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　特願２０１１−１３５３５６「ＩＩＩ族窒化物発光ダイオード」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　２月１６日出願公開、特開２０１２−　３３８９３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．本願発明
　本願は、平成２３年６月１７日（パリ条約による優先権主張２０１０年７月２９日、米国）の出願であって、平成２５年５月１７日に手続補正がなされ、同年１１月１２日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２６年３月１９日に拒絶査定不服審判請求がなされると同時に手続補正がなされたものである。
　そして、その請求項に係る発明は、平成２６年３月１９日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１６に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１０に係る発明（以下「本願発明」という。）については、次のとおりである。
　
「発光ダイオードの製造方法であって、
第一電極の形成と、
複数個のｎ型窒化ガリウムナノロッドを有し、前記第一電極にオーミック接触されるｎ型窒化ガリウムナノロッドアレイの形成と、
各ｎ型窒化ガリウムナノロッド上に一個或いは複数個の窒化インジウムガリウムナノディスクの形成と、
複数個のｐ型窒化ガリウムナノロッドを有し、各ｐ型窒化ガリウムナノロッドは一個のｎ型窒化ガリウムナノロッドに対応されると共に、対応される各ｎ型窒化ガリウムナノロッド上方の前記窒化インジウムガリウムナノディスクの上方に形成されるｐ型窒化ガリウムナノロッドアレイの形成と、
前記ｐ型窒化ガリウムナノロッドアレイにオーミック接触される第二電極の形成を含み、プラズマ援用分子線エピタキシー法を利用して前記ｎ型窒化ガリウムナノロッド、前記ｐ型窒化ガリウムナノロッド、及び前記窒化インジウムガリウムナノディスクを製作することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。」
　　
２．引用例
（１）引用例の記載
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された特表２００８−５４４５６７号公報（以下「引用例１」という。）には、図とともに次の記載がある（下線は、当審による。）。
ア　「【０００１】
  本発明は、
発光ダイオード（ｌｉｇｈｔ　ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅ、以下、簡単にＬＥＤという）
発光ダイオード、その製造方法
　
イ　「【００３０】
  図１は、本発明の一実施例に係るＬＥＤの断面図であり、図２は、図１に示したＬＥＤの平面図である。
  図１及び図２を参照すれば、本実施例のＬＥＤは、サファイア基板１０上に、ｎ型ＧａＮバッファ層２０、アレイ状に配列された複数のＧａＮナノロッド３０、複数のＧａＮナノロッド３０の間を満たしている透明絶縁物層４１、透明電極６０、及び電極パッド５０、７０が形成されてなる。
【００３１】
  ｎ型ＧａＮバッファ層２０上にアレイ状に配列された複数のＧａＮナノロッド３０は、各々ｎ型ＧａＮナノロッド３１、ＩｎＧａＮ量子ウェル３３、及びｐ型ＧａＮナノロッド３５からなる。このＧａＮナノロッド３０は、実質的に均一な高さと直径を有し、ｎ型ＧａＮバッファ層２０に垂直になるように形成されている。
【００３２】
  基板１０上に形成されたｎ型ＧａＮバッファ層２０は、基板１０とｎ型ＧａＮナノロッド３１との格子定数不整合を緩衝し、またｎ型ＧａＮナノロッド３１に電極パッド５０を介して共通的に電圧を印加することができるようにする。
【００３３】
  ここで、ＩｎＧａＮ量子ウェル３３は、これがない単純なｐ−ｎ接合ダイオードに比べて高輝度の可視光を得ることができるようにする活性層であって、本実施例では、図３に示されたように、複数のＩｎＧａＮ層３３ａと複数のＧａＮバリア層３３ｂが交互に積層されて形成された多重量子ウェル構造を取っている。特に、後述するが、本実施例の多重量子ウェル３３のＩｎＧａＮ層３３ａとＧａＮバリア層３３ｂとの界面は、非常にきれい（ｃｌｅａｒ）であり、転位が殆どない。
【００３４】
  複数のＧａＮナノロッド３０の間は、透明絶縁物層４１によって満たされていて、各々のナノロッドを絶縁し、ナノロッドに加えられる可能性のある衝撃からナノロッドを保護する。また、透明絶縁物層４１は、各々のナノロッドに透明電極６０を共通的に接続するための下地層の役目をする。透明絶縁物層４１の材料としては、特に限定されないが、ナノロッドの間のギャップを十分に満たすことができ、形成が容易であり、ナノロッドの側壁発光（図１の左右方向の矢印を参照）に邪魔にならないように、透明なＳＯＧ、ＳｉＯ２、エポキシ又はシリコンが使用される。また、透明絶縁物層４１は、ｐ型ＧａＮナノロッド３５の高さより少し低く形成され、ｐ型ＧａＮナノロッドの先端部が透明電極６０に共通的に接続されるようにする。
【００３５】
  
透明電極６０は、共通的にオーム接触するｐ型ＧａＮナノロッド３５に電圧を印加することが可能
【００３６】
  
透明電極６０上の所定領域には、透明電極及び透明電極を介してｐ型ＧａＮナノロッドに電圧を印加するための端子として電極パッド７０が形成される
ｎ型ＧａＮバッファ層２０を介してｎ型ＧａＮナノロッド３１に電圧を印加するための電極パッド５０がｎ型ＧａＮバッファ層２０上に形成され、ｎ型ＧａＮバッファ層とオーム接触する
【００３７】
  このように構成された本実施例のＬＥＤの２つの電極パッド５０、７０に直流電圧を印加すれば（電極パッド７０に＋電圧を、電極パッド５０に−電圧又は接地電位を印加）、図１に示すように、各々がナノＬＥＤと言えるナノロッドの側壁方向及び垂直方向に高輝度の光が放出される。」
　
ウ　「【００４７】
  次に、前述したような本実施例の
ＬＥＤを製造する方法
【００４８】
  まず、ＧａＮをエピタキシャル成長法で成長させる方法を説明する。エピタキシャル層を成長させる方法として、大きくは、ＶＰＥ（Ｖａｐｏｒ　Ｐｈａｓｅ　Ｅｐｉｔａｘｉａｌ、気相エピタキシャル）成長法、ＬＰＥ（Ｌｉｑｕｉｄ　Ｐｈａｓｅ　Ｅｐｉｔａｘｉａｌ、液相エピタキシャル）成長法、ＳＰＥ（Ｓｏｌｉｄ　Ｐｈａｓｅ　Ｅｐｉｔａｘｉａｌ、固相エピタキシャル）成長法が挙げられる。ここで、ＶＰＥは、反応ガスを基板上に流しながら熱による分解と反応を通じて基板上に結晶を成長させるものであって、反応ガスの原料形態によって、さらに水素化物ＶＰＥ（ｈｙｄｒｉｄｅ　ＶＰＥ、ＨＶＰＥ）、ハロゲン化物ＶＰＥ（ｈａｌｉｄｅ　ＶＰＥ）、有機金属ＶＰＥ（ｍｅｔａｌ　ｏｒｇａｎｉｃ　ＶＰＥ、ＭＯＶＰＥ）などに分類することができる。
【００４９】
  本実施例では、有機金属水素化物気相エピタキシャル（ＭＯ−ＨＶＰＥ、ｍｅｔａｌ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｈｙｄｒｉｄｅ　ＶＰＥ）成長法でＧａＮ層とＩｎＧａＮ／ＧａＮ量子ウェルを形成するものとして説明するが、本発明が必ずこの方法に限定されるものではなく、適切な他の成長法、例えばＭＢＥ（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　ｂｅａｍ　ｅｐｉｔａｘｙ）又はＭＯＣＶＤ（ｍｅｔａｌ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）でＧａＮ層とＩｎＧａＮ／ＧａＮ量子ウェルを形成することもできる。
【００５０】
  Ｇａ、Ｉｎ、及びＮの前駆体（ｐｒｅｃｕｒｓｏｒ）として、それぞれＧａＣｌ、トリメチルインジウム（ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｉｎｄｉｕｍ、ＴＭＩ）、及びＮＨ３を使用する。ＧａＣｌは、金属ガリウムとＨＣｌを６００〜９５０℃の温度で反応させることによって得ることができる。また、ｎ型ＧａＮナノロッド及びｐ型ＧａＮナノロッドを成長させるためにドーピングされる不純物元素は、各々Ｓｉ及びＭｇであって、これらは、それぞれＳｉＨ４及びＣｐ２Ｍｇ（Ｂｉｓ（ｃｙｃｌｏｐｅｎｔａｄｉｅｎｙｌ）ｍａｇｎｅｓｉｕｍ）の形態で供給される。
【００５１】
  以下、図４乃至図７を参照して本実施例のＬＥＤを製造する方法を詳細に説明する。
【００５２】
  まず、図４に示すように、サファイア基板１０を反応器（不図示）内に装入し、基板１０上にｎ型ＧａＮバッファ層２０を形成する。この際、ｎ型ＧａＮバッファ層２０は、前述したように、Ｓｉをドーピングすることによって形成することもできるが、人為的なドーピングなしに成長されたＧａＮは、窒素空孔（ｎｉｔｒｏｇｅｎ　ｖａｃａｎｃｙ）や酸素不純物などによって基本的にｎ型の特性を有する性質を利用して、人為的なドーピングなしに４００〜５００℃の温度と大気圧又は若干の陽圧で５０〜６０分間Ｇａ及びＮの前駆体をそれぞれ３０〜７０ｓｃｃｍ及び１０００〜２０００ｓｃｃｍの流量で供給することによって、略１．５μｍ程度の厚さのｎ型ＧａＮバッファ層２０を成長させることができる。
【００５３】
  次に、図５に示すように、複数のナノロッド３０からなるナノロッドアレイを形成するが、この過程は、上記のｎ型ＧａＮバッファ層２０を成長させた反応器内で、連続的にインサイチュで行われることが好ましい。具体的には、まず、ｎ型ＧａＮナノロッド３１を成長させるが、４００〜６００℃の温度と大気圧又は若干の陽圧で２０〜４０分間Ｇａ及びＮの前駆体をそれぞれ３０〜７０ｓｃｃｍ及び１０００〜２０００ｓｃｃｍの流量で反応器内に供給し、同時にＳｉＨ４をそれぞれ５〜２０ｓｃｃｍの流量で供給することによって、略０．５μｍ高さの
ｎ型ＧａＮナノロッド３１をｎ型ＧａＮバッファ層２０に垂直な方向に成長させ
【００５４】
  一方、通常的に高温（例えば１０００℃又はそれ以上）でＧａＮを成長させれば、初期に形成されるＧａＮのシード（ｓｅｅｄ）が上側方向だけでなく、側方向にも急速に成長し、ナノロッドではない薄膜形状に成長される。この時、シードとシードが側方向に成長して会った境界で必然的に転位が発生し、この転位は、薄膜の厚さ方向成長に伴って、厚さ方向に伝播され、貫通転位が発生する。しかし、上記本実施例のように、工程条件を維持すれば、別途の触媒やテンプレートがなくても、シードが主に上側方向に成長し、実質的に均一な高さと直径を有する
複数のｎ型ＧａＮナノロッド３１を成長させる
【００５５】
  次いで、ｎ型ＧａＮナノロッド３１上にＩｎＧａＮ量子ウェル３３を成長させるが、この過程もやはりｎ型ＧａＮバッファ層２０を成長させた反応器内で、連続的にインサイチュで行われることが好ましい。具体的には、４００〜５００℃の温度と大気圧又は若干の陽圧でＧａ、Ｉｎ及びＮの前駆体をそれぞれ３０〜７０ｓｃｃｍ、１０〜４０ｓｃｃｍ及び１０００〜２０００ｓｃｃｍの流量で反応器に供給する。これにより、
ｎ型ＧａＮナノロッド３１の上にそれぞれＩｎＧａＮ量子ウェル３３が形成される
決定する要素となるので、所望の波長の光に適当な厚さを設定し、それによって成長時間を決定すればよい。また、発光波長は、Ｉｎの量によっても変わるので、所望の波長によって各前駆体の供給する割合を調整してＩｎ含量を調整する。
【００５６】
  ＩｎＧａＮ量子ウェル３３は、図３に示したように、複数のＩｎＧａＮ層３３ａと複数のＧａＮバリア層３３ｂが交互に積層されて形成された多重量子ウェル構造を有するように形成され、これは、Ｉｎ前駆体の供給と遮断を各々所定の時間の間に周期的に繰り返すことによって得ることができる。
【００５７】
  次に、
ＩｎＧａＮ量子ウェル３３の上にｐ型ＧａＮナノロッド３５を成長させ
【００５８】
  図８は、このように成長させたナノロッド３０アレイの走査顕微鏡写真である。図８から分かるように、本実施例の方法によって成長されたＩｎＧａＮ量子ウェルを含むナノロッド３０は、ほぼ均一な高さと直径を有し、非常に高密度で成長されている。前述した工程条件によって成長されるナノロッド３０の平均直径は、量子ウェル３３が形成された部位で約７０〜９０ｎｍになり、ナノロッド３０の間の平均ギャップは、１００ｎｍ程度になる。
【００５９】
  このようにナノロッド３０のアレイを形成した後、図６に示したように、ナノロッド３０の間のギャップを透明絶縁物層４１で満たす。この時に使用される透明絶縁物としては、ＳＯＧ、ＳｉＯ２、エポキシ又はシリコンが使用することができ、ＳＯＧの場合、スピンコーティング及び硬化過程を経ることによって、図６に示されたような構造を得る。この時、ＳＯＧを使用してギャップを満たす時には、ギャップが完全に満たされるようにナノロッド３０の間のギャップが８０ｎｍ以上になることがよい。一方、透明絶縁物層４１の厚さは、ナノロッド３０の高さより少し低くする。
【００６０】
  次に、図７に示すように、電圧を印加するための電極パッド５０、７０と透明電極６０を形成することによって、ＩｎＧａＮ量子ウェルを備えたナノロッドアレイ構造のＧａＮ  ＬＥＤを完成する。具体的には、図６の状態でｎ型ＧａＮナノロッド３１に電圧を印加する電極パッド５０を形成するために、ｎ型ＧａＮバッファ層２０が一部露出するように、透明絶縁物層４１及びナノロッド３０の一部を除去する。次いで、
ｎ型ＧａＮバッファ層２０が一部露出した領域にリフト−オフ法を利用して電極パッド５０を形成する
透明電極６０と電極パッド７０を形成する
　
（２）引用発明
　上記ア及びイを踏まえてウをみれば、引用例１には、
「複数のｎ型ＧａＮナノロッド３１をｎ型ＧａＮバッファ層２０上に成長させ、
　ｎ型ＧａＮナノロッド３１の上にそれぞれＩｎＧａＮ量子ウェル３３を形成し、
　ＩｎＧａＮ量子ウェル３３の上にｐ型ＧａＮナノロッド３５を成長させ、
　ｎ型ＧａＮバッファ層２０が一部露出した領域にｎ型ＧａＮバッファ層とオーム接触する電極パッド５０を形成し、
　ｐ型ＧａＮナノロッド３５に共通的にオーム接触し電圧を印加することが可能な透明電極６０と、透明電極を介してｐ型ＧａＮナノロッドに電圧を印加するための端子としての電極パッド７０を形成する
　発光ダイオードの製造方法。」（以下「引用発明」という。）
が記載されているものと認められる。
　　　　　
３．対比
　本願発明と引用発明を対比する。
（１）本願発明も引用発明もともに「発光ダイオードの製造方法」の点で一致する。
（２）引用発明において「電極パッド５０を形成」することは、本願発明の「第一電極の形成」に相当する。
（３）引用発明の「複数のｎ型ＧａＮナノロッド３１」が、本願発明の「複数個のｎ型窒化ガリウムナノロッド」に相当するところであり、引用発明において、「複数のｎ型ＧａＮナノロッド３１」は「ｎ型ＧａＮバッファ層２０上に成長」され、「ｎ型ＧａＮバッファ層２０」と「電極パッド５０」は「オーム接触」しているから、引用発明において「複数のｎ型ＧａＮナノロッド３１をｎ型ＧａＮバッファ層２０上に成長させ」ることは、本願発明の「複数個のｎ型窒化ガリウムナノロッドを有し、前記第一電極にオーミック接触されるｎ型窒化ガリウムナノロッドアレイの形成」に相当する（なお、本願発明の「第一電極にオーミック接触されるｎ型窒化ガリウムナノロッドアレイ」に関し、本願明細書の【００１５】には、「チタン／金電極２はｎ型ＧａＮナノロッドアレイ３に直接接触されるのではなく、シリコン基板１とｎ型ＧａＮナノロッドアレイ３によりオーミック接触される」と記載されている。）。
（４）引用発明の「ＩｎＧａＮ量子ウェル３３」が、本願発明の「窒化インジウムガリウムナノディスク」に相当するところであり、引用発明において「ｎ型ＧａＮナノロッド３１の上にそれぞれＩｎＧａＮ量子ウェル３３を形成」することは、本願発明の「各ｎ型窒化ガリウムナノロッド上に一個或いは複数個の窒化インジウムガリウムナノディスクの形成」に相当する。
（５）引用発明の「ｐ型ＧａＮナノロッド３５」が本願発明の「ｐ型窒化ガリウムナノロッド」に相当するところであり、引用発明において「ＩｎＧａＮ量子ウェル３３の上にｐ型ＧａＮナノロッド３５を成長させ」ることは、本願発明の「複数個のｐ型窒化ガリウムナノロッドを有し、各ｐ型窒化ガリウムナノロッドは一個のｎ型窒化ガリウムナノロッドに対応されると共に、対応される各ｎ型窒化ガリウムナノロッド上方の前記窒化インジウムガリウムナノディスクの上方に形成されるｐ型窒化ガリウムナノロッドアレイの形成」に相当する。
（６）引用発明の「透明電極６０」は、「ｐ型ＧａＮナノロッド３５に共通的にオーム接触」するものであるから、本願発明の「第二電極」に相当するところであり、引用発明において「透明電極６０」を形成することは、本願発明の「前記ｐ型窒化ガリウムナノロッドアレイにオーミック接触される第二電極の形成」に相当する。
（７）以上のことから、両者は、
「発光ダイオードの製造方法であって、
第一電極の形成と、
複数個のｎ型窒化ガリウムナノロッドを有し、前記第一電極にオーミック接触されるｎ型窒化ガリウムナノロッドアレイの形成と、
各ｎ型窒化ガリウムナノロッド上に一個或いは複数個の窒化インジウムガリウムナノディスクの形成と、
複数個のｐ型窒化ガリウムナノロッドを有し、各ｐ型窒化ガリウムナノロッドは一個のｎ型窒化ガリウムナノロッドに対応されると共に、対応される各ｎ型窒化ガリウムナノロッド上方の前記窒化インジウムガリウムナノディスクの上方に形成されるｐ型窒化ガリウムナノロッドアレイの形成と、
前記ｐ型窒化ガリウムナノロッドアレイにオーミック接触される第二電極の形成を含む、発光ダイオードの製造方法。」の点で一致する。
（８）一方、両者は、次の点で相違する。
　本願発明は、「プラズマ援用分子線エピタキシー法を利用して前記ｎ型窒化ガリウムナノロッド、前記ｐ型窒化ガリウムナノロッド、及び前記窒化インジウムガリウムナノディスクを製作する」のに対し、引用発明は、ｎ型ＧａＮナノロッド３１、ＩｎＧａＮ量子ウェル３３及びｐ型ＧａＮナノロッド３５の製作について、プラズマ援用分子線エピタキシー法を利用するのか不明な点。
　
４．判断
　上記相違点について検討する。
　引用例１には、ｎ型ＧａＮナノロッド３１、ＩｎＧａＮ量子ウェル３３及びｐ型ＧａＮナノロッド３５の製作に関し、
「【００４８】
  まず、ＧａＮをエピタキシャル成長法で成長させる方法を説明する。エピタキシャル層を成長させる方法として、大きくは、ＶＰＥ（Ｖａｐｏｒ　Ｐｈａｓｅ　Ｅｐｉｔａｘｉａｌ、気相エピタキシャル）成長法、ＬＰＥ（Ｌｉｑｕｉｄ　Ｐｈａｓｅ　Ｅｐｉｔａｘｉａｌ、液相エピタキシャル）成長法、ＳＰＥ（Ｓｏｌｉｄ　Ｐｈａｓｅ　Ｅｐｉｔａｘｉａｌ、固相エピタキシャル）成長法が挙げられる。ここで、ＶＰＥは、反応ガスを基板上に流しながら熱による分解と反応を通じて基板上に結晶を成長させるものであって、反応ガスの原料形態によって、さらに水素化物ＶＰＥ（ｈｙｄｒｉｄｅ　ＶＰＥ、ＨＶＰＥ）、ハロゲン化物ＶＰＥ（ｈａｌｉｄｅ　ＶＰＥ）、有機金属ＶＰＥ（ｍｅｔａｌ　ｏｒｇａｎｉｃ　ＶＰＥ、ＭＯＶＰＥ）などに分類することができる。
【００４９】
  本実施例では、有機金属水素化物気相エピタキシャル（ＭＯ−ＨＶＰＥ、ｍｅｔａｌ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｈｙｄｒｉｄｅ　ＶＰＥ）成長法でＧａＮ層とＩｎＧａＮ／ＧａＮ量子ウェルを形成するものとして説明するが、本発明が必ずこの方法に限定されるものではなく、適切な他の成長法、例えばＭＢＥ（ｍｏｌｅｃｕｌａｒ　ｂｅａｍ　ｅｐｉｔａｘｙ）又はＭＯＣＶＤ（ｍｅｔａｌ　ｏｒｇａｎｉｃ　ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）でＧａＮ層とＩｎＧａＮ／ＧａＮ量子ウェルを形成することもできる。」と記載されている。
　この記載によれば、引用発明におけるｎ型ＧａＮナノロッド３１、ＩｎＧａＮ量子ウェル３３及びｐ型ＧａＮナノロッド３５の製作には、ＧａＮ層を成長させる方法が適用可能であると認められるところ、原査定の理由に引用された「CHEN Hung-Ying et al.，Applied Physics Letters，２００６年１２月１１日，Vol.89，p.243105-1-243105-3」（以下「引用例２」という。）には、プラズマ援用分子線エピタキシー法を利用して窒化ガリウムナノロッドを成長させる発明が記載されているから、引用発明におけるｎ型ＧａＮナノロッド３１、ＩｎＧａＮ量子ウェル３３及びｐ型ＧａＮナノロッド３５の製作を引用例２に記載されるプラズマ援用分子線エピタキシー法を利用して行うようにすることに格別の困難性は認められない。
　
５．むすび
　したがって、本願発明は、引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。