【事件の表示】
　特願２００７−２０５３５８「高効率モジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　２月２６日出願公開、特開２００９−　４３８２０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１９年８月７日に出願したものであって、手続の概要は以下のとおりである。
　拒絶理由通知　　　　　　　：平成２４年　９月１１日（起案日）
　意見書　　　　　　　　　　：平成２４年１１月１６日
　手続補正　　　　　　　　　：平成２４年１１月１６日
　拒絶理由通知（最後）　　　：平成２５年　７月２２日（起案日）
　意見書　　　　　　　　　　：平成２５年　９月３０日
　手続補正　　　　　　　　　：平成２５年　９月３０日
　補正の却下の決定　　　　　：平成２６年　１月２４日（起案日）
　拒絶査定　　　　　　　　　：平成２６年　１月２４日（起案日）
　拒絶査定不服審判請求　　　：平成２６年　５月　７日
　手続補正　　　　　　　　　：平成２６年　５月　７日
第２　平成２６年５月７日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２６年５月７日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１．本件補正
　平成２６年５月７日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲についてするもので、請求項１については、本件補正前に、
「　【請求項１】
　第１の機能素子と第２の機能素子とを備えたモジュールであって、
　上記第１および第２の機能素子はそれぞれ、ベース電極、エミッタ電極、およびコレクタ電極を備え、
　上記第１の機能素子のいずれかの電極と、上記第２の機能素子のいずれかの電極とに直接接続する第１のフレームと、
　実装面を有し、上記第１および第２の機能素子を覆うとともに、上記第１のフレームの少なくとも一部を覆う樹脂パッケージと、
　上記第１のフレームの一部からなり、上記実装面に露出する端子とを備えており、
　上記第１の機能素子と上記第２の機能素子とは、上記第１のフレームを挟んで対向するとともに、上記樹脂パッケージの上記実装面に対して直角である方向に積層されており、
　上記第１の機能素子の上記コレクタ電極と上記第２の機能素子の上記エミッタ電極とが、上記第１のフレームに直接接続されていることを特徴とするモジュール。」
とあったところを、
本件補正後、
「　【請求項１】
　第１の機能素子と第２の機能素子とを備えたモジュールであって、
　上記第１および第２の機能素子はそれぞれ、ベース電極、エミッタ電極、およびコレクタ電極を備え、
　上記第１の機能素子のいずれかの電極と、上記第２の機能素子のいずれかの電極とに直接接続する第１のフレームと、
　実装面を有し、上記第１および第２の機能素子を覆うとともに、上記第１のフレームの少なくとも一部を覆う樹脂パッケージと、
　
上記第１の機能素子の上記エミッタ電極に接続された第２のフレームと、
　上記第１のフレームの一部
および上記第２のフレーム
内
複数の
　上記第１の機能素子と上記第２の機能素子とは、上記第１のフレームを挟んで対向するとともに、上記樹脂パッケージの上記実装面に対して直角である方向に積層されており、
　上記第１の機能素子の上記コレクタ電極と上記第２の機能素子の上記エミッタ電極とが、上記第１のフレームに直接接続されている
とともに、
　
上記第１および第２のフレームは、いずれもが上記樹脂パッケージの内部において、上記実装面に向けて屈曲しており、
　
上記第１のフレームおよび上記第２のフレームは、いずれもが上記実装面に対して平面視Ｌ状に加工されている部分を有する
とするものである。
　上記本件補正の内容は、請求項１について、発明特定事項である「フレーム」について「上記第１の機能素子の上記エミッタ電極に接続された第２のフレーム」を備え、「上記第１および第２のフレームは、いずれもが上記樹脂パッケージの内部において、上記実装面に向けて屈曲しており、上記第１のフレームおよび上記第２のフレームは、いずれもが上記実装面に対して平面視Ｌ状に加工されている部分を有する」と限定し、「端子」について上記第１のフレームの一部「および上記第２のフレーム」からなり、上記実装面「内」に露出する「複数の」端子を備えると限定したものである。
　本件補正は、発明特定事項を限定するものであるから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項に規定する要件を満たすか）否かについて、以下検討する。
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００４−４７８５０号公報（平成１６年２月１２日公開、以下「引用例１」という。）には、図面と共に、以下の記載がある。（なお、下線は当審で付与した。）
（１）「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は
パワー半導体装置
（２）「【００１１】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、
ワイヤによる接続を有さないパワー半導体装置
（３）「【００３５】
図２乃至図４に示すように、
パワー半導体装置５１は、第１乃至第３端子部材１１１，１１２，１１３と、第１及び第２ＩＧＢＴ１２１，１２２と、
トランスファモールドパッケージ１４１と、を含んでいる。
（４）「【００３６】
詳細には、
第１端子部材１１１は、
側面視上（又は断面視上）略Ｌ字型に折り曲げた形状をしており、
【００３７】
同様に、
第２端子部材１１２も略Ｌ字型に折り曲げられた
（５）「【００３８】
第１ＩＧＢＴ１２１の半導体チップは、
第１及び第２主電極１２１Ｅ，１２１Ｆが
設けられている。
第２ＩＧＢＴ１２２の半導体チップも、
第１及び第２主電極１２２Ｅ，１２２Ｆが
設けられている。
（６）「【００４０】
第１ＩＧＢＴ１２１
の第１主電極１２１Ｅ
は
第１端子部材１１１の一方の部分１１１ａ
に
接合されている。
【００４１】
そして、
第２端子部材１１２の一方の部分１１２ａ
はＩＧＢＴ１２１
の第２主電極１２１Ｆ
に接合している。
【００４２】
第２端子部材１１２の一方の部分１１２ａ
には第２ＩＧＢＴ１２２
の第１主電極１２２Ｅ
が接合されている。
２つのＩＧＢＴ１２１，１２２が
積み重ねられ、
２つのＩＧＢＴ１２１，１２２は端子部材１１２の部分１１２ａを介して対向しており、
（７）「【００４４】
なお、
第１乃至第３端子部材１１１〜１１３の素子配置部分１１１ａ〜１１３ａは必要に応じて主電極１２１Ｅ，１２１Ｆ，１２２Ｅ，１２２Ｆ
及び
制御電極１２１Ｇ，１２２Ｇ
の平面パターンに対応させてパターニングされている。
（８）「【００４５】
そして、
ＩＧＢＴ１２１，１２２
はトランスファモールドパッケージ１４１によって封止され、当該パッケージ１４１内に収容されている。
第１乃至第３端子部材１１１〜１１３の一方の部分１１１ａ〜１１３ａの側面及び先端面はトランスファモールドパッケージ１４１で覆われるように、トランスファモールドパッケージ１４１が形成されている。
他方、
第１乃至第３端子部材１１１〜１１３の他方の部分１１１ｂ〜１１３ｂの少なくとも先端側部分（折り曲げ部分から遠い側の部分）は当該パッケージ１４１の外部に配置されている（引き出されている）。
（９）「【００４７】
ここで、図１のブロック図に示すようにＩＧＢＴ１２１及びダイオード１３１で以て低電位側アームを構成する場合、第１端子部材１１１が低電位Ｎに接続され、第３端子部材１１３が高電位Ｐに接続され、第２端子部材１１２が出力端子にあたる。更にこのとき、
ＩＧＢＴ１２１，１２２の第１主電極１２１Ｅ，１２２Ｅ及び第２主電極１２１Ｆ，１２２Ｆがエミッタ及びコレクタにそれぞれにあたり、
（１０）「【００４９】
なお、
ＩＧＢＴ１２１，１２２のゲートないしは制御電極
　上記摘示事項及び図面の記載から以下のことがいえる。
（ａ）引用例１には、「パワー半導体装置」が記載されている（摘示事項（１））。
（ｂ）パワー半導体装置５１は、第１乃至第３端子部材１１１，１１２，１１３と、第１及び第２ＩＧＢＴ１２１，１２２と、トランスファモールドパッケージ１４１と、を含んでいる（摘示事項（３））。
（ｃ）第１及び第２端子部材１１１，１１２は、側面視上（又は断面視上）略Ｌ字型に折り曲げた形状をしている（摘示事項（４））。
（ｄ）第１ＩＧＢＴ１２１の半導体チップは、第１及び第２主電極１２１Ｅ，１２１Ｆが設けられている。第２ＩＧＢＴ１２２の半導体チップも、第１及び第２主電極１２２Ｅ，１２２Ｆが設けられている（摘示事項（５））。
（ｅ）第１ＩＧＢＴ１２１の第１主電極１２１Ｅは第１端子部材１１１の一方の部分１１１ａに接合されている。第２端子部材１１２の一方の部分１１２ａはＩＧＢＴ１２１の第２主電極１２１Ｆに接合している。第２端子部材１１２の一方の部分１１２ａには第２ＩＧＢＴ１２２の第１主電極１２２Ｅが接合されている。２つのＩＧＢＴ１２１，１２２が積み重ねられ、２つのＩＧＢＴ１２１，１２２は端子部材１１２の部分１１２ａを介して対向している（摘示事項（６））。
（ｆ）第１乃至第３端子部材１１１〜１１３の素子配置部分１１１ａ〜１１３ａは必要に応じて主電極１２１Ｅ，１２１Ｆ，１２２Ｅ，１２２Ｆ及び制御電極１２１Ｇ，１２２Ｇの平面パターンに対応させてパターニングされている（摘示事項（７））。
（ｇ）ＩＧＢＴ１２１，１２２はトランスファモールドパッケージ１４１によって封止され、当該パッケージ１４１内に収容されている。第１乃至第３端子部材１１１〜１１３の一方の部分１１１ａ〜１１３ａの側面及び先端面はトランスファモールドパッケージ１４１で覆われるように、トランスファモールドパッケージ１４１が形成されている。第１乃至第３端子部材１１１〜１１３の他方の部分１１１ｂ〜１１３ｂの少なくとも先端側部分（折り曲げ部分から遠い側の部分）は当該パッケージ１４１の外部に配置されている（引き出されている）（摘示事項（８））。
（ｈ）ＩＧＢＴ１２１，１２２の第１主電極１２１Ｅ，１２２Ｅ及び第２主電極１２１Ｆ，１２２Ｆがエミッタ及びコレクタそれぞれにあたる（摘示事項（９））。
（ｉ）ＩＧＢＴ１２１，１２２の制御電極１２１Ｇ，１２２Ｇがゲートにあたる（摘示事項（１０））。
（ｊ）第１乃至第３端子部材１１１〜１１３の折り曲げ部分は、トランスファモールドパッケージ１４１の内部にある（図６）。
　以上を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認める。
「第１乃至第３端子部材１１１，１１２，１１３と、第１及び第２ＩＧＢＴ１２１，１２２と、トランスファモールドパッケージ１４１と、を含んでいるパワー半導体装置５１であって、
　第１及び第２端子部材１１１，１１２は、側面視上（又は断面視上）略Ｌ字型に折り曲げた形状をしており、
　第１ＩＧＢＴ１２１の半導体チップは、エミッタ電極１２１Ｅ，コレクタ電極１２１Ｆ及びゲート電極１２１Ｇが設けられており、第２ＩＧＢＴ１２２の半導体チップも、エミッタ電極１２２Ｅ，コレクタ電極１２２Ｆ及びゲート電極１２２Ｇが設けられており、
　第１ＩＧＢＴ１２１のエミッタ電極１２１Ｅは第１端子部材１１１の一方の部分１１１ａに接合されている。第２端子部材１１２の一方の部分１１２ａはＩＧＢＴ１２１のコレクタ電極１２１Ｆに接合している。第２端子部材１１２の一方の部分１１２ａには第２ＩＧＢＴ１２２のエミッタ電極１２２Ｅが接合されており、２つのＩＧＢＴ１２１，１２２が積み重ねられ、２つのＩＧＢＴ１２１，１２２は端子部材１１２の部分１１２ａを介して対向しており、
　ＩＧＢＴ１２１，１２２はトランスファモールドパッケージ１４１によって封止され、当該パッケージ１４１内に収容されており、第１乃至第３端子部材１１１〜１１３の一方の部分１１１ａ〜１１３ａの側面及び先端面はトランスファモールドパッケージ１４１で覆われるように、トランスファモールドパッケージ１４１が形成されており、第１乃至第３端子部材１１１〜１１３の他方の部分１１１ｂ〜１１３ｂの少なくとも先端側部分（折り曲げ部分から遠い側の部分）は当該パッケージ１４１の外部に配置されており（引き出されており）、
　第１乃至第３端子部材１１１〜１１３の折り曲げ部分は、トランスファモールドパッケージ１４１の内部にあり、
　第１乃至第３端子部材１１１〜１１３の素子配置部分１１１ａ〜１１３ａは必要に応じてエミッタ電極１２１Ｅ，１２２Ｅ，コレクタ電極１２１Ｆ，１２２Ｆ及びゲート電極１２１Ｇ，１２２Ｇの平面パターンに対応させてパターニングされているパワー半導体装置５１。」
　同じく、原査定の拒絶の理由に引用された特開２００４−２７３９７７号公報（平成１６年９月３０日公開、以下「引用例２」という。）には、図面と共に、以下の記載がある。（なお、下線は当審で付与した。）
（１１）「【００２７】
図２に示すように、第１部分７は辺ｆ及び辺ｈに沿ってそれぞれ一定幅で設けられている。第１部分７は辺ｈでは連続しているが、辺ｆでは途切れている。これは
ソースリードとゲートリードとがＬ字状の溝を介して分離される
ソースリード４は
Ｌ字状パターンになっている
３．対比
　そこで、本件補正発明と引用発明とを対比する。
（１）モジュール
　引用発明の「第１ＩＧＢＴ１２１」、「第２ＩＧＢＴ１２２」は、それぞれ「第１の機能素子」、「第２の機能素子」といえる。引用発明の「パワー半導体装置５１」は、「モジュール」といえる。
　したがって、本件補正発明と引用発明とは、「第１の機能素子と第２の機能素子とを備えたモジュール」である点で一致する。
（２）ベース電極、エミッタ電極、およびコレクタ電極
　明細書の【００２３】には、「なお、トランジスタチップにおいては３つの電極をベース電極、エミッタ電極、及び、コレクタ電極というが、ＭＯＳＦＥＴチップにおいては、それぞれゲート電極、ソース電極、及び、ドレイン電極という。ここでは後者で記載しているが、機能的には同じものである。」との記載があり、引用発明のＩＧＢＴの半導体チップに設けられた「ゲート電極」は、トランジスタチップにおける「ベース電極」、ＭＯＳＦＥＴチップにおける「ゲート電極」と機能的には同じものであるといえる。
　したがって、本件補正発明と引用発明とは、「上記第１および第２の機能素子はそれぞれ、ベース電極、エミッタ電極、およびコレクタ電極を備え」る点で一致する。
（３）第１のフレーム
　引用発明の「第２端子部材１１２」は、第１のＩＧＢＴ１２１のコレクタ電極１２１Ｆおよび第２ＩＧＢＴ１２２のエミッタ電極１２２Ｅに接合している。
　したがって、本件補正発明と引用発明とは、「上記第１の機能素子のいずれかの電極と、上記第２の機能素子のいずれかの電極とに直接接続する第１のフレーム」を備える点で一致する。
（４）樹脂パッケージ
　引用発明の「トランスファモールドパッケージ１４１」は、ＩＧＢＴ１２１，１２２を封止して、当該パッケージ１４１内に収容し、第１乃至第３端子部材１１１〜１１３の一方の部分１１１ａ〜１１３ａの側面及び先端面を覆うように形成されている。
　したがって、本件補正発明と引用発明とは、「上記第１および第２の機能素子を覆うとともに、上記第１のフレームの少なくとも一部を覆う樹脂パッケージ」を備える点で一致する。
　もっとも、「樹脂パッケージ」について、本件補正発明は、「実装面」を有するのに対し、引用発明は、「実装面」といえるものを有しない点で相違する。
（５）第２のフレーム
　引用発明の「第１端子部材１１１」は、第１ＩＧＢＴ１２１のエミッタ電極１２１Ｅに接合している。
　したがって、本件補正発明と引用発明とは、「上記第１の機能素子の上記エミッタ電極に接続された第２のフレーム」を備える点で一致する。
（６）端子
　引用発明の第１乃至第３端子部材１１１〜１１３の他方の部分１１１ｂ〜１１３ｂの少なくとも先端側部分（折り曲げ部分から遠い側の部分）は当該パッケージ１４１の外部に配置されている（引き出されている）。
　したがって、本件補正発明と引用発明とは、「上記第１のフレームの一部および上記第２のフレームからなり、露出する複数の端子」を備える点で一致する。
　もっとも、「露出する」態様について、本件補正発明は、「上記実装面内に」露出するのに対し、引用発明は、そのような態様とはいえない点で相違する。
（７）第１および第２機能素子の配置
　引用発明の２つのＩＧＢＴ１２１，１２２は積み重ねられ、２つのＩＧＢＴ１２１，１２２は端子部材１１２の部分１１２ａを介して対向している。
　したがって、本件補正発明と引用発明とは、「上記第１の機能素子と上記第２の機能素子とは、上記第１のフレームを挟んで対向するとともに、積層されて」いる点で一致する。
　もっとも、「積層される」方向について、本件補正発明は、「上記樹脂パッケージの上記実装面に対して直角である方向」であるのに対し、引用発明は、そのような方向とはいえない点で相違する。
（８）第１および第２機能素子と第１のフレームとの接続
　引用発明の「第１のＩＧＢＴ１２１のコレクタ電極１２１Ｆ」および「第２ＩＧＢＴ１２２のエミッタ電極１２２Ｅ」は、「第２端子部材１１２」に接合されている。
　したがって、本件補正発明と引用発明とは、「上記第１の機能素子の上記コレクタ電極と上記第２の機能素子の上記エミッタ電極とが、上記第１のフレームに直接接続されている」点で一致する。
（９）第１および第２のフレームの屈曲
　引用発明の「第１及び第２端子部材１１１，１１２」は、側面視上（又は断面視上）略Ｌ字型に折り曲げた形状をしている。そして、第１乃至第３端子部材１１１〜１１３の折り曲げ部分は、トランスファモールドパッケージ１４１の内部にある。
　したがって、本件補正発明と引用発明とは、「上記第１および第２のフレームは、いずれもが上記樹脂パッケージの内部において、屈曲して」いる点で一致する。
　もっとも、「屈曲する」方向について、本件補正発明は、「上記実装面に向けて」であるのに対し、引用発明は、そのような方向とはいえない点で相違する。
（１０）第１および第２のフレームの形状
　引用発明における「第１乃至第３端子部材１１１〜１１３」の素子配置部分１１１ａ〜１１３ａは必要に応じてエミッタ電極１２１Ｅ，１２２Ｅ，コレクタ電極１２１Ｆ，１２２Ｆ及びゲート電極１２１Ｇ，１２２Ｇの平面パターンに対応させてパターニングされているものの、「第１及び第２端子部材１１１，１１２は、いずれもが実装面に対して平面視Ｌ状に加工されている部分を有する」とまではいえない。
　したがって、本件補正発明と引用発明とは、「第１および第２のフレームの形状」について、本件補正発明は、「上記第１のフレームおよび上記第２のフレームは、いずれもが上記実装面に対して平面視Ｌ状に加工されている部分を有する」のに対し、引用発明は、そのような形状とはいえない点で相違する。
　そうすると、本件補正発明と引用発明とは、次の点で一致する。
＜一致点＞
「第１の機能素子と第２の機能素子とを備えたモジュールであって、
　上記第１および第２の機能素子はそれぞれ、ベース電極、エミッタ電極、およびコレクタ電極を備え、
　上記第１の機能素子のいずれかの電極と、上記第２の機能素子のいずれかの電極とに直接接続する第１のフレームと、
　上記第１および第２の機能素子を覆うとともに、上記第１のフレームの少なくとも一部を覆う樹脂パッケージと、
　上記第１の機能素子の上記エミッタ電極に接続された第２のフレームと、
　上記第１のフレームの一部および上記第２のフレームからなり、露出する複数の端子とを備えており、
　上記第１の機能素子と上記第２の機能素子とは、上記第１のフレームを挟んで対向するとともに、積層されており、
　上記第１の機能素子の上記コレクタ電極と上記第２の機能素子の上記エミッタ電極とが、上記第１のフレームに直接接続されているとともに、
　上記第１および第２のフレームは、いずれもが上記樹脂パッケージの内部において、屈曲している
　モジュール。」の点。
　そして、次の点で相違する。
＜相違点＞
（１）「樹脂パッケージ」について、本件補正発明は、「実装面」を有するのに対し、引用発明は、「実装面」といえるものを有しない点。
（２）端子が「露出する」態様について、本件補正発明は、「上記実装面内に」露出するのに対し、引用発明は、そのような態様とはいえない点。
（３）第１および第２機能素子が「積層される」方向について、本件補正発明は、「上記樹脂パッケージの上記実装面に対して直角である方向」であるのに対し、引用発明は、そのような方向とはいえない点。
（４）第１および第２のフレームが「屈曲する」方向について、本件補正発明は、「上記実装面に向けて」であるのに対し、引用発明は、そのような方向とはいえない点。
（５）「第１および第２のフレームの形状」について、本件補正発明は、「上記第１のフレームおよび上記第２のフレームは、いずれもが上記実装面に対して平面視Ｌ状に加工されている部分を有する」のに対し、引用発明は、そのような形状とはいえない点。
４．判断
　そこで、上記相違点について検討する。
相違点（１）、（２）について
　実装面を有するパッケージと、当該実装面内に露出する複数の端子とを備えるモジュールは周知である（例えば、特開２０００−２４３８８７号公報、特開２００４−２６６０９６号公報、特開２００６−６６８１３号公報参照）。
　かかる知見を有する当業者であれば、引用発明において、第１乃至第３端子部材１１１〜１１３の他方の部分１１１ｂ〜１１３ｂが引き出されているトランスファモールドパッケージ１４１の面（引用例１の図６におけるトランスファモールドパッケージ１４１の上面）が実装面となるように第１乃至第３端子部材１１１〜１１３の形状を変更して、第１乃至第３端子部材１１１〜１１３それぞれの少なくとも一部を当該実装面内に露出する複数の端子とすることは、容易に想到し得る。
相違点（３）、（４）について
　上記「相違点（１）、（２）について」のとおり、引用例１の図６におけるトランスファモールドパッケージ１４１の上面を実装面とした場合、第１及び第２ＩＧＢＴ１２１，１２２が「積層される」方向は、おのずと、実装面に対して直角である方向となり、第１及び第２端子部材１１１，１１２が「屈曲する」方向は、おのずと、実装面に向けてとなる。よって、相違点（３）、（４）は容易に想到し得る。
相違点（５）について
　引用例２には、ソースリードとゲートリードとがＬ字状の溝を介して分離され、ソースリード４はＬ字状パターンになっている半導体装置が記載されている。
　かかる知見に接した当業者であれば、引用発明において、エミッタリードとして機能する第１及び第２端子部材１１１，１１２を、トランスファモールドパッケージ１４１の上面に対して平面視Ｌ字状パターンとすることは、容易に想到し得る。
　効果についてみても、上記構成の変更に伴って当然に予測される程度のことであって、格別顕著なものがあるとは認められない。
　したがって、本件補正発明は、引用例１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
５．本件補正についてのむすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成２６年５月７日付けの手続補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし５に係る発明は、平成２４年１１月１６日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記「第２［理由］１．」に本件補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
２．引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例及びその記載事項は、上記「第２［理由］２．」に記載したとおりである。
３．対比・判断
　本願発明は、上記「第２［理由］３．及び４．」で検討した本件補正発明から、発明特定事項である「フレーム」について「上記第１の機能素子の上記エミッタ電極に接続された第２のフレーム」を備え、「上記第１および第２のフレームは、いずれもが上記樹脂パッケージの内部において、上記実装面に向けて屈曲しており、上記第１のフレームおよび上記第２のフレームは、いずれもが上記実装面に対して平面視Ｌ状に加工されている部分を有する」との限定を削除し、「端子」について上記第１のフレームの一部「および上記第２のフレーム」からなり、上記実装面「内」に露出する「複数の」端子を備えるとの限定を削除したものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本件補正発明が、上記「第２［理由］３．及び４．」に記載したとおり、引用例１、２に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により（ただし、本件補正発明と引用発明との対比における相違点（５）は、本件補正により追加された構成に基づくものであって、本願発明と引用発明との対比においては相違点とはならないから、引用例２を引用しない）、引用例１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。