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　平成　９年特許願第３６８６８５号「半導体デバイス及びその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成１１年　１月　６日出願公開、特開平１１−　　４００５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯・本願発明　
　本願は、平成９年１２月２６日（パリ条約による優先権主張１９９６年１２月３０日、韓国）の出願であって、その請求項に係る発明は、平成１３年１月１７日付の手続補正書で補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１から３に記載された事項により特定されるとおりの「半導体デバイス」及び、特許請求の範囲の請求項４から６に記載された事項により特定されるとおりの「半導体デバイスの製造方法」であると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。　
　「絶縁層上に所定の段差部を持つ第１伝導タイプのシリコン層が積層されたＳＯＩ基板と、前記シリコン層の段差部を含むように形成され、その両側に該当する前記シリコン層の厚さが相異なるように形成されたゲート電極と、前記ゲート電極とシリコン層との間に介在されるゲート絶縁膜と、前記ゲート電極の両側のシリコン層のなかでさらに厚い部分のシリコン層に形成され、それの底面はシリコン層とコンタクトされる第２伝導タイプのＭＯＳＦＥＴのソース領域と、前記ゲート電極の両側のシリコン層のなかでさらに薄く形成されたシリコン層に形成された第２伝導タイプのＭＯＳＦＥＴのドレイン領域と、前記ＳＯＩ基板の上部を覆う層間絶縁膜と、前記ソース領域とコンタクトされるように層間絶縁膜を貫通して、その底面がシリコン層とコンタクトされる第１伝導配線と、前記ドレイン領域とコンタクトされるように層間絶縁膜を貫通して、その底面がドレイン領域の表面とコンタクトされ、前記ドレイン領域の底面は前記ＳＯＩ基板の絶縁層の表面と接触する第２伝導配線とを含むことを特徴とする半導体デバイス。」
　　
２．引用例　
　これに対して、原査定において拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前の平成８年７月２日に頒布された刊行物である特開平８−１７２１９９号公報（以下、「引用例１」という。）には、次のとおり記載されている。　
（１）「支持基板と絶縁膜と半導体層とを備え、ソースの半導体層膜厚が、ＭＯＳ型半導体装置のチャネル領域の半導体層膜厚より厚膜であり、ソースの厚膜形成領域とチャネル領域の薄膜形成領域との境界領域は膜厚が除々に変化しており、さらにソースはこのソースと逆導電型の半導体層を介して半導体層の下層である絶縁膜と分離しており、さらにドレインは半導体層の下層である絶縁膜と接しており、さらに厚膜形成領域の半導体層にこの半導体層と同導電型のバルクコンタクトを備えることを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲の請求項５）（「膜厚が除々に変化」は、「膜厚が」徐々に「変化」の誤記であると認める。）　
（２）「本発明のＭＯＳ型の半導体装置は、図１に示すように、支持基板１と絶縁層２と半導体層３とを有するＳＯＩ基板を使用する。」（明細書（００５１））　
（３）「層間絶縁膜３２に設けるコンタクトホールを介して配線３３は、ドレイン５とソース６とバルクコンタクト２１とに接続する。」（明細書（００６０））　
（４）「チャネル領域７の半導体層３に接続するバルクコンタクト２１を設けることが可能となり、このバルクコンタクト２１によって半導体層３は、電気的にフローティングとはならない。　
　したがって、ドレイン５近傍の空乏層内で発生する電荷は、バルクコンタクト２１側に流れる。　
　このため、空乏層内で発生する電荷は、半導体層３に蓄積してポテンシャルを上げることはなく、安定したトランジスタ動作を有するＭＯＳ型半導体装置を得ることができる。」（明細書（００６１−００６３））　
（５）「つぎに本発明の半導体装置の他の実施例を、図３・・・の断面図を用いて説明する。なお、図３・・・においては、図１と同一構成要素には図１に付けた符号と同一符号を付けてあり、詳細な説明は省略する。　
　図３に示す本発明の実施例における半導体装置は、ソース６側の半導体層３の膜厚は、チャネル領域７のドレイン５側の半導体層３の膜厚より厚膜とする構造を採用する。
　この図３に示す実施例では、ソース６の高濃度不純物層は絶縁膜２に接していない構造とする。このため、チャネル領域７とバルクコンタクト２１が導通する構造となる。」（明細書（００７５−００７７））　
（６）「図１に示す半導体装置の構造を形成するための製造方法を、図６から図９の断面図を用いて説明する。」（明細書（００８９））　　
（７）「支持基板１としてＰ型の単結晶シリコン基板に・・・イオン注入する。・・・その後、・・・熱アニール処理を行って、支持基板１と、・・・絶縁膜２と、・・・Ｐ型の半導体層３とからなる・・・基板を形成する。」（明細書（００９０−００９１））　
（８）「薄膜形成領域４２と厚膜形成領域４１との境界領域は、エッチング時のサイドエッチングにより除々に膜厚が変化する傾斜をもった構造となる。」（明細書（００９６））（「除々に膜厚が変化」は、徐々に「膜厚が変化」の誤記であると認める。）　
（９）図８、図９及び（明細書（０１０７）〜（０１１０））には、薄膜形成領域４２と、厚膜形成領域４１、および前記薄膜形成領域と前記厚膜形成領域との境界領域を含む、半導体層３上に、ゲート絶縁膜１４及びゲート電極８を順次形成すること、及び、ゲート電極、ソース、ドレイン及びバルクコンタクトを含んだＳＯＩ基板を覆って層間絶縁膜を形成することが記載されている。　
（１０）「この加熱処理により、ソース６の高濃度不純物層は絶縁層２に接し、ドレイン５の高濃度不純物層とバルクコンタクト２１の高濃度不純物層とは絶縁層２に接しない構造となる。」（明細書（０１１７））　
　　
　よって、図１の半導体装置を製造する工程を説明した図６−図９の説明における、ソースおよびドレインの形成位置（ドレインを厚膜形成領域に、ソースを薄膜形成領域に形成）が、図３でのソース及びドレインの形成位置（ソースを厚膜形成領域に、ドレインを薄膜形成領域に形成）と逆になることを考慮すると、　
　引用例１には、
　絶縁膜上に膜厚が徐々に変化する傾斜を持つＰ型の半導体層が形成されたＳＯＩ基板と、膜厚が徐々に変化する傾斜を持つＰ型の前記半導体層の上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極とを備えた半導体装置において、ソースの半導体層膜厚が、ＭＯＳ型半導体装置のドレイン側のチャネル領域の半導体層膜厚より厚膜であり、ソースの厚膜形成領域とドレイン側のチャネル領域の薄膜形成領域との境界領域は膜厚が徐々に変化しており、さらに前記ソースは前記ソースと逆導電型の前記半導体層を介して前記半導体層の下層である前記絶縁膜と分離しており、さらにドレインは前記半導体層の下層である前記絶縁膜と接しており、さらに厚膜形成領域の前記半導体層に前記半導体層と同導電型のバルクコンタクトと、前記ゲート電極、前記ソース、前記ドレイン及び前記バルクコンタクトを含んだ前記ＳＯＩ基板を覆う層間絶縁膜と、前記ソース、前記ドレインおよび前記バルクコンタクトに、前記層間絶縁膜に設けたコンタクトホールを介してそれぞれ接続された配線とを備えることを特徴とする半導体装置が記載されている。
　　
　また、同様に、原査定において拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開昭６２−２７４７７８号公報（以下、「引用例２」という。）には、次のとおり記載されている。
（１）「絶縁性基板と、この絶縁性基板上に設けられた半導体基板層と、　
　この半導体基板層表面に相対して形成されたソース領域およびドレイン領域と、　　
　このドレイン領域の下に形成された前記ドレイン領域と同一導電型の不純物領域と、　　
　前記ソース領域および前記ドレイン領域間の前記半導体基板上に形成されたゲート絶縁膜と、　　
　このゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、　　
　前記ソース領域および前記半導体基板層とコンタクトするソース電極と、
　前記ドレイン領域および前記不純物領域とコンタクトするドレイン電極と
　を備えたことを特徴とする半導体装置。」（特許請求の範囲の請求項１）
（２）「本発明による半導体装置は、ソース電極を半導体基板層とコンタクトしていることにより、ソース領域と半導体基板層とを同電位に保つようにしている。」（第２頁右下欄第１２−１５行）
（３）「ソース電極９はソース領域３を深さ方向に貫通して半導体基板層２に到達している。また、ドレイン電極１０もドレイン領域４を深さ方向に貫通して、Ｎ−型不純物領域５に到達しているが、この、Ｎ−型不純物領域５の存在により、半導体基板層２にまでは達していない。」（第３頁右下欄第９−１５行）」　
（４）「本発明によれば、ＭＯＳトランジスタの飽和領域で動作を行なっても、歪みのない静特性を得ることができる。」（第４頁左上欄第１１−１３行）　
　
３．対比　　
　本願発明と引用例１に記載された発明（以下「引用発明」という）を対比すると、　
　引用発明の「厚膜形成領域」、「薄膜形成領域」、「ソース」、「ドレイン」、「ソースに接続された配線」、及び「ドレインに接続された配線」は、　
それぞれ、本願発明の、「厚い部分のシリコン層」、「薄く形成されたシリコン層」、「ソース領域」、「ドレイン領域」、「第１伝導配線」及び「第２伝導配線」に相当し、
　　
　また、半導体の伝導型としてＮ型とするか、Ｐ型とするかは当業者が必要に応じて適宜設定しえるものであるとともに、引用発明の「半導体層」はシリコン層であると記載されているので、引用発明の「Ｐ型の半導体層」が本願発明の「第１伝導タイプのシリコン層」に相当する。
　　
　さらに、本願発明の第１伝導タイプのシリコン層に形成された「所定の段差部」は、明細書においても「所定の段差部」であるとの説明がされているのみであり、どのような段差を意味するか必ずしも明確ではないところ、本願発明において、「所定の段差部」については、シリコン層を相対的に薄く形成される予定の部分が露出されるようにレジストパターンを形成し、レジストパターンをマスクとして露出された部分を所定深さだけエッチングすることにより段差部が形成されると記載されており（明細書（００１８））、一方、引用例１においては、Ｐ型の半導体層の表面を、厚膜形成領域に形成される部分をレジストで覆って薄膜形成領域が形成される部分に対応する半導体層をエッチングすると、「薄膜形成領域４２と厚膜形成領域４１との境界領域は、エッチング時のサイドエッチングにより」徐々に「膜厚が変化する傾斜をもった構造となる」（明細書（００９６））と記載されており、薄膜形成領域と厚膜形成領域の膜厚差により、薄膜形成領域と厚膜形成領域との間に段差が生ずることは明らかであるとともに、本願発明及び、引用発明のいずれにおいても、同様な手法により段差を形成する点、即ち、エッチングされない部分のシリコン層上にマスクとなるレジストを形成し、シリコン層のエッチングにより除去すべき部分を露出してエッチングすることにより、エッチングされない部分のシリコン層と、エッチングされた部分のシリコン層との厚みに相当する部分を段差としている点において、両者は何ら相違せず、本願の「所定の段差部」と、引用発明の「膜厚が」徐々に「変化する傾斜」は、実質的に同等のものであるので、
　　
　両者は、　
「絶縁層上に所定の段差部を持つ第１伝導タイプのシリコン層が積層されたＳＯＩ基板と、前記シリコン層の段差部を含むように形成され、その両側に該当する前記シリコン層の厚さが相異なるように形成されたゲート電極と、前記ゲート電極とシリコン層との間に介在されるゲート絶縁膜と、前記ゲート電極の両側のシリコン層のなかでさらに厚い部分のシリコン層に形成され、それの底面はシリコン層とコンタクトされる第２伝導タイプのＭＯＳＦＥＴのソース領域と、前記ゲート電極の両側のシリコン層のなかでさらに薄く形成されたシリコン層に形成された第２伝導タイプのＭＯＳＦＥＴのドレイン領域と、前記ＳＯＩ基板の上部を覆う層間絶縁膜と、前記ソース領域とコンタクトされるように層間絶縁膜を貫通した第１伝導配線と、前記ドレイン領域とコンタクトされるように層間絶縁膜を貫通して、その底面がドレイン領域とコンタクトされ、前記ドレイン領域の底面は前記ＳＯＩ基板の絶縁層の表面と接触する第２伝導配線とを含むことを特徴とする半導体デバイス」である点で一致し、　
以下の点で相違する。　
　相違点１  
　本願発明では、「第１伝導配線」がその底面で「シリコン層」とコンタクトしているのに対して、引用発明では、「ソースに接続された配線」は「ソース」とは接続しているが、「半導体層」とは接続されていない点。
　相違点２  
　本願発明では、「第２伝導配線」の底面が、「ドレイン領域の表面」とコンタクトしているのに対して、引用発明では、「ドレインに接続された配線」が「ドレイン」のどの部分と接触しているか明確には記載されていない点。
　　
４．当審の判断　
　上記相違点について、以下で検討する。
　
（１）相違点１について　
　引用文献２には、飽和領域で動作させても歪みのない静特性を有することができるＳＯＩ型のトランジスタを提供するために、ＳＯＩ基板に形成したＭＯＳトランジスタにおいて、ソース電極と半導体基板層とを同電位に保つために、ソース電極はソース領域を深さ方向に貫通して半導体基板層に到達しているが、ドレイン電極はドレイン領域を深さ方向に貫通して、Ｎ−型不純物領域に到達しているものの、ドレイン電極はＮ−型不純物領域の内部まで形成されているのみで、半導体基板層には接触していないことが記載されており、一方、引用発明の、「バルクコンタクト」に「接続された配線」も、トランジスタの動作を安定とするために、半導体層に発生する電荷を抜き取り、ソース電極と半導体基板層とを同電位とするためのものである点において、引用例２に記載される、ソース電極をソース領域および半導体基板層に対して電気的に接触する構成と、同等の機能を有するものであるので、引用発明において、ソース（領域）に接続された配線を、ソース（領域）に接続するのみでなく、引用例２に記載される如く、ソース（領域）下の半導体層にも電気的に接続することは、当業者が何ら困難性なく、各引用例に記載される発明に基づいてなし得たものである。
　　　
（２）相違点２について　
  本願発明では、「第２伝導配線」の底面が、「ドレイン領域の表面」とコンタクトしているのに対して、引用発明では、「ドレインに接続された配線」が「ドレイン」のどの部分と接触しているか明確ではないが、配線と導電領域との接続は、必要な面積で接続されていれば良いのであるから、ドレイン領域と配線との接続において、本願発明のように、「ドレインに接続された配線」の底面を「ドレイン」の表面とコンタクトさせることは、当業者が必要に応じて適宜なし得る程度の設計的事項に過ぎないものである。
　
　したがって、本願発明は、当業者が各引用例に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　　　
　　
５．むすび　　
　以上のとおりであるから、本願は、請求項２乃至６に係る発明について検討するまでもなく、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。　
　よって、結論のとおりに審決する。