【事件の表示】
　平成１０年特許願第１６７４２１号「半導体素子の実装方法」拒絶査定に対する審判事件［平成１０年１１月２４日出願公開、特開平１０−３１３０２３］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
I．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成２年９月３日に出願した特願平２−２３２９６８号の一部を平成１０年６月１５日に新たな特許出願としたものであって、その請求項１〜７に係る発明は、平成１３年６月６日付け手続補正書によって補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜７に記載されたとおりのものであるところ、請求項１に係る発明は次のとおりである。
「半導体素子の電極が形成された面と基板の配線パターンが形成された面とが向き合うように配置され、前記電極と前記配線パターンとが電気的に接続される半導体素子の実装方法であって、少なくとも前記半導体素子及び前記基板のいずれか一方に粒径のばらつきが±１０％であって弾性変形可能な導電粒子を含んだ樹脂を設ける工程と、前記半導体素子の電極及び前記基板の配線パターンとが前記導電粒子を介して電気的に接続されるように、前記半導体素子及び前記基板の少なくとも一方を加圧する工程と、を有し、前記加圧する工程では、前記半導体素子の電極と前記基板の配線パターンとの間に位置する前記導電粒子が一層になるようにしかも一層となった前記導電粒子が粒径の１０％以上潰れる程度の圧力が加えられることを特徴とする半導体素子の実装方法。」（以下、「本願発明１」という）
　
II．当審の判断
１．引用刊行物記載の発明
　平成１４年５月１０日付で当審から通知した拒絶理由で引用された刊行物１である特開昭６３−１０２１１０号公報（以下、「引用例１」という）、および、刊行物２である特開昭６２−２０６７７２号公報（以下、「引用例２」という）には、それぞれ次の事項が記載されている。
　
２．引用例の記載事項
（１）上記引用例１には
（１ー１）特許請求の範囲の（１）〜（５）に、
「（１）導電粒子を絶縁物によつて互いに電気的に絶縁して分散配置せしめ、加圧接着したときに加圧方向に電気的に良導体となるようにした異方導電体において、前記導電粒子の直径を１．０〜１００．０μｍで、かつ、前記範囲の特定の直径に対し、粒径の分布が±５％以内に収められた球状粒子とすると共に、この導電粒子を単層に分散配置せしめたことを特徴とする異方導電体。
（２）前記導電粒子を絶縁物の層中に分散させると共に前絶絶縁物の厚さを、前記導電粒子の直径の２倍以内にしたことを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の異方導電体。
（３）前記導電粒子を絶縁する絶縁物が、導電粒子をそれぞれ包みこみ、マイクロカプセル化していることを特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の異方導電体。
（４）前記マイクロカプセル化された導電粒子が、シート上（「シート状」の誤記であると認める）に単層に配列していることを特徴とする特許購求の範囲第３項に記載の異方導電体。
（５）溶媒あるいは加熱により絶縁物を溶かした後、導電粒子を加え、撹拌分散せしめた後、この導電粒子分散液を所定のローラで圧延・冷却して所望の膜厚のフイルムを得ることを特徴とする異方導電体の製造方法。」が記載されている。
（１ー２）第３頁左上欄１８行〜第４頁左上欄２行には
「〔問題点を解決するための手段および作用〕
　この発明においては、前記問題点を解決するため、導電粒子を絶縁物によつて電気的に絶縁して分散配置し、加圧方向に対しては、電気的に接続するようにした異方導電体において、前記導電粒子の直径を１．０〜１００μｍとし、かつ特定の直径において粒子の粒径分布を±５％以内に収めた球状粒子とすると共に、この導電粒子を単層に分散配置せしめたことを特徴とする。
　これによれば、目的とする分解能に応じて導電粒子の直径をかえ、また必要とする接続抵抗に応じて導電粒子の分散比を調整することによりそれぞれ目的とする特性の電気接続を実現でき、しかもパツド当りの抵抗値が均一な信頼性の高い電気接続を行なうことができる。
〔実施例〕
　以下図面を参照して、この発明の実施例を説明する。第１図はこの発明の１実施例の異方導電体の構造を示す。図において、１は球状の導電粒子であり、絶縁性樹脂２中に夫々独立して、かつ一層として分散配置されている。
　球状の導電粒子１は、適度の硬度の導電性金属でも良いが、この実施例では、第２図（ｂ）に示すように、ジビニルベンゼン樹脂からなる球形の芯物質１１と、その表面を被覆するニツケルメツキ層１２からなる導電粒子が用いられている。この球状導電粒子１をポリー４ーメチルペンテンーＬ熱可塑性樹脂中に分散し、フィルム状としている。導電粒子１が絶縁性樹脂２中に単層で分散されるために、絶縁性樹脂２の厚さｌは、その時の導電粒子１の直径Ｒの２倍以内とされている。
　第１の実施例の詳細は以下のとおりである。
　芯物質１１は、ジビニルベンゼンを懸濁重合した後、分級により粒径１０．０±０．２μｍとしたものを用いた。…中略…ニッケルメッキ層１２は無電解メツキ法により得、膜厚は約９００Åであつた。…中略…
　第５図は、この発明による異方導電体の導電粒子（１０μｍ）の添加量と分散個数の関係を示すものである。また、導電粒子の添加量が約０．６（ｍｇ／ｃｍ２）より少ないとほぼ単層構成とすることができ、それより多いと一部２層になる部分が生ずることがわかつた。」が記載されている。   
（１ー３）第４頁左下欄３行〜１４行には
「第４図は、ＩＣチツプ６を基板１０の電極９上に固定した例を示している。ＩＣチツプ６のパツド部分７は、導電粒子１によつて電極９に接続される。このとき導電粒子１の粒径は均一であり、かつ導電粒子１は一列に配列しているので、接続抵抗等電気特性が均一化される。
　マイクロカプセルを用いる場合、ベースフイルムを用いることなく直接、接続部分に配置しても良い。例えばヒートローラ等で直接、あるいは所定の溶媒に分散した後、デイスペンサ、スプレー、スクリーン印刷等で基板の必要個所に単層に配置しても良い。」が記載されている。
（１ー４）第５頁左下欄１２行〜右下欄１行には
「〔発明の効果〕
以上述べたように、この発明によれば、粒径の均一な導電粒子によつて異方導電体を構成しているので、特別なスペーサを用いることなく、高分解能でかつ寸法精度の高い異方導電体を得ることができる。」が記載されている。
（２）上記引用例２には
（２ー１）特許請求の範囲の（１）に、
「１．相対峙して形成された接続用回路が電気的接続部材により相互に接続された回路の接続構造体において、絶縁部材が高分子重合体からなる核材のほゞ全表面を導電性の金属薄膜により実質的に被覆された導電性粒子と絶縁性接着剤とからなり、前記導電性粒子は相対峙する回路により押圧変形した状態で固定してなることを特徴とする回路の接続構造体。」が記載されている。
（２ー２）第５頁左下欄１１行〜右下欄５行には
「最適な接続状態を得るには、接続後の回路間隔（ｔ）に対する接続前の接続部材の厚み（Ｔ）の比を、ｔ／Ｔ＝０．０２〜０．９５の範囲内にすることが好ましい。このとき接続前の粒径Ｄなる導電性粒子が厚み方向に単粒子状で存在している場合においては接続後の粒径をｄとしてｄ／Ｄの比をｔ／Ｔと同様に用いることが出来る。ｔ／Ｔが０．０２以下では導電性粒子が破壊して金属導片が脱落し易くなり、またこの比が０．９５以上では回路あるいは導電性粒子との充分な面接触が得られないことから、満足すべき接続構造体とすることが出来ないので本発明の実施には好ましくない。
　上記理由から、ｔ／Ｔのさらに好ましい範囲は０．１０〜０．９０である。」が記載されている。
（２ー３）第６頁第１０〜末行には
「（作用）
　本発明に係る回路の接続構造体においては、導電性粒子が接続時の加圧あるいは加熱加圧により、導電性粒子相互あるいは導電回路部と接触して導電通路を形成する。このとき、高分子核材は加圧あるいは加熱加圧による接続操作時に軟化あるいは変形可能であるために回路面あるいは導電粒子相互間で押付けるように適度に変形し接触面積を大きく保つことが出来、良好な導電性と信頼性を得ることができる。」が記載されている。　
　
３．対比・判断
　記載事項「II．２．（１ー１）〜（１ー２）」を総合すれば、
　引用例１には、「ＩＣチツプ６のパッド部分７を基板１０の電極９上に固定する材料として、芯物質１１を懸濁重合した後、分級により粒径１０．０±０．２μｍとしたものを用い、膜厚は約９００Åのニッケルメッキ層１２を施すことにより、特定の直径に対して粒径の分布が±５％以内に収められた導電粒子を得、このマイクロカプセル化された導電粒子を、シート状に単層に配列し、粒径の均一な導電粒子によって異方導電体を形成することにより特別なスペーサを必要とせず、このシートを基板とチツプとの間に挿入し、加圧により、押圧変形することにより両者を接続する点」（以下、「引用発明１」という）が記載されているといえる。
　そこで、本願発明１（以下、前者という）と引用発明１（以下、後者という）とを対比すると、
　後者の「ＩＣチップ」、「パッド」、「電極」、「粒径１０．０±０．２μｍ」、「変形」、「押圧」、「マイクロカプセル化された導電粒子が、シート状に単層に配列」は、前者の「半導体素子」、「電極」、「配線パターン」、「粒径のばらつきが±１０％」、「弾性変形可能」、「加圧」、「導電粒子を含んだ樹脂であって、前記導電粒子が一層になる」にそれぞれ相当するから、両者は、「半導体素子の電極が形成された面と基板の配線パターンが形成された面とが向き合うように配置され、前記電極と前記配線パターンとが電気的に接続される半導体素子の実装方法であって、少なくとも前記半導体素子及び前記基板のいずれか一方に粒径のばらつきが±１０％であって弾性変形可能な導電粒子を含んだ樹脂を設ける工程と、前記半導体素子の電極及び前記基板の配線パターンとが前記導電粒子を介して電気的に接続されるように、前記半導体素子及び前記基板の少なくとも一方を加圧する工程と、を有し、前記加圧する工程では、前記半導体素子の電極と前記基板の配線パターンとの間に位置する前記導電粒子が一層になることを特徴とする半導体素子の実装方法」で一致し、以下の点で相違している。　　　
　相違点１；前者が、加圧する工程では、一層となった導電粒子が粒径の１０％以上潰れるのに対し、後者には潰れ量につき格別の記載がない点。
　以下検討する
　引用発明１は、導電粒子をもちいてＩＣチツプのパツド部分を基板の電極上に実装する方法に係るものであるところ、弾性変形可能な導電粒子を押圧変形する点については、引用例２の「II．２．（２）」に、「相対峙して形成された接続用回路が電気的接続部材により相互に接続された回路の接続構造体において、絶縁部材が高分子重合体からなる核材のほゞ全表面を導電性の金属薄膜により実質的に被覆された導電性粒子と絶縁性接着剤とからなり、前記導電性粒子は相対峙する回路により押圧変形した状態で固定してなることを特徴とする回路の接続構造体である」点、および、その変形比（ｄ／Ｄの比）について「加圧に際し、最適な接続状態を得るには、接続後の回路間隔（ｔ）に対する接続前の接続部材の厚み（Ｔ）の比を、ｔ／Ｔ＝０．０２〜０．９５の範囲内にすることが好ましい。このとき接続前の粒径Ｄなる導電性粒子が厚み方向に単粒子状で存在している場合においては接続後の粒径をｄとしてｄ／Ｄの比をｔ／Ｔと同様に用いることが出来る。ｔ／Ｔが０．０２以下では導電性粒子が破壊して金属導片が脱落し易くなり、またこの比が０．９５以上では回路あるいは導電性粒子との充分な面接触が得られないことから、満足すべき接続構造体とすることが出来ないので本発明の実施には好ましくない。上記理由から、ｔ／Ｔのさらに好ましい範囲は０．１０〜０．９０である。」点の記載がある。　
　そして、引用例１の「II．２．（１）（１−２）」および引用例２の「II．２．（２）（２−３）」からも明らかなように、加圧により信頼性の高い電気接続を行なうという点でも共通するものであるから、引用発明１において、導電粒子が粒径の１０％以上潰れる程度の圧力を加えることは、引用例２の記載事項から当業者が適宜なし得た程度である。
　したがって、相違点１は、引用例２に記載の技術的事項から当業者が容易に想到しうるものと認められる。
　
４．まとめ
　上記のとおりであるから、本願発明１は、引用例１、２に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　そして、本願発明１により奏される効果も、引用例１、２の記載から当業者が当然予測しうる程度のものであって、格別顕著であるとはいえない。
　
III．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項２〜７に係る発明ついて検討するまでもなく、本願発明１は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。