【事件の表示】
　特願２０１２−　３５３０４「半導体装置、及び、半導体装置の作製方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　９月　２日出願公開、特開２０１３−１７２０１２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願発明
　本願は、平成２４年２月２１日の出願であって、平成２６年１月２１日に手続補正がなされたところ、同年３月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月１０日に拒絶査定不服審判請求がなされると同時に手続補正がなされたものである。
　
　そして、その請求項に係る発明は、平成２６年６月１０日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし請求項１０に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）については、次のとおりである。
　
「半導体素子とサブマウントとを備えた半導体装置であって、
　前記半導体素子は、ｎ型半導体領域と、前記ｎ型半導体領域の表面上に設けられたｐ型半導体領域と、前記ｐ型半導体領域の表面に設けられたｐ側電極と、前記ｎ型半導体領域の裏面に設けられたｎ側電極とを有し、
　ｎ型半導体領域と、ｐ型半導体領域とは、六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体からなり、
　前記半導体素子は、その前記ｎ側電極において前記サブマウントの主面に接合され、
　前記ｎ型半導体領域は、端部を有し、
　前記ｎ型半導体領域の前記端部は、前記ｎ型半導体領域の前記裏面を含み、
　前記ｎ型半導体領域の前記端部は、前記ｎ型半導体領域のＩＩＩ族構成元素としてＧａを含有し、
　前記ｎ型半導体領域の前記裏面は、前記六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体の半極性面であり、
　前記ｎ型半導体領域の前記裏面から５ｎｍ以上離れている前記ｎ側電極の領域において前記ｎ側電極が含有する、前記ｎ型半導体領域から拡散したＧａの量（原子数％）は、前記ｎ型半導体領域が含有するＧａの量（原子数％）の３×１０−４倍以下である、
　ことを特徴とする半導体装置。」
　　
２．引用例
（１）引用例の記載
　これに対して、原査定の拒絶理由に引用された国際公開第２０１１／１４９９７７号（以下「引用例」という。）には、図とともに次の記載がある（日本語訳及び下線は、当審による。）。
　
　ア　「[0037] Figure 2A is a cross-sectional view of
 a laser device 200 fabricated on a {20- 21 } substrate
the laser device includes gallium nitride substrate 203, which has an underlying n-type metal back contact region 201
[0038] In a specific embodiment, 
the device also has an overlying n-type gallium nitride layer 205, an active region 207, and an overlying p-type gallium nitride layer structured as a laser stripe region 209
[0039] In a specific embodiment, an n-type Al u In v Gai -u-v N layer, where 0 ≦ u, v, u+v ≦ 1 , is deposited on the substrate. In a specific embodiment, the carrier concentration may lie in the range between about 10 16  cm -3  and 10 20  cm -3 . The deposition may be performed using metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) or molecular beam epitaxy (MBE). Of course, there can be other variations, modifications, and alternatives. 　
[0040] As an example, the bulk GaN substrate is placed on a susceptor in an MOCVD reactor. After closing, evacuating, and back-filling the reactor (or using a load lock configuration) to atmospheric pressure, the susceptor is heated to a temperature between about 1000 and about 1200 degrees Celsius in the presence of a nitrogen-containing gas. In one specific embodiment, the susceptor is heated to approximately 1100 degrees Celsius under flowing ammonia. A flow of a gallium-containing metalorganic precursor, such as trimethylgallium (TMG) or triethylgallium (TEG) is initiated, in a carrier gas, at a total rate between approximately 1 and 50 standard cubic centimeters per minute (sccm). The carrier gas may comprise hydrogen, helium, nitrogen, or argon. The ratio of the flow rate of the group V precursor (ammonia) to that of the group III precursor (trimethylgallium, triethylgallium, trimethylindium, trimethylaluminum) during growth is between about 2000 and about 12000. A flow of disilane in a carrier gas, with a total flow rate of between about 0.1 and 10 sccm, is initiated.  
[0041] In a specific embodiment, 
the laser stripe region is made of the p-type gallium nitride layer 209
The device also has an overlying dielectric region, which exposes 213 contact region
The contact region is coupled to an overlying metal layer 215
（［００３７］　図２Ａは、本発明の一実施形態による、
｛２０−２１｝基板上に加工された
レーザーデバイス２００
レーザーデバイスは、下部のｎ型金属裏面接触領域２０１を有する、窒化ガリウム基板２０３を含む
［００３８］ 特定の実施形態では、
デバイスはまた、
ｎ型窒化ガリウム層２０５と、活性領域２０７と、レーザーストライプ領域２０９として構築される上部ｐ型窒化ガリウム層とを有する
［００３９］ 特定の実施形態では、ｎ型ＡｌｕＩｎｖＧａ１−ｕ−ｖＮ層（式中、０≦ｕ、ｖ、ｕ＋ｖ≦１）は、基板上に被着される。特定の実施形態では、キャリア濃度は、約１０１６ｃｍ−３〜１０２０ｃｍ−３の範囲にあってもよい。被着は、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）または分子線エピタキシャル（ＭＢＥ）を使用して実施されてもよい。勿論、他の変化、修正、および代替も存在することができる。
［００４０］ 一例として、バルクＧａＮ基板は、ＭＯＣＶＤリアクタ内のサセプタ上に定置される。リアクタを閉鎖し、排出し、環境圧力にバックフィルした後（または、ロードロック構造を使用して）、サセプタは、窒素含有ガスの存在下で、約１０００〜約１２００℃の温度に加熱される。１つの特定の実施形態では、サセプタは、アンモニア流動下で、約１１００℃に加熱される。トリメチルガリウム（ＴＭＧ）またはトリエチルガリウム（ＴＥＧ）等のガリウム含有有機金属先駆体の流動は、約１〜５０の標準立法センチメートル毎秒（ｓｃｃｍ）の総合比率で、キャリアガス中で開始される。キャリアガスは、水素、ヘリウム、窒素、またはアラゴンを含んでもよい。成長中のグループＶ先駆体（アンモニア）の流量とグループＩＩＩ先駆体（トリメチルガリウム、トリエチルガリウム、トリメチルインジウム、トリメチルアルミニウム）の流量の比率は、約２０００〜約１２０００である。キャリアガス中のジシランの流量は、約０．１〜１０ｓｃｃｍの総流量で開始される。
［００４１］ 特定の実施形態では、
レーザーストライプ領域は、ｐ型窒化ガリウム層２０９から作製される
デバイスはまた、２１３接触領域を露出する、上部誘電領域を有する
接触領域は、上部金属層２１５に連結される
 
　イ　「[0046] In a specific embodiment, an optical device configured to provide laser beams at different wavelengths is provided. The device includes a gallium and nitrogen containing substrate including a first crystalline surface region orientation. For example, the substrate member may have a surface region on the polar plane (c-plane), nonpolar plane (m-plane, a-plane), and semipolar plain ({11-22}, {10-1-1}, {20-21}, {30-31}, {20-2-1}, {30-3-1}). 」
（［００４６］  特定の実施形態では、異なる波長でレーザー光線を提供するように構成された光学デバイスが提供される。デバイスは、第１の結晶表面領域配向を含む、ガリウムおよび窒素含有基板を含む。例えば、基板部材は、極性平面（ｃ平面）、非極性平面（ｍ平面、ａ面）、および半極性平面（｛１１−２２｝、｛１０−１−１｝、｛２０−２１｝、｛３０−３１｝、｛２０−２−１｝、｛３０−３−１｝）上の表面領域を有してもよい。）
　
　ウ　「[0085] In various embodiments, laser chips that are mounted on separate submounts are packaged together on a shared submount. Figure 5 is a simplified diagram illustrating two laser diodes sharing a submount according to an embodiment of the present invention. This diagram is merely an example, which should not unduly limit the scope of the claims. One of ordinary skill in the art would recognize many variations, alternatives, and modifications. As shown in Figure 5, laser chip 1 and laser chip 2 are respectively mounted on their own submounts, and these two submounts are separated from each other. As shown, 
laser chip 1 is mounted on the submount 501
[0086] It is to be appreciated that the term submount and the term back member are used interchangeably. The back member or the submount may comprises various types of materials, such as A1N, BeO, diamond, copper, or other like materials. As an example, laser chips are placed on a submount that functions as carrier. For example, the submount 501 electrically conductive and can be used as a carrier that couples to a power source. The submount can be non-conductive as well. Depending on the application, laser diode can be attached to the submount by using solders such as AuSn on A1N, BeO, CuW, composite diamond, CVD diamond, copper, silicon, or other materials. 」
（［００８５］ 様々な実施形態では、別個のサブマウント上に実装されるレーザーチップは、共有されたサブマウント上に共にパッケージ化される。図５は、本発明の一実施形態による、サブマウントを共有する２つのレーザーダイオードを図示する簡略図である。この図は、単なる一例であり、請求項の範囲を過度に制限してはならない。当業者は、多くの変化、代替、および修正を認識するであろう。図５に示されるように、レーザーチップ１およびレーザーチップ２はそれぞれ、それぞれのサブマウント上に実装され、これらの２つのサブマウントは、互いから分離される。示されるように、
レーザーチップ１は、サブマウント５０１上に実装され
［００８６］ 「サブマウント」という用語、および「後部部材」という用語は、互換的に使用されることを理解されたい。後部部材またはサブマウントは、ＡｌＮ、ＢｅＯ、ダイヤモンド、銅、または他の材料等の様々な種類の材料を備えてもよい。一例として、レーザーチップは、キャリアとして機能するサブマウント上に定置される。例えば、サブマウント５０１は、導電性であり、電源に連結されるキャリアとして使用することができる。サブマウントは、非導電性であることもできる。用途に依って、レーザーダイオードは、ＡｌＮ、ＢｅＯ、ＣｕＷ、組成ダイヤモンド、ＣＶＤダイヤモンド、銅、シリコン、または他の材料上で、ＡｕＳｎ等のはんだを使用することによって、サブマウントに取り付けることができる。）　
　
（２）引用発明
　上記ウによれば、引用例には、サブマウント上にレーザーチップが実装されたレーザデバイスが記載されているものと認められる。
　また、そのレーザチップとして、上記アでレーザデバイス２００として示されるものが用いられるものと認められる。
　ここで、レーザデバイス２００は、｛２０−２１｝基板上に加工され、ｎ型金属裏面接触領域２０１を有する窒化ガリウム基板２０３を含むものであり、ｎ型窒化ガリウム層２０５と、活性領域２０７と、上部ｐ型窒化ガリウム層とを有し、レーザーストライプ領域がｐ型窒化ガリウム層から作製され、上部金属層２１５に連結される接触領域を有するものであると認められる。
　以上のことから、引用例には、
「サブマウント上にレーザーチップが実装されたレーザデバイスであって、
　レーザチップは、｛２０−２１｝基板上に加工され、ｎ型金属裏面接触領域２０１を有する窒化ガリウム基板２０３を含むものであり、ｎ型窒化ガリウム層２０５と、活性領域２０７と、上部ｐ型窒化ガリウム層とを有し、レーザーストライプ領域がｐ型窒化ガリウム層から作製され、上部金属層２１５に連結される接触領域を有するものである
レーザデバイス。」（以下「引用発明」という。）
が記載されているものと認められる。
　　　　　
３．対比
　本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「レーザーチップ」及び「レーザデバイス」がそれぞれ、「半導体素子」及び「半導体装置」であることは明らかであり、引用発明の「レーザーチップ」、「サブマウント」及び「レーザデバイス」は、それぞれ、本願発明の「半導体素子」、「サブマウント」及び「半導体装置」に相当する。
（２）引用発明の「窒化ガリウム基板２０３とｎ型窒化ガリウム層２０５」、「ｐ型窒化ガリウム層」、「上部金属層２１５」及び「（ｎ型金属裏面接触領域２０１の）金属」は、それぞれ、本願発明の「ｎ型半導体領域」、「ｐ型半導体領域」、「ｐ側電極」及び「ｎ側電極」に相当する。
（３）引用発明の「窒化ガリウム基板２０３とｎ型窒化ガリウム層２０５」及び「ｐ型窒化ガリウム層」が「六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体」であることは、当業者に明らかである。
（４）引用発明において、ｎ型金属裏面接触領域２０１側がサブマウントに接合されていることは明らかである。
（５）引用発明の「窒化ガリウム基板２０３」は、「ｎ型金属裏面接触領域２０１を有する」から、引用発明が本願発明と同様に「前記ｎ型半導体領域は、端部を有し、前記ｎ型半導体領域の前記端部は、前記ｎ型半導体領域の前記裏面を含み、前記ｎ型半導体領域の前記端部は、前記ｎ型半導体領域のＩＩＩ族構成元素としてＧａを含有」するものであることは明らかである。
（６）引用発明の「レーザチップ」は、「｛２０−２１｝基板上に加工され」たものであって、上記２．（１）イに「半極性平面（｛１１−２２｝、｛１０−１−１｝、｛２０−２１｝、｛３０−３１｝、｛２０−２−１｝、｛３０−３−１｝）上の表面領域を有してもよい」と記載されていることからすれば、引用発明の「窒化ガリウム基板２０３」の裏面は、本願発明と同様に「六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体の半極性面」であるといえる。　
（７）以上のことから、両者は、
「半導体素子とサブマウントとを備えた半導体装置であって、
　前記半導体素子は、ｎ型半導体領域と、前記ｎ型半導体領域の表面上に設けられたｐ型半導体領域と、前記ｐ型半導体領域の表面に設けられたｐ側電極と、前記ｎ型半導体領域の裏面に設けられたｎ側電極とを有し、
　ｎ型半導体領域と、ｐ型半導体領域とは、六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体からなり、
　前記半導体素子は、その前記ｎ側電極において前記サブマウントの主面に接合され、
　前記ｎ型半導体領域は、端部を有し、
　前記ｎ型半導体領域の前記端部は、前記ｎ型半導体領域の前記裏面を含み、
　前記ｎ型半導体領域の前記端部は、前記ｎ型半導体領域のＩＩＩ族構成元素としてＧａを含有し、
　前記ｎ型半導体領域の前記裏面は、前記六方晶系ＩＩＩ族窒化物半導体の半極性面である
　半導体装置。」の点で一致する。
（８）一方、両者は、次の点で相違する。
　本願発明では、「前記ｎ型半導体領域の前記裏面から５ｎｍ以上離れている前記ｎ側電極の領域において前記ｎ側電極が含有する、前記ｎ型半導体領域から拡散したＧａの量（原子数％）は、前記ｎ型半導体領域が含有するＧａの量（原子数％）の３×１０−４倍以下である」とされているのに対し、引用発明がこのようなものであるか不明な点。
　
４．判断
　上記相違点について検討する。
　原査定の拒絶理由に引用した特開２０１０−２１５２８号公報（以下「引用例２」という。）には、
「【００１３】
  ｎ型ＧａＮ系半導体に対しては、仕事関数の小さいＴｉ、Ｖ、Ｎｂなどの金属をｎ−ＧａＮ層に接するコンタクト電極として用いることで比較的低いコンタクト抵抗が得られた事例が知られている。しかしながら、半導体レーザにおいては、通電や加熱によって、コンタクト抵抗が初期の値より悪化する。
【００１４】
  また、非特許文献１には、加熱によってｎ−ＧａＮ層から金属電極側へＧａが拡散することが報告されている。Ｇａが拡散した後のＧａＮ中にはＧａ欠陥が生じているが、このＧａ欠陥はｐ型ドーパントとして作用する傾向にある。そのため、ｎ−ＧａＮ層と金属電極との間のコンタクト抵抗を増大させる。通電動作によるコンタクト抵抗増大も同様に、Ｇａの拡散による欠陥の生成が一要因となっている。」
と記載され、ｎ−ＧａＮ層から金属電極側へＧａが拡散することのないのが望ましいことが記載されている。
　してみれば、引用発明においても、窒化ガリウム基板２０３からｎ型金属裏面接触領域２０１の金属へのＧａの拡散がないのが望ましいことは当然であって、上記相違点に係る本願発明の発明特定事項は、当業者が望ましいものとして容易に想到し得たものと認められる。　
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、引用発明及び引用例２の上記記載に基づいて当業者が容易に発明できたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。