【事件の表示】
　平成　６年特許願第２２７３１５号「半導体装置の製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　８年　３月１２日出願公開、特開平　８−　６９９９１］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成６年８月２９日の出願であって、その請求項に係る発明は、平成１３年６月１２日付け及び平成１４年２月１５日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１により特定される下記のとおりのものであると認める。
「シリコン基板に多結晶シリコンゲート電極を形成する工程と、
　前記ゲート電極が形成されたシリコン基板上にシリコン酸化膜を堆積する工程と、
　ドライエッチング法により前記シリコン酸化膜を全面エッチングして前記ゲート電極の側壁のみにサイドスペーサとして残して前記シリコン基板及びゲート電極を露出させる工程と、
　露出した前記シリコン基板及びゲート電極の表面を紫外線照射によるオゾンアッシングにより処理する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」（以下、「本願発明」という。）
　なお本願発明の特定に当たり、「ゲート電極逆を露出させる工程」とあるのは、発明の詳細な説明の記載及び補正の経緯からみて、「ゲート電極を露出させる工程」の明らかな誤記であると認定した。
　
２．引用例
　これに対して、平成１３年１２月７日付けの拒絶の理由で引用され、本願出願前に頒布された刊行物である、特開昭６３−２０２９２０号公報（以下、「引用例１」という。）には、シリコン酸化膜を異方性のドライエッチングで除去した後の後処理について図面とともに開示されている。そして同公報には、次の事項が記載されている。
「このように異方性エッチングによるシリコン基板或いは多結晶シリコン層の直接開口または除去方法では異方性エッチングに用いられるエッチング・ガスの成分を含む汚染物質がシリコン基板或いは多結晶シリコン層の表面に堆積するので、その後の熱処理段階においてこの汚染物質がシリコン基板内に拡散する現象がおこり半導体素子の接合特性を劣化させるという問題が生じる。」（第１頁右下欄１１〜１８行）
「 以下、図面を参照して本発明を詳細に説明する。
　第１図（ａ）〜（ｃ）は本発明をＬＤＤトランジスタの製造に実施した場合の一実施例を示す製造工程図である。本実施例によれば、第１図（ａ）に示すように比抵抗１０Ω・ｃｍのＰ型シリコン基板１の表面には、膜厚５００Åのゲート酸化膜２および膜厚５０００Åの多結晶シリコン・ゲート電極３がまず形成され、ついで多結晶シリコン・ゲート電極３をマスクとするリンのイオン注入が行なわれ２つのｎ−拡散層４がそれぞれ形成される。このリンのイオン注入は例えば５０ｋｅＶ、５ＥＢｃｍ−２の条件で行なわれ、イオン注入後９００℃、３０分の押込拡散が実施される。つぎに第１図（ｂ）のように気相成長法によりシリコン酸化膜５が２０００Åの膜厚でウェハ全面に被着され、更にこのシリコン酸化膜５およびｎ−拡散層４上のゲート酸化膜２を異方性のドライ・エッチング法で除去すると、第１図（ｃ）に示すように多結晶シリコン・ゲート電極３の側面にはシリコン酸化膜のサイド・ウォール５ａが形成される。この異方性ドライエッチング後、時間約１００分の酸素（Ｏ２）プラズマ処理が行なわれ、この処理の完了をまってからヒ素が５０ｋｅＶ、５Ｅ１５の条件で多結晶シリコン・ゲート電極３およびサイド・ウォール５ａをマスクとして打込まれることによってｎ＋拡散層６がｎ−拡散層４内にそれぞれ形成される。
　本実施例によれば、異方性ドライエッチング工程の終了後酸素（Ｏ２）プラズマ処理が約１００分間にわたって充分行なわれるので、露出されたｎ−拡散層４の表面からエッチング・ガスを含む汚染物質は完全に近い程除去され極めて清浄化される。」（第２頁左上欄１４行〜左下欄８行）
　更に第１図（ｃ）の記載から、ゲート電極３の側壁のみにサイド・ウォール５ａを形成するとともに前記シリコン基板及びゲート電極を露出させている工程が読み取れる。
　以上第１図（ａ）〜（ｃ）を参酌してまとめると、引用例１には、
「Ｐ型シリコン基板１に多結晶シリコン・ゲート電極３を形成する工程と、
　前記ゲート電極３が形成されたシリコン基板上にシリコン酸化膜５を被着する工程と、
　ドライ・エッチング法により前記シリコン酸化膜５をエッチング法で除去して前記ゲート電極３の側壁のみにサイド・ウォール５ａを形成し前記シリコン基板及びゲート電極を露出させる工程と、
　露出した前記シリコン基板及びゲート電極の表面を酸素（Ｏ２）プラズマにより処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。」が記載されているものと認められる。
　同じく引用され、本願出願前に頒布された刊行物である、特開平５−１６００１４号公報（以下、「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。
「例えば下層レジストパターンをマスクにして酸化珪素のような絶縁膜をドライエッチングしてスルーホールを形成するような場合は、エッチングガスとしてフッ素系のガスを使用するため、エッチング後、下層レジストの表面やスルーホールの内部にフッ素や炭素などを含む反応生成物が付着し、これが下層レジスト表面の濡れ性を低下させる原因となる。
　その対策として、エッチング終了後、Ｏ２プラズマなどを用いたアッシングを行って下層レジストの表面などに付着した反応生成物を除去することが考えられるが、この方法では、反応生成物を充分に除去できないことが本発明者の検討によって明らかになった。」（段落０００７〜０００８）
「このとき、レジストパターン３の表面やスルーホール６の内部には、図２に示すように、フッ素や炭素などを含む反応生成物７が付着する。この反応生成物７は、レジストパターン３の表面の濡れ性を低下させる原因となる。
　そこで、本実施例では、上記エッチングを行った後、Ｏ２プラズマ、あるいはオゾンと紫外線とを用いて半導体ウエハ１の表面をアッシングし、次いでアルカリ水溶液などの現像液を用いて半導体ウエハ１の表面を洗浄することにより、レジストパターン３の表面やスルーホール６の内部に付着した反応生成物７を除去する。」（段落００２２〜００２３）
　
３．対比、判断
　引用例１記載の発明の構成と本願発明の構成とを対比する。引用例１記載の発明における「シリコン酸化膜５を被着する工程」及び「サイド・ウォール５ａ」は、それぞれ本願発明の「シリコン酸化膜を堆積する工程」及び「サイドスペーサ」に相当する。また引用例１記載の発明における「ドライ・エッチング法により前記シリコン酸化膜５をエッチング法で除去」することは、本願発明の「ドライエッチング法により前記シリコン酸化膜を全面エッチング」することに相当する。
　よって、両者は、
「シリコン基板に多結晶シリコンゲート電極を形成する工程と、
　前記ゲート電極が形成されたシリコン基板上にシリコン酸化膜を堆積する工程と、
　ドライエッチング法により前記シリコン酸化膜を全面エッチングして前記ゲート電極の側壁のみにサイドスペーサとして残して前記シリコン基板及びゲート電極を露出させる工程と、
　露出した前記シリコン基板及びゲート電極の表面を処理する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」の点で一致し、
露出した前記シリコン基板及びゲート電極の表面を処理するに当たって、本願発明では、「紫外線照射によるオゾンアッシングにより処理」しているのに対し、引用例１記載の発明では「酸素プラズマにより処理」している点で相違している。
　以下、上記相違点について検討する。
　まず引用例１において、露出したシリコン基板及びゲート電極の表面を処理する目的が、シリコン基板或いは多結晶シリコン層の表面に堆積した異方性エッチングに用いられるエッチング・ガスの成分を含む汚染物質の除去であり、ドライエッチング工程でシリコン表面に付着したポリマーの分解除去を目的とした本願発明と目的が共通していること。
　次に引用例２には、エッチングガスとしてフッ素系のガスを使用するため、エッチング後、下層レジストの表面やスルーホールの内部にフッ素や炭素などを含む反応生成物が付着するため、これを除去するためにＯ２プラズマ処理と並んでオゾンと紫外線とを用いて半導体ウエハ１の表面をアッシングする旨の技術事項が開示されていること。
  更に引用例２には、当業者が、引用例１のような製造工程の一部に「オゾンと紫外線とを用いて半導体ウエハ１の表面をアッシング」する技術を採用することを阻害するような特段の記載もないこと。（引用例２における「Ｏ２プラズマなどを用いたアッシングを行って下層レジストの表面などに付着した反応生成物を除去することが考えられるが、この方法では、反応生成物を充分に除去できない」旨の記載はＯ２プラズマなどを用いたアッシングの適用を全面的に否定するものではなく、阻害要因とはならない。Ｏ２プラズマを用いたアッシングが有効であることは、引用例１の記載からも明らかである。）
　及び露出したシリコン基板等の表面を処理するに当たって、一般にシリコン基板等にダメージを与えないような処理が好ましいことは、当業者にとって周知の技術事項であること。
　以上の点を勘案すれば、引用例１において、露出した前記シリコン基板及びゲート電極の表面を処理するために、酸素プラズマによる処理に代えて引用例２により公知の紫外線照射によるオゾンアッシングによる処理を採用することは、当業者であれば格別の創意工夫をすることなくなし得たものと認められる。
　
４．結論
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例１及び２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。