(57)【要約】 【課題】スループットの低下を抑制しつつ、基板の変形に関する情報を精確に取得して露光不良の発生を抑制できる露光方法を提供する。【解決手段】露光光で基板を露光する露光方法は、基板の端を含む外縁領域の第１部分の変形に関する情報を取得することと、取得した結果と、所定の関係式とに基づいて、第１部分と異なる外縁領域の第２部分の変形に関する情報を取得することと、取得した第１部分及び第２部分の変形に関する情報に基づいて、基板を露光することと、を含む。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
露光光で基板を露光する露光方法であって、
前記基板の端を含む外縁領域の第１部分の変形に関する情報を取得することと、
前記取得した結果と、所定の関係式とに基づいて、前記第１部分と異なる前記外縁領域の第２部分の変形に関する情報を取得することと、
取得した前記第１部分及び前記第２部分の変形に関する情報に基づいて、前記基板を露光することと、を含む露光方法。
【請求項２】
前記第１部分は、前記基板の中心に対する一方側及び他方側のそれぞれに配置される請求項１記載の露光方法。
【請求項３】
前記第１部分は、第１方向に長く、前記第２部分は、前記第１方向と交差する第２方向に長い請求項１又は２記載の露光方法。
【請求項４】
前記基板の外形は、四角形であり、
前記第１部分は、前記第１方向に長い前記基板の２つの辺を含み、
前記第２部分は、前記第２方向に長い前記基板の２つの辺を含む請求項１〜３のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項５】
前記基板は、前記第１部分に配置される複数のアライメントマークを有し、
前記第１部分の変形に関する情報を取得することは、前記アライメントマークを計測することを含む請求項１〜４のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項６】
前記アライメントマークは、前記基板の外縁領域の変形に応じて変位する請求項５記載の露光方法。
【請求項７】
前記第１部分の変形に応じた複数の前記関係式が予め用意され、
前記第１部分の変形状態に応じて、複数の関係式から所定の関係式が選択される請求項１〜６のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項８】
複数の前記関係式は、次数が異なる請求項７記載の露光方法。
【請求項９】
前記外縁領域の変形に関する情報を取得した後、
前記外縁領域の内側の前記基板の内部領域の変形に関する情報を取得することを含む請求項１〜８のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項１０】
前記外縁領域の変形に関する情報、及び前記内部領域の変形に関する情報の少なくとも一方に基づいて、露光条件を調整することを含む請求項９記載の露光方法。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項記載の露光方法を用いて基板を露光することと、
露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【請求項１２】
露光光で基板を露光する露光装置であって、
前記基板の端を含む外縁領域の第１部分の変形に関する情報を取得する第１取得装置と、
前記第１取得装置で取得した結果と、所定の関係式とに基づいて、前記第１部分と異なる前記外縁領域の第２部分の変形に関する情報を取得する第２取得装置と、を備え、
取得した前記第１部分及び前記第２部分の変形に関する情報に基づいて、前記基板を露光する露光装置。
【請求項１３】
請求項１２記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光方法、露光装置、及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フラットパネルディスプレイ等の電子デバイスの製造工程において、例えば特許文献１に開示されているような、露光光で基板を露光する露光装置が使用される。デバイスは、基板上に複数のパターン（パターン化された膜）を積層することによって形成される。露光処理において、基板に既に形成されているパターンに次のパターンの像を重ね合わせる際、基板のアライメントマークを計測し、そのアライメントマークの計測結果に基づいて、基板と次のパターンの像との位置合わせを行うアライメント処理が実行される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２１５７１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
露光処理において、基板が変形すると、パターンの重ね合わせ精度が低下し、その結果、露光不良の発生、及び不良デバイスの発生をもたらす。基板が変形した場合でも、パターンの重ね合わせ精度の低下を抑制するために、基板の変形に関する情報を精確に取得することが有効である。基板の変形が非線形成分（非線形歪み）を含む場合、アライメントマークの計測点数を多くすることによって、その非線形歪みを含む基板の変形に関する情報を精確に取得することができる。しかし、アライメントマークの計測点数を多くした場合、その計測のために時間を要し、スループットが低下してしまう可能性がある。
【０００５】
本発明の態様は、スループットの低下を抑制しつつ、基板の変形に関する情報を精確に取得して露光不良の発生を抑制できる露光方法及び露光装置を提供することを目的とする。また本発明の態様は、スループットの低下を抑制しつつ、不良デバイスの発生を抑制できるデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、露光光で基板を露光する露光方法であって、基板の端を含む外縁領域の第１部分の変形に関する情報を取得することと、取得した結果と、所定の関係式とに基づいて、第１部分と異なる外縁領域の第２部分の変形に関する情報を取得することと、取得した第１部分及び第２部分の変形に関する情報に基づいて、基板を露光することと、を含む露光方法が提供される。
【０００７】
本発明の第２の態様に従えば、第１の態様の露光方法を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【０００８】
本発明の第３の態様に従えば、露光光で基板を露光する露光装置であって、基板の端を含む外縁領域の第１部分の変形に関する情報を取得する第１取得装置と、第１取得装置で取得した結果と、所定の関係式とに基づいて、第１部分と異なる外縁領域の第２部分の変形に関する情報を取得する第２取得装置と、を備え、取得した第１部分及び第２部分の変形に関する情報に基づいて、基板を露光する露光装置が提供される。
【０００９】
本発明の第４の態様に従えば、第３の態様の露光装置を用いて基板を露光することと、露光された基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の態様によれば、スループットの低下を抑制しつつ、露光不良の発生を抑制できる。また本発明の態様によれば、スループットの低下を抑制しつつ、不良デバイスの発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１実施形態に係る露光装置の一例を示す概略構成図である。
【図２】第１実施形態に係る露光装置の一例を示す斜視図である。
【図３】第１実施形態に係る投影システムの投影領域とアライメントシステムの検出領域と基板との関係の一例を示す模式図である。
【図４】第１実施形態に係る基板の変形状態の一例を示す模式図である。
【図５】第１実施形態に係る基板の変形状態の一例を示す模式図である。
【図６】第１実施形態に係る基板の変形状態の一例を示す模式図である。
【図７】第１実施形態に係る基板の変形状態の一例を示す模式図である。
【図８】第１実施形態に係る露光方法の一例を示すフローチャートである。
【図９】第１実施形態に係る基板の第３、第４辺の変形状態の一例を示す模式図である。
【図１０】第１実施形態に係る基板の第１、第２辺の変形状態の一例を示す模式図である。
【図１１】第１実施形態に係る基板の内部領域の変形状態の一例を示す模式図である。
【図１２】第１実施形態に係る基板の内部領域の変形状態の一例を示す模式図である。
【図１３】第２実施形態に係る露光方法の一例を示すフローチャートである。
【図１４】第２実施形態に係る基板の第３、第４辺の変形状態の一例を示す模式図である。
【図１５】第２実施形態に係る基板の第１、第２辺の変形状態の一例を示す模式図である。
【図１６】第２実施形態に係る基板の内部領域の変形状態の一例を示す模式図である。
【図１７】第２実施形態に係る基板の内部領域の変形状態の一例を示す模式図である。
【図１８】本実施形態に係るデバイス製造方法の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部の位置関係について説明する。水平面内の所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれと直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００１３】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は、第１実施形態に係る露光装置ＥＸの一例を示す概略構成図、図２は、斜視図である。図１及び図２において、露光装置ＥＸは、マスクＭを保持して移動可能なマスクステージ１と、基板Ｐを保持して移動可能な基板ステージ２と、マスクステージ１を移動する駆動システム３と、基板ステージ２を移動する駆動システム４と、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明システムＩＳと、露光光ＥＬで照明されたマスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する投影システムＰＳと、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置５と、制御装置５に接続され、露光に関する各種の情報を記憶する記憶装置５Ｒとを備えている。
【００１４】
マスクＭは、基板Ｐに投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。基板Ｐは、例えばガラスプレート等の基材と、その基材上に形成された感光膜（塗布された感光剤）とを含む。本実施形態において、基板Ｐの外形は、四角形である。本実施形態において、基板Ｐは、大型のガラスプレートを含み、その基板Ｐの一辺のサイズは、例えば５００ｍｍ以上である。本実施形態においては、基板Ｐの基材として、一辺が約３０００ｍｍの四角形のガラスプレートを用いる。
【００１５】
また、本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクステージ１及び基板ステージ２の位置情報を計測する干渉計システム６と、マスクＭの表面（下面、パターン形成面）の位置情報を検出する第１検出システム７と、基板Ｐの表面（露光面、感光面）の位置情報を検出する第２検出システム８と、基板Ｐ上のアライメントマーク計測を実行するアライメントシステム９とを備えている。
【００１６】
また、露光装置ＥＸは、ボディ１３を備えている。ボディ１３は、例えばクリーンルーム内の支持面（例えば床面）ＦＬ上に防振台ＢＬを介して配置されたベースプレート１０と、ベースプレート１０上に配置された第１コラム１１と、第１コラム１１上に配置された第２コラム１２とを有する。本実施形態において、ボディ１３は、投影システムＰＳ、マスクステージ１、及び基板ステージ２のそれぞれを支持する。本実施形態において、投影システムＰＳは、定盤１４を介して、第１コラム１１に支持される。マスクステージ１は、第２コラム１２に対して移動可能に支持される。基板ステージ２は、ベースプレート１０に対して移動可能に支持される。
【００１７】
本実施形態において、投影システムＰＳは、複数の投影光学系を有する。照明システムＩＳは、複数の投影光学系に対応する複数の照明モジュールを有する。また、本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しながら、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する。すなわち、本実施形態の露光装置ＥＸは、所謂、マルチレンズ型スキャン露光装置である。
【００１８】
本実施形態において、投影システムＰＳは、７つの投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ７を有し、照明システムＩＳは、７つの照明モジュールＩＬ１〜ＩＬ７を有する。なお、投影光学系及び照明モジュールの数は７つに限定されず、例えば投影システムＰＳが、投影光学系を１１個有し、照明システムＩＳが、照明モジュールを１１個有してもよい。
【００１９】
照明システムＩＳは、所定の照明領域ＩＲ１〜ＩＲ７に露光光ＥＬを照射可能である。照明領域ＩＲ１〜ＩＲ７は、各照明モジュールＩＬ１〜ＩＬ７から射出される露光光ＥＬの照射領域に含まれている。本実施形態において、照明システムＩＳは、異なる７つの照明領域ＩＲ１〜ＩＲ７のそれぞれを露光光ＥＬで照明する。照明システムＩＳは、マスクＭのうち照明領域ＩＲ１〜ＩＲ７に配置された部分を、均一な照度分布の露光光ＥＬで照明する。本実施形態においては、照明システムＩＳから射出される露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）を用いる。
【００２０】
マスクステージ１は、マスクＭを保持した状態で、照明領域ＩＲ１〜ＩＲ７に対して移動可能である。マスクステージ１は、マスクＭを保持可能なマスク保持部１５を有する。マスク保持部１５は、マスクＭを真空吸着可能なチャック機構を含み、マスクＭをリリース可能に保持する。本実施形態において、マスク保持部１５は、マスクＭの下面（パターン形成面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、マスクＭを保持する。駆動システム３は、例えばリニアモータを含み、第２コラム１２のガイド面１２Ｇ上においてマスクステージ１を移動可能である。本実施形態において、マスクステージ１は、駆動システム３の作動により、マスク保持部１５でマスクＭを保持した状態で、ガイド面１２Ｇ上を、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向の３つの方向に移動可能である。
【００２１】
投影システムＰＳは、所定の投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に露光光ＥＬを照射可能である。投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７は、各投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ７から射出される露光光ＥＬの照射領域に相当する。本実施形態において、投影システムＰＳは、異なる７つの投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７のそれぞれにパターンの像を投影する。投影光学システムＰＳは、基板Ｐのうち投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に配置された部分に、マスクＭのパターンの像を所定の投影倍率で投影する。
【００２２】
基板ステージ２は、基板Ｐを保持した状態で、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対して移動可能である。基板ステージ２は、基板Ｐを保持可能な基板保持部１６を有する。基板保持部１６は、基板Ｐを真空吸着可能なチャック機構を含み、基板Ｐをリリース可能に保持する。本実施形態において、基板保持部１６は、基板Ｐの表面（露光面）とＸＹ平面とがほぼ平行となるように、基板Ｐを保持する。駆動システム４は、例えばリニアモータを含み、ベースプレート１０のガイド面１０Ｇ上において基板ステージ２を移動可能である。本実施形態において、基板ステージ２は、駆動システム４の作動により、基板保持部１６で基板Ｐを保持した状態で、ガイド面１０Ｇ上を、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６つの方向に移動可能である。
【００２３】
干渉計システム６は、マスクステージ１の位置情報を計測するレーザ干渉計ユニット６Ａと、基板ステージ２の位置情報を計測するレーザ干渉計ユニット６Ｂとを有する。レーザ干渉計ユニット６Ａは、マスクステージ１に配置された計測ミラー１Ｒを用いて、マスクステージ１の位置情報を計測可能である。レーザ干渉計ユニット６Ｂは、基板ステージ２に配置された計測ミラー２Ｒを用いて、基板ステージ２の位置情報を計測可能である。本実施形態において、干渉計システム６は、レーザ干渉計ユニット６Ａ，６Ｂを用いて、Ｘ軸、Ｙ軸、及びθＸ方向に関するマスクステージ１及び基板ステージ２それぞれの位置情報を計測可能である。基板Ｐの露光処理を実行するとき、あるいは所定の計測処理を実行するとき、制御装置５は、干渉計システム６の計測結果に基づいて、駆動システム３，４を作動し、マスクステージ１（マスクＭ）、及び基板ステージ２（基板Ｐ）の位置制御を実行する。
【００２４】
アライメントシステム９は、基板Ｐに設けられているアライメントマークを計測する。アライメントシステム９は、所謂、オフアクシス方式のアライメントシステムであり、基板ステージ２に保持された基板Ｐの表面と対向配置される複数の顕微鏡９Ａ〜９Ｆを有する。顕微鏡９Ａ〜９Ｆのそれぞれは、検出領域ＡＬ１〜ＡＬ６に検出光を照射する投射部と、検出領域ＡＬ１〜ＡＬ６に配置されたアライメントマークの光学像を取得可能な受光部とを有する。
【００２５】
制御装置５は、投影システムＰＳにより形成されるマスクＭのパターンの像を、基板Ｐに既に形成されているパターンに重ね合わせるように、露光処理を実行する。露光処理の際、制御装置５は、基板Ｐのアライメントマークを計測し、そのアライメントマークの計測結果に基づいて、基板ＰとマスクＭのパターンの像との位置合わせを行うアライメント処理を実行する。
【００２６】
図３は、投影システムＰＳの投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７と、アライメントシステム９の検出領域ＡＬ１〜ＡＬ６と、基板Ｐとの位置関係の一例を示す模式図であり、基板Ｐの表面を含む平面内の位置関係を示している。
【００２７】
図３に示すように、本実施形態において、基板Ｐの外形は、四角形である。本実施形態において、基板Ｐの外形は、Ｘ軸方向に長い長方形である。なお、基板Ｐの外形が、正方形でもよいし、Ｙ軸方向に長い長方形でもよい。
【００２８】
基板Ｐは、４つの辺を有する。基板Ｐは、Ｘ軸方向とほぼ平行な２つの辺Ｓ１、Ｓ２と、Ｙ軸方向とほぼ平行な２つの辺Ｓ３、Ｓ４とを有する。
【００２９】
以下の説明において、基板Ｐが有するＸ軸方向とほぼ平行な２つの辺Ｓ１、Ｓ２のうち、一方の辺を適宜、第１辺Ｓ１と称し、他方の辺を適宜、第２辺Ｓ２と称する。本実施形態において、第１辺Ｓ１は、＋Ｙ側の辺であり、第２辺Ｓ２は、−Ｙ側の辺である。また、基板Ｐが有するＹ軸方向とほぼ平行な２つの辺Ｓ３、Ｓ４のうち、一方の辺を適宜、第３辺Ｓ３、と称し、他方の辺を適宜、第４辺Ｓ４、と称する。本実施形態において、第３辺Ｓ３は、−Ｘ側の辺であり、第４辺Ｓ４は、＋Ｘ側の辺である。
【００３０】
また、以下の説明において、基板Ｐの端（辺）を含む基板Ｐの外縁の領域を適宜、外縁領域ＧＡ、と称する。また、基板Ｐのうち、外縁領域ＧＡの内側の領域を適宜、内部領域ＵＡ、と称する。内部領域ＵＡは、基板Ｐの中心を含む領域である。外縁領域ＧＡは、内部領域ＵＡの周囲に配置される領域である。
【００３１】
また、外縁領域ＧＡのうち、Ｙ軸方向に長い部分を適宜、Ｙ部分ＧＡｙ、と称し、Ｘ軸方向に長い部分を適宜、Ｘ部分ＧＡｘ、と称する。
【００３２】
本実施形態において、Ｙ部分ＧＡｙは、Ｙ軸方向に長い第３辺Ｓ３を含む第１Ｙ部分ＧＡｙ１と、Ｙ軸方向に長い第４辺Ｓ４を含む第２Ｙ部分ＧＡｙ２とを含む。Ｘ部分ＧＡｘは、Ｘ軸方向に長い第１辺Ｓ１を含む第１Ｘ部分ＧＡｘ１と、Ｘ軸方向に長い第２辺Ｓ２を含む第２Ｘ部分ＧＡｘ２とを含む。Ｙ部分ＧＡｙのうち、第１Ｙ部分ＧＡｙ１は、基板Ｐの中心に対して−Ｘ側に配置され、第２Ｙ部分ＧＡｙ２は、基板Ｐの中心に対して＋Ｘ側に配置される。Ｘ部分ＧＡｘのうち、第１Ｘ部分ＧＡｘ１は、基板Ｐの中心に対して＋Ｙ側に配置され、第２Ｘ部分ＧＡｘ２は、基板Ｐの中心に対して−Ｙ側に配置される。
【００３３】
図３に示すように、本実施形態おいて、基板Ｐの表面は、マスクＭのパターンの像が投影される複数の露光領域（被処理領域）ＰＡ１〜ＰＡ６を有する。本実施形態において、基板Ｐの表面は、６つの露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６を有する。露光領域ＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３が、Ｙ軸方向にほぼ等間隔で離れて配置され、露光領域ＰＡ４、ＰＡ５、ＰＡ６が、Ｙ軸方向にほぼ等間隔で離れて配置されている。露光領域ＰＡ１、ＰＡ２、ＰＡ３は、露光領域ＰＡ４、ＰＡ５、ＰＡ６に対して＋Ｘ側に配置されている。露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６は、基板Ｐの内部領域ＵＡに配置される。
【００３４】
本実施形態において、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７のそれぞれは、ＸＹ平面内において台形である。本実施形態において、投影光学系ＰＬ１、ＰＬ３、ＰＬ５、ＰＬ７による投影領域ＰＲ１、ＰＲ３、ＰＲ５、ＰＲ７が、Ｙ軸方向にほぼ等間隔で配置され、投影光学系ＰＬ２、ＰＬ４、ＰＬ６による投影領域ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ６が、Ｙ軸方向にほぼ等間隔で配置されている。投影領域ＰＲ１、ＰＲ３、ＰＲ５、ＰＲ７は、投影領域ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ６に対して−Ｘ側に配置されている。また、Ｙ軸方向に関して、投影領域ＰＲ１、ＰＲ３、ＰＲ５、ＰＲ７の間に、投影領域ＰＲ２、ＰＲ４、ＰＲ６が配置される。
【００３５】
本実施形態において、顕微鏡９Ａ〜９Ｆによる検出領域ＡＬ１〜ＡＬ６が、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対して−Ｘ側に配置されている。検出領域ＡＬ１〜ＡＬ６は、Ｙ軸方向に離れて配置される。複数の検出領域ＡＬ１〜ＡＬ６のうち、Ｙ軸方向に関して外側２つの検出領域ＡＬ１と検出領域ＡＬ６との間隔は、複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６のうち、Ｙ軸方向に関して外側２つの露光領域ＰＡ１（ＰＡ４）の−Ｙ側のエッジと露光領域ＰＡ３（ＰＡ６）の＋Ｙ側のエッジとの間隔とほぼ等しい。
【００３６】
アライメントシステム９は、基板Ｐに設けられている複数のアライメントマークｍ１〜ｍ６を検出可能である。本実施形態において、基板Ｐ上にはＹ軸方向に６つのアライメントマークｍ１〜ｍ６が配置され、それらアライメントマークｍ１〜ｍ６のグループが、Ｘ軸方向に４箇所に配置されている。１つのグループにおいて、アライメントマークｍ１〜ｍ６のそれぞれは、Ｘ軸方向に関して離れて配置される。４つのグループのそれぞれは、Ｙ軸方向に関して離れて配置される。
【００３７】
以下の説明において、アライメントマークｍ１〜ｍ６の４つのグループのうち、最も−Ｘ側のグループを適宜、第１グループＧ１、と称し、第１グループＧ１に次いで−Ｘ側のグループを適宜、第２グループＧ２、と称し、第２グループＧ２に次いで−Ｘ側のグループを適宜、第３グループＧ３、と称し、最も＋Ｘ側のグループを適宜、第４グループＧ４、と称する。第１〜第４グループＧ１〜Ｇ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６のうち、第１グループＧ１のアライメントマークｍ１〜ｍ４が、最も第３辺Ｓ３に近く、第４グループＧ４のアライメントマークｍ１〜ｍ４が、最も第４辺Ｓ４に近い。
【００３８】
第２、第３グループＧ２、Ｇ３のアライメントマークｍ１〜ｍ６は、基板Ｐの内部領域ＵＡに配置される。第１、第４グループＧ１、Ｇ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６は、基板Ｐの外縁領域ＧＡに配置される。本実施形態において、第１，第４グループＧ１、Ｇ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６は、外縁領域ＧＡのうち、Ｙ部分ＧＡｙに配置される。本実施形態において、第１グループＧ１のアライメントマークｍ１〜ｍ６は、Ｙ部分ＧＡｙのうち、第１Ｙ部分ＧＡｙ１に配置され、第４グループＧ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６は、Ｙ部分ＧＡｙのうち、第２Ｙ部分ＧＡｙ２に配置される。
【００３９】
なお、アライメントマークｍ１〜ｍ６のうち、アライメントマークｍ１，ｍ２は、露光領域ＰＡ１，ＰＡ４の各両端部に隣接して設けられ、アライメントマークｍ３，ｍ４は、露光領域ＰＡ２，ＰＡ５の各両端部に隣接して設けられ、アライメントマークｍ５，ｍ６は、露光領域ＰＡ３，ＰＡ６の各両端部に隣接して設けられている。
【００４０】
本実施形態においては、基板Ｐ上においてＹ軸方向に離れて配置された６つのアライメントマークｍ１〜ｍ６に対応して、顕微鏡９Ａ〜９Ｆ（検出領域ＡＬ１〜ＡＬ６）が配置されている。顕微鏡９Ａ〜９Ｆは、アライメントマークｍ１〜ｍ６が検出領域ＡＬ１〜ＡＬ６に同時に配置されるように設けられている。アライメントシステム９は、顕微鏡９Ａ〜９Ｆを用いて、６つのアライメントマークｍ１〜ｍ６を同時に検出可能である。換言すれば、アライメントシステム９は、第１グループＧ１のアライメントマークｍ１〜ｍ６を同時に検出可能であり、第２グループＧ２のアライメントマークｍ１〜ｍ６を同時に検出可能であり、第３グループＧ３のアライメントマークｍ１〜ｍ６を同時に検出可能であり、第４グループＧ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６を同時に検出可能である。
【００４１】
ところで、基板Ｐは、変形する可能性がある。基板Ｐは、例えば露光処理の前後に行われる各種のプロセス処理によって加熱される場合がある。その結果、基板Ｐの変形（熱変形）が発生する可能性がある。また、基板保持部１６の保持状態に起因して、基板Ｐの変形（歪み変形）が発生する可能性がある。なお、基板保持部１６の保持状態は、例えば基板保持部１６に設けられている吸着機構の吸着むらを含む。なお、基板Ｐが変形する原因は、プロセス処理、及び基板保持部１６の保持状態に限られない。例えば特開２００１−３３２６００号公報等に開示されているようなトレイに基板Ｐを載せた状態で基板保持部１６に基板Ｐを搬入（ロード）する場合、そのトレイの形状、変形等に依存して、基板保持部１６に搬入されて保持された基板Ｐが変形する可能性もある。
【００４２】
図４（Ａ）は、基板Ｐが変形している状態の一例を模式的に示す図である。図４（Ｂ）は、図４（Ａ）に示すように基板Ｐが変形しているときの露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６それぞれの変形の状態、及び第１，第４グループＧ１，Ｇ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６の位置の一例を模式的に示す図である。同様に、図５（Ａ）、図６（Ａ）、図７（Ａ）は、基板Ｐが変形している状態の一例を模式的に示す図であり、図５（Ｂ）、図６（Ｂ）、図７（Ｂ）は、図５（Ａ）、図６（Ａ）、図７（Ａ）に示すように基板Ｐが変形しているときの露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６それぞれの変形の状態、及び第１，第４グループＧ１，Ｇ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６の位置の一例を模式的に示す図である。なお、図４（Ａ）〜図７（Ａ）において、変形していない状態の基板Ｐが破線で示されている。図４（Ｂ）〜図７（Ｂ）において、変形していない状態の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６が破線で示されている。
【００４３】
本出願に係る発明の発明者は、基板Ｐが変形する場合、その基板Ｐの変形パターンは、図４（Ａ）〜図７（Ａ）のそれぞれに示すように、主に４つの変形パターンに分類（類型化）されることを見出した。
【００４４】
図４（Ａ）に示す変形パターンは、第１Ｘ部分ＧＡｘ１（第１辺Ｓ１）及び第２Ｘ部分ＧＡｘ２（第２辺Ｓ２）が、基板Ｐの中心に対して外側に向かって曲がるように変形し、第１Ｙ部分ＧＡｙ１（第３辺Ｓ３）及び第２Ｙ部分ＧＡｙ２（第４辺Ｓ４）が、基板Ｐの中心に対して内側に向かって曲がるように変形する変形パターンである。
【００４５】
図５（Ａ）に示す変形パターンは、第１Ｘ部分ＧＡｘ１（第１辺Ｓ１）及び第２Ｘ部分ＧＡｘ２（第２辺Ｓ２）が、基板Ｐの中心に対して内側に向かって曲がるように変形し、第１Ｙ部分ＧＡｙ１（第３辺Ｓ３）及び第２Ｙ部分ＧＡｙ２（第４辺Ｓ４）が、基板Ｐの中心に対して外側に向かって曲がるように変形する変形パターンである。
【００４６】
図６（Ａ）に示す変形パターンは、第１Ｘ部分ＧＡｘ１（第１辺Ｓ１）の中央部が、基板Ｐの中心に対して外側に向かって突出するように変形し、第２Ｘ部分ＧＡｘ２（第２辺Ｓ２）の中央部が、基板Ｐの中心に対して内側に向かって突出するように変形し、第１Ｙ部分ＧＡｙ１（第３辺Ｓ３）の＋Ｙ側の端が、−Ｙ側の端よりも−Ｘ側に位置し、第２Ｙ部分ＧＡｙ２（第４辺Ｓ４）の＋Ｙ側の端が、−Ｙ側の端よりも＋Ｘ側に位置する変形パターンである。
【００４７】
図７（Ａ）に示す変形パターンは、第１Ｘ部分ＧＡｘ１（第１辺Ｓ１）の中央部が、基板Ｐの中心に対して内側に向かって突出するように変形し、第２Ｘ部分ＧＡｘ２（第２辺Ｓ２）の中央部が、基板Ｐの中心に対して外側に向かって突出するように変形し、第１Ｙ部分ＧＡｙ１（第３辺Ｓ３）の＋Ｙ側の端が、−Ｙ側の端よりも＋Ｘ側に位置し、第２Ｙ部分ＧＡｙ２（第４辺Ｓ４）の＋Ｙ側の端が、−Ｙ側の端よりも−Ｘ側に位置する変形パターンである。
【００４８】
以下の説明において、図４（Ａ）に示す基板Ｐの変形パターンを適宜、第１変形パターン、と称し、図５（Ａ）に示す基板Ｐの変形パターンを適宜、第２変形パターン、と称し、図６（Ａ）に示す基板Ｐの変形パターンを適宜、第３変形パターン、と称し、図７（Ａ）に示す基板Ｐの変形パターンを適宜、第４変形パターン、と称する。
【００４９】
また、以下の説明においては、簡単のため、外縁領域ＧＡの変形が、第１辺Ｓ１、第２辺Ｓ２、第３辺Ｓ３、及び第４辺Ｓ４の少なくとも一つの変形である場合を例にして説明するが、第１辺Ｓ１の変形は、第１Ｘ部分ＧＡｘ１の変形を含む概念であり、第２辺Ｓ２の変形は、第２Ｘ部分ＧＡｘ２の変形を含む概念であり、第３辺Ｓ３の変形は、第１Ｙ部分ＧＡｙ１の変形を含む概念であり、第４辺Ｓ４の変形は、第２Ｙ部分ＧＡｘ２の変形を含む概念である。
【００５０】
図４（Ｂ）、図５（Ｂ）、図６（Ｂ）、図７（Ｂ）に示すように、基板Ｐの露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６のそれぞれは、基板Ｐの第１、第２、第３、第４変形パターンに応じて変形する。また、アライメントマークｍ１〜ｍ６のそれぞれは、基板Ｐの第１、第２、第３、第４変形パターンに応じて変位する。第１グループＧ１のアライメントマークｍ１〜ｍ６は、外縁領域ＧＡの第１Ｙ部分ＧＡｙ１の変形に応じて変位し、第４グループＧ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６は、外縁領域ＧＡの第２Ｙ部分ＧＡｙ２の変形に応じて変位する。
【００５１】
図４（Ａ）に示すように、本実施形態において、第１変形パターンは、基板Ｐの第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４のそれぞれが２次曲線を描くように変形する変形パターンである。換言すれば、第１変形パターンは、第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４のそれぞれを２次式で表すことができる変形パターンである。
【００５２】
図５（Ａ）に示すように、本実施形態において、第２変形パターンは、基板Ｐの第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４のそれぞれが２次曲線を描くように変形する変形パターンである。換言すれば、第２変形パターンは、第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４のそれぞれを２次式で表すことができる変形パターンである。
【００５３】
図６（Ａ）に示すように、本実施形態において、第３変形パターンは、基板Ｐの第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４のそれぞれがＹ軸に対して傾斜した直線を描くように変形する変形パターンである。換言すれば、第３変形パターンは、第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４のそれぞれを１次式で表すことができる変形パターンである。
【００５４】
図７（Ａ）に示すように、本実施形態において、第４変形パターンは、基板Ｐの第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４のそれぞれがＹ軸に対して傾斜した直線を描くように変形する変形パターンである。換言すれば、第４変形パターンは、第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４のそれぞれを１次式で表すことができる変形パターンである。
【００５５】
本出願に係る発明の発明者は、第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４の変形状態に応じて、第１辺Ｓ１及び第２辺Ｓ２の変形状態が決定されることを見出した。換言すれば、発明者は、第１辺Ｓ１及び第２辺Ｓ２の変形状態と、第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４の変形状態とに相関関係があることを見出した。
【００５６】
すなわち、発明者は、第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４の変形に関する情報を取得することによって、その取得した結果と、予め定められている所定の関係式（相関式）とに基づいて、第１辺Ｓ１及び第２辺Ｓ２の変形に関する情報を取得する（推定する）ことができることを見出した。
【００５７】
なお、本実施形態において、変形状態とは、変形の度合い、変形後の形状、及び変形量（変形していない状態と変形している状態との差）の少なくとも一つを含む。
【００５８】
本実施形態において、第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４の変形に関する情報は、アライメントマークｍ１〜ｍ６を計測することによって取得可能である。アライメントマークｍ１〜ｍ６は、基板Ｐの変形に応じて変位する。第３辺Ｓ３を含む第１Ｙ部分ＧＡｙ１に配置された第１グループＧ１のアライメントマークｍ１〜ｍ６は、第３辺Ｓ３（第１Ｙ部分ＧＡｙ１）の変形に応じて変位し、第４辺Ｓ４を含む第２Ｙ部分ＧＡｙ２に配置された第４グループＧ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６は、第４辺Ｓ４（第２Ｙ部分ＧＡｙ２）の変形に応じて変位する。本実施形態において、アライメントシステム９が、アライメントマークｍ１〜ｍ６を計測可能である。したがって、制御装置５は、アライメントシステム９を用いて、基板Ｐの第１グループＧ１のアライメントマークｍ１〜ｍ６を計測することによって、その計測結果に基づいて、第３辺Ｓ３の変形に関する情報を取得することができる。また、制御装置５は、アライメントシステム９を用いて、基板Ｐの第４グループＧ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６を計測することによって、その計測結果に基づいて、第４辺Ｓ４の変形に関する情報を取得することができる。
【００５９】
所定の関係式は、例えば予備実験、あるいはシミュレーションの結果に基づいて定めることができる。
【００６０】
所定の関係式は、１次式でもよいし、２次式でもよい。また、所定の関係式が、３次以上の多項式でもよい。本実施形態においては、基板Ｐの第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４が２次曲線を描くように変形する場合、関係式として２次式を採用する。換言すれば、基板Ｐの変形が第１変形パターン及び第２変形パターンの少なくとも一方である場合、関係式として２次式を採用する。
【００６１】
また、本実施形態においては、基板Ｐの第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４が直線を描くように変形する場合、関係式として１次式を採用する。換言すれば、基板Ｐの変形が第３変形パターン及び第４変形パターンの少なくとも一方である場合、関係式として１次式を採用する。
【００６２】
すなわち、本実施形態においては、第３辺Ｓ３（第１Ｙ部分ＧＡｙ１）及び第４辺Ｓ４（第２Ｙ部分ＧＡｙ２）の変形に応じた複数の関係式が予め用意される。それら複数の関係式は、次数が異なる。本実施形態においては、少なくとも１次式の関係式と、２次式の関係式とが予め用意され、第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４の変形状態に応じて、複数の関係式から所定の関係式が選択される。すなわち、第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４が２次曲線を描くように変形する場合、予め用意されている１次式の関係式及び２次式の関係式のうち、２次式の関係式が選択され、第１辺Ｓ１及び第２辺Ｓ２が直線を描くように変形する場合、予め用意されている１次式の関係式及び２次式の関係式のうち、１次式の関係式が選択される。
【００６３】
例えば、アライメントシステム９の計測結果に基づいて、基板Ｐの第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４の変形状態が、所定の２次曲線を描く変形状態であることを取得した場合、制御装置５は、その取得した結果（所定の２次曲線に関する情報）と、予め定められている所定の関係式（２次式）とに基づいて、第１辺Ｓ１及び第２辺Ｓ２の変形状態を取得する（推定する）ことができる。また、アライメントシステム９の計測結果に基づいて、基板Ｐの第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４の変形状態が、所定の直線を描く変形状態であることを取得した場合、制御装置５は、その取得した結果（所定の直線に関する情報）と、予め定められている所定の関係式（１次式）とに基づいて、第１辺Ｓ１及び第２辺Ｓ２の変形状態を取得する（推定する）ことができる。
【００６４】
なお、所定の関係式を２次式とした場合、その関係式に基づいて定められる第１辺Ｓ１及び第２辺Ｓ２の変形状態は、２次式で表される。換言すれば、所定の関係式を２次式とした場合、第１辺Ｓ１及び第２辺Ｓ２は、所定の２次曲線を描くように変形することとする。
【００６５】
なお、所定の関係式を１次式とした場合、その関係式に基づいて定められる第１辺Ｓ１及び第２辺Ｓ２の変形状態は、１次式で表される。換言すれば、所定の関係式を１次式とした場合、第１辺Ｓ１及び第２辺Ｓ２は、所定の直線（２つ以上の直線を含む）を描くように変形することとする。
【００６６】
次に、本実施形態に係る露光方法の一例について、図８のフローチャート、及び図９〜図１２の模式図を参照して説明する。
【００６７】
露光前の基板Ｐが所定の搬送装置によって基板保持部１６に搬送（ロード）される。基板Ｐにはアライメントマークｍ１〜ｍ６が設けられている。制御装置５は、基板保持部１６に保持された基板Ｐの変形に関する情報を取得するために、アライメントシステム９を用いて、その基板保持部１６に保持された基板Ｐの第１グループＧ１のアライメントマークｍ１〜ｍ６、及び第４グループＧ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６を計測する。
【００６８】
まず、制御装置５は、アライメントシステム９の検出領域ＡＬ１〜ＡＬ６に第１グループＧ１のアライメントマークｍ１〜ｍ６が配置されるように、基板保持部１６で基板Ｐを保持している基板ステージ２の位置を制御する。制御装置５は、レーザ干渉システム６を用いて基板ステージ２の位置を計測しつつ、アライメントシステム９を用いて、第１グループＧ１のアライメントマークｍ１〜ｍ６を計測する（ステップＳＡ１）。
【００６９】
次に、制御装置５は、アライメントシステム６の検出領域ＡＬ１〜ＡＬ６に第４グループＧ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６が配置されるように、基板保持部１６で基板Ｐを保持している基板ステージ２の位置を制御する。制御装置５は、レーザ干渉システム６を用いて基板ステージ２の位置を計測しつつ、アライメントシステム９を用いて、第４グループＧ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６を計測する（ステップＳＡ２）。
【００７０】
これにより、制御装置５は、レーザ干渉計システム６で規定される座標系における第１グループＧ１のアライメントマークｍ１〜ｍ６それぞれの位置と、レーザ干渉計システム６で規定される座標系における第４グループＧ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６それぞれの位置とを求めることができる。
【００７１】
また、制御装置５は、ステップＳＡ１で計測した、第１グループＧ１のアライメントマークｍ１〜ｍ６の計測結果に基づいて、第３辺Ｓ３の変形に関する情報を取得することができる。また、制御装置５は、ステップＳＡ２で計測した、第４グループＧ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６の計測結果に基づいて、第４辺Ｓ４の変形に関する情報を取得することができる。
【００７２】
また、制御装置５は、第１グループＧ１のアライメントマークｍ１〜ｍ６の計測結果、及び第４グループＧ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６の計測結果の少なくとも一方に基づいて、基板Ｐの変形に関する情報を取得することができる。
【００７３】
また、制御装置５は、アライメントシステム９の計測結果に基づいて、第１グループＧ１のアライメントマークｍ１〜ｍ６の変位量、及び第４グループＧ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６の変位量を求めることができる。
【００７４】
なお、アライメントマークｍ１〜ｍ６の変位量とは、基板Ｐが変形していない状態における基板Ｐ上におけるアライメントマークｍ１〜ｍ６の位置と、基板Ｐが変形している状態における基板Ｐ上におけるアライメントマークｍ１〜ｍ６の位置との差をいう。
【００７５】
なお、本実施形態においては、第１グループＧ１のアライメントマークｍ１〜ｍ６を計測した後、第４グループＧ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６を計測することとしたが、もちろん、第４グループＧ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６を計測した後、第１グループＧ１のアライメントマークｍ１〜ｍ６を計測してもよい。
【００７６】
次に、制御装置５は、第１，第４グループＧ１、Ｇ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６の計測結果に基づいて、基板Ｐの変形の線形成分を求める（ステップＳＡ３）。
【００７７】
基板Ｐの変形は、線形成分と非線型成分とに分けることができる。制御装置５は、線形成分及び非線形成分のうち、まず、線形成分を求める。なお、基板Ｐの変形の線形成分とは、例えばレーザ干渉計システム６で規定される座標系における基準の格子点からの変位量を含み、その格子点に対する基板ＰのＸ軸方向に関するシフト成分、Ｙ軸方向に関するシフト成分、θＺ方向に関する回転成分、Ｘ軸方向に関するスケーリング成分、Ｙ軸方向に関するスケーリング成分、及び直交度の少なくとも一つをいう。
【００７８】
次に、制御装置５は、ステップＳＡ３において求めた、基板Ｐの変形の線形成分に基づいて、基板Ｐの露光時においてその線形成分を補正するための基板Ｐに対する線形補正値（線形補正量）を求める（ステップＳＡ４）。
【００７９】
以下の説明において、ステップＳＡ４で求めた線形補正値を適宜、プレート線形補正値、と称する。
【００８０】
次に、制御装置５は、第１、第４グループＧ１、Ｇ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６の計測結果に基づいて、基板Ｐの変形の非線形成分を求める（ステップＳＡ５）。
【００８１】
本実施形態においては、制御装置５は、ステップＳＡ３で求めた基板Ｐの変形の線形成分と、第１、第４グループＧ１、Ｇ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６の計測結果とに基づいて、基板Ｐの変形の非線形成分を求めることができる。本実施形態において、制御装置５は、第１、第４グループＧ１、Ｇ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６の計測結果に基づいて、線形成分及び非線形成分の両方を含む基板Ｐの変形に関する情報を取得することができる。制御装置５は、アライメントマークｍ１〜ｍ６の計測結果に基づいて求めた基板Ｐの変形に関する情報と、ステップＳＡ３で求めた基板Ｐの変形の線形成分との差に基づいて、基板Ｐの変形の非線形成分を求めることができる。
【００８２】
上述のように、アライメントマークｍ１〜ｍ６は、基板Ｐの変形に応じて変位する。第１グループＧ１のアライメントマークｍ１〜ｍ６は、主に第３辺Ｓ３の変形状態に応じて変位し、第４辺Ｓ４に近い第４グループＧ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６は、主に第４辺Ｓ４の変形状態に応じて変位する。したがって、制御装置５は、アライメントシステム９を用いて、第１、第４グループＧ１、Ｇ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６の位置（例えばレーザ干渉計システム６によって規定される座標系における位置）を計測した結果に基づいて、第３、第４辺Ｓ３、Ｓ４が２次曲線及び直線のいずれの変形状態で変形しているかを求めることができる。また、制御装置５は、第１、第４グループＧ１、Ｇ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６の計測結果に基づいて、基板Ｐが第１変形パターン、第２変形パターン、第３変形パターン、及び第４変形パターンのいずれの変形パターンで変形しているかを求めることができる
【００８３】
例えば、アライメントシステム９の計測結果に基づいて、第１、第４グループＧ１、Ｇ４それぞれのアライメントマークｍ１〜ｍ６を結ぶラインが２次曲線を描くと判断した場合、制御装置５は、第３、第４辺Ｓ３、Ｓ４が２次曲線を描くように変形していると判断し、基板Ｐが第１変形パターン及び第２変形パターンの少なくとも一方で変形していると判断することができる。具体的には、アライメントマークｍ１〜ｍ６を結ぶラインが、図４（Ｂ）に示したように、基板Ｐの中心に対して内側に向かって曲がっていると判断した場合、制御装置５は、基板Ｐが第１変形パターンで変形していると判断し、図５（Ｂ）に示したように、外側に向かって曲がっていると判断した場合、基板Ｐが第２変形パターンで変形していると判断することができる。
【００８４】
また、アライメントシステム９の計測結果に基づいて、第１、第４グループＧ１、Ｇ４それぞれのアライメントマークｍ１〜ｍ６を結ぶラインが直線を描き、そのラインがＹ軸に対して傾斜していると判断した場合、制御装置５は、第３、第４辺Ｓ３、Ｓ４がＹ軸に対して傾斜した直線を描くように変形していると判断し、基板Ｐが第３変形パターン及び第４変形パターンの少なくとも一方で変形していると判断することができる。具体的には、アライメントマークｍ１〜ｍ６を結ぶラインが、図６（Ｂ）に示したように傾斜していると判断した場合、制御装置５は、基板Ｐが第３変形パターンで変形していると判断し、図７（Ｂ）に示したように傾斜していると判断した場合、基板Ｐが第４変形パターンで変形していると判断することができる。
【００８５】
制御装置５は、アライメントマークｍ１〜ｍ６の計測結果に基づいて、基板Ｐが第１変形パターン、第２変形パターン、第３変形パターン、及び第４変形パターンのいずれの変形パターンで変形しているかを求める（ステップＳＡ６）。
【００８６】
以下、一例として、基板Ｐの変形の非線形成分が第２変形パターンの非線形成分を含む場合を例にして説明する。図９及び図１０は、基板保持部１６に保持され、第２変形パターンで変形している基板Ｐの変形の非線形成分の一例を模式的に示す図である。図９は、基板Ｐが第２変形パターンで変形した場合における第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４の変形の非線形成分の一例を示す模式図であり、図１０は、基板Ｐが第２変形パターンで変形した場合における第１辺Ｓ１及び第２辺Ｓ２の非変形成分の一例を示す模式図である。
【００８７】
上述したように、基板Ｐが第２変形パターンで変形している状態において、第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４は、２次曲線を描き、２次式で表すことができることとする。基板Ｐが第２変形パターンで変形している状態において、その基板Ｐの変形の非線形成分を抽出した場合においても、第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４は、２次曲線を描き、２次式で表すことができる。
【００８８】
図９において、第３辺Ｓ３におけるＸ軸方向に関する非線形成分を、以下の２次式で表すこととする。
【００８９】
Δｘ１（ＰＹ）＝ａ×ＰＹ２＋ｂ×ＰＹ＋ｃ      …（１）
【００９０】
図９において、第４辺Ｓ４におけるＸ軸方向に関する非線形成分を、以下の２次式で表すこととする。
【００９１】
Δｘ２（ＰＹ）＝ｄ×ＰＹ２＋ｅ×ＰＹ＋ｆ      …（２）
【００９２】
ここで、ＰＹは、基板Ｐ上における座標系（基板座標系）でのＹ軸方向成分を示す。
【００９３】
制御装置５は、アライメントシステム９でアライメントマークｍ１〜ｍ６を計測した結果に基づいて、第３辺Ｓ３を表す２次式である（１）式の係数ａ、ｂ、ｃ、及び第４辺Ｓ４を表す２次式である（２）式の係数ｄ、ｅ、ｆを決定することができる。
【００９４】
制御装置５は、第１グループＧ１のアライメントマークｍ１〜ｍ６の計測結果に基づいて、（１）式に関してフィッティング処理（例えば最小二乗法を用いるフィッティング処理）を含む所定の演算処理を実行することによって、（１）式の係数ａ、ｂ、ｃを求めることができる。また、制御装置５は、第４グループＧ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６の計測結果に基づいて、（２）式に関してフィティング処理を含む所定の演算処理を実行することによって、（２）式の係数ｄ、ｅ、ｆを求めることができる。
【００９５】
以上により、基板Ｐの非線形成分において、第３辺Ｓ３を表す２次式である（１）式、及び第４辺Ｓ４を表す２次式である（２）式が決定される（ステップＳＡ７）。
【００９６】
以上により、アライメントマークｍ１〜ｍ６の計測結果に基づいて、第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４の非線形成分の変形に関する情報を取得したことになる。
【００９７】
次に、制御装置５は、第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４を表す（１）式及び（２）式と、予め定められている所定の関係式とに基づいて、第１辺Ｓ１及び第２辺Ｓ２を表す２次式を決定する。
【００９８】
上述のように、所定の関係式は、例えば予備実験、あるいはシミュレーションの結果に基づいて予め定めることができ、その関係式に関する情報は、記憶装置５Ｒに記憶される。また、記憶装置５Ｒには、第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４の変形に応じた複数の関係式が予め記憶されている。制御装置５は、アライメントマークｍ１〜ｍ６の計測結果に基づいて取得された第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４の変形状態に応じて、複数の関係式から所定の関係式を選択する（ステップＳＡ８）。
【００９９】
すなわち、制御装置５は、第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４の変形状態に応じて、第１辺Ｓ１及び第２辺Ｓ２の変形に関する情報を取得するために使用する関係式を、複数の関係式のなかから決定する。
【０１００】
本実施形態においては、基板Ｐが第２変形パターンで変形したと判断した場合、すなわち、基板Ｐの第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４が２次曲線を描くように変形したと判断した場合、制御装置５は、所定の関係式として２次式を選択する。
【０１０１】
制御装置５は、取得した第３辺Ｓ３及び第４辺の変形に関する情報と、所定の関係式である以下の（３）式とに基づいて、第１辺Ｓ１の変形に関する情報を取得する（ステップＳＡ９）。
【０１０２】
具体的には、制御装置５は、アライメントシステム９の計測結果及び演算処理（フィッティング処理等）を用いて取得した第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４の変形状態を示す上述の（１）、（２）式と、以下の（３）式とに基づいて、第１辺Ｓ１を表す２次曲線（２次式）を求める。なお、（３）式は、第１辺Ｓ１におけるＸ軸方向に関する非線形成分を表した２次式である。
【０１０３】
Δｙ１（ＰＸ）＝α×（ｄ−ａ）／２×ＰＸ２＋ｈ×ＰＸ＋ｉ   …（３）
【０１０４】
また、制御装置５は、取得した第３辺Ｓ３及び第４辺の変形に関する情報と、所定の関係式である以下の（４）式とに基づいて、第２辺Ｓ２の変形に関する情報を取得する（ステップＳＡ１０）。
【０１０５】
具体的には、制御装置５は、アライメントシステム９の計測結果及び演算処理（フィッティング処理等）を用いて取得した第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４の変形状態を示す上述の（１）、（２）式と、以下の（４）式とに基づいて、第２辺Ｓ２を表す２次曲線（２次式）を求める。なお、（４）式は、第２辺Ｓ２におけるＸ軸方向に関する非線形成分を表した２次式である。
【０１０６】
Δｙ２（ＰＸ）＝β×（ａ−ｄ）／２×ＰＸ２＋ｊ×ＰＸ＋ｋ   …（４）
【０１０７】
（３）式及び（４）式において、ＰＸは、基板Ｐ上における座標系（基板座標系）でのＸ軸方向成分を示す。また、係数α、βは、予備実験又はシミュレーション等から求められる所定の値（比例計数）である。
【０１０８】
なお、図１０に、上述の（３）式で表される第１辺Ｓ１、及び（４）式で表される第２辺Ｓ２を模式的に示す。
【０１０９】
このように、第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４の変形に関する情報を取得することによって得られる係数ａ、ｄと、予備実験又はシミュレーション等から求められる係数α、βとに基づいて、第１辺Ｓ１及び第２辺Ｓ２を２次式で表す場合において、その２次の係数（α×（ｄ−ａ））、（β×（ａ−ｄ））を求めることができる。なお、（３）式及び（４）式において、１次の係数ｈ、ｊ、及び０次の係数ｉ、ｋは、基板Ｐの外形、あるいは第１、第６グループＧ１、Ｇ６のアライメントマークｍ６、ｍ１の位置から一義的に定めることができる。
【０１１０】
以上により、第１、第４グループＧ１、Ｇ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６の計測結果に基づいて、第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４の変形に関する情報を取得することができ、第１、第４グループＧ１、Ｇ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６の計測結果と、所定の関係式とに基づいて、第１辺Ｓ１及び第２辺Ｓ２の変形に関する情報を取得することができる。すなわち、本実施形態においては、制御装置５は、第１、第４グループＧ１、Ｇ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６の計測結果に基づいて、第１〜第４辺Ｓ１〜Ｓ４を含む、基板Ｐの外縁領域ＧＡの変形に関する情報を取得することができる。
【０１１１】
次に、制御装置５は、基板Ｐの内部領域ＵＡの変形に関する情報を取得する（ステップＳＡ１１）。
【０１１２】
本実施形態において、制御装置５は、基板Ｐの内部領域ＵＡに配置されている複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６のそれぞれにおける変形の非線形成分を求める。
【０１１３】
本実施形態においては、図１１及び図１２に示すように、複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６のそれぞれに、代表する複数の位置Ｄ１〜Ｄ６が定められる。本実施形態においては、１つの露光領域ＰＡ１（ＰＡ２、ＰＡ３、ＰＡ４、ＰＡ５、ＰＡ６）に関して、６つの第表する位置Ｄ１〜Ｄ６を定めているが、その位置は、５つ以下でもよいし、７つ以上でもよい。
【０１１４】
図１１に示す模式図のように、本実施形態において、制御装置５は、（１）式及び（２）式で表した２つの２次式Δｘ１（ＰＹ）、Δｘ２（ＰＹ）に基づいて、線形補完によって、複数の位置Ｄ１〜Ｄ６のそれぞれにおけるＸ軸方向に関する非線形成分を算出する。
【０１１５】
また、図１２に示す模式図のように、制御装置５は、（３）式及び（４）式で表した２つの２次式Δｙ１（ＰＸ）、Δｙ２（ＰＸ）に基づいて、線形補完によって、複数の位置Ｄ１〜Ｄ６のそれぞれにおけるＹ軸方向に関する非線形成分を算出する。
【０１１６】
次に、制御装置５は、露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６のそれぞれにおける変形の非線形成分に基づいて、基板Ｐの露光時において露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６のそれぞれにおける変形の非線形成分を補正するための露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６のそれぞれに対する非線形補正値（非線形補正量）を求める（ステップＳＡ１２）。
【０１１７】
また、制御装置５は、露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６のそれぞれにおける基板Ｐの変形の非線形成分に基づいて、基板Ｐの露光時において露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６のそれぞれにおける線形成分を補正するための露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６のそれぞれに対する線形補正値（線形補正量）を求める（ステップＳＡ１３）。
【０１１８】
以下の説明において、ステップＳＡ１２で求めた非線形補正値を適宜、スキャン非線形補正値、と称し、ステップＳＡ１３で求めた線形補正値を適宜、スキャン線形補正値、と称する。
【０１１９】
プレート線形補正値、スキャン非線形補正値、及びスキャン線形補正値を求めた後、  制御装置５は、基板保持部１６に保持されている基板Ｐの露光を開始する（ステップＳＡ１４）。制御装置５は、求めた補正値に基づいて、露光条件を調整して、基板Ｐを露光する。制御装置５は、基板Ｐに既に形成されているパターンに次のパターンの像が良好に重ね合わせられるように、露光条件を調整する。
【０１２０】
露光条件の調整は、例えば投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対する基板Ｐの移動条件、及び投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ７のパターンの像の投影条件の少なくとも一方を含む。基板Ｐの移動条件は、基板Ｐの移動速度（スキャン速度）、加速度、及び移動方向の少なくとも一つを含む。パターンの像の投影条件は、投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７それぞれのＸＹ平面内における位置（シフト、ローテーション）、大きさ（倍率）、及び形状の少なくとも一つを含む。パターンの像の投影条件は、例えば特開２００３−１５１８８０号公報、及び特開２００３−３０９０５３号公報等に開示されているような、シフト調整機構、ローテーション調整機構、及びスケーリング調整機構等を含む調整機構によって調整可能である。
【０１２１】
上述のように、本実施形態の露光装置ＥＸは、マスクＭと基板Ｐとを所定の走査方向に同期移動しながら、マスクＭのパターンの像を基板Ｐに投影する露光装置（マルチレンズ型スキャン露光装置）である。基板Ｐの露光時、制御装置５は、マスクステージ１及び基板ステージ２を制御して、マスクＭ及び基板Ｐを、ＸＹ平面内の所定の走査方向に移動する。本実施形態においては、基板Ｐの走査方向（同期移動方向）をＸ軸方向とし、マスクＭの走査方向（同期移動方向）もＸ軸方向とする。制御装置５は、基板Ｐを投影システムＰＳの第１〜第７投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に対してＸ軸方向に移動するとともに、その基板ＰのＸ軸方向への移動と同期して、照明システムＩＳの第１〜第７照明領域ＩＲ１〜ＩＲ７に対してマスクＭをＸ軸方向に移動しつつ、照明システムＩＳによりマスクＭを露光光ＥＬで照明し、投影システムＰＳを介して、マスクＭからの露光光ＥＬを基板Ｐに照射する。これにより、第１〜第７投影光学系ＰＬ１〜ＰＬ７の第１〜第７投影領域ＰＲ１〜ＰＲ７に照射されたマスクＭからの露光光ＥＬで基板Ｐが露光され、マスクＭのパターンの像が基板Ｐに投影される。
【０１２２】
以上説明したように、本実施形態によれば、アライメントマークの計測点数を抑制しつつ、基板Ｐの変形に関する情報を取得することができる。したがって、スループットの低下を抑制しつつ基板Ｐの変形に関する情報を精確に取得して、露光不良の発生、及び不良デバイスの発生を抑制できる。
【０１２３】
なお、本実施形態においては、ステップＳＡ６以降の処理において、基板Ｐが第２変形パターンで変形した場合を例にして説明したが、第１変形パターンで変形している場合においても、上述と同様の処理を実行して、基板Ｐの変形に関する情報を取得することができる。
【０１２４】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について説明する。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【０１２５】
上述の第１実施形態においては、基板Ｐの変形の非線形成分が第２変形パターン（又は第１変形パターン）の非線形成分を含む場合を例にして、ステップＳＡ６以降の処理について説明した。第２実施形態においては、一例として、基板Ｐの変形の非線形成分が第４変形パターンの非線形成分を含む場合を例にして説明する。
【０１２６】
図１３は、第２実施形態に係る露光方法の一例を示すフローチャートである。なお、図１３に示すステップＳＡ１〜ＳＡ６に係る処理は、上述の第１実施形態で説明した処理と同様であるため、説明を省略する。
【０１２７】
図１４及び図１５は、基板保持部１６に保持され、第４変形パターンで変形している基板Ｐの変形の非線形成分の一例を模式的に示す図である。図１４は、基板Ｐが第４変形パターンで変形した場合における第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４の変形の非線形成分の一例を示す模式図であり、図１５は、基板Ｐが第４変形パターンで変形した場合における第１辺Ｓ１及び第２辺Ｓ２の非変形成分の一例を示す模式図である。
【０１２８】
基板Ｐが第４変形パターンで変形している状態において、第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４は、直線を描き、１次式で表すことができることとする。基板Ｐが第４変形パターンで変形している状態において、その基板Ｐの変形の非線形成分を抽出した場合においても、第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４は、直線を描き、１次式で表すことができる。
【０１２９】
図１４において、第３辺Ｓ３におけるＸ軸方向に関する非線形成分を、以下の１次式で表すこととする。
【０１３０】
Δｘ１（ＰＹ）＝ａ×ＰＹ＋ｂ            …（５）
【０１３１】
図１４において、第４辺Ｓ４におけるＸ軸方向に関する非線形成分を、以下の１次式で表すこととする。
【０１３２】
Δｘ２（ＰＹ）＝ｃ×ＰＹ＋ｄ            …（６）
【０１３３】
ここで、ＰＹは、基板Ｐ上における座標系（基板座標系）でのＹ軸方向成分を示す。
【０１３４】
制御装置５は、アライメントシステム９でアライメントマークｍ１〜ｍ６を計測した結果に基づいて、第３辺Ｓ３を表す１次式である（５）式の係数ａ、ｂ、及び第４辺Ｓ４を表す１次式である（６）式の係数ｃ、ｄを決定することができる。
【０１３５】
制御装置５は、第１グループＧ１のアライメントマークｍ１〜ｍ６の計測結果に基づいて、（５）式に関してフィッティング処理を含む所定の演算処理を実行することによって、（５）式の係数ａ、ｂを求めることができる。また、制御装置５は、第４グルーＧ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６の計測結果に基づいて、（６）式に関してフィティング処理を含む所定の演算処理を実行することによって、（６）式の係数ｃ、ｄを求めることができる。
【０１３６】
以上により、基板Ｐの非線形成分において、第３辺Ｓ３を表す１次式である（５）式、及び第４辺Ｓ４を表す１次式である（６）式が決定される（ステップＳＢ７）。
【０１３７】
これにより、アライメントマークｍ１〜ｍ６の計測結果に基づいて、第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４の非線形成分の変形に関する情報を取得したことになる。
【０１３８】
次に、制御装置５は、第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４を表す（５）式及び（６）式と、予め定められている所定の関係式とに基づいて、第１辺Ｓ１及び第２辺Ｓ２を表す１次式を決定する。
【０１３９】
上述のように、所定の関係式は、例えば予備実験、あるいはシミュレーションの結果に基づいて予め定めることができ、その関係式に関する情報は、記憶装置５Ｒに記憶される。また、記憶装置５Ｒには、第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４の変形に応じた複数の関係式が予め記憶されている。制御装置５は、アライメントマークｍ１〜ｍ６の計測結果に基づいて取得された第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４の変形状態に応じて、複数の関係式から所定の関係式を選択する（ステップＳＢ８）。
【０１４０】
すなわち、制御装置５は、第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４の変形状態に応じて、第１辺Ｓ１及び第２辺Ｓ２の変形に関する情報を取得するために使用する関係式を、複数の関係式のなかから決定する。
【０１４１】
本実施形態においては、基板Ｐが第４変形パターンで変形したと判断した場合、すなわち、基板Ｐの第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４が直線を描くように変形したと判断した場合、制御装置５は、所定の関係式として１次式を選択する。
【０１４２】
制御装置５は、取得した第３辺Ｓ３及び第４辺の変形に関する情報と、所定の関係式である以下の（７）式とに基づいて、第１辺Ｓ１の変形に関する情報を取得する（ステップＳＢ９）。
【０１４３】
具体的には、制御装置５は、アライメントシステム９の計測結果及び演算処理（フィッティング処理等）を用いて取得した第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４の変形状態を示す上述の（５）、（６）式と、以下の（７）式とに基づいて、第１辺Ｓ１を表す２つの直線（１次式）を求める。なお、（７）式は、第１辺Ｓ１におけるＸ軸方向に関する非線形成分を表した１次式である。
【０１４４】
Δｙ（ＰＸ）＝α×（ｃ−ａ）／２×（Ｌ／２−｜ＰＸ｜）    …（７）
【０１４５】
（７）式において、Ｌは、Ｘ軸方向に関する基板Ｐの寸法であり、係数αは、予備実験又はシミュレーション等から求められる所定の値（比例計数）である。
【０１４６】
また、制御装置５は、取得した第３辺Ｓ３及び第４辺の変形に関する情報と、所定の関係式である上述の（７）式とに基づいて、第２辺Ｓ２の変形に関する情報を取得する（ステップＳＢ１０）。
【０１４７】
本実施形態においては、第１辺Ｓ１の変形に関する情報及び第２辺Ｓ２の変形に関する情報のそれぞれが、（７）式で表される。
【０１４８】
なお、図１５に、上述の（７）式で表される第１辺Ｓ１及び第２辺Ｓ２を模式的に示す。
【０１４９】
このように、第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４の変形に関する情報を取得することによって得られる係数ａ、ｃと、予備実験又はシミュレーション等から求められる係数αとに基づいて、第１辺Ｓ１及び第２辺Ｓ２を１次式で表す場合において、その１次の係数（α×（ｃ−ａ）／２）を求めることができる。また、（７）式において、０次の係数は、基板Ｐの外形、あるいは第１、第６グループＧ１、Ｇ６のアライメントマークｍ６、ｍ１の位置から一義的に定めることができる。
【０１５０】
以上により、第１、第４グループＧ１、Ｇ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６の計測結果に基づいて、第３辺Ｓ３及び第４辺Ｓ４の変形に関する情報を取得することができ、第１、第４グループＧ１、Ｇ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６の計測結果と、所定の関係式とに基づいて、第１辺Ｓ１及び第４辺Ｓ４の変形に関する情報を取得することができる。すなわち、本実施形態においては、制御装置５は、第１、第４グループＧ１、Ｇ４のアライメントマークｍ１〜ｍ６の計測結果に基づいて、第１〜第４辺Ｓ１〜Ｓ４を含む、基板Ｐの外縁領域ＧＡの変形に関する情報を取得することができる。
【０１５１】
次に、制御装置５は、基板Ｐの内部領域ＵＡの変形に関する情報を取得する（ステップＳＢ１１）。
【０１５２】
本実施形態において、制御装置５は、基板Ｐの内部領域ＵＡに配置されている複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６のそれぞれにおける変形の非線形成分を求める。
【０１５３】
本実施形態においては、図１６及び図１７に示すように、複数の露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６のそれぞれに、代表する複数の位置Ｄ１〜Ｄ６が定められる。本実施形態においては、１つの露光領域ＰＡ１（ＰＡ２、ＰＡ３、ＰＡ４、ＰＡ５、ＰＡ６）に関して、６つの第表する位置Ｄ１〜Ｄ６を定めているが、その位置は、５つ以下でもよいし、７つ以上でもよい。
【０１５４】
図１６に示す模式図のように、本実施形態において、制御装置５は、（５）式及び（６）式で表した２つの１次式Δｘ１（ＰＹ）、Δｘ２（ＰＹ）に基づいて、線形補完によって、複数の位置Ｄ１〜Ｄ６のそれぞれにおけるＸ軸方向に関する非線形成分を算出する。
【０１５５】
また、図１７に示す模式図のように、制御装置５は、（７）式で表した１次式Δｙ（ＰＸ）に基づいて、線形補完によって、複数の位置Ｄ１〜Ｄ６のそれぞれにおけるＹ軸方向に関する非線形成分を算出する。
【０１５６】
次に、制御装置５は、露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６のそれぞれにおける変形の非線形成分に基づいて、基板Ｐの露光時において露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６のそれぞれにおける変形の非線形成分を補正するための露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６のそれぞれに対するスキャン非線形補正値を求める（ステップＳＢ１２）。
【０１５７】
また、制御装置５は、露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６のそれぞれにおける基板Ｐの変形の非線形成分に基づいて、基板Ｐの露光時において露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６のそれぞれにおける線形成分を補正するための露光領域ＰＡ１〜ＰＡ６のそれぞれに対するスキャン線形補正値を求める（ステップＳＢ１３）。
【０１５８】
プレート線形補正値、スキャン非線形補正値、及びスキャン線形補正値を求めた後、  制御装置５は、基板保持部１６に保持されている基板Ｐの露光を開始する（ステップＳＢ１４）。制御装置５は、求めた補正値に基づいて、露光条件を調整して、基板Ｐを露光する。制御装置５は、基板Ｐに既に形成されているパターンに次のパターンの像が良好に重ね合わせられるように、露光条件を調整する。
【０１５９】
以上説明したように、本実施形態においても、スループットの低下を抑制しつつ、基板Ｐの変形に関する情報を精確に取得して露光不良の発生、不良デバイスの発生を抑制できる、
【０１６０】
なお、本実施形態においては、ステップＳＡ６以降の処理において、基板Ｐが第４変形パターンで変形した場合を例にして説明したが、第３変形パターンで変形している場合においても、上述と同様の処理を実行して、基板Ｐの変形に関する情報を取得することができる。
【０１６１】
なお、上述の実施形態においては、基板Ｐの中心に対して−Ｘ側に配置される第１Ｙ部分ＧＡｙ１の変形に関する情報と＋Ｘ側に配置される第２Ｙ部分ＧＡｙ２の変形に関する情報とを取得した結果と所定の関係式とに基づいて、Ｘ部分ＧＡｘの変形に関する情報を取得することとしたが、基板Ｐの中心に対して＋Ｙ側に配置される第１Ｘ部分ＧＡｘ１の変形に関する情報と−Ｙ側に配置される第２Ｘ部分ＧＡｘ２の変形に関する情報とを取得した結果と所定の関係式とに基づいて、Ｙ部分ＧＡｙの変形に関する情報を取得してもよい。
【０１６２】
なお、上述の実施形態においては、Ｙ軸方向に長いＹ部分ＧＡｙの変形に関する情報を取得し、その取得した結果と所定の関係式とに基づいて、Ｘ軸方向に長いＸ部分ＧＡｘの変形に関する情報を取得することとしたが、例えばＹ軸方向に長いＹ部分ＧＡｙの変形に関する情報を取得した結果と所定の関係式とに基づいて、Ｘ軸及びＹ軸とは異なる方向（例えばＹ軸に対して４５度傾斜した方向）に長い部分の変形に関する情報を取得することとしてもよい。所定の関係式を調整することによって、基板Ｐの外縁領域ＧＡのうち、第１の部分の変形に関する情報と所定の関係式とに基づいて、第１の部分とは異なる第２の部分の変形に関する情報を取得することができる。
【０１６３】
なお、上述の実施形態においては、基板Ｐの外縁領域のうち、基板Ｐの中心に対して一方側（例えば−Ｘ側）に配置される部分の変形に関する情報と他方側（例えば＋Ｘ方向）に配置される部分の変形に関する情報とを取得することとしたが、いずれか一方のみの変形に関する情報を取得してもよい。所定の関係式を調整することによって、基板Ｐの外縁領域ＧＡのうち、第１の部分の変形に関する情報と所定の関係式とに基づいて、第１の部分とは異なる第２の部分の変形に関する情報を取得することができる。
【０１６４】
なお、上述の実施形態においては、基板Ｐの外形が長方形又は正方形であることとしたが、菱形でもよいし、平行四辺形でもよい。また、基板Ｐの外形は四角形でなくてもよく、半導体ウエハのような円形でもよいし、楕円形でもよい。
【０１６５】
なお、上述の実施形態においては、基板Ｐの変形に関する情報を、基板Ｐに配置されたアライメントマークｍ１〜ｍ６を計測することによって取得することとしたが、例えば基板Ｐの端（外形）を光学的に計測可能な計測装置を用いて、基板Ｐの変形に関する情報を取得することとしてもよい。
【０１６６】
なお、上述の実施形態の基板Ｐとしては、ディスプレイデバイス用のガラス基板のみならず、半導体デバイス製造用の半導体ウエハ、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【０１６７】
なお、露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを介した露光光ＥＬで基板Ｐを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。
【０１６８】
また、本発明は、米国特許第６３４１００７号明細書、米国特許第６２０８４０７号明細書、米国特許第６２６２７９６号明細書等に開示されているような、複数の基板ステージを備えたツインステージ型の露光装置にも適用できる。
【０１６９】
また、本発明は、米国特許第６８９７９６３号明細書、欧州特許出願公開第１７１３１１３号明細書等に開示されているような、基板を保持する基板ステージと、基板を保持せずに、基準マークが形成された基準部材及び／又は各種の光電センサを搭載した計測ステージとを備えた露光装置にも適用することができる。また、複数の基板ステージと計測ステージとを備えた露光装置を採用することができる。
【０１７０】
露光装置ＥＸの種類としては、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置に限られず、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【０１７１】
なお、上述の各実施形態においては、レーザ干渉計を含む干渉計システムを用いて各ステージの位置情報を計測するものとしたが、これに限らず、例えば各ステージに設けられるスケール（回折格子）を検出するエンコーダシステムを用いてもよい。
【０１７２】
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６７７８２５７号明細書に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する可変成形マスク（電子マスク、アクティブマスク、あるいはイメージジェネレータとも呼ばれる）を用いてもよい。また、非発光型画像表示素子を備える可変成形マスクに代えて、自発光型画像表示素子を含むパターン形成装置を備えるようにしても良い。
【０１７３】
上述の実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１７４】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１８に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、上述の実施形態に従って、マスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び露光された基板（感光材）を現像することを含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。なお、ステップ２０４では、感光材を現像することで、マスクのパターンに対応する露光パターン層（現像された感光材の層）を形成し、この露光パターン層を介して基板を加工することが含まれる。
【０１７５】
なお、上述の実施形態及び変形例の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【符号の説明】
【０１７６】
１…マスクステージ、２…基板ステージ、５…制御装置、５Ｒ…記憶装置、９…アライメントシステム、ＥＬ…露光光、ＥＸ…露光装置、ＧＡ…外縁領域、ｍ１〜ｍ６…アライメントマーク、Ｐ…基板、Ｓ１…第１辺、Ｓ２…第２辺、Ｓ３…第３辺、Ｓ４…第４辺、ＵＡ…内部領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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