(57)【要約】【課題】筐体へ取り付ける際に、リード端子へのストレスから封止樹脂にクラックが生じ封止樹脂が破壊することを抑え、かつ半田流れにより封止樹脂へ半田やフラックスが進入することによる信頼性低下をも抑えた電力増幅器モジュールを提供する。【解決手段】リードフレーム１１のリード端子２５の厚みを、リードフレーム１１の放熱板２６の厚みよりも薄く形成することにより、放熱性を高めるためにリードフレーム１１の放熱板２６の厚みは厚くてもリード端子２５の部分は薄いため、筺体３５に放熱板２６をネジ３４止めし、リード端子２５をプリント基板３６に半田付けする際、リード端子２５の弾性で封止樹脂界面にストレスが加わることを防ぐことができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
放熱板およびリード端子よりなるリードフレームと、前記リードフレームの放熱板上に搭載され、かつ電子回路パターンが形成された回路基板と、前記電子回路パターンと前記リードフレームのリード端子とを接続する導電線と、前記リードフレームの一部、前記回路基板、前記導電線を封止する封止樹脂とを備えた電力増幅器モジュールであって、
前記リードフレームのリード端子の厚みを、前記リードフレームの放熱板の厚みよりも薄く形成したことを特徴とする電力増幅器モジュール。
【請求項２】
放熱板およびリード端子よりなるリードフレームと、前記リードフレームの放熱板上に搭載され、かつ電子回路パターンが形成された回路基板と、前記電子回路パターンと前記リードフレームのリード端子とを接続する導電線と、前記リードフレームの一部、前記回路基板、前記導電線を封止する封止樹脂とを備えた電力増幅器モジュールであって、
前記リードフレームのリード端子の封止樹脂近傍に半田流れ防止部を設けたことを特徴とする電力増幅器モジュール。
【請求項３】
前記回路基板のうち前記電子回路パターン上に実装された電子部品と、前記リードフレームの放熱板上に搭載され、かつ前記貫通孔の内部に配置されたチップ状の半導体デバイスと、前記半導体デバイスと前記電子回路パターンとを接続する導電線とをさらに備え、前記封止樹脂により前記電子部品、前記半導体デバイス、および前記導電線をも封止することを特徴とする請求項１または２記載の電力増幅器モジュール。
【請求項４】
前記半田流れ防止部が凹部であることを特徴とする請求項２に記載の電力増幅器モジュール。
【請求項５】
前記半田流れ防止部が貫通孔であることを特徴とする請求項２に記載の電力増幅器モジュール。
【請求項６】
前記半田流れ防止部として酸化物を塗布したことを特徴とする請求項２に記載の電力増幅器モジュール。
【請求項７】
前記半田流れ防止部としてクロムを塗布したことを特徴とする請求項２に記載の電力増幅器モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレームに実装された半導体デバイスと、表面に電子回路パターン，電子部品などが設けられる回路基板とを備え、樹脂により封止成形された高周波電力増幅器モジュールなどに適用される電力増幅器モジュールに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話の基地局用アンプユニットの小型化に伴って、半導体デバイスと周辺回路とを一体化したモジュールの要望が高まっている。このため、種々の構成の電力増幅器モジュールが提案されている。
【０００３】
このような背景の中、放熱材で構成されたヒートスプレッダと、該ヒートスプレッダ上にベアチップの状態で実装された半導体デバイスとを備えた電力増幅器モジュールが提案されている（特許文献１参照）。
【０００４】
キャップを用いて電力増幅器モジュールをパッケージングした場合には、回路定数の変更などにより電子部品の取替えなどの必要が生じた際に、キャップを外すことによって修理を実施することができる可能性があるという利点がある。しかしながら、キャップを用いることで部品点数が多くなるのでモジュール化するための組立工法が複雑になり、組立コストが高くなるという不利な点もある。
【０００５】
以下、図７〜図９を参照しながら、従来技術を用いて作製された電力増幅器モジュールについて説明する。
【０００６】
図７は従来例１に係る電力増幅器モジュールを示す図であって、（ａ）はその外観を示す側面図、（ｂ）は平面図であり、図８は従来例１に係る電力増幅器モジュールの内部構成を示す図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）は透視平面図である。
【０００７】
図７，図８に示すように、従来例１に係る電力増幅器モジュールは、上面および下面が略平面形状であるヒートスプレッダ１１０１と、ヒートスプレッダ１１０１上に設置されて、電子回路パターン１１０２が形成され、かつ一部に貫通孔１１０３を有する回路基板１１０４と、貫通孔１１０３に露出してヒートスプレッダ１１０１の上面にベアチップ状態で実装され、かつ電子回路パターン１１０２に電気的に接続された半導体デバイス１１０５と、半導体デバイス１１０５との整合を取るために、回路基板１１０４上の電子回路パターン１１０２に実装されたコンデンサやインダクタなどを有する電子部品１１０６と、モジュール外部との電気的接続のために取り付けられたリード端子１１０７と、ヒートスプレッダ１１０１に装着されたキャップ１１０８とを備えている。
【０００８】
ここで、ヒートスプレッダ１１０１の上面および下面とは、図７（ａ）におけるヒートスプレッダ１１０１の上面および下面のことを意味している。
【０００９】
このように、従来例１に係る電力増幅器モジュールでは、Ｃｕなどの金属で形成されたヒートスプレッダ１１０１上に、回路基板１１０４とベアチップ状態の半導体デバイス１１０５とが、ＡｕＳｎ，半田あるいはＡｇペーストなどの導電性材料を用いて実装されている。
【００１０】
回路基板１１０４の上面には電子回路パターン１１０２が形成され、一部に半導体デバイス１１０５を実装するための貫通孔１１０３が形成されている。また、回路基板１１０４は樹脂もしくはセラミックなどで形成されている。
【００１１】
ヒートスプレッダ１１０１上に実装された半導体デバイス１１０５は、回路基板１１０４の上面に形成された電子回路パターン１１０２にＡｕワイヤなどで電気的に接続されている。回路基板１１０４上には半導体デバイス１１０５との整合を取るための電子部品１１０６が実装されている。
【００１２】
さらに、従来例１に係る電力増幅器モジュールは、モジュール外部との電気的接続のためにＦｅＮｉ合金などからなるリード端子１１０７が取り付けられた上で、樹脂もしくは金属により形成されたキャップ１１０８によってモジュールとしてパッケージングされている。
【００１３】
また、他の従来例として、リードフレームと、電極端子を有する半導体デバイスが実装されたパワーモジュール基板と、このパワーモジュール基板が実装されたリードフレームの箇所と各電極とを電気的に接続する接続部材を備え、半導体デバイスおよびパワーモジュール基板を樹脂によりモールドすることによって構成されたパワー半導体モジュールが提案されている（特許文献２参照）。
【００１４】
このようなパワー半導体モジュールは、部品点数が少なく、モジュール化のための組立工法も簡略となるため、組立コストが削減できて有利である。このような従来例２に係る電力増幅器モジュールを図９を参照しながら説明する。
【００１５】
図９（ａ）は従来例２に係る電力増幅器モジュールの外観を示す平面図、図９（ｂ）は封止樹脂を透視して見た従来例２に係る電力増幅器モジュールの内部構成を示す平面図である。
【００１６】
図９に示すように、従来例２に係る電力増幅器モジュールは、リードフレーム１９１と、リードフレーム１９１に実装された半導体デバイス１９５と、上面に形成された電子回路パターン１９２に電子部品１９６が搭載され、かつ一部に貫通孔１９３が形成された回路基板１９４と、電子回路パターン１９２と半導体デバイス１９５とを接続する導電線１９８と、半導体デバイス１９５、電子回路パターン１９２、電子部品１９６および回路基板１９４を封止する封止樹脂１９７とを備えている。リードフレーム１９１のうち封止樹脂１９７の側面から突き出た部分は外部端子として機能するリード端子になっている。
【００１７】
従来例２では、Ｃｕなどの金属で形成されたリードフレーム１９１上に、上面に電子回路パターン１９２が形成され一部に半導体デバイス１９５を実装するための貫通孔１９３を有する回路基板１９４と、ベアチップ状態の半導体デバイス１９５とが、ＡｕＳｎ，半田あるいはＡｇペーストなどの導電性材料により実装されている。
【００１８】
実装された半導体デバイス１９５は、回路基板１９４の上面に形成された電子回路パターン１９２とＡｕワイヤなどの導電線１９８によって電気的に接続されている。また、回路基板１９４上には半導体デバイス１９５との整合を取るためのコンデンサやインダクタなどの電子部品１９６が実装されている。
【００１９】
さらに、半導体デバイス１９５と上面に電子回路パターン１９２と電子部品１９６が形成された回路基板１９４は、封止樹脂により封止することによってモジュール化されている。
【特許文献１】特開平９−９７８７２号公報
【特許文献２】特開２００４−１１１５６０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２０】
しかしながら、携帯電話の基地局用アンプユニットなどに用いられる電力増幅器モジュールの場合、放熱性を高めるためにリードフレームの厚みを厚くする必要があり、アンプユニットに放熱板をネジ止めしてリード端子をプリント基板に半田付けする際、リード端子とプリント基板の高さが一致せずにプリント基板が高い場合には、リード端子にストレスが加わる。このため、厚みの厚いリード端子では、弾性が低いために封止樹脂界面にまでストレスが加わって、クラックなどが発生する可能性がある。
【００２１】
また、プリント基板と封止樹脂部との距離が近い場合、プリント基板にリード端子を半田付けした際に封止樹脂界面まで半田が流れ出し、半田およびフラックスが樹脂内部に侵入して信頼性を低下させる可能性がある。
【００２２】
本発明は、前記従来の課題を解決し、リードフレームを樹脂封止して成形された電力増幅器モジュールにおいて、封止樹脂界面にストレスが加わりクラックなどが発生することを防ぐと共に、半田およびフラックスが樹脂内部に侵入して信頼性を低下させることを防ぐことができるようにした電力増幅器モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
前記目的を達成するため、本発明に係る電力増幅器モジュールは、放熱板およびリード端子よりなるリードフレームと、前記リードフレームの放熱板上に搭載され、かつ電子回路パターンが形成された回路基板と、前記電子回路パターンと前記リードフレームのリード端子とを接続する導電線と、前記リードフレームの一部、前記回路基板、前記導電線を封止する封止樹脂とを備えた電力増幅器モジュールであって、前記リードフレームのリード端子の厚みを、前記リードフレームの放熱板の厚みよりも薄く形成されている。
【００２４】
この構成により、放熱性を高めるためにリードフレームの放熱板の厚みは厚いものの、リード端子の部分は薄いため、例えばアンプユニットに放熱板をネジ止めしてリード端子をプリント基板に半田付けする際、リード端子の弾性で封止樹脂界面にストレスが加わるのを防ぐことができる。この結果、封止樹脂界面のストレスを緩和でき、クラックなどの発生を抑えることが可能となる。
【００２５】
また、本発明の電力増幅器モジュールは、放熱板およびリード端子よりなるリードフレームと、前記リードフレームの放熱板上に搭載され、かつ電子回路パターンが形成された回路基板と、前記電子回路パターンと前記リードフレームのリード端子とを接続する導電線と、前記リードフレームの一部、前記回路基板、前記導電線を封止する封止樹脂とを備えた電力増幅器モジュールであって、前記リードフレームのリード端子の封止樹脂近傍に半田流れ防止部を設けている。
【００２６】
この構成により、プリント基板にリード端子を半田付けした際に封止樹脂界面まで半田が流れ出し、半田およびフラックスが樹脂内部に侵入するのを防ぐことができる。このため、電力増幅器モジュールの高信頼性を確保することができる。
【００２７】
また、本発明の電力増幅器モジュールは、前記回路基板のうち前記電子回路パターン上に実装された電子部品と、前記リードフレームの放熱板上に搭載され、かつ前記貫通孔の内部に配置されたチップ状の半導体デバイスと、前記半導体デバイスと前記電子回路パターンとを接続する導電線とをさらに備え、前記封止樹脂により前記電子部品、前記半導体デバイス、前記導電線をも封止する構成のものに適用される。
【００２８】
さらに、前記半田流れ防止部は、凹部あるいは貫通孔により形成されていれば好ましい。これにより、プリント基板にリード端子を半田付けした際の半田の封止樹脂界面までの流れ出しを止めることができ、半田およびフラックスが樹脂内部に侵入するのを防ぐことができる。このため、電力増幅器モジュールの高信頼性を確保することができる。
【００２９】
また、前記リードフレームのリード端子の封止樹脂近傍に酸化物あるいはクロムが塗布されていれば好ましい。これにより、プリント基板にリード端子を半田付けした際、封止樹脂手前で半田のぬれが悪いために封止樹脂界面までの流れ出しを確実に止めることができ、半田およびフラックスが樹脂内部に侵入するのを防ぐことができる。このため、電力増幅器モジュールの高信頼性を確保することが可能となる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明に係る電力増幅器モジュールによれば、リードフレームのリード端子の厚みが、リードフレームの放熱板の厚みよりも薄く形成されるため、アンプユニットに放熱板をネジ止めしリード端子をプリント基板に半田付けする際に、リード端子の弾性で封止樹脂界面へのストレスを緩和してクラックなどの発生を防ぐことができる。
【００３１】
また、リードフレームのリード端子の封止樹脂近傍に半田流れ防止部を備えているため、プリント基板にリード端子を半田付けした際に、封止樹脂界面まで半田が流れ出し、半田およびフラックスが樹脂内部に侵入することを防ぐことができる。
【００３２】
これらの結果、封止樹脂の破壊、および封止樹脂への半田の流れ込みを抑えることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３３】
以下、本発明に係る実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００３４】
（実施形態１）
図１は本発明の実施形態１に係る電力増幅器モジュールの内部構成を示す平面図、図２は実施形態１の電力増幅器モジュールの外観を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は背面図、図３は実施形態１の電力増幅器モジュールを装置に実装した状態を示す概略構成図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図である。なお、図１は内部構成を表すために封止樹脂を透明にして内部構成を図示している。
【００３５】
図１に示すように、実施形態１の電力増幅器モジュールは、一部に貫通孔１９が形成され、かつ銅などの金属からなるリードフレーム１１と、一部に貫通孔１３が形成され、かつ電子回路パターン１２と該電子回路パターン１２上に配置されたコンデンサやインダクタなどの電子部品１６とを有して、リードフレーム１１上に搭載された回路基板１４と、リードフレーム１１上にベアチップ状態で搭載され、かつ貫通孔１３の内部に配置された半導体デバイス１５と、外部機器との接続用端子となるリード端子２５と、半導体デバイス１５と金属配線とを接続するＡｕなどからなる第１の導電線１８と、電子回路パターン１２を構成する配線とリード端子２５とを接続するためのＡｕなどからなる第２の導電線２０と、リードフレーム１１の一部、電子回路パターン１２、電子部品１６、回路基板１４、半導体デバイス１５、第１の導電線１８、第２の導電線２０、およびリード端子２５の一部を封止する封止樹脂１７とを備えている。
【００３６】
また、封止樹脂１７はリードフレーム１１のうち回路基板１４が搭載された面のみを封止している。電子部品１６は半導体デバイス１５の整合を取るために設けられている。回路基板１４は樹脂またはセラミックなどで形成されており、半導体デバイス１５はＡｕＳｎ合金、半田あるいはＡｇペーストなどの導電性材料によってリードフレーム１１上に実装されている。
【００３７】
また、回路基板１４は電子回路パターン１２および電子部品１６が形成された面を上にしてリードフレーム１１上に搭載され、半導体デバイス１５は、その主面（素子が形成された面）が上に向くようにリードフレーム１１上に搭載されている。リード端子２５は、入力リード端子２４と、リードフレーム１１に接続された接地リード端子２２と、出力リード端子２１とを有している。
【００３８】
実施形態１の電力増幅器モジュールは、入力リード端子２４に入力された信号の電力を増幅して、その増幅された信号を出力リード端子２１から出力する機能を有している。入力リード端子２４には、例えば高周波信号が入力される。なお、図１では、半導体デバイス１５が２個設けられている例を示しているが、半導体デバイス１５は１個でもよく、３個以上であってもよい。
【００３９】
ここで、実施形態１に係る電力増幅器モジュールのように、発熱量の多いモジュールは、図３に示すように、電力増幅器モジュール自体をアルミニウムなどの放熱性のよい材料で作製された筐体３５にネジ３４によって締め付け固定される。リード端子２５は筐体３５に取付けられ、かつ表面に電気線パターン３７が形成されたプリント基板３６に半田などで溶着される。
【００４０】
実施形態１に係る電力増幅器モジュールの特徴は、リードフレーム１１のリード端子２５の厚みが、リードフレーム１１の放熱板２６の厚みよりも薄く形成されていることである。この構成により、放熱性を高めるためにリードフレーム１１の放熱板２６の厚みは厚くてもリード端子２５の部分は薄いため、筺体３５に放熱板２６をネジ３４止めし、リード端子２５をプリント基板３６に半田付けする際、リード端子２５の弾性で封止樹脂界面にストレスが加わることを防ぐことができる。
【００４１】
この結果、本実施形態では、封止樹脂界面のストレスを緩和することができ、クラックなどの発生を抑えることが可能となる。
【００４２】
（実施形態２）
図４は本発明の実施形態２に係る電力増幅器モジュールを示す図であって、（ａ）は平面外観図、（ｂ）は装置に実装した状態を示す平面図である。
【００４３】
実施形態２に係る電力増幅器モジュールの構成は、実施形態１に係る電力増幅器モジュールと基本的な構成は同様であって、相違点はリードフレーム４１のリード端子４２の封止樹脂４３近傍に、半田流れ防止部としての凹部４４を設けた構成にある。
【００４４】
実施形態２に係る電力増幅器モジュールも、実施形態１に係る電力増幅器モジュールと同様に、電力増幅器モジュール自体が、アルミニウムなどの放熱性のよい材料で作製された筐体４５に、ネジ４６によって締め付け固定される。また、リード端子４２は、筐体４５に取付けられ、かつ表面に電気線パターン４７が形成されたプリント基板４８に、半田などで溶着される。
【００４５】
仮に、リードフレーム４１のリード端子４２に何ら加工を施さない場合、プリント基板４８にリード端子４２を半田付けした際に、封止樹脂界面まで半田が流れ出し、半田およびフラックスが樹脂内部に侵入する可能性が考えられる。これに対応するため、実施形態２に係る電力増幅器モジュールのように、リードフレーム４１のリード端子４２の封止樹脂４３近傍に凹部４４を備えることにより、凹部４４が半田溜りの役割を果たすことになり、半田の封止樹脂界面までの流れ出しを止めることができ、半田およびフラックスが樹脂内部に侵入するのを防ぐことができるため、電力増幅器モジュールの高信頼性を確保することができる。
【００４６】
（実施形態３）
図５は本発明の実施形態３に係る電力増幅器モジュールを示す図であって、（ａ）は平面外観図、（ｂ）は装置に実装した状態を示す平面図である。
【００４７】
実施形態３に係る電力増幅器モジュールの構成は、実施形態１，２に係る電力増幅器モジュールと同様の構成であり、相違点はリードフレーム５１のリード端子５２の封止樹脂５３近傍に、半田流れ防止部としての貫通孔５４を設けた構成にある。
【００４８】
実施形態３に係る電力増幅器モジュールも実施形態１，２に係る電力増幅器モジュールと同様に、電力増幅器モジュール自体が、アルミニウムなどの放熱性のよい材料で作製された筐体５５に、ネジ５６によって締め付け固定される。また、リード端子５２は、筐体５５に取付けられ、かつ表面に電気線パターン５７が形成されたプリント基板５８に、半田などで溶着される。
【００４９】
実施形態３に係る電力増幅器モジュールの場合も、リードフレーム５１のリード端子５２の封止樹脂５３近傍に貫通孔５４を備えることにより、貫通孔５４が半田溜りの役割を果たして半田の封止樹脂界面までの流れ出しを止めることができ、半田およびフラックスが樹脂内部に侵入するのを防ぐことができるため、電力増幅器モジュールの高信頼性を確保することができる。
【００５０】
（実施形態４）
図６は本発明の実施形態４に係る電力増幅器モジュールを示す図であって、（ａ）は平面外観図、（ｂ）は装置に実装した状態を示す平面図である。
【００５１】
実施形態４に係る電力増幅器モジュールの構成は、実施形態１〜３に係る電力増幅器モジュールと同様で、相違点はリードフレーム６１のリード端子６２の封止樹脂６３近傍に、半田流れ防止部としての酸化物６４を塗布した構成にある。
【００５２】
実施形態４に係る電力増幅器モジュールも、実施形態１〜３に係る電力増幅器モジュールと同様に、電力増幅器モジュール自体が、アルミニウムなどの放熱性のよい材料で作製された筐体６５にネジ６６によって締め付け固定される。リード端子６２は、筐体６５に取付けられ、かつ表面に電気線パターン６７が形成されたプリント基板６８に、半田などで溶着される。
【００５３】
実施形態４に係る電力増幅器モジュールの場合も、リードフレーム６１のリード端子６２の封止樹脂６３近傍に酸化物６４を塗布することにより、酸化物６４が半田のぬれを低下させ半田の封止樹脂界面までの流れ出しを止めることができ、半田およびフラックスが樹脂内部に侵入するのを防ぐことができる。このため、電力増幅器モジュールの高信頼性を確保することができる。
【００５４】
（実施形態５）
さらに、本発明の実施形態５の電力増幅器モジュールにおいては、前記酸化物６４に代えてクロムを塗布した構成としており、該クロムにより、半田のぬれを阻害し、半田の封止樹脂界面までの流れ出しを止めることができ、半田およびフラックスが樹脂内部に侵入するのを防ぐことができる。このため、電力増幅器モジュールの高信頼性を確保することができる。
【００５５】
以上のように、本実施形態の電力増幅器モジュールによれば、リードフレームのリード端子の厚みがリードフレームの放熱板の厚みよりも薄く形成されているため、アンプユニットに放熱板をネジ止めし、リード端子をプリント基板に半田付けする際に、リード端子の弾性によって封止樹脂界面へのストレスを緩和して、クラックなどの発生を防ぐことができる。
【００５６】
また、リードフレームのリード端子の封止樹脂近傍に凹部、もしくは貫通孔を設けたため、プリント基板にリード端子を半田付けした際に、封止樹脂界面まで半田が流れ出し、半田およびフラックスが樹脂内部に侵入することを防ぐことができる。
【００５７】
また、リードフレームのリード端子の封止樹脂近傍に酸化物、もしくはクロムを塗布したため、半田のぬれが阻害され、半田が封止樹脂界面まで流れ出すことを確実に止めることができ、半田およびフラックスが樹脂内部に侵入することを防ぐことができる。
【００５８】
これらの結果、本実施形態では、封止樹脂の破壊、および封止樹脂への半田の流れ込みを抑えることが可能となる。
【００５９】
なお、本実施形態の電力増幅器モジュールは、従来の電力増幅器モジュールと部品点数の面では変化がない。そのため、本実施形態に係る電力増幅器モジュールは、従来の電力増幅器モジュールと同じコストで作製できる上、信頼性はより向上することになる。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明は、リードフレームを樹脂封止して成形された電力増幅器モジュールにおいて、封止樹脂界面にストレスが加わりクラックなどが発生することを防ぐと共に、半田およびフラックスが樹脂内部に侵入して信頼性を損ねることを防ぐために有効であり、特に携帯電話の基地局などに設けられる送信アンプなどに適用される。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】図１は本発明の実施形態１に係る電力増幅器モジュールの内部構成を示す平面図
【図２】実施形態１の電力増幅器モジュールの外観を示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図、（ｃ）は背面図
【図３】実施形１の電力増幅器モジュールを装置に実装した状態を示す概略構成図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は側面図
【図４】本発明の実施形態２に係る電力増幅器モジュールを示す図であって、（ａ）は平面外観図、（ｂ）は装置に実装した状態を示す平面図
【図５】本発明の実施形態３に係る電力増幅器モジュールを示す図であって、（ａ）は平面外観図、（ｂ）は装置に実装した状態を示す平面図
【図６】本発明の実施形態４に係る電力増幅器モジュールを示す図であって、（ａ）は平面外観図、（ｂ）は装置に実装した状態を示す平面図
【図７】従来例１に係る電力増幅器モジュールを示す図であって、（ａ）はその外観を示す側面図、（ｂ）は平面図
【図８】従来例１に係る電力増幅器モジュールの内部構成を示す図であって、（ａ）は断面図、（ｂ）は透視平面図
【図９】従来例２に係る電力増幅器モジュールを示す図であって、（ａ）は従来例２に係る電力増幅器モジュールの外観を示す平面図、（ｂ）は封止樹脂を透視して内部構成を示す平面図
【符号の説明】
【００６２】
１１  リードフレーム
１２  電子回路パターン
１３  貫通孔
１４  回路基板
１５  半導体デバイス
１６  電子部品
１７  封止樹脂
１８  第１の導電線
１９  貫通孔
２０  第２の導電線
２１  出力リード端子
２２  接地リード端子
２４  入力リード端子
２５  リード端子
２６  放熱板
３４  ネジ
３５  筐体
３６  プリント基板
３７  電気線パターン
４１  リードフレーム
４２  リード端子
４３  封止樹脂
４４  凹部
４５  筐体
４６  ネジ
４７  電気線パターン
４８  プリント基板
５１  リードフレーム
５２  リード端子
５３  封止樹脂
５４  貫通孔
５５  筐体
５６  ネジ
５７  電気線パターン
５８  プリント基板
６１  リードフレーム
６２  リード端子
６３  封止樹脂
６４  酸化物
６５  筐体
６６  ネジ
６７  電気線パターン
６８  プリント基板
【図１】
2007165445.tif 000003
【図２】
2007165445.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2007165445.tif 000007
【図６】
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【図７】
2007165445.tif 000009
【図８】
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【図９】
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