【事件の表示】
　平成　８年特許願第１５７８１２号「窒化物半導体レーザ素子」拒絶査定に対する審判事件［平成１０年　１月１６日出願公開、特開平１０−　１２９６９］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成８年６月１９日の出願であって、その請求項１ないし４に係る発明は、平成１２年１０月３０日付けで補正された明細書の特許請求の範囲に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「インジウムを含む窒化物半導体よりなる井戸層と、井戸層よりもバンドギャップが大きい窒化物半導体よりなる障壁層とが積層されてなる多重量子井戸構造の活性層を有する窒化物半導体レーザ素子において、
　前記活性層の１つの井戸層においてＩｎ組成の多い領域とＩｎ組成の少ない領域とを有し、かつ前記井戸層中にｎ型不純物及びｐ型不純物のうちの少なくとも一方がドープされていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。」
　
２．引用刊行物
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用されたAppl.Phys.Lett.68 [23] (1996年6月3日) p.3269-3271（以下、「刊行物１」という。）には、次の記載がある。
「The InGaN MQW LD device(Fig.1) consisted of …,10 periods of a In0.2Ga0.8N/In0.05Ga0.95N MQW structure consisting of 25-Å-thick In0.2Ga0.8N well layers and 50-Å-thick In0.05Ga0.95N barrier layers,…」（３２６９頁右欄第９〜１６行）
「Figure 3 shows optical spectra of one of the InGaN MQW LDs.….At injection currents below the threshold, spontaneous emission… was observed, as shown in Fig.3(a). The 20-nm-wide  linewidth of the spontaneous emission before lasing is relatively broad, probably due to the In composition fluctuation, the rough interface of InGaN layers, or the strain between well and barrier layers. Above the threshold current, strong stimulated emissions were observed. Two sharp stimulated emissions at 418.9 and 419.6 nm with a FWHM of 0.05 nm became dominant at a current of 320 mA, as shown in Fig.3(b). At a current above 390 mA, many longitudinal-mode emissions with a narrow spectrum width were observed, as shown in Figs.3(c) and 3(d).」（３２７０頁左欄第２４〜４０行）
　
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された特開平０７−２９７４９４号公報（以下、「刊行物２」という。）には、次の記載がある。
「【０００１】【産業上の利用分野】本発明は、可視単波長、特に、青色領域から紫色領域まで、及び紫外光領域で発光可能な半導体レーザダイオードに関し、特に、発振しきい値電流の低下を図ったレーザに関する。
 【０００２】【従来技術】従来、特開平4-242985号公報に記載のレーザダイオードが提案されている。そのレーザダイオードは、窒化ガリウム系化合物半導体((AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,0≦y≦1)により作製されており、活性層には不純物の無添加の層が用いられている。
 【０００３】【発明が解決しようとする課題】このため、バンド間の発光効率が悪く、レーザ発振のしきい値電流が高いという問題がある。
 【０００４】本発明は、上記の課題を解決するために成されたものであり、その目的とするところは、レーザ発振のしきい値電流を低下させることである。
 【０００５】【課題を解決するための手段】上記問題を解決するための発明の構成は、活性層をその禁制帯幅よりも大きな禁制帯幅を有する層で挟んだダブルヘテロ接合構造の窒化ガリウム系化合物半導体（(AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,0≦y≦1)から成るレーザダイオードにおいて、活性層を、Siが添加されたｎ型伝導性を示す窒化ガリウム系化合物半導体((AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,0≦y≦1)で形成したことを特徴とする。
 【０００６】【作用及び効果】活性層を、Siが添加されたｎ型伝導性を示す窒化ガリウム系化合物半導体((AlxGa1-x)yIn1-yN:0≦x≦1,0≦y≦1)で形成したので、活性層の発光効率を向上させることができ、発振のしきい値電流を低下させることができた。」
　
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された特開平０８−０６４９０９号公報（以下、「刊行物３」という。）には、次の記載がある。
「【０００１】【産業上の利用分野】本発明は、光通信、光情報処理分野などに用いられる半導体レーザに関するものである。
 【０００２】【従来の技術】以下に従来の半導体レーザについて、図面を参照しながら説明する。
 【０００３】図３は、代表的な分離閉じ込め型多重量子井戸(SCH-MQW)レーザのエネルギーバンド図を示したものである。図３に示すように、この半導体レーザは、井戸層１とバリア層２とからなる多重量子井戸３を光ガイド層４で挟み、さらにクラッド層５で挟みこんだ構造となっている。そして、この場合、レーザ発振は伝導帯の最低のサブバンドレベルと価電子帯の最高のサブバンドレベル間の光遷移により発生する。
 【０００４】【発明が解決しようとする課題】しかし、半導体レーザのしきい値電流は、キャリアである電子、正孔の反転分布の起こりやすさで決まり、しきい値電流は伝導帯、価電子帯の状態密度に大きく左右される。すなわち、伝導帯、価電子帯の状態密度が大きくなると、しきい値電流も大きくなる。
 【０００５】ここで一般にバンドギャップの大きい材料においては、価電子帯の状態密度が大きいため、しきい値電流を下げることは特に困難であった。
 【０００６】またレーザの発振波長についても、この発振波長は量子井戸の構造や活性層の材料で決まってしまうため、量子井戸の構造が一旦決定されてしまうと、発振波長を制御することは困難であった。従って、バンドギャップより小さい波長の光を得ることできない。
 【０００７】本発明はかかる点を鑑み、低しきい値電流動作が可能で、消費電力の低減および長寿命化が図れ、発振波長の制御が容易な半導体レーザを提供することを目的とする。
 【０００８】【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため、本発明に係る半導体レーザは、活性層内に量子井戸構造を用いた半導体レーザであって、井戸層のバンドギャップ内に不純物準位を引き起こす不純物が井戸層内に添加され、不純物準位による利得スペクトルがエキシトン吸収の位置まで伸びる濃度のキャリアが注入され、不純物準位と価電子帯または伝導帯との遷移による光利得によりレーザ発振を起こす構成を有している。
 【０００９】【作用】上記の構成によれば、量子井戸層にそのバンドギャップ内に不純物準位を引き起こす不純物を添加し、価電子帯または伝導帯と前記不純物準位との遷移による光利得によってレーザ発振を起こさせるため、不純物準位の状態密度は、ディスクリート的で連続的な価電子帯または伝導帯の状態密度に比べて小さく、またその量は、不純物の添加量によって制御でき、その結果、低しきい値電流動作が可能となり、半導体レーザ装置の消費電力を低減することができると共に、発熱量を抑えて装置の長寿命化を図ることができる。また、不純物準位がバンドギャップ内にあるため、バンド端発光よりも長波長の光を得ることができる。」
 
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された特開平０６−２６８２５７号公報（以下、「刊行物４」という。）には、次の記載がある。
「【０００５】【課題を解決するための手段】…本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層と、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に、X値の異なるＩｎXＧａ1-XＮ（但し、Xは０＜X＜１）層が交互に積層された多層膜層を発光層として具備する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって、前記多層膜層を構成するＩｎXＧａ1-XＮ層の各膜厚は５オングストローム〜５０オングストロームの範囲であることを特徴とする。
 【０００６】本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層には、…。
 【０００７】また、ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層には…。
 【０００８】ＩｎXＧａ1-XＮ層は、X値の異なるＩｎXＧａ1-XＮ（但し、Xは０＜X＜１）層を交互に積層した多層膜層構造とし、…。さらに、ＩｎXＧａ1-XＮ層にｎ型ドーパント、ｐ型ドーパントをドープして成長させてもよいことはいうまでもない。」
　
３．本願発明と刊行物１に記載された発明との対比
　本願発明と刊行物１に記載された発明を比較するに、刊行物１の「25-Å-thick In0.2Ga0.8N well layers」及び「 50-Å-thick In0.05Ga0.95N barrier layers」がそれぞれ、本願発明の「インジウムを含む窒化物半導体よりなる井戸層」及び「井戸層よりもバンドギャップが大きい窒化物半導体よりなる障壁層」に相当しており、刊行物１の「InGaN MQW LD device」が「多重量子井戸構造の活性層を有する窒化物半導体レーザ素子」であることは、明らかである。
　また、刊行物１の窒化物半導体レーザ素子の発光スペクトルは、そのFig.3(a)〜Fig.3(d)に示されるように、本願図面の図３と同様、電流値を上げると主発光の他に、強度の大きな発光ピークが１ｍｅＶ〜１００ｍｅＶの間隔で不規則に出現しており、これは、本願明細書第１７段落に記載されるように、本願発明と同様「単一井戸層内において、Ｉｎ組成の大きい領域と、少ない領域とができるため」と考えられ、また、刊行物１には「the In composition fluctuation」とＩｎ組成の不均一についての記載もされていることから、刊行物１に記載の窒化物半導体レーザ素子も、活性層の１つの井戸層においてＩｎ組成の多い領域とＩｎ組成の少ない領域とを有しているものと認められる。
　上記のことから、本願発明と刊行物１に記載された発明は、ともに
「インジウムを含む窒化物半導体よりなる井戸層と、井戸層よりもバンドギャップが大きい窒化物半導体よりなる障壁層とが積層されてなる多重量子井戸構造の活性層を有する窒化物半導体レーザ素子において、
　前記活性層の１つの井戸層においてＩｎ組成の多い領域とＩｎ組成の少ない領域とを有している窒化物半導体レーザ素子。」の発明である点で一致する。
　一方、本願発明では、前記井戸層中にｎ型不純物及びｐ型不純物のうちの少なくとも一方がドープされているのに対し、刊行物１に記載のものは、このようなドープがなされていない点で相違する。
　
４．相違点についての判断
　この相違点について判断するに、上記刊行物２ないし４に記載されているように、窒化物半導体レーザ素子の活性層にｎ型、ｐ型不純物をドープすることは、本願出願当時において知られているところであるから、刊行物１に記載された窒化物半導体レーザ素子においても、その活性層である井戸層中にｎ型不純物及びｐ型不純物のうちの少なくとも一方をドープするようになすことは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　また、本願発明が奏するとする効果も、その内容は、その実施例１、実施例２及び実施例３についてそれぞれ、本願明細書に「【００４０】…活性層に不純物をドープしていないレーザ素子に比較して、閾値電流は５０％低下し、出力は３０％向上した。」、「【００４１】［実施例２］…活性層に不純物をドープしていないレーザ素子に比較して、閾値電流は２５％低下し、出力は１０％向上した。」及び「【００４２】［実施例３］…活性層に不純物をドープしていないレーザ素子に比較して、閾値電流は６０％低下し、出力は３５％向上した。」と記載されているように、活性層に不純物をドープしていないレーザ素子に比較して、閾値電流が低下し、出力が向上するというものであって、これらの効果は、不純物ドープによるしきい値電流の低下についての前記刊行物２や刊行物３の記載からして、当業者が予測可能な範囲内のものであって、格別のものとはいえない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、刊行物１に記載された発明に刊行物２ないし４に記載された技術を適用することにより当業者が容易に発明できたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。