【事件の表示】
　特願２０１０−５４２２０１「集積ＩＩＩ族窒化物電力変換回路」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　７月１６日国際公開、ＷＯ２００９／０８８３９１、平成２３年　３月２４日国内公表、特表２０１１−５０９６２９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００８年　１月２９日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００８年　１月１１日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２５年　４月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年　９月　４日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同日付で手続補正書が提出され、同年１１月２２日付けで審尋がなされ、平成２６年　５月２２日に回答書が提出されたものである。
　
　
　
第２　補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２５年　９月　４日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．本願発明と補正後の発明
　平成２５年　９月　４日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）は、平成２４年１２月１３日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された、
　
「　【請求項１】
　バス電圧と接地との間にあり、出力回路に電流を供給するためのスイッチトノードを含む電力変換ブリッジと、
　第１セクション及び第２セクションを含むドライバセクションとを具え、前記第１セクションは、負電源電圧と接地との間にあり、前記第２セクションは、前記スイッチトノードと、前記スイッチトノードより低電圧の導出電圧との間にあり、前記導出電圧は前記負電源電圧から導出されることを特徴とする集積回路。」
　
という発明（以下、「本願発明」という。）を、 本件補正の手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された、
　
「　【請求項１】
　バス電圧と接地との間にあり、出力回路に電流を供給するためのスイッチトノードを含む電力変換ブリッジと、
　第１セクション及び第２セクションを含むドライバセクションとを具え、前記第１セクションは、負電源電圧と接地との間に
いずれも接続されるロー側ドライバブリッジ及びプリドライバセクションを含み
接続されるハイ側ドライバブリッジを含み
　
という発明（以下、「補正後の発明」という。）に補正することを含むものである。
　
　
２．補正の適否
（１）新規事項の有無、補正の目的要件、シフト補正の有無
　上記補正の内容は、以下の通りである。
ａ．「第１セクション」に関して、「負電源電圧と接地との間に」あるという構成に加えて、「負電源電圧と接地との間にいずれも接続されるロー側ドライバブリッジ及びプリドライバセクションを含」むという構成を特定する補正。
ｂ．「第２セクション」に関して、「前記スイッチトノードと、前記スイッチトノードより低電圧の導出電圧との間に」あるという構成を、「前記スイッチトノードと、前記スイッチトノードより低電圧の導出電圧との間に接続されるハイ側ドライバブリッジを含」むという構成に特定する補正。
　そうしてみると、上記補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内において、本願発明の構成である「第１セクション」及び「第２セクション」をさらに特定する補正であり、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　したがって、上記補正は、特許法第１７条の２第３項（新規事項）、及び同法第１７条の２第４項（シフト補正）の規定に違反するところはなく、同法第１７条の２第５項（補正の目的）の規定に適合している。
　
　
（２）独立特許要件
　上記補正は、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、補正後の発明が特許出願の際に独立して特許を受けることができるものであるのかどうかについて、以下に検討する。
　
［補正後の発明］
　上記「１．本願発明と補正後の発明」の項において、「補正後の発明」として認定したとおりである。
　
［引用発明］
　原査定の拒絶理由に引用された特開２００７−６６５８号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
イ．「【０００２】
　半導体基板にＳｉＣ（炭化珪素）やＧａＮ（窒化ガリウム）やダイヤモンドのようなワイドバンドギャップ半導体素子はパワー半導体素子として優れた特性を有するものの、これらワイドバンドギャップ半導体素子を用いた代表的半導体素子であるＪＦＥＴ（接合型ＦＥＴ）やＳＩＴ（静電誘導型トランジスタ）やＭＥＳＦＥＴ（金属−半導体ＦＥＴ：Metal−Semiconductor−Field−Effect−Transistor）やＨＦＥＴ(Heterojunction Field Effect Transistor)やＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor）や蓄積型ＦＥＴなどは、ゲート電圧がゼロの時に電流が流れるノーマリオン特性を有する半導体素子、または、しきい電圧が低い半導体素子となるため、制御回路にパワー半導体素子を確実にオフさせるための負ゲート電圧用の電源回路が必要となっている。
【０００３】〜【００１０】　・・略・・
【００１１】
　本発明の目的は、ノーマリオン特性を有するパワー半導体素子またはしきい電圧が低いパワー半導体素子を駆動するのに好適な半導体回路と、この半導体回路に好適なしきい電圧のばらつきが小さくゲート・ソース間電圧の耐圧が高い電界効果型パワー半導体素子を提供することにある。」（４頁３９行〜５頁４５行）
　
ロ．「【００２１】
　図１は、本実施例の回路図であり、図２は駆動タイミングチャートである。図３は、図１で使用されるレベルシフト回路である。パワー半導体素子１０１、１０２にはｎチャネル型のＪＦＥＴを使用した回路を示したが、ＪＦＥＴ以外の他の電界効果型パワー半導体素子や静電誘導型トランジスタやＨＥＭＴ(High Electron Mobility Transistor) や電流利得が高く、ベース電流が小さいバイポーラ型スイッチング素子を使用しても同様である。なお、本実施例では、パワー半導体素子１０１、１０２にノーマリオン型のＳｉＣパワー半導体素子を用いた場合を説明する。
【００２２】
　本実施例は、高圧電圧端子５０３と出力端子５０５との間には、ハイサイドスイッチ用のパワー半導体素子１０１を接続し、出力端子５０５と基準電圧端子５０４の間にはローサイドスイッチ用のパワー半導体素子１０２を配置し、前記ハイサイドスイッチ用のパワー半導体素子１０１と前記ローサイドスイッチ用パワー半導体素子１０２により電力を制御される負荷１０４を、出力端子５０５に接続したブリッジ回路である。前記ハイサイドスイッチ用のパワー半導体素子１０１を制御するために、ハイサイドスイッチ用の制御回路１１０、前記ローサイドスイッチ用のパワー半導体素子１０２を制御するために、ローサイドスイッチ用の制御回路１１１を設けてある。
【００２３】
　本実施例ではハイサイドスイッチ用の制御回路１１０の高圧側電圧端子は、パワー半導体素子１０１のソース端子と同じ電位であって、出力端子５０５に接続してある。なお、符号５１０は、ハイサイドスイッチ用の制御回路１１０の低圧側電圧端子である。また、ローサイドスイッチ用の制御回路１１１の高圧側電圧端子はパワー半導体素子１０２のソース端子と同じ電位であって基準電圧端子５０４に接続している。なお、符号５０９は、ローサイドスイッチ用の制御回路１１１の低圧側電圧端子である。
【００２４】
　本実施例では、電圧端子５００、５０６、５０１、５０２、５１３の電圧は、バッテリ１２６、１２７、１２８、１２９により、例えば、各々１００Ｖ、９０Ｖ、３Ｖ、０Ｖ、−１０Ｖに設定している。もちろん、バッテリに代えて、各電圧を発生する電源装置であってもよい。電圧端子５０６、５０１、５０２、５１３は各々電圧端子５１１、５０７、基準電圧端子５０４、低圧側電圧端子５０９とスイッチ１１５、１１６、１１７、１１８を介して接続してあるが回路の漏れ電流が無視できる場合にはスイッチ１１５、１１６、１１７、１１８を省いて常時接続しても構わない。なお、スイッチ１１５、１１６、１１７、１１８は機械式リレーを用いたスイッチでも半導体スイッチでも構わない。また、本実施例では例えば電圧端子５００の電圧はバッテリ１２８、１２７、１２６を接続して、その合計の電圧で生成されるように図示してあるが、電圧端子５００、５０６、５０１の電圧は各々別々のバッテリで独立に生成しても構わない。
【００２５】
　本実施例では、出力端子５０５と電圧端子５１１との間にキャパシタ１１４と整流素子であるダイオード１１３を接続し、出力端子５０５が高電位になったときにキャパシタ１
１４に充電した電圧によりハイサイドスイッチ用の制御回路１１０の低圧側電圧端子５１０の電圧を生成することである。低圧側電圧端子５１０の電圧はパワー半導体素子１０１のソース端子である出力端子５０５の電圧より、｛（高圧電圧端子５０３の電圧）−（電圧端子５１１の電圧）−（ダイオード１１３の順方向電圧）｝だけ低い電圧になり、キャパシタ１１４に充電され、負電圧用のフローティング電源として使用される。すなわち、本実施例の場合にはパワー半導体１０１のソース電流により、キャパシタ１１４を充電し、このパワー半導体素子１０１を制動する回路１１０の低圧側電圧端子５１０の電圧がソース電圧よりも負の電圧となるように生成している。
【００２６】
　このため、ハイサイドスイッチの制御回路のためにフローティングのバッテリを接続したり変圧器を用いてフローティングの電源を生成する必要がない。本実施例の場合には、パワー半導体素子１０１のしきい電圧は０Ｖと、−｛（高圧電圧端子５０３の電圧）−（電圧端子５１１の電圧）−（ダイオード１１３の順方向電圧）｝Ｖ、との間の値になっている。」（７頁１２行〜８頁１４行）
　
　上記摘記事項の記載及び図面並びにこの分野における技術常識を考慮すると、
　
ａ．上記摘記事項イ．によれば、引用例に記載されたものは、ノーマリオン特性を有するＳｉＣ（炭化珪素）やＧａＮ（窒化ガリウム）などのパワー半導体素子を駆動するのに好適な半導体回路と、この半導体回路に好適な電界効果型パワー半導体素子を提供するものであるから、パワー半導体素子とこれを駆動する半導体回路に関するものといえる。
　
ｂ．上記摘記事項ロ．の【００２２】段落、及び図１の記載によれば、高圧電圧端子５０３と基準電圧端子５０４の間には、負荷１０４への電力を供給する出力端子５０５を有する、パワー半導体素子１０１とパワー半導体素子１０２からなるブリッジ回路が構成されている。
　
ｃ．上記摘記事項ロ．及び図１の記載によれば、引用例記載のものは、パワー半導体素子１０２とパワー半導体素子１０１をそれぞれ制御するローサイドスイッチ用の制御回路１１１及びハイサイドスイッチ用の制御回路１１０を有している。そして、ローサイドスイッチ用の制御回路１１１の高圧側電圧端子は基準電圧端子５０４に接続され、ローサイドスイッチ用の制御回路１１１の低圧側電圧端子は−１０Ｖの電圧端子５１３に接続される。そして、ローサイドスイッチ用の制御回路１１１には、図１の記載によれば２つのＭＯＳＦＥＴが高圧側電圧端子と低圧側電圧端子との間に直列に接続された構成を有している。
　
ｄ．上記摘記事項ロ．及び図１の記載によれば、引用例記載のものにおいて、ハイサイドスイッチ用の制御回路１１０の高圧側電圧端子は、パワー半導体素子１０１のソース端子と出力端子５０５に接続されている。そして、ハイサイドスイッチ用の制御回路１１０の低圧側電圧端子は、ダイオード１１３を介して９０Ｖの電圧端子５０６に接続され、ハイサイドスイッチ用の制御回路１１０の低圧側電圧端子と高圧側電圧端子の間に介挿されたキャパシタ１１４により、出力端子５０５が高電位になったときに、９０Ｖの電圧端子５０６との電位差により、キャパシタ１１４に充電される電圧によりハイサイドスイッチ用の制御回路１１０の低圧側電圧端子の電圧を生成している。そして、ハイサイドスイッチ用の制御回路１１０には、図１の記載によれば２つのＭＯＳＦＥＴが高圧側電圧端子と低圧側電圧端子との間に直列に接続された構成を有している。
　
　したがって、摘記した引用例の記載及び図面を総合すると、引用例には以下のような発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
（引用発明）
「　高圧電圧端子５０３と基準電圧端子５０４の間にあり、負荷１０４への電力を供給する出力端子５０５を有し、パワー半導体素子１０１とパワー半導体素子１０２からなるブリッジ回路と、
　ローサイドスイッチ用の制御回路１１１は、２つのＭＯＳＦＥＴが高圧側電圧端子と低圧側電圧端子との間に直列に接続された構成を含み、その高圧側電圧端子は基準電圧端子５０４に接続され、前記ローサイドスイッチ用の制御回路１１１の低圧側電圧端子は−１０Ｖの負の電圧端子５１３に接続され、
　ハイサイドスイッチ用の制御回路１１０は、２つのＭＯＳＦＥＴが高圧側電圧端子と低圧側電圧端子との間に直列に接続された構成を含み、その高圧側電圧端子が、前記パワー半導体素子１０１のソース端子と前記出力端子５０５に接続されており、低圧側電圧端子は、ダイオード１１３を介して９０Ｖの電圧端子５０６に接続され、前記ハイサイドスイッチ用の制御回路１１０の低圧側電圧端子と高圧側電圧端子の間に介挿されたキャパシタ１１４により、前記出力端子５０５が高電位になったときに、９０Ｖの電圧端子５０６との電位差により、キャパシタ１１４に充電される電圧により、前記ハイサイドスイッチ用の制御回路１１０の低圧側電圧端子の電圧を生成することを特徴とするパワー半導体素子とこれを駆動する半導体回路。」
　
　
［技術事項］
　また、上記引用例には以下の事項が記載されている。
ハ．「【００５２】
  図１４は、本実施例の回路図である。図１に示した実施例１の回路図と比べると、本実施例では、図１に示したハイサイドスイッチ素子の低圧側電圧を供給する電圧端子５０６、５１１、スイッチ１１５をなくし、その代わり、キャパシタ１４３を追加してハイサイドスイッチ素子の低圧側で電圧端子５１０の電圧を生成していることが異なる。このため、図１の電圧端子５１１はなくして電圧端子５０７と共通に使用している。なお、バッテリ１２６、１２７はバッテリ１４４として集約して示す。なお、電圧端子５０７の電圧はバッテリ１４４を使用せずに電源装置で生成してもかまわない。
【００５３】
  本実施例では、高圧電圧端子５０３が例えば１００Ｖ、電圧端子５０１が例えば３Ｖのときに出力端子５０５と低圧側電圧端子５１０との間の電圧を１０Ｖにするには、ツェナーダイオード１４２はなくてもキャパシタ１１４とキャパシタ１４３の容量比を８７：１０とすればよい。なお、この容量比は、寄生容量やダイオードの順方向電圧降下やパワー半導体素子のオン電圧は無視したものである。降伏電圧が１０Ｖのツェナーダイオード１４２を使用することにより、上記キャパシタの容量比がずれても出力端子５０５と低圧側電圧端子５１０との間の電圧を１０Ｖにできる。本実施例では電圧端子５０６、５１１やスイッチ１１５をなくしたが、その他は実施例１と同じである。」（１３頁２５〜４１行）
　
　上記摘記事項ハ．及び図１４によれば、引用例には以下のような事項（以下、「技術事項」という。）が記載されているものと認められる。
　
（技術事項）
「電圧端子を少なくするため（すなわち、図１における電圧端子５０６を省略するため）、図１４に記載されているようにキャパシタ１４３を追加して、キャパシタ１１４とキャパシタ１４３の容量比を用いることにより、より低い電圧端子である電圧端子５０１（３Ｖ）からハイサイドスイッチ用の制御回路の低圧側の電圧を生成すること。」
　
　
［対比］
　補正後の発明を引用発明と対比すると、
　
ａ．引用発明の「高圧電圧端子５０３」に印加される電圧が、補正後の発明の「バス電圧」に相当する。また、引用発明の「基準電圧端子５０４」はその文言から基準電圧が印加される端子であり、０Ｖの電圧が印加されているから、補正後の発明の「接地」に相当する。さらに、引用発明の「負荷１０４」には電力が供給されており、電流も供給されていると考えるのが自然であるから、引用発明の「負荷１０４」は、補正後の発明において電流が供給されている「出力回路」に相当する。したがって、引用発明において「負荷１０４への電力を供給する出力端子５０５」は、補正後の発明の「出力回路に電流を供給するためのスイッチトノード」に相当する。
　そして、引用発明の「パワー半導体素子１０１とパワー半導体素子１０２からなるブリッジ回路」は、「高圧電圧端子５０３（補正後の発明の「バス電圧」が印加する端子に相当。）」と「基準電圧端子５０４（補正後の発明の「接地」に相当。）」の間にあり、「負荷１０４への電力を供給する出力端子５０５（補正後の発明の「出力回路に電流を供給するためのスイッチトノード」に相当。）」を有するから、補正後の発明の「電力変換ブリッジ」に相当する。
　
ｂ．引用発明の「ローサイドスイッチ用の制御回路１１１」は、「２つのＭＯＳＦＥＴが高圧側電圧端子と低圧側電圧端子との間に直列に接続された」ブリッジ構成を有し、「基準電圧端子５０４（すなわち、上記ａ．に記載したとおり「接地」）と、「−１０Ｖ」の「負の電圧端子５１３」の間に接続される点で、補正後の発明の「ロー側ドライバブリッジ」に対応する。
　
ｃ．引用発明の「ハイサイドスイッチ用の制御回路１１０」は、「２つのＭＯＳＦＥＴが高圧側電圧端子と低圧側電圧端子との間に直列に接続された」ブリッジ構成を有し、その「高圧側電圧端子」が、「出力端子５０５（補正後の発明の「スイッチトノード」に相当。）」に接続されており、「低圧側電圧端子」は、「出力端子５０５」より低い電圧に接続されることにより動作する点で、補正後の発明の「ハイ側ドライバブリッジ」に対応する。
　そして、上記「「出力電圧５０５」より低い電圧」は「電圧端子５０６」（９０Ｖ）の電圧から、「ダイオード１１３」や「キャパシタ１１４」により導出される電圧であるから、補正後の発明のように負電源電圧から導出されるものではないが、導出される電圧であるという点では共通する。
　
ｄ．引用発明の「ローサイドスイッチ用の制御回路１１１」を含む構成を「第１セクション」と称することは任意であり、「ハイサイドスイッチ用の制御回路１１０」を含む構成を「第２セクション」と称することも任意である。そしてこれらは、「パワー半導体素子１０１とパワー半導体素子１０２からなるブリッジ回路」をドライブするドライバということができるから、これら「第１セクション」と「第２セクション」を含めて「ドライバセクション」と称することも任意である。
　
ｅ．引用発明は「パワー半導体素子とこれを駆動する半導体回路」であるのに対して、補正後の発明は「集積回路」である点で相違するが、ともに電気的な「回路」といえる点で両者は共通する。
　
　したがって、両者は以下の点で一致ないし相違する。
　
（一致点）
「　バス電圧と接地との間にあり、出力回路に電流を供給するためのスイッチトノードを含む電力変換ブリッジと、
　第１セクション及び第２セクションを含むドライバセクションとを具え、前記第１セクションは、負電源電圧と接地との間に接続されるロー側ドライバブリッジを含み、前記第２セクションは、前記スイッチトノードと、前記スイッチトノードより低電圧の導出電圧との間に接続されるハイ側ドライバブリッジを含むことを特徴とする回路。」
　
（相違点１）
　補正後の発明は、「前記第１セクションは、負電源電圧と接地との間に・・・接続される・・・プリドライバセクション」を備えるのに対して、引用発明においては、これに相当する構成を有しているか明らかではない点。
　
（相違点２）
　補正後の発明は、「ハイ側ドライバブリッジ」に接続されるスイッチトノードより低電圧の導出電圧が「前記負電源電圧から導出される」のに対して、引用発明においては、導出電圧は正の電圧である９０Ｖの電圧端子５０６から導出されている点。
　
（相違点３）
　「回路」に関して、補正後の発明では「集積回路」であるのに対して、引用発明では「パワー半導体素子とこれを駆動する半導体回路」である点。
　
　
［判断］
イ．上記相違点１について検討する。
　スイッチング素子のドライバとして動作する回路に前置して、当該ドライバの動作を補助するように、電圧を増幅したり、あるいは論理を反転したりするように動作するプリドライバを設けることは、例えば、特開平１１−１９５９７１号公報（プリドライバ１６、１７参照。）、特開２００５−３０４２１８号公報（図６及び【００３６】の「前記ＭＰ２，ＭＮ２で構成される出力段の手前にそれぞれプリドライバ回路等があっても本発明は有効である。」との記載参照。）、特開２００７−２３５２４５号公報（インバータ２１、本願実施例の「第４プリドライバ」と同様に動作すると考えられる。）に記載されているように、一般的に行われている周知の技術にすぎないから、引用発明においてもプリドライバを設けることは回路設計を行う上で適宜なされる程度の事項にすぎない。
　そして、プリドライバは次段のドライバを制御する電圧を発生しているのであるから、次段のドライバと共通の電源を供給するように構成することは格別困難な事項ではない。また「プリドライバ」を「プリドライバセクション」と称することが任意であることも勘案すれば、相違点１とした、補正後の発明の「前記第１セクションは、負電源電圧と接地との間に・・・接続される・・・プリドライバセクション」を備えることは、当業者が引用発明及び周知技術から容易になし得たものである。
　
ロ．上記相違点２について検討する。
　引用例には上記したように、以下のような技術事項が記載されている。
「電圧端子を少なくするため（すなわち、図１における電圧端子５０６を省略するため）、キャパシタ１４３を追加して、キャパシタ１１４とキャパシタ１４３の容量比を用いることにより、より低い電圧端子である電圧端子５０１（３Ｖ）からハイサイドスイッチ用の制御回路の低圧側の電圧を生成すること。」（再掲）
　ここでは、キャパシタ１４３を設け、これとキャパシタ１１４との容量比を変更することにより、電圧端子５０６の電圧に替えて、他の電源電圧も利用できることが記載されているのであるから、キャパシタ１４３とキャパシタ１１４との容量比を適宜選択することにより、電圧端子５０２（０Ｖ）や電圧端子５１３（−１０Ｖ）からもハイサイドスイッチ用の制御回路の低圧側の電圧を生成できることは当業者にとって明らかである。
　そうしてみると、引用発明において、上記技術事項に触れた当業者であれば、新たなキャパシタをキャパシタ１１４と負の電圧が印加される電圧端子５１３（−１０Ｖ）との間に介挿することによりハイサイドスイッチ用の制御回路の低圧側の電圧を生成することは容易に想到できた程度の事項にすぎない。
　したがって、相違点２とした補正後の発明の構成は、引用発明においても引用例に記載されている技術事項を参照して当業者が容易に発明できた程度のものである。
　
ハ．上記相違点３について検討する。
　従来から、半導体によって構成される回路を集積回路とすることは、機器の小型化や省電力化のために行われてきた常套手段にすぎず、また、半導体スイッチとこれを駆動する回路を集積する技術は、例えば、特開平８−８４４６４号公報（図２、【００３４】【００３５】参照。）や特開２００５−１１０２２４号公報（【００１４】【００１９】参照。）に記載されているように周知技術にすぎない。
　そうしてみると、引用発明において、「パワー半導体素子とこれを駆動する半導体回路」を補正後の発明のように「集積回路」とすることは当業者にとって格別困難な事項ではなく、必要に応じて容易に想到できたものである。
　
　そして、補正後の発明が奏する効果も、引用発明、引用例に記載された技術事項、並びに周知技術から到達した構成から、容易に予測できる範囲内のものである。
　
　よって、補正後の発明は、引用発明、引用例に記載された技術事項、並びに周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定によって、特許請求の範囲出願の際、独立して特許を受けることができないものである。　
　
　
３．結語
　以上のとおり、本件補正は、補正後の発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合していない。
　したがって、本件補正は、特許法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
　
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成２５年　９月　４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願発明は上記「第２　補正却下の決定」の項中の「１．本願発明と補正後の発明」の項で「本願発明」として認定したとおりのものである。
　
２．引用発明
　引用発明、引用例に記載された技術事項及び周知技術は、上記「第２　補正却下の決定」の項中の「（２）独立特許要件」の項で引用発明、引用例に記載された技術事項及び周知技術として認定したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は補正後の発明から本件補正に係る限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成に本件補正に係る限定を付加した補正後の発明が、上記「第２　補正却下の決定」の項中の「（２）独立特許要件」の項で検討したとおり、引用発明、引用例に記載された技術事項及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用例に記載された技術事項及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。