【事件の表示】
　特願２０１２−５３８７７２「銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　５月２６日国際公開、ＷＯ２０１１／０６２４０９、平成２５年　３月２８日国内公表、特表２０１３−５１１１４７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
（１）手続の経緯・本願発明
　本願は、２０１０年１１月１７日（パリ条約による優先権主張２００９年１１月１８日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２４年７月１８日及び平成２５年１２月１０日に手続補正がなされたところ、平成２６年１月２４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し同年５月２１日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に特許請求の範囲の補正がなされ、その後当審において平成２７年２月３日付けで拒絶理由が通知され、同年３月２０日に意見書が提出されたものである。
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２６年５月２１日付け手続補正の特許請求の範囲の請求項１〜８に記載された次の事項によって特定されるものと認められる。
　
「【請求項１】
　リードフレームと、前記リードフレームの上に取り付けられた半導体発光デバイスと、を備えるランプであって、
　前記半導体発光デバイスが、
　ｎ型領域とｐ型領域の間に配置された銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層と、
前記ｎ型領域と前記Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層の間に配置された第１の障壁層と、前記ｐ型領域と前記Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層の間に配置された第２の障壁層と、を備え、前記第１の障壁層または前記第２の障壁層のうちの少なくとも一方が銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体材料を備えるランプ。
 【請求項２】
　前記第１の障壁層または第２の障壁層のうちの少なくとも一方がＣｕＩＢｒＣｌタイプの四元銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体材料を備える、請求項１に記載のランプ。
 【請求項３】
　前記第１の障壁層または第２の障壁層のうちの少なくとも一方がＣｕＩＣｌタイプの銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体材料を備える、請求項１に記載のランプ。
 【請求項４】
　前記第１の障壁層または前記第２の障壁層のうちの少なくとも一方が、前記銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層中の自発分極電界および圧電分極電界が互いに逆の方向を有することになるように適合された材料組成を有する、請求項１に記載のランプ。
 【請求項５】
　ユーザインタフェースを提供することができるコンピューティングデバイスと、前記コンピューティングデバイスに通信結合された、前記ユーザインタフェースを表示することができるディスプレイと、を備えるシステムであって、
　前記ディスプレイが少なくとも半導体発光デバイスを含み、
　前記半導体発光デバイスが、
　ｎ型領域とｐ型領域の間に配置された銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層と、
　前記ｎ型領域と前記Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層の間に配置された第１の障壁層と、
　前記ｐ型領域と前記Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層の間に配置された第２の障壁層と、
を備え、前記第１の障壁層または前記第２の障壁層のうちの少なくとも一方が銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体材料を備えるシステム。
 【請求項６】
　前記第１の障壁層または第２の障壁層のうちの少なくとも一方がＣｕＩＢｒＣｌタイプの四元銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体材料を備える、請求項５に記載のシステム。
　【請求項７】
　前記第１の障壁層または第２の障壁層のうちの少なくとも一方がＣｕＩＣｌタイプの銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体材料を備える、請求項５に記載のシステム。
　【請求項８】
　前記第１の障壁層または前記第２の障壁層のうちの少なくとも一方が、前記銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層中の自発分極電界および圧電分極電界が互いに逆の方向を有することになるように適合された材料組成を有する、請求項５に記載のシステム。」
 
（２）拒絶理由
　当審において平成２７年２月３日付けで通知した拒絶理由は、次のとおりである。
　
「本願明細書の【００１９】には、『銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層１０中の自発分極電界および圧電分極電界は、銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層１０中の内部電界を小さくするか、あるいは相殺する（「減極」）ことができる特定の組成（たとえばさまざまな成分のモル分率）を選択し、銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層１０中にひずみを生成することによって互いに反対の方向を有するように配置することができる。』と記載されているが、上記『特定の組成』を具体的にどのようなものにすれば、『銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層１０中の内部電界を小さくするか、あるいは相殺することができる』のか不明であるから、当業者は本願明細書をみても本願の請求項に係る発明を実施することができない。 
　また、そもそも、本願明細書の発明の詳細な説明には、本願請求項に係る半導体発光デバイスの具体的な製造例の記載がなく（例えば、銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層、障壁層をどのような方法により、どのような温度で、どのような材料を用いて形成したのかの具体的な記載がない。）、したがって、本願の請求項に係る半導体発光デバイスが実際に発光するものであるかも不明であって、当業者は本願明細書をみても本願の請求項に係る発明を実施することができない。 
　よって、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が請求項に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでない。」
　
（３）意見書
　これに対する、平成２７年３月２０日付け意見書の内容は、次のとおりである。
　
「１．拒絶理由通知の概要
　審判官殿は、平成２７年２月３日起案（同年同月４日発送）の拒絶理由通知書において本出願は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないとの認定をされています。これに対し、本出願人は以下に意見を申し述べさせて頂きます。　
２．実施可能要件
　審判官殿は、『特定の組成を具体的にどのように選択すれば、銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層中の内部電界を小さくできるのか、或いは相殺することができるのか不明であるから、当業者は、本願明細書をみても、本願の請求項に係る発明を実施できない』と認定しております。
　しかし、本願明細書には、『銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層中の内部電界を小さくするか、或いは相殺するための特定の組成（各成分のモル分率）の選択についての説明は、例えば、Park, Seoung-Hwan; Ahn, Doyeol;  Kim, Jong-Wook (2008, May 2), Optical gain in InGaN/InGaAlN quantum well structures, Applied Physics Letters, 92, 171115、およびPark, Seoung-Hwan  Ahn, Doyeol (2009, Feb. 27), Internal field engineering in CdZnO/MgZnO quantum well structures, Applied Physics Letters, 94, 083507に記載されている』と言及されています（本願明細書の段落００２１参照）。
　Park, Seoung-Hwan; Ahn, Doyeol;  Kim, Jong-Wook (2008, May 2), Optical gain in InGaN/InGaAlN quantum well structures, Applied Physics Letters, 92, 171115、およびPark, Seoung-Hwan  Ahn, Doyeol (2009, Feb. 27), Internal field engineering in CdZnO/MgZnO quantum well structures, Applied Physics Letters, 94, 083507は、半導体発光デバイスの技術分野においてよく知られている公知文献であるため、その文献で言及されている、銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層中の内部電界を小さくするか、或いは相殺するための特定の組成は、半導体発光デバイスの技術分野においてよく知られている技術常識と考えられます。
　斯かる技術常識を有する当業者は、特定の組成を具体的にどのように選択すれば、銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層中の内部電界を小さくできるのか、或いは相殺することができるのかを自らの知識としているため、過度の試行錯誤を強いられることなく、本願の請求項に係る発明を実施できるものと思料致します。
　また、審判官殿は、『本願明細書には、本願の請求項に係る半導体デバイスの具体的な製造例の記載がなく、本願の請求項に係る半導体デバイスが実際に発光するか否か不明であって、当業者は、本願明細書をみても、本願の請求項に係る発明を実施できない』と認定しております。
　しかし、本願明細書の段落００４０乃至００４２及び図４には、半導体デバイスの具体的な製造方法が記載されております。図４を参照して半導体デバイスの具体的な製造方法を説明しますと、まず、ステップ４０２において、基板が提供されます。次に、ステップ４０４において、ｎ型コンタクト層が基板の上に堆積されます。ｎ型コンタクト層は、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）、有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）、水素化物気相エピタキシー（ＨＶＰＥ）、及び／又は原子層エピタキシー（ＡＬＥ）等によって堆積させることができます。次に、ステップ４０６において、ｎ型領域がｎ型コンタクト層の上に堆積されます。ｎ型領域は、ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ、ＨＶＰＥ、及び／又はＡＬＥ等によって堆積させることができます。次に、ステップ４０８において、第１の障壁層がｎ型領域の上に堆積されます。第１の障壁層は、ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ、ＨＶＰＥ、及び／又はＡＬＥ等によって堆積させることができます。次に、ステップ４１０において、半導体発光層が第１の障壁層の上に堆積されます。半導体発光層は、ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ、ＨＶＰＥ、及び／又はＡＬＥ等によって堆積させることができます。次に、ステップ４１２において、第２の障壁層が半導体発光層の上に堆積されます。第２の障壁層は、ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ、ＨＶＰＥ、及び／又はＡＬＥ等によって堆積させることができます。半導体発光層は第１の半導体材料を含むことができ、また、第１及び第２の障壁層は第２の半導体材料を含むことができます。一例では、量子井戸は、第１の半導体材料の半導体発光層が第２の半導体材料の２つの障壁層の間に挟まれる二重ヘテロ構造を含むことができます。例えば、１つのこのような二重ヘテロ構造は、銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体材料（例えば、ＣｕＩＢｒＣｌ又はＣｕＩＣｌ）を含めた第２の半導体材料の２つの障壁層の間に挟まれた、銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体層（例えば、ＣｕＣｌ、ＣｕＢｒ又はＣｕＩ）を含めた第１の半導体材料の半導体発光層を含むことができます。次に、ステップ４１４において、ｐ型領域が第２の障壁層の上に堆積されます。ｐ型領域は、ＭＢＥ、ＭＯＣＶＤ、ＨＶＰＥ、及び／又はＡＬＥ等によって堆積させることができます。ｎ型領域及びｐ型領域は、半導体発光層中に電荷担体を注入することができるｐ−ｎ接合を画定することができます。次に、ステップ４１６において、１つまたは複数の電極が堆積されます。例えば、透明電極をｐ型領域の上に堆積させることができます。
　このように、本願明細書には、半導体デバイスの具体的な製造方法が説明されているため、当業者は、過度の試行錯誤を強いられることなく、本願の請求項に係る発明を実施できるものと思料致します。　
３．結び
　以上、説明したように、本出願人は、特許法第３６条第４項第１号に係わる拒絶理由は解消したものと確信し、再度のご審査をお願い申し上げます。」
　
（４）判断
　請求人の上記意見書における主張について検討する。
　ア　まず、上記意見書の前半部の主張につき検討するに、請求人は、「Park, Seoung-Hwan; Ahn, Doyeol;  Kim, Jong-Wook (2008, May 2), Optical gain in InGaN/InGaAlN quantum well structures, Applied Physics Letters, 92, 171115」（以下「文献１」という。）及び「Park, Seoung-Hwan  Ahn, Doyeol (2009, Feb. 27), Internal field engineering in CdZnO/MgZnO quantum well structures, Applied Physics Letters, 94, 083507」（以下「文献２」という。）について、「その文献で言及されている、銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層中の内部電界を小さくするか、或いは相殺するための特定の組成は、半導体発光デバイスの技術分野においてよく知られている技術常識と考えられます。」と主張するが、上記文献１は、「InGaN/InGaAlN」について記載するのみであり、また、上記文献２は、「CdZnO/MgZnO」について記載するのみであって、いずれの文献にも「銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層」についての記載はない。さらに、半導体発光デバイスの技術分野においては、化合物半導体となる元素の組合せ（ＩＩＩ−Ｖ族、ＩＩ−ＶＩ族等）が異なれば、その特性も相当程度異なるものであるといえるから、「銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体発光層中の内部電界を小さくするか、或いは相殺するための特定の組成」が「半導体発光デバイスの技術分野においてよく知られている技術常識」であるとは認められず、請求人の上記の主張は採用できない。
　イ　次に、後半部の主張につき検討するに、請求人は、「本願明細書には、半導体デバイスの具体的な製造方法が説明されている」と主張するが、当審における拒絶理由通知で指摘したように、本願明細書には、銅混合Ｉ−ＶＩＩ化合物半導体の発光層、障壁層等を具体的にどのような方法により、どのような温度その他の条件で、どのような材料を用いて形成したのかに関する記載は見当たらない。また、本願請求項に記載された発明に係る「半導体発光デバイス」が実際に発光したことを示す裏付けもない。
　ウ　上記ア及びイの検討によれば、本願明細書の発明の詳細な説明は、本願請求項に係る発明を当業者が実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものということはできない。
　
（５）むすび
　以上のとおりであって、本願明細書の発明の詳細な説明は、当業者が請求項に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものとはいえず、本願は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
　よって、結論のとおり審決する。