【事件の表示】
　特願２００８−５１５６９２「直径１００ミリメートルの炭化シリコン基板上の高均一性のＩＩＩ族窒化物エピタキシャル層」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１２月２１日国際公開、ＷＯ２００６／１３５４７７、平成２０年１２月　４日国内公表、特表２００８−５４４４８６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、２００６年４月５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００５年６月１０日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２４年６月１５日付けの拒絶査定に対し、同年１０月２２日に拒絶査定不服審判が請求がされるとともに手続補正書が提出された。その後当審において、平成２５年７月２６日付けで拒絶理由（以下「当審拒絶理由１」という。）が通知され、平成２６年１月２７日に意見書（以下「当審意見書１」という。）並びに誤訳訂正書及び手続補正書が提出され、同年４月１日付けで拒絶理由（以下「当審拒絶理由２」という。）が通知され、同年６月２７日に意見書（以下「当審意見書２」という。）が提出されたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項１〜１４に係る発明は、平成２６年１月２７日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜１４に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１及び１４に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」及び「本願発明１４」という。）は、その請求項１及び１４に記載されている事項により特定される次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　半導体構造であって、
　少なくとも１００ｍｍの直径を有する炭化シリコン基板と、
　該基板上のＩＩＩ族窒化物へテロ構造であって、該ＩＩＩ族窒化物へテロ構造は、該炭化シリコン基板上の窒化ガリウム層と、該窒化ガリウム層の該炭化シリコン基板と反対側の少なくとも１つのＡｌｘＧａ１−ｘＮの層とを備えており、０＜ｘ≦１であり、該ＡｌｘＧａ１−ｘＮは最小の水素を含み窒素が大半を占めている雰囲気中で成長する、ＩＩＩ族窒化物へテロ構造と
　を備えており、該ＩＩＩ族窒化物へテロ構造は、
　シート抵抗率のパーセント標準偏差が該ＩＩＩ族窒化物へテロ構造全面で３パーセント未満であること、または電子移動度のパーセント標準偏差が該ＩＩＩ族窒化物へテロ構造全面で３パーセント未満であること
　のうちの少なくとも１つを特徴とする、半導体構造。」
　
「【請求項１４】
　半導体構造であって、
　炭化シリコン基板上のＩＩＩ族窒化物へテロ構造を備え、
　該ＩＩＩ族窒化物へテロ構造は、前記炭化シリコン基板上の窒化ガリウム層と、該窒化ガリウム層の前記炭化シリコン基板と反対側の少なくとも１つのＡｌｘＧａ１−ｘＮの層とを備え、０＜ｘ≦１であり、
　前記ＡｌｘＧａ１−ｘＮは最小の水素を含み窒素が大半を占めている雰囲気中で成長し、
　該ＩＩＩ族窒化物へテロ構造は、少なくとも１００ミリメートルの直径を有し、
　該ＩＩＩ族窒化物へテロ構造は、最大の厚さに対する最小の厚さの比が、少なくとも０．８である、半導体構造。」
　
３　当審拒絶理由２
　「当審拒絶理由２」の概要は、以下のとおりである。
　
「・理由１　 
 　本件出願は、発明の詳細な説明の記載が下記の点で、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。 
・理由２　 
 　本件出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていない。 
・理由３ 
 　本件出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていない。 
・理由４
　（省略）」
というものである。
　
　そして、具体的には、以下の「１．」〜「５．」の事項を指摘した。
　
「１．ＡｌＧａＮの成長雰囲気について
・請求項１〜１４
・理由１、３
ア　ＡｌＧａＮの成長の際に、圧力、温度、その他の条件について、所定の条件下で、成長雰囲気について、
例えば
とした場合
「最小」とは、「２％」の場合のみを指すこととなるが、請求項１では、このような限定をしているものと理解すべきであるのか不明である
 　 
イ　平成２５年７月２６日付けの拒絶理由通知で、「２．ＡｌＧａＮの成長雰囲気について」には、以下のように記載した。 
 　 
「（４）ここで、仮に、上記請求項に係る発明におけるＡｌＧａＮの成長雰囲気が「空気中」を意味するのではなく、「最小の水素を含み窒素が大半を占めている雰囲気中」であるとしても、「最小の水素を含み窒素が大半を占めている雰囲気」とは、明細書の段落【００６６】の記載を勘案しても、「水素を『５％』含み、窒素を９５％含む」雰囲気を意味するのか、それ以外の雰囲気も含まれるのか不明りょうである。  
　よって、請求項１〜１４、１７〜２２に係る発明は明確でない。  
　しかも、発明の詳細な説明には、図４〜２５、表１、表２には、ＡｌＧａＮ層を成長する際の雰囲気について具体的に記載されておらず、「水素」と「窒素」をどのような数値で含む雰囲気中で成長するのか不明（これらの実施例において、「水素を『５％』含み、窒素を９５％含む」雰囲気中で成長するのか開示されていない）である。  
　発明の詳細な説明には、「該ＡｌｘＧａ１−ｘＮ」を成長する際の雰囲気中の水素量とシート抵抗率の標準偏差との関係、及び当該雰囲気中の水素量と電子移動度の標準偏差との関係が開示されていない。  
　よって、本願の発明の詳細な説明は、当業者が請求項１〜１４、１７〜２２に係る発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたものではない。」 
 　 
ウ　これに対し、審判請求人は、平成２６年１月２７日に提出された意見書の「４−２．ＡｌＧａＮの成長雰囲気について」で、以下のように主張した。 
 　 
「なお、審判官殿より『図４〜２５、表１、表２には、ＡｌＧａＮ層を成長する際の雰囲気について具体的に記載されておらず、「水素」と「窒素」をどのような数値で含む雰囲気中で成長するのか不明（これらの実施例において、「水素を『５％』含み、窒素を９５％含む」雰囲気中で成長するのか開示されていない）である。発明の詳細な説明には、「該ＡｌｘＧａ１−ｘＮ」を成長する際の雰囲気中の水素量とシート抵抗率の標準偏差との関係、及び当該雰囲気中の水素量と電子移動度の標準偏差との関係が開示されていない。』とのご指摘も頂いているので、この点につき以下詳述する。 
　上記のように、
一実施形態においては、５パーセントの水素と９５パーセントの雰囲気に言及されているが、上記雰囲気はこれに限定されるものではない。即ち、一実施形態においては、ＩＩＩ族窒化物へテロ構造に関し、シート抵抗率又は電子移動度のパーセント標準偏差が該ＩＩＩ族窒化物へテロ構造全面で３パーセント未満であることを達成する最小の水素を含み窒素が大半を占めている雰囲気について言及されている
　以上のように、
パーセント数値の限定は、単にＩＩＩ族窒化物へテロ構造シートを得るための最小の水素を含み窒素が大半を占めている雰囲気の例示
　 
エ　上記のように、意見書において、「一実施形態においては、５パーセントの水素と９５パーセントの雰囲気に言及されているが、上記雰囲気はこれに限定されるものではない。」、「『５パーセントの水素を含む雰囲気』は『最小の水素を含み窒素が大半を占めている雰囲気』の例示」である旨主張するが、
請求項１に記載された「最小の水素を含み窒素が大半を占めている雰囲気」とは、どのような雰囲気を意味するのか依然として不明りょうである
　 
　すなわち、意見書には、「一実施形態においては、ＩＩＩ族窒化物へテロ構造に関し、シート抵抗率又は電子移動度のパーセント標準偏差が該ＩＩＩ族窒化物へテロ構造全面で３パーセント未満であることを達成する最小の水素を含み窒素が大半を占めている雰囲気について言及されている」と記載されていることから、
請求項１に記載された「最小の水素を含み窒素が大半を占めている雰囲気」が、「『シート抵抗率又は電子移動度のパーセント標準偏差が該ＩＩＩ族窒化物へテロ構造全面で３パーセント未満である』ことを達成する『最小の水素を含み窒素が大半を占めている雰囲気』」を意味するならば、当該「雰囲気」は「『シート抵抗率又は電子移動度のパーセント標準偏差が該ＩＩＩ族窒化物へテロ構造全面で３パーセント未満である』ことを達成する『窒素が大半を占めている雰囲気』」のうち、水素の含有量が『最小』である雰囲気」を意味するのか不明りょうである
　
　仮に、請求項１に記載の「最小の水素を含み窒素が大半を占めている雰囲気」が、「『シート抵抗率又は電子移動度のパーセント標準偏差が該ＩＩＩ族窒化物へテロ構造全面で３パーセント未満である』ことを達成する『窒素が大半を占めている雰囲気』」のうち、水素の含有量が『最小』である雰囲気」を意味するならば、例えば、「シート抵抗率又は電子移動度のパーセント標準偏差が該ＩＩＩ族窒化物層ヘテロ構造全面で３パーセント未満である」ヘテロ構造が、「水素を２％以上含み窒素が大半を占めている雰囲気」で達成されるような場合は、「最小の水素を含み」は「『水素２％』を含み」を意味する。 
　そうすると、この場合は、「水素を５％含み、窒素を９５％含む雰囲気」で「シート抵抗率又は電子移動度のパーセント標準偏差が該ＩＩＩ族窒化物へテロ構造全面で３パーセント未満である」ことを達成できたとしても、請求項１に記載された「最小の水素を含み窒素が大半を占めている雰囲気」は、「水素を２％含み窒素が大半を占めている雰囲気」を意味し、請求項１に係る発明の範囲に、「水素を５％含み、窒素を９５％含む雰囲気」は含まれないこととなり、不明りょうである。 
　よって、請求項１〜１４に係る発明は明確でない。 
　
オ　しかも、発明の詳細な説明には、図４〜２５、表１、表２には、ＡｌＧａＮ層を成長する際の雰囲気について具体的に記載されておらず、「水素」と「窒素」をどのような数値で含む雰囲気中で成長するのか不明である。 
　発明の詳細な説明には、「該ＡｌｘＧａ１−ｘＮ」を成長する際の雰囲気中の水素量とシート抵抗率のパーセント標準偏差との関係、及び当該雰囲気中の水素量と電子移動度のパーセント標準偏差との関係が開示されていない。 
　よって、本願の発明の詳細な説明は、当業者が請求項１〜１４に係る発明の実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載されたものではない。（審決注：当該「１．ＡｌＧａＮの成長雰囲気について」で指摘した事項を、以下では「指摘事項ａ」という。下線は当審で追加した。以下、同じ。）
　
「２．炭化シリコン基板または基板の直径について
（省略）」
　
「３．実施可能要件について
・理由１
ア　上記拒絶理由通知の「４．実施可能要件について」には、「よって、本願の発明の詳細な説明は、当業者が本願の請求項１、１４、１５、１７及び請求項１、１５、１７を引用する請求項に係る発明を実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものではない。」と記載した。 
　
イ　これに対して、審判請求人は、意見書で、「明細書中（段落〔００６６〕）でも説明されているように、最良の結果は、約５％の水素、約９５％の窒素を有する雰囲気中でＡｌＮ層及びＡｌＧａＮ層を成長される場合に得られるものと理解されるものの、このような数値は単なる例示にすぎないものであり、該ＩＩＩ族窒化物へテロ構造全面でシート抵抗率又は電子移動度のパーセント標準偏差を３％未満を達成するには、
最小の水素を含み窒素が大半を占めている雰囲気を使用すればよい
　
ウ　しかしながら、
上記「２．ＡｌＧａＮの成長雰囲気について」に記載したように、「最小の水素を含み窒素が大半を占めている雰囲気」とはどのような雰囲気を意味するのか不明りょうであるので、請求項１、１４に係る発明を、どのように実施するかを当業者は理解できない
　よって、本願の発明の詳細な説明は、当業者が本願の請求項１、１４及び請求項１を引用する請求項に係る発明を実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものではない。」（審決注：当該「３．実施可能要件について」で指摘した事項を、以下では「指摘事項ｂ」という。） 
 　 
「４．厚さの比について
・請求項１４
・理由１、２
ア　請求項１４には、「該ＩＩＩ族窒化物ヘテロ構造は、最大の厚さに対する最小の厚さの比が、少なくとも０．８である」と記載されている。 
 　 
イ　「厚さの比」について、本願の発明の詳細な説明の段落【００１６】には、「１．００の０．０８以内の、
ＡｌＧａＮバリア層
窒化アルミニウムガリウムのバリア層
ＡｌＧａＮバリア
　
ウ　他方、「ヘテロ構造」及び「バリア層」について、本願の発明の詳細な説明の段落【００１６】には、「該ウェハは、各ウェハ上の
ＩＩＩ族窒化物へテロ構造、および
窒化アルミニウムガリウム（ＡｌＧａＮ）バリア層を有している
エピタキシャル層３３および３４の組成、すなわちヘテロ構造
　したがって、本願の発明の詳細な説明及び図面に開示されたバリア層又はバリアはいずれも、ヘテロ構造の上に存在する、ヘテロ構造とは別の層である。
　
エ　そうすると、上記「イ」で検討したように、本願の発明の詳細な説明に、ＡｌＧａＮバリア層の厚さの比は開示されているものの、「ヘテロ構造」の厚さの比は開示されていない。
　したがって、請求項１４に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものとは認められない。」（審決注：当該「４．厚さの比について」で指摘した事項を、以下では「指摘事項ｃ」という。）
　
「５．進歩性について
（省略）」
　
４　当審拒絶理由２に対する請求人の主張
４−１　上記「３　当審拒絶理由２」の「指摘事項ａ」について、請求人は、「当審意見書２」の「４．理由１〜３について」の「４−１．ＡｌＧａＮの成長雰囲気について」において以下のように主張している。
　
「前回の意見書においても詳述したとおり、
一実施形態においては、５パーセントの水素と９５パーセントの雰囲気に言及されているが、上記雰囲気はこれに限定されるものではない
別の実施形態においては、ＩＩＩ族窒化物へテロ構造に関し、最大の厚さに対する最小の厚さの比が、少なくとも０．８であるＩＩＩ族窒化物へテロ構造シートを得るための最小の水素を含み窒素が大半を占めている雰囲気について言及されている
　以上のように、
パーセント数値の限定は、単にＩＩＩ族窒化物へテロ構造シートを得るための最小の水素を含み窒素が大半を占めている雰囲気の例示
明細書中（段落〔００６６〕）でも説明されているように、最良の結果は、約５％の水素、約９５％の窒素を有する雰囲気中でＡｌＮ層及びＡｌＧａＮ層を成長される場合に得られるものと理解される
このような数値は単なる例示にすぎない
　なお、上述の点に関して、審判官殿は、『請求項１に記載された「最小の水素を含み窒素が大半を占めている雰囲気」が、「『シート抵抗率又は電子移動度のパーセント標準偏差が該ＩＩＩ族窒化物へテロ構造全面で３パーセント未満である』ことを達成する『最小の水素を含み窒素が大半を占めている雰囲気』」を意味するならば、
当該「雰囲気」は「『シート抵抗率又は電子移動度のパーセント標準偏差が該ＩＩＩ族窒化物へテロ構造全面で３パーセント未満である』ことを達成する『窒素が大半を占めている雰囲気』」のうち、水素の含有量が『最小』である雰囲気」を意味するのか不明りょうである。』とも指摘
ＩＩＩ族窒化物へテロ構造に関し、シート抵抗率又は電子移動度のパーセント標準偏差が該ＩＩＩ族窒化物へテロ構造全面で３パーセント未満であることを達成する最小の水素を含み窒素が大半を占めている雰囲気について、例示された以外の数値が許容されないということではないから、不明りょうとのご指摘は妥当なものではない
　
４−２　上記「３　当審拒絶理由２」の「指摘事項ｂ」について、請求人は、「当審意見書２」の「４．理由１〜３について」の「４−３．実施可能要件について」において以下のように主張している。
　
「前回の意見書においても詳述したとおり、明細書中（段落〔００６６〕）でも説明されているように、最良の結果は、約５％の水素、約９５％の窒素を有する雰囲気中でＡｌＮ層及びＡｌＧａＮ層を成長される場合に得られるものと理解されるものの、このような数値は単なる例示にすぎないものであり、該ＩＩＩ族窒化物へテロ構造全面でシート抵抗率又は電子移動度のパーセント標準偏差を３％未満を達成するには、最小の水素を含み窒素が大半を占めている雰囲気を使用すればよい。そして、
ＩＩＩ族窒化物へテロ構造に関し、シート抵抗率又は電子移動度のパーセント標準偏差が該ＩＩＩ族窒化物へテロ構造全面で３パーセント未満であることを達成する最小の水素を含み窒素が大半を占めている雰囲気について、例示された以外の数値が許容されないということではないから、実施可能要件違反とまでいうことはできないものである
　したがって、上記審判官殿のご指摘は妥当なものではない。」（審決注：以下「主張ｂ」という。）
　
４−３　上記「３　当審拒絶理由２」の「指摘事項ｃ」について、請求人は、「当審意見書２」の「４．理由１〜３について」の「４−４．厚さの比について」において以下のように主張している。
　
「本願明細書の段落〔００６３〕には、以下のような記載がある。
『別の局面において、本発明は、互換性のある基板上にアルミニウムを含むＩＩＩ族窒化物のエピタキシャル層の半導体構造であり、これは、少なくとも１００ミリメートルの直径を有している。ＩＩＩ族窒化物層は、２．１パーセント未満の厚さの標準偏差を示している。図２５もまた、複数のウェハについて、これらの有利な特徴を示している。図２５に示されているように、これらの複数のウェハのうちの少なくとも７５パーセントは、７．２パーセント未満のそれぞれのＩＩＩ族窒化物層の厚さの標準偏差を有している。特に、図２５は、少なくとも１５個の複数のウェハにわたって、この一貫性を示している。』
　
本願発明１４のヘテロ構造は、窒化ガリウム層及びＡｌＧａＮ層を含むものであり、したがって、ＩＩＩ族窒化物を含むものである。上記段落〔００６３〕には、「複数のウェハのうちの少なくとも７５パーセントは、７．２パーセント未満のそれぞれのＩＩＩ族窒化物層の厚さの標準偏差を有している。」、「ＩＩＩ族窒化物層は、２．１パーセント未満の厚さの標準偏差を示している。」との記載があり、換言すれば、明細書には、「ＩＩＩ族窒化物ヘテロ構造は、最大の厚さに対する最小の厚さの比が、少なくとも０．８である」ことが開示されているものである
　したがって、上記審判官殿のご指摘は妥当なものではなく、本願の請求項１４に係る発明は、発明の詳細な説明に記載されたものである。」（審決注：以下「主張ｃ」という。）
　
５　当審の判断
　上記指摘事項ａ〜ｃについて、以下で順次検討する。
　
（１）指摘事項ａについて
ア　上記「４　当審拒絶理由２に対する請求人の主張」の「４−１」に摘記した「主張ａ」をまとめると、請求人は、次の点を主張しているものと認められる。
（ａ）明細書の段落〔００６６〕で説明されている「約５％の水素、約９５％の窒素を有する雰囲気」は、「最小の水素を含み窒素が大半を占めている雰囲気」の例示であるが、「最小の水素を含み窒素が大半を占めている雰囲気」はこれに限定されるものではない。
（ｂ）「最良の結果」は、「約５％の水素、約９５％の窒素を有する雰囲気中でＡｌＮ層及びＡｌＧａＮ層を成長される場合」に得られる。
（ｃ）ＩＩＩ族窒化物へテロ構造に関し、シート抵抗率又は電子移動度のパーセント標準偏差が該ＩＩＩ族窒化物へテロ構造全面で３パーセント未満であることを達成する最小の水素を含み窒素が大半を占めている雰囲気について、例示された以外の数値が許容されないということではないから、不明りょうとのご指摘は妥当なものではない。
　
　なお、上記のうち、（ａ）及び（ｂ）は、「当審意見書１」における請求人の主張と重複する（上記「３　当審拒絶理由２」で摘記した「指摘事項ａ」（１．ＡｌＧａＮの成長雰囲気について）の「ウ」を参照のこと。）。
　
イ　「指摘事項ａ」の「ア」で、例えた場合は、「「最小」とは、「２％」の場合のみを指すこととなるが、請求項１では、このような限定をしているものと理解すべきであるのか不明である。」と指摘したことについて、「当審意見書２」の「主張ａ」では説明していない。
　
　また、「指摘事項ａ」の「エ」では、「請求項１に記載された「最小の水素を含み窒素が大半を占めている雰囲気」が、「『シート抵抗率又は電子移動度のパーセント標準偏差が該ＩＩＩ族窒化物へテロ構造全面で３パーセント未満である』ことを達成する『
最小の水素を含み
　
ウ　そして、「指摘事項ａ」についての「主張ａ」をまとめると、上記「ア」の（ａ）〜（ｃ）のとおりであるものと認められる。
　したがって、「『最小』の水素を含み」の意味が不明りょうであるため、「最小の水素を含み窒素が大半を占めている雰囲気」とは、どのような雰囲気を意味するのか依然として不明りょうである。
　よって、請求項１に記載された「最小の水素を含み窒素が大半を占めている雰囲気」が、「『シート抵抗率又は電子移動度のパーセント標準偏差が該ＩＩＩ族窒化物へテロ構造全面で３パーセント未満である』ことを達成する『窒素が大半を占めている雰囲気』」のうち、水素の含有量が『最小』である雰囲気」を意味するのか、依然として不明りょうである。
　
（２）指摘事項ｂについて
ア　「指摘事項ｂ」について、上記「４　当審拒絶理由２に対する請求人の主張」の「４−２」に摘記したように、「主張ｂ」において、「ＩＩＩ族窒化物へテロ構造に関し、シート抵抗率又は電子移動度のパーセント標準偏差が該ＩＩＩ族窒化物へテロ構造全面で３パーセント未満であることを達成する最小の水素を含み窒素が大半を占めている雰囲気について、例示された以外の数値が許容されないということではないから、実施可能要件違反とまでいうことはできないものである。」と主張している。
　
イ　したがって、「指摘事項ｂ」の上記「ウ」で、「上記「２．ＡｌＧａＮの成長雰囲気について」に記載したように、「最小の水素を含み窒素が大半を占めている雰囲気」とはどのような雰囲気を意味するのか不明りょうであるので、請求項１、１４に係る発明を、どのように実施するかを当業者は理解できない。」 と指摘した記載不備は依然として解消されていない。
　
（３）指摘事項ｃについて
ア　「指摘事項ｃ」について、上記「４　当審拒絶理由２に対する請求人の主張」の「４−３」に摘記したように、「主張ｃ」において、「本願発明１４のヘテロ構造は、窒化ガリウム層及びＡｌＧａＮ層を含むものであり、したがって、ＩＩＩ族窒化物を含むものである。上記段落〔００６３〕には、「複数のウェハのうちの少なくとも７５パーセントは、７．２パーセント未満のそれぞれのＩＩＩ族窒化物層の厚さの標準偏差を有している。」、「ＩＩＩ族窒化物層は、２．１パーセント未満の厚さの標準偏差を示している。」との記載があり、換言すれば、明細書には、「ＩＩＩ族窒化物ヘテロ構造は、最大の厚さに対する最小の厚さの比が、少なくとも０．８である」ことが開示されているものである。」と主張している。
　
イ　しかしながら、「本願発明１４のヘテロ構造は、窒化ガリウム層及びＡｌＧａＮ層を含むもの」であり、かつ、段落【００６３】の記載があるからといって、請求項１４の「該ＩＩＩ族窒化物ヘテロ構造」に関する開示をするものであるという根拠はない。
　
（４）指摘事項ａ〜ｃについてのまとめ 
　したがって、指摘事項ａ〜ｃは解消されておらず、本願の発明の詳細な説明は、当業者が請求項１〜１４に係る発明を実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものではなく、また、請求項１〜１４に係る発明は、明確ではないものと認められる。また、請求項１４に係る発明は、発明の詳細な説明に記載したものであるとは認められない。
　
６　むすび 
　したがって、本願明細書の発明の詳細な説明の記載は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしておらず、また、本願は、特許法第３６条第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていないから、本願は拒絶をすべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。