【事件の表示】
　特願２０１２−５４４９７７「電子部品搭載用配線基材、電子部品搭載用配線基材の製造方法及び電子回路モジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１０月１７日国際公開、ＷＯ２０１３／１５３６７３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１２年４月１４日を国際出願日とする出願であって、平成２５年１１月２６日付け（発送日：１２月３日）で拒絶査定がなされ、これに対し、平成２６年２月２７日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、その審判の請求と同時に手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２６年２月２７日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２６年２月２７日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正後の本願発明
　平成２６年２月２７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項３は、
「一方の表面にランドを有するリードフレームを備える電子部品搭載用配線基材であって、
　前記リードフレームは、当該リードフレームにレーザー光を照射することによって、前記ランドを囲む領域に形成され、前記ランドにおけるよりもはんだとの親和性が低い改質層形成領域をさらに有し、
　前記改質層形成領域は、搭載される電子部品の外形形状に沿って直線状に形成された１つの連続した領域からなり、
　前記リードフレームの一方の表面は、前記リードフレームの本体部分を構成する金属と異なる金属を用いて金属めっきされており、
　前記改質層形成領域は、
前記改質層形成領域の上面と前記ランドの上面との間に高低差が生じない程度にレーザー光を照射して、
と補正された。
　なお、下線は補正箇所であり、審判請求人が付したとおりのものである。
　
　本件補正は、請求項３に記載した発明を特定するために必要な事項である「改質層形成領域」について、該領域が、「前記改質層形成領域の上面と前記ランドの上面との間に高低差が生じない程度にレーザー光を照射して」形成されることを限定するものであり、かつ、補正前の請求項３に記載された発明と補正後の請求項３に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるので、特許法第１７条の２第５項第２号に規定された特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項３に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
　
２．引用刊行物とその記載事項及び発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願日前に日本国内において頒布された特開２００９−２１８２８０号公報（以下「刊行物」という。）には、「半導体装置」に関し、次の事項が図面（特に、図１参照）と共に記載されている。
　以下、下線は当審で付与するものである。
　
　ア．「【０００９】
　以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。　
　なお、本願明細書及び以下の各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
　（第１の実施の形態）
  図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の構造を例示する模式図である。
　同図（ａ）は斜視図であり、同図（ｂ）は平面図、同図（ｃ）は同図（ｂ）のＡ−Ａ線断面図、同図（ｄ）は、要部を例示する平面図である。  
  図１に表したように、本発明の第１の実施形態に係る
半導体装置１０は、リードフレーム（実装部材）１２０と、リードフレーム１２０の主面（マウント面）１２１に、はんだ層１５０によって接合された半導体チップ１４０と、を備えている。リードフレーム１２０の主面１２１の半導体チップ１４０の周囲には、第１の領域１４１と、第２の領域１６０とが設けられている
第２の領域１６０は、半導体チップ１４０を囲むように設けられる。そして第２の領域１６０のはんだに対する濡れ性は、第１の領域１４１のはんだに対する濡れ性より低い
　
　イ．「【００１１】
　図１に例示した
リードフレーム１２０は
銅からなる内部層１２２と、その周囲を被覆した例えばニッケルメッキ層１２３
【００１２】
　図１（ｄ）は、はんだ層１５０と半導体チップ１４０を取り除いた状態（または、はんだ層１５０と半導体チップ１４０を搭載する前の状態）を例示している。図１（ｄ）に表したように、
半導体チップ１４０の周りに、第１の領域１４１と第２の領域１６０が設けられている
　
　ウ．「【００１３】
　図１に例示する半導体装置１０においては、
第２の領域１６０は、互いに離間した複数の要素領域１６９を有す
第２の領域１６０が、互いに離間した要素領域１６９からなる場合も、第２の領域１６０は、半導体チップ１４０を囲っている
  すなわち、
本願明細書において、「囲う」とは、特定の領域の周囲を連続して囲う場合
も含み
　
　エ．「【００１４】
　
第２の領域１６０は
表面処理層を形成したりすることで、第１の領域１４１の表面よりもはんだに対する濡れ性を相対的に低く（悪く）することで設けられる
　例えば、炭酸ガスレーザやＹＡＧレーザ等をリードフレーム１２０のマウント面１２１の所定の領域に照射することにより、その照射領域の表面に凹凸を形成し、第２の領域１６０を形成することができる。
　また、リードフレーム１２０のマウント面１２１の所定の領域に各種の表面処理を施して酸化膜等を形成し、それによって、他の領域（第１の領域１４１）よりもはんだに対する濡れ性を低くすることによっても、第２の領域１６０を形成できる。なお、
炭酸ガスレーザやＹＡＧレーザ等を照射することによっても、その照射領域の表面に酸化膜等の表面処理層を設けることができ、これにより第２の領域１６０を設けることもできる
　
　オ．「【００３６】
　そして、実装部材１２０（例えばリードフレーム）のマウント領域に、はんだ層１５０となるはんだを設置する（ステップＳ１２０）。例えば、ディスペンサにより、
はんだペーストを
マウント領域に塗布する
　そして、半導体チップ１４０をマウント領域の上に設置する（ステップＳ１３０）。　
　そして、はんだ層１５０となるはんだを溶融して、半導体チップ１４０をリードフレーム１２０のマウント面１２１に接合する（ステップＳ１４０）。」
　
　カ．「【００７７】
　また、図１３（ｂ）に表したように、本発明の第２の実施形態に係る別の半導体装置５８においては、
第２の領域１６０は、半導体チップ１４０の各辺に実質的に接する、長方形の突出部１６１を有している
　
　上記記載事項、図示内容を総合して、本願補正発明に則って整理すると、刊行物には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「リードフレーム１２０のマウント面１２１のマウント領域に、はんだ層１５０によって半導体チップ１４０が接合されるリードフレーム１２０であって、
　リードフレーム１２０のマウント面１２１のマウント領域の半導体チップ１４０の周囲には、第１の領域１４１と第２の領域１６０とが設けられており、前記第２の領域１６０のはんだに対する濡れ性は、第１の領域１４１のはんだに対する濡れ性より低いものであり、
　前記第２の領域１６０は、半導体チップ１４０を囲むように設けられ、且つ、第１の領域１４１により互いに離間した複数の要素領域１６９からなり、
　リードフレーム１２０は、銅からなる内部層１２２と、その周囲を被覆したニッケルメッキ層１２３とからなり、
　前記第２の領域１６０は、レーザをリードフレーム１２０のマウント面１２１に照射して、その照射領域の表面に酸化膜等の表面処理層を設けることにより形成されるものである、
リードフレーム１２０。」
　
３．発明の対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　ａ．引用発明の「マウント面１２１のマウント領域」は、本願補正発明の「ランド」に相当し、また、引用発明の「リードフレーム１２０」は半導体チップ１４０が接合されるものであるから、本願補正発明の「リードフレームを備える電子部品搭載用配線基材」に相当する。
　ｂ．引用発明の「マウント領域の半導体チップ１４０の周囲」は本願補正発明の「ランドを囲む領域」に相当し、引用発明の「はんだに対する濡れ性」は、本願補正発明の「はんだとの親和性」と同義であって、引用発明の「第２の領域１６０」は、はんだとの親和性が低い領域であるから、本願補正発明の「改質層形成領域」に相当する。また、引用発明の「第２の領域１６０」はレーザを照射して形成されるものであるから、引用発明は、本願補正発明の「前記リードフレームは、当該リードフレームにレーザー光を照射することによって、前記ランドを囲む領域に形成され、前記ランドにおけるよりもはんだとの親和性が低い改質層形成領域をさらに有」するとの構成を備えている。
　ｃ．記載事項ウ及び刊行物１の図１を参酌すると、引用発明の「第２の領域１６０」は、第１の領域１４１により離間されているものの、半導体チップ１４０を囲むように、半導体チップ１４０の外径形状に沿って直線状に形成されていることは明らかである。
　ｄ．引用発明の「リードフレーム１２０は、銅からなる内部層１２２と、その周囲を被覆したニッケルメッキ層１２３とからな」ることは、本願補正発明の「前記リードフレームの一方の表面は、前記リードフレームの本体部分を構成する金属と異なる金属を用いて金属めっきされ」ることに相当する。
　ｅ．本願補正発明の「前記改質層形成領域の上面と前記ランドの上面との間に
高低差が生じない
　上記特定事項は、本願明細書の段落【００５５】の「ソルダーレジストの上面と導電性部材２０の上面との間に
高低差が生じることに起因して
おそれがなくなる
　上記記載と本願明細書の【背景技術】とを参酌すると、従来の電子部品搭載用配線基材は、本願図面の図１０のように、ソルダーレジスト９４０が導電性部材９２０の上面より突出して高低差が生じていたことを課題とし、該課題解決のため、本願補正発明は、レーザー照射により、導電性部材の金属めっきを構成する金属を酸化させるものであり、この酸化部分は、従来のソルダーレジストのように突出せず、高低差が生じないというものである。
　他方、引用発明も「レーザ照射領域の表面に酸化膜等の表面処理層を形成」するものであるから、本願補正発明が課題とするような高低差を生じないことは明らかである。
　したがって、引用発明は、本願補正発明の「前記改質層形成領域の上面と前記ランドの上面との間に高低差が生じない程度にレーザー光を照射して」「形成されたもの」との構成を備えている。
　ｆ．引用発明は、レーザ照射領域の表面に酸化膜等の表面処理層を形成するものであるから、金属めっきを構成する金属（ニッケル）が酸化されていることは明らかである。
　
　以上を総合して、本願補正発明の用語に倣って整理すると、本願補正発明と引用発明とは、
「一方の表面にランドを有するリードフレームを備える電子部品搭載用配線基材であって、
　前記リードフレームは、当該リードフレームにレーザー光を照射することによって、前記ランドを囲む領域に形成され、前記ランドにおけるよりもはんだとの親和性が低い改質層形成領域をさらに有し、
　前記改質層形成領域は、搭載される電子部品の外形形状に沿って直線状に形成された領域からなり、
　前記リードフレームの一方の表面は、前記リードフレームの本体部分を構成する金属と異なる金属を用いて金属めっきされており、
　前記改質層形成領域は、前記改質層形成領域の上面と前記ランドの上面との間に高低差が生じない程度にレーザー光を照射して、前記金属めっきを構成する金属を酸化することによって形成されたものである電子部品搭載用配線基材。」
　である点で一致し、次の点で相違する。
　
［相違点］
　改質層形成領域が、本願補正発明では、「１つの連続した」領域からなるものであるのに対して、引用発明では、第１の領域１４１により離間された複数の第２領域１６０からなる点。
　
４．当審の判断
　(１)相違点について
　上記記載事項ウの「本願明細書において、「囲う」とは、
特定の領域の周囲を連続して囲う場合
連続して
　したがって、改質層形成領域を相違点に係る構成とすることは、刊行物記載の技術事項に基づいて当業者が容易に想到し得たことである。
　
　(２)作用効果について
　審判請求人は、平成２６年２月２７日付け審判請求書４〜５頁において、本願補正発明の作用効果について、概略、次の様に主張している。
　本願補正発明においては、改質層形成領域の上面とランドの上面との間に高低差が生じない程度にレーザー光を照射するため、リードフレームの本体部分を酸化することなく金属めっきを構成する金属のみを酸化又は窒化することが可能となる。そのため、次の効果が得られる。
　(ａ)本体部分に絶縁物である酸化物や窒化物が形成されることがなく、本体部分を流れる電流の電流経路が絶縁物である酸化物や窒化物によって狭くなることがないから、電子部品搭載用配線基材の内部抵抗が高くなることを防ぐことが可能となる。
　(ｂ)本体部分と金属めっきとの界面に酸化膜が形成されることがなく、本体部分と金属めっきとの接合強度を維持することが可能となるから、本体と金属めっきとの金属が異なる場合であっても、当該界面が剥離することを防ぐことが可能となる。
　
　上記前段の記載のとおり、審判請求人は、本願補正発明は、改質層形成領域の上面とランドの上面との間に
高低差が生じない程度にレーザー光を照射するため
金属めっきを構成する金属のみを酸化
　しかしながら、上記３．ｅ．に記載したとおり、上記特定事項の補正の根拠となった、段落【００５５】に記載される「高低差」は、従来例として示された本願図面の図１０に記載される、突出したソルダーレジストと導電性基材との高低差のことであるから、上記「高低差を生じない」とは、改質層形成領域が導電性部材（ランド）から突出していないことを特定しているにすぎず、また、その高低差を生じない改質層形成領域はレーザー照射により形成されるものである。
　すなわち、レーザー照射は、ランドの上面と高低差のない改質層形成領域（酸化膜）を形成する手段であり、且つ、本願明細書には、レーザー照射に関し、照射時間、照射深度等について何ら記載されていないのであるから、レーザー照射により、どの程度の深さまで酸化膜が形成されるのか、換言すれば、審判請求書４、５頁に【参考図２】、【参考図４】として図示されるような、ニッケルめっきの部分のみに酸化膜が形成されることが、本願明細書の記載から自明な事項ともいえない。
　結局、本願補正発明の「前記改質層形成領域の上面と前記ランドの上面との間に高低差が生じない程度にレーザー光を照射して、」という特定事項は、レーザー照射により、ランドの上面から突出しない改質層形成領域（酸化膜）を形成することを特定しているにすぎず、また、「前記金属めっきを構成する金属を酸化又は窒化することによって形成された」という特定事項は、上記３．ｆ．に記載したとおり、金属めっきを構成する金属が酸化されることを特定しているにすぎないから、審判請求人が主張するような、「金属めっきを構成する金属
のみ
　したがって、審判請求人が主張する効果(ａ)、(ｂ)は、金属めっきを構成する金属
のみ
　
　そして、引用発明はレーザ照射によって、照射領域の表面に酸化膜等の表面処理層を設けるものであるから、本願補正発明の奏する作用効果は、引用発明及び刊行物記載の技術事項から当業者が予測し得る範囲内のものである。
　
　(３)まとめ
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び刊行物記載の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成２６年２月２７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１〜１３に係る発明は、平成２５年１１月１日付けの手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１〜１３に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、本願の請求項３に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「一方の表面にランドを有するリードフレームを備える電子部品搭載用配線基材であって、
　前記リードフレームは、当該リードフレームにレーザー光を照射することによって、前記ランドを囲む領域に形成され、前記ランドにおけるよりもはんだとの親和性が低い改質層形成領域をさらに有し、
　前記改質層形成領域は、搭載される電子部品の外形形状に沿って直線状に形成された１つの連続した領域からなり、
　前記リードフレームの一方の表面は、前記リードフレームの本体部分を構成する金属と異なる金属を用いて金属めっきされており、
　前記改質層形成領域は、前記金属めっきを構成する金属を酸化又は窒化することによって形成されたものであることを特徴とする電子部品搭載用配線基材。」
　
２．引用刊行物とその記載事項及び発明
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物とその記載事項及び引用発明は、上記第２の２．に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、上記第２の１．で検討した本願補正発明から、「改質層形成領域」について、該領域が、「前記改質層形成領域の上面と前記ランドの上面との間に高低差が生じない程度にレーザー光を照射して」形成されるとの特定事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含む本願補正発明が、上記第２の３．及び４．に記載したとおり、引用発明及び刊行物記載の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び刊行物記載の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．まとめ
　したがって、本願発明は、引用発明及び刊行物記載の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。