【事件の表示】
　平成４年特許願第１０６５０７号「半導体レーザ装置及びその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成５年１１月１２日出願公開、特開平５−２９９７７０］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【1】手続の経緯・本願発明
　本願は平成4年4月24日に出願されたものであり、本願の請求項1〜8に係る発明は、平成13年10月22日付け手続補正書にて補正された明細書の特許請求の範囲、請求項1〜8に記載されたとおりのものである。
　そして、その請求項1に係る発明(以下、「本願発明」という。)は以下のとおりである。
　「【請求項1】電流狭窄機能として内部ストライプ構造を備えた半導体レーザ装置において、ストライプ内に等価屈折率の異なる複数の領域を有し、そのうち、ストライプ内の中央部の等価屈折率n1と、ストライプ内の両脇部の等価屈折率n2との関係が、中央部、両脇部の順に大きく(n1＞n2)、ストライプ内の両脇部の等価屈折率n2と、ストライプ外部の等価屈折率n3の関係が、ストライプ外部、ストライプ内部両脇部の順に大きく(n3＞n2)、ストライプ形状が逆メサ形状であって、且つ、前記ストライプ内の中央部の領域の幅が光を実屈折率導波させるほど十分に狭いことを特徴とする半導体レーザ装置。」
　
【2】引用例
　これに対して、原査定の拒絶理由として引用した、特開昭61-101092号公報(以下、「引用例」という。)には、以下の事項が記載されている。
引用例1:特開昭61-101092号公報 
1頁右下欄2行〜2頁左上欄下から4行
　「産業上の利用分野 本発明は各種電子機器、光学機器の光源として用いられる半導体レーザ装置およびその製造方法に関するものである。
　従来例の構成とその問題点 電子機器,光学機器のコヒーレント光源として半導体レーザに要求される重要な性能に低電流動作、単一横モード発振があげられる。これらを実現するためには、レーザ光が伝播する活性領域付近にレーザ光を有効に閉じ込め、かつレーザ素子中を流れる電流を集中するようにその拡がりを抑制する必要がある。この構造を備えたレーザは通常、ストライプ型半導体レーザと呼ばれている。比較的簡単なストライプ化の方法に電流狭さくだけを用いるものがある。具体的にはブレーナ型半導体レーザにプロトン照射を施したもの、Zn拡散を施したもの、酸化膜などの絶縁膜を形成したもの、結晶成長等により内部に電流狭さく領域をつくりつけたものが挙げられる。しかしながら、これらの方法ではレーザ光の閉じ込めが弱く、電流はその拡がりは抑えられるが、電流注入によって活性層内に有効にキャリアが閉じ込められているとは言い難い。また、従来プレーナ型半導体レーザの活性層をはさむクラッド層中で屈折率およびエネルギーギャップを変えて、光とキャリアを有効に閉じ込め、低電流動作を実現したGRINレーザ(グレイデッドインデックスレーザ)の例があるが、活性層に平行な方向での光の閉じ込めという点では不十分である。
　発明の目的 本発明は上記欠点に鑑み、電流狭さく用ストライプ構造をそなえ、さらに活性層に垂直および平行な両方向にレーザ光とキャリアを有効に閉じ込める構造をもつ半導体レーザ装置およびその製造方法を与えることを目的とする。」
2頁右上欄12行〜3頁左上欄下から4行
　「実施例の説明 本発明の半導体レーザ装置の一実施例について、図を用いて具体的に説明する。一例として、基板にn型GaAs基板(キャリア濃度・・・)を用いる。このn型GaAs基板の(100)面上に＜01-1＞方向に平行に250μmピッチで幅5μmのストライプをフォトレジスト膜により形成し、化学エッチングにより深さ2μmの溝部を作る。第1図に示す前記の溝部を有する基板上に有機金属気相エピクキシャル成長法(以下MOCVD法とする。)によりn型Ga1-xAlxAsクラッド層2を平坦部での厚みh2が1.5μmとなるように、さらにGa1-yAlyAs活性層3( 0≦y＜x;y＜z )を0.0 5μm 、P型Ga1-zAlzAsクラッド層4を0.5μmエピ成長する。ただしこの時、n型Ga1-xAlxAsクラッド層2中の混晶比は、活性層に近くなるにつれ小さくし、従って屈折率は活性層に近いほど大きくなる様に作製した。次に前記エピ層表面6を洗浄処理し、＜01-1＞方向に平行にかつn型GaAs基板1の溝部上に幅2μmのストライプが250μmピッチで重なるようにフォトレジス膜5を形成する。H2S04系エッチング液により、p型Ga1-zAlzAsクラッド層4の第2図での膜厚h1が0.2μmになるまでエッチングを行なった。さらに前記エッチング処理した基板上のエピ層4上にMOCVD法により、第3図に示す様に、p型Ga1-z ’Alz ’Asクラッド層7(z ≦ z′)を第3図の膜厚h3が1.2μm、n型GaAs 電流阻止層を膜厚h4が0.8μm、膜厚h5が0.4μmとなる様にエピタキシャル成長させた。この時、p型Ga1-z’Alz’As層7中の混晶比は、活性層から離れるに従い大きくなるように成長し、従って屈折率は、活性層から離れるに従い小さくなる様に成長した。
・・・
　この構造に電流を流すと、p型拡散ストライプ領域11からのみ電流が流れ、クラッド層中の屈折率分布とエネルギーギャップの大きさの分布より有効に電流すなわちキャリアが閉じ込められ、同時にレーザ光も有効に閉じ込められる。単一横モード発振し、20mA程度の低しきい値で発振する半導体レーザ装置が得られた。外部微分量子効率についても60%程度の高い値が得られている。上記の特性は、第6図,第7図に示す様にクラッド層中に屈折率プロファイルとエネルギーギャップのプロファイルを持たせ、しかも活性層をはさむ2つのクラッド層 2,7 では、yL,yR方向にも上記プロファイルを形成したため、有効にレーザ光とキャリアの閉じ込めがなされている結果と考えられる。なお、通常のストライプレーザでは第4図、GRINレーザでは第5図に示すプロファイルを持つが、本発明に比べると、レーザ光とキャリアの閉じ込めの効果は弱い。また、平担な活性層を形成する理由は、結晶性に由来する光学特性の改善、注入電流経路を安定させるためである。」
3頁右上欄9行〜16行
　「発明の効果 以上のように本発明の半導体レーザ装置は溝部を有する基板上に二重ヘテロ構造が形成され、活性層上のクラッド層が凸部を有するとともに、クラッド層の屈折率が活性領域の中心から離れるに従って減少する構成により高効率、低電流動作で単一横モード発振することができ、その実用的効果は大なるものがある。」
第3図
　n型GaAs基板上に、n型Ga1-xAlxAsクラッド層2、Ga1-yAlyAs活性層3( 0≦y＜x;y＜z )、P型Ga1-zAlzAsクラッド層4、p型Ga1-z’Alz’Asクラッド層7(z ≦ z′)、n型GaAs 電流阻止層8を含む半導体レーザ装置の、ストライプに垂直な断面が図示されている。
　
【3】対比・判断
　本願発明と引用例1に記載された発明(以下、「引用発明」という。)とを比較する。ここで、本願発明における「ストライプ形状が逆メサ形状」なる技術事項は、本願明細書の発明の詳細な説明の段落【0032】を参酌すると、願書に添付された図2の電流阻止層27の断面形状を意味していると認められる。一方、引用発明においては、第3図から明らかなように、メサ形状のp型Ga1-z’Alz’Asクラッド層7上にn型GaAs 電流阻止層8を形成したものであるから、n型GaAs 電流阻止層8のクラッド層7に接する面は、クラッド層7のメサ形状の相補的形状、すなわち本願発明の電流阻止層27の断面形状と同じである。
　また、引用発明の第6図(b)又は第7図(b)にプロファイルとして示される屈折率は、第3図の「o」で示された位置から、直交する矢印のうち横方向の矢印(yL-yR)に沿って屈折率の変化(分布)を示したものであり、第3図の層3,4,7,8の構成によって定まる等価屈折率の変化(分布)を示したものと解せられる。仮に、第6図(b)又は第7図(b)の屈折率が等価屈折率でなく、矢印(yL-yR)上のバルクの屈折率だとすれば、第3図等から明らかなとおり、矢印(yL-yR)に沿う組成は、P型Ga1-zAlzAs[クラッド層4]とp型Ga1-z’Alz’As (z ≦ z′)[クラッド層7]との2つしかなく第6図(b)又は第7図(b)のように変化するはずがない。
　そして、図3の断面構造と第6図(b)又は第7図(b)のプロファイルとを比較対照すると、一対のn型GaAs 電流阻止層8で形成されるストライプの境界が、第6図(b)又は第7図(b)のプロファイルの両端の一定の等価屈折率となるように立ち上がる位置に対応することは当業者に明らかである。
　また、本願発明において「実屈折率導波させる」とは、電流阻止層として光吸収層を用いることなく屈折率の分布により光を閉じ込めて導波することを意味するものと認められる。ここで、引用発明の半導体レーザ装置は、電流阻止層として光吸収性であるとは記載されておらず断面内において屈折率分布を持たせて光を閉じ込めていることは明らかであるから実屈折率導波させるものである。
　してみると、引用発明における、以下の技術事項A〜Gは、本願発明の技術事項a〜gに相当する。
　
A:「電流狭窄用ストライプ構造」、
B:半導体レーザ装置の第3図における、一対のn型GaAs 電流阻止層8ではさまれ、狭窄された電流が通過する領域、
C:第6図(b)又は第7図(b)にプロファイルとして示される屈折率、
D:第6図(b)又は第7図(b)のプロファイル中央の屈折率、
E:第6図(b)又は第7図(b)のプロファイル中の、中央から離れたほぼ一定値を示す屈折率、
F:第6図(b)又は第7図(b)のプロファイル中の、中央から離れたほぼ一定値を示す屈折率から図の中央側に隣接する、最小の値を示す屈折率、及び
G:半導体レーザ装置の第3図における、一対のn型GaAs 電流阻止層8の形状
　
a:「電流狭窄機能として」の「内部ストライプ構造」、
b:「ストライプ」、
c:「等価屈折率」、
d:「ストライプ内の中央部の等価屈折率n1」、
e:「ストライプ内の両脇部の等価屈折率n2」、
f:「ストライプ外部の等価屈折率n3」、及び
g:「ストライプ形状」
　
　よって、両者は、「電流狭窄機能として内部ストライプ構造を備えた半導体レーザ装置において、ストライプ内に等価屈折率の異なる複数の領域を有し、そのうち、ストライプ内の中央部の等価屈折率n1と、ストライプ内の両脇部の等価屈折率n2との関係が、中央部、両脇部の順に大きく(n1＞n2)、ストライプ内の両脇部の等価屈折率n2と、ストライプ外部の等価屈折率n3の関係が、ストライプ外部、ストライプ内部両脇部の順に大きく(n3＞n2)、ストライプ形状が逆メサ形状である半導体レーザ装置。」を発明の構成とする点で一致する。
　そして、本願発明と引用発明とは、本願発明は、ストライプ内の中央部の領域の幅が光を実屈折率導波させるほど十分に狭いと規定しているのに対して、引用発明は、そのような技術事項を直接規定していない点で相違する。
　
　そこで上記相違点について検討するに、「実屈折率導波させる」とは、本願明細書の発明の詳細な説明の段落【0020】の記載からみて、電流阻止層として光吸収層を用いることなく屈折率の分布により光を閉じ込めて導波することを意味するものである。しかし、電流阻止層を用いた屈折率導波型レーザすなわち屈折率ガイド効果によるレーザにおいて、電流阻止層として、発振した光を吸収しない材料を用いるものは、原審の拒絶理由で引用した特開昭62-281389号公報、特開昭63-136586号公報等において周知である。そして、引用発明の半導体レーザ装置の電流阻止層を光吸収性でないものとして屈折率導波型レーザすなわち実屈折率導波させることに格別の困難性は認められない。したがって、引用発明の半導体レーザ装置を実屈折率導波させるものとすることは、当業者が容易に想到できた事項である。
　なお、引用発明において、ストライプの幅は第1図のn型GaAs基板の幅5μmの化学エッチングされた幅に対応し、中央部の屈折率の大きい部分を形成する第3図のクラッド層4の凸部は、第1図の3μmの幅のストライプ状のフォトレジスト5を用いてエッチングにより形成しているから、このクラッド層4の凸部の幅はストライプの幅約5μmに対して約3μm程度と推測され、第6図(b)又は第7図(b)の屈折率のプロファイル中央の屈折率の値を呈するyL-yR方向の幅は、複数の層の構成により定まる等価屈折率であるため前記凸部の幅と一致するとは断定できないが少なくともストライプの幅5μm以下であることは明らかであり、引用発明においてもストライプ内の中央部の領域の幅は狭くされているといえる。しかも、引用発明において屈折率分布による光の閉じ込めと単一横モード発振が実現され、前記周知の技術事項により実屈折率導波が達成されるのであるから、ストライプ内の中央部の領域の幅を狭くすること自体に格別の技術的意義を見いだすことはできず、「十分に」狭いとする点は単なる表現上の差異といわざるをえない。
　従って、本願発明は引用発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明できたものと認められる。
　
【4】むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項1に係る発明は特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないものであり、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。