【事件の表示】
　特願２００９−２８３３２６「基板を処理する方法及び装置及びそれらのためのセラミック組成物」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　６月２４日出願公開、特開２０１０−１４１３４１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　この出願は、１９９９年７月２６日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９８年７月２９日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする特願２０００−５６２９３０号の一部を平成２１年１２月１４日に新たな特許出願としたものであって、平成２２年１月１３日に手続補正書が提出され、同年５月１１日に手続補正書が提出され、平成２４年８月２９日付けで拒絶理由が通知され、平成２５年１月７日に意見書及び手続補正書が提出され、同年６月２４日付けで拒絶査定がされ、これに対し、同年１０月２８日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、同日付けで特許請求の範囲の補正に係る手続補正書が提出されたものである。
　
第２　平成２５年１０月２８日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　　平成２５年１０月２８日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容
　平成２５年１０月２８日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、平成２５年１月７日付けの手続補正後の特許請求の範囲である
「【請求項１】
　反応室内で基板を処理する際に使用する処理キットであって、該処理キットは、少なくともウエハ捕獲リングと収束リングとを含む複数のリング部材を備え、該複数のリング部材は、（ｉ）セラミック化合物及び（ii）３Ｂ族金属酸化物を含むセラミック組成物を有する処理キット。
　　【請求項２】
　前記セラミック化合物が本質的に酸化アルミニウムからなり、前記３Ｂ族金属酸化物が本質的に酸化イットリウムからなる請求項１に記載の処理キット。
　　【請求項３】
　前記セラミック化合物が３重量％を超える前記３Ｂ族金属酸化物を含む請求項１に記載の処理キット。
　　【請求項４】
　処理気体の高密度プラズマ内で基板を処理する間に耐腐食性を有する誘電体部材であって、処理パワーを通して送ることのできる天井又は誘電体窓を含み、（ｉ）セラミック化合物と、（ii）３Ｂ族金属酸化物とを含むセラミック組成物を含む誘電体部材。
　　【請求項５】
　前記セラミック化合物が本質的に酸化アルミニウムからなり、前記３Ｂ族金属酸化物が本質的に酸化イットリウムからなる請求項４に記載の誘電体部材。
　　【請求項６】
　３０重量％乃至８５重量％のセラミック化合物と、３重量％乃至６０重量％の３Ｂ族金属酸化物と、１重量％乃至６重量％の添加剤と、５重量％乃至３５重量％の結合剤と、を含んだセラミック組成物。
　　【請求項７】
　少なくともウエハ捕獲リングと収束リングとを含む複数のリング部材を備える請求項６に記載のセラミック組成物。
　　【請求項８】
　誘電体窓、又は前記セラミック組成物を通して処理パワーを送ることのできる天井を備える請求項６に記載のセラミック組成物。」
を、
「【請求項１】
　電子サイクロトロン共振プラズマ源、ヘリコン共振プラズマ源、及び誘導結合プラズマ源を含む高密度プラズマ源を有する反応室内で基板を処理する際に使用する処理キットであって、該処理キットは、少なくともウエハ捕獲リングと収束リングとを含む複数のリング部材を備え、該複数のリング部材は、（ｉ）３０重量％乃至９５重量％の、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、及びこれらの混合物からなる群から選択される、セラミック化合物及び（ii）５重量％乃至７０重量％の、３Ｂ族金属酸化物を含むセラミック組成物を有する処理キット。
　　【請求項２】
　前記セラミック化合物が本質的に酸化アルミニウムからなり、前記３Ｂ族金属酸化物が本質的に酸化イットリウムからなる請求項１に記載の処理キット。
　　【請求項３】
　前記セラミック化合物が３重量％を超える前記３Ｂ族金属酸化物を含む請求項１に記載の処理キット。
　　【請求項４】
　処理気体の高密度プラズマ内で基板を処理する間に耐腐食性を有する誘電体部材であって、該高密度プラズマは、電子サイクロトロン共振プラズマ源、ヘリコン共振プラズマ源、及び誘導結合プラズマ源を含む高密度プラズマ源により発生され、処理パワーを通して送ることのできる天井又は誘電体窓を含み、（ｉ）３０重量％乃至９５重量％の、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、及びこれらの混合物からなる群から選択される、セラミック化合物と、（ii）５重量％乃至７０重量％の、３Ｂ族金属酸化物とを含むセラミック組成物を含む誘電体部材。
　　【請求項５】
　前記セラミック化合物が本質的に酸化アルミニウムからなり、前記３Ｂ族金属酸化物が本質的に酸化イットリウムからなる請求項４に記載の誘電体部材。
　　【請求項６】
　３０重量％乃至８５重量％のセラミック化合物と、３重量％乃至６０重量％の３Ｂ族金属酸化物と、０．１重量％乃至６重量％の添加剤と、５重量％乃至３５重量％の結合剤と、を含んだセラミック組成物。
　　【請求項７】
　少なくともウエハ捕獲リングと収束リングとを含む複数のリング部材を形成するように成形される請求項６に記載のセラミック組成物。
　　【請求項８】
　誘電体窓、又は前記セラミック組成物を通して処理パワーを送ることのできる天井を形成するように成形される請求項６に記載のセラミック組成物。」
と補正するものである。
　
２　補正の適否
（１）目的要件・新規事項
　上記補正は、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項（以下、「発明特定事項」という。）である「反応室」を「電子サイクロトロン共振プラズマ源、ヘリコン共振プラズマ源、及び誘導結合プラズマ源を含む高密度プラズマ源を有する反応室」と限定し、補正前の「（ｉ）セラミック化合物」を「（ｉ）３０重量％乃至９５重量％の、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、及びこれらの混合物からなる群から選択される、セラミック化合物」と限定し、「（ii）３Ｂ族金属酸化物」を「（ii）５重量％乃至７０重量％の、３Ｂ族金属酸化物」と限定し、補正前の請求項４に記載した発明特定事項である「処理パワーを通して送ることのできる天井又は誘電体窓」を「該高密度プラズマは、電子サイクロトロン共振プラズマ源、ヘリコン共振プラズマ源、及び誘導結合プラズマ源を含む高密度プラズマ源により発生され、処理パワーを通して送ることのできる天井又は誘電体窓」と限定し、「（ｉ）セラミック化合物」を「（ｉ）３０重量％乃至９５重量％の、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、及びこれらの混合物からなる群から選択される、セラミック化合物」と限定し、「（ii）５重量％乃至７０重量％の、３Ｂ族金属酸化物」」を「（ii）５重量％乃至７０重量％の、３Ｂ族金属酸化物」と限定し、拒絶査定で指摘された新たな特許請求の範囲の記載不備についての拒絶理由に応じて補正前の請求項６に記載した発明特定事項である「１重量％」を「０．１重量％」と補正するものであって、その補正前の請求項１に記載された発明と本件補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、平成１４年法律第２４号改正附則第２条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下、「平成１４年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」及び同第４項の「明りょうでない記載の釈明」を目的とするものに該当し、また、上記補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものである。
　
（２）独立特許要件
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
ア　刊行物及び刊行物に記載された事項
（ア）刊行物
　特開平１０−４５４６７号公報
（平成２４年８月２９日付けの拒絶理由における引用文献１である。以下、同様に「引用文献１」という。）
　特開平５−１４０７７１号公報
（平成２４年８月２９日付けの拒絶理由における引用文献３である。以下、同様に「引用文献３」という。）
　
（イ）引用文献１に記載された事項
1a　「【請求項１】フッ素系腐食ガス或いはそのプラズマに曝される部位が，周期律表３ａ族金属と、Ａｌ及び／又はＳｉを含む複合酸化物からなることを特徴とする耐食性部材。」　
1b　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特にフッ素系腐食性ガスおよびフッ素系プラズマに対して高い耐食性を有する、プラズマ処理装置や半導体製造用又は液晶用プラズマプロセス装置の内の内壁材や治具等、放電管、メタルハライド等のランプ等の放電壁として使用される耐食性部材に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造のドライプロセスやプラズマコーティング、放電管、ランプなど、プラズマの利用は近年急速に進んでいる。半導体におけるプラズマプロセスとしては、フッ素系等のハロゲン系腐食ガスがその反応性の高さから、気相成長、エッチングやクリーニングに利用されている。
【０００３】これら腐食性ガスに接触する部材には高い耐食性が要求され、従来より被処理物以外のこれらプラズマに接触する部材は、一般にガラスや石英などのＳｉＯ２を主成分とする材料やステンレス、モネル等の耐食性金属が多用されている。
【０００４】また、半導体製造製造時において、ウェハを支持固定するサセプタ材としてアルミナ焼結体、サファイア、ＡｌＮの焼結体、又はこれらをＣＶＤ法等により表面被覆したものが耐食性に優れるとして使用されている。また、グラファイト、窒化硼素をコーティングしたヒータ等も使用されている。」
1c　「【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、フッ素系腐食ガス及びプラズマに対する耐食性を高めるための方法について検討を重ねた結果、まず、フッ素系腐食ガス又はプラズマとの反応が進行すると高融点のフッ化物が生成されること、特に周期律表第３ａ族元素とＡｌおよび／またはＳｉとの複合酸化物は、安価に入手できるとともに、そのフッ化物が表面に安定なフッ化物層を形成し部材の腐食性が抑制され、従来のアルミナやガラス、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４などよりも優れた耐食性を実現できることを知見したものである。
【０００９】即ち、本発明の耐食性部材は、上記の知見に基づき完成されたものであり、フッ素系腐食ガス或いはそのプラズマに曝される耐食性部材における少なくとも前記腐食ガスやプラズマに直接接触する部位が、周期律表第３ａ族元素と、Ａｌおよび／またはＳｉを含む複合酸化物によって構成することにより、高温、高密度のフッ素系腐食雰囲気において長時間の耐性を有する比較的安価な部材を提供できるものである。
【００１０】本発明によれば、フッ素系ガス及びプラズマに曝される部材として周期律表第３ａ族元素と、Ａｌ及び／又はＳｉを含む複合酸化物材料を使用することにより、材料表面がフッ素との反応によって安定なフッ化物層を生成し、幅広い温度範囲で過酷なフッ素系腐食雰囲気への耐性向上が達成される。さらに、フッ素と反応して容易に揮発してしまうようなＳｉ、Ｇｅ、Ｍｏ等の元素化合物の粒界への析出を抑え、その遍在を防ぐことにより、局部的な耐食性の低下とそれを原因とした脱粒・パーティクル発生を防止し、更なる耐食性の向上を図ることが可能となる。これらの元素は腐食の初期段階で揮発していくが、材料表面には第３ａ族を含むフッ化物が残留して、次第に第３ａ族元素に富むフッ化物層が形成される結果、腐食の進行を抑制することができる。
【００１１】しかも、周期律表第３ａ族元素と、Ａｌ及び／又はＳｉを含む複合酸化物は、周期律表第３ａ族元素酸化物に比較して、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法などの薄膜技術によって形成するのに止まらず、緻密な焼結体として作製することができるために、あらゆる形状品に適合することが可能となる。」
1d　「【００１６】複合酸化物は、望ましくは、結晶質を主体とすることがよく、特にＹＡＧ（３Ｙ２Ｏ３・５Ａｌ２Ｏ３ などのガーネット型結晶、ＹＡＭ（２Ｙ２Ｏ３・Ａｌ２Ｏ３）などの単斜晶型結晶、ＹＡＰ（Ｙ２Ｏ３・Ａｌ２Ｏ３）などのペロブスカイト型結晶、モノシリケート（Ｙ２Ｏ３・ＳｉＯ２）、ダイシリケート（Ｙ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）などのシリケート化合物を主体とするものが優れた耐食性を有する点で望ましい。これらの中でもガーネット型結晶、ダイシリケート型結晶が焼結性と製造コストが安価である点で最も望ましい。」
1e　「【００２２】［表１］
」
（ウ）引用文献３に記載された事項
3a　「【００１２】
【実施例】図１は、この発明の一実施例に係るエッチング装置を示す断面図である。図２の従来例と同一または相当する部分には同一符号を付し、以下においては当該従来例との相違点を主に説明する。
【００１３】この実施例においては、前述した従来のフォーカスリング２２に相当するセラミックス製のフォーカスリング２４を、第１の電極６上に載置する、あるいは取り付けるのではなく、矢印Ａのように昇降可能にしている。また、このフォーカスリング２４の内径を、試料１０の外径よりも幾分小さくして、試料１０を押さえ付けることができるようにしている。更にこの例では、フォーカスリング２４を、外側のフォーカスリング２４ａと内側の着脱可能なフォーカスリング２４ｂから成る二重構造にしているが、その理由は後述する。」　
3b　「【００２６】なお、必須ではないけれども、この例のようにフォーカスリング２４を二重構造にしておけば、その内側のフォーカスリング２４ｂを交換することによって、フォーカスリング２４全体の高さを簡単に調整することができ、それによってエッチングガス１４の流れを整える働きを調整して、試料１０に対するエッチングの均一性等の調整を簡単に行うことができる。
【００２７】また、上記例では外側のフォーカスリング２４ａと試料１０を押さえる部分とが一つの部材で構成されたものを例示したが、試料１０を押さえる部分を必要に応じて別部材で構成しても良い。」
3c　「 【図１】
」
　
イ　引用文献１に記載された発明
　引用文献１には、請求項１として「フッ素系腐食ガス或いはそのプラズマに曝される部位が，周期律表３ａ族金属と、Ａｌ及び／又はＳｉを含む複合酸化物からなることを特徴とする耐食性部材。」（摘示1a）が記載されている。
　そして、「耐食性部材」として「プラズマ処理装置や半導体製造用又は液晶用プラズマプロセス装置の内の内壁材や治具等」が列挙され、「ウェハを支持固定するサセプタ材」が具体例として記載されている（摘示1b）。
　また、「本発明の耐食性部材は、上記の知見に基づき完成されたものであり、フッ素系腐食ガス或いはそのプラズマに曝される耐食性部材における少なくとも前記腐食ガスやプラズマに直接接触する部位が、周期律表第３ａ族元素と、Ａｌおよび／またはＳｉを含む複合酸化物によって構成することにより、高温、高密度のフッ素系腐食雰囲気において長時間の耐性を有する比較的安価な部材」（摘示1c）であることが記載されている。
　さらに、「複合酸化物は、望ましくは、結晶質を主体とすることがよく、特にＹＡＧ（３Ｙ２Ｏ３・５Ａｌ２Ｏ３ などのガーネット型結晶、ＹＡＭ（２Ｙ２Ｏ３・Ａｌ２Ｏ３）などの単斜晶型結晶、ＹＡＰ（Ｙ２Ｏ３・Ａｌ２Ｏ３）などのペロブスカイト型結晶、・・・が優れた耐食性を有する点で望ましい。これらの中でもガーネット型結晶・・・が焼結性と製造コストが安価である点で最も望ましい。」（摘示1d）と記載され、ＹＡＧが焼結体として用いられることが表１の試料１０、１１に示されている（摘示1e）。
　そうすると、引用文献１には、
「プラズマ処理装置の高温、高密度のフッ素系腐食ガスのプラズマに曝される部位が，周期律表３ａ族金属と、Ａｌを含む複合酸化物であるＹＡＧ（３Ｙ２Ｏ３・５Ａｌ２Ｏ３）焼結体からなる内壁材や治具等であるウェハを支持固定するサセプタ材に用いられる耐食性部材。」
の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
ウ　本願補正発明と引用発明との対比
　本願補正発明と引用発明とを対比する。
　引用発明における、「ウェハを支持固定する」「プラズマ処理装置の高温、高密度のフッ素系腐食ガスのプラズマに曝される部位」は、本願補正発明における「高密度プラズマ源を有する反応室」に相当する。
　そして、引用発明における「内壁材や治具等であるウェハを支持固定するサセプタ材に用いられる耐食性部材」は、本願補正発明における「反応室内で基板を処理する際に使用する処理キットであって、該処理キットは、少なくともウエハ捕獲リングと収束リングとを含む複数のリング部材」と「基板を処理する際に使用する部材」である点で共通する。
　また、引用発明における「ＹＡＧ（３Ｙ２Ｏ３・５Ａｌ２Ｏ３）焼結体」は、セラミック組成物であることは明らかで、その成分であるイットリウム酸化物（Ｙ２Ｏ３）は、３Ｂ族金属酸化物に包含され（本件補正後の請求項２参照）、アルミ酸化物（Ａｌ２Ｏ３）が「炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、及びこれらの混合物からなる群から選択される、セラミック化合物」に包含され、イットリウムとアルミニウムが原子比で３：５であることは明らかであるから、イットリウム酸化物とアルミ酸化物の原子％が「３７．５％」と「６２．５％」であることイットリウム酸化物とアルミ酸化物の分子量がそれぞれ「２２５．８１」と「１０１．９６」であることで換算すると、イットリウム酸化物とアルミ酸化物の重量％が「５７．０６％」と「４２．９４％」となり、アルミ酸化物がセラミックの一形態である焼結体の成分であることでセラミック化合物と称することができることは当業者であれば自明であるから、本願補正発明における「（ｉ）３０重量％乃至９５重量％の、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、及びこれらの混合物からなる群から選択される、セラミック化合物及び（ii）５重量％乃至７０重量％の、３Ｂ族金属酸化物を含むセラミック組成物」と「（ｉ）４２．９４重量％の、セラミック化合物である酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）及び（ii）５７．０６重量％の、３Ｂ族金属酸化物であるＹ２Ｏ３を含むセラミック組成物を有する」点で一致する。
　そうすると、本願補正発明と引用発明とは、
　「高密度プラズマ源を有する反応室内で基板を処理する際に使用する部材を備え、該部材は、（ｉ）４２．９４重量％の、セラミック化合物である酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）及び（ii）５７．０６重量％の、３Ｂ族金属酸化物であるＹ２Ｏ３を含むセラミック組成物を有する。」
点において一致し、以下の点Ａ及びＢにおいて相違すると認められる。
　
Ａ　高密度プラズマ源を有する反応室に関して、本願補正発明は、「電子サイクロトロン共振プラズマ源、ヘリコン共振プラズマ源、及び誘導結合プラズマ源を含む」のに対して、引用発明は、高密度プラズマ源の形式については特定のない点（以下、「相違点Ａ」という。）
Ｂ　部材に関して、本願補正発明は、「処理キットであって、該処理キットは、少なくともウエハ捕獲リングと収束リングとを含む複数のリング」であるのに対して、引用発明は、「内壁材や治具等であるウェハを支持固定するサセプタ材に用いられる」点（以下、「相違点Ｂ」という。）
　
エ　相違点についての判断
（ア）相違点Ａについて
　例えば、特開平１０−１５００２０号公報（平成２４年８月２９日付けの拒絶理由における周知例である。以下、「周知例１」という。）には、
「【００２５】図１は、本発明のプラズマ処理装置の１例を示す模式的縦断面図である。この装置は、マイクロ波と磁場との相互作用による電子サイクロトロン共鳴（ＥＣＲ：Electron Cyclotron Resonance）を利用してプラズマを生成し、シリコン酸化膜をエッチングする装置である。
【００２６】反応容器は、プラズマ生成室１０と反応室１１とからなっている。
【００２７】プラズマ生成室１０の上部には、第１のマイクロ波導入窓１３ａが配設されている。プラズマ生成室１０内の後述する内筒管１６の上部には、第２のマイクロ波導入窓１３ｂが配設されている。第１のマイクロ波導入窓１３ａは、石英などで形成される。第２のマイクロ波導入窓１３ｂは、窒化アルミニウムで形成される。マイクロ波は、マイクロ波発振器（図示せず）から導波管１２を介して供給され、マイクロ波導入窓１３からプラズマ生成室１０に導入される。また、プラズマ生成室１０の周囲にはこれと同心状に磁場発生コイル１４が配設されている。」
「【００３７】なお、この例では、第１のマイクロ波導入窓１３ａは石英などで作製されるとしたが、窒化アルミニウムで作製しても良いことは言うまでもない。また、内筒管１６および内筒管１７も、窒化アルミニウムで作製しても良い。」
「【００４３】また、ＥＣＲプラズマ処理装置の例について説明したが、マイクロ波をマイクロ波導入窓を介して反応容器内のプラズマ発生部に導入してプラズマを発生させるプラズマ処理装置に適用することができる。ただし、ＥＣＲプラズマ処理装置はマイクロ波導入窓の下に高密度で高活性なプラズマを発生させる特徴を備えているので、本発明のプラズマ処理装置はＥＣＲプラズマ処理装置に好適である。」
　また、特開平９−１２９３９７号公報（平成２４年８月２９日付けの拒絶理由における周知例である。以下、「周知例２」という。）には
「【０００２】
【従来の技術】従来、表面処理装置には誘導結合型プラズマを用いたものが存在する。ここで、図１３に符号１０で示すものは、従来の誘導結合型プラズマを用いたエッチング装置である。このエッチング装置１０は、内部に反応室１２を有する反応容器１４を備えている。この反応容器１４は、その上部にアルミナを主成分とするセラミック又は石英等の絶縁体により形成された誘電体窓１４ａを有する。この誘電体窓１４ａの外周には、ソレノイドコイル状のコイルアンテナ１６が誘電体窓１４ａの外周に密着した状態で巻き付けられており、このアンテナ１６に高周波を印加することにより、反応容器１４の内部に交番磁界を生じさせ、反応容器１４の内部にプラズマを形成する。
【０００３】また、ウエハ１８を支持するサセプタ２０と反応容器１４の上部に設けられた対向電極２２との間に高周波電流を印加することにより、ウエハ１８の表面に形成された酸化シリコン膜等のエッチングを行っている。」
「【００４６】次に、図８を参照して本発明の第４の実施の形態を説明する。この実施の形態のエッチング装置１０は、図８に示すように、反応容器１４の上部にドーム形状の誘電体窓１４ａが設けられている。この誘電体窓１４ａは、アルミニウムのシールド電極１４ｄを内部及び外部の石英１４ｅにより挟んだ構造になっており、シールド電極１４ｄとサセプタ（電極）２０とは、バイアス側の電源（１３．５６ＭＨｚ）３０に接続されている。」
「【００６０】従来のプラズマでは、反応容器を浸食する主たるエッチャントはラジカルと考えられる。一方、低圧力で高密度の高周波誘導放電プラズマにおいては、反応容器を浸食する主たるエッチャントはイオンと考えられる。上述の実験結果より、炭化珪素が最も反応ガスのプラズマに対して高い耐性を持つことが明らかになった。」が記載されている。
　これら周知例１、２から「高密度プラズマ源として電子サイクロトロン共鳴や誘導結合型」は周知（以下、「周知技術」という。）と認められるので、この周知技術を参考にすれば、本願補正発明において、高密度プラズマ源を有する反応室に関して、「電子サイクロトロン共振プラズマ源及び誘導結合プラズマ源を含む」と特定することは、当業者であれば容易に想到し得るというべきである。
　そして、相違点Ａに係る特定事項を採用したことにより、本願補正発明が予測し得ない顕著な作用効果を奏するとも認められない。
（イ）相違点Ｂについて
　例えば、引用文献３には、エッチング装置のセラミックス製のフォーカスリングについて「外側のフォーカスリング２４ａと試料１０を押さえる部分とが一つの部材で構成されたものを例示したが、試料１０を押さえる部分を必要に応じて別部材で構成」（摘示3b）こと（以下、「引用文献３に記載された公知技術」という。）が記載されているように、フォーカス即ち収束や、押さえる部分即ち治具の機能を有するセラミックス製のリングは、エッチング装置において通常の部品にすぎない。さらに、押さえられる部分となる捕獲リングについても通常の部品にすぎないものと認められる。
　そうすると、引用発明に係る「治具等」を相違点Ｂの「少なくともウエハ捕獲リングと収束リングとを含む複数のリング」と特定することは、当業者であれば容易に想到し得るというべきである。
　そして、相違点Ｂに係る特定事項を採用したことにより、本願補正発明が予測し得ない顕著な作用効果を奏するとも認められない。
　
オ　まとめ
　以上によれば、本願補正発明は、分割に係る原出願の優先権主張の日前に頒布された引用文献１に記載された発明並びに引用文献３に記載された公知技術及び周知例1、２に示される周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本願補正発明は、特許出願の際独立してできるものではない。
　よって、請求項１についての補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものとはいえない。
　　
３　むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、その補正前の特許請求の範囲は、平成２５年１月７日付けの手続補正により補正されたとおりのものであるところ、その請求項１は、上記「第２」の「１」の項に示したとおりのものである（以下、「本願発明」という。）。
　
第４　原審において通知した拒絶の理由
　拒絶査定における拒絶の理由は、請求項１に係る発明は、引用文献１、すなわち、特開平１０−４５４６７号公報に記載された発明に基づいて、その優先権主張の日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（当業者）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、という理由を含むものである。
　
第５　当審の判断
　当審は、上記の拒絶の理由のとおり、本願発明は引用文献１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、と判断する。
　
１　刊行物、刊行物に記載された事項及び刊行物に記載された発明
　上記の拒絶の理由に引用された「特開平１０−４５４６７号公報」は、「第２」の「２」項の「ア」における「引用文献１」である。
　引用文献１に記載された事項は、同項の「ア」の（イ）に記載したとおりである。
　そして、引用文献１に記載された発明は、同項の「イ」に記載したとおりのもの（以下、同様に「引用発明」という。）である。
　　
２　対比・相違点についての判断
　本願発明は、「第２」の「２」項の（１）において示したとおり、本願補正発明における「電子サイクロトロン共振プラズマ源、ヘリコン共振プラズマ源、及び誘導結合プラズマ源を含む高密度プラズマ源を有する反応室」を「反応室」と限定を省略し、「（ｉ）３０重量％乃至９５重量％の、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ケイ素（Ｓｉ３Ｎ４）、炭化ホウ素（Ｂ４Ｃ）、窒化ホウ素（ＢＮ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、及びこれらの混合物からなる群から選択される、セラミック化合物」との発明特定事項が「（ｉ）セラミック化合物」と限定を省略し、「（ii）５重量％乃至７０重量％の、３Ｂ族金属酸化物」を「（ii）５重量％乃至７０重量％の、３Ｂ族金属酸化物」と限定を省略したものである。
　そうすると、本願発明と引用発明とを対比すると、両者の一致点は、
　「反応室内で基板を処理する際に使用する部材を備え、該部材は、（ｉ）セラミック化合物及び（ii）３Ｂ族金属酸化物を含むセラミック組成物を有する。」
となり、相違点は次のとおりとなる。
部材に関して、本願補正発明は、「処理キットであって、該処理キットは、少なくともウエハ捕獲リングと収束リングとを含む複数のリング」であるのに対して、引用発明は、「内壁材や治具等であるウェハを支持固定するサセプタ材に用いられる」点（以下、「相違点Ｂ’」という。
　
　この相違点Ｂ’は、「第２」の「２」の項（２）ウに示した、本件補正発明と引用発明との相違点Ｂである。
　そうすると、この相違点Ｂ’についても、同項（２）エ（イ）に記載したのと同様の判断ができる。
　
３　まとめ
　したがって、本願発明は、分割に係る原出願の優先権主張の日前に頒布された引用文献１に記載された発明及び引用文献３に記載された公知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
第６　むすび
　以上のとおり、本願発明は特許を受けることができないものであるから、その余の請求項について検討するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。