【事件の表示】
　平成　８年特許願第　　５５６６号「光導波路」拒絶査定に対する審判事件［平成　９年　７月３１日出願公開、特開平　９−１９７１５４］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件は、平成８年１月１７日を出願日とする特許出願であって、平成１３年７月２６日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１０月９日付で手続補正がなされたものである。
　　
２．平成１３年１０月９日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１３年１０月９日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「コア層で構成され、半導体単結晶で形成された屈折率の分布が異なる複数の光導波路が、該導波路の光の導波方向に縦列に接続された光導波路において、
　該複数の光導波路の接合面が、前記半導体単結晶の低指数面と異なり、かつ前記光の導波方向の積層面と該導波方向の積層面と直交する面とに対して交差していることを特徴とする光導波路。」
と補正された。
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項について限定をするものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６０−２４０８３号公報（以下、「引用例」という。）には、図面とともに、
「この発明は、光通信、光情報処理、光計測などに必要な半導体レーザ、発光ダイオードを含む光集積回路に関する。」（１頁右欄３〜５行）、
「第１図は本発明の光集積回路の概略を示す斜視図である。・・・
　６は半導体結晶基板で、これの上に受光素子２、発光素子１、１’をエピタキシャル成長法、フォトエッチング法などを用いて製作する。」（２頁左上欄１８行〜同頁右上欄１３行）、
「（オ）実施例
　長波長帯、光通信用送信素子用として、ＩｎＧａＡｓＰ系材料による半導体レーザを発光素子とした実施例について説明する。
　第２図は実施例に係る光集積回路の斜視図である。第３図は導波路に沿った縦断面図である。
　ＩｎＰ基板１０はｎ型半導体、・・・よりなる。
　ＩｎＰ基板１０の上に、ｐ−ＩｎＧａＡｓＰ層１１、ｎ−ＩｎＰクラッド層１２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層１３、ｐ−ＩｎＰクラッド層１４を順次、エピタキシャル成長させる。
・・・・
　続いて、第３図に示すように、素子の前半の上部を折線ＭＮＬに沿ってエッチング除去する。エッチング除去した底辺ＮＬはｎ−ＩｎＰクラッド層１２の半ばにある。
　エッチング除去したＭＮＬの部分へ、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ導波路層１５及びｎ−ＩｎＰクラッド層１６をエピタキシャル成長させる。レーザ素子のＩｎＧａＡｓＰ活性層１３の端面に、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ導波路層１５が連続するようにする。
　ｎ−ＩｎＰクラッド層１２、１６は、導波路層１５より屈折率が低いので、光波は導波路層１５の中に閉じ込められる。
・・・・
　次に、レーザ素子部と導波路層となるべきＹ分岐部分を残してエッチングする。エッチングはｎ−ＩｎＰクラッド層１２に達するまで行う。
・・・・
　この後、エッチング除去した部分に、ｐ−ＩｎＰ層１７、及びｎ−ＩｎＰ層１８をエピタキシャル成長させる。レーザ素子はこれによって埋め込みへテロストライプ構造（ＢＨ）となる。」（２頁右下欄１５行〜３頁右上欄１７行）、
「レーザの構造は、一端面劈開利用の分布ブラッグ反射形（ＤＢＲ：distributed Bragg reflector）レーザである。レーザ発振するための共振器は、第２図に於て、手前の端面（劈開面）を反射鏡として利用し、・・・。」（３頁左下欄１３〜１７行）、
との記載が認められ、
　さらに第２図、第３図を参酌すれば、第２図において手前の端面であるＩｎＰ基板１０の劈開面に直交する方向に、上下左右をクラッド層で囲まれたコア層であるＩｎＧａＡｓＰ活性層１３、及びこれに連続して同じく上下左右をクラッド層で囲まれたコア層であるｎ−ＩｎＧａＡｓＰ導波路層１５が延びており、両者の接続面の断面を表す折線ＭＮが傾斜線を呈していることから、上記接続面が傾斜面であることが明らかである。
　また、第３図において、上記接続面が、ｎ−ＩｎＰクラッド層１２、ＩｎＧａＡｓＰ活性層１３及びｐ−ＩｎＰクラッド層１４が積層した断面と、ｎ−ＩｎＧａＡｓＰ導波路層１５及びｎ−ＩｎＰクラッド層１６が積層した断面との接続面であり、各層の上下位置が不整合なことから、接続面において両者の屈折率分布が異なることも明らかである。
　これらの記載によれば、引用例には、
「半導体結晶基板であるＩｎＰ基板１０の上部に、同基板１０の劈開面に直交する方向に、上下左右をクラッド層で囲まれたコア層であるＩｎＧａＡｓＰ活性層１３、及びこれに連続して同じく上下左右をクラッド層で囲まれたコア層であるｎ−ＩｎＧａＡｓＰ導波路層１５が延びており、これにより両者は縦列に接続され、その接続面は、光の導波方向に直交する面、すなわち基板１０の劈開面と交差する傾斜面であり、しかも、接続面において両者の屈折率分布が異なり、
　これらの層が、エピタキシャル成長によって形成されたものである光集積回路。」
との発明（以下「引用例発明」という。）が開示されていると認めることができる。
　　
（３）対比
　そこで、本願補正発明と引用例発明とを比較すると、
　本願補正発明の「コア層で構成され、半導体単結晶で形成された屈折率の分布が異なる複数の光導波路」は、
　段落【００１１】の「以上のように、２つの光導波路２０，２１を縦列に接続すると、これらの接続面２２の屈折率分布の不整合により導波光が反射し、レーザ発振の不安定化等の種種の不都合が生じていた。」との記載、
　及び平成１３年３月１２日付意見書の「ここでいう光導波路とはその明細書【０００４】にあるように、「コア層で構成されたもの」であり、本願図面の図２及び図４の説明（【００２４】〜【００２５】、【００３０】〜【００３２】）にもあるように、コア層を加工しクラッド層で周りを囲んだものであります。
　したがって、コア層とクラッド層との屈折率の違いにより屈折率分布が生じることになります。このような屈折率分布は、積層方法のみならず面内方向にも光閉じ込めを行なうことができるものとなります。
　本願発明はこのような光閉じ込め構造を有する光導波路の縦列接続を対象としております。
　以上のように、本願請求項１の発明では、このような互いに異なる屈折率分布を有する２種以上の光導波路が、その光軸方法に縦列接続された光導波路において、該光導波路の接合面が光の導波方向の積層面と該導波方向の積層面と直交する面とに交差していることにより、接合面で反射された導波光は、導波路の外に放射されるため、再び導波路に入射して元の方向に返っていくことがなく（【００１７】参照）」（３頁１８行〜４頁４行）との記載からみて、
　クラッド層で囲まれたコア層からなる光導波路同士の屈折率分布が異なり、その結果、両者の接続面における屈折率分布が異なる複数の光導波路と理解することができる。
　したがって、引用例発明の「上下左右をクラッド層で囲まれたコア層であるＩｎＧａＡｓＰ活性層１３、及びこれに連続して同じく上下左右をクラッド層で囲まれたコア層であるｎ−ＩｎＧａＡｓＰ導波路層１５が延びており、これにより両者は縦列に接続され、しかも、接続面において両者の屈折率分布が異なる光導波路」は、上記本願補正発明の「コア層で構成され、半導体単結晶で形成された屈折率の分布が異なる複数の光導波路」に相当するといえる。
　また、本願補正発明の「複数の光導波路の接合面が、前記光の導波方向の積層面と該導波方向の積層面と直交する面とに対して交差していること」は、
　段落【００２２】、【００２３】、及び【図１】の記載からみて、「導波方向の積層面」が劈開面である[１１０]面ないしはこれと平行な面と解され、また「導波方向の積層面と直交する面」が、[１１０]面ないしはこれと平行な面に直交する（[００１]面を含む）すべての面と解されるから、結局接合面は、導波方向に直交する面である[１１０]面ないしはこれと平行な面と交差し、かつ[１１０]面ないしはこれと平行な面に直交する（[００１]面を含む）すべての面と平行でない面である、と解することができる。
　そして、引用例発明の接合面である傾斜面が、上記「複数の光導波路の接合面が、前記光の導波方向の積層面と該導波方向の積層面と直交する面とに対して交差していること」に該当することは明らかである。
　そして、引用例発明の半導体結晶基板が単結晶基板を含み、またその単結晶基板上にエピタキシャル成長によって形成される層が、単結晶であることは当業界において技術常識にすぎないから、両者は、
「コア層で構成され、半導体単結晶で形成された屈折率の分布が異なる複数の光導波路が、該導波路の光の導波方向に縦列に接続された光導波路において、
　該複数の光導波路の接合面が、前記光の導波方向の積層面と該導波方向の積層面と直交する面とに対して交差していることを特徴とする光導波路。」
の点で一致し、以下の点で一応相違している。
　　
［相違点］本願補正発明は、接合面が「半導体単結晶の低指数面と異なる面」であるのに対し、引用例発明の接合面には「半導体単結晶の低指数面と異なる面」であるとの明示の記載がない点。
　　
（４）判断
　本願補正発明において、接合面が「半導体単結晶の低指数面と異なる面」であることの根拠は、「光導波路が半導体のような単結晶の場合には、劈開面が低指数面でしか形成できないため、光導波路の方向がこれに垂直な方向に限られてしまい結局、接合面がこの低指数面に一致することになる。」（段落【００１２】）、との知見をもとに、「本発明に係る光導波路は、光導波路間の接合面が、該光の導波面と該導波面とに直交する面とに対して交差するものとしている。」（段落【００１６】）、ことにより「導波路が単結晶材料で形成されている場合においては、接合面を異常成長の起きやすい低指数面でなくすることが可能になり、光導波路の形状異常を防止できる。」（段落【００１８】）なる記載に基づくものと解される。
　そこで検討するに、引用例発明の接続面は、「基板１０の劈開面に直交する方向に上下左右をクラッド層で囲まれたコア層であるＩｎＧａＡｓＰ活性層１３、及びこれに連続して同じく上下左右をクラッド層で囲まれたコア層であるｎ−ＩｎＧａＡｓＰ導波路層１５が延びており、これにより両者は縦列に接続され、その接続面は、光の導波方向に直交する面、すなわち基板１０の劈開面と交差する傾斜面」であるから、低指数面である劈開面とは異なる、それと交差する面であることは明らかである。
　してみると、接合面が「半導体単結晶の低指数面と異なる面」であることは、引用例発明に記載されているに等しい事項であるといえる。
　そして、引用例発明は、係る接合構造を用いることにより、互いに屈折率の異なる導波路の接続において、光の反射の悪影響を除去し、結晶の異常成長に伴う形状異常を防止する本願補正発明の作用効果を十分奏するものと推認することができるから、本願補正発明の課題を解決したものといえる。
　したがって、本願補正発明は、引用例に記載された発明と実質的に同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
　なお、審判請求書等において、請求人は、上記引用例（拒絶の理由に引用された引用文献３）と本願補正発明との相違点について言及しており、その中で特許法第２９条第１項第３号の同一性を含め検討していることは明らかである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１３年１０月９日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成１３年３月１２日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「コア層で構成され、屈折率の分布が異なる複数の光導波路が、該導波路の光の導波方向に縦列に接続された光導波路において、
　該複数の光導波路の接合面が、該光の導波方向の積層面と該導波方向の積層面と直交する面とに対して交差していることを特徴とする光導波路。」
　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は、上記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　本願発明は、上記２．で検討した本願補正発明から「光導波路」の限定事項である「半導体単結晶で形成された」、及び「接合面」の限定事項である「半導体単結晶の低指数面と異なり」との構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「２．（４）」に記載したとおり、引用例に記載された発明と実質的に同一のものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例に記載された発明と実質的に同一のものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明と実質的に同一のものであるから、特許法第２９条第１項第３項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。