【事件の表示】
　平成　８年特許願第　　５４６５号「レベルシフト回路」拒絶査定に対する審判事件［平成　９年　７月３１日出願公開、特開平　９−２０００２０］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　
　本願は、平成８年１月１７日の出願であって、平成１２年２月１５日付けで拒絶理由が通知され、平成１２年４月２０日付けで手続補正がされ、平成１２年１０月２０日付けで再度拒絶理由が通知され、平成１３年３月１６日付けで拒絶査定された後、当該拒絶査定に対して平成１３年４月２０日に審判の請求がなされるとともに、平成１３年５月１８日付けで手続補正がなされたものである。
　
　
第２．平成１３年５月１８日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
[補正却下の決定の結論]
　平成１３年５月１８日付けの手続補正を却下する。
　
[理由]
１．補正の内容
　平成１３年５月１８日付け手続補正（以下、「本補正」という。）は、平成１２年４月２０日付け手続補正により補正された特許請求の範囲（以下、「補正前の特許請求の範囲」という。）を次のように補正することを含むものである。
　
「【請求項１】低圧側の入力信号によって高圧側の操作対象を操作するためのレベルシフト回路であって、低圧側トランジスタと高圧側トランジスタを直列にそれぞれ接続した第１および第２の操作回路を設け、各操作回路の高圧側トランジスタのオンオフの状態を他の操作回路の低圧側と高圧側のトランジスタの相互接続点の電位により制御し、操作回路の高圧側のトランジスタに並列にツエナーダイオードを接続し、操作回路の低圧側のトランジスタに直列に低圧側トランジスタに流れる電流を制限する抵抗からなるバイアス手段を接続し、抵抗に並列にキャパシタからなる電流制御手段を接続し、両操作回路の低圧側トランジスタを、一方がオン状態になる時他方がオフ状態になるように、かつ、一方がオフ状態になる時他方がオン状態になるように制御して低圧側トランジスタのオン状態の初期の期間に大きな電流を流し、定常状態では小さい電流を流し、一方の操作回路の低圧側と高圧側のトランジスタの相互接続点の電位により高圧側の操作対象のオンオフ状態を操作するようにしたことを特徴とするレベルシフト回路。
    【請求項２】請求項１に記載の回路において、操作回路内の高圧側のトランジスタとしてＰチャネルトランジスタを用い、一方の高圧側トランジスタに並列接続されるツエナーダイオードは他方の高圧側のトランジスタの基準電圧と制御電極に並列接続されることを特徴とするレベルシフト回路。
    【請求項３】低圧側の入力信号によって高圧側の操作対象を操作するためのレベルシフト回路であって、低圧側トランジスタと高圧側トランジスタを直列にそれぞれ接続した第１および第２の操作回路を設け、各操作回路の高圧側トランジスタのオンオフの状態を他の操作回路の低圧側と高圧側のトランジスタの相互接続点の電位により制御し、操作回路内の高圧側のトランジスタとしてＰＮＰバイポーラトランジスタを用い、操作回路の低圧側のトランジスタに直列に低圧側トランジスタに流れる電流を制限する抵抗からなるバイアス手段を接続し、抵抗に並列にキャパシタからなる電流制御手段を接続し、両操作回路の低圧側トランジスタを、一方がオン状態になる時他方がオフ状態になるように、かつ、一方がオフ状態になる時他方がオン状態になるように制御して低圧側トランジスタのオン状態の初期の期間に大きな電流を流し、定常状態では小さい電流を流し、一方の操作回路の低圧側と高圧側のトランジスタの相互接続点の電位により高圧側の操作対象のオンオフ状態を操作するようにしたことを特徴とするレベルシフト回路。
    【請求項４】請求項１ないし３のいずれかに記載の回路において、キャパシタに対し直列抵抗を接続するようにしたことを特徴とするレベルシフト回路。
    【請求項５】請求項１ないし４のいずれかに記載の回路において、キャパシタに対し短絡トランジスタを並列に接続して対応する低圧側トランジスタのオフ状態においてそれをオンさせるようにしたことを特徴とするレベルシフト回路。
    【請求項６】低圧側の入力信号によって高圧側の操作対象を操作するためのレベルシフト回路であって、低圧側トランジスタと高圧側トランジスタを直列にそれぞれ接続した第１および第２の操作回路を設け、各操作回路の高圧側トランジスタのオンオフの状態を他の操作回路の低圧側と高圧側のトランジスタの相互接続点の電位により制御し、操作回路の高圧側のトランジスタに並列にツエナーダイオードを接続し、操作回路の低圧側のトランジスタに直列に低圧側トランジスタに流れる電流を制限する抵抗からなるバイアス手段を接続し、抵抗の少なくとも一部に対し並列に短絡用のトランジスタからなる電流制御手段を接続し、対応する低圧側トランジスタがオフ状態からオン状態に変化する際にこの短絡用トランジスタを所定の短時間内だけオン動作させるようにし、両操作回路の低圧側トランジスタを、一方がオン状態になる時他方がオフ状態になるように、かつ、一方がオフ状態になる時他方がオン状態になるように制御して低圧側トランジスタのオン状態の初期の期間に大きな電流を流し、定常状態では小さい電流を流し、一方の操作回路の低圧側と高圧側のトランジスタの相互接続点の電位により高圧側の操作対象のオンオフ状態を操作するようにしたことを特徴とするレベルシフト回路。
    【請求項７】請求項６に記載の回路において、操作回路内の低圧側のトランジスタとしてＰチャネルトランジスタを用い、一方の高圧側トランジスタに並列接続されるツエナーダイオードは他方の高圧側のトランジスタの基準電圧と制御電極に並列接続されることを特徴とするレベルシフト回路。
    【請求項８】低圧側の入力信号によって高圧側の操作対象を操作するためのレベルシフト回路であって、低圧側トランジスタと高圧側トランジスタを直列にそれぞれ接続した第１および第２の操作回路を設け、各操作回路の高圧側トランジスタのオンオフの状態を他の操作回路の低圧側と高圧側のトランジスタの相互接続点の電位により制御し、操作回路内の高圧側のトランジスタとしてＰＮＰバイポーラトランジスタを用い、操作回路の低圧側のトランジスタに直列に低圧側トランジスタに流れる電流を制限する抵抗からなるバイアス手段を接続し、抵抗の少なくとも一部に対し並列に短絡用のトランジスタからなる電流制御手段を接続し、対応する低圧側トランジスタがオフ状態からオン状態に変化する際にこの短絡用トランジスタを所定の短時間内だけオン動作させるようにし、両操作回路の低圧側トランジスタを、一方がオン状態になる時他方がオフ状態になるように、かつ、一方がオフ状態になる時他方がオン状態になるように制御して低圧側トランジスタのオン状態の初期の期間に大きな電流を流し、定常状態では小さい電流を流し、一方の操作回路の低圧側と高圧側のトランジスタの相互接続点の電位により高圧側の操作対象のオンオフ状態を操作するようにしたことを特徴とするレベルシフト回路。
    【請求項９】請求項６ないし８のいずれかに記載の回路において、短絡用トランジスタを所定の短時間内オンさせる手段としてワンショット回路を用い、これに入力信号ないしその補信号を与えて信号の論理状態の変化に応じて動作させるようにしたことを特徴とするレベルシフト回路。
    【請求項１０】請求項１ないし９のいずれかに記載の回路において、操作回路の高圧側のトランジスタに対して高抵抗を並列接続するようにしたことを特徴とするレベルシフト回路。」
　
２．補正の適否の判断
　
　本補正と補正前の特許請求の範囲を対比すると、
（ａ）補正前の特許請求の範囲の請求項２に記載されている「低圧側のトランジスタとしてＭＯＳトランジスタを用い」る点、及びそのバイアス手段が「ソース抵抗」である点、
（ｂ）補正前の特許請求の範囲の請求項３に記載されている「低圧側のトランジスタとしてバイポーラトランジスタを用い」る点、及びそのバイアス手段が「エミッタ抵抗」である点、
（ｃ）補正前の特許請求の範囲の請求項８に記載されている「操作対象に対して操作電位を与える方の操作回路側の電流制御手段により対応する低圧側トランジスタのオン時電流を他方の操作回路側よりも大きく増加させるようにした」点、
（ｄ）補正前の特許請求の範囲の請求項１０に記載されている「高圧側のトランジスタがＭＯＳトランジスタであ」る点、及び「そのゲートと電源電圧を受けるソースとの相互間に」ツェナーダイオードを並列接続する点、
（ｅ）補正前の特許請求の範囲の請求項１１に記載されている「高圧側のトランジスタのオン状態でツェナーダイオードがツェナー降伏するようにした」点、
　は、いずれも本補正の請求項１〜１０には記載されておらず、また、これらの事項を限定した事項についても同様に記載されていない。
　してみると、本補正の請求項１〜１０には、補正前の特許請求の範囲の請求項２、３、８、１０、１１に記載された発明を特定するために必要な事項が全て記載された請求項が存在しないから、本補正によって、補正前の特許請求の範囲の請求項２、３、８、１０、１１の発明を特定するために必要な事項が変更されたと考えるか、或いはこれらの請求項が削除されたものと考える他はない。そこで、両者の場合について検討するに、
　前者の場合（本補正によって補正前の特許請求の範囲の請求項２、３、８、１０、１１の発明を特定するために必要な事項が変更されたと考える場合）、本補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものでなく、同項他号に掲げる事項を目的とするものでもないことは明らかである。
　また、後者の場合（本補正によって補正前の特許請求の範囲の請求項２、３、８、１０、１１が削除されたと考える場合）には、本補正の請求項１〜１０は、補正前の特許請求の範囲の請求項１、４〜７、９を補正したものとなるが、これは、請求項数を実質的に６から１０に増加させるものであるから、この場合にも、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものではなく、また、同項他号に掲げる事項を目的とするものでもない。
　
　したがって、本補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に適合しないから、特許法第１５９条第１項において準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
３．本願発明について
　
（１）本願発明
　平成１３年５月１８日付けの手続補正は上記のとおり却下されていることから、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１２年４月２０日付けで手続補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「【請求項１】低圧側の入力信号によって高圧側の操作対象を操作するためのレベルシフト回路であって、低圧側トランジスタと高圧側トランジスタを直列にそれぞれ接続した第１および第２の操作回路を設け、各操作回路の高圧側トランジスタのオンオフの状態を他の操作回路の低圧側と高圧側のトランジスタの相互接続点の電位により制御し、操作回路の低圧側のトランジスタに直列に低圧側トランジスタに流れる電流を制限する抵抗からなるバイアス手段を接続し、抵抗に並列にキャパシタからなる電流制御手段を接続し、両操作回路の低圧側トランジスタを、一方がオン状態になる時他方がオフ状態になるように、かつ、一方がオフ状態になる時他方がオン状態になるように制御して一方の操作回路の低圧側と高圧側のトランジスタの相互接続点の電位により高圧側の操作対象のオンオフ状態を操作するようにしたことを特徴とするレベルシフト回路。」
　
（２）引用刊行物
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の原出願の出願日前である昭和６２年２月１４日に頒布された特開昭６２−３４４１９号公報（以下、「引用刊行物」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。　
　
（ａ）「高電圧デジタル信号出力回路は、０Ｖのレベルをたとえば低ロジックレベル（Ｌレベル）とし、約５Ｖ程度のレベルをたとえば高ロジックレベル（Ｈレベル）とするデジタル信号を入力し、これをＶSS電圧を例えばＬレベルとし、ＶDD電圧を同じくＨレベルとする高電圧デジタル信号を出力する回路で、第４図に示す回路構成が用いられている。
　第４図の回路では、高圧側電源ＶDDにＰチャネル型電界効果トランジスタＱ14、Ｑ15およびＱ16のソースを接続し、低圧側電源ＶSSにＮチャネル形電界効果トランジスコＱ11、Ｑ12およびＱ13のソースを接続し、Ｑ14とＱ11、Ｑ15とＱ12、Ｑ16とＱ13のドレインをそれぞれ共通接続してＰチャネル形とＮチャネル形との電界効果トランジスタの直列対を３つ並列に構成し、電界効果トランジスタＱ14およびＱ11から成る第１の対のドレイン接続点Ｐ１２を、電界効果トランジスタＱ15およびＱ12から成る第２の対のＰチャネル形トランジスタＱ15のゲートに接続し、該第２の対のドレイン接続点Ｐ１１を、前記第１の対のＰチャネル形トランジスタＱ14のゲートに接続すると共に、電界効果トランジスタＱ16およびＱ13から成る第３の対の電界効果トランジスタＱ16およびＱ13のゲートに接続し、第３の対のドレイン接続点を出力端ＶOUT2とし、第１の対および第２の対のＮチャネル形電界効果トランジスタＱ11およびＱ12の各ゲートをそれぞれ信号入力端子ＶIN11およびＶIN12としている。
　今、低圧側電源ＶSSを接地電位とし、入力および出力のＬレベルをＶSSにほぼ等しい電位とする。信号入力端子ＶIN11にＬレベル、ＶIN12にＨレベルの信号が入力されると、電界効果トランジスタＱ11はオフし、Ｑ12がオンし、出力端ＶOUT2には、Ｈレベルの信号が出力される。」（第１頁右下欄第３行〜第２頁左上欄第１７行）
　
（ｂ）「次に、信号入力端ＶIN11にＨレベル、ＶIN12にＬレベルの入力信号が印加されると、電界効果トランジスタＱ11はオンし、Ｑ12がオフし、出力端ＶOUT2には、Ｌレベルの信号が出力される。」（第２頁右上欄第７行〜第１０行）
　
　引用刊行物のこれらの記載及び図面、並びに当該技術分野の技術常識を勘案すると、引用刊行物には、
「０ＶのレベルをＬレベルとし、約５Ｖ程度のレベルをＨレベルとするデジタル信号を入力し、これをＶSS電圧をＬレベルとし、ＶDD電圧をＨレベルとする高電圧デジタル信号を出力する回路であって、
　電界効果トランジスタＱ14及びＱ11から成る電界効果トランジスタの第１の直列対と、電界効果トランジスタＱ15及びＱ12から成る電界効果トランジスタの第２の直列対とを設け、
　前記電界効果トランジスタＱ14、Ｑ15のソースは高圧側電源ＶDDに、前記電界効果トランジスタＱ11、Ｑ12のソースは低圧側電源ＶSSにそれぞれ接続されており、
　前記第１の直列対のドレイン接続点Ｐ１２を、前記第２の直列対の電界効果トランジスタＱ15のゲートに接続し、前記第２の直列対のドレイン接続点Ｐ１１を、前記第１の直列対の電界効果トランジスタＱ14のゲートに接続し、
　信号入力端子ＶIN11にＬレベル、ＶIN12にＨレベルの信号を入力して電界効果トランジスタＱ11をオフ、Ｑ12をオンさせ、信号入力端ＶIN11にＨレベル、ＶIN12にＬレベルの入力信号を入力して電界効果トランジスタＱ11をオン、Ｑ12をオフさせ、
  前記第２の直列対のドレイン接続点Ｐ１１を、電界効果トランジスタＱ16およびＱ13から成る第３の直列対の電界効果トランジスタＱ16およびＱ13のゲートにも接続した、
高電圧デジタル信号出力回路」（以下、「引用発明」という。）、
が記載されている。
　
（３）対比判断
　本願発明と引用発明を対比すると、
（ａ）引用発明における「高電圧デジタル信号出力回路」は、「０ＶのレベルをＬレベルとし、約５Ｖ程度のレベルをＨレベルとするデジタル信号を入力し、これをＶSS電圧をＬレベルとし、ＶDD電圧をＨレベルとする高電圧デジタル信号を出力する」のであるから、「レベルシフト回路」といえる。
　
（ｂ）引用発明における「電界効果トランジスタＱ14、Ｑ15」のソースは高圧側電源ＶDDに、「電界効果トランジスタＱ11、Ｑ12」のソースは低圧側電源ＶSSに接続されているのであるから、これらのトランジスタの内、「電界効果トランジスタＱ14、Ｑ15」は「高圧側トランジスタ」、「電界効果トランジスタＱ11、Ｑ12」は「低圧側トランジスタ」といえる。
　
（ｃ）引用発明の「第１の直列対」および「第２の直列対」は、低圧側トランジスタと高圧側トランジスタを直接にそれぞれ接続した回路であるから、本願発明における「第１および第２の操作回路」に相当する。
　
（ｄ）引用発明における「第１の直列対のドレイン接続点Ｐ１２」、「第２の直列対のドレイン接続点Ｐ１１」は、本願発明における「低圧側と高圧側のトランジスタの相互接続点」に相当し、また、引用発明は、「第１の直列対のドレイン接続点Ｐ１２」を「第２の直列対の電界効果トランジスタＱ15のゲートに接続」し、「第２の直列対のドレイン接続点Ｐ１１」を「第１の直列対の電界効果トランジスタＱ14のゲートに接続」しているのであるから、「第１の直列対」の高圧側トランジスタ（Ｑ14）のオンオフの状態は「第２の直列対のドレイン接続点Ｐ１１」の電位により制御され、「第２の直列対」の高圧側トランジスタ（Ｑ15）のオンオフの状態は「第１の直列対のドレイン接続点Ｐ１２」の電位により制御されることは明らかである。したがって、引用発明の「前記第１の直列対のドレイン接続点Ｐ１２を、前記第２の直列対の電界効果トランジスタＱ15のゲートに接続する」及び「前記第２の直列対のドレイン接続点Ｐ１１を、前記第１の直列対の電界効果トランジスタＱ14のゲートに接続した」は、本願発明における「各操作回路の高圧側トランジスタのオンオフの状態を他の操作回路の低圧側と高圧側のトランジスタの相互接続点の電位により制御し」に相当する。
　
（ｅ）引用発明の「信号入力端子ＶIN11にＬレベル、ＶIN12にＨレベルの信号を入力して電界効果トランジスタＱ11をオフ、Ｑ12をオンさせ、信号入力端ＶIN11にＨレベル、ＶIN12にＬレベルの入力信号を入力して電界効果トランジスタＱ11をオン、Ｑ12をオフさせ」は、本願発明における「両操作回路の低圧側トランジスタを、一方がオン状態になる時他方がオフ状態になるように、かつ、一方がオフ状態になる時他方がオン状態になるように制御して」に相当する。
　
（ｆ）引用発明の「第２の直列対のドレイン接続点Ｐ１１を、電界効果トランジスタＱ16およびＱ13から成る第３の直列対の電界効果トランジスタＱ16およびＱ13のゲートにも接続した」において、「第３の直列対」は、高電圧が印加され、オンオフ制御されるから「高圧側の操作対象」であり、「第２の直列対のドレイン接続点Ｐ１１」は、本願発明における「一方の操作回路の低圧側と高圧側のトランジスタの相互接続点」に相当する。よって、引用発明の上記事項は、本願発明における「一方の操作回路の低圧側と高圧側のトランジスタの相互接続点の電位により高圧側の操作対象のオンオフ状態を操作する」に相当する。
　
　したがって両者は、
「低圧側の入力信号によって高圧側の操作対象を操作するためのレベルシフト回路であって、低圧側トランジスタと高圧側トランジスタを直列にそれぞれ接続した第１および第２の操作回路を設け、各操作回路の高圧側トランジスタのオンオフの状態を他の操作回路の低圧側と高圧側のトランジスタの相互接続点の電位により制御し、両操作回路の低圧側トランジスタを、一方がオン状態になる時他方がオフ状態になるように、かつ、一方がオフ状態になる時他方がオン状態になるように制御して一方の操作回路の低圧側と高圧側のトランジスタの相互接続点の電位により高圧側の操作対象のオンオフ状態を操作するようにしたレベルシフト回路。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点
　本願発明は、「操作回路の低圧側のトランジスタに直列に低圧側トランジスタに流れる電流を制限する抵抗からなるバイアス手段を接続し、抵抗に並列にキャパシタからなる電流制御手段を接続」するのに対し、引用発明には、操作回路の低圧側のトランジスタにこのようなバイアス手段、電流制御手段が設けられていない点。
　
　以下、上記相違点について検討する。
　複数のトランジスタを接続した回路において、後段のトランジスタを高速でオン動作させるために、前段のトランジスタに直列に電流制限用の抵抗を接続するとともに、当該抵抗に並列にキャパシタを接続することは、当業者における周知慣用手段である（必要ならば、例えば特開昭６２−１９４７３１号公報、実願昭５４−１４５９９０号（実開昭５６−６３１３９号）のマイクロフィルム、特開平１−２５４０２０号公報等を参照されたい）。
　したがって、引用発明においても、「操作回路の低圧側のトランジスタに直列に低圧側トランジスタに流れる電流を制限する抵抗からなるバイアス手段を接続し、抵抗に並列にキャパシタからなる電流制御手段を接続」することは、上記周知慣用手段に基づき当業者が容易になし得ることである。
　
（４）むすび
　以上の通りであるから、本願発明は引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。