【事件の表示】
　特願２０１３−　４６９６０「パワーモジュール用基板、ヒートシンク付パワーモジュール用基板及びパワーモジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１１月　７日出願公開、特開２０１３−２２９５７９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２５年３月８日（優先権主張　平成２４年３月３０日）の出願であって、平成２５年１０月２８日付けで手続補正がなされ、平成２６年１月８日付け拒絶理由通知に対する応答時、同年３月１４日付けで意見書が提出されたが、同年６月４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年９月３日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１ないし４に係る発明は、平成２５年１０月２８日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「【請求項１】
　絶縁基板と、該絶縁基板の一方の面に形成された回路層と、前記絶縁基板の他方の面に形成された金属層と、を備えたパワーモジュール用基板であって、
　前記回路層は、無酸素銅又は６Ｎ−Ｃｕで構成され、この回路層の一方の面が、電子部品が搭載される搭載面とされており、
　前記金属層は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム板が接合されて構成されており、
　前記回路層の厚さｔ１が、０．１ｍｍ≦ｔ１≦０．６ｍｍの範囲内とされ、
　前記金属層の厚さｔ２が、０．５ｍｍ≦ｔ２≦６ｍｍの範囲内とされ、
　前記回路層の厚さｔ１と前記金属層の厚さｔ２との関係が、ｔ２／ｔ１≧４．０とされていることを特徴とするパワーモジュール用基板。」
　
３．引用例
３−１．引用例１
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された特開２０１２−６４８０１号公報（公開日：平成２４年３月２９日。以下、「引用例１」という。）には、「ヒートシンク付パワーモジュール用基板」について、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した）。
（１）「【請求項１】
  
セラミックス基板と、該セラミックス基板の一方の面に接合された第一の金属板と、前記セラミックス基板の他方の面に接合された第二の金属板と、該第二の金属板の他方の面側に接合されたヒートシンクと、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板であって
  
前記第一の金属板は、銅又は銅合金で構成され、この第一の金属板の一方の面が電子部品が搭載される搭載面とされており
  
前記第二の金属板は、
アルミニウムで構成されて
  前記ヒートシンクは、耐力が１００Ｎ／ｍｍ２以上の金属材料で構成され、その厚さが２ｍｍ以上とされて
いることを特徴とするヒートシンク付パワーモジュール用基板
　
（２）「【０００７】
  ところで、特許文献１に記載されたヒートシンク付パワーモジュール用基板においては、
アルミニウム製のヒートシンクとセラミックス基板との間に銅板が配設されていることから、ヒートシンクとセラミックス基板との熱膨張係数の差に起因する熱歪みを、この銅板において十分に緩和することができず、熱サイクル負荷時にセラミックス基板に割れ等が生じやすいといった問題があった
  なお、特許文献１には、ヒートシンクと第二の金属板との間に介在する有機系耐熱性接着剤によって熱歪みを緩和することが記載されているが、この有機系耐熱性接着剤が介在することで熱抵抗が高くなるため、第一の金属板の上に搭載された電気部品等の発熱体からの熱をヒートシンク側に効率的に放散することができないといった問題があった。
【０００８】
  また、特許文献２に記載されたヒートシンク付パワーモジュール用基板においては、第一の金属板としてアルミニウム板が用いられている。
  ここで、
銅とアルミニウムとを比較するとアルミニウムの方が熱伝導率が低いため、第一の金属板としてアルミニウム板を用いた場合には、第一の金属板の上に搭載された電気部品等の発熱体からの熱を拡げて放散することが銅よりも劣ることになる。このため、電子部品の小型化や高出力化により、パワー密度が上昇した場合には、熱を十分に放散することができなくなるおそれがあった
（３）「【００２９】
  本発明によれば、
第一の金属板の上に搭載された電子部品等の発熱体からの熱の放散を促進することができ、かつ、熱サイクル負荷時におけるセラミックス基板の割れの発生を抑制
  
（４）「【００３１】
  以下に、本発明の実施形態について添付した図面を参照して説明する。
  図１に本発明の
第１の実施形態
  このパワーモジュール１は、ヒートシンク付パワーモジュール用基板１０と、このヒートシンク付パワーモジュール用基板１０の搭載面２２Ａ上にはんだ層２を介して接合された半導体チップ３（電子部品）と、を備えている。ここで、はんだ層２は、例えばＳｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｉｎ系、若しくはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のはんだ材とされている。なお、本実施形態では、搭載面２２Ａとはんだ層２との間にＮｉメッキ層（図示なし）が設けられている。
【００３２】
  
ヒートシンク付パワーモジュール用基板１０は、セラミックス基板２１と、このセラミックス基板２１の一方の面（図１において上面）に接合された第一の金属板２２と、セラミックス基板２１の他方の面（図１において下面）に接合された第二の金属板２３と、からなるパワーモジュール用基板２０と、ヒートシンク１１と、を備えている
【００３３】
  
セラミックス基板２１は
絶縁性の高いＡｌ
２
Ｏ
３
（アルミナ）で構成されている
【００３４】
  
第一の金属板２２は、銅又は銅合金で構成されており、本実施形態では、タフピッチ銅
とされている。また、その板厚は０．１〜１．０ｍｍの範囲内に設定されており、本実施形態では、０．６ｍｍに設定されている
  この第一の金属板２２には、回路パターンが形成されており、その一方の面（図１において上面）が、半導体チップ３が搭載される搭載面２２Ａとされている。
【００３５】
  
第二の金属板２３は
アルミニウムで構成されており
その板厚は０．６〜６ｍｍの範囲内に設定されており、本実施形態では、２．０ｍｍに設定されている
　
（５）「【００５２】
  以上のような構成とされた本実施形態であるヒートシンク付パワーモジュール用基板１０によれば、
半導体チップ３が搭載される搭載面２２Ａを有する第一の金属板２２が、タフピッチ銅で構成されているので、半導体チップ３から発生する熱を十分に拡げることができ、この熱の放散を促進することができる
　　　　　　　　・・・・・（中　略）・・・・・
【００５４】
  さらに、
ヒートシンク１１の天板部１２とセラミックス基板２１との間に
アルミニウム（本実施形態では、純度９９．９９％以上の純アルミニウム）からなる第二の金属板２３が配設されているので、ヒートシンク１１の天板部１２の剛性が高くても、ヒートシンク１１の天板部１２とセラミックス基板２１との熱膨張係数の差に起因する熱歪みをこの第二の金属板２３で十分に緩和することができ、セラミックス基板２１の割れの発生を抑制することができる
第二の金属層の厚さを０．６〜６ｍｍの範囲内としていることから、確実に熱歪みを吸収することができる
　
（６）「【００６４】
  次に、本発明の
第２の実施形態
  図９に示すパワーモジュール１０１は、ヒートシンク付パワーモジュール用基板１１０と、このヒートシンク付パワーモジュール用基板１１０の搭載面１２２Ａ上にはんだ層２を介して接合された半導体チップ３（電子部品）と、を備えている。ここで、はんだ層２は、例えばＳｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｉｎ系、若しくはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のはんだ材とされている。なお、本実施形態では、搭載面１２２Ａとはんだ層２との間にＮｉメッキ層（図示なし）が設けられている。
【００６５】
  
ヒートシンク付パワーモジュール用基板１１０は、セラミックス基板１２１と、このセラミックス基板１２１の一方の面（図９において上面）に接合された第一の金属板１２２と、セラミックス基板１２１の他方の面（図９において下面）に接合された第二の金属板１２３と、からなるパワーモジュール用基板１２０と、ヒートシンク１１１と、を備えてい
【００６６】
  
セラミックス基板１２１は
絶縁性の高いＡｌＮ（窒化アルミ）で構成されている
【００６７】
  
第一の金属板１２２は、銅又は銅合金で構成されており、本実施形態では、タフピッチ銅
とされている。また、その板厚は０．１  〜１．０ｍｍの範囲内に設定されており、本実施形態では、０．６  ｍｍに設定されている
  この第一の金属板１２２には、回路パターンが形成されており、その一方の面（図９において上面）が、半導体チップ３が搭載される搭載面１２２Ａとされている。
【００６８】
  ここで、セラミックス基板１２１と第一の金属板１２２との界面には、図１０に示すように、Ａｌ２Ｏ３層１２５が形成されている。本実施形態では、このＡｌ２Ｏ３層１２５の厚さは、１μｍ以上とされている。
【００６９】
  
第二の金属板１２３は
アルミニウムで構成されており
その板厚は０．６〜６ｍｍの範囲内に設定されており、本実施形態では、２．０ｍｍに設定されている
（７）「【００９０】
  次に、本発明の
第３の実施形態
  図１６に示すパワーモジュール２０１は、ヒートシンク付パワーモジュール用基板２１０と、このヒートシンク付パワーモジュール用基板２１０の搭載面２２２Ａ上にはんだ層２を介して接合された半導体チップ３（電子部品）と、を備えている。ここで、はんだ層２は、例えばＳｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｉｎ系、若しくはＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ系のはんだ材とされている。なお、本実施形態では、搭載面２２２Ａとはんだ層２との間にＮｉメッキ層（図示なし）が設けられている。
【００９１】
  
ヒートシンク付パワーモジュール用基板２１０は、セラミックス基板２２１と、このセラミックス基板２２１の一方の面（図１６において上面）に接合された第一の金属板２２２と、セラミックス基板２２１の他方の面（図１６において下面）に接合された第二の金属板２２３とを備えたパワーモジュール用基板２２０と、ヒートシンク２１１と、を備えている
【００９２】
  
セラミックス基板２２１は
絶縁性の高いＳｉ
３
Ｎ
４
（窒化ケイ素）で構成されている
【００９３】
  
第一の金属板２２２は、銅又は銅合金で構成されており、本実施形態では、タフピッチ銅
とされている。また、その板厚は０．１〜１．０ｍｍの範囲内に設定されており、本実施形態では、０．６ｍｍに設定されている
  この第一の金属板２２２には、回路パターンが形成されており、その一方の面（図１６において上面）が、半導体チップ３が搭載される搭載面２２２Ａとされている。
【００９４】
  
第二の金属板２２３は
アルミニウムで構成されており
その板厚は０．６〜６ｍｍの範囲内に設定されており、本実施形態では、２．０ｍｍに設定されている
　
　・上記引用例１に記載の「ヒートシンク付パワーモジュール用基板」は、上記（１）、（４）の段落【００３２】、（６）の段落【００６５】、（７）の段落【００９１】の記載事項、及び図１、図９、図１６によれば、セラミックス基板と、該セラミックス基板の一方の面に接合された第一の金属板と、前記セラミックス基板の他方の面に接合された第二の金属板と、からなるパワーモジュール用基板と、前記第二の金属板の他方の面側に接合されたヒートシンクと、を備えたヒートシンク付パワーモジュール用基板であって、前記第一の金属板は、銅又は銅合金で構成され、この第一の金属板の一方の面が電子部品が搭載される搭載面とされており、前記第二の金属板は、アルミニウムで構成されているヒートシンク付パワーモジュール用基板に関するものである。
　・上記（４）、（６）、（７）の記載事項によれば、
　 (a)セラミック基板は、絶縁性の高いＡｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４のいずれかで構成され、
　 (b)銅又は銅合金で構成される第一の金属板は、具体例としてはタフピッチ銅であり、その板厚は０．１〜１．０ｍｍの範囲内に設定され、具体例では０．６ｍｍであり、
　 (c)アルミニウムで構成される第二の金属板は、その板厚は０．６〜６ｍｍの範囲内に設定され、具体例では２．０ｍｍである。
　・上記（２）の段落【０００８】、（３）、（５）の段落【００５２】の記載事項によれば、電子部品（半導体チップ）が搭載される第一の金属板として銅を用いたことにより、電子部品から発生する熱を十分に拡げることができ、熱の放散を促進することができ、
　また、上記（２）の段落【０００７】、（３）、（５）の段落【００５４】の記載事項によれば、ヒートシンクが接合される第二の金属板としてアルミニウムを用いたことにより、ヒートシンクとセラミック基板との熱膨張係数の差に起因する熱歪みを十分に緩和することができ、セラミック基板の割れの発生を抑制することができるものである。
　したがって、ヒートシンク付パワーモジュール用基板からヒートシンクを除いた「パワーモジュール用基板」に着目し、上記記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 
「絶縁性の高いＡｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４のいずれかで構成されたセラミックス基板と、該セラミックス基板の一方の面に接合された第一の金属板と、前記セラミックス基板の他方の面に接合された第二の金属板と、を備えたパワーモジュール用基板であって、
　前記第一の金属板は、その一方の面が電子部品が搭載される搭載面とされ、当該電子部品から発生する熱を十分に拡げることができ、熱の放散を促進することができるように銅又は銅合金（具体例としてはタフピッチ銅）で構成されており、
　前記第二の金属板は、その他方の面側にヒートシンクが接合されるものであって、ヒートシンクとセラミック基板との熱膨張係数の差に起因する熱歪みを十分に緩和することができ、セラミック基板の割れの発生を抑制することができるようにアルミニウムで構成されており、
　前記第一の金属板の板厚は、０．１〜１．０ｍｍの範囲内（具体例では０．６ｍｍ）に設定され、
　前記第二の金属板の板厚は、０．６〜６ｍｍの範囲内（具体例では２．０ｍｍ）に設定される、パワーモジュール用基板。」
　
３−２．引用例２
　同じく原査定の拒絶の理由に引用された特開２００４−２２１５４７号公報（以下、「引用例２」という。）には、「パワーモジュール用基板」について、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した）。
（１）「【０００７】
  本発明は、上記のような課題を解決するために、以下のような手段を採用している。
  即ち、請求項１に係る発明は、純度が９９．９９９％以上のＣｕ回路層とセラミック層とを少なくとも有する熱伝導複層基板ことを特徴とする。
  この発明に係る熱伝導複層基板によれば、
Ｃｕ回路層が９９．９９９％以上の純胴により構成されていることから、温度サイクルが繰り返し作用されたとしても、Ｃｕ回路層に再結晶が生じることになり、Ｃｕ回路内に生じた内部応力が消滅することになり、セラミックス層とＣｕ回路層とにクラック等が生じ難いことになる
　
（２）「【００１９】
  以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。
  図１には、本発明によるパワーモジュール用基板の一実施の形態が示されていて、この
パワーモジュール用基板１は、絶縁基板２と、絶縁基板２の一方の面に積層される回路層３と
回路層３に搭載される半導体チップ５と
を備えている
【００２０】
  
絶縁基板２は、例えばＡｌＮ、Ａｌ
2
Ｏ
3
、Ｓｉ
3
Ｎ
4
、ＳｉＣ等により
形成されるものであって、その上面
に回路層３
が
積層接着される
　　　　　　　　・・・・・（中　略）・・・・・
【００２２】
  回路層３及び金属層４は、純度９９．９９９％以上のＣｕ（５Ｎ−Ｃｕ）から構成される。５Ｎ−Ｃｕは、再結晶温度がＲＴ（室温）〜１５０℃の特性を有する。従って、−４０〜１２５℃の温度サイクルで繰り返し使用しても、内部応力が蓄積するようなことはなく、温度サイクルの高温側での加工硬化を抑制することができる。
【００２３】
  
回路層３
は、純度９９．９９９９％以上のＣｕ（６Ｎ−Ｃｕ）で構成しても良い。６Ｎ−Ｃｕは、再結晶温度がＲＴ（室温）〜１００℃の特性を有する。従って、５Ｎ−Ｃｕと同様に、−４０〜１２５℃の温度サイクルで繰り返し使用しても、内部応力が蓄積するようなことはなく、温度サイクルの高温側での加工硬化を抑制することができ
３０００サイクル以上の温度サイクル寿命が得られる
【００２４】
  回路層３には、半導体チップ５を搭載するための回路パターンが形成され、この回路層３の上部にはんだ７を介して半導体チップ５が搭載されている。金属層３の下面には、はんだ８、ろう付け、拡散接合等によって放熱体６が一体に接合されている。」
（３）「【００３２】
  
表２において、温度サイクル（−４０℃〜１２５℃×１５min、３０００サイクル）後の硬度変化と絶縁回路基板の不良率との関係（不良：セラミックス基板の割れ又は、Ｃu回路とセラミックス基板との剥がれ）を示した
  この
表２から、硬度変化が３０％以上である場合には、絶縁基板の割れ又は、回路層と絶縁基板との剥がれ等の不具合が生じることが分かる
【００３３】
【表２】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　特に上記（１）、（２）の記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例２には、次の技術事項が記載されている。 
「ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、等の絶縁性のセラミック基板の一方の面には、半導体チップが搭載されるＣｕ回路層が積層接着されたパワーモジュール用基板において、
　前記Ｃｕ回路層として６Ｎ−Ｃｕを用い、これにより−４０〜１２５℃の温度サイクルで繰り返し使用しても、内部応力が蓄積するようなことはなく、温度サイクルの高温側での加工硬化を抑制することができ、３０００サイクル以上の温度サイクル寿命が得られるようにすること。」
　
　また、上記（３）の記載事項、表２によれば、引用例２には、次の技術事項も記載されている。
「Ｃｕ回路層におけるＣｕ純度が高いほど、温度サイクル後の硬度変化が少なく、セラミックス基板（絶縁基板）の割れやＣｕ回路層とセラミックス基板（絶縁基板）との剥がれといった不具合も低下すること。」
　
４．対比
　そこで、本願発明と引用発明とを対比すると、
（１）引用発明における、絶縁性の高いＡｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４のいずれかで構成され「セラミックス基板」、「第二の金属板」、「パワーモジュール用基板」は、それぞれ本願発明における「絶縁基板」、「金属層」、「パワーモジュール用基板」に相当し、
　引用発明における「絶縁性の高いＡｌ２Ｏ３、ＡｌＮ、Ｓｉ３Ｎ４のいずれかで構成されたセラミックス基板と、該セラミックス基板の一方の面に接合された第一の金属板と、前記セラミックス基板の他方の面に接合された第二の金属板と、を備えたパワーモジュール用基板であって、前記第一の金属板は、その一方の面が電子部品が搭載される搭載面とされ、・・」によれば、
　引用発明の「第一の金属板」は、その一方の面が電子部品が搭載される搭載面とされるものであることから、本願発明でいう「回路層」に相当するものであるといえ、
　本願発明と引用発明とは、「絶縁基板と、該絶縁基板の一方の面に形成された回路層と、前記絶縁基板の他方の面に形成された金属層と、を備えたパワーモジュール用基板であって」の点で一致する。
　
（２）引用発明における「電子部品」は、本願発明における「電子部品」に相当し、
　引用発明における「前記第一の金属板は、その一方の面が電子部品が搭載される搭載面とされ、当該電子部品から発生する熱を十分に拡げることができ、熱の放散を促進することができるように銅又は銅合金（具体例としてはタフピッチ銅）で構成されており」によれば、
　本願発明と引用発明とは、「前記回路層は、銅で構成され、この回路層の一方の面が、電子部品が搭載される搭載面とされており」の点で共通するといえる。
　ただし、回路層を構成する銅について、本願発明では「無酸素銅又は６Ｎ−Ｃｕ」であるのに対し、引用発明では銅又は銅合金であり、具体的にはタフピッチ銅が用いられている点で相違する。
　
（３）引用発明における「前記第二の金属板は、その他方の面側にヒートシンクが接合されるものであって、ヒートシンクとセラミック基板との熱膨張係数の差に起因する熱歪みを十分に緩和することができ、セラミック基板の割れの発生を抑制することができるようにアルミニウムで構成されており」によれば、
　引用発明の「第二の金属板」は、アルミニウムの板からなり、セラミック基板の他方の面に接合されてなるものであるといえるから、
　本願発明と引用発明とは、「前記金属層は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム板が接合されて構成されており」の点で一致する。
　
（４）引用発明における「前記第一の金属板の板厚は、０．１〜１．０ｍｍの範囲内（具体例では０．６ｍｍ）に設定され、前記第二の金属板の板厚は、０．６〜６ｍｍの範囲内（具体例では２．０ｍｍ）に設定される」によれば、
 (a)引用発明の「第一の金属板」の厚さは、０．１〜１．０ｍｍの範囲内であって具体例では０．６ｍｍであり、かかる具体例の０．６ｍｍは、本願発明で定める「０．１ｍｍ≦ｔ１≦０．６ｍｍ」の条件を満たすものであるから、
　本願発明と引用発明とは、「前記回路層の厚さｔ１が、０．１ｍｍ≦ｔ１≦０．６ｍｍの範囲内とされ」の点で一致するといえる。
 (b)また、引用発明の「第二の金属板」の厚さは、０．６〜６ｍｍの範囲内であって具体例で２．０ｍｍであり、かかる０．６〜６ｍｍの範囲についても、具体例の２．０ｍｍについても、本願発明で定める「０．５ｍｍ≦ｔ２≦６ｍｍ」の条件を満たすものであるから、
　本願発明と引用発明とは、「前記金属層の厚さｔ２が、０．５ｍｍ≦ｔ２≦６ｍｍの範囲内とされ」の点で一致する。
　ただし、引用発明では、第一の金属板の厚さ（ｔ１）と第二の金属板（ｔ２）との関係ｔ２／ｔ１について、具体例の数値で計算してみると、ｔ２／ｔ１＝２．０／０．６≒３．３であり、本願発明で特定するｔ２／ｔ１≧４．０の関係を満たしていない点で相違している。
　
　よって、本願発明と引用発明とは、
「絶縁基板と、該絶縁基板の一方の面に形成された回路層と、前記絶縁基板の他方の面に形成された金属層と、を備えたパワーモジュール用基板であって、
　前記回路層は、銅で構成され、この回路層の一方の面が、電子部品が搭載される搭載面とされており、
　前記金属層は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム板が接合されて構成されており、
　前記回路層の厚さｔ１が、０．１ｍｍ≦ｔ１≦０．６ｍｍの範囲内とされ、
　前記金属層の厚さｔ２が、０．５ｍｍ≦ｔ２≦６ｍｍの範囲内とされていることを特徴とするパワーモジュール用基板。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
［相違点１］
　回路層を構成する銅について、本願発明では、「無酸素銅又は６Ｎ−Ｃｕ」であると特定するのに対し、引用発明では、「タフピッチ銅」である点。
　
［相違点２］
　回路層の厚さｔ１と金属層の厚さｔ２との関係について、本願発明では、「ｔ２／ｔ１≧４．０」である旨特定するのに対し、引用発明では、そのような関係についての特定を有していない点。
　
５．判断
　上記相違点について検討する。
［相違点１］について
　引用例２（上記「３−２．」を参照）には、Ｃｕ回路層におけるＣｕ純度が高いほど、温度サイクル後の硬度変化が少なく、セラミックス基板（絶縁基板）の割れやＣｕ回路層とセラミックス基板（絶縁基板）との剥がれといった不具合も低下するという技術事項が記載されており、そして具体的には、ＡｌＮ、Ａｌ2Ｏ3、Ｓｉ3Ｎ4、等の絶縁性のセラミック基板の一方の面には、半導体チップが搭載されるＣｕ回路層が積層接着されたパワーモジュール用基板において、前記Ｃｕ回路層として６Ｎ−Ｃｕを用い、これにより−４０〜１２５℃の温度サイクルで繰り返し使用しても、内部応力が蓄積するようなことはなく、温度サイクルの高温側での加工硬化を抑制することができ、３０００サイクル以上の温度サイクル寿命が得られるようにしてなるものが記載されており、本願発明においても、セラミックス基板の割れ等の不具合をより少なくし、温度サイクル寿命を長くするために、第一の金属層を構成する銅又は銅合金として、タフピッチ銅に代えて６Ｎ−Ｃｕを用いるようにすることは引用例２の上記記載事項から当業者であれば容易になし得ることである。
　
［相違点２］について
　引用例には、第一の金属板の厚さ（ｔ１）と第二の金属板の厚さ（ｔ２）との「関係」についての具体的な記載はなされておらず、具体例ではｔ１＝０．６ｍｍ、ｔ２＝２．０ｍｍであって、ｔ２／ｔ１≒３．３であり、本願発明で特定するｔ２／ｔ１≧４．０の関係を満たしていないものの、本願明細書において、回路層として無酸素銅が用いられている「第２の実施形態（補正後の実施形態）」で好ましい条件として出願当初の段落【００６３】に記載されていた「ｔ２／ｔ１≧２．５」の関係については満たすものであるところ、
　引用発明では、第一の金属板の厚さ（ｔ１）のとり得る範囲は０．１ｍｍ≦ｔ１≦１．０ｍｍ、第二の金属板の厚さ（ｔ２）のとり得る範囲は０．６ｍｍ≦ｔ２≦６ｍｍであり、例えばこれらとり得る範囲の下限値同士を比べると、ｔ２／ｔ１＝０．６／０．１＝６となり、上限値同士を比べてもｔ２／ｔ１＝６／１．０＝６となることや、引用例の段落【００５４】には、第二の金属板の厚さ（ｔ２）については、「０．６〜６ｍｍの範囲内としていることから、確実に熱歪みを吸収することができる」と記載（上記「３−１．（５）」を参照）され、ヒートシンクとセラミック基板との熱膨張係数の差に起因する熱歪みを確実に吸収するために第二の金属板については比較的厚い厚みが必要であることが示唆されているといえることからして、引用発明において、ｔ１とｔ２の具体的な値として上記のそれぞれとり得る範囲内において、ｔ１に対してｔ２がより相対的に厚くなるような関係、例えば本願発明で特定する「ｔ２／ｔ１≧４．０」の関係を満たすような値を選択することも当業者が容易になし得ることである。
　なお、本願明細書の発明の詳細な説明（特に、表１及び表２）を参照しても、回路層の材質が無酸素銅又は６Ｎ−Ｃｕであり、その厚さｔ１が０．１ｍｍ≦ｔ１≦０．６ｍｍの範囲内とされる場合における、回路層の厚さｔ１と金属層の厚さｔ２との関係ｔ２／ｔ１の下限値（４．０）の設定に関して、当初設定されていた２．５（さらには引用例の３．３）を上回り、当該下限値（４．０）を下回るような比較データが示されているわけでもなく、また、そもそも出願当初の段落【００８３】に「特に、回路層の厚さｔ１と金属層の厚さｔ２との比ｔ２／ｔ１が２．５以上とされた本発明例１−６においては、冷熱サイクル試験において４０００サイクル以上でも絶縁基板に割れが認められなかった。」と記載されていたにすぎないことも考慮すると、かかる下限値を、当初設定されていた２．５を上回る「４．０」に定めたことに格別の臨界的な意義を見出すことはできない。
６．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用発明及び引用例２に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。