【事件の表示】
　特許第３９７２９４３号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第３９７２９４３号に係る明細書及び特許請求の範囲を本件審判請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり一群の請求項ごとに訂正することを認める。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件審判の請求に係る特許第３９７２９４３号（以下「本件特許」という。）の経緯は以下のとおりである。
　
　特許出願　　　　　平成　６年　７月　６日
　　　　　　　　　　（特願平６−１５４７０８号。以下「原出願」という。）
　第一世代分割出願　平成１０年１１月１７日
　　　　　　　　　　（特願平１０−３２６４０４号）
　第二世代分割出願　平成１４年　４月２２日
　　　　　　　　　　（特願２００２−１１８８５２号）
　本件出願　　　　　平成１７年　７月１９日
　　　　　　　　　　（特願２００５−２０９２２７号）
　特許査定　　　　　平成１９年　５月１５日（起案日）
　登録　　　　　　　平成１９年　６月２２日
　特許公報発行　　　平成１９年　９月　５日
　
　
第２　請求の趣旨 
　本件訂正審判の請求の趣旨は、本件特許の特許請求の範囲を、本件審判請求書に添付された特許請求の範囲のとおり、一群の請求項ごとに訂正することを求める、というものである。
　
　
第３　本件訂正の内容
　本件訂正の内容は、次のとおりである。
　 
１　訂正事項１
　本件特許における特許請求の範囲の請求項１において、
「ｐ型層が積層された構造備え、」
とあるのを、
『ｐ型層が積層された構造
を
と訂正する。
　
２　訂正事項２
　本件特許における特許請求の範囲の請求項１において、
「前記第一のｎ型層と、該第一のｎ型層の活性層側に設けられた前記第二のｎ型層と、」
とあるのを、
『前記第一のｎ型層
であって前記露出表面が形成された層
と訂正する。
　
３　訂正事項３
　本件特許における特許請求の範囲の請求項２において、
「ｐ型層が積層された構造備え、」
とあるのを、
『ｐ型層が積層された構造
を
と訂正する。
　
４　訂正事項４−１
　本件特許における特許請求の範囲の請求項２において、
「前記第一のｎ型層と、」
とあるのを、
『前記第一のｎ型層
であって前記露出表面が形成された層
と訂正する。
　
５　訂正事項４−２
　本件特許における特許請求の範囲の請求項２において、
「該第一のｎ型層の基板側に設けられた第二のｎ型層と、」
とあるのを、
『該第一のｎ型層の基板側に設けられた
前記
と訂正する。
　
６　訂正事項５
　本件特許における特許請求の範囲の請求項３において、
「請求項１又は２記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」
とあるのを、
『請求項
２
と訂正する。
　
７　訂正事項６
　本件特許における特許請求の範囲の請求項４において、
「前記第一のｎ型層と前記第二のｎ型層が、第一のｎ型層、第二のｎ型層、第一のｎ型層、第二のｎ型層、第一のｎ型層をこの順に積層した構造であり、」
とあるのを、
『前記第一のｎ型層と前記第二のｎ型層が、第一のｎ型層、第二のｎ型層、第一のｎ型層
であって前記露出表面が形成された層
と訂正する。
　
　
第４　当審の判断
１　特許法第１２６条第３項について
（１）訂正事項１ないし６について
　本件審判の請求に係る訂正事項１ないし６は、それぞれ、二以上の請求項に係る願書に添付した特許請求の範囲の訂正を、請求項ごとに特許法第１２６条第１項の規定による請求を行うものである。
（２）訂正事項１、４ないし６に係る訂正後の請求項が一群の請求項を構成することについて
　訂正事項１、２、６に係る訂正後の請求項１、４ないし６は、当該訂正事項１を含む請求項１の記載を訂正後の請求項４ないし６が直接的あるいは間接的に引用するものであるから、特許法第１２６条第３項に規定する一群の請求項である。
（３）訂正事項３、４−１、４−２、５及び６に係る訂正後の請求項が一群の請求項を構成することについて
　訂正事項３、４−１、４−２、５及び６に係る訂正後の請求項２ないし６は、当該訂正事項３、４−１及び４−２を含む請求項２の記載を訂正後の請求項３ないし６が直接的あるいは間接的に引用するものであるから、特許法第１２６条第３項に規定する一群の請求項である。
（４）１のまとめ
　上記（１）〜（３）のとおり、本件審判の請求にかかる訂正事項１ないし６は、特許法第１２６条第３項に規定する要件を満たすものである。
　
２　訂正の目的の適否、新規事項の有無、及び拡張・変更の存否について
（１）訂正事項１について 
　ア　訂正事項１は、「ｐ型層が積層された構造備え」との記載を、正しい記載である『ｐ型層が積層された構造を備え』とするものであるから、当該訂正事項は、特許法第１２６条第１項ただし書き第２号に規定する誤記の訂正を目的とするものである。
　イ　また、この訂正は、原出願の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　ウ　さらに、この訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２６条第６項に適合するものである。
　
（２）訂正事項２について
　ア　訂正事項２は、請求項１において、「第一のｎ型層」が、「前記露出表面が形成された層」であることを特定事項として追加するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　イ（ア）また、原出願の願書に添付した明細書の発明の詳細な説明には、上記訂正事項２に関し、以下の記載がある。
　「　　【００２０】
　【実施例】
［実施例１］
　ＭＯＶＰＥ法により、２インチφのサファイアよりなる基板１の表面に、ＧａＮよりなるバッファ層２を０．０２μｍの膜厚で成長させる。このバッファ層２の表面に第一のｎ型層として、Ｓｉをドープした電子キャリア濃度５×１０／１８ｃｍ３のｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層３を１μｍの膜厚で成長させる。
　　【００２１】
　次にｎ型コンタクト層３の表面に第二のｎ型層として、Ｓｉをドープした電子キャリア濃度１×１０２０／ｃｍ３のｎ型Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ層を０．０５μｍの膜厚で成長させる。
　　【００２２】
　次に同じくＳｉをドープした電子キャリア濃度５×１０１８／ｃｍ３のＧａＮよりなるｎ型コンタクト層３’を３μｍの膜厚で成長させる。
　　【００２３】
　ｎ型コンタクト層３’の表面に、Ｓｉをドープした電子キャリア濃度１×１０１８／ｃｍ３のｎ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなるｎ型クラッド層を０．１μｍの膜厚で成長させ、その上にＳｉとＺｎドープｎ型Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎよりなる活性層５を０．１μｍと、ＭｇドープＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなるｐ型クラッド層６と、ＭｇドープＧａＮよりなるｐ型コンタクト層７を順に成長させて積層する。
…
　　【００２６】
［実施例２］
　
バッファ層２の表面に、第一のｎ型層として電子キャリア濃度１×１０
１８
／ｃｍ
３
のＧｅドープＧａＮよりなるｎ型コンタクト層３を１μｍの膜厚で成長し、その表面に電子キャリア濃度５×１０
２０
／ｃｍ
３
のＧｅドープＩｎ
０．２
Ｇａ
０．８
Ｎよりなる第二のｎ型層を０．０１μｍの膜圧で成長させる。次に第二のｎ型層３３の表面に同じく電子キャリア濃度１×１０
１８
／ｃｍ
３
のＧｅドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層３’を２μｍと、電子キャリア濃度５×１０
２０
／ｃｍ
３
のＧｅドープｎ型Ｉｎ
０．２
Ｇａ
０．８
Ｎよりなる第二のｎ型層３３’を０．０１μｍと、電子キャリア濃度１×１０
１８
／ｃｍ
３
のＧｅドープｎ型ＧａＮ層とを１μｍの膜厚で順に成長させる。
　　【００２７】
　
後は実施例１と同様にしてｎ型クラッド層４、活性層５、ｐ型クラッド層６、ｐ型コンタクト層７を積層し
青色発光素子
図６に示すように、ｐ型コンタクト層７からのエッチング深さはｎ型コンタクト層３’までとし、負電極８はｎ型コンタクト層３’の表面に形成した。
　（イ）さらに、原出願の願書に添付した図面には、図６として以下の図が示されている。
　（ウ）上記（ア）（特に［実施例２］）及び（イ）によれば、原出願の願書に添付した明細書及び図面には、
　　ａ　バッファ層２の表面に、第一のｎ型層として電子キャリア濃度１×１０１８／ｃｍ３のＧｅドープＧａＮよりなるｎ型コンタクト層３を成長させ、
　　ｂ　その表面に電子キャリア濃度５×１０２０／ｃｍ３のＧｅドープＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなる第二のｎ型層３３を成長させ、
　　ｃ　次に第二のｎ型層３３の表面に同じく電子キャリア濃度１×１０１８／ｃｍ３のＧｅドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層３’と、電子キャリア濃度５×１０２０／ｃｍ３のＧｅドープｎ型Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなる第二のｎ型層３３’と、電子キャリア濃度１×１０１８／ｃｍ３のＧｅドープｎ型ＧａＮ層３’’とを順に成長させ、
　　ｄ　実施例１と同様にして、Ｓｉをドープした電子キャリア濃度１×１０１８／ｃｍ３のｎ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなるｎ型クラッド層４を０．１μｍの膜厚で成長させ、その上にＳｉとＺｎドープｎ型Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎよりなる活性層５を０．１μｍと、ＭｇドープＡｌ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなるｐ型クラッド層６と、ＭｇドープＧａＮよりなるｐ型コンタクト層７を順に成長させて積層し、
　　ｅ　ｐ型コンタクト層７からのエッチング深さはｎ型コンタクト層３’までとし、負電極８はｎ型コンタクト層３’の表面に形成した、
青色発光素子が記載されている。
　（エ）そして、上記から明らかなように、原出願の願書に添付した明細書及び図面には、第一のｎ型層であって前記露出表面が形成された層（電子キャリア濃度１×１０１８／ｃｍ３のＧｅドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層３’であって、その表面に負電極８が形成された層）と、該第一のｎ型層の活性層側（活性層５側）に設けられた第二のｎ型層（電子キャリア濃度５×１０２０／ｃｍ３のＧｅドープｎ型Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなる第二のｎ型層３３’）と、該第二のｎ型層の活性層側（活性層５側）に前記第一のｎ型層（電子キャリア濃度１×１０１８／ｃｍ３のＧｅドープｎ型ＧａＮ層３’’）と、該第一のｎ型層の上にｎ型クラッド層（Ｓｉをドープした電子キャリア濃度１×１０１８／ｃｍ３のｎ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなるｎ型クラッド層４）と、を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子が記載されている。
　（オ）よって、訂正事項２は、原出願の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　ウ　さらに、この訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
（３）訂正事項３について
　ア　訂正事項３は、「ｐ型層が積層された構造備え」との記載を、正しい記載である『ｐ型層が積層された構造を備え』とするものであるから、当該訂正事項は、特許法第１２６条第１項ただし書き第２号に規定する誤記の訂正を目的とするものである。
　イ　また、この訂正は、原出願の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　ウ　さらに、この訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２６条第６項に適合するものである。
　
（４）訂正事項４−１について
　ア　訂正事項４−１は、請求項２において、「第一のｎ型層」が、「前記露出表面が形成された層」であることを特定事項として追加するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　イ（ア）また、原出願の願書に添付した明細書の発明の詳細な説明には、上記訂正事項４−１に関し、以下の記載がある。
　「　　【００１８】
　…図５は本発明の他の実施例の発光素子の構造を示す模式断面図である。
…
　　【００２０】
　【実施例】
［実施例１］
　ＭＯＶＰＥ法により、２インチφのサファイアよりなる
基板１の表面に、ＧａＮよりなるバッファ層２を０．０２μｍの膜厚で成長させる。このバッファ層２の表面に第一のｎ型層として、Ｓｉをドープした電子キャリア濃度５×１０／
１８
ｃｍ
３
のｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層３を１μｍの膜厚で成長させる。
　　【００２１】
　
次にｎ型コンタクト層３の表面に第二のｎ型層として、Ｓｉをドープした電子キャリア濃度１×１０
２０
／ｃｍ
３
のｎ型Ｉｎ
０．１
Ｇａ
０．９
Ｎ層を０．０５μｍの膜厚で成長させる。
　　【００２２】
　
次に同じくＳｉをドープした電子キャリア濃度５×１０
１８
／ｃｍ
３
のＧａＮよりなるｎ型コンタクト層３’を３μｍの膜厚で成長させる。
　　【００２３】
　
ｎ型コンタクト層３’の表面に、Ｓｉをドープした電子キャリア濃度１×１０
１８
／ｃｍ
３
のｎ型Ａｌ
０．２
Ｇａ
０．８
Ｎよりなるｎ型クラッド層を０．１μｍの膜厚で成長させ、
　　【００２４】
　以上のようにして得たウェーハをアニーリング装置に入れ、７００℃でアニーリングして、ｐ型クラッド層６およびｐ型コンタクト層７をさらに低抵抗なｐ型とした後、ｐ型コンタクト層７の表面に所定の形状のマスクを形成し、
ｐ型コンタクト層側からエッチングを行い、ｎ型コンタクト層３’を露出させる。
　　【００２５】
　後は常法に従い、ｐ型コンタクト層７に正電極９と、
露出したｎ型コンタクト層３’に負電極８を形成した
　（イ）さらに、原出願の願書に添付した図面には、図５として以下の図が示されている。
　（ウ）上記（ア）及び（イ）によれば、原出願の願書に添付した明細書及び図面には、
　　ａ　基板１の表面にバッファ層２を成長させ、
　　ｂ　該バッファ層２の表面に第一のｎ型層として、Ｓｉをドープした電子キャリア濃度５×１０／１８ｃｍ３のｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層３を成長させ、
　　ｃ　次に該ｎ型コンタクト層３の表面に第二のｎ型層として、Ｓｉをドープした電子キャリア濃度１×１０２０／ｃｍ３のｎ型Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ層３３を成長させ、
　　ｄ　次に同じくＳｉをドープした電子キャリア濃度５×１０１８／ｃｍ３のＧａＮよりなるｎ型コンタクト層３’を成長させ、
　　ｅ　該ｎ型コンタクト層３’の表面に、Ｓｉをドープした電子キャリア濃度１×１０１８／ｃｍ３のｎ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなるｎ型クラッド層を成長させ、
　　ｆ　ｐ型コンタクト層側からエッチングを行い、ｎ型コンタクト層３’を露出させた、
発光素子が記載されている。
　（エ）そして、上記から明らかなように、原出願の願書に添付した明細書及び図面には、基板（基板１）と露出表面（ｎ型コンタクト層３’の露出面）の間にあるｎ型層領域において、第一のｎ型層であって前記露出表面が形成された層（露出面が形成された、Ｓｉをドープした電子キャリア濃度５×１０／１８ｃｍ３のｎ型コンタクト層３’）と、該第一のｎ型層の基板側に設けられた第二のｎ型層（ｎ型コンタクト層３’の基板１側に設けられた、Ｓｉをドープした電子キャリア濃度１×１０２０／ｃｍ３のｎ型Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ層３３）と、を有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子が記載されている。
　（オ）よって、訂正事項４−１は、原出願の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　ウ　さらに、この訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
（５）訂正事項４−２について
　ア　訂正事項４−２は、（露出表面に形成された層である）第一のｎ型層の基板側に設けられた第二のｎ型層が、先に示した（第一のｎ型層よりも電子キャリア密度が大きい）第二のｎ型層を示していることを明らかにするために、『前記』という用語を追加するものであり、先に示した第二のｎ型層が先に示した第二のｎ型層を指すのかどうかが明瞭でないという不備を是正するためのものである。
　よって、訂正事項４−２は、特許法第１２６条第１項ただし書第３項に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
　イ　また、この訂正は、上記（４）イ（エ）で述べたとおり、原出願の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　ウ　さらに、この訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２６条第６項に適合するものである。
　
（６）訂正事項５について
　ア　訂正事項５は、請求項１における「該第一のｎ型層の活性層側に設けられた前記第二のｎ型層と、…を有する」との特定事項が、請求項３における「前記第二のｎ型層の下に接して、第一のｎ型層をさらに有する」と同義であって、該請求項３が請求項１を引用する場合には特定事項が重複し、不明瞭であることを解消するため、訂正前の請求項３から請求項１の引用を削除するものである。
　よって、訂正事項５は、特許法第１２６条第１項ただし書第３項に規定する明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
　イ　また、この訂正は、原出願の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　ウ　さらに、この訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものには該当せず、特許法第１２６条第６項に適合するものである。
　
（７）訂正事項６について
　ア　訂正事項６は、請求項１ないし３を引用する請求項４において、「第一のｎ型層」が、「前記露出表面が形成された層」であることを特定事項として追加するものであるから、特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　イ（ア）また、原出願の願書に添付した明細書の発明の詳細な説明には、上記訂正事項６に関し、上記（２）イ（ア）及び（イ）の記載がある。
　（イ）そして、上記（２）イ（ア）及び（イ）の記載によれば、原出願の願書に添付した明細書及び図面には、
　　ａ　バッファ層２の表面に、第一のｎ型層として電子キャリア濃度１×１０１８／ｃｍ３のＧｅドープＧａＮよりなるｎ型コンタクト層３を成長させ、
　　ｂ　その表面に電子キャリア濃度５×１０２０／ｃｍ３のＧｅドープＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなる第二のｎ型層３３を成長させ、
　　ｃ　次に第二のｎ型層３３の表面に同じく電子キャリア濃度１×１０１８／ｃｍ３のＧｅドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層３’と、電子キャリア濃度５×１０２０／ｃｍ３のＧｅドープｎ型Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなる第二のｎ型層３３’と、電子キャリア濃度１×１０１８／ｃｍ３のＧｅドープｎ型ＧａＮ層３’’とを順に成長させ、
　　ｄ　ｐ型コンタクト層７からのエッチング深さはｎ型コンタクト層３’までとし、負電極８はｎ型コンタクト層３’の表面に形成した、
青色発光素子が記載されている。
　（エ）そして、上記から明らかなように、原出願の願書に添付した明細書及び図面には、第一のｎ型層と第二のｎ型層が、第一のｎ型層（電子キャリア濃度１×１０１８／ｃｍ３のＧｅドープＧａＮよりなるｎ型コンタクト層３）、第二のｎ型層（電子キャリア濃度５×１０２０／ｃｍ３のＧｅドープＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなる第二のｎ型層３３）、第一のｎ型層であって前記露出表面が形成された層（エッチングされ、露出面が形成された、電子キャリア濃度１×１０１８／ｃｍ３のＧｅドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層３’）、第二のｎ型層（電子キャリア濃度５×１０２０／ｃｍ３のＧｅドープｎ型Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなる第二のｎ型層３３’）、第一のｎ型層（電子キャリア濃度１×１０１８／ｃｍ３のＧｅドープｎ型ＧａＮ層３’’）をこの順に積層した構造であり、該２つの第二のｎ型層（第二のｎ型層３３’及び第二のｎ型層３３）が、それぞれ、負電極（負電極８）の露出表面より、活性層（活性層側５）側と基板（基板１）側に設けられている窒化ガリウム系化合物半導体発光素子が記載されている。
　（オ）よって、訂正事項６は、原出願の願書に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であり、特許法第１２６条第５項に適合するものである。
　ウ　さらに、この訂正は、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものでもない。
　
（８）２のまとめ
　上記（１）、（３）、（５）及び（６）のとおり、上記訂正事項１、３、４−２および５は、特許法第１２６条第１項ただし書き第２号あるいは同第３号に掲げる事項を目的とし、同条第５項及び第６項の規定に適合するものである。
　また、上記（２）、（４）及び（７）のとおり、上記訂正事項２、４−１および６は、特許法第１２６条第１項ただし書き第１号に掲げる事項を目的とし、同条第５項及び第６項の規定に適合するものである。
　
３　独立特許要件について　
　訂正後の特許請求の範囲の請求項１ないし６に係る発明（以下、それぞれを「本件訂正後発明１」ないし「本件訂正後発明６」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものか否かについて検討する。
（１）新規性、進歩性
　本件訂正後発明１ないし本件訂正後発明６に対して、その新規性あるいは進歩性を否定すべき原出願の出願前頒布刊行物は見当たらない。
　よって、新規性あるいは進歩性の観点において、本件訂正後発明１ないし本件訂正後発明６の各発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるということはできない。
（２）記載不備について
　本件訂正後発明１ないし本件訂正後発明６に関し、特段の記載不備は認められない。
（３）３のまとめ
　上記（１）、（２）のとおり、本件訂正後発明１ないし本件訂正後発明６は、いずれも、特許出願の際に独立して特許を受けることができないとする理由を発見しないものであるから、訂正後の特許請求の範囲の請求項１ないし６に係る発明は、特許法第１２６条第７項の規定に適合するものである。
　
　
第５　むすび 
　以上のとおり、本件審判の請求は、特許法第１２６条第１項ただし書き第１号ないし第３号に掲げる事項を目的とし、かつ、同条第３項、第５項ないし第７項の規定に適合するものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。