【事件の表示】
　平成９年特許願第６９３２４号「パッケージ型半導体装置の構造」拒絶査定に対する審判事件〔平成１０年１０月９日出願公開、特開平１０−２７０６０６、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
［１］手続の経緯
　本願は、平成９年３月２４日の出願であって、拒絶理由が通知され、その指定期間内である平成１４年４月２５日に手続補正がなされ、拒絶の査定がなされ、その後、その法定期間内である平成１４年７月２６日に原査定を不服とする審判請求がなされるとともに、その法定期間内である平成１４年８月２３日に手続補正がなされたものである。
　
［２］補正の適否
　原査定前の平成１４年４月２５日付け手続補正書における請求項１、２の補正により、「軟質フィルムを各ワイヤボンディング接続用パッドを覆うことがないように貼着」する点を付加し、同日付けの意見書において、この点により、熱膨張差のためのワイヤボンディング接続用パッドと、これに接続した金属線に破損が発生するおそれがない旨の作用効果が明らかにされている以上、原査定後の上記補正による「各ワイヤボンディング接続用パッド及びこれに接続した金属線の部分を、モールド部を構成する熱硬化性合成樹脂にて被覆した」点の付加については、原査定前の上記補正による軟質フィルムの貼着する範囲の限定とともに、モールド部を構成する熱硬化性樹脂の被覆する範囲をさらに限定したものであって、この限定は特許請求の範囲を減縮したものであり、しかも、原査定後の上記補正による請求項１、２に記載の発明が解決しようとする課題は、審判請求の理由に示されているように、原査定前の上記補正による請求項１、２に記載の発明が解決しようとする課題、すなわち熱膨張のためにワイヤボンディング接続用パッドとこれに接続した金属線に破損が発生するおそれがある、という発明が解決しようとする課題と同一である。
　したがって、原査定後の平成１４年８月２３日付け手続補正書（全文補正明細書）における特許請求の範囲の補正は、特許法第１７条の２第４項第２号の規定に該当するから、原査定後の上記補正を却下する必要を認めない。
　
［３］本願発明
　本願の請求項１、２に係る発明（以下、「本願発明１、２」という。）は、平成１４年８月２３日付け手続補正書により補正された明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１、２に記載された以下のとおりのものである。
　「【請求項１】
　表面に各種の回路素子と、ワイヤボンディング接続用パッドの複数個とを形成した半導体チップを、熱硬化性合成樹脂製のモールド部にてパッケージして成る半導体装置において、
　前記半導体チップにおける表面に、軟質フィルムを、半導体チップの表面における回路素子の部分を覆い、前記各ワイヤボンディング接続用パッドを覆うことがないように貼着する一方、前記各ワイヤボンディング接続用パッド及びこれに接続した金属線の部分を、前記モールド部を構成する熱硬化性合成樹脂にて被覆したことを特徴とするパッケージ型半導体装置の構造。
　【請求項２】
　表面に各種の回路素子と、ワイヤボンディング接続用パッドの複数個とを形成した半導体チップを、熱硬化性合成樹脂製のモールド部にてパッケージして成る半導体装置において、
　前記半導体チップにおける表面に、粉末粒子を混合した軟質フィルムを、半導体チップの表面における回路素子の部分を覆い、前記各ワイヤボンディング接続用パッドを覆うことがないように貼着する一方、前記各ワイヤボンディング接続用パッド及びこれに接続した金属線の部分を、前記モールド部を構成する熱硬化性合成樹脂にて被覆したことを特徴とするパッケージ型半導体装置の構造。」
　
［４］引用例の記載事項
（１）引用例１
　原審の拒絶の理由に引用された引用例１の特開昭６３−１０７１５６号公報には、樹脂封止型半導体材料における樹脂封止材の温度変化による影響を低減する技術に関する発明が第１図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　発明が解決しようとする問題点として、「ボンディングワイヤ５の半導体チップ４側接合部Ａとその周辺について考えると、ボンディングワイヤ５は、前記接合部Ａで半導体チップ４に接合され、また、点Ｂでモールドレジン７によって固定されている。一方、接合部Ａと点Ｂ間は、比較的柔らかいチップコート膜６の材料で囲まれているため、相互作用力は小さい。
　ここで、温度サイクル試験においてΔＴなる温度変化を受けると、パッケージ全体は、ある変形をし、また内部の接合部Ａと点Ｂも相対的に変位をし、その結果距離ＡＢがＡ’Ｂ’ となり、・・・歪みεがボンディングワイヤ５のＡＢ 間に発生する。
　・・・
温度サイクル試験では、ボンディングワイヤ５は、繰り返し±εの歪みを受けることになり、その結果最も弱いボールのすぐ上部のネック部が疲労破壊し、断線に到る。
　また、例えば、シリコーンゲル又はゴムからなるチップコート膜６の場合では、チップコート膜６に接しているモールドレジン７が温度変化により容易に動き、半導体チップ４のコーナー部分のモールドレジンに応力が集中してレジンクラシックが発生する。
　また、前記チップコート６がポリイミド系のチップコート膜からなる場合では、この膜が硬いためにモールドレジン７の熱応力が吸収できないので、半導体チップ４面に損傷を与え、半導体チップ４が電気的特性不良となる場合がある。
　本発明の目的は、チップコート膜を有する樹脂封止型半導体装置において、温度サイクル時におけるボンディングワイヤの断線を防止し、また、モールドレジンのクラックを防止することができる技術を提供することにある。
　本発明の他の目的は、チップコート膜を有する樹脂封止型半導体装置において、温度サイクル時における半導体チップの損傷を防止することができる技術を提供することにある。」（２頁右上欄２行〜左下欄末行）
　問題点を解決するための手段として、「基板上に半導体チップを搭載し、ワイヤボンディングし、該半導体チップの活性領域側上にチップコート膜を設けた後、モールドレジンで樹脂封止した樹脂封止型半導体装置であって、・・・チップコート膜とモールドレジンの界面における接着性を付与したものである。」（２頁右下欄１１〜１８行）
　作用として、「前記した手段によれば、・・・モールドレジンをチップコート膜に良く接着させたことにより、温度サイクル時におけるモールドレジン（樹脂封止材）の熱歪みがチップコート膜によって緩和され、かつモールドレジンとチップコート膜の界面においてもずれが生じがたいため、ボンディングワイヤの断線及びレジンクラシックの発生を防止することができ、また、チップコート膜がポリイミド等によりやわらかいために半導体チップの損傷を防止することができる。」（２頁右下欄末行〜３頁左上欄１０行）
　
（２）引用例２
　同じく引用された引用例２の特開昭６３−１０７０５０号公報には、樹脂封止型半導体材料における樹脂封止材の熱膨張による影響を低減する技術に関する、引用例１に記載の発明と同様の発明が解決しようとする課題を有する発明が第１図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　従来技術として、「チップコート膜６は、モールドレジン７中のシリカフィラーに含まれるウラン、トリウムから出るアルファ粒子による素子の誤動作を防止し、かつモールドレジン７の応力によって素子面が損傷を受けるのを防止する目的で施されている。」（１頁右欄１７行〜２頁左上欄２行）
　発明が解決しようとする問題点として、「ボンディングワイヤ５の半導体チップ４側接合部Ａとその周辺について考えると、ボンディングワイヤ５は、前記接合部Ａで半導体チップ４に接合され、また、点Ｂでモールドレジン７によって固定されている。一方、接合部Ａと点Ｂ間は、比較的柔らかいチップコート膜６の材料で囲まれているため、相互作用力は小さい。
　ここで、温度サイクル試験においてΔＴなる温度変化を受けると、パッケージ全体は、ある変形をし、また内部の接合部Ａと点Ｂも相対的に変位をし、その結果距離ＡＢがＡ’Ｂ’ となり、・・・歪みεがボンディングワイヤ５のＡＢ 間に発生する。
　・・・
温度サイクル試験では、ボンディングワイヤ５は、繰り返し±εの歪みを受けることになり、その結果最も弱いボールのすぐ上部のネック部が疲労破壊し、断線に到る。
　本発明の目的は、チップコート膜を有する樹脂封止型半導体装置において、温度サイクル時におけるボンディングワイヤの断線を防止し、また、モールドレジンのクラックを防止することができる技術を提供することにある。」（２頁左上欄１７行〜右上欄１９行）
　実施例として、「チップコート膜はシリコーンゲルをワイヤボンディング後に塗布、硬化し、その後トランスファーモールド法によりレジンモールドした。」（３頁左上欄１４〜１６行）
　
［５］対比・判断
＜本願発明１＞
　本願発明１と引用例１、２に記載の発明とを対比すると、両者は、「表面に各種の回路素子と、ワイヤボンディング接続用パッドの複数個とを形成した半導体チップを、熱硬化性合成樹脂製のモールド部にてパッケージして成る半導体装置において、前記半導体チップにおける表面に、軟質部を、半導体チップの表面における回路素子の部分を覆ったパッケージ型半導体装置の構造」の点で一致するものの以下の点で相違する。
　軟質部とモールド部について、本願発明１は、軟質フィルムを、各ワイヤボンディング接続用パッドを覆うことがないように貼着する一方、各ワイヤボンディング接続用パッドおよびこれに接続した金属線の部分を、モールド部を構成する熱硬化性合成樹脂にて被覆したのに対し、引用例１、２に記載の発明は、このようなものではない点。
　そこで、上記相違点について以下検討する。
　引用例１、２に記載の半導体チップの表面を覆うチップコート膜は、本願発明１の軟質フィルムとは異なるシリコーンゲル又はゴムからなるものであり、シリコーンゲル又はゴムからなるチップコート膜により半導体チップの表面を覆う場合は、通常、流動状態でチップコート膜を塗布するものであるから、各ワイヤボンディング接続用パッドを覆うことがないように貼着する本願発明１の軟質フィルムとは異なり、半導体チップ表面全体を覆うものと推測される。
　そして、このチップコート膜は、ボンディングワイヤの半導体チップ接合部Ａとモールドレジンにより固定された点Ｂの間ＡＢを囲んでいるため、温度サイクルの温度変化によりボンディングワイヤは繰り返しの歪みを受け、ボンディングワイヤの断線が発生することになる。
　しかも、引用例１、２には、本願発明１のように、チップコート膜によりボンディングワイヤの半導体チップ接合部Ａとモールドレジンにより固定された点Ｂの間ＡＢを囲まないようにするとともに、モールドレジンによりボンディングワイヤを被覆することで、熱負荷を受けたときにこの金属線に断線が発生することがないようにすることは何も記載されていないし、示唆もされていない。
　さらに、各ワイヤボンディング接続用パッドおよびこれに接続した金属線の部分を、モールド部を構成する熱硬化性合成樹脂にて被覆する点が周知の技術であるにしても（必要ならば、特開平９−６４２４０号公報、特開平６−３３４１０６号公報参照。）、引用例１、２には、半導体チップ表面全体を覆うチップコート膜の塗布に替えて、各ワイヤボンディング接続用パッドを覆うことがないような軟質フィルムの貼着とし、さらに上記周知の技術を採用する何らの動機付けも認められない。
　してみると、本願発明１は、引用例１、２に記載されたものから容易に想到し得るものではない。
　そして、本願発明１は、半導体チップとモールド部との熱膨張差のため、ワイヤボンディング接続用パッドとこれに接続した金属線に破損が発生するおそれがない、との上記作用効果を奏するものである。
　したがって、本願発明１は、引用例１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
＜本願発明２＞
　本願発明２は、本願発明１の軟質フィルムとして、粉末粒子を混合した軟質フィルムを使用したものであって、これによりモールド部の熱硬化性樹脂に混合されているフィラー粒子が半導体チップの回路素子に対して食い込むことを阻止するようにしたものであるが、引用例２にシリカフィラーを混合したモールドレジンが記載されているにしても、その他の構成は本願発明１と同様であるから、本願発明１が引用例１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができない以上、本願発明２についても引用例１、２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものではない。
　
［６］むすび
　よって、本願発明１、２は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、とした原審の判断は妥当ではない。