(57)【要約】【課題】音圧センサチップ等の半導体チップを備える半導体装置において、空洞部と外方空間とを連通する連通孔を高精度かつ容易に形成できるようにする。【解決手段】複数の絶縁層を重ねて構成される基板３と、基板３の厚さ方向の一端面１１ａに搭載され、圧力変動に応じて振動する薄膜状のダイヤフラムを有する半導体チップとを備え、基板３に、ダイヤフラムに対向して一端面１１ａから窪む凹部１３、及び、凹部１３と基板３の外方とを相互に連通する連通孔１４が設けられ、連通孔１４が、相互に対向する一対の絶縁層２７，２８と、一対の絶縁層２７，２８の対向面の少なくとも一方に印刷により形成されると共に凹部１３の周縁から基板３の端部まで延びるスリット状の切欠部３３を有するスペーサ３２とにより構成されることを特徴とする半導体装置を提供する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁層を重ねて構成される基板と、該基板の厚さ方向の一端面に搭載され、圧力変動に応じて振動する薄膜状のダイヤフラムを有する半導体チップとを備え、
前記基板に、前記ダイヤフラムに対向して前記一端面から窪む凹部、及び、該凹部と前記基板の外方とを相互に連通する連通孔が設けられ、
該連通孔が、相互に対向する一対の絶縁層と、前記一対の絶縁層の対向面の少なくとも一方に印刷により形成されると共に前記凹部の周縁から前記基板の端部まで延びるスリット状の切欠部を有するスペーサとにより構成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
複数の絶縁層を重ねて構成される基板と、該基板の厚さ方向の一端面に搭載され、圧力変動に応じて振動する薄膜状のダイヤフラムを有する半導体チップとを備え、
前記基板に、前記ダイヤフラムに対向して前記一端面から窪む凹部、及び、該凹部と前記基板の外方とを相互に連通する連通孔が設けられ、
該連通孔が、相互に対向する一対の絶縁層の間に配されるシート状の中間絶縁層に形成されて前記凹部の周縁から前記基板の端部まで延びるスリット状の切欠部と、該切欠部を介して相互に対向する前記一対の絶縁層の対向面の少なくとも一方に印刷により形成される肉盛部とにより構成されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記連通孔が、前記凹部及び前記ダイヤフラムにより画定される空洞部と該空洞部の外方との静圧差に基づく気体の流動を許容し、かつ、前記ダイヤフラムに作用する圧力変動に基づく気体の通過を阻止する大きさに形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記絶縁層が、セラミック粉末を含有するペーストをシート状に形成した複数のグリーンシートを焼成したものから構成されることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
複数の絶縁層を重ねて構成されると共に、厚さ方向の一端面に圧力変動に応じて振動する薄膜状のダイヤフラムを有する半導体チップを搭載して半導体装置を構成するための基板であって、
前記ダイヤフラムに対向する位置に前記一端面から窪む凹部、及び、該凹部と前記基板の外方とを相互に連通する連通孔が設けられ、
該連通孔が、相互に対向する一対の絶縁層と、前記一対の絶縁層の対向面の少なくとも一方に印刷により形成されると共に前記凹部の周縁から前記絶縁層の端部まで延びるスリット状の切欠部を有するスペーサとにより構成されることを特徴とする基板。
【請求項６】
複数の絶縁層を重ねて構成されると共に、厚さ方向の一端面に圧力変動に応じて振動する薄膜状のダイヤフラムを有する半導体チップを搭載して半導体装置を構成するための基板であって、
前記ダイヤフラムに対向する位置に前記一端面から窪む凹部、及び、該凹部と前記基板の外方とを相互に連通する連通孔が設けられ、
該連通孔が、相互に対向する一対の絶縁層の間に配されるシート状の中間絶縁層に形成されて前記凹部の周縁から前記基板の端部まで延びるスリット状の切欠部と、該切欠部を介して相互に対向する前記一対の絶縁層の対向面の少なくとも一方に印刷により形成される肉盛部とにより構成されることを特徴とする基板。
【請求項７】
複数の絶縁層を重ねて構成されると共に、厚さ方向の一端面に圧力変動に応じて振動する薄膜状のダイヤフラムを有する半導体チップを搭載して半導体装置を構成する基板の製造方法であって、
セラミック粉末を含有するペーストをシート状に形成した複数のグリーンシートを用意するグリーンシート形成工程と、
打ち抜き加工により第１のグリーンシートにその厚さ方向に貫通する貫通孔を形成する打ち抜き工程と、
前記第１のグリーンシートの対向面、及び、前記第１のグリーンシートの対向面に対向する第２のグリーンシートの対向面の少なくとも一方に、両グリーンシートを重ね合わせたときに前記貫通孔に連通して前記グリーンシートの端部まで延びるスリット状の切欠部を有するスペーサを印刷により形成する印刷工程と、
前記スペーサを挟み込むように前記第１のグリーンシートと前記第２のグリーンシートとを厚さ方向に重ね合わせてグリーンシート積層体を構成し、前記貫通孔及び前記第２のグリーンシートにより前記一端面から窪む凹部を構成すると共に、前記両グリーンシート及び前記スペーサにより前記凹部と前記グリーンシート積層体の外方とを相互に連通する連通孔を構成する積層工程と、
前記グリーンシート積層体を焼成して前記複数の絶縁層を形成する焼成工程とを備えることを特徴とする基板の製造方法。
【請求項８】
複数の絶縁層を重ねて構成されると共に、厚さ方向の一端面に圧力変動に応じて振動する薄膜状のダイヤフラムを有する半導体チップを搭載して半導体装置を構成する基板の製造方法であって、
セラミック粉末を含有するペーストをシート状に形成した複数のグリーンシートを用意するグリーンシート形成工程と、
打ち抜き加工により第１のグリーンシートにその厚さ方向に貫通する貫通孔を形成する打ち抜き工程と、
前記第１のグリーンシートと該第１のグリーンシートの対向面に対向する第２のグリーンシートとの間に配するシート状の中間絶縁層を用意すると共に、前記第１のグリーンシート、前記中間絶縁層及び前記第２のグリーンシートを重ね合わせたときに前記貫通孔に連通して前記グリーンシートの端部まで延びるスリット状の切欠部を前記中間絶縁層に形成する中間絶縁層準備工程と、
前記切欠部を介して相互に対向する前記一対のグリーンシートの対向面の少なくとも一方に肉盛部を印刷により形成する印刷工程と、
前記中間絶縁層を挟み込むように前記第１のグリーンシートと前記第２のグリーンシートとを厚さ方向に重ね合わせてグリーンシート積層体を構成して、前記貫通孔及び前記第２のグリーンシートにより前記一端面から窪む凹部を構成すると共に、前記切欠部及び前記肉盛部により前記凹部と前記グリーンシート積層体の外方とを相互に連通する連通孔を構成する積層工程と、
前記グリーンシート積層体を焼成して前記複数の絶縁層を形成する焼成工程とを備えることを特徴とする基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、音圧センサチップ等の半導体チップを備える半導体装置、これに使用する基板、及び、基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、シリコンマイクや圧力センサ等の半導体装置では、音圧センサチップ等のように、音響等の圧力変動を振動により検出するダイヤフラムを有する半導体チップを基板の表面に実装している（例えば、特許文献１参照）。この種の半導体チップを基板の表面に配した状態においては、ダイヤフラムと基板の表面との間に外方に対して密閉された空洞部が形成されることになる。
【０００３】
ここで、空洞部の容積が小さい場合には、空洞部の空気バネ定数が大きくなってダイヤフラムが振動しにくくなるため、ダイヤフラムの変位量が小さくなって圧力変動を精度良く検出することができなくなる。このダイヤフラムの変位量が小さくなることを防ぐためには、空洞部の体積を大きくしなければならない。また一方で、マイクロフォンは小さな圧力を検出できるようになっているので、圧力センサのように空洞部が外部に対して密閉されていると、空洞部内外の圧力差によりダイヤフラムが大きく撓んでしまい、マイクロフォンとしての動作ができなくなってしまう。そこで、通常は、空洞部を外方空間に連通させる微細な連通孔を設けて、空洞部内の圧力と外方空間の圧力との差を無くすことが有効であると考えられている。
【特許文献１】特表２００４−５３７１８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した連通孔は、その穴径が小さすぎると十分な効果を得ることができず、逆に、この穴径が大きすぎると音圧センサチップとしての機能を発揮することができない。
この発明は、上述した事情に鑑みてなされたものであって、空洞部と外方空間とを連通する連通孔を高精度かつ容易に形成できる半導体装置、これに使用する基板、及び、基板の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
請求項１に係る発明は、複数の絶縁層を重ねて構成される基板と、該基板の厚さ方向の一端面に搭載され、圧力変動に応じて振動する薄膜状のダイヤフラムを有する半導体チップとを備え、前記基板に、前記ダイヤフラムに対向して前記一端面から窪む凹部、及び、該凹部と前記基板の外方とを相互に連通する連通孔が設けられ、該連通孔が、相互に対向する一対の絶縁層と、前記一対の絶縁層の対向面の少なくとも一方に印刷により形成されると共に前記凹部の周縁から前記基板の端部まで延びるスリット状の切欠部を有するスペーサとにより構成されることを特徴とする半導体装置を提案している。
【０００６】
また、請求項２に係る発明は、複数の絶縁層を重ねて構成される基板と、該基板の厚さ方向の一端面に搭載され、圧力変動に応じて振動する薄膜状のダイヤフラムを有する半導体チップとを備え、前記基板に、前記ダイヤフラムに対向して前記一端面から窪む凹部、及び、該凹部と前記基板の外方とを相互に連通する連通孔が設けられ、該連通孔が、相互に対向する一対の絶縁層の間に配されるシート状の中間絶縁層に形成されて前記凹部の周縁から前記基板の端部まで延びるスリット状の切欠部と、該切欠部を介して相互に対向する前記一対の絶縁層の対向面の少なくとも一方に印刷により形成される肉盛部とにより構成されることを特徴とする半導体装置を提案している。
【０００７】
また、請求項３に係る発明は、請求項１又は請求項２に記載の半導体装置において、前記連通孔が、前記凹部及び前記ダイヤフラムにより画定される空洞部と該空洞部の外方との静圧差に基づく気体の流動を許容し、かつ、前記ダイヤフラムに作用する圧力変動に基づく気体の通過を阻止する大きさに形成されていることを特徴とする半導体装置を提案している。
【０００８】
なお、上述した静圧とは、気体が流動せずに静止した状態における空洞部や基板の外方の圧力のことを示している。また、静圧の変化は、単位時間あたりの圧力変化が比較的小さいものであり、例えば、上記空洞部の加熱・冷却に伴う空洞部の静的な圧力変化や、標高差等に基づく外方空間の静的な気圧変化が、上記静圧変化に含まれる。
また、圧力変動とは、音響等による動的な圧力変化のことを示し、上述した静圧変化よりも単位時間あたりの圧力変化が大きいものが含まれる。すなわち、前述した空洞部の静的な圧力変化や外方空間の静的な気圧変化は、この圧力変動に含まれない。
【０００９】
これらの発明に係る半導体装置においては、基板の凹部を覆うように半導体チップを基板の一端面に配することで、半導体チップのダイヤフラム及び上記凹部により空洞部が形成されることになる。この状態においては、上記空洞部が連通孔を介して基板の外方と相互に連通することになる。そして、この連通孔は、印刷によって絶縁層の対向面に形成されたスペーサや肉盛部により構成されているため、その大きさを高精度かつ容易に設定することができる。
【００１０】
したがって、絶縁層の対向面に形成されるスペーサや肉盛部の厚さ寸法を高精度に調整することで、上記静圧差に基づく気体の流動を許容し、前記ダイヤフラムに作用する圧力変動に基づく気体の通過を阻止するように、連通孔の寸法を設定することができる。このため、例えば、音響等の圧力変動がダイヤフラムに到達し、これに基づいて外方空間と空洞部との間に動的な圧力差が生じた場合には、連通孔を介した気体の出入りが適度に阻止されるため、上記圧力変動に対してダイヤフラムは振動し、半導体チップから音響等の圧力変動に基づく出力が得られる。
【００１１】
請求項４に係る発明は、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置において、前記絶縁層が、セラミック粉末を含有するペーストをシート状に形成した複数のグリーンシートを焼成したものから構成されることを特徴とする半導体装置を提案している。
この発明に係る半導体装置では、相互に対向する一対の絶縁層の対向面全体にスペーサや中間絶縁層を形成しなくても、グリーンシートは可撓性を有するため、スペーサや中間絶縁層の形成部分を避けるようにグリーンシートを変形させることで、これら一対のグリーンシートを重ね合わせることができる。そして、この重ね合わせ状態において焼成することによって、複数の絶縁層を一体的に固定することができる。
【００１２】
請求項５に係る発明は、複数の絶縁層を重ねて構成されると共に、厚さ方向の一端面に圧力変動に応じて振動する薄膜状のダイヤフラムを有する半導体チップを搭載して半導体装置を構成するための基板であって、前記ダイヤフラムに対向する位置に前記一端面から窪む凹部、及び、該凹部と前記基板の外方とを相互に連通する連通孔が設けられ、該連通孔が、相互に対向する一対の絶縁層と、前記一対の絶縁層の対向面の少なくとも一方に印刷により形成されると共に前記凹部の周縁から前記絶縁層の端部まで延びるスリット状の切欠部を有するスペーサとにより構成されることを特徴とする基板を提案している。
【００１３】
また、請求項６に係る発明は、複数の絶縁層を重ねて構成されると共に、厚さ方向の一端面に圧力変動に応じて振動する薄膜状のダイヤフラムを有する半導体チップを搭載して半導体装置を構成するための基板であって、前記ダイヤフラムに対向する位置に前記一端面から窪む凹部、及び、該凹部と前記基板の外方とを相互に連通する連通孔が設けられ、該連通孔が、相互に対向する一対の絶縁層の間に配されるシート状の中間絶縁層に形成されて前記凹部の周縁から前記基板の端部まで延びるスリット状の切欠部と、該切欠部を介して相互に対向する前記一対の絶縁層の対向面の少なくとも一方に印刷により形成される肉盛部とにより構成されることを特徴とする基板を提案している。
【００１４】
これらの発明に係る基板を用いて半導体装置を製造する際には、基板の凹部を覆うように半導体チップを基板の一端面に配することで、半導体チップのダイヤフラム及び上記凹部により空洞部が形成されることになる。この状態においては、上記空洞部が連通孔を介して基板の外方と相互に連通することになる。そして、この連通孔は、印刷によって絶縁層の対向面に形成されたスペーサや肉盛部により構成されているため、その大きさを高精度かつ容易に設定することができる。
【００１５】
請求項７に係る発明は、複数の絶縁層を重ねて構成されると共に、厚さ方向の一端面に圧力変動に応じて振動する薄膜状のダイヤフラムを有する半導体チップを搭載して半導体装置を構成する基板の製造方法であって、セラミック粉末を含有するペーストをシート状に形成した複数のグリーンシートを用意するグリーンシート形成工程と、打ち抜き加工により第１のグリーンシートにその厚さ方向に貫通する貫通孔を形成する打ち抜き工程と、前記第１のグリーンシートの対向面、及び、前記第１のグリーンシートの対向面に対向する第２のグリーンシートの対向面の少なくとも一方に、両グリーンシートを重ね合わせたときに前記貫通孔に連通して前記グリーンシートの端部まで延びるスリット状の切欠部を有するスペーサを印刷により形成する印刷工程と、前記スペーサを挟み込むように前記第１のグリーンシートと前記第２のグリーンシートとを厚さ方向に重ね合わせてグリーンシート積層体を構成し、前記貫通孔及び前記第２のグリーンシートにより前記一端面から窪む凹部を構成すると共に、前記両グリーンシート及び前記スペーサにより前記凹部と前記グリーンシート積層体の外方とを相互に連通する連通孔を構成する積層工程と、前記グリーンシート積層体を焼成して前記複数の絶縁層を形成する焼成工程とを備えることを特徴とする基板の製造方法を提案している。
【００１６】
また、請求項８に係る発明は、複数の絶縁層を重ねて構成されると共に、厚さ方向の一端面に圧力変動に応じて振動する薄膜状のダイヤフラムを有する半導体チップを搭載して半導体装置を構成する基板の製造方法であって、セラミック粉末を含有するペーストをシート状に形成した複数のグリーンシートを用意するグリーンシート形成工程と、打ち抜き加工により第１のグリーンシートにその厚さ方向に貫通する貫通孔を形成する打ち抜き工程と、前記第１のグリーンシートと該第１のグリーンシートの対向面に対向する第２のグリーンシートとの間に配するシート状の中間絶縁層を用意すると共に、前記第１のグリーンシート、前記中間絶縁層及び前記第２のグリーンシートを重ね合わせたときに前記貫通孔に連通して前記グリーンシートの端部まで延びるスリット状の切欠部を前記中間絶縁層に形成する中間絶縁層準備工程と、前記切欠部を介して相互に対向する前記一対のグリーンシートの対向面の少なくとも一方に肉盛部を印刷により形成する印刷工程と、前記中間絶縁層を挟み込むように前記第１のグリーンシートと前記第２のグリーンシートとを厚さ方向に重ね合わせてグリーンシート積層体を構成して、前記貫通孔及び前記第２のグリーンシートにより前記一端面から窪む凹部を構成すると共に、前記切欠部及び前記肉盛部により前記凹部と前記グリーンシート積層体の外方とを相互に連通する連通孔を構成する積層工程と、前記グリーンシート積層体を焼成して前記複数の絶縁層を形成する焼成工程とを備えることを特徴とする基板の製造方法を提案している。
【００１７】
これらの発明に係る基板の製造方法により製造された基板を用いて半導体装置を製造する際には、基板の凹部を覆うように半導体チップを基板の一端面に配することで、半導体チップのダイヤフラム及び上記凹部により空洞部が形成されることになる。この状態においては、上記空洞部が連通孔を介して基板の外方と相互に連通することになる。そして、印刷工程においては、連通孔を構成するスペーサや肉盛部が印刷によってグリーンシートの対向面に形成されるため、連通孔の大きさを高精度かつ容易に設定することができる。
【発明の効果】
【００１８】
請求項１〜３、及び、請求項５〜８に記載の発明によれば、連通孔は、印刷によって絶縁層の対向面に形成されたスペーサや肉盛部により構成されているため、連通孔の大きさを高精度かつ容易に設定することができる。
また、この連通孔はスペーサや肉盛部の印刷により構成されるため、連通孔を形成するための別途加工が不要となる、すなわち、基板を製造する工程において同時に形成することができるため、連通孔を備えた半導体装置を容易に製造することもできる
【００１９】
また、請求項４に記載の発明によれば、相互に対向する一対の絶縁層の対向面全体にスペーサや中間絶縁層を形成しなくても、一対のグリーンシートの間にスペーサや中間絶縁層を挟み込んだ状態で、容易に一対のグリーンシートを重ね合わせることができるため、基板を容易に製造することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
図１から図５は、本発明の第１の実施形態を示している。図１に示すように、この実施形態に係る半導体装置１は、略板状に形成されたセラミック基板３と、セラミック基板３の表面３ａ側に重ねて配された半導体チップ５及び蓋体７とを備えている。
セラミック基板３は、平面視略矩形の板状に形成されており、その側面３ｂには、セラミック基板３の表面３ａ及び裏面３ｃに開口する複数の溝９が上記側面３ｂから窪んで形成されている。また、セラミック基板３には、その表面３ａから窪む凹部１１が形成されている。この凹部１１の底面（一端面）１１ａの略中央部には有底の穴（凹部）１３が底面１１ａから窪んで形成されている。さらに、セラミック基板３には、この穴１３とセラミック基板３の外方とを相互に連通する連通孔１４が形成されている。
また、底面１１ａの周縁には、底面１１ａから突出する段差部１５が形成されており、この段差部１５によりセラミック基板３の表面３ａと凹部１１の底面１１ａとの間が階段状に形成されている。
【００２１】
セラミック基板３の表面３ａと同方向を向く段差部１５の表面１５ａには、半導体チップ５と電気的に接続するためのパッド電極１７が複数形成されており、また、セラミック基板３の裏面３ｃには、外部接続端子１９が複数形成されている。これらパッド電極１７及び外部接続端子１９は、セラミック基板３の内部に形成された配線部２１によって電気的に接続されている。
また、このセラミック基板３には、導電性を有するシールド部材２３が設けられている。このシールド部材２３は、凹部１１の底面１１ａ全体とセラミック基板３の厚さ方向に重なるように配されており、凹部１１の開口部の周縁に位置するセラミック基板３の表面３ａに形成された略環状の接続パッド２５と電気的に接続されている。なお、このシールド部材２３の一部は、凹部１１の底面１１ａをなしている。
【００２２】
上述したパッド電極１７、外部接続端子１９、配線部２１、シールド部材２３及び接続パッド２５は、銀粉末あるいは銅粉末もしくはタングステン粉末を主成分とするペースト（銀粉末あるいは銅粉末もしくはタングステン粉末にバインダー（例えば、アクリル樹脂）を混合したもの）を用いてスクリーン印刷等により形成されている。さらに、パッド電極１７、外部接続端子１９及び接続パッド２５は、上記材料に、例えば、厚さ１μｍ以上のニッケル（Ｎｉ）及び厚さ０．３μｍの金（Ａｕ）のめっきを施して形成されている。なお、これらパッド電極１７、外部接続端子１９及び配線部２１と、シールド部材２３及び接続パッド２５とは、電気的に絶縁されている。
【００２３】
なお、このセラミック基板３は、セラミックグリーンシートを焼成してなる絶縁層２７，２８，２９，３０を複数積層すると共に、各絶縁層２７，２８，２９，３０に前述したパッド電極１７、外部接続端子１９、配線部２１、シールド部材２３及び接続パッド２５を適宜形成して構成されている。すなわち、セラミック基板３に形成された溝９や、凹部１１、穴１３、段差部１５は、セラミックグリーンシートに打ち抜き加工を施して形成されるものである。
また、セラミック基板３に形成された連通孔１４は、図２〜４に示すように、穴１３を構成する第１の絶縁層２８と、これの下側に配されてセラミック基板３の裏面３ｃを構成する第２の絶縁層２７と、これら一対の絶縁層２７，２８の間に設けられた導電層（スペーサ）３２とにより構成されている。
【００２４】
導電層３２は、配線部２１等と同様に、銀粉末あるいは銅粉末もしくはタングステン粉末を主成分とするペースト（銀粉末あるいは銅粉末もしくはタングステン粉末にバインダー（例えば、アクリル樹脂）を混合したもの）を用いてスクリーン印刷により第１の絶縁層２８に対向する第２の絶縁層２７の表面（対向面）２７ａに形成されている。この導電層３２には、穴１３の周縁から絶縁層２７，２８の側端部まで直線状に延びるスリット状の切欠部３３が形成されている。この切欠部３３は、第２の絶縁層２７の表面２７ａまで到達して形成されている、すなわち、導電層３２の厚さ寸法と同等の深さ寸法を有している。
したがって、上述した連通孔は、相互に対向する一対の絶縁層２７，２８の表面（対向面）２７ａ，２８ａ、及び切欠部３３の側面により形成されることになり、穴１３の周縁及び溝９の底面９ａに開口するように構成されることになる。
【００２５】
図１に示すように、半導体チップ５は、音響を電気信号に変換する所謂音圧センサチップである。すなわち、この半導体チップ５は、半導体装置１の外側に位置する外方空間からの音響等の圧力変動に応じて振動するダイヤフラム５ａを備えている。ダイヤフラム５ａは、半導体チップ５の厚さ方向に振動するように構成されている。
この半導体チップ５は、絶縁材料からなる接着ペーストＢ１を介して穴１３を覆うように凹部１１の底面１１ａに接着固定されると共に、前述したパッド電極１７とワイヤー３１により電気的に接続されている。この状態においては、半導体チップ５のダイヤフラム５ａとセラミック基板３の穴１３とにより空洞部Ｓ１が画定されることになる。この空洞部Ｓ１は、前述したセラミック基板３の連通孔１４のみを介してセラミック基板３の外方に連通している。
【００２６】
ここで、前述したセラミック基板３の連通孔１４は、空洞部Ｓ１と空洞部Ｓ１の外方との静圧差に基づく気体の流動を許容し、かつ、ダイヤフラム５ａに作用する圧力変動に基づく気体の通過を阻止する大きさに設定されている。より具体的には、例えば、穴１３の周縁から絶縁層２７，２８の側端部までの連通孔１４の長さ寸法を３．０ｍｍとした場合には、連通孔１４の断面積を３０μｍ×３０μｍ以下に設定すればよい。すなわち、連通孔１４を構成する切欠部３３の幅寸法を３０μｍとした場合には導電層３２の厚さ寸法も３０μｍ以下に設定すればよい。
【００２７】
なお、上述した静圧とは、気体が流動せずに静止した状態における空洞部Ｓ１やセラミック基板３の外方の圧力のことを示している。また、静圧の変化は、単位時間あたりの圧力変化が比較的小さいものであり、例えば、空洞部Ｓ１の加熱・冷却に伴う空洞部Ｓ１の静的な圧力変化や、標高差等に基づく外方空間の静的な気圧変化が、上記静圧変化に含まれる。
また、圧力変動とは、音響等による動的な圧力変化のことを示し、上述した静圧変化よりも単位時間あたりの圧力変化が大きいものが含まれる。すなわち、前述した空洞部Ｓ１の静的な圧力変化や外方空間の静的な気圧変化は、この圧力変動に含まれない。
なお、半導体チップ５をなす音圧センサチップでは、少なくとも周波数が１００Ｈｚ以上の圧力変動を十分に検出することができればよい。すなわち、図６に示すように、１００Ｈｚにおいて十分な大きさのマイク感度が得られていればよく、１００Ｈｚよりも小さい周波数においてはマイク感度が低下しても構わない。なお、連通孔１４の長さ寸法を３．０ｍｍとして連通孔１４の断面積を３０μｍ×３０μｍよりも大きくした場合には、十分な大きさのマイク感度を得られる周波数が１００Ｈｚよりも大きくなる。
【００２８】
図１に示すように、蓋体７は、銅材等の導電性を有する板材にニッケルのめっきを施したものから形成されており、セラミック基板３の表面３ａに配されると共に凹部１１の開口を覆って半導体チップ５を含む中空空間Ｓ２を形成する略板状の天板部３５と、天板部３５の周縁から突出してセラミック基板３の側面３ｂ側に配される側壁部３７とを備えている。
天板部３５は、平面視略矩形状に形成されており、このうちセラミック基板３の凹部１１の周縁に対向する位置には、略環状の突出部３９がセラミック基板３の表面３ａに向けて突出して形成されている。この突出部３９は、例えばコイニング加工等により天板部３５を変形させて略環状に形成されているものであるため、蓋体７としての剛性を向上させて天板部３５の撓みを防止することができる。
【００２９】
また、この突出部３９は、天板部３５をセラミック基板３の表面３ａに配した状態において、前述の接続パッド２５に当接して電気的に接続されるようになっている。すなわち、蓋体７及びシールド部材２３が半導体チップ５を取り囲むと共に、セラミック基板３のシールド部材２３と蓋体７とが電気的に接続されることになる。
さらに、この天板部３５には、その厚さ方向に貫通する開口部３５ａが形成されており、この開口部３５ａによって半導体チップ５を含む中空空間Ｓ２が半導体装置１の外側に位置する外方空間に連通することになる。
側壁部３７は、天板部３５を挟み込む位置に一対形成されており、それぞれセラミック基板３の側面３ｂに形成された複数の溝９にそれぞれ収容されている、すなわち、各溝９の底面９ａに隣接して配されている。なお、一対の側壁部３７は、溝９の底面９ａとの間に間隙を有して配されている。
【００３０】
次に、以上のように構成された半導体装置１の製造方法について説明する。この半導体装置１を製造する際には、予め上述したセラミック基板３を製造しておく。
すなわち、セラミック基板３を製造する際には、はじめに、セラミック粉末を含有するペーストをシート状に形成してなるグリーンシート４１，４２，４３，４４を複数用意する（グリーンシート形成工程）。各グリーンシート４１，４２，４３，４４は、セラミック粉末を含有したセラミックペーストをシート状に形成したものであり、可撓性を有している。これら複数のグリーンシートは、セラミック基板３の各絶縁層２７，２８，２９，３０を構成するものである。
【００３１】
次いで、各グリーンシート４１，４２，４３，４４に打ち抜き加工を施す（打ち抜き工程）。この打ち抜き工程においては、各グリーンシート４１，４２，４３，４４には、セラミック基板３の溝９、凹部１１、穴１３及び段差部１５となる部分を形成すると共に、配線部２１やシールド部材２３の形成に使用するスルーホール４７，４９を形成する。特に、第１の絶縁層２８を構成するグリーンシート４２（以下、第１のグリーンシート４２と呼ぶ。）には、その厚さ方向に貫通する貫通孔４５を形成する。この貫通孔４５は、セラミック基板３の穴１３を構成するものである。
【００３２】
その後、図３〜５に示すように、第１のグリーンシート４２に対向する第２の絶縁層２７を構成するグリーンシート４１（以下、第２のグリーンシート４１と呼ぶ。）の表面２７ａに、両グリーンシート４１，４２を重ね合わせたときに貫通孔４５に連通して両グリーンシート４１，４２の側端部まで延びるスリット状の切欠部３３を有する導電層３２をスクリーン印刷により形成する（印刷工程）。
なお、この印刷工程においては、図１に示すように、各グリーンシート４１，４２，４３，４４の各表面に、パッド電極１７、外部接続端子１９、配線部２１、シールド部材２３及び接続パッド２５を構成するペーストをスクリーン印刷が同時に行われる。また、この印刷工程の前後若しくは同時に、配線部２１やシールド部材２３を構成するペーストをスルーホール４７，４９に充填する。
【００３３】
そして、これら複数のグリーンシート４１，４２，４３，４４を厚さ方向に適宜積層してグリーンシート積層体５１を構成する（積層工程）。この際には、第２のグリーンシート４１を除く複数のグリーンシート４２，４３，４４により凹部１１が構成されることになる。また、この際には、貫通孔４５及び第２のグリーンシート４１により凹部１１の底面１１ａから窪む穴１３が構成されることになる。
さらに、この積層工程においては、第２のグリーンシート４１の表面２７ａの一部に突出して形成された導電層３２を挟み込むように、第１のグリーンシート４２と第２のグリーンシート４１とを重ね合わせる。ここで、第１のグリーンシート４２は可撓性を有しているため、上記両グリーンシート４１，４２を重ね合わせた際には、図３，４に示すように、導電層３２を避けるように変形すると共に、導電層３２の形成部分を除く第２のグリーンシート４１の表面２７ａに接触することになる。以上により、両グリーンシート４１，４２及び導電層３２により穴１３とグリーンシート積層体５１の外方とを相互に連通する連通孔１４が構成されることになる。
最後に、このグリーンシート積層体５１を１０００℃以上で焼成して複数の絶縁層２７，２８，２９，３０を形成する焼成工程を行い、パッド電極１７、外部接続端子１９及び接続パッド２５にニッケル及び金のめっきを施すことで、セラミック基板３の製造が完了する。
【００３４】
そして、以上のようにして製造されたセラミック基板３を使用して図１に示す半導体装置１を製造する。
すなわち、はじめに、絶縁材料からなる接着ペーストＢ１を介して凹部１１の底面１１ａに半導体チップ５を配置するチップ配置工程を行う。このチップ配置工程においては、各半導体チップ５を配した後に接着ペーストＢ１を硬化させるペーストキュアを行う。このペーストキュアでは、１５０℃に加熱した状態をおおよそ１時間保持する。このチップ配置工程により、半導体チップ５のダイヤフラム５ａ及びセラミック基板３の穴１３により空洞部Ｓ１が形成されることになる。この状態においては、空洞部Ｓ１が連通孔１４を介してセラミック基板３の外方と連通することになる。
このチップ配置工程の終了後には、ワイヤーボンディングにより半導体チップ５とパッド電極１７とをワイヤー３１により電気接続する接続工程を行い、ワイヤー３１が正しく接続されているかどうかの目視検査を行う。
【００３５】
次いで、導電性ペーストＢ２を接続パッド２５上に印刷し、その後に、セラミック基板３の表面３ａに蓋体７を重ねて固定する（重ね合わせ工程）。この際には、蓋体７の側壁部３７をセラミック基板３の各溝９に収容することで、セラミック基板３及び半導体チップ５に対する蓋体７の位置決めを容易に行うことができる。また、この際には、天板部３５の突出部３９を上記導電性ペーストＢ２に接触させることで、蓋体７とシールド部材２３とが電気的に接続されることになる。
なお、蓋体７をセラミック基板３の表面３ａに重ねて、突出部３９を導電性ペーストＢ２に接触させた後には、セラミック基板３及び蓋体７をその厚さ方向から挟み込んで固定する。そして、この状態で、１５０℃に加熱した状態をおおよそ１時間保持する導電ペーストキュアを行い、導電性ペーストＢ２を硬化させる。これにより、蓋体７がセラミック基板３に固定されて重ね合わせ工程が完了する。
以上により、半導体装置１の製造が終了する。
【００３６】
なお、上述したセラミック基板３及び半導体装置１の製造方法においては、１つのセラミック基板３を製造したり、個々のセラミック基板３に蓋体７を被せるとしたが、これに限ることはなく、セラミック基板３を多数連結した基板用板材を形成すると共に、蓋体７を多数連結した蓋体用板材を形成しておき、前述の重ね合わせ工程において基板用板材上に蓋体用板材を配置することで、各セラミック基板３の表面３ａに蓋体７を配置するとしてもよい。ただし、この場合には、重ね合わせ工程の後に、基板用版材及び蓋体用板材を分断して個々の半導体装置１に分割する分割工程を行う必要がある。
【００３７】
上記のように、この半導体装置１、これに使用するセラミック基板３及びその製造方法によれば、連通孔１４がスクリーン印刷によって第２の絶縁層２７の表面２７ａに形成された導電層３２により構成されているため、連通孔１４の大きさを高精度かつ容易に設定することができる。
したがって、上記導電層３２の厚さ寸法を高精度に調整することで、空洞部Ｓ１と外方空間との静圧差に基づく気体の流動を許容し、半導体チップ５のダイヤフラム５ａに作用する圧力変動に基づく気体の通過を阻止するように、連通孔１４の寸法を設定することができる。このため、例えば、音響等の圧力変動がダイヤフラム５ａに到達し、これに基づいて外方空間と空洞部Ｓ１との間に動的な圧力差が生じた場合には、連通孔１４を介した気体の出入りが適度に阻止されるため、上記圧力変動に対してダイヤフラム５ａは振動し、半導体チップ５から音響等の圧力変動に基づく出力が得られる。
【００３８】
また、この連通孔１４は導電層３２のスクリーン印刷により構成されるため、連通孔１４を形成するための別途加工が不要となる、すなわち、印刷工程においてパッド電極１７、外部接続端子１９、配線部２１、シールド部材２３及び接続パッド２５を同時に形成することができるため、連通孔１４を備えた半導体装置１を容易に製造することもできる。
さらに、連通孔１４を構成するセラミック基板３の一対の絶縁層２７，２８が、可撓性を有するグリーンシート４１，４２から形成されているため、相互に対向する一対の絶縁層２７，２８の表面２７ａ，２８ａ全体に導電層３２を形成しなくても、一対のグリーンシート４１，４２の間に導電層３２を挟み込んだ状態で、容易に一対のグリーンシート４１，４２を重ね合わせることができるため、セラミック基板３を容易に製造することが可能となる。
【００３９】
さらに、半導体装置１によれば、導電性を有する蓋体７とセラミック基板３のシールド部材２３が各半導体チップ５を取り囲んでいる、具体的には、蓋体７の天板部３５が半導体チップ５の上方を覆うと共に蓋体７の側壁部３７が半導体チップ５の側方の一部を覆っており、また、シールド部材２３が半導体チップ５の下方側を覆っている。さらに、これら蓋体７とシールド部材２３とは電気的に接続されており、蓋体７及びシールド部材２３の電位が同一となる。
以上のことから、これら導電性を有する蓋体７及びシールド部材２３により、半導体装置１の外方側に発生した電気的なノイズが中空空間Ｓ２に侵入することを防いで、半導体チップ５に到達することを防止できる、すなわち、ノイズに基づく半導体チップ５の誤作動を確実に防止することができる。
【００４０】
なお、上述した第１の実施形態において、連通孔１４を構成する導電層３２は、第２の絶縁層２７の表面２７ａに形成されるとしたが、これに限ることはなく、例えば、第２の絶縁層２７に対向する第１の絶縁層２８の表面２８ａに形成されるとしてもよいし、これら一対の絶縁層２７，２８の表面２７ａ，２８ａの両方に形成されるとしても構わない。
また、連通孔１４は、銀粉末あるいは銅粉末もしくはタングステン粉末を主成分とするペーストからなる導電層３２により構成されるとしたが、これに限ることはなく、少なくとも一方の絶縁層２７，２８の表面２７ａ，２８ａに印刷により形成されて切欠部３３を有するスペーサであればよい。このスペーサは、例えば、セラミックから形成されるとしても構わない。
【００４１】
次に、本発明による第２の実施形態について図７〜図１０を参照して説明する。なお、この第２の実施形態に係る半導体装置は、第１の実施形態と同様のセラミック基板３により構成されているが、連通孔の構成について異なっている。ここでは、連通孔の構成のみについて説明し、第１の実施形態の半導体装置１の構成要素と同一の部分については同一符号を付し、その説明を省略する。
【００４２】
この実施形態に係る半導体装置に用いるセラミック基板では、図７〜９に示すように、第１の絶縁層２８と第２の絶縁層２７との間に平面視略矩形に形成されたシート状の第３の絶縁層（中間絶縁層）６１が配されている。
第３の絶縁層６１は、上記第１の絶縁層２８及び第２の絶縁層２７と同様に、セラミックグリーンシートを焼成して形成されるものである。第３の絶縁層６１の略中央部には、その厚さ方向に貫通する貫通孔（切欠部）６３と、貫通孔６３の周縁から第３の絶縁層６１の側端部まで直線状に延びるスリット状の切欠部６５が形成されている。この貫通孔６３は、第１の絶縁層２８に形成された貫通孔４５と厚さ方向に重なるようになっており、第１の絶縁層２８の貫通孔４５と共に穴１３を構成するものである。
この第３の絶縁層６１は、切欠部６５及び貫通孔６３の形成部分を除いて一対の絶縁層２７，２８の表面２７ａ，２８ａの略全体に配される。
【００４３】
また、第３の絶縁層６１の切欠部６５を介して相互に対向する一対の絶縁層２７，２８の表面２７ａ，２８ａには、それぞれスクリーン印刷により形成される肉盛部６７，６９が設けられている。各肉盛部６７，６９は、第１の実施形態の導電層３２と同様に、銀粉末あるいは銅粉末もしくはタングステン粉末を主成分とするペーストから形成されている。
以上のことから、穴１３とセラミック基板の外方とを相互に連通する連通孔７１は、上述した切欠部６５の側面と、相互に対向する肉盛部６７，６９の表面により形成されることになる。したがって、連通孔７１の断面積の大きさは、スクリーン印刷により形成される肉盛部６７，６９の厚さ寸法により調整することができ、第３の絶縁層６１の厚さ寸法やこれに形成される切欠部６５の幅寸法の精度を問わない。
すなわち、穴１３の周縁から絶縁層２７，２８の側端部までの連通孔７１の長さ寸法を３．０ｍｍとし、また、第３の絶縁層６１の厚さ寸法を１００μｍとすると共に切欠部６５の幅寸法を９０μｍとした場合には、連通孔７１の断面積が３０μｍ×３０μｍ以下となるように、各肉盛部６７，６９の厚さ寸法を４５μｍとすればよい。
【００４４】
以上のように構成されたセラミック基板を製造する際には、はじめに、第１の実施形態と同様のグリーンシート形成工程及び打ち抜き工程を行う。
また、これらグリーンシート形成工程及び打ち抜き工程の前後若しくは同時に、第１のグリーンシート４２と第２のグリーンシート４１との間に配するシート状の第３の絶縁層６１を用意する（中間絶縁層準備工程）。この中間絶縁層準備工程においては、第１のグリーンシート４２に形成された貫通孔４５と共に穴１３を構成する貫通孔６３と、両グリーンシート４１，４２を重ね合わせたときに貫通孔４５，６３に連通して両グリーンシート４１，４２の側端部まで延びるスリット状の切欠部６５とを第３の絶縁層６１に形成しておく。
具体的には、セラミックグリーンシートに打ち抜き加工を施すことで、上記貫通孔６３及び切欠部６５が形成されることになる。すなわち、この工程における第３の絶縁層６１は、焼成されていない。したがって、打ち抜き加工による貫通孔６３や切欠部６５の寸法は、第３の絶縁層６１を焼成した後における貫通孔６３や切欠部６５の寸法を見越した寸法となっている。
【００４５】
次いで、図１０に示すように、スクリーン印刷により上記切欠部６５を介して相互に対向する一対のグリーンシート４１，４２の表面２７ａ，２８ａに肉盛部６７，６９を形成する（印刷工程）。なお、この印刷工程においては、第１の実施形態の印刷工程と同様に、各グリーンシート４１，４２，４３，４４の各表面に、パッド電極１７、外部接続端子１９、配線部２１、シールド部材２３及び接続パッド２５を構成するペーストのスクリーン印刷が同時に行われる。また、この印刷工程の前後若しくは同時に、配線部２１やシールド部材２３を構成するペーストをスルーホール４７，４９に充填する。また、この印刷工程は、少なくともグリーンシート形成工程及び打ち抜き工程の後に行われれば良く、例えば、中間絶縁層準備工程の前や同時に行われるとしても構わない。
【００４６】
そして、上記工程が全て終了した後に、これら複数のグリーンシート４１，４２，４３，４４を厚さ方向に適宜積層してグリーンシート積層体を構成する（積層工程）。この際には、第１の実施形態と同様に、第２のグリーンシート４１を除く複数のグリーンシート４２，４３，４４により凹部１１が構成されることになる。また、この際には、貫通孔４５，６３及び第２のグリーンシート４１により凹部１１の底面１１ａから窪む穴１３が構成されることになる。
さらに、この積層工程においては、図７，８に示すように、第１のグリーンシート４２と第２のグリーンシート４１との間に第３の絶縁層６１を挟み込む。この際には、各グリーンシート４１，４２の肉盛部６７，６９が切欠部６５に挿入されて、これら切欠部６５及び肉盛部６７，６９により穴１３とグリーンシート積層体の外方とを相互に連通する連通孔７１が構成されることになる。
最後に、第１の実施形態と同様の焼成工程を行って複数のグリーンシート４１，４２，４３，４４及び第３の絶縁層６１を焼成すると共に、パッド電極１７、外部接続端子１９及び接続パッド２５にニッケル及び金のめっきを施すことで、セラミック基板の製造が完了する。
【００４７】
上記のセラミック基板、その製造方法、及びセラミック基板を備える半導体装置によれば、第１の実施形態と同様の効果を奏する。すなわち、連通孔７１がスクリーン印刷によって一対の絶縁層２７，２８の表面２７ａ，２８ａに形成された肉盛部６７，６９により構成されているため、グリーンシートからなる第３の絶縁層６１に形成される切欠部６５の幅寸法を高い精度で調整しなくても、連通孔７１の大きさを高精度かつ容易に設定することができる。
したがって、各絶縁層２７，２８の表面２７ａ，２８ａに形成される肉盛部６７，６９の厚さ寸法を高精度に調整することで、空洞部Ｓ１と外方空間との静圧差に基づく気体の流動を許容し、半導体チップ５のダイヤフラム５ａに作用する圧力変動に基づく気体の通過を阻止するように、連通孔７１の寸法を設定することができる。このため、例えば、音響等の圧力変動がダイヤフラム５ａに到達し、これに基づいて外方空間と空洞部Ｓ１との間に動的な圧力差が生じた場合には、連通孔７１を介した気体の出入りが適度に阻止されるため、上記圧力変動に対してダイヤフラム５ａは振動し、半導体チップ５から音響等の圧力変動に基づく出力が得られる。
【００４８】
また、この連通孔７１は肉盛部６７，６９のスクリーン印刷により構成されるため、連通孔７１を形成するための別途加工が不要となる、すなわち、印刷工程においてパッド電極１７、外部接続端子１９、配線部２１、シールド部材２３及び接続パッド２５を同時に形成することができるため、連通孔７１を備えた半導体装置を容易に製造することもできる。
【００４９】
なお、上述した第２の実施形態において、第３の絶縁層６１には、第１の絶縁層２８の貫通孔４５と共に穴１３を構成する貫通孔６３が形成されるとしたが、これに限ることはなく、少なくとも切欠部６５及び肉盛部６７，６９からなる連通孔７１が穴１３に開口していればよい。すなわち、第３の絶縁層６１には、上記実施形態の貫通孔６３の代わりに、例えば、切欠部６５と同様のスリットを形成するとしても構わない。
また、肉盛部６７，６９は、一対の絶縁層２７，２８の両方の表面２７ａ，２８ａに形成されるとしたが、これに限ることはなく、少なくともいずれか一方に形成されていればよい。さらに、肉盛部６７，６９は、銀粉末あるいは銅粉末もしくはタングステン粉末を主成分とするペーストからなる肉盛部６７，６９により構成されるとしたが、これに限ることはなく、少なくとも一方の絶縁層２７，２８の表面２７ａ，２８ａに印刷により形成できる材料から形成されていればよい。したがって、肉盛部６７，６９は、例えば、セラミックや炭化ケイ素（ＳｉＣ）の粉末から形成されるとしても構わない。
【００５０】
また、第３の絶縁層６１は一対の絶縁層２７，２８の表面２７ａ，２８ａ全体に配されるとしたが、少なくとも切欠部６５を形成する位置に配されていればよい。この構成の場合でも、２つのグリーンシート４１，４２により第３の絶縁層６１を挟み込む際に、第３の絶縁層６１の形成部分を避けるようにこれらグリーンシート４１，４２を変形させることができるため、容易に一対のグリーンシート４１，４２を重ね合わせることができる。したがって、セラミック基板を容易に製造することができる。
【００５１】
また、上述した２つの実施形態において、導電層３２の切欠部３３や第３の絶縁層６１の切欠部６５は、穴１３の周縁から絶縁層２７，２８の側端部まで直線状に延びて形成されるとしたが、これに限ることはなく、例えば、穴１３の周縁から絶縁層２７，２８の側端部まで蛇行して形成されるとしても構わない。
さらに、セラミック基板３は、セラミック粉末を含有するペーストから形成されるとしたが、これに限ることはなく、少なくとも一対の絶縁層２７，２８の表面２７ａ，２８ａ全体に導電層３２や第３の絶縁層６１を形成しなくても、これら導電層３２や第３の絶縁層６１を挟み込むことができる材料から形成されていればよい。すなわち、セラミック基板３は、例えば、ガラスクロス入りの有機基板から形成されるとしてもよい。
【００５２】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】この発明の第１の実施形態に係る半導体装置を示す概略側断面図である。
【図２】図１の半導体装置を構成するセラミック基板を示す概略平面図である。
【図３】図２のセラミック基板の要部を示す拡大断面図である。
【図４】図２のセラミック基板の要部を示す拡大断面図である。
【図５】図２のセラミック基板の製造に使用する第２のグリーンシートを示す概略平面図である。
【図６】図１の半導体装置において、音響等の周波数に対する半導体チップのマイク感度を示すグラフである。
【図７】この発明の第２の実施形態に係る半導体装置を構成するセラミック基板の要部を示す拡大断面図である。
【図８】この発明の第２の実施形態に係る半導体装置を構成するセラミック基板の要部を示す拡大断面図である。
【図９】図７，８に示すセラミック基板の製造に使用する第３の絶縁層を示す概略平面図である。
【図１０】図７，８に示すセラミック基板を３つの絶縁層に分解した状態を示す拡大断面図である。
【符号の説明】
【００５４】
１・・・半導体装置、３・・・セラミック基板、５・・・半導体チップ、５ａ・・・ダイヤフラム、７・・・蓋体、９ａ・・・底面（側面）、１１ａ・・・底面（一端面）、１３・・・穴（凹部）、１４，７１・・・連通孔、２７，２８・・・絶縁層、２７ａ，２８ａ・・・表面（対向面）、３２・・・導電層（スペーサ）、３３・・・切欠部、４１・・・第２のグリーンシート、４２・・・第１のグリーンシート、４５・・・貫通孔、５１・・・グリーンシート積層体、６１・・・第３の絶縁層（中間絶縁層）、６５・・・切欠部、６７，６９・・・肉盛部、Ｓ１・・・空洞部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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