(57)【要約】【課題】ほぼディスク形状のワークピースのエッジの検出装置を提供する【解決手段】半導体ウエハのような，ほぼディスク状のワークピースのエッジを決定する装置は，光ビームの第一の部分がワークピースを通り越し，光ビームの第二の部分がワークピースにより遮断されるように，ワークピースのエッジの近傍で，そのワークピースの表面に，光ビームを向けるように配置された光源を含む。光ビームと表面に対する法線との間の角度が，ワークピース内で光ビームが全内反射する臨界角度に等しいか，それよりも大きい。装置はさらに，ワークピースを回転させる機構，および光ビームの第一の部分を検出するように配置され，ワークピースが回転したときに，ワークピースのエッジを表すエッジ信号を生成する光センサーを含む。【選択図】図２
2007165655.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面を有する，ほぼディスク状のワークピースのエッジを決定する装置であって，
光ビームの第一の部分がワークピースを通り越し，光ビームの第二の部分がワークピースにより遮断されるように，ワークピースのエッジの近傍で，ワークピースの表面に，光ビームを向けるように配置された光源と，
ワークピースを回転させる機構と，
光ビームの第一の部分を検知し，ワークピースが回転するときに，ワークピースのエッジを表すエッジ信号を発生するように配置された光センサーと，
を含み，
光ビームと，ワークピースの表面に対する法線との間の角度が，ワークピース内で，光ビームが全内反射する臨界角度に等しいか，またはそれよりも大きく，
光ビームは細長い断面を有し，細長い断面の光ビームの長手方向の寸法がワークピースの回転中心に関して放射方向に沿うように，ワークピースの表面に向けられる，
ところの装置。
【請求項２】
前記角度は65度に等しいか，またはそれよりも大きい，請求項１に記載の装置。
【請求項３】
ワークピースは半導体ウエハからなり，
前記光源，前記回転機構および前記光センサーは，半導体ウエハ上の指標を検知するために配置される，請求項３に記載の装置。
【請求項４】
半導体ウエハは少なくとも部分的に光に透明で，前記光源および前記光センサーは，半導体ウエハ上の指標を検知するように，配置される，請求項３に記載の装置。
【請求項５】
半導体ウエハは，石英，シリコン，サファイアおよびガラスからなるグループから選択され，前記光源および前記光センサーは半導体ウエハ上の指標を検知するように，配置される，請求項３に記載の装置。
【請求項６】
指標は半導体ウエハのエッジにあるノッチからなり，前記光源および前記光センサーはノッチを検知するように，配置される，請求項３に記載の装置。
【請求項７】
指標は半導体ウエハのエッジにあるフラットからなり，前記光源および前記光センサーはフラットを検知するように，配置される，請求項３に記載の装置。
【請求項８】
前記光センサーは，細長い線形センサーであり，前記線形センサーの長手方向の寸法は，ワークピースの回転中心に関して放射方向に向く，請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記光源は，ワークピースの表面に，平行化した光ビームを向ける光学系を含む，請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記光源は，ライト・エミッション・ダイオード，偏光器，レンズ，ライト・エミッション・ダイオードの光出力を平行化するための放物面鏡を含む，請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記光源は，長手方向の寸法をもつ、細長い矩形の光ビームを発生する光学系を含み，細長い矩形の光ビームの長手方向の寸法がワークピースの回転中心に関して放射方向に沿うようにして，細長い矩形の光ビームは，ワークピースの表面に向けられる，請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
さらに，光ビームの強度をモニターし，強度を表すフィードバック信号を発生するための第二の光センサーを含み，
前記光源は，フィードバック信号に応答して光ビームの強度を制御するために，強度調整回路を含む，請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
光ビームと，ワークピースの表面に対する法線との間の角度が，1.5またはそれ以上の屈折率をもつワークピースにおいて，全内反射を生じるように選択される，請求項１に記載の装置。
【請求項１４】
表面を有する，ほぼディスク状のワークピースのエッジを決定する方法であって，
光ビームの第一の部分がワークピースを通り越し，光ビームの第二の部分がワークピースにより遮断されるように，ワークピースのエッジの近傍で，ワークピースの表面に，光ビームを向ける工程と，
ワークピースを回転させる工程と，
光ビームの第一の部分を検知し，ワークピースが回転するときに，ワークピースのエッジを表すエッジ信号を発生させる工程と，
を含み，
光ビームと，ワークピースの表面に関する法線との間の角度が，ワークピース内で，光ビームが全内反射する臨界角度に等しいか，またはそれよりも大きく，
光ビームを向ける工程は，細長い断面を有する光ビームを発生すること，および細長い断面の光ビームの長手方向の寸法がワークピースの回転中心に関して放射方向に沿うように，光ビームをワークピースの表面に向けることを含む，
ところの方法。
【請求項１５】
前記角度は65度に等しいか，またはそれよりも大きい，請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
光ビームの第一の部分を検知する工程は，半導体ウエハ上の指標を検出することを含む，請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
光ビームの第一の部分を検知する工程は，ワークピースの回転中心に関して，放射方向に向けられた長手方向の寸法をもつ光センサーで，光ビームを検知する工程を含む，請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
光ビームを向ける工程は，ワークピースの表面に，平行化した光ビームを向けることを含む，請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
光ビームを向ける工程は，細長い矩形の光ビームを発生すること，および細長い矩形の光ビームの長手方向の寸法がワークピースの回転中心に関して放射方向に沿うようにして，細長い矩形の光ビームをワークピースの表面に向けることを含む，請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
さらに，光ビームの強度をモニターし，強度を表すフィードバック信号を発生し，フィードバック信号に応答して光ビームの強度を制御する工程を含む，請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体ウエハのようなディスク形状のワークピースのための方向センサーに関し，特に石英ウエハを含む，種々のタイプのウエハの方向を検知することができるウエハ方向センサーに関する。
【背景技術】
【０００２】
イオン注入は伝導性変更不純物を半導体ウエハに導入する標準技術となっている。所望の不純物材料が，イオン源でイオン化され，そのイオンは所定のエネルギーをもつイオンビームを形成するために加速され，イオンビームはウエハの表面に向けられる。ビームのエネルギーをもったイオンは，半導体材料のバルク内に侵入し，所望の伝導性領域を形成するために，半導体材料の結晶格子内に埋め込まれる。
【０００３】
イオン注入システムは，通常は，ガスまたは固定材料を，よく定義されたビーム内に変換するためのイオン源を含む。イオンビームは分析され，不所望のイオン種を除去し，所望のエネルギーをもつまで加速され，ターゲット面に向けられる。ビームは，ビーム走査により，ターゲット移動により，またはビーム走査とターゲット移動の組み合わせにより，ターゲット領域にわたって分布される。従前の一つのアプローチにおいて，半導体ウエハはディスクの周囲近くに配置される。ディスクはその中心軸の回りで回転し，半導体ウエハにわたってイオンビームを分布するために，イオンビームに関して移動させられる。イオン注入機は典型的に，ウエアをイオン注入機に導入し，注入後ウエハを取り除くための自動ウエハハンドリング装置をもつエンドステーションを含む。
【０００４】
ウエハ・ハンドリング・システムは典型的に，ディスク上のウエハ取り付けサイトのような処理ステーションに，カセットホルダーからウエアを移動する。一つの条件は，ウエハまたはフラットもしくはノッチを所望に向け，ウエハを処理ステーションに正確に配置することである。カセットホルダーのスロットはウエハより多少大きく，そのため正確なウエハの配置が行えない。さらに，ウエハのフラットまたはノッチの方向は，カセットホルダー内で制御することができない。しかし，処理ステーションでの正確な配置は，信頼のあるウエアの保持を確かにし，ウエハの損傷を避けるために必要なことである。また，イオン注入システムは典型的に，特別なウエハのフラットまたはノッチの方向を要求するが，その方向は，注入されたイオンによるチャネリングを制御するために，ウエハの結晶向きを示すものである。
【０００５】
ウエハ方向器（orienter）を組み込むウエハ移送システムが，Hertelらによる，1989年6月6日に発行した米国特許明細書（特許文献１）に開示されている。ウエハが方向器のチャック上に配置され，回転させられる。方向センサーがウエハのエッジの下方に位置する光源と光源に整合した，ウエハのエッジの上方に位置する太陽電池とを含む。光源からの光ビームはウエハ面に対し垂直に向けられている。ウエハは光源の一部が，太陽電池に到達するのを妨げる。太陽電池からの信号出力は，ウエハの偏心，およびフラットまたはノッチのような指標を表す。方向センサーからの信号に基づき，偏心および回転向きが補正され得る。ウエハ整合器（aligner）もまたNiewmierzyckiによる，1995年9月26日に発行された米国特許明細書（特許文献２），Volovichによる1993年8月24日に発行された米国特許明細書（特許文献３）およびPhillipsによる1982年8月24日に発行された米国特許明細書（特許文献４）に開示されている。
【特許文献１】米国特許第4,836,733号明細書
【特許文献２】米国特許第5,452,521号明細書
【特許文献３】米国特許第5,238,354号明細書
【特許文献４】米国特許第4,345,836号明細書
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来技術のウエハ方向センサーは一般的に，在来のシリコンウエハに対しては満足に行く結果をもたらす。しかし，ある場合には，イオン注入器は，指標としてノッチまたはフラットをもつ，石英，サファイアおよびガラス（これに限定するものではないが）を含む種々の材料のウエハについても機能するように要求されている。たとえば，石英ウエハは，イオン注入器での不一様性および不純物量をテストするために利用される。在来の光学的方向センサーは石英ウエハのエッジを検出することができない。その理由は，光源からの光ビームは透明な石英ウエハのためにその通過を遮断されず，そのウエハは，センサーにとっていわば見ることがほとんどできないものであるからである。
【０００７】
そこで，透明な材料を含む，種々の材料のウエハのエッジを検出することができる，改良されたウエハ方向センサーの需要がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第一の態様にしたがって，ほぼディスク形状のワークピースのエッジの検出装置を提供する。装置は，光ビームの第一部がワークピースを通り越し，光ビームの第二の部分がワークピースにより遮断されるように，光ビームを，ワークピースの表面のエッジ付近に向けるように配置される光源を含む。光ビームと表面に対する法線との間の角度が，ワークピース内で全内反射をする臨界角に等しいか，それ以上射となる。装置はさらに，ワークピースを回転させる機構，光ビームの第一の部分を検出し，ワークピースが回転しているときに，ワークピースのエッジを標示するエッジ信号を発生するために配置された光センサーを含む。装置は，光ビームに透明なものを含む，種々の材料の半導体ウエハの方向および位置を検出するために使用することができる。
【０００９】
ワークピースは，石英，シリコン，サファイアおよびガラス（これらに限定するものではないが）を含むグループから選択された材料の半導体ウエハであってもよい。光源および光センサーは，ウエハ上の，ノッチやフラットのような指標を検出するように配置される。光ビームと，表面に対する法線との間の角度は，種々の材料のウエアおよび製造較差に順応するように，65度に等しいか，またはそれよりも大きくすることができる。
【００１０】
光センサーは，線形センサーからなるものでもよい。線形センサーの長さ方向は好適に，回転中心に関して，放射状に向く。光源はまた平行化された光ビームをワークピースの表面に向けるための光学系を含んでもよい。光学系はワークピースの表面に向けられた矩形のビームを発生することができ，その矩形のビームの長さ方向は回転中心に関し放射方向に向く。
【００１１】
本発明の他の実施例にしたがって，ほぼディスク形状のワークピースのエッジを検出する方法が提供される。その方法は，光ビームの第一の部分がワークピースを通り越し，光ビームの第二の部分がワークピースにより遮蔽されるように，ワークピースの表面近くに，光ビームを向ける工程を含む。光ビームと，その表面に対する法線との間の角度がワークピース内で，光ビームの全内反射を形成する臨界角度に等しいか，または大きい。その方法はさらにワークピースを回転させる工程，光ビームの第一の部分を検知する工程，およびワークピースが回転するときに，ワークピースのエッジを表示するエッジ信号を発生する工程を含む。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
本発明を組み込むのに適したウエハ移送装置の例が図１に示されている。ウエハ移送装置は，イオン注入器のためのエンドステーションであってもよく，どのタイプの処理または処置システムに対しても，ウエハを処理ステーションに移送するために使用できる。つまり，装置はつぎの通りに作動する。カセットホルダー10（それぞれは複数のウエハ12を保持する）が，カセットロック14，16，18に置かれる。カセットロック14，16，18は排気され，カセットホルダー10は排気されたエレベータ室へと下降する。ウエハは，連接ウエハ移送アーム22により，一度に一つ，カセットホルダー10から取り出され，移送真空室24内のウエハ方向ステーション26に移動される。ウエハの位置および方向は，ウエハ方向センサー34により，ステーション26で検知される。ウエハの角度方向は，ステーション26において必要なとき，変えることができる。アーム22はX軸線にそって伸長し，ウエハは処理システムの処理ステーション28に移送される。ウエハをステーション28に配置するとき，ステーション26において検知された位置エラーが変位を補償することにより除去され得る。ステーション28において，リフトピン30がウエハを移送アーム22から移すために設けられている。
【００１３】
処理後，移送アーム22は，方向ステーション26を使用することなく，ウエハをカセットホルダー10に戻す。ウエハが外側カセットロック14，18のいずれかから移送されると，移送アーム22は，駆動組立体40により，Y軸線にそって各カセットロックへと移動する。ウエハはカセットから取り出され，移送アームは，中央の位置に戻り，アームはステーション28へと伸長する。図１の実施例のおいて，処理ステーション28はバッチタイプのイオン注入機に複数のウエハを配置するためにディスク上47に位置する。ウエハはディスクの周囲付近に，ウエハ移送装置により一度に一つ，配置される。ウエハのロードおよびアンロードの間，ディスクは，次第に回転し始め，ディスク上の各ウエハ配置サイトがウエハ移送装置に対して与えられる。
【００１４】
図２および図３において，方向ステーション26および方向センサー34の略示側面図および平面図がそれぞれ示されている。方向ステーション26において，ウエハ12は，シャフト52によりモータ54に連結された支持台座50上に配置される。モータ54が稼動すると，台座50およびウエハ12は軸線56の回りで回転する。図３に示されているように，回転の軸線56は，ウエハ12が好適に，支持台座50の中心に位置しない場合，ウエハ12の中心58からずれている。台座50は方向付けのために，搬送アーム22の開口部60（図１）を通って上方に伸長し，方向付けが完了したとき，開口部60を通って引っ込む。
【００１５】
ウエハ方向センサー34は光源100および光センサー102を含む。光源100は5°以内に平行化される光ビーム110を生成する。光ビーム110は，ウエハ12の表面に対する法線114に対する角度θで，ウエハ12のエッジに向けられる。以下で説明するが，角度θは，ウエハ12で，光ビームの全内反射が起こる臨界角に等しいか，またはそれより大きい。しかし，ウエハ12により遮断される光ビーム110の一部が，光ビーム110の波長範囲においてウエハが透明とはなってはいるが，阻止される。
【００１６】
図２および３の例において，光源100はウエハ12に下方で，放射方向外側に配置され，光ビーム110は角度θでウエハ12の下面に向けられる。さらに，光源100は，光ビームの第一の部分がウエハ12のエッジを通り越し，光ビームの第二の部分がウエハ12に遮断されるように配置される。エッジ112の位置が，ウエハ上の指標のため，および回転軸線56に対するウエハの中心58のずれのために，変化することから，光ビーム110は，エッジ112の想定位置の範囲を越えて，エッジ112により一部が阻止されるように十分な幅をもつべきである。光ビーム110が一つの極端な例として，ウエハ12により全体的に阻止され，または他の極端な例として，ウエハ12上に入射しないとき，方向センサーはウエハのエッジの位置を決定することができない。
【００１７】
光センサー102はウエハ12の上方で，光ビーム110と整合するように配置される。ウエハ12を通り越した光ビーム110は，センサー102に入射するが，ウエハ12により遮断された光ビーム110の第二の部分はセンサー102に入射しない。図３に示されているように，センサー102は矩形の検知領域をもち，その矩形の検知領域の長手方向の寸法は回転軸線56に関して放射方向に向いている。光センサー102は，光ビーム110を受信する検知領域部分が増加するときに，増加するエッジ信号を生成する。図３に示されているように，光ビーム110の第一の部分110aはセンサー102に入射し，光ビーム110の第二の部分110bはウエハ12により阻止される。光ビーム110およびセンサー102に対するエッジ112の位置は，回転軸線56のまわりでのウエハ12の回転の間，ノッチ120のような指標およびウエハの偏心の結果，変化する。これにより，ウエハ12により阻止された光ビーム112の部分が変化する。すなわち，第一の部分110aおよび第二の部分110bの相対的な割合が変化し，エッジ信号の変化（ウエハの位置および方向を示す）が生じる。図２において，光源100およびセンサー102は本発明の範囲内で種々に配置される。たとえば，光源100はウエハ12の上方でかつ放射方向外側に配置され，センサー102はウエハ12に下方に配置されてもよい。このような場合，光ビーム110は，臨界角に等しいか，それより大きい，法線114に対する角度θで，ウエハ12の面に向けられる。さらに，光ビーム110は，光ビームの第一の部分がワークピースを通り越し，センサーにより遮断され，光ビームの第二の部分がウエハにより遮断されるように，位置付けられる。
【００１８】
上記したように，光ビーム110は，ウエハ内で光ビームの全内反射を起こす臨界角に等しいかまたはそれより大きな，ウエハ12の面の法線114に対する角度θでウエハ12に向けられている。この技術において知られているように臨界角は次のように定義される。
Ic＝arc sin(N1/N2)          （1）
Icは表面の法線に対する臨界角で，N1はより低い屈折率をもつ材料の屈折率で，N2はより高い屈折率をもつ材料の屈折率である。空気―ガラス面に対する臨界角は，ガラスの屈折率が1.5のとき，約42度の値をもつ。好適的実施例において，角θは，石英，シリコン，サファイアおよびガラスウエハで，全反射が生じるように約65度に等しいか，またはそれより大きい。種々の角度がウエハの材料によって使用できることは理解されよう。角θは，上記式（1）により定義された臨界角に等しいか，またはそれより大きくなるように選択される。このことにより，ウエア12は，光ビーム110の波長範囲で透明，または部分的に透明であるが，ウエハ12に入射した光ビーム110の一部が確実に阻止される。
【００１９】
臨界角は，透過光がより高い屈折率の媒体と，より低い屈折率の媒体との間の境界（光がより高い屈折率側から境界に入射する）に接するところの角度である。臨界角ないしそれより大きい角度では，より高い屈折率の媒体から通過する透過光はない。このことは，ウエハがセンサーに対して，ウエハの反対側の面に光が存在しないことから，不透明となる。
【００２０】
半導体ウエハおよび基板はすべて，そのウエハが面する空気または真空より高い濃度（より高い屈折率）をもつ。石英およびサファイアを含む，基板およびウエハの屈折率は典型的に，1.5よりも高い。全内反射を確実にするために，法線114に対して約65度で，ウエハに光が進む。この光は，法線114に関して約48度でウエハを通る。光は，ウエハの反対側に達すると，ウエハの面に平行になり，またはウエハ内に戻り，その結果光はウエハを透過しない。
【００２１】
ウエハ方向センサー34の導入例が図４および図５に示されている。光源100は，ライト・エミッション・ダイオード（LED）140，偏光器142，レンズ144およびミラー146を含む。レンズ144は平凸円筒状レンズであってもよく，ミラー146は，金または銀の反射面148をもつ60度オフセットした放物面鏡であってもよい。LED140は880ナノメートルの波長，および30度の光パターンをもつ，一つの高強度ライト・エミッション・ダイオードであってもよく，制御された電流源（図５）より駆動され得る。光学系はアナモフィックなもので，光を断面が矩形のビームに作り直し，平行にするものである。平行になった光ビームは，65度の，法線114に関する角度θで，ウエハ12に向けられる。LED140の出力は偏光器142と，つぎに円筒状レンズ144を通過する。これにより，偏光した光はファン形状のビームとなる。ファン形状のビームはつぎに，放物面鏡146により反射し，断面が矩形のビームに平行化される。光学系は，高い光学的効率で光を平行化する。
【００２２】
たとえば，LED140は，金属ベースのTO−18パッケージであってもよい。LEDの取り付け台は，LEDを所定の位置に整合して保持し，熱シンクとして機能する，機械削りされたアルミニウム製ブロックであってもよい。取り付け台（図示せず）はプリント回路ボード150に取り付けられている。レンズは，8mmの焦点距離をもつ5mm×10mmのものであってもよい。レンズ144の焦点はLED140に合っている。偏光器142のストリップがレンズ144の平坦部分上に位置する。偏光の線はウエハの平面に関して垂直である。これにより，ウエハ面からの浅い反射角の効果が減少する。ミラー146は，レンズ144およびLED140の下方に取り付けられる。ミラー146の焦点はLED140に合っている。
【００２３】
光センサー102は，1mm×37mmの検知領域をもつデュアル・フォトダイオードであってもよい。センサーは気密密封され，組み込み赤外線フィルターを有する。フィルターは，制御された一酸化ケイ素の層であってもよく，この層は光学的に赤外線を透過する。フィルターにより，LED140からの赤外線は通過できるが，可視光は遮断する。センサー102はプリント回路ボード150に取り付けられ得る。センサー102の出力は，検知回路154（図５）（当業者には知られた増幅および処理回路を含み得る）に適用される。
【００２４】
モニター・フォトダイオード170が測定領域の外で，センサー102に隣接して配置されてもよい。フォトダイオード170はまた，組み込み赤外線フィルターを含むことができる。フォトダイオード170の出力は，光源からの光強度を検知し，LED140に適用される電流を調節するために使用される。図５に示されているように，モニター・フォトダイオード170および強度基準デジタル−アナログコンバータ172が強度調整器回路174の入力に結合される。強度調整器回路174は制御された電流を，LED140に供給する。
【００２５】
時間の関数となる，ウエハ方向センサーからのエッジ信号のグラフが図６に示されている。エッジ信号は，ウエハが軸線56（図２）の回りで回転するときに，時間とともに変化する。波形200が仕上げられたエッジをもつ，ノッチのある石英ウエハからのエッジ信号を表す。波形200の，粗い正弦形は，回転軸線56に関するウエハの偏心を示す。波形200の振幅を，回転軸線56に関する角度の関数で解析することにより，回転軸線56に関するオフセットのXおよびY成分が決定され得る。指標ノッチ120（図３）はスパイク210として，波形において明確に分かり，これによりウエハ12の角度方向（angular orientation）が示される。波形200は，モータ54の出力シャフトに取り付けられたシャフトエンコーダを使用することにより，回転軸線56の回りの，ウエハ12の回転と相互に関連付けられ得る。
【００２６】
時間と関数となる，ウエハ方向センサーのエッジ信号のグラフが図７に示されている。波形300は，仕上げられていないエッジをもつ，ノッチのあるガラスウエハに対する信号を示す。ほぼ正弦波形の波形300に重ね合わされたノイズは，ウエハの粗いエッジを示し，ノッチはスパイク310により示される。
【００２７】
上述したように，ウエハの角度方向および偏心は，ウエハ方向センサーにより生じたエッジ信号から決定される。決定された値は次に，ウエハの角度方向および位置を補正するために使用される。特に，角度方向は，方向ステーション26からプロセスステーション28（図１）に移送されるときに，支持台座50上で回転軸線56のまわりにウエハ12を回転させることにより補正され得る。位置エラーは，変位を補償することにより除去することができる。
【００２８】
本発明のウエハ方向センサーは，限定するわけではないが石英，シリコン，サファイアおよびガラスを含む種々の材料の半導体ウエハの指標および位置エラーを検出する。方向センサーは半導体ウエハのノッチ，またはフラットという指標を検出する。エッジ信号はすべてのウエハタイプに対して同じようになる。したがって，石英テストウエハおよび製品シリコンウエハのような，いろいろなタイプのウエハは，同じプロセスサイクルにおいて混合することができる。
【００２９】
このように，本発明の好適な実施例をもって説明し，図示してきたが，当業者であれば，特許請求の範囲により画成される発明の範囲から逸脱することなく，種々の変更，修正をなし得ること明白である。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】図１は，本発明にしたがった，ウエハ方向センサーを組み込むウエハ移送装置の実施例の略示平面図である。
【図２】図２は，ウエハ方向センサーの略示側面図である。
【図３】図３は，図２のウエハ方向センサーの略示平面図である。
【図４】図４は，本発明のウエハ方向センサーの実施例の略示側面図である。
【図５】図５は，図４のウエハ方向センサーに使用される回路の略示ブロック図である。
【図６】図６は，仕上げされた端部を含むノッチのあるウエハに対するエッジ信号を，時間の関数で示したグラフである。
【図７】図７は，仕上げされていない端部を含むノッチのあるガラスウエハのエッジ信号を，時間の関数で示したグラフである。
【符号の説明】
【００３１】
12    ウエハ
26    ステーション
34    ウエハ方向センサー
50    支持台座
52    シャフト
54    モータ
56    軸線
100    光源
102    光センサー
112    エッジ
114    法線
【図１】
2007165655.tif 000003
【図２】
2007165655.tif 000004
【図３】
2007165655.tif 000005
【図４】
2007165655.tif 000006
【図５】
2007165655.tif 000007
【図６】
2007165655.tif 000008
【図７】
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