【事件の表示】
　特願２０１１−２８４４３２「発光装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　７月　８日出願公開、特開２０１３−１３５０８３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２３年１２月２６日の出願であって、平成２６年４月１０日付けで拒絶理由が通知され、同年６月１０日に手続補正がなされたが、同年８月１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１１月４日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正がなされ、平成２７年７月７日に上申書が提出されたものであって、上記平成２６年１１月４日付け手続補正は、請求項の削除を目的とするものと認められるところであり、その各請求項に係る発明は、それぞれ、上記平成２６年１１月４日付け手続補正書の請求項１ないし１２に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）については、次のとおりである。
　
「同一色域内の第１及び第２の光を発する第１及び第２の発光素子を、共通のパッケージに搭載した発光装置であって、
　前記第１の発光素子が発する前記第１の光は、前記第１及び第２の光のピーク波長の平均値に所定の偏差を加減して定められる、ピーク波長の規格範囲より大なるピーク波長を有し、
　前記第２の発光素子が発する前記第２の光は、前記ピーク波長の規格範囲より小なるピーク波長を有し、
　前記第１の発光素子は、前記第１及び第２の発光素子の閾値電圧の平均値に所定の偏差を加減して定められる、閾値電圧の規格範囲より大なる閾値電圧を有し、
　前記第２の発光素子は、前記閾値電圧の規格範囲より小なる閾値電圧を有し、
　前記ピーク波長の規格範囲を定める前記偏差は、１．２５ｎｍ以上、７．５ｎｍ以下であり、
　前記閾値電圧の規格範囲を定める前記偏差は、０．０５Ｖ以上、０．２５Ｖ以下である発光装置。」
　　
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶理由に引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００２−１７０９９９号公報（以下「引用例」という。）には、図とともに次の記載がある（下線は、当審による。）。
　
　ア　「【請求項１】  可視光が発光可能な半導体発光素子と、該半導体発光素子からの発光を吸収しこの発光よりも長波長の可視光を発光する蛍光体とを有する発光装置であって、
前記半導体発光素子は少なくとも
同色系が発光可能な半導体発光素子を２個
有する
同色系の半導体発光素子を一定の波長範囲ごとに分類した複数の発光波長域のうち、主発光波長が第１の発光波長域内である半導体発光素子群から選択された第１の半導体発光素子と、前記第１の発光波長域よりも主発光波長が長波長側にある第２の発光波長域内の半導体発光素子群から選択された第２の半導体発光素子
発光装置
　
　イ　「【００１４】具体的一例としては、ＳｉＣ基板上に窒化ガリウムを形成させた
青色が発光可能な半導体発光素子として主発光波長が４６１ｎｍから４８２ｎｍ内にあるものを利用する
主発光波長が４６１ｎｍ以上４６８ｎｍ未満の発光波長域内にあるＬＥＤチップ群Ａ
主発光波長が４７５ｎｍ以上４８２ｎｍ以下の発光波長域内にあるＬＥＤチップ群Ｂ
　
　ウ　「【００１８】また、２個のＬＥＤチップを共にＬＥＤチップ群Ｃのみから選択して発光ダイオードを形成させる代わりに、
ＬＥＤチップ群Ａから１個のＬＥＤチップ（201）と、ＬＥＤチップ群Ｂから１個のＬＥＤチップ（211）とを選択
　
　エ　「【００２３】
なお、本発明では主発光波長だけを取り上げて説明したが、場合によっては発光波長域の分類だけでない。形成させた半導体発光素子はＶｆ、温度特性、など様々な特性に分布を持っている。このような分布を分類し、分類されたものから選択して取り出し、再び組み合わせることで特性の安定した半導体発光素子とすることもできる
　
　オ　「【００４４】形成された半導体発光素子が発光スペクトルにおいて概ね正規分布をとる場合、主として最も数の多い発光スペクトルを境として第１の発光波長域と、第２の発光波長域に分けてある。具体的には発光波長分別機を用いて、
発光波長域を４６１ｎｍから４７０ｎｍを第１の発光波長域
４７１ｎｍから４８０ｎｍを第２の発光波長域
【００４５】あらかじめ分別させた
第１の発光波長域から第１のＬＥＤチップ301を選択させてパッケージ305開口部の底面上にエポキシ樹脂によってダイボンドさせる
第２の発光波長域から第２のＬＥＤチップ311を選択させてパッケージ305開口部の底面上にエポキシ樹脂によってダイボンドさせる
　
　上記ア及び上記オの【００４５】によれば、引用例には、
「一定の波長範囲ごとに分類した複数の発光波長域のうち、主発光波長が第１の発光波長域内である半導体発光素子群から選択された第１の半導体発光素子と、前記第１の発光波長域よりも主発光波長が長波長側にある第２の発光波長域内の半導体発光素子群から選択された第２の半導体発光素子の同色系が発光可能な２個の半導体発光素子を同じパッケージに有する発光装置。」（以下「引用発明」という。）
が記載されているものと認められる。
　　　　　
３．対比
　本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明でいう「主発光波長」は、本願発明の「ピーク波長」に相当するものと認められ、本願発明において、第１の発光素子が発する第１の光のピーク波長は、第２の発光素子が発する第２の光のピーク波長より大きいと認められるから、引用発明の「第１の発光波長域よりも主発光波長が長波長側にある第２の発光波長域内の半導体発光素子群から選択された第２の半導体発光素子」が本願発明の「第１の発光素子」に相当し、また、引用発明の「主発光波長が第１の発光波長域内である半導体発光素子群から選択された第１の半導体発光素子」が本願発明の「第２の発光素子」に相当するものと認められる。
　そして、引用発明の「（第２の半導体発光素子と第１の半導体発光素子の）２個の半導体発光素子」は、「同色系が発光可能」なものであるから、本願発明の「同一色域内の第１及び第２の光を発する第１及び第２の発光素子」に相当する。
　また、引用発明は、「（第２の半導体発光素子と第１の半導体発光素子の）２個の半導体発光素子を同じパッケージに有する発光装置」であるから、本願発明と同様に「第１及び第２の発光素子を、共通のパッケージに搭載した発光装置」といえる。
　
（２）一致点
　したがって、両者は、
「同一色域内の第１及び第２の光を発する第１及び第２の発光素子を、共通のパッケージに搭載した発光装置。」の点で一致する。
　
（３）相違点
　一方、両者は、次のａ及びｂの点で相違する。
ａ．本願発明は、「前記第１の発光素子が発する前記第１の光は、前記第１及び第２の光のピーク波長の平均値に所定の偏差を加減して定められる、ピーク波長の規格範囲より大なるピーク波長を有し、
　前記第２の発光素子が発する前記第２の光は、前記ピーク波長の規格範囲より小なるピーク波長を有し」、
「前記ピーク波長の規格範囲を定める前記偏差は、１．２５ｎｍ以上、７．５ｎｍ以下であり」とされるものであるのに対し、引用発明がこのようなものであるか不明な点。
ｂ．本願発明は、「前記第１の発光素子は、前記第１及び第２の発光素子の閾値電圧の平均値に所定の偏差を加減して定められる、閾値電圧の規格範囲より大なる閾値電圧を有し、
　前記第２の発光素子は、前記閾値電圧の規格範囲より小なる閾値電圧を有し」、
「前記閾値電圧の規格範囲を定める前記偏差は、０．０５Ｖ以上、０．２５Ｖ以下である」とされるものであるのに対し、引用発明がこのようなものであるか不明な点。
　　　
４．判断
　上記各相違点につき検討する。
（１）相違点ａについて
　上記相違点ａに係る本願発明の「前記第１及び第２の光のピーク波長の平均値に所定の偏差を加減して定められる、ピーク波長の規格範囲」との事項、また、「第１の光が規格範囲より大なるピーク波長を有し、第２の光が規格範囲より小なるピーク波長を有する」との事項に関し、これを直接的に説明するこれ以上の記載は本願明細書にないが、本願明細書には、関連する次の記載がある。
　ア　「【００２５】
  また、発光素子３ａ、３ｂは、発する光のピーク波長の偏差の最大値が１．２５ｎｍ以上であるという条件（以下、第１の条件と称する）と、閾値電圧の偏差の最大値が０．０５Ｖ以上であるという条件（以下、第２の条件と称する）の、少なくともいずれか一方を満たす。ここで、偏差とは、個々の値の平均値との差をいう。」
　イ　「【００２６】
  発光素子３ａ、３ｂの発する光のピーク波長の偏差の最大値が１．２５ｎｍ以上である場合は、発光素子３ａと発光素子３ｂを各々単独でパッケージに搭載したときには、２つのパッケージに発光波長の違いが生じるおそれがあるが、本実施の形態のように、発光素子３ａと発光素子３ｂを１つのパッケージで組み合わせて用いることにより、発光素子３ａと発光素子３ｂの発光波長を平均化し、所望の波長の光を発する発光装置１を得ることができる。」
　ウ　「【００２９】
  なお、発光素子３ａ、３ｂの発する光のピーク波長の偏差の最大値が大きすぎると、発光装置１の発光スペクトル幅が広がり、出射光に色むらが生じてしまうため、７．５ｎｍ以下であることが好ましい。」
　エ　「【００３４】
  以下に、一例として、ピーク波長及び閾値電圧がそれぞれ４５５．０ｎｍ（青色光）及び６．０Ｖである発光装置１を製造する場合について述べる。
　【００３５】
  上記第１の条件を満たす場合は、発光素子３ａ、３ｂの発する光のピーク波長は、例えば、それぞれ４５２．５ｎｍ（青色光）及び４５７．５ｎｍ（青色光）であり、これらの平均値である４５５．０ｎｍが発光装置１の発する光のピーク波長となる。この場合、発光素子３ａ、３ｂの発する光のピーク波長の平均値は４５５．０ｎｍであり、偏差の最大値は２．５ｎｍである。」
　
　上記アの「偏差とは、個々の値の平均値との差をいう」との記載、上記イの「１．２５ｎｍ以上」の偏差のものを用いるとの記載、上記ウの「（偏差は）７．５ｎｍ以下であることが好ましい」の記載、及び、上記エの実施例の記載によれば、上記相違点ａに係る事項の意味するところは、「第１の光のピーク波長」と「第１及び第２の光のピーク波長の平均値」の差である偏差及び「第１及び第２の光のピーク波長の平均値」と「第２の光のピーク波長」の差である偏差が、１．２５ｎｍ以上、７．５ｎｍ以下であるということであると認められる。
　さらにいえば、要するに、「第１の光のピーク波長」と「第２の光のピーク波長」の差が、偏差の２倍である２．５ｎｍ以上、１５ｎｍ以下ということに外ならない。
　ここで、引用発明についてみると、引用例には、引用発明の「第１の半導体発光素子」及び「第２の半導体発光素子」の主発光波長が属する「第１の発光波長域」及び「第２の発光波長域」について、次の記載がある。
　まず、上記２．ウの「ＬＥＤチップ群Ａから１個のＬＥＤチップ（201）と、ＬＥＤチップ群Ｂから１個のＬＥＤチップ（211）とを選択」の記載によれば、それぞれにつき、上記２．イの「４６１ｎｍ以上４６８ｎｍ未満の発光波長域」と「４７５ｎｍ以上４８２ｎｍ以下の発光波長域」が記載されているものと認められるところであり、これらの波長域から「第１の半導体発光素子」及び「第２の半導体発光素子」をそれぞれ選んだ場合、それらの主発光波長の差は、第２の発光波長域の下限と第１の発光波長域の上限との差である７ｎｍより当然に大きいところ、その差が１５ｎｍ以下のものを選択することに何らの困難性も認められない。
　また、引用例には、上記２．オに「４６１ｎｍから４７０ｎｍを第１の発光波長域」、「４７１ｎｍから４８０ｎｍを第２の発光波長域」とすることが記載されており、このような発光波長域に属する２つの半導体発光素子を選択する場合に、その主発光波長の差が、２．５ｎｍ以上、１５ｎｍ以下の範囲内のものを選択することに何らの困難性も認められない。
　したがって、上記相違点ａに係る本願発明の発明特定事項とすることは、引用例に記載される「第１の発光波長域」及び「第２の発光波長域」にそれぞれの主発光波長が属する「第１の半導体発光素子」及び「第２の半導体発光素子」を適宜採用することにより、当業者が容易になし得ることである。
　
（２）相違点ｂについて
　上記相違点ｂに係る本願発明の発明特定事項についても、上記相違点ａに係る発明特定事項と同様であり、その意味するところは、要するに、第１の発光素子の閾値電圧と第２の発光素子の閾値電圧の差が、（偏差の２倍である）０．１Ｖ以上、０．５Ｖ以下ということに外ならない。
　ここで、引用例には、上記２．エのごとく、「なお、本発明では主発光波長だけを取り上げて説明したが、場合によっては発光波長域の分類だけでない。形成させた半導体発光素子はＶｆ、温度特性、など様々な特性に分布を持っている。このような分布を分類し、分類されたものから選択して取り出し、再び組み合わせることで特性の安定した半導体発光素子とすることもできる。」と記載されているところであり、半導体発光素子の特性である閾値電圧に関し、閾値電圧の大なるものと小なるものを組み合わせるようにすることも引用例には実質的に記載されているものと認められるところであり、それらの閾値電圧の差として、０．１Ｖ以上、０．５Ｖ以下のものを採用することに格別の困難性は認められない。
　また、その際、引用発明における「第１の半導体発光素子」と「第２の半導体発光素子」のいずれを閾値電圧の大なるものとするかについても単なる設計事項にすぎず、本願発明のごとくすることに困難性は認められないし、そのことによる格別の効果の差も認められない（本願発明において、ピーク波長の大なる第１の発光素子の閾値電圧を第２の発光素子の閾値電圧より大きいとしているが、このことに関する技術的意義の説明は、本願明細書に記載されていない。）。
　
５．むすび
　以上のとおりであって、本願発明は、引用例に記載された発明及び引用例の記載に基づいて当業者が容易に発明できたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。