(57)【要約】【課題】接続電極の電気接触の不良問題を解決することができる電界発光素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の電界発光素子は、第１基板上に、２つの電極の間に配置された発光部を有する第１ピクセル部と、２つの電極のうちのいずれかから電気的に延びた接続電極と、第１基板に対向配置された第２基板上に、第１ピクセル部に電気的に接続するように形成されたトランジスタ部と、トランジスタ部のドレインと電気的に接続したドレイン電極と、接続電極及び前記ドレイン電極と面接触する電気接触部とを備える。【選択図】図２
2007165825.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板上に、２つの電極の間に配置された発光部を有する第１ピクセル部と、
前記２つの電極のうちのいずれかから電気的に延びた接続電極と、
前記第１基板に対向配置された第２基板上に、前記第１ピクセル部に電気的に接続するように形成されたトランジスタ部と、
前記トランジスタ部のドレインと電気的に接続したドレイン電極と、
前記接続電極及び前記ドレイン電極と面接触する電気接触部と
を備えたことを特徴とする電界発光素子。
【請求項２】
前記第２基板上の前記トランジスタ部と隣接した領域上に、２つの電極の間に配置された発光部を有し、前記２つの電極のうちのいずれかの電極が、前記トランジスタ部と電気的に接続した第２ピクセル部をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の電界発光素子。
【請求項３】
前記電気接触部が、
Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕのうちの少なくとも一つを含み、導電性と粘性及び耐熱性を有するペーストであることを特徴とする請求項１に記載の電界発光素子。
【請求項４】
前記第１ピクセル部の発光部が、有機物を含むことを特徴とする請求項１に記載の電界発光素子。
【請求項５】
前記第２ピクセル部の発光部が、有機物を含むことを特徴とする請求項２に記載の電界発光素子。
【請求項６】
第１基板上に、２つの電極の間に配置され、かつ有機発光層を含む発光部を有する第１ピクセル部と、
前記第１基板に対向配置された第２基板上に、前記第１ピクセル部に電気的に接続するように形成されたトランジスタ部と、
前記トランジスタ部のドレインから電気的に延びた接続電極と、
前記２つの電極のうちのいずれか一つ及び前記接続電極と面接触する電気接触部と
を備えたことを特徴とする電界発光素子。
【請求項７】
前記第２基板上の前記トランジスタ部と隣接した領域上に、２つの電極の間に配置され、有機発光層を含む発光部を有し、前記２つの電極のうちのいずれか一つが、前記トランジスタ部と電気的に接続された第２ピクセル部をさらに備えたことを特徴とする請求項６に記載の電界発光素子。
【請求項８】
前記電気接触部が、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕのうちの少なくとも一つを含み、導電性と粘性及び耐熱性を持つペーストであることを特徴とする請求項６に記載の電界発光素子。
【請求項９】
第１基板上に、２つの電極の間に配置され、有機発光層を含む発光部を有する第１ピクセル部と、
前記２つの電極のうちのいずれか一つから電気的に延びた第１接続電極と、
前記第１基板に対向配置された第２基板上に前記第１ピクセル部に電気的に接続するように形成されたトランジスタ部と、
前記トランジスタ部のドレインから電気的に延びた第２接続電極と、
前記第１接続電極及び前記第２接続電極と面接触する電気接触部と
を備えたことを特徴とする電界発光素子。
【請求項１０】
前記第２基板上の前記トランジスタ部と隣接した領域上に、２つの電極の間に配置され、有機発光層を含む発光部を有し、前記２つの電極のうちのいずれか一つが、前記トランジスタ部と電気的に接続した第２ピクセル部をさらに備えたことを特徴とする請求項９項に記載の電界発光素子。
【請求項１１】
前記電気接触部が、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕのうちの少なくとも一つを含み、導電性と粘性及び耐熱性を持つペーストであることを特徴とする請求項９に記載の電界発光素子。
【請求項１２】
第１基板上に、２つの電極の間に配置された発光部を有する第１ピクセル部を形成する第１ピクセル部形成ステップと、
前記２つの電極のうちのいずれか一つから電気的に延びる接続電極を形成する接続電極形成ステップと、
第２基板上に前記第１ピクセル部と電気的に接続するようにトランジスタ部を形成し、前記トランジスタ部のドレインと電気的に接続するドレイン電極を形成する駆動部形成ステップと、
前記接続電極と前記ドレイン電極とが対応するように、前記第１基板と前記第２基板を配置し、前記接続電極及び前記ドレイン電極と面接触する電気接触部を形成する電気接触部形成ステップと、
前記第１基板と前記第２基板とを合着する基板合着ステップと
を含むことを特徴とする電界発光素子の製造方法。
【請求項１３】
前記第２基板上の前記トランジスタ部と隣接した領域上に、２つの電極の間に配置された発光部を有し、前記２つの電極のうちのいずれか一つが前記トランジスタ部と電気的に接続するように第２ピクセル部を形成する第２ピクセル部形成ステップをさらに含むことを特徴とする請求項１２に記載の電界発光素子の製造方法。
【請求項１４】
前記電気接触部形成ステップの前記電気接触部が、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕのうちの少なくとも一つを含み、導電性と粘性及び耐熱性を持つペーストを採用したことを特徴とする請求項１２に記載の電界発光素子の製造方法。
【請求項１５】
前記電気接触部形成ステップが、前記電気接触部をプリント方法で形成したことを特徴とする請求項１２に記載の電界発光素子の製造方法。
【請求項１６】
前記第１ピクセル部形成ステップが、前記発光部が有機物を含むように形成することを特徴とする請求項１２に記載の電界発光素子の製造方法。
【請求項１７】
前記第２ピクセル部形成ステップが、前記発光部が有機物を含むように形成することを特徴とする請求項１３に記載の電界発光素子の製造方法。
【請求項１８】
第１基板上に、２つの電極の間に配置され、有機発光層を含む発光部を有する第１ピクセル部を形成する第１ピクセル部形成ステップと、
第２基板上に前記第１ピクセル部と電気的に接続するようにトランジスタ部を形成するとともに、前記トランジスタ部のドレインから電気的に延びる接続電極を形成する接続電極形成ステップと、
前記第１基板と前記第２基板を対向配置し、前記２つの電極のうちのいずれか一つ及び前記接続電極と面接触する電気接触部を形成する電気接触部形成ステップと、
前記第１基板と前記第２基板を合着する基板合着ステップと
を含むことを特徴とする電界発光素子の製造方法。
【請求項１９】
前記第２基板上の前記トランジスタ部と隣接した領域上に、２つの電極の間に配置され、有機発光層を含む発光部を有し、前記２つの電極のうちのいずれか一つが、前記トランジスタ部と電気的に接続するように第２ピクセル部を形成する第２ピクセル部形成ステップをさらに含むことを特徴とする請求項１８に記載の電界発光素子の製造方法。
【請求項２０】
前記電気接触部形成ステップの前記電気接触部が、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕのうちの少なくとも一つを含み、導電性と粘性及び耐熱性を持つペーストを適用したことを特徴とする請求項１８に記載の電界発光素子の製造方法。
【請求項２１】
第１基板上に、２つの電極の間に配置され、有機発光層を含む発光部を有する第１ピクセル部を形成する第１ピクセル部形成ステップと、
前記２つの電極のうちのいずれか一つから電気的に延びる第１接続電極を形成する第１接続電極形成ステップと、
第２基板上に前記第１ピクセル部と電気的に接続するようにトランジスタ部を形成するとともに、前記トランジスタ部のドレインから電気的に延びる第２接続電極を形成する第２接続電極形成ステップと、
前記第１接続電極と前記第２接続電極が対応するように、前記第１基板と前記第２基板を配置し、前記第１接続電極及び前記第２接続電極と面接触する電気接触部を形成する電気接触部形成ステップと、
前記第１基板と前記第２基板とを合着する基板合着ステップと
を含むことを特徴とする電界発光素子の製造方法。
【請求項２２】
前記第２基板上の前記トランジスタ部と隣接した領域上に、２つの電極の間に配置され、有機発光層を含む発光部を有し、前記２つの電極のうちのいずれか一つが、前記トランジスタ部と電気的に接続するように第２ピクセル部を形成する第２ピクセル部形成ステップをさらに含むことを特徴とする請求項２１に記載の電界発光素子の製造方法。
【請求項２３】
前記電気接触部形成ステップの前記電気接触部が、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕのうちの少なくとも一つを含み、導電性と粘性及び耐熱性を持つペーストを適用したことを特徴とする請求項２１に記載の電界発光素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電界発光素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電界発光素子は、２つの電極の間に配置された発光部を備える自発光素子である。
【０００３】
このような電界発光素子は、駆動する方式に応じてパッシブマトリックス型電界発光素子と、トランジスタ部（ＴＦＴ）を利用して駆動する方式であるアクティブマトリックス型電界発光素子に区分できる。
【０００４】
また、電界発光素子は、光が放出される方向に応じて、前面発光（Ｔｏｐ−Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式と背面発光（Ｂｏｔｔｏｍ−Ｅｍｉｓｓｉｏｎ）方式がある。
【０００５】
以下、従来の電界発光素子の構造に対する図面を参照して説明する。
【０００６】
図１は、従来の電界発光素子の断面図及び主要部の拡大断面図である。
【０００７】
同図に示すように、第１基板１０上には、例えば酸化インジウム・スズ（ｉｎｄｉｕｍ−ｔｉｎ−ｏｘｉｄｅ；以下、「ＩＴＯ」と記す）等でアノード電極１２が形成されていた。
【０００８】
また、アノード電極１２上には、発光領域を区分するための隔壁絶縁層１３及び隔壁Ｉが形成されていた。
【０００９】
また、隔壁Ｉにより区分されるアノード電極１２上の一部領域には、接続電極絶縁層１４が形成され、接続電極絶縁層１４上には、隔壁Ｉより高くスペーサＳが形成されていた。
【００１０】
また、例えば有機発光層等を備える発光部１６とカソード電極１８が積層された。
【００１１】
これにより、アノード電極１２、発光部１６、及びカソード電極１８を備えるピクセル部Ｐが形成された。
【００１２】
また、接続電極絶縁層１４、スペーサＳ、及びカソード電極１８と電気的に接続した導電層を備える接続電極Ｃが形成された。
【００１３】
この時、上述した導電層は、カソード電極１８と同じ導電性物質から形成されることが可能であった。
【００１４】
一方、第１基板１０と対向配置される第２基板３０上には、非晶質シリコンや多結晶シリコンで半導体層がパターニングされ、その半導体層の一部に不純物が添加されて、活性層３２ａ、ソース３２ｂ、ドレイン３２ｃに区分された。
【００１５】
また、上述した半導体層上にソース３２ｂ及びドレイン３２ｃの一部を露出させるゲート絶縁膜３４が形成され、ゲート絶縁膜３４上の活性層３２ａに対応する領域にゲート電極３２ｄが形成されて、トランジスタ部３２が形成された。
【００１６】
また、トランジスタ部３２上にソース３２ｂ及びドレイン３２ｃの一部を露出させる層間絶縁膜３６が形成され、ソース３２ｂ及びドレイン３２ｃとそれぞれ電気的に接続するソース電極３８ａとドレイン電極３８ｂが形成された。
【００１７】
また、隣接したトランジスタ部３２を相互に区分し、接続電極Ｃとの接触のために、ドレイン電極３８ｂの一部領域Ａを露出させる区分絶縁膜３９が形成された。
【００１８】
以上のような第１及び第２基板１０，３０は、接続電極Ｃとドレイン電極３８ｂの露出された一部領域Ａ１とが接触するように配置された後、シーラントで封止合着された。
【００１９】
以上のような従来の電界発光素子には、接続電極構造が原因となる大きな問題があった。
【００２０】
詳細には、接続電極Ｃを構成するスペーサＳの形成の際に、工程上の誤差によって各接続電極Ｃの間にサイズ差が生じるので、第１基板１０と第２基板３０とを合着させる時に、一部の接続電極Ｃの接触不良が発生した。
【００２１】
また、基板の合着工程上、物理力を基板全体に一定に加えることが容易ではなく、一部の領域に集中応力が発生した。それにより、スペーサの変形が誘発され、相対的に浮き上がる部分が生じて、接続電極Ｃの接触不良が発生した。
【００２２】
また、素子の駆動時に発生する熱によるスペーサの変形で、接続電極の接触不良が発生した。
【００２３】
このような接続電極Ｃの接触不良は、素子を表示装置に適用する際に、死点（ｄｅａｄ  ｐｏｉｎｔ）や画面にまだら模様が出る輝度不良といったディスプレイ上深刻な問題を誘発した。
【００２４】
したがって、工程歩留まりと製品の寿命及び信頼度の低下問題が発生した。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２５】
そこで、本発明は、接続電極の電気接触の不良問題を解決することを課題としてなされたものである。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
本発明は、第１基板上に、２つの電極の間に配置された発光部を有する第１ピクセル部と、２つの電極のうちのいずれかから電気的に延びた接続電極と、第１基板に対向配置された第２基板上に、第１ピクセル部に電気的に接続するように形成されたトランジスタ部と、トランジスタ部のドレインと電気的に接続したドレイン電極と、接続電極及びドレイン電極と面接触する電気接触部とを備える電界発光素子を提供する。
【００２７】
他の側面において、本発明は、第１基板上に、２つの電極の間に配置され、かつ有機発光層を含む発光部を有する第１ピクセル部と、第１基板に対向配置された第２基板上に、第１ピクセル部に電気的に接続するように形成されたトランジスタ部と、トランジスタ部のドレインから電気的に延びた接続電極と、２つの電極のうちのいずれか及び接続電極と面接触する電気接触部とを備える電界発光素子を提供する。
【００２８】
また、他の側面において、本発明は、第１基板上に２つの電極の間に配置され、有機発光層を含む発光部を有する第１ピクセル部と、２つの電極のうちのいずれかから電気的に延びた第１接続電極と、第１基板に対向配置された第２基板上に第１ピクセル部に電気的に接続するように形成されたトランジスタ部と、トランジスタ部のドレインから電気的に延びた第２接続電極と、第１接続電極及び第２接続電極と面接触する電気接触部とを備える電界発光素子を提供する。
【００２９】
また、他の側面において、本発明は、第１基板上に、２つの電極の間に配置された発光部を有する第１ピクセル部を形成する第１ピクセル部形成ステップと、２つの電極のうちのいずれかから電気的に延びる接続電極を形成する接続電極形成ステップと、第２基板上に第１ピクセル部と電気的に接続するようにトランジスタ部を形成し、トランジスタ部のドレインと電気的に接続するドレイン電極を形成する駆動部形成ステップと、接続電極とドレイン電極とが対応するように、第１基板と第２基板を配置し、接続電極及びドレイン電極と面接触する電気接触部を形成する電気接触部形成ステップと、第１基板と第２基板とを合着する基板合着ステップとを含む電界発光素子の製造方法を提供する。
【００３０】
また、他の側面において、本発明は、第１基板上に、２つの電極の間に配置され、有機発光層を含む発光部を有する第１ピクセル部を形成する第１ピクセル部形成ステップと、第２基板上に第１ピクセル部と電気的に接続するようにトランジスタ部を形成するとともに、トランジスタ部のドレインから電気的に延びる接続電極を形成する接続電極形成ステップと、第１基板と第２基板を対向配置し、２つの電極のうちのいずれか及び接続電極と面接触する電気接触部を形成する電気接触部形成ステップと、第１基板と第２基板を合着する基板合着ステップとを含む電界発光素子の製造方法を提供する。
【００３１】
また、他の側面において、本発明は、第１基板上に２つの電極の間に配置され、有機発光層を含む発光部を有する第１ピクセル部を形成する第１ピクセル部形成ステップと、２つの電極のうちのいずれかから電気的に延びる第１接続電極を形成する第１接続電極形成ステップと、第２基板上に第１ピクセル部と電気的に接続するようにトランジスタ部を形成するとともに、トランジスタ部のドレインから電気的に延びる第２接続電極を形成する第２接続電極形成ステップと、第１接続電極と第２接続電極が対応するように、第１基板と第２基板を配置し、第１接続電極及び第２接続電極と面接触する電気接触部を形成する電気接触部形成ステップと、第１基板と第２基板とを合着する基板合着ステップとを含む電界発光素子の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００３２】
本発明によれば、電界発光素子の接続電極構造において、第１及び第２基板の電極に面接触する電気接触部が第１及び第２基板の電気接触度を向上させるので、工程上の誤差及び限界と駆動熱による接続電極の電気接触の不良問題を解決することができる。
【００３３】
これにより、本発明は、工程歩留まり及び製品の寿命と信頼度を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
＜第１の実施の形態＞
【００３５】
図２は、本発明の第１の実施の形態に係る電界発光素子の断面図及び主要部の拡大断面図である。
【００３６】
同図に示すように、第１基板５０上には、例えばＩＴＯ等で第１電極５２が形成される。
【００３７】
また、第１電極５２上には、発光領域を区分するための隔壁絶縁層５３及び隔壁Ｉが形成される。
【００３８】
また、隔壁Ｉにより区分される第１電極５２上の一部領域には、接続電極絶縁層５４が形成され、接続電極絶縁層５４上には、隔壁Ｉより高くスペーサＳが形成される。
【００３９】
また、第１電極５２上には、例えば有機発光層等を備える発光部５６と第２電極５８とが積層される。
【００４０】
これにより、第１電極５２、発光部５６、及び第２電極５８を備えるピクセル部Ｐが形成される。
【００４１】
また、接続電極絶縁層５４、スペーサＳ、及び第２電極５８と電気的に接続した導電層を備える接続電極Ｃ１が形成される。
【００４２】
この時、上述した導電層は、第２電極５８と同じ導電性物質から形成されることができる。
【００４３】
一方、第１基板５０と対向配置される第２基板７０上には、非晶質シリコンや多結晶シリコンで半導体層がパターニングされ、その半導体層の一部に不純物が添加されて、活性層７２a、ソース７２ｂ、ドレイン７２ｃに区分される。
【００４４】
また、上述した半導体層上にソース７２ｂ及びドレイン７２ｃの一部を露出させるゲート絶縁膜７４が形成され、ゲート絶縁膜７４上の活性層７２ａに対応する領域にゲート電極７２ｄが形成されて、トランジスタ部７２が形成される。
【００４５】
また、トランジスタ部７２上に、ソース７２ｂ及びドレイン７２ｃの一部を露出させる層間絶縁膜７６が形成され、ソース７２ｂ及びドレイン７２ｃとそれぞれ電気的に接続するソース電極７８ａとドレイン電極７８ｂが形成される。
【００４６】
また、隣接したトランジスタ部７２を相互に区分し、接続電極Ｃ１との接触のために、ドレイン電極７８ｂの一部領域Ａ２を露出させる区分絶縁膜７９が形成される。
【００４７】
以上のような第１及び第２基板５０，７０は、接続電極Ｃ１とドレイン電極７８ｂの露出された一部領域Ａ２とが接触するように配置された後、シーラントで封止合着される。
【００４８】
この時、上述した接続電極Ｃ１とドレイン電極７８ｂの所定領域Ａ２との間には、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕを主基材とし、導電性と粘性及び耐熱性を持つペーストタイプの電気接触部Ｒが形成されて、上述した接続電極Ｃ１とドレイン電極７８ｂとの電気的接続状態を效率的に改善する。
【００４９】
詳細には、電気接触部Ｒが適用された本発明の第１の実施の形態に係る電界発光素子の接続構造Ｃ１，Ａ２，Ｒは、形成工程上の誤差による接続電極Ｃ１の高さ差のため発生した接続電極Ｃ１とドレイン電極７８ｂとの間の接触不良の問題を解決することができる。
【００５０】
また、基板５０，７０の合着過程において、一部領域に発生した集中応力により、接続電極Ｃ１とドレイン電極７８ｂとの間が浮き上がることから発生した接触不良の問題を解決することができる。
【００５１】
また、駆動時の発生熱により接続電極Ｃ１が変形されることから発生した接続電極Ｃ１とドレイン電極７８ｂとの間の接触不良の問題を解決することができる。
【００５２】
なお、本発明の第１の実施の形態において説明した電気接触部Ｒの主基材として用いられる金属は、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕに限定されない。
【００５３】
また、電気接触部Ｒは、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕのうち、２つ以上を含む合金が採用されることができる。
【００５４】
＜第２の実施の形態＞
【００５５】
図３は、本発明の第２の実施の形態に係る電界発光素子の主要部の拡大断面図である。
【００５６】
同図に示すように、第１基板９０上には、例えばＩＴＯ等で第１電極９２が形成される。
【００５７】
また、第１電極９２上には、発光領域を区分するための隔壁絶縁層９３及び隔壁Ｉが形成される。
【００５８】
また、隔壁Ｉにより区分される第１電極９２上の一部領域には、接続部絶縁層９４が形成される。
【００５９】
また、第１電極９２上には、例えば有機発光層等を備える発光部９６と第２電極９８とが積層される。
【００６０】
これにより、第１電極９２、発光部９６及び第２電極９８を備えるピクセル部Ｐが形成される。
【００６１】
また、接続部絶縁層９４及び第２電極９８と電気的に接続した導電層を備える接続部Ｄが形成される。
【００６２】
この時、上述した導電層は、第２電極９８と同じ導電性物質から形成されることができる。
【００６３】
一方、第１基板９０と対向配置される第２基板１１０上には、非晶質シリコンや多結晶シリコンで半導体層がパターニングされ、その半導体層の一部に不純物が添加されることによって、活性層１１２ａ、ソース１１２ｂ、ドレイン１１２ｃに区分される。
【００６４】
また、上述した半導体層上にソース１１２ｂ及びドレイン１１２ｃの一部を露出させるゲート絶縁膜１１４が形成され、ゲート絶縁膜１１４上の活性層１１２ａに対応される領域にゲート電極１１２ｄが形成されて、トランジスタ部１１２が形成される。
【００６５】
また、トランジスタ部１１２上にソース１１２ｂ及びドレイン１１２ｃの一部を露出させる層間絶縁膜１１６が形成され、ドレイン１１２ｃと近接した層間絶縁膜１１６上の一部領域に、少なくとも第１基板９０上の隔壁Ｉの高さよりも高いスペーサＳが形成される。
【００６６】
また、トランジスタ部１１２上には、ソース１１２ｂ及びドレイン１１２ｃとそれぞれ電気的に接続するソース電極１１８ａとドレイン電極１１８ｂが形成される。これにより、スペーサＳ及びドレイン電極１１８ｂと電気的に接続した導電層を備える接続電極Ｃ２が形成される。
【００６７】
また、隣接したトランジスタ部１１２を相互に区分し、接続電極Ｃ１を露出させる区分絶縁膜１１９が形成される。
【００６８】
以上のような第１及び第２基板９０，１１０は、接続部Ｄと接続電極Ｃ２とが接触するように配置された後、シーラントで封止合着される。
【００６９】
この時、上述した接続部Ｄと接続電極Ｃ２との間の所定領域Ａ３には、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕを主基材とし、導電性と粘性及び耐熱性を持つペーストタイプの電気接触部Ｒが形成されて、接続部Ｄと接続電極Ｃ２との電気的接続状態を效率的に改善する。
【００７０】
詳細には、電気接触部Ｒが適用された本発明の第２の実施の形態に係る電界発光素子の接続構造Ｃ２，Ｄ，Ｒは、形成工程上の誤差による接続電極Ｃ２の高さ差のため発生した接続部Ｄと接続電極Ｃ２との間の接触不良の問題を解決することができる。
【００７１】
また、基板９０，１１０の合着過程において、一部領域に発生した集中応力により接続部Ｄと接続電極Ｃ２との間が浮き上がることから発生した接触不良の問題を解決することができる。
【００７２】
また、駆動時の発生熱により接続電極Ｃ２が変形されることから発生した接続部Ｄと接続電極Ｃ２との間の接触不良の問題を解決することができる。
【００７３】
以上、本発明の第２の実施の形態で説明した電気接触部Ｒの主基材として用いられる金属は、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕに限定されない。
【００７４】
また、電気接触部Ｒは、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕのうち、２つ以上を含む合金が採用されることができる。
【００７５】
＜第３の実施の形態＞
【００７６】
図４は、本発明の第３の実施の形態に係る電界発光素子の断面図及び主要部の拡大断面図である。
【００７７】
同図に示すように、第１基板１３０上には、例えばＩＴＯ等で第１電極１３２が形成される。
【００７８】
また、第１電極１３２上には、発光領域を区分するための隔壁絶縁層１３３及び隔壁Ｉが形成される。
【００７９】
また、隔壁Ｉにより区分される第１電極１３２上の一部領域には、接続電極絶縁層１３４が形成され、接続電極絶縁層１３４上には、第１スペーサＳ１が形成される。
【００８０】
また、第１電極１３２上には、例えば有機発光層等を備える発光部１３６と第２電極１３８とが積層される。
【００８１】
これにより、第１電極１３２、発光部１３６、及び第２電極１３８を備えるピクセル部Ｐが形成される。
【００８２】
また、接続電極絶縁層１３４、第１スペーサＳ１、及び第２電極１３８と電気的に接続した導電層を備える第１接続電極Ｃ３が形成される。
【００８３】
この時、上述した導電層は、第２電極１３８と同じ導電性物質から形成されることができる。
【００８４】
一方、第１基板１３０と対向配置される第２基板１５０上には、非晶質シリコンや多結晶シリコンで半導体層がパターニングされ、その半導体層の一部に不純物が添加されて、活性層１５２ａ、ソース１５２ｂ、ドレイン１５２ｃに区分される。
【００８５】
また、上述した半導体層上にソース１５２ｂ及びドレイン１５２ｃの一部を露出させるゲート絶縁膜１５４が形成され、ゲート絶縁膜１５４上の活性層１５２ａに対応される領域にゲート電極１５２ｄが形成されて、トランジスタ部１５２が形成される。
【００８６】
また、トランジスタ部１５２上にソース１５２ｂ及びドレイン１５２ｃの一部を露出させる層間絶縁膜１５６が形成され、ドレイン１５２ｃと近接した層間絶縁膜１５６上の一部領域に第２スペーサＳ２が形成される。
【００８７】
上述した第１及び第２スペーサＳ１，Ｓ２の高さの和は、少なくとも第１基板１３０上の隔壁Ｉの高さより高く形成されなければならない。
【００８８】
また、トランジスタ部１５２上には、ソース１５２ｂ及びドレイン１５２ｃとそれぞれ電気的に接続するソース電極１５８ａとドレイン電極１５８ｂが形成される。これにより、第２スペーサＳ２及びドレイン電極１５８ｂと電気的に接続した導電層を備える第２接続電極Ｃ４が形成される。
【００８９】
この時、上述した導電層は、ドレイン電極１５８ｂと同じ物質から形成されることができる。
【００９０】
また、隣接したトランジスタ部１５２を相互に区分し、第２接続電極Ｃ４を露出させる区分絶縁膜１５９が形成される。
【００９１】
以上のような第１及び第２基板１３０，１５０は、第１接続電極Ｃ３と第２接続電極Ｃ４とが接触するように配置された後、シーラントで封止合着される。
【００９２】
この時、第１接続電極Ｃ３と第２接続電極Ｃ４との間の所定領域Ａ４には、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕを主基材とし、導電性と粘性及び耐熱性を持つペーストタイプの電気接触部Ｒが形成されて、第１接続電極Ｃ３と第２接続電極Ｃ４との電気的接続状態を效率的に改善する。
【００９３】
詳細には、電気接触部Ｒが適用された本発明の第３の実施の形態に係る電界発光素子の接続構造Ｃ３，Ｃ４，Ｒは、形成工程上の誤差による第１又は第２接続電極Ｃ３，Ｃ４の高さ差のため発生した第１接続電極Ｃ３と第２接続電極Ｃ４との間の接触不良の問題を解決することができる。
【００９４】
また、基板１３０，１５０の合着過程において、一部領域に発生した集中応力により、第１接続電極Ｃ３と第２接続電極Ｃ４との間が浮き上がることから発生した接触不良の問題を解決することができる。
【００９５】
また、駆動時の発生熱により、第１又は第２接続電極Ｃ３，Ｃ４が変形されることから発生した第１接続電極Ｃ３と第２接続電極Ｃ４との間の接触不良の問題を解決することができる。
【００９６】
なお、本発明の第３の実施の形態において説明した電気接触部Ｒの主基材として用いられる金属は、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕに限定されない。
【００９７】
また、電気接触部Ｒは、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕのうち、２つ以上を含む合金が採用されることができる。
【００９８】
以下、添付した図５〜図１１を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る電界発光素子のステップ別工程を説明する。
【００９９】
図６〜図１１は、図２に示す電界発光素子の主要部と同じスケールで示した。
【０１００】
図５〜図７は、本発明の第１の実施の形態に係る電界発光素子の第２基板の製造工程ステップ別部分断面図である。
【０１０１】
図５に示すように、基板パターニングステップにおいて、第１基板５０上に複数のピクセル部領域Ｐを画定し、第１基板５０と対向配置される第２基板７０上に、上述したピクセル部領域Ｐに電気的に接続するように、トランジスタ部（スイッチング素子とこれに接続した駆動素子）を形成する準備をする。
【０１０２】
この時、第１及び第２基板５０，７０は、透明な材質を採択する。
【０１０３】
図６に示すように、駆動部形成ステップにおいて、第１基板５０上に画定されたピクセル部領域Ｐに対応するように、第２基板７０上にトランジスタ部７２を形成する。
【０１０４】
詳細には、第２基板７０上に窒化シリコン（ＳｉＮｘ）と酸化シリコン（ＳｉＯ２）を含むシリコン絶縁物質グループの中から選ばれたいずれかの絶縁物質からバッファ層を形成する。
【０１０５】
該形成されたバッファ層上に非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）を蒸着した後に、脱水素化工程と熱を利用した結晶化工程を行って多結晶シリコン活性層を形成した後にパターニングして、活性層７２ａを形成する。
【０１０６】
以後、活性層７２ａの両側に不純物を注入し熱処理して、ソース７２ｂとドレイン７２ｃを形成し、活性層７２ａ及びソース７２ｂとドレイン７２ｃ上にゲート絶縁膜７４を形成する。
【０１０７】
次に、ゲート絶縁膜７４上の活性層７２ａと対応する一部領域にゲート電極７２ｄを形成する。その上に層間絶縁膜７６を形成し、上述したソース７２ｂとドレイン７２ｃがそれぞれ露出されるように、コンタクトホールＨを形成する。
【０１０８】
図７に示すように、接続電極接触部形成ステップにおいて、上述したコンタクトホールＨを通して、上述したソース７２ｂとドレイン７２ｃとにそれぞれ接するように、ソース及びドレイン電極７８ａ，７８ｂを形成する。この時、ドレイン電極７８ｂは、接続電極Ｃ１との接触領域Ａ２を形成するために、層間絶縁膜７６上の所定領域に延長して形成する。
【０１０９】
その上に、隣接したトランジスタ部７２を相互に区分し、上述した接触領域Ａ２が露出されるように、選択的に区分絶縁膜７９を形成する。
【０１１０】
以下、上述した第２基板７０に対応され、発光部が形成された第１基板５０のステップ別工程を説明する。
【０１１１】
図８〜図１１は、本発明の第１の実施の形態に係る電界発光素子の第１基板の製造工程ステップ別部分断面図である。
【０１１２】
図８に示すように、ピクセル部パターニングステップにおいて、第１基板５０上に第１電極５２を選択的に形成し、その形成された第１電極５２上に、図５に示したように画定されたピクセル部領域Ｐが区分されるように、隔壁絶縁層５３を形成する。
【０１１３】
また、隔壁絶縁層５３と所定距離離隔されて接続電極Ｃ１が形成されるように、接続電極絶縁層５４を形成する。次に、上述した隔壁絶縁層５３上に隔壁Ｉを形成する。
【０１１４】
図９に示すように、接続電極形成ステップにおいて、上述した接続電極絶縁層５３上に、上述した隔壁Ｉより高くスペーサＳを形成する。
【０１１５】
次に、１つ以上の電荷注入／輸送層及び発光層を備える発光部５６を形成し、その上に第２電極５８を形成する。
【０１１６】
これにより、第１電極５２、発光部５６及び第２電極５８を備えるピクセル部Ｐが形成される。
【０１１７】
また、接続電極絶縁層５４、スペーサＳ及び第２電極５８と電気的に接続した導電層を備える接続電極Ｃ１が形成される。
【０１１８】
図１０及び図１１に示すように、接続電極形成ステップにおいて形成された接続電極Ｃ１上に、Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕのうちのいずれかを主基材として含み、導電性と粘性及び耐熱性を持つペーストタイプの電気接触部Ｒを形成する。
【０１１９】
この時、電気接触部Ｒは、例えば、プリント（Ｐｒｉｎｔｉｎｇ）方法により接続電極Ｃ１上に形成されることができる。詳細には、第１基板５０上の接続電極Ｃ１が、ローラ上に付着されたペーストタイプの電気接触部Ｒと接触するように第１基板５０を移送させて、電気接触部Ｒを接続電極Ｃ１上に形成できる。
【０１２０】
次に、上述した第１基板５０上の接続電極Ｃ１と第２基板７０上のドレイン電極７８ｂの接触領域Ａ２が対応されて、電気接触部Ｒを介して電気的に接続するように第１及び第２基板５０，７０を合着する。また、電気接触部Ｒに特定光又は熱を加えて硬化させることによって、電界発光素子を完成する。
【０１２１】
以上のような構造をもった本発明の様々な実施の形態に係る電界発光素子は、従来の接続電極の電気接触構造を改善することによって、本発明の所期の目的を達成することができる。
【０１２２】
なお、第１〜３の実施の形態では、発光部が第１基板上のみに形成された場合を示して説明したが、本発明は、これに限定されず、第２基板上にも発光部が選択的に形成されることができる。
【０１２３】
また、本発明の電界発光素子は、発光部に有機物、無機物のうちのいずれか又は両方とも適用可能な電界発光素子の範疇と理解されなければならない。
【０１２４】
本発明によれば、電界発光素子の接続電極構造において、第１及び第２基板の電極に面接触する電気接触部が第１及び第２基板の電気接触度を向上させるので、工程上の誤差及び限界と駆動熱による接続電極の電気接触の不良問題を解決することができる。
【０１２５】
これにより、本発明は、工程歩留まり及び製品の寿命と信頼度を向上させることができる。
【０１２６】
なお、本発明は、上記の実施の形態に限定されるものではなく、本発明に係る技術的思想から逸脱しない範囲内で様々な変更が可能であり、それらも本発明の技術的範囲に属する。
【図面の簡単な説明】
【０１２７】
【図１】従来の電界発光素子の断面図及び主要部の拡大断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る電界発光素子の断面図及び主要部の拡大断面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る電界発光素子の断面図及び主要部の拡大断面図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態に係る電界発光素子の断面図及び主要部の拡大断面図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態に係る電界発光素子の第２基板の製造工程ステップ別部分断面図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態に係る電界発光素子の第２基板の製造工程ステップ別部分断面図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態に係る電界発光素子の第２基板の製造工程ステップ別部分断面図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態に係る電界発光素子の第１基板の製造工程ステップ別部分断面図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態に係る電界発光素子の第１基板の製造工程ステップ別部分断面図である。
【図１０】本発明の第１の実施の形態に係る電界発光素子の第１基板の製造工程ステップ別部分断面図である。
【図１１】本発明の第１の実施の形態に係る電界発光素子の第１基板の製造工程ステップ別部分断面図である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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