　【請求項３７】
　前記ガス供給システムが、前記処理チャンバへ窒素ガスを供給するように備えられている、請求項
36
　　【請求項３８】
　前記処理チャンバと結合して前記の基板上の誘電膜の1つ以上の特性を測定するように備えられているその場計測システムをさらに有する、請求項
20
　　【請求項３９】
　基板上の誘電膜を処理する処理モジュールであって、
　当該処理モジュールは：
　処理チャンバ；
　該処理チャンバと結合して基板を支持するように備えられている基板ホルダ；
　
前記処理チャンバと結合して、前記誘電膜を紫外(UV)放射線に曝露するように構成されるUV放射線源；
　前記処理チャンバと結合して前記誘電膜を赤外(IR)放射線へ曝露させるように備えられている赤外(IR)放射線源であって、1つ以上のIRレーザーを用いて1本以上のIRビームを生成するIR放射線源；及び、
　IR光学系；
　を有し、
　
前記UV放射線源は、150nm乃至400nmの範囲の放射を含むUV帯域源を含み、
　前記IR光学系は：
　前記1本以上のIRビームのうちの少なくとも1本を分配して複数のIRビームを生成するように備えられている1つ以上のビーム分配デバイス；
　前記複数のIRビームを前記基板の少なくとも一部上で結合するように備えられている1つ以上のビーム結合デバイス；
　を有する、
　処理モジュール。
　　【請求項４０】
　前記基板ホルダが複数の基板を支持するように備えられている、請求項
39
　　【請求項４１】
　前記基板ホルダと結合して、該基板ホルダを並進及び/又は回転させるように備えられた駆動システム；並びに
　前記駆動システムと結合して、基板の位置の監視、調節、又は制御のうちの少なくとも1つを実行するように備えられている運動制御システム；
　を有する、請求項
39
　　【請求項４２】
　前記IR放射線源が、8μm〜14μmの範囲の波長帯域のIR放射線源を有する、請求項
39
　　【請求項４３】
　前記IR放射線源が、1つ以上のCO2レーザーを有する、請求項
39
　　【請求項４４】
　前記IR光学系が：
　前記複数のIRビームのうちの少なくとも1本のサイズを調節するように備えられたビームサイズ調節デバイス；又は
　前記複数のIRビームのうちの少なくとも1本を整形するように備えられたビーム整形デバイス；
　を有する、請求項
39
　　【請求項４５】
　前記ビーム結合デバイスが、前記基板上の実質的に同一の位置に前記複数のIRビームを照射するように備えられている、請求項
39
　　【請求項４６】
　前記ビーム結合デバイスが、前記基板上の複数の位置に前記複数のIRビームを照射するように備えられ、かつ
　前記複数の位置は実質的に互いに隣接し、かつ前記基板の全てが照射される、
　請求項
39
　　【請求項４７】
　前記ビーム結合デバイスが、前記基板上の複数の位置に前記複数のIRビームを照射するように備えられ、かつ
　前記複数の位置のうちの少なくとも2つは互いに重なっている、
　請求項
39
　　【請求項４８】
　前記IR放射線源が複数のIRレーザーを有する、請求項
39
　　【請求項４９】
　前記処理チャンバと結合して、前記誘電膜を紫外(UV)放射線へ曝露するように備えられているUV放射線源を有する請求項
39
　前記UV放射線源は、150nm〜400nmの範囲の放出を含む波長帯域のUV放射線源を有する、
処理モジュール。
　　【請求項５０】
　前記UV放射線源が1つ以上のUVランプを有する、請求項
49
　　【請求項５１】
　前記IR放射線及び/又は前記UV放射線が通り抜ける1つ以上の窓をさらに有する請求項
49
　前記IR放射線及び/又は前記UV放射線が通り抜けて、前記処理チャンバへ入射することで前記基板が照射される、処理モジュール。
　　【請求項５２】
　前記1つ以上の窓が、サファイア、CaF2、BaF2、ZnSe、ZnS、若しくはGaAs、又は上記の2つ以上の混合物を有する、請求項
51
　　【請求項５３】
　前記処理チャンバと結合して前記基板の温度を制御するように備えられている温度制御システムをさらに有する、請求項
39
　　【請求項５４】
　前記温度制御システムが前記基板ホルダと結合する抵抗加熱素子を有し、かつ
　前記温度制御システムは、100℃〜600℃の範囲の値にまで前記基板温度を昇温させるように備えられている、
　請求項
39
　　【請求項５５】
　前記処理チャンバと結合して、該処理チャンバへ処理ガスを導入するように備えられているガス供給システムであって、前記処理チャンバへ反応性ガス及び/又は不活性ガスを供給するように備えられている、ガス供給システム；並びに、
　前記処理チャンバと結合して該処理チャンバを排気するように備えられている真空排気システム；
　をさらに有する、請求項
39
　　【請求項５６】
　前記ガス供給システムが、前記処理チャンバへ窒素ガスを供給するように備えられている、請求項
55
　　【請求項５７】
　前記処理チャンバと結合して前記の基板上の誘電膜の1つ以上の特性を測定するように備えられているその場計測システムをさらに有する、請求項
39
　　【請求項５８】
　前記その場計測システムがレーザー干渉計を有する、請求項
39
　　【請求項５９】
　基板上の誘電膜を処理する処理モジュールであって：
　処理チャンバ；
　該処理チャンバと結合して
上面で
　第1放射線源；並びに、
　第2放射線源；
　を有し、
　前記第1放射線源は、該第1放射線源に属するEM放射線に前記基板を曝露するように備えられ
、
　前記第1放射線源は紫外(UV)放射線源を含み、
　前記UV放射線源は、前記基板の上方に設けられ、かつ、前記基板にUV放射線を照射するように構成される1つ以上のUVランプを有し、
　
前記UV放射線源は、150nm乃至400nmの範囲の放射を含むUV帯域源を含み、
　前記第2放射線源は、該第2放射線源に属するEM放射線に前記基板を曝露するように
備えられ
　
前記第2放射線源は赤外(IR)放射線源を含み、
　
前記IR放射線源は：
　
1つ以上のIRビームを生成し、かつ、8μm乃至14μmのスペクトル範囲内
波長の放射線を含むIR放射線を前記基板上の少なくとも1つのビームスポットに照射するように構成される1つ以上のIRレーザー；
　
前記1つ以上のIRビームのうちの少なくとも1つのビーム直径のサイズを設定するように構成されるビームサイズ設定装置を有するIR光学系；及び、
　
前記基板全体にわたって前記1つ以上のIRレーザーからの1つ以上のIRビームを走査させるように構成される放射線走査装置；
　を有する、
　処理モジュール。
　　【請求項６０】
　
前記基板ホルダと結合して、前記基板ホルダを垂直に並進及び回転させるように構成される駆動システム；並びに、
　
前記処理チャンバと結合して、前記基板ホルダの上面に対して前記基板を運搬するように構成される1組のリフトピン；
　
をさらに有する
59
　　【請求項６１】
　
前記1組のリフトピンが前記基板ホルダを突き抜けて延びて、かつ、前記基板が前記基板ホルダの上面から持ち上げられる第1位置へ、前記基板ホルダが垂直方向に並進されるように構成され、かつ、
　前記基板が回転し、かつ、前記IR放射線源及び/又はUV放射線源に曝露される第2位置へ、前記基板ホルダが垂直方向に並進されるように構成される、
　請求項
60
　
（２）補正事項の整理
（補正事項ａ）補正前の請求項１の「前記放射線源は1つ以上の赤外(IR)放射線源を有し、前記1つ以上のIR放射線源は、スペクトル範囲が9μm乃至10μmの範囲内の波長でのEM放射線を含む狭帯域の波長を有する単色の電磁放射線を有する」を、補正後の請求項１の「前記放射線源は1つ以上の赤外(IR)放射線源を有し、前記1つ以上のIR放射線源は、スペクトル範囲が9μm乃至10μmの範囲内の波長でのEM放射線を含む狭帯域の波長を有する単色の電磁放射線を有
し、前記放射線源は、前記処理チャンバと結合して、前記誘電膜を紫外(UV)放射線に曝露するように構成されるUV放射線源を含み、かつ、前記UV放射線源は、150nm乃至400nmの範囲の放射を含むUV帯域源を含む
（補正事項ｂ）補正前の請求項１１を削除し、補正前の請求項１２を、当該請求項が引用していた補正前の請求項１１と合わせて補正後の請求項１１とするとともに、当該削除に伴って、請求項の番号及び引用する請求項の番号を修正すること。
（補正事項ｃ）補正前の請求項１３の「前記IR放射線及び/又は前記UV放射線が通り抜ける1つ以上の窓をさらに有する請求項11に記載の処理モジュールであって、前記IR放射線及び/又は前記UV放射線が通り抜けて、前記処理チャンバへ入射することで前記基板が照射される、処理モジュール。」を、補正後の請求項１２の「
前記処理チャンバと結合して、前記誘電膜を紫外(UV)放射線へ曝露するように備えられているUV放射線源と
を
1
前記UV放射線源は、150nm〜400nmの範囲の放出を含む波長帯域のUV放射線源を有し、
　
（補正事項ｄ）補正前の請求項２１の「基板上の誘電膜を処理する処理モジュールであって：処理チャンバ；該処理チャンバと結合して基板を支持するように備えられている基板ホルダ；前記処理チャンバと結合して前記誘電膜を赤外(IR)放射線へ曝露させるように備えられている赤外(IR)放射線源であって、1つ以上のIRレーザーを有するIR放射線源；及び、前記処理チャンバと結合して、前記IR放射線源からの1本以上のIRビームで前記基板全体を走査するように備えられている放射線走査デバイス；を有する処理モジュール。」を、補正後の請求項２０の「基板上の誘電膜を処理する処理モジュールであって：処理チャンバ；該処理チャンバと結合して基板を支持するように備えられている基板ホルダ；
前記処理チャンバと結合して、前記誘電膜を紫外(UV)放射線に曝露するように構成されるUV放射線源；
前記IR放射線源からの1本以上のIRビームを変位させ、
前記UV放射線源は、150nm乃至400nmの範囲の放射を含むUV帯域源を含み、前記放射線走査デバイスは、前記基板全体にわたって、第1方向と該第1方向とは異なる第2方向に前記IR放射線源からの1本以上のIRビームを変位及び走査するように備えられている、
（補正事項ｅ）補正前の請求項３２を削除し、補正前の請求項３４を、当該請求項を引用していた補正前の請求項３２と合わせて補正後の請求項３２とするとともに、当該削除に伴って、請求項の番号及び引用する請求項の番号を修正すること。
　
（補正事項ｆ）補正前の請求項４１の「基板上の誘電膜を処理する処理モジュールであって、当該処理モジュールは：処理チャンバ；該処理チャンバと結合して基板を支持するように備えられている基板ホルダ；前記処理チャンバと結合して前記誘電膜を赤外(IR)放射線へ曝露させるように備えられている赤外(IR)放射線源であって、1つ以上のIRレーザーを用いて1本以上のIRビームを生成するIR放射線源；及び、IR光学系；を有し、前記IR光学系は：前記1本以上のIRビームのうちの少なくとも1本を分配して複数のIRビームを生成するように備えられている1つ以上のビーム分配デバイス；前記複数のIRビームを前記基板の少なくとも一部上で結合するように備えられている1つ以上のビーム結合デバイス；を有する、処理モジュール。」を、補正後の請求項３９の「基板上の誘電膜を処理する処理モジュールであって、当該処理モジュールは：処理チャンバ；該処理チャンバと結合して基板を支持するように備えられている基板ホルダ；
前記処理チャンバと結合して、前記誘電膜を紫外(UV)放射線に曝露するように構成されるUV放射線源；
前記UV放射線源は、150nm乃至400nmの範囲の放射を含むUV帯域源を含み、
　
（補正事項ｇ）補正前の請求項６１ないし７８を削除するとともに、当該削除に伴って、請求項の番号及び引用する請求項の番号を修正すること。
（補正事項ｈ）補正前の請求項７９の「基板上の誘電膜を処理する処理モジュールであって：処理チャンバ；該処理チャンバと結合して基板を支持するように備えられている基板ホルダ；前記基板ホルダと結合して、前記基板ホルダを垂直並進及び回転させるように備えられた駆動システム；前記処理チャンバと結合して、前記基板ホルダの上側表面に対して前記基板を運搬するように備えられた1組のリフトピン；第1放射線源；並びに、第2放射線源；を有し、前記第1放射線源は、該第1放射線源に属するEM放射線に前記基板を曝露するように備えられ、かつ前記第2放射線源は、該第2放射線源に属するEM放射線に前記基板を曝露するように備えられている、処理モジュール。」を、補正後の請求項５９の「基板上の誘電膜を処理する処理モジュールであって：処理チャンバ；該処理チャンバと結合して
上面で
；
前記第1放射線源は紫外(UV)放射線源を含み、前記UV放射線源は、前記基板の上方に設けられ、かつ、前記基板にUV放射線を照射するように構成される1つ以上のUVランプを有し、前記UV放射線源は、150nm乃至400nmの範囲の放射を含むUV帯域源を含み、
、前記第2放射線源は赤外(IR)放射線源を含み、前記IR放射線源は：1つ以上のIRビームを生成し、かつ、8μm乃至14μmのスペクトル範囲内波長の放射線を含むIR放射線を前記基板上の少なくとも1つのビームスポットに照射するように構成される1つ以上のIRレーザー；前記1つ以上のIRビームのうちの少なくとも1つのビーム直径のサイズを設定するように構成されるビームサイズ設定装置を有するIR光学系；及び、前記基板全体にわたって前記1つ以上のIRレーザーからの1つ以上のIRビームを走査させるように構成される放射線走査装置；を有する、
（補正事項ｉ）補正前の請求項８０を削除すること。
（補正事項ｊ）補正後の請求項６０及び請求項６１を追加すること。
　なお、審判請求の理由において請求人は、「(b)補正の根拠の明示」として「請求項11,32,49,61,65乃至78,及び80を削除いたしました。」、「補正前請求項62（補正後請求項60）を補正前請求項79（補正後請求項59）に従属させる補正を行いました。」と説明している。
　しかしながら、補正前の請求項４９は、新たな請求項４７となっており、削除されていない。
　また、補正前の請求項６２は、「気相堆積システム」との発明特定事項を含むものであるものの、補正後の請求項５９を引用する請求項６０及び請求項６１には、対応する発明特定事項が記載されていない。また、補正後の請求項１乃至請求項５９にも、対応する発明特定事項が記載されていない。よって補正前の請求項６２は削除されていると評価できる。
　同様に、補正後の特許請求の範囲には、補正前の請求項６３及び請求項６４に対応する記載がなく、補正前の請求項６３及び請求項６４は削除されていると評価できる。
　よって、本件補正の補正事項を、上記の審判請求の理由における説明のとおりに整理することはできないため、本件補正を上記の（補正事項ｂ）、（補正事項ｅ）、（補正事項ｇ）及び（補正事項ｉ）のように、補正前の請求項１１、請求項３２、請求項６１乃至請求項７８及び請求項８０が削除され、補正前の請求項４９は削除されておらず、上記の（補正事項ｉ）のように、補正後の請求項６０及び請求項６１が追加されたものとして整理した。
（３）補正の適法性についての検討
（３−１）補正事項ａについて
　補正事項ａは、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「放射線源」について、「前記処理チャンバと結合して、前記誘電膜を紫外(UV)放射線に曝露するように構成されるUV放射線源を含み、かつ、前記UV放射線源は、150nm乃至400nmの範囲の放射を含むUV帯域源を含む」と限定的に減縮する補正であり、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、この補正が、特許法第１７条の２第３項に規定する要件及び同法同条第４項に規定する要件を満たしていることは明らかである。
　
（３−２）補正事項ｂについて
　補正事項ｂは、特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものである。
（３−３）補正事項ｃについて
　補正事項ｃは、補正事項ａと同様に、補正前の請求項１３に係る発明の発明特定事項である「放射線源」を限定的に減縮する補正であり、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、この補正事項ｃが、特許法第１７条の２第３項に規定する要件及び同法同条第４項に規定する要件を満たしていることは明らかである。
　
（３−４）補正事項ｄについて
　補正事項ｄは、補正前の請求項２１に係る発明の発明特定事項である「処理モジュール」について、「前記処理チャンバと結合して、前記誘電膜を紫外(UV)放射線に曝露するように構成されるUV放射線源；」を有し、「前記UV放射線源は、150nm乃至400nmの範囲の放射を含むUV帯域源を含み」と限定的に減縮するとともに、補正前の請求項２１に係る発明の発明特定事項である「放射線走査デバイス」を「前記IR放射線源からの1本以上のIRビームを変位させ、」「前記基板全体にわたって、第1方向と該第1方向とは異なる第2方向に前記IR放射線源からの1本以上のIRビームを変位及び走査するように備えられている」と限定的に減縮する補正であり、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、この補正が、特許法第１７条の２第３項に規定する要件及び同法同条第４項に規定する要件を満たしていることは明らかである。
（３−５）補正事項ｅについて
　補正事項ｅは、特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものである。
（３−６）補正事項ｆについて
　補正事項ｆは、補正前の請求項４１に係る発明の発明特定事項である「処理モジュール」について、「前記処理チャンバと結合して、前記誘電膜を紫外(UV)放射線に曝露するように構成されるUV放射線源；」を有し、「前記UV放射線源は、150nm乃至400nmの範囲の放射を含むUV帯域源を含み」と限定的に減縮する補正であり、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そして、この補正が、特許法第１７条の２第３項に規定する要件及び同法同条第４項に規定する要件を満たしていることは明らかである。
（３−７）補正事項ｇについて
　補正事項ｇは、特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものである。
（３−８）補正事項ｈについて
　補正事項ｈのうち、補正前の請求項７９に係る発明の発明特定事項である「前記基板ホルダと結合して、前記基板ホルダを垂直並進及び回転させるように備えられた駆動システム；前記処理チャンバと結合して、前記基板ホルダの上側表面に対して前記基板を運搬するように備えられた1組のリフトピン；」を削除する補正は、発明特定事項を削除するものであって、特許請求の範囲を拡大するものであることから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる請求項の範囲の減縮するものとは言えない。また、この補正事項ｈは特許法第１７条の２第５項の他のいずれの号に掲げる事項を目的とするものにも該当しない。
　したがって、補正事項ｈは、特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たしていない。
（３−９）補正事項ｉについて
　補正事項ｉは、特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものである。
（３−１０）補正事項ｊについて
　補正事項ｊは、引用する補正後の請求項５９に係る「処理モジュール。」の発明との関係が不明な「処理用プラットフォーム。」の発明である補正後の請求項６０及び請求項６１を追加するものであることから、特許法第１７条の２第５項のいずれの号に掲げる事項を目的とするものにも該当しない。
（３−１１）新規事項追加の有無及び補正の目的の適否についてのまとめ
　以上、検討したとおり、本件補正のうちの補正事項ｈ及びｊは、特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たしていないから、本件補正は、同法同条同項に規定する要件を満たしていない。
　
（４）独立特許要件について
（４−１）検討の前提
　上記（３）において検討したとおり、本件補正は特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たしていないが、仮に本件補正が当該要件を満たすものであるとした場合には、上記（３）において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むものであるから、本件補正が、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか否かについて、一応検討する。
　
（４−２）補正後の請求項１に係る発明
　本件補正による補正後の請求項１ないし６１に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その請求項１ないし６１に記載されている事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの補正後の請求項１に係る発明（以下「補正後の発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正後の請求項１として記載したとおりのものである。
　
（４−３）引用刊行物 
（４−３−１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前である２００８年３月１３日に外国で頒布された刊行物である米国特許出願公開第２００８／００６３８０９号明細書（以下「引用刊行物」という。）には、図３とともに、以下の事項が記載されている。（なお、下線は、当合議体において付与したものである。以下、同じ。）
「［0048］Referring now to  FIG. 3 , a curing system  400  is shown according to another embodiment of the present invention. 
Curing system  400  includes a curing chamber  410  configured to produce a clean, contaminant-free environment for curing a substrate  425  resting on substrate holder  420 . Curing system  400  further includes two or more radiation sources configured to expose substrate  425  having the dielectric film to electro-magnetic (EM) radiation at multiple EM wavelengths. The two or more radiation sources can include an infrared (IR) radiation source  440  and an ultraviolet (UV) radiation source  445 .
「［0048］ここで図3を参照すると、本発明の別の実施形態に従って示されている硬化システム400が設けられている。
硬化システム400は、基板ホルダ420に載置された基板425を硬化させるための清浄で不純物を含まない環境を生成するように構成された硬化チャンバ410を備えている。硬化システム400はさらに、誘電体膜が形成された基板425を複数のEM波長で電磁(EM)放射線に曝露するように構成された2以上の放射線源を含んでいる。2以上の放射線源は、赤外(IR)放射線源440及び紫外(UV)放射源445を含むことができる。
「［0049］The IR radiation source  440  may include a broad-band IR source, or may include a narrow-band IR source. The IR radiation source can include one or more IR lamps, or one or more IR lasers (continuous wave (CW), tunable, or pulsed), or any combination thereof. The IR power can range from approximately 0.1 mW to approximately 2000 W. 
The IR radiation wavelength
desirably, can range from approximately 8 microns to approximately 14 microns.
「［0049］IR放射線源440は、広帯域IR源を含んでもよく、あるいは狭帯域IR源を含むことができる。IR放射線源は、1つまたは複数のIRランプ、あるいは1つまたは複数のIRレーザ(連続波(CW)、波長可変、またはパルス)、またはそれらの任意の組み合わせを含むことができる。IRパワーは約0.1mWから約2000Wの範囲であってもよい。
IR放射波長は
好ましくは約8ミクロンから約14ミクロンの範囲であってもよい。
「［0051］The UV radiation source  445  may include a broad-band UV source, or may include a narrow-band UV source. The UV radiation source can include one or more UV lamps, or one or more UV lasers (continuous wave (CW), tunable, or pulsed), or any combination thereof. UV radiation can be generated, for instance, from a microwave source, an arc discharge, a dielectric barrier discharge, or electron impact generation. The UV power density can range from approximately 0.1 mW/cm2 to approximately 2000 mW/cm2. 
The UV wavelength
desirably, can range from approximately 200 nm to approximately 400 nm.
「［0051］UV放射線源445は、広帯域UV源を含んでもよいし、狭帯域UV源を含むことができる。UV放射線源は1つまたは複数のUVランプ、又は1つ又はそれ以上のUVレーザ(連続波(CW)、波長可変、またはパルス)、またはそれらの任意の組み合わせを含むことができる。UV放射線は、例えば、マイクロ波源、アーク放電、誘電体バリア放電、又は電子衝撃発生から生成することができる。UVパワー密度は、約0.1mW/cm2から約2000mW/cm2の範囲であってもよい。
UV波長は
好ましくは約200nmから約400nmの範囲であってもよい。
　また、引用刊行物１の図３には、基板ホルダ420、赤外(IR)放射線源440や紫外(UV)放射源445が硬化チャンバ410に結合している様子が記載されている。
　
（４−３−２）そうすると、引用刊行物には、別の実施形態として以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「誘電体膜が形成された基板425を複数のEM波長で電磁(EM)放射線に曝露する硬化システム400であって、
　当該硬化システム400は、硬化チャンバ410、硬化チャンバ410と結合して誘電体膜が形成された基板425を載置する基板ホルダ420、硬化チャンバ410と結合して誘電体膜が形成された基板425を複数のEM波長で電磁(EM)放射線に曝露する2以上の放射線源を含み、
　2以上の放射線源は赤外(IR)放射線源440を含み、
　赤外(IR)放射線源440のIR放射波長は約8ミクロンから約14ミクロンの範囲であり、
　2以上の放射線源は紫外(UV)放射源445を含み、
　紫外(UV)放射源445のUV波長は約200nmから約400nmの範囲である
　硬化システム400。」
　
（４−４）対比 
（４−４−１）刊行物発明の「誘電体膜」は、補正後の発明の「誘電膜」及び「誘電体膜」に相当する。
（４−４−２）刊行物発明の「硬化システム400」は「誘電体膜が形成された基板425を複数のEM波長で電磁(EM)放射線に曝露する」ものであることから、補正後の発明の「基板上の誘電膜を処理する処理モジュール」に相当する。
（４−４−３）刊行物発明の「硬化チャンバ410」は、補正後の発明の「処理チャンバ」に相当する。
（４−４−４）刊行物発明の「硬化チャンバ410と結合して誘電体膜が形成された基板425を載置する基板ホルダ420」は、補正後の発明の「該処理チャンバと結合して、上に誘電体膜を有する基板を支持するように備えられている基板ホルダ」に相当する。
（４−４−５）刊行物発明の「硬化チャンバ410と結合して誘電体膜が形成された基板425を複数のEM波長で電磁(EM)放射線に曝露する2以上の放射線源」は、補正後の発明の「前記処理チャンバと結合して前記誘電膜を電磁(EM)放射線へ曝露させるように備えられている放射線源」に相当する。
（４−４−６）刊行物発明の「赤外(IR)放射線源440」は、補正後の発明の「1つ以上のIR放射線源」に相当する。
（４−４−７）刊行物発明の「紫外(UV)放射源445」は、補正後の発明の「UV放射線源」に相当する。
（４−４−８）刊行物発明の「約200nmから約400nmの範囲である」「紫外(UV)放射源445のUV波長」は、補正後の発明の「150nm乃至400nmの範囲」に相当する。
（４−４−９）そうすると、補正後の発明と刊行物発明とは、 
 「基板上の誘電膜を処理する処理モジュールであって、
　当該処理モジュールは、処理チャンバ、該処理チャンバと結合して、上に誘電体膜を有する基板を支持するように備えられている基板ホルダ、前記処理チャンバと結合して前記誘電膜を電磁(EM)放射線へ曝露させるように備えられている放射線源を有し、
　前記放射線源は1つ以上の赤外(IR)放射線源を有し、
　前記放射線源は、前記処理チャンバと結合して、前記誘電膜を紫外(UV)放射線に曝露するように構成されるUV放射線源を含み、かつ、
　前記UV放射線源は、150nm乃至400nmの範囲の放射を含むUV帯域源を含む、
　処理モジュール。」 
 である点で一致し、次の１点で相違する。 
（相違点）補正後の発明では、「前記1つ以上のIR放射線源は、スペクトル範囲が9μm乃至10μmの範囲内の波長でのEM放射線を含む狭帯域の波長を有する単色の電磁放射線を有し」ているのに対し、刊行物発明では、「赤外(IR)放射線源440のIR放射波長は約8ミクロンから約14ミクロンの範囲であ」り、赤外(IR)放射線源440のIR放射が単色であるか特定されていない点。 
（４−５）判断 
　引用刊行物には
「［0049］
The IR radiation source  440
may include a narrow-band IR source.
「［0049］
IR放射線源440は、
狭帯域IR源を含むことができる。
「［0029］The present invention have recognized that the energy level (h□) and the rate that energy is delivered to the dielectric film (q') varies during different stages of the curing process. The curing process can include mechanisms for generation of cross-link initiators, burn-out of porogens, decomposition of porogens, film cross-linking, and optionally cross-link initiator diffusion. Each mechanism may require a different energy level and rate at which energy is delivered to the dielectric film. For instance, during the curing of the matrix material, cross-link initiators may be generated using photon and phonon induced bond dissociation within the matrix material. Bond dissociation can require energy levels having a wavelength less than or equal to approximately 300 to 400 nm. Additionally, for instance, porogen burn-out may be facilitated with photon absorption by the photosensitizer. Porogen burn-out may require UV wavelengths, such as wavelengths less than or equal to approximately 200 to 400 nm. 
Further yet, for instance, cross-linking can be facilitated by thermal energy sufficient for bond formation and reorganization. Bond formation and reorganization may require energy levels having a wavelength of approximately 9 microns which, for example, corresponds to the main absorbance peak in siloxane-based organosilicate low-k materials.
「［0029］本発明は、誘電体膜(q′)に供給されるエネルギーのエネルギーレベル(h□)及びレートは、硬化プロセスの異なるステージ中に変化することを認識した。硬化プロセスは、架橋開始剤の生成、ポロゲンのバーンアウト、ポロゲンの分解、膜の架橋、および必要に応じて架橋開始剤の拡散、のためのメカニズムを含むことができる。各メカニズムは、誘電体膜に供給されるエネルギーに、異なるエネルギーレベル及びレートを必要とする場合がある。例えば、マトリックス材料の硬化の間に、マトリックス材料内に結合の解離を引き起こす架橋開始剤は、フォトン及びフォノンを用いて生成することができる。結合の解離は約300から400nm以上の波長を有するエネルギーレベルを必要とすることができる。それに加えて例えば、ポロゲンのバーンアウトは、光増感剤による光子吸収を促進することができる。ポロゲンのバーンアウトは、約200〜400nm以下の波長のようなUV波長を必要とすることがある。
さらに、例えば、架橋は、結合の形成と再編成をするのに十分な熱エネルギーによって促進することができる。結合の形成と再編成は、例えば、シロキサン系のオルガノシリケートlow-k材料の主吸収ピークに対応する約9ミクロンの波長を有するエネルギーレベルを必要とすることがある。
と記載されている。
　また、誘電体膜に照射する光源として、誘電体膜の吸収ピークとマツチングさせた波長である９μｍ程度の波長の赤外線を発振するものである炭酸ガスレーザを使用することは、以下の周知例１ないし３に記載されているように、従来から周知の技術である。また、炭酸ガスレーザを単一の波長で発振させて使用することも、以下の周知例１に記載されているように、何ら特殊なことではない。
（周知例−１）
　本願の優先権主張の日前である平成１１年７月８日に外国において頒布された刊行物である国際公開第９９／３４４３１号パンフレットには、以下の事項が記載されている。
「酸化硅素膜の非対称伸縮ピーク位置は膜質が低下するに従い、低波数側に移動してゆく。
実際、気相堆積法で得られる酸化硅素膜の非対称伸縮ピークは赤外光の波数が１０５５ｃｍ
-1
程度から１０７０ｃｍ
-1
程度に位置し、この値は波長９．３μｍ（波数１０７５ｃｍ
-1
）付近の炭酸ガスレーザー光の波数とほぼ一致している。
非対称伸縮ピークが波長９．３μｍ付近の炭酸ガスレーザーの波数から僅かにずれていても、酸化硅素膜は炭酸ガスレーザー光を十分に吸収できる。炭酸ガスレーザー光照射により酸化膜質が改善されてゆくにつれて半値幅は小さくなってゆくが、非対称伸縮ピークも高波数側に移行してゆくので、依然として酸化膜は波長９．３μｍ付近の炭酸ガスレーザー光を効率よく吸収できる。
照射レーザー光は９．３０５５±０．０００５μｍの波長のように９．３μｍ付近の波長を有する光を単一で発振させてもよい
（周知例−２）
　本願の優先権主張の日前である平成１７年１月６日に日本国内において頒布された刊行物である特開２００５−００５４６１号公報には、以下の事項が記載されている。
「【００４９】
ここで、レーザ光７の波長は、加熱対象物質（ウェーハＷ又はウェーハＷ上に形成された薄膜）の光吸収波長に合わせて選定される。例えばウェーハＷ上に形成されたシリコン酸化膜の熱処理（材料改質）を行なう場合、波長９．６μｍ〜１０．６μｍの赤外レーザである炭酸ガスレーザ（ＣＯ
２
レーザ）が適している。したがって、レーザ源５として炭酸ガスレーザを用いる。
（周知例−３）
　本願の優先権主張の日前である昭和６３年１月９日に日本国内において頒布された刊行物である特開昭６３−００４６２４号公報には、以下の事項が記載されている。
「なお、上記ＩＲアニール処理の雰囲気はＮ２中の他、Ｏ２中、Ｎ２＋Ｏ２中及びＡｒ中等で行うことができる。また、
ＩＲ加熱は、
９−１０μｍ波長ＣＯ
２
レーザー光照射によってＳｉ−Ｏの固有吸収ピークとマツチングさせＳｉＯ
２
／Ｓｉ界面を瞬間的に加熱しても良い。
　よって、刊行物発明において、「IR放射波長」が「約8ミクロンから約14ミクロンの範囲であ」る「赤外(IR)放射線源440」として、「スペクトル範囲が9μm乃至10μmの範囲内の波長でのEM放射線を含む狭帯域の波長を有する単色の電磁放射線」を発振する炭酸ガスレーザーを採用することは、引用刊行物の段落００４９のIR放射線源440は、狭帯域IR源を含むことができる旨の記載、段落００２９の約9ミクロンの波長がシロキサン系のオルガノシリケートlow-k材料の主吸収ピークに対応する旨の記載や、上記の周知の技術を勘案して、当業者が容易になし得たことである。
　したがって、相違点は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
（４−６）独立特許要件についてのまとめ
 　以上検討したとおり、補正後の発明と刊行物発明との相違点は、引用刊行物に記載された技術及び周知の技術を勘案することにより、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、補正後の発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際、独立して特許を受けることができない。
（５）補正の却下についてのむすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第５項の規定に違反するものであり、また、仮に、そのような違反がなく、本件補正が特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むとした場合においても、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合しないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明
 　平成２６年７月２２日になされた手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし８０に係る発明は、平成２６年３月３１日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その請求項１ないし８０に記載されている事項により特定されるとおりのものであって、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
４．刊行物に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物には、上記２．（４−３−１）及び（４−３−２）に記載したとおりの事項及び発明（刊行物発明）が記載されているものと認められる。
５．判断 
　上記２．（３−１）において検討したとおり補正後の請求項１は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「放射線源」について、「前記処理チャンバと結合して、前記誘電膜を紫外(UV)放射線に曝露するように構成されるUV放射線源を含み、かつ、前記UV放射線源は、150nm乃至400nmの範囲の放射を含むUV帯域源を含む」との限定事項で限定的に減縮した発明である。逆に言えば本件補正前の請求項１に係る発明（本願発明）は、補正後の発明から上記限定事項をなくしたものである。
　そうすると、上記２．（４−５）において検討したように、補正後の発明が引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、当然に、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
 　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。