【事件の表示】
　特願２００８−１６０６０７「交換結合膜およびこれを用いた磁気抵抗効果素子、並びに磁気抵抗効果素子の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　１月　８日出願公開、特開２００９−　　４７８４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　
　本願は、平成２０年６月１９日（パリ条約による優先権主張２００７年６月１９日、アメリカ合衆国）の出願であって、平成２４年１２月５日付けで拒絶理由の通知がなされ、平成２５年５月１３日付けで手続補正書の提出がなされ、同年１１月１９日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成２６年３月２４日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに手続補正書の提出がなされ、同年６月３日付けで前置報告がなされたものである。
　
　
　
第２　補正の却下の決定　　
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２６年３月２４日付けの手続補正書による補正を却下する。
　
［理由］　　　
　
１　補正の内容 
　平成２６年３月２４日付けの手続補正(以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１乃至３７(平成２５年５月１３日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１乃至３７)を補正して、補正後の特許請求の範囲の請求項１乃至３７とするものである。
　そして、本件補正では、本件補正前の請求項１６及び２６は、それぞれ本件補正後の請求項１６及び２６に対応しており、また、補正前後の請求項１６及び２６の記載は、各々次のとおりである。
　　
（補正前）
「【請求項１６】
　再生ヘッドにおけるＧＭＲセンサまたはＴＭＲセンサを構成し、
　（ａ）シード層と、
　（ｂ）反強磁性（ＡＦＭ）層と、
　（ｃ）ＣｏＦｅ(100-X) Ａ１X （Ａ１はアモルファス性の元素を表し、Ｘは４０原子％未満である）、またはＣｏＦｅ(100-X-Y) Ａ１X Ｍ１Y （Ａ１およびＭ１はアモルファス性の元素を表し、ＸおよびＹの合計が４０原子％未満である）で表される組成を有すると共に、Ａ１，Ｍ１としてＨｆ，Ｎｂ，ＴｉおよびＰからなる群から選択された少なくとも１種の前記アモルファス性の元素を含むアモルファス磁性層、あるいは、ＣｏＦｅＮｉ(100-X) Ａ２X （Ａ２はアモルファス性の元素を表し、Ｘは４０原子％未満である）またはＣｏＦｅＮｉ(100-X-Y) Ａ２X Ｍ２Y （Ａ２およびＭ２はアモルファス性の元素を表し、ＸおよびＹの合計が４０原子％未満である）で表される組成を有すると共に、Ａ２，Ｍ２としてＢ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，ＳｉおよびＰからなる群から選択された少なくとも１種を含むアモルファス磁性層を備えた少なくとも１つの交換結合膜と、
　（ｄ）前記ＡＦＭ層側から順にＡＰ２層／結合層／ＡＰ１層を積層してなるＳｙＡＰ構造を有するピンド層と、
　（ｅ）前記ＡＰ１層に接するスペーサ層またはトンネルバリア層と、
　（ｆ）フリー層と、
　（ｇ）キャップ層と
　を備え、
　前記交換結合膜が前記ＡＦＭ層と前記ＡＰ２層との間に設けられている
　ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。」
　
「【請求項１９】
　再生ヘッドにおけるＧＭＲセンサまたはＴＭＲセンサを構成し、
　（ａ）シード層と、
　（ｂ）反強磁性（ＡＦＭ）層と、
　（ｃ）ＣｏＦｅ(100-X) Ａ１X （Ａ１はアモルファス性の元素を表し、Ｘは４０原子％未満である）、またはＣｏＦｅ(100-X-Y) Ａ１X Ｍ１Y （Ａ１およびＭ１はアモルファス性の元素を表し、ＸおよびＹの合計が４０原子％未満である）で表される組成を有すると共に、Ａ１，Ｍ１としてＨｆ，Ｎｂ，ＴｉおよびＰからなる群から選択された少なくとも１種を含むアモルファス磁性層、あるいは、ＣｏＦｅＮｉ(100-X) Ａ２X （Ａ２はアモルファス性の元素を表し、Ｘは４０原子％未満である）またはＣｏＦｅＮｉ(100-X-Y) Ａ２X Ｍ２Y （Ａ２およびＭ２はアモルファス性の元素を表し、ＸおよびＹの合計が４０原子％未満である）で表される組成を有すると共に、Ａ２，Ｍ２としてＢ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，ＳｉおよびＰからなる群から選択された少なくとも１種を含むアモルファス磁性層を備えた少なくとも１つの交換結合膜と、
　（ｄ）前記ＡＦＭ層側から順にＡＰ２層／結合層／ＡＰ１層を積層してなるＳｙＡＰ構造を有するピンド層と、
　（ｅ）前記ＡＰ１層に接するスペーサ層またはトンネルバリア層と、
　（ｆ）フリー層と、
　（ｇ）キャップ層と
　を備え、
　前記交換結合膜は、前記ＡＰ２層内に形成されている
　ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。」
「【請求項２６】
　再生ヘッドにおけるＧＭＲセンサまたはＴＭＲセンサを構成する磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
　（ａ）基板上にシード層を形成する工程と、
　（ｂ）前記シード層上にＡＦＭ層を形成する工程と、
　（ｃ）前記ＡＦＭ層上に、ＣｏＦｅ(100-X) Ａ１X （Ａ１はアモルファス性の元素を表し、Ｘは４０原子％未満である）、またはＣｏＦｅ(100-X-Y) Ａ１X Ｍ１Y （Ａ１およびＭ１はアモルファス性の元素を表し、ＸおよびＹの合計が４０原子％未満である）で表される組成を有すると共に、Ａ１，Ｍ１としてＨｆ，Ｎｂ，ＴｉおよびＰからなる群から選択された少なくとも１種を含むアモルファス磁性層、あるいは、ＣｏＦｅＮｉ(100-X) Ａ２X （Ａ２はアモルファス性の元素を表し、Ｘは４０原子％未満である）またはＣｏＦｅＮｉ(100-X-Y) Ａ２X Ｍ２Y （Ａ２およびＭ２はアモルファス性の元素を表し、ＸおよびＹの合計が４０原子％未満である）で表される組成を有すると共に、Ａ２，Ｍ２としてＢ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，ＳｉおよびＰからなる群から選択された少なくとも１種を含むアモルファス磁性層を備えた交換結合膜を形成する工程と、
　（ｄ）前記交換結合膜上に、前記ＡＦＭ層側から順にＡＰ２層／結合層／ＡＰ１層を積層してなるＳｙＡＰ構造を有するピンド層を前記ＡＰ２層が前記交換結合膜に接するように形成する工程と
　を含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。」
　
（補正後）　
「【請求項１６】
　再生ヘッドにおけるＧＭＲセンサまたはＴＭＲセンサを構成し、
　（ａ）シード層と、
　（ｂ）Ｍｎ合金からなる反強磁性（ＡＦＭ）層と、
　（ｃ）ＣｏＦｅ(100-X) Ａ１X （Ａ１はアモルファス性の元素を表し、Ｘは４０原子％未満である）、またはＣｏＦｅ(100-X-Y) Ａ１X Ｍ１Y （Ａ１およびＭ１はアモルファス性の元素を表し、ＸおよびＹの合計が４０原子％未満である）で表される組成を有すると共に、Ａ１，Ｍ１としてＨｆ，Ｔｉ，ＳｉおよびＰからなる群から選択された少なくとも１種の前記アモルファス性の元素を含むアモルファス磁性層、あるいは、ＣｏＦｅＮｉ(100-X) Ａ２X （Ａ２はアモルファス性の元素を表し、Ｘは４０原子％未満である）またはＣｏＦｅＮｉ(100-X-Y) Ａ２X Ｍ２Y （Ａ２およびＭ２はアモルファス性の元素を表し、ＸおよびＹの合計が４０原子％未満である）で表される組成を有すると共に、Ａ２，Ｍ２としてＢ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，ＳｉおよびＰからなる群から選択された少なくとも１種の前記アモルファス性の元素を含むアモルファス磁性層を備えた少なくとも１つの交換結合膜と、
　（ｄ）ＡＰ２層／結合層／ＡＰ１層からなるＳｙＡＰ構造を有するピンド層と、
　（ｅ）前記ＡＰ１層に接するスペーサ層またはトンネルバリア層と、
　（ｆ）フリー層と、
　（ｇ）キャップ層と
　を備え、
　前記交換結合膜が前記ＡＦＭ層と前記ＡＰ２層との間に設けられている
　ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。」
　
「【請求項１９】
　再生ヘッドにおけるＧＭＲセンサまたはＴＭＲセンサを構成し、
　（ａ）シード層と、
　（ｂ）Ｍｎ合金からなる反強磁性（ＡＦＭ）層と、
　（ｃ）ＣｏＦｅ(100-X) Ａ１X （Ａ１はアモルファス性の元素を表し、Ｘは４０原子％未満である）、またはＣｏＦｅ(100-X-Y) Ａ１X Ｍ１Y （Ａ１およびＭ１はアモルファス性の元素を表し、ＸおよびＹの合計が４０原子％未満である）で表される組成を有すると共に、Ａ１，Ｍ１としてＨｆ，Ｔｉ，ＳｉおよびＰからなる群から選択された少なくとも１種を含むアモルファス磁性層、あるいは、ＣｏＦｅＮｉ(100-X) Ａ２X （Ａ２はアモルファス性の元素を表し、Ｘは４０原子％未満である）またはＣｏＦｅＮｉ(100-X-Y) Ａ２X Ｍ２Y （Ａ２およびＭ２はアモルファス性の元素を表し、ＸおよびＹの合計が４０原子％未満である）で表される組成を有すると共に、Ａ２，Ｍ２としてＨｆ，Ｔｉ，ＳｉおよびＰからなる群から選択された少なくとも１種を含むアモルファス磁性層を備えた、１つの第１の交換結合膜と、
　（ｄ）ＡＰ２層／結合層／ＡＰ１層からなるＳｙＡＰ構造を有するピンド層と、
　（ｅ）前記ＡＰ１層に接するスペーサ層またはトンネルバリア層と、
　（ｆ）フリー層と、
　（ｇ）キャップ層と
　を備え、
　前記第１の交換結合膜は、前記ＡＰ２層内に形成されている
　ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。」
「【請求項２６】
　再生ヘッドにおけるＧＭＲセンサまたはＴＭＲセンサを構成する磁気抵抗効果素子の製造方法であって、
　（ａ）基板上にシード層を形成する工程と、
　（ｂ）前記シード層上に、Ｍｎ合金からなるＡＦＭ層を形成する工程と、
　（ｃ）前記ＡＦＭ層上に、ＣｏＦｅ(100-X) Ａ１X （Ａ１はアモルファス性の元素を表し、Ｘは４０原子％未満である）、またはＣｏＦｅ(100-X-Y) Ａ１X Ｍ１Y （Ａ１およびＭ１はアモルファス性の元素を表し、ＸおよびＹの合計が４０原子％未満である）で表される組成を有すると共に、Ａ１，Ｍ１としてＨｆ，Ｔｉ，ＳｉおよびＰからなる群から選択された少なくとも１種の前記アモルファス性の元素を含むアモルファス磁性層、あるいは、ＣｏＦｅＮｉ(100-X) Ａ２X （Ａ２はアモルファス性の元素を表し、Ｘは４０原子％未満である）またはＣｏＦｅＮｉ(100-X-Y) Ａ２X Ｍ２Y （Ａ２およびＭ２はアモルファス性の元素を表し、ＸおよびＹの合計が４０原子％未満である）で表される組成を有すると共に、Ａ２，Ｍ２としてＢ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，ＳｉおよびＰからなる群から選択された少なくとも１種の前記アモルファス性の元素を含むアモルファス磁性層を備えた交換結合膜を形成する工程と、
　（ｄ）前記交換結合膜上に、ＡＰ２層／結合層／ＡＰ１層からなるＳｙＡＰ構造を有するピンド層を前記ＡＰ２層が前記交換結合膜に接するように形成する工程と
　を含むことを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。」
　
　ここで、本件補正前の請求項１６、１９、２６と本件補正後の請求項１６、１９、２６を比較すると、本件補正後の請求項１６、１９、２６に係る本件補正には、以下の補正事項が含まれる。
　　
［補正事項１］
　補正前の請求項１６の「（ｂ）反強磁性（ＡＦＭ）層」を「（ｂ）Ｍｎ合金からなる反強磁性（ＡＦＭ）層」とする補正。
　　            　
［補正事項２］
　補正前の請求項１６及び１９の「ＣｏＦｅ(100-X) Ａ１X （Ａ１はアモルファス性の元素を表し、Ｘは４０原子％未満である）、またはＣｏＦｅ(100-X-Y) Ａ１X Ｍ１Y （Ａ１およびＭ１はアモルファス性の元素を表し、ＸおよびＹの合計が４０原子％未満である）で表される組成を有すると共に、Ａ１，Ｍ１としてＨｆ，Ｎｂ，ＴｉおよびＰからなる群から選択された少なくとも１種の前記アモルファス性の元素を含むアモルファス磁性層」を「ＣｏＦｅ(100-X) Ａ１X （Ａ１はアモルファス性の元素を表し、Ｘは４０原子％未満である）、またはＣｏＦｅ(100-X-Y) Ａ１X Ｍ１Y （Ａ１およびＭ１はアモルファス性の元素を表し、ＸおよびＹの合計が４０原子％未満である）で表される組成を有すると共に、Ａ１，Ｍ１としてＨｆ，Ｔｉ，ＳｉおよびＰからなる群から選択された少なくとも１種の前記アモルファス性の元素を含むアモルファス磁性層」とする補正。
　
［補正事項３］
　補正前の請求項１９の「Ａ２，Ｍ２としてＢ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，ＳｉおよびＰからなる群から選択された少なくとも１種を含むアモルファス磁性層を備えた少なくとも１つの交換結合膜」を「Ａ２，Ｍ２としてＨｆ，Ｔｉ，ＳｉおよびＰからなる群から選択された少なくとも１種を含むアモルファス磁性層を備えた、１つの第１の交換結合膜」とする補正。
［補正事項４］
　補正前の請求項１９の「（ｄ）前記ＡＦＭ層側から順にＡＰ２層／結合層／ＡＰ１層を積層してなるＳｙＡＰ構造を有するピンド層」を「（ｄ）ＡＰ２層／結合層／ＡＰ１層からなるＳｙＡＰ構造を有するピンド層」とする補正。
［補正事項５］
　補正前の請求項２６の「（ｂ）前記シード層上にＡＦＭ層を形成する工程」を「（ｂ）前記シード層上に、Ｍｎ合金からなるＡＦＭ層を形成する工程」とする補正。
　　            　
［補正事項６］
　補正前の請求項２６の「（ｃ）前記ＡＦＭ層上に、ＣｏＦｅ(100-X) Ａ１X （Ａ１はアモルファス性の元素を表し、Ｘは４０原子％未満である）、またはＣｏＦｅ(100-X-Y) Ａ１X Ｍ１Y （Ａ１およびＭ１はアモルファス性の元素を表し、ＸおよびＹの合計が４０原子％未満である）で表される組成を有すると共に、Ａ１，Ｍ１としてＨｆ，Ｎｂ，ＴｉおよびＰからなる群から選択された少なくとも１種を含むアモルファス磁性層」を「（ｃ）前記ＡＦＭ層上に、ＣｏＦｅ(100-X) Ａ１X （Ａ１はアモルファス性の元素を表し、Ｘは４０原子％未満である）、またはＣｏＦｅ(100-X-Y) Ａ１X Ｍ１Y （Ａ１およびＭ１はアモルファス性の元素を表し、ＸおよびＹの合計が４０原子％未満である）で表される組成を有すると共に、Ａ１，Ｍ１としてＨｆ，Ｔｉ，ＳｉおよびＰからなる群から選択された少なくとも１種の前記アモルファス性の元素を含むアモルファス磁性層」とする補正。
　
　　
２．補正の適否
（１）補正事項１、５について
　補正事項１及び５により補正された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書の段落【００２８】に記載されているものと認められるから、補正事項１及び５は当初明細書のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。したがって、補正事項１及び５は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たし、また、補正事項１及び５が、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　さらに、補正事項１及び５は、補正前の請求項１６における「反強磁性（ＡＦＭ）層」を「Ｍｎ合金からなる反強磁性（ＡＦＭ）層」に限定するものであり、補正前の請求項２６における「ＡＦＭ層」を「Ｍｎ合金からなるＡＦＭ層」に限定するものであるから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。したがって、補正事項１及び５は、特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たす。
　
（２）補正事項２、６について
　補正事項２及び６により補正された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書の段落【００２９】に記載されているものと認められるから、補正事項２及び６は当初明細書のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。したがって、補正事項２及び６は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たし、また、補正事項２及び６が、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　しかしながら、補正事項２及び６では、アモルファス性の元素である「Ａ１，Ｍ１」について、「Ｈｆ，Ｎｂ，ＴｉおよびＰからなる群から選択された少なくとも１種の前記アモルファス性の元素を含む」としていたものが、「Ｈｆ，Ｔｉ，ＳｉおよびＰからなる群から選択された少なくとも１種の前記アモルファス性の元素を含む」としたものに変更されたことで、補正前ではアモルファス性元素の選択肢として記載されていなかったＳｉが補正後では含まれることとなるため、当該補正事項２及び６は限定的減縮を目的としたものとは認められない。
　また、補正事項２及び６は、請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しない。
　
（３）補正事項３について
　補正事項３により補正された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書の段落【００２９】に記載されているものと認められるから、補正事項３は当初明細書のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。したがって、補正事項３は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たし、また、補正事項３が、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　さらに、補正事項３は、補正前の請求項１９における「Ａ２，Ｍ２としてＢ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，ＳｉおよびＰからなる群」を「Ａ２，Ｍ２としてＨｆ，Ｔｉ，ＳｉおよびＰからなる群」に限定し、「少なくとも１つの交換結合膜」を「１つの第１の交換結合膜」に限定するものであるから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。したがって、補正事項３は、特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たす。
（４）補正事項４について
　補正事項４により補正された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書の段落【００１７】に記載されているものと認められるから、補正事項４は当初明細書のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。したがって、補正事項４は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たし、また、補正事項４が、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　しかしながら、補正事項４では、ピンド層の積層順序について、「ＡＦＭ層側から順にＡＰ２層／結合層／ＡＰ１層を積層してなる」としていたものが、「ＡＰ２層／結合層／ＡＰ１層からなる」とされたため、限定されていた積層順序の限定が解除されたものとなるため、当該補正事項４は限定的減縮を目的としたものとは認められない。
　また、補正事項４は、請求項の削除、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明のいずれにも該当しない。
　
３　むすび
　したがって、補正事項２、４、６についての本件補正は、特許法第１７条の２第５項の各号に掲げるいずれの事項を目的とするものにも該当せず、同法第１７条の２第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
　
　　
第３　補正却下の決定を踏まえた検討
　
１　本願発明
　平成２６年３月２４日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願に係る発明は、平成２５年５月１３日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１乃至３７に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１９に係る発明(以下「本願発明」という。）は、下記に記載したとおりのものである。
　
「再生ヘッドにおけるＧＭＲセンサまたはＴＭＲセンサを構成し、
　（ａ）シード層と、
　（ｂ）反強磁性（ＡＦＭ）層と、
　（ｃ）ＣｏＦｅ(100-X) Ａ１X （Ａ１はアモルファス性の元素を表し、Ｘは４０原子％未満である）、またはＣｏＦｅ(100-X-Y) Ａ１X Ｍ１Y （Ａ１およびＭ１はアモルファス性の元素を表し、ＸおよびＹの合計が４０原子％未満である）で表される組成を有すると共に、Ａ１，Ｍ１としてＨｆ，Ｎｂ，ＴｉおよびＰからなる群から選択された少なくとも１種を含むアモルファス磁性層、あるいは、ＣｏＦｅＮｉ(100-X) Ａ２X （Ａ２はアモルファス性の元素を表し、Ｘは４０原子％未満である）またはＣｏＦｅＮｉ(100-X-Y) Ａ２X Ｍ２Y （Ａ２およびＭ２はアモルファス性の元素を表し、ＸおよびＹの合計が４０原子％未満である）で表される組成を有すると共に、Ａ２，Ｍ２としてＢ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，ＳｉおよびＰからなる群から選択された少なくとも１種を含むアモルファス磁性層を備えた少なくとも１つの交換結合膜と、
　（ｄ）前記ＡＦＭ層側から順にＡＰ２層／結合層／ＡＰ１層を積層してなるＳｙＡＰ構造を有するピンド層と、
　（ｅ）前記ＡＰ１層に接するスペーサ層またはトンネルバリア層と、
　（ｆ）フリー層と、
　（ｇ）キャップ層と
　を備え、
　前記交換結合膜は、前記ＡＰ２層内に形成されている
　ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。」
　　
　　　　 　　　
２　引用文献 
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００３−２８３０００号公報（以下、「引用文献」という。）には、下記の事項が記載されている。
　
Ａ　「【００４１】ＴＭＲ素子は、トンネルバリア層が複数層有している図２（ａ）に示す強磁性多重トンネル接合（図面上では二重接合）と、トンネルバリア層が一層しか有していない図２（ｂ）に示す強磁性一重トンネル接合と、がある。すなわち、強磁性一重トンネル接合は、下地金属層２上に、反強磁性層４、磁化固着層６（ピン層とも云う）、トンネルバリア層８、磁化自由層１０（記憶層ともいう）、カバー／ハードマスク層１８を順次設けた構成となっている。また、強磁性二重トンネル接合は、下地金属層２上に、反強磁性層４、磁化固着層６、トンネルバリア層８、記憶層１０、トンネルバリア層１２、磁化固着層１４、反強磁性層１６、カバー／ハードマスク層１８を順次設けた構成となっている。」
　
Ｂ　「【００５６】また、本実施形態においては、磁化固着層として、Co-Fe二元合金強磁性層を用いたが、磁化固着層にCo-Fe二元合金強磁性層を用いた場合、Co-Fe-Ni、Ni-Fe、Co-Niを用いた場合よりも大きなＭＲ比を得ることが可能となる。
【００５７】また、本実施形態によるＴＭＲ素子において，磁化固着層は、図７（ａ）に示すように、強磁性層／非磁性層／強磁性層の三層構造であってトンネルバリア層に近い強磁性層の膜厚が厚いものを用いることが好ましい。この構造にすると磁化固着層からの浮遊磁場（stray field)をキャンセルできるため、熱安定性を保ったたまま、ＭＲカーブのヒステリシス曲線をゼロ磁場に対して対称に調整することができる。
【００５８】浮遊磁場ＨｓｔｒａｙはＴＭＲ素子の長辺の長さＬに逆比例する（Ｈｓｔｒａｙ＝Ｃ／Ｌ）。ここで、Ｃは定数である。したがって、ＴＭＲ素子の長辺の長さに応じて、トンネルバリア層に近い強磁性層の厚さをどの程度厚くすれば良いか一義的に決定できる。
【００５９】また、本実施形態によるＴＭＲ素子において、磁化固着層の、少なくともトンネルバリアに隣接した強磁性層が強磁性層／アモルファス磁性層／強磁性層３層構造を有する構造、例えば図７（ｂ）に示すように、磁化固着層が強磁性層／アモルファス磁性層／強磁性層／非磁性層／強磁性層の積層構造、もしくは図７（ｃ）に示すように、強磁性層／アモルファス磁性層／強磁性層／非磁性層／アモルファス磁性層／強磁性層の積層構造を用いることが好ましい。なお、アモルファス磁性層はアモルファス強磁性層が好ましい。上記構造を用いると、反強磁性層に、Pt-Mn、Ir-Mn、Ni-Mnなどを用いた場合にもMnの拡散が押さえられ長期安定性を維持することができ、信頼性あるＴＭＲ素子を提供することができる。
【００６０】なお、アモルファス磁性層はＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉまたはそれら合金に、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｂｉ、Ｔａ、Ｗなどを数％から数１０％混ぜることによって用意に作製することができる。
【００６１】三層または多層構造の記憶層または磁化固着層に用いられる非磁性層としては、Ru（ルテニウム）、Ir（イリジウム）、Os（オスニウム）またはそれら合金を用いることが好ましい。
【００６２】また、本実施形態のＴＭＲ果素子において、磁化固着層に接するように設けられた反強磁性層は、PtｘMn1-x、NiｙMn1-y、IrｚMn1-zのいずれかから構成され、ここで、４９．５at%≦ｘ，ｙ≦５０．５ at%、２２at%≦z≦２７at%であり、反強磁性層の膜厚を１０ｎｍ以下、より好ましくは９ｎｍ以下にすることが好ましい。これにより、磁化固着層とトンネルバリア層の界面またはトンネルバリア層と記憶層との界面のラフネスをＴＥＭで観測したときピークトウピーク値、すなわち最大表面粗さが０．４ｎｍ以下、好ましくは０．３ｎｍ以下にすることが可能となる。
【００６３】また、ラフネスを抑える方法として、反強磁性層の下に設けられる下地金属層の電極材料としてはTaまたはW、バッファ層としてはRu、Ir、Ptを用いれば、磁化固着層に接する面のラフネス（最大表面粗さ）を０．２ｎｍ〜０．４ｎｍ以下とすることができる。」
　
Ｃ　図７（ｃ）には、磁化固着層として、強磁性層の上に、アモルファス磁性層、強磁性層、非磁性層、強磁性層、アモルファス磁性層、強磁性層を順次設けた積層構造が記載されている。
　
　ここで、上記引用文献１の記載事項について検討する。
　
Ｄ　ＴＭＲ素子の積層構成について
　上記Ａには、ＴＭＲ素子の積層構造として、「下地金属層２上に、反強磁性層４、磁化固着層６（ピン層とも云う）、トンネルバリア層８、磁化自由層１０（記憶層ともいう）、カバー／ハードマスク層１８を順次設けた構成となっている。」ことが記載されている。
　よって、引用文献には、「下地金属層上に、反強磁性層、磁化固着層、トンネルバリア層、磁化自由層、カバー層を順次設けたＴＭＲ素子」が記載されている。
　
Ｅ　磁化固着層の積層構造について
　上記Ｃには、ＴＭＲ素子内の磁化固着層が、「強磁性層の上に、アモルファス磁性層、強磁性層、非磁性層、強磁性層、アモルファス磁性層、強磁性層を順次設けた積層構造」であることが記載され、また、上記Ｂには、磁化固着層内のアモルファス磁性層については、「アモルファス磁性層はＣｏ、Ｆｅ、Ｎｉまたはそれら合金に、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｂｉ、Ｔａ、Ｗなどを数％から数１０％混ぜることによって用意（審決注：「用意」は「容易」の誤記であると認められる）に作製することができる」ことが記載されている。
　よって、引用文献には、「ＴＭＲ素子内の磁化固着層を、強磁性層の上に、アモルファス磁性層、強磁性層、非磁性層、強磁性層、アモルファス磁性層、強磁性層を順次設けた積層構造とし、前記アモルファス磁性層は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉまたはそれら合金に、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｂｉ、Ｔａ、Ｗなどを数％から数１０％混ぜたもの」とすることが記載されている。
　
　よって、上記Ａ乃至Ｅ及び関連図面の記載から、引用文献には、実質的に下記の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　　
「下地金属層上に、反強磁性層、磁化固着層、トンネルバリア層、磁化自由層、カバー層を順次設けたＴＭＲ素子において、
　前記磁化固着層を、強磁性層の上に、アモルファス磁性層、強磁性層、非磁性層、強磁性層、アモルファス磁性層、強磁性層を順次設けた積層構造とし、前記アモルファス磁性層は、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉまたはそれら合金に、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｂｉ、Ｔａ、Ｗなどを数％から数１０％混ぜたものとするＴＭＲ素子。」
　
　
３　対比 
（１）本願発明と引用発明との対応関係について
ア　引用発明の「下地金属層」、「反強磁性層」、「磁化固着層」、「磁化自由層」、「カバー層」、「ＴＭＲ素子」は、本願発明の「シード層」、「反強磁性（ＡＦＭ）層」、「ピンド層」、「フリー層」、「キャップ層」、「磁気抵抗効果素子」に相当する。
　
イ　本願発明の「アモルファス磁性層」は、「ＣｏＦｅＮｉ(100-X) Ａ２X （Ａ２はアモルファス性の元素を表し、Ｘは４０原子％未満である）」「で表される組成を有すると共に、Ａ２」「としてＢ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，ＳｉおよびＰからなる群から選択された少なくとも１種を含む」ものである。
　
ウ　引用発明の「アモルファス磁性層」は、「Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉまたはそれら合金に、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｂｉ、Ｔａ、Ｗなどを数％から数１０％混ぜたもの」であり、引用文献では上記Ｂの段落【００６２】に記載されているように組成の比率を「at%」で表記していることから、引用発明の「数％から数１０％」とは「数at％から数１０at％」を意味するものと認められる。
　よって、引用発明の「アモルファス磁性層」には、「Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉからなる合金に、Ｎｂを数at％から数１０at％混ぜたもの」の態様が含まれる。
　
エ　本願発明の「交換結合膜」は「アモルファス磁性層」により構成されているところ、上記イ及びウから、例えば、アモルファス性の元素として「Ｎｂ」を選択した場合、本願発明の「アモルファス磁性層」は、「ＣｏＦｅＮｉ(100-X) ＮｂX （Ｘは４０原子％未満である）」で表される組成を有するものを態様として含むものであるところ、引用発明の「アモルファス磁性層」は、「Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉからなる合金に、Ｎｂを数at％から数１０at％混ぜたもの」であるから、本願発明と引用発明とは、「ＣｏＦｅＮｉＡ２（Ａ２はアモルファス性の元素）で表される組成を有すると共に、Ａ２としてＮｂを含むアモルファス磁性層を備えた少なくとも１つの交換結合膜」を備えた点で共通していると認められる。
　
オ　引用文献の上記Ｂには、ＴＭＲ素子の磁化固着層の基本構成が、「強磁性層／非磁性層／強磁性層の三層構造」であること、及び、強磁性層自体を「強磁性層／アモルファス磁性層／強磁性層の３層構造を有する構造」とすることが記載されているので、引用発明の「磁化固着層」の積層構造である「強磁性層の上に、アモルファス磁性層、強磁性層、非磁性層、強磁性層、アモルファス磁性層、強磁性層を順次設けた積層構造」も、「『強磁性層の上に、アモルファス磁性層、強磁性層』からなる一方の強磁性層」／「非磁性層」／「『強磁性層、アモルファス磁性層、強磁性層』からなる他方の強磁性層」の三層構造から構成されているとみることができる。
　さらに、引用文献の上記Ｂには、「磁化固着層に用いられる非磁性層としては、Ru（ルテニウム）、Ir（イリジウム）、Os（オスニウム）またはそれら合金を用いる」ことが記載されている。
　してみると、引用発明の磁化固着層は、「強磁性層の上に、アモルファス磁性層、強磁性層」からなる「一方の強磁性層」と、「強磁性層、アモルファス磁性層、強磁性層」からなる「他方の強磁性層」との間に、Ru（ルテニウム）等により形成される「非磁性層」を配置した積層構造であるから、引用発明の「磁化固着層」もシンセティック反平行な構成であると認められる。　
　よって、引用発明の「『強磁性層の上に、アモルファス磁性層、強磁性層』からなる一方の強磁性層」、「非磁性層」、「『強磁性層、アモルファス磁性層、強磁性層』からなる他方の強磁性層」は、本願発明の「ＡＰ２層」、「結合層」、「ＡＰ１層」に相当し、引用発明の「磁化固着層」は、本願発明の「ＡＦＭ層側から順にＡＰ２層／結合層／ＡＰ１層を積層してなるＳｙＡＰ構造を有するピンド層」に相当していると認められる。
　
カ　引用発明の「強磁性層の上に」積層された「アモルファス磁性層」は、上記オに記載したように、「強磁性層の上に、アモルファス磁性層、強磁性層」からなる「一方の強磁性層」内に形成されたものとみることができ、上記エの事項を踏まえると、引用発明も「前記交換結合膜は、前記ＡＰ２層内に形成」された構成になっていると認められる。
　　
キ　引用発明における「トンネルバリア層」は、本願発明における「スペーサ層またはトンネルバリア層」という択一的記載のうちの「トンネルバリア層」に相当する。
　
（２）本件補正発明と引用発明の一致点について
　上記の対応関係から、本件補正発明と引用発明は、下記の点で一致する。
　
（一致点）
「（ａ）シード層と、
　（ｂ）反強磁性（ＡＦＭ）層と、
　（ｃ）ＣｏＦｅＮｉＡ２（Ａ２はアモルファス性の元素）で表される組成を有すると共に、Ａ２としてＮｂを含むアモルファス磁性層を備えた少なくとも１つの交換結合膜と、
　（ｄ）前記ＡＦＭ層側から順にＡＰ２層／結合層／ＡＰ１層を積層してなるＳｙＡＰ構造を有するピンド層と、
　（ｅ）前記ＡＰ１層に接するトンネルバリア層と、
　（ｆ）フリー層と、
　（ｇ）キャップ層と
　を備え、
　前記交換結合膜は、前記ＡＰ２層内に形成されている
　ことを特徴とする磁気抵抗効果素子。」
（３）本件補正発明と引用発明の相違点について
　本件補正発明と引用発明は、下記の点で相違する。
　
（相違点１）
　本願発明は、「再生ヘッドにおけるＧＭＲセンサまたはＴＭＲセンサを構成」するものであるのに対し、引用発明はそのようなものを構成するものではない点。　　　　　　　
（相違点２）
　交換結合膜について、本願発明は、「ＣｏＦｅＮｉ(100-X) Ａ２X （Ａ２はアモルファス性の元素を表し、Ｘは４０原子％未満である）で表される組成を有すると共に、Ａ２」として「Ｂ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｔｉ，ＳｉおよびＰからなる群から選択された少なくとも１種を含むアモルファス磁性層を備えた少なくとも１つの交換結合膜」であるのに対し、引用発明は、「Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉまたはそれら合金に、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｂｉ、Ｔａ、Ｗなどを数％から数１０％混ぜたもの」である点。
４　当審の判断 
（１）相違点１について
　磁気抵抗効果素子は、引用文献の段落【０００２】に記載されているように、従来から、磁気ヘッド、磁気センサー、及び固体磁気メモリに用いられている。また、トンネル型磁気抵抗効果素子は、ＭＲ比が大きいことから、磁気メモリだけでなく磁気ヘッド及び磁気センサーにおいても有用であることは、例えば、特開２００５−１２３４１２号公報（段落【０００６】には、ＭＲＡＭに用いられるＴＭＲ膜は、ＧＭＲ膜よりＭＲ比が大きいため、次世代の磁気ヘッド用として期待が高まっていることが記載されている。）、特開２００５−７２４３６号公報（段落【０００６】には、ＴＭＲ素子は磁気センサーとしての応用だけでなく、磁気メモリとしての応用展開も可能であることが記載されている。）、特開２００５−２０３７７４号公報（段落【０００１】には、磁気抵抗効果素子が、磁気記録再生ヘッド・磁気センサー・磁気抵抗効果型メモリー装置に適していることが記載され、段落段落【０００６】には、磁気ヘッドやＭＲＡＭデバイスの高密度化に伴い磁気抵抗効果素子にはさらに大きなＭＲ比が求められていることが記載されている。）に記載されているように周知である。
　してみると、トンネル型磁気抵抗効果素子を用いた磁気ヘッドでは、大きなＭＲ比を有するトンネル型磁気抵抗効果素子が求められているので、大きなＭＲ比が得られる引用発明のＴＭＲ素子を再生ヘッドのＴＭＲセンサに採用することが有用であることは、当業者にとって明らかである。
　よって、引用発明の磁気抵抗効果素子を磁気ヘッドに採用し上記相違点１の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものである。
　
（２）相違点２について
　引用発明の「アモルファス磁性層」には、上記３の「ウ」に記載したように、「Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉからなる合金に、Ｎｂを数at％から数１０at％混ぜたもの」の態様が含まれることから、引用発明には、「ＣｏＦｅＮｉ(100-X) Ａ２X （Ａ２はアモルファス性の元素を表し、Ｘは数原子％から１０原子％である）で表される組成を有すると共に、Ａ２」として「Ｎｂを含むアモルファス磁性層を備えた１つの交換結合膜」を態様として含むもの、即ち、引用発明には、アモルファス性の元素であるＮｂの合金に対する含有範囲を４０原子％未満の範囲とする態様が含まれている。
　よって、引用発明において、「アモルファス磁性層」を「ＣｏＦｅＮｉ(100-X) Ａ２X （Ａ２はアモルファス性の元素を表し、Ｘは数原子％から１０原子％である）で表される組成を有すると共に、Ａ２」として「Ｎｂを含むアモルファス磁性層を備えた１つの交換結合膜」とすることで、上記相違点２の構成とすることは、当業者が格別に困難無く成し得たものである。
　そして、本願発明の作用効果も、引用発明、引用文献の記載事項、及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。
　
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用発明、引用文献の記載事項、及び周知技術に基いて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、本件は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。