【事件の表示】
　特願２０１０−２２８９９０「Ｚｎを用いた半田付け構造物および方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年３月１７日出願公開、特開２０１１−５４９７８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１９年１０月２３日（パリ条約による優先権主張　２００７年３月１２日　韓国　ＫＲ）に出願した特願２００７−２７５５９６号の一部を平成２２年１０月８日に新たな特許出願としたものであって、平成２５年５月３１日付け（発送日：６月４日）で拒絶査定がなされ、これに対し、平成２５年１０月４日に拒絶査定不服審判の請求がなされるとともに、その審判の請求と同時に手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２５年１０月４日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　平成２５年１０月４日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正後の本願発明
　平成２５年１０月４日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項１は、
　「
半田付け構造物および前記半田付け構造物に接合するチップを支持する
　Ｚｎを含み、前記基板上に直接連結されるように形成される結合層と、
　前記結合層の表面と直接結合反応する鉛フリー半田と、
を含み、
　前記結合層は、Ｚｎ合金層であることを特徴とする半田付け構造物。」
と補正された。
　なお、下線は補正箇所であり、請求人が付したとおりのものである。
　
　本件補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「基板」について、「半田付け構造物および前記半田付け構造物に接合するチップを支持する」ものと限定するものであり、かつ、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるので、特許法第１７条の２第５項第２号に規定された特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
　
２．引用刊行物とその記載事項等
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された特開２００４−３１７２４号公報（以下「刊行物」という。）には、「ワークの半田付け方法及び半田付け実装体」に関し、次の事項が記載されている。
　以下、下線は当審で付与するものである。
　
ア．「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、
バンプつきチップ、チップコンデンサ、回路基板などのワークを他のワークに半田付けするワークの
半田付け実装体
　
イ．「【００１０】
【発明の実施の形態】
（実施の形態１）
図１（ａ）は本発明の実施の形態１におけるフリップチップと回路基板の半田付け前の正面図、図１（ｂ）は本発明の実施の形態１におけるフリップチップと回路基板の半田付け後の正面図である。本実施の形態１では回路基板４が第１のワーク、フリップチップ１が第２のワークである。
【００１１】
フリップチップ１の下面には銅電極から成る端子２が形成され
端子には半田バンプ３が形成されている
半田バンプ３の成分は
亜鉛を含まない非亜鉛系の第２の鉛フリー半田
【００１２】
回路基板４の上面には端子２に対応する銅電極５が形成され
銅電極５上にクリーム半田や半田プリコートなどの半田部６が形成されている
半田部６の成分はＳｎ−８Ｚｎ−３Ｂｉであって、亜鉛（Ｚｎ）をｗｔ（重量）％で８％含んでいる
半田部６は、亜鉛系の第１の鉛フリー半田
【００１３】
図１（ｂ）は、
フリップチップ１を回路基板４に搭載し、リフローなどにより加熱処理して半田バンプ３と半田部６を加熱溶融させ
半田接続部７を形成
ワークの半田付け実装体８
　
　記載事項イの段落【００１３】によれば、ワークの半田付け実装体８は回路基板４に半田バンプ３と半田部６を加熱溶融させた半田接続部７によりフリップチップ１を接合するものであるから、回路基板４は半田接続部７によりフリップチップ１を支持するといえる。
　また、記載事項イの段落【００１２】によれば、半田部６は亜鉛系の第１の鉛フリー半田であり、回路基板４の銅電極５上に形成されるものである。
　さらに、記載事項イの段落【００１１】及び【００１３】によれば、亜鉛を含まない非亜鉛系の第２の鉛フリー半田である半田バンプ３と半田部６が加熱溶融して半田部接続７を形成するものであるから、亜鉛を含まない非亜鉛系の第２の鉛フリー半田半田バンプ３は半田部６と加熱溶融して半田接続部７を形成するといえる。
　
　上記記載事項、図示内容及び認定事項を総合して、を本願補正発明に則って整理すると、刊行物には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「半田接続部７によりフリップチップ１を支持する銅電極５が形成された回路基板４と、
　亜鉛系の第１の鉛フリー半田であり、回路基板４の銅電極５上に形成された半田部６と、
　半田部６と加熱溶融して半田接続部７を形成する亜鉛を含まない非亜鉛系の第２の鉛フリー半田である半田バンプ３と、
を含み、
　半田部６の成分はＳｎ−８Ｚｎ−３Ｂｉである実装体８。」
　
３．発明の対比・判断
　引用発明の「銅電極５が形成された回路基板４」は、半田接続部７によりフリップチップ１を支持するものであって、フリップチップ１は半田接合部７により回路基板４の銅電極５に電気的に接続されることで回路基板４にも電気的に接続されるものである。
　ところで、本願補正発明において、「基板」は、「半田付け構造物および前記半田付け構造物に接合するチップを支持する」ものであって、結合層がその上に「直接連結されるように形成される」ものとして特定されているが、基板はチップを支持すると同時にチップとの間で信号などを連結するものであるところ、基板上に形成される銅電極はチップとの間で信号などを連結するために必要なものであって、基板との信号などの連結部としては基板と分離して考えることができないものといえる。
　してみると、引用発明の「銅電極５が形成された回路基板４」は本願補正発明の「基板」に相当するものであり、引用発明の「半田接続部７によりフリップチップ１を支持する」「銅電極５が形成された回路基板４」は、本願補正発明の「半田付け構造物および前記半田付け構造物に接合するチップを支持する」「基板」に相当する。
　また、引用発明の「亜鉛系の第１の鉛フリー半田であ」ることは、本願補正発明の「Ｚｎを含」むことに相当し、引用発明の「半田部６」は「回路基板４の銅電極５上に形成され」るから、上記のとおり、「基板上に直接連結されるように形成される」といえ、引用発明の「亜鉛系の第１の鉛フリー半田であり、回路基板４の銅電極５上に形成された」「半田部６」は、本願補正発明の「Ｚｎを含み、前記基板上に直接連結されるように形成される」「結合層」に相当する。
　さらに、引用発明の「半田部６」は「亜鉛を含まない非亜鉛系の第２の鉛フリー半田である半田バンプ３」と「加熱溶融して半田接続部７を形成する」ものであるから、引用発明の「半田部６と加熱溶融して半田接続部７を形成する」「亜鉛を含まない非亜鉛系の第２の鉛フリー半田である半田バンプ３」は、本願補正発明の「前記結合層の表面と直接結合反応する」「鉛フリー半田」に相当する。
　そして、引用発明の「半田部６の成分はＳｎ−８Ｚｎ−３Ｂｉである」ことは、本願補正発明の「前記結合層は、Ｚｎ合金層であること」に相当し、引用発明の「実装体８」は、本願補正発明の「半田付け構造物」といえる。
　
　そうすると、引用発明と本願補正発明は一致し、相違するところはない。
　
　なお、請求人は「また、引用文献２には、上記（３−２）に記載の通り、回路基板４、銅電極５、亜鉛系の鉛フリー半田からなる半田部６がこの順に積層して形成されており、当該半田部６と、非亜鉛系の鉛フリー半田からなる半田バンプ３が接合される構成が開示されています。ここで、引用文献２中の説明（具体的には、引用文献２の段落「００１２」）より、当該半田部６が本願の結合層に相当し、また、半田バンプ３が本願の鉛フリー半田に相当します。さらに、引用文献２において開示された実装体においては、部品が実装される回路基板４が供えられておりますが、当該回路基板４の上にフリップチップ１が搭載されることから、引用文献２の回路基板４が本願発明における「半田付け構造物および前記半田付け構造物に接合するチップを支持する基板」に相当するのです。すなわち、引用文献２の銅電極５は本願の基板に相当するものではありません。そうしますと、本願は、引用文献１の銅電極５に相当するものは含んでおらず、よって、引用文献２は、半田部６（本願の結合層に相当します）と、回路基板４（本願の基板に相当します）との間に、銅電極５が介在しているという点で相違しています。」（【請求の理由】３．（３））と主張するが、上記のとおり、「銅電極５が形成された回路基板４」は基板として把握できるものであるから、請求人の主張は採用できない。
　また、仮に銅電極５が回路基板４に付加的に設けられるものとしても、回路基板４にフリップチップ１を半田付けする部分、すなわち、回路基板４とフリップチップ１との間で信号などを連結する部分があるのであるから、銅電極に代えてその部分に直接半田部６を形成して、半田部６と半田バンプ３とで半田接合部７を形成して、回路基板４に形成した半田接合部７によりフリップチップ１を支持するものとすることは、当業者が行う単なる設計変更程度のことにすぎない。
　
　したがって、本願補正発明は、引用発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成２５年１０月４日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１０に係る発明は、平成２４年１０月２３日付けの手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「基板と、
　Ｚｎを含み、前記基板上に直接連結されるように形成される結合層と、
　前記結合層の表面と直接結合反応する鉛フリー半田と、
を含み、
　前記結合層は、Ｚｎ合金層であることを特徴とする半田付け構造物。」
　
２．引用刊行物とその記載事項等
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物とその記載事項、引用発明は、上記第２の２．に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、上記第２の１．で検討した本願補正発明から、「基板」についての限定事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含む本願補正発明が、上記第２の３．に記載したとおり、引用発明と同一であるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明と同一である。
　
４．まとめ
　したがって、本願発明は、引用発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号の規定により特許を受けることができないものであるから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。