【事件の表示】
　特願２０１１−　　３３１２「部品内蔵配線板の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　４月　７日出願公開、特開２０１１−　７１５６０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１７年９月９日に出願した特願２００５−２６１８１３号（以下、「原出願」という。）の一部を平成２３年１月１１日に新たな特許出願としたものであって、平成２４年７月２４日付けの拒絶理由通知に対して、同年９月２８日に意見書が提出され、平成２５年３月１４日付けの拒絶理由通知に対して、同年５月１７日に意見書が提出されたが、同年１０月３０日付け（発送日：同年１１月５日）で拒絶査定がされ、これに対して、平成２６年１月３１日に拒絶査定不服審判の請求がされたものである。その後、当審において、平成２６年１０月１７日付けで拒絶理由を通知し、同年１２月１８日に意見書が提出されたものである。
　
第２　本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものである（以下、「本願発明」という。）。
　「【請求項１】
　配線パターンを少なくとも片面に備えた、エポキシ系樹脂の第１の絶縁板の前記配線パターン上であって電気／電子部品が実装されるべき位置に、すずを含む半田の粒とすずよりも高融点の金属の粒とがフラックス中に分散されたクリーム半田を適用する工程と、
　前記クリーム半田を介して前記配線パターン上に前記電気／電子部品を載置する工程と、
　前記クリーム半田を加熱しリフローさせて、前記電気／電子部品を前記配線パターンに固定するように、前記クリーム半田から、すずとすずよりも高融点の前記金属とからなる化合物により表面が覆われた前記金属の粒を含有する半田の接続部を形成する工程と、
　前記第１の絶縁板とは異なる、エポキシ系樹脂の第２の絶縁板中に、前記配線パターンに固定された前記電気／電子部品を埋め込むように、前記第１の絶縁板に積層状に前記第２の絶縁板を一体化する工程と
　を具備することを特徴とする部品内蔵配線板の製造方法。」
　
第３　刊行物に記載された事項 
１．当審の拒絶の理由に引用された、原出願の出願前に日本国内において頒布された特開２００３−１９７８４９号公報（以下、「刊行物１」という。）には、「部品内蔵モジュールとその製造方法」に関し、図面（特に、【図１】、【図２】参照）とともに、次の事項が記載されている。
　以下、下線は当審で付与するものである。
　
　ア．段落【００３０】
　「【００３０】電気絶縁層１０１は、例えば、絶縁性樹脂及びフィラと絶縁性樹脂の混合物等を用いることができる。電気絶縁層は、樹脂とフィラーを含み、フィラー含量が５０質量％以上９５質量％以下であることが好ましい。また、ガラスクロス等の補強材があってもよい。絶縁性樹脂としては、熱硬化性樹脂や、熱可塑樹脂、光硬化性樹脂等を用いることができ、耐熱性の高いエポキシ樹脂やフェノール樹脂、イソシアネート樹脂を用いることにより、電気絶縁層１０１の耐熱性をあげることができる。」
　
　イ．段落【００３４】、段落【００３５】
　「【００３４】半田１０５は、配線パターン１０２に電子部品１０４を実装するために用いる。高温半田を用いた場合、モジュールをリフローで実装する際の半田の再溶融を防止できる。また、鉛フリー半田を用いることで環境への負荷を軽減できる。本実施の形態では半田を用いたが、導電性接着剤等を用いてもよい。
【００３５】両面基板１０９としては、ガラス織物にエポキシ樹脂を含浸させた基板（ガラス−エポキシ基板）、アラミド繊維不織布にエポキシ樹脂を含浸させた基板（アラミド−エポキシ基板）、紙にフェノール樹脂を含浸させた基板（紙−フェノール基板）、セラミックス基板など任意の基板から目的に応じて選択し使用できる。」
　
　ウ．段落【００３７】〜段落【００４４】
　「【００３７】（実施の形態２）この実施形態２では、図１に示した部品内蔵モジュールの製造方法の一実施形態を説明する。実施形態２で用いられる材料は、実施形態１で説明したものである。図２Ａ−図２Ｄは部品内蔵モジュールの製造工程の一実施形態を示す断面図である。図２Ａに示すように、未硬化の電気絶縁層２０１にスルーホール２０７を形成する。電気絶縁層２０１としては、絶縁性樹脂やフィラと絶縁性樹脂との混合物等を用いることができる。最初にフィラと絶縁性樹脂を混合し、攪拌することによって、ペースト状の絶縁性樹脂混合物を作製する。絶縁性樹脂混合物には粘度を調整するために溶剤を添加しても良い。この絶縁性樹脂混合物をシート形状に成形することによって電気絶縁層２０１を形成できる。シート形状に成形する方法としては、例えば、ドクターブレード法等を用いることによって、フィルム上に作成することができる。電気絶縁層２０１は、硬化温度以下で乾燥させることによって、粘着性を低下させることができる。この熱処理によって、板状の電気絶縁層の粘着性が失われるため、フィルムとの剥離が容易になる。半硬化状態（Ｂステージ）にすることにより、取り扱いが容易となる。スルーホール２０７の形成は、たとえば、レーザー加工やドリル加工、パンチング加工によって作製することができる。レーザー加工は微細なピッチでビアを形成することができ、削りくずも発生しないため望ましい。レーザー加工の場合、炭酸ガスレーザーやＹＡＧレーザー、エキシマレーザー等を用いることができる。また、ドリル加工、パンチング加工の場合、汎用性のある既存の設備でのスルーホール形成が容易である。未硬化状態の電気絶縁層２０１を用いることで加工がしやすくなる。
【００３８】別にキャリア２０６上に配線パターン２０２を形成したものを準備する。配線パターン２０２は、エッチング、印刷といった方法を用いて形成することができる。特にエッチングでは、フォトリソ工法など微細な配線パターンの形成法を利用できる。キャリアとしては、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイト）の様な樹脂フィルムの他、銅箔、アルミ箔の様な金属箔等を用いることができる。キャリア２０６を用いることにより、配線パターン２０２の取り扱いが容易となる。また、配線パターン２０２とキャリア２０６の間に配線パターン２０２をはがしやすくするために剥離層があってもよい。
【００３９】配線パターン２０８，２１０とその間を接続するインナービア２０９を有する両面配線基板２１１上の配線パターン２０８に部品２０４を半田２０５による実装し、その後、実装検査および特性検査から選ばれる少なくとも一つの検査を完了しておく。配線パターン２１０の下側には保護フィルム２１２を被覆しておいても良い。
【００４０】次に、図２Ａで作成したスルーホール２０７に導電性ビアペーストを充填する。導電性ビアペーストは導電性粉末と樹脂の混合物、たとえば金、銀、銅、ニッケル等の金属粉やカ−ボン粉と熱硬化性樹脂や光硬化性樹脂の混合物を用いることができる。銅を用いた場合は導電性が高く、マイグレショーンも少ないため望ましい。また、粉末を銅でコートした導電性粉末を用いてもよい。樹脂としては、熱硬化性樹脂、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、イソシアネート樹脂、ポリフェニレンエーテル等を用いることができる。エポキシ樹脂は耐熱性が高く特に望ましい。また、光硬化性の樹脂も用いることができる。ビアペーストの充填には、印刷や注入による方法を用いることができる。特に印刷の場合、配線パターンの形成も行うことができる。ビア２０３を形成することで、配線パターン２０２と２０８間の接続が可能となる。また、電気絶縁層２０１に内蔵する電子部品２０４のスペースを形成しておいてもよい。スペースを形成することによってビア２０３が変形することを抑制できる。
【００４１】配線パターン２０８，２１０とその間を接続するインナービア２０９を有する両面配線基板２１１上の配線パターン２０８に電子部品２０４を実装する方法としては、半田２０５による半田実装（クリーム半田の印刷や半田ボール）の他、導電性接着剤、たとえば、金、銀、銅、銀−パラジウム合金などを熱硬化性樹脂で混練したものも使用できる。また、実装した電子部品２０４と両面配線基板２１１の間に、封止樹脂を注入してもよい。封止樹脂の注入によって、後の工程で電子部品２０４を電気絶縁層２０１に埋設する際に、隙間ができることを防止することができる。封止樹脂には通常のフリップチップボンディングに使用されるアンダーフィル樹脂を用いることができる。実装後、実装状態をチェックすることで、リペアや不良の原因解析を行うことができるようになる。
【００４２】導電性ビアペーストが充填されたビア２０３を有する電気絶縁層２０１を中央に配置し、上側にキャリヤーフィルム２０６上に形成した配線パターン２０２を配置し、下側には電子部品２０４を実装した両面基板２１１を配置し、これらを図２Ｂのように位置あわせして積層する。
【００４３】図２Ｂの積層後、図２Ｃに示すように、加圧することによって、電子部品２０４を電気絶縁層２０１に埋設する事ができる。絶縁性樹脂に熱硬化樹脂を用いた場合、加圧後、加熱することによって、電気絶縁層２０１中の熱硬化性樹脂を硬化させ、電子部品２０４が埋設された板状の電気絶縁層２０１が形成できる。加熱は、熱硬化性樹が硬化する温度以上の温度で行う。この工程によって、電気絶縁層２０１と電子部品２０４とが機械的に強固に接着する。なお、加熱によって熱硬化性樹脂を硬化させる際に、加熱しながら１００g/mm2〜２kg/mm2の圧力で加圧することによって、半導体装置の機械的強度を向上させることができる。また、シート形状の電気絶縁層を用いずに、粉末やペレット状に加工した後に、金型に溶融して流すこともできる。また、粉末のまま流し込んだ後に、溶融成形することもできる。絶縁性樹脂層を注入する方法としては、トランスファーモールドや射出成形を用いることができる。
【００４４】電気絶縁層２０１の硬化後、キャリア２０６を剥離し、電子部品２０４を内蔵した電気絶縁層２０１となり、実施形態１で説明したように、両面基板２１１を一体化した半導体装置が形成できる。」
　
　上記記載事項から次の事項が理解できる。
　
　エ．上記記載事項ウ、特に段落【００４１】から、配線パターン２０８，２１０を有する両面基板２１１の配線パターン２０８上であって電子部品２０４が実装されるべき位置に、半田２０５による半田実装（クリーム半田の印刷）が使用される。
　また、当該実装の前提として、前記クリーム半田を介して前記配線パターン２０８上に前記電子部品２０４が載置される。
　
　オ．上記記載事項イ、特に段落【００３５】から、両面基板としては、ガラス織物にエポキシ樹脂を含浸させた基板（ガラス−エポキシ基板）が使用される。
　
　カ．上記記載事項ウ、特に段落【００３９】、段落【００４１】の「クリーム半田」に照らせば、両面配線基板２１１上の配線パターン２０８上に電子部品２０４がクリーム半田２０５によって実装される前提として、当然、前記クリーム半田を加熱しリフローさせて、前記電子部品２０４を前記配線パターンに固定するように、前記クリーム半田から、半田の接続部が形成される。
　キ．上記記載事項ウ、特に段落【００４３】、段落【００４４】から、図２Ｂの積層後、図２Ｃに示すように、加圧することによって、電子部品２０４が電気絶縁層２０１に埋設され、電気絶縁層２０１の硬化後、キャリア２０６が剥離され、電子部品２０４を内蔵した電気絶縁層２０１となり、両面基板２１１が一体化される。
　
　これら記載事項、図示内容及び上記認定事項を総合して、本願発明に則って整理すると、刊行物１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「配線パターン２０８，２１０を備えた、ガラス織物にエポキシ樹脂を含浸させた両面基板２１１の前記配線パターン２０８上であって電子部品２０４が実装されるべき位置に、クリーム半田２０５を使用する工程と、
　前記クリーム半田２０５を介して前記配線パターン２０８上に前記電子部品２０４を載置する工程と、
　前記クリーム半田２０５を加熱しリフローさせて、前記電子部品２０４を前記配線パターン２０８に固定するように、前記クリーム半田２０５から、半田の接続部を形成する工程と、
　前記両面基板２１１とは異なる、電気絶縁層２０１の中に、前記配線パターン２０８に固定された電子部品２０４を埋め込むように、前記両面基板２１１に積層状に前記電気絶縁層２０１を一体化する工程と
　を具備する部品内蔵モジュールの製造方法。」
　
２．同じく引用された、原出願の出願前に日本国内において頒布された特開２００２−３１４２４１号公報（以下、「刊行物２」という。）には、「電子機器」に関し、図面（特に、【図１】、【図２】、【図４】、【図５】、【図６】及び【図９】参照）とともに、次の事項が記載されている。
　
　ク．段落【００１８】ないし段落【００２０】
　「【００１８】図２の例では、金属ボール６はCuを用いていて、はんだ７はSn、その化合物８はCu-Sn化合物により構成される。この図１に示した実装構造体１９の製造方法を、図４、図５を用いて説明する。第１工程において、中間基板２の電極４に、混合ペースト９を印刷によって供給し、第２工程において、半導体チップ１を搭載する。この時の混合ペースト９の供給の状態を拡大して図６に示したが、混合ペースト９は、Cuからなる金属ボール６と、Snからなるはんだボール１０とをフラックス成分１１を用いて、混合してある。第３工程でこれらをリフロー加熱し、接続部５を得る。これに第４工程において、封止樹脂１２によりチップ周囲を封止する。第５工程で、半導体チップ１が実装された面と反対側の中間基板２の電極１３にはんだボール１４を供給し、第６工程で、プリント配線基板１５の配線ランド１６に迎えはんだ１７を行い、第７工程で、これらをリフロー加熱を行い、はんだボール１４と迎えはんだ１７を接続１８し、実装構造体１９を得る。
【００１９】第３工程での加熱温度は、はんだボール１０のSnを溶融させる必要があり、はんだボール１０の大きさにもよるが、Snの融点232℃以上あれば良い。しかし、加熱後に接続部を更に高融点にするために、Snの融点に比べ十分高い温度、即ち最高温度280℃でリフローを行った。ペーストのフラックス成分１１は、Snが溶融し、Cuとのぬれが確保できることが必要であり、ＲＭＡ（Rosin mildly activated）、ＲＡ（Rosin activated）のどちらも可能であるが、今回はロジン系のＲＭＡタイプを用いて行った。雰囲気は、大気中でも良いが、よりCuとSn間のぬれ性を向上させるために、窒素等の不活性雰囲気を用いて行った。ＲＭＡタイプは、洗浄が難しい実装構造、例えば、非常に狭ピッチな構造、あるいは洗浄してもその洗浄残渣がかえって問題となりうる構造に適していて、この場合には、活性が弱いため、窒素等の不活性雰囲気下で接続を行う方が望ましい。ＲＡタイプは、洗浄が可能である構造の場合に好ましい。この場合には大気中でも接続が可能となる。また、接続後にアンダーフィルとして利用できるフラックスを使用しても良い。このアンダーフィルは半導体チップ１と中間基板２間を全て覆うことが接続部の寿命向上に望ましいが、図７の様に、電極の周囲のみが樹脂２０で覆われていても、接続端部の応力集中を緩和できるため、接続部の寿命向上に効果がある。
【００２０】このように図６に示した構成のものを加熱すると、はんだボール１０のSnが溶融して、金属ボール６のCuとの界面で金属間化合物を形成し、Cuの金属ボール６間が連結された。この時の接続部５の金属顕微鏡による観察結果を図８に示し、模式図を図９に示したが、界面には、CuとSnの化合物８の層が形成されている。また、溶融したSnは、半導体チップ１の電極３、中間基板２の電極４とも金属間化合物を形成するため、Cuによる金属ボール６と電極３、電極４がそれぞれ連結された。このようにして、半導体チップ１の電極３と中間基板２の電極４が連結される。従って、これらの化合物層形成により、250℃以上での高温でも強度を保つことができる。最終的には、図１中の接続部５は、はんだボール１０のSnがCu-Sn金属間化合物（Cu6Sn5、融点：約630℃）となって、接触部及びその近傍は高融点化する。たとえSnの一部が残っても、他の部分が溶融しなければ、後付けのはんだ接続時のプロセスに耐えられる強度を十分に確保できる。」
　
　上記記載事項ク及び【図９】から次の事項が理解できる。
　
　ケ．中間基板２の電極４に、混合ペースト９を印刷によって供給し、すなわち、クリーム半田を適用し、半導体チップ１を搭載してからリフロー加熱し、接続部５を得る。当該接続部５における銅ボール６とすずはんだ７の界面には、金属間化合物（Ｃｕ６Ｓｎ５、融点：約６３０℃）層が形成され、当該層が半導体チップ１と中間基板２の接続部を高融点化する。
　また、銅はすずよりも高融点の金属であり、クリーム半田を構成する粒がフラックス中に分散していることは自明であるから、半導体チップ１が実装されるべき位置に、すずを含む半田の粒とすずよりも高融点の銅の粒とがフラックス中に分散されたクリーム半田を適用し、前記クリーム半田を加熱しリフローさせて、前記半導体チップ１を電極４に固定するように、前記クリーム半田から、すずとすずよりも高融点の銅とからなる金属間化合物により表面が覆われた前記銅の粒を含有する半田の接続部が形成される（以下、「技術的事項」という。）。
　
第４　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　
１．引用発明の「配線パターン２０８，２１０を備えた」ことは、その機能、構造からみて、本願発明の「配線パターンを少なくとも片面に備えた」ことに相当する。同様に、「ガラス織物にエポキシ樹脂を含浸させた両面基板２１１」は「エポキシ系樹脂の第１の絶縁板」に、「前記配線パターン２０８上であって電子部品２０４が実装されるべき位置」は「前記配線パターン上であって電気／電子部品が実装されるべき位置」に、「前記クリーム半田２０５を介して前記配線パターン２０８上に前記電子部品２０４を載置する工程」は「前記クリーム半田を介して前記配線パターン上に前記電気／電子部品を載置する工程」に、「前記クリーム半田２０５を加熱しリフローさせて、前記電子部品２０４を前記配線パターン２０８に固定する」ことは「前記クリーム半田を加熱しリフローさせて、前記電気／電子部品を前記配線パターンに固定する」ことに、「前記両面基板２１１とは異なる、電気絶縁層２０１の中に、前記配線パターン２０８に固定された電子部品２０４を埋め込むように、前記両面基板２１１に積層状に前記電気絶縁層２０１を一体化する工程」は「前記第１の絶縁板とは異なる、エポキシ系樹脂の第２の絶縁板中に、前記配線パターンに固定された前記電気／電子部品を埋め込むように、前記第１の絶縁板に積層状に前記第２の絶縁板を一体化する工程」に、「部品内蔵モジュール」は「部品内蔵配線板」に、それぞれ相当する。
　
２．そして、引用発明の「クリーム半田２０５を使用する工程」及び「前記クリーム半田２０５から、半田の接続部を形成する工程」と本願発明の「すずを含む半田の粒とすずよりも高融点の金属の粒とがフラックス中に分散されたクリーム半田を適用する工程」及び「前記クリーム半田から、すずとすずよりも高融点の前記金属とからなる化合物により表面が覆われた前記金属の粒を含有する半田の接続部を形成する工程」とは、「クリーム半田を適用する工程」及び「半田の接続部を形成する工程」という限りで共通する。
　
　以上の点からみて、本願発明と引用発明とは、
　
　［一致点］
　「配線パターンを少なくとも片面に備えた、エポキシ系樹脂の第１の絶縁板の前記配線パターン上であって電気／電子部品が実装されるべき位置に、クリーム半田を適用する工程と、
　前記クリーム半田を介して前記配線パターン上に前記電気／電子部品を載置する工程と、
　前記クリーム半田を加熱しリフローさせて、前記電気／電子部品を前記配線パターンに固定するように、前記クリーム半田から、半田の接続部を形成する工程と、
　前記第１の絶縁板とは異なる、エポキシ系樹脂の第２の絶縁板中に、前記配線パターンに固定された前記電気／電子部品を埋め込むように、前記第１の絶縁板に積層状に前記第２の絶縁板を一体化する工程と
　を具備する部品内蔵配線板の製造方法。」  
　である点で一致し、
　
　次の点で相違する。
　［相違点］ 
　クリーム半田の成分及び半田の接続部の半田の成分について、本願発明では、「すずを含む半田の粒とすずよりも高融点の金属の粒とがフラックス中に分散されたクリーム半田」及び「すずとすずよりも高融点の前記金属とからなる化合物により表面が覆われた前記金属の粒を含有する半田の接続部を形成する工程」あるのに対して、引用発明では、電気／電子部品が実装されるべき位置に適用するクリーム半田の成分が不明であり、半田の接続部の半田の成分も不明である点。
　
第５　判断
　
１．上記相違点について検討する。 
　引用発明によって形成された半田の接続部は、二次実装に供された場合、当該半田の再溶融を防止できるものと解される（段落【００３４】参照）。
　また、刊行物２に記載された接続部も、リフロー加熱をすると、はんだボールのＳｎが溶融して、金属ボールのＣｕとの界面で金属間化合物（Ｃｕ６Ｓｎ５、融点：約６３０℃）層を形成し、当該層が半導体チップと中間基板の接続部を高融点化するから（段落【００２０】）、中間基板とプリント配線基板を接続する二次リフロー加熱をする際（【図４】の第７工程参照）、半導体チップと中間基板の接続部の半田の再溶融を防止できると解される。
　そうすると、引用発明と刊行物２に記載された技術的事項は、二次リフロー加熱をする際、半田の再溶融を防止できるという作用・機序において共通するから、引用発明に刊行物２に記載された技術的事項を適用することに動機付けがあるといえ、上記相違点の発明特定事項とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　なお、請求人は、平成２６年１２月１８日付けの意見書で「引用文献１に記載される技術は、その段落００３０にあるように、『耐熱性の高いエポキシ樹脂・・・』の使用を前提としていると見るのが相当であります。この前提の原因は、同文献段落００３４にあるように、半田の再溶融を防止するためには高温半田を使用することを要し、そして高温半田を使用するには、『耐熱性の高いエポキシ樹脂・・・』（段落００３０）が必要になるからであります。他方、引用文献２が開示する技術は、その発明の目的として段落０００６に『鉛を多く含む融点の高いはんだの代替材料・・・を提供』とあるように、今までいわゆる高温半田が使用されている場合にこの代わりとして用い得るはんだに過ぎません。このような半田は、『温度階層接続』（同文献要約、段落０００５を参照）で用いられるものであり、もっぱら半田の再溶融が起こらないようにすることに視点があり、本願明細書段落０００４で指摘するような絶縁板材料の耐熱性不足を考慮するものではありません。」を前提とした上で（第５頁第３４ないし４４行）、「請求項１の発明は、引用文献１、２の内容から得られると考えられる部品内蔵配線板の製造方法の場合と比較して、高コストの特殊なエポキシ樹脂を使用せずに済む、異質で大きな効果を有しております。この効果は、引用文献１、２の内容から導出することができません。」と主張する（第６頁第１ないし４行）。
　しかしながら、本願の請求項１には、単に「エポキシ系樹脂」と記載されるにとどまるから、上記主張は、請求項の記載に基づかない主張であり、失当である。
　のみならず、上記「引用文献１」、すなわち刊行物１には、「絶縁性樹脂としては、熱硬化性樹脂や、熱可塑樹脂、光硬化性樹脂等を用いることができ、耐熱性の高いエポキシ樹脂やフェノール樹脂、イソシアネート樹脂を用いることにより、電気絶縁層１０１の耐熱性をあげることができる。」と記載され（段落【００３０】）、「耐熱性の高い」エポキシ樹脂は、一例示として上げられているに過ぎず、これに何ら限定されるものではなく、また、「半田１０５は、配線パターン１０２に電子部品１０４を実装するために用いる。高温半田を用いた場合、モジュールをリフローで実装する際の半田の再溶融を防止できる。」と記載され（段落【００３４】）、高温半田を用いた「場合」のことを説明しているに過ぎず、これに何ら限定されるものではないから、請求人の主張は、上記前提においても誤りである。
　さらに、上記「引用文献２」、すなわち刊行物２には、「本実施例による接続方法では、従来の高鉛はんだより接続温度を低温化できるため、半導体チップ１、中間基板２への熱のダメージを低減することができる。・・・また、中間基板２は、一般的にはガラスエポキシ等の有機基板を用いる」と記載され（段落【００３１】）、絶縁板材料の耐熱性不足を考慮するものであるから、請求人の主張は、上記前提においても誤りである。
　したがって、請求人の上記主張は採用できない。
　
２．作用効果について　
　そして、本願発明による効果も、引用発明及び刊行物２記載の技術事項から当業者が予測し得た程度のものである。
　
３．まとめ
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び刊行物２記載の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第６　むすび
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、他の請求項に係る発明を検討するまでもなく、本願は、拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。