【事件の表示】
　平成７年特許願第２０００５８号「成膜装置」拒絶査定に対する審判事件［平成９年２月１８日出願公開、特開平９−５０９９２］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本願は、平成７年８月４日の出願であって、拒絶理由通知がなされ、平成１２年１１月１０日付で手続補正書が提出され、平成１３年３月２９日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年４月２７日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年５月２８日付で手続補正書が提出され、その後、最後の拒絶理由通知がなされ、同年１０月１９日付で手続補正書が提出されたものである。
　
［２］平成１３年１０月１９日付手続補正書についての補正却下の決定
　
＜補正却下の決定の結論＞
　平成１３年１０月１９日付手続補正書を却下する。
　
＜理由＞
（１）補正後の発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１、２を以下のとおりに補正したものである。
　
　「【請求項１】　真空室内に反応性ガスを導入し、電場発生手段によりプラズマを発生させることにより、該真空室内にセットされた被成膜体の上に薄膜を形成する成膜装置であって、それぞれが同一の膜を形成する第１の真空室と第２の真空室とを有しており、第１の真空室は、反応性ガスを導入する手段および電場発生手段を有し、該電場発生手段が、発生したプラズマによって該被成膜体を照射損傷しない位置に配置されて、該プラズマにより被成膜体上に成膜するようになっており、第２の真空室は、前記第１の真空室内に導入される反応性ガスと同様の反応性ガスを導入する手段および電場発生手段を有し、該電場発生手段は、発生したプラズマによって該被成膜体上の膜を直接照射するように配置されて、該プラズマにより該被成膜体上の膜上に成膜するようになっている、成膜装置。
   【請求項２】　前記第１の真空室および第２の真空室の少なくとも１つの後段に、前記被成膜体の上に形成した薄膜表面の反応生成物残渣を除去する超音波洗浄室が設けられている請求項１に記載の成膜装置。」
　
　上記補正のうち、請求項１に記載の補正は、請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である「反応性ガス」について、「前記第１の真空室内に導入される反応性ガスと同様の反応性ガス」に限定するものであって特許法第１７条の２第４項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（２）独立特許要件
　そこで、本件補正後の上記請求項１、２に係る発明（以下、「本願補正発明１、２」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて以下検討する。
　
（２−１）本願補正発明１、２
　本願補正発明１、２は、平成１２年１１月１０日付手続補正書及び平成１３年１０月１９日付手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１、２に記載された事項により特定される、上記［２］（１）に記載されたとおりのものである。
　
（２−２）引用例の記載事項
＜引用例１の記載事項＞
　これに対して、前置審査における平成１３年８月２０日付最後の拒絶理由に引用された本願出願の日前に頒布された特開昭６４−３１４６８号公報（以下、「引用例１」という。）には、薄膜トランジスタの製造方法に関する発明が開示され、さらに、
　発明が解決しようとする課題として、「薄膜トランジスタでは活性層としての非晶質水素化シリコン膜をプラズマＣＶＤで堆積するためプラズマ中の高エネルギーイオンが、ゲート絶縁膜にダメージを与え、その結果界面準位密度が増加するために、デバイス動作が不安定になるという大きな問題があった」（２頁左上欄１５〜２０行）ことが記載され、
　その課題を解決するための知見として、「プラズマＣＶＤ法に比べてイオンによる下地へのダメージによる欠陥の発生がなく高品質の界面特性を得ることができる光励起ＣＶＤ法に注目してなされたもので」（２頁右上欄１４〜１７行）あることが記載され、
　その知見に基づく解決手段として、「第１図は本実施例に使用された装置の概要図である。この装置はプラズマ反応室１と光反応室２と両反応室を隔てるゲートバルブ３及び基板搬送機構４とから構成されており、真空を破ることなくゲート絶縁膜、活性層、ｎ＋非晶質水素化シリコン層を形成することができる。光反応室２は合成石英ガラス２００によりランプ室２１０と反応室２２０に分離され」（２頁左下欄末行〜同頁右下欄７行）た装置を用いることが記載され、
　該装置の動作について、「この装置を用いて薄膜トランジスタを形成する方法について説明する。本発明の効果を示すために第２図（ｂ）及び（ｃ）に示す如く、ゲート絶縁膜／非晶質水素化シリコン層界面のみの構造の異なる２種類の薄膜トランジスタを形成した。まず第２図−（ａ）に示す如く透光性のガラス基板２０上に、蒸着法又はスパッタ法によりクロム（「クロい」とあるは、「クロム」の誤記と認定した。）薄膜を着膜しこれをフォトリソエッチング法によりパターニングしてゲート電極２１を形成する。この様にしてゲート電極２１の形成されたガラス基板２０を第１図に示した装置の真空チャンバ１内の基板ホルダ１００に装置し、真空チャンバ１内を排気する。そしてＳｉＨ４とＮＨ３及びＨ２ガスを所望の流量で流すと共にヒータ１２０を作動して基板を２５０℃〜３５０℃の温度に保持し、高周波電力を印加することによりグロー放電を生起し、ゲート絶縁膜２２としての窒化シリコン膜を４００ｎｍ堆積する。続いて基板搬送機構４を操作し、ガラス基板２０を真空チャンバ２に搬送し、基板温度を２００〜３５０℃に維持できる様にヒータ２５０を動作し、Ｓｉ２Ｈ６ガスを所望の流量で流し、所定の圧力に保持し、更に低圧水銀ランプ２３０を点灯し、活性層としての非晶質水素化シリコンｉ層２３を３０ｎｍ形成する。この後再び基板搬送機構４を操作し、ガラス基板２０を真空チャンバ１に搬送して、基板温度を１５０〜３００℃に維持し、ＳｉＨ４ガスを所定の流量流し所定の圧力に保持し、高周波電力を印加することによりグロー放電を生起し、非晶質水素化シリコン層２４を７０ｎｍ堆積する。・・・第２図−（ｆ）の如く薄膜トランジスタが完成される。」（２頁右下欄１２行〜３頁右上欄１５行）と記載されている。
　
＜引用例２の記載事項＞
　同じく引用された特開昭６２−６９５１１号公報（以下、「引用例２」という。）には、分離形成装置を用いた半導体装置の製造方法に関する技術が開示され、さらに、
　その分離形成装置のうち、形成室３について、「形成室３は天井壁に反応ガスの導人口３ａを、また底壁に排気口３ｂを備えると共に室内下部には複数の板状電極３ｃを所要の間隔を隔てて横向きに並べて相互に水平対向させた状態で配置したマルチ電極が設置されている。形成室３内に基板Ｓが導入され、所定位置に位置決めされると図示しないヒータにて基板Ｓを所定温度に加熱し、電極３ｃ間に所定の電圧を印加して相隣する各電極３ｃ間にて水平方向に放電を行なわせつつ導入口３ａを通じて反応ガスを導入し、これを分解して基板Ｓ主面のｐ型非晶質半導体層上にｉ型非晶質半導体層を積層形成し、形成が終了すると排気口３ｂから排気した後、ゲートバルブ４ａを開放し、基板Ｓを形成室４に移して所定位置に位置決め固定すると共にゲートバルブ４ａを閉じる。」（３頁右上欄７行〜同頁左下欄１行）と記載され、　そのマルチ電極の作用について、「マルチ電極の使用によって放電方向が基板Ｓの主面と平行な方向に生ずることとなるから、熱、高エネルギ粒子による損傷も少ない。」（３頁右下欄１５〜１８行）と記載されている。
　
＜引用例３の記載事項＞
　同じく引用された特開平５−３０８０６７号公報（以下、「引用例３」という。）には、半導体製造工程では、成膜後に超音波振動を利用したウエット洗浄により、半導体ウエハの表面に付着したパーティクルなどの除去を行うことが記載されている（段落【０００２】参照。）。
　
（２−３）対比・判断
＜本願補正発明１について＞
　本願補正発明１と引用例１に記載された発明とを対比すると、引用例１に記載された、ゲート電極２１の形成されたガラス基板２０上に堆積された「ゲート絶縁膜２２としての窒化シリコン膜」及び非晶質水素化シリコンｉ層２３と非晶質水素化シリコン層２４とからなる「活性層」は、それぞれ本願補正発明１における「被成膜体」及び「同一の膜」に相当することを考慮すると、引用例１に記載された「真空チャンバ２」、「Ｓｉ２Ｈ６ガスを所望の流量で流」す手段、「真空チャンバ１」、「ＳｉＨ４ガスを所定の流量流」す手段、及び「高周波電力を印加することによりグロー放電を生起し、非晶質水素化シリコン層２４を７０ｎｍ堆積する」手段は、それぞれ本願補正発明１における「第１の真空室」、「反応性ガスを導入する手段」、「第２の真空室」、「第１の真空室内に導入される反応性ガスと同様の反応性ガスを導入する手段」、及び「発生したプラズマによって該被成膜体上の膜を直接照射するように配置されて、該プラズマにより該被成膜体上の膜上に成膜するようになっている電場発生手段」に相当する。
　してみると、両者は、「真空室内に反応性ガスを導入し、該真空室内にセットされた被成膜体の上に薄膜を形成する成膜装置であって、それぞれが同一の膜を形成する第１の真空室と第２の真空室とを有しており、第１の真空室は、反応性ガスを導入する手段を有し、第２の真空室は、前記第１の真空室内に導入される反応性ガスと同様の反応性ガスを導入する手段および電場発生手段を有し、該電場発生手段は、発生したプラズマによって該被成膜体上の膜を直接照射するように配置されて、該プラズマにより該被成膜体上の膜上に成膜するようになっている、成膜装置。」である点で一致するものの、以下の点で相違する。
　第１の真空室における成膜手段として、本願補正発明１においては、電場発生手段を有し、該電場発生手段が、発生したプラズマによって該被成膜体を照射損傷しない位置に配置されて、該プラズマにより被成膜体上に成膜するのに対し、引用例１に記載された発明においては、低圧水銀ランプを点灯して（換言すれば、光励起ＣＶＤ装置により）被成膜体上に成膜している点で相違する。
　上記相違点について検討する。
　引用例２に記載された分離形成装置（本願補正発明１における「成膜装置」に相当する。）における形成室３は、反応ガスの導入口３ａ（本願補正発明１における「反応性ガスを導入する手段」に相当する。）及びマルチ電極（本願補正発明１における「電場発生手段」に相当する。）を有し、該マルチ電極（電場発生手段）が、複数の板状電極３ｃを所要の間隔を隔てて横向きに並べて相互に水平対向させた状態で配置（本願補正発明１における「発生したプラズマによって該被成膜体を照射損傷しない位置に配置」に相当する。）されて、電極３ｃ間に所定の電圧を印加して相隣する各電極３ｃ間にて水平方向に放電を行わせつつ（本願補正発明１における「発生したプラズマ」に相当する。）導入口３ａを通じて反応ガスを導入し、これを分解して（本願補正発明１における「プラズマにより」に相当する。）基板Ｓ主面のｐ型非晶質半導体層（本願補正発明１における「被成膜体」に相当する。）上にｉ型非晶質半導体層を積層形成する（本願補正発明１における「成膜する」に相当する。）ようになっている。
　そうすると、引用例２に記載された形成室３は、本願補正発明１における「第１の真空室」と同じものであり、しかもそのマルチ電極（電場発生手段）を使用することによって得られる「熱、高エネルギ粒子による損傷も少ない。」という作用は、引用例１に記載された光励起ＣＶＤ法を使用することにより得られる「イオンによる下地へのダメージによる欠陥の発生がなく高品質の界面特性を得ることができる」という作用を示しているか、あるいは示唆しているものといえる。
　してみると、引用例１に記載された光励起ＣＶＤ装置に替えて、引用例２に記載された本願補正発明１における第１の真空室と同じである形成室３を採用することは当業者が容易になし得ることであり、その効果も当業者の予測し得る範囲内である。
　
＜本願補正発明２について＞
　本願補正発明２と引用例１に記載された発明とを対比すると、前記＜本願補正発明１について＞で挙げた相違点（以下、「相違点１」という。）に加え、本願補正発明２では、「前記第１の真空室および第２の真空室の少なくとも１つの後段に、前記被成膜体の上に形成した薄膜表面の反応生成物残渣を除去する超音波洗浄室が設けられている」としているのに対して、引用例１には、そのようなことは記載されていない点（以下、「相違点２」という。）で、両者は、更に相違する。
　上記相違点１、２について検討する。
　相違点１については、前記＜本願補正発明１について＞においてすでに説示したとおりであり、また、相違点２については、成膜後に超音波洗浄を行うことは本願出願前に周知の事項である（例えば、引用例３参照）から、第１の真空室および第２の真空室の少なくとも１つの後段に、被成膜体の上に形成した薄膜表面の反応生成物残渣を除去する超音波洗浄室を設ける程度のことは、当業者が適宜なし得るものである。
　
　したがって、本願補正発明１、２は、引用例１、２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
（３）むすび
　以上のとおりであるから、本件補正は特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
［３］本願発明
　平成１３年１０月１９日付手続補正書は上記のとおり却下されたので、本願請求項１、２に係る発明（以下、「本願発明１、２」という。）は、平成１２年１１月１０日付手続補正書及び平成１３年５月２８日付手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１、２に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、そのうちの本願発明１は次のとおりである。
　
　「【請求項１】　真空室内に反応性ガスを導入し、電場発生手段によりプラズマを発生させることにより、該真空室内にセットされた被成膜体の上に薄膜を形成する成膜装置であって、それぞれが同一の膜を形成する第１の真空室と第２の真空室とを有しており、第１の真空室は、反応性ガスを導入する手段および電場発生手段を有し、該電場発生手段が、発生したプラズマによって該被成膜体を照射損傷しない位置に配置されて、該プラズマにより被成膜体上に成膜するようになっており、第２の真空室は、反応性ガスを導入する手段および電場発生手段を有し、該電場発生手段は、発生したプラズマによって該被成膜体上の膜を直接照射するように配置されて、該プラズマにより該被成膜体上の膜上に成膜するようになっている、成膜装置。」
　
［４］引用例に記載された事項
　前置審査における最後の拒絶理由に引用した引用例１、２に記載された事項は、上記［２］（２−２）に記載したとおりである。
　
［５］対比・判断
　本願発明１は、上記［２］において検討した本願補正発明１の「前記第１の真空室内に導入される反応性ガスと同様の反応性ガス」から、「前記第１の真空室内に導入される反応性ガスと同様の」を削除し，「反応性ガス」としたものである。
　そうすると、本願発明１を特定するために必要な事項を全て含み、さらに他の特定するために必要な事項を附加したものに相当する本願補正発明１が、上記［２］（３）に記載したとおり、引用例１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明１についても、同様の理由により、引用例１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
［６］むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、引用例１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また、本願発明２については、上記のとおり本願発明１が特許を受けることができないため、検討する必要を認めない。
　よって、結論のとおり審決する。