【事件の表示】
　特願２０１１−２６０９５４「シリコンおよび製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　５月３０日出願公開、特開２０１３−１０３８７４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成２３年１１月１１日を出願日とする出願であって、平成２５年９月２６日付けの拒絶理由が通知され（発送日　平成２５年１０月８日）、平成２５年１２月２日付けで意見書と特許請求の範囲の記載に係る手続補正書が提出され、平成２６年２月２８日付けで拒絶査定が起案され（発送日　平成２６年３月１１日）、これに対し、平成２６年６月２日に拒絶査定不服審判の請求がなされると共に特許請求の範囲の記載に係る手続補正書が提出されたものである。
　
２．平成２６年６月２日付けの特許請求の範囲の記載に係る手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］ 
　平成２６年６月２日付けの特許請求の範囲の記載に係る手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。 
［理由］ 
２−１．本件補正について
　本件補正は、平成２５年１２月２日付けの特許請求の範囲の記載に係る手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１を次のように補正するものである。 
　
（補正前）
「【請求項１】
　マイノリテイキャリヤー・ライフタイムが４００μｓｅｃ〜２０００μｓｅｃの太陽電池用ＦＺ単結晶シリコン。」
（補正後）
「【請求項１】
　マイノリテイキャリヤー・ライフタイムが６００μｓｅｃ〜２０００μｓｅｃの太陽電池用ＦＺ単結晶シリコン。」
　本件補正における請求項１の補正は、発明特定事項であるマイノリテイキャリヤー・ライフタイムの数値範囲を、補正前の「４００μｓｅｃ〜２０００μｓｅｃ」から、「６００μｓｅｃ〜２０００μｓｅｃ」と減縮するものであり、本件補正は特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものといえ、また、新規事項を追加するものでもない。
　そこで、補正後の請求項１に係る発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるか否か（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
２−２．独立特許要件について
２−２−１．本件補正発明について
　上記補正後の請求項１に係る発明は、平成２６年６月２日付けの特許請求の範囲の記載に係る手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載される事項によって特定される次のとおりのものである（以下、「本件補正発明」という。）。
　
「マイノリテイキャリヤー・ライフタイムが６００μｓｅｃ〜２０００μｓｅｃの太陽電池用ＦＺ単結晶シリコン。」
　
２−２−２．刊行物の記載
　原査定の拒絶の理由に引用文献２として引用され本願出願日前に頒布された国際公開第００／０７３５４２号の明細書（以下、「刊行物１」という。）には次の事項が記載されている。
（ア）「また、この時同時に基板ライフタイム測定用のサンプルウエーハも切り出して、ライフタイムの測定を行なっている。この時のライフタイムの測定方法は、次の通りである。
１．基板ライフタイムの測定方法：
１）測定用基板：  厚み２〜３ｍｍ又は厚さ２５０〜４００μｍのウエーハ
２）前処理条件：  スライスウエーハをＨＦ：ＨＮＯ３＝５％：９５％の混酸で処理し、両面のスライス損傷層をエッチング除去した後、洗浄を行い、その後、ウエーハ表面にＡＭ（Ａｉｒ  Ｍａｓｓ）１．５の条件下で定常光を３０時間照射した後で、ＨＦにて表面の自然酸化膜を除去する。引き続き、ヨウ素、エタノール混合溶液を使ったケミカル・パッシベーション（ＣＰ）処理を施して、結晶表面のキャリア再結合を低減したものとする。
３）ライフタイム測定方法：  マイクロ波−ＰＣＤ法（光導伝度減衰法）を用いて基板ライフタイムの測定を行う。」（第１５頁第１２行乃至第２４行）
（イ）「（比較例３）
  ＦＺ法で製造したボロン添加シリコン単結晶ＦＺ法で、直径４インチの単結晶棒を２本引き上げて、その酸素濃度、抵抗率、基板ライフタイムを測定したところ、酸素濃度は、０．１×１０１７ａｔｍｏｓ／ｃｍ３以下とほとんど含有されていなかった。また、抵抗率／基板ライフタイムは、図２に示す通りとなった（三角プロット）。
　この中の１本を用いて、２ｃｍ×２ｃｍ角、厚さ２５０μｍの太陽電池を作製し、光照射前後の変換効率を測定した。測定結果は、表１に併記した。
　表１から明らかであるように、ＦＺ法で製造したボロンドープ基板を用いた太陽電池では、ほとんど酸素が含有されていないため、光劣化はほとんど生じない。ただし、極めて高コストであり、大直径のものを得ることが難しい。また、結晶強度が低く、耐久性に問題があった。」（第２１頁第７行乃至第１７行）
（ウ）「図２
」
２−２−３．刊行物１に記載された発明の認定
　刊行物１の（イ）の記載から、刊行物１の比較例３には、ＦＺ単結晶シリコンが記載されており、これは「太陽電池」用の「ボロン添加シリコン単結晶」である。
　また、（イ）によれば、図２には、比較例３で製造されたシリコン単結晶の抵抗率／基板ライフタイムがプロットされており、（ウ）を参照すると、図中ＦＺ（Ｂ）として示される三角プロットがこれにあたる。
　そして、（ウ）を詳細に検討すると、ＦＺ（Ｂ）の基板ライフタイムは、基板抵抗率が０．８Ωｃｍ及び６Ωｃｍのとき、概ね８００μｓｅｃ及び１０００μｓｅｃである。
　そして、ここで測定した基板ライフタイムは、（ア）によればマイクロ波−ＰＣＤ法（光導伝度減衰法）を用いて測定されたものである。
　したがって、刊行物１の比較例３には、「マイクロ波−ＰＣＤ法（光導伝度減衰法）を用いて測定された基板ライフタイムが８００μｓｅｃ〜１０００μｓｅｃの太陽電池用ボロン添加ＦＺ単結晶シリコン。」が記載されている（以下、「引用発明」という。）。
２−２−４．補正発明と引用発明との対比
ア　対比 
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「マイクロ波−ＰＣＤ法（光導伝度減衰法）を用いて測定された基板ライフタイム」と、本願補正発明の「マイノリテイキャリヤー・ライフタイム」とは、「ライフタイム」という点で共通し、また、「ライフタイム」が、通常マイノリテイキャリヤーのライフタイムを指す用語であること、及び、マイクロ波−ＰＣＤ法（光導伝度減衰法）を用いることにより、マイノリテイキャリヤーのライフタイムが測定されることは技術常識である（必要であれば、特開２００８−２５１７２６号公報の段落【００６０】等を参照。）。したがって、引用発明における「マイクロ波−ＰＣＤ法（光導伝度減衰法）を用いて測定された基板ライフタイム」は、本願補正発明における「マイノリテイキャリヤー・ライフタイム」である。
　次に、引用発明の「太陽電池用ボロン添加ＦＺ単結晶シリコン」が、本願補正発明の「太陽電池用ＦＺ単結晶シリコン」に包含されるものであるか検討する。
　例えば、特開２００７−３１４３７４号公報には次の記載がある。特開２００７−３１４３７４号公報に記載された発明の名称は、「ＣＺ法により製造したシリコン結晶棒を原料としたＦＺ単結晶シリコンの製造方法」であり、同公報の明細書に、「・・・
  直径１３０ｍｍのＣＺ単結晶シリコンを原料棒として、図１に示すＦＺ単結晶製造装置を用いて、ＦＺ法によりゾーニングを行い、直径１２８ｍｍ、直胴長さ約８０ｃｍのシリコン単結晶を製造した。その際、ホスフィン（ＰＨ３）をアルゴンで０．１５ｐｐｍに希釈したドーパントガスを図１０（Ｂ）に示すように、成長させる単結晶の直胴部の長さに応じて１,０００ｃｃ／ｍｉｎから、７００ｃｃ／ｍｉｎに変化させて、浮遊帯域に吹き付け、ガスドープを実施した。・・・」（段落【００４１】）、「その結果、図１０（Ａ）に示すようにコーン側の抵抗率がＮ型１００Ω・ｃｍ、テール側の抵抗率がＮ型５７．５Ω・ｃｍのＣＺ単結晶シリコンを原料棒として使用することで、製造されたＦＺ単結晶シリコンの抵抗率は図１０（Ｃ）に示すようにＮ型３０．４Ω・ｃｍでほぼ軸方向に均一であった。・・・」（段落【００４２】）と記載されている。この記載から明らかなように、特開２００７−３１４３７４号公報では、ＦＺ法による単結晶育成中にドーパントガスを浮遊帯域に吹き付け、ガスドープを実施したものを「ＦＺ単結晶シリコン」としており、「ＦＺ単結晶シリコン」という用語は、不純物を添加していない「ＦＺ単結晶シリコン」のみでなく、不純物を添加した「ＦＺ単結晶シリコン」を含むものである。
　よって、引用発明の「太陽電池用ボロン添加ＦＺ単結晶シリコン」は、ボロンが添加されているものの、本願補正発明の「太陽電池用ＦＺ単結晶シリコン」に包含されるものである。
　したがって、本願補正発明と引用発明とは、「マイノリテイキャリヤー・ライフタイムが８００μｓｅｃ〜１０００μｓｅｃの太陽電池用ＦＺ単結晶シリコン。」である範囲において一致し、本願補正発明は、この範囲で、刊行物１に記載された発明である。
２−２−５．請求人の主張について
　請求人は審判請求書にて、（１）「ＦＺ単結晶シリコン」は、ボロンや燐を添加する前の「ヴァージン」の「ＦＺ単結晶シリコン」である（審判請求書第３頁下から第６乃至第５行）。（２）本願補正発明の「太陽電池用ＦＺ単結晶シリコン」は、不純物がドープされていない「太陽電池用ＦＺ単結晶シリコン」であり、半導体技術では、引用発明の「太陽電池用ボロンドープＦＺ単結晶シリコン」とは全く異質の物であると主張しているので（同第２頁下から第３行乃至第３頁第３行）、この点についてさらに検討する。
　まず、上記（１）の主張に関し、本願明細書の記載について検討する。
　本願明細書の段落【０００７】には、「（１）双晶、リネージ等を許容し、ドーピングは原則としてＮｔｙｐｅでは燐、Ｐｔｙｐｅではホウ素を使用する。尚、砒素、ガリューム等５属、３属等の金属もドーピング材として使用することも許容する。」、「（２）芯ドープには中心部が空洞（≒５ｍｍφ）の多結晶Ｒｏｄが用いられその空洞部にマッチ棒状に加工されたドーピングマザーメタルを使用する。」、「又、ガスドープには炉内ＦＺ単結晶生成ゾーンに一般にはアルゴン又は水素にて希釈されたホスヒン、ディボラン等のドーピングを行うことも可能である。（図−１）」と記載されている。
　燐、ホウ素、砒素、ガリュームをドーピング材として使用したＦＺ単結晶シリコンや、芯ドープにドーピングマザーメタルが使用されたＦＺ単結晶シリコン、炉内ＦＺ単結晶生成ゾーンにホスヒン、ディボラン等のドーピングがなされたＦＺ単結晶シリコンは、ボロンや燐が添加されたＦＺ単結晶シリコンである。
　また、本願明細書の段落【０００５】には「太陽電池としての変換効率及び寿命に影響するライフタイムをドーピング以前値として、（バージン単結晶として）５００μｓｅｃ以上にキープする事を特徴とする」と記載されており、「ドーピング以前」という記載から、「バージン単結晶」は、「ＦＺ単結晶シリコン」が製造された後、ドーピング工程を行う前の状態を指すものであることを示唆するものである。このため、ＦＺ法による製造工程中に不純物がドープされていても、該工程後にドーピング工程が行われていない単結晶は、「バージン単結晶」に含まれると解される。したがって、請求人が審判請求書にて主張するように、「バージン単結晶」は、ボロンや燐が添加されていない「ＦＺ単結晶シリコン」に限定されるものでない。
　さらに、本願明細書には、「（７）ノン・ドーピングＦＺ単結晶成形で、ライフ・タイムは７８０μｓｅｃで目的の製品を得ることが出来た。この場合の単結晶の比抵抗は、Ｐｔｙｐｅ１，２００Ωｃｍであった。」（段落【００１１】の【実施例１】（７））、「実施例１と同じＦＺ単結晶製造機器を使用し、略同一条件で単結晶を作成したノン・ドーピングＦＺ単結晶成形でライフ・タイム９８０μｓｅｃで目的の製品を得ることが出来た。この場合の単結晶の比抵抗はＮ−ｔｙｐｅ１，５００Ωｃｍであった。」（段落【００１１】の【実施例２】）と記載されている。ここでは、「ノン・ドーピングＦＺ単結晶成形」という用語は使用されているが、単結晶シリコンにおいて、ＰｔｙｐｅやＮ−ｔｙｐｅの単結晶を得るには、それぞれＰｔｙｐｅ、Ｎ−ｔｙｐｅの不純物を添加する必要があることは技術常識であるから、実施例１，２に記載された「ノン・ドーピングＦＺ単結晶成形」は、「ヴァージン」の「ＦＺ単結晶シリコン」であったとしても、「Ｐｔｙｐｅ１，２００Ωｃｍ」又は「Ｎ−ｔｙｐｅ１，５００Ωｃｍ」となるように不純物が添加されたＦＺ単結晶シリコンである。
　よって、本願補正発明で用いられている「ＦＺ単結晶シリコン」を、ボロンや燐等の不純物が添加されていない「ＦＺ単結晶シリコン」に限定して解釈すべき理由はない。
　次に、上記（２）の主張に関しては、前記２−２−４．ア　において述べたように、「ＦＺ単結晶シリコン」という用語は、不純物を添加していない「ＦＺ単結晶シリコン」のみでなく、不純物を添加した「ＦＺ単結晶シリコン」を含むものであるから、本願補正発明の「ＦＺ単結晶シリコン」という用語が、ボロンや燐を添加していない「ＦＺ単結晶シリコン」に限定して用いられるべきであるとはいえない。
　以上の通りであるので、請求人の主張を採用することができない。
２−２−７．小括
　したがって、本願補正発明は、刊行物１に記載された発明といえるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
２−３．まとめ
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
３．本願発明について 
　平成２６年６月２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１−６に係る発明は、平成２５年１２月２日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１−６に記載された事項により特定されたとおりのものである（以下、請求項の項番にしたがって、「本願発明１」などといい、全体をまとめて「本願発明」という。）。
　本願発明１は、前記２．で検討した本願補正発明から、前記２−１．に記載した「ＦＺ単結晶シリコン」の、「マイノリテイキャリヤー・ライフタイム」の値「６００μｓｅｃ〜２０００μｓｅｃ」を、「４００μｓｅｃ〜２０００μｓｅｃ」とするのみで、他の特定事項は共通するものである。
　そうすると、本願発明１の発明特定事項の一部を減縮したものに相当する本願補正発明が、前記２−２．に記載した通り、刊行物１に記載された発明であるから、本願発明１も、同様の理由により、刊行物１に記載された発明である。
　したがって、本願発明１は、刊行物１に記載された発明といえるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。
５．むすび
　したがって、本願発明１は、刊行物１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明に言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。