【事件の表示】
　特願２０１０−５１８３６１「ＭＥＭＳ表示装置及び該ＭＥＭＳ表示装置の製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　１月２９日国際公開、ＷＯ２００９／０１５２３１、平成２２年１１月１１日国内公表、特表２０１０−５３４８６５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００８年７月２３日（優先権主張外国庁受理２００７年７月２５日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２２年３月２３日、平成２４年２月２７日及び平成２５年２月２０日に手続補正書が提出され、平成２５年９月２６日付けで同年２月２０日提出の手続補正書による手続補正が却下されるとともに拒絶査定がなされ、これに対して、平成２６年２月７日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正書が提出されたものである。
　
第２　平成２６年２月７日提出の手続補正書による手続補正についての補正却下の決定
〔補正却下の決定の結論〕
　平成２６年２月７日提出の手続補正書による手続補正を却下する。
　
〔理由〕
１　本件補正の内容
（１）平成２６年２月７日提出の手続補正書による手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲についてするものであって、そのうち請求項１についての補正は、本件補正前の請求項１（平成２４年２月２７日に提出された手続補正書による補正後のもの）に、
　
「光学的微小電気機械システム装置であって、
　基板上に形成され、ストリップ電極を形成するようにパターン化された導電光吸収体；
　前記基板上に形成された少なくとも１つの支持構造；及び
　前記少なくとも１つの支持構造上に形成され、前記導電光吸収体から離隔された導電可変層；
　を備え、
　前記光吸収体が、前記微小電気機械システム装置の光学的活性領域内における前記ストリップ電極内の第１導体として機能し、
　前記可変層が、前記光吸収体に向かって静電的にたわむことが可能であることを特徴とする光学的微小電気機械システム装置。」とあったものを、
　
「光学的微小電気機械システム装置であって、
　基板上に形成され、ストリップ電極を形成するようにパターン化された導電光吸収体；
　
前記光吸収体の少なくとも一部の下に位置し、前記光吸収体と同じ材料を含むブラックマスク吸収体層；
　
前記光吸収体と電気通信し、前記微小電気機械システム装置の光学的非活性領域に位置する導電ブッシング構造；
　前記基板上に形成された少なくとも１つの支持構造；及び
　前記少なくとも１つの支持構造上に形成され、前記導電光吸収体から離隔された導電可変層；
　を備え、
　前記光吸収体が、前記微小電気機械システム装置の光学的活性領域内における前記ストリップ電極内の第１導体として機能し、
　前記可変層が、前記光吸収体に向かって静電的にたわむことが可能であることを特徴とする光学的微小電気機械システム装置。」と補正するものである（下線は審決で付した。以下同じ。）。
　
（２）本件補正後の請求項１に係る上記（１）の補正は、本件補正前の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項である「光学的微小電気機械システム装置」が、
　ア　「光吸収体の少なくとも一部の下に位置し、前記光吸収体と同じ材料を含むブラックマスク吸収体層」を備えたものであること、及び、
　イ　「前記光吸収体と電気通信し、前記微小電気機械システム装置の光学的非活性領域に位置する導電ブッシング構造」を備えたものであること、
　を限定するものである。
　
２　新規事項の追加及び本件補正の目的
　上記１（２）アの点は、本願の願書に最初に添付された明細書（以下、願書に最初に添付された明細書を「当初明細書」といい、願書に最初に添付された明細書及び特許請求の範囲を併せて「当初明細書等」という。）の【００４３】、図８Ｃ及び図８Ｉに記載されており、上記１（２）イの点は、当初明細書の【００４７】及び【００４９】に記載されているから、本件補正は、本願の当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされた補正であって、特許法第１７条の２第３項に記載する要件を満たしている。
　上記１（２）ア及びイの補正は、本件補正前の請求項１に係る発明を特定するために必要な事項を限定するものであって、本件補正の前後で請求項１に係る発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題は同一であると認められるから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものである。
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）について以下検討する。
　
３　引用例
（１）原査定の拒絶の理由に引用文献２として引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である米国特許出願公開第２００７／００４１０７６号明細書（以下「引用例１」という。）には、図とともに次のアないしウの事項が記載されている。
　ア　「BACKGROUND OF THE INVENTION
 [0002] 
Microelectromechanical systems (MEMS)
（日本語訳：発明の背景
【０００２】
微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）
　
　イ　「DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT
[0028] The following detailed description is directed to certain specific embodiments of the invention. However, the invention can be embodied in a multitude of different ways. In this description, reference is made to the drawings wherein like parts are designated with like numerals throughout. As will be apparent from the following description, the embodiments may be implemented in any device that is configured to display an image, whether in motion (e.g., video) or stationary (e.g., still image), and whether textual or pictorial. More particularly, it is contemplated that the embodiments may be implemented in or associated with a variety of electronic devices such as, but not limited to, mobile telephones, wireless devices, personal data assistants (PDAs), hand-held or portable computers, GPS receivers/navigators, cameras, MP3 players, camcorders, game consoles, wrist watches, clocks, calculators, television monitors, flat panel displays, computer monitors, auto displays (e.g., odometer display, etc.), cockpit controls and/or displays, display of camera views (e.g., display of a rear view camera in a vehicle), electronic photographs, electronic billboards or signs, projectors, architectural structures, packaging, and aesthetic structures (e.g., display of images on a piece of jewelry). MEMS devices of similar structure to those described herein can also be used in non-display applications such as in electronic switching devices.
[0029] Individual MEMS elements, such as interferometric modulator elements, may be provided with support structures both within and at the edges of individual elements. In certain embodiments, these support structures may include rivet structures overlying a movable layer and/or post structures underlying the movable layer. Due to variations in both the residual stresses of the layers as deposited and stresses which result due to variations in operating conditions (e.g., internal strain or stresses caused by differences in the coefficients of thermal expansion), the movable layer may undesirably deflect, altering the operation of the MEMS device. Such undesirable stresses can be minimized or eliminated through material selection and symmetrical arrangement of support structures, such as support structures having the same material and thickness as either the movable layer or an underlying support structure. In further embodiments, stress mismatch between two layers within a MEMS device can be minimized when the layers are mirror images of one another.
[0030] One interferometric modulator display embodiment comprising an interferometric MEMS display element is illustrated in FIG. 1. In these devices, the pixels are in either a bright or dark state. In the bright (on or open) state, the display element reflects a large portion of incident visible light to a user. When in the dark (off or closed) state, the display element reflects little incident visible light to the user. Depending on the embodiment, the light reflectance properties of the on and off states may be reversed. MEMS pixels can be configured to reflect predominantly at selected colors, allowing for a color display in addition to black and white.
[0031] FIG. 1 is an isometric view depicting 
two adjacent pixels in a series of pixels of a visual display
each pixel comprises a MEMS interferometric modulator
Each interferometric modulator includes a pair of reflective layers positioned at a variable and controllable distance from each other to form a resonant optical cavity with at least one variable dimension
one of the reflective layers may be moved between two positions
In the first position, referred to
as the relaxed position, the movable reflective layer is positioned at a relatively large distance from a fixed partially reflective laye
In the second position, referred to
as the actuated position, the movable reflective layer is positioned more closely adjacent to the partially reflective layer
Incident light that reflects from the two layers interferes constructively or destructively depending on the position of the movable reflective layer, producing either an overall reflective or non-reflective state for each pixel
[0032] The depicted portion of the pixel array in FIG. 1 includes two adjacent 
interferometric modulators 12a and 12b
a movable reflective layer 14a
in a relaxed position at a predetermined distance from an optical stack 16a, which includes a partially reflective layer
the movable reflective layer 14b
in an actuated position adjacent to the optical stack 16b
[0033] 
The optical stacks 16a and 16b
typically comprise several fused layers, which can include an electrode layer, such as indium tin oxide (ITO), a partially reflective layer, such as chromium, and a transparent dielectric
The optical stack 16 is thus electrically conductive, partially transparent, and partially reflective, and may be fabricated
by depositing one or more of the above layers onto a transparent substrate 20
[0034] In some embodiments, 
the layers of the optical stack 16 are patterned into parallel strips, and may form row electrodes in a display device
The movable reflective layers 14a, 14b may be formed as a series of parallel strips of a deposited metal layer or layers (orthogonal to the row electrodes of 16a, 16b) deposited on top of posts 18 and an intervening sacrificial material deposited between the posts 18
When the sacrificial material is etched away, the movable reflective layers 14a, 14b are separated from the optical stacks 16a, 16b by a defined gap 19
A highly conductive and reflective material such as aluminum may be used for the reflective layers 14, and these strips may form column electrodes in a display device
[0035] 
With no applied voltage, the cavity 19 remains between the movable reflective layer 14a and optical stack 16a, with the movable reflective layer 14a in a mechanically relaxed state
when a potential difference is applied to a selected row and column, the capacitor formed at the intersection of the row and column electrodes at the corresponding pixel becomes charged, and electrostatic forces pull the electrodes together
If the voltage is high enough, the movable reflective layer 14 is deformed and is forced against the optical stack 16
（日本語訳：好ましい実施形態の詳細な説明
【００２８】以下の詳細な説明は、本発明の特定の具体的実施形態に関する。しかしながら、本発明は、多くの異なるかたちで実現することができる。この説明では、図面が参照にされ、図中、類似の構成要素は一貫して類似の符号を使用して示される。以下の説明から明らかなように、これらの実施形態は、動いているもの（例：ビデオ）であれ静止しているもの（例：静止画像）であれ、テキスト形式であれ映像形式であれ、画像を表示するように構成された任意のデバイスにおいて実現可能である。より具体的に言うと、これらの実施形態は、携帯電話、ワイヤレス機器、携帯情報端末（ＰＤＡ）、手持ちサイズの、すなわち携帯用のコンピュータ、ＧＰＳレシーバ／ナビゲータ、カメラ、ＭＰ３プレーヤ、カムコーダ、ゲーム機、腕時計、時計、計算機、テレビ用モニタ、フラットパネルディスプレイ、コンピュータ用モニタ、自動車用ディスプレイ（例：走行距離計等など）、コックピットのコントロールパネル及び／又はディスプレイ、カメラ視野のディスプレイ（例：車の後方確認用カメラのディスプレイ）、電子写真、電光の掲示板もしくはサイン、プロジェクタ、建造物、パッケージング、ならびに美的構造物（例：宝石の画像のディスプレイ）を非限定的に含む、様々な電子デバイスにおいて実現可能である、又はそのような電子デバイスに関連付けることが可能であると考えられる。また、本明細書において説明されるものと類似の構造のＭＥＭＳデバイスを、電子的切り替えデバイスなどの非ディスプレイ用途に使用することも可能である。
【００２９】インターフェロメトリックモジュレータ素子などの個々のＭＥＭＳ素子には、個々の素子の内部又は縁の両方に支持構造を設けることができる。特定の実施形態では、これらの支持構造は、移動可能層の上位にある「リベット」構造及び移動可能層の下位にある「柱」構造の両方又は一方を含むことができる。移動可能層は、堆積された際の層の残留応力及び動作条件の変動に起因する応力（例えば熱膨張係数の差異によって発生する応力又は内部ひずみ）の両方の変動によって、望ましくない形でたわみ、ＭＥＭＳデバイスの動作を変化させる可能性がある。このような望ましくない応力は、例えば、移動可能層又は下位の支持構造のいずれかと材料及び厚さが同じ支持構造を用意するなど、材料の選択及び支持構造の対称的配置を通じて最小限に抑えるあるいは排除することができる。更なる実施形態では、ＭＥＭＳデバイス内の２枚の層間の応力不整合は、それらの層を互いの鏡像にした場合に最小限に抑えることができる。
【００３０】インターフェロメトリックＭＥＭＳディスプレイ素子を含むインターフェロメトリックモジュレータディスプレイの１つの実施形態が、図１に示されている。これらのデバイスにおいて、ピクセルは、明るい状態又は暗い状態のいずれかにある。明るい（「オン」又は「開」）状態では、ディスプレイ素子は、入射する可視光の大半をユーザへと反射させる。暗い（「オフ」又は「閉」）状態では、ディスプレイ素子は、入射する可視光をほとんどユーザへと反射させない。「オン」状態及び「オフ」状態における光反射特性は、実施形態に応じて逆転可能である。ＭＥＭＳピクセルは、主に選択された色で反射するように構成することができる。これは、白黒に加えてカラーの表示を可能にする。
【００３１】図１は、
ビジュアルディスプレイの一連のピクセルのなかの２つの隣接するピクセル
各ピクセルは、ＭＥＭＳインターフェロメトリックモジュレータを含む
各インターフェロメトリックモジュレータは、少なくとも１つの可変次元をともなう共振光キャビティを形成するために、互いから可変でかつ制御可能な距離に配置された一対の反射層を含む
反射層の一方は、２つの位置の間で移動可能である
解放位置と称される第１の位置では、この移動可能層は、固定の部分反射層から比較的大きな距離を隔てて配置されている
作動位置と称される第２の位置では、この移動可能層は、部分反射層に対してより近くに隣接して配置されている
これらの２層から反射される入射光は、移動可能な反射層の位置に応じて建設的又は相殺的に干渉することによって、ピクセル毎に全反射又は非反射のいずれかの状態を生じる
【００３２】図１に示された部分のピクセル配列は、２つの隣接する
インターフェロメトリックモジュレータ１２ａ，１２ｂ
移動可能な反射層１４ａは、部分反射層を含む光学スタック１６ａから所定の距離にある解放位置で
移動可能な反射層１４ｂは、光学スタック１６ｂに隣接する作動位置で
【００３３】本明細書において言及される
光学スタック１６ａ，１６ｂ
は、
インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などの電極層と、クロムなどの部分反射層と、透明な誘電体と、を含むことができる何枚かの溶融層を含む
光学スタック１６は、したがって、導電性であり、部分的に透明であり、かつ部分的に反射性であり
上記の層の１枚又は２枚以上を透明基板２０上に堆積することによって作成することができる
【００３４】いくつかの実施形態において、
光学スタック１６のこれらの層は、平行な帯状片となるようにパターン形成され、
ディスプレイデバイスにおける行電極を形成する
移動可能な反射層１４ａ，１４ｂは、支柱１８の上、及び支柱１８間に堆積された介在犠牲材料の上に堆積された、１枚又は２枚以上の金属層からなる一連の平行な帯状片（行電極１６ａ，１６ｂに直交する）となるように、形成する
犠牲材料がエッチング除去されると、移動可能な反射層１４ａ，１４ｂは、定められたエアギャップ１９によって光学スタック１６ａ，１６ｂから分離される
反射層１４としては、アルミニウムなどの高伝導性でかつ反射性の材料が使用されてよく、これらの帯状片は、ディスプレイデバイスにおける列電極を形成する
【００３５】
電圧を印加されていないとき、キャビティ１９は、移動可能な反射層１４ａと光学スタック１６ａとの間に維持され、移動可能な反射層１４ａは、
機械的に解放された状態にある
選択された行及び列に電位差が印加されると、対応するピクセルにおいて行電極と列電極との交差位置に形成されたコンデンサは、帯電状態となり、静電力が、これらの電極を引き合わせる
電圧が十分に高いと、移動可能な反射層１４は、変形され、光学スタック１６に押し付けられる
　
　ウ　FIG.1（図１）は次のとおりのものであるが、[0033]の「The optical stack 16 is thus electrically conductive, partially transparent, and partially reflective, and may be fabricated, for example, by depositing one or more of the above layers 
onto a transparent substrate 20
透明基板２０上に
on top of posts 18 and an intervening sacrificial material
支柱１８の上
介在犠牲材料の上に
支柱１８が透明基板２０上に形成されている
　
　エ　上記アないしウより、引用例１には次の発明が記載されているものと認められる。
「ビジュアルディスプレイの各ピクセルが微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）インターフェロメトリックモジュレータを含む、微小電気機械システムであって、
　各ＭＥＭＳインターフェロメトリックモジュレータは、少なくとも１つの可変次元をともなう共振光キャビティを形成するために、互いに可変でかつ制御可能な距離に配置された一対の反射層を含み、
　反射層の一方は、２つの位置の間で移動可能であり、
　解放位置と称される第１の位置では、当該反射層の一方（移動可能層）は、反射層の他方（固定の部分反射層）から比較的大きな距離を隔てて配置されており、
　作動位置と称される第２の位置では、前記移動可能層は、前記部分反射層に対してより近くに隣接して配置されており、
　これらの２層から反射される入射光は、前記移動可能層の位置に応じて建設的又は相殺的に干渉することによって、ピクセル毎に全反射又は非反射のいずれかの状態を生じるものであり、
　具体的には、
　インターフェロメトリックモジュレータ１２ａにおいて、解放位置にある移動可能な反射層１４ａは、部分反射層を含む光学スタック１６ａから所定の距離にあり、
　インターフェロメトリックモジュレータ１２ｂにおいて、作動位置にある移動可能な反射層１４ｂは、光学スタック１６ｂに隣接しており、
　光学スタック１６ａ，１６ｂは、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などの電極層とクロムなどの部分反射層と透明な誘電体とを含むことができる何枚かの溶融層を含み、前記の層の１枚又は２枚以上を透明基板２０上に堆積することによって作成することができ、したがって、光学スタック１６ａ，１６ｂは、導電性であり、部分的に透明であり、かつ部分的に反射性であり、
　光学スタック１６ａ，１６ｂの前記の層は、平行な帯状片となるようにパターン形成され、ディスプレイデバイスにおける行電極を形成し、
　移動可能な反射層１４ａ，１４ｂは、透明基板２０上に形成された支柱１８の上、及び支柱１８間に堆積された介在犠牲材料の上に堆積された１枚又は２枚以上の金属層からなり、行電極１６ａ，１６ｂに直交する一連の平行な帯状片となるように形成され、
　前記反射層１４ａ，１４ｂとしては、アルミニウムなどの高伝導性でかつ反射性の材料が使用されてよく、これらの帯状片は、ディスプレイデバイスにおける列電極を形成し、
　前記介在犠牲材料がエッチング除去されると、移動可能な反射層１４ａ，１４ｂは、定められたエアギャップ（キャビティ）１９によって光学スタック１６ａ，１６ｂから分離され、
　電圧が印加されていないとき、キャビティ１９は、移動可能な反射層１４ａと光学スタック１６ａとの間に維持され、移動可能な反射層１４ａは、機械的に解放された状態にあり、
　選択された行及び列に電圧が印加されると、対応するピクセルにおいて行電極と列電極との交差位置に形成されたコンデンサが帯電状態となり、静電力がこれらの電極を引き合わせ、前記電圧が十分に高いと、移動可能な反射層１４ａ，１４ｂは、変形され、光学スタック１６ａ，１６ｂに押し付けられるものである、
　微小電気機械システム。」（以下「引用発明１」という。）
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用文献３として引用された、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００６−９９１０８号公報（以下「引用例２」という。）には、図とともに次のアないしウの事項が記載されている。
　ア　「【０００１】
  本発明の分野は、
微小電気機械システム
（ＭＥＭＳ）
　
　イ　「【００１３】
　
光干渉ＭＥＭＳディスプレイ素子を具備する
光干渉変調器ディスプレイ
　
　ウ　「【００２９】
　
ディスプレイ素子が信号を駆動するために応答することが出来るレートは、駆動信号をディスプレイ素子に搬送する制御線（例えば、行及び列電極）の抵抗と容量に依存する
大画面
高解像度画面でテレビを観るという願望は、制御線の抵抗が最小化されることを要求する
抵抗を低減する１つの方法は、制御線に１つ又は複数の電気的並列接続を与えることである
コントラスト比を増加させ
同時に信号を駆動するためのバス伝送をする層として働く
マスク
導電性マスクが、ディスプレイ素子の、
光干渉変調器の、アレイの１つ又は複数の行又は列電極への電気的並列接続を形成するために使用される
【００３０】
　
図９は、１つの実施形態
ディスプレイ１００の簡単化された表示の断面図
図９において、参照番号１０８は、光干渉変調器１０４の非アクティブ領域を示す
非アクティブ領域１０８が、観察者がディスプレイ１００を視線矢印１１０により示される方向から見る時
光吸収性であるか又は黒マスクとして機能
光干渉変調器１０４により生成される光学的応答は、非アクティブ領域１０８からの周囲光の反射により劣化されない
【００３１】
　
非アクティブ領域１０８のためのマスクは、光を吸収する又は減衰させる光応答性を持たせるように選択された材料から製作される
マスクを製作するために使用される１つ又は複数の材料は、電気的に導電性がある
それぞれの非アクティブ領域１０８のためのマスクは、薄膜の積層として製作されることが出来る
１つの実施形態において、薄膜の積層は、
２層の光を反射するクロム層の間に挟まれた非光吸収性誘電体層を具備する
他の実施形態において、
光を減衰させる又は吸収する単層の有機材料又は無機材料及びクロム又はアルミニウムのような導電性材料の層を具備できる
【００３２】
　
図１０の図面は、本発明の１実施形態に従った光干渉変調装置２００を通る断面
光干渉変調器装置２００は、電極反射層２０４、酸化物層２０６、エアー・ギャップ２０８、及び基板２０２上に配置された機械薄膜２１０を具備するアクティブな部品を含む
機械薄膜２１０は、支柱２１２により正しい位置に支持される
【００３３】
　
支柱２１２、その上に支柱が形成される光干渉変調器の領域、及び光干渉変調器のアクティブな部品の一部ではないその他の領域（
領域２３０により示される領域）は、導電性マスクを用いてマスクされる
さもなければアクティブな光干渉変調器の部品の所望の光学的応答を妨げることがあり得るこれ等の領域からの光の反射を防止する又は軽減する
マスクは、少なくとも１つの電気的に導電性の薄膜を含み、積層が光を吸収するという光学的特性及び導電性を有するように選択される薄膜の積層として製作される
マスクは、光干渉変調器のアクティブな光学部品を形成する前に、基板２０２上に形成されるこ
【００３４】
　図１０に示されるように、光干渉変調器２００は、薄膜の積層を具備する導電性マスクを含む。
１つの実施形態において、マスクは、第１反射クロム層２１８、酸化物中間層２２０及び第２反射クロム層２２２を具備する
別の１つの実施形態においては、マスクは、クロム層２１８、酸化物中間層２２０（例えば、ＳｉＯ
２
）、及びアルミニウム層２２２を具備する薄膜の積層を含む
マスクの１層又は複数の電気的に導電性の層は、光干渉変調器の他の部品と接続されることが出来て電気的なバスを提供する
マスクは、１つ又は複数の列又は行電極に接続されることが出来る
１つの実施形態において、クロム層２２２は、電気的に導電性の材料を具備するビア（via）２２４により電極反射層２０４に接続されている
【００３５】
　
導電性マスクを製作する１つの実施形態が、図１１−１７を参照して
開示される
図１１は、導電性マスク４０２を有するＭＥＭＳ装置
の中に含まれることが出来る種々の層を図示する断面図
破線の円により示される導電性マスク４０２は、基板２０２上に製作される
マスク４０２は、第１反射層２１８、酸化物層２２０及び第２反射層２２２を含む３層の薄膜を具備する
第１反射層２１８及び第２反射層２２２は、反射性であると同時に導電性である材料、例えば、クロム
を具備出来る
導電性マスク４０２は、反射される光を最小化する、即ち黒に見える、ように構成される静的光干渉変調器として組み立てられる
導電性マスクを構成する薄膜は、光干渉変調器の部品の製作に使用される薄膜と同じものであることが出来る
導電性マスク４０２は、ディスプレイ装置回りの電気的信号の配線により大きな自由度を与えるために使用されることが出来て、そして、信号のために電気的並列接続を与えることにより干渉電極に信号を供給する電気回路の抵抗を最小化することに役に立つように使用される
【００３６】
　
導電性マスク４０２及びＭＥＭＳ装置
　
　エ　上記アないしウより、引用例２には次の発明が記載されているものと認められる。
「光干渉微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）ディスプレイ素子及び当該ディスプレイ素子を具備する光干渉変調器ディスプレイにおいて、
　ディスプレイ素子が信号を駆動するために応答することが出来るレートは、駆動信号をディスプレイ素子に搬送する制御線（例えば、行及び列電極）の抵抗と容量に依存し、大画面・高解像度画面でテレビを観るという願望は、制御線の抵抗が最小化されることを要求するが、抵抗を低減する１つの方法として、制御線に１つ又は複数の電気的並列接続を与えることがあるので、コントラスト比を増加させ同時に信号を駆動するためのバス伝送をする層として働く導電性マスクが、ディスプレイ素子の光干渉変調器のアレイの１つ又は複数の行又は列電極への電気的並列接続を形成するために使用されるディスプレイ素子及び当該ディスプレイ素子を具備する光干渉変調器ディスプレイであって、
　１つの実施形態のディスプレイ１００において、光干渉変調器１０４の非アクティブ領域１０８が、観察者がディスプレイ１００を視線矢印１１０により示される方向から見る時に、光吸収性であるか又は黒マスクとして機能することにより、光干渉変調器１０４により生成される光学的応答が、該非アクティブ領域１０８からの周囲光の反射により劣化されず、
　前記非アクティブ領域１０８のためのマスクは、光を吸収するか又は減衰させる光応答性を持たせるように選択された材料から製作され、該マスクを製作するために使用される１つ又は複数の材料は電気的に導電性があり、それぞれ前記マスクは、薄膜の積層として製作されることができ、１つの実施形態において、該薄膜の積層は、２層の光を反射するクロム層の間に挟まれた非光吸収性誘電体層を具備し、また、他の実施形態において、光を減衰させる又は吸収する単層の有機材料又は無機材料及びクロム又はアルミニウムのような導電性材料の層を具備でき、
　また、実施形態の光干渉変調器２００は、電極反射層２０４、酸化物層２０６、エアー・ギャップ２０８及び基板２０２上に配置された機械薄膜２１０を具備するアクティブな部品を含み、該機械薄膜２１０は、支柱２１２により正しい位置に支持され、
　前記支柱２１２、その上に支柱が形成される光干渉変調器２００の領域、及び光干渉変調器２００のアクティブな部品の一部ではない領域２３０は、導電性マスクを用いてマスクされ、それによりマスクされなければアクティブな光干渉変調器の部品の所望の光学的応答を妨げることがあり得る領域２３０からの光の反射を防止又は軽減し、
　前記マスクは、少なくとも１つの電気的に導電性の薄膜を含み、積層が光を吸収するという光学的特性及び導電性を有するように選択される薄膜の積層として製作され、該マスクは、光干渉変調器のアクティブな光学部品を形成する前に基板２０２上に形成され、
　１つの実施形態においては、前記マスクは、第１反射クロム層２１８、酸化物中間層２２０及び第２反射クロム層２２２を具備し、別の１つの実施形態においては、前記マスクは、クロム層２１８、酸化物（例えば、ＳｉＯ２）中間層２２０、及びアルミニウム層２２２を具備する薄膜の積層を含み、
　前記マスクの１層又は複数の電気的に導電性の層は、光干渉変調器の他の部品と接続されることができて電気的なバスを提供し、該マスクは、１つ又は複数の列又は行電極に接続されることができ、１つの実施形態において、前記クロム層２２２は、電気的に導電性の材料を具備するビア（via）２２４により前記電極反射層２０４に接続され、
　前記導電性マスクを製作する１つの実施形態において、ＭＥＭＳ装置の中に含まれる導電性マスク４０２は、基板２０２上に製作され、該マスク４０２は、第１反射層２１８、酸化物層２２０及び第２反射層２２２を含む３層の薄膜を具備し、該第１反射層２１８及び該第２反射層２２２は、反射性であると同時に導電性である材料、例えば、クロムを具備し、
　前記導電性マスク４０２は、反射される光を最小化する、すなわち黒にみきえるように構成される静的光干渉変調器として組み立てられ、前記導電性マスク４０２を構成する薄膜は、光干渉変調器の部品の製作に使用される薄膜と同じものであることができ、前記導電性マスク４０２は、ディスプレイ装置回りの電気的信号の配線により大きな自由度を与えるために使用されることができ、信号のために電気的並列接続を与えることにより干渉電極に信号を供給する電気回路の抵抗を最小化することに役に立つように使用される、
　光干渉微小電気機械システムディスプレイ素子及び当該ディスプレイ素子を具備する光干渉変調器ディスプレイ。」（以下「引用発明２」という。）
　
４　対比
　本願補正発明と引用発明１を対比する。
（１）引用発明１の「微小電気機械システム」、「透明基板２０」及び「支柱１８」は、それぞれ、本願補正発明の「光学的微小電気機械システム装置」、「基板」及び「支持構造」に相当する。
　
（２）本願明細書の【００４０】の「・・・ブラックマスク吸収体層１１０が、入射光に対し部分的に透過性である材料及び厚さで形成され、ある入射光は、反射され、ある入射光は、下位層にそれを通して透過される。ある実施形態において、ブラックマスク吸収体層１１０が、約７０−７５オングストロームの厚さを有するＭｏＣｒ合金の層を含む・・・」との記載及び【００４３】の「ブラックマスク誘電体層１２０上に堆積」された「光吸収体１３０」（本願補正発明の「導電光吸収体」の具体例である）が「ブラックマスク吸収体１１２と同じ材料から形成されてよ」い旨の記載からみて、本願補正発明において「導電光吸収体」とは、導電性であり、入射光に対し部分的に透過性である材料及び厚さで形成され、ある入射光は反射されある入射光は下位層にそれを通して透過されるものであると解される。
　これに対して、引用発明１の「光学スタック１６ａ，１６ｂ」は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などの電極層と、クロムなどの部分反射層と、透明な誘電体とを含むことができる何枚かの溶融層を含み、前記の層の１枚又は２枚以上を透明基板２０上に堆積することによって作成することができ、したがって、「光学スタック１６ａ，１６ｂ」は、導電性であり、部分的に透明であり、かつ部分的に反射性であるから、引用発明１の「光学スタック１６ａ，１６ｂ」は、本願補正発明の「導電光吸収体」に相当するといえる。
　
（３）引用発明１の電圧が印加されていないとき、「移動可能な反射層１４ａ」と「光学スタック１６ａ」との間にキャビティ１９が維持され、選択された行及び列に電圧が印加されると、対応するピクセルにおいて行電極と列電極との交差位置に形成されたコンデンサが帯電状態となり、静電力がこれらの電極を引き合わせ、前記電圧が十分に高いと、前記「移動可能な反射層１４ａ，１４ｂ」は変形され「光学スタック１６ａ，１６ｂ」に押し付けられるものであり、また、前記「移動可能な反射層１４ａ，１４ｂ」は１枚又は２枚以上の金属層からなるから、該「移動可能な反射層１４ａ，１４ｂ」が導電性であり、かつ、可変（移動可能）であることは明らかである。したがって、引用発明１の「移動可能な反射層１４ａ，１４ｂ」は、本願補正発明の「導電可変層」に相当する。
　
（４）ア　引用発明１の「光学的微小電気機械システム装置（微小電気機械システム）」における「導電光吸収体（光学スタック１６ａ，１６ｂ）」は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などの電極層とクロムなどの部分反射層と透明な誘電体とを含むことができる何枚かの溶融層を含み、前記の層の１枚又は２枚以上を「基板（透明基板２０）」上に堆積することによって作成され、該「導電光吸収体（光学スタック１６ａ，１６ｂ）」の前記の層は、平行な帯状片となるようにパターン形成され、ディスプレイデバイスにおける行電極を形成するものである。
　イ　ストリップ電極とは、一般に、細長い板状又は帯状の電極を指すものであるところ、本願明細書において、「ストリップ電極」の定義については何ら記載されていないが、【００１２】に「反射層１４に対し、アルミニウムのような高導電性かつ反射性材料が、使用されてよく、これらの
ストリップが
列電極を形成してよい
　ウ　上記ア及びイからみて、引用発明１の「光学的微小電気機械システム装置」と本願補正発明の「光学的微小電気機械システム装置」とは、「基板上に形成され、ストリップ電極を形成するようにパターン化された導電光吸収体」を「備え」る点で一致する。
　
（５）引用発明１の「光学的微小電気機械システム装置（微小電気機械システム）」における「導電可変層（移動可能な反射層１４ａ，１４ｂ）」は、「基板（透明基板２０）」上に形成された「支持構造（支柱１８）」の上、及び「支持構造（支柱１８）」間に堆積された介在犠牲材料の上に堆積された１枚又は２枚以上の金属層からなり、前記介在犠牲材料がエッチング除去されると、「導電可変層（移動可能な反射層１４ａ，１４ｂ）」は、定められたエアギャップ（キャビティ）１９によって「導電光吸収体（光学スタック１６ａ，１６ｂ）」から分離されるものであるから、引用発明１の「光学的微小電気機械システム装置」と本願補正発明の「光学的微小電気機械システム装置」とは、「基板上に形成された少なくとも１つの支持構造」を「備え」る点、及び、「前記少なくとも１つの支持構造上に形成され、前記導電光吸収体から離隔された導電可変層」を「備え」る点で一致する。
　
（６）引用発明１の「導電光吸収体（光学スタック１６ａ，１６ｂ）」は、インターフェロメトリックモジュレータ１２ａ，１２ｂにおける少なくとも１つの可変次元をともなう共振光キャビティを形成するために、互いに可変でかつ制御可能な距離に配置された一対の反射層のうちの他方の反射層（固定の部分反射層）に当たるから、光学的活性領域内に位置するものであることは明らかである。また、前記「導電光吸収体（光学スタック１６ａ，１６ｂ）」は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）などの電極層とクロムなどの部分反射層と透明な誘電体とを含むことができる何枚かの溶融層を含み、前記の層の１枚又は２枚以上を「基板（透明基板２０）」上に堆積することによって作成され、該「導電光吸収体（光学スタック１６ａ，１６ｂ）」の前記の層は、平行な帯状片となるようにパターン形成され、ディスプレイデバイスにおける行電極を形成するから、基板上でストリップ電極を形成するようにパターン化されるとともに、前記ストリップ電極内で導体として機能するものであることは明らかである。したがって、引用発明１の「導電光吸収体」と本願補正発明の「（導電）光吸収体」とは、「微小電気機械システム装置の光学的活性領域内におけるストリップ電極内の第１導体として機能」する点で一致するといえる。
　
（７）引用発明１では、電圧が印加されていないとき、キャビティ１９が「導電可変層（移動可能な反射層１４ａ）」と「導電光吸収体（光学スタック１６ａ）」との間に維持され、選択された行及び列に電圧が印加されると、対応するピクセルにおいて行電極と列電極との交差位置に形成されたコンデンサが帯電状態となり、静電力がこれらの電極を引き合わせ、前記電圧が十分に高いと、「導電可変層（移動可能な反射層１４ａ，１４ｂ）」は変形され、「導電光吸収体（光学スタック１６ａ，１６ｂ）」に押し付けられるから、引用発明１の「導電可変層」と本願補正発明の「（導電）可変層」とは、「光吸収体に向かって静電的にたわむことが可能」である点で一致する。
　
（８）上記（１）ないし（７）より、本願補正発明と引用発明１とは、
「光学的微小電気機械システム装置であって、
　基板上に形成され、ストリップ電極を形成するようにパターン化された導電光吸収体；
　前記基板上に形成された少なくとも１つの支持構造；及び
　前記少なくとも１つの支持構造上に形成され、前記導電光吸収体から離隔された導電可変層；
　を備え、
　前記光吸収体が、前記微小電気機械システム装置の光学的活性領域内における前記ストリップ電極内の第１導体として機能し、
　前記可変層が、前記光吸収体に向かって静電的にたわむことが可能である光学的微小電気機械システム装置。」の点で一致し、次の点で相違する。
　
相違点１：
　本願補正発明の「光学的微小電気機械システム装置」は、「光吸収体の少なくとも一部の下に位置し、前記光吸収体と同じ材料を含むブラックマスク吸収体層」を備えたものであるのに対して、
　引用発明１の微小電気機械システムは、そのような層を備えていない点。
　
相違点２：
　本願補正発明の「光学的微小電気機械システム装置」は、「光吸収体と電気通信し、微小電気機械システム装置の光学的非活性領域に位置する導電ブッシング構造」を備えたものであるのに対して、
　引用発明１の微小電気機械システムは、そのような構造を備えていない点。
　
５　判断
（１）相違点１及び相違点２について
　ア　引用発明２は、「光干渉微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）ディスプレイ素子及び当該ディスプレイ素子を具備する光干渉変調器ディスプレイ」に関するものであるから、引用発明１と共通の技術分野に属する。
　そして、引用発明２は、当該ディスプレイ素子を具備する光干渉変調器ディスプレイを大画面・高解像度化する際、ディスプレイ素子が駆動信号に応答するレートが下がらないようにするために、制御線（行及び／又は列電極）への電気的並列接続（電気的なバス）を形成して、当該行及び／又は列電極を低抵抗化することにより、前記レートが下がらないようにしており、
　具体的な実施形態では、コントラスト比を増加させると同時に信号を駆動するためのバス伝送をする層として働く導電性マスクを、支柱、その上に支柱が形成される光干渉変調器の領域、及び光干渉変調器のアクティブな部品の一部ではない領域をマスクする位置に形成し、
　当該導電性マスクを、例えば、第１反射層、酸化物層及び第２反射層を含む３層の薄膜からなる静的光干渉変調器として組み立てることにより、光を吸収するか又は減衰させる光応答性を持たせて、反射される光を最小化する、すなわち黒にみえるように形成し、それによりマスクされなければアクティブな光干渉変調器の部品の所望の光学的応答を妨げることがあり得る前記領域からの光の反射を防止又は軽減して、コントラスト比を増加させ、
　さらに、当該導電性マスクの１層又は複数の電気的に導電性の層を１つ又は複数の列又は行電極に接続する、例えば、クロム層を電気的に導電性の材料を具備するビア（via）により電極反射層に接続することにより、電気的なバスを提供するものである。
　イ　引用発明２の１つの実施形態の「電極反射層」は、引用発明１の「導電光吸収体（光学スタック１６ａ，１６ｂ）」に相当するものである。
　ウ　（ア）引用発明１の微小電気機械システムは、ビジュアルディスプレイの各ピクセルに含まれるものであり、ビジュアルディスプレイにおいて大画面・高解像度化は一般的な課題であるから、引用発明１にも当該課題が内在しており、引用発明１において、大画面・高解像度化に対応するために引用発明２の導電性マスクを適用することは、当業者が引用発明２に基づいて容易になし得たことである。
　（イ）そして、引用発明１に引用発明２の「導電性マスク」を適用した場合、当該「導電性マスク」は、引用発明１の「導電光吸収体（光学スタック１６ａ，１６ｂ）」の少なくとも一部の下であって、「支持構造（支柱１８）」をマスクする位置に形成されることとなる。また、引用発明２の「導電性マスク」を構成する薄膜は、光干渉変調器（インターフェロメトリックモジュレータ）の部品の製作に使用される薄膜と同じものであることができ、具体的にはクロム層を含むから、引用発明１に引用発明２の「導電性マスク」を適用した場合、当該「導電性マスク」は引用発明１の「導電光吸収体（光学スタック１６ａ，１６ｂ）」の部分反射層と同じ材料（クロム）を含むこととなる。さらに、引用発明２の「導電性マスク」は、上記アのとおり、静的光干渉変調器として組み立てることにより、光を吸収するか又は減衰させる光応答性を持たせて、反射される光を最小化する、すなわち黒にみえるようにされたものであるから、本願補正発明の「ブラックマスク吸収体」に相当するものとなる。
　（ウ）上記（ア）及び（イ）からみて、引用発明１において引用発明２の「導電性マスク」を適用した発明は、本願補正発明の相違点１に係る構成を備えたものとなる。
　エ　（ア）また、引用発明１に引用発明２の「導電性マスク」を適用した場合、当該「導電性マスク」の１層又は複数の電気的に導電性の層は、ビア（via）により電極反射層、すなわち「導電光吸収体」（上記イ参照。）に接続されることとなり、また、当該「導電性マスク」の１層又は複数の電気的に導電性の層は「支持構造（支柱１８）」をマスクする位置であって、インターフェロメトリックモジュレータ（光干渉変調器）１２ａ，１２ｂのアクティブな部品の一部ではない領域、すなわち光学的非活性領域に形成されたものとなる。
　（イ）引用発明２の前記「導電性マスク」は、上記アのとおり、制御線（行及び／又は列電極）への電気的並列接続を形成することにより電気的な「バス（bus）」を提供するものであるから、本願補正発明の導電「ブッシング構造（bussing structure）」に相当するものとなる。
　（ウ）上記（ア）及び（イ）からみて、引用発明１において引用発明２の「導電性マスク」を適用した発明は、本願補正発明の相違点２に係る構成を備えたものとなる。
　オ　上記アないしエからみて、引用発明１において、「導電光吸収体」の少なくとも一部の下に位置し、前記「導電光吸収体」と同じ材料を含む「ブラックマスク吸収体層」を備えるとともに、「導電光吸収体」と電気通信し、「微小電気機械システム装置」の光学的非活性領域に位置する「ブッシング構造」を備えるようになすこと、すなわち相違点１及び相違点２に係る本願発明の構成となすことは、当業者が引用発明２に基づいて容易に想到し得たことである。
　
（２）効果について
　本願補正発明の奏する効果は、当業者が引用発明１の奏する効果及び引用発明２の奏する効果から予測することができた程度のものである。
　
（３）まとめ
　したがって、本願補正発明は、当業者が引用発明１２及び引用発明２に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　本願補正発明は、当業者が引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
６　小括
　以上のとおり、本願補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　本件補正は、上記第２のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし３７に係る発明は、平成２４年２月２７日提出の手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし３７によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記「第２〔理由〕１（１）」に本件補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
２　引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１、引用例２及びそれらの記載事項は、上記「第２〔理由〕３」に記載したとおりである。
３　対比・判断
　本願補正発明は、上記「第２〔理由〕１（２）」のとおり、本願発明を特定するために必要な事項である「光学的微小電気機械システム装置」が、
　ア　「光吸収体の少なくとも一部の下に位置し、前記光吸収体と同じ材料を含むブラックマスク吸収体層」を備えたものであること、及び、
　イ　「前記光吸収体と電気通信し、前記微小電気機械システム装置の光学的非活性領域に位置する導電ブッシング構造」を備えたものであること、
　を限定するものである。
　上記アの限定は、上記「第２〔理由〕４（８）」の相違点１に係る本願補正発明の構成と同じであり、上記イの限定は、上記「第２〔理由〕４（８）」の相違点２に係る本願補正発明の構成と同じである。そうすると、上記ア及びイの限定を含まない本願発明を引用発明１と対比すると、両者の構成には相違する点がないから、本願発明は引用発明１と同一である。
　したがって、本願発明は、引用例１に記載された発明であり、また、当業者が引用例１に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。また、本願発明は、当業者が引用例１に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。