【事件の表示】
　特許第３７８６１１４号に関する訂正審判事件について，次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第３７８６１１４号に係る明細書及び特許請求の範囲を本件審判請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり訂正することを認める。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第３７８６１１４号は，平成１３年６月８日を出願日とする特願２００１−１７４９０３の一部を，平成１６年１月５日に新たな出願としたものであって，平成１８年３月３１日に設定登録され，平成２７年２月１９日に本件訂正審判の請求がなされたものであって，平成２７年３月１３日付けで訂正拒絶理由が通知され，同年４月１６日に意見書が提出されたものである。
第２　請求
１　請求の趣旨
　本件審判の請求の趣旨は，特許３７８６１１４号の特許請求の範囲を，本件請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり，一群の請求項ごとに訂正することを求めるものである。
２　訂正の内容
　本件審判請求に係る訂正の内容は以下のとおりである。
ア　訂正事項１−１
　特許請求の範囲の請求項１において，
「該障壁層Ｂ１から前記ｐ型窒化物半導体層に向かって数えて」
とあるのを，
「該障壁層Ｂ１から前記ｐ型窒化物半導体層に向かって数えて」
と訂正する。
イ　訂正事項１−２
　特許請求の範囲の請求項１において，
「障壁層ＢＬの膜厚が，」
とあるのを，
「前記障壁層ＢＬの膜厚が，」
と訂正する。
ウ　訂正事項１−３
　特許請求の範囲の請求項１において，
「ｉ≠Ｌの障壁層Ｂｉの膜厚より大きいことを特徴とする窒化物半導体素子。」とあるのを，
「ｉ≠Ｌの障壁層Ｂｉの膜厚より大きく，
前記障壁層Ｂ１を含む前記ｎ型を含む前記ｎ型窒化物半導体層側の複数の障壁層がｎ型不純物をドープして成長させたものであり，前記障壁層ＢＬを含む前記ｐ型窒化物半導体層側の複数の障壁層がｎ型不純物をアンドープで成長させたものである，
ことを特徴とする窒化物半導体素子。」と訂正する。
エ　訂正事項２
　特許請求の範囲の請求項５において，
「前記第１の障壁層又は，ｉ＝Ｌの障壁層ＢＬが，」とあるのを，
「前記第１の障壁層が，」
と訂正するとともに，
「請求項１乃至４のいずれか一項記載の窒化物半導体素子。」とあるのを，
「請求項２，または請求項２を直接的もしくは間接的に引用する請求項３乃至４のいずれか一項記載の窒化物半導体素子。」
と訂正する。
オ　訂正事項３
　特許請求の範囲の請求項６において，
「請求項１乃至５のいずれか一項記載の記載の窒化物半導体素子。」
とあるのを，
「請求項１乃至５のいずれか一項記載の窒化物半導体素子。」と訂正する。
カ　訂正事項４
　特許請求の範囲の請求項１５において，
「請求項１乃至１４のいずれか一項記載の窒化物半導体素子。」
とあるのを，
「請求項２，または請求項２を直接的もしくは間接的に引用する請求項３乃至１４のいずれか一項記載の窒化物半導体素子。」
と訂正する。
第３　当審の判断
１　訂正事項１−１について
ア　訂正の目的
　訂正事項１−１は，訂正前の「該障壁層Ｂ１から前記ｐ型窒化物半導体層に向かって数えて」との記載において，Ｂの後の数字「１」を本願明細書及び特許請求の範囲の記載と同様に下付き文字に変更して，訂正後の「該障壁層Ｂ１から前記ｐ型窒化物半導体層に向かって数えて」とするものである。よって，当該訂正事項は特許法第１２６条第１項ただし書き第２号に掲げる誤記の訂正を目的とするものである。
イ　訂正の根拠（新規事項の有無）
　願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。以下同じ。）において，各障壁層を指すＢの後の数字あるいは文字を下付き文字として記載されているから，訂正事項１−１は当初明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり，特許法第１２６条第５項に適合するものである。
ウ　訂正により実質上特許請求の範囲を拡張又は変更することの有無
　訂正前の請求項１における「該障壁層Ｂ１から前記ｐ型窒化物半導体層に向かって数えて」の記載が明らかな誤りであり，「該障壁層Ｂ１」を「該障壁層Ｂ１」と訂正することは明細書全体の記載から明らかであるから，訂正事項１−１は，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものには該当せず，特許法第１２６条第６項に適合するものである。
２　訂正事項１−２について
ア　訂正の目的
　訂正事項１−２は，該当訂正箇所の「障壁層ＢＬ」が，これに先行して記載された障壁層ＢＬを指していることを明瞭にするために，「前記」という用語を追加するものである。したがって，訂正事項１−２は，特許法第１２６条第１項ただし書き第３号に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
イ　訂正の根拠（新規事項の有無）
　訂正事項１−２は，「前記」という用語を付加することにより，「障壁層ＢＬ」が先に記載された障壁層ＢＬを指すことを明確にしたものであるところ，障壁層ＢＬの膜厚が，ｉ≠Ｌの障壁層Ｂｉの膜厚より大きい構成は，当初明細書等の段落【００５４】等に記載されている。よって，訂正事項１−２は，当初明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であるから，特許法第１２６条第５項に適合するものである。
ウ　訂正により実質上特許請求の範囲を拡張又は変更することの有無
　訂正事項１−２は，「前記」という用語により「障壁層ＢＬ」が先に記載された障壁層ＢＬを指すことを明確にしたものであり，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものには該当しないから，特許法第１２６条第６項に適合するものである。
３　訂正事項１−３について
ア　訂正の目的
　訂正事項１−３は，請求項１において，活性層に含まれる障壁層のうち，障壁層Ｂ１を含むｎ型窒化物半導体層側の複数の障壁層がｎ型不純物をドープして成長させたものであり，障壁層ＢＬを含むｐ型窒化物半導体層側の複数の障壁層がｎや不純物をアンドープで成長させたものであることを特定事項として追加する訂正をするものである。
　ここで，訂正前の請求項１に記載された発明においては，活性層に含まれる各障壁層が，ｎ型不純物またはｐ型不純物をドープして，あるいはアンドープで成長させたものであるかについては何ら特定されていないところ，訂正事項１−３は，訂正前の請求項１において特段の特定がなされていない障壁層におけるｎ型不純物またはｐ型不純物のドープの有無に関して，上記の特定事項を追加することによって，特許請求の範囲を減縮しようとするものである。
　したがって，訂正事項１−３は，特許法第１２６条第１項ただし書き第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
イ　訂正の根拠（新規事項の有無）
　当初明細書等には，「＜第２の実施形態＞」について以下の記載がある。
「【００５２】＜第２の実施形態＞
　本発明の第２の実施形態としては，前記活性層がＬ個（Ｌ≧２）の前記障壁層を有し，前記ｎ型窒化物半導体層に最も近い位置に配置された障壁層を障壁層Ｂ1，該障壁層Ｂ1から前記ｐ型窒化物半導体層に向かって数えてｉ番目（ｉ＝１，２，３，・・・Ｌ）の障壁層を障壁層Ｂi，とした時に，ｉ＝１からｉ＝ｎ（１＜ｎ＜Ｌ）までの障壁層Ｂiがｎ型不純物を有し，ｉ＝Ｌの障壁層Ｂiがｐ型不純物を有することを特徴とする。ここで，障壁層ＢLが第１の実施形態における第１の障壁層に当たり，最もｐ側の障壁層であり，この障壁層ＢLによる作用は，第１の実施形態と同様である。従って，第２の実施形態における障壁層ＢLは，少なくともｐ型不純物を有することであり，更に好ましくはｎ型不純物を実質的に含有しないことで，障壁層ＢLには優先的にｐ型のキャリアが注入され，効率的なキャリア注入を可能とする。また，ｉ＝１からｉ＝ｎまでの障壁層Ｂiには，ｎ型不純物を有することで，ｎ型層側から近い順にｎ個の障壁層にｎ型不純物がドープされることとなりキャリア濃度が高まるため，ｎ型層から活性層内部へキャリアが円滑に注入されることとなり，結果としてキャリアの注入・再結合が促進され，素子特性が向上する。この時，井戸層はアンドープ，ｎ型不純物をドープしても，どちらでも良い。特に，大電流で素子（高出力のＬＤ，ＬＥＤなど）を駆動させた場合では，上述したように井戸層がアンドープで，実質的にｎ型不純物を含有しないことで，井戸層でのキャリアの再結合が促進され，素子特性，素子信頼性に富む窒化物半導体素子となる。
　【００５３】
　ここで，第２の実施形態におけるｎは，少なくとも条件式０＜ｎ＜Ｌを満たすことが必要であり，好ましくはｎm＜ｎ＜Ｌ，ｎm＝Ｌ／２（但し，ｎmは小数点以下を切り捨てた整数）の条件を満たすことである。これは，活性層内の障壁層の総数のほぼ半分以上にｎ型不純物が含有されることで，ｎ型層からのキャリアが活性層の奥深く（ｐ型層側）まで効率的な注入が可能となるからであり，特に活性層中の井戸層の数が３以上，若しくは活性層内部の積層数が７以上，である多重量子井戸構造の場合に有利に働く。具体的には，図２，３において，障壁層２ａ，２ｂを障壁層Ｂiとしてｎ型不純物をドープし，障壁層２ｃ（図２）若しくは障壁層２ｄ（図３）を障壁層ＢLとしてｐ型不純物をドープし，障壁層ＢiとＢLに挟まれる他の障壁層をアンドープとして，活性層を構成する。
　【００５４】
　また，第２の実施形態において，障壁層ＢLの膜厚が障壁層Ｂi（ｉ≠Ｌ）の膜厚よりも大きいことで，上述したように，多量のキャリアを安定して井戸層に注入する必要がある高出力の素子において，ｐ型層に最も近く（ｐ型層からのキャリア注入口付近），ｐ型のキャリアが多く存在する障壁層ＢLが広い空間を有することで，安定して多量のキャリアをｐ型層から井戸層へ注入することができ，素子信頼性，素子寿命が向上する。」
　ここで，「前記活性層がＬ個（Ｌ≧２）の前記障壁層を有し」（段落【００５２】）ており，障壁層が２個以上としているが，さらに，「前記ｎ型窒化物半導体層に最も近い位置に配置された障壁層を障壁層Ｂ1，該障壁層Ｂ1から前記ｐ型窒化物半導体層に向かって数えてｉ番目（ｉ＝１，２，３，・・・Ｌ）の障壁層を障壁層Ｂi」（段落【００５２】）と呼称するとしており，「ｉ」として３を超える数が想定されていると読めるから，障壁層が３個を超える，すなわち４個以上とすることも記載されているといえる。
　そして，段落【００５３】における「活性層内の障壁層の総数のほぼ半分以上にｎ型不純物が含有されること」が記載されていることと併せると，例えば，障壁層が４層あって，そのうちの半数の２層にｎ型不純物が含有され，残りの２層にはｎ型不純物が含有されないものとして形成されることが明らかである。更に，障壁層が４層を超える場合についても同様であることも考慮すると，当初明細書等には，訂正事項１−３に係る「前記障壁層Ｂ１を含む前記ｎ型を含む前記ｎ型窒化物半導体層側の複数の障壁層がｎ型不純物をドープして成長させたものであり，前記障壁層ＢＬを含む前記ｐ型窒化物半導体層側の複数の障壁層がｎ型不純物をアンドープで成長させたものである」ものが記載されているといえる。
　よって，訂正事項１−３は，当初明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であるから，特許法第１２６条第５項に適合するものである。
ウ　訂正により実質上特許請求の範囲を拡張又は変更することの有無
　訂正事項１−３は，発明特定事項を直列的に付加するものであり，カテゴリや対象，目的を変更するものではなく，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものには該当しないから，特許法第１２６条第６項に適合するものである。
４　訂正事項２について
ア　訂正の目的
　訂正事項２は，訂正前の請求項５が，請求項１乃至４を引用するとともに，「前記第１の障壁層又は，ｉ＝Ｌの障壁層ＢＬが，」と記載され，「前記第１の障壁層」は訂正前の請求項２における「第１の障壁層」であり，「前記ｉ＝Ｌの障壁層ＢＬ」は訂正前の請求項１における「ｉ＝Ｌの障壁層ＢＬ」を指すものであったところ，訂正後の請求項５は，引用する請求項を「請求項２，または請求項２を直接的もしくは間接的に引用する請求項３乃至４」とするとともに，訂正前の「前記第１の障壁層又は，ｉ＝Ｌの障壁層ＢＬが，」との記載から「又は，ｉ＝Ｌの障壁層ＢＬ」を削除して「前記第１の障壁層が，」とするものである。すなわち，訂正事項２は，請求項５について，訂正前の請求項１，または請求項１を直接的もしくは間接的に引用する請求項３乃至４を引用する部分を除くとともに，訂正前の請求項１における用語「ｉ＝Ｌの障壁層ＢＬ」も削除して，特許請求の範囲を減縮しようとするものである。
　したがって，訂正事項２は，特許法第１２６条第１項ただし書き第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
イ　訂正の根拠（新規事項の有無）
　訂正事項２は，請求項５について，訂正前の請求項１，または請求項１を直接的もしくは間接的に引用する請求項３乃至４を引用する部分を除くものであり，当初明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であるから，特許法第１２６条第５項に適合するものである。
ウ　訂正により実質上特許請求の範囲を拡張又は変更することの有無
　訂正事項２は，訂正前の請求項１，または請求項１を直接的もしくは間接的に引用する請求項３乃至４を引用する部分を除くものであり，カテゴリや対象，目的を変更するものではなく，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものには該当しないから，特許法第１２６条第６項に適合するものである。
５　訂正事項３について
ア　訂正の目的
　訂正事項３は，訂正前の請求項６の「請求項１乃至５のいずれか一項記載の記載の窒化物半導体素子。」との記載において，「記載の記載の」を「記載の」に変更して，訂正後の「請求項１乃至５のいずれか一項記載旦窒化物半導体素子。」とするものである。よって，当該訂正事項は特許法第１２６条第１項ただし書き第２号に掲げる誤記の訂正を目的とするものである。
イ　訂正の根拠（新規事項の有無）
　訂正事項３に係る「記載の記載の」が，「記載の」の誤記であることは自明であるから，これを訂正する訂正事項３は，当初明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であり，特許法第１２６条第５項に適合するものである。
ウ　訂正により実質上特許請求の範囲を拡張又は変更することの有無
　訂正事項３に係る，「記載の記載の」を「記載の」と変更することが，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものには該当しないことは明らかであるから，訂正事項３は特許法第１２６条第６項に適合するものである。
６　訂正事項４について
ア　訂正の目的
　訂正事項４は，訂正前の請求項１５の「請求項１乃至１４のいずれか一項記載の窒化物半導体素子。」を，訂正後の「請求項２，または請求項２を直接的もしくは間接的に引用する請求項３乃至１４のいずれか一項記載の窒化物半導体素子。」とするものである。すなわち，訂正事項４は，請求項１５について，訂正前の請求項１，または請求項１を直接的もしくは間接的に引用する請求項３乃至１４を引用する部分を除くものである。
　したがって，訂正事項４は，特許法第１２６条第１項ただし書き第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
イ　訂正の根拠（新規事項の有無）
　訂正事項４は，請求項１５について，訂正前の請求項１，または請求項１を直接的もしくは間接的に引用する請求項３乃至１４を引用する部分を除くものであり，当初明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であるから，特許法第１２６条第５項に適合するものである。
ウ　訂正により実質上特許請求の範囲を拡張又は変更することの有無
　訂正事項４は，訂正前の請求項１，または請求項１を直接的もしくは間接的に引用する請求項３乃至１４を引用する部分を除くものであり，カテゴリや対象，目的を変更するものではなく，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものには該当しないから，特許法第１２６条第６項に適合するものである。
７　独立特許要件について
　本件訂正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるか否かについて検討する。
　訂正事項１−１乃至１−３により，請求項１は，以下のとおりとなった。
「【請求項１】　Ｉｎを含む窒化物半導体からなる井戸層と窒化物半導体からなる障壁層を有する量子井戸構造の活性層を，ｐ型窒化物半導体層と，ｎ型窒化物半導体層とで挟む構造を有する窒化物半導体素子において，
前記活性層がＬ個（Ｌ≧２）の前記障壁層を有し，
前記ｎ型窒化物半導体層に最も近い位置に配置された障壁層を障壁層Ｂ１，該障壁層Ｂ１から前記ｐ型窒化物半導体層に向かって数えてｉ番目（ｉ＝１，２，３，・・・Ｌ）の障壁層を障壁層Ｂｉとした時に，
ｉ＝Ｌの障壁層ＢＬが，前記ｐ型窒化物半導体層中に設けられ，前記活性層よりもバンドギャップエネルギーの大きなＡｌを含む窒化物半導体の第１のｐ型窒化物半導体層，と前記井戸層と，の間に設けられ，
前記障壁層ＢＬの膜厚が，ｉ≠Ｌの障壁層Ｂｉの膜厚より大きく，
前記障壁層Ｂ１を含む前記ｎ型を含む前記ｎ型窒化物半導体層側の複数の障壁層がｎ型不純物をドープして成長させたものであり，前記障壁層ＢＬを含む前記ｐ型窒化物半導体層側の複数の障壁層がｎ型不純物をアンドープで成長させたものである，
ことを特徴とする窒化物半導体素子。」
　ここで，「前記活性層がＬ個（Ｌ≧２）の前記障壁層を有し」とされているから，Ｌが２または３の場合，すなわち障壁層が２個または３個のものも形式的には含まれる。一方，「前記障壁層Ｂ１を含む前記ｎ型を含む前記ｎ型窒化物半導体層側の複数の障壁層がｎ型不純物をドープして成長させたものであり，前記障壁層ＢＬを含む前記ｐ型窒化物半導体層側の複数の障壁層がｎ型不純物をアンドープで成長させたものである」とされているから，「前記ｎ型窒化物半導体層側の複数の障壁層」が少なくとも２層あり，「前記ｐ型窒化物半導体層側の複数の障壁層」が少なくとも２層あり，合わせて４層の障壁層があるものと解され，前記「前記活性層がＬ個（Ｌ≧２）の前記障壁層を有し」との記載と整合しない。
　しかしながら，「前記ｎ型窒化物半導体層側の複数の障壁層」，及び「前記ｐ型窒化物半導体層側の複数の障壁層」との記載から，合計４層の障壁層があることは明らかであって，「前記活性層がＬ個（Ｌ≧２）の前記障壁層を有し」との記載はあるものの，請求項１全体の記載からみて，障壁層が２個または３個のものは，請求項１に係る発明には含まれないことは明らかであるといえる。
　よって，訂正後の請求項１の記載は，特許法第３６条第６項第２号に適合するものである。
　また，他に，本件訂正後における特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができないとすべき理由を発見しない。
　したがって，訂正事項１−１乃至４は，特許法第１２６条第７項に規定する要件に適合するものである。
第４　むすび
　以上のとおり，本件訂正は，特許法第１２６条第１項ただし書第１号ないし第３号に掲げる事項を目的とするものであり，また，同条第５項ないし第７項の規定に適合するものである。
　よって，結論のとおり審決する。