(57)【要約】【課題】  低コストで、損失を従来と同等かそれ以上に低減することができる光ファイバカプラおよび光伝送システムを提供する。【解決手段】  この光ファイバカプラ１は、シート状の透明媒質からなる一様厚さのシート状導光路４と、シート状導光路４の入射端４ａに光結合された１本のＧＩ型の入射側光ファイバ２と、シート状導光路４の出射端４ｂに一列に配列されて光結合された４本のＧＩ型の出射側光ファイバ７とを備え、入射側光光ファイバ２のコア径をＤin、出射側光ファイバ７のコア径をＤout、シート状導波路４の厚さ、最小厚さ、最大厚さをそれぞれｔ、ｔ1、ｔ2とするとき、Ｄin≦Ｄout、およびｔ1≦ｔ≦ｔ2（但し、ｔ1＝０．５×Ｄin＋０．１×Ｄout、ｔ2＝０．５×Ｄin＋０．４×Ｄout）の関係を満たすものである。【選択図】    図１
2007086187.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シート状の透明媒質からなる一様厚さの導光路と、
前記導光路の入射端に光結合された少なくとも１本の屈折率分布型の入射側光ファイバと、
前記導光路の出射端に一列に配列されて光結合された複数本の屈折率分布型の出射側光ファイバとを備え、
前記入射側光ファイバのコア径をＤin、前記出射側光ファイバのコア径をＤout、前記導波路の厚さ、最小厚さ、最大厚さをそれぞれｔ、ｔ1、ｔ2とするとき、
Ｄin≦Ｄout、およびｔ1≦ｔ≦ｔ2（但し、ｔ1＜Ｄin、ｔ2＜Ｄout）
の関係を満たすことを特徴とする光ファイバカプラ。
【請求項２】
ｔ1＝０．５×Ｄin＋０．１×Ｄout
ｔ2＝０．５×Ｄin＋０．４×Ｄout
であることを特徴とする請求項１に記載の光ファイバカプラ。
【請求項３】
前記関係を満たし、さらにＤin＜Ｄoutであることを特徴とする請求項２に記載の光ファイバカプラ。
【請求項４】
前記関係を満たし、さらにｔ≦Ｄinであることを特徴とする請求項２又は３に記載の光ファイバカプラ。
【請求項５】
前記出射側光ファイバの外径は、コア径の１．４倍以下であることを特徴とする請求項１に記載の光ファイバカプラ。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光ファイバカプラを有し、データをシリアル伝送する共有バスと、
前記共有バスの上り側に接続された情報処理装置と、
前記共有バスの下り側に接続され、シリアル信号とパラレル信号との間で信号変換する複数のメモリインタフェースと、
パラレル信号のデータ入出力線を介して前記複数のメモリインタフェースに接続され
た複数のメモリとを備えたことを特徴とする光伝送システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＧＩ（Graded Index：グレーデッドインデックス）型の光ファイバを用いた光ファイバカプラおよび光伝送システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の光ファイバカプラとして、例えば、小型で、１対多あるいは多対多の光高速伝送を可能としたものが提案されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
特許文献１に記載された光ファイバカプラは、シート状の透明媒質からなる導光路の入射端と出射端にそれぞれ４本の光ファイバを光結合し、入射側の光ファイバのコア径を導光路の厚さよりも小さく設定し、出射側の光ファイバのコア径を導光路の厚さよりも大きく設定した構成を有する。この構成によれば、入射側の光ファイバにアライメントずれがあっても、入射側の損失を０にすることができる。さらに、出射側の光ファイバと導光路との断面形状の相違による損失を低減することができる。
【０００４】
一方、光ファイバには、マルチモード用としてＳＩ（Step Index：ステップインデックス）型とＧＩ（Graded Index：グレーデッドインデックス）型がある。
【０００５】
図７（ａ）は、ＳＩ型光ファイバを示し、図７（ｂ）は、ＧＩ型光ファイバを示す。同図中、５０はコア５０ａの周囲に比較的薄いクラッド５０ｂを形成したＳＩ型光ファイバであり、６０はコア６０ａの周囲に比較的厚いクラッド６０ｂを形成したＧＩ型光ファイバであり、５１、６１はシート状導光路を示す。ＧＩ型はＳＩ型に比べて帯域が広いという特徴があり、高速光伝送に用いられている。しかし、図７に示すように、ＧＩ型はＳＩ型に比べて比較的クラッドが厚く、ファイバ外径に対するコア径の割合が小さい。このため、図７に示すように、ＧＩ型光ファイバ６０を一列に整列させてシート状導光路６１と結合させた場合には、ＳＩ型光ファイバ５０と比較して面積損失（同図中斜線を施した領域）が大きくなるという問題がある。
【０００６】
そこで、従来、ＧＩ型光ファイバにおいて面積損失の低減を図った光ファイバカプラが提案されている（例えば、特許文献２参照。）。
【０００７】
特許文献２に記載された光ファイバカプラは、主線導波路から分岐した複数の分岐導波路を有する導波路の主線導波路に１本のＧＩ型の光ファイバを光結合し、複数の分岐導波路に複数本のＧＩ型の光ファイバを光結合した構成において、導波路の厚さを光ファイバのコア径よりも小さく（０．７〜０．８５倍）することにより、光ファイバと導波路の形状不一致による結合損失を少なくしたものである。
【特許文献１】特開２００１−７４９７１号公報（［００２６］〜［００３０］、図１、図３、図５）
【特許文献２】特開平３−１５６４０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、特許文献２の光ファイバカプラは、導波路のコア部が複雑な分岐構造を有するため、製造工程が多くなり、コスト高を招くという問題がある。また、分岐導波路ピッチとファイバピッチを高精度で合わせる必要がある。
【０００９】
従って、本発明の目的は、低コストで、損失を従来と同等かそれ以上に低減することができる光ファイバカプラおよび光伝送システムを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様は、上記目的を達成するため、シート状の透明媒質からなる一様厚さの導光路と、前記導光路の入射端に光結合された少なくとも１本の屈折率分布型の入射側光ファイバと、前記導光路の出射端に一列に配列されて光結合された複数本の屈折率分布型の出射側光ファイバとを備え、前記入射側光ファイバのコア径をＤin、前記出射側光ファイバのコア径をＤout、前記導波路の厚さ、最小厚さ、最大厚さをそれぞれｔ、ｔ1、ｔ2とするとき、
Ｄin≦Ｄout、およびｔ1≦ｔ≦ｔ2（但し、ｔ1＜Ｄin、ｔ2＜Ｄout）
の関係を満たすことを特徴とする光ファイバカプラを提供する。
【００１１】
上記光ファイバカプラによれば、導光路として、シート状の一様厚さの透明媒質を用いることにより、導光路の低コスト化が図れる。入射側光ファイバのコア径、出射側光ファイバのコア径、および導波路の厚さを上記関係とすることにより、損失を従来と同等かそれ以上に低減することができる。
【００１２】
上記導波路の最小厚さｔ1、最大厚さｔ2は、
ｔ1＝０．５×Ｄin＋０．１×Ｄout
ｔ2＝０．５×Ｄin＋０．４×Ｄout
とすることができる。このような簡易な関係式を用いることにより、各部の設計が容易となる。
【００１３】
前記関係は、さらにＤin＜Ｄoutに限定してもよい。Ｄin＜Ｄoutに限定することで、損失の少ない構成とすることができる。
【００１４】
前記関係は、さらにｔ≦Ｄinに限定してもよい。ｔ≦Ｄinに限定することで、損失を従来と同等かそれ以上に低減することができる。
【００１５】
前記出射側光ファイバの外径は、コア径の１．４倍以下であることが望ましい。出射側光ファイバのコアと導光路との形状の相違による損失を低減することができる。
【００１６】
本発明の一態様は、上記目的を達成するため、上記光ファイバカプラを有し、データをシリアル伝送する共有バスと、前記共有バスの上り側に接続された情報処理装置と、
前記共有バスの下り側に接続され、シリアル信号とパラレル信号との間で信号変換する複数のメモリインタフェースと、パラレル信号のデータ入出力線を介して前記複数のメモリインタフェースに接続された複数のメモリとを備えたことを特徴とする光伝送システムを提供する。
【００１７】
上記光伝送システムによれば、低損失の光ファイバカプラを共有バスに用いることにより、より高速伝送が可能となる。情報処理装置には、ホストコンピュータのように大規模な構成やＣＰＵのように小規模な構成が含まれる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、低コストで、損失を従来と同等かそれ以上に低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
[第１の実施の形態]
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る光ファイバカプラを示す。図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ図１のＡ−Ａ線断面図、Ｂ−Ｂ線断面図、Ｃ−Ｃ線断面図である。この光ファイバカプラ１は、１本の入射側光ファイバ２を保持する入射側フェルール３と、入射端４ａが入射側光ファイバ２に光結合されたシート状導光路４を保持する保持部材５と、シート状導光路４の出射端４ｂに一列に配列されて光結合された４本の出射側光ファイバ７を保持する出射側フェルール８とを有して構成され、入射側光ファイバ２のコア径、シート状導光路４の厚さ、および出射側光ファイバ７のコア径との間に後述する所定の関係を有する。
【００２０】
入射側光ファイバ２は、ＧＩ（Graded Index：グレーデッドインデックス）型光ファイバであり、中心が最大の屈折率となる２乗分布に近似した屈折率分布を有するコア２ａと、コア２ａの周囲に形成され、コア２ａの最小の屈折率よりも小さい屈折率を有するクラッド２ｂとからなる。
【００２１】
出射側光ファイバ７は、入射側光ファイバ２と同様にＧＩ型光ファイバであり、屈折率分布を有するコア７ａと、コア７ａの周囲に形成されたクラッド７ｂとからなる。出射側光ファイバ７は、ファイバ外径がコア径に対して１．４倍以下が効率の点で好ましい。例えば、コア径１００μｍに対してファイバ外径を１４０μｍ以下のものを用いる。
【００２２】
シート状導光路４は、厚さが一様のシート状の透明媒質からなり、例えば、ポリメチルメタクリレート，ポリカーボネート，アモルファスポリオレフィン等のプラスチック材料や、無機ガラス等から形成されている。また、シート状導光路４は、後述する最適厚さ、所定の長さ、４本の出射側光ファイバ７を一列に配列したときの外側のコア７ａに外接する幅を有する。なお、シート状導光路４は、その側面及び上下面にクラッド層を設けてもよい。
【００２３】
シート状導光路４は、固定部材５に接着剤６で固定されている。接着剤６の屈折率はシート状導光路４の屈折率よりも低いものが使用される。また、接着剤６の屈折率とシート状導光路４の屈折率差から導かれるＮＡ（開口数）が入射側光ファイバ２のＮＡより大きくなるように屈折率を選定する。なお、接着剤６はシート状導光路４の表面全面を固定してもよい。
【００２４】
入射側フェルール３は、入射側光ファイバ２が挿入される円形のファイバ挿入穴３ａを有する。入射側フェルール３は、Ｚｒ、ガラス、ポリエーテールケトン等のプラスチック材料からなり、射出成形等により形成してもよく、丸棒材からファイバ挿入穴３ａを切削等により形成してもよい。
【００２５】
出射側フェルール８は、４本の出射側光ファイバ７が挿入される連通あるいは独立した複数のファイバ挿入穴８ａを有する。出射側フェルール８も入射側フェルール３と同様に作製することができる。なお、出射側光ファイバ７の固定方法としては、複数本の出射側光ファイバ７が一列に整列して固定されてればよいため、本実施の形態のフェルール８の他に、光ファイバに対応したＶ溝を有するものを用いてもよい。
【００２６】
（光ファイバカプラの組立）
図３は、光ファイバカプラ１の分解斜視図である。光ファイバカプラ１の組立方法の一例を図３を参照して説明する。まず、入射側光ファイバ２を入射側フェルール３のファイバ挿入穴３ａに挿入し、シート状導光路４を接着剤６により保持部材５の凹部５ａに固定し、４本の出射側光ファイバ７を出射側フェルール８のファイバ挿入穴８ａに挿入する。
【００２７】
入射側光ファイバ２とシート状導光路４の光軸同士、およびシート状導光路４の光軸と４本の出射側光ファイバ７の中心を、出力信号を観察しながらアクティブにアライメントする調芯工程を行い、入射側フェルール３、保持部材６および出射側フェルール８相互を接着剤で固定する。このようにして光ファイバカプラ１が組み立てられる。
【００２８】
（入射側および出射側の最適コア径、およびシート状導光路の最適厚さの選定方法）
損失を小さくするためには、常識的には、シート状導光路の厚さは、特許文献１にも記載されているように、入射側光ファイバのコア径より大きく、かつ、出射側光ファイバのコア径より小さい方が良いと考えられている。しかし、ＧＩ型光ファイバの場合、特許文献１に開示されている関係の他に、入射側光ファイバ２のコア径、出射側光ファイバ７のコア径、およびシート状導光路４の厚さの間に最適値が存在することを本発明者らは実験的に見出した。以下にそれを説明する。
【００２９】
表１は、その入射側光ファイバ２のコア径Ｄin、出射側光ファイバ７のコア径Ｄout、シート状導光路の厚さｔを変化させた場合の損失のシュミレーション結果を示す。
【表１】
2007086187.tif 000003
【００３０】
表１は、Ｄoutを１００μｍに固定し、Ｄinを５０μｍ、６０μｍ、７０μｍ、８０μｍ、１００μｍと変化させた場合に、それぞれｔを２０μｍ、３０μｍ、４０μｍ、５０μｍ、６０μｍ、７０μｍ、８０μｍ、９０μｍ、１００μｍと変化させたときの損失のシュミレーション結果を◎、○、△、×の評価結果で表わしたものである。損失３．０ｄＢ以上を×、２．９〜３．０ｄＢを△、２．８〜２．９ｄＢを○、２．８ｄＢ以下を◎とした。
【００３１】
表１中の（Ａ）〜（Ｅ）は、それぞれＤin、Ｄout、ｔの大小関係で分けたタイプＡ〜Ｅを示し、図４は、そのタイプの構成を示す。同図中、左側に正面図、右側は出射側からみた図を示す。図４に示すように、タイプＡは、Ｄin＜ｔ＜Ｄoutの関係を有するものであり、タイプＢは、Ｄin＝ｔ＜Ｄoutの関係を有するものであり、タイプＣは、ｔ＜Ｄin＜Ｄoutの関係を有するものであり、タイプＤは、ｔ＜Ｄin＝Ｄoutの関係を有するものであり、タイプＥは、従来に対応するＤin＝ｔ＝Ｄoutの関係を有するものである。
【００３２】
また、表１中、太枠で囲んだ範囲は、判別式による最適範囲を示す。この判別式は、シュミレーション結果から本発明者らによって作られた近似式であり、次の式（１）で表わされる。
０．５×Ｄin＋０．１×Ｄout≦ｔ≦０．５×Ｄin＋０．４×Ｄout・・・（１）
【００３３】
（シュミレーション結果に対する検討）
（１）０．２ｄＢの差は、ばらつきを含めると、損失改善の効果としては小さい値であるが、例えば、屈折率が１．５程度の光部材の表面反射による損失（フレネル損失）は約０．２ｄＢである。これを改善するためには無反射コーティング（ＡＲコート）が必要となり、コストアップの要因になる。システム設計を行う場合に、◎で示した条件を使用することで、×で示した条件のものに対してＡＲコート１つ分の損失を改善することが可能となり、コストダウンを図ることができる。
（２）上記判別式（１）による最適範囲（表１中太線で囲んだ範囲）は、△、○、◎の評価結果によく対応していることが分かる。従って、判別式（１）を用いて各サイズを決定することで損失の小さい光ファイバカプラが得られることが分かる。
（３）タイプＡは、予想に反してほとんどが最適範囲から外れていることが分かる。また、タイプＢは、全て最適範囲に入っており、タイプＣ、Ｄは一部が最適範囲に入っていることが分かる。
（４）上記判別式（１）による最適範囲のうち評価結果△のＤin＝Ｄoutを除けば、全て評価結果○、◎が得られることが分かる。
【００３４】
（第１の実施の形態の効果）
本実施の形態によれば、以下の効果が得られる。
（イ）入射側光ファイバ２のコア径、シート状導光路４の厚さ、および出射側光ファイバ７のコア径を最適な関係としたので、損失を従来と同等かそれ以上に低減することができる。例えば、入射側光ファイバ２のコア径を出射側光ファイバ７のコア径の１／２とし、シート状導光路４の厚さを最適化することによって、入射側ファイバ２のコア径および出射側ファイバ７のコア径、シート状導光路４の厚さがすべて等しい場合（３．６ｄＢ）にくらべて、損失を２．５ｄＢと１ｄＢ以上改善することができる。
（ロ）光送受信モジュールと光結合する場合、入射側光ファイバ２を細くし、出射側光ファイバ７を太くしても、発光素子の発光エリアは十数μｍであり、受光素子の受光エリアは百μｍ程度であるので、光送受信モジュールと組み合わせて、光分岐装置または光分岐モジュールとして適用することができる。
（ハ）従来は光ファイバの位置ずれを考慮してシート状導光路の厚さを厚めにしていたが、調芯工程を用いることで、シート状導光路の厚さを最適化することができ、損失を改善することができる。
（ニ）コア径の小さい光ファイバは相対的にファイバ外径が大きくなり、出射側光ファイバとしては不適切であるが、Ｎ：Ｍカプラ（Ｎ＜Ｍ）の場合、入射側光ファイバとして効率よく使用することができる。
【００３５】
［第２の実施の形態］
図５は、第１の実施の形態に係る光ファイバカプラ１を適用した本発明の第２の実施の形態に係る光伝送システムを示す。この光伝送システム１００は、２つの情報処理装置としてのホストコンピュータ１０１ａ，１０１ｂと、ホストコンピュータ１０１ａ，１０１ｂに伝送ケーブル１１ａ，１１ｂを介して接続された半導体ディスク装置１０とから構成されている。なお、ホストコンピュータ１０１ａ，１０１ｂは、１台でも３台以上でもよい。
【００３６】
半導体ディスク装置１０は、２つのホストコンピュータ１０１ａ，１０１ｂとの間で入出力する信号の変換を行う外部インタフェース（Ｉ／Ｆ）部１１と、ホストコンピュータからのアクセス用データを記憶するＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ等で構成される揮発性メモリ１２ａ〜１２ｃと、ハードディスク、フラッシュメモリ等で構成され、揮発性メモリ１２ａ〜１２ｃのバックアップデータおよび復元データを記憶する不揮発性メモリ１２ｄと、揮発性メモリ１２ａ〜１２ｃおよび不揮発性メモリ１２ｄへのアクセスを行うメモリインタフェース（Ｉ／Ｆ）部１３ａ〜１３ｄとを備える。
【００３７】
２つのホストコンピュータ１０１ａ，１０１ｂと外部Ｉ／Ｆ部１１とは、２本の伝送ケーブル１１ａ，１１ｂにより接続されている。また、外／Ｆ部１１には、制御バス１４が接続され、外部Ｉ／Ｆ部１１とメモリＩ／Ｆ部１３ａ〜１３ｄには、メモリバスとしての下り共有バス１５および上り専有バス１６ａ〜１６ｄが接続され、メモリＩ／Ｆ部１３ａ〜１３ｄと揮発性メモリ１２ａ〜１２ｃおよび不揮発性メモリ１２ｄには、パラレル伝送方式のメモリ入出力信号線１７ａ〜１７ｄが接続されている。
【００３８】
外部インタフェース部１１は、パラレル信号をシリアル信号に変換して共有バスに出力し、専有バスからのシリアル信号をパラレル信号に変換するものである。
【００３９】
メモリインタフェース部１３ａ〜１３ｄは、上り側からのシリアル信号をパラレル信号に変換し、下り側からのパラレル信号をシリアル信号に変換するものである。
【００４０】
図６は、下り共有バスの構成を示す。下り共有バス１５は、光信号によりデータをシリアル伝送するようになっており、電気信号を光信号に変換する電気−光変換部（Ｅ／Ｏ）１５０と、第１の実施の形態の光ファイバカプラ１によって構成され、光信号により分配を行う光分配部１５１と、光信号を電気信号に変換する複数の光−電気変換部（Ｏ／Ｅ）１５２ａ〜１５２ｄとを備える。光−電気変換部１５２ａ〜１５２ｄと図５に示すメモリＩ／Ｆ部１３ａ〜１３ｄには、入力信号線１５３ａ〜１５３ｄが接続されている。
【００４１】
電気−光変換部１５０は、レーザや発光ダイオード等の発光素子と、この発光素子を駆動する駆動回路等から構成されている。発光素子としては、例えば、波長が８５０ｎｍの面発光レーザを用いることができる。発光素子からの光信号は、図１〜図３に示す光ファイバカプラ１の入射側光ファイバ２に入射するように構成されている。
【００４２】
光−電気変換部１５２は、フォトダイオード等の４つの受光素子と、これらの受光素子の出力信号を増幅するトランスインピーダンスアンプ、リミティングアンプ等の増幅回路等から構成されている。４本の出射側光ファイバ７からの光信号は、対応する受光素子に入射するように構成されている。
【００４３】
（光伝送システムの動作）
次に、光伝送システム１００の動作を説明する。なお、揮発性メモリ１２ｂにデータを書き込むときに、バックアップ処理が実行される場合を例に説明する。
【００４４】
まず、ホストコンピュータ１０１ａから揮発性メモリ１２ｂにデータを書き込む要求があると、外部インタフェース部１１によって外部から揮発性メモリ１２ｂへのデータ転送が実行される。すなわち、外部インタフェース部１１は、ホストコンピュータ１０１ａからの信号をシリアル信号に変換し、下り共有バス１５に出力する。そのシリアル信号は、電気−光変換部１５０によって光信号に変換され、光分配部１５１を介して光−電気変換部１５２ｂに入力されて、光信号が電気信号に変換され、メモリインタフェース部１３ｂに入力される。メモリインタフェース部１３ｂによって揮発性メモリ１２ｂにおける指示されたアドレスにデータが書き込まれる。
【００４５】
バックアップ処理を実行するタイミングになると、揮発性メモリ１２ａにおける使用中の領域のデータのバックアップ処理が指示され、外部インタフェース部１１によって揮発性メモリ１２ａと不揮発性メモリ１２ｄとのメモリ間のデータ転送が実行される。
【００４６】
（第２の実施の形態の効果）
本実施の形態によれば、下り共有バス１５に光分配を用いているので、高速信号の多分岐バスを電気信号に比べて高速、高密度で実現することができる。また、下り共有バス１５の光分配部１５１に低損失の光ファイバカプラ１を用いているので、より高速化およびエラー発生率の低減を図ることができる。
【００４７】
なお、上り専有バスにも光信号によりデータを伝送するように構成してもよい。この場合は、上り専有バスに、電気−光変換部、光ファイバ、光−電気変換部を設ければよい。これにより、上り専有バスおよび下り共有バスともに光伝送で実現できるため、伝送速度が向上しても伝送路からの電磁ノイズを低減することができ、さらに信頼性が高くなる。
【００４８】
[他の実施の形態]
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、その発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々と変形実施が可能である。
【００４９】
例えば、上記実施の形態では、入射側光ファイバを１本とし、出射側光ファイバを４本としたが、ファイバの本数は限定されるものではない。例えば、入射側光ファイバと出射側光ファイバの本数を等しく、複数本としてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光ファイバカプラを示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は縦方向断面図である。
【図２】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は、それぞれ図１のＡ−Ａ線断面図、Ｂ−Ｂ線断面図、Ｃ−Ｃ線断面図である。
【図３】図１の分解斜視図である。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は、入射側光ファイバのコア径、導光路の厚さ、出射側光ファイアのコア径の大小関係によるタイプを説明するための図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係る光伝送システムの構成を示すブロック図である。
【図６】図５の下り共有バスの構成を示す図である。
【図７】（ａ）はＳＩ型光ファイバとシート状導光路との関係を示す図、（ｂ）はＧＩ型光ファイバとシート状導光路との関係を示す図である。
【符号の説明】
【００５１】
１  光ファイバカプラ
２  入射側光ファイバ
２ａ  コア
２ｂ  クラッド
３  入射側フェルール
３ａ  ファイバ挿入穴
４  シート状導光路
４ａ  入射端
４ｂ  出射端
５  保持部材
６  接着剤
７  出射側光ファイバ
７ａ  コア
７ｂ  クラッド
８  出射側フェルール
８ａ  ファイバ挿入穴
１０  半導体ディスク装置
１１  外部インタフェース部
１１ａ，１１ｂ  伝送ケーブル
１２ａ〜１２ｃ  揮発性メモリ
１２ｄ  不揮発性メモリ
１３ａ〜１３ｄ  メモリインタフェース部
１４  制御バス
１５  下り共有バス
１６ａ〜１６ｄ  上り専有バス
１７ａ〜１７ｄ  メモリ入出力信号線
５０  ＳＩ型光ファイバ
５０ａ  コア
５０ｂ  クラッド
５１  シート状導光路
６０  ＧＩ型光ファイバ
６０ａ  コア
６０ｂ  クラッド
６１  シート状導光路
１００  光伝送システム
１０１ａ，１０１ｂ  ホストコンピュータ
１５０  電気−光変換部
１５１  光分配部
１５２ａ〜１５２ｄ  光−電気変換部
１５３ａ〜１５３ｄ  入力信号線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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