(57)【要約】      （修正有）【課題】ウエハレベルチップサイズパッケージ（ＷＬ−ＣＳＰ）の製造方法において、拡散工程の電気特性試験で不良マークとされたチップを、再配線加工後の封止樹脂があっても容易に選別できる手段を提供する。【解決手段】ウエハ状態で回路の形成からパッケージングまでを行うＷＬ−ＣＳＰの製造方法において、通常のパッド６とは異なる形式的なパッド２をチップ１に形成し、ウエハ製造工程での電気特性試験の判定が不良の場合には、パッド２にワイヤー３をボンディングした後、所定の長さに切断し、樹脂封止工程後にパッド部が突出するパッケージとする。不良品は、樹脂封止工程後にダミーパッド２が位置する部分が突出するため、容易に不良品と認識することができ、識別作業を短縮することができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハ状態で回路の形成からパッケージングまでを行うウエハレベルチップサイズパッケージの製造方法において、
通常のパッドとは異なる形式的なパッドをチップに形成し、
ウエハ製造工程での電気特性試験の判定が不良の場合には、前記パッドにワイヤーをボンディングした後、所定の長さに切断し、
樹脂封止工程後に、前記パッド部が突出するパッケージを不良品と認識することを特徴とするウエハレベルチップサイズパッケージの製造方法。
【請求項２】
前記パッドを、前記チップの少なくとも一つのコーナー部に形成することを特徴とする請求項１に記載のウエハレベルチップサイズパッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、従来個々のデバイス毎に行われていたパッケージング工程を、チップと同様にウエハの製造工程でパッケージに作り込むウエハーレベルチップサイズパッケージ（以後、「ＷＬ−ＣＳＰ」という）を製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置は、半導体素子を製造する拡散工程（前工程）と、半導体素子を個片化し、半導体装置としてパッケージングするパッケージング工程（後工程）を経て製造され、拡散工程及びパッケージング工程で効率的に半導体装置を製造するため、一般的には、拡散工程で、プローバ等をウエハ上の電極パッドに接触させて行う電気特性試験（Ｐ／Ｗ試験等）を、パッケージング工程で、個々の半導体装置についてソケット等による電気特性試験、及び通電試験（エージング試験）を行っている。
【０００３】
しかし、近年、半導体装置の小型化、薄型化が進み、年々半導体装置のパッケージサイズが小型になり、同仕様の半導体素子を用いた場合でも、ユーザの要求によってパッケージサイズの異なるパッケージングが必要となり、半導体装置の種類も多くなってきている。この様な状況の下で、半導体装置の製造方法も変化し、ウエハ状態でパッケージングされるＷＬ−ＣＳＰ等が製造されている。
【０００４】
このＷＬ−ＣＳＰは、前工程で製造された半導体素子を、ウエハ状態のままでパッケージングするため、半導体装置を半導体素子サイズ、チップサイズまで縮小、小型化できる利点があるが、製造プロセスに関しては、依然として多くの問題を抱えている。
【０００５】
その一つに、拡散工程で行なわれる電気特性試験において合否判定された際に付けられる不良マークの次工程以降の認識の問題がある。従来、半導体装置を製造する場合には、拡散工程の電気特性試験で合否判定された半導体素子には、不良品に対して不良マークがインク捺印、レーザ捺印、針による打痕（ケガキ）等で付けられた後、ダイヤモンドブレードを装備したダイサーにより半導体素子として個片化される。個片化された半導体素子は、個々にリードフレーム又は樹脂フレーム等に搭載されるが、搭載される際に半導体素子に付けられた不良マークを画像認識により認識し、半導体素子の良品のみをリードフレーム又は樹脂フレームに搭載する方法が採られている。
【０００６】
ところで、特許文献１には、複数の半導体素子が連なった状態で封止され、画像認識により位置決めされて試験に供される半導体装置の製造方法等が開示され、この試験方法では、ダミーメタルポストをチップの方向を認識するために利用している。
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−１４４１９７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、近年製造されるようになってきたＷＬ−ＣＳＰでは、拡散工程での電気特性試験の後、ウエハ上に配置された電極パッドから外部電気端子までの配線加工を施した後、ウエハの再配線を施工した面を樹脂等により覆い（樹脂封止等）、絶縁層を設け、最後に再配線の電極パット接合端の端部に外部電気端子となるバンプ（半田バンプ、金バンプ等）を形成した後、半導体装置として個片化される。
【０００９】
従って、ＷＬ−ＣＳＰの製造工程では、すべての加工がウエハ状態で行われるため、拡散工程の電気特性試験で付けられた不良マークも再配線加工後の樹脂封止によって樹脂の下に隠れてしまい、半導体装置個片化後のパッケージング工程での電気特性試験等の際に、画像認識では良品／不良品の選別ができず、拡散工程での電気特性試験結果から、人手もしくは選別装置により選別するなど、再度工数を必要としていた。また、場合によっては、パッケージング工程の電気特性試験等において全数検査を行う結果となり、パッケージング工程での電気特性試験等への負担が大きくなっていた。
【００１０】
また、上記特許文献１に記載の半導体装置の製造方法によってチップの方向を認識することは可能であるが、このダミーメタルポストを半導体装置の不良品検査に利用することはできない。
【００１１】
そこで、本発明は、上記従来の技術における問題点に鑑みてなされたものであって、ＷＬ−ＣＳＰの拡散工程で行われる電気特性試験によって付される不良マークが、ＷＬ−ＣＳＰ製造工程での再配線加工後の樹脂封止によって隠蔽される問題を解決し、容易に良品／不良品の選別を行うことのできるＷＬ−ＣＳＰの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するため、本発明は、ウエハ状態で回路の形成からパッケージングまでを行うＷＬ−ＣＳＰの製造方法において、通常のパッドとは異なる形式的なパッド（ダミーパッド）をチップに形成し、ウエハ製造工程での電気特性試験の判定が不良の場合には、前記パッドにワイヤーをボンディングした後、所定の長さに切断し、樹脂封止工程後に、前記パッド部が突出するパッケージを不良品と認識することを特徴とする。
【００１３】
そして、本発明によれば、不良品については、樹脂封止工程後にダミーパッドが位置する部分が突出するため、容易に不良品を認識することができ、識別作業を短時間かつ少ない工数で行うことが可能となる。
【００１４】
また、前記ＷＬ−ＣＳＰの製造方法において、前記パッドを、前記チップの少なくとも一つのコーナー部に形成することができ、コーナー部を利用して上記良品／不良品の識別を行うことができる。
【発明の効果】
【００１５】
以上のように、本発明によれば、拡散工程で行われる電気特性試験によって付される不良マークが、再配線加工後の樹脂封止によって隠蔽される問題を解決し、容易に良品／不良品の選別を行うことのできるＷＬ−ＣＳＰの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１６】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
【００１７】
ＷＬ−ＣＳＰ製造工程において、拡散工程を経てウエハ上に回路が形成される。ここで、本発明では、図１に示すように、チップの下側に、通常のパッド６とは異なる形式的なパッドであるダミーパッド２を通常のパッド６と重ならないように配置する。
【００１８】
次に、回路が形成されたウエハの電極部から所定のバンプ配置位置まで、既存工法にてＣｕ、Ａｕ等の電解メッキプロセスを用いて再配線を形成する。再配線が形成されたウエハは、ウエハ上に形成された回路が良品か不良品かを判別するため、ウエハ上の個々の素子の電極パッド又は再配線での引き出しランド部（バンプ形成部分）へ、一素子単位でプローブを当接させ、電気特性試験を実施する。
【００１９】
上記電気特性試験結果より、素子の良否判定を行い、良品と判定された素子については、図２に示すように（同図は、裏面８を上側にして描いている）、そのままの状態で樹脂封止を行う。そのため、同図に示すように、封止樹脂４が平坦となっている。
【００２０】
一方、上記電気特性試験の結果、不良品と判定された素子については、図３（同図は、裏面８を上側にして描いている）に示すように、ダミーパッド２にワイヤーボンダー等を用いて金（Ａｕ）、アルミニウム（Ａｌ）等のワイヤーを接合した後所定の長さに切断し、樹脂封止を行う。その結果、ワイヤー３を接合した部分が封止樹脂４を持ち上げることとなり、封止樹脂４に突出部７が形成される。
【００２１】
図２及び図３に示した樹脂封止後の状態から、バンプ５を配置する部分のみ封止樹脂４が除去され、樹脂が除去された部分にバンプ５が形成される。その後、バンプ５が形成されたウエハは、ダイシング工程にてダイシングテープ上に貼着され、ダイヤモンドブレード等により素子単位に切断され、個片化される。
【００２２】
個片化された素子（ＷＬ−ＣＳＰ）は、ダイシングテープ上で、拡散工程の電気特性試験で不良と判別された素子、すなわち、封止樹脂４のダミーパッド２が位置する部分に突出部７が形成されている素子のみを画像認識等により判別して取り除き、良品の素子のみをダイシングテープ上へ残すか、樹脂製の工程トレイ等に整列させ、又はエンボスキャリアテープへ収納した状態で次工程（パッケージ選別工程）に供給する。
【００２３】
また、図４に示すように、ダミーパッド２をチップのコーナー２箇所に配置してもよい。ダミーパッド２の配置位置は、同じ辺のコーナー（図４（ａ）参照）と、対角に位置するコーナー（図４（ｂ）参照）のいずれを採用してもよい。このように構成することにより、拡散工程で不良品と識別されたチップは、ダミーパッド２の２箇所に対してワイヤーを接合し、上述と同様の要領で不良品の識別を容易にすることができる。
【００２４】
さらに、図５に示すように、ダミーパッド２をチップのコーナー３箇所に配置してもよい。このように構成しても、拡散工程で不良品と識別されたチップは、各々ダミーパッド２にワイヤーを接合することで不良品の識別が容易となる。
【００２５】
さらにまた、図６に示すように、ダミーパッド２をチップのコーナー４箇所に配置してもよい。このように構成しても、上記と同様、不良品の識別を容易にすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明にかかるＷＬ−ＣＳＰの製造方法の第１の実施の形態を示す平面図である。
【図２】本発明によって識別されるＷＬ−ＣＳＰの良品を示す断面図である。
【図３】本発明によって識別されるＷＬ−ＣＳＰの不良品を示す断面図である。
【図４】本発明にかかるＷＬ−ＣＳＰの製造方法の第２の実施の形態を示す平面図である。
【図５】本発明にかかるＷＬ−ＣＳＰの製造方法の第３の実施の形態を示す平面図である。
【図６】本発明にかかるＷＬ−ＣＳＰの製造方法の第４の実施の形態を示す平面図である。
【符号の説明】
【００２７】
１  チップ
２  ダミーパッド
３  ワイヤー
４  封止樹脂
５  バンプ
６  通常のパッド
７  突出部
８  裏面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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