(57)【要約】【課題】電極間に大きな電界を発生させ、液晶層中の不純物を効率的にトラップすることが可能な液晶装置を提供する。【解決手段】液晶層５０を挟持して対向配置された第１基板１０及び第２基板２０と、液晶層５０の周囲を囲み、第１基板１０と第２基板２０とを貼り合わせるシール材５１と、シール材５１に囲まれた領域に設けられた画素領域１Ｃと、画素領域１Ｃとシール材５１との間に配置されたトラップ部６０と、を備えている。トラップ部６０は、第１基板１０に形成された第１電極６１と、第１電極６１の液晶層側において平面視した状態で第１電極６１の一部が露出されるように第１電極６１と重畳して形成された第２電極６２と、第１電極６１と第２電極６２との間に形成された絶縁膜１２と、を有しており、第１電極６１と第２電極６２との間に発生する電界によって液晶層５０中の不純物をトラップする。【選択図】図１
2012203235.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板と対向配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、
前記液晶層の周囲を囲み、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せるシール材と、
前記シール材に囲まれた領域に設けられ複数の画素を有する画素領域と、
前記画素領域と前記シール材との間に配置されたトラップ部と、を備え、
前記トラップ部は、前記第１基板に形成された第１電極と、前記第１電極の前記液晶層側において平面視した状態で前記第１電極の一部が露出されるように前記第１電極と重畳して形成された第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成された絶縁膜と、を有しており、前記第１電極と前記第２電極との間に発生する電界によって前記液晶層中の不純物をトラップする液晶装置。
【請求項２】
前記画素の駆動方式は、ＦＦＳ（Frings Field. Switching）方式以外の駆動方式である請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記トラップ部は、前記画素領域を囲むように配置されている請求項１又は２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記トラップ部は、前記画素領域の外周に沿って閉じた枠状に形成されている請求項３に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記トラップ部は、前記画素領域の外周に沿って複数に分割して形成されている請求項３に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記シール材は、第１シール領域と、前記第１シール領域よりも不純物が溶出或いは集積し易い第２シール領域と、を含み、
前記トラップ部は、前記第１シール領域と対向する位置に設けられた第１トラップ部と、前記第２シール領域と対向する位置に設けられ、前記第１トラップ部よりも不純物をトラップする能力の高い第２トラップ部と、を含む請求項３〜５のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項７】
前記画素領域の外周に沿う方向と直交する方向における前記第１電極の幅をトラップ部の幅とすると、前記第２トラップ部の幅は前記第１トラップ部の幅よりも大きい請求項６に記載の液晶装置。
【請求項８】
前記第１電極と対向する前記第２電極の縁の長さを界面距離とし、前記画素領域の外周に沿う方向における単位長さ当たりの界面距離を単位界面距離とすると、前記第２トラップ部における単位界面距離は前記第１トラップ部における単位界面距離よりも大きい請求項６に記載の液晶装置。
【請求項９】
前記第２トラップ部では、１本の前記第１電極に対して複数本の前記第２電極が対向配置されている請求項８に記載の液晶装置。
【請求項１０】
前記第２トラップ部では、１本の前記第１電極に対して１本の前記第２電極が蛇行して対向配置されている請求項８に記載の液晶装置。
【請求項１１】
前記第２トラップ部では、前記第２電極が、矩形枠状の枠体部と該枠体部に接続された複数の階段部とを有する梯子状に形成されている請求項８に記載の液晶装置。
【請求項１２】
前記第２トラップ部では、前記第２電極が、ストライプ状の本線部と該本線部から分岐した複数の分岐部とを備えた形状に形成されている請求項８に記載の液晶装置。
【請求項１３】
前記第２トラップ部では、前記第２電極が、複数の環状部と該複数の環状部を接続する接続部とを備えた形状に形成されている請求項８に記載の液晶装置。
【請求項１４】
前記第２トラップ部の前記絶縁膜の厚みは、前記第１トラップ部の前記絶縁膜の厚みよりも小さい請求項６に記載の液晶装置。
【請求項１５】
前記第２トラップ部の前記絶縁膜の誘電率は、前記第１トラップ部の前記絶縁膜の誘電率よりも大きい請求項６に記載の液晶装置。
【請求項１６】
前記第１基板には、前記画素毎に設けられた画素電極と、前記画素電極と接続された配線と、が設けられ、前記画素電極と前記配線とが前記絶縁膜によって絶縁されている請求項１〜１５のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項１７】
前記第１基板には、前記画素毎に設けられた画素電極と、前記画素電極を覆う前記絶縁膜と、前記絶縁膜を覆う配向膜と、が設けられている請求項１〜１５のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項１８】
請求項１〜１７のいずれか１項に記載の液晶装置を備えている電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
封止部材から溶出する不純物が画素領域内に侵入しないように、液晶層の内部に電界をかけて液晶層中の不純物をトラップするトラップ部を備えた液晶装置として、特許文献１ないし６に記載の液晶装置が知られている。特許文献１ないし４の液晶装置は、液晶層を挟持する一対の基板の内面側に一対の電極を形成し、一対の電極の間に発生する液晶層厚方向の電界（縦電界）によって液晶層中の不純物をトラップするものである。特許文献５および６の液晶装置は、液晶層を挟持する一対の基板のうちの一方の基板上に一対の電極を並べて形成し、一対の電極間に発生する液晶層厚方向と直交する方向の電界（横電界）によって、液晶層中の不純物をトラップするものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平５−３２３３３６号公報
【特許文献２】特開２０００−２２１５２１号公報
【特許文献３】特開平８−２０１８３０号公報
【特許文献４】特開平１０−１２３５２６号公報
【特許文献５】特開２００８−５８４９７号公報
【特許文献６】特開２００８−８９９３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
液晶層中の不純物を効率よくトラップするためには、電極間に大きな電界を発生させる必要がある。しかし、特許文献１ないし４の液晶装置では、一対の電極が数μｍもの厚みを有する液晶層を挟んで対向配置されるため、電極間の距離が大きくなり、電極間に大きな電界を発生させることができない。特許文献５および６の液晶装置では、第１電極と第２電極とをフォトプロセスを用いて同一導電膜からパターニングしているが、ｉ線を使った通常のフォトプロセスの能力では、５００ｎｍ程度の精度でしかパターンを微細化することができないため、電極間距離を十分に短くすることができない。
【０００５】
本発明の目的は、電極間に大きな電界を発生させ、液晶層中の不純物を効率的にトラップすることが可能な液晶装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の液晶装置は、第１基板と、前記第１基板と対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に挟持された液晶層と、前記液晶層の周囲を囲み、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合せるシール材と、前記シール材に囲まれた領域に設けられ複数の画素を有する画素領域と、前記画素領域と前記シール材との間に配置されたトラップ部と、を備え、前記トラップ部は、前記第１基板に形成された第１電極と、前記第１電極の前記液晶層側において平面視した状態で前記第１電極の一部が露出されるように前記第１電極と重畳して形成された第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に形成された絶縁膜と、を有しており、前記第１電極と前記第２電極との間に発生する電界によって前記液晶層中の不純物をトラップする。
【０００７】
この構成によれば、第１電極と第２電極との間の距離が、両者を絶縁する絶縁膜の厚みによって制御される。通常の半導体プロセスでは、絶縁膜の厚みは１００ｎｍ程度まで薄くすることが容易にできるため、液晶層を挟んで第１電極と第２電極とを離間させる場合や、第１電極と第２電極とを横方向に並べて形成する場合に比べて、第１電極と第２電極との間の距離を短くすることができる。よって、第１電極と第２電極との間に大きな電界を発生させることができ、液晶層中の不純物を効率的にトラップすることが可能となる。
【０００８】
前記画素の駆動方式は、ＦＦＳ（Frings Field. Switching）方式以外の駆動方式であってもよい。
【０００９】
ＦＦＳ方式は、画素電極と共通電極とを絶縁膜を介して同一基板上に積層し、画素電極と共通電極との間に発生する電界によって液晶層の配向を制御するものである。この構造は、トラップ部の構造と同じであるため、不純物をトラップしやすく、焼きつきが生じやすい。そのため、画素の駆動方式をＦＦＳ方式以外の方式とすることにより、焼きつきの生じにくい液晶装置とすることができる。
【００１０】
前記トラップ部は、前記画素領域を囲むように配置されていてもよい。
【００１１】
この構成によれば、画素領域に向けて様々な方向から侵入する不純物を効率的にトラップすることができる。
【００１２】
ここで、「トラップ部が画素領域を囲むように配置されている」とは、トラップ部が画素領域の外周に沿って閉じた枠状に形成されている構成だけでなく、トラップ部が画素領域の外周に沿って複数に分割して形成されている構成も含む概念である。
【００１３】
トラップ部を画素領域の外周に沿って閉じた枠状に形成した場合には、画素領域に向けて侵入する不純物を漏れなくトラップすることができる。トラップ部が複数に分割されている場合には、分割されたトラップ部の隙間から画素領域に向けて不純物が侵入する惧れがあるが、隙間の間隔を狭くすれば、分割していない場合と同様に高いトラップ能力（不純物をトラップする能力）を発揮することができる。トラップ部を閉じた枠状に形成した場合には、第１電極と第２電極の長さが長くなるので、途中で電圧降下が生じ、不純物のトラップ能力に偏りが生じる惧れがあるが、トラップ部を複数に分割した場合には、そのような問題が生じにくいので、トラップ部全体で概ね均一なトラップ能力を発揮することができる。
【００１４】
前記シール材は、第１シール領域と、前記第１シール領域よりも不純物が溶出或いは集積し易い第２シール領域と、を含み、前記トラップ部は、前記第１シール領域と対向する位置に設けられた第１トラップ部と、前記第２シール領域と対向する位置に設けられ、前記第１トラップ部よりも不純物をトラップする能力の高い第２トラップ部と、を含んでいてもよい。
【００１５】
不純物の溶出或いは集積し易さに応じてトラップ能力を領域毎に異ならせることで、画素領域への不純物の侵入をよりよく防止することができる。
【００１６】
不純物のトラップ能力を高める方法としては、次の方法がある。
【００１７】
第１の方法は、前記画素領域の外周に沿う方向と直交する方向における前記第１電極の幅をトラップ部の幅としたときに、前記第２トラップ部の幅を前記第１トラップ部の幅よりも大きくする方法である。この方法では、第２トラップ部の幅を大きくしているため、第２トラップ部において不純物が広い範囲でトラップされ、不純物のトラップ能力が高くなる。
【００１８】
第２の方法は、前記第１電極と対向する前記第２電極の縁の長さを界面距離とし、画素領域の外周に沿う方向における単位長さ当たりの界面距離を単位界面距離としたときに、前記第２トラップ部における単位界面距離を前記第１トラップ部における単位界面距離よりも大きくする方法である。この方法では、第２トラップ部の単位界面距離を大きくしているため、第２トラップ部の電界の密度が大きくなり、不純物のトラップ能力が高くなる。
【００１９】
単位界面距離を大きくする方法としては、例えば、（１）１本の第１電極に対して複数本の第２電極を対向配置する方法や、（２）１本の第１電極に対して１本の第２電極を蛇行して対向配置する方法や、（３）第２電極を矩形枠状の枠体部と該枠体部に接続された複数の階段部とを有する梯子状に形成する方法や、（４）第２電極をストライプ状の本線部と該本線部から分岐した複数の分岐部とを備えた形状に形成する方法や、（５）第２電極を複数の環状部と該複数の環状部を接続する接続部とを備えた形状に形成する方法などがある。
【００２０】
第３の方法は、前記第２トラップ部の前記絶縁膜の厚みを前記第１トラップ部の前記絶縁膜の厚みよりも小さくする方法である。この方法では、第２トラップ部の電極間距離が小さくなるので、第２トラップ部において大きな電界が発生し、不純物のトラップ能力が高くなる。
【００２１】
第４の方法は、前記第２トラップ部の前記絶縁膜の誘電率を前記第１トラップ部の前記絶縁膜の誘電率よりも大きくする方法である。この方法では、第２トラップ部の絶縁膜の誘電率を大きくしているので、第２トラップ部の電界の密度が大きくなり、不純物のトラップ能力が高くなる。
【００２２】
前記第１基板には、前記画素毎に設けられた画素電極と、前記画素電極と接続された配線と、が設けられ、前記画素電極と前記配線とが前記絶縁膜によって絶縁されていてもよい。
【００２３】
この構成によれば、画素電極と配線とを絶縁する絶縁膜と、第１電極と第２電極とを絶縁する絶縁膜とが共通化されているため、これらを別々に形成する場合に比べて構成が簡単になる。
【００２４】
前記第１基板には、前記画素毎に設けられた画素電極と、前記画素電極を覆う前記絶縁膜と、前記絶縁膜を覆う配向膜と、が設けられていてもよい。
【００２５】
この構成によれば、画素電極を保護するパッシベーション膜と、第１電極と第２電極とを絶縁する絶縁膜とが共通化されているため、これらを別々に形成する場合に比べて構成が簡単になる。また、トラップ部が配向膜を挟んで液晶層と近い位置に配置されるため、トラップ部で発生した電界が液晶層に作用し易い。さらに、画素電極を保護するパッシベーション膜は、画素電極と液晶層との間に大きな寄生容量が発生しないように、数百ｎｍ程度の薄い膜として形成される。そのため、このような薄い膜を第１電極と第２電極との間の絶縁膜として利用すれば、第１電極と第２電極との間の距離が小さくなり、不純物のトラップ能力が高くなる。
【００２６】
本発明の電子機器は、本発明の液晶装置を備えている。
【００２７】
この構成によれば、液晶層中の不純物を効率的にトラップすることができ、焼きつきの生じにくい表示品位に優れた電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】第１実施形態の液晶装置の平面図及び部分断面図である。
【図２】第２実施形態の液晶装置の部分断面図である。
【図３】第３実施形態の液晶装置の平面図である。
【図４】第４実施形態の液晶装置に備えられる封止剤近傍のトラップ部の構成を示す拡大平面図である。
【図５】第５実施形態の液晶装置に備えられる封止剤近傍のトラップ部の構成を示す拡大平面図である。
【図６】トラップ部のバリエーションを示す平面図である。
【図７】第６実施形態の液晶装置に備えられるシール材の角部近傍のトラップ部の構成を示す拡大平面図である。
【図８】第７実施形態の液晶装置に備えられるシール材の角部近傍のトラップ部の構成を示す拡大平面図である。
【図９】第８実施形態の液晶装置に備えられるシール材の角部近傍のトラップ部の構成を示す拡大平面図である。
【図１０】第９実施形態の液晶装置に備えられるシール材の角部近傍のトラップ部の構成を示す拡大平面図である。
【図１１】電子機器の一例であるプロジェクターの概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
［第１実施形態］
図１（ａ）は、第１実施形態の液晶装置１の平面図であり、図１（ｂ）は、液晶装置１に備えられたトラップ部近傍の断面図である。
【００３０】
液晶装置１は、ＴＦＴアレイ基板（第１基板）１０と、ＴＦＴアレイ基板１０と対向配置された対向基板（第２基板）２０と、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に挟持された液晶層５０と、液晶層５０の周囲を囲み且つ一部に液晶注入口５１ａが形成された矩形枠状のシール材５１と、液晶注入口５１ａを封止する封止剤５２と、を備えている。
【００３１】
ＴＦＴアレイ基板１０は、対向基板２０よりも大きな面積を有する基板である。ＴＦＴアレイ基板１０は、対向基板２０の一端部よりも外側に張り出す張り出し部１０ａを備えている。張り出し部１０ａには、複数の外部回路接続端子１２２が形成された端子部が設けられている。ＴＦＴアレイ基板１０上には、シール材５１とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板２０が対向配置されており、シール材５１によりＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０とが貼り合わされている。
【００３２】
シール材５１は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との対向領域の周縁部に沿って設けられている。液晶注入口５１ａは、シール材５１の４つの辺のうち張り出し部１０ａに面する辺に設けられている。封止剤５２は、対向基板２０の端面に沿って、張り出し部１０ａの液晶注入口５１ａ近傍の位置に塗布されている。封止剤５２の一部は、毛細管現象により、液晶注入口５１ａからＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との隙間に侵入している。封止剤５２は、シール材５１とともに、液晶層５０の周囲を囲んで液晶層５０をＴＦＴアレイ基板１０と対向基板２０との間に封止する封止部材５３を構成する。
【００３３】
封止部材５３に囲まれた領域の中央部には、複数の画素ＰＸ１及び画素ＰＸ２がマトリクス状に配置されてなる矩形の画素領域１Ｃが設けられている。封止部材５３に囲まれた領域で且つ画素領域１Ｃの外側の領域は、画素が形成されていない非画素領域１Ｂである。封止部材５３の外側の領域には、データ線駆動回路や走査線駆動回路が設けられているが、図１では、それらの図示は省略している。
【００３４】
画素領域１Ｃは、画像表示に寄与する複数の画素ＰＸ１を備えた矩形の有効画素領域１Ａと、画像表示に寄与しない複数の画素ＰＸ２を備えた矩形枠状のダミー画素領域１Ｄと、に区画されている。ダミー画素領域１Ｄは、有効画素領域１Ａにおける基板表面の平坦化や駆動素子の電気的特性のばらつき低減などを目的とするものであり、有効画素領域１Ａの周囲に、有効画素領域１Ａの画素ＰＸ１と同一構成の画素ＰＸ２（ダミー画素）を１画素ないし１０画素分配置することにより形成されている。
【００３５】
画素領域１Ｃと封止部材５３との間には、液晶層５０の内部に電界を発生させて液晶層５０中の不純物をトラップするトラップ部６０が設けられている。トラップ部６０は、ＴＦＴアレイ基板１０の基板本体１０Ａ上に形成された第１電極６１と、第１電極６１の液晶層側において平面視した状態で第１電極６１の一部が露出されるように第１電極６１と重畳して形成された第２電極６２と、第１電極６１と第２電極６２との間に形成された絶縁膜１２と、を備えている。第２電極６２の幅は第１電極６１の幅よりも小さい。液晶装置１を対向基板２０側から見た平面視において、第１電極６１の縁は第２電極６２の縁よりも外側にはみ出している。トラップ部６０では、第１電極６１と第２電極６２との間に発生する液晶層厚方向と概ね直交する方向の電界によって液晶層５０中の不純物をトラップする。
【００３６】
なお、本明細書において、単に「第１電極の幅」「第２電極の幅」というときは、「第１電極」「第２電極」の、画素領域１Ｃの外周に沿う方向と直交する方向（画素領域１Ｃの各辺と直交する方向）の幅を意味するものとする。
【００３７】
トラップ部６０は、画素領域１Ｃを囲むように配置されている。図１では、画素領域１Ｃに向けて侵入する不純物を漏れなくトラップするために、トラップ部６０は、画素領域１Ｃの外周に沿って閉じた枠状に形成されている。第１電極６１は、画素領域１Ｃの外周に沿って矩形枠状に形成され、一部が引き出し線６３として、端子部の左端部に引き回されている。第２電極６２は、画素領域１Ｃの外周に沿って矩形枠状に形成され、一部が引き出し線６４として、端子部の右端部に引き回されている。
【００３８】
基板本体１０Ａは、ガラスや石英などの透明基材あるいはシリコンなどの不透明基材の上に、画素電極１３を駆動する図示略の駆動素子を形成したものである。基板本体１０Ａ上には、第１電極６１と、駆動素子と接続された配線１１と、が形成され、これらを覆って絶縁膜１２が形成され、絶縁膜１２上に、第２電極６２と画素電極１３とが形成され、第２電極６２と画素電極１３とを覆って配向膜１４が形成されている。絶縁膜１２は、第１電極６１と第２電極６２とを絶縁する絶縁膜と、画素電極１３と配線１１とを絶縁する絶縁膜とを兼ねる。
【００３９】
対向基板２０は、ガラスや石英などの透明基材上にブラックマトリクス（画素ＰＸ１及び画素ＰＸ２を区画する遮光膜）や周辺見切り（画素領域１Ｃの周囲を縁取る遮光膜）を形成してなる基板本体２０Ａを備え、基板本体２０Ａ上に、画素領域１Ｃの全面を覆う共通電極２１が形成され、共通電極２１を覆って配向膜２２が形成されている。
【００４０】
液晶層５０は、画素電極１３と共通電極２１との間に発生する液晶層厚方向の電界（縦電界）によって駆動される縦電界方式の液晶層である。縦電界方式としては、ＶＡ（Vertical Alignment）方式が代表的であるが、ＯＣＢ（Optically Compensated Birefringence）方式やＴＮ（Twisted Nematic）方式などの他の方式でもよい。
【００４１】
図１では、共通電極２１を対向基板２０側に設けて縦電界方式で液晶層５０を駆動しているが、共通電極２１をＴＦＴアレイ基板１０側に設けて、画素電極１３と共通電極との間に発生する液晶層厚と概ね直交する方向の電界（横電界）によって液晶層５０を駆動してもよい。このような駆動方式は、横電界方式と呼ばれる。横電界方式としては、ＩＰＳ（In-Plane Switching）方式やＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式が代表的であるが、ＦＦＳ方式は焼きつきが発生し易いため、ＩＰＳ方式などのＦＦＳ方式以外の駆動方式が好ましい。
【００４２】
上記構成の液晶装置１では、画像表示前、画像表示中、または画像表示後に、第１電極６１と第２電極６２との間に電圧を印加し、第１電極６１と第２電極６２との間に発生した電界を液晶層５０に作用させて液晶層５０中の不純物をトラップする。これにより、例えば、封止部材５３から溶出した不純物が画素領域１Ｃに侵入することを抑制し、焼きつきなどの表示不良の少ない液晶装置とすることができる。
【００４３】
ここで、液晶層５０中の不純物を効率よくトラップするためには、第１電極６１と第２電極６２との間の距離を短くし、第１電極６１と第２電極６２との間に大きな電界を発生させる必要がある。本実施形態の液晶装置１では、第１電極６１と第２電極６２との間の距離は、両者を絶縁する絶縁膜１２の厚みによって制御される。通常の半導体プロセスでは、絶縁膜１２の厚みは１００ｎｍ程度まで容易に薄くすることができるため、液晶層５０を挟んで第１電極６１と第２電極６２とを離間させる場合や、第１電極６１と第２電極６２とを横方向に並べて形成する場合に比べて、第１電極６１と第２電極６２との間の距離を短くすることができる。
【００４４】
例えば、第１電極６１と第２電極６２とを横方向に並べて形成する場合（第１電極と第２電極とをｉ線による通常のフォトプロセスを用いて同一導電膜からパターニングする場合）には、第１電極と第２電極との間の距離は、せいぜい５００ｎｍ程度までしか短くならないが、本実施形態の液晶装置１では、絶縁膜１２の厚みを通常の半導体プロセスを用いて４００ｎｍに制御している。そのため、本実施形態の液晶装置１によれば、第１電極６１と第２電極６２との間に大きな電界を発生させることができ、液晶層５０中の不純物を効率的にトラップすることが可能となる。
【００４５】
［第２実施形態］
図２は、第２実施形態の液晶装置２に備えられるトラップ部近傍の断面図である。図２において第１実施形態の液晶装置１と共通の構成要素については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００４６】
液晶装置２において第１実施形態の液晶装置１と異なる点は、トラップ部６０の第１電極６１が画素電極１３とともに絶縁膜１２上に形成され、第１電極６１と画素電極１３とを覆ってパッシベーション膜１５が形成され、パッシベーション膜１５上に第２電極６２が形成され、第２電極６２を覆って配向膜１４が形成されている点である。
【００４７】
パッシベーション膜１５は、画素電極１３を保護する保護膜である。パッシベーション膜１５は、画素電極１３と液晶層５０との間に大きな寄生容量が発生しないように、３００ｎｍ程度の薄い膜として形成される。そのため、このような薄い膜を第１電極６１と第２電極６２との間の絶縁膜として利用すれば、第１電極６１と第２電極６２との間の距離が小さくなり、不純物のトラップ能力が高くなる。
【００４８】
また、パッシベーション膜１５上に第２電極６２を形成すると、トラップ部６０が配向膜１４を挟んで液晶層５０と近い位置に配置されるため、トラップ部６０で発生した電界が液晶層５０に作用し易くなり、不純物のトラップが効率よく実施できる。さらに、パッシベーション膜１５と、第１電極６１と第２電極６２とを絶縁する絶縁膜とが共通化されているため、これらを別々に形成する場合に比べて構成が簡単になるという利点もある。
【００４９】
［第３実施形態］
図３は、第３実施形態の液晶装置３の平面図である。図３において、第１実施形態の液晶装置１と共通する構成要素については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００５０】
液晶装置３において第１実施形態の液晶装置１と異なる点は、トラップ部６０ａ，６０ｂが画素領域１Ｃの外周に沿って複数に分割して形成されている点である。トラップ部６０ａは画素領域１Ｃの左半分を囲むように逆コ字型に形成され、トラップ部６０ｂは画素領域１Ｃの右半分を囲むようにコ字型に形成されている。トラップ部６０ａとトラップ部６０ｂとは、画素領域１Ｃの中心を通る線に対して線対称な構成を備えている。
【００５１】
トラップ部６０ａの第１電極６１ａは、画素領域１Ｃの外周に沿って逆コ字型に形成され、一部が引き出し線６３ａとして、端子部の左端部に引き回されている。トラップ部６０ａの第２電極６２ａは、画素領域１Ｃの外周に沿って逆コ字型に形成され、一部が引き出し線６４ａとして、端子部の左端部に引き回されている。
【００５２】
トラップ部６０ｂの第１電極６１ｂは、画素領域１Ｃの外周に沿ってコ字型に形成され、一部が引き出し線６３ｂとして、端子部の右端部に引き回されている。トラップ部６０ｂの第２電極６２ｂは、画素領域１Ｃの外周に沿ってコ字型に形成され、一部が引き出し線６４ｂとして、端子部の右端部に引き回されている。
【００５３】
本実施形態の液晶装置３では、分割されたトラップ部６０ａ，６０ｂの隙間から画素領域１Ｃに向けて不純物が侵入する惧れがあるが、隙間の間隔を狭くすれば、分割していない場合と同様に高いトラップ能力（不純物をトラップする能力）を発揮することができる。第１実施形態の液晶装置１のようにトラップ部６０を閉じた枠状に形成した場合には、第１電極６１と第２電極６２の長さが長くなるので、途中で電圧降下が生じ、不純物のトラップ能力に偏りが生じる惧れがあるが、トラップ部６０ａ，６０ｂを複数に分割した場合には、そのような問題が生じにくいので、トラップ部６０ａ，６０ｂ全体で概ね均一なトラップ能力を発揮することができる。
【００５４】
なお、図３では、トラップ部を画素領域１Ｃの外周に沿って２分割した例を示したが、トラップ部を３分割以上の分割数で分割することもできる。その場合も、上述したのと同様の効果が得られる。
【００５５】
［第４実施形態］
図４は、第４実施形態の液晶装置４に備えられる封止剤５２近傍のトラップ部６９の構成を示す拡大平面図である。図４において第１実施形態の液晶装置１と共通の構成要素については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００５６】
液晶装置４において第１実施形態の液晶装置１と異なる点は、トラップ部６９を不純物のトラップ能力の異なる複数のトラップ部（第１トラップ部６７，第２トラップ部６８）によって構成し、シール材５１よりも不純物の溶出しやすい封止剤５２と対向する位置に、不純物のトラップ能力の高い第２トラップ部６８を配置した点である。液晶注入口５１ａ近傍のシール材５１（第２シール領域）は、液晶注入口５１ａから離れた部分のシール材５１（第１シール領域）よりも不純物が集積し易い。そのため、不純物の集積し易い領域にトラップの能力の高い第２トラップ部６８を設けている。
【００５７】
第２トラップ部６８では、第１トラップ部６７よりも不純物のトラップ能力を高めるために、次の方法をとっている。すなわち、第１電極６５ａ，第１電極６５ｂの幅を第１トラップ部６７，第２トラップ部６８の幅としたときに、第２トラップ部６８の幅を第１トラップ部６７の幅よりも大きくする方法である。この方法では、第２トラップ部６８の幅を大きくしているため、第２トラップ部６８において不純物が広い範囲でトラップされ、不純物のトラップ能力が高くなる。
【００５８】
なお、図４では、第２トラップ部６８の第１電極６５ｂの幅が第１トラップ部６７の第１電極６５ａの幅よりも大きく形成されたことに伴って、第２トラップ部６８の第２電極６６ｂの幅は第１トラップ部６７の第２電極６６ａの幅よりも大きく形成されている。
【００５９】
本実施形態の液晶装置４によれば、不純物の溶出し易さに応じてトラップ部６９のトラップ能力を領域毎に異ならせているため、画素領域１Ｃへの不純物の侵入をよりよく防止することができる。
【００６０】
［第５実施形態］
図５は、第５実施形態の液晶装置５に備えられる封止剤５２近傍のトラップ部７５の構成を示す拡大平面図である。図５において第１実施形態の液晶装置１と共通の構成要素については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００６１】
液晶装置５において第１実施形態の液晶装置１と異なる点は、トラップ部７５を不純物のトラップ能力の異なる複数のトラップ部（第１トラップ部７３，第２トラップ部７４）によって構成し、シール材５１よりも不純物の溶出しやすい封止剤５２と対向する位置に、不純物のトラップ能力の高い第２トラップ部７４を配置した点である。液晶注入口５１ａ近傍のシール材５１（第２シール領域）は、液晶注入口５１ａから離れた部分のシール材５１（第１シール領域）よりも不純物が集積し易い。そのため、不純物の集積し易い領域にトラップの能力の高い第２トラップ部７４を設けている。
【００６２】
第２トラップ部７４では、第１トラップ部７３よりも不純物のトラップ能力を高めるために、次の方法をとっている。すなわち、第１電極７１ａ，第１電極７１ｂと対向する第２電極７２ａ，第２電極７２ｂの縁の長さを界面距離とし、画素領域１Ｃの外周に沿う方向における単位長さ当たりの界面距離を単位界面距離としたときに、第２トラップ部７４における単位界面距離を第１トラップ部７３における単位界面距離よりも大きくする方法である。この方法では、第２トラップ部７４の単位界面距離を大きくしているため、第２トラップ部７４の電界の密度が大きくなり、不純物のトラップ能力が高くなる。
【００６３】
単位界面距離を大きくする方法としては、例えば図５のように、１本の第１電極７１ｂに対して複数本の細長い第２電極７２ｂを対向配置する方法が挙げられる。図５の例では、第２トラップ部７４における界面距離は、複数本分の第２電極７２ｂの界面距離の合計値として算出され、単位界面距離は、その合計値を画素領域１Ｃの外周に沿う方向の第１電極７１ｂの長さで除算して算出される。第１トラップ部７３における界面距離は、第２電極７２ａが１本であるので、１本分の第２電極７２ａの界面距離となり、単位界面距離は、その１本分の界面距離を画素領域１Ｃの外周に沿う方向の第１電極７１ａの長さで除算して算出される。
【００６４】
本実施形態の液晶装置５によれば、不純物の溶出し易さに応じてトラップ部７５のトラップ能力を領域毎に異ならせているため、画素領域１Ｃへの不純物の侵入をよりよく防止することができる。
【００６５】
［第５実施形態の変形例］
図６（ａ）ないし図６（ｆ）は、トラップ部のバリエーションを示す平面図である。図６（ａ）ないし図６（ｆ）において、第１電極の長さはいずれもＬである。
【００６６】
図６（ａ）は、１本の第１電極７６に対して一定幅の１本の第２電極７７を対向配置したトラップ部７８の平面図である。第１電極７６と第２電極７７の長さはいずれもＬである。よって、界面距離は２Ｌであり、単位界面距離は２である。
【００６７】
図６（ａ）は図５に示した第１トラップ部７３の構成と同じである。第２トラップ部では、第１トラップ部よりも単位界面密度を大きくしなければならないが、その構成例としては、図６（ｂ）ないし図６（ｆ）の構成例がある。
【００６８】
図６（ｂ）は、１本の第１電極７９に対して一定幅の複数本の第２電極８０を対向配置したトラップ部８１の平面図である。第１電極７９と第２電極８０の長さはいずれもＬである。よって、界面距離は４Ｌであり、単位界面距離は４である。
【００６９】
図６（ｃ）は、１本の第１電極８２に対して一定幅の１本の第２電極８３を蛇行して対向配置したトラップ部８４の平面図である。第１電極８２の長さはＬであり、第２電極８３の蛇行方向に沿った長さはＬよりも大きい。よって、界面距離は２Ｌよりも大きく、単位界面距離は２よりも大きい。
【００７０】
図６（ｄ）は、第２電極８６をストライプ状の本線部８６ａと該本線部８６ａから分岐した複数の分岐部８６ｂとを備えた形状に形成したトラップ部８７の平面図である。第１電極８５の長さはＬであり、第２電極８６の界面距離は２Ｌよりも大きい。よって、単位界面距離は２よりも大きい。
【００７１】
図６（ｅ）は、第２電極８９を矩形枠状の枠体部８９ａと該枠体部８９ａに接続された複数の階段部８９ｂとを有する梯子状に形成したトラップ部９０の平面図である。第１電極８８の長さはＬであり、第２電極８９の界面距離は２Ｌよりも大きい。よって、単位界面距離は２よりも大きい。
【００７２】
図６（ｆ）は、第２電極９２を複数の矩形の環状部９２ｂと該複数の環状部９２ｂを接続する接続部９２ａとを備えた形状に形成したトラップ部９３の平面図である。第１電極９１の長さはＬであり、第２電極９２の界面距離は２Ｌよりも大きい。よって、単位界面距離は２よりも大きい。
【００７３】
図６（ｂ）ないし図６（ｆ）の構成は一例である。これ以外にも単位界面距離を大きくする構成は種々考えられるが、全てを図示することはできないので、代表的なもののみを示している。第２電極の形状を種々変更することで、単位界面距離の大きさは比較的自由に変更することができる。
【００７４】
［第６実施形態］
図７は、第６実施形態の液晶装置６に備えられるシール材５１の角部近傍のトラップ部９８の構成を示す拡大平面図である。図７において第１実施形態の液晶装置１と共通の構成要素については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００７５】
液晶装置６において第１実施形態の液晶装置１と異なる点は、トラップ部９８を不純物のトラップ能力の異なる複数のトラップ部（第１トラップ部９６，第２トラップ部９７）によって構成し、シール材５１の直線部（角部以外の部分；第１封止領域）よりも不純物の溶出しやすいシール材５１の角部（第２封止領域）と対向する位置に、不純物のトラップ能力の高い第２トラップ部９７を配置した点である。
【００７６】
第２トラップ部９７では、第１トラップ部９６よりも不純物のトラップ能力を高めるために、次の方法をとっている。すなわち、第１電極９４ａ，第１電極９４ｂの幅を第１トラップ部９６，第２トラップ部９７の幅としたときに、第２トラップ部９７の幅を第１トラップ部９６の幅よりも大きくする方法である。この方法では、第２トラップ部９７の幅を大きくしているため、第２トラップ部９７において不純物が広い範囲でトラップされ、不純物のトラップ能力が高くなる。
【００７７】
なお、図７では、第２トラップ部９７の第１電極９４ｂの幅が第１トラップ部９６の第１電極９４ａの幅よりも大きく形成されたことに伴って、第２トラップ部９７の第２電極９５ｂの幅は第１トラップ部９６の第２電極９５ａの幅よりも大きく形成されている。
【００７８】
本実施形態の液晶装置６によれば、不純物の集積し易さに応じてトラップ部９８のトラップ能力を領域毎に異ならせているため、画素領域１Ｃへの不純物の侵入をよりよく防止することができる。
【００７９】
［第７実施形態］
図８は、第７実施形態の液晶装置７に備えられるシール材５１の角部近傍のトラップ部１０２の構成を示す拡大平面図である。図８において第１実施形態の液晶装置１と共通の構成要素については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００８０】
液晶装置７において第１実施形態の液晶装置１と異なる点は、トラップ部１０３を不純物のトラップ能力の異なる複数のトラップ部（第１トラップ部１０１，第２トラップ部１０２）によって構成し、シール材５１の直線部（角部以外の部分；第１封止領域）よりも不純物の溶出しやすいシール材５１の角部（第２封止領域）と対向する位置に、不純物のトラップ能力の高い第２トラップ部１０２を配置した点である。
【００８１】
第２トラップ部１０２では、第１トラップ部１０１よりも不純物のトラップ能力を高めるために、次の方法をとっている。すなわち、第１電極９９ａ，第１電極９９ｂと対向する第２電極１００ａ，第２電極１００ｂの縁の長さを界面距離とし、画素領域１Ｃの外周に沿う方向における単位長さ当たりの界面距離を単位界面距離としたときに、第２トラップ部１０２における単位界面距離を第１トラップ部１０１における単位界面距離よりも大きくする方法である。この方法では、第２トラップ部１０２の単位界面距離を大きくしているため、第２トラップ部１０２の電界の密度が大きくなり、不純物のトラップ能力が高くなる。
【００８２】
単位界面距離を大きくする方法としては、例えば図８のように、１本の第１電極９９ｂに対して複数本の細長い第２電極１００ｂを対向配置する方法が挙げられる。図８の例では、第２トラップ部１０２における界面距離は、複数本分の第２電極１００ｂの界面距離の合計値として算出され、単位界面距離は、その合計値を画素領域１Ｃの外周に沿う方向の第１電極９９ｂの長さで除算して算出される。第１トラップ部１０１における界面距離は、第２電極１００ａが１本であるので、１本分の第２電極１００ａの界面距離となり、単位界面距離は、その１本分の界面距離を画素領域１Ｃの外周に沿う方向の第１電極１００ａの長さで除算して算出される。
【００８３】
本実施形態の液晶装置７によれば、不純物の集積し易さに応じてトラップ部１０３のトラップ能力を領域毎に異ならせているため、画素領域１Ｃへの不純物の侵入をよりよく防止することができる。
【００８４】
本実施形態の液晶装置７では、第２トラップ部１０２の単位界面距離を大きくするために、１本の第１電極９９ｂに対して複数本の第２電極１００ｂを対向配置した。しかし、単位界面距離を大きくする方法は、これに限らず、図６（ｃ）ないし図６（ｆ）に示した方法を用いてもよい。
【００８５】
［第８実施形態］
図９（ａ）は、第８実施形態の液晶装置８に備えられるシール材５１の角部近傍のトラップ部１０６の構成を示す拡大平面図であり、図９（ｂ）は図９（ａ）のＡ−Ａ′線に沿う断面図である。図９において第１実施形態の液晶装置１と共通の構成要素については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００８６】
液晶装置８において第１実施形態の液晶装置１と異なる点は、トラップ部１０６を不純物のトラップ能力の異なる複数のトラップ部（第１トラップ部１０７，第２トラップ部１０８）によって構成し、シール材５１の直線部（角部以外の部分；第１封止領域）よりも不純物の集積しやすいシール材５１の角部（第２封止領域）と対向する位置に、不純物のトラップ能力の高い第２トラップ部１０８を配置した点である。
【００８７】
第２トラップ部１０８では、第１トラップ部１０７よりも不純物のトラップ能力を高めるために、第２トラップ部１０８の絶縁膜１０９ｂの厚みを第１トラップ部１０７の絶縁膜１０９ａの厚みよりも小さくしている。絶縁膜１０９の厚みを領域毎に異ならせる方法としては、エッチングやハーフ露光などの公知の方法を用いることができる。この方法では、第２トラップ部１０８における第１電極１０４と第２電極１０５との間の距離が小さくなるので、第２トラップ部１０８において大きな電界が発生し、不純物のトラップ能力が高くなる。
【００８８】
本実施形態の液晶装置８によれば、不純物の集積し易さに応じてトラップ部１０６のトラップ能力を領域毎に異ならせているため、画素領域１Ｃへの不純物の侵入をよりよく防止することができる。
【００８９】
［第９実施形態］
図１０（ａ）は、第９実施形態の液晶装置９に備えられるシール材５１の角部近傍のトラップ部１１２の構成を示す拡大平面図であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＢ−Ｂ′線に沿う断面図である。図１０において第１実施形態の液晶装置１と共通の構成要素については、同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
【００９０】
液晶装置９において第１実施形態の液晶装置１と異なる点は、トラップ部１１２を不純物のトラップ能力の異なる複数のトラップ部（第１トラップ部１１３，第２トラップ部１１４）によって構成し、シール材５１の直線部（角部以外の部分；第１封止領域）よりも不純物の溶出しやすいシール材５１の角部（第２封止領域）と対向する位置に、不純物のトラップ能力の高い第２トラップ部１１４を配置した点である。
【００９１】
第２トラップ部１１４では、第１トラップ部１１３よりも不純物のトラップ能力を高めるために、第２トラップ部１１４の絶縁膜１１５ｂの誘電率を第１トラップ部１１３の絶縁膜１１５ａの誘電率よりも大きくしている。絶縁膜１１５の誘電率を領域毎に異ならせる方法としては、例えば、絶縁膜１１５の材料を領域毎に異ならせる方法がとられる。図１０の例では、第１トラップ部１１３の絶縁膜１１５ａはＳｉＯｘで形成され、第２トラップ部１１４の絶縁膜１１５ｂはＳｉＮｘやＴａＯｘで形成されている。この方法では、第２トラップ部１１４の絶縁膜１１５ｂの誘電率を大きくしているので、第２トラップ部１１４の電界の密度が大きくなり、不純物のトラップ能力が高くなる。
【００９２】
本実施形態の液晶装置９によれば、不純物の集積し易さに応じてトラップ部１１２のトラップ能力を領域毎に異ならせているため、画素領域１Ｃへの不純物の侵入をよりよく防止することができる。
【００９３】
［電子機器］
図１１は、上記実施形態の液晶装置を備えた電子機器の一例を示す図である。図１１の電子機器は、上述した液晶装置を３個用意し、夫々ＲＧＢ用の液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇおよび９６２Ｂとして用いたプロジェクター１１００である。
【００９４】
プロジェクター１１００の光学系には、光源装置９２０と、均一照明光学系９２３が採用されている。プロジェクター１１００は、この均一照明光学系９２３から出射される光束Ｗを赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）に分離する色分離手段としての色分離光学系９２４と、各色光束Ｒ、Ｇ、Ｂを変調する変調手段としての３つのライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５Ｂと、変調された後の色光束を再合成する色合成手段としての色合成プリズム９１０と、合成された光束を投射面ＳＣＲの表面に拡大投射する投射手段としての投射レンズユニット９０６を備えている。また、青色光束Ｂを対応するライトバルブ９２５Ｂに導く導光系９２７をも備えている。
【００９５】
均一照明光学系９２３は、２つのレンズ板９２１、９２２と反射ミラー９３１を備えており、反射ミラー９３１を挟んで２つのレンズ板９２１、９２２が直交する状態に配置されている。均一照明光学系９２３の２つのレンズ板９２１、９２２は、それぞれマトリクス状に配置された複数の矩形レンズを備えている。光源装置９２０から出射された光束は、第１のレンズ板９２１の矩形レンズによって複数の部分光束に分割される。そして、これらの部分光束は、第２のレンズ板９２２の矩形レンズによって３つのライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５Ｂ付近で重畳される。したがって、均一照明光学系９２３を用いることにより、光源装置９２０が出射光束の断面内で不均一な照度分布を有している場合でも、３つのライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５Ｂを均一な照明光で照明することが可能となる。
【００９６】
各色分離光学系９２４は、青緑反射ダイクロイックミラー９４１と、緑反射ダイクロイックミラー９４２と、反射ミラー９４３から構成される。まず、青緑反射ダイクロイックミラー９４１において、光束Ｗに含まれている青色光束Ｂおよび緑色光束Ｇが直角に反射され、緑反射ダイクロイックミラー９４２の側に向かう。赤色光束Ｒはこのミラー９４１を通過して、後方の反射ミラー９４３で直角に反射されて、赤色光束Ｒの出射部９４４から色合成プリズム９１０の側に出射される。次に、緑反射ダイクロイックミラー９４２において、青緑反射ダイクロイックミラー９４１において反射された青色、緑色光束Ｂ、Ｇのうち、緑色光束Ｇのみが直角に反射されて、緑色光束Ｇの出射部９４５から色合成光学系の側に出射される。緑反射ダイクロイックミラー９４２を通過した青色光束Ｂは、青色光束Ｂの出射部９４６から導光系９２７の側に出射される。本例では、均一照明光学素子の光束Ｗの出射部から、色分離光学系９２４における各色光束の出射部９４４、９４５、９４６までの距離がほぼ等しくなるように設定されている。
【００９７】
色分離光学系９２４の赤色、緑色光束Ｒ、Ｇの出射部９４４、９４５の出射側には、それぞれ集光レンズ９５１、９５２が配置されている。したがって、各出射部から出射した赤色、緑色光束Ｒ、Ｇは、これらの集光レンズ９５１、９５２に入射して平行化される。このように平行化された赤色、緑色光束Ｒ、Ｇは、ライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇに入射して変調され、各色光に対応した画像情報が付加される。すなわち、これらの液晶装置は、図示しない駆動手段によって画像情報に応じてスイッチング制御されて、これにより、ここを通過する各色光の変調が行われる。一方、青色光束Ｂは、導光系９２７を介して対応するライトバルブ９２５Ｂに導かれ、ここにおいて、同様に画像情報に応じて変調が施される。なお、本例のライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５Ｂは、それぞれさらに入射側偏光手段９６０Ｒ、９６０Ｇ、９６０Ｂと、出射側偏光手段９６１Ｒ、９６１Ｇ、９６１Ｂと、これらの間に配置された液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２Ｂとからなる液晶ライトバルブである。
【００９８】
導光系９２７は、青色光束Ｂの出射部９４６の出射側に配置した集光レンズ９５４と、入射側反射ミラー９７１と、出射側反射ミラー９７２と、これらの反射ミラーの間に配置した中間レンズ９７３と、ライトバルブ９２５Ｂの手前側に配置した集光レンズ９５３とから構成されている。集光レンズ９５４から出射された青色光束Ｂは、導光系９２７を介して液晶装置９６２Ｂに導かれて変調される。各色光束の光路長、すなわち、光束Ｗの出射部から各液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２Ｂまでの距離は青色光束Ｂが最も長くなり、したがって、青色光束の光量損失が最も多くなる。しかし、導光系９２７を介在させることにより、光量損失を抑制することができる。各ライトバルブ９２５Ｒ、９２５Ｇ、９２５Ｂを通って変調された各色光束Ｒ、Ｇ、Ｂは、色合成プリズム９１０に入射され、ここで合成される。そして、この色合成プリズム９１０によって合成された光が投射レンズユニット９０６を介して所定の位置にある投射面ＳＣＲの表面に拡大投射されるようになっている。
【００９９】
プロジェクター１１００において、液晶装置９６２Ｒ、９６２Ｇ、９６２Ｂは、上述した実施形態の構成を備えたものである。そのため、液晶層中の不純物を効率的にトラップすることができ、焼きつきの生じにくい表示品位に優れたプロジェクター１１００となる。
【０１００】
なお、上記実施形態では、画素電極と共通電極をＩＴＯなどの透明導電膜で形成した透過型の液晶装置について説明した。しかし、画素電極を反射材料とした反射型の液晶装置に本発明を適用してもよく、この場合、プロジェクター１１００も反射型のプロジェクターとなる。
【符号の説明】
【０１０１】
１…液晶装置、１Ｃ…画素領域、２，３，４，５，６，７，８，９…液晶装置、１０…ＴＦＴアレイ基板（第１基板）、１１…配線、１２…絶縁膜、１３…画素電極、１４…配向膜、１５…パッシベーション膜、２０…対向基板（第２基板）、５０…液晶層、５１…シール材、６０，６０ａ，６０ｂ…トラップ部、６１，６１ａ，６１ｂ…第１電極、６２，６２ａ，６２ｂ…第２電極、６５ａ，６５ｂ…第１電極、６６ａ，６６ｂ…第２電極、６７…第１トラップ部、６８…第２トラップ部、６９…トラップ部、７１ａ，７１ｂ…第１電極、７２ａ，７２ｂ…第２電極、７３…第１トラップ部、７４…第２トラップ部、７５…トラップ部、７６…第１電極、７７…第２電極、７８…トラップ部、７９…第１電極、８０…第２電極、８１…トラップ部、８２…第１電極、８３…第２電極、８４…トラップ部、８５…第１電極、８６…第２電極、８６ａ…本線部、８６ｂ…分岐部、８７…トラップ部、８８…第１電極、８９…第２電極、８９ａ…枠体部、８９ｂ…階段部、９０…トラップ部、９１…第１電極、９２…第２電極、９２ａ…環状部、９２ｂ…接続部、９３…トラップ部、９４ａ，９４ｂ…第１電極、９５ａ，９５ｂ…第２電極、９６…第１トラップ部、９７…第２トラップ部、９８…トラップ部、９９ａ，９９ｂ…第１電極、１００ａ，１００ｂ…第２電極、１０１…第１トラップ部、１０２…第２トラップ部、１０３…トラップ部、１０４…第１電極、１０５…第２電極、１０６…トラップ部、１０７…第１トラップ部、１０８…第２トラップ部、１０９，１０９ａ，１０９ｂ…絶縁膜、１１０…第１電極、１１１…第２電極、１１２…トラップ部、１１３…第１トラップ部、１１４…第２トラップ部、１１５、１１５ａ，１１５ｂ…絶縁膜、１１００…プロジェクター（電子機器）、ＰＸ１，ＰＸ２…画素
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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