(57)【要約】【課題】配向制御能の低下を阻止して高品位の表示を可能とした液晶表示パネルを用いた液晶表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】配向プロセスの初期Ｐ１と中期Ｐ２にかけては、波長カットフィルタＦ１を通したロングアーク光源ＬＡＬからの波長は２３０〜２７０ｎｍで、与える熱Ｈは初期では１００℃、中期では１００〜１５０℃とする。そして、後期Ｐ３では波長カットフィルタＦ２を通したロングアーク光源ＬＡＬからの波長は２８０〜３３０ｎｍで、与える熱Ｈは２００℃とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素選択用のアクティブ素子が形成された主面の最上層に第１の配向膜を有する一方の基板と、カラーフィルタが形成された主面の最上層に第２の配向膜を有する他方の基板と、前記一方の基板の前記第１の配向膜と前記他方の基板の前記第２の配向膜の間に封止された液晶とからなる液晶表示パネルを具備し、少なくとも前記第１の配向膜に偏光の照射で液晶配向制御能を付与するための配向処理を行なう液晶表示装置の製造方法であって、
前記配向膜に前記偏光の照射処理中に加熱処理を行い、当該加熱処理の温度を前記偏光の照射処理中に変化させることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記加熱処理の温度変化が、前記偏光の照射処理中の初期、中期、および後期にかけて昇温する昇温プロファイルであることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記初期、中期、および後期が、それぞれ１００℃、１００℃〜１５０℃、２００℃〜２２０℃であることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
画素選択用のアクティブ素子が形成された主面の最上層に第１の配向膜を有する一方の基板と、カラーフィルタが形成された主面の最上層に第２の配向膜を有する他方の基板と、前記一方の基板の前記第１の配向膜と前記他方の基板の前記第２の配向膜の間に封止された液晶とからなる液晶表示パネルを具備し、少なくとも前記第１の配向膜に偏光の照射で液晶配向制御能を付与するための配向処理を行なう液晶表示装置の製造方法であって、
前記照射処理中の前記偏光の波長を経時的に変化させることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、
前記偏光の波長は、当該偏光の照射処理中の初期、中期、および後期にかけて長くなる増加プロファイルであることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記初期、中期、および後期における前記偏光の波長が、それぞれ２３０〜２７０ｎｍ、２７０ｎｍ〜２８０ｎｍ、２８０〜３３０ｎｍであることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１又は４において、
前記光配向処理の終了時に加熱処理を実施することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項８】
請求項７において、
前記加熱処理の処理時間は１０分〜６０分で、前記加熱処理の加熱温度は１５０℃〜２５０℃であることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１又は４において、
前記光配向処理時に照射する偏光が、少なくとも２種類の偏光方向を持ち、かつ、それぞれの偏光の照射波長域が異なることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９において、
前記初期、および後期における前記偏光の前記配向軸に対する偏光方向の照射角度が、前記初期では２３０〜２７０ｎｍの光を９０度、前記後期では２８０〜３３０ｎｍの光を８５度であることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記偏光の走査方向の光束の軸分布角を±１００以下とし、かつその軸分布が当該走査の方向で対称形状になるように照射することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記偏光の消光比が１５以上であることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記偏光の光源を最低３用いることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に係り、特に配向膜に光の照射で配向制御能を付与した液晶表示パネルを具備した液晶表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置に使用する配向膜を配向処理すなわち配向制御能を付与する方法として、従来からラビングで処理する方法がある。このラビングによる配向処理は、配向膜を布で擦ることで配向処理を行うものである。一方、配向膜に非接触で配向制御能を付与する光配向法がある。
【０００３】
図６は、光配向法を説明する概念図である。ガラス基板ＳＵＢの表面に配向制御能を付与する前の配向膜ＯＲＩを形成する。このガラス基板ＳＵＢの配向膜ＯＲＩの上方から光源ＳＡＬからの偏光紫外線ＰＵＶを照射する。光源ＳＡＬには、超高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ等の紫外線を含む広範囲の光を放射するショートアーク型放電ランプを用いることにより、波長２３０〜４００ｎｍの波長の成分を含む紫外線ＰＵＶを照射可能としている。偏光紫外線ＰＵＶは、配向膜ＯＲＩに対しては、矢印で示したように揺動させることで、より均一な照射を行なうことも可能である。この偏光紫外線ＰＵＶはショートアーク光源ＳＡＬの光路に偏光子を介挿することで得られる。偏光子は、偏光子に対し所定の角度で入射した光を偏光光とする偏光素子であり、ブリュースタ角を利用したものや、光の干渉を利用したもの，複数の直線状の細長い電気導体を同一平面状に平行に配置したワイヤーグリッドを利用したものなどが一般的に用いられるが、ここでは波長２３０〜４００ｎｍの波長成分を偏光紫外線とするものであれば何でもよく、偏光子の図示は省略した。
【０００４】
そして、配向膜ＯＲＩに対して偏光紫外線ＰＵＶを照射して配向制御能を付与する光配向処理時（配向プロセス）中に、同時に熱を与えて配向膜ＯＲＩに加熱処理を施す。この加熱温度は２００℃程度である。
【０００５】
図７は、偏光紫外線ＰＵＶの照射と加熱処理を同時に行なう従来の偏光紫外線の照射による配向膜に対する配向制御能の付与プロセスを説明する図である。図７（ａ）に示したように、配向膜に偏光紫外線を照射すると、図７（ｂ）のように偏光方向と直交する方向に延びる配向膜高分子主鎖が短波長側の偏光紫外線で切断される。切断された主鎖の一部は図７（ｃ）の符号ＣＨ１に示したように偏光方向に再配列し、長波長側の偏光紫外線で架橋する。過熱は、配向膜の分子鎖運動を活発にし、あるいは熱架橋を行なわせる効果をもつ。なお、表１に光と熱の役割を示す。
【表１】
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【０００６】
しかし、偏光紫外線ＰＵＶの照射と加熱処理を同時に行なう従来の偏光プロセスでは、図７（ｃ）の符号ＣＨ２に示したように偏光方向の主鎖方向に再配列する前に偏光方向と直角方向のままで架橋する分子が生じる。このように、切断された主鎖の分子が偏光方向と直角方向のままで架橋すると、配向制御能が低下し、配向規制力不足による残像の原因となる。
【０００７】
光配向に関する従来技術を開示したものとして特許文献１を挙げることができる。特許文献１では、光配向プロセスに終始一貫して同一光源を用いて照射を行い、また、光配向処理時の温度は一定としたものを開示する。
【特許文献１】特開２００４−２０６０９１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
図６で説明したように、光分解型の配向制御能を付与プロセス（配向プロセス）では、配向膜の配向に不要となる方向の配向膜主鎖を偏光紫外線ＰＵＶで分解させることで配向性を得る。このときに同時に熱を加えることで、高い配向性（配向規制力、配向制御能）を得ることができる。この処理において、配向膜中では、（１）光分解、（２）分解により分子鎖長が短くなった配向膜主鎖が熱運動で位置を変え（再配列）、（３）分解した小さな分子がある確率で再度架橋する、という3つの反応が進行している。
【０００９】
このとき、上記（２）の再配列が行われずにそのまま架橋してしまうと、その分子は上記（１）で分解させる前の不要な方向主鎖であり、上記（１）により再分解サイクルに戻るだけであり、その架橋は配向性を向上させる効果を得ることができない。そのため、（２）での分子の位置を変えることが配向性向上に不可欠である。しかし、架橋に必要な熱量を終始加えると、分子鎖運動と並行して架橋反応も起きるため、再配列が行われて架橋された真の配向性向上に寄与する架橋成分の量が少なくなる。
【００１０】
また、配向プロセスで用いる光源は、光源の配置や偏光子等の偏光生成素子の偏光軸むら等の影響により、実際には照射されている光束内で照射軸は同一にはならない。一般的に、照射軸は光束内で連続的に変化し、光来の中央部の照射軸に対して周辺部の照射軸のずれ角が大きくなる。このため、配向処理に必要な許容照射軸が得られない領域は遮光スリットにより捨てることになり、光を効率的に利用できない。
【００１１】
本発明の目的は、偏光照射で分離された分子鎖が再配置前に架橋するのを抑制することで、配向制御能の低下を阻止して高品位の表示を可能とした液晶表示パネルを用いた液晶表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、画素選択用のアクティブ素子が形成された主面の最上層に第１の配向膜を有する一方の基板と、カラーフィルタが形成された主面の最上層に第２の配向膜を有する他方の基板と、前記一方の基板の前記第１の配向膜と前記他方の基板の前記第２の配向膜の間に封止された液晶とからなる液晶表示パネルを具備し、少なくとも前記第１の配向膜に偏光の照射で液晶配向制御能を付与するための配向処理を行なう液晶表示装置の製造方法である。
【００１３】
そして、本発明の製造方法は、前記配向膜に前記偏光の照射処理中に加熱処理を行い、当該加熱処理の温度を前記偏光の照射処理中に変化させることを特徴とする。この加熱処理の温度変化を、前記偏光の照射処理中の初期、中期、および後期にかけて昇温する昇温プロファイルとする。例えば、この初期、中期、および後期での温度を、それぞれ１００℃、１００℃〜１５０℃、２００℃〜２２０℃とすることができる。
【００１４】
また、本発明は、前記照射処理中の前記偏光の波長を経時的に変化させることを特徴とする。この偏光の波長は、当該偏光の照射処理中の初期、中期、および後期にかけて長くなる増加プロファイルとすることができ、たとえば、それぞれ２３０〜２７０ｎｍ、２７０ｎｍ〜２８０ｎｍ、２８０〜３３０ｎｍとすることができる。
【００１５】
また、本発明は、前記光配向処理の終了時に加熱処理を実施することができる。この加熱処理の処理時間は１０分〜６０分で、加熱温度は１５０℃〜２５０℃とすることができる。
【００１６】
また、本発明は、前記光配向処理時に照射する偏光を、少なくとも２種類の偏光方向を持ち、かつ、それぞれの偏光の照射波長域が異なるものを用い、前記初期、および後期における前記偏光の前記配向軸に対する偏光方向の照射角度が、前記初期では２３０〜２７０ｎｍの光を９０度、前記後期では２８０〜３３０ｎｍの光を８５度とすることができる。
【００１７】
また、本発明は、前記偏光の走査方向の光束の軸分布角を±１００以下とし、かつその軸分布が当該走査の方向で対称形状になるように照射することができる。
【００１８】
なお、本発明は、上記の構成および後述する実施の形態に開示される構成に限定されるものではなく、本発明の技術思想を逸脱することなく、種々の変更が可能であることは言うまでもない。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、配向制御能の低下を阻止して高品位の表示を可能とした液晶表示パネルを用いた液晶表示装置の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の具体的な実施の形態について、実施例の図面を参照して詳細に説明する。
【実施例１】
【００２１】
図１は、本発明による液晶表示装置の製造方法の光配向法を説明する概念図である。実施例１では、初期Ｐ１、中期Ｐ２、後期Ｐ３の時系列で配向プロセスを構成する。ガラス基板ＳＵＢの表面に配向制御能を付与する前の配向膜ＯＲＩが形成されている。このガラス基板ＳＵＢの配向膜ＯＲＩの上方から、２３０〜４００ｎｍの波長領域を含むの棒状の偏光源ＬＡＬにより偏光紫外線ＰＵＶを照射する。この偏光紫外線ＰＵＶは必要に応じて波長カットフィルタＦ１，Ｆ２を通して、目的の波長成分を主体とした偏光成分を得ている。棒状の偏光源ＬＡＬは，特表２００１−５１２８５０号公報等に示される棒状の高圧水銀ランプ（紫外線を含む広範囲の光を放射するロングアーク型放電ランプ）によって得られた細長いスリット状の光束を偏光子に入射することで得ることが出来るが、図中では偏光子の図示は省略している。ロングアーク偏光源ＬＡＬは複数本を配列し、大矢印で示したように、ロングアーク偏光源ＬＡＬの配列方向に従って熱を加えながら、初期、中期、後期の時系列で移動させる。また、必要に応じてガラス基板ＳＵＢを細矢印で示したように前後に揺動させることで、均一な照射をさせることもできるようになっている。なお熱を加える方法は、図中においてはＩＲヒーターを基板搬送系の真下に配置することで、基板の下方から熱Ｈを加えているが，基板に熱を加えることができれば配置位置はどこでもよく、またその方式も、装置系全体を密閉して熱風加熱する方法やホットプレートを基板の真下に配置して、ホットプレート毎基板を図中の大矢印方向に移動させる方法など、どのような加熱方法を用いても特に問題にはならない。
【００２２】
配向プロセスの初期Ｐ１と中期Ｐ２にかけては、波長カットフィルタＦ１を通したロングアーク光源ＬＡＬからの波長は２３０〜２７０ｎｍで、与える熱Ｈは初期では１００℃、中期では１００〜１５０℃とする。そして、後期Ｐ３では波長カットフィルタＦ２を通したロングアーク光源ＬＡＬからの波長は２８０〜３３０ｎｍで、与える熱Ｈは２００℃とする。この偏光紫外線ＰＵＶはロングアーク光源ＬＡＬの光路に偏光子を介挿することで得られるが、偏光子の図示は省略した。
【００２３】
このように、実施例１では、配向膜ＯＲＩに対して偏光紫外線ＰＵＶを照射して配向制御能を付与する光配向処理時（配向プロセス）中に、同時に熱Ｈを与えて配向膜ＯＲＩに加熱処理を施す。
【００２４】
図２は、偏光紫外線ＰＵＶの照射中に時系列で加熱処理を行なう配向制御能の付与プロセスを説明する図である。図２（ａ）〜図７（ｂ）は初期Ｐ１におけるプロセス内容である。配向膜の高分子の主鎖ＭＭＣは図２（ａ）に示したように交差している。この配向膜ＯＲＩに波長２３０〜２７０ｎｍの偏光紫外線を照射すると共に加熱（略１００℃）することで分子鎖運動が促進され、図２（ｂ）のように偏光方向と直交する方向の主鎖が切断される。
【００２５】
切断された主鎖の一部は、中期Ｐ２で加熱温度を若干上昇させる（略１００〜１５０℃）ことで、図２（ｃ）に示したように偏光方向の主鎖に倣った方向に再配列する。
【００２６】
そして、図２（ｄ）の後期Ｐ３では、波長カットフィルタＦ２を通したロングアーク光源ＬＡＬからの波長は２８０〜３３０ｎｍと、さらに高い加熱（略２００℃）を与えることで、再配置された切断高分子の主鎖が光および熱架橋される（再架橋）。
【００２７】
実施例１では、光配向プロセスを３段階に分割し、切断された主鎖が切断されない偏光方向の主鎖に沿う再配置に時間をかけることで、より揃った分子配列が得られる。これにより、配向規制力が向上し、残像の発生が抑制されて、高品質の画像表示を得ることができる。
【００２８】
このように、光配向処理工程を初期、中期、後期に分け、それぞれの処理プロセスで光分解（初期）、再配置（中期）、再架橋（後期）に最適な反応条件とすることで、それぞれの反応の効率を高めることができる。加熱温度を変化させる昇温プロファイルは、初期では光分解を促進する条件として偏光紫外線ＰＵＶに加えて１００℃程度の熱を加えることで、光分解反応を促進することができる。中期の再配列では、分子のガラス転移点温度に近い温度で架橋が発生しない温度である略１００〜１５０℃、後期は架橋に必要な２００℃前後とする。これらの処理により、より整った分子鎖配向状態を得ることが出来るため、配向規制力が向上し、残像が起こりにくくなる。
【００２９】
従来の偏光照射では、光分解に必要な波長域も光架橋に必要な波長域も同時に頗射していた。これに対し、本実施例では、初期の照射波長を光分解に必要な波長域を主として照射し、後期の照射波長域を光架橋に必要な波長域を主として腰射することで、それぞれの反応工程で最適な反応条件とすることができる。このため、より整った分子鎖配向状態を得ることが出来、配向規制力が向上し、残像が起こりにくくなる。
【００３０】
光分解に必要な波長は、一般的なシクロブタンテトラカルボン酸とフェニレンジアミンによるポリイミドを使用した場合、フェニレンジアミンの吸収波長域である２３０〜２７０ｎｍである。この波長域を主として照射することが好適である。また、後期の光架橋で必要な波長は２８０〜３３０ｍｍであり、この波長域を主として照射し、なるべく光分解波長の照射強度を下げることが望ましい。
【００３１】
光分解型の配向制御能を付与する配向プロセスでは、液晶配向に不要な方向の配向膜主鎖を偏光紫外線ＰＵＶで分解させることで配向性を得る。さらに詳細には、光配向処理では一方の配向膜主鎖を切断することで他方の分子の主鎖の配向規制力を相対的に向上させている。しかし、短くなった配向膜主鎖であっても液晶との相互作用は存在し，その相互作用の方向は不要な配向方向であるため、配向性の低下要因であると言える。また、熱による再配列で配向方向に動いた短い配向膜主鎖は、初期的には配向性の向上要因になる。
【００３２】
しかし、分子量の小さな配向膜では、液晶が電界駆動により配向膜の配向方向と異なる方向に向いたときに、液晶と配向膜の相互作用による強いトルクによる影響で配向膜主鎖は駆動前の配向方向からずれた方向に向き易くなる。つまり、液晶駆動により配向方向が乱されるということであり、表示装置として使用中に配向性を低下させる要因となる。そこで、配向処理の最後に加熱処理を加えることで、配向膜中特に配向膜表面に存在する低分子化合物を除去することができ、相対的に高分子の配向膜とすることができるため、上記液晶駆動による配向性低下の影響を受け難くすることができる。加熱処理はかならずしも配向処理の直後である必要はなく、一対の基板を組み合わせて液晶セルを作製するまでの工程で行えばよい。また，加熱方法はＩＲ加熱や熱風加熱、ホットプレート加熱などの方法で１５０〜２５０℃（基板の温度）で１０〜６０分程度加熱すればよい。加熱中の雰囲気は、窒素などの不活性ガス中で行うことが望ましいが、通常の大気雰囲気でも十分な脱ガス効果が得られる。
【００３３】
一般的なシクロブタンテトラカルボン酸とフェニレンジアミンによるポリイミドを使用した場合、光配向膜ポリイミドの光切断工程では、光吸収部であるフェニレンジアミンの分子方向に光吸収が発生する。従って、光切断する場合、配向方向から最も離れた９０°方向の偏光紫外線ＰＵＶを照射することで配向方向の分子を残し、配向に不要な分子を切断する。
【００３４】
再架橋工程では、分解されて生成したマレイミド末端を光架橋している。この光架橋の際、マレイミドの遷移吸収モーメントの方向に偏光を照射してやることで、より整った分子配向状態を得ることが出来る。全く置換基のないマレイミドの遷移モーメントは配向膜の主鎖に対して９０°の方向になり、光切断時の偏光方向と一致するため、この場合は偏光紫外線ＰＵＶの方向を変える必要はない。一方、置換基のついたマレイミドの遷移モーメントは配向膜の主鎖に対して９０°の方向からずれるため、その方向にあわせた偏光紫外線ＰＵＶを当てることで再架橋を促進することができる。例として示したマレイミドについては、配向膜の主鎖に対して８５°の方向になる。
【００３５】
本実施例では、光源または基板を偏光紫外線ＰＵＶを照射しながら走査して処理するプロセスで使用可能である。その場合、本方法を実施する装置の配置を分解、再配列、再架橋に分けることで実現できる。その際、配向処理に必要な許容照射軸が得られない。大きな軸ずれ領域についても、その軸分布が偏光の走査方向に対称形状となるのであれば、スキャン処理で平均軸角度を小さくすることができる。そのとき、スキャン方向の光束の軸分布角を±１００以下であれば問題なく使用可能である。
【００３６】
光分解型の配向プロセスでは、配向に不要な方向の配向膜主鎖を、その方向に偏光紫外線ＰＵＶの照射軸をあわせて照射することで分解し配向性を得る。しかし、実際の偏光紫外線ＰＵＶは照射軸方向以外の光成分も持つ。この照射軸方向の光強度を照射軸と直交する光強度で割った値が消光比であるが、この値が小さいと光分解させたくない方向の分子の分解量が増大する。この許容値は上記したような処理をした場合には許容値はより厳しくなる。
【００３７】
光束の軸分布角の大きい光源をスキャンで相殺する場合、初期に照射した時の光束角度の影響を強く受ける。一つの光源を低速でスキャンする場合特に寄与率が大きく、軸の相殺ができない。複数の光源を用いて高速でスキャンをすることで，軸の相殺が可能である。
【００３８】
図３は、光配向の処理装置を模式的に説明する図である。液晶表示パネルのガラスを好適とする一方の基板である薄膜トランジスタ基板（ＴＦＴ基板）あるいは同じく他方の基板であるカラーフィルタ基板（ＣＦ基板）に塗布した配向膜に配向制御能を付与する。図３において、ガラス基板ＳＵＢ主面（内面）に配向制御能未付与の配向膜ＯＲＩが成膜されている。光源はロングアーク光源ＬＡＬで、この紫外線ランプＬＡＬからの紫外線は偏光子ＰＬＺで所定の偏光成分のみが選択され、ガラス基板に成膜された配向膜ＯＲＩを照射する。ガラス基板を矢印Ａ方向に移送させ、基板全域の配向膜に配向制御能を付与する。なお、光源に対する基板の移動は相対的なものであり、光源側を移動させてもよく、あるいは光源と基板の両者を移動させるようにしてもよい。
【００３９】
図４は、本発明が適用される液晶表示パネルの構成例を説明する一画素付近の断面模式図である。この液晶表示パネルＰＮＬはＩＰＳ方式の液晶表示パネルであり、ガラスを好適とするＴＦＴ基板ＳＵＢ１とＣＦ基板ＳＵＢ２の間に封入した液晶ＬＣを有する。ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の内面にはゲート電極ＧＴ、ゲート絶縁膜ＧＩ、シリコン半導体層ＳＩ、ソース電極ＳＤ１、ドレイン電極ＳＤ２からなる薄膜トランジスタＴＦＴが形成されている。薄膜トランジスタＴＦＴを覆って絶縁層ＩＮＳが形成され、この絶縁層ＩＮＳ上に対向電極ＣＴがパターニングされている。
【００４０】
対向電極ＣＴを覆ってパッシベーション膜（パス膜）ＰＡＳが成膜されている。このパス膜ＰＡＳの上には画素電極ＰＸがパターニングされ、絶縁層ＩＮＳとパス膜ＰＡＳに形成したコンタクトホールを通してソース電極ＳＤ１に接続されている。画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとは、表示面側からみて櫛歯状に互いに噛み合うように配置されている。そして、最上層に一方の配向膜ＯＲＩ１が形成されている。
【００４１】
また、ＣＦ基板ＳＵＢ２の内面にはブラックマトリクスＢＭと、このブラックマトリクスＢＭで区画されたカラーフィルタＣＦが形成されている。このカラーフィルタＣＦの上にはオーバーコート層（平滑層）ＯＣを介して他方の配向膜ＯＲＩ２が形成されている。
【００４２】
この液晶表示パネルでは、上記の一方の配向膜ＯＲＩ１と他方の配向膜ＯＲＩ２の両方に光配向処理で液晶配向制御能が付与されている。なお、少なくともＴＦＴ基板ＳＵＢ１側の配向膜ＯＲＩ１は、該ＴＦＴ基板ＳＵＢ１の内面が薄膜トランジスタＴＦＴの存在で凹凸が激しいため、光配向処理で液晶配向制御能を付与することで、配向安定性が得られ、高品質の画像表示を可能とした液晶表示装置を構成できる。
【００４３】
なお、ＴＦＴ基板ＳＵＢ１とＣＦ基板ＳＵＢ２の外面には、それぞれ偏光板ＰＯＬ１、ＰＯＬ２が積層されて液晶表示パネルＰＮＬを構成している。
【００４４】
図５は、本発明により製造された液晶表示装置の全体構造例を説明する展開斜視図である。図４と同一符号は同一機能部分に対応する。液晶表示パネルＰＮＬは、周辺（ここでは、上辺と左辺）に駆動回路が搭載されている。上辺に搭載されているのはデータ線駆動回路チップ、左辺に搭載されているのは走査線駆動回路チップである。なお、ここでは駆動回路チップを搭載と記載したが、これに代えてＴＦＴ基板上に直接作り込んだ駆動回路とすることもできる。
【００４５】
駆動回路はフレキシブルプリント基板ＦＰＣで図示しない信号源に接続されている。液晶表示パネルＰＮＬの背面にはバックライトユニットＢＬが設置されている。バックライトユニットＢＬは、導光板ＧＬＢ、光源、プリズムシートや拡散シートからなる光学補償部材、導光板ＧＬＢの背面に設置された図示されない反射シートなどを収容したモ−ルドフレームＭＤＬで構成される。
【００４６】
そして、液晶表示パネルＰＮＬの上から金属材の上フレームＳＨＤを被せ、モ−ルドフレームＭＤＬの背面に設けた金属材の下フレームＭＦＬと接続して一体化される。液晶表示パネルＰＮＬに形成された電子潜像をバックライトユニットＢＬからの照明光で可視化する。
【図面の簡単な説明】
【００４７】
【図１】本発明による液晶表示装置の製造方法の光配向法を説明する概念図である。
【図２】偏光紫外線ＰＵＶの照射中に時系列で加熱処理を行なう配向制御能の付与プロセスを説明する図である。
【図３】光配向の処理装置を模式的に説明する図である。
【図４】本発明が適用される液晶表示パネルの構成例を説明する一画素付近の断面模式図である。
【図５】本発明により製造された液晶表示装置の全体構造例を説明する展開斜視図である。
【図６】光配向法を説明する概念図である。
【図７】偏光紫外線ＰＵＶの照射と加熱処理を同時に行なう従来の偏光紫外線の照射による配向膜に対する配向制御能の付与プロセスを説明する図である。
【符号の説明】
【００４８】
ＳＵＢ・・・基板、ＳＵＢ１・・・ＴＦＴ基板、ＳＵＢ２・・・ＣＦ基板、ＰＸ・・・画素電極、ＯＲＩ・・・配向膜、ＯＲＩ１・・・ＴＦＴ基板側の配向膜、ＯＲＩ２・・・ＣＦ基板側の配向膜、ＣＴ・・・対向電極（共通電極）、ＣＦ・・・カラーフィルタ、ＬＣ・・・液晶、ＢＭ・・・ブラックマトリクス、ＰＯＬ１,ＰＯＬ２・・・偏光板、ＰＵＶ・・・偏光紫外線、ＬＡＬ・・・ロングアーク光源。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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