(57)【要約】      （修正有）【課題】１（４Ｈ）−ナフタレノン誘導体を簡便に且つ収率よく製造する方法の提供。【解決手段】パラジウム化合物触媒と、ヘテロポリ酸若しくはＰ又はＳｉの元素と、Ｖ、Ｍｏ及びＷから選択された元素とを含むオキソ酸からなる触媒の存在下、スチレン誘導体を一酸化炭素と反応させて、式（２）2007238493.tif 000008（Ｒ１〜Ｒ５は水素又は非金属原子含有基を示す）で表される１（４Ｈ）−ナフタレノン誘導体を得る。【選択図】        なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
パラジウム化合物触媒（Ａ）と、ヘテロポリ酸若しくはその塩（B1）、又は全体として、Ｐ又はＳｉの元素と、Ｖ、Ｍｏ及びＷから選択された少なくとも１つの元素とを含むオキソ酸若しくはその塩の混合物（B2）からなる触媒（Ｂ）の存在下、下記式（１）
【化１】
2007238493.tif 000006
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5は、同一又は異なって、水素原子又非金属原子含有基を示す。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4のうち少なくとも２つが互いに結合して、隣接する２以上の炭素原子とともに環を形成していてもよい］
で表される芳香族ビニル化合物を一酸化炭素と反応させて、下記式（２）
【化２】
2007238493.tif 000007
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5は前記に同じ）
で表される１（４Ｈ）−ナフタレノン誘導体を得ることを特徴とする１（４Ｈ）−ナフタレノン誘導体の製造法。
【請求項２】
ヘテロポリ酸若しくはその塩（B1）が、構成元素として、Ｐ又はＳｉの元素と、Ｖ、Ｍｏ及びＷから選択された少なくとも１つの元素とを含む請求項１記載の１（４Ｈ）−ナフタレノン誘導体の製造法。
【請求項３】
ヘテロポリ酸若しくはその塩（B1）が、下記式
Ａ3+n［ＰＭｏ12-nＶnＯ40］
（式中、Ａは水素原子、ＮＨ4、アルカリ金属及びアルカリ土類金属から選択された少なくとも１種を示し、ｎは０〜１０の整数である）
で表されるリンバナドモリブデン酸若しくはリンモリブデン酸又はそれらの塩である請求項１又は２記載の１（４Ｈ）−ナフタレノン誘導体の製造法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は１（４Ｈ）−ナフタレノン誘導体の製造法、より詳しくは、芳香族ビニル化合物と一酸化炭素とを反応させて１（４Ｈ）−ナフタレノン誘導体を製造する方法に関する。１（４Ｈ）−ナフタレノン誘導体は、ポリマー原料、染料、医薬品、生理活性物質等の高機能品材料や精密化学品の合成中間体、その他の有機化学品の中間原料などとして有用である。
【背景技術】
【０００２】
従来、１（４Ｈ）−ナフタレノン誘導体の製造法として、いくつかの方法が知られている（非特許文献１及び２参照）。しかし、これらの方法は原料の入手が困難であったり、収率が低い等の問題があり、工業的に効率のよい製法とは言い難い。
【０００３】
【非特許文献１】Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ， １９９４， ５０， ３５７５
【非特許文献２】Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ， ２００１， ５７， ５９６７
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的は、入手しやすい原料から１（４Ｈ）−ナフタレノン誘導体を簡便に且つ収率よく製造できる方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明者らは、前記目的を達成するため鋭意検討した結果、パラジウム化合物と特定の触媒とを用いると、芳香族ビニル化合物と一酸化炭素という入手しやすい原料から、１（４Ｈ）−ナフタレノン誘導体が収率よく生成することを見出し、本発明を完成した。
【０００６】
すなわち、本発明は、パラジウム化合物触媒（Ａ）と、ヘテロポリ酸若しくはその塩（B1）、又は全体として、Ｐ又はＳｉの元素と、Ｖ、Ｍｏ及びＷから選択された少なくとも１つの元素とを含むオキソ酸若しくはその塩の混合物（B2）からなる触媒（Ｂ）の存在下、下記式（１）
【化１】
2007238493.tif 000002
［式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5は、同一又は異なって、水素原子又非金属原子含有基を示す。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4のうち少なくとも２つが互いに結合して、隣接する２以上の炭素原子とともに環を形成していてもよい］
で表される芳香族ビニル化合物を一酸化炭素と反応させて、下記式（２）
【化２】
2007238493.tif 000003
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5は前記に同じ）
で表される１（４Ｈ）−ナフタレノン誘導体を得ることを特徴とする１（４Ｈ）−ナフタレノン誘導体の製造法を提供する。
【０００７】
前記ヘテロポリ酸若しくはその塩（B1）には、構成元素として、Ｐ又はＳｉの元素と、Ｖ、Ｍｏ及びＷから選択された少なくとも１つの元素とを含む化合物が含まれる。また、前記ヘテロポリ酸若しくはその塩（B1）には、下記式
Ａ3+n［ＰＭｏ12-nＶnＯ40］
（式中、Ａは水素原子、ＮＨ4、アルカリ金属及びアルカリ土類金属から選択された少なくとも１種を示し、ｎは０〜１０の整数である）
で表されるリンバナドモリブデン酸若しくはリンモリブデン酸又はそれらの塩が含まれる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の方法によれば、入手容易な芳香族ビニル化合物と一酸化炭素から１（４Ｈ）−ナフタレノン誘導体を簡便に且つ収率よく製造することができる。また、一酸化炭素の有効利用技術として有益である。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
［芳香族ビニル化合物］
本発明では、式（１）で表される芳香族ビニル化合物と一酸化炭素とを反応させる。芳香族ビニル化合物は２種以上を組み合わせて使用してもよい。前記式（１）中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5は、同一又は異なって、水素原子又非金属原子含有基を示す。ベンゼン環に結合しているＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4のうち少なくとも２つが互いに結合して、隣接する２以上の炭素原子とともに環を形成していてもよい。
【００１０】
非金属原子含有基としては、反応を損なわないような基であればよく、例えば、脂肪族炭化水素基［例えば、アルキル基（メチル、エチル、イソプロピル、ｔ−ブチル、ヘキシル、デシル基などのＣ1-20アルキル基、特にＣ1-6アルキル基）、アルケニル基（ビニル、アリル基などのＣ2-20アルケニル基、特にＣ2-6アルケニル基）、アルキニル基（エチニル基などのＣ2-20アルキニル基、特にＣ2-6アルキニル基）など］、脂環式炭化水素基（シクロプロピル、シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロオクチル基などのシクロアルキル基；シクロヘキセニル基などのシクロアルケニル基；アダマンチル、ノルボルニル基などの橋かけ環式炭化水素基など）、芳香族炭化水素基（フェニル基、ナフチル基等）、アシル基（ホルミル、アセチル、プロピオニル、ブチリル基などの脂肪族アシル基；シクロヘキシルカルボニル基などの脂環式アシル基；ベンゾイル、ナフトイル基などの芳香族アシル基など）、複素環式基（ヘテロ原子として酸素原子、硫黄原子、窒素原子を１〜４個程度有する芳香族性又は非芳香族性複素環式基など）、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、ヒドロキシル基、メルカプト基、置換オキシ基（例えば、メトキシ、エトキシ、ブトキシ基等のＣ1-10アルコキシ基などのアルコキシ基；フェノキシ基などのアリールオキシ基；アセチルオキシ、プロピオニルオキシ、ブチリルオキシ、ベンゾイルオキシ基などのアシルオキシ基等）、置換チオ基、カルボキシル基、置換オキシカルボニル基（メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、ブトキシカルボニル基などのＣ1-10アルコキシ−カルボニル基などのアルコキシカルボニル基；フェノキシカルボニル基などのアリールオキシカルボニル基；ベンジルオキシカルボニル基などのアラルキルオキシカルボニル基等）、置換又は無置換カルバモイル基（カルバモイル基；Ｎ−メチルカルバモイル、Ｎ，Ｎ−ジメチルカルバモイル基などのモノ又はジ炭化水素基置換カルバモイル基等）、シアノ基、ニトロ基、置換又は無置換アミノ基（アミノ基；Ｎ−メチルアミノ、Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ基などのモノ又はジ炭化水素基置換アミノ基等）、スルホ基、これらが複数個結合した基などが挙げられる。カルボキシル基、ヒドロキシル基、アミノ基等は慣用の保護基で保護されていてもよい。
【００１１】
非金属原子含有基が有機基である場合、その炭素数は、例えば１〜２０、好ましくは１〜１０程度である。好ましい非金属原子含有基として、置換基を有していてもよい炭化水素基（脂肪族炭化水素基、脂環式炭化水素基、芳香族炭化水素基、又はこれらが２以上結合した基）、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、メルカプト基、置換オキシ基、置換チオ基、カルボキシル基、置換オキシカルボニル基、シアノ基、ニトロ基、置換又は無置換アミノ基などが挙げられる。
【００１２】
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4のうち少なくとも２つが互いに結合して、隣接する２以上の炭素原子とともに形成する環としては、例えば、５〜６員の芳香族性又は非芳香族性の炭素環（シクロヘキセン環、ベンゼン環等）、又は５〜６員の芳香族性又は非芳香族性の複素環（酸素原子、硫黄原子、窒素原子等のへテロ原子を１〜４個程度含む複素環）が挙げられる。これらの環は置換基を有していてもよく、また他の環（非芳香族性環又は芳香族性環）が縮合していてもよい。
【００１３】
式（１）で表される芳香族ビニル化合物の代表的な例として、例えば、スチレン、ｐ−メチルスチレン、ｍ−メチルスチレン、ｏ−メチルスチレン、ｐ−メトキシスチレン、ｍ−メトキシスチレン、ｏ−メトキシスチレン、ｐ−クロロスチレン、ｍ−クロロスチレン、ｏ−クロロスチレン、ｍ，ｐ−ジメチルスチレン、ｐ−トリフルオロメチルスチレン、ｐ−シクロヘキシルスチレン、ｐ−フェニルスチレン、ｐ−アセチルスチレン、ｐ−ヒドロキシスチレン、ｐ−メルカプトスチレン、ｐ−メチルチオスチレン、ｐ−カルボキシスチレン、ｐ−メトキシカルボニルスチレン、ｐ−アセトキシスチレン、ｐ−アミノスチレン、ｐ−ジメチルアミノスチレン、ｐ−シアノスチレン、ｐ−ニトロスチレン、１−プロペニルベンゼン、２−ビニルナフタレン、２−ビニルアントラセン、６−ビニルテトラリン、５−ビニルベンゾフラン、６−ビニルベンゾフラン、６−ビニルクロマン、７−ビニルクロマンなどが挙げられる。
【００１４】
［一酸化炭素］
一酸化炭素としては特に限定されず、純粋な一酸化炭素を用いてもよく、窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスで希釈した一酸化炭素を使用してもよい。また、反応系中において発生した一酸化炭素を用いてもよい。
【００１５】
一酸化炭素の使用量は、原料として用いる芳香族ビニル化合物の種類などに応じて選択でき、通常、芳香族ビニル化合物１モルに対して、０．５モル以上（例えば、１モル以上）、好ましくは１〜１００モル、さらに好ましくは１〜５０モル程度である。一酸化炭素を大過剰用いることもできる。
【００１６】
［触媒］
本発明では、触媒として、パラジウム化合物触媒（Ａ）と、ヘテロポリ酸若しくはその塩（B1）、又は全体として、Ｐ又はＳｉの元素と、Ｖ、Ｍｏ及びＷから選択された少なくとも１つの元素とを含むオキソ酸若しくはその塩の混合物（B2）からなる触媒（Ｂ）とを用いる。
【００１７】
パラジウム化合物触媒（Ａ）としては、例えば、金属パラジウム、０価のパラジウム錯体などの０価のパラジウム化合物；酢酸パラジウム（II）、シアン化パラジウム（II）などの２価のパラジウムの有機酸塩、パラジウム（II）アセチルアセトナト、ジクロロビス（ベンゾニトリル）パラジウム（II）などの２価のパラジウムの有機錯体、フッ化パラジウム（II）、塩化パラジウム（II）、臭化パラジウム（II）、ヨウ化パラジウム（II）などの２価のパラジウムのハロゲン化物、硝酸パラジウム（II）、硫酸パラジウム（II）などの２価のパラジウムの酸素酸塩、酸化パラジウム（II）、硫化パラジウム（II）、セレン化パラジウム（II）、水酸化パラジウム（II）、テトラアンミンパラジウム（II）塩化物などの２価のパラジウムの無機錯体などの２価のパラジウム化合物などが例示できる。
【００１８】
これらのパラジウム化合物のなかでも、酢酸パラジウム（II）などの２価のパラジウムの有機酸塩又は有機錯体、塩化パラジウム（II）などの２価のパラジウムのハロゲン化物、硫酸パラジウム（II）などの２価のパラジウムの酸素酸塩などの２価のパラジウム化合物が好ましい。
【００１９】
パラジウム化合物は活性炭、シリカ、アルミナ、ゼオライトなどの担体に担持した形態で用いてもよい。また、パラジウム化合物としては、パラジウムをハイドロタルサイト、ヒドロキシアパタイト等の天然鉱物の構成元素として組み込んだ形態で使用することもできる。パラジウム化合物は単独で又は２種以上を組み合わせて使用できる。
【００２０】
パラジウム化合物の使用量は、原料として用いる芳香族ビニル化合物１モルに対して、例えば、０．０００００１〜０．５モル、好ましくは０．０００１〜０．２モル、さらに好ましくは０．００５〜０．１モル程度である。
【００２１】
前記ヘテロポリ酸若しくはその塩（B1）において、ヘテロポリ酸とは、種類の異なる２種以上の中心イオンを含む酸素酸の縮合物であり、異核縮合酸ともいう。ヘテロポリ酸は、例えば、Ｐ、Ａｓ、Ｓｎ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｚｒなどの元素の酸素酸イオン（例えば、リン酸、ケイ酸など）と、Ｖ、Ｍｏ、Ｗなどの元素の酸素酸イオン（例えば、バナジン酸、モリブデン酸、タングステン酸など）とで構成されており、その組み合わせにより種々のヘテロポリ酸が可能である。
【００２２】
ヘテロポリ酸を構成する酸素酸のヘテロ原子は特に限定されず、例えば、Ｃｕ、Ｂｅ、Ｂ、Ａｌ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｃｅ、Ｔｈ、Ｎ、Ｐ、Ａｓ、Ｓｂ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｕ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｍｎ、Ｉ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ｐｔなどが例示できる。好ましいヘテロポリ酸は、Ｐ、Ｓｉ、Ｖ、Ｍｏ、Ｗの少なくとも一種の元素を含有しており、さらに好ましくはＰ又はＳｉと、Ｖ、Ｍｏ及びＷ（特に、Ｖ及びＭｏ）の少なくとも１つの元素とを含有している。
【００２３】
ヘテロポリ酸又はその塩を構成するヘテロポリ酸アニオンとしては種々の組成のものを使用できるが、好ましいヘテロポリ酸アニオンの組成は、ＸＭ12Ｏ40で表すことができる。この組成式において、Ｘは、Ｓｉ、Ｐなどの元素であり、Ｍは、Ｍｏ、Ｗ、Ｖなどの元素である。このような組成を有するヘテロポリ酸アニオンとして、例えば、リンモリブデン酸、リンタングステン酸、ケイモリブデン酸、ケイタングステン酸、リンバナドモリブデン酸のアニオンなどが例示できる。
【００２４】
ヘテロポリ酸は遊離のヘテロポリ酸であってもよく、ヘテロポリ酸のカチオンに相当する水素原子の少なくとも一部を他のカチオンで置換して、ヘテロポリ酸の塩として使用することもできる。前記水素原子と置換可能なカチオンとしては、例えば、アンモニウム（ＮＨ4など）、アルカリ金属（Ｃｓ、Ｒｂ、Ｋ、Ｎａ、Ｌｉなど）、アルカリ土類金属（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｍｇなど）などが例示できる。
【００２５】
前記ヘテロポリ酸又はその塩のなかでも、下記式で表されるリンバナドモリブデン酸若しくはリンモリブデン酸又はそれらの塩が好適に用いられる。
Ａ3+n［ＰＭｏ12-nＶnＯ40］
［式中、Ａはヘテロポリ酸カチオンを表し、ｎは０〜１０（好ましくは１〜１０）の整数である］
【００２６】
Ａで表されるカチオンとしては、水素原子のほか、前記のカチオンが例示できる。なかでも、完全プロトン型のリンバナドモリブデン酸又はリンモリブデン酸、及び、一部又はすべてのプロトンがＮＨ4で置換されたリンバナドモリブデン酸アンモニウム又はリンモリブデン酸アンモニウムが特に好ましい。完全プロトン型のリンバナドモリブデン酸として、Ｈ4ＰＭｏ11ＶＯ40、Ｈ5ＰＭｏ10Ｖ2Ｏ40、Ｈ6ＰＭｏ9Ｖ3Ｏ40、Ｈ7ＰＭｏ8Ｖ4Ｏ40などが挙げられる。
【００２７】
ヘテロポリ酸又はその塩は無水物であってもよく、結晶水含有物であってもよい。また、ヘテロポリ酸又はその塩は活性炭等の担体に担持した形態で用いてもよい。この場合、ヘテロポリ酸又はその塩とパラジウム化合物とを同一の担体上に分散担持させてもよい。ヘテロポリ酸及びその塩は単独で又は２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００２８】
本発明において、オキソ酸若しくはその塩の混合物（B2）としては、全体として、Ｐ又はＳｉの元素と、Ｖ、Ｍｏ及びＷから選択された少なくとも１つの元素とを含むオキソ酸又はその塩の混合物であれば特に限定されない。なお、本明細書では、「オキソ酸」をヘテロポリ酸を含む意味に用い、ヘテロポリ酸を含まない意味に用いる場合は「狭義のオキソ酸」という。
【００２９】
Ｐ、Ｓｉ、Ｖ、Ｍｏ又はＷを含むヘテロポリ酸としては、例えば、リンモリブデン酸、リンタングステン酸、リンバナジン酸、リンバナドモリブデン酸、ケイモリブデン酸、ケイタングステン酸、ケイバナジン酸などが挙げられる。Ｐ、Ｓｉ、Ｖ、Ｍｏ又はＷを含む狭義のオキソ酸としては、例えば、リン酸、ケイ酸、バナジン酸、モリブデン酸、タングステン酸などが挙げられる。ヘテロポリ酸の塩、狭義のオキソ酸の塩としては、例えば、アンモニウム塩、アルカリ金属塩、アルカリ土類金属塩などが挙げられる。
【００３０】
オキソ酸若しくはその塩の混合物（B2）の態様として、（ｉ）２種以上のヘテロポリ酸又はその塩の混合物（例えば、リンモリブデン酸又はその塩とリンバナナジン酸又はその塩との混合物など）、（ii）ヘテロポリ酸又はその塩と狭義のオキソ酸又はその塩との混合物（例えば、リンモリブデン酸又はその塩とバナジン酸又はその塩との混合物、リンバナジン酸又はその塩とモリブデン酸又はその塩との混合物など）、及び（iii）２種以上の狭義のオキソ酸又はその塩の混合物（例えば、リン酸又はその塩とモリブデン酸又はその塩とバナジン酸又はその塩との混合物）などが挙げられる。オキソ酸又はその塩は無水物であってもよく、結晶水含有物であってもよい。
【００３１】
触媒（Ｂ）の使用量は、特に限定されないが、原料として用いる芳香族ビニル化合物１モルに対して、例えば、０．００００１〜０．５モル、好ましくは０．０００１〜０．１モル、さらに好ましくは０．００１〜０．０５モル程度である。
【００３２】
［酸素］
本発明の方法では、必ずしも酸素を必要としないが、酸素を用いるのが好ましい。酸素は、触媒（パラジウム化合物など）の再酸化剤として機能しうる。酸素としては分子状酸素が好ましく用いられる。分子状酸素としては、特に限定されず、純粋な酸素を用いてもよく、窒素、ヘリウム、アルゴンなどの不活性ガスで希釈した酸素や空気を使用してもよい。
【００３３】
酸素の使用量（Ｏ2として）は、原料として用いる芳香族ビニル化合物１モルに対して、例えば０．５モル以上（例えば、１モル以上）、好ましくは１〜１００モル、さらに好ましくは１〜５０モル程度である。酸素は大過剰量用いてもよい。
【００３４】
［反応］
反応は溶媒の存在下又は非存在下、好ましくは溶媒の存在下で行われる。溶媒は原料との種類等により適宜選択できる。溶媒として、例えば、酢酸、プロピオン酸、トリフルオロ酢酸などのカルボン酸等の有機酸；ホルムアミド、アセトアミド、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセトアミドなどのアミド類；ニトロメタン、ニトロエタンなどのニトロ化合物；酢酸エチル、酢酸ブチルなどのエステル類；アセトン、メチルエチルケトンなどのケトン類；ジエチルエーテル、ジイソプロピルエーテル、ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、ジオキサンなどの鎖状又は環状エーテル類；メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、ｔ−ブチルアルコールなどのアルコール類；ヘキサン、オクタンなどの脂肪族炭化水素；シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの脂環式炭化水素；クロロホルム、ジクロロメタン、ジクロロエタン、四塩化炭素などのハロゲン化炭化水素；水；これらの混合溶媒などが挙げられる。これらの溶媒のなかでも、酸素原子を含有するプロトン性の溶媒（例えば、−ＯＨの構造を有する溶媒）、より具体的には、メタノール、エタノール等のアルコール；酢酸、プロピオン酸等のカルボン酸などの有機酸；これらの混合液などが好ましい。原料や生成物の重合を防止するため、反応系内にハイドロキノンなどの重合禁止剤を添加してもよい。
【００３５】
本発明の方法では、比較的温和な条件であっても円滑に反応が進行して、目的の前記式（２）で表される１（４Ｈ）−ナフタレノン誘導体が高い収率で得られる。反応温度は、原料化合物の種類等に応じて適宜選択できるが、通常、０〜２００℃、好ましくは４０〜１５０℃、さらに好ましくは６０〜１２０℃程度である。反応は常圧で行ってもよく、加圧下で行ってもよい。反応圧力は、例えば０．１〜５ＭＰａ、好ましくは０．１〜２ＭＰａであり、常圧（０．１ＭＰａ）であっても充分に反応は進行する。反応は、一酸化炭素（好ましくは一酸化炭素と酸素）の雰囲気下、又は一酸化炭素（好ましくは一酸化炭素と酸素）の流通下、回分式、半回分式、連続式などの慣用の方法により行うことができる。
【００３６】
この反応は、芳香族ビニル化合物が前記触媒系の存在下で二量化して、下記式（３）
【化３】
2007238493.tif 000004
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5は前記に同じ）
で表される化合物が生成し、続いてこの化合物にカルボニル基（ＣＯ）が導入されることで進行するものと推測される。なお、原料として２種以上の芳香族ビニル化合物を組み合わせて用いた場合には、式（２）においてそれぞれ２つのＲ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ5が異なる基である化合物が生成しうる。
【００３７】
反応終了後、反応生成物は、例えば、濾過、濃縮、蒸留、抽出、晶析、再結晶、吸着、カラムクロマトグラフィーなどの分離手段やこれらを組み合わせることにより分離精製できる。
【００３８】
本発明の方法により得られる１（４Ｈ）−ナフタレノン誘導体は、ポリマー原料、染料、医薬品等の高機能材料や精密化学品の合成中間体、その他の有機化学品の中間原料などとして使用できる。
【実施例】
【００３９】
以下に、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。
【００４０】
実施例１
反応器に、酢酸パラジウム（II）［Ｐｄ（ＯＡｃ）2］（０．２ｍｍｏｌ）、Ｈ5ＰＭｏ10Ｖ2Ｏ40（０．０８ｍｍｏｌ）、スチレン（４ｍｍｏｌ）、酢酸（５ｍｌ）を仕込み、一酸化炭素／酸素混合ガス（０．０５ＭＰａ／０．０５ＭＰａ；全圧０．１ＭＰａ）雰囲気下、９０℃で１５時間反応させた。反応後、反応液をガスクロマトグラフィーにより分析したところ、下記式（2a）で表される４−メチル−２−フェニル−４Ｈ−ナフタレン−１−オンが７５％の収率で、式（3a）で表される１，３−ジフェニル−１−ブテンが８％の収率で生成していた。
【化４】
2007238493.tif 000005
【００４１】
実施例２
スチレンの代わりにｐ−メチルスチレンを用いた以外は、実施例１と同様にして反応を行った。反応後、反応液をガスクロマトグラフィーにより分析したところ、４，７−ジメチル−２−ｐ−トリル−４Ｈ−ナフタレン−１−オンが７８％の収率で、１，３−ジｐ−トリル−１−ブテンが５％の収率で生成していた。
［４，７−ジメチル−２−ｐ−トリル−４Ｈ−ナフタレン−１−オンのスペクトルデータ］
1Ｈ−ＮＭＲ（CDCl3） δ：1.38-1.41(d, 3H), 2.4(s, 3H), 2.44(s, 3H), 4.32-4.40(q, 1H), 7.24-7.70(m, 8H)
【００４２】
実施例３
スチレンの代わりにｐ−メトキシスチレンを用いた以外は、実施例１と同様にして反応を行った。反応後、反応液をガスクロマトグラフィーにより分析したところ、４，７−ジメチル−２−ｐ−メトキシフェニル−４Ｈ−ナフタレン−１−オンが７２％の収率で、１，３−ビス（ｐ−メトキシフェニル）−１−ブテンが９％の収率で生成していた。