【事件の表示】
　特願２０１０−　８５７７８「転写装置、転写システム及び転写方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年１０月２７日出願公開、特開２０１１−２１６８０８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成２２年４月２日の出願であって、平成２５年１２月１３日付けで手続補正がなされたが、同年１２月２７日付けで拒絶査定がなされた。
　本件は、これを不服として、平成２６年３月３１日に請求された拒絶査定不服審判である。
　
２　本願発明
　本願の請求項４に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２５年１２月１３日付けの手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項４に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項４】
　基板の厚さ方向の一方の面に設けられた薄膜状の紫外線硬化樹脂に、モールドに形成されている微細な転写パターンを転写する転写方法において、
　所定の第１の温度で未硬化の前記紫外線硬化樹脂に前記モールドを所定の時間接触させる接触工程と、
　前記モールドを前記紫外線硬化樹脂に接触させたまま、前記第１の温度よりも低い所定の第２の温度で前記紫外線硬化樹脂に紫外線を照射して前記紫外線硬化樹脂を硬化させる硬化工程と、
　を有することを特徴とする転写方法。」
　
３　引用刊行物
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の出願前である平成２１年１２月３日に頒布された特表２００９−５４３３３４号公報（以下「引用例」という。）には、次の事項が記載されている。（下線は当審で付した。）
ａ　明細書の記載
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、微細構造の製造技術に関連し、より詳細には、
ナノインプリント技術に基づいて微細構造の特徴を画定する方法
【背景技術】
【０００２】
　集積回路などの微細構造を形成するには、シリコン基板などの適切な基板の材料層に、厳密に寸法制御された小さな領域を形成しなければならない。材料層を例えばフォトリソグラフィおよびエッチプロセスを行うことによりパターニングすることによって、このような、厳密に寸法制御された小さな領域を生成することができる。このために、従来の半導体技術では、このような小さな領域をマスク層にまず画定するように、対象とする材料層上にマスク層が形成される。
　概して、マスク層は、フォトリソグラフィプロセスなどのリソグラフィプロセスによってパターニングされるフォトレジスト層により構成される、または、形成される。
　典型的なフォトリソグラフィプロセスにおいては、レジストがウェハ表面にスピンコートされ、次に、選択的に紫外線放射にさらされる。フォトレジストを現像後、レジストがポジ・レジストまたはネガ・レジストであるかに応じて、露光した部分または露光していない部分が除去され、フォトレジスト層に所望のパターンが形成される。」
「【００２３】
　図１ａに、微細構造デバイス１００を概略的に示す。これは、ある例示的実施形態においては、形成されるトランジスタ、コンデンサ、レジスタなどのそれぞれの回路素子を電気的に接続するためのメタライゼーション構造を受け入れることができる半導体デバイスであってもよい。他の場合では、微細構造デバイス１００は、オプトエレクトロニクス構成要素及び／又は機械的構成要素などが形成されたデバイスであってもよい。
微細構造デバイス１００
【００２４】
　さらに他の場合では、基板１０１は、後の段階でそれぞれの半導体デバイスに転送されうるメタライゼーション構造が上方に形成された任意の適切なキャリア材料であってもよい。これについては以下に詳述する。ある例示的実施形態では、基板１０１には、それぞれのコンタクト領域１０２を含む複数のフィーチャが形成されていてもよい。このコンタクト領域は、高導電性半導体領域、金属領域などの形態で形成されてもよい。さらに、
基板１０１の上方には成形可能材料層１０３が形成され
【００２５】
　例えば、幅広い種類の熱可塑性材料を利用可能することがでる。それらは、熱を加えると低粘性の状態になり、よって、低粘性の状態で材料１０３をそれぞれ変形できるものであってもよく、その際に、熱可塑性材料を冷却後、それぞれの変形した形状を、変形したインプリントダイを除去後であっても維持することができる。他の場合では、ポリマー材料、レジスト材料などのそれぞれの材料は、低粘性の状態で提供され、それぞれのインプリントモールドとの接触後、それぞれの材料は、例えば、ＵＶ照射、熱処理などに基づいて硬化されて、変形した形状を維持するようにしてもよい。
【００２６】
　図１ａに示す実施形態には、シリコン、二酸化シリコン、金属、金属合金、特定の可塑性材料など、任意の適切な材料から作られる基板１５１を含むそれぞれのインプリントモールドまたはダイ１５０に接触する前の微細構造デバイス１００が示されている。さらに、
インプリントモールド１５０は、
複合開口部の複数の雌型１５２を含んでもよい
【００２７】
　すでに説明したように、メタライゼーション構造のそれぞれのフィーチャは、典型的にはフォトリソグラフィと、対応のエッチプロセスに基づいて形成される。その際に、非常に複雑な位置合せ装置を含む非常に複雑なリソグラフィーツールが要求される。ビアと、それに接続される金属線を形成するそれぞれの製造シーケンスにおいて、対象とするプロセスストラテジーに関係なく、トレンチとビアとを相互に位置合せする必要があり、これが、最終的に、それぞれの設計ルールによって考慮されなければならないそれぞれの位置誤差となりうる。対応するビア開口部のそれぞれの雌型１５２Ａと、それぞれのトレンチを表す雌型１５２Ｂを含むインプリントモールド１５０を使用することによって、ビアと金属線とが自動的に非常に精密に相互に位置合せされる。この結果、プロセスの複雑度が緩和され、デバイスのパフォーマンスが向上し、通常は、ビア開口部とトレンチ間にある程度のずれを考慮して設ける必要のあるプロセスマージンを減らすことができる。微細構造デバイス１００を形成する典型的なプロセスフローは以下のプロセスを含みうる。導電領域１０２などの任意の微細構造が形成されるのであれば、そのような領域を、あるいは、任意の他の回路素子をフォトリソグラフィプロセスあるいはその他のインプラントプロセス（以下に後述する）、注入プロセス、エッチ技術、平坦化プロセスなどを含みうる十分に確立された技術に基づいて形成後に、層１０３の成形可能材料は任意の適切な蒸着技術に基づいて形成されうる。
【００２８】
　例えば、
層１０３が特定のポリマー材料、成形可能レジスト材料などの硬化性材料である場合に、スピンオン技術により層１０３を低粘性の状態で塗布し、低粘性の状態で維持することができる
インプリントモールド１５０及び／又は微細構造デバイス１００は、実質的に各々の側方向の位置を維持した状態で、
相対的に移動される
【００２９】
　図１ｂに、
インプリントモールド１５０と接触している
微細構造１００
それぞれの雌型１５２は、ビア開口部とトレンチとを画定するように、成形可能材料層１０３を変形している。その後、層１０３は、その温度を低下させ、ＵＶ（紫外線）照射などの適切な処理によって層１０３を硬化するなどして処理され
【００３０】
　図１ｃに、
インプリントモールド１５０が
除去され
【００３１】
　例えば、材料１０３のインプリントモールド１５０を位置決めする最終段階において流体連通を実質的に抑制している雌型１５２Ｂのパターン構造のために、基板１０１にわたって層１０３のそれぞれの部位間に流体連通が設けられていない場合は、モールド１５０は、異なるデバイス部位間を実効的に連通するか、層１０３の余分な材料を除去することのできるそれぞれの流体チャネル（図示せず）を有することができる。その結果、インプリントモールド１５０を実質的に非変形状態の層１０３から除去すると、実質的に平坦な表面構造が得られる。その際に、層１０３の余分な材料が、層１０３の材料を非変形状態にする前に除去したかどうかに応じて、層１０３の厚みは、当初に蒸着した層１０３の厚みとは異なることがある。さらに、微細構造１００及び／又はインプリントモールド１５０の表面トポグラフィーに対する不均一性はそれほど重要でないことから、それぞれの材料残留物１０４Ｃがそれぞれのビア開口部１０４Ａに残存しているおそれがあり、これにより、導電領域１０２などの下方の構造との完全な機械的接触ができなくなる。
【００３２】
　図１ｄに、さらに次の製造段階における微細構造デバイス１００を概略的に示す。該図では、構造１００は材料残留物１０４Ｃを除去するためにエッチ雰囲気１０５にさらされる。エッチプロセス１０５において、十分に確立されたレシピを用いて残留物１０４Ｃを効率的に除去するようにしてもよい。その際に、ある例示的実施形態では、導電性領域１０２の材料に対して、ある程度の選択性が、プロセス１０５のエッチ化学物質に与えられうる。このようにして、エッチプロセス１０５のプロセス時間を制御し、下方の領域１０２に過度の損傷を生じさせることなく、基板１０１全体にわたって実質的に確実に残留物１０４Ｃを除去するようにする。さらに、層１０３の材料は、エッチプロセス１０５のために、開口部１０４Ａの外側へ除去してもよい。しかし、その際に、トレンチ１０４Ｂと、層１０３の水平方向の表面部位１０３Ｓにおいて材料が同時に除去されることから、トレンチ１０４Ｂのそれぞれの深度は実質的に同じままである。
【００３３】
　一方で、層１０３の全体の厚みは、プロセス１０５におけるオーバーエッチングの程度に応じて薄くされることもある。その後、金属、金属合金などの導電性材料でそれぞれの構造１０４を埋め込むために微細構造デバイス１００を準備し、微細構造１００のそれぞれのメタライゼーション構造を形成するように、それぞれのビアおよび金属線を設けるようにする。図１ｅに、さらに次の製造段階における微細構造デバイス１００を概略的に示す。該図では、下方の導電性領域１０２に接続することができるように、先に形成されたビア開口部１０４Ａ内にそれぞれのビア１０６Ａが設けられている。さらに、先に画定されたトレンチ１０４Ｂ内に導電線１０６Ｂが形成される。これにより、任意の適切な誘電材料を表す材料層１０３は、導電線１０６Ｂおよびビア１０６Ａとの組合せにおいてそれぞれのメタライゼーション層１０７を画定することができる。その際に、それぞれの導電線１０６Ｂは、内部レベルで電気的に接続する。
【００３４】
　その一方で、ビア１０６Ａは、接触プラグ、回路素子の接触領域、下方のメタライゼーション層の金属領域などであってもよい導電領域１０２に対して電気的に接触する。対象とする微細構造１００の技術ノードに応じて、側方向の寸法、つまり、図１ｅにおいては、ビア１０６Ａおよび導電線１０６Ｂの水平方向の拡張部は、非常に高度な半導体デバイスに対しては、１００ｎｍかそれよりも実質的に短くてもよく、それぞれの寸法は、デバイスのレベルと、微細構造デバイス１００の動作において発生するそれぞれの電流密度とに応じて決まる。さらに、それぞれのビア及び／又は導電線１０６Ｂの特定の形状は、設計要件に応じて変化することが分かるであろう。例えば、それぞれの導電線１０６Ｂの幅及び／又は深度は、同一のデバイスレベル内で変化してもよい。これにより、動作条件、蒸着技術のプロセス条件などに対するそれぞれのメタライゼーション構造を非常にフレキシブルに適用することができる。
【００３５】
　同様のことがビア１０６Ａについても当てはまる。さらに、ビア１０６Ａと導電線１０６Ｂとは、任意の適切な導電性材料に基づいて形成してもよい。その際に、高度な用途では、高パフォーマンスのメタライゼーション構造を提供するように、銅、銅合金、銀、銀合金などの高導電性金属を用いてもよい。それぞれのビア開口部１０４Ａとトレンチ１０４Ｂとに埋め込まれる導電性材料の特徴に応じて、導電性材料はさらに、金属が層１０３の周囲の誘電材料中に、従って、最終的に、センシティブなデバイス領域に実質的に拡散するのを防ぎ、さらに、誘電材料あるいは酸素、フッ素など、該材料に含まれる反応性成分と、銅、銅合金などのそれぞれの導電性材料との望ましくない相互作用を実質的に抑えることができるように、導電性バリア材料を含んでもよい。
【００３６】
　図１ｅに示す微細構造１００は、以下のプロセスに基づいて形成されてもよい。エッチプロセス１０５（図１ｄ）後に、ある例示的実施形態では、それぞれの導電性バリア層（図示せず）を、スパッタ蒸着、化学気相蒸着（ＣＶＤ）法、無電解めっき、原子層蒸着（ＡＬＤ）などの任意の適切な蒸着技術に基づいて蒸着することができる。例えば、タンタル、窒化タンタル、チタン、窒化チタン、タングステン、窒化タングステンなどの任意の適切な材料をスパッタ蒸着によって蒸着してもよく、その際に、エッチプロセス１０５として、あるいは付加的なエッチステップとして実行できる先行するスパッタエッチステップにより、下方の導電領域１０２を確実に露出することができる。その後、銅などの適切なシード材料が、スパッタ蒸着、無電解蒸着などによって蒸着され、その後、銅、銅合金、銀、銀合金などのバルク金属が蒸着される。次に、電気化学エッチング、化学機械研磨（ＣＭＰ）などを含む適切な技術に基づいて、バリア材料、シード材料、および現実のバルク金属などのいずれの余分な材料が除去される。ある例示的実施形態では、余分な材料をそれぞれ除去する間に、ＣＭＰプロセスを実行してもよく、これにより、微細構造デバイス１００の表面トポロジーも平坦化される。この平坦化において、ビア開口部１０４Ａとトレンチ１０４Ｂ（図１ｃ）を形成するために、共通のインプリントプロセスにおいて生じ得た高低差を取り除くことができる。その結果、プロセスの複雑度が軽減した非常に実効的なプロセスシーケンスにおいて、任意の適切な寸法および形状を有することができるビア１０６Ａと導電線１０６Ｂとを含むメタライゼーション層１０７を容易に形成することができる。
【００３７】
　その理由は、ビア１０６Ａと金属線１０６Ｂとは、各コンポーネントに対してそれぞれを位置合せする必要なしに、共通のリソグラフィプロセスに基づいて形成することができるからである。さらに、ビアおよび線１０６Ａ、１０６Ｂ、具体的にはその中間部分の特定の寸法と形状とは、多くの従来のパターニング法の場合のように、フォトリソグラフィおよびエッチ技術によって制限されることなく、デバイス要件に従って設計される。例えば、以下に詳述しているように、フォトリソグラフィおよびエッチプロセスなどのプロセス技術における特定のプロセスパラメータに実質的に制限されることなく、ビア１０６Ａ及び／又はトレンチ１０６Ｂのサイドウォールをプロセスおよびデバイス要件に容易に適応させることができる。
【００３８】
　さらに、図１ａ〜１ｅに関して示した実施形態では、ビア１０６Ａと線１０６Ｂとは、メタライゼーション層１０７の誘電材料、つまり、成形可能材料層１０３に直接的に形成することができ、これにより、プロセスの複雑度も軽減することができる。図２ａ〜２ｄに関して、本文中に開示した主題のさらなる例示的実施形態を以下にさらに詳述する。ここでは、メタライゼーション層の誘電材料に対して高度なフレキシブル性を得ることができ、これにより、非成形可能材料を実効的に用いることができる一方で、それでもビアおよびトレンチは共通のインプリント技術により形成することができる。」
ｂ　図面の記載
「【図１ａ】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
「【図１ｂ】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
「【図１ｃ】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
「【図１ｄ】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
「【図１ｅ】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
ｃ　引用例記載の発明
　上記ａ及びｂの記載事項によると、引用例には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「微細構造デバイス１００は、基板１０１の上方に成形可能材料層１０３が形成され、
成形可能材料層１０３が特定のポリマー材料、成形可能レジスト材料などの硬化性材料である場合に、スピンオン技術により層１０３を低粘性の状態で塗布し、低粘性の状態で維持することができるものであり、
複合開口部の複数の雌型１５２を含むインプリントモールド１５０及び／又は微細構造デバイス１００は、実質的に各々の側方向の位置を維持した状態で相対的に移動されて、微細構造デバイス１００はインプリントモールド１５０と接触して、それぞれの雌型１５２は、ビア開口部とトレンチとを画定するように、成形可能材料層１０３を変形し、
その後、成形可能材料層１０３は、その温度を低下させ、ＵＶ（紫外線）照射などの適切な処理によって成形可能材料層１０３を硬化するなどして処理され、
インプリントモールド１５０が除去される、ナノインプリント技術に基づいて微細構造の特徴を画定する方法。」
　
４　対比
　以下、本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「特定のポリマー材料、成形可能レジスト材料などの硬化性材料であ」り、「ＵＶ（紫外線）照射などの適切な処理によって」「硬化する」「成形可能材料層１０３」は、「ＵＶ（紫外線）照射などの適切な処理によって」「硬化する」ものであるから、本願発明の「紫外線硬化樹脂」に相当する。
　また、引用発明の「複合開口部の複数の雌型１５２を含むインプリントモールド１５０」は、本願発明の「微細な転写パターン」が「形成されている」「モールド」に相当する。
　そうすると、引用発明は、「微細構造デバイス１００は、基板１０１の上方に成形可能材料層１０３が形成され、
　成形可能材料層１０３が特定のポリマー材料、成形可能レジスト材料などの硬化性材料である場合に、スピンオン技術により層１０３を低粘性の状態で塗布し、低粘性の状態で維持することができるものであり、複合開口部の複数の雌型１５２を含むインプリントモールド１５０及び／又は微細構造デバイス１００は、実質的に各々の側方向の位置を維持した状態で相対的に移動されて、微細構造デバイス１００はインプリントモールド１５０と接触して、それぞれの雌型１５２は、ビア開口部とトレンチとを画定するように、成形可能材料層１０３を変形」する「ナノインプリント技術に基づいて微細構造の特徴を画定する方法」であるから、本願発明の「基板の厚さ方向の一方の面に設けられた薄膜状の紫外線硬化樹脂に、モールドに形成されている微細な転写パターンを転写する転写方法」に相当するものである。
（２）引用発明の「微細構造デバイス１００は、基板１０１の上方に成形可能材料層１０３が形成され」たものであるから、引用発明の「複合開口部の複数の雌型１５２を含むインプリントモールド１５０及び／又は微細構造デバイス１００は、実質的に各々の側方向の位置を維持した状態で相対的に移動されて、微細構造デバイス１００はインプリントモールド１５０と接触して、それぞれの雌型１５２は、ビア開口部とトレンチとを画定するように、成形可能材料層１０３を変形」する構成は、本願発明の「所定の第１の温度で未硬化の前記紫外線硬化樹脂に前記モールドを所定の時間接触させる接触工程」に相当する。
（３）引用発明の「微細構造デバイス１００はインプリントモールド１５０と接触して、それぞれの雌型１５２は、ビア開口部とトレンチとを画定するように、成形可能材料層１０３を変形し、その後、成形可能材料層１０３は、その温度を低下させ、ＵＶ（紫外線）照射などの適切な処理によって成形可能材料層１０３を硬化するなどして処理され」るものであるから、引用発明の「その後、成形可能材料層１０３は、その温度を低下させ、ＵＶ（紫外線）照射などの適切な処理によって成形可能材料層１０３を硬化するなどして処理され、インプリントモールド１５０が除去される」構成は、本願発明の「モールドを前記紫外線硬化樹脂に接触させたまま、前記第１の温度よりも低い所定の第２の温度で前記紫外線硬化樹脂に紫外線を照射して前記紫外線硬化樹脂を硬化させる硬化工程」に相当する。
　
　上記（１）ないし（３）から、本願発明と引用発明は、
「基板の厚さ方向の一方の面に設けられた薄膜状の紫外線硬化樹脂に、モールドに形成されている微細な転写パターンを転写する転写方法において、
　所定の第１の温度で未硬化の前記紫外線硬化樹脂に前記モールドを所定の時間接触させる接触工程と、
　前記モールドを前記紫外線硬化樹脂に接触させたまま、前記第１の温度よりも低い所定の第２の温度で前記紫外線硬化樹脂に紫外線を照射して前記紫外線硬化樹脂を硬化させる硬化工程と、
　を有する転写方法。」で一致し、相違点はない。
　したがって、本願発明は引用発明である。
　
５　審判請求人の主張
　審判請求人は、審判請求書において、「引用文献１の成形材料は、段落〔００２５〕に記載されているように、ＵＶ照射や熱処理などに基づいて硬化されて変形した形状を維持する材料である。
　そして、段落〔００２８〕の記載では、熱可塑性材料を使用する場合、低粘性の状態にするには熱処理（加熱処理）を行うと理解できる。
　また、段落〔００２９〕では、『その後、層１０３は、
（熱可塑性樹脂の場合は）
（また、ＵＶ硬化樹脂の場合は）
　また、審査官殿の説示するように、引用文献１の段落〔００２９〕はＵＶ硬化樹脂の温度を低下し、ＵＶ（紫外線）を照射してＵＶ硬化樹脂を硬化させるとしても、なぜＵＶ硬化樹脂の温度を低下させるのかが全く理解できません」と主張している。
　しかしながら、ＵＶ硬化樹脂においても温度が高くなると粘性が低下することは技術常識であるから、上記【００２９】の記載は、引用発明の「成形可能材料層１０３」を「低粘性の状態で塗布」するために、温度を高くしていると解すること、また、ＵＶ硬化の際に、温度が高い必要はないから温度を低下させていると解することが自然である。
　なお、本願発明においても、「第２の温度」を「第１の温度」より低くしていることの技術的意味は、明細書に明記されていないところ、【００２９】に記載されていることからして、上述したような意味で低くしていると解される。
　
６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。
　
　なお、原審において通知された拒絶の理由は、本願発明が引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、とするものであったが、本願発明が引用発明に基いて容易に発明をすることができたか否かを検討する際には、両者を対比して一致点・相違点についての検討がなされ、両者が同一であるか否かについても当然に検討がなされるものであり、請求人もそれを踏まえて上で意見を述べているものと考えられるから、当審において改めて拒絶理由を通知することなく上記のとおり審決した。