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　特願２００６−３４４２３７「半導体発光素子及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　７月１９日出願公開、特開２００７−１８４５８５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１８年１２月２１日（パリ条約による優先権主張２００５年１２月２９日、台湾）の出願であって、平成２３年１２月２８日付けで拒絶理由が通知され、平成２４年４月９日に特許請求の範囲の補正がなされ、同年１２月６日付けでさらに拒絶理由が通知され、平成２５年３月１１日に特許請求の範囲の補正がなされたが、当該補正は、同年９月１８日付けで却下され、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２６年１月２９日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に特許請求の範囲の補正がなされたものである（以下、この平成２６年１月２９日になされた補正を「本件補正」という。）。
　
第２　本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、本願特許請求の範囲の請求項１につき、本件補正前の
「基板と、
　非故意にドーピングされたドーパントを有する井戸層と、第一の障壁層と、第二の障壁層と、を含み、前記基板上に形成される活性層と、
　を有し、
　前記井戸層は、前記第一の障壁層と前記第二の障壁層との間に形成され、
　前記第一の障壁層は、前記井戸層に隣接するｎ型故意ドーピング領域を有し、前記井戸層から離れるｎ型非故意ドーピング領域を有し、
　前記第二の障壁層は、前記井戸層に隣接するｎ型非故意ドーピング領域を有し、
　前記第一の障壁層のｎ型故意ドーピング領域の厚みをＢ１とし、前記第一の障壁層全体の厚みをＢとすれば、Ｂ１／Ｂは、３／４以下である、
　半導体発光素子（ＬＥＤ）。」
を
「基板と、
　非故意にドーピングされたドーパントを有する井戸層と、第一の障壁層と、第二の障壁層と、を含み、前記基板上に形成される活性層であって、前記第一の障壁層及び前記第二の障壁層の材料は同じ窒化物であり、前記同じ窒化物は、AlｘInｙGa(1-ｘ-ｙ)N（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０＜ｘ＋ｙ≦１）である、活性層と，
　を有し、
　前記井戸層は、前記第一の障壁層と前記第二の障壁層との間に形成され、
　前記第一の障壁層は、前記井戸層に隣接するｎ型故意ドーピング領域を有し、前記井戸層から離れるｎ型非故意ドーピング領域を有し、
　前記第二の障壁層は、前記井戸層に隣接するｎ型非故意ドーピング領域を有し、
　前記第一の障壁層のｎ型故意ドーピング領域の厚みをＢ１とし、前記第一の障壁層全体の厚みをＢとすれば、Ｂ１／Ｂは、３／４以下である、半導体発光素子（ＬＥＤ）。」
に補正することを含むものであって、特許法第１７条の２第５項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められるので、以下に、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について、独立特許要件の検討を行う。
　
２．引用例
　原査定の拒絶理由に引用された特開２００４−３１７７０号公報（以下「引用例」という。）には、図とともに次の記載がある（下線は、当審による。）。
　
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、発光ダイオード素子、レーザダイオード素子等の発光素子に関するもので、特に、窒化物半導体よりなる窒化物半導体発光素子に関する。尚、本明細書で説明する窒化物半導体とは、ＡｌｘＧａｙＩｎｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で構成される。又、この窒化物半導体において、その結晶構造が六方晶系であれば、約１０％以下のＡｓ、Ｐ、Ｓｂのいずれかの元素が置換されていても構わない。」
　
「【００１０】
本発明は、Ｓｉ等の不純物をドープする量を抑えるとともに、効率よくキャリアの発生を促すことができるバンドギャップ構造を有する窒化物半導体発光素子を提案することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の窒化物半導体発光素子は、ｎ型不純物がドープされたｎ型窒化物半導体層と、キャリアをトラップする複数の井戸層と該井戸層よりもバンドギャップエネルギーの高い複数の障壁層とが積層されて成る多重量子井戸構造である活性層と、ｐ型不純物がドープされたｐ型窒化物半導体層とから成り、前記ｎ型窒化物半導体層と前記活性層と前記ｐ型窒化物半導体層とが順に積層された窒化物半導体発光素子において、前記障壁層が、ｎ型不純物がドープされたドープ層と、ｎ型不純物がドープされていないアンドープ層とを有し、前記障壁層の前記ドープ層が前記井戸層と接することを特徴とする。
【００１２】
この構成によると、ｎ型不純物がドープされたドープ層が井戸層と接しているため、ドープ層で発生したキャリアが効率よく井戸層に供給される。障壁層にｎ型不純物がドープされていないアンドープ層を備えるため、障壁層内のｎ型不純物の濃度を抑えることができ、フリーキャリア散乱による内部損失を抑制することができる。
【００１３】
このような窒化物半導体発光素子において、前記障壁層を構成する前記ドープ層及び前記アンドープ層の総数を３層以上とするとともに、前記井戸層と接していない前記アンドープ層を設けるようにしても構わない。このとき、前記ドープ層の膜厚ｄａを、０．３ｎｍ≦ｄａ≦３ｎｍとする。
【００１４】
又、前記障壁層を、１つの前記ドープ層と１つの前記アンドープ層の２層で構成しても構わない。このとき、前記ドープ層の膜厚ｄａを、０．３ｎｍ≦ｄａ≦４ｎｍとする。
【００１５】
更に、前記障壁層の膜厚ｄｂを、７ｎｍ≦ｄｂ≦１２ｎｍとする。又、前記ドープ層にドープされたｎ型不純物の濃度Ｘを、５×１０１５ｃｍ−３≦Ｘ≦１×１０２０ｃｍ−３とする。又、前記井戸層の膜厚ｄｃを、２ｎｍ≦ｄｃ≦７ｎｍとする。
【００１６】
又、前記障壁層をＧａＮ層とする。このとき、ドープ層及びアンドープ層いずれもＧａＮ層としても構わないし、ドープ層のみにＩｎがその組成に含まれるようにしても構わないし、アンドープ層のみにＩｎがその組成に含まれるようにしても構わないし、ドープ層及びアンドープ層いずれにもＩｎがその組成に含まれるようにしても構わない。更に、井戸層がＩｎＧａＮ層であるとともに、ｎ型不純物がドープされていない。」
　
「【００１７】
【発明の実施の形態】
＜窒化物半導体発光素子の構成＞
以下の各実施形態において共通となる窒化物半導体発光素子の構成について、図面を参照して説明する。図１は、本発明の窒化物半導体発光素子の構成を示す概略断面図である。
【００１８】
図１の
窒化物半導体発光素子
ｎ型ＧａＮ基板１００
ｎ型ＧａＮ光ガイド層４
活性層５
ｐ型Ａｌ
０．２
Ｇａ
０．８
Ｎキャリアブロック層６
【００１９】
更に、このように各窒化物半導体層が積層されて構成された窒化物半導体発光素子は、ｐ型ＡｌＧａＮ層８の上側部分及びｐ型ＧａＮコンタクト層９がストライプ状のリッジ構造とされ、このリッジ構造の両側にＳｉＯ２誘電体膜１１が設けられる。そして、ｎ型ＧａＮ基板１００の裏面にｐ型電極１２が設けられるとともに、ｐ型ＧａＮコンタクト層９及びＳｉＯ２誘電体膜１１の表面にｎ型電極１０が設けられる。
【００２０】
このような構成の窒化物半導体発光素子は、ＭＯＣＶＤ法（有機金属気相成長法）によって、窒化物半導体からなる積層構造をＧａＮ基板１００表面上に形成することで製作する。
【００２１】
このとき、ＭＯＣＶＤ装置を用いて、ｎ型ＧａＮ基板１００の表面に、Ｓｉドープのｎ型ＧａＮ層１を３μｍ、Ｓｉドープのｎ型ＩｎＧａＮクラック防止層２を４０ｎｍ、Ｓｉドープのｎ型ＡｌＧａＮクラッド層３を１μｍ、Ｓｉドープのｎ型ＧａＮ光ガイド層４を０．１μｍ、活性層５、　Ｍｇドープのｐ型ＡｌＧａＮキャリアブロック層６を２０ｎｍ、Ｍｇドープのｐ型ＧａＮ光ガイド層７を０．１μｍ、Ｍｇドープのｐ型ＡｌＧａＮクラッド層８を０．４μｍ、Ｍｇドープのｐ型ＧａＮコンタクト層９を０．１μｍ、それぞれ順に成長させた。
【００２２】
このようにして、ｎ型ＧａＮ基板１００上に窒化物半導体積層構造を作製した後、熱処理などによりＭｇドープ層を低抵抗ｐ型にした上で、ＡｌＧａＮクラッド層８と、ＧａＮコンタクト層９には、共振器方向に延伸したストライプ状のリッジを設けるとともに、このリッジ部分の両側及びＡｌＧａＮクラッド層８の表面にＳｉＯ２誘電体膜１１を設ける。その後、Ａｕ／Ｍｏ／Ｐｄからなるｐ型電極１２、Ａｌ／Ｈｆからなるｎ型電極１０を形成して、窒化物半導体発光素子を作製する。
【００２３】
又、活性層５は、井戸層と障壁層とを順次積層した多層膜構造の多重量子井戸構造である。このとき、多重量子井戸構造の積層構造を最小としたとき、活性層５は、障壁層を１層とするとともにこの障壁層の両側に設けられた２層の井戸層を設けた３層構造、又は、井戸層を１層とするとともにこの井戸層の両側に設けられた２層の障壁層を設けた３層構造となる。
【００２４】
この多重量子井戸構造となる活性層５において、ｎ型ＧａＮ光ガイド層４及びｐ型ＡｌＧａＮキャリアブロック層６に接する両側の２つの最外層を、いずれも井戸層としても構わないし、逆に、いずれも障壁層としても構わない。又、一方の最外層を井戸層とするとともに、他方の最外層を障壁層としても構わない。このような各構成の多重量子井戸構造となる活性層において、更に、ｐ型ＡｌＧａＮキャリアブロック層６に接した最外層を障壁層及び井戸層のいずれで構成しても構わない。
【００２５】
このような多重量子井戸構造の活性層５において、井戸層及び障壁層は、ともに、窒化物半導体で形成される。即ち、井戸層は、ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）や、ＧａＮ１−ｘＡｓｘ（０＜ｘ＜１）、ＩｎｘＧａ１−ｘＮｙＡｓ１−ｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１）、ＧａＮ１−ｘＰｘ（０＜ｘ＜１）、ＩｎｘＧａ１−ｘＮｙＰ１−ｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１）又はこれらの化合物で構成される。又、障壁層については、井戸層を構成するこれらの窒化物半導体のいずれか又はこれらの化合物で構成され、更に、井戸層よりもバンドギャップエネルギーが大きい窒化物半導体によって構成される。
【００２６】
更に、この活性層５において構成される井戸層は全て、意図的に不純物がドープされない状態であるアンドープとされる。これは、井戸層に不純物をドープした場合、窒化物半導体発光素子の劣化が早く、その寿命に影響を与えるため、アンドープとした方がよいためである。　又、ｐ型不純物としてｐ型窒化物半導体層にＭｇをドープしているが、その添加濃度は、５×１０１９〜２×１０２０ｃｍ−３の濃度で添加している。
【００２７】
このような共通の構成の窒化物半導体発光素子において、以下の各実施形態では、活性層５内部の積層構造が異なる。よって、以下の各実施形態では、活性層５内部の積層構造を中心に説明する。又、以下の各実施形態における窒化物半導体発光素子として、窒化物半導体レーザ素子を例に挙げて説明する。」
　
「【００５６】
＜第５の実施形態＞
本発明の第５の実施形態について、図面を参照して説明する。図８は、窒化物半導体レーザ素子の活性層５の積層構造を示すための断面図である。
【００５７】
図８に示すように、活性層５において、障壁層２０１ａ〜２０１ｃが２層となっている。この障壁層２０１ａ〜２０１ｃ及び第１の実施形態と同様アンドープのＩｎ
０．１５
Ｇａ
０．８５
Ｎ層である井戸層２０２が、障壁層２０１ａ／井戸層２０２／障壁層２０１ｂ／井戸層２０２／障壁層２０１ｂ／井戸層２０２／障壁層２０１ｃの順序で成長されて、多重量子井戸構造が構成される
【００５８】
本実施形態に置いても、駆動時の閾値電流を抑制するために、井戸層２０２の膜厚を２〜７ｎｍの範囲であることが好ましく、本実施形態では、４ｎｍとする。又、障壁層２０１ａは、ｎ型ＧａＮ光ガイド層４と接するｎ側近接層２０３ｘと、井戸層２０２と接するｐ側井戸近接層２０３ｂとによって構成される。又、
障壁層２０１ｂは、ｎ側ＧａＮ光ガイド層４側の井戸層２０２と接するｎ側井戸近接層２０３ａと、ｐ側ＡｌＧａＮキャリアブロック層６側の井戸層２０２と接するｐ側井戸近接層２０３ｂとによって構成される
【００５９】
そして、ｎ側近接層２０３ｘ及びｎ側井戸近接層２０３ａをＧａＮ層とし、ｐ側近接層２０３ｚ及びｐ側井戸近接層２０３ｂをＩｎＧａＮ層とする。このとき、ｐ側近接層２０３ｚ及びｐ側井戸近接層２０３ｂの組成が、Ｉｎ０．１５Ｇａ０．９５Ｎで形成されるとともに、アンドープとされる。又、ｎ側近接層２０３ｘ及びｎ側井戸近接層２０３ａには、Ｓｉ等のｎ型不純物がドープされる。そして、ｎ側近接層２０３ｘ及びｐ側近接層２０３ｚ及び
ｎ側井戸近接層２０３ａ及びｐ側井戸近接層２０３ｂそれぞれの膜厚を４ｎｍとし
障壁層２０１ａ〜２０１ｃそれぞれの膜厚を８ｎｍとする
【００６０】
ｎ側近接層２０３ｘ及びｎ側井戸近接層２０３ａにドープされるＳｉ濃度は、第１の実施形態と同様の理由から、５×１０１５ｃｍ−３〜１×１０２０ｃｍ−３とした方がよい。尚、本実施形態では、１×１０１８ｃｍ−３とする。又、上記範囲以内であれば、ｎ側近接層２０３ｘ及びｎ側井戸近接層２０３ａにドープされるＳｉ濃度が異なっていても構わない。
【００６１】
このように構成された活性層５のバンドダイヤグラムを、図９に示す。ｐ側井戸近接層２０３ｂ及びｐ側近接層２０３ｚはＩｎを組成に含むため、ｎ側井戸近接層２０３ａ及びｎ側近接層２０３ｘよりもバンドギャップエネルギーが低くなる。又、ｎ型不純物がドープされたｎ側井戸近接層２０３ａが井戸層２０２と接しているので、ｎ側井戸近接層２０３ａで発生したキャリアが効率よく井戸層２０２にトラップされる。そして、上述の条件で作成した窒化物半導体レーザ素子の閾値電流密度は、２．５ｋＡ／ｃｍ２となった。
【００６２】
又、図１０に、障壁層２０１（障壁層２０１ａ〜２０１ｃに相当する）全体の膜厚を８ｎｍで一定として、ｎ側井戸近接層２０３ａ（ｎ側近接層２０３ｘを含む）の膜厚を変化させたときの閾値電流密度を表したグラフを示す。つまり、ｎ側井戸近接層２０３ａが１ｎｍの時は、ｐ側井戸近接層２０３ｂは７ｎｍで、ｎ側井戸近接層２０３ａが２ｎｍの時は、ｐ側井戸近接層２０３ｂは６ｎｍで、ｎ側井戸近接層２０３ａが４ｎｍの時は、ｐ側井戸近接層２０３ｂは４ｎｍとなり、障壁層２０１の全体厚さが８ｎｍになるように、ｐ側井戸近接層２０３ｂの膜厚が決定される。
【００６３】
この図１０の結果より、ｎ側井戸近接層２０３ａが４ｎｍ以下となるとき、閾値電流密度が低減することがわかる。尚、ｎ側井戸近接層２０３ａが４ｎｍより厚い場合、閾値電流
密度が増加するのは、ｎ型不純物がドープされるｎ側井戸近接層２０３ａをこれ以上厚くしても、井戸層に注入されるキャリアの量が増加せず、井戸層２０２に注入されるキャリアの量が増加せず、障壁層２０１にドープされるｎ型不純物の割合が多くなるためである。
【００６４】
しかし、ｎ側井戸近接層２０３ａ及びｎ側近接層２０３ｘの膜厚を４ｎｍ以下にすることで、フリーキャリア散乱による内部損失の増加を抑え、更に、Ｓｉドープされることで、井戸層２０２に効率よくキャリアが供給されて低閾値電流密度の素子が実現できたと考えられる。但し、ｎ側井戸近接層２０３ａ及びｎ側近接層２０３ｘの膜厚が０．３ｎｍ以下になると十分なキャリア数が井戸層２０２に注入できなくなるため、再び閾値電流密度の増大を引き起こす。また、ｎ側近接層２０３ｘに関して、本実施形態では、Ｓｉドープを行ったが、アンドープとしても、図１０の結果と同じであった。
【００６５】
この図１０のようなｎ側井戸近接層２０３ａの膜厚と閾値電流密度との関係を、井戸層２０２の膜厚を２ｎｍ〜７ｎｍの範囲で変化させるとともに、又、障壁層２０１の膜厚を７ｎｍ〜１２ｎｍの範囲で変化させて、調べたが、第１の実施形態と同様、その結果は、図１０に示した結果と一致した。
【００６６】
上述の結果より、窒化物半導体レーザ素子の活性層５において、障壁層２０１の層厚を７〜１２ｎｍの範囲とし、井戸層２０２の膜厚を２〜７ｎｍの範囲とするとともに、ｎ型不純物のドープを、ｎ側井戸近接層２０３ａ及びｎ側近接層２０３ｘに行うことで、最も効率よくキャリアを井戸層２０２に注入できる。又、ｎ側井戸近接層２０３ａ及びｎ側近接層２０３ｘの層厚を０．３〜４ｎｍとすることで、フリーキャリア散乱による内部損失の増加を抑え、効率よく井戸層２０２にキャリアを注入できるため閾値電流密度を低減することができる。
【００６７】
このように構成された窒化物半導体レーザ素子を、ハンダ等を用いてステムにマウントし、ワイヤーボンディングにより電気的な接続を行って、半導体レーザ装置を組んだとき、その特性歩留まりを良好なものとすることができる。尚、本実施形態において、ｐ側井戸近接層２０３ｂ及びｐ側近接層２０３ｚをＩｎＧａＮ層としたが、ＧａＮ層としても、ほぼ同じ結果が得られる。」
　
「【００６８】
＜第６の実施形態＞
本発明の第６の実施形態について、図面を参照して説明する。図１１は、窒化物半導体レーザ素子の活性層５を構成する各層のバンドギャップエネルギーの関係を示すバンドダイヤグラムである
活性層５の構成については、第５の実施形態と同様、図８のような構成となる
【００６９】
本実施形態では
ｎ側井戸近接層２０３ａ
をＩｎ
０．１５
Ｇａ
０．９５
Ｎ層とするとともにアンドープとし
ｐ側井戸近接層２０３ｂ
をＧａＮ層とするとともにＳｉ等のｎ型不純物をドープする
【００７０】
このように活性層５が構成された窒化物半導体レーザ素子においても、第５の実施形態とほぼ同様の結果が得られた。よって、障壁層２０１の層厚を７ｎｍ〜１２ｎｍの範囲とし、井戸層２０２の膜厚を２〜７ｎｍの範囲とするとともに、ドープされるｐ側井戸近接層２０３ｂ及びｐ側近接層２０３ｚの膜厚を０．３ｎｍ〜４ｎｍ以下とすることで、フリーキャリア散乱による内部損失の増加を抑え、効率よく井戸層２０２にキャリアを注入できるため、閾値電流密度を低減することができる。
【００７１】
尚、本実施形態において、ｎ側井戸近接層２０３ａ及びｎ側近接層２０３ｘをＩｎＧａＮ層としたが、ＧａＮ層としても、ほぼ同じ結果が得られる。又、ｐ側近接層２０３ｚをノンドープとしても、ほぼ同じ結果が得られる。」
　
　上記記載における＜窒化物半導体発光素子の構成＞及び＜第５の実施形態＞の記載を踏まえれば、引用例には、バンドダイアグラムが図１１に示される＜第６の実施形態＞として、
「ｎ型ＧａＮ基板１００に活性層５が積層されて構成される窒化物半導体発光素子であって、
　活性層５は、ｎ型ＧａＮ光ガイド層４からｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎキャリアブロック層６に向けて、障壁層２０１ａ／井戸層２０２／障壁層２０１ｂ／井戸層２０２／障壁層２０１ｂ／井戸層２０２／障壁層２０１ｃの順序で構成されており、
　井戸層２０２は、アンドープのＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ層であり、
　障壁層２０１ｂは、ｎ側ＧａＮ光ガイド層４側の井戸層２０２と接するｎ側井戸近接層２０３ａと、ｐ側ＡｌＧａＮキャリアブロック層６側の井戸層２０２と接するｐ側井戸近接層２０３ｂとによって構成されており、
　ｎ側井戸近接層２０３ａは、アンドープのＩｎ０．１５Ｇａ０．９５Ｎ層であり、
　ｐ側井戸近接層２０３ｂは、ｎ型不純物がドープされたＧａＮ層であり、
　ｎ側井戸近接層２０３ａ及びｐ側井戸近接層２０３ｂそれぞれの膜厚は、４ｎｍであり、障壁層２０１ｂの膜厚は、８ｎｍである窒化物半導体発光素子。」（以下「引用発明」という。）
が記載されているものと認められる。
　　　
３．対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「ｎ型ＧａＮ基板１００」は、本願補正発明の「基板」に相当する。
（２）引用発明の「井戸層２０２」は、「アンドープのＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ層」であるから、本願補正発明の「非故意にドーピングされたドーパントを有する井戸層」に相当する。
　また、引用発明において、「井戸層２０２」の「ｎ型ＧａＮ光ガイド層４」側に位置する「障壁層２０１ｂ」は、その「ｎ側井戸近接層２０３ａ」が「アンドープのＩｎ０．１５Ｇａ０．９５Ｎ層」であり、また、「ｐ側井戸近接層２０３ｂ」が「ｎ型不純物がドープされたＧａＮ層」であるから、本願補正発明の「前記井戸層に隣接するｎ型故意ドーピング領域を有し、前記井戸層から離れるｎ型非故意ドーピング領域を有」する「第一の障壁層」に相当する。
　また、引用発明において、「井戸層２０２」の「ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎキャリアブロック層６」側に位置する「障壁層２０１ｂ」は、その「ｎ側井戸近接層２０３ａ」が「アンドープのＩｎ０．１５Ｇａ０．９５Ｎ層」であるから、本願補正発明の「前記井戸層に隣接するｎ型非故意ドーピング領域を有」する「第二の障壁層」に相当する。
（３）引用発明において、本願補正発明の「第一の障壁層」に相当する「障壁層２０１ｂ」の厚みＢは「８ｎｍ」であり、また、本願補正発明の「前記第一の障壁層のｎ型故意ドーピング領域」に相当する「ｐ側井戸近接層２０３ｂ」の厚みＢ１は「４ｎｍ」であるから、後者の前者に対する比は１／２であり、本願補正発明と同様に「Ｂ１／Ｂは、３／４以下」である。
（４）以上のことから、両者は、
「基板と、
　非故意にドーピングされたドーパントを有する井戸層と、第一の障壁層と、第二の障壁層と、を含み、前記基板上に形成される活性層と，
　を有し、
　前記井戸層は、前記第一の障壁層と前記第二の障壁層との間に形成され、
　前記第一の障壁層は、前記井戸層に隣接するｎ型故意ドーピング領域を有し、前記井戸層から離れるｎ型非故意ドーピング領域を有し、
　前記第二の障壁層は、前記井戸層に隣接するｎ型非故意ドーピング領域を有し、
　前記第一の障壁層のｎ型故意ドーピング領域の厚みをＢ１とし、前記第一の障壁層全体の厚みをＢとすれば、Ｂ１／Ｂは、３／４以下である、半導体発光素子。」
の点で一致する。
（５）一方、次の点で相違する。
ａ．本願補正発明では、「前記第一の障壁層及び前記第二の障壁層の材料は同じ窒化物であり、前記同じ窒化物は、AlｘInｙGa(1-ｘ-ｙ)N（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０＜ｘ＋ｙ≦１）である」とされているのに対し、引用発明では、「障壁層２０１ｂ」がこのようなものではない点（以下「相違点ａ」という。）。
ｂ．本願補正発明は、「半導体発光素子（ＬＥＤ）」であるのに対し、引用発明の「窒化物半導体発光素子」は、【００２７】に「又、以下の各実施形態における窒化物半導体発光素子として、窒化物半導体レーザ素子を例に挙げて説明する。」と記載されているように「半導体レーザ素子」として説明されている点（以下「相違点ｂ」という。）。　
　
４．判断
　上記相違点について検討する。
（１）相違点ａについて検討する。
　引用例において、井戸層については、【００２５】に記載されるように「ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）や、ＧａＮ１−ｘＡｓｘ（０＜ｘ＜１）、ＩｎｘＧａ１−ｘＮｙＡｓ１−ｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１）、ＧａＮ１−ｘＰｘ（０＜ｘ＜１）、ＩｎｘＧａ１−ｘＮｙＰ１−ｙ（０＜ｘ＜１，０＜ｙ＜１）又はこれらの化合物」とされているが、障壁層については、同じく【００２５】に「障壁層については、井戸層を構成するこれらの窒化物半導体のいずれか又はこれらの化合物で構成され、更に、井戸層よりもバンドギャップエネルギーが大きい窒化物半導体によって構成される。」と記載されているように、「井戸層よりもバンドギャップエネルギーが大きい窒化物半導体」であれば、前記の「井戸層を構成するこれらの窒化物半導体のいずれか又はこれらの化合物」に限られない旨記載されており、また、障壁層の材料として、Ａｌを含む本願補正発明でいう「AlｘInｙGa(1-ｘ-ｙ)N（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０＜ｘ＋ｙ≦１）」は、周知である（この点、必要ならば、例えば、再公表特許第９８／１９３７５号の第１８頁第２６行−第２１頁１０行等、特開２００２−２７０９６９号公報の段落【００３４】−【００３５】等、及び、特開２００５−３０２７８４号公報の段落【００２４】、【００４１】等、を参照されたい。）。
　そして、引用例の【００１６】の記載によれば、引用発明の「障壁層２０１ｂ」を構成する「ｎ側井戸近接層２０３ａ」と「ｐ側井戸近接層２０３ｂ」は、同じ材料であってよいものと認められるから、引用発明の「ｎ側井戸近接層２０３ａ」と「ｐ側井戸近接層２０３ｂ」を同じ窒化物のAlｘInｙGa(1-ｘ-ｙ)N（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０＜ｘ＋ｙ≦１）で構成して、上記相違点ａに係る本願補正発明の発明特定事項とすることに格別の困難性は認められない。
（２）相違点ｂについて検討するに、引用発明の「窒化物半導体発光素子」は、半導体レーザ素子」として説明されているが、これは、前記引用例の【００２７】に記載されるように「例」として挙げられているだけのことであって、引用例の【０００１】には、「本発明は、発光ダイオード素子、レーザダイオード素子等の発光素子に関するもので、特に、窒化物半導体よりなる窒化物半導体発光素子に関する。」と、「発光ダイオード素子」についても記載されていることからすれば、引用発明の「窒化物半導体発光素子」を本願補正発明のごとく「半導体発光素子（ＬＥＤ）」とすることに格別の困難性は認められない。
（３）なお、請求人は、審判請求書において、
「補正後の本願請求項１には、少なくとも、
　『非故意にドーピングされたドーパントを有する井戸層と、第一の障壁層と、第二の障壁層と、を含み、前記基板上に形成される活性層であって、前記第一の障壁層及び前記第二の障壁層の材料は同じ窒化物であり、前記同じ窒化物は、AlｘInｙGa(1-ｘ-ｙ)N（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０＜ｘ＋ｙ≦１）である、活性層』
　との特徴が記載されています。 
　このような特徴により、本願発明は、出願当初の明細書の段落０００５に記載のように、『本発明による半導体発光素子は、高発光輝度の利点を有し、さらに、低操作電圧も有し、従来の発光素子の電気的特性を改善することができる。』との顕著な効果を奏します。」
との主張をしているが、本願に係る発明の効果の根拠とする本願の図３及び図４に示される「半導体発光素子１」が具体的にどのようなものであるかについての記載は本願明細書になく、当然に、この「半導体発光素子１」が「非故意にドーピングされたドーパントを有する井戸層と、第一の障壁層と、第二の障壁層と、を含み、前記基板上に形成される活性層であって、前記第一の障壁層及び前記第二の障壁層の材料は同じ窒化物であり、前記同じ窒化物は、AlｘInｙGa(1-ｘ-ｙ)N（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０＜ｘ＋ｙ≦１）である、活性層」を有するものである旨の記載はないのであるから、請求人の主張は採用できない。
　
５．むすび
　以上のとおりであって、本願補正発明は、引用発明及び上記周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下され、また、平成２５年３月１１日の補正も却下されているので、本願の請求項に係る発明は、平成２４年４月９日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２［理由］１．において、本件補正前の請求項１として記載したとおりのものである。　
　
２．判断
　本願発明は、本願補正発明から、活性層に関する「前記第一の障壁層及び前記第二の障壁層の材料は同じ窒化物であり、前記同じ窒化物は、AlｘInｙGa(1-ｘ-ｙ)N（０＜ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０＜ｘ＋ｙ≦１）である」との発明特定事項を省いたものである。
　してみると、本願発明と引用発明の実質的な相違点は、上記第２［理由］３．における相違点ｂのみであり、上記第２［理由］４．（２）の検討から、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明できたものと認められる。
　　
３．むすび
　したがって、本願発明は、引用発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。