(57)【要約】【課題】本発明は温度変化に対して安定した多層基板を得ることを目的とするものである。【解決手段】本発明は、この課題を解決するために樹脂基板層１８，２２，２５，２６とセラミック基板層１１とが積層された多層基板において、前記セラミック基板層１１に設けられたインピーダンス素子１２〜１７と、樹脂基板層の最上層２２上に装着された電子部品２３，２４と、前記樹脂基板層１８上に設けられたストリップ線路と、このストリップ線路と前記インピーダンス素子１２〜１７との間あるいは前記ストリップ線路と前記電子部品２３，２４との間を接続するバイアホール２０，２１とを設けたものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂基板層とセラミック基板層とが積層された多層基板であって、前記セラミック基板層に形成されたインピーダンス素子と、前記樹脂基板層の最上層に装着された電子部品と、この電子部品によって構成された電気回路と、前記樹脂基板層内に設けられたストリップ線路と、このストリップ線路と前記インピーダンス素子との間あるいは前記ストリップ線路と前記電気回路との間を接続するバイアホールとを設けた多層基板。
【請求項２】
電子部品はベアチップ実装された部品とした請求項１に記載の多層基板。
【請求項３】
インピーダンス素子はパターンインダクタとした請求項１に記載の多層基板。
【請求項４】
パターンインダクタは、レーザ光線でトリミングされた請求項３に記載の多層基板。
【請求項５】
インピーダンス素子はコンデンサとした請求項１に記載の多層基板。
【請求項６】
インピーダンス素子は抵抗とした請求項１に記載の多層基板。
【請求項７】
抵抗は、レーザ光線でトリミングされた請求項６に記載の多層基板。
【請求項８】
パターンインダクタに隣接する樹脂基板層において、前記パターンインダクタに対応するグランドが除去された請求項１に記載の多層基板。
【請求項９】
セラミック基板層の両面にインピーダンス素子が形成された請求項１に記載の多層基板。
【請求項１０】
第１の樹脂基板層と第２の樹脂基板層との間にポリイミドフィルムを積層し、このポリイミドフィルムにコンデンサが形成された請求項１に記載の多層基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話等に使用される多層基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の多層基板は、図４に示すように全て樹脂基板層で形成されていた。例えば、第１層１にはパターンが形成されるとともに電子部品２が装着されていた。そして、この電子部品２はスルーホール３で第２層４或いは第３層５或いは第４層６へ導かれ、そこに形成されているインダクタ等に接続されていた。ここで、第１層１から第４層６の間は何れも樹脂７で形成されていた。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながらこのような従来の多層基板は、全ての層が樹脂基板で形成されていたので、この樹脂基板層にインダクタ等を形成すると温度変化による熱収縮が生じて、インダクタンス値が変化してしまうという問題があった。
【０００４】
本発明はこのような問題点を解決するもので、温度変化に対して安定した多層基板を提供することを目的としたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この目的を達成するために本発明の多層基板は、樹脂基板層とセラミック基板層とが積層された多層基板であって、前記セラミック基板層に形成されたインピーダンス素子と、前記樹脂基板層の最上層に装着された電子部品と、この電子部品によって構成された電気回路と、前記樹脂基板層内に設けられたストリップ線路と、このストリップ線路と前記インピーダンス素子との間あるいは前記ストリップ線路と前記電気回路との間を接続するバイアホールとを設けたものである。これにより、温度変化に対して安定した多層基板を得ることができる。
【発明の効果】
【０００６】
以上のように本発明の多層基板は、樹脂基板層とセラミック基板層とが積層された多層基板であって、前記セラミック基板層に形成されたインピーダンス素子と、前記樹脂基板層の最上層に装着された電子部品と、この電子部品によって構成された電気回路と、前記樹脂基板層内に設けられたストリップ線路と、このストリップ線路と前記インピーダンス素子との間あるいは前記ストリップ線路と前記電気回路との間を接続するバイアホールとを設けた多層基板であり、セラミック基板にインピーダンス素子が形成されているので、温度変化に対して安定するとともに正確な値を維持することができる。
【０００７】
また、誘電率の低い樹脂基板層にストリップ線路が設けられているので、ストリップ線路の幅を広くすることができ、抵抗分が減少し損失を少なくすることができる。そして、この電子回路として多層基板上に高周波回路を形成すれば、ＮＦ特性などのような高周波性能が良好な多層基板を実現できる。
【０００８】
さらに、セラミック基板層にインピーダンス素子を形成し、樹脂基板層に電子部品を装着するので、基板の実装密度が向上し小型化が可能となる。
【０００９】
さらにまた、セラミック基板層を設けているので、多層基板としての湾曲は少ない。更に、価格が安い樹脂基板層と積層しているので、低価格の多層基板を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
（実施の形態１）
以下、図面に従って、本発明の一実施の形態を説明する。図１において、１１は誘電率が約１０（１ＭＨｚ）のセラミック基板層であり、その上面層（第３層）１１ａには抵抗１２、インダクタ１３、コンデンサ１４が形成されている。また、下面層（第４層）２５ａも同様に抵抗１５、インダクタ１６、コンデンサ１７が形成されている。このように、セラミック基板層１１の両側にインピーダンス素子が形成されているので、外部の温度変化に対して安定したインピーダンス素子を形成することができる。
【００１１】
１８は誘電率が約４（１ＭＨｚ）の樹脂基板層であり、その上面層（第２層）１８ａにはパターン１９が設けられている。このパターン１９はインタースティシャルバイアホール（以後、ホールという）２０で第３層１１ａやホール２１で第１層２２ａに導出されて回路に接続される。また、この第２層１８ａにストリップ線路を形成すると、樹脂基板層１８や２２の誘電率がセラミック基板層１１に比べて低いので、線路幅を広くすることができ損失を少なくすることができる。
【００１２】
２２は誘電率が約４（１ＭＨｚ）の樹脂基板層であり、その上面層（第１層）２２ａにはＳＭＤ部品２３やベアチップ部品２４が装着されている。
【００１３】
同様に、２５，２６は誘電率が約４（１ＭＨｚ）の樹脂基板層であり、第５層目２６ａには、パターン２７が設けられている。このパターン２７はホール２８で第４層２５ａやホール２９で第６層２６ｂに導出されて回路に接続される。また、このホール２９は第１層２２ａから第６層２６ｂまで（多層基板の表面から裏面まで）貫通するスルーホールでもある。
【００１４】
このように本実施の形態１における多層基板は６層構造になっており、その中心にはコア基板としてセラミック基板層１１を設け、その両側には樹脂基板層１８，２２，２５，２６を設けているので、以下のような特徴を有する。即ち、セラミック基板層１１に抵抗１２，１５とインダクタ１３，１６が形成されているので、温度変化に対して安定するとともに正確な値を維持することができる。
【００１５】
また、第１層２２ａにはＳＭＤ部品２３やベアチップ部品２４を装着するので、実装密度が向上し小型化が可能となる。
【００１６】
更にまた、セラミック基板層１１を挟んでその両面に樹脂基板層１８，２２，２５，２６が積層されているので、多層基板が反ることはなくセット側の親基板に隙間なく装着させることができる。
【００１７】
また、セット側の親基板が樹脂基板であったとしても、この多層基板と前記親基板との接触側はセット側の親基板の熱膨張率に近い熱膨張率を有する樹脂基板層を選定しているので、しっくり装着させることができる。
【００１８】
図２はセラミック基板層１１の上面の第３層１１ａに形成されたインピーダンス部品の斜視図である。図２において、抵抗１２、インダクタ１３、コンデンサ１４である。ここで、抵抗１２やインダクタ１３はレーザ光線でトリミングされるので、正確な抵抗値と正確なインダクタンス値に調整できるとともに、安定した性能を得ることができる。また、このインダクタ１３は誘電率の大きなセラミック基板層１１に形成されているので、小型で大きなインダクタンス値を得ることができる。
【００１９】
また、このインダクタ１３の上方第２層１８ａにおいては、グランドパターンを不形成とすれば、インダクタ１３のＱを高くすることができる。
【００２０】
コンデンサ１４，１７は、電極層１４ａ，１４ｃ，１７ａ，１７ｃ、誘電体層１４ｂ，１７ｂを印刷・焼成で形成されている。誘電体層１４ｂ，１７ｂに高誘電体の材料を用いているので、小型で大きなキャパシタンス値を得ることができる。
【００２１】
（実施の形態２）
実施の形態２は、実施の形態１の第５層２６ａに図３に示すように、ポリイミドフィルム３０で形成された第５層３０ａと樹脂基板層３１で形成された第６層３１ａを挿入し、全部で第８層とした多層基板の断面図である。
【００２２】
図３において、３２はポリイミドフィルム３０の第６層３１ａに形成されたコンデンサである。ポリイミドフィルム３０に蒸着法で形成されているので、コンデンサ３２の値の高精度なものが形成できるとともに薄型化を図ることができる。
【産業上の利用可能性】
【００２３】
本発明にかかる多層基板は、温度変化に対して安定するという効果を有し、特に携帯電話等に使用される多層基板等に用いると有用である。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施の形態１による多層基板の断面図
【図２】同、要部斜視図
【図３】本発明の実施の形態２による多層基板の断面図
【図４】従来の多層基板の断面図
【符号の説明】
【００２５】
１１  セラミック基板層
１２  抵抗
１３  インダクタ
１４  コンデンサ
１５  抵抗
１６  インダクタ
１７  コンデンサ
１８  樹脂基板層
２２  樹脂基板層
２３  ＳＭＤ部品
２４  ベアチップ部品
２５  樹脂基板層
２６  樹脂基板層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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