【事件の表示】
　平成７年特許願第５１６１８号「強誘電体薄膜の製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成８年４月３０日出願公開、特開平８−１１１４１１］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】手続の経緯および、この出願の発明
　本願は、平成７年３月１０日(パリ条約による優先権主張１９９４年９月２日，アメリカ合衆国)の出願であって、その請求項１〜10に係る発明は、平成１５年４月２３日付けの手続補正書により補正された、明細書の特許請求の範囲の請求項１〜10に記載されたとおりのものである。
　そして、その請求項１に係る発明(以下、「本願発明」という)は、
「【請求項１】化学溶液堆積により基板上に強誘電体層状構造酸化物からなる薄膜を堆積する方法であって、
　アルコキシド、カルボキシレート、あるいはアセチルアセトネート、またはこれらの組み合わせの形状である層状構造酸化物の金属元素の混合物と、溶媒とを含有する前駆体溶液を調製する工程と、
　該前駆体溶液を該基板上に付与し、薄膜を形成する工程と、
　該膜を有する該基板を一定の時間焼成し、該溶媒を該膜から除去する工程と、
　該膜を有する該基板を加熱し、結晶性薄膜層状構造酸化物を形成する工程とを包含し、前記強誘電体層状構造酸化物が以下に示す化合物の少なくとも一つであり、
　　　ＡｎＢｉ３Ｔｉｎ＋１ＲＯ３ｎ＋９　　　　
ここで、ＡはＣａ、Ｐｂ、Ｓｒ、またはＢａであり、ＲはＮｂおよびＴａによって構成されており、ＴａのＮｂに対する比がおよそ０．４であり、かつｎ＝０または１である強誘電体薄膜の製造方法。」である。
　　
【２】拒絶理由の概要
　一方、当審において平成１５年２月２１日付けで通知した拒絶理由の概要は、
「本願発明は、本願の優先権主張日前の平成６年(１９９４)５月１１日に外国において頒布された「国際公開第９４／１０７０２号パンフレット(ＷＯ９４／１０７０２)」(以下、「引用例」という)に記載された第５〜７実施例の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。」というものである。
　　
【３】引用例の記載事項およびその開示内容
【３-1】引用例の記載事項
　１１頁１５〜１７行に、
(引a)「前駆体は層状超格子物質３０を構成する金属の化合物が溶解している液体である」と記載され、
　１１頁２９〜３１行に、
(引b)「工程８７で基板に前駆体を被覆する。後述の実施例では、この被覆をスピン・オン法で行ったが、噴霧堆積法のような方法でもよい」と記載され、
　１２頁１〜３行に、
(引c)「被覆した基板を工程８８で乾燥し、ＲＴＰ(急速熱処理装置)内でベークする」と記載され、
　１２頁１７〜２９行に、
(引d)「概略は、金属または金属化合物を２−エチルヘキサン酸のようなカルボン酸と反応させて金属ヘキサン酸塩を生成させ、これをキシレンのような適当な単一または複数の溶媒に溶解させる。２−エチルヘキサン酸塩の他、金属と化合して適当な前駆体を形成するものは、アセテートおよびアセチルアセトン酸塩である。チタンのようなある種の金属については、前駆体金属化合物はチタン２−メトキシエトキシドのような金属アルコキシドを含んで構成されてもよい。この他にアルコキシドとして、金属と化合して前駆体化合物として用いることができるものとしては、メトキシド、エトキシド、ｎ−プロポキシド、イソ−プロポキシド、ｎ−ブトキシド、イソ−ブトキシド、テルト−ブトキシド、２−メトキシエトキシド、および２−エトキシエトキシドがある。前駆体金属化合物は、水の沸点すなわち１００℃よりも高い沸点を持つ溶媒中に溶解させることが望ましい。キシレン溶媒はほとんどの金属に用いることができる」と記載され、
　１６頁２〜７行に、
(引e)「スピン・オン処理と噴霧堆積処理により溶媒の一部は除去されるが、溶媒の一部は被覆処理後に残存する。乾燥工程８８で、この溶媒を湿った膜から除去する。同時に、加熱により薄膜中の有機成分が熱分解し、これも蒸発して薄膜から除去される。その結果、結晶化前のアモルファス状態の層状超格子物質３０の固体薄膜が得られる」と記載され、
　１６頁２５〜２９行に、
(引f)「同時に、ＲＴＰベークの急速昇温により核生成が促進される。すなわち、固体膜３０中で層状超格子物質の小さな結晶粒が多数発生する核生成が促進される。これらの結晶粒は結晶化の進行を可能にする核として作用する。ベーク処理時に酸素が存在することは、これらの結晶粒が生成するのに必須である」と記載され、
　１７頁１２〜２６行に、
(引g)「所望の膜厚が得られたら、乾燥し望ましいベークを施した膜を工程９２でアニールする。このアニールを、後の工程で行うアニールと区別するために第１アニールと呼ぶ。この第１アニールは炉内において酸素雰囲気中で行うことが望ましい。酸素濃度は望ましくは２０％〜１００％であり、温度は特定の層状超格子物質３０の結晶化温度よりも高温にする。一般に、本発明の物質については、この温度は７００℃より高温である。層状超格子物質３０からその構成要素が蒸発するのを防止するために、且つ既存の集積回路の損傷を含めて基板の熱損傷を防止するために、アニール温度は８５０℃未満に保つのが望ましい。望ましくは、タンタル酸ストロンチウムビスマスのためのアニールは約８００℃で３０〜９０分行い、これは他のほとんどの層状超格子物質についても同じ範囲である。この場合にも、第１アニールにおいて酸素の存在は重要である。酸素に富んだ雰囲気下では、多数の核、すなわちＲＴＰベーク工程で生じた小さな結晶粒が成長することによって、十分に結晶化した強誘電物質膜が形成される」と記載され、
　２９頁２５行〜３０頁２行に、
(引h)「滴下器を用いて１mlのＳｒＢｉ４−２ｙ(Ｔａｙ，Ｔｉ２−２ｙ)２Ｏ１５−６ｙ前駆体溶液を基板１８上に滴下した。このウェハを１５００ＲＰＭで４０秒スピンさせた。次に、ウェハ１０をホットプレート上に載せ、大気中で、約１８０℃で５分間、次に２５０℃で５分間ベークした。次に、ウェハ１０を７２５℃でＲＴＰベークしたがこのとき、昇温速度１２５℃／秒、保持時間３０秒、自然冷却時間６分、雰囲気酸素流量１００〜２００cc／分の条件であった。滴下器を用いて溶液をウェハ上に滴下する工程からＲＴＰベーク工程までを繰り返して、被覆を３層行った。次に、ウェハを拡散炉に移し、酸素流量６l／分、８００℃で３０分間アニールした」と記載され、
　３１頁４〜１２行に、
(引i)「層状超格子物質３０をニオブタンタルチタン酸ストロンチウムビスマス
[ＳｒＢｉ４-２ｘ{(Ｔａｙ,Ｎｂ１-Ｙ)ｘ,Ｔｉ２-２ｘ}２Ｏ１５-６ｘ]　
すなわちＴｉ、Ｔａ、Ｎｂの固溶体として作製した。この前駆体溶液は、ストロンチウム２−エチルヘキサン酸塩、ビスマス２−エチルヘキサン酸塩、タンタル２−エチルヘキサン酸塩、ニオブ２−エチルヘキサン酸塩、およびチタン２−エチルヘキサン酸塩をキシレン溶媒中に溶解したものであった。これら５種類の金属２−エチルヘキサン酸塩を、ｘおよびｙを０から１までの一連の値にして、混合後の前駆体中にストロンチウム、ビスマス、ニオブ、およびチタンが化学量論比で存在するような比率で混合した」(一般式中に、Ｎｂ１−ＹとあるのはＮｂ１−ｙの誤記であると、当審において認定する)と記載され、
　３１頁１５〜１９行に、
(引j)「３種類の物質、タンタル酸ストロンチウムビスマス、ニオブ酸ストロンチウムビスマス、およびチタン酸ストロンチウムビスマスを任意の比率で混合して固溶体とし、一般式：ＳｒＢｉ４−２ｘ｛（Ｔａｙ，Ｎｂ１−ｙ）ｘ，Ｔｉ２−２ｘ｝２Ｏ１５−６ｘ(ここでｘおよびｙは０と１の間の各値をとれる)で表現できる単一の強誘電性混合相を作成することができる」と記載されている。
　　
【３-2】引用例の開示内容
　前記(引a)〜(引j)の記載から、引用例には、
(引z)「化学溶液堆積により基板上に強誘電性層状超格子物質からなる薄膜を堆積する方法であって、
　カルボキシレートの形状である層状超格子物質の金属元素の混合物と、溶媒とを含有する前駆体溶液を調製する工程と、
　該前駆体溶液を該基板上に付与し、薄膜を形成する工程と、
　該膜を有する該基板を一定の時間焼成し、該溶媒を該膜から除去する工程と、
　該膜を有する該基板を加熱し、結晶化強誘電物質薄膜を形成する工程とを包含し、前記強誘電性層状超格子物質が以下に示す化合物の少なくとも一つであり、
ＳｒＢｉ４−２ｘ{(Ｔａｙ,Ｎｂ１−ｙ)ｘ,Ｔｉ２−２ｘ}２Ｏ１５−６ｘ　
ここで、ｘおよびｙは０から１までの一連の値をとれる強誘電物質薄膜の製造方法」の発明(以下、「引用発明」という)が開示されている。
　　
【４】本願発明と引用発明との対比・判断
【４-1】本願発明と引用発明との対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「強誘電性層状超格子物質」，「層状超格子物質」，「結晶化強誘電物質薄膜」，「強誘電物質薄膜」は、技術的に、それぞれ本願発明の「強誘電体層状構造酸化物」，「層状構造酸化物」，「結晶性薄膜層状構造酸化物」，「強誘電体薄膜」に相当し、これらは単なる用語上の差異でしかない。
　そして、本願発明においてＡをＳｒとしてｎ＝１を選択し、引用発明においてｘを０．５としたとき、両者の一般式で表現される化合物は、
　　　ＳｒＢｉ３（Ｔａｙ，Ｎｂ１−ｙ）Ｔｉ２Ｏ１２　　　
となる。
　したがって、両者は「化学溶液堆積により基板上に強誘電体層状構造酸化物からなる薄膜を堆積する方法であって、
　カルボキシレートの形状である層状構造酸化物の金属元素の混合物と、溶媒とを含有する前駆体溶液を調製する工程と、
　該前駆体溶液を該基板上に付与し、薄膜を形成する工程と、
　該膜を有する該基板を一定の時間焼成し、該溶媒を該膜から除去する工程と、
　該膜を有する該基板を加熱し、結晶性薄膜層状構造酸化物を形成する工程とを包含し、
　前記強誘電体層状構造酸化物が以下に示す化合物である、
　　　ＳｒＢｉ３（Ｔａｙ，Ｎｂ１−ｙ）Ｔｉ２Ｏ１２　　　
からなる強誘電体薄膜の製造方法」であることで一致する。
　一方、本願発明では「ＴａのＮｂに対する比がおよそ０．４であり」とされているのに対して、引用発明では「ｙが０から１までの一連の値をとれる」となっており、「ＴａのＮｂに対する比がおよそ０．４である」点についての明記がない点(相違点a)で相違する。
　　
【４-2】相違点の検討
　前記相違点aについて検討するに、本願の明細書および図面のどこをみても、「ＴａのＮｂに対する比をおよそ０．４」としたことの技術的意義は記載されておらず、かつその点で本願発明が引用発明にくらべ格別な作用効果を奏するとも認められない。
　そして、引用発明において変数ｙを０．３としたとき、ＴａのＮｂに対する比が約０．４３となり、これは本願発明の「ＴａのＮｂに対する比がおよそ０．４である」ことに相当する。
　したがって、本願発明と引用発明との相違点aは、当業者が適宜に設定し容易に想到できたものと認められる。
　　
【５】むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、上記の引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。