(57)【要約】【課題】深紫外域の波長の深紫外レーザー光を効率よく発生させ、高出力化する。【解決手段】波長が１０６４．０〜１０６５．０ｎｍの半導体レーザー光を光ファイバー増幅器によって増幅したレーザー光の第４高調波と、波長が１５５７．０〜１５７１．０ｎｍの半導体レーザー光を光ファイバー増幅器によって増幅したレーザ光との和周波混合により波長約２２７ｎｍのレーザー光を得て、さらにこのレーザー光と上記した波長１５５７．０〜１５７１．０ｎｍのレーザー光との和周波混合により波長１９８．４〜１９８．７ｎｍのレーザー光を得る。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
波長１０６４．０〜１０６５．０ｎｍのレーザー光を出射する第１の半導体レーザーと、
波長１５５７．０〜１５７１．０ｎｍのレーザー光を出射する第２の半導体レーザーと、
前記第１の半導体レーザーと前記第２の半導体レーザーとを駆動するパルス電流を印加するパルス電流源と、
前記第１の半導体レーザーから出射された波長１０６４．０〜１０６５．０ｎｍのレーザー光を増幅する第１の光ファイバー増幅器と、
前記第２の半導体レーザーから出射された波長１５５７．０〜１５７１．０ｎｍのレーザー光を増幅する第２の光ファイバー増幅器と、
前記第１の光ファイバー増幅器から出射された波長１０６４．０〜１０６５．０ｎｍのレーザー光を入射して第２高調波発生により、波長１０６４．０〜１０６５．０ｎｍのレーザー光の第２高調波を出射する第１の非線形光学結晶と、
前記第１の非線形光学結晶から出射された前記第２高調波を入射して第２高調波発生により、波長１０６４．０〜１０６５．０ｎｍのレーザー光の第４高調波を出射する第２の非線形光学結晶と、
前記第２の非線形光学結晶から出射された前記第４高調波と前記第２の光ファイバー増幅器から出射された波長１５５７．０〜１５７１．０ｎｍのレーザー光とを入射して和周波発生により波長変換されたレーザー光を出射する第３の非線形光学結晶と、
前記第３の非線形光学結晶から出射された前記波長変換されたレーザー光と前記第３の非線形光学結晶による和周波発生に寄与しないで前記第３の非線形光学結晶を透過した波長１５５７．０〜１５７１．０ｎｍのレーザー光とを入射して、和周波発生による波長変換により波長１９８．４〜１９８．７ｎｍのレーザー光を出射する第４の非線形光学結晶と
を有することを特徴とする深紫外レーザー装置。
【請求項２】
請求項１に記載の深紫外レーザー装置において、さらに、
前記第１の光ファイバー増幅器の出射側端部側に配置され、前記第１の光ファイバー増幅器から出射された波長１０６４．０〜１０６５．０ｎｍのレーザー光を集光して前記第１の非線形光学結晶に入射する第１の集光レンズと、
前記第２の光ファイバー増幅器の出射側端部側に配置され、前記第２の光ファイバー増幅器から出射された波長１５５７．０〜１５７１．０ｎｍのレーザー光を集光して前記第３の非線形光学結晶に入射する第２の集光レンズと
を有することを特徴とする深紫外レーザー装置。
【請求項３】
請求項１または２のいずれか１項に記載の深紫外レーザー装置において、
前記第１の光ファイバー増幅器と前記第２の光ファイバー増幅器とは、希土類添加光ファイバー増幅器である
ことを特徴とする深紫外レーザー装置。
【請求項４】
請求項３に記載の深紫外レーザー装置において、
前記第１の光ファイバー増幅器は、イットリビウム添加光ファイバー増幅器であり、
前記第２の光ファイバー増幅器は、エルビウム添加光ファイバー増幅器である
ことを特徴とする深紫外レーザー装置。
【請求項５】
請求項１、２、３または４のいずれか１項に記載の深紫外レーザー装置において、
前記第１の非線形光学結晶は、ＬＢＯ結晶、ＰＰＬＮ結晶またはＰＰＬＴ結晶であり、
前記第２の非線形光学結晶は、ＢＢＯ結晶またはＣＬＢＯ結晶であり、
前記第３の非線形光学結晶は、ＢＢＯ結晶、ＬＢＯ結晶またはＣＬＢＯであり、
前記第４の非線形光学結晶は、ＢＢＯ結晶またはＣＬＢＯ結晶である
ことを特徴とする深紫外レーザー装置。
【請求項６】
請求項１、２、３、４または５のいずれか１項に記載の深紫外レーザー装置において、
前記第１の半導体レーザーと前記第２の半導体レーザーとは、前記パルス電流源による電流変調により同期して駆動される
ことを特徴とする深紫外レーザー装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、深紫外レーザー装置に関し、さらに詳細には、非線形光学効果を用いた波長変換技術を利用して深紫外域（波長１９０〜２７０ｎｍ）の波長の深紫外レーザー光を発生する深紫外レーザー装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、深紫外レーザー光を発生する深紫外レーザー装置が、例えば、半導体製造工程などの電子産業分野などにおける微細加工技術への応用を目指して種々提案されている。
【０００３】
こうした従来の深紫外レーザー装置は、非線形光学効果を用いた波長変換技術の応用により、目的の波長を備えた深紫外レーザー光を発生するように構成されているものであった。
【０００４】
即ち、従来の深紫外レーザー装置は、高調波発生によりレーザー光の周波数を逓倍したり、あるいは、既存のレーザーを組み合わせて二つの入力されたレーザー光の周波数の和の周波数を持つレーザー光を発生する和周波発生により、目的の波長のレーザー光を得るようになされていた。
【０００５】
ところが、単純な第２高調波発生（周波数を２倍、即ち、波長を半分にする。）やその繰り返しによる高調波発生では、１９０〜２００ｎｍの波長領域のレーザー光を発生することは困難であるという問題点があった。
【０００６】
同様に、一般に使用されている固体レーザーの波長の組み合わせによる和周波発生では、１９０〜２００ｎｍの波長領域のレーザー光を発生させることは困難であるという問題点があった。
【０００７】
一方、光学的非線形性を有する材料の中で、１９０〜２００ｎｍの波長領域で充分な透明性を持ったものは限られており、さらに、実効的な波長変換のために必要な条件である位相整合条件を満たす結晶も少ないため、こうした点においても１９０〜２００ｎｍの波長領域のレーザー光を発生させることは困難であるという問題点があった。
【０００８】
ところで、一般に、レーザー波長変換を行う非線形光学媒質の非線形性はｐｍ／Ｖのオーダーであり、レーザー光を単純に通過させるだけでは効率のよい波長変換は不可能であることが知られている。このため、従来においては、外部共振器を用い、当該外部共振器内に閉じ込められたレーザー光の中に非線形媒質を配置することにより、波長変換効率を向上させるという手法が用いられていた。
【０００９】
しかしながら、こうした手法においては、外部共振器の共振器長をレーザー光の波長の整数倍に同期させる必要があり、このための複雑なサーボ系が必要となって構成が複雑化するという問題点があり、また、外部共振器の光学損失を少なく保つことも必要であることが指摘されていた。
【００１０】
なお、上記した外部共振器を用いる手法を応用して、アルゴンレーザーの第２高調波とＮｄ：ＹＡＧレーザーとの和周波発生により、１９８．５ｎｍのレーザー光を発生させるようにした技術が知られているが、外部共振器を用いる手法には上記したような問題点があるため、産業用途として広く利用を図ることは困難であった。
【００１１】
一方、パルスレーザーの応用により、パワーの尖頭値をあげることにより非線形波長変換効率を上げる手法も提案されており、光通信用デバイスを応用した波長１．５４７μｍのレーザー光源の第８高調波によって、波長が１９３．４ｎｍのレーザー光を発生する光源が実現されている。このような光源の１９３．４ｎｍの波長は、フッ化アルゴンレーザーにより得られるレーザー光の波長と共通であり、半導体製造の分野においては非常に注目されている波長である。
【００１２】
上記したような様々な背景から、現在においては、深紫外域の波長の深紫外レーザー光を効率よく発生させ、さらに、高出力化することのできる紫外線レーザー装置の提案が強く望まれている。
【００１３】
なお、本願出願人が特許出願のときに知っている先行技術は、文献公知発明に係る発明ではないため、記載すべき先行技術文献情報はない。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は、従来の技術の有する上記したような要望に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、波長が約１９９ｎｍであるような深紫外レーザー光を効率良く発生することができるようにした紫外線レーザー装置を提供しようとするものである。
【００１５】
また、本発明の目的とするところは、波長が約１９９ｎｍであるような深紫外レーザー光を高出力で発生することができるようにした紫外線レーザー装置を提供しようとするものである。
【００１６】
さらに、本発明の目的とするところは、低コスト化を図りながら、波長が約１９９ｎｍであるような深紫外レーザー光を発生することができるようにした紫外線レーザー装置を提供しようとするものである。
【００１７】
さらにまた、本発明の目的とするところは、信頼性を大幅に向上させながら、波長が約１９９ｎｍであるような深紫外レーザー光を発生することができるようにした紫外線レーザー装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記目的を達成するために、本発明による深紫外レーザー装置は、波長が１０６４．０〜１０６５．０ｎｍの半導体レーザー光を光ファイバー増幅器によって増幅したレーザー光の第４高調波と、波長が１５５７．０〜１５７１．０ｎｍの半導体レーザー光を光ファイバー増幅器によって増幅したレーザー光との和周波混合により波長が約２２７ｎｍのレーザー光を得て、さらにこのレーザー光と上記した波長が１５５７．０〜１５７１．０ｎｍのレーザー光との和周波混合により波長が１９８．４〜１９８．７ｎｍのレーザー光を得るようにしたものである。
【００１９】
即ち、本発明のうち請求項１に記載の発明は、波長１０６４．０〜１０６５．０ｎｍのレーザー光を出射する第１の半導体レーザーと、波長１５５７．０〜１５７１．０ｎｍのレーザー光を出射する第２の半導体レーザーと、上記第１の半導体レーザーと上記第２の半導体レーザーとを駆動するパルス電流を印加するパルス電流源と、上記第１の半導体レーザーから出射された波長１０６４．０〜１０６５．０ｎｍのレーザー光を増幅する第１の光ファイバー増幅器と、上記第２の半導体レーザーから出射された波長１５５７．０〜１５７１．０ｎｍのレーザー光を増幅する第２の光ファイバー増幅器と、上記第１の光ファイバー増幅器から出射された波長１０６４．０〜１０６５．０ｎｍのレーザー光を入射して第２高調波発生により、波長１０６４．０〜１０６５．０ｎｍのレーザー光の第２高調波を出射する第１の非線形光学結晶と、上記第１の非線形光学結晶から出射された上記第２高調波を入射して第２高調波発生により、波長１０６４．０〜１０６５．０ｎｍのレーザー光の第４高調波を出射する第２の非線形光学結晶と、上記第２の非線形光学結晶から出射された上記第４高調波と上記第２の光ファイバー増幅器から出射された波長１５５７．０〜１５７１．０ｎｍのレーザー光とを入射して和周波発生により波長変換されたレーザー光を出射する第３の非線形光学結晶と、上記第３の非線形光学結晶から出射された上記波長変換されたレーザー光と上記第３の非線形光学結晶による和周波発生に寄与しないで上記第３の非線形光学結晶を透過した波長１５５７．０〜１５７１．０ｎｍのレーザー光とを入射して、和周波発生による波長変換により波長１９８．４〜１９８．７ｎｍのレーザー光を出射する第４の非線形光学結晶とを有するようにしたものである。
【００２０】
また、本発明のうち請求項２に記載の発明は、本発明のうち請求項１に記載の発明において、さらに、上記第１の光ファイバー増幅器の出射側端部側に配置され、上記第１の光ファイバー増幅器から出射された波長１０６４．０〜１０６５．０ｎｍのレーザー光を集光して上記第１の非線形光学結晶に入射する第１の集光レンズと、上記第２の光ファイバー増幅器の出射側端部側に配置され、上記第２の光ファイバー増幅器から出射された波長１５５７．０〜１５７１．０ｎｍのレーザー光を集光して上記第３の非線形光学結晶に入射する第２の集光レンズとを有するようにしたものである。
【００２１】
また、本発明のうち請求項３に記載の発明は、本発明のうち請求項１または２のいずれか１項に記載の発明において、上記第１の光ファイバー増幅器と上記第２の光ファイバー増幅器とは、希土類添加光ファイバー増幅器であるようにしたものである。
【００２２】
また、本発明のうち請求項４に記載の発明は、本発明のうち請求項３に記載の発明において、上記第１の光ファイバー増幅器は、イットリビウム添加光ファイバー増幅器であり、上記第２の光ファイバー増幅器は、エルビウム添加光ファイバー増幅器であるようにしたものである。
【００２３】
また、本発明のうち請求項５に記載の発明は、本発明のうち請求項１、２、３または４のいずれか１項に記載の発明において、上記第１の非線形光学結晶は、ＬＢＯ結晶、ＰＰＬＮ結晶またはＰＰＬＴ結晶であり、上記第２の非線形光学結晶は、ＢＢＯ結晶またはＣＬＢＯであり、上記第３の非線形光学結晶は、ＢＢＯ結晶、ＬＢＯ結晶またはＣＬＢＯであり、上記第４の非線形光学結晶は、ＢＢＯ結晶またはＣＬＢＯであるようにしたものである。
【００２４】
また、本発明のうち請求項６に記載の発明は、本発明のうち請求項１、２、３、４または５のいずれか１項に記載の発明において、上記第１の半導体レーザーと上記第２の半導体レーザーとは、上記パルス電流源による電流変調により同期して駆動されるようにしたものである。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、波長が約１９９ｎｍであるような深紫外レーザー光を効率良く発生することができるという優れた効果が奏される。
【００２６】
また、本発明によれば、波長が約１９９ｎｍであるような深紫外レーザー光を高出力で発生することができるという優れた効果が奏される。
【００２７】
さらに、本発明によれば、低コスト化を図りながら、波長が約１９９ｎｍであるような深紫外レーザー光を発生することができるという優れた効果が奏される。
【００２８】
さらにまた、本発明によれば、信頼性を大幅に向上させながら、波長が約１９９ｎｍであるような深紫外レーザー光を発生することができるという優れた効果が奏される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、添付の図面を参照しながら、本発明による深紫外レーザー装置の実施の形態の一例を詳細に説明するものとする。
【００３０】
図１には、本発明の実施の形態の一例による深紫外レーザー装置１０の概念構成説明図が示されている。
【００３１】
この深紫外レーザー装置１０は、波長１０６４．０〜１０６５．０ｎｍのレーザー光を出射する第１半導体レーザー１２と、波長１５５７．０〜１５７１．０ｎｍのレーザー光を出射する第２半導体レーザー１４と、第１半導体レーザー１２と第２半導体レーザー１４とを駆動するパルス電流を印加するパルス電流源１６と、第１半導体レーザー１２から出射された波長１０６４．０〜１０６５．０ｎｍのレーザー光を増幅する第１光ファイバー増幅器１８と、第２半導体レーザー１４から出射された波長１５５７．０〜１５７１．０ｎｍのレーザー光を増幅する第２光ファイバー増幅器２０と、第１光ファイバー増幅器１８の出射側端部１８ａから出射された波長１０６４．０〜１０６５．０ｎｍのレーザー光を集光する第１集光レンズ２２と、第２光ファイバー増幅器２０の出射側端部２０ａから出射された波長１５５７．０〜１５７１．０ｎｍのレーザー光を集光する第２集光レンズ２４と、第１集光レンズ２２から出射された波長１０６４．０〜１０６５．０ｎｍのレーザー光を入射して第２高調波発生により第２高調波として波長約５３２ｎｍのレーザー光を出射する第１非線形光学結晶２６と、第１非線形光学結晶２６から出射された波長約５３２ｎｍのレーザー光を入射して第２高調波発生により波長１０６４．０〜１０６５．０ｎｍのレーザー光の第４高調波として波長約２６６ｎｍのレーザー光を出射する第２非線形光学結晶２８と、第２非線形光学結晶２８から出射された波長約２６６ｎｍのレーザー光と第２集光レンズ２４から出射された波長１５５７．０〜１５７１．０ｎｍのレーザー光とを入射して和周波発生による波長変換により波長約２２７ｎｍのレーザー光を出射する第３非線形光学結晶３０と、第３非線形光学結晶３０から出射された波長約２２７ｎｍのレーザー光と第３非線形光学結晶３０による和周波発生に寄与しないで第３非線形光学結晶３０を透過した波長１５５７．０〜１５７１．０ｎｍのレーザー光とを入射して和周波発生による波長変換より波長１９８．４〜１９８．７ｎｍのレーザー光を出射する第４非線形光学結晶３２とを有して構成されている。
【００３２】
なお、説明を簡略化して本発明の理解を容易にするために、レーザー光の光路を可変するための全反射鏡などの光学系については、その説明ならびに図示を省略したが、適宜の光学系を用いてレーザー光の光路を可変させてよいことは勿論である。図１に示す実施の形態においても、例えば、第２非線形光学結晶２８から出射された波長約２６６ｎｍのレーザー光と第２集光レンズ２４から出射された波長１５５７．０〜１５７１．０ｎｍのレーザー光とを第３非線形光学結晶３０へ入射する際には、図示しない全反射鏡により各レーザー光の光路を図１に示すように屈曲させて入射するようにしている。
【００３３】
ここで、第１半導体レーザー１２は、例えば、ＩｎＧａＡｓ系半導体レーザーにより構成することができ、一方、第２半導体レーザー１４は、例えば、ＤＦＢレーザー（ＤＦＢレーザーとは、レーザーチップの内部に回折格子を作り、特定の波長の光のみを反射させることによって光を活性領域に閉じ込め、レーザー光を発振させる半導体レーザーである。）により構成することができる。
【００３４】
また、第１光ファイバー増幅器１８は、入射側端部を第１半導体レーザー１２の出射端に接続するとともに出射側端部１８ａを第１集光レンズ２２に隣接して配置した光ファイバー１８ｂと、光ファイバー１８ｂに励起光を入射する励起レーザー群１８ｃとを有して構成されている。
【００３５】
一方、第２光ファイバー増幅器２０は、入射側端部を第２半導体レーザー１４の出射端に接続するとともに出射側端部２０ａを第２集光レンズ２４に隣接して配置した光ファイバー２０ｂと、光ファイバー２０ｂに励起光を入射する励起レーザー群２０ｃとを有して構成されている。
【００３６】
なお、第１光ファイバー増幅器１８ならびに第２光ファイバー増幅器２０においては、光ファイバー１８ｂ、２０ｂへ入射する励起光の出力強度に応じて、光ファイバー１８ｂ、２０ｂから出射されるレーザー光の強度が決定される。このため、この実施の形態においては、励起光の出力強度を高めることを目的として、励起レーザー群１８ｃ、２０ｃはそれぞれ３台の励起レーザーによって構成されている。
【００３７】
上記した第１光ファイバー増幅器１８ならびに第２光ファイバー増幅器２０は、例えば、希土類添加光ファイバー増幅器により構成することができるものである。より詳細には、第１光ファイバー増幅器１８は、例えば、イットリビウム添加光ファイバー増幅器（ＹＤＦＡ：Ｙｔｔｅｒｂｉｕｍ−Ｄｏｐｅｄ  Ｆｉｂｅｒ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）により構成することができ、また、第２光ファイバー増幅器２０は、例えば、エルビウム添加光ファイバー増幅器（ＥＤＦＡ：Ｅｒｂｉｕｍ−Ｄｏｐｅｄ  Ｆｉｂｅｒ  Ａｍｐｌｉｆｉｅｒ）により構成することができる。
【００３８】
また、第１非線形光学結晶２６は、例えば、ＬＢＯ結晶、ＰＰＬＮ結晶またはＰＰＬＴ結晶により構成することができ、第２非線形光学結晶２８は、例えば、ＢＢＯ結晶またはＣＬＢＯ結晶により構成することができ、第３非線形光学結晶３０は、例えば、ＢＢＯ結晶、ＬＢＯ結晶またはＣＬＢＯ結晶により構成することができ、第４非線形光学結晶３２は、ＢＢＯ結晶またはＣＬＢＯ結晶により構成することができる。
【００３９】
以上の構成において、上記した深紫外レーザー装置１０の動作を説明するが、ある波長のレーザー光を非線形光学結晶へ入射させることにより波長変換されたレーザー光を発生させる第２高調波発生や、波長が異なる２種類のレーザー光を入射させることにより波長変換されたレーザー光を発生させる和周波発生といった非線形光学効果については周知であるので、その詳細な説明は省略する。
【００４０】
まず、第１半導体レーザー１２と第２半導体レーザー１４とにパルス電流源１６からパルス電流を印加して、電流変調により第１半導体レーザー１２と第２半導体レーザー１４とを同期して駆動すると、第１半導体レーザー１２から波長１０６４．０〜１０６５．０ｎｍのレーザー光が、また、第２半導体レーザー１４から波長１５５７．０〜１５７１．０ｎｍのレーザー光が、それぞれ同期して出射される。
【００４１】
ここで、第１半導体レーザー１２から出射された波長１０６４．０〜１０６５．０ｎｍのレーザー光は、第１光ファイバー増幅器１８へ入射され、第１光ファイバー増幅器１８を通過する間に増幅されて、出射側端部１８ａから波長１０６４．０〜１０６５．０ｎｍのレーザー光が高出力で出射される。
【００４２】
次に、出射側端部１８ａから出射された波長１０６４．０〜１０６５．０ｎｍのレーザー光は第１非線形光学結晶２６へ入射されることになり、第１非線形光学結晶２６へ入射された波長１０６４．０〜１０６５．０ｎｍのレーザー光は、第１非線形光学結晶２６の非線形光学効果である第２高調波発生により第２高調波たる波長約５３２ｎｍのレーザー光に波長変換され、第１非線形光学結晶２６から波長約５３２ｎｍのレーザー光が出射される。
【００４３】
次に、第１非線形光学結晶２６から出射された波長約５３２ｎｍのレーザー光は第２非線形光学結晶２８へ入射されることになり、第２非線形光学結晶２８へ入射された波長約５３２ｎｍのレーザー光は、第２非線形光学結晶２８の非線形光学効果である第２高調波発生により波長１０６４．０〜１０６５．０ｎｍの第４高調波たる波長約２６６ｎｍのレーザー光に波長変換され、第２非線形光学結晶２８から波長約２６６ｎｍのレーザー光が出射される。
【００４４】
一方、第２半導体レーザー１４から出射された波長１５５７．０〜１５７１．０ｎｍのレーザー光は、第２光ファイバー増幅器２０へ入射され、第２光ファイバー増幅器２０を通過する間に増幅されて、出射側端部２０ａから波長１５５７．０〜１５７１．０ｎｍのレーザー光が高出力で出射される。
【００４５】
そして、第２非線形光学結晶２８から出射された波長約２６６ｎｍのレーザー光と出射側端部２０ａから出射された波長１５５７．０〜１５７１．０ｎｍのレーザー光とは、第３非線形光学結晶３０に同期して入射されることになる。第３非線形光学結晶３０においては、非線形光学効果である和周波発生によって、入射された波長約２６６ｎｍのレーザー光と波長１５５７．０〜１５７１．０ｎｍのレーザー光とを波長約２２７ｎｍのレーザー光に波長変換して出射する。
【００４６】
さらに、第３非線形光学結晶３０から出射された波長約２２７ｎｍのレーザー光は、第４非線形光学結晶３２へ入射され、同様に、第３非線形光学結晶３０での和周波発生による波長変換に寄与しないで透過した波長１５５７．０〜１５７１．０ｎｍのレーザー光も第４非線形光学結晶３２へ入射されることになる。第４非線形光学結晶３２においては、非線形光学効果である和周波発生によって、入射された波長約２２７ｎｍのレーザー光と波長１５５７．０〜１５７１．０ｎｍのレーザー光とを波長１９８．４〜１９８．７ｎｍのレーザー光に波長変換して出射する。
【００４７】
従って、深紫外レーザー装置１０によれば、パルス電流源１６から第１半導体レーザー１２と第２半導体レーザー１４とにパルス電流を印加して、第１半導体レーザー１２と第２半導体レーザー１４とを電流変調により駆動するため、第３非線形光学結晶３０や第４非線形光学結晶３２において和周波発生させる際のレーザー光の入射のタイミング制御することが極めて容易であり、和周波発生の発生効率を向上させることが可能になり、ひいては波長１９８．４〜１９８．７ｎｍのレーザー光を効率良く発生することができる。
【００４８】
また、深紫外レーザー装置１０によれば、第１半導体レーザー１２から出射されたレーザー光と第２半導体レーザー１４から出射されたレーザー光とは、それぞれ第１光ファイバー増幅器１８と第２光ファイバー増幅器２０とを用いて増幅されてから波長変換されるので、波長１９８．４〜１９８．７ｎｍのレーザー光を高出力で発生することができる。
【００４９】
さらに、深紫外レーザー装置１０によれば、従来より一般に使用されている半導体レーザーや光ファイバー増幅器あるいは非線形光学結晶を用いて構成することができるので、低コスト化を図りながら、波長１９８．４〜１９８．７ｎｍのレーザー光を発生することができる。
【００５０】
さらにまた、深紫外レーザー装置１０によれば、従来より安定的な性能を発揮している半導体レーザーや光ファイバー増幅器あるいは非線形光学結晶を用いて構成することができるので、信頼性を大幅に向上させながら、波長１９８．４〜１９８．７ｎｍのレーザー光を発生することができる。
【００５１】
また、深紫外レーザー装置１０によれば、電流変調によって第１半導体レーザー１２と第２半導体レーザー１４との繰り返し周波数を制御するため、繰り返し周波数が１ＭＨｚ以上の高繰り返しレーザー光を発生させることが可能になる。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明は、電子産業分野などにおける微細加工や微細構造の検査などに利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】図１は、本発明の実施の形態の一例による深紫外レーザー装置の概念構成説明図である。
【符号の説明】
【００５４】
１０      深紫外レーザー装置
１２      第１半導体レーザー
１４      第２半導体レーザー
１６      パルス電流源
１８      第１光ファイバー増幅器
１８ａ    出射側端部
１８ｂ    光ファイバー
１８ｃ    励起レーザー群
２０      第２光ファイバー増幅器
２０ａ    出射側端部
２０ｂ    光ファイバー
２０ｃ    励起レーザー群
２２      第１集光レンズ
２４      第２集光レンズ
２６      第１非線形光学結晶
２８      第２非線形光学結晶
３０      第３非線形光学結晶
３２      第４非線形光学結晶
【図１】
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