【事件の表示】
　特願２０１１−５５１２７６「スピン転移トルクメモリの自己参照読出方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　８月２６日国際公開、ＷＯ２０１０／０９６７６８、平成２４年　８月１６日国内公表、特表２０１２−５１８８６７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　
　本願は、平成２２年２月２２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００９年２月２０日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２５年２月２１日付けで手続補正書の提出がなされ、同年７月１１日付けで拒絶理由の通知がなされ、同年１０月１５日付けで手続補正書の提出がなされ、同年１０月３１日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成２６年３月４日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに手続補正書の提出がなされ、同年４月２８日付けで前置報告がなされたものである。
　
　
　
第２　補正の却下の決定　　
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２６年３月４日付けの手続補正書による補正を却下する。
　
［理由］　　　
１．補正の内容 
　
　平成２６年３月４日付けの手続補正(以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１及び請求項１１(平成２５年１０月１５日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１及び１１)を補正して、補正後の特許請求の範囲の請求項１及び１１とするものであり、補正前後の各請求項は、各々次のとおりである。
　
（補正前）
「　【請求項１】
　磁気トンネル接合データセルの自己参照読出の方法であって、
　磁気トンネル接合データセルに読出電圧および読出電流のうちの一方を印加して前記読出電圧および読出電流のうちの他方を形成するステップを備え、前記磁気トンネル接合データセルは第１の抵抗状態を有し、前記読出電圧および読出電流のうちの前記一方は、前記磁気トンネル接合データセルの抵抗を切換えるのに十分であり、
　前記前記読出電圧および読出電流のうちの他方を検出するステップと、
　前記印加するステップの間に前記読出電圧および読出電流のうちの前記他方が一定に保たれているかどうかを判定して、前記印加するステップの間に前記読出電圧および読出電流のうちの前記他方が一定に保たれているならば、前記磁気トンネル接合データセルの前記第１の抵抗状態が、前記読出電圧が前記磁気トンネル接合データセルを切換えるのに十分であった抵抗状態であると判定し、前記印加するステップの間に前記読出電圧および読出電流のうちの前記他方が変化すれば、前記第１の抵抗状態を前記磁気トンネル接合データセルに書き戻すステップとを備える、方法。」
　
「　【請求項１１】
　磁気メモリ装置であって、
　スピン偏極されたスイッチング電流の印加により、高抵抗データ状態と低抵抗データ状態の間で切換可能な磁気トンネル接合データセルと、
　前記磁気トンネル接合データセルに電気的に接続されたスイッチング電流源またはスイッチング電圧源と、
　前記磁気トンネル接合データセルに電気的に結合されて、スイッチング電流が前記磁気トンネル接合データセルに印加されたときに５０ナノ秒未満の時間間隔内で読出電圧の変化を検出する電圧微分器、またはスイッチング電圧が前記磁気トンネル接合データセルに印加されたときに５０ナノ秒未満の時間間隔内で読出電流の変化を検出する電流微分器とを備える、磁気メモリ装置。」
　　
（補正後）　
「　【請求項１】
　磁気トンネル接合データセルの自己参照読出の方法であって、
　磁気トンネル接合データセルに読出電圧および読出電流のうちの一方を印加して前記読出電圧および読出電流のうちの他方を形成するステップを備え、前記磁気トンネル接合データセルは第１の抵抗状態を有し、前記読出電圧および読出電流のうちの前記一方は、前記磁気トンネル接合データセルの抵抗を切換えるのに十分であり、
　前記読出電圧および読出電流のうちの他方を検出するステップと、
　前記印加するステップの間に前記読出電圧および読出電流のうちの前記他方が一定に保たれているかどうかを判定して、前記印加するステップの間に前記読出電圧および読出電流のうちの前記他方が一定に保たれているならば、前記磁気トンネル接合データセルの前記第１の抵抗状態が、前記読出電圧が前記磁気トンネル接合データセルを切換えるのに十分であった抵抗状態であると判定し、前記印加するステップの間に前記読出電圧および読出電流のうちの前記他方が変化すれば、前記第１の抵抗状態を前記磁気トンネル接合データセルに書き戻すステップとを備え、
　前記磁気トンネル接合データセルの出力電圧は、前記磁気トンネル接合データセルの抵抗状態の切換による電圧降下を示す、方法。」
　
「　【請求項１１】
　磁気メモリ装置であって、
　スピン偏極されたスイッチング電流の印加により、高抵抗データ状態と低抵抗データ状態の間で切換可能な磁気トンネル接合データセルと、
　前記磁気トンネル接合データセルに電気的に接続されたスイッチング電流源またはスイッチング電圧源と、
　前記磁気トンネル接合データセルに電気的に結合されて、スイッチング電流が前記磁気トンネル接合データセルに印加されたときに５０ナノ秒未満の時間間隔内で読出電圧の変化を検出する電圧微分器、またはスイッチング電圧が前記磁気トンネル接合データセルに印加されたときに５０ナノ秒未満の時間間隔内で読出電流の変化を検出する電流微分器とを備え、
　前記磁気トンネル接合データセルの出力電圧は、前記磁気トンネル接合データセルの抵抗状態の切換による電圧降下を示す、磁気メモリ装置。」
　
　
［補正事項］
　本件補正では、本件補正前の請求項１は本件補正後の請求項１に対応し、本件補正前の請求項１１は本件補正後の請求項１１に対応しており、本件補正前の請求項１及び１１と本件補正後の請求項１及び１１をそれぞれ比較すると、本件補正後の請求項１及び１１に係る本件補正には、以下の補正事項が含まれる。
　
　補正前の請求項１及び１１の「磁気トンネル接合データセル」を、「前記磁気トンネル接合データセルの出力電圧は、前記磁気トンネル接合データセルの抵抗状態の切換による電圧降下を示す」ものとする補正。
　　            　
　　　
２．補正の適否
　
　補正事項により補正された部分は、本願の願書に最初に添付した明細書の段落【００２４】及び図面の図５（以下「当初明細書等」という。）に記載されているものと認められるから、補正事項は当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。したがって、本件補正の補正事項は、当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また、補正事項が、特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　さらに、補正事項は、補正前の請求項１及び１１における「磁気トンネル接合データセル」を、「磁気トンネル接合データセルの出力電圧は、前記磁気トンネル接合データセルの抵抗状態の切換による電圧降下を示す」ものに限定するものであるから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる、特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。したがって、本件補正の補正事項は、特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たす。
　
　
３．独立特許要件について
　
　本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定によって、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであることを要する。
　そこで、本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
　
　
３．１　補正後の発明
　本願の請求項１乃至１２に係る発明は、本件補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至１２に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１１に係る発明(以下、「本件補正発明」という。）は、上記１．の「(補正後)」の箇所に記載したとおりのものであり、再掲すると次のとおりである。
　　
「磁気メモリ装置であって、
　スピン偏極されたスイッチング電流の印加により、高抵抗データ状態と低抵抗データ状態の間で切換可能な磁気トンネル接合データセルと、
　前記磁気トンネル接合データセルに電気的に接続されたスイッチング電流源またはスイッチング電圧源と、
　前記磁気トンネル接合データセルに電気的に結合されて、スイッチング電流が前記磁気トンネル接合データセルに印加されたときに５０ナノ秒未満の時間間隔内で読出電圧の変化を検出する電圧微分器、またはスイッチング電圧が前記磁気トンネル接合データセルに印加されたときに５０ナノ秒未満の時間間隔内で読出電流の変化を検出する電流微分器とを備え、
　前記磁気トンネル接合データセルの出力電圧は、前記磁気トンネル接合データセルの抵抗状態の切換による電圧降下を示す、磁気メモリ装置。」
　　
　　　　 　　　
３．２　引用文献 
　原査定の拒絶の理由に引用された国際公開第２００７／１１１３１８号公報（以下、「引用文献」という。）には、下記の事項が記載されている。
　
Ａ．「［００３４］　まず、本発明の磁気ランダムアクセスメモリの実施の形態の構成について説明する。図３は、本発明の磁気ランダムアクセスメモリの実施の形態の構成を示すブロック図である。磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）１は、複数のメモリセル１０、書き込み線デコーダ２０、複数の第１書き込み線２１ａ、複数の第２書き込み線２１ｂ、選択線デコーダ３０、複数の選択線３１、書き込み制御回路４１、読み出し制御回路４２、電流源回路４３、及び読み出し判定回路４４を具備する。」
　
Ｂ．「［００４５］　次に、本発明の磁気ランダムアクセスメモリの実施の形態の動作について説明する。
　自由磁性層５５と固定磁性層５３の磁化が平行で低抵抗である状態を“０”、反平行で高抵抗である状態を“１”と定義する。図４において、スピン注入法により、“１”状態から“０”状態に書き込むためには、書き込み電流ＩＷを自由磁性層５５側から固定磁性層５３側へ流せばよい。このとき、スピン偏極した電子が固定磁性層５３から自由磁性層５５へ流れる。スピントルク効果により、自由磁性層５５の磁化が反転し、“０”状態となる。なお、初期状態が“０”である場合、自由磁性層５５の磁化は変化しない。逆に、“０”状態から“１”状態に書き込むためには、書き込み電流ＩＷを固定磁性層５３側から自由磁性層５５側に流せばよい。
［００４６］　図５は、本発明で用いる磁気抵抗素子の抵抗と印加した電流との関係を示すグラフである。縦軸は磁気抵抗の大きさ（抵抗値）を示し、横軸は書き込み電流ＩＷの大きさ（電流値）を示す。抵抗値と電流値との間にはヒステリシスが存在し、電流値が閾値Ｉ０１又はＩ０２を超えると、自由磁性層５５の磁化が反転し、それに伴い抵抗値がジャンプし、“０”から“１”（図中（ａ）の場合）、あるいは、“１”から“０”（図中（ｂ）の場合）の遷移がおこる。なお、図５において、電流値の絶対値が大きくなるにつれ抵抗値が下がるのは、トンネル抵抗のバイアス電圧依存性に起因したものである。」
　
Ｃ．「［００４７］　図６は、本発明の磁気ランダムアクセスメモリの実施の形態の動作における、読み出し動作のアルゴリズムを示したフローチャートである。本発明においては、読み出し動作時に書き込み電流ＩＷと同様に、閾値（図５におけるＩ０１又はＩ０２）以上の読み出し電流ＩＲを印加する。これは、従来のスピン注入法を用いた磁気ランダムアクセスにおいて読み出し電流が閾値よりも十分小さな電流値に設定されることと対照的である。以下、説明の簡略化のため、読み出し電流ＩＲの方向は図４における正の方向（固定磁性層５３から自由磁性層５５へ向かう方向）、すなわち、“０”状態が“１”状態に変化する方向であると仮定する。
［００４８］　読み出し制御回路４２は、電流源回路４３、選択線デコーダ３０及び書き込み線デコーダ２０を制御する。それにより、電流源回路４３は、閾値（図５におけるＩ０１）以上の正の方向の読み出し電流ＩＲを対象メモリセル１０へ印加する（ステップＳ０１）。この場合、読み出し電流ＩＲの印加後は、データは必ず“１”になる。なお、読み出し電流ＩＲが負の方向であっても、本発明は同様に適用できる。
［００４９］本発明の読み出し判定回路４４は、読み出し電流ＩＲが印加されたとき、対象メモリセル１０に書き込みが行われたか否か、すなわち、自由磁性層５５の磁化反転が起きたか否かを判定することにより読み出しを行う（ステップＳ０２）。書き込みが行われたか否かの判定方法については後述する。」
　
Ｄ．「［００５２］　次に、上記ステップＳ０２における書き込みが行われたか否かの判定方法について説明する。
　図７及び図８は、本発明の磁気ランダムアクセスメモリにおける読み出し判定回路で用いる書き込み判定方法を説明するグラフである。図７は、図５に示した磁気抵抗素子の抵抗と電流との関係を示すグラフに、読み出し電流ＩＲの印加と、そのときの抵抗値の変化の方向を示す矢印を追加したものである。縦軸は磁気抵抗の大きさ（抵抗値）を示し、横軸は読み出し電流ＩＲの大きさ（電流値）を示す。図８（ａ）は、読み出し電流ＩＲの時間変化を示すグラフである。縦軸は読み出し電流ＩＲの電流値、横軸は時間をそれぞれ示す。図８（ｂ）は、対象メモリセル１０のデータが“０”であった場合の読み出し電圧の微分信号の時間変化を示すグラフである。縦軸は対象メモリセル１０の読み出し電圧の微分信号、横軸は時間をそれぞれ示す。図８（ｃ）は、対象メモリセル１０のデータが“１”であった場合の読み出し電圧の微分信号の時間依存を示すグラフである。縦軸は対象メモリセル１０の読み出し電圧の微分信号、横軸は時間をそれぞれ示す。
［００５３］　まず、対象メモリセル１０のデータが“０”の場合について説明する。
　時刻ｔ１（図８（ａ）：ｔ１）に読み出し電流ＩＲの印加が開始されると（図７：（１）、実線矢印）、読み出し電流ＩＲ印加中に書き込みがなされる。その場合、自由磁性層５３の磁化が反転し、それに伴い抵抗値、すなわち、読み出し電圧（第１書き込み線２１ａと第２書き込み線２１ｂとの電圧差）がジャンプするので（図７：（２）、実線矢印）、その微分波形は鋭いピークを持つことになる（図８（ｂ）：ｔ１−ｔ２）。このピークが有る場合、対象メモリセル１０に書き込みが行われたと判定することが出来る。読み出し電流ＩＲの印加は時刻ｔ３（図８（ａ）：ｔ３）に終了し、抵抗値はデータ“１”の安定状態に達する（図７：（３）、実線矢印）。
［００５４］　次に、対象メモリセル１０のデータが“１”の場合について説明する。
　時刻ｔ１（図８（ａ）：ｔ１）に読み出し電流ＩＲの印加が開始されると（図７：（４）、破線矢印）、読み出し電流ＩＲ印加中に書き込みがなされる。その場合、自由磁性層５３の磁化は反転せず、それに伴い抵抗値、すなわち、読み出し電圧もほとんど変化しないので（図７：（５）、破線矢印）、その微分波形はほとんど変化しないことになる（図８（ｃ）：ｔ１−ｔ２）。このピークが無い場合、対象メモリセル１０に書き込みが行われていないと判定することが出来る。読み出し電流ＩＲの印加は時刻ｔ３（図８（ａ）：ｔ３）に終了し、抵抗値はデータ“１”の安定状態に戻る（図７：（６）、破線矢印）。
［００５５］　以上のようにして、上記ステップＳ０２において、読み出し判定回路４４は、読み出し電圧の変化、すなわち、読み出し電圧の微分信号を検出することにより、自由磁性層５５の磁化反転の有無を判定することが可能となる。それにより、対象メモリセル１０への書き込みの有無を判定することが出来る。」
　
Ｅ．図４には、メモリセルが、自由磁性層５５、トンネルバリア層５４、固定磁性層５３を順に積層した構成を有することが記載されている。
　
　ここで、上記引用文献の記載事項について検討する。
　
（あ）磁気ランダムアクセスメモリの構成について
　上記Ａには、「磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）１は、複数のメモリセル１０、書き込み線デコーダ２０、複数の第１書き込み線２１ａ、複数の第２書き込み線２１ｂ、選択線デコーダ３０、複数の選択線３１、書き込み制御回路４１、読み出し制御回路４２、電流源回路４３、及び読み出し判定回路４４を具備する。」ことが記載されている。
　よって、引用文献には、「磁気ランダムアクセスメモリは、複数のメモリセル、書き込み線デコーダ、複数の第１書き込み線、複数の第２書き込み線、選択線デコーダ、複数の選択線、書き込み制御回路、読み出し制御回路、電流源回路、及び読み出し判定回路を具備したもの」であることが記載されている。
　
（い）メモリセルの抵抗状態について　
　上記Ｅには、図４に、メモリセルが、自由磁性層５５、トンネルバリア層５４、固定磁性層５３を順に積層した構成を有することが記載され、また、上記Ｂには、「自由磁性層５５と固定磁性層５３の磁化が平行で低抵抗である状態を“０”、反平行で高抵抗である状態を“１”と定義する」ことが記載されている。
　よって、引用文献には、「メモリセルは、自由磁性層、トンネルバリア層、固定磁性層を順に積層した構成を有し、自由磁性層と固定磁性層の磁化が平行のときはデータ“０”と定義される低抵抗の状態であり、自由磁性層と固定磁性層の磁化が反平行のときはデータ“１”と定義される高抵抗の状態である」ことが記載されている。
　
（う）メモリセルの自由磁性層の磁化反転について
　上記Ｂには、「電流値が閾値Ｉ０１又はＩ０２を超えると、自由磁性層５５の磁化が反転し、それに伴い抵抗値がジャンプし、“０”から“１”（図中（ａ）の場合）、あるいは、“１”から“０”（図中（ｂ）の場合）の遷移がおこる。」ことが記載され、また、「スピン注入法により、“１”状態から“０”状態に書き込む」ために「書き込み電流ＩＷを自由磁性層５５側から固定磁性層５３側へ流」すと、「スピン偏極した電子が固定磁性層５３から自由磁性層５５へ流れ」、「スピントルク効果により、自由磁性層５５の磁化が反転しし、“０”状態」となり、「逆に、“０”状態から“１”状態に書き込むためには、書き込み電流ＩＷを固定磁性層５３側から自由磁性層５５側に流せばよい。」ことが記載されている。
　よって、引用文献には、「メモリセルは、閾値Ｉ０１又はＩ０２を超える電流の印加によりスピン偏極した電子が流れスピントルク効果により自由磁性層の磁化が反転するもの」であることが記載されていると認められる。
　
（え）読み出し判定回路による読み出し判定について
  上記Ｃには、「読み出し動作時に書き込み電流ＩＷと同様に、閾値（図５におけるＩ０１又はＩ０２）以上の読み出し電流ＩＲを印加する」こと、「電流源回路４３は、閾値（図５におけるＩ０１）以上の正の方向の読み出し電流ＩＲを対象メモリセル１０へ印加する（ステップＳ０１）」こと、「読み出し判定回路４４は、読み出し電流ＩＲが印加されたとき、対象メモリセル１０に書き込みが行われたか否か、すなわち、自由磁性層５５の磁化反転が起きたか否かを判定する」ことが記載されている。
　また、上記Ｄには、「読み出し判定回路４４は、読み出し電圧の変化、すなわち、読み出し電圧の微分信号を検出することにより、自由磁性層５５の磁化反転の有無を判定することが可能となる」ことが記載されている。
　よって、引用文献には、「電流源回路は、読み出し動作時に、書き込み電流と同様に閾値以上の読み出し電流をメモリセルへ印加するもの」であること、及び、「読み出し判定回路は、読み出し対象のメモリセルに読み出し電流が印加されたとき、前記読み出し対象のメモリセルに書き込みが行われたか否か、すなわち、読み出し電圧の微分信号を検出して自由磁性層の磁化反転が起きたか否かを判定するものである」ことが記載されている。
　
　よって、上記（あ）乃至（え）及び関連図面の記載から、引用文献には、実質的に下記の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　　
「磁気ランダムアクセスメモリは、複数のメモリセル、書き込み線デコーダ、複数の第１書き込み線、複数の第２書き込み線、選択線デコーダ、複数の選択線、書き込み制御回路、読み出し制御回路、電流源回路、及び読み出し判定回路を具備したものであって、
　前記メモリセルは、自由磁性層、トンネルバリア層、固定磁性層を順に積層した構成を有し、前記自由磁性層と前記固定磁性層の磁化が平行のときはデータ“０”と定義される低抵抗の状態であり、前記自由磁性層と前記固定磁性層の磁化が反平行のときはデータ“１”と定義される高抵抗の状態であり、閾値Ｉ０１又はＩ０２を超える電流の印加によりスピン偏極した電子が流れスピントルク効果により前記自由磁性層の磁化が反転するものであり、
　前記電流源回路は、読み出し動作時に、書き込み電流と同様に閾値以上の読み出し電流を前記メモリセルへ印加するものであり、
　前記読み出し判定回路は、読み出し対象のメモリセルに読み出し電流が印加されたとき、前記読み出し対象のメモリセルに書き込みが行われたか否か、すなわち、読み出し電圧の微分信号を検出して自由磁性層に磁化反転が起きたか否かを判定するものである、
磁気ランダムアクセスメモリ。」
　
　
３．３　対比 
（１）本件補正発明と引用発明との対応関係について
　
ア．引用発明の「磁気ランダムアクセスメモリ」は、「複数のメモリセル、書き込み線デコーダ、複数の第１書き込み線、複数の第２書き込み線、選択線デコーダ、複数の選択線、書き込み制御回路、読み出し制御回路、電流源回路、及び読み出し判定回路を具備したもの」であるから、「磁気メモリ装置」と呼び得るものである。
　
イ．本件補正発明の「スピン偏極されたスイッチング電流」は、該電流の印加により「高抵抗データ状態と低抵抗データ状態の間で切換可能」とするものである。これに対して、引用発明の「閾値Ｉ０１又はＩ０２を超える電流」も、該電流の印加によりスピン偏極した電子が流れる自由磁性層の磁化が反転し、かつ、自由磁性層の磁化の方向によりメモリセルの抵抗値が「低抵抗の状態」または「高抵抗の状態」となるものであるから、引用発明も「閾値Ｉ０１又はＩ０２を超えた電流」の印加により、「スピン偏極されたスイッチング電流」がメモリセルに流れるものと認められる。
　また、引用発明の「メモリセル」は、「自由磁性層、トンネルバリア層、固定磁性層を順に積層した構成」であるから、「磁気トンネル接合」となっていることは明らかである。
　よって、引用発明の「メモリセル」は、本件補正発明の「スピン偏極されたスイッチング電流の印加により、高抵抗データ状態と低抵抗データ状態の間で切換可能な磁気トンネル接合データセル」に相当している。
　
ウ．引用発明の「読み出し電流」は、「書き込み電流と同様に閾値以上」の大きさであり、かつ、メモリセルへ印加することにより「自由磁性層に磁化反転」を行い得るものであるから、引用発明では、「読み出し電流」の印加により、「スピン偏極されたスイッチング電流」がメモリセルに流れるものと認められる。
　また、引用発明の「電流源回路」は、「読み出し動作時に、書き込み電流と同様に閾値以上の読み出し電流を前記メモリセルへ印加する」ものである。
　よって、引用発明の「電流源回路」は、本件補正発明の「前記磁気トンネル接合データセルに電気的に接続されたスイッチング電流源」に相当している。
　
エ．引用発明の「読み出し判定回路」は、「読み出し対象のメモリセルに読み出し電流が印加されたとき」、「読み出し電圧の微分信号を検出」しているので、本件補正発明と引用発明は、「前記磁気トンネル接合データセルに電気的に結合されて、スイッチング電流が前記磁気トンネル接合データセルに印加されたときに読出電圧の変化を検出する構成を備え」ている点で共通している。
　
オ．引用文献の上記Ｂには、メモリセルに印加した電流値が閾値Ｉ０１又はＩ０２を超えると、自由磁性層の磁化が反転し、図５（ａ）の“０”から“１”、あるいは、図５（ｂ）の“１”から“０”の遷移がおこることが記載され、上記Ｃには、閾値Ｉ０１以上の正方向の読み出し電流ＩＲを印加後はデータは必ず“１”になること、及び、読み出し電流ＩＲが負の方向であっても、同様に適用できることが記載されている。
　そこで、引用文献の図５において読み出し電流ＩＲが負の方向の場合について検討すると、データ“１”のメモリセルに電流値が閾値Ｉ０２を超える読み出し電流を印加すると、図５（ｂ）に記載されたデータ“１”からデータ“０”の遷移が起こり、この遷移ではメモリセルの抵抗値は高抵抗から低抵抗に変化するため、メモリセルの出力電圧は電圧降下することになる。
　よって、引用発明も「磁気トンネル接合データセルの出力電圧は、前記磁気トンネル接合データセルの抵抗状態の切換による電圧降下を示す」ものであると認められる。
　
（２）本件補正発明と引用発明の一致点及び相違点について
　上記の対応関係から、本件補正発明と引用発明は、下記の点で一致し、また、相違するものと認められる。
　
（一致点）
「磁気メモリ装置であって、
　スピン偏極されたスイッチング電流の印加により、高抵抗データ状態と低抵抗データ状態の間で切換可能な磁気トンネル接合データセルと、
　前記磁気トンネル接合データセルに電気的に接続されたスイッチング電流源またはスイッチング電圧源と、
　前記磁気トンネル接合データセルに電気的に結合されて、スイッチング電流が前記磁気トンネル接合データセルに印加されたときに読出電圧の変化を検出する構成を備え、
　前記磁気トンネル接合データセルの出力電圧は、前記磁気トンネル接合データセルの抵抗状態の切換による電圧降下を示す、磁気メモリ装置。」
　　　　　　　
（相違点）　
　本件補正発明の「読出電圧の変化を検出する構成」は、「５０ナノ秒未満の時間間隔内で読出電圧の変化を検出する電圧微分器」であるのに対し、引用発明の「読出電圧の変化を検出する構成」はそのような電圧微分器であるか特定されていない点。
　
　
３．４　当審の判断 
（１）相違点について
　最初に、５０ナノ秒未満の時間間隔内の電圧変化を検出するために電圧微分器を用いることについて検討し、次に、磁気ランダムアクセスメモリにおいて、読出電圧の変化を検出する期間を５０ナノ秒未満の時間間隔内とすることについて検討することで、相違点の容易性について判断する。
　
　５０ナノ秒間隔のパルス幅を有する信号は、例えば、同じパルス幅を有するクロック信号とした場合に、そのクロック信号の周波数は１０ＭＨｚになることから、その程度の周波数の信号に対して信号の電圧変化を検出するために電圧微分器を用いることは引用文献を示すまでもなく周知技術にすぎない。
　
　また、磁気ランダムアクセスメモリにおいて、メモリセルに対して磁化反転をさせる電流の印加期間を１〜１００ナノ秒とすることは、例えば、特開２００７−２９４０１０号公報（段落５４には、パルス幅が１〜１００ｎｓの範囲で磁化の向きを反転させることが記載されている）に記載されているように周知技術である。
　
　そして、メモリでは、書き込み時間及び読み出し時間の高速化が一般に求められ、例えば、特開２００７−２９４７６２号公報の段落４に記載されているように、磁気メモリでは磁化反転を行う書込みを１０ナノ秒以下の時間で行うことが求められていること等も鑑みれば、引用発明において、磁化反転を行う読み出し電流の印加する期間を、例えば、１０ナノ秒以下に設定することに格別の困難性は認められない。
　
　してみると、「読出電圧の変化を検出」するために「読み出し電圧の微分信号を検出」している「磁気ランダムアクセスメモリ」である引用発明において、読み出し電流の印加する期間を５０ナノ秒未満とすること、「読み出し電圧の微分信号を検出」するために電圧微分器を用いること、即ち、引用発明に相違点の構成を採用することは、上記周知技術から当業者が容易に想到し得たものである。
　　
（２）本件補正発明の作用効果について　　　
　そして、本件補正発明の作用効果も、引用発明、引用文献の記載事項、及び周知技術から当業者が予測できる範囲のものである。　
　
　
３．５　むすび 
　よって、本件補正発明は、引用発明、引用文献に記載された事項、及び周知技術から当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
　
第３　補正却下の決定を踏まえた検討
　
１．本願発明
　
　平成２６年３月４日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願に係る発明は、平成２５年１０月１５日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１乃至１２に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項１１に係る発明(以下「本願発明」という。）は、上記「第２」「１．」の「(補正前)」の箇所に記載したとおりのものであり、再掲すると次のとおりである。
　
「磁気メモリ装置であって、
　スピン偏極されたスイッチング電流の印加により、高抵抗データ状態と低抵抗データ状態の間で切換可能な磁気トンネル接合データセルと、
　前記磁気トンネル接合データセルに電気的に接続されたスイッチング電流源またはスイッチング電圧源と、
　前記磁気トンネル接合データセルに電気的に結合されて、スイッチング電流が前記磁気トンネル接合データセルに印加されたときに５０ナノ秒未満の時間間隔内で読出電圧の変化を検出する電圧微分器、またはスイッチング電圧が前記磁気トンネル接合データセルに印加されたときに５０ナノ秒未満の時間間隔内で読出電流の変化を検出する電流微分器とを備える、磁気メモリ装置。」
　
　
２．引用文献
　
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された引用文献の記載事項及び引用発明は、上記「第２」「３．」「３．２」に記載したとおりである。
　
　　
３．対比・判断
　　
　本願発明は、上記「第２」「２．」で検討した本件補正発明における限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要素を全て含み、さらに特定の点に限定を施したものに相当する本件補正発明が、上記「第２」「３．」「３．４」に記載したとおり、引用発明、引用文献の記載事項、及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明、引用文献の記載事項、及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。　　　　
　
　
４．むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用発明、引用文献の記載事項、及び周知技術に基いて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、本件は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。