【事件の表示】
　特願２００９−５５０８９４「広バンドギャップ半導体デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　８月２８日国際公開、ＷＯ２００８／１０３３３１、平成２２年　６月２４日国内公表、特表２０１０−５２１８０１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００８年（平成２０年）２月１９日（パリ条約による優先権主張外国庁受理、２００７年（平成１９年）２月１９日　米国）を国際出願日とする出願であって、平成２４年６月１３日付けの拒絶理由の通知に対し、同年１２月１８日に意見書が提出されるとともに手続補正がなされ、平成２５年２月１５日付けの拒絶理由の通知に対し、同年８月１９日に意見書が提出されたが、同年９月１３日付けで拒絶査定がなされ、これに対して平成２６年１月２０日に審判請求がなされるとともに手続補正がなされたものである。
　
第２　本願発明について
１　本願発明
　本願の請求項に係る発明は、平成２６年１月２０日提出の手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明は、明細書及び図面の記載からみて、その請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものと認められる（以下「本願発明」という。）。
「結晶支持構造をその上に有する基板と、
　前記結晶支持構造の１つの上面又は側壁に位置する単一接触領域上のＩＩＩ−Ｖ結晶とを備え、
　前記接触領域の面積が、前記ＩＩＩ−Ｖ結晶の表面積の５０パーセント以下であり、
　前記基板と前記接触領域は、同じ結晶格子ジオメトリを有し、
　前記結晶支持構造は、シリコンまたはサファイアから成るデバイス。」
　
２　引用発明
（１）引用例の記載事項
　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２０００−３３１９３７号公報（平成１２年１１月３０日出願公開。以下「引用例」という。）には、図面とともに、次の記載がある（下線は当審で引いた。以下同じ。）。
ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】  
基板と該基板上に気相成長された半導体結晶とからなる半導体基材であって、前記基板の結晶成長面が凹凸面とされ、前記半導体結晶は該凹凸面における凸部の上方部から専ら結晶成長された半導体基材において、前記凸部は、その幅aが０＜a＜１μmの範囲とされ、且つ、上記基板表面に対して該凸部の占有する面積の割合が５０％以下とされていることを特徴とする半導体基材
【請求項２】  
基板表面に対して凸部の占有する面積の割合が、２〜３０％とされている
イ　「【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体基材は、基板と該基板上に気相成長された半導体結晶とからなる半導体基材であって、前記基板の結晶成長面が凹凸面とされ、前記半導体結晶は該凹凸面における凸部の上方部から専ら結晶成長された半導体基材において、前記凸部は、その幅aが０＜a＜１μmの範囲とされ、且つ、上記基板表面に対して該凸部の占有する面積の割合が５０％以下とされていることを特徴とするものである。
【００１２】上記した如き半導体基材において、基板表面に対して凸部の占有する面積の割合が、２〜３０％とすることは、転位欠陥を可及的に少なくする観点からは好ましいものである。」
ウ　「【００１５】
【作用】本発明は、バッファ層等すら形成していない状態の基板に対して凹凸面を設けることで、結晶成長当初から実質的に低転位領域を形成可能なラテラル成長を起こす素地面を予め提供しておく点に特徴を有する。即ち、気相成長させた場合、成長初期には基板表面全体で結晶成長が起こり得るが、やがて凸部の上方部での成長が優位となり、この結果凹部に原材料が拡散しにくくなり、ひいては凸部の上方部から専ら成長された層にて上記の凹凸面が覆われるというものである。
この凸部の成長ではＣ軸と垂直方向のいわゆるラテラル成長が起き、実質的に低転位領域の形成がマスク層レス（従来のようにマスク層を用いることなしに）で達成されることになる。しかもこの成長は、基板直上に位置する層（例えばバッファ層）の結晶成長から行い得るので、その後の成長工程を連続して行うことができる
【００１６】加えて、請求項１記載の発明にあっては、前記凸部の幅aを０＜a＜１μmというサブミクロンオーダーの範囲とし、且つ、上記基板表面に対して該凸部の占有する面積を５０％以下としたので、凸部の上方部から専ら成長された層にて上記の凹凸面が覆うまでに必要とする結晶厚みが薄くて済むことになる。その結果、結晶が保有する熱膨張応力が低減されて反りの発生を抑えることができる。
【００１７】また、請求項２記載の発明では、上記構成において
基板表面に対して凸部の占有する面積の割合を、特に２〜３０％とすることで、上記作用に加えて転位欠陥の承継も最小限に抑制することができる。つまり、転位線が延伸する可能性のある凸部面積割合を、ラテラル成長が達成し得る必要最小限の程度としたので、その上に成長される結晶に含まれてしまう転位欠陥を極小値に近づけることができる
エ　「【００２０】
【発明の実施の態様】以下図面に基いて、本発明の実施態様につき詳細に説明する。図１（ａ）乃至（ｃ）は本発明に係る半導体基材の結晶成長状態を説明するための断面図である。図において、１は基板であり、２は該基板１上に気相成長された半導体結晶をそれぞれ示している。基板１の結晶成長面には凸部１１及び凹部１２が形成されており、前記凸部１１の上方部から専ら結晶成長が行われるよう構成されている。
【００２１】本発明でいう基板とは、各種の半導体結晶層を成長させるためのベースとなる基板であって、格子整合のためのバッファ層等も未だ形成されていない状態のものを言う。
このような基板としては、サファイア（Ｃ面、Ａ面、Ｒ面）
【００２２】
基板1上に成長される半導体結晶
Ａｌ
Ｘ
Ｇａ
1-Ｘ-Ｙ
Ｉｎ
Ｙ
Ｎ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）
【００２３】中でも、ＡｌＧａＮ等のＡｌを含有する半導体材料の場合、従来のマスク方式ではＳｉＯ2マスク層上に成長するという問題があったが、本発明によるとマスクレス化によりかかる問題が解消されるため、従来できなかったＡｌＧａＮのラテラル成長が可能となり低転位で高品質な膜の成長が基板直上から可能となる。このため紫外線発光素子等で問題となるＧａＮ層による光吸収がなくなり応用上特に好適である。
【００２４】基板1の結晶成長面に形成される凸部１１は、その上方部から専ら結晶成長が行われるような形状とすると有効である。「上方部から専ら結晶成長が行われる」とは、凸部１１の頂点ないし頂面及びその近傍での結晶成長が優勢に行い得る状態をいい、成長初期には凹部での成長が生じてもよいが最終的には凸部１１の結晶成長が優勢となることを指す。つまり上方部を起点としたラテラル成長により低転位領域が形成されれば、従来のマスクを要するＥＬＯと同様の効果がある。これが本発明ではマスクレスで成長可能である事が特徴である。以下、この点についての説明を、図1に基づいて行う。
【００２５】図１は凸部１１をストライプ状に形成したものの横断面図である。本発明にあっては、この凸部１１の幅ａが、０＜ａ＜１μｍとされる。このように、サブミクロンオーダーに凸部１１の幅ａを抑制するのは、前述の通り、基板の凹凸面を覆うに要する結晶の厚さを薄肉化するため、並びに、凸部の基板表面に占める面積割合と相俟って、転位欠陥を減少させることにある。この観点より、凸部１１の幅ａを１μｍ以上とした場合は、薄肉化の目的が十分達成できないことから好ましくない。従って、幅ａは可及的に細い方が望ましいが、凹凸加工の作業性を考慮すると細すぎる幅は逆に好ましくなく、０．１＜ａ＜０．７μｍ程度の範囲で選定することが望ましい。なお、本発明でいう「凸部の幅」とは一般的には凸部頂面の幅を指すが、凸部の頂面幅と立ち上がり基底部の幅が相違する場合等においては、基底部の幅を指す場合も有る。また、溝深さ（凸部高さｈ）は本発明の効果が出る範囲内で適宜選べば良い。
【００２６】凸部１１が基板表面に占める面積の割合は、目的に応じて設定することができる。先ず、半導体結晶２の厚さを薄くし、しかも低転位化を図るという本発明の一般的観点からは、凸部が占める面積割合は５０％以下とされる。サファイア基板からの転位がまっすぐ伸びる成長モードの場合、凸部の占める面積割合が少ないほど転位の承継数が減るからである。
【００２７】従って凸部が占める面積割合は少ない方が好ましく、４０％以下、更には３０％以下とすることが望ましい。特に３０％以下とした場合は、転位の承継を極小化するという目的を達成し得る。但し、極端に凸部が占める面積割合を少なくするとラテラル成長自体が発生し難くなる、乃至は成長に相当の時間を要してしまうことから、２％以上は凸部面積を確保しておくことが望ましい。ゆえに、転位の承継を極小化するという観点からは、凸部が占める面積割合は２〜３０％、望ましくは４〜２０％とすることが好ましい。」
（２）引用発明
　上記（１）によれば、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「基板と該基板上に気相成長された半導体結晶とからなる半導体基材であって、前記基板の結晶成長面が凹凸面とされ、前記半導体結晶は該凹凸面における凸部の上方部から専ら結晶成長された半導体基材において、前記凸部は、その幅aが０＜a＜１μmの範囲とされ、且つ、上記基板表面に対して該凸部の占有する面積の割合が２〜３０％とされており、
　前記基板は、サファイア（Ｃ面、Ａ面、Ｒ面）であり、
　前記半導体結晶は、ＡｌＸＧａ1-Ｘ-ＹＩｎＹＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）である
　半導体基材。」
　
３　対比・判断
（１）本願発明と引用発明とを対比する。
ア　引用発明の「基板」及び「ＡｌＸＧａ1-Ｘ-ＹＩｎＹＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）である」「半導体結晶」は、それぞれ、本願発明の「基板」及び「ＩＩＩ−Ｖ結晶」に相当する。
イ　引用発明は、「前記基板の結晶成長面が凹凸面とされ」ており、「前記半導体結晶は該凹凸面における凸部の上方部から専ら結晶成長され」るものであるから、引用発明の「凸部」は、本願発明の「結晶支持構造」に相当するとともに、引用発明は「結晶支持構造をその上に有する基板」との事項を備えていることになる。
　さらに、引用発明の基板は「サファイア（Ｃ面、Ａ面、Ｒ面）」であるから、引用発明は「結晶支持構造は、」「サファイアから成る」との事項を備えていることになる。
ウ　引用発明では、「前記半導体結晶は該凹凸面における凸部の上方部から専ら結晶成長」するものであるところ、上記２（１）ウの【００１５】には「この凸部の成長ではＣ軸と垂直方向のいわゆるラテラル成長が起き、実質的に低転位領域の形成がマスク層レス（従来のようにマスク層を用いることなしに）で達成されることになる。しかもこの成長は、基板直上に位置する層（
例えば
　そして、引用発明の「該凸部の占有する面積」は、本願発明の「前記接触領域の面積」に相当することになる。
エ　引用発明の基板は「サファイア（Ｃ面、Ａ面、Ｒ面）」であり、「前記基板の結晶成長面が凹凸面とされ」ているから、引用発明では「前記基板と前記接触領域は、同じ結晶格子ジオメトリを有し」ていると認められる。
オ　本願の願書に添付した明細書（以下「本願明細書」という。）には、
「【０００５】
  一実施形態はデバイスである。本デバイスは、結晶支持構造をその上に有する基板とＩＩＩ−Ｖ結晶とを備える。ＩＩＩ−Ｖ結晶は、結晶支持構造の１つの単一接触領域上にある。接触領域の面積は、ＩＩＩ−Ｖ結晶の表面積の約５０パーセント以下である。
【０００６】
  他のデバイス実施形態は、ＩＩＩ−Ｖ結晶を含む。ＩＩＩ−Ｖ結晶は、前記ＩＩＩ−Ｖ結晶の中心にある欠陥領域を除いて、一様な結晶方位を有する。この欠陥領域は、ＩＩＩ−Ｖ結晶の全体積の約１０パーセント未満を占める。」、
「【０００９】
【図１】基板上に結晶支持構造を形成した後の１つのデバイス例を示す断面図である。
【図２】１つのデバイス例の結晶支持構造の接触領域上にＩＩＩ−Ｖ結晶を成長させているときのデバイスを示す図である。」
との記載がある。
　そうすると、引用発明の「基板と該基板上に気相成長された半導体結晶とからなる半導体基材」は、本願発明の「デバイス」に相当するといえる。
（２）以上によれば、本願発明と引用発明とは、
「結晶支持構造をその上に有する基板と、
　前記結晶支持構造の１つの上面に位置する単一接触領域上のＩＩＩ−Ｖ結晶とを備え、
　前記基板と前記接触領域は、同じ結晶格子ジオメトリを有し、
　前記結晶支持構造は、サファイアから成るデバイス。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
［相違点］
　接触領域の面積について、本願発明は、「前記ＩＩＩ−Ｖ結晶の表面積の５０パーセント以下であ」るのに対し、引用発明ではそうなっているのか明らかでない点。
（２）相違点についての判断
ア　本願発明の上記相違点に係る特定事項に関し、本願明細書には、
「所定の接触領域１４０が成長結晶の所望の最終的な大きさに比べて小さいことが有利である。というのは、このことは、
結晶中の欠陥の範囲を最小限にするのに役立つ
「上で指摘されたように、結晶のバルクは空気（または、結晶を囲繞するどんな他の気体または液体媒体にも）に接触するが
ただ１つの固体表面、接触領域１４０だけに接するように結晶２１０を構成することによって、結晶２１０中の欠陥の範囲を最小限し局在化することができる
接触領域１４０の面積が成長結晶２１０の表面積３２０よりも実質的に小さいことが好ましい
との記載がある。そうすると、本願発明の上記相違点に係る特定事項の技術的意義は、接触領域の面積を小さくすることによって、結晶中の欠陥の範囲を最小限にすることにあると認められる。
イ　他方、引用発明では「上記基板表面に対して該凸部の占有する面積の割合が２〜３０％とされて」いるところ、この技術的意義は、転位線が延伸する可能性のある凸部面積（本願発明の「接触領域の面積」に相当する。）割合を、ラテラル成長が達成し得る必要最小限の程度としたので、その上に成長される結晶に含まれてしまう転位欠陥を極小値に近づけることができることにある（上記２（１）ウの【００１７】参照。）から、引用発明は、本願発明の上記相違点に係る特定事項の技術的意義と同様の技術的意義を備えているということができる。そして、基板表面に対する該凸部の占有する面積の割合が小さくなれば、ラテラル成長が達成し得る限り、半導体結晶の表面積に対する該凸部の占有する面積の割合も小さくなることは明らかである。
ウ　そうすると、引用発明の「上記基板表面に対して該凸部の占有する面積の割合が２〜３０％とされている」との特定事項において、凸部の占有する面積（本願発明の「接触領域の面積」に相当。）を、ＡｌＸＧａ1-Ｘ-ＹＩｎＹＮ（０≦ｘ≦１，０≦ｙ≦１）である半導体結晶（本願発明の「ＩＩＩ−Ｖ結晶」に相当。）の表面積の５０パーセント以下とすることは、設計的事項にすぎず、そのようにしたことによる効果も当業者が予測し得たものにすぎないといえる。
（３）したがって、本願発明は、引用発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用例に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。