【事件の表示】
　特願２０１０−５００７５０「配線基板およびプローブカード」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　９月　３日国際公開、ＷＯ２００９／１０７７４７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　この審判事件に関する出願（以下、「本願」という。）は、２００９年（平成２１年）２月２６日（優先権主張２００８年（平成２０年）２月２９日（以下、「優先日」という。）、日本国）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯の概略は、以下のとおりである。
平成２４年　９月２８日：拒絶理由通知（同年１０月２日発送）
平成２４年１２月　３日：手続補正書（以下、「補正１」という。）、意見書
平成２５年　９月２４日：拒絶理由通知（同年１０月１日発送）
平成２５年１２月　２日：手続補正書（以下、「補正２」という。）、意見書
平成２６年　７月２５日：補正２についての補正却下
平成２６年　７月２５日：拒絶査定（同年８月５日送達）
平成２６年１１月　５日：手続補正書（以下、「本件補正」という。）
平成２６年１１月　５日：審判請求
　
第２　補正却下の決定
［結論］
　本件補正を却下する。
［理由］
１　補正の内容
　本件補正は、本件補正前、すなわち補正１の特許請求の範囲の請求項１を次のように補正することを含む。なお、下線は補正箇所を示す。
（本件補正前）
「【請求項１】
　熱膨張係数が３．０×１０−６〜５．０×１０−６／℃であるセラミックス基板と、
　前記セラミックス基板の一方の表面に積層されて接着により固着された一または複数の薄膜配線シートと、
　を備えたことを特徴とする配線基板。」
　
（本件補正後）
「【請求項１】
　熱膨張係数が３．０×１０−６〜５．０×１０−６／℃であるセラミックス基板と、
　前記セラミックス基板の一方の表面に積層されて接着により固着された一または複数の薄膜配線シートと、
　
前記セラミックス基板の他方の表面に積層され、前記セラミックス基板よりも熱膨張係数がそれぞれ小さく、少なくとも一部が他と異なる複数の金属と、
　を備えたことを特徴とする配線基板。」
　
２　補正の適否（補正の目的要件）について
　本件補正のうち、請求項１についての補正は、本件補正前の請求項１で特定されていた「配線基板」について、「前記セラミックス基板の他方の表面に積層され、前記セラミックス基板よりも熱膨張係数がそれぞれ小さく、少なくとも一部が他と異なる複数の金属」を備えるとの限定を付加ものである。
　よって、請求項１についての本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
３　補正の適否（独立特許要件）について
　そこで、補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか否か）について以下に検討する。
（１）本件補正発明
　本件補正発明は、上記１（本件補正後）に記載したとおりのものである。
（２）引用例の記載事項
　ア　引用例１
（ア）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００１−２０８７７３号公報（発明の名称：検査装置およびプローブカード、出願人：イビデン株式会社、公開日：平成１３年８月３日、以下、「引用例１」という。）には、次の事項（ａ）ないし（ｄ）が図面とともに記載されている。なお、下線は、当審が付与した。
（ａ）
「【０００４】
【発明が解決しようとする課題】現在、シリコンウエハの状態で温度特性を試験するようになっている。即ち、導体回路が形成されたシリコンウエハを、マイナス数十℃まで冷却した状態で低温性能を試験し、また、百数十℃まで加熱した状態で高温性能を試している。しかしながら、例えば、内部に導体回路が形成された樹脂のみからなるプローブカードやアルミナセラミック板からなるプローブカードを用いた場合、かかる加熱・冷却時に、プローブの先端が検査部位からずれて接触できなくなり、シリコンウエハ側の故障と判断することがあった。」
（ｂ）
「【００１２】本発明のプローブカードは、
シリコンウエハ上に形成された導体回路の良否を判断するための検査装置に用いられるプローブカードであって、
【００１３】上記プローブカードでは、強度の高いセラミック板の上に樹脂薄膜と導体回路とが形成されているため、樹脂薄膜と導体回路の熱膨張率は、セラミック板の熱膨張率に支配され、セラミック板の熱膨張率とほぼ同じになり、従って、シリコンウエハの熱膨張率にほぼ等しくなる。このため、シリコンウエハを加熱・冷却した際に、プローブカードもシリコンウエハと同様の比率で熱膨張、熱収縮するので、例えば、コンタクター基板のプローブと、プローブカードの樹脂層表面で露出した導体回路との接触部分に接続不良が発生することはなく、シリコンウエハに形成された導体回路を適切に検査することができる。」
（ｃ）
「【００２１】また、図４に示すように、
プローブカード４０は、内部にスルーホール４１が形成されたセラミック板４２と、バイアホール４６、１４６、２４６および導体回路４８、１４８、２４８が形成された層間樹脂絶縁層（樹脂薄膜）４４、１４４、２４４とからなる
（ｄ）
「【０１１５】（６）少なくとも一方の面に層間樹脂絶縁層４４を形成する（図８（ｃ）参照）。樹脂は感光性樹脂が望ましく、アクリル化されたエポキシ樹脂、アクリル化されたポリイミド樹脂が好ましい。
層間樹脂絶縁層４４は、樹脂フィルムを積層してもよく
・・・（途中省略）・・・
【０１１８】この後、上記（６）〜（８）の工程を繰り返すことにより、セラミック板の上に、層間樹脂絶縁層４４、１４４、２４４、４９と導体回路４８、１４８、２４８（バイアホール４６、１４６、２４６を含む）とが複数層積層形成されたプローブカードが製造される（図８（ｅ）参照）。
セラミック板の上に導体回路と樹脂層とを形成する場合、形成する導体回路（樹脂層）は、一層であってもよく、
２層以上であってもよい
（イ）引用発明
　上記（ア）の記載内容からみて、引用例１には次の発明が記載されているものと認められる。
「シリコンウエハ上に形成された導体回路の良否を判断するための検査装置に用いられるプローブカードであって、
　プローブカードは、内部にスルーホールが形成されたセラミック板と、バイアホールおよび導体回路が形成された層間樹脂絶縁層（樹脂薄膜）とからなり、
　前記層間樹脂絶縁層は、樹脂フィルムを積層してもよく
　セラミック板の上に導体回路と樹脂層とを形成する場合、形成する導体回路（樹脂層）は、一層であってもよく、２層以上であってもよい
　プローブカード。」（以下、「引用発明」という。）
　イ　引用例２
（ア）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００２−７１７１２号公報（発明の名称：プローブカード、出願人：イビデン株式会社、公開日：平成１４年３月１２日、以下、「引用例２」という。）には、次の事項（ａ）ないし（ｃ）が記載されている。なお、下線は、当審が付与した。
（ａ）
「【０１２０】このようにして製造した実施例１〜１０および比較例１に係るプローブカードの気孔率、気孔径、反り量、耐電圧、強度、熱膨張係数及び熱伝導率を下記の方法により測定した。その結果を下記の表１に示した。」
（ｂ）
「【０１３２】その結果、
実施例１〜１０のプローブカードでは
熱膨張率がシリコンウエハに近く
（ｃ）
　表１には、
実施例１〜１０の熱膨張係数が３．８〜４．８（ｐｐｍ／℃）
（イ）引用例２に記載された技術事項
　引用例２には、「実施例１〜１０のプローブカードの熱膨張係数が３．８〜４．８（ｐｐｍ／℃）で、これらの値は、シリコンウエハに近い」との技術事項が記載されている。
　ウ　引用例３
（ア）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００６−１２０９９９号公報（発明の名称：多層配線基板、出願人：京セラ株式会社、公開日：平成１８年５月１１日、以下、「引用例３」という。）には、次の事項（ａ）ないし（ｂ）が図面とともに記載されている。なお、下線は、当審が付与した。
（ａ）「【０００１】
  本発明は多層配線基板に関し、より詳細には半導体集積回路素子を収容するための半導体素子収納用パッケージ等の電子部品収納用パッケージや、半導体集積回路等の電気的な検査をするための
プローブカード等に使用される多層配線基板に関する
（ｂ）「【００２１】
  また、
基板１には、その上面に複数の絶縁層２と配線導体層３とを多層に積層した多層配線部が配設され
【００２２】
  
多層配線部の絶縁層２は、例えば、絶縁フィルム層４と絶縁性接着剤層５とから構成され
【００２３】
  絶縁層２は、例えば、まず１２．５〜５０μｍ程度の絶縁フィルムに絶縁性接着剤をドクターブレード法等を用いて乾燥厚みで５〜２０μｍ程度に塗布し乾燥させたものを準備し、
この絶縁フィルム層４を基板１や下層の絶縁層２の上面の間に絶縁性接着剤層５が配されるように積み重ね、これを加熱プレス装置を用いて加熱加圧し接着する
（イ）引用例３に記載された技術事項
　上記（ａ）及び（ｂ）の記載から、引用例３には、「プローブカード等に使用される多層配線基板に関し、基板１上面に複数の絶縁層２と配線導体層３とを多層に積層した多層配線部を設ける際に、接着による固着手法を用いる」との技術事項が記載されているといえる。
　エ　引用例４
（ア）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００７−６４８５０号公報（発明の名称：プローブカード、出願人：日本発条株式会社、公開日：平成１９年３月１５日、以下、「引用例４」という。）には、次の事項（ａ）ないし（ｃ）が図面とともに記載されている。なお、下線は、当審が付与した。
（ａ）「【００２７】
  基板４は、一般的なＰＣＢ（Printed Circuit Board）基板に適用されるベークライトやエポキシ樹脂等の絶縁性物質から成る。この基板４には、プローブヘッド３よりも若干径が大きい円盤状をなすコア層６が埋め込まれている。このコア層６は、基板４を構成する絶縁性物質よりも小さい熱膨張係数を有する素材から構成されており、
具体的には、インバー材やコバール材（登録商標）など
【００２８】
  
基板４のうち、コア層６よりもプローブヘッド３に近い側
コア層６よりもプローブヘッド３から遠い側
基板４はプローブヘッド３に近い片面側にのみ複数の配線４１から成る配線層（配線パターン）が形成され
（ｂ）「【００３０】
  一般に、
プローブカード１を用いて検査を行う際には、バーンインテストなどのように常温よりも高温環境下で半導体ウェハ７を検査することがあるため、半導体ウェハ７の熱膨張係数とプローブヘッド３や基板４の熱膨張係数とができる限り近い方が好ましい
（ｃ）「【００４２】
（実施の形態２）
  図５は、本発明の実施の形態２に係るプローブカードの構成を示す平面図である。また、図６は、図５のＢ−Ｂ線を通る断面構造の一部を示す断面図である。これらの図に示すプローブカード１２は、検査対象に対応して配設される複数のプローブ２と、複数のプローブ２を収容する円盤状のプローブヘッド３と、プローブヘッド３よりも径が大きい円盤状をなす基板１３と、基板１３に固着され、プローブヘッド３を保持するために皿ばねまたは板ばね等によって形成される保持部材５と、
基板１３の内部に基板１３と同じ表面積を有するように積層されて埋め込まれ、基板１３よりも熱膨張係数が低い素材から成るコア層１４
（ｄ）図６
　　　
（イ）引用例４に記載された技術事項
　上記（ｂ）には、「プローブカード１を用いて検査を行う際には、バーンインテストなどのように常温よりも高温環境下で半導体ウェハ７を検査することがあるため、半導体ウェハ７の熱膨張係数とプローブヘッド３や基板４の熱膨張係数とができる限り近い方が好ましい」ことが記載されている。
　上記（ａ）、図６の記載及び、コア層は基板と同じ表面積であることから（上記（ｂ））、コア層よりもプローブヘッドに近い側の基板、コア層、及び、コア層よりもプローブヘッドから遠い側の基板の積層構造であり、また、「基板４はプローブヘッド３に近い片面側にのみ複数の配線４１から成る配線層（配線パターン）が形成され」（上記（ａ））ていることを踏まえると、基板よりも熱膨張係数が低い素材（具体的には、インバー材やコバール材（登録商標）などの合金）から成るコア層を、基板のうち、配線層（配線パターン）が形成された側の反対の側の面に積層するとの技術事項が記載されているといえる。
　以上のことを総合勘案すると、引用例４には、「プローブカードを用いて検査を行う際には、バーンインテストなどのように常温よりも高温環境下で半導体ウェハを検査することがあるため、半導体ウェハの熱膨張係数とプローブヘッドや基板の熱膨張係数とができる限り近い方が好ましく、そのため、基板よりも熱膨張係数が低い素材（具体的には、インバー材やコバール材（登録商標）などの合金）から成るコア層を、基板のうち、配線層（配線パターン）が形成された側の反対の側の面に積層する」との技術事項が記載されているといえる。
　オ　引用例５
　本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００５−１８９０８６号公報（発明の名称：導電性接触子ホルダ、導電性接触子ユニットおよび導電性接触子ホルダの製造方法、出願人：日本発条株式会社、公開日：平成１７年７月１４日、以下、「引用例５」という。）には、次の事項が記載されている。なお、下線は、当審が付与した。
「【００５０】
  これに対して、本実施の形態では、支持体４を低熱膨張支持枠体１５、１８と高熱膨張支持枠体１６、１７との積層構造によって形成することとしており、一方が他方に対して応力を作用することによって、被接触体８の線膨張係数との違いを緩和することが可能である。すなわち、両者の線膨張係数の違いに起因して、高熱膨張支持枠体１６、１７は、
低熱膨張支持枠体１５、１８によって圧縮方向に応力を受けることとなり、単体の場合と比較して熱膨張の程度が被接触体８に近づくこととなる。一方で、低熱膨張支持枠体１５、１８は、高熱膨張支持枠体１６、１７によって伸張方向に応力を受けることとなり、単体の場合と比較して熱膨張の程度が被接触体８に近づくこととなる。換言すると、
高熱膨張支持枠体１６、１７と低熱膨張支持枠体１５、１８とを積層することによって、支持体４全体の線膨張係数は被接触体８の値に近づくこととなる。
　カ　引用例６
　本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開平８−５６６４号公報（発明の名称：半導体装置用検査板とその製造方法、出願人：日立化成工業株式会社、公開日：平成８年１月１２日、以下、「引用例６」という。）には、次の事項が記載されている。なお、下線は、当審が付与した。
「【０００６】本発明は、ＩＣウェーハの熱膨張係数とプローブの熱膨張係数が整合した半導体装置用検査板とその製造法を提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置用検査板１は、その
熱膨張係数をＩＣウェーハと整合させるためインバー及び銅を主構造材とし
　キ　引用例７
　本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開平１０−２７０５１３号公報（発明の名称：高い平面性と低い熱膨張率を有するベースとその製造方法、出願人：ダブリュ．エル．ゴア  アンド  アソシエイツ，インコーポレイティド、公開日：平成１０年１０月９日、以下、「引用例７」という。）には、次の事項が記載されている。なお、下線は、当審が付与した。
「【００３８】−ベースユニット−
ベースユニットは、図５に最もよく見られ、低い熱膨張率（ＣＴＥ）の材料からなる、又は
低い及び高い熱膨張率の材料のラミネートされた層によって得られたマッチした複合熱膨張率を有する
　ク　引用例５〜７に記載された周知慣用の技術事項
　上記オ、カ、キの引用例５〜７に記載された事項から、「熱膨張係数を所望の値にするために、異なる熱膨張係数の材料を積層すること」は、本願優先日前に周知慣用の技術事項であるといえる。
（３）対比
ア
　本件補正発明と引用発明とを、主たる構成要件毎に順次対比する。
　引用発明の「セラミック板」、「導体回路が形成された層間樹脂絶縁層（樹脂薄膜）」は、本件補正発明の「セラミックス基板」、「薄膜配線シート」に相当する。
　引用発明の「セラミック板の上に導体回路と樹脂層とを形成する場合、形成する導体回路（樹脂層）は、一層であってもよく、２層以上であってもよ」く、「バイアホールおよび導体回路が形成された層間樹脂絶縁層（樹脂薄膜）」は、「樹脂フィルムを積層してもよ」いことは、本件補正発明の「セラミックス基板の一方の表面に積層されて接着により固着された一または複数の薄膜配線シート」と、「前記セラミックス基板の一方の表面に積層された一または複数の薄膜配線シート」の点で共通する。
　引用発明の「プローブカード」は、「セラミック板の上に導体回路と樹脂層とを形成」するものであるから、本件補正発明の「配線基板」に相当する。
イ
　以上のことから、本件補正発明と引用発明との一致点及び相違点は、次のとおりである。
（一致点）
「セラミックス基板と、
前記セラミックス基板の一方の表面に積層された一または複数の薄膜配線シートと、
　を備えた配線基板。」
（相違点１）
　セラミックス基板の熱膨張係数が、本件補正発明においては、３．０×１０−６〜５．０×１０−６／℃であるのに対し、引用発明においては、セラミックス基板に相当するセラミック板の熱膨張係数についての特定がない点。
（相違点２）
　セラミックス基板の一方の表面に積層される薄膜配線シートが、本件補正発明においては、接着により固着されるのに対し、引用発明においては、薄膜配線シートに相当する層間樹脂絶縁層が樹脂フィルムを積層することで形成されるものの、接着により固着されることについて特定がない点。
（相違点３）
　本件補正発明は、「前記セラミックス基板の他方の表面に積層され、前記セラミックス基板よりも熱膨張係数がそれぞれ小さく、少なくとも一部が他と異なる複数の金属」を備えるのに対し、引用発明は、このような金属を備えていない点。
（４）判断
　以下、相違点について検討する。
ア　相違点１について
　引用例１には、「【００１３】上記プローブカードでは、強度の高いセラミック板の上に樹脂薄膜と導体回路とが形成されているため、樹脂薄膜と導体回路の熱膨張率は、セラミック板の熱膨張率に支配され、セラミック板の熱膨張率とほぼ同じになり、従って、シリコンウエハの熱膨張率にほぼ等しくなる。」と、プローブカード、セラミック板及びシリコンウエハのの熱膨張率にほぼ等しいことが記載され、引用例２には、「実施例１〜１０のプローブカードの熱膨張係数が３．８〜４．８（ｐｐｍ／℃）で、これらの値は、シリコンウエハに近い」との技術事項が記載されている。
　してみると、シリコンウエハに近いとされる熱膨張係数が３．８〜４．８（ｐｐｍ／℃）であることを考慮すると、引用発明のシリコンウエハの熱膨張率にほぼ等しいセラミック板の熱膨張係数も３．８〜４．８（ｐｐｍ／℃）に近いものということができる。
　よって、引用発明のシリコンウエハの熱膨張率にほぼ等しい「セラミック板の熱膨張係数」は、本件補正発明の、３．０×１０−６〜５．０×１０−６／℃とするセラミックス基板の熱膨張係数の範囲内であるか、または、引用発明のセラミック板の熱膨張係数を本件補正発明の３．０×１０−６〜５．０×１０−６／℃とすることは当業者が容易に想到し得ることである。
イ　相違点２について
　引用例３に、「プローブカード等に使用される多層配線基板に関し、基板１上面に複数の絶縁層２と配線導体層３とを多層に積層した多層配線部を設ける際に、接着による固着手法を用いる」との技術事項が記載されている。
　引用発明は、プローブカードの導体回路が形成された層間樹脂絶縁層を樹脂フィルムを積層して設けるものであるから、引用例３のプローブカード等に使用される多層配線基板を設ける際の固着手法を適用することは、当業者が容易に着想し得ることである。
　よって、引用発明に引用例３に記載された手法を適用し、本願補正発明のように、接着により固着させることは、当業者が容易になし得ることである。
ウ　相違点３について
　引用例４には、「プローブカードを用いて検査を行う際には、バーンインテストなどのように常温よりも高温環境下で半導体ウェハを検査することがあるため、半導体ウェハの熱膨張係数とプローブヘッドや基板の熱膨張係数とができる限り近い方が好ましく、そのため、基板よりも熱膨張係数が低い素材（具体的には、インバー材やコバール材（登録商標）などの合金）から成るコア層を、基板のうち、配線層（配線パターン）が形成された側の反対の側の面に積層する」との技術事項が記載され、また、全体の熱膨張係数を所望の値にするために、異なる熱膨張係数の材料を積層することは、本願優先日前に周知慣用の技術事項である（上記「（２）ク」）。
　ところで、引用例１には、「【０００４】【発明が解決しようとする課題】現在、シリコンウエハの状態で温度特性を試験するようになっている。即ち、導体回路が形成されたシリコンウエハを、マイナス数十℃まで冷却した状態で低温性能を試験し、また、百数十℃まで加熱した状態で高温性能を試している。しかしながら、例えば、内部に導体回路が形成された樹脂のみからなるプローブカードやアルミナセラミック板からなるプローブカードを用いた場合、かかる加熱・冷却時に、プローブの先端が検査部位からずれて接触できなくなり、シリコンウエハ側の故障と判断することがあった。」 と課題が記載され、「【００１３】上記プローブカードでは、強度の高いセラミック板の上に樹脂薄膜と導体回路とが形成されているため、樹脂薄膜と導体回路の熱膨張率は、セラミック板の熱膨張率に支配され、セラミック板の熱膨張率とほぼ同じになり、従って、シリコンウエハの熱膨張率にほぼ等しくなる。このため、シリコンウエハを加熱・冷却した際に、プローブカードもシリコンウエハと同様の比率で熱膨張、熱収縮するので、例えば、コンタクター基板のプローブと、プローブカードの樹脂層表面で露出した導体回路との接触部分に接続不良が発生することはなく、シリコンウエハに形成された導体回路を適切に検査することができる。」と、上記課題をプローブカードをシリコンウエハの熱膨張率にほぼ等しくなるようにして解決することが記載されている。
　ここで、引用例１には、プローブカードの熱膨張率をよりシリコンウエハの熱膨張率に近づけるとの動機付けが記載されているといえるから、プローブカードを半導体ウェハの熱膨張係数にできる限り近くするための引用例４に記載された技術事項や、熱膨張係数を所望の値にするための周知慣用の技術事項を引用発明に適用することに困難性は見いだせない。
　してみると、引用発明に引用例４に記載された技術事項及び周知慣用の技術事項（上記「（２）ク」）を適用することで、引用発明において、セラミック基板よりも熱膨張係数が低い素材（具体的には、インバー材やコバール材（登録商標）などの合金）から成るコア層を、セラミック基板のうち、配線層（配線パターン）が形成された側の反対の側の面に積層し、前記熱膨張係数が低い素材を異なる熱膨張係数の材料を積層することで構成し、本件補正発明のように、「前記セラミックス基板の他方の表面に積層され、前記セラミックス基板よりも熱膨張係数がそれぞれ小さく、少なくとも一部が他と異なる複数の金属」「を備え」ることは、当業者が容易になし得たことである。
エ
　そして、これらの相違点を総合勘案しても、本件補正発明の奏する作用効果は、引用発明、引用例２ないし４に記載された技術事項及び周知慣用の技術事項の奏する作用効果から予測される範囲内のものにすぎず、格別顕著なものということはできない。
オ　
　したがって、本件補正発明は、引用発明、引用例２ないし４に記載された技術事項及び周知慣用の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
４　補正の適否についてのまとめ
　上記「３」のとおり、本件補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができず、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
第３　本願発明について
　
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし６に係る発明は、補正１の特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定されるとおりのものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記「第２　１（本件補正前）」に記載したとおりのものである。再掲すれば、次のとおり。
「【請求項１】
　熱膨張係数が３．０×１０−６〜５．０×１０−６／℃であるセラミックス基板と、
　前記セラミックス基板の一方の表面に積層されて接着により固着された一または複数の薄膜配線シートと、
　を備えたことを特徴とする配線基板。」
２　引用例記載の事項、引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１記載の事項及び引用発明は、上記「第２　３（２）ア」に記載したとおりである。
３　対比、判断
　本願発明は、本件補正発明から、「前記セラミックス基板の他方の表面に積層され、前記セラミックス基板よりも熱膨張係数がそれぞれ小さく、少なくとも一部が他と異なる複数の金属と」「を備える」との限定、つまり、上記「相違点３」に係る限定を削除したものである。
　そうすると、本願発明と引用発明との対比における相違点は、上記「相違点１」及び「相違点２」であり、上記「相違点１」及び「相違点２」についての判断は、上記「第２　３　（４）判断」に示したとおり、引用発明、引用例２ないし３に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明は、同様の理由により、引用発明、引用例２ないし３に記載された技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
４　むすび
　以上のとおり，本願発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。