(57)【要約】【課題】電界型アンテナにおいて、共振をとるための配線長を短縮して、より一層の小型化を可能とした半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明の半導体装置１０は、少なくとも基材１ａの一面に電極２を備えた半導体基板１と、該半導体基板の一面を覆うように設けられた絶縁樹脂層１１、１３と、前記絶縁樹脂層上に設けられ、前記電極と電気的に接続された導電部１４とを備えた半導体装置であり、前記導電部の一部はアンテナ回路１４ａとして機能する部位を構成し、前記アンテナ回路に整合する位置に、磁気異方性を有する軟磁性部材１２が設けられている。【選択図】図１
2007165681.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一面に電極を備えた半導体基板と、
該半導体基板の一面を覆うように設けられた絶縁樹脂層と、
前記絶縁樹脂層上に設けられ、前記電極と電気的に接続された導電部とを備えた半導体装置であって、
前記導電部の一部はアンテナ回路として機能する部位を構成し、
前記アンテナ回路に整合する位置に、磁気異方性を有する軟磁性部材が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記軟磁性部材は、アンテナ特性を所定の共振周波数とするように磁気異方性が付与されていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
少なくとも一面に電極が設けられた半導体基板上に絶縁樹脂層を形成する工程と、
前記絶縁樹脂層上に、前記電極と電気的に接続され、一部がアンテナ回路として機能する導電部を形成する工程と、
前記アンテナ回路に整合した位置に、磁気異方性を有する軟磁性部材を設ける工程と、を少なくとも備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記導電部を形成した後に、アンテナ特性を所定の共振周波数とするように、前記軟磁性部材に磁気異方性を付与することを特徴とする請求項３記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記磁気異方性は、前記軟磁性部材を、磁場中において加熱する、または通電して加熱することにより付与されることを特徴とする請求項４記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ＩＣチップと無線通信用のアンテナを有する半導体装置及びその製造方法に関し、特に半導体ＩＣチップ上に、アンテナが平面または立体的に形成された半導体装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板上の回路形成面上に、絶縁層を介し、再配線工程によりアンテナ回路を形成した半導体モジュールが提案されている（例えば、特許文献１，２）。
これらのアンテナ回路は、磁界型のアンテナとして作用する。磁界型のアンテナとして用いた場合、送信アンテナと受信アンテナは、相互インダクタンスにより接続された系となる。相互インダクタンスは、アンテナ間距離の２乗に反比例するため、通信距離が大きく取れないという欠点が有る。
【０００３】
また、これらの磁界型アンテナは、Ｌ，Ｃ共振点を利用するため、再配線工程によりアンテナ回路を形成した後に、Ｌ，Ｃ共振点を使用周波数に合わせるためキャパシタなどを用いてインピーダンスを調整する必要があった。
【０００４】
一方、上記アンテナ回路の配線長を、使用する周波数帯の波長と同程度か、１／２または１／４の長さと同程度とすることで、共振を利用した電界型のアンテナとして作用させることができる。電界型のアンテナでは、アンテナ間の結合は容量性となり、距離に反比例するため、磁界型として作用させた場合よりも通信距離を稼ぐことができる。
【０００５】
しかしながら、再配線工程により形成したこれらのアンテナは、再配線周囲の絶縁体のもつ誘電率εおよび透磁率μにより波長短縮される。実際には、これらに用いられる絶縁体は非磁性であり、比透磁率は１であることから、誘電率のみが寄与し、ある周波数で共振が起きるのは、総配線長が波長と同程度か、１／２倍または１／４倍よりも短いときである。
【０００６】
また、製造時の配線長のばらつきなどにより、再配線工程で実際の設計値からのずれが生じる。このように、再配線工程により形成したアンテナは、共振周波数が設計値からずれやすいことから、再配線工程によりアンテナ回路を形成した後に、配線長を調整して共振点を使用周波数に合わせこむことが難しかった。しかしながら、銅めっきによる再配線の後に、配線の長さを調整するための有効な方法がないことが現状の課題であった。
【特許文献１】特開平８−７９１２７号公報
【特許文献２】特開２００２−３１９００８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて考案されたものであり、電界型アンテナにおいて、共振をとるための配線長を短縮して、より一層の小型化を可能とした半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の請求項１に記載の半導体装置は、少なくとも一面に電極を備えた半導体基板と、該半導体基板の一面を覆うように設けられた絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層上に設けられ、前記電極と電気的に接続された導電部とを備え、前記導電部の一部はアンテナ回路として機能する部位を構成し、前記アンテナ回路に整合する位置に、磁気異方性を有する軟磁性部材が設けられていることを特徴とする。
本発明の請求項２に記載の半導体装置は、請求項１において、アンテナ特性を所定の共振周波数とするように磁気異方性が付与されていることを特徴とする。
本発明の請求項３に記載の半導体装置の製造方法は、少なくとも一面に電極が設けられた半導体基板上に絶縁樹脂層を形成する工程と、前記絶縁樹脂層上に、前記電極と電気的に接続され、一部がアンテナ回路として機能する導電部を形成する工程と、前記アンテナ回路に整合した位置に、磁気異方性を有する軟磁性部材を設ける工程と、を少なくとも備えることを特徴とする。
本発明の請求項４に記載の半導体装置の製造方法は、請求項３において、前記導電部を形成した後に、アンテナ特性を所定の共振周波数とするように、前記軟磁性部材に磁気異方性を付与することを特徴とする。
本発明の請求項５に記載の半導体装置の製造方法は、請求項４において、前記磁気異方性は、前記軟磁性部材を、磁場中において加熱する、または通電して加熱することにより付与されることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明では、アンテナ回路に整合する位置に軟磁性部材を設けることで、アンテナ周囲の実効透磁率を高めることができる。これにより、透磁率による波長短縮効果が加わるため、電界型アンテナとして共振をとるための配線長を短縮することができる。その結果、より一層の小型化が可能となる。
また、前記軟磁性部材が磁気異方性を有し、該磁気異方性を制御することにより、透磁率を変化させることが可能であるため、透磁率の変化による波長短縮の効果を制御することができる。これにより、配線の実効長を透磁率の変化により制御することが可能となる。その結果、導電層形成後に配線の長さを変更することなく、共振点の調整が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
以下、本発明に係る半導体装置の一実施形態を図面に基づいて説明するが、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。
【００１１】
＜第一の実施形態＞
図１は、本発明の半導体装置の一例を示す断面図である。
この半導体装置１０においては、集積回路（図示略）が形成された半導体基板１の表面に集積回路（ＩＣ、図示略）の電極２が形成されている。
【００１２】
さらにこの半導体装置１０は、半導体基板１上に設けられた第一の絶縁樹脂層１１と、この第一の絶縁樹脂層１１の上に設けられた磁性層１２と、磁性層１２上に設けられた第二の絶縁樹脂層１３と、第二の絶縁樹脂層１３の上に設けられた導電層１４と、導電層１４を覆うように設けられた封止樹脂層１５とを有する。導電層１４は、アンテナ回路１４ａを有する。
【００１３】
半導体基板１は、少なくとも表層が絶縁部（図示略）をなす基材１ａの一面上に、例えば電極２としてＡｌパッドを設けたものである。ここでは、アンテナ回路１４ａを有する導電層１４を、集積回路と電気的に接続するための電極２が、半導体基板１の表面の２箇所（図では１箇所のみ表示）に設けられている。
【００１４】
このような構造を持つオンチップアンテナは、電界型アンテナとして作用し、総配線長が、アンテナ周囲の絶縁層および磁性層の持つ実効誘電率、および実効透磁率による波長短縮の効果を考慮した波長の１／２倍または１／４倍となるような周波数が共振周波数となる。
【００１５】
そして本発明の半導体装置１は、アンテナ回路１４ａに整合する位置に、磁気異方性を有する磁性層１２が設けられていることを特徴とする。
アンテナ回路１４ａに整合する位置に磁性層１２を設けることで、アンテナ周囲の実効透磁率を高めることができる。これにより、透磁率による波長短縮効果が加わるため、電界型アンテナとして共振をとるための配線長を短縮することができる。その結果、より一層の小型化が可能となる。
【００１６】
また、前記磁性層１２が磁気異方性を有し、該磁気異方性を制御することにより、透磁率を変化させることが可能であるため、透磁率の変化による波長短縮の効果を制御することができる。これにより、配線の実効長を透磁率の変化により制御することが可能となる。その結果、導電層形成後のトリミング処理により銅めっき再配線の長さを変更することなく、共振点の調整が可能となる。
【００１７】
磁性体には、磁化が結晶軸や形状に関して方向の依存性を持つ性質があり、これを磁気異方性というが、磁気異方性の起源には、結晶格子の対称性から現れる結晶磁気異方性、試料形状の非対称性によって表れる形状異方性、試料の作製方法によって現れる誘導異方性、および磁歪効果を介して現れる磁気弾性異方性などがある。ここで言う「磁気異方性」は、「結晶磁気異方性」と「形状異方性」を主な起源とする。
【００１８】
また、前記磁性層１２は、アンテナ特性を所定の共振周波数とするように磁気異方性が付与されている。
磁性層１２の磁気異方性を制御することにより、透磁率を変化させることが可能である。これにより、透磁率の変化による波長短縮の効果を制御することができ、配線の実効長を透磁率の変化により制御することが可能となる。その結果、導電層形成後に配線の長さを変更することなく、共振点の調整が可能となる。なお、ここで言う「磁気異方性」は、「誘導異方性」を主な起源とする。
【００１９】
半導体基板１は、シリコンウエハ等の半導体ウエハでもよく、半導体ウエハをチップ寸法に切断（ダイシング）した半導体チップであってもよい。半導体基板１が半導体チップである場合は、まず、半導体ウエハの上に、各種半導体素子やＩＣ、誘導素子等を複数組、形成した後、チップ寸法に切断することで複数の半導体チップを得ることができる。
【００２０】
第一の絶縁樹脂層１１は、各電極２と整合する位置に形成された開口部１１ａを有する。第一の絶縁樹脂層１１は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等からなり、その厚さは例えば１〜３０μｍである。
第一の絶縁樹脂層１１は、例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法などにより形成することができる。また開口部１１ａは、例えばフォトリソグラフィ技術を利用したパターニングなどにより形成することができる。
【００２１】
磁性層１２は、特に限定されるものではないが、高透磁率を有し、かつ、磁場中での熱処理などにより磁気異方性を誘起することが可能な、例えばＦｅ系もしくはＣｏ系アモルファス材料や、六方晶系のフェライトであり、強磁性共鳴周波数もしくは自然共鳴周波数が数１００ＭＨｚから数ＧＨｚ程度の軟磁性体からなり、その厚さは例えば０．５〜１０μｍである。
【００２２】
第二の絶縁樹脂層１３は、電極２と整合する位置に開口した開口部１３ａを有する。
第二の絶縁樹脂層１３は、例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法などにより形成することができる。また開口部１３ａは、例えばフォトリソグラフィ技術を利用したパターニングなどにより形成することができる。
【００２３】
導電層１４は、アンテナ回路１４ａを有する。導電層１４の一端部は、開口部１１ａ，１２ａ，１３ａを介して第二の絶縁樹脂層１３、磁性層１２、第一の絶縁樹脂層１１を貫通しており、電極２と電気的に接続されている。
【００２４】
アンテナ回路１４ａのパターンは、スパイラル、もしくはメアンダ形状であり、その配線長は、アンテナ周囲の絶縁層および磁性層の持つ実効変換効率、および実効透磁率による波長短縮の効果を考慮した波長の１／２および１／４倍と同じかそれよりも短くなっている。
【００２５】
導電層１４の材料としては、例えばＣｕ等が用いられ、その厚さは例えば１〜２０μｍである。これにより十分な導電性が得られる。導電層１４は、例えば、電解銅めっき法等のめっき法、スパッタリング法、蒸着法、または２つ以上の方法の組み合わせにより形成することができる。
【００２６】
封止樹脂層１５は、例えばポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂等からなり、その厚さは例えば１０〜１５μｍである。封止樹脂層１５には、外部への端子を出力するための開口部（図示略）が設けられる。
【００２７】
次に、図１に示す半導体装置の製造方法について説明する。
まず、図２（ａ）に示すように、集積回路（図示略）、電極２を有する半導体基板１を用意する。この半導体基板１は、上述したように、基材１ａの一面上に電極２が形成された半導体ウエハである。
【００２８】
次いで、図２（ｂ）に示すように、半導体基板１上に、開口部１１ａを有する第一の絶縁樹脂層１１を形成する。その厚さは、例えば１〜３０μｍである。
このような第一の絶縁樹脂層１１は、例えば上記樹脂からなる膜を例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法などによって半導体基板１の全面に成膜した後、例えばフォトリソグラフィ技術を利用したパターニングなどにより、電極２と整合する位置に開口部１１ａを形成することによって形成することができる。
【００２９】
次いで、図２（ｃ）に示すように、第一の絶縁樹脂層１１の上に磁性層１２を形成する。その厚さは、例えば０．５〜１０μｍである。
このような磁性層（軟磁性部材）１２は、軟磁性体からなり、スパッタ法などにより成膜し、フォトリソグラフィなどによりレジストパターンを形成後、ドライエッチング、ウェットエッチング、リフトオフなどにより電極２と整合する位置に開口部１２ａを形成することによって形成することができる。
【００３０】
次いで、図２（ｄ）に示すように、磁性層１２上に第二の絶縁性樹脂層１３を形成する。その厚さは、例えば０．１〜２０μｍである。このような第二の絶縁樹脂層１３は、例えば上記樹脂からなる膜を例えば回転塗布法、印刷法、ラミネート法などによって磁性層１２の全面を覆うように成膜することによって形成することができる。さらに、例えばフォトリソグラフィ技術を利用したパターニングなどにより、電極に整合する位置に開口部１３ａを形成する。
【００３１】
次いで、図２（ｅ）に示すように、第二の絶縁樹脂層１３上に導電層１４を形成する。その厚さは、例えば１〜２０μｍである。この導電層１４を所定の領域に形成する方法は、特に限定されるものではないが、例えば以下に示す方法を用いることができる。
【００３２】
ここで、導電層１４を形成する好適な方法の一例について説明する。
まず、スパッタリング法等により、電解めっき用の薄いシード層（図示略）を第二の絶縁樹脂層１３上の全面または必要な領域に形成する。シード層は、例えばスパッタリング法により形成されたＣｕ層およびＣｒ層からなる積層体、またはＣｕ層およびＴｉ層からなる積層体である。また、無電解Ｃｕめっき層でもよいし、蒸着法、塗布法または化学気相成長法（ＣＶＤ）等により形成された金属薄膜層であってもよいし、上記の金属層形成方法を組み合わせてもよい。
【００３３】
次に、シード層の上に、電解めっき用のレジスト膜（図示略）を形成する。このレジスト膜には導電層１４の形成すべき領域に開口部を設け、該開口部において、前記シード層を露出させておく。レジスト膜は、例えば、フォトリソグラフィ技術によるパターニング、フィルムレジストをラミネートする方法、液体レジストを回転塗布する方法等により形成することができる。
【００３４】
そして、前記レジスト膜をマスクとして露出したシード層上に、電解めっき法等により、Ｃｕ等から構成された導電層１４を形成する。このように、所望の領域に導電層１４が形成された後、不要なレジスト膜およびシード層はエッチングにより除去し、導電層１４が形成された領域以外の部分では第二の絶縁樹脂層１３が露出されるようにする（図２（ｅ）参照）。
【００３５】
次に、磁性層１２を、磁場中において加熱する（以下、「磁場中熱処理」とも呼ぶ）、または通電して加熱する（以下、「通電熱処理」とも呼ぶ）ことにより、アンテナ特性を所定の共振周波数とするように磁気異方性を調整する。
磁性層１２を構成する軟磁性体は、元々磁気異方性を有しているが、本発明では、導電層１４（アンテナ回路１４ａ）を形成した後に、磁場中熱処理または通電熱処理を施し、磁性層１２の有する磁気異方性を制御することを特徴とする。
【００３６】
磁性層１２の磁気異方性を制御することにより、透磁率を変化させることが可能である。これにより、透磁率の変化による波長短縮の効果を制御することができ、配線の実効長を透磁率の変化により制御することが可能となる。その結果、導電層１４を形成した後に施す磁場中熱処理または通電熱処理により再配線の長さを変更することなく、共振点の調整が可能となる。
【００３７】
オンチップアンテナにおいて、受電する際にアンテナ周囲にできる磁界の振幅方向に対して任意の方向に磁気異方性を誘導することにより、再配線によるアンテナ形成後においても、透磁率を変化させることが可能であり、共振点の調整が可能である。
【００３８】
磁性層１２に付与される「磁気異方性（誘導異方性）」は、その手法や条件を適宜変更することにより、「所定の方向」や「所定の強さ」の制御が可能である。
【００３９】
（１）静磁界中にて軟磁性層に対して熱処理中を施すことにより、該軟磁性層の磁気異方性を誘導する方法。
（２）上記半導体の磁性層上に設けられた第二の絶縁層に開口部を設け、磁性層の任意の２点が導電層（アンテナ回路）表面に露出する構造とする。その上で、導電層（アンテナ回路）を形成し、その後、磁性体が露出された開口部に、プローブを立て、通電アニールを行うことにより、電流の作る磁界方向に磁気異方性を誘起し、磁気異方性の強さにより透磁率を調整する方法。
【００４０】
アンテナ回路１４ａを有する導電層１４のうち、少なくとも一方向と平行な方向から、任意の角度をつけた方向に、上記（１）または（２）のいずれかの方法で磁気異方性を調整し、磁気異方性の角度により透磁率を調整する。
【００４１】
そして、図２（ｆ）に示すように、導電層１４上に、絶縁性の封止樹脂層１４を形成する。その厚さは、例えば１〜３０μｍである。
このような封止樹脂層１５は、例えば、感光性ポリイミド樹脂等の感光性樹脂をフォトリソグラフィ技術によりパターニングすることによって形成することができる。なお、封止樹脂層１５の形成方法は、この方法に限定されるものではない。
【００４２】
＜第二の実施形態＞
以下、本発明の第二の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００４３】
図３は、本実施形態の半導体装置の一例を示す断面図である。
なお、図３において、図１と同じ構成要素については同じ符号を付し、共通部分の詳細な説明を省略する。
この半導体装置２０は、半導体基板１上に設けられた第一の絶縁樹脂層２１と、この第一の絶縁樹脂層２１の上に設けられた磁性層２２と、磁性層２２上に設けられた第二の絶縁樹脂層２３と、第二の絶縁樹脂層２３の上に設けられた第一の導電層２４と、第一の導電層２４上に設けられた第三の絶縁樹脂層２５と、第三の絶縁樹脂層２５の上に設けられた第二の導電層２６とを有する。
【００４４】
第一の導電層２４は、電極２とアンテナ回路２６ａとを電気的に接続する再配線層（アンダーパス）である。第一の導電層２４の一端部は、第一の開口部２６を介して第一の絶縁樹脂層２１を貫通し、電極２と電気的に接続されている。また、第一の導電層２４の他端部は、第二の開口部２８と整合する位置まで延びている。
【００４５】
第三の絶縁樹脂層２５は、半導体基板１の表面に沿う位置が第一の開口部２７とは異なる位置に開口した第二の開口部２８を有する。この第二の開口部２８は、第二の導電層２４の一端部に整合する位置に形成されている。
【００４６】
第二の導電層２６は、アンテナ回路２６ａを有する。第二の導電層２４の一端部は、第二の開口部２８を介して第三の絶縁樹脂層２５を貫通しており、第一の導電層２４の端部と接続されている。
【００４７】
本実施形態では、導電層が２層になっており、第一の導電層２４と第二の導電層２６とは電気的に接続されており、第一の導電層２４と第二の導電層２６との総配線長は、アンテナ回路周囲の絶縁層および磁性層の持つ実効誘電率、および実効透磁率による波長短縮の効果を考慮した波長と同程度か、１／２および１／４倍と同程度になっている。
【００４８】
本実施形態においても、アンテナ回路に整合する位置に磁性層２２を設けることで、アンテナ周囲の実効透磁率を高めることができる。これにより、透磁率による波長短縮効果が加わるため、電界型アンテナとして共振をとるための配線長を短縮することができる。その結果、より一層の小型化が可能となる。
【００４９】
また、前記磁性層２２が磁気異方性を有し、該磁気異方性を制御することにより、透磁率を変化させることが可能であるため、透磁率の変化による波長短縮の効果を制御することができる。これにより、配線の実効長を透磁率の変化により制御することが可能となる。その結果、導電層形成後に銅めっき再配線の長さを変更することなく、共振点の調整が可能となる。
【００５０】
以上説明したように、半導体チップ上に、再配線工程により形成されたオンチップアンテナにおいて、磁性層を設け、磁気異方性の制御によって透磁率を制御することにより、アンテナ周囲の実効透磁率を調整することができる。これにより、アンテナに入射する電磁波に対する波長短縮の効果を調整できる。その結果、トリミングによる配線長の調整なしで共振周波数の調整が可能になる。
【００５１】
以上、本発明の半導体装置について説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、適宜変更が可能である。
例えば、上述した説明では、磁性層を、アンテナ回路を有する導電層の下側に配した場合を例に挙げて説明したが、磁性層を、導電層の上側に配してもよい。
【実施例】
【００５２】
図４は、異なる配線長Ｌを有するオンチップアンテナにおいて、周波数（Frequency） に対する電圧定在波比（ＶＳＷＲ：voltage standing wave raito ）および反射係数（Ｓ１１）を示すグラフである。ここで、太い実線と太い点線はそれぞれＳ１１（Ｌ＝２２８ｍｍの場合）とＳ１１（Ｌ＝１５０ｍｍの場合）であり、細い実線と細い点線はそれぞれＶＳＷＲ（Ｌ＝２２８ｍｍの場合）とＶＳＷＲ（Ｌ＝１５０ｍｍの場合）を表している。
【００５３】
ここで、ＶＳＷＲは、インピーダンス不整合により反射が発生している伝送線路上に発生する電圧振幅分布の山と谷の比であり、次式によって定義される。ここで、Γは電圧反射係数、ＶＲ  は進行波電圧、ＶＦ  は反射波電圧、である。
【００５４】
【数１】
2007165681.tif 000003
【００５５】
【数２】
2007165681.tif 000004
【００５６】
また、反射係数Ｓ１１は、出力側を特性インピーダンス（Ｚ０  ）で終端した際の入力側の入射波に対する反射波の割合と定義される。
【００５７】
図４から、反射係数およびＶＳＷＲが最小となる周波数、すなわち共振周波数は、配線長に依存していることがわかる。このため、共振周波数を使用周波数に合わせるためには、配線長の調整が必要であることがわかる。
【００５８】
一方、図５は、同一の配線長Ｌを有するオンチップアンテナにおいて、周波数（Frequency） に対する定在波比（ＶＳＷＲ：voltage standing wave raito ）および反射係数（Ｓ１１）を示すグラフであり、磁性層（軟磁性部材）の有無について検討した結果である。ここで、太い実線と太い点線はそれぞれＳ１１（磁性層の無い場合）とＳ１１（磁性層の有る場合）であり、細い実線と細い点線はそれぞれＶＳＷＲ（磁性層の無い場合）とＶＳＷＲ（磁性層の有る場合）を表している。
【００５９】
図５から、配線長は同じであっても、磁性層の透磁率による波長短縮の効果によって、共振周波数が短波長側にシフトしていることがわかる。この結果から、電界型のオンチップアンテナにおいて、磁性層を設け、透磁率を調整することにより、配線長を変えずに共振周波数を調整することが可能であることが明らかとなった。
【産業上の利用可能性】
【００６０】
本発明は、アンテナ回路を有する各種半導体装置に適用できる。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明の半導体装置の一例を示す断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図３】本発明の半導体装置の他の一例を示す断面図である。
【図４】オンチップアンテナについて、ＶＳＷＲおよび反射係数の配線長による違いを示した図である。
【図５】同一配線長のオンチップアンテナについて、磁性層の有無によるＶＳＷＲおよび反射係数Ｓ１１の違いを示した図である。
【符号の説明】
【００６２】
１  半導体基板、１ａ  基材、２  電極、１０  半導体装置、１１  第一の絶縁樹脂層、１２  磁性層（軟磁性部材）、１３  第二の絶縁樹脂層、１４  導電層（導電部）、１４ａ  アンテナ回路、１５  封止樹脂層。
【図１】
2007165681.tif 000005
【図２】
2007165681.tif 000006
【図３】
2007165681.tif 000007
【図４】
2007165681.tif 000008
【図５】
2007165681.tif 000009