【事件の表示】
　平成４年特許願第１０２７６１号「モノリシックマイクロ波集積回路」拒絶査定に対する審判事件［平成５年１１月１２日出願公開、特開平５−２９９９０５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成４年４月２２日の出願であって、特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１４年５月１０日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された以下のとおりのものと認める。
　なお、平成１４年１０月７日付けの手続補正は、当該補正が出願当初の明細書等の記載の範囲内でないという理由で、別途却下されている。
　
「低雑音増幅器に使用されるモノリシックマイクロ波回路であって、
　スパイラルインダクタを有し、
　エアブリッジ配線部を除く前記スパイラルインダクタは、下層配線と、前記下層配線と同一パターンからなる上層配線とを互いに接触して１つの配線層とし、
　前記エアブリッジ配線部は前記下層配線と前記上層配線とを分離してなるとともに、そのエアブリッジ配線部の下層配線をスパイラルインダクタの引出し線とし、上層配線をコイル部分としたことを特徴とするモノリシックマイクロ波回路。」
　
２．引用例
（１）これに対して、当審の拒絶理由に引用された特開平３−２０１４１７号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面と共に次の事項が記載されている。
　イ．基板の表面にコイル導体をパターン形成してなる高周波コイルにおいて、上記コイル導体が複数段のコイル導体層から構成されており、上記各段のコイル導体層が、複数の金属薄膜からなり、かつ該金属薄膜がそれぞれ異なるエッチング剤を用いたエッチングにより形成されるものであることを特徴とする高周波コイル。（特許請求の範囲、請求項１）
　
　ロ．本願第１項の発明に係る高周波コイルによれば、コイル導体を複数段のコイル導体層から構成したので、コイル導体全体の膜厚を厚くすることができ、それだけ導体抵抗を小さくしてＱを向上できる。（３頁左上欄５〜９行目）
　
　ハ．第１図及び第２図において、１は本実施例の高周波コイルであり、これは絶縁基板２の上面にコイル導体３をパターン形成して構成されている。このコイル導体３は、上記基板２の左、右縁部に形成された端子電極４ａ、４ｂ及び中央部に形成されたスパイラルコイル５からなり、該コイル５の外端５ａは図面左側の端子電極４ａに接続されている。また、上記絶縁基板２上のスパイラルコイル５の内端５ｂから端子電極４ｂにかけての部分にはポリイミドあるいはポリアミドからなる絶縁膜９が形成されている。この絶縁膜９の上面にはリード電極６が形成されており、該リード電極の一端は上記内端５ｂに接続され、他端は上記端子電極４ｂに接続されている。
　さらに、上記コイル導体３は、絶縁基板２に薄膜技術により形成された第１コイル導体層７と、該コイル導体層７の上面に同じく薄膜技術により形成された第２コイル導体層８とから構成された２層構造となっている。上記第１、第２コイル導体層７、８は、図示していないが、Ｔｉからなる第１金属薄膜の上面に、Ｔｉ−Ａｇからなる第２金属薄膜を形成し、さらに該第２金属薄膜の上面にＡｇからなる第３金属薄膜を形成して構成されている。この金属薄膜は、蒸着、スパッタリング、あるいはイオンプレーティング等の薄膜技術により金属膜を形成し、上記コイル導体３以外の部分を各金属薄膜毎に異なるエッチング剤を用いてエッチングして形成されたものである。（３頁右上欄１６行目〜同頁右下欄３行目）
　
　ニ．上記絶縁基板２の第１コイル導体層７、及び絶縁膜９の表面に、上記（１）工程と同様に、厚さ２００Å程度のＴｉ膜１１ａをスパッタリング法により形成する。・・・これにより第１コイル導体７の上面に第２コイル導体層８が形成され、かつスパイラルコイル５の内端５ｂと端子電極４ｂとを接続するリード電極６が形成される。（４頁右上欄８行目〜同頁右下欄１行目、なお表記の都合上第１工程の最初の工程を（１）工程と表記してある。）
　
　上記引用例１の記載及び添付図面ならびにこの分野における技術常識を考慮すると、上記「リード電極６」は「第２コイル導体層８」と同一材料、同一工程で形成されるものであるから、「第２コイル導体層８」の一部であり、「第１コイル導体層７」、「絶縁層９」、「第２コイル導体層８」の一部（即ち、「リード電極６」）の３層構造はいわゆる「エアブリッジ配線部」を形成している。
　したがって、上記引用例１には以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。
「スパイラルコイルを有し、
　エアブリッジ配線部を除く前記スパイラルコイルは、第１コイル導体層と、前記第１コイル導体層と同一パターンからなる第２コイル導体層とを互いに接触して１つの配線層とし、
　前記エアブリッジ配線部は前記第１コイル導体層と前記第２コイル導体層とを分離してなるとともに、そのエアブリッジ配線部の第２コイル導体層をスパイラルコイルのリード電極とし、第１コイル導体層をコイル部分としたことを特徴とする高周波コイル。」
　
（２）また、当審の拒絶理由に引用された特開平３−２８８４６７号公報（以下、「引用例２」という。）の第１図、第２図及び１頁左下欄末行〜右下欄４行目の「第２図は従来の多層半導体集積回路の例として、２層の集積回路層を持った３次元モノリシック・マイクロウェーブ集積回路（以下、ＭＭＩＣと称す）を、その一部を切断して示した斜視図である。」という記載、２頁左下欄１３〜１７行目の「（第１図の）第２の集積回路層（２２）は第２図の従来例の半導体集積回路と同様に、例えば金属薄膜からなるインダクタ（８）と、金属薄膜−絶縁膜−金属薄膜をパターニングして形成されたキャパシタ（９）等からなる。」という記載によれば、上記引用例２には、「モノリシックマイクロウェーブ集積回路において、金属薄膜からなるインダクタのリード部をコイル部の下を通して引き出す技術」が開示されている。
　
（３）また、例えば実願昭５８−１３０７０２号の願書に添付された明細書と図面を撮影したマイクロフィルム（実開昭６０−３９２５６号公報参照）（以下、「引用例３」という。）には「低雑音増幅器を含むモノリシックマイクロ波ＩＣ」の例が開示されている。
　
３．対比
　そこで、本願発明と引用発明とを対比するに、引用発明の「コイル」、「第１コイル導体層」、「第２コイル導体層」、「リード電極」と本願発明の「インダクタ」、「下層配線」、「上層配線」、「引出し線」はそれぞれ同じものであり、引用発明の「第２コイル導体層」と本願発明の「下層配線」を「一方の配線」と呼ぶと引用発明の「第１コイル導体層」と本願発明の「上層配線」はそれぞれ「他方の配線」である。
　また、引用発明の「高周波コイル」と本願発明の「低雑音増幅器に使用されるモノリシックマイクロ波回路」はいずれもスパイラルコイルを実装した「回路基板」であるという点で一致している。
　したがって、本願発明と引用発明は、
「スパイラルインダクタを有し、
　エアブリッジ配線部を除く前記スパイラルインダクタは、下層配線と、前記下層配線と同一パターンからなる上層配線とを互いに接触して１つの配線層とし、
　前記エアブリッジ配線部は前記下層配線と前記上層配線とを分離してなるとともに、そのエアブリッジ配線部の一方の配線をスパイラルインダクタの引出し線とし、他方の配線をコイル部分としたことを特徴とする回路基板。」
の点で一致し、以下の点で相違する。
　
＜相違点＞
（１）「回路基板」に関し、本願発明は「低雑音増幅器に使用されるモノリシックマイクロ波回路」であるのに対し、引用発明は単に「高周波コイル」である点。
（２）「一方の配線」と「他方の配線」に関し、本願発明はそれぞれ「下層配線」と「上層配線」であるのに対し、引用発明はそれぞれ「第２コイル導体層」と「第１コイル導体層」である点。
　
４．当審の判断
　そこで、上記相違点（１）の「回路基板」について検討するに、例えば上記引用例２には「モノリシックマイクロウェーブ集積回路において、金属薄膜からなるインダクタのリード部をコイル部の下を通して引き出す技術」が開示されており、当該開示事項によれば、「モノリシックマイクロ波回路にインダクタ即ちコイルを実装すること」は単なる慣用手段である。そして、引用発明の「高周波コイル」も基板に設けた金属薄膜からなるコイルであり、使用周波数領域については高周波である点を除き他に特段の限定はなされていないから、引用発明の「高周波コイル」を「モノリシックマイクロ波回路」として構成することは容易なことである。
　また、上記引用例３の記載によれば「低雑音増幅器を含むモノリシックマイクロ波ＩＣ」は周知であるから、上記「モノリシックマイクロ波回路」を低雑音増幅器に使用するように限定することも容易なことである。
　ついで、上記相違点（２）の「一方の配線」と「他方の配線」について検討するに、引用発明の「一方の配線」は「第２コイル導体層」であり、この導体層の一部は「リード電極」として「第１コイル導体層」からなるコイル部の上側に配置されるものであるが、上記引用例２には「モノリシックマイクロウェーブ集積回路において、金属薄膜からなるインダクタのリード部をコイル部の下を通して引き出す技術」が開示されており、「一方の配線」として本願発明のように「下層配線」を選択し、「引出し線」をコイル部の下側に配置するように変更する程度のことは単なる設計的事項である。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、上記引用例１に記載された発明及び引用例２〜３に記載された慣用手段ないし周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。