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　特願２００８−５５７４３２「光検出器アレイ用フロントサイド電気コンタクトとその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　９月１３日国際公開、ＷＯ２００７／１０３２８７、平成２１年　８月　６日国内公表、特表２００９−５２８７０４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００７年３月２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００６年３月２日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２４年７月１９日付けで拒絶理由が通知され、平成２５年１月２３日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出されたが、同年４月１０日付けで拒絶査定がなされた。本件は、これに対して、同年８月１９日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　その後、当審において、平成２６年５月１３日付けで拒絶理由が通知され、同年１０月１５日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出された。
　
　
第２　特許法第２９条第２項について
１．本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２６年１０月１５日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「フォトダイオードであって、
　第１導電性を有する第１活性層と、前記第１導電性の逆の第２導電性を有する第２活性層と、前記第１活性層及び前記第２活性層を分離する真性層と、を含むと共に、表面と裏面とを有する半導体と、
　前記第２活性層と前記真性層とを貫通して前記第１活性層内へと延出する深さを有し、前記フォトダイオードを複数のセルに分割すると共に、当該複数のセルの夫々の下方で前記第１活性層と電気的に接続する中央トレンチ領域を形成するように配置される複数の分離トレンチと、
　前記分離トレンチ深さを各サイドウォールに沿って延出し、前記サイドウォールの少なくとも一部を第１導電性の不純物を注入して形成されるサイドウォール活性拡散領域と、
　前記分離トレンチを充填する導電性材料と、
　前記中央トレンチを介して前記セルの夫々の下方において前記第１活性層と電気的に接続されている第１電気コンタクトと、
　その夫々が前記複数のセルの１つの前記第２活性層と電気的に接続され、前記第１電気コンタクトと共に、前記フォトダイオードの前記表面上に形成される複数の第２電気コンタクトと、
を備えるフォトダイオード。」
　
２．引用刊行物
（１）当審で通知した拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００５−４５１２５号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は当審が付した。）
　
（ａ）「【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
　以下、図面とともに本発明による光検出素子の製造方法の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明においては同一要素には同一符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面の寸法比率は、説明のものと必ずしも一致していない。
【００１６】
　図１は、本発明の一実施形態に係る製造方法により得られる光検出素子を示す側面断面図である。ここで得られる光検出素子は、ホトダイオード１である。ホトダイオード１は、被検出光の入射によりキャリアを生成し、生成したキャリアを検出信号として出力するものである。ホトダイオード１は、基板１０、絶縁膜３２、アノード電極３４、及びカソード電極３６を備えている。基板１０は、支持基板１１上に、絶縁層１２、ｎ＋型埋込み層（第１半導体層）１３、及びｎ−型層（第２半導体層）１４が順に積層されて成っている。
【００１７】
　支持基板１１は、例えばＳｉ基板が用いられ、支持基板１１上に積層される各層１２，１３，１４を支持するものである。また、絶縁層１２は、例えばＳｉＯ２からなり、支持基板１１に入射した光によって発生するキャリアがｎ＋型埋込み層１３、及びｎ−型層１４に流入するのを防ぐためのものである。ｎ＋型埋込み層１３は、ｎ型の導電性が付与された半導体層である。また、ｎ−型層１４は、ｎ＋型埋込み層１３に比して低い不純物濃度をもつ半導体層である。これらのｎ＋型埋込み層１３及びｎ−型層１４としては、例えばＡｓ（ヒ素）、Ｐ（リン）等のｎ型不純物を添加したＳｉ半導体が用いられる。
【００１８】
　ｎ−型層１４には、トレンチ溝２０、及びｎ＋型接続層２１が形成されている。トレンチ溝２０は、ｎ−型層１４表面の光検出面Ｓ１を包囲するように、光検出面Ｓ１の周囲全体に形成されている。また、トレンチ溝２０は、ｎ−型層１４の表面からｎ＋型埋込み層１３へ向かって延びており、ｎ＋型埋込み層１３まで達している。トレンチ溝２０の側壁２０ａ及び底面上には、例えばＳｉＯ２からなる絶縁膜２２が形成されている。さらに、トレンチ溝２０の空隙には、補強材料２３が充填されている。
補強材料２３としては、例えば、ノンドープポリシリコン、樹脂等を用いることができる。
【００１９】
　トレンチ溝２０の側壁２０ａに沿って、ｎ＋型接続層２１が形成されている。ｎ＋型接続層２１は、トレンチ溝２０に隣接しており、且つｎ−型層１４の表面からｎ＋型埋込み層１３まで達している。このｎ＋型接続層２１は、ｎ＋型埋込み層１３と同様に、ｎ型不純物が高濃度に添加された半導体層であり、ｎ−型層１４の表面に形成されるカソード電極３６とｎ＋型埋込み層１３とを電気的に接続するためのものである。
【００２０】
　また、光検出面Ｓ１に露出するｎ−型層１４の表層には、ｎ＋型層２４、及びｐ＋型層（第３半導体層）２５が形成されている。ｎ＋型層２４は、ｎ＋型埋込み層１３及びｎ＋型接続層２１と同様に、ｎ型不純物が高濃度に添加された半導体層である。このｎ＋型層２４は、ｎ＋型接続層２１に接しており、カソード電極３６と直接に接続される層である。また、ｐ＋型層２５は、Ｂ（ボロン）等のｐ型不純物が高濃度に添加されることにより、ｐ型の導電性が付与された半導体層である。このｐ＋型層２５は、ｎ−型層１４と共にｐｎ接合を構成している。
【００２１】
　基板１０の上面、すなわちｎ−型層１４の表面には、保護膜として絶縁膜３２が成膜されている。絶縁膜３２には、開口３２ａ，３２ｂが形成されており、一方の開口３２ａはｐ＋型層２５が露出する部分に、他方の開口３２ｂはｎ＋型層２４が露出する部分に設けられている。そして、開口３２ａを通してアノード電極３４がｐ＋型層２５と、開口３２ｂを通してカソード電極３６がｎ＋型層２４とそれぞれ直接に接続されている。アノード電極３４及びカソード電極３６としては、例えばＡｌが用いられる。
【００２２】
　図２は、図１のホトダイオード１のII−II線に沿った平面断面図である。ｎ−型層１４のうちトレンチ溝２０によって包囲されている四角形の領域が、図１に示す光検出面Ｓ１の直下に位置する領域である。ｎ＋型接続層２１は、この領域の周辺部に沿って、トレンチ溝２０の外側及び内側にそれぞれ設けられている。
【００２３】
　ホトダイオード１の動作について説明する。なお、ホトダイオード１には逆バイアス電圧が印加されており、ｎ−型層１４に空乏層が生じているものとする。光検出面Ｓ１から入射した被検出光は、主にｎ−型層１４において吸収される。被検出光を吸収したｎ−型層１４においてはキャリア（電子及び正孔）が発生し、発生した電子及び正孔は、逆バイアス電界に従って、それぞれｎ＋型埋込み層１３及びｐ＋型層２５へと移動する。ｎ＋型埋込み層１３に達した電子は、ｎ＋型接続層２１及びｎ＋型層２４を通ってカソード電極３６へと移動し、カソード電極３６から出力される。一方、ｐ＋型層２５に達した正孔は、アノード電極３４へと移動し、アノード電極３４から出力される。
【００２４】
　ホトダイオード１の効果について説明する。ホトダイオード１においては、トレンチ溝２０が形成されているとともに、トレンチ溝２０の側壁２０ａに沿ってｎ＋型接続層２１が形成されている。このため、ホトダイオード１においては、トレンチ溝２０を深く形成することにより、ｎ＋型接続層２１も深く形成することが可能である。ｎ＋型接続層２１を深く形成することができれば、ｎ−型層１４を厚くすることができる。したがって、ｎ−型層１４を厚くすることにより充分に厚い空乏層を形成することができるので、ｐｎ接合の接合容量が小さく、それゆえ高速応答が可能なホトダイオード１を実現することができる。ｎ＋型接続層２１は、後述するように、ｎ−型層１４にトレンチ溝２０を形成し、トレンチ溝２０の側壁２０ａから不純物を拡散させることにより形成されるものである。
【００２５】
　また、ホトダイオード１においては、ｎ＋型接続層２１が光検出面Ｓ１の周辺部に沿って設けられている。よって、ｎ−型層１４の光検出面Ｓ１に対応する領域は、ｎ＋型埋込み層１３及びｎ＋型接続層２１によって、底面及び側面が完全に囲まれている。この構造により、ｐ＋型層２５とｎ−型層１４とのｐｎ接合面から拡がる空乏層は、ｎ−型層１４とｎ＋型埋込み層１３との界面まで拡がる。したがって、ｎ＋型埋込み層１３と空乏層との間にスペースがない状態、すなわちｎ−型層１４のうちｎ＋型埋込み層１３及びｎ＋型接続層２１によって囲まれた領域を、深さ方向及び光検出面Ｓ１に平行な方向の双方について完全空乏化し、ジッタの発生を防止することができる。
・・・（中略）・・・
【００３０】
　また、ホトダイオード１においては、トレンチ溝２０の側壁２０ａ上に絶縁膜２２が形成されている。これにより、側壁２０ａに露出するｎ＋型接続層２１を保護することができる。さらに、トレンチ溝２０には、補強材料２３が充填されている。これにより、ホトダイオード１全体の機械的強度を向上させることができる。」
　
（ｂ）「【００４９】
　図１５は、本発明の他の実施形態に係る製造方法により得られる光検出素子を示す平面図である。ここで得られる光検出素子は、光ピックアップ４である。光ピックアップ４は、１枚のチップ４００上に８チャンネルのホトダイオードＰ１〜Ｐ８を備えており、ＣＤドライブやＤＶＤドライブ等における信号光の検出素子として用いることができる。チップ４００のサイズは、例えば１．３ｍｍ×１．３ｍｍとされる。
【００５０】
　チップ４００の中心部には、
ホトダイオードＰ５〜Ｐ８から構成される４分割ホトダイオードが設けられている。
各ホトダイオードＰ１〜Ｐ８は、図中に太線Ｌ４で示す位置に形成されているトレンチ溝によって互いに隔てられている。
【００５１】
　また、光ピックアップ４は、アノードパッドＥＡ１〜ＥＡ８、及びカソードパッドＥＣを備えている。アノードパッドＥＡ１〜ＥＡ８は、それぞれ各ホトダイオードＰ１〜Ｐ８のアノード電極と配線ＷＡ１〜ＷＡ８を介して接続されており、アノード用の外部端子となるものである。一方、カソードパッドＥＣは、各ホトダイオードＰ１〜Ｐ８のカソード電極と配線ＷＣを介して接続されており、逆バイアス用の外部端子となるものである。なお、カソードパッドＥＣは２つ設けられているが、両者は配線ＷＣによってつながっているため、何れのカソードパッドＥＣを用いてもよい。
【００５２】
　図１６は、図１５の光ピックアップ４における２分割ホトダイオードＰ１，Ｐ２を示すXVI−XVI線に沿った側面断面図である。
ホトダイオードＰ１，Ｐ２は、共通の基板４０を有している。なお、図１５に示すホトダイオードＰ１〜Ｐ８は、全てこの基板４０を共有している。基板４０は、図１の基板１０と同様に、支持基板４１、絶縁層４２、ｎ
＋
型埋込み層４３、及びｎ
−
型層４４から構成されている。
【００５３】
　また、
トレンチ溝５０の側壁５０ａに沿ってｎ
−
型層４４表面からｎ
＋
型埋込み層４３まで達するｎ
＋
型接続層５１が形成されている。このｎ
＋
型接続層５１は、側壁５０ａからｎ
−
型層４４に不純物を拡散させることにより形成される。さらに、トレンチ溝５０は、その側壁５０ａ及び底面上に絶縁膜５２が形成されるとともに、その空隙に補強材料５３が充填されている。
【００５４】
　また、
光検出面Ｓ２ａ，Ｓ２ｂに露出するｎ
−
型層４４の表層には、それぞれｎ
＋
型層５４、及びｐ
＋
型層５５が形成されている。ｎ
＋
型層５４は、ｎ
＋
型接続層５１に接している。ｎ
−
型層４４の表面には、開口６２ａ，６２ｂが形成された絶縁膜６２が成膜されている。これらの開口６２ａ，６２ｂを通して、アノード電極６４及びカソード電極６６が、それぞれｐ
＋
型層５５及びｎ
＋
型層５４と直接に接続されている。
【００５５】
　上述のように、ｎ−型層４４上に複数の光検出面Ｓ２ａ，Ｓ２ｂが設定される場合においても、各光検出面Ｓ２ａ，Ｓ２ｂの周囲にトレンチ溝５０を形成し、その側壁５０ａから不純物を拡散させることにより、ｎ＋型接続層５１を形成している。このため、深いｎ＋型接続層５１を形成することが可能となり、ｎ−型層４４を自由に厚くすることができる。したがって、この製造方法によれば、充分に厚い空乏層を形成することができるので、ｐｎ接合の接合容量が小さく、それゆえ高速応答が可能な複数のホトダイオードＰ１〜Ｐ８を得ることができる。さらに、図１５の光ピックアップ４全体としては、これらのホトダイオードＰ１〜Ｐ８により光信号を並列処理することができるので、より多くの情報を処理することが実現されている。
【００５６】
　また、図１６に示すように、２つの光検出面Ｓ２ａ，Ｓ２ｂの間にトレンチ溝５０を形成することにより、ホトダイオードＰ１，Ｐ２の一方で発生したキャリアが他方に流入するのを防いでいる。これにより、ホトダイオードＰ１，Ｐ２間におけるクロストークの発生を抑えることができる。
【００５７】
　本発明による光検出素子の製造方法は、上記実施形態に限定されるものではなく、様々な変形が可能である。例えば、図１のホトダイオード１において、ｎ＋型の層１３，２１，２４とｐ＋型の層２５とは導電型が逆であってもよい。すなわち、層１３，２１，２４がｐ＋型、層２５がｎ＋型となるようにホトダイオード１を製造してもよい。また、層１４は、ｎ−型のものを示したが、ｐ−型としてもよい。また、本発明の製造方法において用いられるｎ型不純物及びｐ型不純物は、上記したものに限られない。
【００５８】
　上記実施形態においては、各半導体層の厚み、不純物濃度等の数値を具体的に示したが、これらの数値は、上記した値に限らず適宜設定することができる。
【００５９】
　図８（ａ）において、トレンチ溝２０をｎ−型層１４の表面からｎ＋型埋込み層１３まで達するように形成しているが、トレンチ溝２０がｎ＋型埋込み層１３まで達したところで形成を止めることは必須でない。すなわち、図１７に示すように、トレンチ溝２０を絶縁層１２に達するまで形成し、トレンチ溝２０の側壁２０ａからの不純物拡散により、ｎ−型層１４の表面からｎ＋型埋込み層１３まで達する接続層２１を形成することとし、トレンチ溝２０の空隙の全てを
ノンドープポリシリコン等の補強材料２３
【００６０】
　図８（ａ）において、トレンチ溝２０をｎ−型層１４の表面からｎ＋型埋込み層１３まで達するように形成しているが、ｎ＋型埋込み層１３まで達するように形成することは必須でない。すなわち、図１８に示すように、トレンチ溝２０をｎ−型層１４の途中まで形成し、トレンチ溝２０の側壁２０ａからの不純物拡散により、ｎ−型層１４の表面からｎ＋型埋込み層１３まで達する接続層２１を形成することとし、トレンチ溝２０の空隙の全てを
ノンドープポリシリコン等の補強材料２３
【００６１】
　また、トレンチ溝２０を領域Ａ１の周囲全体に形成しているが、領域Ａ１の周囲の一部にのみ形成してもよい。また、接続層２１をトレンチ溝２０の側壁２０ａ全体に渡って形成する構成を示したが、側壁２０ａの一部にのみ形成してもよい。ただし、接続層２１は、ｎ−型層１４の表面と埋込み層１３とを電気的に接続するため、少なくとも一部においてｎ−型層１４の表面からｎ＋型埋込み層１３まで達するように形成されている必要がある。
【００６２】
　図６〜図１１に示す実施例においては、第３半導体層形成工程をトレンチ溝形成工程及び接続層形成工程よりも後に実行したが、第３半導体層形成工程は、トレンチ溝形成工程及び接続層形成工程よりも前に実行してもよいし、トレンチ溝形成工程と接続層形成工程との間に実行してもよい。」
　
（ｃ）「【図１】
【図２】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　
（ｄ）ホトダイオードＰ５〜Ｐ８を互いに隔てているトレンチ溝は、上記記載事項（ｂ）の段落【００５２】〜【００５６】、図１６に記載された、ホトダイオードＰ１の光検出面Ｓ２ａ及びホトダイオードＰ２の光検出面Ｓ２ｂそれぞれの周囲に設けられたトレンチ溝５０と同様の構成のトレンチ溝であることは明らかである。
　
（ｅ）図１５の記載から、複数のトレンチ溝５０が、ホトダイオードＰ５〜Ｐ８から構成される４分割ホトダイオードの中心領域にも配置されている構成が読み取れる。
　
（ｆ）ホトダイオードＰ１，Ｐ２における、ｎ＋型層５４は、ｎ＋型接続層５１に接していて、ｎ−型層４４の表面には、開口６２ａ，６２ｂが形成された絶縁膜６２が成膜されていて、これらの開口６２ａ，６２ｂを通して、アノード電極６４及びカソード電極６６が、それぞれｐ＋型層５５及びｎ＋型層５４と直接に接続されている構成と同様の構成が、ホトダイオードＰ５〜Ｐ８においても、設けられていることは明らかである。また、図１５の記載から、アノード電極６４は各ホトダイオードＰ５〜Ｐ８に対応して４つ設けられている構成が読み取れる。
　
（ｇ）「補強材料５３」の材料は、「補強材料２３」と同じであることは自明であるから、「補強材料５３」の材料はノンドープポリシリコン等であると認められる。
　
　すると、上記引用文献１の記載事項から、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「ホトダイオードＰ５〜Ｐ８から構成される４分割ホトダイオードであって、
　ホトダイオードＰ５〜Ｐ８は、４分割ホトダイオードの中心領域にも配置された複数のトレンチ溝５０によって互いに隔てられており、
　ホトダイオードＰ５〜Ｐ８は、共通の基板４０を有していて、基板４０は、支持基板４１、絶縁層４２、ｎ＋型埋込み層４３、及びｎ−型層４４から構成されており、ｎ−型層４４の表層には、それぞれｎ＋型層５４、及びｐ＋型層５５が形成されており、
　トレンチ溝５０の側壁５０ａに沿ってｎ−型層４４表面からｎ＋型埋込み層４３まで達するｎ＋型接続層５１が形成されており、このｎ＋型接続層５１は、側壁５０ａからｎ−型層４４に不純物を拡散させることにより形成され、さらに、トレンチ溝５０は、その側壁５０ａ及び底面上に絶縁膜５２が形成されるとともに、その空隙にノンドープポリシリコン等の補強材料５３が充填されており、
　ｎ＋型層５４は、ｎ＋型接続層５１に接していて、ｎ−型層４４の表面には、開口６２ａ，６２ｂが形成された絶縁膜６２が成膜されていて、これらの開口６２ａ，６２ｂを通して、アノード電極６４及びカソード電極６６が、それぞれｐ＋型層５５及びｎ＋型層５４と直接に接続されており、アノード電極６４は各ホトダイオードＰ５〜Ｐ８に対応して４つ設けられている、
４分割ホトダイオード。」
　
（２）当審で通知した拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００５−１５０７２３号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は当審が付した。）
　
（ａ）「【００１７】
　
本発明の実施の形態ではＮＩＰ構造のＰＤを製造する場合について説明する。そして、本発明の実施の形態ではアノードが共通されるアノードコモンタイプの分割ＰＤについて説明する。
【００１８】
  図２ないし図７は本発明の一実施の形態によるＰＤの製造方法を工程順に従って示した断面図である。
【００１９】
　
まず、図２に示したように、単結晶シリコン基板のようなＰ型基板１００を準備してその全面にＰ
＋
型埋没層１０５を形成する。その次に、埋没層１０５上にＰ
−
型第１エピタキシャル層１１０を形成する。
その次に、第１エピタキシャル層１１０上にＮ型第２エピタキシャル層１１５を形成する。
【００２０】
　 次に図３に示したように、素子分離膜１２０を形成して活性領域を定義する。素子分離膜１２０は、通常的なＬＯＣＯＳ（ＬＯＣａｌ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）またはＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ  Ｔｒｅｎｃｈ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）が用いられる。
次に、第２エピタキシャル層１１５及び第１エピタキシャル層１１０をエッチングして埋没層１０５を露出させるトレンチ１２５を形成する。
【００２１】
　トレンチ１２５を形成した次には、エッチング時に発生した応力を弛緩させることができるように適正条件の熱処理も行える。例えば、トレンチ１２５の内壁に約５０Å〜２００Å程度の厚さの薄い熱酸化膜１３０を形成する方式で熱処理を行える。その次に、熱酸化膜１３０を除去しうる。
【００２２】
　次に、図４を参照してトレンチ１２５を完全に埋め込むＰ＋型導電層１３５を形成する。ここで、導電層１３５はアノード端子の抵抗を減少させるために形成するものであり、ＢＳＧ（Ｂｏｒｏ−Ｓｉｌｉｃａｔｅ−Ｇｌａｓｓ：ホウ珪酸ガラス）やＰ＋型ドープトポリシリコン（ドープされたポリシリコン）で形成しうる。この時、導電層１３５のドーパント濃度は１×１０２０ないし１×１０２１  イオン／ｃｍ３程度にすることが望ましい。ドーパント濃度が１×１０２０  イオン／ｃｍ３より小さい場合、導電層１３５への抵抗減少効果は十分ではない。一方、ドーパント濃度が１×１０２１  イオン／ｃｍ３より大きい場合、導電層１３５は結晶性が低下し、導電層１３５の特性が低下する場合がある。ドープトポリシリコンの場合はＬＰＣＶＤ（Ｌｏｗ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：減圧化学気相蒸着）法で５００℃ないし７００℃の温度にて蒸着し、数〜数十Ω／□程度の抵抗を持つように形成すれば十分な抵抗減少効果を得られる。この時、不純物がドーピングされていない状態で蒸着した後に不純物をイオン注入にてドーピングさせることもでき、蒸着時にインサイチュ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）にて不純物をドーピングして蒸着する事もできる。
【００２３】
　本実施の形態での導電型と逆に、ＰＩＮ構造のＰＤを製造する場合には埋没層の導電型がＮ＋型である。したがって、Ｎ＋型埋没層まで延長して端子（この場合にはカソード）の抵抗を減少させるために形成する導電層は、Ｎ型導電層、例えばＰＳＧ（Ｐｈｏｓｐｈｏｒ−Ｓｉｌｉｃａｔｅ−Ｇｌａｓｓ：リン珪酸ガラス）またはＮ＋型ドープトポリシリコンを用いることが望ましい。
【００２４】
　次に図５を参照して、第２エピタキシャル層１１５が露出されるように導電層１３５に対するエッチバックを実施する。これで、トレンチ１２５内に埋め込まれた導電性プラグ１３５ａが形成される。エッチバック段階では、ＨＢｒ（臭化水素）、ＨｅＯ２（ヘリウム酸素）、Ｎ２（窒素）、及びＣＦ４（四フッ化メタン）ガスの混合ガスを使用しうる。そして、基板１００側にバイアス電界を加えてエッチングガスの直進性をさらに大きくしうる。エッチバック段階では、例えば、導電層１３５と第２エピタキシャル層１１５とのエッチング率が異なる点を利用し、第２エピタキシャル層１１５をエッチバック工程のストッパとして使用しうる。あるいは、その代りに、図３を参照して説明した段階でトレンチ１２５の形成に使用したパッド窒化膜及びパッド酸化膜を除去せずに残し、パッド窒化膜をエッチバック工程のストッパとして使用しうる。そのような場合、パッド窒化膜及びパッド酸化膜はエッチバック後に除去する。
【００２５】
　ここで、導電層１３５のドーピング濃度を調節して導電性プラグ１３５ａの抵抗を十分に小さくできるので、導電性プラグ１３５ａと埋没層１０５との直列抵抗が減少される。したがって、後続工程で導電性プラグ１３５ａと接するように形成される端子の抵抗を小さくできて周波数特性に優れ、これに伴うＰＤの性能も向上させられる。また、拡散のための熱工程が必要ないので、熱的負担が少なく水平方向への拡散も防止されるので素子の高集積化に非常に有利である。
・・・（中略）・・・
【００２８】
　以上で詳しく説明したように、図７を参照すれば、本発明によるＰＤは基板１００上に順次形成された第１導電型（ここではＰ＋型）埋没層１０５、第１導電型（ここではＰ−型）第１エピタキシャル層１１０、及び第２導電型（ここではＮ型）第２エピタキシャル層１１５を含む。第２及び第１エピタキシャル層１１５，１１０を貫通して埋没層１０５に接するように導電性プラグ１３５ａが埋め込まれている。導電性プラグ１３５ａの上面には第１電極１５５（ここではアノード）が形成されており、第２エピタキシャル層１１５の上面には第２電極１６０（ここではカソード）が形成されている。導電性プラグ１３５ａは上面が平坦である。カソード１６０と第２エピタキシャル層１１５間には複数の第２導電型高濃度注入層、すなわちＮ＋型注入層１４０が形成されている。そして、複数のＮ＋型注入層１４０は第１導電型高濃度注入層、すなわちＰ＋型注入層１４５によって隔てられている。アノード１５５及びカソード１６０は金属間絶縁膜１６５によってさらに覆われており、その上には受光部を定義する遮光膜１７０が形成されうる。受光部内には前記受光部の表面に沿った（コンフォーマルな）反射防止膜１８０がさらに備えられる。」
　
（ｂ）「【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　
３．対比
（１）本願発明と引用発明との対比
（ａ）引用発明の「ホトダイオードＰ５〜Ｐ８」、「４分割ホトダイオード」、「４分割ホトダイオードの中心領域にも配置された複数のトレンチ溝５０」、「ｎ＋型埋込み層４３」、「ｎ−型層４４」、「ｐ＋型層５５」が、それぞれ、本願発明の「複数のセル」、「フォトダイオード」、「中央トレンチ領域を形成するように配置される複数の分離トレンチ」、「第１導電性を有する第１活性層」、「真性層」、「前記第１導電性の逆の第２導電性を有する第２活性層」に相当し、また、引用発明の「ｎ＋型埋込み層４３」、「ｎ−型層４４」、「ｐ＋型層５５」が半導体であり、かつ、表面と裏面とを有することは自明であるから、
引用発明の
「ホトダイオードＰ５〜Ｐ８から構成される４分割ホトダイオードであって、
　ホトダイオードＰ５〜Ｐ８は、４分割ホトダイオードの中心領域にも配置された複数のトレンチ溝５０によって互いに隔てられており、
ホトダイオードＰ５〜Ｐ８は、共通の基板４０を有していて、基板４０は、支持基板４１、絶縁層４２、ｎ＋型埋込み層４３、及びｎ−型層４４から構成されており、ｎ−型層４４の表層には、それぞれｎ＋型層５４、及びｐ＋型層５５が形成されて」いる構成は、
　本願発明の
「フォトダイオードであって、
　第１導電性を有する第１活性層と、前記第１導電性の逆の第２導電性を有する第２活性層と、前記第１活性層及び前記第２活性層を分離する真性層と、を含むと共に、表面と裏面とを有する半導体と、」
「前記フォトダイオードを複数のセルに分割すると共に、」「中央トレンチ領域を形成するように配置される複数の分離トレンチと、」「を備える」構成に相当する。
　
（ｂ）引用発明の「トレンチ溝５０の側壁５０ａに沿ってｎ−型層４４表面からｎ＋型埋込み層４３まで達するｎ＋型接続層５１が形成されており、このｎ＋型接続層５１は、側壁５０ａからｎ−型層４４に不純物を拡散させることにより形成され」ている構成は、本願発明の「前記分離トレンチ深さを各サイドウォールに沿って延出し、前記サイドウォールの少なくとも一部を第１導電性の不純物を注入して形成されるサイドウォール活性拡散領域と、」「を備える」構成に相当する。
　引用発明の「トレンチ溝５０の側壁５０ａに沿ってｎ−型層４４表面からｎ＋型埋込み層４３まで達するｎ＋型接続層５１が形成されて」いることから、「トレンチ溝５０」は「ｎ−型層４４」を貫通する深さを有することは明らかである。
　引用発明の「トレンチ溝５０の側壁５０ａに沿ってｎ−型層４４表面からｎ＋型埋込み層４３まで達するｎ＋型接続層５１が形成されて」いる構成において、「ｎ＋型接続層５１」が導電性であることは自明であり、また、「ｎ＋型埋込み層４３」は「ホトダイオードＰ５〜Ｐ８」の下方に存在することが自明であるから、引用発明の「ｎ＋型接続層５１」は、「ホトダイオードＰ５〜Ｐ８」の下方に存在する「ｎ＋型埋込み層４３」と電気的に接続するものであるといえる。
　引用発明の「トレンチ溝５０は、その側壁５０ａ及び底面上に絶縁膜５２が形成されるとともに、その空隙にノンドープポリシリコン等の補強材料５３が充填されて」いる構成と、本願発明の「前記分離トレンチを充填する導電性材料と、」「を備える」構成とは、「前記分離トレンチを充填する材料と、」「を備える」構成で一致する。
　
　すると、引用発明の
「トレンチ溝５０の側壁５０ａに沿ってｎ−型層４４表面からｎ＋型埋込み層４３まで達するｎ＋型接続層５１が形成されており、このｎ＋型接続層５１は、側壁５０ａからｎ−型層４４に不純物を拡散させることにより形成され、さらに、トレンチ溝５０は、その側壁５０ａ及び底面上に絶縁膜５２が形成されるとともに、その空隙にノンドープポリシリコン等の補強材料５３が充填されて」いる構成と、
　本願発明の
「前記第２活性層と前記真性層とを貫通して前記第１活性層内へと延出する深さを有し、」「当該複数のセルの夫々の下方で前記第１活性層と電気的に接続する」「分離トレンチと、
　前記分離トレンチ深さを各サイドウォールに沿って延出し、前記サイドウォールの少なくとも一部を第１導電性の不純物を注入して形成されるサイドウォール活性拡散領域と、
　前記分離トレンチを充填する導電性材料と、」「を備える」構成とは、
「前記真性層を貫通する深さを有し、」「当該複数のセルの夫々の下方で前記第１活性層と電気的に接続する」「複数の分離トレンチと、
　前記分離トレンチ深さを各サイドウォールに沿って延出し、前記サイドウォールの少なくとも一部を第１導電性の不純物を注入して形成されるサイドウォール活性拡散領域と、
　前記分離トレンチを充填する材料と、」「を備える」構成で一致する。
　
（ｃ）引用発明の「カソード電極６６」、「アノード電極６４」が、それぞれ、本願発明の「第１電気コンタクト」、「第２電気コンタクト」に相当する。
　引用発明の「カソード電極６６」は「ｎ＋型層５４と直接に接続されて」おり、「ｎ＋型層５４は、ｎ＋型接続層５１に接して」おり、また、上述のとおり、「ｎ＋型接続層５１」は「ホトダイオードＰ５〜Ｐ８」の下方に存在する「ｎ＋型埋込み層４３」と電気的に接続するものであるから、「カソード電極６６」は、「ｎ＋型層５４」と（トレンチ溝５０の側壁５０ａに沿って形成された）「ｎ＋型接続層５１」を介して、「ホトダイオードＰ５〜Ｐ８」の下方に存在する「ｎ＋型埋込み層４３」と電気的に接続されているといえる。
　引用発明の「アノード電極６４」は「ｐ＋型層５５」「と直接に接続されており、アノード電極６４は各ホトダイオードＰ５〜Ｐ８に対応して４つ設けられている」から、「アノード電極６４」は、それぞれ、ホトダイオードＰ５〜Ｐ８のうちの１つの「ｐ＋型層５５」と電気的に接続されているといえる。
　
　すると、引用発明の
「ｎ＋型層５４は、ｎ＋型接続層５１に接していて、ｎ−型層４４の表面には、開口６２ａ，６２ｂが形成された絶縁膜６２が成膜されていて、これらの開口６２ａ，６２ｂを通して、アノード電極６４及びカソード電極６６が、それぞれｐ＋型層５５及びｎ＋型層５４と直接に接続されており、アノード電極６４は各ホトダイオードＰ５〜Ｐ８に対応して４つ設けられている」構成は、
本願発明の
「前記中央トレンチを介して前記セルの夫々の下方において前記第１活性層と電気的に接続されている第１電気コンタクトと、
　その夫々が前記複数のセルの１つの前記第２活性層と電気的に接続され、前記第１電気コンタクトと共に、前記フォトダイオードの前記表面上に形成される複数の第２電気コンタクトと、
を備える」構成に相当する。
　
（２）一致点
　以上のことから、両者は、
「フォトダイオードであって、
　第１導電性を有する第１活性層と、前記第１導電性の逆の第２導電性を有する第２活性層と、前記第１活性層及び前記第２活性層を分離する真性層と、を含むと共に、表面と裏面とを有する半導体と、
　前記真性層を貫通する深さを有し、前記フォトダイオードを複数のセルに分割すると共に、当該複数のセルの夫々の下方で前記第１活性層と電気的に接続する中央トレンチ領域を形成するように配置される複数の分離トレンチと、
　前記分離トレンチ深さを各サイドウォールに沿って延出し、前記サイドウォールの少なくとも一部を第１導電性の不純物を注入して形成されるサイドウォール活性拡散領域と、
　前記分離トレンチを充填する材料と、
　前記中央トレンチを介して前記セルの夫々の下方において前記第１活性層と電気的に接続されている第１電気コンタクトと、
　その夫々が前記複数のセルの１つの前記第２活性層と電気的に接続され、前記第１電気コンタクトと共に、前記フォトダイオードの前記表面上に形成される複数の第２電気コンタクトと、
を備えるフォトダイオード。」で一致し、次の点で相違する。
　
（３）相違点
（イ）分離トレンチが、本願発明では、「前記第２活性層と前記真性層とを貫通して前記第１活性層内へと延出する深さを有」するのに対して、引用発明では、「ｎ−型層４４」を貫通する深さを有するが、「ｐ＋型層５５」を貫通するものではなく、また、「ｎ＋型埋込み層４３」へと延出する深さではない点。 
 　
（ロ）分離トレンチを充填する材料が、本願発明では、「導電性材料」であるのに対して、引用発明では、「ノンドープポリシリコン等の補強材料５３」である点。 
　
４．判断
（１）相違点（イ）について
 　引用文献２（特に、段落【００１７】〜【００２０】、図２、３参照）には、分割ＰＤとして、「Ｐ＋型埋没層１０５」（本願発明の「第１導電性を有する第１活性層」に相当）、「Ｐ−型第１エピタキシャル層１１０」（本願発明の「前記第１活性層及び前記第２活性層を分離する真性層」に相当）、「Ｎ型第２エピタキシャル層１１５」（本願発明の「前記第１導電性の逆の第２導電性を有する第２活性層」に相当）からなる積層構造において、「Ｎ型第２エピタキシャル層１１５」と「Ｐ−型第１エピタキシャル層１１０」を貫通して、「Ｐ＋型埋没層１０５」内へと延出する深さを有する「トレンチ１２５」（本願発明の「分離トレンチ」に相当）を形成する構成が記載されている。 
　また、引用文献１の段落【００５９】、図１７に、「トレンチ溝２０」を「ｎ＋型埋込み層１３」まで達する深さとしてもよいことが記載されていることからも、引用発明において、「トレンチ溝５０」を「ｐ＋型層５５」を貫通し、「ｎ＋型埋込み層４３」へと延出する深さとすることは、当業者が容易に想到し得ることである。
　
（２）相違点（ロ）について
　引用発明では、「トレンチ溝５０」を充填する「補強材料５３」は、ホトダイオード全体の機械的強度を向上させるものである（引用文献１の段落【００３０】参照）から、「補強材料５３」として、「ノンドープポリシリコン等」と同程度の機械的強度を有するものであれば他の材料であってもよいことは自明であり、かつ、引用発明において、「ノンドープポリシリコン等」を導電性や絶縁性の他の材料とすることを阻害する要因もないから、引用発明の「トレンチ溝５０」に「ノンドープポリシリコン等」に換えてノンドープポリシリコン等と同程度の機械的強度を有する導電性材料を充填して、上記相違点に係る本願発明の発明特定事項を得ることは当業者が容易に想到し得ることである。
　
（３）効果について
　そして、本願発明が奏し得る効果は、引用発明、引用文献１に記載された技術事項及び引用文献２に記載された技術事項から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
（４）請求人の主張について
　請求人は、平成２６年８月８日付けの意見書の「３−１．」において、
「請求項１に係る本願発明は、「分離トレンチを充填する導電性材料」との特徴構成を有します。一方、引用文献１に係る発明は、トレンチと導電性材料との間に「絶縁膜５２」を有します。
　当該相違点について、引用文献１に記載の「絶縁膜５２」が不要であって省略可能であることは決して当業者にとって容易に想到し得るものではありません。以下、その理由を説明致します。
　当該「絶縁膜５２」は「ｎ＋型接続層５１」が露出する構造において、単に、当該「ｎ＋型接続層５１」を保護するためのものではありません。明細書の図面にも示されたように、「トレンチ５０」が充填された状態においても、絶縁膜層５２が存在しており、また、絶縁膜層５２は、その名前の通り、電気的特性の保護作用を果たすものであり、単なる物理的な保護作用ではありません。
　従って、「絶縁膜５２」が不要であることは、当業者にとって容易に想到し得るものではなく、引用文献１には、補強材料５３がトレンチ溝５０に対して直接充填されるとの技術的示唆は生じ得ません。」と主張する。
　これについて、本願発明では、引用発明の「絶縁膜５２」に相当する構成の有無についての限定はなく、上記「３．」で検討したとおり、引用発明が「絶縁膜５２」を有することは、本願発明と引用発明の相違点ではないから、上記「当該相違点について、引用文献１に記載の「絶縁膜５２」が不要であって省略可能であることは決して当業者にとって容易に想到し得るものではありません。」との主張は、そもそも意味がない。
　しかし、請求人が上述のような主張を行っていることに鑑み、上記主張について検討すると、引用文献１には、段落【００３０】の他に、段落【００１１】、【００３９】に、（「絶縁膜５２」と同様の構成である）「絶縁膜２２」について、「トレンチ溝２０」の「側壁２０ａ」に
露出する
　
（５）結論
　したがって、本願発明は、引用発明、引用文献１に記載された技術事項及び引用文献２に記載された技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　
第３　特許法第３６条第４項第１号について
１．当審で通知した拒絶理由
　当審が平成２６年５月１３日付けで通知した拒絶理由（以下「当審拒絶理由」という。）において、以下のとおり、拒絶理由を通知している。
　
「４．本願は、明細書又は図面の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　記
　
（１）略
　
（２）略
　
（３）段落【００２２】に「後述するように、前記アンダーカット領域５６を設けることによって、前記真性層上面活性拡散領域８６の形成が容易になる。」という記載があるが、「酸化物層５０」をエッチングして、「アンダーカット領域５６」を形成しても、「アンダーカット領域５６」の下の「真性層３６」上には「第２活性層４２」が形成されたままであって、「真性層３６」の上面は露出していないことを考慮すると、なぜ、「前記アンダーカット領域５６を設けることによって、前記真性層上面活性拡散領域８６の形成が容易になる」のかが不明であって、発明の詳細な説明に、当業者が発明の技術上の意義を理解するために必要な事項が記載されているとは認められない。
　
（４）上述したとおり、発明の詳細な説明の記載では、「真性層３６」上に「第２活性層４２」が積層されている状態で、「真性層上面活性拡散領域」が形成されると解されるが、「第２活性層４２」が積層された「真性層３６」上面に、具体的にどのようにして、「真性層上面活性拡散領域」を形成するのかが不明であって、発明の詳細な説明は、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載したものとは認められない。
　
　よって、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が請求項１〜６、８〜２０に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでない。
　また、この出願の発明の詳細な説明は、請求項１８、１９に係る発明について、経済産業省令で定めるところにより記載されたものでない。」
　
　以下、上記拒絶理由「４．」のうちの「（３）」、「（４）」について、すなわち、この出願の発明の詳細な説明は、請求項１８に係る発明について、経済産業省令で定めるところにより記載されたものでない、また、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が請求項１８に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでないとした拒絶理由について、検討する。
　
２．本願の特許請求の範囲の請求項１８に係る発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１８に係る発明は、平成２５年１０月１６日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１２及び１８に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「　【請求項１２】
　フォトダイオードの製造方法であって、
　第１導電性を有する第１活性層と、前記第１導電性の逆の第２導電性を有する第２活性層と、前記第１活性層及び前記第２活性層を分離する真性層とを含むと共に、表面と裏面とを有する半導体を提供する工程と、
　前記第２活性層と前記真性層とを貫通して前記第１活性層内へと延出する深さを有し、前記フォトダイオードを複数のセルに分割すると共に、前記複数のセルの夫々の下方で前記第１活性層と電気的に接続する中央トレンチ領域を形成するように配置される複数の分離トレンチを形成する工程と、
　前記分離トレンチの複数のサイドウォールの少なくとも一部を、第１導電性の不純物を注入することにより、各サイドウォールに沿って分離トレンチ深さを延出するサイドウォール活性拡散領域を形成する工程と、
　前記分離トレンチを導電性材料によって充填する工程と、
　前記中央トレンチ領域を介して前記セルの夫々の下方において前記第１活性層と電気的に接続される第１電気コンタクトを形成する工程と、
　前記複数のセルの１つの前記第２活性層と電気的に接続され、前記第１電気コンタクトと共に前記フォトダイオードの前記表面上に形成される複数の第２電気コンタクトを形成する工程と、
を備えるフォトダイオードの製造方法。」
「　【請求項１８】
　前記第２活性層上に酸化物層を形成する工程と、
　前記酸化物層上にフォトレジストマスクを形成してエッチングマスクを形成する工程と、
　前記フォトレジストマスクの下方の前記酸化物層をエッチングして前記フォトレジストマスクのエッジの近傍にアンダーカット領域を形成する工程と、
を有する請求項１２に記載のフォトダイオードの製造方法。」
　
３．審判請求人の主張
　上記拒絶理由「４．」のうちの「（３）」、「（４）」に対して、請求人は、平成２６年１０月１５日付け意見書において、
「３−４−３．理由４の（３）、（４）
　第２実施例のフォトダイオード１０’を示す図３には、第２活性層４２が含まれていないことが明らかです。さらに、さらに、段落００２１には、「図４Ａは、第１工程１１０〜第６工程１６０の完了時における、加工中のフォトダイオード１０又は１０’を示しているが、ここで前記第３工程の前記第２活性層４２は省略されている。」ことが記載されています。
　よって、理由４の（３）、（４）における技術的前提として、いずれも、「第２活性層４２」は存在していないことが理解されるべきです。
　すなわち、理由４の（３）、（４）では、「アンダーカット領域５６」の下の「真性層３６」上には、「第２活性層４２」が形成されておらず、アンダーカット領域５６を設けることによって、真性層３６が露出することになるため、真性層３６上面に真性層活性拡散領域８６の形成が容易になることは、当業者にとって理解され得ます。
　よって、これらの不備は存在しないと思われます。」
と主張している。
　該主張について、以下、検討する。
　請求人の主張するとおり、本願の図３には、「第２活性層４２」が記載されていないことは明らかであるが、これは、本願の明細書の【図面の簡単な説明】に、「【図３】第２好適実施例によるフォトダイオードの部分断面図（第２活性層と周部分離トレンチとの図示は省略され、前記中央トレンチ領域の第２構成が図示されている）」と記載されるように、図３では「第２実施例のフォトダイオード１０’」の「第２活性層４２」の
図示を
　また、本願の明細書の段落【００２１】の「図４Ａは、第１工程１１０〜第６工程１６０の完了時における、加工中のフォトダイオード１０又は１０’を示しているが、ここで前記第３工程の前記第２活性層４２は省略されている。」という記載も、図４Ａにおいて、「第２活性層４２」の図示を省略したことを意味していることも明らかである。このことは、段落【００１９】に「図４Ａ−４Ｆ及び図５Ａ−５Ｂを参照すると、製造方法１００を使用して前記第１及び第２実施例フォトダイオード１０及び１０’が製造される。・・・第２工程１２０において、真性層３６を形成する第２層３０が前記第１活性層２２上に形成される。第３工程１３０において、前記第１導電性と逆の第２導電性を有する第２活性層４２を形成する第３層４０が前記真性層３６上に形成される。第４工程１４０において、前記第２活性層４２上に酸化物層５０が形成される。第５工程１５０において、前記酸化物層５０上にフォトレジストマスクが形成される。・・・」と記載され、図５Ａには、第３工程である１３０として、「真性層上に，第２導電性を有する第２活性層を形成するように注入された第３層を形成」、第４工程である１４０として、「第２活性層上に酸化物層を形成」、第５工程である１５０として、「酸化物層上にフォトレジストマスクを形成」と記載されていることから、「フォトダイオード１０’」が「真性層３６」上に「第２活性層４２」が形成されていることが明記されていることによっても裏付けられる。
　さらに、本願の明細書段落【０００１】に「本発明は、Positive-Intrinsic-Negative（ＰＩＮ）又はNegative-Intrinsic-Positive（ＮＩＰ）フォトダイオードアレイとＰＩＮ／ＮＩＰフォトダイオードアレイの製造方法とに関する。」、段落【００１０】に「本発明の第１好適実施例によるpositive-intrinsic-negative（ＰＩＮ）フォトダイオード１０が図示されている。」、段落【００１７】に「第２実施例のフォトダイオード１０’においては、中央トレンチ領域７６’に隣接するトレンチ７０間の側方間隔Ｌ’は、前記第１実施例のフォトダイオード１０の側方間隔Ｌよりも広くされている。前記第２実施例側方間隔Ｌ’は、各隣接サイドウォール活性拡散領域８２の側方深さＬＤの２倍以上である。第２実施例の中央トレンチ領域７６’の設置面積（footprint）又は平面断面積が大きいことにより、第２実施例の第１電気コンタクト９０’の長さと幅もそれに応じて大きくなっている。
それ以外の点においては、第２実施例フォトダイオード１０’の動作と構造は前記第１実施例フォトダイオード１０の構造と動作と実質的に同じか、又は同様である。
　したがって、上記請求人の主張は、本願の明細書及び図面の記載を誤解するものであって、採用することはできない。
　
５．判断
　以上のとおり、本願の発明の詳細な説明には、「真性層３６」上に「第２活性層４２」が形成されたフォトダイオードが記載されるのみであって、このようなフォトダイオードでは、当審拒絶理由で指摘したとおり、「酸化物層５０」をエッチングして、「アンダーカット領域５６」を形成しても、「アンダーカット領域５６」の下の「真性層３６」上には「第２活性層４２」が形成されたままであって、「真性層３６」の上面は露出していないから、なぜ、段落【００２２】に記載されるように「前記アンダーカット領域５６を設けることによって、前記真性層上面活性拡散領域８６の形成が容易になる」のかが不明であって、発明の詳細な説明に、当業者が発明の技術上の意義を理解するために必要な事項が記載されているとは認められず、また、「第２活性層４２」が積層された「真性層３６」上面に、具体的にどのようにして、「真性層上面活性拡散領域」を形成するのかが不明であって、発明の詳細な説明は、当業者が実施できる程度に明確かつ十分に記載したものとは認められない。
　
６．結論
　したがって、本願の発明の詳細な説明は、本願の特許請求の範囲の請求項１８に係る発明について、経済産業省令で定めるところにより記載されたものではなく、また、本願の発明の詳細な説明は、本願の特許請求の範囲の請求項１８に係る発明をその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものでもない。
　よって、本願は、その発明の詳細な説明の記載が特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
　
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、また、本願は特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないから、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。