【事件の表示】
平成３年特許願第２９２６６６号「シリコン支持体にｐｎ接合を製造する方法」拒絶査定に対する審判事件［平成７年１月１７日出願公開、特開平７−１４７７５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】手続の経緯および、この出願の発明
本願は、平成３年１１月８日(パリ条約による優先権主張１９９０年１１月９日，ドイツ)の出願であって、その請求項１〜６に係る発明は、平成１２年８月２日付けの手続補正書により補正された、明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載されたとおりのものである。
そして、その請求項１に係る発明(以下、「本願発明」という。)は、
「【請求項１】単結晶シリコン基板上にシリコン層を製造し、その際シリコン基板の部分をエッチング除去し、シリコン層をエッチング停止境界として利用し、まずドーピング濃度ＣDを有する第１の部分層（２１）をドーピング濃度ＣSを有するシリコン基板（１）上に製造し、その際ＣDはＣSよりも大きく選択し、引き続きドーピング濃度ＣEを有する少なくとも１つの別の部分層（２２）を第１の部分層（２１）上にエピタキシャル析出させることにより、シリコン層（２）が少なくとも２つの部分層（２１、２２）から構成されるシリコン素子を製造する方法において、シリコン層がシリコン基板とは反対のドーピング型を有し、こうして形成されたｐｎ接合が基板のエッチングのためのエッチング停止部として遮断方向に極性化されて利用されることを特徴とする、シリコン素子を製造する方法。」である。
【２】拒絶理由の概要
一方、原審において平成１２年５月２２日付けで通知された拒絶の理由の概要は、本願発明は、本願の優先権主張日前の昭和６１年(１９８６)５月１０日に日本国内において頒布された「特開昭６１−９１９６７号公報」（以下、「引用例」という。）に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができない、というものである。
【３】引用例の記載事項およびその開示内容
【３-1】引用例の記載事項
第１頁左下欄第５行〜同欄第１０行に、
(引a)「半導体基体の一部に、その基体の裏面をエッチングすることにより薄膜部が形成され、・・・上記薄膜部の反対主面には不純物濃度勾配を有する高濃度半導体層が形成されている圧力感知素子」と記載され、
第３頁右上欄第９，１０行に、
(引b)「厚さ４００μｍ程度の低不純物濃度p型単結晶Ｓｉ基板(ウエハ)６を用意する。」と記載され、
第３頁右上欄第１６行〜同頁左下欄第３行に、
(引c)「次に、圧力センサの薄膜部の厚さを高精度に得るための重要なstepが達成される。エッチングストッパーとしての高濃度不純物半導体領域を得るために、・・・不純物を導入するためのＳｂ(アンチモン)等のn型不純物をpredeposition又はイオン打込みにより基板表面に導入する。」と記載され、
第３頁右下欄第５行〜同欄第１５行に、
(引d)「基板６の表面に厚さ２５〜３０μｍの低濃度n型Ｓｉ層８をエピタキシャル成長によって形成する。・・・このエピタキシャル成長の間、上記プレデポジットもしくはイオン打込みされたＳｂは、基板６およびＳｉ層８内へdrive-in拡散され、不純物濃度勾配をもつ厚さ２μｍの高濃度n型埋込層９(ピーク値：約１０１９atoms／cm３)が得られる。」と記載され、
第４頁左下欄第１６行〜同頁右下欄第１行に、
(引e)「p型基板６の裏面((100)面)にホトレジストマスク１４を設けてＫＯＨ等のアルカリエッチ液を使用する異方性エッチを行なうことにより第７図に示すように深い凹陥部１５をあける。この凹陥部のエッチはn＋型埋込層９に到達するように行なう。」と記載され、
第４頁右下欄第４行〜同欄第１７行に、
(引f)「ところで、不純物のドープされたシリコン結晶基板に対してアルカリエッチを行なった場合に不純物濃度とエッチ速度の関係は第９a図に示すように濃度が低いうちはエッチ速度に変化はないが濃度が１０１９atoms／cm３に近づくと急速にエッチ速度が低下する。
一方、第７図に示す半導体のＸ−Ｘ’切断部分における不純物濃度分布は第９b図に示される。この図から明らかなように、n＋型埋込層９はdrive-in diffusionによって形成されたため、不純物濃度勾配をもっている。このためエッチが高濃度埋込層に到達したところでエッチ速度が減速し、第９c図に示すように、徐々に平坦なエッチ面が形成される。」と記載され、
第５頁左上欄第６行〜同欄第１０行に、
(引g)「エッチ速度が自ら制御されることになり基板裏面の異物や汚れ、結晶欠陥等によって生ずる部分的エッチの不均一はなくなり第８図に示すように薄膜部の底面として平坦なエッチ面が得られる。」と記載され、
また、第９b図には、
(引h)「３つの半導体層の不純物濃度」が明示され、
さらに、第８頁左下欄第８行〜同欄第１３行に、
(引i)「以上の説明では主として本発明者によってなされた発明をその背景となった利用分野である圧力感知素子を有する半導体装置の製造法について説明したが、それに限定されるものではない。
たとえば、薄膜部を有する電子装置の薄膜部形成技術に適用できる。」と記載されている。
【３-2】引用例の開示内容
前記(引a)〜(引i)の記載から、引用例には、
(引z)「低不純物濃度p型単結晶Ｓｉ基板上に高不純物濃度n＋型半導体層及び低不純物濃度n型Ｓｉ層からなるＳｉ半導体層を製造し、その際Ｓｉ基板の部分をエッチング除去し、高不純物濃度n＋型半導体層をエッチングストッパーとして利用し、まず高不純物濃度n＋型を有する第１の部分層を低不純物濃度p型を有するＳｉ基板上に製造し、その際n＋型の不純物濃度はp型の不純物濃度よりも大きく選択し、引き続き低不純物濃度n型を有する少なくとも１つの別の部分層を第１の部分層上にエピタキシャル成長させることにより、Ｓｉ半導体層が少なくとも２つの部分層であるn＋型半導体層及びn型Ｓｉ層から構成されるＳｉ薄膜素子を製造する方法において、Ｓｉ半導体層がＳｉ基板とは反対の不純物ドープ型を有し、こうして形成されたｐｎ接合が基板のエッチングのため、エッチ速度が低下する方向においてp， n＋に極化されており、当該ｐｎ接合がエッチングストッパーとして利用されることを特徴とする、Ｓｉ薄膜素子を製造する方法」の発明（以下、「引用発明」という。）が開示されている。
【４】本願発明と引用発明との対比
本願発明と引用発明とを対比すると、
引用発明の「低不純物濃度p型単結晶Ｓｉ基板」，「高不純物濃度n＋型半導体層及び低不純物濃度n型Ｓｉ層からなるＳｉ半導体層」，「Ｓｉ基板」，「高不純物濃度n＋型半導体層をエッチングストッパーとして利用し」，「高不純物濃度n＋型を有する第１の部分層」，「低不純物濃度p型を有するＳｉ基板」，「その際n＋型の不純物濃度はp型の不純物濃度よりも大きく選択し」，「低不純物濃度n型を有する少なくとも１つの別の部分層」，「エピタキシャル成長」，「２つの部分層であるn＋型半導体層及びn型Ｓｉ層」，「Ｓｉ薄膜素子」，「不純物ドープ型」は、技術的に、それぞれ本願発明の「単結晶シリコン基板」，「シリコン層」，「シリコン基板」，「シリコン層をエッチング停止境界として利用し」，「ドーピング濃度ＣDを有する第１の部分層」，「ドーピング濃度ＣSを有するシリコン基板」，「その際ＣDはＣSよりも大きく選択し」，「ドーピング濃度ＣEを有する少なくとも１つの別の部分層」，「エピタキシャル析出」，「２つの部分層」，「シリコン素子」，「ドーピング型」に相当し、これらは単なる用語上の相違でしかない。
したがって、両者は「単結晶シリコン基板上にシリコン層を製造し、その際シリコン基板の部分をエッチング除去し、シリコン層をエッチング停止境界として利用し、まずドーピング濃度ＣDを有する第１の部分層をドーピング濃度ＣSを有するシリコン基板上に製造し、その際ＣDはＣSよりも大きく選択し、引き続きドーピング濃度ＣEを有する少なくとも１つの別の部分層を第１の部分層上にエピタキシャル析出させることにより、シリコン層が少なくとも２つの部分層から構成されるシリコン素子を製造する方法において、シリコン層がシリコン基板とは反対のドーピング型を有することを特徴とする、シリコン素子を製造する方法」であることで一致する。
一方、本願発明では(本pn)「ｐｎ接合が基板のエッチングのためのエッチング停止部として遮断方向に極性化されて利用される」と記載されているのに対して、引用発明では(引pn)「ｐｎ接合が基板のエッチングのため、エッチ速度が低下する方向においてp， n＋に極化されており、当該ｐｎ接合がエッチングストッパーとして利用される」としていることで一応の差異（１）がある。
【５】当審の判断
前記差異（１）について検討すると、
引用発明の(引pn)「ｐｎ接合が基板のエッチングのため、エッチ速度が低下する方向においてp， n＋に極化されており、当該ｐｎ接合がエッチングストッパーとして利用される」という事項は、上記引用例の摘記事項(引b),(引c),(引d),(引f),(引g)からすれば、
(引用解説)「低濃度p型単結晶シリコン基板の表面にn型シリコン薄膜を高精度に形成するため、エッチングストッパーとしての高濃度n型シリコン層を前記低濃度p型単結晶シリコン基板との間でｐｎ接合となるよう設け、このｐｎ接合部に不純物濃度勾配をもたせてエッチング速度を自己制御させることにより、前記低濃度p型単結晶シリコン基板から前記高濃度n型シリコン層への方向にエッチング作用に対する高い抵抗性、すなわち遮断性を発揮するようp，nとして極性化したエッチング停止部となるｐｎ接合を有する」という内容である。
一方、本願明細書には、その段落【0007】,【0010】に、
「薄くした部分の残留厚および均一性の精細度は、そのように位置が安定したｐｎ接合をエッチング停止境界として使用すると著しく改良することができる。」および「この場合本発明にもとづく方法により製造されかつ遮断方向に極性化されたｐｎ接合をエッチング停止境界として利用した。」とのみ記載されているだけである。
してみれば、前記(引用解説)から、引用発明の前記(引pn)の記載は「シリコン基板のエッチングに対して高抵抗方向すなわち遮断方向に極性化されたｐｎ接合をエッチング停止部として利用する」というものであるといえるから、前記差異（１）は単なる表現上の相違でしかない。
したがって、本願発明と引用発明との間には実質上の差異は存在しない。
【６】むすび
以上のとおりであるから、本願発明は、上記の引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し、特許を受けることができない。
したがって、本願は、原審で通知された上記の拒絶理由によって拒絶をすべきものである。
よって、結論のとおり審決する。