(57)【要約】【課題】実装構造体若しくはこれを備えた電気光学装置において、突起電極と導電体の導電接続状態を改善することにより、導電接続部の抵抗を低減させるとともに安定させ、これによって実装構造の電気的信頼性を向上させる。【解決手段】本発明の電気光学装置１００は、突起電極１２１，１２２を備えた電子部品１２０と、電気光学物質が配されてなる基板を有し、前記突起電極に対して導電性粒子１３２を介して導電接続された導電体１１７，１１８を前記基板１１１上に備えた電気光学パネルと、前記電子部品と前記基板とが絶縁樹脂１３１により接着されてなり、前記導電体には微細な表面凹凸形状が設けられ、該表面凹凸形状に前記導電性粒子が嵌合する態様で前記導電体と前記導電性粒子とが導電接触していることを特徴とする。【選択図】図２
2007165745.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
突起電極を備えた電子部品と、前記突起電極に対して導電性粒子を介して導電接続され
た導電体を基板上に備えた基体とを有し、前記電子部品と前記基体とが絶縁樹脂により接
着されてなる実装構造体において、
前記導電体には微細な表面凹凸形状が設けられ、該表面凹凸形状に前記導電性粒子が嵌
合する態様で前記導電体と前記導電性粒子とが導電接触していることを特徴とする実装構
造体。
【請求項２】
弾性部材により形成された突出体及び該突出体上に形成された電極層を有する突起電極
を備えた電子部品と、前記突起電極に導電接続された導電体を基板上に備えた基体とを有
し、前記電子部品と前記基体とが絶縁樹脂により接着されてなる実装構造体において、
前記導電体には微細な表面凹凸形状が設けられ、該表面凹凸形状によって前記突出体が
変形することにより前記突起電極の導電接触面が微細な凹凸状に構成されていることを特
徴とする実装構造体。
【請求項３】
前記導電体は前記基板上に形成された凹凸形状の表面を有する下地層上に形成され、該
下地層の表面の凹凸形状を反映して前記表面凹凸形状が設けられていることを特徴とする
請求項１又は２に記載の実装構造体。
【請求項４】
前記基板の表面には凹凸形状が形成され、前記導電体は前記基板の凹凸形状の表面上に
直接形成され、前記基板の表面の凹凸形状を反映して前記表面凹凸形状が設けられている
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の実装構造体。
【請求項５】
突起電極を備えた電子部品と、電気光学物質が配されてなる基板を有し、前記突起電極
に対して導電性粒子を介して導電接続された導電体を前記基板上に備えた電気光学パネル
と、前記電子部品と前記基板とが絶縁樹脂により接着されてなる電気光学装置において、
前記導電体には微細な表面凹凸形状が設けられ、該表面凹凸形状に前記導電性粒子が嵌
合する態様で前記導電体と前記導電性粒子とが導電接触していることを特徴とする電気光
学装置。
【請求項６】
弾性部材により形成された突出体及び該突出体上に形成された電極層を有する突起電極
を備えた電子部品と、電気光学物質が配されてなる基板を有し、前記突起電極に導電接続
された導電体を一方の前記基板上に備えた電気光学パネルと、前記電子部品と前記基板と
が絶縁樹脂により接着されてなる電気光学装置において、
前記導電体には微細な表面凹凸形状が設けられ、該表面凹凸形状によって前記突出体が
変形することにより前記突起電極の導電接触面が微細な凹凸状に構成されていることを特
徴とする電気光学装置。
【請求項７】
前記導電体は前記電気光学物質の配置されていない領域に設けられ、前記電気光学パネ
ルの前記基板の前記電気光学物質が配置された領域には微細な表面凹凸形状を備えた反射
層が設けられ、前記反射層と前記導電体の少なくとも一部とが同一層で構成されているこ
とを特徴とする請求項５又は６に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記電気光学パネルの前記基板における前記電気光学物質の配置されていない領域及び
前記電気光学物質の配置された領域に凹凸形状の表面を有する下地層がそれぞれ形成され
、前記電気光学物質の配置されていない領域に形成された前記下地層上には前記凹凸形状
を反映した前記表面凹凸形状を備えた前記導電体が設けられ、前記電気光学物質が配置さ
れた領域に形成された前記下地層上には前記凹凸形状を反映した表面凹凸形状を備えた反
射層が設けられていることを特徴とする請求項５又は６に記載の電気光学装置。
【請求項９】
請求項５乃至８のいずれか一項に記載の電気光学装置を搭載してなる電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、実装構造体、電気光学装置及び電子機器に係り、特に、半導体装置その他の
電子部品をガラス、セラミックス等の硬質基板上に実装する場合に好適な実装構造に関す
る。
【背景技術】
【０００２】
一般に、基板上に半導体チップ等の電子部品を実装する場合には、数十μｍ程度の狭ピ
ッチで形成された電子部品の電極と、これに対応する基板上の配線パターン等の導電体と
を正確かつ確実に導電接続するために、微細な導電性粒子を絶縁樹脂に混入してなる異方
性導電材（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ／Ｐａｓ
ｔｅ）を用いた実装方法が用いられる。例えば、薄膜状の異方性導電材を電子部品と基板
との間に介在させ、電子部品を基板上に熱圧着することにより、絶縁樹脂が軟化して電子
部品の電極と基板上の導電体との間に導電性粒子が介在した状態で加圧されることによっ
て電極と導電体との導電接続が確保され、この状態で絶縁樹脂を硬化させることにより、
前記導電接続が保持される。
【０００３】
例えば、特許文献１には、図１１に示すように、絶縁樹脂１５中に導電ゴムからなる導
電性粒子１６を混合してなる異方性導電材１４を用いた導電接続構造１０が記載されてい
る。この導電接続構造１０では、ガラス等で構成される基板１１の表面上に配線層１９が
形成され、この配線層１９の接続端子１９ａ、１９ｂの上に異方性導電材１４を介して半
導体チップ１７が熱圧着される。この電気光学装置では、半導体チップ１７の突起電極１
７ａ、１７ｂと配線層１９の接続端子１９ａ、１９ｂの間に挟持された導電性粒子１６は
多少弾性変形した状態とされている。このようにすれば、絶縁樹脂１５の熱膨張などの原
因により基板１１と半導体チップ１７の間隔が多少増大しても、導電性粒子１６の弾性復
元力によって突起電極１７ａ，１７ｂと接続端子１９ａ，１９ｂの導電接続状態は維持さ
れる。
【０００４】
また、図１２に示すように、半導体チップ２７の突起電極２７ａ、２７ｂとして、弾性
変形可能なコア樹脂２８を金属薄膜等の導電性薄膜２９によって被覆して構成し、これら
の突起電極２７ａ、２７ｂを基板１１上の接続端子１９ａ，１９ｂに当接させて導電接続
させるとともに、絶縁樹脂材２４（ＮＣＦ：Ｎｏｎ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｆｉｌｍ／
Ｐａｓｔｅ）で半導体チップ２７を基板１１上に接着固定してなる別の導電接続構造２０
も知られている（例えば、以下の特許文献２参照）。この構造では、薄膜状の絶縁樹脂材
２４を半導体チップ２７と基板１２の間に介在させ、半導体チップ２７を基板１１に熱圧
着させることにより、半導体チップ２７の電極２７ａ、２７ｂが配線層１９の接続端子１
９ａ、１９ｂに当接したまま、そのコア樹脂２８が弾性変形した状態となり、この状態が
絶縁樹脂材２４によって保持固定される。この場合でも、絶縁樹脂材２４の熱膨張などの
原因により基板１１と半導体チップ２７の間隔が多少増大しても、コア樹脂２８の弾性復
元力によって突起電極２７ａ，２７ｂと接続端子１９ａ，１９ｂの導電接続状態は維持さ
れる。
【特許文献１】特開平０５−１８２５１６号公報
【特許文献２】特開２００５−１３６４０２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前述の異方性導電材を用いた実装方法では、実装時において半導体チッ
プ１７を加熱しながら加圧することにより、突起電極が１７ａ，１７ｂが接続端子１９ａ
，１９ｂに接近する過程で異方性導電材１４の絶縁樹脂が軟化して周囲に流動し、異方性
導電材１４中の導電性粒子１６も周囲に流れ出るため、最終的に突起電極１７ａ，１７ｂ
と接続端子１９ａ，１９ｂの間に介在する導電性粒子１６の数が少なくなることから、実
装後の導電接続抵抗が高くなったり、ばらついたりするという問題点がある。
【０００６】
また、前述のコア樹脂２８（樹脂よりなる突出体）を備えた突起電極２７ａ、２７ｂを
用いた実装方法では、突起電極２７ａ，２７ｂの高さのばらつき等に起因して、突起電極
２７ａ，２７ｂと接続端子１９ａ，１９ｂの当接状態によってコア樹脂２８の弾性変形量
が変化するため、導電接触面積がばらつき、安定したコンタクト抵抗を得ることが難しい
という問題点がある。
【０００７】
そこで、本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、実装構造体若しくは
これを備えた電気光学装置において、突起電極と導電体の導電接続状態を改善することに
より、導電接続部の抵抗を低減させるとともに安定させ、これによって実装構造の電気的
信頼性を向上させることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の課題に鑑み、第１発明の実装構造体は、突起電極を備えた電子部品と、前記突起
電極に対して導電性粒子を介して導電接続された導電体を基板上に備えた基体とを有し、
前記電子部品と前記基体とが絶縁樹脂により接着されてなる実装構造体において、前記導
電体には微細な表面凹凸形状が設けられ、該表面凹凸形状に前記導電性粒子が嵌合する態
様で前記導電体と前記導電性粒子とが導電接触していることを特徴とする。
【０００９】
この発明によれば、前記導電体に微細な表面凹凸形状が設けられることにより、実装時
において導電性粒子の一部が当該表面凹凸形状によって捕捉されるため、突起電極と導電
体の間に従来よりも多くの導電性粒子が介在することから導電接触面積を増加させること
ができるとともに、当該表面凹凸形状に嵌合するように導電性粒子が導電接触することに
より当接界面を安定させることができることにより、導電接触抵抗の低減及び安定化を図
ることができる。また、導電体の表面凹凸形状に導電性粒子が嵌合することにより、導電
体と導電性粒子との間の導電接触面積を増加させることもできるため、さらなる導電接触
抵抗の低減を図ることが可能になる。さらに、突起電極と導電体との間の導電性粒子の残
存率を高めることができることから、導電性粒子の混入密度を低減できるので、隣接端子
間の電気的短絡不良の発生を防止できる。
【００１０】
また、第２発明の実装構造体は、弾性部材（弾性素材、例えば樹脂）により形成された
突出体及び該突出体上に形成された電極層を有する突起電極を備えた電子部品と、前記突
起電極に導電接続された導電体を基板上に備えた基体とを有し、前記電子部品と前記基体
とが絶縁樹脂により接着されてなる実装構造体において、前記導電体には微細な表面凹凸
形状が設けられ、該表面凹凸形状によって前記突出体が変形することにより前記突起電極
の導電接触面が微細な凹凸状に構成されていることを特徴とする。
【００１１】
この発明によれば、前記導電体に微細な表面凹凸形状が設けられることにより、突起電
極の突出体が表面凹凸形状に応じて変形し、導電接触面が微細な凹凸状に構成されるため
、導電接触面積を増加させることができるとともに当接界面を安定させることができるこ
とから、導電接触抵抗の低減及び安定化を図ることができる。
【００１２】
本発明において、前記導電体は前記基板上に形成された凹凸形状の表面を有する下地層
上に形成され、該下地層の表面の凹凸形状を反映して前記表面凹凸形状が設けられている
ことが好ましい。これによれば、下地層の表面に凹凸形状を設け、この下地層上に導電体
を形成することにより、下地層表面の凹凸形状を反映させて導電体の表面凹凸形状を容易
に形成できる。ここで、下地層としては感光性樹脂に露光処理及び現像処理を施して上記
凹凸形状を形成してなるものであることが、凹凸形状の表面を制御性よく安価に形成でき
る点で望ましい。
【００１３】
本発明において、前記基板の表面には凹凸形状が形成され、前記導電体は前記基板の凹
凸形状の表面上に直接形成され、前記基板の表面の凹凸形状を反映して前記表面凹凸形状
が設けられていることが好ましい。これによれば、基板表面に凹凸形状を形成し、この凹
凸形状を反映した態様で導電体に表面凹凸形状が形成されることにより、導電体の表面凹
凸形状を容易に形成できるとともに、基板上に直接導電体を形成することが可能になる。
ここで、基板の表面は所定のエッチング液でウエットエッチング（フロスト処理）を施す
ことにより形成されることが好ましい。
【００１４】
次に、第１発明の電気光学装置は、突起電極を備えた電子部品と、電気光学物質が配さ
れてなる基板を有し、前記突起電極に対して導電性粒子を介して導電接続された導電体を
前記基板上に備えた電気光学パネルと、前記電子部品と前記基板とが絶縁樹脂により接着
されてなる電気光学装置において、前記導電体には微細な表面凹凸形状が設けられ、該表
面凹凸形状に前記導電性粒子が嵌合する態様で前記導電体と前記導電性粒子とが導電接触
していることを特徴とする。
【００１５】
この発明によれば、前記導電体に微細な表面凹凸形状が設けられることにより、実装時
において導電性粒子が導電体の表面凹凸形状によって捕捉されるため、突起電極と導電体
の間により多くの導電性粒子が介在することとなることから導電接触面積を増加させるこ
とができるとともに、表面凹凸構造に導電性粒子が嵌合することにより当接界面を安定さ
せることができることから、導電接触抵抗の低減及び安定化を図ることができる。また、
導電体の表面凹凸形状に導電性粒子が嵌合することにより、導電体と導電性粒子との間の
導電接触面積を増加させることもできるため、さらなる導電接触抵抗の低減を図ることが
可能になる。したがって、電気光学パネルの駆動電位の安定性及び再現性を確保すること
ができ、その駆動品位を高めることができる。さらに、導電性粒子の混入密度を低減でき
るので、隣接端子間の電気的短絡不良の発生を防止できる。
【００１６】
また、第２発明の電気光学装置は、弾性部材（弾性素材、例えば樹脂）により形成され
た突出体及び該突出体上に形成された電極層を有する突起電極を備えた電子部品と、電気
光学物質が配されてなる基板を有し、前記突起電極に導電接続された導電体を前記基板上
に備えた電気光学パネルと、前記電子部品と前記基板とが絶縁樹脂により接着されてなる
電気光学装置において、前記導電体には微細な表面凹凸形状が設けられ、該表面凹凸形状
によって前記突出体が弾性変形することにより前記突起電極の導電接触面が微細な凹凸状
に構成されていることを特徴とする。
【００１７】
この発明によれば、前記導電体に微細な表面凹凸形状が設けられることにより、突起電
極の突出体が表面凹凸形状に応じて弾性変形し、導電接触面が微細な凹凸状に構成される
ため、導電接触面積を増加させることができるとともに当接界面を安定させることができ
ることから、導電接触抵抗の低減及び安定化を図ることができる。したがって、電気光学
パネルの駆動電位の安定性及び再現性を確保することができ、その駆動品位を高めること
ができる。
【００１８】
本発明において、前記導電体は前記電気光学物質の配置されていない領域に設けられ、
前記電気光学パネルの前記基板の前記電気光学物質の配置された領域には微細な表面凹凸
形状を備えた反射層が設けられ、前記反射層と前記導電体の少なくとも一部とが同一層で
構成されていることが好ましい。これによれば、導電体の少なくとも一部（例えば、導電
体が複数の層で形成されている場合にはそれらの層のうちの少なくとも一層）が電気光学
物質の配置された領域に設けられた反射層と同一層で構成されていることにより、表面凹
凸形状を備えた導電体を形成するための一又は複数の工程を共通化することができるため
、製造工程数の増加や製造コストの増大を抑制できる。
【００１９】
本発明において、前記電気光学パネルの前記基板における前記電気光学物質の配置され
ていない領域及び前記電気光学物質の配置された領域に凹凸形状の表面を有する下地層が
それぞれ形成され、前記電気光学物質の配置されていない領域に形成された前記下地層上
には前記凹凸形状を反映した前記表面凹凸形状を備えた前記導電体が設けられ、前記電気
光学物質が配置された領域に形成された前記下地層上には前記凹凸形状を反映した表面凹
凸形状を備えた反射層が設けられていることが好ましい。これによれば、電気光学物質の
配置されていない領域と、電気光学物質の配置されている領域の双方にそれぞれ下地層が
形成され、これらの下地層の表面には共に凹凸形状が設けられ、しかも、電気光学物質の
配置されていない領域の下地層上にはその凹凸形状を反映した表面凹凸形状を備えた導電
体が設けられるとともに、電気光学物質の配置されている領域の下地層上には上記凹凸形
状を反映した表面凹凸形状を備えた反射層が設けられることにより、導電体の表面凹凸形
状を容易に形成することができるとともに、表面凹凸形状を備えた導電体を形成するため
の一又は複数の工程を共通化することができるため、製造工程数の増加や製造コストの増
大を抑制できる。
【００２０】
次に、本発明の電子機器は、上記各発明の電気光学装置を含むことを特徴とする。この
ような電子機器としては、電気光学装置を表示体として用いる各種機器、例えば、モニタ
、コンピュータ装置、電子時計、携帯電話機等を挙げることができる。
【００２１】
なお、上記の各発明の基板としては、ガラス、セラミックス、硬質樹脂等からなる硬質
基板であることが好ましい。このような硬質基板を用いる場合には、上記の構造を採用し
た場合における十分なコンタクト圧を確保することができ、電気的信頼性をさらに向上さ
せることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２２】
次に、添付図面を参照して本発明に係る導電接続構造の実施形態について詳細に説明す
る。
【００２３】
［第１実施形態］
図１は本発明に係る第１実施形態の電気光学装置の全体構成を示す概略斜視図である。
この電気光学装置１００は、電気光学パネル１１０と、この電気光学パネル１２０を構成
する基板１１１上に実装された電子部品（半導体装置）１２０とを備えている。
【００２４】
電気光学パネル１１０は、ガラスやプラスチック等で構成された一対の基板１１１と１
１２が所定間隔（３〜１０μｍ）をもってシール材１１３で貼り合わせられ、基板１１１
と１１２の間に電気光学物質が配置されたものである。図示例では、基板１１１と１１２
の間のシール材１１３の内側に液晶１１４が封入された液晶表示体が構成されている。
【００２５】
一対の基板１１１，１１２の相互に対向する内面上には透明導電体よりなる図示しない
電極がそれぞれ形成され、これらの電極間に印加する電圧を制御することにより、電極同
士が重なる平面範囲（画素）内において液晶１１４の光変調特性が適宜に設定され、所定
の表示が実現される。
【００２６】
一対の基板１１１、１１２のうち、一方の基板１１１は、他方の基板１１２と対向する
対向部１１１１ａと基板１１２の外形より張り出した張り出し部１１１ｂとを有する。対
向部１１１ａ上には上記の電極が形成され、複数の画素が配列された駆動領域が構成され
ている。なお、基板１１１と１１２の外面上には偏光板１１５、１１６がそれぞれ配置（
貼着）されている。
【００２７】
上記の電極は駆動配線１１７に直接若しくは間接的に導電接続されている。この駆動配
線１１７は基板１１１の張り出し部分１１１ｂに引き出されている。また、基板１１１の
張り出し部分１１１ｂの端縁側には入力配線１１８が形成されている。駆動配線層１１７
の端部である接続端子と、入力配線１１８の端部である接続端子は、それぞれ図の前後方
向に複数配列されている。
【００２８】
駆動配線１１７及び入力配線１１８は、ＩＴＯ等の透明導電体、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｕやこ
れらの合金等の金属、或いは、異種材料の積層体として構成される。また、電子部品１２
０と導電接続される接続端子は、他の配線部分と同一の構造を有していてもよく、或いは
、他の配線部分とは異なる素材で形成されていたり、異なる構造（たとえば、表面にＡｕ
等の薄膜層を積層した構造など）を有していたりしてもよく、さらに、後述するように、
基板１１１上に適宜の下地層を介して形成されていてもよい。
【００２９】
また、入力配線１１８の上記接続端子と反対側の端部である入力端子には、張り出し部
１１１ｂの端縁に実装されたフレキシブル配線基板１４１の図示しない配線パターンが導
電接続されている。
【００３０】
電子部品１２０は、例えば、半導体チップであり、シリコン（Ｓｉ）等からなる半導体
基板にトランジスタ、ダイオード、抵抗、コンデンサなどの各種素子を含む集積回路を形
成したものである。電子部品１２０の図示下面上には複数の突起電極が配列形成され、こ
れらの突起電極が上記駆動配線１１７及び入力配線１１８にそれぞれ導電接続する態様で
、電子部品１２０が基板１１１の張り出し部１１１ｂ上に実装されている。
【００３１】
図２は第１実施形態の電気光学装置１００における実装構造体に係る部分を模式的に示
す概略部分縦断面図である。上記の電子部品１２０の表面（図示下面、半導体チップの能
動面など）には、突起電極１２１、１２２がそれぞれ突出形成されている。これらの電極
１２１、１２２は、駆動配線１１７の接続端子１１７ａと入力配線１１８の接続端子１１
８ａにそれぞれ対応した位置に配置され、複数の接続端子と同じ形成ピッチで複数配列さ
れている。
【００３２】
なお、上記突起電極１２１，１２２は、電子部品１２０に設けられた接続パッド１２０
ａ，１２０ｂに導電接続されている。図示例の場合、接続パッド１２０ａ，１２０ｂ上に
電解めっき等によってＮｉ等の金属が堆積されることで、上記突起電極１２１，１２２が
形成される。通常、突起電極１２１，１２２の表面はＡｕ等の表面層で被覆される。
【００３３】
本実施形態では、電子部品１２０は異方性導電材１３０を介して基板１１１上に実装さ
れている。異方性導電材１３０は、アクリル樹脂やエポキシ樹脂等からなる絶縁樹脂１３
１中に多数の導電性粒子１３２を分散してなる薄膜（シート）状に構成されている。この
異方性導電材１３０は、その厚さ方向には導電性粒子１３２により導電性を有するが、そ
の平面方向には絶縁性樹脂１３１によって絶縁性を有するように構成される。ここで、導
電性粒子１３２としては、図示しない弾性変形可能な樹脂を導電性の金属層によって被覆
してなるものが好ましいが、全てが金属で構成されたものであってもよく、また、導電ゴ
ムで構成されたものであってもよい。
【００３４】
上記の異方性導電材１３０は基板１１１と半導体チップ１２０との間に配置され、絶縁
樹脂１３１が基板１１１と半導体チップ１２０を接着している。そして、基板１１１上の
接続端子１１７ａ、１１８ａと、半導体チップ１２０の電極１２１，１２２との間には上
記導電性粒子１３２が介在し、両者が導電性粒子１３２を介して導電接続されている。ま
た、導電性粒子１３２は、接続端子１１７ａ，１１８ａと電極１２１，１２２とに挟持さ
れることによって弾性変形し、潰れた状態となっている。この導電性粒子１３２の弾性変
形状態は上記絶縁樹脂１３１の接着力によって維持されている。
【００３５】
本実施形態において、接続端子１１７ａ，１１８ａの表面には微細な凹凸形状が設けら
れている。この表面凹凸形状は、図３に示すように、その凹部１１７ｂ，１１８ｂに上記
導電性粒子１３２が嵌合することの可能な周期及び深さを備え、全体として波状に構成さ
れている。例えば、導電性粒子１３２の平均粒径（例えば粒径分布を正規分布（ガウス分
布）にフィッティングしたときのピーク値）が約１μｍであるとすると、凹部１１７ｂ、
１１８ｂの曲率半径も同様の約１μｍとされ、実装状態において弾性変形した導電性粒子
１３２が凹部１１７ｂ、１１８ｂにぴったりと嵌合しうる形状とされる。
【００３６】
ただし、凹部１１７ｂ、１１８ｂの深さは導電性粒子１３２の直径よりも浅く構成され
る必要があり、当該深さが導電性粒子１３２の直径の半分以下であることが好ましい。凹
部１１７ｂ、１１８ｂの平面形状は導電性粒子１３２と同様の円状であってもよく、楕円
状、長円状であってもよい。また、凹部１１７ｂ、１１８ｂが帯状の平面形状を有する凹
溝として構成されていても構わない。
【００３７】
上述の表面凹凸形状は、配線パターンの一部をインプリント法（転写法）、サンドブラ
スト法、エッチング等によって処理することによって形成することができる。また、後述
する第３実施形態や第４実施形態の方法で形成してもよい。
【００３８】
上記実施形態では、実装時において基板１１１と電子部品１２０との間に異方性導電材
１３０を配置し、電子部品１２０を加熱しながら加圧して、基板１１１上に押し付ける。
これによって異方性導電材１３０の絶縁樹脂１３１が軟化し、突起電極１２１、１２２と
接続端子１１７ａ，１１８ａとの間に配置された絶縁樹脂が周囲に流動して、やがて突起
電極１２１，１２２と接続端子１１７ａ，１１８ａとは、その間に導電性粒子１３２が介
在した形で間接的に導電接続される。導電性粒子１３２には電子部品１２０に対する加圧
力が及ぼされ、やや押しつぶされた形状に弾性変形する。このとき、導電性粒子１３２は
接続端子１１７ａ，１１８ａの表面凹凸形状の凹部１１７ｂ、１１８ｂに嵌合した状態と
される。
【００３９】
上記の実装時において、突起電極１２１、１２２が接続端子１１７ａ，１１８ａに接近
していく過程では、絶縁樹脂１３１が周囲に流動して排出される段階で、導電性粒子１３
２もまた絶縁樹脂１３１とともに移動するが、本実施形態の場合、導電性粒子１３２の一
部が接続端子１１７ａ，１１８ａの表面凹凸形状の凹部１１７ｂ，１１８ｂに捕捉される
ことにより、最終的に突起電極１２１，１２２と接続端子１１７ａ，１１８ａとの間に残
存する導電性粒子１３２の数が従来よりも増加する。
【００４０】
本願発明者らの実験では、従来方法による実装において、異方性導電材１３０中におけ
る導電性粒子１３２の密度を基準として突起電極１２１，１２２と接続端子１１７ａ，１
１８ａの間に介在する導電性粒子の数の比率（残存率）が１０〜１５％程度であったのに
対し、本実施形態では、残存率を４０〜５０％と大幅に増加させることができた。
【００４１】
また、導電性粒子１３２が接続端子１１７ａ，１１８ａの表面凹凸形状に嵌合した状態
とされることで、接続端子１１７ａ，１１８ａと導電性粒子１３２との接触面積も増大し
、これによっても導電接続部の抵抗が低減されている。その結果、本実施形態では、従来
に較べて導電接続部の抵抗が低下するとともに、抵抗値の再現性が向上した。
【００４２】
さらに、本実施形態では、上述のように導電性粒子１３２の残存率を高めることができ
ることにより、異方性導電材１３０中の導電性粒子１３２の混入密度を低下させることが
可能になることから、導電性粒子１３２による隣接端子間の電気的短絡不良の発生を防止
することができるという利点がある。
【００４３】
なお、上記実施形態では、電気光学パネル１１０を構成する基板１１１上に半導体チッ
プ等の電子部品１２０を実装してなる電気光学装置１００について説明したが、上記の構
成は、電気光学装置に限らず、種々の基板上に半導体チップその他の電子部品を実装する
各種の実装構造体に適用可能である。ただし、上記の異方性導電材１３０を用いた実装方
法は、ガラス、セラミックス、硬質樹脂等の硬質基板上に形成された接続端子（導電体）
に電子部品（半導体装置）を実装する場合に特に好適な構成となっている。
【００４４】
［第２実施形態］
次に、図４及び図５を参照して、本発明に係る第２実施形態について説明する。図４は
第２実施形態の電気光学装置に用いられる実装構造を模式的に示す部分縦断面図、図５は
導電接触部を拡大して示す拡大部分縦断面図である。
【００４５】
この第２実施形態では、電子部品１２０′及びこの電子部品１２０′の実装構造のみが
第１実施形態とは異なり、他の構造、すなわち、電気光学パネル１１０の構成については
第１実施形態と同様であるので、同様の構造に関する説明は省略する。また、下記説明中
で引用する第１実施形態と同様の構造を有する各部については、第１実施形態と同一の符
号を付することとする。
【００４６】
本実施形態の電子部品１２０′においては、その表面（図示下面、半導体チップである
場合には能動面）上に、弾性部材である樹脂よりなる突出体１２１ａ′，１２２ａ′と、
これらの突出体の表面上に配置された電極層１２１ｂ′、１２２ｂ′とを備えた突起電極
１２１′、１２２′が設けられている。上記電極層１２１ｂ′、１２２ｂ′は表面上に露
出した接続パッド１２０ａ′、１２０ｂ′に導電接続されるとともに、接続パッド１２０
ａ′、１２０ｂ′の傍らに形成された上記突出体１２１ａ′、１２２ａ′の頂部まで少な
くとも伸びるように帯状に形成されている。
【００４７】
突出体１２１ａ′，１２２ａ′を構成する素材は任意の樹脂を用いることができるが、
特に、アクリル樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン変
性ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂などを用いることができる。突出体１２１ａ′、１２２
ａ′は製造を容易にする関係上、感光性樹脂で構成されることが好ましい。感光性樹脂と
しては、露光条件によって形状制御が可能であるアクリル樹脂がパターニングを容易にす
る上で最も好ましい。なお、上記樹脂は弾性部材の一例であり、実装構造に適した弾性特
性を備えた弾性素材であれば、上記素材に限定されるものではない。
【００４８】
また、電極層１２１ｂ′、１２２ｂ′の素材構成としては、Ｔｉ−Ｗ上にＡｕを積層し
た構造、或いは、Ｃｒ上にＡｕを積層した構造などが好適に用いられる。ただし、Ａｕ、
Ｔｉ−Ｗ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ−Ｖ、鉛フリー半田等の各種
金属（合金）を単層とした構造、或いは、これらを適宜の組み合わせで積層した構造を用
いることもできる。
【００４９】
上記の突起電極１２１′、１２２′は接続端子１１７ａ，１１８ａに対して加圧された
状態で直接に導電接触し、突出体１２１ａ′、１２２ａ′が押しつぶされる態様で弾性変
形している。そして、この状態は絶縁樹脂１３１′によって電子部品１２０′と基板１１
１とが接着固定されることで保持されている。
【００５０】
この第２実施形態においては、第１実施形態と同様に、接続端子１１７ａ、１１８ａに
表面凹凸形状が設けられているので、突出体１２１ａ′、１２２ａ′が接続端子１１７ａ
、１１８ａの表面凹凸形状に応じて弾性変形し、その結果、突起電極１２１′、１２２′
（電極層１２１ｂ′、１２２ｂ′）と接続端子１１７ａ，１１８ａの導電接触面が凹凸状
に構成されている。
【００５１】
より具体的には、図５に示すように、接続端子１１７ａ、１１８ａの表面凹凸形状に応
じた突出体１２１ａ′、１２２ａ′の弾性変形で、電極層１２１ｂ′、１２２ｂ′が凹凸
状（波状）に変形し、表面凹凸形状の凹部１１７ｂ、１１８ｂに嵌合した状態となってい
る。したがって、突起電極１２１′、１２２′と接続端子１１７ａ，１１８ａとの密着性
が強化されるとともに、電極層１２１ｂ′、１２２ｂ′と接続端子１１７ａ，１１８ａと
の導電接触面積が増大し、その結果、導電接続抵抗の低減及びその抵抗値の再現性が向上
する。
【００５２】
［第３実施形態］
次に、図６を参照して、本発明に係る第３実施形態について説明する。図６は第３実施
形態の電気光学装置の基板１１１上の接続端子１１７ａ′、１１８ａ′の構造を示す概略
部分断面図である。なお、本実施形態は、接続端子１１７ａ′、１１８ａ′の構造を除き
、第１実施形態とほぼ同じ構成を有するため、第１実施形態と同一部分については同一符
号を付し、その説明は省略する。
【００５３】
本実施形態においては、表面に微細な凹凸形状を備えた下地層１１７ｃ′、１１８ｃ′
を基板１１１上に形成し、この下地層１１７ｃ′、１１８ｃ′の上に薄膜状の接続端子１
１７ａ′、１１８ａ′を成膜することで、接続端子１１７ａ′、１１８ａ′の表面に、上
記凹凸形状を反映した表面凹凸形状が形成されている。
【００５４】
下地層１１７ｃ′、１１８ｃ′としては種々の素材を用いることができるが、例えば、
アクリル樹脂等の感光性樹脂を用いることで、露光・現像処理によって上記凹凸形状を容
易に設けることができる。例えば、微細な開口を多数分散させてなる露光マスクを用いて
プロキシミティ露光装置で露光することによって、滑らかな波状の凹凸形状を形成するこ
とができる。そして、このような構造を用いることで、接続端子１１７ａ′、１１８ａ′
の表面凹凸形状を容易に形成でき、また、当該表面凹凸形状に対する制御性を高めること
ができるため、導電接続状態を向上させるために表面凹凸形状を最適化することも可能に
なる。
【００５５】
なお、図示例では、接続端子１１７ａ′、１１８ａ′のみを下地層１１７ｃ′、１１８
ｃ′上に形成しているが、駆動配線１１７及び入力配線１１８の他の配線部分をも下地層
上に形成してもよい。この場合には、接続端子の形成領域にのみ上記の凹凸形状を形成す
れば足りる。
【００５６】
［第４実施形態］
次に、図７を参照して、本発明に係る第４実施形態について説明する。図７は第４実施
形態の電気光学装置の基板１１１″上の接続端子１１７ａ″、１１８ａ″の構造を示す概
略部分断面図である。なお、本実施形態は、基板１１１″及び接続端子１１７ａ″、１１
８ａ″の構造を除き、第１実施形態とほぼ同じ構成を有するため、第１実施形態と同一部
分については同一符号を付し、その説明は省略する。
【００５７】
本実施形態では、基板１１１″の表面上に微細な凹凸形状を有する表面部１１１ｃ″を
形成し、この表面部１１１ｃ″上に薄膜状の接続端子１１７ａ″、１１８ａ″を形成する
ことで、接続端子１１７ａ″、１１８ａ″に上記凹凸形状を反映した表面凹凸形状を設け
ている。
【００５８】
基板１１１″に上記表面部１１１ｃ″を設ける方法としては、例えばエッチング液でウ
エットエッチングを行う方法、微粒子を基板表面に吹き付ける方法（サンドブラスト）な
どがある。特に、基板がガラスで形成される場合には、フッ化水素酸を含むエッチング液
を用いるなどのエッチング加工、フロスト加工、タペストリー加工と呼ばれる公知の方法
によって容易に微細な凹凸形状を設けることが可能である。
【００５９】
「第５実施形態」
次に、図８を参照して本発明に係る第５実施形態について説明する。この実施形態では
、電気光学パネル及び電子部品の基本構成については第１実施形態と同様に構成され、接
続端子構造としては第２実施形態又は第３実施形態と同様に構成されているため、それぞ
れの実施形態と対応する部分には同一符号を付し、同様の構成については説明を省略する
。
【００６０】
電気光学パネル１１０においては、基板１１１の内面（基板１１２に対向する面）上に
、配線やスイッチング素子（ＴＦＴ等の三端子非線形素子やＴＦＤ等の二端子非線形素子
など）が適宜の層間絶縁膜を介して形成されてなる素子配線層１１１ｄが設けられている
。この素子配線層１１１ｄからは上記駆動配線１１７′が実装領域に向けて引き出されて
いる。その上には、下地層１１７ｃ′、１１８ｃ′と同じ素材で同一工程にて形成される
下地層１１１ｅが設けられている。この下地層１１１ｅの表面には微細な凹凸形状が形成
され、この凹凸形状は、下地層１１７ｃ′、１１８ｃ′の凹凸形状と同様に同一方法で形
成される。
【００６１】
下地層１１１ｅ上にはＡｇ、Ａｌ、Ｃｒ或いは適宜の合金等で構成される反射層１１１
ｆが形成される。この反射層１１１ｆは基板１１２側から入射した外光を反射するための
反射面を備えたものであり、上記下地層１１１ｅの凹凸形状を反映した微細な表面凹凸形
状を有する散乱性反射面を有している。
【００６２】
なお、この反射層１１１ｆは、上記下地層１１７ｃ′、１１８ｃ′上にも同時に形成さ
れて、上記接続端子１１７ａ′、１１８ａ′の少なくとも一部を構成するものとされても
よい。この場合には、接続端子１１７ａ′、１１８ａ′は金属層のみで構成されるか、或
いは、当該金属層上にさらに別の層が積層された積層体として構成される。なお、反射層
と同じ素材で同じ工程において、駆動配線１１７′、１１８′における接続端子以外の配
線部分を形成してもよい。
【００６３】
また、反射層１１１ｆは、図示例の場合には、画素Ｇ内において形成されていない領域
が存在するように設けられている。すなわち、画素Ｇ内において、反射層１１１ｆが形成
されていない領域が透過表示領域となり、反射層１１１ｆが形成されている領域が反射表
示領域を構成している。つまり、図示例の電気光学パネル１１０は半透過反射型の液晶表
示体となっている。ただし、画素Ｇ全体に反射層１１１ｆが形成されてなる反射型の液晶
表示体を構成しても構わない。
【００６４】
反射層１１１ｆ上にはＩＴＯ等の透明導電体で構成された電極１１１ｇが設けられてい
る。図示例の場合、電極１１１ｇは上記スイッチング素子に導電接続された画素電極であ
る。また、この電極１１１ｇと同じ素材で同じ工程において駆動配線１１７′及び入力配
線１１８′が形成される。さらに、電極１１１ｇ上にはポリイミド樹脂等からなる配向膜
１１１ｈが設けられる。
【００６５】
一方、基板１１２の内面（基板１１１と対向する面）上には、画素Ｇに対応させて複数
の色の着色層１１２ａが配列され、それらの上に透明な保護膜１１２ｂが形成される。保
護膜１１２ｂ上にはＩＴＯ等の透明導電体よりなる電極１１２ｃが設けられ、この電極１
１２ｃ上には配向膜１１２ｄが形成される。
【００６６】
本実施形態では、張り出し部１１１ｂ上に下地層１１７ｃ′、１１８ｃ′が形成される
とともに、同じ工程にて画素Ｇが配列された駆動領域（表示領域）内に下地層１１１ｅが
形成され、さらに、この下地層１１１ｅと上記下地層１１７ｃ′、１１８ｃ′の凹凸形状
を反映して反射層１１１ｇの散乱性反射面及び接続端子１１７ａ′、１１８ａ′の表面凹
凸形状が構成されるため、当該工程の下地層の形成パターンを変更するだけでよく、工数
を増加させる必要がない。
【００６７】
また、接続端子１１７ａ′、１１８ａ′を電極１１１ｇや反射層１１１ｆの形成工程で
形成することができるので、やはり工数を増加させる必要がない。したがって、本実施形
態では接続端子に表面凹凸形状を形成しても、製造工数や製造コストの増加を抑制するこ
とができる。
【００６８】
［電子機器］
最後に、図９及び図１０を参照して、本発明に係る電子機器の例について説明する。図
１０は、本発明に係る電子機器の一実施形態であるノート型パーソナルコンピュータを示
している。このパーソナルコンピュータ２００は、複数の操作ボタン２０１ａや他の操作
装置２０１ｂを備えた本体部２０１と、この本体部２０１に接続され、表示画面２０２ａ
を備えた表示部２０２とを備えている。図示例の場合、本体部２０１と表示部２０２は開
閉可能に構成されている。表示部２０２の内部には上述の電気光学装置１００が内蔵され
ており、表示画面２０２ａに所望の表示画像が表示されるようになっている。この場合、
パーソナルコンピュータ２００の内部には、上記電気光学装置１００を制御する表示制御
回路が設けられる。この表示制御回路は、電気光学装置１００に対して映像信号その他の
入力データや所定の制御信号を送り、その動作態様を決定するように構成されている。
【００６９】
図１０は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここ
に示す携帯電話機３００は、複数の操作ボタン３０１ａ，３０１ｂ及び送話口などを備え
た操作部３０１と、表示画面３０２ａや受話口などを備えた表示部３０２とを有し、表示
部３０２の内部に上記の電気光学装置１００が組み込まれてなる。そして表示部３０２の
表示画面３０２ａにおいて電気光学装置１００により形成された表示画像を視認すること
ができるようになっている。この場合、携帯電話機３００の内部には、上記電気光学装置
１００を制御する表示制御回路が設けられる。この表示制御回路は、電気光学装置１００
に対して映像信号その他の入力データや所定の制御信号を送り、その動作態様を決定する
ように構成されている。
【００７０】
なお、電子機器としては、第１実施形態の電気光学装置１００を搭載したものに限らず
、例えば上述の他の実施形態の電気光学装置のいずれかを搭載したものとして構成しても
よい。また、電気光学装置以外でも、何らかの基板上に半導体チップ等の電子部品が実装
されてなる実装構造体が搭載されているものであれば、如何なる電子機器であっても構わ
ない。例えば、本発明に係る電子機器としては、上記の図示例の他に、液晶テレビ、カー
ナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末機
、プロジェクタなどが挙げられる。
【００７１】
尚、本発明は、上述の図示例にのみ限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しな
い範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。例えば、上記実施形態では液晶
表示体を備えた電気光学装置を構成しているが、有機エレクトロルミネッセンス装置、電
気泳動表示装置、プラズマディスプレイ装置など、種々の電気光学パネルを備えたものを
採用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００７２】
【図１】本発明に係る第１実施形態の全体構成を模式的に示す概略斜視図。
【図２】同実施形態の実装構造部分を示す部分縦断面図。
【図３】同実施形態の導電接触部を拡大して示す拡大部分縦断面図。
【図４】第２実施形態の実装構造部分を示す部分縦断面図。
【図５】第２実施形態の導電接続部を拡大して示す拡大部分縦断面図。
【図６】第３実施形態の基板上の実装領域の構造を示す部分縦断面図。
【図７】第４実施形態の基板上の実装領域の構造を示す部分縦断面図。
【図８】第５実施形態の実装領域近傍を示す部分縦断面図。
【図９】本発明に係る電子機器の一実施形態であるコンピュータ装置を示す概略斜視図。
【図１０】本発明に係る電子機器の一実施形態である携帯電話機を示す概略斜視図。
【図１１】従来のＡＣＦを用いた実装構造を模式的に示す概略縦断面図。
【図１２】従来のＮＣＦを用いた実装構造を模式的に示す概略縦断面図。
【符号の説明】
【００７３】
１００…電気光学装置、１１０…電気光学パネル、１１１、１１２…基板、１１３…シー
ル材、１２０…電子部品、１２１、１２２…突起電極、１３０…異方性導電材、１３１…
絶縁樹脂、１３２…導電性粒子、１１７…駆動配線、１１８…入力配線、１１７ａ、１１
８ａ…接続端子
【図１】
2007165745.tif 000003
【図２】
2007165745.tif 000004
【図３】
2007165745.tif 000005
【図４】
2007165745.tif 000006
【図５】
2007165745.tif 000007
【図６】
2007165745.tif 000008
【図７】
2007165745.tif 000009
【図８】
2007165745.tif 000010
【図９】
2007165745.tif 000011
【図１０】
2007165745.tif 000012
【図１１】
2007165745.tif 000013
【図１２】
2007165745.tif 000014