【事件の表示】
　特願２０１２−２３９３６６「反射防止材の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　３月　７日出願公開、特開２０１３−　４７８３８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１３年５月１０日に出願した特願２００１−１３９５７８号の一部を平成２４年１０月３０日に新たな特許出願としたものであって、平成２５年５月１３日及び同年１０月２日に手続補正がなされ、同年１０月２５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２６年１月２９日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正がなされたものである。
　なお、請求人は、平成２６年２月２６日付け前置報告書の内容を踏まえて、同年５月２２日に上申書を提出している。
　
第２　平成２６年１月２９日になされた手続補正についての補正却下の決定
〔補正却下の決定の結論〕
　平成２６年１月２９日になされた手続補正を却下する。
　
〔理由〕
１　本件補正の内容
（１）平成２６年１月２９日になされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲の請求項１についてするものであって、本件補正前の請求項１に、
「透明基材、および光の波長以下のピッチの無数の微細凹凸が形成された凹凸型面を有する賦型用型とを準備し、前記透明基材と前記賦型用型の前記凹凸型面の側とを、電離放射線硬化性樹脂組成物を介して積層を行ない、積層を行なった後、前記透明基材と前記賦型用型との間の前記電離放射線硬化性樹脂組成物への電離放射線の照射により、前記電離放射線硬化性樹脂組成物の硬化、および前記透明基材との接着を行ない、その後、前記硬化物を前記透明基材と共に前記賦型用型から離型することを行ない、さらに、前記硬化物表面に透明層からなる表面層を形成するものであり、
　前記透明層が、フッ素系樹脂もしくはシリコーン系樹脂で形成されたものであり、
　前記電離放射線硬化性樹脂組成物が、前記フッ素系樹脂もしくは前記シリコーン系樹脂を含むものであり、前記硬化物を形成する際に、前記フッ素系樹脂および前記シリコーン系樹脂をブリードアウトさせることにより前記透明層を形成するものであり、
　前記の凹凸型面を有する型を準備することを、感光性樹脂にレーザー光干渉法により型の凹凸を形成して原型を得たのち、めっき法により金属製スタンパーを得ることにより行な
うこ
　
「透明基材、および光の波長以下のピッチの無数の微細凹凸が形成された凹凸型面を有する賦型用型とを準備し、前記透明基材と前記賦型用型の前記凹凸型面の側とを、電離放射線硬化性樹脂組成物を介して積層を行ない、積層を行なった後、前記透明基材と前記賦型用型との間の前記電離放射線硬化性樹脂組成物への電離放射線の照射により、前記電離放射線硬化性樹脂組成物の硬化、および前記透明基材との接着を行ない、その後、前記硬化物を前記透明基材と共に前記賦型用型から離型することを行ない、さらに、前記硬化物表面に透明層からなる表面層を形成するものであり、
　前記透明層が、フッ素系樹脂もしくはシリコーン系樹脂で形成されたものであり、
　前記電離放射線硬化性樹脂組成物が、前記フッ素系樹脂もしくは前記シリコーン系樹脂を含むものであり、前記硬化物を形成する際に、前記フッ素系樹脂および前記シリコーン系樹脂をブリードアウトさせることにより前記透明層を形成するものであり、
　前記の凹凸型面を有する型を準備することを、感光性樹脂にレーザー光干渉法により型の凹凸を形成して原型を得たのち、めっき法により金属製スタンパーを得ることにより行な
うものであり、
　
前記賦型用型の形状が、断面の上縁が正弦曲線である形状または断面の頂部が円弧状で立ち上がり部分が直線状であり上へ行くほどすぼまった形状の逆型形状であるこ
　
（２）本件補正後の請求項１に係る上記（１）の補正は、本件補正前の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である「賦型用型」についてその形状が「断面の上縁が正弦曲線である形状または断面の頂部が円弧状で立ち上がり部分が直線状であり上へ行くほどすぼまった形状の逆型形状である」と限定する補正である。
　
２　本件補正の目的
　本件補正後の請求項１に係る上記１（２）の補正は、本件補正前の請求項１において記載されていた「賦型用型」について、その「形状」が、出願当初明細書【００３８】及び【００４７】の記載に基づいて「断面の上縁が正弦曲線である形状または断面の頂部が円弧状で立ち上がり部分が直線状であり上へ行くほどすぼまった形状の逆型形状である」と限定するものであるから、平成１４年法律第２４号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たし、また、本件補正前の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項を限定するものであるから、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下検討する。
　
３　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された「本願の出願前に頒布された刊行物である特開２０００−７１２９０号公報（以下「引用例」という。）」には、次の事項が図とともに記載されている。
　
（１）「【特許請求の範囲】
【請求項１】  
少なくとも一方の表面に、隣り合う凸部もしくは凹部のピッチが１０〜３００ｎｍの範囲にある凹凸形状が平面方向に連続形成されてなる反射防止性を有する物品を製造する方法であって、該凹凸形状と鍵と鍵穴の関係にある形状を表面に有する型を用いて賦形する
反射防止物品の製造方法
【請求項２】  少なくとも一方の表面に、隣り合う凸部もしくは凹部のピッチが１０〜３００ｎｍの範囲にある凹凸形状が平面方向に連続形成されてなる反射防止性を有する物品を製造する方法であって、該凹凸形状と鍵と鍵穴の関係にある形状を表面に有する型を用いて射出成形法により成形することを特徴とする反射防止物品の製造方法。
【請求項３】  少なくとも一方の表面に、隣り合う凸部もしくは凹部のピッチが１０〜３００ｎｍの範囲にある凹凸形状が平面方向に連続形成されてなる反射防止性を有する物品を製造する方法であって、
放射線硬化性樹脂の前駆液を介して基体と型をラミネートした後に基体側もしくは型を通して放射線を照射し前駆液を硬化させた後に型を分離することにより、基体上に該凹凸形状を有する層を積層形成する
　
（２）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明により製造される反射防止物品は、
液晶ディスプレー、プラズマディスプレー、フィールドエミッション型ディスプレー、ＣＲＴ等の各種ディスプレーや、ショウウインドウ、眼鏡レンズ、各種の光学部品等において、空気と接する界面で生じる光の反射量を減じる目的で用いられる
　
（３）「【０００９】またここで物品表面の凸部の占める体積比率（審決注：「面積比率」の誤記である。）が表面側ほど小さくなるような凸部が形成されている場合には、面内屈折率が物品内部側から表面側に向かって徐々に減少する屈折率傾斜性が発現し、最表面からの距離に従って面内屈折率が、空気の屈折率（ｎ＝１．０）から物品内部の屈折率まで一次の線形変化をするような屈折率の傾斜を実現できれば、最大の反射防止効果が得られることがわかっている。
【００１０】この理想的な屈折率の傾斜はおおまかに言うと、この凹凸部分を平面的に切断した切断面内における凸部の占める面積比率が、最表面から切断面までの距離に従って一次の線形変化（リニヤな増加）をするような凹凸の形成により実現することができる。
【００１１】一般的に、
高い反射防止性の実現には、
【００１２】この条件に合致する
表面形状としては、前記の切断平面の一辺もしくは直径等の長さが最表面から距離の１／２乗に比例する多角形、円、楕円等になるような凸形状（もしくは凹形状）が連続的に形成された表面形状がもっとも好ましく挙げることができ、これに加えて例えば、三角錘、四角錘その他の多角錘、円錐等の凸形状が連続的に形成された表面形状や半球状の凹形状が連続的に形成された表面形状等が挙げられ
　
（４）「【００２０】本発明において
型として用いられる凹凸形状物は、
支持基板
上に
フォトレジスト膜をコーティングした後に、紫外線レーザー、電子線、Ｘ線等の光を選択的に照射してパターン潜像を形成し、これを現像することにより、凹凸パターンを有する型が作成
【００２１】このようなフォトリソグラフィーを用いた場合、最も基本的には断面が矩形状となる凹凸形状物が作成されるが、ここで用いるフォトレジスト膜の光感度や、露光に用いる光の焦点もしくは焦点深度を適切に調節する事等により、例えば断面が台形状もしくは概ね半円状となる凹凸形状物も作成できる場合がある。
【００２２】露光に用いる光として例えば紫外線レーザーを用いる場合には、例えばＡｒＦ（波長１９３ｎｍ）、ＫｒＦ（波長２４８ｎｍ）、ＸｅＣｌ（波長３０８ｎｍ）等の化合物によるエキシマレーザーが好ましく用いられ、必要に応じてこれらの光をコンデンサレンズ等の縮小光学系を通して照射すること等により、３００ｎｍピッチ以下の微細なパターニングが可能である。
【００２３】このようにして作成された凹凸パターンを有するフォトレジスト層は、このまま型として用いることもできるが、場合によってはこのフォトレジスト層を介して支持基板にドライエッチングを施して、レジストの載っていない支持基板面を選択的にエッチングし、最後にレジスト層を完全に除去することにより、支持基板そのものの表面に凹凸パターンを形成することも可能である。
【００２４】又、こうしたフォトリソグラフィーを用いた方法の他にも、例えば金属もしくは金属酸化物等を薬液エッチングもしくはプラズマエッチングする際の各結晶格子面でのエッチングレートの相違を利用して特定の結晶格子面を選択的にエッチングする事によって、もしくはポリエチレンテレフタレートをヘキサフルオロイソプロピルアルコール等の溶媒により表面処理する事によって、これらの表面に多角錘（四角錘、三角錘、円錐等）状の多数の微細な凸部を形成できる場合がある。
【００２５】又、例えばアルミニウムその他の金属膜を真空プロセス（スパッタリング、ＣＶＤ等）を用いて多結晶の膜を作成するようにし、結晶を意図的に大きく成長させるように、製膜時の基板温度や堆積速度等を適切に調整したり、堆積膜をレーザーアニーリングする等の方法を用いると、膜の表面に多角錘状の凸部が突き出した形状を連続的に形成する事が可能になる場合がある。
【００２６】又、例えば酸化アルミニウムの表面を陽極酸化する等の電気化学的方法によって、これらの表面に多数の微細な凹部を形成することが可能となる場合がある。
【００２７】これらの方法により形成された
凹凸形状物（原盤）
この原盤のレプリカを作成して型として用いることもでき
原盤上にニッケル、銀等による厚みが２０〜８０ｎｍ程度の薄膜を無電界めっき、スパッタ法等により形成し、次にこの薄膜を電極として、電気めっき法（電鋳法）等により例えばニッケルを０．３ｍｍ程度の厚みまで堆積させた後、このニッケル層をマスタリング基板から剥離させることにより、原盤のレプリカであって
ニッケル製の型を得る
　
（５）「【００４５】尚、ここまでに説明した本発明の方法により製造された
凹凸形状の形成された物品表面には、
表面での指紋等の付着汚れを目立ちにくくしたり、汚れを拭き取りやすくするような防汚染処理を行う事が好ましい
具体的な防汚染処理の方法としては、膜厚が数ｎｍ以下の極薄の撥油性に優れた層を表面に設ける処理を行う
これらの層としては、例えば各種の界面活性剤やＣＦ
3
（ＣＦ
2
）
7
ＣＨ
2
ＣＨ
2
−ＳｉＣｌ
3
、ＣＦ
3
（ＣＦ
2
）
7
ＣＨ
2
ＣＨ
2
−ＳｉＣＨ
3
Ｃｌ
2
、ＣＦ
3
（ＣＦ
2
）ＣＨ
2
ＣＨ
2
−Ｓｉ−（ＯＣＨ
3
）
3
等の各種フルオロアルキルシラン、フルオロアルコキシシランおよびこれらを他の高分子材料と共重合体した材料等が好適に用いられる
　
（６）上記（１）ないし（５）から、引用例には次の発明が記載されているものと認められる。
「液晶ディスプレー、プラズマディスプレー、フィールドエミッション型ディスプレー、ＣＲＴ等の各種ディスプレーや、ショウウインドウ、眼鏡レンズ、各種の光学部品等において、空気と接する界面で生じる光の反射量を減じる目的で用いられ、少なくとも一方の表面に、隣り合う凸部もしくは凹部のピッチが１０〜３００ｎｍの範囲にある凹凸形状が平面方向に連続形成されてなる反射防止物品の製造方法であって、
　放射線硬化性樹脂の前駆液を介して基体と前記凹凸形状と鍵と鍵穴の関係にある形状を表面に有する型をラミネートした後に基体側もしくは型を通して放射線を照射し前駆液を硬化させた後に型を分離することにより、基体上に該凹凸形状を有する層を積層形成するものであり、
　凹凸形状の形成された物品表面には、表面での指紋等の付着汚れを目立ちにくくしたり、汚れを拭き取りやすくするような防汚染処理を行う事が好ましく、具体的な防汚染処理の方法としては、膜厚が数ｎｍ以下の極薄の撥油性に優れた層を表面に設ける処理を行い、これらの層としては、例えば各種の界面活性剤やＣＦ3（ＣＦ2）7ＣＨ2ＣＨ2−ＳｉＣｌ3、ＣＦ3（ＣＦ2）7ＣＨ2ＣＨ2−ＳｉＣＨ3Ｃｌ2、ＣＦ3（ＣＦ2）ＣＨ2ＣＨ2−Ｓｉ−（ＯＣＨ3）3等の各種フルオロアルキルシラン、フルオロアルコキシシランおよびこれらを他の高分子材料と共重合体した材料等が好適に用いられ、
　型として用いられる凹凸形状物は、支持基板上にフォトレジスト膜をコーティングした後に、紫外線レーザー、電子線、Ｘ線等の光を選択的に照射してパターン潜像を形成し、これを現像することにより、凹凸パターンを有する原盤を作成し、該原盤上にニッケル、銀等による厚みが２０〜８０ｎｍ程度の薄膜を無電界めっき、スパッタ法等により形成し、次にこの薄膜を電極として、電気めっき法（電鋳法）等により例えばニッケルを０．３ｍｍ程度の厚みまで堆積させた後、このニッケル層をマスタリング基板から剥離させることにより得た、前記原盤のレプリカであるニッケル製の型であり、
　凹凸形状からなる表面形状としては、高い反射防止性の実現のために、前記の切断平面の一辺もしくは直径等の長さが最表面から距離の１／２乗に比例する多角形、円、楕円等になるような凸形状（もしくは凹形状）が連続的に形成された表面形状をもっとも好ましく挙げることができ、これに加えて例えば、三角錘、四角錘その他の多角錘、円錐等の凸形状が連続的に形成された表面形状や半球状の凹形状が連続的に形成された表面形状等が挙げられる、
　反射防止物品の製造方法。」（以下「引用発明」という。）
　
　
４　対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「隣り合う凸部もしくは凹部のピッチが１０〜３００ｎｍの範囲にある凹凸形状」、「『型』、『ニッケル製の型』」、「放射線硬化性樹脂の前駆液」、「『放射線』又は『紫外線レーザー、電子線、Ｘ線等の光』」、「凹凸形状を有する層」、「分離」、「極薄の撥油性に優れた層」、「ＣＦ3（ＣＦ2）7ＣＨ2ＣＨ2−ＳｉＣｌ3、ＣＦ3（ＣＦ2）7ＣＨ2ＣＨ2−ＳｉＣＨ3Ｃｌ2、ＣＦ3（ＣＦ2）ＣＨ2ＣＨ2−Ｓｉ−（ＯＣＨ3）3等の各種フルオロアルキルシラン、フルオロアルコキシシランおよびこれらを他の高分子材料と共重合体した材料」、「フォトレジスト膜」、「『原盤』又は『マスタリング基板』」及び「『反射防止物品』の『製造方法』」は、それぞれ、本願補正発明の「光の波長以下のピッチの無数の微細凹凸」、「『賦型用型』、『金属製スタンパー』」、「電離放射線硬化性樹脂組成物」、「電離放射線」、「硬化物」、「離型」、「表面層」、「フッ素系樹脂」、「感光性樹脂」、「原型」及び「『反射防止材』の『製造方法』」に相当する。
　
（２）引用発明の「反射防止材（反射防止物品）」は、液晶ディスプレー、プラズマディスプレー、フィールドエミッション型ディスプレー、ＣＲＴ等の各種ディスプレーや、ショウウインドウ、眼鏡レンズ、各種の光学部品等において、空気と接する界面で生じる光の反射量を減じる目的で用いられるのであるから、引用発明の「基体」が透明であることが当業者に自明であり、引用発明の「基体」は、本願補正発明の「透明基材」に相当する。
　
（３）引用発明は、「光の波長以下のピッチの無数の微細凹凸（隣り合う凸部もしくは凹部のピッチが１０〜３００ｎｍの範囲にある凹凸形状）」が平面方向に連続形成されてなる「反射防止材（反射防止物品）」を、「電離放射線硬化性樹脂組成物（放射線硬化性樹脂の前駆液）」を介して「透明基材（基体）」と前記「微細凹凸」と鍵と鍵穴の関係にある形状を表面に有する「賦型用型（型）」をラミネートした後に「透明基材」側もしくは「賦型用型」を通して「電離放射線（放射線）」を照射し「電離放射線硬化性樹脂組成物」を硬化させた後に「賦型用型」を「離型（分離）」することにより、「透明基材」上に「硬化物（凹凸形状を有する層）」を積層形成するものである。そして、該「硬化物」が「透明基材」と接着されていることは当業者に自明であるから、引用発明の「反射防止材の製造方法（反射防止物品の製造方法）」と本願補正発明の「反射防止材の製造方法」とは、「透明基材、および光の波長以下のピッチの無数の微細凹凸が形成された凹凸型面を有する賦型用型とを準備し、前記透明基材と前記賦型用型の前記凹凸型面の側とを、電離放射線硬化性樹脂組成物を介して積層を行ない、積層を行なった後、前記透明基材と前記賦型用型との間の前記電離放射線硬化性樹脂組成物への電離放射線の照射により、前記電離放射線硬化性樹脂組成物の硬化、および前記透明基材との接着を行ない、その後、前記硬化物を前記透明基材と共に前記賦型用型から離型すること」を行なう点で一致する。
　
（４）引用発明は、「微細凹凸（凹凸形状）」の形成された物品表面には、表面での指紋等の付着汚れを目立ちにくくしたり、汚れを拭き取りやすくするような防汚染処理を行う事が好ましく、具体的な防汚染処理の方法としては、膜厚が数ｎｍ以下の「表面層（極薄の撥油性に優れた層）」を表面に設ける処理を行い、これらの層としては、「フッ素系樹脂（ＣＦ3（ＣＦ2）7ＣＨ2ＣＨ2−ＳｉＣｌ3、ＣＦ3（ＣＦ2）7ＣＨ2ＣＨ2−ＳｉＣＨ3Ｃｌ2、ＣＦ3（ＣＦ2）ＣＨ2ＣＨ2−Ｓｉ−（ＯＣＨ3）3等の各種フルオロアルキルシラン、フルオロアルコキシシランおよびこれらを他の高分子材料と共重合体した材料）」等が好適に用いられるものである。そして、上記（２）で説明した理由と同様の理由により、引用発明の「表面層」が透明であることは自明であるから、引用発明の「反射防止材の製造方法（反射防止物品の製造方法）」と本願補正発明の「反射防止材の製造方法」とは、「前記硬化物表面に透明層からなる表面層を形成するものであり、前記透明層が、フッ素系樹脂で形成されたもの」である点で一致する。
　
（５）引用発明の「賦型用型（型）」は、「透明基材（支持基板）」上に「感光性樹脂（フォトレジスト膜）」をコーティングした後に、「電離放射線（紫外線レーザー、電子線、Ｘ線等の光）」を選択的に照射してパターン潜像を形成し、これを現像することにより、凹凸パターンを有する「原型（原盤）」を作成し、該「原型」上にニッケル、銀等による厚みが２０〜８０ｎｍ程度の薄膜を無電界めっき、スパッタ法等により形成し、次にこの薄膜を電極として、電気めっき法（電鋳法）等により例えばニッケルを０．３ｍｍ程度の厚みまで堆積させた後、このニッケル層を「原型（マスタリング基板）」から剥離させることにより、前記「原型」のレプリカである「金属製スタンパー（ニッケル製の型）」として得られるものであるから、引用発明の「反射防止材の製造方法（反射防止物品の製造方法）」と本願補正発明の「反射防止材の製造方法」とは、「前記の凹凸型面を有する型を準備することを、感光性樹脂に型の凹凸を形成して原型を得たのち、めっき法により金属製スタンパーを得ることにより行なうものである」点で一致する。
　
（６）上記（１）ないし（５）からみて、本願補正発明と引用発明とは、
「透明基材、および光の波長以下のピッチの無数の微細凹凸が形成された凹凸型面を有する賦型用型とを準備し、前記透明基材と前記賦型用型の前記凹凸型面の側とを、電離放射線硬化性樹脂組成物を介して積層を行ない、積層を行なった後、前記透明基材と前記賦型用型との間の前記電離放射線硬化性樹脂組成物への電離放射線の照射により、前記電離放射線硬化性樹脂組成物の硬化、および前記透明基材との接着を行ない、その後、前記硬化物を前記透明基材と共に前記賦型用型から離型することを行ない、さらに、前記硬化物表面に透明層からなる表面層を形成するものであり、
　前記透明層が、フッ素系樹脂で形成されたものであり、
　前記の凹凸型面を有する型を準備することを、感光性樹脂に型の凹凸を形成して原型を得たのち、めっき法により金属製スタンパーを得ることにより行なうものである、　
　反射防止材の製造方法。」である点（以下、「一致点」という。）で一致し、次の点で相違する。
　
・相違点１：
　本願補正発明では、「電離放射線硬化性樹脂組成物がフッ素系樹脂もしくはシリコーン系樹脂を含むものであり、電離放射線硬化性樹脂組成物の硬化による硬化物を形成する際に、前記フッ素系樹脂および前記シリコーン系樹脂をブリードアウトさせることにより透明層を形成する」ものであるのに対し、
　引用発明では、電離放射線硬化性樹脂組成物がフッ素系樹脂を含むものであるかどうか不明であり、電離放射線硬化性樹脂組成物の硬化による硬化物を形成する際に、前記フッ素系樹脂をブリードアウトさせることにより透明層が形成されたかどうか不明である点。
　
・相違点２：
　前記「原型」の「型の凹凸」の形成が、
　本願補正発明では、「レーザー光干渉法によ」るのに対し、
　引用発明では、レーザー光干渉法によるかどうかが不明である点。
　
・相違点３：
　前記「賦型用型の形状」が、
　本願補正発明では、「断面の上縁が正弦曲線である形状または断面の頂部が円弧状で立ち上がり部分が直線状であり上へ行くほどすぼまった形状の逆型形状である」のに対し、
　引用発明では、断面の上縁が正弦曲線である形状または断面の頂部が円弧状で立ち上がり部分が直線状であり上へ行くほどすぼまった形状の逆型形状であるかどうかが不明である点。
　
５　判断
（１）上記相違点１について検討する。
　ア　シリコーン系樹脂あるいはフッ素樹脂からなる表面層を形成することを目的として、組成物に混合されているシリコーン系樹脂あるいはフッ素樹脂を表面にブリードアウトさせることは本願の出願前に周知（以下「周知技術１」という。例．原査定で引用した特開平６−２１８８８１号公報（【００２８】の「電子線硬化性樹脂と、電子線硬化性を有さない紫外線硬化性シリコーン樹脂を混合して、・・・・電子線硬化性樹脂のみが硬化し、紫外線硬化性シリコーン樹脂は表面に滲出（ブリードアウト）し、効果的にシリコーン樹脂を剥離層表面に局在化できる。」の記載参照。）、原査定で引用した特開平６−１７１０２６号公報（【００２９】の「放射線硬化性樹脂と、放射線硬化性を有さない熱硬化性シリコーン樹脂を混合して、・・・放射線硬化性樹脂のみが硬化し、熱硬化性シリコーン樹脂は表面に滲出（ブリードアウト）し、効果的にシリコーン樹脂を剥離層表面に局在化できる。」の記載参照。）、特開２０００−３３６６４号公報（【請求項１】の「基材の表面上に、シリコン系樹脂剤を添加させた樹脂剤からなる易接着層を積層し、当該易接着層の表面側に前記シリコン系樹脂剤をブリードアウトさせてシリコン系樹脂層を形成し・・・」の記載参照。）、特開平２−２４５０６７号公報（９ページ左下欄４〜８行の「すなわち、撥水性塗料組成物に含まれているポリシロキサン系表面調整剤、アクリルオリゴマー系表面調整剤及びフッ素樹脂系表面調整剤は、いずれも塗膜表面に滲出して、塗膜形成樹脂成分の撥水性低下を補う作用を有する。」の記載参照。）、特開昭６２−２０２４１４号公報（２ページ左上欄１７行〜同ページ右上欄１行の「樹脂に・・・ふっ素樹脂系オリゴマー化合物を少量添加、混練して、絶縁体表面に滲出するバーフルオロアルキル基により撥水性を付与し、・・・」の記載参照。））である。
　イ　引用発明は、凹凸形状の形成された物品表面に、表面での指紋等の付着汚れを目立ちにくくしたり、汚れを拭き取りやすくするような防汚染処理を行う事が好ましく、具体的な防汚染処理の方法としては、膜厚が数ｎｍ以下の極薄の撥油性に優れたフッ素系樹脂層を表面に設ける処理を行うものであるから、該層を形成するに際し、上記アからみて、引用発明において、電離放射線硬化性樹脂組成物にフッ素系樹脂もしくはシリコーン系樹脂を含ませ、電離放射線硬化性樹脂組成物の硬化による硬化物を形成する際に、前記フッ素系樹脂もしくは前記シリコーン系樹脂をブリードアウトさせることにより透明層を形成させるようになすこと、すなわち、上記相違点１に係る本願発明の構成となすことは当業者が周知技術１に基づいて適宜なし得たことである。
　
（２）上記相違点２について検討する。
　ア　複数のレーザ光により形成される干渉縞による光エネルギーの強弱を利用して、周期的な微小の凹凸を形成することは周知（以下「周知技術２」という。例．原査定で引用した特開平１０−５９７４６号公報（【請求項１】、【００１１】〜【００２１】参照。）、原査定で引用した特開昭５５−９０９３１号公報（特許請求の範囲第１項、３ページ左上欄７行〜同ページ右上欄１５行参照。）、国際公開第９９／２９４９４号（７ページ１８行〜８ページ１４行参照。））である。
　イ　引用発明において、その反射防止物品は、少なくとも一方の表面に、凹凸形状が平面方向に連続形成されてなるものであり、例えば、三角錘、四角錘その他の多角錘、円錐等の凸形状が連続的、すなわち周期的に形成された表面形状であり、その反射防止物品を製造するための原盤は、支持基板上にフォトレジスト膜をコーティングした後に、紫外線レーザー、電子線、Ｘ線等の光を選択的に照射してパターン潜像を形成し、これを現像することにより、凹凸パターンを作成されるものであるところ、該凹凸パターンが連続的で周期的に形成されるものであるから、上記アからみて、引用発明において、光を選択的に照射する手段として、レーザー光干渉法を採用して、原型の型の凹凸を形成するようになすこと、すなわち、上記相違点２に係る本願発明の構成となすことは当業者が周知技術２に基づいて適宜なし得たことである。
　
（３）上記相違点３について検討する。
　ア　周期的に変化する微細構造としての正弦波状のものは周知（以下「周知技術３」という。例．上記国際公開第９９／２９４９４号（８ページ１５行〜９ページ７行、図１参照。）、特開昭５０−７００４０号公報（３ページ左下欄１２〜１６行、３ページ右下欄１４〜１９行参照。））である。
　イ　引用発明において、その反射防止物品は、上記（２）イで説示したように、円錐等の凸形状が連続的、すなわち周期的に形成された表面形状であり、その反射防止物品を製造するための原盤は、前記表面形状とは鍵と鍵穴の関係、すなわち逆型形状であり、その原盤の形成に上記（２）のようにレーザー光干渉法を採用した際に、凹凸形状の断面は例えば正弦波状のような周期的な波形曲線となるから、上記アからみて、引用発明において、賦型用型の形状を、断面の上縁が周期的な波型曲線である形状の逆型形状になし、前記波型曲線を具体的に正弦曲線となすことは当業者が適宜選択し得る単なる設計的事項にすぎないから、上記相違点３に係る本願発明の構成となすことは当業者が周知技術３に基づいて適宜なし得たことである。
　
（４）本願補正発明の奏する効果は、引用発明の奏する効果、周知技術１の奏する効果、周知技術２の奏する効果及び周知技術３の奏する効果から予測することができた程度のものである。
　
（５）したがって、本願補正発明は、当業者が引用例に記載された発明、周知技術１、周知技術２及び周知技術３に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　本願補正発明は、当業者が引用例に記載された発明、周知技術１、周知技術２及び周知技術３に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
６　小括
　以上のとおり、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するものである。
　したがって、本件補正は、同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記第２のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし３に係る発明は、平成２５年１０月２日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２５年１０月２日に補正された特許請求の範囲の記載からみて、上記「第２〔理由〕１（１）」に本件補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
２　引用例
　引用例及びその記載事項は、上記「第２〔理由〕３」に記載したとおりである。
　
３　対比・判断
　本願補正発明は、上記「第２〔理由〕１（２）」のとおり、本願発明を特定するために必要な事項を限定したものである。
　そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに限定を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２〔理由〕５」に記載したとおり、当業者が引用例に記載された発明、周知技術１、周知技術２及び周知技術３に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、当業者が引用例に記載された発明、周知技術１、周知技術２及び周知技術３に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　本願発明は、以上のとおり、当業者が引用例に記載された発明、周知技術１、周知技術２及び周知技術３に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。