【事件の表示】
　特願２０１１−１６６２１５「ＱＦＮ用金属積層板を用いたＱＦＮの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年１０月２０日出願公開、特開２０１１−２１１２４８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本願は、平成１８年１２月６日に出願した特願２００６−３２９４７８号の一部を平成２３年７月２９日に新たな出願としたものであって、手続の概要は以下のとおりである。
　
　上申書　　　　　　　　　　：平成２３年　７月２９日
　拒絶理由通知　　　　　　　：平成２５年　１月３１日（起案日）
　意見書　　　　　　　　　　：平成２５年　４月　１日
　手続補正　　　　　　　　　：平成２５年　４月　１日
　拒絶査定　　　　　　　　　：平成２６年　１月２０日（起案日）
　拒絶査定不服審判請求　　　：平成２６年　４月　３日
　手続補正　　　　　　　　　：平成２６年　４月　３日
　
第２　平成２６年４月３日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２６年４月３日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．本件補正
　
　平成２６年４月３日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲及び明細書についてするもので、請求項１については、本件補正前に、
「　【請求項１】
　ＱＦＮ用金属積層板を用いたＱＦＮの製造方法であって、
　上層としてニッケル層を形成した厚みが１８〜５０μｍの銅箔と支持体、あるいは、厚みが１８〜５０μｍの銅箔と上層としてニッケル層を形成した支持体とを、それぞれの対向する接合面を活性化処理した後に冷間圧延にて重ね合わせて、銅箔／ニッケル／支持体の３層からなるＱＦＮ用金属積層板を準備する工程、
　前記ＱＦＮ用金属積層板を用いて、前記銅箔上にレジスト配線パターンを形成する工程、
　前記銅箔をエッチングする工程、
　前記ニッケル層をエッチングする工程、
　レジストを除去して配線を形成する工程、
　配線用銅箔の表面にＩＣ基板を積層する工程、
　ＩＣ基板とＩＣ基板を積層していない配線用銅箔とを結線する工程、
　ＩＣ基板、結線、及び配線用銅箔を有機樹脂で埋める工程、
　支持体上にレジスト配線パターンを形成する工程、
　支持体をエッチングする工程、
　支持体上のレジストを除去してバンプを形成する工程を有し、
　前記活性化処理が、１０〜１×１０−３Ｐａの不活性ガス雰囲気中で、前記接合面が互いに対向するように、アース接地された一方の電極Ａとそれぞれ接触させ、絶縁支持された他の電極Ｂとの間に１〜５０ＭＨｚの交流を印加してグロー放電を行わせ、グロー放電によって生じたプラズマ中に露出される前記電極Ａと接触した前記接合面のそれぞれの面積が、前記電極Ｂの面積の１／３以下となるようにスパッタエッチング処理することを特徴とするＱＦＮの製造方法。」
とあったところを、
　
本件補正後、
「　【請求項１】
　ＱＦＮ用金属積層板を用いたＱＦＮの製造方法であって、
　上層として
０．５〜２μｍのニッケルめっき又は５〜２０μｍのニッケル箔からなる
０．５〜２μｍのニッケルめっき又は５〜２０μｍのニッケル箔からなる
　前記ＱＦＮ用金属積層板を用いて、前記銅箔上にレジスト配線パターンを形成する工程、
　前記銅箔をエッチングする工程、
　前記ニッケル層をエッチングする工程、
　レジストを除去して配線を形成する工程、
　配線用銅箔の表面にＩＣ基板を積層する工程、
　ＩＣ基板とＩＣ基板を積層していない配線用銅箔とを結線する工程、
　ＩＣ基板、結線、及び配線用銅箔を有機樹脂で埋める工程、
　支持体上にレジスト配線パターンを形成する工程、
　支持体をエッチングする工程、
　支持体上のレジストを除去してバンプを形成する工程を有し、
　前記活性化処理が、１０〜１×１０−３Ｐａの不活性ガス雰囲気中で、前記接合面が互いに対向するように、アース接地された一方の電極Ａとそれぞれ接触させ、絶縁支持された他の電極Ｂとの間に１〜５０ＭＨｚの交流を印加してグロー放電を行わせ、グロー放電によって生じたプラズマ中に露出される前記電極Ａと接触した前記接合面のそれぞれの面積が、前記電極Ｂの面積の１／３以下となるようにスパッタエッチング処理することを特徴とするＱＦＮの製造方法。」
とするものである。
　
　上記本件補正の内容は、請求項１について、発明特定事項である「ニッケル層」について「０．５〜２μｍのニッケルめっき又は５〜２０μｍのニッケル箔からなる」と限定したものである。
　本件補正は、発明特定事項を限定するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項に規定する要件を満たすか）否かについて、以下検討する。
　
２．引用例
　
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００１−２６７４６１号公報（平成１３年９月２８日公開、以下「引用例１」という。）には、図面と共に、以下の記載がある。（なお、下線は当審で付与した。）
　
（１）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は樹脂封止型半導体装置の製造方法に係り、特に
配線パターンの一面を封止樹脂の外部に露出させた樹脂封止型半導体装置の製造方法
　
（２）「【００１４】
【発明の実施の形態】本発明は、
エッチング可能な基材の表面全面に、基材とはエッチング液に対する耐蝕性の異なる材質からなる導電材層を形成する工程と、導電材層上に、導電材層とはエッチング液に対する耐蝕性が異なる材質からなる金属層を形成する工程と、金属層をエッチングして、複数の半導体装置単位がマトリクス状に配置されるように所定の配線パターンを形成する工程と、配線パターンの所定の領域に半導体チップを搭載し、配線パターンと電気的に接続する工程と、マトリクス状に形成された複数の半導体装置単位を一括して樹脂封止して樹脂封止ブロック体を形成する工程と、基材をエッチング除去する工程と、樹脂封止ブロック体を切断して個々の半導体装置単位に分離する工程とにより半導体装置を製造する
　
（３）「【００１６】金属材料を使用する場合は、基材及び金属層はＣｕ、Ｉｎｖａｒ、４２ＡｌｌｏｙなどのＦｅ−Ｎｉ合金、Ａｌの内いずれか１種又は２種からなるとともに、導電材層がＮｉ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ａｌから選択されたいずれか1種からなる組み合わせであることが好ましい。
好適な組み合わせとしては、基材／導電材層／金属層をそれぞれＣｕ／Ｎｉ／Ｃｕ
とすることが挙げられるが、特に導電材層をＮｉ
とした場合には、配線パターンに半田ボールを装着するときなどに、この導電材層がそのまま前処理層として機能するので望ましい。
　
（４）「【００１８】
【実施例】以下、本発明の半導体装置の製造方法について、図面を参照して説明する。なお、従来と同一の箇所については同一の符号を使用して説明する。図１は本発明の半導体装置の製造工程を示す断面図である。まず図１（ａ）に示すように、Ｃｕからなるシート状の基材１０の表面全面に、スパッタ法などによりＳｎからなる導電材層１１を形成する。そして、導電材層１１上の全面に、同じくスパッタ法などによりＣｕからなる金属層１２を形成する。なお、このような
異種金属積層材料は、めっき法やラミネート法などを用いて形成するようにしても良い。
　
（５）「【００１９】次に、図１（ｂ）に示すように、
金属層１２上に
レジストを塗布し、
エッチングを行い、金属層１２をパターニングして、所定の配線パターン１３を形成する。
【００２０】ところで、Ｓｎからなる導電材層１１はＦｅＣｌ３水溶液ではエッチングされないので、この段階では腐食されずに基材１０上に残存している。ここで本実施例においては、Ｓｎからなる
導電材層１１を
エッチングを行うことにより、
導電材層１１を配線パターン１３に対応した形状にパターニングする
【００２１】次に、図１（ｃ）に示すように、
配線パターン１３の
半導体チップ搭載部１４上に、
半導体チップ４を搭載し、半導体チップ４の電極５と配線パターン１３とをＡｕ、Ａｌ線などからなるボンディングワイヤ６によって電気的に接続する。
【００２２】それから図１（ｄ）及び図２に示すように、
基材１０の一面の少なくとも配線パターン１３、半導体チップ４及びボンディングワイヤ６を含む領域を、
エポキシ樹脂などの封止樹脂７にて樹脂封止する
　
（６）「【００２４】このようにして製造された半導体装置１ａは、図３に示すような構造である。なお図３（ａ）、（ｂ）はそれぞれ断面図、底面図である。これらに示されるように、封止樹脂７からは導電材層１１のみが露出する構造となる。なお、本実施例においては導電材層１１を配線パターン１３及び半導体チップ搭載部１４に対応する形状にパターニングし、かつ最終的に配線パターン１３及び半導体チップ搭載部１４と一体化したままであるが、この導電材層１１は樹脂封止工程後に全てエッチング除去してしまっても良いし、配線パターン１３、半導体チップ搭載部１４のいずれか一方のみを残して、他方を除去してしまっても良い。なお、その場合には図１（ｂ）で示した導電材層１１のパターニングは必要ない。ただし、図３（ａ）に点線で示すように、
配線パターン１３の裏面に半田ボールなどの外部接続端子１６を装着するような場合には、
導電材層１１が外部接続端子１６装着の際の前処理として機能することから、少なくとも配線パターン１３部には導電材層１１を残しておくのが好ましい。
　
　上記摘示事項及び図面の記載から以下のことがいえる。
　
（ａ）引用例１には、「配線パターンの一面を封止樹脂の外部に露出させた樹脂封止型半導体装置の製造方法」が記載されている（摘示事項（１））。
　
（ｂ）「配線パターンの一面を封止樹脂の外部に露出させた樹脂封止型半導体装置の製造方法」は、「エッチング可能な基材の表面全面に、基材とはエッチング液に対する耐蝕性の異なる材質からなる導電材層を形成する工程と、導電材層上に、導電材層とはエッチング液に対する耐蝕性が異なる材質からなる金属層を形成する工程と、金属層をエッチングして、複数の半導体装置単位がマトリクス状に配置されるように所定の配線パターンを形成する工程と、配線パターンの所定の領域に半導体チップを搭載し、配線パターンと電気的に接続する工程と、マトリクス状に形成された複数の半導体装置単位を一括して樹脂封止して樹脂封止ブロック体を形成する工程と、基材をエッチング除去する工程と、樹脂封止ブロック体を切断して個々の半導体装置単位に分離する工程とにより半導体装置を製造する」ものである（摘示事項（２））。
　
（ｃ）基材／導電材層／金属層をそれぞれＣｕ／Ｎｉ／Ｃｕとする（摘示事項（３））。
　
（ｄ）異種金属積層材料は、めっき法やラミネート法を用いて形成する（摘示事項（４））。
　
（ｅ）金属層１２上にレジストを塗布し、エッチングを行い、金属層１２をパターニングして、所定の配線パターン１３を形成する。導電材層１１をエッチングを行うことにより、導電材層１１を配線パターン１３に対応した形状にパターニングする。配線パターン１３の半導体チップ搭載部１４上に、半導体チップ４を搭載し、半導体チップ４の電極５と配線パターン１３とをボンディングワイヤ６によって電気的に接続する。基材１０の一面の少なくとも配線パターン１３、半導体チップ４及びボンディングワイヤ６を含む領域を、エポキシ樹脂などの封止樹脂７にて樹脂封止する（摘示事項（５））。
　
（ｆ）配線パターン１３の裏面に半田ボールなどの外部接続端子１６を装着する（摘示事項（３）、（６））。
　
　以上を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認める。
　
「配線パターンの一面を封止樹脂の外部に露出させた樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、
　エッチング可能な基材の表面全面に、基材とはエッチング液に対する耐蝕性の異なる材質からなる導電材層を形成する工程と、
　導電材層上に、導電材層とはエッチング液に対する耐蝕性が異なる材質からなる金属層を形成する工程と、
　金属層をエッチングして、複数の半導体装置単位がマトリクス状に配置されるように所定の配線パターンを形成する工程と、
　配線パターンの所定の領域に半導体チップを搭載し、配線パターンと電気的に接続する工程と、
　マトリクス状に形成された複数の半導体装置単位を一括して樹脂封止して樹脂封止ブロック体を形成する工程と、
　基材をエッチング除去する工程と、
　樹脂封止ブロック体を切断して個々の半導体装置単位に分離する工程とにより半導体装置を製造するものであり、
　基材／導電材層／金属層をそれぞれＣｕ／Ｎｉ／Ｃｕとし、
　異種金属積層材料は、めっき法やラミネート法を用いて形成し、
　金属層１２上にレジストを塗布し、エッチングを行い、金属層１２をパターニングして、所定の配線パターン１３を形成し、
　導電材層１１をエッチングを行うことにより、導電材層１１を配線パターン１３に対応した形状にパターニングし、
　配線パターン１３の半導体チップ搭載部１４上に、半導体チップ４を搭載し、
　半導体チップ４の電極５と配線パターン１３とをボンディングワイヤ６によって電気的に接続し、
　基材１０の一面の少なくとも配線パターン１３、半導体チップ４及びボンディングワイヤ６を含む領域を、エポキシ樹脂などの封止樹脂７にて樹脂封止し、
　配線パターン１３の裏面に半田ボールなどの外部接続端子１６を装着する製造方法。」
　
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された国際公開第００／１９５３３号（２０００年４月６日国際公開、以下「引用例２」という。）には、図面と共に、以下の記載がある。（なお、下線は当審で付与した。）
　
（７）「本発明は、このような課題を解決しようとするものであり、安価に製造することができかつ
良好な選択エッチング性を有するリードフレーム用クラッド板
　
（８）「まず、本発明の一実施の形態に係るリードフレームの構造について、図７を参照して説明する。図示するように、銅箔材又はアルミニウム箔材２０からなるアウターリード層１０（厚み１０〜１００μｍ）の片面にはニッケル箔材（厚み５〜１０μｍ）又はニッケルめっきからなるエッチングストップ層１１（厚み０．５〜３μｍ）が接合され、リードを形成している。さらに
インナーリード層の銅箔材２４
（厚み１０〜１００μｍ）
  次に、上記したリードフレームの製造方法について説明する。まず、
リードフレームを製造した際にアウターリード層１０となる銅箔材２０（厚み１０〜１００μｍ）の片面にエッチングストップ層１１となるニッケルめっき２１（厚み０．５〜３μｍ）を施してニッケルめっき銅箔材２２を製造する（図１参照）。
  
ニッケルめっき銅箔材２２を、図８に示すクラッド板製造装置における巻き戻しリール２３に巻き付ける。また、インナーリード層となる銅箔材２４を巻き戻しリール２５に巻き付ける。
  
巻き戻しリール２３、２５からニッケルめっき銅箔材２２と銅箔材２４を同時に巻き戻し、その一部をエッチングチャンバ２６内に突出した電極ロール２７、２８に巻き付け、エッチングチャンバ２６内において、スパッタエッチング処理して活性化する。
  
この際、活性化処理は、本出願人が先に特開平１−２２４１８４号公報で開示したように、（丸付き数字の１）１×１０
−１
〜１×１０
−４
Ｔｏｒｒの極低圧不活性ガス雰囲気中で、（丸付き数字の２）接合面を有するニッケルめっき銅箔材２２と銅箔材２４をそれぞれアース接地した一方の電極Ａとし、絶縁支持された他の電極Ｂとの間に１〜５０ＭＨｚの交流を印加してグロー放電を行わせ、（丸付き数字の３）かつ、前記グロー放電によって生じたプラズマ中に露出される電極の面積が、電極Ｂの面積の１／３以下で、（丸付き数字の４）スパッタエッチング処理することによって行う。その後、真空槽２９内に設けた圧延ユニット３０によって冷間圧接し、３層構造を有するリードフレーム用クラッド板３１を巻き取りロール３２に巻き取って製造する。
  
なお、上記においては、銅箔材に予めニッケルめっきをしたものを圧接する例を説明したが、ニッケルめっきに代えて上記設備を用いて銅箔材
にニッケル箔材を圧接したものを用いることもできる。
  この場合の製造法を述べる。まず、リードフレームを製造した際にアウターリード層１０となる銅箔材又はアルミニウム箔材２０（厚み１０〜１００μｍ）（図１参照）を、図８に示すクラッド板製造装置における巻き戻しリール２３に巻き付ける。また、
エッチングストップ層１１となるニッケル箔材２１（厚み５〜１０μｍ）
  巻き戻しリール２３、２５から銅箔材又はアルミニウム箔材２０とニッケル箔材２１を同時に巻き戻し、その一部をエッチングチャンバ２６内に突出した電極ロール２７、２８に巻き付け、エッチングチャンバ２６内において、スパッタエッチング処理して接合面を活性化する。その後、この活性化面どうしを接合面とし圧延ユニット３０によって冷間圧接し、２層構造を有する
ニッケル箔付き銅箔材
２２
  次に、この２層構造を有するニッケル箔付き鋼箔材又はアルミニウム箔材２２を再度巻き戻しリール２３に巻き付ける。また、インナーリード層となる銅箔材２４を巻戻しリール２５に巻き付ける。巻き戻しリール２３、２５からニッケル箔付き銅箔材又はアルミニウム箔材２２と銅箔材２４をそれぞれ巻き戻し、その一部をエッチングチャンバ２６内に突出した電極ロール２７、２８に巻き付け、エッチングチャンバ２６内において、スパッタエッチング処理し活性化する。
  この場合も、活性化処理は、同様に、（丸付き数字の１）１×１０−１〜１×１０−４Ｔｏｒｒの極低圧不活性ガス雰囲気中で、（丸付き数字の２）接合面を有する
ニッケル箔付き銅箔材
２２
　
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された特開２００６−２２２２５７号公報（平成１８年８月２４日公開、以下「引用例３」という。）には、図面と共に、以下の記載がある。（なお、下線は当審で付与した。）
　
（９）「【０００７】
  上述したように、従来のビルドアップ基板に外部接続端子として半田バンプを形成したパッケージ基板は、コア基板が必要不可欠なビルドアップ基板の厚さに起因して、ノイズ耐性の向上に有効な配線距離の短縮が難しいという問題を有している。さらに、
外部接続端子としての半田バンプに起因して、電極パッドと半田バンプとの接合界面から破断が生じやすいという問題や、バーンイン・テストの際に半田バンプが変形する危険性があるというような問題を有している。
【０００８】
  一方、従来の金属板をエッチングして金属バンプを形成したパッケージ基板は、金属板を取付ける回路基板に銅パターン層とプリプレグ層とを交互に積層して圧着した多層印刷回路基板、いわゆる多層銅張積層板を用いているため、上述したビルドアップ基板以上に厚さを削減することが難しく、ノイズ耐性を向上させるために配線距離の短縮を図ることは技術的に困難な構造である。さらに、多層印刷回路基板に金属板を熱圧着して取付けているため、これらの接合部の信頼性が低く、実用時に加わる熱応力等で金属パンプに剥がれ等が生じやすいという問題を有している。
【０００９】
  本発明はこのような課題に対処するためになされたもので、
外部接続端子自体の強度や接続信頼性等を高める
　
（１０）「【００２１】
  次に、図２（ｂ）に示すように、上述した第1層目のビルドアップ層２Ａ上に、第2層目および第3層目のビルドアップ層２Ｂ、２Ｃを順に積層形成する。これらビルドアップ層２Ｂ、２Ｃの形成工程は第1層目と同様であり、絶縁層の形成、ビアホールの形成、無電解メッキ処理、レジストの形成、電解メッキ処理、レジストの除去、無電解メッキ層の除去等の各工程を層数に応じて繰り返すことにより実施される。第3層目のビルドアップ層２Ｃは電極パッド１２を有し、かつその表面は絶縁層１３で保護されている。このようにして多層配線構造部３を形成した後、
金属板１０の下面側に外部接続端子４の形成パターンに応じてレジスト１４を形成する。
【００２２】
  上記したレジスト１４は、配線層７中のビア９と一体的に密着形成された部分が柱状の外部接続端子４となるように、金属板１０のその部分を覆うように形成される。この後、図２（ｃ）に示すように、
レジスト１４を用いて金属板１０を選択的にエッチング除去することによって、ビア９と一体的に密着された外部接続端子４をそれぞれ形成する。
　
３．対比
　
　そこで、本件補正発明と引用発明とを対比する。
　
（１）ＱＦＮの製造方法
　引用発明の「配線パターンの一面を封止樹脂の外部に露出させた樹脂封止型半導体装置」は、「ＱＦＮ」といえる。引用発明の「基材／導電材層／金属層」からなる積層板は、「配線パターンの一面を封止樹脂の外部に露出させた樹脂封止型半導体装置」の製造に用いられるから、「ＱＦＮ用金属積層板」といえる。
　したがって、本件補正発明と引用発明とは、「ＱＦＮ用金属積層板を用いたＱＦＮの製造方法」である点で一致する。
　
（２）ＱＦＮ用金属積層板を準備する工程
　引用発明の「基材」は、「支持体」といえる。基材の表面全体に形成される「導電材層」は、Ｎｉとされ、めっき法やラミネート法を用いて形成されるから、「ニッケルめっき又はニッケル箔からなるニッケル層」といえる。引用発明の「金属層」は、Ｃｕとされ、ラミネート法を用いて形成される場合、「銅箔」といえる。
　したがって、本件補正発明と引用発明とは、「銅箔と上層としてニッケルめっき又はニッケル箔からなるニッケル層を形成した支持体とを、重ね合わせて、銅箔／ニッケル／支持体の３層からなるＱＦＮ用金属積層板を準備する工程」を有する点で一致する。
　もっとも、本件補正発明は、銅箔の厚みが１８〜５０μｍであり、ニッケル層が０．５〜２μｍのニッケルめっき又は５〜２０μｍのニッケル箔からなるのに対し、引用発明は、銅箔、ニッケルめっき、ニッケル箔の厚みについて、そのような特定がない点、及び、本件補正発明は、対向する接合面を活性化処理した後に冷間圧延にて重ね合わせるのに対し、引用発明は、対向する接合面を活性化処理した後に冷間圧延にて重ね合わせる旨の特定がない点で相違する。
　
（３）銅箔上にレジスト配線パターンを形成する工程、銅箔をエッチングする工程、ニッケル層をエッチングする工程
　引用発明は、金属層１２上にレジストを塗布し、エッチングを行い、金属層１２をパターニングして、所定の配線パターン１３を形成し、導電材層１１をエッチングを行うことにより、導電材層１１を配線パターン１３に対応した形状にパターニングするものである。
　したがって、本件補正発明と引用発明とは、「前記ＱＦＮ用金属積層板を用いて、前記銅箔上にレジスト配線パターンを形成する工程、前記銅箔をエッチングする工程、前記ニッケル層をエッチングする工程」を有する点で一致する。
　
（４）配線を形成する工程
　引用発明は、半導体チップ４の電極５と配線パターン１３とをボンディングワイヤ６によって電気的に接続するものであるから、配線パターン１３上のレジストを除去することは明らかである。
　したがって、本件補正発明と引用発明とは、「レジストを除去して配線を形成する工程」を有する点で一致する。
　
（５）ＩＣ基板を積層する工程、結線する工程
　引用発明は、配線パターン１３の半導体チップ搭載部１４上に、半導体チップ４を搭載し、半導体チップ４の電極５と配線パターン１３とをボンディングワイヤ６によって電気的に接続するものである。引用発明の「配線パターン」、「半導体チップ」は、それぞれ、「配線用銅箔」、「ＩＣ基板」といえる。
　したがって、本件補正発明と引用発明とは、「配線用銅箔の表面にＩＣ基板を積層する工程、ＩＣ基板とＩＣ基板を積層していない配線用銅箔とを結線する工程」を有する点で一致する。
　
（６）有機樹脂で埋める工程
　引用発明は、基材１０の一面の少なくとも配線パターン１３、半導体チップ４及びボンディングワイヤ６を含む領域を、エポキシ樹脂などの封止樹脂７にて樹脂封止するものである。引用発明の「ボンディングワイヤ」は、「結線」といえる。引用発明の「エポキシ樹脂」は、「有機樹脂」に含まれる。
　したがって、本件補正発明と引用発明とは、「ＩＣ基板、結線、及び配線用銅箔を有機樹脂で埋める工程」を有する点で一致する。
　
（７）支持体上にレジスト配線パターンを形成する工程、支持体をエッチングする工程、バンプを形成する工程
　引用発明は、基材をエッチング除去し、配線パターン１３の裏面に半田ボールなどの外部接続端子１６を装着するものである。引用発明の「半田ボールなどの外部接続端子」は、「バンプ」といえる。
　したがって、本件補正発明と引用発明とは、「支持体をエッチングする工程、バンプを形成する工程」を有する点で一致する。
　もっとも、本件補正発明は、「支持体上にレジスト配線パターンを形成する工程」を有し、「支持体上のレジストを除去して」バンプを形成するのに対し、引用発明は、「配線パターン１３の裏面に半田ボールなどの外部接続端子１６を装着する」点で相違する。
　
（８）活性化処理
　本件補正発明の「活性化処理」が、「１０〜１×１０−３Ｐａの不活性ガス雰囲気中で、前記接合面が互いに対向するように、アース接地された一方の電極Ａとそれぞれ接触させ、絶縁支持された他の電極Ｂとの間に１〜５０ＭＨｚの交流を印加してグロー放電を行わせ、グロー放電によって生じたプラズマ中に露出される前記電極Ａと接触した前記接合面のそれぞれの面積が、前記電極Ｂの面積の１／３以下となるようにスパッタエッチング処理する」ものであるのに対し、引用発明は、「活性化処理」する旨の特定がない点で相違する。
　
　そうすると、本件補正発明と引用発明とは、次の点で一致する。
　
＜一致点＞
　
「ＱＦＮ用金属積層板を用いたＱＦＮの製造方法であって、
　銅箔と上層としてニッケルめっき又はニッケル箔からなるニッケル層を形成した支持体とを、重ね合わせて、銅箔／ニッケル／支持体の３層からなるＱＦＮ用金属積層板を準備する工程、
　前記ＱＦＮ用金属積層板を用いて、前記銅箔上にレジスト配線パターンを形成する工程、
　前記銅箔をエッチングする工程、
　前記ニッケル層をエッチングする工程、
　レジストを除去して配線を形成する工程、
　配線用銅箔の表面にＩＣ基板を積層する工程、
　ＩＣ基板とＩＣ基板を積層していない配線用銅箔とを結線する工程、
　ＩＣ基板、結線、及び配線用銅箔を有機樹脂で埋める工程、
　支持体をエッチングする工程、
　バンプを形成する工程を有するＱＦＮの製造方法。」の点。
　
　そして、次の点で相違する。
　
＜相違点＞
　
（１）本件補正発明は、銅箔の厚みが１８〜５０μｍであり、ニッケル層が０．５〜２μｍのニッケルめっき又は５〜２０μｍのニッケル箔からなるのに対し、引用発明は、銅箔、ニッケルめっき、ニッケル箔の厚みについて、そのような特定がない点。
　
（２）本件補正発明は、対向する接合面を活性化処理した後に冷間圧延にて重ね合わせるものであって、本件補正発明の「活性化処理」は、「１０〜１×１０−３Ｐａの不活性ガス雰囲気中で、前記接合面が互いに対向するように、アース接地された一方の電極Ａとそれぞれ接触させ、絶縁支持された他の電極Ｂとの間に１〜５０ＭＨｚの交流を印加してグロー放電を行わせ、グロー放電によって生じたプラズマ中に露出される前記電極Ａと接触した前記接合面のそれぞれの面積が、前記電極Ｂの面積の１／３以下となるようにスパッタエッチング処理する」ものであるのに対し、引用発明は、対向する接合面を活性化処理した後に冷間圧延にて重ね合わせる旨の特定がない点。
　
（３）本件補正発明は、「支持体上にレジスト配線パターンを形成する工程」を有し、「支持体上のレジストを除去して」バンプを形成するのに対し、引用発明は、「配線パターン１３の裏面に半田ボールなどの外部接続端子１６を装着する」点。
　
４．判断
　
　そこで、上記相違点について検討する。
　
相違点（１）、（２）について
　引用例２には、良好な選択エッチング性を得るために、ニッケルめっき銅箔材又はニッケル箔付き銅箔材２２と銅箔材２４とを活性化処理の後、冷間圧延し、３層構造を有するリードフレーム用クラッド板３１を製造することが記載されている。同引用例には、銅箔材２４の厚みについて１０〜１００μｍ、ニッケルめっき２１の厚みについて０．５〜３μｍ、ニッケル箔材２１の厚みについて５〜１０μｍとの記載があり、活性化処理について（丸付き数字の１）１×１０−１〜１×１０−４Ｔｏｒｒ（約１３．３〜１３．３×１０−３Ｐａ）の極低圧不活性ガス雰囲気中で、（丸付き数字の２）接合面を有するニッケルめっき銅箔材又はニッケル箔付き銅箔材２２と銅箔材２４をそれぞれアース接地した一方の電極Ａとし、絶縁支持された他の電極Ｂとの間に１〜５０ＭＨｚの交流を印加してグロー放電を行わせ、（丸付き数字の３）かつ、前記グロー放電によって生じたプラズマ中に露出される電極の面積が、電極Ｂの面積の１／３以下で、（丸付き数字の４）スパッタエッチング処理することによって行うとの記載がある。
　引用発明において、良好な選択エッチング性を得るために、ラミネート法の具体的な手法として引用例２に記載された上記手法を採用することは当業者が容易に想到し得る。その際、銅箔材２４の厚み、ニッケルめっき２１の厚み、低圧度について、本件補正発明の範囲のものとすることは、当業者が適宜為し得る。
　
相違点（３）について
　引用例３には、外部接続端子自体の強度や接続信頼性を高めるために、外部接続端子としての半田バンプに代えて、金属板１０の下面側に外部接続端子４の形成パターンに応じて形成したレジスト１４を用いて金属板１０を選択的にエッチング除去することによって、外部接続端子４を形成する手法を採用することが記載されている。
　引用発明において、外部接続端子自体の強度や接続信頼性を高めるために、外部接続端子としての半田ボールに代えて、上記手法を採用することは当業者が容易に想到し得る。その際、外部接続端子４上のレジスト１４を除去することは当然である。
　
　効果についてみても、上記構成の変更に伴って当然に予測される程度のことであって、格別顕著なものがあるとは認められない。
　
　したがって、本件補正発明は、引用例１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５．本件補正についてのむすび
　
　以上のとおり、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　
１．本願発明
　
　平成２６年４月３日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし８に係る発明は、平成２５年４月１日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし８に記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記「第２［理由］１．」に本件補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
２．引用例
　
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は、上記「第２［理由］２．」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　
　本願発明は、上記「第２［理由］３．及び４．」で検討した本件補正発明から、発明特定事項である「ニッケル層」について「０．５〜２μｍのニッケルめっき又は５〜２０μｍのニッケル箔からなる」との構成を削除したものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本件補正発明が、上記「第２［理由］３．及び４．」に記載したとおり、引用例１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１ないし３に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
　
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。