【事件の表示】
　特願２０１１−５５３９３５「リードフレーム及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　９月１６日国際公開、ＷＯ２０１０／１０４２７４、平成２４年　９月　６日国内公表、特表２０１２−５２０５６４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２２年２月２３日（パリ条約に基づく優先権主張外国庁受理　平成２１年３月１２日　韓国（ＫＲ））を国際出願日とする特許出願であって、平成２５年２月２７日付け拒絶理由通知に対する応答時、同年６月２４日付けで手続補正がなされたが、同年９月６日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２６年１月９日付けで拒絶査定不服審判の請求及び手続補正がなされたものである。
　
２．補正の適否・本願発明
　平成２６年１月９日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）により、特許請求の範囲は、
本件補正前には、
「【請求項１】
　下地金属層と、
　前記下地金属層上に、銅層または銅を含む銅合金層で形成され、表面粗度の与えられた銅メッキ層と、
　前記銅メッキ層上に、ニッケル、パラジウム、金、銀、ニッケル合金、パラジウム合金、金合金及び銀合金から選択された少なくとも一つの物質からなる金属薄膜を少なくとも一つ含む上部メッキ層と、を含み、
　前記上部メッキ層は、ニッケル薄膜、またはニッケル合金薄膜を含むニッケルメッキ膜で構成され、
　前記銅メッキ層は１５０〜４００ｎｍの表面粗度を有し、
　前記ニッケルメッキ薄膜は、０．２〜１μｍの厚さに形成された
リードフレーム。
　【請求項２】
　前記上部メッキ層は、パラジウム薄膜、またはパラジウム合金薄膜を含むパラジウムメッキ膜で構成された、請求項１に記載のリードフレーム。
　【請求項３】
　前記上部メッキ層は、金薄膜または金合金薄膜で形成された金メッキ膜で構成された、請求項１に記載のリードフレーム。
　【請求項４】
　前記上部メッキ層は、二つの金属薄膜を含み、
　該二つの金属薄膜は、
　ニッケル薄膜またはニッケル合金薄膜を含むニッケルメッキ膜と、
　前記ニッケルメッキ膜上に形成される、パラジウム薄膜またはパラジウム合金薄膜を含むパラジウムメッキ膜と、を含む、請求項１に記載のリードフレーム。
　【請求項５】
　前記上部メッキ層は、三つの金属薄膜を含み、
　該三つの金属薄膜は、
　ニッケル薄膜またはニッケル合金薄膜を含むニッケルメッキ膜と、
　前記ニッケルメッキ膜上に形成される、パラジウム薄膜またはパラジウム合金薄膜を含むパラジウムメッキ膜と、
　前記パラジウムメッキ膜上に形成される、金薄膜または金合金薄膜を含む金メッキ膜と、を含む、請求項１に記載のリードフレーム。
　【請求項６】
　前記下地金属層は、銅層または銅を含む銅合金層で形成された、請求項１に記載のリードフレーム。
　【請求項７】
　前記パラジウムメッキ薄膜は、０．０２〜０．０８μｍの厚さに形成された、請求項２に記載のリードフレーム。
　【請求項８】
　前記金メッキ薄膜は、０．００３〜０．０１μｍの厚さに形成された、請求項３に記載のリードフレーム。
　【請求項９】
　下地金属層を用意する段階と、
　前記下地金属層上に、銅層または銅を含む銅合金層により、表面粗度の与えられる銅メッキ層を形成する段階と、
　前記銅メッキ層上に、ニッケル、パラジウム、金、銀、ニッケル合金、パラジウム合金、金合金及び銀合金から選択された少なくとも一つの物質からなる金属薄膜を少なくとも一つ含む上部メッキ層を形成する段階と、を含み、
　前記上部メッキ層は、ニッケル薄膜またはニッケル合金薄膜を含むニッケルメッキ膜で構成され、
　前記銅メッキ層は、１５０〜４００ｎｍの表面粗度を有し、
　前記ニッケルメッキ薄膜は、０．２〜１μｍの厚さに形成された
リードフレーム製造方法。
　【請求項１０】
　前記上部メッキ層は、パラジウム薄膜またはパラジウム合金薄膜を含むパラジウムメッキ膜で構成された、請求項９に記載のリードフレーム製造方法。
　【請求項１１】
　前記上部メッキ層は、金薄膜または金合金薄膜で形成された金メッキ膜で構成された、請求項９に記載のリードフレーム製造方法。
　【請求項１２】
　前記銅メッキ層を形成する段階は、
　前記下地金属層上に、硫酸銅メッキ工程によって銅メッキ層を形成する段階である、請求項９に記載のリードフレーム製造方法。
　【請求項１３】
　前記上部メッキ層を形成する段階は、
　ニッケル薄膜またはニッケル合金薄膜を含むニッケルメッキ膜を形成する段階と、
　前記ニッケルメッキ膜上にパラジウム薄膜またはパラジウム合金薄膜を含むパラジウムメッキ膜を形成する段階と、
を含む、請求項９に記載のリードフレーム製造方法。
　【請求項１４】
　前記上部メッキ層を形成する段階は、
　ニッケル薄膜またはニッケル合金薄膜を含むニッケルメッキ膜を形成する段階と、
　前記ニッケルメッキ膜上に、パラジウム薄膜またはパラジウム合金薄膜を含むパラジウムメッキ膜を形成する段階と、
　前記パラジウムメッキ膜上に、金薄膜または金合金薄膜で形成された金メッキ膜を形成する段階と、
を含む、請求項９に記載のリードフレーム製造方法。
　【請求項１５】
　前記銅メッキ層は０．３〜１．５μｍの厚さで形成された、請求項１に記載のリードフレーム。
　　【請求項１６】
　前記銅メッキ層は０．３〜１．５μｍの厚さで形成された、請求項９に記載のリードフレーム製造方法。」
とあったものが、
「【請求項１】
　下地金属層と、
　前記下地金属層上に、銅層または銅を含む銅合金層で形成され、表面粗度の与えられた銅メッキ層と、
　前記銅メッキ層上に、ニッケル、パラジウム、金、銀、ニッケル合金、パラジウム合金、金合金及び銀合金から選択された少なくとも一つの物質からなる金属薄膜を少なくとも一つ含む上部メッキ層と、を含み、
　前記上部メッキ層は、ニッケル薄膜、またはニッケル合金薄膜を含むニッケルメッキ膜で構成され、
　前記銅メッキ層は１５０〜４００ｎｍの表面粗度を有し、
　前記ニッケルメッキ薄膜は、０．２〜１μｍの厚さに形成された
リードフレーム。
　【請求項２】
　前記下地金属層は、銅層または銅を含む銅合金層で形成された、請求項１に記載のリードフレーム。
　【請求項３】
　下地金属層を用意する段階と、
　前記下地金属層上に、銅層または銅を含む銅合金層により、表面粗度の与えられる銅メッキ層を形成する段階と、
　前記銅メッキ層上に、ニッケル、パラジウム、金、銀、ニッケル合金、パラジウム合金、金合金及び銀合金から選択された少なくとも一つの物質からなる金属薄膜を少なくとも一つ含む上部メッキ層を形成する段階と、を含み、
　前記上部メッキ層は、ニッケル薄膜またはニッケル合金薄膜を含むニッケルメッキ膜で構成され、
　前記銅メッキ層は、１５０〜４００ｎｍの表面粗度を有し、
　前記ニッケルメッキ薄膜は、０．２〜１μｍの厚さに形成された
リードフレーム製造方法。
　【請求項４】
　前記銅メッキ層を形成する段階は、
　前記下地金属層上に、硫酸銅メッキ工程によって銅メッキ層を形成する段階である、請求項３に記載のリードフレーム製造方法。
　【請求項５】
　前記銅メッキ層は０．３〜１．５μｍの厚さで形成された、請求項１に記載のリードフレーム。
　【請求項６】
　前記銅メッキ層は０．３〜１．５μｍの厚さで形成された、請求項３に記載のリードフレーム製造方法。」
と補正された。
　
　上記補正は、本件補正前の請求項２〜５，７，８，１０，１１，１３，１４を削除したものであり、その余の請求項については本件補正前後で変更はない。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものに該当する。
　
　したがって、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２６年１月９日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのものである。
「【請求項１】
　下地金属層と、
　前記下地金属層上に、銅層または銅を含む銅合金層で形成され、表面粗度の与えられた銅メッキ層と、
　前記銅メッキ層上に、ニッケル、パラジウム、金、銀、ニッケル合金、パラジウム合金、金合金及び銀合金から選択された少なくとも一つの物質からなる金属薄膜を少なくとも一つ含む上部メッキ層と、を含み、
　前記上部メッキ層は、ニッケル薄膜、またはニッケル合金薄膜を含むニッケルメッキ膜で構成され、
　前記銅メッキ層は１５０〜４００ｎｍの表面粗度を有し、
　
前記ニッケルメッキ薄膜
リードフレーム。」
　
　なお、下線を付した「前記ニッケルメッキ薄膜」は、当該請求項１の記載全体からみて、「前記ニッケルメッキ
膜
　
３．引用列
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された特開平９−１４８５０８号公報（以下、「引用例」という。）には、「半導体装置用リードフレーム」について、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した）。
（１）「【請求項１】　
リードフレーム本体の全面に
電解処理して得られる針状若しくは樹枝状の突起状電着物からなる粗化層
電解処理して得られる平滑な電着物からなる被覆層を順次設けてなる半導体装置用リードフレーム
　
（２）「【００１１】このリードフレーム全面に形成されている
粗化層は
電解処理して得られる針状若しくは樹枝状の突起状電着物からなっており、表面が粗面化されており投錨効果により樹脂との接着性を向上させる
【００１２】そのため
本発明では更にこの粗化層の上に粗化層の脆さを補う被覆層を設けている。この被覆層は
電解処理して得られる平滑な電着物からなる層で、粗化層の針状若しくは樹枝状の突起状電着物を被覆している。この層の厚みが厚くなり過ぎると突起状電着物による粗面が失われてしまうので、突起状電着物の凹凸を損ねないように０．０１〜２μｍの厚みとすることが好ましい
  
（３）「【００２３】実施例１　　
予め
銅合金系リードフレーム材
【００２４】（１）
粗化層の形成
めっき浴組成：硫酸銅・５水和物１００ｇ／ｌ、硫酸１００ｇ／ｌ、浴温：３０℃、ｐＨ：０．３のめっき浴中で、陰極電流密度：１５Ａ／ｄｍ2、電解時間：３秒の限界電流密度を超える電解条件で
電気めっきを行い、リードフレーム表面に樹枝状の銅粗化層を形成した
【００２５】（２）被覆層の形成
　・・・・・（以下、略）」 
　
（４）「【００５０】
実施例７
被覆層の形成を次のようにして行ったニッケル−リン層の形成に変え、接着層を設けなかったこと以外は実施例１と同様にして、表面処理されたリードフレーム、樹脂封止型半導体装置を得た
【００５１】（２）
被覆層の形成
めっき浴組成：硫酸ニッケル・６水和物３５ｇ／ｌ、塩化ニッケル・６水和物１０ｇ／ｌ、炭酸ニッケル５ｇ／ｌ、リン酸１２ｇ／ｌ、亜リン酸７ｇ／ｌ、浴温：５０℃、ｐＨ：１．５のめっき浴中で、陰極電流密度：１Ａ／ｄｍ2、電解時間：３０秒の限界電流密度以下の電解条件
で粗化層が形成されたリードフレームに電気めっきを行い、粗化層上に平滑なニッケル−リン被覆層を形成
　
　・上記引用例に記載の「半導体装置用リードフレーム」は、上記（１）の記載事項によれば、リードフレーム本体の全面に、電解処理して得られる針状若しくは樹枝状の突起状電着物からなる粗化層と、電解処理して得られる平滑な電着物からなる被覆層とを順次設けてなる半導体装置用リードフレームに関するものである。
　・上記（２）の段落【００１１】の記載事項によれば、リードフレーム本体全面に形成される粗化層は、表面が粗面化されており投錨効果（アンカー効果）により樹脂との接着性を向上させることができるものである。
　・上記（２）の段落【００１２】の記載事項によれば、粗化層の上に設けられる被覆層は、粗化層の突起状電着物の凹凸を損ねない（突起状電着物による粗面が失われてしまわない）ような厚み（好ましくは０．０１〜２μｍ）とされるものである。
　・上記（３）、（４）、及び表１によれば、実施例７に係るものは、銅合金系（Ｃｕ系）のリードフレーム材の表面に、電気めっきによる銅（Ｃｕ）の粗化層、電気めっきによるニッケル−リン（ＮｉＰ）の被覆層を順次形成してなるものである。
　
　したがって、特に実施例７に係るものに着目し、上記記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 
「銅合金系（Ｃｕ系）のリードフレーム本体の全面に、電解処理（電気めっき）により得られる針状若しくは樹枝状の突起状電着物からなる銅（Ｃｕ）の粗化層と、電解処理（電気めっき）により得られる平滑な電着物からなるニッケル−リン（ＮｉＰ）の被覆層とを順次設けてなる半導体装置用リードフレームであって、
　前記粗化層は、表面が粗面化されており投錨効果（アンカー効果）により樹脂との接着性を向上させることができるものであり、
　前記被覆層は、粗化層の突起状電着物の凹凸を損ねない（突起状電着物による粗面が失われてしまわない）ような厚み（好ましくは０．０１〜２μｍ）とされる、半導体装置用リードフレーム。」 
　
４．対比
　そこで、本願発明と引用発明とを対比すると、
（１）引用発明における「銅合金系（Ｃｕ系）のリードフレーム本体」は、本願発明における「下地金属層」に相当する。
　
（２）引用発明における「銅合金系（Ｃｕ系）のリードフレーム本体の全面に、電解処理（電気めっき）により得られる針状若しくは樹枝状の突起状電着物からなる銅（Ｃｕ）の粗化層と、・・・を順次設けてなる・・」、「前記粗化層は、表面が粗面化されており投錨効果（アンカー効果）により樹脂との接着性を向上させることができるものであり、」によれば、
　「粗化層」は、所定の表面粗度の与えられた銅の層であって、かかる層は電解処理（電気めっき）により得られるものであることから、本願発明における「銅メッキ層」に相当し、そして、リードフレーム本体上に形成されるものであるから、
　本願発明と引用発明とは、「前記下地金属層上に、銅層で形成され、表面粗度の与えられた銅メッキ層と」を含み、「前記銅メッキ層は所定の表面粗度を有し」の点で共通するということができる。
　
（３）引用発明における「・・銅（Ｃｕ）の粗化層と、電解処理（電気めっき）により得られる平滑な電着物からなるニッケル−リン（ＮｉＰ）の被覆層とを順次設けてなる・・」、「前記被覆層は、粗化層の突起状電着物の凹凸を損ねない（突起状電着物による粗面が失われてしまわない）ような厚み（好ましくは０．０１〜２μｍ）とされる、」によれば、
　「被覆層」は、粗化層上にこれを被覆するように所定の厚さ（好ましくは０．０１〜２μｍ）で形成されたニッケル−リン（ＮｉＰ）、すなわちニッケル合金からなる金属薄膜を含む層であって、電解処理（電気めっき）により得られるものであることから、本願発明における「上部メッキ層」に相当し、
　本願発明と引用発明とは、「前記銅メッキ層上に、ニッケル合金の物質からなる金属薄膜を少なくとも一つ含む上部メッキ層と」を含み、「前記上部メッキ層は、ニッケル合金薄膜を含むニッケルメッキ膜で構成され」、「前記ニッケルメッキ
膜
　
（４）そして、引用発明における「半導体装置用リードフレーム」は、本願発明における「リードフレーム」に相当する。
　
　よって、本願発明と引用発明とは、
「下地金属層と、
　前記下地金属層上に、銅層で形成され、表面粗度の与えられた銅メッキ層と、
　前記銅メッキ層上に、ニッケル合金の物質からなる金属薄膜を少なくとも一つ含む上部メッキ層と、を含み、
　前記上部メッキ層は、ニッケル合金薄膜を含むニッケルメッキ膜で構成され、
　前記銅メッキ層は所定の表面粗度を有し、
　前記ニッケルメッキ
膜
リードフレーム。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
［相違点１］
　銅メッキ層の表面粗度について、本願発明では「１５０〜４００ｎｍ」と特定するのに対し、引用発明ではそのような特定を有していない点。
　
［相違点２］
　上部メッキ層であるニッケルメッキ膜の厚さについて、本願発明では「０．２〜１μｍ」と特定するのに対し、引用発明ではそのような明確な特定を有していない点。
　
５．判断
　上記相違点について検討する。
［相違点１］について
　例えば特開２００４−３３９５８４号公報（段落【００２６】の表１を参照）、特開２００６−９３５５９号公報（段落【００３１】の表１を参照）に示されているように、表面粗度の与えられたメッキ層の表面粗度（表面粗さ）の値については、投錨効果（アンカー効果）によるモールディング樹脂との接着性を有効なものとするためにはある程度以上の大きさが必要であり（つまり、下限がある）、一方でその値が大きいほど投錨効果（アンカー効果）によるモールディング樹脂との接着性についは向上するものの、ワイヤーボンディング接合性や半田付け性（半田濡れ性）等が低下することからある程度以下の大きさとする必要がある（つまり、上限がある）ことは当業者にとって周知といえる技術事項である。そして、表面粗度（表面平均粗さＲａ）の範囲として、例えば特開２００４−３４５２４号公報（段落【００１０】、【００３２】の表２を参照）では０．２〜０．８μｍの範囲（本願発明で特定する範囲を満たす０．２０５μｍの実施例あり）とすることが記載され、上記特開２００４−３３９５８４号公報（【請求項２】、段落【００１０】、段落【００２６】の表１を参照）では０．１〜０．８μｍの範囲（本願発明で特定する範囲を満たす０．３２１μｍ、０．３１１μｍ、０．２９５μｍの各実施例あり）とすることが記載され、上記特開２００６−９３５５９号公報（【請求項４】、段落【００３１】の表１、【００３３】、【００４２】を参照）では０．２〜０．７μｍ（本願発明で特定する範囲を満たす０．２１μｍの実施例あり）とすることが記載されているところであり、引用発明においても、粗化層の表面粗度を、本願発明で特定する「１５０〜４００ｎｍ」（０．１５〜０．４μｍ）の範囲を満たすような値とすることは当業者であれば容易になし得ることである。
　
［相違点２］について
　本願明細書（特に段落【００２２】）を参照しても、上部メッキ層であるニッケルメッキ膜の厚さの範囲を「０．２〜１μｍ」と定めることの技術的な理由（意義）についての記載（説明）はなされていないが、上部メッキ層は表面粗度の与えられた銅メッキ層上に形成されるものであることから、その厚さについては、リードフレーム最表面において表面粗度（表面粗さ）が失われてしまわない程度の厚さにする必要があることは当業者にとって自明なことであるところ、引用発明においても、被覆層は、粗化層の突起状電着物の凹凸を損ねない（突起状電着物による粗面が失われてしまわない）ような厚みとされるものである。そして具体的には、引用発明では好ましくは０．０１〜２μｍとあり、この数値範囲は本願発明で特定する範囲を含むものであることからして、本願発明で特定する「０．２〜１μｍ」の範囲は通常想定される範囲を大きく外れるようなものではないといえる。
　したがって、引用発明において、被覆層の厚さを本願発明で特定する「０．２〜１μｍ」の範囲を満たすような値とすることも当業者であれば適宜なし得ることである。
　
　そして、発明の詳細な説明を参照しても、銅メッキ層の表面粗度の上限値・下限値、及びニッケルメッキ膜の厚さの上限値・下限値の設定に関して、これら上限値を上回るもの、下限値を下回るものとの具体的な比較データが示されているわけでもないばかりか、その技術的理由（意義）についての記載（説明）すらなく〔なお、段落【００４０】には銅メッキ層の表面粗さが大きくなるほど（モールディング樹脂との）接着力が向上するというごく当たり前の技術事項が記載されているのみである〕、銅メッキ層の表面粗度の上限値を４００ｎｍ、下限値を１５０ｎｍと定めたことや、ニッケルメッキ膜の厚さの上限値を１μｍ、下限値を０．２μｍと定めたことに格別の技術的意義（臨界的意義）は見出せないことを考慮すると、上記各相違点を総合的に判断しても本願発明が奏する効果は、引用発明及び周知の技術事項から当業者が十分に予測できたものであって、格別顕著なものがあるとはいえない。 
　
６．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用発明及び周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。