【事件の表示】
　
【結　論】
原査定を取り消す。
本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成３年１２月９日の出願であって、その請求項１〜７に係る発明は、平成１３年６月１１日付，平成１３年９月１０日付で補正された明細書及び図面の記載からみて特許請求の範囲に記載されたとおりのものである。
「【請求項１】基板と、この基板上に形成された窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）から成る複数の層とを有し、前記基板の側から光を出力するようにした窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記複数の層のうち最上層である第１層に形成された第１電極と、前記第１電極と対となって給電するための電極であって、前記基板に対して前記第１電極と同一面側に形成された第２電極と、光取り出し方向に沿った断面形状が、前記第１電極が形成される面を上底とするメサ（台形）形状になるように、第１層の側から、前記複数の層のうち前記第２電極が形成される第２層の面が露出するまでエッチングすることにより形成された側壁面を含み、前記第１電極、前記第２電極を除く面上に形成され、前記基板の側に光を取り出すように光を反射させる絶縁性反射膜とを設けたことを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項２】前記絶縁性反射膜は、ＴｉＯ２　及びＳｉＯ２　から成ることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項３】前記絶縁性反射膜は、ＴｉＯ２膜とＳｉＯ２膜とを交互に積層した膜であることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項４】前記第１電極と、前記第２電極の上にははんだバンプが形成されていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項５】前記第２電極はアルミニウムから成ることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項６】前記第１層と前記第２層の間に、前記第１層とも前記第２層とも組成又は不純物若しくは不純物濃度の異なる層を１層以上有することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項７】前記第２層は高濃度ｎ＋層であり、当該第２層と前記第１層との間に形成された窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）から成る低濃度ｎ層を有することを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」（以下、「請求項１に係る発明」を「本願発明」という。）　　　　　　　
　なお、平成８年１２月２６日付、平成１０年２月９日付及び平成１１年６月１８日付手続補正書は、補正却下の決定がなされ、確定している。
　　　　　　　
２．引用刊行物
　これに対して原査定の拒絶の理由に引用された刊行物の記載内容は以下のとおりである。
（１）特開平３−２０３３８８号公報（以下「引用例１」という。）には「第１図に示すように、サファイア基板１と、このサファイア基板１上にバッファ層として形成したＡｌＮ層２と、このＡｌＮ層２上に形成したＡｌＮ層２と、このＡｌＮ層２上に形成したｎ−ＧａＸＩｎ１−ＸＮ層３（０≦Ｘ≦１）およびｐ−ＧａＸＩｎ１−ＸＮ層４（０≦Ｘ≦１）からなるｐｎ接合構造と、この表面に形成したＡｌの電極５、６とを備えたものである。」（３頁左上欄９〜１７行），「このように構成された半導体発光素子Ｘは、波長４２０ｎｍの青色で発光する（Ａ方向）」（３頁右上欄１〜２行）と記載されている。
　また、１図からはＡの符号のついた矢印が、ｎ層とｐ層の境界からサファイア基板を貫通して発光素子の外側に向いていることみてとれる。
（２）特開昭６１−１２１３７４号公報（以下「引用例２」という。）には「半導体基板の一方の基板面の上側に発光層を具え、他方の基板面を発光面とした面発光素子において、該素子の発光面とは反対側の裏面側から前記発光層を突き抜ける深さで該発光領域の周囲に設けられた現状の分離溝と、該分離溝の壁面上及び該分割溝に囲まれた裏面上に設けられた高反射率絶縁層」（特許請求の範囲第１項１〜７行）と記載されている。
（３）実願昭５６−１８８８４２号（実開昭５８−９２７５１）のマイクロフィルム（以下引用例３という）には「第３図は本考案の他の実施例を示す発光ダイオードの側面図で、第２図との相違点を中心に説明する。第２図と同様ＰＮ接合（１１）近傍の側面（１２）はＰＮ接合と傾斜して交わっており表面は１部を除いてＳｉＮ等の絶縁膜（１８）が設けてあり、この絶縁膜（１８）のない部分にはオーミック電極（１４）が設けてある。さらにこの絶縁膜（１８）とオーミック電極（１４）を覆って銀等の反射膜（１９）が設けてある。そしてこの素子は表面側（成長側）が下になって載置固着してあり、裏面側（基板側）で金属細線（１７）による配線がなされている。このようにする事で第２図に述べた下方に向かう光（Ｖ）（ＶＩ）を積極的に利用すると共に、反射膜（１９）が深皿状となる事により光を上方に指向するもので、上述と同様素子真上の輝度は従来より約５０％向上した。」（３頁１６行〜４頁１０行）と記載されている。 
　また、３図には、側面（１２）及びオーミック電極（１４）で形成される深皿状の形状がいわゆる「メサ（台形）形状」であることがみてとれ、また斜面である側面（１２）に設けられた絶縁膜（１８）及び反射膜（１９）により反射した光が矢印とともに光（Ｖ）として反射されていることがみてとれる。 
（４）特開平１−１７９４６９号公報（以下引用例４という）には「すなわち多層構造の柱状突起の最上層として誘電体多層膜（例えば発光波長に対して選択的に反射率が高くなるように形成したＴｉＯ２／ＳｉＯ２多層膜）〜発光を吸収損失なく基板方向に全反射してもよい。」（４頁右下欄６〜１１行）と記載されている。　      
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
３．対比
　そこで、本願発明と引用例１に記載されたものと対比すると、引用例１に記載された「サファイア基板１」，「ｎ−ＧａＸＩｎ１−ＸＮ層３（０≦Ｘ≦１）およびｐ−ＧａＸＩｎ１−ＸＮ層４」，「この表面に形成したＡｌの電極５、６」が、それぞれ本願発明の「基板」，「窒化ガリウム系化合物半導体からなる複数の層」，「第１電極と同一面側に形成された第２電極」に相当する。
　また引用例１には「青色で発光する（Ａ方向）。」と記載されており、引用例１の１図にはＡの符号のついた矢印が、ｎ層とｐ層の境界からサファイア基板を貫通して発光素子の外側に向いている点が記載されている。よって引用例１には本願発明の「基板の側から光を出力」する点と同様の内容が記載されていると認める。     
　したがって、両者は、　　　　　　　　　　　
「基板と、この基板上に形成された窒化ガリウム系化合物半導体から成る複数の層とを有し、前記基板の側から光を出力するようにした窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記複数の層のうち最上層である第１層に形成された第１電極と、前記第１電極と対となって給電するための電極であって、前記基板に対して前記第１電極と同一面側に形成された第２電極を設けた窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」である点で一致し、次の点で相違する。
相違点：本願発明のものが、「光取り出し方向に沿った断面形状が、前記第１電極が形成される面を上底とするメサ（台形）形状になるように、第１層の側から、前記複数の層のうち前記第２電極が形成される第２層の面が露出するまでエッチングすることにより形成された側壁面を含み、前記第１電極、前記第２電極を除く面上に形成され、前記基板の側に光を取り出すように光を反射させる絶縁性反射膜」との技術的事項を有するのに対し、引用例１にはこの点が記載されていない点。（以下「相違点」という。）
　　　　　　
４．判断          　　　　　
　上記相違点について検討する。　　　　　　　　　　　　　　　　
　引用例２には「高反射率絶縁層」が記載されており、この構成は上記相違点の「絶縁性反射膜」に対応し、引用例３には、上記相違点のうち「光取り出し方向に沿った断面形状が、前記第１電極が形成される面を上底とするメサ（台形）形状」及び「基板の側に光を取り出すように光を反射させる反射膜」に対応する事項が記載されており、さらに引用例４の上記記載と２図の内容からみて上記相違点のうち「基板の側に光を取り出すように光を反射させる絶縁性反射膜」が記載されているとしても、上記相違点のうち「第１層の側から、前記複数の層のうち前記第２電極が形成される第２層の面が露出するまでエッチングすることにより形成された側壁面」の点は引用例１〜４には記載されていない。
　そして、上記「第１層の側から、前記複数の層のうち前記第２電極が形成される第２層の面が露出するまで」との事項は、第１電極と第２電極が同一面側にあること及びメサ形状の側壁面を前提としているので、メサ形状ではあるが第１電極と第２電極が異なる面に形成されている引用例３及び第１電極と第２電極が同一面側にあるがメサ形状ではない引用例１から、上記相違点の技術的事項を容易に想到しえたとすることはできない。　
　また、上記相違点のうち、反射膜が「前記第１電極、前記第２電極を除く面上に形成され」る点に対し、引用例１には反射膜に関する記載はなく、引用例２〜４は反射膜と電極が重なり合っている構成をとっていることから、この点も引用例１〜４には記載がない。
　要するに引用例１〜４には、本願発明の構成が断片的に記載されているだけであり、これらを寄せ集めて本願発明を容易に想到することができたとすることはできない。
　　
　本願請求項２〜７に係る発明は、本願請求項１を引用するものであるから、本願請求項１に係る発明と同様の理由で上記引用刊行物１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明できたものではない。
　　           
５．むすび
　したがって、請求項１〜７に係る発明は、引用例１〜４に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものとすることはできない。　　　　
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。　　
　よって結論のとおり審決する。