(57)【要約】【課題】画像濃度の簡便かつ高精度な推定に寄与する、画像濃度推定支援装置、画像濃度推定装置、画像形成装置及びプログラムを提供する。【解決手段】基準電圧Ｖｒｅｆと表面反射光電圧Ｖｏｕｔとの対応関係を表すＶｏｕｔ＝ａ１*Ｖｒｅｆ＋Ｖｄａｒｋ_ｂの第１直線近似式を作成し（ステップ２０８）、基準電圧Ｖｒｅｆと画像反射光電圧Ｖｐａｔｃｈとの対応関係を表すＶｐａｔｃｈ＝ａ２*Ｖｒｅｆ＋Ｖｄａｒｋ_ｔの第２直線近似式を作成し（ステップ２２０）、検出された電圧Ｖｂ_ｚから、第１直線近似式から導出された下限表面反射光電圧Ｖｄａｒｋ_ｂを減算した後（ステップ２３６）、ステップ２３４で検出された電圧Ｖｔ_ｚから、第２直線近似式から導出された下限画像反射光電圧Ｖｄａｒｋ_ｔを減算し（ステップ２３８）、第１補正済み表面反射光電圧Ｖｂ_ｆ１に対する第１補正済み画像反射光電圧Ｖｔ_ｆの割合（Ｒａｔｉｏ＿１）を算出する。【選択図】図７
2012203384.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に形成された画像を保持する像保持体の該表面の既定領域に対して、供給された電流の大きさに応じた光量の光を照射する照射手段と、
前記照射手段によって照射された光の光量を照射光電圧に光電変換する光電変換素子及び該照射光電圧の大きさを増幅させる増幅回路を備え、前記光電変換素子によって光電変換されて得られた照射光電圧の大きさを、前記増幅回路を用いて基準電圧の大きさに追従させるように前記照射手段に電流を供給することによって前記照射手段から照射される光の光量を制御する光量制御手段と、
前記照射手段から光が照射されることによって前記既定領域から反射された反射光の光量を光電変換素子によって光電変換し、光電変換して得た反射光電圧を出力する出力手段と、
前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射されることによって該既定領域から反射された反射光の光量に対応する前記反射光電圧として前記出力手段から出力される表面反射光電圧の大きさと該表面反射光電圧の大きさを得るために前記光量制御手段で用いられた前記基準電圧の大きさとの対応関係を表す第１直線近似式を用いて、前記基準電圧の大きさが下限値のときに前記出力手段から出力される下限表面反射光電圧の大きさを導出し、前記照射手段から前記既定領域に形成された基準画像に光が照射されることによって該基準画像から反射された反射光の光量に対応する前記反射光電圧として前記出力手段から出力される画像反射光電圧の大きさと該画像反射光電圧の大きさを得るために前記光量制御手段で用いられた前記基準電圧の大きさとの対応関係を表す第２直線近似式を用いて、前記基準電圧の大きさが下限値のときに前記出力手段から出力される下限画像反射光電圧の大きさを導出する導出手段と、
を含む画像濃度推定支援装置。
【請求項２】
前記第１直線近似式は、前記基準電圧の異なる大きさの各々に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際に得られた前記表面反射光電圧の大きさの各々と該表面反射光電圧の大きさの各々を得るために前記光量制御手段で用いられた前記基準電圧の大きさの各々との対応関係を表し、
前記第２直線近似式は、前記基準電圧の異なる大きさの各々に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から前記既定領域に形成された基準画像に光が照射された際に得られた前記画像反射光電圧の大きさの各々と該画像反射光電圧の大きさの各々を得るために前記光量制御手段で用いられた前記基準電圧の大きさの各々との対応関係を表す請求項１に記載の画像濃度推定支援装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の画像濃度推定支援装置と、
前記表面反射光電圧の既定の大きさが得られるように定められた前記基準電圧の大きさである追従対象値に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際に得られた前記表面反射光電圧の大きさから前記導出手段によって導出された前記下限表面反射光電圧の大きさを減算して得た値に対する、前記基準電圧の前記追従対象値に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から前記既定領域に形成された前記基準画像に光が照射された際に得られた前記画像反射光電圧の大きさから前記導出手段によって導出された前記下限画像反射光電圧の大きさを減算して得た値の割合を導出することによって画像の濃度を推定する推定手段と、
を含む画像濃度推定装置。
【請求項４】
前記光量制御手段で用いられる前記基準電圧の大きさを変更する変更手段を更に含み、
前記出力手段は、更に、前記光量制御手段が前記変更手段によって変更された前記基準電圧の大きさを用いて制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際に前記既定領域から反射された反射光の光量を光電変換して得た基準反射光電圧を出力し、
前記基準電圧の前記追従対象値を、前記出力手段から出力された基準反射光量電圧の大きさが予め定められた大きさのときに前記光量制御手段で用いられた前記基準電圧の大きさとした請求項３に記載の画像濃度推定装置。
【請求項５】
前記予め定められた大きさを、前記照射手段から画像を有しない未使用の前記既定領域に既定光量の光が照射された際に得られる前記表面反射光電圧の大きさに相当する大きさとした請求項４に記載の画像濃度推定装置。
【請求項６】
前記変更手段は、前記光量制御手段で用いられる前記基準電圧の大きさを、前記表面反射光電圧の大きさを不安定にする前記基準電圧の大きさの範囲として予め定められた範囲を回避して変更する請求項４又は請求項５に記載の画像濃度推定装置。
【請求項７】
前記導出手段によって導出された前記下限表面反射光電圧の大きさが既定閾値以上の場合に、前記基準電圧の大きさを、前記表面反射光電圧の大きさを不安定にする前記基準電圧の大きさの範囲として予め定められた範囲の上限値を超えた特定の大きさまで増加させる増加手段と、
前記増加手段によって増加された前記基準電圧の大きさを用いて前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際の前記表面反射光電圧の大きさを検出する電圧検出手段と、を更に含み、
前記推定手段は、前記基準電圧の前記追従対象値に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際に得られた前記表面反射光電圧の大きさから前記導出手段によって導出された下限表面反射光電圧の大きさを減算すると共に前記電圧検出手段によって検出された前記表面反射光電圧の大きさを減算して得た値に対する、前記基準電圧の前記追従対象値に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から前記既定領域に形成された前記基準画像に光が照射された際に得られた前記画像反射光電圧の大きさから前記導出手段によって導出された下限画像反射光電圧の大きさを減算して得た値の割合を導出することによって画像の濃度を推定する請求項３〜請求項６の何れか１項に記載の画像濃度推定装置。
【請求項８】
前記導出手段によって導出された前記下限表面反射光電圧の大きさが既定閾値未満の場合に、前記基準電圧の大きさを下限値に設定する設定手段を更に含み、
前記電圧検出手段は、更に、前記設定手段によって前記基準電圧の大きさが下限値に設定された場合に前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際の前記表面反射光電圧の大きさを検出し、
前記推定手段は、更に、前記基準電圧の前記追従対象値に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際に得られた前記表面反射光電圧の大きさから前記導出手段によって導出された下限表面反射光電圧の大きさを減算すると共に前記電圧検出手段によって検出された前記表面反射光電圧の大きさを加算して得た値に対する、前記基準電圧の前記追従対象値に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から前記既定領域に形成された前記基準画像に光が照射された際に得られた前記画像反射光電圧の大きさから前記導出手段によって導出された下限画像反射光電圧の大きさを減算して得た値の割合を導出することによって画像の濃度を推定する請求項７に記載の画像濃度推定装置。
【請求項９】
前記導出手段によって導出された前記下限表面反射光電圧の大きさが既定閾値未満の場合に、前記基準電圧の大きさを下限値に設定する設定手段と、
前記設定手段によって前記基準電圧の大きさが下限値に設定された場合に前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際の前記表面反射光電圧の大きさを検出する電圧検出手段と、を更に含み、
前記推定手段は、前記基準電圧の前記追従対象値に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際に得られた前記表面反射光電圧の大きさから前記導出手段によって導出された下限表面反射光電圧の大きさを減算すると共に前記電圧検出手段によって検出された前記表面反射光電圧の大きさを加算して得た値に対する、前記基準電圧の前記追従対象値に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から前記既定領域に形成された前記基準画像に光が照射された際に得られた前記画像反射光電圧の大きさから前記導出手段によって導出された下限画像反射光電圧の大きさを減算して得た値の割合を導出することによって画像の濃度を推定する請求項３〜請求項６の何れか１項に記載の画像濃度推定装置。
【請求項１０】
前記推定手段によって推定された画像の濃度を表示する表示手段を更に含む請求項３〜請求項９の何れか１項に記載の画像濃度推定装置。
【請求項１１】
請求項３〜請求項１０の何れか１項に記載の画像濃度推定装置と、
前記像保持体の表面に形成された潜像を着色粒子と磁性粒子とを含んで構成された現像剤で現像することにより該表面に画像を形成する形成手段と、
前記推定手段によって推定された画像の濃度が予め定められた濃度となるように、前記形成手段が前記潜像の現像に用いる前記現像剤に対する該現像剤に含まれる前記着色粒子の割合を調整する調整手段と、
を含む画像形成装置。
【請求項１２】
コンピュータを、
表面に形成された画像を保持する像保持体の該表面の既定領域に対して、供給された電流の大きさに応じた光量の光を照射する照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射されることによって該既定領域から反射された反射光の光量を光電変換素子によって光電変換し、光電変換して得た反射光電圧を出力する出力手段から出力される前記反射光電圧としての表面反射光電圧の大きさと該表面反射光電圧の大きさを得るために、前記照射手段によって照射された光の光量を照射光電圧に光電変換する光電変換素子及び該照射光電圧の大きさを増幅させる増幅回路を備え、前記光電変換素子によって光電変換されて得られた照射光電圧の大きさを、前記増幅回路を用いて基準電圧の大きさに追従させるように前記照射手段に電流を供給することによって前記照射手段から照射される光の光量を制御する光量制御手段で用いられた前記基準電圧の大きさとの対応関係を表す第１直線近似式を用いて、前記基準電圧の大きさが下限値のときに前記出力手段から出力される下限表面反射光電圧の大きさを導出する手段、及び
前記照射手段から前記既定領域に形成された基準画像に光が照射されることによって該基準画像から反射された反射光の光量に対応する前記反射光電圧として前記出力手段から出力される画像反射光電圧の大きさと該画像反射光電圧の大きさを得るために前記光量制御手段で用いられた前記基準電圧の大きさとの対応関係を表す第２直線近似式を用いて、前記基準電圧の大きさが下限値のときに前記出力手段から出力される下限画像反射光電圧の大きさを導出する手段として機能させるためのプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像濃度推定支援装置、画像濃度推定装置、画像形成装置及びプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、発光素子から像保持体に向けて光を照射すると共に、像保持体から反射された光を受光素子で受光し、受光素子からの出力に基づき制御手段が像保持体に付着するトナー量を求める画像形成装置において、受光素子の出力に予め定められた出力オフセットを付与することを特徴とする画像形成装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１０８０２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の課題は、画像濃度の簡便かつ高精度な推定に寄与する、画像濃度推定支援装置、画像濃度推定装置、画像形成装置及びプログラムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の画像濃度推定支援装置を、表面に形成された画像を保持する像保持体の該表面の既定領域に対して、供給された電流の大きさに応じた光量の光を照射する照射手段と、前記照射手段によって照射された光の光量を照射光電圧に光電変換する光電変換素子及び該照射光電圧の大きさを増幅させる増幅回路を備え、前記光電変換素子によって光電変換されて得られた照射光電圧の大きさを、前記増幅回路を用いて基準電圧の大きさに追従させるように前記照射手段に電流を供給することによって前記照射手段から照射される光の光量を制御する光量制御手段と、前記照射手段から光が照射されることによって前記既定領域から反射された反射光の光量を光電変換素子によって光電変換し、光電変換して得た反射光電圧を出力する出力手段と、前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射されることによって該既定領域から反射された反射光の光量に対応する前記反射光電圧として前記出力手段から出力される表面反射光電圧の大きさと該表面反射光電圧の大きさを得るために前記光量制御手段で用いられた前記基準電圧の大きさとの対応関係を表す第１直線近似式を用いて、前記基準電圧の大きさが下限値のときに前記出力手段から出力される下限表面反射光電圧の大きさを導出し、前記照射手段から前記既定領域に形成された基準画像に光が照射されることによって該基準画像から反射された反射光の光量に対応する前記反射光電圧として前記出力手段から出力される画像反射光電圧の大きさと該画像反射光電圧の大きさを得るために前記光量制御手段で用いられた前記基準電圧の大きさとの対応関係を表す第２直線近似式を用いて、前記基準電圧の大きさが下限値のときに前記出力手段から出力される下限画像反射光電圧の大きさを導出する導出手段と、を含んで構成した。
【０００６】
請求項１に記載の画像濃度推定支援装置を、請求項２に記載の発明のように、前記第１直線近似式が、前記基準電圧の異なる大きさの各々に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際に得られた前記表面反射光電圧の大きさの各々と該表面反射光電圧の大きさの各々を得るために前記光量制御手段で用いられた前記基準電圧の大きさの各々との対応関係を表し、前記第２直線近似式が、前記基準電圧の異なる大きさの各々に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から前記既定領域に形成された基準画像に光が照射された際に得られた前記画像反射光電圧の大きさの各々と該画像反射光電圧の大きさの各々を得るために前記光量制御手段で用いられた前記基準電圧の大きさの各々との対応関係を表すものとした。
【０００７】
請求項３に記載の画像濃度推定装置を、請求項１又は請求項２に記載の画像濃度推定支援装置と、前記表面反射光電圧の既定の大きさが得られるように定められた前記基準電圧の大きさである追従対象値に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際に得られた前記表面反射光電圧の大きさから前記導出手段によって導出された前記下限表面反射光電圧の大きさを減算して得た値に対する、前記基準電圧の前記追従対象値に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から前記既定領域に形成された前記基準画像に光が照射された際に得られた前記画像反射光電圧の大きさから前記導出手段によって導出された前記下限画像反射光電圧の大きさを減算して得た値の割合を導出することによって画像の濃度を推定する推定手段と、を含んで構成した。
【０００８】
請求項３に記載の画像濃度推定装置を、請求項４に記載の発明のように、前記光量制御手段で用いられる前記基準電圧の大きさを変更する変更手段を更に含み、前記出力手段が、更に、前記光量制御手段が前記変更手段によって変更された前記基準電圧の大きさを用いて制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際に前記既定領域から反射された反射光の光量を光電変換して得た基準反射光電圧を出力し、前記基準電圧の前記追従対象値を、前記出力手段から出力された基準反射光量電圧の大きさが予め定められた大きさのときに前記光量制御手段で用いられた前記基準電圧の大きさとしたものとした。
【０００９】
請求項４に記載の画像濃度推定装置を、請求項５に記載の発明のように、前記予め定められた大きさを、前記照射手段から画像を有しない未使用の前記既定領域に既定光量の光が照射された際に得られる前記表面反射光電圧の大きさに相当する大きさとしたものとした。
【００１０】
請求項５に記載の濃度推定装置を、請求項４又は請求項５に記載の発明のように、前記変更手段は、前記光量制御手段で用いられる前記基準電圧の大きさを、前記表面反射光電圧の大きさを不安定にする前記基準電圧の大きさの範囲として予め定められた範囲を回避して変更するものとした。
【００１１】
請求項３〜請求項６の何れか１項に記載の画像濃度推定装置を、請求項７に記載の発明のように、前記導出手段によって導出された前記下限表面反射光電圧の大きさが既定閾値以上の場合に、前記基準電圧の大きさを、前記表面反射光電圧の大きさを不安定にする前記基準電圧の大きさの範囲として予め定められた範囲の上限値を超えた特定の大きさまで増加させる増加手段と、前記増加手段によって増加された前記基準電圧の大きさを用いて前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際の前記表面反射光電圧の大きさを検出する電圧検出手段と、を更に含み、前記推定手段が、前記基準電圧の前記追従対象値に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際に得られた前記表面反射光電圧の大きさから前記導出手段によって導出された下限表面反射光電圧の大きさを減算すると共に前記電圧検出手段によって検出された前記表面反射光電圧の大きさを減算して得た値に対する、前記基準電圧の前記追従対象値に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から前記既定領域に形成された前記基準画像に光が照射された際に得られた前記画像反射光電圧の大きさから前記導出手段によって導出された下限画像反射光電圧の大きさを減算して得た値の割合を導出することによって画像の濃度を推定するものとした。
【００１２】
請求項７に記載の画像濃度推定装置を、請求項８に記載の発明のように、前記導出手段によって導出された前記下限表面反射光電圧の大きさが既定閾値未満の場合に、前記基準電圧の大きさを下限値に設定する設定手段を更に含み、前記電圧検出手段が、更に、前記設定手段によって前記基準電圧の大きさが下限値に設定された場合に前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際の前記表面反射光電圧の大きさを検出し、前記推定手段が、更に、前記基準電圧の前記追従対象値に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際に得られた前記表面反射光電圧の大きさから前記導出手段によって導出された下限表面反射光電圧の大きさを減算すると共に前記電圧検出手段によって検出された前記表面反射光電圧の大きさを加算して得た値に対する、前記基準電圧の前記追従対象値に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から前記既定領域に形成された前記基準画像に光が照射された際に得られた前記画像反射光電圧の大きさから前記導出手段によって導出された下限画像反射光電圧の大きさを減算して得た値の割合を導出することによって画像の濃度を推定するものとした。
【００１３】
請求項３〜請求項６の何れか１項に記載の画像濃度推定装置を、請求項９に記載の発明のように、前記導出手段によって導出された前記下限表面反射光電圧の大きさが既定閾値未満の場合に、前記基準電圧の大きさを下限値に設定する設定手段と、前記設定手段によって前記基準電圧の大きさが下限値に設定された場合に前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際の前記表面反射光電圧の大きさを検出する電圧検出手段と、を更に含み、前記推定手段が、前記基準電圧の前記追従対象値に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射された際に得られた前記表面反射光電圧の大きさから前記導出手段によって導出された下限表面反射光電圧の大きさを減算すると共に前記電圧検出手段によって検出された前記表面反射光電圧の大きさを加算して得た値に対する、前記基準電圧の前記追従対象値に前記照射光電圧の大きさを追従させるように前記光量制御手段が制御を行うことによって前記照射手段から前記既定領域に形成された前記基準画像に光が照射された際に得られた前記画像反射光電圧の大きさから前記導出手段によって導出された下限画像反射光電圧の大きさを減算して得た値の割合を導出することによって画像の濃度を推定するものとした。
【００１４】
請求項３〜請求項９の何れか１項に記載の画像濃度推定装置を、請求項１０に記載の発明のように、前記推定手段によって推定された画像の濃度を表示する表示手段を更に含んで構成した。
【００１５】
請求項１１に記載の画像形成装置を、請求項３〜請求項１０の何れか１項に記載の画像濃度推定装置と、前記像保持体の表面に形成された潜像を着色粒子と磁性粒子とを含んで構成された現像剤で現像することにより該表面に画像を形成する形成手段と、前記推定手段によって推定された画像の濃度が予め定められた濃度となるように、前記形成手段が前記潜像の現像に用いる前記現像剤に対する該現像剤に含まれる前記着色粒子の割合を調整する調整手段と、を含んで構成した。
【００１６】
請求項１２に記載のプログラムを、表面に形成された画像を保持する像保持体の該表面の既定領域に対して、供給された電流の大きさに応じた光量の光を照射する照射手段から画像を有しない前記既定領域に光が照射されることによって該既定領域から反射された反射光の光量を光電変換素子によって光電変換し、光電変換して得た反射光電圧を出力する出力手段から出力される前記反射光電圧としての表面反射光電圧の大きさと該表面反射光電圧の大きさを得るために、前記照射手段によって照射された光の光量を照射光電圧に光電変換する光電変換素子及び該照射光電圧の大きさを増幅させる増幅回路を備え、前記光電変換素子によって光電変換されて得られた照射光電圧の大きさを、前記増幅回路を用いて基準電圧の大きさに追従させるように前記照射手段に電流を供給することによって前記照射手段から照射される光の光量を制御する光量制御手段で用いられた前記基準電圧の大きさとの対応関係を表す第１直線近似式を用いて、前記基準電圧の大きさが下限値のときに前記出力手段から出力される下限表面反射光電圧の大きさを導出する手段、及び前記照射手段から前記既定領域に形成された基準画像に光が照射されることによって該基準画像から反射された反射光の光量に対応する前記反射光電圧として前記出力手段から出力される画像反射光電圧の大きさと該画像反射光電圧の大きさを得るために前記光量制御手段で用いられた前記基準電圧の大きさとの対応関係を表す第２直線近似式を用いて、前記基準電圧の大きさが下限値のときに前記出力手段から出力される下限画像反射光電圧の大きさを導出する手段としてコンピュータを機能させるためのものとした。
【発明の効果】
【００１７】
請求項１、請求項３、請求項１１及び請求項１２に係る発明によれば、第１直線近似式を用いて下限表面反射光電圧の大きさを導出すると共に第２直線近似式を用いて下限画像反射光電圧の大きさを導出する構成を有しない場合に比べ、画像濃度の簡便かつ高精度な推定に寄与する、という効果が得られる。
【００１８】
請求項２に係る発明によれば、表面反射光電圧の大きさの各々と対応する基準電圧の大きさの各々とから第１直線近似式を導出せず、かつ画像反射光電圧の大きさの各々と対応する基準電圧の大きさの各々とから第２直線近似式を導出しない場合に比べ、下限表面反射光電圧の大きさ及び下限画像反射光電圧の大きさが簡便かつ高精度に導出される、という効果が得られる。
【００１９】
請求項４に係る発明によれば、基準電圧の追従対象値を、出力手段から出力された基準反射光量電圧の大きさが予め定められた大きさのときに光量制御手段で用いられた基準電圧の大きさとしない場合に比べ、下限表面反射光電圧の大きさ及び下限画像反射光電圧の大きさが高精度に導出される、という効果が得られる。
【００２０】
請求項５に係る発明によれば、請求項３に記載の予め定められた大きさを、画像を有しない未使用の既定領域に既定光量の光が照射された際に得られる表面反射光電圧の大きさに相当する大きさとしない場合に比べ、下限表面反射光電圧の大きさ及び下限画像反射光電圧の大きさが高精度に導出される、という効果が得られる。
【００２１】
請求項６に係る発明によれば、光量制御手段で用いられる基準電圧の大きさが、表面反射光電圧の大きさを不安定にする基準電圧の範囲として予め定められた範囲を回避して変更されない場合に比べ、下限表面反射光電圧の大きさ及び下限画像反射光電圧の大きさが高精度に導出される、という効果が得られる。
【００２２】
請求項７に記載に係る発明によれば、下限表面反射光電圧の大きさが既定閾値以上の場合に、画像の濃度を推定する際に用いる値として、表面反射光電圧の大きさから下限表面反射光電圧の大きさを減算すると共に電圧検出手段によって検出された表面反射光電圧の大きさを減算して得た値を採用しない場合に比べ、画像の濃度が高精度に推定される、という効果が得られる。
【００２３】
請求項８及び請求項９に係る発明によれば、下限表面反射光電圧の大きさが既定閾値未満の場合に、画像の濃度を推定する際に用いる値として、表面反射光電圧の大きさから下限表面反射光電圧の大きさを減算すると共に電圧検出手段によって検出された表面反射光電圧の大きさを加算して得た値を採用しない場合に比べ、画像の濃度が高精度に推定される、という効果が得られる。
【００２４】
請求項１０に係る発明によれば、推定手段によって推定された画像の濃度を表示しない場合に比べ、画像の濃度が容易に把握される、という効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】実施形態に係る画像形成装置の基本構成の一例を示す概略構成図である。
【図２】実施形態に係る画像形成ユニットの基本構成の一例を示す概略構成図である。
【図３】実施形態に係る画像形成装置の電気系の要部構成の一例を示すブロック図である。
【図４】実施形態に係る照射・検出装置の要部構成の一例を示すブロック図である。
【図５】実施形態に係る照射・検出装置に含まれるＬＥＤ、照射光検出部及び光量制御回路の構成の一例を示す回路図である。
【図６】反射光電圧の大きさと基準電圧の大きさとの対応関係を示すグラフ（その１）である。
【図７】実施形態に係る濃度対応値導出処理プログラムの処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【図８】図７の続きを示すフローチャートである。
【図９】反射光電圧の大きさと基準電圧の大きさとの対応関係を示すグラフ（その２）である。
【図１０】実施形態に係る濃度対応値補正処理プログラムの処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
図１は、本実施形態に係る画像形成装置１０の要部構成を示す概略構成図である。
【００２７】
同図に示されるように、画像形成装置１０には、複数のロール１２に巻き掛けられ、モータ（図示省略）の駆動により矢印Ｅ方向に搬送される無端ベルト状の中間転写ベルト１４が備えられており、当該中間転写体ベルト１４の長手方向に沿って、複数の画像形成ユニット１５が配置されている。
【００２８】
本実施形態における画像形成装置１０は、カラー画像の形成にも対応しており、イエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、ブラック（Ｋ）の４色に対応するトナー像を形成する画像形成ユニット１５Ｙ、１５Ｍ、１５Ｃ、１５Ｋがそれぞれ配設されている。以下、各色毎に設けられた部材については、符号の末尾に各々の色を示すアルファベット（Ｙ／Ｍ／Ｃ／Ｋ）を付与して示すが、特に色を区別せずに説明する場合は、この符号末尾のアルファベットを省略して説明する。
【００２９】
各画像形成ユニット１５により形成された互いに異なる色のトナー像は、中間転写ベルト１４のベルト面上で、互いに重なり合うように中間転写ベルト１４に各々転写される。これにより、中間転写ベルト１４上にカラーのトナー像が形成される。なお、本実施形態では、このようにして４色のトナー像が重ねて転写されたトナー像を最終トナー像と称する。
【００３０】
４つの画像形成ユニット１５よりも中間転写ベルト１４の搬送方向下流側には、対向する２つのロール２６Ａ，２６Ｂを有する転写装置２６が設けられている。中間転写ベルト１４上に形成された最終トナー像は、このロール２６Ａ，２６Ｂの間に送り込まれ、画像形成装置１０の底部に設けられた用紙入れ２９から取り出されて、同じくロール２６Ａ，２６Ｂの間に搬送されてきた用紙２８に転写される。
【００３１】
また、最終トナー像が転写された用紙２８の搬送経路には、加圧ロール３０Ａと加熱ロール３０Ｂとからなる定着装置３０が設けられている。定着装置３０に搬送された用紙２８は、加圧ロール３０Ａと加熱ロール３０Ｂとによって挟み込まれて搬送されることにより最終トナー像が溶融すると共に用紙２８に圧着されることによって定着される。これにより、用紙２８上に所望の画像（カラー画像）が形成される。画像が形成された用紙２８は装置外へ排出される。
【００３２】
一方、転写装置２６よりも中間転写ベルト１４の搬送方向下流側には、転写装置２６によって用紙２８に転写されずに中間転写ベルト１４上に残留したトナーを回収するクリーナ３２が設けられている。クリーナ３２には、中間転写ベルト１４に接するようにブレード３４が備えられており、残留したトナーを擦り取ることによって回収する。
【００３３】
また、中間転写ベルト１４の搬送方向の画像形成ユニット１５の下流側には、照射・検出装置３６が設けられている。照射・検出装置３６は、中間転写ベルト１４の表面の既定領域に対して光を照射し、照射した際の反射光を検出するものであり、中間転写ベルト１４の表面の既定領域に転写された基準トナー像の濃度に対応した値（以下、「濃度対応値」とも言う。）を導出する際に必要な物理量（本実施形態では、一例として光量に応じた電圧）を取得するために用いられる。
【００３４】
図２には、画像形成ユニット１５の構成が示されている。なお、各画像形成ユニット１５の構成は同様であるので、ここでは各々の色を示す末尾の符号を省略して説明する。
【００３５】
同図に示されるように、画像形成ユニット１５は、中間転写ベルト１４に接するように配置され、矢印Ｆ方向に予め定められた速度で回転する感光体ドラム１６を備えている。
【００３６】
各感光体ドラム１６の周面には、感光体ドラム１６を帯電させるための帯電ロール１８が配置されている。帯電ロール１８は、導電性のロールであり、その周面が感光体ドラム１６の周面に接触し、かつ帯電ロール１８の軸線方向と感光体ドラム１６の軸線方向とが略一致するように配置されている。
【００３７】
帯電ロール１８には、ＤＣ（直流）成分とＡＣ（交流）成分とが重畳された予め定められた電圧が印加され、感光体ドラム１６の回転に追従するように回転しながら、感光体ドラム１６の表面を予め定められた電位に帯電させる。
【００３８】
また、各感光体ドラム１６の回転方向（矢印Ｆ方向）の帯電ロール１８よりも下流側の周面上には、感光体ドラム１６上に静電潜像を形成するための露光器２０が備えられている。
【００３９】
露光器２０は、複数のＬＥＤ（発光ダイオード）２０Ａが画像形成時における主走査方向（図２紙面前後方向）に沿って配列されたＬＥＤアレイを含んで構成されており、帯電ロール１８により一様に帯電された感光体ドラム１６の軸線方向に、入力された画像情報に基づく光ビームを走査しながら照射する。露光器２０により光ビームが照射された領域の電位は上昇し、感光体ドラム１６上に静電潜像が形成される。
【００４０】
さらに、各感光体ドラム１６の回転方向の露光器２０よりも下流側の周囲には、感光体ドラム１６上に形成された静電潜像を予め定められた色（イエロー／マゼンタ／シアン／ブラックの何れか１色）のトナーによって現像してトナー像を形成させる現像器２２が配設されている。現像器２２には、トナーを収容するトナーボックス４４がパイプ（図示省略）を経由して接続されている。トナーボックス４４から現像器２２に補給されるトナーの補給量は、ディスペンスモータ（図示省略）の回転時間により調整される。
【００４１】
なお、本実施形態では、上記トナーとして、負極性であるトナー粒子（着色粒子）及び正極性であるキャリア（磁性粒子）の二成分を含む現像剤が適用されている。また、現像効率及び後述する転写効率を向上させるためには、トナー粒子の形状は球状であることが好ましい。また、本実施形態では、現像器２２には、キャリアは補給されず、トナー粒子のみが補給される構成となっている。
【００４２】
現像器２２は、同図に示されるように、感光体ドラム１６に近接配置された現像ロール３８及びブレード４０を含んで構成されている。現像ロール３８は、感光体ドラム１６の表面と同極性（本実施形態では、負極性）のＤＣ（直流）成分とＡＣ（交流）成分とが重畳された予め定められた電圧が印加され、現像器２２内に装填された正極性のキャリアと共にトナー粒子が周面に搬送される。また、現像ロール３８は、感光体ドラム１６の回転方向と同じ方向（図中矢印Ｇ方向）に回転駆動され、現像ロール３８に余分に付着したトナー粒子及びキャリアがブレード４０によって落とされて現像ロール３８に均一に付着される。
【００４３】
現像ロール３８の矢印Ｇ方向への回転により、現像ロール３８に付着されたトナーが感光体ドラム１６の表面に供給される。
【００４４】
一方、各感光体ドラム１６の回転方向の現像器２２よりも下流側の周囲には、各感光体ドラム１６上のトナー像を中間転写ベルト１４に転写する転写ロール２５が備えられている。転写ロール２５は、矢印Ｈ方向に回転して中間転写ベルト１４を予め定められた速度で搬送して感光体ドラム１６に順次対向させる。また、転写ロール２５には電源４２が接続されており、転写ロール２５は、正極性のバイアス電圧が印加され、感光体ドラム１６上のトナーを中間転写ベルト１４上に転写させる。
【００４５】
ここで、転写ロール２５では、感光体ドラム１６上の全てのトナーを中間転写ベルト１４に転写させることはできず、転写ロール２５の配設位置を通過した感光体ドラム１６上には、トナーがわずかに残留する（転写残トナー）。
【００４６】
また、転写ロール２５によって極性がプラスに反転され、感光体ドラム１６上に再び付着するトナー（リトランスファートナー）も存在する。なお、転写ロール２５の配設位置を通過する際に、中間転写ベルト１４上に他色のトナー像が既に転写されている場合には、リトランスファートナーには、他色のトナーも含まれる。
【００４７】
そこで、感光体ドラム１６の周面の転写ロール２５よりも下流側には、感光体ドラム１６上の転写残トナー又はリトランスファートナーを一時的に保持するクリーニングロール２４が配置されている。クリーニングロール２４は、表面に導電性のブラシ毛が植毛されており、当該ブラシ毛が感光体ドラム１６と接触するように配設されており、バイアス電圧が印加されると共に、回転駆動されるようになっている。
【００４８】
クリーニングロール２４は、画像形成が行われている期間は負極性（本実施形態では、−５００Ｖ）のバイアス電圧が印加されると共に、感光体ドラム１６の回転方向と同方向に回転される。これにより、感光体ドラム１６の表面に付着しているプラス極性のリトランスファートナーをブラシ毛に吸着させて回収する。
【００４９】
なお、クリーニングロール２４では、マイナス極性の転写残トナーについては回収されず、感光体ドラム１６上に付着したまま感光体ドラム１６に対する帯電及び露光が行われ、非画像部に付着している転写残トナーについては、現像器２２の現像ロール３８に付着したキャリア及びトナーとの摺擦により現像器２２内に回収される。
【００５０】
クリーニングロール２４によって回収されたリトランスファートナーは、非画像形成時に実行されるクリーニングモードによって、感光体ドラム１６上に吐き出される。
【００５１】
クリーニングモードでは、クリーニングロール２４は正極性（本実施形態では、＋５００Ｖ）のバイアス電圧が印加されると共に、感光体ドラム１６の回転方向とは異なる方向に感光体ドラム１６の回転に追従するように回転される。これにより、クリーニングロール２４に保持されていたプラス極性のリトランスファートナーが感光体ドラム１６上に吐き出される。
【００５２】
このようにして感光体ドラム１６上に吐き出されたリトランスファートナーは、感光体ドラム１６の回転により転写位置まで搬送される。
【００５３】
クリーニングモードでは、転写ロール２５は負極性のバイアス電圧が印加されるようになっており、転写位置まで搬送されたリトランスファートナーは、転写ロール２５によって中間転写ベルト１４上に転写され、中間転写ベルト１４によってクリーナ３２へと搬送され、クリーナ３２のブレード３４によって擦り取られる。
【００５４】
図３は、本実施形態に係る画像形成装置１０の電気系の要部構成を示すブロック図である。
【００５５】
同図に示すように、画像形成装置１０は、照射・検出装置３６、ＣＰＵ（中央処理装置）６０、ＲＯＭ（Read Only Memory）６２、ＲＡＭ（Random Access Memory）６４、ＮＶＭ（Non Volatile Memory)６６、ＵＩ（ユーザ・インタフェース）パネル６８、通信インタフェース７０及び画像形成部７４を含んで構成されている。
【００５６】
ＣＰＵ６０は、画像形成装置１０全体の動作を司るものである。ＲＯＭ６２は、画像形成装置１０の作動を制御する制御プログラム、後述する濃度対応値導出処理プログラムや各種パラメータ等を予め記憶する記憶手段として機能するものである。ＲＡＭ６４は、各種プログラムの実行時のワークエリア等として用いられるものである。ＮＶＭ６６は、装置の電源スイッチが切られても保持しなければならない各種情報を記憶するものである。
【００５７】
ＵＩパネル６８は、ディスプレイ上に透過型のタッチパネルが重ねられたタッチパネルディスプレイ等から構成され、各種情報がディスプレイの表示面に表示されると共に、ユーザがタッチパネルに触れることにより各種情報や指示が入力される。
【００５８】
通信インタフェース７０は、パーソナル・コンピュータ等の外部装置７２に接続され、外部装置７２から用紙２８に形成する画像を示す画像情報等の各種情報を受信するためのものである。
【００５９】
画像形成部７４は、ＬＥＤゼログラフィ方式にて用紙２８に対して画像形成を行うものであり、前述した画像形成ユニット１５、転写装置２６及び定着装置３０を含んで構成されている。
【００６０】
照射・検出装置３６、ＣＰＵ６０、ＲＯＭ６２、ＲＡＭ６４、ＮＶＭ６６、ＵＩパネル６８、通信インタフェース７０及び画像形成部７４は、システムバスＢＵＳを介して相互に接続されている。従って、ＣＰＵ６０は、ＲＯＭ６２、ＲＡＭ６４、ＮＶＭ６６へのアクセスと、ＵＩパネル６８への各種情報の表示と、ＵＩパネル６８に対するユーザの操作指示内容の把握と、外部装置７２からの通信インタフェース７０を介した各種情報の受信と、照射・検出装置３６及び画像形成部７４の作動の制御と、画像形成部７４の動作状態の把握と、照射・検出装置３６によって取得された情報の受信と、を各々行う。
【００６１】
図４は、本実施形態に係る照射・検出装置３６の構成の一例を示すブロック図である。同図に示すように、照射・検出装置３６は、ＬＥＤ７６、照射光検出部７８、反射光検出部８０、光量制御回路８２、アナログ・デジタル変換器（Ａ／Ｄ変換器）８４及びデジタル・アナログ変換器（Ｄ／Ａ変換器）８６を含んで構成されている。ＬＥＤ７６は、中間転写ベルト１４の表面の既定領域に対して、供給された電流の大きさに応じた光量の光（照射光）を照射する。照射光検出部７８は、光電変換を行う光電変換素子を有しており、この光電変換素子を用いて、ＬＥＤ７６による照射光を受光して受光量に応じた電圧を増幅して照射光電圧として出力する。反射光検出部８０は、光電変換素子を有しており、この光電変換素子を用いて、ＬＥＤ７６による照射光が既定領域で反射した際の反射光（例えば正反射光）を受光して受光量に応じて電圧を増幅して反射光電圧として出力する。光量制御回路８２は、照射光検出部７８での検出結果及び反射光検出部８０での検出結果に基づいてＬＥＤ７６から発せられる光の光量を制御する。Ａ／Ｄ変換器８４は、入力されたアナログ信号をデジタル信号に変換して出力する。Ｄ／Ａ変換器８６は、入力されたデジタル信号をアナログ信号に変換して出力する。
【００６２】
反射光検出部８２の出力端はＡ／Ｄ変換器８４を介してシステムバスＢＵＳに接続されており、反射光検出部８０は反射光電圧をＡ／Ｄ変換器８４に印加し、ＣＰＵ６０は、Ａ／Ｄ変換器８４を介して反射光検出部８０の検出結果（反射光電圧の大きさ）を取得し、取得した反射光検出部８０の検出結果に基づいて画像の濃度を推定する。また、光量制御回路７６の第１の入力端は照射光検出部８０の出力端に接続されており、照射光検出部８０は、照射光電圧を光量制御回路８２の第１の入力端に印加する。また、光量制御回路７６の第２の入力端はＤ／Ａ変換器８６を介してシステムバスＢＵＳに接続されており、ＣＰＵ６０は、反射光検出部８０の検出結果に基づいて推定した画像の濃度に対して予め定められた大きさの基準電圧をＤ／Ａ変換器８６を介して光量制御回路８２に印加する。更に、光量制御回路７６の出力端はＬＥＤ７８に接続されており、光量制御回路８２は、照射光検出部８０によって印加された照射光電圧の大きさ（以下、“照射光電圧Ｖｍｏｎ”と称する。）を、ＣＰＵ６０によってＤ／Ａ変換器８６を介して印加された基準電圧の大きさ（以下、“基準電圧Ｖｒｅｆ”と称する。）に追従させるようにＬＥＤ７６に発光用の電流を供給することによってＬＥＤ７６の発光量を制御する。
【００６３】
図５は、照射・検出装置３６のＬＥＤ７６、照射光検出部７８及び光量制御回路８２の構成の一例を示した回路図である。同図に示すように、ＬＥＤ７６では、カソードが光量制御回路８２の出力端に接続されており、アノードが電源配線Ｖｃｃに接続されている。照射光検出部７８は、フォトダイオード９８、オペアンプ１００、抵抗素子Ｒ６〜Ｒ８及びコンデンサＣ２を含んで構成されている。フォトダイオード９８のアノードには、接地電圧が印加された接地配線ＧＮＤが接続されている。オペアンプ１００は、電源端子１００Ａ、接地端子１００Ｂ、反転入力端子１００Ｃ、非反転入力端子１００Ｄ及び出力端子１００Ｅを備えている。電源端子１００Ａは、駆動用の正極電圧が印加された電源配線Ｖｃｃに接続されている。接地端子１００Ｂ及び非反転入力端子１００Ｄは、接地配線ＧＮＤに接続されている。反転入力端子１００Ｃは、フォトダイオード９８のカソードに接続されている。出力端子１００Ｅは、抵抗素子Ｒ７，Ｒ８を介して接地配線ＧＮＤに接続され、かつ照射光検出部７８の出力端を介して配線９６に接続されている。コンデンサＣ２及び抵抗素子Ｒ６は並列に接続されており、一方の接続端が反転入力端子１００Ｃに接続され、他方の接続端が抵抗素子Ｒ７と抵抗素子Ｒ８との接続部に接続されている。
【００６４】
このように構成されたＬＥＤ７６及び照射光検出部７８では、ＬＥＤ７６が光量制御回路８２の制御に従って発光し、照射光検出部７８がＬＥＤ７６から発せられた光をフォトダイオード９８で受光し、フォトダイオード９８の後段の回路で受光量に応じた電圧を増幅して照射光電圧として配線９６を介して光量制御回路８２の第１の入力端に印加する。
【００６５】
一方、光量制御回路８２は、オペアンプ９０，９２、ＮＰＮトランジスタ９４、抵抗素子Ｒ１〜Ｒ５及びコンデンサＣ１を含んで構成されており、前段回路ＩＣ１及び後段回路ＩＣ２に大別される。前段回路ＩＣ１は、照射光検出部７８から供給された電圧を増幅して後段回路ＩＣ２に供給する回路であり、オペアンプ９０、抵抗素子Ｒ１，Ｒ２及びコンデンサＣ１を含んで構成されている。オペアンプ９０は、電源端子９０Ａ、接地端子９０Ｂ、反転入力端子９０Ｃ、非反転入力端子９０Ｄ及び出力端子９０Ｅを備えている。電源端子９０Ａは、電源配線Ｖｃｃに接続されている。接地端子９０Ｂは、接地配線ＧＮＤに接続されている。反転入力端子９０Ｃは、配線９６に接続されている。非反転入力端子９０Ｄは、一方の電極が接地配線ＧＮＤに接続されたコンデンサＣ１の他方の電極に接続され、かつ前述のＤ／Ａ変換器８６を介してシステムバスＢＵＳに接続されて基準電圧が印加されている。出力端子９０Ｅは、抵抗素子Ｒ１を介して反転入力端子９０Ｃに接続されている。また、配線９６には抵抗素子Ｒ２が挿入されており、反転入力端子９０Ｃは抵抗素子Ｒ２を介して照射光検出部７８の出力端に接続されている。
【００６６】
後段回路ＩＣ２は、前段回路ＩＣ１から供給された電圧を予め定められた大きさの電流にしてＬＥＤ７６に供給する回路であり、オペアンプ９２、ＮＰＮトランジスタ９４及び抵抗素子Ｒ３〜Ｒ５を含んで構成されている。オペアンプ９２は、電源端子９２Ａ、接地端子９２Ｂ、反転入力端子９２Ｃ、非反転入力端子９２Ｄ及び出力端子９２Ｅを備えている。電源端子９２Ａは、電源配線Ｖｃｃに接続されている。接地端子９０Ｂは、接地配線ＧＮＤに接続されている。反転入力端子９０Ｃは、抵抗素子Ｒ５を介して接地配線ＧＮＤに接続されている。非反転入力端子９２Ｄは、オペアンプ９０の出力端子９０Ｅに接続されている。出力端子９２Ｅは、抵抗素子Ｒ３を介してＮＰＮトランジスタ９４のベースに接続され、かつ抵抗素子Ｒ４，Ｒ５を介して接地配線ＧＮＤに接続されている。また、ＮＰＮトランジスタ９４のエミッタは抵抗素子Ｒ３を介して接地配線ＧＮＤに接続されており、ＮＰＮトランジスタ９４のコレクタは光量制御回路８２の出力端に接続されている。
【００６７】
このように構成された光量制御回路８２では、照射光検出部７８によって第１の入力端に照射光電圧が印加されると、印加された照射光電圧Ｖｍｏｎが、現時点で推定されている画像の濃度に対して予め定められた基準電圧Ｖｒｅｆに追従するように前段回路ＩＣ１によって制御され、後段回路ＩＣ２によってＮＰＮトランジスタ９４のコレクタ及びエミッタ間にＬＥＤ７６の発光用電流の大きさ（以下、“発光用電流Ｉ”と称する）が基準電圧Ｖｒｅｆに対応する既定電流値になるようにフィードバック制御される。
【００６８】
次に、本実施形態に係る画像形成装置１０の作用を説明する。先ず、用紙２８に画像を形成する場合の画像形成装置１０の動作について一例を挙げて説明する。画像形成装置１０では、例えば外部装置７２から送信された画像情報を受信すると、中間転写体ベルト１４が図１に示す矢印Ｅ方向へ駆動すると共に、感光体ドラム１６Ｙ，１６Ｍ，１６Ｃ，１６Ｋが順次に図２の矢印Ｆ方向へ回転する。そして、帯電ロール１８Ｙ，１８Ｍ，１８Ｃ，１８Ｋが予め定められた電圧に帯電し、感光体ドラム１６Ｙ，１６Ｍ，１６Ｃ，１６Ｋと同期して回転することにより帯電ロール１８が感光体ドラム１６Ｙ，１６Ｍ，１６Ｃ，１６Ｋの表面を既定電圧値に帯電させる。
【００６９】
画像情報はイエロー／マゼンタ／シアン／ブラックの各色毎のデータに変換され、変換されたデータに基づき各色毎の画像形成ユニット１５のＬＥＤアレイ４０Ｙ，４０Ｍ，４０Ｃ，４０Ｋを点灯させる。感光体ドラム１６Ｙ、１６Ｍ、１６Ｃ，１６ＫにはＬＥＤアレイ４０Ｙ，４０Ｍ，４０Ｃ，４０Ｋからの光ビームにより露光されて各色毎の静電潜像を形成される。
【００７０】
続いて、現像ロール３８Ｙ，３８Ｍ，３８Ｃ，３８Ｋに例えば−４００Ｖの電圧が印加され、図２に示す矢印Ｇ方向に回転して感光体ドラム１６Ｙ，１６Ｍ，１６Ｃ，１６Ｋ上の静電潜像に各色のトナーを付着させて現像を行う。そして、転写ロール２５Ｙ，２５Ｍ，２５Ｃ，２５Ｋに例えば＋５００Ｖの電圧が印加され、現像器２２Ｙ，２２Ｙ，２２Ｃ，２２Ｋにより現像された感光体ドラム１６Ｙ，１６Ｍ，１６Ｃ，１６Ｋ上の互いに異なる色のトナー像を、中間転写体ベルト１４のベルト面上で、互いに重なり合うように中間転写体ベルト１４へ転写して最終トナー像を形成する。
【００７１】
そして、転写装置２６では、中間転写体ベルト１４に転写された最終トナー像がロール２６Ａ，２６Ｂの間に送り込まれ、用紙２８が用紙入れトレイ２９から取り出されてロール２６Ａ，２６Ｂの間に搬送されて用紙２８に最終トナー像が転写される。最終トナー像が転写された用紙２８は、加圧ロール３０Ａと加熱ロール３０Ｂからなる定着装置３０に搬送されて定着処理が施される。これにより、最終トナー像が用紙２８に定着されて、用紙２８上に画像（カラー画像）が形成される。
【００７２】
ところで、本実施形態に係る画像形成装置１０では、濃度対応値を導出し、導出した濃度対応値に基づいて、画像の濃度が予め定められた濃度（例えば予め定められた画質以上の画像を形成するために必要な濃度）となるように、現像器２２内のトナーに対するそのトナーに含まれるトナー粒子の割合を調整するための制御であるＴＣ（トナーコンセントレーション）制御や、画像形成部７４によって中間転写ベルト１４の表面に形成される画像を示す画像情報の補正処理、感光体ドラム１６の表面の帯電量、露光器２０に照射される光ビームの光量調整、現像ロール３８に印加すべき電圧の大きさ、転写ロール２５に印加されるバイアス電圧の大きさの調整量、中間転写ベルト１４から用紙２８にトナー像を転写するときにロール２６Ａに印加されるバイアス電圧の大きさの調整量などの各種条件（画像形成条件）が決定される。ここで、濃度対応値とは、ＬＥＤ７６が画像を有しない既定領域に対して予め定められた光量の光を照射した際のその既定領域で反射された反射光の光量に対応する反射光電圧である表面反射光電圧の大きさ（以下、表面反射光電圧Ｖｏｕｔと称する。）に対する、画像形成部７４によって既定領域に形成された基準トナー像に対してＬＥＤ７６が予め定められた光量の光を照射した際のその基準トナー像で反射された反射光の光量に対応する反射光電圧である画像反射光電圧の大きさ（以下、“画像反射光電圧Ｖｐａｔｃｈ”と称する。）の割合のことである。また、予め定められた光量とは、光量制御回路８２が濃度対応値に対して予め定められた基準電圧Ｖｒｅｆに照射光電圧Ｖｍｏｎを追従させるようにＬＥＤ７６に電流を供給することによってＬＥＤ７６から照射される光の光量（照射光量）のことである。この照射光量は、基準電圧Ｖｒｅｆに対応している。すなわち、照射光量は、基準電圧Ｖｒｅｆの増加に伴って大きくなり、基準電圧Ｖｒｅｆの減少に伴って小さくなる。従って、意図する照射光量を得るためには、基準電圧Ｖｒｅｆを一意に定める濃度対応値を高精度に推定することが要求される。
【００７３】
しかし、反射光検出部８０は、如何に精密に製造されたとしても、製造工程や構成部材が有する特性、製造されてから実際に利用されるまでの期間、経時劣化などが反射光検出部８０毎に異なるため、個々に特性が異なる。これは光量制御回路８２についても言えることである。反射光検出部８０毎の特性の違いは、例えば反射光検出部８０から出力される暗電圧の大きさの違いとして現れる。また、光量制御回路８２毎の特性の違いは、例えば光量制御回路８２から出力されるオフセット電圧の大きさの違いとして現れる。このように、反射光検出部８０における暗電圧の大きさの違い及び光量制御回路８２におけるオフセット電圧の大きさの違いは、画像形成装置１０毎のＬＥＤ７６の発光量の違いにつながり、ＬＥＤ７６の発光量の違いは、画像形成装置１０毎の表面反射光電圧Ｖｏｕｔの違い及び画像反射光電圧Ｖｐａｔｃｈの違いにもつながる。従って、表面反射光電圧Ｖｏｕｔ及び画像反射光電圧Ｖｐａｔｃｈに依存する濃度対応値も画像形成装置１０毎に異なってしまう。
【００７４】
図６には、反射光電圧の検出有効範囲が正負の両極に亘って設定されている場合に２つの照射・検出装置３６の各々から得られた反射光電圧の大きさと基準電圧Ｖｒｅｆとの対応関係の一例が示されている。なお、同図の例では、一方の照射・検出装置３６を照射・検出装置Ａとし、他方の照射・検出装置３６を照射・検出装置Ｂとして表現している。同図に示すように、照射・検出装置Ａでは、基準電圧Ｖｒｅｆが０Ｖのときに光量制御回路８２から出力されるオフセット電圧に起因してＬＥＤ７６が発光するので反射光電圧の下限値がプラス側のＶｏ_ｏｆｆ+となる。これに対し、照射・検出装置Ｂでは、基準電圧Ｖｒｅｆが０Ｖのときに光量制御回路８２から出力されるオフセット電圧に起因してＬＥＤ７６が発光するにも拘わらず反射光電圧の下限値がプラス側に現れずにマイナス側のＶｏ_ｏｆｆ-となり、基準電圧Ｖｒｅｆをある程度の大きさ（同図の例では“Ｖｒｅｆ_ｂ”）まで上げなければ反射光電圧の大きさが０Ｖにはならない。そのため、照射・検出装置Ｂでは、反射光電圧が検出される範囲として予め設定されている範囲（ダイナミックレンジ）が０Ｖ以上とされている場合、基準電圧Ｖｒｅｆの０Ｖ以上Ｖｒｅｆ_ｂ未満の範囲は反射光電圧が検出されない範囲として存在してしまう。そのため、ダイナミックレンジがプラス側にだけ制限されている場合（マイナス側が用いられない場合）、照明・検出装置Ａに比べて照射・検出装置Ｂを扱うことが困難になる。
【００７５】
このような照射・検出装置Ａ，Ｂを個別に画像形成装置１０に採用した場合、各々において、例えば基準電圧ＶｒｅｆとしてＶｒｅｆ_ｂを超える規格電圧値内の電圧値を光量制御回路８２に設定したとしても、照射・検出装置Ａと照射・検出装置Ｂとでは検出される反射光電圧の大きさが異なるので、照射・検出装置Ａを備えた画像形成装置１０と照射・検出装置Ｂを備えた画像形成装置１０とでは濃度対応値が異なる結果となって現れてしまう。
【００７６】
画像形成装置１０の各々で導出される濃度対応値を統一するための補正方法としては、基準電圧Ｖｒｅｆが下限値である０Ｖのときの表面反射光電圧（補正用表面反射光電圧）の大きさを予め検出しておき、現時点で検出された表面反射光電圧Ｖｏｕｔから補正用表面反射光電圧の大きさを減算して得た値に対する、現時点で検出された画像反射光電圧Ｖｐａｔｃｈから補正用表面反射光電圧の大きさを減算して得た値の割合を濃度対応値とする方法が考えられるが、この方法では、図６に示す例の照射・検出装置ＡのＶｏ_ｏｆｆ+分の反射光電圧の大きさは補正されるが、照射・検出装置ＢのＶｏ_ｏｆｆ-分の反射光電圧の大きさは補正されない。しかも、補正用表面反射光電圧は、表面反射光電圧であり、画像反射光電圧ではないので、表面反射光電圧Ｖｏｕｔに比べて画像反射光電圧Ｖｐａｔｃｈが精度良く補正されているとは言えない。別の補正方法としては、図６に示す例の照射・検出装置ＢのＶｏ_ｏｆｆ-分の反射光電圧の大きさを打ち消すためにバイアス電圧を付与することによって濃度対応値を補正する方法も考えられるが、照射・検出装置ＡのＶｏ_ｏｆｆ+分の反射光電圧にもバイアス電圧が付与されるため、反射光電圧の実質の検出有効範囲（ダイナミックレンジ）が狭くなってしまう。更に別の補正方法としては、照射・検出装置Ａ，Ｂの各々にオフセット電圧を打ち消すためのオフセット電圧調整回路を設ける方法も考えられるが、コストアップと調整に要する時間を考慮すると実用性に欠ける。そこで、本実施形態では、画像形成装置１０において、上記の補正方法を用いた場合よりも簡便かつ高精度に濃度対応値を導出する濃度対応値導出処理を実行している。この濃度対応値導出処理は、コンピュータを利用してプログラムを実行することにより実現される。しかし、このようなソフトウェア構成による実現に限られるものではなく、ハードウェア構成や、ハードウェア構成とソフトウェア構成との組み合わせによって実現しても良いことは言うまでもない。
【００７７】
以下では、本実施形態に係る画像形成装置１０が上記プログラムを実行することにより濃度対応値導出処理を実現する場合について説明する。この場合、上記プログラムをＲＯＭ６２に予め記憶させておく形態や、記憶内容がコンピュータによって読み取られる記録媒体に記憶された状態で提供される形態、有線または無線による通信手段を介して配信される形態等を適用しても良い。
【００７８】
次に、図７を参照して、濃度対応値導出処理を実行する際の画像形成装置１０の作用を説明する。なお、図７は、濃度対応値導出処理の実行を指示する操作がＵＩパネル６８によって受け付けられた際に画像形成装置１０のＣＰＵ６０により実行される濃度対応値導出処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。なお、ここでは、錯綜を回避するために、反射光電圧のダイナミックレンジを０Ｖ以上２Ｖ以下とし、光量制御回路８２に設定される基準電圧Ｖｒｅｆの範囲を０Ｖ以上５Ｖ以下とした場合について説明する。
【００７９】
同図のステップ２００では、光量制御回路８２に対して、基準電圧Ｖｒｅｆの予め定められた第１の大きさに相当する電圧Ｖｒｅｆ_１を設定した後、ステップ２０２に移行し、表面反射光電圧Ｖｏｕｔとしての電圧Ｖｂ_１を検出する。
【００８０】
次のステップ２０４では、光量制御回路８２に対して、電圧Ｖｒｅｆ_１とは異なる大きさである基準電圧Ｖｒｅｆの予め定められた第２の大きさに相当する電圧Ｖｒｅｆ_２を設定した後、ステップ２０６に移行し、表面反射光電圧Ｖｏｕｔとしての電圧Ｖｂ_２を検出する。
【００８１】
次のステップ２０８では、上記ステップ２００で光量制御回路８２に対して設定された電圧Ｖｒｅｆ_１と上記ステップ２０２で検出された電圧Ｖｂ_１とを表す２次元座標（Ｖｒｅｆ_１，Ｖｂ_１）、及び上記ステップ２０４で光量制御回路８２に対して設定された電圧Ｖｒｅｆ_２と上記ステップ２０６で検出された電圧Ｖｂ_２とを表す２次元座標（Ｖｒｅｆ_２，Ｖｂ_２）から基準電圧Ｖｒｅｆと表面反射光電圧Ｖｏｕｔとの対応関係を表すＶｏｕｔ＝ａ１*Ｖｒｅｆ＋Ｖｄａｒｋ_ｂの第１直線近似式を作成する。なお、“ａ１”は第１直線近似式の傾きを示している。“Ｖｄａｒｋ_ｂ”は第１直線近似式の切片であり、基準電圧Ｖｒｅｆを下限値である０Ｖとしたときに反射光検出部８０から出力される電圧の大きさに相当する。以下では、“Ｖｄａｒｋ_ｂ”を下限表面反射光電圧と称する。
【００８２】
次のステップ２１０では、中間転写ベルト１４の既定領域に基準トナー像が形成されるように画像形成部７４を制御した後、ステップ２１１に移行し、中間転写ベルト１４の既定領域に基準トナー像が形成されるまで待機する。基準トナー像が形成されると、ステップ２１１が肯定判定となってステップ２１２に移行し、光量制御回路８２に対して、基準電圧Ｖｒｅｆの予め定められた第３の大きさに相当する電圧Ｖｒｅｆ_３を設定した後、ステップ２１４に移行し、画像反射光電圧Ｖｐａｔｃｈとしての電圧Ｖｔ_３を検出する。
【００８３】
次のステップ２１６では、光量制御回路８２に対して、電圧Ｖｒｅｆ_３とは異なる大きさである基準電圧Ｖｒｅｆの予め定められた第４の大きさに相当する電圧Ｖｒｅｆ_４を設定した後、ステップ２１８に移行し、画像反射光電圧Ｖｐａｔｃｈとしての電圧Ｖｔ_４を検出する。なお、本実施形態では、電圧Ｖｒｅｆ_３及び電圧Ｖｒｅｆ_４として、予め定められた第３の大きさ及び予め定められた第４の大きさを用いたが、これに限らず、互いに異なる他の大きさであれば良い。また、この場合、表面反射光電圧の大きさを不安定にする基準電圧Ｖｒｅｆの範囲として予め定められた範囲を回避する大きさを採用することが好ましい。この範囲は、実機を用いた実験で予め得られた実測値に基づいて定められた範囲や、実機の仕様等に基づくコンピュータ・シミュレーションによって予め得られた推定値に基づいて定められた範囲であれば良い。
【００８４】
次のステップ２２０では、上記ステップ２１２で光量制御回路８２に対して設定された電圧Ｖｒｅｆ_３と上記ステップ２１４で検出された電圧Ｖｔ_３とを表す２次元座標（Ｖｒｅｆ_３，Ｖｔ_３）、及び上記ステップ２１６で光量制御回路８２に対して設定された電圧Ｖｒｅｆ_４と上記ステップ２１８で検出された電圧Ｖｂ_４とを表す２次元座標（Ｖｒｅｆ_４，Ｖｂ_４）から基準電圧Ｖｒｅｆと画像反射光電圧Ｖｐａｔｃｈとの対応関係を表すＶｐａｔｃｈ＝ａ２*Ｖｒｅｆ＋Ｖｄａｒｋ_ｔの第２直線近似式を作成する。なお、“ａ２”は第２直線近似式の傾きを示している。“Ｖｄａｒｋ_ｔ”は第２直線近似式の切片であり、基準電圧Ｖｒｅｆの大きさを下限値である０Ｖとしたときに反射光検出部８０から出力される電圧の大きさに相当する。以下では、“Ｖｄａｒｋ_ｔ”を下限画像反射光電圧と称する。
【００８５】
次のステップ２２２では、光量制御回路８２に対して、予め定められた大きさの基準電圧Ｖｒｅｆ_ｚを設定した後、ステップ２２４に移行し、表面反射光電圧Ｖｏｕｔとしての電圧Ｖｂ_ｚを検出する。次のステップ２２６では、上記ステップ２２４で検出された電圧Ｖｂ_ｚが、既定の表面反射光電圧Ｖｏｕｔが得られるように定められた基準電圧Ｖｒｅｆに相当する電圧Ｖｃであるか否かを判定し、肯定判定となった場合にはステップ２２８に移行する一方、否定判定となった場合にはステップ２３０に移行する。ステップ２３０では、現時点で光量制御回路８２に対して設定されている基準電圧Ｖｒｅｆ_ｚの大きさを変更した後、上記ステップ２２４に戻る。なお、上記の予め定められた大きさの基準電圧Ｖｒｅｆ_ｚとは、例えば、図６に示す例の基準電圧ＶｒｅｆにおけるＶｒｅｆ_ｂを超える規格電圧値内の電圧値として予め定められた電圧値を示しており、実機を用いた実験で予め得られた実測値に基づいて定められた電圧値や、実機の仕様等に基づくコンピュータ・シミュレーションによって予め得られた推定値に基づいて定められた電圧値である。
【００８６】
また、上記の電圧Ｖｃは、例えば、中間転写ベルト１４の表面における画像を有しない未使用の既定領域にＬＥＤ７６から既定光量（例えば未使用の既定領域に光を照射した際に表面反射光電圧として２Ｖが検出されるだけの光量として予め定められた光量）の光を照射した際に得られる表面反射光電圧の大きさに相当する大きさを示しており、実機を用いた実験で予め得られた実測値に基づいて定められた電圧値や、実機の仕様等に基づくコンピュータ・シミュレーションによって予め得られた推定値に基づいて定められた電圧値である。
【００８７】
ステップ２２８では、中間転写ベルト１４の既定領域に基準トナー像が形成されるように画像形成部７４を制御した後、ステップ２３２に移行し、中間転写ベルト１４の既定領域に基準トナー像が形成されるまで待機する。基準トナー像が形成されると、ステップ２３２が肯定判定となってステップ２３４に移行し、画像反射光電圧Ｖｐａｔｃｈとしての電圧Ｖｔ_ｚを検出する。次のステップ２３６では、上記ステップ２２４で検出された電圧Ｖｂ_ｚから、上記ステップ２０８で作成された第１直線近似式から外挿法で導出された下限表面反射光電圧Ｖｄａｒｋ_ｂを減算した後、ステップ２３８に移行し、上記ステップ２３４で検出された電圧Ｖｔ_ｚから、上記ステップ２２０で作成された第２直線近似式から外挿法で導出された下限画像反射光電圧Ｖｄａｒｋ_ｔを減算する。なお、本実施形態では、上記ステップ２３８において電圧Ｖｂ_ｚから下限表面反射光電圧Ｖｄａｒｋ_ｂを減算して得た値を第１補正済み表面反射光電圧Ｖｂ_ｆ１と称し、上記ステップ２３８において電圧Ｖｔ_ｚから下限画像反射光電圧Ｖｄａｒｋ_ｔを減算して得た値を第１補正済み画像反射光電圧Ｖｔ_ｆと称する。
【００８８】
次のステップ２４０では、上記ステップ２３６で算出された第１補正済み表面反射光電圧Ｖｂ_ｆ１に対する、上記ステップ２３８で算出された第１補正済み画像反射光電圧Ｖｔ_ｆの割合（Ｒａｔｉｏ_１）を算出し、次のステップ２４２にて上記ステップ２４０で算出された割合を濃度対応値としてＮＶＭ６６の予め定められた記憶領域に記憶した後、本濃度対応値導出処理プログラムを終了する。
【００８９】
ところで、反射光検出部８０から出力される暗電圧の大きさ及び光量制御回路８２から出力されるオフセット電圧の大きさに起因して照射・検出装置３６毎にばらつく濃度対応値は上記の濃度対応値導出処理によって補正されるが、光量制御回路８２に含まれるオペアンプ９０，９２及び照射光検出部７８に含まれるオペアンプ１００の各々の入出力特性が一例として図９に示す不安定領域（図６及び図９に示す例では基準電圧Ｖｒｅｆが０以上Ｖｒｅｆ_ｂ未満の領域）で動作する虞がある。この不安定領域は、照射光検出部７８と光量制御回路８２との組み合わせ（より詳しくは、照射光検出部７８に含まれるオペアンプ１００及び光量制御回路８２に含まれるオペアンプ９０，９２の組み合わせ）により、光量制御回路８２の動作が照射光電圧Ｖｍｏｎ≒０Ｖの領域で平衡状態となり、ＬＥＤ７６に流れる発光用電流Ｉが不安定になる場合がある。その結果、基準電圧Ｖｒｅｆが０Ｖのときに反射光検出部８０から出力される下限表面反射光電圧ｄａｒｋ_ｂも不安定になり、濃度対応値導出処理によって得られる濃度対応値の精度も低下してしまう。
【００９０】
本発明者らは、実機による実験やコンピュータ・シミュレーション等で得られた結果を通じて、下限表面反射光電圧Ｖｄａｒｋ_ｂが大きくなるほど不安定領域が生じやすくなり、下限表面反射光電圧Ｖｄａｒｋ_ｂがある大きさ以上になると不安定領域の発生確率が顕著に大きくなること（図９に示す例では、照射・検出装置Ａの方が照射・検出装置Ｂよりも不安定領域が生じる確率が高いということ）を知見した。この知見に基づき、本実施形態では、画像形成装置１０において、上記の濃度対応値導出処理によって得られた濃度対応値を補正する濃度対応値補正処理を実行している。この濃度対応値補正処理は、コンピュータを利用してプログラムを実行することにより実現される。しかし、このようなソフトウェア構成による実現に限られるものではなく、ハードウェア構成や、ハードウェア構成とソフトウェア構成との組み合わせによって実現しても良いことは言うまでもない。
【００９１】
以下では、本実施形態に係る画像形成装置１０が上記プログラムを実行することにより濃度対応値補正処理を実現する場合について説明する。この場合、上記プログラムをＲＯＭ６２に予め記憶させておく形態や、記憶内容がコンピュータによって読み取られる記録媒体に記憶された状態で提供される形態、有線または無線による通信手段を介して配信される形態等を適用しても良い。
【００９２】
次に、図１０を参照して、濃度対応値補正処理を実行する際の画像形成装置１０の作用を説明する。なお、図１０は、濃度対応値導出処理の終了後に予め定められた条件（例えば濃度対応値導出処理が終了してから予め定められた時間（例えば１秒）が経過したとの条件）を満足した際に画像形成装置１０のＣＰＵ６０により実行される濃度対応値補正処理プログラムの処理の流れを示すフローチャートである。なお、本濃度対応値補正処理プログラムにおいて、上記の濃度対応値導出処理プログラムと相違しない処理を行うステップには、上記の濃度対応値導出処理プログラムで用いたステップを適用してその説明を省略する。
【００９３】
同図のステップ２００〜２０８の処理を実行した後、ステップ２５０に移行し、上記ステップ２０８で作成された第１直線近似式から導出された下限表面反射光電圧Ｖｄａｒｋ_ｂが既定閾値Ｖｓ以上であるか否かを判定し、肯定判定となった場合にはステップ２５２に移行する。ステップ２５２では、下限表面反射光電圧Ｖｄａｒｋ_ｂが既定閾値Ｖｓ未満となるように、現時点で光量制御回路８２に対して設定されている基準電圧Ｖｒｅｆを、表面反射光電圧Ｖｏｕｔを不安定にする基準電圧Ｖｒｅｆの範囲として予め定められた範囲の上限値（図９に示す例ではＶｒｅｆ_ｂ）を超えた特定の電圧値まで増加させる。基準電圧Ｖｒｅｆの増加量は、光量制御回路８２に対して設定されている基準電圧Ｖｒｅｆが特定の電圧値まで増加されるように下限表面反射光電圧Ｖｄａｒｋ_ｂに対して一意に定められており、例えばＮＶＭ６６に下限表面反射光電圧Ｖｄａｒｋ_ｂに相当する電圧値に対応付けられた状態で予め記憶されている。従って、上記ステップ２５２では、ＣＰＵ６０がＮＶＭ６６から下限表面反射光電圧Ｖｄａｒｋ_ｂに対応する基準電圧Ｖｒｅｆの増加量を取得し、取得した増加量分、基準電圧Ｖｒｅｆを増加させる。なお、上記の既定閾値Ｖｓは、下限表面反射光電圧Ｖｄａｒｋ_ｂがこれ以上大きくなると光量制御回路８２を誤動作させる下限表面反射光電圧Ｖｄａｒｋ_ｂとして予め定められた電圧値を示しており、実機を用いた実験で予め得られた実測値に基づいて定められた電圧値や、実機の仕様等に基づくコンピュータ・シミュレーションによって予め得られた推定値に基づいて定められた電圧値である。
【００９４】
次のステップ２５４では、表面反射光電圧Ｖｏｕｔとしての電圧Ｖｄａｒｋ１を検出した後、ステップ２５６に移行し、上記ステップ２３６で算出された第１補正済み表面反射光電圧Ｖｂ_ｆ１から上記ステップ２５４で検出された電圧Ｖｄａｒｋ１を減算する。なお、本実施形態では、上記ステップ２５６において第１補正済み表面反射光電圧Ｖｂ_ｆ１から電圧Ｖｄａｒｋ１を減算して得た値を第２補正済み表面反射光電圧Ｖｂ_ｆ２と称する。
【００９５】
次のステップ２５８では、上記ステップ２５６で算出された第２補正済み表面反射光電圧Ｖｂ_ｆ２に対する、上記ステップ２３８で算出された第１補正済み画像反射光電圧Ｖｔ_ｆの割合（Ｒａｔｉｏ_２）を算出し、次のステップ２６０にて上記ステップ２５８で算出された割合を新たな濃度対応値としてＮＶＭ６６の予め定められた記憶領域に上書きした後、本濃度対応値補正処理プログラムを終了する。
【００９６】
一方、ステップ２５０において否定判定となった場合にはステップ２６２に移行し、現時点で光量制御回路８２に対して設定されている基準電圧Ｖｒｅｆを下限値である０Ｖに変更した後、ステップ２６４に移行し、表面反射光電圧Ｖｏｕｔとしての電圧Ｖｄａｒｋ０を検出する。次のステップ２６６では、上記ステップ２３６で算出された第１補正済み表面反射光電圧Ｖｂ_ｆ１から上記ステップ２６４で検出された電圧Ｖｄａｒｋ０を減算する。なお、本実施形態では、上記ステップ２６６において第１補正済み表面反射光電圧Ｖｂ_ｆ１から電圧Ｖｄａｒｋ０を減算して得た値を第２補正済み表面反射光電圧Ｖｂ_ｆ３と称する。
【００９７】
次のステップ２６８では、上記ステップ２６６で算出された第２補正済み表面反射光電圧Ｖｂ_ｆ３に対する、上記ステップ２３８で算出された第１補正済み画像反射光電圧Ｖｔ_ｆの割合（Ｒａｔｉｏ_３）を算出し、次のステップ２７０にて上記ステップ２６８で算出された割合を新たな濃度対応値としてＮＶＭ６６の予め定められた記憶領域に上書きした後、本濃度対応値補正処理プログラムを終了する。
【００９８】
このようにしてＮＶＭ６６の予め定められた記憶領域に記憶された濃度対応値は、画像形成条件を決定する際の基準に用いられる。また、ＮＶＭ６６の予め定められた記憶領域に上書きされた濃度対応値に対して予め定められた基準トナー画像の濃度がＣＰＵ６０によってＵＩパネル６８に表示される。この場合、基準トナー画像の濃度は濃度対応値に予め対応付けられた状態で例えばＮＶＭ６６に予め記憶されており、ＣＰＵ６０は、上記濃度対応値補正処理によって得られた濃度対応値に対応する濃度をＮＶＭ６６から取得し、取得した濃度をＵＩパネル６８に表示する。
【００９９】
なお、上記実施形態では、第１直線近似式及び第２直線近似式を２次元座標上の２点を結ぶ直線を表す１次関数で表し、この１次関数から外挿法を用いて下限表面反射光電圧Ｖｄａｒｋ_ｂ及び下限画像反射光電圧Ｖｄａｒｋ_ｔを導出したが、これに限らず、３点以上のプロットデータを用いて得られる線形回帰式から下限表面反射光電圧Ｖｄａｒｋ_ｂ及び下限画像反射光電圧Ｖｄａｒｋ_ｔを導出しても良い。
【０１００】
また、上記実施形態では、ＵＩパネル６８により濃度対応値に対応する濃度を表示する場合の形態例を挙げて説明したが、これに限らず、例えば、濃度対応値により表される濃度レベルを多段階的にランプの発光色を変化させることによって利用者に認識させるようにしたり、スピーカ等による音声による可聴表示を行ったり、通信回線を介した外部装置７２による報知等を適用しても良いし、これらを組み合わせても良い。
【０１０１】
また、上記実施形態では、濃度対応値を濃度に変換して表示する形態例を挙げて説明したが、濃度対応値を濃度に変換せずに濃度対応値のままで表示するようにしても良い。また、濃度対応値の算出に用いた下限表面反射光電圧Ｖｄａｒｋ_ｂ及び下限画像反射光電圧Ｖｄａｒｋ_ｔの少なくとも一方を表示するようにしても良い。
【０１０２】
また、上記実施形態では、中間転写ベルト１４を像保持体として機能させる場合の形態例を挙げて説明したが、感光体ドラム１６を像保持体とみなし、感光体ドラム１６に形成された基準トナー像の濃度を推定しても良い。また、用紙２８を像保持体とみなし、用紙２８に形成された基準トナー像の濃度を推定しても良い。更に、シート状に形成された感光体シートを像保持体とみなし、その感光体シートに形成された基準トナー像の濃度を推定しても良い。このように、像保持体は、表面に形成された画像を保持する機能を有するものであれば良い。また、像保持体に対して光を照射する照射手段としては、ＬＥＤ７６に限らず、光ビームを出力する装置であれば如何なるものであっても良い。
【０１０３】
また、上記実施形態では、既定領域に基準トナー像を形成する場合の形態例を挙げて説明したが、これに限らず、インクによる基準画像や、トナー及びインク以外の色材による基準画像を既定領域に形成しても良いことは言うまでもない。
【０１０４】
また、上記実施形態で説明したプログラムの処理の流れは一例であり、不要なステップを削除したり、新たなステップを追加したり、処理順序を入れ替えたりしても良いことは言うまでもない。
【符号の説明】
【０１０５】
１０  画像形成装置
１６  感光体ドラム
３６  照射・検出装置
６０  ＣＰＵ
６８  ＵＩパネル
７６  ＬＥＤ
７８  照射光検出部
８０  反射光検出部
８２  光量制御回路
【図１】
2012203384.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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