(57)【要約】【課題】導電性ペーストによる層間電気的接続を具備する回路基板に対して、適切な材料構成を提供する。加えて高密度基板として理想的なＩＶＨ構造を具備する回路基板を極めて容易・安定かつ短期で提供する。【解決手段】２層以上の配線層１７を具備するコア基板１２の両面に導電性ペースト１６が充填されたビア穴を予め具備したプリプレグシート１１を重ね、さらに金属箔１３を重ねて積層体を形成する工程と、前記積層体と金属中間板とを交互に重ね、前記積層体のプリプレグシートの樹脂が硬化する温度で加熱加圧して硬化成形する工程とを少なくとも含む回路基板の製造方法において、その使用されるプリプレグシート１１は、補強材１５の両表面に半硬化状態の熱硬化性樹脂からなる樹脂層１４を具備しており、さらに（前記樹脂層１４の厚みｔr）／（前記コア基板の配線層１７の厚みｔc）の比が１．５以下であることを特徴とする。【選択図】図１
2007165436.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２層以上配線層を具備するコア基板の両面に導電性ペーストが充填されたビア穴を有するプリプレグシートを重ね、さらに金属箔を重ねて積層体を形成する工程と、前記積層体を加熱加圧して硬化成形する工程とを備え、
前記プリプレグシートが補強材の両表面に半硬化状態の熱硬化性樹脂からなる樹脂層を具備した構成であり、かつ（前記樹脂層の厚み）／（前記コア基板の配線層厚み）の比が１．５以下であることを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項２】
加熱加圧して前記積層体を硬化成形する工程は、第１の加熱温度で一定時間加熱した後、前記第１の加熱温度より高い温度の第２の加熱温度で一定時間加熱した後、前記第２の加熱温度より高い温度の第３の加熱温度で一定時間加熱する温度条件を備えることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項３】
第１の加熱温度は、プリプレグシート中の樹脂軟化温度近傍の温度であることを特徴とする請求項２に記載の回路基板の製造方法。
【請求項４】
前記プリプレグシートの樹脂軟化温度が、少なくとも導電性粒子と熱硬化性樹脂とを含む前記導電性ペーストの反応開始温度より低いことを特徴とする請求項３に記載の回路基板の製造方法。
【請求項５】
前記プリプレグシートは補強材に樹脂を含浸させたものであり、前記補強材は、ガラス繊維織布あるいはガラス繊維不織布から少なくとも１種以上選ばれることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項６】
前記プリプレグシートの樹脂が３０〜８０ｐｈｒの範囲で無機フィラーを含むことを特徴とする請求項５に記載の回路基板の製造方法。
【請求項７】
前記プリプレグシートは補強材に樹脂を含浸させたものであり、
前記プリプレグシートの補強材が有機質フィルム、アラミド織布、アラミド不織布から少なくとも１種以上選ばれることを特徴とする請求項１に記載の回路基板の製造方法。
【請求項８】
２層以上配線層を具備するコア基板の両面に導電性ペーストが充填されたビア穴を有するプリプレグシートを重ね、さらに金属箔を重ねて積層体を形成する工程と、前記積層体と金属中間板とを交互に重ねる工程と、前記積層体を加熱加圧して硬化成形する工程とを備え、前記プリプレグシートが補強材の両表面に半硬化状態の熱硬化性樹脂からなる樹脂層を具備した構成であり、かつ（前記樹脂層の厚み）／（前記コア基板の配線層厚み）の比が１．５以下であることを特徴とする回路基板の製造方法。
【請求項９】
前記金属中間板の熱膨張係数が前記コア基板の熱膨張係数近傍であることを特徴とする請求項８に記載の回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、各種電子機器に利用される回路基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年の電子機器の小型化・高密度化に伴って、電子部品を搭載する回路基板も従来の片面基板から両面、多層基板の採用が進み、より多くの回路および部品を基板上に集積可能な高密度基板が開発されている。
【０００３】
従来例について図３を用いて以下に説明する。
【０００４】
図３（ａ）に示す基板材料２１は回路基板に用いられるガラス繊維織布に熱硬化性のエポキシ樹脂等を含浸し乾燥等の方法によりＢステージ状態としたいわゆるプリプレグシートである。基板材料２１には熱ロール等を用いたラミネート法によりフィルム２２を両面に張り付ける。
【０００５】
次に、図３（ｂ）に示すように、レーザ等の加工法により基板材料２１にビア穴２３を形成した後に銅粉等の導電性粒子と熱硬化性樹脂、硬化剤、溶剤などを混練しペースト状にした導電性ペースト２４を充填し、図３（ｃ）に示す構成を得る。
【０００６】
次に、フィルム２２を剥離することで、図３（ｄ）に示すような導電性ペースト２４が突出した形状を得て、その両側に銅箔２５を配置する。
【０００７】
次に、ＳＵＳ等の金属中間板で挟み熱プレス（図示せず）によって加熱加圧することで図３（ｅ）に示すように基板材料２１は熱硬化し、導電性ペースト２４は圧縮されて表裏の銅箔２５が電気的に接続される。
【０００８】
さらに、フォトリソエッチング等の方法で銅箔２５を所望のパターンに加工して回路配線層２６とし、図３（ｆ）に示すような両面回路基板を得る。
【０００９】
図３では、通常回路基板に配設する外層部のソルダーレジスト、あるいは回路配線層２６へのめっき処理等の表面仕上げ処理は図示していないが、必要に応じて配設する。
【００１０】
また、多層回路基板を製造する際は、図４に示すように、一旦完成したコア基板３１の上下に導電性ペースト３５を充填した基板材料３６と銅箔３４を、位置合わせをしながら重ね合わせて熱プレスする。これにより、図４（ｃ）に示すような積層硬化物を得ることができる。
【００１１】
さらに、フォトリソエッチング等の方法で銅箔３４を所望のパターンに加工して回路配線層３７とし、図４（ｄ）に示すような多層回路基板を得る。
【００１２】
図４では、通常回路基板に配設する外層部のソルダーレジスト、あるいは回路配線層３７へのめっき処理等の表面仕上げ処理は図示していないが、必要に応じて配設する。
【００１３】
なお、上記製造方法を繰り返すことにより、さらに多層化された回路基板を得ることができる。
【００１４】
しかしながら、多層回路基板を上記のような製造方法で形成した場合、表層銅箔とコア基板の回路との層間接続についての不良が発生することがある。これを図５を用いて以下に説明する。
【００１５】
すなわち、図５（ａ）に示すような導電性ペースト４３中の導電性粒子が、プリプレグシートの加熱時にその樹脂流動と共にビア穴４４の外部に流れ出す流出粒子４５が発生すること、あるいは図５（ｂ）に示すような成形工程中に発生するプリプレグシートの面方向外力４６によってビア変形４７を引き起こすことである。
【００１６】
なお、面方向外力４６は、熱プレス工程において、使用する金属中間板（図示せず）の熱膨張係数がコア基板（図示せず）の熱膨張係数と大きく異なる場合に発生する。
【００１７】
理想的な電気的接続の実現には、図５（ｃ）に示すように導電性ペースト４３が上下方向の垂直圧縮力４８により、効率的に導電性ペースト中の導電性粒子同士が強固に接触し、表層金属箔と内層配線層とも強固に接触する必要がある。
【００１８】
したがって、流出粒子４５の発生とビア変形４７は、効率的な導電性ペーストの圧縮が十分でないことの結果である。
【００１９】
以上の課題を解決するために、本発明者らは、熱プレス工程において、特定の温度条件を設定したり、特定の金属中間板を選定することにより、ビア変形を防ぎ、導電性ペーストを効率的に圧縮する方法等も検討し、効果があることも確認できた。
【００２０】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１、特許文献２が知られている。
【特許文献１】特開平６−２６８３４５号公報
【特許文献２】特開２００４−２２１２３６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
しかしながら、本発明者らによる方法等を用いた場合でも表層銅箔とコア基板の回路との層間接続についての不良を発生する場合がある。
【００２２】
すなわち、回路基板の成形工程において、プリプレグシートの熱硬化性樹脂の流動が著しく大きいあるいは樹脂量が多い場合、樹脂の軟化温度近傍で一旦導電性ペーストを垂直圧縮してもその後の加熱による過剰な樹脂流動でその圧縮が緩和してしまい、層間の電気的接続の確保が困難になるという問題がある。
【００２３】
また、成型時に適切な金属中間板を使用してビア変形を抑制した場合でもプリプレグシートの樹脂量が大きすぎると導電性ペーストの圧縮量が不十分となり、結果として層間の電気的接続の確保が困難になることもある。
【００２４】
本発明は、導電性ペーストによる層間電気的接続を具備する回路基板に対して、まず適切な材料構成を開示し、その材料構成を製造方法に用いるものである。
【００２５】
これにより、導電性ペーストによる層間電気的接続を的確に確保することができ、高密度基板として理想的なＩＶＨ構造を具備する回路基板を極めて容易かつ安定的に提供することができる。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
上記課題を解決するために、本発明は以下の構成を有する。
【００２７】
すなわち、２層以上配線層を具備するコア基板の両面に導電性ペーストが充填されたビア穴を有するプリプレグシートを重ね、さらに金属箔を重ねて積層体を形成する工程と、前記積層体を加熱加圧して硬化成形する工程とを備え、前記プリプレグシートが補強材の両表面に半硬化状態の熱硬化性樹脂からなる樹脂層を具備した構成であり、かつ（前記樹脂層の厚み）／（前記コア基板の配線層厚み）の比が１．５以下であることを特徴とする回路基板の製造方法、あるいは、２層以上配線層を具備するコア基板の両面に導電性ペーストが充填されたビア穴を有するプリプレグシートを重ね、さらに金属箔を重ねて積層体を形成する工程と、前記積層体と金属中間板とを交互に重ねる工程と、前記積層体を加熱加圧して硬化成形する工程とを備え、前記プリプレグシートが補強材の両表面に半硬化状態の熱硬化性樹脂からなる樹脂層を具備した構成であり、かつ（前記樹脂層の厚み）／（前記コア基板の配線層厚み）の比が１．５以下であることを特徴とする回路基板の製造方法、というものである。
【００２８】
上記の構成の事例として、図１を用いて以下に説明する。
【００２９】
本発明は、２層以上の配線層１７を具備するコア基板１２の両面に導電性ペースト１６が充填されたビア穴を予め具備したプリプレグシート１１を重ね、さらに金属箔１３を重ねて積層体を形成する工程と、前記積層体と金属中間板とを交互に重ね、前記積層体のプリプレグシートの樹脂が硬化する温度で加熱加圧して硬化成形する工程（図示せず）とを少なくとも含む回路基板の製造方法において、その使用されるプリプレグシート１１は、補強材１５の両表面に半硬化状態の熱硬化性樹脂からなる樹脂層１４を具備しており、さらに（前記樹脂層１４の厚みｔr）／（前記コア基板の配線層１７の厚みｔc）の比が１．５以下であることを特徴とする。
【００３０】
なお、比の下限側であるが、これは成形性（回路埋め）で決定されるため、本発明では特に限定する必要はなく、成形不良が発生しない値であればよく、コア基板の配線層１７の厚みと基板面積に占める配線層１７の面積割合からプリプレグシート１１の樹脂層１４の厚みを決定すればよい。
【００３１】
また、上記回路基板の製造方法の加熱加圧して前記積層体を硬化成形する工程は、第１の加熱温度で一定時間加熱した後、前記第１の加熱温度より高い温度の第２の加熱温度で一定時間加熱した後、前記第２の加熱温度より高い温度の第３の加熱温度で一定時間加熱することが好ましい。
【００３２】
特に、第１の加熱温度として、積層体を硬化成形する前にプリプレグシート１１の樹脂軟化点近傍の温度で一旦一定時間加熱することが好ましい。
【００３３】
また、金属中間板の熱膨張係数が、コア基板１２の熱膨張係数近傍であることが好ましい。もちろん、上記回路基板の製造方法にそれらを同時に含んでもよい。なお、コア基板１２の絶縁層が一般的なガラスエポキシからなる場合、その金属中間板としてＳＵＳ３０４あるいはＳＵＳ３０１の熱膨張がコア基板に近似しており最も好ましい。
【００３４】
次に、上記回路基板の製造方法に使用するプリプレグシート１１の詳細であるが、プリプレグシート１１の樹脂軟化温度が、その際に使用する導電性ペースト１６の反応開始温度より低いことが好ましい。
【００３５】
なお、導電性ペースト１６としては、導電性粒子と熱硬化性樹脂とを少なくとも含む混合体であり、その導電性粒子は、金、銅、銀、インジウム、はんだ等の金属であることが好ましく、球状物質の表面にそれらの金属が覆われた粒子でもよい。一方、導電性ペースト１６の熱硬化性樹脂は、液状のエポキシ樹脂を主成分とすることが好ましい。
【００３６】
また、プリプレグシート１１の補強材１５としては、無機質補強材を主体とする場合、ガラス繊維織布あるいはガラス繊維不織布のいずれか１種以上であることが好ましい。さらにそれらを補強材１５とするプリプレグシート１１の樹脂に３０〜８０ｐｈｒの範囲で無機フィラーを含むことがより好ましい。
【００３７】
なお、その具体的な無機フィラーとしては、シリカ、水酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、アルミナ等の非導電性のものであればよく、形状は特に問わない。ただし、フィラーのサイズとしては、直径１０μｍ以下であることが好ましい。一方、有機質補強材を主体とする場合、ポリイミド、アラミド等の有機質フィルム、アラミド織布、アラミド不織布のいずれか１種以上であることが好ましい。
【００３８】
さらに、これまでに説明したプリプレグシート１１の樹脂としては、エポキシ樹脂を主成分とすることが最も好ましいが、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、シアネートエステル樹脂等でもよい。
【００３９】
また、本発明におけるその他の構成材料の詳細であるが、コア基板１２は、２層以上の回路基板であればよく、その層間を電気的に接続するビア穴１８は、導電性ペーストは勿論のこと、スルーホール、バンプ、フィルドめっき等で確保してもよく、特に限定されるものではない。ただし、コア基板１２の配線層１７の表面は、粗化されていることが好ましく、具体的には、両面粗化箔を使用するか、ＣＺ処理等の化学研磨あるいはサンドブラスト等の物理研磨の表面処理で形成しても良い。
【００４０】
また、スルーホールを備えたコア基板（図示せず）の場合は、その空洞に樹脂を充填するか、あるいは蓋めっきすることが好ましい。
【００４１】
さらに、本発明の金属箔１３は、回路基板用途として一般的に使用される銅箔が好ましい。
【００４２】
また、本発明の回路基板の製造方法を繰り返して高多層の回路基板を製造する場合に、（プリプレグシート１１の樹脂層１４の厚みｔr）／（金属箔１３の厚みｔm）の比が１．５以下であれば、本発明の効果は自ずと得られる。
【発明の効果】
【００４３】
２層以上の配線層を具備するコア基板の両面に導電性ペーストが充填されたビア穴を予め具備したプリプレグシートを重ね、さらに金属箔を重ねて積層体を形成する工程と、前記積層体と金属中間板とを交互に重ね、前記積層体のプリプレグシートの樹脂が硬化する温度で加熱加圧して硬化成形する工程とを少なくとも含む回路基板の製造方法において、その使用されるプリプレグシートは、補強材の両表面に半硬化状態の熱硬化性樹脂からなる樹脂層を具備し、かつ（前記樹脂層の厚み）／（前記コア基板の配線層厚み）の比が１．５以下であることを満たすことにより、容易にビアの導電性ペーストを圧縮して層間の電気的接続を確保することができ、さらに回路基板の高密度化に理想的な層間接続法であるＩＶＨを形成することができる。
【００４４】
また、上記回路基板の製造方法において、積層体を硬化成形する前にプリプレグシートの樹脂軟化点近傍の温度で一旦一定時間加熱すること、あるいは金属中間板の熱膨張係数がコア基板の熱膨張係数近傍であることの少なくともいずれか一方を追加することで、ビアの導電性ペーストの圧縮を極めて効率的なものにできるため、高品質なＩＶＨを回路基板に提供することができる。
【００４５】
さらに、本発明の回路基板の製造方法に用いるプリプレグシートの樹脂軟化温度が、その際に使用する導電性ペーストの反応開始温度より低ければ、プリプレグシートの軟化状態でビアの導電性ペーストを１次的に十分圧縮した後、導電性ペーストの硬化が開始されるため、より容易に層間の電気的接続を確保することができる。
【００４６】
また、プリプレグシートの補強材にガラス繊維織布あるいはガラス繊維不織布のいずれかを選択することで高剛性のＩＶＨを具備した回路基板を提供することができる。
【００４７】
さらに、それらのプリプレグシートの樹脂に３０〜８０ｐｈｒの範囲で無機フィラーを含むことで、比較的樹脂流動が起こりやすい構造のプリプレグシート、例えばガラス繊維織布に熱硬化性樹脂を含浸した構造であっても樹脂流動を制御することができるため、十分な層間の電気的接続を容易に確保することができる。
【００４８】
また、プリプレグシートの補強材に有機質フィルム、アラミド織布、アラミド不織布のいずれかを選択することで軽量かつ低誘電のＩＶＨを具備した回路基板を提供することができる。
【００４９】
さらに本発明は、高品質な導電性ペーストからなるＩＶＨを具備する回路基板の単なる提供だけでなく、その回路基板に適したプリプレグシートの材料設計が容易にでき、ひいては所望の回路基板の構造仕様に対して、必要とされる配線層材料とプリプレグシートとのあらゆる組合せについて、設計と同時に決定することができる。すなわち、通常行われる構造仕様を見出す検証が不要であるため、高品質なＩＶＨ構造を具備する回路基板を短期間で安定的に、かつ多様な仕様で提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００５０】
以下に本発明の実施の形態における回路基板の製造方法について説明する。
【００５１】
（実施の形態）
本発明の回路基板の製造方法に使用した材料、さらに本発明の特徴的な積層硬化物の形成について、図１および図２を用いて以下に詳しく説明することとし、従来の回路基板の製造方法と同様の工程は、説明を一部省略する。
【００５２】
（実施例１）
プリプレグシート１１として２５０ｍｍ角、厚み約８０μｍのガラス繊維織布に軟化点が７０℃、粒径が２〜８μｍの水酸化アルミニウムを５０ｐｈｒ含む熱硬化性エポキシ樹脂を５０ｗｔ％含浸させ、半硬化させた複合材を用いた。模式的な構成としては、図１の樹脂層１４が熱硬化性エポキシ樹脂で厚みは７．４μｍであり、補強材１５がガラス織布で厚み８０μｍである。
【００５３】
また、充填される導電性ペースト１６は、銅粉と熱硬化型エポキシ樹脂（無溶剤型）を主成分とし、酸無水物系の硬化剤が含有され、それぞれ８５重量％、１２．５重量％、２．５重量％となるように３本ロールにて十分に混練したものを用いた。なお、この導電性ペースト１６の反応開始温度は１２０℃である。
【００５４】
また、コア基板１２として、前記プリプレグシート１１と導電性ペースト１６を用いて、図３と同様の製造方法で作製し、導電性ペースト１６からなるビア穴１８で層間の電気的接続された厚さ約１００μｍの両面基板を用いた。
【００５５】
上記したコア基板１２の両面にプリプレグシート１１を重ね、さらに厚さ１４μｍ（質量厚さ１２８ｇ／ｍ2）の銅箔１３を重ねて積層体を準備し、その積層体を約１ｍｍ厚であるＳＵＳ３０４板を介して１０セットをプレート上に設置した。
【００５６】
次にその積層セットを真空熱プレスに投入し、図２に示すようにプリプレグシートの樹脂軟化温度である７０℃で一旦加熱保持した後、硬化成形する温度プロファイルを用い、積層体の樹脂の流動・硬化領域における昇温速度を５℃／ｍｉｎになるように設定した。なお、圧力は５ＭＰａで加熱加圧して成形した。
【００５７】
次に、この硬化した積層体をフォトリソエッチング法で回路配線層を形成して４層回路基板を得た。なお、この４層回路基板は、最外配線層と内層コア基板配線層とが、穴径φ１５０μｍのビアで層間接続され、かつ合計６００穴のビアが直列接続されているテスト基板であり、１セット辺り６個のテスト基板を割付した。
【００５８】
（実施例２）
厚さ約８０μｍのガラス繊維織布に軟化点が７０℃の熱硬化性エポキシ樹脂を５４ｗｔ％含浸させたプリプレグシート１１を用いたこと以外は、実施例１と同一である。すなわち、図１の模式的な構成として、実施例１の樹脂層１４の厚みが１２．４μｍになったものである。
【００５９】
（実施例３）
厚さ約８０μｍのガラス繊維織布に軟化点が７０℃の熱硬化性エポキシ樹脂を５８ｗｔ％含浸させたプリプレグシート１１を用いたこと以外は、実施例１と同一である。すなわち、図１の模式的な構成として、実施例１の樹脂層１４の厚みが１８．２μｍになったものである。
【００６０】
（実施例４）
厚さ約８０μｍのガラス繊維織布に軟化点が７０℃の熱硬化性エポキシ樹脂を６０ｗｔ％含浸させたプリプレグシート１１を用いたことと、配線層厚み１８μｍ（質量厚さ１６５ｇ／ｍ2）のコア基板を使用したこと以外は、実施例１と同一である。すなわち、図１の模式的な構成として、実施例１のコア基板１２の配線層１７の厚みが１８μｍ、プリプレグシート１１の樹脂層１４の厚みが２１．６μｍになったものである。
【００６１】
（実施例５）
厚さ約１００μｍのガラス繊維織布に軟化点が７０℃の熱硬化性エポキシ樹脂を５０ｗｔ％含浸させたプリプレグシート１１を用いたこと以外は、実施例１と同一である。すなわち、図１の模式的な構成として、実施例１の樹脂層１４の厚みが９．６μｍになったものである。
【００６２】
（実施例６）
厚さ約１００μｍのガラス繊維織布に軟化点が７０℃の熱硬化性エポキシ樹脂を５６ｗｔ％含浸させたプリプレグシート１１を用いたこと以外は、実施例１と同一である。すなわち、図１の模式的な構成として、実施例１の樹脂層１４の厚みが１９．６μｍになったものである。
【００６３】
（実施例７）
厚さ約３０μｍのガラス繊維織布に軟化点が７０℃の熱硬化性エポキシ樹脂を６８ｗｔ％含浸させたプリプレグシート１１を用いたこと以外は、実施例１と同一である。すなわち、図１の模式的な構成として、実施例１の樹脂層１４の厚みが１１．７μｍになったものである。
【００６４】
（実施例８）
厚さ約３０μｍのガラス繊維織布に軟化点が７０℃の熱硬化性エポキシ樹脂を７６ｗｔ％含浸させたプリプレグシート１１を用いたこと以外は、実施例１と同一である。すなわち、図１の模式的な構成として、実施例１の樹脂層１４の厚みが２０．５μｍになったものである。
【００６５】
（比較例１）
厚さ約８０μｍのガラス繊維織布に軟化点が７０℃の熱硬化性エポキシ樹脂を６０ｗｔ％含浸させたプリプレグシート１１を用いたこと以外は、実施例１と同一である。すなわち、図１の模式的な構成として、実施例１の樹脂層１４の厚みが２１．６μｍになったものである。
【００６６】
（比較例２）
厚さ約１００μｍのガラス繊維織布に軟化点が７０℃の熱硬化性エポキシ樹脂を５８ｗｔ％含浸させたプリプレグシート１１を用いたこと以外は、実施例１と同一である。すなわち、図１の模式的な構成として、実施例１の樹脂層１４の厚みが２３．６μｍになったものである。
【００６７】
（比較例３）
厚さ約３０μｍのガラス繊維織布に軟化点が７０℃の熱硬化性エポキシ樹脂を７８ｗｔ％含浸させたプリプレグシート１１を用いたこと以外は、実施例１と同一である。すなわち、図１の模式的な構成として、実施例１の樹脂層１４の厚みが２３．８μｍになったものである。
【００６８】
以上の実施例１〜８および比較例１〜３で得られたテスト基板の配線抵抗を測定し、そのビア接続について評価した。なお、接続評価を行うにあたって、配線抵抗から銅箔配線層の抵抗値を差し引いて、ビア単独の接続抵抗を見積もり、それを検証した。
【００６９】
まず、（表１）に実施例１〜４と比較例１をまとめた。
【００７０】
【表１】
2007165436.tif 000003
【００７１】
（表１）より、樹脂層厚みと配線層厚みの比が大きくなるに伴い、その接続抵抗値は増大し、１．５を超えると著しく接続抵抗値が増大する。ここで、実施例１〜３での接続抵抗値の増大は、樹脂層厚みの増加見合い分に比例しており、特に異常を示すものではなく、全く正常である。
【００７２】
ところが、比較例１は、その樹脂層厚みの増加見合い分を遥かに超えた抵抗値増大であり、これを解析すると図５で説明したペースト粒子の流出が検出された。
【００７３】
一方、比較例１と同じプリプレグシートを用いて、コア基板の配線層厚みを厚くしたものが、実施例４である。この結果をみると、比較例３において、接続が著しく困難となったが、本発明の特徴である１．５以下の比になるようにコア基板の配線層厚みを厚くすると接続抵抗が確保できることが実証された。
【００７４】
したがって、プリプレグシートの樹脂層の厚みとコア基板の配線層の厚みの相対関係が、導電性ペーストによる接続に大きく寄与するものと言える。
【００７５】
さらに、補強材の厚みを変更してもこの関係が成り立つことが実証できた。その結果を（表２）および（表３）にまとめた。
【００７６】
【表２】
2007165436.tif 000004
【００７７】
【表３】
2007165436.tif 000005
【００７８】
いずれの補強材厚み（１００μｍおよび３０μｍ）においても比が１．５を超えると接続抵抗の確保が著しく困難になった。すなわち、導電性ペーストの電気的接続は、補強材の厚みに関係なく、その表層に形成される樹脂層厚みが支配的であると言える。
【００７９】
ところで、プリプレグシートの仕様として一般的に用いられる樹脂量（プリプレグシート中の樹脂の重量割合）は、回路基板の成形性から決定される。つまり、コア基板の配線層を十分に埋めることだけがその決定条件であったが、そのままでは導電性ペーストで接続する回路基板に使用できる可能性は極めて低い。
【００８０】
そこで、この条件に本発明の条件を加えるだけで如何なる補強材の厚み・材料からなるプリプレグシートでも容易に導電性ペーストで接続された回路基板を製造することができる。このことから、所望の回路基板の構造仕様に対して、必要とされる配線層材料とプリプレグシートとのあらゆる組合せについて、設計と同時に決定することができる。
【００８１】
したがって、通常行われる構造仕様を見出す検証が不要であり、高品質なＩＶＨ構造を具備する回路基板を短期間で安定的に、かつ多様な仕様で提供することができる。
【００８２】
また、本実施の形態では多層回路基板として４層の多層回路基板について説明したが、４層以上の多層の回路基板でも同様の効果が得られている。また、本発明は、各実施の形態に示した材料・条件等に限るものではなく、プリプレグシートの樹脂層厚みとコア基板の配線層厚みとの比が１．５以下であれば同様の効果が得られる。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
以上述べたように、本発明の構成であれば、導電性ペーストの層間接続手段を用いた電気的接続を容易にし、高品質かつ短納期で高密度回路形成基板を提供できるものであり、産業上の利用可能性は大といえる。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】本発明の実施の形態における回路基板の製造方法を示す断面図
【図２】本発明の実施の形態における積層硬化物を成形する温度プロファイルを示す図
【図３】従来例における両面回路基板の製造方法を示す工程断面模式図
【図４】従来例における多層回路基板の製造方法を示す工程断面模式図
【図５】従来例における回路基板のビア形状を示す断面と外力方向を示す模式図
【符号の説明】
【００８５】
１１，２１，３６  基板材料（プリプレグシート）
１２，３１  コア基板
１３，２５，３４  金属箔（銅箔）
１４  樹脂層
１５  補強材
１６，２４，３５，４３  導電性ペースト
１７，２６  回路配線層
１８，２３，４４  ビア穴
２２  フィルム
４５  流出粒子
４６  面方向外力
４７  ビア変形
４８  垂直圧縮力
【図１】
2007165436.tif 000006
【図２】
2007165436.tif 000007
【図３】
2007165436.tif 000008
【図４】
2007165436.tif 000009
【図５】
2007165436.tif 000010