【事件の表示】
　上記当事者間の特許第４１８０１０７号発明「窒化物系半導体素子の製造方法」の特許無効審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
第１　本件の概要及び経緯
１　本件の概要
　本件は、請求人（日亜化学工業株式会社）が、被請求人（三洋電機株式会社）が特許権者である特許第４１８０１０７号（以下、「本件特許」という。特許登録時の請求項の数は１０である。）の請求項１〜１０に係る発明についての特許を無効とすることを求める事案である。
　
２　出願の経緯概要 
　本件特許の出願の経緯概要は、次のとおりである。
　
　平成１４年　３月２６日　特願２００２−８５０８５号（以下「先の出願」という。）
　平成１５年　３月１９日　特願２００３−７４９６６号（先の出願に基づく優先権主張を伴う出願。以下「原々出願」という。）
　平成１８年１２月２５日　特願２００６−３４８１６１号（原々出願の一部を新たな特許出願とした出願。以下「原出願」という。）
　平成２０年　３月２４日　特願２００８−７６８４４号（原出願の一部を新たな特許出願とした本件出願。以下「本願」という。）
　平成２０年　４月１８日　手続補正書
　平成２０年　６月２０日　手続補正書
　平成２０年　７月１８日　特許査定
　平成２０年　９月　５日　設定登録（特許第４１８０１０７号）
　平成２０年１１月１２日　特許公報発行
　
３　本件審判の経緯
　本件審判の経緯は、次のとおりである。
　
　平成２５年　６月１９日　特許無効審判請求
　平成２５年　９月　６日　審判事件答弁書
　平成２５年１０月２８日　上申書（請求人）
　平成２５年１１月１３日　審理事項通知書（合議体）
　平成２５年１２月２７日　口頭審理陳述要領書（被請求人）
　平成２６年　１月　６日　口頭審理陳述要領書（請求人）
　平成２６年　１月１５日　口頭審理
　平成２６年　１月１６日　上申書（請求人）
　
　なお、本件特許については、同じ請求人により、平成２３年１０月７日に、別件特許無効審判（２０１１−８００２０３号）が請求され、平成２４年７月２０日に請求は成り立たない旨の審決がなされ、当該審決について審決取消訴訟（平成２４年（行ケ）第１０３０３号）が提起されたが、平成２５年１１月１４日に請求棄却判決が言渡された。
　
第２　請求人の主張の概要
　請求人は、「特許第４１８０１０７号の請求項１乃至１０に係る発明についての特許を無効とする。審判費用は被請求人の負担とする。」との審決を求め、本件特許は無効とすべきものであると主張している。
１　証拠方法
　請求人が提出した甲第１号証ないし甲第１６号証（以下、それぞれ「甲１」ないし「甲１６」という。）は次のとおりである。
　
　甲１：特許第４１８０１０７号公報（本件特許）
　甲２：特開２００３−５１６１４号公報
　甲３の１：報告書（１）（平成２５年６月７日付け、日亜化学工業株式会社　総合部門　法知本部　主幹技師　丸谷幸利（請求人従業者）作成）
　甲３の２：意見書（平成２４年１１月２日付け、京都大学　工学研究科　准教授　船戸充作成）
　甲３の３：Ｋｙｏｙｅｏｌ　Ｌｅｅ　他１名，”Ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ　ｏｆ　Ｆｒｅｅｓｔａｎｄｉｎｇ　ＧａＮ　Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ　Ｇｒｏｗｎ　ｂｙ　Ｈｙｄｒｉｄｅ　Ｖａｐｏｒ　Ｐｈａｓｅ　Ｅｐｉｔａｘｙ”，Ｊａｐａｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ　Ｖｏｌ．４０（２００１），ｐｐ．Ｌ１３−Ｌ１５
　甲３の４：Ｊｏｏｎ　Ｓｅｏｐ　Ｋｗａｋ　他６名，“Ｃｒｙｓｔａｌ−ｐｏｌａｒｉｔｙ　ｄｅｐｅｎｄｅｎｃｅ　ｏｆ　Ｔｉ／Ａｌ　ｃｏｎｔａｃｔｓ　ｔｏ　ｆｒｅｅｓｔａｎｄｉｎｇ　ｎ−ＧａＮ　ｓｕｂｓｔｒａｔｅ”，ＡＰＰＬＩＥＤ　ＰＨＹＳＩＣＳ　ＬＥＴＴＥＲＳ，　Ｖｏｌｕｍｅ　７９，Ｎｕｍｂｅｒ　２０，ｐｐ．３２５４−３２５６，１２　ＮＯＶＥＭＢＥＲ　２００１
　甲３の５：Ｐ．Ｖｉｓｃｏｎｔｉ　他７名，”Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ　ｏｆ　ｆｒｅｅ−ｓｔａｎｄｉｎｇ　ｈｙｄｒｉｄｅ−ｖａｐｏｒ−ｐｈａｓｅ−ｅｐｉｔａｘｙ−ｇｒｏｗｎ　ＧａＮ　ｗｉｔｈ　ｖｅｒｙ　ｌｏｗ　ｄｅｆｅｃｔ　ｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎ”，ＡＰＰＬＩＥＤ　ＰＨＹＳＩＣＳ　ＬＥＴＴＥＲＳ，　Ｖｏｌｕｍｅ　７７，Ｎｕｍｂｅｒ　２３，ｐｐ．３７４３−３７４５，４　ＤＥＣＥＭＢＥＲ　２０００
　甲３の６：Ｊ．Ｊａｓｉｎｓｋｉ　他９名，”Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎ　ｏｆ　ｆｒｅｅ−ｓｔａｎｄｉｎｇ　ｈｙｄｒｉｄｅ　ｖａｐｏｒ　ｐｈａｓｅ　ｅｐｉｔａｘｙ　ＧａＮ”，ＡＰＰＬＩＥＤ　ＰＨＹＳＩＣＳ　ＬＥＴＴＥＲＳ，　Ｖｏｌｕｍｅ　７８，Ｎｕｍｂｅｒ　１６，ｐｐ．２２９７−２２９９，１６　ＡＰＲＩＬ　２００１
　甲４の１：報告書（２）（平成２５年６月１０日付け、日亜化学工業株式会社　総合部門　法知本部　主幹技師　丸谷幸利（請求人従業者）作成）
　甲４の２：陳述書（４）（平成２３年６月１３日付け、三洋電機株式会社　電子デバイスカンパニー　光エレクトロニクス事業部　フォトニクス技術部　レーザ技術課　畑雅幸（被請求人従業者：本件特許発明者）作成、本件審判の被請求人（三洋電機株式会社）を原告とし本件審判の請求人（日亜化学工業株式会社）を被告とする特許権侵害差止損害賠償等請求事件（東京地裁平成２３年（ワ）第２６６７６号）における甲１４）
　甲４の３：陳述書（平成２５年１２月２０日付け、日亜化学工業株式会社　総合部門　法知本部　主幹技師　丸谷幸利（請求人従業者）作成）
　甲５：先の出願（特願２００２−８５０８５号）の願書に最初に添付した明細書及び図面
　甲６：下川房男著「はじめての精密工学・エッチング技術の基礎」、精密工学会誌、第７７巻、第２号、１６２頁〜１６８頁（２０１１）
　甲７：特開２００７−１０６６６６号公報
　甲８の１：特開２００１−２５７４１４号公報
　甲８の２：特開平１０−２２５２６号公報
　甲８の３：特開２００１−３４５５１９号公報
　甲９の１：平田照二著「わかる半導体レーザの基礎と応用／レーザ・ダイオードの発光原理および諸特性とその展望」、ＣＱ出版社、１１２頁〜１３１頁、２００１年１１月２０日
　甲９の２：特開２００１−３１３４２２号公報
　甲９の３：特開２００１−３２２８９９号公報
　甲１０：本件審判の被請求人（三洋電機株式会社）を原告とし本件審判の請求人（日亜化学工業株式会社）を被告とする特許権侵害差止損害賠償等請求事件（東京地裁平成２３年（ワ）第２６６７６号）の訴状
　甲１１：特開２０００−３４９３３８号公報
　甲１２：特願２００８−１４０１０５号（甲２の分割出願、特開２００８−２６３２１４号）の願書に最初に添付した図面のうち図９及び図１０
　甲１３：Ｓｕｎｇ　Ｓ．Ｐａｒｋ，他２名，“Ｆｒｅｅ−Ｓｔａｎｄｉｎｇ　ＧａＮ　Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ　ｂｙ　Ｈｙｄｒｉｄｅ　Ｖａｐｏｒ　Ｐｈａｓｅ　Ｅｐｉｔａｘｙ”，Ｊａｐａｎｅｓｅ　Ｊｏｕｒａｎａｌ　ｏｆ　Ａｐｐｌｉｅｄ　Ｐｈｙｓｉｃｓ，Ｖｏｌｕｍｅ　３９，ｐｐ．Ｌ１１４１−１１４２，１５　Ｎｏｖｅｍｂｅｒ　２０００
　甲１４：ＫＡＳＴ高度計測センターＦＩＢ加工・観察・ＥＤＳ分析のｗｅｂサイト、ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｎｅｗｓｋａｓｔ．ｏｒ．ｊｐ／ｋｏｕｄｏ／０１０１＿ｋｅｉｔａｉ／ｋｋ＿０１０１０２＿ＦＩＢ−ＳＥＭ−Ａｒ−ｍｉｃｒｏ．ｈｔｍｌ（平成２６年１月１２日閲覧）
　甲１５：別件特許無効審判事件（無効２０１１−８００２０２号及び無効２０１１−８００２０３号）の口頭審理における技術説明に本件審判の被請求人（三洋電機株式会社）が用いたスライド
　甲１６の１：本件審判事件の口頭審理における技術説明に請求人（日亜化学工業株式会社）が使用したパワーポイント（説明資料・その１）の電子データを記録したコンパクトディスク
　甲１６の２：本件審判事件の口頭審理における技術説明に請求人（日亜化学工業株式会社）が使用したパワーポイント（説明資料・その２）の電子データを記録したコンパクトディスク
　
２　主張の概要
　以下、本件特許の請求項１ないし１０に係る発明をそれぞれ「本件特許発明１」ないし「本件特許発明１０」といい、これらをまとめて「本件特許発明」という。
　また、本件特許の請求項１の分説は、審判請求書の５頁に記載されたものを採用して次のとおりとし、各発明特定事項を「発明特定事項Ａ」ないし「発明特定事項Ｆ」のようにいう。
「【請求項１】
Ａ　ｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる
　　第１半導体層の上面上に、活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半
　　導体層を形成する第１工程と、
Ｂ　前記第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第２工程と
　　、
Ｃ　前記第１工程及び前記第２工程の後、前記研磨により発生した転位を含
　　む前記第１半導体層の裏面近傍の領域を除去して前記第１半導体層の裏
　　面の転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下とする第３工程と、
Ｄ　その後、前記転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去され
　　た第１半導体層の裏面上に、ｎ側電極を形成する第４工程とを備え、
Ｅ　前記第１半導体層と前記ｎ側電極とのコンタクト抵抗を０．０５Ωｃｍ
　　２以下とする、
Ｆ　窒化物系半導体素子の製造方法。」
　
（１）無効理由１（記載不備）
　ア　記載不備の理由１
（ｉ）本件特許発明は、半導体素子の「製造方法」の発明であるにもかかわらず、発明特定事項に半導体素子の製造のための操作・工程等に基づく発明の特定だけでなく、「達成すべき特性値」による発明の特定を含んでいる。
（ｉｉ）半導体素子の製造のための具体的な操作・工程等と「達成すべき特性値」との関係が明確に特定されていない。
（ｉｉｉ）特定されている「達成すべき特性値」が、本件発明方法で特定されている素子製造の具体的操作・工程等の実施中にリアルタイムに計測することができる物理量ではない。
（ｉｖ）本件特許発明は、半導体素子製造の過程において「達成すべき特性値」を現実に計測することを、その発明特定事項として含んでいない。
（ｖ）上記（ｉ）ないし（ｉｖ）の結果、本件特許発明の要旨（ないしは、その技術的範囲）の外延が極めて不明確となっている。
（ｖｉ）特定されている「達成すべき特性値」の範囲が、当業者の誰しもが技術常識として「達成することが望ましい」と認識している範囲と重複する。
（ｖｉｉ）上記（ｉ）ないし（ｖｉ）の結果、「窒化物系半導体素子」が、周知の技術に従って製造された場合であって、しかも、その値が当業者の誰しもが技術常識として「達成することが望ましい」と認識している範囲内のものであっても、当該数値が、本件特許発明で「達成すべき特性値」として特定されている範囲内にあるときは、当該「窒化物系半導体素子」は、文言上、本件特許発明の技術的範囲に属することとなってしまう。
　上記（ｉ）ないし（ｖｉｉ）より、本件特許発明１及び請求項１に従属する本件特許発明２ないし１０が、少なくとも、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件（明確性要件）を満たしていないことは明らかである（審判請求書６頁２６行〜１４頁５行）。
　また、上記（ｉｉｉ）に関して、本件特許発明１の第３工程は、発明特定事項のとおりに実施することは不可能であり、当該工程により「裏面の転位密度」が「１×１０６ｃｍ−２以下」となったか否かは、当該工程からの中間製品から薄片状の試料を切り出して高真空下において電子顕微鏡を用いて調べる等しなければ確認できない。本件特許発明の実質は、上記のとおりのものであり、この発明と、被請求人の「転位密度とコンタクト抵抗は・・・リアルタイムに計測する必要はない。転位密度が１×１０６ｃｍ−２以下となり、コンタクト抵抗が０．０５Ωｃｍ２以下となる条件を予め調べておき、その条件で第１半導体層の裏面近傍を除去することによっても再現性をもって実施できる」との主張とを比較すると、両者が大きく乖離することは明らかである。本件特許発明１及び請求項１に従属する本件特許発明２ないし１０は、「物の製造方法」として、その実質と文言が大きく乖離し、第３者との調和を失するものであるから、特許法第３６条第４項第１号並びに同第６項第１号及び第２号に規定する要件を満たしていない（口頭審理陳述要領書４８頁３１行〜５５頁２２行）。
　
　イ　記載不備の理由２
　転位密度及びコンタクト抵抗の範囲（上限値）が、機械研磨により発生した結晶欠陥を含む裏面近傍の領域を十分に除去できないもの（試料３）を含んでいる。また、転位密度及びコンタクト抵抗の範囲（下限値）が、本件出願時点で知られておらず、本件明細書に当業者が実施可能に記載されてもいないゼロを包含している。
　そのような不満足な特性値を上限とし、それより優れた特性値の範囲の全域（しかも、下限値として「ゼロ」を含む）を「達成すべき特性値」として特定し、当該範囲に包含される特性を有するすべての「窒化物系半導体素子」をその技術的範囲（排他独占権の範囲）とする本件特許発明１は、第三者との「調和」を過度に失するものであることは明らかであり、単に願望に基づいて当業者に実施不能な「達成すべき特性値」を特定する発明特定事項Ｃや発明特定事項Ｅを含む本件特許発明１及び請求項１に従属する本件特許発明２ないし１０は、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件（実施可能要件）及び同第３６条第６項第１号に規定する要件（サポート要件）を充足しない（審判請求書１４頁６行〜１９頁８行）。
　また、「転位密度」と「コンタクト抵抗」について、達成すべき特性値の上限値のみを特定する本件特許発明１及び請求項１に従属する本件特許発明２ないし１０は、記載要件を充足するものではない。具体的には、達成すべき特性値の範囲のうち、少なくとも、特性の優れる側の範囲については発明の詳細な説明に実施可能に記載されておらず、また、本件特許発明１及び請求項１に従属する本件特許発明２ないし１０のうち特性の優れる側の範囲については発明の詳細な説明の記載によりサポートされていないから、特許法第３６条第４項第１号及び同第６項第１号に規定する要件を満たしていない（口頭審理陳述要領書４８頁２５行〜３０行）。
　
　ウ　記載不備の理由３
　本件特許発明は、請求項の記載からみて、「機械研磨」により発生した結晶欠陥を「機械研磨」により除去するものを包含するが、このようなことを実現可能な「機械研磨」は本件特許明細書に記載されておらず、本件出願時における当業者の技術常識からも実現可能とはいえない。したがって、本件特許発明１及び請求項１に従属する本件特許発明２ないし１０は実施可能でなく、また、本件特許明細書の記載によってサポートされていない実施態様を包含するから、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件（実施可能要件）及び同第３６条第６項第１号に規定する要件（サポート要件）を充足しない（審判請求書第１９頁９行〜２０頁６行）。
　
　エ　記載不備の理由４
　発明特定事項Ｃの「裏面近傍の領域」との記載は不明瞭である。したがって、本件特許発明１及び請求項１に従属する本件特許発明２ないし１０は、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件（明確性要件）を満たしていない（審判請求書第２０頁７行〜２８行）。
　
（２）無効理由２（発明未完成）
　（ｉ）本件特許発明１の発明特定事項Ｃ及び発明特定事項Ｅが、「転位密度」および「コンタクト抵抗」の値について「達成すべき特性値」にもとづいて発明を特定するものであること、（ｉｉ）発明特定事項Ｃ及び発明特定事項Ｅが特定する「達成すべき特性値」は少なくともその一部は実施不可能であり、単に願望に基づくものである。そうすると、本件特許発明１は、少なくともその一部に実施不能であって未だ完成していない発明を包含することは明らかであるから、全体として発明は未完成である。したがって、本件特許発明１及び請求項１に従属する本件特許発明２ないし１０は、「産業上利用することができる発明」に該当しないから、特許法第２９条第１項柱書の規定により特許を受けることができない（審判請求書２１頁２行〜１８行）。
　また、本件特許発明は「転位密度」及び「コンタクト抵抗」について未だ達成されていない数値範囲を包含しており、本件特許発明が、少なくともその一部に未完成発明を包含することは明らかであるから、全体として未完成発明に該当する（口頭審理陳述要領書５７頁２行〜５行）。
　
（３）無効理由３（甲２に記載された発明に基づく新規性欠如）
　上記「第１　２」に記載したとおり、本願は、先の出願である特願２００２−８５０８５号に基づく国内優先権を主張して出願された特願２００３−７４９６６号（原々出願）の一部を新たな特許出願とした出願である特願２００６−３４８１６１号（原出願）の一部をさらに新たな特許出願とした出願である。
　ア　甲２の引用例適格性（本件特許発明の優先権主張の効果の享受）について
（ア）転位密度及びコンタクト抵抗について
　本件特許発明が、転位密度値やコンタクト抵抗値について、優先権主張の基礎とされた先の出願（以下「基礎出願」という。）の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下「当初明細書等」という。）に実質的に記載のない「ゼロ」を含む範囲としており、基礎出願の当初明細書等の記載と比較して「ゼロ」の側に大きく拡大されているから、本件特許発明の技術的事項が基礎出願の当初明細書等に記載の技術的事項を超えることは明らかである（審判請求書５４頁２４行〜５５頁２５行）。
（イ）除去処理手段及び除去処理の対象となる第１半導体層の面について
　基礎出願の当初明細書等には、ＧａＮ基板の裏面の除去処理方法としては、「反応性エッチング」のみが記載され、処理の対象としては「窒素面」が記載されているに止まるのに対して、本件特許発明１は、窒化物系半導体基板について、除去処理の種類と除去対象となる結晶面の組み合わせを問わず、先の出願の請求項３に記載の発明と同等の効果が達せられることを、事実上、発明の要旨となる技術的事項とするものであるから、本件特許発明１が基礎出願の当初明細書等に記載された技術的事項を超えることは明らかである（審判請求書５６頁３行〜５７頁１５行）。
（ウ）本件特許発明１が基礎出願の当初明細書等に一の発明として記載されていないことについて
　優先権主張が認められるためには、後の出願の特許請求の範囲に記載された発明の要旨となる技術的事項のそれぞれが、一の発明（すなわち、創作された一の技術的思想）として先の出願の明細書に記載されていることを要するところ、基礎出願の当初明細書等に本件特許発明１の技術的事項が一の発明として実質的に記載されていないことは明らかである（審判請求書５７頁１６行〜２６行）。
（エ）本件特許発明１が基礎出願の当初明細書等に当業者が実施可能な完成された発明として記載されていないことについて
　予備的主張として、本件特許発明１は転位密度値及びコンタクト抵抗値が「ゼロ」のものを包含するところ、このようなものが基礎出願の当初明細書等に達成可能に記載されているということはできないから、本件特許発明１は、全体として、基礎出願の当初明細書等に当業者が実施可能な完成された発明として記載されているとはいえないことを主張する（審判請求書５７頁２７行〜５８頁１５行）。
（オ）上記（ア）ないし（エ）より、本件特許発明は優先権主張の効果を享受することができないから、甲２は本件特許の出願時に公知の刊行物である（引用例適格性を備える）。
　
　イ　本件特許発明１と甲２に記載された発明との対比
　本件特許発明が優先権主張の効果を享受できない場合、本件特許発明１と甲２に記載された発明とを対比すると、一応、
相違点１：発明特定事項Ｃの第３工程における除去対象が、前者では、「研磨により発生した転位を含む第１半導体層（＝ｎ型ＧａＮ基板）の裏面（＝下部面）近傍の領域」であるのに対し、後者では「ｎ型ＧａＮ基板（＝第１半導体層）の下部面（＝裏面）のダメ−ジ層」である点、
相違点２：機械研磨により発生した転位を含む前記窒化物系半導体基板の裏面近傍の領域の除去処理が、前者では「半導体基板の裏面（下部面）の転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下とする」ものであるのに対し、後者では、ダメ−ジ層を除去した後の転位密度の数値それ自体については、明示的に記載されていない点、及び、
相違点３：前者では、窒化物系半導体基板とｎ側電極との「コンタクト抵抗」を「０．０５Ωｃｍ２以下」とするのに対し、後者では、作製された半導体素子の電気特性が記載されているものの、半導体基板とｎ側電極とのコンタクト抵抗の値それ自体については、明示的に記載されていない点、
で相違するものの、相違点１については、同一物を対象として同一の処理がなされるから何ら相違せず、相違点２、３については実質的には同一であって相違点ではなく、したがって、本件特許発明１と甲２に記載された発明とは差異がないから、本件特許発明１は新規性がない（審判請求書２１頁１９行〜３３頁８行）。
　
　ウ　本件特許発明２ないし１０について
　本件特許発明２ないし１０は、本件特許発明１に周知技術を発明特定事項として付加する等した程度のものであるから、いずれも新規性がない（審判請求書３３頁９行〜３７頁１０行）。
　
（４）無効理由４（甲２に記載された発明に基づく進歩性欠如）
　上記「（３）ア」のとおり、本件特許発明が優先権主張の効果を享受できないとすると、本件特許発明１と甲２に記載された発明とを対比した場合、一応相違点１、２および３があるのは無効理由３と同じであり、相違点１については、この点において相違しないことは、無効理由３と同じであり、相違点２、３については、甲２の【００３６】、【００３８】の記載に接した当業者が機械研磨により欠陥の生成した半導体基板の裏面のダメージ層をエッチングにより完全に除去してその転位密度を１×１０９ｃｍ−２とすることにより容易になしうることであるから、本件特許発明１は、当業者が甲２に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものである（審判請求書３７頁１１行〜４３頁１２行）。
　また、本件特許発明２ないし１０も、いずれも当業者が甲２に記載された発明及び周知技術等に基づいて容易に発明をすることができたものである（審判請求書４３頁１３行〜４６頁２３行）。
　また、本件特許発明は、甲２の記載に甲３の４に記載の技術的事項及び周知の技術的事項を組み合わせることにより当業者が容易に想到することができたものである（口頭審理陳述要領書５７頁１６行〜２３行）。
　さらに、本件特許発明は、甲２の記載に、甲１１に記載の技術的事項及び周知の技術的事項を組み合わせることにより当業者が容易に想到することができたものである（口頭審理陳述要領書５７頁２４行〜３０行。なお、口頭審理において、請求人は、同頁２９行の「甲３号証の４」は「甲第１１号証」の誤記であると釈明した。）。
　
（５）無効理由５（拡大先後願）
　甲２の優先日は平成１３年５月２６日で、公開日は平成１５年２月２１日（一方、本件特許出願の優先日は平成１４年３月２６日）であるから、甲２の特許出願は、特許法第２９条の２の「当該特許出願の日の前の他の特許出願であって当該特許出願後に出願公開がされたもの」という要件を満たし、仮に、本件特許発明が優先権主張の効果を享受できるとしても、無効理由３と同じ理由で本件特許発明は甲２に記載された発明と同一であるから、特許法第２９条の２の拡大先後願の関係に該当し、特許を受けることができない（審判請求書４６頁２４行〜４７頁２行）。
　
第３　被請求人の主張の概要
　被請求人は、「本件審判の請求は成り立たない」、「審判費用は請求人の負担とする」との審決を求め、請求人の主張はいずれも理由がないと主張している。
１　証拠方法
　被請求人が提出した乙第１号証ないし乙第１６号証（以下、それぞれ「乙１」ないし「乙１６」という。）は次のとおりである。 
　
　乙１：別件特許無効審判事件（無効２０１１−８００２０３号）の審決
　乙２：別件特許無効審判事件（無効２０１１−８００２０２号）の審決
　乙３：特許第３９７９３７８号公報
　乙４：特許第４４９３０４１号公報
　乙５：特許第４５８１４７８号公報
　乙６：特許第５０７６７４６号公報
　乙７：陳述書（平成２５年１月１８日付け、パナソニック株式会社　デバイス社　セミコンダクタービジネスユニット　パワー・オプトデバイスディビジョン　第４開発グループ　第４開発チーム　畑雅幸（被請求人従業者：本件特許発明者）作成）
　乙８：韓国公開特許第２００２−００９００５５号公報
　乙９：特開２００８−２６３２１４号公報
　乙１０：特開２０１２−８０１４０号公報
　乙１１：米国特許第６５５１８４８号明細書
　乙１２：乙２の審決の取消訴訟（平成２４年（行ケ）第１０３０２号）の判決（知的財産高等裁判所、平成２５年１１月１４日言渡）
　乙１３：特開平１１−１２１８００号公報
　乙１４：特開２００８−７４６７１号公報
　乙１５：国際公開第２０１３／１４６５０４号
　乙１６：松永正久、他３名編「エレクトロニクス用結晶材料の精密加工技術」（昭和６０年１月３０日）、サイエンスフォーラム、５７７〜５８４頁（乙１２に記載された甲２４）
　
２　主張の概要
（１）無効理由１について
　第１半導体層の裏面の転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下とし、第１半導体層とｎ側電極とのコンタクト抵抗を０．０５Ωｃｍ２以下とすることは、達成すべき特性値などではなく、本件発明により初めて達成された特性値である（審判事件答弁書５頁４行〜８行）。
　本件発明における転位密度とコンタクト抵抗は、第３工程や第４工程を終えた後の窒化物系半導体素子が有する特性値を特定したものであり、製造方法の操作・工程中にリアルタイムに計測する必要はない（審判事件答弁書５頁２２行〜２６行）。
　試料３で得られたコンタクト抵抗値は、従来と同様の方法で作製された試料１よりも低減され、十分な特性が得られている（審判事件答弁書１０頁２８行〜３０行）。
　コンタクト抵抗を「ゼロ」とすることが現状では物理的に難しい条件であることは当業者に自明のことであるから、明記されていないとしても、コンタクト抵抗として「ゼロ」が本件発明の技術的範囲に入らないことは当然に認識することである（審判事件答弁書１１頁１４行〜１８行）。
　本件発明は、機械研磨により発生した転位を低減することを技術的意義としているのであるから、当業者にとって、研磨により発生した第１半導体層の裏面近傍の領域を除去する手段として新たな転位を発生して転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下とすることができない通常の機械研磨が含まれないことは自明のことである（審判事件答弁書１３頁８行〜１２行）
　本件第１発明における「近傍」が第１半導体層の裏面側の領域で転位密度が１×１０9ｃｍ-2よりも大きい領域を意味していることは明らかである（審判事件答弁書１４頁７行〜９行）。
　
（２）無効理由２について
　当業者であれば、下限値としての「ゼロ」が本件発明の技術的範囲に入らないことは当然に認識することである（審判事件答弁書１４頁２８行〜３０行）。
　
（３）無効理由３、４について
　ア　甲２の引用例適格性（本件特許発明の優先権主張の効果の享受）について
（ア）転位密度及びコンタクト抵抗について
　基礎出願の請求項６を引用する請求項８には、第１半導体層のｎ側電極との界面近傍における転位密度が「１×１０９ｃｍ−２以下」であり、ｎ側電極と第１半導体層とのコンタクト抵抗が「０．０５Ωｃｍ２」である窒化物系半導体素子が記載されているから、本件発明の技術的事項が、基礎出願の当初明細書等の記載と比較して「ゼロ」の側に大きく拡大されていることはない（審判事件答弁書１６頁１行〜７行）。
（イ）除去処理手段及び除去処理の対象となる第１半導体層の面について
　別件特許無効審判事件の審決（乙１）では、本件特許出願の原々出願の当初明細書の【００５８】の記載から本件特許出願は分割の実体要件を満たしていると判断されているところ、基礎出願の【００４３】には、原々出願の当初明細書の【００５８】と同様の記載があるから、本件特許出願の分割の実体要件と同様の理由により、特定の方法に限定されない除去処理手段は基礎出願の明細書等の記載から当業者にとって自明な事項であり、本件特許発明は優先権主張の効果を享受できる。
　また、別件特許無効審判事件の審決（乙２）では、本件特許出願の原々出願における請求項１〜６、請求項７の一部及び請求項８に係る発明について、優先権主張の効果を享受できると判断されているところ、本件特許発明１は、原々出願における「物」の発明を「方法」の発明としたものであるから、原々出願の上記各請求項に係る発明と同様の理由により、優先権主張の効果を享受できるものである。
　さらに、除去処理の対象となる面については、基礎出願の明細書【００４３】の記載から、除去処理の対象となる面が第１半導体層の裏面近傍の領域であることは、基礎出願の当初明細書等の記載から当業者にとって自明である（審判事件答弁書１６頁２７行〜１８頁５行）。
（ウ）本件特許発明１が基礎出願の当初明細書等に一の発明として記載されていないとの主張への反論
　先の出願に、ｎ側電極と第１半導体層とのコンタクト抵抗が「０．０５Ωｃｍ２以下」であり、第１半導体層のｎ側電極との界面近傍における転位密度が「１×１０９ｃｍ−２以下」である窒化物系半導体素子の製造方法が技術的事項として開示され、また、本件特許発明１の技術的事項が、先の出願に記載の技術的事項の範囲内であることは、上記（ア）、（イ）のとおりであるから、本件特許発明１は、先の出願に一の発明として実質的に記載されている（審判事件答弁書１８頁１７行〜２３行）。
（エ）本件特許発明１が基礎出願の当初明細書等に当業者が実施可能な完成された発明として記載されていないとの主張への反論
　先の出願に、ｎ側電極と第１半導体層とのコンタクト抵抗が「０．０５Ωｃｍ２以下」であり、第１半導体層のｎ側電極との界面近傍における転位密度が「１×１０９ｃｍ−２以下」である窒化物系半導体素子の製造方法が技術的事項として開示されていることは、上記（ア）のとおりであり、また、当業者であれば、「ゼロ」が本件発明の技術的範囲に入らないことは、当然に認識することであるから、本件特許発明１の技術的事項である発明特定事項Ｃ及び発明特定事項Ｅが、先の出願に達成可能に記載されていないということはない。（審判事件答弁書１９頁６行〜１４行）
（オ）上記（ア）ないし（エ）より、本件特許発明は、先の出願に記載の技術的事項の範囲内のものであり、優先権主張の効果を享受でき、甲２は引用例適格性を備えていないから、請求人の無効理由３、４における主張も誤りである（審判事件答弁書１９頁末行〜２０頁２行）。
　
　イ　相違点１ないし３について
（ア）甲２の図１０は、機械的研磨により形成されたダメージ層を乾式又は湿式エッチングによって除去した後のＧａＮ基板の下部面の表面状態を示す走査電子顕微鏡写真であるが、下部面は綺麗であり、下部面にダメージ層が存在しないことがわかるが、走査電子顕微鏡では「転位」を見ることができないから、除去後のＧａＮ基板の下部面にどの程度「転位」が存在しているのかについては、わかるものではない（審判事件答弁書２１頁２２行〜２８行）。
（イ）甲２の図９の写真は走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）像の特徴である「傾斜効果」を示しており（審判事件答弁書２４頁２９行〜３２行）、甲２の分割出願（乙９と乙１０）、甲２と同じ優先基礎出願（韓国出願、乙８）に基づく米国出願（乙１１）においても、図９及び図１０については走査電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真と明記されており、特に、上記の分割出願２件においては、特許請求の範囲の請求項１７で、「ｎ型ＧａＮ基板のエッチングされた下部面は、走査電子顕微鏡のレベルでダメージ層が見えない面を有する」と、ダメージ層が走査電子顕微鏡のレベルで観察されるものであることを発明の特徴としていることからも、甲２に記載された発明において、ｎ型電極との付着を不安定にする除去対象の「ダメージ層」がＳＥＭ像で観察されるものであるということは、全く疑う余地がない（審判事件答弁書２５頁５行〜１７行）。
（ウ）窒化物系半導体基板のｎ側電極との界面における転位密度が小さいほど望ましいということは、本件特許出願前に、当業者の誰しもが技術常識として認識したことではなく、本件第１発明は、低い転位密度とコンタクト抵抗とを併せ持った窒化物系半導体素子の製造を、研磨により発生した転位密度が増大した領域を除去することにより、初めて実現したものである（審判事件答弁書２８頁８行〜１３行）。
（エ）請求人がコンタクト抵抗を推定している甲４の１では、ｐ電極幅、共振器長、チップ幅について、甲４の２において請求人の販売製品から仮定した数値をそのまま用いて計算しているが、甲２の図１２は実験用の素子により得られた結果であり、甲２の素子のコンタクト抵抗を推定するに当たり、販売製品の寸法をそのまま仮定して計算することは正解ではない（審判事件答弁書２９頁１３行〜１９行）。
　
（４）無効理由５について
　無効理由３についての反論のとおり、本件発明と甲２の当初明細書等に記載された発明は同一ではないから、請求人の主張は誤りである（審判事件答弁書３２頁８行〜１４行）。
　
第４　本件特許発明に対する当審の判断
１　本件特許発明
　本件特許発明１ないし本件特許発明１０は、明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものと認める。
　
「【請求項１】
　ｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層の上面上に、活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層を形成する第１工程と、
　前記第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第２工程と、
　前記第１工程及び前記第２工程の後、前記研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域を除去して前記第１半導体層の裏面の転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下とする第３工程と、
　その後、前記転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が除去された第１半導体層の裏面上に、ｎ側電極を形成する第４工程とを備え、
　前記第１半導体層と前記ｎ側電極とのコンタクト抵抗を０．０５Ωｃｍ２以下とする、窒化物系半導体素子の製造方法。
　【請求項２】
　前記第１半導体層の裏面は、前記第１半導体層の窒素面である、請求項１に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
　【請求項３】
　前記第３工程により、前記転位密度は、１×１０６ｃｍ−２以下に低減される、請求項１又は２に記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
　【請求項４】
　前記第３工程により、前記転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域が０．５μｍ以上除去される、請求項１〜３のいずれかに記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
　【請求項５】
　前記基板は、成長用基板上に成長することを利用して形成されている、請求項１〜４のいずれかに記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
　【請求項６】
　前記第１工程によって前記第１半導体層の上面上に前記第２半導体層を形成した後に、前記第２工程によって前記第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工を行う、請求項１〜５のいずれかに記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
　【請求項７】
　前記第１半導体層及び前記第２半導体層を劈開することにより、共振器端面を形成する第５工程をさらに備える、請求項１〜６のいずれかに記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
　【請求項８】
　前記第１半導体層は、ＨＶＰＥ法により形成される、請求項１〜７のいずれかに記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
　【請求項９】
　前記第２半導体層は、ＭＯＣＶＤ法により形成される、請求項１〜８のいずれかに記載の窒化物系半導体素子の製造方法。
　【請求項１０】
　前記第１半導体層は、前記第２工程により１８０μｍ以下の厚みになるまで厚み加工される、請求項１〜９のいずれかに記載の窒化物系半導体素子の製造方法。」
　
２　甲各号証に記載された事項
　ア　甲２の記載事項 
　請求人が提出した甲２には、次の事項が記載されている。なお、下線は当審で付した（以下同じ。）。 
　
（ア）「【請求項１】  
ｎ型基板上にｐ型電極を含む発光構造体を形成する段階と、前記基板の下部面をエッチングする段階と、前記基板のエッチングされた下部面上にｎ型電極を形成する段階とを含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法
【請求項２】  
前記発光構造体を形成した後、前記基板の下部面をエッチングする前に、前記基板の下部面を機械的に研磨する
【請求項３】  前記発光構造体は発光ダイオード用の構造体であることを特徴とする請求項１、２に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項４】  
前記発光構造体はレーザダイオード用の構造体である
【請求項５】  
前記下部面は乾式エッチングされる
【請求項６】  
前記下部面は湿式エッチングされる
【請求項７】  前記乾式エッチングは電子サイクロトロン共鳴エッチング、ケミカルアシスティッドイオンビームエッチング、誘導結合プラズマエッチング及び反応性イオンエッチングのうちいずれか一つの方法で実施されることを特徴とする請求項５に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項８】  前記乾式エッチングにおいて、主要エッチングガスとしてＣｌ2、ＢＣｌ3又はＨＢｒガスを使用することを特徴とする請求項７に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項９】  前記乾式エッチングにおいて、添加ガスとしてＡｒ又はＨ2ガスを使用することを特徴とする請求項８に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１０】  前記湿式エッチングにおいて、エッチング液としてＫＯＨ、ＮａＯＨ又はＨ3ＰＯ4溶液を使用することを特徴とする請求項６に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１１】  前記下部面はグラインディング又はラッピングで研磨されることを特徴とする請求項２に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１２】  前記ｎ型電極は０〜５００℃で熱処理されることを特徴とする請求項１、２に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１３】  前記ｎ型電極は、Ｔｉ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｔａ，Ｐｄ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ｇｅ及びＡｇより成った群から選択された少なくともいずれか一つの物質を含む電極であることを特徴とする請求項１、２、１２に記載の半導体発光素子の製造方法。
【請求項１４】  
前記ｎ型基板はＩＩＩ−Ｖ族のｎ型化合物半導体基板である
【請求項１５】  
前記ｎ型化合物半導体基板はｎ型窒化ガリウム基板である
　
（イ）「【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体発光素子の製造方法に係り、より詳しくは基板の下部面を加工してｎ型電極を効果的に形成できる半導体発光素子の製造方法
【０００２】
【従来の技術】高密度な情報記録の必要性の増大により、可視光放出が可能な半導体発光素子に対する需要が増加している。特にＤＶＤ等のような高密度光記録媒体が市場に出回ることにより、可視光領域のレーザ放出が可能なレーザダイオードに対する需要が急増している。これにより、可視光領域のレーザ発振が可能な多様な形態の
化合物半導体レーザダイオード
【０００３】
ＩＩＩ−Ｖ族の窒化物を用いた化合物半導体発光素子は、発光特性をより向上させるために窒化ガリウム（ＧａＮ）基板上に形成される
【０００４】図１はＧａＮ発光素子の従来の製造方法によりＧａＮ基板上に形成されたＧａＮ  ＬＥＤの断面図であり、これを参照すれば、ＧａＮ基板２上にｎ型ＧａＮ層４、活性層６及びｐ型ＧａＮ層８が順次に形成されている。ｐ型ＧａＮ層８上に透明なｐ型電極１０が形成されており、ｐ型電極１０の所定領域上にボンディングパッド１２が形成されている。
【０００５】一方、参照番号１４はＧａＮ基板２の下部面に付着させられたｎ型電極を示す。
ｎ型電極１４は、通常、ＧａＮ基板２の厚さが研磨後もなお発光素子を支持することができる所定の厚さになるまでＧａＮ基板２の下部面をグラインディング、ラッピング又はポリシングにより研磨した後に、ＧａＮ基板２の下部面に付着させられる
【０００６】ところで、
上記研磨過程でＧａＮ基板２の下部面は損傷するので、ＧａＮ基板２の下部面にダメージ層１６が形成される
結局ｎ型電極１４はダメージ層１６に付着するようになる
【０００７】
従って、ｎ型電極１４の付着が不良になることがあり、それにより発光素子の特性が低下しうる
例えば、ｎ型電極１４に印加される電圧に関する発光効率が低くなり、発光素子の動作過程で発生する熱が多くなるため発光素子の寿命が短縮しうる
【０００８】図２は発光素子の従来の製造方法によりＧａＮ基板上に形成されたＧａＮ  ＬＤの断面図であり、これを参照すれば、ＧａＮ基板２２上にｎ型ＧａＮ層２４、ｎ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮクラッド層２６、ｎ型ＧａＮウエーブガイド層２８、ＩｎＧａＮ活性層３０、ｐ型ＧａＮウエーブガイド層３２、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮクラッド層３４及びｐ型ＧａＮ層３６が順次に形成されている。ここで、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮクラッド層３４は電流通路になるリッジを有するリッジ構造であり、ｐ型ＧａＮ層３６は当該リッジ上に形成されている。続いて、当該リッジを有するｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮクラッド層３４上に、ｐ型ＧａＮ層３６の電流通路になる一部領域を露出させる保護層３８が形成されている。そして、ｐ型ＧａＮ層３６の上記露出された部分と接触するように、保護層３８上にｐ型電極４０が形成されている。ＧａＮ基板２２の下部面上にｎ型電極４２が形成されており、ｎ型電極４２は上記のＬＥＤのｎ型電極１４と同一の過程を経て付着させられたものである。従って、ＬＤの場合にもＧａＮ基板２２の下部面にダメージ層４４が形成されるので、結局ｎ型電極４２はダメージ層４４上に形成され、上記ＬＥＤで発生する問題点と類似した問題点が発生する。
【０００９】一般に、
ＧａＮ基板上にＩＩＩ−Ｖ族の窒化物を用いた化合物半導体発光素子を形成する時、
ＬＤの場合は劈開面形成のため、ＧａＮ基板の下部面を機械的に研磨してその厚さを薄くする
この過程で下部面には前述したようなダメージ層が形成されるので、ＧａＮ基板の下部面へのｎ型電極の付着が不安定になり、その結果素子の特性が低下する
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、上部面に発光素子が形成されたＧａＮ基板の下部面を加工するにおいて、下部面にダメージ層が形成されることを防止して、上記発光素子の特性が低下することを防止することができる半導体発光素子の製造方法を提供すること
　
（ウ）「【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するために、本発明はｎ型基板上にｐ型電極を含む発光構造体を形成する段階と、前記基板の下部面をエッチングする段階と、前記基板のエッチングされた下部面上にｎ型電極を形成する段階とを含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法を提供する。
【００１２】前記発光構造体を形成した後、前記基板の下部面をエッチングする前に、前記基板の下部面を機械的に研磨することが望ましい。
【００１３】前記発光構造体は発光ダイオード用又はレーザダイオード用の構造体であることが望ましい。
【００１４】前記下部面は乾式又は湿式エッチングされることが望ましい。
【００１５】前記乾式エッチングは電子サイクロトロン共鳴エッチング、ケミカルアシスティッドイオンビームエッチング、誘導結合プラズマエッチング及び反応性イオンエッチングのうちいずれか一つの方法で実施されることが望ましい。
【００１６】前記乾式エッチングにおいて、主要エッチングガスとしてＣｌ2、ＢＣｌ3又はＨＢｒガスを使用することが望ましい。ここで、添加ガスとしてＡｒ又はＨ2ガスを使用してもよい。
【００１７】前記湿式エッチングにおいて、エッチング液としてＫＯＨ、ＮａＯＨ又はＨ3ＰＯ4溶液を使用することが望ましい。
【００１８】前記下部面はグラインディング又はラッピング方式で研磨されてもよい。
【００１９】前記ｎ型電極はＴｉ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｔａ，Ｐｄ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ｇｅ及びＡｇよりなる群から選択された少なくともいずれか一つの物質を含む電極であることが望ましい。また、前記ｎ型電極は、０〜５００℃で熱処理されることが望ましい。
【００２０】前記ｎ型基板はＩＩＩ−Ｖ族のｎ型化合物半導体基板であることが望ましく、ｎ型ＧａＮ基板であることがさらに望ましい。
【００２１】このような本発明によれば、ＧａＮ基板の下部面を加工する過程で前記下部面にダメージ層が形成されることを防止できる。従って、前記下部面にｎ型電極を安定して付着できるので、ＧａＮ基板上に形成された発光素子の特性が低下することを防止できる。」
　
（エ）「【００２２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体発光素子の製造方法の実施例として、ＧａＮ発光素子製造方法について、図面を参照して詳細に説明する。図面においては、層や領域の厚さは明細書の明確性のため誇張して示す。ここで、発光素子を構成する部材の中で従来技術と同一の部材に対しては、従来技術の説明において用いた参照番号と同一の参照番号を使用する。
【００２３】ＬＥＤやＬＤのような半導体発光素子の種類によって、素子の構成上の差はあるが、この差は大きくない。従って、後述するようにその製造工程も類似すると見られる。そこで、
ＧａＮ基板上にＬＤを形成する場合
【００２４】〈第１実施例〉図３を参照して説明する。ｎ型ＧａＮ基板２２上にｎ型ＧａＮ層２４と、ｎ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮクラッド層２６と、ｎ型ＧａＮウエーブガイド層２８と、ＩｎＧａＮ活性層３０と、ｐ型ＧａＮウエーブガイド層３２と、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮクラッド層３４及びｐ型ＧａＮ層３６とを順次に形成する。ｎ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮクラッド層２６と、ｎ型ＧａＮウエーブガイド層２８と、ＩｎＧａＮ活性層３０と、ｐ型ＧａＮウエーブガイド層３２と、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮクラッド層３４とは共振器層を形成する。ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮクラッド層３４は電流通路になるリッジを備える構造に形成されることが望ましい。
【００２５】詳しく説明すると、リッジになる領域を画定し、その他の領域を露出させるフォトレジストパタ−ン（図示せず）をｐ型ＧａＮ層３６上に形成する。上記フォトレジストパタ−ンをエッチングマスクとして使用してｐ型ＧａＮ層３６及びｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮクラッド層３４を順次にエッチングした後、上記フォトレジストパタ−ンを除去する。ここで、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮクラッド層３４の上記リッジ部を除外した領域については、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮクラッド層３４を完全にはエッチングせず所定の厚さを残すことが望ましい。このようにして、上記のリッジ構造を有するｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮクラッド層３４が形成され、上記リッジ部上にｐ型ＧａＮ層３６が形成される。
【００２６】続いて、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮクラッド層３４上にｐ型ＧａＮ層３６の一部領域を露出させる保護層３８を形成する。保護層３８上にｐ型ＧａＮ層３６の上記露出された領域と接触するようにｐ型電極４０を形成する。
【００２７】その後、図４に示したように、
ＧａＮ基板２２の厚さが、ＧａＮ基板２２の上部面上に形成された発光素子を少なくとも支持でき、上記発光素子の動作中に発生する熱を外部へ放熱することができる程度の厚さになるまで、ＧａＮ基板２２の厚さをＧａＮ基板２２の下部面から薄くする
【００２８】ここで、ＧａＮ基板２２の下部面を乾式エッチング又は湿式エッチングで除去することが望ましいが、機械的研磨を併用することもできる。即ち、機械的研磨方式で上記下部面を研磨してＧａＮ基板２２の厚さを所定の厚さに縮めた後、ＧａＮ基板２２の下部面を乾式エッチング又は湿式エッチングする。これについては第２実施例で詳細に説明する。
【００２９】上記乾式エッチングはケミカルアシスティッドイオンビームエッチング（ＣＡＩＢＥ：ｃｈｅｍｉｃａｌ  ａｓｓｉｓｔｅｄ  ｉｏｎ  ｂｅａｍ  ｅｔｃｈｉｎｇ）、電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ：ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｃｙｃｌｏｎｅｒｅｓｏｎａｎｃｅ）エッチング、誘導結合プラズマ（ＩＣＰ：ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ  ｃｏｕｐｌｅｄ  ｐｌａｓｍａ）エッチング及び反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｉｏｎ  ｅｔｃｈｉｎｇ）のうち選択されたいずれか一つの方法を用いて実施されることが望ましい。ＣＡＩＢＥ方法を使用する場合、ＢＣｌ3ガスを主要エッチングガスとして使用し、Ａｒガスを添加ガスとして使用する。他の方法が使用される場合、主要エッチングガス又は添加ガスが異なりうる。例えば、Ｃｌ2又はＨＢｒガスを主要エッチングガスとして使用でき、この際Ｈ2ガスを添加ガスとして使用できる。
【００３０】一方、上記湿式エッチングの場合、ＧａＮ基板２２の下部面は、所定の湿式エッチング液、例えばＫＯＨ、ＮａＯＨ又はＨ3ＰＯ4溶液を使用してエッチングされる。
【００３１】具体的には、所定量の上記エッチング液が充填されているエッチング槽に、ＧａＮ基板２２の厚さが所望の厚さに薄くなるまで、所定時間の間、上部面上にＬＤ用の発光構造体が形成されたＧａＮ基板２２を浸けておく。
【００３２】このような乾式又は湿式エッチングは、従来の機械的研磨と異なり、ＧａＮ基板２２の下部面に損傷を与えないので、下部面にダメージ層（図２の４４）が形成されない。従って、上記乾式又は湿式エッチングで加工された上記下部面に電極を付着させる場合、電極は安定して付着させられる。
【００３３】このように、乾式又は湿式エッチングされたＧａＮ基板２２の下部面上に、図５に示したように、ｎ型電極４２を形成する。ｎ型電極４２は、Ｔｉ電極であるのが望ましいが、Ｔｉ，Ａｌ，Ｉｎ，Ｔａ，Ｐｄ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ｇｅ及びＡｇより成った群から選択された少なくともいずれか一つの物質を含む電極とすることもできる。ここで、上記ｎ型電極４２は０乃至５００℃で熱処理される。こうしたｎ型電極４２は最終的に湿式又は乾式エッチングされた下部面に付着させられるので、上記のように安定して付着させられる。
【００３４】従って、ｎ型電極の付着と関連した従来の問題点は、解消されるか、少なくともＬＤの特性を低下させない範囲におさめられる。
【００３５】〈第２実施例〉図６を参照して説明する。
ｎ型のＧａＮ基板２２上にｎ型ＧａＮ層２４と、ｎ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮクラッド層２６と、ｎ型ＧａＮウエーブガイド層２８と、ＩｎＧａＮ活性層３０と、ｐ型ＧａＮウエーブガイド層３２と、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮクラッド層３４及びｐ型ＧａＮ層３６とを順次に形成する
次いで、
ｐ型ＧａＮ層３６及びｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮクラッド層３４を順次にエッチングしてリッジを形成した後、保護層３８及びｐ型電極４０を順次に形成する
【００３６】次に、図７を参照して説明する。第２実施例では、
ｎ型ＧａＮ基板２２の下部面を機械的に研磨する
ＧａＮ基板２２上に形成された発光構造体を支持できる範囲内で、ＧａＮ基板２２の厚さを可能な限り薄く
機械的に研磨されたｎ型ＧａＮ基板２２の下部面に、ダメージ層４４が形成される
このように形成されたダメージ層４４は、乾式又は湿式エッチングによって除去される
ダメージ層４４を完全に除去するため、上記乾式又は湿式エッチングは、ダメージ層４４が除去されうると見積もった時間よりも長い時間実施される
【００３７】図８に示すとおり、このように
乾式又は湿式エッチングされたＧａＮ基板２２の下部面上にｎ型電極４２を形成する
【００３８】図９は
機械的に研磨されたＧａＮ基板の下部面の表面状態を示す走査電子顕微鏡写真
機械的研磨後には、ＧａＮ基板の下部面に、多くの欠陥が生成されているダメージ層が存在する
【００３９】一方、図１０は、
機械的研磨により形成されたダメージ層を乾式又は湿式エッチングによって除去した後のＧａＮ基板の下部面の表面状態を示す走査電子顕微鏡写真
下部面にはダメージ層が存在しない
【００４０】図１１と図１２及び図１３は、従来の製造方法により作成された発光素子と
本発明の実施例の製造方法により作成された発光素子との電気的特性（電圧―電流特性）
【００４１】第１乃至第３グラフＧ１、Ｇ２、Ｇ３を比較すると、従来の場合８Ｖ以上で２０ｍＡの電流が得られるのに対し、
本発明の場合エッチングの種類に関係なく５Ｖより低い電圧で２０ｍＡの電流が得られる
【００４２】一方、ＬＥＤ製造過程にも本発明を適用できる。例えば、ＧａＮ基板上にｎ型ＧａＮ層、活性層及びｐ型ＧａＮ層を順次に形成し、当該ｐ型ＧａＮ層上にｐ型電極を形成する。次いで、当該ｐ型電極の所定領域上にボンディングパッドを形成する。その後、こうした発光構造体が形成された上記ＧａＮ基板の下部面を上記の乾式又は湿式エッチング方式のみで又は機械的研磨方式と上記エッチング方式とを併用して加工する。このように加工された上記下部面上にｎ型電極を形成してＬＥＤを完成させる。
【００４３】上記の説明で多くの事項が具体的に記載されているが、これらは発明の範囲を限定するものとして解釈されるべきではなく、望ましい実施例の例示として解釈されるべきである。例えば、本発明の属する技術分野において通常の知識を有する者なら、リッジ型ではないＬＤの製造方法にも本発明の技術的思想を適用でき、活性層を含む共振器層の形態を異なるようにしたＬＤの製造方法にも本発明の技術的思想を適用できるであろう。又、ＩＩＩ−Ｖ族のＧａＮ基板ではない化合物半導体基板又はＩＩ−ＶＩ族の化合物半導体基板を使用することもできるであろう。従って、本発明の範囲は説明された実施例により決められるのではなく、特許請求の範囲に記載された技術的思想により決められる。」
　
（オ）「【００４４】
【発明の効果】前述したように、
本発明のＧａＮ発光素子、特にレーザダイオードの製造方法では、
機械的に研磨した後に機械的研磨過程で形成されるダメージ層を除去するために、発光構造体が形成されたＧａＮ基板の下部面を乾式又は湿式エッチングし、その後、ＧａＮ基板の下部面にｎ型電極を形成する
【００４５】このように、最終的に乾式又は湿式エッチングした下部面上にｎ型電極を形成することとしたので、ダメージ層を介在させることなく、ｎ型電極を形成することができる。
このように形成したｎ型電極の付着特性は安定的なので、ＬＤ
のような発光素子の発光効率を高めることができ、その他の特性が低下することも防止できる
　
（カ）図９より、
ＧａＮ基板の下部面近傍に多数の線状の黒い模様が写っている
ＧａＮ基板の下部面近傍には前記線状の模様は写っていない
　
イ　甲２発明 
　上記アの前記摘記事項（ア）〜（カ）を含む甲２の全記載からみて、甲２には、次の発明が記載されていると認められる。 
　
「窒化ガリウム（ＧａＮ）基板上にＩＩＩ−Ｖ族の窒化物を用いた化合物半導体レーザダイオードのような化合物半導体発光素子を形成する際、劈開面を形成するためにＧａＮ基板の下部面を機械的に研磨してその厚さを薄くする必要があり、研磨後もなお発光素子を支持することができる所定の厚さになるまで前記ＧａＮ基板の下部面をグラインディング、ラッピング又はポリシングにより研磨し、その後、前記ＧａＮ基板の下部面にｎ型電極を付着していたところ、
　前記研磨過程でＧａＮ基板の下部面が損傷し、ＧａＮ基板の下部面にダメージ層が形成されるので、前記ｎ型電極はダメージ層に付着するようになって付着が不良になり、その結果、前記ｎ型電極に印加される電圧に関する発光効率が低くなり、また、発光素子の動作過程で発生する熱が多くなるため発光素子の寿命が短縮する等、素子の特性が低下する問題があったので、
　上部面に発光素子が形成されたＧａＮ基板の下部面を加工するに際し、該下部面にダメージ層が形成されることを防止して、前記発光素子の特性の低下を防止することができる半導体発光素子の製造方法を提供することを目的として、
　ＧａＮ基板の下部面を加工してｎ型電極を効果的に形成できるＩＩＩ−Ｖ族の窒化物を用いた化合物半導体発光素子の製造方法であって、
　ＧａＮ基板上にレーザダイオードを形成する場合、
　ｎ型ＧａＮ基板上にｎ型ＧａＮ層、ｎ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮクラッド層、ｎ型ＧａＮウエーブガイド層、ＩｎＧａＮ活性層、ｐ型ＧａＮウエーブガイド層、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮクラッド層及びｐ型ＧａＮ層を順次形成する段階と、
　前記ｐ型ＧａＮ層及びｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮクラッド層を順次エッチングしてリッジを形成した後、保護層及びｐ型電極を順次形成する段階と、
　その後、前記ｎ型ＧａＮ基板の下部面を、該ＧａＮ基板上に形成された発光構造体を支持できる範囲内でその厚さが可能な限り薄くなるように機械的に研磨する段階と、
　前記機械的に研磨されたｎ型ＧａＮ基板の下部面に形成された、多くの欠陥が生成されているダメージ層を、該ダメージ層が除去されうると見積もった時間よりも長い時間、乾式又は湿式エッチングすることによって前記下部面の前記ダメージ層が存在しなくなるまで完全に除去する段階と、
　前記乾式又は湿式エッチングされたＧａＮ基板の下部面上にｎ型電極を形成する段階と、
　を含み、
　ＧａＮ基板の下部面の表面状態を示す走査電子顕微鏡写真では、
　機械的研磨後には、ＧａＮ基板の下部面近傍に、多数の線状の黒い模様が写っているが、
　機械的研磨により形成された前記ダメージ層を乾式又は湿式エッチングによって除去した後には、下部面近傍には前記線状の模様は写っておらず、
　ｎ型電極の付着特性が安定的なので、レーザダイオードのような発光素子の発光効率を高めることができ、その他の特性が低下することも防止でき、
　前記乾式又は湿式エッチングされたＧａＮ基板の下部面上にｎ型電極が形成されたレーザ素子の電圧―電流特性は、エッチングの種類に関係なく５Ｖより低い電圧の印加で２０ｍＡの電流が得られるものである、
　化合物半導体発光素子の製造方法。」（以下、これを「甲２発明」という。）
　
（２）甲各号証（甲１、甲２、甲５を除く）に記載された事項の概要
　ア　甲３の１
　日亜化学工業株式会社　総合部門　法知本部　主幹技師　丸谷幸利（請求人従業者）による、甲２の図９及び図１０が断面ＴＥＭ像であり、また、甲２に記載されたＧａＮ基板下部面の転位密度が５×１０５ｃｍ−２〜４×１０７ｃｍ−２程度である旨の報告が記載されている。
　また、上記の根拠として、それぞれ甲２の発明者の一人（李きょう烈＝ＫｙｏＹｅｏｌ　Ｌｅｅ）が著者の一人である、甲３の３ないし甲３の６の論文を挙げている。
　
　イ　甲３の２
　京都大学　工学研究科　船戸充準教授による、甲２の図９及び図１０の写真は、透過電子顕微鏡像（ＴＥＭ像あるいはＳＴＥＭ像）と考えるのが合理的であり、また、本件特許でいう「転位」と、従来から当業者が「ダメージ層」などとしている層とは同じものと考えるのが合理的である旨の意見とその理由が記載されている。
　
　ウ　甲３の３
　甲２の発明者の一人（李きょう烈＝ＫｙｏＹｅｏｌ　Ｌｅｅ）が著者の一人である論文である。
　請求人が提出した甲３の３には、次の事項が記載されている。
（ア）「我々はハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ）によって２インチのサファイア（０００１）基板上に成長した厚さ３００μｍの自立窒化ガリウム（ＧａＮ）の厚膜について報告する。ヒロック（小丘）のあるＧａＮの表面形態を改善するために、その表面をダイヤモンド研磨剤で研磨し、研磨したＧａＮのフォトルミネッセンス特性を調べた。透過型電子顕微鏡測定法を用いてサブサーフェスのダメージ層を観察した。乾式エッチング法である化学支援イオンビームエッチング （ＣＡＩＢＥ）によってダメージ層を除去し、フォトルミネッセンス特性の回復を確認した。結果として、非エッチング層のものと比較したＧａＮのホモエピタキシャル成長の形態は、イオンビームエッチングによって改善された。」（Ｌ１３頁要約）
（イ）「上述の成長条件下で平面図ＴＥＭ解析によって測定したＧａＮ基板の欠陥密度は、Ｆｉｇ．１に示したように１０7ｃｍ-2で、対称性（０００２）ピークの半値全幅（ＦＷＨＭ）は１３１秒角であった。」（Ｌ１３頁右欄１２行〜１６行）
（ウ）「自立ＧａＮの構造上及び光学上の特徴は、デバイス基板への適用には十分かもしれないが、表面処理無しでデバイスのウェハーとしてＧａＮを採用することは不可能である。これは、ＧａＮ膜の表面形態がヒロックのせいで非常に粗いためである。発光ダイオード（ＬＥＤ）やレーザダイオード（ＬＤ）機器のような基板へ適用するためには、ＧａＮの表面粗さを改善する必要がある。平坦な表面無しでは、ＧａＮ基板上に、高品質で滑らかで鏡面状の表面のホモエピタキシャル成長を得ることはほとんどできない。一般に、ウェハーとして用いられる基板のほとんどは、化学機械的研磨によってこの問題を解消してきた。ＧａＮに適したエッチング液はまだ無いので、表面処理のためには機械的研磨のみが採用された。ＧａＮ基板はダイヤモンド研磨剤による機械的研磨後、非常に滑らかな表面を呈したが、この工程は結果的にＧａＮのサブサーフェスにダメージ層を生じさせた。この研磨によって誘発されたダメージ層はＦｉｇ．３（ａ）に示したように、ＴＥＭを用いて観察された。」（Ｌ１３頁右欄１９行〜Ｌ１４頁左欄９行）
（エ）「Ｆｉｇ．３（ｂ）は、ＣＡＩＢＥ処理後のＧａＮの断面ＴＥＭ画像である。ＴＥＭで明らかなようにＧａＮ膜にはダメージ層が認められなかった。我々は、上述の結果を確かめるために、このドライエッチングした基板を用いてＧａＮ膜の再成長についても研究した。」（Ｌ１４頁左欄２４行〜同頁右欄２行）
　
  エ　甲３の４
　甲２の発明者の一人（李きょう烈＝ＫｙｏＹｅｏｌ　Ｌｅｅ）が著者の一人である論文である。
　ｎ型窒化ガリウム（ｎ−ＧａＮ）基板へのチタン／アルミニウム（Ｔｉ／Ａｌ）接触の電気特性に対する結晶極性の影響を研究するため、試料として、サファイア基板上でＨＶＰＥによってＧａＮ層を厚さ３００μｍまで成長させ、自立ＧａＮ基板を得るために、上記厚いＧａＮ層をレーザリフトオフ法によってサファイアから分離し、次にＧａＮ基板を機械的に研磨し、Ｇａ面上とＮ面上の両方でドライエッチングして滑らかなエピレディ面を得て、二結晶法Ｘ線回折（ＤＸＲＤ）法を用いて構造上の性質を調べたところ、Ｇａ面とＮ面の典型的な転位密度は、１０７ｃｍ−２よりも低かったこと、ｎ−ＧａＮ基板ガリウム（Ｇａ）面上で調製されたＴｉ／Ａｌ接触は、６００℃以上の温度で３０秒間アニーリングした後、接触抵抗率２×１０−５Ωｃｍ２のオーム性を示したが、対照的に、ｎ−ＧａＮの窒素（Ｎ）面上での接触は、非線形電流電圧曲線を示し、同じアニーリング条件で１ｅＶ以上の高いショットキー障壁が測定されたこと等が記載されている。
　
　オ　甲３の５
　甲２の発明者の一人（李きょう烈＝ＫｙｏＹｅｏｌ　Ｌｅｅ）が著者の一人である論文である。
　ハイドライド気相成長法によって成長させた３００μｍ厚の自立窒化ガリウム（ＧａＮ）テンプレートの構造と光学特性を、Ｘ線回折法、欠陥描写エッチングとその後の原子間力顕微鏡イメージング、および様々な温度でのフォトルミネッセンスを用いて評価したところ、ｃ平面ＧａＮのガリウム（Ｇａ）面と窒素（Ｎ）面には、欠陥密度の大きな変動が認められ、Ｇａ面での欠陥濃度は約５×１０５ｃｍ−２ 、Ｎ面での欠陥濃度は約１×１０７ｃｍ−２であったこと等が記載されている。
　
　カ　甲３の６
　甲２の発明者の一人（李きょう烈＝ＫｙｏＹｅｏｌ　Ｌｅｅ）が著者の一人である論文である。
　ハイドライド気相成長法によって成長させた自立ＧａＮテンプレートを、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）により特性評価し、さらに、ＴＥＭの調査を、Ｘ線回折、欠陥露出エッチング過程とそれに続く原子間力顕微鏡によるイメージング、および温度を変えたフォトルミネッセンスによって補強したところ、Ｎ面付近の転位密度は、断面ＴＥＭで３±１×１０７ｃｍ−２、平面ＴＥＭで４±１×１０７ｃｍ−２、欠陥露出エッチングで約１×１０７ｃｍ−２であると決定されたこと等が記載されている。
　
　キ　甲４の１
　甲２のＧａＮ基板下部面のｎ型電極のコンタクト抵抗を図１２の曲線Ｇ２より甲４の２の手法に従って推定したところ、０．０００７７Ωｃｍ２未満であったこと、及び、その手法の詳細が記載されている。
　
　ク　甲４の２
　被告（本件審判の請求人）の製造する波長４０５ｎｍのレーザ光を発するＧａＮ系基板を用いた半導体レーザ素子のコンタクト抵抗値の推定値及びその推定手法が記載されている。
　
　ケ　甲４の３
　甲４の１の推定手法の補足が記載されている。
　
　コ　甲６
　ウエットエッチングとドライエッチングの表面の反応機構について、Ｓｉを例に取り上げ基礎的な現象を説明しており、ウエットエッチングでは、エッチング形状やエッチング速度が等方性になるか異方性になるかは、基本的にはエッチング溶液と被加工材料との組み合わせによって決まること、ドライエッチングでは、加工形状によって等方性エッチングと方向性エッチングに大別されること等が記載されている。
　
　サ　甲７
　ＳＥＭイメージ（走査電子顕微鏡写真）の一例が記載されている（図３、図４Ｃ）。これらには、走査電子顕微鏡写真の典型的な特徴が表れており、図３及び図４Ｃのいずれにも、走査電子顕微鏡写真では「エッジ効果」と呼ばれる、明るく輝く領域が写っている。
　
　シ　甲８の１
　共振器長４００μｍ、チップ幅３００μｍ、ｐ電極幅５μｍの半導体レーザが記載されている（【００１４】）。
　
　ス　甲８の２
　共振器長３００μｍ、チップ幅２５０μｍ、ｐ電極幅５μｍの半導体レーザが記載されている（【００３６】、【００３７】）。
　
　セ　甲８の３
　共振器長３００〜５００μｍ、ｐ電極幅２μｍの半導体レーザが記載されている（【００４７】〜【００５４】）。
　
　ソ　甲９の１
　「ラッピング」の見出しの下に、レーザの土台の数百μｍ厚の基板は、そのままでは厚すぎて劈開できないので、まず、石を磨くようなラッピング（研磨）の手法によって基板側を削り、ウエハ厚さを約１００μｍにするが、ラッピング後の表面は非常にざらざらしていて表面状態が悪いので、全面を硫酸などのエッチング液で数μｍさらにエッチングし、そうすることで表面が非常にきれいになるので、そのあとで裏面側の電極を蒸着すること等が記載されている（１２１頁下から１行〜９行）。
　
　タ　甲９の２
　基板の研磨は、ｎ型窒化物半導体層が露出するまで行うこと、基板の研磨後は、ｎ型コンタクト層の研磨によりダメージを受けた領域をＲＩＥにて１〜２μｍ程度エッチングを行うこと、その後、露出したｎ型コンタクト層にタングステンを２０Åの厚さで、次にアルミニウムを３０Åの厚さでスパッタリングにより形成し、アニーリングを行い、ｎ電極を形成すること等が記載されている（【００４１】、【００５４】）。
　
　チ　甲９の３
　研磨によって平坦化されたＧａＮ基板は、研磨時に物理的なダメージを受けているため、ＧａＮ基板表面には少なくとも結晶性の悪化したダメージ層が残るので、研磨によって平坦化されたＧａＮ基板上に高品質な窒化ガリウム系化合物半導体薄膜を作製するためには、ダメージ層の除去が必要となること、ダメージ層の除去は化学的に行うことが望ましいが、ケミカルエッチングでは基板表面に多くのエッチピットを形成するので、ＲＩＥ（反応性イオンエッチング装置）を用いたエッチングを実施したこと、まずチャンバーにセットしたＧａＮ基板をプロセスガスとして塩素ガスを１０ｓｃｃｍ流し、高周波パワーを４００Ｗ、バイアスパワーを５０Ｗ、基板温度を５０℃でエッチングを行い、ＧａＮ基板を用いて、エッチング深さ１μｍまでエッチングしたところ、研磨直後のピットの少ない平坦な表面を維持した状態で、前記基板の研磨前と同等レベルの結晶性が得られることを確認したこと等が記載されている（【００７８】〜【００８０】）。
　
　ツ　甲１０
　「方法目録」（別紙１頁）に記載の「半導体レーザ素子の製造方法」に従って製造された半導体レーザ素子は本件特許発明（甲１０中では「本件特許発明２」）の侵害に当たる旨、「第６．被告の行為　２．被告方法の構成のうち、本件特許発明２の構成要件に対応する構成」では、原告（本件被請求人）が、
「別紙被告方法目録及び別紙被告製品説明書に記載した被告方法の構成のうち、本件特許発明２の各構成要件に対応する構成は次のとおりである。
ａ２　およそ４００μｍのｎ型ＧａＮ基板ウエハの第１の面（『表面』）の上に、ｎ型半導体層（ｎ型クラッド層、ｎ型光ガイド層）、活性層、キャップ層、ｐ型半導体層（ｐ型光ガイド層、ｐ型クラッド層）をこの順に積層する工程を有する。
ｂ２　ＧａＮ基板ウエハの第２の面（『裏面』）を機械研磨して、ＧａＮ基板ウエハの厚みをおよそ１００μｍにする工程を有する。
ｃ２　上記ａ２及びｂ２の工程の後、ＧａＮ基板ウエハの裏面に化学的機械的研磨（ＣＭＰ、Ｃｈｅｍｉｃａｌ　Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ　Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ、Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）などを施し、ＧａＮ基板ウエハの裏面近傍の領域を除去する工程を有する。その結果、ＧａＮ基板ウエハの裏面の転位密度は『８×１０６ｃｍ−２以下』となる。
ｄ２　その後、ＧａＮ基板ウエハの裏面にｎ電極を形成する工程を有する。
ｅ２　ＧａＮ基板とｎ電極とのコンタクト抵抗は『１０−４〜１０−５Ωｃｍ２のオーダー』である。
ｆ２　ＧａＮ基板を用いた半導体レーザ素子の製造方法である。」
と主張する旨が記載されている（１８頁１３行〜１９頁１０行）。
　
　テ　甲１１
「ウルツ鉱型結晶構造を有するＩＩＩ族元素窒化物半導体、例えば、ＧａＮ系半導体発光素子において、
　格子定数や熱膨張係数が異なるサファイア基板上にＧａＮ結晶膜のエピタキシャル成長を行うと、基板やエピタキシャル層に歪みや欠陥、転位が発生し、また、厚い膜を成長した場合にはクラックが発生し、デバイスとしての性能が極端に悪くなるという問題があったので、
　サファイア基板上にエピタキシャル成長を行って形成されたものであっても、歪みや欠陥、転位が少なく、また厚い膜であってもクラックが入りにくい、ＧａＮ結晶膜を提供するために、
　サファイア基板上にＭＯＣＶＤ法で膜厚１μｍの下地結晶膜としてのＧａＮ膜を形成し、該ＧａＮ膜上にＳｉＯ２膜を形成し、該ＳｉＯ２膜をフォトリソグラフィー法とウエットエッチングでストライプ状に成形してマスクを形成し、該ストライプ状のマスク間の領域である成長領域上に、塩化ガリウム（ＧａＣｌ）をＧａ原料とし、アンモニア（ＮＨ３）ガスをＮ原料として、ハイドライドＶＰＥ法によりＧａＮ結晶をエピタキシャル成長させると、ＧａＮ結晶は、初期段階ではマスク上に成長せず前記成長領域のみで成長するため、前記成長領域上のＧａＮ結晶には基板の面方位とは異なる面方位を有するファセットが出現し、エピタキシャル成長を続けると、ＧａＮ結晶はファセット面に対して垂直な方向に成長が進むため、前記成長領域だけでなくマスク上にも成長し、やがてマスクを覆うようになって隣接する成長領域のＧａＮ結晶のファセットと接触し、さらにエピタキシャル成長を続けると、ファセットが埋め込まれ、平坦な表面を有するＧａＮ結晶膜を得て、
　得られたＧａＮ結晶膜上に発光素子構造を形成した後にサファイア基板とマスクと前記ＧａＮ結晶膜の一部を除去する方法（以下「サファイア基板法」という。）、あるいは、ＧａＮ結晶膜を形成後、サファイア基板とマスクと該ＧａＮ結晶膜の一部を除去して得たＧａＮエピタキシャル層のみからなるウェーハを基板として、該基板上に発光素子構造を形成する方法（以下「ＧａＮ基板法」という。）により作製されたＧａＮ系半導体発光素子であって、
　前記ＧａＮ結晶膜において、転位は、ファセットに向かって進み基板と垂直に伸びていたものが垂直な方向へ伸びることができなくなるためファセットの成長とともに横方向に曲げられ、そのほとんどは結晶の端に出てしまうか閉ループを形成するので、エピタキシャル膜の膜厚増加に伴い上部の成長領域では転位が減少していき、その結果、上層領域において、下地結晶中の刃状転位を引継ぎｃ面に対して平行な変位ベクトルを持つＡ転位と下地結晶中の混合転位を引継ぎｃ面に対して斜めに傾いた変位ベクトルを持つＢ転位を合わせた全転位の転位密度が好ましくは２×１０８／ｃｍ２以下、より好ましくは１×１０７／ｃｍ２以下の低転位密度層を有するｎ型ＧａＮ結晶膜となり、
　前記サファイア基板法は、例えば、キャリア濃度が１×１０１８ｃｍ−３以上の前記ｎ型ＧａＮ結晶膜が形成された基板をＭＯＣＶＤ装置にセットし、所定の温度、ガス流量、Ｖ族元素／ＩＩＩ族元素比で、厚さ１μｍのＳｉ添加ｎ型ＧａＮ層、厚さ０．４μｍのＳｉ添加ｎ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎクラッド層、厚さ０．１μｍのＳｉ添加ｎ型ＧａＮ光ガイド層、厚さ２．５ｎｍの無添加Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ量子井戸層と厚さ５ｎｍの無添加Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ障壁層からなる１０周期の多重量子井戸構造活性層、厚さ２０ｎｍのＭｇ添加ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層、厚さ０．１μｍのＭｇ添加ｐ型ＧａＮ光ガイド層、厚さ０．４μｍのＭｇ添加ｐ型Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎクラッド層、及び厚さ０．５μｍのＭｇ添加ｐ型ＧａＮコンタクト層を順次形成して発光素子構造を形成し、次に、該発光素子構造を形成したサファイア基板を研磨器にセットし、前記サファイア基板、前記下地結晶膜、前記マスク及び前記ＧａＮ結晶膜の一部を研磨してｎ型ＧａＮ結晶膜を露出させ、露出したＧａＮ結晶膜の面、すなわち素子裏面側にチタンとアルミニウムからなるｎ型電極を形成し、ｐ型ＧａＮコンタクト層上にニッケルと金からなるｐ型電極を形成する工程を含み、
　前記ＧａＮ基板法は、例えば、全断面にわたって低転位密度層となっているＧａＮ基板ウエーハを用い、ＭＯＣＶＤ法によりＧａＮ基板側から厚さ０．５μｍのＳｉ添加ｎ型Ａｌ０．０５Ｇａ０．９５Ｎクラッド層、厚さ０．１μｍのＳｉ添加ｎ型ＧａＮ光ガイド層、厚さ３ｎｍの無添加Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ量子井戸層と無添加Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ障壁層からなる７周期の多重量子井戸構造活性層、厚さ２０ｎｍのＭｇ添加ｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎインジウム解離防止層、厚さ０．１μｍのＭｇ添加ｐ型ＧａＮ光ガイド層、厚さ０．５μｍのＭｇ添加ｐ型Ａｌ０．０５Ｇａ０．９５Ｎクラッド層、及び厚さ０．２μｍのＭｇ添加ｐ型ＧａＮコンタクト層を順次形成して発光素子構造を形成し、該発光素子構造の最上層にはＳｉＯ２膜を形成し、幅１０μｍのストライプ状の電流注入用窓を形成し、この上にニッケルと金からなるｐ型電極を形成し、ｐ型電極面で研磨用重しに貼りつけ、ＧａＮ基板の裏面を研磨し、通常、６０μｍ〜１００μｍの劈開可能な厚さに仕上げ、チタンとアルミニウムからなるｎ型電極を前記裏面に形成する工程を含む、
　ＧａＮ系半導体発光素子。」の発明等が記載されている（【００５５】、【０１２６】〜【０１２８】、【０１３６】、【０１３８】、【０１８２】、【０１８３】、【０１８９】、【０１９３】〜【０１９７】、【０２１２】、【０２１４】）。
　
　ト　甲１２
　特願２００８−１４０１０５号（甲２の分割出願、特開２００８−２６３２１４号）の願書に最初に添付した図面のうち図９及び図１０である。
　
　ナ　甲１３
　甲３の３のＬ１３頁左欄下１４行の脚注１２）の文献である。直径２インチ（約５ｃｍ）のＧａＮ基板の写真（Ｆｉｇ．１）が掲載されている。
　
　二　甲１４
　透過電子顕微鏡像の撮影用試料の作成方法の例が記載されている。
　
　ヌ　甲１５
　透過電子顕微鏡写真（ＴＥＭ、ＳＴＥＭ）で観察される線状の黒い模様は「転位」であること等が記載されている（３頁、４頁）。
　
　ネ　甲１６の１
　甲２の図９と甲３の３とＦｉｇ．３ａとを比較し、両者が同一のものであると結論付けている。
　
　ノ　甲１６の２
　甲２の図９及び図１０には、透過電子顕微鏡写真特有の干渉縞が看取される一方、走査電子顕微鏡写真特有の傾斜効果やエッジ効果が看取されないことから、図９及び図１０は透過電子顕微鏡写真であり、甲２の【００３８】、【００３９】の図９、図１０が走査電子顕微鏡写真である旨の記載は誤記であると結論付けている。また、甲２に記載された発明では、奥まで伸びる転位が除去されていると結論付けている。
　
３　当審の判断
（１）無効理由１（記載不備）
　ア　記載不備の理由１について
（ア）「第２　２（１）ア（ｉ）及び（ｉｉ）」の点について
　本件特許発明１は、第１半導体層の裏面の転位密度を「１×１０９ｃｍ−２以下」とする第３工程において、具体的に「研磨により発生した転位を含む第１半導体層の裏面近傍の領域を除去」することによって、前記転位密度が「１×１０９ｃｍ−２以下」になることを規定しているのであり、また、第１工程ないし第４工程を備えることにより、第１半導体層とｎ側電極とのコンタクト抵抗が「０．０５Ωｃｍ２以下」になることを規定しているのであるから、本件特許発明１は、不明確であるとはいえない。
（イ）「第２　２（１）ア（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）」の点について
　本件特許発明１は、例えば、第１半導体層をどの程度除去すれば、転位密度が１×１０９ｃｍ−２以下となり、コンタクト抵抗が０．０５Ωｃｍ２以下となるか、その条件を予め調べておき、その条件で第１半導体層の裏面近傍を除去することによっても再現性をもって実施できるものであり、窒化物系半導体素子の製造方法の操作・工程等の実施中に転位密度やコンタクト抵抗をリアルタイムに計測する必要はない。したがって、転位密度やコンタクト抵抗をリアルタイムに計測する工程を発明特定事項として含む必要もない。
　本件特許明細書の【００５６】ないし【００６５】の記載から、本件特許発明１に規定される転位密度とコンタクト抵抗は、転位密度が１×１０６ｃｍ−２以下となり、コンタクト抵抗が０．０５Ωｃｍ２以下となる条件（例えば、裏面処理条件や裏面除去の厚み）を予め調べておき、その条件で第１半導体層の裏面近傍を除去することによって、再現性をもって実施できることを当業者であれば理解できるから、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載が、当業者が本件特許発明１を実施することができる程度に明確かつ十分に記載したものではないとはいえない。また、本件特許発明１が発明の詳細な説明に記載したものでないとも、明確でないともいえない。
（ウ）「第２　２（１）ア（ｖ）」の点について
　上記（ア）及び（イ）のとおり、請求人の主張する理由（ｉ）〜（ｉｖ）は誤りであり、本件特許発明１は明確な発明特定事項をもって定義されているから、本件特許発明１の外延は明確である。
（エ）「第２　２（１）ア（ｖｉ）」の点について
　特定されている「達成すべき特性値」の範囲が、当業者の誰しもが技術常識として「達成することが望ましい」と認識している範囲と重複することは、発明が不明確である理由にはならない。
（オ）「第２　２（１）ア（ｖｉｉ）」の点について
　本件特許発明は、当業者の誰しもが技術常識として望ましいと認識している数値を特定しているものではなく、また、請求人が主張する周知の技術によって、本件特許発明が特定している「転位密度」及び「コンタクト抵抗」を具備する窒化物系半導体素子を製造できるものでもない。すなわち、本件特許発明は、研磨により発生した転位密度が増大した領域を除去することにより、低い転位密度と低いコンタクト抵抗とを併せもった窒化物系半導体素子の製造を初めて実現したものであり、窒化物系半導体素子を周知の技術に従って製造した場合において、当業者の誰しもが技術常識として「達成することが望ましい」と認識している範囲内の「転位密度」や「コンタクト抵抗」を特定したものではない。
（カ）本件特許発明２ないし本件特許発明１０について、請求人の主張する理由は、本件特許発明１が不明確であるから、本件特許発明１に従属する本件特許発明２ないし本件特許発明１０も不明確であるというものであるところ、上記（ア）ないし（オ）のとおり、本件特許発明１が不明確であるとはいえないから、本件特許発明２ないし本件特許発明１０も不明確であるとはいえない。
　
　イ　記載不備の理由２について
（ア）転位密度及びコンタクト抵抗の数値範囲の上限値について
　本件特許発明は、「ｎ型ＧａＮ基板１０１の裏面をｎ型ＧａＮ基板１０１が所定の厚み（１００μｍ程度）になるまで研磨した後、ｎ型ＧａＮ基板１０１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極１１２を形成する」（【０００７】）という「従来の方法」には、「ｎ型ＧａＮ基板の裏面を機械研磨する際に、ｎ型ＧａＮ基板の裏面近傍に応力が加わる。このため、ｎ型ＧａＮ基板の裏面近傍にクラックなどの微細な結晶欠陥が発生するという不都合がある。その結果、ｎ型ＧａＮ基板と、ｎ型ＧａＮ基板の裏面（窒素面）上に形成されたｎ側電極とのコンタクト抵抗が増加するという問題点」（【０００９】）があり、当該従来の方法の問題点を解決するためになされた発明であるから、請求項記載の転位密度やコンタクト抵抗の値が満足なものか否か（効果が得られるものであるのか否か）を判断する際に、これと対比すべきは、機械研磨のみを行う従来の方法である。
　本件明細書の【表１】に示された「電極形成方法（裏面処理条件）」及び【００５９】の「従来と同様の方法により作製された試料１」との記載からみて、機械研磨のみを行う従来の方法で作製されたものは試料１である。そして、【００４９】の記載によれば、「一実施形態」のｎ型ＧａＮ基板１において、ＴＥＭ分析により測定したエッチング前の裏面の結晶欠陥（転位）密度は「１×１０１０ｃｍ−２以上」ということであり、当該「一実施形態」は、「ｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）をｎ型ＧａＮ基板１の厚みが約１２０μｍ〜約１８０μｍになるまで研磨」（【００４７】）してから、「反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）法により、ｎ型ＧａＮ基板１の裏面（窒素面）を、約２０分間エッチングする」（【００４８】）ものであるから、ＧａＮ基板の裏面を研磨してｎ側電極を形成（【表１】）する試料１の裏面の転位密度は、「一実施形態」のエッチング前の転位密度である「１×１０１０ｃｍ−２以上」と同程度であると考えられる。また、【表１】によれば、試料１のコンタクト抵抗は「２０Ωｃｍ２」である。
　試料１の上記各値を請求項１記載の各値と対比すると、請求項１記載の裏面の転位密度及びコンタクト抵抗の上限値である「１×１０９ｃｍ−２」及び「０．０５Ωｃｍ２」は、上記試料１（すなわち従来の方法で作製されたもの）の転位密度及びコンタクト抵抗の値と比べて充分に小さいといえるから、本件特許発明が不満足な特性値を上限値として包含しているとはいえない。
（イ）転位密度及びコンタクト抵抗の数値範囲の下限値について
　本件特許発明は、「ｎ型ＧａＮ基板１０１の裏面をｎ型ＧａＮ基板１０１が所定の厚み（１００μｍ程度）になるまで研磨した後、ｎ型ＧａＮ基板１０１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極１１２を形成する」（【０００７】）という「従来の方法」における「ｎ型ＧａＮ基板の裏面を機械研磨する際に、ｎ型ＧａＮ基板の裏面近傍に応力が加わる。このため、ｎ型ＧａＮ基板の裏面近傍にクラックなどの微細な結晶欠陥が発生するという不都合がある。その結果、ｎ型ＧａＮ基板と、ｎ型ＧａＮ基板の裏面（窒素面）上に形成されたｎ側電極とのコンタクト抵抗が増加するという問題点」（【０００９】）を解決するためになされた発明であって、「前記第１半導体層の裏面の転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下とする」ことを含む発明特定事項Ｃは、上記転位密度が「１×１０９ｃｍ−２以下」であることを特定しているにすぎず、「前記第１半導体層と前記ｎ側電極とコンタクト抵抗を０．０５Ωｃｍ２以下とする」なる発明特定事項Ｅは、上記コンタクト抵抗が「０．０５Ωｃｍ２以下」であることを特定しているにすぎない。
　本件明細書には、上記転位密度が「１×１０６ｃｍ−２以下」（【００４９】）で上記コンタクト抵抗が「２．０×１０−４Ωｃｍ２以下」または「１．０×１０−５Ωｃｍ２」（【００５４】）である一実施形態や、上記転位密度が「１×１０９ｃｍ−２」（【００６１】）で上記コンタクト抵抗が「０．０５Ωｃｍ２」（【００５６】の【表１】）である試料３や、上記転位密度が「１×１０６ｃｍ−２以下」（【００６１】）で上記コンタクト抵抗が「７．０×１０−４Ωｃｍ２」（【００５６】の【表１】）である試料４等が記載されており、上記一実施形態の製造方法については【００４２】ないし【００５３】にその具体的な製造方法が記載され、上記試料３や上記試料４については【００５６】の【表１】に「電極形成方法（裏面処理条件）」がＧａＮ基板裏面研磨後にＲＩＥ法（Ｃｌ２ガス）により０．５μｍエッチングしてからｎ側電極形成するものであることやＧａＮ基板裏面研磨後にＲＩＥ法（Ｃｌ２ガス）により１μｍエッチングしてからｎ側電極形成するものであることが記載されているから、当業者は、これらの記載に基づいて、上記転位密度が「１×１０９ｃｍ−２以下」であり上記コンタクト抵抗が「０．０５Ωｃｍ２以下」である窒化物半導体素子を製造することができるのである。
　また、上述したように、発明特定事項Ｃは上記転位密度が「１×１０９ｃｍ−２以下」であることを特定しているにすぎず、発明特定事項Ｅは上記コンタクト抵抗が「０．０５Ωｃｍ２以下」であることを特定しているにすぎないのであって、本件明細書の発明の詳細な説明には、上記転位密度が「１×１０９ｃｍ−２以下」であり上記コンタクト抵抗が「０．０５Ωｃｍ２以下」である窒化物半導体素子が記載されているのであるから、本件明細書の発明の詳細な説明に上記転位密度や上記コンタクト抵抗がゼロである窒化物半導体素子が記載されていないことをもって、本件特許発明が発明の詳細な説明に記載したものでないとすることもできない。
　さらに、請求人のいう特性の優れる側の範囲は、転位密度については、機械研磨する前の転位密度を下限とする範囲であることは明らかであり、また、それを実現するためには機械研磨に起因して生じた転位を完全に除去すればよいことは明らかである。また、転位密度が特性の優れる側の範囲に属する値を採ることにより、コンタクト抵抗についても特性の優れる側の範囲に属する値が得られることは明らかである。
　したがって、転位密度とコンタクト抵抗について、特性の優れる側の範囲については発明の詳細な説明に実施可能に記載されていないとも、本件特許発明１のうち特性の優れる側の範囲については発明の詳細な説明の記載によりサポートされていないともいえない。
　
　ウ　記載不備の理由３について
　本件特許発明は、「ｎ型ＧａＮ基板１０１の裏面をｎ型ＧａＮ基板１０１が所定の厚み（１００μｍ程度）になるまで研磨した後、ｎ型ＧａＮ基板１０１の裏面（窒素面）上に、ｎ側電極１１２を形成する」（【０００７】）という「従来の方法」には、「ｎ型ＧａＮ基板の裏面を機械研磨する際に、ｎ型ＧａＮ基板の裏面近傍に応力が加わる。このため、ｎ型ＧａＮ基板の裏面近傍にクラックなどの微細な結晶欠陥が発生するという不都合がある。その結果、ｎ型ＧａＮ基板と、ｎ型ＧａＮ基板の裏面（窒素面）上に形成されたｎ側電極とのコンタクト抵抗が増加するという問題点」（【０００９】）があったところ、当該従来の方法の問題点を解決するためになされた発明であって、機械研磨により発生した転位を低減することを技術上の意義としていることは明らかであるから、機械研磨により発生した第１半導体層の裏面近傍の転位を除去する手段として、新たな転位を発生して転位密度を低減することができないことが明らかである機械研磨が含まれないことは当業者にとって自明である。
　したがって、請求人の主張は前提を誤っているから、請求人の主張する理由によっては、本件特許明細書の発明の詳細な説明の記載は、本件特許発明が実施可能な程度に明確かつ十分に記載したものではないとも、本件特許請求の範囲の記載は、本件特許発明が明細書の発明の詳細な説明に記載したものでないともいえない。
　
　エ　記載不備の理由４について
　本件明細書の発明の詳細な説明中で、「一実施形態」の転位密度について説明した【００４９】には、「ここで、上記したエッチングによる効果を確認するために、エッチング前後におけるｎ型ＧａＮ基板１の裏面の結晶欠陥（転位）密度を、ＴＥＭ（Ｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎ　Ｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ）分析により測定した。その結果、エッチング前には、結晶欠陥密度は、１×１０１０ｃｍ−２以上であったのに対して、エッチング後には、結晶欠陥密度は、１×１０６ｃｍ−２以下にまで減少していることが判明した。」と記載されており、また、試料３及び試料４の転位密度について説明した【００６１】には、「Ｃｌ2ガスを用いたＲＩＥ法により、ｎ型ＧａＮ基板の裏面を約１μｍの厚み分だけ除去した試料４では、Ｃｌ2ガスを用いたＲＩＥ法により、ｎ型ＧａＮ基板の裏面を約０．５μｍの厚み分だけ除去した試料３よりも、低いコンタクト抵抗を得ることができた。・・・（略）・・・これらの試料において、ｎ型ＧａＮ基板の裏面の結晶欠陥（転位）密度を、ＴＥＭ分析により測定したところ、試料３の結晶欠陥密度は１×１０９ｃｍ−２であった。一方、試料４では、観察した視野中に結晶欠陥は観察されず、結晶欠陥密度は１×１０６ｃｍ−２以下であった。」と記載されている。
　これらの記載から、エッチング前の（機械研磨直後の）ｎ型ＧａＮ基板１の裏面の転位密度が１×１０１０ｃｍ−２以上であり、エッチングによりｎ型ＧａＮ基板１の裏面を約０．５μｍの厚み分だけ除去した後の当該裏面の転位密度が１×１０９ｃｍ−２であり、エッチングによりｎ型ＧａＮ基板１の裏面を約１μｍの厚み分だけ除去した後の当該裏面の転位密度が１×１０６ｃｍ−２以下であるから、機械研磨直後のｎ型ＧａＮ基板１の裏面近傍は、より裏面に近い（浅い）領域ほど転位密度が高い状態にあるものと理解することができる。
　そうすると、発明特定事項Ｃの「前記研磨により発生した転位を含む前記第１半導体層の裏面近傍の領域を除去して前記第１半導体層の裏面の転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下とする」は、第１半導体層を裏面側から転位密度が１×１０９ｃｍ−２を超える領域の厚み分を除去することにより前記第１半導体層の裏面の転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下とするという意味に解され、「裏面近傍の領域」が、機械研磨直後の第１半導体層の裏面側の領域であって、転位密度が１×１０９ｃｍ−２を超える領域を意味していることは明らかであるから、「裏面近傍の領域」との記載が不明瞭であるとはいえない。
　したがって、本件特許発明が明確でないとはいえない。
　
　オ　まとめ
　上記アないしエのとおり、無効理由１は成り立たない。
　
（２）無効理由２（発明未完成）
　請求人が主張する、本件特許発明１が包含する「実施不能であって未だ完成していない発明」とは、転位密度やコンタクト抵抗がゼロであるもののことを指しているものと考えられるところ、上記（１）イで述べたのと同様の理由から、本件特許発明１において転位密度やコンタクト抵抗の数値範囲の下限値を特定しないことをもって、本件特許発明が全体として未完成発明であり「産業上利用することができる発明」に該当しないとすることはできない。
　よって、無効理由２は成り立たない。
　
（３）無効理由３（甲２発明に基づく新規性欠如）
　ア　甲２の引用例適格性（本件特許発明の優先権主張の効果の享受）について
（ア）転位密度及びコンタクト抵抗について
　基礎出願の請求項６を引用する請求項８に、第１半導体層のｎ側電極との界面近傍における転位密度が「１×１０９ｃｍ−２以下」であり、ｎ側電極と第１半導体層とのコンタクト抵抗が「０．０５Ωｃｍ２」である窒化物系半導体素子が記載されていることから、本件発明の技術的事項が基礎出願の当初明細書等に記載の技術的事項を超えるとはいえない。
（イ）除去処理手段及び除去処理の対象となる第１半導体層の面について
　ａ　除去処理手段について
　基礎出願の当初明細書【００４３】に、
「また、Ｃｌ2ガスを用いたＲＩＥ法により、ｎ型ＧａＮ基板の裏面を約１μｍの厚み分だけ除去した試料４では、Ｃｌ2ガスを用いたＲＩＥ法により、ｎ型ＧａＮ基板の裏面を約０．５μｍの厚み分だけ除去した試料３よりも、低いコンタクト抵抗を得ることができた。これは、約０．５μｍの厚み分の除去では、機械研磨により発生した結晶欠陥を含むｎ型ＧａＮ基板の裏面近傍の領域を十分に除去することができなかったためであると考えられる。これらの試料において、ｎ型ＧａＮ基板の裏面の結晶欠陥（転位）密度を、ＴＥＭ分析により測定したところ、試料３の結晶欠陥密度は１×１０9ｃｍ-2であった。一方、試料４では、観察した視野中に結晶欠陥は観察されず、結晶欠陥密度は１×１０6ｃｍ-2以下であった。」
と記載されている。
　上記記載に接した当業者であれば、試料４が試料３に比べて転位密度がより低くなり、コンタクト抵抗がより低くなったという結果は、試料４の方が機械研磨によって生じた転位を含む領域が比較的厚く（多く）除去された、すなわち、転位そのものがより多く除去されたことによってもたらされたものであると認識するのであって、除去手段をエッチングとするか他の手段（ただし、新たな結晶欠陥（転位）を発生しない手段に限る）によって係る効果が左右されるものであると認識するものではない。
　したがって、基礎出願の当初明細書【００４３】の「研磨により発生した転位を含む第１半導体層の裏面近傍の領域を除去」する手段としては、特定の方法（エッチング）に限定されるものではないことは、基礎出願の当初明細書等の記載から、当業者にとって自明であったといえる（別件特許無効審判事件（無効２０１１−８００２０３号）の審決（乙１）の取消訴訟（平成２４年（行ケ）第１０３０３号）の判決（知的財産高等裁判所、平成２５年１１月１４日言渡）の２８頁２３行〜２９頁１２行参照。）。
　ｂ　除去処理の対象となる第１半導体層の面について
　請求人が主張するように、基礎出願の当初明細書等には、除去処理の対象となる裏面が窒素面であるもののみが記載されており、除去処理の対象となる裏面が窒素面以外であってもよいことについての明記はない。
　一方、本件の特許請求の範囲において、請求項４以外の請求項は除去処理の対象となる第１半導体層の裏面を窒素面とは特定しておらず、また、本件明細書には、【００７７】にＧａ面を裏面とした態様が記載されているが、当該態様に特有の効果については特段記載されていない。
　しかしながら、
　裏面を窒素面とは異なる面、例えば、Ｇａ面とした窒化物系半導体素子が基礎出願の出願前にありふれたものであったと考えられること（本件において提出された証拠ではないが、本件特許の関連特許に係る無効審判事件（無効２０１３−８００１２０号）の甲４（特開２００１−１４８３５７号公報。【０００７】等参照。）には、ｎ型電極をＧａＮ基板のＧａ終端面に形成した発光素子について記載されている。）、
　当業者が基礎出願の明細書【００４３】の記載に接すれば、試料４において試料３に比べて転位密度がより低くなりコンタクト抵抗がより低くなるという結果は、機械研磨によって生じた転位を含む領域が比較的に厚く（多く）除去された、すなわち転位そのものがより多く除去されたことによってもたらされたものであり、当該事情は、除去処理の対象が窒素面であるか窒素面とは異なる面であるかとは関係がないということを理解することができると考えられること、
　裏面を窒素面とは異なる面（Ｇａ面）とした上記態様が、基礎出願の明細書【０００９】に記載された、機械研磨により発生した転位に起因して裏面とｎ側電極とのコンタクト抵抗が増加するという問題点を解決して、基礎出願の明細書【００２１】に記載された、第１半導体層のｎ側電極との界面におけるコンタクト抵抗を低減することができるという基礎出願の当初明細書等に記載された技術的事項を超えるような事項を有するものでないこと、
　から、除去処理の対象となる第１半導体層の面が特定の面（窒素面）に必ずしも限定されないことが基礎出願の当初明細書等の記載から当業者にとって自明な事項であったといえる。
（ウ）本件特許発明１が、基礎出願の当初明細書等に一の発明として記載されているか否か、及び、基礎出願の当初明細書等に当業者が実施可能な完成された発明として記載されているか否かについて
　基礎出願の当初明細書には、第１半導体層のｎ側電極との界面近傍における転位密度が「１×１０６ｃｍ−２以下」（【００３１】）で、ｎ側電極と第１半導体層とのコンタクト抵抗が「２．０×１０−４Ωｃｍ２以下」または「１．０×１０−５Ωｃｍ２」（【００３６】）である一実施形態や、上記転位密度が「１×１０９ｃｍ−２」（【００４３】）で上記コンタクト抵抗が「０．０５Ωｃｍ２」（【００３９】の【表１】）である試料３や、上記転位密度が「１×１０６ｃｍ−２以下」（【００４３】）で上記コンタクト抵抗が「７．０×１０−４Ωｃｍ２」（【００３９】の【表１】）である試料４等が記載されており、上記一実施形態の製造方法については【００２４】ないし【００３５】にその具体的な製造方法が記載され、上記試料３や上記試料４については【００３９】の【表１】に「電極形成方法（裏面処理条件）」がＧａＮ基板裏面研磨後にＲＩＥ法（Ｃｌ２ガス）により０．５μｍエッチングしてからｎ側電極形成するものであることやＧａＮ基板裏面研磨後にＲＩＥ法（Ｃｌ２ガス）により１μｍエッチングしてからｎ側電極形成するものであることが記載されている。本件特許発明１の「第１工程」については【００２５】、【００２６】に具体的に記載され、「第２工程」については【００２８】、【００２９】に具体的に記載され、「第３工程」については【００３０】、【００３１】及び【００３９】の【表１】の「電極形成方法（裏面処理条件）」の欄に具体的に記載され、「第４工程」については【００３４】に具体的に記載されている。
　当業者は、これらの記載に基づいて、上記転位密度が「１×１０９ｃｍ−２以下」であり上記コンタクト抵抗が「０．０５Ωｃｍ２以下」である窒化物半導体素子を製造することができるのであるから、本件特許発明１は、基礎出願の当初明細書等に当業者が実施可能な発明として記載されている。なお、本件特許発明１の発明特定事項Ｃは上記転位密度が「１×１０９ｃｍ−２以下」であることを特定しているにすぎず、発明特定事項Ｅは上記コンタクト抵抗が「０．０５Ωｃｍ２以下」であることを特定しているにすぎないのであって、基礎出願の当初明細書には、上記のとおり、上記転位密度が「１×１０９ｃｍ−２以下」であり上記コンタクト抵抗が「０．０５Ωｃｍ２以下」である窒化物半導体素子の製造方法が記載されているのであるから、基礎出願の当初明細書等に上記転位密度や上記コンタクト抵抗がゼロである窒化物半導体素子が記載されていないことをもって、本件特許発明１が基礎出願の当初明細書等に当業者が実施可能な発明として記載されていないとすることはできない。
　また、上記のとおり、基礎出願の当初明細書等には、上記転位密度が「１×１０９ｃｍ−２以下」であり、上記コンタクト抵抗が「０．０５Ωｃｍ２以下」である窒化物系半導体素子の製造方法が技術的事項として開示され、本件特許発明１の技術的事項が基礎出願の当初明細書等に記載の技術的事項の範囲内であることは上記（ア）、（イ）のとおりであるから、本件特許発明１は、基礎出願の当初明細書等に一の発明として実質的に記載されている。
（エ）小括
　上記（ア）ないし（ウ）のとおりであるから、本件特許発明が基礎出願の当初明細書等の全体に記載した事項の範囲内のものではないとはいえない。したがって、本件特許発明は、優先権主張の効果を享受することができるから、本件特許発明の優先日は、基礎出願の出願日である平成１４年３月２６日である。
　平成１５年２月２１日に公開された甲２は、本件特許発明の優先日の後に頒布されたものであるから、当該甲２は、特許法第２９条第１項第３号及び第２項の規定違反を理由とする無効理由における引用例適格性を備えていない。
　
　イ　無効理由３について 
　上記アのとおり、甲２は引用例適格性を備えていないから、甲２を引用例とする無効理由３は、その具体的内容を検討するまでもなく成り立たない。
　
（４）無効理由４（甲２発明に基づく進歩性欠如）
　上記（３）のとおり、甲２は引用例適格性を備えていないから、甲２を引用例とする無効理由４は、その具体的内容を検討するまでもなく成り立たない。
　
（５）無効理由５（拡大先後願）
　ア　本件特許発明１について 
　本件特許発明１と甲２発明とを対比する。
（ア）甲２発明の「『ＧａＮ基板』、『ｎ型ＧａＮ基板』」、「ｎ型ＧａＮ層、ｎ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮクラッド層、ｎ型ＧａＮウエーブガイド層、ＩｎＧａＮ活性層、ｐ型ＧａＮウエーブガイド層、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮクラッド層及びｐ型ＧａＮ層」、「『ＧａＮ基板の下部面』、『ｎ型ＧａＮ基板の下部面』」、「『研磨』、『機械的研磨』」、「ＧａＮ基板上に形成された発光構造体を支持できる範囲内でその厚さが可能な限り薄くなるように機械的に研磨」、「除去」、「ｎ型電極」及び「化合物半導体発光素子の製造方法」は、それぞれ本件特許発明１の「ｎ型の窒化物系半導体層及び窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層」、「活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層」、「第１半導体層の裏面」、「研磨」、「厚み加工」、「除去」、「ｎ側電極」及び「窒化物系半導体素子の製造方法」に相当する。 
（イ）甲２発明の「窒化物系半導体素子の製造方法（化合物半導体発光素子の製造方法）」は、ＧａＮ基板上にレーザダイオードを形成する場合、「ｎ型の窒化物系半導体層及び窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層（ｎ型ＧａＮ基板）」上に「活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層（ｎ型ＧａＮ層、ｎ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮクラッド層、ｎ型ＧａＮウエーブガイド層、ＩｎＧａＮ活性層、ｐ型ＧａＮウエーブガイド層、ｐ型ＡｌＧａＮ／ＧａＮクラッド層及びｐ型ＧａＮ層）」を順次形成する段階を含むから、本件特許発明の「窒化物系半導体素子の製造方法」と、少なくとも、「ｎ型の窒化物系半導体層および窒化物系半導体基板のいずれかからなる第１半導体層の上面上に、活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層を形成する第１工程」を備えている点で一致する。
（ウ）甲２発明の「窒化物系半導体素子の製造方法（化合物半導体発光素子の製造方法）」は、前記「第１工程」の後、前記「第１半導体層の裏面（ｎ型ＧａＮ基板の下部面）」を「厚み加工（ＧａＮ基板上に形成された発光構造体を支持できる範囲内でその厚さが可能な限り薄くなるように機械的に研磨）」する段階を含むから、本件特許発明１の「窒化物系半導体素子の製造方法」と、少なくとも、「前記第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第２工程」を備えている点で一致する。
（エ）甲２発明の「窒化物系半導体素子の製造方法（化合物半導体発光素子の製造方法）」は、機械的に研磨された前記「第１半導体層の裏面（ｎ型ＧａＮ基板の下部面）」に形成された、多くの欠陥が生成されているダメージ層を、該ダメージ層が除去されうると見積もった時間よりも長い時間、乾式又は湿式エッチングすることによって前記「第１半導体層の裏面（下部面）」の前記ダメージ層が存在しなくなるまで完全に除去する段階を含むから、本件特許発明１の「窒化物系半導体素子の製造方法」と、少なくとも、「第１工程と第２工程の後、前記研磨された前記第１半導体層の裏面近傍の所定の領域を除去する第３工程」を備えている点で一致する。
（オ）甲２発明の「窒化物系半導体素子の製造方法（化合物半導体発光素子の製造方法）」は、前記「第３工程」の後、前記乾式又は湿式エッチングされた「第１半導体層の裏面（ＧａＮ基板の下部面）」上に「ｎ側電極（ｎ型電極）」を形成する段階を含むから、本件特許発明１の「窒化物系半導体素子の製造方法」と、少なくとも、「その後、前記第１半導体層の裏面上に、ｎ側電極を形成する第４工程」を備えている点で一致する。
（カ）上記（ア）〜（オ）からみて、本件特許発明１と甲２発明とは、
 「ｎ型の窒化物系半導体基板からなる第１半導体層の上面上に、活性層を含む窒化物半導体層からなる第２半導体層を形成する第１工程と、
　前記第１半導体層の裏面を研磨することにより厚み加工する第２工程と、　前記第１工程及び前記第２工程の後、前記研磨された前記第１半導体層の裏面近傍の所定の領域を除去する第３工程と、
　その後、前記裏面近傍の領域が除去された第１半導体層の裏面上に、ｎ側電極を形成する第４工程とを備えた、
　窒化物系半導体素子の製造方法。」の点において一致し、次の点において一応相違する。
　
相違点１：
　前記「第３工程」で「除去」される所定の「領域」が、本件特許発明１では、「研磨により発生した転位を含む第１半導体層の裏面近傍の領域」であるとともに、該「除去」により「前記第１半導体層の裏面の転位密度を１×１０９ｃｍ−２以下と」しているのに対し、甲２発明では、「多くの欠陥が生成されているダメージ層」であり、該ダメージ層除去後のＧａＮ基板の裏面の転位密度は不明である点。
　
相違点２：
　本件特許発明１では、「前記第１半導体層と前記ｎ側電極とのコンタクト抵抗」を「０．０５Ωｃｍ２以下とする」のに対し、甲２発明では、ＧａＮ基板の下部面上にｎ型電極が形成されたレーザ素子の電圧―電流特性は、エッチングの種類に関係なく５Ｖより低い電圧の印加で２０ｍＡの電流が得られるものであるものの、前記第１半導体層と前記ｎ側電極とのコンタクト抵抗の値は不明である点。
　
（キ）相違点についての判断
　ａ　相違点１について
（ａ）特許法第２９条の２の「当該特許出願の前の他の特許出願・・・であって当該特許出願後に・・・出願公開・・・がされたもの」（以下「他の出願」という。）の「願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面」（以下「当初明細書等」という。）に記載された発明とは、他の出願の当初明細書等に記載されている事項及び記載されているに等しい事項から把握される発明をいい、「記載されているに等しい事項」とは、記載されている事項から他の出願の出願時における技術常識を参酌することにより導き出せるものをいうこととされている（特許・実用新案審査基準第II部第３章２．３参照。）。
（ｂ）他の出願である甲２に係る出願の当初明細書の【００３８】には、「図９は機械的に研磨されたＧａＮ基板の下部面の表面状態を示す走査電子顕微鏡写真である。図９より、機械的研磨後には、ＧａＮ基板の下部面に、多くの欠陥が生成されているダメージ層が存在することが分かる」と記載されており、当該記載に接した当業者は、図９の下部面近傍に写っており、図１０の下面部近傍には写っていない多数の線状の黒い模様が機械的研磨により生成された「多くの欠陥」であると認識するであろう。
　請求人は、甲３、甲７、甲１２、甲１５、甲１６等により、甲２の図９、図１０は走査電子顕微鏡写真ではなく、透過電子顕微鏡写真である（したがって、甲２の【００３８】、【００３９】の「走査電子顕微鏡写真」との記載は誤記である）ことを主張・立証しようとしており、これらが透過電子顕微鏡写真である可能性はある。しかしながら、請求人が提示する証拠の中に、他の出願の優先日以前に、走査電子顕微鏡写真又は透過電子顕微鏡写真で写った機械研磨面近傍の線状の黒い模様を「転位」と呼称しているものはない。甲３の３は、甲２と同様、機械的研磨によって誘発された「ダメージ層」と呼称している。また、「転位」と呼称するかどうかに関わらず、上記線状の黒い模様が、結晶中に存在する原子レベルの線状の格子欠陥が写ったものであることを示唆しているものもない。甲３の２は、本件特許でいう「転位」と従来から当業者が「ダメージ層」などと呼称している層とは同じものと考えるのが合理的である旨の意見を提示しているが、一般に、研磨（加工）による基板の変質については、表面から深化するに従い、非晶質層、多結晶質層、モザイク層、クラック層、ひずみ層、完全結晶層等に分類して認識されており（乙１６）、甲２又は甲３の３において、研磨による「多くの欠陥を有するダメージ層」が認識されたからといって、「結晶中に存在する原子レベルの線状の欠陥」である「転位」との関係が不明なだけでなく、「転位」を含んでいるのかも不明であるのだから、上記「ダメージ層」と本件特許発明にいう「転位」が同義であると認めることはできない（乙１２の３６頁末行〜３７頁１２行参照。）。また、甲１５は、他の出願の優先日より後に被請求人により作成されたものである。
　図９及び図１０が走査電子顕微鏡写真ではなく透過電子顕微鏡写真であるとしても、確かに、透過電子顕微鏡写真において、転位が線状の黒い模様として写ることは被請求人も認めていることであるが（甲１５）、他の出願の優先日以前に成立した証拠であって、透過電子顕微鏡写真に線状の黒い模様として写ったものが「転位」であること又は結晶中に存在する原子レベルの線状の格子欠陥が写ったものであることを記載又は示唆したものは提出されていないから、他の出願の優先日当時、機械的研磨により発生する「多くの欠陥」のうちの特に「転位」が透過電子顕微鏡写真では線状の黒い模様として写ることが技術常識であったとまではいえない。
（ｃ）仮に、他の出願の優先日当時、当業者にとって、機械的研磨により発生した転位が走査電子顕微鏡写真又は透過電子顕微鏡写真で線状の黒い模様として写ることが技術常識であったとしても、甲２の図９及び図１０の電子顕微鏡写真はスケールが不明である（スケールらしきものは写っているが、不鮮明であり、読みとることができない。）から、これらから転位密度を算出することはできない。
　したがって、甲２発明のダメージ層除去後のＧａＮ基板の裏面の転位密度は不明である。
（ｄ）上記（ａ）ないし（ｃ）より、相違点１に係る本件特許発明１の構成が甲２に記載されているに等しい事項であるということはできない。
　ｂ　相違点２について
　請求人が甲２発明におけるＧａＮ基板下部面のｎ型電極とのコンタクト抵抗を推定している甲４の１では、共振器長、チップ幅、ｐ電極幅について、甲４の２（本件審判の被請求人（三洋電機株式会社）を原告とし本件審判の請求人（日亜化学工業株式会社）を被告とする特許権侵害差止損害賠償等請求事件（東京地裁平成２３年（ワ）第２６６７６号）における甲１４）において請求人の販売製品から仮定した数値をそのまま用いて計算しているが、甲２発明において、コンタクト抵抗を推定するに当たっては、他の出願（甲２に係る出願）の優先日当時の技術水準を用いなければならず、他の出願の優先日当時に販売されていたことが明らかでない被請求人の製品（甲４の２の２頁８行〜１５行に、２０１１（平成２３）年６月１日時点で請求人ホームページに波長４０５ｎｍの半導体レーザダイオード製品として販売していることが掲載されていた旨が記載されている）の寸法をそのまま採用して計算することは正解とはいえない。
　また、甲８の１（平成１３年９月２１日公開）及び甲８の３（平成１３年１２月１４日公開）は、他の出願の優先日（平成１３年５月２６日）以降に公知となった刊行物であるから、これら刊行物に記載された半導体レーザの共振器長、チップ幅、ｐ電極幅が他の出願（甲２に係る出願）の優先日当時の技術水準を構成する刊行物であるとは認められない。
　そうすると、請求人が、甲２のＧａＮ基板下部面のｎ型電極とのコンタクト抵抗について、正しい推定を行っているか否かは不明であるから、請求人の主張するコンタクト抵抗の数値０．０００７７Ωｃｍ２が、甲２に記載されているに等しい事項であるということはできない。
　ｃ　上記ａ及びｂのとおり、本件特許発明１と甲２発明とは相違点１及び相違点２において相違するから、両者は同一であるとはいえない。
　
　イ　本件特許発明２〜１０について 
　本件特許発明１と甲２発明とが同一発明であるとはいえないのであるから、本件特許発明１の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を付加した本件特許発明２〜１０が、甲２発明と同一であるとはいえないことは当然である。 
　
　ウ　まとめ
　上記ア及びイのとおり、無効理由５は成り立たない。
　
（６）小括
　上記（１）ないし（５）のとおり、請求人の主張する無効理由１ないし無効理由５は、いずれも成り立たない。
　
第５　むすび 
　以上のとおりであるから、請求人の主張及び証拠方法によっては、本件特許発明１ないし本件特許発明１０についての特許を無効とすることはできない。 
　
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人が負担すべきものとする。 
　
 よって、結論のとおり審決する。