【事件の表示】
　平成　３年特許願第２８７２７１号「光磁気記録媒体の製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　５年　２月１２日出願公開、特開平　５−　３６１４２］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成３年１０月８日の出願であって、その請求項２に係る発明（以下、「本願発明２」という。）は、平成１０年１０月６日付け、平成１２年５月８日付け、平成１４年１２月９日付けの手続補正で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項２に記載された次のとおりのものである（請求項１を引用しているため、請求項１の記載も併せ示す。）。
　「【請求項１】　希土類−遷移金属合金非晶質薄膜を記録材料とする記録磁性層と、窒化シリコン膜よりなる透明誘電体層を有する光磁気記録媒体の製造方法において、上記記録磁性層を挟みこむ第１の窒化シリコン膜及び第２の窒化シリコン膜ともに、Ｐ又はＢを添加し表面の比抵抗が１×１０−２Ω・ｃｍ以下とされた単結晶Ｓｉターゲットを用い、直流スパッタリング法により上記窒化シリコン膜を成膜することを特徴とする光磁気記録媒体の製造方法。
　「【請求項２】　上記単結晶Ｓｉターゲットを鏡面研磨し、その表面粗度を０．８Ｓ以下とすることを特徴とする請求項１記載の光磁気記録媒体の製造方法。」
　
　なお、優先権主張の基礎とする特願平３−９１１９１号（出願日：平成３年３月２９日）には、表面非抵抗が１×１０−２Ω・ｃｍ以下とする点やＰまたはＢを添加する点などの記載はあるけれども、表面粗度を０．８Ｓ以下とする点について何ら記載がないから、その点をも構成要件とする本願発明２については優先権主張は認められない（本願発明２に関して優先権主張が認められないことは、平成１４年１２月９日付け意見書第５頁１０〜１４行において出願人（請求人）も認めている。）。
　
２．引用例
　これに対し、当審における拒絶の理由に引用された本願出願前の刊行物である、特開平３−９７８４６号公報（以下、「引用例１」という。）、特開平２−３１２０３２号公報（以下、「引用例２」という。）、特開平１−２６３２６９号公報（以下、「引用例３」という。）、特開平３−１３０３６０号公報（以下、「引用例４」という。）には、それぞれ次のような記載がある。　なお、引用例１と引用例４は、その公開日はそれぞれ平成３年４月２３日、平成３年６月４日であり、本願発明２に関しては、前記の如く国内優先権主張が認められないから、本願出願前の刊行物に相当する。
　
　引用例１（特開平３−９７８４６号公報）には、
（1-i）「１．ケイ素を主成分とする一対のターゲットをそのスパッタされる面が対向するように配置し、このスパッタされる面と垂直な方向に磁界を印加し、このスパッタされる面と垂直に配置した基板上に反応性スパッタによりケイ素化合物薄膜を形成するケイ素化合物薄膜の形成方法において、上記ターゲットは抵抗率が１×１０−４〜１×１０−５Ω・ｍのｎ型またはｐ型のケイ素ターゲットであり、このケイ素ターゲットを陰極とする直流スパッタにより反応性スパッタを実行することを特徴とするケイ素化合物薄膜の形成方法。　　２．ケイ素ターゲットはリンを５．０×１０１５〜９．０×１０１９ｃｍ−３の濃度で含む請求項１記載のケイ素化合物薄膜の形成方法　　　３．ケイ素ターゲットはホウ素を１．０×１０１６〜１．２×１０２０ｃｍ−３の濃度で含む請求項１記載のケイ素化合物薄膜の形成方法」（特許請求の範囲１．〜３．参照）、
（1-ii）「【産業上の利用分野】　本発明は誘電体または絶縁体の成膜に利用する。特に、ケイ素化合物薄膜の形成に関する。　　【概要】　本発明は、対向ターゲット式反応性スパッタによりケイ素化合物薄膜を形成する方法において、ターゲットとして低抵抗のケイ素を用い、直流スパッタを行うことにより、基板を低温に保ちながら高速の成膜を可能とするものである。」（第１頁右下欄８〜１７行参照）こと、
（1-iii）「【従来の技術】　誘電体または絶縁体の薄膜材料として、従来から多くの分野でケイ素化合物が使用されている。このような分野としては、例えば、超ＬＳＩ、光ディスク、超伝導素子、光素子などがある。」（第１頁右下欄１８行〜第２頁左上欄３行参照）こと、
（1-iv）「特に化合物薄膜を形成する場合には、反応性スパッタ法が用いられる。反応性スパッタ法では、スパッタガスに反応性のガスを混入し、このガスをターゲット表面から蒸発した原子または分子に反応させて、成膜する。　・・・（中略）・・・。　窒化ケイ素Ｓｉ３Ｎ４の場合には、窒素を混入したスパッタガスを用いる。」（第２頁左上欄９〜１７行参照）こと、
（1-v）「【発明が解決しようとする課題】　しかし、対向ターゲット式スパッタ法において低温でスパッタが可能なのは、高電圧の直流によりプラズマを発生させる直流スパッタの場合だけである。プラズマ発生に高周波を利用する高周波スパッタの場合には、プラズマをターゲット間に閉じこめることが不可能となり、基板がプラズマに曝されてしまう。　ここで問題となるのは、絶縁体をターゲットとして使用する場合には直流スパッタを利用できないことである。　これは、ターゲットに電荷が蓄積され、安定な放電を維持出来ないからである。したがって、、対向ターゲット式スパッタ法であっても高周波を用いなければならず、マグネトロン方式に対する有利性が失われてしまう。　ターゲットとしてケイ素を用いる場合にも、絶縁体と同様に、直流スバッタでは放電が不安定となる。　これは、ケイ素が半導体であり、抵抗値が高いことによる。　また、高周波スパッタでは直流スパッタに比較して堆積速度が遅くなってしまう。　本発明は、以上の課題を解決し、成膜速度が速く、しかも基板がプラズマに曝されずに低温でスパッタが可能なケイ素化合物薄膜の形成方法を提供することを目的とする。」（第２頁左下欄４行〜同頁右下欄８行参照）こと、
（1-vi）「【作用】　不純物をドープしたケイ素をターゲットとして用いると、抵抗値が低下し、安定な直流放電を維持できるようになる。　したがって、直流スパッタが可能となり、対向ターゲット式スパッタ法による反応性スパッタが可能となる。これにより、基板がプラズマに曝されることがなく、基板を低温に保ったまま、高速にケイ素化合物薄膜を形成できる。」（第３頁左上欄２〜１０行参照）こと、
（1-vii）「ここで本実施例の特徴とするところは、ターゲット１，２は抵抗率が１×１０−４〜１×１０−５Ω・ｍのｎ型またはｐ型のケイ素ターゲットであり、このケイ素ターゲットを陰極とする直流スパッタにより反応性スパッタを実行することにある。上述のような抵抗率は、ケイ素にリンまたはホウ素を数ｐｐｍないし数十ｐｐｍ含有させることにより得られる。すなわち、リンを５．０×１０１５〜９．０×１０１９ｃｍ−３の濃度にドープするか、ホウ素を１．０×１０１６〜１．２×１０２０ｃｍ−３の濃度にドープする。　この装置を用いた成膜方法について説明する。　・・・（中略）・・・。　この後に、ガス導入口１２から真空反応槽１０内にスパッタガスを導入する。スパッタガスとしては窒化ケイ素の薄膜を形成する場合にはアルゴンＡｒと窒素Ｎ２との混合ガス、酸化ケイ素の場合にはアルゴンＡｒと酸素Ｏ２との混合ガスを用いる。」（第３頁右上欄１３行〜同頁左下欄１１行参照）こと、
（1-viii）「このように、抵抗率の小さいケイ素をターゲットとして使用することにより、安定な直流放電が可能となり、直流対向ターゲット式スパッタ法でケイ素化合物薄膜を形成できる。」（第５頁左上欄１〜４行参照）こと、が記載されている。
　
　引用例２（特開平２−３１２０３２号公報）には、
（2-i）「少なくとも透明基板、誘電体層および磁性層を順次有する光磁気記録媒体において、前記誘電体層が２．１〜２．４の屈折率を有する窒化シリコンを主成分とする誘電体であることを特徴とする光磁気記録媒体。」（特許請求の範囲参照）、
（2-ii）「磁性層に希土類−鉄族非晶質合金薄膜を用いた光磁気記録媒体では、不活性ガスと窒素ガスとの混合ガスによる反応スパッタリングにより作製された窒化シリコン膜が誘電体層として特開昭６２−１２１９４５号公報で提案されている。このなかでは、シリコンターゲットを用い、アルゴンガス９０％、窒素ガス１０％の混合ガスによる反応スパッタリングにより作製された窒化シリコン膜は安定した屈折率１．９を有している。」（第１頁右下欄５〜１３行参照）こと、
（2-iii）「所望の屈折率を有する窒化シリコンを主成分とする誘電体膜をを得るためには、シリコンまたは窒化シリコンターゲットをアルゴンと窒素の混合ガスを用いた反応スパッタリングによって作製すれば良い。　その際にアルゴンと窒素の比率を調整して所望の屈折率を得る。　ターゲットにシリコンを用いる場合には、多少の不純物（例えばホウ素、リン）を添加して誘電率を上げ、直流スパッタリングを用いてもよい。」（第２頁左上欄７〜１５行参照）こと、
（2-iv）「ディスク状光磁気記録媒体は、トラックピッチ１．６μｍのプリグルーブ付きポリカーボネイト基板上に保護及び干渉用の誘電体層として窒化シリコンの下地層を作製し、次に磁性層としてＴｂ−（Ｆｅ．９２５Ｃｏ．０７５）を８５０Å作製し、最後に保護用の誘電体層として屈折率２．５２の窒化シリコンを７００Å作製した。」（第２頁右上欄１３〜１９行参照）ことが記載されている。
　
　引用例３（特開平１−２６３２６９号公報）には、
（3-i）「【発明が解決しようとする課題】　ところが、前記スパッタリングターゲットは、機械的な研削加工によりターゲット材の表面に加工歪層が形成されてしまい、この加工歪層の影響により、特にスパッタリングの初期においてターゲット材からの異物が多く発生することを本発明者は見い出した。」（第１頁右下欄１３〜１９行参照）
（3-ii）「まず、スパッタリングターゲットの材料であるターゲット材１はホットプレス法などの任意の方法で形成された後、その表面を機械的研削加工などで加工される。その結果、ターゲット材１の被加工面側の表面には、加工歪層２が形成されてしまう。　この加工歪層２においては、ターゲット材１の組成により、たとえばＭｏＳｉ２よりなるターゲット材１の場合、ＭｏＳｉ２と遊離Ｓｉとの結合力が無歪層に比較して低下しているので、スパッタリング時、特にその初期に、遊離Ｓｉが異物となって被スパッタリング物である半導体ウエハなどに被着されてしまう。　そこで、本実施例においては、第１図（ａ）に示す如き加工歪層２を除去するため、ターゲット材１における加工歪層２の形成面に加工処理を施し、その加工歪層２が除去される（第１図（ｂ））。　すなわち、このような加工処理の具体例の１つとしては、ポリッシング方式がある。この場合、ターゲット材１の加工歪層２の形成面側を平坦なラッピング板に押し付けて、両者間に砥粒を加えながら相対運動させることにより、その砥粒でターゲット材１の加工歪層２を除去し、ターゲット材１の表面を鏡面加工する。それにより、ターゲット材１の表面は鏡面状態となり、無歪状態が実現される。第２の加工処理方法としては、いわゆるメカノケミカルポリッシング法がある。　この方法は機械的研磨手段により研磨と、化学的エッチング手段によるエッチングとを同時に実施するものである。　この場合にも、ターゲット材１の表面の加工歪層２は除去され、鏡面加工状態となる。　本発明者が実験したところ、前記した２つの方法においては、ターゲット材１の表面の平滑度は約０．５μｍ程度となり、ターゲット材１の表面から０．５ｍｍ以内の加工歪層２はほぼ完全に除去することができた。　このように、本実施例によれば、ターゲット材１の表面に加工歪層２が存在しないので、スパッタリング時、特にその初期における異物発生の多発現象（第２図における破線で示す従来技術）が抑制され、スパッタリングの初期すなわちターゲット材１の使用開始直後から異物の発生を低減できる。」（第２頁右上欄１１行〜同頁右下欄１４行参照）ことが記載されている。
　
　引用例４（特開平３−１３０３６０号公報）には、
（4-i）「１．粒状のＭＳｉ２相（但し、ＭはＷ、Ｍｏ，Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，ＮｂおよびＴａから成る群より選択された少なくとも１種の高融点金属）と、マトリックス相としてのＳｉ相との混合組織を有するＭＳｉｘなる組成を有し、ＭＳｉ２相とＳｉ相との境界に所定厚さの界面層を形成した高融点金属シリサイドから成るスパッタリング用ターゲット。」（請求項１参照）、
（4-ii）「ターゲットの表面部の粗さをＲａ（中心線粗さ）で０．０５μｍ以下、表面部に存在する圧縮残留応力を５Ｋｇ／ｍｍ２以下に設定することにより、ターゲット表面部にクラックや欠陥部分などの加工欠陥層が実質的に形成されないことになり、加工欠陥層から剥離脱落するパーティクル量が減少し、高品質の薄膜を形成することができる。」（第５頁左上欄１〜７行参照）こと、
（4-iii）「本発明者らは、スパッタリング中にターゲットからのパーティクルの発生は、シリサイド焼結体を研削などの機械加工仕上げしたときに生ずる表面欠陥層、表面状態、または残留応力などにも起因することを見出した。　すなわち、従来行なわれているターゲットの研削仕上げ加工は、高速回転している研削砥石の硬い砥粒によって被加工物を削り取って行く加工法である。この方法で高融点金属の二ケイ化物（例えばＷＳｉ２）とケイ素（Ｓｉ）からなるシリサイド焼結体のような硬くて、しかも脆い材料を研削加工した場合、不可避的に粉状チップが加工面から飛散する。本発明者の知見によれば、これは研削時に砥粒の接触応力によって研削加工面に微小クラックが生じ、砥粒の通過後、応力の急激な解放によってクラックの肩部が押し上げられて破片として離脱することによって生成すると考えられる。通常硬脆材料の加工にあたっては、砥粒当たりの切込み深さまたは荷重を適当に大きくして、砥粒によって誘起される局部的応力場にクラックが含まれるくらいにし、材料の微小破砕の集積によって加工を進行させている。したがって研削面には研削状痕、脱落孔および微小クラックなどの加工欠陥層が多数発生する。　このような欠陥層が全面に存在するターゲットを用いてスパッタリングを行なうと、プラズマ中のイオンの衝突によって上記欠陥部を起点として微細な粒子がターゲット表面から剥離脱落してこれが前述したパーティクルとなる。　本発明の好適な実施例に係るスパッタリング用ターゲットは、上記知見に基づいて発明されたものであり、該ターゲットの表面部の粗さを、Ｒａ（中心線粗さ）で０．０５μｍ以下に設定して、機械的加工により発生する微小クラックや欠落部分などの加工欠陥層が実質的に存在しないことを基本的特徴としている。　ここで、表面粗さＲａ（中心線粗さ）は、日本工業規格（Japan Industrial Standard：ＪＩＳ−Ｂ０６０１）において定義される・・・（中略）・・・。　仕上げ面粗さを細かくし、かつクラックや脱落孔などが存在する加工欠陥層を実質的になくすためには材料欠陥の分布に比べ加工単位を小さくするように配慮することが肝要である。具体的には、粒径が小さくて揃いの良い砥粒を用いるとか、軟質の弾性もしくは粘弾性に富むポリッシャを使う等の方法によって砥粒当たりの荷重を小さくし、材料に誘起される応力が破壊応力値以下になるようにする必要がある。　・・・（中略）・・・、加工面を凹凸の極めて小さな光沢面に仕上げることができる。この具体的方法としては、面仕上げの目的で用いられるラッピング、ポリシングさらには超精密仕上げの目的で用いられるメカノケミカルポリシングなどが好ましい方法として挙げられる。」（第８頁右上欄７行〜第９頁左上欄１２行参照）こと、が記載されている。
　
３．対比、判断
　本願発明２と引用例１記載の発明とを対比する。
　引用例１には、上記摘示からみて、ターゲットとして低抵抗のケイ素を用い、直流スパッタを行うことにより、安定な直流放電が可能となり、基板を低温に保ちながら高速の成膜が可能となるとの作用効果を奏している、「基板上に反応性スパッタによりケイ素化合物薄膜（窒化ケイ素などの誘電体薄膜）を形成するケイ素化合物薄膜の形成方法において、上記ターゲットは、リンＰまたはホウ素Ｂを含み、抵抗率が１×１０−４〜１×１０−５Ω・ｍ（即ち、１×１０−２〜１×１０−3Ω・ｃｍ）のｎ型またはｐ型のケイ素ターゲットであり、このケイ素ターゲットを陰極とする直流スパッタにより反応性スパッタを実行することを特徴とするケイ素化合物薄膜の形成方法。」の発明が記載されている。　そして、その薄膜形成の分野として光ディスクなどが例示されていて、本願発明２で特定する光磁気記録媒体は、光ディスク（即ち光記録媒体）の一分野である。　また、Ｓｉターゲットの抵抗に関しては、本願発明と引用例１記載の発明では、１×１０−２〜１×１０−3Ω・ｃｍの範囲で一致している（抵抗の意味に関しては、下記（ｅ）で検討する。）。
　してみると、本願発明２と引用例１記載の発明は、ターゲットとして低抵抗のケイ素を用い、直流スパッタを行うことにより、安定な直流放電が可能となり、基板を低温に保ちながら高速の成膜が可能となるとの作用効果を奏している、「窒化シリコン膜よりなる誘電体層を有する光記録媒体の製造方法において、Ｐ又はＢを添加し抵抗が１×１０−２〜１×１０−3Ω・ｃｍとされたＳｉターゲットを用い、直流スパッタリング法により上記窒化シリコン膜を成膜することを特徴とする光記録媒体の製造方法。」の発明である点で一致している。
　他方、両発明は、次の点で一応相違している。
（ａ）光記録媒体に関して、本願発明２では「希土類−遷移金属合金非晶質薄膜を記録材料とする記録磁性層を有する光磁気記録媒体」であるのに対して、引用例１記載の発明では光ディスクであってそのような光磁気記録媒体について具体的記載がない点、
（ｂ）窒化シリコン膜に関して、本願発明２では「記録磁性層を挟みこむ第１の窒化シリコン膜及び第２の窒化シリコン膜ともに」であるのに対して、引用例１記載の発明ではそのような言及がない点、
（ｃ）窒化シリコン膜よりなる誘電体層に関して、本願発明２では透明としているのに対して、引用例１記載の発明では透明であると言及していない点、
（ｄ）Ｓｉターゲットに関して、本願発明２では「単結晶」としているのに対して、引用例１記載の発明では単結晶であることは言及されていない点、
（ｅ）抵抗に関して、本願発明２では「表面の比抵抗」としているのに対して、引用例１記載の発明では抵抗率と表現している点、
（ｆ）Ｓｉターゲットに関して、本願発明２では「鏡面研磨し、その表面粗度を０．８Ｓ以下とする」としているのに対して、引用例１記載の発明ではそのような言及がない点。
　
　（ａ）、（ｂ）の点について検討する。
　引用例１には、スパッタリングによる窒化シリコン膜の成膜対象分野の一つが光ディスクの分野であることが記載されているだけで、その具体的な光記録媒体の層構成については記載されていない。
　しかしながら、誘電体層を有する光磁気記録媒体は周知である。　例えば、引用例２には、本願発明２の「希土類−遷移金属合金非晶質薄膜を記録材料とする記録磁性層を有する光磁気記録媒体」（（ａ）の点）に相当する「磁性層に希土類−鉄族非晶質合金薄膜を用いた光磁気記録媒体」に関しての発明が記載されている（なお、本願明細書段落【００２５】において希土類−遷移金属合金非晶質薄膜の例示とされているＴｂ・Ｆｅ・Ｃｏ系のものは、引用例２の実施例でも用いられているものであって、遷移金属と鉄族との間に本質的な差異はないから、引用例２記載の発明の希土類−鉄族非晶質合金薄膜に相当する。）。　更に、その実施例の層構成として、保護及び干渉用の誘電体層として窒化シリコンの下地層、次に磁性層（Ｔｂ・Ｆｅ・Ｃｏ系）、最後に保護用の誘電体層として窒化シリコンが採用されていて、本願発明２の表現で言うと磁性層を挟み込むように保護用の窒化シリコン膜が用いられている構成（（ｂ）の点に相当）が記載されているように、そのような態様も知られている（ちなみに、当審拒絶理由に引用されかつ拒絶査定にも引用されている特開平２−２６５０５２号公報にも、スパッタリングで形成する上部保護層と下部保護層との間にＴｂ・Ｆｅ・Ｃｏ合金のような希土類−遷移金属合金薄膜を設けた光磁気記録媒体が記載されている。）。
　更に引用例２には、誘電体層として反応スパッタリングにより作製された誘電体層を用い、「ターゲットにシリコンを用いる場合には、多少の不純物（例えばホウ素、リン）を添加して誘電率を上げ、直流スパッタリングを用いてもよい。」との、引用例１記載の発明の構成と軌を一にする記載もあることも勘案することができ、引用例１記載の光ディスクとして、引用例２で記載されているような「記録磁性層を挟みこむ第１の窒化シリコン膜及び第２の窒化シリコン膜」を有し「希土類−遷移（鉄族）金属合金非晶質薄膜を記録材料とする記録磁性層を有する光磁気記録媒体」を採用することは、単なる設計的事項と言うべきであるところ、少なくとも当業者が容易に想い到る程度のことと認められる。
　ところで、請求人は、「第１のシリコン膜（注：窒化シリコン膜の誤りと認められる。以下同様）は、基板に残留する水分および酸素の侵入を防止し、第２のシリコン膜は外部から侵入する酸素、水分および塵埃の侵入を防止することを可能とし、また、記録磁性層を基板内部および外部の悪影響から保護するため、同じ比抵抗のＳｉターゲットを用いるので、スパッタリング中の放電を安定させることができ、膜質の良いシリコン膜を形成することができる。」（平成１４年１２月９日付け意見書第４頁参照）と主張している。　しかし、引用例２にも明らかなように、磁性層の保護と干渉用の誘電体層（窒化ケイ素）を磁性層の上下（挟むように）に設ける態様は、周知の態様にすぎず、その保護の意義（水分、酸素、塵埃の侵入の防止）も周知の作用にすぎない。　また、同じ比抵抗のＳｉターゲットを強調しているけれども、比抵抗を小さくする理由からみて、２箇所の窒化ケイ素膜を異なる状態で形成（異なる比抵抗のＳｉターゲットの使用）することは不自然である。　してみると、請求人の前記主張は、当然に採り得る態様を強調しているにすぎず、発明する困難性を釈明したものとは解し得ない。
　
　（ｃ）の点について検討する。
　光記録媒体の技術分野において、誘電体である窒化ケイ素薄膜が透明であることは周知であるから、透明について言及があろうとなかろうと実質的な相違点ではない。
　
　（ｄ）の点について検討する。
　また、スパッタリングのＳｉターゲットとして用いる材料として「単結晶」のものを用いることは適宜採用されていることにすぎないから、その点も実質的な相違点ではない。
　
　（ｅ）の点について検討する。
　なるほど引用例１記載の発明では「表面の比抵抗」の表現は用いられていない。しかしながら、引用例１記載の発明では、安定な放電を行わしめるために比抵抗を低くしているのであって、放電によりスパッタリングターゲット表面の比抵抗が問題となることは自明であると認められるから、抵抗率は、（スパッタリング開始の初期でも）ターゲット表面の抵抗をも意味することは明らかといえ、そのように解すべきである。　なお、本願発明２ではスパッタリングの開始時点と適切なスパッタリングが行えている（スパッタリングが進んだ）時点とを区別していないことに鑑みれば、安定なスパッタリングが行われている状態では、表面比抵抗が前記数値のように低い状態にあることも自明といえ、この観点から言っても、（ｅ）の点は実質的な相違点とはなり得ない。
　よって、（ｅ）の点も実質的な相違点ではない。
　
　（ｆ）の点について検討する。
　本願発明２で「鏡面研磨し、その表面粗度を０．８Ｓ以下とする」のは、「切り出されたままのＳｉターゲットは、表面が機械加工面であるため、微小な凹凸があり、粗度が２５Ｓと大きい。　このため、ターゲットの入射イオンの入射角が均一とならない等の理由により、成膜開始時から長時間に亘り形成される薄膜の特性、成膜作度が安定せず、」（本願明細書段落【００１５】，【００３０】など参照）とされ、「Ｓｉターゲットの表面粗度が０．８Ｓ以下であれば、表面形状が極めて凹凸の少ない状態であるので、ターゲットの入射イオン角が均一なものとなり、成膜早期から、窒化シリコン膜が安定な成膜速度で良好な光学特性をもって形成される。」（同書段落【００２１】参照）とされている。　つまるところ、表面粗度が大きいと成膜の初期（早期）において安定な成膜を行えないために鏡面研磨して表面粗度を０．８Ｓ以下とするものと解せられる。
　しかしながら、引用例３によれば、スパッタリングターゲットを機械的研削加工法などで加工した結果生じた表面加工歪みのために発生するスパッタリング初期の異物発生を抑制するために、ポリッシングやメカノケミカルポリッシングによって鏡面加工（鏡面研磨）して、加工歪み層を除去することが記載されている。　そして、その鏡面加工によって平滑度が約０．５μｍ程度となることが記載されていて、平滑度は一般に表面粗さと同じ意味（必要であれば、特開平２−９７４６７号公報第５頁右上欄〜左下欄や特開平３−１６４４１３号公報第３頁左下欄などに平滑度と表面粗さＲmaxが同列で示されていることなどを参照）と認められるから、この平滑度即ち表面粗さは、本願発明２の「表面粗度を０．８Ｓ以下」との規定（本願明細書段落【００２８】の説明で表面粗さの最大高さＲmaxが区分値で０．８μｍ以下を意味する）を充足しているものと認められる。　また、引用例４によれば、スパッタリングターゲットを機械的研削加工法などで加工した結果生じた表面欠陥層、表面状態などに起因して発生するパーティクルの量を減少して高品質の薄膜を形成するために、表面研磨（鏡面研磨と認める）を行い、表面粗さをＲａ（中心線粗さ）で０．０５μｍ以下に設定することが記載されていて、この表面粗さは本願発明２の「表面粗度を０．８Ｓ以下」との規定を充足しているものと認められる。　なお、単結晶ケイ素においても機械加工によって加工欠陥層が不可避的に発生することは、例えば当審における拒絶の理由にも示した特開平３−６０１１９号公報第３頁左上欄〜右上欄の記載に徴すれば明らかであり（該公報では、パーティクルの原因となる加工欠陥層を表面層の電解研磨によって解消している。）、また、該公報には、加工欠陥を解消しパーティクルを減少させればスパッタ初期から高品質となることも記載されている（第５頁左下欄）。
　引用例３または引用例４の手段（鏡面加工）並びにその目的、効果（初期のスパッリング成膜を安定して円滑に進め、品質の向上を図る）が、本願発明２のそれらと実質的に同じであるから、凹凸の影響の作用について本願発明２のような言い方をしていないとしても、それは単に説明の仕方異なっているにすぎず、そのことによって両者に実質的な相違があるというべきではない。
　してみると、Ｓｉターゲットを鏡面研磨し、その表面粗度を０．８Ｓ以下程度とすることは、引用例３または引用例４において公知であり、引用例１記載の発明の比抵抗を特定する手段とは構成並びに作用が異なることから、引用例１記載の発明において、更にその手段を組合わせることに格別の阻害要因はないし、その手段の採用により格別予想外の作用効果を奏しているとも認められない。
　よって、（ｆ）の点は、引用例３または引用例４の記載を勘案すれば当業者が容易に想い到る構成と認められる。
　
　以上のとおりであるから、本願発明２は、周知技術を勘案し引用例１乃至引用例４記載の発明に基づいて当業者が容易に想到し得る。
　
４．むすび
　したがって、本願発明２は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。