(57)【要約】【課題】  絶縁膜がオーバー現像されても絶縁膜の下層の配線と絶縁膜の上層の光反射膜とが接触する心配のない液晶表示装置を提供する。【解決手段】  液晶層１２を挟持する一対の基板７，８と、液晶層１２へ供給する光を出射する照明装置３と、基板７に設けられた光反射膜２３と、サブ画素Ｄ領域内に設けられた透過表示領域Ｔ及び反射表示領域Ｒとを有する液晶表示装置１である。この液晶表示装置１は、基板７に設けられていて透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとで液晶層１２の層厚ｔ０，ｔ１を異ならせる第１絶縁膜２２と、基板７と第１絶縁膜２２との間に設けられていて複数のサブ画素Ｄを通過する配線１９と、配線１９のうちの複数のサブ画素Ｄ間に在る部分の上に設けられていて第１絶縁膜２２よりも膜厚が薄い第２絶縁膜４６とを有する。【選択図】        図１
2007086411.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層を挟持する一対の基板と、
前記液晶層に向けて光を出射する照明装置と、
前記一対の基板のうちの一方の基板に設けられた光反射膜と、
表示の最小単位となる１つのサブ画素領域内に、前記照明装置から出射される光を透過して表示を行う透過表示領域と、前記光反射膜で反射した光を用いて表示を行う反射表示領域とを有する液晶表示装置であって、
前記一方の基板に設けられていて前記透過表示領域と前記反射表示領域とで前記液晶層の層厚を異ならせる第１絶縁膜と、
前記一方の基板と前記第１絶縁膜との間に設けられていて前記複数のサブ画素を通過する配線と、
該配線のうちの前記複数のサブ画素間に在る部分の上に設けられていて前記第１絶縁膜よりも膜厚が薄い第２絶縁膜と、
を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記サブ画素は平面視で一方に長くそれと直角方向に短い形状を有し、
前記配線は前記サブ画素の長手方向に延び、
前記第２絶縁膜は前記配線と直交する方向に延びる
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２記載の液晶表示装置において、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜は同じ材料によって形成されることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１つに記載の液晶表示装置において、
それぞれが表示の最小単位である複数のサブ画素のそれぞれに対応して設けられたスイッチング素子をさらに有し、
前記第１絶縁膜は前記スイッチング素子を覆う層間絶縁膜であり、
前記配線は前記スイッチング素子へ信号を伝送する信号線である
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
複数のサブ画素のそれぞれに対応させて基板上にスイッチング素子を形成する工程と、
前記複数のサブ画素にわたって前記基板上に配線を形成する工程と、
前記スイッチング素子及び前記配線の上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜の上に光反射膜を形成する工程と、を有し、
前記絶縁膜を形成する工程では、膜厚の厚い第１絶縁膜を前記サブ画素に対応して形成し、前記複数のサブ画素間の領域であって前記配線が形成された領域に前記第１絶縁膜よりも膜厚が薄い第２絶縁膜を形成する
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１から請求項４のいずれか１つに記載の液晶表示装置を有することを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶を用いて表示を行う液晶表示装置及びその製造方法に関する。また、本発明は、液晶表示装置を用いて構成される電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯電話機、携帯情報端末機等といった電子機器に液晶表示装置が広く用いられている。例えば、電子機器に関する情報を視覚的に表示するために液晶表示装置が用いられている。この液晶表示装置として、従来、透過型液晶表示装置、反射型液晶表示装置、半透過反射型液晶表示装置といった各種の液晶表示装置が知られている。
【０００３】
透過型液晶表示装置は、液晶層を１回透過した光によって表示を行う表示形態である。また、反射型液晶表示装置は、液晶層を１回透過した後に光反射膜で反射して再度液晶層を透過した光によって表示を行う表示形態である。半透過反射型液晶表示装置は、上記の透過型表示及び上記の反射型表示の任意の一方を選択的に行う表示形態である。
【０００４】
従来、半透過反射型液晶表示装置において、反射表示領域に対応させて絶縁膜を設け、そして透過表示領域には絶縁膜を設けない凹部を形成することにより、反射表示領域内の液晶層の層厚を透過表示領域内の液晶層の層厚よりも薄くした構成の液晶表示装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。また、特許文献１に開示された液晶表示装置では、複数の画素に対応する凹部を同じ行の画素間で連続するように形成することにより、各画素間において凹部に対応する凹状領域に沿って配向膜を流動させることにしている。これにより、配向膜が凹部に滞留することを防止している。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−３２５８２２号公報（第８，９頁、図１，２，３）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、液晶表示装置において各画素に対応してスイッチング素子、例えば３端子型スイッチング素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子や、２端子型スイッチング素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子等を設けることがある。この構成の液晶表示装置では、スイッチング素子に信号を供給するための配線、例えば、データ信号を伝送するデータ線や、走査信号を供給する走査線等が基板上に形成される。この配線は、通常、基板と絶縁膜との間に形成される。
【０００７】
特許文献１に開示された液晶表示装置のように、配向膜の流動性を高めるために、絶縁膜を設けない領域を画素間でつなげるようにした構造においては、上記のデータ線等といった配線が、上記の絶縁膜を設けない領域において外部に露出することがある。また、絶縁膜の上には反射表示領域を形成する光反射膜が設けられ、この光反射膜は通常は絶縁膜の表面に留まって形成されるように設計されている。ところが、絶縁膜を所定の処理、例えばフォトリソグラフィ処理によって形成する際、その絶縁膜がオーバー現像（すなわち、過現像）されてその絶縁膜の端縁が設計された位置よりも退避すると、その絶縁膜上に光反射膜を形成したときに、その光反射膜の端部がオーバー現像によって退避した絶縁膜の端縁から張り出し、その光反射膜の端部が絶縁膜から露出する配線の上に乗り上げてしまい、その結果、光反射膜上の画素電極と配線とが短絡することがあった。こうなると、画素内の液晶層に所望の電圧を印加できなくなり、その結果、表示不良が発生するおそれがあった。
【０００８】
本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、絶縁膜を形成するための現像の際に、仮にオーバー現像が発生した場合でも、絶縁膜の下層の配線と絶縁膜の上層の光反射膜とが接触する心配のない液晶表示装置及び電子機器を提供することを目的とする。また、そのような液晶表示装置を確実に製造できる液晶表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る液晶表示装置は、液晶層を挟持する一対の基板と、前記液晶層に向けて光を出射する照明装置と、前記一対の基板のうちの一方の基板に設けられた光反射膜と、表示の最小単位となる１つのサブ画素領域内に、前記照明装置から出射される光を透過して表示を行う透過表示領域と、前記光反射膜で反射した光を用いて表示を行う反射表示領域とを備えた液晶表示装置であって、前記一方の基板に設けられていて前記透過表示領域と前記反射表示領域とで前記液晶層の層厚を異ならせる第１絶縁膜と、前記一方の基板と前記第１絶縁膜との間に設けられていて前記複数のサブ画素を通過する配線と、該配線のうち前記複数のサブ画素間に在る部分の上に設けられていて前記第１絶縁膜よりも膜厚が薄い第２絶縁膜とを有することを特徴とする。
【００１０】
この構成によれば、サブ画素同士の間に在って第１絶縁膜の外部へ露出する配線の上に第２絶縁膜が設けられるので、第１絶縁膜上に設けられる光反射膜が誤って第１絶縁膜から張り出す場合でも、光反射膜と配線とが接触して短絡することがなくなる。
【００１１】
また、第２絶縁膜の膜厚は第１絶縁膜の膜厚よりも薄いので、光反射膜の上に画素電極あるいはその他の要素を介して配向膜を塗布する際、その配向膜は膜厚の薄い第２絶縁膜上を通って滑らかに流動し、滞留することが無い。これにより、配向膜の膜厚を表示領域の全域にわたって均一にすることができ、品質の高い表示を行うことができる。つまり、本発明によれば、光反射膜と配線との短絡防止と、配向膜の流動性の向上との２つの効果を同時に達成できる。
【００１２】
次に、本発明に係る液晶表示装置において、前記サブ画素は平面視で一方に長くそれと直角方向に短い形状を有し、前記配線は前記サブ画素の長手方向に延び、前記第２絶縁膜は前記配線と直交する方向に延びることが望ましい。この構成によれば、配向膜の流動性を確実に確保できる。
【００１３】
次に、本発明に係る液晶表示装置において、前記第１絶縁膜と前記第２絶縁膜は同じ材料によって形成されることが望ましい。この構成によれば、材料コスト及び製造コストの両面からコストを低く抑えることができる。
【００１４】
次に、本発明に係る液晶表示装置は、それぞれが表示の最小単位である複数のサブ画素のそれぞれに対応して設けられたスイッチング素子をさらに有することができる。そしてその場合、前記第１絶縁膜は前記スイッチング素子を覆う層間絶縁膜であり、前記配線は前記スイッチング素子へ信号を伝送する信号線であることが望ましい。この構成の液晶表示装置に本発明を適用すれば、層間絶縁膜の上に形成される光反射膜が信号線に接触して両者が短絡することを確実に防止できる。
【００１５】
次に、本発明に係る液晶表示装置の製造方法は、複数のサブ画素のそれぞれに対応させて基板上にスイッチング素子を形成する工程と、前記複数のサブ画素にわたって前記基板上に配線を形成する工程と、前記スイッチング素子及び前記配線の上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の上に光反射膜を形成する工程とを有し、前記絶縁膜を形成する工程では、膜厚の厚い第１絶縁膜を前記サブ画素に対応して形成し、前記複数のサブ画素間の領域であって前記配線が形成された領域に前記第１絶縁膜よりも膜厚が薄い第２絶縁膜を形成することを特徴とする。この製造方法によれば、本発明に係る液晶表示装置を確実に製造できる。
【００１６】
次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した各種の構成の液晶表示装置を有することを特徴とする。本発明に係る液晶表示装置によれば、絶縁膜の下層の配線と絶縁膜の上層の光反射膜とが接触することを確実に防止して、高い品質の表示を行うことができるので、その液晶表示装置を用いて構成された電子機器においても、高い品質の表示を行うことができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
（液晶表示装置の実施形態）
以下、本発明に係る液晶表示装置を実施形態を例に挙げて説明する。なお、本発明がこの実施形態に限定されるものでないことは、もちろんである。また、これ以降の説明では図面を用いて各種の構造を例示するが、これらの図面に示される構造は特徴的な部分を分かり易く示すために実際の構造に対して寸法を異ならせて示す場合がある。本実施形態は、スイッチング素子として２端子型のスイッチング素子であるＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を用いたアクティブマトリクス方式で半透過反射方式の液晶表示装置に本発明を適用するものである。
【００１８】
図１は、本発明に係る液晶表示装置の一実施形態の要部の側面構造を示している。図２は、図１の矢印Ａに従って液晶表示装置の要部の平面構造を示している。図１は、図２のＺ１−Ｚ１線に従った断面図である。図３は、図２のＺ２−Ｚ２線に従った断面図である。
【００１９】
図１において、液晶表示装置１は、電気光学パネルである液晶パネル２と、この液晶パネル２に付設された照明装置３とを有する。この液晶表示装置１に関しては矢印Ａが描かれた側が観察側であり、上記の照明装置３は液晶パネル２に関して観察側と反対側に配置されてバックライトとして機能する。液晶パネル２には、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）基板が接続されたり、液晶駆動用ＩＣが実装されたり、金属ケースが装着されたりする。
【００２０】
液晶パネル２は、それらの周辺が環状のシール材によって互いに貼り合わされた一対の基板７及び８を有する。基板７はスイッチング素子が形成される素子基板である。また、基板８はカラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板である。素子基板７とカラーフィルタ基板８との間には間隙、いわゆるセルギャップＧが形成されている。セルギャップＧ内には液晶が注入され、注入されたその液晶はセルギャップＧ内で液晶層１２を形成する。通常、セルギャップＧの間隔、すなわち液晶層１２の層厚を一定に維持するためにセルギャップＧ内にスペーサが設けられる。
【００２１】
照明装置３は、例えば、光源としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode）１３と、導光体１４とを有する。光源としては、ＬＥＤのような点状光源以外に、冷陰極管のような線状光源を用いることもできる。導光体１４は、例えば、透光性を有する樹脂を材料とする成形加工によって形成される。導光体１４の光出射面には必要に応じて光拡散層が設けられる。また、導光体１４の光出射面と反対側の面には必要に応じて光反射層が設けられる。
【００２２】
素子基板７は、第１の透光性の基板７ａを有する。この第１透光性基板７ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第１透光性基板７ａの外側表面には偏光板１８ａが、例えば、貼着によって装着される。必要に応じて、偏光板１８ａ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。他方、第１透光性基板７ａの内側表面には、データ線１９が列方向Ｙ（すなわち、左右方向）に延びて形成されている。そして、スイッチング素子として機能する非線形抵抗素子であるＴＦＤ素子３１がデータ線１９に接続して形成されている。なお、データ線１９が本発明の配線として機能する。データ線１９は複数本が紙面垂直方向（すなわち、行方向Ｘ）に間隔を空けて互いに平行に設けられている。また、ＴＦＤ素子３１は複数個が各データ線１９に沿って等間隔に設けられている。
【００２３】
それらのＴＦＤ素子３１及びデータ線１９の上に、それらを覆う第１絶縁膜としての層間絶縁膜２２が形成され、その上に光反射膜２３が形成され、その上に画素電極２４が形成され、その上に配向膜２６ａが形成されている。この配向膜２６ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、素子基板７の近傍における液晶分子の初期配向が決められる。
【００２４】
層間絶縁膜２２は、例えば、透光性、感光性、及び絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成されている。また、光反射膜２３は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金等といった光反射性材料をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。画素電極２４は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウムスズ酸化物）等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。配向膜２６ａは、例えばポリイミド等を塗布することによって形成される。
【００２５】
光反射膜２３及び画素電極２４は、素子基板７上に矢印Ａ方向から見てドットマトリクス状に複数形成される。これらの光反射膜２３及び画素電極２４は、平面視で各データ線１９と重なる状態に設けられていて、個々のＴＦＤ素子３１に接続されている。
【００２６】
ＴＦＤ素子３１は、互いに電気的に直列につながれた一対のＴＦＤ要素３２ａ及び３２ｂによって形成されている。第１のＴＦＤ要素３２ａは、第１素子電極３３、絶縁膜３４、そして第２素子電極３６ａをその順で重ねることによって形成されている。また、第２のＴＦＤ要素３２ｂは、第１素子電極３３、絶縁膜３４、そして第２素子電極３６ｂをその順で重ねることによって形成されている。第１素子電極３３は、例えば、Ｔａ（タンタル）又はＴａ合金によって形成される。Ｔａ合金としては、例えば、ＴａＷ（タンタル・タングステン）を用いることができる。絶縁膜３４は、例えば、陽極酸化処理によって形成される。第２素子電極３６ａ，３６ｂは、例えばＣｒ、モリブデン・タングステン（ＭｏＷ）合金によって形成される。データ線１９は通常は第２素子電極３６ａ，３６ｂと同じ材料、すなわちＣｒ等によって形成される。
【００２７】
第１ＴＦＤ要素３２ａ内の第２素子電極３６ａは図２に示すようにデータ線１９から延びている。また、第２ＴＦＤ要素３２ｂ内の第２素子電極３６ｂは図１に示すようにコンタクト部３７を介して画素電極２４に接続されている。図２においてデータ線１９から画素電極２４へ信号が伝送されることを考えたとき、第１ＴＦＤ要素３２ａと第２ＴＦＤ要素２３ｂは電気的に逆極性である２つのＴＦＤ要素が直列に接続されることになる。この構造はバック・ツー・バック（Back-to-Back）構造と呼ばれることがある。本実施形態では、このようにバック・ツー・バック構造のＴＦＤ素子を用いたが、単一のＴＦＤ要素によってＴＦＤ素子を形成しても良い。
【００２８】
本実施形態では、図１において、画素電極２４の下に層間絶縁膜２２を設けることにより、画素電極２４の層とＴＦＤ素子３１の層とを別の層に分けている。この構造は、画素電極２４とＴＦＤ素子３１とを同じ層に形成する構造に比べて、素子基板７の表面を有効に活用することを可能とする。例えば、画素電極２４の面積、すなわち画素面積を大きくすることができ、そのため、液晶表示装置１において鮮明な表示を行うことができる。
【００２９】
次に、素子基板７に対向するカラーフィルタ基板８は、矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形の第２の透光性の基板８ａを有する。この第２透光性基板８ａは、例えば、透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって形成される。この第２透光性基板８ａの外側表面には偏光板１８ｂが、例えば、貼着によって装着される。必要に応じて、偏光板１８ｂ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。
【００３０】
第２透光性基板８ａの内側表面には、着色膜４１が形成され、その周囲に遮光膜４２が形成され、着色膜４１及び遮光膜４２の上にオーバーコート層４３が形成され、その上に複数の帯状電極４４が形成され、その上に配向膜２６ｂが形成されている。複数の帯状電極４４は、個々が行方向Ｘへ延びており、複数本が列方向Ｙへ間隔をおいて互いに平行に（すなわち、ストライプ状に）配列されている。配向膜２６ｂは、例えばポリイミド等を塗布することによって形成される。この配向膜２６ｂに配向処理、例えばラビング処理が施されることにより、カラーフィルタ基板８の近傍の液晶層１２内の液晶分子の初期配向が決められる。
【００３１】
個々の着色膜４１は矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形のドット状に形成されている。また、着色膜４１は複数個が矢印Ａ方向から見て行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に配列されている。遮光膜４２はそれらの着色膜４１を囲む格子状に形成されている。すなわち、遮光膜４２は行方向Ｘに延びるとものと、列方向Ｙに延びるものとが直交する状態に形成されている。
【００３２】
着色膜４１の個々はＢ（青）、Ｇ（緑）、Ｒ（赤）の１つを通過させる光学的特性に設定され、それらＢ，Ｇ，Ｒの着色膜４１が矢印Ａ方向から見て所定の配列、例えばストライプ配列に並べられている。ストライプ配列とは、列方向ＹにＢ，Ｇ，Ｒの同色が並び、行方向ＸにＢ，Ｇ，Ｒが交互に順番に並ぶ配列である。
【００３３】
なお、着色膜４１の配列はストライプ配列以外の任意の配列とすることができ、例えば、モザイク配列、デルタ配列等とすることもできる。また、着色膜４１の光学的特性はＢ，Ｇ，Ｒの３原色に限られず、Ｃ（シアン）、Ｍ（マゼンタ）、Ｙ（イエロー）の３原色を通過させる特性とすることもできる。遮光膜４２は、本実施形態では、Ｂ，Ｇ，Ｒの３原色のうちのいずれか２色を重ねることによって形成されている。しかしながら、遮光膜４２は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色を重ねて形成することもできるし、所定の材料をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成することもできる。この場合の所定の材料としては、例えば、Ｃｒ（クロム）等といった遮光性の材料が考えられる。
【００３４】
着色膜４１及び遮光膜４２の上に形成されたオーバーコート層４３は、着色膜４１及び遮光膜４２の表面を平坦化するものであり、帯状電極４４はこうして平坦化されたオーバーコート層４３の上に形成される。帯状電極４４は、例えばＩＴＯ等といった金属酸化物をフォトエッチング処理によってパターニングすることによって形成される。
【００３５】
図１において、素子基板７上に設けられた画素電極２４とカラーフィルタ基板８上に設けられた帯状電極４４とは、矢印Ａ方向から平面的に見て複数のドット状の領域で重なっている。このように重なり合ったドット状の領域が表示の最小単位であるサブ画素Ｄを形成している。そして、複数のサブ画素Ｄが行方向Ｘ及び列方向Ｙにマトリクス状に並ぶことにより、矢印Ａ方向から見て長方形状又は正方形状の表示領域が形成され、この表示領域内に文字、数字、図形等といった像が表示される。
【００３６】
本実施形態のように、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色から成る着色膜４１を用いてカラー表示を行う場合は、Ｂ，Ｇ，Ｒの３色に対応する３つの着色膜４１に対応する３つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。他方、白黒又は任意の２色でモノカラー表示を行う場合は、１つのサブ画素Ｄによって１つの画素が形成される。１つの画素部分を平面的に示す図面である図２に示すように、サブ画素Ｄは長方形状に形成されている。
【００３７】
図１において、光反射膜２３は、例えばフォトエチング処理によって形成される。この光反射膜２３はサブ画素Ｄのうちの一部の領域Ｒに設けられており、残りの領域Ｔには設けられていない。領域Ｒは図２に示すように平面的にコ字形状をしており、その領域Ｒの中に領域Ｔが設けられている。領域Ｔの１つの辺はサブ画素Ｄの対応する１つの辺の所で隣接する他のサブ画素Ｄへ向けて外部へ開放している。図では、サブ画素Ｄの下辺がその開放端となっている。
【００３８】
個々のサブ画素Ｄの中で光反射膜２３が存在する領域Ｒが反射表示領域Ｒであり、光反射膜２３が存在しない領域Ｔが透過表示領域である。図１において矢印Ａで示す観察側から入射した外部光Ｌ０は反射表示領域Ｒ内において光反射膜２３で反射する。一方、照明装置３の導光体１４から出射した光Ｌ１は、透過表示領域Ｔを透過する。
【００３９】
層間絶縁膜２２の表面には凸部又は凹部が形成されて凹凸パターンが形成されている。この凹凸パターンは矢印Ａ方向から見てランダム（すなわち、無秩序）なパターンとなっている。光反射膜２３は、その凹凸パターンが形成されている層間絶縁膜２２の上に一定の膜厚で形成されていて、それ自身も同じ凹凸パターンを有している。このように光反射膜２３に凹凸パターンを形成することにより、光反射膜２３で反射する光Ｌ０を、鏡面反射ではなくて、適度の散乱光や適切な指向性を持った光とすることができる。
【００４０】
層間絶縁膜２２は反射表示領域Ｒに対応して設けられており、透過表示領域Ｔには設けられていない。このため、反射表示領域Ｒ内の液晶層１２の層厚ｔ０は、透過表示領域Ｔ内の液晶層１２の層厚ｔ１よりも薄くなっている。望ましくはｔ０＝ｔ１／２になっている。このような液晶層１２の層厚の調整は、反射表示領域Ｒ内で光Ｌ０が液晶層１２を２回通過する反射表示の場合と、透過表示領域Ｔ内で光Ｌ１が液晶層１２を１回しか通過しない透過表示の場合とで、液晶層１２のリタデーション（Δｎｄ）を均一にして鮮明な表示を得るために行われるものである。但し、「Δｎ」は屈折率異方性、「ｄ」は液晶層厚を示している。
【００４１】
ＴＦＤ素子３１の第２素子電極３６ｂにつながっているコンタクト部３７の一部は層間絶縁膜２２で覆われており、コンタクト部３７の残りの一部は層間絶縁膜２２の外部へ張り出している。そして、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとにわたって設けられている画素電極２４がその張り出した部分のコンタクト部３７に接触している。これにより、ＴＦＤ素子３１と画素電極２４との導通がとられている。コンタクト部３７は図２に示したように横に広い形状に形成されているので、このコンタクト部３７によってＴＦＤ素子３１と画素電極２４とを安定状態で導通できる。
【００４２】
以上のように構成された液晶表示装置１によれば、液晶表示装置１が明るい室外や明るい室内に置かれる場合は、太陽光や室内光等といった外部光を用いて反射型の表示が行われる。一方、液晶表示装置１が暗い室外や暗い室内に置かれる場合は、照明装置３をバックライトとして用いて透過型の表示が行われる。
【００４３】
上記の反射型表示を行う場合、観察側である矢印Ａの方向からカラーフィルタ基板８を通して液晶パネル２内へ入射した外部光Ｌ０は、液晶層１２を通過して素子基板７内へ入った後、反射表示領域Ｒにおいて光反射膜２３で反射して再び液晶層１２へ供給される。他方、上記の透過型表示を行う場合、図１の照明装置３の光源１３が点灯し、それからの光が導光体１４へ導入され、さらに、面状の光として出射する。この出射光Ｌ１は透過表示領域Ｔにおいて光反射膜２３が存在しない領域を通って液晶層１２へ供給される。
【００４４】
以上のようにして液晶層１２へ光が供給される間、素子基板７側の画素電極２４とカラーフィルタ基板８側の帯状電極４４との間には、走査信号およびデータ信号によって特定される所定の電圧が印加され、これにより、液晶層１２内の液晶分子の配向がサブ画素Ｄごとに制御され、この結果、液晶層１２に供給された光がサブ画素Ｄごとに変調される。この変調された光が、カラーフィルタ基板８側の偏光板１８ｂを通過するとき、その偏光板１８ｂの偏光特性に従ってサブ画素Ｄごとに通過を許容又は通過を規制され、これにより、カラーフィルタ基板８の表面に文字、数字、図形等といった像が表示され、これが、矢印Ａ方向から視認される。
【００４５】
さて、図２において、反射表示領域Ｒは平面形状でコ字形状の光反射膜２３によって形成されている。この光反射膜２３の下層（すなわち、図２の紙面奥側の層）にある層間絶縁膜２２も光反射膜２２と同じコ字形状に形成されている。このコ字形状のうち細く枝分かれして透過表示領域Ｔを両側から挟む部分を本明細書では分枝部分Ｅということにする。各データ線１９は個々のサブ画素Ｄを通過する状態で列方向Ｙへ延びている。特に、各データ線１９は層間絶縁膜２２の片方の分枝部分Ｅの下を通過するように設けられている。
【００４６】
ここで、従来の液晶表示装置を考えると、列方向Ｙで互いに隣接するサブ画素Ｄ同士の間の基板７ａ（図１参照）上には、層間絶縁膜２２あるいはその他の何等の要素も設けられていなかった。つまり、列方向Ｙに隣接するサブ画素Ｄ同士の間には行方向Ｘに沿って各サブ画素Ｄ間でつながった状態の深い凹部が設けられていた。この凹部を設ける理由は、図１の配向膜２６ａを塗布する際、層間絶縁膜２２が設けられないことにより凹部となっている透過表示領域Ｔ内に配向膜２６ａの材料が滞留して配向膜２６ａの流動性が悪くなることを解消するためである。このように、従来の液晶表示装置では、配向膜の流動性を確保するために、列方向Ｙで互いに隣接するサブ画素Ｄ同士の間には層間絶縁膜等を設けていなかった。そのため、層間絶縁膜２２の分枝部分Ｅの下を通るデータ線１９は、図４に示すように、その分枝部分Ｅの先端から外部へ露出していた。
【００４７】
一般に、層間絶縁膜２２の上に設けられる光反射膜２３及び画素電極２４は、図示のように、分枝部分Ｅの先端よりもわずかに退避した位置にそれらの先端が位置するように設計されている。常に設計通りの結果が得られれば何の問題も生じないが、仮に、層間絶縁膜２２をフォトリソグラフィ処理によって形成する際にオーバー現像が生じて層間絶縁膜２２の分枝部分Ｅの先端が設計位置よりも退避して形成されると、その後に光反射膜２３や画素電極２４が層間絶縁膜２２の上に形成されたとき、その光反射膜２３等が分枝部分Ｅの先端から張り出して下層のデータ線１９に接触し、両者がショートするおそれがある。
【００４８】
このことに関し、本実施形態では、図２のＺ２−Ｚ２線に従った断面図である図３に示すように、列方向Ｙで互いに隣接するサブ画素Ｄ同士の間の領域に、データ線１９を覆う第２絶縁膜としての保護膜４６を設けている。この保護膜４６を設けたことにより、図４において、仮にオーバー現像に起因して層間絶縁膜２２の分枝部分Ｅの先端が後方へ退避してその上の光反射膜２３が分枝部分Ｅの先端から張り出したとしても、保護膜４６の働きにより光反射膜２３とデータ線１９とが接触することを確実に防止できる。このため、設計者は、層間絶縁膜２２に関するオーバー現像に特別の注意を払うことなく設計を行うことができ、それ故、設計の自由度が大きく向上する。
【００４９】
また、図１において、保護膜４６の膜厚ｔ２は層間絶縁膜２２の膜厚ｔ３よりも小さく（すなわち、ｔ２＜ｔ３）設定されている。そして、保護膜４６の膜厚ｔ２を小さくすることに形成される凹部は、行方向Ｘに沿って各サブ画素Ｄ間でつながっている。このため、配向膜２６ａの流動性は高く維持され、配向膜２６ａを均一な膜厚に塗布できる。保護膜４６は、本実施形態では、層間絶縁膜２２と同じ工程、例えば感光性樹脂を材料とするフォトリソグラフィ処理を行う工程によって形成するものとする。しかしながら、保護膜４６は層間絶縁膜２２と別の工程で別の材料によって形成することもできる。なお、保護膜４６の具体的な膜厚ｔ２は特定の値に限定されるものでなく、配向膜２６ａの流動特性に合わせて適宜に選定する。
【００５０】
図２において、各サブ画素Ｄは平面視で列方向Ｙに長くそれと直角方向である行方向Ｘに短い長方形状を有している。そして、データ線１９はサブ画素Ｄの長手方向に延びており、保護膜４６はデータ線１９と直交する方向に延びている。この構成は、配向膜２６ａ（図１参照）の流動性を確保する上で好ましい構成である。
【００５１】
（その他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものでなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。
例えば、上記の実施形態では、スイッチング素子として２端子型スイッチング素子であるＴＦＤ素子を用いる場合を例示したが、これに代えて、３端子型スイッチング素子であるＴＦＴ（Thin Film Transistor）素子を用いても良い。なお、ＴＦＴ素子の場合は配線として、ゲート電極につながるゲート電極線及びソース電極につながるソース電極線が考えられる。この場合、ゲート電極線はゲート絶縁膜で覆われることもあるので、そのときには上記の実施形態における保護膜４６（図１参照）を用いるまでもなくゲート電極線は保護されるかもしれない。但し、その場合でも、ゲート絶縁膜に加えて上記実施形態における保護膜４６を併せて用いれば、信頼性をさらに高めることができる。
【００５２】
（液晶表示装置の製造方法の第１実施形態）
次に、本発明に係る液晶表示装置の製造方法について、図１に示した液晶表示装置を製造する場合を例に挙げて説明する。図５は本発明に係る電気光学装置の製造方法の一実施形態を示している。図５の工程Ｐ１〜工程Ｐ７に至る工程は図１の素子基板７を形成する工程である。また、工程Ｐ１１〜工程Ｐ１７に至る工程は図１のカラーフィルタ基板８を形成する工程である。また、工程Ｐ２１〜工程Ｐ２７に至る工程はそれらの基板を貼り合わせて製品である液晶表示装置を形成する工程である。
【００５３】
なお、本実施形態では、図１に示す素子基板７及びカラーフィルタ基板８を１つずつ形成するのではなく、素子基板７に関しては、複数の素子基板７を形成できる大きさの面積を有する素子側マザー透光性基板の上に素子基板７の複数個分の要素を同時に形成するものとする。また、カラーフィルタ基板８に関しては、複数のカラーフィルタ基板８を形成できる大きさの面積を有するカラーフィルタ側マザー透光性基板の上にカラーフィルタ基板８の複数個分の要素を同時に形成するものとする。素子側マザー透光性基板及びカラーフィルタ側マザー透光性基板は、例えば、透光性ガラス、透光性プラスチック等によって形成される。
【００５４】
まず、図５の工程Ｐ１において、素子側マザー透光性基板の表面にスイッチング素子である図１のＴＦＤ素子３１をフォトエッチング処理等を用いて所定の積層構造に形成する。また同時に、データ線１９を所定のパターンに形成する。
【００５５】
次に、工程Ｐ２において、第１絶縁膜である図１の層間絶縁膜２２が基板７ａ上に形成される。この層間絶縁膜２２は、反射表示領域Ｒに対応して島状、すなわちドット状に形成される。また、このとき、図１の列方向Ｙで互いに隣接するサブ画素Ｄの間の領域に保護膜４６が層間絶縁膜２２と一体に、しかし膜厚は層間絶縁膜２２より薄く形成される。この形成方法の詳細は後述する。
【００５６】
次に、工程Ｐ３において、図１の光反射膜２３をＡｌ又はＡｌ合金を材料としてフォトエッチング処理によって所定のドット形状に形成する。光反射膜２３はサブ画素Ｄの一部に形成され、残りの一部には光反射膜２３は形成されない。光反射膜２３が形成された領域が反射表示領域Ｒとなり、光反射膜２３が形成されない領域が透過表示領域Ｔとなる。
【００５７】
次に、工程Ｐ４において、図３の画素電極２４をＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理によって所定のドット形状に形成する。このとき、画素電極２４は光反射膜２３の直上に該光反射膜２３を覆うように形成される。画素電極２４が形成された領域に基づいてサブ画素Ｄが規定される。なお、画素電極２４と光反射膜２３は、導電性及び光反射性の両方を有する金属材料、例えばＡｌ、Ａｌ合金の単層によって形成することもできる。光反射膜２３上に画素電極２４を形成したとき、その画素電極２４は層間絶縁膜２２の側面から張り出したコンタクト部３７に接触し、これにより、画素電極２４がＴＦＤ素子３１に接続される。
【００５８】
次に、工程Ｐ５において、図１の配向膜２６ａが、例えばポリイミドを印刷することによって形成される。次に、工程Ｐ６において、配向膜２６ａにラビング処理が施される。次に、工程Ｐ７において、１個の液晶パネルの周辺部分にシール材が形成される。以上により、素子側マザー透光性基板の上に素子基板７の複数個分の要素が形成されて大面積の素子側マザー基板が形成される。
【００５９】
次に、図５の工程Ｐ１１において、カラーフィルタ側マザー透光性基板の表面上に、図１の遮光膜４２を、例えばＣｒを材料としてフォトエッチング処理により所定の環状に形成する。次に、工程Ｐ１２において、図１の着色膜４１を形成する。遮光部材４２は、例えば、個々の表示ドット領域Ｄの周りを埋めるような格子状パターンに形成される。着色膜４１については、Ｂ，Ｇ，Ｒの各色ごとに順々に形成する。例えば、各色の顔料や染料を感光性樹脂に分散させて成る着色材料をフォトリソグラフィ処理によって所定の配列に形成する。次に、工程Ｐ１３において、図１のオーバーコート層４３を、例えばアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等といった感光性樹脂を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。
【００６０】
次に、工程Ｐ１４において、図１の帯状電極４４をＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理によって形成し、さらに工程Ｐ１５において図１の配向膜２６ｂを形成し、さらに工程Ｐ１６において、配向処理としてのラビング処理を行う。さらにその後、工程Ｐ１７において、基板上にスペーサが設けられる。以上により、カラーフィルタ側マザー透光性基板の上にカラーフィルタ基板８の複数個分の要素が形成されて大面積のカラーフィルタ側マザー基板が形成される。
【００６１】
その後、図５の工程Ｐ２１において、素子側マザー基板とカラーフィルタ側マザー基板とを貼り合わせる。これにより、素子側マザー基板とカラーフィルタ側マザー基板とが個々の液晶パネルの領域において図１のシール材６を挟んで貼り合わされた構造の大面積のパネル構造体が形成される。
【００６２】
次に、以上のようにして形成された大面積のパネル構造体に含まれるシール材を、工程Ｐ２２において熱硬化又は紫外線硬化によって硬化させて両マザー基板を接着して大面積のパネル構造体を形成する。次に、工程Ｐ２３において、そのパネル構造体を１次切断、すなわち１次ブレイクして、図１の液晶パネル２の複数個が１列に並んだ状態で含まれる中面積のパネル構造体、いわゆる短冊状のパネル構造体を複数形成する。シール材に設けた液晶注入用の開口は、上記の１次ブレイクによって短冊状のパネル構造体が形成されたときに外部に露出する。
【００６３】
次に、図５の工程Ｐ２４において、上記のシール材の液晶注入用開口を通して各液晶パネル部分の内部へ液晶を注入し、その注入の完了後、その液晶注入用開口を樹脂によって封止する。次に工程Ｐ２５において、２回目の切断、すなわち２次ブレイクを行い、短冊状のパネル構造体から図１に示す個々の液晶パネル２を切り出す。
【００６４】
次に、図５の工程Ｐ２６において、図１の液晶パネル２に駆動用ＩＣを実装し、さらに、図１の偏光板１８ａ及び１８ｂを液晶パネル２に接着する。そしてさらに、工程Ｐ２７において、図１の照明装置３を液晶パネル２に取付ける。これにより、液晶表示装置１が完成する。
【００６５】
（絶縁膜形成工程）
以下、図５の工程Ｐ２の絶縁膜形成工程について、図６、図７、及び図８を参照して詳細に説明する。絶縁膜形成工程が始まると、まず、図６の工程Ｐ３１において図７（ａ）の基板７ａを所定の洗浄液によって洗浄する。次に、図６の工程Ｐ３２において、図７（ｂ）に示すように、第１透光性基板７ａの上にＴＦＤ素子３１及びデータ線１９を覆うように層間絶縁膜２２の材料、例えばポジ型レジストである感光性樹脂２２’をスピンコートによって一様な厚さに塗布する。次に、工程Ｐ３３において、例えば９０℃で１２０秒のプリベークを行って、感光性樹脂材料２２’内の溶媒を除去する。
【００６６】
次に、工程Ｐ３４において１次露光処理を実行する。この１次露光処理は、反射表示領域Ｒ（図１参照）に対応する領域の感光性樹脂２２’の表面に凹凸パターンの露光像を形成するため、及び図１の保護膜４６を形成するための工程である。具体的には、図７（ｃ）に示すように、素子基板７ａ（切断する前の大面積のもの）を露光装置、例えばステッパの所定位置に設置し、さらに、露光マスク５６Ａを素子基板７ａに対向する所定位置に設置する。露光マスク５６Ａは、完全光透過領域と完全遮光領域の２つの領域を有する２階調の露光マスクである。
【００６７】
１次露光工程Ｐ３４では、露光マスク５６Ａを通して露光光Ｌ３で感光性樹脂２２’を露光する。この露光により、破線で示す露光像（すなわち、凹凸パターン及び保護膜４６の露光像）よりも上の部分の樹脂部分が可溶化する。
【００６８】
次に、図６の工程Ｐ３５において２次露光処理を実行する。この２次露光処理は、島状すなわちドット状の層間絶縁膜２２の露光像を形成するための工程である。具体的には、図８（ｄ）に示すように、素子基板７ａを露光装置、例えば一括露光機の所定位置に設置し、さらに露光マスク５６Ｂを素子基板７ａに対向する所定位置に設置する。露光マスク５６Ｂは、完全光透過領域と完全遮光領域の２つの領域を有する２階調の露光マスクである。２次露光工程Ｐ３５では、露光マスク５６Ｂを通して露光光Ｌ４で感光性樹脂２２’を露光する。この露光により、島状の層間絶縁膜２２以外の部分が可溶化する。
【００６９】
次に、図６の工程Ｐ３６において現像処理を行う。具体的には、図８（ｄ）の基板７ａを現像液に所定時間、浸漬する。すると、図７（ｃ）及び図８（ｄ）において可溶化した部分の感光性樹脂２２’が除去されて、図８（ｅ）に示すように、表面の必要な領域に凹凸パターンを有した島状の層間絶縁膜２２が形成される。
【００７０】
層間絶縁膜２２の材料である感光性樹脂材料２２’はその性質上、未反応の感光性基に由来する黄色の光を多く通過させる傾向にある。図６の工程Ｐ３７では、図８（ｅ）の層間絶縁膜２２に適宜の光量の紫外線を照射して反応を完結する処理、いわゆるブリーチ露光を行う。これにより、層間絶縁膜２２の黄色化を抑制し、透過率を向上させる。次に、図６の工程Ｐ３８において、図８（ｅ）の基板７ａ及び層間絶縁膜２２を、例えば、２２０℃、４０〜５０分で焼成して、層間絶縁膜２２の形状及び性質を安定状態に設定する。以上により、図５の工程Ｐ２が終了し、その後、既述した光反射膜工程Ｐ３以降の工程が実行される。
【００７１】
本実施形態の液晶表示装置の製造方法によれば、図１の保護膜４６を層間絶縁膜２２を形成する際に同じ材料を用いて同時に形成でき、それ故、材料コスト及び製造コストを低く抑えることができる。また、保護膜４６を所望の寸法及び形状に正確に形成できる。
【００７２】
（電気光学装置の製造方法の第２実施形態）
次に、本発明に係る液晶表示装置の製造方法の他の実施形態を説明する。本実施形態の製造方法の全体的な工程は図５に示した第１の実施形態に係る製造方法と同じである。図６に示した先の実施形態では、工程Ｐ３４と工程Ｐ３５で２度露光を行ったが、本実施形態ではハーフトーンマスクを用いて露光処理を行うものである。以下、その露光処理について説明する。なお、以下の説明では、本実施形態を先の実施形態と異なる点を中心として説明するものとし、共通する構成については説明を省略する。
【００７３】
図５の絶縁膜形成工程Ｐ２が始まると、まず、図９の工程Ｐ４１において図１０（ａ）の基板７ａ、すなわちＴＦＤ素子３１及びデータ線１９が形成されている基板７ａを所定の洗浄液によって洗浄する。次に、図９の工程Ｐ４２において、図１０（ｂ）に示すように、第１透光性基板７ａの上にＴＦＤ素子３１及びデータ線１９を覆うように、層間絶縁膜２２の材料２２’、例えばポジ型レジストである感光性樹脂をスピンコートによって一様な厚さに塗布する。次に、工程Ｐ４３において、例えば９０℃で１２０秒のプリベークを行って、感光性樹脂２２’内の溶媒を除去する。
【００７４】
次に、工程Ｐ４４において露光処理を実行する。具体的には、図１０（ｃ）に示すように、素子基板７ａ（切断する前の大面積のもの）を露光装置、例えば一括露光装置の所定位置に設置し、さらに、ハーフトーンマスク、すなわちハーフトーン型の多階調露光マスク５６Ｃを素子基板７ａに対向する所定位置に設置する。ハーフトーンマスク５６Ｃは、光透過性がそれぞれ異なる４つの領域を有するハーフトーンマスクであり、より具体的には、完全光透過領域Ａ０、第１部分光透過領域Ａ１、第２部分光透過領域Ａ２、及び完全遮光領域Ａ３を有する４階調のハーフトーンマスクである。
【００７５】
本実施形態では、層間絶縁膜２２に形成するパターンの違いに応じて露光量を異ならせている。具体的には、
（１）凹凸パターンのうちの凸部を形成すべき部分に完全遮光領域Ａ３を合わせ、
（２）凹凸パターンのうちの凹部を形成すべき部分に第２部分光透過領域Ａ２を合わせ、
（３）保護膜４６を形成すべき部分に第１部分光透過領域Ａ１を合わせ、
（４）透過表示領域Ｔのように層間絶縁膜２２を除去したい部分に完全光透過領域Ａ０を合わせる。
【００７６】
凸部に対応する完全遮光領域Ａ３の光透過率をＴ３とし、凹部に対応する第２部分光透過領域Ａ２の光透過率をＴ２とし、保護膜に対応する第１部分光透過領域Ａ１の光透過率をＴ１とし、層間絶縁膜２２を除去する部分に対応する完全光透過領域Ａ０の光透過率をＴ０とするとき、本実施形態では、
Ｔ３＜Ｔ２＜Ｔ１＜Ｔ０
に設定する。また、
Ｔ３＝０％、  Ｔ０＝１００％
に設定する。なお、必ずしもＴ３＝０％、Ｔ０＝１００％に限定しなくても良い場合もある。
【００７７】
このように光透過率に変化を持たせることは、例えば、光透過率の異なる材料を領域ごとに設けることによって実現できる。例えば、完全光透過領域Ａ０はマスク基板上に遮光材料を何も載せないことによって実現できる。また、部分光透過領域Ａ１及びＡ２は、光を減衰して透過させる材料、例えばモリブデンシリサイド（ＭｏＳｉ又はＭｏＳｉ２）をマスク基板上に載せることによって実現できる。光透過率をいくつに設定するかは、マスク基板上に載せる膜の膜厚によって決めることができる。また、完全遮光領域Ａ３は、光を完全に透過させない材料、例えば、Ｃｒ及びＣｒＯＸ（酸化クロム）の２層構造を有する積層クロムをマスク基板上に載せることによって実現できる。
【００７８】
以上の構成を有するハーフトーンマスク５６Ｃを通して感光性樹脂２２’へ一定光量の露光光Ｌ５を照射すると、鎖線で示す露光像よりも上の部分が可溶化する。具体的には、光透過率Ｔ３＝０％（領域Ａ３）で露光された部分は露光量が少ないので凹凸パターンの凸部に対応する露光像が形成される。また、少な目の中間の光透過率Ｔ２（領域Ａ２）で露光された部分は露光量が比較的少ないので凹凸パターンの凹部に対応する露光像が形成される。
【００７９】
また、多目の中間の光透過率Ｔ１（領域Ａ１）で露光された保護膜４６に対応する部分は凹部よりも多く露光される。また、光透過率Ｔ０＝１００％（領域Ａ０）で露光された部分は露光量が多いので、感光性樹脂２２’の膜を貫通する露光像が形成される。以上により、感光性樹脂２２’の表面に凹凸パターンに対応する露光像が形成され、さらに保護膜４６に対応する露光像が形成され、それらの露光像よりも上の部分が可溶化する。
【００８０】
その後、図６に示した２度露光の実施形態の場合と同様に、現像工程Ｐ４５、ブリーチ露光工程Ｐ４６、そして焼成工程Ｐ４７を行うことにより、図１０（ｄ）に示すように、表面の必要な領域に凹凸パターン及び保護膜４６を有した島状の層間絶縁膜２２が形成される。以上により、図５の工程Ｐ２が終了し、その後、既述した光反射膜工程Ｐ３以降の工程が実行される。
【００８１】
本実施形態の製造方法によれば、図１の保護膜４６を層間絶縁膜２２を形成する際に同じ材料を用いて同時に形成でき、それ故、材料コスト及び製造コストを低く抑えることができる。また、保護膜４６を所望の寸法及び形状に正確に形成できる。さらに、露光処理が１回で済むので製造コストをさらに低減できる。
【００８２】
（電気光学装置の製造方法のその他の実施形態）
以上の実施形態では、図１に示す液晶表示装置１を製造するものとした。しかしながら、本発明は、その他の液晶表示装置を製造する場合にも適用できる。また、以上に説明した実施形態では、樹脂膜としてポジ型の感光性樹脂を用いたが、これに代えて、ネガ型の（すなわち、光を受けた部分が固化する性質を有する）感光性樹脂を用いることができる。
【００８３】
（電子機器の実施形態）
以下、本発明に係る電子機器を実施形態を挙げて説明する。なお、この実施形態は本発明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。
【００８４】
図１１は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、液晶表示装置１０１と、これを制御する制御回路１００とを有する。制御回路１００は、表示情報出力源１０４、表示情報処理回路１０５、電源回路１０６及びタイミングジェネレータ１０７によって構成される。そして、液晶表示装置１０１は液晶パネル１０２及び駆動回路１０３を有する。
【００８５】
表示情報出力源１０４は、ＲＡＭ(Random Access Memory)等といったメモリや、各種ディスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ１０７により生成される各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１０５に供給する。
【００８６】
次に、表示情報処理回路１０５は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ補正回路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を実行して、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１０３へ供給する。ここで、駆動回路１０３は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したものである。また、電源回路１０６は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。
【００８７】
液晶表示装置１０１は、例えば、図１に示した液晶表示装置１を用いて構成できる。本実施形態に係る液晶表示装置１によれば、データ線１９を覆うと共に層間絶縁膜２２よりも薄い保護膜４６を設けることにより、光反射膜２３とデータ線１９とのショートを完全に防止でき、しかも配向膜２６ａの流動性を良好に維持できることになったので、不良品の発生を低減できた。従って、液晶表示装置１を有する本実施形態の電子機器においても液晶表示装置１が奏する上記の効果と同じ効果を得ることができる。
【００８８】
図１２は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機１１０は、本体部１１１と、これに開閉可能に設けられた表示体部１１２とを有する。液晶表示装置等といった電気光学装置によって構成された表示装置１１３は、表示体部１１２の内部に配置され、電話通信に関する各種表示は、表示体部１１２において表示画面１１４によって視認できる。本体部１１１には操作ボタン１１５が配列されている。
【００８９】
表示体部１１２の一端部にはアンテナ１１６が伸縮自在に取付けられている。表示体部１１２の上部に設けられた受話部１１７の内部には、図示しないスピーカが配置される。また、本体部１１１の下端部に設けられた送話部１１８の内部には図示しないマイクが内蔵されている。表示装置１１３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制御を司る制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部１１１又は表示体部１１２の内部に格納される。
【００９０】
表示装置１１３は、例えば、図１に示した液晶表示装置１を用いて構成できる。本実施形態に係る液晶表示装置１によれば、データ線１９を覆うと共に層間絶縁膜２２よりも薄い保護膜４６を設けることにより、光反射膜２３とデータ線１９とのショートを完全に防止でき、しかも配向膜２６ａの流動性を良好に維持できることになったので、不良品の発生を低減できた。従って、液晶表示装置１を有する本実施形態の電子機器においても液晶表示装置１が奏する上記の効果と同じ効果を得ることができる。
【００９１】
（その他の実施形態）
電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末器等が挙げられる。
【図面の簡単な説明】
【００９２】
【図１】本発明に係る液晶表示装置の一実施形態の要部を示す側面断面図である。
【図２】図１の構造を矢印Ａ方向から見た場合の平面図である。
【図３】図２のＺ２−Ｚ２線に従った断面図である。
【図４】図２の要部を拡大して示す斜視図である。
【図５】本発明に係る液晶表示装置の製造方法の一実施形態を示す工程図である。
【図６】図５の工程図のうちの要部の工程を示す工程図である。
【図７】図６の工程図に対応した絶縁膜の構造変遷図である。
【図８】図７に引き続く絶縁膜の構造変遷図である。
【図９】本発明に係る液晶表示装置の製造方法の他の実施形態を示す工程図である。
【図１０】図９の工程図に対応した絶縁膜の構造変遷図である。
【図１１】本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図である。
【図１２】本発明に係る電子機器の他の実施形態を示す斜視図である。
【符号の説明】
【００９３】
１．液晶表示装置、  ２．液晶パネル、  ３．照明装置、  ７．素子基板、
７ａ．第１透光性基板、  ８．カラーフィルタ基板、  ８ａ．第２透光性基板、
１２．液晶層、  １３．ＬＥＤ、  １８ａ，１８ｂ．偏光板、
１９．データ線（配線）、  ２２．層間絶縁膜（第１絶縁膜）、  ２３．光反射膜、
２４．画素電極、  ２６ａ，２６ｂ．配向膜、
３１．ＴＦＤ素子（スイッチング素子）、  ３２ａ，３２ｂ．ＴＦＤ要素、
３３．第１素子電極、  ３４．絶縁膜、  ３６ａ，３６ｂ．第２素子電極、
３７．コンタクト部、  ４１．着色膜、  ４２．遮光膜、  ４３．オーバーコート層、
４４．帯状電極、  ４６．保護膜（第２絶縁膜）、
５６Ａ，５６Ｂ，５６Ｃ．露光マスク、  Ｅ．分枝部分、  Ｇ．セルギャップ、
Ｌ０，Ｌ１．光、  Ｌ３，Ｌ４，Ｌ５．露光光、  ｔ０，ｔ１．層厚、
ｔ２，ｔ３．膜厚
【図１】
2007086411.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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