【事件の表示】
　特願２０１０−５３９４６５「基板を化学的機械的に研磨する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　７月　９日国際公開、ＷＯ２００９／０８５１６４、平成２３年　３月１０日国内公表、特表２０１１−５０８４２３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】手続の経緯
　本願は、平成２０年１２月１７日（優先権主張２００７（平成１９）年１２月１９日　米国）を国際出願日とする出願であって、平成２５年５月３０日付けで拒絶理由が通知され、これに対し、同年９月１９日付けで意見書及び手続補正書が提出され、平成２６年１月２９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月４日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に手続補正がなされたものである。
【２】平成２６年６月４日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２６年６月４日付けの手続補正を却下する。
［理由］
［１］補正後の本願発明
　平成２６年６月４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項１は、以下のように補正された。
「基板を化学的機械的に研磨する方法であって、
　（ｉ）下記の成分：
　　（ａ）液体キャリア、
　　（ｂ）該液体キャリア中に懸濁された、縮合重合シリカ粒子を含む砥材、
　　（ｃ）過酸化水素、
　　（ｄ）０．１ｍＭ〜３０ｍＭの塩化物または臭化物アニオンを提供するのに十分な量の、水素塩化物または水素臭化物、アルカリ金属塩化物または臭化物、アルカリ土類金属塩化物または臭化物、ＩＩＩＡ族の塩化物または臭化物、遷移金属塩化物または臭化物、
又はそれらの組み合わせ、並びに
　　（ｅ）ベンゾトリアゾール、
　を含む、１〜２．５のｐＨを有する化学機械研磨組成物と、タンタルからなる少なくとも一層及び銅からなる少なくとも一層を含む基板とを接触させること、
　（ｉｉ）該基板に対して該化学機械研磨組成物を動かすこと、並びに
　（ｉｉｉ）該基板の少なくとも一部を磨耗し
、かつ、その際、該タンタルの一部及び該銅の一部が磨耗され
　を含む方法。」（下線は補正箇所を示す。）
　上記補正は、本件補正前の請求項８に係る発明の「（ｉｉｉ）該基板の少なくとも一部を磨耗して該基板を研磨すること」について、「基板の少なくとも一部を磨耗」して基板を研磨する構成であったところ、「その際、該タンタルの一部及び該銅の一部が磨耗」して基板を研磨する構成を加えたものに限定するものであって、特許法第１７条の２第５項ただし書第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）否かについて、以下検討する。
［２］引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された、国際公開第２００７／１１１８５５号（以下「刊行物」という。）には、図面とともに、以下の事項が記載されている（括弧内には、当審訳として、刊行物のパテントファミリー文献（特表２００９−５３０８５３号公報）を参照したものを付記する。また、下線は当審で付与した。）。
（ア）
「14. A method of chemically-mechanically polishing a substrate, which method comprises:
　(i) contacting a substrate with a chemical-mechanical polishing system comprising:
　　(a) a polishing component selected from the group consisting of a polishing pad, an abrasive, and a combination thereof,
　　(b) a liquid carrier,
　　(c) an oxidizing agent that oxidizes at least part of a substrate wherein the oxidizing agent is present in an amount of 0.5 wt.% or less based on the weight of the liquid carrier and any components dissolved or suspended therein, and
　　(d) a halogen anion selected from the group consisting of chloride, bromide, and a combination thereof, wherein the liquid carrier with any components dissolved or suspended therein has a pH of 3 or less,
　(ii) moving the polishing component relative to the substrate, and
　(iii) abrading at least a portion of the substrate to polish the substrate.」（請求項１４）
（（ｉ）基材を
　　（ａ）研磨パッド、研磨剤及びそれらの組み合わせからなる群より選択される研磨構成材と、
　　（ｂ）液体キャリヤーと、
　　（ｃ）基材の少なくとも一部を酸化する酸化剤であって、前記液体キャリヤー及びそれに溶解又は懸濁した任意の成分の質量に基づいて０．５ｗｔ％以下の量で存在する酸化剤と、
　　（ｄ）塩化物、臭化物及びそれらの組み合わせからなる群より選択されるハロゲンアニオンと
　を含み、任意の成分が溶解又は懸濁した前記液体キャリヤーが３以下のｐＨを有する化学機械研磨系と接触させる工程、
　（ｉｉ）前記基材に対して前記研磨構成材を動かす工程、及び
　（ｉｉｉ）該基材の少なくとも一部を削って該基材を研磨する工程
を含む、基材を化学機械研磨する方法。（【請求項１４】））
（イ）
「[0004] 
The polishing of a substrate containing both tantalum and copper layers typically requires the addition of a traditional copper inhibitor, such as benezotriazole (BTA)
to the polishing slurry in order to limit the removal rate of the copper layer. The polishing of tantalum layers typically requires an oxidizing agent to achieve useful removal rates, such as a peroxide (e.g., hydrogen peroxide)
（
タンタル層及び銅層の両方を有する基材の研磨は、銅層の除去速度を制限するために、従来の銅害防止剤、例えば、ベネゾトリアゾール（ＢＴＡ）
を研磨用スラリーに添加することを典型的に必要とする。タンタル層の研磨は、有用な除去速度を達成するための酸化剤、例えば、過酸化物（例えば、過酸化水素）
を典型的に必要とする。
（ウ）
「[0007] The invention also provides a method of chemically-mechanically polishing a substrate. The method comprises (i) contacting a substrate with a chemical-mechanical polishing system comprising (a) 
a polishing component
a liquid carrier
an oxidizing agent
a halogen anion selected from the group consisting of chloride, bromide, and a combination thereof, wherein the liquid carrier with any components dissolved or suspended therein has a pH of 3 or less
moving the polishing component relative to the substrate
abrading at least a portion of the substrate to polish the substrate
（本発明はまた、基材を化学機械研磨する方法を提供する。本方法は、（ｉ）基材を（ａ）研磨パッド、研磨剤及びそれらの組み合わせからなる群より選択される
研磨構成材
液体キャリヤー
酸化剤
塩化物、臭化物及びそれらの組み合わせからなる群より選択されるハロゲンアニオン
任意の成分が溶解又は懸濁した前記液体キャリヤーが３以下のｐＨを有する化学機械研磨系と接触させる工程
前記基材に対して前記研磨構成材を動かす工程
該基材の少なくとも一部を削って該基材を研磨する工程
（エ）
「[0013] The substrate to be polished can be any suitable substrate. Suitable substrates include, but are not limited to, integrated circuits, memory or rigid disks, metals, interlayer dielectric (ILD) devices, semiconductors, micro-electro-mechanical components, ferroelectrics, and magnetic heads. 
The substrate can comprise a metal layer.
the metal layer can comprise copper, tantalum
More preferably, the substrate has at least one layer of tantalum and at least one layer of copper.
（研磨されるべき基材は任意の好適な基材であることができる。好適な基材としては、特に限定されないが、集積回路、メモリ又は硬質ディスク、金属、層間絶縁膜（ＩＬＤ）素子、半導体、微小電気機械コンポーネント、強誘電体、及び磁気ヘッドが挙げられる。
基材は金属層を含むことができる。
金属層は、銅、タンタル
を含むことができる。
より好ましくは、基材は少なくとも１つのタンタル層と少なくとも１つの銅層を有する。
（オ）
「[0017] The polishing component can comprise an abrasive, which can be fixed to the polishing pad as described above or can be suspended in the liquid carrier (e.g., water). The abrasive can be in any suitable form (e.g., abrasive particles). 
The abrasive typically is in particulate form and is suspended in the liquid carrier (e.g., water). 
Preferably, the abrasive is a metal oxide selected from
silica
（研磨構成材は、上記の研磨パッドに固定することができるか又は液体キャリヤー（例えば、水）中に懸濁することができる研磨剤を含むことができる。研磨剤は任意の好適な形態（例えば、研磨剤粒子）であることができる。
研磨剤は、典型的には粒子状の形態であり、液体キャリヤー（例えば、水）中に懸濁される。
好ましくは、研磨剤は、
シリカ
より選択される金属酸化物である。
（カ）
「[0019] The oxidizing agent can be any suitable oxidizing agent. Preferably, 
the oxidizing agent is selected from the group consisting of
hydrogen peroxide
（酸化剤は任意の好適な酸化剤であることができる。好ましくは、
酸化剤は、
過酸化水素
からなる群より選択される。
（キ）
「[0021] 
The halogen anion
Preferably, the source is selected from the group consisting of an acid chloride or bromide, an alkali metal chloride or bromide, a Group IIIA chloride or bromide
a transition metal chloride or bromide, and combinations thereof.
hydrogen chloride
calcium chloride, strontium chloride, barium chloride
hydrogen bromide
[0022] The halogen anion can have any suitable concentration in the polishing composition. Typically, 
the concentration of the halogen anion is from 0.5 mM to 50 mM in the polishing composition.
The concentration of the halogen anion in the polishing composition preferably is 0.1 mM or more
[0023] The liquid carrier with any components dissolved or suspended therein can have any suitable pH. The actual pH of the polishing composition will depend, in part, on the type of substrate being polished. 
The polishing composition has a pH of 3 or less (e.g., 2.2 or less, or 2 or less). Typically, the polishing composition has a pH of 1 or more (e.g., 1 to 3, 1 to 2.2, or 1 to 2).
（
ハロゲンアニオンは
好ましくは、供給源は、酸の塩化物又は臭化物、アルカリ金属の塩化物又は臭化物、第ＩＩＩＡ族の塩化物又は臭化物
遷移金属の塩化物又は臭化物
からなる群より選択される。
塩化水素
塩化カルシウム、塩化ストロンチウム、塩化バリウム
臭化水素
　ハロゲンアニオンは研磨用組成物中で任意の好適な濃度を有することができる。典型的には、
ハロゲンアニオンの濃度は研磨用組成物中で０．５ｍＭ〜５０ｍＭである。
　任意の成分が溶解又は懸濁した液体キャリヤーは、任意の好適なｐＨを有することができる。研磨用組成物の実際のｐＨは、研磨される基材のタイプに部分的に依存している。
研磨用組成物は３以下（例えば、２．２以下又は２以下）のｐＨを有する。典型的には、研磨用組成物は１以上（例えば、１〜３、１〜２．２又は１〜２）のｐＨを有する。
（ク）
「[0025] The polishing composition can comprise a corrosion inhibitor (i.e., a film-forming agent). The corrosion inhibitor can be any suitable corrosion inhibitor. Typically, the corrosion inhibitor is an organic compound containing a heteroatom-containing functional group. For example, the corrosion inhibitor can be a heterocyclic organic compound with at least one 5- or 6-member heterocyclic ring as the active functional group, wherein the heterocyclic ring contains at least one nitrogen atom, for example, an azole compound. Preferably, the corrosion inhibitor contains at least one azole group. More preferably, 
the corrosion inhibitor is selected from the group consisting of
benzotriazole
（研磨用組成物は腐食防止剤（即ち、膜形成剤）を含むことができる。腐食防止剤は任意の好適な腐食防止剤であることができる。典型的には、腐食防止剤はヘテロ原子含有官能基を有する有機化合物である。例えば、腐食防止剤は、活性官能基として少なくとも１つの５員又は６員の複素環を有する複素環式有機化合物であることができ、複素環は少なくとも１つの窒素原子、例えば、アゾール化合物を含む。好ましくは、腐食防止剤は少なくとも１つのアゾール基を含有する。より好ましくは、
腐食防止剤は、
ベンゾトリアゾール
からなる群より選択される。
（ケ）
「[0041] As previously discussed, 
the substrate preferably has at least one layer of tantalum and at least one layer of copper.
the presence of halogen anions, such as chloride or bromide, effectively reduced the rate of copper removal without substantially reducing the rate of tantalum removal, which allows polishing of the substrate to occur in a single, rather than a multi-step, process.
（先に記載したとおり、
基材は、好ましくは少なくとも１つのタンタル層と少なくとも１つの銅層を有する。
ハロゲンアニオン、例えば、塩化物又は臭化物の存在は、タンタルの除去速度を実質的に低下させることなく銅の除去速度を有効に低下させ、基材の研磨が複数の工程ではなく単一の工程で起こることを可能とする。
（コ）
「EXAMPLE 1
[0043] This example illustrates the effect on the removal rate of copper by the presence of chloride anions and other substrates in a polishing composition containing silica and an oxidizing agent.
[0044] Eight different polishing compositions were evaluated with respect to copper removal rate. Each composition comprised 
water
condensation-polymerized silica
KIO
３
 adjusted to a pH of 2.2
10 mM BTA, 20 mM BTA
KCl
（［例１］
　本例は、シリカ及び酸化剤を含有する研磨用組成物中に塩化物アニオン及び他の基質を存在させることよる銅の除去速度に関する効果を示す。
　８個の異なる研磨用組成物を銅の除去速度に関して評価した。各組成物は、
水
縮重合シリカ
ＫＩＯ
３
ｐＨ２．２に調整した
１０ｍＭのＢＴＡ、２０ｍＭのＢＴＡ
ＫＣｌ
（サ）
「EXAMPLE 2
[0048] This example illustrates 
the effect on the removal rates of copper and tantalum
[0049] Various polishing compositions were evaluated with respect to copper and tantalum removal rates. Each composition comprised 
water
condensation- polymerized silica
KIO
３
adjusted to a pH of 2.2
potassium chloride, potassium bromide
（［例２］
　本例は、シリカ及び酸化剤を含有する研磨用組成物中にハロゲンアニオンを存在させることよる
銅及びタンタルの除去速度に関する効果
　種々の研磨用組成物を銅及びタンタルの除去速度に関して評価した。各組成物は、
水
縮重合シリカ
ＫＩＯ
３
ｐＨ２．２に調整した
塩化カリウム、臭化カリウム
（シ）
「EXAMPLE 7
[0073] This example illustrates the effect on the rate of copper removal by the presence of chloride or bromide anions in a polishing composition comprising fumed silica and hydrogen peroxide.
[0074] Various compositions were evaluated with respect to copper removal rate. Each composition comprised 
water
fumed silica
H
２
O
２
BTA, potassium chloride, and potassium bromide
（［例７］
　本例は、ヒュームドシリカ及び過酸化水素を含む研磨用組成物中に塩化物又は臭化物アニオンを存在させることよる銅の除去速度に関する効果を示す。
　種々の組成物を銅の除去速度に関して評価した。各組成物は、
水
ヒュームドシリカ
Ｈ
２
Ｏ
２
ｐＨ２．２に調整した
ＢＴＡ、塩化カリウム及び臭化カリウム
（ス）
　上記記載事項（ア）及び（ウ）の記載を総合すると、刊行物には、少なくとも、
「基材を化学的機械的に研磨する方法であって、
　（ｉ）下記の成分：
　　（ａ）液体キャリヤー、
　　（ｂ）該液体キャリヤー中に懸濁された、研磨剤、
　　（ｃ）酸化剤、
　　（ｄ）塩化物、臭化物及びそれらの組み合わせからなる群より選択されるハロゲンアニオン
　を含む、３以下のｐＨを有する化学機械研磨構成材と、基材とを接触させること、
　（ｉｉ）該基材に対して該化学機械研磨構成材を動かすこと、並びに
　（ｉｉｉ）該基材の少なくとも一部を削って該基材を研磨すること、
　を含む方法。」
が記載されているものとみることができる。
（セ）
　上記記載事項（エ）及び（ケ）によれば、刊行物には、研磨されるべき「基材」として、「少なくとも１つのタンタル層と少なくとも１つの銅層を有する」ものが開示されており、基材の少なくとも一部を削るとき、その際に、該タンタル層の一部及び該銅層の一部が削られ、併せて該基材が研磨されることは自明であるといえる。
（ソ）
　上記記載事項（オ）、（コ）及び（サ）によれば、刊行物には、「研磨剤」を「シリカ」を含む群から選択し得ること及び実施例として「縮重合シリカ」を用いるものが開示されている。
（タ）
　上記記載事項（カ）及び（シ）によれば、刊行物には、「酸化剤」を「過酸化水素」を含む群から選択し得ること及び実施例として「過酸化水素」を用いるものが開示されている。
（チ）
　上記記載事項（キ）によれば、刊行物には、「ハロゲンアニオン」を「水素塩化物または水素臭化物、アルカリ金属塩化物または臭化物、アルカリ土類金属塩化物または臭化物、ＩＩＩＡ族の塩化物または臭化物、遷移金属塩化物または臭化物、又はそれらの組み合わせ」から選択し得ること及び「ハロゲンアニオン」の濃度が０．１ｍＭ〜５０ｍＭであることが開示されている。
（ツ）
　上記記載事項（イ）、（ク）、（コ）及び（シ）によれば、刊行物には、「腐食防止剤ないし銅害防止剤」を「ベネゾトリアゾール」を含む群から選択し得ること及び実施例として「ベネゾトリアゾール」を用いるものが記載されている。
　上記記載事項（ア）〜（シ）、上記認定事項（ス）〜（ツ）及び当業者の技術常識によれば、上記刊行物には、以下の発明が記載されていると認められる。
「基材を化学的機械的に研磨する方法であって、
　（ｉ）下記の成分：
　　（ａ）液体キャリヤー、
　　（ｂ）該液体キャリヤー中に懸濁された、縮重合シリカを含む群から選択し得る研磨剤を含む砥材、
　　（ｃ）過酸化水素を含む群から選択し得る酸化剤、
　　（ｄ）０．１ｍＭ〜５０ｍＭの塩化物または臭化物アニオンを提供するのに十分な量の、水素塩化物または水素臭化物、アルカリ金属塩化物または臭化物、アルカリ土類金属塩化物または臭化物、ＩＩＩＡ族の塩化物または臭化物、遷移金属塩化物または臭化物、
又はそれらの組み合わせ、並びに
　　（ｅ）ベネゾトリアゾールを含む群から選択し得る腐食防止剤ないし銅害防止剤、
　を含む、３以下のｐＨを有する化学機械研磨構成材と、少なくとも１つのタンタル層と少なくとも１つの銅層を有する基材）とを接触させること、
　（ｉｉ）該基材に対して該化学機械研磨構成材を動かすこと、並びに
　（ｉｉｉ）該基材の少なくとも一部を削られ、かつ、その際、該タンタル層の一部及び該銅層の一部が削られて該基材を研磨すること、
　を含む方法。」（以下「引用発明」という。）
［３］対比
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、その機能及び作用からみて、引用発明の「基材」、「液体キャリヤー」、「縮重合シリカ」、「ベネゾトリアゾール」、「化学機械研磨構成材」、「少なくとも１つのタンタル層と少なくとも１つの銅層を有する基材）」、「削られ」は、それぞれ、本願補正発明の「基板」、「液体キャリア」、「縮合重合シリカ」、「ベンゾトリアゾール」、「化学機械研磨組成物」、「タンタルからなる少なくとも一層及び銅からなる少なくとも一層を含む基板」、「磨耗し」に相当する。
　また、本願補正発明の「縮合重合シリカ粒子」と、引用発明の「縮重合シリカを含む群から選択し得る研磨剤」とは、「研磨剤」であることで共通する。
　さらに、本願補正発明の「過酸化水素」と、引用発明の「過酸化水素を含む群から選択し得る酸化剤」とは、「酸化剤」であることで共通する。
　また、本願補正発明の「ベンゾトリアゾール」と、引用発明の「ベネゾトリアゾールを含む群から選択し得る腐食防止剤ないし銅害防止剤」とは、「腐食防止剤ないし銅害防止剤」であることで共通する。
　さらに、ハロゲンアニオンの濃度について、引用発明の「０．１ｍＭ〜５０ｍＭ」は、本願補正発明の「０．１ｍＭ〜３０ｍＭ」を含んでいる。
　また、化学機械研磨組成物のｐＨについて、引用発明の「３以下」は、本願補正発明の「１〜２．５」を含んでいる。
　そうすると、両者は、
「基板を化学的機械的に研磨する方法であって、
　（ｉ）下記の成分：
　　（ａ）液体キャリア、
　　（ｂ）該液体キャリア中に懸濁された、研磨剤を含む砥材、
　　（ｃ）酸化剤、
　　（ｄ）０．１ｍＭ〜３０ｍＭの塩化物または臭化物アニオンを提供するのに十分な量の、水素塩化物または水素臭化物、アルカリ金属塩化物または臭化物、アルカリ土類金属塩化物または臭化物、ＩＩＩＡ族の塩化物または臭化物、遷移金属塩化物または臭化物、
又はそれらの組み合わせ、並びに
　　（ｅ）腐食防止剤ないし銅害防止剤、
　を含む、１〜２．５のｐＨを有する化学機械研磨組成物と、タンタルからなる少なくとも一層及び銅からなる少なくとも一層を含む基板とを接触させること、
　（ｉｉ）該基板に対して該化学機械研磨組成物を動かすこと、並びに
　（ｉｉｉ）該基板の少なくとも一部を磨耗し、かつ、その際、該タンタルの一部及び該銅の一部が磨耗されて該基板を研磨すること、
　を含む方法。」
の点で一致し、次の点で相違している。
〈相違点１〉
　「研磨剤」及び「酸化剤」について、本願補正発明では、それぞれ「縮合重合シリカ粒子」及び「過酸化水素」であるのに対し、引用発明では、それぞれ「縮重合シリカを含む群から選択し得る研磨剤」及び「過酸化水素を含む群から選択し得る酸化剤」である点。
〈相違点２〉
　「腐食防止剤ないし銅害防止剤」について、本願補正発明では、「ベンゾトリアゾール」であるのに対し、引用発明では、「ベネゾトリアゾールを含む群から選択し得る腐食防止剤ないし銅害防止剤」である点。
［４］判断
（１）相違点１について
　刊行物には、上記記載事項（コ）、（サ）及び（シ）などのように、「研磨剤」と「酸化剤」の組合せは、「縮重合シリカ」と「ヨウ素酸カリウム（ＫＩＯ３）」、「ヒュームドシリカ」と「過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）」などであって、「縮合重合シリカ粒子」及び「過酸化水素」の組合せは開示されていない。
　しかしながら、「研磨剤」として「縮合重合シリカ粒子」が従来周知であり、「酸化剤」として「過酸化水素」が従来周知であるところ、それ自体に格別の顕著性はない。また、「研磨剤」としての「シリカ」には、「縮合重合シリカ」、「沈殿シリカ」又は「ヒュームドシリカ」などがあり、これらの「シリカ」と「過酸化水素」との組合せが従来周知であること（必要であれば、特表２００６−５０２５７９号公報等参照）、また、「研磨剤」としての「コロイダルシリカ」と「過酸化水素」の組合せが従来周知であって（必要であれば、特開２００５−１３６１３４号公報、特開２００５−１３６２５５号公報等参照）、「コロイダルシリカ」が縮合重合法により製造されることが従来周知である（必要であれば、特開２００６−２４８８４５号公報（段落【０００２】）等参照）ことを考え合わせると、「研磨剤」として「縮合重合シリカ粒子」及び「酸化剤」として「過酸化水素」の組合せは、当業者ならば必要に応じて適宜なし得るものである。
　してみると、引用発明において、上記相違点１に係る構成を採用することは、従来周知の技術事項に基づいて適宜なし得るものであり、格別の困難性はない。
（２）相違点２について
　「腐食防止剤ないし銅害防止剤」として、「ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）」は従来周知である。また、銅等の除去速度を制御するものとして、「ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）」、「過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）」及び「シリカ」の組合せによるものは従来周知である（必要であれば、特開２００７−２５１１４１号公報（実施例１）等参照）。
　してみると、引用発明において、上記相違点２に係る構成、すなわち、「腐食防止剤ないし銅害防止剤」として特に「ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）」を選択し、「ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）」、「過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）」及び「シリカ」の組合せとすることは、従来周知の技術事項に基づいて適宜なし得るものであり、格別の顕著性はない。
（３）まとめ
　そうすると、引用発明において、従来周知の技術事項に基づいて、本願補正発明の上記相違点１〜２に係る構成とすることは当業者にとって容易に想到し得るものである。
　そして、本願補正発明により得られる作用効果も、引用発明及び従来周知の技術事項から当業者であれば予測し得る範囲のものであって格別のものとはいえない。
　したがって、本願補正発明は、引用発明及び従来周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
［５］むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記［補正の却下の決定の結論］のとおり、決定する。
【３】本願発明について
［１］本願発明
　平成２６年６月４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項８に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２５年９月１９日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項８に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
（本願発明）
「基板を化学的機械的に研磨する方法であって、
　（ｉ）下記の成分：
　　（ａ）液体キャリア、
　　（ｂ）該液体キャリア中に懸濁された、縮合重合シリカ粒子を含む砥材、
　　（ｃ）過酸化水素、
　　（ｄ）０．１ｍＭ〜３０ｍＭの塩化物または臭化物アニオンを提供するのに十分な量の、水素塩化物または水素臭化物、アルカリ金属塩化物または臭化物、アルカリ土類金属塩化物または臭化物、ＩＩＩＡ族の塩化物または臭化物、遷移金属塩化物または臭化物、
又はそれらの組み合わせ、並びに
　　（ｅ）ベンゾトリアゾール、
　を含む、１〜２．５のｐＨを有する化学機械研磨組成物と、タンタルからなる少なくとも一層及び銅からなる少なくとも一層を含む基板とを接触させること、
　（ｉｉ）該基板に対して該化学機械研磨組成物を動かすこと、並びに
　（ｉｉｉ）該基板の少なくとも一部を磨耗して該基板を研磨すること、
　を含む方法。」
［２］引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された上記刊行物の記載事項は、前記【２】［２］に記載したとおりである。
［３］対比・判断
　本願発明は、本願補正発明の「（ｉｉｉ）該基板の少なくとも一部を磨耗して該基板を研磨すること」について、「その際、該タンタルの一部及び該銅の一部が磨耗」して基板を研磨する構成を削除するものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項を全て含み、さらに構成要件を限定したものに相当する本願補正発明が、前記【２】［４］に記載したとおり、引用発明及び従来周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び従来周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
［４］むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び従来周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明を検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。