【事件の表示】
　特願２０１２−５１４９７５「信号ライン遷移素子を備えた回路装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年１１月１７日国際公開、ＷＯ２０１１／１４２７６９、平成２４年　９月　６日国内公表、特表２０１２−５２０６５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、２０１０年　５月２０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１０年　５月１２日、（ＵＳ）米国）を国際出願日とする出願であって、平成２５年　８月　９日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２５年　９月２６日付けで審判請求がなされるとともに同日付けで手続補正がなされたものである。
　
第２．補正却下の決定
［結論］
　　平成２５年　９月２６日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．本願発明と補正後の発明
　平成２５年　９月２６日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の【請求項１】に記載された
「第１層および第２層を含む複数の層を有する多層回路キャリアと、
　上記第１層の表面に配置された第１信号伝達ラインと、
　上記第２層の表面に配置された第２信号伝達ラインと、
　少なくとも上記第１層および上記第２層を通るとともに、上記第１層の表面に形成された第１信号端と上記第２層の表面に形成された第２信号端とを有する信号ライン遷移素子と、
　上記第１層の表面に配置され、上記第１信号伝達ラインと上記第１信号端との間に電気的に接続され、上記第１信号伝達ラインと上記信号ライン遷移素子との間のインピーダンスマッチングを行う第１インピーダンス変成器と、
　上記第２層の表面に配置され、上記第２信号伝達ラインと上記第２信号端との間に電気的に接続され、上記第２信号伝達ラインと上記信号ライン遷移素子との間のインピーダンスマッチングを行う第２インピーダンス変成器とを備え、
　上記第１インピーダンス変成器は、同じ側面に突き出た複数のスタブを有し、
　上記第２インピーダンス変成器は、同じ側面に突き出た複数のスタブを有することを特徴とする回路装置。」
という発明（以下、「本願発明」という。）を
「第１層および第２層を含む複数の層を有する多層回路キャリアと、
　上記第１層の表面に配置された第１信号伝達ラインと、
　上記第２層の表面に配置された第２信号伝達ラインと、
　少なくとも上記第１層および上記第２層を通るとともに、上記第１層の表面に形成された第１信号端と上記第２層の表面に形成された第２信号端とを有する信号ライン遷移素子と、
　上記第１層の表面に配置され、上記第１信号伝達ラインと上記第１信号端との間に電気的に接続され、上記第１信号伝達ラインと上記信号ライン遷移素子との間のインピーダンスマッチングを行う第１インピーダンス変成器と、
　上記第２層の表面に配置され、上記第２信号伝達ラインと上記第２信号端との間に電気的に接続され、上記第２信号伝達ラインと上記信号ライン遷移素子との間のインピーダンスマッチングを行う第２インピーダンス変成器とを備え、
　上記第１インピーダンス変成器は、同じ側面に突き出た複数のスタブを有し、
　上記第２インピーダンス変成器は、同じ側面に突き出た複数のスタブを有
し、
　上記信号ライン遷移素子が、同軸伝達ラインからなっていると共に、
　上記同軸伝達ラインからなる信号ライン遷移素子を中心とした上記第１信号伝達ラインの延設方向と上記第２信号伝達ラインの延設方向との間の角度が任意に設定可能となっている
という発明（以下、「補正後の発明」という。）に補正することを含むものである。（当審注：アンダーラインは補正箇所を示す。）
　
２．補正の適否
（１）新規事項の有無、補正の目的要件、シフト補正の有無
　上記補正では、補正前の特許請求の範囲の【請求項１】に記載された「信号ライン遷移素子」に関し、当該「信号ライン遷移素子」が「同軸伝達ラインからなっている」ことを限定するとともに、「同軸伝達ラインからなる信号ライン遷移素子を中心とした上記第１信号伝達ラインの延設方向と上記第２信号伝達ラインの延設方向との間の角度が任意に設定可能となっている」ことを限定するものであるから、特許請求の範囲を減縮するものである。
　そして、上記補正は、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものであるから、特許法第１７条の２第３項（新規事項）及び第５項（補正の目的）の規定に適合している。
　また、特許法第１７条の２第４項（シフト補正）に反するものでもない。
　
（２）独立特許要件
　上記補正は特許請求の範囲の減縮を目的とするものであるから、上記補正後の発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるのか否かについて以下検討する。
　
［補正後の発明］
　上記「１．本願発明と補正後の発明」の項で「補正後の発明」として認定したとおりのものである。
　
［引用発明］
（Ａ）原査定の拒絶理由に引用された特開２００１−３０８５４７号公報（以下、「引用例１」という。）には、「高周波数多層回路基板」として、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
イ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、回路層間の接続にビアホールが用いられたマイクロ波帯用の高周波多層回路基板に関する。」（２頁１欄）
　
ロ．「【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため、この発明の高周波多層回路基板は、複数の回路層と上記回路層間を接続するビアホールとを備えた高周波多層回路基板において、上記ビアホールと平面回路からなるビアホール接続部を備え、上記ビアホール接続部の平面回路は、上記ビアホール接続部の特性インピーダンスを調整するための整合調整用平面回路を有することを特徴としている。」（２頁２欄）
　
ハ．「【００１５】（第１実施形態）図１はこの発明の第１実施形態の高周波多層回路基板の断面を示す模式図である。図１において、１１１,２１１,３１１は厚み１５０μｍ,比誘電率８.７の誘電体基板であり、１１０は誘電体基板１１１,２１１を貫通する直径１００μｍのビアホールである。上記誘電体基板１１１の表面に第１回路層１１を形成し、誘電体基板１１１と誘電体基板２１１との間に第２回路層１２を形成し、誘電体基板２１１と誘電体基板３１１との間に第３回路層１３を形成している。
【００１６】また、図２,図３,図４は上記第１回路層１１,第２回路層１２,第３回路層１３の平面図を夫々示している。
【００１７】図２に示すように、第１回路層１１には、信号伝送用伝送線路としての幅１６０μｍのマイクロストリップ線路１０１を設け、マイクロストリップ線路１０１の一端とビアホール１１０とを接続する１６０μｍ×１６０μｍのビアホール用メタルパッド１０２を設けている。
【００１８】また、図３に示すように、第２回路層１２には、グランド導体２０１を設け、ビアホール１１０に接続された直径１５０μｍのビアホール用メタルパッド２０２を設けると共に、グランド導体２０１とビアホール用メタルパッド２０２との間に外縁の直径が５００μｍのクリアランス２０３とを設けている。」（３頁３〜４欄）
　
ニ．「【００１９】また、図４に示すように、第３回路層１３には、信号伝送用伝送線路としての幅１００μｍマイクロストリップ線路３０１を設け、上記マイクロストリップ線路３０１の一端とビアホール１１０とを接続する１６０μｍ×１６０μｍのビアホール用メタルパッド３０２を設けると共に、幅１００μｍの矩形スタブ３０３と幅１００μｍの整合調整用マイクロストリップ線路３０４とを設けている。上記ビアホール用メタルパッド３０２に整合調整用マイクロストリップ線路３０４の一端を接続し、その整合調整用マイクロストリップ線路３０４の他端にマイクロストリップ線路３０１の一端を接続し、整合調整用マイクロストリップ線路３０４の他端の両側に、整合調整用マイクロストリップ線路３０４の長手方向に対して直角方向外側に向かって矩形スタブ３０３を接続している。
【００２０】上記矩形スタブ３０３および整合調整用マイクロストリップ線路３０４で整合調整用平面回路を構成している。また、上記ビアホール１１０,ビアホール用メタルパッド１０２,ビアホール用メタルパッド２０２,ビアホール用メタルパッド３０２,矩形スタブ３０３および整合調整用マイクロストリップ線路３０４でビアホール接続部を構成している。
【００２１】上記構成の高周波多層回路基板において、整合調整用マイクロストリップ線路３０４(図４に示す)の長さおよび矩形スタブ３０３(図４に示す)の長さを調節することにより、ビアホール接続部の特性インピーダンスを制御し、伝送すべき信号の波長において、ビアホール接続部の特性インピーダンスと伝送線路の特性インピーダンスとを一致させて、ビアホール接続部の信号波の反射を低減し、その反射による伝送損失の低減を図っている。」（３頁４欄）
　
ホ．「【００２４】図５, 図６から明らかなように、この高周波多層回路基板では、伝送線路の所定の位置に所定の長さのスタブを設けることによって、所望の周波数において、簡単な構成で反射低減による低損失回路層間伝送を低コストで実現することができる。
【００２５】また、上記第１実施形態では、オープンスタブを用いたが、整合調整用マイクロストリップ線路３０４の長さを調節して、ショートスタブを用いてビアホール接続部の特性インピーダンスを制御することも可能である。
【００２６】さらに、上記第１実施形態では、ビアホールで接続された複数の伝送線路の一本にスタブを設けたが、複数の伝送線路にスタブを設けることも可能である。」（４頁５欄）
　
　上記引用例１の記載及び図面並びにこの分野の技術常識を考慮すると、
（ａ）上記イ．及びロ．の記載から、引用例１には、「高周波多層回路基板」に関する構成が記載されていると認められる。
（ｂ）上記ハ．及びニ．の記載並びに図１、２、４から、引用例１の「高周波多層回路基板」は、「誘電体基板１１１」及び「誘電体基板２１１」を含む複数の誘電体基板を有し、「誘電体基板１１１の表面」には、「信号伝送用伝送線路」として「マイクロストリップ線路１０１」が配置され、「誘電体基板２１１と誘電体基板３１１との間」に、「信号伝送用伝送線路」として「マイクロストリップ線路３０１」が配置されることが明らかである。
　ここで、「誘電体基板２１１と誘電体基板３１１との間」に、「信号伝送用伝送線路」として「マイクロストリップ線路３０１」が配置されることは、「誘電体基板２１１」又は「誘電体基板３１１」の「表面」に、「信号伝送用伝送線路」として「マイクロストリップ線路３０１」が配置されるともいえる。
（ｃ）上記ハ．【００１５】、【００１７】及び同ニ．【００１９】の記載並びに図１、２、４から、引用例１の「高周波多層回路基板」は、「誘電体基板１１１」及び「誘電体基板２１１」を「貫通する」とともに、「誘電体基板１１１」の「表面」に設けられた「メタルパッド１０２」と「誘電体基板３１１」の「表面」に設けられた「メタルパッド３０２」を備えた「ビアホール１１０」を有することが明らかであり、同ホ．の記載も参酌すると、当該「ビアホール１１０」により、「マイクロストリップ線路１０１」と「マイクロストリップ線路３０１」が接続され、信号が伝送されることが明らかである。
（ｄ）上記ニ．の記載及び図４から、引用例１の「高周波多層回路基板」では、「誘電体基板３１１」の「表面」（又は、「誘電体基板２１１」の「表面」）には、「マイクロストリップ線路３０１」と「メタルパッド３０２」との間に「整合調整用マイクロストリップ線路３０４」と「矩形スタブ」で構成される「整合調整用平面回路」が接続され、「ビアホール接続部の特性インピーダンス」と「伝送線路の特性インピーダンス」とのマッチングを行うものと認められる。
　そして、図４から、引用例１に記載された「整合調整用平面回路」が複数の「スタブ」を有することは、明らかである。
（ｅ）引用例１に記載された「高周波多層回路基板」に関する構成が、回路として機能することは明らかである。
　したがって、上記引用例１には以下の発明（以下、「引用発明１」という。）が記載されている。
　
「誘電体基板１１１及び誘電体基板２１１を含む複数の誘電体基板を有する高周波多層回路基板と、
　上記誘電体基板１１１の表面に配置された信号伝送用伝送線路のマイクロストリップ線路１０１と、
　上記誘電体基板２１１の表面に配置された信号伝送用伝送線路のマイクロストリップ線路３０１と、
　上記誘電体基板１１１及び誘電体基板２１１を貫通するとともに、上記誘電体基板１１１の表面に設けられたメタルパッド１０２と上記誘電体基板２１１の表面に設けられたメタルパッド３０２とを備えた信号を伝送するビアホール１１０と、
　上記誘電体基板２１１の表面に配置され、上記信号伝送用伝送線路のマイクロストリップ線路３０１と上記メタルパッド３０２との間に接続され、ビアホール接続部の特性インピーダンスと伝送線路の特性インピーダンスとのマッチングを行う整合調整用平面回路とを備え、
　上記整合調整用平面回路は、複数のスタブを有する回路。」
　
（Ｂ）同じく原査定の拒絶理由に引用された特開２０００−６８７１６号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに以下の事項が記載されている。
　
イ．「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、マイクロ波を伝送する多層伝送線路に関するものであり、特にその中でマイクロストリップ線路とトリプレート線路の多層化に関するものである。」（２頁１欄）
　
ロ．「【０００９】
【発明の実施の形態】実施の形態１．図１（ａ）、（ｂ）は、この発明の実施の形態１を示す構成図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）はＡ−Ａ断面図を示す。図１（ａ）、（ｂ）において、１ａ、１ｂ、１ｃはそれぞれ第１、第２及び第３の誘電体層、２ａ、２ｂはそれぞれ第１及び第２の内部導体層、３ａ、３ｂ、３ｃは第１、第２及び第３の外部導体層、４ｃ、４ｄは第３及び第４のスルーホールメッキ導体、５ｃ、５ｄは第３及び第４のメッキ層、６ａ、６ｂは第１、第２の接着シートである。
【００１０】次に動作について説明する。図１（ａ）、１（ｂ）において、第１の誘電体層１ａに第１の内部導体層２ａ、第１の外部導体層３ａ、及び第４のメッキ層５ｄを、第２の誘電体層１ｂに第１の内部導体層２ｂ、第２の外部導体層３ｂを、第３の誘電体層１ｃに第３の外部導体層３ｂ、及び第３のメッキ層５ｃを、各々メッキ処理で形成し、上記第１の外部導体層３ａと上記第２の外部導体層３ｂの間に第１の接着シート６ａを、上記第２の誘電体層２ａと上記第３の誘電体層３ａの間に第２の接着シート６ｂを設け、マイクロストリップ線路とトリプレート線路の多層構造とし、その後にメッキ処理で上記第１の内部導体層２ａと上記第２の内部導体層２ｂと上記第３のメッキ層５ｃの間、及び上記第１、第２、第３の外部導体層３ａ、３ｂ、３ｃと第４のメッキ層５ｄとの間を、第３、第４のスルーホールメッキ導体４ｃ、４ｄで各層間を貫通接続させ、第３、第４のスルーホールメッキ導体４ｃ、４ｄは伝送線路の役目を成しており、各層間を貫通接続させる構造上、第１の内部導体層２ａと第４のメッキ層５ｄとの間、第２の内部導体層２ｂと第４のスルーホールメッキ導体４ｄとの間、第３のスルーホールメッキ導体４ｃと第１、第２の外部導体層３ａ、３ｂとの間、第３のメッキ層５ｃと第３の外部導体層３ｃとの間、で容量性を示すが、第１、第２の内部導体層２ａ、２ｂ間にある第３、第４のスルーホールメッキ導体４ｃ、４ｄによる伝送線路をマイクロストリップ線路及びトリプレート線路より高いインピーダンスにすることで、等価的に低域通過フィルタとなり整合が得られ、多層構造の電気的接続が実現出来、またこの構成は多層基板の製造方法にも合致している。」（３頁３〜４欄）
　
ハ．「【００１２】実施の形態２．図２は、この発明の実施の形態２を示す構成図であり、マイクロストリップ線路及びトリプレート線路を構成する第１、第２の内部導体層面を示す。図２において、７は高インピーダンス部である。なお、他の構成は、図１（ａ）、（ｂ）に示すこの発明の実施の形態１の構成と同じであるため、説明も合わせ、重複する箇所は省略する。
【００１３】次に動作について説明する。図２において、マイクロストリップ線路及びトリプレート線路を形成する第３のスルホールメッキ導体４ｃに接続された第１、第２の内部導体層２ａ、２ｂに高インピーダンス部７を設けて構成した。図１（ａ）、（ｂ）の構成では、第１、第２の内部導体層２ａ、２ｂ間にある第３、第４のスルーホールメッキ導体４ｃ、４ｄによる伝送線路をマイクロストリップ線路及びトリプレート線路より高いインピーダンスにすることで、整合を実現しているが、周波数が高くなると、第３、第４のスルーホールメッキ導体４ｃ、４ｄの間隔を広げると高次モードが発生するため、第３、第４のスルーホールメッキ導体４ｃ、４ｄによる伝送線路をマイクロストリップ線路及びトリプレート線路よりインピーダンスをあまり高く出来ないが、図２の構成では、第１、第２の内部導体層２ａ、２ｂに高インピーダンス部７を設けているため、第１の内部導体層２ａと第４のメッキ層５ｄとの間、第２の内部導体層２ｂと第４のスルーホールメッキ導体４ｄとの間、第３のスルーホールメッキ導体４ｃと第１、第２の外部導体層３ａ、３ｂとの間、第３のメッキ層５ｃと第３の外部導体層３ｃとの間、の容量性を補うことが出来、等価的に低域通過フィルタとなり整合が実現できる。」（３頁４欄）
　
　上記引用例２の記載及び図面並びにこの分野の技術常識を考慮すると、
（ａ）上記イ．〜ハ．の記載及び図１、２から、引用例２には、複数の「誘電体層」を有する高周波伝送回路が記載されているものと認められる。
（ｂ）上記ロ．の記載及び図１から、引用例２の「回路」は、「第１の誘電体層１ａ」及び「第２の誘電体層１ｂ」を有し、「第１の誘電体層１ａ」の「表面」に配置された「第１の内部導体層２ａ」と「第２の誘電体層１ｂ」の「表面」に配置された「第２の内部導体層２ｂ」を「第１の誘電体層１ａ」及び「第２の誘電体層１ｂ」を貫通する「スルーホールメッキ導体４ｃ、４ｄ」で接続するものと認められる。
　さらに、上記ハ．【００１２】の記載及び図２を参酌すると、引用例２の「第１の内部導体層２ａ」及び「第２の内部導体層２ｂ」は、信号の伝送線路となる「マイクロストリップ線路」及び「トリプレート線路」をそれぞれ構成することは明らかである。
（ｃ）上記ハ．の記載及び図２から、引用例２の「回路」では、「第１の内部導体層２ａ」及び「第２の内部導体層２ｂ」に設けられた「高インピーダンス部７」が、信号の伝送線路となる「第１の内部導体層２ａ」及び「第２の内部導体層２ｂ」と「スルーホールメッキ導体４ｃ、４ｄ」との「整合」あるいはインピーダンスマッチングをとるものと認められ、当該「高インピーダンス部７」は、それぞれ第１及び第２の整合回路といえる。
　したがって、上記引用例２には以下の発明（以下、「引用発明２」という。）が記載されている。
　
「第１の誘電体層及び第２の誘電体層を含む複数の誘電体層と、
　上記第１の誘電体層の表面に配置された信号の伝送線路と、
　上記第２の誘電体層の表面に配置された信号の伝送線路と、
　上記第１の誘電体層及び上記第２の誘電体層を貫通し、上記第１の誘電体層の表面に配置された信号の伝送線路と上記第２の誘電体層の表面に配置された信号の伝送線路とを接続するスルーホールメッキ導体とを有し、
　第１の誘電体層の表面に配置された信号の伝送線路に設けられ、上記スルーホールメッキ導体とのインピーダンスマッチングを行う第１の整合回路と、
　第２の誘電体層の表面に配置された信号の伝送線路に設けられ、上記スルーホールメッキ導体とのインピーダンスマッチングを行う第２の整合回路と
　を備えた高周波伝送回路。」
　
［対比・判断］
　補正後の発明と引用発明１とを対比すると、
（Ａ）引用発明１の「誘電体基板」は、補正後の発明の「層」に相当し、引用発明の「誘電体基板１１１」、「誘電体基板２１１」は、補正後の発明の「第１層」、「第２層」にそれぞれ相当するので、引用発明１の「高周波多層回路基板」は、補正後の発明の「多層回路キャリア」に相当する。
（Ｂ）引用発明１の「信号伝送用伝送線路のマイクロストリップ線路１０１」、「信号伝送用伝送線路のマイクロストリップ線路３０１」は、信号伝送用の線路であるから、補正後の発明の「第１信号伝達ライン」、「第２信号伝達ライン」にそれぞれ相当する。
（Ｃ）引用発明１の「メタルパッド１０２」、「メタルパッド３０２」は、「ビアホール１１０」の端部を構成するので、補正後の発明の「第１信号端」、「第２信号端」にそれぞれ相当し、引用発明１の「ビアホール１１０」は、信号伝送路を形成するものであるから、補正後の発明の「信号ライン遷移素子」に相当する。
（Ｄ）引用発明１の「上記信号伝送用伝送線路のマイクロストリップ線路３０１と上記メタルパッド３０２との間に接続され」が、電気的に接続されることは自明であり、引用発明１の「整合調整用平面回路」と補正後の発明の「第２インピーダンス変成器」は、「第２信号伝達ライン（信号伝送用伝送線路のマイクロストリップ線路３０１）」と「信号ライン遷移素子（ビアホール１１０）」とのインピーダンスマッチングを行うものという点で一致する。
　すると、引用発明１の「上記誘電体基板２１１の表面に配置され、上記信号伝送用伝送線路のマイクロストリップ線路３０１と上記メタルパッド３０２との間に接続され、ビアホール接続部の特性インピーダンスと伝送線路の特性インピーダンスとのマッチングを行う整合調整用平面回路」と、補正後の発明の「上記第２層の表面に配置され、上記第２信号伝達ラインと上記第２信号端との間に電気的に接続され、上記第２信号伝達ラインと上記信号ライン遷移素子との間のインピーダンスマッチングを行う第２インピーダンス変成器」とは、下記の相違点を除いて、「上記第２層の表面に配置され、上記第２信号伝達ラインと上記第２信号端との間に電気的に接続され、上記第２信号伝達ラインと上記ライン遷移素子との間のインピーダンスマッチングを行う」インピーダンス変成器という点で一致する。
（Ｅ）引用発明１の「整合調整用平面回路は、複数のスタブを有する」と補正後の発明の「第２インピーダンス変成器は、同じ側面に突き出た複数のスタブを有し」とは、下記の相違点を除いて、インピーダンス変成器は、「複数のスタブを有」するという点で一致する。
（Ｆ）引用発明１の「回路」と補正後の発明の「回路装置」との間に実質的な差異はない。
　したがって、補正後の発明と引用発明は、以下の点で一致ないし相違する。
　
　＜一致点＞
「第１層および第２層を含む複数の層を有する多層回路キャリアと、
　上記第１層の表面に配置された第１信号伝達ラインと、
　上記第２層の表面に配置された第２信号伝達ラインと、
　少なくとも上記第１層および上記第２層を通るとともに、上記第１層の表面に形成された第１信号端と上記第２層の表面に形成された第２信号端とを有する信号ライン遷移素子と、
　上記第２層の表面に配置され、上記第２信号伝達ラインと上記第２信号端との間に電気的に接続され、上記第２信号伝達ラインと上記信号ライン遷移素子との間のインピーダンスマッチングを行うインピーダンス変成器とを備え、
　上記インピーダンス変成器は、複数のスタブを有することを特徴とする回路装置。」
　
　＜相違点＞　
イ．上記「インピーダンス変成器」に関し、補正後の発明では、当該「インピーダンス変成器」が「第２インピーダンス変成器」であって、さらに、「上記第１層の表面に配置され、上記第１信号伝達ラインと上記第１信号端との間に電気的に接続され、上記第１信号伝達ラインと上記信号ライン遷移素子との間のインピーダンスマッチングを行う第１インピーダンス変成器」を有するのに対し、引用発明１では、当該構成を有していない点。
ロ．上記「複数のスタブ」に関し、補正後の発明では、「同じ側面に突き出た複数のスタブ」であるのに対し、引用発明１では、「同じ側に突き出た」ものを明示していない点。
ハ．上記「回路装置」に関し、補正後の発明では、「上記信号ライン遷移素子が、同軸伝達ラインからなっていると共に、
　上記同軸伝達ラインからなる信号ライン遷移素子を中心とした上記第１信号伝達ラインの延設方向と上記第２信号伝達ラインの延設方向との間の角度が任意に設定可能となっている」のに対し、引用発明１では、当該構成を明示していない点。
　
　まず、上記相違点イ．について検討する。
　上記［引用発明］（Ｂ）のとおり、引用例２には引用発明２が記載されていると認められるから、複数の誘電体層を有する高周波伝送回路において、第１の誘電体層及び第２の誘電体層を貫通し、上記第１の誘電体層の表面に配置された信号の伝送線路と上記第２の誘電体層の表面に配置された信号の伝送線路とを接続するスルーホールメッキ導体を有し、上記第１の誘電体層の表面に配置された信号の伝送線路に設けられ、上記スルーホールメッキ導体とのインピーダンスマッチングを行う第１の整合回路と、上記第２の誘電体層の表面に配置された信号の伝送線路に設けられ、上記スルーホールメッキ導体とのインピーダンスマッチングを行う第２の整合回路とを備えることは、本願の優先日前において公知の技術であったといえる。
　すると、「高周波多層回路基板」の回路に関する発明である引用発明１において、ビアホール接続部の特性インピーダンスと伝送線路の特性インピーダンスとのマッチングを行うにあたり、「マイクロストリップ線路３０１」（引用発明２の「第２の誘電体層の表面に配置された信号の伝送線路」）と「ビアホール１１０」（同「スルーホールメッキ導体」）の「メタルパッド３０２」との間に接続される「整合調整用平面回路」（同「第２の整合回路」）に加え、「マイクロストリップ線路１０１」（同「第１の誘電体層の表面に配置された信号の伝送線路」）と上記「ビアホール１１０」の「メタルパッド１０２」との間に接続される「整合調整用平面回路」（同「第１の整合回路」）も有する構成とすること、すなわち、上記相違点イ．に係る「インピーダンス変成器（整合調整用平面回路）」の構成とすることは、引用発明２における高周波伝送回路の構成に基づいて、当業者が容易に想到し得ることである。
　次に、上記相違点ロ．について検討する。
　引用発明１の「複数のスタブ」に関し、「スタブ」の突き出す向き、大きさ、及び、数に応じて特性が変化することは、技術常識であるから、引用発明１においても「複数のスタブ」の突き出す向きは、必要とする特性に応じて適宜選択し得ることに過ぎない。
　よって、上記相違点ロ．に係る構成は、設計上の選択事項に過ぎず、当業者が適宜なし得ることである。
　また、上記相違点ロ．に係る「同じ側面に突き出た複数のスタブ」の構成が、設計上の選択事項とまではいえないとしても、当該構成は、特開平１１−３８３７２号公報（【００２４】〜【００２８】、図１参照。）、特開２０００−１５１２２１号公報（【００４５】、【００４６】、図４参照。）、又は、特開２００３−１８８６０６号公報（【００２３】、【００２４】、図２参照。）に記載されるように周知技術であって、上記相違点ロ．に係る構成は、周知技術に基づいて当業者が適宜なし得ることである。
　最後に、上記相違点ハ．について検討する。
　複数の誘電体層に形成される高周波伝送回路の「ビアホール」の構成として、「信号を伝送するビアホール」の周りに、基準電圧面又は接地面に接続された複数のシールド用ビアホールを設けた「同軸」の構成は、特開２００９−１１１６５８号公報（【０００１】〜【０００３】、【００２３】、図２、３参照。）、実公昭６３−６８８４号公報（１欄１１〜２３行、第１図参照。）、又は、特開２００３−１３３８０１号公報（【００２０】〜【００２２】、図２参照。）に記載されるように周知技術である。
　さらに、複数の誘電体層に形成される高周波伝送回路において、「信号を伝送するビアホール」を中心として、当該ビアホールに接続される上（表）側の第１の信号伝達ラインと下（裏）側の第２の信号伝達ラインを任意の角度で配線することは、特開２００４−１７２３０８号公報（【００８１】〜【０１０１】、図１５〜１７参照。）、特開２００５−１９４８３号公報（【００１１】〜【００１３】、図１〜３参照。）、又は、特開平１−２６８１９０号公報（１２欄１９行〜１３欄９行、図１参照。）に記載されるように周知技術である。
　すると、上記相違点ハ．に係る構成は、引用発明１においても、上記周知技術に基づいて当業者が適宜なし得ることである。
　そして、補正後の発明の作用効果も、引用発明１、２及び周知技術から想到し得る構成から、当業者が予測できる範囲のものである。
　
　したがって、上記補正後の発明は上記引用例１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３．結語
　以上のとおり、本件補正は、補正後の発明が特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　平成２５年　９月２６日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願発明は、「第２．１．本願発明と補正後の発明」の項で「本願発明」として認定したとおりである。
　
２．引用発明
　引用発明は、上記「第２．２．（２）独立特許要件」の項中の［引用発明］の項で、引用発明１及び２として認定したとおりである。
　
３．対比・判断
　そこで、本願発明と引用発明１とを対比するに、本願発明は上記補正後の発明から、当該補正に係る限定を省いたものである。
　そうすると、上記「第２．２．（２）独立特許要件」の項中の［対比・判断］の項の上記相違点ハ．は、本願発明の構成に上記補正に係る限定を付加したことによって生じたものであるから、本願発明と引用発明１との相違点は上記相違点イ．及びロ．である。
　上記相違点イ．及びロ．は、上記「第２．２．（２）独立特許要件」の項中の［対比・判断］の項で検討したとおりであるから、本願発明は、引用発明１、２及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、上記引用例１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。