【事件の表示】
　平成１０年特許願第１９５３７０号「白金食刻方法」拒絶査定に対する審判事件〔平成１１年６月１５日出願公開、特開平１１−１５８６６３、請求項の数（１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯及び本願発明
　本願は平成１０年７月１０日（優先権主張１９９７年１１月１４日　韓国）に出願されたものであって、平成１１年３月２９日付けの拒絶理由通知の後、平成１２年６月２日付けで更なる拒絶理由通知がなされ、これに対して平成１２年９月６日付けで手続補正書が提出されたところ、平成１３年６月６日付で当該手続補正書による補正が却下され、平成１３年６月６日付けで拒絶査定され、その後、平成１３年９月１７日に審判請求されるとともに、同年１０月１２日に手続補正書が提出され、平成１４年２月１日付け前置報告書により審査の結果の報告（前置審査解除報告）がなされ、続いて、平成１５年３月４日付で当審より拒絶理由通知がなされ、これに対して、平成１５年３月２６日に請求人より意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　そして、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記平成１５年３月２６日提出の手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のものである。
　　
「白金食刻方法において、
　絶縁体上にグルー層を形成する工程と、
　前記グルー層上に白金層を形成する工程と、
　前記白金層上に前記白金に対する高食刻選択性を有し、チタン、チタン窒化物又はアルミニウム合金から選択されるマスク形成物質を形成する工程と、
　前記マスク形成物質をパターニングする工程と、
　前記パターニングされたマスク形成物質を用いて前記マスク形成物質と前記白金との食刻選択比が２以上となるように設定された食刻ガスを注入して前記白金層を食刻する工程であって、前記マスク形成物質としてチタン又はチタン窒化物を用いる際、食刻ガスとしてはＨＢｒ＋Ｏ2ガス又はＣｌ2＋Ｏ2ガスを注入し、前記マスク形成物質としてアルミニウム合金を用いる際、食刻ガスとしてはフッ素ベースガスとしてのＣＦ4、Ｃ2Ｆ6又はＣ3Ｆ8ガスとＯ2ガスとを注入する前記食刻工程と、
　前記食刻工程において前記特定のマスク形成物質及び前記特定の食刻ガスを用いて、１３．５６ＭＨｚの高周波供給器から３００〜６００ｗ範囲のエネルギーを加え、４５０ｋＨｚの低周波数供給器から０〜１００ｗ範囲のエネルギーを加えて白金層の食刻を進行する工程と、
　チタン窒化物又はチタンからなるマスク形成物質を用いた場合にはＨＢｒ＋Ｏ2ガス又はＣｌ2＋Ｏ2ガスを使用して白金層を食刻する際に発生した反応生成物を除去し、アルミニウム合金からなるマスク形成物質を用いた場合には前記フッ素ベースガスを使用して前記反応生成物を除去する工程と、
　前記マスク形成物質を食刻するとともに、前記白金層をマスクとして用いて前記グルー層を食刻する工程とを備えることを特徴とする白金食刻方法。」
　　
II．原査定の理由
　原審においては、平成１２年６月２日付けの拒絶理由通知で、本件優先権主張日前に頒布された刊行物として、特開平９−２６６２００号公報（引用例１）、特開平７−１２２５３４号公報（引用例２）、特開昭６０−７９７２６号公報（引用例３）、特開昭６０−１６０６２０号公報（引用例４）、及び、特開平２−３１２２３１号公報（引用例５）を提示して、
「１．平成１１年８月２５日付けでした手続補正は、下記の点で願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものでないから、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たしていない。」、及び、
「２．この出願の下記の請求項に係る発明は、その出願前日本国内又は外国において頒布された下記の刊行物に記載された発明に基いて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。」との拒絶の理由の通知がなされ、これに対して平成１２年９月６日に補正書が提出され、平成１３年６月６日付けで、当該平成１２年９月６日提出の手続補正書による補正を却下すると共に、「この出願については、平成１２年６月２日付け拒絶理由通知書に記載した理由１、２によって、拒絶査定する。」として、特許法第１７条の２第３項（理由１）、及び同法第２９条第２項（理由２）の各規定により、拒絶の査定をしたものである。（以下、これを「原査定」という。）
　　
III．引用例の記載事実
　上記平成１２年６月２日付け拒絶理由通知書において提示された引用例１〜５には、下記の事項が記載されている。
引用例１（特開平９−２６６２００号公報）
(1-1)「【請求項１】半導体基板の上に、強誘電体、高誘電率材料及び白金のうちの少なくとも１つからなるエッチング対象膜を形成する工程と、前記エッチング対象膜の上に、酸化しやすい金属からなるパターン化されたマスクを形成する工程と、酸化性とハロゲン化性とを有するガスプラズマで前記エッチング対象膜を選択的にエッチングする工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記マスクを形成する工程は、チタンとチタン化合物とチタンを含む合金とのうちの少なくとも１つからなる膜を形成する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】請求項１記載の半導体装置の製造方法において、前記エッチング対象膜を選択的にエッチングする工程は、塩素と酸素との混合ガスのプラズマを選定する工程を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。」（請求項１〜３）
(1-2)「【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に強誘電体、高誘電率材料及び白金のエッチング方法に関するものである。
【従来の技術】半導体基板の上に形成された強誘電体膜の自発分極を利用した不揮発性メモリが知られている。また、高誘電率材料からなるキャパシタを半導体基板上に備えたＤＲＡＭ（ダイナミックＲＡＭ）が知られている。これらの種類のメモリの製造過程では、強誘電体及び高誘電率材料や、それらの電極として使用される白金（Ｐｔ）の微細加工が必要である。」（段落【0001】〜【0002】）
(1-3)「本発明は、強誘電体、高誘電率材料及び白金のうちの少なくとも１つからなるエッチング対象膜の上に酸化しやすい金属膜をマスクとしてパターン形成し、ハロゲンガスと酸素ガスとの混合ガスのプラズマでエッチング対象膜を選択的にエッチングすることとしたものである。この方法によれば、マスクとして形成された金属膜はプラズマによって酸化される。この結果、マスクのエッチング速度は小さくなる。これとは対照的に、エッチング対象膜については、大きいエッチング速度が確保される。したがって、エッチングの高い選択比が実現し、エッチング対象膜の微細加工が容易になる。」（段落【0006】）
(1-4)「図１（ａ）〜図１（ｅ）は、本発明に係る半導体装置の製造方法の工程を示している。図１（ａ）〜図１（ｅ）において、１はシリコン（Ｓｉ）単結晶からなる半導体基板、２は酸化シリコン（ＳｉＯ2）からなるデバイス絶縁膜、３は下層白金（Ｐｔ）膜、４はＳＢＴすなわちＳｒＢｉ2 Ｔａ3 Ｏ9からなる強誘電体膜、５は上層白金（Ｐｔ）膜、６はチタン（Ｔｉ）膜、７はフォトレジストマスクである。」（段落【0010】）
(1-5)「パターン化されたチタン膜６をマスクとし、かつ塩素（Ｃｌ2）と酸素（Ｏ2）との混合ガスのプラズマを用いたドライエッチング法により、上層白金膜５と強誘電体膜４と下層白金膜３とからなる積層膜をエッチングする（図１（ｄ））。この際、ドライエッチングのためのチャンバーを用いて、例えば、塩素ガスの流量を１２ｃｃ／分に、酸素ガスの流量を８ｃｃ／分にそれぞれ設定し、チャンバー内の圧力を２Ｐａに保持し、かつ１３．５６ＭＨｚの高周波電力を５Ｗ／ｃｍ2の密度で印加することにより、塩素と酸素との混合ガスのプラズマを発生させる。この場合の塩素と酸素との混合ガス中に占める酸素ガスの体積濃度は４０％である。
　更に、塩素ガスのプラズマを用いたドライエッチング法でチタン膜６をエッチングすることにより、該チタン膜６を除去する（図１（ｅ））。」（段落【0013】〜【0014】）
(1-6)「図２から明らかなように、上記ＰｔとＳＢＴとの積層膜に限らず、Ｐｔの単層膜や、ＳＢＴの単層膜でも高い選択比が得られる。・・・・上記の例ではマスクとしてチタン（Ｔｉ）膜を採用したが、チタン化合物、あるいはチタンを含む合金からなるマスクを採用してもよい。・・・・エッチングガスとして、Ｃｌ2とＯ2との混合ガスに代えて、ＨＢｒ、ＳＦ6、ＨＣｌなどの他のハロゲンガスとＯ2との混合ガスを選定してもよい。」（段落【0018】）
(1-7)「デバイス絶縁膜２２と下層白金膜２３との間及び上層白金膜２５とマスク絶縁膜２６との間に、それぞれ接着層としてチタン層、窒化チタン層、酸化チタン層のいずれかを介在させてもよい。」（段落【0033】）
　　
引用例２（特開平７−122534）
(2-1)「白金上にエッチングマスクを形成し、該白金をプラズマエッチング法により選択的にエッチングするに当たり、エッチングガスとしてアルゴンガスを用い、エッチングマスクとしてシリコン窒化膜（ＳｉＮX膜）およびシリコン酸化膜（ＳｉＯ2膜）の中から選ばれた少なくとも一つの膜を用いることを特徴とする白金のエッチング方法。」（請求項１）
　　
引用例３（特開昭６０−７９７２６号公報）
(3-1)「１．第１，第２，第３電極よりなり、該第１電極は電気接地に接続され、該第２電極は選択的にAC高周波電源に接続され、該第３電極は選択的にAC低周波電源に接続されることを特徴とし、反応ガスが注入され、反応生成物が排出され、またそこで、該反応ガスが電界に作用されるプラズマを形成する反応室を具えるリアクタ装置。
２．前記プラズマリアクタ装置において、第１，第２，第３の電極を与える段階、該装置中に反応ガスを注入する段階、前記第１，第２電極間に高周波AC電界を、前記第１，第３電極間に低周波AC電界を、選択的に印加することにより、反応ガスプラズマをつくり出す段階、を具えるプラズマリアクタ装置中に配置された加工物をエッチングする方法。」（特許請求の範囲１、２）
　　
引用例４（特開昭６０−１６０６２０号公報）
(4-1)「１．反応ガス及び加工物を収容する反応チャンバー；該反応ガスを供給し、前記反応室から反応生成物を排除する手段；前記反応室内に電界を形成するのに適合する電極；低周波電力の電源；高周波電力の電源；前記電極及び電源に結合され、前記低周波電力及び高周波電力を前記電極に印加し、他方、前記電源を相互に分離する結合手段；を具えるプラズマリアクタ装置。」（特許請求の範囲１）
　　
引用例５（特開平２−３１２２３１号公報）
(5-1)「上下の対向する平板電極を備えた処理室内にプラズマを発生させ、片方の電極上に設置した半導体ウェハーをエッチングするドライエッチング装置において、ウェハーを設置した側の電極に高周波を印加する手段と、ウェハーに対向する側の電極に低周波を印加する手段と、両電極の間でマグネトロン放電を生じさせる磁場を発生する手段とを有することを特徴とするドライエッチング装置。」（特許請求の範囲）
　　
IV．対比・判断
(IV-1)「理由１」（特許法第１７条の２第３項違反）について
　原査定における拒絶の理由は、高周波、低周波のエネルギーについて、「段落（【0026】、【0027】）に記載されたエネルギーは、所定のマスク材および所定のガス雰囲気を使用する条件下での実施した印加条件であり、マスク材及びガス雰囲気の種類を問わず白金食刻工程に使用できることが出願当初の明細書または図面の記載から読みとれない。」との理由に基くものである。
　これについて検討すると、上記平成１５年３月２６日提出の手続補正書による補正は、明りょうでない記載の釈明を目的とするものと認められ、そして、当該補正後の本願発明においては、上記のエネルギー条件と、マスク材及びガス雰囲気条件とが、出願当初の明細書及び図面の記載に基いて特定して記載されているので、上記の理由は解消した。
　　
(IV-2)「理由２」（特許法第２９条第２項違反）について
　本願発明と、引用例１に記載されたものとを対比すると、引用例１には、半導体基板の上に、強誘電体、高誘電率材料及び白金のうちの少なくとも１つからなるエッチング対象膜を形成する工程と、前記エッチング対象膜の上に、酸化しやすい金属からなるパターン化されたマスクを形成する工程と、酸化性とハロゲン化性とを有するガスプラズマで前記エッチング対象膜を選択的にエッチングする工程とを備えた半導体装置の製造方法（摘記1-1）の発明が記載され、併せて、前記マスクを形成する工程は、チタンとチタン化合物とチタンを含む合金とのうちの少なくとも１つからなる膜を形成する工程を備えたこと、及び、前記エッチング対象膜を選択的にエッチングする工程は、塩素と酸素との混合ガスのプラズマを選定する工程を備えたこと（摘記1-1）、マスクとして形成された金属膜はプラズマによって酸化され、マスクのエッチング速度は小さくなり、一方、エッチング対象膜については、大きいエッチング速度が確保されて、エッチングの高い選択比が実現し、エッチング対象膜の微細加工が容易になること（摘記1-3）、図において、１はシリコン単結晶からなる半導体基板、２は酸化シリコンからなるデバイス絶縁膜、３は下層白金膜、４はＳＢＴからなる強誘電体膜、５は上層白金膜、６はチタン膜、７はフォトレジストマスクであって（摘記1-4）、パターン化されたチタン膜６をマスクとし、かつ塩素と酸素との混合ガスのプラズマを用いたドライエッチング法により、上層白金膜５と強誘電体膜４と下層白金膜３とからなる積層膜をエッチングし（図１（ｄ））、ドライエッチングのためのチャンバーを用いて、例えば、塩素ガスの流量を１２ｃｃ／分に、酸素ガスの流量を８ｃｃ／分にそれぞれ設定し、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印加することにより、塩素と酸素との混合ガスのプラズマを発生させ、更に、塩素ガスのプラズマを用いたドライエッチング法でチタン膜６をエッチングすることにより、該チタン膜６を除去する（図１（ｅ））こと(摘記1-5）、ＰｔとＳＢＴとの積層膜に限らず、Ｐｔの単層膜でも高い選択比が得られ、また、エッチングガスとして、Ｃｌ2とＯ2との混合ガスに代えて、ＨＢｒ、ＳＦ6、ＨＣｌなどの他のハロゲンガスとＯ2との混合ガスを選定してもよいこと（摘記1-6）、及び、デバイス絶縁膜２２と下層白金膜２３との間及び上層白金膜２５とマスク絶縁膜２６との間に、それぞれ接着層としてチタン層、窒化チタン層、酸化チタン層のいずれかを介在させてもよいこと（摘記1-7）が記載されている。
　してみれば、本願発明は、引用例１に記載された発明と、
「白金食刻方法において、
　絶縁体上にグルー層を形成する工程と、
　前記グルー層上に白金層を形成する工程と、
　前記白金層上に前記白金に対する高食刻選択性を有し、チタン、チタン窒化物又はアルミニウム合金から選択されるマスク形成物質を形成する工程と、
　前記マスク形成物質をパターニングする工程と、
　前記パターニングされたマスク形成物質を用いて前記マスク形成物質と前記白金との食刻選択比が２以上となるように設定された食刻ガスを注入して前記白金層を食刻する工程であって、前記マスク形成物質としてチタン又はチタン窒化物を用いる際、食刻ガスとしてはＨＢｒ＋Ｏ2ガス又はＣｌ2＋Ｏ2ガスを注入し、前記マスク形成物質としてアルミニウム合金を用いる際、食刻ガスとしてはフッ素ベースガスとしてのＣＦ4、Ｃ2Ｆ6又はＣ3Ｆ8ガスとＯ2ガスとを注入する前記食刻工程と、
　前記食刻工程において前記特定のマスク形成物質及び前記特定の食刻ガスを用いて、１３．５６ＭＨｚの高周波供給器からエネルギーを加え、４５０ｋＨｚの低周波数供給器から０〜１００ｗ範囲のエネルギーを加えて白金層の食刻を進行する工程と、
　前記マスク形成物質を食刻する工程とを備えることを特徴とする白金食刻方法。」の点で一致し、そして、
（イ）：本願発明では、食刻工程において加える上記１３．５６ＭＨｚの高周波供給器からのエネルギーにつき、「３００〜６００ｗ範囲」に特定されているのに対して、引用例１には、当該電力範囲についての記載が見あたらない点、
（ロ）：本願発明では、前記の白金層の食刻を進行する工程の後に、「チタン窒化物又はチタンからなるマスク形成物質を用いた場合にはＨＢｒ＋Ｏ2ガス又はＣｌ2＋Ｏ2ガスを使用して白金層を食刻する際に発生した反応生成物を除去し、アルミニウム合金からなるマスク形成物質を用いた場合には前記フッ素ベースガスを使用して前記反応生成物を除去する工程」なる反応生成物除去工程を有するものであるのに対して、引用例１にはその反応生成物除去工程の記載が見あたらない点、及び、
（ハ）：本願発明では、食刻工程において、マスク形成物質を食刻するとともに、「前記白金層をマスクとして用いて前記グルー層を食刻する工程」を備えるものであるのに対して、引用例１には、接着層、即ちグルー層の介在に係る記載はあるものの（摘記1-7）、上記のとおりのグルー層の食刻についての記載は見あたらない点、の各点で、本願発明は、引用例１に記載された発明と相違している。
　なお、引用例１には、本願発明における「４５０kHzの低周波数供給器」からのエネルギーについての記載はみあたらないが、本願発明ではこの低周波数エネルギーは０ｗの場合をも含む任意条件であるので、当該低周波数エネルギーの有無の点については、引用例１に記載の発明と相違があるとすることはできない。
　　
　そこで、上記各相違点について、以下検討する。
相違点（ロ）について
　引用例２には、白金上にエッチングマスクを形成し、該白金をプラズマエッチング法により選択的にエッチングする白金のエッチング方法が記載され（摘記2-1）、引用例３には、AC高周波電源に接続された第２電極、AC低周波電源に接続された第３電極を具えるプラズマリアクタ装置を用いて、第２電極に高周波AC電界を、第３電極に低周波AC電界を選択的に印加するエッチング方法が記載され（摘記3-1）、引用例４には、低周波電力及び高周波電力を電極に印加するプラズマリアクタ装置が記載され（摘記4-1）、また、引用例５には、ウェハーを設置した側の電極に高周波を印加する手段と、ウェハーに対向する側の電極に低周波を印加する手段と、両電極の間でマグネトロン放電を生じさせる磁場を発生する手段とを有するドライエッチング装置が記載されている（摘記5-1）。
　しかし、これら引用例２〜５のいずれにも、「チタン窒化物又はチタンからなるマスク形成物質を用いた場合にはＨＢｒ＋Ｏ2ガス又はＣｌ2＋Ｏ2ガスを使用して白金層を食刻する際に発生した反応生成物を除去し」、あるいは、「アルミニウム合金からなるマスク形成物質を用いた場合には前記フッ素ベースガス、即ち、ＣＦ4、Ｃ2Ｆ6又はＣ3Ｆ8ガスとＯ2ガス、を使用して前記反応生成物を除去する」という、上記相違点（ロ）に係る特定の反応生成物除去工程の記載は見あたらない。
　そして本願発明は、当該相違点（ロ）に係る特定事項を含む、前記認定の特定事項を有することにより、白金層及びグルー層の食刻時に発生した反応生成物が除去されるとともに、感光膜又はハードマスクの厚さを大きくしなくても、白金と高選択性を有するマスクを用いて白金を安定して食刻することができ、白金との食刻選択性が優秀なマスクを用いて、白金の側面に反応副産物が生成されることを防止するため、以後に良質の誘電体膜を形成することができ、更に、マスクと白金との接触性が良くなって、マスクのパターニング時にピーリング現象が発生するのを回避できるため、工程の信頼性を高めることができる（段落【0005】、【0028】、【0030】〜【0032】）という、明細書記載の作用効果を奏したと認めることができる。
　してみれば、上記相違点（イ）及び（ハ）について改めて検討するまでもなく、本願発明は、引用例１〜５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明とすることはできない。
　　
Ｖ．むすび
　以上のとおりであるから、原査定の拒絶の理由により本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。