【事件の表示】
　特願２００８−５５５８２４「太陽電池ならびに太陽電池を生産する装置および方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　８月３０日国際公開、ＷＯ２００７／０９６４８６、平成２１年　７月３０日国内公表、特表２００９−５２７９１４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００７年２月２３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００６年２月２３日、２００６年４月１２日、フィンランド）を国際出願日とする出願であって、平成２４年８月２８日付けで手続補正がなされたが、平成２５年５月７日付けで拒絶査定がなされた。 
　本件は、これを不服として、同年９月１７日に請求された拒絶査定不服審判であって、請求と同時に補正がなされ、当審において、同年１２月６日付けで審尋を行い、これに対し、平成２６年４月１０日付けで回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２５年９月１７日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　［補正の却下の決定の結論］
　平成２５年９月１７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　［理由］
１　補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであって、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１を引用する請求項５を、特許請求の範囲の限定的減縮を目的として下記の通りに補正したものである。
「【請求項１】
　表面を有し、太陽電池の一部として使われる少なくとも１つの層を、レーザー低温アブレーションによって生産する太陽電池の製造方法であって、
　生成される表面積が少なくとも０．２ｄｍ２の領域を含み、パルスレーザビームが当該レーザービームを反射するための少なくとも１つのミラーを有する回転式光学スキャナで走査される超短パルスレーザーデポジションを用いることによって、コーティングが実行され、ターゲットの表面の前記レーザービームのスキャン速度は、１０ｍ／ｓより高く、前記レーザーデポジションに用いるパルスの周波数は、少なくとも１ＭＨｚであり、前記パルスの長さは、５０ｐｓ未満であることを特徴とする方法。」
　
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下単に「特許法第１７条の２」という。）第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか、すなわち、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。
　
２　本件補正発明
　本件補正発明は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された上記のとおりのものである。（上記「第２」［理由］「１」参照。）
　
３　引用刊行物
（１）引用刊行物１
　これに対して、原査定における拒絶の理由で引用した、本願の優先日前である平成１３年９月２５日に頒布された「特表２００１−５１５９６５号公報 」（以下「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。ただし、下線は当審で付した。
ａ　記載事項ア
「【０００５】
発明の開示
　本発明の目的は、実質的に粒子が存在しない表面を有し、かつ極めて優れた表面品質を有する膜を形成するためのレーザー蒸着法を提供することにある。
【０００６】
　１つの広い形態において、本発明は、順次、材料の標的を照射するレーザーの各パルスで該標的から凝着させるべき少量の材料を蒸発させ、ついで、蒸発させた材料を基板上に凝着させて膜を形成させる工程を含み、ここに各パルスが蒸発プルーム（evaporated plume）中にかなり多数の粒子を生じさせるのに十分な材料を蒸発させるために必要なエネルギーよりも低いエネルギーを有することを特徴とするアモルファスおよび構造薄膜の蒸着法を提供する。
【０００７】
　好ましくは、該レーザーパルスは、基板において蒸発させた材料の実質的に連続したフローを生成するように選択される反復速度（repetition rate）を有する。
【０００８】
　本発明は、蒸発プルームからほぼ完全に粒子が排除され、したがって非常に高い表面品質を有する薄膜の蒸着を生じる、アモルファスまたは構造膜のレーザー蒸着法を提供する。本発明の方法は、ナノ秒およびより高い反復速度の代わりに典型的にはピコ秒およびフェムト秒のパルス−レンジの、典型的には数十ヘルツ（Ｈｚ）の代わりにキロヘルツ（ｋＨｚ）ないし数百メガヘルツ（ＭＨｚ）のより短いレーザーパルスを使用するところが従来のＰＬＤとは異なる。さらに、好ましくは、標的は、非常に低いエネルギーのレーザーパルスによって、かつ標的の熱力学的パラメーターに依存する最適レーザー強度で蒸発されるので、蒸発プロセスの効率が改善される。
【０００９】
　本発明は、
標的を加熱するために高反復速度で連続短レーザーパルスを当て、ついで蒸発プルーム中の原子および／またはイオンの連続したバーストを発生させることによるアモルファスまたは構造薄膜の超高速レーザーアブレーション法および蒸着法
ｂ　記載事項イ
「【００１５】
　従来のナノ秒−レンジからピコ秒またはより短い時間スケールにレーザーパルス時間を短縮することによって、標的表面付近のますます狭くなってゆくゾーンで蒸発プロセスが起こる。したがって、レーザーパルスの間に熱エネルギーが標的にさらに移動するための十分な時間は存在しない。その結果、ほぼすべての吸収されたレーザーエネルギーは標的表面付近の非常に薄いゾーンからの原子の蒸発に費やされる。このことは、より少ない吸収レーザーエネルギーしか廃熱として損失されないであろうことを意味する。このことは、レーザーフルエンスＦaの式によって式１を書換えることによって説明される。
【００１６】
【数４】
　　　（略）
【００１７】
ここに、Ｆaは[Ｊ／ｃｍ2]単位である。したがって、例えば、１０ｎｓのパルスから１００ｐｓのパルスまでの移行は、レーザー蒸発が式１により両方の場合で最適な様式においてであると想定すると、材料をアブレーションするために必要なエネルギー密度の１０倍の低下を生じる。したがって、より短いパルス時間への移行は蒸発効率の増大に通じる。短いレーザーパルスを使用することの利点は、それが蒸気フロー中の粒子および液滴の排除に通じるため、なおいっそう顕著となる。これは、単一パルスによって蒸発する原子の数の劇的な減少により生じる。典型的には、最適条件における従来のＰＬＤは、潜在的に１０8個のミクロンサイズの粒子を発生させるのに十分な、パルス当たり１０19-20個の原子の蒸発に通じる。しかしながら、本発明は、パルス当たり≒１０11個の原子しか生成しない非常に低いエネルギーパルスを用い、かつこれは単一のミクロンサイズの粒子のみを潜在的に発生させるのに十分な質量を含んでいるため、蒸着膜上におけるかかる粒子のほぼ全体の排除に通じる。かくして、強力なナノ秒パルスによって生成される蒸発原子の数と比較して単一のピコ秒レーザーパルスの間に蒸発する原子の数が数桁減少することにより、従来のレーザー蒸着法の主要な欠点、すなわち粒子の形成が回避される。本発明の方法は、要すれば、従来のＰＬＤと比較して少なくとも同一の合計量蒸着速度（total mass deposition rate）を維持することができる。なぜならば、各パルスで蒸発した少数の原子は非常に高いパルス反復速度（ｋＨｚまたはＭＨｚ）を使用することによって補償され得るからである。
【００１８】
　本発明の好ましい具体例において、透明蒸気の支配下でレーザー−標的相互作用を維持するために、レーザーパルスは蒸発プロセスの間に標的の表面を横切ってスキャンする。このことは、レーザービームを操舵することによってか、または標的を移動させることによって達成し得る。標的を横切ってレーザービームを照射するスキャンは、蒸発プロセスを著しく改善する。なぜならば、標的表面上の同一スポットにレーザーパルスが当たると、大きなクレーター（crater）が標的に生成されるからである。このような状況において、大きなクレーターとは当該クレーターの深さが当該クレーターの直径よりも大きいことを意味する。クレーターが形成されると、つづくレーザーパルスが到着する前にクレーターを出るのに十分な時間を標的蒸気は有していないため、標的蒸気をクレーター中に捕捉することができる。このことが起こると、ついで蒸気は幾分かの入ってくるレーザー照射を吸収し、蒸発させるための標的表面に伝搬されるレーザーエネルギーを低下させる。」
ｃ　記載事項ウ
「【００２２】
発明を実施するための最良の形態
　図１は、本発明によるレーザー蒸発および凝着装置を示す。該装置は、
一式のミラー４によって方向付けられるレーザービーム３を発生する高速反復パルスレーザー１
ミラー４はビーム走査系を供するためである
【００２３】
　汎用性レーザー蒸着装置は、また、レーザー周波数変換系、レーザービーム走査系、特製テレセントリック集光光学系、標的操作系、基板保持および加熱系、膜厚モニター系、真空ロードロック、真空ゲージ付ポンプ系およびガス充填およびフロー系も含み得る。
【００２４】
　本発明の方法を、１０ｋＨｚ　１２０ｎｓ　Ｑ−スイッチＮｄ：ＹＡＧレーザーまたは
７６ＭＨｚ　６０ｐｓ　モードロック　Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
を用いた
【００２５】
実施例１−蒸発原子の個数
　この実施例は、種々の反復速度を持つ３つの異なるレーザーについて、レーザーパルス当たりの蒸発した原子または分子の個数評価を比較する。意義のある比較を供するために、各レーザーに対する炭素蒸発の最適範囲を真空中で起こる蒸発について検討する。蒸発速度と共に蒸気温度は、積Ｉa・(ｔp)1/2に比例し、該最適蒸発範囲において一定に保たれる。単一パルス当たりの蒸発原子の最大個数は：
【００２６】
【数５】
　　　（略）
【００２７】
１）在来低速反復、高出力レーザー：反復速度Ｒrep＝２５Ｈｚ；ｔp＝１０ｎｓ；パルスエネルギー ０.０５Ｊ；吸収レーザー強度 Ｉa〜２・１０9Ｗ/ｃｍ2；Ｓfoc〜１ｃｍ2；蒸発原子の個数は、〜１０17原子／パルスであり；
２）高速反復レーザー、長パルス：Ｒrep＝１０ｋＨｚ；ｔp＝１２０ｎｓ；パルスエネルギー Ｅp＝２.５ｍＪ；Ｉa〜６・１０8Ｗ/ｃｍ2；Ｓfoc〜１０-4ｃｍ2；蒸発原子の個数は、〜４・１０15原子／パルスであり；
３）超高速反復レーザー、短パルス：Ｒrep＝７６ＭＨｚ；ｔp＝６０ｐｓ；パルスエネルギー Ｅp＝０.３μＪ；Ｉa〜２・１０10Ｗ/ｃｍ2；Ｓfoc〜３.１０-7ｃｍ2；蒸発原子の個数は、〜５・１０11原子／パルスである。
【００２８】
　かくして、単一６０ｐｓ　レーザーパルス当たりの蒸発炭素原子の最大個数は、在来の１０ｎｓ　パルスレーザーよりも５桁以上少ない。これは、真空中において、ピコセカンドレーザーではミクロンサイズの粒子の形成は現実的に不可能であることを意味する。何故ならば、μｍサイズの粒子は、約＞１０11個の炭素原子よりなるからである。非常に簡単に言えば、パルス当たりの原子数が少なすぎてそのような粒子は形成できない。
【００２９】
　パルス当たりの全蒸発量が塊化して単一の粒子を形成する率は非常に低いので、有意数の粒子が蒸発プルーム中に存在する以前のＮevapの上限はパルス当たり約１０13〜14原子である。
　非常に短いレーザーパルスを用いて生成されたプルーム中に粒子が存在しないことを図２（ａ，ｂ）に示したレーザープルーム像上に示す。図２（ａ）の像は、１０ｋＨｚ反復速度レーザーで〜３００パルス（０.０３ｓ）にわたって得られたレーザープルームである。そのような平均化の後でさえ、熱粒子の軌跡は該プルーム中でいまだかなり明確である。図２（ｂ）の像は、７６ＭＨｚ反復速度蒸発について、〜２５０,０００レーザーパルスにわたり得られた。該プルームは滑らかであり、炭素蒸気の連続成長において認識できる混乱はない。該像の暴露時間は０.０３秒であったが、数時間まで延長しても同一の結果が得られた。
【００３０】
実施例２−光学顕微鏡、走査型電子顕微鏡および原子間力顕微鏡での膜表面研究
　基板として研摩Ｓｉウェーハー上に１０ｋＨｚ　１２０ｎｓレーザー、および６０ｐｓ　７６ＭＨｚレーザーを用いて蒸着した該炭素薄膜の光学顕微鏡像を図３（ｂ）および３（ｃ）に示す。比較として、図３（ａ）は１０ｎｓ　３０Ｈｚ強力Ｎｄ：ＹＡＧレーザーで常法を用いて蒸発した炭素膜の基板表面像を示す。全ての基板を該標的から２０ｍｍの距離に配置し、全実験において、蒸発時間は１０分間であった。」
ｅ　記載事項エ
「【図１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
ｆ　引用例１記載の発明
　上記記載事項ア乃至上記記載事項エによると、引用例１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。 
「アモルファスまたは構造薄膜の超高速レーザーアブレーション法により蒸着する方法であって、
一式のミラー４によって方向付けられるレーザービーム３を発生し、ミラー４はビーム走査系を供するためのものであり、
標的を加熱するために高反復速度で連続短レーザーパルスを当て、ついで蒸発プルーム中の原子および／またはイオンの連続したバーストを発生させて蒸着し、
６０ｐｓ　７６ＭＨｚレーザーを用いる方法。」
 　 
（２）引用刊行物２ 
　また、原査定における拒絶の理由で引用した、本願の優先日前である平成６年６月２１日に頒布された「特開平６−１７２９８１号公報 」（以下「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。 
ａ　記載事項オ
「【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、レーザ薄膜形成装置に関し、機能性薄膜形成や大面積薄膜形成に用いるレーザ薄膜形成装置に関するものである。」
ｂ　記載事項カ
「【００５６】次に、本発明の第２の実施例とその変形例について、図１４ないし図１９に基づいて説明する。図１４に、本発明を実施するレーザ薄膜形成装置の一例の概略図を示す。第図１４レーザ薄膜形成装置では、レーザ装置１０で発生されたレーザ光１６は、レーザビーム遮蔽板４８０４により、ビーム断面の周囲におけるビーム強度の弱い部分をカットされ、中心部のみが集光レンズ９により集光され、チャンバ１内に設置されたターゲット５を照射する。チャンバ１内は高真空に排気可能である。基板２がターゲット５に対向するように配置されている。レーザ光１６は、ターゲット５を蒸発させ、プルーム１５を発生させる。プルーム１５は、ターゲットと同組成の粒子のプラズマであり、プルーム１５と基板２の接触面に薄膜が堆積される。」
ｃ　記載事項キ
「【００５９】図１７に、シリンドリカルレンズ４８０９により、ターゲット５上でのビーム断面を正方形に変換する装置の一例の概略図を示す。レーザビーム１６は、シリンドリカルレンズ４８０９によりその長方形のビーム断面の長辺方向のみ選択的に集光されることにより、ターゲット５に照射される際には正方形のビーム形状に変換される。図１８に、可動集光レンズ４８１０により、レーザ光１６がターゲット５に照射する位置を変位させる装置の一例の概略図を示す。可動集光レンズ４８１０は、レーザ光１６のパルス毎にその設置された傾きと位置を変化することにより、レーザ光１６のターゲット５に照射する位置を変位させることができる。レーザビームがターゲットの一点にのみ照射されると、ターゲットの一部分のみが局所的にスパッタリングされてクレータが生じ、発生するプルーム中の粒子組成が変化し、堆積する薄膜の膜厚分布および膜質分布が変化する。本発明による方法では、レーザビームを集光するレンズを可動にし、レーザパルス発生毎に集光レンズを変位させることにより、またレーザ装置の光共振器の部分反射ミラーをパルス毎に微小変位させ、レーザビームのモードを変化させることにより、ターゲット上のレーザビーム発生位置を変位させる機能を有する。」
ｄ　記載事項ク
「【００６８】次に、本発明の第３の実施例について説明する。図２０は、本発明の第３の実施例による成膜装置の構成を示す構成図である。図２０において、１０はレーザ発振器、８はレーザ走査用多角形ミラー、５はターゲット、２は基板である。図２０に示された装置の各部の働きは次のとおりである。レーザ発振器からでた光は、集光レンズによってターゲット上に集光されて照射される。これによって、ターゲット上にプルームが発生し、プルームに含まれる物質が、基板に堆積して、薄膜が成膜される。ここで、一つのプルームによって成膜できる面積は限られているので、広い面積に成膜するために、レーザ光の光路中にレーザ光走査用の回転する多角形ミラーを挿入して、レーザ光の向きを変化させることによって、プルームの発生する位置をターゲット上で走査して、広い面積への成膜を可能にする。これによって、多角形ミラーを回転させるだけの、単純な機構によって、広い面積にわたって均一な薄膜を成膜することができる。」
エ　記載事項ケ
「【図２０】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
 　 
４　本件補正発明と引用発明の対比
　ここで、本件補正発明と引用発明とを対比する。
（１）本願明細書には、「低温アブレーションの現象は、ピコ秒を用いて達成され」（【００５６】）ることが記載されており、また、引用発明は「６０ｐｓ」の「レーザーを用いる」「超高速レーザーアブレーション法により蒸着する方法」であるから、本願明細書の記載を参酌すると、引用発明の「超高速レーザーアブレーション法」は本件補正発明の「レーザー低温アブレーション」に相当するものであるといえる。
　そうすると、引用発明の「アモルファスまたは構造薄膜を超高速レーザーアブレーション法により蒸着する方法」と本件補正発明の「表面を有し、太陽電池の一部として使われる少なくとも１つの層を、レーザー低温アブレーションによって生産する太陽電池の製造方法」とは「表面を有する少なくとも１つの層を、レーザー低温アブレーションによって生産する製造方法」で共通する。
（２）引用発明の「一式のミラー４によって方向付けられるレーザービーム３を発生し、ミラー４はビーム走査系を供するためのものであり、標的を加熱するために高反復速度で連続短レーザーパルスを当て、ついで蒸発プルーム中の原子および／またはイオンの連続したバーストを発生させて蒸着」する構成と、本件補正発明の「パルスレーザビームが当該レーザービームを反射するための少なくとも１つのミラーを有する回転式光学スキャナで走査される超短パルスレーザーデポジションを用いることによって、コーティングが実行され」る構成とは、「パルスレーザビームが当該レーザービームを反射するための少なくとも１つのミラーを有する光学スキャナで走査される短パルスレーザーデポジションを用いることによって、コーティングが実行され」る構成で共通する。
（３）引用発明の「６０ｐｓ　７６ＭＨｚレーザーを用いる」構成と、本件補正発明の「ターゲットの表面の前記レーザービームのスキャン速度は、１０ｍ／ｓより高く、前記レーザーデポジションに用いるパルスの周波数は、少なくとも１ＭＨｚであり、前記パルスの長さは、５０ｐｓ未満である」構成とは、「レーザーデポジションに用いるパルスの周波数は、少なくとも１ＭＨｚであ」る構成で共通する。
 　 
　上記（１）乃至（３）の対比から、本件補正発明と引用発明は、 
「表面を有する少なくとも１つの層を、レーザー低温アブレーションによって生産する製造方法であって、
　パルスレーザビームが当該レーザービームを反射するための少なくとも１つのミラーを有する光学スキャナで走査される短パルスレーザーデポジションを用いることによって、コーティングが実行され、レーザーデポジションに用いるパルスの周波数は、少なくとも１ＭＨｚである方法。」 
で一致し、以下Ａ乃至Ｄの点で相違する。 
 　 
（相違点）
Ａ　本件補正発明は、少なくとも１つの層が太陽電池の一部として使われるものであり、製造方法が太陽電池の製造方法であるのに対し、引用発明は、そのような特定がない点。
Ｂ　生成される表面積が、本件補正発明は、少なくとも０．２ｄｍ２の領域を含むのに対し、引用発明は、不明である点。
Ｃ　レーザービームを反射するための少なくとも１つのミラーを有する光学スキャナが、本件補正発明は、回転式のものであって、ターゲットの表面のレーザービームのスキャン速度は、１０ｍ／ｓより高いのに対し、引用発明は、回転式か否か不明であり、ビームの走査速度も不明である点。
Ｄ　本件補正発明は、超短パルスレーザーデポジションであって、前記パルスの長さは、５０ｐｓ未満であるのに対し、引用発明は、連続短レーザーパルスを当てるものであって、６０ｐｓのレーザーを用いる点。
　
５　当審の判断
　以下、上記Ａ乃至Ｄの相違点について検討する。
（Ａの相違点について）
　太陽電池の少なくとも１つの層をレーザーアブレーションにより形成することは、周知技術（特開２００１−８９８４６号公報の【０００１】、【００４９】、特開２００４−３５６１６３号公報の【０００２】、【００３８】参照。）であるから、引用発明の超高速レーザーアブレーション法により蒸着する方法を、太陽電池の少なくとも１つの層に対して適用することに、格別の阻害要因も困難性もない。
　よって、上記Ａの相違点に係る本件補正発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易になし得たことである。
（Ｂの相違点について）
　薄膜形成技術において、その生成される膜の表面積は、装置の大きさ、基板の大きさ、用途等により適宜設計されるものであるから、引用発明の超高速レーザーアブレーション法により蒸着する方法において、生成される表面積を少なくとも０．２ｄｍ２の領域とすることは、当業者が適宜設計できたことである。
　よって、上記Ｂの相違点に係る本件補正発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易になし得たことである。
（Ｃの相違点について）
　引用例２（上記記載事項ク、ケ参照。）には、レーザ薄膜形成方法（上記記載事項カ、キの記載からみて、本件補正発明の「パルスレーザーデポジション」に相当することは明らか。）において、レーザ光の光路中にレーザ走査用多角形ミラー８を挿入して、レーザ光を走査することが、記載されている。
　そして、引用発明のミラー４も引用例２記載のレーザ走査用多角形ミラー８も、レーザーアブレーション法により蒸着する方法において、レーザービームを走査するために用いる点で共通するものであるから、引用発明のミラー４に代えて引用例２記載のレーザ走査用多角形ミラー８を用いることは、当業者が容易になし得たことである。
　また、引用例２には、「レーザビームがターゲットの一点にのみ照射されると、ターゲットの一部分のみが局所的にスパッタリングされてクレータが生じ、発生するプルーム中の粒子組成が変化し、堆積する薄膜の膜厚分布および膜質分布が変化する。本発明による方法では、レーザビームを集光するレンズを可動にし、レーザパルス発生毎に集光レンズを変位させることにより、またレーザ装置の光共振器の部分反射ミラーをパルス毎に微小変位させ、レーザビームのモードを変化させることにより、ターゲット上のレーザビーム発生位置を変位させる機能を有する」（上記記載事項キ）と記載されており、この記載から、レーザービームがターゲットの一点に集中することにより、堆積する薄膜の膜厚分布及び膜質分布が変化することが読み取れる。
　そして、一般に、製造方法の発明において、処理の高い効率を達成することは自明の課題であるから、引用例２に記載されたクレーターによる堆積する薄膜の膜厚分布及び膜質分布、並びに、高い処理効率を考慮しながら、上述した、引用発明のミラー４に代えて引用例２記載のレーザ走査用多角形ミラーを用いる際に、ターゲットの表面のレーザービームのスキャン速度を調整し、その数値を１０ｍ／ｓより高くすることは適宜なし得た設計的事項である。
　よって、上記Ｃの相違点に係る本件補正発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易になし得たことである。
（Ｄの相違点について）
　引用例１には、「１０ｎｓのパルスから１００ｐｓのパルスまでの移行は、レーザー蒸発が式１により両方の場合で最適な様式においてであると想定すると、材料をアブレーションするために必要なエネルギー密度の１０倍の低下を生じる。したがって、より短いパルス時間への移行は蒸発効率の増大に通じる」（上記記載事項イ）と記載されており、パルス時間は短い方が良いことが示唆されている。
　したがって、引用発明の６０ｐｓのレーザーのパルス時間をより短くして５０ｐｓ未満とし、上記Ｄの相違点に係る本件補正発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　上記Ａ乃至Ｄの相違点については上記のとおりであり、本件補正発明によってもたらされる効果は、引用発明、引用例２記載の事項及び周知技術から当業者が予測できる範囲内のものと認められる。
　よって、本件補正発明は、引用発明、引用例２記載の事項及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６　本件補正についての補正の却下の決定のむすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２５年９月１７日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２４年８月２８日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの以下のものである。
「【請求項１】
　表面を有し、太陽電池の一部として使われる少なくとも１つの層を、レーザーアブレーションによって生産する方法であって、
　生成される表面積が少なくとも０．２ｄｍ２の領域を含み、パルスレーザビームが当該レーザービームを反射するための少なくとも１つのミラーを有する回転式光学スキャナで走査される超短パルスレーザーデポジションを用いることによって、コーティングが実行され、ターゲットの表面の前記レーザービームのスキャン速度は、１０ｍ／ｓより高いことを特徴とする方法。」
　
２　引用刊行物及び引用発明
　原査定における拒絶の理由で引用した、本願の優先日前に頒布された刊行物及びその記載事項、ならびに引用発明は、上記「第２」［理由］「３」に記載したとおりである。
　
３　本願発明と引用発明との対比及び判断
　本願発明は、本件補正発明から、その構成要素である「レーザーアブレーション」に関し、「低温」である構成を省き、本件補正発明の「方法」の対象が「太陽電池の製造」である構成を省き、さらに、本件補正発明の構成要素である「レーザービーム」に関し、「レーザーデポジションに用いるパルスの周波数は、少なくとも１ＭＨｚであり、前記パルスの長さは、５０ｐｓ未満である」構成を省いたものである。
　ここで、本願発明の発明特定事項を全て含み、上記構成要素を限定した本件補正発明が、上記「第２」［理由］「５」に記載した通り、引用発明、引用例２記載の事項及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用発明、引用例２記載の事項及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用例２記載の事項及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。