【事件の表示】
　上記当事者間の特許第３０２８６６０号発明「ダイヤモンドヒートシンクの製造方法」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　訂正を認める。
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件特許第３０２８６６０号の請求項１〜６に係る発明は、平成３年１０月２１日に特許出願され、平成１２年２月４日にそれら発明に係る特許権の設定の登録がなされた。
　そして、平成１３年５月１４日付けで前記請求項１〜６に係る特許を無効とすることについての審判が請求され、被請求人より平成１３年９月２５日付けで訂正請求書と答弁書が提出され、平成１４年３月８日付けで請求人から弁ぱく書が提出された。
　
２．訂正請求について
２−１．訂正事項
（あ）特許請求の範囲の請求項１の記載を、「【請求項１】気相合成法により合成された、粒径が５０μｍ以下のダイヤモンド多結晶体を準備した後、前記多結晶体の表面にレーザを用いて溝を形成する工程と、少なくとも上下２面に金属化処理する工程とを経て、前記溝に沿って、前記多結晶体に圧力を加えて機械的に分割し、前記金属化処理か施された上下二面の間の電気抵抗が１×１０６Ω以上であることを特徴とする、ダイヤモンドヒ一トシンクの製造方法。」と訂正する。
（い）特許明細書の段落番号【００１１】の記載を、「【課題を解決するための手段、発明の作用効果】　この発明に従ったダイヤモンドヒートシンクの製造方法によれば、気相合成法により合成された、粒径が５０μｍ以下のダイヤモンド多結晶体を準備した後、前記多結晶体の表面にレーザを用いて溝を形成する工程と、少なくとも上下２面に金属化処理する工程とを経て、前記溝に沿って、前記多結晶体に圧力を加えて機械的に分割し、前記金属化処理が施された上下二面の間の電気抵抗が１×１０６Ω以上であることを特徴とする、ダイヤモンドヒートシンクの製造方法に関するものである。この方法によれば、ダイヤモンドの多結晶体を溝に沿って一挙に分割することが可能となる。よって、加工は容易となり、加工に要する時間も短くて済む。また切りしろは、溝を形成した分しか生じないため。歩留まりが高くなる。以上のように、加工時間の短縮及び歩留まりの向上などによって加工コストは低減する。電気抵抗値は、一般に、半導体レーザに必要な絶縁抵抗値であり、これ以下の抵抗値になると半導体レーザの特性が低下する。」と訂正する。
（う）特許明細書の段落番号【００１７】の記載を、「なお、気相合成法により合成されたダイヤモンドの多結晶体は、室温から２００℃までの温度範囲において、熱伝導率が５Ｗ／ｃｍ・Ｋ以上であることが望ましい。また、ダイヤモンドの多結晶体の粒径は、５０μｍ以下と規定する。これは、ダイヤモンドの多結晶体を分割したときに、欠損が生じにくい粒径の範囲である。」と訂正する。
　
２−２．訂正の適否
　訂正事項（あ）は、請求項１における「気相合成法により合成されたダイヤモンド多結晶体」という記載を、「気相合成法により合成された、粒径が５０μｍ以下のダイヤモンド多結晶体」と訂正したものであるところ、当該訂正は、特許明細書の段落番号【００１７】の記載に基づき、訂正前の請求項１に記載されていたダイヤモンド多結晶体を限定するものであるから、特許請求の範囲の減縮に係るものであり、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでない。
　訂正事項（い）、（う）は、訂正事項（あ）と整合させるべく訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に係り、訂正事項（あ）と同様の理由で、願書に添付した明細書に記載した事項の範囲内においてなされたものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでない。
　したがって、訂正事項（あ）〜（う）に係る訂正は、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項の規定によりなお従前の例によるとされる、平成６年法律第１１６号による改正前の特許法第１３４条第２項ただし書、および同条第５項で準用する同法第１２６条第２項の規定に適合するものであり、適法なものと認める。
　
３．本件発明
　本件の請求項１〜６に係る発明は、平成１３年９月２５日付けの訂正請求書に添付された全文訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された次のとおりのものと認める。
　請求項１に係る発明（以下、本件発明１という。）：
気相合成法により合成された、粒径が５０μｍ以下のダイヤモンド多結晶体を準備した後、前記多結晶体の表面にレーザを用いて溝を形成する工程と、少なくとも上下２面に金属化処理する工程とを経て、前記溝に沿って、前記多結晶体に圧力を加えて機械的に分割し、前記金属化処理が施された上下二面の間の電気抵抗が１×１０６Ω以上であることを特徴とする、ダイヤモンドヒ一トシンクの製造方法。
　請求項２に係る発明（以下、本件発明２という。）：
前記レーザは、ＹＡＧレーザである請求項１に記載のダイヤモンドヒートシンクの製造方法。
　請求項３に係る発明（以下、本件発明３という。）：
前記分割された多結晶体の縁部の欠損部の大きさは５０μｍ以下である、請求項１に記載のダイヤモンドヒートシンクの製造方法。
　請求項４に係る発明（以下、本件発明４という。）：
前記溝の底部からそれに対向する前記多結晶体の表面までの距離は０．０３ｍｍ以上０．３ｍｍ以下である、請求項１に記載のダイヤモンドヒートシンクの製造方法。
　請求項５に係る発明（以下、本件発明５という。）：
前記気相合成法により合成されたダイヤモンドの比抵抗が１０９Ω・ｃｍ以上である、請求項１に記載のダイヤモンドヒートシンクの製造方法。
　請求項６に係る発明（以下、本件発明６という。）：
前記気相合成法により合成されたダイヤモンドの熱伝導率が５Ｗ／ｃｍ・Ｋ以上２０Ｗ／ｃｍ・Ｋ以下である、請求項１に記載のダイヤモンドヒートシンクの製造方法。
　
４．請求人の主張
（４−１）請求の趣旨
　本件無効審判の請求の趣旨は、『「特許第３０２８６６０号の請求項１〜６に係る特許を無効とする。審判費用は被請求人の負担とする。」との審決を求める。』というにある。
　
（４−２）証拠方法
甲第１号証：ＥＰ−Ａ１ 　０３９１４１８
甲第２号証：米国特許第３１１２８５０号明細書
甲第３号証：米国特許第４２４８３６９号明細書
甲第４号証：第２回国際会議会報、ダイヤモンドの新しい科学と技術（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　Ｓｅｃｏｎｄ　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，Ｎｅｗ　Ｄｉａｍｏｎｄ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）１９９０年９月２３〜２７日（ワシントン，ＤＣ），ｐ．８９３〜８９７，「ダイオード　アレイ用の気相成長ダイヤモンドヒートシンクの製造（ＴＨＥ　ＰＲＥＰＡＲＡＴＩＯＮ　ＯＦ　ＶＡＰＯＲ　ＧＲＯＷＮ　ＤＩＡＭＯＮＤ　ＨＥＡＴ　ＳＩＮＫＳ　ＦＯＲ　ＤＩＯＤＥ　ＡＲＲＡＹＳ）」
甲第５号証：「材料及び製造方法（Ｍａｔｅｒｉａｌｓ　＆　Ｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇ　Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ）」６（２）、ｐ．２４１〜２５６（１９９１）、「ＤＣプラズマジェットＣＶＤによるダイヤモンド合成（DIAMOND SYNTHESIS BY DC PLAZMA JET CVD）」
甲第７号証：ＥＰ−Ａ１　　０４４９５７１
甲第８号証：「新しいダイヤモンドの科学と技術（Science and Technology of New Diamond)」、３９〜４１頁（１９９０年）、「多結晶ダイヤモンドフィルムの伝導性 （CONDUCTIVITY OF POLYCRYSTALLINE DIAMOND FILMS)」
　
（４−３）請求の理由
（４−３−１）本件発明１〜６は、甲第１号証を主とし他の甲第２〜８号証を従として、甲第１〜８号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許を受けることができないものである、
（４−３−２）本件発明１〜６は、甲第２号証を主とし甲第１号証及び甲第３〜８号証を従として、甲第１〜８号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許を受けることができないものである、
（４−３−３）本件発明１〜６は、甲第３号証を主とし甲第１〜２号証及び甲第４〜８号証を従として、甲第１〜８号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許を受けることができないものである、
との理由で、本件発明１〜６に係る特許は無効とされるべきものである。
　
５．証拠方法の記載事項
甲第１号証：
「実施例５」（８頁下から２行）、
「実験例２３：天然ダイヤモンドの表面に他の鋭利なダイヤモンドで傷をつけ、その傷にくさびを押し込む。」（９頁３０〜３３行参照）、
「実験例２４：天然ダイヤモンドを実験例２１で用いたブレードを使って天然ダイヤモンドに溝を付けた後、実験例２３と同様の方法により天然ダイヤモンドを劈開する。」（９頁３８〜４２行参照）、
「この発明の４つの方法」（９頁４５行）、
「実験例２５：　Ｙ軸に平行な（１１１）平面を有する天然のダイヤモンドを、×一Ｙテーブル上にセットした。天然ダイヤモンドの表面に５ワットのＹＡＧレーザーで溝を形成した。・・・。溝はレーザービームの入り口で０．０８ｍｍ幅であり、０．３ｍｍの深さ及びＶ型を有している。リード角２０°を有する鋼製のウェッジをハンマーで前記溝に入れ、前記天然ダイヤモンドを劈開した。劈開面は、実験２３及び２４で得られる平面よりももっとフラット（平滑）であった。」（９頁４８〜５５行参照））、
 「実験例２８：　ヘキサ−オクタヘドロンの形状を有する１．０カラットサイズの合成ダイヤモンドを実験例２５の天然ダイヤモンドの代りに用いた。他のプロセスは実験例２５と同じにした。」（１０頁１４〜１７行）、
　本件方法により、分割面が平滑な製品を、短時間で、収率よく、大量に製造できること（１１頁表５の実施例２５、２８、及び、１３頁表６の実施例３３，３６参照）、
「実施例６　実施例５と同様の方法を用いて、・・・ダイヤモンドは０．５ｍｍ厚みのプレートに分割した。結果を表６に示す。・・・（３）ヒートシンク　前記プレートの上面及び下面を研磨し、レーザーで矩形に切断した。次に表面を金属化した。ヒートシンクが得られた。」（１２頁１〜２０行）
「ワイヤ一引き抜きダイス，ドレッサー，ヒートシンク用の・・・ダイヤモンドであって、該ダイヤモンドの少なくとも１つの平面が（１１１）の劈開平面である・・・合成単結晶ダイヤモンドからなるもの。」（１４頁クレーム１参照）。
　
甲第２号証：
「ミクロな半導体装置を半導体スラブから製造する方法であって、高エネルギービームで半導体スラブに刻みつけし、その後、超音波振動等により半導体スラブを刻みつけたパターンに沿って分割する方法。」（４欄４０〜５４行参照））、
「従来技術では、半導体ウエハのダイシングは、当初、薄いダイヤモンド鋸又はダイヤモンド粒子をつけた切削ウィールで行なわれた。」（１欄４０〜４３行）、
「ゲイツの特許で例示される技術は、比較的時間を浪費するものであり、且つ、結晶材料の破砕のために非常に収量が悪くコスト高の方法である。」（第１欄４５〜４８行）、
「刻み付けの工程はレーザーのような如何なる装置でも可能であるが、電子線ビームが最も有利な手段であることがわかった。」（２欄４４〜４７行参照）、
「私の発明は、ノッチ感受性のいかなる材料をも、規則的であれ、不規則的であれ、所望の形状に切断又は成形するのに適用できる。すなわち、刻みをつけられた時に、荷重下に可塑性の流れを示さず脆く割れる性質があって鋭い明確な界面を生じる、アルミナ、ベリリウム、サーメットのような材料、及びタングステン、モリブデンのような金属は、本発明によって、所望の形状に成形される。」（４欄２５〜３３行）。
　
　甲第３号証：
「これまで、セラミックス材料の切断は、比較的高価で寿命が限られた湿式ダイヤモンド鋸を使用して行なわれている。」（１欄５２〜５３行）、
「この発明の一般的な目的は、より速く、より簡便なセラミックスの切断方法を提供することにある。さらには、速く、容易で、労力を要しない、光搬送多結晶アルミナチューブの切断方法を見出すことである。」（１欄６１〜６５行）、
「空間をおいた一連の複数の場所に、パルスレーザービームをあてることによって、材料に一連のきれいな浅い孔をあけ、時間をおいて、同じ場所に繰り返しビームをあてて孔を深くし、その孔により規定される弱い線に沿って該材料を破壊すること、からなるセラミックス材料の切断方法。」（４欄２４〜３３行のクレーム１）、
「セラミック材料が多結晶アルミナであるクレーム１の方法。」（４欄４０〜４１行のクレーム３）、
「レーザービームは、同じ孔を各々の回転数で透過し、透過を繰り返すことによって孔は熱のショックを生じることなく、所望の深さまで深くすることができる。刻みを付されたチューブは孔の平面に沿って折られ、きれいに割られる。」（２欄２８〜３３行）、
「・・・レーザーで刻みを付されたチューブを折るのに必要な力を比較した。・・・切断された孔を顕微鏡で観察すると、最も大きな力を要するチューブの孔は、非常に小さく、相互に近接し、壁の中に余り深く貫通していないものであることが分かった。このようなチューブを２つ折ると、ギザギザのまたは割れたようなエッジがしばしば発生し、これは、疑いもなく、より大きな力と折るときのクラック伝搬距離がより長いことに起因するものである。・・・容易に折ることのできるチューブは、より少なく、より大きく、より深い孔を持っており、これは、本発明のレーザー刻みによって、常に実質的に達成される。２つに折られたチューブは、きれいなエッジを有し、ランプ製造におけるセラミックプラグでのシールに何の問題も生じない。」（３欄５０行〜４欄１１行参照）。
　
　甲第４号証：
「レーザーダイオードアレイ用の気相成長ダイヤモンドヒートシンクの製造」（８９３頁のタイトル）、
「多結晶ダイヤモンドフィルムは・・・ＣＶＤ法により作成された。その後、当該フィルムは・・・の小片に分割された。そのダイヤモンド小片の表面をＴｉ、Ｐｔ、Ａｕ金属層で被覆し、アニーリングし、ダイヤモンド表面の金属化処理を行い、ダイヤモンドヒートシンクを用意した。」（８９３頁のアブストラクトの１〜６行参照）、
「気相合成ダイヤモンドフィルムの熱伝導性は１１Ｗ／（Ｋ・ｃｍ）を超える。」（８９４頁８〜９行）。
　
甲第５号証：
「厚いダイヤモンドフィルムをレーザーダイオードのヒートシンクに適用した。ｄｃプラズマジェットＣＶＤにより製造されたｌｍｍ厚のフィルムを、ＹＡＧレーザーを用いて２．５×２．５×０．５ｍｍ３のチップに切断した。表面を研磨し、スパッタリングで表面にＴｉ、Ｐｔ及びＡｕの薄いフィルムを金属化処理した。」（２５２頁２０〜２３行）、
「実験により、ｄｃプラズマジェットＣＶＤにより製造されたダイヤモンドは、ヒートシンクとして十分な熱的性質を有しており大量の熱を放出するＬＳＩ基板の配線板に使用し得ることが確認された。」（２５２頁３０〜３２行）。
　
甲第６号証：
「図２０．３．　矩形ダイヤモンドヒートシンク及び球状ダイヤモンドヒートシンクに関するＧｕｎｎダイオードの概略図」（６３４頁）、
「図２０．３に示されるボンディング層は、通常、異なる金属のサンドウィッチである。例えば、・・・Ｓｗａｎはダイヤモンドを３０ｎｍのチタン層と７５ｎｍの白金層と１μｍの金層で被覆した。」（６３３頁９〜１２行参照）。
　
甲第７号証：
「多結晶ダイヤモンドツールとその製造方法」（１頁のタイトル）、
「・・・ツール本体とダイヤモンド板との間の濡れ性を改良するために、ダイヤモンド板の一方の表面を金属の蒸着被覆により金属化する。次いで、タイヤモンド板は、ＹＡＧレーザーにより、ツールエッジに適した所定サイズの幾つかのダイヤモンドチップに分割される。」（８頁２９〜３２行）。
　
甲第８号証：
「多結晶ダイヤモンドフィルムの電導性」（３９頁のタイトル）、
「高オーム（１０１２〜１０１３Ωｃｍ）ダイヤモンドフィルムの分解電圧は１０６Ｖ／ｃｍを越える。」（３９頁右下欄１３〜１４行）。
　
６．請求人の主張の検討
（６−１）本件発明１について：
（６−１−１）理由（４−３−１）について：
　甲第１号証には、前記した記載内容からみて、次のとおりの発明（以下、甲第１号証発明という。）が記載されていると認める。
　単結晶ダイヤモンドの表面にＹＡＧレーザーで溝を形成し、その溝にウェッジを挿入して前記単結晶を劈開することにより単結晶ダイヤモンドのプレートを製造し、当該プレートの上下面を研磨して、レーザーで矩形に切断し、さらに、表面を金属化して、ヒートシンクとするという発明。
　そこで、本件発明１と甲第１号証発明を比較すると、
甲第１号証発明における「ダイヤモンドの表面にＹＡＧレーザーで溝を形成し」、「その溝にウェッジを挿入して劈開する」、「ヒートシンクとする」は、それぞれ、本件発明１の「ダイヤモンドを準備した後、表面にレーザを用いて溝を形成する」、「前記溝に沿って、圧力を加えて機械的に分割し、」、「ダイヤモンドヒ一トシンクの製造方法。」に相当するから、
　両者は、「ダイヤモンドを準備した後、その表面にレーザを用いて溝を形成し、その溝に沿ってダイヤモンドに圧力を加えて機械的に分割するダイヤモンドヒ一トシンクの製造方法。」の点で共通し、次の点で相違する。
（あ）ダイヤモンドに関して、本件発明１が、『気相合成法により合成された、粒径が５０μｍ以下のダイヤモンド多結晶体」としているのに対し、甲第１号証発明は「単結晶ダイヤモンド」としている点、
（い）本件発明１が「レーザーを用いて溝を形成する工程と、少なくとも上下２面に金属化処理する工程とを経て、・・・分割し」としているのに対して、甲第１号証発明は「レーザを用いて溝を形成し、・・・ダイヤモンドを分割し、その後に表面を金属化する」としている点、
（う）本件発明１が「前記金属化処理が施された上下二面の間の電気抵抗が１×１０６Ω以上である」としているのに対し、甲第１号証発明はその点の明示がない点。
　そこで、上記相違点について検討する。
相違点（あ）について：
　甲第１号証発明における溝付けによる分割の技術は、「溝を形成し、その溝にウェッジを挿入して前記単結晶を劈開する」とされ、単結晶ダイヤモンドの劈開性を利用するというものであるから、当業者が当該技術が適用できる材料として想起するのは単結晶ダイヤモンドのような劈開性を有する材料であると考えられるところ、ダイヤモンド多結晶体は単結晶ダイヤモンドのような劈開性を有さないものとして周知であり、甲第１号証発明における単結晶ダイヤモンドが、ダイヤモンド多結晶体の代替使用を示唆しているとすることはできない。
　また、甲第２〜８号証には、劈開性について記載するところはなく、ダイヤモンド多結晶体が単結晶ダイヤモンドのような劈開性を示すとの記載も、溝付けによる分割の技術において、ダイヤモンド多結晶体が、単結晶ダイヤモンドに代えて使用できるとする記載もない。
　さらに、本件発明１におけるダイヤモンド多結晶体は、多結晶体であるという限定に加えて、その粒径が５０μｍ以下であるという限定をも有するものであり、それにより、粒界に沿っての分割において欠損が生じにくいという効果（特許明細書の段落番号【００１７】および【００２０】参照）をも奏するものである。
　してみれば、甲第２〜８号証を参照しても、甲第１号証発明における単結晶ダイヤモンドに代えて、ダイヤモンド多結晶体を使用すること、すなわち、相違点（あ）に係る本件発明１の構成を採用することに想到することが当業者にとって容易なことであるとすることはできない。
　そして、本件発明１は、前記構成を採用することにより、特許明細書に記載されたとおりの、加工が容易で、歩留まりがよく、量産性のよいダイヤモンドヒートシンクの製造方法を提供できるという効果を奏したものである。
　してみると、相違点（い）、（う）について検討するまでもなく、本件発明１の構成を、甲第１号証発明を主とし、他の甲第２〜８号証に記載された発明を従として、当業者が容易に想到できたものであるとすることはできない。
　
（６−１−２）理由（４−３−２）について：
　甲第２号証には、前記した記載内容からみて、溝がつけられた時に荷重下に脆く割れ、きれいな界面を生じる性質を示すとされるアルミナ、ベリリウム、サーメットのような材料、及びタングステン、モリブデンのような材料に、レーザーで溝を形成し、その後、超音波振動等で溝に沿って分割する半導体装置の製造方法の発明（以下、甲第２号証発明という。）が記載されている。
　そこで、本件発明１と甲第２号証発明とを比較すると、
　両者は、「材料を準備した後、前記材料の表面にレーザを用いて溝を形成し、前記溝に沿って、前記材料に圧力を加えて機械的に分割し、製品を製造する」点で共通し、次の点で相違する。
（え）前記材料を、本件発明１が、「 気相合成法により合成された、粒径が５０μｍ以下のダイヤモンド多結晶体」としているのに対し、甲第２号証発明は、「溝がつけられた時に荷重下に脆く割れ、きれいな界面を生じる性質を示すとされるアルミナ、ベリリウム、サーメットのような材料、及びタングステン、モリブデンのような材料」としている点。
（お）本件発明１が「レーザーを用いて溝を形成する工程と、少なくとも上下２面に金属化処理する工程とを経て、・・・分割し」としているのに対して、甲第２号証発明は「レーザを用いて溝を形成し、・・・分割し」としている点、
（か）本件発明１が「前記金属化処理が施された上下
二
（き）本件発明１が、製品を、「ヒ一トシンク」としているのに対し、甲第２号証発明は「半導体装置」としている点。
　そこで、相違点について検討する。
　相違点（え）について：
　甲第２号証には、分割する材料について、「溝がつけられた時に荷重下に脆く割れ、きれいな界面を生じる性質を示すとされるアルミナ、ベリリウム、サーメットのような材料、及びタングステン、モリブデンのような材料のような材料」と記載され、当該材料にダイヤモンド多結晶体が含まれるとの記載はなく、また、ダイヤモンド多結晶体が前記性質を示す材料として一般に知られ当該材料として容易に想起されるわけでもないから、甲第２号証が、その発明における溝を付けて分割する材料として、ダイヤモンド多結晶体を用いることを示唆しているとすることはできない。
　甲第１号証には、前記したように、ダイヤモンド多結晶体について記載も示唆もなく、甲第３号証には、分割する材料として「多結晶アルミナ等のセラミックス」を用いるとの記載はあるが、ダイヤモンド多結晶体を用いるとの記載はなく、その分割方法も溝を付けて分割するものでないから、甲第３号証の記載が溝を付けて分割する材料としてダイヤモンド多結晶体を用いることを示唆しているとすることはできない。
　また、甲第４〜８号証には、ダイヤモンド多結晶体についての記載はあるものの、溝を付けて分割することについては記載も示唆もないから、その記載が溝を付けて分割する材料としてダイヤモンド多結晶体を用いることを示唆しているとすることはできない。
　そして、本件発明１におけるダイヤモンド多結晶体は、多結晶体であるという限定に加えて、その粒径が５０μｍ以下であるという限定をも有するものであり、それにより、（あ）の相違点についての検討で示したとおりの効果を奏するものである。
　してみると、甲第１，３〜８号証の記載を参照しても、甲第２号証発明において、溝を付けて分割する材料として、本件発明１のようなダイヤモンド多結晶体を想起すること、すなわち、相違点（え）に係る本件発明１の構成を想起することが、当業者に容易なことであるとすることはできない。
　
相違点（き）について：
　甲第２号証には、「ヒ一トシンク」について記載がなく、「溝がつけられた時に荷重下に脆く割れ、きれいな界面を生じる性質を示すとされるアルミナ、ベリリウム、サーメットのような材料、及びタングステン、モリブデンのような材料」および「半導体装置」という材料および用途の記載が「ヒートシンク」という用途を示唆しているとすることはできない。
　甲第１号証および甲第４〜６号証には、単結晶ダイヤモンドやダイヤモンド多結晶体をヒートシンクに用いることが記載されているものの、前記したように、甲第２号証は、その発明に用いる材料として単結晶ダイヤモンドやダイヤモンド多結晶体を用いるものでないから、甲第１号証および甲第４〜６号証の記載が、甲第２号証発明をヒートシンクの製造に用いることを示唆しているとすることはできず、他方、甲第３，７，８号証には、「ヒートシンク」について記載も示唆もない。
　したがって、甲第１、３〜８号証を参照しても、甲第２号証発明をヒートシンクの製造に適用することに想到すること、すなわち、相違点（き）に係る本件発明１の構成に想到することが、当業者に容易なことであるとすることはできない。
　
　そして、本件発明１は、前記構成を採用することにより、特許明細書に記載されたとおりの前記した効果を奏したものである。
　
　してみれば、相違点（お）、（か）について検討するまでもなく、本件発明１の構成が、甲第２号証発明を主とし、他の甲第１，３〜８号証に記載された発明を従として、当業者が容易に想到できたものであるとすることはできない。
（６−１−３）理由（４−３−３）について：
　甲第３号証には、多結晶アルミナ等のセラミックスの一連の複数の場所に孔をあけ、その孔で規定される弱い線に沿ってセラミックスを折り、セラミックス材料を切断し、光搬送多結晶アルミナチューブ等の製品を製造する方法の発明（以下、甲第３号証発明という。）が記載されている。
　そこで、本件発明１と甲第３号証発明とを比較すると、両者は、「材料を準備した後、前記材料の表面に加工を施し、その加工部に沿って前記材料に圧力を加えて機械的に分割し、製品を製造する」点で共通し、次の点で相違する。
（く）前記材料を、本件発明１が、「 気相合成法により合成された、粒径が５０μｍ以下のダイヤモンド多結晶体」としているのに対し、甲第３号証発明は、「多結晶アルミナ等のセラミックス」としている点。
（け）材料表面の加工方法について、本件発明１が、「レーザを用いて溝を形成」としているのに対し、甲第３号証発明は「一連の複数の場所に孔をあけ」としている点。
（こ）本件発明１が「少なくとも上下２面に金属化処理する工程とを経て、・・・分割し」としているのに対して、甲第３号証発明は、金属化処理することなく分割している点、
（さ）本件発明１が「前記金属化処理が施された上下
二
（し）製品を、本件発明１が、「ダイヤモンドヒ一トシンク」としているのに対し、甲第３号証発明は「光搬送多結晶アルミナチューブ等の製品」としている点。
　そこで、相違点について検討する。
　相違点（く）、（け）について：
　甲第３号証発明における「多結晶アルミナ等のセラミックス」は「一連の複数の場所に孔をあけ」て分割する材料であり、「一連の複数の場所に孔をあけて分割する」は「溝を形成して分割する」と異なる分割方法であるうえに、甲第３号証には、前記材料としてダイヤモンド多結晶体を用いることを示唆する記載もないのであるから、甲第３号証が、本件発明１のように、溝を付けて分割する材料としてダイヤモンド多結晶体を用いること、すなわち、相違点（く）、（け）に係る本件発明１の構成を示唆しているとすることはできない。
　また、甲第１，２，４〜８号証を参照しても、溝を付けて分割する材料としてダイヤモンド多結晶体を用いることが示唆されるとすることができないことは、前記したとおりである。
　したがって、甲第３号証に甲第１，２，４〜８号証を併せても、甲第３号証発明において相違点（く）、（け）に係る本件発明１の構成を採用することが当業者に容易であったとすることはできない。
　　
　そして、本件発明１は、前記構成を採用することにより、特許明細書に記載されたとおりの前記した効果を奏したものである。
　
　してみれば、相違点（こ）、（さ）、（し）について検討するまでもなく、本件発明１が、甲第３号証発明を主とし、他の甲第１，２，４〜８号証に記載された発明を従として、当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
（６−１−４）まとめ
　したがって、本件発明１は、理由（４−３−１）〜（４−３−３）を参照しても、当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることができない。　
　
（６−２）本件発明２〜６について：
　本件発明２〜６は、いずれも、本件発明１を実質的に引用するものであり、その構成として、前記相違点（あ）〜（し）に係る本件発明１の構成を有するものであるところ、本件発明１の前記構成が当業者に容易に想到され得たものであるとできないことは、本件発明１について前記したとおりであるから、本件発明２〜６は、本件発明１に対すると同様の理由によって、当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。
　
　なお、請求人は、弁ぱく書において、（ａ）本件発明１〜６の「粒径５０μｍ以下」という限定における「粒径」の意味が不明である、（ｂ）実施例における粒径は５０μｍを越えると解される、旨を主張している。
　しかし、（ａ）については、特許明細書の段落番号【００１３】に「分割された多結晶体の縁部の欠損部の大きさは、５０μｍ以下である。一般に、レーザ素子などをろう付けするとき、縁部が位置決めの基準になる。このため、縁部において、大きな欠損を生じると位置決めが困難となる。」と記載され、段落番号【００１７】に、「ダイヤモンドの多結晶体の粒径は、５０μｍ以下と規定する。これは、ダイヤモンドの多結晶体を分割したときに、欠損が生じにくい粒径の範囲である。」と記載され、粒径が欠損部の大きさを規定する旨が記載されていることからみて、本件発明１〜６における「粒径」が、最大粒径を示すものであることは明らかである（請求人も弁ぱく書２頁２１〜２２行で「粒径は最大粒径をさすのかもしれないが」と予測している。）。
　また、（ｂ）については、実施例は、通常、最良と思う実施の形態を具体的に記載するものであるから、実施例に粒径が記載されていないことを根拠にして、その粒径が本件発明１〜６で採用しない「５０μｍを越える」ものであるとすることはできない。
　したがって、請求人の粒径に対する（ａ），（ｂ）の主張は採用できない。
　
７．むすび
　以上のとおりであるから、請求人の主張および証拠方法によっては、本件発明１〜６に係る特許を無効とすることはできない。
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人が負担すべきものとする。
　よって、結論のとおり審決する。