【事件の表示】
　平成４年特許願第３３３３０４号「不揮発性半導体記憶装置のデータ書込み方法」拒絶査定に対する審判事件［平成６年６月２８日出願公開、特開平６−１８０９９５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯等
　本願は、平成４年１２月１４日の出願であって、平成１４年８月１６日付の手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、「不揮発性半導体メモリのデータ書込み方法」に関するものと認める。
　
２．当審の拒絶理由
　一方、当審において平成１４年６月１２日付で通知した２つの拒絶の理由のうち、理由１の概要は、次のとおりである。
　「１．本件出願は、明細書及び図面の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第４〜６項に規定する要件を満たしていない。
　　　　　　　　　　　　　　　　　記
　本願明細書の特許請求の範囲の請求項１に、「メモリセルに記憶されるデータが電気的に１万回以上書換えられる不揮発性半導体記憶装置」と記載されているが、該記載中の「１万回以上書換えられる」は、本願発明の不揮発性半導体記憶装置の奏すべき機能を述べているにすぎないと認められる。
（１）請求人は、本願明細書及び審判請求書において、「１万回以上書換えられる不揮発性半導体記憶装置」が慣用手段であるとは説明しておらず、むしろ、慣用手段ではないことを主張している。　
　「１万回以上書換えられる不揮発性半導体記憶装置」が慣用手段でないとすると、上記「１万回以上書換えられる」の記載から、本願発明の「１万回以上書換えられる不揮発性半導体記憶装置」の構成を特定することはできない。
（２）請求項１には、「ドレイン及び前記コントロールゲートにそれぞれ所定の電圧を印加することにより…１万回以上書換えられる」と記載されており、該「所定の電圧」がどのような電圧なのか文言上不明であるが、本願発明は「ドレインに印加される電圧Ｖｄの３／２乗を前記コントロールゲートに印加される電圧Ｖｇで割った値Ｖｄ３／２／Ｖｇが１．３７以上になるようにしてデータの書込みを行う」（以下、この書込み条件を「本願発明の書込み条件」という。）のであるから、上記「所定の電圧」は「本願発明の書込み条件」の各電圧を意味しており、「本願発明の書込み条件」で書込みを行うことにより「１万回以上書換えられる」と記載しているとも解釈できる。
　しかしながら、不揮発性半導体記憶装置において、書換え可能回数は、書込み時のメモリセルのドレイン及びコントロールゲートへの印加電圧のみならず、ゲート絶縁膜の電荷をトラップしてしまう特性に影響を与えるメモリセルの構造や、書込み時間幅、さらには、センスアンプの特性等にも依存すると認められ、どのようなフローテイングゲート型メモリセルを用いた不揮発性半導体記憶装置においても、「本願発明の書込み条件」で書込みを行うだけで「１万回以上書換えられる」ようになるとは認められない。
　以上（１）、（２）のとおりであり、請求項１の記載において、「１万回以上書換えられる」ための構成が不明瞭である。
（３）上述のように、どのようなフローテイングゲート型メモリセルを用いた不揮発性半導体記憶装置においても、「本願発明の書込み条件」で書込みを行うだけで「１万回以上書換えられる」ようになるとは認められず、他の条件にも依存すると認められる。
　しかしながら、本願明細書の発明の詳細な説明は、「１万回以上書換えられる」ために、ドレイン及びコントロールゲートへの印加電圧については記載しているが、その時の他の条件をどのように設定するのかについては十分に開示しておらず、請求項１、２に係る発明を容易に実施できる程度に十分に記載していない。」
　
３．請求人の主張
　これに対して、審判請求人は、平成１４年８月１６日付の意見書で、「請求項１の記載の「１万回以上書換えられる」の構成を明瞭にするために、この意見書と同日付け提出の手続補正書により、「請求項１」の記載を補正すると共に、これに対応する「発明の詳細な説明」の記載も補正しました。これにより、指摘の不備は解消したものと思料致します。」と主張し、「従って、本件出願の明細書には不備はない」旨主張している。
　そして、同日付の手続補正書により、特許請求の範囲の請求項１の「電気的に１万回以上書換えられる」を「電気的に書換えられる」に補正し、「ようにしてデータの書込みを行う」を「条件でデータの書込みを繰り返して行い、１万回書込みを行った際の前記トランジスタのデータ書込み閾値電圧とデータ消去閾値電圧との差は、１万回より多くの書込みを行った際の前記データ書込み閾値電圧と前記データ消去閾値電圧との差より大きい」に補正すると共に、発明の詳細な説明の記載も補正しており、補正後の発明の詳細な説明において、実施例の効果について「従来のデータ書込み方法では、書換え回数が増えるとウィンドウＷが狭まっていき、その回数が１万回（１０の４乗回）に達するとウィンドウＷが最小になる、即ち、１万回以上の書込を行うとフラッシュメモリの最重要特性の一つである書換え耐性が急激に低下していく。これに対し、本実施例では、上述の通りの条件で繰り返しデータ書込みを行うことにより、１万回のデータ書込みを繰り返しても、データ書込み閾値電圧とデータ消去閾値電圧との差であるウィンドウＷは最小にならず、データの書換えを１万回以上行うようなフラッシュメモリの最重要特性の一つである書換え耐性の飛躍的な向上が期待できる。」（段落００１８）と記載し、発明の効果について「以上詳細に説明したように、第１及び第２の発明によれば、ドレイン電圧Ｖｄとコントロールゲート電圧ＶｇとがＶｄの３／２乗／Ｖg≧１．３７なる条件で、繰り返しデータ書込みを行うようにしたので、１万回のデータ書込みを繰り返しても、データ書込み閾値電圧とデータ消去閾値電圧との差であるウィンドウは最小にならず、データの書換えを１万回以上行うような不揮発性半導体記憶装置の最重要特性の一つである書換え耐性の飛躍的な向上が期待できる。」（段落００１９）と記載している。
　
４．当審の判断
　補正された請求項１の「１万回書込みを行った際の前記トランジスタのデータ書込み閾値電圧とデータ消去閾値電圧との差は、１万回より多くの書込みを行った際の前記データ書込み閾値電圧と前記データ消去閾値電圧との差より大き」くなる（以下、この現象を「本願発明の現象」という。）ことについて、本願明細書の発明の詳細な説明は、「以上詳細に説明したように、第１及び第２の発明によれば、ドレイン電圧Ｖｄとコントロールゲート電圧ＶｇとがＶｄの３／２乗／Ｖg≧１．３７なる条件で、繰り返しデータ書込みを行うようにしたので、１万回のデータ書込みを繰り返しても、データ書込み閾値電圧とデータ消去閾値電圧との差であるウィンドウは最小にならず、データの書換えを１万回以上行うような不揮発性半導体記憶装置の最重要特性の一つである書換え耐性の飛躍的な向上が期待できる。」（段落００１９）（以下、この書込み条件を「本願発明の書込み条件」という。）と記載し、書込み時のメモリセルのソース、ドレイン、基板及びコントロールゲートへの印加電圧や書込み時間幅を例示している。
　一般に、不揮発性半導体記憶装置において、書換え特性は、書込み時のメモリセルのソース、ドレイン、基板及びコントロールゲートへの印加電圧や書込み時間幅のみならず、ゲート絶縁膜の電荷をトラップしてしまう特性に影響を与えるメモリセルの構造にも依存すると認められる。
　しかしながら、本願明細書の発明の詳細な説明は、上記のとおり、「本願発明の条件」で書込みを行うと「本願発明の現象」が得られる旨記載しており、本願発明のデータ書込み方法に使用するゲート絶縁膜の電荷をトラップしてしまう特性に影響を与えるメモリセルの構造については記載しておらず、「本願発明の現象」と該メモリセルの構造との関係についても記載していない。
　使用するゲート絶縁膜の電荷をトラップしてしまう特性に影響を与えるメモリセルの構造を特定せずに、どうして、「本願発明の条件」で書込みを行うと「本願発明の現象」が得られるのか依然として不明である。
　なお、平成１４年９月２７日付の審尋に対する審判請求人の平成１４年１２月２日付の回答書を参照しても、上記不明点は解消しない。
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、特許法第３６条第４項に規定する要件を満たしていない。
　よって、結論のとおり審決する。