【事件の表示】
　平成３年特許願第５１０２９１号「電着された銅箔およびこれを低塩素イオン濃度の電解質溶液を用いて製造する方法」拒絶査定に対する審判事件〔平成３年１２月１２日国際公開、ＷＯ９１／１９０２４、平成５年４月１５日国内公表、特表平５−５０２０６２、請求項の数（４７）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
Ｉ．手続の概要、及び本願発明
　本願は平成３年５月２４日（優先権主張：１９９０年５月３０日　米国）に国際出願されたものであって、平成１２年２月１５日付け拒絶理由通知書により拒絶の理由が通知され、これに対して平成１２年５月２２日付けで意見書及び手続補正書が提出されたところ、平成１２年１０月１８日付けで、先の拒絶理由通知書に記載した特許法第２９条第２項の規定に基づく理由により拒絶の査定がなされ、その後、平成１３年１月２９日に審判請求がなされるとともに手続補正書が提出され、続いて、平成１４年１１月１日付けで当審より拒絶の理由が通知され、これに対して、平成１４年１１月１８日に手続補正書が提出されたものである。
　そして、上記平成１４年１１月１８日提出の手続補正書による補正後の特許請求の範囲第１〜４７項に記載された発明は、当該補正後の明細書の特許請求の範囲の請求項１〜４７に記載されたとおりの、次のものである。（以下、「本願発明１」〜「本願発明４７」という。）
「【請求項１】１８０℃で測定した伸び率が５．５％より大きく、２３℃で測定した最大引張強度が６８，０００ｐｓｉより大きく、およびマット側のＲｔｍが４．５から１８μｍの範囲である、電着された銅箔であって、
該電着された銅箔が、以下の工程：
　水、銅イオンおよび硫酸イオンを含有し、２０ｐｐｍよりも少ない塩素イオンを含有する銅析出浴を調製する工程、および
　平方フィート当り２００から３０００アンペアの範囲の電流密度を用いて、該浴から銅を電着させるために電流を該浴にかける工程、
を包含する製造方法によって製造され、
ここで、前記浴がさらに、少なくとも一つの活性硫黄含有物質を含有する、銅箔。
【請求項２】２３℃で測定した最大引張強度が７０，０００ｐｓｉよりも大きい、請求項１に記載の箔。
【請求項３】１８０℃で測定した伸び率が６％よりも大きい、請求項１に記載の箔。
【請求項４】１８０℃で測定した伸び率が８％よりも大きい、請求項１に記載の箔。
【請求項５】１８０℃で測定した伸び率が１０％よりも大きい、請求項１に記載の箔。
【請求項６】１８０℃で測定した最大引張強度が２５，０００ｐｓｉよりも大きい、請求項１に記載の箔。
【請求項７】１８０℃で測定した最大引張強度が３０，０００ｐｓｉよりも大きい、請求項１に記載の箔。
【請求項８】１８０℃で測定した最大引張強度が３２，０００ｐｓｉよりも大きい、請求項１に記載の箔。
【請求項９】平方フィート当りの重量が１／８から１４オンスである、請求項１に記載の箔。
【請求項１０】平方フィート当りの重量が１／４オンスである、請求項１に記載の箔。
【請求項１１】平方フィート当りの重量が３／８オンスである、請求項１に記載の箔。
【請求項１２】平方フィート当りの重量が１／２オンスである、請求項１に記載の箔。
【請求項１３】平方フィート当りの重量が１オンスである、請求項１に記載の箔。
【請求項１４】平方フィート当りの重量が２オンスである、請求項１に記載の箔。
【請求項１５】平方フィート当りの重量が１／２オンスであり、マット側のＲｔｍが４．５から１２μｍである、請求項１に記載の箔。
【請求項１６】平方フィート当りの重量が１オンスであり、マット側のＲｔｍが４．５から１４μｍである、請求項１に記載の箔。
【請求項１７】平方フィート当りの重量が２オンスであり、マット側のＲｔｍが４．５から１６μｍである、請求項１に記載の箔。
【請求項１８】１８０℃で測定した伸び率が１０％より大きく、２３℃で測定した最大引張強度が６８，０００ｐｓｉより大きく、およびマット側のＲｔｍが４．５から９μｍの範囲である、電着された銅箔であって、
該電着された銅箔が、以下の工程：
　水、銅イオンおよび硫酸イオンを含有し、２０ｐｐｍよりも少ない塩素イオンを含有する銅析出浴を調製する工程、および
　平方フィート当り２００から３０００アンペアの範囲の電流密度を用いて、該浴から銅を電着させるために電流を該浴にかける工程、
を包含する製造方法によって製造され、
ここで、前記浴がさらに、少なくとも一つの活性硫黄含有物質を含有する、銅箔。
【請求項１９】電着された銅箔の製造方法であって、
　水、銅イオンおよび硫酸イオンを含有し、２０ｐｐｍよりも少ない塩素イオンを含有する銅析出浴を調製する工程、および
　平方フィート当り２００から３０００アンペアの範囲の電流密度を用いて、該浴から銅を電着させるために電流を該浴にかける工程、
を包含し、
ここで、前記浴がさらに、少なくとも一つの活性硫黄含有物質を含有する、方法。
【請求項２０】前記電流が直流である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２１】前記電流が直流でバイアスをかけられた交流である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２２】前記塩素イオンの濃度が１５ｐｐｍよりも小さい、請求項１９に記載の方法。
【請求項２３】前記塩素イオンの濃度が１０ｐｐｍよりも小さい、請求項１９に記載の方法。
【請求項２４】前記塩素イオンの濃度が５ｐｐｍよりも小さい、請求項１９に記載の方法。
【請求項２５】前記電流密度が平方フィート当り４００から３０００アンペアの範囲である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２６】前記電流密度が平方フィート当り８００から３０００アンペアの範囲である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２７】前記電流密度が平方フィート当り１０００から３０００アンペアの範囲である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２８】前記浴少なくとも一つの活性硫黄含有物質がチオ尿素である、請求項１９に記載の方法。
【請求項２９】前記浴がさらに、少なくとも一つのゼラチンを含有する、請求項１９に記載の方法。
【請求項３０】前記浴がさらに動物性のにかわを含有する、請求項１９に記載の方法。
【請求項３１】前記浴がさらに、糖みつ、アラビアゴム、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリイソプロピレングリコール、ジチオスレイトール、プロリン、ヒドロキシプロリン、システイン、アクリルアミド、スルホプロピルジスルフィド、テトラエチルチウラムジスルフィド、塩化ベンジル、エピクロルヒドリン、クロロヒドロキシルプロピルスルホネート、エチレンオキシド、プロピレンオキシド、スルホニウムアルカンスルホネート、チオ力ルバモイルジスルフィド、セレン酸、またはこれらの２またはそれ以上の混合物を含有する、請求項１９に記載の方法。
【請求項３２】前記浴がトリイソプロパノールアミンを含有しないことを特徴とする、請求項１９に記載の方法。
【請求項３３】前記浴がトリエタノールアミンを含有しないことを特徴とする、請求項１９に記載の方法。
【請求項３４】前記浴がピロホスフェートを含有しないことを特徴とする、請求項１９に記載の方法。
【請求項３５】前記浴の銅イオン濃度が、１リットル当り５０から１２０グラムである、請求項１９に記載の方法。
【請求項３６】前記浴の硫酸イオン濃度が、１リットル当り５０から１１０グラムである、請求項１９に記載の方法。
【請求項３７】前記浴がさらに、少なくとも１種の活性硫黄含有物質を含有し、該浴中の該活性硫黄含有物質の濃度が１５ｐｐｍまでの範囲である、請求項１９に記載の方法。
【請求項３８】前記浴がさらに、少なくとも１種のゼラチンを含有し、該浴中の該ゼラチンの濃度が２０ｐｐｍまでの範囲である、請求項１９に記載の方法。
【請求項３９】前記浴の温度が、硫酸銅の結晶化する温度より上から、水が該浴から蒸発する温度より下までの範囲である、請求項１９に記載の方法。
【請求項４０】電着された銅箔の製造方法であって、
　塩素イオンを添加せずに、水、銅イオンおよび硫酸イオンを含有する銅析出浴を調製する工程、および
　平方フィート当り２００から３０００アンペアの範囲の電流密度を用いて、該浴から銅を電着させるために電流を該浴にかける工程、
を包含し、ここで、前記浴がさらに、少なくとも一つの活性硫黄含有物質を含有する、方法。
【請求項４１】電着された銅箔の製造方法であって、
　トリイソプロパノールアミン、トリエタノールアミンおよびピロホスフェートを含有しないことを特徴とし、２０ｐｐｍよりも少ない塩素イオンを含有する、水、銅イオンおよび硫酸イオンを合有する銅析出浴を調製する工程、および
　平方フィート当り２００から３０００アンペアの範囲の電流密度を用いて、該浴から銅を電着させるために電流を該浴にかける工程、
を包含し、
ここで、前記浴がさらに、少なくとも一つの活性硫黄含有物質を含有する、方法。
【請求項４２】電着された銅の製造方法であって、
　水、銅イオンおよび硫酸イオンを含有し、２０ｐｐｍよりも少ない塩素イオンを含有する銅析出浴を調製する工程、および
　平方フィート当り２００から３０００アンペアの範囲の電流密度を用いて、該浴から銅を電着させるために直流または直流でバイアスをかけられた交流の電流を該浴にかける工程
を包含し、ここで、前記浴がさらに、少なくとも一つの活性硫黄含有物質を含有する、方法。
【請求項４３】電着された銅箔の製造方法であって、
　水、銅イオンおよび硫酸イオンを含有し、２０ｐｐｍよりも少ない塩素イオンを含有する銅析出浴を調製する工程、および
　平方フィート当り４００から３０００アンペアの範囲の電流密度を用いて、該浴から銅を電着させるために直流または直流でバイアスをかけられた交流の電流を該浴にかける工程、
を包含し、ここで、前記浴がさらに、少なくとも一つの活性硫黄含有物質を含有する、方法。
【請求項４４】電着された銅箔の製造方法であって、
　水、銅イオンおよび硫酸イオンを含有し、２０ｐｐｍよりも少ない塩素イオンを含有する銅析出浴を調製する工程、および
　平方フィート当り８００から３０００アンペアの範囲の電流密度を用いて、該浴から銅を電着させるために直流または直流でバイアスをかけられた交流の電流を該浴にかける工程、
を包含し、ここで、前記浴がさらに、少なくとも一つの活性硫黄含有物質を含有する、方法。
【請求項４５】電着された銅箔の製造方法であって、
　水、銅イオンおよび硫酸イオンを含有し、２０ｐｐｍよりも少ない塩素イオンを含有する銅析出浴を調製する工程、および
　平方フィート当り１０００から３０００アンペアの範囲の電流密度を用いて、該浴から銅を電着させるために直流または直流でバイアスされた交流の電流を該浴にかける工程、
を包含し、ここで、前記浴がさらに、少なくとも一つの活性硫黄含有物質を含有する、方法。
【請求項４６】電着された銅箔の製造方法であって、
　水、銅イオンおよび硫酸イオンを含有し、２０ｐｐｍよりも少ない塩素イオンを含有する銅析出浴を調製する工程、および
　平方フィート当り１０００から３０００アンペアの範囲の電流密度を用いて、該浴から銅を電着させるために直流の電流を該浴にかける工程、
を包含し、ここで、前記浴がさらに、少なくとも一つの活性硫黄含有物質を含有する、方法。
【請求項４７】前記浴に、塩素イオンが添加されない、請求項１９および４１〜４６のいずれか１項に記載の方法。」
　　
II．証拠に記載の事実
　原審における拒絶理由通知で、特許法第２９条第２項の規定に係る証拠として提示された引用例１〜５には、以下の記載がある。
引用例１（特開昭６１−５２３８７号公報）
(1-1)「（１）硫酸酸性銅メッキ液に、トリイソプロパノール・アミンを２〜１０ppmとゼラチン０．０５〜０．２ppmを併用添加した電解液を用いることを特徴とする、高温加熱時の伸び率が優れた印刷回路用電解銅箔の製造方法。」（特許請求の範囲）
(1-2)「多層板に使用できる銅箔の物性（抗張力・伸び率）について、ＩＰＣ規格では次のように規定されている。」（第２頁左上欄第９〜１１行）と記載され、同記載に続く「IPC-CF-150E　Type-Ｅ　Class-3」の表には、室温（２３℃）の抗張力（kg/mm2）が「21.1以上」（厚さ１oz、２oz）、高温加熱時（１８０℃）の伸び率（％）が「２以上」（厚さ１oz）、「３以上」（厚さ２oz）であることが示されている。
(1-3)「［実施例１］　硫酸銅（５結晶水塩）２５０g/l、硫酸１３０g/ｌを含む液にＴ．Ｉ．Ｐ．Ａを３ppmとゼラチン０．２ppm添加した電解液を用いて、液温４５℃、電流密度４０A/dm２で電解し、チタン陰極表面上に３５μmの銅箔を電着させた。この銅箔は常温での抗張力は３８．７kg/ｍｍ2で伸び率１２．５％であり、平均粗面粗さは０．７９μｍのものであった。高温加熱時の物性は第１表に示す。」（第２頁右下欄第９〜１７行）
　　
引用例２（特開昭６３−３１０９８９号公報）
(2-1)「１．硫酸銅と硫酸を主成分とする酸性銅メッキ浴に、ヒドロキシアルキルアミン、塩素イオン、およびゼラチンを添加したメッキ浴を用いた電解処理により得られた電解銅箔。
２．メッキ浴中の添加剤濃度が、ヒドロキシアルキルアミン０．５〜１５ppm、塩素イオン１〜３０ppmおよびゼラチン０．１〜５ppmである特許請求の範囲第１項記載の電解銅箔。」（特許請求の範囲１、２）
(2-2)「ＩＰＣ−ＣＦ−１５０−Ｅクラス４の要求特性には、常態（２３℃）抗張力１４．６kg/ｍｍ2以上、同伸び率３％以上、加熱時（１８０℃雰囲気）においては、抗張力１０．５５kg/ｍｍ2以上、同伸び率４％以上（何れも換算値）と規定されている。」（第２頁右上欄第１４〜１９行）
(2-3)「本発明に用いるメッキ浴は、硫酸銅と硫酸を主成分とする酸性銅メッキ浴であり、硫酸銅（ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ）の濃度は、１００〜４００g/lの範囲とすることが好ましい。濃度が１００g/l未満の場合は、高電流密度で生産性を高める場合、水素ガスの発生を伴ういわゆるヤケメッキとなり、銅箔自体の特性、例えば、抗張力、伸び率等の品質が低下し、また、濃度が４００g/lを越える場合には、タンク、配管等の装置や、機器類に硫酸銅が再結晶しやすくなる。一方、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）の濃度は５０〜１５０g/lの範囲が好ましい。濃度が５０g/l未満の場合は浴電圧の上昇を伴い、製造原価が増大し、１５０g/lを越える場合は、電解装置、とりわけ、陽極側の鉛電極、陰極側のチタンドラムの腐食が大となる。」（（第３頁右上欄第１１行〜左下欄第６行）
(2-4)「電解処理における電流密度は、硫酸銅、および硫酸の濃度、浴温、液流速等によって、それぞれ変動した値を示すので、一概には決められないが、生産速度をも考慮に入れて、好ましい範囲は、電流密度は１０〜３００A/dｍ2、浴温は３５〜８０℃、流速は０．１〜５m/秒の範囲であり、この範囲のうちから適宜選択される。」（第４頁左上欄第１０〜１６行）
　　
引用例３（特開昭６３−３１０９９０号公報）
(3-1)「１．硫酸銅と硫酸を主成分とする酸性銅メッキに、トリイソアミルアミン、塩素イオン、およびゼラチンを添加したメッキ浴を用いた電解処理により得られた電解銅箔。
２．メッキ浴中の添加剤濃度が、トリイソアミルアミン０．５〜１５ppm、塩素イオン１〜３０ppmおよびゼラチン０．１〜５ppmである特許請求の範囲第１項記載の電解銅箔。
３．硫酸銅と硫酸を主成分とする酸性銅メッキ浴を用いて電解銅箔を製造するにあたり、該メッキ浴に、トリイソアミルアミン、塩素イオン、およびゼラチンを添加して電解処理を行うことを特徴とする電解銅箔の製造方法。
４．メッキ浴中の添加剤濃度が、トリイソアミルアミン０．５〜１５ppm、塩素イオン１〜３０ppmおよびゼラチン０．１〜５ppmである特許請求の範囲第３項記載の電解銅箔の製造方法。」（特許請求の範囲１〜４）
(3-2)「ＩＰＣ規格のＩＰＣ−ＣＦ−１５０Ｅクラス４の要求特性には、常態（２３℃）抗張力１４．６kg/ｍｍ2以上、同伸び率３％以上、加熱時（１８０℃雰囲気）においては、抗張力１０．５５kg/ｍｍ2以上、同伸び率４％以上（何れも換算値）と規定されている。」（第２頁左上欄第１７行〜右上欄第２行）
(3-3)「電解処理における電流密度は、硫酸銅、および硫酸の濃度、浴温、液流速等によって、それぞれ変動した値を示すので、一概には決められないが、生産速度をも考慮にいれて、好ましい範囲は、電流密度は１０〜３００A/dｍ2、浴温は３５〜８０℃、流速は０．１〜５m/秒の範囲であり、この範囲のうちから適宜選択される。」（第３頁右下欄第７〜１３行）
　　
引用例４（特開昭６３−２４０８８号公報）
(4-1)「（１）対向する第１及び第２のマット仕上げ面を有し、該面は互いに対して導電性を有し、かつ、実質上無孔であることを特徴とする電着銅箔。
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
（１０）前記マット仕上げ面は約２乃至約２０マイクロメートルの平均粗さを有することを特徴とする特許請求の範囲第４項に記載の銅箔。
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
（１２）前記マット仕上げ面は約３乃至約１５マイクロメートルの平均粗さを有することを特徴とする特許請求の範囲第４項に記載の銅箔。
・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・・
（１４）２つのマット面を有する銅箔の製造方法において、１つのマット面と１つの円滑面とを有する所定の肉厚の銅箔からなる第１の層を陰極めっきドラムに被着する工程と、箔をめっきドラムから取除く工程と、第１の銅箔層の円滑面に第２の銅箔層を被着することにより２つのマット仕上げ面を有する複合箔を形成する工程とを備えることを特徴とする電着銅箔の製造方法。」（特許請求の範囲１、１０、１２、１４）
(4-2)「電解液１４は、一般的には、電気めっきされるべき金属のイオンを、ある濃度含む酸性溶液からなる。例えば、銅を電着しようとする場合には、電着液１４は、ある濃度の銅イオンを含む。本発明の装置を使用してこぶ状表面の（nodularized）銅箔またはさんご状表面の（coral）銅を形成する好ましい実施例では、電解液１４は、硫酸銅−硫酸と水との溶液からなる。操作に際して高温に保持するのが好ましいこの溶液は、約４０グラム／リットル（以下「g/l」と表す。）乃至約１４０g/l、好ましくは、約６０g/l乃至約１００g/lの銅の濃度を有する。好ましい実施例においては、ほぼ室温における電解液の硫酸の濃度は、約１０g/l乃至約１００g/lである。
　上記した硫酸銅及び硫酸の濃度は、電解液の温度に依存する。好ましい実施例においては、タンク１０には、電解液の温度を所望のレベルに維持する手段（図示せず）が設けられる。温度維持手段は、加熱及び冷却の少なくとも一方を行うループ（loop）のような、本技術分野において公知の適宜の手段から構成することができる。溶解限度は温度とともに増加するので、高温では、硫酸銅の濃度範囲を、上記した濃度範囲を越えて増加させることができる。所望の場合には、ゼラチンのような蛋白質物質及び適宜の界面活性剤の少なくとも一方を、本技術分野において公知のように、硫酸銅−硫酸電解液に添加して、表面形態を更に変えることができる。」（第５頁左上欄第２０行〜左下欄第７行）
　　
引用例５（特開昭６２−１０２９１号公報）
(5-1)「１．活性炭処理された後２０分以内の電解液を６０容量％以上含有する電解液を用いた電解により得られた電解銅箔。」（特許請求の範囲）
(5-2)「この電解銅箔は特に熱間時（例えば１８０℃雰囲気）の伸びが３．０％前後またはそれ以上と低く、銅箔のＡＮＳＩ規格であるＩＰＣ−ＣＦ−１５０Ｅでは、性能によりクラス１から４の分類を設けている。特にクラス４では銅箔を熱処理することにより、１８０℃熱間伸び率が４．０％以上である品種を設けており、熱処理しなければ１８０℃での伸び率を４．０％以上にするのは困難とされていた。」（第１頁右下欄第１１〜１８行）
(5-3)「実施例１　電解液として、硫酸銅（ＣｕＳＯ４・５Ｈ２Ｏ）２８０〜３６０g/l、硫酸１００〜１５０g/lの硫酸酸性の硫酸銅溶液を用い、液温約５０℃、電流密度５０〜１００A/dｍ2で電解した。電解は空塔速度３０cm/secで、電解に供する電解液の８０容量％を連続活性炭処理をしながら連続電解を施した。なお、活性炭処理後電解に供するまでの時間は５分間とした。このようにして得られた３５μｍ電解銅箔の常態（２３℃）、熱後（１８０℃、１時間加熱後）、熱間（１８０℃）の抗張力、伸び、ＭＩＴ耐折り曲げ性をＩＰＣ−ＣＦ−１５０Ｅに規定するクラス１〜４の規格と共に第１表に示すと共に、常態および熱後の電解銅箔の金属組織を示す顕微鏡写真（１０００倍）を第２図（ａ）および（ｂ）に示す。」（第２頁右下欄第１３行〜第３頁左上欄第８行）
　　
III．対比・判断
（１）本願発明１について
　本願発明１と、引用例１〜５に記載されたものとを対比すると、引用例１〜５のいずれにも、銅電析浴中に「活性硫黄含有化合物」を含有するという、本願発明１の構成要件の記載は見あたらず、そして、本願発明１は、当該構成要件を含む前記のとおりの構成を有することにより、１８０℃で測定した伸び率、及び２３℃で測定した最大引張強度が大きく、また、マット側の粗さ（Ｒｔｍ）が適当であって、プリント回路基板等の製造に有用な電着銅箔が得られるという、明細書に記載された効果を奏したものと認めることができる。
　したがって、本願発明１は、引用例１〜５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明ということはできない。
　　
（２）本願発明２〜４７について、
　独立請求項である本願発明１８、１９及び４０〜４６は、本願発明１と同じく、いずれも銅電析浴中に「活性硫黄含有化合物」を含有することを構成要件とするものであるので、上記「（１）本願発明１について」の欄に記載したと同様、引用例１〜５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明ということはできない。また、従属請求項である本願発明２〜１７、２０〜３９及び４７は、いずれも前記独立請求に係る発明ないしその従属項に係る下位の発明をさらに限定したものであるので、上記独立請求項に係る発明と同様、引用例１〜５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明ということはできない。
　　
IV．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明１〜４７については、引用例１〜５に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明と言うことはできず、したがって、原査定の拒絶の理由により本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。