【事件の表示】
　特願２００９−５０７６９６「横向き平面実装白色ＬＥＤ」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１１月　８日国際公開、ＷＯ２００７／１２７０２９、平成２１年　９月２４日国内公表、特表２００９−５３４８６６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、２００７年４月４日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００６年４月２４日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２０年１２月９日に手続補正がなされ、平成２３年７月１１日付けで拒絶の理由が通知され、同年１０月１９日に手続補正がなされたが、同年１２月２６日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２４年５月１０日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正がなされ、その後、当審において、平成２５年１月３０日付けで拒絶の理由が通知され、同年８月５日に手続補正がなされ、同年８月９日付けで拒絶の理由（以下「当審拒絶理由」という。）が通知され、平成２６年２月１７日に手続補正がなされ、さらに、同年３月１０日付けで審尋がなされ、同年９月１１日に回答書が提出されたものである。　                 　
　　
第２　本願発明  
　本願の請求項に係る発明は、平成２６年２月１７日の手続補正により補正された請求項１ないし１４に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。  
        
　「パッケージ支持体と、
　該パッケージ支持体上の半導体チップであって、該半導体チップは、スペクトルの可視部分またはＵＶ部分の放射を放出する活性領域を含む、半導体チップと、
　該パッケージ支持体上の前記半導体チップと電気的に接続する金属接点と、
　該パッケージ支持体上の前記半導体チップを覆う実質的に透明な封止材
であって、前記封止材は、前記パッケージおよび前記チップに対する非平面のメニスカスを規定し、前記メニスカスは、５００ミクロンの深さを超えない、封止材
　前記半導体チップによって放出された放射とは異なり、かつ前記半導体チップによって放出された波長に応答する可視スペクトルの放射を放出する該封止材内の蛍光体と
　を備え、
　該パッケージ支持体は反射性の傾斜した側壁を含み、該傾斜した側壁は、前記パッケージ支持体のフロアに対する前記金属接点の接触面積を低減させ光の抽出を増加させ
る
　
こ
             
第３　刊行物の記載　　　　　　　  
１　当審拒絶理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００４−２６６１２４号公報（以下「引用文献」という。）には、図とともに、以下の記載がある（なお、下線は当審で付した。以下同じ。）。　        　
　　　                       　
（１）「【請求項１】
基板上に形成された２つのリード電極に、発光素子のｐ側電極およびｎ側電極をそれぞれマイクロバンプを介して接合することにより前記基板上に前記発光素子を搭載した半導体発光装置において
前記基板は、セラミック素材からなることを特徴とする半導体発光装置
【請求項２】
前記リード電極を、前記基板の表面に蒸着したことを特徴とする請求項１に記載の半導体発光装置。
【請求項３】
前記発光素子は、透光性結晶基板を備えた窒化ガリウム系の発光素子であって、前記透光性結晶基板を主光取り出し面とし、
前記発光素子が透光性の樹脂で封止され
【請求項４】
前記基板には、前記発光素子から側方に出た光を主光取り出し方向に反射させる反射壁をスルーホールの内周面に形成した反射部材が設けられている
　
（２）「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば、
青色光や紫外光発光ダイオード
　
（３）「【００３１】
（第１の実施の形態）
図１（Ａ）は本発明の第１の実施の形態に係る半導体発光装置の正面図、（Ｂ）は同半導体発光装置の平面図である。
【００３２】
半導体発光装置１は、セラミック素材からなる白色の基板２の表面に発光素子５を搭載した装置である
【００３３】
基板２の２つのリード電極３，４には、発光素子５のｎ側電極６およびｐ側電極７が、それぞれマイクロバンプ８，９を介して導通接続されている。
【００３４】
接続時には、マイクロバンプ８，９に熱および超音波振動を加えて、加圧することにより接合させる。
【００３５】
基板２を構成するセラミック素材は、例えば、酸化アルミニウムを主体とすることができる。
【００３６】
この素材は、耐熱性に優れ、また、熱による変形が小さいという特性を有している。このため、マイクロバンプ８，９の接続時に加えられる熱（１６０〜１９０℃程度）によっても変形せず、また、超音波振動を減衰させないので、振動による摩擦熱を確実に発生させ、接続を確実に行うことができる。
【００３７】
なお、セラミック製の基板２は、今まで図４に示すような半導体発光装置には用いられていなかった。その理由は、基板上に実装された発光素子を樹脂封止する際にトランスファー成型が用いられているが、セラミック製基板の場合、金型を密着させて樹脂を流す場合に弾性が不足しているため密閉できず、樹脂漏れが発生するためである。
【００３８】
今回、窒化ガリウム系発光素子をフリップチップ実装することにより、ワイヤーがなくなったために、発光素子５の天面側からのポッティング又はスクリーン印刷による樹脂封止が可能となり、トランスファー成型する必要がないため、セラミック基板が使用できるようになったのである。
【００３９】
基板２は、矩形板状に形成され、対向する短辺にはスルーホール電極１０，１１を形成し裏面にリード電極３，４をつなげている。
【００４０】
リード電極３，４は、ＮｉＣｒ，Ａｕ（最表面はＡｕ）からなり、基板２の表面に金属蒸着されている
【００４１】
かかる構成によって、発光素子５を搭載するフリップチップボンダーの認識精度が向上し、また、搭載位置が少しずれた場合でもオープンやショートになることがなくなる。
【００４２】
また、リード電極３，４の厚みは、金属蒸着を用いると、２〜５μｍに形成でき、超音波振動を加えるときには、基板２に発光素子５側から確実に圧力が加わるが、樹脂基板にめっき法によりリード電極を形成した場合には、リード電極の厚みが厚くなり、樹脂基板の裏面の中央部が支持台から浮いた状態になって樹脂基板が撓む。そしてマイクロバンプからリード電極に伝達された振動が、樹脂基板の撓みによって吸収されてしまう。リード電極３，４の厚みを薄くすることによって、基板２の裏面が支持台に密着し、また内部摩擦が少ないセラミック製の基板２を用いることによって振動がマイクロバンプ８，９からリード電極３，４に確実に伝達されるので、溶着を確実に行うことができる。
【００４３】
発光素子５は、透光性結晶基板１２に複数の窒化ガリウム系の化合物半導体膜を積層した正方形板状のもので、ｎ側電極６およびｐ側電極７は、窒化ガリウム系の化合物半導体層側にそれぞれ配置されている。そして、ｎ側電極６およびｐ側電極７を基板２側に向けて基板２のリード電極３，４にフリップチップ実装されている。
【００４４】
発光素子５は、窒化ガリウム系の化合物半導体層の天面や側部およびマイクロバンプ８，９を含む発光素子５と基板２との間を、エポキシ樹脂１３で封止している。
【００４５】
発光素子５の窒化ガリウム系の化合物半導体層に含まれる発光層から主光取り出し面方向や側方に向かう青色または緑色光は、エポキシ樹脂１３内を通過し、外側に取り出される。
【００４６】
また、
封止樹脂の中に青色光からその補色光に変換する蛍光体を混合することによって、白色光にすることも出来る
　      　
（４）「【００４７】
（第２の実施の形態）
図２（Ａ）は本発明の第２の実施の形態に係る半導体発光装置の正面図、（Ｂ）は同半導体発光装置の平断面図である。第１の実施の形態に係る半導体発光装置はトップビュータイプのものであるのに対し、第２の実施の形態に係る半導体発光装置２０はサイドビュータイプの発光装置である
【００４８】
半導体発光装置２０のセラミック製基板２１は、前述した半導体発光装置１の基板２とは、スルーホール電極の位置が異なっている。
隣接する２つの角部に新たな円弧状の切欠き２４，２５（スルーホール電極）を形成し、金属蒸着によるリード電極２２，２３を表面に形成している
【００４９】
リード電極２２，２３には、半導体発光素子１５が搭載され、スルーホールを有する反射部材２７が、半導体発光素子１５に外挿され基板２１に固定されている
白色の樹脂成型品で作られているか、または、その内周面２８上に反射率の良いＡｇのメッキが形成されている。また、スルーホールの内部には、透明なエポキシ樹脂２９が充填されている
【００５０】
基板２１の側面の切欠き２４，２５が形成されている部分は，リード電極２２，２３につながっているので、基板２１の切欠き（スルーホール電極）２４，２５側の側面２６を取付面として、半導体発光装置２０をサイドビュータイプとして用いることができる。
【００５１】
また、セラミック基板上に、半導体発光素子をフリップチップ実装した後に、
蛍光体を含有した樹脂ペーストを半導体発光素子の回りにスクリーン印刷法などで塗布（図示せず）して、白色発光の半導体発光装置にすることも出来る
　
（５）図２は、以下のものである。     　
　　　
２　引用文献に記載された発明  
（１）上記１（１）の記載によれば、
　引用文献には、
　「基板上に形成された２つのリード電極に、発光素子のｐ側電極およびｎ側電極をそれぞれマイクロバンプを介して接合することにより前記基板上に発光素子を搭載した半導体発光装置において、
　前記基板は、セラミック素材からなり、
　前記発光素子が透光性の樹脂で封止され、
　前記基板には、発光素子から側方に出た光を主光取り出し方向に反射させる反射壁をスルーホールの内周面に形成した反射部材が設けられた、半導体発光装置。」　
　が記載されているものと認められる。　  　
　              　
（２）上記１（２）の記載に照らせば、
　上記（１）の「発光素子」は、青色発光ダイオードであってもよいものと認められる。　
　
（３）上記１（３）及び（４）の記載に照らせば、
　第１の実施の形態は、トップビュータイプのものであるのに対して、第２の実施の形態は、サイドビュータイプに関するものであり、スルーホール電極の位置は相違するものの、基板及びリード電極等の材料は、共通するものであってよいものと認められる。
　
（４）上記（３）の検討を踏まえると、
　上記（１）の「セラミック素材」は、白色のセラミックス材料であってもよいものと認められる。
　また、「リード電極」は、ＮｉＣｒ，Ａｕ（最表面はＡｕ）からなり、基板の表面に金属蒸着されたものであってもよいものと認められる。　　
　さらに、「透光性の樹脂」には、蛍光体を混合してもよいものと認められる。　
  　　  　　　　　
（５）上記１（４）の記載を踏まえて、図２を見ると、　
　上記（１）の「基板」は、隣接する２つの角部に円弧状の切欠き(スルーホール電極)が形成されたものであってもよいものと認められる。　
　また、上記（１）の「反射部材」は、
　主光取り出し方向に広がる錐形状の断面形状で、内周面上に反射率の良いＡｇのメッキが形成された反射部材であってもよいものと認められる。
　　　
（６）上記（１）ないし（５）から、引用文献には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。　　  
 　  
　「基板上に形成された２つのリード電極に、青色発光ダイオードのｐ側電極およびｎ側電極をそれぞれマイクロバンプを介して接合することにより基板上に青色発光ダイオードを搭載した半導体発光装置において、
　基板は、白色のセラミック素材からなり、隣接する２つの角部に円弧状の切欠き（スルーホール電極）が形成され、
　青色発光ダイオードが蛍光体を混合した透光性の樹脂で封止され、
　リード電極は、ＮｉＣｒ，Ａｕ（最表面はＡｕ）からなり、基板の表面に金属蒸着され、　　
　基板には、主光取り出し方向に広がる錐形状の断面形状で、内周面上に反射率の良いＡｇのメッキが形成された反射部材が設けられた、　
　半導体発光装置。」　
　　　　　　　
第４　対比・判断   　
１　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「青色発光ダイオード」は「半導体チップ」に相当し、以下同様に、
　「リード電極」は「金属接点」に、
　「透光性の樹脂」は「実質的に透明な封止材」に、
　「蛍光体」は「蛍光体」に、
　「半導体発光装置」は「発光ダイオード」に、それぞれ、相当する。
  　
（２）本願明細書の「本発明は、パッケージ支持体と、該パッケージ支持体上の半導体チップとを備えた発光ダイオードである。例示的な実施形態では、
パッケージ支持体は、光出力を高めるように反射型（または反射素子を含む）である
　引用発明の「『Ａｇのメッキが形成された反射部材が設けられた』『基板』」は本願発明の「パッケージ支持体」に相当する。
               　
（３）本願明細書の「図１に示されるように、反射型パッケージ２１は、反射凹部および床面２３を規定する、下方へ傾斜した（場合によっては、垂直な）
４つの壁２２を含む
　引用発明の「内周面」は本願発明の「側壁」に相当する。　
　　　　　     　
（４）引用発明の「青色発光ダイオード」は、青色光を放出する活性領域を含むことが、当業者にとって明らかであることに照らせば、
　引用発明と本願発明とは、  　
　「パッケージ支持体と、
　パッケージ支持体上の半導体チップであって、半導体チップは、スペクトルの可視部分の放射を放出する活性領域を含む、半導体チップと、
　パッケージ支持体上の半導体チップと電気的に接続する金属接点と、を備える」
　点で一致する。　
　　
（５）引用発明の「青色発光ダイオード」は、蛍光体を混合した透光性の樹脂で封止されていることに照らせば、
　引用発明と本願発明とは、
　「パッケージ支持体上の半導体チップを覆う実質的に透明な封止材と、半導体チップによって放出された放射とは異なり、かつ半導体チップによって放出された波長に応答する可視スペクトルの放射を放出する該封止材内の蛍光体とを備える」
　点で一致する。　
　
（６）引用発明の「反射部材」は、主光取り出し方向に広がる錐形状の断面形状であって、内周面上に反射率の良いＡｇのメッキが形成されていることに照らせば、
　引用発明と本願発明とは、
　「パッケージ支持体は反射性の傾斜した側壁を含む」
　点で共通する。　
    　
（７）以上のことから、本願発明と引用発明とは以下の点で一致する。
　＜一致点＞  
　「パッケージ支持体と、
　該パッケージ支持体上の半導体チップであって、該半導体チップは、スペクトルの可視部分の放射を放出する活性領域を含む、半導体チップと、
　該パッケージ支持体上の前記半導体チップと電気的に接続する金属接点と、
　該パッケージ支持体上の前記半導体チップを覆う実質的に透明な封止材と、
　前記半導体チップによって放出された放射とは異なり、かつ前記半導体チップによって放出された波長に応答する可視スペクトルの放射を放出する該封止材内の蛍光体と
　を備え、
　該パッケージ支持体は反射性の傾斜した側壁を含む、
　発光ダイオード。」
　　　　
（８）一方で、本願発明と引用発明とは、以下の点で相違する。  
　＜相違点１＞ 　  
　封止材に関し、
　本願発明は、「前記パッケージおよび前記チップに対する非平面のメニスカスを規定し、前記メニスカスは、５００ミクロンの深さを超えない」のに対して、
　引用発明は、そのようなものであるか否か不明である点。    　
　  　
　＜相違点２＞ 
　側壁に関し、
　本願発明は、「前記パッケージ支持体のフロアに対する前記金属接点の接触面積を低減させ光の抽出を増加させる」のに対して、
　引用発明は、そのようなものであるか否か不明である点。
　  　　　　
２　判断 　　  
（１）上記＜相違点１＞について検討する。  
　ア　まず、本願発明の「（封止材は、）前記パッケージおよび前記チップに対する非平面のメニスカスを規定し、前記メニスカスは、５００ミクロンの深さを超えない」の発明特定事項の技術的意義について検討する。　
　                 　
（ア）本願明細書には、以下の記載がある。　
　「【００４７】
　図７、８、９、１０、１１、および１３に示されるような多くの実施形態では、
封止材は、負のメニスカス４４を有する
一般的に、０（平面のメニスカス）〜５００ミクロンの範囲である。
【００４８】
　必要に応じて、図１２に示されるように、
封止材４３は、ドーム（レンズ）６０を形成することができる
約６０〜４００ミクロンの高さを有することができる
　　　
（イ）上記記載から、封止材は、光を発散させる負のメニスカスにも、光を集光させるドーム（レンズ）にもすることができるものであって、負のメニスカスの深さ「５００ミクロン」に臨界的な技術的意義は認められない。　
　  　
（ウ）上記（イ）から、上記発明特定事項の技術的意義は、封止材の表面を負のメニスカスにすることで、光を発散させることにあるものと解される。　                      　
　          　
　イ　上記発明特定事項の技術的意義を踏まえて、以下に検討する。　
（ア）ＬＥＤを封止する封止材の表面を凹にした発光装置が、特開２００３−４６１４１号公報（図１を参照。　
　図１は、以下のものである。
）、特開平１−２８７９７３号公報（第６図を参照。）、実願平４−９２４２７号（実開平６−５４０８１号）のＣＤ−ＲＯＭ（図２を参照。）及び実願昭６０−１０５６９３号（実開昭６２−１４４８１号）のマイクロフィルム（第３図を参照。）に記載されているように、本願の優先日時点で周知であることに照らせば（以下「周知技術」という。）、　       
　引用発明において、 蛍光体を混合した透光性の樹脂で封止する際に、その表面を凹にすることで光を発散させることは、当業者が容易になし得たことである。
　そして、凹の深さを５００ミクロンを超えなようにすることは、光の拡がり具合等を勘案して、当業者が適宜なし得た設計事項である。
　        　
　イ　以上の検討によれば、引用発明において、上記＜相違点１＞に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が上記周知技術に基づいて容易になし得たことである。
        　
（２）上記＜相違点２＞について検討する。
　ア　まず、本願発明の「（該傾斜した側壁は、）前記パッケージ支持体のフロアに対する前記金属接点の接触面積を低減させ光の抽出を増加させる」の発明特定事項の技術的意義について検討する。
                  　
（ア）本願明細書には、以下の記載がある。　
　ａ　「【００６０】
　本発明の他の側面を図１３〜１６に示す。
図１３は、全体的に参照数字６２で指定された、パッケージ化されたチップを示す図であり、傾斜側壁６３は、チップ４１のサイズに比較的密に整合する床面を形成する角度で配置され、従って、接触領域が減じられる。概して、パッケージ材料４２の反射性が、接点金属４７よりも高い場合は、接触領域を最小化することで、より大きな光抽出がもたらされる
　                            　
　ｂ　図１３は、以下のものである。
     　　　
（イ）上記ａの「
図１３は
接触領域が減じられる
　また、上記ａの「概して、パッケージ材料４２の反射性が、接点金属４７よりも
高い場合は
　                       　　
（ウ）上記（イ）から、上記発明特定事項の技術的意義は、反射性の高い側壁を、反射性の低い金属接点の面積が減少するように、つまり、その面積を減らす方向に配置することで、光の抽出を増加させることにあるものと解される。
    　　    　　　　　       　
　イ　上記発明特定事項の技術的意義を踏まえて、以下に検討する。
（ア）引用発明の「『白色のセラミック素材』からなる『基板』」、「『最表面』が『Ａｕ』である『リード電極』」及び「『内周面上に反射率の良いＡｇのメッキが形成された』『反射部材』」のうち、最も反射性の低い部材は、その呈する色からして、リード電極であることは、当業者にとって明らかである（例えば、特開２００４−１５８４９５号公報（【００６２】及び図３を参照。）、特開２０００−２２１０１４号公報（【００２２】及び図４を参照。）及び実願昭５９−１４５６３８号（実開昭６１−６１５０１号）のマイクロフィルム（第２頁下から４行ないし末行。第４図を参照。
　第４図は、以下のものである。　　
　ｌ１は銀の反射率、ｌ４は金の反射率である。　
））。　
　  　
（イ）そして、引用発明の「『内周面上に反射率の良いＡｇのメッキが形成された』『反射部材』」が、主光取り出し方向に広がる錐形状の断面形状であって、スルーホール電極と電気的に接続するリード電極の上に位置することに照らせば、
　引用発明の「内周面」は、「リード電極」の一部を被覆し、その露出する面積を減らす方向に配置されているといえる。　   　
　          　　  　　
（ウ）してみると、引用発明の「反射部材」は、反射性の高い内周面（本願発明の「側壁」に相当する。）を、反射性の低いリード電極（本願発明の「金属接点」に相当する。）の面積を減らす方向に配置しているものである。
　　　　　    　
（エ）以上の検討によれば、上記＜相違点２＞は、実質的な相違点ではない。　　　
　   　
３　効果
　本願発明が奏する効果は、当業者が引用発明及び周知技術から予測し得た範囲内のものである。
　　 　　　　　　　　　　　　
４　平成２６年９月１１日提出の回答書
　請求人は、「（１−３）引用文献との相違について」において、以下のように説明している。
　
　「引用文献１（特開２００４−２６６１２４号公報）、引用文献２（特開２００５−１６６９３７号公報）、及び引用文献４（特開２００４−１５２８０８号公報）では、側壁の反射性と金属接点の反射性との関係については何ら考慮されていません。従って、側壁の反射性が金属接点の反射性より高い場合に金属接点の露出面積を低減させるように側壁を傾斜させることについて開示も示唆もされておらず、よって引用文献１，２，４ではそのように構成されていません。
引用文献１，２，４では、側壁が、側壁の反射性と金属接点の反射性との関係は何ら考慮されず単に傾斜しているだけです
　これに対しまして、本願発明は、側壁の反射性と金属接点の反射性との関係に基づいて、側壁の傾斜が規定されます。 
　そのような引用文献１，２，４と本願発明とでは、発光装置の反射特性が異なり得ます。例えば、側壁の反射性と金属接点の反射性との関係が異なり得ます。そして、側壁の反射性と金属接点の反射性との関係は、技術水準に照らし調べることが不可能であるとは言えません。
つまり、反射性の関係を調べれば引用文献１，２，４にかかる「物」と本願発明にかかる「物」とは区別し得ます
　
　しかしながら、引用文献１に記載された発明において、「『最表面』が『Ａｕ』である『リード電極』」が最も反射性の低いことは、上記「２（２）上記＜相違点２＞について検討する。」で指摘したように、当業者にとって自明のことであり、引用発明の「内周面」と「リード電極」との反射性の関係は、本願発明の「側壁」と「金属接点」との反射性の関係と格別相違するものではない。　　
　よって、上記請求人の主張は、上記判断を左右するものではない。　
　　           　　
第５　むすび  
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。  
　
　よって、結論のとおり審決する。