【事件の表示】
　特願２０１２−１９０７９８「樹脂封止型半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１２月２７日出願公開、特開２０１２−２５６９３５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯と本願発明
　本願は、平成１９年１０月２５日に出願した特願２００７−２７７２６９号（以下「原出願」という。）の一部を平成２４年８月３１日に新たな特許出願としたものであって、原審において平成２５年７月１６日付けで拒絶理由が通知され、同年９月１２日付けで手続補正がなされたが、同年１０月８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月２４日に拒絶査定不服の審判が請求されるとともに同日付けで手続補正がなされ、平成２６年８月８日付けで当審より拒絶理由が通知され、同年１０月６日付けで手続補正がなされ、同年１１月１２日付けで当審より拒絶理由が通知され、平成２７年１月１４日付けで手続補正がなされたものである。
　
　本願の請求項１ないし５に係る発明は、平成２７年１月１４日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるものであるところ、そのうち、特許請求の範囲の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものと認める。
　
　「第１の半導体チップが搭載され、配線層を有する絶縁基板と、
　前記絶縁基板に形成された外部接続電極と、
　前記絶縁基板の前記第１の半導体チップが搭載された領域とは異なる領域において、前記外部接続電極が形成された面とは反対の面に形成され、導電性材料からなる複数の放熱部材と、
　前記放熱部材の少なくとも一部が露出する露出部を備えるように前記第１の半導体チップを覆う封止樹脂層と、
を含み、
　前記絶縁基板はその基板上の表面のみに、前記放熱部材と、前記第１の半導体チップとを接続する接続部と、を含む配線層を有し、
　前記配線層に前記第１の半導体チップは搭載されており、
　前記放熱部材の少なくとも一部は、所定の前記配線層と電気的に接続されており、前記複数の放熱部材はそれぞれが金属柱から形成されており、平面視において前記第１の半導体チップの周辺に配列されていることを特徴とする、樹脂封止型半導体装置。」
　
第２　引用発明及び技術事項
Ａ　当審の平成２６年１１月１２日付け拒絶理由に引用された原出願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００７−５９４８６号公報（平成１９年３月８日公開、以下「引用例１」という。）には図面とともに以下の事項が記載されている。
　
イ．「【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置及び半導体装置製造用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、プリント配線板等に半導体装置を実装する技術として、プリント配線板等に半導体装置を直接半田付けする表面実装技術が広く用いられていて、半導体装置やプリント配線板等の小型化、実装密度の向上等が図られている。
【０００３】
表面実装技術に用いられる半導体装置としては、ＱＦＰ（Quad Flat Package）、ＢＧＡ（Ball Grid array）、ＬＧＡ（Land grid array）等の半導体装置が採用されているが、なかでも、ＢＧＡ型半導体装置やＬＧＡ型半導体装置によれば、半導体装置の表面に多数の外部端子（半田バンプ等）を配置することができるため、半導体装置やプリント配線板等のさらなる小型化、実装密度の向上等が可能になる。
【０００４】
しかし、ＢＧＡ型半導体装置やＬＧＡ型半導体装置等は、熱伝導性の低い樹脂やセラミック等からなる絶縁性基板に半導体チップが接合され、樹脂によって封止されているため、熱伝導性に優れたリードフレームが用いられるＱＦＰ型半導体装置等と比べると、半導体チップの放熱を充分に行うことができず、半導体チップの温度を許容温度以下に保つことが困難であるという問題があった。特に、近年では、半導体チップの高機能化に伴って半導体チップの発熱量が増加しているため、優れた放熱機能を有する半導体装置が要求されていた。
【０００５】
従来の半導体装置としては、例えば、半導体チップ上面の電極とワイヤにより接続されたパッドと、半導体チップが接着材を介して接合された放熱用電極（金属板等）とを備え、パッド及び放熱用電極の一部を除いて全体が樹脂により封止された半導体装置が存在する（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の半導体装置は、半導体チップから放熱用電極を介して放熱を行うものである。
【０００６】
また、従来の半導体装置としては、例えば、下面（実装面）に多数の接続電極が形成されるととにも、下面の周辺部に周辺補強用ダミー電極、下面の中央部に中央補強用ダミー電極が夫々形成された下面電極（フェイスダウン）型半導体チップと、接続電極に接続された接続ランド並びに各補強用ダミー電極に接続された周辺補強用ランド及び中央補強用ランドが表面に形成された絶縁性基板とを備え、この絶縁性基板には、中央補強用ランドに対応したビアホールが形成されていて、絶縁性基板の裏面には、ビアホールと接続された放熱用導体層が形成された半導体装置が存在する（例えば、特許文献２参照）。特許文献２に記載の半導体装置は、熱伝導性の高い中央補強用ダミー電極、中央補強用ランド、ビアホール及び放熱用導体層からなる熱伝導経路を介して、半導体チップから放熱を行うものである。
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−１５８３１５号公報
【特許文献２】特開２００３−８１８６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１に記載の半導体装置は、放熱用電極とパッドとを電気的に絶縁しなければならない構成を有していて、接着材として、熱伝導性の低い絶縁性接着剤や絶縁シートを用いなければならないため、半導体チップから放熱用電極に熱が伝わり難く、半導体チップの放熱を充分に行うことができないという問題があった。
【０００９】
特許文献２に記載の半導体装置は、半導体チップに設けられた電極のうち、放熱用導体層と接続された電極が、中央補強用ダミー電極のみであり、熱伝導経路が少ないため、半導体チップの放熱を充分に行うことができないという問題があった。また、中央補強ダミー電極が、半導体チップ下面の中央に位置しているため、半導体チップ全体からの放熱が困難であるという問題があった。また、半導体チップが、下面電極（フェイスダウン）型半導体チップであるため、半導体チップ下面に、放熱に充分な数の中央補強用ダミー電極を設けることが困難であるという問題があった。
【００１０】
本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、優れた放熱機能を有する半導体装置、及び、該半導体装置の製造に用いられる半導体装置製造用基板を提供することにある。」（２〜３頁）
　
ロ．「【００２５】
まず、本発明の半導体装置の一例について説明する。
図１は、本発明に係る半導体装置の一例を模式的に示す平面透視図である。
図２は、図１に示した半導体装置の縦断面図（Ａ−Ａ線断面図）である。
【００２６】
半導体装置１０が備える絶縁性基板２１は、ガラス繊維を含浸したビスマレイミド−トリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）からなるものである。なお、絶縁性基板２１としては、絶縁性を有するものであれば、特に限定されるものではなく、ビスマレイミド−トリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、これらの樹脂にガラス繊維等の補強材を含浸したもの、セラミック等からなる基板を挙げることができる。
【００２７】
絶縁性基板２１の表面の中央部分には、半導体チップ１１の下面（実装面）と略同じ面積を有するアイランド２２が形成されている。アイランド２２は、Ｃｕ層からなるものである。また、Ｃｕ層上には、Ｎｉ層やＡｕ層等が形成されていてもよい。本発明において、アイランド２２は、導電性を有するものであれば、特に限定されるものではない。
【００２８】
絶縁性基板２１の表面の周辺部分には、Ｃｕ層からなる複数の導体回路２３が形成されている。導体回路２３は、半導体装置１０の周辺部分から中央部分に延びるパターンを有している（図１参照）。各導体回路２３の周辺側の端部は、半導体装置１０の各辺に沿って等間隔に配列されていて、該端部の上面には、ボンディングパッド２４が形成されている。ボンディングパッド２４は、Ｎｉ層やＡｕ層等からなるものである。
絶縁性基板２１の表面には、アイランド２２及びボンディングパッド２４を除いた表面全域を覆うソルダーレジスト層２５が形成されている。
【００２９】
アイランド２２には、導電層１２を介して半導体チップ１１がダイボンディングされている。半導体チップ１１としては、種々のものを用いることが可能であり、その具体的な機能や内部の回路構成は、特に限定されるものではない。
半導体チップ１１の上面には、複数の電極１１ａが設けられていて、各電極１１ａとボンディングパッド２４とがワイヤ１４によって電気的に接続されている。図１では、説明の便宜上、電極１１ａ及びワイヤ１４を図示していない。
【００３０】
絶縁性基板２１には、アイランド２２の形成領域の内部及び外部の両方を含めて全体に、マトリックス状（縦８個×横８個）に配列された６４個のビアホール２６が形成されている（図１参照）。そのうち、アイランド２２の形成領域には、縦４個×横４個のビアホール２６が配列されている。ビアホール２６の直径は、１２０〜１５０μｍ程度である。ビアホール２６は、絶縁性基板２１に穿設された貫通孔の壁面に無電解メッキや電解メッキ等によって金属薄膜が形成され、さらに該貫通孔に充填材が充填されたものである。
【００３１】
さらに、アイランド２２の形成領域における絶縁性基板２１には、縦４個×横４個に配列されたビアホール２６以外に、９個の放熱用ビアホール２７が形成されている（図１参照）。放熱用ビアホール２７は、隣接する４個のビアホール２６から等間隔を空けて配置されている。放熱用ビアホール２７は、絶縁性基板２１に穿設された貫通孔の壁面に無電解メッキや電解メッキ等によって金属薄膜が形成され、さらに該貫通孔に充填材が充填されたものであり、ビアホール２６と同様の形状及び構成を有している。ただし、図中では、ビアホール２６と放熱用ビアホール２７とを区別し易いように、放熱用ビアホール２７には着色を施している。また、アイランド２２の形成領域に配列されたビアホール２６及び放熱用ビアホール２７は、アイランド２２と電気的に接続されている。本実施形態では、ビアホール２６及び放熱用ビアホール２７とアイランド２２とが電気的に接続されている場合について説明したが、本発明においては、この例に限定されず、例えば、ビアホール２６及び放熱用ビアホール２７とアイランド２２とが絶縁されていてもよい。
【００３２】
絶縁性基板２１の裏面の中央部分には、アイランド２２と略同じ面積を有する導体層２８が形成されていて、導体層２８には、ビアホール２６及び放熱用ビアホール２７が電気的に接続されている。また、絶縁性基板２１の裏面の周辺部分には、各ビアホール２６と電気的に接続された導体層２８が形成されている。これらの導体層２８は、Ｃｕ層からなるものである。また、絶縁性基板２１の裏面には、導体層２８の一部（ビアホール２６の対応箇所）を除いた裏面全域を覆うソルダーレジスト層３０が形成されている。
【００３３】
導体層２８の露出した箇所には、Ｎｉ層やＡｕ層等からなる半田パッド２９が形成されていて、半田パッド２９には、半田バンプ（金属端子）３１が形成されている。本実施形態では、予め絶縁性基板２１の裏面に半田バンプ３１が形成されている場合について説明するが、本発明はこの例に限定されず、例えば、実装時に半田ボールや半田ペースト等を用いて直接、プリント配線板に実装することとしてもよい。
【００３４】
半導体装置１０には、絶縁性基板２１の上面全体を覆うように半導体チップ１１を封止する樹脂パッケージ部１９が形成されている。樹脂パッケージ部１９は、例えば、エポキシ樹脂等を含有する樹脂組成物からなるものである。なお、図１では、樹脂パッケージ部１９を図示していない。
【００３５】
半導体装置１０は、半導体チップ１１がダイボンディングされたアイランド２２は、導電層１２を介して半導体チップ１１下面の略全域と接していて、アイランド２２の下側には、マトリックス状に配列されたビアホール２６と放熱用ビアホール２７とが設けられている。従って、図２に示すように、熱伝導性の高い導電層１２とアイランド２２とビアホール２６及び放熱用ビアホール２７とによって、半導体チップ１１からの放熱を行うための広い熱伝導経路が確保され、優れた放熱機能を有する。
【００３６】
本発明においては、本実施形態に係る半導体装置１０のように、アイランド２２の形成領域における絶縁性基板２１の裏面には、ビアホール２６と電気的に接続された半田バンプ（金属端子）３１が形成されていることが望ましい。熱伝導性の高い半田バンプ３１がビアホール２６と電気的に接続されているため、半導体チップ１１からビアホール２６に伝わった熱を、さらに半田バンプ３１を介して外部（プリント配線板等）に逃がすことができ、放熱機能をより高めることができるからである。
【００３７】
本発明においては、ビアホール２６及び／又は放熱用ビアホール２７に、熱伝導性の高い金属充填材が充填されていることが望ましい。さらに広い熱伝導経路を確保することができ、放熱機能をさらに高めることができるからである。」（５〜７頁）
　
　上記引用例１の記載及び図面並びにこの分野における技術常識を考慮すると、上記ロ．の【００２６】における「半導体装置１０が備える絶縁性基板２１は、ガラス繊維を含浸したビスマレイミド−トリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）からなるものである。」との記載、同ロ．の【００２７】における「絶縁性基板２１の表面の中央部分には、半導体チップ１１の下面（実装面）と略同じ面積を有するアイランド２２が形成されている。」との記載、同ロ．の【００２９】における「アイランド２２には、導電層１２を介して半導体チップ１１がダイボンディングされている。」との記載、図１及び図２によれば、引用例１の半導体装置（１０）は、絶縁性基板（２１）を備えている。そして、半導体装置（１０）は、絶縁性基板（２１）の表面に形成されたアイランド（２２）に半導体チップ（１１）がダイボンディングされている。
　また、上記ロ．の【００３２】における「絶縁性基板２１の裏面の周辺部分には、各ビアホール２６と電気的に接続された導体層２８が形成されている。」との記載、及び図２によれば、半導体装置（１０）は、絶縁性基板（２１）の裏面の周辺部分に導体層（２８）が形成されている。
　また、上記ロ．の【００３１】における「アイランド２２の形成領域における絶縁性基板２１には、縦４個×横４個に配列されたビアホール２６以外に、９個の放熱用ビアホール２７が形成されている（図１参照）。放熱用ビアホール２７は、隣接する４個のビアホール２６から等間隔を空けて配置されている。放熱用ビアホール２７は、絶縁性基板２１に穿設された貫通孔の壁面に無電解メッキや電解メッキ等によって金属薄膜が形成され、さらに該貫通孔に充填材が充填されたものであり、ビアホール２６と同様の形状及び構成を有している。」との記載、及び図２によれば、半導体装置（１０）は、絶縁性基板（２１）に、貫通孔の壁面に金属薄膜が形成され貫通孔に充填材が充填された９個の放熱用ビアホール（２７）が形成されている。
　また、上記ロ．の【００３４】における「半導体装置１０には、絶縁性基板２１の上面全体を覆うように半導体チップ１１を封止する樹脂パッケージ部１９が形成されている。樹脂パッケージ部１９は、例えば、エポキシ樹脂等を含有する樹脂組成物からなるものである。」との記載、及び図２によれば、半導体装置（１０）は、半導体チップ（１１）を封止する樹脂パッケージ部（１９）を有している。
　また、上記ロ．の【００２７】における「絶縁性基板２１の表面の中央部分には、半導体チップ１１の下面（実装面）と略同じ面積を有するアイランド２２が形成されている。アイランド２２は、Ｃｕ層からなるものである。また、Ｃｕ層上には、Ｎｉ層やＡｕ層等が形成されていてもよい。本発明において、アイランド２２は、導電性を有するものであれば、特に限定されるものではない。」との記載、同ロ．の【００２９】における「アイランド２２には、導電層１２を介して半導体チップ１１がダイボンディングされている。」との記載、同ロ．の【００３１】における「アイランド２２の形成領域に配列されたビアホール２６及び放熱用ビアホール２７は、アイランド２２と電気的に接続されている。」との記載、図１及び図２によれば、アイランド（２２）は、放熱用ビアホール（２７）と半導体チップ（１１）とを接続しているから、前述の絶縁性基板（２１）はその基板の表面に、放熱用ビアホール（２７）と半導体チップ（１１）とを接続するアイランド（２２）を有しており、また、放熱用ビアホール（２７）は、アイランド（２２）と電気的に接続されていることは明らかである。
　
　したがって、上記引用例１には以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「半導体チップ（１１）がダイボンディングされ、アイランド（２２）を有する絶縁性基板（２１）と、
　前記絶縁性基板（２１）の裏面の周辺部分に形成された導体層（２８）と、
　前記絶縁性基板（２１）に形成され、貫通孔の壁面に金属薄膜が形成され貫通孔に充填材が充填された９個の放熱用ビアホール（２７）と、
　前記半導体チップ（１１）を封止する樹脂パッケージ部（１９）と、
を含み、
　前記絶縁性基板（２１）はその基板の表面に、前記放熱用ビアホール（２７）と、前記半導体チップ（１１）とを接続するアイランド（２２）を有し、
　前記アイランド（２２）に前記半導体チップ（１１）はダイボンディングされており、
　前記放熱用ビアホール（２７）は、前記アイランド（２２）と電気的に接続されており、前記９個の放熱用ビアホール（２７）はそれぞれが貫通孔の壁面に金属薄膜が形成され貫通孔に充填材が充填されたものから形成されている、半導体装置（１０）。」
　
Ｂ　当審の平成２６年１１月１２日付け拒絶理由に引用された原出願の出願日前に日本国内において頒布された刊行物である実願平２−１１６１８０号（実開平４−７２６４８号のマイクロフィルム（平成４年６月２６日公開、以下「引用例２」という。）には図面とともに以下の事項が記載されている。
　
ハ．「（産業上の利用分野）
　本考案は、樹脂封止半導体装置に関するものである。」（１頁１４〜１６行）
　
ニ．「本考案は、上記問題点を除去し、アイランド周辺における応力の緩和と、放熱性の向上を図り得る樹脂封止半導体装置を提供することを目的とする。」（５頁２０行〜６頁３行）
　
ホ．「第１図は本考案の実施例を示す樹脂封止半導体装置の断面図、第２図はその樹脂封止半導体装置のアイランド部の拡大斜視図である。
　これらの図に示すように、リードフレーム２０のアイランド２２上に半導体素子２３がＡｇペースト等の樹脂ペーストまたは共晶合金等によって固着されている。前記半導体素子２３の主表面に配設された外部導出電極（図示なし）とインナーリード２１とが金属細線２５によって配線され、その後、トランスファー成形によって、封止樹脂２７の外殻が形成される。ここでは、アイランドのコーナ部に円柱状の突起２６が形成され、その突起２６の頭部は外殻表面に露出する高さを有している。
　従って、突起２６によって、樹脂封止時にアイランド２２が半導体素子２３の搭載側に押し上げられて浮き上がることはなくなるとともに、封止樹脂の外殻表面に熱伝導路が確保される。
　なお、第２図に示すように、突起２６はアイランド２２の各コーナに形成され、各突起２６はアイランド２２のコーナ部に溶接、溶着等の方法で固着する。材料としては、リードフレーム材と同一のＦｅ−Ｎｉ材，Ｃｕ材等でもよく、金属の方が樹脂の硬化収縮時の応力に対する強度があるので望ましいが、応力的に耐えられる強度、いわゆるアイランド２２と突起２６の溶接、接着部の強度と、前記伝熱性と樹脂の硬化収縮時、または冷熱試験時の応力に耐えられる材料であれば、無機材料及び金属に限定されない。
　上記したように、薄形の１ｍｍ前後の厚さの半導体装置の場合には、図示していないが、封止金型のキャビティ内に樹脂を注入するにあたり、注入樹脂の注入圧によって、キャビティ内をアイランドを支持するアイランドサポートが変形してキャビティ内において注入樹脂の流れ方向によって移動することによって、金属細線が封止樹脂の外殻表面に露出したり、変形したりするという不都合が、従来の樹脂封止半導体装置では発生していたが、本考案によれば、そのような金属細線への不都合が低減される。
　また、一般的に溶接部の強度の確保という点から、金属性の材料が用いられる。半導体素子から発熱した熱がアイランドに伝わり、封止樹脂の外殻表面に露出した突起によって放熱させることができるので、放熱効果を高めることができる。また、露出した突起に放熱性を向上させるフィンを取付けてもよく。そのように構成すると、更に、放熱性を高めることができる。」（７頁５行〜９頁１１行）
　
　上記引用例２の記載及び図面並びにこの分野における技術常識を考慮すると、上記ニ．「本考案は、上記問題点を除去し・・・放熱性の向上を図り得る樹脂封止半導体装置を提供することを目的とする。」との記載、上記ホ．における「リードフレーム２０のアイランド２２上に半導体素子２３がＡｇペースト等の樹脂ペーストまたは共晶合金等によって固着されている。前記半導体素子２３の主表面に配設された外部導出電極（図示なし）とインナーリード２１とが金属細線２５によって配線され、その後、トランスファー成形によって、封止樹脂２７の外殻が形成される。ここでは、アイランドのコーナ部に円柱状の突起２６が形成され、その突起２６の頭部は外殻表面に露出する高さを有している。」との記載、第１図及び第２図によれば、引用例２の樹脂封止半導体装置は、アイランド（２２）上に半導体素子（２３）を固着し、アイランド（２２）のコーナー部に円柱状の突起（２６）を形成し、その突起（２６）の頭部を封止樹脂（２７）の外殻表面に露出させ、樹脂封止半導体装置の上部から放熱している。ここで、第２図における、円柱状の突起（２６）の配置に着目すれば、円柱状の突起（２６）は、半導体素子（２３）が固着されたアイランド（２２）のコーナー部の４箇所に形成されているから、平面視において、半導体素子（２３）の周辺に配列されていることが見て取れる。
　
　したがって、上記引用例２には以下の発明（以下「技術事項」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「樹脂封止半導体装置において、放熱性の向上のために、半導体素子（２３）が固着されたアイランド（２２）のコーナ部に円柱状の突起（２６）を、平面視において、半導体素子（２３）の周辺に配列するように形成し、その突起（２６）の頭部を封止樹脂（２７）の外殻表面に露出させ、樹脂封止半導体装置の上部から放熱すること。」
　
第３　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
ａ．引用発明の「半導体チップ（１１）」、「絶縁性基板（２１）」及び「樹脂パッケージ部（１９）」は、本願発明の「第１の半導体チップ」、「絶縁基板」及び「封止樹脂層」にそれぞれ相当する。
ｂ．引用発明の「ダイボンディング」は、英語では、die bondingであり、半導体チップを所定の場所に位置決めして装着（搭載）することであるから、「搭載」ということができる。
ｃ．引用発明の「アイランド（２２）」は、本願明細書段落【００２０】における「配線基板１の配線層３および４は、・・・基材層２の上面上に形成された複数の配線層３は、半導体チップ１０が搭載される搭載部３ａ・・・を含んでおり」との記載によれば、「配線層」に含まれる
ｄ．引用発明の「前記絶縁性基板（２１）の裏面の周辺部分に形成された導体層（２８）」は、上記引用例１の上記ロ．の【００３３】における「導体層２８の露出した箇所には、Ｎｉ層やＡｕ層等からなる半田パッド２９が形成されていて、半田パッド２９には、半田バンプ（金属端子）３１が形成されている。」との記載、及び図２によれば、「外部接続電極」ということができる。
ｅ．引用発明の「貫通孔の壁面に金属薄膜が形成され貫通孔に充填材が充填された９個の放熱用ビアホール（２７）」は、上記引用例１の上記ロ．の【００３７】における「本発明においては、ビアホール２６及び／又は放熱用ビアホール２７に、熱伝導性の高い金属充填材が充填されていることが望ましい。」との記載によれば、本願発明の「導電性材料からなる複数の放熱部材」に相当するから、引用発明の「前記絶縁性基板（２１）に形成され、貫通孔の壁面に金属薄膜が形成され貫通孔に充填材が充填された９個の放熱用ビアホール（２７）」と、本願発明の「前記絶縁基板の前記第１の半導体チップが搭載された領域とは異なる領域において、前記外部接続電極が形成された面とは反対の面に形成され、導電性材料からなる複数の放熱部材」とは、いずれも、「前記絶縁基板の特定の場所に形成され、導電性材料からなる複数の放熱部材」という点で一致する。
ｆ．引用発明の「封止する」は、「覆う」ということができる。
ｇ．引用発明の「前記絶縁性基板（２１）はその基板の表面に、前記放熱用ビアホール（２７）と、前記半導体チップ（１１）とを接続するアイランド（２２）」は、引用発明の「アイランド（２２）」が、「放熱用ビアホール（２７）と、半導体チップ（１１）とを接続する」部分を絶縁性基板（２１）上の表面のみに有しているから、「前記絶縁基板はその基板上の表面のみに、前記放熱部材と、前記第１の半導体チップとを接続する接続部と、を含む配線層」ということができる。
ｈ．引用発明の「貫通孔の壁面に金属薄膜が形成され貫通孔に充填材が充填されたもの」は、上記引用例１の上記ロ．の【００３７】における「本発明においては、ビアホール２６及び／又は放熱用ビアホール２７に、熱伝導性の高い金属充填材が充填されていることが望ましい。」との記載によれば、「金属柱」ということができる。
ｉ．引用発明の「半導体装置（１０）」は、半導体チップ（１１）を封止する樹脂パッケージ部（１９）を備えているから、後述する相違点を除き、「樹脂封止型半導体装置」ということができる。
　
　したがって、本願発明と引用発明は、以下の点で一致ないし相違する。
　
＜一致点＞
　「第１の半導体チップが搭載され、配線層を有する絶縁基板と、
　前記絶縁基板に形成された外部接続電極と、
　前記絶縁基板の特定の場所に形成され、導電性材料からなる複数の放熱部材と、
　前記第１の半導体チップを覆う封止樹脂層と、
を含み、
　前記絶縁基板はその基板上の表面のみに、前記放熱部材と、前記第１の半導体チップとを接続する接続部と、を含む配線層を有し、
　前記配線層に前記第１の半導体チップは搭載されており、
　前記放熱部材の少なくとも一部は、所定の前記配線層と電気的に接続されており、前記複数の放熱部材はそれぞれが金属柱から形成されている、樹脂封止型半導体装置。」
　
＜相違点１＞
　導電性材料からなる複数の放熱部材を形成する「前記絶縁基板の特定の場所」に関し、
　本願発明は、「前記絶縁基板の前記第１の半導体チップが搭載された領域とは異なる領域において、前記外部接続電極が形成された面とは反対の面に形成され」るのに対し、引用発明は、そのように形成されていない点。
　
＜相違点２＞
　「前記第１の半導体チップを覆う封止樹脂層」に関し、
　本願発明は、「前記放熱部材の少なくとも一部が露出する露出部を備えるように」前記第１の半導体チップを覆うのに対し、引用発明は、当該「前記放熱部材の少なくとも一部が露出する露出部を備えるように」なっていない点。
　
＜相違点３＞
　「放熱部材」における平面視の態様に関し、
　本願発明は、「平面視において前記第１の半導体チップの周辺に配列されている」のに対し、引用発明は、当該「平面視において前記第１の半導体チップの周辺に配列されている」との特定がない点。
　
第４　判断
　そこで、上記相違点１ないし３について検討する。
　まず、当業者であれば、樹脂封止半導体装置の放熱方向は、樹脂封止半導体装置の上方向及び下方向が有り、いずれを主方向とするかは適宜選択すべき設計的事項であることは、当然知っている事項である（必要があれば、特開平８−１７９７４号公報（段落【００１４】〜【００２４】）、特開平１１−２６６５８号公報（段落【０００９】〜【００１２】）参照。）。よって、引用発明の半導体装置（１０）において、放熱方向の下方向を上方向にすることは当業者が容易になし得ることである。
　そして、上記第２　Ｂのとおり、上記引用例２には、「樹脂封止半導体装置において、放熱性の向上のために、半導体素子（２３）が固着されたアイランド（２２）のコーナ部に円柱状の突起（２６）を、平面視において、半導体素子（２３）の周辺に配列するように形成し、その突起（２６）の頭部を封止樹脂（２７）の外殻表面に露出させ、樹脂封止半導体装置の上部から放熱すること。」（技術事項）が記載されている。
　ここで、本願明細書には「半導体チップが搭載された領域」と「搭載部」との関係が記載されていない。本願発明の「半導体チップが搭載された領域とは異なる領域」について、本願明細書を参酌すると、段落【００２５】には、「第１実施形態では、配線基板１上の所定領域（半導体チップ１０が搭載された領域とは異なる領域）に、銅からなる複数の金属バンプ３０が形成されている。」との記載が有る。よって、前記「半導体チップが搭載された領域とは異なる領域」は、半導体チップが搭載される搭載部（３ａ）とは異なる部材を指すものではなく、平面視において、半導体チップ自体の配線基板上における搭載領域（実装面）とは異なる領域を表す意味に解される。
　してみれば、前記「半導体チップが搭載された領域とは異なる領域」は、上記技術事項における「円柱状の突起（２６）」（本願発明の「放熱部材」に相当する。）の配置における、上記技術事項の「半導体素子（２３）が固着されたアイランド（２２）のコーナ部」と実質的な差異はない。
　仮に、「半導体チップが搭載された領域」を「搭載部」としても、アイランド（２２）から離れて異なる領域に円柱状の突起（２６）を形成することによる作用効果は本願明細書に記載されておらず、技術的意義を見いだすことができないから、前記「半導体チップが搭載された領域とは異なる領域」とすることは、当業者が適宜なし得る設計的事項に過ぎない。
　そうすると、引用発明の「９個の放熱用ビアホール（２７）」は、「前記絶縁性基板（２１）に形成され」ており、放熱方向に着目すれば、半導体装置（１０）の下方向であることろ、放熱方向を半導体装置（１０）の上方向とし「前記外部接続電極が形成された面とは反対の面にするこ」とは、周知技術に基づいて、任意になし得る。その場合において、放熱部材を「前記絶縁基板の前記第１の半導体チップが搭載された領域とは異なる領域において、形成する」こと、また、封止樹脂層について「前記放熱部材の少なくとも一部が露出する露出部を備えるように」すること、また、放熱部材を「平面視において前記第１の半導体チップの周辺に配列する」ことは、上記技術事項に基づいてなし得る。したがって、上記相違点１ないし３に係る構成のようにすることは、当業者が容易に想到し得たものである。
　
　そして、本願発明の作用効果も、引用発明、上記技術事項及び周知技術から当業者が容易に予測できる範囲のものである。
　
第５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１、２、及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願はその余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。