(57)【要約】【課題】  マザー基板から分離することで個々の電子部品を製造する場合に、より不良品率を低くすることができる電子部品の製造方法を提供すること。【解決手段】  この製造方法は、素子が所定平面に沿って複数形成されているマザー基板を準備する基板準備工程Ｓ０１と、マザー基板の主面から切り込みを入れて、主面と対向する裏面には至らないように少なくとも一対の溝を形成する切り込み工程Ｓ０２と、溝を形成した部分に主面側からマスクスパッタ法により電極を形成する電極形成工程Ｓ０３と、当該電極を形成したマザー基板を素子ごとに切り離して電子部品を得る分割工程Ｓ０５と、を含む。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子に外部電極が形成されている電子部品の製造方法であって、
前記素子が所定平面に沿って複数形成されているマザー基板を準備する基板準備工程と、
前記マザー基板の主面から切り込みを入れて、前記主面と対向する裏面には至らないように少なくとも一対の溝を形成する切り込み工程と、
前記溝を形成した部分に前記主面側からマスクスパッタ法により電極を形成する電極形成工程と、
当該電極を形成したマザー基板を前記素子ごとに切り離して前記電子部品を得る分割工程と、
を含む電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記電極が形成されたマザー基板に、バレルめっきを施すめっき工程を更に含む、請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記マザー基板を切り離して得た前記電子部品に、バレルめっきを施すめっき工程を更に含む、請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
一つの前記素子に対して複数対の前記電極を形成する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記溝は前記主面から前記裏面に向けて徐々に狭まるように形成されている、請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品の製造方法として、下記特許文献１に記載の製造方法が知られている。下記特許文献１に記載の製造方法は、電子素子を一単位ずつ縦横方向に形成したマザー基板を製作し、このマザー基板に一単位の電子素子の両端部に沿ったスリットを形成する。続いて、スリット部分に外部電極を形成し、マザー基板をスリットとは直交する方向に切断し、一単位ずつの電子素子に分離している。
【特許文献１】特開平７−２４５２２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
上記特許文献１に記載されている製造方法によって電子部品を得ようとすると、個々の電子部品に分離する際にずれが生じ、不良品が発生する場合がある。この原因について検討すると、マザー基板の反りやねじれの発生が原因として考えられる。具体的には、マザー基板にスリットを形成しているために、電子素子が形成されている部分の剛性が不足し、反りやねじれが発生しているものと考えられる。
【０００４】
この現象に対して、反りやねじれに対応して切断位置を調整し、個々の電子部品に分離することも考えられるけれども、実際にどの程度の反りやねじれが発生しているかを把握し難く現実的ではない。
【０００５】
そこで本発明では、マザー基板から分離することで個々の電子部品を製造する場合に、より不良品率を低くすることができる電子部品の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る電子部品の製造方法は、素子に外部電極が形成されている電子部品の製造方法であって、素子が所定平面に沿って複数形成されているマザー基板を準備する基板準備工程と、マザー基板の主面から切り込みを入れて、主面と対向する裏面には至らないように少なくとも一対の溝を形成する切り込み工程と、溝を形成した部分に主面側からマスクスパッタ法により電極を形成する電極形成工程と、当該電極を形成したマザー基板を素子ごとに切り離して電子部品を得る分割工程と、を含む。
【０００７】
本発明によれば、マザー基板の主面に入れる切り込みを裏面には至らないように形成するので、マザー基板全体の剛性を確保することができ、マザー基板の反りやねじれといった変形を実質的に防止できる。従って、マザー基板に形成された素子それぞれの相対的な位置関係の変化を実質的に生じさせないので、マザー基板から分離する個々の電子部品の不良品率を低減することができる。また、マスクスパッタと基板の切り込みを利用することにより精度が格段に向上する。
【０００８】
また本発明に係る製造方法では、電極が形成されたマザー基板に、バレルめっきを施すめっき工程を更に含むことも好ましい。マザー基板の状態でバレルめっきを施すので、素子同士が不規則に付着してめっきむらが発生することを抑制できる。
【０００９】
また本発明に係る製造方法では、マザー基板を切り離して得た電子部品に、バレルめっきを施すめっき工程を更に含むことも好ましい。マザー基板を切り離した後の電子部品にバレルめっきを施すので、外表面全体に渡ってめっきを施すことができる。
【００１０】
また本発明に係る製造方法では、一つの素子に対して複数対の電極を形成することも好ましい。一つの素子に対して複数対の電極を形成するので、例えばその素子から得られる電子部品に他の電子部品を実装するためのランドを任意の場所に容易に形成することができる。
【００１１】
また本発明に係る製造方法では、溝は主面から裏面に向けて徐々に狭まるように形成されていることも好ましい。溝が主面から裏面に向けて徐々に狭まり、溝の奥側に対して開口側が広がっているので、溝の側面への電極の形成が容易になる。また、溝の開口側が広がっているので、溝内を洗浄するのが容易になる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、マスクスパッタと基板の切り込みを利用するため、マザー基板に形成された素子それぞれの相対的な位置関係の変化を実質的に生じさせないので、マザー基板から分離する個々の電子部品の不良品率を格段に低減することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の知見は、例示のみのために示された添付図面を参照して以下の詳細な記述を考慮することによって容易に理解することができる。引き続いて、添付図面を参照しながら本発明の実施の形態を説明する。可能な場合には、同一の部分には同一の符号を付して、重複する説明を省略する。
【００１４】
本発明の実施形態に係る電子部品の製造方法について図１を参照しながら説明する。図１に示すように、本実施形態の製造方法は、素子に外部電極が形成されている電子部品の製造方法であって、基板準備工程Ｓ０１と、切り込み工程Ｓ０２と、電極形成工程Ｓ０３と、めっき工程Ｓ０４と、分割工程Ｓ０５とを備えている。
【００１５】
基板準備工程Ｓ０１は、素子が所定平面に沿って複数形成されているマザー基板を準備する工程である。この工程において準備されるマザー基板は、絶縁体層又は導体層となるグリーンシートを積層し、焼成することで得ることができる。
【００１６】
マザー基板の製造方法の一例について説明する。まず、絶縁体層となるグリーンシートを用意する。グリーンシートは、例えば、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｎＯ及びＣｕＯの混合粉を原料としたスラリーをフィルム上にドクターブレード法により塗布して形成され、その厚さは、例えば、２０μｍ程度に設定される。なお、Ｆｅ２Ｏ３、ＺｎＯ及びＣｕＯの混合粉の代わりに、誘電体材料（ＴｉＯ２、ＣｕＯ、ＮｉＯ及びＭｎＣＯの混合粉等）や、酸化物セラミック材料（Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２、フォルステライト、ステアタイト、コージライト等）を用いてもよく、これらの混合粉を用いてもよい。
【００１７】
続いて、絶縁体層となる各グリーンシートの所定の位置に、レーザー加工等によってスルーホールを形成する。続いて、絶縁体層となる各グリーンシートに、導体パターンを形成する。各導体パターンは、例えば、銀若しくはニッケルを主成分とする導体ペーストをスクリーン印刷した後、乾燥することによって形成される。各スルーホールには、各導体パターンを形成する際に、導体ペーストが充填されることとなる。続いて、絶縁体層となる各グリーンシートを順次積層して圧着し、所定温度（例えば、８００〜９４０度）にて焼成する。これにより、マザー基板が形成されることとなる。
【００１８】
切り込み工程Ｓ０２は、マザー基板の主面から切り込みを入れて、主面と対向する裏面には至らないように少なくとも一対の溝を形成する工程である。この工程について、図２を参照しながら説明する。図２に示すように、マザー基板Ｍには５行６列３０個分の素子が形成されており、それぞれの素子間に切り込み線Ｌｘ，Ｌｙが設定されている。この切り込み線Ｌｘ，Ｌｙに沿って、ブレードＢを用いて溝を形成する。
【００１９】
溝を形成した後のマザー基板Ｍを図３に示す。図３に示すように、マザー基板Ｍには、切り込み線Ｌｘに沿った溝Ｇｘと、切り込み線Ｌｙに沿った溝Ｇｙとが形成される。溝Ｇｘ及び溝Ｇｙによって区切られた各部分が素子Ｅとなる。
【００２０】
図１に戻り、電極形成工程Ｓ０３は、溝を形成した部分に主面側からマスクスパッタ法により電極を形成する工程である。この工程について、図４を参照しながら説明する。図４に示すように、マザー基板Ｍに対応したマスク１０を準備する。マスク１０には、マザー基板の溝Ｇｙに対応したスリット１０１が形成されている。マスク１０の溝Ｇｙに沿った辺は、マザー基板Ｍの対応する辺よりも長くなるように設定されている。マスク１０に形成されている溝１０１も、マザー基板Ｍの対応する辺よりも長くなるように設定されている。一方、マスク１０の溝Ｇｘに沿った辺は、素子Ｅに形成する電極の長さ分だけマザー基板の対応する辺よりも短くなるように設定されている。また、マスクスパッタであるため、マザー基板Ｍの表面だけでなく、溝Ｇｙの側壁にも電極が形成され、結果として図６に示すように、Ｌ型の端子電極５２（外部電極）を形成することができる。スパッタ以外の方法では、精度が不十分で不良率の低減は期待できない。
【００２１】
電極を形成した後のマザー基板Ｍを図５に示す。図５に示すように、マザー基板Ｍの各素子Ｅの対向する一対の辺に沿って電極ＥＬが形成される。
【００２２】
一旦スパッタによる電極が精度良く形成されれば、その上にバレルめっきを施すことが好ましい。めっき工程Ｓ０４は、電極ＥＬが形成されたマザー基板Ｍにバレルめっきを施す工程である。バレルめっきは、めっき溶液が貯留されためっき浴槽内にバレルおよびアノード極が配置された構造を有するバレルめっき装置（図示しない）を用いる。
【００２３】
バレルは、例えば中心部に回転支軸を有する概略六角形の筒状に形成されており、めっき浴槽内に横向きに配置されている。このバレルの回転支軸はめっき浴槽を貫通して回転自在に支持されており、この回転支軸がモータにより回転駆動されることにより、めっき浴槽内に横向きに配置されたバレルがめっき溶液中で回転するように構成されている。
【００２４】
このようなバレル内には、カソード極を構成するカソードバー（例えばステンレス鋼（ＳＵＳ）製または銅（Ｃｕ）製のバー）が挿入されていると共に、めっき対象物であるマザー基板が多数のダミーメディアと共に収容されている。
【００２５】
このバレルめっき方法では、バレルを回転支軸廻りに回転させると、バレル内に収容されたマザー基板が多数のダミーメディア７共にめっき溶液で攪拌される。そして、アノード極とカソード極のカソードバーとの間に電流を流すと、マザー基板が多数のダミーメディアを介してカソード極のカソードバーに導通される。
【００２６】
その結果、アノード極のバスケットに収容されたニッケル球からめっき溶液中に溶解したニッケルイオンがマザー基板の表面で還元作用を受けるようになり、マザー基板の表面に均一な肉厚でニッケル（Ｎｉ）皮膜が形成され、こうしてマザー基板の表面が均一にニッケル（Ｎｉ）めっきされる。
【００２７】
尚、めっき工程Ｓ０４は、分割工程Ｓ０５の後に行ってもよい。この場合、マザー基板Ｍを切り離して得た電子部品にバレルめっきを施すことになる。バレルめっき皮膜は、スパッタ電極を厚く盛り、信頼性、はんだ強度を向上させる。
【００２８】
分割工程Ｓ０５は、電極を形成したマザー基板を素子ごとに切り離して電子部品を得る工程である。図５に示すマザー基板Ｍにおいて、電極ＥＬが形成されている主面とは反対側の面から削り込み、溝Ｇｘ及び溝Ｇｙの底部分まで削り込むことで素子ごとに切り離す。
【００２９】
上述した製造方法によって得られる電子部品を図６に示す。図６に示す電子部品５は、素子５１と、素子５１の互いに対向する一対の辺に形成された端子電極５２（外部電極）とを有している。
【００３０】
図６に示すような電子部品５を得るためには、上述した切り込み工程Ｓ０２で用いられるブレードとしては、図７に示すようなブレードＢ１が用いられる。ブレードＢ１は、歯の断面が矩形をなしている。
【００３１】
切り込み工程Ｓ０２で用いられるブレードは、図７に示すブレードＢ１に限られない。例えば、図８に示すようなブレードＢ２を用いてもよい。ブレードＢ２は、その外周部分に尖った部分Ｂ２１を有している。このブレードＢ２を用いると、各素子Ｅ８間の溝Ｇ８は、主面から裏面に向けて徐々に狭まるように形成される。図９に、この素子Ｅ８を用いて得られる電子部品９を示す。電子部品９は、素子９１と、素子９１の面積が狭い方の面の対向する辺に形成された端子電極９２（外部電極）とを有している。
【００３２】
図８に示すような溝Ｇ８を形成すると、溝Ｇ８の洗浄が容易になる。また、スパッタリングをした場合、溝Ｇ８の側壁への導電性材料の付着性が向上するので、端子電極９２の厚みが均一になる。
【００３３】
切り込み工程Ｓ０２で用いられるブレードの別例を図１０に示す。図１０に示すブレードＢ３は、その外周部分に断面台形状の部分Ｂ３１を有している。従って、ブレードＢ３の外周には平面部分Ｂ３２が形成されている。このブレードＢ３を用いると、各素子Ｅ９間の溝Ｇ９は、主面から裏面に向けて徐々に狭まるように形成され、底は平坦な形状となる。
【００３４】
図１０に示すような溝Ｇ９を形成すると、溝９の洗浄が容易になる。また、スパッタリングをした場合、溝Ｇ９の側壁への導電性材料の付着性が向上するので、端子電極の厚みが均一になる。
【００３５】
切り込み工程Ｓ０２で用いられるブレードの別例を図１１に示す。図１１に示すブレードＢ４は、その外周部分に断面台形状の部分Ｂ４１と、その外側に断面矩形状の部分Ｂ４２とを有している。従って、ブレードＢ４の外周には平面部分Ｂ４３が形成されている。このブレードＢ４を用いると、各素子Ｅ１０間の溝Ｇ１０は、主面から裏面に向けて徐々に狭まるように形成され、途中から同じ幅の部分が形成され、底は平坦な形状となる。
【００３６】
図１１に示すような溝Ｇ１０を形成すると、溝Ｇ１０の洗浄が容易になる。また、スパッタリングをした場合、溝Ｇ１０の側壁への導電性材料の付着性が向上するので、端子電極の厚みが均一になる。
【００３７】
また、図１０及び図１１にブレードＢ３，Ｂ４の先端を円形状にし、図１２の（ａ），（ｂ）にそれぞれ示すようなブレードＳＢ３，ＳＢ４としてもよい。ブレードＳＢ３は、その外周部分に断面台形状の部分ＳＢ３１を有している。また、ブレードＳＢ３の外周には円形部分ＳＢ３２が形成されている。ブレードＳＢ４は、その外周部分に断面台形状の部分ＳＢ４１と、その外側に断面矩形状の部分ＳＢ４２とを有している。また、ブレードＳＢ４の外周には円形部分ＳＢ４３が形成されている。
【００３８】
切り込み工程Ｓ０２で用いられるブレードの別例を図１３に示す。図１３に示すブレードＢ５は、その外周部分に先端が尖った形状の部分Ｂ５１が形成されている。先端が尖った形状の部分Ｂ５１は、先端から２次曲線状に徐々に広がる形状を有している。このブレードＢ５を用いると、各素子Ｅ１１間の溝Ｇ１１は、主面から裏面に向けて徐々に狭まるように形成されている。
【００３９】
上述した実施形態では、一つの素子に対して一対の電極を形成するものであったけれども、電極形成形態はこれに限られない。図１４に、一つの素子に対して複数対の電極を形成する例を示す。図１４に示す電子部品２０は、電子部品２０の中央部分にＶ字状の溝２０１が形成されている。このＶ字状の溝２０１の側壁には内部電極２０３が複数対露出している。この内部電極２０３が露出している部分に対応して複数対の外部電極２０２が形成されている。そしてこの複数対の外部電極２０２それぞれを実装用のランドとして、他の電子部品２０２が複数個実装されている。
【００４０】
本実施形態によれば、マザー基板Ｍの主面に入れる切り込みを裏面には至らないように形成するので、マザー基板Ｍ全体の剛性を確保することができ、マザー基板Ｍの反りやねじれといった変形を実質的に防止できる。従って、マザー基板Ｍに形成された素子それぞれの相対的な位置関係の変化を実質的に生じさせないので、マザー基板Ｍから分離する個々の電子部品の不良品率を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本発明の実施形態に係る製造方法の手順を示す図である。
【図２】図１の切り込み工程を説明するための図である。
【図３】図１の切り込み工程を説明するための図である。
【図４】図１の電極形成工程を説明するための図である。
【図５】図１の電極形成工程を説明するための図である。
【図６】図１に示す製造方法によって得ることのできる電子部品を説明するための図である。
【図７】図１の切り込み工程に用いられるブレードを説明するための図である。
【図８】図７に示すブレードの変形例を説明するための図である。
【図９】図８に示すブレードを用いて得ることのできる電子部品を説明するための図である。
【図１０】図７に示すブレードの変形例を説明するための図である。
【図１１】図７に示すブレードの変形例を説明するための図である。
【図１２】図７に示すブレードの変形例を説明するための図である。
【図１３】図７に示すブレードの変形例を説明するための図である。
【図１４】図１に示す製造方法によって得ることのできる電子部品の変形例を説明するための図である。
【符号の説明】
【００４２】
Ｓ０１…基板準備工程、Ｓ０２…切り込み工程、Ｓ０３…電極形成工程、Ｓ０４…めっき工程、Ｓ０５…分割工程。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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