(57)【要約】【課題】  製造効率が良好で、画素電極の信頼性が良好で長寿命であるＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルを提供すること。【解決手段】  本発明のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０は、マトリクス状に配置された信号線１３及び走査線１２により区画されるそれぞれの位置に設けられた透過部１６と反射部１５との間にスリット３３を有する画素電極１９と、反射部１５の画素電極１９ａの下部に設けられた反射板１８とを備えた第１基板と、  少なくとも透過部１６に対応する位置に設けられた配向規制手段３１を備えるとともに、表面に共通電極が形成された第２基板と、  第１基板及び第２基板上に積層された垂直配向膜と、  両基板間に配置された誘電率異方性が負の液晶層と、を有し、  反射板１８は、スリット３３により形成された画素電極１９の幅が狭くなっている部分３４とは接しないように設けられている。【選択図】  図１
2007086575.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された信号線及び走査線により区画されるそれぞれの位置に設けられた透過部と反射部との間にスリットを有する画素電極と、前記反射部の画素電極の下部に設けられた反射板とを備えた第１基板と、
少なくとも前記透過部に対応する位置に設けられた配向規制手段を備えるとともに、表面に共通電極が形成された第２基板と、
前記第１基板及び第２基板上に積層された垂直配向膜と、
前記両基板間に配置された誘電率異方性が負の液晶層と、
を有する半透過型液晶表示パネルにおいて、
前記反射板は、前記スリットにより形成された画素電極の幅が狭くなっている部分とは接しないように設けられていることを特徴とする半透過型液晶表示パネル。
【請求項２】
前記反射板は、前記画素電極の幅が狭くなっている部分の近傍に切り欠きが設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示パネル。
【請求項３】
前記画素電極及び反射板は前記第１基板の表示領域全体にわたって設けられた層間絶縁膜上に設けられているとともに、前記第２基板の反射部に対応する位置にはトップコート層が設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半透過型液晶表示パネル。
【請求項４】
前記配向規制手段は、前記透過部及び反射部の垂直配向膜の下部に設けられた突起からなることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半透過型液晶表示パネル。
【請求項５】
前記配向規制手段は、前記透過部及び反射部の共通電極に設けられたスリットからなることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の半透過型液晶表示パネル。
【請求項６】
前記透過部の画素電極はスリットにより複数個に区画されていることを特徴とする請求項４又は５に記載の半透過型液晶表示パネル。
【請求項７】
前記透過部の画素電極は、平面視において前記信号線とは重複しておらず、前記走査線に沿って重複していることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の半透過型液晶表示パネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半透過型液晶表示パネルに関し、特に製造効率が良好で、画素電極の信頼性が良好で長寿命であるＭＶＡ(Multi-domain Vertically Aligned)方式の半透過型液晶表示パネルに関する。
【０００２】
近年、情報通信機器のみならず一般の電気機器においても液晶表示装置の適用が急速に普及している。液晶表示装置は、自ら発光しないために、バックライトを備えた透過型の液晶表示装置が多く使用されている。しかしながら、バックライトの消費電力が大きいために、特に携帯型のものについては消費電力を減少させるためにバックライトを必要としない反射型の液晶表示装置が用いられているが、この反射型液晶表示装置は、外光を光源として用いるために、暗い室内などでは見え難くなってしまう。そこで、近年に至り特に透過型と反射型の性質を併せ持つ半透過型の液晶表示装置の開発が進められてきている。
【０００３】
この半透過型の液晶表示装置に使用される液晶表示パネルは、一つの画素領域内に画素電極を備えた透過部と画素電極及び反射板の両方を備えた反射部を有しており、暗い場所においてはバックライトを点灯して画素領域の透過部を利用して画像を表示し、明るい場所においてはバックライトを点灯することなく反射部において外光を利用して画像を表示しているため、常時バックライトを点灯する必要がなくなるので、消費電力を大幅に低減させることができるという利点を有している。
【０００４】
ところで、携帯電話等に代表されるモバイル機器における小型の表示部には、その使用者が限定されていること等から、液晶表示パネルに対する広視野角の要求は従来さほど高くはなかったが、最近ますます高機能化するモバイル機器において、表示部における液晶表示パネルの広視野角の要求が急激に高まってきている。このようなモバイル機器に対する広視野角化の要求に基づき、従来モバイル機器に多用されていたＴＮ方式の液晶表示パネルに換えて、ＭＶＡ（Multi-domain vertically aligned）方式の半透過型液晶表示パネルの開発も最近では進められてきている（下記特許文献１、２参照）。
【０００５】
ここで、下記特許文献２に開示されているＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルについて図３及び図４を用いて説明する。なお、図３（ａ）はＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル５０の概略的な構造を示す斜視図であり、図３（ｂ）は液晶層の液晶に電界を印加したときの液晶の傾斜状体を示す概略図であり、図４は図３（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
この半透過型液晶表示パネル５０においては、反射部５１と透過部５２との間には傾斜面または段差５３が設けられており、反射部５１と透過部５２とは段差５３を介して連続している。半透過型液晶表示パネル５０における第１基板５４の画素電極５５には、画素電極５５が形成されていない領域としての第１開口領域５６が形成されている。この第１開口領域５６が第１の配向分割手段を構成し、段差５３を挟んで反射部５１及び透過部５２にまたがって形成されている。
【０００６】
この結果、反射部５１における画素電極５５ａと透過部５２における画素電極５５ｂとは半透過型液晶表示パネル５０の長さ方向に延びる一個のライン５７を介して相互に接続されている。
【０００７】
第２基板５８の対向電極５９には、反射部５１における画素電極５５ａ及び透過部５２における画素電極５５ｂに対向して、それぞれ第２開口領域６０ａ、６０ｂが形成されている。この第２開口領域６０ａ、６０ｂが第２の配向分割手段を構成する。第２開口領域６０ａ、６０ｂは十字型のスリットとして構成されており、鉛直方向において、第２開口領域６０ａの中心が画素電極５５ａの中心と一致するように、さらに、第２開口領域６０ｂの中心が画素電極５５ｂの中心と一致するように配置されている。
【０００８】
この半透過型液晶表示パネル５０によれば、図３（ｂ）及び図４に示すように、液晶層の液晶６１に電界を印加したとき、段差５３における第１開口領域５６上においては、液晶は対向電極５９側におけるライン５７の方向に傾斜し、反射部５１及び透過部５２上においては、対向電極５９における反射部５１に対応する領域の中心又は透過部５２に対応する領域の中心に傾斜する。このように、半透過型液晶表示パネル５０においては、液晶分子の配向方向が定まるので、視覚特性の悪化や応答速度の劣化を低減することができるというものである。
【０００９】
上述のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル５０は、第１基板５４側の反射部５１と透過部５２との間に段差５３を設けて、周知のように反射部５１におけるセルギャップｄ１と透過部におけるセルギャップｄ２との関係がｄ１＝（ｄ２）／２となるようにして、反射部５１における表示画質と透過部における表示画質が同じになるように調整されているが、このようなセルギャップ調整のための構成を第２基板側に設けたＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルも知られている。
【００１０】
このセルギャップ調整のための構成であるトップコート層を第２基板側に設けた従来例に係るＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの一例を図５〜図６を用いて説明する。なお、図５（ａ）はセルギャップ調整のためのトップコート層を第２基板側に設けた従来の半透過型液晶表示パネルの第２基板を透視して表した１画素分の平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）のＹ部分の拡大図であり、また、図６は図５（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。
【００１１】
この半透過型液晶表示パネル７０においては、第１基板の透明な絶縁性を有するガラス基板１１上には複数の走査線１２及び信号線１３がそれぞれ直接ないし無機絶縁膜１４を介してマトリクス状に形成されている。ここで、走査線１２と信号線１３とで囲まれた領域が１画素に相当し、スイッチング素子となるＴＦＴ（Thin Film Transistor）（図示せず）がそれぞれの画素毎に形成されており、各画素のＴＦＴ等の表面は保護絶縁膜２３で被覆されている。
【００１２】
そして、走査線１２、信号線１３、無機絶縁膜１４、保護絶縁膜２３等を覆うようにして、反射部１５においては表面に微細な凹凸部が形成され、透過部１６においては表面が平坦に形成された有機絶縁膜からなる層間膜１７が積層されている。なお、図５及び図６においては反射部１５の凹凸部は省略してある。そして層間膜１７にはＴＦＴのドレイン電極Ｄに対応する位置にコンタクトホール２０が設けられ、それぞれの画素において、コンタクトホール２０上及び層間膜１７の表面には、反射部１５に例えばアルミニウム金属からなる反射板１８が設けられ、この反射板１８の表面及び透過部１６の層間膜１７の表面には例えばＩＴＯ(Indium Tin Oxide)ないしＩＺＯ（Indium Zinc Oxide)からなる透明な画素電極１９が形成されている。
【００１３】
そして、反射部１５側においては、層間膜１７の反射板１８が存在する位置の下側に補助容量線２１が配置され、また、平面視で、反射板１８及び画素電極１９は隣接する画素の反射板及び画素電極とは接しないで、かつ走査線１２及び信号線１３とは同じく光漏れを防止するために若干重なるようにして形成されており、透過部１６側における画素電極１９は隣接する画素の画素電極及び反射板とは接しないでかつ走査線１２及び信号線１３と若干重なるように形成されている。
【００１４】
また、この半透過型液晶表示パネル７０においては、画素電極１９の反射部１５と透過部１６の境界領域で液晶分子の配向を規制するためにスリット３３が設けられて、画素電極１９は実質的に反射部１５の画素電極１９ａと透過部１６の画素電極１９ｂに分割されており、反射部１５の画素電極１９ａと透過部１６の画素電極１９ｂとは幅の狭い部分３４を介して電気的に接続されている。そして、画素電極１９の表面には全ての画素を覆うように垂直配向膜（図示せず）が積層されている。
【００１５】
また、第２基板の透明な絶縁性を有するガラス基板２５の表示領域上に、それぞれの画素に対応して形成される赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のうち何れか一色からなるストライプ状のカラーフィルタ層２６が設けられている。また、反射部１５と透過部１６とで同じ厚さのカラーフィルタ層２６を使用するため、反射部１５のカラーフィルタ層２６の一部分に所定の厚さのトップコート層２７が設けられている。このトップコート層２７は、反射部１５全体にわたって設けられており、その厚さは反射部１５における液晶層の厚さ、いわゆるセルギャップｄ１が透過部１６のセルギャップｄ２の半分となるように、すなわちｄ１＝（ｄ２）／２となるようにされている。
【００１６】
加えて、透過部１６に位置するカラーフィルタ層２６の表面の一部及び反射部１５に位置するトップコート層２７の表面の一部にそれぞれ液晶の配向を規制するための突起３１及び３２がそれぞれ設けられており、カラーフィルタ層２６、トップコート層２７及び突起３１、３２の表面には共通電極及び垂直配向膜（いずれも図示せず）が順次積層されている。
【００１７】
そして、前記第１基板及び第２基板を互いに対向させ、両基板の周囲にシール材を設けることにより両基板を貼り合せ、両基板間に負の誘電異方性を有する液晶２９を充填することによりＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル７０となる。なお、第１基板の下方には、図示しない周知の光源、導光板、拡散シート等を有するバックライト装置が配置されている。
【００１８】
このＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル７０においては、画素電極１９と対向電極間に電界が印加されない状態においては、液晶層の液晶分子は長軸が画素電極及び対向電極の表面に対して垂直をなすように配向されているため、光が透過しない状態となり、しかも、画素電極と対向電極間に電界が印加されたときには光が透過するため、透過部における光漏れはあまり表示画質に影響しなくなり、更には画素電極１９のスリット３３及び突起３１，３２の存在により、液晶分子は突起３１ないし３２に向かうように傾斜するため、視野角が非常に広くなるという特性を備えている。
【特許文献１】特開２００３−１６７２５３号公報（特許請求の範囲、段落［００５０］〜［００５７］、図１）
【特許文献２】特開２００４−０６９７６７号公報（特許請求の範囲、段落［００４４］〜［００５３］、図１）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
このように従来のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルにおいては、透過部と反射部の境界近傍にはスリットが設けられているため、画素電極の幅が狭くなっている部分（図３の参照符号「５７」の部分ないしは図５の参照符号「３４」の部分）が存在する。そして、通常は反射板の端部は、図５（ｂ）に示したように、透過部の開口率を大きくしながらも反射部の面積を大きくするために、反射部１５の反射板１８のエッジ部分３５が前述の画素電極の幅が狭くなっている部分３４に接する部分の下部（図６参照）に位置するように設けられている。従って、画素電極の幅が狭くなっている部分が反射板のエッジ部分と接している箇所では段差が発生しており、画素電極は製造時ないし使用時にこの段差部分で断線しやすいという問題点が存在している。
【００２０】
本発明は、このような従来のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの問題点を解決すべくなされたものであり、その目的は、反射部近傍の画素電極の幅が狭くなっている部分において、断線が生じ難く、製造効率が良好で長寿命のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明の上記目的は以下の構成により達成し得る。すなわち、請求項１に係る半透過型液晶表示パネルの発明は、マトリクス状に配置された信号線及び走査線により区画されるそれぞれの位置に設けられた透過部と反射部との間にスリットを有する画素電極と、前記反射部の画素電極の下部に設けられた反射板とを備えた第１基板と、
少なくとも前記透過部に対応する位置に設けられた配向規制手段を備えるとともに、表面に共通電極が形成された第２基板と、
前記第１基板及び第２基板上に積層された垂直配向膜と、
前記両基板間に配置された誘電率異方性が負の液晶層と、
を有する半透過型液晶表示パネルにおいて、
前記反射板は、前記スリットにより形成された画素電極の幅が狭くなっている部分とは接しないように設けられていることを特徴とする。
【００２２】
また、請求項２に係る発明は、請求項１に記載の半透過型液晶表示パネルにおいて、前記反射板は、前記画素電極の幅が狭くなっている部分の近傍に切り欠きが設けられていることを特徴とする。
【００２３】
また、請求項３に係る発明は、請求項１又は２に記載の半透過型液晶表示パネルにおいて、前記画素電極及び反射板は前記第１基板の表示領域全体にわたって設けられた層間絶縁膜上に設けられているとともに、前記第２基板の反射部に対応する位置にはトップコート層が設けられていることを特徴とする。
【００２４】
また、請求項４に係る発明は、請求項１〜３のいずれかに記載の半透過型液晶表示パネルにおいて、前記配向規制手段は、前記透過部及び反射部の垂直配向膜の下部に設けられた突起からなることを特徴とする。
【００２５】
また、請求項５に係る発明は、請求項１〜３のいずれかに記載の半透過型液晶表示パネルにおいて、前記配向規制手段は、前記透過部及び反射部の共通電極に設けられたスリットからなることを特徴とする。
【００２６】
また、請求項６に係る発明は、請求項４又は５に記載の半透過型液晶表示パネルにおいて、前記透過部の画素電極はスリットにより複数個に区画されていることを特徴とする。
【００２７】
更に、請求項７に係る発明は、請求項１〜６のいずれかに記載の半透過型液晶表示パネルにおいて、前記透過部の画素電極は、平面視において前記信号線とは重複しておらず、前記走査線に沿って重複していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２８】
本発明は上述のような構成を備えることにより以下に述べるような優れた効果を奏する。すなわち、請求項１に係る発明によれば、反射板のエッジ部分が前述の画素電極の幅が狭くなっている部分とは接しないように設けられているため、画素電極の幅が狭くなっている部分に段差は発生しないので、製造時ないしは使用時に画素電極の幅が狭くなっている部分が断線する虞が少なくなり、製造効率が良好で長寿命のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルが得られる。なお、配向規制手段は少なくとも第２基板の透過部に対応する位置に設けられていればよく、反射部に設けるかどうかは適宜決定すればよい。
【００２９】
また、請求項２に係る発明によれば、反射板のエッジ部に単に切り欠きを設けるという簡単な構成により、反射板のエッジ部分がスリットにより形成された画素電極の幅が狭くなっている部分とは接しない状態とすることができる。
【００３０】
また、請求項３に係る発明によれば、第１基板に設けられた層間膜の表面は平坦化されているので、その表面に設けられた画素電極及び反射板の表面も平坦化できるため、液晶分子の配向の乱れが少なくなり、しかも、トップコート層により容易に反射部でのセルギャップを所定の値に設定できるため、光漏れが少なく、コントラストが高い表示画質の良好なＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルが得られる。
【００３１】
また、請求項４及び請求項５に係る発明によれば、簡単な構成の配向規制手段により視野角が広く、応答速度が速いＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルが得られる。
【００３２】
また、請求項６に係る発明によれば、透過部の画素電極の面積が大きくても、所望の面積となるように複数に分割してそれぞれの分割された画素電極毎に配向規制手段を設けたため、透過部全体にわたり液晶分子の配向の乱れを少なくすることができるので、広視野角かつ高コントラストで表示画質の優れたＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルが得られる。
【００３３】
また、本発明のようなＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルでは、透過部において走査線及び信号線と画素電極とは、平面視において重複していなくても、電界無印加時に光漏れの虞はない。しかしながら、走査線に印加される電圧は大きく変化するので、液晶分子に対して影響を与えるため、透過部の走査線近傍では液晶分子の配向に乱れが生じて光漏れすることがあるが、請求項７に係る発明によれば、走査線による電界は画素電極によって遮られるため、液晶分子に影響を与えることがなくなり、透過部での光漏れの少ない高コントラストで表示画質に優れたＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルが得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
以下、実施例及び図面を参照して本発明を実施するための最良の形態を説明するが、以下に示す実施例は、本発明をここに記載したものに限定することを意図するものではなく、本発明は特許請求の範囲に示した技術思想を逸脱することなく種々の変更を行ったものにも均しく適用し得るものである。
【実施例１】
【００３５】
実施例の半透過型液晶表示パネル１０を図１及び図２を用いて説明する。なお、図１（ａ）はＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの第２基板を透視して表した１画素分の平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ部分の拡大図であり、図１（ｃ）及び図１（ｄ）はそれぞれ反射板のエッジ部分の形状の変形例を示す図であり、また、図２は図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。ただし、図５及び図６に記載された従来例のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル７０と同一の構成部分には同一の参照符号を付与して、その詳細な説明は省略する。
【００３６】
このＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０が図５及び図６に記載した従来のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル７０と構成が相違している点は、透過部の画素電極１９ｂから延びている幅の狭い部分３４と反射板１８との間の境界部分の構成である。すなわち、ＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル７０の反射板１８のエッジ部３５は、透過部の開口率を大きくしながらも反射部の面積を大きくするために、反射部１５の画素電極のエッジ部分３５が前述の画素電極の幅が狭くなっている部分３４に接する部分の下部（図６参照）に位置するように設けられている。それに対し、この実施例の半透過型液晶表示パネル１０の反射板１８のエッジ部３５は、図１（ｂ）に示すように、透過部の画素電極１９ｂから延びている幅の狭い部分３４と重ならないように、切り欠きが設けられている。
【００３７】
このような構成とすることにより、従来のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル７０においては、透過部の画素電極１９ｂから延びている幅の狭い部分３４は反射板１８のエッジ部１５において段差が生じているが、この実施例の半透過型液晶表示パネル１０においては、透過部の画素電極１９ｂから延びている幅の狭い部分３４は、反射板１８のエッジ部３５とは重なっていないため、透過部の画素電極１９ｂから延びている幅の狭い部分３４に従来例のような段差は生じない。
【００３８】
したがって、この実施例のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０によれば、従来例のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル７０のように、製造時ないしは使用時に透過部の画素電極１９ｂから延びている幅の狭い部分３４における断線が生じる可能性が少なくなるため、製造効率が良好で長寿命のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルが得られる。
【００３９】
なお、この透過部の画素電極１９ｂから延びている幅の狭い部分３４近傍の反射板１８のエッジ部３５の切り欠きの形状は、図１（ａ）及び図１（ｂ）に示したような曲面状のものだけでなく、図１（ｃ）に示したような三角形状のものであっても、図１（ｄ）に示したような方形状であってもよい。
【００４０】
なお、実施例のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０としては、反射部１５における反射板１８及び画素電極１９は隣接する画素の反射板及び画素電極とは接しないで、かつ走査線１２及び信号線１３とは同じく光漏れを防止するために若干重なるようにして形成されており、透過部１６側における画素電極１９は隣接する画素の画素電極及び反射板とは接しないでかつ走査線１２及び信号線１３と若干重なるように形成したが、本来ＭＶＡ方式の液晶表示パネルにおいては、液晶分子に電界が印加されていない状態で垂直に配向されている限りは液晶層を光が透過することはない。
【００４１】
したがって、実施例のＭＶＡ方式の液晶表示パネル１０においては、透過部１６の画素電極１９ｂと走査線及び信号線とが平面視において重複していなくても、この部分には垂直配向膜が設けられているから、本来は光を透過することがない。そのため、少なくとも透過部１６の画素電極１９ｂと走査線及び信号線とを平面視において重複させなくてもよい。このような構成を採用すると、査線及び信号線を細くできるため、透過部の開口率が向上するので、明るいＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルが得られる。同様に、画素電極１９に設けられたスリット３３にも垂直配向膜が設けられているので光が透過することがないため、この実施例のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０としては、補助容量が大きくなるようにするために、補助容量線２１を反射板１８の下部から更に透過部１６側に延長してスリット３３側にまで延長してある。
【００４２】
ただし、走査線１２に印加される電圧は振幅が大きいため、この走査線１２に印加される電圧によって液晶分子の配向状態が影響を受けることがあるため、少なくとも透過部１６の画素電極１９ｂが走査線１２に沿っている部分は、走査線と平面視において重複するようにした方がよい。また、透過部１６の画素電極１９ｂとして長方形状のものを使用した例を示したが、液晶分子の配向状態の乱れをより少なくするため、長方形の角を切り落とした形状としたり円形状とすることもできるが、この場合も少なくとも走査線１２と沿っている部分は部分的に走査線と平面視において重複するようにした方がよい。
【００４３】
なお、実施例に係るＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０は、画素電極１９をスリット３３により反射部１５の画素電極１９ａと透過部１６の画素電極１９ｂとに区画した例を示したが、半透過型液晶表示パネルを実際に使用する際にはバックライトを点灯して透過部１６を使用する機会の方が多い。そのため、透過部１６の画素電極１９ｂの面積を反射部１５の画素電極１９ａの面積よりも大きくする場合もある。このような場合には、透過部１６全体にわたり液晶分子の配向に乱れが生じないようにするため、透過部の画素電極１９ｂをスリットにより複数個に区画し、それぞれの区画ごとに配向規制手段を設けることもできる。
【００４４】
また、実施例に係るＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル１０は、配向規制手段として透過部においては十字状の突起、反射部においては逆Ｙ字状の突起を設けた例を示したが、これに限らず、突起をバー状ないし砲弾状としたり、或いは、上記特許文献２に開示されているもののように、共通電極に配向規制手段としてのスリットを設けても良い。
【図面の簡単な説明】
【００４５】
【図１】図１（ａ）は実施例のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの第２基板を透視して表した１画素分の平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＸ部分の拡大図であり、図１（ｃ）及び図１（ｄ）はそれぞれ反射板のエッジ部分の形状の変形例を示す図である。
【図２】図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図３（ａ）は従来のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネルの概略的な構造を示す斜視図であり、図３（ｂ）は液晶層の液晶に電界を印加したときの液晶の傾斜状態を示す概略図である。
【図４】図３（ａ）のＢ−Ｂ断面図である。
【図５】図５（ａ）はセルギャップ調整のためのトップコート層を第２基板側に設けた従来の半透過型液晶表示パネルの第２基板を透視して表した１画素分の平面図であり、図５（ｂ）は図５（ａ）のＹ部分の拡大図である。
【図６】図５（ａ）のＣ−Ｃ断面図である。
【符号の説明】
【００４６】
１０、５０、７０    ＭＶＡ方式の半透過型液晶表示パネル
１１、２５    ガラス基板
１２    走査線
１３    信号線
１４    無機絶縁膜
１５    反射部
１６    透過部
１７    層間膜
１８    反射板
１９、１９ａ、１９ｂ    画素電極
２０    コンタクトホール
２１    補助容量線
２６    カラーフィルタ層
２７    トップコート層
２９    液晶
３１、３２    突起
３３    スリット
３４    画素電極の幅の狭い部分
３５    反射板のエッジ部分
【図１】
2007086575.tif 000003
【図２】
2007086575.tif 000004
【図３】
2007086575.tif 000005
【図４】
2007086575.tif 000006
【図５】
2007086575.tif 000007
【図６】
2007086575.tif 000008