【事件の表示】
　特願２０１１−１９８８８８号「半導体装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　４月　４日出願公開、特開２０１３−　６２３２８号〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯，本願発明
　本願は，平成２３年９月１２日の出願であって，平成２４年８月３日付けで拒絶査定がされ，これに対し，平成２４年１１月６日に拒絶査定に対する不服の審判が請求されると同時に手続補正がされ，その後当審において平成２５年５月２２日付けで拒絶の理由を通知したところ，平成２５年７月２３日付けで特許請求の範囲及び明細書を対象とする手続補正がなされるとともに意見書が提出された。
　　　　　
　そして，本願の各請求項に係る発明は，平成２５年７月２３日付けで補正された特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ，そのうちの請求項２に係る発明（以下「本願発明」という。）は，次のとおりである。
「【請求項２】
　基板と，
　前記基板上に配置される，第１の半導体チップと，
　前記第１の半導体チップ上に配置され，Ａｌを含む電極と，
　前記電極と前記基板とを電気的に接続する，ＡｕまたはＣｕを含む第１の接続部材と，
　前記第１の半導体チップ，前記第１の接続部材を封止する第１の封止部材と，
　前記第１の封止部材上に接着される１以上の第２の半導体チップと，
　前記１以上の第２の半導体チップと前記基板とを電気的に接続する１以上の第２の接続部材と，
　前記第１の接続部材，前記１以上の第２の半導体チップ，および前記１以上の第２の接続部材を封止する第２の封止部材と，を具備し，
　前記基板のコア層およびソルダーレジスト層，および前記第１の封止部材，の樹脂の重量Ｗ０に対する，前記コア層，前記ソルダーレジスト層，および前記第１の封止部材中のＣｌイオンおよびＢｒイオンの合計重量Ｗ１の比が１３．５ｐｐｍ以下であり，
　前記重量Ｗ０に対する，前記第１の封止部材中のＣｌイオンおよびＢｒイオンの合計重量Ｗ２の比が７．５ｐｐｍ以下である，
半導体装置。」
　　　　　
２．引用文献及びその記載事項
（１）当審の拒絶の理由に引用され，本願出願日前に頒布された刊行物である特開２０１１−１２９８９４号公報（以下「引用例１」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
　　　　　
　１ａ）「【００１６】
　図１Ｂに示すように，パッケージ基板１は，ガラスエポキシ基板３と，電極材５と，受動素子８と，を備える。例えば，ガラスエポキシ基板３は，ガラス基板と，ガラス基板上のエポキシを硬化させたガラスエポキシ材料又はエポキシを半硬化させたシート状の接着部材（以下，「プリプレグ」という）と，から構成される。
【００１７】
　図２に示すように，電極材５は，複数の配線層２を備える。例えば，各配線層２は銅配線である。複数の配線層２の最下層（以下，「第１配線層」という）２ａの下面には，外部端子７が接続されている。例えば，外部端子７は，半田ボールである。外部端子７と第１配線層２ａとの接続部分は，ソルダーレジスト（図示せず）で覆われる。なお，本発明の第１実施形態では，この外部端子７は，メッキ（Ｎｉ／Ａｕ又はＮｉ／Ｐｄ／Ａｕ）を介して第１配線層２ａと直接接続されても良い。
【００１８】
　図２に示すように，ガラスエポキシ基板３の下面には第１配線層２ａが設けられ，ガラスエポキシ基板３の上面には，第２配線層２ｂが設けられる。なお，この第２配線層２ｂの一部は，ガラスエポキシ基板３に形成されたバンプ４を介して第１配線層２ａと接続さ
れている。なお，第２配線層２ｂは，バンプ４に換えて，ガラスエポキシ基板３に形成された貫通孔（図示せず）を介して第１配線層２ａと接続されてもよい。この第２配線層２ｂは，導電材料９によって受動素子８と接続されている。例えば，導電材料９は，半田である。
【００１９】
　図１Ａ及び図１Ｂに示すように，パッケージ基板１上には，複数のボンディングパッド１６が設けられる。このボンディングパッド１６は，図２の複数の配線層２の最上層（以下，「第３配線層」という）２ｃと電気的に接続されている。
【００２０】
　図１Ｂ及び図２に示すように，受動素子８及び導電材料９は，絶縁膜層６で覆われる。例えば，絶縁膜層６は，プリプレグを溶融することにより形成される。図２の電極材５は，絶縁膜層６を介して受動素子８に隣接するように設けられる。この電極材５は，複数の配線層２（第１配線層２ａ，第２配線層２ｂ，第３配線層２ｃ，及び第２配線層２ｂと第３配線層２ｃとの間の複数の配線層（以下，「第４配線層」という）２ｄ）と，複数のバンプ４と，を備える。複数のバンプ４は，それぞれ，第１配線層２ａと第２配線層２ｂとの間と，第２配線層２ｂと最下層の第４配線層２ｄとの間と，各第４配線層２ｄの間と，最上層の第４配線層２ｄと第３配線層２ｃとの間に設けられる。複数の第４配線層２ｄは，第２配線層２ｂと第３配線層２ｃとの間に設けられ，バンプ４によって互いに接続されている。電極材５は，例えば，バンプ４と，第４配線層２ｄと，を交互に重ね，プリプレグを溶融させてバンプ４と各第４配線層２ｄとを熱圧着させることにより形成される。具体的には，プリプレグが溶融して，バンプ４とバンプ４の上面側に設けられた第４配線層２ｄの導電層とが接触することにより，各第４配線層２ｄが互いに接続される。また，最下層の第４配線層２ｄの下面と第２配線層２ｂの上面とは，バンプ４によって接続されている。また，第３配線層２ｃの下面と最上層の第４配線層２ｄの上面とは，バンプ４によって接続されている。その結果，複数の第４配線層２ｄを介して第３配線層２ｃと第２配線層２ｂとが接続される。」
　　　　　
　１ｂ）「【００２５】
　図１Ｂに示すように，複数のメモリチップ１１，コントローラチップ１２，及び中継部材１４は，樹脂２１で覆われる。」
　　　　　
　１ｃ）「【００４３】
（第３実施形態）
　本発明の第３実施形態について説明する。第３実施形態は，パッケージ基板内に受動素子が設けられ，パッケージ基板の上方にメモリチップが設けられ，パッケージ基板とメモリチップとの間にコントローラチップが設けられる半導体装置の例である。
【００４４】
　本発明の第３実施形態に係る半導体装置の構成について説明する。図７は，本発明の第３実施形態に係る半導体装置の構成図である。図７Ａは，本発明の第３実施形態に係る半導体装置の平面図である。図７Ｂは，図７ＡのＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【００４５】
　図７Ｂに示すように，パッケージ基板１は，ガラスエポキシ基板３と，電極材５と，受動素子８と，を備える。例えば，ガラスエポキシ基板３は，ガラス基板と，ガラス基板上のエポキシを硬化させたガラスエポキシ材料又はエポキシを半硬化させたシート状のプリプレグと，から構成される。電極材５は，第１実施形態と同様である（図２を参照）。
【００４６】
　図７Ａ及び図７Ｂに示すように，パッケージ基板１上には，複数のボンディングパッド１６が設けられる。このボンディングパッド１６は，図２の複数の配線層２の最上層（第３配線層）２ｃと接続されている。
【００４７】
　図７Ｂに示すように，パッケージ基板１上には，接着部材１０を介してコントローラチップ１２が形成される。コントローラチップ１２は，封止用部材２４により封止される。封止用部材２４上には，接着部材１０を介して複数のメモリチップ１１が積層される。メモリチップ１１上は，複数の第１パッド（メモリパッド）２２を有している。また，本発明の第３実施形態では，接着部材１０及びメモリチップ１１の対が複数層形成される。接着部材１０及びメモリチップ１１の各対は，それぞれの中心線が重ならないように交互に積層される。すなわち，接着部材１０及びメモリチップ１１の各対は，下層のメモリチップ１１上の第１パッド２２の上面に上層の接着部材１０及びメモリチップ１１の対が重ならないように積層される。但し，最下層のメモリチップ１１は，接着部材１０を介さずに，封止用部材２４上に直接設けられる。
【００４８】
　図７Ｂに示すように，コントローラチップ１２上には，複数の第２パッド（コントローラパッド）１３が設けられる。また，図７Ａに示すように，上方から見たコントローラチップ１２の面積は，上方から見たメモリチップ１１の面積よりも小さい。
【００４９】
　図７Ｂに示すように，メモリチップ１１上の各第１パッド２２は，第１ワイヤ１５によってパッケージ基板１上のボンディングパッド１６に接続されている。また，コントローラチップ１２上の各第２パッド１３は，第２ワイヤ１７によりパッケージ基板１上のボンディングパッド１６に接続されている。例えば，第１ワイヤ１５及び第２ワイヤ１７の材料は，金線，銀線，銅線，又はこれらの混合物である。
【００５０】
　本発明の第３実施形態では，電極材５が複数の配線層２及びバンプ４によって形成される例について説明したが，本発明の範囲はこれに限られるものではない。例えば，電極材５は，パッケージ基板１に貫通孔を形成し，この貫通孔に導電材料を埋め込むことによって形成されても良い。
【００５１】
　本発明の第３実施形態によれば，パッケージ基板１の上方にメモリチップ１１が設けられ，パッケージ基板１とメモリチップ１１との間にコントローラチップ１２が設けられ，パッケージ基板１内に受動素子８が設けられる。そして，コントローラチップ１２は，ワイヤボンディング接続によってパッケージ基板１と接続される。これにより，半導体装置を小型化することができるとともに，パッケージ基板１とコントローラチップ１２との間のワイヤ長を短くすることができる。その結果，半導体装置が高速に動作可能になる。また，中継部材１４が不要なので，半導体装置の製造コストを低減することができる。
【００５２】
　ここで，半導体装置の上方から見て，メモリチップ１１，コントローラチップ１２及び受動素子８の面積のうち，メモリチップ１１の面積が最も大きい。すなわち，半導体装置の上方から見て，メモリチップ１１の内側に，コントローラチップ１２，受動素子８及び中継部材１４が全て包含されるように配置されている。その結果，半導体装置の上方から見た面積を小さくすることができる。
【００５３】
　また，本発明の第３実施形態によれば，受動素子８は，パッケージ基板１内に設けられる。従って，半田等を用いて受動素子８を容易に搭載することができる。また，搭載時におけるメモリチップ１１等へのダメージを回避することができる。
【００５４】
　また，受動素子８は，半田ポール７の近くに配置することができる。その結果，半導体装置の外部から半田ボール７を介して入力される信号のノイズを効果的に除去することができる。また，コントローラチップ１２はパッケージ基板１の上方に設けられるため，等長配線のレイアウトが容易になる。このような構成は高速動作するＳＳＤに特に効果がある。」
　　　　　
　１ｄ）図７Ａ〜７Ｂを参照すると，
　コントローラチップ１２と第２ワイヤ１７は，封止用部材２４により封止されており，また，封止用部材２４，複数のメモリチップ１１，第１ワイヤ１５は樹脂２１で覆われているといえる。
　　　　　　
　上記の記載事項及び図面の記載を総合すると，引用例１には次の発明（以下「引用発明」という。）が実質的に記載されている。
　「パッケージ基板１は，ガラスエポキシ基板３，電極材５，複数の配線層２，受動素子８，プリプレグを溶融することにより形成される絶縁膜層６を備えており，
　複数の配線層２の最下層（第１配線層）２ａの下面には，外部端子７が接続され，
　外部端子７と第１配線層２ａとの接続部分は，ソルダーレジスト（図示せず）で覆われており，
　パッケージ基板１上には，接着部材１０を介してコントローラチップ１２が形成され，
　コントローラチップ１２上の各第２パッド１３は，第２ワイヤ１７によりパッケージ基板１上のボンディングパッド１６に接続され，
　第２ワイヤ１７の材料は，金線，銀線，銅線，又はこれらの混合物であり，
　コントローラチップ１２と第２ワイヤ１７は，封止用部材２４により封止され，
　封止用部材２４上には，接着部材１０を介して複数のメモリチップ１１が積層され，
　最下層のメモリチップ１１は，接着部材１０を介さずに，封止用部材２４上に直接設けられ，
　メモリチップ１１上の各第１パッド２２は，第１ワイヤ１５によってパッケージ基板１上のボンディングパッド１６に接続され，
　封止部材２４，複数のメモリチップ１１，第１ワイヤ１５は樹脂２１で覆われている半導体装置。」
　　　　　
（２）当審の拒絶の理由に引用され，本願出願日前に頒布された刊行物である特開２００２−３３８６６１号公報（以下「引用例２」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
　　　　　
　２ａ）「【０００２】
【従来の技術】これまで，半導体チップはリードフレームを使用して，モールド樹脂により保護されたパッケージとしてプリント配線板に実装されていた。しかし，近年，ＢＧＡ（ボール・グリッド・アレイ）やＣＳＰ（チップ・サイズ・パッケージ）といったパッケージが開発され，これまで使用されていたリードフレームに代わり，プリント配線板に直接チップが実装されるようになった。半導体パッケージでは，使用する材料にイオン性の不純物，特にハロゲンイオンが存在すると耐湿信頼性試験（プレッシャークッカーテスト（ＰＣＴ）など）において回路腐食による接合不良や絶縁不良が出ることが知られており，回路のファインピッチ化の妨げになっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は，上記問題点に鑑み考案されたもので，ハロゲンイオン等のイオン性不純物の発生が少ない，プリント配線板用途として有用なエポキシ樹脂組成物及びそれを用いたプリプレグ，金属箔張積層板，樹脂付金属箔及びプリント配線板を提供することを目的とする。」
　　　　　
　２ｂ）「【００６７】
【発明の効果】本発明のプリント配線板用樹脂組成物を用いて，プリプレグ，絶縁基材，絶縁層を形成して作製した多層プリント配線板は，不純物イオン濃度特に塩素イオン濃度を低減することができ，結果として，ハロゲンイオン濃度に起因するとされる耐湿信頼性試験（プレッシャークッカーテスト（ＰＣＴ）など）において配線層腐食による接合不良や絶縁不良を防ぐことができる。従って本発明は，ビルドアップ方式の高密度多層プリント配線板分野において，優れた実用上の効果を発揮する。」
　　　　　
（３）当審の拒絶の理由に引用され，本願出願日前に頒布された刊行物である特開昭６２−２５７８１５号公報（以下「引用例３」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
　　　　　
　３ａ）「〔技術分野〕
　この発明は，プリント配線板等に使用される積層板の連続的な製法に関する。」（第１ページ右欄第１２〜１４行）
　　　　　
　３ｂ）「以上のような樹脂中に含まれる不純物の種類としては，樹脂がエポキシ樹脂である場合には，このエポキシ樹脂の原料となるエピクロロヒドリン中に含まれるＣＩ−やエポキシ樹脂の生成反応の促進剤であるアルカリ中に含まれるＮａ＋等のイオン，あるいは，エポキシ樹脂に含まれるＣｌ基やα−グリコール系のＯＨ基等の不純基等があげられる。このような不純物があると，それによって，積層板の表面に形成された金属箔や電子部品等の回路部材が腐食されたり，電気絶縁性が低下したりするばかりでなく，エポキシ樹脂硬化のための，前記イミダゾール系等の触媒を，このような不純物（特に不純基）が吸収してしまって，硬化反応が充分に行われなくなり，それによって積層板の物性が低下する恐れがある。したがって，このような不純物の含有率は低ければ低い程好ましいのである。以上のような不純物の含有率の範囲は，この発明では特に限定されないが，各イオンの含有率は，ｐｐｍでＮａ＋≦１ｐｐｍ，Ｃｌ−≦２０ｐｐｍであることが好ましく，各不純基の含有率は，Ｃｌ基≦０．０７重量％，ＯＨ基≦０．０４当量であることが好ましい。」（第２ページ右下欄第１０行〜第３ページ左上欄第１１行）
　　　　　
（４）当審の拒絶の理由に引用され，本願出願日前に頒布された刊行物である特開２００２−３１８８９号公報（以下「引用例４」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
　　　　　
　４ａ）「【０００６】一般に，このような電子部品モジュールに用いられるソルダーレジスト層は，乾燥状態での絶縁抵抗が1011〜1013Ωである。しかしながら，このソルダーレジスト層は，一般に，含有する感光性樹脂がソルダーレジスト層に露光・現像により開口を形成する際の現像性を発現させるために水酸基やカルボキシル基を含有することから，吸水率が高く空気中の水分を徐々に吸収して，この水分がソルダーレジスト層の絶縁抵抗を108Ω以下にまで低下させてしまい配線導体層間を短絡させてしまったり，さらには，この水分が配線導体層を腐食させてしまい，その結果，配線基板の電気信頼性を劣化させてしまうという問題点を有していた。また，ソルダーレジスト層は，含有する感光性樹脂組成物がその製造の精製工程中において除去できない塩素イオン・臭素イオン等のハロゲンイオンやナトリウムイオン等のアルカリイオンなどの不純物イオンを，それぞれ20〜100ｐｐｍ，2〜200ｐｐｍ程度含有しているため，例えば，温度が130℃で相対湿度が85％の高温高湿槽中で5.5Ｖの電圧を長時間印加する高加速度試験（ＨＡＳＴ）を行うと，イオンマイグレーションにより配線導体層間の絶縁抵抗が急激に低下し絶縁破壊を起こし，その結果，電子部品モジュールを電気的に短絡させてしまうという問題点を有していた。」
　　　　　
　４ｂ）「【００６６】また，フィルム状の感光性ソルダーレジストＡの不純物イオン濃度は，温度が85℃で相対湿度が85％の雰囲気中に96時間放置後，フィルム状の感光性ソルダーレジストＡを100℃の熱水でイオン抽出した後，抽出液をイオンクロマトグラフィー法を用いて測定して求めた。感光性ソルダーレジスト層Ａの不純物イオン濃度は塩素イオンが3.0ｐｐｍと，ナトリウムイオンが0.5ｐｐｍであった。」
　　　　　
（５）当審の拒絶の理由に引用され，本願出願日前に頒布された刊行物である再公表特許第２００７／１２６１３０号（以下「引用例５」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
　　　　　
　５ａ）「ソルダーレジスト材料中に含まれるＮａイオン又はＣｌイオンがそれぞれ１０ｐｐｍ以下である，請求の範囲第１項〜第６項のいずれか１項記載のソルダーレジスト材料。」（第２ページ第２５〜２６行）
　　　　　
　５ｂ）「さらに，本発明の好ましい態様によれば，ソルダーレジスト材料中に含まれるＮａイオン又はＣｌイオンのイオン性不純物が少ないので，耐湿信頼性に優れるソルダーレジストを提供することができる。」（第５ページ第２３〜２５行）
　　　　　
　５ｃ）「（ｉｉ）実質的にハロゲン原子を含まないエポキシ樹脂
　本発明で用いる樹脂組成物では，実質的にハロゲン原子を含まないエポキシ樹脂を含有することが好ましい。これにより，該ソルダーレジスト材料を実装時等でガラス転移温度以上の高温にした場合であってもハロゲン原子による回路腐食がなく，実装後の信頼性が向上する。ここで「実質的にハロゲン原子を含まない」とは，ハロゲン原子による回路腐食がなく，実装後の信頼性に影響がない程度でハロゲン原子が微量含まれていてもよく，好ましくは，含まないことである。」（第８ページ第３３〜３９行）
　　　　　
（６）当審の拒絶の理由に引用され，本願出願日前に頒布された刊行物である特開２００３−２５３０９２号公報（以下「引用例６」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
　　　　　
　６ａ）「【請求項１】  （Ａ）エポキシ樹脂，（Ｂ）硬化剤，（Ｃ）複合金属水酸化物，を必須成分とするエポキシ樹脂成形材料において，該材料の成形品の粉砕物を１ｇ当たり１０ｍｌの水で抽出した抽出水のナトリウムイオン (Ｎａ＋)濃度が０〜３ｐｐｍ，かつ塩素イオン(Ｃｌ−)濃度が０〜３ｐｐｍ，かつ電気伝導度が１００μＳ／ｃｍ以下，かつｐＨが５．０〜９．０であることを特徴とする封止用エポキシ樹脂成形材料。」
　　　　　
　６ｂ）「【００１３】上述したナトリウムイオン (Ｎａ＋)および塩素イオン(Ｃｌ−)濃度が上記に指定した量を超えると，耐湿性が低下，すなわちＩＣの配線が腐食して動作不良となりやすくなる。抽出水のイオン量の範囲としては，塩素イオン(Ｃｌ−)は０〜３ｐｐｍであり，好ましくは０〜２ｐｐｍである。塩素イオン(Ｃｌ−)は３ｐｐｍより多いと吸湿によって塩素イオン(Ｃｌ−)によるＩＣ配線の腐食が短時間に進む傾向にあり実使用上に問題が生じる。またナトリウムイオン (Ｎａ＋)は０〜３ｐｐｍであり，好ましくは０〜２ｐｐｍであり，電気伝導度は０〜１００μＳ／ｃｍであり，好ましくは０〜５０μＳ／ｃｍである。電気伝導度が１００μＳを超えたり，ナトリウムイオン (Ｎａ＋)が３ｐｐｍより多いと，もれ電流の増加により，ノイズ，クロストーク，電圧オフセットが生じたり，またＩＣの配線が腐蝕したりして，回路の動作に悪影響を与える。また，ｐＨは５．０〜９．０であり，ｐＨがこの範囲より低いとＩＣの金属配線，特にアルミニウム等の腐蝕が顕著になる傾向にあり，一方この範囲より高いと，パッケージ表面がリードフレームメッキ処理工程時に白化して外観不良になったり，またＩＣの配線の腐蝕が生じやすくなる。好ましいｐＨ範囲は６．０〜８．０である。」
　　　　　
　６ｃ）「【００６８】
【発明の効果】本発明の封止用エポキシ樹脂成形材料は実施例で示したようにノンハロゲンかつノンアンチモンで難燃化を達成でき，これを用いてＩＣ，ＬＳＩ等の電子部品を封止すれば，耐リフロー性，耐湿性及び高温放置特性等の信頼性が良好な製品を得ることができ，その工業的価値は大である。」
　　　　　
（７）当審の拒絶の理由に引用され，本願出願日前に頒布された刊行物である特開２００７−９９９９６号公報（以下「引用例７」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
　　　　　
　７ａ）「【請求項３】
　塩素イオン濃度が３０ｐｐｍ以下，臭素イオン濃度が１０ｐｐｍ以下，ナトリウムイオン濃度が６ｐｐｍ以下で，かつ，リン酸イオン濃度が１０ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１または２記載の封止用樹脂組成物。」
　　　　　
　７ｂ）「【０００１】
　本発明は，半導体素子等の封止材料として使用される封止用樹脂組成物，およびこれを用いた半導体封止装置に関する。」
　　　　　
　７ｃ）「【０００５】
　しかしながら，ハロゲン化合物は，例えば高温に放置した場合に塩素イオンや臭素イオン等が遊離し，半導体装置の信頼性を低下させるという問題がある。また，一部のハロゲン系難燃剤は，燃焼時に毒性の強いダイオキシン化合物を発生し，また，アンチモン化合物は，それ自体毒性が強い，という環境上の問題もある。」
　　　　　
（８）当審の拒絶の理由に引用され，本願出願日前に頒布された刊行物である再公表特許第２０１０／０４１６５１号公報（以下「引用例８」という。）には，図面とともに次の事項が記載されている。
　　　　　
　８ａ）「【請求項１】
　ダイパッド部を有するリードフレーム又は回路基板と，前記リードフレームのダイパッド部上又は前記回路基板上に搭載された１個以上の半導体素子と，前記リードフレーム又は前記回路基板に設けられた電気的接合部と前記半導体素子に設けられた電極パッドとを電気的に接続する銅ワイヤと，前記半導体素子と前記銅ワイヤとを封止する封止材とを備え，
　前記銅ワイヤの線径が２５μｍ以下であり，
　前記銅ワイヤがその表面にパラジウムを含む金属材料で構成された被覆層を有しており，
　前記封止材が（Ａ）エポキシ樹脂，（Ｂ）硬化剤，（Ｃ）充填材，（Ｄ）硫黄原子含有化合物を含むエポキシ樹脂組成物の硬化物で構成されている，
半導体装置。
【請求項２】
　前記エポキシ樹脂組成物の硬化物を１２５℃，相対湿度１００％ＲＨ，２０時間の条件で抽出した抽出水中の塩素イオン濃度が，１０ｐｐｍ以下である，請求項１に記載の半導体装置。」
　　　　　
　８ｂ）「【００７２】
　このような（Ａ）エポキシ樹脂のうち，封止材の耐湿信頼性を考慮すると，イオン性不純物であるＣｌ−（塩素イオン）が極力少ないものが好ましく，より具体的には，（Ａ）エポキシ樹脂全体に対するＣｌ−（塩素イオン）などのイオン性不純物の含有割合が１０ｐｐｍ以下であるものが好ましく，５ｐｐｍ以下であるものがより好ましい。なお，エポキシ樹脂全体に対するＣｌ−（塩素イオン）の含有割合は，以下のようにして測定することができる。すなわち，先ず，エポキシ樹脂などの試料５ｇと蒸留水５０ｇとをテフロン（登録商標）製耐圧容器に入れて密閉し，温度１２５℃，相対湿度１００％ＲＨ，２０時間の処理（プレッシャークッカー処理）を行う。次に，室温まで冷却した後，抽出水を遠心分離し，２０μｍフィルターにてろ過し，キャピラリー電気泳動装置（例えば，大塚電子（株）製「ＣＡＰＩ―３３００」）を用いて塩素イオン濃度を測定する。ここで得られる塩素イオン濃度（単位：ｐｐｍ）は試料５ｇ中から抽出された塩素イオンを１０倍に希釈した数値であるため，下記式：
　　　試料単位質量あたりの塩素イオン濃度（単位：ｐｐｍ）
　　　＝（キャピラリー電気泳動装置で求めた塩素イオン濃度）×５０÷５
により樹脂単位質量あたりの塩素イオン量に換算する。」
　　　　　
３．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「パッケージ基板１」は本願発明の「基板」に相当する。
　以下同様に，「コントローラチップ１２」は「第１の半導体チップ」に，「第２パッド１３」は「電極」に，「第２ワイヤ１７」は「第１の接続部材」に，「封止用部材２４」は「第１の封止部材」に，「メモリチップ１１」は「第２の半導体チップ」に，「第１ワイヤ１５」は「第２の接続部材」に，「樹脂２１」は「第２の封止部材」に，「ソルダーレジスト」は「ソルダーレジスト層」に，「ガラスエポキシ基板３」及び「プリプレグを溶融することにより形成される絶縁膜層６」は「基板のコア層」に，それぞれ相当する。
　引用発明では，「パッケージ基板１上には，接着部材１０を介してコントローラチップ１２が形成され」ているから，引用発明は本願発明の「基板上に配置される，第１の半導体チップ」なる構成を備える。
　引用発明では，「コントローラチップ１２上の各第２パッド１３は，第２ワイヤ１７によりパッケージ基板１上のボンディングパッド１６に接続され」ており，「第２ワイヤ１７の材料は，金線，銀線，銅線，又はこれらの混合物」であるから，引用発明は本願発明の「前記第１の半導体チップ上に配置された電極と，前記電極と前記基板とを電気的に接続する，ＡｕまたはＣｕを含む第１の接続部材」なる構成を備える。
　引用発明では，「コントローラチップ１２と第２ワイヤ１７は，封止用部材２４により封止され，」ているから，引用発明は本願発明の「前記第１の半導体チップ，前記第１の接続部材を封止する第１の封止部材」なる構成を備える。
　引用発明ではメモリチップ１１は複数で，「最下層のメモリチップ１１は，接着部材１０を介さずに，封止用部材２４上に直接設けられ」ているから，引用発明は本願発明の「第１の封止部材上に接着される１以上の第２の半導体チップ」なる構成を備える。
　引用発明では，「メモリチップ１１上の各第１パッド２２は，第１ワイヤ１５によってパッケージ基板１上のボンディングパッド１６に接続され，」ているから，引用発明は本願発明の「前記１以上の第２の半導体チップと前記基板とを電気的に接続する１以上の第２の接続部材」なる構成を備える。
　引用発明では，「コントローラチップ１２と第２ワイヤ１７は，封止用部材２４により封止され」，「封止部材２４，複数のメモリチップ１１，第１ワイヤ１５は樹脂２１で覆われている」から，引用発明は本願発明の「第１の接続部材，前記１以上の第２の半導体チップ，および前記１以上の第２の接続部材を封止する第２の封止部材」なる構成を備える。
　　　　　
　以上のことから，本願発明と引用発明とは次の点で一致する。
「基板と，
　前記基板上に配置される，第１の半導体チップと，
　前記第１の半導体チップ上に配置された電極と，
　前記電極と前記基板とを電気的に接続する，ＡｕまたはＣｕを含む第１の接続部材と，
　前記第１の半導体チップ，前記第１の接続部材を封止する第１の封止部材と，
　前記第１の封止部材上に接着される１以上の第２の半導体チップと，
　前記１以上の第２の半導体チップと前記基板とを電気的に接続する１以上の第２の接続部材と，
　前記第１の接続部材，前記１以上の第２の半導体チップ，および前記１以上の第２の接続部材を封止する第２の封止部材とを具備した半導体装置。」
　　　　　
　一方で，両者は次の点で相違する。
［相違点１］
　電極に関して，本願発明では「Ａｌを含む電極」であるのに対して，引用発明ではＡｌを含むかどうかは明確ではない点。
　　　　　
［相違点２］
　本願発明では「基板のコア層およびソルダーレジスト層，および前記第１の封止部材，の樹脂の重量Ｗ０に対する，前記コア層，前記ソルダーレジスト層，および前記第１の封止部材中のＣｌイオンおよびＢｒイオンの合計重量Ｗ１の比が１３．５ｐｐｍ以下であり，前記重量Ｗ０に対する，前記第１の封止部材中のＣｌイオンおよびＢｒイオンの合計重量Ｗ２の比が７．５ｐｐｍ以下である」のに対して，引用発明ではＣｌイオンおよびＢｒイオンについて明確ではない点。
　　　　　
４．判断
　上記相違点について検討する。
［相違点１］について
　半導体チップ上に設けられる電極をＡｌ（アルミニウム）とすることは，例えば特開２０１０−５０４９１号公報（段落【００４６】を参照。パッドが本願発明の「電極」に相当する。），特開２０１１−２９６６４号公報（段落【００４４】を参照。パッドが本願発明の「電極」に相当する。），及び，特開２００９−１５８７５０号公報（段落【００２０】及び図３を参照。パッドが本願発明の「電極」に相当する。）に記載されているように慣用の技術である。
　したがって，引用発明において，第２パッド（電極）を「Ａｌ」とすることにより，本願発明の上記相違点１に係る構成とすることは，当業者が容易になし得たものである。
　　　　　
［相違点２］について
　引用例２には，半導体チップは，プリント配線板に直接チップが実装されるようになっており，半導体パッケージでは，ハロゲンイオンが存在すると耐湿信頼性試験（プレッシャークッカーテスト（ＰＣＴ）など）において回路腐食による接合不良や絶縁不良が出ることが知られていることが記載されている。また，ハロゲンイオン等のイオン性不純物の発生が少ないプリント配線板用途としてのエポキシ樹脂組成物，及び，このプリント配線板用樹脂組成物を用いて，プリプレグ，絶縁基材，絶縁層を形成して作製した多層プリント配線板は，不純物イオン濃度特に塩素イオン濃度を低減することができ，ハロゲンイオン濃度に起因するとされる耐湿信頼性試験において配線層腐食による接合不良や絶縁不良を防ぐことができることが記載されている。（前記引用例２の記載事項２ａ）〜２ｂ）を参照。）
　引用例３には，プリント配線板等に使用される積層板において，Ｃｌ−のイオン等があると電子部品等の回路部材が腐食されることが記載されている。（前記引用例３の記載事項３ａ）〜３ｂ）を参照。）
　引用例４には，電子モジュールに用いられるソルダーレジスト層は，塩素イオン・臭素イオン等のハロゲンイオンなどの不純物イオンを，それぞれ20〜100ｐｐｍ，2〜200ｐｐｍ程度含有しているため，例えば，高温高湿槽中での高加速度試験（ＨＡＳＴ）を行うと，イオンマイグレーションにより配線導体層間の絶縁抵抗が急激に低下し絶縁破壊を起こし，その結果，電子部品モジュールを電気的に短絡させてしまうという問題があったことが記載されている。また，フィルム状の感光性ソルダーレジストの不純物イオン濃度は，塩素イオンが3.0ｐｐｍであることが記載されている。（前記引用例４の記載事項４ａ）〜４ｂ）を参照。）
　引用例５には，ソルダーレジストとして，ＣＬイオンが１０ｐｐｍ以下とすること，イオン不純物が少ないと耐湿信頼性に優れること，及び，ハロゲン原子を含まないとハロゲン原子による回路腐食がなくなることが記載されている。（前記引用例５の記載事項５ａ）〜５ｂ）を参照。）
　引用文献６には，電子部品封止用エポキシ樹脂として，塩素イオン濃度が０〜３ｐｐｍのもの，塩素イオン(Ｃｌ−)は３ｐｐｍより多いと吸湿によって塩素イオン(Ｃｌ−)によるＩＣ配線の腐食が短時間に進む傾向にあり問題が生じること，及び，このようなエポキシ樹脂でＩＣ，ＬＳＩ等の電子部品を封止すれば，耐湿性が良好となることが記載されている。（前記引用例６の記載事項６ａ）〜６ｃ）を参照。）
　引用文献７には，半導体素子の封止樹脂として，塩素イオン濃度が３０ｐｐｍ以下，臭素イオン濃度が１０ｐｐｍ以下のもの，及び，ハロゲン化合物は，高温に放置した場合に塩素イオンや臭素イオン等が遊離し，半導体装置の信頼性を低下させることが記載されている。（前記引用例７の記載事項７ａ）〜７ｃ）を参照。）
　引用文献８には，半導体装置のエポキシ樹脂として，封止材の耐湿信頼性を考慮すると，Ｃｌ−イオンが極力少ないものが好ましく，塩素イオン濃度が５ｐｐｍ以下であるものが好ましいことが記載されている。（前記引用例８の記載事項８ａ）〜８ｂ）を参照。）
　上記引用例２〜８の記載から，半導体パッケージではハロゲンイオン（塩素イオン及び臭素イオン）が存在すると回路腐食による接合不良や絶縁不良が出ることは，技術常識であること，半導体装置において，パッケージとしての配線板用樹脂，ソルダーレジスト及び封止材料として，耐湿製の観点から，ハロゲンイオンが少ないものが望まれていたこと，及び，そのイオンの量として数ｐｐｍ程度のものも検討されていたことが理解される。
　ここで，上記事項の「パッケージとしての配線板用樹脂」は引用発明の「ガラスエポキシ基板３」及び「プリプレグを溶融することにより形成される絶縁膜層６」に相当し，同様に，上記事項の「ソルダーレジスト」は引用発明の「ソルダーレジスト」に，上記事項の「封止材料」は引用発明の「封止用部材２４」及び「樹脂２１」に相当する。
　すると，引用発明において，「ガラスエポキシ基板３」，「プリプレグを溶融することにより形成される絶縁膜層６」，「ソルダーレジスト」及び「封止用部材２４」，すなわち「基板のコア層」，「ソルダーレジスト層」及び「第１の封止部材」における，それぞれのハロゲンイオンとしての塩素イオンと臭素イオンとを，耐湿性の観点から少なくすることは，当業者であれば当然考慮したものといえる。
　そして，基板のコア層，ソルダーレジスト層及び第１の封止部材中の，各々のＣｌイオンおよびＢｒイオンを少なくすれば，「基板のコア層およびソルダーレジスト層，および前記第１の封止部材，の樹脂の重量Ｗ０」に対する，「コア層，前記ソルダーレジスト層，および前記第１の封止部材中のＣｌイオンおよびＢｒイオンの合計重量Ｗ１の比」及び「第１の封止部材中のＣｌイオンおよびＢｒイオンの合計重量Ｗ２の比」についても，同様に少なくなることから，本願発明のように，比較対象として，基板のコア層，ソルダーレジスト層及び第１の封止部材の樹脂の重量Ｗ０を用い，これに対するＷ１及びＷ２の比で特定することは，設計事項に過ぎない。
　また，従来からイオンの量として数ｐｐｍ程度とすることも検討されており，イオンの量が少ないにこしたことはないから，重量Ｗ０に対するＷ１の比，及び，重量Ｗ０に対するＷ２の比として，本願発明が「１３．５ｐｐｍ以下」及び「７．５ｐｐｍ以下」とした点は，設計事項である。
　したがって，引用発明において，本願発明の上記相違点２に係る構成とすることは，当業者が容易になし得たものといえる。
　　　　　　
　そして，本願発明により得られる作用効果も，引用発明及び引用文献２〜８記載の事項及び慣用の技術から当業者であれば予測できる程度のものであって，格別のものとはいえない。 
　以上のことから，本願発明は，引用発明及び引用文献２〜８記載の事項及び慣用の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。  
　　　　　
５．むすび  
　以上のとおり，本願発明（請求項２に係る発明）は，引用発明及び引用文献２〜８記載の事項及び慣用の技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，本願は拒絶されるべきものである。 
　よって，結論のとおり審決する。