【事件の表示】
　特願２０１１−　８９８５９「光半導体素子用ステム」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　７月２８日出願公開，特開２０１１−１４６７４４〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，平成１７年１１月１７日を出願日とする特願２００５−３３３１８６号（以下「原出願」という。）の一部を，平成２３年４月１４日に新たな出願としたものであって，平成２５年６月４日付けで拒絶理由が通知され，同年７月２３日に手続補正がされ，同年８月２１日付けで拒絶査定がされ，これに対して同年１０月１１日に審判請求がされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項１ないし６に係る発明は，平成２５年７月２３日にされた手続補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載から見て，その請求項１ないし６に記載された事項により特定されるものであり，そのうち請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は，特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるとおりのものである。
　
「【請求項１】
　アイレットと，
　前記アイレットの上に立設する実装側面を備えた素子実装部と，
　前記実装側面の前方の前記アイレットに設けられ，前記実装側面の前記アイレットとの付け根部側に配置される側面と前記側面に繋がる底面とを備えたへこみ部とを有し，
　前記へこみ部の側面と底面の境界部が凹状の曲面となっており，
　前記素子実装部の実装側面は，前記へこみ部にオーバーラップする位置に配置されていることを特徴とする光半導体素子用ステム。」
　
３　刊行物に記載された発明
刊行物：国際公開第２００５／４８４２１号
　原査定の拒絶の理由に引用され，原出願の出願の日前に外国において頒布された刊行物である，国際公開第２００５／４８４２１号（以下「引用例」という。）には，図１，図２及び図５とともに，以下の記載がある（下線は当審において付加。以下同様。）。
　
（１）技術分野
「[0001]　本発明は，半導体レーザ装置に関する。」
　
（２）背景技術
「[0002]　ＤＶＤ−Ｒ，ＣＤ−Ｒ，Ｂｌｕ−Ｒａｙ　Ｄｉｓｋ用途等の半導体レーザ素子は，高出力化が要求されている。半導体レーザ装置は，その半導体レーザ素子から発生する熱を放熱するために，半導体レーザ素子を放熱性の良いヒートシンクに直接あるいはサブマウントを介して取り付けている。前記ヒートシンクは，素子配置面が垂直になるように，円盤状のベースの上面に固定されている。ベースの上面には，半導体レーザ素子の直下に位置するように窪みが形成されている。この窪みは，特許文献１に記載されているように，モニター用の受光素子を配置するため，あるいは，サブマウントを兼ねる受光素子の信号取り出し用のリードピンを配置するために専ら用いられている。
[0003]　半導体レーザ素子の高出力化には，半導体レーザ素子の共振器長を長くすることが有効である。半導体レーザ素子の長さが長くなるのに対応してヒートシンクの高さを高くするように変更したが，半導体レーザ素子の発光点位置に変化がでるので，標準的な規格に適合しないという問題や装置の形状が大型化するという問題があった。また，ベースの厚さを薄くすることも検討したが，ベースを薄くすることによって熱容量が減少し，放熱特性が悪化するという問題が生じる。
[0004]　そこで，特許文献２には，半導体レーザ素子の一部がベースの上面に設けられた窪みに入り込むように配置することにより，半導体レーザ素子の発光点位置を変えずに，より長い半導体レーザ素子を搭載可能とした半導体レーザ装置が開示されている。
[0005]　しかしながら，ヒートシンクがベースと別体に構成されている場合，ヒートシンクの取り付け時の誤差によって，素子配置面と窪みの内側面が面一にならず，素子配置面が窪みの外方向に位置すると，半導体レーザ素子あるいはサブマウントの後端部が窪みの内側面に優先的に接してヒートシンクとの間に隙間が生じ，この隙間によって放熱経路が狭まり放熱特性が悪化するおそれがあった。
また，ヒートシンク部とベース部が一体形成されている場合でも，プレス加工，研磨等の素子配置面の後加工
　
（３）発明が解決しようとする課題
「[0006]　本発明はかかる点に鑑みなされたもので，共振器長が長い半導体レーザ素子を発光点位置に変更を加えることなく，且つ放熱特性を低下させることなく搭載可能な高出力化に適した半導体レーザ装置を提供することを目的とする。」
　
（４）課題を解決するための手段
「[0007]　上記目的を達成するために
本発明の半導体レーザ装置は，水平方向の上面を備えるベース部と，垂直方向の素子配置面を有するとともにベース部の上面よりも上方に位置するヒートシンク部と，素子配置面に固定される半導体レーザ素子と，半導体レーザ素子の直下に位置するベース部の上面に設けられ，半導体レーザ素子の一部を配置する窪みとを備える半導体レーザ装置において，ヒートシンク部は，素子配置面が窪みの内側面よりも内方向に位置するようにベース部に取り付けられる
　
（５）第一実施形態
「[0016]　以下，本発明の実施形態をキャンタイプの半導体レーザ装置を例に取り，図面を参照して説明する。図１は本発明の第一実施形態に係る半導体レーザ装置の断面図（図２のＩ−Ｉに沿った断面），図２は第一実施形態の半導体レーザ装置の一部を切り欠いた状態の平面図である。
[0017]　
半導体レーザ装置１は，ベース部２とヒートシンク部３と半導体レーザ素子４を備えている
[0018]　
ベース部２は，放熱性に優れる部材，例えば鉄，銅などの金属製で，一定な厚さを有している。ベース部２の上面は水平方向に延び，上面外周部分が光ピックアップなどの光学装置に取り付ける際の取り付け基準面Ｓとして用いられる
[0019]　ヒートシンク部３は，放熱性に優れる部材，例えば鉄，銅などの金属製で，熱容量を高めるために一定の体積を有している。ヒートシンク部３の高さは，ベース部２の上面にある基準面Ｓを基準として１．２７ｍｍ程度に設定されている。
ヒートシンク部３の垂直方向を向いた側面の１つが，半導体レーザ素子４を配置するための素子配置面７として利用される。この素子配置面７とベース部２の上面は直交状態（垂直）に保持される
[0020]　
素子配置面７には，半導体レーザ素子４が固定されている
[0021]　半
導体レーザ素子４の直下に位置するベース部２の上面領域には，半導体レーザ素子４の一部（下部）を挿入して配置するための窪み９が形成されている
　・・・（中略）・・・
[0030]　本実施形態では，
ヒートシンク部３の素子配置面７が，窪み９の内側面よりも若干内方向に位置するように，ベース部２に取り付けられている
　・・・（中略）・・・
[0032]　本実施形態の構成とすることにより，ベース部２あるいはヒートシンク部３の寸法誤差や，取り付け誤差の発生が懸念される場合であっても，常にヒートシンク部３の素子配置面７とサブマウント８（若しくは半導体レーザ素子４）を密着させた状態で取り付けることが可能となり，半導体レーザ素子４から発生する熱の放熱経路を安定して確保することができる。素子配置面７から窪み９の内側面までの距離は，前述したような誤差が積算されて最大となった時にでも，なお素子配置面７が窪み９の内方向に位置するように設定しておくことが好ましい。」
　
（６）第四実施形態
「[0037]　次に，本発明の第四実施形態を図面を参照して説明する。図５は，第四実施形態の半導体レーザ装置（キャップを外した状態）の断面図である。先の実施形態は，ベース部２とヒートシンク部３を別々の部材とし，後で接合して一体化しているが，
本実施形態では，ベース部２とヒートシンク部３を当初から一体のものとして構成している。他の部分の構成は第一実施形態と共通であり
[0038]　本実施形態では，
予めベース部２とヒートシンク部３を同じ部材で一体構成しておき，ヒートシンク部３の背面側（図５の左方向）からプレス加工などにより加圧することにより，素子配置面７を窪み９の内側面よりも内方向（図５の右方向）に移動させている
　
（７）図５は次のものである。
[図５]
　
（８）ここで，上記３「（５）第一実施形態」及び「（６）第四実施形態」の記載とともに図５を参照すると，窪み９は，ベース部２の上面と略平行な底面１５と，底面１５に略垂直な内側面と，当該内側面から素子配置面７へと連なる曲面とを少なくとも備えることが見て取れる。
　また，上記図５に示されたものにおいても，上記３「（５）第一実施形態」における段落[0030]〜[0032]の記載と同様に，「ヒートシンク部３の素子配置面７が，窪み９の内側面よりも若干内方向に位置するように，ベース部２に取り付けられている」ことがわかる。
　
（９）以上を総合すると，引用例には次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「半導体レーザ装置１であって，
　水平方向の上面を備えるベース部２と，垂直方向の素子配置面７を有するとともにベース部２の上面よりも上方に位置するヒートシンク部３と，素子配置面７に固定される半導体レーザ素子４と，半導体レーザ素子４の直下に位置するベース部２の上面に設けられ，半導体レーザ素子４の一部を配置する窪み９とを備えており，
　ベース部２とヒートシンク部３は同じ部材で一体構成されたものであり，
　素子配置面７は，窪み９の内側面よりも内方向に位置するようにベース部２に取り付けられ，
　窪み９は，ベース部２の上面と略平行な底面１５と，底面１５に略垂直な内側面と，当該内側面から素子配置面７へと連なる曲面とを少なくとも備えるものである，
　半導体レーザ装置１。」
　
４　対比
　本願発明と引用発明とを比較する。
　
（１）引用発明の「水平方向の上面を備えるベース部２」は，本願発明の「アイレット」に相当する。
（２）引用発明の「垂直方向の素子配置面７を有するとともにベース部２の上面よりも上方に位置するヒートシンク部３」は，「垂直方向の素子配置面７」が「水平方向の上面を備えるベース部２」に対して垂直であるから，本願発明の「前記アイレットの上に立設する実装側面を備えた素子実装部」に相当するといえる。
（３）引用発明の「素子配置面７に固定される半導体レーザ素子４」「の直下に位置するベース部２の上面に設けられ，半導体レーザ素子４の一部を配置する窪み９」は，「素子配置面７」の「半導体レーザ４」側の下の「ベース部２の上面に設けられ」るものであるから，本願発明の「前記実装側面の前方の前記アイレットに設けられ」た「へこみ部」に対応する。
　また，引用発明の「窪み９」は「ベース部２の上面に設けられ」たものであるから，「窪み９」が備える「底面１５に略垂直な内側面と，当該内側面から素子配置面７へと連なる曲面」は，合わせて「垂直方向の素子配置面７」のベース部２側端部に設けられた「側面」ということができる。また，当該「側面」が，「窪み９」の備える「底面１５」につながっていることは明らかである。
　そうすると，引用発明の「半導体レーザ素子４の直下に位置するベース部２の上面に設けられ，半導体レーザ素子４の一部を配置する窪み９」であって，「窪み９は，ベース部２の上面と略平行な底面１５と，底面１５に略垂直な内側面と，当該内側面から素子配置面７へと連なる曲面とを少なくとも備えるもの」は，本願発明の「前記実装側面の前方の前記アイレットに設けられ，前記実装側面の前記アイレットとの付け根部側に配置される側面と前記側面に繋がる底面とを備えたへこみ部」に相当するといえる。
（４）引用発明においては，「素子配置面７は，窪み９の内側面よりも内方向に位置するようにベース部２に取り付けられ」ることにより，窪み９上に素子配置面７が配置されることは明らかであるから，引用発明の当該構成は，本願発明の「前記素子実装部の実装側面は，前記へこみ部にオーバーラップする位置に配置されていること」に相当する。
（５）引用発明の「ベース部２」，「素子配置面７を有する」「ヒートシンク部３」及び「ベース部２の上面に設けられ」る「窪み９」を合わせたものは，「半導体レーザ素子４」を「固定」するものであるから，本願発明の「光半導体素子用ステム」に相当する。
　
（６）従って，引用発明と本願発明とは，
「　アイレットと，
　前記アイレットの上に立設する実装側面を備えた素子実装部と，
　前記実装側面の前方の前記アイレットに設けられ，前記実装側面の前記アイレットとの付け根部側に配置される側面と前記側面に繋がる底面とを備えたへこみ部とを有し，
　前記素子実装部の実装側面は，前記へこみ部にオーバーラップする位置に配置されている光半導体素子用ステム。」
である点で一致する。
　
　一方両者は，以下の点で相違する。
《相違点》
　本願発明は，「へこみ部の側面と底面の境界部が凹状の曲面となって」いるのに対して，引用発明は，「へこみ部の」「側面と前記側面に繋がる底面」に対応する構成は備えるものの，両者の「境界部が凹状の曲面となって」いることは特定されていない点。
　
５　判断
　半導体レーザ素子のパッケージにおける，半導体レーザ素子を実装する面を備える部材をプレス加工により形成することは，前記３（２）に摘記した引用例の段落[0005]に「ヒートシンク部とベース部が一体形成されている場合でも，
プレス加工
等の素子配置面の後加工
　
周知例１：実願昭６３−８８７５４号（実開平２−９４６１号公報）のマイクロフィルム
　原査定の拒絶の理由に引用され，原出願の出願の日前に日本国内において頒布された刊行物である，上記文献（以下「周知例１」という。）には，第１図ないし第３図とともに，以下の記載がある。
「本考案は半導体レーザ素子用パッケージに関し，より詳細には半導体レーザ素子用パッケージに用いられる気密ガラス端子の構成に関する。」（明細書１ページ１６〜１８行）
「また，前記放熱体１２の接合面１４の下部の放熱体１２の基板１０からの立ち上がり部位には放熱体１２の全面をえぐるように凹部１８を形成する。」（明細書５ページ６〜９行）
「また，
凹部１８の形成方法としては
プレス加工などが可能である
　
　また，冷間金型（すなわちプレス加工に用いる金型）について，角部が鋭い形状を有する場合，応力が集中し割れ誘発することから，コーナーRの形状（すなわち角部を曲面とした形状）として応力が集中しないように金型を設計することは，例えば以下の周知例２にも示されているように，従来より周知の技術である。
　
周知例２：辻井信博，”金型の損傷と寿命向上対策”，山陽特殊製鋼技報，　　　　　山陽特殊製鋼株式会社，２０００年，第７巻第１号，p.65 - 71
　原出願の出願の日前に日本国内において頒布された刊行物である，上記文献（以下「周知例２」という。）には，図１及び図６とともに，以下の記載がある。
「4・1 早期割れ
　図6に冷間金型の割れに対する対策を整理した。早期割れは，靭性不足による場合と強度不足による場合とがある。両者に共通する対策は，加工条件や金型形状を見直すことにより金型への負荷応力を低減することである。一方，金型の硬さ設定や鋼種選定は，その原因により対策が正反対となる。割れの原因が靭性不足か，強度不足かの見分け方は非常に難しいが，金型が変形したり寸法変化を起こしている場合は，強度不足を疑う必要がある。
4・2 疲労破壊
　冷間金型に発生する欠けやチッピングは，疲労破壊によるものである。欠けやチッピングは，き裂の発生→き裂の伝播→き裂の枝別れ・迂回→複数き裂の連結という過程で生じることから，初期き裂の発生を抑える目的として硬さを上げる対策は有効である。一般的には，硬さが高くなるに従い疲労強度は上昇するが，反面切欠き感受性が高くなり割れ発生の恐れが増すことから，加工条件により異なるが62〜64HRC程度が適正と考えられる。これが図1で示した冷間金型の場合の実用最高硬さである。後述するが熱間金型の場合は，この値が53〜55HRC程度となる。
　
実際に金型表面に旋盤目が残っている場合や型のコーナーが非常にシャープな場合など応力集中部が存在するときは，硬さの上昇は割れを誘発する恐れがある。従って，図6に示したように，硬さ変更について検討する前に，まず応力集中の軽減，高靭性工具鋼の採用或いは熱処理条件の最適化などの観点から対策を講じることが重要である。金型への応力集中を軽減することは何よりも効果的であり，
また，コーナーRの形状，テーパー角度の見直しなど，応力が局部に集中しないような型設計への配慮も必要である
　
　そして，引用発明に係る「窪み９」をプレス加工により形成するにあたり，当該「窪み９」の形状の金型によりプレス加工することは明らかであるところ，プレス加工のための金型の損傷を防ぐために，上記周知技術を採用し，金型の角部の形状を曲面として，形成される「窪み９」の「底面１５と，底面１５に略垂直な内側面」との境界が「凹状の曲面」となるようにして，相違点に係る「前記へこみ部の側面と底面の境界部が凹状の曲面となって」いる構成を備えるようにすることは，当業者が適宜になし得たことといえる。
　また，本願明細書の記載を見ても，本願発明に係る「光半導体素子用ステム」において，「前記へこみ部の側面と底面の境界部が凹状の曲面となって」いる構成を備えることにより格別な効果が奏されるものとも認められない。
　
６　まとめ
　以上の検討によれば，本願発明は，周知技術を勘案して，引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
７　むすび
　以上のとおりであるから，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。