【事件の表示】
　平成　５年特許願第　４１４５６号「液晶表示装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　６年　９月１６日出願公開、特開平　６−２５８６６０］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯と本願発明
　本願は、平成５年３月２日の特許出願であって、その発明は平成１３年８月８日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１〜７に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下、本願発明という。）は次のとおりである。
「【請求項１】　一対の基板間のシール部の内側に液晶が挟持されてなり、前記一対の基板の一方の基板の前記シール部内側にはトランジスタと、前記トランジスタ上に絶縁膜を介して配置された画素電極とを具備し、前記一方の基板の前記シール部外側には駆動回路とを具備し、前記一方の基板上の前記シール部に対向する領域には前記絶縁膜が配置されていないことを特徴とする液晶表示装置。」
２．引用文献について
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献４（特開昭６２−２５１７２３号公報）には、次の事項が記載されている。
「第２図は、透明絶縁基板上にマトリックス上に配置された薄膜トランジスターと周辺駆動回路から構成された液晶表示用ドライバー内蔵アクティブマトリックス基板の模式図である。１（Ｇ１〜Ｇｍ）は、タイミング線となるゲート線、２（Ｓ１〜Ｓｎ）は、データ線となるソース線であり、その交点に配置された薄膜トランジスター３により、データを画素電極４に書き込んでいる。５は、タイミング線駆動回路、６はデータ線駆動回路であり、この図では両側駆動の場合を示している。
　第３図は、従来の透過型ドライバー内蔵液晶パネルの概要断面図（ａ）と平面図（ｂ）である。透明絶縁基板７上に薄膜トランジスターを用いて画素電極を有するパネル表示領域８とタイミング線駆動回路５とデータ線駆動回路６と周辺接続用端子９を形成する。シール材１０を用いて対向透明電極１１を有する対向透明基板１２とアクティブマトリックスと駆動回路を形成した基板７を圧着し、封入口１３より液晶１４を封入したのち封止して液晶パネルが完成する。この場合、周辺駆動回路は露出状態になるので、あらかじめパッシベーション膜１５を形成しておくか、パネル完成後にモールド等を施して被覆しないと湿度による腐食が駆動回路内に発生する。
　第４図は、前記耐湿性を向上させた構造の断面図（ａ）と平面図（ｂ）であり周辺駆動回路を液晶中にとじこめているのが特徴である。液晶内は水分がほとんどないため、パシベーション膜をつける必要がなく耐湿性の問題は十分解決できるものである。」（１頁左下欄末行〜２頁右上欄９行）
「第４図は、従来の駆動回路をパネル構造の内に配置した透過型ドライバー内蔵液晶パネル構造の断面図（ａ）と平面図（ｂ）である。」（３頁左下欄２行〜４行）
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献５（実願昭５６−１５０４０４号（実開昭５８−５４６７９号公報）のマイクロフィルム）には、次の事項が記載されている。
「第３図は、本考案の実施例の断面図を示す。Ａは、マトリクス状に配置される液晶駆動用素子の単位素子を示し、Ｂは、上記液晶駆動用素子を駆動するための駆動回路部で一素子であるインバーターを一例として示す。Ｎ型シリコン半導体基板９の上部には、ソース１１、ドレイン１２、ゲート酸化膜１３ゲート電極１４が設けられており、このＭＯＳトランジスタはクロストークの無い表示を行なうためのスイッチング素子となる。ドレイン１２は、酸化膜１６、Ｎ＋拡散層１７とコンデンサー用電極１５よりなるコンデンサーに反射板電極１９と接続されている。絶縁膜１８は減圧ＯＶＤ等で作成される酸化膜を示す。なおコンデンサーは、液晶セルの電圧をＭＯＳトランジスターがオフになった後も維持するたに用いられる。次に駆動回路部Ｂの構造を説明する。Ｐ−拡散層１０には、ドレイン２４、ソース２５、ゲート酸化膜２６、ゲート電極２７でＮチャネルＭＯＳトランジスターが構成されていて、ソース２５はＰ＋拡散層３２、３３に配線２８を介して接続されている。Ｎ型シリコン基板９上には、ソース２０、ドレイン２１、ゲート酸化膜２２、ゲート電極２３でＰチャネルＭＯＳトランジスターが構成されていて、ソース２０はＮ＋拡散層３１に配線３０を介して接続されている。ＰチャネルＭＯＳトランジスターとＮチャネルＭＯＳトランジスターは、ドレイン２１、２４で配線２９を介して接続されてインバーターを構成している。減圧ＣＶＤ等で作成される酸化膜３４を介して光遮断膜３５が形成されている。上記光遮断膜３５は、液晶駆動用素子Ａの反射板電極１９と同じ物質を用いると同時に形成することができ作成が容易である。なお、光遮断膜３５としてＡｌまたはＡｌ−Ｓｉ等が使用することができる。上記光遮断膜３５によって外部からの光が入射してもＰ−Ｎ接合部への進入を阻止しているのでリーク等がなくなり、各種信号の波形の変化、電圧の変化、誤動作等が生じない。」（４頁１１行〜６頁６行）
　原査定の拒絶の理由に引用された引用文献７（特開昭３−９３２８号公報）には、次の事項が記載されている。
「第２Ｂ図に示すように、液晶ＬＣを基準に下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側には薄膜トランジスタＴＦＴ及び透明画素電極ＩＴＯ１ｂが形成され、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側にはカラーフィルタＦＩＬ、遮光用ブラックマトリクスパターンを形成する遮光膜ＢＭが形成されている。下部透明ガラス基板ＳＵＢ１はたとえば１．１［ｍｍ］程度の厚さで構成されている。
　第２Ｂ図の中央部は一画素部分の断面を示しているが、左側は透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の左側縁部分で外部引出配線の存在する部分の断面を示しており、右側は透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の右側縁部分で外部引出配線の存在しない部分の断面を示している。
　第２Ｂ図の左側、右側のそれぞれに示すシール材ＳＬは液晶ＬＣを封止するように構成されており、液晶封入口（図示していない）を除く透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２の縁周囲全体に沿って形成されている。
　上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側の共通透明画素電極ＩＴＯ２は、少なくとも一個所において、銀ペースト材ＳＩＬによって下部透明基板ＳＵＢ１側に形成された外部引出配線に接続されている。この外部引出配線はゲート電極ＧＴ、ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２のそれぞれと同一製造工程で形成される。
　配向膜ＯＲＩ１、ＯＲＩ２、透明画素電極ＩＴＯ１ｂ、共通透明画素電極ＩＴＯ２、保護膜ＰＳＶ１、ＰＳＶ２、絶縁膜ＧＩのそれぞれの層は、シール材ＳＬの内側に形成される。偏光板ＰＯＬ１、ＰＯＬ２はそれぞれ下部透明ガラス基板ＳＵＢ１、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の外側の表面に形成されている。
　液晶ＬＣは液晶分子の向きを設定する下部配向膜ＯＲＩ１と上部配向膜ＯＲＩ２との間に封入され、シール部ＳＬよってシールされている。
　下部配向膜ＯＲＩ１は下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側の保護膜ＰＳＶ１の上部に形成される。
　上部透明ガラス基板ＳＵＢ２の内側（液晶ＬＣ側）の表面には、遮光膜ＢＭ、カラーフィルタＦＩＬ、保護膜ＰＳＶ２、共通透明画素電極ＩＴＯ２（ＣＯＭ）および上部配向膜ＯＲＩ２が順次積層して設けられている。
　この液晶表示装置は下部透明ガラス基板ＳＵＢ１側、上部透明ガラス基板ＳＵＢ２側のそれぞれの層を別々に形成し、その後上下透明ガラス基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２を重ね合わせ、両者間に液晶ＬＣを封入することによって組み立てられる。」（３頁左下欄１２行〜４頁左上欄末行）
３．本願発明と引用文献に記載の発明との対比・判断
　引用文献４の第３図において従来例として記載されている「透過型ドライバー内蔵液晶パネル」、「透明絶縁基板７」、「シール材１０」、「液晶１４」、「タイミング線駆動回路５とデータ線駆動回路６」は、それぞれ本願発明の「液晶表示装置」、「一方の基板」、「シール部」、「液晶」、「駆動回路」に相当する。
　そして、第４図に明示の記載はないが、引用文献４の第２図において図示された「ドライバー内蔵アクティブマトリックス基板」の「薄膜トランジスター３」及び「画素電極４」が、第４図の「透明絶縁基板７」上にも配置されていることは明らかであり、そして、その「薄膜トランジスター３」及び「画素電極４」はそれぞれ本願発明の「トランジスタ」及び「画素電極」に相当することも明らかである。
　そこで、本願発明と引用文献４の第３図において従来例として記載された発明（以下、引用発明という。）とを対比すると、両者は、「一対の基板間のシール部の内側に液晶が挟持されてなり、前記一対の基板の一方の基板の前記シール部内側にはトランジスタと、画素電極とを具備し、前記一方の基板の前記シール部外側には駆動回路とを具備する液晶表示装置」であるという点で一致し、次の２点（以下、相違点１及び２という。）で相違している。
　相違点１：本願発明は「トランジスタ上に絶縁膜を介して画素電極を配置している」のに対して、引用発明はそのようになっているか否かが不明である点。
　相違点２：本願発明は「一方の基板上のシール部に対向する領域に絶縁膜を配置しない」のに対して、引用発明はそのようになっているか否かが不明である点。
　そこで、上記相違点１及び２について以下検討する。
　相違点１について
　引用文献５（実願昭５６−１５０４０４号（実開昭５８−５４６７９号公報）のマイクロフィルム）には、液晶表示装置において、マトリクス状に配置される液晶駆動用素子（本願発明の「トランジスタ」に相当する。）と、その液晶駆動用素子を駆動するための駆動回路部（本願発明の「駆動回路」に相当する。）とを同一の基板に作り込み、反射板電極１９（本願発明の「画素電極」に相当する。）を液晶駆動用素子上に酸化膜（本願発明の「絶縁膜」に相当する。）を介して形成することが記載されて公知である。
　してみると、引用発明において、引用文献５に記載の上記技術的事項を適用して、「薄膜トランジスタ３」上に「絶縁膜」を介して「画素電極４」を配置するようにすることは当業者であれば容易になし得ることである。
　相違点２ついて
　引用文献７には、「ＴＦＴ保護膜ＰＳＶ１」（本願発明の「絶縁膜」に相当する。）を「下部ガラス基板ＳＵＢ１」（本願発明の「一方の基板」に相当する。）上の「シール部ＳＬ」（本願発明の「シール部」に相当する。）に対向する領域に配置しない」ことが記載されて公知である。
　してみると、引用発明において、引用文献７に記載の上記技術的事項を適用して、「透明絶縁基板７」上の「シール材１０」に対向する領域に「絶縁膜」を配置しないようにすることは当業者であれば容易になし得ることである。
　そして、本願発明の作用効果は、引用文献から予測し得るものである。
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用文献４、５及び７に記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。