【事件の表示】
　特願２００８−１４６９７１「格子整合基板上への窒化物系光電子／電子デバイス構造体の形成」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　２月１９日出願公開、特開２００９−　３８３４４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願手続の概要は、次のとおりである。
　
　特許出願　　　　　　　　　　平成２０年　６月　４日
　（パリ条約による優先権主張　２００７年　６月　５日、米国）
　手続補正書提出　　　　　　　平成２３年　６月　１日 
　手続補正書提出　　　　　　　平成２４年　１月２５日 
　拒絶理由通知書発送　　　　　平成２４年１２月　４日 
　手続補正書提出　　　　　　　平成２５年　４月　３日 
　拒絶理由通知書発送　　　　　平成２５年　４月１６日 
　手続補正書提出　　　　　　　平成２５年　８月　９日 
　拒絶理由通知書発送　　　　　平成２５年　９月１０日 
　手続補正書提出　　　　　　　平成２５年１２月　４日 
　拒絶理由通知書発送　　　　　平成２５年１２月１７日 
　手続補正書提出　　　　　　　平成２６年　３月　５日 
　補正の却下の決定（起案日）　平成２６年　３月１３日 
　拒絶査定謄本送達　　　　　　平成２６年　３月１８日 
　審判請求　　　　　　　　　　平成２６年　７月１７日 
　手続補正書提出　　　　　　　平成２６年　７月１７日 
　
II．平成２６年７月１７日付け手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２６年７月１７日付け手続補正を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　平成２６年７月１７日付け手続補正（以下「本件補正」という。）は、本願特許請求の範囲の請求項１を、
「電子または光電子デバイス構造体の製造方法であって、
　１層または複数層のＡｌＩｎＧａＮ合金を窒化物基板上にエピタキシャル成長させ、複合半導体デバイスを形成するステップと、
　前記複合半導体デバイスのエピタキシャル成長した１層または複数層のＡｌＩｎＧａＮ合金の上にキャリアを付着させるステップと、
　前記複合半導体デバイスから前記基板を取り除くと共に、前記複合半導体デバイスから前記キャリアを取り除いて、結果的に電子または光電子デバイス構造体を形成するステップと
を備え、
　前記ＡｌＩｎＧａＮ合金の少なくとも１層は、前記窒化物基板とは異なる物質を含み、前記電子または光電子デバイス構造体には成長の土台であった前記窒化物基板が存在しておらず、
　前記窒化物基板
は破砕に
され、前記除去された窒化物基板は、実質的に無傷であり、研磨及び再使用に適している
と補正することを含むものであって、特許法第１７条の２第５項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められるので、以下に、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について、独立特許要件の検討を行う。
　　
２．引用例
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００６−３３２６８１号公報（以下「引用例１」という。）には、図とともに次の記載がある（下線は当審による。）。　
　
　ア　「【００２２】
  しかし、前記従来の技術も次のような問題点がある。
【００２３】
  すなわち、エピ層を形成するための基板としてサファイア基板を使用するためエピ層であるＧａＮ系と格子不整合によりエピ層の品質が低下して発光効率が悪化しＥＳＤ(ElectroStatic Damage)レベルも低く、信頼性も悪化するなどの問題点がある。
【００２４】
  また、このようなサファイア基板の問題点を解決するために代替基板として窒化物半導体基板が研究されているが足りない現状であり、このような窒化物半導体基板は高価なので一回用の場合は製造コストがアップする難題がある。
【発明の開示】
【００２５】
  本発明は前述したような問題点を解決するために案出されたもので、その目的は窒化物半導体基板にＬＬＯ層と
エピ層
【００２６】
  
本発明の他の目的は、設けられたＬＬＯ層をレーザ光で除去して相対的に高価な窒化物半導体基板を分離してリサイクルできるようにして製造コストを節減できる低価格の発光ダイオードの製造方法を提供するところにある。
　
　イ　「【００３３】              
  以下、添付した図面に基づき本発明の望ましい実施形態を説明すれば次の通りである。
【００３４】
  図３ａないし図３ｃは本発明に係る発光ダイオードの製造方法を説明するための断面図であって、まず基板２００の上部に照射されたレーザ光により除去されるＬＬＯ(Laser Lift-off)層２１０を含んでおり、少なくとも一つ以上の物質よりなる半導体膜(Film)２２０を形成する(図３ａ)。
【００３５】
  その後、前記半導体膜２２０の上部に第１極性を有する第１層２３０、活性層２４０と第１極性と逆の第２極性を有する第２層２５０を形成する(図３ｂ)。
【００３６】
  ここで、図３ａ及び図３ｂの工程において、前記基板２００の上部にＬＬＯ層２１０だけを形成し、ＬＬＯ層２１０の上部に第１層２３０、活性層２４０と第２層２５０を形成しても良い。
【００３７】
  次いで、前記基板２００を通じて前記ＬＬＯ層２１０にレーザ光を照射して前記ＬＬＯ層２１０を除去して前記基板２００を離脱させる(図３ｃ)。
【００３８】
  ここで、前記第２層２５０の上部に金属構造物または金属が含まれた構造物(Structure)をさらに形成して、図３ｃのような前記基板２００の離脱工程で前記第１層２３０、活性層２４０と第２層２５０よりなる発光構造物を前記構造物をして堅固に保持(Holding)できるようになる。
【００３９】
  この際、前記構造物は前記第２層２５０の上部に蒸着(Deposition)工程と成長(Growth)工程のいずれか一つを含んだ工程を行って形成したり、あるいは前記第２層の上部に前記構造物を接着して形成することが望ましい。
【００４０】
  すなわち、前記第２層２５０の上部に金属を蒸着して金属構造物を形成したり、あるいはＡｌＧａＮのような金属が含まれた物質、化合物半導体のような金属以外の物質を前記第２層２５０の上部に成長させ、その後金属を蒸着させ構造物を形成する。
【００４１】
  従って、本発明はレーザ光により完全に除去できるＬＬＯ層を除去する基板と発光構造物との間に介して、基板の除去をさらに容易に行える長所がある。
【００４２】
  図４ａまたは図４ｂは本発明に係る発光ダイオードの製造方法を説明するための断面図であって、ＬＬＯ層２１０は図４ａに示したように、離脱させるための基板２００と接触されているか、あるいは図４ｂのように前記半導体膜２２０の内部に位置されていることが望ましい。
【００４３】
  図５ａ及び図５ｂは本発明の第１実施形態による発光ダイオードを製造するための一部工程を説明するための断面図であって、窒化物半導体基板３１０の上部にＭＯＣＶＤの工程を行なって、ＬＬＯ層３１１、ドーピングされないＧａＮ層３１２、Ｎ-ＧａＮ層３１３、活性層３１４、Ｐ-ＧａＮ層３１５を積層し、前記Ｐ-ＧａＮ層３１５の不純物を活性化させるために６００℃で約２０分はど熱処理する(図５ａ)。
【００４４】
  
前記活性層３１４はＩｎ
ｘ
Ｇａ
１-ｘ
Ｎなどよりなる。
【００４５】
  
前記窒化物半導体基板３１０は半導体窒化物及びこれらの組合わせであって、望ましくはＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮとＡｌＩｎＧａＮのいずれか一つの物質よりなる基板であることがエピ層の特性の向上のために望ましい。
　
　ウ　「【００９０】
  図９ａないし図９ｄは本発明の第２実施形態による
発光ダイオードの製造方法
キャリア(carrier)３７１をＰ-ＧａＮ層３１５に形成し、窒化物半導体基板３１０を除去した後前記キャリア３７１を除去する
【００９１】
  まず、図９ａに示したように、
窒化物半導体基板の上部に
ＬＬＯ３１１層とＮ-ＧａＮ層３１３を形成し、前記Ｎ-ＧａＮ層３１３の上部に活性層３１４及びＰ-ＧａＮ層３１５を積層し、前記Ｐ-ＧａＮ層３１５上にキャリア３７１を形成する
【００９２】
  
その後、
前記窒化物半導体基板３１０を離脱させる
【００９３】
  引き続き、前記Ｎ-ＧａＮ層３１３の下部にＮ-オーミックコンタクト層３３１、反射層３３２と金属支持部３７０を形成する。 
【００９４】
  ここで、前記Ｎ-オーミックコンタクト層３３１と反射層３３２の形成は省略することができる。
【００９５】
  
その後、前記Ｐ-ＧａＮ層３１５上に形成された前記キャリア３７１を除去し
　
（２）引用発明
　上記ウによれば、引用例１には、
「窒化物半導体基板３１０の上部にＬＬＯ層３１１とＮ-ＧａＮ層３１３を形成し、前記Ｎ-ＧａＮ層３１３の上部に活性層３１４及びＰ-ＧａＮ層３１５を積層し、前記Ｐ-ＧａＮ層３１５上にキャリア３７１を形成し、前記窒化物半導体基板３１０を除去した後前記キャリア３７１を除去する発光ダイオードの製造方法。」（以下「引用発明」という。）
が記載されているものと認められる。
　ここで、「窒化物半導体基板３１０」について、引用例１には、上記イの【００４５】に「前記窒化物半導体基板３１０は半導体窒化物及びこれらの組合わせであって、望ましくはＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮとＡｌＩｎＧａＮのいずれか一つの物質よりなる基板であることがエピ層の特性の向上のために望ましい。」と記載されている。
　また、「活性層３１４」について、引用例１には、上記イの【００４４】に「前記活性層３１４はＩｎｘＧａ１-ｘＮなどよりなる。」と記載されている。
　さらに、除去された窒化物半導体基板３１０について、引用例１には、上記イの【００２６】に「本発明の他の目的は、設けられたＬＬＯ層をレーザ光で除去して相対的に高価な窒化物半導体基板を分離してリサイクルできるようにして製造コストを節減できる低価格の発光ダイオードの製造方法を提供するところにある。」と記載されている。
　
３．対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。　
（１）引用発明は、「発光ダイオードの製造方法」であるから、本願補正発明と同様に「電子または光電子デバイス構造体の製造方法」といえる。
（２）本願補正発明の「窒化物基板」について、本願明細書には【００１６】に「本明細書で使用している『窒化物基板』という用語は、その少なくともかなりの部分がＧａＮで構成される基板、例えば少なくとも６０重量パーセント（「ｗｔ％」）のＧａ、少なくとも７０ｗｔ％のＧａ、少なくとも７５ｗｔ％のＧａ、少なくとも８０ｗｔ％のＧａ、少なくとも９０ｗｔ％のＧａ、少なくとも９５ｗｔ％のＧａ、少なくとも９９ｗｔ％のＧａまたは１００ｗｔ％のＧａで構成される基板を指す。このような基板は、ＧａＮを様々に含むものであってもよく、また、ＧａＮで構成されてもよく、あるいは、事実上ＧａＮで構成されてもよい。」と記載されているところ、引用例１には、引用発明の「窒化物半導体基板３１０」について、上記のごとく「ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮとＡｌＩｎＧａＮのいずれか一つの物質よりなる基板であることがエピ層の特性の向上のために望ましい。」と記載されているから、引用例１には、「窒化物半導体基板３１０」を「ＧａＮ」よりなる基板としたものが記載されているものと認められるところであり、引用発明の「窒化物半導体基板３１０」は、本願補正発明の「窒化物基板」に相当する。
　また、本願補正発明の「ＡｌＩｎＧａＮ合金」について、本願明細書には【００１８】に「本明細書で使用しているように、『ＡｌＩｎＧａＮ合金』という用語はＩＩＩ族の金属から選択される窒化物合金を指す。ＡｌＩｎＧａＮ合金は、概して、（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ）ＮまたはＡｌｘＧａｙＩｎ１−ｘ−ｙＮ、但し０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１及びｘ＋ｙ≦１、で表される。本明細書において一般式ＡｌＩｎＧａＮで特定される場合、『ＡｌＩｎＧａＮ合金』は、ＡｌＩｎＧａＮの安定した合金形態を生み出すための各成分の他の成分に対する化学量論的に適切な任意の割合または量（即ち、化学量論的係数ｘとｙの変動）のいかなるものをも包含するものと解釈されることを意図している。…。本明細書において別段の指摘のない限り、『ＡｌＩｎＧａＮ合金』という用語は、ＡｌＩｎＧａＮ合金混合物、ドープ物質（例えば、ｎ型またはｐ型もしくは補償型）及び非ドープ物質も含む。」と記載されているから、引用発明の「Ｎ-ＧａＮ層３１３」、「Ｐ-ＧａＮ層３１５」及び「（ＩｎｘＧａ１-ｘＮなどよりなる）活性層３１４」が本願補正発明の「ＡｌＩｎＧａＮ合金」に相当することは明らかであって、結局、引用発明において、「窒化物半導体基板３１０の上部にＬＬＯ層３１１とＮ-ＧａＮ層３１３を形成し、前記Ｎ-ＧａＮ層３１３の上部に活性層３１４及びＰ-ＧａＮ層３１５を積層」することは、本願補正発明の「１層または複数層のＡｌＩｎＧａＮ合金を窒化物基板上にエピタキシャル成長させ、複合半導体デバイスを形成するステップ」に相当する。
（なお、前記「Ｎ-ＧａＮ層３１３」ないし「Ｐ-ＧａＮ層３１５」がエピタキシャル成長により形成されたものであることは、引用例１の【００２５】、【００４５】等の「エピ層」の記載からも明らかである。）
（３）引用発明において、「前記Ｐ-ＧａＮ層３１５上にキャリア３７１を形成」することは、本願補正発明の「前記複合半導体デバイスのエピタキシャル成長した１層または複数層のＡｌＩｎＧａＮ合金の上にキャリアを付着させるステップ」に相当する。
（４）引用発明において、「前記窒化物半導体基板３１０を除去した後前記キャリア３７１を除去する」ことは、本願補正発明の「前記複合半導体デバイスから前記基板を取り除くと共に、前記複合半導体デバイスから前記キャリアを取り除いて、結果的に電子または光電子デバイス構造体を形成するステップ」に相当する。
（５）引用発明の「活性層３１４」には「ＩｎｘＧａ１-ｘＮ」が採用されるものと認められるところ、この「ＩｎｘＧａ１-ｘＮ」は、「窒化物半導体基板３１０」の「ＧａＮ」とは異なるから、引用発明は、本願補正発明と同様に「前記ＡｌＩｎＧａＮ合金の少なくとも１層は、前記窒化物基板とは異なる物質を含」むものといえ、また、引用発明は、「窒化物半導体基板３１０を除去」するものであるから、本願補正発明と同様に「前記電子または光電子デバイス構造体には成長の土台であった前記窒化物基板が存在しておらず」というものであるといえる。
（６）引用発明において除去された「窒化物半導体基板３１０」は、上記したように「リサイクルできるように」分離したものであるから、本願補正発明の「窒化物基板」と同様に「前記除去された窒化物基板は、実質的に無傷であり、研磨及び再使用に適している」ものといえる。
　
（７）以上のことから、両者は、
「電子または光電子デバイス構造体の製造方法であって、
　１層または複数層のＡｌＩｎＧａＮ合金を窒化物基板上にエピタキシャル成長させ、複合半導体デバイスを形成するステップと、
　前記複合半導体デバイスのエピタキシャル成長した１層または複数層のＡｌＩｎＧａＮ合金の上にキャリアを付着させるステップと、
　前記複合半導体デバイスから前記基板を取り除くと共に、前記複合半導体デバイスから前記キャリアを取り除いて、結果的に電子または光電子デバイス構造体を形成するステップと
を備え、
　前記ＡｌＩｎＧａＮ合金の少なくとも１層は、前記窒化物基板とは異なる物質を含み、前記電子または光電子デバイス構造体には成長の土台であった前記窒化物基板が存在しておらず、
　前記除去された窒化物基板は、実質的に無傷であり、研磨及び再使用に適している方法。」の点で一致する。
　
（８）一方、窒化物基板の除去について、本願補正発明では、「前記窒化物基板は破砕によって前記複合半導体デバイスから除去され、」とされているのに対し、引用発明では、レーザリフトオフを通じて窒化物半導体基板を分離するとされ、「破砕によって」除去するとはされていない点で、両者は相違する。
　
４．判断
　上記相違点について検討する。
　基板の除去に関して、平成２５年４月３日提出の手続補正書までは、本願特許請求の範囲の請求項に「前記窒化物基板は研削、エッチング、光学的分離または破砕の何れかによって除去される」（請求項１０）及び「前記窒化物基板は破砕によって除去され、前記破砕はイオンインプランテーション及びアニーリングによって実行される」（請求項１１）と記載され、平成２５年８月９日提出の手続補正書においても「前記窒化物基板は研削、エッチング、
光子衝突、
　
５．むすび
　したがって、本願補正発明は、引用発明における「窒化物半導体基板３１０」の除去を引用例２に記載された技術により行うことによって、当業者が容易に発明できたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
III．本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下され、平成２６年３月５日付けの手続補正も却下されているので、本願の請求項に係る発明は、平成２５年１２月４日に提出された手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし１８に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
　
「電子または光電子デバイス構造体の製造方法であって、
　１層または複数層のＡｌＩｎＧａＮ合金を窒化物基板上にエピタキシャル成長させ、複合半導体デバイスを形成するステップと、
　前記複合半導体デバイスのエピタキシャル成長した１層または複数層のＡｌＩｎＧａＮ合金の上にキャリアを付着させるステップと、
　前記複合半導体デバイスから前記基板を取り除くと共に、前記複合半導体デバイスから前記キャリアを取り除いて、結果的に電子または光電子デバイス構造体を形成するステップと
を備え、
　前記ＡｌＩｎＧａＮ合金の少なくとも１層は、前記窒化物基板とは異なる物質を含み、前記電子または光電子デバイス構造体には成長の土台であった前記窒化物基板が存在しておらず、
　前記窒化物基板を研削、エッチング、または破砕の何れかによって前記複合半導体デバイスから除去する方法。」　
　
２．判断　
　本願発明は、本願補正発明における「前記窒化物基板は破砕によって前記複合半導体デバイスから除去され、前記除去された窒化物基板は、実質的に無傷であり、研磨及び再使用に適している」を「前記窒化物基板を研削、エッチング、または破砕の何れかによって前記複合半導体デバイスから除去する」としたものである。
　してみると、本願発明において、窒化物基板を破砕によって前記複合半導体デバイスから除去する点については、上記II．［理由］２．〜４．において検討したとおりであって、引用発明において、窒化物半導体基板３１０の除去を引用例２に記載された技術でもって行い、本願発明のごとく、破砕によって除去するようにすることに格別の困難性は認められない。
　また、引用発明は、窒化物半導体基板を分離してリサイクルできるようにするために、ＬＬＯ層をレーザ光で除去するようにしているが、引用発明は、引用例１の【００２３】〜【００２５】の記載から明らかなように、基板として従来のサファイア基板に代えて窒化物半導体基板を採用したことにより、エピ層の特性が向上して高品位、高効率の発光ダイオードが得られるという利点を有するものであるところ、この利点は、窒化物半導体基板をリサイクルしなくても得られるものであることが当業者に明らかであり、リサイクルを要しない基板の除去方法として、研削やエッチングによる基板の除去方法は、平成２５年１２月１７日発送の拒絶理由通知書において、特開２００４−４７９１８号公報（例えば、【００５５】の「成長基板を窒化物半導体層から分離（除去）する方法としては、レーザ光照射、研磨、ケミカルポリッシュ（ＣＭＰ処理）などが挙げられる。」の記載参照。）及び特開２００６−３１０６５７号公報（例えば、【００４６】の「基板分離は、成長基板１３の材質に応じて、研磨、ドライエッチ、ウェットエッチ、レーザリフトオフ法等を用いる。」の記載参照。）を引用して指摘したように本願の優先日時点で周知であるから、引用発明における「窒化物半導体基板３１０」の「除去」をこれらの周知の技術を用いて、本願発明のごとく研削やエッチングによって行うようにすることは当業者が容易になし得たものと認められる。　
　
３．むすび
　以上のとおりであって、本願発明は、引用発明及び引用例２に記載の技術事項に基づいて、また、引用発明及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。