【事件の表示】
　特許第３２８６９３０号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第３２８６９３０号に係る明細書を本件審判請求書に添付された訂正明細書のとおり訂正することを認める。
【理　由】
【1】手続の経緯
　本件の訂正の審判は、特許第3286930号の願書に添付した明細書を、請求書に添付した全文訂正明細書のように訂正することを要旨として、平成15年5月22日付けで請求されたものである。
　なお、本件の訂正の審判の訂正の対象である特許第3286930号の請求項1〜4に係る発明は、平成7年7月3日に特許出願され(特願平7-167657号)、平成14年3月15日にその設定登録がなされたものである。
　
【2】訂正の内容
　請求人の求める訂正の内容は、下記a〜cのとおりである。
訂正事項a
　訂正前の特許請求の範囲の請求項1の「2層目の絶縁膜に第2蓄積容量電極に達するコンタクトホールが形成され、その上に形成される画素電極がコンタクトホールを通して第2蓄積容量電極に接続され、」を「2層目の絶縁膜に第2蓄積容量電極に達する第1のコンタクトホールが形成され、その上に形成される画素電極が第1のコンタクトホールを通して第2蓄積容量電極に接続され、ソース電極上の2層目の絶縁膜にソース電極に達する第2のコンタクトホールが形成され、ゲートバスラインと同一材料を含むゲート端子部上の2層目の絶縁膜および1層目の絶縁膜に開口された第3のコンタクトホールが形成され、第1乃至第3のコンタクトホールは同一の工程で形成されるものであり、」と訂正する。
訂正事項b
　特許明細書の段落【0025】の「(1)透明絶縁基板上にゲートバスラインとドレインバスラインがマトリクス状に形成され、ゲートバスラインとドレインバスラインの交点付近の薄膜トランジスタを介して画素電極が形成され、画素電極が形成された領域には第1蓄積容量電極および1層目の絶縁膜を介し薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極と同一材料を含む材料からなる第2蓄積容量電極が形成され、その上に2層目の絶縁膜が形成され、2層目の絶縁膜に第2蓄積容量電極に達するコンタクトホールが形成され、その上に形成される画素電極がコンタクトホールを通して第2蓄積容量電極に接続され、第2蓄積容量電極の少なくとも一部の幅が第1蓄積容量電極の幅より大きく、第2蓄積容量電極の第1蓄積容量電極より外側に張り出す部分の2層目の絶縁膜に第2蓄積容量電極に達するコンタクトホールを形成したことを特徴とするか、」を「(1)透明絶縁基板上にゲートバスラインとドレインバスラインがマトリクス状に形成され、ゲートバスラインとドレインバスラインの交点付近の薄膜トランジスタを介して画素電極が形成され、画素電極が形成された領域には第1蓄積容量電極および1層目の絶縁膜を介し薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極と同一材料を含む材料からなる第2蓄積容量電極が形成され、その上に2層目の絶縁膜が形成され、2層目の絶縁膜に第2蓄積容量電極に達する第1のコンタクトホールが形成され、その上に形成される画素電極が第1のコンタクトホールを通して第2蓄積容量電極に接続され、ソース電極上の2層目の絶縁膜にソース電極に達する第2のコンタクトホールが形成され、ゲートバスラインと同一材料を含むゲート端子部上の2層目の絶縁膜および1層目の絶縁膜に開口された第3のコンタクトホールが形成され、第1乃至第3のコンタクトホールは同一の工程で形成されるものであり、第2蓄積容量電極の少なくとも一部の幅が第1蓄積容量電極の幅より大きく、第2蓄積容量電極の第1蓄積容量電極より外側に張り出す部分の2層目の絶縁膜に第2蓄積容量電極に達するコンタクトホールを形成したことを特徴とするか、」と訂正する。
訂正事項c
　特許明細書の段落【0034】の「ネチャネル保護膜」を「チャネル保護膜」と訂正する。
　
【3】訂正の目的の適否、新規事項の有無および拡張・変更の存否
　訂正事項a及びbは、特許請求の範囲の減縮及び明りょうでない記載の釈明を目的として、願書に添付された明細書の段落【0014】〜【0016】、【図9】(a)、同(g)に記載された従来の技術であり、訂正前の請求項1に係る発明は前記従来の技術を前提とすることは明らかであるから、願書に添付された明細書及び図面に記載された事項の範囲内でする訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものとも認められない。
　訂正事項cは、誤記の訂正を目的とするものであり、段落【0034】の「ネチャネル保護膜」は「チャネル保護膜」とすべき明らかな誤記であるから、この訂正は、願書に最初に添付された明細書及び図面に記載された事項に基づくものであり、実質上特許請求の範囲を拡張し、又は変更するものとも認められない。
　
【4】独立特許要件の判断
【4-1】訂正後の発明
　上記訂正後の請求項1〜請求項4に係る発明は、訂正請求書に添付された全文訂正明細書の特許請求の範囲に記載されたとおりの以下のものである。
「【請求項1】透明絶縁基板上にゲートバスラインとドレインバスラインがマトリクス状に形成され、ゲートバスラインとドレインバスラインの交点付近の薄膜トランジスタを介して画素電極が形成され、画素電極が形成された領域には第1蓄積容量電極および1層目の絶縁膜を介し薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極と同一材料を含む材料からなる第2蓄積容量電極が形成され、その上に2層目の絶縁膜が形成され、2層目の絶縁膜に第2蓄積容量電極に達する第1のコンタクトホールが形成され、その上に形成される画素電極が第1のコンタクトホールを通して第2蓄積容量電極に接続され、ソース電極上の2層目の絶縁膜にソース電極に達する第2のコンタクトホールが形成され、ゲートバスラインと同一材料を含むゲート端子部上の2層目の絶縁膜および1層目の絶縁膜に開口された第3のコンタクトホールが形成され、第1乃至第3のコンタクトホールは同一の工程で形成されるものであり、第2蓄積容量電極の少なくとも一部の幅が第1蓄積容量電極の幅より大きく、第2蓄積容量電極の第1蓄積容量電極より外側に張り出す部分の2層目の絶縁膜に第2蓄積容量電極に達するコンタクトホールを形成したことを特徴とする薄膜トランジスタマトリクス基板。
【請求項2】第2蓄積容量電極の長手方向の一部にコンタクトホール形成用領域を設け、この領域は第1蓄積容量電極から外側に張り出し、コンタクトホールが入る大きさを有することを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタマトリクス基板。
【請求項3】コンタクトホール形成用領域を含めた第2蓄積容量電極の幅の全域が第1蓄積容量電極の幅より広いことを特徴とする請求項2記載の薄膜トランジスタマトリクス基板。
【請求項4】コンタクトホール形成用領域を除く第2蓄積容量電極の幅が第1蓄積容量電極の幅より狭いことを特徴とする請求項2記載の薄膜トランジスタマト
リクス基板。」
　(以下、請求項順に、「訂正発明1」〜「訂正発明4」という。)
　
【4-2】刊行物
　公知の刊行物1(特願平7-167657号の審査過程で引用)及び刊行物2には、以下の点が記載されている。
　
刊行物1:特開平4-335617号公報【0014】〜【0018】
　「【0014】【実施例】本発明の実施例について以下に説明する。本実施例のアクティブマトリクス基板の一実施例の平面図を図2に、図2のA-A線に沿った断面図を図1に示す。本実施例のアクティブマトリクス基板は、ガラス等の絶縁性基板1と、基板1上に形成されたTFT13とを有している。図2に示すように、TFT13のゲート電極2はゲートバス配線3に接続され、TFT13のソース電極6はソースバス配線7に接続されている。絵素電極11は下層の第1絵素電極11aと、該第1絵素電極11a上に後述のゲート絶縁膜を挟んで重畳された第2絵素電極11bからなる。第1絵素電極11a及び第2絵素電極11bは共にTFT13のドレイン電極8に接続され、第2絵素電極11bはゲートバス配線3及びソースバス配線7上にも重畳されている。また、第1絵素電極11aにはゲート電極4を挟んで付加容量電極17が対向している。第1絵素電極11aと付加容量電極17との間に付加容量19が形成されている。付加容量電極17は付加容量配線18に接続されている。
　【0015】図1及び図2に示すアクティブマトリクス基板の製造方法を、図3〜図5に示す。本実施例のアクティブマトリクス基板を製造工程に従って説明する。まず、ガラスからなる絶縁性基板1上に、スパッタリング法により300nmの厚さのTa金属膜を形成し、この金属膜をフォトリソグラフィ法及びエッチングによりパターニングして、ゲートバス配線3及びゲート電極2を形成する。次に、スパッタリング法により80nmの厚さのITO膜を形成し、ホトリソグラフィ法及びエッチングによりパターニングを行って、付加容量電極17及び付加容量配線18を形成する。次に、プラズマCVD法により、400nmの厚さのSiNxからなるゲート絶縁膜4と、後に半導体層5となる厚さ100nmのa-Si層
と、後にコンタクト層9、9となるn+型a-Si層とをこの順で連続的に形成する。次に、n+型a-Si層とa-Si層のパターニングを行って、コンタクト層9、9及び半導体層5を形成する。
　【0016】次に、この基板上の全面に、厚さ200nmのMo金属層をスパッタリング法によって形成し、このMo金属層のパターニングを行って、ソース電極6、ドレイン電極8、及びソースバス配線7を形成する。以上により、TFT13が完成する。更に、TFT13を覆って基板1上の全面に、100nmの厚さのITO膜を形成し、パターニングを行って第1絵素電極11aを形成する。本実施例では第1絵素電極11aと付加容量電極17との間に付加容量19が形成される(図3)。
　【0017】次に、TFT13及び第1絵素電極11aを形成した基板1上の全面にポリイミド樹脂膜又はアクリル樹脂膜からなる層間絶縁膜10を1μmの厚さに塗布する(図4)。次に、層間絶縁膜10のドレイン電極8に対応する部分にコンタクトホール12を形成する(図5)。更に、層間絶縁膜10及びコンタクトホール12上にITO膜を形成し、パターニングを行って第2絵素電極11bを形成する(図1)。これにより、第2絵素電極11bは層間絶縁膜10に形成されたコンタクトホール12を介してTFT13のドレイン電極8に接続される。また、図2に示すように、第2絵素電極11bはゲートバス配線3及びソースバス配線7に、層間絶縁膜10を挟んで重畳形成される。
　【0018】本実施例では、付加容量19を構成する付加容量電極17と第1絵素電極11aとの間には、比較的薄いゲート絶縁膜4のみが存在するので、付加容量19の容量値を大きくすることができる。また、第2絵素電極11bはゲートバス配線3及びソースバス配線7に重畳して形成されているので、この基板の開口率を大きくすることができる。」
　添付図面の記載から、第2絵素電極11bがコンタクトホールを通して第1絵素電極11aに接続され、同時に、ソース電極6に電気的に接続され、第2蓄積容量電極の少なくとも一部の幅が第1蓄積容量電極の幅より大きく、第1絵素電極11aの付加容量電極17より外側に張り出す部分の層間絶縁膜10に第1絵素電極11aと第2絵素電極11bを接続するコンタクトホールが形成されていることが明らかである。
　
刊行物2:特開平5-165059号公報、図1, 2、【0045】及び段落【0058】
　「【0045】[工程1]まず、図1(a)に示すように、ガラス等からなる透明な基板10上にゲート電極GおよびゲートラインGL(図3参照)を形成する。このゲート電極GおよびゲートラインGLは、基板10上にゲート用金属膜11を成膜し、この金属膜11をフォトリソグラフィ法によりパターニングして形成する。なお、図1(a)において図上右端に示した金属膜11は、ゲートライン端子部GLaの下層膜である。」、
　「【0058】[工程8]次に、図2(f)に示すように、上記保護絶縁膜17をフォトリソグラフィ法によりパターニングし、上記薄膜トランジスタ30のソース電極Sに対応するコンタクト孔17aと、データライン端子部DLaおよびゲートライン端子部GLaに対応する開口17b,17cとを形成するとともに、ゲート絶縁膜12にも、上記ゲートライン端子部GLaに対応する開口12aを形成する。」
　
【4-3】対比・判断
【4-3-1】
請求項1
　訂正発明1と刊行物1に記載された発明(以下、「引用発明」という。)とを対比すると、引用発明における「ガラス等の絶縁性基板1」、「ゲートバス配線3」、「ソースバス配線7」、「TFT13」、「第2絵素電極11b」、「付加容量電極17」、「SiNxからなるゲート絶縁膜4」、「第1絵素電極11a」、及び「層間絶縁膜10」は、それぞれ、訂正発明1の「透明絶縁基板」、「ゲートバスライン」、「ドレインバスライン」、「薄膜トランジスタ」、「画素電極」、「第1蓄積容量電極」、「1層目の絶縁膜」、「第2蓄積容量電極」、及び「2層目の絶縁膜」に相当する。
　してみると、両者は以下の点で一致し、以下の相違点1、2で相違する。
一致点
　「透明絶縁基板上にゲートバスラインとドレインバスラインがマトリクス状に形成され、ゲートバスラインとドレインバスラインの交点付近の薄膜トランジスタを介して画素電極が形成され、画素電極が形成された領域には第1蓄積容量電極および1層目の絶縁膜を介し第2蓄積容量電極が形成され、その上に2層目の絶縁膜が形成され、2層目の絶縁膜に第1のコンタクトホールが形成され、その上に形成される画素電極が第1のコンタクトホールを通して第2蓄積容量電極に接続され、ソース電極上の2層目の絶縁膜にソース電極に達するコンタクトホールが形成され、その上に形成される画素電極がコンタクトホールを通して第2蓄積容量電極に接続され、第2蓄積容量電極の少なくとも一部の幅が第1蓄積容量電極の幅より大きく、第2蓄積容量電極の第1蓄積容量電極より外側に張り出す部分の2層目の絶縁膜に第2蓄積容量電極に達するコンタクトホールを形成したことを特徴とする薄膜トランジスタマトリクス基板。」
相違点1
　訂正発明1は、ゲートバスラインと同一材料を含むゲート端子部上の2層目の絶縁膜および1層目の絶縁膜に開口されたコンタクトホールが形成され、そのコンタクトホールは、画素電極、ソース電極及び第2蓄積容量電極相互の接続のためのコンタクトホールと同一の工程で形成されるのに対して、引用発明では、ゲート端子上のコンタクトホールについて記載されていない点。
相違点2
　訂正発明1では、第2蓄積容量電極が薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極と同一材料を含む材料であり、ソース電極、画素電極及び第2蓄積容量電極間の相互接続のために、コンタクトホールを2つ用いているのに対して、引用発明では、第2蓄積容量電極が薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極と異なるITOからなり、ソース電極、画素電極及び第2蓄積容量電極間の相互接続のために、コンタクトホールを1つ用いているる点。
　
　そこで、
相違点1
　次に、
相違点2
　よって、訂正発明1は、刊行物1、2に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明できたものではない。
　
【4-3-2】
請求項2〜請求項4
　訂正発明2〜訂正発明4は、発明を特定する技術事項として、訂正発明1の前記
相違点2
　よって、既に説明した前記相違点2についての理由により、訂正発明2〜訂正発明4は、刊行物1、2に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明できたものとすることはできない。
　
　以上のとおり、訂正発明1〜訂正発明4は、特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないものとは認められず、他に拒絶理由を発見しないから、出願の際独立して特許を受けることができるものである。 
　
【5】むすび
　以上のとおりであるから、本件の訂正は、特許法第126条第1項ただし書き、同条第2項、同条第3項及び同条第4項の規定に適合する。よって、結論のとおり審決する。