【事件の表示】
　特願２００６−１０９５５３「半導体パッケージ用のリードフレーム」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年１１月　２日出願公開、特開２００６−３０３４９２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１８年４月１２日（パリ条約に基づく優先権主張　平成１７年４月１５日　韓国）の出願であって、平成２３年１２月１日付け拒絶理由通知に対する応答時、平成２４年３月２日付けで手続補正がなされ、同年１２月１０日付け拒絶理由通知に対する応答時、平成２５年３月７日付けで手続補正がなされたが、同年１２月２４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２６年４月１８日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされた。
　その後、当審がした平成２６年１１月１４日付け拒絶理由通知に対する応答時、平成２７年２月１７日付けで手続補正がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２７年２月１７日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのものである。
「【請求項１】
　半導体パッケージ用のリードフレームであって、
　金属素材からなる母材と、
　第１厚さ及び第１表面平均粗さを有して前記母材の少なくとも一面に形成された第１Ｎｉメッキ層と、
　第２厚さ及び第２表面平均粗さを有して前記第１Ｎｉメッキ層の少なくとも一面に形成された第２Ｎｉメッキ層と、
　前記第２Ｎｉメッキ層上に形成されたＰｄメッキ層と、
　前記Ｐｄメッキ層上に形成された保護メッキ層と、
　前記第２Ｎｉメッキ層と前記Ｐｄメッキ層との間に配置され、第３厚さ及び第３表面平均粗さを有する第３Ｎｉメッキ層と、を備え、
　前記第１厚さは、前記第２厚さの５倍ないし５０倍の厚さであり、
　前記第２厚さは、０．０２５４ないし０．２５４μｍの範囲に属し、
　前記第２表面平均粗さは、前記第１表面平均粗さ及び第３表面平均粗さより実質的にさらに粗いことを特徴とする半導体パッケージ用のリードフレーム。」
　
３．引用例
（３−１）引用例１
　これに対して、当審が通知した拒絶の理由に引用された特許第３２５９８９４号公報（以下、「引用例１」という。）には、「リードフレーム」について、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した）。
　ア．「【請求項１】　
銅又は銅系金属を主成分とする金属を素材とし、該素材の表面に複層構造の下地メッキ層を形成し、該下地メッキ層の表面にパラジウム
膜を形成してなるリードフレームにおいて、
上記下地メッキ層が、同じ金属のみからな
ることを特徴とするリードフレーム
【請求項２】　
前記複層構造の下地メッキ層の上層が下層より緻密度が低められてなる
 　 
　イ．「【０００１】 
【発明の属する技術分野】本発明は、銅又は銅合金を素材として用いたリードフレームと、その製造方法と、その
リードフレームを用いた半導体装置
 　 
　ウ．「【００１５】本発明において、
ニッケル
からなる複層構造のメッキ下地層の上層を、縦方向への結晶成長優先のメッキ方法
で形成することととし、下層を緻密で平滑な表面を形成することのできるメッキ方法
とした場合には、下地メッキ層の下層がリードフレームの素材表面を細かい粒子で緻密に覆った層にすることができる
【００１６】それでいて、
メッキ下地層の上層は縦方向に結晶成長の速いメッキ方法で形成するので、その上に形成するパラジウム或いはその合金皮膜が薄くても該皮膜の持つ特性が殺されず、チップ搭載領域に必要なアンカー効果を充分に得ることが可能
樹脂封止をするときメッキ下地層の縦方向への成長をした結晶からなる上層は樹脂内のフィラーにより結晶を破壊され易く
樹脂とリードフレームとの密着強度を高めることができる
 　 
　エ．「【００２１】ところで、本実施の形態の特徴は、リードフレームの表面のメッキにあり、それについて
図１（Ｂ）に従って詳細に説明する。３０は銅又は銅合金からなる素材、２７は素材３０の表面に形成された第１のメッキ下地層で、ニッケルからなり、厚さは例えば約０．５μｍ程度である。このメッキは
緻密な膜質で、表面が平滑なメッキ膜
【００２２】
２８は第２のメッキ下地層で、ニッケルからなり、厚さは例えば約０．５μｍ程度である。このメッキは
方向の結晶の成長が横方向の結晶の成長よりも優先するメッキになり、膜質は第１の下地メッキ層２７とは異なり、
封止樹脂との密着性が良くなり
樹脂封止性が良くなるという効果が得られる
【００２３】そして、
第１のメッキ下地層２７と第２のメッキ下地層２８とは、共にニッケルからなる
【００２４】
２９はメッキ下地層２８の表面に形成されたパラジウム
からなるメッキ皮膜で、例えば約０．０５μｍ程度の極めて薄い膜である
メッキ皮膜２８の下地は緻密なニッケル層２７ではなく、縦方向への結晶成長が優先されるニッケル層２８であり、そのため、薄くして下地の影響が強くなってもアンカー効果が充分に得ることが可能
 　 
　オ．「【００２７】
図３は本発明第２の実施の形態を示す
【００２８】図３において、
３１はパラジウム又は合金皮膜２９の表面に形成された金メッキ皮膜で、厚さが例えば３０〜１００オングストロームであり、半田付け性を向上させるために形成される
化学的安定性の高い金皮膜３１
【００２９】従って、第２の実施の形態によれば、第１の実施の形態で享受することのできた効果の外、半田付け性の劣化のおそれをより有効に防止することができるという効果を得ることができる。」 
　
　・上記引用例に記載の「リードフレーム」は、上記「イ．」の記載事項によれば、半導体装置に用いられるリードフレームに関し、
　具体的には、上記「ア．」の記載事項によれば、銅又は銅系金属を主成分とする金属を素材とし、該素材の表面に複層構造の下地メッキ層を形成し、該下地メッキ層の表面にパラジウム或いはパラジウム合金膜を形成してなるリードフレームであって、上記複合構造の下地メッキ層が、同じ金属のみからなり、上層が下層より緻密度が低められてなるリードフレームに関するものである。
　・上記「ウ．」、「エ．」の記載事項によれば、複合構造の下地メッキ層は、素材３０の表面に形成された下層である第１のメッキ下地層２７と、上層である第２のメッキ下地層２８とからなり、
　第１のメッキ下地層２７は、ニッケルからなり、厚さは例えば約０．５μｍ程度であり、緻密で表面が平滑なメッキ膜であり、
　第２のメッキ下地層２８は、同じくニッケルからなり、厚さは例えば約０．５μｍ程度であり、チップ搭載領域に必要なアンカー効果を充分に得ることができ、封止樹脂との密着性（樹脂封止性）が良くなるような縦方向への結晶成長が優先されたメッキ膜であり、よって、かかる第２のメッキ下地層２８は、下層である第１のメッキ下地層２７よりも緻密度が低い。
　・上記「エ．」の段落【００２４】の記載事項によれば、第２のメッキ下地層２８の表面に形成されるパラジウム或いはパラジウム合金皮膜２９は、メッキ皮膜である。
　・そして、上記「オ．」の記載事項、及び図３によれば、パラジウム或いはパラジウム合金皮膜２９の表面には化学的安定性の高い金メッキ皮膜３１が形成されてなるものである。
　
　したがって、特に図３に示される第２の実施の形態に係るものに着目し、上記記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 
「半導体装置に用いられるリードフレームであって、
　銅又は銅系金属を主成分とする金属を素材とし、当該素材の表面に同じニッケルのみからなる複層構造の下地メッキ層を形成し、当該下地メッキ層の表面にパラジウム或いはパラジウム合金のメッキ皮膜を形成し、さらに当該パラジウム或いはパラジウム合金のメッキ皮膜の表面に化学的安定性の高い金メッキ皮膜を形成してなり、
　上記複層構造の下地メッキ層は、下層が例えば厚さ約０．５μｍ程度で、緻密で表面が平滑なニッケルメッキ膜からなる第１のメッキ下地層と、上層が例えば厚さ約０．５μｍ程度で、チップ搭載領域に必要なアンカー効果を充分に得ることができ、封止樹脂との密着性（樹脂封止性）が良くなるような縦方向への結晶成長が優先され、前記下層よりも緻密度が低いニッケルメッキ膜からなる第２のメッキ下地層である、半導体装置に用いられるリードフレーム。」
　
（３−２）引用例２
　同じく当審が通知した拒絶の理由に引用された特開平１０−７０２２４号公報（以下、「引用例２」という。）には、「ＩＣリードフレーム材」について、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した）。
　ア．「【請求項１】　
最外層の貴金属層とリードフレーム素材との間に無光沢ニッケルめっき層を設けてなる
樹脂封止性
に優れたＩＣリードフレーム材
【請求項２】　
貴金属層がＰｄ
よりなる
　　　　　　　　・・・・・（中　略）・・・・・
【請求項６】　
貴金属層と無光沢ニッケルめっき層との間に光沢ニッケルめっき層を設けてなる
　
　イ．「【００１５】
　また、図２は本発明の他の一実施形態によるＩＣリードフレーム材を示すものであって、この図２に示すＩＣリードフレーム材１は、図１に示した
ＩＣリードフレーム材１において、貴金属層２と無光沢ニッケルめっき層４との間に光沢ニッケルめっき層５を設けてなる構成とした
　
　ウ．「【００２０】
　さらにまた、図２に示したように、
貴金属層２と無光沢ニッケルめっき層４との間に光沢ニッケルめっき層５を設けることによって耐食性をさらに向上させるようになすことが望ましく
無光沢ニッケルめっき層４の形成により貴金属層２の表面を凹凸形状として樹脂封止性を向上させる
　
　エ．「【００２３】
【発明の作用】本発明に係わるＩＣリードフレーム材およびその製造方法では、上述したように、最外層の貴金属層の下地層（図２に示したものでは光沢ニッケルめっき層を介した下地層）として無光沢ニッケルめっき層を設けるようになしたものであるが、この
無光沢ニッケルめっき層は、めっき時に大きな結晶粒が析出するため、凹凸の大きな表面形状を有している
　
　上記記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例２には、次の技術事項が記載されている。 
「樹脂封止性を向上させるために最外層の貴金属（例えばＰｄ）層の表面を凹凸形状とするための無光沢ニッケルめっき層を形成してなるＩＣリードフレーム材において、前記最外層の貴金属（例えばＰｄ）層と前記無光沢ニッケルめっき層との間に光沢ニッケルめっき層を設け、耐食性を向上させるようにしたこと。」
　
４．対比
　そこで、本願発明と引用発明とを対比すると、
（１）引用発明における「半導体装置」、「リードフレーム」は、それぞれ本願発明における「半導体パッケージ」、「リードフレーム」に相当し、
　引用発明における「半導体装置に用いられるリードフレームであって」によれば、本願発明と引用発明とは、「半導体パッケージ用のリードフレームであって」の点で一致する。
　
（２）引用発明における「素材」は、本願発明における「母材」に相当し、
　引用発明における「銅又は銅系金属を主成分とする金属を素材とし・・」によれば、本願発明と引用発明とは、「金属素材からなる母材と」を備える点で一致する。
　
（３）引用発明における「・・当該素材の表面に同じニッケルのみからなる複層構造の下地メッキ層を形成し・・」、「上記複層構造の下地メッキ層は、下層が例えば厚さ約０．５μｍ程度で、緻密で表面が平滑なニッケルメッキ膜からなる第１のメッキ下地層と・・」によれば、
　引用発明の「第１のメッキ下地層」は、ニッケルメッキ膜からなり、素材の表面に形成されるものであるから、本願発明でいう「第１Ｎｉメッキ層」に相当し、この「第１のメッキ下地層」にあっても、所定の厚さ及び所定の表面平均粗さを有するものであるから、
　本願発明と引用発明とは、「第１厚さ及び第１表面平均粗さを有して前記母材の少なくとも一面に形成された第１Ｎｉメッキ層と」を備える点で一致する。
　
（４）引用発明における「上記複層構造の下地メッキ層は、下層が例えば厚さ約０．５μｍ程度で、緻密で表面が平滑なニッケルメッキ膜からなる第１のメッキ下地層と、上層が例えば厚さ約０．５μｍ程度で、チップ搭載領域に必要なアンカー効果を充分に得ることができ、封止樹脂との密着性（樹脂封止性）が良くなるような縦方向への結晶成長が優先され、前記下層よりも緻密度が低いニッケルメッキ膜からなる第２のメッキ下地層である・・」によれば、
　引用発明の「第２のメッキ下地層」は、ニッケルメッキ膜からなり、複層構造の下層である第１のメッキ下地層の上（表面）に形成されるものであるから、本願発明でいう「第２Ｎｉメッキ層」に相当し、この「第２のメッキ下地層」にあっても、所定の厚さ及び所定の表面平均粗さを有するものであるから、
　本願発明と引用発明とは、「第２厚さ及び第２表面平均粗さを有して前記第１Ｎｉメッキ層の少なくとも一面に形成された第２Ｎｉメッキ層と」を備える点で一致する。
　
（５）引用発明における「パラジウム或いはパラジウム合金のメッキ皮膜」のうちの「パラジウムのメッキ皮膜」は、本願発明における「Ｐｄメッキ層」に相当し、
　引用発明における「・・当該下地メッキ層の表面にパラジウム或いはパラジウム合金のメッキ皮膜を形成し・・」によれば、
　引用発明の「パラジウム或いはパラジウム合金のメッキ皮膜」は、下地メッキ層の表面、より詳細には下地メッキ層のうちの上層である第２のメッキ下地層の表面に形成されるものであるから、
　本願発明と引用発明とは、「前記第２Ｎｉメッキ層上に形成されたＰｄメッキ層と」を備える点で一致する。
　
（６）引用発明における「化学的安定性の高い金メッキ皮膜」は、本願発明における「保護メッキ層」に相当し、
　引用発明における「さらに当該パラジウム或いはパラジウム合金のメッキ皮膜の表面に化学的安定性の高い金メッキ皮膜を形成してなり」によれば、
　本願発明と引用発明とは、「前記Ｐｄメッキ層上に形成された保護メッキ層と」を備える点で一致する。
　
（７）そして、引用発明における「上記複層構造の下地メッキ層は、下層が例えば厚さ約０．５μｍ程度で、緻密で表面が平滑なニッケルメッキ膜からなる第１のメッキ下地層と、上層が例えば厚さ約０．５μｍ程度で、チップ搭載領域に必要なアンカー効果を充分に得ることができ、封止樹脂との密着性（樹脂封止性）が良くなるような縦方向への結晶成長が優先され、前記下層よりも緻密度が低いニッケルメッキ膜からなる第２のメッキ下地層である」によれば、
　上層である「第２のメッキ下地層」は、チップ搭載領域に必要なアンカー効果を充分に得ることができ、封止樹脂との密着性（樹脂封止性）が良くなるような縦方向への結晶成長が優先され、表面が平滑な下層である「第１のメッキ下地層」よりも緻密度が低いものであることからして、上層である「第２のメッキ下地層」の表面平均粗さは、下層である「第１のメッキ下地層」の表面平均粗さより粗いことは明らかであるといえ、
　本願発明と引用発明とは、後述の相違点を除いて「前記第２表面平均粗さは、前記第１表面平均粗さより実質的にさらに粗い」ものである点で共通するということができる。
　
　よって、本願発明と引用発明とは、
「半導体パッケージ用のリードフレームであって、
　金属素材からなる母材と、
　第１厚さ及び第１表面平均粗さを有して前記母材の少なくとも一面に形成された第１Ｎｉメッキ層と、
　第２厚さ及び第２表面平均粗さを有して前記第１Ｎｉメッキ層の少なくとも一面に形成された第２Ｎｉメッキ層と、
　前記第２Ｎｉメッキ層上に形成されたＰｄメッキ層と、
　前記Ｐｄメッキ層上に形成された保護メッキ層と、を備え、
　前記第２表面平均粗さは、前記第１表面平均粗さより実質的にさらに粗いことを特徴とする半導体パッケージ用のリードフレーム。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
［相違点１］
　本願発明では、「前記第２Ｎｉメッキ層と前記Ｐｄメッキ層との間に配置され、第３厚さ及び第３表面平均粗さを有する第３Ｎｉメッキ層」を備え、第２表面平均粗さが、「第３表面平均粗さより実質的にさらに粗い」と特定するのに対し、引用発明では、そのような第３Ｎｉメッキ層を備えていない点。
　
［相違点２］
　第１厚さ（第１Ｎｉメッキ層の厚さ）及び第２厚さ（第２Ｎｉメッキ層の厚さ）について、本願発明では、「前記第１厚さは、前記第２厚さの５倍ないし５０倍の厚さであり、前記第２厚さは、０．０２５４ないし０．２５４μｍの範囲に属し」と特定するのに対し、引用発明では、そのような特定を有していない（両者とも例えば約０．５μｍ程度である）点。
　
５．判断
　上記相違点について検討する。
［相違点１］について
　引用例２（上記「３．（３−２）」を参照）には、樹脂封止性を向上させるために最外層の貴金属（例えばＰｄ）層の表面を凹凸形状とするための無光沢ニッケルめっき層を形成してなるＩＣリードフレーム材において、前記最外層の貴金属（例えばＰｄ）層と前記無光沢ニッケルめっき層との間に光沢ニッケルめっき層を設け、耐食性を向上させるようにした技術事項が記載されている。
　ここで、無光沢ニッケルめっき層は凹凸の大きな表面形状を有しており（例えば上記「３．（３−２）エ．」の記載を参照）、光沢ニッケルめっき層より表面平均粗さは粗いといえるものであるから、この引用例２に記載された「無光沢ニッケルめっき層」、「光沢ニッケルめっき層」は、それぞれ本願発明における「第２Ｎｉメッキ層」、「第３Ｎｉメッキ層」に相当するとみることができるものである。 
　そうすると、引用発明においても、リードフレームとして通常要求される特性である耐食性についてこれを向上させるために引用例２の上記技術事項を採用し、第２のメッキ下地層とパラジウム皮膜との間に光沢（当該第２のメッキ下地層の表面平均粗さより粗くない）ニッケルめっき層をさらに設け、本願発明のように構成することは当業者であれば容易になし得ることである。 
　
［相違点２］について
　まず、本願発明における「前記第１厚さは、前記第２厚さの５倍ないし５０倍の厚さであり」の意味するところについて検討しておくと、「前記第２厚さは、０．０２５４ないし０．２５４μｍの範囲に属」することから、「第１厚さ」のとり得る範囲は、最小値（下限値）が０．１２７μｍ（０．０２５４μｍ×５倍）、最大値（上限値）が１２．７μｍ（０．２５４μｍ×５０倍）であり、つまり、０．１２７ないし１２．７μｍの範囲であるかのようにも解される。
　しかしながら、本願の当初明細書等には、第１厚さは「０．２５４ないし１．２７μｍの範囲」であることが記載（【請求項８】、段落【００２４】、【００４４】、【００４８】）されているのみであり、第１厚さを第２厚さの５倍ないし５０倍の厚さとすることについて具体的な記載は何ら認められないから、かかる当初明細書等の開示する範囲を超えることになる上記の解釈ではいわゆる新規事項に該当するものとなり妥当なものとはいえない。
　そこで、平成２７年２月１７日付け意見書に「・・例えば基底金属層側の
Ｎｉメッキ層（１２２，１２２ａ）の厚さ（第１厚さ）が１．２７μｍであり
　以上のことを踏まえてさらに検討すると、
　引用発明では、第１のメッキ下地層の厚さを例えば約０．５μｍ程度、第２のメッキ下地層の厚さも例えば約０．５μｍ程度であり、引用例１には両者を同程度の厚さとすることが例示されているだけであるが、各メッキ下地層の厚さをそれぞれどの程度にするかは当業者にとって設計的事項であるところ、引用発明においても、第１のメッキ下地層にあっては、その例示された厚さ（第１厚さ）は本願発明が特定すると解釈できる０．２５４ないし１．２７μｍの範囲を満たすものである。そして、第２のメッキ下地層にあっては、その厚さ（第２厚さ）を、メッキ処理条件等にも依存してチップ搭載領域に必要なアンカー効果や封止樹脂との密着性（樹脂封止性）が損なわれない表面状態を保てるかぎりにおいてより薄い０．０２５４ないし０．２５４μｍの範囲を満たすような値とすることは当業者であれば適宜なし得ることである。
　
　そして、発明の詳細な説明を参照しても、第１厚さの下限値・上限値、及び第２厚さの下限値・上限値の設定に関して、これら上限値を上回るもの、下限値を下回るものとの具体的な比較データが示されているわけでもないばかりか、その技術的意義についての記載もなく、第１厚さの下限値を「第２厚さの５倍」、上限値を「第２厚さの５０倍」と定めたことや、第２厚さの下限値を「０．０２５４μｍ」、上限値を「０．２５４μｍ」と定めたことに格別の臨界的な意義は見出せないことを考慮すると、上記各相違点を総合的に勘案しても本願発明が奏する効果は、引用発明及び引用例２に記載の技術事項から当業者が予測できたものであって、格別顕著なものがあるとはいえない。 
　
６．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用発明及び引用例２に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。