【事件の表示】
　特願２００９−５４１３３９「透明発光ダイオード」拒絶査定不服審判事件〔平成２０年　６月１９日国際公開、ＷＯ２００８／０７３４００、平成２２年　４月２２日国内公表、特表２０１０−５１２６６２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１９年（２００７年）１２月１１日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２００６年１２月１１日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２４年１０月１８日付けで拒絶理由が通知され、平成２５年４月１９日に手続補正がなされ、同年５月８日付けで最後の拒絶理由が通知され、同年１０月２５日に手続補正がなされたが、同年１１月７日付けで前記平成２５年１０月２５日付け手続補正が却下されるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２６年３月７日に拒絶査定不服審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである（以下、平成２６年３月７日付けでなされた手続補正を「本件補正」という。）。
　
第２　本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容
　本件補正は、補正前（平成２５年４月１９日付け手続補正後のもの）の特許請求の範囲の請求項１に係り、
「発光装置であって、該発光装置は、
　複数のＩＩＩ族窒化物層であって、該複数のＩＩＩ族窒化物層は、ｎ型層、ｐ型層、および、光を放射する活性領域を含み、該活性領域は、該ｎ型層と該ｐ型層との間にあり、該ＩＩＩ族窒化物層のｎ型側は、該ＩＩＩ族窒化物層の前面上にあり、該ＩＩＩ族窒化物層のｐ型側は、該前面と対向する該ＩＩＩ族窒化物層の後面上にあり、該活性領域を除く該ＩＩＩ族窒化物層の全ては、該光の発光波長に対して透明であることにより、該光は、該ＩＩＩ族窒化物層の全てを通り、かつ該ＩＩＩ族窒化物層を通る複数の方向に効果的に抽出される、複数のＩＩＩ族窒化物層と、
　該ＩＩＩ族窒化物層の該ｐ型側にのみ取り付けられる透明な基板またはサブマウントと、
　該ＩＩＩ族窒化物層および該透明な基板またはサブマウントと組み合わされる１つ以上の成形光学素子と
　を含み、
　該成形光学素子および該透明な基板またはサブマウントは、該ＩＩＩ族窒化物層から該抽出された光をさらに抽出することにより、該抽出された光は、該発光装置の少なくとも該前面および該後面を通ってさらに抽出される、装置。」
とあったものを、補正後の特許請求の範囲の請求項１として
「発光装置であって、該発光装置は、
　複数のＩＩＩ族窒化物層であって、該複数のＩＩＩ族窒化物層は、ｎ型層、ｐ型層、および、光を放射する活性領域を含み、該活性領域は、該ｎ型層と該ｐ型層との間にあり、該ＩＩＩ族窒化物層のｎ型側は、該ＩＩＩ族窒化物層の前面上にあり、該ＩＩＩ族窒化物層のｐ型側は、該前面と対向する該ＩＩＩ族窒化物層の後面上にあり、該活性領域を除く該ＩＩＩ族窒化物層の全ては、該光の発光波長に対して透明であることにより、該光は、該ＩＩＩ族窒化物層の全てを通り、かつ該ＩＩＩ族窒化物層を通る複数の方向に効果的に抽出される、複数のＩＩＩ族窒化物層と、
　該ＩＩＩ族窒化物層の該ｐ型側にのみ
ボンディングされる
　該ＩＩＩ族窒化物層および該透明な基板またはサブマウントと組み合わされる１つ以上の成形光学素子と
　を含み、
　
該成形光学素子のうちの少なくとも１つは、逆円錐形状であり
　該成形光学素子および該透明な基板またはサブマウントは、該ＩＩＩ族窒化物層から該抽出された光をさらに抽出することにより、該抽出された光は、
さらに、該成形光学素子に入る前に該ＩＩＩ族窒化物層の複数の表面から抽出され、その後、
て抽
と補正することを含むものである（下線は請求人が付与したとおりである。）。
　
２　補正の目的
　本件補正は、補正前の請求項１の「透明な基板またはサブマウント」に係り、「取り付けられる」とあったものを「ボンディングされる」と補正し、補正前の請求項１の「成形光学素子」に係り、「該成形光学素子のうちの少なくとも１つは、逆円錐形状であり」との構成を付加し、補正前の請求項１の「抽出された光」に係り、「該抽出された光は、該発光装置の少なくとも該前面および該後面を通ってさらに抽出される」とあったものを「該抽出された光は、さらに、該成形光学素子に入る前に該ＩＩＩ族窒化物層の複数の表面から抽出され、その後、該発光装置の少なくとも該前面および該後面を通って抽出される」と補正するものである。
　よって、本件補正による請求項１についての補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
３　独立特許要件について
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
（１）本願補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、上記（１）において補正後のものとして記載したとおりのものである。
　
（２）刊行物の記載及び引用発明
ア　本願の優先日前に頒布された、特開２００２−３１４１５２号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の記載がある（下線は当審にて付した。以下同じ。）。
（ア）「【０００３】図１を参照すると、ダイキャリア上に固着された発光セルを含む、従来のパッケージング構造が示されている。
発光セルは従来の基板２０上に形成されたエピタキシャル構造１０を含
エピタキシャル構造１０はｎ型半導体層、活性層、およびｐ型半導体層を含
エピタキシャル構造１０が完成された後、従来の基板２０に換えて透明基板を使用し
射出された光は、不透明な従来の基板により吸収され
発光セルは上面および底面から光を射出でき
【００１４】
【好ましい実施例の詳細な説明】発光電池の両側から射出された光の利点を得るために、図３（ａ）はこの発明の断面図を示す。従来のセル固着面の光吸収が発光セルの発光効率を下げるため、この発明は鋳造技術を用いて沈下型（sinking）ダイキャリア１３０およびダイキャリア１３０上に配置された半球状リフト１３２を有する光反射層１４５を提供する。光反射層１４５は高反射率の材料でできている。
【００１５】次に、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）層、カドミウムスズ酸化物（ＣＴＯ）層、酸化亜鉛（ＺｎＯ）層、インジウム酸化亜鉛（ＩＺＯ）層、または酸化ニッケル（ＮｉＯ）層などの透明導体層がダイキャリアの沈下面に形成され、発光セルの透明基板１２０はその後透明導体層１４０に固着される。この結果、第１の電極の製造が完了し、かつ透明基板１２０と、透明導体層１４０と、ダイキャリア１３０との間の電気的接続も完了する。
【００１６】発光セルが透明導体層１４０上に固着されると、第２の電極１５０は別のリードフレーム１３５に電気的に接続される。このようにして、この発明の電気光学装置のパッケージング構造が得られる。
【００１７】図３（ｂ）を参照すると、図３（ａ）の構造に従い、光反射層１４６が透明導体層１４０の中に配置されていることが示される。
【００１８】上述の２つの実施例によると、
光がエピタキシャル構造１１０により生じ、透明基板１２０から射出される
発光セル
【００１９】さらに、光反射層１４５または１４６が、エピタキシャル構造１１０によって生ずる光を再びエピタキシャル構造１１０の活性層に反射し返し、この反射が活性層内の光の再吸収を引き起こして発光ダイオードの発光効率を下げることを防止するため、この発明は半球状リフト１３２および１３３を有する光反射層１４５および１４６の設計を提供する。エピタキシャル構造１１０により生ずる光が半球状リフト１３２または１３３に達すると、光はさまざまな方向に反射される。その結果、光は発光セル１１０の活性層に再反射されまたは活性層に吸収されることがなく、この反射および吸収現象は発光セルの発光効率を下げる。
【００２０】半球状リフト１３２または１３３のパターンは単にこの発明の一例として述べられるものであり、この発明はそれに限定されるものではない。図４（ａ）および図４（ｂ）に示されるとおり、光反射層１４７および１４８は回折格子構造のパターンを有し、それぞれダイキャリア１３０上および透明導体層１４０内に配置され、上述と同様の効果を上げる。したがって、回折格子構造も、エピタキシャル構造１１０の活性層に反射光が再帰するのを防ぎ得る。設計または機能はこの発明と同様の特徴を有する。」
　
（イ）「【００３１】したがって、この発明のさらに他の利点は、高効率の電気光学装置をパッケージングするための方法および構造を提供することである。この発明を利用すると、電気光学装置の出力を増大する目的は、電気光学装置の光路と感光角度を増大させることにより、実質的に達成し得る。
【００３２】当業者が理解するとおり、この発明の上述の好ましい実施例は、この発明の例であり、この発明を限定するものではない。添付の請求の範囲の趣旨内においてさまざまな変更と改良がカバーされるものと意図され、その範囲は上述のあらゆる変更および同様の構造を含むよう、最も広い解釈に沿わなくてはならない。」
　
（ウ）図３は次のものである。
　
（エ）上記（ア）ないし（ウ）によれば、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
「光がエピタキシャル構造により生じ、透明基板から射出される発光セルであって、前記発光セルは従来の基板上に形成されたエピタキシャル構造を含み、前記エピタキシャル構造はｎ型半導体層、活性層、およびｐ型半導体層を含み、前記エピタキシャル構造が完成された後、従来の基板に換えて透明基板を使用し、射出された光は、不透明な従来の基板により吸収されず、前記発光セルは上面および底面から光を射出できる、発光セル。」
　
イ　本願の優先日前に頒布された、特開２００６−３０３２５８号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の記載がある。
（ア）「【０００２】
　図２（Ａ）は、
ＩｎＧａＮ系発光ダイオード
ＩｎＧａＮを活性層、ｎ-ＡｌＧａＮをｎ型クラッド層、ｐ-ＡｌＧａＮをｐ型クラッド層とするダブルヘテロ構造であ
　すなわちこのＬＥＤは、サファイア基板の上に、ＧａＮバッファ層、ｎ-ＧａＮ、ｎ-ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ｐ-ＡｌＧａＮ及びｐ-ＧａＮの各層が積層した構造となっている。
【０００３】
　
各薄膜の成長には、
ＭＯＭＢＥ法（有機金属分子ビームエピタキシー法）が用いられる
【０００５】
　なお、図２（Ａ）の構造のｎ型とｐ型が逆転したもの、すなわち図２（Ｂ）のように、
ＧａＮバッファ層の上に、ｐ-ＧａＮ、ｐ-ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ｎ-ＡｌＧａＮ、及びｎ-ＧａＮの順で各層が積層した構造のＩｎＧａＮ系ＬＥＤ
　
（イ）「【００３７】
　窒化物半導体１は、Ｉｎを含む窒化物半導体であり、例えば、ＩｎｙＧａ１−ｙＮの半導体被膜であり、活性層（発光層）として機能することが好ましい。
　なお、ＩｎＧａＮ中のＩｎのモル分率ｙは、約０．６５μｍの波長の赤（Ｒ）を発光するように十分高い（例えば約０．３５以上）ことが好ましいが、本発明はこれに限定されず、
青
を発光する
　
（ウ）図２は次のものである。
　
（エ）上記（ア）ないし（ウ）によれば、引用文献２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「青を発光するＩｎＧａＮを活性層、ｎ-ＡｌＧａＮをｎ型クラッド層、ｐ-ＡｌＧａＮをｐ型クラッド層とするダブルヘテロ構造であるＩｎＧａＮ系発光ダイオードであって、ＧａＮバッファ層の上に、ｐ-ＧａＮ、ｐ-ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ｎ-ＡｌＧａＮ、及びｎ-ＧａＮの順で各層が積層した構造の各薄膜の成長には、ＭＯＭＢＥ法（有機金属分子ビームエピタキシー法）が用いられるＩｎＧａＮ系ＬＥＤ。」
　
ウ　本願の優先日前に頒布された、特開２００５−３５３８１６号公報（以下「引用文献３」という。）には、以下の記載がある。
（ア）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、
発光デバイス
　
（イ）「【００７５】
　また、
発光部２３が上面側に配されたＬＥＤ１０２に対して
備える
　この製造方法の場合、第一のステップ（Ｓ１１）の後、第二のステップ（Ｓ１２）において、樹脂脱出口１０５から一部が溢れるまで樹脂注入口１０４から封止樹脂３１を注入して充填する。そして、第三のステップ（Ｓ１３）にてテーパロッド２８を位置決めする際、さらに樹脂脱出口１０５から樹脂を脱出させながら行う。
　この発光デバイス１０６の製造方法によれば、樹脂の流入および流出路を確保できるので、空気の混入を更に防止することができる。位置決めを正確に行うとともに、テーパロッド２８とＬＥＤ１０２との間で空気の流入を遮断することができる。
【００７６】
　さらに、図２０に示すように、
デバイス側入射端面１１０Ａ及びデバイス側出射端面１１０Ｃがともに円形状とされた円錐状のテーパロッド１１０
　
（ウ）図１９、２０は次のものである。
　
（エ）上記（ア）ないし（ウ）によれば、引用文献３には、次の発明（以下「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。
「発光部が上面側に配された発光素子に対して、入射端面及び出射端面がともに円形状とされた円錐状のテーパロッドを備える発光デバイス。」
　
（３）対比・判断
ア　本願補正発明と引用発明１とを対比する。
（ア）引用発明１の「発光セル」は、「従来の基板」と「エピタキシャル構造」とを含み、前記「従来の基板」に換えて「透明基板を使用」するものであり、前記「エピタキシャル構造」は、「ｎ型半導体層、活性層、およびｐ型半導体層」含むものであるところ、前記「ｎ型半導体層」及び「ｐ型半導体層」が、前記「活性層」から発する光に対して透明であることは明らかである。
　そうすると、引用発明１の「発光セル」は、透明基板とｎ型半導体層、活性層、およびｐ型半導体層が形成されるエピタキシャル構造とからなるものといえるから、引用発明１の「エピタキシャル構造」は、本願補正発明の「ｎ型層、ｐ型層、および、光を放射する活性領域を含み、該活性領域は、該ｎ型層と該ｐ型層との間にあり、該ＩＩＩ族窒化物層のｎ型側は、該ＩＩＩ族窒化物層の前面上にあり、該ＩＩＩ族窒化物層のｐ型側は、該前面と対向する該ＩＩＩ族窒化物層の後面上にあり、該活性領域を除く該ＩＩＩ族窒化物層の全ては、該光の発光波長に対して透明であることにより、該光は、該ＩＩＩ族窒化物層の全てを通り、かつ該ＩＩＩ族窒化物層を通る複数の方向に効果的に抽出される、複数のＩＩＩ族窒化物層と、該ＩＩＩ族窒化物層の該ｐ型側にのみボンディングされる透明な基板またはサブマウントと、該ＩＩＩ族窒化物層および該透明な基板またはサブマウントと組み合わされる１つ以上の成形光学素子とを含」む「複数のＩＩＩ族窒化物層」と、「ｎ型層、ｐ型層、および、光を放射する活性領域を含み、該活性領域を除く該層の全ては、該光の発光波長に対して透明であることにより、該光は、該層の全てを通り、かつ該層を通る複数の方向に効果的に抽出され」る「複数の層」の点で相当関係にある。
　
（イ）引用発明１の「透明基板」は、本願補正発明における「透明な基板またはサブマウント」と「透明な基板」の点で相当関係にある。
　
（ウ）本願補正発明における「該成形光学素子および該透明な基板またはサブマウントは、該ＩＩＩ族窒化物層から該抽出された光をさらに抽出することにより、該抽出された光は、さらに、該成形光学素子に入る前に該ＩＩＩ族窒化物層の複数の表面から抽出され、その後、該発光装置の少なくとも該前面および該後面を通って抽出される」との記載は、必ずしも明瞭ではないが、発明の詳細な説明の記載及び平成２６年１２月１８日付けの請求人提出のファクシミリでの釈明によれば、「ＩＩＩ族窒化物層の内部で光が抽出され、その後、その光が、ＩＩＩ族窒化物層の境界から抽出され、その後、その光が、発光装置の境界から抽出される」（平成２６年１２月１８日付けの請求人提出のファクシミリ２頁２ないし４行）ことであると理解できる。
　これに対して、引用発明１は、「エピタキシャル構造が完成された後、従来の基板に換えて透明基板を使用し、射出された光は、不透明な従来の基板により吸収されず、前記発光セルは上面および底面から光を射出できる」ものであるから、エピタキシャル構造から射出された光は透明基板から射出されることにより上面および底面から光を射出されるものである。
　そうすると、引用発明１の、「エピタキシャル構造が完成された後、従来の基板に換えて透明基板を使用し、射出された光は、不透明な従来の基板により吸収されず、前記発光セルは上面および底面から光を射出できる」点は、本願補正発明の「該成形光学素子および該透明な基板またはサブマウントは、該ＩＩＩ族窒化物層から該抽出された光をさらに抽出することにより、該抽出された光は、さらに、該成形光学素子に入る前に該ＩＩＩ族窒化物層の複数の表面から抽出され、その後、該発光装置の少なくとも該前面および該後面を通って抽出される」点と、「該透明な基板は、該層から該抽出された光をさらに抽出することにより、該抽出された光は、さらに、該層の複数の表面から抽出され、その後、該発光装置の少なくとも該前面および該後面を通って抽出される」点で相当関係にある。
　
（エ）上記（ア）ないし（ウ）によれば、本願補正発明と引用発明１は、
「発光装置であって、該発光装置は、
　複数の層であって、該複数の層は、ｎ型層、ｐ型層、および、光を放射する活性領域を含み、該活性領域を除く該層の全ては、該光の発光波長に対して透明であることにより、該光は、該層の全てを通り、かつ該層を通る複数の方向に効果的に抽出される、複数の層と、
　透明な基板とを含み、
　該透明な基板は、該層から該抽出された光をさらに抽出することにより、該抽出された光は、さらに、該層の複数の表面から抽出され、その後、該発光装置の少なくとも該前面および該後面を通って抽出される、装置。」
である点で一致し、下記の点で相違する。
　
ａ　本願補正発明の「ｎ型層、ｐ型層、および、光を放射する活性領域」は、「複数のＩＩＩ族窒化物層」であって、「該活性領域は、該ｎ型層と該ｐ型層との間にあり、該ＩＩＩ族窒化物層のｎ型側は、該ＩＩＩ族窒化物層の前面上にあり、該ＩＩＩ族窒化物層のｐ型側は、該前面と対向する該ＩＩＩ族窒化物層の後面上にあり」、複数のＩＩＩ族窒化物層は、透明な基板またはサブマウントと「該ＩＩＩ族窒化物層の該ｐ型側にのみボンディングされる」のに対して、引用発明１の「ｎ型半導体層、活性層、およびｐ型半導体層」は、このようなものとは特定されない点（以下「相違点１」という。）。
　
ｂ　本願補正発明は、「該ＩＩＩ族窒化物層および該透明な基板またはサブマウントと組み合わされる」、「少なくとも１つは、逆円錐形状であ」る「１つ以上の成形光学素子とを含み」、「該成形光学素子および該透明な基板またはサブマウントは、該ＩＩＩ族窒化物層から該抽出された光をさらに抽出することにより、該抽出された光は、さらに、該成形光学素子に入る前に該ＩＩＩ族窒化物層の複数の表面から抽出され、その後、該発光装置の少なくとも該前面および該後面を通って抽出される」るのに対して、引用発明１は「成形光学素子」を備えるものとはされない点（以下「相違点２」という。）。
　
イ　判断
（ア）相違点１について
　引用発明１の「ｎ型半導体層、活性層、およびｐ型半導体層」は、具体的にどのようなもので構成されるか特定されてはいないが、光を射出するエピタキシャル構造の半導体をＩＩＩ族窒化物層から構成することは本願優先日前に周知であるところ、ＩＩＩ族窒化物層から構成する「ｎ型半導体層、活性層、およびｐ型半導体層」からなる光を射出するエピタキシャル構造として、引用文献２に「青を発光するＩｎＧａＮを活性層、ｎ-ＡｌＧａＮをｎ型クラッド層、ｐ-ＡｌＧａＮをｐ型クラッド層とするダブルヘテロ構造であるＩｎＧａＮ系発光ダイオードであって、ＧａＮバッファ層の上に、ｐ-ＧａＮ、ｐ-ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ｎ-ＡｌＧａＮ、及びｎ-ＧａＮの順で各層が積層した構造の各薄膜の成長には、ＭＯＭＢＥ法（有機金属分子ビームエピタキシー法）が用いられるＩｎＧａＮ系ＬＥＤ」（引用発明２）が記載されていることに照らして、引用発明１の「エピタキシャル構造」として、引用発明２のＩｎＧａＮ系ＬＥＤを適用する点に格別の困難はない。
　そして、引用発明２のＩｎＧａＮ系ＬＥＤを引用発明１の透明基板にボンディングするに際しては、上記（２）イ（ウ）の図２（Ｂ）のｎ電極及びｐ電極の位置に照らして、「ｐ-ＡｌＧａＮ（ｐ型クラッド層）」側のみをボンディングすべきものであることは明らかである。
　したがって、引用発明１及び引用発明２に基づいて、上記相違点１に係る本願発明の構成とする点に格別の困難はない。
　
（イ）相違点２について
　引用発明１の電気光学装置を使用するに際して、上面から射出する光の角度を所望のものとなすために適宜の光学素子を付加することは本願優先日前に従来周知である（例えば、平成２５年５月８日付けの最後の拒絶理由で示した、特開２００６−１６５３２６号公報　段落【００６５】ないし【００６６】、図１２ないし１３　（逆テーパの）エポキシ樹脂１０、特開２００６−４１４７９号公報　段落【００４２】ないし【００４５】、図６　（レンズ効果の）ガラス部材１１、参照）。
　そして、当該所望の角度の光となすため付加する適宜の光学素子として、引用文献３に「発光部が上面側に配されたＬＥＤに対して、入射端面及び出射端面がともに円形状とされた円錐状のテーパロッドを備える発光デバイス」（引用発明３）が記載されている事に照らして、上面から光を射出するにとどまる引用発明１の「エピタキシャル構造」に、引用発明３の入射端面及び出射端面がともに円形状とされた円錐状のテーパロッドを適用する点に格別の困難はない。
　よって、上記周知技術に照らして、引用発明１に引用発明３の入射端面及び出射端面がともに円形状とされた円錐状のテーパロッドを適用して、上記相違点２に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得た事項である。
　
（４）まとめ
　したがって、本願補正発明は、引用発明１、引用発明２及び引用発明３に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４　本件補正についてのむすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２５年４月１９日付けで補正された明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１９に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記第２　［理由］１において、補正前のものとして示したとおりのものである。
　
２　刊行物の記載及び引用発明
（１）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された、特開２００３−２４９６９２号公報（以下「引用文献４」という。）には、以下の記載がある。
ア　「【請求項１】
透光性材料から成るチップ基板と
このチップ基板の一側の面上に実装された発光チップ
このチップ基板の一側の面上にて発光チップを包囲するように透明樹脂により形成された第一の樹脂モールド部と
このチップ基板の他側の面上にて透明樹脂により形成された第二の樹脂モールド部と、を含
半導体発光装置。
　
イ　「【００２５】図１は、本発明による半導体発光装置の一実施形態の構成を示している。図１において、半導体発光装置１０は、チップ基板１１と、チップ基板１１上に搭載された発光チップ１２と、発光チップ１２そしてチップ基板１１の表面全体を覆うように形成された第一の樹脂モールド部１３と、チップ基板１１の裏面全体を覆うように形成された第二の樹脂モールド部１４と、から構成されている。
【００２６】上記チップ基板１１は、透明材料、例えば透明ガラス，サファイア，ＳＩＣ等から成る平坦なチップ基板として構成されており、その表面に導電パターン１１ａを備えている。そして、チップ基板１１は、その実装位置に発光チップ１２が透明接着剤１１ｂによりダイボンディングされると共に、隣接した導電パターン１１ａに対して金線１５（または金バンプ）のワイヤボンディングにより電気的に接続されるようになっている。さらに、チップ基板１１は、その発光チップ１２が実装される領域１１ｃ（図２参照）付近、そして好ましくは導電パターン１１ａの領域を除いて、表面に反射膜１６が形成されている。
【００２７】上記
発光チップ１２は、公知の構成であって、
青色光を出射するように構成され
【００２８】上記第一の樹脂モールド部１３は、透明樹脂、例えば熱硬化性エポキシ樹脂に蛍光体を混入することにより構成されており、適宜の成形方法により成形されている。この場合、上記蛍光体は、発光チップ１２からの青色光が入射したとき、この青色光に励起された白色光を発光させるようになっている。そして、この第一の樹脂モールド部１３は、内面反射を防止するために、表面が粗面仕上げされている。
【００２９】上記第二の樹脂モールド部１４は、透明樹脂、例えば熱硬化性エポキシ樹脂から構成されており、適宜の成形方法により成形されている。そして、この第一の樹脂モールド部１４は、同様に内面反射を防止するために、表面が粗面仕上げされている。
【００３０】さらに、上記第一の樹脂モールド部１３及び第二の樹脂モールド部１４は、その表面１３ａ及び１４ａが粗面仕上げされている。これにより、上記第一の樹脂モールド部１３及び第二の樹脂モールド部１４の内面反射が防止されるようになっている。
【００３１】本発明実施形態による半導体発光装置１０は、以上のように構成されており、半導体発光装置１０の組立は以下のようにして行なわれる。即ち、先ず、チップ基板１１の表面のチップ実装領域１１ｃの中心付近に透明接着剤を塗布した後、このチップ実装領域１１ｃに発光チップ１２を載置する。そして、発光チップ１２をチップ基板１１の表面に対して押圧することにより、透明接着剤が薄く押し延ばされ、透明接着剤の硬化によって、発光チップ１２のダイボンディングが完了する。その後、発光チップ１２と導電パターン１１ａの間を、金線１５によりワイヤボンディングし、最後にチップ基板１１の上面及び下面に対して、それぞれ第一の樹脂モールド部１３及び第二の樹脂モールド部１４を形成することにより、半導体発光装置１０が完成する。
【００３２】このようにして組み立てられた半導体発光装置１０によれば、チップ基板１１の導電パターン１１ａを介して、発光チップ１２に駆動電圧を印加すると、発光チップ１２が発光する。そして、
発光チップ１２から出射した光の一部が
第一の樹脂モールド部１３から一側（
上方）に出射し、
【００３３】これに対して、
発光チップ１２から出射した光の他の一部が
第二の樹脂モールド部１４を介して他側（
下方）に出射する
　
ウ　図１は次のものである。
図１
　
（２）上記（１）によれば、引用文献４には、次の発明（以下「引用発明４」という。）が記載されていると認められる。
「透光性材料から成るチップ基板と、
　このチップ基板の一側の面上に実装された発光チップと、
　このチップ基板の一側の面上にて発光チップを包囲するように透明樹脂により形成された第一の樹脂モールド部と、
　このチップ基板の他側の面上にて透明樹脂により形成された第二の樹脂モールド部と、を含み、
　前記発光チップは、公知の構成であって、青色光を出射するように構成され、
　前記発光チップから出射した光の一部が前記第一の樹脂モールド部から一側（上方）に出射し、前記発光チップから出射した光の他の一部が前記第二の樹脂モールド部を介して他側（下方）に出射する半導体発光装置。」
　
３　対比・判断
ア　本願発明と引用発明４とを対比する。
（ア）引用発明４の「（透光性材料から成る）チップ基板」、「『（チップ基板の一側の面上にて発光チップを包囲するように透明樹脂により形成された）第一の樹脂モールド部』及び『（チップ基板の他側の面上にて透明樹脂により形成された）第二の樹脂モールド部』」及び「半導体発光装置」は、本願発明の「（透明な）基板」、「成形光学素子」及び「発光装置」にそれぞれ相当する。
　
（イ）引用発明４の「発光チップ」は、「青色光を出射するように構成された公知の構成である」ところ、当該「発光チップ」が、光を放射する活性領域を含む複数の層からなるものといえることは明らかである。
　また、引用発明４の「発光チップ」は、「チップ基板の一側の面上に実装する」ものであるから、取り付けられるものであるといえる。
　そうすると、引用発明４は、透光性材料から成るチップ基板と、光を放射する活性領域を含む複数の層からなる発光チップとからなり、前記発光チップを前記チップ基板に取り付けられる半導体発光装置であると認められるから、引用発明４は、本願発明の「発光装置であって、該発光装置は、複数のＩＩＩ族窒化物層であって、該複数のＩＩＩ族窒化物層は、ｎ型層、ｐ型層、および、光を放射する活性領域を含み、該活性領域は、該ｎ型層と該ｐ型層との間にあり、該ＩＩＩ族窒化物層のｎ型側は、該ＩＩＩ族窒化物層の前面上にあり、該ＩＩＩ族窒化物層のｐ型側は、該前面と対向する該ＩＩＩ族窒化物層の後面上にあり、該活性領域を除く該ＩＩＩ族窒化物層の全ては、該光の発光波長に対して透明であることにより、該光は、該ＩＩＩ族窒化物層の全てを通り、かつ該ＩＩＩ族窒化物層を通る複数の方向に効果的に抽出される、複数のＩＩＩ族窒化物層と、該ＩＩＩ族窒化物層の該ｐ型側にのみ取り付けられる透明な基板またはサブマウントと、該ＩＩＩ族窒化物層および該透明な基板またはサブマウントと組み合わされる１つ以上の成形光学素子とを含」む点と、「発光装置であって、該発光装置は、複数の層であって、該複数の層は、光を放射する活性領域を含む複数の層と、該複数の層に取り付けられる透明な基板とを含」む点で相当関係にある。
　
（ウ）引用発明４の「半導体発光装置」は、「このチップ基板の一側の面上にて発光チップを包囲するように透明樹脂により形成された第一の樹脂モールド部と、このチップ基板の他側の面上にて透明樹脂により形成された第二の樹脂モールド部と、を含み」、「前記発光チップから出射した光の一部が前記第一の樹脂モールド部から一側（上方）に出射し、前記発光チップから出射した光の他の一部が前記第二の樹脂モールド部を介して他側（下方）に出射する」ものであるから、発光チップから射出された光は上面および底面から射出されるものである。
　そうすると、引用発明４は、本願発明の「該成形光学素子および該透明な基板またはサブマウントは、該ＩＩＩ族窒化物層から該抽出された光をさらに抽出することにより、該抽出された光は、該発光装置の少なくとも該前面および該後面を通ってさらに抽出される」点と、「透明な基板は、該層から該抽出された光をさらに抽出することにより、該抽出された光は、該発光装置の少なくとも該前面および該後面を通ってさらに抽出される」点で相当関係にある。
　
（エ）上記（ア）ないし（ウ）によれば、本願発明と引用発明４は、
「発光装置であって、該発光装置は、
　複数の層であって、光を放射する活性領域を含む複数の層と、
　該複数の層に取り付けられる透明な基板と、
　該複数の層および該透明な基板と組み合わされる１つ以上の成形光学素子と
　を含み、
　該成形光学素子および該透明な基板またはサブマウントは、該複数の層から該抽出された光をさらに抽出することにより、該抽出された光は、該発光装置の少なくとも該前面および該後面を通ってさらに抽出される、装置。」
である点で一致し、下記の点で相違する。
　
・本願発明は、「複数のＩＩＩ族窒化物層」が、「ｎ型層、ｐ型層、および、光を放射する活性領域を含み、該活性領域は、該ｎ型層と該ｐ型層との間にあり、該ＩＩＩ族窒化物層のｎ型側は、該ＩＩＩ族窒化物層の前面上にあり、該ＩＩＩ族窒化物層のｐ型側は、該前面と対向する該ＩＩＩ族窒化物層の後面上にあり、該活性領域を除く該ＩＩＩ族窒化物層の全ては、該光の発光波長に対して透明であることにより、該光は、該ＩＩＩ族窒化物層の全てを通り、かつ該ＩＩＩ族窒化物層を通る複数の方向に効果的に抽出される」ものであって、「透明な基板またはサブマウント」に、「該ＩＩＩ族窒化物層の該ｐ型側にのみ取り付けられる」のに対して、引用発明４は、このようなものとは特定されない点（以下「相違点３」という。）。
　
イ　判断
・相違点３について
　引用発明２の「発光チップ」は、青を発光するものであって、ｐ-ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ｎ-ＡｌＧａＮの順で各層が積層した構造のＩｎＧａＮ（活性層）、ｎ-ＡｌＧａＮ（ｎ型クラッド層）及びｐ-ＡｌＧａＮ（ｐ型クラッド層）のＩＩＩ族窒化物からなるものであるから、本願発明の「複数のＩＩＩ族窒化物層」とは、「ｎ型層、ｐ型層、および、光を放射する活性領域を含み、該活性領域は、該ｎ型層と該ｐ型層との間にあり、該ＩＩＩ族窒化物層のｎ型側は、該ＩＩＩ族窒化物層の前面上にあり、該ＩＩＩ族窒化物層のｐ型側は、該前面と対向する該ＩＩＩ族窒化物層の後面上にあ」る点で相当関係にある。
　また、引用発明２において、ｎ-ＡｌＧａＮ（ｎ型クラッド層）及びｐ-ＡｌＧａＮ（ｐ型クラッド層）がＩｎＧａＮ（活性層）から発する光に対して透明であることは技術常識である。
　そうすると、引用発明２は上記相違点３に係る構成を備えるものであると認められる。
　ここで、引用発明４の「発光チップ」は、「公知の構成であって、青色光を出射するように構成され」るものであるところ、当該「発光チップ」として引用発明２の「（青色光を出射するように構成される）ＩｎＧａＮ系発光ダイオード」を適用することは当業者が容易になし得ることである。
　したがって、本願発明は、引用発明４及び引用発明２に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用発明４及び引用発明２に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。