(57)【要約】      （修正有）【課題】デザインや形態の制約を必要とせず、加工コストの低減やエネルギー生産システムの提供が可能なＰ・Ｎ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンの製造方法を提供する。【解決手段】Ｐ型半導体内包フラーレンの外殻の一部分を炭素還元状に酸素を融合し、酸化させてフラーレン外殻に開口部を形成する開口部形成工程と、このＰ型半導体内包フラーレンを高温高圧状態にして、アルミン酸ストロンチウムを開口部より内部へ収納するアルミン酸ストロンチウム収納工程と、このアルミン酸ストロンチウムが収納されたＰ型半導体内包フラーレンの外殻開口部を光反応させ、四塩化チタンと亜鉛を用いて外殻開口部の環の縮小閉口を行なう外殻開口部の環の縮小閉口工程と、このＰ型半導体内包フラーレンを加熱して開口部を閉鎖する開口部の閉鎖工程とでＰ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンの製造方法を構成している。【選択図】図１
2007297262.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ルチル型酸化チタン、アナターゼ型酸化チタン、炭素を複合し、アーク放電法でＰ型半導体内包フラーレン含有ススを形成するＰ型半導体内包フラーレン含有ススの形成工程と、このＰ型半導体内包フラーレン含有ススの形成工程で形成されたＰ型半導体内包フラーレン含有ススを４５０℃〜６００℃で昇華作業を行なう昇華作業工程と、この昇華作業工程を経たＰ型半導体内包フラーレン含有ススを溶媒液で溶解し、高速クロマトグラフィによる分離、精製を行なう分離、精製工程と、この分離、精製工程を経たＰ型半導体内包フラーレン含有ススに含まれている溶媒液を除去してＰ型半導体内包フラーレンを形成するＰ型半導体内包フラーレンの形成工程と、このＰ型半導体内包フラーレンの形成工程で形成されたＰ型半導体内包フラーレンの外殻の一部分を炭素還元状に酸素を融合し、酸化させてフラーレン外殻に開口部を形成する開口部形成工程と、この開口部形成工程後に開口部が形成されたＰ型半導体内包フラーレンを高温高圧状態にして、アルミン酸ストロンチウムを開口部より内部へ収納するアルミン酸ストロンチウム収納工程と、このアルミン酸ストロンチウム収納工程後にアルミン酸ストロンチウムが収納されたＰ型半導体内包フラーレンの外殻開口部を光反応させ、四塩化チタンと亜鉛を用いて外殻開口部の環の縮小閉口を行なう外殻開口部の環の縮小閉口工程と、この外殻開口部の環の縮小閉口工程後に外殻開口部の環の縮小閉口されたＰ型半導体内包フラーレンを加熱して開口部を閉鎖する開口部の閉鎖工程とからなることを特徴とするＰ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンの製造方法。
【請求項２】
チタン、ルチル型酸化チタン、炭素を複合し、アーク放電法でＮ型半導体内包フラーレン含有ススを形成するＮ型半導体内包フラーレン含有ススの形成工程と、このＮ型半導体内包フラーレン含有ススの形成工程で形成されたＮ型半導体内包フラーレン含有ススを４５０℃〜６００℃で昇華作業を行なう昇華作業工程と、この昇華作業工程を経たＮ型半導体内包フラーレン含有ススを溶媒液で溶解し、高速クロマトグラフィによる分離、精製を行なう分離、精製工程と、この分離、精製工程を経たＮ型半導体内包フラーレン含有ススに含まれている溶媒液を除去してＮ型半導体内包フラーレンを形成するＮ型半導体内包フラーレンの形成工程と、このＮ型半導体内包フラーレンの形成工程で形成されたＮ型半導体内包フラーレンの外殻の一部分を炭素還元状に酸素を融合し、酸化させてフラーレン外殻に開口部を形成する開口部形成工程と、この開口部形成工程後に開口部が形成されたＮ型半導体内包フラーレンを高温高圧状態にしてアルミン酸ストロンチウムを開口部より内部へ収納するアルミン酸ストロンチウム収納工程と、このアルミン酸ストロンチウム収納工程後にアルミン酸ストロンチウムが収納されたＮ型半導体内包フラーレンの外殻開口部を光反応させ、四塩化チタンと亜鉛を用いて外殻開口部の環の縮小閉口を行なう外殻開口部の環の縮小閉口工程と、この外殻開口部の環の縮小閉口されたＮ型半導体内包フラーレンを加熱して開口部を閉鎖する開口部の閉鎖工程とからなることを特徴とするＮ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンの製造方法。
【請求項３】
Ｐ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンが保有する自由電子を削減する還元作業を行ない、自由電子を削減したＰ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンを形成する自由電子を削減したＰ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレン形成工程と、Ｎ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンが保有する自由電子を削減する還元作業を行ない、自由電子を削減したＮ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンを形成する自由電子を削減したＮ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレン形成工程と、前記自由電子を削減したＰ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンおよび前記自由電子を削減したＮ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンにルチル型酸化チタン、アナターゼ型酸化チタン、窒素を複合する粉末発電顔料複合工程とからなる粉末発電顔料の製造方法。
【請求項４】
Ｐ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンが保有する自由電子を削減する還元作業を行ない、自由電子を削減したＰ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンを形成する自由電子を削減したＰ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレン形成工程と、Ｎ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンが保有する自由電子を削減する還元作業を行ない、自由電子を削減したＮ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンを形成する自由電子を削減したＮ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレン形成工程と、前記自由電子を削減したＰ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンおよび前記自由電子を削減したＮ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンにルチル型酸化チタン、アナターゼ型酸化チタン、窒素を複合する粉末発電顔料複合工程と、この粉末発電顔料複合工程で形成された粉末発電顔料にインク主剤を複合するインク複合工程とからなる発電インクの製造方法。
【請求項５】
Ｐ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンが保有する自由電子を削減する還元作業を行ない、自由電子を削減したＰ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンを形成する自由電子を削減したＰ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレン形成工程と、Ｎ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンが保有する自由電子を削減する還元作業を行ない、自由電子を削減したＮ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンを形成する自由電子を削減したＮ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレン形成工程と、前記自由電子を削減したＰ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンおよび前記自由電子を削減したＮ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンにルチル型酸化チタン、アナターゼ型酸化チタン、窒素を複合する粉末発電顔料複合工程と、この末発電顔料複合工程で形成された粉末発電顔料を水溶液内作業でエポキシ樹脂と複合するエポキシ樹脂複合工程と、このエポキシ樹脂複合工程で形成されたエポキシ樹脂に内包された粉末発電顔料とインク主剤とを複合するインク複合工程とからなることを特徴とする発電インクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体とアルミン酸ストロンチウムをフラーレンに内包するフラーレンの製造および自己充電機能を付属させた粉末発電顔料や発電インクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来のフラーレンに物質を内包する技術においての物理的手法手段は、レーザー法精製やアーク放電法精製においてはすでに確立され、また有機化学的手法においても、フラーレンに物質を内包する技術は「分子手術」と呼ぶ、制御しやすい有機化学的な手法（フラーレン分子を切開して穴を開け、さらにこの穴を拡大した後で水素分子を骨格の内部に導入、次に水素分子を保持したまま穴を縮小していき、最後に穴を完全に閉じる）が完了し、水素分子を１００％内包したフラーレンを得ることを可能とした。  
しかしながら、この従来の手法である物理的手法と有機化学的手法の両手法を用いて、一つのフラーレン外殻に半導体物質と金属希土類の異なる二種を内包することは、なされていなかった。
内包フラーレン精製に当って物理的手法のみでの精製では今現在フラーレン外殻に内包できたと確認されている物質は限られ、また有機化学的手法においても同様に内包精製が確認された物質は限られていた。
(イ)  物理的手法においては、フラーレン外殻が形成される段階で物質を内包させる手法であるため、制約された状態であり、フラーレンへの包精製が確認された内包物質は少なかった。
(ロ)  有機化学的手法においては、フラーレン外殻形成がなされた状態で外殻の一部の結合を離し穴を開け、穴に物質を入れ穴をふさぐ手法であり、この手法においても、制約等があることにより内包精製が確認された内包物質は少なかった。
(ハ)  従来の内包フラーレン精製プロセスにおいて（イ）、（ロ)のどちらかの手法のみで精製されているため、内包可能物質が少なかった。
本発明は、これらの問題を解決するためになされたものである。
【０００３】
従来、自己エネルギー発生能力を保有する物として太陽電池等が既存するが、それらは二つの異なる部材（半導体）を
物理的反応により化学反応させたエネルギーを得るものであった。
また、それらは生産時に当っては必ず数種類の部材によって形成する物であり
固体の破壊発光ではなく弾性変形領域および、塑性変形領域にて発光現象を示す発光素材は発明されていた。
二種または多種のフラーレン結晶を可視光反応によるスイッチング機構をもって接続形成する技術はなされていなかった。
従来、クリーンエネルギー精製技術において、Ｎ型半導体とＰ型半導体を接合することにより自由電子の運動を生み出し、エネルギーを発生させる物が既存していた。
しかし、現状製品においては生産プロセスで多数の部材の構成となり、エネルギー物質の生産は困難であり、製品の活用においての高機能・小型化することにおいても困難であった。
(イ)  Ｎ型半導体・Ｐ型半導体・電極材等の部材をそれぞれ単体での構成としていたため、製品の小型化が困難であり、また同理由から生産コスト高な物となった。
(ロ  従来の技法では、前記載、項目（イ)の理由から小型化・高性能化の難易性を余儀なくされた。
(ハ)  従来の技法は生産プロセスにおいて高コスト、複数工程を必要とした。
本発明は、これらの問題点を解決するためになされたものである。
【非特許文献１】http://www.kuicr.kyoto-u.jp/announce/news_050113.html
【非特許文献２】http//:www1.accsnet.ne.jp/~kentaro/yuuki/fullerene/fullerene2.html
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明は以上のような従来の欠点に鑑み、半導体とアルミン酸ストロンチウムをフラーレンに内包し、電子材料や発光素子材料等のさまざまな産業分野で使用可能にするとともに、発電機能と逐電機能を必要とするエネルギー生産システムの生産において、デザインや形態の制約を必要とせず、加工コストの低減やエネルギー生産システムの提供が可能なＰ・Ｎ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンの製造方法を提供することを目的としている。
【０００５】
本発明は自発発電機能を保有し、単体形成を可能とし、発電機能と逐電機能を必要とするエネルギー生産システムの生産において一基材構成での活用ができ、加工コストの低減やエネルギー発生システムの提供が可能であるとともに、任意の形態加工や、印刷加工後にエネルギー生産システムの追加加工が可能な粉末発電顔料の製造方法および、発電インクの製造方法を提供することを目的としている。
【０００６】
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は次の説明を添付図面と照らし合わせて読むと、より完全に明らかになるであろう。
ただし、図面はもっぱら解説のためのものであって、本発明の技術的範囲を限定するものではない。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明はルチル型酸化チタン、アナターゼ型酸化チタン、炭素を複合し、アーク放電法でＰ型半導体内包フラーレン含有ススを形成するＰ型半導体内包フラーレン含有ススの形成工程と、このＰ型半導体内包フラーレン含有ススの形成工程で形成されたＰ型半導体内包フラーレン含有ススを４５０℃〜６００℃で昇華作業を行なう昇華作業工程と、この昇華作業工程を経たＰ型半導体内包フラーレン含有ススを溶媒液で溶解し、高速クロマトグラフィによる分離、精製を行なう分離、精製工程と、この分離、精製工程を経たＰ型半導体内包フラーレン含有ススに含まれている溶媒液を除去してＰ型半導体内包フラーレンを形成するＰ型半導体内包フラーレンの形成工程と、このＰ型半導体内包フラーレンの形成工程で形成されたＰ型半導体内包フラーレンの外殻の一部分を炭素還元状に酸素を融合し、酸化させてフラーレン外殻に開口部を形成する開口部形成工程と、この開口部形成工程後に開口部が形成されたＰ型半導体内包フラーレンを高温高圧状態にして、アルミン酸ストロンチウムを開口部より内部へ収納するアルミン酸ストロンチウム収納工程と、このアルミン酸ストロンチウム収納工程後にアルミン酸ストロンチウムが収納されたＰ型半導体内包フラーレンの外殻開口部を光反応させ、四塩化チタンと亜鉛を用いて外殻開口部の環の縮小閉口を行なう外殻開口部の環の縮小閉口工程と、この外殻開口部の環の縮小閉口工程後に外殻開口部の環の縮小閉口されたＰ型半導体内包フラーレンを加熱して開口部を閉鎖する開口部の閉鎖工程とでＰ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンの製造方法を構成している。
【０００８】
本発明はルチル型酸化チタン、アナターゼ型酸化チタン、炭素を複合し、アーク放電法でＰ型半導体内包フラーレン含有ススを形成するＰ型半導体内包フラーレン含有ススの形成工程と、このＰ型半導体内包フラーレン含有ススの形成工程で形成されたＰ型半導体内包フラーレン含有ススを４５０℃〜６００℃で昇華作業を行なう昇華作業工程と、この昇華作業工程を経たＰ型半導体内包フラーレン含有ススを溶媒液で溶解し、高速クロマトグラフィによる分離、精製を行なう分離、精製工程と、この分離、精製工程を経たＰ型半導体内包フラーレン含有ススに含まれている溶媒液を除去してＰ型半導体内包フラーレンを形成するＰ型半導体内包フラーレンの形成工程と、このＰ型半導体内包フラーレンの形成工程で形成されたＰ型半導体内包フラーレンの外殻の一部分を炭素還元状に酸素を融合し、酸化させてフラーレン外殻に開口部を形成する開口部形成工程と、この開口部形成工程後に開口部が形成されたＰ型半導体内包フラーレンを高温高圧状態にして、アルミン酸ストロンチウムを開口部より内部へ収納するアルミン酸ストロンチウム収納工程と、このアルミン酸ストロンチウム収納工程後にアルミン酸ストロンチウムが収納されたＰ型半導体内包フラーレンの外殻開口部を光反応させ、四塩化チタンと亜鉛を用いて外殻開口部の環の縮小閉口を行なう外殻開口部の環の縮小閉口工程と、この外殻開口部の環の縮小閉口工程後に外殻開口部の環の縮小閉口されたＰ型半導体内包フラーレンを加熱して開口部を閉鎖する開口部の閉鎖工程とでＮ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンの製造方法を構成している。
【０００９】
本発明はＰ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンが保有する自由電子を削減する還元作業を行ない、自由電子を削減したＰ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンを形成する自由電子を削減したＰ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレン形成工程と、Ｎ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンが保有する自由電子を削減する還元作業を行ない、自由電子を削減したＮ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンを形成する自由電子を削減したＮ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレン形成工程と、前記自由電子を削減したＰ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンおよび前記自由電子を削減したＮ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンにルチル型酸化チタン、アナターゼ型酸化チタン、窒素を複合する粉末発電顔料複合工程とで発電インクの製造方法を構成している。
【００１０】
本発明はＰ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンが保有する自由電子を削減する還元作業を行ない、自由電子を削減したＰ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンを形成する自由電子を削減したＰ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレン形成工程と、Ｎ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンが保有する自由電子を削減する還元作業を行ない、自由電子を削減したＮ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンを形成する自由電子を削減したＮ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレン形成工程と、前記自由電子を削減したＰ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンおよび前記自由電子を削減したＮ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンにルチル型酸化チタン、アナターゼ型酸化チタン、窒素を複合する粉末発電顔料複合工程と、この粉末発電顔料複合工程で形成された粉末発電顔料にインク主剤を複合するインク複合工程とで発電インクの製造方法を構成している。
【発明の効果】
【００１１】
以上の説明から明らかなように、本発明にあっては次に列挙する効果が得られる。
【００１２】
（１）請求項１によって、Ｐ型半導体とアルミン酸ストロンチウムを内包したフラーレンを製造することができる。
このＰ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンは電子材料や発光素子材料等のさまざまな産業で使用できる。
【００１３】
（２）請求項２によって、Ｎ型半導体とアルミン酸ストロンチウムを内包したフラーレンを製造することができる。  
このＮ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンは電子材料や発光素子材料等のさまざまな産業で使用される。
【００１４】
（３）請求項３によって、インク等に混合して使用できる粉末発電顔料を製造することができる。
このように製造された粉末発電顔料は発電機能と逐電機構を必要とするエネルギー生産システムを印刷加工で行なうことができる。
【００１５】
（４）請求項４によって、発電インクを製造することができる。
このように製造された発電インクはエネルギー生産システムの発電と逐電機能を印刷加工ででき、コストの低減を図ることができるとともに、追加加工を容易に行なうことができる。
【００１６】
（５）請求項５も前記（４）と同様な効果が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、図面に示す本発明を実施するための最良の形態により、本発明を詳細に説明する。
【００１８】
図１ないし図２０に示す本発明を実施するための第１の形態において、１は粉末発電顔料の製造方法で、この粉末発電顔料の製造方法１はＰ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレン２を製造するＰ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンの製造工程３と、Ｎ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレン４を製造するＮ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンの製造工程５と、自由電子を削減したＰ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレン６を形成する自由電子を削減したＰ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンの形成工程７と、自由電子を削減したＮ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレン８を形成する自由電子を削減したＮ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンの形成工程９と、図２に示すように前記自由電子を削減したＰ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンの形成工程７で形成された自由電子を削減したＰ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレン６および前記自由電子を削減したＮ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンの形成工程９で形成された自由電子を削減したＮ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレン８にルチル型酸化チタン１０、アナターゼ型酸化チタン１１、窒素１２を複合して粉末発電顔料１３にする粉末発電顔料複合工程１４とで構成されている。
【００１９】
前記Ｐ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンの製造工程３は図３ないし図１１に示すように、ルチル型酸化チタン１５、アナターゼ型酸化チタン１６、炭素１７を複合し、図４に示すようにアーク放電法でＰ型半導体内包フラーレン含有スス１８を形成するＰ型半導体内包フラーレン含有ススの形成工程１９と、このＰ型半導体内包フラーレン含有ススの形成工程１９で形成されたＰ型半導体内包フラーレン含有スス１８を図５に示すように昇華作業機２０で４５０℃〜６００℃に加熱して昇華作業を行なう昇華作業工程２１と、この昇華作業工程２１を経たＰ型半導体内包フラーレン含有スス１８Ａを図６に示すように溶媒液２２で溶解し、０〜５℃で約１時間、超音波照射で高速クロマトグラフィ２３による分離精製を行なう分離、精製工程２４と、この分離、精製工程２４を経たＰ型半導体内包フラーレン含有スス１８Ｂに含まれている溶媒液２２を除去して、図７に示すようにＰ型半導体内包フラーレン２５を形成するＰ型半導体内包フラーレンの形成工程２６と、このＰ型半導体内包フラーレンの形成工程２６で形成されたＰ型半導体内包フラーレン２５の外殻２７の一部分を炭素還元状に酸素を融合し、酸化させて図８に示すようにフラーレン外殻２７に開口部２８を形成する開口部形成工程２９と、この開口部形成工程２９後に開口部２８が形成されたＰ型半導体内包フラーレン２５Ａを、図９に示すようにレーザー加熱で高温高圧状態にして、アルミン酸ストロンチウム３０を開口部２８より内部へ収納するアルミン酸ストロンチウム収納工程３１と、このアルミン酸ストロンチウム収納工程３１後に、図１０に示すようにアルミン酸ストロンチウム３０が収納されたＰ型半導体内包フラーレン２５Ｂの外殻開口部２８を光反応させ、四塩化チタン３２と亜鉛３３を用いて外殻開口部の環の縮小閉口工程３４と、この外殻開口部の環の縮小閉口工程３４後に、図１１に示すように外殻開口部の環の縮小閉口されたＰ型半導体内包フラーレン２５Ｃを加熱して開口部２８を閉鎖する開口部の閉鎖工程３５とで構成されている。
【００２０】
前記Ｎ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンの製造工程５は図１２ないし図２０に示すように、チタン３６、ルチル型酸化チタン３７、炭素３８を複合し、図１３に示すようにアーク放電法でＮ型半導体内包フラーレン含有スス３９を形成するＮ型半導体内包フラーレン含有ススの形成工程４０と、このＮ型半導体内包フラーレン含有ススの形成工程４０で形成されたＮ型半導体内包フラーレン含有スス３９を、図１４に示すように昇華作業機４１で４５０℃〜６００℃で昇華作業を行なう昇華作業工程４２と、この昇華作業工程４２を経たＮ型半導体内包フラーレン含有スス３９Ａを、図１５に示すように溶媒液４３で溶解し、０〜５℃で約１時間、超音波照射で高速クロマトグラフィ４４による分離、精製を行なう分離、精製工程４５と、この分離、精製工程４５を経たＮ型半導体内包フラーレン含有スス３９Ｂに含まれている溶媒液４３を除去して、図１６に示すようにＮ型半導体内包フラーレン４６を形成するＮ型半導体内包フラーレンの形成工程４７と、このＮ型半導体内包フラーレンの形成工程４７で形成されたＮ型半導体内包フラーレン４６の外殻４８の一部分を炭素還元状に酸素を融合し、酸化させて図１７に示すようにフラーレン外殻４８に開口部４９を形成する開口部形成工程５０と、この開口部形成工程５０後に開口部４９が形成されたＮ型半導体内包フラーレン４６Ａを図１８に示すようにレーザー加熱で高温高圧状態にして、アルミン酸ストロンチウム５１を開口部４９より内部へ収納するアルミン酸ストロンチウム収納工程５２と、このアルミン酸ストロンチウム収納工程５２後に、図１９に示すようにアルミン酸ストロンチウム５１が収納されたＮ型半導体内包フラーレン４６Ｂの外殻開口部４９を光反応させ、四塩化チタン３２と亜鉛３３を用いて外殻開口部４９の環の縮小閉口を行なう外殻開口部の環の縮小閉口工程５４と、この外殻開口部の環の縮小閉口されたＮ型半導体内包フラーレン４６Ｃを図２０に示すように加熱して開口部を閉鎖する開口部の閉鎖工程５５とで構成されている。
【００２１】
前記自由電子を削減したＰ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンの形成工程７は、前記Ｐ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレン２が保有する自由電子を削減する還元作業を行なって、自動電子を削減したＰ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレン６を形成する。
【００２２】
前記自由電子を削減したＮ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンの形成工程９は、前記Ｎ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレン４が保有する自由電子を削減する還元作業を行なって、自由電子を削減したＮ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレン８を形成する。
【００２３】
上記構成の粉末発電顔料の製造方法１で製造された粉末発電顔料１３はインクや接着剤と混合され、発電層を形成する場合に使用される。
[発明を実施するための異なる形態]
【００２４】
次に、図２１ないし図２７に示す本発明を実施するための異なる形態につき説明する。なお、これらの本発明を実施するための異なる形態の説明に当って、前記本発明を実施するための最良の第１の形態と同一構成部分には同一符号を付して重複する説明を省略する。
【００２５】
図２１ないし図２３に示す本発明を実施するための第２の形態において、前記本発明を実施するための最良の第１の形態と主に異なる点は、粉末発電顔料複合工程１４で形成された粉末発電顔料１３に、従来からインクとして使用されているインク主剤５６を複合して発電インク５７を形成する発電インク形成工程５８を行なって、発電インクの製造方法５９を行なった点で、このような発電インクの製造方法５９で製造された発電インク５７は、図２３に示すように用紙フィルムシート、特殊加工用紙等、印刷技術の可能な範囲の印刷基材６０にオフセット印刷、凸版印刷、スクリーン印刷等の印刷によって、発電機能と逐電機能を保有する発電インク層６１を形成することができる。
【００２６】
図２４ないし図２７に示す本発明を実施するための第３の形態において、前記本発明を実施するための第２の形態と主に異なる点は、粉末発電顔料１３とエポキシ樹脂６２とを水溶液内作業にて複合して、図２５に示すように粉末発電顔料内包エポキシ樹脂のマイクロカプセル６３を形成するマイクロカプセルの形成工程６４と、このマイクロカプセルの形成工程６４後にマイクロカプセル６３とインク主剤５６とを複合して、図２６に示すように発電インク５７Ａを形成する発電インクの形成工程６５を行なって、発電インクの製造方法５９Ａを行なった点で、このような発電インクの製造方法５９Ａで製造された発電インク５７Ａは、図２７に示すように印刷基材６０に発電機能と逐電機能を保有する発電インク層６１Ａを印刷により形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【００２７】
本発明はＰ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンの製造、Ｎ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンの製造、粉末発電顔料の製造および発電インクの製造産業で利用される。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明を実施するための最良の第１の形態の工程図。
【図２】粉末発電顔料複合工程の説明図。
【図３】Ｐ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンの製造工程の説明図。
【図４】Ｐ型半導体内包フラーレン含有ススの形成工程の説明図。
【図５】昇華作業工程の説明図。
【図６】分離、精製工程の説明図。
【図７】Ｐ型半導体内包フラーレンの形成工程の説明図。
【図８】開口部形成工程の説明図。
【図９】アルミン酸ストロンチウム収納工程の説明図。
【図１０】外殻開口部の環の縮小閉口工程の説明図。
【図１１】開口部の閉鎖工程の説明図。
【図１２】Ｎ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンの製造工程の説明図。
【図１３】Ｎ型半導体内包フラーレン含有ススの形成工程の説明図。
【図１４】昇華作業工程の説明図。
【図１５】分離、精製工程の説明図。
【図１６】Ｎ型半導体内包フラーレンの形成工程の説明図。
【図１７】開口部形成工程の説明図。
【図１８】アルミン酸ストロンチウム収納工程の説明図。
【図１９】外殻開口部の環の縮小閉口工程の説明図。
【図２０】開口部の閉鎖工程の説明図。
【図２１】本発明を実施するための第２の形態の工程図。
【図２２】発電インクの形成工程の説明図。
【図２３】発電インクで印刷基材に印刷した状態の拡大断面図。
【図２４】本発明を実施するための第３の形態の工程図。
【図２５】マイクロカプセルの形成工程の説明図。
【図２６】発電インクの形成工程の説明図。
【図２７】発電インクで印刷基材に印刷した状態の拡大断面図。
【符号の説明】
【００２９】
１：粉末発電顔料の製造方法、
２：Ｐ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレン            、
３：Ｐ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンの製造工程、
４：Ｎ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレン、
５：Ｎ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンの製造工程、            
６：自由電子を削減したＰ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレン、７：自由電子を削減したＰ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンの形成工程、
８：自由電子を削減したＮ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレン、９：自由電子を削減したＮ型半導体・アルミン酸ストロンチウム内包フラーレンの形成工程、
１０：ルチル型酸化チタン、    １１：アナターゼ型酸化チタン、
１２：窒素、                  １３：粉末発電顔料、
１４：粉末発電顔料複合工程、  １５：ルチル型酸化チタン、
１６：アナターゼ型酸化チタン、１７：炭素、
１８、１８Ａ、１８Ｂ：Ｐ型半導体内包フラーレン含有スス、
１９：Ｐ型半導体内包フラーレン含有ススの形成工程、
２０：昇華作業機、            ２１：昇華作業工程、
２２：溶媒液、                ２３：高速クロマトグラフィ、
２４：分離、精製工程、
２５、２５Ａ、２５Ｂ、２５Ｃ：Ｐ型半導体内包フラーレン、
２６：Ｐ型半導体内包フラーレンの形成工程、
２７：外殻、                  ２８：開口部、
２９：開口部形成工程、        ３０：アルミン酸ストロンチウム、
３１：アルミン酸ストロンチウム収納工程、
３２：四塩化チタン、          ３３：亜鉛、
３４：外殻開口部の環の縮小閉口工程、
３５：開口部の閉鎖工程、      ３６：チタン、
３７：ルチル型酸化チタン、    ３８：炭素、
３９、３９Ａ、３９Ｂ：Ｎ型半導体内包フラーレン含有スス、
４０：Ｎ型半導体内包フラーレン含有ススの形成工程、
４１：昇華作業機、            ４２：昇華作業工程、
４３：溶媒液、                ４４：高速クロマトグラフィ、
４５：分離、精製工程、
４６、４６Ａ、４６Ｂ、４６Ｃ：Ｎ型半導体内包フラーレン、
４７：Ｎ型半導体内包フラーレンの形成工程、
４８：外殻、                  ４９：開口部、
５０：開口部形成工程、        ５１：アルミン酸ストロンチウム、
５２：アルミン酸ストロンチウム収納工程、
５４：外殻開口部の環の縮小閉口工程、
５５：開口部の閉鎖工程、      ５６：インク主剤、
５７、５７Ａ：発電インク、    ５８：発電インクの形成工程、
５９、５９Ａ：発電インクの製造方法、
６０：印刷基材、              ６１、６１Ａ：発電インク層、
６２：エポキシ樹脂、          ６３：マイクロカプセル、
６４：マイクロカプセルの形成工程、
６５：発電インクの形成工程。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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