【事件の表示】
　平成　３年特許願第２５６６３０号「カプセル封じされた集積回路チップ内に記憶された秘密データの検査防止策」拒絶査定に対する審判事件［平成　４年　９月１４日出願公開、特開平　４−２５８８９２］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１.手続の経緯、本願発明
　本願は、平成３年１０月３日（優先権主張１９９０年１０月４日、米国）の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１３年１１月８日付けの手続補正書によって補正された明細書及び図面の記載からみて特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものと認める。
「秘密データを記憶する保護メモリ要素(１０)と、チップをカプセル封じする材料の不透明層(１４)と、カプセル封じ材料がチップから除去される場合に保護メモリ要素から秘密データを消去するための手段とを具備しており、
前記消去手段は、
　カプセル封じ材料によってカプセル封じされ且つ保護メモリ要素に結合された保護回路(１２)を具備し、前記保護回路は、
 光にさらされる際に検知可能な電流の変化を生成する電流特性を持つ光感知要素(４２,１１０,１２２)と、
　前記光感知要素が光にさらされる時に前記電流の変化を検知するための手段(１６,１６ｂ,１６ｃ)と、
　保護メモリ要素(１０)に、および光感知要素が光にさらされるときに前記光感知要素によって生成される前記電流の変化に応答して秘密データを保護メモリ要素から除去させるための検知手段に結合されるスイッチ手段(１８)であり、カプセル封じ材料がチップから除去されるならば秘密データがメモリ要素から消去される前記スイッチ手段とを具備し、
　前記保護回路は対置するアームを有する非平衡差動回路(４０)を具備し、前記差動回路の一方のアームには前記光感知要素(４２,１１０,１２２)が配置され、前記差動回路の他方のアームには第２の要素(４５,１１２,１２４)が配置され、前記第２の要素は光がない場合には最初に述べた光感知要素の光がない場合の電流特性とほぼ同じ電流特性を有しており、前記チップは前記第２の要素を具備するが最初に述べた光感知要素は具備しない前記差動回路の部分を被覆する不透明材料の第２の層(５６,１２０,１５０)を有し、
　前記差動回路は非均衡であるので、最初に述べた光感知要素は光にさらされるが第２の要素はさらされないときに最初に述べた光感知要素によって生成された前記電流の変化に応答して出力信号を提供し、前記出力信号は両方の光感知要素とも光にさらされないときの第１の状態とカプセル封じ材料の除去を示す第２の出力状態とを有する、
集積回路チップ。」
　
２．引用例に記載されている発明
　当審が平成１４年５月１５日付けで通知した拒絶理由に引用した実願昭５９−１９８１７２号（実開昭６１−１２０９５７号）のマイクロフィルム（以下、「引用文献１」という。）には、産業上の利用分野に関して、「装置の盗難等の場合にメモリの記憶データを消去し、秘密のデータが他人に知られるのを防ぐことを目的としたメモリ消去回路に関する。」（明細書第１頁第１６行〜第１９行）と記載され、また、図面第２図に関して、「光検出手段２及び電流遮断手段３はさまざまな構成法が考えられるが、第２図はその具体的な回路構成例を示したものであり、光検出手段してフォトトランジスタ５が、電流遮断手段として３として抵抗６、トランジスタ７、ダイオード８がそれぞれ使用されている。
　第２図において、外部光線ａ２がない場合には、フォトトランジスタ５は“ＯＦＦ”状態であり、トランジスタ７のベース電位ｖ２は抵抗６によって、ほぼ電源１の出力電圧ｖ３に等しい。故に、トランジスタ７は“ＯＮ”状態であり、揮発性メモリ４に電源電流Ｉ２が供給されており、記憶データが保持されている。逆に外部光線ａ２が入射すると、フォトトランジスタ５が“ＯＮ”となるため、トランジスタ７のベース電位ｖ２がほぼグランド電位まで落ちる。このため、トランジスタ７が“ＯＦＦ”となり、揮発性メモリ４への電源電流Ｉ２が遮断され、記憶データが消去される。」（明細書第４頁第１３行〜第５頁１０行）と記載されている。そして、上記引用文献１のメモリ（４）、フォトトランジスタ（５）及びトランジスタ（７）は１つのチップに納められており、通常状態では光が上記チップ内のフォトトランジスタ（５）に照射されないように該チップを不透明な材料の不透明層で覆っているものと認められるから、上記引用文献１には、
　秘密データを記憶するメモリ(４)と、チップをカプセル封じする材料の不透明層と、カプセル封じ材料がチップから除去される場合にメモリから秘密データを消去するための手段とを具備しており、
前記消去手段は、　
　カプセル封じ材料によってカプセル封じされ且つメモリ（４）に結合されたトランジスタ（７）と該トランジスタ（７）を制御するフォトトランジスタ（５）とからなる保護回路を具備し、前記保護回路は、
　光にさらされる際に検知可能な電流の変化を生成する電流特性を持ち、光にさらされる時に前記電流の変化を検知することのできるフォトトランジスタ（５）と、
　前記メモリ（４）に、およびフォトトランジスタ（５）が光にさらされるときに前記フォトトランジスタ（５）によって生成される前記電流の変化に応答して秘密データをメモリ（４）から除去させるトランジスタ（７）であり、カプセル封じ材料が前記チップから除去されるならば秘密データをメモリ（４）から消去する前記トランジスタ（７）とを具備する回路チップ、に関する発明（以下、「引用文献１記載の発明」という。）が記載されている。
　また、当審が平成１４年５月１５日付けで通知した拒絶理由に引用した特開昭６２−１０８５８２号公報（以下、「引用文献２」という。）には、図面第１図に関して、「第１図（ａ）、（ｂ）において、左側が普通の受光ダイオード部で右側が遮光した受光ダイオード部である。遮光した受光ダイオード部の受光面は絶縁層４を介してアルミニウムなどの金属膜で遮光されている。７はアルミニウムカバー膜である。」（公報第２頁左上欄第８行〜第１３行）と記載され、また、「上記した受光ダイオード部及び遮光された受光ダイオード部の両部分は隣接しており、しかも製造条件が同じであり、ダイオードに組上った後の静的条件も同じであるから、暗電流は同じになる。」（公報第２頁左上欄第１７行〜末行）と記載されている。また、図面第２図に関して、「以上のように構成した受光ダイオードを第３図（「第３図」の記載は第２図の明らかな誤記と認められる。）に示すように差動増幅回路９で増幅すれば、暗電流部分はキャンセルされ、光信号成分のみを出力することができる。」（公報第２頁右上欄第４行〜第７行）と記載されている。これらの記載から、上記引用文献２には、
　差動増幅回路（９）の一方のアームには受光ダイオード（第１図（ａ）の左側の部分）が配置され、前記差動回増幅路の他方のアームには第２の要素（第１図（ａ）の右側の部分）が配置され、前記第２の要素は前記受光ダイオードに光が当たらない場合の電流特性とほぼ同じ電流特性を有しており、前記第２の要素部分（第１図（ａ）の右側の部分）を遮光材で遮光し、前記受光ダイオードに光が当たる場合と当たらない場合とでは異なった出力を送出する受光回路、に関する発明が記載されている。
　
３.本願発明と引用例に記載されている発明との対比
　本願発明と上記引用文献１記載の発明とを対比すると、上記引用文献１記載の発明の「メモリ」、「フォトトランジスタ」及び「トランジスタ」は、その機能からみて本願発明の「保護メモリ要素」、「光感知要素」及び「スイッチ手段」にそれぞれ相当しているものと認められ、また、上記引用文献１記載の回路チップを集積回路化することは慣用手段であるので、両者の発明は共に、
「秘密データを記憶する保護メモリ要素と、チップをカプセル封じする材料の不透明層と、カプセル封じ材料がチップから除去される場合に保護メモリ要素から秘密データを消去するための手段とを具備しており、
前記消去手段は、
　カプセル封じ材料によってカプセル封じされ且つ保護メモリ要素に結合された保護回路を具備し、前記保護回路は、
　光にさらされる際に検知可能な電流の変化を生成する電流特性を持ち、光にさらされる時に前記電流の変化を検知するための手段と、
　保護メモリ要素に、および光感知要素が光にさらされるときに前記光感知要素によって生成される前記電流の変化に応答して秘密データを保護メモリ要素から除去させるための検知手段に結合されるスイッチ手段であり、カプセル封じ材料がチップから除去されるならば秘密データがメモリ要素から消去される前記スイッチ手段とを具備した集積回路チップ」である点で一致し、以下の点で相違しているものと認められる。
＜相違点＞
　本願発明では、差動回路の一方のアームに光感知要素を配置し、前記差動回路の他方のアームには第２の要素を配置し、前記第２の要素は前記光感知要素に光が当たらない場合の電流特性とほぼ同じ電流特性を有するような構成とし、且つ、前記光感知要素以外の部分は不透明部材で覆うことにより光の検出を行なって、スイッチ手段のオン、オフを制御しているのに対して、上記引用文献１記載の発明では、フォトトランジスタによって光の検出を行うと同時に該フォトトランジスタによってスイッチングトランジスタのオン、オフを直接制御している点。
　
４．相違点についての判断
　そこで、上記相違点について検討すると、光を検出してそれを電気的な信号として出力する受光回路として、差動増幅回路の一方のアームに受光ダイオードを配置し、前記差動回増幅路の他方のアームに第２の要素を配置し、前記第２の要素は前記受光ダイオードに光が当たらない場合の電流特性とほぼ同じ電流特性を有するようにし、前記第２の要素部分を遮光材で遮光し、前記受光ダイオードに光が当たる場合と当たらない場合とでは異なった出力を送出するように構成することは上記引用文献２に記載されているように従来公知の技術事項である。そして、差動増幅回路の出力によってスイッチングトランジスタのオン、オフの制御を行うことは、例えば、特開昭６３−１１８９１３号公報あるいは特開平１−１６０３２５号公報に記載されているように従来良く行われている技術事項であるから、上記引用文献１記載の発明のフォトトランジスタに代えて上記引用文献２記載の発明を採用して本願発明のように構成することは当業者が容易に想到し得る程度のものと認められる。
　そして、本願発明の奏し得る作用・効果は上記引用文献１及び２に記載されている発明から容易に予測し得る程度のものと認められる。
　
５.むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は上記引用文献１記載の発明、上記引用文献２に記載された発明及び従来周知の技術事項に基づいて当業者が容易に想到し得たものと認められるので、特許法第２９条第２項の規定に該当し、特許を受けることができない。　
　よって、結論のとおり審決する。