(57)【要約】【課題】  コントラストが良好でありながらフリッカないしクロストーク等の表示品位を損なうことがないＶＡ方式の半透過型液晶表示装置を提供すること。【解決手段】  本発明の半透過型液晶表示装置１０は、マトリクス状に配置された走査線１２及び信号線１３により区画されるそれぞれの位置に反射部１５と透過部１６とが形成された第一基板と、カラーフィルタ及び共通電極を形成した第二基板と、前記両基板間に配置された液晶層とを有し、  前記液晶として負の誘電異方性を有するものを使用し、  前記透過部に対応する位置の信号線の幅Ｌ１を前記反射部に対応する位置の信号線の幅Ｌ３よりも細くし、  前記透過部における画素電極と信号線なり幅Ｌ２を前記反射部における反射板と信号線の重なり幅Ｌ４よりも細くした構成を有する。【選択図】  図１
2007086112.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マトリクス状に配置された走査線及び信号線により区画されるそれぞれの位置に反射部と透過部とが形成された第一基板と、カラーフィルタ及び共通電極を形成した第二基板と、前記両基板間に配置された液晶層とを有する半透過型液晶表示装置において、
前記液晶として負の誘電異方性を有するものを使用し、
前記透過部に対応する位置の信号線の幅を前記反射部に対応する位置の信号線の幅よりも細くし、
前記透過部における画素電極と信号線の重なり幅を前記反射部における反射板と信号線の重なり幅よりも細くしたことを特徴とする半透過型液晶表示装置。
【請求項２】
前記層間膜は前記反射部、透過部、信号線及び走査線上に一体に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項３】
前記反射部における反射板と信号線の重なり幅は、前記透過部における画素電極と信号線の重なり幅よりも少なくとも１．０μｍ太くしたことを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項４】
前記反射部における反射板と信号線の重なり幅は、少なくとも１．２μｍとなるように選択されていることを特徴とする請求項１に記載の半透過型液晶表示装置。
【請求項５】
前記画素電極は前記反射部と透過部の境界部分に沿って両側にスリットが設けられ、前記第二基板の前記反射部及び透過部に対応する位置にそれぞれ配向規制用の窓又は突起が設けられていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の半透過型液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半透過型液晶表示装置に関し、特にコントラストが良好でありながらクロストーク等の表示品位を損なうことがない垂直配向（ＶＡ：Vertical Alignment）方式の半透過型液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報通信機器のみならず一般の電気機器においても液晶表示装置の適用が急速に普及している。液晶表示装置は、自ら発光しないために、バックライトを備えた透過型の液晶表示装置が多く使用されている。しかしながら、バックライトの消費電力が大きいために、特に携帯型のものについては消費電力を減少させるためにバックライトを必要としない反射型の液晶表示装置が用いられているが、この反射型液晶表示装置は、外光を光源として用いるために、暗い室内などでは見え難くなってしまう。そこで、近年に至り特に透過型と反射型の性質を併せ持つ半透過型の液晶表示装置の開発が進められてきている（下記特許文献１、２参照）。
【０００３】
この半透過型液晶表示装置は、一つの画素領域内に画素電極を備えた透過部と画素電極及び反射板の両方を備えた反射部を有しており、暗い場所においてはバックライトを点灯して画素領域の透過部を利用して画像を表示し、明るい場所においてはバックライトを点灯することなく反射部において外光を利用して画像を表示しているため、常時バックライトを点灯する必要がなくなるので、消費電力を大幅に低減させることができるという利点を有している。
【０００４】
この半透過型液晶表示の一例を図５〜図７を用いて説明する。なお、図５は従来の半透過型液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視して表した１画素分の平面図であり、図６（ａ）は図５のＡ−Ａ断面図であり、図６（ｂ）は図５のＢ−Ｂ断面図であり、また、図７は液晶表示装置の１画素分の等価回路である。
【０００５】
この半透過型液晶表示装置１０Ａは、透明な絶縁性を有するガラス基板１１上に、複数の走査線１２及び信号線１３がそれぞれ直接ないし無機絶縁膜１４を介してマトリクス状に形成されている。ここで、走査線１２と信号線１３とで囲まれた領域が１画素に相当し、スイッチング素子となるＴＦＴ（Thin Film Transistor）（図示せず）がそれぞれの画素毎に形成されている。
【０００６】
そして、走査線１２、信号線１３、無機絶縁膜１４等を覆うようにして、反射部１５においては表面に微細な凹凸部が形成され、透過部１６においては表面が平坦に形成された有機絶縁膜からなる層間膜１７が積層されている。なお、図５及び図６においては反射部１５の凹凸部は省略してある。そして層間膜１７にはＴＦＴのドレイン電極に対応する位置にコンタクトホール２０が設けられ、それぞれの画素において、コンタクトホール２０上及び層間膜１７の表面には、反射部１５に例えばアルミニウム金属からなる反射板１８が設けられ、この反射板１８の表面及び透過部１６の層間膜１７の表面には例えばＩＴＯ(Indium Tin Oxide)ないしＩＺＯ（Indium Zinc Oxide)からなる透明な画素電極１９が形成されている。
【０００７】
この半透過型液晶表示装置１０Ａにおいては、走査線１２及び信号線１３の幅は全て設計上同一に形成されており、透過部１６における信号線１３の幅Ｌ１及び反射部１５における信号線の幅Ｌ３は等しくなっている。そして、透過部１６においては、画素電極１９は隣接する画素の画素電極及び反射板とは接しないでかつ走査線１２及び信号線１３と若干重なるように形成されており、このうち、画素電極１９と信号線１３とは、光漏れを防止するために幅Ｌ２だけ重なるようにして形成されている。また、反射部１５においては、反射板１８及び画素電極１９は隣接する画素の反射板及び画素電極とは接しないで、かつ走査線１２及び信号線１３とは同じく光漏れを防止するために若干重なるようにして形成されており、このうち画素電極１９と信号線１３との間の重なり幅Ｌ４は前記Ｌ２と実質的に等しくなっている。
【０００８】
そして、ガラス基板１１の下方には、図示しない周知の光源、導光板、拡散シート等を有するバックライト装置が配置されており、また、画素電極１９の表面には総ての画素を覆うように配向膜（図示せず）が積層され、そして、それぞれの画素に対応して形成されるＲ、Ｇ、Ｂ３色のカラーフィルタ、対向電極等が設けられているカラーフィルタ基板（図示せず）をこのガラス基板１１と対向させ、両基板の周囲にシール材を設けることにより両基板を貼り合せ、両基板間に液晶を注入することにより半透過型液晶表示装置１０Ａとなる。
【０００９】
このように、従来の半透過型液晶表示装置１０Ａにおいては、反射板１８及び画素電極１９を走査線１２及び信号線１３と若干重なるようにして形成することにより、この部分からの光漏れを防止してコントラストの上昇を図っている。
【特許文献１】特開平１１−１０１９９２号公報（特許請求の範囲、段落［００２０］〜［００４３］、図１、図２）
【特許文献２】特開２００５−１０６９９７号公報（特許請求の範囲、段落［００４９］〜［００５９］、図２〜図４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところが、走査線及び信号線上に画素電極が形成されると、走査線１２及び信号線１３と反射板１８の上に形成された画素電極１９との間に、図６（ａ）及び図６（ｂ）に示したように、所定の静電容量Ｃsdが存在することになる。この静電容量Ｃsdは、図７に示した等価回路から明らかなように、ＴＦＴのドレイン電極とソース電極との間に並列に生じる寄生容量であって、この静電容量Ｃsdが所定値以上になると、液晶表示装置の駆動時に表示画面にフリッカ及びクロストークが発生する。従って、ソースドレイン間の静電容量Ｃsdを小さくすること、すなわち、信号線と画素電極との間の重なりを小さくすれば、フリッカ及びクロストークを低減することができる。
【００１１】
しかしながら、光漏れは画素電極の端部における液晶の配向の乱れに起因するものが主であるため、フリッカやクロストークを低減させるために信号線と画素電極との間の重なりを小さくすると、特にノーマリーホワイト型の場合は、透過部において光漏れが大きくなってコントラストが低下するという問題点が生じる。
【００１２】
従って、ノーマリーホワイト型の場合は信号線と透過部の画素電極との間にある程度の重なりを設けざるを得ないが、このような構成を液晶として負の誘電異方性を有するものを使用したＶＡ方式のようなノーマリーブラック型の半透過型液晶表示装置にそのまま適用した場合、透過部の信号線と画素電極の重なりに基づく開口率の低下と寄生容量Ｃsdの増加によって、ノーマリーブラック型の半透過型液晶表示装置の利点を生かすことができないという問題点が存在する。
【００１３】
すなわち、ＶＡ方式のようなノーマリーブラック型の半透過型液晶表示装置においては、画素電極と対向電極間に電界が印加されない状態においては、液晶層の液晶分子は長軸が画素電極及び対向電極の表面に対して垂直をなすように配向されて光が透過しない状態となり、ノーマリーホワイト型の場合のように信号線と透過部の画素電極との間にある程度の重なりを設けなくても光漏れが発生しない。
【００１４】
本願発明は、このような従来技術の問題点を解決すべくなされたものであって、特にコントラストが良好でかつフリッカやクロストーク等の表示品位を損なうことのないＶＡ方式の半透過型液晶表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の上記目的は、以下の構成により達成し得る。すなわち、請求項１に係る半透過型液晶表示装置の発明は、マトリクス状に配置された走査線及び信号線により区画されるそれぞれの位置に反射部と透過部とが形成された第一基板と、カラーフィルタ及び共通電極を形成した第二基板と、前記両基板間に配置された液晶層とを有する半透過型液晶表示装置において、
【００１６】
前記液晶として負の誘電異方性を有するものを使用し、
【００１７】
前記透過部に対応する位置の信号線の幅を前記反射部に対応する位置の信号線の幅よりも細くし、
【００１８】
前記透過部における画素電極と信号線の重なり幅を前記反射部における反射板と信号線の重なり幅よりも細くしたことを特徴とする。
【００１９】
また、請求項２に係る発明は、請求項１に記載の半透過型液晶表示装置において、前記層間膜は前記反射部、透過部、信号線及び走査線上に一体に設けられていることを特徴とする。
【００２０】
また、請求項３に係る発明は、請求項１に記載の半透過型液晶表示装置において、前記反射部における反射板と信号線の重なり幅は、前記透過部における画素電極と信号線の重なり幅よりも少なくとも１．０μｍ太くしたことを特徴とする。
【００２１】
また、請求項４に係る発明は、請求項１に記載の半透過型液晶表示装置において、前記反射部における反射板と信号線の重なり幅は、少なくとも１．２μｍとなるように選択されていることを特徴とする。
【００２２】
また、請求項５に係る発明は、請求項１〜４のいずれかに記載の半透過型液晶表示装置において、前記画素電極は前記反射部と透過部の境界部分に沿って両側にスリットが設けられ、前記第二基板の前記反射部及び透過部に対応する位置にそれぞれ配向規制用の窓又は突起が設けられていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２３】
本発明は上記の構成を備えることにより以下に述べるような優れた効果を奏する。すなわち、請求項１に係る発明によれば、透過部における前記画素電極と信号線の重なり幅は反射部における信号線と反射板の重なり幅よりも細くなっているが、液晶として負の誘電異方性を有するいわゆるＶＡ方式のようなノーマリーブラック型のものを使用したため、透過部における光漏れの問題は生じなくなるとともに開口率が向上し、しかも、透過部における画素電極と信号線との間の静電容量は反射部における画素電極と信号線との間の静電容量よりも小さくなるので、フリッカやクロストークが小さくなり、コントラストの増大を図ることができるとともに表示品位を維持したＶＡ方式の半透過型液晶表示装置が得られる。
【００２４】
また、請求項２に係る発明によれば、実質的に液晶表示装置の画像表示領域全体にわたり層間膜が設けられているため、少なくとも透過部における画素電極を平坦状態とすることができるから、透過部における液晶分子の配向の乱れが少なくなって光漏れが少なくなってコントラストが向上する。
【００２５】
また、請求項３に係る発明によれば、反射部における画素電極と信号線の重なり幅を透過部に対応する画素電極と信号線の重なり幅よりも少なくとも１．０μｍ大きくしたので、反射部における光漏を効果的に減じることができるため、請求項１の発明の効果がより顕著に奏される半透過型液晶表示装置が得られる。
【００２６】
また、請求項４に係る発明によれば、マスクの位置合わせ誤差等、製造上のバラツキがあっても請求項１の発明の効果を奏する半透過型液晶表示装置が得られる。
【００２７】
また、請求項５に係る発明によれば、いわゆるマルチドメイン垂直配向（ＭＶＡ）方式の視野角の広い半透過型液晶表示装置が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
以下、実施例及び図面を参照にして本発明を実施するための最良の形態を説明するが、以下に示す実施例は、本発明をここに記載したものに限定することを意図するものではなく、本発明は特許請求の範囲に示した技術思想を逸脱することなく種々の変更を行ったものにも均しく適用し得るものである。
【実施例１】
【００２９】
実施例１の半透過型液晶表示装置１０を図１及び図２を用いて説明する。なお、図１は実施例１に係る半透過型液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視して表した１画素分の平面図であり、図２（ａ）は図１のＣ−Ｃ断面図であり、図２（ｂ）は図１のＥ−Ｅ断面図及び図２（ｃ）はカラーフィルタ基板を含む図１のＦ−Ｆに対応する部分の断面図であり、図５〜図６に示した従来例の半透過型液晶表示装置１０Ａと同一構成部分には同一の参照符号を付与して説明する。
【００３０】
この半透過型液晶表示装置１０のアレイ基板は、透明な絶縁性を有するガラス基板１１上に、アルミニウムやモリブデン等の金属からなる複数の走査線１２が等間隔で平行に形成されており、また、隣り合う走査線１２間の略中央には補助容量線２１が平行して形成されている。そして、走査線１２からはＴＦＴのゲート電極Ｇが延設されている。
【００３１】
また、ガラス基板１１上には、走査線１２、補助容量線２１、ゲート電極Ｇを覆うようにして窒化シリコンや酸化シリコンなどからなるゲート絶縁膜１４が積層され、このゲート電極Ｇの上にはゲート絶縁膜１４を介して非晶質シリコンや多結晶シリコンなどからなる半導体層２２が形成され、またゲート絶縁膜１４上にはアルミニウムやモリブデン等の金属からなる複数の信号線１３が走査線１２と直交するようにして形成されており、この信号線１３からはＴＦＴのソース電極Ｓが延設され、このソース電極Ｓは半導体層２２と接触している。さらに、信号線１３及びソース電極Ｓと同一の材料でかつ同時形成されたドレイン電極Ｄがゲート絶縁膜１４上に設けられており、このドレイン電極Ｄも半導体層２２と接触している。
【００３２】
ここで、走査線１２と信号線１３とに囲まれた領域が１画素に相当する。そしてゲート電極Ｇ、ゲート絶縁膜１４、半導体層２２、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄによってスイッチング素子となるＴＦＴが構成され、それぞれの画素にこのＴＦＴが形成される。この場合、ドレイン電極Ｄと補助容量線２１によって各画素の補助容量を形成することになる。
【００３３】
信号線１３、ＴＦＴ、ゲート絶縁膜１４を覆うようにして例えば無機絶縁材料からなる保護絶縁膜２３が積層され、この保護絶縁膜２３上に、有機絶縁膜からなり、反射部１５の表面に微細な凹凸部が形成され、透過部１６の表面は平坦となされた層間膜１７が積層されている。なお、図１及び図２においては反射部１５における層間膜１７の凹凸部は省略してある。そして保護絶縁膜２３と層間膜１７には、ＴＦＴのドレイン電極Ｄに対応する位置にコンタクトホール２０が形成されている。
【００３４】
そして、それぞれの画素において、コンタクトホール２０上及び層間膜１７の表面の一部分には、反射部１５に例えばアルミニウム金属からなる反射板１８が設けられ、この反射板１８の表面及び透過部１６の層間膜１７の表面には例えばＩＴＯないしＩＺＯからなる画素電極１９が形成され、更に、画素電極１９の表面には全ての画素を覆うように垂直配向膜（図示せず）が積層されている。
【００３５】
また、カラーフィルタ基板は、透明な絶縁性を有するガラス基板２５の表示領域上に、それぞれの画素に対応して形成される赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）のうち何れか一色からなるストライプ状のカラーフィルタ２６が設けられている。また、反射部１５と透過部１６とで同じ厚さのカラーフィルタ２５を使用するため、反射部１５のカラーフィルタ２６の一部分に所定の厚さのトップコート２７及びカラーフィルタが存在しない透明な窓部２８が設けられている。このトップコート２７は、反射部１５全体にわたって設けられており、その厚さは反射部１５における液晶層の厚さいわゆるセルギャップｄ１が透過部１６のセルギャップｄ２の半分となるように、すなわちｄ１＝（ｄ２）／２となるようにされている。また、透明な窓部２８は、反射部１５では入射光は入射時と出射時の２回カラーフィルタを通過するため、一部分に色がない部分を設けて色調が透過部１６と同じようになるように設けられているものである。そして、カラーフィルタ層２７及びトップコート２７の表面には共通電極及び垂直配向膜（いずれも図示せず）が順次積層されている。
【００３６】
そして、前記アレイ基板及びカラーフィルタ基板を互いに対向させ、両基板の周囲にシール材を設けることにより両基板を貼り合せ、両基板間に負の誘電異方性を有する液晶２９を充填することによりＶＡ方式の半透過型液晶表示装置１０となる。なお、アレイ基板の下方には、図示しない周知の光源、導光板、拡散シート等を有するバックライト装置が配置されている。
【００３７】
この実施例１の半透過型液晶表示装置１０においては、透過部１６における信号線１３の幅Ｌ１は反射部１５における信号線の幅Ｌ３よりも細く、Ｌ１<Ｌ３となされている。そして、透過部１６においては、画素電極１９は隣接する画素の画素電極及び反射板とは接しないでかつ走査線１２及び信号線１３と層間膜１７を介して平面視において若干重なるように形成されており、また、反射部１５においても、反射板１８及び画素電極１９は隣接する画素の反射板及び画素電極とは接しないで、かつ走査線１２及び信号線１３とは層間膜１７を介して平面視において若干重なるようにして形成されている。このうち、透過部１６における画素電極１９と信号線１３との重なり部分の幅Ｌ２は、反射部１５における反射板１８と信号線１３との間の重なり幅Ｌ４よりも細く、Ｌ２<Ｌ４となされている。
【００３８】
このように、透過部１６における信号線１３と画素電極１９との重なり幅Ｌ２を反射部１５における信号線１３と反射板１８との重なり幅Ｌ４より細くした理由は次のとおりである。すなわち、信号線１３及び画素電極１９の境界部近傍における光漏れは、画素電極１９の端部における液晶分子の配向性の乱れに基づくものが主である。反射部１５では反射板１８が信号線１３と層間膜１７を介して若干重なっており、この反射板１８はアルミニウム等の金属からなるために完全に遮光性であるため、反射部１５での画素電極１９の端部近傍における液晶分子の配向性の乱れに基づく光漏れは発生しない。
【００３９】
すなわち、従来のノーマリーホワイト方式の液晶表示装置の場合、画素電極１９の端部Ｚ（図２（ｂ）参照）近傍においては、画素電極間に電圧が制御されない領域が存在することに基づく液晶分子の配向の乱れが生じるが、画素電極１９にブラック表示の電圧が印加されると、この液晶分子の配向の乱れにより通常は液晶表示装置１０を通過することがないバックライトからの光が漏れてしまうわけである。
【００４０】
それに対し、負の誘電異方性を有する液晶を使用した実施例１のＶＡ方式のようなノーマリーブラック型の半透過型液晶表示装置においては、画素電極と対向電極間に電界が印加されない状態においては、液晶層の液晶分子は長軸が画素電極及び対向電極の表面に対して垂直をなすように配向されているため、画素電極間に電圧が制御されない領域が存在することに基づく光漏れが発生しない。
【００４１】
従って、この実施例の液晶表示装置１０においては、透過部１６における信号線１３と画素電極１９との重なり幅Ｌ２を反射部１５における信号線１３と反射板１８との重なり幅Ｌ４より細く、Ｌ２<Ｌ４とした。この場合、透過部１６における開口率上昇の効果を明確に確認できるようにするにはＬ２とＬ４の差が少なくとも１μｍ必要である。
【００４２】
この実施例１では、マスクの位置合わせ誤差等製造上のばらつきを考慮の上で、Ｌ２とＬ４の差が少なくとも１μｍとなるようにした上で、透過部１６においてＬ２の値を最低限０．２μｍ確保できるようにするため、すなわち、反射部１５における信号線１３と反射板１８との重なりＬ４を少なくとも１．２μｍ確保できるようにするために、Ｌ１〜Ｌ４の設計上の具体的寸法としてはＬ１＝６μｍ、Ｌ２＝１μｍ、Ｌ３＝８μｍ、Ｌ４＝２μｍを採用した。
【００４３】
このように、実施例における半透過型液晶表示装置１０においては、透過部１６における信号線１３の幅Ｌ１を反射部１５における信号線の幅Ｌ３よりも細く、Ｌ１<Ｌ３とし、また、透過部１６における画素電極１９と信号線１３との重なり部分の幅Ｌ２を反射部１５における画素電極１９と信号線１３との間の重なり幅Ｌ４よりも細くすることにより、透過部１６における開口率を大きくした上で、信号線１３と画素電極１９との間に生じる静電容量Ｃsdを小さくしてフリッカないしクロストークを抑制することができるから、特にコントラストが良好でかつクロストーク等の表示品位を損なうことのない半透過型液晶表示装置１０が得られる。
【実施例２】
【００４４】
なお、本実施例ではＶＡ方式の半透過型液晶表示装置１０について述べたが、ＭＶＡ方式の半透過型液晶表示装置に対しても適用できる。この実施例２のＭＶＡ方式の半透過型液晶表示装置１０'を図３及び図４に示す。なお、図３は実施例２に係る半透過型液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視して表した１画素分の平面図であり、図４は図３のＨ−Ｈ線断面図であり、図１及び図２に示した実施例１の半透過型液晶表示装置１０と同一の構成部分には同一の参照符号を付与してそれぞれの詳細な説明は省略する。なお、図３においては各構成部材の重なり関係が分かり難くなるため、画素電極のハッチングを省略してある。
【００４５】
この実施例２の半透過型液晶表示装置１０'が実施例１の半透過型液晶表示装置１０と構成が大きく相違している点は、透過部１６に位置するカラーフィルタ層２６の表面の一部及び反射部１５に位置するトップコート層２７の表面の一部にそれぞれ液晶の配向を規制するための突起３１及び３２がそれぞれ設けられている点、及び、画素電極１９が反射部１５と透過部１６の境界領域で液晶分子の配向を規制するためにスリット３３が設けられている点である。なお、これらの突起３１及び３２の表面にも垂直配向膜が設けられているが、図示省略してある。このＭＶＡ方式の半透過型液晶表示装置１０'においては、上記突起３１及び３２、更には画素電極１９のスリットの存在により、液晶分子は突起３１ないし３２に向かうように傾斜するため、視野角が非常に広くなるという特性を備えている。
【００４６】
そして、実施例２の半透過型液晶表示装置１０'においても、実施例１の半透過型液晶表示装置の場合と同様に、透過部１６における信号線１３の幅Ｌ１は反射部１５における信号線の幅Ｌ３よりも細く、Ｌ１<Ｌ３となされている。そして、透過部１６においては、画素電極１９は隣接する画素の画素電極及び反射板とは接しないでかつ走査線１２及び信号線１３と層間膜１７を介して平面視において若干重なるように形成されており、また、反射部１５においても、反射板１８及び画素電極１９は隣接する画素の反射板及び画素電極とは接しないで、かつ走査線１２及び信号線１３とは層間膜１７を介して平面視において若干重なるようにして形成されている。このうち、透過部１６における画素電極１９と信号線１３との重なり部分の幅Ｌ２は、反射部１５における反射板１８と信号線１３との間の重なり幅Ｌ４よりも細く、Ｌ２<Ｌ４となされている。
【００４７】
このような構成を採用することにより、実施例２の半透過型液晶表示装置１０'においても、実施例１の半透過型液晶法事装置１０と同様に、透過部１６における開口率を大きくした上で、信号線１３と画素電極１９との間に生じる静電容量Ｃsdを小さくしてフリッカないしクロストークを抑制することができるから、特にコントラストが良好でかつクロストーク等の表示品位を損なうことのないＭＶＡ方式の半透過型液晶表示装置１０'が得られる。
【００４８】
なお、実施例２に係るＭＶＡ方式の半透過型液晶表示装置１０'においては、カラーフィルタ基板側に突起３１及び３２を設けた例を示したが、突起に変えてスリットを採用しても同様の効果を生じる。さらに、実施例２に係るＭＶＡ方式の半透過型液晶表示装置１０'においては、突起３１及び３２として、十字状（突起３１）ないし逆Ｙ字状（突起３２）を設けた例を示したが、突起の形状はこのような形状のものだけでなく、周知のＭＶＡ方式の液晶表示装置に使用されている形状の突起を適宜選択して使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】実施例１に係る半透過型液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視して表した１画素分の平面図である。
【図２】図２（ａ）は図１のＣ−Ｃ断面図であり、図２（ｂ）は図１のＥ−Ｅ断面図及び図２（ｃ）は図１のＦ−Ｆ断面図である。
【図３】実施例２に係る半透過型液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視して表した１画素分の平面図である。
【図４】図３のＨ−Ｈ断面図である。
【図５】従来の半透過型液晶表示装置のカラーフィルタ基板を透視して表した１画素分の平面図である。
【図６】図６（ａ）は図５のＡ−Ａ断面図であり、図６（ｂ）は図５のＢ−Ｂ断面図である。
【図７】液晶表示装置の１画素分の等価回路である。
【符号の説明】
【００５０】
１０、１０Ａ    液晶表示装置
１１    ガラス基板
１２    走査線
１３    信号線
１４    無機絶縁膜
１５    反射部
１６    透過部
１７    層間膜
１８    反射板
１９    画素電極
２０    コンタクトホール
２１    補助容量線
２２    半導体層
２３    保護絶縁膜
２６    カラーフィルタ
２７    トップコート
３１、３２    突起
【図１】
2007086112.tif 000003
【図２】
2007086112.tif 000004
【図３】
2007086112.tif 000005
【図４】
2007086112.tif 000006
【図５】
2007086112.tif 000007
【図６】
2007086112.tif 000008
【図７】
2007086112.tif 000009