【事件の表示】
　特願２０１０−５０７３６４「紫外検出器及び線量計」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１１月１３日国際公開、ＷＯ２００８／１３６７６８、平成２２年　７月２９日国内公表、特表２０１０−５２６４５０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００８年５月２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００７年５月３日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２４年１２月１３日に拒絶理由が通知され、平成２５年６月１８日付けで意見書が提出されるとともに、同日付で手続補正書が提出され、同年８月１２日付けで拒絶査定がなされた。本件は、これに対して、平成２５年１２月２０日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
　
第２　本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２５年６月１８日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「基板と、前記基板上に形成された、波長が３３０ｎｍから３７０ｎｍの間で入射光強度が少なくとも０．３８ｍＷ／ｃｍ２の紫外光を受光し光起電力出力に変換する薄膜層と、前記薄膜層の一表面上に形成され前記光起電力出力を収集するように構成された第１及び第２電極とを具え、前記薄膜層は前記第１及び第２電極間に誘電分極を有する紫外検出素子と、
　増幅器と、
　出力表示装置と、を具え、
　前記紫外検出素子は前記光起電力出力を発生し収集するように構成され、
　前記増幅器は前記紫外検出素子から前記光起電力出力を受信し増幅するように構成され、
　前記出力表示装置は、紫外光が前記一表面で受光されるとき、前記光起電力出力から得られる表示を提供するように構成されている、紫外光検出器。」
　
第３　引用刊行物
１．引用刊行物１
　原査定の拒絶の理由に引用され、原出願の出願前に頒布された刊行物である米国特許出願公開第２００６／０２１３５４９号明細書（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。（日本語訳は、当審が作成した。また日本語訳における下線は、当審が付した。）
　
（ａ）「
 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」 
（日本語訳）
「発明の分野
［０００２］
　本発明は、光起電力素子、特に
強誘電体材料から作られている薄膜光起電力素子
　
（ｂ）「
 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」 
（日本語訳）
「［０００８］
　本発明の実施形態は、薄膜光起電力素子と薄膜光起電力素子を形成する方法を提供する。一態様によれば、薄膜光起電力素子が提供される。
薄膜光起電力素子は、
基板、基板の主表面の平面上に形成された薄膜層、薄膜層の一面に形成された第１および第２の電極、を含む。薄膜層は、光起電力出力を生成するための光を電気に変換する目的を果たす。
電気分極は、第１および第２の電極の間の薄膜層において形成されている。光への暴露の際に、薄膜層は、光エネルギーを電気に変換することで光起電力出力を生成する。したがって、第１および第２の電極は、光起電力出力を収集する。
　
（ｃ）「
 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」 
（日本語訳）
「［００３６］
　図３Ａ及び３Ｂは、本発明の別の実施形態による薄膜光起電力素子を示す。この実施形態では、
強誘電体薄膜層３４は、
基板３０の上に被覆されている。一対の電極３５は、強誘電体薄膜層３４の上面に形成されている。一対の電極３５は、それぞれが複数のフィンガーを有する櫛の形をしている。
［００３７］
　電界３８が、強誘電体薄膜層３４を分極するために、一対の電極３５の間に印加される。その結果、
一対の電極の隣接したフィンガー間の強誘電体層３４において強誘電分極３７が生成、配列され、
それぞれの隣接した一対のフィンガーが光電池ユニットを形成する。紫外光３６のような光の光線が強誘電体層３４の上面を照射したとき、それぞれの光電池ユニットが光起電力信号を生成する。
［００３８］
　本実施形態にしたがって構成された薄膜光起電力素子は、図２に示された構成の利点を有し、そしてさらに、大きい電流を生成する機能を有する。」
　
（ｄ）「
 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」 
（日本語訳）
「［００４６］
　本発明の実施形態による薄膜光起電力素子の製造方法を示すために、図３Ａ及び３Ｂに示された素子を、例として使用する。その方法は、下記で詳細に説明される。
［００４７］
　表面を研磨された直径４インチの（１００）配向単結晶シリコンウェハーが、基板３０として選択される。基板３０は、約１０００℃で９０分間加熱されることで酸化される。この加熱プロセスは、厚さ０．４５μｍのシリコン酸化物の第一の中間層３１を形成する。厚さ０．２１μｍのＳｉ３Ｎ４層３２の第二の中間層は、約７００℃の温度で約４５分間、低圧化学気相成長法により、シリコン酸化物層３１上に、堆積される。続いて、厚さ２００ｎｍのイットリア安定化ジルコニア（ＹＳＺ）バッファ層３３である第三の中間層が、溶液堆積法によりＳｉ３Ｎ４層３２上に形成される。ＹＳＺ薄膜を形成するために、Ｚｒプロポキシドが、０．２Ｍ溶液を得るために、酢酸中に溶解される。ジルコニアは、この溶液に、８モル％の硝酸イットリウム六水和物を添加することにより酸化イットリウムでドープされている。ＹＳＺ前駆体溶液は、マルチプルスピンコーティング法によりＳｉ３Ｎ４層３２上に堆積され、引き続いて熱アニールされる。
［００４８］
　
強誘電体薄膜３４は、ランタンとタングステンで改質された鉛、酸化ジルコン、酸化チタンの組成物、Ｐｂ
０．９７
Ｌａ
０．０３
（Ｚｒ
０．５２
Ｔｉ
０．４８
）Ｏ
３
＋ｘ　ａｔ．　％　ＷＯ
３
　（ｘ＝０〜１）（ＰＬＷＺＴ）、である。
［００４９］
　ＰＬＷＺＴ溶液は、５０００ｒｐｍ２０秒間のマルチプルスピンコーティング法により、以前調整されたＹＳＺ／Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）ウェハー上に堆積される。各層は、３つの塗布サイクル後毎に、２分間４３０℃で熱分解され、続いて４分間５８０℃で熱処理される。９塗布サイクル後の最後の薄膜は、空気中で１０分間７５０℃でアニールされる。最終的な強誘電体薄膜層３４は、約０．５μｍの厚さを有する。
［００５０］
　強誘電体薄膜層３４が形成されると、Ａｕ層が強誘電体層３４上にリフトオフ法により形成される。このプロセスは、電極３５の形成をもたらす。このプロセスの間、フォトレジスト層（図示せず）が、電極のネガパターンを形成するために、フォトリソグラフィ行程に続いてスピンコート法により堆積される。その後、約２００ｎｍのＡｕ膜が、スパッタ法によりウェハー全体の領域を覆うように堆積される。パターニングされたフォトレジストは、残っているフォトレジストと重複する部分のＡｕ層と共に、強誘電体ＰＬＷＺＴ層３４の上に所望の櫛型パターンの電極３５を残して、アセトンにより除去される。
［００５１］
　Ａｕ層の調製中に、約２０ｎｍのＴｉ層（図示せず）が、強誘電体ＰＬＷＺＴ層３４上にＡｕ電極３５の密着性を高めるため使用可能である。
［００５２］
　上記の方法に従ってＰＬＷＺＴ ＮＹＳＺ／Ｓｉ３Ｎ４／ＳｉＯ２／Ｓｉ（１００）ウェハー上に形成された櫛型Ａｕ電極６０の顕微鏡写真が図６に示されている。
［００５３］
　電極の形成が完了すると、約１５０ｋＶ／ｃｍの電界３８が強誘電体薄膜層３４の分極のため電極パッド３５ａと３５ｂの間に印加され、その結果、強誘電体分極３７は、基板３０の主表面３０と平行な方向、それ故に強誘電体薄膜層３４に平行に整列される。
［００５４］
　本発明の
実施形態にしたがって形成された光起電力素子の性能及び特性を、
ＵＶ照射下で調査した。
［００５５］
　１０μｍの電極ギャップを有する光起電力素子の光電圧の過渡応答の光強度依存性が、図７Ａに示され、そして、５分間照射の下での光電圧値が、図７Ｂに示される。示されているように、
光起電力の応答は、光強度の増加とともに増加し、そして、光電圧は、１ｍＷ／ｃｍ
２
を超える光密度における９０秒の照射でほとんど飽和する。
［００５６］
　
図７Ｂは、また、光強度が低いとき、光電圧の増加率がより高いことを示している。これは、光強度が０．２５ｍＷ／ｃｍ
２
より低いときに明白である。
　
（ｅ）「
【図１】
　
【図２】
　
【図７Ａ】
　
【図７Ｂ】
　
 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」 
　
　上記記載事項（ｅ）の図７Ａより、０．６１７，０．７８０，１．１１０及び１．５００ｍＷ／ｃｍ２を含む光強度の紫外線によりサンプルを照射することで、ＰＬＷＺＴ薄膜が光起電力出力を生成していることが読み取れる。
　
　すると、上記引用文献１の記載事項から、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている。 
「基板３０、基板の主表面の平面上に形成されたＰＬＷＺＴ強誘電体薄膜層３４、ＰＬＷＺＴ強誘電体薄膜層３４の一面に形成された第１および第２の電極３５を含み、ＰＬＷＺＴ強誘電体薄膜層３４は光強度が０．６１７，０．７８０，１．１１０及び１．５００ｍＷ／ｃｍ２を含む紫外光３６の照射下で光起電力出力を生成し、第１および第２の電極３５は光起電力出力を収集し、強誘電分極３７が第１および第２の電極３５の間のＰＬＷＺＴ強誘電体薄膜層３４において形成されている、薄膜光起電力素子」
　
２．引用刊行物２
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、Ｋｕｉ　Ｙａｏ，Ｂｅｅ　Ｋｅｅｎ　Ｇａｎ，Ｍｅｉｍａ　Ｃｈｅｎ，ａｎｄ　Ｓａｎｔｉｒａｎｊａｎ　Ｓｈａｎｎｉｇｒａｈｉ，“Ｌａｒｇｅ　ｐｈｏｔｏ−ｉｎｄｕｃｅｄ　ｖｏｌｔａｇｅ　ｉｎ　ａ　ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ　ｔｈｉｎ　ｆｉｌｍ　ｗｉｔｈ　ｉｎ−ｐｌａｎｅ　ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ”，Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．８７，Ｎｏ．２１，２００５，ｐｐ．２１２９０６−１〜２１２９０６−３（以下「引用文献２」という。） には、以下の事項が記載されている。（日本語訳は、当審が作成した。また日本語訳における下線は、当審が付した。）
　
「
 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」 
　
（要約の日本語訳）
　７Ｖの大きな
光誘起電圧が、約８０秒間の紫外線（ＵＶ）照射下で、
（ＰＬＷＺＴ）の組成を有する面内分極の強誘電体薄膜から得られた。
　
（本文の日本語訳）
　光起電力効果は、通常、電子−正孔対の生成、及び、電子と正孔の分離、の２つの基本的なプロセスを含む。半導体の光起電力効果について、ｐｎ接合やショットキー障壁の空間電荷領域における電界が、電荷キャリアを分離する機能を果たし、この電界中では、光誘起電圧は、エネルギー障壁高さにより制限され、通常１Ｖ未満である。強誘電体材料では、内部電界が強誘電体の分極から生じる。したがって、光誘起電圧は、エネルギーバンドギャップにより制限されるものではなく、分極方向電極間距離に比例している。大きな出力電圧は、光起電力のための強誘電体の分極の最も顕著な利点である。強誘電体結晶中の集中的な光誘起電界は、光屈折及び光屈折光学で使用されてきた。加えて、全ての強誘電体材料は、圧電効果を有し、その逆圧電効果と光起電力効果の連結は、バルク強誘電体セラミックスを用いて製造された光駆動アクチュエータに基づいて、光歪機構を形成する。このような、大きな光誘起電圧は、様々なマイクロエレクトロメカニカルシステム（ＭＥＭＳ）及び電気光学システムにおけるリモートコントロール及び無線エネルギー伝達を実現するために非常に有用である。マイクロシステムへの強誘電体の融合に、強誘電体薄膜の実装は非常に望ましい。これまでに、小さい膜厚により生じる制約のため、強誘電体薄膜から、１Ｖ以下の小さい電圧が得られるのみで、強誘電体ベースの光起電力効果による大きな出力電圧というユニークな特徴は、マイクロシステムアプリケーションに利用されていない。
　このレターでは、図１に示すように、我々は、
薄膜表面上に成膜された櫛型電極対を介して、表面の平面に沿って強誘電体薄膜を分極した。
強誘電体薄膜は、
（ＰＬＷＺＴ）の組成のものを使用した。
　図１（ａ）に示すように、
ＰＬＷＺＴ薄膜を、
シリコンウェハー上に作製した。
１０及び２５μｍの異なるギャップを有する、Ａｕ櫛型電極層が、
成膜された。
　電界は、ＰＬＷＺＴ薄膜の分極のため、表面平面に沿って、櫛型電極を横切って印加された。
光起電力特性を、
紫外線（ＵＶ）照射の下で試験した。
　ＰＬＷＺＴ薄膜の測定された開放電圧と短絡電流の波長依存性は、図２に示されている。
観測された光起電力効果は、照明光の波長に強く依存する。最大電圧と最大電流のいずれも、ＰＬＷＺＴのエネルギーバンドギャップにほぼ対応する波長３６５ｎｍで得られる。
　
３６５ｎｍの異なる強度でのＵＶ照射の下での開放電圧の瞬間的な応答が図３（ａ）に示されており、５分間の照射後の平行電圧の値が図３（ｂ）にまとめられている。４．４ｋＶ／ｃｍの電界に相当する４．４Ｖの大きさの電圧が、２００ｋＶ／ｃｍで分極された、１０μｍの電極ギャップを有するサンプルを用いて、１．５ｍＷ／ｃｍ
２
の光強度の下で得られた。
応答速度と電圧出力の大きさのいずれも、光強度の増加に伴って改善されることに、留意されたい。
　図４（ａ）は、櫛型電極を介して二つの反対方向に交互に分極されている強誘電体薄膜における、二つの反対の極性に対する電圧の瞬間的な応答を示している。これは、光起電力出力の方向は、分極電界に伴って切り替えることができることを示している。加えて、電圧の大きさは、また、分極電界の強度に依存することが、図４（ｂ）に示されている。したがって、電圧の方向及び大きさの両方が、電気的分極を介して変更することができる。これは、出力電圧の方向及び大きさが固定された半導体の光起電力素子とは区別される。電力出力と入射光の転換率は、通常、今後の課題として詳述され取り組む予定の、薄膜の表面状態に非常に依存する。
　原理的には、大きな電圧が、電極間のより大きなギャップを用いて得ることができる。しかし、ギャップが大きくできなければ、強誘電体薄膜も表面平面に沿って効率的に分極化することができないであろう。例えば、２５μｍの電極ギャップを有するサンプル上において１５０ｋＶ／ｃｍを得るためには、３７５Ｖの大きな電圧が櫛型電極間に印加される。それにもかかわらず、薄膜がまだ完全に分極されておらず、出力電圧が大きな分極電界によりさらに改善されることができる必要がある。
　面内分極構成は、対称性良く作ることができ、そしてそのため、強誘電体薄膜の分極方向の単純変化により切り替え可能である、対称な電圧及び電流の双方の状態が提供される。この特性は、光読み取り可能なメモリアプリケーションにとって、潜在的に魅力的である。対照的に、強誘電体の分極が膜厚方向に沿って配向されても、２つの反対の厚み方向における電圧と電流は対称でない。上部電極との界面におけるショットキー障壁は、同じ電極材料を用いてすら、別の加工履歴となっている下部電極のそれとは異なる。さらに、酸素及び鉛の空孔といった結晶格子欠陥は、電荷輸送及び光起電力特性を決定する上できわめて重要な役割を果たし、膜厚方向に沿って異なって分配するため、厚み方向のｐｎ接合といった意図しないエネルギー障壁を生成する。そのようなｐｎ接合が、サンドイッチ構造において、観察された光起電力現象を支配することができることを、結果として示した報告がいくつかされている。
 光が最初に不透明な上部電極層を貫通する必要のある強誘電体薄膜の典型的な面外サンドイッチ電極構造とは対照的に、面内の光起電構成は、強誘電体薄膜へ直接光のアクセスを提供することに留意されたい。これは、小さな入射光強度における大きな電圧（〜１ｍＷ／ｃｍ２）を得る一助となるもう一つの要因である。
　強誘電体薄膜における大規模かつ制御可能な光誘起電圧は、多くの光駆動素子やマイクロシステムのために利用することができる。面内に構成された内部電界を用いて光から大きな電圧を発生させる基本的な概念は、内部電界が強誘電体の分極を起源としないような非強誘電体ベースの光起電力機構へ、さらに拡張することができる。
　要約すると、我々は、薄膜の厚みが小さいことから生じる電極間距離の制約を破るために、
櫛型電極対を介して表面平面に沿った薄膜の分極により、強誘電体ＰＬＷＺＴ薄膜からの７Ｖの非常に大きな光誘起電圧を得た。
　
（図面の説明の日本語訳）
　図１（ａ）面内の分極を有する強誘電体ＰＬＷＺＴ薄膜の構造とＵＶ照射下で高電圧を発生する作動原理を示す概略図。及び（ｂ）ＰＬＷＺＴ薄膜上に作製した櫛型電極（Ａｕ）の上面図。
　
　図２ 面内分極したＰＬＷＺＴ薄膜の光誘起開放電圧と短絡電流の波長依存性。櫛型電極は、３４対のフィンガーのそれぞれの間に１０μｍのギャップを有している。入射光密度は、１．１１ｍＷ／ｃｍ２である。
　
　図３ 櫛型電極を有するＰＬＷＺＴ薄膜の開放電圧の光強度依存性。
入射ＵＶ光が３６５ｎｍの波長を有する。（ａ）瞬間的な応答：曲線（１）−（５）は、それぞれ２００ｋＶ／ｃｍで分極した後、０．１０，０．３６，０．６２，１．１１，及び１．５０ｍＷ／ｃｍ
２
の光強度で、１０μｍの電極ギャップを有する１つのサンプルから得られた。
  　
　図４ 面内分極したＰＬＷＺＴ薄膜における光誘起電圧の変化（ａ）膜の分極方向（ｂ）分極電界の強さ。電極ギャップは１０μｍ。
　
　
　上記引用文献２において、櫛型電極対以外に、ＰＬＷＺＴ強誘電体薄膜と接する電極が存在しないため、上記櫛型電極対がＰＬＷＺＴ強誘電体薄膜の光起電力効果による出力を収集していると解される。
　図３より、３６５ｎｍの波長を有し、０．６２，１．１１，及び１．５０ｍＷ／ｃｍ２を含む光強度の紫外線によりサンプルを照射することで、ＰＬＷＺＴ薄膜が光起電力出力を生成していることは明らかである。
　
　すると、上記引用文献２の記載事項から、引用文献２には、以下の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されている。 
「シリコンウェハー、シリコンウェハー上に作製したＰＬＷＺＴ強誘電体薄膜、ＰＬＷＺＴ強誘電体薄膜上に成膜された櫛型電極対、を有し、紫外線照射によりＰＬＷＺＴ強誘電体薄膜から誘起電圧が得られ、光起電力効果による最大電圧と最大電流のいずれもＰＬＷＺＴのエネルギーバンドギャップにほぼ対応する波長３６５ｎｍで得られ、０．６２，１．１１，及び１．５０ｍＷ／ｃｍ２を含む光強度の紫外線によりサンプルを照射することでＰＬＷＺＴ薄膜が光起電力出力を生成し、櫛型電極対がＰＬＷＺＴ強誘電体薄膜の光起電力効果による出力を収集し、薄膜表面上に成膜された櫛型電極対を介して強誘電体薄膜が分極される、サンプル」
　
３．原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００６−７３６６９号公報（以下「引用文献３」という。） には、以下の事項が記載されている。（下線は、当審が付した。）
　
（ａ）「【技術分野】
【０００１】
  本発明はセンサ、センサアレイ、電流測定装置に関し、特に紫外線領域の電磁波を入力エネルギーとするセンサ、センサアレイ、電流測定装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
  近年、紫外線リソグラフィー等の普及に伴い、工業プロセスにおける紫外線センサの重要性は増している。また、
環境モニタ用の紫外線センサ
小型高性能な紫外線センサの開発が期待されている。
　
（ｂ）「【発明の効果】
【００２９】
  本発明によれば、誘電体を用いた光起電力部と、この光起電力部を挟んで設けられた一対の電極とを含み、
光起電力部に照射される光のエネルギーに応じた電力を導出する構成を採用する
【発明を実施するための最良の形態】
【００３０】
  以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。なお、以下の説明において参照する各図では、他の図と同等部分は同一符号によって示されている。
（センサの構成）
  図１は、本発明によるセンサの実施形態の構成を示すブロック図である。同図に示されている
センサは、紫外線感光部１を含んで構成され
  また、同図に示されている
センサは、演算回路２と、出力回路３と、表示部７とを含んで構成されている。
【００３１】
  演算回路２は、電流電圧変換部５と、マイコン６によって実現されるＡ／Ｄ変換器８とから構成されている。この
演算回路２では、紫外線感光部１で発生した電流１４０を演算増幅器による電流電圧変換部５で電圧に変換する。
紫外線光量に比例した電流値データを算出する。
出力回路３として機能する、表示駆動信号変換部１１に入力される。この表示駆動信号変換部１１は、電流値データを、表示器４を駆動するための駆動信号に変換する。
表示器４を有する表示部７
【００３２】
  
表示器４は、
出力回路３から送出される信号を受け文字に変換し表示を行う。
  なお、マイコン６の動作させるために必要な電源は、電池により供給してもよいし、太陽電池により供給してもよい。
【００３３】
（紫外線感光部の構造）
  図２は、膜構造体を使用した紫外線感光部１の積層構造例を示す図である。この紫外線感光部は、下から順に酸化シリコン（ＳｉＯ2）膜２１、シリコン（Ｓｉ）基板２２、酸化シリコン膜２３、チタン（Ｔｉ）膜２４と白金（Ｐｔ）膜２５からなる下部電極、光起電力部となる膜構造体２６、錫添加酸化インジウム（ＩＴＯ）膜からなる上部電極２７から構成されている。つまり、この
紫外線感光部は、
光起電力部に照射される光のエネルギーに応じた電力を導出する
　
（ｃ）「
【図１】
 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」 
　
　
第４　対比
１．本願発明と引用発明１の対比
（１）対比
（ａ）引用発明１の「基板３０」は、本願発明の「基板」に相当する。
　
（ｂ）引用発明１の「光強度が０．６１７，０．７８０，１．１１０，１．５００ｍＷ／ｃｍ２を含む紫外光３６」は、本願発明の「入射光強度が少なくとも０．３８ｍＷ／ｃｍ２の紫外光」に相当するから、
引用発明１の「基板の主表面の平面上に形成されたＰＬＷＺＴ強誘電体薄膜層３４」「を含み、」「ＰＬＷＺＴ強誘電体薄膜層３４は光強度が０．６１７，０．７８０，１．１１０，１．５００ｍＷ／ｃｍ２を含む紫外光３６の照射下で光起電力出力を生成」する構成と、本願発明の「前記基板上に形成された、波長が３３０ｎｍから３７０ｎｍの間で入射光強度が少なくとも０．３８ｍＷ／ｃｍ２の紫外光を受光し光起電力出力に変換する薄膜層と、」「を具え」る構成とは、「前記基板上に形成された、入射光強度が少なくとも０．３８ｍＷ／ｃｍ２の紫外光を受光し光起電力出力に変換する薄膜層と、」「を具え」る構成で共通する。
　
（ｃ）引用発明１の「ＰＬＷＺＴ強誘電体薄膜層３４の一面に形成された第１および第２の電極３５を含み、」「第１および第２の電極３５は光起電力出力を収集」する構成は、本願発明の「前記薄膜層の一表面上に形成され前記光起電力出力を収集するように構成された第１及び第２電極とを具え」る構成に相当する。
　
（ｄ）引用発明１の「強誘電分極３７が第１および第２の電極３５の間のＰＬＷＺＴ強誘電体薄膜層３４において形成されている」構成は、本願発明の「前記薄膜層は前記第１及び第２電極間に誘電分極を有する」構成に相当する。
　
（ｅ）引用発明１の「薄膜光起電力素子」は、本願発明の「紫外検出素子」に相当し、また、引用発明１の「薄膜光起電力素子」において、「ＰＬＷＺＴ強誘電体薄膜層３４」が「紫外光３６の照射下で光起電力出力を生成し、」「第１および第２の電極３５」が「光起電力出力を収集」するように構成されていることは、本願発明の「前記紫外検出素子は前記光起電力出力を発生し収集するように構成され」ていることに相当する。
　
（２）一致点
　してみると、両者は、
 「基板と、前記基板上に形成された、入射光強度が少なくとも０．３８ｍＷ／ｃｍ２の紫外光を受光し光起電力出力に変換する薄膜層と、前記薄膜層の一表面上に形成され前記光起電力出力を収集するように構成された第１及び第２電極とを具え、前記薄膜層は前記第１及び第２電極間に誘電分極を有する紫外検出素子であって、前記紫外検出素子は前記光起電力出力を発生し収集するように構成されている、紫外検出素子。」で一致し、次の各点で相違する。 
　
（３）相違点
（ａ）本願発明では、紫外光について「波長が３３０ｎｍから３７０ｎｍの間」であるのに対して、引用発明１では、紫外光の波長が不明な点。
　
（ｂ）本願発明は、「増幅器と、
　出力表示装置と、を具え、」
「前記増幅器は前記紫外検出素子から前記光起電力出力を受信し増幅するように構成され、
　前記出力表示装置は、紫外光が前記一表面で受光されるとき、前記光起電力出力から得られる表示を提供するように構成されている、紫外光検出器」であるのに対し、引用発明１は、薄膜光起電力素子である点。
　
２．本願発明と引用発明２の対比
（１）対比
（ａ）引用発明２の「シリコンウェハー」は、本願発明の「基板」に相当する。
　
（ｂ）引用発明２の「０．６２，１．１１，及び１．５０ｍＷ／ｃｍ２を含む光強度の紫外線」は、本願発明の「入射光強度が少なくとも０．３８ｍＷ／ｃｍ２の紫外光」に相当するから、
引用発明２の「シリコンウェハー上に作製したＰＬＷＺＴ強誘電体薄膜」「を有し、」「紫外線照射によりＰＬＷＺＴ強誘電体薄膜から誘起電圧が得られ、光起電力効果による最大電圧と最大電流のいずれもＰＬＷＺＴのエネルギーバンドギャップにほぼ対応する波長３６５ｎｍで得られ、」「０．６２，１．１１，及び１．５０ｍＷ／ｃｍ２を含む光強度の紫外線によりサンプルを照射することでＰＬＷＺＴ薄膜が光起電力出力を生成」する構成は、本願発明の「前記基板上に形成された、波長が３３０ｎｍから３７０ｎｍの間で入射光強度が少なくとも０．３８ｍＷ／ｃｍ２の紫外光を受光し光起電力出力に変換する薄膜層と、」「を具え」る構成に相当する。
　
（ｃ）引用発明２の「ＰＬＷＺＴ強誘電体薄膜上に成膜された櫛型電極対、を有し、」「ＰＬＷＺＴ強誘電体薄膜の光起電力効果による出力を収集」する構成は、本願発明の「前記薄膜層の一表面上に形成され前記光起電力出力を収集するように構成された第１及び第２電極とを具え」る構成に相当する。 
　
（ｄ）引用発明２の「薄膜表面上に成膜された櫛型電極対を介して強誘電体薄膜が分極される」構成は、本願発明の「前記薄膜層は前記第１及び第２電極間に誘電分極を有する」構成に相当する。
　
（ｅ）引用発明２の「サンプル」は、本願発明の「紫外検出素子」に相当し、また、引用発明２の「サンプル」において、「紫外線照射によりＰＬＷＺＴ強誘電体薄膜から誘起電圧が得られ」、「櫛型電極対がＰＬＷＺＴ強誘電体薄膜の光起電力効果による出力を収集」するように構成されていることは、本願発明の「前記紫外検出素子は前記光起電力出力を発生し収集するように構成され」ていることに相当する。
　
（２）一致点
　してみると、両者は、
 「基板と、前記基板上に形成された、波長が３３０ｎｍから３７０ｎｍの間で入射光強度が少なくとも０．３８ｍＷ／ｃｍ２の紫外光を受光し光起電力出力に変換する薄膜層と、前記薄膜層の一表面上に形成され前記光起電力出力を収集するように構成された第１及び第２電極とを具え、前記薄膜層は前記第１及び第２電極間に誘電分極を有するサンプルであって、前記サンプルは前記光起電力出力を発生し収集するように構成されている、サンプル。」で一致し、次の点で相違する。 
　
（３）相違点
（ｃ）本願発明は、「増幅器と、
　出力表示装置と、を具え、」
「前記増幅器は前記紫外検出素子から前記光起電力出力を受信し増幅するように構成され、
　前記出力表示装置は、紫外光が前記一表面で受光されるとき、前記光起電力出力から得られる表示を提供するように構成されている、紫外光検出器」であるのに対し、引用発明２は、サンプルである点。
　
　
第５　判断
１．引用発明１を主引例とした本願発明の進歩性についての判断
（１）相違点（ａ）について
　引用文献２の本文の５段落目には、「最大電圧と最大電流のいずれも、ＰＬＷＺＴのエネルギーバンドギャップにほぼ対応する波長３６５ｎｍで得られる。」ことが記載されている。
　そうすると、引用発明１の「ＰＬＷＺＴ強誘電体薄膜層３４」も、ＰＬＷＺＴのエネルギーバンドギャップにほぼ対応する波長３６５ｎｍの紫外光の照射により光起電力出力を生成するものである。
　したがって、引用発明１の「ＰＬＷＺＴ強誘電体薄膜層３４」に照射する紫外光３６として、上記波長３６５ｎｍを含む範囲の紫外光を用いることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　
（２）相違点（ｂ）について
　引用文献３の【００３０】には、紫外線感光部１、演算回路２、出力回路３、表示部７とを含んで構成された紫外線センサが記載されており、【００３１】には、演算回路２は、紫外線感光部１で発生した電流１４０を演算増幅器による電流電圧変換部５で電圧に変換し、後に紫外線光量に比例した電流値データを算出すること、出力回路３は、電流値データを表示器４を駆動するための駆動信号に変換すること、表示部７が表示器４を有すること、【００３２】には、表示器４は、出力回路３から送出される信号を受け表示を行うこと、【００３３】には、紫外線感光部１は、光起電力部に照射される光のエネルギーに応じた電力を導出すること、についても記載されている。
　引用文献３の「紫外線感光部１」、「電流電圧変換部５」、「表示器４」及び「紫外線センサ」は、本願発明の「紫外検出素子」、「増幅器」、「出力表示装置」及び「紫外光検出器」にそれぞれ相当しており、引用文献３の、紫外線感光部１は、光起電力部に照射される光のエネルギーに応じた電力を導出することは、本願発明の「前記紫外検出素子は前記光起電力出力を発生し収集するように構成され」ていることに相当し、引用文献３の、紫外線感光部１で発生した電流１４０を演算増幅器による電流電圧変換部５で電圧に変換することは、本願発明の「前記増幅器は前記紫外検出素子から前記光起電力出力を受信し増幅するように構成され」ていることに相当し、引用文献３の、演算回路２は、紫外線感光部１で発生した電流１４０を演算増幅器による電流電圧変換部５で電圧に変換し、後に紫外線光量に比例した電流値データを算出し、出力回路３は、電流値データを表示器４を駆動するための駆動信号に変換し、表示器４は、出力回路３から送出される信号を受け表示を行うことは、本願発明の「前記出力表示装置は、紫外光が前記一表面で受光されるとき、前記光起電力出力から得られる表示を提供するように構成されている」ことに相当する。
　また、引用文献３の「紫外線感光部１」は、膜構造体を使用した積層構造であるから、引用発明１の「薄膜光起電力素子」に相当する。
　そして、引用文献３には、「紫外線感光部１」を「紫外線センサ」に応用することが示されているから、引用発明１に対して、引用文献３における演算回路２、出力回路３、表示部７を適用して紫外線センサとすることで、上記相違点（ｂ）に係る発明特定事項を得ることは当業者が容易に想到し得ることである。
　
（３）審判請求人の主張について
（ａ）引用文献１について
　審判請求人は、審判請求書の「３．本願発明が特許されるべき理由」「（２）拒絶理由に対する意見」「（ａ）引用発明１について」で、次のように主張している。
　
「引用文献１には、単に光を電気に変換することを目的とする薄膜光電デバイス（光を利用して物体の有無や表面状態の変化などを検出するセンサ）が記載されており、紫外光検出器については記載も示唆もありません。 
　また、引用文献１には、ＵＶスペクトルにおけるデバイスの検出能力を示すための、デバイスのスペクトル応答や、異なるＵＶ強度に対する光電流応答について記載も示唆もありません。 
　そのため、当業者は紫外光検出器として引用文献１に記載のデバイスを適用することの動機付けがありません。 
　引用文献１に紫外光検出器が開示されているというためには、以下の重要な情報を開示する必要があります。 
（ア）ＵＶ強度と光電流の相関関係（例えば、好適には線形関係） 
（イ）実用的な光検出器とするための十分に高い光電流（単に外部の電気計測器によって検出されるのではなく） 
（ウ）広帯域スペクトルである紫外光検出器として有用であることを示す十分に広いＵＶ帯域でのスペクトル応答 
　引用文献１は、デバイスのＵＶ光強度に対する光起電力に関する特性のみを開示するものであって、上記（ア）（イ）（ウ）を開示しておりません。 
　引用発明１は、図７を参照するに、現実的に時間領域で９０秒を超える非常に遅い応答時間及びＵＶ強度に対する複雑な非線形挙動のために、ＵＶ測定のための基礎として使用することができず、また、ＵＶ電力が増加すると光起電力はさらに飽和する傾向さえあります。また、引用文献１にはＵＶ強度に対して光電流がどのように変化するか記載されておらず、異なるＵＶ強度の下で光電流の変化を現実的にデバイス回路で検出できるか不明です。 
　さらに、紫外光検出器は広帯域（３３０〜３７０ｎｍ）のスペクトルを検出する必要がありますが、引用文献１にはデバイスのスペクトル応答に関する情報が提供されていないため、十分に広いＵＶ帯域幅にわたって応答できるかどうか不明です。 
　以上より、当業者は引用発明１に基づいて本願発明の紫外光検出器に到達することができないと思料します。 」
　
　引用文献１の［００５４］〜［００５６］、図７Ａ、図７Ｂには、ＵＶ強度と出力との関係が示されており、９０秒より短い時間で出力を得ていることも示されている。また引用文献２の図２には、３６０〜３６５ｎｍの更に前後の帯域において光電圧とともに光電流が得られることが示されており、引用文献１の「ＰＬＷＺＴ強誘電体薄膜層３４」は引用文献２の「ＰＬＷＺＴ強誘電体薄膜」と同様のものであるから、光電流出力についても本願の優先日前に公知のものである。広いＵＶ帯域でのスペクトル応答は、「広帯域スペクトルである紫外光検出器」としては有用であるとしても、常に「紫外光検出器」として必須のものではない。
　したがって、「当業者は紫外光検出器として引用文献１に記載のデバイスを適用することの動機付けがありません」との請求人の主張は、当を得ないものである。
　
（ｂ）引用発明１−３の組み合わせについて
　審判請求人は、審判請求書の「３．本願発明が特許されるべき理由」「（２）拒絶理由に対する意見」「（ｅ）引用発明１−３の組み合わせについて」で、次のように主張している。
　
「引用発明３を引用発明１及び／又は２と組み合わせても、当業者は依然として、分極された強誘電体薄膜の一表面上に一対の電極を備え、応答時間が速く、ＵＶ強度変化に対して線形性を示す光電流を出力し、広いＵＶ帯域にわたって紫外光を検出できる本願発明の紫外光検出器を容易に想到できないと思料します。なぜなら、引用文献３に記載のセンサは、引用文献１及び２に記載のセンサとは構造が全く異なるからです。引用発明１及び２は、分極された強誘電体薄膜と同一平面上に配置された電極を有するセンサであり、引用発明３を補完するものではありません。 
　さらに、引用文献３には、引用文献２よりも数桁も大きい光電流を生成することが記載されており、引用発明３は、光電流として生成されるピコアンペアの微小な電流を効果的にＵＶ検出アプリケーションとして利用可能とする引用発明２を補完するものではありません。 
　つまり、引用発明１−３を組み合わせても、複雑で創造的な変更を行うことなく本願発明に到達することができず、そのような変更も成功する可能性は低いと考えます。 
　したがって、当業者は引用発明１−３の組み合わせに基づいて本願発明に係る紫外光検出器を容易に想到できないと思料します。 」
　
　しかしながら、引用発明１の「薄膜光起電力素子」、引用文献２に記載された「サンプル」及び引用文献３に記載された「紫外線感光部１」は、紫外光の照射により光起電力出力を生成する点で共通しているから、それぞれの具体的構成の差違が、引用発明１と、引用文献２及び引用文献３に記載された技術事項の組み合わせを阻害するものではない。
　また、検出部からの出力に対応した回路設計とすることは一般的に行われるものであるから、出力される光電流が異なる点についても、引用発明１と、引用文献２及び引用文献３に記載された技術事項の組み合わせを阻害するものでない。
　
（４）効果について
　本願発明が奏し得る効果は、引用発明１、引用文献２及び引用文献３に記載された技術事項から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
（５）結論
　本願発明は、引用発明１、引用文献２及び引用文献３に記載された技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
２．引用発明２を主引例とした本願発明の進歩性についての判断
（１）相違点（ｃ）について
　引用文献３については、上記「１．引用発明１を主引例とした本願発明の進歩性についての判断」の「（２）相違点（ｂ）について」で述べたとおりである。
　また、引用文献３の「紫外線感光部１」は、膜構造体を使用した積層構造であるから、引用発明２の「サンプル」に相当する。
　そして、引用文献３には、「紫外線感光部１」を「紫外線センサ」に応用することが示されているから、引用発明２に対して、引用文献３における演算回路２、出力回路３、表示部７を適用して紫外線センサとすることで、上記相違点（ｃ）に係る発明特定事項を得ることは当業者が容易に想到し得ることである。
　
（２）請求人の主張について
（ａ）引用文献２について
　審判請求人は、審判請求書の「３．本願発明が特許されるべき理由」「（２）拒絶理由に対する意見」「（ｂ）引用発明２について」で、次のように主張している。
　
「引用文献２は、図２を参照するに、単に面内の分極した強誘電体ＰＬＷＺＴ薄膜の光電流及び光起電力のスペクトル応答を示しているだけであり、いずれも３６０〜３６５ｎｍという非常に狭く限られた範囲における応答を示しています。さらに、図２に示されている最大光電流はわずか２０ｐＡであり、外部のエレクトロメータによってピックアップされる必要があります。 
　また引用文献２は、図３を参照するに、光起電力のＵＶ強度変化に対する応答時間は非常に遅く（９０秒を超える）、ＵＶ強度に対して複雑な非線形挙動を示します。 
　さらに、引用文献２には、図２，３の特性を示す強誘電体ＰＬＷＺＴ薄膜を紫外光検出器に適用することについての記載も示唆もありません。 
　引用文献２に紫外光検出器が開示されているというためには、以下の重要な情報を開示する必要があります。 
（ア）ＵＶ強度と光電流の相関関係（例えば、好適には線形関係） 
（イ）実用的な光検出器とするための十分に高い光電流（単に外部の電気計測器によって検出されるのではなく） 
（ウ）広帯域スペクトルである紫外光検出器として有用であることを示す十分に広いＵＶ帯域でのスペクトル応答 
　引用文献１と同様に引用文献２も、上記（ア）（イ）（ウ）を開示しておりません。引用文献２には、３６０〜３６５ｎｍの非常に狭いスペクトル範囲で、１．１１ｍＷ／ｃｍ２のＵＶ強度に対する開回路光電圧と２０ｐＡの短絡回路光電流が開示されているにすぎません。
　引用発明２は、図３を参照するに、現実的に時間領域で９０秒を超える非常に遅い応答時間及びＵＶ強度に対する複雑な非線形挙動のために、ＵＶ測定のための基礎として使用することができません。
　ｐＡレベルでの短絡回路光電流は、外部の高インピーダンスエレクトロメータ（Keithley 6514）によってピックアップすることができるかもしれませんが、引用文献２にはＵＶ強度に対して光電流がどのように変化するか記載されておらず、異なるＵＶ強度の下で微小な光電流の変化を現実的にデバイス回路で検出できるか不明です。 
　また、引用文献２は、ＵＶ強度及び／又は時間に対する光電流応答の変化を測定・表示するための電流測定モードでのエレクトロメータの設定を示しておらず、このため、紫外光検出器への適用を意図していないと思料します。
　このように、当業者は引用文献２に記載のデバイスの光起電力特性の検討に基づいて、本願発明の紫外光検出器を容易に想到できないと思料します。
　なお、当業者は、外部の高インピーダンスエレクトロメータを、光電流だけでなく光電流応答のＵＶ強度変化に対する変化をピックアップするための増幅器や、紫外光検出器内に備えられた出力表示装置と同一視しないと思料します。 」
　
　引用文献２の図２には、３６０〜３６５ｎｍの更に前後の帯域において光電圧とともに光電流が得られることが示されている。また、引用文献２の図３には、ＵＶ強度と出力との関係が示されており、図３（ａ）には９０秒より短い時間での出力、図３（ｂ）には線形挙動についても示されている。広いＵＶ帯域でのスペクトル応答は、「広帯域スペクトルである紫外光検出器」としては有用であるとしても、常に「紫外光検出器」として必須のものではない。
　したがって、「引用発明２は、図３を参照するに、現実的に時間領域で９０秒を超える非常に遅い応答時間及びＵＶ強度に対する複雑な非線形挙動のために、ＵＶ測定のための基礎として使用することができません」との請求人の主張は、当を得ないものである。
（ｂ）引用発明１−３の組み合わせについて
　上記「１．引用発明１を主引例とした本願発明の進歩性についての判断」「（３）請求人の主張について」の「（ｂ）引用発明１−３の組み合わせについて」で述べたのと同様に、センサの構造の違いや出力される光電流が異なる点は、引用発明２と引用文献３に記載された技術事項の組み合わせを阻害するものでない。
　
（３）効果について
　本願発明が奏し得る効果は、引用発明２及び引用文献３に記載された技術事項から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
（４）結論
　本願発明は、引用発明２及び引用文献３に記載された技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　
第６　むすび
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。