【事件の表示】
　特許第２７７０９４５号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．請求の要旨
　本件審判の請求の要旨は、特許第２７７０９４５号（昭和６２年１１月１０日特許出願（優先権：昭和６１年１１月１０日、米国）、平成１０年４月１７日設定登録）に係る明細書を審判請求書に添付した訂正明細書のとおり、すなわち、下記訂正事項ａ〜ｉのとおり訂正することを求めるものである。
　
１．１　　訂正事項ａ
　特許請求の範囲第１項中の「誘電体層をパターンニング」を「二酸化ケイ素からなる誘電体層をパターンニング」と訂正する。
１．２　　訂正事項ｂ
　特許請求の範囲第１項中の「該誘電体層及び該露出した下地材料を被覆」を「該孔内の誘電体層及び該露出した下地材料を被覆」と訂正する。
１．３　　訂正事項ｃ
　特許請求の範囲第１項中の「タングステン層を堆積させて、」を「タングステン層をブランケット堆積させて、」と訂正する。
１．４　　訂正事項ｄ
　特許請求の範囲第１項中の「該タングステン層により該誘電体層及び該露出した下地材料上の該接着層を被覆する」を「該タングステン層により該接着層が被覆された該孔を充填するよう該誘電体層及び該露出した下地材料上の該接着層を被覆する」と訂正する。
１．５　　訂正事項ｅ
　特許請求の範囲第１項中の「からなる方法において、」を「、及び前記タングステン層及び前記接着層をエッチングバックすることにより、前記誘電体層の上表面、該接着層の上表面及び前記孔中に充填された前記タングステンの上表面からなる平坦表面を形成して、前記孔中に充填された前記タングステンのバイアを形成する工程とからなる方法において、」と訂正する。
１．６　　訂正事項ｆ
　特許請求の範囲第２項、第５項及び第６項を削除する。
１．７　　訂正事項ｇ
　特許請求の範囲第３項を第２項に繰り上げるとともに「第１項又は第２項記載の方法」を「第１項記載の方法」と訂正する。
１．８　　訂正事項ｈ
　特許請求の範囲第４項を第３項に繰り上げるとともに「第１項又は第２項記載の方法」を「第１項記載の方法」と訂正する。
１．９　　訂正事項ｉ
　明細書第７頁第６行〜第７行の「タングステン層の過度のアンダーカット」を「接着層の過度のアンダーカット」と訂正する。
　
２．訂正拒絶理由
　平成１４年２月２２日付訂正拒絶理由の概要は、次のとおりである。
「本件訂正発明は、特願昭６１−４８４６２号（特開昭６２−２０６８５２号公報）の願書に最初に添付した明細書又は図面に記載された発明と同一であり、また、刊行物１：特開昭６１−１１２３５３号公報、刊行物２：1-36 Proceedings Third International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference、June 9-10 1986、pp.418−435「BLANKET CVD TUNGSTEN INTERCONNECT FOR VLSI DEVICES」、刊行物３：特開昭５９−１９８７３４号公報、刊行物４：特開昭５８−９８９６３号公報、刊行物５：「High　Aspect　Ratio　Hole　Filling　with　CVD　Tungsten　for　Multi-level　Interconnection」Extended　Abstracts　of　the　18th（1986　International）Conferennce　on　Solid　State　Devices　and　Materials，Tokyo，１９８６年８月２０〜２２日，pp.503-506、刊行物６：特開昭６０−１００４６４号公報に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条の２及び同法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。したがって、本件審判の請求は、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項により、なお従前の例とされる改正前の特許法第１２６条第３項の規定に適合しない。」
　
３．独立特許要件の検討
３．１　本件訂正発明
　本件特許２７７０９４５号の訂正された特許請求の範囲第１項の発明（以下、「本件訂正発明」という。）は、その特許請求の範囲第１項に記載された以下のとおりのものである。
「集積回路の製作方法であって、
　二酸化ケイ素からなる誘電体層をパターンニングして孔を形成し、該孔が下地材料を露出する工程であって、該露出した下地材料が導電性材料からなるものである工程、
　該孔内の誘電体層及び該露出した下地材料を被覆する接着層を堆積させる工程、
　化学気相堆積によりタングステン層をブランケット堆積させて、該タングステン層により該接着層が被覆された該孔を充填するよう該誘電体層及び該露出した下地材料上の該接着層を被覆する工程、及び
　前記タングステン層及び前記接着層をエッチングバックすることにより、前記誘電体層の上表面、該接着層の上表面及び前記孔中に充填された前記タングステンの上表面からなる平坦表面を形成して、前記孔中に充填された前記タングステンのバイアを形成する工程とからなる方法において、
　該接着層が実質的にＴｉＮからなり、該タングステン層は減圧化学気相堆積において実質的にＷＦ６をＨ２で還元することによって堆積されていることを特徴とする集積回路の製作方法。」
　
３．２　特許法第２９条の２について
３．２．１　先願明細書に記載された発明
　当審が訂正拒絶理由通知において提示した、本件の出願日（優先権主張の日）前の他の出願であって、その出願後に出願公開された特願昭６１−４８４６２号（昭和６１年３月７日出願、特開昭６２−２０６８５２号公報：特許異議申立人諸永芳春の甲第２号証参照）の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「先願明細書」という。）には、第１図と共に以下の点が記載されている。
「（１）半導体もしくは金属表面上に絶縁膜を形成し、この絶縁膜に前記半導体もしくは金属の一部が露出するように開孔部を設ける工程と、その後前記絶縁膜と密着性の良い第１の金属膜を前記開孔部及び絶縁膜上に被着する工程と、続いて前記第１の金属膜の上の全面に第２の金属膜を形成して前記開孔部を埋め込む工程と、しかる後前記開孔部以外に存在する前記第１及び第２の金属膜を除去する工程とを含む半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲（１））
「（３）第１の金属膜がチタン，ジルコニウム，ハフニウム，ニオブ，タンタル，及びこれらの硅化物，窒化物又はタングステンあるいはモリブデンの硅化物のいずれかである特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。
（４）第２の金属がタングステン又はモリブデン及びこれらの硅化物のいずれかである特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲（３）及び（４））
「（産業上の利用分野）
　本発明は半導体装置の製造方法に係わり、特に配線の接続部をタングステン等の金属膜で埋め込んだ半導体装置の製造方法に関する。」（第２頁左上欄第１１〜１４行）
「（実施例）
　以下、本発明による半導体装置の製造方法の実施例について説明する。
　まず本発明の第１の実施例を第１図を参照して説明する。第１図(a)の如く５ΩcmのＰ型（１００）シリコン基板(16)に形成したヒ素（Ａｓ）高濃度ドーピング層(10)の上に絶縁膜として約１．２μｍのＳｉＯ２膜(11)を常圧ＣＶＤ法で形成した後、反応性イオンエッチング等により所望の場所に直径０．４μｍの開孔部(15)を設ける。次に第１図(b)の如く６５０℃の減圧ＣＶＤ装置内において分圧０．１５Ｔｏｒｒで水素（Ｈ２）を、分圧０．０５ＴｏｒｒでＴｉＣｌ４を導入し、約２００Åの第１の金属膜であるチタン（Ｔｉ）膜(12)を被着し、続いて装置内を排気した後、基板温度４００℃，分圧０．２Ｔｏｒｒで水素（Ｈ２）を、分圧０．０３Ｔｏｒｒで六フッ化タングステン（ＷＦ６）を導入し第２の金属膜であるタングステン膜(13)を０．３μｍ堆積して開孔部(15)を埋め込んだ。その後、第１図(c)の如く０．５μｍのフォトレジスト(14)を塗布し、２００℃でベーキングした後、第１図(d)の如くＣＦ４とＮ２を用いて開孔部(15)以外に形成したタングステン膜(13a)を反応性イオンエッチングで除去し、続いて塩素(Ｃｌ２)を導入し平坦部のチタン膜(12a)を除去して開孔部(15)にのみタングステン膜(13b)及びチタン膜(12b)が埋め込まれた形状を得る。この実施例では、タングステン膜(13)の膜はがれは見られず又上層に図示しないＡｌ−Ｓｉ配線をした時のシリコン基板とのコンタクト抵抗を測定すると１×１０−６Ωｃｍ２で電流−電圧特性は良好なオーミック性を示した。」（第３頁左上欄第１７行〜同頁左下欄第６行）
「上記各実施例において、第１の金属としてチタンあるいはタングステン−シリコン合金、第２の金属としてタングステンを用いたが、本発明はこれらに限定されるものではなく第１の金属としてはチタン（Ｔｉ），ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），ニオブ（Ｎｂ），タンタル（Ｔａ），及びこれらの硅化物（シリコンとの合金），窒化物，又はモリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ）の硅化物であってもよく、第２の金属としては、タングステン（Ｗ）以外にモリブデン（Ｍｏ）あるいはそれらの硅化物であっても同様の効果が得られる。」（第４頁右下欄第７〜１７行）
「更にＳｉＯ２膜(11)の下層はＮ＋あるいはＰ＋のシリコン基板もしくはチタン，ジルコニウム，ハフニウム，ニオブ，タンタル，クロム，モリブデン，タングステン及びこれらの硅化物又は窒化物，あるいは、ニッケル，パラジウム，プラチナ及びこれらの硅化物，あるいはアルミニウム，銅を主成分とする金属膜のいずれでもよい。」（第５頁左上欄第１〜７行）
「（発明の効果）
　以上、述べてきたように本発明によれば絶縁膜に形成したコンタクトホールあるいはスルーホール等の開孔部をタングステン等の金属膜で埋め込むに際し、この金属膜と前記絶縁膜との間にこの絶縁膜と密着性の良い第１の金属膜を介在させるので金属膜のはがれが生ぜずエッチングした後も絶縁膜表面の平坦化が保たれる。又、開孔部にも隙は生じないので電気的接触も良好である。」（第５頁左上欄第８〜１６行）
　
３．２．２　本件訂正発明と先願明細書に記載された発明との対比判断
　上記先願明細書において、第２の金属膜であるタングステン膜(13)は、減圧ＣＶＤ装置内を排気した後、基板温度４００℃，分圧０．２Ｔｏｒｒで水素（Ｈ２）を、分圧０．０３Ｔｏｒｒで六フッ化タングステン（ＷＦ６）を導入して全表面に堆積されている。即ち、第２の金属膜であるタングステン膜(13)の堆積は、ブランケット堆積であり、減圧化学気相堆積において実質的にＷＦ６をＨ２で還元することによって行われている。さらに、第１図(d)等の記載から、タングステン膜(13)及び第１の金属膜(12)をエッチングバックすることにより、ＳｉＯ２膜(11)の上表面、第１の金属膜(12b)の上表面及び開孔部(15)中に充填されたタングステン膜(13b)の上表面からなる平坦表面を形成して、開孔部(15)中に充填されたタングステン膜(13b)のバイアを形成している。また、先願明細書には、第１の金属としてチタンの窒化物、即ちＴｉＮが選択肢として記載されており、また、先願の出願時点においてＴｉＮが導電性を有し実施可能であることは明らかである。
　してみると、上記先願明細書には、「半導体装置の製造方法であって、ＳｉＯ２膜(11)をパターンニングして開孔部(15)を形成し、該開孔部(15)が下層を露出する工程であって、該露出した下層が半導体もしくは金属膜からなるものである工程、該開孔部(15)内のＳｉＯ２膜(11)及び露出した下層を被覆するＴｉＮからなる第１の金属膜(12)を堆積させる工程、減圧化学気相堆積により実質的にＷＦ６をＨ２で還元することによってタングステン膜(13)をブランケット堆積させて、該タングステン膜(13)により該第１の金属膜(12)が被覆された該開孔部(15)を充填するよう該ＳｉＯ２膜(11)及び該露出した下層上の第１の金属膜(12)を被覆する工程、及び該タングステン膜(13)及び該第１の金属膜(12)をエッチングバックすることにより、該ＳｉＯ２膜(11)の上表面、該第１の金属膜(12b)の上表面及び該開孔部(15)中に充填された該タングステン膜(13b)の上表面からなる平坦表面を形成して、該開孔部(15)中に充填された該タングステン膜(13b)のバイアを形成する工程とからなる半導体装置の製造方法」が記載されているものと認められる。
　そこで、本件訂正発明と上記先願明細書に記載された発明とを対比すると、上記先願明細書に記載の「ＳｉＯ２膜(11)」、「開孔部(15)」、「下層」、「半導体もしくは金属膜」、「第１の金属膜」及び「半導体装置」はそれぞれ本件訂正発明の「二酸化ケイ素からなる誘電体層」、「孔」、「下地材料」、「導電性材料」、「接着層」及び「集積回路」に相当するから、両者は
「集積回路の製作方法であって、
　二酸化ケイ素からなる誘電体層をパターンニングして孔を形成し、該孔が下地材料を露出する工程であって、該露出した下地材料が導電性材料からなるものである工程、
　該孔内の誘電体層及び該露出した下地材料を被覆する接着層を堆積させる工程、
　化学気相堆積によりタングステン層をブランケット堆積させて、該タングステン層により該接着層が被覆された該孔を充填するよう該誘電体層及び該露出した下地材料上の該接着層を被覆する工程、及び
　前記タングステン層及び前記接着層をエッチングバックすることにより、前記誘電体層の上表面、該接着層の上表面及び前記孔中に充填された前記タングステンの上表面からなる平坦表面を形成して、前記孔中に充填された前記タングステンのバイアを形成する工程とからなる方法において、
　該接着層が実質的にＴｉＮからなり、該タングステン層は減圧化学気相堆積において実質的にＷＦ６をＨ２で還元することによって堆積されていることを特徴とする集積回路の製作方法。」の点、即ちすべての点で一致する。
　
　なお、請求人は、平成１４年１月８日付け審判請求書第６頁第１９〜２２行において、先願明細書に記載された発明に関して「このリストに含まれるＺｒ３Ｎ４とＨｆ（「Ｆ」は「ｆ」の誤記）３Ｎ４は絶縁体であり、利用できないだろう。このような単なる候補者リストが、この候補の１つ１つを確認した全ての後願の発明を排除することは特許制度上からして、不合理である。」と主張している。しかし、金属は導電性を有するものであるから、導電性を有する第１の
金属
　また、請求人は、平成１４年８月２７日付け意見書第３頁第１〜８行において先願明細書に記載された発明に関して「その記載全体がＴｉの代替材料として合理的に当業者が認識できる内容でないのなら、その記載全体が無効であろう。・・・１つの記載内容としてそこに重要な瑕疵が含まれている以上、その記載全体に当業者に技術的教示をするものでもなく発明の存在は否定されるべきである。」と主張しているが、先願明細書に記載された発明にどのような瑕疵があるのか具体的主張がなく、前記主張は採用できない。仮に、先願明細書に記載された発明の一部に瑕疵があるとしても、それによって他の実施可能なものまで発明の存在を否定されるとの主張には、何ら根拠がなく、肯定できない。
　さらに、請求人は、平成１４年９月１２日付けファクシミリにおいて「特願昭６１−４８４６２号の実施例のＴｉに代わるリストされた内容は、単にspeculativeであり、バイア形成時のＳｉＯ２層とＷ層との間の接着層の教示とはなり得ない記載である点について、平成１１年１２月１日に提出した「特許異議意見書」をここに添付します。」主張している。しかし、「特許異議意見書」の主張は、上記平成１４年１月８日付け審判請求書第６頁第１９〜２２行における主張と同様の趣旨であり、同様の理由により採用できない。
　また、同ファクシミリにおいて「又、ＴｉＮはこのような接着層としてＴｉと比しても格別なものであり（添付文献参照）、特願昭６１−４８４６２号のリストの教示からではＴｉＮを特に選択することはできない。」と主張しており、その添付された参考文献は、本件訂正発明の優先日（昭和６１年１１月１０日）より後の平成３年２月１１日〜１２日の発行であり、「プラズマ強化ＣＶＤ酸化物または窒化物のような絶縁体上のＣＶＤＷの接着性は著しく劣る。タングステンおよび多様な基板の層間に接着層が必要である。・・・表Ｉは非窒化ＴｉおよびＴｉＮ上におけるＣＶＤＷの接着性を比較したものである。・・・アニーリングによるチタンの窒化が著しく接着性を高めたことに注目することは重要である。」と記載されている。しかし、参考文献に記載された効果、即ち「非窒化ＴｉよりＴｉＮが著しく接着性を高めた」との効果は、本件訂正発明の明細書又は図面に記載されていない効果の主張であり、本件訂正発明の効果とは認められない。仮に、本件訂正発明の効果と認めたとしても、先願明細書においても、ＴｉＮは接着層として記載されているのであって、参考文献に記載された効果は、先願明細書に記載された効果と同質のものであり、格別際立って優れた効果とも認められないし、当業者の予測を超える効果とも認められない。したがって、いずれにしても、前記主張は採用できない。
　さらに、先願発明の出願以前に公知であった下記刊行物３には、ＴｉＮがＳｉＯ２膜、Ａｌ層との密着性に優れている点が記載され、下記刊行物４、６には、ＴｉＮ上にＷを形成することが記載されているので、ＴｉＮ／ＳｉＯ２とＴｉＮ／Ｗのそれぞれが相性のよい組み合わせであることは、先願発明の出願時点に於いて明らかであり、さらに、下記刊行物３、６に示されるように、ＴｉＮはバリアメタルとしてもよく用いられていたものである。したがって、先願明細書に記載された発明からＴｉＮを選択することに格別の阻害要因はなく、その効果についても当業者の予想を超える格別顕著な効果であるとは認められないので、「リストの教示からではＴｉＮを特に選択することはできない。」との前記主張は採用できない。
　また、同ファクシミリにおいて「又、Ｚｒ３Ｎ４、Ｈｆ３Ｎ４の他、ＺｒＮ、ＨｆＮが導電（「面」は「導」の誤記）性を有するといってもＳｉＯ２層とＷ層との間の接着層の問題であるのだから、接着層として
実際的
実際的
実際的
　
３．２．３　特許法第２９条の２についてのまとめ
　よって、本件訂正発明は、先願明細書に記載された発明と同一であり、しかも、本件訂正発明の発明者が上記先願明細書に記載された発明の発明者と同一であるとも、また、本件訂正発明の出願の時に、その出願人が上記他の出願の出願人と同一であるとも認められないので、本件訂正発明は、特許法第２９条の２の規定に違反するものである。
　
３．３　特許法第２９条第２項について
３．３．１　当審が訂正拒絶理由通知において提示した各刊行物に記載された発明
３．３．１．１　刊行物１：特開昭６１−１１２３５３号公報（特許異議申立人松下愛の甲第１号証）
　刊行物１には、第２、３図と共に以下の点が記載されている。
「〔発明の目的〕                          
  　本発明の目的は、上記欠点を除去し、多層配線における開孔部を高融点金属膜で埋ることにより平坦化し、配線の断線等による不良の生じない多層配線の形成方法を提供することにある。」（第２頁左上欄第６〜１０行）
「第２図(a)〜(d)は本発明の一実施例を説明するための工程断面図であり、特に素子とのコンタクト部上にＡｌ配線を形成する場合を示している。
　まず第２図(a)に示すように、半導体素子等が形成された半導体基板１０上の絶縁膜１１に幅１〜２μｍのコンタクト用開孔部１２を形成する。微細な開孔部の形成には反応性イオンエッチング法（ＲＩＥ法）（「（ＲＩ)(Ｅ法）」は「（ＲＩＥ法）」の誤記）等のドライエッチング法が適している。
　次に第２図(b)に示すように、開孔部１２を含み絶縁膜１１全面に気相成長法（Chemical Vapor Deposition法:ＣＶＤ法）によりタングステン（Ｗ）膜１３を堆積し、開孔部１２を埋める。
　Ｗ膜１３はＣＶＤ法により形成されるため、開孔部１２は完全に埋る。そして、その上部のくぼみも小さく、Ｗ膜１２はほぼ平坦に形成される。
　次に第２図(c)に示すように、ＲＩＥ法によりＷ膜１２をエッチングし、絶縁膜１１を露出させる。この工程によりＷ膜１３は開孔部１２の部分にのみ残ることになる。
　次に第２図(d)に示すように、全面に厚さ約１０μｍのＡｌ膜を堆積したのちパターニングしてＡｌ配線１４を形成し１層目の配線が完成する。」（第２頁右上欄第５行〜同頁左下欄第８行）
「２層以上の多層配線を施す場合は、このＡｌ配線１４上にＳｉＯ２膜やリンシリケートガラス膜（ＰＳＧ膜）等の絶縁膜を形成したのち、上記一連の工程を繰り返すことにより、２層以上の多層配線を容易に形成することができる。」（第２頁左下欄第９〜１３行）
「第３図は本発明の他の実施例を説明するための断面図であり、２層配線構造を形成する場合を示している。                                          
　第３図において、半導体基板１０上のフィールド酸化膜としてＳｉＯ２膜２１上には下層のＡｌ配線２２が、そしてＰＳＧ膜２３を介して上層のＡｌ配線２６が形成されている。この下層のＡｌ配線２２と上層のＡｌ配線２６とは、ＰＳＧ膜２３に設けられた開孔部２４に埋められたＷ膜２５により接続されている。この２層配線を形成するには第２図(a)〜(d)の工程を応用すればよい。」（第２頁右下欄第１〜１１行）
　さらに、第２図(c)から明らかなように、絶縁膜とタングステン（Ｗ）膜により平坦化されている。
　してみると、上記刊行物１の第２頁左下欄第９〜１３行には、２層以上の多層配線を施す場合に関して、Ａｌ配線１４上にＳｉＯ２膜等の絶縁膜を形成したのち、上記一連の工程を繰り返す、即ち該絶縁膜をパターニングしてコンタクト用開孔部を形成し、該開孔部が下層のＡｌ配線１４を露出する工程、該開孔部を含み絶縁膜全面に化学気相成長法によりタングステン膜を堆積し、該開孔部を埋める工程、タングステン膜をエッチングしてタングステン膜を開孔部の部分のみ残し平坦化する工程からなる多層配線の形成方法が記載されている。
　
３．３．１．２　刊行物２：1-36 Proceedings Third International IEEE VLSI Multilevel Interconnection Conference、June 9-10 1986、pp.418−435「BLANKET CVD TUNGSTEN INTERCONNECT FOR VLSI DEVICES」（特許異議申立人松下愛の甲第２号証）
　刊行物２には、以下の点が記載されている。
「ブランケットタングステンは、多数の理由からアルミニウム方式のメタライゼーションに対する好ましい代替法である。」（第４１８頁第２４〜２５行）
「この研究で考察されたタングステン膜は、ホットウォール管状ＬＰＣＶＤ反応器の中で全て堆積された。」（第４１９頁第１〜２行）
「堆積で使用されるガスは、マイクロプロセッサ制御型質量流量コントローラを通って流れるＷＦ６及びＨ２である。」（第４１９頁第５〜７行）
「タングステンは酸化物に十分接着しないので、接着促進材が必要である。」（第４１９頁第８〜９行）
　してみると、上記刊行物２には、タングステン膜をＣＶＤ法で形成する方法として、ＬＰＣＶＤ法でＷＦ６とＨ２とを用いて堆積する方法、及びタングステンは酸化物に十分に接着しないので接着促進材が必要であることが記載されている。
　
３．３．１．３　刊行物３：特開昭５９−１９８７３４号公報（特許異議申立人松下愛の甲第４号証）
　刊行物３には、以下の点が第３図と共に記載されている。
「（１）アルミニウムまたはその合金からなる複数層の導体層が順次層間絶縁膜を介して重畳して構成されたものにおいて、上記導体層と上記層間絶縁膜との間に両者間の反応を抑止するバリヤとして働きかつ上記両者との密着性の優れた中間層を設けたことを特徴とする多層配線構造。」（特許請求の範囲（１））
「（３）層間絶縁膜が酸化シリコンからなることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の多層配線構造。」（特許請求の範囲（３））
「（６）中間層が窒化チタンからなることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の多層配線構造。」（特許請求の範囲（６））
「〔発明の概要〕
　この発明は以上のような点に鑑みてなされたもので、Ａｌまたはその合金で形成される多層配線の上または下にチタン（Ｔｉ）またはＴｉ化合物の膜を形成することによつて、配線層と絶縁膜との間の反応を防止し、かつ、密着力の向上を計り、上述の「フクレ」の生じない多層配線構造を提供するものである。」（第２頁右上欄第２０行〜同頁左下欄第７行）
「〔発明の実施例〕
　第３図はこの発明の一実施例の構成を説明するためにその形成工程の主要段階における状態を示す断面図である。第１層の金属配線(3a)，(3b)、および層間絶縁膜(4)を形成し、この層間絶縁膜(4)にスルーホール(7)を形成するまでは従来例における第１図Ａ〜Ｃと同様である。このスルーホール(7)の形成後、第３図Ａに示すようにＴｉまたはＴｉＷ，ＴｉＮなどのＴｉ化合物からなる中間金属膜(12)をＣＶＤ法，スパツタリング法，電子線加熱蒸着法などで薄く形成し、その後に第３図Ｂに示すように第２層目の金属配線としてＡｌ層(8)をＣＶＤ法，スパッタリング法，電子線加熱蒸着法などで形成し、その所望の配線部分のみをホトレジスト膜(9)で覆い、ついで、第３図Ｃに示すようにホトレジスト膜(9)をマスクとして第２層のＡｌ層(8)および中間金属層(12)にエツチングによるパターニングを施して、第２層目の金属配線(8a)および中間金属配線層(12a)を形成し、その後にホトレジスト膜(9)を除去する。そして、最後に、第３図Ｄに示すように全上面にＳｉ３Ｎ４膜からなるパツシベーシヨン膜(10)を形成して多層配線構造は完成する。
　以上のように、この実施例では層間絶縁膜(4)と第２層目のＡｌ配線(8a)との間にＴｉまたはＴｉ化合物からなる中間金属配線層(12a)が形成されているが、ＴｉおよびＴｉＷ，ＴｉＮなどのＴｉ化合物はＳｉＯ２膜，Ｓｉ３Ｎ４膜，Ａｌ膜などとの密着性に優れており、また、これらＴｉまたはＴｉＷ，ＴｉＮなどのＴｉ化合物を挟む両側の物質間の反応に対するバリヤとしての能力も大きい。」（第２頁左下欄第８行〜同頁右下欄第１７行）
　してみると、上記刊行物３には、Ａｌ等からなる配線層とＳｉＯ２等からなる絶縁膜との密着力を向上するために、その間にＴｉＮからなる中間金属配線層を介在させることが記載されている。
　
３．３．１．４　刊行物４：特開昭５８−９８９６３号公報（特許異議申立人松下愛の甲第３号証）
　刊行物４には、第２図と共に以下の点が記載されている。
「ｎ＋拡散層１４上の電極は、Ｍｏ（１５００Å）／ＴｉＮ（１０００Å）／Ｍｏ（３００Å）となっている。」（第３頁左上欄第３〜４行）
「高融点金属層の高融点金属としてＭｏを用いたが、本発明はこれに限定されるものではなく、・・・高融点金属がＷ，タンタリウム（Ｔａ）等他の高融点金属である場合にも有効である。」（第３頁右上欄第１０〜１５行）
　してみると、上記刊行物４には、Ｗ／ＴｉＮ／Ｗ、即ちＴｉＮに接してＷを形成することが記載されている。
　
３．３．１．５　刊行物５：「High　Aspect　Ratio　Hole　Filling　with　CVD　Tungsten　for　Multi-level　Interconnection」Extended　Abstracts　of　the　18th（1986　International）Conferennce　on　Solid　State　Devices　and　Materials，Tokyo，１９８６年８月２０〜２２日，pp.503-506（特許異議申立人諸永芳春の甲第３号証）
　刊行物５には、第８図と共に以下の点が記載されている。
「高温でのアニーリングのために、ＴｉＮ／ＴｉＳｉ２をＷとＳｉとの間の反応バリア層として使用した。」（第５０３頁右欄下から５行〜３行）
　さらに、第８図には、Ｗ／ＴｉＮ／ＴｉＳｉ２／Ｓｉの層構造が記載されている。
　してみると、上記刊行物５には、ＴｉＮのバリア層に接してＷを形成することが記載されている。
　
３．３．１．６　刊行物６：特開昭６０−１００４６４号公報
　刊行物６には、第１、２図と共に以下の点が記載されている。
「この後リンやＡｓを添加した多結晶Ｓｉ４を被着し、ＰｔやＰｄのシリサイドやＴｉＮあるいはＴｉＢ，ＴａＢ等のバリア層５を被着し、さらにＷ，Ｍｏ、あるいはＴａなどのリフラクトリ金属６を被着しこの三層のゲートを一括して同一パターンによつてエツチングしてＭＯＳトランジスタのゲートを形成する。」（第２頁左上欄第１５行〜同頁右上欄第２行）
　してみると、上記刊行物６には、ＴｉＮのバリア層に接してＷを形成することが記載されている。
　
３．３．２　本件訂正発明と刊行物に記載された発明との対比・判断
　本件訂正発明と刊行物１に記載された発明とを対比すると、刊行物１に記載された発明の「ＳｉＯ２膜等の絶縁膜」、「コンタクト用開孔部」、「下層のＡｌ配線１４」及び「多層配線の形成方法」はそれぞれ本件訂正発明の「二酸化ケイ素からなる誘電体層」、「孔」、「導電性材料からなる下地材料」及び「集積回路の製作方法」に相当するから、両者は、
「集積回路の製作方法であって、
　二酸化ケイ素からなる誘電体層をパターンニングして孔を形成し、該孔が下地材料を露出する工程であって、該露出した下地材料が導電性材料からなるものである工程、
　化学気相堆積によりタングステン層をブランケット堆積させて、該タングステン層により該孔を充填するよう被覆する工程、及び
　前記タングステン層をエッチングバックすることにより、平坦表面を形成して、前記孔中に充填された前記タングステンのバイアを形成する工程とからなることを特徴とする集積回路の製作方法。」
の点で一致するが、以下の点で相違する。
（１)化学気相堆積法（以下、「ＣＶＤ法」と略称する。）によりタングステン層をブランケット堆積するに当たって、本件訂正発明においては実質的にＷＦ６をＨ２で還元することによって堆積する減圧ＣＶＤ法を用いるのに対して、刊行物１に記載された発明ではどのようなＣＶＤ法を用いているか不明である点。
（２）二酸化ケイ素からなる誘電体層及び露出した下地材料とタングステン層との間に、本件訂正発明が実質的にＴｉＮからなる接着層を形成する工程を有するのに対して、刊行物１に記載された発明がそのような層を形成する工程を有していない点。
（３）本件訂正発明がタングステン層及び接着層をエッチングバックすることにより、誘電体層の上表面、接着層の上表面及び孔中に充填されたタングステンの上表面からなる平坦表面を形成しているのに対して、刊行物１に記載された発明がタングステン層をエッチングバックすることにより、誘電体層の上表面及び孔中に充填されたタングステンの上表面からなる平坦表面を形成している点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。
　相違点（１）について：
　刊行物２に示すようにタングステン層を堆積するＣＶＤ法として実質的にＷＦ６をＨ２で還元することによって堆積する減圧ＣＶＤ法が公知であり、また、刊行物１に記載された発明において前記公知技術を採用することに格別の阻害要因は認められないので、上記相違点（１）は当業者が必要に応じて任意になし得たことと認められる。
　
　相違点（２）について：
　刊行物２に示すようにＡｌの代替品であるタングステンが酸化物との接着性が悪く、接着促進材が必要であることは、公知の課題である。また、刊行物３に、ＡｌとＳｉＯ２等の酸化膜との間にＴｉＮからなる中間金属層を介在させることによってＡｌとＳｉＯ２等の酸化膜との間の密着性を向上させることが示されている。さらに、刊行物４〜６に示すように、ＴｉＮに接してＷを形成することは一般的に行われており、また、刊行物３、５、６に示されるように、ＴｉＮはバリアメタルとしても、よく用いられていたものである。
　また、これらの技術を組み合わせることに格別の阻害要因は認められない。
　以上の点を考慮すれば、刊行物１に記載された発明において、タングステンと酸化膜との間の接着性の悪さを改善するために両者の間にＴｉＮからなる接着層を介在させる工程を設けることに格別の困難性は認められない。
　
　相違点（３）について：
　誘電体層及び露出した下地材料とタングステン層との間に、ＴｉＮからなる接着層を介在させることに格別の困難性がないことは、上記相違点（２）のところで検討済である。そして、接着層を介在させれば必然的にタングステン層及び接着層をエッチングバックすることになり、さらに、平坦表面が好ましいのは当然であるから、誘電体層の上表面、接着層の上表面及び孔中に充填されたタングステンの上表面からなる平坦表面を形成した点にも格別の困難性は認められない。
　
　なお、請求人は、平成１４年１月８日付け審判請求書第１１頁第７〜９行において「タングステン充填バイア形成にあって、特に薄くすることのできるＴｉＮ接着層の利用についての教示はなく、引例４〜７（上記刊行物１〜４に相当）に基づいて特許法第２９条第２項の規定にあって本発明が容易であったとは言えない。」と主張し、さらに、平成１４年８月２７日付け意見書第４頁第１４〜１８行において「特許請求の範囲は、Ｔｉ層の厚さについての数値的限定を記載してはいないが、ブランケット付着法によるバイア形成時の接着層としてＴｉＮ層を規定しているのであるから、刊行物にＴｉ層に比し特に薄くできる点を教示していない以上、本特許発明の教示には至らないはずである。」と主張している。
　しかし、本件訂正発明には、ＴｉＮを特に薄くしたという限定はなく、ＴｉＮを厚く形成したものも含まれており（訂正明細書第４頁第２５〜２７行：特許公報第５欄第１２〜１３行には「もしもＷと基体との相互作用を避けようとするのであるならば、一層厚いＴｉＮ層を用いてもよい。」と記載されている）、特許請求の範囲の記載に基づかない主張であり、ＴｉＮを薄くできるというだけでは、効果とは認められない。なお、平坦化に関係する接着層がアンダーカットを生じるか否かはエッチング条件で異なるので、「平坦表面を形成する」だけでは接着層が特に薄いとは限らない。
　さらに、上記相違点（２）についての検討でも述べたように、特に薄くすることができるとの教示や認識がなくても、接着層としてＴｉＮ層を用いることに格別の困難性は認められないので、請求人の前記主張は採用できない。
　
３．３．３　特許法第２９条第２項についてのまとめ
　よって、本件訂正発明は刊行物１〜６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、本件訂正発明は、特許法第２９条第２項の規定に違反するものである。
　
３．４　独立特許要件についてのまとめ
　したがって、本件訂正発明は、特許法第２９条の２及び同法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４．　むすび
　以上のとおりであるから、本件審判の請求は、平成６年法律第１１６号附則第６条第１項により、なお従前の例とされる改正前の特許法第１２６条第３項の規定に適合しない。
　よって、結論のとおり審決する。