【事件の表示】
　特願２００７−２０１９０５号「複合荷電粒子ビーム装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　２月１９日出願公開、特開２００９−　３７９１０号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成１９年８月２日の出願であって、平成２４年９月１２日付けで拒絶理由が通知され、同年１１月１９日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされ、平成２５年３月２２日付けで拒絶理由（最後）が通知され、同年５月２７日付けで意見書が提出されるとともに同日付けで手続補正がなされ、同年９月１０日付けで平成２５年５月２７日付けの手続補正が却下されるとともに同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月１７日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、請求と同時に手続補正がなされたものである。
　
２．平成２５年１２月１７日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２５年１２月１７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「エミッタと、前記エミッタの先端部に対向する開口部を有する引出電極と、イオンとなるガスを供給するガス供給部とが設けられたガスフィールドイオン源を備えたイオンビーム照射系と、その照射軸が前記イオンビーム照射系の照射軸に対し９０度又は９０度よりも狭い角度に配置された電子ビーム照射系と、
　試料を支持する試料台と前記試料の一部を保持可能な試料ホルダとを有し、前記イオンビーム照射系から射出されるイオンビームと前記電子ビーム照射系から射出される電子ビームとの交差位置に前記試料又は前記試料の一部が配置されるように前記試料台及び前記試料ホルダを移動可能な試料ステージと、
　前記試料上のビーム照射位置にデポジション用又はエッチング用の機能ガスを供給するガス銃と、
　前記試料ホルダとの間で相対的に移動可能に設けられ、前記試料台から前記試料ホルダへ前記試料の一部を運搬可能なマニピュレータと
　を備えており、
　前記イオンビーム照射系が前記試料ステージの鉛直方向の上方に配置される一方、前記電子ビーム照射系が鉛直方向に対して傾斜して配置されており、
　前記エミッタの先端部は、原子レベルで先鋭化されている
　ことを特徴とする複合荷電粒子ビーム装置。」
と補正された。
　
　本件補正は、平成２４年１１月１９日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「エミッタ」について「前記エミッタの先端部は、原子レベルで先鋭化されている」と限定するものであり、この補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とする補正に該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反しないか）について検討する。
　
（２）引用例
（ａ）原査定の拒絶理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平１−１８１５２９号公報（以下「引用例１」という。）には、以下の技術事項が記載されている。（下線は当審で付した。）
　
記載事項ア
「〔実施例〕
　以下、本発明を第１図から第２１図により説明する。
　先ず
本発明に係る集束イオンビーム加工装置
　さて、
メインチャンバ１には基本的にイオンビーム鏡筒１０、電子ビーム鏡筒１１、２次電子ディテクタ１２および試料ステージ１３が設けられるようになっている。このうちイオンビーム鏡筒１０には液体金属イオン源１４、イオンビーム集束用静電レンズ系１５、ブランキング電極１６、ブランキングアパーチャ１７および偏向制御電極１８が設けられており、上記各々の電極には必要な電圧が外部から印加されるようになっている。
　ところで、
試料ステージ１３上に載置された試料１９上へのイオンビーム２０照射点の近傍には電子ビーム２１がイオンビーム２０とはそのビーム軸方向を異にして照射される必要があるが、このため電子ビーム鏡筒１１はメインチャンバ１に対しその電子ビーム軸位置が調整可として取付けされている。
　
記載事項イ
「さて、第３図に示すように電子ビーム２１がイオンビーム２０に対しある角度θをもつように電子ビーム鏡筒１１は設置されるが、その角度θはイオンビーム２０で加工された穴４０の側壁４１に電子ビーム２１が照射されるべく設定されるようになっている。」（第４頁左上欄第５〜９行）
　
記載事項ウ
「なお、
試料ステージ１３はロードロックチャンバ３とメインチャンバ１間を試料１９を保持して移動するが、試料１９上の加工位置を定めるべくｘ，ｙ方向に移動可となっている。
　
記載事項エ
「一方、これとは別に第１図などに示すように、
メインチャンバ１内にガス吹付けノズル９０を設けるようにしてもよい。
　第２１図に示すように、
イオンビーム２０による加工において、ＳｉＯ
２
加工に対してはＳＦ
６
，ＸｅＦ等フッ素を含むガス９１を、また、Ａｌ加工に対してはＣｌ
２
，ＢＣｌ
３
等塩素を含むガスをガス吹付けノズル９０より吹付けするようにすれば、スパッタ粒子は化学反応によってそれぞれフッ化シリコン，塩化アルミといった気体９２に変化することになる。このため側壁４１へのスパッタ粒子の再付着は殆ど発生せず、良好な断面を確保することが可能となる。
　以上本発明を説明したが、２次荷電粒子ディテクタとして２次電子ディテクタが用いられているが、これは２次イオンディテクタや、一次イオン、一次電子により発生するＸ線，蛍光等を検出するディテクタであってもよい。
また、イオン源として液体金属イオン源が用いられているが、これはガスフェーズイオン源やプラズマイオン源であってもよい。
　
記載事項オ
「第１図
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
記載事項カ
「第３図
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
　引用例１の第１図の記載から、イオンビーム鏡筒１０が試料ステージ１３の鉛直方向の上方に配置され、電子ビーム鏡筒１１が鉛直方向に対して傾斜して配置されていること、および電子ビーム鏡筒１１から照射された電子ビーム２１の照射軸がイオンビーム鏡筒１０から照射されたイオンビーム２０の照射軸に対し９０度よりも狭い角度に配置されていることが読み取れる。
　また、引用例１の第１図および第３図の記載から、イオンビーム鏡筒１０から照射されたイオンビーム２０と電子ビーム鏡筒１１から照射された電子ビーム２１との交差位置に試料ステージ１３上に載置された試料１９が配置されていることが読み取れる。
　
　上記記載事項アないしカの記載内容及び図示内容からして、引用例１には、
「イオン源としてガスフェーズイオン源が設けられたイオンビーム鏡筒１０、照射された電子ビーム２１の照射軸がイオンビーム鏡筒１０から照射されたイオンビーム２０の照射軸に対し９０度よりも狭い角度に配置された電子ビーム鏡筒１１、ガス吹付けノズル９０および試料１９上の加工位置を定めるべくｘ，ｙ方向に移動可となっている試料ステージ１３が設けられ、イオンビーム鏡筒１０が試料ステージ１３の鉛直方向の上方に配置され、電子ビーム鏡筒１１が鉛直方向に対して傾斜して配置され、イオンビーム鏡筒１０から照射されたイオンビーム２０と電子ビーム鏡筒１１から照射された電子ビーム２１との交差位置に試料ステージ１３上に載置された試料１９が配置され、イオンビーム２０による加工において、ＳｉＯ２加工に対してはＳＦ６，ＸｅＦ等フッ素を含むガス９１を、また、Ａｌ加工に対してはＣｌ２，ＢＣｌ３等塩素を含むガスをガス吹付けノズル９０より吹付けするようにすれば、スパッタ粒子は化学反応によってそれぞれフッ化シリコン，塩化アルミといった気体９２に変化することになり、このため側壁４１へのスパッタ粒子の再付着は殆ど発生せず、良好な断面を確保することが可能となる集束イオンビーム加工装置。」
の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
（ｂ）原査定の拒絶理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開平７−２１９５５号公報（以下「引用例２」という。）には、以下の技術事項が記載されている。（下線は当審で付した。）
　
記載事項キ
「【０００１】
【産業上の利用分野】 本発明は、
ガスフェーズイオン源を備えたイオンビーム装置
　
記載事項ク
「【０００８】
【課題を解決するための手段】 この様な目的を達成する為の
本発明のイオンビーム装置は、エミッタ、
前記エミッタに対抗して配置される引出し電極、該エミッタ及びエミッタ周辺にイオン化すべきガスを導入するイオン化ガス導入手段
を備えており、
前記イオン化ガス導入手段により該エミッタ及びエミッタ周辺にイオン化すべきガスを導入し、該エミッタに対し前記引出し電極に負の高電圧を印加して前記ビルトアップ済みのエミッタからイオンを放出させる様に成した。
　
（ｃ）原査定の拒絶理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００２−１５０９９０号公報（以下「引用例３」という。）には、以下の技術事項が記載されている。（下線は当審で付した。）
　
記載事項ケ
「【００３１】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態である微小試料加工観察装置の構成及びその動作を説明する。
（実施例１）第１の実施例の装置構成と動作を図１，図２および図３を用いて説明する。図１，図２は装置全体構成を、図３は集束イオビーム光学系、走査電子顕微鏡光学系および試料台周辺の構成を詳細に示す。なお、本実施の形態では、本発明の微小試料加工観察装置のうちウェーハ対応装置を示す。また、図３は、図１の概略俯瞰断面を表しているが、説明の都合上、機器の向きや詳細には幾分の相違があるが本質的差ではない。
図１において、装置システムの中心部には集束イオンビーム光学系３１と電子ビーム光学系４１が真空試料室６０の上部に適宜設置されている。真空試料室６０の内部には試料となるウェーハ２１を載置する試料台２４が設置されている。２基の光学系３１及び４１は各々の中心軸がウェーハ２１表面付近で一点に交わるように調整されている。試料台２４にはウェーハ２１を前後左右に高精度で移動する機構を内蔵しており、ウェーハ２１上の指定箇所が集束イオンビーム光学系３１の真下に来るように制御される。試料台２４は回転，上下、あるいは傾斜する機能を有する。
　
記載事項コ
「【００３５】
集束イオンビーム光学系３１からＦＩＢ４をウェーハ２１に照射して、図４に示すように観察分析位置ｐ２を横切ってコの字を描くように溝を形成する。加工領域は、長さ約５μｍ，幅約１μｍ，深さ約３μｍであり、片方側面でウェーハ２１と接続している。その後、試料台２４を傾斜させ、ＦＩＢ４で三角柱の斜面を形成するように加工する。ただし、この状態では、微小試料２２とウェーハ２１とは支持部で接続されている。
【００３６】
次に、試料台２４傾斜を戻した後、微小試料２２に、マニピュレータ７０先端のプローブ７２を微小試料２２の端部に接触させた後に、ＦＩＢ４の照射により堆積性ガスを接触点７５に堆積させてプローブ７２を微小試料２２に接合し一体化する。更に、支持部Ｓ２をＦＩＢ４で切断して微小試料２２を切取る。微小試料２２はプローブ７２に支持された状態になり、観察・分析を目的とする表面及び内部断面が微小試料２２の観察分析面ｐ３として取り出す準備が完了する。
【００３７】
次に、図５の（ｂ）に示すように、マニピュレータ７０を操作して微小試料２２をウェーハ２１表面から浮上する高さまで持ち上げる。
【００３８】
次に、微小試料２２を回転させて、電子ビーム光学系４１の電子ビーム８が観察断面ｐ３へ概略垂直に入射するようにマニピュレータ７０を動かして微小試料２２の姿勢を制御した後静止させる。これにより、二次粒子検出器６での二次電子の検出効率は、試料断面を観察する場合であっても、ウェーハ最表面を観察する場合と同程度になり、微小試料２２の観察分析面ｐ３の観察条件は非常に良好なものになり、従来例で問題であった分解能の低下を回避でき、しかも観察分析面ｐ２，ｐ３の角度を望ましい角度に調整できるので、より綿密な観察分析ができるようになる。
【００３９】また、微小試料２２を、装置の外部に取り出すことなく、真空雰囲気の試料室内に置いたまま、観察・分析するため、対象試料の内部断面を室内大気暴露による汚染や異物付着無しに、高分解能，高精度，最適角度での観察・分析が実現可能となる。しかも１時間当たり２〜３ヶ所以上の高い処理能力での観察・分析が可能となる。
【００４０】更に、本実施例装置では観察断面ｐ３を持つ微小試料２２を、マニュピュレータ７０によって種々の傾斜や移動を行うことができるので、例えば観察断面ｐ２に孔を設け、試料内部の３次元的な断層形成状態をも確認することが可能になる。」
　
記載事項サ
「【００５７】以上に述べたように、本実施の形態も、第１の実施例と同様に、高分解能で高速の観察分析ができる。本実施例は、１基の集束イオンビーム光学系を試料台に対して傾斜させることにより、試料台に傾斜機能を持たせることなくウェーハから微小試料を切出して摘出できる特長がある。光学系の周りには多くの機器を併せ搭載する必要があるのでスペース難となっており、それらの機器の合計質量も大きいため取付基板の剛性確保を含めた設計を難しいものにしている。またメンテナンス性も気掛かりとなる。本実施例は、試料台の傾斜機構が不要で、しかも集束イオンビーム光学系が１基で済むため、構造が単純で軽量小形にできコストも低減できる。
（実施例４）本発明の第４の実施例である微小試料加工観察装置の概略構成を図１０を用いて説明する。本実施例では、図３に示した微小試料加工観察装置の基本構成に、第２試料台１８と、第２試料台の角度や高さ等を制御する第２試料台制御装置１９を加えたものである。本実施例における集束イオンビーム光学系３１からイオンビームを試料に照射してウェーハから微小試料を摘出するまでの過程は第１実施例と同様である。本実施例は、摘出した微小試料を、マニピュレータで支持した状態で観察・分析する代わりに、第２試料台に固定し観察・分析を行うものである。
　
記載事項シ
「　
　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
（ａ）引用発明の「イオン源としてガスフェーズイオン源が設けられたイオンビーム鏡筒１０」と、本願補正発明の「エミッタと、前記エミッタの先端部に対向する開口部を有する引出電極と、イオンとなるガスを供給するガス供給部とが設けられたガスフィールドイオン源を備えたイオンビーム照射系」は、「イオンビーム照射系」である点で共通する。
　
（ｂ）引用発明の「照射された電子ビーム２１の照射軸がイオンビーム鏡筒１０から照射されたイオンビーム２０の照射軸に対し９０度よりも狭い角度に配置された電子ビーム鏡筒１１」は、本願補正発明の「その照射軸が前記イオンビーム照射系の照射軸に対し９０度又は９０度よりも狭い角度に配置された電子ビーム照射系」に相当する。
　
（ｃ）引用発明の「試料１９上の加工位置を定めるべくｘ，ｙ方向に移動可となっている試料ステージ１３」は、「試料ステージ１３上に載置された試料１９が」「イオンビーム鏡筒１０から照射されたイオンビーム２０と電子ビーム鏡筒１１から照射された電子ビーム２１との交差位置に」「配置され」ており、このことと、本願補正発明の「試料を支持する試料台と前記試料の一部を保持可能な試料ホルダとを有し、前記イオンビーム照射系から射出されるイオンビームと前記電子ビーム照射系から射出される電子ビームとの交差位置に前記試料又は前記試料の一部が配置されるように前記試料台及び前記試料ホルダを移動可能な試料ステージ」は、「試料を支持する試料台を有し、前記イオンビーム照射系から射出されるイオンビームと前記電子ビーム照射系から射出される電子ビームとの交差位置に前記試料が配置されるように前記試料台を移動可能な試料ステージ」である点で共通している。
　
（ｄ）引用発明の「ガス吹付けノズル９０」は、「イオンビーム２０による加工において、ＳｉＯ２加工に対してはＳＦ６，ＸｅＦ等フッ素を含むガス９１を、また、Ａｌ加工に対してはＣｌ２，ＢＣｌ３等塩素を含むガスをガス吹付けノズル９０より吹付けするようにすれば、スパッタ粒子は化学反応によってそれぞれフッ化シリコン，塩化アルミといった気体９２に変化することになり、このため側壁４１へのスパッタ粒子の再付着は殆ど発生せず、良好な断面を確保することが可能となる」のであるから、本願補正発明の「前記試料上のビーム照射位置にデポジション用又はエッチング用の機能ガスを供給するガス銃」に相当する。
　
（ｅ）引用発明の「イオンビーム鏡筒１０が試料ステージ１３の鉛直方向の上方に配置され、電子ビーム鏡筒１１が鉛直方向に対して傾斜して配置され」ている構成は、本願補正発明の「前記イオンビーム照射系が前記試料ステージの鉛直方向の上方に配置される一方、前記電子ビーム照射系が鉛直方向に対して傾斜して配置されて」いる構成に相当する。
　
（ｆ）引用発明の「集束イオンビーム加工装置」は、本願補正発明の「複合荷電粒子ビーム装置」に相当する。
　
　上記（ａ）ないし（ｆ）に記載したことからして、本願補正発明と引用発明は、
「イオンビーム照射系と、その照射軸が前記イオンビーム照射系の照射軸に対し９０度又は９０度よりも狭い角度に配置された電子ビーム照射系と、
　試料を支持する試料台を有し、前記イオンビーム照射系から射出されるイオンビームと前記電子ビーム照射系から射出される電子ビームとの交差位置に前記試料が配置されるように前記試料台を移動可能な試料ステージと、
　前記試料上のビーム照射位置にデポジション用又はエッチング用の機能ガスを供給するガス銃と、
　を備えており、
　前記イオンビーム照射系が前記試料ステージの鉛直方向の上方に配置される一方、前記電子ビーム照射系が鉛直方向に対して傾斜して配置されている複合荷電粒子ビーム装置。」
である点で一致し、次の各点で相違する。
　
相違点１
　イオンビーム照射系が、本願補正発明は、エミッタと、エミッタの先端部に対向する開口部を有する引出電極と、イオンとなるガスを供給するガス供給部とが設けられたガスフィールドイオン源を備えており、エミッタの先端部は、原子レベルで先鋭化されているのに対し、引用発明は、ガスフェーズイオン源を備えているものの本願補正発明のような構成であるか否かが不明である点。
　
相違点２
　試料ステージが、本願補正発明では、試料の一部を保持可能な試料ホルダを有し、イオンビーム照射系から射出されるイオンビームと電子ビーム照射系から射出される電子ビームとの交差位置に試料の一部が配置されるように試料ホルダを移動可能であり、さらに、試料ホルダとの間で相対的に移動可能に設けられ、試料台から試料ホルダへ試料の一部を運搬可能なマニピュレータを備えているのに対し、引用発明では、試料の一部を保持可能な試料ホルダやマニピュレータを備えていない点。
　
（４）当審の判断
　上記各相違点について検討する。
　相違点１について
　ガスフェーズイオン源を備えたイオンビーム装置が、エミッタと、エミッタの先端部に対向する開口部を有する引出電極と、イオンとなるガスを供給するガス供給部が設けられたガスフィールドイオン源を備えていることは引用例２にも記載（上記記載事項キ、ク参照）されているように周知技術であるから、引用発明のガスフェーズイオン源が設けられたイオンビーム鏡筒１０もエミッタと、エミッタの先端部に対向する開口部を有する引出電極と、イオンとなるガスを供給するガス供給部が設けられたガスフィールドイオン源を備えているといえる。また、ガスフィールドイオン源のエミッタの先端部を原子レベルで先鋭化することは、特開平２−５４８５１号公報（第２頁左上欄第３行〜第３頁左上欄第２行参照）、特開平２−１８６５４５号公報（第２頁右上欄第１６行〜右下欄第９行、第４頁左上欄第９〜１６行参照）にも記載されているように周知技術であるから、必要に応じてエミッタの先端部を原子レベルで先鋭化させることも当業者であれば適宜なし得ることである。
　したがって、上記相違点１に係る本願補正発明の発明特定事項を得ることは当業者であれば容易になし得ることである。
　
　相違点２について
　引用例３には、試料台２４（本願補正発明の「試料台」に相当）に載置されたウェーハ２１（本願補正発明の「試料」に相当）の一部を切断した微小試料２２（本願補正発明の「試料の一部」に相当）を固定する第２試料台１８（本願補正発明の「試料ホルダ」に相当）を有し、第２試料台１８は第２試料台制御装置により角度や高さ等を制御され、微小試料２２の観察・分析を行い、ウェーハ２１から切断した微小試料２２を運搬可能なマニピュレータ７０を備えていることが記載（上記記載事項ケ〜サ参照）されており、引用発明にこのような微小試料の観察・分析を行う構成を必要に応じて設けることは当業者であれば適宜なし得ることであるから、上記相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項を得ることは当業者であれば容易になし得ることである。
　
　また、本願補正発明の効果は、引用発明、引用例３に記載された事項及び周知技術から予測し得る範囲内のものであり、格別のものとは認め難い。
　
　よって、本願補正発明は、引用発明、引用例３に記載された事項及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明について
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２４年１１月１９日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。
　
「エミッタと、前記エミッタの先端部に対向する開口部を有する引出電極と、イオンとなるガスを供給するガス供給部とが設けられたガスフィールドイオン源を備えたイオンビーム照射系と、その照射軸が前記イオンビーム照射系の照射軸に対し９０度又は９０度よりも狭い角度に配置された電子ビーム照射系と、
　試料を支持する試料台と前記試料の一部を保持可能な試料ホルダとを有し、前記イオンビーム照射系から射出されるイオンビームと前記電子ビーム照射系から射出される電子ビームとの交差位置に試料又は前記試料の一部が配置されるように前記試料台及び前記試料ホルダを移動可能な試料ステージと、
　前記試料上のビーム照射位置にデポジション用又はエッチング用の機能ガスを供給するガス銃と、
　前記試料ホルダとの間で相対的に移動可能に設けられ、前記試料台から前記試料ホルダへ前記試料の一部を運搬可能なマニピュレータと
　を備えており、
　前記イオンビーム照射系が前記試料ステージの鉛直方向の上方に配置される一方、前記電子ビーム照射系が鉛直方向に対して傾斜して配置されている
　ことを特徴とする複合荷電粒子ビーム装置。」
　
４．引用例
　原査定の拒絶理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である引用例の記載事項は、上記「２．」「（２）」に記載したとおりである。
　
５．対比
　本願発明は、上記「２．」で検討した本願補正発明の「エミッタ」についての限定事項である「前記エミッタの先端部は、原子レベルで先鋭化されている」を省いたものである。
　そうすると、本願発明と引用発明を対比すると、下記の点で相違する。
　
相違点１’
　イオンビーム照射系が、本願発明は、エミッタと、エミッタの先端部に対向する開口部を有する引出電極と、イオンとなるガスを供給するガス供給部とが設けられたガスフィールドイオン源を備えているのに対し、引用発明は、ガスフェーズイオン源を備えているものの本願発明のような構成であるか否かが不明である点。
　
相違点２
　試料ステージが、本願発明では、試料の一部を保持可能な試料ホルダを有し、イオンビーム照射系から射出されるイオンビームと電子ビーム照射系から射出される電子ビームとの交差位置に試料の一部が配置されるように試料ホルダを移動可能であり、さらに、試料ホルダとの間で相対的に移動可能に設けられ、試料台から試料ホルダへ試料の一部を運搬可能なマニピュレータを備えているのに対し、引用発明では、試料の一部を保持可能な試料ホルダやマニピュレータを備えていない点。
　
６．当審の判断
　上記各相違点について検討する。
　相違点１’について
　ガスフェーズイオン源を備えたイオンビーム装置が、エミッタと、エミッタの先端部に対向する開口部を有する引出電極と、イオンとなるガスを供給するガス供給部が設けられたガスフィールドイオン源を備えていることは引用例２にも記載（上記記載事項キ、ク参照）されているように周知技術であるから、引用発明のガスフェーズイオン源が設けられたイオンビーム鏡筒１０もエミッタと、エミッタの先端部に対向する開口部を有する引出電極と、イオンとなるガスを供給するガス供給部が設けられたガスフィールドイオン源を備えているといえる。したがって、上記相違点１’は実質的な相違点とはいえない。
　
　相違点２について
　相違点２については、上記「２．」「（４）」「相違点２について」に記載したとおり、引用例３に記載された事項に基いて当業者が容易になし得ることである。
　
　また、本願発明の効果は、引用発明、引用例３に記載された事項から予測し得る範囲内のものであり、格別のものとは認め難い。
　
　したがって、本願発明は、引用発明、引用例３に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
７．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用例３に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。