【事件の表示】
　平成１１年特許願第１４４５３４号「膜と吸着を連続して用いる半導体製造における排ガスからのフッ素化合物の分離方法」拒絶査定に対する審判事件［平成１２年１２月　５日出願公開、特開２０００−３３４２４９］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１１年５月２５日の出願であって、その請求項１ないし４に係る発明（以下「本願発明１」ないし「本願発明４」という）は、平成１２年７月１８日付手続補正により補正された特許請求の範囲に記載された事項により特定される次のとおりのものと認める。
「【請求項１】下記の（ａ）〜（ｈ）工程を含む、下記希釈剤ガス（Ａ）と下記フッ素系化学薬品（Ｂ）を含むガス流を下記膜（Ｃ）に接触させて、該ガス流からフッ素系化学薬品を分離回収する方法。
　（Ａ）窒素、ヘリウム、アルゴン、空気、及びその混合物からなる群から選択される希釈剤ガス、
　（Ｂ）ＮＦ3 、ＳＦ6 、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 、ＣＨ3 Ｆ、Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ2 ＨＦ5、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ4 Ｆ8 及びそれらの混合物からなる群から選択されるフッ素系化学薬品、
　（Ｃ）ポリスルホン、ポリエーテルイミド、ポリプロピレン、セルローズアセテート、ポリメチルペンタン、２，２−ビストリフルオロメチル−４，５−ジフルオロ−１，３−ジオキソールを基礎とする非晶性共重合体、ポリビニルトリメチルシラン、ポリイミド、ポリアミド、ポリアラミド、エチルセルローズ及びそれらの混合物からなる群から選択される膜；
　（ａ）希釈剤ガスとフッ素系化学薬品を含むガス流をある上昇圧まで圧縮する工程、
　（ｂ）工程（ｃ）の透過流のフラックスを増加させ、又工程（ｃ）のフッ素系化学薬品の透過に比べて、工程（ｃ）の希釈剤ガスの透過に対する、工程（ｃ）の膜の選択性を増大させるのに十分なある昇温温度まで、希釈剤ガスとフッ素系化学薬品を含む前記ガス流を加熱する工程、
　（ｃ）フッ素系化学薬品に比べて、希釈剤ガスに対して、より透過選択性を有する膜に前記ガス流を接触させて、希釈剤ガスの豊富な透過流とフッ素系化学薬品の豊富な不透過物を生成する工程、
　（ｄ）フッ素系化学薬品に比べて、希釈剤ガスに対して、より透過選択性を有する１又は２以上の追加膜（上記（Ｃ）から選択される膜からなる。）に前記不透過物を接触させて、希釈剤ガスの豊富な第２の透過流とフッ素系化学薬品の豊富な第２の不透過物を生成する工程、
　（ｅ）前記第２の透過流を工程（ａ）にリサイクルして、希釈剤ガスとフッ素系化学薬品を含む前記ガス流と共に、ある上昇圧に圧縮する工程、
　（ｆ）フッ素系化学薬品の豊富な第２の不透過物を吸着システムに通過させ、より豊富化された希釈剤ガスを排気し、フッ素系薬品の更に豊富化された流れを吸着する工程、
　（ｇ）フッ素系化学薬品の更に豊富化された前記流れを脱着して製品流とする工程、及び
　（ｈ）製品流を蒸留により更に精製して、フッ素系化学薬品のより更に豊富化された製品流と希釈剤の豊富な排気流を得る工程。
【請求項２】　フッ素系薬品のより更に豊富化された製品流がＣ2 Ｆ6 を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】　フッ素系薬品のより更に豊富化された製品流を半導体製造工程にリサイクルする、請求項１に記載の方法。
【請求項４】　希釈剤ガスとフッ素系化学薬品を含むガス流を最初に洗浄して、該ガス流から微粒子、酸性ガス、及び他の水溶性成分を除去する、請求項１に記載の方法。
　
２．引用例記載の発明
（１）これに対して、平成１１年１２月２２日付けで通知した拒絶の理由に引用した本願出願前に頒布された刊行物１「特開平１０−１２８０３４号公報」には、以下の記載がある。
　ア−１．「下記の（ａ）〜（ｅ）の工程を含む、希釈剤ガスとフルオロケミカルとを含有しているガス流からこのガス流を膜と接触させることによりフルオロケミカルを分離及び回収するための方法。
　（ａ）希釈剤ガスとフルオロケミカルとを含有しているガス流を圧縮して高圧にする工程
　（ｂ）希釈剤ガスとフルオロケミカルとを含有しているこのガス流を、工程（ｃ）の透過物流の流束を増加させるのと、工程（ｃ）のフルオロケミカルの透過に対する工程（ｃ）の希釈剤ガスの透過についての工程（ｃ）の膜の選択性を上昇させるのとに十分な高温に加熱する工程
　（ｃ）このガス流を、当該フルオロケミカルよりも当該希釈剤ガスを選択的により多く透過させる膜と接触させて、当該希釈剤ガスに富む透過物流とフルオロケミカルに富む残留物とにする工程
　（ｄ）この残留物を、当該フルオロケミカルよりも当該希釈剤ガスを選択的により多く透過させる別の一つ以上の膜と接触させて、当該希釈剤ガスに富む第二の透過物流とフルオロケミカルに富む第二の残留物とにする工程
　（ｅ）この第二の透過物流を工程（ａ）へ再循環させて、上記希釈剤ガスとフルオロケミカルとを含有している上記ガス流とともに圧縮して高圧にする工程」（特許請求の範囲【請求項１】）
　ア−２．「希釈剤ガスとフルオロケミカルとを含有している前記ガス流を最初にスクラビング処理して当該ガス流の粒状物と水溶性成分を除去する、請求項１記載の方法。」（特許請求の範囲【請求項２】）
　ア−３．「工程（ｅ）の後に、フルオロケミカルに富む前記第二の残留物を吸着又は精留により更に精製して、フルオロケミカルに富む製品流と希釈剤に富む排気流とにする、請求項１又は２記載の方法。」（特許請求の範囲【請求項３】）
　ア−４．「前記膜を、ポリスルホン、ポリエーテルイミド、ポリプロピレン、酢酸セルロース、ポリメチルペンタン、２，２−ビストリフルオロメチル−４，５−ジフルオロ−１，３−ジオキソールを基にした無定形コポリマー、ポリビニルトリメチルシラン、ポリイミド、ポリアミド、ポリアラミド、エチルセルロース及びそれらの混合物からなる群から選ぶ、請求項１から５までのいずれか一つに記載の方法。」（特許請求の範囲【請求項６】）
　ア−５．「前記フルオロケミカルに富む製品流がＣ2 Ｆ6 を含む、請求項３の方法。」（特許請求の範囲【請求項８】）
　ア−６．「前記フルオロケミカルに富む製品流を半導体製造プロセスへ再循環させる、請求項３記載の方法。」（特許請求の範囲【請求項１０】）
　ア−７．「フルオロケミカルの回収のために提案された一つの方法は吸着であって、これではフルオロケミカルを高圧下で吸着剤へ吸着させ、そして低圧下で吸着剤から脱着する。」（段落【0005】）
　ア−８．「半導体製造設備からのフルオロケミカル含有排気ガスは、窒素の如き希釈剤ガスと、可能性としてＮＦ3 、ＳＦ6 、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 、ＣＨ3 Ｆ、Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ2 ＨＦ5 、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ4Ｆ8 、ＨＦ、Ｆ2 及びこれらのガスの混合物を含むフルオロケミカルとを含む流れ１２でもって供給される。」（段落【0038】）
　
３．本願発明と刊行物記載の発明との対比、判断
（１）本願発明１と刊行物１記載の発明との対比
　記載ア−１における工程（ａ）〜工程（ｅ）は、本願発明１における工程（ａ）〜工程（ｅ）と同一であり、記載ア−８によれば、「稀釈剤ガス」として「窒素」が、またフルオロケミカル（フッ素系化学薬品）として、「ＮＦ3 、ＳＦ6 、ＣＦ4 、ＣＨＦ3 、ＣＨ3 Ｆ、Ｃ2 Ｆ6 、Ｃ2 ＨＦ5 、Ｃ3 Ｆ8 、Ｃ4Ｆ8  及びこれらのガスの混合物」が例示され、記載ア−４によれば、「膜材料」として、「ポリスルホン、ポリエーテルイミド、ポリプロピレン、酢酸セルロース、ポリメチルペンタン、２，２−ビストリフルオロメチル−４，５−ジフルオロ−１，３−ジオキソールを基にした無定形コポリマー、ポリビニルトリメチルシラン、ポリイミド、ポリアミド、ポリアラミド、エチルセルロースポリマー」が例示されているのであるから、本願発明１における構成（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）も刊行物１に記載されていると云える。
　本願発明１と刊行物１記載の発明との対比すると、両者は「（ａ）〜（ｅ）工程を含む、下記希釈剤ガス（Ａ）と下記フッ素系化学薬品（Ｂ）を含むガス流を下記膜（Ｃ）に接触させて、該ガス流からフッ素系化学薬品を分離回収する方法」の点で一致し、以下の点で相違する。
　相違点：本願発明１では、工程（ｄ）で生成した「フッ素系化学薬品の豊富な第２の不透過物」を、さらに工程（ｆ）〜（ｈ）、すなわちフッ素系化学薬品の豊富な第２の不透過物を吸着システムに通過させ、より豊富化された希釈剤ガスを排気し、フッ素系薬品の更に豊富化された流れを吸着し、該フッ素系化学薬品の更に豊富化された前記流れを脱着して製品流とし、該製品流を蒸留により更に精製して、フッ素系化学薬品のより更に豊富化された製品流と希釈剤の豊富な排気流を得ているのに対し、刊行物１記載の方法では、記載ア−３のように「吸着又は精留」のいずれかの工程により精製しているにすぎない点
（２）判断
　記載ア−７によれば、フッ素系化学薬品を吸着剤に吸脱着させて精製することは従来より知られた技術であり、沸点の差を利用してフッ素系化学薬品と稀釈剤ガスを蒸留により分離精製できることも、記載ア−３に見られるように本願出願前に既に知られていたのであるから、刊行物１記載の方法のように、吸着と精留のいずれかの工程でフッ素系化学薬品を精製するだけでなく、これらの既知の工程を組み合わせて、更なる精製を図ることは、当業者であれば容易になし得る程度のことにすぎず、これらの工程を組み合わせたことによる格別顕著な作用効果が奏せられるとも認められない。
（３）本願発明２〜４について
　本願発明２は、本願発明１における「より更に豊富化された製品流がＣ2 Ｆ6 を含む」ことを限定した発明であるが、係る事項は記載ア−５に見られるように刊行物１に記載されている。
　本願発明３は、本願発明１における「より更に豊富化された製品流を半導体製造工程にリサイクルする」ことを限定した発明であるが、係る事項は記載ア−６に見られるように刊行物１に記載されている。
　本願発明４は、本願発明１において「希釈剤ガスとフッ素系化学薬品を含むガス流を最初に洗浄して、該ガス流から微粒子、酸性ガス、及び他の水溶性成分を除去する」ことを限定した発明であるが、被処理ガスを予め洗浄（スクラビング）することは、記載ア−２に見られるように刊行物１に記載されている事項である。
　したがって、本願発明２〜４と刊行物１記載の発明とを対比すると、その相違点は本願発明１の相違点と同じとなるから、本願発明２〜４は、本願発明１で検討したのと同じ理由で、刊行物１記載の発明に基づいて当業者が容易に想到することができたものである。
　
４．むすび
　したがって、本願発明１ないし４は、刊行物１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。