【事件の表示】
　平成　６年特許願第　　８４３０号「減衰型位相シフトマスクおよびその製造方法、ならびにその減衰型位相シフトマスクを用いて製造された半導体装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　７年　７月２１日出願公開、特開平　７−１８１６６９］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成６年１月２８日（優先権主張、平成５年２月１２日）の出願であって、平成１４年４月２２日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月５日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年６月２１日付で手続補正がなされたものである。
２．平成１４年６月２１日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　平成１４年６月２１日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）．補正の内容
　この補正は、請求項１を、次のとおりとすることを含むものである。
【請求項１】
　フォトマスク基板上の所定位置に形成された減衰型位相シフトパターンと、
　前記減衰型位相シフトパターンの周縁部の所定の位置に形成された透過部及び位相シフタ部を含む減衰型補助位相シフトパターンと、
を備え、
　前記減衰型補助位相シフトパターンは、露光装置の解像限界より小さいパターンを得るため、前記透過部を透過する光の被露光材上での光強度と、前記位相シフタ部を透過する光の被露光材上での光強度とが、重なり打ち消し合って、被露光材上での実質的な光強度が、前記透過部および前記位相シフタ部を透過する前の光強度に対して３％以下となるように、前記透過部の平面面積（ＳO ）と、前記位相シフタ部の平面面積（ＳH ）と、前記位相シフタ部の透過率（Ｔ）との３者の値が設定された、減衰型位相シフトマスク。
（２）先願明細書：特願平４−３２６４３３号（特開平６−１７５３４７号公報参照）
（３）　先願明細書の記載
　先願明細書の記載ａ
　【特許請求の範囲】の請求項１及び５には、「【請求項１】露光光に対して半透明な領域と、透明な領域を含み、上記透明な領域を通過する光に対し、半透明な領域を通過する光の位相差がおよそ１８０°となるようにした半透明位相シフト領域を含むホトマスク内に、半透明位相シフトパタンと透明パタンを投影露光光学系の解像限界以下の繰返しピッチで配列したパタンを有する事を特徴とするホトマスク。
【請求項５】投影面での光強度が、上記半透明位相シフト領域を通過した光の投影面での光強度に対し、半分以下の強度となるような領域が、ステップアンドリピート露光において被投影露光面で２重露光される領域に対応する部分を含むことを特徴とする請求項１乃至４記載のホトマスク。」と記載されている。
　先願明細書の記載ｂ
　【０００１】〜【０００５】段落には、「【産業上の利用分野】本発明は半導体装置などの製造に用いるホトマスク、特に照明光の位相を変える処理を施したホトマスクおよびそれを用いたパタン形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】マスクパタンを転写する露光装置の解像力を向上させる従来技術のひとつとして、特開平０４−１３６８５４に述べられているように、マスク内に半透明部と透明部を設け、上記半透明部を通過するわずかな光と、透明部を通過する光の位相を反転させるようにした半透明位相シフトマスクがある。この方法では、パタンを転写するレジストの感度以下の光を半透明膜から通過させ、この光と透過部を通過してきた光の位相が反転するようにして、パタンのコントラストを向上させている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術における半透明位相シフトマスクを用いたリソグラフィ工程では、通常の露光領域は良好なパタン形成が可能である。しかし、実際のウェーハの露光では、ステップアンドリピートによりマスクパタンを繰返し転写するため、実際の素子領域より外周の半透明領域から洩れた光は、隣の露光領域にはみ出し、良好なパタン形成の障害となることが問題となる。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記問題を解決するため、本発明では素子領域より外周の領域を実効的に遮光部として作用するようにした。特に、遮光部は遮光膜を新たに形成するのはマスク作成工程の増加につながるので、半透明膜を解像度以下のパタンに加工することにより形成した。特に半透明部と透明部の面積比率を最適化して暗部を形成した。
【０００５】
【作用】半透明位相シフトパタンと透明パタンを同じ寸法で解像度限界以下のピッチで配置するとパタンイメージは消えるが、一様の光強度は０にならない。これは、半透明位相シフト部を通過した光と透明部を通過した光の光量に差があるため、位相反転効果による光の打ち消し作用が効率良く行われないためである。半透明位相シフト部の設定透過率に応じて半透明位相シフト部の面積と透明部の面積の比率を調整することにより光強度を０にすることができる。このパタンを露光装置のステップアンドリピートで被露光面に２重露光される領域に配置することにより、ウェーハ上での二重露光が防止でき、目標通りの素子パタンを形成することができる。従って、本マスクは半透明位相シフト部と透明部だけで構成されるため、新たに遮光部形成用遮光膜を形成することが不要であり、マスク作成工程が簡略化される。」との記載がある。
　先願明細書の記載ｃ
　【０００６】段落には、「遮光部として作用する領域３の詳細を図２を用いて説明する。
図２（ａ）がパタンの平面形状である。半透明位相シフト部３内に透明パタン部５を形成した。透明パタン５の配列ピッチ６は用いる投影光学系の解像度特性に依存し決定される。配列ピッチＰは次式で表わされる Ｐ＝α・λ／ＮＡ （ただし、ＮＡは投影レンズの開口数、λは露光波長、αは係数）ここで係数αは実験により０．８以下にすることが望ましいが、照明系の特性やパタン形状等によって最適値はこれに限らない。透明パタン５の幅７が暗部形成に大きく影響する。図２（ｂ）に透明パタン５の幅７を変えたときにウェーハ上でえられる投影光光強度を示す。投影光光強度は、図２（ａ）のＡ−Ｂを通過した光強度を示している。透過パタン５のピッチは配列ピッチの式のα＝０．５７を用い決定し、０．４μｍとした。半透明位相シフト部の透過率９％、１６％、２５％の３種類について、透過パタン５の寸法を変えて投影光光強度の変化を調べた。
グラフの横軸は透過パタン寸法とした。透過パタンの寸法に依存し透過光光強度に極小値が存在し、この極小値は半透明位相シフト部の透過率に依存して変化することがわかる。」との記載がある。
　先願明細書の記載ｄ
　【０００７】段落には、「【発明の効果】本発明によれば、半透明位相シフト部と透過部を最適な寸法組合せで構成することにより、新たに遮光膜を形成しなくとも、実効的な暗部を形成することができ、マスク作成工程を増やすこと無く、実用上有用な半透明位相シフトマスクを作成することができる。また、本発明のマスクを用いて半導体素子を作成した結果、二重露光部での問題も無く、半透明位相シフトマスクの効果を十分に活かしたパタン形成ができ、素子面積の縮小化が実現できた。」との記載がある。
（４）対比・判断
　補正後の本件請求項１に係る発明と先願明細書に記載された発明とを対比する。
　上記先願明細書の記載ａを参照すると、先願明細書記載の発明は、補正後の本件請求項１に係る発明の「フォトマスク基板上の所定位置に形成された減衰型位相シフトパターンと、
　前記減衰型位相シフトパターンの周縁部の所定の位置に形成された透過部及び位相シフタ部を含む減衰型補助位相シフトパターン」の構成を備えている。
　また、上記先願明細書の記載ａ及びｂを参照すると、先願明細書記載の発明は、補正後の本件請求項１に係る発明の「減衰型補助位相シフトパターンは、露光装置の解像限界より小さいパターンを得るため、前記透過部を透過する光の被露光材上での光強度と、前記位相シフタ部を透過する光の被露光材上での光強度とが、重なり打ち消し合」う構成を備えている。
　さらに、上記先願明細書の記載ｂ、ｃ及びｄを参照すると、先願明細書記載の発明は、補正後の本件請求項１に係る発明の「減衰型補助位相シフトパターンは、露光装置の解像限界より小さいパターンを得るため、前記透過部を透過する光の被露光材上での光強度と、前記位相シフタ部を透過する光の被露光材上での光強度とが、重なり打ち消し合」うように「前記透過部の平面面積（ＳO ）と、前記位相シフタ部の平面面積（ＳH ）と、前記位相シフタ部の透過率（Ｔ）との３者の値が設定」する構成を備えている。
　従って、先願明細書記載の発明は、補正後の本件請求項１に係る発明の「被露光材上での実質的な光強度が、前記透過部および前記位相シフタ部を透過する前の光強度に対して３％以下となる」構成における「３％」なる数値が、明示的に記載されていない点を除き、補正後の本件請求項１に係る発明の構成を備えている。
　先願明細書には、「３％」なる数値が、明示的に記載されていない点について検討する。
　先願明細書記載の発明は、「半透明位相シフト部の設定透過率に応じて半透明位相シフト部の面積と透明部の面積の比率を調整することにより光強度を０にすることができる」（先願明細書の記載ｂ）ものであり、また、先願明細書の図２（ｂ）に図示されている。
　従って、先願明細書記載の発明は、補正後の本件請求項１に係る発明の「被露光材上での実質的な光強度が、前記透過部および前記位相シフタ部を透過する前の光強度に対して３％以下となる」構成を実質的に備えている。
　以上のとおりであるから、補正後の請求項１の発明は、先願明細書に記載された発明であると認められる。
　そして、補正後の請求項１に係る発明の発明者が先願明細書又は図面に記載された発明の発明者と同一であるとも、またこの出願の時において、その出願人が先願の出願人と同一であるとも認められないので、補正後の請求項１に係る発明は、特許法第２９条の２の規定により出願の際独立して特許を受けることができない。
（５）むすび
　したがって、この補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
３．本願発明について
　平成１４年６月２１日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明は、平成１２年５月２４日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「フォトマスク基板上の所定位置に形成された減衰型位相シフトパターンと、
　前記減衰型位相シフトパターンの周縁部の所定の位置に形成された透過部及び位相シフタ部を含む減衰型補助位相シフトパターンと、
を備え、
　前記減衰型補助位相シフトパターンは、露光装置の解像限界より小さいパターンを得るため、前記透過部を透過する光の被露光材上での光強度と、前記位相シフタ部を透過する光の被露光材上での光強度とが、重なり打ち消し合って、被露光材上での実質的な光強度が、前記透過部および前記位相シフタ部を透過する前の光強度に対して３％以下となるように、前記透過部の平面面積（ＳO ）と、前記位相シフタ部の平面面積（ＳH ）と、前記位相シフタ部の透過率（Ｔ）との３者の値が設定された、減衰型位相シフトマスク。」
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例、および、その記載事項は、前記２．（２）、（３）に記載したとおりである。
（２）対比・判断
　本願請求項１に係る発明は、前記２．で検討した補正後の請求項１に係る発明と同じであるから、前記２．（４）に記載した理由により、本願請求項１に係る発明は、先願明細書に記載された発明であると認められる。　
（３）むすび
　以上のとおり、本願請求項１に係る発明は、特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。