【事件の表示】
　特願２０１２−５０３６７１「エレクトロクロミックウィンドウの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１０月２１日国際公開，ＷＯ２０１０／１２０５３７，平成２４年　９月２７日国内公表，特表２０１２−５２３０１９〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，２０１０年３月３１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００９年３月３１日，米国，２００９年１２月２２日，米国）を国際出願日とする出願であって，平成２３年１１月１０日に翻訳文が提出され，平成２５年３月２８日に手続補正書が提出され，同年５月３１日付けで拒絶理由が通知され，同年９月４日に意見書及び手続補正書が提出されたが，同年１１月２７日付けで拒絶査定がなされたところ，平成２６年４月３日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正書が提出され，当審において，同年６月４日付けで拒絶の理由が通知され，同年１１月１０日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項１ないし２０に係る発明は，平成２６年１１月１０日提出の手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし２０によってそれぞれ特定されるものであるところ，請求項１に係る発明は次のとおりのものと認められる。
　
「エレクトロクロミックウィンドウの製造方法であって，
　単一パスの総合真空成膜システムにおける複数の成膜ステーションにおいて，略垂直配向で，ガラス基板上に複数の層を順次成膜して，１平方センチメートルにつき可視欠陥の総数が０．０４５個未満であり，完全に無機材料で固体状態のエレクトロクロミック素子を製造する段階と，
　前記ガラス基板が前記複数の成膜ステーションの第１成膜ステーション内にある間，酸化タングステンのエレクトロクロミック層を成膜する段階と
　前記ガラス基板が前記複数の成膜ステーションの第２成膜ステーション内にある間，酸化ニッケルタングステンのカウンタ電極層を成膜して，前記エレクトロクロミック層および前記カウンタ電極層を含む前記エレクトロクロミック素子の積層体を形成する段階と，
　前記ガラス基板が前記複数の成膜ステーションの第３成膜ステーション内にある間，金属リチウムを成膜する段階と，
　前記ガラス基板が前記複数の成膜ステーションの第４成膜ステーション内にある間，透明伝導性酸化物を成膜する段階と，
　を備え，
　前記第１成膜ステーション，前記第２成膜ステーション，前記第３成膜ステーション及び前記第４成膜ステーションは，直線状に直列に並べられ，この順に相互に接続され，外部環境に前記ガラス基板を暴露することなく，前記ガラス基板を移送することができ，
　前記金属リチウムを成膜する段階は，金属リチウムの成膜プロセスが実行されている間，前記第３成膜ステーションを，前記単一パスの総合真空成膜システムの他の成膜ステーションから分離する段階を含み，
　前記エレクトロクロミック素子は，着色中に可視化され，
　前記総合真空成膜システムにおける前記ガラス基板に前記複数の層を成膜する前記複数の成膜ステーションの間を並進移動している間は，前記ガラス基板は略垂直配向であり，
　前記ガラス基板は，前記エレクトロクロミック層，及び前記カウンタ電極層を順次成膜する間のいずれの時点においても，前記総合真空成膜システムから取り出されることはなく，
　前記ガラス基板は，少なくとも２０インチ×２０インチのサイズを有し，最大８０インチ×１２０インチである，
　製造方法。」（以下，「本願発明」という。）
　
３　当審で通知した拒絶理由の概要
　当審において平成２６年６月４日付けで通知した拒絶の理由（以下，「当審拒絶理由」という。）の概要は，次のとおりである。
　
「この出願の下記の請求項に係る発明は，その出願前に日本国内又は外国において，頒布された下記の刊行物に記載された発明又は電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった発明に基いて，その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
 １　引用例
 　引用文献１：特開２００６−２３５６３２号公報
 　引用文献２：特表２００４−５３７７５５号公報
 　引用文献３：特開平６−１６０９１５号公報
 　引用文献４：特開平７−２８０９８号公報
 　引用文献５：特開平９−５０９９２号公報
 　引用文献６：特開２００５−３４０４２５号公報
 　引用文献７：特開平５−３１３１１１号公報」（本審決では，当審拒絶理由で引用した「引用文献１」ないし「引用文献７」を，当審拒絶理由における呼称に倣って，それぞれ「引用文献１」ないし「引用文献７」という。）
　
４　引用例
（１）引用文献１
　ア　引用文献１の記載
　当審拒絶理由で引用した引用文献１は，本願の優先権主張の日（以下，「本願優先日」という。）より前に頒布された刊行物であって，当該引用文献１には次の記載がある。（下線は，後述する引用発明の認定に特に関係する箇所を示す。）
（ア）「【特許請求の範囲】
・・・（中略）
【請求項１９】
　
エレクトロクロミックデバイスを製造する方法であって，
　ａ）第一の伝導層を提供する工程と，
　ｂ）前記
第一の伝導層上に，
エレクトロクロミック層
タングステン−ニッケル混合酸化物を含むカウンタ電極層
を蒸着し，それによって蒸着された第一の電極を提供する工程と，
　ｃ）
前記
第一の電極上に，イオン伝導層を蒸着する工程と，
　ｄ）
前記イオン伝導層上に，
カウンタ電極層
を蒸着し，それによって蒸着された第二の電極を提供する工程と，
　ｅ）
前記
第二の電極上に，第二の伝導層を蒸着する工程と，
　ｆ）
前記エレクトロクロミックデバイスを加熱する工程と，
　ｇ）
前記カウンタ電極層上にリチウムを蒸着して，それによって前記タングステン−ニッケル混合酸化物を還元する工程と
　を含む方法。
【請求項３２】
　
中間周波反応性スパッタリングを用いて
【請求項３３】
　
ＤＣスパッタリングを用いて
・・・（中略）・・・
【請求項３５】
　
物理的蒸着法を用いて
　
（イ）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，そのエレクトロクロミックデバイスに電位を印加することによって，電磁放射線の透過率または反射率を変化させることができるエレクトロクロミックデバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
　エレクトロクロミック材料と呼ばれる特定の材料は，電位の印加に応じてそれらの光学的性質が変化することが知られている。この性質は，光学エネルギーを選択的に伝達することができるようにコントロールされるエレクトロクロミックデバイスを製造することに利用されてきた。
【０００３】
　数多くの因子がエレクトロクロミックデバイスの操作に影響を及ぼす。エレクトロクロミックデバイスがどの程度暗くなり得るのかの一つの制限は，カウンタ電極層においてどの程度多くの電荷を蓄えることができるかである。電荷蓄積媒体を製造するための多くの異なるアプローチがとられてきたが，エレクトロクロミック材料層に沿って蒸着され，イオン伝導層によって隔てられた薄膜に，ほとんどの注意の焦点が当てられていた。
・・・（中略）・・・
【０００７】
　現在のカウンタ電極の操作に伴う課題を，図１を参照しつつ要約することができ，ここではカソードのカウンタ電極層を有するエレクトロクロミックデバイスにおける発色の説明図が提供されている。電荷がカウンタ電極からエレクロトロマチック材料層まで移動する際の光学密度の正味の変化によって，このようなデバイスについての全体的なダイナミックレンジが与えられる。電荷のこのような移動の結果，カウンタ電極からの光学密度が失われ，エレクトロクロミック材料層において光学密度が得られる。従って，光学密度の正味の変化は，エレクトロクロミック材料層とカウンタ電極との間のエレクトロクロミックの効率性の差によって与えられる。条件１は，電荷のより低い全体レベルを示し，従って，条件２と比較すると初期の脱色の程度がより低い状態である。他方，条件２は，カウンタ電極層の厚さを厚くすることなどによって電荷容量が増加した時の状態を示す。結果として，脱色された状態においてみられる光学密度の付随的な増加に同調して，全体的なダイナミックレンジが増加する。従って，カソードのカウンタ電極層の電荷の総量が増加してデバイスの全体的なダイナミックレンジが増加する可能性がある間に，カウンタ電極の光学密度も増加し，結果的に透明性が低い脱色された状態となる。
【０００８】
　アノードのカウンタ電極を採用するデバイスは，従来技術において簡単に検討されてきた。これらのデバイスのうちのいくつかは，タングステンまたはタンタルをドープした酸化ニッケルからなるカウンタ電極を採用している。しかしながら，このようなカウンタ電極を含む材料は，アモルファス相の金属酸化物を含む。結果として，このようなデバイスにおいては，発色効率の低さと伝導性の低さが問題である。
・・・（中略）・・・
【発明の開示】
【００１０】
　本発明によれば，これらの目的およびその他の目的は，
タングステン−ニッケル混合酸化物とリチウムとを含む相補型のアノードのカウンタ電極
・・・（中略）・・・
【００１６】
　本発明によれば，タングステン−ニッケル混合酸化物を含むエレクトロクロミック層またはカウンタ電極層の一方（審決注：請求項１９の記載と同様に誤訳と認められる。）を，第一の伝導層上に蒸着して，それによって蒸着された第一の電極を提供する工程と，蒸着された第一の電極上にイオン伝導層を蒸着する工程，エレクトロクロミック層またはカウンタ電極層の他方を，イオン伝導層上に蒸着して，それによって蒸着された第二の電極を提供する工程と，蒸着された第二の電極上に第二の伝導層を蒸着する工程と，エレクトロクロミックデバイスを加熱して，それによってその蒸着の直後にリチウムをカウンタ電極層上に蒸着して，タングステン−ニッケル混合酸化物を還元する工程を含む，基板上に蒸着されたエレクトロクロミックデバイスの製造方法も提供される。一つの実施形態においては，タングステン−ニッケル混合酸化物におけるニッケルの量は，その混合酸化物の約１５重量％〜約９０重量％の範囲である。別の実施形態においては，ニッケルの量は，その混合酸化物の約３０重量％〜約７０重量％の範囲である。好ましい実施形態においては，ニッケルの量は，その混合酸化物の約４０重量％〜約６０重量％の範囲である。
・・・（中略）・・・
【００１９】
　本発明の方法の別の実施形態によれば，物理的蒸着法を用いて相補型のアノードのカウンタ電極層を蒸着する。より詳細には，
中間周波反応性スパッタリングまたはＤＣ反応性スパッタリングを用いて，相補型のアノードのカウンタ電極層を蒸着
【００２０】
　本発明の方法の別の実施形態によれば，湿式化学法を用いて，または物理的蒸着法を用いて，
相補型のアノードのカウンタ電極上にリチウムを蒸着
中間周波反応性スパッタリングまたはＤＣスパッタリングを用いてリチウムを蒸着
・・・（中略）・・・
【００２２】
　出願人らは，
タングステン−ニッケル混合酸化物を含むアノードのカウンタ電極を利用するエレクトロクロミックデバイスが，完全に発色した状態と完全に脱色された状態の間の適切な幅の透過範囲を提供する
タングステン−ニッケル混合酸化物を利用するエレクトロクロミックデバイスが
加熱された際に，リチオ化されたカウンタ電極層における透過率を改善する
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
　本発明の一つの目的は，完全にインターカレーションがなされた状態での高い透過率を提供し，商品としての使用に適した長期に亘って安定した能力を有する，相補型のアノードのカウンタ電極を有するエレクトロクロミックデバイスを提供することである。
【００２４】
　この目的およびその他の目的は，タングステン−ニッケル混合酸化物を含む相補型のアノードのカウンタ電極を利用するエレクトロクロミックデバイスを利用することによって達成され，このデバイスは，平方センチメートル当たり数十ミリクーロンの電荷をリチウムイオンの形態およびチャージ・コンペンゼイション・エレクトロンの形態で可逆的にインターカレーションする能力を有し，しかもこのようなイオンのインターカレーションがなされた時に，完全にインターカレーションがなされた状態での高い透過率を結果的に示す。
・・・（中略）・・・
【００２６】
　本発明の別の目的は，タングステン−ニッケル混合酸化物を含む相補型のアノードのカウンタ電極を含むエレクトロクロミックデバイスの製造方法を提供することである。
【００２７】
　従来技術の欠点，特にカソードのカウンタ電極（すなわち，広いダイナミックレンジの間から選択されるもの，または高度に脱色された状態での
透過率
そのデバイスのダイナミックレンジを増加させる
　
（ウ）「【００３４】
  図３は，断面図の状態の五層のエレクトロクロミックデバイスを示す。このような五層のエレクトロクロミックデバイスが正確に機能するために，少なくとも次の連続層を有することが必要である。酸化または還元の際に吸収または反射に変化を生じさせるエレクトロクロミック層（「ＥＣ」）３０と，電解質として機能し，電子電流をブロックする間にイオンの通過を可能とするイオン伝導層（「ＩＣ」）３２と，デバイスが脱色された状態の時にイオンを蓄積する層として機能するカウンタ電極（「ＣＥ」）２８と，電位をエレクトロクロミックデバイスに印加する機能を有する二つの伝導層（「ＣＬ」）２４および２６とである。上記の層のそれぞれを，基板３４上に順次形成する。
【００３５】
  伝導性金属線を利用して低電圧の電源２２をデバイスに結合する。
窓２０
【００３６】
　伝導層２４および２６に採用される材料は，当業者にとって周知のものである。模範的な伝導層材料としては，酸化インジウム，酸化インジウムスズ，ドープされた酸化インジウム，酸化スズ，ドープされた酸化スズ，酸化亜鉛，ドープされた酸化亜鉛，酸化ルテニウム，ドープされた酸化ルテニウムなどの膜，ならびにたとえば金，銀，アルミニウム，ニッケル合金を含む遷移金属などの実質的に透明な全ての金属薄膜が挙げられる。たとえば，ＴＥＣ−Ｇｌａｓｓ（登録商標）の商品名でＰｉｌｋｉｎｇｔｏｎ社から販売されているもの，またはＳＵＮＧＡＴＥ（登録商標）３００およびＳＵＮＧＡＴＥ（登録商標）５００の商品名でＰＰＧ社から販売されているものなどの複数層の膜を採用することも可能である。伝導層２４および２６は，基板の一方の表面上に高伝導性セラミックおよび金属線または伝導層のパターンを設置し，次いで酸化インジウムスズまたはドープされた酸化スズなどの透明な伝導性材料でこれをさらに覆うことによって製造される複合性の導体であってもよい。この伝導層を，適切な反射防止層または保護用の酸化物層もしくは窒化物層でさらに処理してもよい。
【００３７】
　いくつかの実施形態においては
，伝導層２６において用いるために選択される材料は，伝導層２４において用いるために選択される材料と同一
【００３８】
　本発明で利用される
伝導層としては，酸化インジウムスズの透明な層が好ましい
基板
たとえばガラス材料
【００３９】
　本発明の一部として採用される
エレクトロクロミック層３０
好ましい実施形態においては，ＥＣ層３０はＷＯ
３
またはドープされたＷＯ
３
から選択
・・・（中略）・・・
【００４１】
　エレクトロクロミック層３０の上に横たわるのはイオン伝導層３２である。本発明の一部として採用されるイオン伝導層３２は，イオンをこの層を経由して移動させることを可能とする能力を有する固体電解質からなる。イオン伝導層３２は，イオン，好ましくはリチウムイオンが移動することが十分に可能なイオン移動性を有さなければならない。カウンタ電極層２８からのイオンをエレクトロクロミック層３０に移動させることができるイオン伝導体のために，任意の材料を用いてもよい。いくつかの実施形態においては，イオン伝導体層はケイ酸塩に基づく構造を含む。その他の実施形態においては，リチウムイオンの透過に特に適合する適切なイオン伝導体としては，ケイ酸リチウム，ケイ酸リチウムアルミニウム，ホウ酸リチウムアルミニウム，ホウ酸リチウム，ケイ酸リチウムジルコニウム，ニオブ酸リチウム，ホウケイ酸リチウム，ホスホケイ酸リチウム，窒化リチウム，フッ化リチウムアルミニウム，およびそのようなリチウムに基づくその他のセラミック材料，シリカまたは酸化ケイ素が挙げられるが，これらに制限されるわけではない。その他の適切なイオン伝導性材料としては，たとえば二酸化ケイ素または酸化タンタルなどを用いることができる。
イオン伝導層３２
スパッタリング
によって製造されるリチウム−酸化ケイ素が好ましい
・・・（中略）・・・
【００４３】
　本発明のエレクトロクロミックデバイスに利用されるカウンタ電極層２８は，相補型のアノードのカウンタ電極である。カウンタ電極層２８はアノードのであるとみなされている。というのは，それはアノード的にエレクトロクロミックだからである。このことは，
還元された時
に
透明になる
【００４４】
　本発明の相補型カウンタ電極層２８は，イオンを蓄積し，次いで適切な電位に応じてエレクトロクロミック層３０に移動させるためにこれらのイオンを放出する能力を有する，タングステン−ニッケル混合酸化物を含む。一つの実施形態においては，混合酸化物はＮｉ２Ｏ３とＷＯ３との複合物の形態を有する。別の実施形態においては，タングステン−ニッケル混合酸化物において存在するニッケルの量は，当該タングステン−ニッケル混合酸化物の約１５重量％〜約９０重量％の範囲であり，当該タングステン−酸化ニッケルの約３０重量％〜約７０重量％の範囲が好ましく，当該タングステン−酸化ニッケルの約４０重量％〜約６０重量％の範囲が最も好ましい。タングステン−ニッケル混合酸化物から電荷が除去されると，ＣＥ層２８が透明な状態から茶色に発色した状態に変化することになる。
・・・（中略）・・・
【００４７】
　本発明の相補型カウンタ電極層２８はさらに，リチウムを含む。本発明の一つの実施形態においては，ＣＥ２８を含むリチウムは，タングステン−ニッケル混合酸化物内に少なくとも部分的にインターカレーションされている。その他の実施形態においては，ＣＥの表面を少なくとも部分的に覆う膜として，リチウムが存在する。ＣＥ表面上にあるかおよび／またはタングステン−ニッケル混合酸化物内にインターカレーションされているかのいずれかである，ＣＥ２８において存在するリチウムは，電位が印加されるとＣＥからＥＣ３０に可逆的に移動する能力を有する。
【００４８】
　典型的には，エレクトロクロミックデバイスの
基板３４は，
フロートガラスが望ましい
・・・（中略）・・・
【００５０】
　本発明の好ましい実施形態においては，図３の完成したデバイスを加熱処理工程に付して，次に続くそのデバイスの成形加工を行う。このような処理に付されたデバイスは伝導性が改善され，伝導層の透明性が向上し，そしてリチオ化されたＣＥ層の透過率が向上した。さらに，加熱する場合，リチオ化されたタングステン−ニッケル混合酸化物がＬｉ２ＷＯ４およびＮｉ２Ｏ３の複合物に転換してもよい。
・・・（中略）・・・
【００５６】
　相補型のアノードのカウンタ電極を採用したエレクトロクロミックデバイスを作製する方法も提供される。本技術分野において公知の方法によって，そして既に述べたような所望の性質の伝導層に基づいて，
第一の伝導層２６を基板３４上に蒸着
【００５７】
　
次いで
好ましい実施形態においては，中間周波反応性スパッタリング技術またはＤＣスパッタリング技術によって，エレクトロクロミック層３０を蒸着
【００５８】
　蒸着されたエレクトロクロミック層３０は，酸化チタン，酸化バナジウム，酸化タングステン，酸化モリブデンまたはドープされたそれらの変形物を含む金属酸化物からなるものでもよい。
好ましい実施形態においては，蒸着されたエレクトロクロミック層３０はＷＯ
３
からなる
その他の実施形態においては，ＷＯ
３
を適切な金属または金属化合物でドープしてもよい
【００５９】
　
次いで
イオン伝導層３２をＥＣ層３０上に蒸着
好ましい実施形態においては
反応性スパッタリング法によって，イオン伝導層を蒸着する
【００６０】
　
次いで，タングステン−ニッケル混合酸化物の膜を含む相補型のアノードのカウンタ電極層２８を，
中間周波反応性スパッタリング法，ＤＣスパッタリング法またはＲＦマグネトロンスパッタリング法によって，ＩＣ層３２上に蒸着
【００６１】
　
タングステン−ニッケル混合酸化物の膜を蒸着した後，リチウムを蒸着することによってタングステン−酸化ニッケル膜を還元
・・・（中略）・・・
【００６６】
　第一の伝導層２６の蒸着において上記に記載されたような，本技術分野において周知の方法によって，
第二の伝導層２４をリチオ化されたＣＥ層２８上に蒸着
【００６７】
　エ
レクトロクロミックデバイス全体を減圧下，不活性雰囲気下または大気下のオーブンで加熱することによって，このデバイスが完成する
【００６８】
　
別の実施形態においては，第二の伝導層が蒸着する前に，このデバイスを加熱することができる
【００６９】
　加熱処理プロセスは，第二の伝導層２６の伝導性および透明性を改善するだけではなく，エレクトロクロミックデバイスのスイッチング特性に前向きの影響を与える。
加熱処理は，リチオ化されたＣＥ層２８の透過率を上昇させる
　
　イ　引用文献１に記載された発明
　前記ア（ア）ないし（ウ）から，引用文献１には，次の発明が記載されていると認められる。
　
「完全に発色した状態と完全に脱色された状態の間の透過率のダイナミックレンジを増加させるために，カウンタ電極に，還元された時に透明になる，タングステン−ニッケル混合酸化物とリチウムとを含む相補型のアノードのカウンタ電極を用いたエレクトロクロミックデバイスである窓２０を製造する方法であって，
　フロートガラスである基板３４上に，酸化インジウムスズからなる第一の伝導層２６を蒸着する第１の工程と，
　前記第一の伝導層２６上に，中間周波反応性スパッタリングまたはＤＣスパッタリングを用いて，ＷＯ３またはドープされたＷＯ３からなるエレクトロクロミック層３０を蒸着する第２の工程と，
　前記エレクトロクロミック層３０上に，反応性スパッタリングを用いて，リチウム−酸化ケイ素からなるイオン伝導層３２を蒸着する第３の工程と，
　前記イオン伝導層３２上に，中間周波反応性スパッタリング，ＤＣスパッタリングまたはＲＦマグネトロンスパッタリングを用いて，タングステン−ニッケル混合酸化物の層を蒸着する第４の工程と，
　前記タングステン−ニッケル混合酸化物の層上に，中間周波反応性スパッタリングまたはＤＣスパッタリングを用いてリチウムを蒸着し，それによって前記タングステン−ニッケル混合酸化物を還元してタングステン−ニッケル混合酸化物を含むカウンタ電極層２８とする第５の工程と，
　前記カウンタ電極層２８上に，酸化インジウムスズからなる第二の伝導層２４を蒸着する第６の工程とを有し，
　前記第６の工程の後または前に，エレクトロクロミックデバイスを減圧下，不活性雰囲気下または大気下のオーブンで加熱する加熱工程を行うことによって，リチオ化されたカウンタ電極層２８における透過率等を改善する，
　エレクトロクロミックデバイスである窓２０の製造方法。」（以下，「引用発明」という。）
　
（２）引用文献４
　ア　引用文献４の記載
　当審拒絶理由で引用した引用文献４は，本願優先日前に頒布された刊行物であって，当該引用文献４には次の記載がある。（下線は，後述する引用文献４の記載事項の認定に特に関係する箇所を示す。）
（ア）「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，
エレクトロクロミック
調光体
【０００２】
【従来の技術】一般に基板にスパッタリング法により成膜する場合は，成膜室内を所定の雰囲気にして基板とターゲットの間にシャッターを設置するかあるいは基板の代わりにシャッターを設置し，それとターゲットの間で放電させターゲット表面のクリーニングをかねたプレスパッタを行ない，その後シャッターを外して基板に成膜を行なう。
【０００３】
ＥＣ調光体の構成
基板１１に
第１の透明電導膜１２
上に１３〜１５の膜を順次積層
１３は
酸化発色性ＥＣ膜
１４は
イオン伝導層
１５は還元発色性ＥＣ膜
１６は第２の透明電導膜
【０００４】このような多層膜の構成では，
膜の付着力の観点から酸化発色性ＥＣ膜１３〜第２の透明電導膜１６をすべてスパッタリング法で成膜することが好ましい
のうち少なくとも１層は必ずスパッタリング法で成膜する必要がある
【０００５】酸化発色性ＥＣ膜１３〜第２の透明電導膜１６はそれぞれ約０．５ミクロン程度の膜厚であり，
酸化発色性ＥＣ膜１３〜第２の透明電導膜１６を貫通するピンホールまたは導電性の異物があると第１の透明電導膜１２と第２の透明電導膜１６の導通が起こり，素子が駆動できなくなる
付着した異物の上に着膜しその後脱離することにより生ずる
異物の基板表面への付着
基板洗浄が完全であっても成膜装置内で汚染されることがよくあった
サイドデポジション法
有効であった
　
（イ）「【図面の簡単な説明】
・・・（中略）・・・
【図３】サイドスパッタリング法用装置の基本構成図
・・・（中略）・・・
【図３】
」
　
　イ　引用文献４に記載された技術的事項
　引用文献４の図３（前記ア（イ）を参照。）から，図３が示すサイドスパッタリング法用装置（当該文言は，「サイドデポジション法」を採用したスパッタリングを行う装置を指すと認められる。）が，基板を鉛直方向に立てて横方向から蒸着する方式でスパッタリングを行う装置であることを看取でき，「サイドデポジション法」とは「基板を鉛直方向に立てて横方向から蒸着する方式」を指すと認められるから，前記ア（ア）及び（イ）から，引用文献４に次の技術的事項が記載されていると認められる。
「基板１１上に形成された第１の透明伝導膜１２の上に，酸化発色性ＥＣ膜１３，イオン伝導層１４，還元発色性ＥＣ膜１５及び第２の透明電導膜１６が順次積層されているという構成を有するエレクトロクロミック調光体においては，
　酸化発色性ＥＣ膜１３，イオン伝導層１４，還元発色性ＥＣ膜１５及び第２の透明電導膜１６のうち少なくとも１層は必ずスパッタリング法で成膜する必要があり，膜の付着力の観点からはすべてをスパッタリング法で成膜することが好ましいが，
　スパッタリング法で成膜する際に，基板洗浄が完全であっても成膜装置内で異物が基板表面へ付着することがよくあり，付着した異物の上に着膜しその後脱離することにより生ずるピンホールや，付着した導電性の異物によって，第１の透明電導膜１２と第２の透明電導膜１６の導通が起こり，素子が駆動できなくなることから，前記ピンホールの発生や異物の付着を低減するには，基板を鉛直方向に立てて横方向から蒸着する方式であるサイドデポジション法でスパッタリングを行うのが有効であること。」（以下，「引用文献４の記載事項」という。）
　
（３）引用文献５ないし引用文献７から把握される周知の技術的事項
　ア　引用文献５の記載
　当審拒絶理由で引用した引用文献５は，本願優先日前に頒布された刊行物であって，当該引用文献５には次の記載がある。（下線は，後述する周知技術の記載事項の認定に特に関係する箇所を示す。引用文献６及び引用文献７についても同様。）
（ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，液晶表示装置に使用されるガラス基板，または半導体装置に使用されるシリコン等からなる半導体基板などの
被成膜体の上へ薄膜を形成する成膜装置
（イ）「【００２９】（実施形態３）本実施形態は，
成膜装置をスパッタ装置に利用した
【００３０】このスパッタ装置は，図１に示した仕込み室１および真空室２，３のうち，真空室２を図６および図７に示す構成のものに変更し，また，真空室３を図８に示す構成のものに変更した構成となっている。なお，図７は，図６のＡ−Ａ線による断面図である。
【００３１】このスパッタ装置の具体的な構成は，以下の通りである。
スパッタ装置は，真空ポンプ（図示せず）につながる真空排気口６を各々備えた仕込み室１と，２つの成膜用の真空室２，３とを有する。仕込み室１および真空室２，３は仕切りバルブ５を介して直列に接続されており，また，仕込み室１の真空室２とは反対側と，真空室３の真空室２とは反対側とには，同様の仕切りバルブ５が設けられている。仕切りバルブ５は，
開閉可能に形成され，開の状態では通路などとしての機能を有し，閉の状態では各室１，２および３を密閉にできる機能を有する
【００３２】上記
仕込み室１および真空室２，３には，搬送装置１９にて基板１５が搬入・搬出される
搬送装置１９は
天井側に設けられた案内支持部１９ａと，また，底部側に設けられた案内部１９ｂと，案内支持部１９ａに頭部が移動可能に支持されると共に案内され，下部が案内部１９ｂにて案内される加熱装置１４とからな
案内支持部１９ａと案内部１９ｂとは，仕込み室１から真空室３まではもちろんその両外側に達する範囲にわたり形成されている
加熱装置１４は，基板１５よりも少し大きい板状のものからなり，その両側に基板１５がセットされる
【００３３】搬送装置１９にて搬送される基板１５は，真空度１０−５Ｐａの仕込み室１内に取り込まれ，加熱装置１４により１５０℃に加熱される。
【００３４】次に，
基板１５は，搬送装置１９により真空室２に取り込まれる。
【００３５】上記１対のＡｌターゲット２５にて形成される膜の幅である成膜幅２１は８０ｍｍとなっている。実際の成膜は，かかる成膜幅２１のＡｌターゲット２５に対して，搬送装置１９により基板１５を１００ｍｍ／ｍｉｎで移動させることにより行う。成膜時の真空室２の内圧は１〜１０Ｐａで，形成する膜厚は１０００オングストローム，処理時間５ｍｉｎとする。
【００３６】したがって，この真空室２においては，上記１対のＡｌターゲット２５で挟まれた領域にプラズマ２６が発生するので，プラズマ２６は基板１５に至ることがなく，照射損傷を与えない。よって，基板１５の上に成膜された膜と基板１５との界面に生じるダメージが抑制される。
【００３７】次に，
基板１５は，真空室２内で膜厚１０００オングストローム成膜された後，搬送装置１９により真空室３に取り込まれる
真空室３での成膜
【００３８】かかる構成の本実施形態の成膜装置は，
仕込み室１，真空室２，３が各々仕切バルブ５により密閉されているので，各室の真空度確保，ガス遮断，プラズマ遮断は十分可能
３枚の基板１５を同時に処理することは可能
　
（ウ）「【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態１に係る成膜装置（ＣＶＤ装置）の概路図である。
・・・（中略）・・・
【図６】実施形態３に係る成膜装置（スパッタ装置）の真空室２の構造図である。
【図７】図６のＡ−Ａ線による断面図である。
・・・（中略）・・・
【図１】
・・・（中略）・・・
【図６】
【図７】
」
　
　イ　引用文献６の記載
　当審拒絶理由で引用した引用文献６は，本願優先日前に頒布された刊行物であって，当該引用文献６には次の記載がある。
（ア）「【技術分野】
【０００１】
  本発明は，
いわゆるインライン式の真空処理装置
・・・（中略）・・・
【０００４】
  特許文献１に開示されるように，従来より，種々の真空処理装置が実用に供されている。
  特許文献１に開示の基板を水平状態で成膜する成膜装置では，後述するように，基板が大型化すると，それに伴って装置も大型化するという問題を備えているために，近年では，基板を略直立させて成膜等を行う縦型方式の真空処理装置が開発されている。
【０００５】
  そこで，以下，２つの異なる構成の従来の縦型方式の真空処理装置について，図５及び図６を用いて説明する。
  先ず，従来例１として，大型基板用縦型方式の真空処理装置について図５を用いて説明する。
  図５は，従来例１の大型基板用縦型方式の縦型真空処理装置の外観構成を示す一部裁断斜視図である。
【０００６】
  図５に示すように，従来の真空処理装置１００は，基板着脱室１１０，基板保持トレイ４２を備えた基板キャリア４０，基板３０を載置した基板キャリア４０を取り込む基板仕込室１２０，基板３０を真空処理する一工程分の機能を有する複数（図示のものは３）の真空処理室１３０，１３２，１３４，基板３０の真空処理後，基板キャリア４０を取り出す基板取出室１４０，トラバーサー室１５０，基板キャリア４０を基板着脱室に搬送するリターンコンベア１６０から構成される。
  なお，トラバーサー室１５０では，基板取出室１４０から取り出された基板キャリア４０をリターンコンベア１６０に移載する移載機構（図示せず）を備えている。
  また，基板仕込室１２０，各真空処理室１３０，１３２，１３４，基板取出室１４０には，それぞれ真空排気装置が取り付けられているが，図５では，その図示は省略している。
【０００７】
  次に，
従来例１の真空処理装置１００
  先ず，基板着脱室１１０では，基板移載機構１１２が，横積みにストックされた基板３０を取り込み，基板３０を垂直に直立させて，回転機構１１４上の基板キャリア４０の基板保持トレイ４２に載せ替える。
  基板キャリア４０は，基板３０を移載された後は，基板保持トレイ４２に基板３０を略直立させて固定保持し，その後，回転機構１１４により基板仕込室１２０方向に方向転換され，基板仕込室１２０に平行に搬入される。
  また，後述するように，基板着脱室１１０では，真空処理された基板３０を載置した基板キャリア４０が，リターンコンベア１６０から搬送されて来るので，この基板３０を基板キャリア４０から取り外す。
  基板３０が取り外された基板キャリア４０は，次の基板３０の搬送に利用される。
【０００８】
  ここで，基板３０が縦置きにされるのは，主として，大型の液晶ディスプレイやプラズマディスプレイが普及するに伴い，基板３０自体が大型化，薄型化しており，横置きの場合は真空処理装置１００自体の平面積がそれに伴って大型化するので，縦型とすることで省スペース化を図る趣旨である。
  また，横置きの場合は，基板の自重による撓みが生じ平坦性を保持することが難しく，均一な成膜が困難となるためである。
【０００９】
  
基板３０が基板キャリア４０に載置される際に，垂直面に対して少し傾斜して，略直立して基板保持トレイ４２に固定保持される
  これは，基板３０の膜厚が，０．５ｍｍ乃至５ｍｍ程度で，基板３０の大きさに比較して薄く，垂直に載置した場合は，挫屈する恐れがあるため，基板３０を安定に保持し，平坦性を確保する趣旨である。
【００１０】
  図示による詳細な説明は省略するが，基板仕込室１２０では，基板着脱室１１０から基板キャリア４０が搬入される際は大気圧に開放されているが，搬入後は入り口ゲートが閉じられ，真空排気装置により排気され，所定の真空度となったところで，隣の第１の真空処理室１３０とのゲートが開けられ，
基板キャリア４０はこの第１の真空処理室１３０に搬出される
【００１１】
  
基板仕込室１２０では，基板キャリア４０搬出後は，隣の第１の真空処理室１３０とのゲートが閉じられ
  この際，基板仕込室１２０は，第１の真空処理室１３０とのゲートが閉じられた後に，大気圧に開放されるため，第１の真空処理室１３０の高真空は保たれる。
【００１２】
  なお，基板仕込室１２０からトラバーサー室１５０までは，基板キャリア４０の搬送経路が設けられている。
  この搬送経路について，簡単にその一例を補足説明すると，この搬送経路は１対のレールからなり，基板キャリア４０はその底部に設けられた複数対の車輪によってこのレール上を移動する。
【００１３】
  このとき，基板キャリア４０下面にはラックが設けられ，基板仕込室１２０，第１乃至第３の真空処理室１３０，１３２，１３４，基板取出室１４０，トラバーサー室１５０にはモータの回転力で回転させられるそれぞれ複数個のピニオンギヤが設けられており，ピニオンギヤとラックを噛み合わせることにより，モータの駆動力を基板キャリア４０に伝達して，基板キャリア４０を搬送する。
【００１４】
  基板キャリア４０が第１の真空処理室１３０に入室すると，この第１の真空処理室１３０には加熱装置（図示せず）が備えられ，基板キャリア４０に載置された基板３０は，成膜に適した温度まで昇温される。
  以下，第１の真空処理室１３０を，具体的に「加熱室」と呼ぶ場合がある。
  
加熱室１３０で基板３０が所望の温度まで加熱されると，第２の真空処理室１３２とのゲートが開かれ，基板キャリア４０は第２の真空処理室１３２に搬出され
【００１５】
  
第２の真空処理室１３２では，スパッタリング装置１３３等により，基板３０は成膜処理され，成膜処理後は，第３の真空処理室１３４とのゲートが開かれ，基板キャリア４０は第３の真空処理室１３４に搬出され，第２の真空処理室１３２には次の基板キャリア４０が搬入
【００１６】
  同様に，
第３の真空処理室１３４では，スパッタリング装置１３５等により，基板３０が成膜処理され，成膜処理後は，基板取出室１４０とのゲートが開かれ，基板キャリア４０は基板取出室１４０に搬出され，第３の真空処理室１３４には次の基板キャリア４０が搬入
  なお，第２及び第３の真空処理室１３２，１３４を，具体的に「成膜室」と呼ぶ場合がある。
  また，この従来例１の真空処理装置１００では，成膜室１３２，１３４における成膜工程は基板キャリア４０を固定静止させて成膜を行う固定成膜方式を採用している。
【００１７】
  
基板キャリア４０が基板取出室１４０に搬出される際は，基板取出室１４０は真空排気装置により高真空に維持されているが，基板キャリア４０搬出後は，第３の真空処理室１３４とのゲートが閉じられ，その後，基板取出室１４０は大気圧に開放
  基板取出室１４０が大気圧に戻ると，成膜処理が終了した基板３０を載置した基板キャリア４０は，トラバーサー室１５０に退室する。
  この際，
基板取出室１４０は，第３の真空処理室１３４とのゲートが閉じられてから大気圧に開放されるために，第３の真空処理室１３４の高真空は保たれる
【００１８】
  トラバーサー室１５０では，基板キャリア４０は搬送経路からリターンコンベア１６０に移載され，上述したように，基板キャリア４０はリターンコンベア１６０により基板着脱室１１０まで搬送される。
【００１９】
  一般に，バッチ式の真空処理装置では，真空処理室を基板の出し入れの度に大気圧に開放する。
  一方，
インライン式の真空処理装置では，
真空処理室は，真空処理装置の稼働時は，常時高真空に保持されながら真空処理を行う
　
（イ）「【図面の簡単な説明】
【００７６】
・・・（中略）・・・
【図５】従来例１の縦型方式の真空処理装置の外観構成を示す一部裁断斜視図である。
・・・（中略）・・・
【図５】
」
　
　ウ　引用文献７の記載
　当審拒絶理由で引用した引用文献７は，本願優先日前に頒布された刊行物であって，当該引用文献７には次の記載がある。
（ア）「【０００６】・・・（中略）・・・
【課題を解決するための手段】本発明は，減圧した雰囲気が調節可能な第１の被覆室と前記第１の被覆室とは開閉可能なゲートバルブで接続され減圧した雰囲気が調節可能な加熱室と前記加熱室とは開閉可能なゲートバルブで接続され減圧した雰囲気が調節可能な第２の被覆室とを少なくとも有する
インライン型スパッタリング装置
ａ）前記第１の被覆室では，前記ガラス基板の温度を２００℃以下とした状態で透明金属酸化物または透明金属窒化物からなるアルカリ溶出防止膜をスパッタリングにより被覆すること，
ｂ）前記加熱室では，被覆された前記アルカリ溶出防止膜を３００℃以上に加熱することにより緻密化すること，
ｃ）前記第２の被覆室では，前記アルカリ溶出防止膜が被覆されたガラス基板を３００℃以上に加熱した状態で透明電導膜を被覆すること，
を連続して行う液晶表示素子用透明電導ガラスの製造方法である。
・・・（中略）・・・
【００１６】・・・（中略）・・・
実施例
洗浄乾燥されたソーダライムシリカ組成の厚みが１．１ｍｍの
フロートガラス板を上下に爪を有しその間にガラス基板を支持できる金属製のキャリア１３に取付け，
ゲートバルブ
１４Ｂ
真空予備室１内が所定の減圧状態になってからキャリア１３を第１の被覆室２に移した
二酸化珪素（ＳｉＯ
２
）膜を３５ｎｍ被覆
ゲートバルブ１４Ｃの開閉操作によりキャリア１３を加熱室３へ搬送
開閉可能なゲートバルブ１４Ｄを開けて，キャリア１３を第２の被覆室４内に搬送
ＩＴＯ膜を１５０ｎｍ被覆
開閉可能なゲートバルブ１４Ｅ，
を操作して，第２の被覆室の減圧された雰囲気状態を変えることなく，キャリア１３を第２の被覆室４から順次，
移し
　
（イ）「【００２１】
・・・（中略）・・・
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施に用いたインライン型スパッタリング装置の側面断面図である。
・・・（中略）・・・
【図１】
」
　
　エ　引用文献５の図１（前記ア（ウ）），引用文献６の図５（前記イ（イ））及び引用文献７の図１（前記ウ（イ））から，各引用文献に記載された真空成膜装置では複数の成膜室が直線上に直列に並べられていることを看取できるから，前記アないしウから，
「複数の成膜室（引用文献５の「真空室２及び３」，引用文献６の「第２の真空処理室１３２及び第３の真空処理室１３４」，引用文献７の「第１の被覆室２及び第２の被覆室４」）が直線上に直列に並べられ，バルブ（引用文献５の「仕切バルブ５」，引用文献６の「ゲート」，引用文献７の「ゲートバルブ１４Ｂないし１４Ｅ」）を介して相互に接続され，
　各成膜室に被成膜体が搬入されると，前記バルブを閉じて当該成膜室を他室から密閉した状態で，略直立した状態の前記被成膜体に対してスパッタリング等により成膜処理を行うよう構成されるとともに，前記被成膜体が略直立した状態で各成膜室を通る単一の経路を搬送されるよう構成された，
　いわゆるインライン式の真空成膜装置（引用文献５の「スパッタ装置」，引用文献６の「真空処理装置１００」，引用文献７の「インライン型スパッタリング装置」）。」（以下，「周知技術」という。）
が，本願優先日前に周知であったと認められる。
　
５　対比
（１）引用発明の「エレクトロクロミックデバイスである窓２０」，「フロートガラスである基板３４」，「ＷＯ３またはドープされたＷＯ３からなるエレクトロクロミック層３０」，「タングステン−ニッケル混合酸化物の層」，「リチウム」及び「酸化インジウムスズ」は，本願発明の「エレクトロクロミックウィンドウ」，「ガラス基板」，「酸化タングステンのエレクトロクロミック層」，「酸化ニッケルタングステンのカウンタ電極層」，「金属リチウム」及び「透明伝導性酸化物」にそれぞれ相当する。
　
（２）引用発明は，「エレクトロクロミックデバイスである窓２０」（エレクトロクロミックウィンドウ）の製造方法であるから，「エレクトロクロミックウィンドウの製造方法」であるという本願発明の発明特定事項に相当する構成を具備している。
　
（３）引用発明は，「第１の工程ないし第６の工程及び加熱工程」によって，「フロートガラスである基板３４」上に，酸化インジウムスズからなる第一の伝導層２６，ＷＯ３またはドープされたＷＯ３からなるエレクトロクロミック層３０，リチウム−酸化ケイ素からなるイオン伝導層３２，タングステン−ニッケル混合酸化物を含む（リチウムにより還元されたタングステン−ニッケル混合酸化物からなる）カウンタ電極層２８及び酸化インジウムスズからなる第二の伝導層２４という複数の層を順次形成しており，前記各層はいずれも無機材料で固体状態であるから，「フロートガラスである基板３４」（ガラス基板）上に，酸化インジウムスズからなる第一の伝導層２６，ＷＯ３またはドープされたＷＯ３からなるエレクトロクロミック層３０，リチウム−酸化ケイ素からなるイオン伝導層３２，タングステン−ニッケル混合酸化物を含む（リチウムにより還元されたタングステン−ニッケル混合酸化物からなる）カウンタ電極層２８及び酸化インジウムスズからなる第二の伝導層２４が順次形成されている部材を「完全に無機材料で固体状態のエレクトロクロミック素子」ということができ，引用発明の「第１の工程ないし第６の工程及び加熱工程」は，「複数の層を順次成膜して，当該エレクトロクロミック素子を製造する段階」であるということができる。
　したがって，引用発明の「第１の工程ないし第６の工程及び加熱工程」と，本願発明の「単一パスの総合真空成膜システムにおける複数の成膜ステーションにおいて，略垂直配向で，ガラス基板上に複数の層を順次成膜して，１平方センチメートルにつき可視欠陥の総数が０．０４５個未満であり，完全に無機材料で固体状態のエレクトロクロミック素子を製造する段階」とは，「ガラス基板上に複数の層を順次成膜して，完全に無機材料で固体状態のエレクトロクロミック素子を製造する段階」である点で一致する。
　
（４）引用発明の「第２の工程」は，「フロートガラスである基板３４」（ガラス基板）上に形成された第一の伝導層２６上に，中間周波反応性スパッタリングまたはＤＣスパッタリングを用いて，「ＷＯ３またはドープされたＷＯ３からなるエレクトロクロミック層３０」（酸化タングステンのエレクトロクロミック層）を蒸着する工程であるから，本願発明の「前記ガラス基板が前記複数の成膜ステーションの第１成膜ステーション内にある間，酸化タングステンのエレクトロクロミック層を成膜する段階」と，「ガラス基板に酸化タングステンのエレクトロクロミック層を成膜する段階」である点で一致する。
　
（５）引用発明の「第４の工程」は，「フロートガラスである基板３４」（ガラス基板）上に形成されたイオン伝導層３２上に，中間周波反応性スパッタリング，ＤＣスパッタリングまたはＲＦマグネトロンスパッタリングを用いて，「タングステン−ニッケル混合酸化物の層」（酸化ニッケルタングステンのカウンタ電極層）を蒸着する工程であって，当該第４の工程後に製造される中間物品を「エレクトロクロミック層３０」（エレクトロクロミック層）と「タングステン−ニッケル混合酸化物の層」（カウンタ電極層）を含む「エレクトロクロミック素子の積層体」ということができるから，引用発明の「第４の工程」と，本願発明の「前記ガラス基板が前記複数の成膜ステーションの第２成膜ステーション内にある間，酸化ニッケルタングステンのカウンタ電極層を成膜して，前記エレクトロクロミック層および前記カウンタ電極層を含む前記エレクトロクロミック素子の積層体を形成する段階」とは，「ガラス基板に酸化ニッケルタングステンのカウンタ電極層を成膜して，エレクトロクロミック層およびカウンタ電極層を含むエレクトロクロミック素子の積層体を形成する段階」である点で一致する。
　
（６）引用発明の「第５の工程」は，「フロートガラスである基板３４」（ガラス基板）上に形成されたタングステン−ニッケル混合酸化物の層上に，中間周波反応性スパッタリングまたはＤＣスパッタリングを用いて「リチウム」（金属リチウム）を蒸着し，それによって前記タングステン−ニッケル混合酸化物を還元してタングステン−ニッケル混合酸化物を含むカウンタ電極層２８とする工程であるから，本願発明の「前記ガラス基板が前記複数の成膜ステーションの第３成膜ステーション内にある間，金属リチウムを成膜する段階」と，「ガラス基板に金属リチウムを成膜する段階」である点で一致する。
　
（７）引用発明の「第６の工程」は，「フロートガラスである基板３４」（ガラス基板）上に形成されたカウンタ電極層２８上に，「酸化インジウムスズ」（透明伝導性酸化物）からなる第二の伝導層２４を蒸着する工程であるから，本願発明の「前記ガラス基板が前記複数の成膜ステーションの第４成膜ステーション内にある間，透明伝導性酸化物を成膜する段階」と，「ガラス基板に透明伝導性酸化物を成膜する段階」である点で一致する。
　
（８）前記（３）で言及した引用発明の「フロートガラスである基板３４上に，酸化インジウムスズからなる第一の伝導層２６，ＷＯ３またはドープされたＷＯ３からなるエレクトロクロミック層３０，リチウム−酸化ケイ素からなるイオン伝導層３２，タングステン−ニッケル混合酸化物を含む（リチウムにより還元されたタングステン−ニッケル混合酸化物からなる）カウンタ電極層２８及び酸化インジウムスズからなる第二の伝導層２４が順次形成されている部材」（エレクトロクロミック素子）は，第一の伝導層２６と第二の伝導層２４の間に電圧を印加することにより，完全に脱色された状態から完全に発色した状態に変化させることができるものであるところ，「完全に脱色された状態」（透明な状態）を不可視の状態と，「完全に発色した状態」を可視の状態と，「完全に脱色された状態」から「完全に発色した状態」に変化することを「可視化」と，それぞれいうことができるから，「着色中に可視化される」という本願発明の「エレクトロクロミック素子」に関する発明特定事項に相当する構成を具備している。
　
（９）前記（１）ないし（８）から，本願発明と引用発明とは，
「エレクトロクロミックウィンドウの製造方法であって，
　ガラス基板上に複数の層を順次成膜して，完全に無機材料で固体状態のエレクトロクロミック素子を製造する段階と，
　前記ガラス基板に酸化タングステンのエレクトロクロミック層を成膜する段階と，
　前記ガラス基板に酸化ニッケルタングステンのカウンタ電極層を成膜して，前記エレクトロクロミック層および前記カウンタ電極層を含む前記エレクトロクロミック素子の積層体を形成する段階と，
　前記ガラス基板に金属リチウムを成膜する段階と，
　前記ガラス基板に透明伝導性酸化物を成膜する段階と，
　を備え，
　前記エレクトロクロミック素子は，着色中に可視化される，
　製造方法。」
である点で一致し，次の点で相違する。
　
相違点１：
　本願発明では，
　「エレクトロクロミック素子を製造する段階」が，「単一パスの総合真空成膜システムにおける複数の成膜ステーションにおいて，略垂直配向で，ガラス基板上に複数の層を順次成膜」する段階であって，
　「エレクトロクロミック層を成膜する段階」，「エレクトロクロミック素子の積層体を形成する段階」，「金属リチウムを成膜する段階」及び「透明伝導性酸化物を成膜する段階」が，それぞれ，ガラス基板が複数の成膜ステーションの第１成膜ステーション，第２成膜ステーション，第３成膜ステーション及び第４成膜ステーション内にある間に行われ，
　前記第１成膜ステーション，前記第２成膜ステーション，前記第３成膜ステーション及び前記第４成膜ステーションは，直線状に直列に並べられ，この順に相互に接続され，外部環境に前記ガラス基板を暴露することなく，前記ガラス基板を移送することができ，
　前記「金属リチウムを成膜する段階」は，金属リチウムの成膜プロセスが実行されている間，前記第３成膜ステーションを，前記単一パスの総合真空成膜システムの他の成膜ステーションから分離する段階を含み，
　前記総合真空成膜システムにおける前記ガラス基板に前記複数の層を成膜する前記複数の成膜ステーションの間を並進移動している間は，前記ガラス基板は略垂直配向であり，
　前記ガラス基板は，前記エレクトロクロミック層，及び前記カウンタ電極層を順次成膜する間のいずれの時点においても，前記総合真空成膜システムから取り出されることはないのに対して，
　引用発明では，「第１の工程ないし第６の工程及び加熱工程」（エレクトロクロミック素子を製造する段階），「第２の工程」（エレクトロクロミック層を成膜する段階），「第４の工程」（エレクトロクロミック素子の積層体を形成する段階），「第５の工程」（金属リチウムを成膜する段階）及び「第６の工程」（透明伝導性酸化物を成膜する段階）において，本願発明で用いるような成膜装置を用いて，本願発明のような方法で各層を成膜することについては，特定していない点。
　
相違点２：
　製造されるエレクトロクロミック素子の可視欠陥について，
　本願発明では，その総数が１平方センチメートルにつき０．０４５個未満であるのに対して，
　引用発明では，その総数を特定していない点。
　
相違点３：
　本願発明では，製造する際に用いるガラス基板が少なくとも２０インチ×２０インチのサイズを有し，最大８０インチ×１２０インチであるのに対して，
　引用発明では，製造する際に用いる基板３４のサイズを特定していない点。
　
６　判断
（１）相違点１の容易想到性について
　ア　前記４（２）イで認定したとおり，引用文献４には，「基板１１上に形成された第１の透明伝導膜１２の上に，酸化発色性ＥＣ膜１３，イオン伝導層１４，還元発色性ＥＣ膜１５及び第２の透明電導膜１６が順次積層されているという構成を有するエレクトロクロミック調光体においては，
　酸化発色性ＥＣ膜１３，イオン伝導層１４，還元発色性ＥＣ膜１５及び第２の透明電導膜１６のうち少なくとも１層は必ずスパッタリング法で成膜する必要があり，膜の付着力の観点からはすべてをスパッタリング法で成膜することが好ましいが，
　スパッタリング法で成膜する際に，基板洗浄が完全であっても成膜装置内で異物が基板表面へ付着することがよくあり，付着した異物の上に着膜しその後脱離することにより生ずるピンホールや，付着した導電性の異物によって，第１の透明電導膜１２と第２の透明電導膜１６の導通が起こり，素子が駆動できなくなることから，前記ピンホールの発生や異物の付着を低減するには，基板を鉛直方向に立てて横方向から蒸着する方式であるサイドデポジション法でスパッタリングを行うのが有効であること。」（引用文献４の記載事項）が記載されている。
　
　イ　また，前記４（３）エで認定したとおり，「複数の成膜室が直線上に直列に並べられ，バルブを介して相互に接続され，
　各成膜室に被成膜体が搬入されると，前記バルブを閉じて当該成膜室を他室から密閉した状態で，略直立した状態の前記被成膜体に対してスパッタリング等により成膜処理を行うよう構成されるとともに，前記被成膜体が略直立した状態で各成膜室を通る単一の経路を搬送されるよう構成された，
　いわゆるインライン式の真空成膜装置。」（周知技術）は，本願優先日前に周知であるところ，当該周知技術の「インライン式の真空成膜装置」は，引用文献４でいうところの「基板を略鉛直方向に立てて横方向から蒸着する方式であるサイドデポジション法」を採用したものである。
　
　ウ　前記ア及びイに照らせば，引用文献４の記載に接した当業者が，ピンホールや導電性の異物によって生じる第一の伝導層２６と第二の伝導層２４の間の導通の発生を抑制するために，引用発明において，各層の成膜を基板を略鉛直方向に立てて横方向から蒸着する方式であるサイドデポジション法で行うこととし，当該サイドデポジション法で成膜を行う成膜装置として，「それぞれが第一の伝導層２６，エレクトロクロミック層３０，イオン伝導層３２，タングステン−ニッケル混合酸化物の層，リチウム及び第二の伝導層２４の成膜を行う６つの成膜室が直線上に直列に並べられ，当該各成膜室がバルブを介して相互に接続され，各成膜室に基板３４が搬入されると，前記バルブを閉じて当該成膜室を他室から密閉した状態で，略直立した状態の前記基板３４に対して成膜処理を行うよう構成されるとともに，前記基板３４が略直立した状態で各成膜室を通る単一の経路を搬送される」よう構成された「インライン式の真空成膜装置」を採用して，第１の工程ないし第６の工程における各成膜室での各層の成膜を，前記基板３４を「インライン式の真空成膜装置」から取り出さずにサイドデポジション法で行うよう構成することは，容易に想到し得たことである。
　
　エ　前記ウの構成の変更を行った引用発明における「それぞれが第一の伝導層２６，エレクトロクロミック層３０，イオン伝導層３２，タングステン−ニッケル混合酸化物の層，リチウム及び第二の伝導層２４の成膜を行う６つの成膜室が直線上に直列に並べられ，バルブを介して相互に接続」され，「被成膜体が略直立した状態で各成膜室を通る単一の経路を搬送されるよう構成されたインライン式の真空成膜装置」を用いて各層の成膜を「サイドデポジション法で行う」ことが，本願発明の「単一パスの総合真空成膜システムにおける複数の成膜ステーションにおいて，略垂直配向で，ガラス基板上に複数の層を順次成膜する」という発明特定事項に相当し，
　前記ウの構成の変更を行った引用発明における，第２の工程，第４の工程，第５の工程及び第６の工程において「エレクトロクロミック層３０」，「タングステン−ニッケル混合酸化物の層」，「リチウム」及び「第二の伝導層２４」の成膜を各成膜室で行うことが，本願発明の「エレクトロクロミック層を成膜する段階，エレクトロクロミック素子の積層体を形成する段階，金属リチウムを成膜する段階及び透明伝導性酸化物を成膜する段階が，それぞれ，ガラス基板が複数の成膜ステーションの第１成膜ステーション，第２成膜ステーション，第３成膜ステーション及び第４成膜ステーション内にある間に行われ」るという発明特定事項に相当し，
　前記ウの構成の変更を行った引用発明における「インライン式の真空成膜装置」では，「エレクトロクロミック層３０」，「タングステン−ニッケル混合酸化物の層」，「リチウム」及び「第二の伝導層２４」の成膜を行う各成膜室を含む６つの成膜室が直線上に直列に並べられたものであって，第２の工程，第４の工程，第５の工程及び第６の工程における「エレクトロクロミック層３０」，「タングステン−ニッケル混合酸化物の層」，「リチウム」及び「第二の伝導層２４」の成膜を「基板３４をインライン式の真空成膜装置から取り出さずに」に行うことができるものであるから，当該「インライン式の真空成膜装置」は，本願発明の「前記第１成膜ステーション，前記第２成膜ステーション，前記第３成膜ステーション及び前記第４成膜ステーションは，直線状に直列に並べられ，この順に相互に接続され，外部環境に前記ガラス基板を暴露することなく，前記ガラス基板を移送することができ」という発明特定事項に相当する構成を具備しており，
　前記ウの構成の変更を行った引用発明における，第５の工程において「リチウム」の成膜を行う成膜室での成膜を，「バルブを閉じて当該成膜室を他室から密閉した状態で」行うことが，本願発明の「金属リチウムの成膜プロセスが実行されている間，前記第３成膜ステーションを，前記単一パスの総合真空成膜システムの他の成膜ステーションから分離する」という発明特定事項に相当し，
　前記ウの構成の変更を行った引用発明における「前記基板３４が略直立した状態で各成膜室を通る単一の経路を搬送される」ことが，本願発明の「前記総合真空成膜システムにおける前記ガラス基板に前記複数の層を成膜する前記複数の成膜ステーションの間を並進移動している間は，前記ガラス基板は略垂直配向であり」という発明特定事項に相当し，
　前記ウの構成の変更を行った引用発明における「第１の工程ないし第６の工程における各層の成膜を前記基板３４をインライン式の真空成膜装置から取り出さずに」行うことが，本願発明の「前記ガラス基板は，前記エレクトロクロミック層，及び前記カウンタ電極層を順次成膜する間のいずれの時点においても，前記総合真空成膜システムから取り出されることはない」という発明特定事項に相当するから，
　引用発明において前記ウの構成の変更を行うことは，引用発明を，相違点１に係る本願発明の発明特定事項に相当する構成を具備するものとすることにほかならない。
　したがって，引用発明を，相違点１に係る本願発明の発明特定事項に相当する構成を具備するものとすることは，引用文献４の記載事項及び周知技術に基づいて，当業者が容易に想到し得たことである。
　
（２）相違点２の容易想到性について
　ア　製造する物品の欠陥の数について適宜の上限を定め，当該欠陥数が当該上限未満となるように物品を製造することは，市場における当該物品の価値と製造コストのバランス等を総合的に勘案して，当業者が適宜行う設計上の事項である。
　
　イ　相違点２に係る本願発明の発明特定事項の「１平方センチメートルにつき０．０４５個未満」という可視欠陥の総数の上限値は，１基板当たりの可視欠陥の総数が，２０インチ×２０インチというサイズでは約１１６個，８０インチ×１２０インチというサイズでは約２７８７個という値に相当するところ，当該可視欠陥の総数について，特許法１８４条の６第２項の規定により「願書に添付して提出した明細書」とみなされる「本願の明細書の翻訳文」（以下，単に「本願明細書」という。）の発明の詳細な説明の記載を参酌すると，【００５７】に「可視短絡を発生させる欠陥を分離することによって，大幅に減らすことができる。」との記載が，【００６６】に「可視短絡タイプの欠陥は通常，製造後に個別に処理」との記載が，【００７４】に「方法７００は，基板を洗浄して後続の処理のために準備する洗浄プロセス７０５から開始される。上述したように，基板から汚染物質を除去することは，汚染物質に起因して基板上に製造される素子内に欠陥が生じる可能性があるために，重要である。」との記載が，【００９２】に「理論に限定されることを望むものではないが，先行技術に係るエレクトロクロミック素子はさまざまな理由から欠陥が多いという問題があったと考えられている。理由の１つとして，許容範囲を超える多数の粒子がＩＣ層に製造時に導入されることが挙げられる。ＥＣ層，ＩＣ層およびＣＥ層の各層を制御された周囲環境で単一の総合成膜装置を用いて成膜するような配慮はされていなかった。１つのプロセスを挙げると，ＩＣ層は，その他の真空集積化プロセスとは別に実行する必要があるゾルゲルプロセスで成膜される。このようなプロセスでは，ＥＣ層および／またはＣＥ層が制御された周囲環境で成膜されることによって高品質の層が製造されるとしても，ＩＣ層を成膜するためには，制御された周囲環境から基板を取り出す必要がある。この場合は通常，ＩＣ層を形成する前に基板がロードロックを通過する（真空等の制御された周囲環境から外部環境へと移動する）。ロードロックを通過すると通常，多数の粒子が基板上に導入されてしまう。このようにＩＣ層の成膜直前に粒子が導入されてしまうと，重要なＩＣ層内で欠陥が形成される可能性が大幅に高まってしまう。このような欠陥が形成されれば，上述したように，スポット状に明るくなったり，または，「星座」が発生してしまう。」との記載が，【０１１７】に「パレット８２０および基板８２５は，略垂直に配向されている。略垂直な配向は，これに限定されるものではないが，例えば，スパッタリングで生じる原子の凝集によって形成され得る粒子状物質が重力に負けてしまう傾向にあり基板８２５に堆積しないので，欠陥の発生を抑制するのに役立つ場合がある。」との記載等があり，これらの記載からは，成膜前に基板を洗浄するという手段，制御された周囲環境から基板を取り出さずに成膜するという手段，基板を略垂直配向して成膜するという手段，及び可視短絡を発生させる欠陥に対して「分離」するという個別の処理を行うという手段により，可視欠陥の総数を減少させることができることを把握することはできるものの，これらの手段はいずれも欠陥を減少させる手段として本願優先日前に周知��手段（引用文献４の【０００５】の「基板洗浄が完全」及び「サイドデポジション法は・・・（中略）・・・有効」との記載，周知技術における真空成膜装置の構成，特開平７−２８０９９号公報の【００１９】ないし【００２１】の記載，特表２００２−５２０６５３号公報の【００１４】ないし【００４０】の記載，特表２００６−５０２５４５号公報の【０００３】ないし【０００７】の記載等を参照。）と認められるのであって，「１平方センチメートルにつき０．０４５個未満」という可視欠陥の総数を実現するためにこれら周知の欠陥減少手段以外に特段の工夫が必要であることは記載も示唆もされていない。また，本願明細書の発明の詳細な説明に，実際にどのような欠陥減少手段を採用して製造したエレクトロクロミックウインドウが，どのような数値の可視欠陥数の総数となったのかというような具体例について記載されているわけでもない。
　そうすると，相違点２に係る本願発明の発明特定事項の「１平方センチメートルにつき０．０４５個未満」という可視欠陥の総数は，適宜の欠陥減少手段を採用することで，当業者が容易に実現できる程度の値と認められる。
　
　ウ　前記ア及びイに照らせば，引用発明において，適宜周知の欠陥減少手段を採用して，可視欠陥の総数が１平方センチメートルにつき０．０４５個未満となるようエレクトロクロミックデバイスである窓２０を製造すること，すなわち，引用発明を，相違点２に係る本願発明の発明特定事項に相当する構成を具備するものとすることは，当業者が適宜なし得たことといわざるを得ない。
　
（３）相違点３の容易想到性について
　引用発明において，基板３４としてどのようなサイズのものを用いるのかは，どのようなサイズの「エレクトロクロミックデバイスである窓２０」を製造するのか等に応じて適宜決定される設計上の事項であるところ，引用文献２の記載（【０００２】の「特許文献には，また，自動車の窓，航空機の窓アセンブリ，サンルーフ，天窓および建築用の窓に平坦型のエレクトロクロミック装置を使用することが論述されている。」及び【００６０】の「自動車の横窓またはサイドライトの形状のエレクトロクロミック窓アセンブリ４１０を，以下のようにして，作成した。図１１の形状を有する第一ガラス基板４２０（全体的な大きさは，幅２３インチ（５８．４２ｃｍ）および長さ２１インチ（５３．３４ｃｍ）であり，約８０ミル（２．０３ｍｍ）の厚さを有する）を提供した。」），引用文献３の記載（【００４１】の「ついで，２つの種類の窓ガラスおよびエレクトロクロミック・セルの屋根に関し，電気伝導性の膜の抵抗Ｒｅを補償した状態で，本発明の構成と従来技術の構成とを比較してみることとする。・・・（中略）・・・ビルディングの窓ガラスは，１００ｃｍ×２００ｃｍの寸法を有している。」）等にみられるように，２０インチ×２０インチ以上８０インチ×１２０インチ以下のサイズのガラス基板を用いてエレクトロクロミックデバイスを製造することは，本願優先日前に周知であったと認められるから，引用発明において，「フロートガラスである基板３４として２０インチ×２０インチ以上８０インチ×１２０インチ以下のサイズのものを用いる」ことは，単なる設計事項にすぎない。
　そして，引用発明において，「フロートガラスである基板３４として２０インチ×２０インチ以上８０インチ×１２０インチ以下のサイズのものを用いる」ことは，引用発明を，相違点３に係る本願発明の発明特定事項に相当する構成を具備するものとすることにほかならない。
　したがって，引用発明を，相違点３に係る本願発明の発明特定事項に相当する構成を具備するものとすることは，単なる設計事項にすぎない。
　
（４）効果について
　ア　本願明細書の発明の詳細な説明に記載された本願発明の奏する効果は，引用文献１及び引用文献４の記載並びに周知技術に基づいて，当業者が予測できた程度のものである。
　
　イ　なお，平成２６年１１月１０日提出の意見書において，請求人は，
「本願明細書の段落００９８には，エレクトロクロミック層及びカウンタ電極層にリチウムが供給されると，これらの層の体積が大きく膨張することが記載されている。そのため，例えば，エレクトロクロミック層及び／又はカウンタ電極層の一部又は全部を成膜した後，金属リチウムを成膜すると，金属リチウムがＬｉ＋となり，エレクトロクロミック層又はカウンタ電極層に入り込み（インターカレーション），これらの層を膨張させる。エレクトロクロミック層又はカウンタ電極層が膨張すると，その圧力などにより，これらの層に取り込まれていた不純物が，層の表面に押し出される。本願発明の一実施形態によれば，「略垂直配向で，ガラス基板上に複数の層を順次成膜」するので，層の表面に押し出されてきた不純物は，重力などの影響により当該層から剥離する。その結果，各層の層内の不純物量を低減することができるだけでなく，各層の上に他の層を成膜した場合の接着性が向上させることができる。」
などと主張するが，エレクトロクロミック層やカウンタ電極層の膨張によってこれらの層に取り込まれていた不純物が層の表面に押し出されるなどといった請求人主張の効果は，次のとおり，本願明細書の発明の詳細な説明に記載された効果でないから，進歩性の有無の判断においては考慮しない。（仮に，請求人主張の当該効果が，本願明細書に記載されていなくとも当業者にとって自明な効果であるというのであれば，そのような効果は引用文献４の記載事項や周知技術等から当業者が把握できる自明な効果ということになるのであって，当該効果を，各引用文献の記載等からは当業者といえども予測することができないような，本願発明の進歩性を裏付ける顕著な効果とすることはできない。）
　
　前記意見書における主張中で請求人が指摘する本願明細書の発明の詳細な説明の【００９８】の記載は，
「図示している二重リチオ化方法によると，ＥＣ層およびＣＥ層の両層をリチオ化する。理論に限定されることを望むものではないが，ＥＣ層およびＣＥ層の両層にリチウムを供給することによって性能および収率が改善すると考えられている。（ＩＣ層の一方の側にのみリチオ化を行なう場合に比べて）初期平衡において（製造時の）空乏層にリチウムイオンを注入することによって比較的大きな体積の変化が見られる可能性があるが，これは避けられる。このような体積の変化は，初期状態でリチウムを含まないエレクトロクロミックな酸化タングステンにおいて６％にも上ると報告されているが，積層体を構成する層のひび割れおよび剥離の原因となり得る。このため，本明細書に記載する二重リチオ化プロセスで積層体を製造することによって，エレクトロクロミック層の体積の変化を６％未満とすることによって，改善し得る。特定の実施形態によると，体積の変化は多くとも約４％である。」
であって，当該【００９８】の記載は，エレクトロクロミック層及びカウンタ電極層の両層をリチオ化することによる層の体積変化がひび割れ及び剥離の原因となることから，本願明細書に記載されたプロセスでリチオ化を行うことによって，体積の変化量を減少させることができ，その結果としてひび割れ及び剥離を抑制できることを説明したものであって，エレクトロクロミック層やカウンタ電極層の膨張によって不純物が押し出されることを説明したものではない。
　また，本願明細書の他の箇所にも，エレクトロクロミック層やカウンタ電極層の膨張によって不純物が押し出されることについては，記載も示唆もない。
　したがって，エレクトロクロミック層やカウンタ電極層の膨張によってこれらの層に取り込まれていた不純物が層の表面に押し出されるなどといった前記請求人主張の効果は，本願明細書の発明の詳細な説明に記載されていない。
　
（５）まとめ
　以上のとおりであるから，本願発明は，当業者が引用発明，引用文献４の記載事項及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
７　むすび
　本願発明は，当業者が引用発明，引用文献４の記載事項及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，本願は，他の請求項について検討するまでもなく，当審拒絶理由によって拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。