【事件の表示】
　特願２００７−２３５５２３「基板上に堆積された膜組成物及びその半導体デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　１月１７日出願公開、特開２００８−　１０８８８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００１年１１月１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０００年１１月２１日、米国）を国際出願日とする特願２００２−５４４７７１号（以下「原出願」という。）の一部を平成１９年９月１１日に新たな特許出願としたものであって、平成２３年９月５日付けの拒絶理由通知に対して、同年１１月１１日に手続補正書及び意見書が提出されたが、平成２４年２月９日付けで拒絶査定がされた。
　そして、同年６月１４日に審判請求がされるとともに手続補正書が提出され、同年９月１９日付けの審尋に対して、同年１２月１９日に回答書が提出され、その後、当審における平成２５年５月１日付けの拒絶理由通知に対して、同年９月９日に手続補正書及び意見書が提出され、さらに、当審における平成２６年１月６日付けの最後の拒絶理由通知に対して、同年４月７日に手続補正書及び意見書が提出された。
　
第２　補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２６年４月７日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　平成２６年４月７日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という）は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１〜２７を補正して、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１〜１２とするものであり、本件補正前の請求項１〜１５と本件補正後の請求項１〜１２は各々次のとおりである。
　
（本件補正前）
「【請求項１】
　半導体デバイスにおける基板上に形成された前記原子層堆積法により堆積された膜組成物であって、
　第１の反応物を提供するために前記基板の表面領域上の少なくとも３０％において吸着された付着性材料を含むイニシエーション層であって、前記第１の反応物が、前記原子層堆積法の条件下で第２の反応物を形成するように反応材料とともに化学的に反応されており、
　前記イニシエーション層上に形成された第１の反応層であって、前記第１の反応層が、前記原子層堆積法の条件下で前記イニシエーション層の前記第２の反応物とともに化学的に反応された金属または金属化合物から構成され、
　前記イニシエーション層は少なくとも１つの亜鉛含有化合物である、
　ことを特徴とする膜組成物。
　　【請求項２】
　前記イニシエーション層は、５０Åを超えない厚さであることを特徴とする請求項１に記載の膜組成物。
　　【請求項３】
　前記イニシエーション層は、１０Åを超えない厚さであることを特徴とする請求項２に記載の膜組成物。
　　【請求項４】
　前記イニシエーション層は、前記基板上に化学吸着するが、前記さらなる層には化学吸着しないことを特徴とする請求項１に記載の膜組成物。
　　【請求項５】
　少なくとも２つのさらなる反応層を含むことを特徴とする請求項１に記載の膜組成物。
　　【請求項６】
　少なくとも５つのさらなる反応層を含むことを特徴とする請求項５に記載の膜組成物。
　　【請求項７】
　少なくとも１０のさらなる反応層を含むことを特徴とする請求項６に記載の膜組成物。
　　【請求項８】
　前記さらなる反応層は、前記イニシエーション層の少なくとも５倍の厚さであることを特徴とする請求項６に記載の膜組成物。
　　【請求項９】
　前記膜はバリア膜であることを特徴とする請求項１に記載の膜組成物。
　　【請求項１０】
　前記膜はゲート酸化膜であることを特徴とする請求項１に記載の膜組成物。
　　【請求項１１】
　前記付着材料は、前記基板の表面領域の少なくとも５０％に吸着されることを特徴とする請求項８に記載の膜組成物。
　　【請求項１２】
　前記付着材料は、前記基板の表面領域の少なくとも８０％に吸着されることを特徴とする請求項５に記載の膜組成物。
　　【請求項１３】
　前記付着材料は、前記基板の表面領域の少なくとも９０％の前記基板上に吸着されることを特徴とする請求項１２に記載の膜組成物。
　　【請求項１４】
　前記反応層は一酸化窒素、亜酸化窒素、窒素、ＮＨ３、ＳｉＨ４、ＰＨ３、Ｈ２Ｓまたは水蒸気のうちのひとつであることを特徴とする請求項１に記載の膜組成物。
　　【請求項１５】
　前記イニシエーション層は、塩化亜鉛であることを特徴とする請求項１に記載の膜組成物。」
　
（本件補正後）
「【請求項１】
　半導体デバイスにおける基板上に形成された原子層堆積法により堆積された膜組成物であって、
　第１の反応物を提供するために前記基板の表面領域上の少なくとも３０％において吸着された付着性材料を含むイニシエーション層であって、前記第１の反応物は、前記原子層堆積法の条件下で第２の反応物を形成するように第１の反応材料とともに化学的に反応されており、
　前記イニシエーション層上に形成された第１の反応層であって、前記第１の反応層は、前記原子層堆積法の条件下で前記イニシエーション層と異なる材料の第２の反応材料と、前記イニシエーション層の前記第２の反応物とが化学的に反応された金属化合物から構成され、
　前記イニシエーション層は少なくとも１つの亜鉛含有化合物である、
　ことを特徴とする膜組成物。
　　【請求項２】
　前記イニシエーション層は、５０Åを超えない厚さであることを特徴とする請求項１に記載の膜組成物。
　　【請求項３】
　前記イニシエーション層は、１０Åを超えない厚さであることを特徴とする請求項２に記載の膜組成物。
　　【請求項４】
　前記イニシエーション層は、前記基板上に化学吸着するが、前記原子層堆積法の条件下において前記第２の反応材料と、前記第２の反応物とが化学的に反応された金属化合物から構成される、前記第１の反応層上に形成された層であるさらなる反応層には化学吸着しないことを特徴とする請求項１に記載の膜組成物。
　　【請求項５】
　少なくとも２つのさらなる反応層を含み、前記さらなる反応層は、前記原子層堆積法の条件下において前記第２の反応材料と、前記第２の反応物とが化学的に反応された金属化合物から構成される、前記第１の反応層上に形成された層であることを特徴とする請求項１に記載の膜組成物。
　　【請求項６】
　少なくとも５つのさらなる反応層を含むことを特徴とする請求項５に記載の膜組成物。
　　【請求項７】
　少なくとも１０のさらなる反応層を含むことを特徴とする請求項６に記載の膜組成物。
　　【請求項８】
　前記さらなる反応層は、前記イニシエーション層の少なくとも５倍の厚さであることを特徴とする請求項６に記載の膜組成物。
　　【請求項９】
　前記付着性材料は、前記基板の表面領域の少なくとも５０％に吸着されることを特徴とする請求項８に記載の膜組成物。
　　【請求項１０】
　前記付着性材料は、前記基板の表面領域の少なくとも８０％に吸着されることを特徴とする請求項９に記載の膜組成物。
　　【請求項１１】
　前記付着性材料は、前記基板の表面領域の少なくとも９０％の前記基板上に吸着されることを特徴とする請求項１０に記載の膜組成物。
　　【請求項１２】
　前記イニシエーション層は、塩化亜鉛であることを特徴とする請求項１に記載の膜組成物。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正による補正事項を整理すると、以下のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１の「前記原子層堆積法」を、補正後の請求項１の「原子層堆積法」と補正すること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項１の「前記第１の反応物が、前記原子層堆積法の条件下で第２の反応物を形成するように反応材料とともに化学的に反応されており」を、補正後の請求項１の「前記第１の反応物は、前記原子層堆積法の条件下で第２の反応物を形成するように第１の反応材料とともに化学的に反応されており」と補正すること。
　
（３）補正事項３
　補正前の請求項１の「前記第１の反応層が、前記原子層堆積法の条件下で前記イニシエーション層の前記第２の反応物とともに化学的に反応された」を、補正後の請求項１の「前記第１の反応層は、前記原子層堆積法の条件下で前記イニシエーション層と異なる材料の第２の反応材料と、前記イニシエーション層の前記第２の反応物とが化学的に反応された」と補正すること。
　
（４）補正事項４
　補正前の請求項１の「金属または金属化合物」を、補正後の請求項１の「金属化合物」と補正すること。
　
（５）補正事項５
　補正前の請求項４の「前記さらなる層」を、補正後の請求項４の「前記原子層堆積法の条件下において前記第２の反応材料と、前記第２の反応物とが化学的に反応された金属化合物から構成される、前記第１の反応層上に形成された層であるさらなる反応層」と補正し、補正前の請求項５の「少なくとも２つのさらなる反応層を含む」を、補正後の請求項５の「少なくとも２つのさらなる反応層を含み、前記さらなる反応層は、前記原子層堆積法の条件下において前記第２の反応材料と、前記第２の反応物とが化学的に反応された金属化合物から構成される、前記第１の反応層上に形成された層である」と補正すること。
　
（６）補正事項６
　補正前の請求項９、１０、１４を削除するとともに、補正前の請求項１１、１２、１３、１５を、それぞれ、補正後の請求項９、１０、１１、１２に繰り上げること。
　
（７）補正事項７
　補正前の請求項１１、１２、１３の「前記付着材料」を、補正後の請求項９、１０、１１の「前記付着性材料」と補正すること。
　
（８）補正事項８
　補正前の請求項１２が「請求項５」を引用していたところを、補正後の請求項１０が「請求項９」を引用するものとし、補正前の請求項１３が「請求項１２」を引用していたところを、補正後の請求項１１が「請求項１０」を引用するものとすること。
　
（９）補正事項９
　補正前の請求項１６〜２７を、削除すること。
　
３　新規事項の追加の有無及び補正目的の適否についての検討
（１）補正事項３について補正目的の適否の検討
　補正事項１〜９のうち、最初に、補正事項３について検討する。
　補正事項３は、「前記原子層堆積法の条件下で」「イニシエーション層の前記第２の反応物」と「化学的に反応」して「第１の反応層」となるものが、「イニシエーション層と異なる材料の第２の反応材料」であることを特定することによって、請求項１に係る発明の技術的範囲を限定的に減縮しようとするものであるから、補正事項３は、特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　したがって、補正事項３は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項」という。）第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するから、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たしている。
　
（２）補正事項３について新規事項の追加の有無の検討
　ア　平成２６年４月７日付けの意見書において、請求人は、「請求項１の補正は、段落００１７、００１８及び００２１の記載に基づいており」と説明しており、また、補正事項３は請求項１についての補正である。そこで、補正事項３における新規事項追加の有無を検討するにあたり、本願明細書の段落００１７、００１８及び００２１を以下のとおり摘記する。
　
「【００１７】
　次に、図２Ａを参照して、イニシエーション層１４を形成する付着性材料の第１の反応性部位１６を、少なくとも１つの第１の反応材料１８と反応させる。次に、図２Ｂを参照して、前述のＡＬＤ条件の下で、第１の反応材料１８が第１の反応性部位１６と反応して、第２の反応性部位２０を形成する。反応は、例えば、第１の反応材料１８の１つまたは複数の化学成分が、第１の反応性部位１６の１つまたは複数の成分を置換して、第２の反応性部位２０を形成する置換反応であっても良い。ＴＤＭＡＴがイニシエーション層１４に対する付着性材料として機能し、１つまたは複数の露出するジメチルアミノ配位子が第１の反応性部位１６として機能する例では、第１の反応材料１８は、ガス状の窒素含有化合物（その混合物を含む）からなる群から選択される１つまたは複数種の化合物であっても良い。これらの化合物としては、例えば、一酸化窒素、亜酸化窒素、窒素、およびアンモニア（ＮＨ３）を挙げることができる。窒素およびアンモニアが好ましく、アンモニアが特に好ましい。アンモニアを導入することにより、例えば、Ｔｉ−Ｎ−Ｈ結合単位（ｌｉｎｋａｇｅ  ｕｎｉｔ）を第２の反応性部位２０として形成することができる。他の好適な第１の反応材料１８としては、ＳｉＨ４、ＰＨ３、Ｈ２Ｓ、および水蒸気さえ挙げることができる。
【００１８】
　次に、図３Ａを参照して、ＡＬＤプロセスを継続させて、第２の反応材料２２を第２の反応性部位２０と反応させる。第２の反応材料２２は、部位２０と反応して膜層をイニシエーション層１４上に形成するのであれば、どんな化学元素または化合物であっても良い。ある実施形態においては、第２の反応材料２２は水蒸気であっても良い。他の実施形態においては、第２の反応材料は好ましくは、金属または金属を含む化合物である。これらの中で、タングステンを含む化合物が特に望ましいと考えられる。ＴＤＭＡＴをイニシエーション層１４に対する付着性材料として用いるときで、かつ窒素を含む化合物を第１の反応材料１８として用いるときに使用する場合には、六フッ化タングステン（ＷＦ６）が特に好ましい。ＷＦ６を第２の反応材料２２として導入することによって、水素（−Ｈ）基を置換してＴｉ−Ｎ−Ｗ−Ｆ結合を形成することができる。」
「【００２１】
　イニシエーション層および反応層は、異なる材料から構成されていることが好ましい。したがって、ＴＤＭＡＴを用いてイニシエーション層１４を形成する例においては、ＷＮｘの連続的な反応層を（第１の反応材料１８としてＮＨ３を、そして第２の反応材料２２としてＷＦ６を用いて）、Ｔｉ層上に堆積させて、最終的な膜を形成することが好ましいと考えられる（ここで、ｘは好ましくは整数１、２、３、４などである）。ここでもう一度、連続的な反応層のそれぞれを前述の方法で形成する間に、イニシエーション層１４は実質的に劣化しないことに留意されたい。また、イニシエーション層は、第１の反応層２４と比べて、ひいては、その上に形成されるさらなる層２６、２８、３０、および３２などの何れと比べても、比較的薄い層である。イニシエーション層は、約５０Åの厚さよりも大きくてはいけなく、好ましくは、約１０Åの厚さを超えてはいけない。イニシエーション層は約１または２Åの厚さを上回らないことが、さらに望ましい。各反応層は、イニシエーション層の約２倍の厚さから、より好ましくは、約１０倍から約１００倍の厚さの範囲までの、どこにあっても良い。全体としては、最終的な膜は通常、約数百オングストロームの厚さ程度である」
　
　イ　摘記した本願明細書の段落【００１８】には、「第２の反応材料２２は、部位２０と反応して膜層をイニシエーション層１４上に形成するのであれば、どんな化学元素または化合物であっても良い。」と記載されており、第２の反応材料は、イニシエーション層と同じ材料であるか、異なる材料であるかのいずれかであるから、第２の反応材料は、部位２０と反応して膜層をイニシエーション層１４上に形成するという条件を満たす範囲で、イニシエーション層と異なる材料を含み得るものであり、しかも、同段落【００１８】には、イニシエーション層を形成する付着性材料としてＴＤＭＡＴを用いる際に、第２の反応材料として六フッ化タングステン（ＷＦ６）が特に好ましいと記載されており、第２の反応材料がイニシエーション層と異なる材料である実施例も示されている。
　
　ウ　しかしながら、補正事項３についての補正の根拠とされた、上記段落００１７、００１８及び００２１のいずれにも、イニシエーション層が亜鉛含有化合物である場合に、第２の反応物と化学的に反応する第２の反応材料を、イニシエーション層と異なる材料とすることについては、何ら記載がなされていない。そして、上記イで検討したように、イニシエーション層がＴＤＭＡＴである場合、イニシエーション層と異なる材料を、第２の反応物と化学的に反応する第２の反応材料として利用することが記載されているとしても、当該記載により、直ちに、イニシエーション層が亜鉛含有化合物である場合においても、イニシエーション層と異なる材料を、第２の反応物と化学的に反応する第２の反応材料として利用できることが、示唆されているとはいえない。ＴＤＭＡＴと亜鉛含有化合物は、基板の表面領域に吸着する点において共通の性質を有しているということはいえるが、基板に吸着したＴＤＭＡＴからなるイニシエーション層の第１の反応物と第１の反応材料が反応して形成された第２の反応物と、基板に吸着した亜鉛含有化合物からなるイニシエーション層の第１の反応物と第１の反応材料が反応して形成された第２の反応物とは、別の物質であり、異なる反応特性を有するものと認められる。したがって、イニシエーション層がＴＤＭＡＴである場合に、第２の反応物と化学的に反応する第２の反応材料として、イニシエーション層と異なる材料が利用可能であるとしても、イニシエーション層がＴＤＭＡＴである場合に、第２の反応物と化学的に反応する第２の反応材料として、イニシエーション層と異なる材料が利用可能であるとする理論的根拠は不明であり、第２の反応物と化学的に反応する第２の反応材料として、イニシエーション層と異なる材料が利用可能であることが、当業者にとって周知の事項であるともいえない。
　
　エ　上記周知の事項であるかの点について、基板上に最初に亜鉛含有化合物を供給して金属化合物からなる反応層を形成する、従来のＡＬＤ法を検討するに、例えば、下記第３の２（１）と４（１）ウにおいて検討する、引用例１と周知例２を参照することができる。
　引用例１には、透明絶縁性基板上に、亜鉛含有化合物であるジエチルジンクと硫化水素を交互に供給してＺｎＳ膜を形成する方法が記載されており、周知例２には、被成長基板上に、亜鉛含有化合物であるジメチルジンクと硫化水素を交互に供給してＺｎＳ膜を形成する方法が記載されている。これらの方法において、１回目に供給する原料ガスと、３回目に供給する原料ガスはいずれもジエチル亜鉛又はジメチル亜鉛であり、同じ原料ガスを供給している。そこで、仮に、上記１回目に供給するガス、第２回目に供給するガス、３回目に供給するガスが、それぞれ、本願明細書に記載された付着性材料、第１の反応材料、第２の反応材料に対応するものと考えたときに、引用例１の方法及び周知例１の方法のいずれも、付着性材料と第２の反応材料が同じ原料ガスを用いるものとなっている。
　したがって、イニシエーション層を形成するための付着性材料として亜鉛含有化合物を用いる場合に、第２の反応材料として、イニシエーション層と異なる材料を用いることが、当業者にとって周知の技術であるということはできないから、本願明細書の記載に接した当業者にとって、イニシエーション層を形成するための付着性材料として亜鉛含有化合物を用いる場合に、第２の反応材料として、イニシエーション層と異なる材料を用いることが、自明な事項であるともいえない。
　
　オ　また、イニシエーション層が少なくとも１つの亜鉛含有化合物である場合の具体例に関して、補正事項３についての補正の根拠とされた、上記段落００１７、００１８及び００２１以外に、本願明細書の段落【００１４】には、「他の有用な付着性材料は、塩化亜鉛である。他の有用な化合物としては、例えば、テトラエトキシオルソシリケート（ｔｅｔｒａｅｔｈｏｘｙｏｒｔｈｏｓｉｌｉｃａｔｅ）（ＴＥＯＳ）、三塩化アルミニウム、トリメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、およびトリメチル亜鉛（ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｚｉｎｃ）を挙げることができる。」と記載されているが、イニシエーション層を形成するための付着性材料である亜鉛含有化合物として、塩化亜鉛とトリメチル亜鉛を用いうることが例示されているのみであって、付着性材料として塩化亜鉛又はトリメチル亜鉛を含む亜鉛含有化合物を用いた場合に、金属化合物をイニシエーション層１４上に形成するために、第１及び第２の反応材料としてどのような物質を用い得るかについては、出願当初の明細書、特許請求の範囲、又は図面（以下「当初明細書等」という。）には記載も示唆もされておらず、そのため、イニシエーション層を形成するための付着性材料として亜鉛含有化合物を用いる場合に、第２の反応材料として、イニシエーション層と異なる材料を用いる点についても、当初明細書等に記載又は示唆がなされた事項であるとはいえない。
　
（３）補正事項３についての検討のまとめ　
　以上のとおり、イニシエーション層を形成するための付着性材料として亜鉛含有化合物を用いる場合に、第２の反応材料として、イニシエーション層と異なる材料を用いることが、当初明細書等に記載又は示唆された事項であるとはいえず、当業者にとって周知の事項であるともいえないため、補正事項３は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものであるといえるから、補正事項３は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものではない。
　したがって、補正事項３は、特許法第１７条の２第３項の規定にする要件を満たしていない。
　
（４）新規事項の追加の有無及び補正目的の適否についての検討のまとめ
　補正事項３は、特許法第１７条の２第３項の規定にする要件を満たしていない。
　したがって、他の補正事項１、２、４〜９について、新規事項の追加の有無及び補正目的の適否の検討をするまでもなく、本件補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
　
４　補正却下の決定のむすび
　以上の次第で、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
第３　本願発明
１　以上のとおり、本件補正（平成２６年４月７日に提出された手続補正書による補正）は却下されたので、本願の請求項１〜２７に係る発明は、平成２５年９月９日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜２７に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうち、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、請求項１に記載されている事項により特定される、上記第２の１において本件補正前の請求項１として記載されたとおりのものであり、再掲すると次のとおりである。
　
【請求項１】
「半導体デバイスにおける基板上に形成された前記原子層堆積法により堆積された膜組成物であって、
　第１の反応物を提供するために前記基板の表面領域上の少なくとも３０％において吸着された付着性材料を含むイニシエーション層であって、前記第１の反応物が、前記原子層堆積法の条件下で第２の反応物を形成するように反応材料とともに化学的に反応されており、
　前記イニシエーション層上に形成された第１の反応層であって、前記第１の反応層が、前記原子層堆積法の条件下で前記イニシエーション層の前記第２の反応物とともに化学的に反応された金属または金属化合物から構成され、
　前記イニシエーション層は少なくとも１つの亜鉛含有化合物である、
　ことを特徴とする膜組成物。」
　
２　引用例１の記載と引用発明
（１）引用例１の記載
　当審における平成２６年１月６日付けの最後の拒絶理由通知に引用された、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物である、特開平７−７７７０５号公報（以下「引用例１」という。）には、「表示装置及びその製造方法」（発明の名称）に関して、図１、２とともに、次の記載がある。（ここにおいて、下線は当審が付与したものである。以下同じ。）
　
　ア　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は表示装置及びその製造方法に係り、特に液晶ディスプレイ、エレクトロルミネッセンス等において、各画素のスイッチング用のみならず、シフトレジスタやラッチ等の駆動回路用にもＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を用いている駆動回路一体型のアクティブマトリクス基板を有する表示装置及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の駆動回路一体型のアクティブマトリクス基板を有する表示装置には、駆動回路を構成するＴＦＴに高い移動度が必要なため、各画素のスイッチング用のＴＦＴ（以下、「画素用ＴＦＴ」と呼ぶ）及び走査線及び信号線に接続された駆動回路用ＴＦＴ（以下、「駆動回路用ＴＦＴ」と呼ぶ）の両方とも、ｐ−Ｓｉ（多結晶シリコン）層を活性層とする多結晶シリコンＴＦＴ（以下、「ｐ−ＳｉＴＦＴ」と略す）が用いられていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の駆動回路一体型のアクティブマトリクス基板を有する表示装置において、駆動回路用ＴＦＴの高速化のために用いるｐ−Ｓｉ  ＴＦＴはオフ電流が大きいため、駆動回路用ＴＦＴのみならず、画素用ＴＦＴにもｐ−ＳｉＴＦＴを用いると、表示品質が低下するという問題点があった。
【０００４】（・・・途中省略・・・）
【０００７】そこで本発明は、同一の基板上に、画素用ＴＦＴ及び駆動回路用ＴＦＴとしてａ−Ｓｉ  ＴＦＴ及びｐ−Ｓｉ  ＴＦＴを容易に作り分け、画素用ＴＦＴのオフ電流の低減と駆動回路用ＴＦＴの高速化を同時に達成する駆動回路一体型のアクティブマトリクス基板を有する表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。」
　
　イ　「【００１６】
【実施例】以下、本発明を図示する実施例を用いて詳細に説明する。図１（ａ）は本発明の第１の実施例による液晶表示装置のプレーナー型ＴＦＴマトリクス基板を示す概略平面図、図１（ｂ）はその一部断面図である。この液晶表示装置のプレーナー型ＴＦＴマトリクス基板には、図１（ａ）に示されるように、画素用ＴＦＴが形成されたＡ領域と駆動回路用ＴＦＴが形成されたＢ領域とがある。
【００１７】Ａ領域においては、図１（ｂ）の左側に示されるように、共通の透明絶縁性基板１０上に、厚さ１５０ｎｍのａ−Ｓｉ活性層１４ａが形成され、このａ−Ｓｉ活性層１４ａ表面に、ｎ+ 型ソース領域２０ａ及びｎ+ 型ドレイン領域２２ａが相対して形成されている。また、これらｎ+ 型ソース領域２０ａとｎ+ 型ドレイン領域２２ａとに挟まれたａ−Ｓｉ活性層１４ａ上には、例えば厚さ２００ｎｍのＳｉＯ2 （酸化シリコン）膜からなるゲート絶縁膜１６ａを介して、例えば厚さ３００ｎｍのＡｌ（アルミニウム）膜からなるゲート電極１８ａが形成されている。
【００１８】（・・・途中省略・・・）このようにして、画素用ＴＦＴ３２ａが形成されている。
【００１９】他方、Ｂ領域においては、図１（ｂ）の右側に示されるように、
共通の透明絶縁性基板１０上に、（１１１）方向に強く配向した結晶性高抵抗膜である厚さ１５０ｎｍのＺｎＳ膜１２が形成されている。そしてＳｉと格子定数が近いＺｎＳ膜１２上には、厚さ１５０ｎｍのｐ−Ｓｉ活性層１４ｂが形成されている
【００２０】（・・・途中省略・・・）このようにして、駆動回路用ＴＦＴ３２ｂが形成されている。
【００２１】即ち、図１に示す液晶表示装置のプレーナー型ＴＦＴマトリクス基板は、同一の透明絶縁性基板１０上に、ａ−Ｓｉ活性層１４ａを用いたａ−Ｓｉ  ＴＦＴからなる画素用ＴＦＴ３２ａ及びｐ−Ｓｉ活性層１４ｂを用いたｐ−Ｓｉ  ＴＦＴからなる駆動回路用ＴＦＴ３２ｂが形成されている駆動回路一体型のアクティブマトリクス基板である。」　
　
　ウ　「【００２２】次に、図１の液晶表示装置のプレーナー型ＴＦＴマトリクス基板の製造方法を、図２に示す工程図を用いて説明する。尚、図１（ｂ）に対応して、図２（ａ）〜（ｄ）の左側には画素用ＴＦＴの形成予定領域であるＡ領域の工程断面を、その右側には駆動回路用ＴＦＴの形成予定領域であるＢ領域の工程断面をそれぞれ示す。
【００２３】
まず、透明絶縁性基板１０上に、例えばＡＬＤ法（原子層堆積法）を用いて、ＺｎＳ膜１２を厚さ１５０ｎｍに堆積する。このときの形成条件は、基板温度２７０℃で、流量５sccmの（Ｃ
2
 Ｈ
5
 ）
2
 Ｚｎ（ジエチルジンク）と流量４０sccmのＨ
2
 Ｓ（硫化水素）とをパージ時間５秒を間に挟んで交互に５秒間だけ供給するサイクルを５００サイクル行う。こうして形成したＺｎＳ膜１２は（１１１）方向に強く配向した多結晶膜になっている
【００２４】
続いて、ＺｎＳ膜１２膜を希塩酸溶液を用いて選択的に除去し、画素用ＴＦＴ形成予定領域であるＡ領域においては、透明絶縁性基板１０を露出させると共に、駆動回路用ＴＦＴ形成予定領域であるＢ領域においては、透明絶縁性基板１０上にＺｎＳ膜１２膜を残存させる（図２（ａ）参照）
【００２５】こうして形成したＳｉ層は、Ａ領域においては、透明絶縁性基板１０上に成長するためにａ−Ｓｉ活性層１４ａとなり、
Ｂ領域においては、Ｓｉと格子定数が近いＺｎＳ膜１２上に成長するためにｐ−Ｓｉ活性層１４ｂとなる
　
　エ　摘記した上記段落【００２２】〜【００２４】を参照すると、図２（ａ）から、ＡＬＤ法によって透明絶縁性基板１０の全面に形成されたＺｎＳ膜１２は、画素用ＴＦＴ形成予定領域であるＡ領域では、希塩酸溶液によって選択的に除去されることによって透明絶縁性基板１０が露出しており、駆動回路用ＴＦＴ形成予定領域であるＢ領域では、除去されずに残存していることが見て取れる。 　
　
（２）引用発明
　ア　摘記した上記段落【００２３】の記載によれば、引用例１におけるＡＬＤ法は、基板温度２７０℃とし、流量５sccmのジエチルジンクと流量４０sccmの硫化水素とをパージ時間５秒を間に挟んで交互に５秒間だけ供給するという原子堆積法の条件で、ジエチルジンクと硫化水素の供給サイクルを５００サイクル行うことにより、ＺｎＳ膜１２を透明絶縁性基板１０上に形成するものである。       
　
　イ　引用例１には、上記ＡＬＤ法について、その反応過程の詳細については記載されていない。しかしながら、ＡＬＤ法自体は成膜方法として周知の方法であって、その反応過程の詳細については、以下引用する周知例１に次のように記載されている。
　
・周知例１：国際公開９９／１０５５８号
　上記周知例１には、「VERTICALLY-STACKED PROCESS REACTOR AND CLUSTER TOOL SYSTEM FOR ATOMIC LAYER DEPOSITION（訳：原子層堆積用の垂直に積み重ねられたプロセス反応器およびクラスタツールシステム）」（発明の名称）に関して、図１ａ、１ｂとともに、次の記載がある。（ここにおいて、翻訳は周知例１に係る国際出願の国内段階における公表公報（特表２００１−５１４４４０号公報）を参考にして当合議体が作成したものである。）
　
　（ア）　「ALD processes proceed by chemisorption at the deposition surface of the substrate. 
The technology of ALD is based on concepts of Atomic Layer Epitaxy (ALE) developed in the early 1980s for growing of polycrystalline and amorphous films of ZnS
for electroluminescent display devices
ＡＬＤの技術は、エレクトロルミセンス表示デバイス用のＺｎＳ
の多結晶およびアモルファス膜を成長させるために、１９８０年代の初頭に開発された原子層エピタキシーのコンセプトに基づいている
　
　（イ）　「To further illustrate the general concepts of ALD, attention is directed to Fig. la and Fig. lb herein. Fig. la represents a cross section of a substrate surface at an early stage in an ALD process for forming a film of materials A and B, which in this example may be considered elemental materials. 
Fig. la shows a substrate which may be a substrate in a stage of fabrication of integrated circuits. A solid layer of element A is formed over the initial substrate surface. Over the A layer a layer of element B is applied, and, in the stage of processing shown, there is a top layer of a ligand y. The layers are provided on the substrate surface by alternatively pulsing a first precursor gas Ax and a second precursor gas By into the region of the surface
図１ａは集積回路の製造段階における基板を示している。元素Ａの固体層は初期の基板表面を覆うように形成される。Ａ層を覆うように、元素Ｂの層が加えられ、示されている処理段階では、配位子ｙの上部層が存在している。これらの層は、第１の先駆物質ガスＡｘおよび第２の先駆物質ガスＢｙを表面領域に交互にパルス供給することにより基板表面上に提供される
　
　（ウ）　「Fig. lb shows one complete cycle in the alternate pulse processing used to provide the AB solid material in this example. In a cycle a first pulse of gas Ax is made followed by a transition time of no gas input. There is then an intermediate pulse of the purge gas, followed by another transition. Gas By is then pulsed, a transition time follows, and then a purge pulse again. One cycle then incorporates one pulse of Ax and one pulse of BY, each precursor pulse separated by a purge gas pulse. （訳： 図１ｂはこの例においてＡＢ固体物質を提供するために使用される交互パルス処理中の１つの完全なサイクルを示している。１サイクルでは、ガスＡｘの第１のパルスにはガス入力のない遷移時間が続く。その後パージガスの中間パルスが存在し、その後に他の遷移が続く。その後にＢｙガスがパルス供給され、遷移時間が続き、その後再度パージガスのパルス供給が続く。１サイクルは、Ａｘの１パルスとＢＹの１パルスを組み込んでおり、各先駆物質パルスはパージガスパルスにより分離されている。）」（第４頁１８〜２３行）
　
　（エ）　「 As described briefly above, 
ALD proceeds by chemisorption. The initial substrate presents a surface of an active ligand to the process region. The first gas pulse, in this case Ax, results in a layer of A and a surface of ligand x. After purge, By is pulsed into the reaction region. The y ligand reacts with the x ligand, releasing xy, and leaving a surface of y, as shown in Fig. la
ＡＬＤは化学吸着により進行する。初期の基板はプロセス領域に対して活性な配位子からなる表面を提供する。第１のガスのパルス供給によって、このケースではＡｘは、配位子ｘが表面を覆うＡの層となる。パージ後に、Ｂｙが反応領域にパルス供給される。図１ａに示されているように、ｙ配位子はｘ配位子と反応し、ｘｙを放出し、ｙからなる表面を残す
　
　以上、周知例１には、２種類の原料ガスを用いるＡＬＤ法における、以下の反応過程が記載されている。すなわち、第１の先駆物質ガスＡｘと第２の先駆物質ガスＢｙを交互に基板表面上にパルス供給すると、初期の基板に吸着したガスＡｘは、配位子ｘが表面を覆うＡの層となり、この配位子ｘが、次にパルス供給されたガスＢｙの配位子ｙと反応してｘｙが放出されるとともに、Ａの層を覆うＢの層が形成され、このＢの層の表面を配位子ｙが覆うようになる。そして、ガスＡｘとガスＢｙの供給プロセスを繰り返すことにより、基板上にＡとＢが順次積層したＡＢ固体物質が得られることが記載されている。
　そこで、周知例１に記載されたＡＬＤ法における反応過程を参照すると、引用例１に記載された上記ＡＬＤ法において、ジエチルジンクが上記先駆物質ガスＡｘに対応し、硫化水素が上記先駆物質ガスＢｙに対応するものと認められ、したがって、ジエチルジンクには、基板への吸着後に供給される硫化水素と反応する、配位子ｘに相当する部分（以下「第１の反応部位」という。）を有しており、また、硫化水素には、上記ジエチルジンクの層と反応した後に供給される２回目のジエチルジンクと反応する、配位子ｙに相当する部分（以下「第２の反応部位」という。）を有しているものと認められる。
　
　ウ　引用例１から摘記した上記段落【００１９】と【００２５】の記載によれば、ＺｎＳ膜１２は、その格子定数がＳｉと近いために、ｐ−Ｓｉ（多結晶シリコン）層を形成するための下地層となり、上記ｐ−Ｓｉ層は駆動回路用ＴＦＴの活性層１４ｂとなる。したがって、ＺｎＳ膜は駆動回路用ＴＦＴの基板の一部を構成している。
　
　エ　そこで、引用例１から摘記した上記（１）ア〜エの記載事項と、上記ア〜ウの検討した事項を、ＺｎＳ膜１２のうち、１回目のジエチルジンクの供給、硫化水素の供給、及び２回目のジエチルジンクの供給によって形成された部分に注目して総合すると、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「駆動回路用ＴＦＴが形成される透明絶縁性基板１０上に、原子層堆積法により堆積されたＺｎＳ膜１２であって、 
　前記透明絶縁性基板１０上に１回目のジエチルジンクを供給することによって、前記透明絶縁性基板１０の表面にジエチルジンクが吸着することによって形成された第１の層であって、その表面に第１の反応部位を有する前記第１の層が形成され、 
　前記第１の層上に供給された硫化水素と、前記第１の反応部位とを反応させることによって形成された第２の層であって、その表面に第２の反応部位を有する前記第２の層が形成され、
　前記第２の層上に供給された２回目のジエチルジンクと、その表面に前記第２の反応部位を有する前記第２の層とを反応させることによって第３の層を形成することにより、前記透明絶縁性基板１０上にＺｎＳ膜が形成された、 
ことを特徴とするＺｎＳ膜１２。」 
　
３　本願発明と引用発明との対比
（１）次に、本願発明と引用発明を対比する。
　ア　引用発明の「駆動回路用ＴＦＴ」及び「透明絶縁性基板１０」は、それぞれ本願発明１の「半導体デバイス」及び「基板」に相当しており、したがって、引用発明の「駆動回路用ＴＦＴが形成される透明絶縁性基板１０」は「半導体デバイスにおける基板」に相当する。
　
　イ　本願発明の「基板上に形成された前記原子層堆積法により堆積された膜組成物」とは、「基板上に形成された前記原子層堆積法により堆積された膜」として形成される「組成物」を意味するものと認められるところ、引用発明の「透明絶縁性基板１０上に、原子層堆積法により堆積されたＺｎＳ膜１２」も、「透明絶縁性基板１０上」に「原子層堆積法により堆積された」膜として形成される、「ＺｎＳ」からなる組成物という意味を有するものと認められる。
　したがって、引用発明の「透明絶縁性基板１０上に、原子層堆積法により堆積されたＺｎＳ膜１２」は、本願発明の「基板上に形成された前記原子層堆積法により堆積された膜組成物」に相当する。
　
　ウ　引用発明の「１回目のジエチルジンク」は、「透明絶縁性基板１０」の表面に最初に吸着されることによって「第１の層」を形成し、当該「第１の層」の表面には、次に供給される「硫化水素」と反応する「第１の反応部位」を有している。一方、本願発明の「付着性材料」は、「基板」の表面領域上に最初に吸着されることによって「イニシエーション層」を形成し、当該「イニシエーション層」の表面には、次に供給される「反応材料」と反応する「第１の反応物」を有している。
　したがって、引用発明において、「透明絶縁性基板１０」の表面に最初に吸着して形成されるの「第１の層」は、本願発明において、「基板」の表面に最初に吸着して形成される「イニシエーション層」に相当する。
　また、引用発明において「第１の層」を形成するために供給される「１回目のジエチルジンク」は、本願発明において「イニシエーション層」を形成するために供給される「付着性材料」に相当する。
　また、引用発明において「透明絶縁性基板１０」に吸着して形成された「第１の層」の表面に有している「第１の反応部位」は、本願発明において「基板」に吸着して形成された「イニシエーション層」の表面に有している「第１の反応物」に相当する。
　また、引用発明において「第１の反応部位」と反応する「硫化水素」は、本願発明において「第１の反応物」と反応する「反応材料」に相当する。
　以上の検討に基づくと、引用発明の「前記透明絶縁性基板１０に１回目のジエチルジンクを供給することによって、前記基板１０の表面にジエチルジンクが吸着することによって形成された第１の層であって、その表面に第１の反応部位を有する前記第１の層」は、本願発明において「第１の反応物を提供するために前記基板の表面領域上」「において吸着された付着性材料を含むイニシエーション層」に相当する。
　
　エ　引用発明において、「第１の層」の「第１の反応部位」が、供給された「硫化水素」と反応ことによって、「その表面に第２の反応部位を有する前記第２の層」が形成される。一方、本願発明において、「イニシエーション層」の「第１の反応物」が、「反応材料とともに化学的に反応」することによって、「前記原子層堆積法の条件下」で「第２の反応物」を形成している。
　そして、上記ウで検討したように、引用発明の「第１の層」、「第１の反応部位」及び「硫化水素」が、それぞれ、本願発明の「イニシエーション層」、「第１の反応物」及び「反応材料」に相当しており、また、引用発明の「その表面に第２の反応部位を有する前記第２の層」が、上記２（２）アに記載した「原子堆積法の条件」下で形成されていることは明らかである。
　したがって、引用発明の、「第１の層」の「第１の反応部位」が、供給された「硫化水素」と反応することによって形成される、「その表面に第２の反応部位を有する前記第２の層」は、本願発明の、「イニシエーション層」の「第１の反応物」が「反応材料とともに化学的に反応」することによって「前記原子層堆積法の条件下」で形成される、「第２の反応物」に相当する。
　以上の検討に基づくと、引用発明において、「前記第１の層上に供給された硫化水素と、前記第１の反応部位とを反応させることによって」「その表面に第２の反応部位を有する前記第２の層が形成」されることは、本願発明において、「前記第１の反応物が、前記原子層堆積法の条件下で第２の反応物を形成するように反応材料とともに化学的に反応されて」いることに相当する。
　
　オ　引用発明は、「透明絶縁性基板１０」上に形成された、「第１の層」及び「第２の層」の上で、さらに、「その表面に前記第２の反応部位を有する前記第２の層」が「２回目のジエチルジンク」と反応することにより「第３の層」を形成し、これら「第１ないし第３の層」によって「ＺｎＳ膜」が形成されているものであり、このことは、「透明絶縁性基板１０」上の「第１の層」の上に、「第２及び第３の層」からなる「ＺｎＳ膜」が形成されているということもできる。
　そして、上記ウ、エで検討したように、引用発明の「第１の層」、「その表面に第２の反応部位を有する前記第２の層」がそれぞれ、本願発明の「イニシエーション層」、「第２の反応物」に相当しており、引用発明の「ＺｎＳ」が「金属化合物」であり、また、本願発明の「第１の反応層」とは「前記原子層堆積法の条件下で前記イニシエーション層の前記第２の反応物とともに化学的に反応された金属または金属化合物から構成され」たものであることも考慮すれば、引用発明において、「ＺｎＳ膜」が「前記第２の層上に供給された２回目のジエチルジンクと、その表面に前記第２の反応部位を有する前記第２の層とを反応させることによって第３の層を形成することにより、前記透明絶縁性基板１０上に」形成されていることは、本願発明において、「第１の反応層」が「前記原子層堆積法の条件下で前記イニシエーション層の前記第２の反応物とともに化学的に反応された金属または金属化合物から構成され」ているとともに、「前記イニシエーション層上に形成された」ものであることに相当している。
　
　カ　引用発明において、「第１の層」が「前記基板１０の表面にジエチルジンクが吸着することによって形成された」ものであることは、本願発明において「前記イニシエーション層は少なくとも１つの亜鉛含有化合物である」ことに相当する。
 　 
（２）以上を総合すると、本願発明と引用発明の一致点と相違点は、次のとおりとなる。
　
《一致点》
「半導体デバイスにおける基板上に形成された前記原子層堆積法により堆積された膜組成物であって、
　第１の反応物を提供するために前記基板の表面領域上において吸着された付着性材料を含むイニシエーション層であって、前記第１の反応物が、前記原子層堆積法の条件下で第２の反応物を形成するように反応材料とともに化学的に反応されており、
　前記イニシエーション層上に形成された第１の反応層であって、前記第１の反応層が、前記原子層堆積法の条件下で前記イニシエーション層の前記第２の反応物とともに化学的に反応された金属または金属化合物から構成され、
　前記イニシエーション層は少なくとも１つの亜鉛含有化合物である、
　ことを特徴とする膜組成物。」
　
《相違点》
《相違点１》
　本願発明は、「付着性材料」が「基板の表面領域上の少なくとも３０％において吸着」されているのに対して、引用発明は、本願発明の「付着性材料」に相当する「１回目のジエチルジンク」が「透明絶縁性基板１０の表面」の何％において「吸着」されているかについて特定されていない点。
　
４　相違点１についての判断
（１）相違点１について
　ア　上記２（１）エの検討によれば、透明絶縁性基板１０のうち駆動回路用ＴＦＴ形成予定領域であるＢ領域のみにＺｎＳ膜１２が形成されているが、希塩酸溶液によってＡ領域のＺｎＳ膜を除去する前には、透明絶縁性基板１０の全面にＺｎＳ膜が形成されていたものと認められる。また、引用例１から摘記した上記段落【００２３】の記載によれば、ジエチルジンクと硫化水素は、透明絶縁性基板１０の全面にわたって供給されているものと認められる。したがって、ＡＬＤ法によって形成されたＺｎＳ膜１２は、透明絶縁性基板１０の全域にわたって形成されたものであるということができる。
　
　イ　引用例１に記載されたＡＬＤ法において、透明絶縁性基板１０上に最初に供給されたジエチルジンクに対して、次に供給される硫化水素が反応してＺｎＳ膜が形成されるものと認められ、このことは逆に言うと、透明絶縁性基板１０上に最初に供給されたジエチルジンクが吸着されないところには、硫化水素がジエチルジンクと反応してＺｎＳ膜が形成されることはないものと考えられるから、上記アで検討したように、透明絶縁性基板１０の全域にわたってＺｎＳ膜１２が形成されているということは、最初に供給されたジエチルジンクが透明絶縁性基板１０のほぼ全領域を覆うように堆積していることを示しているものと認められる。
　
　ウ　引用例１に記載されたＡＬＤ法において、最初に供給されたエチルジンクが透明絶縁性基板１０のほぼ全領域を覆うように堆積されていることは、次の周知例２の記載からも推定することができる。
　
・周知例２：特開平６−３２６０４０号公報
　上記周知例２には、「原子層マスクの作製方法」（発明の名称）に関して、図１〜３とともに、次の記載がある。
　
　（ア）　「【０００２】
【従来の技術】（・・・途中省略・・・）また、従来、
原子層成長法
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ナノメータ加工を目的としたマスクとしては前述したように、
原子層単位で均一性を制御した結晶性のマスク
原子精度で制御された結晶性を有する極薄マスク、または単原子層厚さの結晶性を有するマスクを形成することにある
　
　（イ）　「【０００５】
【作用】本発明は選択成長のマスク形成法において、自己停止機構を有するＩＩＩ族原料ガスあるいは、ＩＩ族原料ガスと、Ｖ族原料ガスあるいは、ＶＩ族原料ガスを交互に供給することにより原子層で制御された結晶性マスクを形成する。または、
自己停止機構を有するＩＩ族、ＩＩＩ族、Ｖ族、ＶＩ族元素を含む原料ガスのいずれかを単独で供給することにより単原子層厚さのマスクを形成する
　
　（ウ）　「【０００６】
【実施例】次に本発明の実施例について説明する。図１は本発明の実施例として、ＩＩ−ＶＩ族化合物である硫化亜鉛（ＺｎＳ）の原子層マスクの形成法を説明するための装置模式図である。図において１はＩＩＩ族原料であるトリメチルガリウム、
２はＩＩ族原料であるジメチルジンク
４はＶＩ族原料である硫化水素である
【０００７】図２は、ＺｎＳの原子層マスクを成長したときの成長速度の基板温度変化を示す図である。横軸に基板温度、縦軸に成長速度をとってある。図１において、
まず、被成長基板上にジメチルジンク２を流量１ｓｃｃｍで、１秒間供給した。この時に基板上に到達したジメチルジンクは、一部分解してモノメチルジンクとなって基板表面に吸着する。この吸着分子上には、ジメチルジンクがさらに飛来しても吸着しない。すなわち、一原子層の吸着しか起こらない
その後、３秒間ジメチルジンクを真空排気した後、硫化水素４を流量１ｓｃｃｍで、１秒間供給した。この時、供給された硫黄原子はそれ自体の蒸気圧が高いために、ＺｎＳを形成した後は、それ以上吸着できず基板表面から離脱していくため、一原子層の付着しか起こらない
このシーケンスにより一分子層のＺｎＳが形成される
図２に示すように、成長速度が基板温度に依存せずＺｎＳの一分子層（約０．２７ｎｍ）で一定となるＺｎＳの成長は、基板温度２００〜４００℃の範囲で可能であった。この温度より低温側では、過剰吸着により成長速度は一分子層以上であり、高温では吸着分子が基板から離脱するため、成長速度は一分子層以下となった
【０００８】（実施例１）図３はＧａＡｓ化合物半導体上にＺｎＳマスクを２分子層成長させ、形成したマスクをＳＴＭにより加工し、図４は、その後、ＧａＡｓの選択成長を行った結果について示した図である。まず、被成長基板であるＧａＡｓ基板の温度を３５０℃まで上げ、上記原子層マスクの成長条件下で
ＺｎＳを２分子層（０．５４ｎｍ）成長した
この時のマスクの結晶性は、電子線回折から単結晶であることが確認できた
マスク除去後のＳＴＭ観察を行った結果、段差２分子層（０．５４ｎｍ）の２０原子幅（２．７ｎｍ）の溝が観測され、加工が原子精度で行えることが確認できた（図３参照）。図（ａ）はマスクと基板の側面図、図（ｂ）はラインプロファイルである
　
　（エ）「【図面の簡単な説明】
【図１】本発明方法に用いられる製造装置の概略図を示す。
【図２】マスクの成長速度の基板温度変化を示す。
【図３】加工マスクを示すもので、（ａ）は側面図、（ｂ）はラインプロファイルである。」
　
　（オ）　摘記した上記段落【０００７】の記載を参照すると、マスクの成長速度の基板温度変化を示す図２から、基板温度を適切な範囲（２００〜４００℃）とすることにより、基板に吸着する速度を一分子層で一定とすることができることが見て取れる。
　
　（カ）　摘記した上記段落【０００８】の記載を参照すると、ラインプロファイルを表した図３（ｂ）から、ＺｎＳの２分子層からなるマスクは、０．５４ｎｍの厚さの単結晶であり、マスクを形成すべき箇所において均一に形成されていることが見て取れる。
　
　周知例２の上記（ア）〜（カ）の記載事項から、原子層成長法を用いて、被成長基板上に原子層単位で均一性を制御したＺｎＳからなるマスクを形成するにあたり、被成長基板温度を適切に設定して、上記被成長基板にジメチルジンクを供給すると、ジメチルジンクが一部分解したモノメチルジンクとなって基板表面に吸着し、この吸着分子上にはジチルジンクがさらに飛来しても吸着せず、一原子層の吸着しかおこらないことが記載されている。つまり、被成長基板にジメチルジンクを供給すると、ジメチルジンクの分子は基板の吸着可能な箇所に順次吸着して、基板の吸着可能な領域の全てを埋め尽くすことにより原子層単位で均一な厚さの吸着層が形成されるものと認められる。
　引用例１に記載されたＡＬＤ法においては、透明絶縁性基板１０上に供給される原料ガスはジエチルジンクであって、ジメチルジンクではないけれども、いずれの原料ガスも、亜鉛原子にアルキル基が結合した同様の分子構造を有しており、有機金属材料ガスとしてよく使用されるものなので、引用例１においても、供給されたジエチルジンクは、透明性絶縁性基板１０のほぼ全面に吸着して、透明性絶縁性基板の全面にわたって原子層単位で均一な厚さの吸着層が形成されていることが推定できる。
　
　エ　以上の検討から、引用発明において、「１回目のジエチルジンク」は「透明絶縁性基板１０の表面」のほぼ全面を覆うように吸着しているものと認められるので、引用発明においても、「付着性材料」は「基板の表面領域上の少なくとも３０％において吸着」されているものと認められる。
　
　オ　したがって、相違点１は、本願発明と引用発明の実質的な相違点ではない。
　
（２）判断についてのまとめ
　上記（１）で検討したとおり、相違点１は、本願発明と引用発明の実質的な相違点ではなく、本願発明と引用発明との間に相違点は存在しない。
　
第４．結言 
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。