【事件の表示】
　平成１０年特許願第３３２２４８号「化合物半導体発光素子」拒絶査定に対する審判事件［平成１１年８月１０日出願公開、特開平１１−２２０１７５］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【1】手続の経緯・本願発明
　本件の出願は、昭和63年7月21日に出願された特願昭63-182664号の一部を特許法第44条第1項の規定により平成9年6月16日に新たな特許出願(特願平9-158325号)とし、さらに、その特願平9-158325号の一部を同規定により平成10年11月24日に新たな出願として特許出願したものである。
　そして、その請求項1に係る発明は、平成14年1月15日付け手続補正書にて補正された明細書の記載からみて、以下のとおりのものと認められる。
　「【請求項1】絶縁性基板上に、n型の導電層と、n型の導電層の一部領域に立設された発光層を含む発光素子本体と、を有する化合物半導体発光素子において、
　断面形状において、前記発光素子本体及び前記n型の導電層がL字形状をなすように形成された前記n型の導電層の露出部分に、設けられた負電極と、
　前記発光素子本体の上方に設けられた正電極と、
　前記負電極と前記正電極との間に発光素子表面に設けられた絶縁層と、を備え、前記負電極は前記発光素子本体の片側に設けられていることを特徴とする化合物半導体発光素子。」(以下、「本件発明」という。)
　
【2】引用例
　これに対して、原査定の根拠として引用した、特開昭57-192088号公報及び特開昭50-42785号公報(以下、それぞれ「引用例1」及び「引用例2」という。)には、以下の事項が記載されている。
引用例1
　
1頁左下欄「特許請求の範囲」 
　「1.半導体のウエハの主面に順次P層(N層)、N層(P層)、N+層(P+層)を形成する工程と、リング状にN+層(P+層)およびN層(P層)を除去してウエハ主面に溝を形成する工程と、ウエハ主面全域に不純物を拡散させて前記N+層(P+層)よりも薄いP+層(N+層)を形成する工程と、前記溝底から溝の外側のウエハ主面に亘る領域および溝の内側のウエハ主面領域にそれぞれ電極を設ける工程と、前記両電極間のP+層(N+層)を除去してN+層(P+層)、N層(P層)、P層(N層)の境界を露出させる工程と、少なくとも電極部以外のウエハ表面をパッシベーション膜で被う工程と、ウエハを分断してペレット化する工程とからなる発光素子の製造方法。」
　
1頁右下欄1行〜2頁左上欄8行
　「赤外線発光素子の製造例として、たとえば第1図(a)〜(d)で示す方法が考えられる。同図(a)で示すように、・・・GaAs板1上に・・・GaAlAs層2を有する基板(ウエハ)3を用意した後、同図(b)で示すようにGaAlAs層2上に液層エピタキシャル方法によって・・・P型導電層(以下P層)4・・・N型導電層(以下N層)5・・・N+型導電層(以下N+層)6を順次形成し、その後、リング状に・・・P+型導電層(以下P+層)7を設ける。このP+層7はアイソレーションとなる。つぎに、同図(c)で示すように、N+層6およびP+層7上にカソード電極8(円形電極)およびアノード電極9(馬蹄形電極)を設ける。・・・また、P+層7とN+層6およびN層5とのPNジャンクション部分をメサエッチングによって除去して特性の安定化を図る。また、このメサ・エッチング部分の表面を絶縁膜10で被う。つぎに、ウエハ3を・・・ペレット11とするとともに、同図(c)の二点鎖線で示すように研磨し、同図(d)で示すようにドーム型の光取出面12を有する発光素子13を得る。」
　
2頁右下欄7行〜3頁右上欄13行
　「第3図(a)〜(g)は本発明の一実施例による発光素子の製造方法を示す。・・・(3頁左上欄6行まで省略) ・・・つぎに、溝18の内側の平坦なウエハ主面および溝18の溝底略中心部分から溝外側の平坦なウエハ主面に亘って、同図(e)で示すように、それぞれ電極を設ける。溝18の内側の電極は円板状のカソード電極8となり、溝18の外側の電極は馬蹄形のアノード電極9となる。・・・(3頁右上欄1行まで省略)・・・つぎに、再びメサエッチングを行い、カソード電極8とアノード電極9との間の電極に被われない溝底半分および側面を硫酸系エッチング液でエッチングして、同図(f)で示すように、P+層19を除去し、溝18の内周壁面側のN+層6、N層5、P層4の境界部を露出させる。その後、同図(g)で示すように溝部分等および各境界縁を絶縁性保護膜(パッシベーション膜)20で被った後、ウエハ3を分断してペレットとし、かつGaAlAs層2をドーム状に研磨して、球形の光取出面12を有する発光素子13を形成する。」
　
第1図(a)〜(d)
　第1図(a)〜(d)は、1頁右下欄1行〜2頁左上欄8行に記載された発光素子の製造過程を示し、第1図(d)はその製造方法により作成された発光素子を示している。
　
第3図(a)〜(g)
　第3図(a)〜(g)は、引用例1の特許請求の範囲又は2頁右下欄1行〜3頁右上欄13行に記載された発光素子の製造方法における製造過程を示し、第3図(c)は、層6、層5を層4の一部とともにリング状にメサエッチした状態を示している。また、第3図(c)〜(g)には、層6、層5をP層(N層)4の一部とともにリング状にメサエッチされた部分とP層(N層)4とが、断面において、倒立したT字形状をなすように描かれている。
　
引用例2
　
1頁左下欄14, 
5行
　「本発明は窒化ガリウムによるn-i-n型構造を備えた多色発光素子に関するものである。」
　
2頁左上欄14行〜右上欄4行
　「本発明のn-i-n型構造は第1図のようなものである。図の中で1は基板結晶で2〜5は窒化ガリウムである。2及び5はn型、3と4はi型(あるいはp型)の伝導型を有している。実施例を用いてさらに詳細に説明する。 実施例1 本例は気相エピタキシャル成長を用いてサファイア(0001)面基板(以後単に基板と称する)上に伝導型の異なる窒化ガリウムの第1図のようなn-i-n構造を有した多色発光ダイオードの例である。」
　
3頁左上欄2行〜7行
　「実施例3 実施例1と同じように窒化ガリウムを成長させた後、第3図のような形(図中6〜9はのぞく)にリン酸液でエッチングをおこない第3図6のよう位置にIn電極の焼付をおこなう。そしてハンダで白金リード線7と8をとり付ける。」
　
第3図
　第3図は、明細書2頁左上欄14行〜右上欄4行及び3頁左上欄2行〜7行に記載された多色発光ダイオードの構造を示すもので、i型(あるいはp型)の層3,4、n型の層5及びn型の層2が逆L字状に描かれている。
　
【3】対比
　本件発明と引用例1に記載された発明とを比較する。引用例1には、その記載からみて、「GaAlAs層2を有する基板(ウエハ)3上に、層6、層5をN層4の一部とともにリング状にメサエッチされた部分を含む発光素子本体と、を有する半導体発光素子において、前記 N層4の露出部分に、設けられた電極9と、リング状にメサエッチされた部分の上方に設けられた電極8と、前記電極9と前記電極8との間に発光素子表面に設けられた絶縁性保護膜(パッシベーション膜)20と、を備え、前記電極9は馬蹄形である半導体発光素子。」(以下、「引用発明」という。)が記載されている。
　引用例1の2頁右下欄1行〜3頁右上欄13行の記載によれば、引用発明は、GaAlAs層2を有する基板(ウエハ)3を用意した後、液層エピタキシャル方法によってP型導電層(以下P層)4、N型導電層(以下N層)5、N+型導電層(以下N+層)6を順次形成するから、引用発明は化合物半導体発光素子についてのものである。
　そして、引用発明の「層6、層5を層4の一部とともにリング状にメサエッチされた部分」はN層4の一部領域上にメサ状をなし立設された発光部であり、本件発明の「発光層を有する発光素子本体」に相当することは明らかである。
　また、引用発明における、「N層4」、「電極9」、「電極8」及び「絶縁性保護膜(パッシベーション膜)20」は、本件発明の「n型の導電層」、「負電極」、「正電極」及び「絶縁層」に相当する。
　
　してみると、両者は、「基板上に、n型の導電層と、n型の導電層の一部領域に立設された発光層を含む発光素子本体と、を有する化合物半導体発光素子において、前記n型の導電層の露出部分に、設けられた負電極と、前記発光素子本体の上方に設けられた正電極と、前記負電極と前記正電極との間に発光素子表面に設けられた絶縁層と、を備えた、化合物半導体発光素子。」の点で一致する。
　
　そして、両者の間には、以下の相違点が存在する。
相違点1
　基板が、本件発明では絶縁性であるのに対して、引用発明では絶縁性について明示されていない点。 
相違点2
　本件発明は、断面形状において、発光素子本体及びn型の導電層がL字形状をなすように形成されているのに対して、引用発明は、断面形状において、発光素子本体及びn型の導電層が倒立したT字形状をなすように形成されている点。
相違点3
　負電極が、本件発明では発光素子本体の片側に設けられているのに対して、引用発明では馬蹄形状に設けられている点。
　
【4】判断
相違点1について
　化合物半導体発光素子において、絶縁性の基板を用いることは、例えば引用例2に示すように普通に行われていることであり、当業者が容易に採用することができた技術事項である。
　
相違点2について
　化合物半導体発光素子において、断面形状において、発光素子本体及びn型の導電層が逆L字形状をなすように形成したものは引用例2において公知である。なお、引用例2において、i型(あるいはp型)の層3,4、n型の層5が発光素子本体に相当し、n型の層2がn型の導電層に相当する。
　したがって、引用発明の逆T字形状の構造を逆L字形状、すなわちL字形状を成す構造とすることは当業者が容易に想到できた事項である。
　
相違点3について
　化合物半導体発光素子において、負電極を、発光素子本体の片側に設けるこは引用例2において公知である。なお、引用例2において、i型(あるいはp型)の層3,4、n型の層5が発光素子本体に相当し、n型の層2の露出面上に設けられた電極6は正又は負の電圧が印加されるから負電極としての役割を担うものである。
　したがって、引用発明の負電極の位置を発光素子本体の片側とすることは当業者が容易に想到できた事項である。
　
　そして、相違点1〜相違点3に係る本件発明の構成によりもたらされる効果も、引用例1、2から当業者が予測できる範囲のものである。
　よって、本願発明は、引用例1、2に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものである。
　
【5】むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項1に係る発明は特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないものであり、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。