【事件の表示】
　平成１１年特許願第１５０１１８号「光半導体素子の製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成１１年１２月２４日出願公開、特開平１１−３５４８９４］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願発明
　本願は、平成４年６月８日に出願した特願平４−１４７０４５号の出願の一部を平成１１年５月２８日に新たな特許出願としたものであって、その請求項に係る発明は、補正された明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１、２に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、請求項１に係る発明は次のものである。
「【請求項１】　半導体基板上に、活性層を含むダブルへテロ構造のリッジ側面が（１１１）Ｂ面を有するようにエピタキシャル成長する工程と、該リッジの上面を、該リッジの上面よりも幅の狭いストライプ状マスクで覆い、有機金属気相成長法により前記リッジ側面の両脇に選択的に電流ブロック層を形成する工程と、を少なくとも有することを特徴とする光半導体素子の製造方法。」
　
２．刊行物記載の発明
　原審における拒絶理由に引用された、この出願前公知の刊行物である特開平３−２２５８２号公報（以下、「引用例１」という。）には、
「一導電型の化合物半導体基板に表出する（１００）面に、該化合物半導体基板における［１１０］方向に平行なストライプ状の開口を有するマスク層を形成する工程と、少なくとも活性層を挟んで成るダブルヘテロ構造を有する結晶層を、有機金属気相成長法を用いて、該開口内に表出する該化合物半導体基板表面に選択的に成長させる第１の成長工程と、該マスク層を除去する工程と、該マスク層を除去して表出した該化合物半導体基板表面に、該ダブルヘテロ構造を有する結晶層を埋め込む結晶層を成長させる第２の成長工程とを含むことを特徴とする半導体レーザの製造方法。」（特許請求の範囲）、
「活性層を含むＤＨ構造の層をメサエッチングする代わりに、メサを形成する位置に対応する開口が設けられたマスク層を基板上に形成し、この開口内にＤＨ構造の層をエピタキシャル成長させてメサを形成する。」（２頁右下欄１４〜１８行）、
「上記エピタキシャル成長は、（１００）面における速度に比べて（１１１）Ｂ面における速度が極めて遅いため、上記メサは、（１１１）Ｂ面が表出した側壁に囲まれた構造となる。」（３頁左下欄１２〜１５行）、
「次いで、周知のスライドボート法等の液相成長法を用いて、化合物半導体基板１表面に・・・ＩｎＰから成る電流狭窄層１０をエピタキシャル成長させる。・・・（１１１）Ｂ面が表出しているメサの側壁部に垂直方向にもＩｎＰ層の成長が行われるため、電流狭窄層１０はメサの頂上から前記平坦部までなだらかに傾斜した断面構造となる。次いで、同様の液相成長法を用いて、電流狭窄層１０上に、・・・電流ブロック層１１をエピタキシャル成長させる。」（４頁左上欄２〜１４行）、
「なお、電流狭窄層１０と電流ブロック層１１を液相成長させる場合に、成長溶液の飽和濃度を調節することにより、メサ上の平坦ブロックには電流狭窄層１０と電流ブロック層１１を成長させないでおくことができる。」（４頁左上欄１７行〜右上欄１行）と記載されている。
　上記によれば、引用例１には、
「化合物半導体基板面に、少なくとも活性層を挟んで成るダブルヘテロ構造を有する（１１１）Ｂ面が表出した側壁に囲まれた構造のメサをエピタキシャル成長させる第１の成長工程と、前記ダブルヘテロ構造を有するメサの側壁部に電流狭窄層と電流ブロック層を選択的に液相成長させる第２の成長工程とを含む半導体レーザの製造方法。」の発明が記載されている。
　
　同じく、特開昭６３−２０８２９２号公報（以下、「引用例２」という。）には、半導体レーザ素子の製造法に関して、
「次にサイドエッチング法を使用してＳｉＯ２ストライプ状マスクの幅を狭く加工し、ＭＯＣＶＤ法によってｎ型・・・電流狭搾層５・・・を選択的に前記マスク部以外に、結晶成長した。」（４頁左上欄８〜１２行）
「第２図は本発明の半導体レーザの電流−光出力特性の一例である。図の例はメサ幅（メサの上部）は４μｍ、電流狭搾幅はメサ幅より２μｍ狭い、２μｍである。・・・電流−光出力特性の直線性も良好であった。また、図中点線で示した、同種構造で電流狭搾幅がメサ幅と同じになっている従来型に比べて改善されていることが判った。」（４頁右上欄１〜１２行）と記載されている。
　
３．対比
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）と上記引用例１記載の発明（以下、「引用発明」という。）とを対比する。
　引用発明の「化合物半導体基板面」、「メサ」、「（１１１）Ｂ面が表出した側壁に囲まれた」、「電流狭窄層と電流ブロック層」、「半導体レーザ」は、
　本願発明の「半導体基板上」、「リッジ」、「側面が（１１１）Ｂ面を有する」、「電流ブロック層」、「光半導体素子」に各々相当する。
　よって、両者は、
「半導体基板上に、活性層を含むダブルへテロ構造のリッジ側面が（１１１）Ｂ面を有するようにエピタキシャル成長する工程と、前記リッジ側面の両脇に選択的に電流ブロック層を形成する工程と、を少なくとも有する光半導体素子の製造方法。」の発明で一致し、下記の点で相違する。
（相違点）　電流ブロック層を、本願発明は、該リッジの上面を、該リッジの上面よりも幅の狭いストライプ状マスクで覆い、有機金属気相成長法により形成するのに対して、引用発明は、液相成長法により形成する点。
　
４．判断
　上記相違点に付き検討する。
　この種光半導体素子の製造方法において、有機金属気相成長法又は液相成長法を用いることは周知慣用手段であり、また、上面をストライプ状マスクで覆われたメサ側面の両脇に有機金属気相成長法により電流ブロック層を選択的に形成することは、従来周知の事項（例えば、原査定の拒絶理由で引用した特開平１−１８９１８５号公報及び特開平４−１００２９１号公報参照。）である。さらにまた、電流−光出力特性を改善するために、ストライプ状マスクの幅をメサ幅より狭くして、電流狭窄幅を狭くすることも、上記引用例２に記載され公知である。
　そうしてみると、引用発明における電流ブロック層の形成に、液相成長法に代えて従来周知の有機金属気相成長法を採用するに際して、ストライプ状マスクの幅をメサ幅（リッジの上面）より狭くことは、当業者が容易に想到し得たものである。
　そして、本願発明の「・・・活性領域外への電流漏れが防止できる優れた電流狭窄構成の光半導体素子が実現できる。」という明細書の【００１９】に記載された効果は、引用例１、２及び従来周知の事項から当業者が予測し得る程度のものであり、格別とはいえない。
　なお、請求人は、補正された審判請求書第３頁中段で、本願発明では、（１）活性層形成後の上側クラッド層の成長時に、活性層側面が上側クラッド層の半導体成長種により薄く被覆され、更に、（２）リッジ上面にマスクを設け該マスク上の半導体成長種のマイグレーションによりリッジ側面に供給されるため、リッジの形成段階、及び、埋め込み層の成長初期段階からリッジの活性層側面で半導体が成長するため活性層が保護される、旨主張する。
　しかし、このような事項は本願明細書には何ら記載のない事項であり、明細書の記載に基づかない請求人の主張は採用できないものであるが、一応検討するに、上記（１）の点については、本願発明と同様に、活性層を挟んで成るダブルヘテロ構造を有するメサをエピタキシャル成長により形成する引用発明においても、上側クラッド層の成長時には、上記（１）と同様の現象が生ずるものと考えられる。また、（２）の点は、リッジ上面にマスクを設けたことによる効果であるが、引用発明における液相成長法に代え、上記周知例に示された有機金属気相成長法を採用すれば、メサの上面にマスクが形成された状態で電流ブロック層が成長されるのであるから、当然奏される作用効果にすぎない。
　　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用例２並びに従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。