【事件の表示】
　平成１１年特許願第２２８４４２号「半導体装置のめっき装置とそのめっき方法」拒絶査定に対する審判事件［平成１３年２月２３日出願公開、特開２００１−５３２１１］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．出願の経緯の概要、及び本願発明
　本願は平成１１年８月１２日の出願であって、その請求項１〜６に係る発明（以下、「本願発明１」〜「本願発明６」という。）は、平成１４年１月２５日に提出された手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜６に記載されたとおりのものと認められるところ、その本願発明１は次のとおりである。
「【請求項１】リードフレームの表面に錫ビスマス合金めっきを施す半導体装置のめっき装置であって、
所定の時間、第１の電流密度で前記リードフレームのめっきを行って、ビスマスの組成比が第１の組成比の第１の錫ビスマス合金めっき層を形成する第１の手段と、
前記第１の手段で用いためっき液を用いると共に、前記第１の電流密度と異なる第２の電流密度でめっきを行い、前記第１のめっき層上に、ビスマスの組成比が、前記第１の組成比と異なる第２の組成比の第２の錫ビスマス合金めっき層を形成する第２の手段と、
で構成したことを特徴とする半導体装置のめっき装置。」
　　
II．証拠の記載事実
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用され、本願出願前に頒布された刊行物である特開平１０−２２９１５２号公報（平成１０年８月２５日公開。以下「引用例１」という。）には、下記の記載がある。
引用例１（特開平１０−２２９１５２号公報）
(1-1)「【請求項１】導電性基体の表面に、第１めっき層と第２めっき層とがこの順序で積層されている電子部品用リード材であって、前記第２めっき層の溶融温度が前記第１めっき層の溶融温度よりも低いことを特徴とする電子部品用リード材。
【請求項２】前記第１めっき層がＳｎ単体から成り、前記第２めっき層が、Ａｇ，Ｂｉ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｚｎの群から選ばれる少なくとも１種を含有するＳｎ合金から成る請求項１の電子部品用リード材。
【請求項３】前記第１めっき層が、Ａｇ，Ｃｕ，Ｓｂ，Ｙの群から選ばれる少なくとも１種を含むＳｎ合金から成り、前記第２めっき層がＳｎ単体から成る請求項１の電子部品用リード材。」（特許請求の範囲；請求項１〜３）
(1-2)「本発明は電子部品用リード材、それを用いたリードおよび半導体装置に関し、更に詳しくは、導電性基体の表面をＰｂを含まないＳｎ系めっき層で被覆した電子部品用リード材であって、Ｐｂを含まないので環境を害することがなく、半田付け性（半田濡れ性）が優れ、半田との接合強度が高く、またリフロー処理時にも偏肉を生ずることのない電子部品用リード材に関する。」（段落【0001】）
(1-3)「第１のリード材で用いるＳｎ合金（I）としては・・・Ｓｎ−Ｂｉ系・・・・をあげることができる」（段落【0018】）
(1-4)「Ｓｎ−Ｂｉ系の場合・・・半田と接合したときに当該半田接合部にＢｉが２０重量％以上存在していると、その半田接合部の接合強度が経時的に劣化してしまう。そして、あまり多量にＢｉが含有されている系の場合・・・溶接部にブローホールが発生して溶接強度の低下が引き起こされる。このようなことから、Ｓｎ合金（I）としてＳｎ−Ｂｉ系合金を用いる場合には、半田付け後の接合部におけるＢｉ含有量が２０重量％よりも少なくなるような合金組織に調整することが好ましい。」（段落【0021】）
(1-5)「第１のリード材、第２のリード材のいずれにおいても、第１めっき層２の厚みｔ1は、１〜１５μｍ，第２めっき層の厚みｔ2は０.５〜５μｍに設定し、かつ、ｔ1とｔ2の間ではｔ2／ｔ1≦１の関係が成立するように設定することが好ましい。」（段落【0026】）
(1-6)「本発明のリード材は、導電性基体１の表面に例えば電気めっき・・・を行って製造することができる。」（段落【0031】）
(1-7)「本発明で提供されるリードとしては、上記した材料を用いて製造されたリード線、リードフレームなどをあげることができ、また半導体装置としては、上記したリード材をリード線とするダイオード、コンデンサ、またはリードフレーム上にＩＣ素子を搭載したリードフレームなどをあげることができる。」（段落【0033】）
(1-8)「銅被覆鋼線を、電解脱脂槽、酸洗槽、Ｓｎめっき槽、Ｓｎ合金めっき槽に順次走行せしめて・・・第１めっき層、第２めっき層を形成し、本発明の第１のリード材であるリード線を製造した。」（段落【0034】）
(1-9)「表３」中「実施例４４」として、第１めっき層がＳｎ−２％Ｂｉ、第２めっき層がＳｎ−１０％Ｂｉである例が示されている。（段落【0048】）
(1-10)「実施例４４・・・は、第１めっき層を高融点のＳｎ合金（II）で構成し、第２のめっき層を低融点のＳｎ合金（I）で構成した事例であるが、この場合も半田付け性は良好である。」（段落【0054】）
　　
III．対比・判断
　本願発明１と、引用例１に記載されたものとを対比すると、引用例１には、導電性基体の表面に、第１めっき層と第２めっき層とがこの順序で積層されている電子部品用リード材であって、前記第２めっき層の溶融温度が前記第１めっき層の溶融温度よりも低い電子部品用リード材（摘記1-1）に係る発明が記載され、併せて、電子部品用リード材、それを用いたリードおよび半導体装置に関する発明であること（摘記1-2）、第１のリード材で用いるＳｎ合金（I）としてはＳｎ−Ｂｉ系をあげることができること（摘記1-3）、リード材を電気めっきで製造すること（摘記1-6）、リードとしては、リードフレームが挙げられること（摘記1-7）、銅被覆鋼線を、電解脱脂槽、酸洗槽、Ｓｎめっき槽、Ｓｎ合金めっき槽に順次走行せしめてめっき層を形成し、リード線を製造したこと（摘記1-8）、第１めっき層をＳｎ−２％Ｂｉ合金、第２めっき層をＳｎ−１０％Ｂｉ合金で構成した具体例（摘記1-9）、及び、第１めっき層を高融点のＳｎ合金（II）で構成し、第２のめっき層を低融点のＳｎ合金（I）で構成した前記事例の半田付け性が良好であること（摘記1-10）が記載されており、そして、引用例１の特に上記摘記1-8のめっき装置に係る記載からみて、引用例１には、めっき装置に係る発明が記載されているといえる。
　してみれば、本願発明１は、引用例１に記載された発明と、リードフレームの表面に錫ビスマス合金めっきを施す半導体装置のめっき装置であって、所定の時間、第１の電流密度で前記リードフレームのめっきを行って、ビスマスの組成比が第１の組成比の第１の錫ビスマス合金めっき層を形成する第１の手段と、前記第１のめっき層上に、ビスマスの組成比が、前記第１の組成比と異なる第２の組成比の第２の錫ビスマス合金めっき層を形成する第２の手段と、で構成したことを特徴とする半導体装置のめっき装置の点で一致し、そして、
（イ）本願発明１では、上記第２の錫ビスマス合金めっき層の形成の際に、 前記第１の手段で用いためっき液を用いると共に、前記第１の電流密度と異なる第２の電流密度でめっきを行うものであるのに対して、引用例１にはその記載が見当たらない点で、本願発明１は、引用例１に記載された発明と相違すると認められる。
　　
　そこで、当該相違点（イ）について検討する。
　引用例１には、上記のとおり、下層の「第１めっき層」及び上層の「第２めっき層」からなる、多層合金めっき層を形成することが記載されているが、その多層めっき層の形成に用いるめっき浴及び電流密度についての具体的記述は見当たらない。
　これについて検討すると、多層合金めっき層を形成する手段として、めっき処理中に電流密度を変更して、析出するめっき層の合金組成を変化させ、これにより合金組成の異なる多層めっき層を形成することは、本願出願前から当めっき技術分野で周知の常套手段である。（要すれば、特開平10-158886号、同6-196324号、同6-49682号、特開昭62-136593号、同62-158897号、及び同63-105990号各公報を参照されたい。）
　そして、本願明細書の記載を見ても、かかる電流密度の変更による多層めっき手段を、Ｓｎ−Ｂi合金の多層めっきに適用し、もって上記相違点（イ）のとおり構成することに格別の困難性があると認めることはできない。
　なおかつ、めっき槽が一槽でよいため、生産ラインの縮小化がはかれ、すでに設置されているめっき装置を改造することなく、電流値を管理するソフトウエアの変更のみで容易に対応できるとの、本願明細書（段落【0024】）に記載された効果については、上記の電流密度変更による多層めっき手段を採用することにより、自ずともたらされる効果に過ぎず、当業者が予期し得なかった効果ということはできない。
　　
IV．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１は、引用例１に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明と認められ、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない。
　したがって、本願発明２〜６についてあらためて検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。