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　特願２００８−５２０４４２「制御された粒子ビームを生成するための装置及び方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　１月１８日国際公開、ＷＯ２００７／００８７９２、平成２１年　１月　８日国内公表、特表２００９−５００８５８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００６年７月１０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００５年７月８日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２１年７月１０日付けで手続補正書が提出され、その後、平成２４年２月１４日付けで拒絶理由が通知され、同年８月１４日付けで意見書が提出されたが、平成２５年５月１３日付けで拒絶査定がなされた。本件は、これに対して、平成２５年９月２４日に拒絶査定に対する審判請求がなされたものである。
　
　
第２　本願発明について
１．本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、以下のとおりのものと認める。
　
「ワークピースを、経路に沿って伝播する荷電粒子に露光するためのチャンバであり、
　荷電粒子流を発生させるように構成された荷電粒子源と、
　前記荷電粒子流を前記荷電粒子源から伝播軸に沿ってコリメートして方向決めするように構成されたコリメータと、
　少なくとも一つの荷電粒子を含む集団を備え時間的且つ空間的に分解されたデジタルフラッシュを、前記伝播軸に沿った前記荷電粒子間の縦方向の間隔を調節することによって、生成するように構成されたビームデジタイザと、
　前記デジタルフラッシュを伝播方向に対して横方向に偏向させるように構成された偏向器であって、前記コリメータと該偏向器との間の前記径路内に前記ビームデジタイザが存在している、偏向器と、
　前記デジタルフラッシュまたは前記デジタルフラッシュの一つ以上の集団を縮小するように構成された対物レンズアセンブリであって、前記ビームデジタイザと該対物レンズアセンブリとの間の前記経路内に前記偏向器が存在している、対物レンズアセンブリと、
　ワークピースを保持するように構成されたワークピースステージであって、前記偏向器と該ワークピースステージとの間に前記対物レンズアセンブリが存在している、ワークピースステージと、を備えるチャンバ。」
　
　なお、平成２１年７月１０日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１は、
「ワークピースを、経路に沿って伝播する荷電粒子に露光するためのチャンバであり、
　荷電粒子流を発生させるように構成された荷電粒子源と、
　前記荷電粒子流を前記荷電粒子源から伝播軸に沿ってコリメートして方向決めするように構成されたコリメータと、
　少なくとも一つの荷電粒子を含む集団を備え時間的且つ空間的に分解されたデジタルフラッシュを、前記伝播軸に沿った前記荷電粒子間の縦方向の間隔を調節することによって、生成するように構成されたビームデジタイザと、
　前記デジタルフラッシュを伝播方向に対して横方向に偏向させるように構成された偏向器であって、前記コリメータと該偏向器との間の前記経路内の偏向器と、
　前記デジタルフラッシュまたは前記デジタルフラッシュの一つ以上の集団を縮小するように構成された対物レンズアセンブリであって、前記ビームデジタイザと該対物レンズアセンブリとの間の前記経路内に前記偏向器が存在している、対物レンズアセンブリと、
　ワークピースを保持するように構成されたワークピースステージであって、前記偏向器と該ワークピースステージとの間に前記対物レンズアセンブリが存在している、ワークピースステージと、を備えるチャンバ。」
であるが、「前記コリメータと該偏向器との間の前記経路内の偏向器」という記載は、コリメータと偏向器との間に偏向器が存在するという明らかに誤った記載であって、さらに、本願の明細書の記載（特に、段落【００３５】〜【００４５】、図２）によれば、コリメータと偏向器との間に存在するのはビームデジタイザであることは明らかであるから、「前記ビームデジタイザと該対物レンズアセンブリとの間の前記経路内に前記偏向器が存在している、対物レンズアセンブリ」及び「前記偏向器と該ワークピースステージとの間に前記対物レンズアセンブリが存在している、ワークピースステージ」という記載と記載形式を合わせると、「前記コリメータと該偏向器との間の前記径路内に前記ビームデジタイザが存在している、偏向器」の誤記であると認められるので、上記のように認定した。（さらに、ともに本願のパテントファミリーであって、上述の誤記と同様の誤記がある米国特許第７，５０７，９６０号の請求項１の「ｔｈｅ　ｄｅｆｌｅｃｔｏｒ　ｉｎ　ｓａｉｄ　ｐａｔｈ　ｂｅｔｗｅｅｎ　ｔｈｅ　ｃｏｌｌｉｍａｔｏｒ　ａｎｄ　ｔｈｅ　ｄｅｆｌｅｃｔｏｒ」と、正しい記載である欧州特許第２０２７５９４号の請求項１の「ｔｈｅ　ｂｅａｍ　ｄｉｇｉｔｉｚｅｒ（２０６）　ｉｎ　ｓａｉｄ　ｐａｔｈ　ｂｅｔｗｅｅｎ　ｔｈｅ　ｃｏｌｌｉｍａｔｏｒ（２０４）　ａｎｄ　ｔｈｅ　ｄｅｆｌｅｃｔｏｒ（２１０，６０２）」をも、参考にすることができる。）
　
２．引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開平９−２５７４４５号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は、当審が付した。）
　
（ａ）「【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のＦＩＢ装置（集束イオンビーム装置）を用いた表面形状測定方法は
、パルス化されたイオンビームの発生手段を備えたＦＩＢ装置を用いて、パルス化されたイオンビームを試料表面上の基準面及び測定点に照射し、
【０００９】また、この方法に基いて、パルス化されたイオンビームを試料表面上の基準面に照射するとともに、試料表面上の測定面に走査しながら照射し、前記測定面内の各点において飛行時間の差を測定することによって、前記試料表面の三次元形状を求めることも可能である。
【００１０】また、この方法を適用するためのＦＩＢ装置は、イオンビームの発生手段と、イオンビームのパルス化手段と、このパルス化されたイオンビームがその飛行経路上の所定断面を通過したことを検出する第一の検出手段と、イオンビームの走査手段と、イオンビームが試料表面に入射した際に発生する光あるいは二次荷電粒子の検出する第二の検出手段と、前記パルス化されたイオンビームを試料表面上の基準面及び測定点に照射した際の前記第一の検出手段の出力信号及び前記第二の検出手段の出力信号に基いて、イオンビームが前記所定断面から前記基準面に到達するまでの飛行時間と、前記所定断面から前記測定点に到達するまでの飛行時間との差を測定する信号処理手段と、この飛行時間の差の測定値に基いて、前記基準面から前記測定点までの高さあるいは深さを算出する演算手段と、を備える。
【００１１】本発明の方法によれば、パルス化されたイオンビームが前記所定断面を通過して試料表面に到達するまでに要する時間を、前記第一の検出手段の出力信号パルスから前記第二の検出手段の出力信号パルスまでの時間として検出し、この様にして検出された時間について、前記基準面と前記測定点の間で差を求め、この値を飛行時間差の測定値とする。イオンビームの速度は、イオンの質量、電荷量、加速電圧等で決定されるので、飛行時間差の測定値に基いて、前記基準面から前記測定点までの高さ（あるいは深さ）を求めることができる。なお、実際の作業においては、高さ（あるいは深さ）が既知の標準試料を用いて、前記飛行時間差の測定値と高さ（あるいは深さ）との関係を較正しておく。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図１から図４を用いて説明する。図１は、本発明に基く表面形状測定方法を実施するためのＦＩＢ装置（マスク修正装置）の構成の概要を示す。
【００１３】
本発明の方法に使用するＦＩＢ装置は、図１に示す様に、試料１５を収容する試料チャンバ１７と、イオンビーム光学系を収容する鏡筒部１とから構成されている。鏡筒部１の内部には、上から順に、Ｇａイオン源２、第一静電レンズ３、イオンビームのパルス化手段４、ビームブランキング５、ビームブランキングアパーチャ６、キャパシティブピックオフ１９、偏向器７、スティグメータ８、及び第二静電レンズ９が配置されて、イオンビーム光学系が形成されている。試料チャンバ１７には、試料１５を保持する試料ステージ１６が配置される
【００１４】図２（ａ）は、図１中のイオンビームのパルス化手段４の構成を示す。
パルス化手段４は、図２（ａ）に示す様に、イオンビームを左右に振るスイープ機構２１、イオンビームを短時間で上下させるポップ機構２０、中心部にアパーチャ２６を有するアパーチャ板２２、及びこれらの機構でパルス化されたイオンビームのビーム幅を更に短縮するバンチング機構２４から構成される。
【００１５】次に、イオンビームがＧａイオン源２から試料１５に到達するまでの過程について説明する。
鏡筒部１の頂部に配置されたＧａイオン源２から引き出されたＧａ
＋
イオンビーム１８は、第一静電レンズ３で収束された後、パルス化手段４に入り、
【００１６】図２（ｂ）は、パルス化手段４の動作原理を示す。
第一静電レンズ３で収束されたＧａ
＋
イオンビーム１８は、スイープ機構の電極２１により横方向にスイープされるとともに（矢印２８）、ポップ機構の電極２０によりスイープ方向と交差する方向に断続的にシフトされながら（矢印２７）、アパーチャ板２２上に入射する。この様にして、Ｇａ
＋
イオンビーム１８がアパーチャ板２２に設けられたアパーチャ２６に断続的に導かれることによって、アパーチャ２６を通過したイオンビーム２３はパルス状のイオンビームとなる。このパルス状のイオンビーム２３は、更に、バンチング機構２４でパルスに同期して減速あるいは加速がなされ、ビーム幅が０．５ｐｓｅｃまで短縮されて、パルス化イオンビーム２５となる。
【００１７】この様にして、
パルス化手段４で形成されたパルス化イオンビーム２５は、図１に示す様に、ＦＩＢの鏡筒部１に配置されたビームブランキング５、ビームブランキングアパーチャ６、キャパシティブピックオフ１９、偏向器７、及びスティグメータ８などを順に通過した後、第二静電レンズ９によって試料１５上に収束される。
　
（ｂ）「【図１】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　
（ｃ）「【図２】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　
　上記引用文献１の記載事項から、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
　
「パルス化されたイオンビームを試料表面上の基準面及び測定点に照射するＦＩＢ装置を構成する、試料１５を収容する試料チャンバ１７とイオンビーム光学系を収容する鏡筒部１であって、
　鏡筒部１の内部には、上から順に、Ｇａイオン源２、第一静電レンズ３、イオンビームのパルス化手段４、ビームブランキング５、ビームブランキングアパーチャ６、キャパシティブピックオフ１９、偏向器７、スティグメータ８、及び第二静電レンズ９が配置されて、イオンビーム光学系が形成されており、
　試料チャンバ１７には、試料１５を保持する試料ステージ１６が配置され、
　パルス化手段４は、イオンビームを左右に振るスイープ機構２１、イオンビームを短時間で上下させるポップ機構２０、中心部にアパーチャ２６を有するアパーチャ板２２、及びこれらの機構でパルス化されたイオンビームのビーム幅を更に短縮するバンチング機構２４から構成され、
　鏡筒部１の頂部に配置されたＧａイオン源２から引き出されたＧａ＋イオンビーム１８は、第一静電レンズ３で収束された後、パルス化手段４に入り、スイープ機構の電極２１により横方向にスイープされるとともに、ポップ機構の電極２０によりスイープ方向と交差する方向に断続的にシフトされながら、アパーチャ板２２上に入射し、Ｇａ＋イオンビーム１８がアパーチャ板２２に設けられたアパーチャ２６に断続的に導かれることによって、アパーチャ２６を通過したイオンビーム２３はパルス状のイオンビームとなり、このパルス状のイオンビーム２３は、更に、バンチング機構２４でパルスに同期して減速あるいは加速がなされ、ビーム幅が０．５ｐｓｅｃまで短縮されて、パルス化イオンビーム２５となり、パルス化手段４で形成されたパルス化イオンビーム２５は、鏡筒部１に配置されたビームブランキング５、ビームブランキングアパーチャ６、キャパシティブピックオフ１９、偏向器７、及びスティグメータ８などを順に通過した後、第二静電レンズ９によって試料１５上に収束される、
　試料チャンバ１７と鏡筒部１。」
　
３．対比
（１）本願発明と引用発明との対比
（ａ）引用発明の「試料１５」、「Ｇａ＋イオン」、「Ｇａ＋イオンビーム１８」は、それぞれ、本願発明の「ワークピース」、「荷電粒子」、「荷電粒子流」に相当する。
　
（ｂ）引用発明の「パルス化されたイオンビームを試料表面上の基準面及び測定点に照射する」ことは「試料」を「イオンビーム」に露光することであること、「イオンビーム」は径路に沿って伝播すること、及び、「イオンビーム光学系を収容する鏡筒部１」はチャンバの一種であることは当業者には明らかであるから、引用発明の「パルス化されたイオンビームを試料表面上の基準面及び測定点に照射するＦＩＢ装置を構成する、試料１５を収容する試料チャンバ１７とイオンビーム光学系を収容する鏡筒部１」は、本願発明の「ワークピースを、経路に沿って伝播する荷電粒子に露光するためのチャンバ」に相当する。
　
（ｃ）引用発明の「Ｇａイオン源２」は、「鏡筒部１の頂部に配置され」「Ｇａ＋イオンビーム１８」が「引き出され」るものであるから、本願発明の「荷電粒子流を発生させるように構成された荷電粒子源」に相当する。
　
（ｄ）引用発明の「第一静電レンズ３」は、「Ｇａイオン源２から引き出されたＧａ＋イオンビーム１８」が、「第一静電レンズ３で収束され」るものであって、この「収束され」ることにより、「Ｇａ＋イオンビーム１８」が「Ｇａイオン源２」から伝播軸に沿ってコリメートされ、方向決めされることは技術常識であるから、本願発明の「前記荷電粒子流を前記荷電粒子源から伝播軸に沿ってコリメートして方向決めするように構成されたコリメータ」に相当する。
　
（ｅ）引用発明の「パルス化手段４」を構成する「バンチング機構２４」は、「イオンビームを左右に振るスイープ機構２１、イオンビームを短時間で上下させるポップ機構２０、中心部にアパーチャ２６を有するアパーチャ板２２、及びこれらの機構でパルス化されたイオンビームのビーム幅を更に短縮する」もの、より詳しくは、「Ｇａ＋イオンビーム１８は、」「パルス化手段４に入り、スイープ機構の電極２１により横方向にスイープされるとともに、ポップ機構の電極２０によりスイープ方向と交差する方向に断続的にシフトされながら、アパーチャ板２２上に入射し、Ｇａ＋イオンビーム１８がアパーチャ板２２に設けられたアパーチャ２６に断続的に導かれることによって、アパーチャ２６を通過したイオンビーム２３はパルス状のイオンビームとなり、このパルス状のイオンビーム２３は、更に、バンチング機構２４でパルスに同期して減速あるいは加速がなされ、ビーム幅が０．５ｐｓｅｃまで短縮されて、パルス化イオンビーム２５とな」るものである、すなわち、引用発明の「バンチング機構２４」は、「パルス化イオンビーム２５」を、「パルス状のイオンビーム２３」を「更に」「パルスに同期して減速あるいは加速」して「ビーム幅」を「０．５ｐｓｅｃまで短縮」することにより生成するように構成されたものであるといえる。
　そして、「パルス化イオンビーム２５」の１パルス分が、本願発明の「少なくとも一つの荷電粒子を含む集団を備え時間的且つ空間的に分解されたデジタルフラッシュ」に相当すること、及び、「パルス状のイオンビーム２３」を「更に」「パルスに同期して減速あるいは加速」して「ビーム幅」を「０．５ｐｓｅｃまで短縮」することが、「Ｇａ＋イオン」間の伝播方向の間隔を調節していることであることは、当業者には明らかであるから、引用発明の「バンチング機構２４」は、本願発明の「少なくとも一つの荷電粒子を含む集団を備え時間的且つ空間的に分解されたデジタルフラッシュを、前記伝播軸に沿った前記荷電粒子間の縦方向の間隔を調節することによって、生成するように構成されたビームデジタイザ」に相当すると認められる。
　
（ｆ）一般に、ＦＩＢ装置において、偏向器は、イオンビームを伝播方向に対して横方向に偏向させるものであることは技術常識であるから、引用発明の「偏向器７」は、本願発明の「前記デジタルフラッシュを伝播方向に対して横方向に偏向させるように構成された偏向器」に相当する。
　
（ｇ）引用発明の「パルス化手段４で形成されたパルス化イオンビーム２５は、」「第二静電レンズ９によって試料１５上に収束される」ことにおいて、「収束される」ことは縮小されることであることは明らかであるから、引用発明の「第二静電レンズ９」は、本願発明の「前記デジタルフラッシュまたは前記デジタルフラッシュの一つ以上の集団を縮小するように構成された対物レンズアセンブリ」に相当する。
　
（ｈ）引用発明の「試料１５を保持する試料ステージ１６」は、本願発明の「ワークピースを保持するように構成されたワークピースステージ」に相当する。
　
（ｉ）引用発明において、「パルス化手段４で形成されたパルス化イオンビーム２５は、」「第二静電レンズ９によって試料１５上に収束される」ことから、「試料１５を保持する試料ステージ１６」が「第二静電レンズ９」の下流にあることは自明である。
　すると、引用発明の「鏡筒部１の内部には、上から順に、Ｇａイオン源２、第一静電レンズ３、イオンビームのパルス化手段４、ビームブランキング５、ビームブランキングアパーチャ６、キャパシティブピックオフ１９、偏向器７、スティグメータ８、及び第二静電レンズ９が配置されて、イオンビーム光学系が形成されており、試料チャンバ１７には、試料１５を保持する試料ステージ１６が配置され」ていることは、本願発明の「前記コリメータと該偏向器との間の前記径路内に前記ビームデジタイザが存在している、偏向器と、」「前記ビームデジタイザと該対物レンズアセンブリとの間の前記経路内に前記偏向器が存在している、対物レンズアセンブリと、」「前記偏向器と該ワークピースステージとの間に前記対物レンズアセンブリが存在している、ワークピースステージと、を備える」ことに相当する。
　
（２）一致点
　してみると、両者は、
「ワークピースを、経路に沿って伝播する荷電粒子に露光するためのチャンバであり、
　荷電粒子流を発生させるように構成された荷電粒子源と、
　前記荷電粒子流を前記荷電粒子源から伝播軸に沿ってコリメートして方向決めするように構成されたコリメータと、
　少なくとも一つの荷電粒子を含む集団を備え時間的且つ空間的に分解されたデジタルフラッシュを、前記伝播軸に沿った前記荷電粒子間の縦方向の間隔を調節することによって、生成するように構成されたビームデジタイザと、
　前記デジタルフラッシュを伝播方向に対して横方向に偏向させるように構成された偏向器であって、前記コリメータと該偏向器との間の前記径路内に前記ビームデジタイザが存在している、偏向器と、
　前記デジタルフラッシュまたは前記デジタルフラッシュの一つ以上の集団を縮小するように構成された対物レンズアセンブリであって、前記ビームデジタイザと該対物レンズアセンブリとの間の前記経路内に前記偏向器が存在している、対物レンズアセンブリと、
　ワークピースを保持するように構成されたワークピースステージであって、前記偏向器と該ワークピースステージとの間に前記対物レンズアセンブリが存在している、ワークピースステージと、を備えるチャンバ。」
で一致し、相違点はない。
　
４．判断
　したがって、本願発明は引用発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定される発明に該当し、特許を受けることができない。
　
５．請求人の主張について
　請求人は、平成２４年８月１４日付けの意見書（以下、単に「意見書」という。）で、
「引用文献１のイオンパルスの形成は、流れに固有の制限を課すものとして当該分野で周知のビーム“チョッピング”に対する新規方法を提供しているものです。引用文献１に記載の方法をビーム“チョッピング”と分類できる理由は、図２に示されますように、イオンが完全にブランキングされている期間（つまり、参照番号２８で示されますようにビームがスイーピングされていて、参照番号２７で示されますようにビームがポッピングされた時のみビームがコラムの下流に流れているため、コラムの下流に流れが物理的に存在していない期間）が存在しているからです。」
と、また、平成２５年１１月７日付けの手続補正により補正された審判請求書の【請求の理由】（以下、単に「請求の理由」という。）で、
「これに対して、引用文献１に記載の発明において、バンチング機構２４は、ビームを遮断することによって、分割されたビームを生成して、ビームから一部の粒子を除去するものである。引用文献１に記載の発明では、粒子間の縦方向の間隔は変更されておらず、単に一部の粒子が除去されているに過ぎない。粒子はビーム経路に沿って伝播していくが、その相対的な位置は常に同じである。従って、粒子間の間隔は何ら変更されていない。
　つまり、引用文献１に記載の発明のバンチング機構と本願発明１のビームデジタイザとでは、引用文献１の「バンチング」という誤った命名方法から類似しているように思われてしまうが、全く異なるものである。この点について、より詳細に説明すると、以下の通りである。
　引用文献１のバンチング機構２４は、荷電粒子（イオン）がコラム下流に流れて行かない時間周期と、荷電粒子がコラム下流に流れていく時間周期とを生成するための手段である。引用文献１に記載の発明において、この生成は、荷電粒子がコラム下流に流れていく時間周期において、荷電粒子の分布及び密度プロファイルを“変更せずに”達成されている。分布及び密度プロファイルを変更する代わりに、引用文献１の図２に示されるように、中心部にアパーチャ２６を有するアパーチャ板２２に対して、荷電粒子ビームを矢印２８にスイープしている。この場合、スイープ速度、アパーチャの開口サイズ、そしてアパーチャに対する滞留時間によって、荷電粒子が存在しているセグメントの時間間隔が決定されるが、これは、ビームを単に“チョッピング”しているのであって、チョッピングされたビームの密度を増大させているものではなく、ビーム中の荷電粒子間の間隔は変更されていない。そうではなくて、上述のように、一部の粒子がビームから除去されているのである。この場合、ビーム中に残っている粒子は、同じ位置間隔のままである。このような技術のことを一般的に、ビームの“チョッピング”と称するのである。
　引用文献１に記載の発明において、ビームを“チョッピング”すると、連続ビームからの或るパーセンテージの粒子は、アパーチャに対して偏向されていない場合にアパーチャによって遮断されて、利用されない。このような“チョッピング”法は、粒子ビームリソグラフィ及び走査型電子顕微鏡一般において、ビームをオン及ぶオフするために周知のものである。」
と、引用文献１の「バンチング機構２４」はビームを”チョッピング”するものであると認定して、引用文献１の「バンチング機構２４」は本願発明の「ビームデジタイザ」とは異なる旨、主張しているので、以下、該主張について検討する。
　
　まず、引用文献１の「バンチング機構２４」は、引用文献１の明細書の段落【００１４】〜【００１６】（上記「２．」「（ａ）」参照）、図２（上記「２．」「（ｃ）」参照）に記載されるとおり、「イオンビームを左右に振るスイープ機構２１」、「イオンビームを短時間で上下させるポップ機構２０」及び「中心部にアパーチャ２６を有するアパーチャ板２２」からなる機構により「パルス化されたイオンビーム」（「パルス状のイオンビーム２３」）を、さらに、該パルスに同期して減速あるいは加速して、ビーム幅を短縮するものであるから、「バンチング機構２４」は、「イオンビームを左右に振るスイープ機構２１」、「イオンビームを短時間で上下させるポップ機構２０」及び「中心部にアパーチャ２６を有するアパーチャ板２２」からなる機構とは、別の機構であることは明らかである。
　次に、請求の理由の「引用文献１のバンチング機構２４は、・・・引用文献１の図２に示されるように、中心部にアパーチャ２６を有するアパーチャ板２２に対して、荷電粒子ビームを矢印２８にスイープしている。この場合、スイープ速度、アパーチャの開口サイズ、そしてアパーチャに対する滞留時間によって、荷電粒子が存在しているセグメントの時間間隔が決定されるが、これは、ビームを単に“チョッピング”しているのであって、チョッピングされたビームの密度を増大させているものではなく、ビーム中の荷電粒子間の間隔は変更されていない。」という記載からは、請求人は、引用文献１の「バンチング機構２４」が「イオンビームを左右に振るスイープ機構２１」、「イオンビームを短時間で上下させるポップ機構２０」及び「中心部にアパーチャ２６を有するアパーチャ板２２」からなる機構であると認定していると解される。また、意見書の「引用文献１に記載の方法をビーム“チョッピング”と分類できる理由は、図２に示されますように、イオンが完全にブランキングされている期間（つまり、参照番号２８で示されますようにビームがスイーピングされていて、参照番号２７で示されますようにビームがポッピングされた時のみビームがコラムの下流に流れているため、コラムの下流に流れが物理的に存在していない期間）が存在しているからです。」という記載も同趣旨であると解される。
　すると、上述のとおり、「バンチング機構２４」は、「イオンビームを左右に振るスイープ機構２１」、「イオンビームを短時間で上下させるポップ機構２０」及び「中心部にアパーチャ２６を有するアパーチャ板２２」からなる機構とは、別の機構であることは明らかであるから、請求人の「バンチング機構２４」の上記認定が誤認であることは明らかである。
　なお、引用文献１に記載された「イオンビームを左右に振るスイープ機構２１」、「イオンビームを短時間で上下させるポップ機構２０」及び「中心部にアパーチャ２６を有するアパーチャ板２２」からなる機構は、（本願の明細書の段落【００３５】〜【００４０】、図３Ｃに記載された「ビームバンチャー」ではなく、）本願の明細書の段落【００４１】、図３Ｄに記載された「ビームブランカー」に相当する。
　したがって、請求人の意見書及び請求の理由での上記主張は、引用文献１の記載事項の誤認に基づくものであって、到底採用し得るものではない。
　
　
第３　むすび
　以上のとおり、本願発明は引用発明であり、特許法第２９条第１項第３号に規定される発明に該当し、特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって結論のとおり審決する。