(57)【要約】【課題】基板表面のみを薬液で処理する基板処理方法において、基板の脱離の際に基板表面に所望しない異物の付着を防止し得る吸着パット及びこれを有する基板処理装置を提供する。【解決手段】基板と吸着した状態で該基板を溶液に浸漬して処理を行う基板処理装置に使用する吸着パットであって、該基板と吸着する主面と、該基板の外周に沿って配置される外側面と、該主面に形成される吸引孔とを有し、該主面と該外側面とを含む断面形状において、該主面に対応する線と、該外側面に対応する線とでなす角は、鋭角であることを特徴とする。【選択図】図１Ａ
2007297657.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と吸着した状態で該基板を溶液に浸漬して処理を行う基板処理装置に使用する吸着パットであって、
該基板と吸着する主面と、
該基板の外周に沿って配置される外側面と、
該主面に形成される吸引孔と
を有し、
該主面と該外側面とを含む断面形状において、該主面に対応する線と、該外側面に対応する線とでなす角は、鋭角であることを特徴とする吸着パット。
【請求項２】
前記外側面は、溝を有する、請求項１に記載の吸着パット。
【請求項３】
前記吸引孔は、該吸引孔に対応する断面が前記断面形状のいずれにおいても見出されるように、形成されている、請求項１又は２に記載の吸着パット。
【請求項４】
前記吸引孔は、当該吸着パットの裏面に貫通されている、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の吸着パット。
【請求項５】
当該吸着パットの外周は、前記基板の外周以上の大きさを有する、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の吸着パット。
【請求項６】
溶液を貯溜する陽極化成槽と、
基板と吸着する吸着パットと、
該基板と該吸着パットとを吸着させる吸引圧を印加するポンプと、
を有する基板処理装置であって、
該吸着パットは、
該基板を吸着する主面と、
該基板の外周に沿って配置される外側面と、
該主面に形成される吸引孔と
を有し、
該主面と該外側面とを含む断面形状において、該主面に対応する線と、該外側面に対応する線とでなす角は、鋭角であることを特徴とする基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を保持する吸着パット及びこれを有する基板処理装置に係り、特に基板の裏面が処理されないように真空吸着を用いて基板裏面の周縁部を保持する吸着パット及びこれを有する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
溶液中に基板を浸漬した状態で、基板の裏面が処理されないように、基板の表面側のみを処理する基板処理装置としては、例えば、特許文献１に開示の陽極化成装置がある。
【０００３】
図５は、特許文献１に示す基板処理装置の概略図である。この陽極化成装置は、ＨＦ溶液１０７を貯溜する陽極化成槽１０８と、陽極化成槽１０８に一体化されたホルダ１０２と、陽極化成槽１０８に配置されシリコン基板１０１に電圧を印加して陽極化成を行い電極１０６ａ、１０６ｂとを有する。ホルダ１０２には、開口部１０３が設けられ、この開口部１０３に沿って、溝が設けられ、この溝に、吸着パット１０４がはめ込まれている。
【０００４】
吸着パット１０４は、シリコン基板１０１の裏面の一部と吸着する保持部と、断面形状が凹型またはＵ型の吸着溝１０４ａと、この吸着溝の空間を減圧して基板を吸着させるための吸引孔１０５とを有する。
【０００５】
陽極化成装置を用いた基板処理において、まず、シリコン基板１０１は、吸引孔１０５にラインを介して接続されたポンプ（図示せず）を介して吸着パット１０４と真空吸着された状態で、ＨＦ溶液１０７に浸漬される。ＨＦ溶液１０７に浸漬されたシリコン基板１０１には、電極１０６ａ、１０６ｂに電圧を印加することにより、電流が流される。その後、電圧の印加によりシリコン基板１０１の処理が終了すると、陽極化成槽１０８からＨＦ溶液１０７を排出して、シリコン基板１０１を大気中に露出する。このシリコン基板１０１は、陽極化成槽１０８から脱離されるべく、吸引孔１０５を介して吸着パット１０４と吸着させていた真空雰囲気を破壊するように、窒素などの不活性ガスがラインに注入される。これにより、シリコン基板１０１の陽極化成処理が完了する。
【０００６】
吸着パット１０４は、上述のような形状及びシリコン基板１０１等との関係を有することにより、シリコン基板１０１をＨＦ溶液１０７に浸漬した状態であっても、ＨＦ溶液１０７がシリコン基板１０１の表面のみに接触することとなる。従って、シリコン基板１０１の裏面にＨＦ溶液１０７が接触することを防止する。この状態で、電極１０６ａ、１０６ｂに電圧を印加してシリコン基板１０１に電流を流すことで、シリコン基板１０１の表面にのみ多孔質層が形成され、シリコン基板１０１の裏面には、ＨＦ溶液１０７が接触し得ないので、多孔質層が形成されない。
【０００７】
図６Ａ、図６Ｂに示すように、このような基板処理において、ＨＦ溶液１０７は、シリコン基板１０１と吸着パット１０４との間を介して、ラインに混入する場合がある。混入したＨＦ溶液１０７は、真空破壊の際、不活性ガスに押し戻されるかたちで、真空吸着ラインを逆流することとなる。この場合、逆流した溶液は、更に吸着パット１０４とシリコン基板１０１との隙間、ないしは、吸着パット１０４とホルダ１０２との隙間を通り抜け、基板の端部付近に噴き出してくる場合がある。特に、ＨＦ溶液１０７の噴き出し部がシリコン基板１０１より上部にある場合には、噴き出したＨＦ溶液１０７がシリコン基板１０１の表面まで回りこみ、シリコン基板表面をつたって落下することになる。真空吸着ラインへ混入する溶液中には、反応副生成物を主とする異物が多く含まれる為、シリコン基板１０１の表面をつたうと、その部位に、異物付着残留したり、液滴が基板表面に残留し、乾燥するために、ウォーターマークを形成する場合があった。
【０００８】
また、特許文献２に開示されるようなＥＬＴＲＡＮと呼ばれるＳＯＩウェーハ作製方法では、特許文献１に記載の方法で形成される多孔質シリコン層を利用してＳＯＩウェーハを作製する。上記したような異物は、ＳＯＩウェーハの品質に影響を及ぼすことがある。例えば、作成した多孔質シリコンに、一度、真空吸着ラインへ吸い込まれた溶液が逆流し、付着すると、異物が多孔質シリコンの表面に残る。その結果、この異物の付着部位ではエピタキシャルシリコン層が形成されないため、ＳＯＩウェーハでは、ＳＯＩ層が欠落した欠陥となる。斯かるＳＯＩ層の欠落は、デバイスチップを作製した場合、回路の動作不良を引き起こす可能性がある。
【０００９】
即ち、多孔質シリコン表面の異物、ウォーターマークを減少させるため、上述のような真空吸着ラインから逆流する溶液が基板表面に回り込まないようにすることが求められていた。
【特許文献１】特許第３３７６２５８号公報
【特許文献２】特許第２６０８３５１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、基板表面のみを薬液で処理する基板処理方法において、基板の脱離の際に基板表面に所望しない異物の付着を防止し得る吸着パット及びこれを有する基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明による吸着パットは、基板と吸着した状態で該基板を溶液に浸漬して処理を行う基板処理装置に使用する吸着パットであって、該基板と吸着する主面と、該基板の外周に沿って配置される外側面と、該主面に形成される吸引孔とを有し、該主面と該外側面とを含む断面形状において、該主面に対応する線と、該外側面に対応する線とでなす角は、鋭角であることを特徴とする。
【００１２】
一方、本発明による基板処理装置は、溶液を貯溜する陽極化成槽と、基板と吸着する吸着パットと、該基板と該吸着パットとを吸着させる吸引圧を印加するポンプと、を有する基板処理装置であって、該吸着パットは、該基板を吸着する主面と、該基板の外周に沿って配置される外側面と、該主面に形成される吸引孔とを有し、該主面と該外側面とを含む断面形状において、該主面に対応する線と、該外側面に対応する線とでなす角は、鋭角であることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、基板の表面に、所望しない異物やウォーターマークの付着を防止することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、本発明の好適な実施形態につき説明する。
【００１５】
（本発明による吸着パット）
本発明による吸着パットは、基板と吸着した状態で該基板を溶液に浸漬して処理を行う基板処理装置に使用する吸着パットであって、該基板と吸着する主面と、該基板の外周に沿って配置される外側面と、該主面に形成される吸引孔とを有し、該主面と該外側面とを含む断面形状において、該主面に対応する線と、該外側面に対応する線とでなす角は、鋭角であることを特徴とする。
【００１６】
図１Ａは、本発明による吸着パットを有する基板処理装置の概略図を示し、図１Ｂは、本発明による吸着パットの縦断面図を示す。まず、図１Ｂを主に参照しながら、本発明による吸着パットについて、詳述する。
【００１７】
図１Ｂは、円環形を有する本発明による吸着パットにおいて、この円環の中心軸を含む縦断面図であって、（Ａ）及び（Ｂ）は、それぞれ、接地面に対して最も上方及び下方に位置する吸着パットの縦断面である。
【００１８】
図１Ｂに示すように、本発明による吸着パット３０４は、基板３０１と吸着する主面３０４１と、基板３０１の外周に沿って配置される外側面３０４３とを有する。吸着パット３０４の外側面３０４３の形状は、主面３０４１と外側面３０４３とを含む断面形状において、主面３０４１に対応する線と、外側面３０４３に対応する線とでなす角が鋭角であるような形状を有する。つまり、外側面３０４３は、図１Ｂに記載のαが０°を越えて９０°未満となるような形状を有する。特に、接地面に対して上方に位置する吸着パットにおいて、αがこのような範囲となるように、外側面３０４３を有することが好ましい。本発明による吸着パット３０４は、このような形状を有することにより、基板３０１と吸着パット３０４とを吸着させる真空雰囲気の破壊時にラインに混入した溶液が逆流しても、この溶液が基板３０１の表面側に回り込むことを防止することが可能となる。αが０°以下であると、本発明による吸着パットは、外側面３０４３を有し得ず、９０°以上となると、本発明による上述の効果が奏し得ない。
【００１９】
本発明による吸着パットは、基板３０１の外周に沿って形成された形状を有すれば特に制約はなく、基板３０１の形状が例えば円形である場合、吸着パットは、円環形を有する。吸着パットが円環形を有する場合を例として、以下に説明する。
【００２０】
本発明による吸着パットにおいて、外側面３０４３は、溝３０４５を有することが好ましい。また、この溝３０４５は、吸着パットを基板処理装置に装着した際に外側面３０４３が基板処理装置の接地面から上方向に向くように、外側面３０４３に形成されることがより好ましい。また、溝３０４５は、吸着パットの外周全域に渡って形成されることが好ましい。本発明による吸着パットは、このような形状を有することにより、ラインに混入した溶液がこの外側面３０４３の溝３０４５を流動することで、基板３０１の表面側への回り込みを防止する。
【００２１】
本発明による吸着パットは、吸着パット３０４の主面３０４１に、吸引圧を印加するポンプ３０９に連通する吸引孔３０４６を有する。吸引孔３０４６は、主面３０４１と外側面３０４３とを含む断面形状において、吸引孔に対応する断面が見出されるように、主面に形成されていることが好ましい。つまり、円形の主面３０４１の円周方向の全体に渡って、帯状に形成されていてもよい。吸着パットがこのような形状を有することにより、吸着パットと基板との吸着力をさらに増大させ得る。
【００２２】
また、吸引孔３０４６は、主面３０４１から裏面３０４２まで貫通されてもよい。さらに、本発明による吸着パットは、基板３０１の周縁に沿った第１の部材と、この第１の部材の内周側に隙間をおいて配置された第２の部材とにより構成されてもよい。このように第１の部材と第２の部材とで構成された吸着パットの場合、これら第１の部材と第２の部材との間で形成される隙間部（吸引孔３０４６に相当）に、吸引圧を印加するポンプに連通するラインを接続してもよい。このようにして、斯かる隙間部を減圧することにより、基板３０１と吸着パット３０４とを密着させてもよい。
【００２３】
さらに、本発明による吸着パットの外周は、基板の外周以上の大きさを有することが好ましい。つまり、円形の基板を想定した場合、このような大きさを有すると、円環形の吸着パットの外周は、基板と吸着パットとを吸着させた際、基板の外周の外側に配置されることとなる。このような形状を有することにより、上述の効果を奏するとともに、基板の表面を効率的に処理することが可能となる。
【００２４】
本発明による吸着パットは、上述の通りであれば、特にその形状は制約されない。図２Ｂ、図３Ｂ及び図４Ｂは、図１Ｂに記載の吸着パットの変形例であって、本発明による吸着パットの縦断面図の例示的な形状を示したものである。なお、これらの縦断面図は、上述の図１Ｂに説明したものに対応する。
【００２５】
本発明による吸着パット４０４は、例えば、主面４０４１と外側面４０４３とでなす角度αが０°を越えて９０°未満であれば、内側面４０４４の形状は、制約されない。また、吸引孔５０４６は、上述のように、主面５０４１から裏面５０４２へと延びるように形成されていてもよい。さらに、吸着パット６０４のように、吸着パットを基板処理装置に装着した際、接地面に平行する吸着パットの中心面の上方に位置する外側面６０４３の形状が０°＜α＜９０°を満たせば、この中心面の下方にある外側面６０４３の形状は、特に限定されない。
【００２６】
本発明による吸着パットの材質は、特に限定されないが、陽極化成法用いる溶液（ＨＦ）に耐性を有する点、及び基板と効率よく密着させ得る点を考慮して、ゴム材であることが好ましい。このような例としては、例えば、バイトン、カルレッツ等が挙げられる。
【００２７】
（本発明による基板処理装置）
本発明による基板処理装置は、溶液を貯溜する陽極化成槽と、基板と吸着する吸着パットと、該基板と該吸着パットとを吸着させる吸引圧を印加するポンプと、を有する基板処理装置であって、該吸着パットは、該基板を吸着する主面と、該基板の外周に沿って配置される外側面と、該主面に形成される吸引孔とを有し、該主面と該外側面とを含む断面形状において、該主面に対応する線と、該外側面に対応する線とでなす角は、鋭角であることを特徴とする。
【００２８】
図１Ａは、本発明による基板処理装置の断面概略図である。本発明による基板処理装置は、フッ化水素酸（以下、ＨＦ）溶液などの溶液３０７を貯溜する陽極化成槽３０８と、基板３０１と吸着する上述の吸着パット３０４と、基板３０１と吸着パット３０４とを吸着させる吸引圧を印加するポンプ３０９とを有する。
【００２９】
吸着パット３０４は、基板保持具３０２に設けられた溝にはめ込まれてもよい。基板保持具３０２は、円形の開口部（図１Ａにおいて、上部の基板保持具３０２と、下部の基板保持具３０２との間の部位に相当）を有してもよい。吸着パット３０４は、吸着パット３０４の吸引孔３０４６に接続されたラインを介して、ポンプ３０９と接続される。なお、このラインは、真空圧に耐え得るものであることが好ましい。
【００３０】
次に、本発明による基板処理装置の基板処理方法について、説明する。基板３０１は、吸着パット３０４を介して接続されたポンプ３０９が印加する吸引圧により、吸着パット３０４と吸着する。基板３０１は、吸着パット３０４を介して基板保持具３０２に保持される。基板３０１は、この状態で溶液３０７に浸漬される。基板３０１は、基板３０１を挟むように例えば陽極化成槽３０８の壁部に配置された電極（図示せず）間に電圧を印加して、処理される。その後、溶液３０７を陽極化成槽３０８から排出し、基板３０１と吸着パット３０４との吸着が解除される。このようにして、基板の処理が完了する。
【００３１】
本発明において、基板処理の対象となる基板３０１としては、特に限定されないが、上記した陽極化成法であれば、シリコン、より好ましくは単結晶シリコンが例示される。基板の形状は、円板状のシリコンデバイスプロセス用いられるいわゆるシリコンウェーハが好適に用いられる。
【００３２】
本発明において、基板３０１と吸着パット３０４とを吸着する圧力としては、溶液３０７中で上述の電圧等の印加中においても、基板３０１と吸着パット３０４とが吸着され得る圧力であれば、特に制約はないが、略真空であることが好ましい。なお、この目的を達成し得る圧力であれば、０気圧に限りなく近い必要はない。
【００３３】
本発明において、「基板処理」とは、例えば、陽極化成法が挙げられるが、特にこれに限定されない。
【００３４】
陽極化成反応によるシリコン基板の多孔質化、即ち細孔の形成処理は、例えばＨＦ溶液中で行なわれる。基板の表面側と裏面側とのそれぞれの溶液に白金等で形成された電極を配置し、両電極間に基板表面側が陽極となるように電流を流すことにより陽極化成反応が進行し、基板表面側に多孔質層が形成される。
【００３５】
陽極化成以外の処理としては、メッキ、エッチング等が挙げられるが、特に基板の表面のみを選択的に処理する場合に好適に用いられる。
【００３６】
基板と吸着パットとの吸着を解除する方法としては、吸着パットとポンプとを接続したラインに予め接続した供給ラインから不活性ガス等のガスを供給し、この供給ライン内の圧力を復圧することにより、行ってもよい。供給するガスは、窒素の他、酸素、空気などであってもよいし、アルゴン、ヘリウムなどであってもよく、特に制限はない。また、吸着パットと吸着した状態の基板を、大気中に載置して、真空開放する方法であってもよい。
【００３７】
本発明による基板処理装置は、このような態様を有するものであれば、特に制約はなく、図２Ａ、図３Ａ及び図４Ａは、本発明による基板処理装置の断面概略図の例を示す。なお、これらの基板処理装置を構成する各要素は、上述と同様の機能を有する。
【実施例】
【００３８】
（実施例１）
本発明の実施例を、図３Ｂを用いて説明する。
【００３９】
基板５０１の大きさが２００ｍｍであるシリコンウェーハを、陽極化成槽５０８内の基板保持具５０２にはめられた吸着パット５０４に吸着させる。吸着パット５０４は、減圧可能な配管でポンプ５０９と接続される。なお、吸着パット５０４の寸法等は、以下の通りである。
【００４０】
吸着パット５０４の内径：φ１８６ｍｍ
吸着パット５０４の外径：φ２０５ｍｍ
吸着パット５０４の厚み：４．４ｍｍ
基板５０１と吸着するために基板５０１の外形に沿って吸着パット５０４に形成される吸引孔の幅：１．５ｍｍ
この吸引孔の深さ：０．７ｍｍ
周方向に均等に配置され、吸引孔とポンプとを接続する、吸着パッドの裏面に貫通する孔の直径：０．５ｍｍ
【００４１】
基板より外側の側面の凹部は、少なくとも１つは有し、厚み方向で、基板の裏面と吸着する側より厚み方向１．１ｍｍの位置に１つ設け、同時に内側の側面の同位置にも凹部を１つ設ける。（図１Ｂ）
【００４２】
基板５０１の吸着パット５０４への貼り付け位置は、基板５０１の中心線と吸着パット５０４の中心線とが同一線上に乗るように配置する。このように配置した状態で、ポンプ５０９を用いて吸引圧を印加することにより、基板５０１と吸着パット５０４とを保持する。
【００４３】
陽極化成槽５０８にＨＦとアルコールとからなる溶液５０７を供給し、基板５０１を溶液５０７中に浸漬した後、基板５０１が陽極になるように５Ａの直流電流を３分間、１０Ａの直流電流を１分間の順で印加し、基板５０１の表面に多孔質シリコン層を形成する。
【００４４】
その後、溶液５０７を陽極化成槽５０８より排液し、基板５０１表面を大気中に露出する。さらに、基板５０１を吸着パット５０４から脱離すべく、ポンプ５０９による真空吸引を停止し、配管に窒素ガスを注入する。窒素ガスの注入中、基板５０１を目視観察したところ、基板５０１の上側の吸着パット５０４と基板保持具５０２との隙間からは、配管から逆流した液滴が出てくる様子が観察された。しかしながら、この液滴は、基板５０１表面に流れることなく、吸着パット５０４の外側面５０４３に形成された溝５０４５を通って下方に流れ落ちた。
【００４５】
陽極化成槽５０８から取り外した基板５０１は、水洗槽（図示せず）でリンスしたのち、スピン乾燥法により乾燥した。かかるウェーハを、レーザー散乱式異物検出装置ＳＰ１（ＫＬＡ−Ｔｅｎｃｏｒ社製）で観察したところ、観測された異物の個数は３個であって、特に局在した様子は見られなかった。
【００４６】
（比較例）
比較として、吸着パットの側面に溝を設けない形状（図６Ａ）のパッドを用い、同様にして多孔質シリコン層を形成した。基板を１０枚処理したところ、２枚の基板において、吸着パットから取り外すために配管に窒素ガスを導入した際、液滴が基板表面を流れる様子が観察された。かかる基板を同様に上記のＳＰ１装置で観察したところ、液滴の流れる様子の観察されなかった基板の異物数は、１〜８個であったのに対し、液滴の流れた基板の異物数はそれぞれ４２個と８７個であった。増加した異物の大半は、液滴が流れた部位に相当する位置に連鎖状に並んでいた。
【００４７】
かかる基板を用い、特許文献２に記載の方法に従い、ＳＯＩ膜厚７０ｎｍのＳＯＩウェーハを作製した。作製したＳＯＩウェーハは、本実施例のパッドを用いたものが２００枚であり、比較例のパッドを用いたものが１９５枚である。これらＳＯＩウェーハを上記のＳＰ１装置で観察した。その結果、ＳＯＩ層が欠落している異物に相当する直径１μｍのポリスチレン粒子相当以上の大きさをもつ異物の個数は、本発明による吸着パットを用いたものでは、平均５個であったのに対し、比較例では、平均４０個であった。従って、本発明による吸着パットを用いた場合には、異物の個数が有意に減少していた。
【００４８】
（実施例２）
基板の大きさが２００ｍｍであるシリコンウェーハを用い、以下の寸法等を有する吸着パットを用いた。
【００４９】
吸着パットの内径：φ１８６ｍｍ
吸着パットの外径：φ２０５ｍｍ
吸着パットの厚み：４．４ｍｍ
基板と吸着するために基板の外形に沿って吸着パットに形成される吸引孔の幅：１．５ｍｍ
この吸引孔の深さ：０．７ｍｍ
【００５０】
基板より外側の側面の凹部は、少なくとも１つは有し、厚み方向で、基板の裏面と吸着する側より厚み方向１．１ｍｍの位置に１つ設ける。
【００５１】
基板の吸着パットへの貼り付け位置は、基板の中心線と吸着パットの中心線とが同一線上に乗るように配置する。ＨＦを主とする溶液を陽極化成槽より回収し基板表面が溶液中から大気中に露出した後、基板を脱離すべく例えば不活性ガスを注入する。
【００５２】
（実施例３）
基板の大きさが２００ｍｍであるシリコンウェーハを用いる。また、以下の寸法等を有する円環状の２つの部材（基板の中心から遠い側に配置される部材を、外側の部材と称し、中心に近い側に配置される部材を、内側の部材と称する。）からなる、バイトン製の吸着パットを用いる。
【００５３】
外側の部材の内径：φ１９８ｍｍ
外側の部材の外径：φ２０５ｍｍ
外側の部材の厚み：４．４ｍｍ
【００５４】
基板より外側の側面の凹部は、少なくとも１つは有し、厚み方向で、基板の裏面と吸着する側より厚み方向１．１ｍｍの位置に１つ設ける。
【００５５】
内側の部材の内径：φ１８６ｍｍ
内側の部材の外径：φ１９６ｍｍ
内側の部材の厚み：４．４ｍｍ
【００５６】
基板の吸着パットへの貼り付け位置は、基板の中心線と吸着パットの中心線とが同一線上に乗るように配置する。ＨＦを主とする溶液を陽極化成槽より回収し基板表面が溶液中から大気中に露出した後、基板を脱離すべく例えば不活性ガスを注入する。
【００５７】
（実施例４）
基板の大きさが２００ｍｍであるシリコンウェーハを用い、以下の寸法等を有するバイトン製の吸着パットを用いた。
【００５８】
吸着パットの内径：φ１８６ｍｍ
吸着パットの外径：φ２０５ｍｍ
吸着パットの厚み：４．４ｍｍ
基板と吸着するために基板の外形に沿って吸着パットに形成される吸引孔の幅：１．５ｍｍ
この溝の深さ：０．７ｍｍ
【００５９】
基板より外側の側面の凹部は、少なくとも１つは有し、厚み方向で、基板の裏面と吸着する側より厚み方向１．１ｍｍの位置に１つ設け、且つ凹部は、基板の上半周分のみ設置する。
【００６０】
基板の吸着パットへの貼り付け位置は、基板の中心線と吸着パットの中心線とが同一線上に乗るように配置する。ＨＦを主とする溶液を処理槽より回収し基板表面が溶液中から大気中に露出した後、基板を脱離すべく例えば不活性ガスを注入する。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１Ａ】本発明による基板処理装置の断面概略図である。
【図１Ｂ】本発明による吸着パットの縦断面図である。
【図２Ａ】本発明による基板処理装置の断面概略図である。
【図２Ｂ】本発明による吸着パットの縦断面図である。
【図３Ａ】本発明による基板処理装置の断面概略図である。
【図３Ｂ】本発明による吸着パットの縦断面図である。
【図４Ａ】本発明による基板処理装置の断面概略図である。
【図４Ｂ】本発明による吸着パットの縦断面図である。
【図５】特許文献１に示す基板処理装置の概略図である。
【図６Ａ】従来技術の問題点を説明する図である。
【図６Ｂ】従来技術の問題点を説明する図である。
【符号の説明】
【００６２】
１０１      シリコン基板
１０２      ホルダ
１０３      開口部
１０４      吸着パット
１０４ａ    吸着溝
１０５      吸引孔
１０６ａ    電極
１０６ｂ    電極
１０７      ＨＦ溶液
１０８      陽極化成槽
３０１      基板
３０２      基板保持具
３０４      吸着パット
３０７      溶液
３０８      陽極化成槽
３０９      ポンプ
４０１      基板
４０２      基板保持具
４０４      吸着パット
４０７      溶液
４０８      陽極化成槽
４０９      ポンプ
５０１      基板
５０２      基板保持具
５０４      吸着パット
５０７      溶液
５０８      陽極化成槽
５０９      ポンプ
６０１      基板
６０２      基板保持具
６０４      吸着パット
６０７      溶液
６０８      陽極化成槽
６０９      ポンプ
３０４１    主面
３０４２    裏面
３０４３    外側面
３０４４    内側面
３０４５    溝
３０４６    吸引孔
４０４１    主面
４０４２    裏面
４０４３    外側面
４０４４    内側面
４０４５    溝
４０４６    吸引孔
５０４１    主面
５０４２    裏面
５０４３    外側面
５０４４    内側面
５０４５    溝
５０４６    吸引孔
６０４１    主面
６０４２    裏面
６０４３    外側面
６０４４    内側面
６０４５    溝
６０４６    吸引孔
α          主面と外側面とでなす角度
【図１Ａ】
2007297657.tif 000003
【図１Ｂ】
2007297657.tif 000004
【図２Ａ】
2007297657.tif 000005
【図２Ｂ】
2007297657.tif 000006
【図３Ａ】
2007297657.tif 000007
【図３Ｂ】
2007297657.tif 000008
【図４Ａ】
2007297657.tif 000009
【図４Ｂ】
2007297657.tif 000010
【図５】
2007297657.tif 000011
【図６Ａ】
2007297657.tif 000012
【図６Ｂ】
2007297657.tif 000013