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　平成　６年特許願第５２２９７６号「半導体素子用金合金細線」拒絶査定に対する審判事件〔平成　６年１０月２７日国際公開、ＷＯ９４／２４３２２、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
［１］本願発明
　本願は、１９９４年４月８日（優先権主張１９９３年４月８日、日本国）を国際出願日とする出願であって、その請求項１及び２に係る発明は、平成１１年１０月４日付けでなされた手続補正書により補正された明細書と図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜２（以下、「本願発明１〜２」という）に記載された次のとおりのものと認める。
　「１．高温領域での使用のために樹脂封止される半導体素子の金合金細線において、該金合金細線の成分が、
　Ｍｎ：５０〜１０００重量ｐｐｍ、
　Ｃａ、Ｓｒ及びＹを含む希土類元素のグループから選ばれた少くとも１種を総計１〜３０重量ｐｐｍ、
　Ｉｎ及びＴｌのグループから選ばれた少くとも１種を総計１〜５０重量ｐｐｍ、及び、
　残部金と不可避的不純物
からなる耐食性の優れた半導体素子用金合金細線。
２．高温領域での使用のために樹脂封止される半導体素子の金合金細線において、該金合金細線の成分が、
　Ｍｎ：５０〜１０００重量ｐｐｍ、
　Ｂｅ及びＢのグループから選ばれた少なくとも１種を総計１〜２０重量ｐｐｍ、
　Ｃａ、Ｓｒ及びＹを含む希土類元素のグループから選ばれた少くとも１種を総計１〜３０重量ｐｐｍ、
　Ｉｎ及びＴｌのグループから選ばれた少くとも１種を総計１〜５０重量ｐｐｍ、及び、
　残部金と不可避的不純物
からなる耐食性の優れた半導体素子用金合金細線。」
［２］原査定の拒絶の理由
　原査定の拒絶の理由（平成１１年７月１４日付けで通知された拒絶の理由イ）の概要は、本願発明１〜２は、引用例１：特開平０２−２１５１４０号公報、引用例２：特開昭６３−１４５７２９号公報、引用例３：特開昭５６−１２２１４０号公報及び引用例４：特公平０１−０３１６９１号公報に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明することができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものである。
［３］各引用例に記載された事項
　引用例１には、半導体素子用金合金細線及びその接合方法について、
（１−１）（特許請求の範囲（２））：「（２）Ｎｉ，Ｃｕ，Ｍｎのうち１種または２種以上を総計で１００〜１００００重量ｐｐｍ含み、Ｂｅ，Ｇｅ，Ｃａ，Ｌａ，・・・Ｂのうち１種または２種以上をそれぞれ１〜５０重量ｐｐｍかつ総計で１００重量ｐｐｍ以下含み、残部がＡｕ及び不可避不純物からなる…半導体素子用金合金細線。」、
（１−２）（第２頁右上欄４〜９行）：「従来の金線においては、Ａｌ電極面との接合部において、ＡｕとＡｌとの金属間化合物が形成されて脆化し、後の樹脂封止工程や使用に伴う振動により断線や接続不良が生じて製品の安定性を損なってしまうという不都合があった。」、
（１−３）（第２頁右上欄１４行〜同左下欄１２行）：「（ａ）金中にＮｉ，Ｃｕ，Ｍｎを適量含有させることにより、高温においてＡｌとＡｕの金属間化合物の形成を抑制する作用がある。・・・（ｃ）上記Ｎｉ，Ｃｕ，Ｍｎの１種または２種以上を含む金に、さらにＢｅ，Ｇｅ，Ｃａ，Ｌａ，・・・Ｂなどの元素を添加することによりこれらの元素がＮｉ，Ｃｕ，Ｍｎの金属間化合物抑制作用を高める。・・・」ことが記載されている。
　引用例２には、半導体素子ボンディング用金線について、
（２−１）（特許請求の範囲４）：「４．Ｉｎを０．０００１〜０．００６重量％、Ｂｅ，Ｃａ，Ｇｅの１種もしくは２種以上を　Ｂｅ：０．０００２〜０．００１５重量％、Ｃａ：０．０００２〜０．００３重量％、…さらに、Ａｇ、Ｐｄ、…Ｍｎ、…、希土類元素の１種もしくは２種以上を合計で０．０００１〜０．００１重量％添加し、残部がＡｕ及び不可避的不純物からなる半導体素子ボンディング用線。」、
（２−２）（第３頁右上欄９〜１４行）：「ＡｕへのＩｎ添加は結晶粒を整粒とし易く、このために延性、特に高温延性の低下が見られない。従って、本発明品は高温延性が良好なところから、ボンディングのループプロフィルを高くすることができる。」ことが記載されている。
　引用例３には、半導体素子のボンディング用金線及び半導体素子について、
（３−１）（第２頁左下欄１６行〜同右下欄６行）：「上記特定元素が銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）…をベースとし、それらをもって、あるいはさらにゲルマニウム（Ｇｅ）、…タリウム（Ｔｌ）、…から選ばれる一元素を加えた元素群（第一元素群）からなり、・・・、Ａｕ−Ａｇ−Ｔｌ−Ｃａ−Ｆｅ−Ｍｇ・・・合金とし、その含有量によって金線のバランスをとるようにしている。」と記載されている。
　引用例４には、ボンディングワイヤーについて、
（４−１）（特許請求の範囲）：「０．０００１〜０．０１重量％のストロンチウムを含有する…残部純度９９．９９重量％以上の高純度金からなるボンディングワイヤー。」が記載されている。
［４］対比・判断
　本願発明１と引用例１に記載された発明とを対比する。
　従来から金合金細線とアルミ電極との接合において、高温環境における高い接合信頼性を有する金合金細線が要望されているが、本発明者らは、上記接合部を調査したところ、該接合部で生成した金属間化合物のほとんどがＡｕ５Ａｌ２相であり、ＡｕとＡｌの相互拡散が進行するに従い、Ａｕ４Ａｌ相に変化し、このＡｕ４Ａｌ相のみが封止樹脂中に含有するハロゲン成分と反応して腐食を生じて、これにより接合部の電気抵抗が増加し、場合により導通不良にまで到ること、この結果から、高温下で接合強度を得る為には積極的に金属間化合物を形成させてＡｕ５Ａｌ２相を成長せしめるとともに、この相から被腐食相であるＡｕ４Ａｌ相への相変化を阻止することが必要であることを究明し、上記した構成を採用することにより解決したものである。
　これに対して、引用例１発明は、上記（１−２）に記載があるように、金線とアルミ電極との接合部に、ＡｕとＡｌとの金属間化合物が形成されて脆化し、後の樹脂封止工程や使用に伴う振動により断線や接続不良が生じて製品の安定性を損なってしまうという問題点を解決すべく、上記（１−１）の構成を採用するものであるから、両者は共に金線とアルミ電極との接合部に、ＡｕとＡｌとの金属間化合物が形成されて、後の樹脂封止工程等により断線や接続不良が生じるという問題点においては同じであるが、引用例１発明では、本願発明１のようにＡｕとＡｌとの具体的な金属間化合物（Ａｕ４Ａｌ相／Ａｕ５Ａｌ２相）の特性・作用についてまで具体的に認識するところがない。
　そして、上記（１−１）の記載から明らかなように、引用例１発明の金合金細線は、Ｍｎ：１００〜１００００重量ｐｐｍ、Ｂｅ，Ｇｅ，Ｃａ，Ｌａ，・・・Ｂのうち１種または２種以上をそれぞれ１〜５０重量ｐｐｍかつ総計で１００重量ｐｐｍ以下含み、残部がＡｕ及び不可避不純物からなる半導体素子用金合金細線であるところから、本願発明１とは、Ｍｎ：１００〜１０００重量ｐｐｍ、Ｃａ、Ｌａのグループから選ばれた少くとも１種を総計１〜３０重量ｐｐｍ含み、残部がＡｕ及び不可避不純物からなる半導体素子用金合金細線である点で文言上では重複したものとなっているけれども、両者におけるＭｎ成分、及びＣａ，Ｌａのグループ成分から選ばれた少くとも１種を添加する意義が相違している。
　即ち、本願発明１では、Ｍｎは、Ａｕ／Ａｌ接合界面に形成される金属間化合物のうちＡｕ５Ａｌ２相は積極的に成長せしめて、高温下での接合強度を得る一方で、腐食性のＡｕ４Ａｌ相の成長を抑制することにより、高温放置した接合部の電気抵抗の上昇を抑制するものであり、また、Ｃａ，Ｌａのグループは、細線の高温強度を高め、さらに、ボール部近傍の熱影響部における結晶粒の粗大化を抑制して、ボール部近傍のネック部における強度を高めるものであるのに対して、引用例１発明では、上記（１−２）、（１−３）から明らかなように、Ｍｎは、高温において脆化の原因となるＡｕとＡｌの金属間化合物の形成を抑制する作用を有し、また、Ｃａ，Ｌａのグループは、Ｍｎの金属間化合物抑制作用をさらに高めるものであるため、両者における添加目的が明確に相違している。
　さらに加えて、引例１発明において、Ｍｎ成分と、Ｃａ，Ｌａのグループ成分を含有している金細線の具体的な態様を開示している実施例の細線Ｎｏ．６６〜６９（第１表の３参照）、細線Ｎｏ．９４，９６〜９９（第１表の４参照）から明らかなように、Ａｕ−Ａｌ化合物の層厚さを所要の層厚さ（４．６〜５．１μｍ）とするに必要なＭｎ含有量は、１３００から１７００ｐｐｍの範囲であるから、本願発明１で規定している５０〜１０００ｐｐｍよりもはるかに多いＭｎを加えなければならないため、Ｍｎの添加量においても相違が認められる。
　そうすると、引用例１には、本願発明１におけるようなＭｎを添加する意義及び添加量、並びにＣａ，Ｌａのグループを添加する意義について、記載も示唆もするところがないと言わざるを得ない。
　そして、本願発明１におけるようなＭｎを添加する意義及び添加量、並びにＣａ，Ｌａのグループを添加する意義については、引例２の上記（２−１）〜（２−２）、引例３の上記（３−１）及び引例４の上記（４−１）の各記載を含む全記載のどこにも、記載もなければ示唆もない。
　しかも、本願発明１では、Ｍｎを５０〜１０００ｐｐｍ添加し、Ｃａ，Ｌａのグループから選ばれた少くとも１種を総計１〜３０重量ｐｐｍ含むことにより、Ａｕ５Ａｌ２相は積極的に成長せしめて、高温下での接合強度を得る一方で、腐食性のＡｕ４Ａｌ相の成長を抑制することにより、高温放置した接合部の電気抵抗の上昇を抑制するとともに、細線の高温強度を高め、さらに、ボール部近傍の熱影響部における結晶粒の粗大化を抑制して、ボール部近傍のネック部における強度を高めるという、引用例１〜４からは予想しえない顕著な効果を奏し得たものである。
　したがって、本願発明１における、必須成分として、Ｉｎ及びＴｌのグループから選ばれた少くとも１種を総計１〜５０重量ｐｐｍ含んでいるという構成について、さらに検討を加えるまでもなく、本願発明１は、上記引用例１〜４に記載された発明に基づいて、当業者が容易になし得た発明であるとすることはできない。
　また、本願発明２については、本願発明１の成分に、さらに、Ｂｅ及びＢのグループから選ばれた少なくとも１種を総計１〜２０重量ｐｐｍ含有させたものであるから、該構成について、考慮するまでもなく、本願発明１について、上記したと同じ理由により、上記引用例１〜４に記載された発明に基づいて、当業者が容易になし得た発明であるとすることはできない。
［５］むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１〜２は、特許法第２９条第２項の規定に該当しない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。