(57)【要約】【課題】ディスク基板上に、内周側と外周側とで組成の異なる膜を形成するために、従来の全体が均一組成の円盤状ターゲットに用いられるものと同じスパッタ装置が使用でき、かつ作成が容易であるスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】複数の異なる組成領域１０ａ，１０ｂが組み合わされて円盤形状となったスパッタリングターゲット１０において、前記組成領域１０ａ，１０ｂそれぞれは少なくとも当該円盤外周の一部を構成し、該円盤主面上の円盤中心を同心とする複数の円周（半径位置（１）〜（３）の円周）ごとで、前記組成領域１０ａ，１０ｂそれぞれの組成及び該組成領域１０ａ，１０ｂそれぞれが占める割合から決まる平均組成が異なる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の異なる組成領域が組み合わされて円盤形状となったスパッタリングターゲットにおいて、
前記組成領域それぞれは少なくとも当該円盤外周の一部を構成し、該円盤主面上の円盤中心を同心とする複数の円周ごとで、前記組成領域それぞれの組成及び該組成領域それぞれが占める割合から決まる平均組成が異なることを特徴とするスパッタリングターゲット。
【請求項２】
前記平均組成の主成分は、Ｓｂであることを特徴とする請求項１記載のスパッタリングターゲット。
【請求項３】
前記平均組成は、Ｇａ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｔｅ，Ｚｎ，Ｍｎ、Ａｇから選ばれる少なくともひとつの元素が添加されていることを特徴とする請求項１または２記載のスパッタリングターゲット。
【請求項４】
前記平均組成は、Ｓｎ，Ｂｉから選ばれる少なくともひとつの元素が添加されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一に記載のスパッタリングターゲット。
【請求項５】
前記平均組成の主成分は、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２のいずれかあるいは両方と、Ｇｅ、Ｓｉのいずれかあるいは両方との組み合わせであることを特徴とする請求項１記載のスパッタリングターゲット。
【請求項６】
前記円盤内周側の平均組成におけるＧｅ、Ｓｉのいずれかあるいは両方の濃度が円盤外周側よりも高いことを特徴とする請求項５記載のスパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、書き換え可能なＤＶＤ等の相変化型光記録層を有する高密度記録用の光記録媒体の作製に用いられる円盤形状のスパッタリングターゲットに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、光記録媒体の高速記録の需要が高まっている。特にディスク状の光記録媒体の場合、回転速度を高くすることで記録・再生速度を上げることが可能なため、高速化が進んでいる。光ディスクの中でも記録時に照射する光の強度変調のみで記録が可能であるものは、その記録機構の単純さから、媒体と記録装置の低価格化が可能であり、同時に再生時にも強度変調された光を用いて、再生専用装置との高い互換性が確保できることから普及が進んでいるが、近年の電子情報の大容量化により、更に高密度化・高速記録化の需要が高くなっている。
【０００３】
このような光ディスクのうち、多数回の書換えが可能であることから相変化材料を用いたものが主流となってきており、これまで、ＣＤ−ＲＷ，ＤＶＤ＋ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＷ，ＤＶＤ−ＲＡＭなどが実用化されており、それぞれより高速で記録可能な媒体が開発されている。また、最近は、より大容量な記録が可能であるＢｌｕ−ｒａｙｄｉｓｋも実用化され、これも今後高速記録化が進むものと予想される。上記書き換え型ＤＶＤの中でも最も高速化が進んでいるＤＶＤ＋ＲＷは８倍速（２８ｍ/ｓ）までの規格がなされ、さらに高速の記録媒体の開発が待たれている状況である。
【０００４】
ところで、相変化材料を用いた光ディスクの場合、照射する光ビームの強度変調により、記録層材料を急冷状態と徐冷状態を作ることによって記録を行う。溶融後、急冷状態になると、記録層材料は非晶質（アモルファス）となり、徐冷状態になると結晶となる。非晶質と結晶では光学的な物性が異なるため、光情報を記録・再生することができる。即ち、相変化型の光記録媒体は基板上の記録層薄膜にレーザー光を照射して記録層を加熱し、記録層構造を結晶と非晶質間で相変化させることによりディスク反射率を変えて情報を繰り返し記録するものである。通常は未記録状態を高反射率の結晶相とし、これに低反射率の非晶質相からなるマークと高反射率の結晶相からなるスペースを形成することにより情報を記録する。また、記録は周知のようにパルス分割され３値に強度変調された記録光を媒体に照射することで行っている。
【０００５】
マークとスペースからなるデータを繰返し記録するための波形発光パターン（記録ストラテジ）としては、図１に示すようなＤＶＤ＋ＲＷ等で使用されているものがある。非晶質からなるマークはピークパワー（Ｐｐ＝Ｐｗ）光とバイアスパワー（Ｐｂ）光との交互繰返しによるパルス照射によって形成され、結晶からなるスペースはこれらの中間レベルのイレースパワー（Ｐｅ）光を連続的に照射することにより形成される。図１の例は、非晶質マークを形成するパルスの周期を１Ｔ（Ｔは基本クロック周期）とした１Ｔ周期ストラテジの例であるが、より高速で記録する場合には、パルスの周期を２Ｔとする２Ｔ周期ストラテジが使用されている。
【０００６】
ピークパワー光とバイアスパワー光とからなるパルス列が照射されると、記録層は溶融と急冷を繰返し、非晶質マークが形成される。消去パワー光が照射されると記録層は溶融後徐冷、或いは、固相状態のままアニールされて結晶化し、スペースが形成される。
ここで、良好な繰り返し記録特性を得るためには、記録線速に適した結晶化速度を有する記録層を用いることが望ましい。
【０００７】
特許文献１には光ディスクの記録層として所期の均一組成の薄膜を形成することを目的としたスパッタリングターゲットが開示されており、ターゲット本体に合金あるいは化合物薄膜等の構成成分の一つである扇形分割片を複数個、ターゲット中心に対し同軸に配置した構成のものが提案されている。扇形形状の分割片はいずれの半径位置においても、円周方向に対して常に一定の面積割合を保つため、基板上の組成分布を均一にすることができるとしている。これにより、結晶化速度がディスク内で均一の記録層を形成することができる。
【０００８】
しかし、一般的に、光ディスクの内周の記録速度は遅く、外周の記録速度は速くなっており、例えば各速度一定のＣＡＶ記録では直径１２ｃｍのディスクでは、内周と外周では記録速度が約２.４倍異なっている。また、前記８倍速ディスクにおいてもドライブの回転数の上限により内周は３.３倍乃至は６倍速でしか記録できていない。そのため、前述のような結晶化速度がディスク内で均一の記録層においては、光ディスク外周では記録線速に対して結晶化速度が相対的に遅くなり、光ディスク内周では記録線速に対して結晶化速度が相対的に速くなる関係となる。
【０００９】
記録線速に対して結晶化速度が遅い場合には、繰り返し記録の際に、前に記録した非晶質マークを全て結晶化することができず、消し残りが生じてしまう。記録線速に対して結晶化速度が速い場合には、２Ｔ周期ストラテジのようにパルス数を少なくして充分な冷却時間をとっても結晶化速度が速いために充分な大きさの非晶質マークが形成できず、特殊なストラテジを使用する必要が生じたり、また、充分な大きさの非晶質マークが形成できたとしてもジッターやエラーが大きくなったりしてしまうという不具合を生じてしまう。
【００１０】
そこで、一般的には、光ディスクの内周の記録速度は遅く、外周の記録速度が速いのであるから、内周から外周にかけて結晶化速度が速くなるように、記録層組成が内周側と外周側とでは異なるようなディスクを形成できれば、ディスク全面に渡って良好な繰り返し記録が可能である。
【００１１】
このように記録層組成が内周側と外周側とで異なるようなディスクを作成するためのスパッタリングターゲットとして、特許文献２には複数のリング状ターゲット、あるいは、円盤状ターゲットとリング状ターゲットを組み合わせたもの、あるいは一つのターゲットを同心円状に組成の異なる複数の領域に分割したターゲットが開示されている。また、特許文献３、４には一つのターゲットを同心円状に組成の異なる複数の領域に分割したターゲットが開示されている。
【００１２】
【特許文献１】特開昭６３−１５７８６４号公報
【特許文献２】特開平８−２８２１０６号公報
【特許文献３】特開２０００−２１５５３０号公報
【特許文献４】特開２００４−１６２１１５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、複数のリング状ターゲット、あるいは、円盤状ターゲットとリング状ターゲットを組み合わせたものでは、各ターゲットを個別に制御しながらスパッタする特殊な装置が必要となり、装置の改造が必要であった。
【００１４】
また、一つのターゲットを同心円状に組成の異なる複数の領域に分割したものは、通常使用されている全体が均一組成の円盤状ターゲットに用いられるものと同じスパッタ装置が使用できるが、ターゲットの作成は困難であった。すなわち、作成方法としては、別々に作成した組成の異なる複数種類のターゲットを同心円状になるように形状を加工し、バッキングプレート上で貼り合せて一体化する方法、又は、組成の異なる複数種類の合金粉末を同心円状になるように充填し、ホットプレスして一体型のターゲットを作る方法が考えられる。しかし、貼り合わせて一体化する場合、境界に隙間等ができると異常放電の原因になるため、同心円状のように複雑な形状では特に高度なターゲット製作技術が必要であった。また、同心円状に充填した粉末をホットプレスで一体化する場合、組成によりホットプレスの条件が微妙に異なるため、全体を高密度に成形することは困難であり、低密度のターゲットしか形成できない恐れがあった。低密度のターゲットは、成膜条件により形成された膜の性質の変動が大きいため好ましいものではなかった。
【００１５】
本発明では、ディスク基板上に、内周側と外周側とで組成の異なる膜を形成するために、従来の全体が均一組成の円盤状ターゲットに用いられるものと同じスパッタ装置が使用でき、かつ作成が容易であるスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記課題を解決するために提供する本発明は、複数の異なる組成領域が組み合わされて円盤形状となったスパッタリングターゲットにおいて、前記組成領域それぞれは少なくとも当該円盤外周の一部を構成し、該円盤主面上の円盤中心を同心とする複数の円周ごとで、前記組成領域それぞれの組成及び該組成領域それぞれが占める割合から決まる平均組成が異なることを特徴とするスパッタリングターゲットである。
【００１７】
ここで、前記平均組成の主成分は、Ｓｂであることが好ましい。
また、前記平均組成は、Ｇａ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｔｅ，Ｚｎ，Ｍｎ、Ａｇから選ばれる少なくともひとつの元素が添加されているとよい。
さらに、前記平均組成は、Ｓｎ，Ｂｉから選ばれる少なくともひとつの元素が添加されていることが好適である。
【００１８】
また、前記平均組成の主成分は、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２のいずれかあるいは両方と、Ｇｅ、Ｓｉのいずれかあるいは両方との組み合わせであることが好ましい。
このとき、前記円盤内周側の平均組成におけるＧｅ、Ｓｉのいずれかあるいは両方の濃度が円盤外周側よりも高いことが好適である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、ディスク基板上に、内周側と外周側とで組成の異なる膜を形成するために、従来の全体が均一組成の円盤状ターゲットに用いられるものと同じスパッタ装置が使用でき、かつ作成が容易であるターゲットを提供することができる。また、本発明のスパッタリングターゲットを用いれば、内周側から外周側にかけて結晶化速度が順次速くなり、ＣＡＶ記録等に有利な相変化型光ディスク用記録層を形成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下に、本発明に係るスパッタリングターゲットの構成について説明する。
本発明のスパッタリングターゲットは、複数の異なる組成領域が組み合わされて円盤形状となっており、前記組成領域それぞれは少なくとも当該円盤外周の一部を構成し、該円盤主面上の円盤中心を同心とする複数の円周ごとで前記組成領域それぞれが占める割合が異なることを特徴とするものである。
【００２１】
図２に、本発明のスパッタリングターゲットの最も単純な形状の正面図を示す。
スパッタターゲット１０は、２種類の組成Ａ、Ｂの領域を持つターゲットの例で、組成Ａからなる組成領域１０ａ、組成Ｂからなる組成領域１０ｂはそれぞれ中高で弓なりになっている形（かまぼこ形）の断面形状をしており、組成領域１０ａと組成領域１０ｂとが組み合わされることにより円盤形状を成している。また、組成領域１０ａの面積が組成領域１０ｂよりも大きく、両者が接する部分は直線となっている。
【００２２】
本発明のスパッタリングターゲットは該スパッタリングターゲットに対向して配置され回転している円盤形状のディスク基板にスパッタ成膜する際の蒸発源として用いられるものであることから、該スパッタリングターゲットの円盤主面上の任意の半径位置の円周上において前記組成領域それぞれの組成及び該組成領域それぞれが占める割合から決まる平均組成が、前記ディスク基板上の対応する円周上に成膜される膜組成に反映される関係となっている。
【００２３】
したがって、スパッタリングターゲットの円盤主面上の円盤中心を同心とする複数の円周ごとで前記組成領域それぞれが占める割合が異なり平均組成が異なっていることから、これらの円周に対応して成膜されるディスク基板上の薄膜のそれぞれの膜組成は異なるものとなる。
【００２４】
図３を用いてスパッタリングターゲットの円周上の平均組成について具体的に説明する。
スパッタリングターゲット１０において、マグネトロンスパッタの場合のエロージョン領域付近である半径位置（１）〜（３）（半径位置（１）が円盤内周側、半径位置（３）が円盤外周側、であり、半径位置（２）がそれらの中間に位置している）では、組成領域１０ａ及び１０ｂの配置関係により、円周方向の平均組成が異なるようになっている。
【００２５】
半径位置（１）〜（３）ごとに中心部Ｃから組成ＡとＢの境界位置に対して２本の直線を引いたとき、その２本の直線のなす角度θBは半径位置との関係においてθB１（半径位置（１）における前記角度）＜θB２（半径位置（２）における前記角度）＜θB３（半径位置（３）における前記角度）となっている。即ち、半径位置（１）〜（３）それぞれの円周における平均組成に対する組成Ｂの占める割合の大きさ（θB／３６０°）は、半径位置（１）＜（２）＜（３）の関係になる。従ってこのようなスパッタリングターゲット１０を用いて該ターゲット１０とディスク基板の中心軸とを合わせ、ディスク基板を回転させながら該ディスク基板上に成膜すると、ディスク基板の内周側から外周側に掛けて、前記ターゲット１０の半径位置（１）〜（３）それぞれの円周上の平均組成差を反映する傾斜組成を持つ膜が得られるようになる。
【００２６】
図４に３種類の組成からなる領域２０ａ，２０ｂ，２０ｃの分割配置例を示す。また、図５に２種類の組成からなる領域３０ａ，３０ｂの別の分割配置例を示す。さらに、図６に２種類の組成からなる領域４０ａ，４０ｂ１，４０ｂ２の分割配置例を示す。何れの場合も、比較的単純な形状を保ちながら、半径位置ごとに円周方向の平均組成が異なるようなターゲットが形成できる。
【００２７】
このような複数種類の組成領域を複合させるスパッタリングターゲットは、各組成のターゲットをホットプレス等でそれぞれ形成した後、所定形状に加工し、バッキングプレート上で一体化するように貼り合せることにより形成することができる。技術課題のところでも述べたように、組成領域の境界に隙間ができないようにする必要があるが、本発明の場合は、貼り合わせる境界の形状が単純であるため、比較的容易に達成できる。同心円状に貼り合わせる従来例に比較して、形状加工も容易であるため、ターゲット作成の容易さは従来例に比較して格段に向上する。
【実施例】
【００２８】
以下、上述した本発明の実施の形態に準ずる実施例を説明する。
実施例で使用したスパッタリングターゲットは、いずれも図２に示すような２つの組成領域１０ａ，１０ｂが組み合わされてなるものとした。該ターゲットの直径は２０ｃｍ、２つの組成の境界の長さは１７ｃｍになるように、それぞれ別に形成したターゲットの形状を加工し、バッキングプレート上で貼り合せて一体化したものである。
【００２９】
（実施例１）
（１）スパッタリングターゲットの作製
組成領域１０ａの組成ＡをＧｅ10Ｉｎ18Ｓｂ72とし、組成領域１０ｂの組成１０ＢをＩｎ20Ｓｂ80として、図２に示す本発明のスパッタリングターゲット１０を作製した。
【００３０】
（２）評価サンプルの作製
直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍ、トラックピッチ０．７４μｍの案内溝付きポリカーボネートディスク基板を光ディスク用多層膜スパッタ製膜装置（バルザス社製Big sprinter）にセットし、前記ディスク基板を回転させながらスパッタリング法により該ディスク基板上に次に示す層（ａ）〜（ｅ）を第一保護層から順番に成膜した。
（ａ）第一保護層：モル比が８：２のＺｎＳとＳｉＯ２からなる層（厚さ６０ｎｍ）
（ｂ）記録層：本実施例スパッタリングターゲット１０を用いて成膜した層（厚さ１４ｎｍ）
（ｃ）第二保護層：モル比が８：２のＺｎＳとＳｉＯ２からなる層（厚さ８ｎｍ）
（ｄ）反射層の硫化防止層：重量比が７：３のＴｉＣとＴｉＯ２からなる層（厚さ４ｎｍ）
（ｅ）反射層：Ａｇ（厚さ２００ｎｍ）
ついで、その表面を有機保護膜でオーバーコートし、厚さ０.６ｍｍのポリカーボネートディスクを貼り合わせ、日立ＰＣ社製の相変化型光ディスク用初期化装置にて、記録層をas-depoの非晶質状態から結晶状態へと初期化させ、評価サンプルとした。
【００３１】
また、実施例１において記録層を形成する際、全面が組成Ａである単一ターゲットを用い、それ以外は実施例１と同じ条件として相変化型光ディスクを作成し、比較例サンプルとした。
【００３２】
（３）サンプル評価
得られたサンプルについて、パルステック工業社製ＤＶＤ評価装置ＤＤＵ−１０００で転移線速を測定した。
ここで転移線速とは、本発明者らが記録線速に応じて適切な記録特性を示す媒体を設計する目安として用いている値であり、一般的に、転移線速が速い程、高速記録に適している。また、転移線速より遅い線速での記録では、記録層は溶融後全て再結晶化した状態となり、転移線速より速くなると溶融後全てが再結晶化できず、一部非晶質として残る。
【００３３】
転移線速を求めるに当っては、媒体を一定線速で回転させ、記録層が溶融し得る程度のレーザー光を１周に渡って照射し、反射率を測定することを行う。照射する連続光のパワーを一定とし、回転線速を変えて同じ測定をすると、線速が遅い場合には反射率が高いが、ある線速以上になると反射率が低下し始める。この様子を図７に示す。
図において、線速に対して反射率がほぼ一定の部分と、線速に対して反射率が低下していく部分に直線を引き、これらの交点を転移線速と決めた。すなわち、転移線速はこの反射率が低下し始める時の線速である。
【００３４】
この転移線速は記録層の結晶化速度の他、照射する連続光のパワーと媒体を形成する各層の膜厚、即ち、光学的な条件と熱的な条件によって決まる。
本評価装置では波長６６０±１０ｎｍ、ＮＡ０.６５のピックアップヘッドを有しており、盤面パワー１５ｍＷとし、サンプルの各半径位置（半径２５，４０，５５ｍｍ）での転移線速を測定した。
【００３５】
転移線速を測定した結果を表１に示す。実施例１では、ディスク内周側から外周側にかけて転移線速が速くなっていることがわかる。これは、内周側から外周側にかけて組成Ａと組成Ｂの混合比が異なることにより生じたとみなすことができる。
一方、比較例では、全ての半径位置で同じ転移線速を示した。
【００３６】
【表１】
2007046094.tif 000003
【００３７】
（実施例２、３）
実施例１において、スパッタリングターゲット１０の組成Ａ／組成ＢをそれぞれＴｅ12Ｉｎ18Ｓｂ70／Ｉｎ20Ｓｂ80（実施例２）、Ｇｅ10Ｉｎ18Ｓｂ72／Ｉｎ20Ｓｂ65Ｓｎ15（実施例３）とし、それ以外は実施例１と同じ条件で相変化型光ディスクサンプルを作成し、同様の条件で転移線速を測定した。
【００３８】
その結果を表２に示す。
実施例１同様、ディスク内周側から外周側にかけて転移線速が速くなっており、内周側から外周側にかけて組成Ａと組成Ｂの混合比が異なっているとみなすことができる。
【００３９】
【表２】
2007046094.tif 000004
【００４０】
相変化型光ディスクの記録層としては、実施例１〜３のようにＳｂが主成分の記録層を用いると、非晶質状態と結晶状態の光学定数差が大きく、変調度の大きい信号を記録することができる。しかし、Ｓｂだけでは非晶質マークを形成できないので、これに何らかの元素を１種類、あるいは、数種類を組み合わせて添加する。
【００４１】
Ｓｂに添加する元素としては、本発明者らが種々検討した中では、特に、Ｇａ，Ｉｎ，Ｇｅ，Ｔｅ，Ｚｎ，Ｍｎ，Ａｇから選ぶと、繰り返し記録特性、保存安定性に優れた記録層を形成することができる。これらの元素はいずれも添加することにより非晶質化を促進するものであり、添加量を多くすると結晶化速度が遅くなり、また、保存安定性を向上させる。各元素毎にその作用の大きさは異なるので、各々適切な量を組み合わせて用いることにより、所望の結晶化速度を持つ記録層を形成することができる。添加量が少なすぎる場合には、保存安定性が悪い傾向があるので、少なくとも合計で１０原子％以上添加することが望ましい。また、添加量の上限は必要とされる結晶化速度によって決められるが、概ね多くとも合計で4０原子％以下である。
【００４２】
また、さらに、Ｓｎ，Ｂｉのどちらか一方、あるいは両方を添加してもよい。Ｓｎ，Ｂｉは先に挙げたＧａ等の添加元素とは異なり、結晶化を促進する作用を持つ。従って、保存安定性等の確保のためにＧａ等の添加元素を多く入れたいが、結晶化速度が所望の値より遅くなってしまう場合などに添加するとよい。初期化を容易にする作用も持つ。添加量は、概ね２〜２０％程度とすると適切な記録層が得られる。多すぎると保存安定性が劣化する場合があるので注意する。
【００４３】
以上のように、Ｓｂをベースに、上述したような添加元素を適量組み合わせることにより、記録特性、保存安定性に優れた記録層を得ることができる。
【００４４】
ディスク内周側から外周側にかけて結晶化速度が速くなるような記録膜を形成するためには、添加元素の量や組み合わせを調整して、図２のような形状の複合ターゲットの組成としては、組成Ａとして、結晶化速度が遅い組成を用い、組成Ｂとしては結晶化速度が速い組成を用いるとよい。ただし、マグネトロンスパッタを用いる場合には、形成される膜の組成はエロージョン領域に大きく左右されるので、組成Ａ，Ｂの分割位置や形状は装置毎に最適化する必要がある。
【００４５】
（実施例４）
（１）スパッタリングターゲットの作製
組成領域１０ａの組成ＡをＧｅＯ2  ３０ｍｏｌ％、Ｇｅ  ７０ｍｏｌ％とし、組成領域１０ｂの組成１０ＢをＧｅＯ2  ７０ｍｏｌ％、Ｇｅ  ３０ｍｏｌ％として、図２に示す本発明のスパッタリングターゲット１０を作製した。
【００４６】
（２）評価サンプルの作製
直径１２ｃｍ、厚さ０．６ｍｍ、トラックピッチ０．７４μｍの案内溝付きポリカーボネートディスク基板を光ディスク用多層膜スパッタ製膜装置（バルザス社製Big sprinter）にセットし、前記ディスク基板を回転させながらスパッタリング法により該ディスク基板上に次に示す層（ａ）〜（ｆ）を第一保護層から順番に成膜した。
（ａ）第一保護層：モル比が８：２のＺｎＳとＳｉＯ２からなる層（厚さ６０ｎｍ）
（ｂ）記録層：Ｉｎ２０Ｓｂ８０の単一ターゲットを用いて成膜した層（厚さ１４ｎｍ）
（ｃ）結晶化速度調整層：本実施例スパッタリングターゲット１０を用いて成膜した層（厚さ４ｎｍ）
（ｄ）第二保護層：モル比が８：２のＺｎＳとＳｉＯ２からなる層（厚さ６ｎｍ）
（ｅ）反射層の硫化防止層：重量比が７：３のＴｉＣとＴｉＯ２からなる層（厚さ４ｎｍ）
（ｆ）反射層：Ａｇ（厚さ２００ｎｍ）
ついで、その表面を有機保護膜でオーバーコートし、厚さ０.６ｍｍのポリカーボネートディスクを貼り合わせ、日立ＰＣ社製の相変化型光ディスク用初期化装置にて、記録層をas-depoの非晶質状態から結晶状態へと初期化させ、評価サンプルとした。
【００４７】
転移線速を測定した結果を表３に示す。
本実施例で加えた結晶化速度調整層とは、記録層に接するように設けることにより結晶化速度を変化させる作用を持つ層のことである。メカニズムは明らかになっているわけではないが、主として記録層との界面での不均一核形成を制御していると考えられる。酸化物、窒化物、炭化物等が私用され、材料により、核形成を促進し、結晶化速度を速くする作用を持つものと、核形成を抑制し、結晶化速度を遅くする作用をもつものとがある。本実施例で用いたＧｅＯ２とＧｅからなるターゲットで形成された膜は、結晶化速度を遅くする作用を持つ。Ｇｅの割合が多くなる程、結晶化速度を遅くするので、組成ＡのＧｅの割合を組成Ｂより多くした。その結果、転移線速は、内周側から外周側にかけて順次速くなっているディスクが得られた。同様の効果が得られる結晶化調整層の材料としては、ＧｅＯ２とＧｅの他、ＳｉＯ２とＳｉがあり、Ｓｉの割合が多い程結晶化速度を遅くする。さらに、ＧｅＯ２、ＳｉＯ２のいずれかあるいは両方と、Ｇｅ、Ｓｉのいずれかあるいは両方とを組み合わせてもよい。
【００４８】
【表３】
2007046094.tif 000005
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】相変化型光ディスクにおけるマークとスペースからなるデータを繰返し記録するための波形発光パターンである。
【図２】本発明に係るスパッタリングターゲットの構成例（１）を示す概略図である。
【図３】スパッタリングターゲットの円周上の平均組成を説明する概略図である。
【図４】本発明に係るスパッタリングターゲットの構成例（２）を示す概略図である。
【図５】本発明に係るスパッタリングターゲットの構成例（３）を示す概略図である。
【図６】本発明に係るスパッタリングターゲットの構成例（４）を示す概略図である。
【図７】転移線速を求めるに当っての線速と反射率の関係を示す図である。
【符号の説明】
【００５０】
１０，２０，３０，４０    スパッタリングターゲット
１０ａ,１０ｂ，２０ａ,２０ｂ，２０ｃ，３０ａ，３０ｂ，４０ａ，４０ｂ１，４０ｂ２    組成領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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