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　特願２００８−５４１７７５「微小電気機械素子を作製する方法及び微小電気機械素子」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　５月３１日国際公開、ＷＯ２００７／０６０２８９、平成２１年　４月２３日国内公表、特表２００９−５１６５９７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本件補正 
　本件出願は、２００６年１１月２１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００５年１１月２３日、フィンランド、２００６年５月９日、アメリカ合衆国、２００６年７月７日、フィンランド）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。 
　平成２３年１１月９日付け　：拒絶理由の通知 
　平成２４年５月１４日　　　：意見書及び手続補正書の提出
　平成２４年１０月２６日付け：拒絶理由の通知 
　平成２５年４月２２日　　　：意見書及び手続補正書の提出
　平成２５年９月９日付け　　：拒絶査定 
　平成２６年１月１５日　　　：審判請求書及び手続補正書の提出 
 　 
　審判請求と同時にした手続補正（以下「本件補正」という）は、本件補正前の特許請求の範囲の請求項２ないし１００を削除するものである。 
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第１号に規定される「請求項の削除」を目的とするものに該当し、適法な補正である。 
 　 
第２　本願発明 
　本件出願の請求項１に係る発明は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、次のとおりのものである。 
「微小電気機械チップ部（４６）、（６０）の表面を、カバー部（２４）、（２８）、（３３）、（４１）、（４７）、（４８）で封止し、該カバー部（２４）、（２８）、（３３）、（４１）、（４７）、（４８）には、該カバー部（２４）、（２８）、（３３）、（４１）、（４７）、（４８）を通して電気的に接続する導線構造を含む、微小電気機械素子を作製する方法であって、該方法は、
　−前記カバー部（２４）、（２８）、（３３）、（４１）、（４７）、（４８）で封止された前記微小電気機械チップ部（４６）、（６０）の上に、少なくとも１つの電子回路部（６３）、（７８）、（８３）を、前記微小電気機械チップ部（４６）、（６０）、前記カバー部（２４）、（２８）、（３３）、（４１）、（４７）、（４８）、少なくとも１つの電子回路部（６３）、（７８）、（８３）が層状となるように配置すること、
　−少なくとも１つの電子回路部（６３）、（７８）、（８３）夫々の上に、回路ウエハを被覆する誘電体層（６５）、（７９）、（８４）を作製し、該カバー部又は既に固着した電子回路部（７８）の外部接触領域（４９〜５２）、（５３）、（５５）、（５７）、（５９）、（６１）、（８１）から、該電子回路部（６３）、（７８）、（８３）まで延在する導線（６６）、（６７）、（８０）、（８１）、（８５）、（８６）を、該回路ウエハを被覆する誘電体層（６５）、（７９）、（８４）内に垂直に、かつ誘電体層（６５）、（７９）、（８４）の表面に作製すること、及び
　−接合部材（７３〜７７）、（９２〜９６）を、前記微小電気機械素子を外部接続させるために、最も上側の電子回路部（６３）、（８３）の表面上に作製すること、
−前記カバー部（２４）、（２８）、（３３）、（４１）、（４７）、（４８）内を上下に貫通した導電性領域（２９〜３１）を形成し、前記導電性領域（２９〜３１）を前記微小電気機械チップ部（４６）、（６０）の表面と電気的に接続することを含むことを特徴とする方法。」（以下「本願発明」という） 
 　 
第３　刊行物 
１　刊行物の記載及び刊行物に記載された発明 
　原査定の拒絶の理由に引用された本件出願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００４−３９８６８号公報（以下「刊行物」という）には、次の事項が記載されている（なお、下線は理解の便のため当審が付した）。 
 　 
ア　「【請求項１】
主面上に導体パターンが形成されるとともに、１個以上の素子体が実装された第１の有機基板と、
上記第１の有機基板との接合面に上記素子体の実装領域に対応して凹陥部が形成された第２の有機基板とを備え、
上記第１の有機基板に対して上記第２の有機基板を接合した状態において上記凹陥部により上記素子体を封装する素子体収納空間部が構成される
 　 
イ　「【００１８】
したがって、本発明は、素子のパッケージ化を不要として小型化と低コスト化とともに信頼性の向上を図るモジュール基板装置及びその製造方法を提供することを目的に提案されたものである。また、本発明は、異なる周波数帯域での互換性を可能とするＭＥＭＳスイッチや樹脂封装により特性が劣化する素子を備え、これら素子の特性と信頼性の向上を図りかつ小型化と低コスト化を図ったマルチバンド対応機能化の高周波モジュール及びその製造方法を提供することを目的に提案されたものである。」 
 　 
ウ　「【００３４】
両面基板１１には、例えばフリップチップ法によるＭＥＭＳスイッチ実装工程が施されて、図３に示すように第１の配線パターン１１ｂの所定位置にＭＥＭＳスイッチ７が実装される。ＭＥＭＳスイッチ７は、基本的な構成を上述したＭＥＭＳスイッチパッケージ１３０と同様に構成されるが、図４に示すように絶縁カバー１３１やシリコンカバー１４０を有しないいわゆるベア状態で用いられる。したがって、ＭＥＭＳスイッチ７は、ＭＥＭＳスイッチパッケージ１３０と比較して全体が薄型に構成される。
【００３５】
ＭＥＭＳスイッチ７は、図４に示すようにシリコン基板１５上に第１の固定接点１６と、第２の固定接点１７と、第３の固定接点１８とが形成され、第１の固定接点１６に対して薄板状でかつ可撓性を有する可動接点片１９が片持ち支持されている。ＭＥＭＳスイッチ７には、シリコン基板１５に第１の固定接点１６や第３の固定接点１８と一体にそれぞれ接続パッド１６ａ、１８ａが形成されている。ＭＥＭＳスイッチ７は、可動接点片１９が自由端を第３の固定接点１８と対向されるとともに、第２の固定接点１７と対向する部位に電極２０が設けられている。
【００３６】
ＭＥＭＳスイッチ実装工程においては、図４鎖線で示すようにＭＥＭＳスイッチ７の第１の固定接点１６や第３の固定接点１８の接続パッド１６ａ、１８ａ上にそれぞれ金ボールバンプ２１を形成する。ＭＥＭＳスイッチ実装工程においては、詳細を省略するが両面基板１１の第１の配線パターン１１ｂに形成した接続パッド上にニッケル−金めっきを施して電極形成を行う。なお、電極は、ニッケル層の厚みが４ｕｍ乃至５ｕｍ、金層の厚みが０．３ｕｍ以上に形成される。
【００３７】
ＭＥＭＳスイッチ実装工程においては、ＭＥＭＳスイッチ７が両面基板１１に対して、シリコン基板１５を上側にして金ボールバンプ２１によって対向間隔を保持された状態で位置決め載置される。
【００３８】
両面基板１１には、ＭＥＭＳスイッチ７を実装した主面上に有機絶縁ブロック体１２を接合する接合工程が施される。有機絶縁ブロック体１２も、低誘電率かつ低Ｔａｎδ特性、すなわち良好な高周波特性を有するとともに耐熱性や耐薬品性或いは耐湿性に優れた熱可塑性合成樹脂、例えばポリオレフィン系樹脂、液晶ポリマ（ＬＣＰ）或いはポリフェニールエチレン（ＰＰＥ）等によって成形されてなる。また、有機絶縁ブロック体１２は、その他の一般的な基板材料、例えばフェノール樹脂、ビスマレイドトリアジン（ＢＴ−ｒｅｓｉｎ）、ポリイミド、ポリテトラフルオロエチレン、ポリノルボルネン（ＰＮＢ）、ガラスエポキシ、セラミック或いはセラミックと有機基材の混合体等も用いられる。有機絶縁ブロック体１２は、両面基板１１の全面を被覆するに足る外形とＭＥＭＳスイッチ７の高さよりもやや大きな厚みを有する矩形ブロックを呈している。
【００３９】
有機絶縁ブロック体１２には、両面基板１１との接合面１２ｃに、ＭＥＭＳスイッチ７を被覆するに足る開口形状を有する凹陥部２２が形成されている。凹陥部２２には、金属シールド層２３が成膜形成されることにより、後述するようにＭＥＭＳスイッチ７を被覆した状態において耐湿性や気密性が保持されるように構成されている。
 　 
エ　「【００４３】
有機絶縁ブロック体１２には、配線形成工程が施されて主面１２ｄ上に所定の配線パターン１２ａが形成されるとともに、両面基板１１の第１の配線パターン１１ｂとの接続を図るビア１２ｂが形成される。
オ 「【００４８】
高周波回路部４は、図１に示すように第１の誘電絶縁層２７と、第１の配線層２８と、第２の誘電絶縁層２９と、第２の配線層３０と、この第２の配線層３０を被覆保護する保護層３１の５層構造からなる。高周波回路部形成工程は、高周波回路部４が多層に構成される場合に、誘電絶縁層形成工程と配線層形成工程とが必要な回数を繰り返される。
【００４９】
高周波回路部４は、第１の配線層２８が、ビア３２を介してベース基板部２側の第１の配線パターン１１ｂと層間接続されてなる。高周波回路部４は、第１の配線層２８と第２の配線層３０とが、ビア３３を介して層間接続されてなる。高周波回路部４には、第１の配線層２８内にキャパシタ素子８とレジスタ素子９が成膜形成されている。高周波回路部４には、第２の配線層３０内にインダクタ素子１０が成膜形成されている。なお、高周波回路部４は、必要に応じて表面に図示しないシールドカバーが組み付けられて電磁ノイズの影響が排除される。」
カ「【００６４】
以上の工程を経て
ベース基板部２上に積層形成された高周波回路部４には、電極３０ａにより保護層３１上に高周波ＩＣ５やチップ部品６がフリップチップ法等の適宜の表面実装法により実装される。実装工程は、高周波ＩＣ５やチップ部品６に詳細を省略するそれぞれの接続パッドに金バンプ４１が設けられており、印刷法等によって電極３０ａ上にはんだを供給された高周波回路部４に対して位置決めされて載置される。
キ　上記摘記事項ウの「有機絶縁ブロック体１２には、両面基板１１との接合面１２ｃに、ＭＥＭＳスイッチ７を被覆するに足る開口形状を有する凹陥部２２が形成されている。凹陥部２２には、金属シールド層２３が成膜形成されることにより、後述するようにＭＥＭＳスイッチ７を被覆した状態において耐湿性や気密性が保持されるように構成されている。」との記載及び上記摘記事項アの「上記第１の有機基板に対して上記第２の有機基板を接合した状態において上記凹陥部により上記素子体を封装する素子体収納空間部が構成される」との記載から、「ＭＥＭＳスイッチ７及び両面基板１１は、その表面を有機絶縁ブロック体１２で封止」されていることが理解できる。
　また、上記摘記事項エの「有機絶縁ブロック体１２には、配線形成工程が施されて主面１２ｄ上に所定の配線パターン１２ａが形成されるとともに、両面基板１１の第１の配線パターン１１ｂとの接続を図るビア１２ｂが形成される」との記載から、「有機絶縁ブロック体１２には、有機絶縁ブロック体１２を通して電気的に接続する導線構造を含む」構成となっていることも理解できる。 
 　 
ク　図１から、有機絶縁ブロック体１２で封止されたＭＥＭＳスイッチ７及び両面基板１１の上に、キャパシタ素子８、レジスタ素子９、インダクタ素子１０に配置されている点が看取される。また、図１から、刊行物には、「キャパシタ素子８、レジスタ素子９夫々の上に、回路ウエハを被覆する第１の誘電絶縁層２７、第２の誘電絶縁層２９を作製し、該有機絶縁ブロック体１２又は既に固着したキャパシタ素子８、レジスタ素子９、インダクタ素子１０の配電層２８，３０から、該キャパシタ素子８、レジスタ素子９、インダクタ素子１０まで延在する配電層２８，３０を、該回路ウエハを被覆する第１の誘電絶縁層２７、第２の誘電絶縁層２９内に垂直に、かつ第１の誘電絶縁層２７、第２の誘電絶縁層２９の表面に作製する」点が看取される。
　また、上記摘記事項カの「ベース基板部２上に積層形成された高周波回路部４には、電極３０ａにより保護層３１上に高周波ＩＣ５やチップ部品６がフリップチップ法等の適宜の表面実装法により実装される。実装工程は、高周波ＩＣ５やチップ部品６に詳細を省略するそれぞれの接続パッドに金バンプ４１が設けられており、印刷法等によって電極３０ａ上にはんだを供給された高周波回路部４に対して位置決めされて載置される。」との記載及び図１から、「電極３０ａを、高周波ＩＣ５やチップ部品６に接続させるために、最も上側のインダクタ素子１０の表面の上に作成する」点も刊行物に記載されているということができる。図１及び技術常識から、電極３０ａは、ＭＥＭＳスイッチ７及び両面基板１１を外部接続させることができると認められる。
　さらに、上記摘記事項エの「有機絶縁ブロック体１２には、配線形成工程が施されて主面１２ｄ上に所定の配線パターン１２ａが形成されるとともに、両面基板１１の第１の配線パターン１１ｂとの接続を図るビア１２ｂが形成される」との記載から、刊行物には、「有機絶縁ブロック体１２内を上下に貫通したビア１２ｂを形成し、前記ビア１２ｂをＭＥＭＳスイッチ７が実装された両面基板１１の表面と電気的に接続することを含む」ものが記載されていることが理解できる。 
 
 　 
 ケ　そうすると、上記摘記事項アないしカ並びに認定事項キ及びクから、刊行物には、以下の発明が記載されていると認められる。 
 「ＭＥＭＳスイッチが実装された両面基板の表面を、有機絶縁ブロック体で封止し、該有機絶縁ブロック体には、該有機絶縁ブロック体を通して電気的に接続する導線構造を含む、高周波モジュールを作製する方法であって、該方法は、
　−前記有機絶縁ブロック体で封止された前記ＭＥＭＳスイッチが実装された両面基板の上に、少なくとも１つのキャパシタ素子、レジスタ素子、インダクタ素子を配置すること、
　−少なくとも１つのキャパシタ素子、レジスタ素子、インダクタ素子夫々の上に、回路ウエハを被覆する誘電絶縁層を作製し、該有機絶縁ブロック体又は既に固着したキャパシタ素子、レジスタ素子、インダクタ素子の外部接触領域から、該キャパシタ素子、レジスタ素子、インダクタ素子まで延在する配電層を、該回路ウエハを被覆する誘電絶縁層内に垂直に、かつ誘電絶縁層の表面に作製すること、及び
　−電極を、前記ＭＥＭＳスイッチが実装された両面基板を外部接続させるために、最も上側のインダクタ素子の表面上に作製すること、
　−前記有機絶縁ブロック体内を上下に貫通したビアを形成し、前記ビアを前記ＭＥＭＳスイッチが実装された両面基板の表面と電気的に接続することを含む方法。」（以下「刊行物発明」という） 
 　 
第４　対比・判断
１　対比
 　本願発明と刊行物発明とを対比すると、刊行物発明の「有機絶縁ブロック体」、「誘電絶縁層」、「配電層」、「電極」及び「ビア」は、それぞれ本願発明の「カバー部」、「誘電体層」、「導線」、「接合部材」及び「導電性領域」に相当するものである。 
　半導体分野において素子を回路で実現することは常套手段であるから、刊行物発明の、「キャパシタ素子、レジスタ素子、インダクタ素子」は、本願の「電子回路部」に相当する。
　また、刊行物発明の「高周波モジュール」は、ＭＥＭＳスイッチが内部に実装された素子であるといえるから、本願発明の「微小電気機械素子」に相当する。
　上記摘記事項イの「ＭＥＭＳスイッチ実装工程においては、詳細を省略するが両面基板１１の第１の配線パターン１１ｂに形成した接続パッド上にニッケル−金めっきを施して電極形成を行う。」及び「ＭＥＭＳスイッチ実装工程においては、ＭＥＭＳスイッチ７が両面基板１１に対して、シリコン基板１５を上側にして金ボールバンプ２１によって対向間隔を保持された状態で位置決め載置される。ＭＥＭＳスイッチ実装工程においては、例えば両面基板１１を８０℃乃至１２０℃程度に加熱した状態で金ボールバンプ２１を数十ｇ程度に加圧しながら超音波を印加することにより、両面基板１１上にＭＥＭＳスイッチ７を実装する。」との記載並びに摘記事項エの「有機絶縁ブロック体１２には、配線形成工程が施されて主面１２ｄ上に所定の配線パターン１２ａが形成されるとともに、両面基板１１の第１の配線パターン１１ｂとの接続を図るビア１２ｂが形成される。」との記載からみて、刊行物に記載されたＭＥＭＳスイッチ７の出力が両面基板１１を介して有機絶縁ブロック体１２に形成されたビア１２ｂへ供給されるから、ＭＥＭＳスイッチが実装された両面基板は、本願発明の「微小電気機械チップ部」であると認められる。 
 　 
 　そうすると、本願発明と刊行物発明とは、以下の点で一致する。 
 ＜一致点＞ 
 「微小電気機械チップ部の表面を、カバー部で封止し、該カバー部には、該カバー部を通して電気的に接続する導線構造を含む、微小電気機械素子を作製する方法であって、該方法は、
　−前記カバー部で封止された前記微小電気機械チップ部の上に、少なくとも１つの電子回路部を配置すること、
　−少なくとも１つの電子回路部夫々の上に、回路ウエハを被覆する誘電体層を作製し、該カバー部又は既に固着した電子回路部の外部接触領域から、該電子回路部まで延在する導線を、該回路ウエハを被覆する誘電体層内に垂直に、かつ誘電体層の表面に作製すること、及び
　−接合部材を、前記微小電気機械素子を外部接続させるために、最も上側の電子回路部の表面上に作製すること、
　−前記カバー部内を上下に貫通した導電性領域を形成し、前記導電性領域を前記微小電気機械チップ部の表面と電気的に接続することを含むことを特徴とする方法。」 
 　 
 　そして、本願発明は、以下の点で刊行物発明と相違する。 
 ＜相違点＞ 
 　本願発明は、微小電気機械チップ部、カバー部、少なくとも１つの電子回路部が層状に配置されているのに対し、刊行物発明の、ＭＥＭＳスイッチが実装された両面基板、有機絶縁ブロック体、キャパシタ素子、レジスタ素子、インダクタ素子が、層状に配置されたものであるか否か不明な点で相違する。
 　 
２　相違点に対する判断 
 　上記相違点について検討する。 
 　刊行物発明は、「前記有機絶縁ブロック体で封止された前記ＭＥＭＳスイッチが実装された両面基板の上に、少なくとも１つのキャパシタ素子、レジスタ素子、インダクタ素子を配置すること」であるから、ＭＥＭＳスイッチ７が実装された両面基板１１、有機絶縁ブロック体１２、キャパシタ素子、レジスタ素子、インダクタ素子は、上下にかさなって配置されている。一方、層状とは、層をなした形、かさなったさまをいうのだから、刊行物発明の上記構成から、ＭＥＭＳスイッチが実装された両面基板１１、有機絶縁ブロック体１２、キャパシタ素子、レジスタ素子、インダクタ素子を層状とすることは当業者が容易に想到し得た事項である。 
　そして、本願発明により得られる作用効果も、刊行物発明から予測しうる範囲のものであって格別なものとはいえない。
 　したがって、本願発明は、刊行物発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。 
 　
第５　むすび 
 　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないから、本件出願は拒絶をすべきものである。 
 　よって、結論のとおり審決する。