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　平成　３年特許願第１１９４６７号「ラテラルバイポーラトランジスタ」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年　４月　２日出願公開、特開平　５−　８２５２９］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成３年４月２３日の出願であって、その請求項１ないし６に係る発明は、平成１２年１１月２日付け手続補正書及び平成１４年１２月１２日付け手続補正書で補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載されたとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものと認める。
「ＳｉＯ２膜とこのＳｉＯ２膜上に減圧ＣＶＤで形成されたＳｉＮ膜との少なくとも２層の膜がベース領域上の絶縁膜になっているラテラルバイポーラトランジスタ。」
　
　
２．引用刊行物
　これに対して、当審の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された特開平２−７１５２４号公報（以下「引用刊行物２」という。）には、「本発明は半導体装置の製造方法に係り，特に多結晶珪素（ポリＳｉ）セルフアライン型集積回路（ＩＣ）の横型ｐｎｐトランジスタ（Ｌ−ｐｎｐ　Ｔｒ）の電流増幅率（ｈＦＥ）を高くする製造方法に関する。」（第２頁左上欄第７〜１０行）こと、「［従来の技術］
　第４図（１）〜（３）は従来例によるポリＳｉセルフアライン型ＩＣのＬ−ｐｎｐ　Ｔｒの製造方法を説明する断面図である。
　第４図（１）において，ｎ−Ｓｉ基板１上の素子分離領域に分離絶縁層２を形成し，基板表面より不純物を導入してｐ型のエミッタ領域１Ｅとｐ型のコレクタ領域１Ｃを形成する。
　ここで，エミッタ領域１Ｅとコレクタ領域１Ｃに挟まれたｎ−Ｓｉ領域がベース領域となる。
　次に，基板上に熱酸化により形成した薄い二酸化珪素（ＳｉＯ２）層３を介して窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）層４を成長する。
　第４図（２）において，エミッタ領域１Ｅとコレクタ領域１Ｃ上のＳｉＯ２層３とＳｉ３Ｎ４層４にコンタクト窓を開口する。
　次いで，コンタクト窓を覆って基板全面にポリＳｉ層５を成長する。
　第４図（３）において，通常のＬＯＣＯＳ工程によりポリＳｉ層５に選択熱酸化を行い，分離絶縁層としてＳｉＯ２層５Ａ，５Ｂを形成する。
　次いで，ポリＳｉ層５の結晶粒を成長させて電気抵抗を下げるために〜１１００℃，４０分程度のアニールを行う。
　このアニールにより，エミッタ領域１Ｅとコレクタ領域１Ｃはｎ＋型の埋込層１８に届くようにする。これは，メモリセルに用いた場合α線耐性を向上するためにエミッタ，コレクタ接合に大容量を付加するために行うものである。」（第２頁左上欄第１３行〜同頁左下欄第３行）こと、「次に，ｎ−Ｓｉ層１に熱酸化により形成した厚さ５００Åの薄いＳｉＯ２層３を介して厚さ５００ÅのＳｉ３Ｎ４層４を気相成長する。」（第３頁右下欄第３〜５行）ことが、第１図、第３図、第４図とともに記載されている。
　
　以上の記載から、引用刊行物２には、「ＳｉＯ２層３とこのＳｉＯ２層３上に気相成長で形成されたＳｉ３Ｎ４層４と選択熱酸化により形成されたＳｉＯ２層５Ｂがベース領域上に存在している横型ｐｎｐトランジスタ（Ｌ−ｐｎｐ　Ｔｒ）。」が示されている。
　
　また、同様に当審の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された特開昭６１−２１４５６９号公報（以下「引用刊行物３」という。）には、「この発明は、半導体技術に関するもので、たとえば半導体集積回路における横型のバイポーラトランジスタの形成に利用して有効な技術に関する。」（第１頁右下欄第８〜１０行）こと、「第１図（Ａ）〜（Ｆ）は、本発明をバイポーラ集積回路におけるラテラルトラトランジスタの形成に適用した場合の第１の実施例を製造工程順に示したものである。」（第２頁左下欄第１２〜１５行）こと、「その後、ホトエッチングにより上記酸化シリコン膜と窒化シリコン膜を部分的に除去し、これをマスクとして基板主面を少し削ってから熱酸化を行なって、比較的厚い素子分離用酸化膜５を形成する。分離用酸化膜形成後、マスクとなった窒化シリコン膜は除去して、第１図（Ａ）の状態となめ。」（第２頁右下欄第８〜１４行）こと、「第１図（Ａ）の状態の後は、先ずＣＶＤ法（ケミカル・ベイパ・デポジション法）により窒化シリコン膜６を全面的に形成してから、ホトエッチングによりエミッタ領域およびコレクタ領域が形成されるべき部分の窒化シリコン膜６および酸化膜５ａを除去して開口部６ａ，６ｂを形成し、この窒化シリコン膜６をマスクとして基板主面にＳＦ２イオンを打ち込み高濃度のＰ＋型エミッタ領域７およびコレクタ領域８を形成する。
　それから、ＣＶＤ法等によりノンドープ・ポリシリコン層（多結晶シリコン）を全面的に形成してから、引出し用電極の外端部に相当する部分に選択的にボロンを打ち込む。
　・・・ポリシリコンからなる引出し電極９ａ，９ｂが形成されて第１図（Ｂ）の状態となる。」（第３頁左上欄第１行〜同頁右上欄第１２行）こと、「第２図には、第１の実施例に比べてより簡易なプロセスによって形成することができる比較的高性能なラテラルトランジスタの実施例が示されている。
　すなわち、この実施例は、Ｎ−型エピタキシャル層４からなる素子領域表面の酸化膜５ａと窒化シリコン膜６にコンタクト穴６ａ，６ｂを形成し、その上にＰ型不純物がドープされたポリシリコン層からなるエミッタ引出し電極９ａとコレクタ引出し電極９ｂとを形成する。そして、この引出し電極９ａ，９ｂからの不純物拡散によって、Ｐ型エミッタ領域７とコレクタ領域８とを形成するものである。」（第４頁右上欄第１５行〜同頁左下欄第７行）ことが、第１図、第２図とともに記載されている。
　
　また、同様に当審の拒絶の理由に引用された、本願の出願前に日本国内において頒布された特開平１−９９２４３号公報（以下「引用刊行物４」という。）には、「従来技術では、第２図に示す如く、ＳＯＧに含有されるシラノール，アルコール等より遊離したＯＨ−等のアニオンがＳｉＯ２膜２０４，２０２，２０８中を透過しＳｉ基板２０１との界面まで到達し、界面状態を変化させチャンネルを形成するため、この領域において、リーク電流が発生し、素子特性を劣化させるという問題点があった。」（第１頁右下欄第１２〜１９行）こと、「第１図は、本発明の実施例における主要断面図であって、ＳｉＯ２膜，シリコン窒化膜（以下、ＳｉＮ膜と略記する。）およびＳＯＧ膜の３層より成る層間絶縁膜の構造を示すものである。以下、工程を追って説明していく。すなわち、シリコン酸化膜１０２上に形成された１層目の配線１０３上に、ＣＶＤによりＳｉＯ２膜１０４を０．５μｍ形成する。このとき、ＳｉＯ２膜１０４は、ノンドープのものでも、あるいはまた、リン，ホウ素等の不純物をドープしたものでも良い。引き続き、前記ＳｉＯ２膜１０４上にプラズマＣＶＤによりＳｉＮ膜１０５を形成する。このＳｉＮ膜１０５は、ＳＯＧ膜１０６中のアニオン等がＳｉ基板１０１方向へ浸透していくのを防止し得る最低限度の膜厚で良く、本実施例では０．２μｍである。次に、ＳｉＮ膜１０５上にＳＯＧ膜１０６を回転塗布及びアニールすることにより形成している。このとき、ＳＯＧ膜１０６の膜厚は、段差の下の最も厚い部分で０．４μｍ、段差の上の最も薄い部分で０．１μｍであり、充分な平坦性が達成されている。このように、ＳｉＯ２膜１０４とＳｉＮ膜１０５とＳＯＧ膜１０６の３層構造にすることにより、平坦性が充分であり、しかも、ＳＯＧ膜中のアニオン等が素子特性を劣化させることのない良好な層間絶縁膜が得られている。」（第２頁左上欄第１４行〜同頁右上欄最終行）ことが、第１図、第２図とともに記載されている。
　
　
３．対比・判断
　そこで、本願発明と引用刊行物２に記載された発明とを対比すると、引用刊行物２には、横型ｐｎｐトランジスタ（Ｌ−ｐｎｐ　Ｔｒ）が記載されていて、横型はラテラル型のことであり、また、ｐｎｐトランジスタはバイポーラトランジスタであるので、引用刊行物２に記載のトランジスタは、本願発明と同じラテラルバイポーラトランジスタであり、引用刊行物２の「ＳｉＯ２層３」と「Ｓｉ３Ｎ４層４」は、それぞれ本願発明の「ＳｉＯ２膜」と「ＳｉＮ膜」に相当しており、また、引用刊行物２に記載の発明では、選択熱酸化により形成されたＳｉＯ２層５ＢがＳｉ３Ｎ４層４に上に存在している３層の膜であるから、本願発明の「少なくとも２層の膜」となっており、また、引用刊行物２の「ＳｉＯ２層３」と「Ｓｉ３Ｎ４層４」は、ともに絶縁膜であり、ベース領域上に存在しているのであるから、本願発明の「ベース領域上の絶縁膜になっている」部分に相当しているので、
両者は、「ＳｉＯ２膜とこのＳｉＯ２膜上に形成されたＳｉＮ膜との少なくとも２層の膜がベース領域上の絶縁膜になっているラテラルバイポーラトランジスタ。」の点で一致しているが、
本願発明が、ＳｉＮ膜として、減圧ＣＶＤで形成されたＳｉＮ膜を用いているのに対して、引用刊行物２に記載の発明では、ＳｉＮ膜として、気相成長で形成されたＳｉＮ膜を用いている点で相違している。
　しかしながら、引用刊行物２に記載のような気相成長には、その方法として、気相エピタキシャル成長法などと共に、熱ＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、常圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法等の各種のＣＶＤ法が使用されることは、当該技術分野の慣用技術である。
　また、引用刊行物３には、ＳｉＯ２膜上のＳｉＮ膜がＣＶＤ法により形成されたことが記載されており、引用刊行物４には、ＳｉＯ２膜上のＳｉＮ膜がプラズマＣＶＤではあるが、ＣＶＤにより形成されたことが記載されているので、これらの引用刊行物３、４の記載と上記慣用技術とを勘案すると、引用刊行物２に記載の気相成長として、慣用技術であるＣＶＤの内、減圧ＣＶＤを採用することは、当業者が適宜選択できた程度のことと認められ、上記相違点は、格別のものではない。
　
　なお、請求人は、平成１４年１２月１２日付けの意見書において、
「この引用文献２（上記引用刊行物２に相当）には、Ｓｉ３Ｎ４層４が気相成長で形成されるとしか記載されていない（第３頁右下欄第５行）。もし、このＳｉ３Ｎ４層４がプラズマ気相成長で形成されていれば、このＳｉ３Ｎ４層４は減圧気相成長で形成されたＳｉＮ膜に比べてＨやＯＨの透過を阻止する能力が低い。しかも、プラズマ気相成長で形成されたＳｉ３Ｎ４層は層自体の中にＨやＯＨを含んでいる。
　このため、引用文献２のラテラルバイポーラトランジスタでは、ＳｉＯ２層３とベース領域との界面に外部やＳｉ３Ｎ４層４自体からＨやＯＨが供給され易く、その結果、ＳｉＯ２層３とベース領域との界面にホットキャリアが飛び込んで界面準位が発生し易く、従って、特性が安定しており信頼性も高いとは言い難い。」、
「この引用文献３（上記引用刊行物３に相当）には、窒化シリコン膜６がＣＶＤ法で形成されるとしか記載されていない（第３頁左上欄第１〜３行）。もし、この窒化シリコン膜６がプラズマＣＶＤ法で形成されていれば、この窒化シリコン膜６は減圧ＣＶＤ法で形成されたＳｉＮ膜に比べてＨやＯＨの透過を阻止する能力が低い。しかも、プラズマＣＶＤ法で形成された窒化シリコン膜は膜自体の中にＨやＯＨを含んでいる。
　このため、引用文献３のラテラルバイポーラトランジスタでは、酸化膜５ａとベース領域との界面に外部や窒化シリコン膜６自体からＨやＯＨが供給され易く、その結果、酸化膜５ａとベース領域との界面にホットキャリアが飛び込んで界面準位が発生し易く、従って、特性が安定しており信頼性も高いとは言い難い。」、
「この引用文献４（上記引用刊行物４に相当）には、ＳｉＮ膜１０５がプラズマＣＶＤで形成されると記載されており（第２頁右上欄第６〜７行）、このＳｉＮ膜１０５は減圧ＣＶＤで形成されたＳｉＮ膜に比べてＨやＯＨの透過を阻止する能力が低い。しかも、プラズマＣＶＤで形成されたＳｉＮ膜は膜自体の中にＨやＯＨを含んでいる。
　このため、引用文献４の半導体装置では、ＳｉＯ２膜１０４とＳｉ基板１０１との界面に外部やＳｉＮ膜１０５自体からＨやＯＨが供給され易く、その結果、ＳｉＯ２膜１０４とＳｉ基板１０１との界面にホットキャリアが飛び込んで界面準位が発生し易く、従って、特性が安定しており信頼性も高いとは言い難い。」
と主張しているが、本願の明細書中には、ＳｉＮ膜を減圧ＣＶＤで形成する際の、減圧ＣＶＤの温度や圧力の条件が何ら示されていないので、ＳｉＮ膜自体の中に含まれるＨやＯＨの量も不明であり、プラズマＣＶＤ等の他のＣＶＤにより形成されたＳｉＮ膜と、含まれるＨやＯＨの量についての比較をすることができない。したがって、上記の請求人の主張は採用することができない。
　
　そして、本願発明の作用効果も、当業者の予測を越えるものとは認められない。
　
　
４．むすび
　したがって、本願発明は、引用刊行物２〜４に記載された発明及び慣用技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。