(57)【要約】【課題】感知素子の検査動作を容易とし、感知素子を内蔵した表示装置の不良率を減らす。【解決手段】本発明の表示装置は、複数の第１及び第２表示信号線と、第１及び第２表示信号線の夫々に各々接続される複数の画素と、所定個数の隣接した画素列及び画素行毎に１つずつ形成され第１及び第２表示信号線の夫々に平行な第１及び第２感知信号線と、第１及び第２検査信号を夫々伝達する第１及び第２検査線と、第１及び第２検査線と第１感知信号線に接続される第１スイッチング素子と、第１スイッチング素子、第２検査線及び所定個数の第１表示信号線に接続される複数の第２スイッチング素子と、第３及び第４検査信号を夫々伝達する第３及び第４検査線と、第３検査線、第４検査線及び第２感知信号線に接続される第３スイッチング素子と、第３スイッチング素子、第４検査線及び所定個数の第２表示信号線に接続される複数の第４スイッチング素子と、を有する。【選択図】図７
2007226228.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１表示信号線と、
前記第１表示信号線と交差する複数の第２表示信号線と、
前記第１表示信号線のうちの１つと前記第２表示信号線のうちの１つとに各々接続される複数の画素と、
所定個数の隣接した画素列ごとに１つずつ形成され、前記第１表示信号線に平行な複数の第１感知信号線と、
所定個数の隣接した画素行ごとに１つずつ形成され、前記第２表示信号線に平行な複数の第２感知信号線と、
前記第１感知信号線に接続される複数の第１感知部と、
前記第２感知信号線に接続される複数の第２感知部と、
前記各第１感知信号線と当該第１感知信号線に隣接した所定個数の第１表示信号線（以下、第１表示信号線群という）に接続されており、第１及び第２検査信号が印加され、前記第１感知部の状態によって前記画素の輝度状態を変化させて、前記第１感知部の状態を検査する複数の第１検査回路と、
前記各第２感知信号線と当該第２感知信号線に隣接した所定個数の第２表示信号線（以下、第２表示信号線群という）に接続されており、第３及び第４検査信号が印加され、前記第２感知部の状態によって前記画素の動作の有無が決定されて、前記第２感知部の状態を検査する複数の第２検査回路と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記第１検査回路の各々は、第１表示信号線群に各々接続されており、前記第２検査信号によって動作状態が変わる複数の第２スイッチング素子と、該複数の第２スイッチング素子と第１感知信号線に接続されており、前記第２検査信号によって動作し、第１検査信号の電圧を前記第１表示信号線群に接続された画素に印加する第１スイッチング素子と、を有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第２検査回路の各々は、第２表示信号線群に各々接続されており、前記第４検査信号によって動作状態が変わる複数の第４スイッチング素子と、該複数の第４スイッチング素子と第２感知信号線に接続されており、前記第４検査信号によって動作し、第３検査信号の電圧を前記第２表示信号線群に接続された画素に印加する第３スイッチング素子と、を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２及び第４検査信号は、ゲートオン電圧であることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１検査信号は、ブラック階調を示すデータ電圧であることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第３検査信号はゲートオン電圧であることを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項７】
前記第１及び第２検査回路は、周縁領域に形成されることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項８】
前記感知部は圧力センサーであることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項９】
複数の第１表示信号線と、
前記第１表示信号線と交差する複数の第２表示信号線と、
前記第１表示信号線のうちの１つと前記第２表示信号線のうちの１つとに各々接続される複数の画素と、
所定個数の隣接した画素列ごとに１つずつ形成され、前記第１表示信号線に平行な第１感知信号線と、
所定個数の隣接した画素行ごとに１つずつ形成され、前記第２表示信号線に平行な第２感知信号線と、
前記画素と離隔し、第１検査信号を伝達する第１検査線と、
前記第１検査線と離隔し、第２検査信号を伝達する第２検査線と、
前記第１検査線、前記第２検査線、及び前記第１感知信号線に接続される第１スイッチング素子と、
前記第１スイッチング素子、前記第２検査線、及び前記第１感知信号線に隣接した所定個数の第１表示信号線に接続される複数の第２スイッチング素子と、
前記画素と離隔し、第３検査信号を伝達する第３検査線と、
前記第３検査線と離隔し、第４検査信号を伝達する第４検査線と、
前記第３検査線、前記第４検査線、及び前記第２感知信号線に接続される第３スイッチング素子と、
前記第３スイッチング素子、前記第４検査線、及び前記第２感知信号線に隣接した所定個数の第２表示信号線に接続される複数の第４スイッチング素子と、を有することを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
前記第１及び第２感知信号線に各々接続された感知部をさらに有することを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記感知部は圧力センサーであることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
複数の第１表示信号線と、複数の第２表示信号線と、前記第１表示信号線のうちの１つと前記第２表示信号線のうちの１つとに各々接続される複数の画素と、所定個数の隣接した画素列ごとに１つずつ形成され、前記第１表示信号線に平行な少なくとも１つの第１感知信号線と、所定個数の隣接した画素行ごとに１つずつ形成され、前記第２表示信号線に平行な少なくとも１つの第２感知信号線と、第１検査線と、第２検査線と、前記第１検査線に入力端子が接続されており、前記第２検査線に制御端子が接続されており、前記第１感知信号線に出力端子が接続される第１スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子に入力端子が接続されており、前記第２検査線に制御端子が接続されており、前記第１感知信号線に隣接した所定個数の第１表示信号線に各々出力端子が接続される複数の第２スイッチング素子と、第３検査線と、第４検査線と、前記第３検査線に入力端子が接続されており、前記第４検査線に制御端子が接続されており、前記第２感知信号線に出力端子が接続される第３スイッチング素子と、前記第３スイッチング素子に入力端子が接続されており、前記第４検査線に制御端子が接続されており、前記第２感知信号線に隣接した所定個数の第２表示信号線に各々出力端子が接続される複数の第４スイッチング素子と、を備える表示装置の感知部検査方法であって、
第１検査線に第１の大きさの第１検査信号を印加し、前記第２検査線に第２の大きさの第２検査信号を印加して前記第１〜第２スイッチング素子をターンオンさせることによって前記画素に第１検査信号を印加する段階と、
前記第２検査信号の状態を前記第２の大きさより低い第３の大きさに変換する段階と、
第３検査線に第４の大きさの第３検査信号を印加し、前記第４検査線に前記第２の大きさの第４検査信号を印加して前記第３〜第４スイッチング素子をターンオンさせることによって前記画素に第４検査信号を印加する段階と、
前記第４検査信号の状態を前記第２の大きさから前記第３の大きさに変換する段階と、を有することを特徴とする感知部検査方法。
【請求項１３】
前記第２の大きさがゲートオン電圧の大きさと等しいことを特徴とする請求項１２に記載の感知部検査方法。
【請求項１４】
前記第３の大きさがゲートオフ電圧の大きさと等しいことを特徴とする請求項１３に記載の感知部検査方法。
【請求項１５】
前記第１の大きさがブラック階調を示すデータ電圧の大きさと等しいことを特徴とする請求項１４に記載の感知部検査方法。
【請求項１６】
前記第４の大きさがゲートオン電圧の大きさと等しいことを特徴とする請求項１４に記載の感知部検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及びその感知部検査方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示装置の代表的なものとして液晶表示装置（ＬＣＤ）は、画素電極及び共通電極が備えられた２つの表示板と、その間に挟持された誘電率異方性を有する液晶層とを有している。画素電極は、行列状に配列され、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等のスイッチング素子に接続されて１行ずつ順次に画像データ電圧の印加を受ける。共通電極は表示板の全面に形成されて共通電圧の印加を受ける。画素電極と共通電極及びその間の液晶層は回路的に見れば液晶キャパシタを構成し、液晶キャパシタはこれに接続されたスイッチング素子と共に画素を構成する基本単位となる。
【０００３】
このような液晶表示装置では、２つの電極に電圧を印加して液晶層に電界を生成し、この電界の強さを調節して液晶層を通過する光の透過率を調節することによって所望の画像を得る。
【０００４】
タッチスクリーンパネルは、画面上に指先やタッチペン等で触れて文字や図形を描いたり、アイコンを実行させてコンピュータ等の機械に必要な命令を実行させたりする装置を言う。タッチスクリーンパネルが付着された液晶表示装置は、使用者の指先やタッチペン等が画面に触れたかどうか、及び触れた位置情報を感知することができる。なお、このような液晶表示装置に内蔵された感知素子やこれらに接続される信号線等を検査するためにＶＩ（ｖｉｓｕａｌ  ｉｎｓｐｅｃｔｉｏｎ）検査が行われる。このように、従来は別途の検査装置を利用する必要があることから、検査費用が増加し、検査動作が複雑であるという問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
そこで、本発明は上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、感知素子の検査動作を容易とする表示装置及びその感知部検査方法を提供することにある。また、本発明の目的は、感知素子を内蔵した表示装置の不良率を減らすことができる表示装置及びその感知部検査方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためになされた本発明の一特徴による表示装置は、複数の第１表示信号線と、前記第１表示信号線と交差する複数の第２表示信号線と、前記第１表示信号線のうちの１つと前記第２表示信号線のうちの１つとに各々接続される複数の画素と、所定個数の隣接した画素列ごとに１つずつ形成され、前記第１表示信号線に平行な複数の第１感知信号線と、所定個数の隣接した画素行ごとに１つずつ形成され、前記第２表示信号線に平行な複数の第２感知信号線と、前記第１感知信号線に接続される複数の第１感知部と、前記第２感知信号線に接続される複数の第２感知部と、前記各第１感知信号線と当該第１感知信号線に隣接した所定個数の第１表示信号線（以下、第１表示信号線群という）に接続されており、第１及び第２検査信号が印加され、前記第１感知部の状態によって前記画素の輝度状態を変化させて、前記第１感知部の状態を検査する複数の第１検査回路と、前記各第２感知信号線と当該第２感知信号線に隣接した所定個数の第２表示信号線（以下、第２表示信号線群という）に接続されており、第３及び第４検査信号が印加され、前記第２感知部の状態によって前記画素の動作の有無が決定されて、前記第２感知部の状態を検査する複数の第２検査回路と、を有する。
【０００７】
前記第１検査回路の各々は、第１表示信号線群に各々接続されており、前記第２検査信号によって動作状態が変わる複数の第２スイッチング素子と、該複数の第２スイッチング素子と第１感知信号線に接続されており、前記第２検査信号によって動作し、第１検査信号の電圧を前記第１表示信号線群に接続された画素に印加する第１スイッチング素子と、を有してもよい。
前記第２検査回路の各々は、第２表示信号線群に各々接続されており、前記第４検査信号によって動作状態が変わる複数の第４スイッチング素子と、該複数の第４スイッチング素子と第２感知信号線に接続されており、前記第４検査信号によって動作し、第３検査信号の電圧を前記第２表示信号線群に接続された画素に印加する第３スイッチング素子と、を有してもよい。
前記第２及び第４検査信号はゲートオン電圧であってもよく、前記第１検査信号はブラック階調を示すデータ電圧であってもよい。
前記第３検査信号はゲートオン電圧であってもよい。
前記第１及び第２検査回路は周縁領域に形成されることが好ましい。
前記感知部は圧力センサーであることが好ましい。
【０００８】
また、上記目的を達成するためになされた本発明の他の特徴による表示装置は、複数の第１表示信号線と、前記第１表示信号線と交差する複数の第２表示信号線と、前記第１表示信号線のうちの１つと前記第２表示信号線のうちの１つとに各々接続される複数の画素と、所定個数の隣接した画素列ごとに１つずつ形成され、前記第１表示信号線に平行な第１感知信号線と、所定個数の隣接した画素行ごとに１つずつ形成され、前記第２表示信号線に平行な第２感知信号線と、前記画素と離隔して第１検査信号を伝達する第１検査線と、前記第１検査線と離隔して第２検査信号を伝達する第２検査線と、前記第１検査線、前記第２検査線、及び前記第１感知信号線に接続される第１スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子、前記第２検査線、及び前記第１感知信号線に隣接した所定個数の第１表示信号線に接続される複数の第２スイッチング素子と、前記画素と離隔して第３検査信号を伝達する第３検査線と、前記第３検査線と離隔して第４検査信号を伝達する第４検査線と、前記第３検査線、前記第４検査線、及び前記第２感知信号線に接続される第３スイッチング素子と、前記第３スイッチング素子、前記第４検査線、及び前記第２感知信号線に隣接した所定個数の第２表示信号線に接続される複数の第４スイッチング素子と、を有する。
前記第１及び第２感知信号線に各々接続された感知部をさらに有してもよく、このとき、感知部は圧力センサーであることが好ましい。
【０００９】
上記目的を達成するためになされた本発明の一特徴による感知部検査方法は、複数の第１表示信号線と、複数の第２表示信号線と、前記第１表示信号線のうちの１つと前記第２表示信号線のうちの１つとに各々接続される複数の画素と、所定個数の隣接した画素列ごとに１つずつ形成され、前記第１表示信号線に平行な少なくとも１つの第１感知信号線と、所定個数の隣接した画素行ごとに１つずつ形成され、前記第２表示信号線に平行な少なくとも１つの第２感知信号線と、第１検査線と、第２検査線と、前記第１検査線に入力端子が接続され、前記第２検査線に制御端子が接続され、前記第１感知信号線に出力端子が接続される第１スイッチング素子と、前記第１スイッチング素子に入力端子が接続され、前記第２検査線に制御端子が接続され、前記第１感知信号線に隣接した所定個数の第１表示信号線に各々出力端子が接続される複数の第２スイッチング素子と、第３検査線と、第４検査線と、前記第３検査線に入力端子が接続され、前記第４検査線に制御端子が接続され、前記第２感知信号線に出力端子が接続される第３スイッチング素子と、前記第３スイッチング素子に入力端子が接続され、前記第４検査線に制御端子が接続され、前記第２感知信号線に隣接した所定個数の第２表示信号線に各々出力端子が接続される複数の第４スイッチング素子と、を備える表示装置の感知部検査方法であって、第１検査線に第１の大きさの第１検査信号を印加し、前記第２検査線に第２の大きさの第２検査信号を印加して、前記第１〜第２スイッチング素子を導通させることによって、前記画素に第１検査信号を印加する段階と、前記第２検査信号の状態を前記第２の大きさより低い第３の大きさに変える段階と、第３検査線に第４の大きさの第３検査信号を印加し、前記第４検査線に前記第２の大きさの第４検査信号を印加して、前記第３〜第４スイッチング素子を導通させることによって、前記画素に第４検査信号を印加する段階と、前記第４検査信号の状態を前記第２の大きさから前記第３の大きさに変える段階と、を有する。
前記第２の大きさはゲートオン電圧の大きさと等しくてもよい。
前記第３の大きさはゲートオフ電圧の大きさと等しくてもよい。
前記第１の大きさはブラック階調を示すデータ電圧の大きさと等しくてもよいし、前記第４の大きさはゲートオン電圧の大きさと等しくてもよい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明による表示装置及びその感知部検査方法によれば、表示装置の表示部を用いて内蔵された感知部の検査結果を確認する。このように、検査結果を確認するための別途の装備が不要であることから、検査動作が容易であり、検査効率が向上する。また、検査費用が節減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
以下、本発明による表示装置及びその感知部検査方法を実施するための最良の形態の具体例を、添付した図面を参照しながら説明する。しかしながら、本発明は、多様な形態で実現することができ、ここで説明する実施形態に限定されない。
図面は、各種層及び領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示している。明細書全体を通じて類似した部分については同一の参照符号を付けている。層、膜、領域、板等の部分が、他の部分の「上に」あるとするとき、これは他の部分の「すぐ上に」ある場合に限らず、その中間に更に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の「すぐ上に」あるとするとき、これは中間に他の部分がない場合を意味する。
【００１２】
まず、本発明の表示装置の一実施例として、液晶表示装置について図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の一実施例による液晶表示装置のブロック図で、画素観点から示した液晶表示装置のブロック図であり、図２は、本発明の一実施例による液晶表示装置の１つの画素に対する等価回路図である。図３は、本発明の一実施例による液晶表示装置のブロック図で、感知部観点から示した液晶表示装置のブロック図である。図４は、本発明の一実施例による液晶表示装置の１つの感知部に対する等価回路図であり、図５は、本発明の一実施例による圧力感知部の断面を概略的に示した図である。また、図６は、本発明の一実施例による液晶表示装置の概略図である。
【００１３】
図１及び図３に示すように、本発明の一実施例による液晶表示装置は、液晶表示板組立体３００及びこれに接続された画像走査部４００、画像データ駆動部５００及び感知信号処理部８００、画像データ駆動部５００に接続された階調電圧生成部５５０、感知信号処理部８００に接続された接触判断部７００、並びにこれらを制御する信号制御部６００を有している。
【００１４】
図１〜図４に示す液晶表示板組立体３００は、複数の表示信号線（Ｇ１−Ｇｎ、Ｄ１−Ｄｍ）とこれに接続されてほぼ行列状に配列された複数の画素（ＰＸ）、複数の感知信号線（ＳＹ１−ＳＹＮ、ＳＸ１−ＳＸＭ）とこれに接続されてほぼ行列状に配列された複数の感知部（ＳＵ）を有している。一方、図２に示すように、液晶表示板組立体３００は、互いに対向する薄膜トランジスタ表示板１００及び共通電極表示板２００とその間に挟持された液晶層３、薄膜トランジスタ表示板１００及び共通電極表示板２００の２つの表示板の間に間隙を形成し、ある程度圧縮変形される柱状間隔材（図示せず）を有している。
【００１５】
表示信号線（Ｇ１−Ｇｎ、Ｄ１−Ｄｍ）は、画像走査信号を伝達する複数の画像走査線（Ｇ１−Ｇｎ）と画像データ信号を伝達する画像データ線（Ｄ１−Ｄｍ）を有し、感知信号線（ＳＹ１−ＳＹＮ、ＳＸ１−ＳＸＭ）は、感知データ信号を伝達する複数の横感知データ線（ＳＹ１−ＳＹＮ）及び複数の縦感知データ線（ＳＸ１−ＳＸＭ）を有している。
画像走査線（Ｇ１−Ｇｎ）及び横感知データ線（ＳＹ１−ＳＹＮ）はほぼ行方向に延在し、互いにほぼ平行であり、画像データ線（Ｄ１−Ｄｍ）及び縦感知データ線（ＳＸ１−ＳＸＭ）はほぼ列方向に延在し、互いにほぼ平行である。
【００１６】
各画素（ＰＸ）は、例えばｉ番目（ｉ＝１、２、…、ｎ）画像走査線（Ｇｉ）とｊ番目（ｊ＝１、２、…、ｍ）画像データ線（Ｄｊ）に接続されたスイッチング素子（Ｑ）とこれに接続された液晶キャパシタ（Ｃｌｃ）及びストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）を含む。ストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）は必要に応じて省略してもよい。
【００１７】
スイッチング素子（Ｑ）は、薄膜トランジスタ表示板１００に備えられた薄膜トランジスタ等の三端子素子であって、その制御端子は画像走査線（Ｇｊ）と接続されており、入力端子は画像データ線（Ｄｊ）と接続されており、出力端子は液晶キャパシタ（Ｃｌｃ）及びストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）と接続されている。このとき、薄膜トランジスタは非晶質シリコンまたは多結晶シリコンからなる。
【００１８】
液晶キャパシタ（Ｃｌｃ）は、薄膜トランジスタ表示板１００の画素電極１９１と共通電極表示板２００の共通電極２７０を２つの端子とし、画素電極１９１及び共通電極２７０の２つの電極間の液晶層３は誘電体として機能する。画素電極１９１はスイッチング素子（Ｑ）に接続され、共通電極２７０は共通電極表示板２００の全面に形成されて共通電圧（Ｖｃｏｍ）の印加を受ける。図２とは異なり、共通電極２７０が薄膜トランジスタ表示板１００に具備される場合もあり、このとき、２つの電極１９１、２７０のうちの少なくとも１つを線状または棒状に形成してもよい。
【００１９】
液晶キャパシタ（Ｃｌｃ）の補助的な役割をするストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）は、薄膜トランジスタ表示板１００に具備された別個の信号線（図示せず）と画素電極１９１が絶縁体を介在して重なって構成されており、この別個の信号線には共通電圧（Ｖｃｏｍ）等の定められた電圧が印加される。しかし、ストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）は画素電極１９１が絶縁体を媒介としてすぐ上の前段画像走査線と重なって構成されるようにすることもできる。
【００２０】
一方、色表示を実現するためには各画素（ＰＸ）が基本色のうちの１つを固有に表示したり（空間分割）、各画素（ＰＸ）が時間によって交互に基本色を表示したり（時間分割）することによって、これら基本色の空間的、時間的な作用で所望の色相が認識されるようにする。基本色の例としては、赤色、緑色、青色等の三原色がある。図２は、空間分割の一例であって、各画素（ＰＸ）が画素電極１９１に対応する共通電極表示板２００の領域に基本色のうちの１つを示すカラーフィルタ２３０を備えている。図２とは異なり、カラーフィルタ２３０を薄膜トランジスタ表示板１００の画素電極１９１の上または下に形成してもよい。
【００２１】
液晶表示板組立体３００の外側面には光を偏光させる少なくとも１つの偏光子（図示せず）が付着されている。感知部（ＳＵ）は図４及び図５に示した構造を有してもよい。
図４及び図５に示す感知部（ＳＵ）は、符号ＳＬで表示する横または縦感知データ線（以下、感知データ線という）に接続されるスイッチ（ＳＷＴ）を有する圧力感知部である。スイッチ（ＳＷＴ）は共通電極表示板２００の共通電極２７０と薄膜トランジスタ表示板１００の感知データ線（ＳＬ）を２つの端子とし、２つの端子の少なくとも１つは突出し、使用者のタッチ（押圧）によって２つの端子が物理的、電気的に接続される。これにより、共通電極２７０からの共通電圧（Ｖｃｏｍ）が感知データ信号として感知データ線（ＳＬ）に出力される。
【００２２】
このような圧力感知部（ＳＵ）の断面構造を、図５を参照して詳細に説明する。
図５に示すように、下部表示板である薄膜トランジスタ表示板１００には透明なガラスまたはプラスチック等からなる絶縁基板１１０上に画像走査線（Ｇ１−Ｇｍ）及び横感知データ線（ＳＹ１−ＳＹＮ）、画像データ線（Ｄ１−Ｄｍ）及び縦感知データ線（ＳＸ１−ＳＸＭ）、ならびにスイッチング素子（Ｑ）等が形成される画素層１２０が形成されており、その上に横及び縦感知データ線（ＳＹ１−ＳＹＮ、ＳＸ１−ＳＸＭ）に接続される複数の接触部材１３０が形成される。画素電極１９１は接触部材１３０と共に形成される。接触部材１３０は、ＩＴＯまたはＩＺＯ等の透明な導電体からなることができる。
【００２３】
薄膜トランジスタ表示板１００と対向する上部表示板である共通電極表示板２００には透明なガラスまたはプラスチック等からなる絶縁基板２１０上に遮光部材、複数のカラーフィルタ、及び蓋膜（ｏｖｅｒｃｏａｔ）等が形成されるカラーフィルタ層２４０が形成される。このとき、蓋膜は複数の感知用突出部２４５を含む。
【００２４】
感知用突出部２４５は、薄膜トランジスタ表示板１００の画素層１２０に形成される横及び縦感知データ線（ＳＹ１−ＳＹＮ、ＳＸ１−ＳＸＭ）に対応するように形成される。
カラーフィルタ層２４０上には共通電極２７０が形成される。共通電極２７０には共通電圧（Ｖｃｏｍ）が印加される。
【００２５】
共通電極２７０上には感光性物質からなる複数の柱状間隔材３２０が形成される。柱状間隔材３２０は、液晶表示板組立体３００に均一に散布されており、薄膜トランジスタ表示板１００と共通電極表示板２００を支持して両者間に間隙を作る。薄膜トランジスタ表示板１００及び共通電極表示板２００の２つの表示板は柱状間隔材（コラムスペーサ）３２０の代りにビーズスペーサ（ｂｅａｄｓ  ｓｐａｃｅｒ）（図示せず）によって支持されてもよい。
【００２６】
薄膜トランジスタ表示板１００及び共通電極表示板２００の内側面上には液晶層を配向するための配向膜（図示せず）が塗布されており、薄膜トランジスタ表示板１００及び共通電極表示板２００の外側面には１つ以上の偏光子（図示せず）が備えられている。
また、液晶表示装置は、薄膜トランジスタ表示板１００と共通電極表示板２００を結合する封止材（ｓｅａｌａｎｔ）（図示せず）をさらに有することができる。封止材は共通電極表示板２００の周縁に位置している。
【００２７】
感知用突出部２４５を取り囲む共通電極２７０と画素層１２０に形成された横及び縦感知データ線（ＳＹ１−ＳＹＮ、ＳＸ１−ＳＸＭ）に接続された接触部材１３０は、図４のようにスイッチ（ＳＷＴ）を構成する。
これより、横感知データ線（ＳＹ１−ＳＹＮ）を介して流れる感知データ信号を分析して接触点のＹ座標を判断することができるし、縦感知データ線（ＳＸ１−ＳＸＭ）を介して流れる感知データ信号を分析して接触点のＸ座標を判断することができる。
【００２８】
圧力感知部（ＳＵ）は、隣接した２つの画素（ＰＸ）の間に配置される。横及び縦感知データ線（ＳＹ１−ＳＹＮ、ＳＸ１−ＳＸＭ）にそれぞれ接続されており、これらが交差する領域に隣接して配置された一対の感知部（ＳＵ）の密度は、例えば、ドット（ｄｏｔ）密度の約１／４とすることができる。ここで１つのドットは、例えば、並んで配列されており、赤色、緑色、青色等の三原色を表示する３つの画素（ＰＸ）を含み、１つの色相を表示し、液晶表示装置の解像度を示す基本単位になる。しかし、１つのドットは４つ以上の画素（ＰＸ）からなることもでき、この場合、各画素（ＰＸ）は三原色と白色（ｗｈｉｔｅ）のうちの１つを表示することができる。
【００２９】
一対の感知部（ＳＵ）密度がドット密度の１／４である例として、一対の感知部（ＳＵ）の横及び縦解像度が各々液晶表示装置の横及び縦解像度の１／２である場合が挙げられる。この場合、感知部（ＳＵ）の無い画素行及び画素列も存在することができる。
感知部（ＳＵ）密度とドット密度をこの程度に合わせても、文字認識のような高精密度が要求される応用分野においてもこのような液晶表示装置を適用することができる。もちろん感知部（ＳＵ）の解像度は、必要に応じてより高くしたり、低くしたりすることも可能である。
【００３０】
再び図１及び図３を参照して説明すると、階調電圧生成部５５０は、画素の透過率に関連する２組の階調電圧集合（または基準階調電圧集合）を生成する。２組のうちの１組は共通電圧（Ｖｃｏｍ）に対してプラス値を有し、もう１組はマイナス値を有する。
【００３１】
画像走査部４００は、液晶表示板組立体３００の画像走査線（Ｇ１−Ｇｎ）に接続され、スイッチング素子（Ｑ）をターンオンさせるゲートオン電圧（Ｖｏｎ）とターンオフさせるゲートオフ電圧（Ｖｏｆｆ）との組み合わせからなる画像走査信号を画像走査線（Ｇ１−Ｇｎ）に印加する。
【００３２】
画像データ駆動部５００は、液晶表示板組立体３００の画像データ線（Ｄ１−Ｄｍ）に接続されており、階調電圧生成部５５０からの階調電圧を選択し、これを画像データ信号として画像データ線（Ｄ１−Ｄｍ）に印加する。しかし、階調電圧生成部５５０が全階調に対する電圧を全て提供するのではなく、所定数の基準階調電圧のみを提供する場合もあり、この場合、画像データ駆動部５００は、基準階調電圧を分圧して全階調に対する階調電圧を生成し、この中から画像データ信号を選択する。
【００３３】
感知信号処理部８００は、液晶表示板組立体３００の感知データ線（ＳＹ１−ＳＹＮ、ＳＸ１−ＳＸＭ）に接続され、感知データ線（ＳＹ１−ＳＹＮ、ＳＸ１−ＳＸＭ）を介して出力される感知データ信号を受信して信号処理を行い、デジタル感知信号（ＤＳＮ）を生成する。
【００３４】
接触判断部７００は、ＣＰＵ等で構成することができ、感知信号処理部８００からデジタル感知信号（ＤＳＮ）を受信して圧力感知部（ＳＵ）の接触の有無及び接触位置を判断する。信号制御部６００は、画像走査部４００、画像データ駆動部５００、階調電圧生成部５５０、及び感知信号処理部８００等の動作を制御する。
【００３５】
このような画像走査部４００、画像データ駆動部５００、階調電圧生成部５５０、信号制御部６００、接触判断部７００、及び感知信号処理部８００の駆動装置の各々は、少なくとも１つの集積回路チップの形態で液晶表示板組立体３００上に直接装着でき、フレキシブル印刷回路フィルム（図示せず）上に装着されてＴＣＰ（ｔａｐｅ  ｃａｒｒｉｅｒ  ｐａｃｋａｇｅ）の形態で液晶表示板組立体３００に付着されるようにすることもでき、別途の印刷回路基板（図示せず）上に装着されるようにすることもできる。これと異なり、これらの駆動装置４００、５００、５５０、６００、７００、８００を信号線（Ｇ１−Ｇｎ、Ｄ１−Ｄｍ、ＳＹ１−ＳＹＮ、ＳＸ１−ＳＸＭ）及び薄膜トランジスタ（Ｑ）等と共に液晶表示板組立体３００に集積することもできる。
【００３６】
図６に示すように、液晶表示板組立体３００は、表示領域（Ｐ１）、周縁領域（Ｐ２）、及び露出領域（Ｐ３）に分けることができる。表示領域（Ｐ１）には、画素（ＰＸ）、感知部（ＳＵ）、及び信号線（Ｇ１−Ｇｎ、Ｄ１−Ｄｍ、ＳＹ１−ＳＹＮ、ＳＸ１−ＳＸＭ）のほとんどが位置している。共通電極表示板２００のカラーフィルタ層２４０に形成された遮光部材（図示せず）は、周縁領域（Ｐ２）のほとんどを覆い、外部からの光を遮断する。共通電極表示板２００は、薄膜トランジスタ表示板１００より大きさが小さくて薄膜トランジスタ表示板１００の一部が露出して露出領域（Ｐ３）を構成し、露出領域（Ｐ３）には単一チップ６１０が実装され、ＦＰＣ基板６２０が付着される。
【００３７】
単一チップ６１０は、液晶表示装置を駆動するための駆動装置、つまり、画像走査部４００、画像データ駆動部５００、階調電圧生成部５５０、信号制御部６００、接触判断部７００、並びに感知信号処理部８００を有する。このような駆動装置４００、５００、５５０、６００、７００、８００を単一チップ６１０の中に集積することによって実装面積を減らすことができ、消費電力も低くすることができる。もちろん必要に応じて、これらの少なくとも１つ、またはこれらをなす少なくとも１つの回路素子が単一チップ６１０の外側に位置してもよい。
【００３８】
画像信号線（Ｇ１−Ｇｎ、Ｄ１−Ｄｍ）及び感知データ線（ＳＹ１−ＳＹＮ、ＳＸ１−ＳＸＭ）は、露出領域（Ｐ３）まで延在して該当する駆動装置４００、５００、８００と接続される。
【００３９】
ＦＰＣ基板６２０は、外部装置から信号を受信して単一チップ６１０または液晶表示板組立体３００に伝達し、外部装置との接続を容易にするために、通常、端部がコネクタ（図示せず）で形成されている。
【００４０】
次に、このような液晶表示装置の表示動作及び感知動作についてさらに詳細に説明する。
信号制御部６００は、外部装置（図示せず）から入力画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）及びその表示を制御する入力制御信号を受信する。入力画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、各画素（ＰＸ）の輝度情報を含んでおり、輝度は所定数、例えば、１０２４（＝２１０）、２５６（＝２８）、または６４（＝２６）個の階調（ｇｒａｙ）を有している。入力制御信号の例としては、垂直同期信号（Ｖｓｙｎｃ）と水平同期信号（Ｈｓｙｎｃ）、メインクロック（ＭＣＬＫ）、データイネーブル信号（ＤＥ）等がある。
【００４１】
信号制御部６００は、入力画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）と入力制御信号に基づいて入力画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を液晶表示板組立体３００及び画像データ駆動部５００の動作条件に合うように適宜処理し、画像走査制御信号（ＣＯＮＴ１）及び画像データ制御信号（ＣＯＮＴ２）等を生成した後、画像走査制御信号（ＣＯＮＴ１）を画像走査部４００に送出し、画像データ制御信号（ＣＯＮＴ２）と処理した画像信号（ＤＡＴ）を画像データ駆動部５００に送出する。
【００４２】
画像走査制御信号（ＣＯＮＴ１）は、走査開始を指示する走査開始信号（ＳＴＶ）とゲートオン電圧（Ｖｏｎ）の出力を制御する少なくとも１つのクロック信号を含む。また、画像走査制御信号（ＣＯＮＴ１）は、ゲートオン電圧（Ｖｏｎ）の持続時間を限定する出力イネーブル信号（ＯＥ）をさらに含むことができる。
【００４３】
画像データ制御信号（ＣＯＮＴ２）は、画像信号（ＤＡＴ）の１つの画素行の画像データ信号の伝送開始を知らせる水平同期開始信号（ＳＴＨ）と、画像データ線（Ｄ１−Ｄｍ）に画像データ信号の印加を指示するロード信号（ＬＯＡＤ）、及びデータクロック信号（ＨＣＬＫ）を含む。また、画像データ制御信号（ＣＯＮＴ２）は、共通電圧（Ｖｃｏｍ）に対する画像データ信号の電圧極性（以下、共通電圧に対する画像データ信号の電圧極性を画像データ信号の極性と略称する）を反転させる反転信号（ＲＶＳ）をさらに含むことができる。
【００４４】
信号制御部６００からの画像データ制御信号（ＣＯＮＴ２）に従って、画像データ駆動部５００は、画像信号（ＤＡＴ）の１つの画素行の画素（ＰＸ）に対するデジタル画像信号を受信し、各デジタル画像信号に対応する階調電圧を選択することによってデジタル画像信号をアナログ画像データ信号に変換してから、これを当該画像データ線（Ｄ１−Ｄｍ）に印加する。
【００４５】
画像走査部４００は、信号制御部６００からの画像走査制御信号（ＣＯＮＴ１）に従ってゲートオン電圧（Ｖｏｎ）を画像走査線（Ｇ１−Ｇｎ）に印加し、この画像走査線（Ｇ１−Ｇｎ）に接続されたスイッチング素子（Ｑ）をターンオンする。すると、画像データ線（Ｄ１−Ｄｍ）に印加された画像データ信号がターンオンされたスイッチング素子（Ｑ）を介して当該画素（ＰＸ）に印加される。
【００４６】
画素（ＰＸ）に印加された画像データ信号の電圧と共通電圧（Ｖｃｏｍ）の差は液晶キャパシタ（Ｃｌｃ）の充電電圧、つまり、画素電圧として現れる。液晶分子は、画素電圧の大きさに応じてその配列が異なっており、このため液晶層３を通過する光の偏光が変化する。このような偏光の変化は、液晶表示板組立体３００に付着された偏光子によって光透過率の変化として現れ、これによって所望の画像を表示することができる。
【００４７】
１水平周期（１Ｈともいい、水平同期信号Ｈｓｙｎｃ及びデータイネーブル信号ＤＥの一周期と等しい）を単位としてこのような過程を繰り返すことによって、全体画像走査線（Ｇ１−Ｇｎ）に対して順次にゲートオン電圧（Ｖｏｎ）を印加し、全体画素（ＰＸ）に画像データ信号を印加して１フレーム（ｆｒａｍｅ）の画像を表示する。
【００４８】
１フレームが終了すれば次のフレームが開始され、各画素（ＰＸ）に印加される画像データ信号の極性が直前フレームでの極性と逆になるように、画像データ駆動部５００に印加される反転信号（ＲＶＳ）の状態が制御される（フレーム反転）。このとき、１フレーム内でも反転信号（ＲＶＳ）の特性に応じて１つの画像データ線を介して流れる画像データ信号の極性が変わったり（行反転、ドット反転）、１つの画素行に印加される画像データ信号の極性も互いに異なったり（列反転、ドット反転）することができる。
【００４９】
感知信号処理部８００は、感知データ線（ＳＹ１−ＳＹＮ、ＳＸ１−ＳＸＭ）を介して流れる感知データ信号を変換し、感知データ線（ＳＹ１−ＳＹＮ、ＳＸ１−ＳＸＭ）に接続された圧力感知部（ＳＵ）のＸ軸及びＹ軸の接触位置に該当するデジタル感知信号（ＤＳＮ）を生成した後、接触判断部７００に伝達する。
【００５０】
接触判断部７００は、デジタル感知信号（ＤＳＮ）を受信して圧力感知部（ＳＵ）の接触の有無及び接触位置を感知し、これを外部装置に伝送し、外部装置は、これに基づいた画像信号（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を液晶表示装置に伝送し、使用者が選択した命令やメニュー等に対応する画面を表示する。
【００５１】
次に、図７〜図９を参照して、横及び縦感知データ線（ＳＹ１−ＳＹＮ、ＳＸ１−ＳＸＭ）に接続された感知部の動作を検査する方法について説明する。
図７は、本発明の一実施例による液晶表示装置において、縦及び横感知データ線、縦及び横感知データ線に接続された縦及び横軸検査回路、画像データ線及び画像走査線、画素、並びに感知部の配列を示した概略図である。図８は、縦感知データ線に接続された感知部を検査するための縦軸検査回路の概略的な回路図であり、図９は、横感知データ線に接続された感知部を検査するための横軸検査回路の概略的な回路図である。
【００５２】
まず、図７を参照して本発明の一実施例により画像走査線及び画像データ線に接続された画素（ＰＸ）、これら画素及び縦及び横感知データ線に接続された検査回路の配列について説明する。
【００５３】
図７に示した液晶表示装置において、横及び縦感知データ線（ＳＹ１−ＳＹＮ、ＳＸ１−ＳＸＭ）と、これら横及び縦感知データ線（ＳＹ１−ＳＹＮ、ＳＸ１−ＳＸＭ）に接続された感知部（ＳＵ）は、２ドット（以下、基準ドットという）ごとに１つずつ形成されているが、このような横及び縦感知データ線（ＳＹ１−ＳＹＮ、ＳＸ１−ＳＸＭ）と感知部（ＳＵ）の配列は一例であり、基準ドットの個数は変更可能である。また、横及び縦感知データ線（ＳＹ１−ＳＹＮ、ＳＸ１−ＳＸＭ）が形成されていないドットの間には、ダミー横及び縦感知データ線（ＤＳＹ、ＤＳＸ）が形成されており、横及び縦感知データ線（ＳＹ１−ＳＹＮ、ＳＸ１−ＳＸＭ）が形成されているドット間と、そうでないドット間の間隔をほぼ等しく維持する。
【００５４】
図７及び図８を参照して、縦感知データ線（ＳＸ１−ＳＸＭ）に接続された感知部（ＳＵ）を検査する縦軸検査回路部について説明する。
図７及び図８に示すように、縦軸検査回路部は、複数の縦軸検査回路（ＸＵ１−ＸＵＭ）を含む。
【００５５】
図７及び図８に示す画像データ線（Ｄ１−Ｄｍ）は、各々６個の画像データ線からなる複数の、例えば、Ｍ個の画像データ線群（Ｄ１１−Ｄ１６、Ｄ２１−Ｄ２６、…、ＤＭ１−ＤＭ６）にさらに分けることができ、各画像データ線群（Ｄ１１−Ｄ１６、Ｄ２１−Ｄ２６、…、ＤＭ１−ＤＭ６）は、１つの縦感知データ線（ＳＸ１−ＳＸＭ）に接続された１つの縦軸検査回路（ＸＵ１−ＸＵＭ）に接続される。このとき、各縦感知データ線（ＳＸ１−ＳＸＭ）が当該画像データ線群のほぼ中央部に位置することが感知部の感度等のために好ましい。
【００５６】
複数の縦軸検査回路は、接続される画像データ線群と縦感知データ線のみ変わり、全て同一の構造を有するので、ｐ番目（ｐ＝１、２、…、Ｍ）の縦感知データ線（ＳＸｐ）に接続されたｐ番目の縦軸検査回路（ＸＵｐ）のみ説明する。
ｐ番目の縦軸検査回路（ＸＵｐ）は、（第２）トランジスタ（ＤＴｐ１−ＤＴｐ６）と、これらトランジスタ（ＤＴｐ１−ＤＴｐ６）に接続された（第１）トランジスタ（ＤＴｐ）を有する。
【００５７】
（第１）トランジスタ（ＤＴｐ）は、薄膜トランジスタ表示板１００に備えられている薄膜トランジスタ等の三端子素子であって、その入力端子は、第１縦軸検査信号が印加される第１縦軸検査線（ＤＶ１１）に入力端子が接続されており、制御端子は、第２縦軸検査信号が印加される第２縦軸検査線（ＤＶ１２）に接続されており、出力端子は、縦感知データ線（ＳＸｐ）に接続されている。
【００５８】
（第２）トランジスタ（ＤＴｐ１−ＤＴｐ６）も同様に、薄膜トランジスタ表示板１００に備えられている薄膜トランジスタ等の三端子素子であって、その入力端子は、（第１）トランジスタ（ＤＴｐ）の出力端子に共通に接続されており、制御端子は、第２縦軸検査線（ＤＶ１２）に接続されており、出力端子は、単位ドットの各画素に接続されたｐ番目の画像データ線群（Ｄｐ１−Ｄｐ６）にそれぞれ接続されている。
【００５９】
次に、図７及び図９を参照して横感知データ線（ＳＹ１−ＳＹＮ）に接続された感知部（ＳＵ）を検査する横軸検査回路部を説明する。
図７及び図９に示すように、横軸検査回路部は、複数の横軸検査回路（ＹＵ１−ＹＵＮ）を含む。
【００６０】
画像走査線（Ｇ１−Ｇｎ）は、各々６個の画像走査線からなる複数の、例えば、Ｎ個の画像走査線群（Ｇ１１−Ｇ１６、ＧＤ２１−Ｇ２６、…、ＧＮ１−ＧＮ６）にさらに分けることができ、各画像走査線群（Ｇ１１−Ｇ１６、ＧＤ２１−Ｇ２６、…、ＧＮ１−ＧＮ６）は、１つの横感知データ線（ＳＹ１−ＳＹＮ）に接続された１つの横軸検査回路に接続されている。このとき、各横感知データ線（ＳＹ１−ＳＹＮ）が当該画像走査線群（Ｇ１１−Ｇ１６、ＧＤ２１−Ｇ２６、…、ＧＮ１−ＧＮ６）のほぼ中央部分に位置することが感知部の感度等のために好ましい。
【００６１】
複数の横軸検査回路は、接続される画像走査線群（Ｇ１１−Ｇ１６、ＧＤ２１−Ｇ２６、…、ＧＮ１−ＧＮ６）と横感知データ線（ＳＹ１−ＳＹＮ）のみ変わり、全て同一の構造を有するので、ｑ番目（ｑ＝１、２、…、Ｍ）の横感知データ線（ＳＹｑ）に接続されたｑ番目の横軸検査回路（ＹＵｑ）のみ説明する。
図７及び図９に示すように、ｑ番目の横軸検査回路（ＹＵｑ）は、（第４）トランジスタ（ＧＴｑ１−ＧＴｑ６）と、これらトランジスタ（ＧＴｑ１−ＧＴｑ６）に接続された（第３）トランジスタ（ＧＴｑ）を有する。
【００６２】
（第３）トランジスタ（ＧＴｑ）は、薄膜トランジスタ表示板１００に備えられている薄膜トランジスタ等の三端子素子であって、その入力端子は、第１横軸検査信号が印加される第１横軸検査線（ＤＶ２１）に入力端子が接続されており、制御端子は、第２横軸検査信号が印加される第２横軸検査線（ＤＶ２２）に接続されており、出力端子は、横感知データ線（ＳＹｑ）に接続されている。
【００６３】
（第４）トランジスタ（ＧＴｌ１−ＧＴｌ６）も同様に、薄膜トランジスタ表示板１００に備えられている薄膜トランジスタ等の三端子素子であって、その入力端子は、（第３）トランジスタ（ＧＴｑ）の出力端子に共通に接続されており、制御端子は、第２横軸検査線（ＤＶ２２）に接続されており、出力端子は、基準ドットの各画素に接続されたｑ番目の画像走査線群（Ｇｑ１−Ｇｑ６）にそれぞれ接続されている。
【００６４】
画像データ線（Ｄ１１−Ｄ１６、Ｄ２１−Ｄ２６、…、ＤＭ１−ＤＭ６）は、画素（ＰＸ）の左側にそれぞれ配置されており、画像走査線（Ｇ１１−Ｇ１６、Ｇ２１−Ｇ２６、…、ＧＮ１−ＧＮ６）は、画素の下側に配置されているが、これに限定されるものではなく、画像データ線（Ｄ１１−Ｄ１６、Ｄ２１−Ｄ２６、…、ＤＭ１−ＤＭ６）及び画像走査線（Ｇ１１−Ｇ１６、Ｇ２１−Ｇ２６、…、ＧＮ１−ＧＮ６）と画素（ＰＸ）との接続関係は変更可能である。
【００６５】
なお、縦軸検査回路部は、液晶表示装置の上側に形成され、横軸検査回路部は、液晶表示装置の右側に形成されているが、これら縦及び横軸検査回路部の形成位置は、これに限定されるものではなく、変更可能である。また、縦及び横軸検査回路部がいずれも周縁領域（Ｐ２）に形成されているが、これに限定されるものではない。
【００６６】
次に、このような縦及び横軸検査回路（ＸＵ１−ＸＵＭ、ＹＵ１−ＹＵＮ）を用いた感知部（ＳＵ）の検査動作について説明する。
感知部（ＳＵ）を検査する前に、画素（ＰＸ）、画像走査線（Ｇ１−Ｇｎ）及び画像データ線（Ｄ１−Ｄｍ）の状態が正常であると仮定する。まず、縦感知データ線（ＳＸｐ）に接続された感知部（ＳＵ）を検査する方法を説明する。
【００６７】
縦感知データ線（ＳＸｐ）を検査する場合、別途の検査装置を用いて各画像走査線（Ｇ１１−Ｇ１６、Ｇ２１−Ｇ２６、…）には既にゲートオン電圧（Ｖｏｎ）が印加されている。次に、別途の検査装置を用いて、第２縦軸検査線（ＤＶ１２）にトランジスタ（ＤＴｐ、ＤＴｐ１−ＤＴｐ６）をターンオンさせる約２０Ｖ程度の第２縦軸検査信号を第２縦軸検査線（ＤＶ１２）に印加し、各トランジスタ（ＤＴｐ、ＤＴｐ１−ＤＴｐ６）をターンオンさせる。その後、ブラック階調のような所定階調を表示する電圧、例えば、約５Ｖ程度の第１縦軸検査信号を画像データ電圧として第１縦軸検査線（ＤＶ１１）に印加し、ターンオンされたトランジスタ（ＤＴｐ、ＤＴｐ１−ＤＴｐ６）を介して当該データ線（Ｄｋ１−Ｄｋ６）に印加する。これによって液晶表示装置の画素はブラック階調を表示する。
【００６８】
このような状態で、検査者の指先等を通じて、外部からの圧力が加わっていないが、少なくとも１つの縦軸検査回路（ＸＵｐ）に接続された画素群がブラックではない他の階調、例えば、ホワイト階調を表示してホワイトの縦縞が発生すると、その縦軸検査回路（ＸＵｐ）に含まれた縦感知データ線（ＳＸｐ）に接続された感知部（ＳＵ）を非正常状態と判断する。
【００６９】
つまり、共通電極表示板２００の感知用突出部２４５上に形成された共通電極２７０が感知用突出部２４５と向かい合う接触部材１３０と短絡されて接触部材１３０に接続された縦軸感知回路（ＸＵｐ）に共通電圧（Ｖｃｏｍ）が伝達された状態と判断する。
【００７０】
これによって、縦軸感知回路（ＸＵｐ）に接続された画像データ線群（Ｄｐ１−Ｄｐ６）に共通電圧（Ｖｃｏｍ）が伝達され、画像データ線群（Ｄｐ１−Ｄｐ６）に接続された画素群が共通電圧（Ｖｃｏｍ）の大きさに該当する階調を表示するので、縦感知データ線（ＳＸｐ）に接続された感知部（ＳＵ）を非正常状態と判断する。このように、縦感知データ線（ＳＸｐ）に接続された感知部（ＳＵ）の検査動作が完了すると、第２縦軸感知線（ＤＶ１２）にトランジスタ（ＤＴｐ、ＤＴｐ１−ＤＴｐ６）をターンオフさせるゲートオフ電圧（Ｖｏｆｆ）等を印加する。
【００７１】
次に、横感知データ線（ＳＹｑ）を検査する動作を説明する。横感知データ線（ＳＹｑ）を検査する場合、別途の検査装置を用いて各画像データ線（Ｄ１１−Ｄ１６、ＤＧ２１−Ｄ２６、…）には既に所定の階調を示す画像データ電圧が印加されている。
【００７２】
このような状態で、別途の検査装置を用いて、トランジスタ（ＧＴｑ、ＧＴｑ１−ＧＴｑ６）をターンオンさせる大きさの第２横軸検査信号を第２横軸検査線（ＤＶ２２）に印加して各トランジスタ（ＧＴｑ、ＧＴｑ１−ＧＴｑ６）をターンオンさせ、第１横軸検査線（ＤＶ２１）に各画素（ＰＸ）のスイッチング素子（Ｑ）をターンオンさせるゲートオン電圧（Ｖｏｎ）に該当する大きさの第１横軸検査信号を印加する。これによって、ターンオンされたトランジスタ（ＧＴｑ、ＧＴｑ１−ＧＴｑ６）を介して第１横軸検査信号が当該画像走査線群（Ｇｑ１−Ｇｑ６）に印加される。このようにして各画像走査線（Ｇｑ１−Ｇｑ６）に接続された画素（ＰＸ）に画像データ電圧が印加されて所定の階調を表示する。
【００７３】
しかし、外部からの圧力が印加されない状態で、少なくとも１つの横軸検査回路（ＹＵｑ）に接続された画素群が周辺と異なる階調を表示して横縞が発生すると、その横軸感知回路（ＹＵｑ）に含まれた横感知データ線（ＳＹｑ）に接続された感知部（ＳＵ）を非正常状態と判断する。
【００７４】
即ち、感知用突出部２４５上に形成された共通電極２７０が対向する当該接触部材１３０とショートし、接触部材１３０に接続された横感知データ線（ＳＹｑ）に共通電圧（Ｖｃｏｍ）が伝達され、これによって、当該横軸感知回路（ＹＵｑ）に接続された画像走査線群（Ｇｑ１−Ｇｑ６）に正常なゲートオン電圧（Ｖｏｎ）が印加されず、共通電圧（Ｖｃｏｍ）が印加された状態と判断する。このようにして、当該横軸感知回路（ＹＵｑ）に接続された画素群は正常に動作できず、階調表示を正常に行うことができない。従って、横軸感知回路（ＹＵｑ）に含まれた横感知データ線（ＳＹｑ）に接続された感知部（ＳＵ）を非正常状態と判断する。
【００７５】
このように横感知データ線（ＳＹｑ）に接続された感知部（ＳＵ）の検査動作が完了すると、第２横軸検査線（ＤＶ２２）にトランジスタ（ＧＴｑ、ＧＴｑ１−ＧＴｑ６）をターンオフさせるゲートオフ電圧（Ｖｏｆｆ）等を印加する。このように、画素を用いて各縦及び横感知データ線（ＳＸｐ、ＳＹｑ）に接続された感知部（ＳＵ）の不良状態が画素を通じて表示されており、別途の確認装備が不要であり、検査効率が向上する。
【００７６】
このような第１及び第２縦軸検査線と第１及び第２横軸検査線（ＤＶ１１、ＤＶ１２、ＤＶ２１、ＤＶ２２）の複数の検査線、縦及び横軸検査回路（ＸＵｐ、ＹＵｑ）、及び感知部等を備えた液晶表示装置について図１０〜図１８を参照して詳細に説明する。
図１０は、図７のＥＡ１部分に対する液晶表示装置の配置図であり、図１１は、図１０の液晶表示装置のＸＩ−ＸＩ線による断面図である。
図１２は、図７のＥＡ２部分に対する液晶表示装置の配置図であり、図１３は、図１２の液晶表示装置のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線による断面図である。
図１４は、本発明の一実施例による液晶表示装置の縦軸検査回路部に対する配置図であり、図１５は、図１４の縦軸検査回路部のＸＶ−ＸＶ線による断面図である。また、図１６は、本発明の一実施例による液晶表示装置の横軸検査回路部に対する配置図であり、図１７は、図１６の横軸検査回路部のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線による断面図であり、図１８は、図１６の横軸検査回路部のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線による断面図である。
【００７７】
既に説明したように、本発明の一実施例による液晶表示装置は、薄膜トランジスタ表示板１００とこれと対向する共通電極表示板２００、及びその間に挟持された液晶層３で構成されている。また、既に図７を参照して説明したように、薄膜トランジスタ表示板１００は、複数の画素（ＰＸ）等が形成される部分（以下、画素部という）、複数のデータ線（Ｄ１−Ｄｍ）及び縦感知データ線（ＳＸ１−ＳＸＭ）に接続される縦軸検査回路部及び複数の画像走査線（Ｇ１−Ｇｎ）、並びに横感知データ線（ＳＹ１−ＳＹＮ）に接続される横軸感知回路部等に分けることができる。
【００７８】
まず、下部表示板である薄膜トランジスタ表示板１００の画素部について説明する。
透明なガラスまたはプラスチック等からなる絶縁基板１１０上に、複数の画像走査線１２１、複数の横感知データ線１２６及び複数のダミー横感知データ線（図示せず）、複数の維持電極線１３１及び複数の島状遮光部材１３５ａ〜１３５ｃが形成される。
【００７９】
画像走査線１２１は、画像走査信号を伝達し、主に横方向に延在している。各画像走査線１２１は、上方に突出した複数のゲート電極１２４と、他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広い端部（図示せず）を有する。
【００８０】
横感知データ線１２６は、感知データ信号を伝達し、画像走査線１２１と並んで延在している。各横感知データ線１２６は、縦方向に所定の長さ延在しており、面積が広い端部を有する延長部１２７を含む。
ダミー横感知データ線は、画像走査線１２１と並んで延在しており、横感知データ線１２６が形成されないドットの間に形成される。
【００８１】
各維持電極線１３１は、共通電圧（Ｖｃｏｍ）等の予め定められた電圧の印加を受け、画像走査線１２１とほぼ並んで延在した複数の幹線１３１ａ、幹線１３１ａから上に突出した複数の拡張部１３４、拡張部１３４と幹線から分岐されて上方に所定の距離で延在し、光漏れを防止する複数の第１〜第３突出部（１３３ａ〜１３３ｃ）を有する。
【００８２】
第１及び第２突出部１３３ａ、１３３ｂは、所定距離を置いて互いに隣接して位置しており、所定距離で延在して内側に斜めに屈曲された後、再び上方に所定距離だけ延在している。第１及び第２突出部１３３ａ、１３３ｂの間に形成された空間は、縦軸及び横軸の感知部（ＳＵ）が形成される感知部形成部として動作する。横感知データ線１２６の延長部１２７は、感知部形成部内に位置する。第１及び第２突出部１３３ａ、１３３ｂの横幅はほぼ等しく、第３突出部１３３ｃの横幅より小さい。
【００８３】
島状遮光部材１３５ａ〜１３５ｃは、光漏れを防止し、縦方向に長いほぼ長方形状を有し、横感知データ線１２６を介在して縦方向に第１突出部１３３ａと隣接している第１島状遮光部材１３５ａ、横感知データ線１２６を介在して縦方向に第２突出部１３３ｂと隣接している第２島状遮光部材１３５ｂ、及び横感知データ線１２６を介在して縦方向に第３突出部１３３ｃと隣接している第３島状遮光部材１３５ｃを含む。第１及び第２遮光部材１３５ａ、１３５ｂの横幅はほぼ等しく、第３遮光部材１３５ｃの横幅より小さい。
【００８４】
複数の画像走査線１２１、複数の横感知データ線１２６、複数の維持電極線１３１、及び複数の島状遮光部材１３５ａ〜１３５ｃは、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウム合金等のアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金等の銀系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金等の銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金等のモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタニウム（Ｔｉ）等からなることができる。しかし、これらは物理的性質が異なる２つの導電膜（図示せず）を有する多重膜構造に形成することもできる。このうちの１つの導電膜は、信号遅延や電圧降下を減らすことができるように比抵抗が低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属等からなることができる。
【００８５】
これと異なり、また他の導電膜は、他の物質、特にＩＴＯ及びＩＺＯとの物理的、化学的、電気的接触特性に優れた物質、例えば、モリブデン系金属、クロム、タンタル、チタニウム等からなることができる。このような組み合わせの好適な例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜、及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。しかし、複数の画像走査線１２１、複数の横感知データ線１２６、複数の維持電極線１３１、及び複数の島状遮光部材１３５ａ〜１３５ｃは、この他にも種々の金属または導電体で形成することができる。
【００８６】
複数の画像走査線１２１、複数の横感知データ線１２６、複数の維持電極線１３１、及び複数の島状遮光部材１３５ａ〜１３５ｃの側面は、絶縁基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は約３０°〜８０°であることが好ましい。
【００８７】
複数の画像走査線１２１、複数の横感知データ線１２６、複数の維持電極線１３１、及び複数の島状遮光部材１３５ａ〜１３５ｃ上には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）等からなるゲート絶縁膜１４０が形成される。
【００８８】
ゲート絶縁膜１４０上には、水素化非晶質シリコン（非晶質シリコンは、ａ−Ｓｉと略称する）または多結晶シリコン等からなる複数の島状の半導体１５４が形成される。半導体１５４はゲート電極１２４上に位置している。
【００８９】
半導体１５４上には複数の島状のオーミック接触（コンタクト）部材１６３、１６５が形成される。オーミック接触部材１６３、１６５は、リン等のｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコン等の物質で形成されるか、またはシリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）で形成できる。オーミック接触部材１６３、１６５は対をなして半導体１５４上に配置されている。
【００９０】
半導体１５４とオーミック接触部材１６３、１６５の側面も同様に、基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は３０°〜８０°程度である。
【００９１】
オーミック接触部材１６３、１６５及びゲート絶縁膜１４０上には、複数の画像データ線１７１と、複数のドレイン電極１７５、並びに複数の縦感知データ線１７４及びダミー縦感知データ線１７４ａが形成される。
【００９２】
画像データ線１７１は、画像データ信号を伝達し、主に縦方向に延在して画像走査線１２１、横感知データ線１２６とダミー横感知データ線、並びに維持電極線１３１と交差する。各画像データ線１７１は、維持電極線１３１の第２突出部１３３ｂの屈曲部に沿って縦方向に延在している。また、各画像データ線１７１は、これらと交差する近傍で幅が広くなり、これらを幅広く覆う複数の遮光用拡張部を有しており、ゲート電極１２４に向かって延在する複数のソース電極１７３と、他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広い端部（図示せず）を有する。
【００９３】
ドレイン電極１７５は、画像データ線１７１と分離されており、ゲート電極１２４を中心としてソース電極１７３と対向する。各ドレイン電極１７５は、拡張部１７７を含む広い一端部と、棒状の他端部を有する。拡張部１７７は、維持電極線１３１の拡張部１３４と重畳しており、棒状の端部は、屈曲したソース電極１７３で一部取り囲まれている。
【００９４】
１つのゲート電極１２４、１つのソース電極１７３、及び１つのドレイン電極１７５は、半導体１５４の突出部と共に１つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成し、薄膜トランジスタのチャネルは、ソース電極１７３とドレイン電極１７５の間の半導体１５４に形成される。この薄膜トランジスタは、スイッチング素子（Ｑ）として機能する。
【００９５】
縦感知データ線１７４は、感知データ信号を伝達し、主に縦方向に延在して画像走査線１２１、横感知データ線１２６及びダミー横感知データ線、並びに維持電極線１３１と交差する。各縦感知データ線１７４は、画像データ線１７１に隣接して左側に形成されており、維持電極線１３１の第１突出部１３３ａの屈曲部に沿って縦方向に延在している。各縦感知データ線１７４は、維持電極線１３１の隣接した第１及び第２突出部１３３ａ、１３３ｂの２つの間でほぼ長方形状を有する第１拡張部１７６ａと、ほぼ正四角形状を有する第２拡張部１７６ｂを有しており、これら第１及び第２拡張部１７６ａ、１７６ｂは感知部形成部内に位置する。
【００９６】
また、各縦感知データ線１７４は、画像走査線１２１、横感知データ線１２６及びダミー横感知データ線、並びに維持電極線１３１と交差する近傍で幅が広くなり、これらを幅広く覆う複数の遮光用拡張部を有する。
【００９７】
ダミー縦感知データ線１７４ａは、画像データ線１７１と並んで延在しており、縦感知データ線１７４が形成されていないドットの間に形成され、維持電極線１３１の第１突出部１３３ａの屈曲部に沿って縦方向に延在している。各ダミー縦感知データ線１７４ａは、隣接した第１及び第２突出部１３３ａ、１３３ｂの２つの間に遮光の役割をする拡張部をさらに有しており、第１及び第２拡張部１７６ａ、１７６ｂが形成されているドットの間と、そうでないドットの間の輝度差を補償することができる。
【００９８】
画像データ線１７１、及びドレイン電極１７５、並びに縦感知データ線１７４及びダミー縦感知データ線１７４ａは、モリブデン、クロム、タンタル、及びチタニウム等の耐火性金属、またはこれらの合金からなることが好ましく、耐火性金属膜（図示せず）と低抵抗導電膜（図示せず）を有する多重膜構造に形成することができる。多重膜構造の例としては、クロムまたはモリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）上部膜の二重膜、モリブデン（合金）下部膜とアルミニウム（合金）中間膜とモリブデン（合金）上部膜の三重膜がある。しかし、画像データ線１７１及びドレイン電極１７５、縦感知データ線１７４及びダミー縦感知データ線１７４ａは、この他にも種々の金属または導電体からなることができる。
【００９９】
画像データ線１７１及びドレイン電極１７５、縦感知データ線１７４及びダミー感知データ線１７４ａも同様に、その側面が基板１１０面に対して３０°〜８０°程度の角度で傾斜していることが好ましい。
【０１００】
オーミック接触部材１６３、１６５は、その下の半導体１５４とその上の画像データ線１７１及びドレイン電極１７５の間にのみ存在し、これらの間の接触抵抗を低くする。島状の半導体１５４には、ソース電極１７３とドレイン電極１７５の間をはじめとして画像データ線１７１及びドレイン電極１７５で覆われずに露出する部分がある。
【０１０１】
画像走査線１２１、横感知データ線１２６及びダミー横感知データ線、並びに維持電極線１３１が、画像データ線１７１、縦感知データ線１７４及びダミー縦感知データ線１７４ａと出会う部分に、複数の島状の半導体が形成され、表面のプロファイルを滑らかにすることによって、画像データ線１７１、縦感知データ線１７４及びダミー縦感知データ線１７４ａが断線するのを防止することができる。
【０１０２】
画像データ線１７１及びドレイン電極１７５、縦感知データ線１７４及びダミー感知データ線１７４ａ、並びに露出している半導体１５４部分上には、保護膜１８０が形成されている。保護膜１８０は、無機絶縁物または有機絶縁物等からなり、表面を平坦化してもよい。無機絶縁物の例には、窒化ケイ素及び酸化ケイ素がある。有機絶縁物は、感光性を有することができ、その誘電定数は約４．０以下であることが好ましい。しかし、保護膜１８０は、有機膜の優れた絶縁特性を生かしながら、露出している半導体１５４部分に害を及ぼさないように下部無機膜と上部有機膜の二重膜構造を有することができる。
【０１０３】
保護膜１８０にはドレイン電極１７５と縦感知データ線１７４の第１拡張部１７６ａをそれぞれ露出させる複数のコンタクトホール１８７、１８６が形成されており、同様に保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０を貫通し、横感知データ線１２６の延長部１２７の少なくとも一部を露出させる複数のコンタクトホール１８８が形成されている。保護膜１８０上には、複数の画素電極１９１、複数の第１及び第２接触部材８６、８８が形成される。これらはＩＴＯまたはＩＺＯ等の透明な導電物質やアルミニウム、銀、クロムまたはその合金等の反射性金属からなることができる。
【０１０４】
画素電極１９１は、コンタクトホール１８７を介してドレイン電極１７５と物理的、電気的に接続されており、ドレイン電極１７５から画像データ電圧の印加を受ける。画像データ電圧が印加された各画素電極１９１は、共通電圧（Ｖｃｏｍ）の印加を受ける共通電極表示板２００の共通電極２７０と共に電場を生成することによって、画素電極１９１及び共通電極２７０の２つの電極間の液晶層３の液晶分子の方向を決定する。このようにして決定された液晶分子の方向によって液晶層３を通過する光の偏光が変わる。各画素電極１９１と共通電極２７０は液晶キャパシタ（Ｃｌｃ）を構成し、薄膜トランジスタがターンオフされた後にも印加された電圧を維持する。
【０１０５】
各画素電極１９１及びこれとそれぞれ接続されたドレイン電極１７５の拡張部１７７は、維持電極線１３１の拡張部１３４と重畳してストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）を構成し、ストレージキャパシタ（Ｃｓｔ）は、液晶キャパシタ（Ｃｌｃ）の電圧維持能力を強化する。
【０１０６】
画素電極１９１は、画像データ線１７１、縦感知データ線１７４及びダミー縦感知データ線と重なって開口率を高めているが、重ならないこともある。
【０１０７】
第１接触部材８６は、縦感知データ線１７４の第１拡張部１７６ａのほとんどを覆っており、コンタクトホール１８６を介して第１拡張部１７６ａと物理的、電気的に接続される。
【０１０８】
第２接触部材８８は、縦感知データ線１７４の第２拡張部１７６ｂとコンタクトホール１８８を含む横感知データ線１２６の延長部１２７の幅が広い端部をほとんど覆っており、コンタクトホール１８８を介して横感知データ線１２６が延長部１２７と物理的、電気的に接続される。
【０１０９】
次に、図１４及び図１５を参照して薄膜トランジスタ表示板１００の縦軸感知回路部を説明する。薄膜トランジスタ表示板１００には透明なガラスまたはプラスチック等からなる絶縁基板１１０上に、画像走査線１２１等と共に形成される第１縦軸検査線１２３と第２縦軸検査線１２８が形成される。
【０１１０】
第１縦軸検査線１２３は、第１縦軸検査信号を伝達し、主に横方向に延在している。第１縦軸検査線１２３は、下方に突出し、縦軸検査回路ごとに１つずつ形成された複数の突出部１２５を有する。また、第１縦軸検査線１２３は、他の層または外部駆動回路との接続のために、面積が広い端部（図示せず）を有することができる。
【０１１１】
第２縦軸検査線１２８は、第２縦軸検査信号を伝達し、第１縦軸検査線１２３とほぼ平行に延在している。第２縦軸検査線１２８は、上方に突出し、縦軸検査回路部ごとに１つずつ形成されたゲート電極１２８ａ、縦方向に延長された縦幹部１２８ｂ、縦幹部１２８ｂと接続されており、横方向に延長された横幹部１２８ｃ、及び隣接した縦幹部１２８ｂの間に形成されており、横幹部１２８ｃから上方に突出した複数のゲート電極１２８ｄを有する。
【０１１２】
また、第２縦軸検査線１２８は、他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広い端部（図示せず）を有することができる。第１縦軸検査線１２３と第２縦軸検査線１２８の側面は、絶縁基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角が約３０°〜８０°であることが好ましい。
【０１１３】
第１縦軸検査線１２３と第２縦軸検査線１２８上には、ゲート絶縁膜１４０が形成されており、ゲート絶縁膜１４０上には、複数の島状の半導体１５５、１５６が形成される。島状の半導体１５５はゲート電極１２８ａ上に形成されており、島状の半導体１５６はゲート電極１２８ｄ上に形成される。
【０１１４】
半導体１５５、１５６上には島状のオーミック接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂが形成される。島状のオーミック接触部材１６３ａ、１６５ａは、島状の半導体１５５上に形成されており、島状のオーミック接触部材１６３ｂ、１６５ｂは、島状の半導体１５６上に形成されている。
【０１１５】
半導体１５５、１５６とオーミック接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂの側面も同様に、絶縁基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は約３０°〜８０度である。
【０１１６】
露出している半導体１５５、１５６部分、オーミック接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂ、及びゲート絶縁膜１４０上には、ソース電極１７３ａ、縦感知データ線１７４に接続される縦感知信号出力線１７２、及び各画像データ線１７１と接続される複数のドレイン電極１７５ｂが形成される。これらソース電極１７３ａ、縦感知信号出力線１７２、及びドレイン電極１７５ｂは画像データ線１７１等と共に形成される。ソース電極１７３ａは、広い端部とゲート電極１２８ａに向かって延在する棒状の部分を有する。
【０１１７】
縦感知信号出力線１７２は、縦感知データ線１７４に接続されており、ゲート電極１２８ａを中心としてソース電極１７３ａと対向するドレイン電極１７５ａ、各ゲート電極１２８ｄ上に形成され、２つの枝に分かれて各対応する棒状のドレイン電極１７５ｂを取り囲んでいる。縦感知信号出力線１７２は、他の層または外部駆動回路との接続のために、面積が広い端部（図示せず）を有することができる。
【０１１８】
ゲート電極１２８ａ、ソース電極１７３ａ、及びドレイン電極１７５ａは、半導体１５５と共に１つの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を構成し、薄膜トランジスタのチャネルは、ソース電極１７３ａとドレイン電極１７５ａの間の半導体１５５に形成される。この薄膜トランジスタは（第１）トランジスタ（ＤＴｐ）として機能する。また、１つのゲート電極１２８ｄ、１つのソース電極１７３ｂ、及び１つのドレイン電極１７５ｂは、半導体１５６と共に１つの薄膜トランジスタを構成し、薄膜トランジスタのチャネルは、ソース電極１７３ｂとドレイン電極１７５ｂの間の半導体１５６に形成される。これら薄膜トランジスタは、（第２）トランジスタ（ＤＴｐ１−ＤＴｐ６）として機能する。
【０１１９】
ソース電極１７３ａ、１７３ｂ、縦感知信号出力線１７２、及び複数のドレイン電極１７５ｂの側面も同様に、絶縁基板１１０面に対して３０°〜８０°程度の傾斜角で傾斜していることが好ましい。
【０１２０】
上述のように、オーミック接触部材１６３ａ、１６３ｂ、１６５ａ、１６５ｂは、その下部の半導体１５５、１５６とその上部のソース電極及びドレイン電極１７３ａ、１７５ａ、１７３ｂ、１７５ｂの導電体間にのみ存在し、接触抵抗を低くする役割をする。
【０１２１】
第１縦軸検査線１２３及び第２縦軸検査線１２８とソース電極１７３ａ、縦感知信号出力線１７２及び複数のドレイン電極１７５ｂが出会う部分に複数の島状半導体が形成され、表面のプロファイルを滑らかにすることによって、ソース電極１７３ａ、縦感知信号出力線１７２及び複数のドレイン電極１７５ｂが断線するのを防止することができる。
【０１２２】
縦感知信号出力線１７２及び複数のドレイン電極１７５ｂ、露出している半導体１５５、１５６及びゲート絶縁膜１４０上には保護膜１８０が形成される。保護膜１８０にはソース電極１７３ａを露出させるコンタクトホール１８５ｂが形成されており、同様に保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０を貫通し、第１縦軸検査線１２３の突出部１２５を露出させるコンタクトホール１８５ａが形成される。
【０１２３】
保護膜１８０上には画素電極１９１等と共に形成される接続部材８９が形成される。接続部材８９は、コンタクトホール１８５ａ、１８５ｂを介して第１縦軸検査線１２３の突出部１２５とソース電極１７３ａを接続する。
【０１２４】
次に、図１６〜図１８を参照して薄膜トランジスタ表示板１００の横軸検査回路部を説明する。薄膜トランジスタ表示板１００には透明なガラスまたはプラスチック等からなる絶縁基板１１０上に、画像走査線１２１等と共に形成される横感知信号出力線１２２と島状のゲート電極１２４ａ、１２４ｂが形成される。
【０１２５】
横感知信号出力線１２２は、横感知データ線１２６に接続されており、右側に突出した突出部１２６ａと左側に突出した突出部１２６ｂを有する。また、横感知信号出力線１２２は、他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広い端部（図示せず）を有することができる。
【０１２６】
ゲート電極１２４ａは、長方形状に形成されており、横軸検査回路ごとに１つずつ形成されている。ゲート電極１２４ｂは、両端部が横方向に広く拡張されている。
【０１２７】
横感知信号出力線１２２とゲート電極１２４ａ、１２４ｂの側面は、絶縁基板１１０面に対して傾斜しており、その傾斜角は約３０°〜８０°であることが好ましい。
【０１２８】
横感知信号出力線１２２とゲート電極１２４ａ、１２４ｂ上には、ゲート絶縁膜１４０が形成されており、ゲート絶縁膜１４０上には、複数の島状の半導体１５８、１５９が形成されている。
【０１２９】
島状半導体１５８はゲート電極１２４ａ上に形成されており、島状の半導体１５９はゲート電極１２４ｂ上に形成されている。半導体１５８、１５９上には、島状のオーミック接触部材１６３ｃ、１６３ｄ、１６５ｃ、１６５ｄが形成されている。島状のオーミック接触部材１６３ｃ、１６５ｃは島状の半導体１５８上に形成されており、島状のオーミック接触部材１６３ｄ、１６５ｄは島状の半導体１５９上に形成されている。
【０１３０】
半導体１５８、１５９とオーミック接触部材１６３ｃ、１６３ｄ、１６５ｃ、１６５ｄの側面も同様に、絶縁基板１１０面に対して傾斜しており、傾斜角は約３０°〜８０°である。
【０１３１】
露出している半導体１５８、１５９部分、オーミック接触部材１６３ｃ、１６３ｄ、１６５ｃ、１６５ｄ、及びゲート絶縁膜１４０上には、第１横軸検査線１７２ａ、第２横軸検査線１７２ｂ、ソース電極１７３ｄ、ドレイン電極１７５ｃ、１７５ｄが形成される。これら第１横軸検査線１７２ａ、第２横軸検査線１７２ｂ、ドレイン電極１７５ｃ、１７５ｄは、画像データ線１７１等と共に形成される。
【０１３２】
第１横軸検査線１７２ａは、第１横軸検査信号を伝達し、主に横方向に延在している。第１横軸検査線１７２ａは、ドレイン電極１７５ｃと対向するように形成されるソース電極１７３ｃを有する。さらに、第１横軸検査線１７２ａは、他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広い端部（図示せず）を有することができる。
【０１３３】
第２横軸検査線１７２ｂは、第２横軸検査信号を伝達し、第１横軸検査線１７２ａとほぼ平行に延在している。第２横軸検査線１７２ｂは、上方に突出した突出部１７２ｃ、縦方向に延長された縦幹部１７２ｄ、隣接した縦幹部１７２ｄの間に形成されて横方向に延長された横幹部１７２ｅを有する。また、第２横軸検査線１７２ｂは、他の層または外部駆動回路との接続のために面積が広い端部（図示せず）を有することができる。
【０１３４】
ソース電極１７３ｄは、横方向に延在した幹部と、この幹部から延びて長方形状を有する複数の拡張部と、下方に突出した突出部を有する。
【０１３５】
ドレイン電極１７５ｃは、ゲート電極１２４ａを中心にソース電極１７３ｃと対向し、広い一端部を有する。また、ドレイン電極１７５ｄは、ゲート電極１２４ｂを介在してソース電極１７３ｄの拡張部と対向し、広い一端部を有する。
【０１３６】
１つのゲート電極１２４ａ、１つのソース電極１７３ｃ、及び１つのドレイン電極１７５ｃは、半導体１５８と共に１つの薄膜トランジスタを構成し、薄膜トランジスタのチャネルは、ソース電極１７３ｃとドレイン電極１７５ｃとの間の半導体１５８に形成される。この薄膜トランジスタが（第３）トランジスタ（ＧＴｑ）として機能する。
【０１３７】
１つのゲート電極１２４ｂ、１つのソース電極１７３ｄ、及び１つのドレイン電極１７５ｄは、半導体１５９と共に１つの薄膜トランジスタを構成し、薄膜トランジスタのチャネルは、ソース電極１７３ｄとドレイン電極１７５ｄとの間の半導体１５９に形成される。この薄膜トランジスタが（第４）トランジスタ（ＧＴｑ１−ＧＴｑ６）として機能する。
【０１３８】
第１横軸検査線１７２ａ、第２横軸検査線１７２ｂ、ソース電極１７３ｄ、ドレイン電極１７５ｃ、１７５ｄの側面も同様に、絶縁基板１１０面に対して３０°〜８０°程度の傾斜角で傾斜していることが好ましい。
【０１３９】
上述のように、オーミック接触部材１６３ｃ、１６３ｄ、１６５ｃ、１６５ｄは、その下部の半導体１５８、１５９とその上部のソース及びドレイン電極１７３ｃ、１７５ｃ、１７３ｄ、１７５ｄとの導電体間にのみ存在し、接触抵抗を低くする役割をする。
【０１４０】
横感知信号出力線１２２と、島状のゲート電極１２４ａ、１２４ｂと、第１横軸検査線１７２ａ、第２横軸検査線１７２ｂ、ソース電極１７３ｄ、及びドレイン電極１７５ｃ、１７５ｄが出会う部分に複数の島状半導体が形成され、表面のプロファイルを滑らかにすることによって、第１横軸検査線１７２ａ、第２横軸検査線１７２ｂ、ソース電極１７３ｄ、ドレイン電極１７５ｃ、１７５ｄが断線することを防止することができる。
【０１４１】
第１横軸検査線１７２ａ、第２横軸検査線１７２ｂ、ソース電極１７３ｄ、ドレイン電極１７５ｃ、１７５ｄ、露出している半導体１５８、１５９、及びゲート絶縁膜１４０上には保護膜１８０が形成される。
【０１４２】
保護膜１８０にはドレイン電極１７５ｃ、１７５ｄ、第２横軸検査線１７２ｂの突出部１７２ｃ、ソース電極１７３ｄの突出部を各々露出させるコンタクトホール１８４ｇ、１８４ｃ、１８４ｅ、１８４ａが形成されており、同様に保護膜１８０とゲート絶縁膜１４０を貫通して、ゲート電極１２４ａ、１２４ｂ、横感知信号出力線１２２の突出部１２６ａ、１２６ｂ、及び画像走査線１２１を各々露出させるコンタクトホール１８４ｆ、１８４ｉ、１８４ｈ、１８４ｂ、１８４ｄが形成される。
【０１４３】
保護膜１８０上には画素電極１９１等と共に形成される接続部材８９ａ、８９ｂ、８９ｃ、８９ｄ、８９ｅが形成される。
接続部材８９ａは、コンタクトホール１８４ａ、１８４ｂを介してソース電極１７３ｄの拡張部と横感知信号出力線１２２の突出部１２６ｂを接続する。接続部材８９ｂは、コンタクトホール１８４ｃ、１８４ｄを介してドレイン電極１７５ｄと画像走査線１２１を接続する。
【０１４４】
接続部材８９ｃは、コンタクトホール１８４ｆ、１８４ｅを介してゲート電極１２４ａと第２横軸検査線１７２ｂの突出部１７２ｃを接続する。また、接続部材８９ｄは、コンタクトホール１８４ｈ、１８４ｇを介して横感知信号出力線１２２の突出部１２６ａとドレイン電極１７５ｃを接続する。
接続部材８９ｅは、コンタクトホール１８４ｉを介して第２横軸検査線の横幹部１７２ｅとゲート電極１２４ｂを接続する。
【０１４５】
最後に、共通電極表示板２００の構造について説明する。
上記図５、図１１、及び図１３で説明したとおり、共通電極表示板２００は、透明ガラスまたはプラスチック等からなる絶縁基板２１０上に、ブラックマトリックスとも言う遮光部材２２０が形成される。遮光部材２２０は、画素電極１９１と対向し、画素電極１９１とほぼ等しい形状の複数の開口部を有しており、画素電極１９１の間の光漏れを防止する。遮光部材２２０は、画像走査線１２１、横感知データ線１２６及びダミー横感知データ線、画像データ線１７１、縦感知データ線１７４及びダミー縦感知データ線１７４ａに対応する部分と、薄膜トランジスタに対応する部分とに分けることができる。
【０１４６】
また、絶縁基板２１０上には複数のカラーフィルタ２３０が形成される。カラーフィルタ２３０は、遮光部材２２０で取り囲まれた領域内にほとんど存在し、ある一方向に長く延在することができる。各カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色、及び青色等の基本色のうちの１つを表示することができる。
【０１４７】
カラーフィルタ２３０及び遮光部材２２０上には、感知用突出部２４５を有する蓋膜（ｏｖｅｒｃｏａｔ）２５０が形成される。蓋膜２５０は（有機）絶縁物からなることができ、カラーフィルタ２３０が露出するのを防止し、平坦面を提供する。
【０１４８】
感知用突出部２４５は、薄膜トランジスタ表示板１００に形成された第１接触部材８６に対向するように形成される第１感知用突出部２４５ａと、薄膜トランジスタ表示板１００に形成された第２接触部材８８に対向するように形成される第２感知用突出部２４５ｂを有する。第１及び第２感知用突出部２４５ａ、２４５ｂは、薄膜トランジスタ表示板１００に形成された縦感知データ線１７４の第１及び第２拡張部１７６ａ、１７６ｂ内にそれぞれ含まれるように配置されている。
【０１４９】
蓋膜２５０上には共通電極２７０が形成される。共通電極２７０はＩＴＯまたはＩＺＯ等の透明な導電体等からなる。
【０１５０】
薄膜トランジスタ表示板１００及び共通電極表示板２００の内側面上には配向膜が塗布されており、薄膜トランジスタ表示板１００及び共通電極表示板２００の外側面には１つ以上の偏光子が備えられている。
【０１５１】
また、液晶表示装置は、下部表示板である薄膜トランジスタ表示板１００と上部表示板である共通電極表示板２００を結合する封止材（ｓｅａｌａｎｔ）（図示せず）をさらに有することができる。封止材は共通電極表示板２００の周縁に位置する。
【０１５２】
第１感知用突出部２４５ａを取り囲む共通電極２７０と第１接触部材８６は縦軸感知部のスイッチ（ＳＷＴ）を形成し、外部圧力によって共通電極２７０と第１接触部材８６が接触すると、共通電極２７０を介して印加される共通電圧（Ｖｃｏｍ）が第１接触部材８６とコンタクトホール１８６を介して第１拡張部１７６ａを経て縦感知データ線１７４に伝達される。
【０１５３】
また、第２感知用突出部２４５ｂを取り囲む共通電極２７０と第２接触部材８８は、横軸感知部のスイッチ（ＳＷＴ）を形成し、外部圧力によって共通電極２７０と第２接触部材８８が接触すると、共通電極２７０を介して印加される共通電圧（Ｖｃｏｍ）が、第２接触部材８８とコンタクトホール１８８を通じて延長部１２７を経て横感知データ線１２６に伝達される。
【０１５４】
蓋膜２５０は必要に応じて省略してもよく、この場合、第１及び第２感知用突出部２４５ａ、２４５ｂは、遮光部材２２０やカラーフィルタ２３０上に形成できる。
一方、本発明による実施例においては、５枚のマスクを用いる構造について説明したが、３枚のマスクまたは４枚のマスクを用いる構造にも適用可能である。
【０１５５】
以上、本発明の実施例では、感知部として圧力感知部を説明したが、これに限定されるものではなく外部から印加される圧力によって静電容量が変わる可変キャパシタを用いた感知部や、光の強さによって出力信号が変わる光センサー等を利用することもできる。また、本発明の表示装置は、２種類以上の感知部を含むことで、接触判断の正確度を向上させることができる。
【０１５６】
また、本発明の実施例では、表示装置として液晶表示装置を説明したが、これに限定されるものではなく、プラズマ表示装置、有機発光表示装置等のような表示装置にも同様に適用可能である。
【０１５７】
尚、本発明は、上述の実施例に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【０１５８】
【図１】本発明の一実施例による液晶表示装置を画素観点から示したブロック図である。
【図２】本発明の一実施例による液晶表示装置の１つの画素に対する等価回路図である。
【図３】本発明の一実施例による液晶表示装置を感知部観点から示したブロック図である。
【図４】本発明の一実施例による液晶表示装置の１つの感知部に対する等価回路図である。
【図５】本発明の一実施例による圧力感知部の断面を概略的に示した図である。
【図６】本発明の一実施例による液晶表示装置の概略図である。
【図７】本発明の一実施例による液晶表示装置の縦及び横感知データ線、縦及び横感知データ線に接続された縦及び横軸検査回路、画像データ線及び画像走査線、画素、並びに感知部の配列を示した概略図である。
【図８】縦感知データ線に接続された感知部を検査するための縦軸検査回路の概略的な回路図である。
【図９】横感知データ線に接続された感知部を検査するための横軸検査回路の概略的な回路図である。
【図１０】図７に示すＥＡ１部分に対する液晶表示装置の配置図である。
【図１１】図１０に示す液晶表示装置のＸＩ−ＸＩ線による断面図である。
【図１２】図７に示すＥＡ２部分に対する液晶表示装置の配置図である。
【図１３】図１２に示す液晶表示装置のＸＩＩＩ−ＸＩＩＩ線による断面図である。
【図１４】本発明の一実施例による液晶表示装置の縦軸検査回路部に対する配置図である。
【図１５】図１４に示す縦軸検査回路部のＸＶ−ＸＶ線による断面図である。
【図１６】本発明の一実施例による液晶表示装置の横軸検査回路部に対する配置図である。
【図１７】図１６に示す横軸検査回路部のＸＶＩＩ−ＸＶＩＩ線による断面図である。
【図１８】図１６に示す横軸検査回路部のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線による断面図である。
【符号の説明】
【０１５９】
３    液晶層
８６    第１接触部材
８８    第２接触部材
８９、８９ａ、８９ｂ、８９ｃ、８９ｄ、８９ｅ    接続部材
１００    薄膜トランジスタ表示板（下部表示板）
１１０、２１０    絶縁基板
１２０    画素層
１２１    画像走査線
１２２    横感知信号出力線
１２３    第１縦軸検査線
１２４、１２４ａ、１２４ｂ    ゲート電極
１２５    第１縦軸検査線の突出部
１２６    横感知データ線
１２６ａ、１２６ｂ    横感知信号出力線の突出部
１２７    横感知データ線の延長部
１２８    第２縦軸検査線
１２８ａ、１２８ｄ    ゲート電極
１２８ｂ    第２縦軸検査線の縦幹部
１２８ｃ    第２縦軸検査線の横幹部
１３０    接触部材
１３１    維持電極線
１３１ａ    維持電極線の幹線
１３３ａ    第１突出部
１３３ｂ    第２突出部
１３３ｃ    第３突出部
１３４    維持電極線の拡張部
１３５ａ、１３５ｂ、１３５ｃ    （島状）遮光部材
１４０    ゲート絶縁膜
１５４、１５５、１５６、１５８、１５９    半導体
１６３、１６３ａ、１６３ｂ、１６３ｃ、１６３ｄ、１６５、１６５ａ、１６５ｂ、１６５ｃ、１６５ｄ    オーミック接触部材
１７１    画像データ線
１７２    縦感知信号出力線
１７２ａ    第１横軸検査線
１７２ｂ    第２横軸検査線
１７２ｃ    第２横軸検査線の突出部
１７２ｄ    第２横軸検査線の縦幹部
１７２ｅ    第２横軸検査線の横幹部
１７３、１７３ａ、１７３ｂ、１７３ｄ    ソース電極
１７３ｃ    ソース電極
１７４    縦感知データ線
１７４ａ    ダミー縦感知データ線
１７５、１７５ａ、１７５ｂ、１７５ｃ、１７５ｄ    ドレイン電極
１７６ａ    縦感知データ線の第１拡張部
１７６ｂ    縦感知データ線の第２拡張部
１７７    ドレイン電極の拡張部
１８０    保護膜
１８４ａ、１８４ｂ、１８４ｃ、１８４ｄ、１８４ｅ、１８４ｆ、１８４ｇ、１８４ｈ、１８４ｉ、１８５ａ、１８５ｂ、１８６、１８７、１８８    コンタクトホール
１９１    画素電極
２００    共通電極表示板（上部表示板）
２２０    遮光部材
２３０    カラーフィルタ
２４０    カラーフィルタ層
２４５    感知用突出部
２４５ａ    第１感知用突出部
２４５ｂ    第２感知用突出部
２５０    蓋膜
２７０    共通電極
３００    液晶表示板組立体
３２０    柱状間隔材
４００    画像走査部
５００    画像データ駆動部
５５０    階調電圧生成部
６００    信号制御部
６１０    単一チップ
６２０    ＦＰＣ基板
７００    接触判断部
８００    感知信号処理部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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