【事件の表示】
　特願２００７−２０９５８７「接着シート」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　４月１７日出願公開、特開２００８−　８８４１１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成１９年８月１０日（優先権主張　平成１８年９月５日）の出願であって、平成２４年７月１３日付けで拒絶理由が通知され、同年９月２４日に意見書及び手続補正書が提出され、平成２５年５月８日付けで再度拒絶理由が通知され、同年７月１２日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年７月３０日付けで拒絶査定がなされた。これに対して、同年１１月１日に拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
第２．本願発明の認定
　本願の請求項１〜４に係る発明は、平成２５年７月１２日提出の手続補正書により補正された特許請求の範囲並びに明細書及び図面（以下、「本願明細書等」という。）の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜４に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
　
「片面を表面処理したポリオレフィン系フィルムからなる基材フィルムと、前記基材フィルムの前記表面処理面に積層してなる、半導体ウエハ形状の接着剤層とを有する接着シートであって、
　前記接着シートは、以下の工程（ａ）〜（ｄ）：
　（ａ）前記接着剤層面が半導体ウエハに、前記表面処理面がステンレス製ウエハ保持用リングに接するように接着シートをラミネートする工程、
　（ｂ）半導体ウエハ及び接着シートの一部を切断し所望の大きさの半導体素子を得る工程、
　（ｃ）接着剤層と基材フィルム間で剥離し、接着剤層付き半導体素子を得る工程及び
　（ｄ）接着剤層付き半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを接着する工程
を含む半導体装置の製造方法に用いられ、ダイシングシートの機能とダイボンドシートの機能を備え、
　前記基材フィルムの前記表面処理面の表面自由エネルギが２５×１０−３Ｎ／ｍ〜５５×１０−３Ｎ／ｍであり、かつ前記基材フィルムの前記表面処理面が、ステンレス製ウエハ保持用リングに対し、２５℃で５Ｎ／ｍ〜１００Ｎ／ｍのピール強度を有することを特徴とする接着シート。」
　
第３．原査定の拒絶理由の概要
　原査定の理由とされた、平成２５年５月８日付け拒絶理由通知書に記載した理由３は、この出願の請求項１〜６に係る発明は、その出願の優先日前日本国内または外国において頒布された刊行物に記載された発明に基いて、その優先日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものであり、刊行物として、以下の引用文献が提示されている。
　　引用文献１：国際公開第２００５／１１２０９１号
　　引用文献２：略
　
第４．当審の判断
１．引用文献の記載事項
（１）平成２５年５月８日付け拒絶理由通知で引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である国際公開第２００５／１１２０９１号（以下、「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。
　
　ア．「［１］　光透過性の支持基材と粘接着層とを有してなる、ダイシング工程及び半導体素子接着工程の両方に使用される粘接着シートであって、前記粘接着剤層は、
（Ａ）官能基を含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分、
（Ｂ）エポキシ樹脂、
（Ｃ）フェノール系エポキシ樹脂硬化剤、
（Ｄ）紫外線照射によって得られる硬化物のＴｇが２５０℃以上である光反応性モノマー、及び
（Ｅ）２００〜４５０ｎｍの紫外線照射により塩基及びラジカルを発生する光開始剤を含有するものである粘接着シート。
［４］　前記支持基材の表面自由エネルギーが５０ｍＮ／ｍ以下である、請求項１〜３のいずれかに記載の粘接着シート。
［１１］　（１）請求項１〜９のいずれか１項に記載の粘接着層及び支持基材を有してなる粘接着シートを、前記粘接着層を介して半導体ウエハに貼り付ける工程と、
（２）前記半導体ウエハをダイシングして、粘接着層付きチップを形成する工程と、
（３）前記粘着剤層付きチップにおける前記粘接着シートに紫外線を照射してその粘接着層を硬化してなる粘着剤層付き半導体素子を形成し、その粘着剤層付き半導体素子から前記支持基材を剥離する工程と、
（４）前記支持基材を剥離した後の前記粘接着層付き半導体素子と半導体素子搭載用の支持部材とを、前記粘接着層を介して接着する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲の請求項１、４、１１）
　
　イ．「技術分野
　本発明は、粘接着シート、それを使用した半導体装置及びその製造方法に関する。」（明細書　１頁　段落［０００１］）
　
　ウ．「発明が解決しようとする課題
　しかしながら、例えば、特許文献１及び２に記載されるような接着シートは、硬化物中に耐熱性に優れる特性を示すものがなく、半導体パッケージを組み立てた後における耐熱性等の信頼性の点で改善の余地があった。
　また、例えば、特許文献１〜３に記載されるような接着シートは、保存安定性を向上させるために熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤を配合しているものである。ところが、その硬化剤は吸湿性であるため、周囲雰囲気の湿気により接着シートの硬化が促進される結果、可使時間が低下すため、保存条件等にはやはり注意が必要であった。
　さらに、例えば特許文献３〜５に記載されるような接着シートは、光照射により粘接着層を硬化させて半導体ウエハとの密着力を低下させる目的で種々の光反応性モノマーが用いられている。ところが、その光反応性モノマーは紫外線照射後の耐熱性が低いため、加熱時の接着力（熱時接着力）及び耐リフロー性に改善の余地があった。
　このように、従来の粘接着シートは半導体装置製造工程の簡略化に寄与しているものの、半導体パッケージにおいて要求される、厳しい湿熱条件（例えば８５℃、８５％ＲＨ、１６８時間）後のＩＲリフローにおいても、充分な接着性を保持し、良好な耐リフロー性を示すにはまだ不十分である。
　本発明は、上記した従来技術の問題に鑑み、ダイシング工程ではダイシングテープとしての機能を十分有効に示し、半導体素子と支持部材との接合工程では接続信頼性に十分優れる粘接着シートを提供することを目的とする。また、本発明は、半導体素子搭載用支持部材に熱膨張係数の差が大きい半導体素子を実装する場合に要求される耐熱性及び耐湿性を有し、かつ作業性に優れる粘接着シートを提供することを目的とする。本発明は、さらに、半導体装置の製造工程を簡略化できる製造方法を提供することを目的とする。」（明細書　３頁　段落［０００８］〜４頁　段落［００１３］）
　
　エ．「［図１０］本発明の粘接着シートの使用方法の一例を示す断面模式図である。
符号の説明
１・・・粘接着シート、２・・・支持基材、３・・・粘接着層、４・・・保護フィルム、５・・・周辺部、６・・・液体試料（水及びヨウ化メチレン）、７・・・測定サンプル、８・・・リング、９・・・半導体ウエハ、１０・・・ダイシングソウ、１１・・・吸引コレット、１２・・・半導体素子搭載用基板、１３・・・封止材、１４・・・はんだボール、１５・・・ワイヤ、１６・・・半導体装置、１７・・・プローブ、９１、９２、９３・・・半導体チップ、Ａ・・・半導体ウエハ、θ・・・接触角」（明細書　６頁　段落［００２６］〜［００２７］）
　
　オ．「本発明の粘接着シートに用いる光透過性の支持基材としては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルムなどのプラスチックフィルム等が挙げられる。
　本発明の粘接着シートに用いる光透過性の支持基材としては、支持基材と粘接着層の密着力の点で表面自由エネルギーが、好ましくは２０〜５０ｍＮ／ｍであり、さらに好ましくは、３０〜４５ｍＮ／ｍである。２０ｍＮ／ｍより低いと光透過性の支持基材と粘接着層界面の密着力が低くなり、保護フィルムを剥がそうとする際に粘接着層が支持基材から一部剥離する可能性がある。また、５０ｍＮ／ｍより大きいと露光後の支持基材−粘接着層間と粘接着層−保護フィルム間との剥離強度差が生じ難くなり、ウエハ固定強度が大きくなり過ぎピックアップ性が悪くなる可能性がある。
なお、本発明において、表面自由エネルギー測定は、協和界面化学（株）製：ＣＡ−Ｚ型を用いて、測定サンプル７に対する、液体試料６（水とヨウ化メチレン）からなる液体試料６の接触角θの実測値（図５参照。）から下記式（１）〜（３）により算出される値である。
」（明細書　１６頁　段落［００７２］〜１７頁　段落「００７３］）
　
　カ．「本発明の粘接着シートは、ダイシング工程終了後、紫外線（ＵＶ）を粘接着シートに照射し、紫外線重合性を有する粘接着シートを重合硬化せしめ、粘接着シートと基材界面の接着力を低下させて半導体素子のピックアップを可能にするものである。以下本発明に係る粘接着シートの使用方法の一例を図１０によって説明する。
　図１０（ａ）には、支持基材２と、その上にウエハと同様の形状でウエハよりやや大きい面積に予め成形された粘接着層３とを備える粘接着シート１が図示されている。
　次に、粘接着シート１の粘接着３層上に、ダイシング加工すべき半導体ウエハ９を、室温で又は加熱しながら貼り付け（図１０（ｂ））、ダイシングソウ１０によってダイシングし（図１０（ｃ））、必要に応じて洗浄、乾燥の工程が加えられる。この際、半導体素子は粘接着シートに充分に接着保持されているので、上記各工程の間に半導体素子が脱落することはない。
　次に、放射線を粘接着シートに照射し、放射線により重合する性質を有する粘接着シートを重合硬化せしめる（図１０（ｄ））。放射線としては、例えば、紫外線、電子線、赤外線等が挙げられる。図１０（ｄ）においては紫外線を利用した例を示している。粘接着シートへの紫外線照射は、紫外線重合性を有する粘接着シート面から行い、照度と照射量は粘接着シートの組成によっても上下するが、照度が通常３〜１００ｍＷ／ｃｍ２程度で、照射量が通常８０〜１０００ｍＪ程度で、光反応性モノマーがほぼ重合する程度の照射量が目安である。この際、粘接着シートの支持基材２は紫外線を透過性である必要がある。すなわち本発明において「光透過性の支持基材」とは、この段階で使用する放射線を透過する支持基材を意味する。
　その後、ダイシングにより得られた半導体素子９１、９２及び９３を吸引コレット１１により紫外線硬化後の粘接着層とともにピックアップし（図１０（ｅ））、半導体素子搭載用支持部材１２に室温又は４０〜１５０℃に加熱しながら圧着し（図１０（ｆ））、加熱する。加熱によって粘接着層は信頼性に耐える接着力を発現し、半導体素子９１と半導体素子搭載用支持部材１２との接着が完了する。なお、例えば図１０（ｇ）に示すように、通常半導体装置は、この後にワイヤボンド１５をうつ（取り付ける）工程、封止材１６で封止する工程、はんだボール１４を設け外部基板（マザーボード）と電気的に接続する工程等を経ることになり、途中に１回又は複数回の熱履歴を経ることから、該熱履歴を利用して上記粘接着剤層を加熱硬化することもできる。」（明細書　２０頁　段落［００８５］〜２１頁　段落［００８９］）
　
　キ．「実施例
　・・・
」（明細書　２１頁　段落［００８９］〜２５頁　段落［０１０９］）
　
　ク．「
」（図１０）
　
 ２．引用文献１に記載された発明の認定
　引用文献１には、摘示アの請求項１１に記載の半導体装置の製造方法に利用する請求項１の粘接着シートとして、
　「光透過性の支持基材と粘接着層とを有してなる、ダイシング工程及び半導体素子接着工程の両方に使用される粘接着シートであって、前記粘接着剤層は、
（Ａ）官能基を含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分、
（Ｂ）エポキシ樹脂、
（Ｃ）フェノール系エポキシ樹脂硬化剤、
（Ｄ）紫外線照射によって得られる硬化物のＴｇが２５０℃以上である光反応性モノマー、及び
（Ｅ）２００〜４５０ｎｍの紫外線照射により塩基及びラジカルを発生する光開始剤を含有してなる粘接着シートであり、
（１）前記粘接着層を介して半導体ウエハに貼り付ける工程と、
（２）前記半導体ウエハをダイシングして、粘接着層付きチップを形成する工程と、
（３）前記粘着剤層付きチップにおける前記粘接着シートに紫外線を照射してその粘接着層を硬化してなる粘着剤層付き半導体素子を形成し、その粘着剤層付き半導体素子から前記支持基材を剥離する工程と、
（４）前記支持基材を剥離した後の前記粘接着層付き半導体素子と半導体素子搭載用の支持部材とを、前記粘接着層を介して接着する工程と、を含む半導体装置の製造方法に使用される粘接着シート。」が記載されており、摘示エ、カ、クの記載及び技術常識からみて、上記工程（２）において、リングで粘接着シートの支持基材が保持されているといえる。
　そうすると、引用文献１には、
「光透過性の支持基材と粘接着層とを有してなる、ダイシング工程及び半導体素子接着工程の両方に使用される粘接着シートであって、前記粘接着剤層は、
（Ａ）官能基を含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分、
（Ｂ）エポキシ樹脂、
（Ｃ）フェノール系エポキシ樹脂硬化剤、
（Ｄ）紫外線照射によって得られる硬化物のＴｇが２５０℃以上である光反応性モノマー、及び
（Ｅ）２００〜４５０ｎｍの紫外線照射により塩基及びラジカルを発生する光開始剤を含有してなる粘接着シートであり、
（１）前記粘接着層を介して半導体ウエハに貼り付ける工程と、
（２）前記半導体ウエハをダイシングして、粘接着層付きチップを形成する工程と、ダイシング時にリングで粘接着シートの支持基材が保持されており、
（３）前記粘着剤層付きチップにおける前記粘接着シートに紫外線を照射してその粘接着層を硬化してなる粘着剤層付き半導体素子を形成し、その粘着剤層付き半導体素子から前記支持基材を剥離する工程と、
（４）前記支持基材を剥離した後の前記粘接着層付き半導体素子と半導体素子搭載用の支持部材とを、前記粘接着層を介して接着する工程と、を含む半導体装置の製造方法に使用される粘接着シート。」に係る発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認める。
　
３．対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「光透過性の支持基材」、「粘接着層」、「粘接着シート」は、それぞれ本願発明における「基材フィルム」、「接着剤層」、「接着シート」に相当する。
　引用発明の「ダイシング工程と半導体素子接着工程の両方に使用される」は、本願発明における「ダイシングシートの機能とダイボンドシートの機能を備え」に相当することは明らかである。
　引用発明の「（１）記粘接着層を介して半導体ウエハに貼り付ける工程」は、本願発明における「（ａ）前記接着剤層面が半導体ウエハに、接着シートをラミネートする工程」に相当する。
　引用発明の「（２）前記半導体ウエハをダイシングして、粘接着層付きチップを形成する工程」は、本願発明における「（ｂ）半導体ウエハ及び接着シートの一部を切断し所望の大きさの半導体素子を得る工程」に相当することは明らかである。
　引用発明の「リング」は、摘示エ、カ、クの記載及び当業者の技術常識並びに通常のウエハ保持用リングの材質が、ステンレス製といえる（例えば、信越ポリマー株式会社の新製品「３００ｍｍウエーハ用軽量リングフレーム」をリンテック株式会社と共同開発」http://www.shinpoly.co.jp/ir/release/2005/20051130.html　参照）ことから、本願発明の「ステンレス製ウエハ保持用リング」に相当する。そして、当該リングは、支持基材に接するように保持していることは明らかであるから、引用発明の工程（１）において、粘接着シートの光透過性の支持基材がリングに接するようにラミネートされているといえる。
　引用発明の「（３）前記粘着剤層付きチップにおける前記粘接着シートに紫外線を照射してその粘接着層を硬化してなる粘着剤層付き半導体素子を形成し、その粘着剤層付き半導体素子から前記支持基材を剥離する工程」は、本願発明における「（ｃ）接着剤層と基材フィルム間で剥離し、接着剤層付き半導体素子を得る工程」に相当する。
　引用発明の「前記支持基材を剥離した後の前記粘接着層付き半導体素子と半導体素子搭載用の支持部材とを、前記粘接着層を介して接着する工程と」は、本願発明における「（ｄ）接着剤層付き半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを接着する工程」に相当する。
　そうすると、両者は、
　
「基材フィルムと、前記基材フィルムに積層してなる接着剤層とを有する接着シートであって、
　前記接着シートは、以下の工程（ａ）〜（ｄ）：
　（ａ）前記接着剤層面が半導体ウエハに接するように、また、基材フィルムがステンレス製ウエハ保持用リングに接するように接着シートをラミネートする工程、
　（ｂ）半導体ウエハ及び接着シートの一部を切断し所望の大きさの半導体素子を得る工程、
　（ｃ）接着剤層と基材フィルム間で剥離し、接着剤層付き半導体素子を得る工程及び
　（ｄ）接着剤層付き半導体素子と半導体素子搭載用支持部材とを接着する工程
を含む半導体装置の製造方法に用いられ、ダイシングシートの機能とダイボンドシートの機能を備える接着シート。」の点で一致し、次の相違点で相違する。
　
＜相違点１＞
　基材フィルムに積層してなる接着剤層に関して、本願発明においては「半導体ウエハ形状の」と特定されているのに対して、引用発明においては、このような特定はない点。
　
＜相違点２＞
　基材フィルムについて、本願発明においては「片面を表面処理したポリオレフィン系フィルムからなる」と特定され、また、「前記表面処理面の表面自由エネルギが２５×１０−３Ｎ／ｍ〜５５×１０−３Ｎ／ｍであり」と特定されているのに対して、引用発明においては、この点について特定されていない点。
　
＜相違点３＞
　本願発明においては、基材フィルムのステンレス製ウエハ保持用リングに接する面について「表面処理面」と特定されると共に、「前記基材フィルムの前記表面処理面が、ステンレス製ウエハ保持用リングに対し、２５℃で５Ｎ／ｍ〜１００Ｎ／ｍのピール強度を有する」と特定されているのに対して、引用発明においては、このような特定がなされていない点。
　
　以下、相違点について検討する。
　相違点１について
　引用文献１には「図１０（ａ）には、支持基材２と、その上にウエハと同様の形状でウエハよりやや大きい面積に予め成形された粘接着層３」（摘示カ）と記載されていることから、引用発明の粘着剤層（本願発明の接着剤層）も半導体ウエハ形状のものといえる。そうすると、相違点１は実質上の相違点ではない。
　
　相違点２について
　引用文献１の摘示オに、支持基材（本願発明の基材フィルム）として、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルムが記載されていると共に、支持基材と粘着材層との密着力の点から、支持基材の表面自由エネルギーが好ましくは２０ｍＮ／ｍ〜５０ｍＮ／ｍ（２０×１０−３Ｎ／ｍ〜５０×１０−３Ｎ／ｍ）であり、表面自由エネルギーが低いと密着力が低くなり、高いとピックアップ性が悪くなる旨の記載がある。
　ここで、支持基材（基材フィルム）において密着力の調整等のために表面処理を行ってから粘着層を設けるようにすることは周知（例えば、特開２００２−１５５２４９号公報の【０００６】、特開２００５−３０２９８２号公報の【００１５】参照）である。
　そうすると、引用発明の支持基材において、表面処理されたポリオレフィンフィルムを採用することは、当業者が容易に想到しえたものであり、その際、粘着層との密着性及びピックアップ性の観点から、支持基材の粘着層側の表面自由エネルギーを２５×１０−３〜５０×１０−３の範囲に設定することに格別の困難性はない。
　そして、そのことによる効果について検討しても、格別なものがあるとは認められない。
　
　相違点３について
　本願明細書等の発明の詳細な説明において、基材フィルムの前記表面処理面を、ステンレス製ウエハ保持用リングに対し、２５℃で５Ｎ／ｍ〜１００Ｎ／ｍのピール強度とすることに関するものとして、以下の記載がある。
　
　「＜パラメータの説明＞
　本発明の接着シートは、基材フィルムの接着剤層に接する面の表面自由エネルギが２５×１０−３Ｎ／ｍ〜５５×１０−３Ｎ／ｍである。基材フィルムと接着剤層とが適度な密着性を有する点で、前記表面自由エネルギは３０×１０−３Ｎ／ｍ〜５０×１０−３Ｎ／ｍが好ましく、３５×１０−３Ｎ／ｍ〜４８×１０−３Ｎ／ｍが特に好ましい。
　前記表面自由エネルギが２５×１０−３Ｎ／ｍ未満であると基材フィルムと接着剤層とが剥離し易く、ダイシング工程において半導体素子の剥離が生じてしまう。一方、前記表面自由エネルギが５５×１０−３Ｎ／ｍ超であると、基材フィルムと接着剤層が剥離し難く、半導体素子のピックアップが困難になり接着剤層付き半導体素子が得られ難くなる。
　・・・　
　また、本発明の接着シートは、基材フィルムの粘着性を有する面の２５℃でのウエハ保持用リングに対するピール強度が５Ｎ／ｍ〜１００Ｎ／ｍである。基材フィルムの粘着性を有する面がウエハ保持用リングに対してより密着性を有するという点で１０Ｎ／ｍ〜１００Ｎ／ｍが好ましく、１５Ｎ／ｍ〜５０Ｎ／ｍが特に好ましい。前記ピール強度が５Ｎ／ｍ未満では、基材フィルムの粘着性を有する面と保持用リングとが剥離し易く、半導体ウエハを保持できなくなる。一方、前記ピール強度が１００Ｎ／ｍ超では、保持用リングを剥離させるのが困難である。
　このような表面エネルギとピール強度を有する接着シートを構成する基材フィルムとしては、例えば、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリイミドフィルム、軟質塩化ビニルフィルムなどを使用することができる。これらのなかでも、ポリオレフィン系フィルムが好ましく、市販品としては日立化成工業株式会社製、商品名ヒタレックスＭＬ−２０２０、２０４０等が賞用される。なお、これら基材フィルムは表面自由エネルギが上記範囲内になるように必要に応じてプライマー塗布、ＵＶ処理、コロナ放電処理、研磨処理、エッチング処理等の表面処理を行っても良い。」（本願明細書等の段落【００２４】〜【００２８】）
　「ウエハ保持用リングは、リングの空洞部で半導体ウエハが接着シートの接着剤層上に設置するよう保持する部材である。かかるウエハ保持用リングは、樹脂製でも金属製でも用いることが出来るが、ステンレス製が好ましい。また、ウエハ保持用リングと基材フィルムとの密着性を向上させる目的で、ウエハ保持用リングの少なくとも片面は粘着性を有していることが好ましく、この場合該粘着性を有する面は基材フィルムの粘着性を有する面と接するように貼り付けることが好ましい。また、基材フィルムにリング状の粘着剤層を形成することにより、ウエハ保持用リングと基材フィルムとの密着性を向上させることも出来る。」（本願明細書等の段落【００３３】）
　「接着剤層をウエハ形状にし、ウエハ保持用リングと基材フィルムの粘着性を有する面が接するようにすることにより、基材フィルムとウエハ保持用リングとの間の密着性を向上することができる。保護フィルムをはく離する際に中心部に対して端部の接着シートの厚さが薄いため剥離性シートを剥離するきっかけがつくりやすく、作業性が向上する。」（本願明細書等の段落【００６７】）
　「次に、図３に示すようにして、この接着剤層２の上面にダイシング加工すべき半導体ウエハＡを設置し、図４に示すように基材フィルム１上にウエハ保持用リング３を設置して貼着する。この際のラミネート温度は通常２０℃〜２００℃の間で行われるが、半導体ウエハのそりが少ない点で、２０℃〜１３０℃が好ましく、基材フィルムの伸びが小さい点で、２０℃〜８０℃がさらに好ましい。図５は、ウエハ保持用リング３で半導体ウエハＡを保持した状態の上面図である。
　続いて、この貼着状態で半導体ウエハＡにダイシング、洗浄、乾燥の工程が加えられる。この際、接着剤層２により半導体ウエハＡは接着シートに充分に粘着保持され、さらにウエハ保持用リング３により保持されているので、上記各工程の間に半導体ウエハＡが脱落することはない。」（本願明細書等の段落【００７３】【００７４】）
　
　また、発明の詳細な説明の実施例及び比較例として
「（実施例１）
　ＹＤＣＮ−７０３（東都化成株式会社製、商品名：ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１０）４２．３重量部、フェノライトＬＦ２８８２（大日本インキ化学工業株式会社製、商品名：ビスフェノールＡノボラック樹脂）２３．９重量部、ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（ナガセケムテックス株式会社製、商品名：エポキシ基含有アクリルゴム、分子量８０万、Ｔｇ−７℃）１４０重量部、キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ（四国化成工業株式会社製、商品名：１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール）０．４重量部及びＮＵＣＡ−１８７（日本ユニカー株式会社製、商品名：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）０．７重量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて攪拌混合し、真空脱気して接着剤ワニスを得た。
　この接着剤ワニスを厚さ５０μｍの離型処理ポリエチレンテレフタレート（帝人株式会社製、商品名：ピューレックスＳ−３１）上に塗布し、１００℃で１０分間、１４０℃で５分間加熱乾燥し、厚さ５０μｍのフィルム状接着剤を得た。このフィルム状接着剤を直径２０．５ｃｍのウエハ形状に打ち抜き加工した。
　このウエハ形状のフィルム状接着剤を厚さ８０μｍの基材フィルム（日立化成工業株式会社製、商品名：ヒタレックスＭＬ−２０４０を用いた。基材フィルムの粘着性を有する面の２５℃でのステンレス製ウエハ保持リングに対するピール強度１５Ｎ／ｍ、基材フィルムの接着剤層に接する面の表面自由エネルギ４５×１０−３Ｎ／ｍ）の粘着面に接するように４０℃で転写することで、接着シートＡを作製した。
　なお、表面自由エネルギの測定は下記の方法で行った。
　協和界面科学社製、ＣＡ−Ｄ型接触角計を用いて、測定表面に対する水及びジヨードメタンの接触角を２５℃で測定した。表面自由エネルギは水及びジヨードメタンの接触角から次式で算出した。
　γｓ＝γｓｐ＋γｓｄ３６．４（１＋ｃｏｓθＨ）＝（２１．８γｓｄ）１／２＋（５１．０γｓｐ）１／２）
２５．４．（１＋ｃｏｓθＩ）＝（４８．５γｓｄ）１／２＋（２．３γｓｐ）１／２）
  上記式中、γｓは表面エネルギ、γｓｐは表面自由エネルギの極性成分、γｓｄは表面自由エネルギの分散成分、θＨは水の接触角、θＩはジヨードメタンの接触角を表す。
  また、ピール強度の測定は下記の方法で行った。
　（実施例２）
  ＹＤ８１２５（東都化成株式会社製、商品名：ＢＰＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量１７３）３６．５重量部、プライオーフェンＬＦ２８８２（大日本インキ化学工業株式会社製、商品名：ビスフェノールＡノボラック樹脂）２３．９重量部、ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（ナガセケムテックス株式会社製、商品名：エポキシ基含有アクリルゴム、分子量８０万、Ｔｇ−７℃）１４０重量部、キュアゾール２ＰＺ−ＣＮ（四国化成工業株式会社製、商品名：１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール）０．４重量部及びＮＵＣＡ−１８７（日本ユニカー株式会社製、商品名：γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン）０．７重量部からなる組成物に、メチルエチルケトンを加えて攪拌混合し、真空脱気して接着剤ワニスを得た。
　この接着剤ワニスを厚さ５０μｍの離型処理ポリエチレンテレフタレート（帝人株式会社製、商品名：ピューレックスＳ−３１）上に塗布し、１００℃で１０分間、１４０℃で５分間加熱乾燥し、厚さ５０μｍのフィルム状接着剤を得た。このフィルム状接着剤を直径２０．５ｃｍのウエハ形状に打ち抜き加工した。このウエハ形状のフィルム状接着剤を基材フィルムの粘着性を有する面に接するように６０℃で転写することで、接着シートＢを作製した他は実施例１と同様である。
　（実施例３）
　基材フィルムが厚さ８０μｍのポリエチレンフィルム（日立化成工業株式会社製、商品名：ヒタレックスＭＬ−２０２０、基材フィルムの粘着性を有する面の２５℃での表面に弱粘着材を塗布したステンレス製ウエハ保持リングとのピール強度１５Ｎ／ｍ、基材フィルムの接着剤層に接する面の表面自由エネルギ４４×１０−３Ｎ／ｍ）の粘着面に接するように４０℃で転写した他は実施例１と同様の材料を使用し、実施例１と同様の工程を経て接着シートＣを作製した。
　（実施例４）
  ラミネート温度が８０℃である他は実施例１と同様の材料を使用し、実施例１と同様の工程を経て接着シートＤを作製した。
　（比較例１）
　基材フィルムが厚さ７５μｍの帝人株式会社製、商品名：ピューレックスＳ３１（基材フィルムの粘着性を有する面の２５℃でのステンレス製ウエハ保持リングとのピール強度５Ｎ／ｍ、基材フィルムの接着剤層と接する面の表面自由エネルギ１３×１０−３Ｎ／ｍ）である他は実施例１と同様の材料を使用し、実施例１と同様の工程を経て接着シートＥを作製した。
　（比較例２）
　基材フィルムが厚さ５０μｍのポリエチレンフィルム（基材フィルムの接着剤層と接する面の表面自由エネルギ５８×１０−３Ｎ／ｍ）である他は実施例１と同様の材料を使用し、実施例１と同様の工程を経て接着シートＦを作製した
　上記、各実施例で得られた接着シートＡ〜Ｄ及び比較例で得られた接着シートＥ〜Ｆについての評価は下記の方法で行った。
　・・・
これらの評価結果をまとめて表１に示す。
【表１】
表１に示されるように、本発明の実施例になる接着シートは、耐熱性及び耐湿性に優れ、ダイシング時の半導体素子飛びもなく、ピックアップ性も良好であることが明らかである。
　比較例１は接着剤層と基材フィルムが剥離しやすく、半導体素子がダイシング時に剥離、飛散してしまった。比較例２では接着剤層と基材フィルムが剥離できず、接着剤層付き半導体素子をピックアップすることができなかった。」（段落　【００８０】〜【０１０４】）
　
　これらの記載を総合すれば、
　前記ピール強度が５Ｎ／ｍ未満では、基材フィルムの粘着性を有する面と保持用リングとが剥離し易く、半導体ウエハを保持できなくなるので、そうならないように、また、前記ピール強度が１００Ｎ／ｍ超では、保持用リングを剥離させるのが困難となるので、そうならないように、当該ピール強度を５〜１００Ｎ／ｍとしていることがわかる。
　
　そうであってみれば、引用発明の半導体装置の製造方法においても、ダイシング時にリングにより粘接着シート（本願発明の接着シート）の支持基材（本願発明の基材フィルム）が保持されているのであり、リングは粘接着シートから剥離され繰り返し保持に利用されるものであるから、押さえられる基材フィルム面との接着強度を保持用リングとして機能するように、いいかえれば、剥離させるのが困難とならない範囲で、半導体ウエハを保持できなくならない程度に、設定すべきことは、当業者であれば当然に考慮することにすぎず、その接着強度の値を具体的に２５℃で５Ｎ／ｍ〜１００Ｎ／ｍのピール強度を有するようにすることに困難性はない。その場合において、リングの接する面が表面処理面となることは、上述の相違点２で言及した周知技術からみて当然のことである。
　そして、このことによる効果は、本願優先日前における当業者の予測の範囲内といえ、格別なものとは認められない。
　
４．審判請求人の主張について
（１）審判請求人の主張
　審判請求人は、平成２５年１１月１日提出の審判請求書において、下記の主張を行っている。
　
「引用文献１に記載の発明において、支持基材と保持リングとの密着性または剥離性に関する課題は全く存在しない。 
　これに関し拒絶査定書には、「引用文献１にはダイシング工程において粘接着シート上にウエハ保持用リングを設置する使用方法について開示しており、当業者であれば、このような使用方法において、ダイシング時の適切な接着力と、その後の剥離工程での糊残りを防止しようとすることは当然考慮するべき設計的事項と言えるものである。」と御説示されている。 
　しかし、ダイシング工程においてダイシングテープに求められる機能として最も重要であるのは、ダイシング時のチップ飛びやリング剥がれなどのダイシング時のトラブルを防止することである。これは、ダイシング工程においてこれらの不良が発生すると、少なくともダイシング中のウエハ１枚分が失われ、そればかりか、他の工程もまとめて止まることにより、他工程で加工中の半導体ウェハにまで悪影響が及ぶ恐れがあるためである。 
　すなわち、ダイシングテープには、ダイシングに必要な強い粘着力がまず重視され、当然のことながら、ダイシング工程中のダイシングテープは、ウェハをしっかり支え、保持リングにしっかり粘着していることが最も重要である。したがって、従来技術においては、保持用リングに対してしっかり粘着すべき基材フィルムに対し、ダイシング工程後（すなわちダイシングテープ使用後）の後処理を考慮して、基材フィルム自身の保持用リングに対する粘着性を弱めるという技術思想は存在しなかったのである。 
　このように、引用文献１記載の発明において、ダイシング後の支持基材の剥離性を検討することが、「当然考慮するべき設計的事項」であると言うことはできない。」 
　
（２）審判請求人の主張についての検討
　たしかに、「ダイシング工程においてダイシングテープに求められる機能として最も重要であるのは、ダイシング時のチップ飛びやリング剥がれなどのダイシング時のトラブルを防止することである」が、本願発明や引用発明に記載の半導体製造装置は、連続して半導体を製造するものであり、１度限りの製造用のものではない。そうすると、ダイシング用リングフレームについても、ダイシング工程の終了後には、粘着テープから取り外されて、次のダイシング工程に利用されるものといえ、当該粘着テープからの取り外しができないと製造工程が停止してしまうことになる。してみれば、引用発明の製造装置が正常に機能するためには、ダイシング用リングフレームは、粘着テープから正常に取り外し可能である必要があるのであって、請求人の「ダイシング工程後（すなわちダイシングテープ使用後）の後処理を考慮して、基材フィルム自身の保持用リングに対する粘着性を弱めるという技術思想は存在しなかった」との主張は失当である。 
　してみれば、請求人の審判請求書における上記主張は失当であり、採用できない。
　
５．まとめ
　よって、本願発明は、引用文献１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
第５．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明についての拒絶査定の理由３は妥当なものであり、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願はこの理由により拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。