【事件の表示】
　平成　６年特許願第３２４１５５号「磁気記録媒体」拒絶査定に対する審判事件［平成　７年　９月　５日出願公開、特開平　７−２３５０３２］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成６年１２月２７日（優先主張日：平成５年１２月２８日）の出願であって、平成１４年５月９日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年６月１３日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年７月１２日付で手続補正がなされたものである。
　
２．平成１４年７月１２日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　　平成１４年７月１２日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件手続補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「非磁性基体上に斜め蒸着法により形成された磁性層を有し、この磁性層が少なくとも２層の強磁性薄膜から構成され、この強磁性薄膜がＣｏおよびＮｉを主成分として含有する強磁気記録媒体であって、最下層の強磁性薄膜のＣｏおよびＮｉの合計量に対してＣｏ含有率が６５原子％以下であり、最上層の強磁性薄膜のＣｏおよびＮｉの合計量に対してＣｏ含有率が７５原子％以上であり、磁性層の強磁性薄膜を構成する柱状結晶粒子の成長方向と基体主面とのなす角度の平均値θが、最下層のものが最上層のものより大きい値を有するものであることを特徴とする磁気記録媒体。」とされるもので、当該補正の内容は、補正前の請求項２に係る発明である最下層の強磁性薄膜のＣｏおよびＮｉの合計量に対してのＣｏ含有率の「７０原子％未満」を「６５原子％以下」と特定するもので、特許法第１７条の２第４項第２号で規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
　そこで、本件補正後の上記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第４項において準用する同法第１２６条第３項の規定に適合するか）について以下検討する。
　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平４−２６９１４号公報（以下、「引用例」という。）には、
　（i）「（１）非磁性基体上に斜め蒸着法により形成された磁性層を有し、この磁性層が少なくとも２層の強磁性金属薄膜から構成され、この強磁性金属薄膜がＣｏおよびＮｉを主成分とするか、またはＣｏ，ＮｉおよびＣｒを主成分として含有する磁気記録媒体であって、最下層の強磁性薄膜のＣｏ含有率が最上層の強磁性金属薄膜のＣｏ含有率よりも低いことを特徴とする磁気記録媒体。　　（２）最下層の強磁性薄膜のＣｏ含有率が７０〜８５ａｔ％である請求項１に記載の磁気記録媒体。　　（３）最上層の強磁性薄膜のＣｏ含有率が７５〜９０ａｔ％である請求項１または２に記載の磁気記録媒体。　　（４）蒸着時に強磁性金属が入射する方向と前記非磁性基体表面の法線となす角度を入射角とし、入射角の最大値θｍａｘ、入射角の最小値をθｍｉｎとすると、最下層の強磁性金属薄膜が、最上層の強磁性金属薄膜蒸着時のθｍａｘより小さいθｍａｘにて蒸着されたものである請求項１ないし３のいずれかに記載の磁気記録媒体。　（５）蒸着時に強磁性金属が入射する方向と前記非磁性基体表面の法線となす角度を入射角とし、入射角の最大値θｍａｘ、入射角の最小値をθｍｉｎとすると、最上層の強磁性金属薄膜が、最下層の強磁性金属薄膜蒸着時のθｍｉｎより大きいθｍｉｎにて蒸着されたものである請求項１ないし４のいずれかに記載の磁気記録媒体。」（第１頁左下欄〜右下欄特許請求の範囲（１）〜（５）参照）、
　（ii）「本発明はこのような事情からなされたものであり、多層の強磁性金属薄膜を有する斜め蒸着型磁気記録媒体であって、高い電磁変換特性と高温高湿下での耐久性を共に満足する磁気記録媒体を提供することを目的とする。」（第３頁左上欄下から１〜５行参照）こと、
　（iii）「本発明では、これら強磁性金属薄膜のうち、最下層、すなわち非磁性基体に最も近い強磁性金属薄膜のＣｏ含有率を最上層の強磁性金属薄膜のＣｏ含有率よりも低く構成する。この理由は下記のとおりである。　非磁性基体は通常、酸素や水分を含み、これらが基体表面から強磁性金属薄膜中に侵入する。このため、強磁性金属薄膜は非磁性基体側から腐食が進行し易い。」（第３頁右下欄下から９行〜末行参照）こと、
　（iv）「磁性層には、一般に低域信号ほど深くまで記録され、高域信号は浅い領域に記録される。　例えば、Ｈｉ−８規格のビデオ記録のように低域信号（０．７５ＭＨｚの色信号）と高域信号（７．０ＭＨｚの輝度信号）とが重量記録される場合、通常、最下層には主として低域信号が記録される。　そして、Ｃｏを主成分とする強磁性金属薄膜は、Ｃｏ含有率が低いほど耐酸化性は良好となるが、保磁力Ｈｃは低下する。　従って、本発明の磁気記録媒体では、Ｃｏ含有率が高いためにＨｃの高い最上層の強磁性金属薄膜により高域信号の電磁変換特性を確保し、Ｃｏ含有率が低いために耐食性の高い最下層の強磁性金属薄膜により腐食を防止し、しかも、最下層の保磁力が低くなるので、低域信号の電磁変換特性が良好となる。　このため、本発明の磁気記録媒体は、耐食性が高く、しかも広い帯域において高い電磁変換特性が得られる。」（第４頁左上欄１〜２０行参照）こと、
　（v）「これは、θｍａｘが大きいほうが非磁性基体表面に対する柱状結晶粒子の平均傾きが小さくなり、強磁性金属薄膜面内方向のＨｃが向上するためである。」（第４頁左下欄２〜４行参照）こと、
　（vi）「θｍｉｎも柱状結晶粒子の傾きに関与し、θｍｉｎが大きいと柱状結晶粒子の平均傾きは小さくなるのでＨｃが向上する。一方、θｍｉｎが小さいと平均傾きは大きくなり、・・・（後略）。」（第４頁右下欄１９行〜第５頁左上欄２行参照）こと、
　（vii）「本発明では、最下層の強磁性金属薄膜のＣｏ含有率を最上層の強磁性金属薄膜のＣｏ含有率よりも低く構成する。　　この場合、最下層の強磁性金属薄膜のＣｏ含有率は、７０〜８５ａｔ％、特に７４〜８０ａｔ％であることが好ましい。　Ｃｏ含有率が前記範囲未満となると最下層に必要とされる保磁力が得られにくく、前記範囲を超えると最下層に必要とされる耐食性が得られにくい。　　最上層の強磁性金属薄膜のＣｏ含有率は、７５〜９０ａｔ％、特に７９〜８５ａｔ％であることが好ましい。　Ｃｏ含有率が前記範囲未満となると最上層に必要とされる保磁力が得られにくく、前記範囲を超えると最上層に必要とされる耐食性が得られにくい。」（第５頁右上欄下から２行目〜同頁左下欄１３行参照）こと、
　（viii）「強磁性金属薄膜のＣｏ以外の主構成元素は、Ｎｉであるか、またはＮｉおよびＣｒであるが、特開昭６３−１０３１５号公報等に記載されている各種金属やその他の金属成分が必要に応じて含有されていてもよく、また、成膜雰囲気中に含まれるＡｒ等が含有されていてもよい。　これらの元素の含有率は、強磁性金属薄膜の５ａｔ％以下であることが好ましい。　ＮｉとＣｒとの含有比率に特に制限はなく、目的に応じて適宜設定すればよいが、強磁性金属薄膜中のＣｒ含有率は１０ａｔ％以下とすることが好ましい。　さらに、必要に応じて少量の酸素を表面層に含有させ、耐食性を向上させることもできる。」（第５頁左下欄１４行〜同頁右下欄８行参照）こと、
　（ix）「（１）発錆　６０℃・９０％ＲＨの環境で１週間保存後、テープの磁性層側の変色度を目視で判定した。評価基準は下記のとおりにした。　　◎：変化なし　　○：薄い黄色に変色　　△：黄色に変色　　×：青色に変色　　（２）カッピング　６０℃・９０％ＲＨの環境にて１週間保存した後、テープを平面上に載置し、テープ幅方向端部のソリ高さｈを測定した。評価基準は下記の通りとした。　◎：｜ｈ｜＝０　　○：０＜｜ｈ｜≦０．２ｍｍ　　△：０．２＜｜ｈ｜＜０．５ｍｍ　　×：｜ｈ｜≧０．５ｍｍ　なお、カッピングはテープ幅方向の変形の度合いを示す指標であり、カッピングが大きいとテープと時期ヘッドとのスペーシングが一定に保てなくなり、出力変動を生じる。　　（３）電特（０．７５ＭＨｚおよび７ＭＨｚでの電磁変換特性）　Ｈｉ−８規格のＶＴＲのＳＯＮＹ　ＥＶ−Ｓ９００を用い、０．７５ＭＨｚの単一信号および７ＭＨｚの単一信号を記録したときのＲＦ出力を基準テープのＲＦ出力と比較し、下記の評価基準により判定した。　◎：（ＲＦ出力）≧２．０ｄＢ　　○：０ｄＢ≦（ＲＦ出力）＜２．０ｄＢ　　△：−１．０ｄＢ≦（ＲＦ出力）＜０ｄＢ　　×：（ＲＦ出力）＜−１．０ｄＢ　なお、測定の際の磁気ヘッドの相対的移動方向は、上層の柱状結晶粒子の成長方向をＰＥＴフィルム表面に投影した方向とした。」（第７頁左下欄１行〜同頁右下欄１５行参照）こと、
　（x）実施例１のサンプルＮｏ．１−２として、上層のＣｏ含有率８０ａｔ％、下層層のＣｏ含有率７５ａｔ％のものに関して、発錆が○、カッピングが○、電特０．７５ＭＨｚで○、７ＭＨｚで△である旨（表１）、実施例２のサンプルＮｏ．２−１（上層のθminが３０度、θmaxが９０度、θmin＋θmaxが１２０度、下層のθminが３０度、θmaxが９０度、θmin＋θmaxが１２０度のもの）が実施例１のサンプルＮｏ．１−２と同じで、他のサンプルはθminとθmax以外の構成がサンプルＮｏ．２−１と同じであり、好適例の１つであるサンプルＮｏ．２−４として、上層のθminが５０度、θmaxが９０度、θmin＋θmaxが１４０度、下層のθminが３０度、θmaxが７０度、θmin＋θmaxが１００度のものに関して、発錆が◎、カッピングが◎、電特０．７５ＭＨｚで◎、７ＭＨｚで◎である旨（表２）（第８頁〜第９頁参照）、が記載されている。
　これらの記載によれば、引用例には、耐食性が高くしかも高い電磁変換特性が得られる磁気記録媒体に関し、「非磁性基体上に斜め蒸着法により形成された磁性層を有し、この磁性層が少なくとも２層の強磁性金属薄膜から構成され、この強磁性金属薄膜がＣｏおよびＮｉを主成分として含有する磁気記録媒体であって、最下層の強磁性薄膜のＣｏ含有率が最上層の強磁性金属薄膜のＣｏ含有率よりも低く、最上層の強磁性金属薄膜のＣｏ含有率が７５〜９０ａｔ％であり、かつ、蒸着時に強磁性金属が入射する方向と前記非磁性基体表面の法線となす角度を入射角とし、入射角の最大値θｍａｘ、入射角の最小値をθｍｉｎとすると、最下層の強磁性金属薄膜が、最上層の強磁性金属薄膜蒸着時のθｍａｘ及び／又はθｍｉｎより小さいθｍａｘ及び／又はθｍｉｎにて蒸着されたものである磁気記録媒体。」の発明（以下、「引用例発明」という。）が開示されていると認められる。
　
（３）対比
　そこで、本願補正発明と引用例発明を比較する。
　本願補正発明の「強磁性薄膜」と引用例発明の「強磁性金属薄膜」は、いずれもＣｏおよびＮｉを主成分として含有する点で同じで、単に表現上の相異にすぎないから、両発明は、「非磁性基体上に斜め蒸着法により形成された磁性層を有し、この磁性層が少なくとも２層の強磁性薄膜から構成され、この強磁性薄膜がＣｏおよびＮｉを主成分として含有する強磁気記録媒体である磁気記録媒体。」の発明である点で一致し、次の（ａ）〜（ｃ）の点で一応相違する。
　（ａ）最下層のＣｏ含有率に関して、本願補正発明では、「最下層の強磁性薄膜のＣｏおよびＮｉ合計量に対してＣｏ含有率が６５原子％以下であり」と規定されているのに対して、引用例発明ではそのように規定されていない点、
　（ｂ）最上層のＣｏ含有率に関して、本願補正発明では、「最上層の強磁性薄膜のＣｏおよびＮｉの合計量に対してＣｏ含有率が７５原子％以上であり」と規定されているのに対して、引用例発明ではそのように規定されていない点、
　（ｃ）柱状結晶粒子の成長方向に関して、本願補正発明では、「磁性層の強磁性薄膜を構成する柱状結晶粒子の成長方向と基体主面とのなす角度の平均値θが、最下層のものが最上層のものより大きい値を有する」と規定されているのに対して、引用例発明ではそのように規定されていない点。
　
（４）判断
　（ｃ）、（ｂ）、（ａ）の順に検討する。
　（ｃ）の点について
　引用例発明の「最下層の強磁性薄膜のＣｏ含有率が最上層の強磁性金属薄膜のＣｏ含有率よりも低く、かつ、蒸着時に強磁性金属が入射する方向と前記非磁性基体表面の法線となす角度を入射角とし、入射角の最大値θｍａｘ、入射角の最小値をθｍｉｎとすると、最下層の強磁性金属薄膜が、最上層の強磁性金属薄膜蒸着時のθｍａｘ及び／又はθｍｉｎより小さいθｍａｘ及び／又はθｍｉｎにて蒸着されたものである」は、「θｍａｘが大きいほうが非磁性基体表面に対する柱状結晶粒子の平均傾きが小さくなり」、「θｍｉｎが大きいと柱状結晶粒子の平均傾きは小さく」なり、「θｍｉｎが小さいと平均傾きは大きく」なること（摘示（v）〜（vi）参照）からすると、本願補正発明の「磁性層の強磁性薄膜を構成する柱状結晶粒子の成長方向と基体主面とのなす角度の平均値θが、最下層のものが最上層のものより大きい値を有するものである」に相当するものと認められる。
　よって、（ｃ）の点は実質的な相違点ではない。
　
　（ｂ）の点について
　引用例発明の「強磁性金属薄膜のＣｏ含有率」は、本願補正発明の「強磁性薄膜のＣｏおよびＮｉの合計量に対してＣｏ含有率」とは、その対比基準が異なっている。しかしながら、摘示（viii）から理解できるように、引用例発明におけるＣｏとＮｉ以外の元素（Ｃｒや酸素原子、Ａｒ原子など）は含有されないか、或いは含有されても好ましいとされる量が少量であるから、引用例発明の「最上層の強磁性金属薄膜のＣｏ含有率が７５〜９０ａｔ％」は、本願補正発明の「最上層の強磁性薄膜のＣｏおよびＮｉの合計量に対してＣｏ含有率が７５原子％以上」とはかなりの範囲で重複することは明らかである。
　よって、（ｂ）の点は実質的な相違点ではない。
　
　（ａ）の点について
　引用例発明では、「最下層の強磁性薄膜のＣｏおよびＮｉ合計量に対してＣｏ含有率」に関しては、最上層のＣｏ含有量よりも低いとされていて、好ましく「７０〜８５ａｔ％」とされ、「Ｃｏ含有率が前記範囲未満となると最下層に必要とされる保磁力が得られにくく、前記範囲を超えると最下層に必要とされる耐食性が得られにくい。」（摘示（vii）参照）と記載されている。
　しかし、この必要とされる保磁力がどの程度のものとすべきかの言及はなく、また、７０ａｔ％〜との数値範囲が臨界的意義を持って特定されているわけではない（比較データも示されていない）から、必要に応じてその範囲を超えての設定は適宜になし得ると認められる。　しかも、引用例には、これら強磁性金属薄膜のうち、最下層、すなわち非磁性基体に最も近い強磁性金属薄膜のＣｏ含有率を最上層の強磁性金属薄膜のＣｏ含有率よりも低くする理由が、非磁性基体では通常、酸素や水分を含み、これらが基体表面から強磁性金属薄膜中に侵入するため、強磁性金属薄膜は非磁性基体側から腐食が進行し易いからであること（摘示（iii）参照）、Ｃｏを主成分とする強磁性金属薄膜はＣｏ含有率が低いほど耐酸化性（耐腐食性、耐発錆性）は良好となること（摘示（iv）参照）等の記載があり、かつ、磁気記録媒体の耐酸化性の一層の改善は該分野の内在的課題の一つにすぎないものであるから、求められる特性を勘案しつつ最下層の強磁性金属薄膜のＣｏ含有率の許容範囲をより低くすることは、当業者が必要に応じて行うことと認められる。　そうであるから、最下層においてより優れた耐食性を得りうる本願補正発明の「最下層の強磁性薄膜のＣｏおよびＮｉの合計量に対してＣｏ含有率が６５原子％以下」は、当業者であれば容易に到達し得るものと解される。
　なお、磁気記録媒体における強磁性金属薄膜としてＣｏおよびＮｉの合計量に対してＣｏ含有率が６５原子％以下であるＣｏおよびＮｉを主成分とするものは知られている（必要であれば、特開平２−１５２００８号公報、特開平２−２２６５１４号公報等参照）から、引用例発明の最下層の強磁性金属薄膜に関して本願補正発明で規定するＣｏ含有率６５原子％以下のものを採用することに格別の困難性は認められない。
　また、審判請求理由（補正書第４頁）において、引用例の最下層のＣｏ含有率７０〜８５ａｔ％のものは、本願明細書の比較例１，２，５に相当し、発錆、カッピング、スチル特性の点で著しく劣るものである旨主張しているけれども、引用例にはその含有率の場合（表１，２の下層のＣｏ含有率が７５ａｔ％の例；摘示（x）参照）でも発錆、カッピング、電磁変換特性の結果が劣っていない記載がある。　引用例発明と本願補正発明では評価手法が同一であり（摘示（ix）参照）、及び引用例出願と本願の出願人、発明者の一部が同一人であるにもかかわらず、その評価結果の不一致は、データ自体への信頼性乃至は前提条件の不足があるもので、かかる矛盾する主張の採用はできるものではない。
　むしろ、本願補正発明の作用効果である、最上層の強磁性薄膜の保磁力が高く最下層の保磁力が低くなり低域信号の電磁変換特性が良好となることや発錆が一層抑制されること等は、当業者が容易に予測できる範囲のものというしかない。
　したがって、本願補正発明は、周知技術を勘案して引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第４項で準用する同法第１２６条第３項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
  平成１４年７月１２日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願請求項２に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１４年４月１５日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項２に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。　そして、請求項２は、請求項１の引用形式請求項である。
　【請求項１】「非磁性基体上に斜め蒸着法により形成された磁性層を有し、この磁性層が少なくとも２層の強磁性薄膜から構成され、この強磁性薄膜がＣｏおよびＮｉを主成分として含有する強磁気記録媒体であって、最下層の強磁性薄膜のＣｏおよびＮｉの合計量に対してＣｏ含有率が７０原子％未満であり、最上層の強磁性薄膜のＣｏおよびＮｉの合計量に対してＣｏ含有率が７５原子％以上であることを特徴とする磁気記録媒体。」
　【請求項２】「磁性層の強磁性薄膜を構成する柱状結晶粒子の成長方向と基体主面とのなす角度の平均値θが、最下層のものが最上層のものより大きい値を有するものである請求項１記載の磁気記録媒体。」
　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例、および、その記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
　
（２）対比・判断
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から、最下層の強磁性薄膜のＣｏおよびＮｉの合計量に対してのＣｏ含有率の「６５原子％以下」を「７０原子％未満」としたものである。
　そして、本願発明の最下層の強磁性薄膜のＣｏおよびＮｉの合計量に対してのＣｏ含有率を「７０原子％未満」と規定している点は、前記「２．（４）」に記載したと同様の理由により、当業者の適宜なし得る規定に過ぎないから、本願発明は引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。