【事件の表示】
　特願２０１１−１５９９１６「プラズマ処理装置及び成膜方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年１１月１０日出願公開、特開２０１１−２２５９９９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　
　本願は、平成１８年　８月　８日に出願された特願２００６−２１６１３５号の一部を平成２３年　７月２１日に新たな特許出願としたものであって、平成２５年　５月１７日付けの拒絶理由が通知され、同年　７月１６日付けの手続補正がされたが、同年１２月１６日付けの拒絶理由が通知され、平成２６年　４月　９日付けの拒絶査定がされたものであり、これに対し、この査定を不服として、同年　５月２２日付けで本件審判の請求がされると同時に手続補正がされたものである。　
　
２．補正の却下の決定
　
結　論：
　平成２６年　５月２２日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
理　由：
（１）補正の内容
　
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について、次の補正事項を有する。
　
−補正前−
　チャンバーと、
　前記チャンバー内に配置され、基材を保持する基材ホルダーと、
　前記チャンバーに繋げられ、前記チャンバー内にＤＬＣ成膜用の処理ガスを導入するガス導入経路と、
　前記チャンバー内に５０〜５００ｋＨｚの高周波出力を供給する高周波電源と、
を具備し、
　前記高周波電源から供給された高周波出力により前記チャンバー内に前記ＤＬＣ成膜用の処理ガスのプラズマを発生させて前記基材にＤＬＣ膜を成膜するプラズマ処理装置であり、
　前記基材は、金型、機械部品及び工具のいずれかであることを特徴とするプラズマ処理装置。
　
−補正後−（下線部が補正箇所）
　チャンバーと、
　前記チャンバー内に配置され、基材を保持する基材ホルダーと、
　前記チャンバーに繋げられ、前記チャンバー内にＤＬＣ成膜用の処理ガスを導入するガス導入経路と、
　前記チャンバー内
の前記基材
を具備し、
　前記高周波電源から供給された高周波出力により前記チャンバー内に前記ＤＬＣ成膜用の処理ガスのプラズマを発生させて前記基材にＤＬＣ膜を成膜するプラズマ処理装置であり、
　前記基材は、金型、機械部品及び工具のいずれかであることを特徴とするプラズマ処理装置。
　
（２）補正の目的
　
　上記補正事項は、発明特定事項である「５０〜５００ｋＨｚの高周波出力を供給する」対象を、補正前の「チャンバー内」から補正後の「チャンバー内
の前記基材
　したがって、上記補正事項は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項第２号に規定された、いわゆる特許請求の範囲の限定的減縮を目的とするものといえる。
　
（３）独立特許要件
　
　次に、補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて検討する。
　
（３−１）引用例の記載
　本願出願前に日本国内において、頒布された刊行物である、
　特表２００４−５０１７９３号公報（以下、「引用例」という。）
には、次の記載がある。
【請求項１】
摩耗保護、腐食保護、および滑り特性の向上などのための層システムであって、基板の上に配置される接着層と、接着層の上に配置される遷移層と、ＤＬＣまたはダイヤモンド層とを有しており、層システムは、ＤＬＣまたはダイヤモンド層の上に、ＤＬＣまたはダイヤモンド層の組成とは異なる化学組成を有する滑り層が配置されることを特徴とする、層システム。
【請求項１７】
基板の上に層システム、特に請求項１〜１６のいずれかに記載の層システムを生成するためのプロセスであって、以下のプロセスステップ、すなわち、
ａ）　基板を真空チャンバ内へ導入し、１０−３ｍｂａｒ未満、好ましくは１０−５ｍｂａｒ未満の圧力が得られるまでチャンバを排気するステップと、
ｂ）　基板表面を洗浄するステップと、
ｃ）　基板の上に接着層をプラズマ支援堆積させるステップと、
ｄ）　接着層の上に遷移層を、接着層成分のプラズマ支援堆積と気相からのカーボンの堆積とを同時に行なうことによって堆積させるステップと、
ｅ）　遷移層の上にＤＬＣまたはダイヤモンド層を、気相からのカーボンのプラズマ支援堆積によって被着させるステップと、
ｆ）　ＤＬＣまたはダイヤモンド層の上に滑り層を、気相からのカーボンの堆積によって被着させるステップとを含み、
基板バイアス電圧は少なくともプロセスステップｃ）、ｄ）、ｅ）、およびｆ）の間に基板に印加され、プラズマは少なくともプロセスステップｄ）およびｅ）の間に磁場によって安定化されることを特徴とする、プロセス。
【請求項１８】
少なくともプロセスステップｂ）〜ｆ）のうちの１つの間、バイポーラまたはユニポーラのバイアス電圧は基板に印加され、正弦波であっても他の形状であってもよい前記バイアス電圧は、１〜１０，０００ｋＨｚ、好ましくは２０〜２５０ｋＨｚの中間周波数範囲でパルス化されることを特徴とする、請求項１７に記載のプロセス。
【請求項２３】
ＤＬＣまたはダイヤモンド層は、気相からのカーボンのプラズマＣＶＤ堆積によって生成され、カーボン含有ガス、好ましくは炭化水素ガス、特にアセチレンが反応ガスとして用いられることを特徴とする、請求項１７〜２２に記載のプロセス。
【請求項２５】
１つまたはそれ以上の基板をコーティングし、特に
特色１７〜２４
※審決注：下線部は「請求項１７〜２４」の誤記と解される。
【００４０】
前述の特性を有するこの発明に従った層システムの利点は、大きな層厚と優れた接着性との第１の成功した組合せを、工業生産において比較的単純なプロセス手順を可能とするのに依然として十分なコンダクタンスで補足することによって構成される。
【００４１】
実質的な硬度が＞１５ＧＰａ、好ましくは≧２０ＧＰａであるにもかかわらず、この層は、この発明に従ったその構造およびプロセスステップのため、明らかに向上した接着性を示す。従来の層システムはここでは層の応力を減少させるために機能層（ＤＬＣ）におけるドーピングを必要とするが、ドーピングは硬度も減少させる。
【００４２】
部分的に貝殻状の窪みがある脆いアモルファス層の典型的な破壊を有する、以前から公知のＤＬＣ層とは異なり、この発明に従った層の破壊面のＲＥＭ写真は、粒子が細かく真直ぐな破壊面を明らかにしている。上述の特性プロファイルを備える層は、機械組立における用途、たとえば自動車の内燃エンジンおよびギヤに用いられるような多大な負荷のかかるポンプまたはダイホルダピストンおよびバルブ駆動装置、カムおよび／またはカムシャフトをコーティングするためだけでなく、滑り特性が良好である特に硬く滑らかな表面を有することが要求される、多大な負荷のかかるギヤホイール、プランジャ、ポンプスピンドル、および他の構成要素を保護するためにも、特に好適である。
【００４３】
工具の分野では、これらの層は、その非常に硬い硬度と非常に滑らかな表面とを考慮すると、非切削動作（圧搾、穿孔、深絞り、…）用および射出成形金型用の工具に有利に使用でき、さらに、鉄材加工時、特にその用途が非常に硬い硬度と小さな摩擦係数との組合せを要する場合にある制限を受けるが、切削工具にも有利に使用できる。
【００７８】
接着層、遷移層、および被覆層を堆積させるためのプロセスステップの間、特に遷移層および被覆層の形成中に基板に印加されるバイアス電圧は、直流電圧（ＤＣ）であってＡＣまたはパルスを重畳したもの、または変調された直流電圧、特に１〜１０，０００ｋＨｚ、好ましくは２０〜２５０ｋＨｚの中間周波数範囲でパルス化されたユニポーラ（負）またはバイポーラ基板バイアス電圧であってもよい。この目的のために用いられるパルスの形は、対称的−たとえば、正弦波、矩形、または鋸歯状−であっても、または、負が長く正が短いパルス周期もしくは負が大きく正が小さい振幅を印加するような方法で非対称的であってもよい。
【０１０９】
さまざまなプロセスガス、特にアルゴンおよびアセチレンを、ガス注入口８および図面には示されていない適切な調整装置を通し、プロセスチャンバ内へ送ることができる。
【０１３７】
勾配層
この時間が経過した後、正弦波オシレータをスイッチオンすることによってプラズマが点火される。アセチレンが５０ｓｃｃｍの初期圧力でチャンバ内に導入され、その流れは次に毎分１０ｓｃｃｍずつ増加される。
【０１３８】
正弦波プラズマ発生器は、４０ｋＨｚの周波数で２４００Ｖの振幅電圧に設定される。発生器は基板ホルダとチャンバの壁との間でプラズマ放電を点火する。受容体に取付けられたヘルムホルツコイルは両方とも一定の電流量で活性化され、電流は下部コイルで３Ａ、上部コイルで１０Ａとなる。アルゴン流が２３０ｓｃｃｍに到達すると、クロムターゲットは不活性化される。
【０１３９】
ＤＬＣコーティング
アセチレン流が３５０ｓｃｃｍの値に達すると、アルゴン流は５０ｓｃｃｍの値にまで削減される。
（３−２）引用発明の認定
　引用例には、【請求項１】に、基板の上に配置される接着層、遷移層、ＤＬＣ層とを有する層システム、【請求項１７】に、当該層システムを生成するためのプロセスであって、遷移層の上にＤＬＣ層を、気相からのカーボンのプラズマ支援堆積によって被着させるステップを含み、当該ステップの間、基板バイアス電圧が基板に印加されるプロセス、【請求項２５】に、当該プロセスを実行するための装置であって、真空チャンバを有し、該真空チャンバが、基板を受ける基板保持装置とプロセスガスの供給をするガス供給ユニットと基板バイアス電圧を生成する装置とを有するものが記載されている。さらに、【請求項２３】に、前記気相として、特にアセチレンが用いられること、【０１０９】に、前記ガス供給ユニットとして、アセチレンをチャンバ内に送るガス注入口が記載されている。
　してみると、引用例には、ＤＬＣ層を基板に被着させる装置として、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「真空チャンバを有し、
　前記真空チャンバが、基板を受ける基板保持装置と、
　アセチレンを前記真空チャンバ内に送るガス注入口と、
　前記基板に印加する基板バイアス電圧を生成する装置と、
を有し、
　前記基板バイアス電圧を印加し、ＤＬＣ層をアセチレンからのカーボンのプラズマ支援堆積によって前記基板に被着させる装置。」
　
（３−３）発明の対比
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明の「真空チャンバ」「基板」「アセチレン」「ＤＬＣ層」は、それぞれ本願補正発明の「チャンバー」「基材」「ＤＬＣ成膜用の処理ガス」「ＤＬＣ膜」に相当する。また、引用発明の「基板を受ける基板保持装置」が前記真空チャンバ内に配置され、「ガス注入口」が前記真空チャンバに繋げられているのは明らかだから、これらは、それぞれ本願補正発明の「基材を保持する基材ホルダー」「ガス導入経路」に相当する。そして、引用発明の「ＤＬＣ層をアセチレンからのカーボンのプラズマ支援堆積によって前記基板に被着させる装置」は、本願補正発明の「ＤＬＣ成膜用の処理ガスのプラズマを発生させて前記基材にＤＬＣ膜を成膜するプラズマ処理装置」に相当するといえる。
　してみると、本願補正発明のうち、
「チャンバーと、
　前記チャンバー内に配置され、基材を保持する基材ホルダーと、
　前記チャンバーに繋げられ、前記チャンバー内にＤＬＣ成膜用の処理ガスを導入するガス導入経路と、
　を具備し、
　前記チャンバー内に前記ＤＬＣ成膜用の処理ガスのプラズマを発生させて前記基材にＤＬＣ膜を成膜するプラズマ処理装置。」
の点は、引用発明と一致し、両者は次の点で相違する。
相違点１：本願補正発明が、「前記基材に５０〜５００ｋＨｚの高周波出力を供給する高周波電源を具備し、前記高周波電源から供給された高周波出力によりプラズマを発生させる」のに対し、引用発明は、「前記基板に印加する基板バイアス電圧を生成する装置を有し、前記基板バイアス電圧を印加し、プラズマ支援堆積」をする点。
相違点２：本願補正発明において、「前記基材は、金型、機械部品及び工具のいずれかである」のに対し、引用発明において、基板の用途は明らかでない点。
　
（３−４）相違点の判断
相違点１について
　引用例には、引用発明の「基板バイアス電圧」について、【請求項１８】に、２０〜２５０ｋＨｚの中間周波数範囲でパルス化されたものが好ましく、【００７８】に、この「パルス化された基板バイアス電圧」について、対照的な正弦波等により変調された直流電圧であることが記載されており、【０１３７】〜【０１３９】には、具体例において、正弦波オシレータにより振幅電圧を発生させ、これによって基板ホルダとチャンバの壁との間でプラズマ放電を点火し、ＤＬＣコーティングをしたことも記載されている。
　してみると、「基板に印加する２０〜２５０ｋＨｚの対照的な正弦波により変調された直流電圧を生成する装置」が、「基板に２０〜２５０ｋＨｚの高周波出力を供給する高周波電源」に相当することは明らかだから、引用発明において、基板バイアス電圧を生成する装置として、本願補正発明と重複する「５０〜２５０ｋＨｚ」の高周波出力を供給する高周波電源を使用し、該高周波出力よりプラズマを発生させること、すなわち、相違点１を解消することは、引用例の上記記載から、当業者が容易になし得たことである。
　なお、請求人は審判請求書で、「パルス化された基板バイアス電圧」が、プラスのみの電圧を断続的に印加するものであると主張しているが、そのようなことは、引用例に記載も示唆もされていない。
相違点２について
　引用例には、【００４０】〜【００４３】に、引用発明により生成される層システムが、カムなどの機械要素や切削工具に有利に使用できることが記載されている。
　してみると、引用発明において、基板の用途を機械部品や工具とすること、すなわち、相違点２を解消することは、引用例の上記記載から、当業者が容易に想到し得たことである。
　
　したがって、本願補正発明は、引用例に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
（４）まとめ
　
　よって、上記補正事項を有する本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．原査定の理由について
　
　本件補正は却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、　平成２５年　７月１６日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項（「２．（１）」の「−補正前−」参照）により特定されるとおりのものと認める。
　これに対し、原査定の理由の一つは、
「本願発明は、引用例に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。」
というものである。
　そこで検討するに、「２．（２）（３）」にて述べたとおり、本願発明を減縮した本願補正発明でさえ、引用例に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるのだから、本願発明が、引用例に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであることは明らかである。
　
４．むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の理由について検討するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。