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　特願２０１１−５４８４３６「貫通シリコンビアを用いて改善された光起電電池の効率」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　８月２６日国際公開、ＷＯ２０１０／０９６５７５、平成２４年　７月２６日国内公表、特表２０１２−５１７１１２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２０１０年２月１８日（優先権主張２００９年２月１８日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２４年１０月３０日付けで拒絶理由が通知され、平成２５年２月６日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正書が提出され、同年９月２６日付けで拒絶査定がなされた。
　本件は、これに対して、平成２６年２月３日付けで拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、平成２６年５月２９日付けで前置報告がなされた。
　
　
第２　本願発明について
１．本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項４に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２６年２月３日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項４に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
本願発明
「受光頂部ノード及び底部ノードを有する光起電層と、
前記光起電層の前記受光頂部ノードに隣接して電気的に結合されていて、前記光起電層内に光を偏向させる電極層と、
前記光起電層の前記底部ノードに電気的に結合された第一の導電層と、
光から前記光起電層をブロックしないように前記第一の導電層に隣接するが電気的に絶縁された第二の導電層と、
前記光起電層及び前記第一の導電層を貫通して前記光起電層の前記受光頂部ノードと前記第二の導電層との間で電気的に結合されているが、前記光起電層及び前記第一の導電層から電気的に絶縁されている少なくとも一つの貫通シリコンビアとを備えた太陽電池。」
　
２．引用刊行物
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、原出願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００７−３１１４２５号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は、当審が付した。） 
　
（ａ）「【実施例２】
【００３５】
　図３は、実施例２にかかる太陽電池の基本構成を説明する説明図である。同図に示す太陽電池は、絶縁性を有する基板３１の第１主面側に第１の電極である電極３２、ｎ型半導体層３３、ｐ型半導体層３４、第２の電極である透明電極３５を形成している。
【００３６】
　さらに基板３１からｐ型半導体層３４までを貫通して透明電極３５に至るスルーホール３６を有し、基板３１の第２主面側に形成された裏面電極である金属電極３８によって電流を裏面から取り出すことができるようにしている。
【００３７】
　ここで、スルーホール３６は、透明電極３５を形成した後に開孔し、金属電極３８の形成時にスルーホール３６の内部を金属で完全に埋め込んでいる。そのため、スルーホール３６内の抵抗値を低くし、発生した電流を高効率で裏面電極から取り出すことができる。
【００３８】
　なお、
スルーホール３６の内壁には絶縁膜３７を設けて裏面電極と基板３１や電極３２、多層構造体との短絡を防止している。
【００３９】
　つづいて、図４−１および図４−２を参照し、太陽電池の製造方法の具体例についてさらに詳細に説明する。
【００４０】
　まず、図４−１に示すように、
絶縁性を有する基板４１
上に、電極４２
を形成した後、ｎ型の半導体層４３
、ノンドープアモルファスシリコンゲルマニウム半導体層４４、ｐ型の半導体層４５
、さらにはｎ型のアモルファスシリコン半導体層４６、ノンドープアモルファスシリコン半導体層４７、ｐ型のアモルファスシリコン半導体層４８を堆積する。その後、透明電極４９
を堆積
【００４１】
　
つづいて、
基板４１、電極４２を貫通し、透明電極４９に至るスルーホール５１を形成した後、スルーホール５１の側面
のみに絶縁膜５２
を形成する。そして、裏面電極となる金属５３
を
スルーホール５１に埋め込むと同時に、基板４１の第２主面側に金属５３を堆積することにより太陽電池が完成する。
【００４２】
  なお、本実施例２に示した構成および素材はあくまで一例であり、適宜変更して実施することができるものである。例えば
半導体層４５に凹凸をもたせても同様な効果が得られる。
　
（ｂ）「　
【図３】
　
　
【図４−１】
　
　
【図４−２】
　
　
 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」 
　
　上記記載事項（ａ）の【００４１】に説明される「絶縁膜５２」を形成することで、【００３８】で説明されるのと同様に、「裏面電極となる金属５３」と、「基板４１」、「電極４２」、「ｎ型の半導体層４３」、「ノンドープアモルファスシリコンゲルマニウム半導体層４４」、「ｐ型の半導体層４５」、「ｎ型のアモルファスシリコン半導体層４６」、「ノンドープアモルファスシリコン半導体層４７」、「ｐ型のアモルファスシリコン半導体層４８」との短絡を防止していることは明らかである。
　上記記載事項（ｂ）の【図４−１】及び【図４−２】には、二つのスルーホール５１が図示されているから、少なくとも一つのスルーホール５１を有することは明らかである。
　
　すると、上記引用文献１の記載事項から、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。 
 「絶縁性を有する基板４１上に、電極４２を形成した後、ｎ型の半導体層４３、ノンドープアモルファスシリコンゲルマニウム半導体層４４、ｐ型の半導体層４５、ｎ型のアモルファスシリコン半導体層４６、ノンドープアモルファスシリコン半導体層４７、ｐ型のアモルファスシリコン半導体層４８を堆積し、その後、透明電極４９を堆積し、つづいて、基板４１、電極４２を貫通し、透明電極４９に至る少なくとも一つのスルーホール５１を形成した後、スルーホール５１の側面のみに絶縁膜５２を形成し、そして、裏面電極となる金属５３をスルーホール５１に埋め込むと同時に、基板４１の第２主面側に金属５３を堆積することにより製造された、半導体層４５に凹凸をもたせ、絶縁膜５２により、裏面電極となる金属５３と、基板４１、電極４２、ｎ型の半導体層４３、ノンドープアモルファスシリコンゲルマニウム半導体層４４、ｐ型の半導体層４５、ｎ型のアモルファスシリコン半導体層４６、ノンドープアモルファスシリコン半導体層４７、ｐ型のアモルファスシリコン半導体層４８との短絡を防止した、太陽電池」
　
３．対比
（１）本願発明と引用発明の対比
（ａ）光起電層が受光頂部ノード及び底部ノードを有することは技術常識であるから、引用発明の「ｎ型の半導体層４３、ノンドープアモルファスシリコンゲルマニウム半導体層４４、ｐ型の半導体層４５、ｎ型のアモルファスシリコン半導体層４６、ノンドープアモルファスシリコン半導体層４７、ｐ型のアモルファスシリコン半導体層４８」は、本願発明の「受光頂部ノード及び底部ノードを有する光起電層」に相当する。
　
（ｂ）引用発明の「透明電極４９」は、本願発明の「電極層」に相当する。
　また、「裏面電極となる金属５３」との記載より、「基板４１」の上方向である当該「裏面電極となる金属５３」の反対側が受光面側であることは明らかであり、引用発明は「ｐ型のアモルファスシリコン半導体層４８を堆積し」た後に「透明電極４９を堆積し」ているため、「ｐ型のアモルファスシリコン半導体層４８」と「透明電極４９」が接触していることは明らかである。
　そして、引用発明の「透明電極４９」は、「半導体層４５に凹凸をもたせ」その上に「ｎ型のアモルファスシリコン半導体層４６、ノンドープアモルファスシリコン半導体層４７、ｐ型のアモルファスシリコン半導体層４８」及び「透明電極４９を堆積し」たものであるから、「透明電極４９」が「凹凸をも」つことは明らかであり、この「凹凸をも」つ「透明電極４９」は、その「凹凸をも」つ形状及び光透過性により、光起電層内に光を偏向させる機能を有するものである。
　そのため、引用発明の「ｎ型の半導体層４３、ノンドープアモルファスシリコンゲルマニウム半導体層４４、ｐ型の半導体層４５」「を堆積し、」「半導体層４５に凹凸をもたせ、「ｎ型のアモルファスシリコン半導体層４６、ノンドープアモルファスシリコン半導体層４７、ｐ型のアモルファスシリコン半導体層４８を堆積し、その後、透明電極４９を堆積」「することにより製造された」「透明電極４９」の構成は、本願発明の「前記光起電層の前記受光頂部ノードに隣接して電気的に結合されていて、前記光起電層内に光を偏向させる電極層」の構成に相当する。
　
（ｃ）引用発明の「電極４２」は、本願発明の「第一の導電層」に相当する。
　また、引用発明の「電極４２」は、「基板４１上に、電極４２を形成した後、ｎ型の半導体層４３、ノンドープアモルファスシリコンゲルマニウム半導体層４４、ｐ型の半導体層４５、ｎ型のアモルファスシリコン半導体層４６、ノンドープアモルファスシリコン半導体層４７、ｐ型のアモルファスシリコン半導体層４８を堆積し」て形成されており、「電極４２」と「ｎ型の半導体層４３」が接触していることは明らかであるから、引用発明の「基板４１上に、電極４２を形成した後、ｎ型の半導体層４３、ノンドープアモルファスシリコンゲルマニウム半導体層４４、ｐ型の半導体層４５、ｎ型のアモルファスシリコン半導体層４６、ノンドープアモルファスシリコン半導体層４７、ｐ型のアモルファスシリコン半導体層４８を堆積」「することにより製造された」「電極４２」の構成は、本願発明の「前記光起電層の前記底部ノードに電気的に結合された第一の導電層」の構成に相当する。
　
（ｄ）引用発明の「裏面電極となる金属５３」は、本願発明の「第二の導電層」に相当する。
　また、引用発明の「基板４１上に、電極４２を形成した後、ｎ型の半導体層４３、ノンドープアモルファスシリコンゲルマニウム半導体層４４、ｐ型の半導体層４５、ｎ型のアモルファスシリコン半導体層４６、ノンドープアモルファスシリコン半導体層４７、ｐ型のアモルファスシリコン半導体層４８を堆積し、その後、透明電極４９を堆積し、つづいて、基板４１、電極４２を貫通し、透明電極４９に至る少なくとも一つのスルーホール５１を形成した後、スルーホール５１の側面のみに絶縁膜５２を形成し、そして、裏面電極となる金属５３をスルーホール５１に埋め込むと同時に、基板４１の第２主面側に金属５３を堆積することにより製造された」「裏面電極となる金属５３」の構成は、本願発明の「光から前記光起電層をブロックしないように前記第一の導電層に隣接するが電気的に絶縁された第二の導電層」の構成に相当する。
　
（ｅ）引用発明の「基板４１、電極４２を貫通し、透明電極４９に至る少なくとも一つのスルーホール５１を形成した後、」「裏面電極となる金属５３をスルーホール５１に埋め込」んだ部分の「金属５３」は、本願発明の「少なくとも一つの貫通シリコンビア」に相当する。
　また、引用発明の「裏面電極となる金属５３をスルーホール５１に埋め込」んだ部分の「金属５３」の、「基板４１上に、電極４２を形成した後、ｎ型の半導体層４３、ノンドープアモルファスシリコンゲルマニウム半導体層４４、ｐ型の半導体層４５、ｎ型のアモルファスシリコン半導体層４６、ノンドープアモルファスシリコン半導体層４７、ｐ型のアモルファスシリコン半導体層４８を堆積し、その後、透明電極４９を堆積し、つづいて、基板４１、電極４２を貫通し、透明電極４９に至る少なくとも一つのスルーホール５１を形成した後、スルーホール５１の側面のみに絶縁膜５２を形成し、そして、裏面電極となる金属５３をスルーホール５１に埋め込むと同時に、基板４１の第２主面側に金属５３を堆積することにより製造され」ている構成は、「透明電極３５」を介して「裏面電極となる金属５３」の反対側である受光面側のノードと「裏面電極となる金属５３」との間で電気的に結合されているから、本願発明の「前記光起電層及び前記第一の導電層を貫通して前記光起電層の前記受光頂部ノードと前記第二の導電層との間で電気的に結合されている」構成に相当する。
　また、引用発明の「絶縁膜５２により、裏面電極となる金属５３と、基板４１、電極４２、ｎ型の半導体層４３、ノンドープアモルファスシリコンゲルマニウム半導体層４４、ｐ型の半導体層４５、ｎ型のアモルファスシリコン半導体層４６、ノンドープアモルファスシリコン半導体層４７、ｐ型のアモルファスシリコン半導体層４８との短絡を防止した」「裏面電極となる金属５３をスルーホール５１に埋め込」んだ部分の「金属５３」の構成は、本願発明の「前記光起電層及び前記第一の導電層から電気的に絶縁されている」「貫通シリコンビア」の構成に相当する。
　
（ｆ）引用発明の「太陽電池」は、本願発明の「太陽電池」に相当する。
　
（２）一致点
　してみると、両者は、
 「受光頂部ノード及び底部ノードを有する光起電層と、
前記光起電層の前記受光頂部ノードに隣接して電気的に結合されていて、前記光起電層内に光を偏向させる電極層と、
前記光起電層の前記底部ノードに電気的に結合された第一の導電層と、
光から前記光起電層をブロックしないように前記第一の導電層に隣接するが電気的に絶縁された第二の導電層と、
前記光起電層及び前記第一の導電層を貫通して前記光起電層の前記受光頂部ノードと前記第二の導電層との間で電気的に結合されているが、前記光起電層及び前記第一の導電層から電気的に絶縁されている少なくとも一つの貫通シリコンビアとを備えた太陽電池。」
で一致し、相違点はない。
　
４．判断
　したがって、本願発明は引用発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定される発明に該当し、特許を受けることができない。
　
５．請求人の主張について
　請求人は、審判請求書「【請求の理由」「〔４〕本願発明が特許されるべき理由」「（３）本願発明と引用発明との対比」において、「従って、本願の図３に示されるように、貫通シリコンビア３０６、３０８は、第一のノード（受光頂部ノード３０２ａ）まで延伸していて、光屈折層３１４内部には延伸していない。結果として、本願明細書の段落０００７に記載されるように、「貫通シリコンビアが第一のノードに
直接
　しかしながら、上記「第２　本願発明について」「１．本願発明」にて認定した本願発明における「貫通シリコンビア」は、「前記光起電層及び前記第一の導電層を貫通して前記光起電層の前記受光頂部ノードと前記第二の導電層との間で電気的に結合されているが、前記光起電層及び前記第一の導電層から電気的に絶縁されている少なくとも一つの貫通シリコンビア」との構成を有するものであり、「受光頂部ノードと」「電気的に結合されている」構成は有しているものの、上記請求人の主張する「光屈折層３１４内部には延伸していない」構成や「貫通シリコンビアが第一のノードに
直接
　したがって、上記請求人の主張は、本願の特許請求の範囲の請求項４に記載された事項に基づかないものであり、採用することができない。
　
　
第３　むすび
　以上のとおり、本願発明は引用発明であり、特許法第２９条第１項第３号に規定される発明に該当し、特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。