【事件の表示】
　特願２００８−５３９４３１「非導電性または半導電性の基板に導電性ブッシングを製作する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　５月１８日国際公開、ＷＯ２００７／０５４５２１、平成２１年　４月　９日国内公表、特表２００９−５１５３４８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、２００６年１１月８日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００５年１１月９日、ドイツ）を国際出願日とする出願であって、平成２１年９月１０日に手続補正書が提出され、平成２４年１１月２２日付けの拒絶理由通知に対して、平成２５年２月２５日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年７月２３日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１１月１３日に拒絶査定を不服とする審判請求がなされるとともに手続補正書が提出されたものである。
　
　
第２．補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２５年１１月１３日に提出された手続補正書によりなされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲を補正するものであり、補正の内容は以下のとおりである。
　
〈補正事項１〉
　本件補正前の請求項１に記載された「（ｃ）少なくとも導電性の前記接触構造（０）から前記切欠き（１）の底面まで達する導電性構造（３）を塗布して、該構造が導電性の接触個所（６）を形成するようにするステップ」との記載と、同「（ｄ）前記基板にその裏面から少なくとも１つの切欠き（７）を形成し、切欠き（７）が、前記基板の前面において、前記導電性の接触個所（６）又は複数の導電性の接触個所（６）の一部が存在する箇所、又は該箇所の一部の下で終わるようにするステップ」との記載の間に、本件補正後の請求項１にあっては「次いで」との語句を加入する。
　
〈補正事項２〉
　本件補正前の請求項１の「（ｄ）前記基板にその裏面から少なくとも１つの切欠き（７）を形成し、切欠き（７）が、前記基板の前面において、前記導電性の接触個所（６）又は複数の導電性の接触個所（６）の一部が存在する箇所、又は該箇所の一部の下で終わるようにするステップ」との記載を、本件補正後の請求項１にあっては「（ｄ）前記基板にその裏面から少なくとも１つの切欠き（７）を形成し、切欠き（７）が、前記基板の前面において、前記導電性の接触個所（６）又は複数の導電性の接触個所（６）の一部が存在する箇所、又は該箇所の一部の下で終わるようにするステップと、を含み、ここでステップ（ｄ）では、導電性の接触個所（６）が、向い合う面ないし表面についてのガス不透過性のシール材を構成し」と補正する。
　
〈補正事項３〉
　本件補正前の請求項１の「（ｅ）前記ステップ（ｄ）で生じた」という記載の前に、本件補正後の請求項１にあっては「更に以下のステップ」との語句を加入する。
　
〈補正事項４〉
　本件補正前の請求項１の「（ｅ）前記ステップ（ｄ）で生じた前記切欠きの側壁に、パッシベーション層（８）を析出する工程」との記載を、本件補正後の請求項１にあっては「（ｅ）前記ステップ（ｄ）で生じた前記切欠きの側壁に、パッシベーション層（８）を
析出するステップ」と補正する。
　
〈補正事項５〉
　本件補正前の請求項１０の「請求項８または１０のいずれか１項に記載の方法。」との記載を、本件補正後の請求項１にあっては「請求項８または９のいずれか１項に記載の方法。」と補正する。
　
〈補正事項６〉
　本件補正前の請求項１９〜２６を削除し、これに伴い、本件補正前の請求項２７を本件補正後の請求項１９に繰り上げる。
　
２．補正の目的と新規事項の追加の有無
（１）補正事項１について
　ア．補正事項１の補正は、「次いで」との語句を加入することで、「（ｃ）少なくとも導電性の前記接触構造（０）から前記切欠き（１）の底面まで達する導電性構造（３）を塗布して、該構造が導電性の接触個所（６）を形成するようにするステップ」を実行した後で、「（ｄ）前記基板にその裏面から少なくとも１つの切欠き（７）を形成し、切欠き（７）が、前記基板の前面において、前記導電性の接触個所（６）又は複数の導電性の接触個所（６）の一部が存在する箇所、又は該箇所の一部の下で終わるようにするステップ」を実行することを限定するものである。
　そして、補正事項１の補正によっても、本件補正前の請求項１に係る発明と本件補正後の請求項１に係る発明とで、その産業上の利用分野及び解決しようとする課題は同一であると認められる。
　したがって、補正事項１の補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第４項（以下「特許法第１７条の２第４項」という。）第２号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものに該当する。
　
　イ．補正事項１の補正は、本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。）の段落【００３４】における「前述したような前面の層構造にある切欠きの形態の接触穴の追加の形成は、裏面側の切欠きが形成される前に行われるのが好ましい。」という記載に基づくと認められる。
　したがって、補正事項１の補正は、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面（これらを、以下「当初明細書等」という。）のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであるから、当初明細書等の記載の範囲内においてなされたものである。
　よって、補正事項１の補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第３項（以下「特許法第１７条の２第３項」という。）の規定に適合する。
　
（２）補正事項２について
　ア．補正事項２の補正は、「ステップ（ｄ）」の実行の際は「導電性の接触個所（６）」は「向い合う面ないし表面についてのガス不透過性のシール材を構成し」ていることを特定することで、本件補正前の請求項１における「ステップ（ｄ）」を限定するものである。
　そして、補正事項２の補正によっても、本件補正前の請求項１に係る発明と本件補正後の請求項１に係る発明とで、その産業上の利用分野及び解決しようとする課題は同一であると認められる。
　したがって、補正事項２の補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものに該当する。
　
　イ．審判請求書において、審判請求人は、『「ここでステップ（ｄ）では、導電性の接触個所（６）が、向い合う面ないし表面についてのガス不透過性のシール材を構成し……」は、本願明細書の段落『００３４』の記載に基づくものです。』と主張している。
　ここで、当初明細書の段落【００３４】に「このようなケースでは裏面側の切欠きは、基板の前面に向かう方向へ、前面側の切欠きがすでに刻設されている金属層の下側で終わるように、引き続いて設けられる。それにより、方法の実施中にいつも基板が連続しており、かつそれによってガス不透過性であり、それにより、向かい合う面ないし表面についてのシール材として機能することができる。」と記載されている。すなわち、前記段落【００３４】には、「前面側の切欠きがすでに刻設されている」状態で「基板の前面に向かう方向」へ「裏面側の切欠き」を設けている間、「向かい合う面ないし表面についてのシール材として機能する」のは、「連続して」いる「基板」であることは、記載されている。
　しかしながら、当初明細書の段落【００１７】には、「エッチング法の諸条件は、基板の前面にある導電性の接触個所が裏面から露出するように、ただし作用は受けないように選択される。接触個所が露出すると、この材料における非常に低い剥離率によってエッチングプロセスが停止する。このとき、接触個所は形成された凹部を前面に向かって覆っており、それによって基板は気密に保たれる。」と記載されている。
　当初明細書のこれらの記載から、「裏面」からの「切欠き（７）」の「形成」が「前記導電性の接触個所（６）又は複数の導電性の接触個所（６）の一部が存在する箇所、又は該箇所の一部の下で終わる」際には、「導電性の接触個所（６）」は「切欠き（７）」により「形成」された凹部を覆っているため、当該「導電性の接触個所（６）」は、「切欠き（７）」内部の「基板」を気密に保つことで「ガス不透過性のシール材を構成」するものと解される。
　以上から、補正事項２の補正は、当初明細書の段落【００１７】及び段落【００３４】に基づくものと認められる。
　したがって、補正事項２の補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであるから、当初明細書等の記載の範囲内においてなされたものである。
　よって、補正事項２の補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　
（３）補正事項３について
　ア．本件補正前の請求項１には、「（ｅ）前記ステップ（ｄ）で生じた前記切欠きの側壁に、パッシベーション層（８）を析出する工程、及びこの後に」と記載されていた。この記載によれば、「ステップ（ｄ）」、「（ｅ）」の「工程」、「この後」の「（ｆ）」の「ステップ」の順番で実行するものと解される。
　補正事項３の補正は、「更に以下のステップ」との語句を加入することで、「（ｄ）」の「ステップ」を実行した後で、「（ｅ）」及び「（ｆ）」の「ステップ」を実行することを、より一層、明確にしたものであり、請求項１の技術的範囲を変更するものではない。
　したがって、補正事項３の補正は、特許法第１７条の２第４項第４号に掲げる「明りょうでない記載の釈明」を目的とするものに該当する。
　
　イ．補正事項３の補正は、当初明細書の段落【００３３】の記載に基づくと認められる。
　したがって、補正事項３の補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであるから、当初明細書等の記載の範囲内においてなされたものである。
　よって、補正事項３の補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に適合する。
　
（４）補正事項４
　ア．本件補正前の請求項１においては、「（ａ）」〜「（ｄ）」及び「（ｆ）」で実行する手順を「ステップ」と称していたのに対して、「（ｅ）」で実行する手順は「工程」と称しており、整合が取れていなかった。
　補正事項４の補正は、「（ｅ）」で実行する手順についても「ステップ」という語句で統一するものであり、請求項１の技術的範囲を変更するものではない。
　したがって、補正事項４の補正は、特許法第１７条の２第４項第３号に掲げる「誤記の訂正」を目的とするものに該当する。
　
　イ．補正事項４の補正が、当初明細書等の記載の範囲内においてなされたものであること、したがって、特許法第１７条の２第３項の規定に適合することは明らかである。
　
（５）補正事項５について
　ア．補正事項５の補正は、本件補正前の請求項１０の「請求項８または１０のいずれか１項に記載の方法。」と、自らの請求項を引用していたため、前記「１０」を、本件補正後の請求項１０にあっては「９」に訂正したものである。
　したがって、補正事項５の補正は、特許法第１７条の２第４項第３号に掲げる「誤記の訂正」を目的とするものに該当する。
　
　イ．補正事項５の補正が、当初明細書等の記載の範囲内においてなされたものであること、したがって、特許法第１７条の２第３項の規定に適合することは明らかである。
　
（６）補正事項６について
　ア．補正事項６の補正は、本件補正前の請求項１９〜２６の削除と、この削除に伴う、本件補正前の請求項２７の形式的な補正とを行うものであるから、特許法第１７条の２第４項第１号に掲げる「請求項の削除」を目的とするものに該当する。
　
　イ．補正事項６の補正が、当初明細書等の記載の範囲内においてなされたものであること、したがって、特許法第１７条の２第３項の規定に適合することは明らかである。
　
３．独立特許要件
　以上のとおり、請求項１についてする本件補正は、特許法第１７条の２第４項第２号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とする補正を含んでいる。
　そこで、次に、本件補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものかどうかを、その請求項１に係る発明について検討する。
　
（１）補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「補正発明」という。）は、平成２５年１１月１３日に提出された手続補正書において補正された特許請求の範囲の請求項１に記載される次のとおりである。
　
「特に電気的な用途に適している半導電性基板または非導電性基板に導電性ブッシングを製作する方法において、前記基板（１３）の前面に１つまたは複数の層（５）ならびに前記層の内部または表面にある少なくとも１つの導電性の接触構造（０）が設けられており、
　（ａ）前記半導電性基板または非導電性基板（１３）を用意するステップと、
　（ｂ）前記層（５）を貫いて延びる、前記前面を起点とする少なくとも１つの切欠き（１）を少なくとも１つの導電性の前記接触構造（０）の横に形成するステップと、
　（ｃ）少なくとも導電性の前記接触構造（０）から前記切欠き（１）の底面まで達する導電性構造（３）を塗布して、該構造が導電性の接触個所（６）を形成するようにするステップと、次いで
　（ｄ）前記基板にその裏面から少なくとも１つの切欠き（７）を形成し、切欠き（７）が、前記基板の前面において、前記導電性の接触個所（６）又は複数の導電性の接触個所（６）の一部が存在する箇所、又は該箇所の一部の下で終わるようにするステップと、
を含み、ここでステップ（ｄ）では、導電性の接触個所（６）が、向い合う面ないし表面についてのガス不透過性のシール材を構成し、更に以下のステップ
　（ｅ）前記ステップ（ｄ）で生じた前記切欠きの側壁に、パッシベーション層（８）を析出するステップ、及びこの後に、
　（ｆ）それぞれの前記接触個所（６）と前記基板の裏側の表面（１０，１１，１２）との間で、複数または少なくとも１つの前記切欠き（７）を貫いて導電接続を成立させる導電性構造（９）の塗布を前記基板の裏面から行うステップとを含んでおり、
　１つまたは複数の裏面側の前記切欠き（７）は前記基板の前面の方向に狭まっていく横断面を有しており、および／または１つまたは複数の前面側の前記切欠き（１）は前記接触個所（６）の方向に狭まっていく横断面を有していることを特徴とする方法。」
　
（２）引用例の記載と引用発明
（２−１）引用例１
　ア．原査定の根拠となった拒絶理由通知において引用され、本願の優先権主張の日前に日本国内で頒布された刊行物である、特開平０４−１７４５３９号公報（以下「引用例１」という。）には、「半導体装置」（発明の名称）に関して、図１〜図９とともに、次の記載がある（下線は、参考のため、当審において付したものである。以下同様。）。
　
　　ａ．「２．特許請求の範囲
（１）
半導体材料から成る基体と、該基体の表側に形成された半導体素子と、該半導体素子上に順次に設けられた表側配線金属と、前記基体の裏側に設けた裏側配線金属とを備え
前記半導体素子は前記基体のオーミックコンタクト層上にオーミック電極を有し、
該オーミック電極及び表側配線金属を電気的に接続し、
前記基体はオーミック電極及び裏側配線金属を電気的に接続するために当該基体を貫通させて形成したバイアホールを有して成る半導体装置において、
　前記バイアホールを前記基体のオーミックコンタクト層を除く残りの領域に設け、
　
前記表側配線金属と裏側配線金属とを、前記バイアホールを介し電気的に接続して成ることを特徴とする半導体装置
　
　　ｂ．「
半導体素子１２はＧａＡｓ電界効果トランジスタであり、基体１０に形成した動作層（能動層）２０と、動作層２０にショットキー接合した制御電極２２、それぞれ動作層２０にオーミック接合した第一主電極２４及び第二主電極２６とからなる
　また中間絶縁層１４は第二主電極２６を露出する第一コンタクトホール３４を有し、第二主電極２６及び表側配線金属１６をこの第一コンタクトホール３４を介し接触させて電気的に接続している。
　さらに基体１０は第二主電極２６及び裏側配線金属１８を電気的に接続するためのバイアホール３６を有する。この従来装置ではバイアホール３６は基体１０の第二主電極２６に対応する領域を貫通させて形成されており、第二主電極２６及び裏側配線金属１８をこのバイアホール３６介し接触させて電気的に接続している。半導体素子１２をソース接地で用いているため、
裏側配線金属１８はグランドと接続される
　
　　ｃ．「以下、図面を参照し、一例として半導体素子を電界効果トランジスタとした場合の、この発明の実施例につき説明する。
　……（中略）……
　この実施例では、第１図及び第２図にも示すように、バイアホール３８を基体１０のオーミックコンタクト層３２を除く残りの領域（非オーミツク領域）に設け、バイアホール３８とオーミックコンタクト層３２とを接触させないように離間させて設ける。尚、
好ましくはバイアホール３８を半導体素子１０と接触させないように離間させて設ける
　そして第２図にも示すように中間絶縁層１４のバイアホール３８に対応する領域に第二コンタクトホール４０を設け、これらホール４０、３８により中間絶縁層１４及び基体１０を貫通する穴を構成し、表側配線金属１６と裏側配線金属１８とを、バイアホール３８及び第二コンタクトホール４０を介し接触させて電気的に接続する。」（第４頁上左欄第１８行〜同頁下左欄第１２行）
　
　　ｄ．「次にこの実施例装置の製造工程につき説明する。
　……（中略）……
　まず
基体１０として半絶縁牲ＧａＡｓ基板を用意し、この基体１０の一方の側に半導体素子１０（第１図参照）を形成する
　そして第３図（Ａ）にも示すように、
半導体素子１０上に中間絶縁層１４を形成する。この形成では、プラズマ化学気相成長法により、窒化珪素（ＳｉＮ）層を半導体素子１０上に積層し、ＳｉＮ層から成る中間絶縁層１４を形成する。このＳｉＮ層は基体１０の半導体素子形成側の基板面全面にわたり積層される
　次に第３図（Ｂ）にも示すように、
第一コンタクトホール３４及び第二コンタクトホール４０を中間絶縁層１４に形成する
　この形成では、中間絶縁層１４上にレジストを塗布し、このレジストをフォトリソグラフィ技術によりパターニングし第一コンタクトホール３４及び第二コンタクトホール４０にそれぞれ対応する領域の中間絶縁層１４を露出するレジストパターンを形成する。そしてこのレジストパターンをマスクとして、六フッ化硫黄（ＳＦ６）ガスをエッチングガスに用いた反応牲イオンエッチング法により、中間絶縁層４４の露出部分をエッチング除去し、
第二主電極２６を露出するテーパー状の第一コンタクトホール３４及び基体１０を露出するテーパー状の第二コンタクトホール４０を形成する
第二コンタクトホール４０はバイアホール３８に対応する領域に形成される
　次に第３図（Ｃ）にも示すように、
表側配線金属１６を形成する
中間絶縁層１４上に表側配線金属形成用のチタン（Ｔｉ）層、白金（Ｐｔ）層及び金（Ａｕ）層を順次に積層し、これらＴｉ、Ｐｔ及びＡｕ層から成る表側配線金属１６を形成する。表側配線金属１６は、第一コンタクトホール３４を介し露出する第二主電極５６と直接に接触して電気的に接続すると共に、第二コンタクトホール４０を介し露出する基体１０の部分と接触する
　次に第３図（Ｄ）にも示すように、
基体１０の裏側にバイアホール３８を形成する
　この形成では、まず基体１０が所定の厚さとなるまで基体１０の裏面を面内均一性よく研削する。この研削で基体１０の表側及び裏側の基板面が平行となるようにすると共に基体１０の裏側の基板面が平坦となるようにする。そして基体１０の裏面にレジストを塗布しこのレジストをフォトリソグラフィ技術によりパターニングして、
第二コンタクトホール４０内の表側配線金属１６及び基体１０の接触部分に対応する領域の、基体裏面を露出するバイアホール形成用のレジストパターンを形成する
基体１０の露出部分をエッチング除去し、表側配線金属１６を露出するバイアホール３８を形成する
　バイアホール３８の形成では、オーミック電極の構成元素例えばゲルマニウム（Ｇｅ）が拡散していない領域の基体１０をエッチングするので、裏側配線金属１８の段切れの要因となる溝がバイアホール３８に生じるのを防止できる。
　
次に第２図にも示すように、裏側配線金属１８を形成する
裏側配線金属１８はバイアホール３８を介し露出する表側配線金属１６と直接に接触し電気的に接続する
裏側配線金属１８をリボン状に設けた
　
　　ｅ．「この実施例の半導体装置によれば、裏側配線金属１８と第二主電極２６とを、表側配線金属１６を介し電気的に接続しているので、バイアホール３８の形状、寸法に加え裏側配線金属１８及び第二主電極２６の間の表側配線金属１６の形状、寸法特に長さを調整することによって、ソースインダクタンスを調整することができる。しかもソースインダクタンスを従来よりも広い範囲にわたって制御することかできる。
　例えば電解効果トランジスタを用いた増幅器においては、ソースインダクタンスをある特定の値にすると雑音係数及び入力側反射損失を双方共に最小値或は最小値に近い値にすることかできる。」（第５頁下右欄第２〜１４行）
　
　　ｆ．「この発明は上述した実施例のみ限定されるものではなく、
各構成成分の構成
形成材料
を任意好適に変更することができる
　例えば半導体素子をユニポーラトランジスタ、バイポーラトランジスタ、ダイオードそのほかの電気回路素子としたり、またトランジスタの構造をプレーナー形成はメサ型としてもよい。」（第６頁上右欄第４〜１１行）
　
　　ｇ．「（発明の効果）
　上述した説明からも明らかなように、この発明の半導体装置によれば、バイアホール形成体のオーミックコンタクト層を除く残りの領域（非オーミック領域）に設ける。従って、バイアホール形成のために基体をエッチングする際には、基体の非オーミック領域をエッチングすることとなるので、裏側配線金属の段切れ発主の要因となる溝がバイアホールに生じるのを防止でき、これがため裏側配線金属の導通不良を防止でき半導体装置の歩止まり向上を図れる。」（第６頁上右欄第１６行〜同頁下左欄第６行）
　
　　ｈ．「この発明の実施例の構成を概略的に示す断面図」（「図面の簡単な説明」の記載）を示す第２図には、バイアホール３８は、基体１０の裏面に向かって開くテーパー状をしていること、第一コンタクトホール３４及び第二コンタクトホール４０は、中間絶縁層１４の表面に向かって開くテーパー状をしていること、が示されている。
　また、バイアホール３８は、基体１０の表側境界面において、表側配線金属１６のみを露出させていること、が示されている。
　
　イ．前記ア．のａ．〜ｈ．から、引用例１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているといえる。
　
「半導体材料からなる基体１０と、該基体１０の表側に形成された半導体素子１２と、該半導体素子１２上に順次に設けられた表側配線金属１６と、前記基体１０の裏側に設けた裏側配線金属１８とを備え、前記表側配線金属１６と前記裏側配線金属１８とをバイアホール３８を介し電気的に接続してなることを特徴とする半導体装置の製造方法であって、
　前記基体１０として半絶縁牲ＧａＡｓ基板を用意し、この基体１０の表側に、前記基体１０に形成した動作層２０に接合する制御電極２２、第一主電極２４及び第二主電極２６を有する半導体素子１２を形成する工程と、
　前記半導体素子１２形成側の前記基体１０の全面にわたりＳｉＮ層からなる中間絶縁層１４を積層する工程と、
　前記中間絶縁層１４に、前記中間絶縁層１４の表面に向かって開くテーパー状をなして前記第二主電極２６を露出させる第一コンタクトホール３４、及び、前記中間絶縁層１４の表面に向かって開くテーパー状をなして前記基体１０を露出させる第二コンタクトホール４０を形成する工程と、
　前記中間絶縁層１４上に、順次に積層したチタン層、白金層及び金層からなり、前記第一コンタクトホール３４を介し露出する前記第二主電極５６と直接に接触して電気的に接続すると共に、前記第二コンタクトホール４０を介し露出する前記基体１０の部分と接触する表側配線金属１６を形成する工程と、
　前記第二コンタクトホール４０内の前記表側配線金属１６と前記基体１０との接触部分に対応する領域における前記基体１０をエッチング除去して、前記基体１０の裏側に、前記基体１０の裏面に向かって開くテーパー状をなして前記表側配線金属１６を露出させるバイアホール３８を形成する工程と、
　前記基体１０の裏側に、前記バイアホール３８を介し露出する前記表側配線金属１６と直接に接触し電気的に接続する裏側配線金属１８を、リボン状に形成する工程と、
からなることを特徴とする製造方法。」
　
（２−２）引用例２
　ア．原査定の根拠となった拒絶理由通知において引用され、本願の優先権主張の日前に外国で頒布された刊行物である、米国特許第６１１０８２５号明細書（以下「引用例２」という。）には、“PROCESS FOR FORMING FRONT-BACK THROUGH CONTACTS IN MICRO-INTEGRATED ELECTRONIC DEVICES”（発明の名称、訳：超小形集積電子デバイスにおける両面貫通接触の形成方法）に関して、ＦＩＧ．１〜ＦＩＧ．９とともに、次の記載がある。
　
　　ａ．“In FIG.1, 
a semiconductor material (silicon) wafer 1
P-type, a component 3 including a well 4 of a second conductivity type, e.g., N-type in this case, has been formed
半導体材料（シリコン）ウェハ１
Ｐ形の第１の導電形の基板２には、Ｎ形の第２の導電形のウェル４を含む構成要素３が形成される
　
　　ｂ．“A back masking step (and optionally also a front masking step, should this be necessary) is then carried out, and the metal material of the shielding layer 11 is removed from zones where holes of the through contacts are to be formed. 
The wafer 1 is then drilled from the back by means of a laser beam.
the laser beam causes evaporation of silicon of the substrate 2 from zones not covered by the shielding layer 11, stopping at the hole insulating layer 6 which does not absorb laser radiation
the hole obtained in this phase is denoted by 12
　The shielding layer 11 is then removed and 
a hole insulating layer 15, preferably of oxide, is formed
the hole insulating layer 15 completely covers the lateral wall of the hole 12 and the rear surface 10 of the wafer 1
A conductive layer 16, intended to form the through contacts
the conductive layer 16 is of metal and may be obtained by two different metal layers, such as a first metal layer deposited by CVD (Chemical Vapour Deposition), for promoting adhesion and uniform covering of the wall of the hole 12, and a second metal layer grown by electroplating, so as to obtain rapid growth
ウェハ１はレーザービームによって背面から穿孔（ドリリング）される
レーザービームは、シールド層１１により覆われていない領域から、基板２のシリコンの蒸発を生じ、レーザー放射を吸収しないホール絶縁層６にて留まる
この段階で得られた孔を番号１２で示す
　そしてシールド層１１が除去され、
ホール絶縁層１５が、好ましくは酸化膜、が形成される
ホール絶縁層１５は、ウェハ１の後部表面１０とホール１２の側壁を完全に覆う
貫通接触を形成するための導電層１６
特に、導電層１６は金属であり、ホール１２の壁の粘着を促進し壁を均一に覆うためにＣＶＤ法により付着された第１の金属層と、迅速な成長をなすように電気メッキにより成長させた第２の金属層、で構成される２つの異なる金属層により得られる
　
　　ｃ．“After removal of mask 20, a protective back layer 22 is deposited (such as a nitride or BPSG--Boron Phosphorous Silicon Glass--layer with a thickness of approximately 2μm) which covers the entire rear surface, as shown in FIG. 6. 
Steps are then carried out for opening the paths from the front
the conductive layer 16 has been rendered accessible from the front
前面から経路を開け
導電層１６は前面からアクセス
　
　　ｄ．“The steps for 
forming the device last metal layer
permits direct electrical connection between the electrode 7 and the pad zone 21 of the conductive layer 16
金属層を持つデバイスを形成する
電極７と導電層１６のパッド領域２１の間で直接的な電気的接続を可能にする
　
（３）対比
（３−１）補正発明と引用発明との対比
　補正発明と引用発明とを対比する。
　
　ア．引用発明の「半導体材料からなる基体１０」は、その「表側に、前記基体１０に形成した動作層２０に接合する制御電極２２、第一主電極２４及び第二主電極２６を有する半導体素子１２を形成」できるのであるから、電気的な用途に適していることは、当然である。また、「基体１０」は「半導体材料からなる」のであるから、「半導電性」を有している。
　ここで、一般に「ブッシング」とは、電気機器等に取り付けてそこから電気が出入できるようにする構造体を云う。そして、引用例１に「裏側配線金属１８はグランドと接続される。」（第２頁上右欄第１２〜１３行）と記載されるように、引用発明の「リボン状」の「裏側配線金属１８」は、「半導体素子１２」が形成された装置である引用発明の「半導体装置」にとって、外部との電気の出入口となる端子として機能すると認められる。したがって、引用発明の前記「裏側配線金属１８」は、補正発明の「導電性ブッシング」に相当する。
　　以上から、引用発明の「前記基体１０の裏側」に「裏側配線金属１８を、リボン状に形成する工程」を含む「半導体材料からなる基体１０と、該基体１０の表側に形成された半導体素子１２と、該半導体素子１２上に順次に設けられた表側配線金属１６と、前記基体１０の裏側に設けた裏側配線金属１８とを備え、前記表側配線金属１６と前記裏側配線金属１８とをバイアホール３８を介し電気的に接続してなることを特徴とする半導体装置の製造方法」は、補正発明の「特に電気的な用途に適している半導電性基板または非導電性基板に導電性ブッシングを製作する方法」に相当する。
　
　イ．引用発明の「前記半導体素子１０形成側の前記基体１０の全面」にわたり「積層」された「ＳｉＮ層からなる中間絶縁層１４」は、補正発明の「前記基板（１３）の前面」の「１つまたは複数の層（５）」に相当する。
　また、引用発明の「この基体１０の表側」に「形成」される「前記基体１０に形成した動作層２０に接合する制御電極２２、第一主電極２４及び第二主電極２６」は、その上に、「ＳｉＮ層からなる中間絶縁層１４」が「積層」されるから、当該「中間絶縁層１４」に覆われた状態になると認められる。
　したがって、引用発明において、少なくとも、「前記基体１０として半絶縁牲ＧａＡｓ基板を用意し、この基体１０の表側に、前記基体１０に形成した動作層２０に接合する制御電極２２、第一主電極２４及び第二主電極２６を有する半導体素子１２を形成する工程」と「前記半導体素子１２形成側の前記基体１０の全面にわたりＳｉＮ層からなる中間絶縁層１４を積層する工程」を実行することは、補正発明の「前記基板（１３）の前面に１つまたは複数の層（５）ならびに前記層の内部または表面にある少なくとも１つの導電性の接触構造（０）が設けられて」いることに相当する。
　
　ウ．引用発明の「前記基体１０として半絶縁牲ＧａＡｓ基板を用意」することは、補正発明の「（ａ）前記半導電性基板または非導電性基板（１３）を用意するステップ」に相当する。
　
　エ．引用発明の「前記中間絶縁層１４に、前記中間絶縁層１４の表面に向かって開くテーパー状をなして前記第二主電極２６を露出させる第一コンタクトホール３４、及び、前記中間絶縁層１４の表面に向かって開くテーパー状をなして前記基体１０を露出させる第二コンタクトホール４０を形成する工程」において、「第二コンタクトホール４０」は、「前記基体１０を露出させる」から、「前記中間絶縁層１４」の「表面」から「該基体１０の表側」面までを貫通すると認められる。
　また、引用発明において、前記「第二コンタクトホール４０」は、「前記第二主電極２６」ないし「第一コンタクトホール３４」とは重ならない領域の「前記中間絶縁層１４」に形成されることは、明らかである。
　したがって、引用発明の「第二コンタクトホール４０」は、補正発明の「切欠き（１）」に相当する。
　以上から、引用発明の「前記中間絶縁層１４」に「前記中間絶縁層１４の表面に向かって開くテーパー状をなして前記基体１０を露出させる第二コンタクトホール４０を形成する工程」は、補正発明の「（ｂ）前記層（５）を貫いて延びる、前記前面を起点とする少なくとも１つの切欠き（１）を少なくとも１つの導電性の前記接触構造（０）の横に形成するステップ」に相当する。
　
　オ．引用発明の「前記第二コンタクトホール４０を介し露出する前記基体１０の部分」は、補正発明の「前記切欠き（１）の底面」に相当する。
　そして、引用発明の「表側配線金属１６」のうち、「前記第二コンタクトホール４０」及び「前記バイアホール３８」を介して、「裏側配線金属１８」と「直接に接触し電気的に接続」する部分は、補正発明の「導電性の接触個所（６）」に相当する。
　そうすると、引用発明における、「前記第一コンタクトホール３４を介し露出する前記第二主電極５６と直接に接触」する「表側配線金属１６」が「前記第二コンタクトホール４０を介し露出する前記基体１０の部分と接触する」という構造が、前記「表側配線金属１６」のうち「裏側配線金属１８」と「直接に接触し電気的に接続する」部分を形成していると云い得るものと認められる。
　したがって、引用発明の「前記中間絶縁層１４上に、順次に積層したチタン層、白金層及び金層からなり、前記第一コンタクトホール３４を介し露出する前記第二主電極５６と直接に接触して電気的に接続すると共に、前記第二コンタクトホール４０を介し露出する前記基体１０の部分と接触する表側配線金属１６を形成する工程」は、補正発明の「（ｃ）少なくとも導電性の前記接触構造（０）から前記切欠き（１）の底面まで達する導電性構造（３）を塗布して、該構造が導電性の接触個所（６）を形成するようにするステップ」に相当する。
　
　カ．引用発明の「前記基体１０の裏面に向かって開くテーパー状をなして前記表側配線金属１６を露出させるバイアホール３８」は、「前記基体１０の裏面」から、「表側配線金属１６」のうち「前記基体１０の裏側」に「形成」される「裏側配線金属１８」と「直接に接触し電気的に接続する」部分、すなわち、補正発明の「導電性の接触個所（６）」に相当する部分の、直下の領域にまで「形成」される。
　したがって、引用発明の「前記第二コンタクトホール４０内の前記表側配線金属１６と前記基体１０との接触部分に対応する領域における前記基体１０をエッチング除去して、前記基体１０の裏側に、前記基体１０の裏面に向かって開くテーパー状をなして前記表側配線金属１６を露出させるバイアホール３８を形成する工程」と、補正発明の「（ｄ）前記基板にその裏面から少なくとも１つの切欠き（７）を形成し、切欠き（７）が、前記基板の前面において、前記導電性の接触個所（６）又は複数の導電性の接触個所（６）の一部が存在する箇所、又は該箇所の一部の下で終わるようにするステップ」であって「ここでステップ（ｄ）では、導電性の接触個所（６）が、向い合う面ないし表面についてのガス不透過性のシール材を構成」するステップとは、「前記基板にその裏面から少なくとも１つの切欠き（７）を形成し、切欠き（７）が、前記基板の前面において、前記導電性の接触個所（６）又は複数の導電性の接触個所（６）の一部が存在する箇所、又は該箇所の一部の下で終わるようにするステップ」である点で共通する。
　
　キ．引用発明の「前記基体１０の裏側に、前記バイアホール３８を介し露出する前記表側配線金属１６と直接に接触し電気的に接続する裏側配線金属１８を、リボン状に形成する工程」は、補正発明の「（ｆ）それぞれの前記接触個所（６）と前記基板の裏側の表面（１０，１１，１２）との間で、複数または少なくとも１つの前記切欠き（７）を貫いて導電接続を成立させる導電性構造（９）の塗布を前記基板の裏面から行うステップ」に相当する。
　
　ク．引用発明の「バイアホール３８」が「前記基体１０の裏面に向かって開くテーパー状をなして」いることは、補正発明の「１つまたは複数の裏面側の前記切欠き（７）は前記基板の前面の方向に狭まっていく横断面を有して」いることに相当する。
　また、引用発明の「第二コンタクトホール４０」が「前記中間絶縁層１４の表面に向かって開くテーパー状をなして」であることは、補正発明の「１つまたは複数の前面側の前記切欠き（１）は前記接触個所（６）の方向に狭まっていく横断面を有している」ことに相当する。
　
（３−２）一致点及び相違点
　そうすると、補正発明と引用発明の一致点と相違点は次のとおりとなる。
　
《一致点》
「特に電気的な用途に適している半導電性基板または非導電性基板に導電性ブッシングを製作する方法において、前記基板（１３）の前面に１つまたは複数の層（５）ならびに前記層の内部または表面にある少なくとも１つの導電性の接触構造（０）が設けられており、
　（ａ）前記半導電性基板または非導電性基板（１３）を用意するステップと、
　（ｂ）前記層（５）を貫いて延びる、前記前面を起点とする少なくとも１つの切欠き（１）を少なくとも１つの導電性の前記接触構造（０）の横に形成するステップと、
　（ｃ）少なくとも導電性の前記接触構造（０）から前記切欠き（１）の底面まで達する導電性構造（３）を塗布して、該構造が導電性の接触個所（６）を形成するようにするステップと、次いで
　（ｄ）前記基板にその裏面から少なくとも１つの切欠き（７）を形成し、切欠き（７）が、前記基板の前面において、前記導電性の接触個所（６）又は複数の導電性の接触個所（６）の一部が存在する箇所、又は該箇所の一部の下で終わるようにするステップと、
　及びこの後に、
　（ｆ）それぞれの前記接触個所（６）と前記基板の裏側の表面（１０，１１，１２）との間で、複数または少なくとも１つの前記切欠き（７）を貫いて導電接続を成立させる導電性構造（９）の塗布を前記基板の裏面から行うステップとを含んでおり、
　１つまたは複数の裏面側の前記切欠き（７）は前記基板の前面の方向に狭まっていく横断面を有しており、および／または１つまたは複数の前面側の前記切欠き（１）は前記接触個所（６）の方向に狭まっていく横断面を有していることを特徴とする方法。」
　
《相違点１》
　補正発明は「ステップ（ｄ）では、導電性の接触個所（６）が、向い合う面ないし表面についてのガス不透過性のシール材を構成し」ているのに対して、引用発明の「表側配線金属１６」のうち「裏側配線金属１８」と「直接に接触し電気的に接続する」部分が、ガス不透過性のシール材を構成しているかどうか不明である点。
　
《相違点２》
　補正発明は、「導電性構造（９）の塗布」を「行うステップ」の前に「（ｅ）前記ステップ（ｄ）で生じた前記切欠きの側壁に、パッシベーション層（８）を析出するステップ」を含むのに対して、引用発明は、「裏側配線金属１８」を「形成する工程」の前にそのような「工程」を含んでいない点。
　
（４）相違点についての判断
（４−１）相違点１について
　ア．第２．２．（２）イ．で指摘したように、補正発明の「ステップ（ｄ）」において、「導電性の接触個所（６）が、向い合う面ないし表面についてのガス不透過性のシール材を構成」することができるのは、前記「導電性の接触個所（６）」が「切欠き（７）」により「形成」された凹部を覆っているため、当該「導電性の接触個所（６）」により「切欠き（７）」内部の構造が気密に保たれるからであると認められる。
　
　イ．これに対して、引用発明の「前記基体１０の裏側に、前記基体１０の裏面に向かって開くテーパー状をなして前記表側配線金属１６を露出させるバイアホール３８を形成する工程」において、前記「バイアホール３８」は「前記基体１０の裏側」から見て「前記表側配線金属１６を露出させる」から、「前記表側配線金属１６」は前記「バイアホール３８」が形成する「前記基体１０」の表側の開口に露出している。
　
　ウ．ここで、第２．３．（２）（２−１）ア．ｈ．で指摘したように、引用例１の「この発明の実施例の構成を概略的に示す断面図」を示す第２図には、バイアホール３８は、基体１０の表側境界面において、表側配線金属１６のみを露出させていること、が示されている。しかし、引用例１の前記第２図は、本願明細書に添付された図３と同様に、「半導体装置」の一断面を図示したものにすぎないから、前記第２図のみから、引用発明の「バイアホール３８」は「表側配線金属１６」のみを露出させているとすることはできない。
　しかしながら、引用例１には、「発明の効果」として第６頁下左欄第４〜６行に「これがため裏側配線金属の導通不良を防止でき半導体装置の歩留り向上を図れる。」と記載されていることから、最終的には、「表側配線金属１６」と「裏側配線金属１８」との導通不良を防止することが引用例１における課題であったと認められる。また、第５頁上右欄第４〜１６行に「そして基体１０の裏面にレジストを塗布しこのレジストをフォトリソグラフィ技術によりパターニングして、第二コンタクトホール４０内の表側配線金属１６及び基体１０の接触部分に対応する領域の、基体裏面を露出するバイアホール形成用のレジストパターンを形成する。そして……基体１０の露出部分をエッチング除去し、表側配線金属１６を露出するバイアホール３８を形成する。」と、「バイアホール３８」は「第二コンタクトホール４０内の表側配線金属１６及び基体１０の接触部分に対応する領域」に形成することが記載されている。
　したがって、「表側配線金属１６」と「裏側配線金属１８」との導通をより確実にするために、引用発明の「表側配線金属１６」のうち、「前記第二コンタクトホール４０」及び「前記バイアホール３８」を介して、「裏側配線金属１８」と「直接に接触し電気的に接続」する部分の面積が最大になるように、引用発明の「バイアホール３８」が「表側配線金属１６」のみを露出させることは、当業者であれば当然になし得たことと認められる。
　そして、引用発明の「バイアホール３８」が「表側配線金属１６」のみを露出させるとき、前記「バイアホール３８」が形成する「前記基体１０の裏面に向かって開くテーパー状」の凹部は、前記「基体１０」と前記「表側配線金属１６」によって覆われることとなる。
　
　エ．さて、引用発明において、「前記中間絶縁層１４」に「形成」された「前記第二コンタクトホール４０内の前記表側配線金属１６」は、「前記第二コンタクトホール４０を介し露出する前記基体１０の部分と接触する」ように設けられる。
　そうすると、前記「バイアホール３８」が「表側配線金属１６」のみを露出させる場合、露出する「表側配線金属１６」は、前記「バイアホール３８」を形成する「基体１０」と密着していると認められる。
　
　オ．ところで、第２．３．（２）（２−１）ア．ｄ．で摘記したように、引用例１には、「バイアホール３８」は「塩素系ガスをエッチングガスに用いた反応性イオンエッチング法」あるいは「リン酸、過酸化水素水及び水を混合して成るエッチャントを用いたウェットエッチング法」で形成すると記載されている。
　したがって、引用発明の「バイアホール３８を形成する工程」において、「表側配線金属１６」のうち、「バイアホール３８」により露出されることにより「第二コンタクトホール４０」及び前記「バイアホール３８」を介して「裏側配線金属１８」と「直接に接触し電気的に接続」する部分により、当該「直接に接触し電気的に接続」する部分より表側の構造は、前記「バイアホール３８」を形成するためのエッチングガスあるいはエッチャントから気密に保たれていると解される。
　
　カ．以上から、相違点１は、引用発明から当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−２）相違点２について
　ア．引用発明において、「半導体素子１２」は「半絶縁性」の「基体１０」の「表側に形成され」るのであるから、「半導体素子１２」と「バイアホール３８」の間には「基体１０」が介在している。そして、前記「基体１０」は、「半絶縁牲ＧａＡｓ基板」から形成される。
　したがって、前記「半導体素子１２」と「バイアホール３８」の間で、前記「基体１０」を介して不所望の電流が少なからず流れるものと認められる。
　ここで、引用例１には、第４頁下左欄第３〜５行に「尚、好ましくはバイアホール３８を半導体素子１０と接触させないように離間させて設けるのがよい。」と記載されている。
　
　イ．ところで、一般に、半導体装置における「パッシベーション」層といえば、絶縁層、表面を安定化させる不動態化層、装置全体の保護層のいずれかの役割を持つ層をさすことは、当業者の技術常識である。
　
　ウ．一方、第２．３．（２）（２−２）ア．ａ．〜ｄ．で摘記したように、引用例２には、
「半導体材料（シリコン）ウェハ１」からなる「基板２」に「レーザービームによって背面から穿孔」して「孔」「（ホール）」「１２」を形成し、「ウェハ１の後部表面１０とホール１２の側壁を完全に覆う」酸化膜からなる「ホール絶縁層１５」を形成した後に、「ホール１２の壁」を「均一に覆う」ための「第１の金属層」と「電気メッキにより成長させた第２の金属層」とからなる「貫通接触を形成するための導電層１６」を形成し、その後、「基板２」の「前面から経路を開け」て「導電層１６は前面からアクセス可能」とすることで、「基板２」上に形成した「デバイス」の「電極７」と「導電層１６のパッド領域２１」の間で「直接的な電気的接続を可能にする」、
ことが記載されている。
　すなわち、「半導体材料からなる基体１０と、該基体１０の表側に形成された半導体素子１２と、該半導体素子１２上に順次に設けられた表側配線金属１６と、前記基体１０の裏側に設けた裏側配線金属１８とを備え、前記表側配線金属１６と前記裏側配線金属１８とをバイアホール３８を介し電気的に接続してなる」引用発明と同様に、「基板２」の「前面」に形成した「デバイス」の「電極７」と、「基板２」の「背面」に形成した「導電層１６のパッド領域２１」を備え、前記「電極７」と前記「導電層１６のパッド領域２１」とを、前記「基板２」の「背面」から穿孔したビアホールである「ホール１２」を介して電気的に接続してなる半導体装置において、前記「ホール１２」を介する電気的な接続を得るための「導電層１６」を、「ホール絶縁層１５」を介して、「ウェハ１の後部表面１０とホール１２の側壁」上に設けることが、引用例２には記載されている。
　ここで、「ホール絶縁層１５」は電気的な「絶縁」体である。
　したがって、引用例２には、少なくともビアホールの側壁に「絶縁層」を形成することで、「デバイス」を形成した基板と前記ビアホールとを電気的に「絶縁」して、前記「デバイス」を形成した基板と前記ビアホールとを電気的に離間させたことが記載されていると認められる。
　
　エ．なお、引用例２に記載された「基板２」は、引用発明の「基体１０」が「半絶縁牲ＧａＡｓ基板」からなるのとは異なり、「半導体材料（シリコン）ウェハ１」からなる。
　しかしながら、以下で指摘する周知例１及び周知例２に記載されるように、半導体素子を形成した基板が「ＧａＡｓ基板」からなる場合であっても、少なくともビアホールの側壁に「絶縁層」を形成することで、前記半導体素子を形成した基板と前記ビアホールとを電気的に離間させたことにより、前記半導体素子と前記ビアホールとの間で、前記基板を介して不所望の電流が流れることを防止することは、本願の優先権主張の日において既に周知技術であった。
　
　オ．そうすると、引用発明において、少なくとも「バイアホール３８」の側壁に「絶縁層」を形成することにより、「半導体素子１２」を形成した「基体１０」と「バイアホール３８」とを電気的に離間させて、「半導体素子１２」と「バイアホール３８」の間で「基体１０」を介して不所望の電流が流れることを防止することは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　このとき、当然に、引用発明の「テーパー状をなすバイアホール３８を形成する工程」と「前記表側配線金属１６と直接に接触し電気的に接続する裏側配線金属１８」を「形成する工程」の間に、「バイアホール３８」の側壁に「絶縁層」を形成する工程が設けられるものである。
　したがって、相違点２は、引用例２に記載の技術及び周知技術を勘案すれば、引用発明から当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　
　カ．周知例１：特開平０３−１５３０５７公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内で頒布された刊行物である特開平０３−１５３０５７号公報には、「半導体装置」（発明の名称）に関して第１図〜第３図とともに、次の記載がある。
　　ａ．「第３図は従来の半導体装置を示す断面図であり、同図において、（１）はソース電極、（２）はゲート電極、（３）はドレイン電極、（４）は配線金属、（５）は動作層、（６）はバッファ層、
（７）は例えばＧａＡｓの半絶縁性半導体基板
（８）は層（５）、（６）及び基板（７）を貫通するバイアホール
　
　　ｂ．「（作　用）
　この発明における半導体装置では、装置本体とバイアホール配線層とを電気的に絶縁し、双方の間でリーク電流が流れるのを阻止する。」（第３頁上左欄第１２〜１５行）
　
　　ｃ．「この半導体装置では、動作層（５）、バッファ層（６）、
半導体基板（７）を貫通するバイアホール（８）を開口後、ＣＶＤ法等によってそのバイアホール内面にシリコン窒化膜やシリコン酸化膜等の絶縁膜（１１）を形成し、その後に、その絶縁膜上にバイアホール配線層（１０）を形成
　それ故、ソース電極（１）、ゲート電極（２）、ドレイン電極（３）を有するトランジスタかバイアホール配線層（１０）及びＰＨＳ層（９）を介して接地されていても、
動作層（５）、バッファ層（６）、半導体基板（７）とバイアホール配線層（１０）は絶縁膜（１１）によって絶縁されているので、従来の半導体装置のようにリーク電流が流れることはない
　
　キ．周知例２：特開平０９−２６０４０５号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内で頒布された刊行物である特開平０９−２６０４０５公報には、「半導体装置とその製造方法」（発明の名称）に関して図１〜図２６とともに、次の記載がある。
　　ａ．「【００３８】実施の形態４
　……（中略）……
【００４２】次いで、レジストパターン６５を除去し、蒸着・リフトオフ法を用いて後にバイアホール４２を設ける位置のアイソレーション領域４１表面上に密着させるとともにソース電極と接続されたバイアホール上部電極４５を形成する。更にGaAs基板６０の一主面と互いに対向する他主面６０２上にレジストを塗布し、写真製版工程によりバイアホール上部電極４５と対向する位置に開孔を有するレジストパターンを形成し、
このレジストパターンをマスクとしてエッチングによりバイアホール上部電極４５の裏面が露呈するまで、GaAs基板６０、ｐ型GaAs層６１およびｎ型GaAs層６２が除去され、内壁４２１で囲まれたバイアホール４２が形成される
【００４３】この後、レジストパターンを除去し、
GaAs基板６０の他主面６０２の表面上から、バイアホール４２の内壁４２１を含んでGaAs基板６０の他主面６０２の一部または全面にわたってその表層に、例えばＢ+イオンを注入し不導体化する
【００４４】その後、
不導体化層６８の表面を含んで、GaAs基板６０の上記他主面６０２及びバイアホール上部電極４５の露呈された裏面上に例えば電解メッキ法を用いて裏面電極４３が形成される
この実施の形態により形成された半導体装置では、不導体化層６８により裏面電極４３とｐ型バッファ層３４と裏面電極４３との電気的な導通がなされないので、ゲート電極３８−ソース電極４０間にリーク電流が流れるのを防止でき、ゲート・ソース間耐圧が劣化を防止することができる
　
　　ｂ．「【００４７】実施の形態５
図１６、図１７及び図１８はこの発明のさらに他の実施の一形態に係る半導体装置の製造方法の各工程における部分断面図である。この実施の形態による製造方法では、
内壁４２１で囲まれたバイアホール４２を形成するまで、実施の形態５の製法と同様に形成する
レジストパターン６６の表面上から例えばＳiＯＮなどの絶縁膜７０を、例えばプラズマＣＶＤ法などにより、厚さ５００Å形成する
【００４８】更にウエハの裏面からＲＩＥにより
バイアホール上部電極４５に接する部分の絶縁膜７０を選択的に除去する。この後レジストパターン６６を除去し、GaAs基板６０の他主面６０２、バイアホール４２の内壁４２１上に残った絶縁膜７０及びバイアホール上部電極４５の露呈された裏面上に例えば電解メッキ法を用いて裏面電極４３が形成される
【００４９】この実施の形態による半導体装置の製造方法によれば、
バイアホール上部電極４５と接続している裏面電極４３とバッファ層３４になるｐ型GaAs層６１との間に絶縁膜７０が介在しているので、ゲート電極３８とソース電極４０との間にリーク電流が流れず、ゲート・ソース間耐圧が劣化しない半導体装置を形成できるのである
　
　　ｃ．「【００５０】実施の形態６
　……（中略）……
【００５１】バイアホール４２を形成した後、ウエットエッチングのためにバイアホール４２の開孔部の内壁４２１周縁から庇状にせりだしたレジストを開孔部の内壁４２１周縁に一致させるように除去し、レジストパターン６６の開孔とバイアホール４２の開孔を一致させ、
ウエハを回転させながらレジストパターン６６の上方から斜め蒸着法により、例えばＳiＯなどの絶縁膜７０をバイアホール上部電極４５の露呈された裏面を除くｐ型GaAs層６１を含むバイアホール４２の内壁４２１上に厚さ５００Å程度の絶縁膜７０を形成する
【００５２】次にレジストパターン６６を除去し、
GaAs基板６０の他主面６０２、バイアホール４２の内壁４２１上に残った絶縁膜７０及びバイアホール上部電極４５の露呈された裏面上に例えば電解メッキ法を用いて裏面電極４３が形成される
【００５３】この実施の形態による半導体装置の製造方法によれば、
バイアホール上部電極４５と接続している裏面電極４３とバッファ層３４になるｐ型GaAs層６１との間に絶縁膜７０が介在しているので、ゲート電極３８とソース電極４０との間にリーク電流が流れず、ゲート・ソース間耐圧が劣化しない半導体装置を形成できるのである
　
（５）独立特許要件の検討のまとめ
　以上のとおり、相違点１及び相違点２に係る構成とすることは、引用発明、引用例２に記載の技術及び周知技術から当業者が容易に想到することができたものである。
　したがって、補正発明は、引用例１に記載された発明、引用例２に記載の技術及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５．小括
　以上のとおりであるから、本件補正は、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３．本願発明について
１．本願発明
　以上のとおり、本件補正（平成２５年１１月１３日に提出された手続補正書による手続補正）は却下された。
　したがって、本願の請求項１〜２７に係る発明は、平成２５年２月２５日に提出された手続補正書によって補正された特許請求の範囲の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜２７に記載されたとおりのものであり、そのうち、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は次のとおりである。
　
「特に電気的な用途に適している半導電性基板または非導電性基板に導電性ブッシングを製作する方法において、前記基板（１３）の前面に１つまたは複数の層（５）ならびに前記層の内部または表面にある少なくとも１つの導電性の接触構造（０）が設けられており、
　（ａ）前記半導電性基板または非導電性基板（１３）を用意するステップと、
　（ｂ）前記層（５）を貫いて延びる、前記前面を起点とする少なくとも１つの切欠き（１）を少なくとも１つの導電性の前記接触構造（０）の横に形成するステップと、
　（ｃ）少なくとも導電性の前記接触構造（０）から前記切欠き（１）の底面まで達する導電性構造（３）を塗布して、該構造が導電性の接触個所（６）を形成するようにするステップと
　（ｄ）前記基板にその裏面から少なくとも１つの切欠き（７）を形成し、切欠き（７）が、前記基板の前面において、前記導電性の接触個所（６）又は複数の導電性の接触個所（６）の一部が存在する箇所、又は該箇所の一部の下で終わるようにするステップと、
　（ｅ）前記ステップ（ｄ）で生じた前記切欠きの側壁に、パッシベーション層（８）を析出する工程、及びこの後に、
　（ｆ）それぞれの前記接触個所（６）と前記基板の裏側の表面（１０，１１，１２）との間で、複数または少なくとも１つの前記切欠き（７）を貫いて導電接続を成立させる導電性構造（９）の塗布を前記基板の裏面から行うステップとを含んでおり、
　１つまたは複数の裏面側の前記切欠き（７）は前記基板の前面の方向に狭まっていく横断面を有しており、および／または１つまたは複数の前面側の前記切欠き（１）は前記接触個所（６）の方向に狭まっていく横断面を有していることを特徴とする方法。」
　
２．引用例の記載と引用発明
　引用例１及び引用例２の記載については、それぞれ、第２．３．（２）（２−１）ア．ａ．〜ｈ．及び第２．３．（２）（２−２）ア．ａ．〜ｄ．において摘記したとおりである。
　そして、引用発明については、第２．３．（２）（２−１）イ．において認定したとおりである。
　
３．対比・判断
　ア．第２．２．（１）〜（４）で指摘したように、本件補正後の請求項１に係る発明（すなわち、補正発明）は、本件補正前の請求項１に係る発明（すなわち、本願発明）に対して、本件補正後は「次いで」との語句を加入することで、「（ｃ）少なくとも導電性の前記接触構造（０）から前記切欠き（１）の底面まで達する導電性構造（３）を塗布して、該構造が導電性の接触個所（６）を形成するようにするステップ」を実行した後で、「（ｄ）前記基板にその裏面から少なくとも１つの切欠き（７）を形成し、切欠き（７）が、前記基板の前面において、前記導電性の接触個所（６）又は複数の導電性の接触個所（６）の一部が存在する箇所、又は該箇所の一部の下で終わるようにするステップ」を実行することを限定した点と、「ステップ（ｄ）」の実行の際は「導電性の接触個所（６）が、向い合う面ないし表面についてのガス不透過性のシール材を構成し」ていることを限定した点とで相違するものの、その他の点に関しては、補正発明と本願発明とで実質的な差異はない。
　したがって、逆に言えば、本願発明は、補正発明から上記各限定をなくしたものである。
　
　イ．そうすると、本願発明の構成要件をすべて含み、これをより限定したものである補正発明が、第２．３．において検討したとおり、引用例１に記載された発明、引用例２に記載の技術及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用例１に記載された発明、引用例２に記載の技術及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
第４．結言
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明、引用例２に記載の技術及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
 　よって、結論のとおり審決する。