【事件の表示】
　特願２０００−３６５２６６「液晶表示パネル」拒絶査定に対する審判事件［平成１３年　８月　３日出願公開、特開２００１−２０９０６４］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、昭和６３年９月１３日に特許出願した特願昭６３−２２７４０１号の一部を平成９年７月７日に新たな特許出願とした特願平９−１８１１５２号の一部を平成１２年１１月３０日にさらに新たな特許出願としたものであって、その請求項に係る発明は、平成１３年１１月７日付及び平成１４年１０月２８日付手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明は次のものである。
「【請求項１】液晶表示パネルにおいて、該液晶表示パネルの基板に形成した耐エッチング性を有するキュービック・ビックスバイト型の結晶構造を有する多結晶酸化インジウムスズ膜と、該多結晶酸化インジウムスズ膜の上に配置され、複数のスルーホールを有する絶縁膜とを有することを特徴とする液晶表示パネル。」（以下、「本願発明」という）
　
２．刊行物の記載事項
　これに対して、原審の拒絶の理由に引用した特開昭６２−３６６８７号公報（以下、「刊行物１」という。）には、次の事項が図面とともに記載されている。
「産業上の利用分野
　本発明は、基板上に多数のスイッチング素子をマトリックス配置してなるアクティブマトリックスアレイを用いて液晶材料やエレクトロルミネセンス（ＥＬ）材料などの表示材料を駆動する表示装置に関するものである。」（１頁右下欄９行〜１４行）、
「実施例
　以下本発明の実施例を図面にもとづいて説明する。
　第１図ａは本発明の第１の実施例を示す液晶表示装置用のＴＦＴアレイの部分平面図であり、第１図ｂはＢ−Ｂ’線上の断面図、また第２図は第１図ｂに至るＴＦＴアレイの工程概略断面図である。まず第２図ａの様に透光性絶縁基板としてのガラス基板１００上に、第１の導電性薄膜（スパッタ法による厚さ１０００ÅのＩＴＯ膜であり透光性のものである）による画素電極１０７を選択形成する。次に膜厚３５００Åの常圧ＣＶＤ法により形成したＳｉＯ２膜による第１の絶縁性薄膜１１３を形成する。次に膜厚１０００Åのスパッタ法によるＣｒ薄膜を選択形成することにより、行電極配線（ゲート配線）１０１と１０２を形成する。次にプラズマＣＶＤ法により厚さ４０００ÅのＳｉＮｘ膜による第２の絶縁性薄膜（ゲート絶縁膜として用いられる）１０９と厚さ１０００Åのアモルファスシリコン膜による半導体層１０５ａと厚さ５００ÅのＳｉＮｘ膜による第３の絶縁性薄膜１１２ａの３層を連続して被着する。」（３頁左上欄１３行〜同頁右上欄１４行）、
「次に第２図ｃに示す様に、ＴＦＴを形成する部分に・・・この後に１１１と１１０なるコンタクトホールを形成する。・・・ドレイン電極１０６及びキャパシタ電極１０８を同時に作成し、・・・第１図ｂなる液晶表示装置用のＴＦＴアレイを作成する。なお第１図ａおよび第１図ｂに示される様に・・・またゲート配線１０２の一部とソース配線１０３の一部とドレイン電極１０６の一部は半導体層１０５部において１つのＴＦＴを形成しており、ドレイン電極１０６はキャパシタ電極１０８とコンタクトホール１１１と１１０を介し画素電極１０７により接続されている。またホールドキャパシタは第１の絶縁性薄膜１１３と第２の絶縁性薄膜１０９とを介してゲート配線１０１をキャパシタ電極１０８と画素電極１０７で挟むことにより形成されている。」（３頁左下欄２行〜同頁右下欄６行）
　
　同じく東京大学工学部総合試験所年報　第４６巻（１９８７）第１８９〜１９２頁（以下、「刊行物２」という。）には、次の事項が図面とともに記載されている。
「１　緒言
　酸化インジウム（III）と酸化スズ（IV）の薄膜は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜と呼ばれ、透明な導電膜として液晶表示素子、太陽電池などの電気光学素子の電極材料として広く利用されている。
　ＩＴＯ膜は、真空蒸着、スパッタリング、化学蒸着、スプレー法、浸漬法などで製造されるが、よりすぐれた電気的特性や光学的特性を有する皮膜を作製するための研究が続けられている。作製方法、作製条件、原料の化学形態によってＩＴＯ膜の特性は異なるが、その原因は、十分に解明されていない。また、ＩＴＯ結晶中に占めるスズの存在状態など基礎的な知見にとぼしいのが現状である。」（１８９頁左欄１〜１３行）、
「３−２　ＩＴＯ粉末のＳｎ　ＴＭＳ
　酸化インジウムは酸に可溶なので、スズが酸化インジウムに固溶していれば、スズは、酸化インジウムの溶解にともなって可溶性のスズとして溶出する。また、酸化スズが単に酸化インジウムと混合しているだけであれば、酸化スズは不溶性なので酸化インジウムが酸溶解しても溶出しない。」（１９２頁左欄１〜７行）、
「３−２　ＩＴＯの結晶構造に関する考察
　酸化インジウムの結晶構造はbixbyte型で面心立方格子からなる。インジウム原子の最近接酸素には、図４に示すように２種類ある。格子点に置換するスズ原子の化学環境は２種類考えられる。また、格子間位置に入るスズも考えられる。そこで、酸化スズの含有量が０．１ｗｔ％，０．５ｗｔ％，１ｗｔ％，２ｗｔ％，４ｗｔ％，２０ｗｔ％，、および３５ｗｔ％と異なている完全固溶化したＩＴＯ粉末を調整して、それらの透過メスバウアースぺクトルを測定した（図５）。低濃度の酸化スズ（IV）を固溶したＩＴＯのＴＭスペクトルは、四極子分裂（Ｑ．Ｓ．）が小さい成分からなっているので、スズは置換型固様体として存在していると考えられる。スズ含有量の増加にともなって四極子分裂（Ｑ．Ｓ．）が大きい成分の割合が増加しているので、ＩＴＯの結晶の歪みが大きくなり、スズの原子核位置の電場勾配が影響を受けていることが分かる。これは、格子間位置に侵入するスズが増大してきたためと予想される。」（１９２頁左欄１８〜３５行）
　
３．対比・判断
　本願発明と刊行物１に記載された発明を対比する。
（１）刊行物１には「第１図ａは・・・液晶表示装置用のＴＦＴアレイの・・・透光性絶縁基板としてのガラス基板１００」と記載されており、該「ガラス基板１００」が、本願発明の「液晶表示パネルの基板」に相当することは明らかである。
（２）上記記載から、刊行物１の「ＩＴＯ膜で形成された画素電極１０７」「コンタクトホール１１１と１１０」「第１の絶縁性薄膜１１３と第２の絶縁性薄膜１０９」が、本願発明の「酸化インジウムスズ膜」「複数のスルーホール」「絶縁膜」に相当することは明らかである。
　
　上記考察（１），（２）から、両者は、
「液晶表示パネルにおいて、該液晶表示パネルの基板に形成した酸化インジウムスズ膜と、該酸化インジウムスズ膜の上に配置され、複数のスルーホールを有する絶縁膜とを有する液晶表示パネル」である点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点：
　上記酸化インジウムスズ膜が、本願発明では、「耐エッチング性を有するキュービック・ビックスバイト型の結晶構造を有する多結晶」のものであるのに対し、刊行物１では、酸化インジウムスズ膜の上の絶縁膜に複数のスルーホールを形成してはいるものの、上記限定事項については記載がない点。
　
　上記相違点について検討する。
　刊行物２には、液晶表示素子等に使用されるＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜、即ち酸化インジウムスズ膜に関し、「酸化インジウムの結晶構造はbixbyte型で面心立方格子からなる。インジウム原子の最近接酸素には、図４に示すように２種類ある。格子点に置換するスズ原子の化学環境は２種類考えられる。また、格子間位置に入るスズも考えられる。・・・低濃度の酸化スズ（IV）を固溶したＩＴＯ・・・は、・・・スズは置換型固様体として存在していると考えられる。スズ含有量の増加にともなって・・・格子間位置に侵入するスズが増大してきたためと予想される。」と記載されており、酸化インジウムはbixbyte型で面心立方格子からなること、またＩＴＯのある状態においてはスズは酸化インジウムを置換した置換型固溶体として存在することが理解できるから、結局刊行物２のものは、ＩＴＯ全体としてbixbyte型で面心立方格子（即ちキュービック）であることが把握できる。
　また、刊行物２には明示の記載はないが、結晶構造を有するものであることは上記記載から明らかであると共に、単結晶として製造しているとの記載がないことから、刊行物２のものも多結晶と把握するのが相当である。
　そして、ＩＴＯを「耐エッチング性」を有するものとして使用することは、刊行物１自体が、ＩＴＯ上の絶縁膜にスルーホールを形成し接続しているものであるから、適用にあたっての困難性は格別認められないから、刊行物２の「キュービック・ビックスバイト型の結晶構造を有する多結晶」の酸化インジウムスズ膜を刊行物１に適用することにより上記相違点１の技術的事項とすることは、当業者が容易になし得る程度のことである。
　
　本願発明の奏する作用効果も、刊行物１，２記載の発明から予測される程度のことである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１，２記載の発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。