【事件の表示】
　特願２０１０−５１２４２６「ミスカット基板上に成長したプレーナ無極性ｍ平面ＩＩＩ族窒化物薄膜」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年１２月２４日国際公開、ＷＯ２００８／１５７５１０、平成２２年　９月　２日国内公表、特表２０１０−５２９９４３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　
　本願は、平成２０年　６月１６日（パリ条約による優先権主張外国庁受理：平成１９年　６月１５日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年　５月３１日付けの手続補正がされ、平成２４年１２月２１日付けで拒絶理由が通知され、これに対し、平成２５年　６月１０日付けの手続補正がされたが、同年　７月　４日付けで拒絶査定されたので、この査定を不服として同年１０月２４日に本件審判の請求がされるとともに同日付けの手続補正がされたものである。
　
２．本願発明の認定
　
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２５年１０月２４日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次の事項により特定されるとおりのものと認める。
　
「基板のミスカット上に直接的に成長させられた無極性ＩＩＩ族窒化物薄膜であって、
　該無極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の上部表面は、無極性平面であり、
　該ミスカットは、該基板の無極性平面に関して０．１５°以上かつ３０°未満のミスカット角で傾けられた該基板の表面であり、該ミスカット角は、該無極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の該上部表面におけるアンジュレーションを抑制するように制御され、
　該ミスカット角は、該上部表面上の該アンジュレーションのうちの１つ以上のアンジュレーションのステップ高さの最大が１０００マイクロメートルの長さにわたって６１ｎｍ以下であるような角度である、薄膜。」
　
３．原査定の理由
　
　原査定の理由の一つは、
「本願発明は、その優先権の基礎とされた先の出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開（特開２００８−２８５３６４号）がされた特許出願（特願２００７−１３２０３５号）の願書に最初に添付された明細書、特許請求の範囲又は図面（以下、まとめて「先願明細書」という。）に記載された発明と同一であり、しかも、本願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができない。」
というものである。
　
４．先願明細書の記載（抜粋）
　
【００１１】
　本発明に係るエピタキシャル基板は、ＧａＮ基板のｍ面若しくはａ面に対してオフ角を有する面である成長面上に、エピタキシャル層が積層されている。
【００１２】
　このエピタキシャル基板においては、成長面がオフ角を有するｍ面若しくはａ面であるＧａＮ基板に、ＩｎＧａＮ層が積層されている。これらのｍ面及びａ面は非極性面であるため、このエピタキシャル基板を用いて半導体発光素子を作製した場合には、ピエゾ電界の影響を回避して高い発光効率を実現することができる。そして、発明者らは、これらのｍ面若しくはａ面に対してオフ角を設けることで高品質のモフォロジーを実現できることを新たに見出した。その結果、このエピタキシャル基板を用いて作製される半導体発光素子のさらなる発光効率の向上を実現することが可能となる。
　
【００２２】
　ただし、ＧａＮインゴット２０からＧａＮ基板を切り出す際には、０度より大きい所定のオフ角が設けられるように切断して、ＧａＮ基板３０（３０Ａ，３０Ｂ）を作製する。ここで、ＧａＮ基板３０Ａは、ｍ面に対してオフ角（＞０度）を有する面を成長面とする基板であり、ＧａＮ基板３０Ｂは、ａ面に対してオフ角（＞０度）を有する面を成長面とする基板である。
　
【００２５】
　続いて、以上のようにして得られたＧａＮ基板３０の成長面３０ａにエピタキシャル層３２を積層して、図６に示すようなエピタキシャル基板４０を形成する。このエピタキシャル層３２は、ＡｌＧａＮで構成されており、公知の成膜装置（例えば、ＭＯＣＶＤ装置）を用いて積層される。
【００２６】
　さらに、図７に示すように、このエピタキシャル基板４０上に、ｎ−ＧａＮバッファ層４２、ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ−ＭＱＷ発光層４４、ｐ−ＡｌＧａＮ層４６及びｐ−ＧａＮ層４８を順次積層し、さらにｎ電極５０Ａ及びｐ電極５０Ｂを設けることで、本実施形態に係る半導体発光素子６０（ＬＥＤデバイス）の作製が完了する。この半導体発光素子６０は、ＩｎＧａＮを含む発光層４４を有するため、青色領域よりも波長の長い緑色領域の光を発する。
　
【００２８】
　以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
【００２９】
　まず、上述したＧａＮ基板３０Ａと同様又は同等のＧａＮ基板であって、下記表１のようにｍ面に対するオフ角が異なるＧａＮ基板（５ｍｍ×２０ｍｍ角）のサンプル１−１４を、上記実施形態と同様の手順により用意した。すなわち、サンプル１−１４のうち、サンプル１−７は傾斜方向が＜１１−２０＞方向となっており、サンプル８−１４は傾斜方向が＜０００１＞方向となっている。なお、ＧａＮ基板の面方位（オフ角）はＸ線回折法により確認し、オフ角の測定精度は±０．０１度である。
【００３０】
【表１】
【００３１】
　そして、ＭＯＣＶＤ装置を用いて、上記サンプル１−１４それぞれの成長面にエピタキシャル層を形成して、図７に示した積層構造を有するＬＥＤデバイスを作製した。そして、各サンプルについてその表面粗さ（測定領域は５０μｍ×５０μｍ）を原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を用いて測定したところ、その測定結果は下記表２に示すとおりであった。
【００３２】
【表２】
【００３３】
　この表２の測定結果から明らかなように、サンプル１及びサンプル８では、その表面粗さが大きく、１５ｎｍ以上となった。すなわち、オフ角が０度である成長面（ｍ面）にエピタキシャル層を成長させた場合には、表面の平坦性が悪くなることがわかった。これらのサンプル１及びサンプル８の表面を実際に観察したところ、図８（ａ）に示すようなうねり状モフォロジーが観察された。
【００３４】
　また、表２の測定結果から明らかなように、サンプル１，８以外ではその表面粗さが小さく、１５ｎｍ以下であった。
【００３５】
　特に、サンプル２−６及びサンプル９−１３のように、オフ角が０．０３〜１．０度の範囲内である成長面にエピタキシャル層を成長させた場合には、表面の平坦性が極めて良好となることがわかった。これらのサンプル２−６及びサンプル９−１３の表面を実際に観察したところ、極めて平坦なモフォロジー若しくは図８（ｂ）に示すような浅いステップ状モフォロジーが観察された。
【００３６】
　一方、サンプル７及びサンプル１４のように、オフ角が２度である成長面にエピタキシャル層を成長させた場合には、表面の平坦性は良好であるものの、これらのサンプル７及びサンプル１４の表面を実際に観察したところ、図８（ｃ）に示すような深いステップ状モフォロジーが観察された。このステップ状モフォロジーは、ＧａＮ基板の成長面の凹凸（スクラッチ）に起因するものであると考えられる。
【００３７】
　すなわち、表２の測定結果から、オフ角が０度の場合からオフ角が増加するに従って表面の平坦性が改善され、オフ角が０．３度付近において最も良好な平坦性が得られることが明らかとなった。そして、オフ角が０．３度からさらに増加するに従って表面の平坦性が劣化（ステップの間隔減少、傾斜増大）する。オフ角が増大すると、半導体発光素子に要求されるレベルの平坦性を保てなくなるため、オフ角は１．０度以下が好適である。
　
【図６】　　　　　　　　　　　　　　【図７】
　
【図８】
　
５．引用発明の認定
　
　先願明細書には、ＧａＮ基板の非極性面に対してオフ角を有する面を成長面としてエピタキシャル層を積層すると高品質のモフォロジーを実現できること（段落００１１，００１２）について、オフ角を有する面とは、非極性面に対してオフ角を設けて切断した面であること（段落００２２）が記載されている。さらに、ＡｌＧａＮで構成されるエピタキシャル層を成長面に直接積層した例（段落００２５，００２６，図６，７）について、非極性面をｍ面、オフ角を＜０００１＞方向の０．３度に選択した場合に、表面粗さＲａが３ｎｍとなり、表面の平坦性が極めて良好になること（表１,表２「サンプル１１」，段落００３５）が記載されている。
　してみると、先願明細書には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「ＧａＮ基板の非極性面に対してオフ角を設けて切断した面上に直接成長させたＡｌＧａＮエピタキシャル層であって、
　該オフ角を設けて切断した面が、該ＧａＮ基板の非極性面であるｍ面に対して＜０００１＞方向に０．３度のオフ角を設けて切断された該ＧａＮ基板の表面であって、該オフ角は、エピタキシャル層の表面の平坦性が極めて良好になるように選択され、
　該オフ角が、該エピタキシャル層の表面の表面粗さＲａが３ｎｍであるような角度である、エピタキシャル層。」
　
６．対比・判断
　
（１）本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「ＧａＮ基板」「オフ角を設けて切断した面」「エピタキシャル層」「非極性面であるｍ面」「０．３度」「オフ角を設けて切断された」「表面の平坦性が極めて良好になるように選択され」は、それぞれ本願発明の「基板」「ミスカット」「薄膜」「無極性平面」「０．１５°以上かつ３０°未満」「ミスカット角で傾けられた」「上部表面のアンジュレーションを抑制するように制御され」に相当する。
　そして、先願明細書には、引用発明のエピタキシャル層を有する基板に、ＩｎＧａＮを積層して半導体発光素子を構成した場合に、ピエゾ電界の影響を回避できること（段落００１２）が記載されているから、引用発明のエピタキシャル層の表面も、基板の表面と同様に非極性面であると認められる。
　また、本願明細書には、本願発明の「ＩＩＩ族窒化物」に、「ＡｌＧａＮ」が含まれること（段落０００８）が記載されている。
　
（２）してみると、本願発明は、
「基板のミスカット上に直接的に成長させられた無極性ＩＩＩ族窒化物薄膜であって、
　該無極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の上部表面は、無極性平面であり、
　該ミスカットは、該基板の無極性平面に関して０．１５°以上かつ３０°未満のミスカット角で傾けられた該基板の表面であり、該ミスカット角は、該無極性ＩＩＩ族窒化物薄膜の該上部表面におけるアンジュレーションを抑制するように制御されている薄膜。」の点では、引用発明と一致し、
　本願発明のミスカット角が、「該上部表面上の該アンジュレーションのうちの１つ以上のアンジュレーションのステップ高さの最大が１０００マイクロメートルの長さにわたって６１ｎｍ以下であるような角度である」であるのに対し、引用発明のオフ角が、「該表面の表面粗さＲａが３ｎｍであるような角度である」点で一応相違する。
　
（３）そこで検討するに、先願明細書には、引用発明のエピタキシャル層の表面に、極めて平坦なモフォロジー若しくは浅いステップ状モフォロジーが観察された（段落００３５，図８（ｂ））と記載されている。
　してみると、引用発明のエピタキシャル層の表面上のアンジュレーションのステップ高さの最大が、その表面粗さの２０倍を越えるような深いものになっていることは考えられない。
　また、本願明細書には、本願発明の実施例において、「ステップ高さの最大が１０００マイクロメートルの長さにわたって６１ｎｍ」になるときのステップ高さの二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）が４７ｎｍになること（段落００３４，００３５，図３，４）が記載されている。
　してみると、算術平均（Ｒａ）と二乗平均の違いがあるとしても、本願発明の１０分の１以下の表面粗さである引用発明のステップ高さの最大値が、本願発明を越えていることは考えられない。
　したがって、上記相違点は実質的な差異ではない。
　
（４）なお、請求人は、審判請求書にて、表２で測定された表面粗さは、エピタキシャル層の上部表面のものではなく、積層構造を有するＬＥＤデバイス（段落００２６，００３１，図７）の上部表面で測定されたものであると主張している。
　しかしながら、先願明細書には、表２の表面粗さの測定結果で、半導体発光素子に要求されるレベルの平坦性であるか否かを評価すること（段落００３７）が記載されているから、当該表面粗さが、半導体発光素子の上部表面のものではなく、半導体発光素子を作製するために用いられるエピタキシャル基板（段落００１２，図６）の上部表面のものであることは明らかであり、上記主張は採用できない。
　
７．まとめ
　
　本願発明は、先願明細書に記載された引用発明と同一である。そして、本願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、またこの出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもない。
　
８．むすび
　
　したがって、本願発明は、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができないものであり、本願は、原査定の理由により拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。