【事件の表示】
　特願２０１１−５３３９１０「成長用基板が取り外された直列接続フリップチップＬＥＤ」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　５月１４日国際公開、ＷＯ２０１０／０５２６２２、平成２４年　３月２９日国内公表、特表２０１２−５０７８４８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００９年１０月２９日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００８年１１月６日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年５月９日に手続補正書が提出され、平成２５年１０月１７日付けで拒絶理由が通知され、それに対して、平成２６年４月２２日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年５月１日付けで拒絶査定がなされた。
　それに対して、同年９月１２日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出された。
　
第２　平成２６年９月１２日に提出された手続補正書による補正についての却下の決定
［補正の却下の決定の結論］ 
　平成２６年９月１２日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）を却下する。 
 　 
［理由］ 
１　本件補正の内容
　本件補正は、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし１４を、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし１４とするものであり、補正前後の請求項１１は、それぞれ次のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１１】
　直列接続する複数の発光ダイオード(LED)を有するモジュールであって：
　電気的に分離された個々のLEDであって、各LEDは、n型層、活性層、及びp型層を有する、個々のLED；
　前記個々のLEDを一つになるように機械的に結合させる前記個々のLED間に設けられ、前記成長用基板全体にわたってエピタキシャル成長し、かつ前記活性層と前記成長用基板が除去された表面との間に位置する半絶縁性分離領域；並びに、
　前記個々のLEDを直列に接続する金属パターン；
　を有するモジュール。」
　
（補正後）
「【請求項１１】
　直列接続する複数の発光ダイオード(LED)を有するモジュールであって：
　電気的に分離された個々のLEDであって、各LEDは、n型層、活性層、及びp型層を有する、個々のLED；
　前記個々のLEDを一つになるように機械的に結合させる前記個々のLED間に設けられ、前記成長用基板全体にわたってエピタキシャル成長し、かつ前記活性層と前記成長用基板が除去された表面との間に位置する半絶縁性分離領域；並びに、
　前記個々のLEDを直列に接続する金属パターン；
　を有し、
　前記半絶縁性分離領域は、少なくとも一部がイオン注入によって生成され、
　前記イオン注入によって、前記半絶縁性分離領域の結晶構造中に欠陥が生成される、
　モジュール。」
　
２　本件補正についての検討
（１）補正事項１
　本件補正の内容（以下「補正事項１」という。）は次のとおりである。
　
　補正前の請求項１１に記載された「金属パターン；　を有する」を、「金属パターン；　を有し、　前記半絶縁性分離領域は、少なくとも一部がイオン注入によって生成され、　前記イオン注入によって、前記半絶縁性分離領域の結晶構造中に欠陥が生成される、」と、記載を付加して、補正後の請求項１１とする。
　
（２）新規事項の追加の有無について
ア　補正事項１について
（ア）本願の願書に最初に添付された明細書等の記載
　本願の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲または図面（以下「当初明細書等」という。）には、補正事項１、すなわち、「前記半絶縁性分離領域は、少なくとも一部がイオン注入によって生成され、　前記イオン注入によって、前記半絶縁性分離領域の結晶構造中に欠陥が生成される」に関連して、以下の事項が記載されている（下線は合議体が付加した。以下同じ。）。
・「【００１５】
　他の実施例では、SI-GaN層を成長させる代わりに、p型、n型、又はドーピングされていない
GaN層が、前記サファイア基板上で成長し、それに続いてブランケットイオン注入が行われる
前記イオン注入は、前記GaN層の結晶構造中に欠陥を生成することで、前記GaN層を半絶縁性にする
前記基板は
各モジュールから取り外される
前記SI-GaN層は
前記基板が取り外された後、前記LEDに対する機械的支持を供する
・「【００１６】
　他の実施例では、
LED層は前記基板上で成長する
続いて、前記p型層と活性層を貫通して、前記n型層を部分的に入り込む溝が生成される
前記基板は
取り外される
前記の曝露された表面は、前記溝が終端する地点までイオン注入される
それにより前記n型層の上部は半絶縁性となる
半絶縁性部分は、支持をするため、前記LEDを一つにするように機械的に接続させる
・「【００１７】
　他の実施例では、
LED層が前記基板上で成長し
前記LEDの境界領域へイオンが注入されることで、前記LEDの上記部分は半絶縁性となる
前記LEDは、前記のイオン注入された領域によって機械的に接続される
・「【００５９】
　図11Aは
サファイア基板82全体にわたって成長するGaN層80
続いてイオン83を層80へ注入するためのイオン注入が行われる
イオン注入は、層80の結晶構造中に欠陥を生成することによって、層80を半絶縁性にする
・「【００６５】
　図12A及び図12Bは、
個々のLED間に機械的に支持する層を生成するのにイオン注入を用いる
n型層84、活性層86、及びp型層88が基板82全体にわたって成長する
p型層88と活性層86を貫通してn型層84へ部分的に入り込む溝96が形成される
【００６６】
　図12Bでは、フリップチップを形成するのに金属コンタクト26と42が生成され、かつダイシング後、LEDモジュールはサブマウントウエハ44上に載置される。続いて
基板は
取り外される
イオン102が注入される
それによりn型層の上部から溝96が終端するところまでの領域が半絶縁性となる
・「【００６７】
　図13は、LEDを分離するように形成される溝が存在しない他の実施例を図示している。
LED層84、86、及び88は基板82全体にわたって成長する
続いてイオン106が十分高いエネルギーで注入されることで、境界領域内の層84、86、及び88の結晶構造中に欠陥を生成することで、これらの境界領域を半絶縁性にする
・「【００７１】
　図14は、溝の有無に関係なく、イオン注入を用いてLEDを電気的に分離するプロセスを広範に記載するフローチャートである。
【００７２】
　工程110では、
LED層が基板全体にわたってエピタキシャル成長する
【００７３】
　工程112では、イオン注入によって、また場合によっては図11A〜図13で説明した溝によって、LEDは互いに電気的に分離される。いずれの場合においても、
個々のLEDは、イオン注入によって形成される半絶縁層によって機械的に一つに接続される
（イ）当初明細書等の記載についての検討
　上記摘記事項を参照すると、当初明細書等の段落【００１５】及び【００５９】、図11A〜11Cには、サファイア基板全体にわたって成長したGaN層へイオン注入を行い、結晶構造中に欠陥を生成することによって、GaN層を半絶縁性にすること、段落【００１６】及び【００６５】〜【００６６】、図12A、12Bには、n型層、活性層、及びp型層を基板全体にわたって形成し、p型層と活性層を貫通してn型層へ部分的に入り込む溝を形成し、基板を取り外し、イオンが注入されることによりn型層の上部から溝が終端するところまでの領域を半絶縁性とすること、段落【００１７】及び【００６７】、図13には、LED層を基板全体にわたって成長し、LED間の境界領域へイオンが注入されることで、これらの境界領域を半絶縁性にすること、並びに、段落【００７１】〜【００７３】には、LED層を基板全体にわたってエピタキシャル成長し、個々のLEDを、イオン注入によって形成される半絶縁層によって機械的に一つに接続することが、それぞれ開示されている。
　以上の事項から、当初明細書等には、イオン注入によって結晶構造中に欠陥を生成することで、イオンが注入された層または領域を半絶縁性にすることが記載されている。
　したがって、当初明細書等には、「『半絶縁性領域』は、その全てが『イオン注入によって生成され』」た」ものであることが開示されているといえる。
　他方、本件補正後の請求項１１には、「前記半絶縁性分離領域は、
少なくとも一部が
　しかしながら、上記で検討したとおり、当初明細書等には、「『半絶縁性領域』は、その全てが『イオン注入によって生成され』」た」ものであることが開示されているものの、「『半絶縁性領域』が、イオン注入によって生成された『少なくとも一部』と、それ以外の部分とからなるもの」は記載されておらず、したがって、補正後の請求項１１に記載された「前記半絶縁性分離領域は、少なくとも一部がイオン注入によって生成され」ることは当初明細書等に記載も示唆もされているとはいえず、かつ、当初明細書等の記載からみて自明な事項であるとも認められない。
　したがって、補正事項１は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものといえるから、当初明細書等に記載した事項の範囲内においてなされたものではない。
　
イ　新規事項の追加の有無についてのまとめ
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。
（３）独立特許要件について
ア　検討の前提
　上記（２）において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていないが、補正事項１は、請求項に発明特定事項を更に追加するものであるから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当するものと解する余地もあることから、本件補正による補正後の特許請求の範囲の請求項１１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）について、念のため検討する。 
　
イ　本件補正後の発明 
　本件補正後の請求項１１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、上記「１　本件補正の内容」の「（補正後）」の記載からみて、以下のとおりと認める。
　
「【請求項１１】
　直列接続する複数の発光ダイオード(LED)を有するモジュールであって：
　電気的に分離された個々のLEDであって、各LEDは、n型層、活性層、及びp型層を有する、個々のLED；
　前記個々のLEDを一つになるように機械的に結合させる前記個々のLED間に設けられ、成長用基板全体にわたってエピタキシャル成長し、かつ前記活性層と前記成長用基板が除去された表面との間に位置する半絶縁性分離領域；並びに、
　前記個々のLEDを直列に接続する金属パターン；
　を有し、
　前記半絶縁性分離領域は、少なくとも一部がイオン注入によって生成され、
　前記イオン注入によって、前記半絶縁性分離領域の結晶構造中に欠陥が生成される、
　モジュール。」
　なお、請求項１１には、「前記成長用基板全体にわたって」と記載されているが、「成長用基板全体」は、「前記」されていないので、「前記成長用基板全体にわたって」は「成長用基板全体にわたって」の誤記と認め、補正発明を上記のように認定した。
　
ウ　特許法第３６条第１項及び第２項に規定する要件（特許請求の範囲の記載不備）について
（ア）請求項１１には、「前記個々のLEDを一つになるように機械的に結合させる前記個々のLED間に設けられ、前記成長用基板全体にわたってエピタキシャル成長し、かつ前記活性層と前記成長用基板が除去された表面との間に位置する半絶縁性分離領域」、「前記半絶縁性分離領域は、
少なくとも一部が
　
（イ）一方、本願の明細書には、次のように記載されている。
・「【００１５】
　他の実施例では、SI-GaN層を成長させる代わりに、p型、n型、又はドーピングされていない
GaN層が、前記サファイア基板上で成長し、それに続いてブランケットイオン注入が行われる
前記イオン注入は
前記GaN層を半絶縁性にする
前記基板は
各モジュールから取り外される
前記SI-GaN層は
前記基板が取り外された後、前記LEDに対する機械的支持を供する
【００１６】
　他の実施例では、
LED層は前記基板上で成長する
前記基板は
取り外される
前記の曝露された表面は、前記溝が終端する地点までイオン注入される
それにより前記n型層の上部は半絶縁性となる
半絶縁性部分は、支持をするため、前記LEDを一つにするように機械的に接続させる
【００１７】
　他の実施例では、LED層が前記基板上で成長し、かつ前記LED層は、LED間の境界を曝露するようにマスクされる。続いて
前記p型層、活性層、及びn型層を介して前記LEDの境界領域へイオンが注入されることで、前記LEDの上記部分は半絶縁性となる
　
・「【００５９】
　図11Aは
サファイア基板82全体にわたって成長するGaN層80
イオン83を層80へ注入するためのイオン注入が行われる
イオン注入は
層80を半絶縁性にする
・「【００６６】
　図12Bでは、フリップチップを形成するのに金属コンタクト26と42が生成され、かつダイシング後、LEDモジュールはサブマウントウエハ44上に載置される。続いて
基板は
取り外される
イオン102が注入される
それによりn型層の上部から溝96が終端するところまでの領域が半絶縁性となる
・「【００６７】
　図13は、LEDを分離するように形成される溝が存在しない他の実施例を図示している。
LED層84、86、及び88は基板82全体にわたって成長する
イオン106が十分高いエネルギーで注入されることで、境界領域内の層84、86、及び88の結晶構造中に欠陥を生成することで、これらの境界領域を半絶縁性にする
　
（ウ）上記摘記事項を参照すると、段落【００５９】に記載の「半絶縁性にされた『層80』」、段落【００６６】に記載の「半絶縁性となされた『n型層の上部から溝96が終端するところまでの領域』」、並びに段落【００６７】に記載の「半絶縁性にされた『境界領域内の層84、86、及び88』」は、いずれも「イオン注入によって生成され」たものであるといえる。
　
　他方、請求項１１には、「前記半絶縁性分離領域は、
少なくとも一部が
　しかしながら、「『
半絶縁性
　したがって、補正発明は、発明の詳細な説明に記載されたものとは認められない。
　また、図11A〜11C、12A、12B、13を参酌しても、請求項１１に記載された「前記半絶縁性分離領域は、
少なくとも一部
　よって、補正発明は、明確でない。
（エ）以上のとおり、この出願は、特許請求の範囲の記載が上記のとおり不備であるから、特許法第３６条第６項第１項及び第２号に規定する要件を満たさず、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
エ　特許法第２９条第２項に規定する要件（進歩性）について
（ア）引用例の記載と引用発明
ａ　引用例１：国際公開第２００８／０９１８３７号
　本願の優先権主張の日前に外国において頒布された刊行物である国際公開第２００８／０９１８３７号（以下「引用例１」という。）には、「FAULT TOLERANT LIGHT EMITTERS, SYSTEMS INCORPORATING FAULT TORELANT LIGHT EMITTERS AND METHODS OF FABRICATING FAULT TOLERANT LIGHT EMITTERS」（Title）に関して、Fig. 1ないしFig. 14とともに以下の事項が記載されている（下線は合議体が付与した。なお、日本語訳として、ファミリ文献特開２０１０−５１７２７３号公報の記載を用いた。段落番号は当該公報に記載の段落番号である。）。
（ａ）「
Field of the Invention(s)
　　The present inventive subject matter relates to light emitters, systems incorporating such light emitters, and methods of making such light emitters and systems. In particular, the present inventive subject matter is directed to fault tolerant light emitters, systems incorporating them, and methods of making them.」（第１ページ第１１〜１５行）
（「【０００２】
（発明の分野）
　本発明の主題は、発光体、そのような発光体を含むシステムおよびそのような発光体およびシステムを作製する方法に関する。特に本発明の主題は、フォールト・トレラント発光体、それらを含むシステムおよびそれらを作製する方法を指向する。」）
　
（ｂ）「
Detailed Description of the Invention(s
　　The present inventive subject matter now will be described more fully hereinafter with reference to the accompanying drawings, in which embodiments of the inventive subject matter are shown.…（略）…
　　According to the present inventive subject matter, there is provided a higher voltage, lower cuirent device, so that the system benefits can be obtained. While the discussion herein frequently refers to LEDs, the present inventive subject matter is applicable to all types of light emitting devices, e.g. , solid state light emitting devices, a variety of which are well-known to those skilled in the art. Such solid state light emitting devices include inorganic and organic light emitters Examples of types of such light emitting devices include a wide variety of light emitting diodes (inorganic or organic, including polymer light emitting diodes (PLEDs)), laser diodes, thin film electroluminescent devices, light emitting polymers (LEPs), a variety of each of which are well-known in the art.
　　According to the present inventive subject matter, instead of using a single P/N junction, the device is made into multiple regions so that each isolated region can be series connected to obtain the desired arrangements that provide higher voltage operation and fault tolerance in the device. In this way, a large area (single component) can be used with the benefit of placing (or packaging) fewer chips while still obtaining the best overall system performance.」（第２０ページ第１３行〜第２３ページ第１行）
（「【００５５】
（発明の詳細な説明）
　ここで本発明の主題について、これ以降、本発明の主題の実施の形態が示されている添付図面を参照しながらより完全に説明する。…（略）…
【００６２】
　本発明の主題によれば、システムとしての利点が得られる高電圧、低電流のデバイスが提供される。ここでの議論はしばしばＬＥＤに言及するが、本発明の主題は、すべてのタイプの発光デバイス、例えば多様なものが当業者によく知られている固体発光デバイスにも適用可能である。そのような固体発光デバイスには無機および有機の発光体が含まれる。そのような発光デバイスのタイプの例には、多様な発光ダイオード（無機又は有機で、ポリマー発光ダイオード（ＰＬＥＤ）を含む）、レーザ・ダイオード、薄膜エレクトロルミネッセント・デバイス、発光ポリマー（ＬＥＰ）など、それぞれが当業者に良く知られた多様なものが含まれる。
【００６３】
　本発明の主題によれば、単一のＰ／Ｎ接合を使用する代わりに、デバイスは複数の領域に作りこまれ、それによって各々の分離された領域が直列に接続されることによって、デバイス中に高電圧動作およびフォールト・トレランスを提供する望ましい構成が得られる。このようなやり方で、システム全体で最良の性能を保ちつつ大面積（単一部品）を使用して、より少ないチップを配置（又はパッケージング）する利点が得られる。」）
　
（ｃ）「Fig. 1 depicts a representative light emitter 10 having multiple interconnected regions 12. The light emitter 10 of Fig. 1 may provide a high voltage light emitter having a relatively small area. However, the manufacturability of such a light emitter may depend on the composition of the respective regions and how the respective regions of the light emitter are electrically interconnected. For example, if the regions are individual light emitting diodes connected serially as described in Fig. 2, such a light emitter may be difficult to fabricate in that failure of a single light emitting diode as an open circuit in the string would result in loss of the entire string. For single string devices, this would result in a complete loss of light output from the device or one entire string for multiple string devices. Because the light emitting devices are on a common substrate and it would be difficult to repair or replace the individual devices, a failure of one device could result in rejection of the entire part. As such, the overall yield in producing such light emitters would be lower per unit area of wafer than the yield for the individual devices that make up the light emitter.
　　To overcome problems associated with series strings of devices, the high voltage light emitter according to the present inventive subject matter 
is configured in a series of parallel- connected subsets
parallel- connected subsets of the light emitting devices are then serially connected
series of parallel-connected subsets) permits the ability to increase wafer yield (higher yielding wafer)
　　While Fig 3 illustrates sixteen subsets of devices in series, other numbers of devices in series may also be provided. The number of subsets can be selected based on the forward voltage drop of the light emitting devices utilized and the desired operation voltage. For example, forty subsets or more may be connected in series. Such a series connection for a device with a forward voltage of 3.2 volts would be 128V. Similarly, 100 or more subsets could be connected in series to provide light emitters with operating voltages of 300 volts or more. For example, subsets could be connected in series to provide an operating voltage of 325 volts or more or even 395 volts or more. Such light emitters could be operated, for example, with a boost power supply from a 230 VAC or 277V AC line voltage as described below.」（第２３ページ第２行〜第２４ページ第７行）
（「【実施例】
【００６４】
　図１は、相互接続された複数の領域１２を有する代表的な発光体１０を示す。図１の発光体１０は比較的狭い面積を有する高電圧発光体を提供する。しかし、そのような発光体の製造可能性は、それぞれの領域の構造および発光体のそれぞれの領域がどのように電気的に接続されるかに依存する。例えば、領域が図２に示されたように直列に接続された個別的発光ダイオードである場合には、一列中で回路が開放することによる単一の発光ダイオードの故障が一列全体のロスにつながることから、そのような発光体は製造が困難である。単一の列のデバイスであれば、これはデバイスからの光出力の完全なロスにつながり、あるいは複数の一列のデバイスの場合は、１つの列全体が失われることになる。発光デバイスが共通基板の上にあって、個別デバイスを修復又は置換することが困難であるため、１つのデバイスの故障がパーツ全体を除外する結果につながる。それゆえ、このような発光体を作製する総合的な歩留りは、その発光体を作り上げる個別デバイスの歩留りよりもウエハの単位面積当たりで低い。
【００６５】
　デバイスの直列の一列に関連する問題を克服するために、本発明の主題による「高電圧」発光体は、
一連の並列接続されたサブセットの形に構成される
発光デバイスを並列に接続したサブセットが次に直列に接続される
並列接続されたサブセットを直列接続したもの）はウエハ歩留りの増加（歩留りの高いウエハ）を可能に
【００６６】
　図３は直列につながれた１６のデバイス・サブセットを示しているが、直列に違う数のデバイスを設けることもできる。サブセットの数は、使用される発光デバイスの順方向電圧降下および望ましい動作電圧に基づいて選ぶことができる。例えば、４０又はそれ以上のサブセットを直列につなぐことができる。３．２ボルトの順方向電圧を有するデバイスをそれだけ直列に接続すると、１２８Ｖになる。同様に、３００ボルト又はそれ以上の動作電圧を持つ発光体を提供するように、１００又はそれ以上のサブセットを接続することもできる。例えば、３２５ボルト又はそれ以上、更に３９５ボルト又はそれ以上の動作電圧を提供するようにサブセットを直列接続することもできる。そのような発光体は、例えば、以下で述べるように、２３０ＶＡＣ又は２７７ＶＡＣのライン電圧からのブースト電源で動作させることができる。」）
　
（ｄ）「In certain embodiments of the present inventive subject matter, a plurality of mechanically connected light emitting devices from a common semiconductor substrate are electrically connected to provide a high voltage monolithic large area light emitter.
 In particular embodiments, the light emitting devices are light emitting diodes (LEDs)
includes a plurality of light emitting devices electrically connected in an array
（「【００７１】
　本発明の主題の特定の実施の形態で、共通の半導体基板から機械的に接続された複数の発光デバイスは、高電圧のモノリシックな大面積発光体を提供するように電気的に接続される。
特別な実施の形態で、発光デバイスは発光ダイオード（ＬＥＤ）である
アレイとして電気的に接続された複数の発光デバイスを含む
　　
（ｅ）「Exemplary embodiments of the present inventive subject matter will now be described with reference to Figs. 4 through 6G, where devices with an insulating substrate or buffer layer are provided. The devices in the embodiments depicted in Figs. 4 through 6G have two topside contacts and are referred to herein as lateral devices in that current does not flow through the substrate and/or buffer layer but flows laterally to/from a contact through, for example, a current spreading layer or contact layer.…（略）…
　　Fig. 4 is a top plan view of a large area high voltage monolithic light emitter 100 according to some embodiments of the present inventive subject matter. As seen in Fig. 4, the lighting device 100 includes a plurality of light emitting devices 110 on a common substrate 200. The lighting emitting devices 110 are defined by isolation regions 112 that define the peripheries of the individual light emitting devices 110. The individual light emitting devices 110 each have an anode contact 116 and a cathode contact 114.
　　As seen in Fig. 4, 
the anodes 116 of light emitting devices 110 in subsequent rows are connected to the cathodes 114 of devices 110 in previous rows by the interconnection patterns 118.
the structure of Fig. 4 provides an array of light emitting devices 110 electrically connected as illustrated in Fig. 3 as a monolithic light emitter 100
　　One or more of the monolithic light emitters 100 maybe formed on a wafer of light emitting devices 110 and then separated into individual monolithic light emitters 100. Thus, the isolated light emitting devices 110 are separated from a wafer in groups, and in some embodiments in respective groups from contiguous regions of the wafer, so that each contiguous region provides 
a monolithic structure 100 that includes a plurality of individual light emitting devices 110
　　Fig. 5 A is an exemplary cross-section of 
the monolithic light emitter 100
multiple light emitting devices are provided on a common substrate 200
　　Furthermore, in some embodiments, 
the substrate 200 may be removed
after mounting the monolithic light emitter 100 on another substrate
（「【００７４】
　ここで、図４から図６Ｇを参照しながら本発明の主題の例示的実施の形態について説明する。これらの図面には絶縁性基板又はバッファ層を備えたデバイスが提供されている。図４から６Ｇに示された実施の形態のデバイスは、２つの「上側」コンタクトを有し、電流が基板および／又はバッファ層を通って流れず、その代わり例えば電流分散層又はコンタクト層を通ってコンタクトからコンタクトへ「横に」流れることから、以下では「横型」デバイスと呼ばれる。…（略）…
【００７５】
　図４は、本発明の主題のいくつかの実施の形態に従う大面積高電圧のモノリシック発光体１００の上面図である。図４に見られるように、発光デバイス１００は共通基板２００上に複数の発光デバイス１１０を含む。発光デバイス１１０は、個別発光デバイス１１０の周囲を画定する分離領域１１２によって画定される。個々の発光デバイス１１０は、それぞれアノード・コンタクト１１６およびカソード・コンタクト１１４を有する。
【００７６】
　図４から分かるように、
後続の行中の発光デバイス１１０のアノード１１６が、相互接続パターン１１８によって先の行中のデバイス１１０のカソード１１４に接続されている
図４の構造は、図３にモノリシック発光体１００として示されたように、電気的に接続された発光デバイス１１０のアレイを提供する
【００７７】
　発光デバイス１１０のウエハ上に１又は複数のモノリシック発光体１００が形成されて、次に個々のモノリシック発光体１００に分離される。このように、分離された発光デバイス１１０はウエハからグループで分離され、いくつかの実施の形態では、ウエハの連続した領域からそれぞれのグループで分離されるため、各々の連続した領域は、
複数の個別発光デバイス１１０を含むモノリシック構造１００
【００７８】
　図５Ａは、ラインＶ−Ｖ’に沿った
モノリシック発光体１００
共通基板２００上に複数の発光デバイスが設けられる
【００７９】
　更にいくつかの実施の形態で、
基板２００は
別の基板にモノリシック発光体１００を搭載したあとで取り除かれる
　
（ｆ）「
Each light emitting device 110 depicted in Fig. 5A also includes an n-type semiconductor layer 204
one or more quantum well layers 206 and a p-type semiconductor layer 208
　　
The individual devices 110
are defined by isolation regions 112
The isolation regions 112 may
be provided by ion implantation to create
semi-insulating regions that extend through the active layers as illustrated in Fig. 5 A
　　Also illustrated in Fig. 5A is an n +  contact region 210 that extends from a top surface of the device through the isolating region 112 to the n-type layer 204. The n +  contact region 210 allows for the formation of the cathode 114 to provide a more planar device. The n +  contact region 210 may, for example, be provided by ion implantation through the isolation region to the n-type layer 204.
…（略）…
　　With regard to either Fig. 5A or Fig. 5B, an n-type contact 114 provides a cathode contact for each device and a p-type contact 116 provides an anode contact for each device. …（略）…
　　Figs. 5A and 5B also illustrate an optional insulating layer 212 that may be provided on exposed portions of the devices and/or between devices. The insulating layer 212 may function as a protective and/or passivation layer for the devices.…（略）…」（第２９ページ第２行〜第３０ページ第２１行）
（「【００８２】
　
図５Ａに示された各発光デバイス１１０
は
ｎ形半導体層２０４
１又は複数の量子井戸層２０６および
ｐ形半導体層２０８を含む
これらの層は、集合的にデバイスの「活性層」と呼ばれる
【００８３】
　照明装置１００の
個別デバイス１１０は分離領域１１２によって画定される
分離領域１１２は、図５Ａに示されるように、活性層を通って延びる
半絶縁性領域を生成するためのイオン注入によって設けられる
【００８４】
　更に図５Ａには、デバイスの上表面から分離領域１１２を通ってｎ形層２０４に延びるｎ＋コンタクト領域２１０が示されている。ｎ＋コンタクト領域２１０は、より平坦なデバイスを提供するためのカソード１１４の形成を可能にする。ｎ＋コンタクト領域２１０は、例えば分離領域を貫通してｎ形層２０４に達するイオン注入によって設けられる。
【００８５】
  …（略）…
【００８６】
　図５Ａ又は図５Ｂのいずれかに関して、ｎ形コンタクト１１４は各デバイスのカソード・コンタクトを提供し、ｐ形コンタクト１１６は各デバイスのアノード・コンタクトを提供する。…（略）…
【００８７】
　図５Ａおよび５Ｂは、デバイスの露出部分上および／又はデバイス間に設けられるオプションの絶縁層２１２も示している。絶縁層２１２はデバイスのための保護および／又はパッシベーション層として働く。…（略）…」）
　
（ｇ）「Figs. 6A through 6G illustrate an exemplary series of processing steps for providing a lighting device 100 according to some embodiments of the present inventive subject matter. As seen in 
Fig. 6A
a mask 310 is deposited and patterned on a wafer having an n-type active layer 304, quantum well layer 306 and p-type active layer 308 formed thereon
The patterned mask 310 opens windows corresponding to the isolation regions between the individual devices
ions 312 are implanted in the active layers 304, 306 and 308 to turn the region below the window in the mask 310
semi-insulating by, for example, damaging the crystal lattice of the underlying semiconductor layers, to form isolation regions 314
　　Fig. 6B illustrates the formation of an insulating region through which a contact region to the n-type layer 204 is provided. A second mask layer is formed or further patterning of the mask layer 310 may be performed to provide the second patterned mask layer 316 having windows that expose the region of the active layers 306 and 308 through which the contact region to the n-type layer 204 is formed. 
Ion implantation may then be performed using the mask layer 316 to implant the ions 312 into the active layers 306 and 308 to make the region below the window in the mask layer 316
semi-insulating
　　Fig. 6C illustrates one technique for forming a contact region to the n-type layer 204 to provide substantially planar contacts for the devices 110. In Fig. 6C, the mask layer 316 is removed and a third mask layer 318 is formed and patterned to provide windows corresponding to the contact region 210. Ion implantation is performed using the mask layer 318 to implant ions 320 into the exposed regions of the active layers 306 and 308 to provide an n +  contact region that extends to and/or into the n-type layer 204. In some material systems, an anneal of the implanted region may be performed to activate the implanted ions. Such anneal may be provided as a separate step or may be provided as part of another anneal step, for example, if an anneal is provided to form the ohmic contact to the p-type region.
　　As used herein, references to + or - in the context of n-type or p-type semiconductor materials are relative indications of the level of doping of such regions. Thus, for example, the n +  contact region 210 would be more highly doped than the n-type layer 204.
　　Fig. 6D illustrates the formation of the ohmic contact 114 to the n-type contact region 210. A fourth mask layer is formed or further patterning of the third mask layer 318 may be performed to provide the fourth patterned mask layer 320 having windows that expose the n +  contact region 210. A blanket deposition of contact material and, in some embodiments contact metal, is performed to provide the contact layer 322. The portions of the contact layer 322 formed on the fourth patterned mask layer 320 are removed by, for example, CMP, lift-off or other techniques known to those of skill in the art, to provide the ohmic contact 114 to the n +  contact region 210.
　　Fig. 6E illustrates the formation of the ohmic contact 116 to the p-type region 308. A fifth mask layer is formed and patterned, for example, by blanket deposition and patterning, to provide the fifth patterned mask layer 324 having windows that expose the p-type layer 308. A blanket deposition of contact material and, in some embodiments contact metal, is performed to provide the contact layer 326. The portions of the contact layer 326 formed on the fifth patterned mask layer 324 are removed by, for example, CMP, lift-off or other techniques known to those of skill in the art, to provide the ohmic contact 116 to the p-type layer 308.
　　Fig. 6F illustrates formation of the interconnection 118. A sixth mask layer is formed or further patterning of the fifth mask layer 334 may be performed to provide the sixth patterned mask layer 328 having windows corresponding to the locations for the interconnection 118. The windows in the sixth patterned mask layer 328 extend to expose the ohmic contacts 114 and 116 so as to selectively electrically connect the individual devices 110 as described herein. 
A blanket deposition of interconnection material and
is performed to provide the interconnection layer 330
（「【００８８】
　図６Ａから６Ｇは、本発明の主題のいくつかの実施の形態による照明装置１００を提供するための例示的な一連の処理工程を示す。
図６Ａ
その上にｎ形活性層３０４、量子井戸層３０６およびｐ形活性層３０８が形成されたウエハ上に、マスク３１０が堆積およびパターニングされる
パターニングされたマスク３１０は、個別デバイス間の分離領域に対応する窓が開けられている
活性層３０４、３０６および３０８中にイオン３１２が注入されて、マスク３１０中の窓の下の領域を
下層の半導体層の結晶格子を損傷することによって
半絶縁性に変換することによって分離領域３１４が形成される
【００８９】
　図６Ｂは絶縁領域の形成を示しており、これを通してｎ形層２０４へのコンタクト領域が提供される。第２のマスク層が形成されるか、あるいはマスク層３１０を更にパターニングすることによって、それを通してｎ形層２０４へのコンタクト領域を形成するための活性層３０６および３０８の領域を露出する窓を有する第２のマスク層３１６が提供される。次にマスク層３１６を用いて
イオン注入が実行されて、活性層３０６および３０８中にイオン３１２が注入され、マスク層３１６中の窓の下の領域が
半絶縁性にされる
【００９０】
　図６Ｃは、デバイス１１０の本質的に平坦なコンタクトを提供するための、ｎ形層２０４へのコンタクト領域を形成する１つの方法を示す。図６Ｃでマスク層３１６は取り去られており、第３のマスク層３１８が形成およびパターニングされ、コンタクト領域２１０に対応する窓が提供される。マスク層３１８を用いてイオン注入が実行され、活性層３０６および３０８の露出領域にイオン３２０が注入されｎ形層２０４に達し、そこまで、かつ／又はその中まで延びるｎ＋コンタクト領域が提供される。いくつかの材料系では、注入されたイオンを活性化するために注入領域のアニールが実行される。そのようなアニールは、別の工程として実行されるか、あるいは、例えばｐ形領域へのオーミック・コンタクトを形成するためにアニールが実行される場合には、別のアニール工程の一部として実行される。
【００９１】
　ここで、ｎ形又はｐ形半導体材料に関して使用される「＋」又は「−」という表現は、そのような領域のドーピング・レベルの相対的な表示である。すなわち、例えば、ｎ＋コンタクト領域２１０はｎ形層２０４よりも高濃度にドープされている。
【００９２】
　図６Ｄは、ｎ形コンタクト領域２１０へのオーミック・コンタクト１１４の形成を示す。第４のマスクが形成されるか、あるいは第３のマスク層３１８を更にパターニングすることによって、ｎ＋コンタクト領域２１０を露出する窓を有する第４のパターニングされたマスク層３２０が提供される。コンタクト材料およびいくつかの実施の形態ではコンタクト金属の全面堆積が実行されて、コンタクト層３２２が提供される。第４のパターニングされたマスク層３２０の上に形成されたコンタクト層３２２の部分は、例えば、ＣＭＰ、リフト・オフ又はその他の当業者に既知の方法によって取り除かれて、ｎ＋コンタクト領域２１０へのオーミック・コンタクト１１４が設けられる。
【００９３】
　図６Ｅは、ｐ形領域３０８へのオーミック・コンタクト１１６の形成を示す。例えば、全面堆積およびパターニングによって第５のマスク層が形成およびパターニングされて、ｐ形層３０８を露出する窓を有する第５のパターニングされたマスク層３２４が提供される。コンタクト材料およびいくつかの実施の形態では、コンタクト金属の全面堆積が実行されて、コンタクト層３２６が提供される。第５のパターニングされたマスク層３２４の上に形成されたコンタクト層３２６の部分は、例えば、ＣＭＰ、リフト・オフ又はその他の当業者に既知の方法によって取り除かれ、ｐ＋形層３０８へのオーミック・コンタクト１１６が設けられる。
【００９４】
　図６Ｆは相互接続１１８の形成を示す。第６のマスク層が形成されるか、あるいは第５のマスク層３３４が更にパターニングされて、相互接続１１８の場所に対応する窓を有する第６のパターニングされたマスク層３２８が設けられる。第６のパターニングされたマスク層３２８中の窓は、オーミック・コンタクト１１４および１１６を露出するように広がって、ここで述べるように、個別デバイス１１０を選択的に電気的に接続する。相互接続材料およびいくつかの実施の形態では、
相互接続金属の全面堆積が実行され、相互接続層３３０が設けられる
　
（ｈ）「Fig. 13 illustrates an AC monolithic device 1000. 
The AC monolithic device 1000 includes a plurality of light emitting diodes 1010 provided as two or more arrays 1014, 1016
（「【０１２９】
　図１３は、ＡＣ用モノリシック・デバイス１０００を示す。
ＡＣ用モノリシック・デバイス１０００は
２つ以上のアレイ１０１４、１０１６として提供される複数の発光ダイオード１０１０を含む
（ｉ）「That which is claimed is:
…（略）…
22. A light emitter, comprising: a plurality of light emitting devices; means for mechanically interconnecting the plurality of light emitting devices; and means for electrically interconnecting the plurality of light emitting devices to provide serially connected subsets of light emitting devices that are electrically interconnected in parallel, each subset comprising at least three light emitting devices.」（第４６ページ第１行〜第４８ページ第１５行）
（「【請求項２２】
　発光体であって、
　複数の発光デバイスと、
　複数の発光デバイスを機械的に相互接続するための手段と、
　複数の発光デバイスを電気的に相互接続して、電気的に並列に相互接続された発光デバイスのサブセットを直列に接続したものを提供する手段であって、各サブセットが少なくとも３つの発光デバイスを含む手段と、
を含む発光体。」）
　
ｂ　引用発明１
　上記「ａ　引用例１」の摘記事項（ｃ）、（ｅ）（ファミリ文献の段落【００６５】、【００７６】）及びFig. 5Aを参照すると、発光体１００において、個々の発光デバイス１１０は、「相互接続パターン１１８によって直列に接続された」ものであることは明らかである。
　上記摘記事項（ｇ）（ファミリ文献の段落【００８８】〜【００８９】）及びFig. 6A〜6Cを参照すると、分離領域３１４及び１１２は、活性層３０４、３０６および３０８中にイオン注入されて、半導体層の結晶格子を損傷することにより、半絶縁性に変換することによって形成されていることは明らかである。
　上記摘記事項（ｅ）、（ｇ）（ファミリ文献の段落【００７６】、【００９４】）及びFig. 5A、Fig.6F〜6Gを参照すると、相互接続構造パターン１１８は、「『相互接続金属の全面堆積が実行され』て設けられた金属層３３０」から得られたものであるから、相互接続構造パターン１１８は、金属パターンであるといえる。
　
　したがって、上記摘記事項（ｅ）（ファミリ文献の段落【００７９】）、Fig. 3、Fig. 4、Fig. 5A、Fig. 6A〜6C及び摘記事項（ｉ）（ファミリ文献の請求項２２）を参酌してまとめると、引用例１には、以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている。
　
「モノリシック発光体１００であって、
　複数の発光デバイス１１０と、
　複数の発光デバイス１１０を機械的に相互接続するための別の基板と、
　複数の発光デバイス１１０を電気的に相互接続して、電気的に並列に相互接続された発光デバイスのサブセットを直列に接続したものを提供する手段と、を含み、
　前記発光デバイス１１０は発光ダイオード（ＬＥＤ）であり、
　前記複数の発光デバイスは共通基板２００上に設けられ、基板２００は、前記別の基板にモノリック発光体１００を搭載したあとで、取り除かれ、
　個々の発光デバイス１１０は、相互接続金属パターン１１８によって直列に接続され、
　各発光デバイス１１０は、ｎ形半導体層２０４、３０４、１又は複数の量子井戸層２０６、３０６およびｐ形半導体層２０８、３０８を含み、これらの層は、集合的にデバイスの「活性層」と呼ばれ、
　個別発光デバイス１１０は分離領域１１２によって画定され、分離領域１１２は、活性層を通って延びる半絶縁性領域を生成するためのイオン注入によって設けられており、前記イオン注入によって、半導体層の結晶格子が損傷されており、
　分離領域１１２の形成は、
その上にｎ形活性層３０４、量子井戸層３０６およびｐ形活性層３０８が形成されたウエハ上に、マスク３１０が堆積およびパターニングされ、パターニングされたマスク３１０は、個別デバイス間の分離領域に対応する窓が開けられ、活性層３０４、３０６および３０８中にイオン３１２が注入されて、マスク３１０中の窓の下の領域を、半導体層の結晶格子を損傷することにより、半絶縁性に変換することによって分離領域３１４が形成され、第２のマスク層３１６を用いてイオン注入が実行されて、活性層３０６および３０８中にイオン３１２が注入され、マスク層３１６中の窓の下の領域が半絶縁性にされることで、分離領域１１２が形成される、
　モノリシック発光体１００。」
　
（イ）対比
　補正発明と引用発明１とを対比する。
　
ａ　引用発明１の「発光デバイス１１０」、「相互接続金属パターン１１８」は、それぞれ補正発明の「発光ダイオード（LED）」、「パターン」に相当する。
　
ｂ　補正発明の「複数の発光ダイオード(LED)を有するモジュール」と引用発明１の「モノリシック発光体１００」は、「発光体」である点で共通するとともに、引用発明１の「モノリシック発光体１００」は、「複数の発光デバイス１１０と、複数の発光デバイス１１０を機械的に相互接続するための手段と、複数の発光デバイス１１０を電気的に相互接続して、電気的に並列に相互接続された発光デバイスのサブセットを直列に接続したものを提供する手段と、を含み」、「個々の発光デバイス１１０は、相互接続金属パターン１１８によって直列に接続され」る。
　したがって、補正発明と引用発明１とは、
「直列接続する複数の発光ダイオード(LED)」を有する発光体であって、「前記個々のLEDを直列に接続する金属パターン」を有する
点で一致する。
　
ｃ　引用発明１の「各発光デバイス１１０」は、「ｎ形半導体層２０４、１又は複数の量子井戸層２０６およびｐ形半導体層２０８を含み、これらの層は、集合的にデバイスの「活性層」と呼ばれ」るから、引用発明の「ｎ形半導体層２０４、３０４」、「１又は複数の量子井戸層２０６、３０６」、「ｐ形半導体層２０８、３０８」は、それぞれ補正発明の「n型層」、「活性層」、「p型層」に相当する。
　
ｄ　引用発明１では、「個別発光デバイス１１０は分離領域１１２によって画定され、分離領域１１２は、活性層を通って延びる半絶縁性領域を生成するためのイオン注入によって設けられており、前記イオン注入によって、半導体層の結晶格子が損傷されて」いるから、個々の発光デバイス１１０間に設けられる半絶縁性分離領域を有するものといえる。
　したがって、補正発明と引用発明１とは、
「電気的に分離された個々のLED」を有し、「前記個々のLED間に設けられる半絶縁性分離領域」を有し、「前記半絶縁性分離領域は、少なくとも一部がイオン注入によって生成され、前記イオン注入によって、前記半絶縁性分離領域の結晶構造中に欠陥が生成される」
点で一致する。
　
ｅ　以上をまとめると、補正発明と引用発明１の一致点及び相違点は次のとおりである。
＜一致点＞
「直列接続する複数の発光ダイオード(LED)を有する発光体であって：
　電気的に分離された個々のLEDであって、各LEDは、n型層、活性層、及びp型層を有する、個々のLED；
　前記個々のLED間に設けられる半絶縁性分離領域；並びに、
　前記個々のLEDを直列に接続する金属パターン；
　を有し、
　前記半絶縁性分離領域は、少なくとも一部がイオン注入によって生成され、
　前記イオン注入によって、前記半絶縁性分離領域の結晶構造中に欠陥が生成される、
　発光体。」
　
＜相違点１＞
　補正発明は、「直列接続する複数の発光ダイオード(LED)を有する『モジュール』」に係る発明で、「モジュール」であるのに対し、引用発明１は、「複数の発光デバイス１１０を電気的に相互接続して、電気的に並列に相互接続された発光デバイスのサブセットを直列に接続したものを提供する手段」を含むものの、「モノリシック発光体１００」に係る発明であり、「モジュール」といえるか否か不明である点。
　
＜相違点２＞
　補正発明は、「前記個々のLEDを一つになるように機械的に結合させる前記個々のLED間に設けられ、成長用基板全体にわたってエピタキシャル成長し、かつ前記活性層と前記成長用基板が除去された表面との間に位置する半絶縁性分離領域」を有するのに対し、引用発明１は、「前記複数の発光デバイスは共通基板２００上に設けられ、基板２００は、前記別の基板にモノリック発光体１００を搭載したあとで、取り除かれ」、「個別発光デバイス１１０は分離領域１１２によって画定され、分離領域１１２は、活性層を通って延びる半絶縁性領域を生成するためのイオン注入によって設けられており、前記イオン注入によって、半導体層の結晶格子が損傷されて」いるものの、補正発明の上記のような特定はなされていない点。
　
（ウ）判断
ａ　相違点１について
　「モジュール」について、本願の明細書には、以下のように記載されている。
・「【００３５】
　続いてLED/基板は、たとえば鋸による切断又はスクライブ・ブレーク(scribe-and-break)法によりダイシングされて、任意の数のLEDを有するLEDのモジュールが形成される。後に
各モジュールは、他全てのプロセス後に、単一のパッケージ内にまとめられる
・「【００５３】
　工程66では、LEDは、LEDは貫通するが半絶縁層は貫通しない溝によって、互いに電気的に分離する。特にサブマウントが可撓性である場合には、厚い半絶縁性層は、サファイア基板が取り外された後における、個々のLEDの位置合わせを維持するのを助ける。さらにサブマウントに高温処理が施される場合、半絶縁層は、金属のクリープ現象から生じるLEDを位置合わせのずれを抑える。またさらに半絶縁層はそれぞれのLEDの端部を覆い、かつダイの端部は湿気に対して最も弱いので、前記半絶縁層はこのような弱点を緩和する。各LEDはフリップチップである（光取り出し面に対して反対を向く面上にp型コンタクトもn型コンタクトも存在する）。任意で、サファイア基板は、LEDモジュールが取り出されるようにダイシングされる。
各LEDモジュールは単一のパッケージに含まれるべきLEDを含む
　本願明細書の上記段落を含め、明細書、特許請求の範囲及び図面全般を精査しても、「モジュール」の用語の定義又は説明を見い出せない。
　一方、「モジュール」には、「電気機器やコンピューター装置などの、構成要素の単位。独立の完成した機能をもち、交換や着脱が可能で、より大きなシステムに構成される。」との意味がある（必要であれば、goo辞書（http://dictionary.goo.ne.jp/jn/）掲載のデジタル大辞泉を参照のこと。）。
　
　引用発明１の「モノリシック発光体１００」は、「複数の発光デバイス１１０と、複数の発光デバイス１１０を機械的に相互接続するための手段と、複数の発光デバイス１１０を電気的に相互接続して、電気的に並列に相互接続された発光デバイスのサブセットを直列に接続したものを提供する手段と、を含」むから、「独立の完成した機能」をもつものであることは、当業者には明らかである。
　また、上記「ａ　引用例１」の摘記事項（ｈ）（ファミリ文献の段落【０１２９】）及び引用例１のFig. 13には、２つ以上のアレイ１０１４、１０１６を有するＡＣ用モノリシック・デバイス１０００が開示されており、上記摘記事項（ｄ）（ファミリ文献の段落【００７１】）、摘記事項（ｅ）（ファミリ文献の段落【００７６】）、及び引用例１のFig. 3、Fig. 4を参照すると、当該アレイ１０１４、１０１６は、摘記事項（ｅ）（ファミリ文献の段落【００７６】）及びFig. 4に開示されたモノリシック発光体１００に対応するものであることは当業者には明らかである。
　したがって、引用発明１の「モノリシック発光体１００」は、「より大きなシステムに構成される」ものであることは、当業者には明らかである。
　
　したがって、引用発明１の「モノリシック発光体」を「モジュール」として構成することは、当業者であれば適宜なし得たことである。
　よって、相違点１は、当業者が容易になし得た程度のものである。
　
ｂ　相違点２について
　補正発明の「『前記個々のLEDを一つになるように機械的に結合させる前記個々のLED間に設けられ』る半絶縁性分離領域」に関連して、本願の明細書の段落【００７３】には、「工程112では、イオン注入によって、また場合によっては図11A〜図13で説明した溝によって、LEDは互いに電気的に分離される。いずれの場合においても、個々のLEDは、イオン注入によって形成される半絶縁層によって機械的に一つに接続される。」と記載されており、段落【００６７】には、「図13は、LEDを分離するように形成される溝が存在しない他の実施例を図示している。LED層84、86、及び88は基板82全体にわたって成長する。続いてフォトレジストマスク104が、個々のLED間の半絶縁性の境界となる領域を曝露するように、構造全体にわたって形成される。続いてイオン106が十分高いエネルギーで注入されることで、境界領域内の層84、86、及び88の結晶構造中に欠陥を生成することで、これらの境界領域を半絶縁性にすることで、実効的にLEDを互いに電気的に分離する。」と記載されている。
　一方、引用発明１は、「分離領域１１２の形成は、その上にｎ形活性層３０４、量子井戸層３０６およびｐ形活性層３０８が形成されたウエハ上に、マスク３１０が堆積およびパターニングされ、パターニングされたマスク３１０は、個別デバイス間の分離領域に対応する窓が開けられ、活性層３０４、３０６および３０８中にイオン３１２が注入されて、マスク３１０中の窓の下の領域を、半導体層の結晶格子を損傷することにより、半絶縁性に変換することによって分離領域３１４が形成され、第２のマスク層３１６を用いてイオン注入が実行されて、活性層３０６および３０８中にイオン３１２が注入され、マスク層３１６中の窓の下の領域が半絶縁性にされることで、分離領域１１２が形成される」ものである。
　したがって、引用例１のFig. 5A、Fig. 6A〜6Gも参照すると、引用発明１において、分離領域１１２は、補正発明のように、「前記個々のLED（発光デバイス１１０）を一つになるように機械的に結合させる前記個々のLED間に設けられ」るものであると認められる。　
　
　引用発明１の「各発光デバイス１１０」は、「ｎ形半導体層２０４、３０４、１又は複数の量子井戸層２０６、３０６およびｐ形半導体層２０８、３０８を含」むものである。
　また、基板上に形成されたｎ型半導体層、活性層、及びｐ型半導体層を有する発光デバイスにおいて、ｎ型半導体層、活性層、及びｐ型半導体層の形成をエピタキシャル成長により行うことは常套手段である。
　そして、引用発明１の「共通基板２００」は補正発明の「成長用基板」に相当するから、引用例１のFig. 5A、Fig. 6A〜6Cも参照すると、引用発明１において、マスク３１０または第２のマスク層３１６を用いてイオン３１２が注入される「活性層３０４、３０６および３０８」を、補正発明のように、「成長用基板（共通基板２００）全体にわたってエピタキシャル成長し」たものとすることは、当業者であれば適宜なし得たことである。
　
　また、引用例１のFig. 6A〜6Gも参照すると、引用発明１において、分離領域１１２が、「前記活性層（１又は複数の量子井戸層２０６、３０６）」と「前記成長用基板が除去された表面（「前記複数の発光デバイスは共通基板２００上に設けられ、基板２００は、前記別の基板にモノリック発光体１００を搭載したあとで、取り除かれ」る表面）」との間に位置することは明らかである。
　
　したがって、引用発明１において、相違点２に係る補正発明の構成を採用することは当業者であれば適宜なし得たことである。
　よって、相違点２は、当業者が容易になし得た程度のものである。
　
ｃ　判断についてのまとめ
　以上検討したとおり、相違点１及び相違点２は、いずれも当業者が容易になし得た程度のものである。
　したがって、補正発明は、引用発明１及び引用例１の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定する要件を満たさず、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
オ　独立特許要件についてのまとめ
　本件補正は、補正後の特許請求の範囲の請求項１１に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合しない。
　
３　補正の却下の決定についてのむすび　 
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものであり、又、仮に同法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていると仮定した場合であっても、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合しないものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１４に係る発明は、平成２６年４月２２日付けの手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１４に記載されている事項により特定されるものであり、その請求項１１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項１１に記載されている事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「【請求項１１】
　直列接続する複数の発光ダイオード(LED)を有するモジュールであって：
　電気的に分離された個々のLEDであって、各LEDは、n型層、活性層、及びp型層を有する、個々のLED；
　前記個々のLEDを一つになるように機械的に結合させる前記個々のLED間に設けられ、成長用基板全体にわたってエピタキシャル成長し、かつ前記活性層と前記成長用基板が除去された表面との間に位置する半絶縁性分離領域；並びに、
　前記個々のLEDを直列に接続する金属パターン；
　を有するモジュール。」
　なお、請求項１１には、「前記成長用基板全体にわたって」と記載されているが、「成長用基板全体」は、「前記」されていないので、「前記成長用基板全体にわたって」は「成長用基板全体にわたって」の誤記と認め、本願発明を上記のように認定した。
　
２　引用例の記載と引用発明
（１）引用例２：特開２００７−３２４５７６号公報
　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先権主張の日前に頒布された刊行物である特開２００７−３２４５７６号公報（以下「引用例２」という。）には、「集積型半導体発光装置およびその製造方法」（発明の名称）に関して、図１ないし図１７とともに以下の事項が記載されている。
　
（ａ）「【技術分野】
　【０００１】
　本発明は集積型の化合物半導体発光装置に関するものであり、特に、ＧａＮ系材料を用いた
発光ダイオード（ＬＥＤ）に関する
（ｂ）「【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
　本発明は、
大面積の面光源的発光が可能な集積型の化合物半導体発光装置であって、発光強度の面内均一性がすぐれた装置を提供することを目的とする
（ｃ）「【発明の効果】
【００６６】
　本発明によれば、
大面積の面光源的発光が可能な集積型の化合物半導体発光装置であって、発光強度の面内均一性がすぐれた装置を提供することができる
…（略）…
【００６８】
　本発明では、
発光ユニット同士は、電気的には分離されていながら
【００６９】
　また、本発明では主たる光取り出し方向に基板が存在しないため、以下のような利点を併せ持つことが出来る。たとえばＣ＋サファイア基板上に一般的なＭＯＣＶＤ法で形成された、ＧａＮ系材料、ＩｎＧａＮ系材料、ＡｌＧａＮ系材料、ＩｎＡｌＧａＮ系材料、ＩｎＡｌＧａＢＮ形材料などの材料いずれかの材料で構成された半導体発光素子であれば、これら材料のサファイア基板面側は窒素面となり、これら材料の成長方向はＧａ面となるのが普通である。ここで、一般的にＧａ面はケミカルエッチング等のしにくい面であって、光取り出し効率を向上させるための粗面化などは実施しにくいが、窒素面は比較的容易にケミカルエッチングが可能であって、これによって粗面化などが可能である。これに対して、基板が存在する場合、代表的なサファイア等の基板ではケミカルエッチングがほとんど不可能である。従って、本発明では、
サファイア基板等を剥離し
（ｄ）「【００７２】
　図１に、本発明の
集積型化合物半導体発光装置
発光装置
３つの発光ユニット１１によって１つの発光装置１０を構成する
適宜個数を設定可能
【００７３】
　本発明において、
１つの発光ユニットは
第一導電型クラッド層２４
第二導電型クラッド層２６
および
活性層構造２５を有する化合物半導体薄膜結晶層
第二導電型側電極２７、並びに第一導電型側電極２８を有する
光学結合層２３は、発光ユニット間に共通して設けられている
…（略）…
【００７５】
　本発明では、
発光ユニット１１は、互いに発光ユニット間分離溝１２により電気的には分離されている
【００７６】
　一方、本発明では、光学結合層２３が、発光ユニット間に共通して存在し、発光ユニットが光学的には結合した状況をつくっている。即ち、ある一つの発光ユニットから放射された光は、光学結合層での適度な伝播と放射（リーク）によって、他のユニット部分にも到達し、一つの発光ユニット部分のみに局在することなく、他の発光ユニット部分にも到達する。このためには、
発光ユニット間分離溝１２は、光学結合層の界面まで達しているか、または図１に示すように光学結合層が分断されない状態でその中まで達していることが必要である。
光学結合層は実質的に絶縁性
【００７７】
　また、本発明では、発光ユニット間分離溝の幅が、好ましくは２〜３００μｍ、さらに好ましくは５〜５０μｍ、最も好ましくは８〜１５μｍである。発光ユニット間分離溝の幅が短いと、光学結合層と共に、面発光の均一性が向上する。
【００７８】
　図２には、中央の発光装置１０に隣接する別の発光装置も一部図示されている。
製造過程では
同一基板２１上に、それぞれの発光装置１０が、装置間分離溝１３によって分離されて形成される
発光装置は
支持体４０上の金属面４１に、金属ハンダ４２を介して第二導電型側電極２７および第一導電型側電極２８をそれぞれ接続した構造
（ｅ）「【００９０】
　＜基板＞
　本発明では、基板はその上に半導体層を成長させることが可能なものが選ばれ、また最終的に除去できるものが用いられる。基板は、透明である必要はないが、製造工程で、基板を後述するレーザディボンディングにより剥離するときには、その特定の波長のレーザ光を透過することが好ましい。また、電気的には絶縁性基板である事が好ましい。これは、製造工程で、同様にレーザディボンディング法によって基板を剥離する際に、導電性基板ではその自由電子による吸収等によって、このような基板剥離方法を採用しにくくなるからである。具体的な材料としては、例えばＩｎＡｌＧａＮ系発光材料またはＩｎＡｌＢＧａＮ系材料をその上に薄膜結晶成長させるためは、サファイア、ＳｉＣ、ＧａＮ、ＬｉＧａＯ２、ＺｎＯ、ＳｃＡｌＭｇＯ４、ＮｄＧａＯ３、およびＭｇＯから選ばれることが望ましく、特にサファイア、ＧａＮ、ＺｎＯ基板が好ましい。特にＧａＮ基板を用いる際には、そのＳｉのドーピング濃度はアンドープ基板を用いる場合には、３×１０１７ｃｍ−３のＳｉ濃度以下が望ましく、さらに望ましくは１×１０１７ｃｍ−３以下であることが、電気抵抗の観点と結晶性の観点からが望ましい。また、基板を除去する際にケミカルエッチングを前提とする際には、塩酸等で容易に除去可能なＺｎＯが望ましい。」
（ｆ）「【０１０３】
　＜光学結合層＞
　本発明の
光学結合層は
発光ユニット間の光学的結合を実現するための層
発光ユニット間の電気的絶縁を阻害しない層
【０１０４】
　
光学結合層２３は、化合物半導体層で形成される
薄膜結晶成長技術を用いて作製する
…（略）…
【０１１９】
　さらに、
光学結合層は、各発光ユニットに共通して存在するが、各発光ユニット間の電気的絶縁を阻害しないように材料選択をする
【０１２０】
　ここで、
光学結合層は
実質的に絶縁性を有していればよく
層全体の比抵抗ρ
ｏｃ
（Ω・ｃｍ）が
最も好ましくは５（Ω・ｃｍ）以上である
（ｇ）「【０１５９】
　＜支持体＞
　支持体４０は、基板剥離の際の薄膜結晶層の支持体としての役割を果たせることが必須であるが、さらに、本支持体は、素子完成後の電流導入と放熱の機能をあわせ持つことも非常に望ましい。この観点で、支持体の母材は、金属、ＡｌＮ、ＳｉＣ、ダイヤモンド、ＢＮおよびＣｕＷからなる群より選ばれることがことが望ましい。これら材料は、放熱性に優れ、高出力の発光素子に不可避である発熱の問題を効率よく抑制できる点で好ましい。またＡｌ２Ｏ３、Ｓｉ、ガラス等も安価であって支持体として利用範囲が広く好ましい。また、後述する基板除去時にレーザ照射によって薄膜結晶層の一部を金属Ｇａと窒素に分解した際には、金属Ｇａを除去する際にウェットエッチングを実施する事が望ましいが、この際も、支持体はエッチングされない材質であることが望ましい。さらに、基板そのものをウェットエッチングすることも可能であって、この際にも支持体はエッチングされない材質であることが望ましい。尚、支持体の母材を金属から選択する際には、その周りを耐エッチング性のある誘電体等で覆う事が望ましい。金属の母材としては、発光素子の発光波長における反射率の高い材料が望ましく、Ａｌ、Ａｇ等が望ましい。また、誘電体等で覆う際には、各種ＣＶＤ法で形成したＳｉＮｘ、ＳｉＯ２等が望ましい。
【０１６０】
　
支持体は
母材の上に、電流導入用の電極配線を有する
【０１６１】
　また、本発明の集積型化合物半導体発光装置は、
支持体上の金属配線を自在に変化させることで、１つの発光装置内の各発光ユニットを
直列接続にも
可能である
　
（ｈ）「【０１６２】
　〔製造方法〕
　次に、本発明の集積型化合物半導体発光装置の製造方法について説明する。
【０１６３】
　本発明の製造方法の１例では、図４に示すように、
まず
その表面にバッファ層２２、光学結合層２３、第一導電型クラッド層２４、活性層構造２５および第二導電型クラッド層２６を薄膜結晶成長により順次成膜する
ＭＯＣＶＤ法が
用いられる
…（略）…
【０１７１】
　次に図６に示すように、
発光ユニット間分離溝１２を
形成する
【０１８１】
　次に、図７に示すように、
装置間分離溝１３を
形成する
　
（ｉ）「【０１９５】
　このようにして、
図１０（図２）の構造
支持体４０に接合する
支持体上の金属面４１（電極配線等）に
金属ハンダ４２で接続して搭載する
　…（略）…
【０１９７】
　
次に
基板を剥離する
【０２００】
　
その後、装置間分離溝が存在する箇所に対応する分離領域において、支持体と共に発光装置を分離して単体の発光装置を得る
支持体上の金属配線を自在に変化させることで、１つの発光装置内の各発光ユニットを
直列接続に
する事も可能である
【０２０１】
　支持体の分離領域部分の切断には、母材によって、ダイシング、スクライビングとブレーキングなど適宜プロセスを選択可能である。また、装置間分離溝が、光学結合層とバッファ層を合わせた層の途中まで形成されている場合（例えば、発光ユニット間分離溝と同等の深さで、光学結合層の途中まで溝が形成されている場合）には、装置間分離溝を使用して、ダイヤモンドスクライブによる傷いれ、レーザスクライブによる光学結合層および／またはバッファ層の一部のアブレーション等を実施する事で、薄膜結晶成長層部分における発光装置間の分離は容易に実現可能である。その後、支持体はダイシングによって、
各発光装置に分離する
【０２０２】
　このようにして、図１に示された１発光装置が完成する。」
　
（ｊ）「【０２０５】
　（実施例１）
　図１１に示した半導体発光装置を以下の手順で作製した。関連する工程図として、図４〜１０を参照する。
【０２０６】
　厚みが４３０μｍの
ｃ＋面サファイア基板２１
まずＭＯＣＶＤ法
第１のバッファ層２２ａ
第２のバッファ層２２ｂ
光学結合層２３
【０２０７】
　さらに、
第一導電型（ｎ型）第二クラッド層２４ｂ
第一導電型（ｎ型）第一クラッド層２４ａ
活性層構造２５
第二導電型（ｐ型）第一クラッド層２６ａ
第二導電型（ｐ型）第二クラッド層２６ｂ
…（略）…
【０２２３】
　次いで、基板剥離を実施する前準備として、支持体４０として、表面にＮｉ／Ｐｔ／Ａｕの積層構造の金属配線（金属層４１）が形成されたＳｉ基板を用意した。この支持体に、発光装置が作りこまれたウエハー（基板２１上の薄膜結晶成長層、電極、絶縁層等）全体を、ＡｕＳｎハンダを用いて接合した。接合時には、支持体４０と発光装置が形成されたウエハーを３００℃に加熱ししてｐ側電極とｎ側電極が、それぞれ設計された支持体上の金属配線にＡｕＳｎハンダで融着されるようにした。この際に、素子の意図しない短絡等は発生しなかった。
【０２２４】
　次に、基板剥離を実施するために、エキシマレーザ（２４８ｎｍ）を、薄膜結晶成長を実施していない基板２１面から照射し、
基板を剥離
【０２２５】
　次いで、支持体４０に金属ハンダ４２で融着されている極薄膜の発光素子のバッファ層側に、アルミナからなる低反射光学膜４５をスパッタ法によって形成した。この際には、アルミナは素子の発光波長に対して低反射コーティングとなるように、光学膜厚として発光波長の１／４を成膜した。
【０２２６】
　最後に、
１つ１つの発光装置を分割するために
支持体内の素子分離領域部分をカットした
　
（２）引用発明２
　引用例２の段落【０１６０】〜【０１６１】、【０１９５】、【０２００】、【０２２３】を参照すると、段落【００７８】に記載の「支持体４０上の金属面４１」は、「支持体４０上の金属配線４１」に対応することは明らかである。　
　
　したがって、図１〜１７を参酌してまとめると、引用例２には、以下の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されている。
　
「複数個の発光ユニット１１によって構成される集積型化合物半導体発光装置１０であって、
　１つの発光ユニット１１は、第一導電型クラッド層２４、活性構造２５、および第二導電型クラッド層２６を有する化合物半導体薄膜結晶層、第二導電型側電極２７、並びに第一導電型側電極２８を有し、
　発光装置１０は、表面に金属配線４１が形成された支持体４０に、金属ハンダ４２を介して第二導電型側電極２７および第一導電型側電極２８がそれぞれ接続されており、
　発光ユニット１１は、互いに発光ユニット間分離溝１２により電気的には分離されており、
　発光ユニット間の光学的結合を実現するための層である光学結合層２３が、発光ユニット間に共通して設けられているが、各発光ユニット間の電気的絶縁を阻害しないように材料選択されており、
　当該光学結合層２３は、実質的に絶縁性で、化合物半導体層で形成され、薄膜結晶成長技術を用いて作製されており、層全体の比抵抗ρｏｃ（Ω・ｃｍ）は最も好ましくは５（Ω・ｃｍ）以上であり、
　１つの発光装置内の各発光ユニットは直列接続されており、
　各発光装置１０は、
　まず、基板２１表面にバッファ層２２、光学結合層２３、第一導電型クラッド層２４、活性層構造２５および第二導電型クラッド層２６をＭＯＣＶＤ法などを用いて薄膜結晶成長により順次成膜し、
　発光ユニット間分離溝１２を形成し、
　装置間分離溝１３を形成し、それによって、同一基板２１上の、それぞれの発光装置１０が、装置間分離溝１３によって分離されて形成された構造を形成し、
　当該構造を、支持体上の電極配線４１に金属ハンダ４２で接続して搭載し、
　次に、基板２１を剥離し、
　その後、装置間分離溝１３が存在する箇所に対応する分離領域において、支持体と共に発光装置を分離して単体の各発光装置を得ることによって製造される、
発光装置。」
　
３　対比
　本願発明と引用発明２とを対比する。
　
（１）引用発明２の「１つの発光ユニット１１は、第一導電型クラッド層２４、活性構造２５、および第二導電型クラッド層２６を有する化合物半導体薄膜結晶層、第二導電型側電極２７、並びに第一導電型側電極２８を有」するので、引用例２の段落【０００１】も参照すると、引用発明２の「発光ユニット１１」は発光ダイオードであるといえる。
　したがって、本願発明の「複数の発光ダイオード(LED)を有するモジュール」と引用発明２の「複数個の発光ユニット１１によって構成される集積型化合物半導体発光装置」は、「『複数の発光ダイオード(LED)』を有する発光装置」である点で一致する。
　
　また、技術常識を勘案すると、引用発明２の「活性構造２５」は、本願発明の「活性層」に相当し、引用例２の段落【０２０７】も参照すると、引用発明２の「第一導電型クラッド層２４」と「第２導電型クラッド層２６」はそれぞれ、本願発明の「n型層」または「p型層」の一方と他方とに相当することは明らかである。
　さらに、引用発明２では、「１つの発光装置内の各発光ユニットは直列接続されて」いる。
　
　以上から、本願発明と引用発明２とは、
「直列接続する複数の発光ダイオード(LED)を有する発光装置」である
点、及び
「各LEDは、n型層、活性層、及びp型層を有する」
点で一致する。
　
（２）引用発明２では、「発光ユニット１１は、互いに発光ユニット間分離溝１２により電気的には分離されて」いるから、本願発明と引用発明２とは、
「電気的に分離された個々のLED」を有する
点で一致する。
（３）引用発明２では、「発光ユニット間の光学的結合を実現するための層である光学結合層２３が、発光ユニット間に共通して設けられているが、各発光ユニット間の電気的絶縁を阻害しないように材料選択されており、当該光学結合層２３は、実質的に絶縁性で、化合物半導体層で形成され、薄膜結晶成長技術を用いて作製されており、層全体の比抵抗ρｏｃ（Ω・ｃｍ）は最も好ましくは５（Ω・ｃｍ）以上であり」、「まず、基板２１表面にバッファ層２２、光学結合層２３、第一導電型クラッド層２４、活性層構造２５および第二導電型クラッド層２６をＭＯＣＶＤ法などを用いて薄膜結晶成長により順次成膜し、発光ユニット間分離溝１２を形成し、装置間分離溝１３を形成し、それによって、同一基板２１上の、それぞれの発光装置１０が、装置間分離溝１３によって分離されて形成された構造を形成し、当該構造を、支持体上の電極配線４１に金属ハンダ４２で接続して搭載し、次に、基板２１を剥離し、その後、装置間分離溝１３が存在する箇所に対応する分離領域において、支持体と共に発光装置を分離して単体の各発光装置を得ることによって製造される」。
　したがって、引用発明２において、「光学結合層２３」は、個々の発光ユニット間に設けられたものであるといえる。
　また、引用発明２では、「光学結合層２３」は、「各発光ユニット間の電気的絶縁を阻害しないように材料選択されており」、「当該光学結合層２３は、実質的に絶縁性で、化合物半導体層で形成され、薄膜結晶成長技術を用いて作製されており、層全体の比抵抗ρｏｃ（Ω・ｃｍ）は最も好ましくは５（Ω・ｃｍ）以上であ」るから、引用発明２の「光学結合層２３」は、「半絶縁性分離領域」であるといえる。
　さらに、引用発明２では、「基板２１表面にバッファ層２２、光学結合層２３、第一導電型クラッド層２４、活性層構造２５および第二導電型クラッド層２６をＭＯＣＶＤ法などを用いて薄膜結晶成長により順次成膜」するから、「基板２１」は成長用基板であり、図１、４、１０、１１も参照すると、「光学結合層２３」は、基板２１全体にわたって成長し、かつ、活性層構造２５と基板２１が剥離された表面との間に位置するものであるといえる。
　以上から、本願発明と引用発明２とは、
「前記個々のLED間に設けられ、成長用基板全体にわたって成長し、かつ前記活性層と前記成長用基板が除去された表面との間に位置する半絶縁性分離領域」を有する
点で一致する。
（４）引用発明２では、「発光装置１０は、表面に金属配線４１が形成された支持体４０に、金属ハンダ４２を介して第二導電型側電極２７および第一導電型側電極２８が接続されており」、当該「第二導電型側電極２７および第一導電型側電極２８」は、「１つの発光ユニット１１」が有する電極であり、また、「１つの発光装置内の各発光ユニットは直列接続されて」いる。
　したがって、引用発明２の「金属配線４１」は、個々の発光ユニット１１を直列に接続する配線であるといえるから、本願発明と引用発明２とは、
「前記個々のLEDを直列に接続する金属パターン」を有する
点で一致する。
（５）以上をまとめると、本願発明と引用発明２の一致点及び相違点は次のとおりである。
＜一致点＞
「直列接続する複数の発光ダイオード(LED)を有する発光装置であって：
　電気的に分離された個々のLEDであって、各LEDは、n型層、活性層、及びp型層を有する、個々のLED；
　前記個々のLED間に設けられ、成長用基板全体にわたって成長し、かつ前記活性層と前記成長用基板が除去された表面との間に位置する半絶縁性分離領域；並びに、
　前記個々のLEDを直列に接続する金属パターン；
　を有する発光装置。」
　
＜相違点３＞
　本願発明は、「複数の発光ダイオード(LED)を有するモジュール」に係る発明で、「モジュール」であるのに対し、引用発明２は、「複数個の発光ユニット１１によって構成される集積型化合物半導体発光装置１０」に係る発明であり、発光装置が「モジュール」といえるか否か不明である点。 
        
＜相違点４＞
　半絶縁性分離領域について、本願発明では、「前記個々のLEDを一つになるように機械的に結合させる前記個々のLED間に設けられ、前記成長用基板全体にわたってエピタキシャル成長」するものであるが、引用発明２では、「光学結合層」は、「発光ユニット間に共通して設けられている」ものの、「前記個々のLEDを一つになるように機械的に結合させる」ものであることは特定されていない点（以下「相違点４−１」という。）、及び、「光学結合層」は、「化合物半導体層で形成され、薄膜結晶成長技術を用いて作製されており」、「ＭＯＣＶＤ法などを用いて薄膜結晶成長により」「成膜」されているものの、「エピタキシャル成長」したものであることは特定されていない点（以下「相違点４−２」という。）。
　
４　判断
（１）相違点３について
　「モジュール」について、本願の明細書には、以下のように記載されている。
・「【００３５】
　続いてLED/基板は、たとえば鋸による切断又はスクライブ・ブレーク(scribe-and-break)法によりダイシングされて、任意の数のLEDを有するLEDのモジュールが形成される。後に
各モジュールは、他全てのプロセス後に、単一のパッケージ内にまとめられる
・「【００５３】
　工程66では、LEDは、LEDは貫通するが半絶縁層は貫通しない溝によって、互いに電気的に分離する。特にサブマウントが可撓性である場合には、厚い半絶縁性層は、サファイア基板が取り外された後における、個々のLEDの位置合わせを維持するのを助ける。さらにサブマウントに高温処理が施される場合、半絶縁層は、金属のクリープ現象から生じるLEDを位置合わせのずれを抑える。またさらに半絶縁層はそれぞれのLEDの端部を覆い、かつダイの端部は湿気に対して最も弱いので、前記半絶縁層はこのような弱点を緩和する。各LEDはフリップチップである（光取り出し面に対して反対を向く面上にp型コンタクトもn型コンタクトも存在する）。任意で、サファイア基板は、LEDモジュールが取り出されるようにダイシングされる。
各LEDモジュールは単一のパッケージに含まれるべきLEDを含む
　本願明細書の上記段落を含め、明細書、特許請求の範囲及び図面全般を精査しても、「モジュール」の用語の定義又は説明を見い出せない。
　一方、「モジュール」には、「電気機器やコンピューター装置などの、構成要素の単位。独立の完成した機能をもち、交換や着脱が可能で、より大きなシステムに構成される。」との意味がある（必要であれば、goo辞書（http://dictionary.goo.ne.jp/jn/）掲載のデジタル大辞泉を参照のこと。）。
　
　上記「２　引用例の記載と引用発明」「（１）引用例２」の摘記事項（ｂ）の段落【００１２】及び摘記事項（ｃ）の段落【００６６】を参照すると、「本発明は、
大面積の面光源的発光
支持体上の金属配線を自在に変化させることで、１つの発光装置内の各発光ユニットを
直列接続にも
可能である
　
　引用例２には、上記「集積型の化合物半導体発光装置」について、その具体的用途やパッケージングについては明記されていないものの、上記摘記事項を参照すると、引用発明２の発光装置は、「面光源」として用いることができ、かつ発光ユニットの集積の個数や各発光ユニットの接続を適宜設定できるものであると認められる。
　したがって、引用発明２の発光装置を、「独立の完成した機能」をもつ単位とすること、すなわち、「モジュール」とすることは、当業者であれば適宜なし得たことと認められる。
　よって、相違点３は、当業者が容易になし得た程度のものである。
（２）相違点４について
ア　相違点４−１について
　上記「２　引用例の記載と引用発明」「（１）引用例２」の摘記事項（ｄ）の段落【００７６】には、「発光ユニット間分離溝１２は、光学結合層の界面まで達しているか、または図１に示すように光学結合層が分断されない状態でその中まで達していることが必要である。」と記載されていることから、引用発明２において、「光学結合層」は、「個々の発光ユニットを一つになるように機械的に結合させる個々の発光ユニット間に設けられ」るという構成を実質的に備えるものであるといえる。
イ　相違点４−２について
　引用発明２の「光学結合層」は、「化合物半導体層で形成され、薄膜結晶成長技術を用いて作製されており」、「ＭＯＣＶＤ法などを用いて薄膜結晶成長」により成膜して製造されるものである。
　他方、一般に、化合物半導体の薄膜結晶成長技術において、ＭＯＣＶＤ法など用いて成膜する際に、「エピタキシャル成長」となるように成膜することは普通に行われていることであるから、引用発明２において、「光学結合層」を「エピタキシャル成長」したものとすることは当業者であれば適宜なし得たことである。
　よって、相違点４−２は、当業者が容易になし得た程度のものである。
　
（３）判断についてのまとめ
　以上検討したとおり、相違点３及び相違点４は、いずれも当業者が容易になし得た程度のものである。
　したがって、本願発明は、引用発明２及び引用例２の記載事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
５　本願発明についてのまとめ
　以上のとおり、本願発明は、引用発明２及び引用例２の記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。