(57)【要約】【課題】  液晶分子の配向乱れを抑制することが可能な液晶装置を提供する。【解決手段】  第１サブ画素領域３０ａと第２サブ画素領域３０ｂとの境界部分（第１部分）には、ゲート線３ａを挟んで両側に透過表示領域Ｔが配置されている。また第２サブ画素領域３０ｂと第３サブ画素領域３０ｃとの境界部分（第２部分）には、ゲート線３ａを挟んで両側に反射表示領域Ｒが配置されている。そして第２サブ画素領域３０ｂと第３サブ画素領域３０ｃとの境界部では、液晶層厚調整層２４が連続形成されている。【選択図】        図４
2007086446.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向配置された一対の基板間に誘電異方性が負の液晶を含む液晶層が挟持され、
前記一対の基板のうち一方の基板には、第１電極と、該第１電極に接続されたスイッチング素子と、該スイッチング素子に接続されるとともに隣接する前記第１電極間に配置された信号線とが備えられ、前記一対の基板のうち他方の基板には第２電極が形成され、
前記第１電極と前記第２電極のいずれか一方の電極は、複数の島状部と、該複数の島状部を所定方向に互いに電気的に接続する連結部を有して構成され、いずれか他方の電極には前記液晶層の液晶分子の配向を制御する配向制御手段が設けられ、
前記複数の島状部はそれぞれ透過表示を行う透過表示領域と、反射表示を行う反射表示領域とに対応して配置され、前記反射表示領域における前記液晶層の厚さを前記透過表示領域における前記液晶層の厚さよりも小さくする液晶層厚調整層が前記一対の基板のうち少なくともいずれかの基板に設けられた液晶装置であって、
前記所定方向において前記信号線を挟んだ両側に前記透過表示領域が配置された第１部分と、前記所定方向において前記信号線を挟んだ両側に前記反射表示領域が配置された第２部分とを有し、前記第２部分では、前記信号線の両側に配置された前記反射表示領域に前記液晶層厚調整層が連続して形成されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記スイッチング素子は、トランジスタ素子であり、
前記信号線は、前記トランジスタ素子に走査信号を供給するゲート線であることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記信号線は、前記複数の島状部が連結された方向と交差する方向に延設されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記信号線を挟んで両側に配置された前記第１電極または前記第２電極には、逆極性の電圧が印加されるようになっていることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の液晶装置。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置および電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図１０は、従来技術に係る液晶装置の側面断面図である。観察者側基板２０と光源側基板１０との間に液晶層５０が挟持された液晶装置の一種として、一対の基板間に誘電異方性が負の液晶層を挟持し、ＶＡＮ（Vertically-Aligned Nematic）モードで動作するものが知られている。このＶＡＮモードは、非選択電圧印加時において基板に対して垂直に配向している液晶分子を、選択電圧印加により基板に対して平行に（すなわち、電界方向と垂直に）配向させるものである。
【０００３】
また液晶装置の一種として、光源側基板１０の内面に反射膜１４を形成することにより、反射表示モードと透過表示モードとを兼ね備えた半透過反射型の液晶装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。反射表示モードでは、観察者側基板２０から入射した外光が、液晶層５０を通過した後に光源側基板１０の内側の反射膜１４で反射され、再び液晶層５０を通過して観察者側基板２０から出射されて表示に寄与する。一方、透過表示モードでは、光源側基板１０から入射した光源光が液晶層５０を通過した後、観察者側基板２０から観察者側に出射されて表示に寄与する。このように、液晶装置の表示面側から入射する光を利用した表示が可能な領域が反射表示領域Ｒとなり、液晶装置の背面側（前記表示面と反対側）から入射する光を利用した表示が可能な領域が透過表示領域となっている。
【０００４】
半透過反射型の液晶装置では、透過表示領域Ｔへの入射光は液晶層５０を１回しか透過しないが、反射表示領域Ｒへの入射光は液晶層５０を２回透過するため、透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとのリタデーション（位相差）に差異が生じる。そこで、反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の厚さを透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の厚さよりも小さくする液晶層厚調整層２４を形成した、マルチギャップ構造が採用されている。このマルチギャップ構造によってリタデーションを調節することにより、透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒとの光透過率が均一化され、表示品質に優れた液晶装置が得られている。
【特許文献１】特開平１１−２４２２２６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述した液晶装置では、クロストークやフリッカ等を防止するため、ドット反転駆動やライン反転駆動等の駆動方法が採用されている。これらの駆動方法は、隣接する画素電極１５，１５に逆極性の電圧を印加しつつ、共通電極２５との間に電界を発生させて液晶層５０を駆動するものである。しかしながら、これらの駆動方法を採用すると、隣接する画素電極１５，１５の間に横電界９０が発生する。この横電界９０により、隣接する画素電極１５，１５の間に配置された液晶分子５５の配向が乱れるという問題がある。
【０００６】
また上述した液晶装置では、液晶層厚調整層２４の両端部に傾斜領域２４ｓが形成される。非選択電圧印加時の液晶分子５１は、この傾斜領域２４ｓの表面に対して垂直に配向するため、プレチルトを有することになる。これにより、液晶層厚調整層２４の傾斜領域２４ｓの近傍で光漏れが発生するという問題がある。そして、サブ画素領域の境界部に配置された傾斜領域と、隣接する画素電極間の横電界との相乗効果により、強い光漏れが発生してコントラストを低下させることになる。
【０００７】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであって、サブ画素領域の境界部における光漏れを抑制することが可能な液晶装置の提供を目的とする。
また、表示品質に優れた電子機器の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明に係る液晶装置は、互いに対向配置された一対の基板間に誘電異方性が負の液晶を含む液晶層が挟持され、前記一対の基板のうち一方の基板には、第１電極と、該第１電極に接続されたスイッチング素子と、該スイッチング素子に接続されるとともに隣接する前記第１電極間に配置された信号線とが備えられ、前記一対の基板のうち他方の基板には第２電極が形成され、前記第１電極と前記第２電極のいずれか一方の電極は、複数の島状部と、該複数の島状部を所定方向に互いに電気的に接続する連結部を有して構成され、いずれか他方の電極には前記液晶層の液晶分子の配向を制御する配向制御手段が設けられ、前記複数の島状部はそれぞれ透過表示を行う透過表示領域と、反射表示を行う反射表示領域とに対応して配置され、前記反射表示領域における前記液晶層の厚さを前記透過表示領域における前記液晶層の厚さよりも小さくする液晶層厚調整層が前記一対の基板のうち少なくともいずれかの基板に設けられた液晶装置であって、前記所定方向において前記信号線を挟んだ両側に前記透過表示領域が配置された第１部分と、前記所定方向において前記信号線を挟んだ両側に前記反射表示領域が配置された第２部分とを有し、前記第２部分では、前記信号線の両側に配置された前記反射表示領域に前記液晶層厚調整層が連続して形成されていることを特徴とする。
また前記スイッチング素子は、トランジスタ素子であり、前記信号線は、前記トランジスタ素子に走査信号を供給するゲート線であることが望ましい。
【０００９】
第１部分では、信号線を挟んで両側に透過表示領域が配置されるので、信号線を挟んで両側の第１電極および第２電極がそれぞれ略同一平面上に配置される。また第２部分では、信号線を挟んで両側に反射表示領域が配置されるので、信号線を挟んで両側の第１電極および第２電極がそれぞれ略同一平面上に配置される。これにより、第１部分および第２部分における横電界は、略水平方向に発生することになる。さらに第２部分では、信号線を挟んで両側に配置された液晶層厚調整層が連続形成されているので、傾斜領域が存在しない。これにより、第２部分における液晶分子はプレチルトを有しない。以上により、第１部分および第２部分において、非選択電圧印加時における液晶分子を、基板に対して略垂直に配向させることが可能になる。したがって、第１部分および第２部分における光漏れを抑制することができる。
【００１０】
また前記信号線は、前記複数の島状部が連結された方向と交差する方向に延設されていてもよい。
島状部の連結方向はサブ画素領域の長手方向であり、その長手方向に沿って透過表示領域および反射表示領域が配列される。したがって、サブ画素領域の長手方向の両端部を第１部分および第２部分に設定することが可能になり、サブ画素領域の境界部における光漏れを抑制することができる。
【００１１】
また前記信号線を挟んで両側に配置された前記第１電極または前記第２電極には、逆極性の電圧が印加されるようになっていてもよい。
逆極性の電圧の印加により、隣接する電極間に横電界が発生しても、本発明に係る液晶装置によれば、液晶分子を基板に対して略垂直に配向させることが可能になる。したがって、光漏れを抑制することができる。
【００１２】
一方、本発明に係る電子機器は、上述した液晶装置を備えたことを特徴とする。
この構成によれば、光漏れを抑制することが可能な液晶装置を備えているので、表示品質に優れた電子機器を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態につき、図面を参照して説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の縮尺を適宜変更している。
【００１４】
なお本明細書では、液晶装置の各構成部材における液晶層側を内側と呼び、その反対側を外側と呼ぶことにする。また、画像表示の最小単位となる表示領域を「サブ画素領域」と呼び、各色カラーフィルタを備えた複数のサブ画素領域の集合を「画素領域」と呼ぶ。またサブ画素領域の内部において、液晶装置の表示面側から入射する光を利用した表示が可能な領域を「反射表示領域」と呼び、液晶装置の背面側（前記表示面と反対側）から入射する光を利用した表示が可能な領域を「透過表示領域」と呼ぶ。また、「非選択電圧印加時」および「選択電圧印加時」とは、それぞれ「液晶層への印加電圧が液晶のしきい値電圧近傍である時」および「液晶層への印加電圧が液晶のしきい値電圧に比べて十分高い時」を意味しているものとする。
【００１５】
（第１実施形態）
最初に、本発明の第１実施形態に係る液晶装置につき、図１ないし図４を用いて説明する。第１実施形態の液晶装置は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor；以下「ＴＦＴ」という。）素子を採用したアクティブマトリクス型の液晶装置である。また第１実施形態の液晶装置は、誘電率異方性が負のネガ型液晶を採用した、半透過反射型の液晶装置である。
【００１６】
図１（ａ）は液晶装置を各構成要素とともにカラーフィルタ基板の側から見た平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＨ−Ｈ’線に沿う側面断面図である。
図１に示すように、本実施形態の液晶装置１００では、ＴＦＴアレイ基板（以下「素子基板」という。）１０と対向基板２０とがシール材５２によって貼り合わされ、このシール材５２によって区画された領域内に液晶層５０が封入されている。シール材５２の外側の周辺回路領域には、データ信号駆動回路１０１および外部回路実装端子１０２が素子基板１０の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査信号駆動回路１０４が形成されている。また、対向基板２０の角部においては、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通材１０６が配設されている。
【００１７】
（等価回路）
図２は、ＴＦＴ素子を用いた液晶装置の等価回路図である。液晶装置の画像表示領域には、データ線６ａおよびゲート線３ａが格子状に配置され、両者の交点付近に画像表示単位であるサブ画素領域３０が配置されている。マトリクス状に配置された複数のサブ画素領域３０には、それぞれ画素電極１５が形成されている。その画素電極１５の側方には、当該画素電極１５への通電制御を行うためのスイッチング素子であるＴＦＴ素子１３が形成されている。このＴＦＴ素子１３のソースには、データ線６ａが電気的に接続されている。各データ線６ａには画像信号Ｓ１、Ｓ２、‥、Ｓｎが供給される。
【００１８】
またＴＦＴ素子１３のゲートには、ゲート線（走査線）３ａが電気的に接続されている。ゲート線３ａには、所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、‥、Ｇｎが供給される。またＴＦＴ素子１３のドレインには、画素電極１５が電気的に接続されている。そして、ゲート線３ａから供給された走査信号Ｇ１、Ｇ２、‥、Ｇｎにより、スイッチング素子であるＴＦＴ素子１３を一定期間だけオン状態にすると、データ線６ａから供給された画像信号Ｓ１、Ｓ２、‥、Ｓｎが、各画素の液晶に所定のタイミングで書き込まれるようになっている。
【００１９】
液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、‥、Ｓｎは、画素電極１５と後述する共通電極との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号Ｓ１、Ｓ２、‥、Ｓｎがリークするのを防止するため、画素電極１５と容量線３ｂとの間に蓄積容量７が形成され、液晶容量と並列に配置されている。そして、上記のように液晶に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶に入射した光が変調されて、階調表示が行われるようになっている。
【００２０】
（断面構造、平面構造）
図３は図４のＢ−Ｂ線に沿う断面図であり、図４は図３のＡ−Ａ線における平面図である。
図４に示すように、画像表示単位となる複数のサブ画素領域３０がストライプ配列されている。すなわち、各サブ画素領域３０は略長方形状とされ、その短手方向（Ｘ方向）および長手方向（Ｙ方向）に沿ってマトリクス状に並列配置されている。各サブ画素領域３０の境界部には、上述したゲート線３ａ、容量線３ｂおよびデータ線６ａが格子状に配置されている。そのゲート線３ａおよびデータ線６ａの交点付近には、ＴＦＴ素子１３が形成されている。そのＴＦＴ素子１３のドレインは、コンタクトホール７８を介して画素電極１５に接続されている。
【００２１】
図３に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、光源側に配置された素子基板１０と、観察者側に配置された対向基板２０と、一対の基板１０，２０の間に挟持された液晶層５０とを主体として構成されている。なお観察者側に素子基板１０を配置し、光源側に対向基板２０を配置してもよい。
【００２２】
素子基板１０は、ガラスやプラスチック、石英等の透光性材料からなる基板本体１１を備えている。その基板本体１１の内側には、素子形成層１２が配置されている。この素子形成層１２には、電気絶縁性材料で覆われた、ボトムゲート構造のアモルファスシリコンＴＦＴ素子１３が形成されている。すなわち、基板本体１１の表面には、前記ゲート線から延設されたゲート電極７２が形成されている。そのゲート電極７２の表面に、ゲート絶縁膜７３を介して、アモルファスシリコンからなる半導体層７４が形成されている。その半導体層７４のソース領域を覆うように、前記データ線６ａが形成されている。また半導体層７４のドレイン領域を覆うように、中継電極７６が形成されている。この中継電極７６は、素子形成層１２に形成されたコンタクトホール７８を介して、画素電極１５または反射膜１４に接続されている。
【００２３】
その素子形成層１２の表面に、液晶層厚調整層２４が設けられている。この液晶層厚調整層２４は、反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の厚さを透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の厚さよりも小さくするものである。半透過反射型の液晶装置では、反射表示領域Ｒへの入射光は液晶層５０を２回透過するが、透過表示領域Ｔへの入射光は液晶層５０を１回しか透過しない。これにより反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間で液晶層５０が寄与する偏光変調効果が異なってくるため、透過表示領域Ｔと反射表示領域Ｒで階調表示特性が合わなくなる。そこで液晶層厚調整層２４を設けることにより、マルチギャップ構造が実現されている。具体的には、反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の層厚（例えば、約２μｍ）が透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の層厚（例えば、約４μｍ）の半分程度に設定されて、反射表示領域Ｒおよび透過表示領域Ｔにおける液晶層５０のリタデーションが略同一に設定されている。これにより、反射表示領域Ｒおよび透過表示領域Ｔにおいて均一な画像表示を得ることができるようになっている。
【００２４】
また、反射表示領域Ｒから透過表示領域Ｔにかけて、液晶層厚調整層２４の傾斜領域２４ｓが形成されている。この傾斜領域２４ｓは、樹脂材料等からなる液晶層厚調整層２４のパターニングに伴って形成されるものである。この傾斜領域２４ｓを反射表示領域Ｒに配置すれば、透過表示を重視した構成とすることが可能になり、この傾斜領域２４ｓを透過表示領域Ｔに配置すれば、反射表示を重視した構成とすることが可能になる。
【００２５】
また液晶層厚調整層２４は、図４に示すように、Ｘ方向に整列配置された複数のサブ画素領域３０を跨ぐように、Ｘ方向に連続形成されている。なお液晶層厚調整層２４の構成材料として、アクリル樹脂等の電気絶縁性および感光性を有する材料を採用することが望ましい。感光性材料を採用することにより、フォトリソグラフィを用いたパターニングが可能になり、液晶層厚調整層２４を精度よく形成することができる。この液晶層厚調整層２４は、図３に示す対向基板２０に設けてもよく、また素子基板１０および対向基板２０の両方に設けてもよい。
【００２６】
一方、反射表示領域Ｒにおける液晶層厚調整層２４の表面には、凹凸１８が形成されている。その凹凸１８の表面には、ＡｌやＡｇ等の高反射率の金属材料からなる反射膜１４が形成されている。これにより、反射膜１４の表面に凹凸が形成されて、反射膜１４は散乱反射層として機能するようになっている。
【００２７】
そして、素子基板１０の内側には、上述した画素電極（第１電極）１５が形成されている。この画素電極１５はＩＴＯ等の透明導電性材料によって構成されている。
図４に示すように、画素電極１５には、一方の長辺から対向する他方の長辺に向かって伸びる複数の切り欠き部１６が、各長辺に対として形成されている。これにより、１個の画素電極１５が長手方向に沿って複数（図４では３個）のサブドット（島状部）１７に分割されている。各サブドット１７は、略円形や略多角形等に形成されている。なお各サブドット１７は、連結部１７ａにより幅方向中央部を連結されて、相互に導通接続されている。
【００２８】
図３に戻り、対向基板２０は、ガラスやプラスチック、石英等の透光性材料からなる基板本体２１を備えている。その基板本体２１の内側には、カラーフィルタ層（以下「ＣＦ層」という。）２２が形成されている。このＣＦ層２２には、異なる色光を透過する複数のカラーフィルタ（着色材層）が配列形成されている。なお、サブ画素領域３０の境界部には遮光層２３が形成され、当該部分からの光漏れが防止されている。
【００２９】
カラーフィルタは、サブ画素領域内で色度の異なる２種類の領域に区画されている構成とすることが好ましい。具体例を挙げると、透過表示領域Ｔの平面領域に対応して第１の色材領域が設けられ、反射表示領域Ｒの平面領域に対応して第２の色材領域が設けられており、第１の色材領域の色度が、第２の色材領域の色度より大きいものとされている構成を採用できる。また、反射表示領域Ｒの一部に非着色領域を設ける構成としてもよい。このような構成とすることで、カラーフィルタを表示光が１回のみ透過する透過表示領域Ｔと、２回透過する反射表示領域Ｒとの間で表示光の色度が異なるのを防止でき、反射表示と透過表示の見映えを揃えて表示品質を向上させることができる。
【００３０】
ＣＦ層２２の内側の略全面には、ＩＴＯ等の透明導電性材料からなる共通電極（第２電極）２５が形成されている。その共通電極２５の表面には、樹脂等の電気絶縁性材料からなる突起（配向制御手段）２８が形成されている。この突起２８は、画素電極１５のサブドット１７の中央に対応する位置に形成されている。この突起２８は、例えばノボラック系のポジ型フォトレジストを用いて、高さ約１．２μｍ、直径１２μｍに形成すればよい。なお、レジストを現像後に２２０℃でポストベイクを実施することで、なだらかな傾斜面を備えた突起形状を得ることができる。
【００３１】
画素電極１５と共通電極２５との間に選択電圧を印加すると、切り欠き部１６および突起２８の周辺に斜め電界が生じる。これにより、非選択電圧印加時に垂直配向していた液晶分子が、サブドット１７の中央から放射状に再配向する。すなわち、切り欠き部１６および突起２８は配向制御手段として機能する。このようなＣＰＡ（Continuous Pinwheel Alignment）構造を採用することにより、液晶分子のダイレクタの方向を同時に複数発生させることが可能になり、視角の広い液晶装置を提供することができる。なお配向制御手段として、突起２８の代わりに、共通電極に開口部（スリット）を形成してもよい。
【００３２】
その共通電極２５の表面には、ポリイミド等からなる配向膜２９が形成されている。また画素電極１５の表面にも、ポリイミド等からなる配向膜１９が形成されている。さらに液晶層５０の厚さ（セルギャップ）を規制するため、フォトスペーサ（不図示）が形成されている。
【００３３】
そして、素子基板１０と対向基板２０との間には、液晶層５０が挟持されている。この液晶層５０を構成する液晶材料として、非選択電圧印加時には配向膜に対して垂直に配向し、選択電圧印加時には配向膜に対して平行に（すなわち、電界方向と垂直に）配向する、誘電率異方性が負のネガ型液晶材料が採用されている。これにより、液晶層はＶＡＮ（Vertically-Aligned Nematic）モードで動作し、液晶装置はノーマリーブラックモードで動作するようになっている。
【００３４】
一方、一対の基板１０，２０の外側には、それぞれ偏光板３６，３７が設けられている。その偏光板３６および偏光板３７の内側に、それぞれ位相差板３１および位相差板３２が設けられている。位相差板３１，３２として、可視光の波長に対して略１／４波長の位相差を持つλ／４板を使用すれば、偏光板３６，３７とともに円偏光板を構成することができる。またλ／２板およびλ／４板を組み合わせて使用すれば、広帯域円偏光板を構成することが可能になり、黒表示をより無彩色にすることができる。
さらに、素子基板１０の外面側にあたる液晶セルの外側には、光源、リフレクタ、導光板などを有するバックライト（照明手段）６０が設置されている。
【００３５】
（サブドット配置）
本実施形態の液晶装置では、図４に示すように、矩形状のサブ画素領域の長手方向に沿って、複数のサブドット１７が連結されている。そして図３に示すように、複数のサブドット１７のうち、平面視において反射膜１４と重なるように配置されたサブドット１７の形成領域が反射表示領域Ｒとなり、その他のサブドット１７の形成領域が透過表示領域Ｔとなっている。
【００３６】
図３には、Ｙ方向に並列配置された３個のサブ画素領域３０ａ，３０ｂ，３０ｃが記載されている。そのうち、−Ｙ側の第１サブ画素領域３０ａの内部では、−Ｙ側の端部に反射膜１４が形成されている。したがって第１サブ画素領域３０ａでは、−Ｙ側のサブドット１７が反射表示領域Ｒとなり、中央のサブドット１７および＋Ｙ側のサブドット１７が透過表示領域Ｔとなっている。また中央の第２サブ画素領域３０ｂの内部では、＋Ｙ側の端部に反射膜１４が形成されている。したがって第２サブ画素領域３０ｂでは、−Ｙ側のサブドット１７および中央のサブドット１７が透過表示領域Ｔとなり、＋Ｙ側のサブドット１７が反射表示領域Ｒとなっている。また＋Ｙ側の第３サブ画素領域３０ｃの内部では、−Ｙ側の端部に反射膜１４が形成されている。したがって第３サブ画素領域３０ｃでは、−Ｙ側のサブドット１７が反射表示領域Ｒとなり、中央のサブドット１７および＋Ｙ側のサブドット１７が透過表示領域Ｔとなっている。
【００３７】
これにより、図４に示すように、第１サブ画素領域３０ａと第２サブ画素領域３０ｂとの境界部（第１部分）では、ゲート線３ａを挟んで両側に透過表示領域Ｔが配置されている。そして図３に示すように、各透過表示領域Ｔでは、液晶層厚を揃えるため断面構造が等しくなっている。したがって、第１サブ画素領域３０ａの＋Ｙ側のサブドット１７と、第２サブ画素領域３０ｂの−Ｙ側のサブドット１７とが、同一平面上に配置されている。
【００３８】
また、第２サブ画素領域３０ｂと第３サブ画素領域３０ｃとの境界部（第２部分）では、ゲート線３ａを挟んで両側に反射表示領域Ｒが配置されている。そして図３に示すように、各反射表示領域Ｒでは、液晶層厚を揃えるため、液晶層厚調整層２４を含む断面構造が等しくなっている。その液晶層厚調整層２４の表面にサブドット１７を形成することにより、第２サブ画素領域３０ｂの＋Ｙ側のサブドット１７と、第３サブ画素領域３０ｃの−Ｙ側のサブドット１７とが、同一平面上に配置されている。また、第２サブ画素領域３０ｂと第３サブ画素領域３０ｃとの境界部では、液晶層厚調整層２４が連続形成されている。すなわち、上述した第２部分には液晶層厚調整層２４の傾斜領域２４ｓが形成されていない。
【００３９】
上述した液晶装置では、クロストークやフリッカ等を防止するため、ドット反転駆動やライン反転駆動等の駆動方法が採用される。これらの駆動方法は、隣接する画素電極１５，１５に逆極性の電圧を印加しつつ、共通電極２５との間に電界を発生させて液晶層５０を駆動するものである。しかしながら、これらの駆動方法を採用すると、隣接する画素電極１５，１５の間に横電界９０が発生する。この横電界９０により、隣接する画素電極１５，１５の間に配置された液晶分子の配向乱れが発生するおそれがある。
【００４０】
また、液晶層厚調整層２４の傾斜領域２４ｓの表面に配置された液晶分子は、その表面に対して垂直に配向するので、非選択電圧印加時においてプレチルトを有することになる。これにより、傾斜領域２４ｓの近傍で光漏れが発生することになる。本願発明者は、ＶＡＮモードで動作する半透過反射型の液晶装置および透過型の液晶装置を試作して、透過コントラストを測定した。その結果、半透過反射型の液晶装置のコントラスト（約２００）は、透過型の液晶装置のコントラスト（約３００）よりも低くなった。そして半透過反射型の液晶装置の画素を観察したところ、非選択電圧印加時において、液晶層厚調整層の傾斜領域から光漏れが発生しているのが確認された。
【００４１】
なお、サブ画素領域の中央部に配置された傾斜領域では、コントラストを低下させるような強い光漏れは発生していなかった。これは、サブ画素領域の中央部に配置された傾斜領域では、液晶分子がプレチルトを有していても、横電界が発生していないからであると考えられる。その結果、コントラストを低下させる強い光漏れは、サブ画素領域の境界部に配置された傾斜領域に起因する液晶分子のプレチルトと、隣接する画素電極間の横電界とによる相乗効果であることが判明した。この光漏れは、特にライン反転駆動を行っている場合に顕著であった。ライン反転駆動では、非選択電圧印加時にも横電界が発生しているからである。
【００４２】
これに対して、図４に示す本実施形態の液晶装置は、ゲート線３ａを挟んで両側に透過表示領域Ｔが配置された第１部分と、ゲート線３ａを挟んで両側に反射表示領域Ｒが配置された第２部分とを有し、その第２部分では、ゲート線３ａを挟んで両側に配置された液晶層厚調整層２４が連続形成されている。第１部分では、ゲート線３ａを挟んで両側に透過表示領域Ｔが配置されるので、ゲート線３ａを挟んで両側のサブドット１７がそれぞれ略同一平面上に配置される。また第２部分では、ゲート線３ａを挟んで両側に反射表示領域が配置されるので、ゲート線３ａを挟んで両側のサブドット１７がそれぞれ略同一平面上に配置される。これにより、図３に示すように、第１部分および第２部分における横電界９０は、略水平方向に発生することになる。さらに第２部分では、ゲート線を挟んで両側に配置された液晶層厚調整層２４が連続形成されているので、第２部分には傾斜領域が存在しない。これにより、第２部分における液晶分子はプレチルトを有しない。以上により、第１部分および第２部分において、非選択電圧印加時における液晶分子５５を、素子基板１０に対して略垂直に配向させることが可能になる。したがって、第１部分および第２部分における光漏れを抑制することが可能になり、コントラストを向上させることができる。
【００４３】
なお図１０に示す従来の液晶装置では、サブ画素領域ごとに別個の液晶層厚調整層２４が形成されていたので、その両端部に傾斜領域２４ｓが形成され、各傾斜領域において光漏れが発生していた。これに対して、本実施形態の液晶装置では、隣接するサブ画素領域の液晶層厚調整層２４が連続形成されているので、傾斜領域２４ｓを減少させることが可能になり、光漏れを抑制することができる。
【００４４】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る液晶装置につき、図５および図６を用いて説明する。図５は図６のＦ−Ｆ線に沿う断面図であり、図６は図５のＥ−Ｅ線における平面図である。
図５に示すように、第２実施形態に係る液晶装置では、反射表示領域Ｒにおける素子形成層１２の表面に凹凸１８が形成され、その凹凸１８を覆うように反射膜１４が形成されている。これにより、反射膜１４の表面に凹凸が形成されて、反射膜１４は散乱反射層として機能するようになっている。
【００４５】
図６に示すように、第２実施形態に係る液晶装置では、画素電極１５を構成する複数（３個）のサブドットのうち、反射表示領域Ｒとなるサブドットの個数（２個）が透過表示領域Ｔとなるサブドットの個数（１個）より多く、反射表示を重視した構成となっている。この点、透過表示領域Ｔとなるサブドットの個数が反射表示領域Ｒとなるサブドットの個数より多く、透過表示を重視した構成の第１実施形態とは異なっている。なお第１実施形態と同様の構成となる部分については、同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００４６】
図５に示す３個のサブ画素領域３０ａ，３０ｂ，３０ｃのうち、−Ｙ側の第１サブ画素領域３０ａの内部では、−Ｙ側の過半部に反射膜１４が形成されている。したがって第１サブ画素領域３０ａでは、−Ｙ側のサブドット１７および中央のサブドット１７が反射表示領域Ｒとなり、＋Ｙ側のサブドット１７が透過表示領域Ｔとなっている。また中央の第２サブ画素領域３０ｂの内部では、＋Ｙ側の過半部に反射膜１４が形成されている。したがって第２サブ画素領域３０ｂでは、−Ｙ側のサブドット１７が透過表示領域Ｔとなり、中央のサブドット１７および＋Ｙ側のサブドット１７が反射表示領域Ｒとなっている。また＋Ｙ側の第３サブ画素領域３０ｃの内部では、−Ｙ側の過半部に反射膜１４が形成されている。したがって第３サブ画素領域３０ｃでは、−Ｙ側のサブドット１７および中央のサブドット１７が反射表示領域Ｒとなり、＋Ｙ側のサブドット１７が透過表示領域Ｔとなっている。
【００４７】
これにより、図６に示すように、第１サブ画素領域３０ａと第２サブ画素領域３０ｂとの境界部（第１部分）では、ゲート線３ａを挟んで両側に透過表示領域Ｔが配置されている。また、第２サブ画素領域３０ｂと第３サブ画素領域３０ｃとの境界部（第２部分）では、ゲート線３ａを挟んで両側に反射表示領域Ｒが配置されている。そして図５に示すように、第２サブ画素領域３０ｂと第３サブ画素領域３０ｃとの境界部（第２部分）では、液晶層厚調整層２４が連続形成されている。
【００４８】
この構成によれば、第１部分および第２部分において、横電界９０を略水平方向に発生させることが可能になる。また、第２部分には液晶層厚調整層２４の傾斜領域が存在しないので、第２部分における液晶分子はプレチルトを有しない。以上により、第１部分および第２部分において、非選択電圧印加時における液晶分子５５を、素子基板１０に対して略垂直に配向させることが可能になる。したがって、第１実施形態と同様に、第１部分および第２部分における光漏れを抑制することが可能になり、コントラストを向上させることができる。
【００４９】
（第３実施形態）
次に、本発明の第３実施形態に係る液晶装置につき、図７および図８を用いて説明する。図７は図８のＫ−Ｋ線に沿う断面図であり、図８は図７のＪ−Ｊ線における底面図である。図７に示すように、第３実施形態に係る液晶装置では、液晶層厚調整層２４が対向基板２０に形成され、共通電極２５がサブドット１７に分割され、画素電極１５に突起２８が設けられている点で、第１実施形態とは異なっている。なお第１実施形態または第２実施形態と同様の構成となる部分については、同一の符号を付してその詳細な説明を省略する。
【００５０】
図７に示すように、サブ画素領域３０の長手方向の端部における素子形成層１２の表面には、凹凸１８が形成されている。その凹凸１８の表面には、アルミニウム等の高反射率の金属材料からなる反射膜１４が形成されている。そして、各サブ画素領域３０に対応して、ＩＴＯ等の透明導電性材料からなる画素電極１５が形成されている。そして、反射膜１４の形成領域が反射表示領域Ｒとなり、反射膜１４の非形成領域が透過表示領域Ｔとなっている。
【００５１】
一方、対向基板２０におけるＣＦ層２２の表面には、反射表示領域Ｒにおける液晶層５０の厚さを透過表示領域Ｔにおける液晶層５０の厚さよりも小さくする液晶層厚調整層２４が形成されている。この液晶層厚調整層２４は、素子基板１０に設けてもよく、また素子基板１０および対向基板２０の両方に設けてもよい。この液晶層厚調整層２４が形成された対向基板２０の表面には、共通電極２５が形成されている。
【００５２】
図８に示すように、第３実施形態においても、いわゆるＣＰＡ構造が採用されている。第３実施形態では、共通電極２５が複数のサブドットに分割されている。各サブドット１７は略円形や略多角形等に形成され、複数のサブドットがマトリクス状に配置されている。なお各サブドット１７は、連結部１７ａにより連結されて相互に導通接続されている。一方、画素電極１５は矩形状に形成されている。そして、サブドット１７の中央に相当する画素電極１５上の位置に、突起２８が形成されている。なお突起２８に代わる配向制御手段として、画素電極１５に開口部（スリット）を形成してもよい。
【００５３】
（サブドット配置）
第３実施形態における透過表示領域Ｔおよび反射表示領域Ｒの配置は、第１実施形態と同様である。すなわち、図７に示す３個のサブ画素領域３０ａ，３０ｂ，３０ｃのうち、−Ｙ側の第１サブ画素領域３０ａの内部では、−Ｙ側のサブドット１７が反射表示領域Ｒとなり、中央のサブドット１７および＋Ｙ側のサブドット１７が透過表示領域Ｔとなっている。また中央の第２サブ画素領域３０ｂの内部では、−Ｙ側のサブドット１７および中央のサブドット１７が透過表示領域Ｔとなり、＋Ｙ側のサブドット１７が反射表示領域Ｒとなっている。また＋Ｙ側の第３サブ画素領域３０ｃの内部では、−Ｙ側のサブドット１７が反射表示領域Ｒとなり、中央のサブドット１７および＋Ｙ側のサブドット１７が透過表示領域Ｔとなっている。
【００５４】
これにより、図８に示すように、第１サブ画素領域３０ａと第２サブ画素領域３０ｂとの境界部（第１部分）では、ゲート線３ａを挟んで両側に透過表示領域Ｔが配置されている。また、第２サブ画素領域３０ｂと第３サブ画素領域３０ｃとの境界部（第２部分）では、ゲート線３ａを挟んで両側に反射表示領域Ｒが配置されている。
【００５５】
この構成によれば、図７に示すように、第１部分および第２部分において、横電界９０を略水平方向に発生させることが可能になる。そのため、非選択電圧印加時における液晶分子５５を、素子基板１０に対して略垂直に配向させることが可能になる。したがって、第１実施形態と同様に、第１部分および第２部分における光漏れを抑制することが可能になり、コントラストを向上させることができる。
なお第３実施形態では、透過表示領域Ｔおよび反射表示領域Ｒを第１実施形態と同様に配置したが、第２実施形態と同様に配置することも可能である。
【００５６】
（電子機器）
図９は、本発明に係る電子機器の一例を示す斜視図である。図９に示す携帯電話１３００は、本発明の表示装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。本発明の液晶装置は、サブ画素領域の境界部における光漏れを抑制することができるので、表示品質に優れた携帯電話１３００を提供することができる。
【００５７】
上記各実施の形態の表示装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができ、いずれの電子機器においても、明るく、高コントラストの表示が可能になっている。
【００５８】
なお、本発明の技術範囲は、上述した各実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、上述した各実施形態に種々の変更を加えたものを含む。すなわち、各実施形態で挙げた具体的な材料や構成などはほんの一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００５９】
【図１】液晶装置の平面図および側面断面図である。
【図２】ＴＦＴ素子を用いた液晶装置の等価回路図である。
【図３】第１実施形態に係る液晶装置の断面図である。
【図４】第１実施形態に係る液晶装置の平面図である。
【図５】第２実施形態に係る液晶装置の断面図である。
【図６】第２実施形態に係る液晶装置の平面図である。
【図７】第３実施形態に係る液晶装置の断面図である。
【図８】第３実施形態に係る液晶装置の底面図である。
【図９】携帯電話の斜視図である。
【図１０】従来技術に係る液晶装置の側面断面図である。
【符号の説明】
【００６０】
Ｒ‥反射表示領域  Ｔ‥透過表示領域  ３ａ‥ゲート線  １０‥素子基板  １３‥ＴＦＴ素子  １５‥画素電極（第１電極）  １７‥サブドット（島状部）  １７ａ‥連結部  ２０‥対向基板  ２４‥液晶層厚調整層  ２５‥共通電極（第２電極）  ２８‥突起（配向制御手段）  ３０ａ‥第１サブ画素領域  ３０ｂ‥第２サブ画素領域    ３０ｃ‥第３サブ画素領域  ５０‥液晶層  １００‥液晶装置  １３００‥携帯電話（電子機器）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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