【事件の表示】
　平成　５年特許願第　４１４５５号「液晶表示装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　６年　９月１６日出願公開、特開平　６−２５８６５９］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯と本願発明
　本願は、平成５年３月２日の特許出願であって、その発明は平成１３年４月１２日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１〜３に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、本願発明という。）は次のとおりである。
「【請求項１】　一対の基板間のシール部の内側に液晶が挟持されてなり、前記一対の基板のうち一方の基板の前記シール部内側にはトランジスタと、前記トランジスタ上に絶縁膜を介して配置された画素電極と、前記トランジスタを駆動する駆動回路とを具備し、前記駆動回路上には前記絶縁膜が配置されてなり、前記一対の基板の他方の基板上には前記画素電極に対向して配置され、且つ前記駆動回路に対向する領域には配置されていない共通電極を具備し、前記一方の基板上の前記シール部に対向する領域には前記絶縁膜が配置されていないことを特徴とする液晶表示装置。」
２．引用文献について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献３（特開昭６２−２５１７２３号公報）には、次の事項が記載されている。
「第２図は、透明絶縁基板上にマトリックス上に配置された薄膜トランジスターと周辺駆動回路から構成された液晶表示用ドライバー内蔵アクティブマトリックス基板の模式図である。１（Ｇ１〜Ｇｍ）は、タイミング線となるゲート線、２（Ｓ１〜Ｓｎ）は、データ線となるソース線であり、その交点に配置された薄膜トランジスター３により、データを画素電極４に書き込んでいる。５は、タイミング線駆動回路、６はデータ線駆動回路であり、この図では両側駆動の場合を示している。
　第３図は、従来の透過型ドライバー内蔵液晶パネルの概要断面図（ａ）と平面図（ｂ）である。透明絶縁基板７上に薄膜トランジスターを用いて画素電極を有するパネル表示領域８とタイミング線駆動回路５とデータ線駆動回路６と周辺接続用端子９を形成する。シール材１０を用いて対向透明電極１１を有する対向透明基板１２とアクティブマトリックスと駆動回路を形成した基板７を圧着し、封入口１３より液晶１４を封入したのち封止して液晶パネルが完成する。この場合、周辺駆動回路は露出状態になるので、あらかじめパッシベーション膜１５を形成しておくか、パネル完成後にモールド等を施して被覆しないと湿度による腐食が駆動回路内に発生する。
　第４図は、前記耐湿性を向上させた構造の断面図（ａ）と平面図（ｂ）であり周辺駆動回路を液晶中にとじこめているのが特徴である。液晶内は水分がほとんどないため、パシベーション膜をつける必要がなく耐湿性の問題は十分解決できるものである。」（１頁左下欄末行〜２頁右上欄９行）
「第４図は、従来の駆動回路をパネル構造の内に配置した透過型ドライバー内蔵液晶パネル構造の断面図（ａ）と平面図（ｂ）である。」（３頁左下欄２行〜４行）
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４（特開昭５８−８５４７８号公報）には、次の事項が記載されている。
「第２図は本発明装置の略線的平面図で、第３図はその一部の拡大断面図である。まず第２図を参照して本発明装置の概略構成を説明するに、本発明においては、基板（１２）とこれに対向して設けられた透明基板（１２）との間に液晶（１３）を封入する液密空間を形成する。そして、その中央部において各絵素を構成する液晶表示部Ｅを配置し、その周辺の例えば四周に第１図で説明した制御回路（１）及び（２）を構成する周辺回路部Ｓを配置する。
　基板（１１）は例えば１００結晶面を有し比抵抗が２〜３Ω・ｃｍのシリコン半導体基板より成り、これに対向して設けられる透明基板（１２）は例えば石英ガラス或いはフロートガラス等の基板によって構成する。そして、これら間に形成した液密空間内には、液晶例えばゲスト−ホスト型の液晶（１３）を封入する。基板（１１）上には、第３図に示すように、液晶表示部を駆動制御する制御回路及び各絵素に対応して設けられる駆動回路等を構成する半導体回路が設けられる。半導体基板（１１）の周辺部には、前述したように、第１図で説明した制御回路（１）及び（２）を構成する周辺回路部Ｓが設けられ、これより内側において表示部Ｅの複数の絵素部が基板（１１）及び（１２）の板面方向に沿って水平及び垂直方向にすなわちマトリクス状に配列される。そして半導体基板（１１）の液晶（１３）が配置される側にはこれら表示部に対応して例えばＮ型のソース及びドレイン領域（１４ｓ）及び（１４ｄ）がイオン注入法、拡散法等によって形成され、これら間上にゲート絶縁層（１５）例えばＳｉＯ２層が形成され、更にこれの上にゲート電極（１６）が設けられて第１図で説明したスイッチング用のＭＯＳトランジスタが形成される。またこれらソース領域（１４ｓ）及びドレイン領域（１４ｄ）上にオーミックに連結して夫々ソース電極及びドレイン電極となり且つこれらよりの配線部となる導電層（１７）が設けられる。またこれら各ＭＯＳに隣合って基板（１１）の表面に基板（１１）と同導電型の高濃度領域（１８）が設けられ、これの上には例えばゲート絶縁層（１５）と同時に形成されたＳｉＯ２等の薄い誘電体層（１９）が形成され、これの上にＭＯＳのドレイン電極に連結された導電層（１７）が延在して高濃度領域（１８）との間に第１図で説明した容量Ｃが構成される。導電層（１７）が周辺回路部Ｓにおける配線或いは電極等の導電層（２０）と共に例えば低比抵抗の多結晶半導体層例えばソース及びドレイン、領域（１４ｂ）及び（１４ｄ）と同導電型のＮ型の多結晶シリコン層によって形成し得る。（２１）は基体（１１）の表面に形成された絶縁層、例えば厚いＳｉＯ２酸化物層である。また、導電層（１７）及び（２０）上を含んで例えば全面的に燐ガラス或いは砒素ガラス等の絶縁層（３３）を形成し、これの導電層（１７）及び（２０）上の所定部に窓が穿設され、これら窓を通じて導電層（１７）及び（２０）と電気的に連結する端子導出或いは各導電層（１７）及び（２０）の相互の接続等を行う金属配線層例えばＡｌ層（２２）が所定のパターンに形成されてこれの上に表面が平滑化されるようにいわゆるガラスフローされた燐ガラス或いはポリイミド系樹脂等による絶縁層（２３）が被着される。そしてこの絶縁層（２３）上に液晶（１３）に電圧を与えるための電極特に表示部Ｅすなわち各絵素に対応して設けられる絵素電極（２４）と、周辺回路部Ｓ上に対向する部分、言い換えれば本来の表示部以外で且つ液晶（１３）の四周に対する例えばリング状の周辺電極（２５）と、更に端子部（３２）とを配置する。各絵素電極（２４）はこれの下の例えば容量Ｃの一方の電極となる導電層（１７）に接続された金属配線層（２２）に、絶縁層（２３）に穿設され���窓を通じて電気的に接続される。電極（２４）及び（２５）上とこれらが形成されていない絶縁層（２３）上に渡って全面的にＳｉＯ２等の液晶の配向効果を得るための配向処理がなされた配向層（２６）が全面的に被着される。
　一方透明基板（１２）の内面には、基板（１１）側に設けられた周辺電極（２５）と対向して遮光性を有する電極（２７）例えばＣｒ層とＡｕ層とが積層された電極或いはＴｉ層とＡｕ層とが積層された電極が形成される。この電極（２７）上にはＳｉＯ２等の同様に液晶の配向効果を得るための配向処理がなされた配向層（２８）が被着形成される。また、透明基板（１２）の表示部Ｅを構成する部分の内面には、各絵素電極（２４）に対して共通の対向電極（２９）となる透明電極例えばＳｎＯ２或いはＴｉＯ３層等が被着される。この対向電極（２９）は例えば配向層（２８）に穿設された窓を通じて遮光電極（２７）に電気的に接続されて例えばこれらに接地電位が供給される。また対向電極（２９）の表面も液晶の配向効果を得るための配向処理がなされる。
　（３０）は基板（１１）及び透明基板（１２）間の間隔を規制して液晶（１３）の封入空間の厚さを規制するスペーサとなり且つ液晶封入空間を液密に保持する障壁でまた（３１）はＡｇペースト或いはＩｎバンプ等よりなる導電体で、例えば遮光電極（２７）とこれに対応する端子部（３２）とを電気的に接続する。
　基板（１１）の裏面には電極層（５３）例えば３００Åの厚さのＴｉ層と３０００Åの厚さのＡｕ層とが積層されて被着され例えばこれに接地電位が与えられている。
　そして特に本発明においては、周辺電極（２５）に遮光電極（２７）と同電位の接地電位が与えられて液晶（１３）の表示部以外の周辺回路部における液晶が無電界状態となるようにする。
　このような構成による表示装置は、第１図で説明した制御回路（１）及び（２）と、各絵素を駆動する駆動回路すなわちＭＯＳ及びＣ等と、液晶表示部ＬＣが共通の基板において一体化されて形成されるので小型密実化、更に組立製造の簡易化従って量産性が図られるとともに特に液晶（１３）のその表示部すなわち絵素となる部分以外にはこれを挟んで対向する周辺電極（２５）と遮光電極（２７）とに同電位が与えられるのでこの部分には電界が与えられない状態に保持されるものであり、これがためここにおける液晶の疲労が生じることがなくこの疲労による液晶の特性低下が他の本来の表示部に及んで行く不都合を回避できる。
　尚、上述した例においては液晶表示部Ｅにおける共通の対向電極（２９）にも接地電位が与えられる場合で遮光電極（２７）と電気的に連結させた場合であるがこの対向電極（２９）に遮光電極（２７）と異なる電位が与えられる場合にはこの対向電極（２９）と遮光電極（２７）と電気的に分離され且つ対向電極（２９）から独立に端子導出がなされることは言うまでもないところであろう。
　上述した本発明装置においては基板（１１）上に設けられた駆動制御回路によって映像表示信号に応じた信号電圧が液晶表示部Ｅの各絵素の、絵素電極（２４）に順次与えられてこれと対向する対向電極（２９）との共働によって各絵素部の液晶に所定の電圧が印加されこれによって光学的変化が得られこれを透明基板（１２）側から透明電極よりなる対向電極（２９）を通じて観察することができ目的とする光学的表示を得ることができる。」（２頁左上欄９行〜３頁左下欄１３行）
「上述した例においては、本発明を反射型液晶表示装置に適用した場合であるが、本発明を透過型液晶表示装置に適用することもできる。この場合の一例を第４図を参照して説明しよう。第４図は、この透過型液晶表示装置の要部の拡大断面図を示すもので、第３図と対応する部分には同一符号を付して重複説明を省略する。すなわちこの例においても前述したと同様に基板（１１）と透明基板（１２）とを対向して設ける。そして両者間に形成した液密空間に液晶例えばネマチックツイスト型の液晶（１３）を配置し、その中央部において各絵素を構成する液晶表示部Ｅを構成し、その周辺の例えば四周に第１図で説明した制御回路（１）及び（２）を構成する周辺回路部Ｓを構成するものであるが、特にこの例においては、基板（１１）を透明基板例えばサファイア基板によって構成し、このサファイア基板（１１）上に例えばエピタキシャル成長等による半導体層（４１）を形成し、これに第３図で説明した制御回路（１）及び（２）を構成する周辺回路部Ｓを形成し、これにより内側において表示部Ｅの複数の絵素部をマトリクス状に配列形成し、これらに対応して第１図で説明した各絵素に対応する駆動回路、すなわちＭＯＳ及びＣを配置する。
　この例においては容量Ｃを半導体層（４１）に設けられた高濃度領域（１８）この例ではＮ型の高濃度領域上に形成した薄い絶縁層（１９）を挟んでＭＯＳのドレイン領域（１４ｄ）にオーミックに連結された導電層（１７）との間に形成される静電容量と、更にこの導電層（１７）上に絶縁層（３３）を介して延在され且つ高濃度領域（１８）にオーミックに接続された例えばＴａよりなる電極層（４２）とこれのＴａの表面を酸化させたＴａ２Ｏ５よりなる絶縁層を介してこれの上に延在されドレイン領域（１４ｄ）と電気的に接続された金属導電層（２２）との間に形成された静電容量との並列接続された容量によって構成した場合である。
　そしてまたこの例においては、各絵素電極（２４）を透明電極例えばＳｎＯ２、ＴｉＯ３等によって形成する。
　また透明基板（１２）側には、各絵素間を分離するように格子状、または網状に遮光性導電層（４３）例えばＣｒ層−Ａｕ層、或いはＴｉ層−Ａｕ層の各積層構造の導電層を被着する。この遮光性導電層（４３）は、透明基板（１２）の周辺に設けられた遮光電極（２７）の形成と同時に形成し得、更に相互に連結してすなわち電気的に互いに接続されるように形成し得る。透明対向電極（２９）は少なくとも遮光性導電層（４３）が形成されていない格子ないしは網目内に被着され前述した例と同様にＳｉＯ２等の絶縁層（２８）に穿設した窓を通じて遮光電極（２７）に連結される。
　基板（１１）の裏面には、遮光性導電層（４３）の格子ないしは網目部分に対向する部分に窓（１４）が穿設された遮光層（４５）例えば黒色のシリコン樹脂或いはエポキシ樹脂または黒色金属、カーボン層が被着され、その例えば一側縁に基板（１１）の裏面に直接的に接して例えば多結晶シリコン層（４６）を介してＡｌ等の金属層（４７）を形成する。或いは遮光層（４５）はこれら多結晶シリコン層（４６）と金属層（４７）の積層体によって構成することもできる。
　このようにして基板（１１）及び（１２）の遮光層（４５）及び（４３）の格子ないしは網目内を光透過部としてこれらを表示部Ｅの各絵素部とし、遮光層（４５）及び（４３）が配置されて遮光された部分に各ＭＯＳが配置されるようにする。
　このような構成において前述した例と同様に基板（１１）上に設けられた駆動制御回路によって映像表示信号に応じた信号電圧が液晶表示部Ｅの各絵素の透明絵素電極（２４）に順次与えられてこれと対向する対向電極（２９）との共働によって各絵素部の液晶に所定の電圧が与えられて周知のように旋光性の制御がなされて基板（１１）または（１２）側から透過光の変化として光学的表示の観察が行われる。」（３頁左下欄１４行〜４頁左下欄６行）
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献５（実願昭５６−１５０４０４号（実開昭５８−５４６７９号公報）のマイクロフィルム）には、次の事項が記載されている。
「第３図は、本考案の実施例の断面図を示す。Ａは、マトリクス状に配置される液晶駆動用素子の単位素子を示し、Ｂは、上記液晶駆動用素子を駆動するための駆動回路部で一素子であるインバーターを一例として示す。Ｎ型シリコン半導体基板９の上部には、ソース１１、ドレイン１２、ゲート酸化膜１３ゲート電極１４が設けられており、このＭＯＳトランジスタはクロストークの無い表示を行なうためのスイッチング素子となる。ドレイン１２は、酸化膜１６、Ｎ＋拡散層１７とコンデンサー用電極１５よりなるコンデンサーに反射板電極１９と接続されている。絶縁膜１８は減圧ＣＶＤ等で作成される酸化膜を示す。なおコンデンサーは、液晶セルの電圧をＭＯＳトランジスターがオフになった後も維持するたに用いられる。次に駆動回路部Ｂの構造を説明する。Ｐ−拡散層１０には、ドレイン２４、ソース２５、ゲート酸化膜２６、ゲート電極２７でＮチャネルＭＯＳトランジスターが構成されていて、ソース２５はＰ＋拡散層３２、３３に配線２８を介して接続されている。Ｎ型シリコン基板９上には、ソース２０、ドレイン２１、ゲート酸化膜２２、ゲート電極２３でＰチャネルＭＯＳトランジスターが構成されていて、ソース２０はＮ＋拡散層３１に配線３０を介して接続されている。ＰチャネルＭＯＳトランジスターとＮチャネルＭＯＳトランジスターは、ドレイン２１、２４で配線２９を介して接続されてインバーターを構成している。減圧ＣＶＤ等で作成される酸化膜３４を介して光遮断膜３５が形成されている。上記光遮断膜３５は、液晶駆動用素子Ａの反射板電極１９と同じ物質を用いると同時に形成することができ作成が容易である。なお、光遮断膜３５としてＡｌまたはＡｌ−Ｓｉ等が使用することができる。上記光遮断膜３５によって外部からの光が入射してもＰ−Ｎ接合部への進入を阻止しているのでリーク等がなくなり、各種信号の波形の変化、電圧の変化、誤動作等が生じない。」（４頁１１行〜６頁６行）
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献８（特開昭３−９３２８号公報）には、次の事項が記載されている。
「第２Ｂ図に示すように、液晶ＬＣを基準に下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側には薄膜トランジスタＴＦＴ及び透明画素電極ＩＴＯ１ｂが形成され、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側にはカラーフィルタＦＩＬ、遮光用ブラックマトリクスパターンを形成する遮光膜ＢＭが形成されている。下部透明ガラス基板ＳＵＢ１はたとえば１．１［ｍｍ］程度の厚さで構成されている。
　第２Ｂ図の中央部は一画素部分の断面を示しているが、左側は透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の左側縁部分で外部引出配線の存在する部分の断面を示しており、右側は透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の右側縁部分で外部引出配線の存在しない部分の断面を示している。
　第２Ｂ図の左側、右側のそれぞれに示すシール材ＳＬは液晶ＬＣを封止するように構成されており、液晶封入口（図示していない）を除く透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の縁周囲全体に沿って形成されている。
　上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側の共通透明画素電極ＩＴＯ２は、少なくとも一個所において、銀ペースト材ＳＩＬによって下部透明基板ＳＵＢ１側に形成された外部引出配線に接続されている。この外部引出配線はゲート電極ＧＴ、ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２のそれぞれと同一製造工程で形成される。
　配向膜ＯＲＩ１、ＯＲＩ２、透明画素電極ＩＴＯ１ｂ、共通透明画素電極ＩＴＯ２、保護膜ＰＳＶ１、ＰＳＶ２、絶縁膜ＧＩのそれぞれの層は、シール材ＳＬの内側に形成される。偏光板ＰＯＬ１、ＰＯＬ２はそれぞれ下部透明ガラス基板ＳＵＢ１、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の外側の表面に形成されている。
　液晶ＬＣは液晶分子の向きを設定する下部配向膜ＯＲＩ１と上部配向膜ＯＲＩ２との間に封入され、シール部ＳＬよってシールされている。
　下部配向膜ＯＲＩ１は下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側の保護膜ＰＳＶ１の上部に形成される。
　上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の内側（液晶ＬＣ側）の表面には、遮光膜ＢＭ、カラーフィルタＦＩＬ、保護膜ＰＳＶ２、共通透明画素電極ＩＴＯ２（ＣＯＭ）および上部配向膜ＯＲＩ２が順次積層して設けられている。
　この液晶表示装置は下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側のそれぞれの層を別々に形成し、その後上下透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２を重ね合わせ、両者間に液晶ＬＣを封入することによって組み立てられる。」（３頁左下欄１２行〜４頁左上欄末行）
３．本願発明と引用文献に記載の発明との対比・判断
　引用文献３の第４図において従来例として記載されている「透過型ドライバー内蔵液晶パネル」、「透明絶縁基板７」、「対向透明基板１２」、「シール材１０」、「液晶１４」、「タイミング線駆動回路５とデータ線駆動回路６」、「対向透明電極１１」は、それぞれ本願発明の「液晶表示装置」、「一方の基板」、「他方の基板」、「シール部」、「液晶」、「駆動回路」、「共通電極」に相当する。
　そして、第４図に明示の記載はないが、引用文献３の第２図の「ドライバー内蔵アクティブマトリックス基板」の「薄膜トランジスター３」及び「画素電極４」が、第４図の「透明絶縁基板７」上にも配置されていることは明らかであり、そして、その「薄膜トランジスター３」及び「画素電極４」はそれぞれ本願発明の「トランジスタ」及び「画素電極」に相当することも明らかである。
　そこで、本願発明と引用文献３の第４図において従来例として記載された発明（以下、引用発明という。）とを対比すると、両者は、「一対の基板間のシール部の内側に液晶が挟持されてなり、前記一対の基板のうち一方の基板の前記シール部内側にはトランジスタと、画素電極と、前記トランジスタを駆動する駆動回路とを具備し、前記一対の基板の他方の基板上には前記画素電極に対向して配置された共通電極とを具備する液晶表示装置」であるという点で一致し、次の３点（以下、相違点１〜３という。）で相違している。
　相違点１：本願発明は、「トランジスタ上に絶縁膜を介して」画素電極を、そして、「駆動回路上に前記絶縁膜を配置している」のに対して、引用発明はそのようになっているか否かが不明である点。
　相違点２：本願発明は、「共通電極を駆動回路に対向する領域に配置しない」のに対して、引用発明は、「対向透明電極１１」を「タイミング線駆動回路５とデータ線駆動回路６」に対向する領域にも配置している点。
　相違点３：本願発明は「絶縁膜を一方の基板上のシール部に対向する領域には配置しない」のに対して、引用発明はそのようになっているか否かが不明である点。
　そこで、上記相違点１〜３について以下検討する。
　相違点１について
　引用文献５（実願昭５６−１５０４０４号（実開昭５８−５４６７９号公報）のマイクロフィルム）には、液晶表示装置において、マトリクス状に配置される液晶駆動用素子（本願発明の「トランジスタ」に相当する。）と、その液晶駆動用素子を駆動するための駆動回路部（本願発明の「駆動回路」に相当する。）とを同一の基板に作り込み、反射板電極１９（本願発明の「画素電極」に相当する。）を液晶駆動用素子上に酸化膜（本願発明の「絶縁膜」に相当する。）を介して形成するとともに、その酸化膜を駆動回路部上にも形成することが記載されて公知である。
　してみると、引用発明において、引用文献５に記載の上記技術的事項を適用して、「薄膜トランジスタ３」上に「絶縁膜」を介して「画素電極４」を配置するとともに、「タイミング線駆動回路５とデータ線駆動回路６」上に前記「絶縁膜」を配置するようにすることは当業者であれば容易になし得ることである。
　相違点２について
　本願発明の「共通電極を駆動回路に対向する領域に配置しない」ことは、原査定の拒絶の理由に引用された引用文献６（実願平２−１８２２７号（実開平３−１１０４８６号公報）のマイクロフィルム）、同じく引用文献７（実願平２−４５０８５号（実開平４−６０３０号公報）のマイクロフィルム）に記載又は図示されており、当業者に周知の慣用技術である。
　してみると、引用発明において、「対向透明電極１１」を「タイミング線駆動回路５とデータ線駆動回路６」に対向する領域に配置しないようにすることは当業者であれば適宜になし得る設計上の選択的事項にすぎない。
　相違点３について
　引用文献８には、「ＴＦＴ保護膜ＰＳＶ１」（本願発明の「絶縁膜」に相当する。）を「下部ガラス基板ＳＵＢ１」（本願発明の「一方の基板」に相当する。）上の「シール部ＳＬ」（本願発明の「シール部」に相当する。）に対向する領域に配置しない」ことが記載されて公知である。
　してみると、引用発明において、引用文献８に記載の上記技術的事項を適用して、「絶縁膜」を「透明絶縁基板７」上の「シール材１０」に対向する領域に配置しないようにすることは当業者であれば容易になし得ることである。
　そして、本願発明の作用効果は、引用文献から予測し得るものである。
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用文献３、５及び８に記載の発明及び周知の慣用技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。