(57)【要約】      （修正有）【課題】ステージに配置される静電チャックの基板吸着面に付着したパーティクルを容易かつ確実に除去することのできる、静電チャックのパーティクル除去方法及び除去装置を提供する。【解決手段】ステージ１１に配置される静電チャック４３の基板吸着面４３ａに付着したパーティクルを除去する静電チャック４３のパーティクル除去方法において、前記基板吸着面４３ａに、粘着部材８８を有する押圧部材８７を押圧手段１２により押圧し、前記粘着部材８８に前記パーティクルを付着させた後、前記粘着部材８８を前記基板吸着面４３ａから離脱して前記基板吸着面４３ａに付着した前記パーティクルを除去する。【選択図】図８
2007165699.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ステージに配置される静電チャックの基板吸着面に付着したパーティクルを除去する静電チャックのパーティクル除去方法において、
前記基板吸着面に、粘着部材を有する押圧部材を押圧手段により押圧し、前記粘着部材に前記パーティクルを付着させた後、前記粘着部材を前記基板吸着面から離脱して前記基板吸着面に付着した前記パーティクルを除去することを特徴とする静電チャックのパーティクル除去方法。
【請求項２】
請求項１記載の静電チャックのパーティクル除去方法において、
前記粘着部材は前記押圧部材に所定間隔を置いて固定され、前記ステージと前記押圧部材とを相対移動しながら、前記基板吸着面への前記粘着部材の押圧と離脱とを繰り返すことを特徴とする静電チャックのパーティクル除去方法。
【請求項３】
請求項１または請求項２記載の静電チャックのパーティクル除去方法において、
前記静電チャックは前記ステージに前記基板吸着面を下向きにして配置され前記基板吸着面にレチクルを吸着可能とされ、
前記押圧手段は前記レチクルを前記基板吸着面に押圧可能とされ、
前記押圧部材は前記レチクルと略同一外形を有するダミーレチクルであり、前記ダミーレチクルの前記基板吸着面側に前記粘着部材が固定されていることを特徴とする静電チャックのパーティクル除去方法。
【請求項４】
ステージに配置される静電チャックの基板吸着面に付着したパーティクルを除去する静電チャックのパーティクル除去装置において、
粘着部材を有する押圧部材と、
前記押圧部材を前記基板吸着面に押圧し前記粘着部材に前記パーティクルを付着するとともに前記粘着部材を前記基板吸着面から離脱する押圧手段と、
を有することを特徴とする静電チャックのパーティクル除去装置。
【請求項５】
請求項４記載の静電チャックのパーティクル除去装置において、
前記粘着部材は前記押圧部材に所定間隔を置いて固定され、前記ステージと前記押圧部材とを相対移動しながら、前記基板吸着面への前記粘着部材の押圧と離脱とを繰り返すことを特徴とする静電チャックのパーティクル除去装置。
【請求項６】
請求項４または請求項５記載の静電チャックのパーティクル除去装置において、
前記静電チャックは前記ステージに前記基板吸着面を下向きにして配置され前記基板吸着面にレチクルを吸着可能とされ、
前記押圧手段は前記レチクルを前記基板吸着面に押圧可能とされ、
前記押圧部材は前記レチクルと略同一外形を有するダミーレチクルであり、前記ダミーレチクルの前記基板吸着面側に前記粘着部材が固定されていることを特徴とする静電チャックのパーティクル除去装置。
【請求項７】
請求項６記載の静電チャックのパーティクル除去装置において、
前記ステージは水平方向に移動可能であり、前記押圧手段は、前記ステージの移動範囲内にかつ前記ステージより下方となる位置に位置していることを特徴とする静電チャックのパーティクル除去装置。
【請求項８】
請求項６または請求項７記載の静電チャックのパーティクル除去装置において、
前記ダミーレチクルは、ベース部材とカバー部材とに分割可能な保護ポッド内に収容されて搬送され、前記カバー部材を離脱した状態で前記ベース部材とともに前記押圧手段に
配置されることを特徴とする静電チャックのパーティクル除去装置。
【請求項９】
請求項４ないし請求項８のいずれか１項記載の静電チャックのパーティクル除去装置において、
前記押圧手段に、前記押圧部材を前記基板吸着面に押圧する力を測定する測定手段を設けてなることを特徴とする静電チャックのパーティクル除去装置。
【請求項１０】
請求項４ないし請求項９のいずれか１項記載の静電チャックのパーティクル除去装置を有することを特徴とする露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ステージに配置される静電チャックの基板吸着面に付着したパーティクルを除去する静電チャックのパーティクル除去方法、静電チャックのパーティクル除去装置および露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、露光装置のステージに配置される静電チャックの基板吸着面に付着したパーティクルの除去は、例えば、ステージから静電チャックを取り外し、静電チャックの基板吸着面を人手により清掃することにより行われている。
【特許文献１】特開２００４−２７７２２７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、このような方法では、静電チャックの清掃に多大な工数が必要になるという問題があった。特に、真空雰囲気内において露光を行う露光装置では、真空雰囲気を破壊して静電チャックを清掃した後、再度真空雰囲気にする必要があり露光装置の停止時間が長くなる。
本発明は、かかる従来の問題を解決するためになされたもので、ステージに配置される静電チャックの基板吸着面に付着したパーティクルを容易，確実に除去することができる静電チャックのパーティクル除去方法、静電チャックのパーティクル除去装置を提供することを目的とする。また、この静電チャックのパーティクル除去装置を用いた露光装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
第１の発明の静電チャックのパーティクル除去方法は、ステージに配置される静電チャックの基板吸着面に付着したパーティクルを除去する静電チャックのパーティクル除去方法において、前記基板吸着面に、粘着部材を有する押圧部材を押圧手段により押圧し、前記粘着部材に前記パーティクルを付着させた後、前記粘着部材を前記基板吸着面から離脱して前記基板吸着面に付着した前記パーティクルを除去することを特徴とする。
【０００５】
第２の発明の静電チャックのパーティクル除去方法は、第１の発明の静電チャックのパーティクル除去方法において、前記粘着部材は前記押圧部材に所定間隔を置いて固定され、前記ステージと前記押圧部材とを相対移動しながら、前記基板吸着面への前記粘着部材の押圧と離脱とを繰り返すことを特徴とする。
第３の発明の静電チャックのパーティクル除去方法は、第１または第２の発明の静電チャックのパーティクル除去方法において、前記静電チャックは前記ステージに前記基板吸着面を下向きにして配置され前記基板吸着面にレチクルを吸着可能とされ、前記押圧手段は前記レチクルを前記基板吸着面に押圧可能とされ、前記押圧部材は前記レチクルと略同一外形を有するダミーレチクルであり、前記ダミーレチクルの前記基板吸着面側に前記粘着部材が固定されていることを特徴とする。
【０００６】
第４の発明の静電チャックのパーティクル除去装置は、ステージに配置される静電チャックの基板吸着面に付着したパーティクルを除去する静電チャックのパーティクル除去装置において、粘着部材を有する押圧部材と、前記押圧部材を前記基板吸着面に押圧し前記粘着部材に前記パーティクルを付着するとともに前記粘着部材を前記基板吸着面から離脱する押圧手段とを有することを特徴とする。
【０００７】
第５の発明の静電チャックのパーティクル除去装置は、第４の発明の静電チャックのパーティクル除去装置において、前記粘着部材は前記押圧部材に所定間隔を置いて固定され、前記ステージと前記押圧部材とを相対移動しながら、前記基板吸着面への前記粘着部材の押圧と離脱とを繰り返すことを特徴とする。
第６の発明の静電チャックのパーティクル除去装置は、第４または第５の発明の静電チャックのパーティクル除去装置において、前記静電チャックは前記ステージに前記基板吸着面を下向きにして配置され前記基板吸着面にレチクルを吸着可能とされ、前記押圧手段は前記レチクルを前記基板吸着面に押圧可能とされ、前記押圧部材は前記レチクルと略同一外形を有するダミーレチクルであり、前記ダミーレチクルの前記基板吸着面側に前記粘着部材が固定されていることを特徴とする。
【０００８】
第７の発明の静電チャックのパーティクル除去装置は、第６の発明の静電チャックのパーティクル除去装置において、前記ステージは水平方向に移動可能であり、前記押圧手段は、前記ステージの移動範囲内にかつ前記ステージより下方となる位置に位置していることを特徴とする。
第８の発明の静電チャックのパーティクル除去装置は、第６または第７の発明の静電チャックのパーティクル除去装置において、前記ダミーレチクルは、ベース部材とカバー部材とに分割可能な保護ポッド内に収容されて搬送され、前記カバー部材を離脱した状態で前記ベース部材とともに前記押圧手段に配置されることを特徴とする。
【０００９】
第９の発明の静電チャックのパーティクル除去装置は、第４ないし第８のいずれか１の発明の静電チャックのパーティクル除去装置において、前記押圧手段に、前記押圧部材を前記基板吸着面に押圧する力を測定する測定手段を設けてなることを特徴とする。
第１０の発明の露光装置は、第４ないし第９のいずれか１の発明の静電チャックのパーティクル除去装置を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の静電チャックのパーティクル除去方法および除去装置では、ステージに配置される静電チャックの基板吸着面に付着したパーティクルを容易，確実に除去することができる。
本発明の露光装置では、ステージに配置される静電チャックの基板吸着面に付着したパーティクルを容易，確実に除去することができるため、停止時間が少なく、かつ、信頼性の高い露光装置を得ることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態を図面を用いて詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態が適用される露光装置を示している。
この露光装置は、レチクルステージ１１および昇降装置１２が配置される露光チャンバ１３を有している。露光チャンバ１３の一側には、真空ロボット１５が配置されるロボットチャンバ１７が設けられている。ロボットチャンバ１７の片側には、真空レチクルライブラリ１９が設けられ、他側には、クリーンフィルタポッドオープナ(以下ＣＦＰオープナという)２１が設けられている。露光チャンバ１３、ロボットチャンバ１７、真空レチクルライブラリ１９およびＣＦＰオープナ２１は、真空雰囲気とされている。
【００１２】
ロボットチャンバ１７の露光チャンバ１３に対向する位置には、ロードロック室２３が配置されている。ロードロック室２３は、第２のゲートバルブ２５を介してロボットチャンバ１７に連通されている。また、第１のゲートバルブ２７を介して大気中に連通されている。
ロードロック室２３の外側には、第２の大気ロボット２９を介してレチクルキャリアオ
ープナ３１が配置されている。レチクルキャリアオープナ３１の外側には、第１の大気ロボット３３を介して大気レチクルライブラリ３５が配置されている。
【００１３】
図２は、露光チャンバ１３内に配置されるレチクルステージ１１および昇降装置１２の詳細を示している。
レチクルステージ１１は熱泳動プレート３７の上方に配置されている。熱泳動プレート３７には冷媒が循環され所定の温度に冷却されている。このように熱泳動プレート３７を冷却することにより微細な汚染物(パーティクル)が熱泳動プレート３７側に移動し、熱泳動プレート３７の上側には汚染物の非常に少ない熱泳動作動領域３９が形成される。
【００１４】
レチクルステージ１１は案内手段４１(概略的に示す)により水平方向に移動可能な可動ステージとされている。レチクルステージ１１の下側には静電チャック４３が固定されている。静電チャック４３の下方の熱泳動プレート３７には固定ブラインド４５が形成されている。固定ブラインド４５は静電チャック４３側に突出され、その中央にＥＵＶ光を通過させる穴部４５ａが形成されている。
【００１５】
昇降装置１２は昇降テーブル４７を有している。昇降テーブル４７は熱泳動プレート３７の上方の熱泳動作動領域３９内に配置されている。また、レチクルステージ１１より下方の位置に位置可能に配置されている。昇降テーブル４７は昇降軸４９の上端に支持されている。昇降軸４９は熱泳動プレート３７を貫通して下方に延存され、下端には昇降軸４９を上下方向に移動するリフト機構５１が配置されている。昇降軸４９には、昇降テーブル４７に作用する力を測定する力センサ５３が設けられている。この力センサ５３は歪みゲージ，圧電素子等からなる。
【００１６】
上述した露光装置では、大気レチクルライブラリ３５には、図３に示すように、露光に使用されるＥＵＶＬ用のレチクル５７が、レチクルキャリア５９およびクリーンフィルタポッド(以下ＣＦＰという)６１により２重に保護された状態で置かれている。ＣＦＰ６１は減圧雰囲気中においてレチクル５７を保護する保護カバーとしての機能を有する。
大気レチクルライブラリ３５に置かれたレチクルキャリア５９は、第１の大気ロボット３３によりレチクルキャリアオープナ３１に搬送される。そして、レチクルキャリアＩＤリーダ６３によりレチクルキャリア５９が識別される。このレチクルキャリアオープナ３１において、レチクルキャリア５９が開かれＣＦＰ６１が露出される。露出されたＣＦＰ６１は温度補償ランプ４５により２〜３℃程度昇温される。昇温されたＣＦＰ６１は第２の大気ロボット２９により、第１のゲートバルブ２７のみが開いた状態のロードロック室２３内に搬送される。なお、レチクルキャリアオープナ３１からロードロック室２３に至る順路は清浄雰囲気とされている。
【００１７】
ロードロック室２３では、第１のゲートバルブ２７および第２のゲートバルブ２５を閉じた状態でＣＦＰ６１ごと真空引きが行われる。ロードロック室２３内が所定の真空状態になると、第２のゲートバルブ２５のみが開かれ、ＣＦＰ６１が真空ロボット１５により真空レチクルライブラリ１９に搬送される。
真空レチクルライブラリ１９には、例えば５枚程度のレチクル５７がＣＦＰ６１に収容された状態で保存される。レチクル５７は温度調整機構(図示せず)により所定の温度に維持される。ＣＦＰ６１に収容された状態のレチクル５７は、レチクルＩＤリーダ６７により識別される。識別されたレチクル５７は、真空ロボット１５によりＣＦＰ６１に収容された状態でＣＦＰオープナ２１に搬送される。
【００１８】
ＣＦＰオープナ２１では、ＣＦＰ６１が開かれレチクル５７が露出される。
この実施形態では、図４に示すように、ＣＦＰオープナ２１に搬送されたＣＦＰ６１は、ＣＦＰステージ６９上に載置される。ＣＦＰ６１は、カバー部材７１とベース部材７３
とからなる。そして、図５に示すように、ＣＦＰステージ６９を下降させることにより、カバー部材７１の外周部が支持部材７５の上端の係止部材７７に係止されレチクル５７が露出される。
【００１９】
この実施形態では、ＣＦＰステージ６９の下方には、レチクル５７のプリアライメントを行うための基準顕微鏡７９が配置されている。そして、基準顕微鏡７９により、ＣＦＰステージ６９に形成される貫通穴６９ａおよびベース部材７３に設けられた透明窓７３ａから透明窓７３ａ越しに、レチクル５７の下面に設けられたプリアライメントマーク５７ａを検出し、ＣＦＰステージ６９を駆動することでプリアライメントが行われる。この時に、レチクル５７に設けられたバーコード等のレチクルＩＤをベース部材７３の透明窓７３ａ越しに検出することでレチクルＩＤを確認することができる。
【００２０】
プリアライメントの終了したレチクル５７は、図２に示したように、ＣＦＰ６１のベース部材７３に載置された状態で、真空ロボット１５の搬送アーム８１のエンドエフェクター８１ａにより昇降装置１２の昇降テーブル４７に搬送される。
次に、図６の(ａ)に示すように、リフト機構５１により昇降軸４９が上昇され昇降テーブル４７の上面にベース部材７３が載置される。これによりエンドエフェクター８１ａがベース部材７３から分離される。
【００２１】
次に、図６の(ｂ)に示すように、エンドエフェクター８１ａを退避した後に、リフト機構５１により昇降軸４９が下降され、ベース部材７３およびレチクル５７が下降される。この状態でレチクルステージ１１が案内手段４１によりレチクル５７の直上に移動される。
次に、図６の(ｃ)に示すように、リフト機構５１により昇降軸４９が上昇され、レチクルステージ１１の静電チャック４３の下面にレチクル５７が吸着される。すなわち、昇降テーブル４７によりベース部材７３を介してレチクル５７を静電チャック４３の吸着面４３ａに押圧した状態で、静電チャック４３をオンすることによりレチクル５７の上面が吸着面４３ａにチャックされる。
【００２２】
この実施形態では、レチクル５７を静電チャック４３の吸着面４３ａに押圧した時の押圧力が力センサ５３により検出され、レチクル５７が予め定められた押圧力で吸着面４３ａに押圧される。従って、レチクル５７を吸着面４３ａに所定の力で確実に押圧することができる。
次に、図６の(ｄ)に示すように、レチクルステージ１１が案内手段４１により固定ブラインド４５側に移動される。これにより昇降テーブル４７上にはベース部材７３のみが残される。
【００２３】
次に、図６の(ｅ)に示すように、レチクルステージ１１が案内手段４１により固定ブラインド４５の直上の露光位置に移動される。この時のレチクル５７の下面と固定ブラインド４５の上面との間隔は１ｍｍ程度と狭いものになる。そして、固定ブラインド４５の穴部からＥＵＶ光Ｌが入射され、レチクル５７で反射したＥＵＶ光Ｌにより露光が行われる。
【００２４】
一方、昇降テーブル４７上のベース部材７３は搬送アーム８１のエンドエフェクター８１ａにより回収される。搬送アーム８１はベース部材７３をＣＦＰオープナ２１まで搬送し、図５に示したように下降位置にあるＣＦＰステージ６９上にベース部材７３を載置する。そして、図７に示すように、ＣＦＰステージ６９を上昇させることでＣＦＰ６１のカバー部材７１とベース部材７３とが密着し、カバー部材７１とベース部材７３の内部が密閉される。これによりベース部材７３およびカバー部材７１が汚染されることが防止される。
【００２５】
露光が終了し、レチクルステージ１１のレチクル５７の交換を行う際には、図７に示したような状態で待機していたＣＦＰ６１のカバー部材７１とベース部材７３とを、ＣＦＰステージ６９を下降させベース部材７３を下降することにより分離(図５でレチクル５７が無い状態に対応)し、ベース部材７３を搬送アーム８１により昇降装置１２の昇降テーブル４７に搬送する。
【００２６】
そして、レチクルステージ１１を昇降テーブル４７の上方に移動した後、レチクルステージ１１の静電チャック４３に吸着されているレチクル５７にベース部材７３を当接した状態で静電チャック４３をオフすることにより、ベース部材７３にレチクル５７が載置される。この状態で、搬送アーム８１によりレチクル５７をＣＦＰオープナ２１に搬送し、図５に示したように下降位置にあるＣＦＰステージ６９上にベース部材７３を載置する。そして、ＣＦＰステージ６９を上昇させることでＣＦＰ６１のカバー部材７１とベース部材７３とが密着(図４参照)し、ＣＦＰ６１内にレチクル５７を保持した状態でＣＦＰ６１が密閉される。
(静電チャックのパーティクル除去方法)
以下、上述した露光装置のレチクルステージ１１に配置される静電チャック４３の吸着面４３ａに付着したパーティクルの除去方法について詳細に説明する。
【００２７】
図８はレチクルステージ１１の詳細を示している。レチクルステージ１１は粗動ステージ８３と微動テーブル８４とを有している。
粗動ステージ８３は水平方向に移動可能とされている。粗動ステージ８３の下方には、Ｚアクチュエータ８５を介して微動テーブル８４が配置されている。Ｚアクチュエータ８５は微動テーブル８４を上下方向に移動する。微動テーブル８４は水平方向、垂直方向および水平面内で回転可能とされている。微動テーブル８４の側面には微動テーブル８４の位置を測定するための移動鏡８６が固定されている。微動テーブル８４の下側には吸着面４３ａを下側にして静電チャック４３が固定されている。
【００２８】
そして、この実施形態では、静電チャック４３の吸着面４３ａに付着したパーティクルの除去時には、昇降装置１２の昇降テーブル４７上にダミーレチクル８７がベース部材７３を介して載置される。
ダミーレチクル８７はパーティクルの除去に使用されるものでレチクル５７と略同一外形を有している。このダミーレチクル８７は、レチクル５７と同様にベース部材７３とカバー部材７１とに分割可能なＣＦＰ６１内に収容されて搬送される。そして、図８に示すように、レチクル５７と同様にカバー部材７１を離脱した状態でベース部材７３とともに昇降テーブル４７に配置される。
【００２９】
ダミーレチクル８７の上面には、粘着フィルム８８が貼着あるいは接着により固定されている。粘着フィルム８８は短冊状をしておりダミーレチクル８７の上面に所定間隔を置いて固定されている。より具体的には、粘着フィルム８８は幅Ａが０．２ｍｍ、長さが１２０ｍｍ、厚さＢが５０〜１００μｍとされる。また、ダミーレチクル８７の上面に５ｍｍのピッチＰで２５本固定されている。
【００３０】
そして、図９に示すように、昇降装置１２のリフト機構５１により昇降テーブル４７を上昇して、ダミーレチクル８７の粘着フィルム８８を静電チャック４３の吸着面４３ａに押圧することにより粘着フィルム８８にパーティクルが付着する。より具体的には、粘着フィルム８８を３０〜５０ｋＰａ程度の圧力で吸着面４３ａに押圧することで吸着面４３ａに付着した５０ｎｍレベルの微小なパーティクルが粘着フィルム８８に付着する。粘着フィルム８８を吸着面４３ａに押圧する圧力の制御は、力センサ５３から信号を入力して、力センサ５３で検出される力が所定の力になるまで昇降テーブル４７を上昇することに
より行われる。例えば力センサ５３で検出される力が２０Ｎの時には粘着フィルム８８を吸着面４３ａに押圧する圧力は３３ｋＰａになる。
【００３１】
粘着フィルム８８を吸着面４３ａに押圧しパーティクルを粘着フィルム８８に付着させた後、リフト機構５１により昇降テーブル４７を微小距離下降して粘着フィルム８８を吸着面４３ａから離脱する。これにより吸着面４３ａの粘着フィルム８８が押圧された部分のパーティクルが吸着面４３ａから除去される。この後、微動テーブル８４を移動しながら、吸着面４３ａへの粘着フィルム８８の押圧と離脱とを繰り返すことにより静電チャック４３の吸着面４３ａの全体のパーティクルが除去される。より具体的には、微動テーブル８４を０．２ｍｍ刻みで図９のＹ方向にステップ的に移動し、その都度押圧と離脱とを繰り返す。
【００３２】
上述した静電チャックのパーティクル除去方法および除去装置では、レチクルステージ１１に配置される静電チャック４３の吸着面４３ａに、粘着フィルム８８を有するダミーレチクル８７を、昇降装置１２の昇降テーブル４７により押圧し、粘着フィルム８８にパーティクルを付着させるようにしたので、レチクルステージ１１に配置される静電チャック４３の吸着面４３ａに付着したパーティクルを容易，確実に除去することができる。
【００３３】
また、粘着フィルム８８を、ダミーレチクル８７の上面に所定間隔を置いて固定したので、粘着フィルム８８をダミーレチクル８７の上面の全体に貼着する場合に比較して、粘着フィルム８８の押圧力を均等かつ確実に吸着面４３ａに作用することができる。そして、粘着フィルム８８をダミーレチクル８７の上面の全体に貼着する場合には、粘着フィルム８８の粘着力が強すぎて粘着フィルム８８を吸着面４３ａから離脱することが困難になるが、粘着フィルム８８をダミーレチクル８７の上面に所定間隔を置いて固定することにより吸着面４３ａから容易，確実に剥がすことができる。
【００３４】
また、ダミーレチクル８７をＣＦＰ６１に収容して搬送および保存するようにしたので、搬送および保存中にダミーレチクル８７の粘着フィルム８８にパーティクルが付着すること、あるいは粘着フィルム８８からパーティクルが飛散することを有効に防止することができる。
(露光装置の実施形態)
図１０は、図１の露光チャンバ１３内のＥＵＶ光リソグラフィシステムを模式化して示している。なお、この実施形態において第１の実施形態と同一の部材には、同一の符号を付している。この実施形態では、露光の照明光としてＥＵＶ光が用いられる。ＥＵＶ光は０．１〜４００ｎｍの間の波長を持つもので、この実施形態では特に１〜５０ｎｍ程度の波長が好ましい。投影像は像光学系システム１０１を用いたもので、ウエハ１０３上にレチクル５７によるパターンの縮小像を形成するものである。
【００３５】
ウエハ１０３上に照射されるパターンは、レチクルステージ１１の下側に静電チャック４３を介して配置されている反射型のレチクル５７により決められる。この反射型のレチクル５７は、上述した実施形態の真空ロボット１５によって搬入および搬出される（真空ロボット１５の図示は省略する）。また、ウエハ１０３はウエハステージ１０５の上に載せられている。典型的には、露光はステップ・スキャンによりなされる。
【００３６】
露光時の照明光として使用するＥＵＶ光は大気に対する透過性が低いので、ＥＵＶ光が通過する光経路は、適当な真空ポンプ１０７を用いて真空に保たれた真空チャンバ１０６に囲まれている。またＥＵＶ光はレーザプラズマＸ線源によって生成される。レーザプラズマＸ線源はレーザ源１０８（励起光源として作用）とキセノンガス供給装置１０９からなっている。レーザプラズマＸ線源は真空チャンバ１１０によって取り囲まれている。レーザプラズマＸ線源によって生成されたＥＵＶ光は真空チャンバ１１０の窓１１１を通過
する。
【００３７】
レーザ源１０８は紫外線以下の波長を持つレーザ光を発生させるものであって、例えば、ＹＡＧレーザ、エキシマレーザが使用される。レーザ源１０８からのレーザ光は集光され、ノズル１１２から放出されたキセノンガス（キセノンガス供給装置１０９から供給されている）の流れに照射される。キセノンガスの流れにレーザ光を照射するとレーザ光がキセノンガスを十分に暖め、プラズマを生じさせる。レーザで励起されたキセノンガスの分子が低いエネルギ状態に落ちる時、ＥＵＶ光の光子が放出される。
【００３８】
放物面ミラー１１３は、キセノンガス放出部の近傍に配置されている。放物面ミラー１１３はプラズマによって生成されたＥＵＶ光を集光する。放物面ミラー１１３は集光光学系を構成し、ノズル１１２からのキセノンガスが放出される位置の近傍に焦点位置がくるように配置されている。ＥＵＶ光は放物面ミラー１１３の多層膜で反射し、真空チャンバ１１０の窓１１１を通じて集光ミラー１１４へと達する。集光ミラー１１４は反射型のレチクル５７へとＥＵＶ光を集光、反射させる。ＥＵＶ光は集光ミラー１１４で反射され、レチクル５７の所定の部分を照明する。すなわち、放物面ミラー１１３と集光ミラー１１４はこの装置の照明システムを構成する。
【００３９】
レチクル５７は、ＥＵＶ光を反射する多層膜とパターンを形成するための吸収体パターン層を持っている。レチクル５７でＥＵＶ光が反射されることによりＥＵＶ光は「パターン化」される。パターン化されたＥＵＶ光は投影システム１０１を通じてウエハ１０３に達する。
この実施形態の像光学システム１０１は、凹面第１ミラー１１５ａ、凸面第２ミラー１１５ｂ、凸面第３ミラー１１５ｃ、凹面第４ミラー１１５ｄの４つの反射ミラーからなっている。各ミラー１１５ａ〜１１５ｄにはＥＵＶ光を反射する多層膜が備えられている。
【００４０】
レチクル５７により反射されたＥＵＶ光は第１ミラー１１５ａから第４ミラー１１５ｄまで順次反射されて、レチクル５７パターンの縮小（例えば、１／４、１／５、１／６）された像を形成する。像光学系システム１０１は、像の側（ウエハ１０３の側）でテレセントリックになるようになっている。
レチクル５７は可動のレチクルステージ１１によって少なくともＸ−Ｙ平面内で支持されている。ウエハ１０３は、好ましくはＸ，Ｙ，Ｚ方向に可動なウエハステージ１０５によって支持されている。ウエハ１０３上のダイを露光するときには、ＥＵＶ光が照明システムによりレチクル５７の所定の領域に照射され、レチクル５７とウエハ１０３は像光学系システム１０１に対して像光学システム１０１の縮小率に従った所定の速度で動く。このようにして、レチクル５７パターンはウエハ１０３上の所定の露光範囲（ダイに対して）に露光される。
【００４１】
露光の際には、ウエハ１０３上のレジストから生じるガスが像光学システム１０１のミラー１１５ａ〜１１５ｄに影響を与えないように、ウエハ１０３はパーティション１１６の後ろに配置されることが望ましい。パーティション１１６は開口１１６ａを持っており、それを通じてＥＵＶ光がミラー１１５ｄからウエハ１０３へと照射される。パーティション１１６内の空間は真空ポンプ１１７により真空排気されている。このように、レジストに照射することにより生じるガス状のゴミがミラー１１５ａ〜１１５ｄあるいはレチクル５７に付着するのを防ぐ。それゆえ、これらの光学性能の悪化を防いでいる。
【００４２】
この実施形態の露光装置では、レチクルステージ１１に配置される静電チャック４３の吸着面４３ａに付着したパーティクルを容易，確実に除去することができるため、停止時間が少なく、かつ、信頼性の高い露光装置を得ることができる。
(実施形態の補足事項)
以上、本発明を上述した実施形態によって説明してきたが、本発明の技術的範囲は上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、以下のような形態でも良い。
【００４３】
(１)上述した実施形態では、レチクルステージ１１にレチクル５７を保持させるための昇降装置１２を本発明の押圧手段として使用した例について説明したが、昇降装置１２以外の場所に別途押圧手段を設けるようにしても良い。
(２)上述した実施形態では、本発明の押圧部材にダミーレチクル８７を用いた例について説明したが、粘着フィルム８８等の粘着部材を固定できるものであれば良い。
【００４４】
(３)上述した実施形態では、レチクルステージ１１に配置される静電チャック４３の吸着面４３ａからパーティクルを除去した例について説明したが、例えば、ウェハステージに配置される静電チャックからのパーティクルの除去にも適用することができる。
(４)上述した実施形態では、昇降装置１２を昇降して吸着面４３ａに粘着フィルム８８を押圧した例について説明したが、例えば、ウェハステージ１１を昇降して吸着面４３ａに粘着フィルム８８を押圧しても良い。
【００４５】
(５)上述した実施形態では、ＥＵＶ光を用いた露光装置の例を説明したが、その他、荷電粒子線、ｉ線、ｇ線、ＫｒＦ、ＡｒＦ、Ｆ２等を用いた露光装置にも広く適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の一実施形態が適用される露光装置を示す説明図である。
【図２】図１の昇降装置およびレチクルステージの詳細を示す説明図である。
【図３】レチクルキャリアを示す説明図である。
【図４】図１のＣＦＰステージの詳細を示す説明図である。
【図５】図４においてＣＦＰからレチクルを露出した状態を示す説明図である。
【図６】図１のＣＦＰステージからレチクルをレチクルステージに搬送する状態を示す説明図である。
【図７】図１のＣＦＰステージにＣＦＰを待機している状態を示す説明図である。
【図８】図１の昇降装置にダミーレチクルを配置した状態を示す説明図である。
【図９】図８のダミーレチクルを静電チャックに押圧した状態を示す説明図である。
【図１０】図１の露光装置の光学系を示す説明図である。
【符号の説明】
【００４７】
１１：レチクルステージ、１２：昇降装置(押圧手段)、４３：静電チャック、４７：昇降テーブル、５３：力センサ(測定手段)、５７：レチクル、６１：ＣＦＰ、７３：ベース部材、８１：搬送アーム、８３：粗動ステージ、８４：微動テーブル、８５：Ｚアクチュエータ、８７：ダミーレチクル、８８：粘着フィルム。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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