【事件の表示】
　特願２０１２−１９４６９５「レンズ状表面を有する高効率ＩＩＩ族窒化物ＬＥＤ」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１２月１３日出願公開、特開２０１２−２４８８９３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願発明
　本願は、平成１７年９月１５日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００４年９月２２日、米国、２００５年３月１７日、米国）を国際出願日とする特願２００７−５３３５４４号（以下「原出願」という。）の一部を平成２４年９月５日に新たな特許出願としたものであって、平成２４年９月１８日及び平成２６年４月１日に手続補正がなされ、同年７月２９日付けで拒絶査定がなされ、同年１２月１日に拒絶査定不服審判請求がなされたものである。
　そして、その請求項に係る発明は、平成２６年４月１日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載された事項により特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）については、次のとおりである。
　
「ｐ型半導体層と、
　ｎ型半導体層と、
　前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間の活性領域と、
　前記ｐ型半導体層の反対側の前記ｎ型半導体層上の不透明なフィーチャと、
　前記ｎ型半導体層の反対側の前記ｐ型半導体層の表面上の反射金属接触と
　を備える発光デバイスであって、
　前記反射金属接触は、前記不透明なフィーチャと位置合わせされる前記ｐ型半導体層の前記表面の導電率低減区域以外の領域において前記ｐ型半導体層へのオーム接触上に形成され、
　前記発光デバイスは前記ｐ型半導体層の前記表面上に非オーム接触をさらに含み、
　前記非オーム接触は前記ｐ型半導体層とオーム接触を形成しない反射金属を含むことを特徴とする発光デバイス。」
　　
２．引用例
　これに対して、原査定の拒絶理由に引用された、原出願の優先日前に頒布された刊行物である特開平７−２７３３６９号公報（以下「引用例１」という。）には、図とともに次の記載がある（下線は、当審による。）。
　
　ア　「【００１９】
【実施例】次に、本発明の光半導体デバイスの実施例を図面を参照して詳細に説明する。図１は、この光半導体デバイスの第１の実施例の構成を示す断面図である。図２はエネルギーギャップＥｇを示すエネルギー構造の概略図である。図３はこの実施例の斜視図である。図１において、
光半導体デバイス１０は、半導体基板１１と組成傾斜層１２と第１クラッド層１３と活性層１４と第２クラッド層１５とを有しており、第２クラッド層１５には穴あき電極１７を形成し、この穴あき電極１７に対応した光半導体デバイスの反対側の半導体基板１１には円板状電極１６を形成している
　
　イ　「【００２１】この実施例の光半導体デバイス１０は、例えばＭＯＣＶＤ法により、次のようにして順次エピタキシャル成長させる。先ず、厚さ３００μｍの
ｎタイプの
半導体基板１１
ｎタイプの
組成傾斜層１２
ｎタイプの
第１クラッド層１３
ｐタイプの
第２クラッド層１５
　
　ウ　「【００２４】半導体基板を保持して表面にエピタキシャル成長させるため、半導体基板の底面にはエピタキシャル成長層がない。エピタキシャル成長層を下側に半導体基板を表裏反転させ、この半導体基板面を光取り出し面とし、円形状のオーミック電極１６を中央に形成する。この電極に対向させて、裏面となったエピタキシャル成長層の
第２クラッド層１５表面にオーミック性の穴あき電極１７
【００２５】次に、この実施例における作用について説明する。図１及び図３を参照して、穴あき電極１７から光半導体デバイス１０に電流を注入すると、第１クラッド層を経てキャリアが活性層に注入され、キャリアの再結合により発光する。注入電流に関して、半導体基板１１が３００μｍと厚く、また抵抗率も比較的小さいため、この基板が電流拡散層となる。また、穴あき電極１７に対向する位置に電極１６の電極部分がないため、図１の矢印のように電流が流れる。したがって、
光を取り出す半導体基板１１
キャリアが活性層１４で再結合して発光するが、光が出射する方向１８に光を遮断する電極部分がないため、外部への光取り出し効率を格段に向上できる
　
　上記記載によれば、引用例１には、
「ｎタイプの半導体基板１１とｎタイプの組成傾斜層１２とｎタイプの第１クラッド層１３と活性層１４とｐタイプの第２クラッド層１５とを有しており、第２クラッド層１５の表面にオーミック性の穴あき電極１７を形成し、この穴あき電極１７に対応した光半導体デバイスの反対側の半導体基板１１に円板状電極１６を形成している光半導体デバイス１０。」（以下「引用発明」という。）
が記載されているものと認められる。
　　　　　
３．対比
　本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「ｐタイプの第２クラッド層１５」、「ｎタイプの半導体基板１１とｎタイプの組成傾斜層１２とｎタイプの第１クラッド層１３」、「活性層１４」及び「光半導体デバイス１０」は、それぞれ、本願発明の「ｐ型半導体層」、「ｎ型半導体層」、「前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間の活性領域」及び「発光デバイス」に相当する。
（２）引用発明の「（半導体基板１１に形成している）円板状電極１６」は、引用例１の【００２５】に「光を遮断する電極部分」と記載されているように、光を遮断するものと認められるから、「不透明なフィーチャ」ということでき、本願発明の「前記ｐ型半導体層の反対側の前記ｎ型半導体層上の不透明なフィーチャ」に相当する。
（３）引用発明の「穴あき電極１７」は、第２クラッド層１５の表面に形成される電極であるから、本願発明の「反射金属接触」と、「前記ｎ型半導体層の反対側の前記ｐ型半導体層の表面上の金属接触」の点で一致する。
（４）引用発明の「穴あき電極１７」は、「オーミック性」であり、また、その穴部は、「第２クラッド層１５」の表面において、「円板状電極１６」に対応して位置しているものと認められるから、引用発明の「穴あき電極１７」は、本願発明の「反射金属接触」と同様に、「前記不透明なフィーチャと位置合わせされる前記ｐ型半導体層の前記表面の区域以外の領域において前記ｐ型半導体層へのオーム接触上に形成され」たものといえる。
（５）以上のことから、両者は、
「ｐ型半導体層と、
　ｎ型半導体層と、
　前記ｎ型半導体層と前記ｐ型半導体層との間の活性領域と、
　前記ｐ型半導体層の反対側の前記ｎ型半導体層上の不透明なフィーチャと、
　前記ｎ型半導体層の反対側の前記ｐ型半導体層の表面上の金属接触と
　を備える発光デバイスであって、
　前記金属接触は、前記不透明なフィーチャと位置合わせされる前記ｐ型半導体層の前記表面の区域以外の領域において前記ｐ型半導体層へのオーム接触上に形成されている発光デバイス。」
の点で一致する。
　
（６）一方、両者は、次の点で相違する。
　ａ　本願発明は、「金属接触」が「反射金属接触」であるのに対し、引用発明の「穴あき電極１７」が反射電極であるか不明な点。
　ｂ　本願発明は、「ｐ型半導体層の前記表面上に非オーム接触をさらに含み、前記非オーム接触は前記ｐ型半導体層とオーム接触を形成しない反射金属を含む」とされるものであるのに対し、引用発明は、このようなものでない点。
　ｃ　本願発明は、「不透明なフィーチャと位置合わせされる前記ｐ型半導体層の前記表面の区域」について、「導電率低減区域」としているのに対し、引用発明は、「穴あき電極１７」の穴部における「第２クラッド層１５の表面」がこのようなものとはされていない点。
　　　
４．判断
（１）上記相違点ａについて検討する。
　引用例１の図１及び【００２５】の「光を取り出す半導体基板１１」、「光が出射する方向１８」の記載から明らかなように、引用発明は、図１において上方向に光を取り出すものであるから、図１において下方向、すなわち、「穴あき電極１７」側に向かう光については、これを反射させて上方向から取り出すようにすることが望ましいことは当業者に明らかである。そして、光取り出し面と反対側の面に形成されるオーミック電極を反射性のものすることが周知であることに鑑みれば（この点、必要ならば、原査定において引用された特開２０００−９１６３８号公報【００２１】の「ｐ側電極７はｐ型コンタクト層５の表面のほぼ全面に形成され、活性層３からの全面均一な発光を得るためにｐ型コンタクト層５に対するオーミック電極として機能させている。これと同時に、ｐ側電極７は、活性層３で発生した光のうちｐ側電極７の方へ向かう光を反射させてｎ側電極６の方へ向かわせる反射電極としても機能する。」との記載、同じく、特開平１１−３３０５５９号公報【００２４】の「ｐ側電極１６は、ｐ側ＧａＮコンタクト層２６とオーミックに接続し、かつ反射率が高いものであればよい。」の記載を参照されたい。）、引用発明の「穴あき電極１７」を反射電極として、上記相違点ａに係る本願発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得たものである。
（２）上記相違点ｂ及びｃについて検討する。
　拒絶理由に引用された特開平７−２７３３６８号公報（以下「引用例２」という。）には、引用発明と同様に下部電極を穴あき電極とした発光ダイオードについて記載され、その【００１６】には、下部電極の穴あき部に関し、「この部分の基板２の表面を研磨加工やエッチングにより鏡面仕上げしたり、非オーミックに金属蒸着などにより光反射性に形成することにより、下面方向に放射される光を有効に反射して、光取出し面５よりの発光出力に寄与する」と、下部電極の穴あき部を光反射性の非オーミックな金属とすることが記載されているから、引用発明の「穴あき電極１７」の穴部に非オーム接触の反射金属を設け、上記相違点ｂに係る本願発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易に採用し得たものである。
　そして、その際、引用発明は、引用例１の【００２５】に「キャリアが活性層１４で再結合して発光するが、光が出射する方向１８に光を遮断する電極部分がないため、外部への光取り出し効率を格段に向上できる。」と記載されているように、光を遮断する電極部分、すなわち、円板状電極１６の下方で活性層が発光しないようにするものであるから、「穴あき電極１７」の穴部に設けた反射金属から円板状電極１６の下方の活性層に電流が流れないようにすることは当然のことであって、「穴あき電極１７」の穴部における「第２クラッド層１５の表面」を「導電率低減区域」とすることに格別の困難性はない。
　
　そして、本願発明は、引用例１に記載された発明、引用例２の記載事項及び上記周知技術から予測できる程度以上の格別の効果を奏するものともいえない。
　
５．むすび
　以上のとおりであって、本願発明は、引用例１に記載された発明、引用例２の記載事項及び上記周知技術に基づいて当業者が容易に発明できたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。