【事件の表示】
　平成　９年特許願第１８３１４２号「半導体装置及びその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成１０年　３月１０日出願公開、特開平１０−　７０２７２］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成９年６月２４日（パリ条約による優先権主張　平成８年６月２９日　大韓民国）の出願であって、平成１２年７月７日付けで拒絶査定がなされ、平成１２年１０月１６日に審判請求がなされ、その後審判請求と同時になされた補正について平成１３年５月８日付けで最後の拒絶理由が通知されたものである。
　
２．平成１３年１１月１５日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　平成１３年１１月１５日付の手続補正を却下する。
　
［理由］
（１）平成１３年１１月１５日付の手続補正の内容
平成１３年１１月１５日付の手続補正の内容は、発明の名称を半導体装置の製造方法と補正し特許請求の範囲を次のように補正するとともに、発明の詳細な説明及び図面の簡単な説明を全文訂正するものである。
「【請求項１】所定の導電型の半導体基板上にフィールド酸化膜を形成して、所定領域だけ拡張された突出部位を含むように、低いしきい電圧を有するＮＭＯＳトランジスタの活性領域を定める工程と、
　前記活性領域上にスクリーン絶縁膜を形成する工程と、
　前記フィールド酸化膜を囲むとともに、前記拡張された活性領域の突出部位を含むように前記基板にウェルを形成する工程と、
　活性領域上にスクリーン絶縁膜を形成する工程と、
　前記活性領域にしきい電圧調節用不純物イオンを注入する工程と、
　前記スクリーン絶縁膜を除去した後、前記活性領域上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
　前記基板上部にゲート形成する工程とを備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】前記半導体基板は、不純物イオンがドーピングされていない初期の基板であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】前記しきい値電圧調整用不純物イオンを注入する工程は、Ｂイオンを約１０〜５０ＫｅＶのエネルギーと５×１０１１〜５×１０１２ions／cm２の濃度でイオン注入することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】前記しきい値電圧調整用不純物イオンを注入する工程は、ＢＦ２イオンを３０〜８０ｋｅＶのエネルギーと５×１０１１〜５×１０１２ions／cm２の濃度でイオン注入することを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】前記半導体基板は、ウェルが形成された基板であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】前記ウェルは、Ｂイオンを５０〜１５０ＫｅＶのエネルギーと５×１０１２〜５×１０１３ions／cm２の濃度でイオン注入して形成することを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】前記ウェルは、Ｂイオンを６０〜１５０ＫｅＶのエネルギーと１×１０１２〜１×１０１３ions／cm２の濃度でイオン注入して形成することを特徴とする請求項５記載の半導体装置の製造方法。」
（２）平成１３年１１月１５日付の手続補正についての検討
　平成１２年１１月１５日付け補正書の特許請求の範囲は次のとおりである。
【請求項１】所定の導電型の半導体基板と、
　前記基板上に形成されたフィールド絶縁膜と、
　前記フィールド絶縁膜によって前記基板内に定められた活性領域と、
　前記フィールド絶縁膜の下部を囲むように前記基板内に形成された前記基板と同一の導電型の不純物領域と、
　前記基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜及びフィールド絶縁膜上に形成されたゲートパターンとを含む低いしきい値電圧を持つ半導体装置であって、
　ゲート形成予定領域の対向する両端の活性領域部分が所定幅にて外方に突出するように前記フィールド絶縁膜にて定められることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】所定の導電型の半導体基板上にフィールド絶縁膜を形成して活性領域を定める工程と、
　前記基板内に前記フィールド絶縁膜の下部を囲むように前記基板と同一の導電型の不純物領域を形成する工程と、
　前記基板内にしきい値電圧調節イオンを注入する工程と、
　前記基板上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
　前記ゲート絶縁膜及びフィールド絶縁膜上にゲートパターンを形成する工程とを含む低いしきい値電圧を持つ半導体装置の製造方法であって、
　ゲート形成予定領域の対向する両端の活性領域部分が所定幅にて外方に突出するように前記フィールド絶縁膜にて定められることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】前記半導体基板は不純物がドーピングされていない初期の基板であることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】前記しきい値電圧調節イオンを注入する工程はＢイオンを約１０〜５０ＫｅＶのエネルギーと５×１０１１〜５×１０１２ions／cm２の濃度でイオン注入することを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】前記しきい値電圧調節イオンを注入する工程はＢＦ２を３０〜８０ｋｅＶのエネルギーと５×１０１１〜５×１０１２ions／cm２の濃度でイオン注入することを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】前記半導体基板はウェルが形成された基板であることを特徴とする請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】前記ウェルはＢイオンを５０〜１５０ＫｅＶのエネルギーと５×１０１２〜５×１０１３ions／cm２の濃度でイオン注入して形成することを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】前記不純物領域はＢイオンを６０〜１５０ＫｅＶのエネルギーと１×１０１２〜１×１０１３ions／cm２でイオン注入して形成することを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
　以下請求項の補正の適否について検討する。ここでは平成１２年１１月１５日付け補正書の特許請求の範囲の請求項１乃至８については、「旧請求項１乃至８」と略称する。
＜旧請求項１の削除＞
　旧請求項１は削除されており、これを削除する補正は、特許請求の範囲の減縮に当たる。
＜請求項１＞
  請求項１は、旧請求項２を補正するものであるが、旧請求項２では「所定領域だけ拡張された突出部位」の位置が「ゲート形成予定領域の対向する両端の活性領域部分が所定幅にて外方に突出するように」定められているのに対し、請求項１では「所定領域だけ拡張された突出部位」の位置の特定が外れているから、特許請求の範囲の拡張に当たる。
　また旧請求項２では「フィールド絶縁膜の下部を囲むように前記基板と同一の導電型の不純物領域を形成」するのに対し、請求項１では「フィールド酸化膜を囲む（とともに、前記拡張された活性領域の突出部位を含む）ように前記基板にウェルを形成する」ため下部を囲むような限定が外れているから、特許請求の範囲の拡張に当たる。
　更に請求項１において、「活性領域上にスクリーン絶縁膜を形成する工程」を付加すること及び工程の内容を変更することは、特許請求の範囲の変更に当たる。
＜請求項３、４＞
　請求項３、４は、旧請求項４、５における「しきい値電圧調節イオン」をそれぞれ「しきい値電圧調整用不純物イオン」と補正するもので、明りょうでない記載の釈明に当たるが、拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてするものではない。
＜請求項２〜７＞
　請求項２〜７において引用する請求項を繰り上げる補正は、旧請求項１の削除に伴うものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、請求項１及び請求項３、４に係る平成１３年１１月１５日付の補正は、特許法第１７条の２第４項第２号及び第４号の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成１２年１月１３日付け及び平成１２年１１月１５日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至８（以下、「本願発明１乃至８」という。）により特定されるとおりのものであると認められるところ、その請求項１により特定される発明（以下、「本願発明１」という。）は次のとおりである。
「所定の導電型の半導体基板と、
　前記基板上に形成されたフィールド絶縁膜と、
　前記フィールド絶縁膜によって前記基板内に定められた活性領域と、
　前記フィールド絶縁膜の下部を囲むように前記基板内に形成された前記基板と同一の導電型の不純物領域と、
　前記基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜及びフィールド絶縁膜上に形成されたゲートパターンとを含む低いしきい値電圧を持つ半導体装置であって、
　ゲート形成予定領域の対向する両端の活性領域部分が所定幅にて外方に突出するように前記フィールド絶縁膜にて定められることを特徴とする半導体装置。」
　
４．引用例
　これに対して、平成１３年５月８日付けの（最後の）拒絶の理由で引用され、本願出願前に頒布された刊行物である、特開平３−８９５５５号公報（以下、「引用例」という。）には、ＭＯＳ型構造の半導体装置が図面とともに開示されている。そして同公報には、次の事項が記載されている。
「本発明は半導体装置に係り、特にデイープサブミクロン（ｄｅｅｐ　Ｓｕｂ−μｍ）時代に予想される電源電圧の低下に対応するに好適なＭＯＳ型構造の半導体装置に関する。」（第２頁右下欄１１〜１４行）
「 【実施例】
　本発明の一実施例を第１図，第３図，第４図および第５図を用いて詳細に説明する。
　第１図は、本実施例のＭＯＳトランジスタの構造を示す図であり、第１図（ａ）は、平面パターン図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）の Ａ−Ａ′線に沿った断面図、第１図（ｃ）は第１図（ａ）のＢ−Ｂ′線に沿った断面図である。第３図は第１図Ａ−Ａ′線に対応する断面方向より見た工程の概略図、第４図はＢ−Ｂ′線に対応する断面方向より見た工程の概略図、第５図は平面図である。ＮＭＯＳを例に取り説明するが、ＰＭＯＳの場合も同様である。
　実施例中で、第１導電型の半導体基板はｐ型の半導体基板１、第２導電型領域はｎ型のソース／ドレイン４、第１の素子分離膜は、第１のフイールド酸化膜（ＬＯＣＯＳ膜）２、第２の素子分離膜は、第２のフイールド酸化膜（ＬＯＣＯＳ膜）５に相当し、素子分離膜は、この２者を総称するものである。
　第１図（ａ）乃至第１図（ｃ）に示すように、本素子は、離間して設けられた２つのソース／ドレイン４とそれらの間にチヤンネル領域１２がゲート電極３への電圧印加によって誘起される電界効果素子である。ゲート電極３と半導体基板との間には、ゲート酸化膜１０が形成されており、いわゆるＭＯＳ構造となっている。Ａ−Ａ′断面方向において、第１図（ｂ）に示すように本素子領域は、第１のフイールド酸化膜２によって領域の大きさを規定されている。第１フイールド酸化膜２は一般的なＬＯＣＯＳ法によって形成されている。ソース／ドレイン４からは、ポリシリコン等の導電材からなる引出し電極１３が形成され、それは、第１フイールド酸化膜２上に延在している。また第１フイールド酸化膜２上においてコンタクトホール８が設けられこれを介して、配線に接続される。ゲート電極３は、半導体基板１の表面とは、ゲート酸化膜１０を介して絶縁され接触している。さらに、ゲート電極３は、引出し電極１３と酸化膜４０を介して絶縁され、平面的には酸化膜４０、引出し電極１３およびソース・ドレインの一部とオーバラップして形成されている。
　Ｂ−Ｂ′断面においては、本素子の構造は第１図（ｃ）に示すようになっている。ゲート酸化膜１０は、第２のフイールド酸化膜５（第１のフイールド酸化膜２よりも薄い）によつてチヤネル領域の幅方向を規定されており、これが、実効的なチヤネル領域の幅となる。Ｂ−Ｂ′断面において、フイールド酸化膜は、２段階の膜厚を有しており（第１と第２のフイールド酸化膜）、ゲート電極は、一端において、第２のフイールド酸化膜５上にオーバラップするように形成されている。またゲート電極の他端は第２のフイールド酸化膜５および第１のフイールド酸化膜上に延在して形成される。
　第１図（ａ）において、鎖線で囲まれた領域が実効的なチヤネル領域１２となる。また、楕円形状の能動領域１１の部分のうち、チヤネル領域１２およびソース／ドレイン４を除いた部分（後述する第５図（ｂ）の領域５１）に第２のフイールド酸化膜５が形成されている。したがって、ソースドレイン４は、その側方は、第２のフイールド酸化膜５にて規定され、ゲート電極３と反対の側は第１のフイールド酸化膜２によって規定されている。」（第４頁左上欄２行〜右下欄６行）
「 次に、能動領域１１以外の部分の不純物濃度を高くし、素子間の分離を完全にするため、全面に基板と同じ導電型の不純物を１０１３〜１０１４／ｃｍ２のオーダーでイオン打込みしチヤネルストツパ領域９を形成する。」（第５頁右上欄９行〜１３行）
「 次に、全面に第３のＳｉ３Ｎ４膜３９を０．０５〜０．１ｎｍの厚さに堆積し、第１図（ｂ）に示すソース／ドレインの引出し電極１３を残すべき部分にホトレジスト３８を形成し、他の部分のポリシリコンをエツチングで除く（第３図（ｈ），第４図（ｅ））。第５図（ｂ）はこの時点の平面図を示す。この工程を終ると引出電極１３に合せてソース／ドレインの接合が形成される場所が決まる。なぜなら、上述の如く、ソース／ドレインの接合はポリシリコンからのしみ出し拡散により形成されるからである。
　ここで注意すべきは、引出し電極１３のダミーゲート３６とＢ−Ｂ′と並行な辺は、第３図（ｈ）に示す工程ですでに自己整合的に決定されており、チヤネル長がダミーゲート３６によって規定される点である。」（第６頁左上欄５行〜２０行）
　更に第１図（ａ）及び第５図（ａ）、（ｂ）の記載から、チャネル領域１２及びソース／ドレイン４の部分を合わせた領域は、そのゲート形成予定領域の対向する両端が所定幅にて外方に突出するように第１及び第２のフィールド酸化膜にて定められていることが読み取れる。
　以上第１図及び第５図を参酌してまとめると、引用例には、
　「ｐ型の半導体基板１と、
　前記基板上に形成された第１及び第２のフィールド酸化膜２及び５（以下、纏めて「フィールド酸化膜」という。）と、
　前記フィールド酸化膜によって前記基板内に定められたチャネル領域１２及びソース／ドレイン４の部分（以下、纏めて「素子領域」と略称する。）と、
　前記フィールド酸化膜の下部を囲むように（第１フィールド酸化膜２の下部の全て及び第２のフィールド酸化膜５の下部の一部が囲まれている）前記基板内に形成された前記基板と同じ導電型のチャネルストッパ領域９と、
　前記基板上に形成されたゲート酸化膜１０と、
　前記ゲート酸化膜１０及びフィールド酸化膜１０上に形成されたゲート電極３とを含むＭＯＳトランジスタであって、
　ゲート形成予定領域の対向する両端の素子領域が所定幅にて外方に突出するように前記フィールド酸化膜にて定められることを特徴とするＭＯＳトランジスタ。」が記載されている。
　
５．理由１についての対比、判断
　引用例記載の発明の構成と本願発明１の構成とを対比する。引用例記載の発明における「第１及び第２のフィールド酸化膜２及び５」、「チャネル領域１２及びソース／ドレイン４の部分」、「チャネルストッパ領域９」、「ゲート電極３」及び「ＭＯＳトランジスタ」は、それぞれ本願発明１の「フィールド絶縁膜」、「活性領域」、「基板内に形成された前記基板と同一の導電型の不純物領域」、「ゲートパターン」及び「半導体装置」に相当する。
　また引用例１記載の発明における「チャネルストッパ領域９」は、第１フィールド酸化膜２の下部の全て及び第２のフィールド酸化膜５の下部を囲むように形成されているといえる。
　よって、両者は、
「所定の導電型の半導体基板と、
　前記基板上に形成されたフィールド絶縁膜と、
　前記フィールド絶縁膜によって前記基板内に定められた活性領域と、
　前記フィールド絶縁膜の下部を囲むように前記基板内に形成された前記基板と同一の導電型の不純物領域と、
　前記基板上に形成されたゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜及びフィールド絶縁膜上に形成されたゲートパターンとを含む低いしきい値電圧を持つ半導体装置であって、
　ゲート形成予定領域の対向する両端の活性領域部分が所定幅にて外方に突出するように前記フィールド絶縁膜にて定められることを特徴とする半導体装置。」の点で一致し、
「低いしきい値電圧を持つ半導体装置」の点で一応相違している。
　以下上記相違点について検討する。
引用例におけるＭＯＳトランジスタが「低いしきい値電圧を持つ」かどうかの明記はないが、
　ＭＯＳトランジスタのような半導体装置では、設計上種々のしきい値電圧が選択可能なこと、
　低いしきい値電圧は、半導体装置の技術分野では周知の技術課題であること、　引用例においても低電圧化が課題とされていること、
　本願発明１において、「低いしきい値電圧を持つ」としたことに伴う構成上の特徴が認められないこと、を勘案すれば、「低いしきい値電圧を持つ」としたことは設計に当たって当業者が考慮すべき事項を単に記述したにすぎない程度のものである。
　よって、低いしきい値電圧を持つ半導体装置の点は、実質的な相違点ではない。
　以上のとおりであるから、本願発明１は、引用例に記載された発明であると認められ、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることはできない。
　
６．理由２についての対比、判断
　上記５．の項では、本願発明１における、「前記フィールド絶縁膜の下部を囲むように前記基板内に形成された前記基板と同一の導電型の不純物領域」の構成を「前記フィールド絶縁膜の下部を全て囲むように前記基板内に形成された前記基板と同一の導電型の不純物領域」と解される余地も無いわけではないので念のためこの点について検討する。
　引用例と本願発明１とを対比すると、５．の項で検討した事項に加えて次のような相違点が挙げられる。
　なお低いしきい値電圧を持つ半導体装置の点は、実質的な相違点ではないとして上記５．で検討済みであるから、ここでは省略する。
　引用例では、第１フィールド酸化膜２の下部の全て及び第２のフィールド酸化膜５の下部の一部が囲まれているのに対し、本願発明１ではフィールド絶縁膜の下部を全て囲むように形成する点で相違している。
　即ち引用例において、第１フィールド酸化膜２の下部の全て及び第２のフィールド酸化膜５の下部の全部が囲まれていることに相当する。
以下この点について検討する。
　フィールド酸化膜の下部の全てを囲むようにすることは、審査の過程で提示した、特開平３−１５５６５１号公報或いは特開昭５７−１３６３４３号公報にもあるように周知の技術事項であり、引用例における不純物領域９はこのような目的でなされているのであるから、不純物領域９のような構造を第２のフィールド酸化膜５の下部の全部が囲まれるように延長した構造とすることは当業者であれば容易に成し得たものと認められる。
　以上のとおりであるから、本願発明１は、本願発明１における、「前記フィールド絶縁膜の下部を囲むように前記基板内に形成された前記基板と同一の導電型の不純物領域」の構成を「前記フィールド絶縁膜の下部を全て囲むように前記基板内に形成された前記基板と同一の導電型の不純物領域」と解しても、引用例に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない。
　
７．結論
　以上のとおりであるから、本願発明２乃至８について検討するまでもなく本願は拒絶をするべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。