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　特願２０１１−　１１９９０「太陽電池セル及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　４月２８日出願公開、特開２０１１−　８６９５９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１８年８月３０日に出願した特願２００６−２３３２８９号（以下「原出願」という。）の一部を平成２３年１月２４日に新たな特許出願としたものであって、平成２５年８月７日付けで手続補正がなされたが、同年１０月１日付けで拒絶査定がなされた。 
　本件は、これを不服として、同年１２月１３日に請求された拒絶査定不服審判であって、請求と同時に補正がなされたものである。
　
第２　平成２５年１２月１３日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　［補正の却下の決定の結論］
　平成２５年１２月１３日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　［理由］
１　補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであって、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項１を、特許請求の範囲の限定的減縮を目的として下記の通りに補正したものである。
「【請求項１】
　発電機能を有する半導体接合領域が一方主面側に形成された単結晶シリコン半導体基板を備える厚さが１５０〜２０５μｍの太陽電池セルであって、
　少なくとも１つの端部の側面が、エネルギービーム加工により形成された分割溝の部分で割断して形成した側面であり、該側面が、前記エネルギービーム加工によるエネルギービーム加工領域と、前記割断による割断領域とから形成されており、前記エネルギービーム加工領域の深さが、太陽電池セルの厚みの３５％未満でないことを特徴とする太陽電池セル。」
　
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）が、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２（以下単に「特許法第１７条の２」という。）第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか、すなわち、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下検討する。
　
２　本件補正発明
　本件補正発明は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された上記のとおりのものである。（「第２」［理由］「１」参照。）
　
３　引用刊行物
　これに対して、原査定における拒絶の理由で引用した、原出願の出願前である平成１７年９月２日に頒布された「特開２００５−２３６０１７号公報 」（以下「引用例」という。）には、次の事項が記載されている。ただし、下線は当審で付した。
ａ　発明の詳細な説明の記載
「【０００１】
　この発明は、太陽電池セルの製造方法に関し、詳しくは、ＰＮ接合層が形成された半導体基板を分割して個々の太陽電池セル得るための方法に関する。」
「【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
　この発明による太陽電池セルの製造方法は、一方の表面側にＰＮ接合層が形成され分割を要する半導体基板を加工ステージ上に位置決めし、位置決めされた半導体基板にレーザーを走査して半導体基板を局部的に溶融させることにより分割溝を形成し、分割溝を利用して半導体基板を分割し太陽電池セルを得る工程を備え、半導体基板を加工ステージ上に位置決めする前記工程は、半導体基板の一方の表面が加工ステージと対向するように加工ステージ上に位置決めする工程であり、位置決めされた半導体基板にレーザーを走査する前記工程は、半導体基板の他方の表面側から所望の分割線に沿ってレーザーを走査して他方の表面側に分割溝を形成する工程であることを特徴とする。
【００１０】
　この発明による太陽電池セルの製造方法において、半導体基板としては、例えば、一方の表面にＰＮ接合層が形成された厚さ２００〜３００μｍ程度のＰ型シリコン基板を用いることができる。
　また、この発明による太陽電池セルの製造方法において、レーザーとしては、例えば、ＹＡＧレーザー（発振波長１．０６μｍ）を用いることができる。
　例えば、出力が１〜１００Ｗ程度、ビーム径が１〜１０ｍｍ程度のＹＡＧレーザーを半導体基板上におけるビーム径が５〜５００μｍ程度となるようにフォーカスし、５０〜３００ｍｍ／ｓｅｃ．程度のスイープ速度で分割線に沿って走査させることにより分割溝を形成することができる。
【００１１】
　１つの分割溝を形成するにあたって、レーザーの走査は１回でもよいし、複数回であってもよいが、レーザー走査による熱が半導体基板の一方の表面側に形成されたＰＮ接合層（表面側からの深さは数μｍ程度）に達しないように注意する必要がある。
　というのは、レーザー走査による熱がＰＮ接合層に達した場合、接合部でのリークが発生し、得られた太陽電池セルの曲線因子（ＦＦ）が低下し、これに伴い最大出力（Ｐｍａｘ）も低下するからである。ダメージが大きい場合には、接合部の損傷につながり、開放電圧（Ｖｏｃ）や短絡電流（Ｉｓｃ）も低下しかねない。
　なお、上記のレーザーの仕様は典型値であり、この発明で用いうるレーザーを限定するものではない。
　例えば、ＹＡＧレーザー以外にも、各次ＹＡＧ、ＣＯ２、ＫｒＦ、ＡｒＦ、ＸｅＣｌ等のレーザーを用いることができる。
【００１２】
　また、この発明による太陽電池セルの製造方法において、レーザーを走査する前記工程は、分割溝の深さが半導体基板の厚さの５０〜９０％となるようにレーザーを走査する工程であることが好ましい。
　というのは、分割溝の深さが半導体基板の厚さの５０〜９０％程度となるようにレーザーを走査すれば、レーザーの走査による熱が半導体基板の一方の表面側に形成されたＰＮ接合層に達することを防止でき、かつ、良好な分割特性が得られるからである。」
「【００２０】
　以下、実施例による
太陽電池セル
　まず、図１および図２に示されるように
、半導体基板１０（Ｐ型シリコン基板（厚さ３００μｍ））の一方の表面１０ａに
熱拡散させてＮ型の不純物拡散層１２を形成し、ＰＮ接合層１１を作り出す
　Ｎ型の不純物拡散層１２が形成された一方の表面１０ａが後の太陽電池セル４０（図７参照）における受光面となり、他方の面１０ｂが後の太陽電池セル４０における裏面となる。なお、受光面側には金属酸化物等からなる反射防止膜（図示せず）を形成しておくことが好ましい。
【００２１】
　次に、図３（ａ）に示されるように、半導体基板１０の一方の表面１０ａ側にグリッド状の
受光面電極１３を形成すると共に
裏面電極１４を形成する
　これらの受光面電極１３や裏面電極１４は、真空蒸着法やスクリーン印刷法で形成できる。受光面電極１３および裏面電極１４の表面には、必要に応じてハンダ（図示せず）が被覆されてもよい。
【００２２】
　次に、図４に示されるように、受光面電極１３が形成された半導体基板１０の一方の表面１０ａ（図３（ａ）参照）が加工ステージ２０と対向するように半導体基板１０を加工ステージ２０上に真空吸着によって位置決めする。つまり、ＰＮ接合層１１（図６参照）が形成されていない半導体基板１０の他方の表面１０ｂが加工ステージ２０上で上を向いた状態となる。
【００２３】
　次に、図５に示されるように、半導体基板１０の他方の表面側１０ｂから、ＹＡＧレーザー（発振波長１．０６μｍ）を発振するレーザー発振器３０を用い、
所望の分割線に沿ってレーザー３１を走査し分割溝１５を形成
　レーザー３１のスイープ速度を５０〜３００ｍｍ／ｓｅｃ．に設定し、所望の分割線上を２〜３回走査することにより分割溝１５が形成される。スイープ速度を速く(２００〜３００ｍｍ／ｓｅｃ．程度)し複数回分割線上をスイープすることで、１回のみの速度の遅いスイープと比較してレーザー切断面が平滑になるためより薄い半導体基板にもダメージが少ないレーザースクライブが可能となる。
【００２４】
　ここで、図６に示されるように、
形成された分割溝１５の深さＤは２００μｍであり、半導体基板１０の厚さＴ（３００μｍ）の６７％となっている
　なお、加工ステージ２０上に位置決めされた半導体基板１０は、受光面電極１３に起因する凹凸が比較的大きいため、真空吸着によってはしっかり固定されておらず、その固定力は位置決め程度であるが、この発明では半導体基板１０に対して物理的に非接触なレーザー３１によって分割溝１５を形成するため、位置決め程度の固定力で十分である。
　その後、図７に示されるように、半導体基板１０を分割溝１５（図４参照）に沿って分割し、太陽電池セル４０を得る。」
ｂ　図面の記載
「【図５】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
「【図６】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
ｃ　引用例記載の事項についての考察
　引用例には、「半導体基板１０の他方の表面側１０ｂから、ＹＡＧレーザー（発振波長１．０６μｍ）を発振するレーザー発振器３０を用い、所望の分割線に沿ってレーザー３１を走査し分割溝１５を形成する（レーザースクライブ）」（【００２３】）、「形成された分割溝１５の深さＤは２００μｍであり、半導体基板１０の厚さＴ（３００μｍ）の６７％となっている。このため、上述の通り、ＰＮ接合層１１に熱的なダメージが加わることなく、かつ、後の分割（ブレイク）工程で良好な分割が行なえるようになる」（【００２４】）と記載されているから、引用例１には、「所望の分割線に沿ってレーザー３１を走査し分割溝１５を形成」した後に、「半導体基板１０の分割（ブレイク）工程を有する」ことが記載されていると認められる。
　
ｃ　引用例記載の発明
　上記ａ及びｂの記載並びに上記ｃの考察からすると、引用例には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「厚さ３００μｍのＰ型シリコン基板１０の一方の表面１０ａに熱拡散させてＮ型の不純物拡散層１２を形成し、ＰＮ接合層１１を作り出し、受光面電極１３及び裏面電極１４を形成した太陽電池セルであって、
所望の分割線に沿ってレーザー３１を走査し分割溝１５を形成し、
その後、半導体基板１０の分割（ブレイク）工程を有し、
形成された分割溝１５の深さＤは２００μｍであり、半導体基板１０の厚さの６７％となっている、
太陽電池セル。」 
 　 
４　本件補正発明と引用発明の対比
　ここで、本件補正発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「ＰＮ接合層１１」、「Ｐ型シリコン基板１０」は、本件補正発明の「発電機能を有する半導体接合領域」、「シリコン半導体基板」に相当する。
　そうすると、引用発明の「厚さ３００μｍのＰ型シリコン基板１０の一方の表面１０ａに熱拡散させてＮ型の不純物拡散層１２を形成し、ＰＮ接合層１１を作り出し、受光面電極１３及び裏面電極１４を形成した太陽電池セル」と本件補正発明の「発電機能を有する半導体接合領域が一方主面側に形成された単結晶シリコン半導体基板を備える厚さが１５０〜２０５μｍの太陽電池セル」とは、「発電機能を有する半導体接合領域が一方主面側に形成されたシリコン半導体基板を備える太陽電池セル」で共通する。
（２）引用発明の「レーザー３１」は、本件補正発明の「エネルギービーム」に相当する。
　また、引用発明は、「所望の分割線に沿ってレーザー３１を走査し分割溝１５を形成し、その後、半導体基板１０の分割（ブレイク）工程を有」するものであるから、引用発明は、本件補正発明の「少なくとも１つの端部の側面が、エネルギービーム加工により形成された分割溝の部分で割断して形成した側面であり、該側面が、前記エネルギービーム加工によるエネルギービーム加工領域と、前記割断による割断領域とから形成されて」いる構成に相当する構成を有するものである。
（３）引用発明の「分割溝１５の深さＤ」が、本件補正発明の「エネルギービーム加工領域の深さ」に相当する。
 　 
　上記（１）乃至（３）の対比から、本件補正発明と引用発明は、 
「発電機能を有する半導体接合領域が一方主面側に形成されたシリコン半導体基板を備える太陽電池セルであって、
　少なくとも１つの端部の側面が、エネルギービーム加工により形成された分割溝の部分で割断して形成した側面であり、該側面が、前記エネルギービーム加工によるエネルギービーム加工領域と、前記割断による割断領域とから形成されている太陽電池セル。」 
で一致し、以下ａ及びｂの点で相違する。 
 　 
（相違点）
ａ　シリコン半導体基板が、本件補正発明は、単結晶であるのに対し、引用発明は、如何なる結晶性の基板か不明である点。
ｂ　本件補正発明は、太陽電池セルの厚さが１５０〜２０５μｍであり、エネルギービーム加工領域の深さが、太陽電池セルの厚みの３５％未満でないのに対し、引用発明は、Ｐ型シリコン基板１０の厚さが３００μｍであり、形成された分割溝１５の深さＤは２００μｍであり、半導体基板１０の厚さの６７％となっている点。
　
５　当審の判断
　以下、上記ａ及びｂの相違点について検討する。
（ａの相違点について）
　太陽電池セルを形成するシリコン基板として単結晶のものを採用することは、周知技術（特開２００４−３１８３９号公報の【０００８】参照。）であり、引用発明のＰ型シリコン基板を単結晶とすることは、当業者が必要に応じて適宜なし得たことである。
（ｂの相違点について）
　太陽電池セルの厚さは、セルの強度等を考慮しながら必要に応じて適宜設計できるものであるから、引用発明の太陽電池セルの厚さを１５０〜２０５μｍの範囲内とすることは当業者であれば適宜なし得ることである。
　また、引用例には、「分割溝の深さが半導体基板の厚さの５０〜９０％程度となるようにレーザーを走査すれば、レーザーの走査による熱が半導体基板の一方の表面側に形成されたＰＮ接合層に達することを防止でき、かつ、良好な分割特性が得られるからである」（【００１２】）、「形成された分割溝１５の深さＤは２００μｍであり、半導体基板１０の厚さＴ（３００μｍ）の６７％となっている。このため、上述の通り、ＰＮ接合層１１に熱的なダメージが加わることなく、かつ、後の分割（ブレイク）工程で良好な分割が行なえるようになる」（【００２４】）と記載されており、これらの記載から、良好な分割を行うためには、半導体基板の厚さの５０〜９０％程度、例えば６７％の分割溝がよいことが読み取れるし、太陽電池セルの分割（ブレイク）を良好に行うためには、分割溝が深い方がいいことは、当業者であれば普通に想起し得ることである。
　したがって、引用発明の太陽電池セルの厚さを１５０〜２０５μｍとし、太陽電池セルの良好な分割を行うために、分割溝の深さを太陽電池セルの厚みの３５％未満でないようにすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　上記ａ及びｂの相違点については上記のとおりであり、本件補正発明によってもたらされる効果は、引用発明、引用例の記載事項及び周知技術から当業者が予測できる範囲内のものと認められる。
　よって、本件補正発明は、引用発明、引用例の記載事項及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６　本件補正についての補正の却下の決定のむすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２５年１２月１３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２５年８月７日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの以下のものである。
「【請求項１】
　発電機能を有する半導体接合領域が一方主面側に形成されたシリコン半導体基板を備える１５０〜２０５μｍの太陽電池セルであって、
　少なくとも１つの端部の側面が、エネルギービーム加工により形成された分割溝の部分で割断して形成した側面であり、該側面が、前記エネルギービーム加工によるエネルギービーム加工領域と、前記割断による割断領域とから形成されており、前記エネルギービーム加工領域の深さが、太陽電池セルの厚みの３５％未満でないことを特徴とする太陽電池セル。」
　
２　引用刊行物及び引用発明
　原査定における拒絶の理由で引用した、原出願の出願前に頒布された刊行物及びその記載事項、並びに引用発明は、上記「第２」［理由］「３」に記載したとおりである。
　
３　本願発明と引用発明との対比及び判断
　本願発明は、実質的に、本件補正発明の発明特定事項である「シリコン半導体基板」に関し、「単結晶」である構成を省いたものである。
　ここで、本願発明と引用発明とを対比すると、両者は、 
「発電機能を有する半導体接合領域が一方主面側に形成されたシリコン半導体基板を備える太陽電池セルであって、少なくとも１つの端部の側面が、エネルギービーム加工により形成された分割溝の部分で割断して形成した側面であり、該側面が、前記エネルギービーム加工によるエネルギービーム加工領域と、前記割断による割断領域とから形成されている太陽電池セル。」 
で一致し、上記「第２」［理由］「４」に記載したｂの相違点で相違する。
 　
　そして、上記ｂの相違点に係る本願発明は、上記「第２」［理由］「５」「（ｂの相違点について）」で述べたとおり、引用発明及び引用例記載の事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって、本願発明は、引用発明及び引用例記載の事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用例記載の事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。