【事件の表示】
　特願２０１２−２８０２８２「積層セラミック電子部品の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２６年　５月１２日出願公開、特開２０１４−　８６７１５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　
　本願は、平成２４年１２月２１日（パリ条約に基づく優先権主張　平成２４年１０月１８日　韓国（ＫＲ））に特許出願をしたものであって、平成２５年１０月１５日付けで拒絶理由が通知され、平成２６年１月１７日付けで手続補正がされたが、同年３月１７日付けで拒絶査定がなされた。これに対し、同年７月１日に拒絶査定不服の審判請求と同時に手続補正がなされた。
　
　
第２　補正却下の決定 
　
［補正却下の決定の結論］ 
　平成２６年７月１日付けの手続補正を却下する。 
　
［理由］ 
　
１．補正後の本願発明
　平成２６年７月１日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】
　内部電極を含むセラミック本体を設ける段階と、
　前記セラミック本体の外部に前記内部電極と電気的に接続される銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、及び白金（Ｐｔ）材質からなる群より選択される一つ以上の伝導性金属またはこれらの合金若しくはコーティング物質を含む電極層を形成する段階と、
　前記電極層の外部にニッケル粉末が含まれた導電性ペーストを塗布してから焼成することでニッケル層を形成する段階と、
　前記ニッケル層の外部にすず粉末が含まれた導電性ペーストを塗布してから焼成することですず層を形成する段階と、を含む積層セラミック電子部品の製造方法。」
とあったものが、
「【請求項１】
　内部電極を含むセラミック本体を設ける段階と、
　前記セラミック本体の外部に前記内部電極と電気的に接続される銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、及び白金（Ｐｔ）材質からなる群より選択される一つ以上の伝導性金属またはこれらの合金若しくはコーティング物質を含む電極層を形成する段階と、
　前記電極層の外部にニッケル粉末が含まれた導電性ペーストを塗布してから焼成することでニッケル層を形成する段階と、
　前記ニッケル層の外部にすず粉末が含まれた導電性ペーストを塗布してから焼成することですず層を形成する段階と、を含
み、
　
前記ニッケル層及びすず層の厚さは、１μｍ以上３μｍ未満である
と補正された。
　
　
２．補正の目的について 
　本件補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内において、補正前の請求項１に記載された発明を特定するために必要な事項である「ニッケル層及びすず層」について、その厚さが「１μｍ以上３μｍ未満」であることの限定を付加したものである。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
　
　
３．独立特許要件について
　請求項１についての本件補正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのかどうかについて以下に検討する。
　
（１）本願補正発明
　本願補正発明は、平成２６年７月１日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのものである。 
　
　「【請求項１】
　内部電極を含むセラミック本体を設ける段階と、
　前記セラミック本体の外部に前記内部電極と電気的に接続される銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、及び白金（Ｐｔ）材質からなる群より選択される一つ以上の伝導性金属またはこれらの合金若しくはコーティング物質を含む電極層を形成する段階と、
　前記電極層の外部にニッケル粉末が含まれた導電性ペーストを塗布してから焼成することでニッケル層を形成する段階と、
　前記ニッケル層の外部にすず粉末が含まれた導電性ペーストを塗布してから焼成することですず層を形成する段階と、を含み、
　前記ニッケル層及びすず層の厚さは、１μｍ以上３μｍ未満である積層セラミック電子部品の製造方法。」
　
（２）引用例 
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平９−１２９４７８号公報（以下、「引用例」という。）には、「セラミック電子部品の実装構造」について、図面とともに以下の事項が記載されている。 
　
ア．「【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明をセラミック電子部品として積層セラミックコンデンサを例に挙げて図１を参照しながら説明する。本発明における積層セラミックコンデンサ１は、内部に電極（図示せず）が配設されたセラミック焼結体２の両端に端子電極３が形成されている。・・・（以下、省略）」
　
イ．「【００１４】
この積層コンデンサのセラミック焼結体２は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）や、チタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ３、ＰｂＺｒＴｉＯ３）等を主成分とする公知の材料からなり、内部電極としては、Ａｇ、Ｐｄ、Ａｇ−Ｐｄ、Ｎｉ、Ｃｕなど、端子電極３としてはＡｇ、Ｃｕ、Ｎｉ、Ａｇ−Ｐｄ等から構成される。特に、端子電極は、Ａｇからなる下地層と、Ｎｉ層と、Ｓｎ層との積層構造により構成して、半田との濡れ性や端子電極のセラミック焼結体への密着性を高めることができる。」
　
ウ．「【００２０】
【実施例】以下、本発明を具体的な実験例で説明する。
実験例
ＢａＴｉＯ３を主成分とする３．２×１．６×０．６（ｍｍ）の形状の誘電体セラミック焼結体の内部にＡｇからなる内部電極を形成したコンデンサ本体を作製した後、その端面にｌ／Ｌ、ｈ／Ｈが表１となるように端子電極としてＡｇを８０μｍ、Ｎｉを３μｍ、Ｓｎを４μｍの厚みで順次焼き付けた。・・・（以下、省略）」
　
　上記ア乃至ウによれば、引用例は、誘電体セラミック焼結体の内部にＡｇからなる内部電極を形成したコンデンサ本体の端面に端子電極としてＡｇ層（８０μｍ）、Ｎｉ層（３μｍ）、Ｓｎ層（４μｍ）を順次焼き付けた製造方法が記載されている。そして、誘電体セラミック焼結体の内部にＡｇからなる内部電極を形成したコンデンサ本体とその両端に形成された端子電極により積層セラミックコンデンサが構成されている。
　したがって、引用例には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「誘電体セラミック焼結体の内部に内部電極を形成したコンデンサ本体を設け、
　前記コンデンサ本体の端面に端子電極としてＡｇ層を焼き付け、
　前記Ａｇ層の外部に厚さ３μｍのＮｉ層を焼き付け、
　前記Ｎｉ層の外部に厚さ４μｍのＳｎ層を焼き付けた、
　積層セラミックコンデンサの製造方法。」
　
　
（３）対比・判断 
　
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　
ａ．引用発明の「コンデンサ本体」は、セラミック焼結体により構成されるから、本願補正発明の「セラミック本体」に相当する。よって、引用発明の「誘電体セラミック焼結体の内部にＡｇからなる内部電極を形成したコンデンサ本体」は、本願補正発明の「内部電極を含むセラミック本体」に相当する。
　
ｂ．引用発明の「コンデンサ本体の端面」は、本願補正発明の「セラミック本体の外部」に相当する。そして、引用発明の端子電極である「Ａｇ層」は、当然に内部電極（Ａｇ）と接続されているものであるから、本願補正発明の「内部電極と電気的に接続される銀（Ａｇ）からなる伝導性金属を含む電極層」に相当する。
　
ｃ．一般に、積層コンデンサ等の電子部品の製造技術において、金属材料を「焼き付け」るとは、該金属材料を含んだ粉末をペーストにし、該ペーストを所定部材に塗布し、焼く（焼成する）ことで該金属材料を該所定部材に形成することを意味するから、引用発明の「前記Ａｇ層の外部に厚さ３μｍのＮｉ層を焼き付け」及び「前記Ｎｉ層の外部に厚さ４μｍのＳｎ層を焼き付け」は、本願発明の「前記電極層の外部にニッケル粉末が含まれた導電性ペーストを塗布してから焼成することでニッケル層を形成」及び「前記ニッケル層の外部にすず粉末が含まれた導電性ペーストを塗布してから焼成することですず層を形成」に相当する。
　
ｄ．そして、引用発明の「積層セラミックコンデンサ」は、本願補正発明の「積層セラミック電子部品」に相当する。
　
　したがって、本願補正発明と引用発明は、以下の点で一致ないし相違している。 
　
（一致点） 
　「内部電極を含むセラミック本体を設ける段階と、
　前記セラミック本体の外部に前記内部電極と電気的に接続される銀（Ａｇ）からなる伝導性金属を含む電極層を形成する段階と、
　前記電極層の外部にニッケル粉末が含まれた導電性ペーストを塗布してから焼成することでニッケル層を形成する段階と、
　前記ニッケル層の外部にすず粉末が含まれた導電性ペーストを塗布してから焼成することですず層を形成する段階と、を含む
　積層セラミック電子部品の製造方法。」
　
（相違点）
　本願補正発明は「ニッケル層及びすず層の厚さは１μｍ以上３μｍ未満」であるのに対し、引用発明は「ニッケル層の厚さは３μｍ、すず層の厚さは４μｍ」である点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。 
　ニッケル層及びすず層の厚さについて、本願明細書には「従って、セラミック本体１０の設計容量を最大に確保するために、ニッケル層３４、４４及びすず層３６、４６の厚さは、１μｍ〜１０μｍ以下でなければならないが、ディッピング、ペインティング、プリンティングなどの方法で形成されることにより、厚さが増加する恐れがあるため、最大厚さを１０μｍ以下にしなければならない。また、上記ニッケル層３４、４４の厚さは０．１μｍ〜１０μｍの範囲が好ましく、上記すず層３６、４６の厚さは０．１μｍ〜１０μｍの範囲が好ましい。」（段落【００４１】）と記載されているに過ぎず、本願補正発明の「３μｍ未満」とする技術的な意義を見出せる記載はなく、また、ニッケル層及びすず層を３μｍ以上にすることによる弊害（ニッケル層及びすず層を共に３μｍ以上にすると、最大厚さが１０μｍを超えてしまうという根拠。）も記載がないから、本願補正発明の「ニッケル層及びすず層の厚さは１μｍ以上３μｍ未満」は、本願明細書に記載された「１μｍ〜１０μｍの範囲」のうちの一部の範囲である「１μｍ以上３μｍ未満」と単に特定したに過ぎないものと認められる。
　そして、引用発明は「Ｎｉ層３μｍ、Ｓｎ層４μｍ」であって、いずれも本願明細書に記載された「１μｍ〜１０μｍの範囲」に入るものであり、作用効果においても実質的な差異があるものとは認められないから、相違点の構成とすることは当業者が適宜なし得る事項である。
　
　また、本願補正発明の作用効果も、引用例に記載された事項から当業者が容易に予測できる範囲のものである。 
　
　
（４）むすび
　以上のとおり、本願補正発明は、引用例に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について 
　
　平成２６年７月１日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１乃至６に係る発明は、平成２６年１月１７日付けの手続補正書に記載された請求項１乃至６により特定されたものであるところ、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
　
「【請求項１】
　内部電極を含むセラミック本体を設ける段階と、
　前記セラミック本体の外部に前記内部電極と電気的に接続される銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、及び白金（Ｐｔ）材質からなる群より選択される一つ以上の伝導性金属またはこれらの合金若しくはコーティング物質を含む電極層を形成する段階と、
　前記電極層の外部にニッケル粉末が含まれた導電性ペーストを塗布してから焼成することでニッケル層を形成する段階と、
　前記ニッケル層の外部にすず粉末が含まれた導電性ペーストを塗布してから焼成することですず層を形成する段階と、を含む積層セラミック電子部品の製造方法。」
 　
１．引用例 
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例（特開平９−１２９４７８号公報）及びその記載事項は、前記「第２　補正却下の決定」の「３．独立特許要件について」における「（２）引用例」に記載したとおりである。 
　
２．対比・判断
  本願発明は、本願補正発明から「前記ニッケル層及びすず層の厚さは、１μｍ以上３μｍ未満である」構成を省いたものに相当する。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、更に上記構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「第２　補正却下の決定」の「３．独立特許要件について」に記載したとおり、引用例に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
　
３．むすび 
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　
　よって、結論のとおり審決する。