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　特願２０１１−１７１８５５「半導体発光素子の分離方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年１１月　４日出願公開、特開２０１１−２２３０４１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願発明
　本願は、平成１８年１０月３日に出願された特願２００６−２７９５１１号（以下「原出願」という。）の一部を平成２３年８月５日に新たな特許出願としたものであって、平成２５年６月２１日に手続補正がなされ、同年８月２６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月２９日に拒絶査定不服審判請求がなされると同時に手続補正がなされ、その後、当審において平成２６年９月３０日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月５日に意見書が提出されたものである。
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２５年１１月２９日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載される事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　
「サファイア基板上に形成された半導体発光素子の分離方法において、
　パルス幅が１０ピコ秒未満であるパルスレーザを前記サファイア基板において集光させて、多光子吸収を発生させる方法を用いて、
　前記サファイア基板の表面に分離予定線に沿ってスクライブ溝を形成することなく、前記分離予定線に沿って前記パルスレーザを走査することにより、前記サファイア基板の内部の分離予定面上であって所定の深さに、溶融部を形成することなく、非熱加工により、前記パルスレーザの集光位置に形成される頭部と、そこからフィラメンテーションにより前記パルスレーザの進行方向に延びた足部とから成る前記分離予定線方向に連続しない内部改質部を形成し、
　全ての前記内部改質部が形成された後に、外力を加えて、前記連続しない内部改質部に沿って分離面を形成することで各半導体発光素子を分離する
　ことを特徴とする半導体発光素子の分離方法。」
　　
２．当審拒絶理由
　これに対して、平成２６年９月３０日付けで通知した当審の拒絶理由は、次のとおりである。
　
「１．この出願の請求項１ないし５に係る発明は、特願２００６−２７９５１１号（特許第５２３３２３７５号、以下『原出願』という。）の請求項１、６、２、４及び５に係る発明とそれぞれ同一であるから、特許法第３９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　備考 
　本願請求項１は、『サファイア基板の表面に分離予定線に沿ってスクライブ溝を形成することなく』というものであるが、原出願請求項１も『スクライブ溝を形成する』ものではない。 
　一方、原出願請求項１は、『前記サファイア基板の表面の分離予定線に沿って前記パルスレーザを走査することにより、実質的に分離予定線方向に連続した溝部を形成』するものであるところ、本願請求項１では、このような限定がされていないが、本願明細書の【００１７】に『分離線方向に連続した溝部の深さは、０．５〜１０μｍ程度が良い。浅すぎると割断が不可能となり、深すぎると溝の側面の面積が大きくなる。』と記載されているように、分離予定線方向に連続した溝部を形成しなければ、割断が不可能なのであるから、本願請求項１に係る発明においても、半導体発光素子の分離のためには、サファイア基板の表面の分離予定線に沿ってパルスレーザを走査することにより、実質的に分離予定線方向に連続した溝部を形成することが必要であると認められるところであり、この点は、本願請求項１に係る発明と原出願請求項１に係る発明との実質的な相違点とはならない。
　また、本願請求項１では、『溶融部を形成することなく、非熱加工により、』との限定がなされているが、原出願請求項１に係る発明の『内部改質部』が『溶融部を形成することなく、非熱加工により』形成されたものであることは明らかであり、この点も本願請求項１に係る発明と原出願請求項１に係る発明の実質的な相違点とはいえない。
　本願請求項２ないし５がそれぞれ、原出願請求項６、２、４及び５に相当することは明らかである。
　
２．本願請求項１には、『前記サファイア基板の表面の分離予定線に沿って前記パルスレーザを走査することにより、実質的に分離予定線方向に連続した溝部を形成』することの記載がないことから、本願請求項１に係る発明は、このような溝部を形成しなくても発光素子の分離が可能であるという発光素子の分離方法の発明であると解することもできるが、この場合には、原出願の願書に最初に添付された明細書又は図面に、このような溝を形成することなく素子を分離することの記載や示唆はないから、本願についての出願日の遡及は認められない（原出願明細書等の【請求項１】、【０００７】、【００１０】、【００１６】に記載されるとおりであって、原出願明細書等においては、パルスレーザにより形成された実質的に分離予定線方向に連続した溝部を形成することが素子を分離するための必須の要件とされており、このような溝を形成することなしに素子の分離が可能である旨の記載や示唆はない。）。
　してみると、原出願の公開公報である特開２００８−９８４６５号公報は、本願出願前に頒布された刊行物であり、特開２００３−３３８６３６号公報には、その図２１〜２５にみられるようにサファイア基板の表面に溝を設けることなく素子を分離することが記載されていることを考えれば、特開２００８−９８４６５号公報において、サファイア基板の表面に溝を形成することなく素子を分離することを想到することに格別の困難性は認められず、本願各請求項に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
３．この出願の請求項１〜５に係る発明は、その出願前に日本国内又は外国において、頒布された特開２００３−３３８６３６号公報（以下「引用例」という。）に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　備考 
　引用例の【００５４】〜【００６９】には、サファイア基板１の内部に多光子吸収により形成される改質領域７でもって、切断予定ライン５に沿った切断起点領域を形成した後、外力を加えて素子を分離することが記載されているものと認められる（特に、【００６９】の『ウェハ２の基板１の内部に多光子吸収という現象により形成される改質領域７でもって、切断予定ライン５に沿った切断起点領域が形成され、基板１が、切断起点領域に沿ってエキスパンドテープ２３などの比較的小さな力で割って切断される。』の記載参照。）。
　ここで、改質領域７が分離予定線方向に連続しないものであることは、図５等から明らかであり、また、引用例の溝２５及び２７は、ｐ型半導体層１７ｂ及びｎ型半導体層１７ａにエッチングにより形成される溝であるから、サファイヤ基板１の表面に形成されるスクライブ溝ではない。
　そして、多光子吸収による改質領域を形成することについて、引用例の【００３９】には、『パルス幅を極めて短くして、多光子吸収を基板の内部に起こさせると、多光子吸収によるエネルギーが熱エネルギーに転化せずに、基板の内部にはイオン価数変化、結晶化又は分極配向等の永続的な構造変化が誘起されて屈折率変化領域が形成される』と記載されていることから、引用例の改質領域は、本願発明の内部改質部と同様に『溶融部を形成することなく、非熱加工により』形成されたものと認められる。
　また、引用例の【００３９】には、パルス幅として『１ｐｓ以下がさらに好ましい』と記載されていることから、引用例には、本願発明と同様に『パルス幅が１０ピコ秒未満であるパルスレーザを前記サファイア基板において集光させ』ることも記載されているものと認められる。
　してみると、本願請求項１に係る発明と引用例に記載された発明は、前者では、内部改質部が『パルスレーザの集光位置に形成される頭部と、そこからフィラメンテーションにより前記パルスレーザの進行方向に延びた足部とから成る』とされているのに対し、後者における改質領域７がこのようなものであるか不明な点で相違するものの、両者に他の格別の相違点は認められない。
　上記相違点について検討するに、本願発明の内部改質部が上記のようなものとなる理由について、請求人は請求書において、レーザのピーク出力密度が　６．１×１０１３ Ｗ／ｃｍ２と高いものであるからとの主張をしている。
　一方、引用例には、レーザのピーク出力密度について、【００３９】に『電界強度の上限値としては、例えば１×１０１２（Ｗ／ｃｍ２）である。』と記載されており（ここで、【００３９】はパルスレーザに関するものであるから、【００２１】及び【００３１】の記載からすると、この電界強度は、『ピークパワー密度』であり、本願発明でいう『ピーク出力密度』のことであると考えられる。）、請求人が主張するものよりは小さいが、引用例において、電界強度の上限値を１×１０１２（Ｗ／ｃｍ２）に抑えなければならない理由の記載はなく、これを大きくすればより小さい外力での基板の分離が可能となるであろうことは当業者に明らかであり、引用例における電界強度の大きさを請求人が主張する程度のものとすることを想到することに格別の困難性は認められない。
　そして、電界強度の大きさを請求人が主張する程度の大きさにして引用例の改質領域７を形成した場合には、その改質領域７は、本願発明と同様に『パルスレーザの集光位置に形成される頭部と、そこからフィラメンテーションにより前記パルスレーザの進行方向に延びた足部とから成る』ものと推認される。
　請求項２ないし５に係る事項は、当業者が適宜決定できる設計事項にすぎない。」
　
３．請求人の主張の概要　　
　これに対して、請求人は、平成２６年１２月５日付け意見書において、大略、次の主張をしている。
　
（１）拒絶理由１について
　原出願の請求項１の特許発明は、
　（ｃ）前記サファイア基板の表面の分離予定線に沿って前記パルスレーザを走査することにより、実質的に分離予定線方向に連続した溝部を形成すること。
を構成要件として有するものであるのに対し、
　本願の請求項１に係る発明は、原出願の請求項１の構成要件（ｃ）を有していないので、原出願請求項１の発明と同一ではない。
　
（２）拒絶理由２について
　原出願の図１、図４、図５Ａ、明細書段落００２１、００２２から、サファイア基板１０の裏面に、連続した溝部５０を形成しなくとも、サファイア基板の裏面近くにレーザの焦点位置を設定して、裏面に最も近い改質部５１を、その頭部の手前側（足部と反対側）が裏面下に現れる位置に形成することで、容易に、分離予定線に沿って、基板をブレーキングできると、当業者であれば、容易に認識できるので、原出願の発明の構成要件から構成要件（ｃ）を削除することにより、新たな技術的事項が導入されることにはならない。
　
（３）拒絶理由３について
　ａ．引用例には、（１）光学的損傷に基づく熱ひずみによるクラックによるもの、（２）溶融によるもの、（３）屈折率変化によるもの、の３通りの方法が記載されているが、引用例の図１２において、空洞状の頭部やフィラメンテーションによる足部は形成されていない。
　ｂ．引用例の（３）の方法の屈折率変化による改質と、基板内の集光点において、材料の高圧プラズマを生成したアブレーションによるフィラメンテーションを発生させる非熱加工とは全く異なる。
　ｃ．引用例では、電力密度の上限値は、１×１０１２Ｗ／ｃｍ２であり、本件発明では、電力密度の下限値が１．４１５×１０１２Ｗ／ｃｍ２であり、電力密度において、本件発明と引用例とでは、全く異なる。
　ｄ．引用例は、フィラメンテションによるパルスレーザの進行方向に延びた足部を有しておらず、その示唆もないから、本件発明の構成要件は、引用例から容易に発明されたものではない。
　ｅ．引用例は、上記ｂ．の３通りの方法を記載しているが、この３つの方法において、焦光点における電界強度は、１×１０８Ｗ／ｃｍ２以上、上限値は１×１０１２Ｗ／ｃｍ２と共通しているから、（３）屈折率変化によるもの、においても、電界強度の上限値は、基板の表面に余計なダメージを与えない値であると認識されており、１×１０１２Ｗ／ｃｍ２を越えた電界強度のレーザを基板に照射することは、引用例からは、当業者といえども、容易に想起できるものではない。
　ｆ．仮に、引用例において、電界強度の上限値１×１０１２Ｗ／ｃｍ２を越えるレーザを基板に照射したところで、引用例には、新たな機構が示唆されていないから、本願発明の「溶融部を形成することなく、非熱加工により、前記パルスレーザの集光位置に形成される頭部と、そこからフィラメンテーションにより前記パルスレーザの進行方向に延びた足部とから成る前記分離予定線方向に連続しない内部改質部が形成される」ことにはならない。
　
４．当審の判断
（１）拒絶理由１について
　本願明細書の【００１７】には、「分離線方向に連続した溝部の深さは、０．５〜１０μｍ程度が良い。浅すぎると割断が不可能となり、深すぎると溝の側面の面積が大きくなる。」との記載がされている。
　すなわち、本願明細書には、分離線方向に連続した溝部がなければ、割断が不可能、すなわち、半導体発光素子の分離が不可能であることが記載されている。
　そして、本願明細書の【００１０】に「…フェムト秒レーザを基板表面に集光し、基板表面の溝部が形成される」と記載され、また、【００１９】に「…本発明によるフェムト秒パルスレーザによる溝部５０」、【００２１】に「…フェムト秒パルスレーザを走査して、溝部５０…を形成した」と記載されているように、上記溝（部）は、原出願の請求項１（ｃ）の「溝部」に外ならない。
　また、本願明細書には、この溝部を形成することなしに素子分離を行うことの記載はない。
　してみると、本願の請求項１に係る発明が半導体発光素子の分離方法である以上、請求項１にこの溝（部）についての記載がなくとも、必ず、その構成要件として上記溝（部）の形成を有しているものと認められるところであり、本願の請求項１に上記（ｃ）の記載がないからといって、この点において、本願の請求項１に係る発明と原出願の請求項１に係る発明が相違するとはいえない。
　したがって、請求人の主張は採用できず、本願の請求項１に係る発明は、特願２００６−２７９５１１号（特許第５２３３２３７５号（以下「原出願」という。）の請求項１に係る発明と同一であるから、特許法第３９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　また、本願の請求項２ないし５に係る発明は、それぞれ、原出願の請求項６、２、４及び５に係る発明と同一であるから、特許法第３９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
（２）拒絶理由２について
　ア　原出願明細書においては、半導体発光素子の分離は、サファイア基板１０の裏面（面１１）に連続した溝部５０を形成することを前提としており、原出願明細書には、サファイア基板１０の裏面に連続した溝部５０を形成することなく、素子分離をすることの記載や示唆はないから（原出願明細書に、請求人が主張するような、連続した溝部５０を形成することなく、サファイア基板の裏面近くにレーザの焦点位置を設定して、裏面に最も近い改質部５１を、その頭部の手前側が裏面下に現れる位置に形成することで、分離予定線に沿って、基板をブレーキングすることを示唆するような記載はない。）、原出願の発明の構成要件から構成要件（ｃ）を削除して、サファイア基板１０の表面に連続した溝部５０を形成しなくても、半導体発光素子の分離が可能であるという内容にすることは、新たな技術的事項を導入するものといわざるを得ない。
　したがって、請求人の主張は採用できず、本願についての出願日の遡及は認められない。
　
　イ　しかるところ、本願の出願前に頒布された刊行物であって、原出願の公開公報である特開２００８−９８４６５号公報（以下「原出願公開公報」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　（ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された半導体発光素子の分離方法において、
パルス幅が１０ピコ秒未満であるパルスレーザを前記基板において集光させて、多光子吸収を発生させることにより、
前記基板の表面の分離予定線に沿って、前記パルスレーザにより形成された実質的に分離予定線方向に連続した溝部と、
前記基板の内部の所定の深さに、分離予定面に対応して、前記パルスレーザにより形成された分離予定線方向に連続しない内部改質部とを形成し、
外力を加えて、前記連続した溝部と前記連続しない内部改質部に沿って分離面を形成することで各半導体発光素子を分離することを特徴とする半導体発光素子の分離方法。
…
【請求項６】
前記基板はサファイア基板であることを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の半導体発光素子の分離方法。
【請求項７】
前記改質部は、前記パルスレーザの集光位置に形成された前記基板面に平行な方向の直径が１．５μｍ以上の頭部と、そこからフィラメンテーションにより前記パルスレーザの進行方向に延びた、前記基板面に平行な方向の直径が０．８μｍ以上の足部とから成ることを特徴とする請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の半導体発光素子の分離方法。」
　（イ）「【００１０】
  本発明は、フェムト秒レーザにより、表面の溝部と、内部の改質部とを形成し、外力を加えた際に、これらを起点として分離面を形成することで半導体発光素子の分離を行うものである。フェムト秒レーザによる改質部の形成は、非熱加工であるため、原理的には溶融部は形成されない。」
　
　ウ　原出願発明
　上記イによれば、原出願公開公報には、以下の発明（以下「原出願発明」という。）が記載されていると認められる。
「基板上に形成された半導体発光素子の分離方法において、
パルス幅が１０ピコ秒未満であるパルスレーザを前記基板において集光させて、多光子吸収を発生させることにより、
前記基板の表面の分離予定線に沿って、前記パルスレーザにより形成された実質的に分離予定線方向に連続した溝部と、
前記基板の内部の所定の深さに、分離予定面に対応して、前記パルスレーザにより形成された分離予定線方向に連続しない内部改質部とを形成し、
外力を加えて、前記連続した溝部と前記連続しない内部改質部に沿って分離面を形成することで各半導体発光素子を分離し、
　前記基板はサファイア基板であり、
　前記改質部は、前記パルスレーザの集光位置に形成された前記基板面に平行な方向の直径が１．５μｍ以上の頭部と、そこからフィラメンテーションにより前記パルスレーザの進行方向に延びた、前記基板面に平行な方向の直径が０．８μｍ以上の足部とから成り、
　フェムト秒レーザにより、表面の溝部と、内部の改質部とを形成し、外力を加えた際に、これらを起点として分離面を形成することで半導体発光素子の分離を行い、フェムト秒レーザによる改質部の形成は、非熱加工であるため、原理的には溶融部は形成されない、半導体発光素子の分離方法。」
　
　エ　対比・判断
　本願発明と原出願発明を対比すると、両者は、
　「サファイア基板上に形成された半導体発光素子の分離方法において、
　パルス幅が１０ピコ秒未満であるパルスレーザを前記サファイア基板において集光させて、多光子吸収を発生させる方法を用いて、
　分離予定線に沿って前記パルスレーザを走査することにより、前記サファイア基板の内部の分離予定面上であって所定の深さに、溶融部を形成することなく、非熱加工により、前記パルスレーザの集光位置に形成される頭部と、そこからフィラメンテーションにより前記パルスレーザの進行方向に延びた足部とから成る前記分離予定線方向に連続しない内部改質部を形成し、
　全ての前記内部改質部が形成された後に、外力を加えて、前記連続しない内部改質部に沿って分離面を形成することで各半導体発光素子を分離する半導体発光素子の分離方法。」
の点で一致し、以下の点で相違するものと認められる。
　・本願発明では、サファイア基板の表面に分離予定線に沿ってスクライブ溝を形成することなく、内部改質部を形成するのに対し、原出願発明では、サファイア基板の表面の分離予定線に沿って、パルスレーザにより実質的に分離予定線方向に連続した溝部を形成し、内部改質部を形成する点（以下「相違点１」という。）。
　上記相違点１につき検討するに、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００３−３３８６３６号公報（以下「引用例」という。）には、その図２１〜２５にみられるようにサファイア基板の表面に溝を設けることなく素子を分離する発明が記載されているから、原出願発明の「半導体発光素子の分離方法」において、引用例に記載された上記発明を適用し、サファイア基板の表面に溝を形成することなく素子を分離することを想到することは、当業者において格別困難なことではない。
　よって、本願の請求項１に係る発明は、原出願発明及び引用例に記載された上記発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
（３）拒絶理由３について
　ア　引用発明
　原出願の出願前に頒布され、当審における拒絶の理由に引用した刊行物である上記特開２００３−３３８６３６号公報（引用例）には、図とともに以下の事項が記載されている。
　（ア）「【特許請求の範囲】
【請求項１】　基板の表面上にIII−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層が積層されたウェハに、前記ウェハをチップ状に切断するための切断予定ラインに沿って前記半導体層から前記基板に達する溝を形成し、前記溝に臨む前記基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより多光子吸収による改質領域を形成し、この改質領域によって、前記基板のレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成し、前記切断起点領域に沿って前記ウェハを切断する工程を備える、発光素子の製造方法。」
　（イ）「【００２０】
【発明の実施の形態】…本実施形態に係る発光素子の製造方法では、ウェハの基板の内部にレーザ光を照射して、多光子吸収による改質領域を形成する。」
　（ウ）「【００２７】…本実施形態において多光子吸収により形成される改質領域としては、次の（１）〜（３）がある。
…
　【００３９】（３）改質領域が屈折率変化領域の場合
例えばガラスなどからなる基板の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上で且つパルス幅が１ｎｓ以下の条件でレーザ光を照射する。パルス幅を極めて短くして、多光子吸収を基板の内部に起こさせると、多光子吸収によるエネルギーが熱エネルギーに転化せずに、基板の内部にはイオン価数変化、結晶化又は分極配向等の永続的な構造変化が誘起されて屈折率変化領域が形成される。電界強度の上限値としては、例えば１×１０１２（Ｗ／ｃｍ２）である。パルス幅は例えば１ｎｓ以下が好ましく、１ｐｓ以下がさらに好ましい。」
　（エ）「【００４０】以上、多光子吸収により形成される改質領域として（１）〜（３）の場合を説明したが、基板の結晶構造やその劈開性などを考慮して切断起点領域を次のように形成すれば、その切断起点領域を起点として、より一層小さな力で、しかも精度良く基板を切断することが可能になる。
【００４１】すなわち、…サファイアなどの六方晶系の結晶構造を有する基板の場合は、（０００１）面（Ｃ面）を主面として（１１２０）面（Ａ面）或いは（１１００）面（Ｍ面）に沿った方向に切断起点領域を形成するのが好ましい。」
　（オ）「【００５４】図１８及び図１９は、本実施形態に係る発光素子の製造方法を説明するためのフローチャートである。また、図２０〜図２４は、発光素子の製造方法を説明するためのウェハ２の断面図である。
【００５５】図１８を参照すると、まず、ウェハ２の裏面（すなわち、基板１の裏面２１）にエキスパンドテープ２３を貼る（Ｓ１、図２０）。エキスパンドテープ２３は、例えば加熱により伸びる材料からなり、後の工程において、ウェハ２をチップ状に分離させるために用いられる。
【００５６】続いて、図１６に示された切断予定ライン５に沿ってウェハ２のｐ型半導体層１７ｂ側の面をエッチングすることにより、第１の溝２５を形成する（Ｓ３、図２１）。このとき、第１の溝２５の深さが、ｐ型半導体層１７ｂからｎ型半導体層１７ａの途中までの深さとなるように第１の溝２５を形成する。…
【００５７】続いて、切断予定ライン５に沿ってウェハ２の第１の溝２５の底面をエッチングすることにより、第２の溝２７を形成する（Ｓ５、図２２）。このとき、第２の溝２７が基板１の表面３に達するように、第２の溝２７を形成する。このように形成することによって、第２の溝２７の底面に基板１の表面３が露出する。
…
【００５９】続いて、ウェハ２の基板１の内部に、第２の溝２７に沿って切断起点領域を形成する（Ｓ７、図２３）。すなわち、第２の溝２７の底面をレーザ光入射面として基板１の内部の集光点Ｐへレーザ光Ｌを照射することにより、基板１の内部に改質領域７を形成する。この改質領域７が、ウェハ２を切断する際の切断起点領域となる。
…
【００６６】…レーザ光源１０１からレーザ光Ｌを発生させて、レーザ光Ｌをウェハ２の第２の溝２７の底面に照射する。レーザ光Ｌの集光点Ｐは基板１の内部に位置しているので、改質領域７は基板１の内部にのみ形成される。また、このとき、レーザ光Ｌを第２の溝２７の幅よりも狭い範囲に入射して、第２の溝２７の長手方向と交差する方向の改質領域７の幅を、第２の溝２７の当該方向の幅よりも狭く形成することが好ましい。…
【００６７】続いて、第２の溝２７に沿うようにＸ軸ステージ１０９やＹ軸ステージ１１１を移動させて、第２の溝２７に沿うように改質領域７を複数形成…し、切断予定ライン５に沿う切断起点領域を基板１の内部に形成する（Ｓ１１３）。
【００６８】ここで、…ウェハ２の基板１に切断起点領域を形成したのち、切断起点領域に沿ってウェハ２を複数のチップに切断する（Ｓ９、図２４）。すなわち、エキスパンドテープ２３をウェハ２の裏面２１と平行な方向に伸ばすことにより、基板１の内部に形成された切断起点領域を起点としてウェハ２が切断され、複数のチップ状に分割される。こうして、ｎ型半導体層１７ａ及びｐ型半導体層１７ｂとの間にｐｎ接合を有する発光ダイオード３１が形成される。
【００６９】以上説明したように、本実施形態に係る発光素子の製造方法及び発光ダイオードでは、まず、ウェハ２にｐ型半導体層１７ｂから基板１に達する第１の溝２５及び第２の溝２７が形成されることによって、ｎ型半導体層１７ａ及びｐ型半導体層１７ｂが所望の形状寸法に加工される。そして、ウェハ２の基板１の内部に多光子吸収という現象により形成される改質領域７でもって、切断予定ライン５に沿った切断起点領域が形成され、基板１が、切断起点領域に沿ってエキスパンドテープ２３などの比較的小さな力で割って切断される。したがって、この製造方法及び発光ダイオードによれば、ｎ型半導体層１７ａやｐ型半導体層１７ｂなどの積層構造を有するウェハ２を高精度かつ効率よく切断することができる。」
　（カ）上記（エ）に照らして図２２を見ると、「第２の溝２７」は、「ｎ型半導体層１７ａ」に形成されるものであることが見て取れる。
　上記（ア）〜（カ）によれば、引用例には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　「基板の表面上にIII−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層が積層されたウェハに、前記ウェハをチップ状に切断するための切断予定ラインに沿って前記半導体層から前記基板に達する溝を形成し、前記溝に臨む前記基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより多光子吸収による改質領域を形成し、この改質領域によって、前記基板のレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成し、前記切断起点領域に沿って前記ウェハを切断する工程を備える、発光素子の製造方法であって、
　多光子吸収により形成される改質領域としては、改質領域が屈折率変化領域の場合があり、この場合、基板の内部に集光点を合わせて、集光点における電界強度が１×１０８（Ｗ／ｃｍ２）以上で且つパルス幅が１ｎｓ以下の条件でレーザ光を照射し、パルス幅を極めて短くして、多光子吸収を基板の内部に起こさせると、多光子吸収によるエネルギーが熱エネルギーに転化せずに、基板の内部にはイオン価数変化、結晶化又は分極配向等の永続的な構造変化が誘起されて屈折率変化領域が形成され、電界強度の上限値としては、例えば１×１０１２（Ｗ／ｃｍ２）であり、パルス幅は例えば１ｎｓ以下が好ましく、１ｐｓ以下がさらに好ましく、
　サファイアなどの六方晶系の結晶構造を有する基板の場合は、（０００１）面（Ｃ面）を主面として（１１２０）面（Ａ面）或いは（１１００）面（Ｍ面）に沿った方向に切断起点領域を形成するのが好ましく、
　まず、ウェハ２の裏面（すなわち、基板１の裏面２１）にエキスパンドテープ２３を貼り、続いて、切断予定ライン５に沿ってウェハ２のｐ型半導体層１７ｂ側の面をエッチングすることにより、第１の溝２５を形成し、続いて、切断予定ライン５に沿ってウェハ２の第１の溝２５の底面をエッチングすることにより、ｎ型半導体層１７ａに第２の溝２７を形成し、このとき、第２の溝２７が基板１の表面３に達するようになし、続いて、第２の溝２７の底面をレーザ光入射面として基板１の内部の集光点Ｐへレーザ光Ｌを照射することにより、基板１の内部に改質領域７を形成し、この改質領域７が、ウェハ２を切断する際の切断起点領域となり、レーザ光Ｌの集光点Ｐは基板１の内部に位置しているので、改質領域７は基板１の内部にのみ形成され、続いて、第２の溝２７に沿うようにＸ軸ステージ１０９やＹ軸ステージ１１１を移動させて、第２の溝２７に沿うように改質領域７を複数形成し、切断予定ライン５に沿う切断起点領域を基板１の内部に形成し、ウェハ２の基板１に切断起点領域を形成したのち、エキスパンドテープ２３をウェハ２の裏面２１と平行な方向に伸ばすことにより、基板１の内部に形成された切断起点領域を起点としてウェハ２が切断され、複数のチップ状に分割され、切断起点領域に沿ってウェハ２を複数のチップに切断し、こうして、ｎ型半導体層１７ａ及びｐ型半導体層１７ｂとの間にｐｎ接合を有する発光ダイオード３１が形成される、発光素子の製造方法。」
　
　イ　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
　（ア）引用発明の「発光素子の製造方法」は、「基板の表面上にIII−Ｖ族化合物半導体からなる半導体層が積層されたウェハに、前記ウェハをチップ状に切断するための切断予定ラインに沿って前記半導体層から前記基板に達する溝を形成し、前記溝に臨む前記基板の内部に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより多光子吸収による改質領域を形成し、この改質領域によって、前記基板のレーザ光入射面から所定距離内側に切断起点領域を形成」するものであって、「多光子吸収により形成される改質領域としては、改質領域が屈折率変化領域の場合があり、この場合、基板の内部に集光点を合わせて、…パルス幅が１ｎｓ以下の条件でレーザ光を照射し、パルス幅を極めて短くして、多光子吸収を基板の内部に起こさせると、多光子吸収によるエネルギーが熱エネルギーに転化せずに、基板の内部にはイオン価数変化、結晶化又は分極配向等の永続的な構造変化が誘起されて屈折率変化領域が形成され、…パルス幅は…１ｐｓ以下がさらに好まし」く、「（ｎ型半導体層１７ａに形成された）第２の溝２７に沿うようにＸ軸ステージ１０９やＹ軸ステージ１１１を移動させて、…改質領域７を複数形成し」、「サファイアなどの六方晶系の結晶構造を有する基板の場合は、…（Ｃ面）を主面として…（Ａ面）或いは…（Ｍ面）に沿った方向に切断起点領域を形成するのが好まし」いものであるから、引用発明の上記の事項と、本願発明の「パルス幅が１０ピコ秒未満であるパルスレーザを前記サファイア基板において集光させて、多光子吸収を発生させる方法を用いて、前記サファイア基板の表面に分離予定線に沿ってスクライブ溝を形成することなく、前記分離予定線に沿って前記パルスレーザを走査することにより、前記サファイア基板の内部の分離予定面上であって所定の深さに、溶融部を形成することなく、非熱加工により、前記パルスレーザの集光位置に形成される頭部と、そこからフィラメンテーションにより前記パルスレーザの進行方向に延びた足部とから成る前記分離予定線方向に連続しない内部改質部を形成し」との事項は、「パルス幅が１０ピコ秒未満であるパルスレーザを前記サファイア基板において集光させて、多光子吸収を発生させる方法を用いて、前記サファイア基板の表面に分離予定線に沿ってスクライブ溝を形成することなく、前記分離予定線に沿って前記パルスレーザを走査することにより、前記サファイア基板の内部の分離予定面上であって所定の深さに、溶融部を形成することなく、非熱加工により、前記分離予定線方向に連続しない内部改質部を形成し」との点で一致する。
　（イ）引用発明は、「切断起点領域に沿って前記ウェハを切断する工程を備え」、「改質領域７は基板１の内部にのみ形成され、…第２の溝２７に沿うように改質領域７を複数形成し、切断予定ライン５に沿う切断起点領域を基板１の内部に形成し、ウェハ２の基板１に切断起点領域を形成したのち、エキスパンドテープ２３をウェハ２の裏面２１と平行な方向に伸ばすことにより、基板１の内部に形成された切断起点領域を起点としてウェハ２が切断され、複数のチップ状に分割され、切断起点領域に沿ってウェハ２を複数のチップに切断し、こうして、ｎ型半導体層１７ａ及びｐ型半導体層１７ｂとの間にｐｎ接合を有する発光ダイオード３１が形成される」ものであるから、本願発明の「全ての前記内部改質部が形成された後に、外力を加えて、前記連続しない内部改質部に沿って分離面を形成することで各半導体発光素子を分離する」との事項を備える。
　（ウ）引用発明の「発光素子の製造方法」は、「サファイアなどの六方晶系の結晶構造を有する基板の場合は、…（Ｃ面）を主面として…（Ａ面）或いは…（Ｍ面）に沿った方向に切断起点領域を形成するのが好まし」く、「前記切断起点領域に沿って前記ウェハを切断する工程を備える」ものであるから、本願発明の「サファイア基板上に形成された半導体発光素子の分離方法」に相当する。
　（エ）したがって、両者は、
　「サファイア基板上に形成された半導体発光素子の分離方法において、
　パルス幅が１０ピコ秒未満であるパルスレーザを前記サファイア基板において集光させて、多光子吸収を発生させる方法を用いて、
　前記サファイア基板の表面に分離予定線に沿ってスクライブ溝を形成することなく、前記分離予定線に沿って前記パルスレーザを走査することにより、前記サファイア基板の内部の分離予定面上であって所定の深さに、溶融部を形成することなく、非熱加工により、前記分離予定線方向に連続しない内部改質部を形成し、
　全ての前記内部改質部が形成された後に、外力を加えて、前記連続しない内部改質部に沿って分離面を形成することで各半導体発光素子を分離する
　半導体発光素子の分離方法。」
の点で一致し、以下の点において相違する。
　・分離改質部が、本願発明では、パルスレーザの集光位置に形成される頭部と、そこからフィラメンテーションにより前記パルスレーザの進行方向に延びた足部とから成るのに対し、引用発明では、そのようなものであるのか否か明らかでない点（以下「相違点２」という。）。
　
　ウ　判断
　上記相違点２につき検討する。
　本願明細書の【００１５】によれば、フィラメンテーションは、「自己集光作用により形成される」ものであるから、レーザパルスの照射条件が本願明細書に記されるものと同程度であれば、引用発明においても自己集光作用により形成されるものと認められる。
　しかるところ、引用発明は、多光子吸収により基板の内部に改質領域を形成する際、照射されるレーザー光の集光点における電界強度の上限値を、「
例えば
　この点に関し、請求人は、平成２６年１２月５日付け意見書において、「引例では、電力密度の上限値は、１×１０１２Ｗ／ｃｍ２であり、本件発明では、電力密度の下限値が１．４１５×１０１２Ｗ／ｃｍ２です。したがって、電力密度において、本件発明と引例とでは、全く異なります。」と主張する（　５）２．Ａ．参照。）。しかしながら、電力密度の値として、１×１０１２Ｗ／ｃｍ２と１．４１５×１０１２Ｗ／ｃｍ２は、ともに１０１２Ｗ／ｃｍ２台であり、本件発明と引用発明とが、電力密度において全く異なるとはいえない。加えて、引用発明は、照射されるレーザー光の集光点における電界強度の上限値を必ずしも１×１０１２Ｗ／ｃｍ２に限定するものでないことは上述したとおりである。
　したがって、引用発明において、「
例えば
　
　エ　請求人の主張に対して
　（ア）ａ．に対して
　引用例の図１２は、（２）溶融によるものであり、引用例の【００３４】に記載されるようにそのパルス幅が３０ｎｓであるから、拒絶理由３で指摘したパルス幅として「１ｐｓ以下がさらに好ましい」とする（３）屈折率変化によるものとは異なるから、引用例の図１２において空洞状の頭部やフィラメンテーションによる足部が形成されていないことは、拒絶理由３を覆す理由とはならない。
　（イ）ｂ．について
　本願明細書において、本願発明の「フィラメンテーションを発生させる非熱加工」が「材料の高圧プラズマを生成したアブレーションによる」との記載はないから、請求人の上記主張は採用できない。なお、拒絶理由３で指摘したとおり、引用例の（３）屈折率変化によるものは、「溶融部を形成することなく、非熱加工により」改質領域を形成したものと認められる。
　（ウ）ｃ．について
　上記ウにおいて述べたとおり、電力密度の値として、１×１０１２Ｗ／ｃｍ２と１．４１５×１０１２Ｗ／ｃｍ２は、ともに１０１２Ｗ／ｃｍ２台であり、本件発明と引用例に記載された発明とが、電力密度において全く異なるとはいえない。
　（エ）ｄ．について
　本願明細書の【００１５】によれば、フィラメンテーションは、「自己集光作用により形成される」ものであるから、レーザパルスの照射条件が本願明細書に記されるものと同程度であれば、引用発明においても自己集光作用により形成されるものと認められる。
　また、引用例に記載されたビームスポット径、パルス幅は、本願明細書に記載されるものと格別変わらないから、引用例において、電力密度を本願発明で規定するものと同程度にすれば、当然に自己集光作用によりフィラメンテーションが形成されるものと考えられる。
　しかるところ、上述したとおり、引用発明は、多光子吸収により基板の内部に改質領域を形成する際、照射されるレーザー光の集光点における電界強度の上限値を、「
例えば
　（オ）ｅ．について
　請求人は、引用例に記載される３つの方法において、電界強度の上限値は共通しているから、（３）屈折率変化によるものにおいても、１×１０１２Ｗ／ｃｍ２を越えた電界強度のレーザを基板に照射することは当業者に想起されないと主張するが、上記ｄ．で指摘したとおり、１×１０１２Ｗ／ｃｍ２を越えた電界強度のレーザを基板に照射することを想起することに格別の困難性は認められない。
　また、引用例の（３）屈折率変化によるものにおいては、パルス幅が、（１）光学的損傷に基づく熱ひずみによるクラックによるもの、（２）溶融によるものに比べて、「１ｐｓ以下がさらに好ましい」と、本願発明で規定する程度に短いのであるから、電界強度を大きくしても、基板の表面に与えるダメージは小さいものと考えられるところであり、電界強度を大きくすることに格別の阻害要因があるとはいえない。
　（カ）ｆ．について
　上記ｄ．で指摘したとおり、フィラメンテーションは、自己集光作用により形成されるものであるから、引用例記載のものにおいて、電界強度を大きくして、レーザパルスの照射条件を本願明細書に記されるものと同程度にすれば、引用例にその記載がなくとも、自己集光作用によりフィラメンテーションが形成されるものと考えられるところであり、請求人の主張は採用できない。
　
５．むすび
　以上のとおりであって、本願の請求項１ないし５に係る発明は、それぞれ、原出願の請求項１、６、２、４及び５に係る発明と同一であるから、特許法第３９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　また、本願の請求項１に係る発明は、特開２００８−９８４６５号公報に記載された発明及び特開２００３−３３８６３６号公報に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　また、本願の請求項１に係る発明は、特開２００３−３３８６３６号公報に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。