【事件の表示】
　特願２０１１−５１５３３０「コンパクトな光電子部品のパッケージの製造」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年１２月３０日国際公開、ＷＯ２００９／１５６３５４、平成２３年　９月２２日国内公表、特表２０１１−５２５７１５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成２１年６月２２日（パリ条約による優先権主張２００８年６月２７日、同年９月２３日。アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年１月２５日付けで手続補正がなされ、平成２４年８月１０日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月１４日付けで手続補正がなされ、平成２５年２月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月４日に拒絶査定不服審判請求がなされると同時に手続補正がなされ、同年１０月１日付けで拒絶理由が通知され、平成２６年１月８日付けで手続補正がなされ、その後、当審において同年６月９日付けで拒絶理由が通知されたものである。
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２６年１月８日付け手続補正後の明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載される事項によって特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明は次のものである。
　
「光電子部品のパッケージであって、
　ウエハの対向する面にある第１および第２の表面を含み、その高さが１００μｍ〜４００μｍである半導体ウエハと、
　前記第１の表面から前記第２の表面までウエハを貫通して延伸し、その内部表面上に金属被覆を有するビアと、
　前記第１の表面上にあり、前記光電子部品から熱を移動させる熱パッドと、
　前記ウエハの前記第１の表面上にあり、かつビアの金属被覆に電気的に接続される陽極および陰極接触パッドと、
　前記第２の表面上にあり、光電子部品が実装されているダイアタッチパッドと、
　前記ダイアタッチパッド上に実装された光電子部品と、
　前記ウエハの前記第２の表面上にあり、フリップチップボンディングによって前記光電子部品に電気的に接続され、前記ビアの金属被覆を介して前記第１の表面上にある前記陽極および陰極接触パッドと電気的に接続される陽極および陰極パッドと、
　前記ウエハの前記第２の表面上に実装され、かつ前記光電子部品からの光を前記パッケージから導き出すように配置される光学部品と、を含む光電子部品のパッケージ。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２　引用文献の記載事項
（１）引用文献１
　当審の拒絶の理由に引用した、本願の最先の優先日前の２００８年５月８日に電気通信回線を通じて公衆に利用可能となった国際公開第２００８／０５４６７０号（以下「引用文献１」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている（括弧書きで和訳を付した。）。
　
　ア　「[0001] This invention relates to semiconductor devices, and more particularly to semiconductor light emitting devices and related methods and packages.」
（［０００１］本発明は半導体デバイスに関し、特に、半導体発光デバイスならびに関連する方法およびパッケージに関する。）
　
　イ　「[0021] Figures 1A-E are cross-sectional views illustrating light emitting device packages with a thermally conductive layer according to some embodiments of the present invention.
[0022] Figures 2-3 are cross sectional views of light emitting device packages including lenses according to additional embodiments of the present invention.」
（［００２１］図１Ａ〜Ｅは、本発明のいくつかの実施形態による、熱伝導層を有する発光デバイスパッケージを示す断面図である。
［００２２］図２〜３は、本発明の追加の実施形態による、レンズを有する発光デバイスパッケージを示す断面図である。）
　
　ウ　「[0032] Referring to the embodiments of FIGS. 1A-E, 2, 3, 4A-C, and 5, each of substrates 100a-k (also referred to as submounts) may have respective upper surfaces 105a-k and lower surfaces 103a-k as shown. Each of the substrates 100a-k may include a printed circuit board (PCB) substrate, an aluminum block substrate, an alumina substrate, an aluminum nitride substrate, a sapphire substrate, and/or a silicon substrate, and/or any other suitable substrate material, …. 
[0033] As illustrated in FIGS. 1A-E, 2, 3, 4A-C, and 5, a patterned metal feature(s) may be formed on upper surfaces 105a-k of the respective substrates 100a- k. The patterned metal feature(s) may include a thermally conductive layer(s) 112a-k, …and/or electrodes 110a-k and/or 11 la-k. The conductive features on top surfaces 105a-k of substrate 100a-k may be formed, for example, using a plating process. …A plating process may also be used to form conductive metal vias through a substrate. …」
（［００３２］図１Ａ〜Ｅ、２、３、４Ａ〜Ｃおよび５の実施形態を参照すると、基板（サブマウントとも呼ぶ。）１００ａ〜ｋは、それぞれ、図示のように、それぞれ上面１０５ａ〜ｋおよび下面１０３ａ〜ｋを有することができる。基板１００ａ〜ｋは、それぞれ、プリント回路板（ＰＣＢ）基板、アルミニウムブロック基板、アルミナ基板、窒化アルミニウム基板、サファイア基板、および／またはシリコン基板、…など、他の適当な基板材料を含むことができる。…
［００３３］図１Ａ〜Ｅ、２、３、４Ａ〜Ｃおよび５に示されているように、各基板１００ａ〜ｋの上面１０５ａ〜ｋに、パターニングされた金属形体（１つまたは複数）を形成することができる。パターニングされた金属形体（１つまたは複数）は、熱伝導層（１つまたは複数）１１２ａ〜ｋ、…ならびに／あるいは電極１１０ａ〜ｋおよび／または１１１ａ〜ｋを含むことができる。基板１００ａ〜ｋの上面１０５ａ〜ｋ上の導電形体は、例えばめっき工程を使用して形成することができる。…めっき工程を使用して、基板を貫通する導電金属ビアを形成することもできる。…）
　
　エ　「[0036] One or more of the electrodes 110a-k and/or 111a-k may be formed on an upper surface 105a-k of the respective substrate 100a-k. In addition, one or more lower electrodes 110c'-g' and/or 111c'-g' may be formed on a lower surface 103c-g of the respective substrate 100c-g as shown in FIGS. 1C-E, 2, and 3. One or more conductive vias 122c-g may connect one or more of the lower electrodes 110c'-g' and/or 111c'-g' to various features on an upper surface 105c-g of the respective substrate 100c-g. For example, one of the conductive vias 122c-g and/or 122c'-g' may electrically connect electrodes 110c-g and/or 111c-g with respective lower electrodes 110c'-g'  and/or 111c/g'. …」
（［００３６］各基板１００ａ〜ｋの上面１０５ａ〜ｋ上に、１つまたは複数の電極１１０ａ〜ｋおよび／または１１１ａ〜ｋを形成することができる。さらに、図１Ｃ〜Ｅ、２および３に示されているように、各基板１００ｃ〜ｇの下面１０３ｃ〜ｇ上に、１つまたは複数の下電極１１０ｃ’〜ｇ’および／または１１１ｃ’〜ｇ’を形成することができる。１つまたは複数の導電ビア１２２ｃ〜ｇが、１つまたは複数の下電極１１０ｃ’〜ｇ’および／または１１１ｃ’〜ｇ’を、各基板１００ｃ〜ｇの上面１０５ｃ〜ｇ上の様々な形体に接続することができる。例えば、導電ビア１２２ｃ〜ｇおよび／または１２２ｃ’〜ｇ’のうちの１つが、電極１１０ｃ〜ｇおよび／または１１１ｃ〜ｇを、それぞれの下電極１１０ｃ’〜ｇ’および／または１１１ｃ’〜ｇ’に電気的に接続することができる。…）
　
　オ　「[0037] In some other embodiments of the present invention, some conductive features may include additional metals. For example, the thermally conductive layer(s) 112a-k may be plated and/or coated with additional metals and/or other materials to make the thermally conductive layer(s) 112a-k more suitable for mounting a respective LED chip 114a-k thereon. For example, the thermally conductive layer(s) 112a-k may be plated with additional layers such as, for example, additional adhesive, bonding, reflector, die attach pad and/or barrier layers (not shown). These layers can be in addition to the thermally conductive layer, and these additional layers may also be thermally conductive. … The LED(s) 114a-k and respective thermally conductive layer(s) 112a-k may be configured to provide coupling with vertical, planar, and/or flip-chip LEDs.」
（［００３７］本発明の他のいくつかの実施形態では、いくつかの導電形体が追加の金属を含んでもよい。例えば、熱伝導層（１つまたは複数）１１２ａ〜ｋを、それぞれのＬＥＤチップ１１４ａ〜ｋをその上に取り付けるのにより適当なものとするために、熱伝導層（１つまたは複数）１１２ａ〜ｋに対して、追加の金属および／または他の材料によるめっき及び／又はコーティングを施すことができる。例えば、熱伝導層（１つまたは複数）１１２ａ〜ｋを、例えば追加の接着層、接合層、反射層、ダイアタッチパッド層および／または障壁層（図示せず）などの追加の層でめっきすることができる。これらの層を熱伝導層に追加することができ、これらの追加の層も熱伝導性とすることができる。…ＬＥＤ（１つまたは複数）１１４ａ〜ｋおよびそれぞれの熱伝導層（１つまたは複数）１１２ａ〜ｋを、垂直、平面および／またはフリップチップＬＥＤとの結合を提供するように構成することができる。）
　
　カ　「[0047] The LED package of Figure 1D may include a thermally conductive layer 112d between the LED 114d and the substrate 100d, and the thermally conductive layer 112d may extend beyond edges of the LED 114d a distance greater than half a width of the LED 114d, and according to some embodiments of the present invention, a distance that is greater than a width of the LED 114d. Moreover, the LED may be a horizontal LED such that the electrodes (i.e., the cathode and anode) thereof are on a surface of the LED 114d opposite the substrate 100d. Wirebonds 128d and 128d' may provide electrical coupling between electrodes of the LED 114d and the electrodes 111d and 110d.
…
[0050] As further shown in Figure 1D, secondary electrodes 111d' and 110d' may be provided on the backside 103d of the substrate 100d, and the secondary electrodes 111d' and 110d' may be electrically coupled to the electrodes 111d and 110d on the frontside 105d of the substrate l00d through electrically conductive vias 122d and 122d'. The substrate 100d can thus be mounted on a printed circuit board with the secondary electrodes 111d' and 110d' providing electrical coupling to the printed circuit board.…」
（［００４７］図１ＤのＬＥＤパッケージは、ＬＥＤ１１４ｄと基板１００ｄとの間に熱伝導層１１２ｄを備えることができ、熱伝導層１１２ｄは、ＬＥＤ１１４ｄの縁から、ＬＥＤ１１４ｄの幅の半分を超える距離だけ延在することができ、本発明のいくつかの実施形態では、ＬＥＤ１１４ｄの幅を超える距離だけ延在することができる。さらに、このＬＥＤを、電極（すなわちカソードとアノード）が基板１００ｄとは反対側のＬＥＤ１１４ｄの表面にある水平ＬＥＤとすることができる。ワイヤボンド１２８ｄおよび１２８ｄ’が、ＬＥＤ１１４ｄの電極と電極１１１ｄおよび１１０ｄとの間の電気的結合を提供することができる。
…
［００５０］図１Ｄにさらに示されているように、基板１００ｄの裏面１０３ｄに２次電極１１１ｄ’および１１０ｄ’を設けることができ、導電ビア１２２ｄおよび１２２ｄ’を介して、２次電極１１１ｄ’および１１０ｄ’を、基板１００ｄの表面１０５ｄ上の電極１１１ｄおよび１１０ｄに電気的に結合することができる。したがって、２次電極１１１ｄ’および１１０ｄ’がプリント回路板への電気的結合を与える形で、プリント回路板上に基板１００ｄを取り付けることができる。…）
　
　キ　「[0054] Referring to Figure 2, according to some embodiments of the present invention, a metal and/or reflective cup (or ring) 212 may be provided around the LED 114f , and a pre-formed lens 210 may be secured within the reflective cup or ring 212 using an adhesive material 211. An electrically insulating material 213 may be provided between the ring 212 and the substrate 100f and/or other layers (such as electrodes 110f and/or 111f) on the substrate 100f. The first and second thermally conductive layers 112f and 113f may be thermally coupled using thermally conductive vias 201f that extend through the substrate 100f to the second thermally conductive layer 113f. As further illustrated in Figure 2, the integrated heat spreading system including the thermally conductive layers 112f and 113f and the thermally conductive vias 201f may be electrically isolated from electrodes of the LED 114f and/ or from electrodes 110f, 110f , 111f, and/or 111f . Electrodes of the LED 114f may be electrically coupled to the electrodes 110A（審決注：「110f」の誤りと認める。） and/or 111A（審決注：「111f」の誤りと認める。）by wirebonds 128f and 128f . …」
（［００５４］図２を参照する。本発明のいくつかの実施形態によれば、ＬＥＤ１１４ｆの周りに、金属および／または反射カップ（またはリング）２１２を設けることができ、反射カップまたはリング２１２の内側に、予め形成されたレンズ２１０を接着材２１１を使用して固定することができる。リング２１２と基板１００ｆとの間、および／またはリング２１２と基板１００ｆ上の（電極１１０ｆおよび／または１１１ｆなどの）他の層との間に、電気絶縁材料２１３を配置することができる。基板１００ｆを貫通して第２の熱伝導層１１３ｆまで延在する熱伝導ビア２０１ｆを使用して、第１の熱伝導層１１２ｆと第２の熱伝導層１１３ｆとを熱的に結合することができる。図２にさらに示されているように、熱伝導層１１２ｆおよび１１３ｆならびに熱伝導ビア２０１ｆを含む統合熱拡散システムを、ＬＥＤ１１４ｆの電極から、ならびに／あるいは電極１１０ｆ、１１０ｆ’、１１１ｆおよび／または１１１ｆ’から電気的に分離することができる。ＬＥＤ１１４ｆの電極は、ワイヤボンド１２８ｆおよび１２８ｆ’によって、電極１１０ｆおよび／または１１１ｆに電気的に結合することができる。…）
　
　よって、上記ア〜エ及びキの記載を総合すると、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「シリコン基板など適当な基板材料を含むことができる基板１００ｆの上面１０５ｆ上に、熱伝導層１１２ｆならびに電極１１０ｆおよび１１１ｆを含むパターニングされた金属形体を形成し、前記基板１００ｆの下面１０３ｆ上に、１つまたは複数の下電極１１０ｆ’および１１１ｆ’を形成し、導電ビア１２２ｆおよび１２２ｆ’が、電極１１０ｆおよび１１１ｆを、それぞれの下電極１１０ｆ’および１１１ｆ’に電気的に接続する発光デバイスパッケージであって、
　めっき工程を使用して、基板を貫通する導電金属ビアを形成することもでき、
　熱伝導層１１２ｆを、ＬＥＤチップ１１４ｆをその上に取り付けるのにより適当なものとするために、熱伝導層１１２ｆに対して、追加の金属および／または他の材料によるめっき及び／又はコーティングを施すことができ、
　ＬＥＤ１１４ｆの周りに、金属および／または反射カップ（またはリング）２１２を設けることができ、反射カップまたはリング２１２の内側に、予め形成されたレンズ２１０を接着材２１１を使用して固定することができ、
　基板１００ｆを貫通して第２の熱伝導層１１３ｆまで延在する熱伝導ビア２０１ｆを使用して、第１の熱伝導層１１２ｆと第２の熱伝導層１１３ｆとを熱的に結合することができ、熱伝導層１１２ｆおよび１１３ｆならびに熱伝導ビア２０１ｆを含む統合熱拡散システムを、ＬＥＤ１１４ｆの電極から、ならびに／あるいは電極１１０ｆ、１１０ｆ’、１１１ｆおよび／または１１１ｆ’から電気的に分離することができ、
　ＬＥＤ１１４ｆの電極は、ワイヤボンド１２８ｆおよび１２８ｆ’によって、電極１１０ｆおよび／または１１１ｆに電気的に結合することができる、
発光デバイスパッケージ。」
　
（２）引用文献２
　同じく、特開２００１−７４０３号（以下「引用文献２」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信用並列伝送型光モジュールに関する。また本発明は、その製造方法にも関する。」
　
　イ　「【００１４】図１は本発明を示す並列伝送型光モジュールの一例で、図１（ａ）は断面図、図１（ｂ）は平面図である。実装基板、例えばアルミナなどのセラミック基板１上に、光素子が搭載されたＳｉ基板５が配置されている。…Ｓｉ基板５は通常の並列伝送型光モジュールの光基板と同等の構成であり、２５０μｍピッチのＬＤアレイ２、ポリマ系アレイ光導波路３、光ファイバアレイ４が配置されている。ポリマ系アレイ光導波路３では、一様でないＬＤアレイ２のピッチを等間隔に変換している。光ファイバアレイ４は異方性ウェットエッチングなどで形成したＶ溝６に正確に位置決めされている。ＬＤアレイ２のドライバＩＣ７とロジックＩＣ８はＳｉ基板５に近接してセラミック基板１上にフリップチップ実装される。ＬＤアレイ２とＩＣ７との電気接続は、Ｓｉ基板５にＬＤアレイ２と同一ピッチで設けられた貫通穴１０を通して行われる。セラミック基板１の貫通穴１０の部分には、予め表面が例えば金（Ａｕ）のスルーホール電極が形成されており、貫通穴１０に形成した電極９に接続している。貫通穴１０は例えば光ファイバ用Ｖ溝６と同様に異方性ウェットエッチングで形成される。貫通穴１０を形成後、穴部のＳｉ表面に熱酸化膜などの絶縁膜を積層し、さらにその上にＬＤアレイ２の引き出しＡｕ電極９を形成する。引き出し電極９とセラミック基板１側のスルーホール電極との接続は、例えばスルーホール電極上に金錫（ＡｕＳｎ）半田を溶融して行われる。」
　
　ウ　「【００１８】
【実施例】実施例１
図１に示す並列伝送型光モジュールの製造方法を図５に示す工程断面図及び図６に示すフローシートを用いて説明する。まず、アルミナ粉末、フラックス、有機バインダ、溶剤、可塑剤をボールミル中で良く混合した後、ブレードによりキャリアテープ上へ伸展し、乾燥させグリーンシートを作製する。グリーンシートに金型で穴開けを行い、この中へ金属粉末で作製した導体ペーストを充填し、導体パターンを印刷したものを複数枚積層して、焼成し、セラミック多層配線基板１を作製する（工程（ａ）、図５（ａ））。
【００１９】次に、光素子を搭載するＳｉ基板５に異方性ウェットエッチングにてＶ溝６及び貫通穴１０を形成する。Ｓｉ基板５上に２００μｍ角のエッチング窓を設け、Ｓｉのエッチングを行うと、深さ約１４０μｍの四角錐状の穴１０が形成される。穴部を含むＳｉ基板表面に熱酸化膜を形成後、ＬＤアレイ２の引き出しＡｕ電極９をスパッタ法により形成する（工程（ｂ）、図５（ｂ））。次に光導波路３を所定位置に形成する。…次にＳｉ基板５を１００μｍの厚さになるまで裏面から研磨すると底部に約６０μｍ角の貫通穴が形成される。研磨後のＳｉ基板５の厚みは貫通穴１０のピッチに依存し、貫通穴１０を千鳥状に配置してピッチを２倍に拡大すると、Ｓｉ基板５の厚さも２倍に拡大が可能となる。
【００２０】このように形成した光素子搭載用のＳｉ基板５の貫通穴がセラミック多層配線基板１のスルーホール電極と接合できるように位置合わせして、エポシキ系接着剤、半田、あるいは金属の拡散にて貼り合わせた後、スルーホール電極上に金錫（ＡｕＳｎ）半田を溶融して、引き出し電極９との接合を行う（工程（ｅ）、図５（ｅ））。
【００２１】最後に、基板１上にドライバＩＣ７及びロジックＩＣ８をフリップチップ接合し、Ｓｉ基板５にはアレイピッチ２５０μｍの１２チャネルＬＤ２と光ファイバ４とを接合して、図５（ｆ）に示す並列伝送型光モジュールが完成する（工程（ｆ））。」
　
　よって、上記の記載を総合すると、引用文献２には、次の技術的事項（以下、単に「技術的事項」という。）が記載されていると認められる。
　
「光素子を搭載するＳｉ基板５を、１００μｍの厚さになるまで裏面から研磨すること。」
　
　
３　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「（基板１００ｆの）下面１０３ｆ」、「（基板１００ｆの）上面１０５ｆ」及び「（シリコン基板など適当な基板材料を含むことができ、上面１０５ｆ及び下面１０３ｆを有する）基板１００ｆ」は、それぞれ、本願発明の「第１の表面」、「第２の表面」及び「（ウエハの対向する面にある第１および第２の表面を含む）半導体ウエハ」に相当する。
（２）引用発明の「導電ビア１２２ｆおよび１２２ｆ’」は、「（基板１００ｆの上面１０５ｆに形成される）電極１１０ｆおよび１１１ｆを、（基板１００ｆの下面１０３ｆに形成される）それぞれの下電極１１０ｆ’および１１１ｆ’に電気的に接続する」ものであって、「基板を貫通する（当該）導電金属ビア」を「めっき工程を使用して」「形成することもでき」るものであるから、引用発明の「導電ビア１２２ｆおよび１２２ｆ’」は、本願発明の「（前記第１の表面から前記第２の表面までウエハを貫通して延伸し、その内部表面上に金属被覆を有する）ビア」に相当する。
（３）引用発明は、「基板１００ｆの上面１０５ｆ上に、熱伝導層１１２ｆ…を含むパターニングされた金属形体を形成」するとともに、「基板１００ｆを貫通して第２の熱伝導層１１３ｆまで延在する熱伝導ビア２０１ｆを使用して、第１の熱伝導層１１２ｆと第２の熱伝導層１１３ｆとを熱的に結合」し、「熱伝導層１１２ｆおよび１１３ｆならびに熱伝導ビア２０１ｆ」が「統合熱拡散システム」を構成するものであるから、引用発明の「第２の熱伝導層１１３ｆ」は、本願発明の「前記第１の表面上にあり、前記光電子部品から熱を移動させる熱パッド」に相当する。
（４）引用発明は、「基板１００ｆの下面１０３ｆ上に、１つまたは複数の下電極１１０ｆ’および１１１ｆ’を形成し、導電ビア１２２ｆおよび１２２ｆ’が、電極１１０ｆおよび１１１ｆを、それぞれの下電極１１０ｆ’および１１１ｆ’に電気的に接続する」ものであって、上記２（１）（［００５０］）の「２次電極１１１ｄ’および１１０ｄ’がプリント回路板への電気的結合を与える形で、プリント回路板上に基板１００ｄを取り付けることができる」との記載をも踏まえれば、引用発明の「『下電極１１０ｆ’』及び『下電極１１１ｆ’』」は、本願発明の「（前記ウエハの前記第１の表面上にあり、かつビアの金属被覆に電気的に接続される）陽極および陰極接触パッド」に相当する。
（５）引用発明は、「熱伝導層１１２ｆを、ＬＥＤチップ１１４ｆをその上に取り付ける」ものであるから、引用発明の「熱伝導層１１２ｆ」及び「ＬＥＤチップ１１４ｆ」は、それぞれ、本願発明の「（前記第２の表面上にあり、光電子部品が実装されている）ダイアタッチパッド」及び「（前記ダイアタッチパッド上に実装された）光電子部品」に相当する。
（６）引用発明は、「基板１００ｆの上面１０５ｆ上に、熱伝導層１１２ｆならびに電極１１０ｆおよび１１１ｆを含むパターニングされた金属形体を形成し、前記基板１００ｆの下面１０３ｆ上に、１つまたは複数の下電極１１０ｆ’および１１１ｆ’を形成し、導電ビア１２２ｆおよび１２２ｆ’が、電極１１０ｆおよび１１１ｆを、それぞれの下電極１１０ｆ’および１１１ｆ’に電気的に接続する」ものであって、「ＬＥＤ１１４ｆの電極は、ワイヤボンド１２８ｆおよび１２８ｆ’によって、電極１１０ｆおよび／または１１１ｆに電気的に結合する」ものであるから、引用発明の「電極１１０ｆおよび１１１ｆ」と、本願発明の「前記ウエハの前記第２の表面上にあり、フリップチップボンディングによって前記光電子部品に電気的に接続され、前記ビアの金属被覆を介して前記第１の表面上にある前記陽極および陰極接触パッドと電気的に接続される陽極および陰極パッド」とは、「前記ウエハの前記第２の表面上にあり、前記光電子部品に電気的に接続され、前記ビアの金属被覆を介して前記第１の表面上にある前記陽極および陰極接触パッドと電気的に接続される陽極および陰極パッド」である点で一致する。
（７）引用発明は、「（基板１００ｆ上面１０５ｆ上に取り付けられる）ＬＥＤチップ１１４ｆの周りに、金属および／または反射カップ（またはリング）２１２を設けることができ、反射カップまたはリング２１２の内側に、予め形成されたレンズ２１０を接着材２１１を使用して固定することができ」るものであるから、引用発明の「『金属および／または反射カップ（またはリング）２１２』あるいは『レンズ２１０』」は、本願発明の「前記ウエハの前記第２の表面上に実装され、かつ前記光電子部品からの光を前記パッケージから導き出すように配置される光学部品」に相当する。
（８）引用発明の「発光デバイスパッケージ」は、本願発明の「光電子部品のパッケージ」に相当する。
　
　よって、本願発明と引用発明とは、
「光電子部品のパッケージであって、
　ウエハの対向する面にある第１および第２の表面を含む半導体ウエハと、
　前記第１の表面から前記第２の表面までウエハを貫通して延伸し、その内部表面上に金属被覆を有するビアと、
　前記第１の表面上にあり、前記光電子部品から熱を移動させる熱パッドと、
　前記ウエハの前記第１の表面上にあり、かつビアの金属被覆に電気的に接続される陽極および陰極接触パッドと、
　前記第２の表面上にあり、光電子部品が実装されているダイアタッチパッドと、
　前記ダイアタッチパッド上に実装された光電子部品と、
　前記ウエハの前記第２の表面上にあり、フリップチップボンディングによって前記光電子部品に電気的に接続され、前記ビアの金属被覆を介して前記第１の表面上にある前記陽極および陰極接触パッドと電気的に接続される陽極および陰極パッドと、
　前記ウエハの前記第２の表面上に実装され、かつ前記光電子部品からの光を前記パッケージから導き出すように配置される光学部品と、を含む光電子部品のパッケージ。」
の点で一致し、以下の点で相違するものと認められる。  
 　  
　ａ　半導体ウエハの高さが、本願発明では、１００μｍ〜４００μｍであるのに対し、引用発明では、その具体的値が不明である点（以下「相違点１」という。）。
　ｂ　陽極および陰極パッドが、本願発明では、フリップチップボンディングによって前記光電子部品に電気的に接続されるのに対し、引用発明では、ワイヤボンド１２８ｆおよび１２８ｆ’によってＬＥＤ１１４ｆの電極に電気的に結合（接続）される点（以下「相違点２」という。）。
　
　
４　判断
　上記相違点につき検討する。
　
（１）相違点１について
　引用発明において、「（シリコン基板などの）基板１００ｆ」の高さ（厚さ）をどの程度とするかは、当業者が当該引用発明を実施する際に設計上適宜に定めるべき事項であるところ、例えば、引用文献２には、「光素子を搭載するＳｉ基板５を、１００μｍの厚さになるまで裏面から研磨する」との技術的事項が記載されているから（上記２（２）参照。）、引用発明において、上記「基板１００ｆ」の高さ（厚さ）を１００μｍ程度となし、上記相違点に係る本願発明の構成となすことは、当業者が容易になし得ることである。
（２）相違点２について
　上記２（１）オ（［００３７］）によれば、引用文献１には、「ＬＥＤ…１１４ａ〜ｋおよびそれぞれの熱伝導層…１１２ａ〜ｋを、垂直、平面および／またはフリップチップＬＥＤとの結合を提供するように構成することができる」と記載されている。したがって、（ワイヤボンド１２８ｆおよび１２８ｆ’によって、電極１１０ｆおよび／または１１１ｆとＬＥＤ１１４ｆの電極とを電気的に結合する）引用発明において、「ワイヤボンド１２８ｆおよび１２８ｆ’」による電気的結合に換えて、「電極１１０ｆおよび／または１１１ｆ」と「ＬＥＤ１１４ｆの電極」との電気的結合をフリップチップＬＥＤを用いたフリップチップボンディングによって行い、上記相違点２に係る本願発明の構成となすことは当業者が容易になし得ることである。
　
　そして、本願発明の奏する効果が、引用発明、引用文献１の記載事項及び上記技術的事項から当業者が予測困難な程の格別顕著なものということはできない。
　
　よって、引用発明において、上記相違点１、２に係る本願発明の構成となすことは、当業者が容易になし得ることである。
　
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用文献１に記載された発明、引用文献１の記載事項及び引用文献２に記載された技術的事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。