【事件の表示】
　平成　４年特許願第３１５１０７号「光記録媒体」において、平成１３年８月２７日付けでした手続補正に対してされた補正の却下の決定に対する審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　経緯
　特許出願　　　　　　　　　　　　　平成　４年１１月２５日
　拒絶理由通知　　　　　　　　　　　平成１３年　６月２６日
　手続補正書　　　　　　　　　　　　平成１３年　８月２７日
　補正却下の決定　　　　　　　　　　平成１４年　４月１７日
　審判請求　　　　　　　　　　　　　平成１４年　５月２２日
　手続補正書（請求の理由）　　　　　平成１４年　６月１７日
　審尋　　　　　　　　　　　　　　　平成１４年　９月２６日
　
第２　補正却下決定の理由の概要
 　補正後の請求項１に記載された、第三の誘電体層の膜厚ｄ３を（λ／２ｎ３）（ｍ＋１）とする点は、以下の点において誤記であるとは認められない。
（したがって、上記の補正された点は、出願当初の明細書及び図面に記載されておらず、かつ、自明の事項でもないものである。）
　
  平成１３年  ８月２７日付け意見書において、膜厚が９００Å，１８００Å，２７００Åに反射率の最小値、最大値があり、これは明らかに正の整数倍であるから２ｍはｍの誤記である旨を主張しているが、９００Åや２７００Åは、１８００Å（≒７８０ｎｍ／（２＊２．１））に対して正の整数倍となっておらず、２ｍはｍの誤記であるとする根拠が不明であり、上記主張は認められない。
　
第３　審尋の内容
　出願当初の明細書「【００１８】また、前記第二の誘電体層１２の厚さｄ２は、記録光または再生光の波長をλ、第一の誘電体層の屈折率をｎ２とした場合、ｄ２＝（λ／４ｎ２）（２ｍ＋１）となるように設定するのが好ましい。ここで上記ｍは０を含む正の整数を表す。
【００２０】このような第三の誘電体層１３の厚さｄ３は、記録光または再生光の波長をλ、第一の誘電体層の屈折率をｎ３とした場合、ｄ３＝（λ／２ｎ３）（２ｍ＋１）となるように設定するのが好ましい。ここで上記ｍは０を含む正の整数を表す。」のうち、【００１８】の「第一」は「第二」の誤記であり、【００２０】の「第一」は「第三」の誤記であると認められる。
　しかしながら、【００２０】の「ｄ３＝（λ／２ｎ３）（２ｍ＋１）」は、「ｄ３＝（λ／２ｎ３）（ｍ＋１）」の誤記であるとする点は、次の理由により認められない。
　　　　　　　　　　　　　　理由
１　当初明細書【００１９】に、「　このような第二の誘電体層１２の上には第三の誘電体層１３が形成される。
　第三の誘電体層１３は、前記第二の誘電体層１２の熱伝導率または比熱よりも小さな熱伝導率または比熱を有する材料から形成される。従来の問題となった第二の誘電体層１２の保熱を防止し、反射膜側への熱拡散を促進させて、良好な記録状態を維持するためである。第三の誘電体層１３の材料としては、ＺｎＳ，ＺｎＯ，ＺｎＳｅ単体や、ＺｎＳ，ＺｎＯ，ＺｎＳｅに、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｙ，Ｃｅ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂ，Ｓｂなどの酸化物、窒化物、Ｌｉ，Ｎｂ，Ｍｇ，Ｃｄなどのフッ化物を１０〜６０ｍｏｌ％混合させたもの等が挙げられる。より具体的な第三の誘電体層１３の材料は、第二の誘電体層１２の材料を考慮しつつ選定される。例えば、第二の誘電体層１２の材料を、ＳｉＯ２とした場合には、第三の誘電体層１３の材料は、ＺｎＳ、ＺｎＳ・ＳｉＯ２（１０〜３０ｍｏｌ％）が好ましい。」と記載し、第三の誘電膜層の材料を規定しているが、第三の誘電膜の膜厚は示されていない。
　そして、当初明細書【００１４】に、
「　このような基板１０の上には、第一の誘電体層１１が形成され、この上に第二の誘電体層１２が形成される。
　これらの誘電体層１１，１２の具体的材料としては、透明性の高い材料、例えば、Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｙ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｐｒ，Ｎｄ，Ｐｍ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｇｄ，Ｔｂ，Ｄｙ，Ｈｏ，Ｅｒ，Ｔｍ，Ｙｂ，Ｌａ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｙ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｚｎ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｐｂなどの酸化物，窒化物、硫化物、Ｌｉ，Ｎａ，Ｍｇ，Ｃａなどのフッ化物、あるいはこれらの混合物が用いられうる。ただし、第二の誘電体層１２は、前記第一の誘電体層１１の屈折率よりは低い屈折率からなる材料であることという条件が付加され、この条件に合致するように具体的材料が選定される。」と記載され、
　【００１６】に、
「　第一の誘電体層１１のより具体的な好適材料としては、ＺｎＳ（２．３０）、ＺｎＳ−ＳｉＯ２（２０ｍｏｌ％）（２．１１）、ＴｉＯ２（２．２０）、Ｔａ２Ｏ５（２．０８）などが挙げられる。」と記載し、第一及び第二の誘電膜の材料は示されているが、膜厚は示されていない。
　従って、【００２７】の実施例の第三の誘電膜の膜厚が正しいという証拠がない以上、図面が誤りである可能性を否定できず、【００２０】の膜厚を規定する式のみが誤記であるとすることはできない。
　明細書の詳細な説明【００２０】ないし【００２７】のいずれかまたは両者に、誤記があったのか、あるいは図面に誤記があったのか、技術的な裏付けがないので、【００２０】に誤記があったとすることはできない。
　
２　当初明細書【００２８】に、
「　このサンプルを作製するに際して、同時に上記のサンプルの記録膜の厚さ、第一の誘電体層の膜厚、第二の誘電体層の膜厚、および第三の誘電体層の膜厚の変化に対するの反射率の影響をそれぞれ調べた。結果を図２〜６に示した。」とし、
　【００２９】で、「　図２に示される結果より、結晶質の状態で反射率が６０％以上とれ、しかも非晶質との差分が最大にとれる記録膜膜厚は２００オングストローム近傍であることがわかる。図３および図４に示される結果より、第一の誘電体層および第二の誘電体層の好適な膜厚は、それぞれλ／４ｎ１およびλ／４ｎ２の奇数倍の膜厚であることがわかる。図５に示される結果より、第三の誘電体層の好適な膜厚は、λ／２ｎ３の奇数倍の膜厚であることがわかる。」と記載され、【００２０】の記載と矛盾はない。
　しかも、【００２８】での反射率の影響を調べたとするその調べ方も明記されていない。（例えば、第一の膜厚のみを変化させ、他の膜の条件を実施例と一致させたものを調べたのか、その調査した膜厚はどの値のものなのかが明記されていない。）
　図３〜図５には、実線が非晶質、点線が結晶質と記載されているが、記憶層の状態を指すのか、明細書には記載がない。そして、反射率そのものが何を指すのか示されていない。（調査対象の膜のどこでの反射なのか、積層した状態での反射なのか、どこの界面での反射なのか全く示されていない。）
　図３及び図４では、非晶質と結晶質では、波高値は異なるものの、膜厚０で低い値を示し、非晶質と結晶質において高い値は同じ膜厚に現れるなどの傾向が見られるが、上記１で見たように、第一の誘電膜と第３の誘電膜の材料は一致するものがあるのに、図５では、同じ傾向を示しておらず、さらに結晶質では、膜厚が０の時に反射率が高い値を示す傾向を示し、図３，４とは逆の傾向が示されている。
　してみると、どの反射を調べたのかも明確でなく、図５の傾向がどうして出されるのかも明確でないので、何を示すかが明確でない図５の記載を論拠に、【００２０】の膜厚を規定する式が誤記だとする証拠とはならない。（当初明細書の説明において、【００２０】と【００２８】の記載は矛盾しない。）
　
３　図５の記載について、請求には、図に記載された１８４８Åが、７８０ｎｍ／（２×２．１１）（＝１８４８Å）であるから、その後の係数は整数倍であると主張している。
しかし、１倍であることは、ｍ＝０の時のｍ＋１であると共に、２ｍ＋１でも成り立つ。
　次に選択できる膜厚は、１８４８Åの２倍のものであると主張しているが、当然３倍であるものも選択できるはずであり、３倍のものは、２ｍ＋１のｍ＝１の時であり、当初の式でも成り立つことは明らかである。即ち請求人は、当初から、奇数倍のものを請求し、偶数倍のものは、その理由は明示されていないが、出願人の意志で放棄したものであり、放棄したものを特許請求の範囲に加えることは、特許請求の範囲を拡張することになる。
　してみると特許請求の範囲は変更乃至拡張されたものであり、当初明細書の記載に矛盾のない記載を補正して、特許請求の範囲は変更乃至拡張することは、要旨の変更をするものであり、補正は認められない。
　
４　従って、審査官の補正却下の理由とは別の、上記理由１〜３により、当該補正が却下されるべきである。
　
第４　まとめ
　上記審尋を通知し、期間を指定して請求人に意見を述べる機会を与えたが、請求人からは何らの応答もない。そして、上記理由１〜３は妥当なものと認められるから、当該補正が却下されるべきである。
　よって、上記結論のとおり審決する。