【事件の表示】
　特願２００８−１９６１９３「半導体ウェーハの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　２月１２日出願公開、特開２０１０−　３４３８７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本件出願は、平成２０年７月３０日の特許出願であって、平成２５年２月４日付けで拒絶の理由が通知され、平成２５年４月１０日に意見書とともに手続補正書が提出され、特許請求の範囲について補正がなされたが、平成２５年１０月１日付けで拒絶をすべき旨の査定がなされた。 
　これに対し、平成２６年１月８日に該査定の取消を求めて本件審判の請求がされると同時に手続補正書が提出され、特許請求の範囲についてさらに補正がなされたものである。
　
第２　平成２６年１月８日付けの手続補正についての補正の却下の決定 
［補正の却下の決定の結論］ 
　平成２６年１月８日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］ 
１　補正の内容の概要 
　平成２６年１月８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、平成２５年４月１０日付けで補正された特許請求の範囲をさらに補正するものであって、特許請求の範囲の請求項１を以下のように補正するものである。なお、下線部は補正箇所を示す。 
　
（１）＜補正前＞ 
「【請求項１】
　ゼータ電位が−１５ｍＶ以下である研磨液を用いて半導体ウェーハを研磨する研磨工程と、前記研磨工程後の前記半導体ウェーハを、ゼータ電位が−１５ｍＶ以下である保管液中に浸漬させて一時的に保管する保管工程とを有し、
　前記研磨工程は、粗研磨工程と仕上げ研磨工程とからなり、少なくとも仕上げ研磨工程において、ゼータ電位が−１５ｍＶ以下である研磨液を用いて前記半導体ウェーハを研磨し、
　前記仕上げ研磨工程で用いられる研磨液と前記保管液とを混合した混合液のゼータ電位は、−１５ｍＶ以下であることを特徴とする半導体ウェーハの製造方法。」 
　
（２）＜補正後＞ 
「【請求項１】
　ゼータ電位が−１５ｍＶ以下である研磨液を用いて半導体ウェーハを研磨する研磨工程と、前記研磨工程後の前記半導体ウェーハを、ゼータ電位が−１５ｍＶ以下である保管液中に浸漬させて一時的に保管する保管工程とを有し、
　前記研磨工程は、粗研磨工程と仕上げ研磨工程とからなり、少なくとも仕上げ研磨工程において、ゼータ電位が−１５ｍＶ以下である研磨液を用いて前記半導体ウェーハを研磨し、
　前記仕上げ研磨工程で用いられる研磨液と前記保管液とを混合した混合液のゼータ電位は、−１５ｍＶ以下であ
り、
　前記仕上げ研磨工程で用いられる研磨液及び前記保管液は、前記仕上げ研磨工程で用いられる研磨液と前記保管液とを混合した混合液のゼータ電位を測定し、測定した前記ゼータ電位が−１５ｍＶ以下となる組み合わせとして選択されたものである
　
２　補正の適否　　　 
　本件補正は、補正前の請求項１の「半導体ウェーハの製造方法」について、「前記仕上げ研磨工程で用いられる研磨液及び前記保管液は、前記仕上げ研磨工程で用いられる研磨液と前記保管液とを混合した混合液のゼータ電位を測定し、測定した前記ゼータ電位が−１５ｍＶ以下となる組み合わせとして選択されたものである」点を付加し限定するものであるから、特許請求の範囲の限定的減縮（特許法第１７条の２第５項第２号）を目的とするものに該当する。
　そこで、補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か、すなわち特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか否かについて検討する。　
　
（１）補正発明
　補正発明は、特許請求の範囲、明細書及び図面の記載からみて、上記１（２）に示す特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりの「半導体ウェーハの製造方法」であると認める。 
　
（２）刊行物 
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本件出願日前に頒布された刊行物である以下の文献には、以下の発明または事項が記載されていると認められる。 
　　刊行物１：国際公開第２００４／０４２８１２号
　　刊行物２：国際公開第　　０１／７１７８８号
　
（２−１）刊行物１
ア　刊行物１に記載された事項 
　刊行物１には、「研磨用組成物及びリンス用組成物」に関して、図表とともに以下の事項が記載されている。なお、下線は理解の便のため、当審で付したものである。　
　
（ア）
「背景技術
　
半導体デバイスの製造工程
　
（イ）
「本発明はまた、シリコンウエハを研磨するための以下の方法を提供する。その方法は、研磨用組成物を用意する工程とその研磨用組成物を用いて
シリコンウエハ
研磨する工程
研磨用組成物
二酸化ケイ素
で表される酸又はそれの塩である。その化学式において、Ｙ２及びＹ３のそれぞれはアルキレン基を表し、ｎは０〜４の整数のいずれかを表し、Ｒ８〜Ｒ１２で表される４＋ｎ個の置換基のそれぞれはアルキル基である。そのアルキル基のうちの少なくとも４つはホスホン酸基を有する。」（明細書第２ページ第１６〜末行）
　
（ウ）
「前記二酸化ケイ素は、シリコンウエハ表面を機械的に研磨する役割を担う。
二酸化ケイ素は、具体的には
沈殿法シリカ
　
（エ）
「シリコンウエハ表面の研磨は複数の段階に分けて行なわれることが好ましい。
例えば、粗研磨の第１段階、精密研磨の第２段階、及び仕上げ研磨の第３段階という三段階でシリコンウエハ表面は研磨されてもよい
　
（オ）
「本実施形態は、以下の利点を有する。
　本実施形態に係る
研磨用組成物
含有
キレート剤
キレート剤は、ゼータ電位で負電位を示すシリコンウエハ表面に対して静電的に反発する
　
（カ）
「
シリコンウエハの研磨とリンス
連続して行われる
　
イ　刊行物１に記載の発明
　上記摘記事項（エ）に「シリコンウエハ表面の研磨は複数の段階に分けて行なわれることが好ましい。例えば、粗研磨の第１段階、精密研磨の第２段階、及び仕上げ研磨の第３段階という三段階でシリコンウエハ表面は研磨されてもよい」とあり、また、摘記事項（イ）に「前記研磨用組成物は・・・二酸化ケイ素・・・を含有する　」とあり、かつ摘記事項（ウ）に「二酸化ケイ素は、具体的にはコロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、沈殿法シリカ等である。」とあるところ、「仕上げ研磨の第３段階」において研磨用組成物中の二酸化ケイ素として沈殿法シリカを使用できない事情が見当たらないことから、これらの記載をまとめて、研磨工程は、粗研磨の第１段階、精密研磨の第２段階、及び仕上げ研磨の第３段階という三段階とからなり、少なくとも仕上げ研磨の第３段階において、二酸化ケイ素として沈殿法シリカを用いた研磨用組成物を用いるものということができる。
　　
　そこで、上記摘記事項（ア）ないし（カ）を、図表を参照しつつ技術常識を踏まえて補正発明に照らして整理すると刊行物１には以下の発明が記載されていると認める。（以下「刊行物１発明」という。）
「研磨用組成物を用いてシリコンウエハを研磨する研磨工程と、前記研磨工程後の前記シリコンウエハをリンスする工程とを有し、
　前記研磨工程は、粗研磨の第１段階、精密研磨の第２段階、及び仕上げ研磨の第３段階という三段階とからなり、少なくとも仕上げ研磨の第３段階において、二酸化ケイ素として沈殿法シリカを用いた研磨用組成物を用いて前記シリコンウエハを研磨し、
　前記仕上げ研磨の第３段階で用いられる研磨用組成物は、ゼータ電位で負電位を示すシリコンウエハ表面に対して静電的に反発するキレート剤を含有するシリコンウエハの製造方法。」 
　
（２−２）刊行物２
ア　刊行物２に記載された事項 
　刊行物２には、「シリコンウェーハの保管用水及び保管方法」に関して、図表とともに以下の事項が記載されている。
　
（ア）
「技術分野
　本発明は
シリコンウェーハ
研磨直後
保管方法
　
（イ）
「例えば、図３に示したごとく、研磨工程Ａ後のウェーハは、次工程に洗浄工程Ｃがあり、この工程に送られるまでの待ち時間には水中（純水中）で保管される（ビット槽保管Ｂ）のが通常である。これは、ウェーハを大気中に放置したのでは、研磨スラリーの乾燥に起因したスラリーの固着が発生し、次工程の洗浄で除去することが困難になるためである。
　しかも、研磨後のウェーハ表面は非常に不安定である。このために保管中にウェーハ表面に金属を含む微粒子の付着が生じやすく、また研磨剤中のアルカリ成分によりウェーハ表面はエッチングされやすいといった問題があり、これらは洗浄後のウェーハ品質、特に酸化膜耐圧を低下させる大きな要因となっている。」（明細書第１ページ第２３行〜第２ページ第６行）
　
（ウ）
「本発明は、上記した問題点に鑑みなされたもので、ウェーハ表面への金属を含む微粒子の付着が低減し、また研磨剤中のアルカリ成分によるウェーハ表面のエッチングが防止され、洗浄後のウェーハ品質、特に酸化膜耐圧の悪化を防止すること、又はヘイズ（ＨＡＺＥ）の悪化及びパーティクルの付着を防止することができるようにしたシリコンウェーハの保管用水及び保管方法を提供することを目的とする。」（明細書第３ページ第２〜７行）
　
（エ）
「前記保管工程においては、純水にクエン酸のようなキレート効果のある有機酸を添加した保管水中で保管することも有効である。
　このようにウェーハに対して界面活性剤を実際に保管する保管用水とは別に使用することで、ウェーハ表面を的確に保護することができウェーハ表面の悪化を防止することができる。また、このウェーハの保管はエッチング工程及び／又は研磨工程後直ぐに行うのが通常である。」（明細書第７ページ第５〜１０行）
　
（オ）
「 本発明の
保管用水
好適に用いられるクエン酸
クエン酸のゼータ電位特性によって、ウェーハ表面と金属を含む粒子（シリコン屑や、研磨剤に利用されているケイ酸粒子、液中のパーティクル等）の間に反発力が生じ保管用水中の金属がウェーハ表面に付着することが防止
　
（カ）
「図１は本発明の
シリコンウェーハ
研磨工程Ａ
ピット槽保管Ｂ１
保管用水
　
（キ）
「（実施例１〜４及び比較例１）
実験条件
試料ウェーハ：シリコンウェーハ、ｐ型、結晶方位〈１００〉、２００ｍｍφ
保管槽サイズ：３２０×６００×２８０（ｍｍ）
研磨処理
各種ウェーハ
保管用水
実施例１：純水中に１０ｗｔ％の
クエン酸
を添加し
　
　上記摘記事項（カ）に記載された「研磨工程Ａ」は、研磨液を用いて研磨するものであることは、技術常識から明らかである。
　また、摘記事項（オ）及び（キ）に記載された「クエン酸」を添加した「保管用水」は、添加したクエン酸のゼータ電位特性によって、ウェーハ表面と粒子の間に反発力を生じさせ保管用水中の粒子がウェーハ表面に付着することを防止するものということができる。
　
　そこで、上記摘記事項（ア）ないし（キ）を、図表を参照しつつ、技術常識を踏まえて整理すると、刊行物２には以下の事項が記載されていると認める。（以下「刊行物２事項」という。）  
「研磨液を用いてシリコンウェーハを研磨する研磨工程Ａと、前記研磨工程Ａ後の前記シリコンウェーハを、保管用水に浸漬させて一時的に保管するピット槽保管工程Ｂ１とを有し、
　前記保管用水は、添加したクエン酸のゼータ電位特性によって、ウェーハ表面と粒子の間に反発力を生じさせ保管用水中の粒子がウェーハ表面に付着することを防止するものであるシリコンウェーハの保管方法。」
　
（３）対比 
　補正発明と刊行物１発明とを対比すると以下のとおりである。 
　刊行物１発明の「研磨用組成物」は、補正発明の「研磨液」に相当することは、その機能及び技術常識に照らして明らかであり、以下同様にそれぞれの機能を踏まえれば、「シリコンウエハ」は「半導体ウェーハ」に、「仕上げ研磨の第３段階」は「仕上げ研磨工程」に相当することも明らかである。 　
　次に、刊行物１発明の
「研磨工程は、粗研磨の第１段階、精密研磨の第２段階、及び仕上げ研磨の第３段階という三段階とからな」る事項は、上記対比を踏まえ、
「研磨工程は、粗研磨の第１段階、精密研磨の第２段階、及び仕上げ研磨という三段階とからな」ると言い換えられるところ、これは、補正発明の
「研磨工程は、粗研磨工程と仕上げ研磨工程とからな」るに相当するものということができる。
　
　また、刊行物１発明の「少なくとも仕上げ研磨の第３段階において、二酸化ケイ素として沈殿法シリカを用いた研磨用組成物を用いて前記シリコンウエハを研磨し、前記仕上げ研磨の第３段階で用いられる研磨用組成物は、ゼータ電位で負電位を示すシリコンウエハ表面に対して静電的に反発するキレート剤を含有する」ことは、負電位に対して静電的に反発するためには同じ負電位でなくてはならないことを踏まえ、
　補正発明の「少なくとも仕上げ研磨工程において、ゼータ電位が−１５ｍＶ以下である研磨液を用いて前記半導体ウェーハを研磨し、前記仕上げ研磨工程で用いられる研磨液と前記保管液とを混合した混合液のゼータ電位は、−１５ｍＶ以下であり、前記仕上げ研磨工程で用いられる研磨液及び前記保管液は、前記仕上げ研磨工程で用いられる研磨液と前記保管液とを混合した混合液のゼータ電位を測定し、測定した前記ゼータ電位が−１５ｍＶ以下となる組み合わせとして選択されたものである」ことと、
「少なくとも仕上げ研磨工程において、ゼータ電位で負電位を示す成分を研磨液が含有す」るものである限りにおいて共通する。
　
　したがって、補正発明と刊行物１発明とは、以下の点で一致しているということができる。 
＜一致点＞ 
「研磨液を用いて半導体ウェーハを研磨する研磨工程を有し、
　前記研磨工程は、粗研磨工程と仕上げ研磨工程とからなり、少なくとも仕上げ研磨工程において、ゼータ電位で負電位を示す成分を含有する研磨液を用いて前記半導体ウェーハを研磨する半導体ウェーハの製造方法。」 
　
　そして、補正発明と刊行物１発明とは、以下の２点で相違している。 
＜相違点１＞ 
　補正発明は、研磨工程後の半導体ウェーハを保管液中に浸漬させて一時的に保管する保管工程とを有するのに対し、刊行物１発明は、研磨工程後の半導体ウェーハ（シリコンウエハ）をリンスする工程を有するものである点。
＜相違点２＞
　少なくとも仕上げ研磨工程において、ゼータ電位で負電位を示す成分を研磨液が含有すること、及び保管液に関連し、
　補正発明は、少なくとも仕上げ研磨工程において、ゼータ電位が−１５ｍＶ以下である研磨液を用いて半導体ウェーハを研磨するものであり、
　保管液のゼータ電位が−１５ｍＶ以下であり、
　仕上げ研磨工程で用いられる研磨液と保管液とを混合した混合液のゼータ電位は、−１５ｍＶ以下であり、仕上げ研磨工程で用いられる研磨液及び保管液は、仕上げ研磨工程で用いられる研磨液と保管液とを混合した混合液のゼータ電位を測定し、測定した前記ゼータ電位が−１５ｍＶ以下となる組み合わせとして選択されたものであるのに対し、
　刊行物１発明は、少なくとも仕上げ研磨工程において、二酸化ケイ素として沈殿法シリカを用いた研磨用組成物を用いてシリコンウエハを研磨し、仕上げ研磨工程で用いられる研磨用組成物は、ゼータ電位で負電位を示すシリコンウエハ表面に対して静電的に反発するキレート剤を含有するものである点。
　
（４）相違点の検討 
ア　相違点１について
　研磨工程後の半導体ウェーハを洗浄（リンス）工程の前に保管液中に浸漬させて一時的に保管する保管工程を設けることは、上記（２−２）にて指摘したように刊行物２事項も備えている他、特開平１１−２４３０７３号公報（段落【００１６】等参照）にも記載されているように従来周知の事項である（以下「周知事項Ａ」という）。そして刊行物１発明にかかる周知事項Ａを適用して、そのような保管工程を設けることは格別困難なものではない。
　　
イ　相違点２について
　相違点２は、次のように整理することができる。
補正発明が、
（要件ｉ）少なくとも仕上げ研磨工程において、研磨液のゼータ電位が−１５ｍＶ以下であり、
（要件ｉｉ）保管液のゼータ電位が−１５ｍＶ以下であり、
（要件ｉｉｉ）仕上げ研磨工程で用いられる研磨液と保管液とを混合した混合液のゼータ電位は、−１５ｍＶ以下であり、
（要件ｉｖ）仕上げ研磨工程で用いられる研磨液及び保管液は、仕上げ研磨工程で用いられる研磨液と保管液とを混合した混合液のゼータ電位を測定し、測定した前記ゼータ電位が−１５ｍＶ以下となる組み合わせとして選択されたものであるのに対し、
　刊行物１発明は、
（ｉ）少なくとも仕上げ研磨工程において、二酸化ケイ素として沈殿法シリカを用いた研磨用組成物を用いて研磨し、仕上げ研磨工程の研磨液は、ゼータ電位で負電位を示すシリコンウエハ表面に対して静電的に反発するキレート剤を含有するものであるが、
（ｉｉ）保管液を用いるものではないため、そのゼータ電位等については（当然）規定していない点。　
　
（ア）（要件ｉ）について
　上記（要件ｉ）につき検討する。（要件ｉ）に関連して、補正発明が、少なくとも仕上げ研磨工程において研磨液のゼータ電位が−１５ｍＶと特定していることの技術的意義を検討するに、本件明細書には、実施例１ないし実施例３及び比較例１のＬＰＤ検出数に関する実験結果について記載されてはいるが（段落【００３１】〜【００３７】、【表１】、【図２】）、比較例として（実施例１ないし３の沈降法シリカではなく）ゲル法シリカを含有しした研磨液と保管液との混合液のゼータ電位が−１５ｍＶより高いものが比較例１として１つ挙げられているのみであるから、これらを参酌しても、研磨液のゼータ電位を−１５ｍＶ以下とすることに臨界的意義は認められない。さらに、実施例１ないし実施例３は、いずれも研磨液の研磨粒として沈降法シリカを用いたものであるところ、原審の拒絶査定においても指摘されているように、ＬＰＤ検出数の低減（明細書段落【００１２】）の効果が沈降法シリカによってもたらされるものであることも否定し得ない。
　ところで、一般に研磨工程で用いられるシリカ等の砥粒を含有する研磨液において、そのゼータ電位が−１５ｍＶ以下であるものは、例えば、特開２００５−２５１９９６号公報（図２等参照）、特開２００４−３３５７２３号公報（図３等参照）に示されるようにごく一般的なものである。
　そして、刊行物１発明は、仕上げ研磨工程において二酸化ケイ素として沈殿法シリカを含有する研磨液を用いるものであり、かつ、ゼータ電位で負電位を示す成分を研磨液が含有するものであること、及び上記のようにゼータ電位が−１５ｍＶ以下の研磨液はごく一般的なものであるという技術常識を併せ考えれば、刊行物１発明も補正発明の（要件ｉ）と同様に研磨液のゼータ電位が−１５ｍＶ以下であると当業者は理解し得る。また、仮にそうでないとしても、上記のように臨界的意義の認められない「−１５ｍＶ以下」という限定は数値範囲の好適化として容易に想到し得るものといえる。
　そうしてみると、補正発明の（要件ｉ）は、刊行物１発明も実質的には備えているか、あるいは刊行物１発明から格別困難なく想到し得るというべきである。
　
（イ）（要件ｉｉ）について
　次に、（要件ｉｉ）につき検討する。上記（２−２）にて指摘したように、刊行物２事項は、  
「研磨液を用いてシリコンウェーハを研磨する研磨工程Ａと、前記研磨工程Ａ後の前記シリコンウェーハを、保管用水に浸漬させて一時的に保管するピット槽保管工程Ｂ１とを有し、
　前記保管用水は、添加したクエン酸のゼータ電位特性によって、ウェーハ表面と粒子の間に反発力を生じさせ保管用水中の粒子がウェーハ表面に付着することを防止するものであるシリコンウェーハの保管方法。」というものであるところ、これを補正発明の用語に倣って表現すれば、刊行物２事項の「シリコンウェーハ」は補正発明の「半導体ウェーハ」に相当し、同様に「研磨工程Ａ」は「研磨工程」に、「保管用水」は「保管液」に、「ピット槽保管工程Ｂ１」は「保管工程」に相当するといえるから、刊行物２事項は、「研磨液を用いて半導体ウェーハを研磨する研磨工程と、前記研磨工程後の前記半導体ウェーハを、保管液に浸漬させて一時的に保管する保管工程とを有し、
　前記保管液は、添加したクエン酸のゼータ電位特性によって、ウェーハ表面と粒子の間に反発力を生じさせ保管液の粒子がウェーハ表面に付着することを防止するものである半導体ウェーハの保管方法。」と言い換えられる。  
　次に、（要件ｉｉ）に関して、補正発明が保管液のゼータ電位が−１５ｍＶ以下であると特定していることの技術的意義を検討するに、本件明細書には、実施例１ないし実施例３及び比較例１のＬＰＤ検出数に関する実験結果について記載されてはいるが（段落【００３１】〜【００３７】、【表１】、【図２】）、研磨液と保管液との混合液のゼータ電位が−１５ｍＶより高いものが比較例１として１つ挙げられているのみであり、これらを参酌しても、保管液のゼータ電位を−１５ｍＶ以下とすることに臨界的意義が存するとは認められない。また、本件明細書実施例１ないし実施例３は、いずれも保管液の添加物としてクエン酸を用いたものであるところ、ＬＰＤ検出数の低減の効果がクエン酸によってもたらされるものであることも否定し得ない。
　一方、刊行物１発明に周知事項Ａ及び刊行物２事項を適用すれば、保管液は、添加したクエン酸のゼータ電位特性によって、ウェーハ表面と粒子の間に反発力を生じさせ保管液の粒子がウェーハ表面に付着することを防止することとなるところ、一般にウェーハ表面は負に帯電することが多く（上記摘記事項（２−１）ア（オ）参照）、しかもクエン酸を含有するものであるから、保管液のゼータ電位が補正発明と同程度の負値である可能性がある。また、そうでないとしても、これを補正発明の（要件ｉｉ）のように−１５ｍＶ以下とすることは、「−１５ｍＶ」という上限に臨界的意義が認められないから、当業者が通常行う数値範囲の好適化により、格別困難なく想到し得るというべきである。
　
（ウ）（要件ｉｉｉ）について
　上記（ア）及び（イ）で検討したように、仕上げ研磨工程の研磨液及び保管液のゼータ電位をいずれも−１５ｍＶ以下とすることは想到容易であるところ、刊行物１発明に周知事項Ａ及び刊行物２事項を適用したものは、研磨工程と研磨工程後の半導体ウェーハを保管用液に浸漬させて一時的に保管する保管工程とを有」するのだから（上記（イ）の刊行物２事項に関する指摘を参照）、仕上げ研磨工程の研磨液が保管液に混入し得ることは容易に予見可能であり、その対策として、（要件ｉｉｉ）のように、仕上げ研磨工程で用いられる研磨液と保管液とを混合した混合液のゼータ電位を−１５ｍＶ以下とすることも、当業者が容易に想到し得るところである。
　
（エ）（要件ｉｖ）について
　上記（ウ）にて検討したように、仕上げ研磨工程で用いられる研磨液と保管液とを混合した混合液のゼータ電位を−１５ｍＶ以下とすることが想到容易であるところ、そのように混合液のゼータ電位を−１５ｍＶ以下とするために、（要件ｉｖ）の如く仕上げ研磨工程で用いられる研磨液と保管液とを混合した混合液のゼータ電位を測定し、測定した前記ゼータ電位が−１５ｍＶ以下となる組み合わせとして選択することは、当業者が何の困難性もなく採用し得る手法に過ぎない。
　　
（オ）相違点２のまとめ　
　以上の検討から、刊行物１発明に刊行物２事項及び従来周知の事項を適用し、相違点２に係る補正発明の特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得るところと解するのが相当である。
　
ウ　小括
　したがって、補正発明は、刊行物１発明、刊行物２事項及び従来周知の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。 
　
３　むすび 
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合しないので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　よって、上記［補正の却下の決定の結論］のとおり、決定する。
　
第３　本件出願の発明について 
１　本件出願の発明 
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本件出願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、明細書及び図面の記載からみて、平成２５年４月１０日付けの手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、当該請求項１に係る発明（以下「本件出願の発明」という。）は、上記第２の１（１）に示す特許請求の範囲の請求項１に記載されたとおりの「半導体ウェーハの製造方法」である。
　
２　刊行物 
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物及びその記載事項は上記第２の２（２）のとおりである。
　
３　対比・検討 
　本件出願の発明は、上記第２の２で検討した補正発明から、実質的に、「仕上げ研磨工程で用いられる研磨液及び前記保管液は、前記仕上げ研磨工程で用いられる研磨液と前記保管液とを混合した混合液のゼータ電位を測定し、測定した前記ゼータ電位が−１５ｍＶ以下となる組み合わせとして選択されたものである」という限定を削除したものである。 
　そうすると、本件出願の発明より狭い範囲を特定事項とする補正発明が、上記第２の２で検討したとおり想到容易である以上、それよりも広い範囲を特定事項とする本件出願の発明も、刊行物１発明、刊行物２事項及び従来周知の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
４　むすび 
　以上により、本件出願の発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本件出願のその余の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきである。
　よって、結論のとおり審決する。