(57)【要約】【課題】異種接合基板のダイシング工程においてチッピングを低減あるいは発生を抑止することで歩留まりの向上に寄与し高信頼性を備えた半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板１２とこの半導体基板の表面に貼り合わせた半導体以外の材料からなる異種基板１１とにより形成される異種接合基板１０を有して構成される半導体装置１の製造方法であって、異種接合基板を半導体チップ１６化するためのダイシング工程は、半導体基板の表面に対して少なくとも当該半導体基板の厚さの半分以上の深さを有する溝１２ａ，１２ｂを形成する第１のダイシング工程と、溝に沿って異種接合基板全体を切断することで複数の半導体チップに分離する第２のダイシング工程とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板とこの半導体基板の表面に貼り合わせた半導体以外の材料からなる異種基板とにより形成される異種接合基板を有して構成される半導体装置の製造方法であって、
前記異種接合基板を半導体チップ化するためのダイシング工程は、
前記半導体基板の表面に対して少なくとも当該半導体基板の厚さの半分以上の深さを有する溝を形成する第１のダイシング工程と、
前記溝に沿って異種接合基板全体を切断することで複数の半導体チップに分離する第２のダイシング工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１のダイシング工程及び前記第２のダイシング工程は、機械的加工により行なうことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１のダイシング工程と前記第２のダイシング工程とでは、それぞれの工程で異なる幅と異なる材質からなるダイシングブレードを用いることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１のダイシング工程は化学的加工により行ない、前記第２のダイシング工程は機械的加工により行なうことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１のダイシング工程は、ウエットエッチングまたはドライエッチングであることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記半導体装置は、複数の固体撮像装置が形成された半導体基板と透明基板とにより形成される異種接合基板で構成されることを特徴とする請求項１〜請求項５のうちいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記半導体装置は、ＣＳＰタイプの半導体装置であることを特徴とする請求項１〜請求項６のうちいずれか一つに記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置の製造方法、詳しくは異種接合基板を有する半導体装置のダイシング工程を含む半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子スチルカメラやデジタルビデオカメラ等の電子カメラのほかに、電子手帳や携帯電話等の小型電子機器等に搭載される付加機能としての小型カメラ等、各種の電子機器において固体撮像装置等の半導体装置の需要が大きくなっている。
【０００３】
これら各種の電子機器においては、例えばチップサイズパッケージ（ＣＳＰ；Ｃhip Ｓize Ｐackage）化などの技術による半導体装置の小型化が急速に進んでいる。特に、固体撮像装置においては、撮像素子等の素子を形成した半導体基板と透明基板とを貼り合わせて形成される異種接合基板に対して加工を施し、ダイシング工程を経ることで最終的に半導体装置の一部を構成するための半導体チップを個片化する製造方法、例えばウエハレベルチップサイズパッケージ（ＷＬ−ＣＳＰ）等については、例えば特開２００３−１１６０６６号公報等によって、従来より種々の提案がなされている。
【０００４】
上記特開２００３−１１６０６６号公報等によって開示されている固体撮像装置の製造方法は、透明基板を接着して形成される固体撮像装置の基板ダイシング方法であって、Ｖ型のダイシングブレードを用いてハーフダイシングを行なってＶ溝を形成した後、このＶ溝の幅よりも狭い幅のダイシングブレードを用いてフルダイシングを行なうことによって、個片化された半導体基板の一方の面（例えば透明基板の上面側）の外周縁部に面取り部を形成する製造方法である。
【０００５】
これによれば、個片化のためのダイシング工程を行なうことによって、透明基板の上面外周縁部に面取り部を形成することができる。
【０００６】
つまり、面取り部を有して形成された固体撮像装置を対応する電子機器に組み込む工程において、例えば透明基板がレンズブロック等の他の構成部材に当たり、当該透明基板が欠けてしまう等の部品破損の可能性がある。したがって、上述のような面取り部を透明基板の上面外周縁部に形成することによって、当該透明基板が欠けてしまう等の部品破損を抑止することができる。
【特許文献１】特開２００３−１１６０６６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところが、上記特開２００３−１１６０６６号公報によって開示されている手段によれば、上述したように透明基板の側に生じるチッピング（欠け）等による部品破損を抑止することはできるが、しかし、当該公報によれば、撮像素子等が形成された半導体基板の側のチッピング（欠け）を抑止することについては考慮されていない。したがって、当該手段では、半導体基板にチッピング（欠け）が発生することも考えられる。
【０００８】
つまり、例えばガラス板等の透明基板と、シリコン等の半導体基板との異種材料では、材料によってダイシングによるチッピング量や最適なダイシングブレード幅及び材質などが大きく異なる。
【０００９】
したがって、半導体基板を透明基板切断用のダイシングブレードを用いて切断する場合には、チッピングが大きくなってしまうことからデバイス領域に及んでしまうことになってしまう。
【００１０】
また、透明基板を半導体切断用のダイシングブレードを用いて切断する場合には、時間がかかってしまったり、場合によってはダイシングブレードが破損してしまう等の不具合が発生することがある。
【００１１】
本発明は、上述した点に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、異種接合基板のダイシング工程において、チッピングを低減しあるいはチッピングの発生を抑止することにより歩留まりの向上に寄与し、高い信頼性を備えた半導体装置を製造し得る半導体装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明による半導体装置の製造方法は、半導体基板とこの半導体基板の表面に貼り合わせた半導体以外の材料からなる異種基板とにより形成される異種接合基板を有して構成される半導体装置の製造方法であって、前記異種接合基板を半導体チップ化するためのダイシング工程は、前記半導体基板の表面に対して少なくとも当該半導体基板の厚さの半分以上の深さを有する溝を形成する第１のダイシング工程と、前記溝に沿って異種接合基板全体を切断することで複数の半導体チップに分離する第２のダイシング工程とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、異種接合基板のダイシング工程において、チッピングを低減しあるいはチッピングの発生を抑止することにより歩留まりの向上に寄与し、高い信頼性を備えた半導体装置を製造し得る半導体装置の製造方法を提供することである。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
以下、図示の実施の形態によって本発明を説明する。
【００１５】
まず、本発明の実施形態を説明する前に、本発明を適用することにより製造される半導体装置の概略的な構成を説明する。
【００１６】
図１は、本発明を適用した製造方法により製造される半導体装置の最終的な形態の概略構成を示す側面図である。
【００１７】
図１に示すように、本発明を適用することにより製造される半導体装置１は、ガラス基板等の透明基板１１とシリコン等の半導体基板１２とを接着剤１５等により貼り合わせて形成される異種接合基板とによって構成される。
【００１８】
異種接合基板の半導体基板１２の裏面には、半導体基板１２の表面に形成した回路からの信号を外部に取り出すために外部接続端子１４が形成されている。この外部接続端子１４は、半導体基板１２の表面に形成されたパッド電極（図示せず）と基板貫通電極（図示せず）とを介して電気的に接続されている。
【００１９】
そして、半導体基板１２の裏面側の外表面の外周縁部には切欠部１２ｃが形成されている。
【００２０】
次に、このような形態の半導体装置を製造する際の製造方法についての各実施形態を以下に説明する。
【００２１】
なお、以下に説明する各実施形態においては、半導体装置としての固体撮像装置を製造する場合を例に挙げて説明する。
【００２２】
図２〜図４は、本発明の第１の実施形態の半導体装置の製造方法を説明する図である。このうち、図２は、第１のダイシング工程を示す断面図である。図３は、第２のダイシング工程を示す断面図である。図４は、２段階のダイシング工程により個片化された半導体装置における半導体チップの一部（ダイシング領域近傍のみ）を示す断面図である。
【００２３】
本実施形態の半導体装置の製造方法は、ダイシング工程を２段階で行なうようにするものである。そして、本実施形態では、この２段階のダイシング工程における第１のダイシング工程と第２のダイシング工程とを、共に機械的加工により行なうものとしている。
【００２４】
半導体装置の製造方法における工程にあって、ダイシング工程を行なうのに先立って、まず、ダイシングを行なう対象となる半導体基板１２からなる半導体ウェハーを形成する。この半導体ウェハーは、本実施形態の製造方法を用いて製造される半導体装置、即ち固体撮像装置の半導体基板部分が複数形成された形態の半導体ウェハーである。この半導体ウェハーの表面に透明基板を接着剤等により接合した形態の異種接合基板を形成する。
【００２５】
本実施形態におけるダイシング工程は、この異種接合基板をダイシングすることで、複数の半導体チップを個片化するダイシング工程についての具体的な形態である。
【００２６】
即ち、本実施形態の製造方法におけるダイシング工程のうち第１のダイシング工程では、図２に示すように異種接合基板１０のうちシリコン等の半導体基板１２の所定のダイシング領域Ｗ１（図２参照）の両端縁部の２箇所に対して半導体基板用の第１のダイシングブレード２１を用いて図２の矢印Ｘ方向へのダイシングを行なう。これにより、図３に示すように半導体基板１２の外表面（裏面側）には、二つの溝１２ａ，１２ｂが形成される。
【００２７】
この場合において、第１のダイシングブレード２１によるダイシングは、半導体基板１２の裏面側の外表面から少なくとも当該半導体基板１２の板厚Ｔ（図２参照）の略半分以上の深さ（例えば図２に示す符号Ｄの深さ）までのダイシングが行なわれる。これにより、半導体基板１２の裏面側の外表面には、図２に示すように深さＤからなる二つの溝１２ａ，１２ｂが形成される。
【００２８】
上述したように、第１のダイシング工程で形成される二つの溝１２ａ，１２ｂの深さＤは、半導体基板１２の板厚Ｔに対して略半分以上となればよい。
【００２９】
したがって、上述の図２に示す例に限らず、例えば半導体基板１２の裏面側の外表面から当該半導体基板１２と透明基板１１との接合面Ｓ（図２参照）にかかる程度まで、即ち半導体基板１２の板厚Ｔ分をダイシングしても構わない。
【００３０】
また、さらに、半導体基板用のダイシングブレード２１が破損しない程度の深さまで、当該接合面Ｓを超えて透明基板１１にまでかかる深さでダイシングしても構わない。
【００３１】
なお、第１のダイシングブレード２１は、上述のように半導体基板用のものであって、半導体基板のダイシングを行なうのに最適な幅や材質等からなるものが用いられる。
【００３２】
具体的には、例えば第１のダイシングブレード２１は、後述する第２のダイシング工程で用いる第２のダイシングブレード２２（図３参照）と比べて幅が狭く設定される幅狭タイプのものが用いられる。
【００３３】
続いて、上述の第１のダイシング工程を経た異種接合基板１０に対して第２のダイシング工程がおこなわれる。この第２のダイシング工程では、上述の第１のダイシング工程にて半導体基板１２の外表面上に形成された二つの溝１２ａ，１２ｂに挟まれた領域Ｗ２（図３参照）に対して、上述の第１のダイシングブレード２１よりも幅広タイプの透明基板用の第２のダイシングブレード２２を用いてダイシングを行なう。この第２のダイシング工程は、半導体基板１２の裏面側から透明基板１１まで、即ち当該異種接合基板１０の全体をダイシングすることにより複数の半導体チップに個片化する工程である。
【００３４】
なお、第２のダイシングブレード２２は、上述のように透明基板用のものであって、透明基板のダイシングを行なうのに最適となる幅や材質等からなるものが用いられる。
【００３５】
なお、ここで、第２のダイシングブレード２２による第２のダイシング工程は、半導体基板１２の裏面側から行なうものとしているが、これに限らず、例えば透明基板１１の表面側から行なっても構わない。
【００３６】
この第２のダイシングにより個片化された個々の半導体チップ１６は、図４に示すように半導体基板１２の裏面側の外周縁部に切欠部１２ｃが形成されることになる。この切欠部１２ｃが形成されることにより、チッピングの発生が抑止されるという効果を有する。
【００３７】
以上のようにして複数に個片化された個々の半導体チップ１６は、チップサイズにパッケージングされた固体撮像装置（半導体装置）１として製造される。
【００３８】
以上説明したように上記第１の実施形態によれば、半導体基板１２と、これとは異なる異種基板である透明基板１１とが接合された形態の異種接合基板１０を有する半導体装置１の製造方法において、半導体基板１２及び透明基板１１の両基板のそれぞれに最適となる形態のダイシングブレード（２１，２２）を用いて２段階のダイシング、即ち最初に半導体基板１２の側のみをダイシングする第１のダイシング工程の後、続いて異種接合基板全体をダイシングする第２のダイシング工程を行なうことにより、複数の半導体チップ１６に個片化するようにしている。
【００３９】
これにより、ダイシング工程において半導体基板１２及び透明基板１１の両基板に生じるチッピング量を低減させ、あるいはチッピングの発生を抑えながら、半導体チップ１６の個片化をおこなうことができる。
【００４０】
したがって、この半導体チップを用いて構成される固体撮像装置（半導体装置）１の製造の歩留まりの向上に寄与することができると同時に、信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【００４１】
特に、ＣＳＰ（チップサイズパッケージ；Ｃhip Ｓize Ｐackage）等の小型実装には非常に有効である。
【００４２】
次に、本発明の第２の実施形態の半導体装置の製造方法について、以下に説明する。
【００４３】
図５〜図８は、本発明の第２の実施形態の半導体装置の製造方法を説明する図である。このうち、図５，図６は、第１のダイシング（エッチング）工程を示す断面図であって、図５は半導体基板の裏面側にエッチングマスクを配置した状態を示している。図６は、第１のダイシング（エッチング）工程完了後の状態を示している。図７は、第２のダイシング工程を示す断面図である。図８は、２段階のダイシング工程により個片化された半導体装置における半導体チップの一部（ダイシング領域近傍のみ）を示す断面図である。
【００４４】
本実施形態の半導体装置の製造方法も、上述の第１の実施形態と同様にダイシング工程を２段階で行なうようにするものである。ただし、本実施形態では、第１のダイシング工程をエッチング処理等の化学的加工によって行ない、第２のダイシング工程を機械的加工により行なうものとしている。
【００４５】
具体的には、例えば第１のダイシング工程においては、図５，図６に示すように半導体基板１２のダイシング領域を化学的加工により除去した後、図７，図８に示すように第２のダイシング工程において、透明基板１１をダイシングブレードを用いて機械的加工によりダイシングすることによって、複数の半導体チップ１６に個片化する。
【００４６】
本実施形態の半導体装置の製造方法について、さらに詳しく説明する。
【００４７】
半導体装置の製造方法における工程にあって、ダイシング工程を行なうのに先立ちダイシングを行なう対象となる異種接合基板１０、即ち半導体ウェハー（半導体基板１２）の表面に透明基板１１を接合した形態の異種接合基板１０を形成するのは、上述の第１の実施形態と同様である。
【００４８】
本実施形態においては、この異種接合基板１０に対して化学的加工及び機械的加工による２段階のダイシングを行なって、複数の半導体チップを個片化する。
【００４９】
まず、第１のダイシング工程においては、図５に示すように異種接合基板１０のうちシリコン等の半導体基板１２の所定のダイシング領域Ｗ３（図５参照）を除く部分をエッチングマスク２３で覆った状態にする。この状態で、半導体基板１２のダイシング領域Ｗ３を裏面側からエッチング処理を行なう。これにより、当該半導体基板１２の外表面の裏面側のダイシング領域Ｗ３には、図６に示すように断面が台形状の溝部１２ｄが形成される。
【００５０】
このエッチング処理は、例えばＴＭＡＨ溶液やＫＯＨ溶液等のエッチング液を用いるウエットエッチングでもよいし、ドライエッチングとしても良い。
【００５１】
また、異方性エッチングあるいは等方性エッチングのいずれでも可能であるが、エッチング形状を考慮すると、本実施形態においては、異方性エッチングの方が好ましい。
【００５２】
上述のエッチング処理がなされた部分の断面形状は、ＴＭＡＨ溶液やＫＯＨ溶液を用いる異方性ウエットエッチングでは、図６に示すようにテーパー状の断面形状となる。また、異方性ドライエッチングでは、略垂直に形成されることになる。
【００５３】
なお、半導体基板１２の表面であって、透明基板１１との貼り合わせ面となるがわの表面には、エッチング停止層１７が形成されている。このエッチング停止層１７によってエッチングは停止されることになる。このエッチング停止層１７としては、例えば酸化膜や金属膜等である。
【００５４】
ただし、半導体基板１２とエッチングされない異種基板との貼り合わせによって形成される異種接合基板の場合には、特にエッチング停止層を設ける必要はないが、基板同士の貼り合わせを行なう際に樹脂等の接着剤を介する場合には、エッチング停止層を設けた方が望ましい。
【００５５】
続いて、上述の第１のダイシング工程を経た異種接合基板１０に対して第２のダイシング工程がおこなわれる。この第２のダイシング工程では、上述の第１のダイシング工程にて半導体基板１２の外表面上に形成された断面が台形状の溝部１２ｄの底辺部の領域Ｗ４（図７参照）に対して、図７に示すように透明基板用の第２のダイシングブレード２２を用いてダイシングを行なう。これにより、当該異種接合基板１０は、図８に示すように複数の半導体チップに個片化される。
【００５６】
なお、第２のダイシングブレード２２は、上述の第１の実施形態における第２のダイシング工程で用いたものと同様に、透明基板１１をダイシングするのに最適な幅及び材質等からなるダイシングブレードが用いられる。
【００５７】
この第２のダイシング工程を経ることにより個片化された個々の半導体チップ１６は、図８に示すように半導体基板１２の側面の外周に端面１２ｅが形成される。
【００５８】
以上説明したように上記第２の実施形態によれば、上述の第１の実施形態と略同様の効果を得ることができる。
【００５９】
また、本実施形態においては、第１のダイシング工程を化学的加工であるエッチング処理により行ない、第２のダイシング工程を機械的加工であるダイシングブレードによるダイシングを行なうようにしている。
【００６０】
これにより、第１のダイシング工程において、所定のダイシング領域Ｗ３（エッチングマスク２３で覆われる部分以外の領域）の範囲内では、半導体（シリコン）が、エッチング処理で除去されることになる。したがって、第２のダイシング工程にて、第２のダイシングをおこなったときに、半導体基板１２の端面１２ｅにチッピングが発生することはない。
【００６１】
また、本実施形態においては、機械的加工によるダイシング工程を１回行なうだけで済むことから、工程の簡略化となる。これと同時に、機械加工によるダイシングを行なう際に生じる汚れ等を減少させることができる。このことから、さらなる歩留まりの向上に寄与することができると同時に、より信頼性の高い半導体装置を製造することができる。
【００６２】
特に、ＣＳＰ（チップサイズパッケージ；Ｃhip Ｓize Ｐackage）等の小型実装には非常に有効であるのは、上述の第１の実施形態と同様である。
【００６３】
また、半導体基板１２と透明基板１１との間の接合部位には、エッチング停止層１７を設けるようにしたので、貼り合わせを行なうために用いている接着剤１５等がエッチング処理時にエッチング溶液等に露出して溶け出すといった不具合を防止することができる。
【００６４】
次に、本発明の第３の実施形態の半導体装置の製造方法について、以下に説明する。
【００６５】
図９〜図１２は、本発明の第３の実施形態の半導体装置の製造方法を説明する図である。このうち、図９，図１０は、第１のダイシング（エッチング）工程を示す断面図であって、図９は半導体基板の裏面側にエッチングマスクを配置した状態を示している。図１０は、第１のダイシング（エッチング）工程完了後の状態を示す断面図である。図１１は、第２のダイシング工程を示す断面図である。図１２は、２段階のダイシング工程により個片化された半導体装置における半導体チップの一部（ダイシング領域近傍のみ）を示す断面図である。
【００６６】
本実施形態の半導体装置の製造方法も、上述の第１，第２の実施形態と同様にダイシング工程を２段階で行なうようにするものである。そして、本実施形態では、上述の第２の実施形態と同様に、第１のダイシング工程をエッチング処理等の化学的加工によって行ない、第２のダイシング工程を機械的加工により行なうものとしている。この場合において、本実施形態においては、第１のダイシング工程におけるエッチングマスクの形態が異なる。
【００６７】
具体的には、例えば第１のダイシング工程においては、図９，図１０に示すように半導体基板１２のダイシング領域の両端縁部を化学的加工（ウエットエッチング又はドライエッチング）により二つのＶ溝１２ｆ（図１０参照）を形成し、第２のダイシング工程においては、図１１，図１２に示すように幅広の第２のダイシングブレード２２を用いて機械的加工によって半導体基板１２と透明基板１１とを共にダイシングすることによって、複数の半導体チップ１６に個片化する。
【００６８】
本実施形態の半導体装置の製造方法について、さらに詳しく説明する。
【００６９】
半導体装置の製造方法における工程にあって、ダイシング工程を行なうのに先立ちダイシングを行なう対象となる異種接合基板１０、即ち半導体ウェハーの表面に透明基板１１を接合した形態の異種接合基板１０を形成するのは、上述の第１，第２の実施形態と同様である。なお、本実施形態においては、エッチング停止層を設けずに異種接合基板１０を形成している。
【００７０】
本実施形態においては、この異種接合基板１０に対して化学的加工及び機械的加工による２段階のダイシングを行なって、複数の半導体チップを個片化する。
【００７１】
まず、第１のダイシング工程においては、図９に示すように異種接合基板１０のうちシリコン等の半導体基板１２の所定のダイシング領域Ｗ５（図９参照）を除く部分をエッチングマスク２３Ａで覆った状態にする。この状態で、半導体基板１２のダイシング領域Ｗ５を裏面側からエッチング処理を行なう。
【００７２】
これにより、当該半導体基板１２の外表面の裏面側のダイシング領域Ｗ５には、図１０に示すように断面がＶ形状の二つのＶ溝１２ｆが形成される。このＶ溝１２ｆの深さは、半導体基板１２の裏面側から透明基板１１との接合面にまで到達しないように設定される。
【００７３】
なお、この場合におけるエッチング処理によるＶ溝１２ｆの深さ設定は、透明基板１１にまで到達しない範囲でおこなえばよく、透明基板１１に到達する直前の部位まで深さを有するように設定することが好ましい。
【００７４】
また、エッチング処理自体は、上述の第２の実施形態の第１のダイシング工程におけるエッチング処理と略同様である。
【００７５】
上述のようにしてエッチング処理がなされた部分の断面形状は、ＴＭＡＨ溶液やＫＯＨ溶液を用いる異方性ウエットエッチングでは、図１０に示すようにテーパー状（Ｖ字形状）の断面形状となる。また、異方性ドライエッチングでは、略垂直に形成されることになる。
【００７６】
続いて、上述の第１のダイシング工程を経た異種接合基板１０に対して第２のダイシング工程がおこなわれる。この第２のダイシング工程では、上述の第１のダイシング工程にて半導体基板１２の外表面上に形成された二つのＶ溝１２ｆにかかる幅、例えば領域Ｗ６（図１１参照）の透明基板用の第２のダイシングブレード２２を用いて、図１１に示すようにダイシングを行なう。これにより、当該異種接合基板１０は、図１２に示すように複数の半導体チップに個片化される。
【００７７】
なお、第２のダイシングブレード２２は、上述の第１，第２の実施形態における第２のダイシング工程で用いたものと同様に、透明基板１１をダイシングするのに最適な幅及び材質等からなるダイシングブレードが用いられる。
【００７８】
この第２のダイシング工程を経ることにより個片化された個々の半導体チップ１６は、図１１に示すように半導体基板１２の裏面側の外周縁部に、面取部１２ｇが形成される。
【００７９】
以上説明したように上記第３の実施形態によれば、上述の第１，第２の実施形態と略同様の効果を得ることができる。
【００８０】
また、本実施形態においては、上述の第２の実施形態と同様に第１のダイシング工程を化学的加工（エッチング処理）により行ない、第２のダイシング工程を機械的加工（ダイシングブレードによるダイシング）を行なうようにしている。この場合において、第１のダイシング工程でのエッチングマスク２３Ａを異なるものを用いることで、二つのＶ溝１２ｆを形成するようにしている。
【００８１】
そして、エッチング処理を行なうのに際しては、半導体基板１２に形成する二つのＶ溝１２ｆの深さを、半導体基板１２と透明基板１１とのを接合面に到達しないように設定す他ので、エッチング停止層を設けなくとも、両基板１１，１２の接合用接着剤等がエッチング処理時にエッチング溶液等に露出して溶け出すといった不具合を防止することができる。その他、上述の第２の実施形態による効果と同様の効果を得ることができる。
【００８２】
なお、上述の各実施形態においては、異種接合基板１０として、シリコン等の半導体基板１２とガラス等の透明基板１１とを接合することにより形成される異種接合基板を用いている。この場合において、両基板１１，１２を貼り合わせるための手段としては、例えば接着剤や熱溶着や陽極接合等が用いられる。
【００８３】
半導体基板１２としては上述のシリコン基板のほかにも、例えばＧａＡｓ等の化合物半導体基板を用いても良い。
【００８４】
また、この半導体基板１２に接合される基板としては、上述のガラス基板のほかに、例えば石英やプラスチック等による透明基板を用いてもよいし、あるいはセラミック基板やガラエポ基板を用いてもよい。
【００８５】
なお、固体撮像装置等の光センサ装置においては、受光部に対して光を照射する必要があることあから透明基板を用いるのが最適であるが、固体撮像装置以外の一般の半導体装置を製造するのに際しては、必ずしも透明基板である必要はないのはもちろんである。
【図面の簡単な説明】
【００８６】
【図１】本発明を適用した製造方法により製造される半導体装置の最終的な形態の概略構成を示す側面図。
【図２】本発明の第１の実施形態の半導体装置の製造方法を説明する図であって、第１のダイシング工程を示す断面図。
【図３】本発明の第１の実施形態の半導体装置の製造方法を説明する図であって、第２のダイシング工程を示す断面図。
【図４】本発明の第１の実施形態の半導体装置の製造方法を説明する図であって、２段階のダイシング工程により個片化された半導体装置における半導体チップの一部（ダイシング領域近傍のみ）を示す断面図。
【図５】本発明の第２の実施形態の半導体装置の製造方法を説明する図であって、第１のダイシング（エッチング）工程を示し、半導体基板の裏面側にエッチングマスクを配置した状態を示す断面図。
【図６】本発明の第２の実施形態の半導体装置の製造方法を説明する図であって、第１のダイシング（エッチング）工程完了後の状態を示す断面図。
【図７】本発明の第２の実施形態の半導体装置の製造方法を説明する図であって、第２のダイシング工程を示す断面図。
【図８】本発明の第２の実施形態の半導体装置の製造方法を説明する図であって、２段階のダイシング工程により個片化された半導体装置における半導体チップの一部（ダイシング領域近傍のみ）を示す断面図。
【図９】本発明の第３の実施形態の半導体装置の製造方法を説明する図であって、第１のダイシング（エッチング）工程を示し、半導体基板の裏面側にエッチングマスクを配置した状態を示す断面図。
【図１０】本発明の第３の実施形態の半導体装置の製造方法を説明する図であって、第１のダイシング（エッチング）工程完了後の状態を示す断面図。
【図１１】本発明の第３の実施形態の半導体装置の製造方法を説明する図であって、第２のダイシング工程を示す断面図。
【図１２】本発明の第３の実施形態の半導体装置の製造方法を説明する図であって、２段階のダイシング工程により個片化された半導体装置における半導体チップの一部（ダイシング領域近傍のみ）を示す断面図。
【符号の説明】
【００８７】
１……半導体装置
１０……異種接合基板
１１……透明基板
１２……半導体基板
１２ａ，１２ｂ……溝
１２ｃ……切欠部
１２ｄ……溝部
１２ｅ……端面
１２ｆ……Ｖ溝
１２ｇ……面取部
１４……外部接続端子
１５……接着剤
１６……半導体チップ
１７……エッチング停止層
２１……第１のダイシングブレード
２２……第２のダイシングブレード
２３，２３Ａ……エッチングマスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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