【事件の表示】
　特願２００７−３０７０６６「貫通転位が低く、光取り出しが改善された半導体デバイス、および該半導体デバイスの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　７月１０日出願公開、特開２００８−１６００９４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
　
１　手続の経緯
　本願は、平成１９年１１月２８日（パリ条約による優先権主張　２００６年１１月２８日　米国）の出願であって、平成２４年７月１０日付けで拒絶理由が通知され、同年１１月１３日付けで手続補正がなされたが、平成２５年６月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１０月２４日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同時に手続補正がなされたものである。
　
２　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２５年１０月２４日になされた手続補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし３０に記載された事項により特定されるものと認められるところ、請求項１に係る発明は、次のとおりのものである。
「発光ダイオードなどの電子デバイスの製造で使用される半導体デバイス構造体であって、
　表面上でのエピタキシャル領域の成長を支持するのに適した、実質的にランダム又は不規則の粗面化成長表面を有する基板であって、前記粗面化成長表面と対向する第２の粗面をさらに備える基板と、
　前記基板上のエピタキシャル領域と、
　当該半導体デバイス構造体の向かい合う側面における第１および第２のオーミック接触と、を備え、当該半導体デバイス構造体が垂直型の半導体デバイスである、半導体デバイス構造体。」（以下「本願発明」という。）
　
３　刊行物及び引用発明
（１）引用文献１
　原査定の拒絶理由に引用され、本願の優先日前に頒布された、特開２００５−４５０５４号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の記載がある。
ア　「【請求項１】
　
導電性を有する透光性のｎ型半導体基板上に、ＩＩＩ族窒化物半導体膜と、ｐ型電極とを備え、ｎ型半導体基板より光を取り出す発光素子であって、ＩＩＩ族窒化物半導体膜の光取り出し方向と反対側の表面の少なくとも一部と、ＩＩＩ族窒化物半導体膜の側面およびｎ型半導体基板の側面の少なくとも一部に、絶縁性の保護膜を有
【請求項５】
　
ｎ型半導体基板は、ＩＩＩ族窒化物またはＳｉＣからなる
ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。
　
イ　「【００１１】
　本発明の発光素子は、ｎ型半導体基板より光を取出すため、ｎ型半導体基板は透光性を有するものを使用するが、透光性を有する材料の中でも、４００ｎｍ以上の波長の光を透過するものが好ましい。４００ｎｍ未満の波長の光は、紫外線またはＸ線などの放射線に該当するが、本発明は、青色〜橙色などに発光するレーザ素子の提供を主たる目的とするからである。また、本発明の発光素子に使用するｎ型半導体基板は導電性を有する必要があるため、ＧａＮなどのＩＩＩ族窒化物またはＳｉＣからなる基板が好ましく使用される。・・・
【００１３】
　ｎ型半導体基板は、キャリア濃度が低く、基板のみで電流を有効に広げられないので、光取り出し面上にメッシュ形状のｎ型電極を有するものが好ましく、光取り出し面に、外部接続用のパッド電極を有するものが好ましい。また、光の取り出しを阻害しないようにするため、ｎ型電極は透光性を有するものが好ましい。透光性と導電性を有する材料としては、たとえばＩＴＯ、ＩＤＩＸＯ、ＺｎＯなどがあり、かかる材料は、ｎ型電極用の材料として好適である。・・・
【００１４】
　ｎ型半導体基板上に形成するＩＩＩ族窒化物半導体膜は、ｐ型電極と接する部分が凹凸を有するものが好ましい。ｐ型電極と接する部分に凹凸を設けることにより、光の散乱が生じて、光の取り出し効率が向上する。凹凸は、算術平均粗さで１０ｎｍ〜５００ｎｍが好ましい。１０ｎｍ未満では、光の散乱効果が小さく、発光出力が十分に増加しない。一方、５００ｎｍより大きいと、凹凸が大き過ぎるため、ｐ型電極との良好なオーミック接触が得られない。なお、ｐ電極は、コモン電極として用いることができる。」
　
ウ　「【００３６】
　実施例６
　本実施例では、
ｎ型半導体基板
ＳｉＣ基板に
ＧａＮ系化合物半導体のＬＥＤ
ＬＥＤは、
ＳｉＣ基板４０２ｂ上に、バッファ層４０７、ｎ型ＧａＮ層４０３、発光層４０４、ｐ型クラッド層４０５、ｐ型コンタクト層４０６、ｐ型電極４１１がこの順に形成され、
ＩＩＩ族窒化物半導体膜
ＳｉＣ基板４０２ｂの光取り出し面側には、ｎ型電極４２１ｂ、電流阻止層４２３、パッド電極４２２が形成された構造を有
【００３７】
　ＳｉＣ基板４０２ｂ（キャリア濃度：１×１０１７ｃｍ−３）を、ＭＯＣＶＤ装置内に導入し、Ｎ２とＮＨ３をそれぞれ５Ｌ／ｍ流しながら、約１０５０℃まで昇温した。温度が上がれば、キャリアガスをＮ２からＨ２に代えて、ＴＭＧを５０μｍｏｌ／ｍ、ＴＭＡを３０μｍｏｌ／ｍ、ＳｉＨ４を１０ｎｍｏｌ／ｍ導入して、ＡｌＧａＮ膜４０７バッファ層を５０ｎｍ成長した。続いて、ＴＭＧを１００μｍｏｌ／ｍ、ＳｉＨ４を１０ｎｍｏｌ／ｍ導入して、ｎ型ＧａＮ層４０３を約４μｍ成長した。その後、ＴＭＧの供給を停止して、キャリアガスをＨ２からＮ２に再び代えて、７００℃まで降温し、インジウム原料であるトリメチルインジウム（ＴＭＩ）を１０μｍｏｌ／ｍ、ＴＭＧを１５μｍｏｌ／ｍ導入し、Ｉｎ０.０５Ｇａ０.９５Ｎよりなる４ｎｍ厚の障壁層を成長した。その後、ＴＭＩの供給量を５０μｍｏｌ／ｍに増加し、Ｉｎ０.２Ｇａ０.８Ｎよりなる２ｎｍ厚の井戸層を成長した。井戸層は合計３層、同様の手法で成長を行ない、井戸層と井戸層との間および両側には合計４層の障壁層が存在するような多重量子井戸（ＭＱＷ）の発光層４０４を成長した。
【００３８】
　ＭＱＷの成長が終了すると、ＴＭＩおよびＴＭＧの供給を停止して、再び１０５０℃まで昇温し、キャリアガスを再びＮ２からＨ２に代えて、ＴＭＧを５０μｍｏｌ／ｍ、ＴＭＡを３０μｍｏｌ／ｍ、ｐ型ドーピング原料であるビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ２Ｍｇ）を１０ｎｍｏｌ／ｍ流し、２０ｎｍ厚のｐ型Ａｌ０.２Ｇａ０.８Ｎクラッド層４０５を成長し、最後に、ＴＭＧの供給を１００μｍｏｌ／ｍに調整して、ＴＭＡの供給を停止し、０.１μｍ厚のｐ型ＧａＮコンタクト層４０６の成長を行なった。成長が終了すると、ＴＭＧおよびＣｐ２Ｍｇの供給を停止して降温し、室温でＭＯＣＶＤ装置より取り出した。
【００３９】
　つぎに、実施例１で示す方法により、ｐ型電極４１１を形成した。続いて、スパッタ装置を用いて、
透明で導電性を有する酸化スズ膜（ＩＴＯ膜）
ｎ型電極
　
エ　図４は次のものである。
　
オ　上記アないしウを踏まえて、上記エの図４をみると、ＧａＮ系化合物半導体のＬＥＤであるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子は、ｐ型電極４１１及びｎ型電極４２１ｂが向かい合っている、垂直型のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子であることが理解できる。
　
カ　上記アないしオによれば、引用文献１には次の発明が記載されていると認められる。
「導電性を有する透光性のｎ型半導体基板上に、ＩＩＩ族窒化物半導体膜と、ｐ型電極とを備え、ｎ型半導体基板より光を取り出す発光素子であって、ＩＩＩ族窒化物半導体膜の光取り出し方向と反対側の表面の少なくとも一部と、ＩＩＩ族窒化物半導体膜の側面およびｎ型半導体基板の側面の少なくとも一部に、絶縁性の保護膜を有し、前記ｎ型半導体基板は、ＩＩＩ族窒化物またはＳｉＣからなるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子において、
　前記ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子は、ＧａＮ系化合物半導体のＬＥＤであり、
　前記ｎ型半導体基板であるＳｉＣ基板上に、バッファ層、ｎ型ＧａＮ層、発光層、ｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層、前記ｐ型電極がこの順に形成され、前記ＳｉＣ基板の光取り出し面側には、透明で導電性を有する酸化スズ膜（ＩＴＯ膜）であるｎ型電極、電流阻止層、パッド電極が形成された構造を有し、
　前記バッファ層、ｎ型ＧａＮ層、発光層、ｐ型クラッド層、ｐ型コンタクト層、ｐ型電極の各層は、
　前記ＳｉＣ基板を、ＭＯＣＶＤ装置内に導入し、ＴＭＧを５０μｍｏｌ／ｍ、ＴＭＡを３０μｍｏｌ／ｍ、ＳｉＨ４を１０ｎｍｏｌ／ｍ導入して、ＡｌＧａＮ膜の前記バッファ層を５０ｎｍ成長し、続いて、ＴＭＧを１００μｍｏｌ／ｍ、ＳｉＨ４を１０ｎｍｏｌ／ｍ導入して、前記ｎ型ＧａＮ層を約４μｍ成長し、その後、ＴＭＧの供給を停止して、インジウム原料であるトリメチルインジウム（ＴＭＩ）を１０μｍｏｌ／ｍ、ＴＭＧを１５μｍｏｌ／ｍ導入し、Ｉｎ０.０５Ｇａ０.９５Ｎよりなる４ｎｍ厚の障壁層を成長し、その後、ＴＭＩの供給量を５０μｍｏｌ／ｍに増加し、Ｉｎ０.２Ｇａ０.８Ｎよりなる２ｎｍ厚の井戸層を成長し、井戸層は合計３層、同様の手法で成長を行ない、井戸層と井戸層との間および両側には合計４層の障壁層が存在するような多重量子井戸（ＭＱＷ）の前記発光層を成長し、ＭＱＷの成長が終了すると、ＴＭＩおよびＴＭＧの供給を停止して、ＴＭＧを５０μｍｏｌ／ｍ、ＴＭＡを３０μｍｏｌ／ｍ、ｐ型ドーピング原料であるビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ２Ｍｇ）を１０ｎｍｏｌ／ｍ流し、２０ｎｍ厚のｐ型Ａｌ０.２Ｇａ０.８Ｎの前記ｐ型クラッド層を成長し、最後に、ＴＭＧの供給を１００μｍｏｌ／ｍに調整して、ＴＭＡの供給を停止し、０.１μｍ厚の前記ｐ型ＧａＮコンタクト層の成長を行ない、成長が終了すると、ＴＭＧおよびＣｐ２Ｍｇの供給を停止して降温し、室温でＭＯＣＶＤ装置より取り出すことにより、前記ＳｉＣ基板上に形成したものである、
　前記ｐ型電極及び前記ｎ型電極が向かい合っている、垂直型のＬＥＤであるＩＩＩ族窒化物半導体発光素子。」（以下「引用発明」という。）
　
（２）引用文献２
　原査定の拒絶理由に引用され、本願の優先日前に頒布された、特開２００３−１５１９０８号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の記載がある。
ア　「【０００２】
【従来の技術】近年、サファイア、スピネル、炭化ケイ素のような窒化物半導体と異なる異種基板上に、窒化物半導体を成長させる研究が種々検討されている。これは発光素子等に利用可能な結晶性のよい窒化物半導体のバルク単結晶が実用化レベルで得ることが困難なためである。異種基板上に窒化物半導体を成長させることで窒化物半導体基板を形成するには、窒化物半導体（例えば、ＧａＮ）との格子定数差や熱膨張係数差が一致する異種基板が存在しないため異種基板上に直接に窒化物半導体を成長させると窒化物半導体に転位欠陥を多く発生してしまう。そのため、このような課題を解決すべく以下に示す方法が報告されている。」
　
イ　「【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明における窒化物半導体基板の製造方法は、基板上に窒化物半導体を選択成長させるものであって、基板上に保護膜を成膜し、部分的に保護膜に開口部を形成する第１の工程と、保護膜の開口部から露出した基板表面をエッチングする第２の工程と、前記保護膜を除去した後、基板上に形成されたエッチング領域から窒化物半導体を選択的に成長させる第３の工程とを備えたことを特徴とする。・・・
【０００８】前記エッチングにより形成されたエッチング領域はドライエッチングにより形成されることを特徴とする。好ましくは、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、又は誘導結合型プラズマ（ＩＰＣ）を用いた反応性イオンエッチングであることを特徴とする。これらの方法であれば、基板の表面にナノメートル（ｎｍ）オーダーで部分的に隆起部を形成することができる。」
　
（３）引用文献３
　原査定の拒絶理由に引用され、本願の優先日前に頒布された、特開２００６−２５３２９８号公報（以下「周知文献１」という。）には、以下の記載がある。
ア　「【請求項１】
　上面とこれに対向する裏面電極形成部とを有し、第１の波長帯の光に対する透光性を有し、前記裏面電極形成部の周囲に粗面が形成された基板と、
　前記基板の前記上面上に設けられ、前記第１の波長帯の光を放出する活性層を含む半導体積層構造と、
　前記半導体積層構造の上に設けられた第１の電極と、
　前記裏面電極形成部に設けられた第２の電極と、
　前記粗面の少なくとも一部の上に被着された反射膜と、
　を備えたことを特徴とする半導体発光素子。」（特許請求の範囲）
　
イ　「【０００６】
　光取り出し効率の低下に対する改善策として、ウェットエッチング等により表面を粗面化して凹凸を形成する方法（例えば、特許文献２）がある。」
　
（４）引用文献４
　原査定の拒絶理由に引用され、本願の優先日前に頒布された、米国特許出願公開第２００６／０００１０４６号明細書（以下「周知文献２」という。特表２００８−５０５５０７号公報参照）には、以下の記載がある（訳は当審にて付した。）。
ア　「 1 . A method of fabricating a light emitting diode (LED) including a substrate having a light emitting surface, said method comprising: 
 applying a reactive ion etch (RIE) process to at least a portion of the light emitting surface for a time duration sufficient to change the morphology of the surface.」（特許請求の範囲）
（光放出表面を有する基板を含む発光ダイオード（ＬＥＤ）を製造する方法であって、表面の形態を変化させるのに十分な期間の間、前記光放出表面の少なくとも一部分に反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）プロセスを適用することを含むことを特徴とする方法。）
　
イ　「［0040］ In one embodiment the back surface morphology of a SiC substrate is modified using a reactive ion etch (RIE) process and more particularly an inductively coupled plasma reactive ion etch (ICP-RIE) process. This process creates one or more surface areas characterized by a dimpled texture on a microscopic scale. The dimpled surface provides a varying surface that allows light that would otherwise be trapped in the LED, by total internal reflection (TIR), to escape from the substrate to contribute to light emission. The variations in the surface increase the chances that the TIR light will reach the substrate surface within the critical angle and will be emitted. For light that does not escape the substrate through the surface, the variations of the surface reflect the light at different angles, increasing the chances that the light will escape on the next pass. The resultant scattering surface morphology leads to an improvement in light extraction and more light out of a packaged LED die compared to a conventional device. 」
（一実施形態においては、ＳｉＣ基板の裏面形態は、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）プロセスを、より詳細には誘導結合プラズマ反応性イオンエッチング（ＩＣＰ−ＲＩＥ）プロセスを使用して、修正される。このプロセスは、顕微鏡スケールの、くぼみのあるテキスチャーによって特徴づけられる１つまたは複数の表面区域を生成する。くぼみのある表面は、普通ならＬＥＤ中にトラップされるはずの光が、全反射（ＴＩＲ）によって、基板から脱出して、光放出に寄与することができるようにする、変化のある表面を実現する。表面の変化は、ＴＩＲ光が臨界角内で基板表面に到達し放出されることになる可能性を増大させる。表面を介して基板を脱出しない光については、表面の変化により、その光が異なる角度で反射され、次の通過で脱出することになる可能性が増大される。結果として生じる散乱表面形態により、光抽出が改善され、従来のデバイスに比べてパッケージ後のＬＥＤダイから出る光が増す。）
　
ウ　「［0086］ FIG. 19  shows another embodiment of an LED  110  according to the present invention that includes a conductive substrate  112  with a semiconductor emission region  114  formed on one of its surfaces. The emission region  114  is similar to the emission region  18  in  FIG. 1 . The LED  110  includes first and second contacts  116 ,  118  that contact the oppositely doped layers in the emission region  114 . When a bias is applied to the oppositely doped layers, through the contacts  116 ,  118 , light is emitted. The LED  110  may be flip-chip mounted such that the substrate surface  120  opposite the emission region  114  is the primary emitting surface of the LED. 
（図１９は、基板の表面のうちの一方の上に形成された半導体放出領域１１４を有する導電性基板１１２を含む、本発明によるＬＥＤ１１０の他の実施形態を示す。放出領域１１４は、図１における放出領域１８と類似している。ＬＥＤ１１０は、放出領域１１４中の正負逆のドープ層と接触する第１および第２の接点１１６、１１８を含む。バイアスが正負逆のドープ層に接点１１６、１１８を介して印加されたとき、光が放出される。放出領域１１４と反対側の基板表面１２０が、ＬＥＤの主要放出表面となるように、ＬＥＤ１１０は、フリップチップ実装することができる。）
　
エ　図１９は次のものである。
　
４　対比・判断
（１）本願発明と引用発明を対比する。
ア　引用発明の「『ｎ型半導体基板』及び『ＳｉＣ基板』」、「『ｐ型電極』及び『ｎ型電極』」及び「『発光素子』、『ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子』及び『ＬＥＤ』」は、本願発明の「基板」、「第１および第２のオーミック接触」及び「『発光ダイオードなどの電子デバイス』、『半導体デバイス』及び『半導体デバイス構造体』」にそれぞれ相当する。
　
イ　引用発明の「ＩＩＩ族窒化物半導体膜」は、「ＳｉＣ基板を、ＭＯＣＶＤ装置内に導入し、ＴＭＧを５０μｍｏｌ／ｍ、ＴＭＡを３０μｍｏｌ／ｍ、ＳｉＨ４を１０ｎｍｏｌ／ｍ導入して、ＡｌＧａＮ膜の前記バッファ層を５０ｎｍ成長し、続いて、ＴＭＧを１００μｍｏｌ／ｍ、ＳｉＨ４を１０ｎｍｏｌ／ｍ導入して、前記ｎ型ＧａＮ層を約４μｍ成長し、その後、ＴＭＧの供給を停止して、インジウム原料であるトリメチルインジウム（ＴＭＩ）を１０μｍｏｌ／ｍ、ＴＭＧを１５μｍｏｌ／ｍ導入し、Ｉｎ０.０５Ｇａ０.９５Ｎよりなる４ｎｍ厚の障壁層を成長し、その後、ＴＭＩの供給量を５０μｍｏｌ／ｍに増加し、Ｉｎ０.２Ｇａ０.８Ｎよりなる２ｎｍ厚の井戸層を成長し、井戸層は合計３層、同様の手法で成長を行ない、井戸層と井戸層との間および両側には合計４層の障壁層が存在するような多重量子井戸（ＭＱＷ）の前記発光層を成長し、ＭＱＷの成長が終了すると、ＴＭＩおよびＴＭＧの供給を停止して、ＴＭＧを５０μｍｏｌ／ｍ、ＴＭＡを３０μｍｏｌ／ｍ、ｐ型ドーピング原料であるビスシクロペンタジエニルマグネシウム（Ｃｐ２Ｍｇ）を１０ｎｍｏｌ／ｍ流し、２０ｎｍ厚のｐ型Ａｌ０.２Ｇａ０.８Ｎの前記ｐ型クラッド層を成長し、最後に、ＴＭＧの供給を１００μｍｏｌ／ｍに調整して、ＴＭＡの供給を停止し、０.１μｍ厚の前記ｐ型ＧａＮコンタクト層の成長を行ない、成長が終了すると、ＴＭＧおよびＣｐ２Ｍｇの供給を停止して降温し、室温でＭＯＣＶＤ装置より取り出すことにより、前記ＳｉＣ基板上に形成したものである」から、引用発明の「ＩＩＩ族窒化物半導体膜」は、「ＳｉＣ基板」の表面上でエピタキシャル成長したエピタキシャル領域であり、また、「ＳｉＣ基板」は、表面上でのＩＩＩ族窒化物半導体膜の成長を支持する基板であると言える。
　したがって、引用発明は、本願発明の「表面上でのエピタキシャル領域の成長を支持する基板と、前記基板上のエピタキシャル領域」との構成を備える。
　
ウ　以上によれば両者は、
「発光ダイオードなどの電子デバイスの製造で使用される半導体デバイス構造体であって、
　表面上でのエピタキシャル領域の成長を支持する基板と、
　前記基板上のエピタキシャル領域と、
　当該半導体デバイス構造体の向かい合う側面における第１および第２のオーミック接触と、を備え、当該半導体デバイス構造体が垂直型の半導体デバイスである、半導体デバイス構造体。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　本願発明の「基板」は、「表面上でのエピタキシャル領域の成長を支持するのに適した、実質的にランダム又は不規則の粗面化成長表面を有する基板」であって、「粗面化成長表面と対向する第２の粗面をさらに備える基板」であるのに対し、引用発明の「『ｎ型半導体基板』及び『ＳｉＣ基板』」は、このようなものと特定されるものではない点（以下「相違点」という。）。
　
（２）判断
　上記相違点について検討する。
ア　引用発明は、ＳｉＣ基板の上にｎ型ＧａＮ層を成長させるものであるところ、ＳｉＣ（炭化ケイ素）基板のような窒化物半導体（ｎ型ＧａＮ）と異なる異種基板上に、窒化物半導体（ＧａＮ）を成長させることで窒化物半導体基板を形成するものは、格子定数差や熱膨張係数差により窒化物半導体に転位欠陥を多く発生する課題が知られていた（引用文献２　上記３（２）ア）。
　そして、上記課題を解決するために、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）又は誘導結合型プラズマ（ＩＰＣ）を用いた反応性イオンエッチングによって、基板の表面にナノメートル（ｎｍ）オーダーで部分的に隆起部を形成し、基板上に形成されたエッチング領域から窒化物半導体を選択的に成長させることも知られていた（引用文献２　上記３（２）イ）。
　
イ　そうすると、ＳｉＣ基板の上にｎ型ＧａＮ層を成長させる引用発明が、格子定数差や熱膨張係数差により窒化物半導体に転位欠陥を多く発生する課題を有していることは明らかであるから、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）又は誘導結合型プラズマ（ＩＰＣ）を用いた反応性イオンエッチングによって、基板の表面にナノメートル（ｎｍ）オーダーで部分的に隆起部を形成し、基板上に形成されたエッチング領域から窒化物半導体を選択的に成長させることで、窒化物半導体に発生する転位欠陥を少なくすることは当業者にとって格別困難なことではない。
　
ウ　なお、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）又は誘導結合型プラズマ（ＩＰＣ）を用いた反応性イオンエッチングによって、基板の表面にナノメートル（ｎｍ）オーダーで部分的に形成された隆起部がどのようなものであるか、引用文献２（上記３（２）イ）には明記されていないが、通常の反応性イオンエッチングであることに照らして、上記イのように形成した隆起部は、実質的にランダム又は不規則な粗面であると認められる。
　
エ　また、引用発明は、ｎ型半導体基板より光を取り出す発光素子であって、ｎ型電極は透明で導電性を有する酸化スズ膜（ＩＴＯ膜）からなるものであるから、ｎ型電極側が光出射面であるところ、半導体基板の光出射面に粗面ないし顕微鏡スケールのくぼみのあるテキスチャーを設けると、光の散乱が生じて、光の取り出し効率が向上することが従来周知のこと（必要ならば、上記３（３）及び（４）参照）であることに照らして、上記イの構成とするとともに、ＳｉＣ基板のｎ型電極（光出射面）側に、粗面ないし顕微鏡スケールのくぼみのあるテキスチャーを設けることは、当業者が適宜なし得ることである。
　
オ　したがって、上記アないしエの検討によれば、引用発明において、引用文献２（上記３（２））の記載、及び、周知技術（上記３（３）及び（４））に基づいて、ｎ型半導体基板のＩＩＩ族窒化物半導体膜を成長させる面、及び、光出射面を粗面化し、上記相違点に係る本願発明の構成となすことは、当業者が容易になし得たことである
　
（３）請求人の主張について
　請求人は、平成２５年１０月２４日付けの審判請求書において、
「引用文献７，８においては、確かに、光出射面に粗面が形成された実施例が開示されているかもしれません（引用文献７の図１２，１３等、引用文献８の図２等）。
　これに対し、本願の新請求項１にかかる発明（以下、本願発明と言います）は、粗面化成長表面と対向する第２の粗面をさらに備えることを特徴としています。なお、このような本願発明は、光出射面を粗面に形成することを特徴としているわけではありません。
　この点、引用文献７の図１２，１３では、光出射面（粗面）１Ｓは基板６に対向していません。このような引用文献７を例えば引用文献１〜３に適用しても、「基板（粗面化成長表面）に対向しない第２の粗面」、という構成が導かれるだけであると思料致します。
　また、引用文献８においても、光出射面を粗面にすることが記載されているのみです。粗面にされた光出射面を、粗面化成長表面に対向させることは一切記載されていません。従いまして、引用文献８を例えば引用文献１〜３に適用してもやはり本願発明に想到することはできません。
　また、その他、粗面化成長表面と対向する第２の粗面をさらに備えることを開示した引用文献は見当たりません。」（審判請求書３頁下から４行〜４頁１３行）と主張する。
　しかしながら、引用発明の「導電性を有する透光性のｎ型半導体基板」のＩＩＩ族窒化物半導体膜を成長させる側を粗面化し、あわせて、光出射面であるｎ型電極側を粗面化すれば、両粗面は当然対向することとなるから、請求人の上記主張は、上記（２）の判断を左右するものではない。
　
５　むすび
　以上の検討によれば、本願発明は、引用発明、引用文献２に記載の技術及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。