(57)【要約】【課題】ＤＬＣ薄膜の製造方法の提供。【解決手段】本発明はＤＬＣ薄膜の製造法に関するものであり、主にはスパッタリング方法を用いて基板表面にＤＬＣ薄膜を形成させるものである。本発明の製造方法には以下の手順を含めている：（ａ）反応室を提供し、反応室に基板を置く、（ｂ）反応室の圧力を１０-6 ｔｏｒｒ以下とする、（ｃ）少なくとも一種の炭素を含むガスを反応室に導入する、及び（ｄ）石墨ターゲット材料を使用してスパッタリング法を利用してＤＬＣ薄膜を基板に沈積させる。なお、本発明で製作したＤＬＣ薄膜には、薄片構造の特徴を持ち、基板表面に花びら模様に配列している。本発明のＤＬＣ薄膜の薄片構造の高さはミクロン単位で、厚さはナノ単位なので、本発明のＤＬＣ薄膜の薄片構造の高さと広さが高い縦幅比になっており、優れた電界放出増強因子を持つことができる。【選択図】図３
2007297698.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の手順を含めているＤＬＣ薄膜の製造法である：
（ａ）反応室を提供し、そして当該反応室に基板を置く、
（ｂ）当該反応室の圧力を１０-6 ｔｏｒｒ以下にする、
（ｃ）当該反応室に少なくとも一種の炭素を含むガスを導入する、及び
（ｄ）石墨のパラジウム材料を使用し、スパッタリング法でＤＬＣ薄膜を基板表面に沈積する、
ここで、ＤＬＣ薄膜は薄片構造を持ち、ＤＬＣ薄膜の薄片構造は基板表面に花びら模様になっていることを特徴とするＤＬＣ薄膜の製造法。
【請求項２】
当該手順（ｃ）で導入されたガスは更に不活性ガス、水素ガス、またはその組み合わせを含めていることを特徴とする請求項１記載のＤＬＣ薄膜の製造法。
【請求項３】
当該不活性ガス、炭素を含むガス、及び水素の導入割合は５−２０：１−１０：０−１０であることを特徴とする請求項２記載のＤＬＣ薄膜の製造法。
【請求項４】
当該炭素を含むガスは炭素水素であることを特徴とする請求項１記載のＤＬＣ薄膜の製造法。
【請求項５】
当該炭素水素はメタン、またはアセチレンであることを特徴とする請求項４記載のＤＬＣ薄膜の製造法。
【請求項６】
当該不活性ガスはアルゴンであることを特徴とする請求項２記載のＤＬＣ薄膜の製造法。
【請求項７】
手順（d）のスパッタリングを行う前に、当該基板を加熱して３５０℃〜６００℃の温度を持たせることを特徴とする請求項１記載のＤＬＣ薄膜の製造法。
【請求項８】
手順（d）のスパッタリングを行う前に、当該基板を加熱して４００℃〜５５０℃の温度を持たせることを特徴とする請求項１記載のＤＬＣ薄膜の製造法。
【請求項９】
当該基板は半導体材料、またはガラス材料であることを特徴とする請求項１記載のＤＬＣ薄膜の製造法。
【請求項１０】
当該薄片構造の側面高さは０．５μｍ〜５．０μｍの間にあることを特徴とする請求項１記載のＤＬＣ薄膜の製造法。
【請求項１１】
当該薄片構造の側面高さは０．９μｍ〜２．０μｍの間にあることを特徴とする請求項１記載のＤＬＣ薄膜の製造法。
【請求項１２】
当該薄片構造の側面厚さは０．００５μｍ〜０．１μｍの間にあることを特徴とする請求項１記載のＤＬＣ薄膜の製造法。
【請求項１３】
当該薄片構造の側面厚さは０．００５μｍ〜０．０５μｍにあることを特徴とする請求項１記載のＤＬＣ薄膜の製造法。
【請求項１４】
当該薄片構造は曲がる薄片状、長い棒状の構造、またはその組み合わせであることを特徴とする請求項１記載のＤＬＣ薄膜の製造法。
【請求項１５】
であり、当該基板表面は更に、導電層を含んでも良い、且つ当該導電層は基板とＤＬＣ薄膜との間に入るものであることを特徴とする請求項１記載ＤＬＣ薄膜の製造法。
【請求項１６】
当該導電層は酸化錫、酸化亜鉛、酸化亜鉛・錫、金属材料、または合金材料であることを特徴とする請求項１５記載のＤＬＣ薄膜の製造法。
【請求項１７】
当該手順（d）で行うスパッタリング反応の仕事率は２００ワット以下であることを特徴とする請求項１記載のＤＬＣ薄膜の製造法。
【請求項１８】
当該手順（d）で行うスパッタリング反応の仕事率は１５０ワット以下であることを特徴とする請求項１記載のＤＬＣ薄膜の製造法。
【請求項１９】
当該手順（b）において、反応室内の圧力は１×１０-3から２０×１０-3ｔｏｒｒまでの間にあることを特徴とする請求項１記載のＤＬＣ薄膜の製造法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＤＬＣ薄膜の製造法に関するものであり、特にスパッタリング法を利用して基板表面にＤＬＣ薄膜を形成させる製造法を指している。
【背景技術】
【０００２】
現在、電界放出ディスプレイの電子放出体に関する研究の方向は多く、炭素材を中心にしている。主な理由は、従来の金属錐の電子放出部材の寿命が短いし、製作しにくいため、今は化学の安定性、電導性を持つ、または電子親和性の低い炭素材が多く利用されている。関連の炭素材は無定形の炭素薄膜（Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ  Ｃａｒｂｏｎ  Ｆｉｌｍ）、ダイヤ薄膜（Ｄｉａｍｏｎｄ  Ｆｉｌｍ）、ＤＬＣ薄膜（Ｄｉａｍｏｎｄ−ｌｉｋｅ  Ｃａｒｂｏｎ  Ｆｉｌｍ）、及びカーボンナノチューブ（ｃａｒｂｏｎ  ｎａｎｏｔｕｂｅ）がある。
【０００３】
カーボンナノチューブは高さと広さが高い縦幅比となる構造があるため、低い起動電圧と高電流放出密度などの性質を持つ。すなわち、優れる電界放出の増強因子を持っているので、今は注目されている電界放出の電子材料になる。しかし、カーボンナノチューブは後の製造プロセスに応用される際に、そのナノ構造が原因で調製したい電子放出ペーストに均衡に分散しにくくなる。それで電流分布が不均衡になり、寿命を減少させてしまうなども問題になっている。また、ナノ構造は高表面積の物性に伴うので、不安定の要因になってしまう。そのため、電界放出の安定性を高めるには、カーボンナノチューブの表面に改質が必要である。
【０００４】
ＤＬＣは主にＳＰ3立体構造とＳＰ2平面構造の無定形炭素から構成される。ＳＰ3は低い電子親和能と更に強い機械性質を持ちやすいため、ＳＰ2はより良い導電性質を持っているため、両方が形成するＤＬＣ材料は低い電子親和能及び導電性などの特色を有している。
【０００５】
ＤＬＣには低い電子親和能を持っているとしても、その電子放出力はカーボンナノチューブよりやや低い。主な原因は、従来のＤＬＣ構造はカーボンナノチューブほどの高い縦幅比を持っていない。前案の特許文献１においでは、ＤＬＣを言及したが、その構造は電子放出の先端上に形成されたＤＬＣ薄膜である。また、特許文献２で掲示されたのは、プラズマＣＶＤ （ＰＥＣＶＤ）法を利用してＤＬＣ薄膜を形成させた。以上の二案から分かるように、従来のＤＬＣ構造は多く薄膜方式で表示しており、未だに高い縦幅比を持つＤＬＣ構造は発表されていない。
【０００６】
ゆえに、今に、ＤＬＣ薄膜の製造法は極めて必要とされている。この方法によって製造されたＤＬＣ薄膜は、高い縦幅比を持つ構造特徴を有すると共に、低い親和力の特色も持っているため、優れる電子放出材料になる可能性は十分にある。
【０００７】
【特許文献１】台湾特許第００４４４２３２号明細書
【特許文献２】台湾特許第００４２０７２３号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は薄片構造のＤＬＣ薄膜を製造する方法であり、その薄片構造は基板表面に花びら模様に配列している。本発明で製造したＤＬＣ薄膜においては、薄片構造の高さはミクロン単位、厚さはナノ単位であるため、本発明のＤＬＣ薄膜の薄片構造は高い縦幅比を持っている特徴がある。
【０００９】
本発明はＤＬＣ薄膜の製造方法を提供しており、中に含む手順は：（ａ）反応室を提供し、反応室の中に基板を置く、（ｂ）反応室の圧力を１０-6 ｔｏｒｒ以下とする、（ｃ）少なくとも一種の炭素を含むガスを反応室内に導入する、及び（ｄ）石墨ターゲット材料を使ってスパッタリング法で基板表面にＤＬＣ薄膜を形成させる。なお、本発明で製作したＤＬＣ薄膜には、薄片構造を持ち、ＤＬＣ薄膜の薄片構造は、基板表面に花びら模様に配列している。
【００１０】
しかも、本発明の薄片構想の側面高さはミクロン単位でよいが、好ましいのは０．５μｍから５．０μｍの間のものであり、更に好ましいのは０．９μｍから２．０μｍの間のものである。また、本発明の薄片構造の厚さはナノ単位でよいが、好ましいのは０．００５μｍから０．１μｍの間のものである。更に好ましいものは、０．００５μｍから０．０５μｍである。
【００１１】
そのため、本発明の方法によって製造されるＤＬＣ薄膜は高い縦幅比をもつ特徴を有することができるほか、低い電子親和力を持つこともできるので、優れた電子放出源になれる。また、本発明で製造する際に、高周波スパッタリング法を利用してＤＬＣ薄膜を沈積させ、大面積の製造プロセスが実現できるし、製造準備時間及びコストを低減することができる。
【００１２】
本発明のＤＬＣ薄膜の製造法において、本発明の手順（ｂ）で導入したガスは選択的に水素、不活性ガス、またはその組み合わせを含められる。その中、本発明で使用される不活性ガスは、スパッタリングの製造プロセスに適用できるものなら何でも良いが、好ましいのはアルゴンガス、あるいは窒素ガスであり、電離ガスの反応環境を提供するためである。さらに、本発明のＤＬＣ薄膜を形成する炭素のソースになるため、本発明の製造法で導入された炭素を含むガスは、炭素を含むもののいずれでも良いが、好ましいのはメタン、あるいはアセチレンなどの炭化水素ガスである。
【００１３】
以上に述べられた本発明のスパッタリングの製造プロセスで使用できる各ガスの流量には制限がない。且つ反応室に導入される当該ガスの量と濃度は製造プロセス及び形成したいＤＬＣ薄膜の構造に応じて調製できる。本発明の実施例の結果から分かるように、導入のガスにおける水素の濃度が高いほど、形成する薄片構造は疎い、すなわち、密度が低い。逆に、導入のガスに水素の濃度が低いほど、最後に形成する薄片構造は細密になる、すなわち、密度が高い。本発明の方法においては、より良い薄片構造のＤＬＣ薄膜を製造するのに使われるガスは、不活性ガス、炭素を含むガスと水素の三つで混合されるものが好ましい。不活性ガス：炭素を含むガス：水素ガスの割合が５−２０：１−１０：０−１０のものが好ましい。更に好ましい割合は８−１６：４−８：２−８である。
【００１４】
本発明のＤＬＣ薄膜の製造法において、手順（ｄ）でスパッタリングを行う前に、基板表面にＤＬＣ薄膜を沈積させるため、基板を３５０℃から６００℃に加熱しておくのが好ましい。もちろん、本発明の基板に対する加熱温度には制限がないが、好ましいのは３５０℃から６００℃で、さらに好ましいのは４００℃から５５０℃である。また、本発明のスパッタリングの製造プロセスにおいて使用される仕事率には制限がないが、好ましいのは、２００ワット以下であり、更に好ましいのは１５０ワット以下である。また、スパッタリング反応を行う前、ガスがまだ反応容器の中に導入されていない時に、反応容器の真空度は１０-5 ｔｏｒｒ以下にコントロールし、好ましい真空度は１０-6 ｔｏｒｒ以下である。更に好ましいのは、反応室内の圧力は１×１０-3から２０×１０-3 ｔｏｒｒの間である。
【００１５】
本発明の製造法においては、低い仕事率且低温のスパッタリングの製造プロセスを通し、基板表面に薄片構造を持つＤＬＣ薄膜を直接に形成できる。この薄片構造は基板表面に花びら模様の配列をしており、しかも高い縦幅比の構造になっている特徴を有している。なお、本発明のスパッタリング反応の製造プロセスにおけるパラメータ、例えば、温度、スパッタリング反応環境の真空度、実施仕事率などは製造プロセスに応じて調整できる。
【００１６】
本発明のＤＬＣ薄膜の製造法は主に炭素を含むガスを入れ、プラズマによって炭素原子を解離し出し、そして加熱された基板に薄片構造を持つＤＬＣ薄膜を形成させる。
【００１７】
本発明の方法で製造したＤＬＣ薄膜の薄片構造には制限がないが、好ましいのは長い棒状、曲がる薄片状である。薄片状構造の主要特徴は、高い縦幅比を持つ構造である。ゆえに、本発明の方法で製造するＤＬＣ薄膜は大きい電界放出の増強因子を持つことができるので、優れる陰極電子放出源になれる。
【００１８】
本発明の製造法において、基板が使用する材料には制限がないが、好ましいのは半導体材料、またはガラス材料である。本発明が製造するＤＬＣ薄膜の応用を増加するために、本発明の基板表面にはさらに選択的に導電層を含むことができ、この導電層は基板とＤＬＣ薄膜の間に入るものである。ここで、前述の導電層に適用する材料は、いずれの導電材料でも良いが、好ましいものは酸化錫、酸化亜鉛、酸化亜鉛・錫、金属材料、または合金材料である。
【００１９】
好ましい実施例においては、本発明の方法で使用する基板がガラス材料の場合は、薄片構造のＤＬＣ薄膜が導電層の表面に形成させるため、ガラス基板の表面に導電層が塗り付けられている。これにより、導電層を介して薄片構造のＤＬＣ薄膜に電圧を与えられ、本発明で製造するＤＬＣ薄膜を電子放出用にさせる。
【００２０】
もう一つの好ましい実施例では、本発明の方法が適用する基板は半導体材料であり、基板材料に導電の通性があるので、薄片構造のＤＬＣ薄膜は基板表面に直接に形成されて電子放出源になる。
【００２１】
従来のカーボンナノチューブに比べると、本発明で使用するミクロン単位構造のＤＬＣ材料の形成は製造プロセスでの温度が低いし、基板表面に直接に形成できるため、製造プロセスでの応用に役立つ。また、本発明のＤＬＣの薄片構造は高い縦幅比となる特徴を有しているため、高い電界放出増強因子を持っており、電界放出部材、電界放出ディスプレイ、あるいは平面光源などの冷陰極放出源のような各種の電子放出の応用に適用できる。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
請求項１の発明は、以下の手順を含めているＤＬＣ薄膜の製造法である：
（a）反応室を提供し、そして当該反応室に基板を置く、
（b）当該反応室の圧力を１０-6 ｔｏｒｒ以下にする、
（c）当該反応室に少なくとも一種の炭素を含むガスを導入する、及び
（d）石墨のパラジウム材料を使用し、スパッタリング法でＤＬＣ薄膜を基板表面に沈積する、
ここで、ＤＬＣ薄膜は薄片構造を持ち、ＤＬＣ薄膜の薄片構造は基板表面に花びら模様になっていることを特徴とするＤＬＣ薄膜の製造法としている。
請求項２の発明は、当該手順（ｃ）で導入されたガスは更に不活性ガス、水素ガス、またはその組み合わせを含めていることを特徴とする請求項１記載のＤＬＣ薄膜の製造法としている。
請求項３の発明は、当該不活性ガス、炭素を含むガス、及び水素の導入割合は５−２０：１−１０：０−１０であることを特徴とする請求項２記載のＤＬＣ薄膜の製造法としている
請求項４の発明は、当該炭素を含むガスは炭素水素であることを特徴とする請求項１記載のＤＬＣ薄膜の製造法としている。
請求項５の発明は、当該炭素水素はメタン、またはアセチレンであることを特徴とする請求項４記載のＤＬＣ薄膜の製造法としている。
請求項６の発明は、当該不活性ガスはアルゴンであることを特徴とする請求項２記載のＤＬＣ薄膜の製造法としている。
請求項７の発明は、手順（ｄ）のスパッタリングを行う前に、当該基板を加熱して３５０℃〜６００℃の温度を持たせることを特徴とする請求項１記載のＤＬＣ薄膜の製造法としている。
請求項８の発明は、手順（ｄ）のスパッタリングを行う前に、当該基板を加熱して４００℃〜５５０℃の温度を持たせることを特徴とする請求項１記載のＤＬＣ薄膜の製造法としている。
請求項９の発明は、当該基板は半導体材料、またはガラス材料であることを特徴とする請求項１記載のＤＬＣ薄膜の製造法としている。
請求項１０の発明は、当該薄片構造の側面高さは０．５μｍ〜５．０μｍの間にあることを特徴とする請求項１記載のＤＬＣ薄膜の製造法としている。
請求項１１の発明は、当該薄片構造の側面高さは０．９μｍ〜２．０μｍの間にあることを特徴とする請求項１記載のＤＬＣ薄膜の製造法としている。
請求項１２の発明は、当該薄片構造の側面厚さは０．００５μｍ〜０．１μｍの間にあることを特徴とする請求項１記載のＤＬＣ薄膜の製造法としている。
請求項１３の発明は、当該薄片構造の側面厚さは０．００５μｍ〜０．０５μｍにあることを特徴とする請求項１記載のＤＬＣ薄膜の製造法としている
請求項１４の発明は、当該薄片構造は曲がる薄片状、長い棒状の構造、またはその組み合わせであることを特徴とする請求項１記載のＤＬＣ薄膜の製造法としている。
請求項１５の発明は、であり、当該基板表面は更に、導電層を含んでも良い、且つ当該導電層は基板とＤＬＣ薄膜との間に入るものであることを特徴とする請求項１記載ＤＬＣ薄膜の製造法としている。
請求項１６の発明は、当該導電層は酸化錫、酸化亜鉛、酸化亜鉛・錫、金属材料、または合金材料であることを特徴とする請求項１５記載のＤＬＣ薄膜の製造法としている。
請求項１７の発明は、当該手順（ｄ）で行うスパッタリング反応の仕事率は２００ワット以下であることを特徴とする請求項１記載のＤＬＣ薄膜の製造法としている。
請求項１８の発明は、当該手順（ｄ）で行うスパッタリング反応の仕事率は１５０ワット以下であることを特徴とする請求項１記載のＤＬＣ薄膜の製造法としている。
請求項１９の発明は、当該手順（ｂ）において、反応室内の圧力は１×１０-3から２０×１０-3 ｔｏｒｒまでの間にあることを特徴とする請求項１記載のＤＬＣ薄膜の製造法としている。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の方法はミクロン単位の薄片構造を持つＤＬＣを製作することができる。このミクロン単位の薄片構造には、高い縦幅比になっている特徴があるため、優れた電子放出材料になれるし、電界放出部材、電子放出ディスプレイ、または平面光源などの冷陰極の放出源に適用できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
以下の内容は、本発明の好ましい具体例でのＤＬＣ薄膜の製造法を説明するものである。
【００２５】
図１を合せて参照してください。図１は本実施例でＤＬＣ薄膜の製造時に使用されたスパッタリング反応室１００の表示図である。
【００２６】
まず、スパッタリング用の反応室１００を提供し、当該反応室１００には基板１の加熱用に使われる加熱器１０、基板１を載せるローディング台１１、ターゲット１２に電圧を印加する電源器１３、及び反応ガスを提供するための複数のガス供給ユニットＡ、Ｂ、Ｃを含んでいる。ここで注意すべきのは、本発明でＤＬＣ薄膜を製作する際に、ガス供給ユニットは、本実施例で述べられる設備に限らず、製造プロセスに需要なガス条件によって増減することができる。
【００２７】
そして、基板１の表面をきれいにし、それを反応室１００のローディング台に載せて基板１を固定する。その中、当実施例で採用される基板１は半導体材料のシリコンウエハーである。真空抽出装置１４で反応室１００を１×１０-3 ｔｏｒｒ以下までに真空にし、加熱器１０で基板１を４００℃までに加熱する。
【００２８】
それから、ガス供給ユニットＡ、Ｂ、Ｃを利用して反応に必要なガスを提供し、またマスフローコントローラー（Ｍａｓｓ  Ｆｌｏｗ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ、図の中で示されていない）を利用して各種のガスが反応室１００に流れる量をコントロールする。ここで使用したガス供給ユニットＡ、Ｂ、Ｃはそれぞれアルゴン、メタン、水素ガスの供給ソースである。且つ、本実施例は各ガス供給バルブａ１、ｂ１、ｃ１を使って製造プロセスの条件に従い、三種類のガスを反応室１００に導入するか否かをコントロールする。反応室１００に導入するガスにはアルゴン、メタン、水素ガスが含まれ、そのガスの割合は２:１:１である。
【００２９】
本実施例において、反応ガスが反応室１００に導入された後、反応室内の圧力は９×−１０-3 ｔｏｒｒ程度にコントロールされる。もちろん、本発明のスパッタリング反応の環境圧力は本実施例の内容に限らず、製造プロセスの需要にあわせて調整できる。
【００３０】
それからすぐに、２００Ｗの高周波で石墨ターゲット１２に対して３０分間のプレスパッタリング反応を起こし、ターゲット１２の表面に存在する汚染物を除去する。そして、遮蔽ボード１１１を開き、基板１の表面に対して７０分間のスパッタリング反応を行い、基板１の表面にＤＬＣ薄膜を形成させる。
【００３１】
図２、図３、図４を参照してください。図２は、本実施例で製作された表面にＤＬＣ薄膜が形成している基板の正面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮った写真である。図３は、本実施例製作された表面にＤＬＣ薄膜が形成している基板の側面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮った写真である。図４は、本実施例で製作されたＤＬＣ薄膜を削り取った後、基板正面に放置した時の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮った写真であるる。
【００３２】
図２と図３が示すように、本実施例で製作したＤＬＣ薄膜は曲がる薄片状や長い棒状の構造であり、且つ当該薄片構造は基板１表面で立体の花びら模様を配列している。その中、本実施例での薄片構造の平均高さは約１μｍで、各薄片構造の平均厚さは約１０ｎｍ〜２０ｎｍで、本発明が主張している「高い縦幅比」になる構造を形成している。また、図４に示すように、形成したＤＬＣ薄膜を削り取って基板に置くと、この時のＤＬＣ薄膜の平均厚さは１０ｎｍ〜２０ｎｍであり、広さは１〜３μｍである。
【００３３】
それで、本実施例で製作したＤＬＣ薄膜は高い縦幅比となる構造という特徴があり、且つ本実施例で使用した基板は導電可能な半導体材料であるため、電子放出源の用途に直接に適用できる。
【００３４】
図３は実施例２〜実施例６で製造されたＤＬＣ薄膜のラマン（Ｒａｍａｎ）分光スペクトルの分析図である。図４によれば、本発明で製造されたＤＬＣ薄膜はＳＰ3立体構造とＳＰ2平面造によって構成されているので、１３３２ｃｍ-1の四面体のダイヤ構造の吸収ピーク、及び１５８０ｃｍ-1程度の平面石墨構造の吸収ピークを持っている。
【００３５】
以上をまとめると、本発明の方法はミクロン単位の薄片構造を持つＤＬＣを製作することができる。このミクロン単位の薄片構造には、高い縦幅比になっている特徴があるため、優れた電子放出材料になれるし、電界放出部材、電子放出ディスプレイ、または平面光源などの冷陰極の放出源に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明のよりよい実施例でＤＬＣ薄膜を製作する時に使用したスパッタリング反応室の表示図である。
【図２】本発明のより良い実施例で製作した表面にＤＬＣ薄膜を持つ基板正面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮った写真図である。
【図３】本発明のより良い実施例で製作した表面にＤＬＣ薄膜を持つ基板側面を走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮った写真図である。
【図４】本発明のより良い実施例で製作したＤＬＣ薄膜を削り取った後に、基板正面に置く時の走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真図である。
【図５】実施例２〜実施例６で製作したＤＬＣ薄膜のラマン（Ｒａｍａｎ）分光スペクトルの分析図である。
【符号の説明】
【００３７】
１  基板
１０  加熱器
１１  ローディング台
１２  ターゲット
１３  電源
１４  真空抽出装置
１００  反応室
１１１  遮蔽ボード
Ａ、Ｂ、Ｃ  ガス供給ユニット
ａ１、ｂ１、ｃ１  ガス供給バルブ
【図１】
2007297698.tif 000003
【図５】
2007297698.tif 000004
【図２】
2007297698.tif 000005
【図３】
2007297698.tif 000006
【図４】
2007297698.tif 000007