【事件の表示】
　特願２００５−　１８０４２「電流拡散層を含む半導体発光装置」拒絶査定不服審判事件〔平成１７年　８月１１日出願公開，特開２００５−２１７４０６〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成１７年１月２６日（パリ条約による優先権主張２００４年１月２７日，米国）の出願であって，平成２２年１２月１６日付けで拒絶理由が通知され，平成２３年６月２０日に手続補正がされ，平成２４年３月６日付けで拒絶理由が通知され，平成２５年３月２５日付けで拒絶査定がされ，これに対して，同年８月１日に審判請求がされるとともに同時に手続補正がされたものである。
　その後，当審において，平成２６年６月２７日付けで拒絶理由が通知され，これに対して，同年９月２５日に手続補正書及び意見書が提出された。
　
２　本願発明について
（１）本願発明
　本願の請求項１〜１６に係る発明は，平成２６年９月２５日に提出された補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜１６に記載されている事項により特定されるとおりのものであり，そのうち請求項１に係る発明は，特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される以下のとおりのもの（以下「本願発明」という。）である。
　
「【請求項１】
　第１の導電型の領域と第２の導電型の領域の間に配置された発光領域と，
　前記第１の導電型の領域内に配置された少なくとも１つの前記第１の導電型の高濃度ドープ層と，
　を含み，
　前記高濃度ドープ層は，前記第１の導電型の領域よりも高濃度にドープされ，
　前記第１の導電型の領域及び前記第２の導電型の領域は，活性領域に隣接したクラッド層であり，前記第１の導電型の領域は約５ｘ１０１７から約１ｘ１０１８ｃｍ−３の濃度までドープされ，前記高濃度ドープ層は約５ｘ１０１８から約１ｘ１０１９ｃｍ−３の濃度までドープされ，
　前記第１の導電型のクラッド層の，前記活性領域から反対側の表面に隣接した第１の導電型の接触領域と，
　前記第２の導電型のクラッド層の，前記活性領域から反対側の表面に隣接した第２の導電型の接触領域と，
　を更に含む
　ことを特徴とする半導体発光装置。」
　
（２）刊行物に記載された発明
ア　引用例１：　特開２００３−３３８６３５号公報
　当審において通知した拒絶理由に引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２００３−３３８６３５号公報（以下「引用例１」という。）には，図１，図２及び図１２とともに，次の記載がある（下線は当合議体において付加。以下同様。）。
「【００２７】図１は，本発明を適用して形成したマイクロＬＥＤアレイを示す断面図である。マイクロＬＥＤアレイ１（以下，単にＬＥＤアレイ１と呼ぶ。）は，素子分離されたマイクロＬＥＤ素子３（以下，単にＬＥＤ素子３と呼ぶ。）が接着剤からなる接着層４により転写基板２上に接着されて形成されている。ここで，各
ＬＥＤ素子３は，図２に示すように転写基板側からｐ型コンタクト層１１，ｐ型クラッド層１２，活性層１３，ｎ型クラッド層１４，およびｎ型コンタクト層１５が順次積層されている。ここで，ｐ型コンタクト層１１はＧａＡｓからなり，ｐ型クラッド層１２はＡｌＧａＩｎＰからなり，活性層１３はＡｌＧａＩｎＰからなり，ｎ型クラッド層１４はＡｌＧａＩｎＰからなり，ｎ型コンタクト層１５はＧａＡｓからなる
　
「【００６１】また，上記においては，図２に示すようにエッチング停止層がすべて除去されたＬＥＤ素子３を例に説明したが，本発明は上記の構造に限定されるものではない。
例えばＬＥＤ素子３において，表側，すなわちｐ型コンタクト層１１側からｐコンタクトおよびｎコンタクトの両方を取る場合には，図１２に示すようにｎ型コンタクト層１５を広めに形成してコンタクト部とする
【００６２】そこで，第２のエッチング停止層１８を，ｎ型コンタクト層１５を支持する層としてｎ型コンタクト層１５と略同等の大きさに残しても良い。このような構成とすることによりＬＥＤ素子３の機械的強度を向上させることができ，外部からの衝撃，圧力等に対しても破損しづらい高い強度を得ることが可能となり，確実にｎ型コンタクトを取ることが可能となる。この場合，第２のエッチング停止層１８には，光透過性が要求されるが，ＡｌＧａＡｓのＡｌ成分を増加させることにより第２のエッチング停止層１８をほぼ透明とすることが可能であり，ＬＥＤ素子３の機能に影響を及ぼすような不都合が生じることはなく，良好な品質を有するＬＥＤ素子３を構成することが可能である。
【００６３】また，上記においては，表側，すなわちＧａＡｓ基板１６と反対側から素子分離エッチングとしてｐ型コンタクト層１１，ｐ型クラッド層１２，活性層１３，ｎ型クラッド層１４，およびｎ型コンタクト層１５の選択エッチングを行い，転写を行ったが，素子分離エッチングは，裏面，すなわちＧａＡｓ基板１６から行っても良い。」
　
　引用例１の図１，図２及び図１２は次のものである。
【図１】
　
【図２】
　
【図１２】
　
　以上を総合すると，引用例１には以下の発明が記載されているものと認められる（以下「引用発明１」という。）。
「ｐ型コンタクト層１１，ｐ型クラッド層１２，活性層１３，ｎ型クラッド層１４，およびｎ型コンタクト層１５が順次積層され，ｐ型コンタクト層１１はＧａＡｓからなり，ｐ型クラッド層１２はＡｌＧａＩｎＰからなり，活性層１３はＡｌＧａＩｎＰからなり，ｎ型クラッド層１４はＡｌＧａＩｎＰからなり，ｎ型コンタクト層１５はＧａＡｓからなる，ＬＥＤ素子３。」
　
イ　引用例２：　特開２０００−８２８４１号公報
　当審において通知した拒絶理由に引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０００−８２８４１号公報（以下「引用例２」という。）には，図１及び図２とともに，次の記載がある。
「【０００２】
【従来の技術】ＧａＡｓ基板上に，４元化合物半導体材料であるＡｌＧａＩｎＰをベースとしたｐｎ接合をＭＯＶＰＥ法で成長した発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）用エピタキシャルウェハが実用化されている。各種のIII −Ｖ族化合物半導体のうち，特にＧａＡｓを基板とし，これに格子整合するようエピタキシャル成長されたＡｌＧａＩｎＰ４元混晶は，直接遷移型でしかも最大のバンドキャップエネルギーを有し，緑色から赤色の範囲にわたり高輝度の発光が得られる。
【０００３】図２に従来の
ＡｌＧａＩｎＰ４元ダブルヘテロ（ＤＨ）構造を有するＬＥＤ
【０００４】
　・・・（中略）・・・
【０００８】そこで，図２に示した従来のＬＥＤでは，第２上クラッド層（電流拡散層）６として，活性層４及び第１上クラッド層５よりもバンドギャップエネルギーが大きなＧａＡｌＡｓ層を採用し，これを第１上クラッド層５上に設けている（特開平３−１７１６７９号公報参照）。これにより，発光面側の電極９から注入された電流は，活性層４へ到達する前に，発光面側の電流拡散層つまり第２上クラッド層６内で拡散されることから，活性層４へ効率よく電流が注入されて，高い発光効率が達成される。
【０００９】また，電極からの注入電流を拡散させる手段としては，第２上クラッド層６の厚さを厚くすることも有効である。第２上クラッド層６としてよく用いられているＧａＡｌＡｓ層の厚さは，一般的に５〜１０μｍと厚めである。このＧａＡｌＡｓからなる第２上クラッド層６の厚膜化は，この層での電流の拡散を広げ，高い発光効率を得る目的で行われる。」
　
「【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記発光面側の第２上クラッド層としてＧａＡｌＡｓが用いられる場合，そのキャリア濃度としては，通常１×１０18cm-3台の濃度が用いられており，また厚さは前述の如く５〜１０μｍ台である。
【００１１】しかしながら，
より高輝度のＬＥＤを形成するためには，この第２上クラッド層の抵抗率をさらに低くし，電流を拡散しやすくすることが必要であり
【００１２】ところが，従来の技術において，高濃度ドーピングと厚膜化の両者を同時に満足するように第２上クラッド層を成長する場合には，成長の長時間化が伴い，経済的に不利となる。また，第２クラッド層の不純物として拡散性の高いものを使用した場合には，ドーピングに用いた不純物が活性層等の他の層に拡散し，ｐｎ接合全体としての結晶品質低下を伴う。
【００１３】そこで，本発明の目的は，上記課題を解決し，高濃度ドーピングと厚膜化を行ったのと同じ高い電流拡散性及び発光効率を持つ，経済性と実用性に富んだ構造のエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供することにある。」
　
「【００３０】図１は，ｎ型のＧａＡｓ基板１上に，ｎ型のＧａＡｓバッファ層２，ｎ型のＡｌＧａＩｎＰ下クラッド層３，
アンドープＡｌＧａＩｎＰ活性層４，ｐ型のＡｌＧａＩｎＰ第１上クラッド層５，ｐ型のＧａＡｌＡｓ第２上クラッド層６，ｐ型のプレーナードープ層（第２上クラッド層６をプレーナードープした部分）７，及びｐ型のＧａＡｓコンタクト層８
【００３１】
　・・・（中略）・・・
【００３２】上記ｐ型プレーナードープ層７は，第２上クラッド層６のコンタクト層８との界面に，ｐ型ドーパントを二次元的に添加（プレーナードープ）したものであり，プレーナードープ層と称するのは必ずしも適切ではないが，便宜上このように呼ぶ。このプレーナードープ処理は，上記ｐ型のＧａＡｌＡｓ第２上クラッド層６に次いでｐ型のＧａＡｓコンタクト層８を成長させる際に，当該ｐ型のＧａＡｌＡｓ第２上クラッド層６の成長終端面（成長停止面）に，その第２上クラッド層６と同じｐ型のドーパントとしてＺｎをプレーナードープすることで行い，その後，上記ｐ型のＧａＡｓコンタクト層８をエピタキシャル成長させる。ｐ型ドーパントであるＺｎの供給源にはジエチル亜鉛を用いる。
【００３３】プレーナードープ量は，
第２上クラッド層６表面へドーパントをプレーナードープすることによって，第２上クラッド層６のコンタクト層８との界面に，第２上クラッド層６の表面から所定の深さ（例えば３μｍ）で，プレーナードープ層が存在するように定める
【００３４】
　・・・（中略）・・・
【００３５】本実施形態によれば，従来のｐ型ＧａＡｌＡｓ第２上クラッド層６の厚さを５〜１０μｍ，キャリア濃度を３×１０18cm-3とした場合と同等の発光光度を，３μｍのｐ型ＧａＡｌＡｓ第２上クラッド上へのプレーナードープで達成することができた。
【００３６】上記実施形態では，ｎ型のＧａＡｓ基板を用いたときの，ｐ型のＧａＡｌＡｓ第２上クラッド層６の表面へｐ型のプレーナードープする場合について述べているが，
この第２上クラッド層６は，ＧａＡｌＡｓでなくとも，活性層よりもバンドギャップが大きい混晶材料，例えばＡｌＧａＩｎＰでもよい
【００３７】更にまた，ｐ型のＧａＡｓ基板１を用いた形態について本発明を適用することもできる。このｐ型基板を用いた実施形態の場合，ｎ型の第２上クラッド層６の表面について，同様にｎ型のプレーナードープを行うことになる。このｎ型のプレーナードープの不純物としては，Ｓｅ，Ｓｉ等が適用可能である。
【００３８】また，
上記実施形態では，第２上クラッド層表面へプレーナードープする場合について述べてきたが，プレーナードープする代わりに，第２上クラッド層表面へドーパントをパルスドープ（パルス状ドーピング）して，第２上クラッド層６のコンタクト層８との界面に，第２上クラッド層６の表面から所定の深さ（例えば３μｍ）で，パルスドープ層が存在するように構成することもできる
　
　ここで，上記段落【００３８】に記載された「パルスドープ」とは，周知の技術用語であって，厚さ方向の濃度分布がデルタ関数的な面状の半導体層を離散的に持つものを指すことは，例えば以下の特開２００３−１５１９９５号公報（以下「引用例３」という。）の記載からも明らかである。
　当審において通知した拒絶理由に引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である引用例３には次の記載がある。
「【０００７】一方，ＳｉＣなどの半導体の電子移動度を向上させるために，図９に示すように，チャネル領域１０７のアンドープ層１０７ａの中に，
厚さ方向の濃度分布がデルタ関数的な面状の半導体層１０７ｂを離散的に持つ，いわゆるデルタドープの半導体層を持つ
デルタドープの名前は，パルス状またはスパイク状の分布を表わすデルタ関数に由来している。したがって，上記の濃度分布をデルタドープまたはパルスドープという場合もある
　
　そうすると，引用例２の段落【００３８】に記載された，「第２上クラッド層６のコンタクト層８との界面に，第２上クラッド層６の表面から所定の深さ（例えば３μｍ）で，パルスドープ層が存在するように構成すること」とは，「第２上クラッド層６のコンタクト層８との界面に，第２上クラッド層６の表面から所定の深さ（例えば３μｍ）にわたって，厚さ方向の濃度分布がデルタ関数的な面状の半導体層が離散的に存在するように構成すること」と解される。
　
　また，上記段落【００３６】の記載から，第２上クラッド層６をＡｌＧａＩｎＰによって構成できることは明らかである。
　
　以上から，引用例２には，「ＡｌＧａＩｎＰ４元ダブルヘテロ（ＤＨ）構造を有するＬＥＤにおいて，活性層上にＡｌＧａＩｎＰ第１上クラッド層５，ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層６，及びコンタクト層８を備え，ＡｌＧａＩｎＰ第２上クラッド層６コンタクト層８との界面に，第２上クラッド層６の表面から所定の深さにわたって，厚さ方向の濃度分布がデルタ関数的な面状の半導体層を離散的に設けることで，第２上クラッド層の抵抗率をさらに低くし，電流を拡散しやすくしたＬＥＤ。」が記載されているものと認められる。
　
（３）対比
　本願発明と引用発明１とを対比する。
ア　引用発明１の「ｐ型クラッド層１２，活性層１３，」及び「ｎ型クラッド層１４」は「順次積層され」たものである。それゆえ，引用発明１の「ｐ型クラッド層１２」と「ｎ型クラッド層１４」は，本願発明の「第１の導電型の領域と第２の導電型の領域」であって，引用発明１の「活性層１３」は本願発明の「第１の導電型の領域と第２の導電型の領域の間に配置された発光領域」に相当し，従って，引用発明１の「ｐ型クラッド層１２」と「ｎ型クラッド層１４」は，本願発明の「前記第１の導電型の領域及び前記第２の導電型の領域」であって，「活性領域に隣接したクラッド層」に相当する。
　
イ　引用発明１の「ｐ型コンタクト層１１，ｐ型クラッド層１２，活性層１３，ｎ型クラッド層１４，およびｎ型コンタクト層１５」は「順次積層され」たものである。それゆえ，引用発明１の「ｐ型コンタクト層１１」と「ｎ型コンタクト層１５」は，本願発明の「前記第１の導電型のクラッド層の，前記活性領域から反対側の表面に隣接した第１の導電型の接触領域と，前記第２の導電型のクラッド層の，前記活性領域から反対側の表面に隣接した第２の導電型の接触領域」に相当する。
　
ウ　引用発明１の「ＬＥＤ素子３」は，本願発明の「半導体発光装置」に相当する。
　
　したがって，引用発明１と本願発明とは以下の点で一致する。
　
「第１の導電型の領域と第２の導電型の領域の間に配置された発光領域を含み，
　前記第１の導電型の領域及び前記第２の導電型の領域は，活性領域に隣接したクラッド層であり，
　前記第１の導電型のクラッド層の，前記活性領域から反対側の表面に隣接した第１の導電型の接触領域と，
　前記第２の導電型のクラッド層の，前記活性領域から反対側の表面に隣接した第２の導電型の接触領域と，
　を更に含む
　半導体発光装置。」
　である点で一致する。
　
　一方，両者は以下の点で相違する。
　
《相違点》
　本願発明は「前記第１の導電型の領域内に配置された少なくとも１つの前記第１の導電型の高濃度ドープ層」「を含み，前記高濃度ドープ層は，前記第１の導電型の領域よりも高濃度にドープされ」，「前記第１の導電型の領域は約５ｘ１０１７から約１ｘ１０１８ｃｍ−３の濃度までドープされ，前記高濃度ドープ層は約５ｘ１０１８から約１ｘ１０１９ｃｍ−３の濃度までドープされ」る構成を備えるが，引用発明１はそのような構成を備えない点。
　
（４）判断
　上記相違点について検討する
　前記２（２）イに摘記したとおり，引用例２の段落【００１１】に「より高輝度のＬＥＤを形成するためには，この第２上クラッド層の抵抗率をさらに低くし，電流を拡散しやすくすることが必要であり」と記載されているほか，更に以下の周知例１にも示されているように，一般に，ＬＥＤにおいて，高い電流拡散性及び発光効率を持つものとすることは，従来より周知の技術課題といえるものである。
　
周知例１：　特開平７−８６６３７号公報
　当審において通知した拒絶理由に引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開平７−８６６３７号公報（以下「周知例１」という。）には次の記載がある。
「【０００２】
【従来の技術】近年，屋外表示板，交通信号等への応用を目的として，緑色から黄色，燈色，赤色の発光ダイオード（ＬＥＤ）の開発が盛んに進められている。この中でも緑色から黄色といった，０．６μｍよりも波長の短い領域では従来材料による高輝度化が困難であり，新材料による高輝度ＬＥＤの開発が望まれていた。」
「【００１１】
【発明が解決しようとする課題】このように，ＩｎＧａＡｌＰ系材料を用いた従来のＬＥＤにおいては，活性層に多重量子井戸構造を採用した場合，正孔の分布が不均一になり発光効率が著しく低下するという問題点があった。また，電流拡散層で十分に電流を広げるためには膜厚を厚くする必要があるが，このためには成長時間の増大を招き，モフォロジーの低下や生産性の低下につながるという問題があった。
【００１２】本発明は上記事情を考慮してなされたもので，その目的とするところは，層数の多い多重量子井戸活性層においてもキャリアを均一に注入し，発光効率が十分に高く，製造方法も簡単な優れた面発光型の半導体発光装置を提供することにある。」
　
　したがって，引用発明１において，上記引用例２に記載された技術を適用して，「ｐ型クラッド層１２」上に第２のｐ型クラッド層を設け，当該第２のｐ型クラッド層において，第２のｐ型クラッド層とコンタクト層８との界面に，第２のｐ型クラッド層の表面から所定の深さで，厚さ方向の濃度分布がデルタ関数的な面状のｐ型半導体層を離散的に設けることで，第２のｐ型クラッド層の抵抗率をさらに低くし，電流を拡散しやすくすることは，当業者が適宜になし得たことである。
　ここで，「ｐ型クラッド層１２」及びその上の第２のｐ型クラッド層は，併せてｐ型のクラッド層を構成するから，本願発明に係る「第１の導電型の領域」といえ，また，「厚さ方向の濃度分布がデルタ関数的な面状のｐ型半導体層」が「第２のｐ型クラッド層」よりも不純物濃度が高いことは当然のことであるから，本願発明の「前記高濃度ドープ層は，前記第１の導電型の領域よりも高濃度にドープされ」る構成を備えるといえる。
　また，活性層の一方側に設けられたクラッド層の導電型を同じくすることは当然のことである。
　よって，引用発明１において，相違点に係る「前記第１の導電型の領域内に配置された少なくとも１つの前記第１の導電型の高濃度ドープ層」「を含み，前記高濃度ドープ層は，前記第１の導電型の領域よりも高濃度にドープされ」ることに対応する構成を備えることは，当業者が適宜になし得たことである。
　
　さらに，引用発明１において，相違点に係る「前記第１の導電型の領域内に配置された少なくとも１つの前記第１の導電型の高濃度ドープ層」「を含み，前記高濃度ドープ層は，前記第１の導電型の領域よりも高濃度にドープされ」ることに対応する構成を備えることは，以下の理由からも，当業者が適宜になし得たことといえる。
　前記２（２）アに摘記したとおり，引用例１の段落【００６１】及び図１２には，「ｐ型コンタクト層１１側からｐコンタクトおよびｎコンタクトの両方を取る場合には，図１２に示すようにｎ型コンタクト層１５を広めに形成してコンタクト部とする」構造が示されているところ，一般に，このような構造において，ｎ型コンタクト層１５に接触するｎ側電極から注入された電流を，横方向に活性層直下にまで流す必要があることは，以下の周知例２にも示されているように、従来より周知の技術課題である。
　
周知例２：　特開２０００−３１５９１号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である特開２０００−３１５９１号公報（以下「周知例２」という。）には次の記載がある。
「【０００６】まず，電気的にみると，サファイア基板は絶縁性を有し，また，炭化珪素基板も導電性は十分に高くなく窒化物半導体との間で形成されるバンド障壁も高い。このために，基板上にｎ型層コンタクト層，活性層，ｐ型層をエピタキシャル成長した後に，これらの一部を除去し，ｎ型コンタクト層の一部を露出してｎ側電極を形成する必要がある。このような構造においては，ｎ側電極から注入された電流を，ｎ型コンタクト層の内部において横方向に活性層直下まで流さなければならない。そのために，ｎ型コンタクト層の材料としては，導電性の良好な材料を用いる必要があり，従来は，ｎ型ＧａＮが用いられていた。」
　
　それゆえ，前記引用例１の段落【００６１】及び図１２に示されている構造においても，ｎ側電極から注入された電流を，横方向に活性層直下にまで流す必要があることは明らかであり，この際，ｎ型コンタクト層を導電性の良好な材料にすることに加えて，引用例２に示された「厚さ方向の濃度分布がデルタ関数的な面状の半導体層を離散的に設けることで，第２上クラッド層の抵抗率をさらに低くし，電流を拡散しやすく」する技術を，前記引用例１の段落【００６１】及び図１２に示されている構造におけるクラッド層１４に適用し，電流をより拡散しやすくして，横方向に確実に活性層直下にまで流れるようにすることは，当業者が容易に想到し得たことである。
　
　次に，相違点に係る「前記第１の導電型の領域は約５ｘ１０１７から約１ｘ１０１８ｃｍ−３の濃度までドープされ，前記高濃度ドープ層は約５ｘ１０１８から約１ｘ１０１９ｃｍ−３の濃度までドープされ」る構成について検討する。
　一般に，活性層を挟むＩｎＧａＡｌＰからなるクラッド層の不純物濃度を５×１０１７ｃｍ−３程度とすることは，例えば，前記周知例１にも示されているように，普通になされることである。
　
　周知例１には，図１とともに更に次の記載がある。
「【００２２】
　・・・（中略）・・・
（実施例１）図１は本発明の第１の実施例に係わるＬＥＤの素子構造を示す断面図である。図中１１はｎ−ＧａＡｓ基板であり，この基板１１の表面は（１００）面から［０１１］方向に１５°傾斜している。基板１１上には，ｎ−ＧａＡｓバッファ層１２，ｎ−Ｉｎ0.5 Ａｌ0.5 Ｐ（Ｓｉドープ，５×１０17ｃｍ-3）とｎ−ＧａＡｓ（Ｓｉドープ，３×１０17ｃｍ-3）の１０対から構成されるブラッグ反射層１３，
ｎ−Ｉｎ
0.5 
（Ｇａ
0.3 
Ａｌ
0.7 
）
0.5 
Ｐクラッド層１４（Ｓｉドープ，５×１０
17
ｃｍ
-3
）
ｐ−Ｉｎ
0.5 
（Ｇａ
0.3 
Ａｌ
0.7 
）
0.5 
Ｐクラッド層１６（Ｚｎドープ，５×１０
17
ｃｍ
-3
）
　
　そして，前述のとおり，引用発明１において，引用例２に記載された技術を適用して，「前記第１の導電型の領域内に配置された少なくとも１つの前記第１の導電型の高濃度ドープ層」「を含み，前記高濃度ドープ層は，前記第１の導電型の領域よりも高濃度にドープされ」ることに対応する構成を備えることは当業者が適宜になし得たことであるところ，引用例２に記載された技術は「厚さ方向の濃度分布がデルタ関数的な面状の半導体層を離散的に設けることで，第２上クラッド層の抵抗率をさらに低くし，電流を拡散しやすく」するものであるから，「厚さ方向の濃度分布がデルタ関数的な面状の半導体層」は，その周囲の層（引用例２においては「第２上クラッド層」）よりも不純物濃度を高いものとして，導電性を高めることは明らかである。
　それゆえ，引用発明１において，クラッド層の不純物濃度を５×１０１７ｃｍ−３程度とするとともに，「厚さ方向の濃度分布がデルタ関数的な面状の半導体層」の不純物濃度については，導電性を充分高めるべく，前記クラッド層の不純物濃度よりも一桁程度は高くして，５×１０１８ｃｍ−３程度あるいはそれを越える程度の値とすることは，当業者が適宜になし得たことである。
　
　よって，引用発明１において，相違点に係る「前記第１の導電型の領域内に配置された少なくとも１つの前記第１の導電型の高濃度ドープ層」「を含み，前記高濃度ドープ層は，前記第１の導電型の領域よりも高濃度にドープされ」，「前記第１の導電型の領域は約５ｘ１０１７から約１ｘ１０１８ｃｍ−３の濃度までドープされ，前記高濃度ドープ層は約５ｘ１０１８から約１ｘ１０１９ｃｍ−３の濃度までドープされ」ることに対応する構成を備えることは，当業者が適宜になし得たことである。
　
（５）まとめ
　以上検討したとおり，本願発明は，周知技術を勘案して，引用発明１及び引用例２に記載された事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
３　むすび
　以上のとおりであるから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。