【事件の表示】
　平成１１年特許願第１９４０５３号「拡散障壁を備えた薄膜磁気抵抗（ＭＲ）スピン・バルブ読取りセンサおよび磁気ディスク・ドライブ」拒絶査定に対する審判事件〔平成１２年　２月１８日出願公開、特開２０００−　４８３２９、請求項の数（１０）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１　経緯・本願発明
　本願は、平成１１年　７月　８日（パリ条約による優先権主張　１９９８年　７月３１日　（ＵＳ）アメリカ合衆国）の出願であって、その請求項に係る発明は、特許請求の範囲の請求項に記載された事項により特定されるとおりの次のものであると認める。
「【請求項１】
　ピン止め層と、外部磁界によってその磁化が変化する自由層と、前記ピン止め層と前記自由層の間に配置されたスペーサ層を有する薄膜磁気抵抗スピン・バルブ読み取りセンサであって、
　前記スペーサ層と前記自由層の間に配置され、ＣｏＦｅＸからなり、ＸがＮｂ，Ｚｒ，Ｈｆからなる群より選ばれるアモルファス材料の拡散障壁層を有することを特徴とする薄膜磁気抵抗スピン・バルブ読み取りセンサ。
【請求項２】
　前記Ｘの元素が前記拡散障壁層の２％から１０％を構成する、請求項１に記載の薄膜磁気抵抗スピン・バルブ読み取りセンサ。
【請求項３】
　前記拡散障壁層が、９０％のＣｏ、５％のＦｅおよび５％のＸからなる請求項２に記載の薄膜磁気抵抗スピン・バルブ読み取りセンサ。
【請求項４】
　ピン止め層と、外部磁界によってその磁化が変化する自由層と、前記ピン止め層と前記自由層の間に配置されたスペーサ層を有する薄膜磁気抵抗スピン・バルブ読み取りセンサであって、
（ａ）前記スペーサ層と前記自由層の間に配置され、ＣｏＦｅＸからなり、ＸがＮｂ，Ｚｒ，Ｈｆからなる群より選ばれるアモルファス材料の第１の拡散障壁層と、
（ｂ）前記ピン止め層と前記スペーサ層の間に配置され、ＣｏＦｅＹからなり、ＹがＮｂ，Ｚｒ，Ｈｆからなる群より選ばれるアモルファス材料の第２の拡散障壁層と、
　を有することを特徴とする薄膜磁気抵抗スピン・バルブ読み取りセンサ。
【請求項５】
　前記ピン止め層と隣接した反強磁性体層をさらに含む、請求項１または４に記載の薄膜磁気抵抗スピン・バルブ読み取りセンサ。
【請求項６】
　前記Ｘの元素が前記第１の拡散障壁層の２％から１０％を構成し、前記Ｙの元素が前記第２の拡散障壁層の２％から１０％を構成する請求項４に記載の薄膜磁気抵抗スピン・バルブ読み取りセンサ。
【請求項７】
（ａ）少なくとも１つの回転磁気媒体と、
（ｂ）スライダと、
（ｃ）前記スライダを位置決めする位置決めコイルと、
（ｄ）前記位置決めコイルで前記スライダを移動させることによって、少なくとも１つの前記回転磁気媒体に対して位置決めできるように、前記スライダに取り付けられたヘッドであって、
　ピン止め層と、外部磁界によってその磁化が変化する自由層と、前記ピン止め層と前記自由層の間に配置されたスペーサ層と、前記スペーサ層と前記自由層の間に配置され、ＣｏＦｅＸからなり、ＸがＮｂ，Ｚｒ，Ｈｆからなる群より選ばれるアモルファス材料の拡散障壁層と、を含む薄膜磁気抵抗スピン・バルブ読み取りセンサ
を有するヘッドと、
　を含む磁気ディスク・ドライブ。
【請求項８】
　前記Ｘの元素が前記拡散障壁層の２％から１０％を構成する、請求項７に記載の磁気ディスク・ドライブ。
【請求項９】
　前記拡散障壁層が、９０％のＣｏ、５％のＦｅおよび５％のＸからなる請求項８に記載の磁気ディスク・ドライブ。
【請求項１０】
　前記スペーサ層が銅を含む請求項７〜９の何れか１つに記載の磁気ディスク・ドライブ。」
　
２　引用文献
特開平９−１９９７６８号公報(引用文献１)、
特開平５−２９１５６０号公報(引用文献２)
（ａ）引用文献１には、ＣｕＡｇ合金からなる非磁性層とＮｉを含む磁性層との間にＣｏからなる拡散防止層を設けることで、大きな磁気抵抗効果を保持しつつ、拡散を防止して耐熱性をあわせもつ磁気抵抗効果素子が記載されている。
（ｂ）また、引用文献２には、シリコン（Ｓｉ）半導体デバイスのＳｉ基板と基板上に形成される配線用金属との間に一部または全部がアモルファス部であるバリアメタルを設けることにより、バリアメタルの結晶粒界からＳｉおよび配線用金属が拡散してトランジスタ特性が劣化することを防ぐことが記載されている。
　
３　本願発明と引用文献との対比
（ａ）本願発明と引用文献１記載の発明とは、非磁性層と磁性層との間に拡散防止層を設ける点で一致している。
　本願発明は「前記スペーサ層と前記自由層の間に配置され、ＣｏＦｅＸからなり、ＸがＮｂ，Ｚｒ，Ｈｆからなる群より選ばれるアモルファス材料の拡散障壁層を有する」が、引用文献１はＣｏからなる拡散防止層４を設けている点で相違する。
（ｂ）　引用文献１に記載された技術においては、反強磁性層８に堆積された磁性層７は強磁性を示し、非磁性層５を介して堆積される磁性層３は常磁性を示すものである。そして、スピン・バルブ膜としての機能を考えると、磁性層３は外部磁場によって帯磁されやすいことが要求される。
　しかしながら、引用文献１に記載された発明においては、常磁性を示す磁性層３と非磁性層５との間に、Ｃｏのみからなる拡散防止層４を設けている。このＣｏは、強磁性を示す物質であり、このような強磁性を示すＣｏを磁性層３と非磁性層５との間に挟み込んで拡散防止層４とすることは、磁性層３の帯磁しやすさを維持するという点からは、好ましい形態でない。
　これに対して、ＣｏＦｅＸ（ＸはＮｂ，Ｚｒ，Ｈｆからなる群より選ばれる）のアモルファス材料が、耐腐食性が高く、拡散を防止するのに適しているだけでなく、「きわめて軟磁性」である。
　それゆえ、非磁性のスペーサ層３２２と外部磁界によってその磁化が変化する自由層３１８との間に上記構成の拡散障壁層３４８を配置したことにより、拡散障壁層３４８によって拡散を防止できるだけでなく、「自由層の帯磁しやすさを維持する」ことができるという明細書記載の顕著な効果を得ることができる（本願当初明細書段落番号【００２０】，【００２７】参照）。
　ところが、引用文献１には、拡散防止層の例としてＣｏ以外のものが何ら記載されていないばかりでなく、拡散防止層が軟磁性であることの必要性についてすら考慮されていない。したがって、引用文献１においてＣｏよりなる拡散防止層を「きわめて軟磁性」を示す物質より構成することは、容易に想到できたものとすることができない。
（ｃ）また、引用文献２に記載された発明は、シリコン（Ｓｉ）半導体デバイスのＳｉ基板と基板上に形成される配線用金属との間に設けるためのバリアメタルに関する技術である。半導体技術がチャンバー内で製作する点で同一の技術分野に属するスピンバルブセンサーの製造に適用できると認められるが、本願発明のように「きわめて軟磁性」である拡散障壁層なる概念は全く記載されておらず、また示唆もない。
（ｄ）このように、本願の請求項１に係る発明について、起因ないし契機（動機付け）となり得る記載が引用文献１および２の何れにもなく、請求項１に係る発明は引用文献１および２から容易に想到し得るものではない。
（ｅ）請求項４，７についても同様であり、請求項１，４，７を引用する従属形式の請求項２，３，５，６，８，９，１０についても、原査定の拒絶理由を検討してもその理由によって拒絶すべきものとすることはできない。
　
４　まとめ
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。