【事件の表示】
　平成１１年特許願第　１９１２１号「スピンバルブ型薄膜素子およびそのスピンバルブ型薄膜素子を備えた薄膜磁気ヘッド」拒絶査定に対する審判事件［平成１２年　８月　４日出願公開、特開２０００−２１５４２３］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　経緯
　特許出願　　　　　　　　　　　　　　平成１１年０１月２７日
　拒絶理由通知　　　　　　　　　　　　平成１３年０３月１６日
　意見書・手続補正書１　　　　　　　　平成１３年０５月２３日
　拒絶査定　　　　　　　　　　　　　　平成１３年０６月２７日
　審判請求書　　　　　　　　　　　　　平成１３年０８月０２日
　手続補正書２　　　　　　　　　　　　平成１３年０８月２１日
　前置報告　　　　　　　　　　　　　　平成１３年１０月３１日
　
２　本願発明
（１）　手続補正２について
　手続補正２で補正された請求項１は、補正前の請求項１に補正前の請求項２の記載事項を追加したものであり、補正後の請求項２〜１１は補正前の請求項３〜１２の番号を整理したものである。してみると、手続補正２は、実質的には補正前の請求項１を削除する補正であり、特許法第１７条の２第４項第１号の請求項の削除を目的とするものに該当する。
　従って手続補正２は認められる。
（２）　本願発明
　上記手続補正２で補正された特許請求の範囲請求項１〜１１に係る発明は、手続補正書２に記載された特許請求の範囲請求項１〜１１に記載されたとおりに特定されるものであり、その内請求項１に係る発明は次のとおりである。
「【請求項１】　反強磁性層と、この反強磁性層と接して形成され、前記反強磁性層との交換結合磁界により磁化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性導電層を介して形成されたフリー磁性層と、前記フリー磁性層の磁化方向を前記固定磁性層の磁化方向と交差する方向へ揃えるためのハードバイアス層と、前記固定磁性層と前記非磁性導電層とフリー磁性層とに検出電流を与える導電層とを基板上に有するスピンバルブ型薄膜素子であり、
　前記反強磁性層は、Ｘ−Ｍｎ（ただし、Ｘは、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｒｈのうちから選択される１種の元素を示す。）の式で示される合金またはＸ’−Ｐｔ−Ｍｎ（ただし、Ｘ’は、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ａｕ、Ａｇのうちから選択される１種または２種以上の元素を示す。）の式で示される合金であるとともに、ＸまたはＸ’＋Ｐｔが３７〜６３原子％の範囲であり、
　前記固定磁性層が非磁性中間層を介して２つに分断され、分断された層どうしで磁化の向きが反平行であるフェリ磁性状態とされ、
　前記ハードバイアス層は、基板側から前記フリー磁性層と、前記非磁性導電層と、前記固定磁性層と、前記反強磁性層とをこれらの順で具備してなる断面台形状の積層体の両側に形成され、前記積層体の側面に乗り上げる傾斜部と、前記フリー磁性層とほぼ平行で、前記フリー磁性層の膜厚方向に前記フリー磁性層の膜厚よりも大きな膜厚とされ、前記フリー磁性層と同じ階層位置に配置された平坦部とを有し、
　前記平坦部に接合するフリー磁性層の厚さｄ２とフリー磁性層の全厚ｄ３の比をオーバーラップ比ｄ２／ｄ３としたときにｄ２／ｄ３が１００％であり、
　前記ハードバイアス層はｈｃｐ構造の結晶を有し、
　前記ハードバイアス層と前記積層体との間及び前記ハードバイアス層と基板との間に、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗのいずれか１種または２種以上からなり、結晶構造がｂｃｃ構造のバイアス下地層が設けられ、
　前記ハードバイアス層と前記導電層との間にＴａからなる中間層が設けられてなることを特徴とするスピンバルブ型薄膜素子。（以下、「本願発明」という。）」
　
３　引用例記載事項
（１）　引用例１（特開平１０−９１９２１号公報）
ａ　特許請求の範囲に、
「【請求項１】　フリー磁性層の上下に積層された非磁性導電層と、一方の前記非磁性導電層の上および他方の非磁性導電層の下に位置するピン磁性層と、一方の前記ピン磁性層の上および他方のピン磁性層の下に位置して交換異方性磁界によりそれぞれのピン磁性層の磁化方向を一定の方向に固定する反強磁性層と、前記フリー磁性層の磁化方向を前記ピン磁性層の磁化方向と交叉する方向に揃えるバイアス層とを有し、前記反強磁性層がＰｔＭ（白金−マンガン）合金で形成されていることを特徴とするデュアルスピンバルブ型薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】　前記フリー磁性層及び前記ピン磁性層がＦｅＮｉ（鉄―ニッケル）合金または、Ｃｏ（コバルト），Ｆｅ−Ｃｏ合金，Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金で形成されている請求項１記載のデュアルスピンバルブ型薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】　前記ＰｔＭｎ合金の膜組成は、Ｐｔが４４〜５１原子％で、Ｍｎが４９〜５６原子％の範囲である請求項１または２記載のデュアルスピンバルブ型薄膜磁気ヘッド。
【請求項４】　反強磁性層が、ＰｔＭｎ合金に代えて、Ｐｔ−Ｍｎ−Ｘ（Ｘ＝Ｎｉ，Ｐｄ，Ｒｈ，Ｒｕ，Ｉｒ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ）合金、あるいはＰｄＭｎ合金により形成される請求項１記載のデュアルスピンバルブ型薄膜磁気ヘッド。」と記載され、
ｂ　従来例として、【０００３】〜【０００４】に、
「【０００３】図８はシングルスピンバルブ型薄膜磁気ヘッドを示すものであり、
下からフリー（Ｆｒｅｅ）磁性層１，非磁性導電層２，ピン（Ｐｉｎｎｅｄ）磁性層３及び反強磁性層４の４層で構成されている
５，５はハードバイアス層
６，７はＴａ（タンタル）などの非磁性材料で形成された下地層及び保護層で、８は導電層である
【０００４】また、Ｘ方向に磁化されているハードバイアス層５の影響を受け前記フリー磁性層１の磁化方向はＸ方向へ揃えられている。ハードバイアス層５によりフリー磁性層１が所定方向に単磁区化されることによって、バルクハウゼンノイズの発生を防止することができる。このシングルスピンバルブ型薄膜磁気ヘッドでは、導電層８からフリー磁性層１、非磁性導電層２及びピン磁性層３に定常電流が与えられる。ハードディスクなどの磁気記録媒体の走行方向はＺ方向であり、前記磁気記録媒体からの洩れ磁界がＹ方向に与えられると、フリー磁性層１の磁化の方向がＸ方向からＹ方向へ向けて変化する。このフリー磁性層１内での磁化の方向の変動と、ピン磁性層３の固定磁化方向との関係で電気抵抗が変化し、この電気抵抗値の変化に基づく電圧変化により、磁気記録媒体からの洩れ磁界が検出される。」と記載され（下線部は整理のために付した。以下同じ。）、
ｃ　【０００９】〜【００１２】に、
「【０００９】
【発明が解決しようとする課題】前記フリー磁性層１及びピン磁性層３としては例えばＦｅＮｉ（鉄−ニッケル）系合金膜、非磁性導電層２としてはＣｕ（銅）膜が一般に使用される。また、図８に示す従来のシングルスピンバルブ型薄膜磁気ヘッドでは、反強磁性層４を構成する反強磁性材料として、ＦｅＭｎ（鉄−マンガン）合金膜が一般的に用いられている。しかし、前記ＦｅＭｎ膜は腐食しやすく、水分を含む空気中にさらしておくと急速に錆びを発生する欠点がある。また、反強磁性材料のＦｅＭｎ合金膜と、ピン磁性層であるＦｅＮｉ合金膜との交換結合でのブロッキング温度は約１５０℃程度と低いものであり、薄膜磁気ヘッド動作中に自己発熱や環境温度によりヘッドの温度が高くなると、交換異方性磁界が弱くなり、検出出力でのノイズが大きくなる欠点がある。
【００１０】0また、前記ＦｅＭｎ合金に代わる反強磁性材料として
ＩｒＭｎ（イリジウム−マンガン）合金膜、ＲｈＭｎ（ロジウム−マンガン）合金膜などがある。しかし、前記ＦｅＭｎ（鉄−マンガン）合金膜，ＩｒＭｎ（イリジウム−マンガン）合金膜，ＲｈＭｎ（ロジウム−マンガン）合金膜
【００１１】このように、上記に列記した反強磁性材料は、ピン磁性層３に対して上か下の一方に積層されたときにしか有効な交換結合を発揮できない。よって、図１に示すデュアルスピンバルブ型のように、反強磁性層４，４がピン磁性層３，３の上と下の双方に成膜される構造では、前記反強磁性材料を使用することができない。また、ピン磁性層３に対して上下どちらに形成されても交換異方性磁界を得ることができる材料として、ＮｉＭｎ（ニッケル−マンガン）合金がある。この反強磁性材料は、ピン磁性層３の上と下の双方に成膜できるため、図１に示すデュアルスピンバルブ型薄膜磁気ヘッドに使用可能である。
【００１２】ところがこのＮｉＭｎ合金膜と、ＦｅＮｉ系合金膜（ピン磁性層３）との間で有効な交換結合を発揮させるためには、比較的高い温度での加熱処理（アニール）が必要になる。すなわち、交換異方性磁界を発生させるためには、反強磁性層４およびピン磁性層３を接合して成膜した後に、磁界を与え且つ熱処理を行うことが必要であるが、反強磁性層４がＮｉＭｎ合金膜で、ピン磁性層３がＦｅＮｉ系合金の場合、有効な交換異方性結合を発揮させるための熱処理温度は約２５０℃以上のかなり高い温度が必要である。ところが、２５０℃以上の高温の熱処理を行うと、ＦｅＮｉ合金膜で形成されているフリー磁性層１及びピン磁性層３と、
Ｃｕで形成されている非磁性導電層２
ｄ　実施例として、【００２９】〜【００３２】に、
「【００２９】
【実施例】以下反強磁性層としてＰｔＭｎ合金膜を使用した多層膜および、この多層膜を使用したデュアルスピンバルブ型薄膜磁気ヘッドの実施例を説明する。Ｘ方向の素子幅（トラック幅）が２．２μｍ、Ｙ方向の素子長さ（ＭＲハイト）が１．５μｍの、デュアルスピンバルブ素子（図１）及びシングルスピンバルブ素子（図８）を成膜した。
【００３０】デュアルスピンバルブ素子の膜構成は、シリコン（Ｓｉ）基板の上に非磁性材料としてアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を成膜し、その上に図１と同様に、下地層６から保護層７の順に成膜されたものであり、その構成膜材料は、Ｔａ（３ｎｍ）／ＰｔＭｎ（２０ｎｍ）／ＮｉＦｅ（４ｎｍ）／Ｃｕ（２．５ｎｍ）／
ＮｉＦｅ（７ｎｍ）／Ｃｕ（２．５ｎｍ）／ＮｉＦｅ（４ｎｍ）／ＰｔＭｎ（２０ｎｍ）／Ｔａ（５ｎｍ）
【００３１】また、デュアルスピンバルブ膜と、シングルスピンバルブ膜の双方において、
反強磁性層となるＰｔＭｎ膜の膜組成を、Ｐｔが４８原子％（ａｔ％）、Ｍｎが５２原子％（ａｔ％）のものとした（Ｐｔ
４８
Ｍｎ
５２
）
【００３２】また、図１及び図８に示すように、前記デュアルスピンバルブ素子の両側には、厚さ３０ｎｍのＣｏＰｔ合金膜をハードバイアス層５として成膜し、シングルスピンバルブ素子の両側には、前記ＣｏＰｔ合金膜をハードバイアス層５として厚さ２０ｎｍにて成膜した。また、前記ハードバイアス層５は、残留磁気（Ｍｒ）が０．９Ｔ（テスラ）で、保磁力が１３００（Ｏｅ）であった。また５ｍｍ×２５ｍｍのシリコン基板上に前記多層膜を形成した場合、前記デュアルスピンバルブ素子では、抵抗変化率が６．２％、シート抵抗が１０．８Ω／ｍ２、前記シングルスピンバルブ素子では、抵抗変化率が３．９％、シート抵抗が１６．３Ω／ｍ２であった。」と記載されている。
　
　即ち、従来例とされたシングルスピンバルブ型薄膜磁気ヘッドとして、記載ｂ、ｃおよび図８に、
「　下からフリー（Ｆｒｅｅ）磁性層１，非磁性導電層２，ピン（Ｐｉｎｎｅｄ）磁性層３及び反強磁性層４の４層で構成され、
　両側に位置するハードバイアス層５，５、
　Ｔａ（タンタル）などの非磁性材料で形成された下地層６及び保護層７、
導電層８を有し、
　前記ピン磁性層３の保磁力はフリー磁性層１の保磁力に比べて高く設定され、ピン磁性層３と反強磁性層４とが接して形成され、前記ピン磁性層３は、前記反強磁性層４との界面での交換結合による交換異方性磁界により、Ｙ方向へ単磁区化され、磁化の方向がＹ方向へ固定され、
　フリー磁性層１内での磁化の方向の変動と、ピン磁性層３の固定磁化方向との関係で電気抵抗が変化し、この電気抵抗値の変化に基づく電圧変化により、磁気記録媒体からの洩れ磁界が検出され
　フリー磁性層１及びピン磁性層３としてＦｅＮｉ（鉄−ニッケル）系合金膜、非磁性導電層２としてはＣｕ（銅）膜、反強磁性層４を構成する反強磁性材料として、ＦｅＭｎ（鉄−マンガン）合金膜が使用された
シングルスピンバルブ型薄膜磁気ヘッド（以下、引用例１第１発明という。）」が記載されている。
　そして、
「　シリコン（Ｓｉ）基板の上に非磁性材料としてアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を成膜し、
下地層６から保護層７の順に成膜されたものであり、その構成膜材料は、Ｔａ（３ｎｍ）／
ＰｔＭｎ（２０ｎｍ）／ＮｉＦｅ（４ｎｍ）／Ｃｕ（２．５ｎｍ）／ＮｉＦｅ（７ｎｍ）
　
反強磁性層となるＰｔＭｎ膜の膜組成を、Ｐｔが４８原子％（ａｔ％）、Ｍｎが５２原子％（ａｔ％）のもの
　素子の両側には、厚さ３０ｎｍのＣｏＰｔ合金膜をハードバイアス層５として成膜した
デュアルスピンバルブ素子（以下、引用例１第２発明という。）」と、
「　シリコン（Ｓｉ）基板の上に非磁性材料としてアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を成膜し、
　下から下地層／反強磁性層／ピン磁性層／非磁性導電層／フリー磁性層／保護層の順であり、具体的な材料としては、下から、Ｔａ（３ｎｍ）／ＰｔＭｎ（３０ｎｍ）／ＮｉＦｅ（４ｎｍ）／Ｃｕ（２．５ｎｍ）／ＮｉＦｅ（８ｎｍ）／Ｔａ（５ｎｍ）とし、
　
反強磁性層となるＰｔＭｎ膜の膜組成を、Ｐｔが４８原子％（ａｔ％）、Ｍｎが５２原子％（ａｔ％）のもの
　素子の両側には、前記ＣｏＰｔ合金膜をハードバイアス層５として厚さ２０ｎｍにて成膜した
シングルスピンバルブ膜（以下、引用例１第３発明という。）」とが更に記載されている。
　
（２）　引用例２（特開平９−１６１２４１号公報）
　【０００７】〜【００１０】に、
「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、ＭＲ素子層（４０）のＭＲ膜（４３）は、例えば２５０Å程度の膜厚に形成される一方、磁石層（５）の永久磁石膜（５１）は、その目的に応じて、例えば２００Å〜４００Å程度の膜厚に形成される。ここで、磁石層（５）とＭＲ素子層（４０）の接合面は、上述の如く基板側に拡大したテーパ面となるので、永久磁石膜（５１）の厚さが図６、図７及び図８に示す様に、Ｈ１、Ｈ２、Ｈ３と変化した場合、これに伴って、ＭＲ膜（４３）との接合面の形状は、Ｂ１、Ｂ２、Ｂ３と微妙に変化する。然も、ＭＲ素子層（４０）と磁石層（５）の接合面の形状は、ＭＲ素子層（４０）を形成する際のエッチング精度に左右され、特に、ＭＲ膜（４３）と永久磁石膜（５１）の接合面については、その形状精度が不安定で、該接合面の面積は大きなばらつきを伴うこととなる。この結果、永久磁石膜（５１）によってＭＲ膜（４３）に付与されるトラック幅方向の外部磁界に大きなばらつきが生じることとなり、単磁区化の効果が十分に得られない虞れがある。
【０００８】そこで本発明の目的は、永久磁石膜とＭＲ膜の接合面の面積を保証することが出来る構造の磁気抵抗効果型ヘッドを提供し、これによって、永久磁石膜によるＭＲ膜単磁区化の効果を十分に上げることである。
【０００９】
【課題を解決する為の手段】本発明に係る磁気抵抗効果型ヘッドは、基板（１）上に、ＭＲ素子層（４）を形成すると共に、該ＭＲ素子層（４）の通電方向の両側に、一対の磁石層（５）（５）を配置したものであって、ＭＲ素子層（４）は、基板（１）側から順に、ＭＲ膜（４３）、非磁性分離膜（４２）及び軟磁性膜（４１）を積層して構成される。又、
ＭＲ素子層（４）と両磁石層（５）（５）との接合面は、基板（１）側に拡大するテーパ面となっている
【００１０】該磁気抵抗効果型ヘッドに於いては、
ＭＲ素子層（４）の積層構造の中で、最も下層にＭＲ膜（４３）が配置されているので、磁石層（５）を構成する永久磁石膜の厚さが変化した場合にも、ＭＲ膜（４３）との接合面の形状に殆ど変化はない（図１〜３参照）。然も、ＭＲ膜（４３）の厚さ、或いは磁石層（５）の永久磁石膜の厚さに多少ばらつきがあったとしても、ＭＲ膜（４３）及び永久磁石膜は同一平面上に形成されているので、互いの接合状態は安定しており、接合面の面積に大きなばらつきは生じない。
　　　　　
（３）　引用例３（特開昭６３−３０８３９４号公報）
　磁気抵抗効果素子の製造方法に関する発明が記載されているが、その製造方法によって製造された磁気抵抗効果素子の構造も示されている。
　第３頁左下欄第７行〜第１７行に、
「第３図はバリア金属薄膜（４）を多層膜で構成したこの発明の他の実施例によるＭＲ素子の斜視図である。
　図において、
（４ａ），（４ｂ）はＭＲ薄膜（１）と選択的エッチング可能な金属薄膜、ないしＭＲ薄膜（１）や導体薄膜（２）と相互拡散を起こしにくい金属薄膜である
　このような構成をとることでＭＲ薄膜中の磁区を安定化させることができ、ＭＲ出力信号中のバルクハウゼンノイズを抑制することができる。」と記載されている。
　
（４）　引用例４（特開平１０−１４３８１８号公報）
　  【００３８】〜【００３９】に、
「【００３８】
ＣｏａＣｒｂＰｔｃ　…（数１）
又は　（ＣｏａＣｒｂＰｔｃ）１−ｘ（ＭＯｙ）ｘ　…（数２）
（但し、ｘ：０．０１〜０．２０，ｙ：０．４〜３，ａ：０．７〜０．９，ｂ：０〜０．１５，ｃ：０．０３〜０．１５，Ｍ：Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｈｆ，Ｔａ，Ｗ，Ａｌ，Ｓｉ及びＣｒの少なくとも１つ）
多層膜は、第一の強磁性膜，非磁性膜，第二の強磁性膜，第二の強磁性膜の上に反強磁性膜が積層されている。これらの多層膜からなる磁気抵抗効果膜と反強磁性膜とは、積層して形成された後に、磁気抵抗効果膜の幅（第一の強磁性膜，非磁性膜，第二の強磁性膜の幅のうち、最も狭い幅で定義する）が所定の大きさである例えば２．０μｍ　になるように、一括して両横が切り落されている。第一の強磁性膜は自由層として、例えばＮｉ８０Ｆｅ２０，Ｎｉ６８Ｆｅ１７Ｃｏ１５，Ｃｏ６０Ｎｉ２０Ｆｅ２０，Ｃｏ９０Ｆｅ１０，Ｃｏ等の単層膜を用いて構成され、膜厚は例えば２〜１５ｎｍ程度の間の最適な値に設定される。非磁性膜には、例えばＣｕが用いられており、膜厚は例えば１〜４ｎｍ程度の間の最適な値に設定されている。第二の強磁性膜は固定層として、例えばＣｏを用いて構成され、膜厚は例えば１〜５ｎｍ程度の間の最適な値に設定されている。また、第二の強磁性膜は固定層として、他に例えばＮｉ８０Ｆｅ２０，Ｎｉ６８Ｆ１７Ｃｏ１５，Ｃｏ６０Ｎｉ２０Ｆｅ２０，Ｃｏ９０Ｆｅ１０，Ｃｏ等の単層膜、及びこれらのうちの幾つかの膜を最適に積層した多層膜を用いて構成することもできる。
反強磁性膜には例えばＣｒ
４５
Ｍｎ
４５
Ｐｔ
１０
Ｍｎ
８０
Ｉｒ
２０
を用いることもできる
【００３９】磁区制御層は、例えば永久磁石膜と配向制御下地膜とが積層された積層膜で構成されており、磁区制御層は磁気抵抗効果膜の積層方向と交差する幅方向の領域の両側に隣接して配置されている。磁区制御層を構成する永久磁石膜としては、例えば、Ｃｏ７５Ｃｒ１０Ｐｔ１５，Ｃｏ７５Ｃｒ１０Ｔａ１５等が用いられており、配向制御下地膜は例えばＣｒが用いられている。また、磁区制御層を構成する永久磁石膜としては、他に例えばＣｏ８０Ｐｔ２０を用いることもでき、また、Ｃｏ７５Ｃｒ１０Ｐｔ１５，Ｃｏ７５Ｃｒ１０Ｔａ１５，Ｃｏ８０Ｐｔ２０等の合金にＺｒＯ２，ＳｉＯ２　，Ｔａ２Ｏ５等の酸化物を添加したものを用いることもできる。これらの場合、配向制御下地膜を省略することもできる。そして磁区制御層から発生する磁界によって第一の強磁性膜が単一の磁区に制御されるようになっている。」と記載され、
　【００４９】〜【００５０】に、
「【００４９】図６は、本実施例に係るスピンバルブヘッドの媒体対向面を示す構成図である。図６において再生用の磁気抵抗効果型ヘッドとして構成されたスピンバルブヘッド（巨大磁気抵抗効果型ヘッド）は磁気抵抗効果膜１０，磁区制御層１２，一対の電極１４を備えており、磁気抵抗効果膜１０が反強磁性膜１６上に積層されている。磁気抵抗効果膜１０は、磁気記録媒体のトラック幅に対応した大きさの複数の膜が多層に積層されている。多層膜は、第一の強磁性膜１８，非磁性膜２０，
第二の強磁性膜２２，２４から構成されており、第二の強磁性膜２４が反強磁性膜１６上に積層されている
【００５０】磁区制御層１２は永久磁石膜２８と配向制御下地膜３０とが積層された積層膜で構成されており、磁区制御層１２は磁気抵抗効果膜１０の積層方向と交差する幅方向の領域の両側に隣接して配置されている。永久磁石膜２８としては、例えばＣｏＣｒＰｔ系の合金が用いられており、配向制御下地膜３０としては、１０ｎｍ（好ましくは５〜２０ｎｍ）のＣｒが用いられている。そして磁区制御層１２から発生する磁界によって第一の強磁性膜１８が単一の磁区に制御されるようになっている。磁区制御層１２は第一の強磁性膜１８とほぼ同じ高さに配置されており、その厚さは１０ｎｍ（好ましくは４〜３０ｎｍ、より５〜１５ｎｍが好ましい）である。」と記載されている。
　
（５）　周知例１（特開平１０−２５５２３７号公報）
【００３５】〜【００３６】に、
「【００３５】図１において、磁気抵抗効果素子層４０は、ＮｉＦｅとＲｈ，Ｃｒ，Ｔａ，Ｚｒ，Ｈｆ等との合金でなる軟磁性体のソフトアジャセント層４１、Ｔａ等の非磁性中間層４２、ＮｉＦｅ等の磁気抵抗層４３等で形成されている。
【００３６】この磁気抵抗効果素子層４０の両端には、ＣｏＣｒやＣｏＣｒ合金（例えばＣｏＣｒＰｔやＣｏＣｒＴａ）等の強磁性体でなる一対の硬磁性層４４が形成され、更に、両硬磁性層４４上に、
ＷやＷ合金でなる下地層４５を介して、ＢＣＣ構造を持ったＴａでなる端子部形成用導体層４６
　
（６）　周知例２（特開平９−１２８７１３号公報）
　【特許請求の範囲】に、
「【請求項１】軟磁性膜、磁気的分離膜、磁気抵抗効果膜、電極、磁気抵抗効果膜に静磁気的な作用を及ぼして単磁区化するための磁区制御用硬磁性膜を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、
前記磁区制御用硬磁性膜を金属中間膜を介した積層構造としたことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項２】前記請求項１に記載の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、
前記磁区制御用硬磁性膜として、ＣｏＰｔ膜を用いたことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
【請求項３】前記請求項２に記載の磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、
前記金属中間膜として、Ｔａ，
Ｃｒ
　
（７）　周知例３（特開平７−３２６０２３号公報）
　【００３２】〜【００３３】に、
「【００３２】〔第４の実施例〕図８に、本発明の他の実施例により作製した磁気ヘッドの再生素子部の構造を示す。本実施例のＭＲ素子は、
表面にアルミナ膜をコートしたジルコニア基板
Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｎｂ膜１９
Ｔａ膜２０
Ｎｉ−Ｆｅ合金膜からなるＭＲ膜２１
【００３３】なお、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｎｂ膜１９／Ｔａ膜２０／ＭＲ膜２１よりなる積層膜の両端はミリング法により斜めに削られており、
両端の斜面部には膜厚５ｎｍのＣｒ膜２２
　
（８）　周知例４（ＰＣＴ国際公開ＷＯ９７／１１４５８号パンフレット）
　磁気抵抗効果型ヘッドに関し、その実施例として
　第９頁第４行〜第１５行に、
「信号検出領域１０１には横バイアス膜１０９、分離膜１１０、磁気抵抗効果膜１１１が順次積層されて構成される磁気センサ１００が形成される。磁気センサ１００の信号検出領域１０１の両端にはテーパー形状に加工されたテーパー部１０２が形成される。この
磁気センサ１００のテーパー部１０２上に強磁性下地膜１１２及び永久磁石膜１０３が形成される
　第９頁第２５行〜第１０頁第６行に、
「永久磁石膜１０３は保磁力が大きく磁化方向が容易に変化しないことが必要である。
永久磁石膜１０３にはＣｏＣｒ、ＣｏＣｒＰｔ
体心立方構造の強磁性下地膜１１２
　第１４頁第１６行〜第１５頁第２１行に、
「第６図は、本発明の他の実施例であるスピンバルブ効果に基づく磁気抵抗効果型ヘッドを示す図である。このスピンバルブ効果とは、少なくとも１層の磁化方向が固定された強磁性膜と、その強磁性膜と磁気的に分離された強磁性膜とを含む多層膜において、２つの強磁性膜の磁化のなす角度に応じて電気抵抗が変化する現象である。第１の強磁性膜１１４は適当な下地膜１１５の上に形成される。該強磁性膜の膜厚は、５〜１０ｎｍ程度である。下地膜１１５は、このように薄い強磁性膜の結晶性を向上させ、磁気特性を向上させる目的で形成されるもので、Ｔａ等の材料からなる。
第１の強磁性膜１１４の上部には非磁性導電膜１１６が形成される。この非磁性膜の上部に第２の強磁性膜１１７が形成される。第２の強磁性層１１７の上部には反強磁性膜１１８が積層され
反強磁性膜１１８と第２の強磁性膜１１７はその界面で交換結合し、一方向異方性を生じる
この多層膜をテーパー形状にエッチングし、両端部に強磁性下地膜及び永久磁石膜及び電極膜を形成する方法は第１の実施例と同様である
　第１の強磁性膜の磁化は永久磁石膜からの磁界によってトラック幅方向に向けられる。一方、第２の強磁性膜の磁化は前述のように反強磁性膜によってディスクの法線方向に固定されている。スピンバルブ効果では、磁化が固定された強磁性膜と磁化が回転可能な強磁性膜の磁化が互いに同方向に平行になったとき電気抵抗が最も低下し、互いに逆方向に平行になったとき最も上昇する。ディスク上の媒体からの磁界に応じて、第１の強磁性膜の磁化が回転すると、強磁性膜の磁化がディスクの法線方向に回転する場合に電気抵抗が減少し、逆方向に回転すると、電気抵抗が増大する。スピンバルブ効果を利用した場合、磁気抵抗変化が異方性磁気抵抗効果に比べ大きいので、磁気ヘッドに用いた場合より再生電圧の大きなヘッドを提供することができる。」と記載されている。
　
（９）　周知例５（特開平９−１６９２０号公報）
　積層逆平行ピン止め層の例として、【特許請求の範囲】請求項１に、
「【請求項１】非磁性材料のスペーサ層によって分離された強磁性材料の第１層および第２層であって、強磁性材料の前記第１層の磁化方向がゼロ印加磁界のとき強磁性材料の前記第２層の磁化方向に対してある角度をなし、強磁性材料の前記第２層が、第１および第２の強磁性フィルムと、第１の強磁性フィルムと第２の強磁性フィルムの間にそれらと接触して配置され、その磁化が相互に逆平行に整列され印加磁界の存在下で逆平行に含まれるように第１の強磁性フィルムと第２の強磁性フィルムを反強磁性的に結合するための非磁性の逆平行結合フィルムとを備える強磁性材料の第１層および第２層と、酸化ニッケル（Ｎｉ１−ｘＣｏｘ）Ｏ（ｘは０．０〜０．５）、（Ｆｅ−Ｍｎ）合金およびＣｒよりなるグループから選択された反強磁性材料の交換バイアス層であって、印加磁界の存在下で前記第２強磁性層中の前記強磁性フィルムのうちの一枚の磁化を固定された方向に維持するように前記交換バイアス層が前記強磁性フィルムのうちの一枚に隣接しかつ接触し、それによって印加磁界の存在下で前記第１強磁性層の磁化は自由に回転するが、
前記第２強磁性層中の第１と第２の強磁性フィルムの磁化方向は固定され互いに逆平行のまま
　
４　本願発明と引用例との対比
（１）　本願発明と引用例１第１発明との対比
　本願発明と引用例１第１発明とを対比すると、
（一致点）
「反強磁性層と、この反強磁性層と接して形成され、前記反強磁性層との交換結合磁界により磁化方向が固定される固定磁性層と、前記固定磁性層に非磁性導電層を介して形成されたフリー磁性層と、前記フリー磁性層の磁化方向を前記固定磁性層の磁化方向と交差する方向へ揃えるためのハードバイアス層と、前記固定磁性層と前記非磁性導電層とフリー磁性層とに検出電流を与える導電層とを基板上に有するスピンバルブ型薄膜素子であり、
　ハードバイアス層は、基板側から前記フリー磁性層と、前記非磁性導電層と、前記固定磁性層と、前記反強磁性層とをこれらの順で具備してなる断面台形状の積層体の両側に形成され、前記積層体の側面に乗り上げる傾斜部とを有するスピンバルブ型薄膜素子」である点で一致し、
（相違点１）
　本願発明は、「前記反強磁性層は、Ｘ−Ｍｎ（ただし、Ｘは、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｉｒ、Ｒｈのうちから選択される１種の元素を示す。）の式で示される合金またはＸ’−Ｐｔ−Ｍｎ（ただし、Ｘ’は、Ｐｄ、Ｃｒ、Ｒｕ、Ｎｉ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ａｕ、Ａｇのうちから選択される１種または２種以上の元素を示す。）の式で示される合金であるとともに、ＸまたはＸ’＋Ｐｔが３７〜６３原子％の範囲である」のに対して、引用例１第１発明は、「反強磁性層４を構成する反強磁性材料として、ＦｅＭｎ（鉄−マンガン）合金膜が使用された」ものである点、
（相違点２）
　本願発明は、「前記固定磁性層が非磁性中間層を介して２つに分断され、分断された層どうしで磁化の向きが反平行であるフェリ磁性状態とされ」るのに対して、引用例１第１発明は、単層である点、
（相違点３）
　本願発明は、「前記ハードバイアス層は、前記フリー磁性層とほぼ平行で、前記フリー磁性層の膜厚方向に前記フリー磁性層の膜厚よりも大きな膜厚とされ、前記フリー磁性層と同じ階層位置に配置された平坦部とを有し、
　前記平坦部に接合するフリー磁性層の厚さｄ２とフリー磁性層の全厚ｄ３の比をオーバーラップ比ｄ２／ｄ３としたときにｄ２／ｄ３が１００％であり、
　前記ハードバイアス層はｈｃｐ構造の結晶を有する」が、引用例１第１発明は、明記されていない点、
（相違点４）
　本願発明は、「前記ハードバイアス層と前記積層体との間及び前記ハードバイアス層と基板との間に、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗのいずれか１種または２種以上からなり、結晶構造がｂｃｃ構造のバイアス下地層が設けられる」のに対して、引用例１第１発明は、明記されていない点、
（相違点５）
　本願発明は、「前記ハードバイアス層と前記導電層との間にＴａからなる中間層が設けられて」いるのに対して、引用例１第１発明は、明記されていない点。
で相違している。
　
（２）　相違点の検討
（相違点１について）
　引用例１第３発明には、「反強磁性層となるＰｔＭｎ膜の膜組成を、Ｐｔが４８原子％（ａｔ％）、Ｍｎが５２原子％（ａｔ％）のもの」が示されており、また、引用例４にも、「
反強磁性膜には例えばＣｒ
４５
Ｍｎ
４５
Ｐｔ
１０
　そして、引用例１第２発明はデュアルスピンバルブ素子であるが、その上部層の構造である下線部において、「下地層６から保護層７の順に成膜されたものであり、その構成膜材料は、Ｔａ（３ｎｍ）／
ＰｔＭｎ（２０ｎｍ）／ＮｉＦｅ（４ｎｍ）／Ｃｕ（２．５ｎｍ）／ＮｉＦｅ（７ｎｍ）
　
反強磁性層となるＰｔＭｎ膜の膜組成を、Ｐｔが４８原子％（ａｔ％）、Ｍｎが５２原子％（ａｔ％）のもの
　
（相違点２について）
　引用例４には、感磁部の積層順は逆であるが、複数のピン止め層で構成することが示されており、更に、積層順が本願発明と同じ順の感磁部において、周知例５に、前記固定磁性層が非磁性中間層を介して２つに分断され、分断された層どうしで磁化の向きが反平行であるフェリ磁性状態とされたものが示されており、これらを本願発明に適用することに格別のことが認められない。
　
（相違点３について）
ａ　前記ハードバイアス層は、前記フリー磁性層とほぼ平行で、前記フリー磁性層の膜厚方向に前記フリー磁性層の膜厚よりも大きな膜厚とされる構造について検討する。
　引用例１第１発明においても、図８から明らかなように、ハードバイアス層は、前記フリー磁性層とほぼ平行で、前記フリー磁性層の膜厚方向に前記フリー磁性層の膜厚よりも大きな膜厚を有している。更に、フリー層が下に設けられる層構造のセンサーにおいて、縦バイアス層の厚さがフリー層の厚さよりも大となる構造は、引用例２、周知例４にも見られるように、格別のものではない。
ｂ　次に、前記フリー磁性層と同じ階層位置に配置された平坦部とを有す構造について検討する。
　引用例１第１発明においても、感磁部は、下地層５の分だけハードバイヤス層より上であるが、下地層は極めて薄いのが通常であり、フリー磁性層とほぼ同じ階層位置に配置された平坦部とを有する構造であるといえる。
　周知例４のものは、強磁性下地膜上に永久磁石膜（ハードバイアス層）が設けられているが、強磁性下地膜は１０ｎｍ（第１６頁第５行）は永久磁石膜は４０ｎｍ（同頁第３行）に比べて極めて薄く、フリー磁性層とほぼ同じ階層位置に配置された平坦部とを有する構造であるといえる。
　引用例２の図１では、反強磁性体によるピン止め層を有していないが、フリー層が下にある構造において、ハードバイアス層とフリー層が同一基板上に設けられており、ハードバイアス層がフリー磁性層と同じ階層位置に配置された平坦部とを有すことに格別のことが認められない。
ｃ　そして、それらのものは明らかに「前記平坦部に接合するフリー磁性層の厚さｄ２とフリー磁性層の全厚ｄ３の比をオーバーラップ比ｄ２／ｄ３としたときにｄ２／ｄ３が１００％であ」る。
ｄ　ハードバイアス層がｈｃｐ構造をもつことについて検討する。
　本願発明では、ハードバイアス層の材料については限定されていないが、実施例ではＣｏＰｔ合金やＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ合金が用いられており、これらの合金をハードバイアス層として用いたものは、引用例１第１，２発明、引用例３、周知例１，２，３，４にも用いられており、同じ材料であるから、結晶構造もｈｃｐ構造であるといえる。（なお、周知例４は次の相違点４の検討でもふれるが、対心立方構造の下地層上に形成されており、ｈｃｐ構造であるといえる。）
　従って、総合的に見ても相違点３は格別のものではない。
　
（相違点４について）
　前記ハードバイアス層と前記積層体との間及び前記ハードバイアス層と基板との間に、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗのいずれか１種または２種以上からなり、結晶構造がｂｃｃ構造のバイアス下地層が設けられることは、周知例４にＦｅＣｒ下地層が体心立方構造であると明確に示されている。
　
（相違点５について）
　「前記ハードバイアス層と前記導電層との間にＴａからなる中間層が設けられて」ていることは、周知例１に、「硬磁性層４４上に、
ＷやＷ合金でなる下地層４５を介して、ＢＣＣ構造を持ったＴａでなる端子部形成用導体層４６
　周知例２では、ＣｏＰｔ膜（ハードバイアス層）を積層する間に金属中間膜として、Ｔａが用いられ、強磁性層の下地膜としてもよく用いられており、ハードバイアス層と電極層のと間にＴａを用いることは当業者が容易に想到できたことであり、ｂｃｃ構造とすることも周知の技術である。
　この相違点も格別なものでない。
　
　そしてこれらの相違点を総合的に見ても格別なものとは認められない。
　
５　まとめ
  従って、本願発明は、上記引用例１〜４，および周知例記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　そして、請求項２〜１１に係る発明を検討するまでもなく、本件出願は拒絶を免れない。
　よって結論のとおり審決する。