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　特願２００９−１０９８５２「注入角度に傾斜したワークピースにイオンビームを注入する方法および装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　９月　３日出願公開、特開２００９−２０００５０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯 
　本願は、２００１年７月１３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０００年８月２８日、米国）を国際出願日とする特願２００２−５２４１８２号（以下「原出願」という。）の一部を平成２１年４月２８日に新たな特許出願としたものであって、 平成２５年５月２３日付けで拒絶査定がなされた。
　本件は、これを不服として、同年９月２６日に請求された拒絶査定不服審判であって、請求と同時に手続補正がなされ、その後、当審において、平成２６年８月５日付けで拒絶理由が通知され、これに対して、同年１２月８日付けで意見書が提出されるととともに、手続補正がなされたものである。
 　 
２　本願発明 
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２６年１２月８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）によって、本件補正前の請求項４を補正したものであって、補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定され得る次のとおりのものと認める。 
「【請求項１】
　イオンをワークピースに注入する方法であって，
　平面内で走査されるイオンビームまたはリボン状イオンビームを発生する工程と，
　イオンビームが走査される平面またはリボン状イオンビームの平面内で、イオンビームの一つのビームの向きを測定する工程と，
　前記測定された一つのビームの向きを基準とした注入角度に，前記平面に垂直な軸に関してワークピースを傾斜する工程と，
　注入角度に傾斜したワークピースでもって，注入を実行する工程と，
を含み、
前記イオンビームは、平行に近いイオンの軌道をもつ、方法。」
　
　なお、請求人は平成２６年１２月８日付けの意見書において、「請求項４、請求項８および請求項１２を削除しました」と主張しているが、以下の「５」「（６）」で述べる理由と同様の理由で、補正前の請求項４に係る発明の「所望の平行度となるように，イオンビームを調節する工程を含む」構成は、実質的に、本願発明の「イオンビームは、平行に近いイオンの軌道をもつ」構成の表現を変えたものであるから、本願発明は本件補正前の請求項４を補正したものである。
　 
３　本件拒絶理由
　当審における、平成２６年８月５日付けで通知した拒絶理由の理由３は、以下の通りである。
「３　本件出願の下記の請求項に係る発明は、同一出願人が同日出願した下記の特許発明と同一と認められるから、特許法第３９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
 　 
 　　　　　　　　　　　　　　　　　記 
・・・（略）・・・
 ＜理由３について＞ 
　請求項４に係る発明は、「平面内で走査されるイオンビームまたはリボン状イオンビームを発生する工程」を含むものであるが、特許第４３３４８６５号（本件出願の原出願の特許。以下「原特許」という。）の請求項１に係る発明は、「平面内で，イオンビームを，所望の程度の平行度となるように調節する」ものであるから、イオンビームを平面内で走査するものといえる。 
　したがって、請求項４に係る発明は、原特許の請求項１に係る発明と同一である。 
 　 
　また、原特許の請求項１８に係る発明の「イオンビーム発生器」、「イオンビームを調整する光学要素」、「イオンビームのビームの向きを測定する測定システム」、「ワークピースを傾斜する傾斜機構」は、請求項８に係る発明の「イオンビームまたはリボン状イオンビームを発生する手段」、「イオンビームを調節する手段」、「イオンビームのビームの向きを測定する手段」、「ワークピースを傾斜する手段」にそれぞれ相当する。
　したがって、請求項８に係る発明は、原特許の請求項１８に係る発明と同一である。
 　 
　さらに、請求項１２に係る発明は、詳細に述べるまでもなく、原特許の請求項１８に係る発明と同一である。」
　
４　原特許発明
　原特許の請求項１に係る発明（以下「原特許発明」という。）は、原特許の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項（特許第４３３４８６５号公報参照。）により特定される次のとおりのものと認める。
「【請求項１】イオンをワークピースに注入する方法であって，
　イオンビームを発生する工程と，
　平面内で，イオンビームを，所望の程度の平行度となるように調節する工程と，
　前記平面内で調節されたイオンビームのビームの向きを測定する工程と，
　測定されたビームの向きを基準とした注入角度に，前記平面に垂直な軸に関してワークピースを傾斜する工程と，
　注入角度に傾斜したワークピースに注入を実行する工程と，
を含む方法」
　
　また、原特許発明について、原特許の明細書の発明の詳細な説明には、以下の事項が記載されている。
「【０００１】
発明の分野
本発明は，半導体ウエハ，その他ワークピースのイオン注入のためのシステムおよび方法に関し，特に，イオン注入器のビームの平行度を調節するための方法および装置に関する。
【０００２】
　
発明の背景
　イオン注入は，半導体ウエハに電気伝導性を変える不純物を導入する標準的な技術である。所望の不純物がイオン源でイオン化され，イオンは所期のエネルギーをもつイオンビームを形成するために加速され，イオンビームはウエハの表面に向けられる。イオンビーム中のエネルギーをもつイオンは半導体材料のバルク内に侵入し，半導体材料の結晶格子内に埋め込まれ，所望の伝導性の領域を形成する。
【０００３】
イオン注入システムは通常，ガスまたは固体物質を，よく画成されたイオンビームに変換するためのイオン源を含む。イオンビームは不所望のイオン種を除去するために質量分析され，所望のエネルギーに加速され，ターゲット面に向けられる。ビームの走査，ターゲットの移動により，またはビームの走査とターゲットの移動を組み合わせることにより，ビームをターゲット領域にわたって分布させる。ビーム走査およびターゲットの移動の組み合わせを利用するイオン注入器が，Berrianらの，1990年5月1日に発行された米国特許第4,922,106号に開示されている。
【０００４】
平行なイオンビームを半導体ウエハにもたらすことは，多くの適用例において，重要な条件である。平行なイオンビームは，半導体ウエハの表面にわたって平行なイオンの軌道をもたらす。イオンビームが走査される場合，走査ビームはウエハ表面にわたって平行となっている必要がある。平行なイオンビームは半導体ウエハの結晶構造において，入射イオンのチャネリングを防止し，チャネリングが必要な場合では，一様なチャネリングを可能にする。典型的に，連続イオン注入器が，高度のビーム平行度を必要とする場合に利用される。
【０００５】
一つのアプローチにおいて，ビームは，走査の原点として参照される点から発散するように一次元で走査される。走査ビームはつぎに，集束を行うイオン光学要素を通過する。イオン光学要素は発散するイオン軌道を，半導体ウエハに至る平行なイオン軌道に集束する。集束は，角度補正磁石により，または静電レンズにより行うことができる。角度補正磁石は，走査イオンビームの曲げおよび集束の両方を行う。平行度は静電レンズで達成されるが，エネルギー汚染という欠点がある。
【０００６】
角度補正磁石または他の集束化要素から出力したイオンビームは，イオンビームのパラメータおよび集束化要素のパラメータに依存して，平行化され，または集束または発散される。角度補正磁石が利用されると，平行度は，角度補正磁石の磁場を変化させることにより，調節することができる。角度補正磁石は典型的に，平行度および曲げ角の量を変化させ，またはビームの向きを変化させる一つの磁場調節機能をもつ。イオン注入器はしばしば，いろいろな種類のイオン種およびイオンエネルギーで走らせる必要があることは理解されよう。ビームパラメータが変化すると，角度補正磁石の再調整がビーム平行度を復元するために必要となる。
【０００７】
従来のイオン注入器において，角度補正磁石は典型的に，イオンビームがイオン注入器エンドステーションのウエハ面において，垂直な入射となるように，調節される。しかし，ウエハ面において垂直な入射を達成する角度補正調節は，最適な平行化よりもうまくいかない。特に，ウエハ面における垂直な入射のために調節されたイオンビームは多少発散または集束する。図８に示されているように，角度補正磁石は，イオンビーム200の中心線がウエハ面202に垂直であるように調節される。しかし，ビーム200がウエハ面202に垂直となるように調節されると，ビーム200の平行度はビームが集束または発散して悪化する。この平行度の悪化は非常に厳密な応用例において受け入れがたいものとなる。
【０００８】
他のアプローチにおいて，角度補正磁石は，典型的な条件の下で，最適な平行となるように設計され，イオン注入エンドステーションは，ウエハ上でのイオンビームの入射が垂直となるように配置される。しかし，イオンの平行度および垂直な入射は，広範囲なビームのパラメータにわたって維持されず，エンドステーションの位置を変えることは非常に難しい。
【０００９】
そこで，イオン注入器におけるビームの平行度を調節する改良された方法および装置が必要となっている。」
「【００１７】
本発明のよりよき理解のために，添付の図面が参照される。
【００１８】
本発明に適したイオン注入器の例の，簡略化したブロック図が図１に示さている。イオンビーム発生器10が所望の種のイオンビームを発生し，所望のエネルギーをもつまでイオンビームを加速し，エネルギーおよび質量汚染を除去するために，イオンビームの質量/エネルギー分析を実施し，エネルギーおよび質量汚染が低レベルのイオンビーム12を供給する。走査システム16（スキャナー20および角度補正器24を含む）が，平行あるいは平行に近い軌道をもつ，走査されたイオンビーム30を形成するために，イオンビームを偏向する。エンドステーション32が，所望の種のイオンが半導体ウエハ34に注されるように，走査されたイオンビーム30の経路に，半導体ウエハ34（または他のワークピース）を支持するプラテン36を含む。イオン注入器は従来から周知の付加的な要素を含み得る。たとえば，エンドステーション32は典型的に，ウエハをイオン注入器に導入し，注入後ウエハを除去する自動化した取り扱い設備，電子供給銃などを含む。イオンビームが通過する全経路はイオン注入の間，排気されることは理解されよう。
【００１９】
イオンビーム発生器10の主要な要素は，イオンビームソース40，ソースフィルター42，加減速カラム44および質量分析計50を含む。ソースフィルター42は好適に，イオンビームソース40に近接して配置される。加減速カラム44はソースフィルター42と質量分析計50との間に位置する。質量分析計50はダイポール分析磁石52および分解開口56を有するマスク54を含む。
【００２０】
スキャナー20（静電スキャンーであってもよい）は，走査原点60から発散するイオン軌道をもつ走査されたイオンビームを形成するために，イオンビーム12を偏向する。スキャナー20は走査発生器に連結された，間隔の空けられた走査プレートを含んでもよい。走査発生器は，走査プレートの間の電界にしたがって，イオンビームを走査するために，鋸歯状波形のような，走査電圧波形を適用する。
【００２１】
角度補正器24が，平行なイオン軌道をもつ，走査されたイオンビーム30を形成するために，したがって，走査されたイオンビームを集束するために，走査されたイオンビーム中のイオンを偏向するように設計されている。特に，角度補正器24は，間隙を画成するために間隔が空けられた磁気ポールピース，および電源28に接続された磁石コイル（図示せず）を含み得る。走査されたイオンビームは，ポールピース26の間を通過し，間隙内の磁場にしたがって偏向される。磁場は，磁石コイルを流れる電流を変えることで調節することができる。ビームの走査およびビームの集束は，水平面のような選択された面において達成される。
【００２２】
図１において，エンドステーション32はビーム平行度および向き測定システム80を含む。システム80は下述するように，ビームの平行度および向きを測定する。さらに，エンドステーション32は，走査されたイオンビーム30に関して，ウエハ支持プラテン36を傾斜する，傾斜機構84を含む。一実施例において，傾斜機構84は二つの直交する軸に関して，ウエハ支持プラテン36を傾斜することができる。
【００２３】
　角度補正器24の動作例は，図２および図３に示されている。図示のように，角度補正器24のポールピース26は，異なるイオン軌道が，ポールピースの間の間隙を通過する，異なる経路長さを有するように，くさび状またはこれと似た形状をもつことができる。図３の例において，比較的低強度の磁場が適用されている。イオンの軌道は比較的小さな曲がり角度をもち，それらは角度補正器24からでるときに発散する。したがって，走査されたイオンビーム30は，図２の例においては，ウエハ面70に対する垂線に関して，正の角度72をもってウエハ面70に入射し，図３に例においては，ウエハ面70に関して負の角度74をもってウエハ面70に入射する。平行またはほぼ平行なイオン軌道が角度補正器24の磁場を適宜調整することにより，形成されることは理解されよう。しかし，一般的に，最もよい平行度を与える磁場は，必ずしも，ウエハ面70上に対し，走査されたイオンビーム30を垂直に入射するわけではない。
【００２４】
本発明の実施例にしたがったイオン注入の調節およびイオン注入の実行のためのプロセスのフローチャートが図４に示されている。工程100において，イオンビームが発生し，イオン注入器のビームラインにそって運ばれる。図１に示されているように，イオンビーム12はイオンビーム発生器10により発生し，スキャナー20および角度補正器24を通過して，エンドステーション32に至る。
【００２５】
工程102において，イオンビームの平行度は，半導体ウエハまたは他のワークピースにイオンビームが入射する面またはその近くで測定される。イオンビーム平行度の測定技術の例は，図６A−図６C，および図７A−図７Cに関連して下述される。平行度測定は典型的に，イオンビームの非平行度の角度を与え，特にイオンビームの収束または発散の半角を与える。非平行度の測定角度は，イオンビームの中線からのイオンビームの軌道の最大偏位を示す。
【００２６】
工程104において，イオンビームは所望の平行度，典型的にはほぼゼロの発散または集束の測定をなすように調節される。図５において，イオンビームの平行度は，電源28から磁石コイルへの電流を調節することにより変化させることができる。電流を調節することにより，角度補正器24の磁場が変化し，そしてイオンビームのイオンの軌道が変化する。この調節は，電源28が調節されるときに，走査イオンビーム30の，測定された平行度をモニターすることによって行われる。最適な平行度が達成されると，工程104の調節プロセスは終了する。典型的に，イオンビームは，発散または収束の半角，0.1度以内に調節することができる。
【００２７】
工程106において，調節されたイオンビームの向きが測定される。特に，ウエハ面70の垂線に対する，調節されたイオンビームの角度120が測定される。イオンビームの向きを測定する技術の例が，図６A−図６C，および図７A−図７Cを参考にして下述される。ビーム平行度およびビームの向きは，イオンビームの走査および収束面において測定される。
【００２８】
工程108において，注入角度は，調節されたイオンビームの向きに関してセットされ，符号120で示されている。注入角度は，傾斜機構84を使用して，注入器のウエハ面70に関して，ウエハ支持プラテン36を傾斜させてセットされる。平行な走査イオンビーム30が垂直ウエハ34上に垂直入射することを望む場合，ウエハ支持プラテン36を，角度120に等しい角度122，傾斜させる。したがって，プラテン36にウエハ支持面は，平行な走査イオンビーム30に対して垂直となる。ゼロでない注入角度を望む場合は，ウエハ支持プラテン36を測定したビームの向きに対して傾斜させる。測定されたビームの向きはしたがって，注入角度をセットするための基準である。ゼロでない注入角度は，走査および収束面に平行な向きに傾斜することによりセットすることができ，または走査および収束面に垂直な向きにウエハを傾斜することによりセットすることができる。いずれの場合も，ゼロでない注入角度は，測定されたビームの向きとして参照される。
【００２９】
工程110において，測定されたビームの向きを基準とした所望の注入角度をもつウエハ支持プラテン，および最適な平行度となるように調節した，走査イオンビーム30でもって，注入が実行される。したがって，最適な平行度は所望の注入角度で達成される。」
 　 
５　対比 
　以下、本願発明と原特許発明とを対比する。 
（１）原特許発明の「イオンをワークピースに注入する方法」と、本願発明の「イオンをワークピースに注入する方法」とは一致する。
　
（２）原特許発明において、イオンビームによってイオンをワークピースに注入するには、イオンビームを走査したりリボン状とすることが必要であることは技術常識である。
　そうすると、原特許発明の「イオンビームを発生する工程」と、本願発明の「平面内で走査されるイオンビームまたはリボン状イオンビームを発生する工程」とは一致する。
　
（３）原特許発明の「平面内で調節されたイオンビームのビームの向きを測定する工程」と、本願発明の「イオンビームが走査される平面またはリボン状イオンビームの平面内で、イオンビームの一つのビームの向きを測定する工程」とは一致する。
　
（４）原特許発明の「測定されたビームの向きを基準とした注入角度に，前記平面に垂直な軸に関してワークピースを傾斜する工程」と、本願発明の「測定された一つのビームの向きを基準とした注入角度に，前記平面に垂直な軸に関してワークピースを傾斜する工程」とは一致する。
　
（５）原特許発明の「注入角度に傾斜したワークピースに注入を実行する工程」と、本願発明の「注入角度に傾斜したワークピースでもって，注入を実行する工程」とは一致する。
　
（６）本願発明は、「平面内で走査されるイオンビームまたはリボン状イオンビームを発生する工程と，イオンビームが走査される平面またはリボン状イオンビームの平面内で、イオンビームの一つのビームの向きを測定する工程」「を含み、前記イオンビームは、平行に近いイオンの軌道をもつ」ものである。
　ここで、平面内で走査されるイオンビームまたはリボン状イオンビームが、平行に近いイオンの軌道をもつためには、イオンビームを平行に近くなるように調節しなければならないことは、技術常識である。
　また、本願明細書に、「走査システム16（スキャナー20および角度補正器24を含む）が，平行あるいは平行に近い軌道をもつ，走査されたイオンビーム30を形成するために，イオンビームを偏向する」（【００２０】）、「スキャナー20（静電スキャナーであってもよい）は，走査原点60から発散するイオン軌道をもつ走査されたイオンビームを形成するために，イオンビーム12を偏向する」（【００２２】）、「角度補正器24が，平行なイオン軌道をもつ，走査されたイオンビーム30を形成するために，したがって，走査されたイオンビームを集束するために，走査されたイオンビーム中のイオンを偏向するように設計されている」（【００２３】）と記載されていることから、本願発明は、平面内でイオンビームを平行に近くなるように調節する工程を、前提構成として含むことは明らかである。
　一方、原特許発明は、「平面内で，イオンビームを，所望の程度の平行度となるように調節する工程と，前記平面内で調節されたイオンビームのビームの向きを測定する工程と」「を含む」ものであるから、「ビームの向きを測定する」「イオンビーム」は「所望の程度の平行度となるように調節」されたものである。
　そして、原特許の明細書【０００２】〜【０００９】の記載からみて、原出願の発明の課題が、「平行なイオンビームを半導体ウエハにもたらすこと」（【０００４】）であって、原特許の明細書には、「走査システム16（スキャナー20および角度補正器24を含む）が，平行あるいは平行に近い軌道をもつ，走査されたイオンビーム30を形成するために，イオンビームを偏向する」（【００１８】）、「角度補正器24が，平行なイオン軌道をもつ，走査されたイオンビーム30を形成するために，したがって，走査されたイオンビームを集束するために，走査されたイオンビーム中のイオンを偏向するように設計されている」（【００２１】）と記載されているように、原特許発明の「所望の程度の平行度となるように調節」とは、平行あるいは平行に近い軌道となるように調節するものである。
　そうすると、原特許発明の「平面内で，イオンビームを，所望の程度の平行度となるように調節する工程」「を含」み、イオンビームを平行あるいは平行に近い軌道となるように調節する構成と、上記前提構成を含む本願発明の「イオンビームは、平行に近いイオンの軌道をもつ」構成とは一致する。
　
　上記（１）ないし（６）から、本願発明と原特許発明は、構成が一致し、両者に相違するところはない。 
　よって、本願発明と原特許発明は、同一出願人により同日になされた同一の発明であり、原特許発明は既に特許されているために協議をすることができないことから、本願発明は、特許法第３９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　 
６　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、特許法第３９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。