(57)【要約】【課題】  例えば露光装置のウェハホルダーの内部へ組み込むことのできる小型の波面収差測定装置。【解決手段】  本発明の波面収差測定装置は、投影光学系の後側に配置された対物光学系と、この対物光学系を介した光を検出する検出系とを備え、投影光学系の波面収差を測定する。対物光学系は、光の入射側から順に、たとえば３つのアプラナチックレンズ（Ｌ１〜Ｌ３）と、光路を折り曲げるための放物面反射鏡（ＣＭ）とを備えている。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検光学系の後側に配置された対物光学系と、該対物光学系を介した光を検出する検出系とを備え、前記被検光学系の光学特性を測定する光学特性測定装置において、
前記対物光学系は、光の入射側から順に、１つまたは複数のアプラナチックレンズと、光路を折り曲げるための反射鏡とを備えていることを特徴とする光学特性測定装置。
【請求項２】
前記反射鏡は、放物面状の反射面を有することを特徴とする請求項１に記載の光学特性測定装置。
【請求項３】
前記反射鏡は、平面状の反射面を有し、
前記対物光学系は、前記平面状の反射面を有する反射鏡の後側に配置されたレンズ群をさらに備えていることを特徴とする請求項１に記載の光学特性測定装置。
【請求項４】
前記レンズ群は、光の入射側から順に、正屈折力のレンズと、負屈折力のレンズと、正屈折力のレンズとを有することを特徴とする請求項３に記載の光学特性測定装置。
【請求項５】
被検光学系を介した光に集光作用を付与する対物光学系と、該対物光学系を介した光を検出する検出系とを備え、前記被検光学系の光学特性を測定する光学特性測定装置において、
前記対物光学系は、光の入射側から順に、１つまたは複数のアプラナチックレンズと、正屈折力のレンズと、負屈折力のレンズと、正屈折力のレンズとを備えていることを特徴とする光学特性測定装置。
【請求項６】
所定のパターンの像を感光性基板上に形成する投影光学系を備えた露光装置において、
前記投影光学系の波面収差を測定するための請求項１乃至５のいずれか１項に記載の光学特性測定装置を備えていることを特徴とする露光装置。
【請求項７】
請求項６に記載の露光装置を用いて、前記所定のパターンを前記感光性基板に露光する露光工程と、
前記露光工程を経た前記感光性基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とするデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学特性測定装置、露光装置、およびデバイスの製造方法に関し、特に露光装置に搭載される投影光学系の波面収差を測定する装置に好適な対物光学系に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子や液晶表示素子などのマイクロデバイスをフォトリソグラフィ工程で製造する際に使用される露光装置に搭載される投影光学系には、高解像度の実現のために残存収差が極めて小さいことが要求される。したがって、露光装置の製造に際して、たとえばシャック・ハルトマン方式の波面収差測定装置を用いて投影光学系の波面収差の測定を行い、その測定結果に基づいて投影光学系の光学調整を行っている（特許文献１を参照）。
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１６９０８３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来技術では、投影光学系の波面収差の測定に際して、露光装置のウェハステージの専用位置に波面収差測定装置を随時取り付けている。したがって、波面収差測定装置の取り付けのために露光装置の環境管理用のチャンバーを長時間に亘って開ける必要があり、装置を安定化させるための時間が比較的長く必要であった。このような安定化時間を短縮するために、たとえば自動的に交換可能なウェハホルダー（露光に際してウェハを直接的に支持する部材）の内部に波面収差測定装置を組み込み、チャンバーを開ける時間を、ひいては安定化時間を大きく短縮する構成が考えられる。
【０００５】
この場合、ウェハホルダーの厚さ（露光に際して保持すべきウェハの法線方向に沿った縦寸法）は数ｃｍ程度であるため、ウェハホルダーの内部へ組み込むべき波面収差測定装置の厚さも数ｃｍ以下に抑えて小型化する必要がある。しかしながら、従来の波面収差測定装置では、最もウェハ側に配置される対物光学系の縦寸法が大きすぎて、装置の厚さを数ｃｍ以下に抑えることができず、ひいてはウェハホルダーの内部へ組み込むことができない。
【０００６】
本発明は、前述の課題に鑑みてなされたものであり、例えば露光装置のウェハホルダーの内部へ組み込むことのできる小型の波面収差測定装置を提供することを目的とする。また、ウェハホルダーの内部へ組み込まれた小型の波面収差測定装置を用いて、投影光学系の波面収差測定にかかる装置の安定化時間を短縮することのできる露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記課題を解決するために、本発明の第１形態では、被検光学系の後側に配置された対物光学系と、該対物光学系を介した光を検出する検出系とを備え、前記被検光学系の光学特性を測定する光学特性測定装置において、
前記対物光学系は、光の入射側から順に、１つまたは複数のアプラナチックレンズと、光路を折り曲げるための反射鏡とを備えていることを特徴とする光学特性測定装置を提供する。
【０００８】
本発明の第２形態では、被検光学系を介した光に集光作用を付与する対物光学系と、該対物光学系を介した光を検出する検出系とを備え、前記被検光学系の光学特性を測定する光学特性測定装置において、
前記対物光学系は、光の入射側から順に、１つまたは複数のアプラナチックレンズと、正屈折力のレンズと、負屈折力のレンズと、正屈折力のレンズとを備えていることを特徴とする光学特性測定装置を提供する。
【０００９】
本発明の第３形態では、所定のパターンの像を感光性基板上に形成する投影光学系を備えた露光装置において、
前記投影光学系の波面収差を測定するための第１形態または第２形態の光学特性測定装置を備えていることを特徴とする露光装置を提供する。
【００１０】
本発明の第４形態では、第３形態の露光装置を用いて、前記所定のパターンを前記感光性基板に露光する露光工程と、前記露光工程を経た前記感光性基板を現像する現像工程とを含むことを特徴とするデバイスの製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の典型的な態様にしたがう波面収差測定装置では、対物光学系が複数のアプラナチックレンズと放物面反射鏡とにより構成されている。その結果、すべての光学面において光学軸上物点に対して無収差の光学系が達成されるので、対物光学系を構成する光学部材の数が少なく抑えられ、ひいては対物光学系の縦寸法が小さく抑えられる。また、放物面反射鏡の光路折り曲げ作用により、対物光学系の縦寸法が小さく抑えられる。
【００１２】
こうして、本発明では、例えば露光装置のウェハホルダーの内部へ組み込むことのできる小型の波面収差測定装置を実現することができる。本発明の露光装置では、ウェハホルダーの内部へ組み込まれた小型の波面収差測定装置を用いて、投影光学系の波面収差測定にかかる装置の安定化時間を短縮することができ、ひいてはデバイスを高スループットで製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
本発明の実施形態を、添付図面に基づいて説明する。図１は、本発明の実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。また、図２は、本実施形態にかかる波面収差測定装置の内部構成を概略的に示す図である。なお、図１において、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸに平行にＺ軸を、光軸ＡＸに垂直な面内において図１の紙面に平行にＹ軸を、図１の紙面に垂直にＸ軸をそれぞれ設定している。
【００１４】
図１を参照すると、本実施形態の露光装置は、紫外領域の照明光を供給するための光源１００として、たとえばＡｒＦエキシマレーザ光源やＫｒＦエキシマレーザ光源を備えている。光源１００から射出された光は、照明光学系ＩＬを介して、所定のパターンが形成されたレチクル（マスク）Ｒを重畳的に照明する。なお、光源１００として例えばＡｒＦエキシマレーザ光源を用いる場合、光源１００と照明光学系ＩＬとの間の光路はケーシング（不図示）で密封されており、光源１００から照明光学系ＩＬ中の最もレチクル側の光学部材までの空間は、露光光の吸収率が低い気体であるヘリウムガスや窒素などの不活性ガスで置換されているか、あるいはほぼ真空状態に保持されている。
【００１５】
レチクルＲは、レチクルホルダー（不図示）を介して、レチクルステージＲＳ上においてＸＹ平面に平行に保持されている。レチクルＲには転写すべきパターンが形成されており、矩形状のパターン領域が照明される。レチクルステージＲＳは、図示を省略した駆動系の作用により、レチクル面（すなわちＸＹ平面）に沿って二次元的に移動可能であり、その位置座標はレチクル移動鏡ＲＭを用いた干渉計ＲＩＦによって計測され且つ位置制御されるように構成されている。レチクルＲに形成されたパターンからの光は、投影光学系ＰＬを介して、感光性基板であるウェハＷ上にレチクルパターン像を形成する。
【００１６】
ウェハＷは、ウェハホルダーＷＨを介して、ウェハステージＷＳ上においてＸＹ平面に平行に保持されている。そして、レチクルＲ上での矩形状の照明領域に光学的に対応するように、ウェハＷ上では矩形状の静止露光領域（実効露光領域）にパターン像が形成される。ウェハステージＷＳは、図示を省略した駆動系の作用によりウェハ面（すなわちＸＹ平面）に沿って二次元的に移動可能であり、その位置座標はウェハ移動鏡ＷＭを用いた干渉計ＷＩＦによって計測され且つ位置制御されるように構成されている。
【００１７】
光源１００として例えばＡｒＦエキシマレーザ光源を用いる場合、投影光学系ＰＬの内部が気密状態を保つように構成され、投影光学系ＰＬの内部の気体はヘリウムガスや窒素などの不活性ガスで置換されているか、あるいはほぼ真空状態に保持されている。さらに、照明光学系ＩＬと投影光学系ＰＬとの間の狭い光路には、レチクルＲおよびレチクルステージＲＳなどが配置されているが、レチクルＲおよびレチクルステージＲＳなどを密封包囲するケーシング（不図示）の内部に窒素やヘリウムガスなどの不活性ガスが充填されているか、あるいはほぼ真空状態に保持されている。
【００１８】
こうして、駆動系および干渉計（ＲＩＦ，ＷＩＦ）などを用いて、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと直交する平面（ＸＹ平面）内においてウェハＷを二次元的に駆動制御しながら一括露光を行うことにより、いわゆるステップ・アンド・リピート方式にしたがって、ウェハＷのショット領域にはレチクルＲのパターンが逐次露光される。あるいは、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸと直交する平面（ＸＹ平面）内においてレチクルＲおよびウェハＷを投影光学系ＰＬに対して相対移動させながら、いわゆるステップ・アンド・スキャン方式にしたがって、ウェハＷの各露光領域にレチクルＲのパターンをスキャン露光する。
【００１９】
本実施形態の露光装置は、投影光学系ＰＬの波面収差を測定するための波面収差測定装置１０（図１では不図示）を備えている。波面収差測定装置１０は、露光に際してウェハＷを直接的に支持するためのウェハホルダーＷＨの内部に組み込まれている。図２を参照すると、本実施形態の波面収差測定装置１０では、被検光学系である投影光学系ＰＬの波面収差の測定に際して、レチクルステージＲＳ上に収差測定用のテストマスクＴＭが設置される。テストマスクＴＭには、収差測定用の円形状の開口部ＴＭａが二次元的に（たとえばＸ方向およびＹ方向に沿ってマトリックス状に）複数個形成されている。
【００２０】
波面収差測定装置１０は、ピンホール部材１１ａと後続レンズ群１１ｂとからなる対物光学系１１を備えている。収差測定に際して、ピンホール部材１１ａの物体側（投影光学系ＰＬ側：光の入射側）の光学面は投影光学系ＰＬの像面に位置決めされ、その光学面の中央部にはピンホール１１ａａが形成されている。ピンホール部材１１ａの入射側の光学面においてピンホール１１ａａの周辺には、投影光学系ＰＬに対するピンホール部材１１ａのアライメント（位置合わせ）を行うためのアライメントマーク（不図示）が形成されている。ピンホール１１ａａは、投影光学系ＰＬを介して形成されるテストマスクＴＭの開口部ＴＭａの像よりも大きく設定されている。
【００２１】
波面収差測定装置１０では、テストマスクＴＭの１つの開口部ＴＭａ、投影光学系ＰＬ、ピンホール部材１１ａのピンホール１１ａａを通過した光が、対物光学系１１を介して、マイクロフライアイレンズ（マイクロレンズアレイ）１２に入射する。マイクロフライアイレンズ１２は、その入射面が対物光学系１１の射出瞳の位置またはその近傍に位置するように配置されている。マイクロフライアイレンズ１２は、たとえば正方形状の断面を有し且つ正屈折力を有する多数の微小レンズ１２ａを縦横に且つ稠密に配列して構成された光学素子である。マイクロフライアイレンズ１２は、例えば平行平面ガラス板にエッチング処理を施して微小レンズ群を形成することによって構成され、波面分割素子として機能する。
【００２２】
したがって、マイクロフライアイレンズ１２に入射した光束は、多数の微小レンズ１２ａにより二次元的に分割され、各微小レンズ１２ａの後側焦点面またはその近傍にはそれぞれ１つの開口部ＴＭａの像が形成される。換言すると、マイクロフライアイレンズ１２の後側焦点面またはその近傍には、開口部ＴＭａの像が多数形成される。こうして形成された多数の開口部ＴＭａの像は、二次元撮像素子としてのＣＣＤ１３によって検出される。ＣＣＤ１３の出力は、信号処理ユニット１４に供給される。なお、図２では、図面の明瞭化のために、対物光学系１１からＣＣＤ１３までの光学部材を１つの直線状の光軸に沿って配置した様子を示しているが、実際には後述するように光路の折り曲げにより波面収差測定装置１０の縦方向（図中鉛直方向）に沿った小型化が図られている。
【００２３】
本実施形態の波面収差測定装置１０では、ＣＣＤ１３から信号処理ユニット１４へ供給された多数の開口部ＴＭａの像に関する情報に基づいて、ピンホール１１ａａの位置に関する投影光学系ＰＬの波面収差を測定する。なお、対物光学系１１を除く波面収差測定装置１０の詳細な構成および作用については、たとえば特開２００２−１６９０８３号公報を参照することができる。以下、本実施形態にかかる対物光学系１１の具体的な構成例について説明する。
【００２４】
［第１実施例］
図３は、本実施形態の第１実施例にかかる対物光学系のレンズ構成を概略的に示す図である。図３を参照すると、第１実施例の対物光学系は、光の入射側から順に、入射側に平面を向けた平凸形状の第１アプラナチックレンズＬ１と、入射側に凹面を向けた正メニスカス形状の第２アプラナチックレンズＬ２と、入射側に凹面を向けた正メニスカス形状の第３アプラナチックレンズＬ３と、入射側に凹面を向けた放物面状の反射面を有する放物面反射鏡ＣＭとにより構成されている。
【００２５】
すなわち、第１実施例では、第１アプラナチックレンズＬ１がピンホール部材１１ａを構成し、第２アプラナチックレンズＬ２と第３アプラナチックレンズＬ３と放物面反射鏡ＣＭとが後続レンズ群１１ｂを構成している。従来技術では、対物光学系を構成するほとんどすべての光学面で収差が発生し、これらの光学面で発生する収差を互いに打ち消し合うことにより光学系全体として発生する収差を小さく抑える光学設計手法を採用している。しかしながら、このような従来の光学設計手法では、対物光学系を構成する光学面の数が多くなり、ひいては光学系の縦寸法が大きくなる。
【００２６】
これに対し、第１実施例では、３つのアプラナチックレンズ（Ｌ１〜Ｌ３）と放物面反射鏡ＣＭとにより対物光学系を構成しているので、すべての光学面において光軸上物点に対して無収差の光学系が達成される。この場合、ほとんどすべての光学面で発生する収差を互いに打ち消し合う従来の光学設計手法とは異なり、対物光学系を構成する光学面の数が少なく抑えられ、すなわち対物光学系を構成する光学部材の数が少なく抑えられ、ひいては対物光学系の縦寸法（図中鉛直方向に沿った寸法）が小さく抑えられる。また、放物面反射鏡ＣＭの光路折り曲げ作用により、対物光学系の縦寸法が小さく抑えられる。こうして、第１実施例では、対物光学系の縦寸法を、例えば２０ｍｍ程度に抑えることができる。
【００２７】
［第２実施例］
図４は、本実施形態の第２実施例にかかる対物光学系のレンズ構成を概略的に示す図である。図４を参照すると、第２実施例の対物光学系は、光の入射側から順に、入射側に平面を向けた平凸形状の第１アプラナチックレンズＬ１と、入射側に凹面を向けた正メニスカス形状の第２アプラナチックレンズＬ２と、入射側に凹面を向けた正メニスカス形状の第３アプラナチックレンズＬ３と、平面状の反射面を有する平面反射鏡ＰＭと、入射側に凹面を向けた正メニスカスレンズＬ４と、入射側に凸面を向けた負メニスカスレンズＬ５と、両凸レンズＬ６とにより構成されている。
【００２８】
すなわち、第２実施例では、第１アプラナチックレンズＬ１がピンホール部材１１ａを構成し、第２アプラナチックレンズＬ２と第３アプラナチックレンズＬ３と平面反射鏡ＰＭと正メニスカスレンズＬ４と負メニスカスレンズＬ５と両凸レンズＬ６とが後続レンズ群１１ｂを構成している。また、正メニスカスレンズＬ４と負メニスカスレンズＬ５と両凸レンズＬ６とは、入射側から順に正・負・正の屈折力配置を有するトリプレットレンズを構成している。
【００２９】
第２実施例では、放物面反射鏡ＣＭに代えて平面反射鏡ＰＭが配置され、且つ平面反射鏡ＰＭよりも後側にトリプレットレンズ（Ｌ４〜Ｌ６）が付設されている点だけが第１実施例と基本的に相違している。したがって、第２実施例においても第１実施例と同様に、対物光学系の縦寸法を小さく抑えることができる。さらに詳細には、第２実施例の場合、平面反射鏡ＰＭの入射側に３つのアプラナチックレンズ（Ｌ１〜Ｌ３）が配置されているので、拡がり角の比較的小さい光軸上物点に対して無収差の光束がトリプレットレンズ（Ｌ４〜Ｌ６）へ導かれる。
【００３０】
トリプレットレンズ（Ｌ４〜Ｌ６）は比較的簡素な構成を有するが、拡がり角が小さく抑えられた光束が入射するので、ほとんど収差を発生させることなく光束をほぼ平行に変換してマイクロフライアイレンズ１２へ導くことができる。また、平面反射鏡ＰＭの光路折り曲げ作用により、対物光学系の縦寸法が小さく抑えられる。こうして、第２実施例では、対物光学系の縦寸法を、例えば３０ｍｍ程度に抑えることができる。
【００３１】
以上のように、本実施形態では、対物光学系１１の縦寸法が小さく抑えられ、波面収差測定装置１０が縦方向に沿って小型化されているので、たとえば自動的に交換可能なウェハホルダーＷＨの内部へ波面収差測定装置１０を組み込むことができる。この場合、ウェハステージの専用位置に波面収差測定装置を取り付ける従来技術とは異なり、投影光学系ＰＬの波面収差の測定に際して環境管理用チャンバーを開ける時間を大きく短縮し、ひいては装置の安定化時間を大きく短縮することができる。
【００３２】
また、場合によっては、投影光学系ＰＬの波面収差の測定に際してチャンバーを全く開ける必要がなくなり、ひいては装置を安定化させるための時間が不要になる。こうして、本実施形態の露光装置では、ウェハホルダーＷＨの内部へ組み込まれた小型の波面収差測定装置１０を用いて、投影光学系ＰＬの波面収差測定にかかる装置の安定化時間を短縮する（場合によっては装置の安定化時間を不要にする）ことができる。
【００３３】
また、第１実施例および第２実施例では、光路折り曲げ用の反射鏡（ＣＭ，ＰＭ）の前側に３つのアプラナチックレンズ（Ｌ１〜Ｌ３）を配置しているが、アプラナチックレンズの数については様々な変形例が可能である。一般的には、光路折り曲げ用の反射鏡の前側に１つまたは複数のアプラナチックレンズを配置することができる。
【００３４】
また、第２実施例では、光路折り曲げ用の平面反射鏡ＰＭの後側にトリプレットレンズ（Ｌ４〜Ｌ６）を配置しているが、トリプレットレンズ（Ｌ４〜Ｌ６）に代えて他の適当なレンズ群を配置することもできる。また、第２実施例では、３つのアプラナチックレンズ（Ｌ１〜Ｌ３）とトリプレットレンズ（Ｌ４〜Ｌ６）との間の光路中に平面反射鏡ＰＭを配置しているが、対物光学系の縦寸法を十分小さく抑えることができる場合には、平面反射鏡ＰＭの配置を省略することもできる。
【００３５】
なお、上述の説明では、投影光学系（一般には結像光学系）の波面収差を測定するためのシャック・ハルトマン方式の波面収差測定装置に対して本発明を適用している。しかしながら、これに限定されることなく、他の方式の波面収差測定装置に対しても本発明を適用することができる。また、一般に、被検光学系の後側に配置された対物光学系と、この対物光学系を介した光を検出する検出系とを備え、被検光学系の光学特性を測定する光学特性測定装置に対して本発明を適用することもできる。
【００３６】
具体的に、たとえば結像光学系の瞳内における偏光分布を計測する偏光分布計測装置、結像光学系の瞳内における光強度分布を計測する強度分布計測装置などに本発明を適用することができる。なお、偏光分布計測装置の詳細な構成例については、特開２００５−５５２１号公報を参照することができる。また、強度分布計測装置の詳細な構成例については、特開２００５−３２２８５５号公報を参照することができる。
【００３７】
上述の実施形態の露光装置では、照明装置によってレチクル（マスク）を照明し（照明工程）、投影光学系を用いてマスクに形成された転写用のパターンを感光性基板に露光する（露光工程）ことにより、マイクロデバイス（半導体素子、撮像素子、液晶表示素子、薄膜磁気ヘッド等）を製造することができる。以下、本実施形態の露光装置を用いて感光性基板としてのウェハ等に所定の回路パターンを形成することによって、マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法の一例につき図５のフローチャートを参照して説明する。
【００３８】
先ず、図５のステップ３０１において、１ロットのウェハ上に金属膜が蒸着される。次のステップ３０２において、その１ロットのウェハ上の金属膜上にフォトレジストが塗布される。その後、ステップ３０３において、本実施形態の露光装置を用いて、マスク上のパターンの像がその投影光学系を介して、その１ロットのウェハ上の各ショット領域に順次露光転写される。その後、ステップ３０４において、その１ロットのウェハ上のフォトレジストの現像が行われた後、ステップ３０５において、その１ロットのウェハ上でレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって、マスク上のパターンに対応する回路パターンが、各ウェハ上の各ショット領域に形成される。
【００３９】
その後、更に上のレイヤの回路パターンの形成等を行うことによって、半導体素子等のデバイスが製造される。上述の半導体デバイス製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する半導体デバイスをスループット良く得ることができる。なお、ステップ３０１〜ステップ３０５では、ウェハ上に金属を蒸着し、その金属膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチングの各工程を行っているが、これらの工程に先立って、ウェハ上にシリコンの酸化膜を形成後、そのシリコンの酸化膜上にレジストを塗布、そして露光、現像、エッチング等の各工程を行っても良いことはいうまでもない。
【００４０】
また、本実施形態の露光装置では、プレート（ガラス基板）上に所定のパターン（回路パターン、電極パターン等）を形成することによって、マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得ることもできる。以下、図６を参照して、このときの手法の一例につき説明する。図６において、パターン形成工程４０１では、本実施形態の露光装置を用いてマスクのパターンを感光性基板（レジストが塗布されたガラス基板等）に転写露光する、所謂光リソグラフィ工程が実行される。この光リソグラフィー工程によって、感光性基板上には多数の電極等を含む所定パターンが形成される。その後、露光された基板は、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の各工程を経ることによって、基板上に所定のパターンが形成され、次のカラーフィルター形成工程４０２へ移行する。
【００４１】
次に、カラーフィルター形成工程４０２では、Ｒ（Red）、Ｇ（Green）、Ｂ（Blue）に対応した３つのドットの組がマトリックス状に多数配列されたり、またはＲ、Ｇ、Ｂの３本のストライプのフィルターの組を複数水平走査線方向に配列されたりしたカラーフィルターを形成する。そして、カラーフィルター形成工程４０２の後に、セル組み立て工程４０３が実行される。セル組み立て工程４０３では、パターン形成工程４０１にて得られた所定パターンを有する基板、およびカラーフィルター形成工程４０２にて得られたカラーフィルター等を用いて液晶パネル（液晶セル）を組み立てる。
【００４２】
セル組み立て工程４０３では、例えば、パターン形成工程４０１にて得られた所定パターンを有する基板とカラーフィルター形成工程４０２にて得られたカラーフィルターとの間に液晶を注入して、液晶パネル（液晶セル）を製造する。その後、モジュール組み立て工程４０４にて、組み立てられた液晶パネル（液晶セル）の表示動作を行わせる電気回路、バックライト等の各部品を取り付けて液晶表示素子として完成させる。上述の液晶表示素子の製造方法によれば、極めて微細な回路パターンを有する液晶表示素子をスループット良く得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の実施形態にかかる露光装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】本実施形態にかかる波面収差測定装置の内部構成を概略的に示す図である。
【図３】第１実施例にかかる対物光学系のレンズ構成を概略的に示す図である。
【図４】第２実施例にかかる対物光学系のレンズ構成を概略的に示す図である。
【図５】マイクロデバイスとしての半導体デバイスを得る際の手法のフローチャートである。
【図６】マイクロデバイスとしての液晶表示素子を得る際の手法のフローチャートである。
【符号の説明】
【００４４】
Ｒ  レチクル
ＰＬ  投影光学系
Ｗ  ウェハ
ＷＨ  ウェハホルダー
ＷＳ  ウェハステージ
１０  波面収差測定装置
１１  対物光学系
１１ａ  ピンホール部材
１１ｂ  後続レンズ群
１２  マイクロフライアイレンズ
１３  ＣＣＤ（二次元撮像素子）
１４  信号処理ユニット
【図１】
2007165595.tif 000003
【図２】
2007165595.tif 000004
【図３】
2007165595.tif 000005
【図４】
2007165595.tif 000006
【図５】
2007165595.tif 000007
【図６】
2007165595.tif 000008