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　特願２０１０−　　５４０１「複合基板及びそれを用いた弾性波デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　８月２６日出願公開、特開２０１０−１８７３７３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２２年１月１４日(優先権主張　平成２１年１月１９日　日本)を出願日とする出願であって，平成２５年８月１３日付けで拒絶理由が通知され，同年１０月２日付けで意見書の提出がなされ，同年１２月２７日付けで拒絶査定され，平成２６年４月４日に拒絶査定不服審判の請求と同時に，手続補正がなされたものである。
第２　補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２６年４月４日付け手続補正を却下する。
［理由］
１．本件補正の概要
　平成２６年４月４日付けの手続補正(以下「本件補正」という。)は，特許請求の範囲の請求項１の記載を，次のように変更することを含むものである。
(下線は請求人が付与。)
［本件補正前］
【請求項１】
　弾性波を伝搬可能な圧電基板と、
　方位（１１１）面で前記圧電基板の裏面に有機接着層を介して接合され、該圧電基板よりも熱膨張係数の小さなシリコン製の支持基板と、
　を備えた複合基板。
［本件補正後］
　　【請求項１】
　弾性波を伝搬可能な圧電基板と、
　方位（１１１）面で前記圧電基板の裏面に有機接着層を介して接合され、該圧電基板よりも熱膨張係数の小さなシリコン製の支持基板と、
　を備え
、
　前記支持基板の厚さが１００〜５００μｍである、
　
　本件補正は，本件補正前の「支持基板」に対し，その厚さが「１００〜５００μｍである」との限定を附したものであるといえる。
　よって，本件補正後の請求項１に係る発明(以下「本件補正発明」という。)は，本件補正後の請求項１に記載された事項により特定されるものであるところ，本件補正発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるか否か(本件補正が，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するか否か)について検討する。
２．引用発明等
(１)　引用発明
　原査定の理由に「引用文献１」として引用された特開２００８−３０１０６６号公報(平成２０年１２月１１日公開)には，次の事項が記載(下線は当審が付与。)されている。
ア　【技術分野】
【０００１】
　本発明は、
弾性表面波デバイス等に用いられる複合基板に関するものであり、特に熱による反りが小さく、生産性に優れた複合基板に関するものである
【背景技術】
【０００２】
　
タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ
３
）単結晶
圧電性酸化物単結晶として知られ、弾性表面波（ＳｕｒｆａｃｅＡｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ：以下ＳＡＷと略す）フィルタ（ＳＡＷフィルタ）の圧電基板等に使用されている
【０００３】
　例えば、ＳＡＷフィルタは、携帯電話機等のような通信機器におけるバンドパスフィルタとして幅広く使用されている。近年、携帯電話の高機能化や、周波数バンド数の増加などにより、デバイスの小型化や低背化が進んでいる。またセンサー等の検知感度の向上要求により、同様にセンサー等の小型化、薄板化が進んでいる。それに伴い、単結晶基板には薄板化の要求が厳しくなってきている。
【０００４】
　しかしながら、ＬＴ単結晶基板、ＬＮ単結晶基板は、加工性が悪く、単結晶特有のヘキ開割れが起こり、少しの応力衝撃によって基板全体が割れてしまうという欠点を持つ。またＬＴ単結晶、ＬＮ単結晶は、熱膨張係数が大きいため、温度変化によって周波数特性が変化し、周波数通過帯域が移動してしまうという問題を有する。また方位によって熱膨張係数が著しく異なるという特性を持つため、熱変化にさらされると内部に応力歪みが生じ、一瞬のうちに割れてしまうことがある。
【０００５】
　この問題を解決し、温度安定性に優れた薄板化された圧電基板等を開発することは近年の課題である。
【０００６】
　上記した特性を改善し、優れた温度安定性を備えた圧電材料を実現するために、さまざまな方法が提案されている。
【０００７】
　例えば以下に示す特許文献１においては、ＬＮ或いはＬＴ基板に、前記基板よりも熱膨張係数が低い材料であるシリコンで形成した基板を直接結合で結合した基板が提案されている。
【０００８】
　また、以下に示す特許文献２においては、
ＬＴで構成した圧電基板とサファイアで構成した支持基板
【０００９】
　又以下に示す特許文献３においては、
ＬＴ又はＬＮで構成した圧電基板と、接着層を介して圧電基板に積層された珪素または酸化珪素を主成分とする圧電基板より熱膨張係数の小さい補助基板（例えば低熱膨張ガラス基板）と、から構成される良好な温度特性を有する弾性表面波素子が提案されている
【特許文献１】特開２００４−９６６７７号公報
【特許文献２】特開２００４−１８６８６８号公報
【特許文献３】特開２００１−５３５７９号公報
【００１０】
　
特許文献１、２、３でＬＴ又はＬＮ圧電基板にシリコン、低熱膨張ガラス、サファイア等の低熱膨張材料基板を貼り合わせる方法が提案されているが、更に温度安定性に優れた、より薄板化出来る複合基板が望まれている
【００１１】
　また
複合基板は異なる膨張係数を持つ材料を組み合わせているので、温度変化により基板の反りが生じる。この反りは製造不良の原因となり、生産性を低下させる
【００１２】
　本発明は、このような事情に鑑みて為されたものであり、
温度変化による反りが少なく、熱膨張を抑えた、優れた温度安定性を示し、更なる薄板化が可能なタンタル酸リチウム（ＬＴ）又はニオブ酸リチウム（ＬＮ）単結晶薄板を用いた複合基板を提供することを目的とする
イ　【００６９】
　＜低熱膨張基板＞
　次に
低熱膨張基板としてシリコン単結晶基板
シリコン単結晶基板としては直径１００ｍｍ、厚さ４８０μｍ、抵抗率２６５０Ω・ｃｍの片面鏡面の４インチシリコンウェーハを用いた
【００７０】
　各低熱膨張基板及びＬＴ単結晶薄板の熱膨張係数、ヤング率を表４に示す。
【００７１】
【表４】
【００７２】
　＜複合基板＞
　次に
複合基板を作製した。単結晶薄板として厚み２５０μｍの直径４インチのウェーハ形状である鉄を０．０１ｗｔ％含有し還元処理を行ったＬＴ単結晶薄板を用い、低熱膨張基板として上記したシリコン単結晶基板
【００７３】
　上記のように準備された
シリコン単結晶基板の鏡面側
高Ｔｇ紫外線硬化型接着剤をスピンコートして塗布した。上記低熱膨張基板の接着剤を塗布した側にＬＴ単結晶薄板を重ね、室温でプレス機のプレスヘッドで３０秒７０ｋＰａで押さえつけて密着させた
【００７４】
　
これで厚み２５０μｍの鉄を０．０１ｗｔ％含有し還元処理を行ったＬＴ単結晶薄板に厚み４８０μｍのシリコン単結晶基板が接合された複合基板
　以上より，引用文献１には次の発明(以下「引用発明」という。)が記載されているといえる。
　弾性表面波デバイス等に用いられる複合基板に関するものであり，
　単結晶薄板として厚み２５０μｍの直径４インチのウェーハ形状である鉄を０．０１ｗｔ％含有し還元処理を行ったＬＴ単結晶薄板を用い，低熱膨張基板としてシリコン単結晶基板を用い，
　シリコン単結晶基板としては直径１００ｍｍ，厚さ４８０μｍ，抵抗率２６５０Ω・ｃｍの片面鏡面の４インチシリコンウェーハを用い，
　シリコン単結晶基板の鏡面側に高Ｔｇ紫外線硬化型接着剤をスピンコートして塗布し，上記低熱膨張基板の接着剤を塗布した側にＬＴ単結晶薄板を重ねた
　複合基板。
(２)　周知技術
ア　周知例１
　原査定の理由に「引用文献２」として引用された特開２００４−２１４４００号公報(平成１６年７月２９日公開)(以下「周知例１」という。)には，図面とともに次の事項が記載されている。
(ア)　【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、
半導体基板の製造方法
(イ)　【０００８】
【発明の目的】
この発明は、ウェーハの剥離面のラフネスが抑えられ、その結果、剥離後のウェーハの厚さの面内均一性が高まるとともに、後にその剥離面を平坦化処理するときのウェーハ加工量を低減することができ、しかも軽元素のドーズ量を低減することができる半導体基板の製造方法を提供することを、その目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
請求項１に記載の発明は、劈開面を表面とする単結晶ウェーハの所定深さ位置に軽元素をイオン注入する工程と、その後、この単結晶ウェーハを熱処理することにより、このイオン注入領域内に単結晶ウェーハの表面と平行な劈開面に沿って軽元素バブルを形成し、前記単結晶ウェーハのイオン注入側の部分を剥離する工程とを備えた半導体基板の製造方法である。
単結晶ウェーハの種類は限定されない。例えば単結晶シリコンウェーハなど、劈開面を有する単結晶のウェーハを採用することができる。
単結晶シリコンウェーハとしては、（１１１）ウェーハ
１１１）ウェーハは、（１１１）面の表面を有する単結晶ウェーハである
現在は（１１１）ウェーハの方が工業的に利用しやすい
て劈開面となる。
単結晶ウェーハとしては、軽元素バブルを利用した剥離処理が施されるウェーハであれば、単枚使用の各種の半導体ウェーハでもよいし、ＳＯＩ構造を有する貼り合わせウェーハ用のウェーハでもよい。例えば、スマートカット法を利用したユニボンドウェーハの活性層用ウェーハなどを採用することができる。
イ　周知例２
　本件出願の優先権主張日前に頒布された特開平３−８８４０６号公報(平成３年４月１２日公開)(以下「周知例２」という。)には，図面とともに次の事項が記載されている。
(ア)　２．特許請求の範囲
（１）　
シリコン単結晶層と、該シリコン単結晶層上に形成される単結晶もしくはＣ軸配向窒化アルミニウム圧電膜と、所定位置に形成される電極とを備える弾性表面波素子であって、弾性表面波の伝播方向軸と前記シリコン単結晶層表面の法線軸とを含む投影面への前記窒化アルミニウム圧電膜のＣ軸の投影軸が前記伝播方向軸に対して所定の傾斜角（θ）を有することを特徴とする弾性表面波素子
（２）　前記シリコン単結晶層は（００１）結晶面もしくはそれと等価な面からなり、前記伝播方向軸は前記シリコン単結晶層の（１００）軸であることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波素子。
（３）　前記Ｃ軸は前記投影面内にあり、前記傾斜角（θ）が０゜＜θ≦６０゜の範囲にあり、かつ前記窒化アルミニウム圧電膜の膜厚（ｈ）が２πｈ／λ≧１．８（ただし、λは弾性表面波の波長を示す）の範囲にあることを特徴とする請求項２記載の弾性表面波素子。
（４）　前記シリコン単結晶層は（１１０）結晶面もしくはそれと等価な面からなり、前記伝播方向軸は前記シリコン単結晶層の（００１）軸であることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波素子。
（５）　前記Ｃ軸は前記投影面内にあり、前記傾斜角（θ）が０゜＜θ≦６０゜の範囲にあり、かつ前記窒化アルミニウム圧電膜の膜厚（ｈ）が２πｈ／λ≧１．８（ただし、λは弾性表面波の波長を示す）の範囲にあることを特徴とする請求項４記載の弾性表面波素子。
（６）　
前記シリコン単結晶層は（１１１）結晶面もしくはそれと等価な面からなり、前記伝播方向軸は前記シリコン単結晶層の（１１２）軸であることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波素子
（７）　前記Ｃ軸は前記投影面内にあり、前記傾斜角（θ）が２０゜≦θ≦６０゜の範囲にあり、かつ前記窒化アルミニウム圧電膜の膜厚（ｈ）が２πｈ／λ≧２．５（ただし、λは弾性表面波の波長を示す）の範囲にあることを特徴とする請求項６記載の弾性表面波素子。
(イ)　（イ）産業上の利用分野
本発明は窒化アルミニウム圧電膜を用いた弾性表面波素子に関するものである。
(ウ)　さらに、第５図は
シリコン単結晶層（１）が（１１１）結晶面
(当審注　上記における「［１１２＾］」のうち「２＾」は，「２」に上線(いわゆる「アッパーライン」)を附した表記を意味する。)
ウ　周知技術
　上記周知例１及び２等は，次の技術が本件出願の優先権主張日前に周知であったことを裏付けるものであるといえる。
「半導体基板等の基板として，方位(１１１)面であるシリコン単結晶基板」が使用される技術。
(以下「周知技術」という。)は，本件出願の優先権主張日前に周知であったといえる。
３．対比
　本件補正発明と引用発明を比較すると，次のことがいえる。
(１)　引用発明における「高Ｔｇ紫外線硬化型接着剤」に関して，
　「高Ｔｇ」が「ガラス転移温度」が「高い」こと，つまり「高耐熱性」を意味することは周知である。つまり，該「高Ｔｇ紫外線硬化型接着剤」とは「高耐熱性」の「紫外線硬化型接着剤」であることを意味していると解される。
　ここで，「紫外線硬化型接着剤」として「エポキシ樹脂」を主成分とする接着剤が周知である。
　このことは，引用発明において，「シリコン単結晶基板」と「ＬＴ単結晶薄板」を，「エポキシ樹脂」を主成分とする接着剤，つまり「有機接着剤」を介して接合することを示している。また，このような接合によって，塗布された「高Ｔｇ紫外線硬化型接着剤」が「層」を構成すること，つまり「有機接着層」を成すことは明らかである。
(２)　引用発明における「ＬＴ単結晶薄板」に関して，
　該「ＬＴ単結晶薄板」が，ア「タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ３）単結晶」の薄板を意味すること，イまた，弾性表面波フィルタ，つまり「弾性表面波デバイス」の「圧電基板」として使用されるものであることは，引用文献１【０００２】における記載を参酌すると明らかであるといえる。
　そして，弾性表面波フィルタにおいて，「圧電基板」が「弾性波を伝搬可能」なものであることは技術常識である。
　つまり，引用発明は，「弾性波を伝搬可能な圧電基板」を開示しているといえる。
(３)　引用発明における「シリコン単結晶基板」に関して，ア引用文献１【０００８】における記載を参酌すると，上記「シリコン単結晶基板」は，「ＬＴ単結晶薄板」で構成した「圧電基板」を支持する「支持基板」に相当し，該「支持基板」は「シリコン単結晶」で構成された，「シリコン製」のといえることは明らかであり，イ上記「シリコン単結晶基板」の厚さは「４８０μｍ」であり，ここで，上記アに述べたことを踏まえると，引用発明は「支持基板の厚さが４８０μｍである」こと開示しているといえる。
　そうすると，引用発明における「シリコン単結晶基板」の厚さ「４８０μｍ」が本件補正発明における「支持基板」の厚さ「１００〜５００μｍ」に含まれることは明白である。ウ引用文献１【００７１】における【表４】には，熱膨張係数が，「ＬＴ」で「１６.１ｘ１０−６／℃」，「Ｓｉ」(当審注　「シリコン」)で「４.２ｘ１０−６／℃」と記載されている。つまり，該「シリコン単結晶基板」は「ＬＴ単結晶薄板」よりも「熱膨張係数の小さな」ものであるといえる。
(４)　以上によれば，本件補正発明と引用発明は，次の点で一致し，相違するといえる。
［一致点］
　弾性波を伝搬可能な圧電基板と，
　前記圧電基板に有機接着層を介して接合され，該圧電基板よりも熱膨張係数の小さなシリコン製の支持基板と，
　を備え，
　前記支持基板の厚さが１００〜５００μｍである，
　複合基板。
［相違点］
　本件補正発明において，「有機接着層を介して接合され」る「圧電基板」の「面」と「シリコン製の支持基板」の「面」に関して，「圧電性基板」の「面」は「裏面」であり，「シリコン製の支持基板」の「面」は「方位（１１１）面」であるのに対して，引用発明において，「高Ｔｇ紫外線硬化型接着剤」で接合される「ＬＴ単結晶薄板」の「面」と「シリコン単結晶基板」の「面」に，本件補正発明のような特定がない点。
４．検討
(１)　「圧電基板」の「裏面」について
　本件出願の発明の詳細な説明には次の記載(下線は当審が付与。)がある。
【００２０】
［実施例１］
　図１は、本実施例の複合基板１０の斜視図である。この複合基板１０は、弾性表面波デバイスに利用されるものであり、１箇所がフラットになった円形に形成されている。このフラットな部分は、オリエンテーションフラット(ＯＦ)と呼ばれる部分であり、弾性表面波デバイスの製造工程において諸操作を行うときのウエハ位置や方向の検出などに用いられる。本実施例の複合基板１０は、弾性表面波を伝搬可能なタンタル酸リチウム(ＬＴ)からなる圧電基板１２と、方位(１１１)面で圧電基板１２に接合されたシリコンからなる支持基板１４と、両基板１２，１４を接合する接着層１６とを備えている。圧電基板１２は、直径が１００ｍｍ、厚さが３０μｍ、熱膨張係数が１６．１ｐｐｍ／Ｋである。この圧電基板１２は、弾性表面波の伝搬方向であるＸ軸を中心に、Ｙ軸からＺ軸に４２°回転した、４２°ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板である。支持基板１４は、直径が１００ｍｍ、厚さが３５０μｍ、熱膨張係数が３ｐｐｍ／Ｋである。したがって、両者の熱膨張係数差は１３．１ｐｐｍ／Ｋである。接着層１６は、熱硬化性のエポキシ樹脂接着剤が固化したものであり、厚さが０．３μｍである。
【００２１】
　こうした複合基板１０の製造方法について、図２を用いて以下に説明する。図２は、複合基板１０の製造工程を模式的に示す説明図(断面図)である。まず、支持基板１４として、ＯＦを有し、直径が１００ｍｍ、厚さが３５０μｍ、面方位が(１１１)のシリコン基板を用意した。また、研磨前の圧電基板２２として、ＯＦを有し、直径が１００ｍｍ、厚さが２５０μｍの４２°ＹカットＸ伝搬ＬＴ基板を用意した(図２(ａ)参照)。次いで、
圧電基板２２の裏面
【００２２】
　次いで、研磨機にて圧電基板２２の厚さが３０μｍとなるまで研磨した(図２(ｃ)参照)。研磨機としては、まず圧電基板２２の厚みを薄くし、その後鏡面研磨を行うものを用いた。厚みを薄くするときには、研磨定盤とプレッシャープレートとの間に貼り合わせ基板２０を挟み込み、その貼り合わせ基板２０と研磨定盤との間に研磨砥粒を含むスラリーを供給し、このプレッシャープレートにより貼り合わせ基板２０を定盤面に押し付けながらプレッシャープレートに自転運動を与えて行うものを用いた。続いて、鏡面研磨を行うときには、研磨定盤を表面にパッドが貼られたものとすると共に研磨砥粒を番手の高いものへと変更し、プレッシャープレートに自転運動及び公転運動を与えることによって、
圧電基板２２の表面
圧電基板２２の表面
【００２３】
　複合基板１０は、この後、一般的なフォトリソグラフィ技術を用いて、多数の弾性表面波デバイスの集合体としたあと、ダイシングにより１つ１つの弾性表面波デバイス３０に切り出される。このときの様子を図３に示す。弾性表面波デバイス３０は、フォトリソグラフィ技術により、
圧電基板１２の表面
【００２４】
　なお、複合基板１０から、弾性表面波デバイス３０の代わりに、図５(ａ)に示すラム波素子７０を作製してもよい。ラム波素子７０は、
圧電基板１２の表面
圧電基板１２の裏面
圧電基板１２の裏面
圧電基板１２の裏面
【００２５】
　また、図７に示すように、図５(ａ)と同じ構造で電極のみ、
圧電基板１２の表面及び裏面
【００２６】
　さらに、図８に示す薄膜共振子１００を作成してもよい。薄膜共振子１００は、
圧電基板１２の表面
圧電基板１２の裏面
　以上によれば，圧電基板１２の「表面」は，鏡面研磨され，定盤面に押し付けられ，ＩＤＴ電極３２、３４と反射電極３６とが形成され，薄膜共振子９０が作成され，薄膜共振子１００の電極１０２を有する「面」である。
　一方，圧電基板１２の「裏面」は，スピンコートにより熱硬化性のエポキシ樹脂接着剤２６を塗布され，アルミニウム製の金属膜７６を有することができ，金属膜７６を有する複合基板８０を用いることができ，薄膜共振子９０が作成され，金属膜７６及び絶縁膜１０６を有することができる「面」である。
　これらのことは，本件出願の発明の詳細な説明において，圧電基板に関しては，ＩＤＴ電極と反射電極とが形成され，薄膜共振子が作成される「面」が「表面」と呼ばれ，支持基板等に接着されるなど薄膜共振子が作成されない「面」が「裏面」と呼ばれていると解される。
　そして，本件補正発明における「圧電基板の裏面」も，支持基板と接合される面である。要するに，本件補正発明において，「圧電基板」に関して支持基板と接合される「面」を「圧電基板の裏面」と呼んだにすぎないと解される。
　これを前提に，引用発明における「ＬＴ単結晶薄板」をみると，該「ＬＴ単結晶薄板」と「シリコン単結晶基板」とが接着剤を介して密着，つまり接合されることが記載されている。
　このような「板」と「板」との密着，接合が，面により形成されることは当然である。
　したがって，引用発明においても，「ＬＴ単結晶薄板」の「裏面」に有機接着層を介して，「シリコン多結晶基板」と接合される構成が開示されているといえる。
　よって，本件補正発明における「圧電基板」の「裏面」との特定が，引用発明にないことは実質的な相違には当たらない。
(２)　「シリコン製の支持基板」の「方位（１１１）面」について
　方位(１１１)面のシリコン単結晶基板は周知であり，このようなシリコン単結晶基板が，弾性表面波素子に使用されることは格別なこととはいえない(例えば，周知例２等参照。)。
　そして，引用発明における「シリコン単結晶基板」として「方位(１１１)面」のものを適用することを妨げる技術的理由も発見しない。
　そうすると，引用発明における「シリコン単結晶基板」として，周知技術を適用することは当業者が適宜なしえたことであるといえる。
(３)　上記(１)，(２)に述べたことを踏まえると，引用発明に周知技術を適用することにより，「方位（１１１）面で圧電基板の裏面に有機接着層を介して接合され，該圧電基板よりも熱膨張係数の小さなシリコン製の支持基板」のように構成することは，当業者が適宜なしえたものであるといえる。
　そして，本件補正発明のように構成したことによる効果も，引用発明及び周知技術から予測できる程度のものである。
　したがって，本件補正発明は，引用発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
５．まとめ
　以上のとおりであるから，本件補正発明は，特許法第２９条第２項の規定に該当し，特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明
　上記「第２」に述べたとおり，平成２６年４月４日付けの手続補正は却下された。
　したがって，本件出願の請求項１に係る発明(以下「本願発明」という。)は，本件出願の願書に最初に添付された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのもの，つまり，上記「第２」の「１．本件補正の概要」の[本件補正前]における請求項１として記載されたとおりのものである。
第４　当審の判断
１．引用発明等及び対比
　引用発明，周知技術及び対比は，上記「第２」の「２．引用発明等」及び「３．対比」に記載のとおりである。
２．検討
　本件補正発明は，本願発明を特定する事項に限定を附したものである。
　そして，上記「第２」の述べとおり，本件補正発明は，引用発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　そうすると，本件補正発明を特定する事項全てを含み，附された限定を省いたものに相当する本願発明も，引用発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたといえる。
第５　むすび
　以上のとおりであるから，本願発明は，特許法第２９条第２項の規定に該当し，特許を受けることができない。
　したがって，その余の請求項について論及するまでもなく，本願は拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。