(57)【要約】【課題】  金属接合時に配線や電気光学装置用基板等の破損を防止することが可能な電気光学装置の製造方法及び接続部材の接続方法を提供する。【解決手段】  基板４の一面４１側に出力配線１４と一面４１からの出力配線１４の高さｈ２より高さｈ１が高い基板側出力端子１４ａとを形成する端子形成工程（Ｓ６）と、ドライバＩＣ１７のドライバ側出力端子２４が基板側出力端子１４ａに重なって接触するようにドライバＩＣ１７を基板４上に配置する配置工程（Ｓ７）と、超音波を供給することで基板側出力端子１４ａとドライバ側出力端子２４とを超音波接合する接合工程（Ｓ８）とを備えているので、超音波のエネルギーによりこの金属接合時に生じたエネルギーを基板側出力端子１４ａにより吸収でき出力配線１４や基板４の破損を防止できる。【選択図】  図２
2007086409.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気光学装置用基板の一面に配線と、前記配線に繋がり前記一面からの前記配線の高さより前記一面からの高さが高い第１の端子と、を形成する端子形成工程と、
接続部材の第２の端子が、前記第１の端子に接触するように、前記接続部材を前記電気光学装置用基板上に配置する配置工程と、
超音波を供給することで、前記第１の端子と前記第２の端子とを超音波接合する接合工程と
を具備することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記端子形成工程は、
前記配線の前記一面側とは反対側に前記第１の端子を積層する積層工程を有することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記端子形成工程は、前記一面からの前記配線の高さより前記一面からの前記第１の端子の方が高くなるように前記配線と前記第１の端子とを一体的に形成することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記接合工程の前において、
前記第１の端子、前記第２の端子のいずれか一方は、いずれか他方に対向する面が平面状であり、前記他方は前記一方に近づくにつれ前記一面と平行な平面による断面積が小さくなる突状部を有することを特徴とする請求項１から請求項３のうちのいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記接合工程の前において、
前記接続部材の前記第２の端子は、前記第１の端子に向けて突設し、前記第１の端子と対向する面は平面状であることを特徴とする請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１の端子、前記第２の端子のいずれか一方は、前記接合工程時にいずれか他方に接触する面に複数の凸形状を有することを特徴とする請求項１から請求項３のうちのいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の端子の前記一面からの高さは、前記第２の端子の前記実装面からの高さと同じか前記第２の端子の前記実装面からの高さより高いことを特徴とする請求項５に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
被接続部材の一面に配線と、前記配線に繋がり前記一面からの前記配線の高さより前記一面からの高さが高い第１の端子と、を形成する端子形成工程と、
接続部材の第２の端子が、前記第１の端子に接触するように、前記接続部材を前記被接続部材に配置する配置工程と、
超音波を供給することで、前記第１の端子と前記第２の端子とを超音波接合する接合工程と
を具備することを特徴とする接続部材の接続方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、パーソナルコンピュータや携帯電話機等の電子機器に用いられる電気光学装置の製造方法、接続部材の接続方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、パーソナルコンピュータや携帯電話機等といった電子機器の表示装置として電気光学装置としての例えば液晶装置等が用いられている。例えば、液晶装置用の基板とＩＣチップとの間にＡＣＦ（ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｆｉｌｍ）等を介してＩＣチップを実装するときに、ＩＣチップの実装領域をある程度加熱する必要があるため、ＩＣチップに不具合を生じ易くなる、という問題があった。
【０００３】
この問題を解決するために、例えば超音波によりＡＣＦを加熱すると共にＩＣチップ全体を加熱することなく液晶装置用の基板とＩＣチップとを接合しようとする技術が開示されている。（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開２００４−５５９９６号公報（段落［００２５］、図１）。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した技術では、超音波のエネルギーにより軟化したＡＣＦを用いてＩＣチップを基板に実装することはできるものの、例えばＡＣＦ中に導電粒子が不均一に含有されていることにより導通信頼性を確実に確保することが難しかったり、接合後に外部から加えられた熱等により例えばＡＣＦが膨張する等して接続不良を生じたりする、という問題がある。
【０００５】
また、ＡＣＦを用いたこれらの問題を回避するために、ＩＣチップの入出力バンプと、液晶装置用の基板の入出力端子とを超音波のエネルギーにより金属接合しようとすると、例えば液晶装置用の基板がガラス基板の場合には、ガラス基板が硬いので超音波のエネルギーにより配線やガラス基板が破損する、という問題がある。
【０００６】
本発明は、上述の課題に鑑みてなされるもので、金属接合時に配線や電気光学装置用基板等の破損を防止することが可能な電気光学装置の製造方法及び接続部材の接続方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の主たる観点に係る電気光学装置の製造方法は、電気光学装置用基板の一面に配線と、前記配線に繋がり前記一面からの前記配線の高さより前記一面からの高さが高い第１の端子と、を形成する端子形成工程と、接続部材の第２の端子が、前記第１の端子に接触するように、前記接続部材を前記電気光学装置用基板上に配置する配置工程と、超音波を供給することで、前記第１の端子と前記第２の端子とを超音波接合する接合工程とを具備することを特徴とする。
【０００８】
ここで、接続部材とは、例えば電子部品や回路基板等をいう。
【０００９】
本発明では、電気光学装置用基板の一面に配線と、配線に繋がり一面からの配線の高さより一面からの高さが高い第１の端子と、を形成する端子形成工程と、接続部材の第２の端子が、第１の端子に接触するように、接続部材を電気光学装置用基板上に配置する配置工程と、超音波を供給することで、第１の端子と第２の端子とを超音波接合する接合工程とを備えているので、接合工程で供給される超音波のエネルギーにより、第１の端子と第２の端子とを擦り合わせて金属接合することができると共に、例えば第１の端子と第２の端子とが擦り合わされる部分を配線や基板から離すことができ、この金属接合時に生じたエネルギーが第１の端子、配線及び電気光学装置用基板に伝わろうとするときに、このエネルギーを配線より厚い第１の端子により吸収することができ、この結果、例えば配線や電気光学装置基板にエネルギーが伝わることを抑制でき、配線や電気光学装置用基板の破損を防止することができる。
【００１０】
本発明の一の形態によれば、前記端子形成工程は、前記配線の前記一面側とは反対側に前記第１の端子を積層する積層工程を有することを特徴とする。これにより、端子形成工程は、配線の一面側とは反対側に第１の端子を積層する積層工程を有するので、例えば配線を電気光学装置用基板の一面に形成した後に、例えば接合工程時に電気光学装置用基板が破損したりしないために厚くする必要がある配線の端部に（のみ）第１の端子を形成することができ、低コスト化を図ることができる。
【００１１】
本発明の一の形態によれば、前記端子形成工程は、前記一面からの前記配線の高さより前記一面からの前記第１の端子の方が高くなるように前記配線と前記第１の端子とを一体的に形成することを特徴とする。これにより、端子形成工程は、一面からの配線の高さより一面からの第１の端子の方が高くなるように配線と第１の端子とを一体的に形成するので、例えば配線と第１の端子との導電性を向上させることができる。
【００１２】
本発明の一の形態によれば、前記接合工程の前において、前記第１の端子、前記第２の端子のいずれか一方は、いずれか他方に対向する面が平面状であり、前記他方は前記一方に近づくにつれ前記一面と平行な平面による断面積が小さくなる突状部を有することを特徴とする。これにより、接合工程の前において、第１の端子、第２の端子のいずれか一方は、いずれか他方に対向する面が平面状であり、他方は一方に近づくにつれ一面と平行な平面による断面積が小さくなる突状部を有するので、接合工程時に、例えば第１の端子の突状部が第２の端子の平面状の面を擦り易くなり、例えば平面状の面や突状部に形成された酸化膜や異物を効率的に除去することができ、確実に第１の端子と第２の端子とを金属接合することができる。
【００１３】
本発明の一の形態によれば、前記接合工程の前において、前記接続部材の前記第２の端子は、前記第１の端子に向けて突設し、前記第１の端子と対向する面は平面状であることを特徴とする。これにより、接合工程の前において、接続部材の第２の端子は、第１の端子に向けて突設し、第１の端子と対向する面は平面状であるので、例えば接合工程時に、第１の端子と第２の端子とが擦れあうことで第１の端子と第２の端子との接合領域に生じるエネルギーが接続部材側に伝わる場合に、第２の端子によりこのエネルギーを吸収し例えば接続部材にエネルギーが供給されないようにして接続部材側で破損等が生じることを防止することができる。
【００１４】
本発明の一の形態によれば、前記第１の端子、前記第２の端子のいずれか一方は、前記接合工程時にいずれか他方に接触する面に複数の凸形状を有することを特徴とする。これにより、第１の端子、第２の端子のいずれか一方は、接合工程時にいずれか他方に接触する面に複数の凸形状を有するので、接合時に例えば第１の端子の複数の凸状部が第２の端子を効率的に擦ることができ、効率的に金属接合することができる。
【００１５】
本発明の一の形態によれば、前記第１の端子の前記一面からの高さは、前記第２の端子の前記実装面からの高さと同じか前記第２の端子の前記実装面からの高さより高いことを特徴とする。これにより、第１の端子の一面からの高さは、第２の端子の実装面からの高さと同じか第２の端子の実装面からの高さより高いので、超音波接合時に発生するエネルギーが接続部材側に到達することを防止するのと同様に電気光学装置用基板や配線に到達することを防止することができる。
【００１６】
本発明の他の観点に係る接続部材の接続方法は、被接続部材の一面に配線と、前記配線に繋がり前記一面からの前記配線の高さより前記一面からの高さが高い第１の端子と、を形成する端子形成工程と、接続部材の第２の端子が、前記第１の端子に接触するように、前記接続部材を前記被接続部材に配置する配置工程と、超音波を供給することで、前記第１の端子と前記第２の端子とを超音波接合する接合工程とを具備することを特徴とする。
【００１７】
ここで、接続部材とは、例えば半導体ＩＣ等の電子部品、回路基板等を含み、被接続部材とは、例えば基板や半導体ＩＣ等の電子部品を含む。
【００１８】
本発明では、被接続部材の一面に配線と、配線に繋がり一面からの配線の高さより一面からの高さが高い第１の端子と、を形成する端子形成工程と、接続部材の第２の端子が、第１の端子に接触するように、接続部材を被接続部材に配置する配置工程と、超音波を供給することで、第１の端子と第２の端子とを超音波接合する接合工程とを備えるので、接合工程で供給される超音波のエネルギーにより、第１の端子と第２の端子とを擦り合わせて金属接合することができると共に、例えば第１の端子と第２の端子とが擦り合わされる部分を配線や被接続部材から離すことができ、例えばこの金属接合時に生じたエネルギーが第１の端子、配線及び被接続部材に伝わろうとするときに、このエネルギーを第１の端子により吸収することができ、この結果、例えば配線や被接続部材にエネルギーが伝わることを抑制でき、配線や被接続部材の破損を防止することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明に実施形態を図面に基づき説明する。なお、以下実施形態を説明するにあたっては、電気光学装置としての液晶装置、具体的には反射半透過型のアモルファスＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）アクティブマトリックス方式の液晶装置、また、その液晶装置を用いた電子機器について説明するが、これに限られるものではない。また、以下の図面においては各構成をわかりやすくするために、実際の構造と各構造における縮尺や数等が異なっている。
【００２０】
（第１の実施形態）
【００２１】
本発明に係る第１の実施形態の液晶装置の概略斜視図、図２は図１の液晶装置のＡ−Ａ断面図、図３は図１の液晶装置のＢ−Ｂ断面図である。
【００２２】
（液晶装置の構成）
【００２３】
液晶装置１は、液晶パネル２と、液晶パネル２に電気的に接続された回路基板３とを備えている。なお、液晶装置１は、液晶パネル２を支持する図示を省略したフレーム等のその他の付帯機構が必要に応じて付設される。
【００２４】
液晶パネル２は、電気光学装置用基板としての基板４と、基板４に対向するように設けられた基板５と、基板４、５の間に設けられたシール材６及び基板４、５により封止された図示しない液晶とを備えている。液晶には、例えばＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）が用いられている。
【００２５】
基板４及び基板５は、例えばガラスや合成樹脂といった透光性を有する材料からなる板状部材である。基板４の液晶側には、ソース電極７、ゲート電極８、アモルファスＴＦＴである薄膜トランジスタ素子Ｔ及び画素電極９が形成されており、基板５の液晶側には、共通電極５ａが形成されている。
【００２６】
ソース電極７はＸ方向に、ゲート電極８はＹ方向に、それぞれ例えばアルミニウム等の金属材料等によって形成されている。ゲート電極８は、例えば図１に示すように上半分が左側に、下半分が右側に引き回されて形成されている。なお、ソース電極７及びゲート電極８の本数は、液晶装置１の解像度や表示領域の大きさに応じて適宜変更可能である。
【００２７】
薄膜トランジスタ素子Ｔは、ソース電極７、ゲート電極８及び画素電極９にそれぞれ電気的に接続される３つの端子を備えている。薄膜トランジスタ素子Ｔは画素電極９、ソース電極７、ゲート電極８に電気的に接続されている。これにより、ゲート電極８に電圧を印加したときにソース電極７から画素電極９に又はその逆に電流が流れるように構成されている。
【００２８】
また、基板４は、図１に示すように基板５の外縁から張り出した領域（以下、「張り出し部」と表記する）４ａを備えている。張り出し部４ａの面上には、図１に示すように入力配線１１〜１３、出力配線１４〜１６が付設されていると共に、例えば液晶を駆動するためのドライバＩＣ１７、１８及び１９が実装されている。入力配線１１等には図２に示すように本発明に係る後述する基板側入力端子１１ａ、基板側接続端子１１ｂが接続されており、出力配線１４等には基板側出力端子１４ａ等が形成されている。
【００２９】
入力配線１１は、図１に示すようにＸ方向に形成されている。例えば基板４の張り出し部４ａの一面側には、図２に示すように第１の絶縁層２６が形成されている。入力配線１１は、図２に示すように第１の絶縁層２６の張り出し部４ａ側と反対側（ドライバＩＣ１７側）に形成されている。入力配線１１の一端部には、図２に示すように後述する基板側入力端子１１ａが形成されており、入力配線１１の他端部には後述する基板側接続端子１１ｂが形成されている。
【００３０】
基板側入力端子１１ａは、例えば図３に示すように略直線状に配列されている。基板側入力端子１１ａが略直線状に配列されている方向が、Ｙ方向であり、Ｙ方向に直交する方向がＸ方向である。基板側入力端子１１ａは、図２に示すように入力配線１１の一端部に積層するように接続されて形成されている。後述するドライバＩＣ１７のドライバ側入力端子２３に後述する超音波により基板側入力端子１１ａが金属接合される前においては、基板４の一面４１からの基板側入力端子１１ａの高さｈ１は、図２に示すように入力配線１１の一面４１からの高さｈ２より高くなっている。例えば高さｈ１のうち第１の絶縁層２６の高さを除いた部分の高さ（入力配線１１と基板側入力端子１１ａとのＺ方向の高さの合計）は、例えば１０μｍ以上とされている。高さｈ１のうち第１の絶縁層２６の高さを除いた部分の高さは、後述するドライバ側入出力端子２３、２４の高さｈ４と同じかそれより高くなっている。基板側入力端子１１ａの構成材料には、例えば金、銅、アルミニウム、銀等の金属が用いられている。第２の絶縁層２７は、第１の絶縁層２６及び入力配線１１を覆うように形成されている。
【００３１】
基板側入力端子１１ａは、図２に示すように第２の絶縁層２７に形成された貫通孔２７ａ内を貫通して設けられている。基板側入力端子１１ａは、後述するドライバＩＣ１７のドライバ側入力端子２３に後述する超音波により金属接合されている。基板側入力端子１１ａとドライバ側入力端子２３とは、超音波により擦り合わされて、接合前に基板側入力端子１１ａの表面やドライバ側入力端子２３の表面等に形成されていた酸化膜等が除去されて金属接合されているため、良好な導通が図られている。
【００３２】
基板側接続端子１１ｂは、図２に示すように入力配線１１の他端部に積層するように接続されて形成されている。図２に示すように後述する回路基板側接続端子３６が基板側接続端子１１ｂに接合される前においては、基板４の一面４１からの基板側接続端子１１ｂの高さｈ３は、一面４１からの入力配線１１の高さｈ２より高くなっている。高さｈ３のうち第１の絶縁層２６の高さを除いた部分の高さ（入力配線１１と基板側接続端子１１ｂとのＺ方向の高さの合計）は、例えば１０μｍ以上とされている。基板側接続端子１１ｂの構成材料には、例えば金、銅、アルミニウム、銀等の金属が用いられている。
【００３３】
入力配線１２等は、図３に示すように基板側入力端子１２ａがドライバＩＣ１８等のドライバ側入力端子３７に超音波により金属接続されている。基板側入力端子１２ａは、入力配線１２の端部に積層して接続されて形成されている。ドライバＩＣ１８のドライバ側入力端子３７に基板側入力端子１２ａが後述する超音波により金属接合される前においては、基板側入力端子１２ａのＺ方向の高さｈ７は、例えば図３に示すように基板側入力端子１１ａの高さｈ１と同じになるようにされている。基板側入力端子１２ａの構成材料には、例えば金、銅、アルミニウム、銀等の金属が用いられている。
【００３４】
出力配線１４は、図１に示すようにＸ方向に形成されている。出力配線１４の一端部は、図１に示すようにそれぞれソース電極７に接続されている。出力配線１４は、図２に示すように第１の絶縁層２６の張り出し部４ａ側とは反対側（ドライバＩＣ１７側）に形成されている。出力配線１４の他端部には、図２に示すように基板側出力端子１４ａが積層して形成されている。後述するドライバＩＣ１７のドライバ側出力端子２４に基板側出力端子１４ａが後述する超音波により金属接合される前においては、基板４の一面４１からの基板側出力端子１４ａの高さｈ１は、一面４１からの出力配線１４の高さｈ２より高くなるように形成されている。高さｈ１のうち第１の絶縁層２６の高さを除いた部分の高さ（出力配線１４と基板側出力端子１４ａとのＺ方向の高さの合計）は、例えば１０μｍ以上とされている。基板側出力端子１４ａの構成材料には、例えば金、銅、アルミニウム、銀等の金属が用いられている。
【００３５】
基板側出力端子１４ａは、図２に示すように第２の絶縁層２７の貫通孔２７ａ内を貫通して設けられている。基板側出力端子１４ａは、ドライバＩＣ１７のドライバ側出力端子２４に後述する超音波により金属接合されている。基板側出力端子１４ａとドライバ側出力端子２４とが超音波により擦り合わされて、金属接合する前に基板側出力端子１４ａの表面やドライバ側出力端子２４の表面等に形成されていた酸化膜等が除去されて、金属接合されているため、良好な導通が図られている。
【００３６】
ドライバＩＣ１７は、図２に示すように、シリコンチップ２０と、シリコンチップ２０の張り出し部４ａと対向する実装面２０ａ側に設けられた例えばアルミニウム製の電極パッド２１、２２と、電極パッド２１、２２にそれぞれ接続されドライバＩＣ１７の実装面２０ａ側に突設されたドライバ側入力端子２３、ドライバ側出力端子２４とを備えている。
【００３７】
シリコンチップ２０は、図２に示すように例えば略矩形状のチップであり、電極パッド２１、２２に接続された図示を省略した配線等を備えている。この配線は、例えばトランジスタ等に接続されている。
【００３８】
電極パッド２１、２２は、シリコンチップ２０の実装面２０ａ側にＹ方向に複数配列して設けられている。
【００３９】
ドライバ側入力端子２３、ドライバ側出力端子２４は、例えば略矩形状であり、それぞれ複数Ｙ方向に等間隔で配列して設けられている。ドライバ側入出力端子２３、２４のＺ方向の高さｈ４は図２に示すように例えば１５μｍとされている。超音波接合前では、ドライバ側入出力端子２３、２４の基板側入出力端子１１ａ、１４ａに対向する対向面は平面状とされている。ドライバ側入力端子２３、ドライバ側出力端子２４の構成材料には、例えば金、銅、アルミニウム、銀等の金属が用いられている。ドライバ側入力端子２３、ドライバ側出力端子２４は、基板側入力端子１１ａ、基板側出力端子１４ａにそれぞれ超音波により金属接合されている。これにより、入力配線１１からドライバＩＣ１７に入力された信号をドライバＩＣ１７により駆動信号に変換して出力配線１４に出力し液晶を駆動することができるように構成されている。
【００４０】
ドライバＩＣ１７は、基板４との間に例えばエポキシ樹脂等の接着材２５が設けられている。
【００４１】
回路基板３は、図１に示すように、張り出し部４ａ側に例えば電気的に接続されている。回路基板３は、可撓性基材３１と、可撓性基材３１に設けられた出力配線３２、入力配線３３と、ドライバＩＣ１７等を制御するために可撓性基材３１に実装された半導体ＩＣ３４と、図２に示すように可撓性基材３１の張り出し部４ａに対向する側の一面３１Ａに設けられた配線３５とを備えている。配線３５の一端部には、図２に示すように本発明に係る後述する回路基板側接続端子３６が積層して接続されている。可撓性基材３１には、例えばこの他にも図示を省略した電源供給用の半導体ＩＣ等が実装されている。
【００４２】
出力配線３２は、図１に示すように、例えばＸ方向に引き回されており、その一端が、ＡＣＦを介して半導体ＩＣ３４の図示しない出力端子に電気的に接続されている。出力配線３２の他端部は、可撓性基材３１に形成された図示しないスルーホール内に設けられた図示しない接続部材を介して図２に示す配線３５の図示を省略した他端部に電気的に接続されている。
【００４３】
回路基板側接続端子３６は、図２に示すように配線３５の一端部に積層するように接続されて形成されている。回路基板側接続端子３６の構成材料には、例えば金、銅、アルミニウム、銀等の金属が用いられている。回路基板側接続端子３６と基板側接続端子１１ｂとを超音波により金属接合する前においては、可撓性基材３１の一面３１Ａからの回路基板側接続端子３６の高さｈ５は、一面３１Ａからの配線３５の高さｈ６より高くなっている。高さｈ５（配線３５と回路基板側接続端子３６とのＺ方向の高さの合計）は、例えば１０μｍ以上とされている。回路基板側接続端子３６は、図２に示す基板側接続端子１１ｂに後述する超音波により金属接合されている。回路基板側接続端子３６と基板側接続端子１１ｂとは、超音波により擦り合わされて、金属接合する前に回路基板側接続端子３６の表面や基板側接続端子１１ｂの表面等に形成されていた酸化膜等が除去されて、金属接合されているため、良好な導通が図られている。
【００４４】
入力配線３３は、図１に示すように、例えばＸ方向に引き回されている。入力配線３３の一端は、図１に示すように例えば半導体ＩＣ３４の図示しない入力端子に例えばＡＣＦ等を介して電気的に接続されている。入力配線３３の他端は、例えば図示しない外部装置に接続されている。
【００４５】
（液晶装置１の製造方法）
【００４６】
次に、液晶装置１の製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００４７】
図４は液晶装置１の製造工程を示すフローチャートである。
【００４８】
まず、例えば基板４にゲート電極８及び出力配線１５等を形成する（Ｓ１）。続いて、例えば基板４の一面４１側及び出力配線１５等を覆うように第１の絶縁層２６を形成する（Ｓ２）。続いて、第１の絶縁層２６の表面側にソース電極７及び出力配線１４等を形成する（Ｓ３）。続いて、例えばソース電極７及び出力配線１４を覆うように第２の絶縁層２７を形成する（Ｓ４）。
【００４９】
次に、例えば図示しないハートーンマスク等を用いて、第１の絶縁層２６、第２の絶縁層２７を露光現像することで、例えば図３に示すように第２の絶縁層２７に基板側入力端子１１ａを設けるための貫通孔２７ａを形成すると共に、例えば第１の絶縁層２６及び第２の絶縁層２７に基板側入力端子１２ａを設けるための貫通孔２６ａ、２７ａを形成する（Ｓ５）。
【００５０】
次に、第２の絶縁層２７の貫通孔２７ａ内で入力配線１１に積層するように基板側入力端子１１ａを形成する等する（Ｓ６）。このとき、図２に示すように基板４の一面４１からの基板側入力端子１１ａの高さｈ１は、一面４１からの入力配線１１の高さｈ２より高くなるようにする。例えば高さｈ１のうち第１の絶縁層２６の高さを除いた部分の高さ（入力配線１１と基板側入力端子１１ａとのＺ方向の高さの合計）が、例えば１０μｍ以上となるようにする。
【００５１】
図５は図４の超音波による金属接合の説明をするための部分断面図である。
【００５２】
次に、ステップ１〜６により製造したドライバＩＣ１７を実装する前の液晶パネル２を、例えば基台３８に載置する等して固定する。続いて、例えばドライバＩＣ１７のドライバ側入出力端子２３、２４が基板側入出力端子１１ａ、１４ａに平面的に重なって接触するようにように、液晶パネル２の張り出し部４ａ上にドライバＩＣ１７を配置する（Ｓ７）。
【００５３】
次に、図示を省略した超音波発生源からの超音波を例えばドライバＩＣ１７に伝えることが可能なヘッド３９を、ドライバＩＣ１７に接触させる。続いて、図示を省略した超音波発生源から超音波を供給することで、基台３８上に固定された基板側入出力端子１１ａ、１４ａに対してドライバ側入出力端子２３、２４を擦り合わせ、金属接合（超音波接合）する（Ｓ８）。このとき、例えば超音波接合前に基板側入出力端子１１ａ、１４ａの表面やドライバ側入出力端子２３、２４の表面等に形成されていた酸化膜等が除去され、良好な導通を図ることができる。そして、ドライバＩＣ１７と、基板４との間に、接着材２５を設ける。以上のようにドライバＩＣ１７を液晶パネル２に実装する。
【００５４】
そして、基板側入出力端子１１ａ、１４ａと、ドライバ側入出力端子２３、２４との超音波による金属接合と同様に、液晶パネル２の基板側接続端子１１ｂと、回路基板３の回路基板側接続端子３６とを超音波により金属接合し（Ｓ９）、バックライトや反射シート等を設ける等して液晶装置１を製造する（Ｓ１０）。
【００５５】
以上で液晶装置１の製造方法についての説明を終了する。
【００５６】
このように本実施形態によれば、基板４の一面４１側に例えば出力配線１４と出力配線１４に繋がり一面４１からの出力配線１４の高さｈ２より一面４１からの高さｈ１が高い基板側出力端子１４ａとを形成する端子形成工程（Ｓ６）と、ドライバＩＣ１７のドライバ側出力端子２４が、基板側出力端子１４ａに接触するように、ドライバＩＣ１７を基板４上に配置する配置工程（Ｓ７）と、ヘッド３９を接触させて超音波を供給することで、基板側出力端子１４ａとドライバ側出力端子２４とを超音波接合する接合工程（Ｓ８）とを備えているので、接合工程（Ｓ８）でシリコンチップ６０側から供給される超音波のエネルギーにより、例えば基板側出力端子１４ａとドライバ側出力端子２４とを擦り合わせて金属接合することができると共に、例えば基板側出力端子１４ａとドライバ側出力端子２４とが擦り合わされる部分を入出力配線１１、１４や基板４から離すことができ、例えばこの金属接合時に生じたエネルギーが基板側出力端子１４ａ、出力配線１４及び基板４等に伝わろうとするときに、このエネルギーを基板側出力端子１４ａにより吸収することができる。この結果、例えば出力配線１４や基板４にエネルギーが伝わることを抑制でき、出力配線１４や基板４の破損を防止することができる。
【００５７】
また、出力配線１４を形成する工程（Ｓ３）と、出力配線１４の一面４１側とは反対側に基板側出力端子１４ａを形成する工程（Ｓ６）とを備えているので、例えば出力配線１４を第１の絶縁層２６上に形成した後に、例えば接合工程（Ｓ８）時に基板４等が破損したりしないために厚くする必要がある出力配線１４の端部に（のみ）基板側出力端子１４ａを形成することができ、低コスト化を図ることができる。
【００５８】
更に、ドライバＩＣ１７のシリコンチップ６０の実装面６０ａには、例えばドライバ側出力端子２４が突設されているので、例えば接合工程（Ｓ８）時に、基板側出力端子１４ａとドライバ側出力端子２４とが擦れあうことで基板側出力端子１４ａとドライバ側出力端子２４との接合領域に生じるエネルギーがシリコンチップ６０側に伝わる場合に、ドライバ側出力端子２４によりこのエネルギーを吸収し例えばシリコンチップ６０内の図示しないトランジスタ等にエネルギーが供給されないようにしてシリコンチップ６０側で破損等が生じることを防止することができる。
【００５９】
また、図２に示すように、高さｈ１のうち第１の絶縁層２６の高さを除いた部分の高さは、ドライバ側入出力端子２３、２４の高さｈ４と同じかそれより高くなっているので、超音波接合時に発生するエネルギーがシリコンチップ２０側に到達することを防止するのと同様に基板４や基板側入出力配線１１、１４に到達することを防止することができる。
【００６０】
（第２の実施の形態）
【００６１】
次に、本発明に係る第２の実施の形態の液晶装置について説明する。なお、本実施形態以降においては、上記実施形態と同一の構成部材等には同一の符号を付しその説明を省略し、異なる箇所を中心に説明する。本実施形態においては、液晶パネル２の構成については第１の実施の形態と同様なのでその説明を省略する。
【００６２】
（液晶装置の構成）
【００６３】
図６は第２の実施の形態の液晶装置の概略斜視図、図７は図６の液晶装置の半導体ＩＣのＣ−Ｃ断面図である。
【００６４】
本実施形態の液晶装置５０は、例えば第１の実施形態の液晶パネル２と、半導体ＩＣ３４上に重ねられた後述する半導体ＩＣ５２が実装された回路基板５１とを備えている。液晶パネル２の構成及び液晶パネル２と回路基板５１とを超音波により金属接合する等については第１の実施形態と同様なのでその説明を省略し、半導体ＩＣ３４の可撓性基材３１への実装構造、半導体ＩＣ３４上に半導体ＩＣ５２が実装されている構造、半導体ＩＣ５２に入出力配線５４、５３が接続されている構造等の異なる箇所を中心的に説明する。
【００６５】
回路基板５１は、図６に示すように、可撓性基材３１と、可撓性基材３１に設けられた出力配線５３、入力配線５４と、後述するように実装された半導体ＩＣ３４と、張り出し部４ａに対向する側の可撓性基材３１の一面３１Ａに設けられた配線３５と、半導体ＩＣ３４上に半導体ＩＣ５２とを備えている。出力配線５３、入力配線５４は、本発明に係る後述する基板側出力端子５３ａ、基板側入力端子５４ａに接続されている。
【００６６】
出力配線５３は、図６に示すようにＸ方向に形成されていると共に、図７に示すように可撓性基材３１の一面３１Ａとは反対側の他面３１Ｂに形成されている。後述する基板側出力端子５３ａが複数配列された方向がＹ方向であり、Ｙ方向に直交する方向がＸ方向である。出力配線５３の一端部は、可撓性基材３１に形成された図示しないスルーホール内の導電部材を介して図６に示す配線３５に接続されている。出力配線５３の他端部には、図７に示すように基板側出力端子５３ａが積層して形成されている。基板側出力端子５３ａの構成材料には、例えば金、銅、アルミニウム、銀等の金属が用いられている。半導体ＩＣ３４の図７に示すチップ側出力端子６４に基板側出力端子５３ａが超音波により金属接合される前においては、可撓性基材３１の他面３１Ｂからの基板側出力端子５３ａの高さｈ８は、他面３１Ｂからの出力配線５３の高さｈ９より高くなっている。高さｈ８は、例えば１０μｍ以上とされている。
【００６７】
基板側出力端子５３ａは、半導体ＩＣ３４の図７に示すチップ側出力端子６４に超音波により金属接合されている。基板側出力端子５３ａとチップ側出力端子６４とが超音波により擦り合わされて、金属接合する前に基板側出力端子５３ａの表面やチップ側出力端子６４の表面等に形成されていた酸化膜等が除去されて、金属接合されているため、良好な導通が図られている。
【００６８】
入力配線５４は、図６に示すようにＸ方向に形成されていると共に、図７に示すように可撓性基材３１の他面３１Ｂに形成されている。入力配線５４の一端部には、図７に示すように基板側入力端子５４ａが積層して形成されている。基板側入力端子５４ａの構成材料には、例えば金、銅、アルミニウム、銀等の金属が用いられている。半導体ＩＣ３４の図７に示すチップ側入力端子６３に基板側入力端子５４ａが超音波により金属接合される前においては、可撓性基材３１の他面３１Ｂからの基板側入力端子５４ａの高さｈ１０は、他面３１Ｂからの入力配線５４の高さｈ１１より高くなっている。高さｈ１０は、例えば１０μｍ以上とされている。
【００６９】
基板側入力端子５４ａは、図７に示す半導体ＩＣ３４のチップ側入力端子６３に超音波により金属接合されている。基板側入力端子５４ａとチップ側入力端子６３とが超音波により擦り合わされて、金属接合する前に基板側入力端子５４ａの表面やチップ側入力端子６３の表面等に形成されていた酸化膜等が除去されて、金属接合されているため、良好な導通が図られている。
【００７０】
入力配線５４の他端部は、例えば図示しない外部装置に接続されている。
【００７１】
半導体ＩＣ３４は、図７に示すように、シリコンチップ６０と、シリコンチップ６０の可撓性基材３１と対向する実装面６０ａ側に設けられた例えばアルミニウム製の電極パッド６１、６２と、電極パッド６１、６２にそれぞれ接続され半導体ＩＣ３４の実装面６０ａ側に突設されたチップ側入力端子６３、チップ側出力端子６４とを備えている。
【００７２】
シリコンチップ６０は、図７に示すように例えば略矩形状のチップであり、電極パッド６１、６２に接続された図示を省略した配線等を備えている。この配線は、例えばトランジスタ等に接続されている。
【００７３】
電極パッド６１、６２は、シリコンチップ６０の実装面６０ａ側にＹ方向に配列して設けられている。
【００７４】
チップ側入力端子６３、チップ側出力端子６４は、例えば略矩形状であり、それぞれＹ方向に等間隔で複数配列して設けられている。チップ側入出力端子６３、６４のＺ方向の高さｈ４は例えば１５μｍとされている。チップ側入力端子６３、チップ側出力端子６４の構成材料には、例えば金、銅、アルミニウム、銀等の金属が用いられている。チップ側入力端子６３、チップ側出力端子６４は、基板側入力端子５４ａ、基板側出力端子５３ａにそれぞれ超音波により金属接合されている。
【００７５】
半導体ＩＣ３４は、可撓性基材３１との間に例えばエポキシ樹脂製の接着材６５が設けられている。
【００７６】
半導体ＩＣ３４のシリコンチップ６０の表面には入出力配線７４、７３が形成されていると共に、本発明に係るチップ側入出力端子７４ａ、７３ａが入出力配線７４、７３に接続して形成されている。
【００７７】
出力配線７３は、図７に示すようにＸ方向に形成されていると共に、シリコンチップ６０の実装面６０ａとは反対側の表面６０ｂに形成されている。出力配線７３の一端部は、ワイヤ７０の一端部に接続されている。ワイヤ７０の他端部は、例えば基板側出力端子５３ａに繋がる出力配線５３とは異なる図６に示す出力配線５３に接続されている。出力配線７３の他端部には、図７に示すようにチップ側出力端子７３ａが積層して形成されている。チップ側出力端子７３ａの構成材料には、例えば金、銅、アルミニウム、銀等の金属が用いられている。半導体ＩＣ５２の図７に示す２段目のチップ側出力端子８４にチップ側出力端子７３ａが超音波により金属接合される前においては、シリコンチップ６０の表面６０ｂからのチップ側出力端子７３ａの高さｈ１１は、表面６０ｂからの出力配線７３の高さｈ１２より高くなっている。高さｈ１１は、例えば１０μｍ以上とされている。
【００７８】
チップ側出力端子７３ａは、半導体ＩＣ５２の図７に示す２段目のチップ側出力端子８４に超音波により金属接合されている。チップ側出力端子７３ａと２段目のチップ側出力端子８４とが超音波により擦り合わされて、金属接合する前にチップ側出力端子７３ａの表面や２段目のチップ側出力端子８４の表面等に形成されていた酸化膜等が除去されて、金属接合されているため、良好な導通が図られている。
【００７９】
入力配線７４は、図７に示すようにＸ方向に形成されていると共に、シリコンチップ６０の表面６０ｂに形成されている。入力配線７４の一端部は、ワイヤ７１の一端部に接続されている。ワイヤ７１の他端部は、基板側入力端子５４ａに繋がる入力配線５４とは異なる図６に示す入力配線５４に接続されている。入力配線７４の他端部には、図７に示すようにチップ側入力端子７４ａが積層して形成されている。チップ側入力端子７４ａの構成材料には、例えば金、銅、アルミニウム、銀等の金属が用いられている。半導体ＩＣ５２の図７に示す２段目のチップ側入力端子８３にチップ側入力端子７４ａが超音波により金属接合される前においては、シリコンチップ６０の表面６０ｂからのチップ側入力端子７４ａの高さｈ１３は、表面６０ｂからの入力配線７４の高さｈ１４より高くなっている。高さｈ１３は、例えば１０μｍ以上とされている。
【００８０】
チップ側入力端子７４ａは、図７に示す半導体ＩＣ５２の２段目のチップ側入力端子８３に超音波により金属接合されている。チップ側入力端子７４ａと２段目のチップ側入力端子８３とが超音波により擦り合わされて、金属接合する前にチップ側入力端子７４ａの表面や２段目のチップ側入力端子８３の表面等に形成されていた酸化膜等が除去されて、金属接合されているため、良好な導通が図られている。
【００８１】
半導体ＩＣ５２は、図６、図７に示すように、半導体ＩＣ３４の上面に実装されている。
【００８２】
２段目の半導体ＩＣ５２は、図７に示すように、シリコンチップ８０と、シリコンチップ８０の表面と対向する実装面側に設けられた例えばアルミニウム製の電極パッド８１、８２と、電極パッド８１、８２にそれぞれ接続され半導体ＩＣ５２の実装面側に突設された２段目のチップ側入力端子８３、２段目のチップ側出力端子８４とを備えている。
【００８３】
シリコンチップ８０は、図７に示すように例えば略矩形状のチップであり、電極パッド８１、８２に接続された図示を省略した配線等を備えている。この配線は、例えばトランジスタ等に接続されている。
【００８４】
電極パッド８１、８２は、シリコンチップ８０の実装面側にＹ方向に配列して設けられている。
【００８５】
２段目のチップ側入力端子８３、２段目のチップ側出力端子８４は、例えば略矩形状であり、それぞれＹ方向に等間隔で複数配列して設けられている。２段目チップ側入出力端子８３、８４のＺ方向の高さは例えば１５μｍとされている。２段目のチップ側入力端子８３、２段目のチップ側出力端子８４の構成材料には、例えば金、銅、アルミニウム、銀等の金属が用いられている。２段目のチップ側入力端子８３、２段目のチップ側出力端子８４は、チップ側入力端子７４ａ、チップ側出力端子７３ａにそれぞれ超音波により金属接合されている。
【００８６】
半導体ＩＣ５２は、シリコンチップ６０との間に例えばエポキシ樹脂製の接着材７７が設けられている。
【００８７】
（液晶装置５０の製造方法）
【００８８】
次に、液晶装置５０の製造方法について図面を参照しながら説明する。なお、本実施形態では、第１の実施の形態のステップ１〜ステップ８については同様であるのでその説明を省略し異なるステップについて中心的に説明する。
【００８９】
まず、例えば第１の実施の形態のステップ１〜ステップ８と同様にドライバＩＣ１７を超音波接合した液晶パネル２を製造する。
【００９０】
一方、例えば可撓性基材３１に出力配線５３、入力配線５４、配線３５等を形成する。続いて、例えば可撓性基材３１の他面３１Ｂ側及び出力配線５３等を覆うように絶縁層５７を形成する。
【００９１】
次に、例えば図示しないマスク等を用いて、絶縁層５７を露光現像することで、例えば図７に示すように絶縁層５７に基板側入出力端子５４ａ、５３ａを設けるための貫通孔５７ａを形成する。このとき、同時にワイヤ７０、７１が接続される出力配線５３の端部、入力配線５４の端部を露出させるための図示を省略した貫通孔を絶縁層５７に形成する。
【００９２】
次に、絶縁層５７の貫通孔５７ａ内で出力配線５３の端部に積層するように基板側出力端子５３ａを形成する等する。このとき、図７に示すように可撓性基材３１の他面３１Ｂからの基板側出力端子５３ａの高さｈ８は、他面３１Ｂからの出力配線５３の高さｈ９より高くなるようにする。例えば高さｈ８が、例えば１０μｍ以上となるようにする。
【００９３】
次に、半導体ＩＣ３４を実装する前の可撓性基材３１を、例えば図５に示す基台３８に載置する等して固定する。続いて、例えば半導体ＩＣ３４のチップ側入出力端子６３、６４が基板側入出力端子５４ａ、５３ａに重なって接触するように、可撓性基材３１上に半導体ＩＣ３４を配置する。
【００９４】
次に、図示を省略した超音波発生源からの超音波を例えば半導体ＩＣ３４に伝えることが可能な図５に示すヘッド３９を、半導体ＩＣ３４に接触させる。続いて、図示を省略した超音波発生源から超音波を供給することで、基台３８上に固定された基板側入出力端子５４ａ、５３ａに対してチップ側入出力端子６３、６４を擦り合わせ、金属接合（超音波接合）する。このとき、例えば接合前に基板側入出力端子５４ａ、５３ａの表面やチップ側入出力端子６３、６４の表面等に形成されていた酸化膜等が除去され、良好な導通を図ることができる。そして、半導体ＩＣ３４と、可撓性基材３１との間に、例えばエポキシ樹脂製等の接着材６５を設ける。以上により、半導体ＩＣ３４を可撓性基材３１に実装する。
【００９５】
続いて、シリコンチップ６０の表面６０ｂに例えばＸ方向に出力配線７３、入力配線７４を形成する。
【００９６】
続いて、出力配線７３の一端部に、チップ側出力端子７３ａを形成する。このとき、図７に示すようにシリコンチップ６０の表面６０ｂからのチップ側出力端子７３ａの高さｈ１１は、表面６０ｂからの出力配線７３の高さｈ１２より高くなるようにする。例えば高さｈ１１が、例えば１０μｍ以上となるようにする。
【００９７】
同様に、入力配線７４の一端部に、チップ側入力端子７４ａを形成する。このとき、図７に示すようにシリコンチップ６０の表面６０ｂからのチップ側入力端子７４ａの高さｈ１３は、表面６０ｂからの入力配線７４の高さｈ１４より高くなるようにする。例えば高さｈ１３が、例えば１０μｍ以上となるようにする。
【００９８】
次に、一旦、ヘッド３９を退避させ、例えば半導体ＩＣ５２の２段目チップ側入出力端子８３、８４がチップ側入出力端子７４ａ、７３ａに重なって接触するように、半導体ＩＣ３４上に半導体ＩＣ５２を配置する。
【００９９】
次に、図示を省略した超音波発生源からの超音波を例えば半導体ＩＣ５２に伝えることが可能な図５に示すヘッド３９を、半導体ＩＣ５２に接触させる。続いて、図示を省略した超音波発生源から超音波を供給することで、基台３８上に固定されたチップ側入出力端子７４ａ、７３ａに対して２段目チップ側入出力端子８３、８４を擦り合わせ、金属接合（超音波接合）する。このとき、例えばチップ側入出力端子７４ａ、７３ａの表面や２段目チップ側入出力端子８３、８４の表面等に形成されていた酸化膜等が除去され、良好な導通を図ることができる。そして、半導体ＩＣ５２と、シリコンチップ６０との間に、例えばエポキシ樹脂製の接着材７７を設ける。以上により、半導体ＩＣ５２を半導体ＩＣ３４に実装する。
【０１００】
続いて、ワイヤ７０の一端部をチップ側出力配線７３に接続すると共にワイヤ７０の他端部を出力配線５３に接続する。また、ワイヤ７１の一端部をチップ側入力配線７４に接続すると共にワイヤ７０の他端部を入力配線５４に接続する。
【０１０１】
そして、液晶パネル２の基板側接続端子１１ｂと、回路基板３の回路基板側接続端子３６とを超音波により金属接合し、バックライトや反射シート等を設ける等して液晶装置１を製造する。
【０１０２】
以上で液晶装置５０の製造方法についての説明を終了する。
【０１０３】
このように本実施形態によれば、シリコンチップ６０の表面６０ｂ側に例えば出力配線７３と出力配線７３に繋がり表面６０ｂからの出力配線７３の高さｈ１２より表面６０ｂからの高さｈ１１が高いチップ側出力端子７３ａとを形成する端子形成工程と、半導体ＩＣ５２の２段目のチップ側出力端子８４が、チップ側出力端子７３ａに重なって接触するように、半導体ＩＣ５２をチップ側出力端子７３ａ上に配置する配置工程と、ヘッド３９を接触させてシリコンチップ８０側から超音波を供給することで、チップ側出力端子７３ａと２段目のチップ側出力端子８４とを超音波接合する接合工程とを備えているので、接合工程で例えばシリコンチップ８０側から供給される超音波のエネルギーにより、チップ側出力端子７３ａと２段目のチップ側出力端子８４とを擦り合わせて金属接合することができると共に、例えばチップ側出力端子７３ａと２段目のチップ側出力端子８４とが擦り合わされる部分を出力配線７３やシリコンチップ６０から離すことができ、例えばこの金属接合時に生じたエネルギーが出力端子７３及びシリコンチップ６０に伝わろうとするときに、このエネルギーをチップ側出力端子７３ａにより吸収することができる。この結果、例えば出力配線７３やシリコンチップ６０にエネルギーが伝わることを抑制でき、出力配線７３やシリコンチップ６０の破損を防止することができる。
【０１０４】
また、例えばこの金属接合時に生じたエネルギーが２段目のチップ側出力端子８４、シリコンチップ８０に伝わろうとするときに、このエネルギーを２段目のチップ側出力端子８４により吸収することができ、この結果、例えばシリコンチップ８０にエネルギーが伝わることを防止でき、シリコンチップ８０の破損を防止することができる。
【０１０５】
更に、半導体ＩＣ３４に重なるように半導体ＩＣ５２が設けられているので、例えば回路基板５１の小型化を図ることができる。
【０１０６】
なお、図８は他のドライバ側出力端子の例を示す断面図、図９は他の基板側出力端子の例を示す断面図、図１０は複数の突状部が形成された基板側出力端子の例を示す断面図である。
【０１０７】
上記第１の実施形態等では、図５に示すように、超音波接合時にドライバ側入力端子２３と基板側入力端子１１ａとが対向して接する面が共に略平面状である例を示した。しかし、基板側入力端子１１ａ、ドライバ側入力端子２３のそれぞれが接触する面の形状については、これに限定されない。例えば、図８に示すように、接合する前では、基板側入力端子１１ａは、ドライバ側入力端子９０に対向する面が平面状であり、ドライバ側入力端子９０が基板側入力端子１１ａに近づくにつれ一面４１と平行な平面による断面積が小さくなる突状部を有するようにすることで、接合工程時に、例えばドライバ側入力端子９０が基板側入力端子１１ａの平面９１を擦り易くなり、例えば接合前に平面９１やドライバ側入力端子９０に形成された酸化膜や異物を効率的に除去することができ、確実に基板側入力端子１１ａとドライバ側入力端子９０とを金属接合することができる。
【０１０８】
また、図９に示すように、超音波接合時に、ドライバ側入力端子２３が、入力配線１１に積層して形成された基板側入力端子９３に対向して接触する平面９４を備え、基板側入力端子９３が、平面９４に近づくにつれ一面４１に平行な面による断面積が小さくなる突形状を有するようにするようにしてもよい。ドライバＩＣ１７のドライバ側入力端子２３は、実装面２０ａに突設されており、一面４１に平行な平面９４を有している。これにより、接合工程時に、例えば基板側入力端子９３がドライバ側入力端子２３の平面９４を擦り易くなり、例えば接合前に平面９４や基板側入力端子９３に形成された酸化膜や異物を効率的に除去することができ、確実に基板側入力端子９３とドライバ側入力端子２３とを金属接合することができる。
【０１０９】
更に、図１０に示すように、ドライバＩＣ１７が基板側入出力端子１１ａ、１４ａに重なって接触するように配置したときに、例えばドライバ側入力端子２３に接触する基板側入力端子１１ａの端部に、複数の突状部１１ｃを形成しておくようにしてもよい。ドライバＩＣ１７が基板側入出力端子１１ａに重なるように配置したときに、複数の突状部１１ｃの先端がドライバ側入力端子２３に接触するように形成されている。
【０１１０】
このような構成によれば、基板側入力端子１１ａにドライバＩＣ１７のドライバ側入力端子２３が重なり接触するようにドライバＩＣ１７を基板側入出力端子１１ａ、１４ａ上に配置し、超音波を供給することで、ドライバ側入力端子２３の表面等に形成された酸化膜等を突状部１１ｃにより効率的に除去して金属接合することができ、より効率的かつ導電性に優れた超音波接合をすることができる。
【０１１１】
また、上記実施形態等では、出力配線１４と、基板側出力端子１４ａとを別工程で形成する例を示した。しかし、これに限定されず、例えば、出力配線１４と基板側出力端子１４ａとを一体的に形成するようにしてもよい。例えば、第１の実施形態の出力配線１４を形成する工程時に、図２に示すように予め高さｈ１から第１の絶縁層２６の厚さを減じた高さ（厚さ）の金属膜を形成し、その後、例えばフォトレジスト技術を用いて、基板側入出力端子１１ａ、１４ａを形成する部分を残して他の部分をエッチングし高さｈ２から第１の絶縁層２６の厚さを減じた厚さの入出力配線１１、１４を形成するようにすればよい。
【０１１２】
この場合には、入力配線１１と基板側入力端子１１ａとが一体的に形成されており、出力配線１４と基板側出力端子１４ａとが一体的に形成されているので、例えば入力配線１１と基板側入力端子１１ａとの導電性を向上させることができると共に、出力配線１４と基板側出力端子１４ａとの導電性を向上させることができる。
【０１１３】
（第３の実施形態・電子機器）
【０１１４】
次に、上述した液晶装置１を備えた本発明の第３の実施形態に係る電子機器について説明する。
【０１１５】
図１１は本発明の第３の実施形態に係る電子機器の表示制御系の全体構成の概略構成図である。
【０１１６】
電子機器３００は、表示制御系として例えば図１１に示すように液晶パネル２及び表示制御回路３９０などを備え、その表示制御回路３９０は表示情報出力源３９１、表示情報処理回路３９２、電源回路３９３及びタイミングジェネレータ３９４などを有する。
【０１１７】
また、液晶パネル２には表示領域Ｉを駆動するドライバＩＣ１７等を含む駆動回路３６１を有する。
【０１１８】
表示情報出力源３９１は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）やＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）などからなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスクなどからなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備えている。更に表示情報出力源３９１は、タイミングジェネレータ３９４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号などの形で表示情報を表示情報処理回路３９２に供給するように構成されている。
【０１１９】
また、表示情報処理回路３９２はシリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路などの周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路３６１へ供給する。また、電源回路３９３は、上述した各構成要素に夫々所定の電圧を供給する。
【０１２０】
このように本実施形態によれば、超音波接合時に、入出力配線１１、１４や基板４の破損を防止することが可能であるので、表示品位に優れた電子機器を得ることができる。
【０１２１】
具体的な電子機器としては、携帯電話機やパーソナルコンピュータなどの他に液晶装置が搭載されたタッチパネル、プロジェクタ、液晶テレビやビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末等が挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、上述した例えば液晶装置１等が適用可能なのは言うまでもない。
【０１２２】
なお、本発明の電気光学装置、電子機器は、上述した例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々変更を加えたり、組み合わせたりすることが可能なのは勿論である。
【０１２３】
例えば、上述の実施形態ではＴＦＴ型の液晶装置１等について説明したがこれに限られるものではなく、例えばＴＦＤ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｄｉｏｄｅ）型アクティブマトリックス型、パッシブマトリクス型の液晶装置であってもよい。また、プラズマディスプレイ装置、電気泳動ディスプレイ装置、電子放出素子を用いた装置（Ｆｉｅｌｄ  Ｅｍｉｓｓｉｏｎ  Ｄｉｓｐｌａｙ及びＳｕｒｆａｃｅ‐Ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ‐Ｅｍｉｔｔｅｒ  Ｄｉｓｐｌａｙ等）などの各種電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【図面の簡単な説明】
【０１２４】
【図１】本発明に係る第１の実施形態の液晶装置の概略斜視図である。
【図２】図１の液晶装置のＡ−Ａ断面図である。
【図３】図１の液晶装置のＢ−Ｂ断面図である。
【図４】第１の実施形態の液晶装置の製造工程を示すフローチャートである。
【図５】図４の超音波による金属接合（Ｓ７）の説明をするための部分断面図である。
【図６】第２の実施の形態の液晶装置の概略斜視図である。
【図７】図６の液晶装置の半導体ＩＣのＣ−Ｃ断面図である。
【図８】他のドライバ側出力端子の例を示す断面図である。
【図９】他の基板側出力端子の例を示す断面図である。
【図１０】複数の突状部が形成された基板側出力端子の例を示す断面図である。
【図１１】本発明に係る第３の実施形態の電子機器の表示制御系の概略構成図である。
【符号の説明】
【０１２５】
Ｔ…薄膜トランジスタ素子、  Ｉ…表示領域、  １、５０…液晶装置、  ２…液晶パネル、  ３、５１…回路基板、  ４、５…基板、  ４ａ…張り出し部、  ４１、３１Ａ…一面、  ５ａ…共通電極、  ６…シール材、  ７…ソース電極、  ８…ゲート電極、  ９…画素電極、  １１〜１３、３３、５４、７４…入力配線、  １１ａ、１２ａ、５４ａ、９３…基板側入力端子、  １１ｂ…基板側接続端子、  １４ａ、５３ａ…基板側出力端子、  １１ｃ…突状部、  １７、１８、１９…ドライバＩＣ、  １４〜１６、３２、５３、７３…出力配線、  ２０、６０、８０…シリコンチップ、  ２０ａ、６０ａ…実装面、  ２１、２２、６１、６２、８１、８２…電極パッド、  ２３、３７、９０…ドライバ側入力端子、  ２４…ドライバ側出力端子、  ２５、６５、７７…接着材、  ２６…第１の絶縁層、  ２６ａ、２７ａ、５７ａ…貫通孔、  ２７…第２の絶縁層、  ３１…可撓性基材、  ３１Ｂ…他面、  ３４、５２…半導体ＩＣ、  ３５…配線、  ３６…回路基板側接続端子、  ３８…基台、  ３９…ヘッド、  ５７…絶縁層、  ６０ｂ…表面、  ６３、７４ａ…チップ側入力端子、  ６４、７３ａ…チップ側出力端子、  ７０、７１…ワイヤ、  ８３…２段目のチップ側入力端子、  ８４…２段目のチップ側出力端子、  ９１、９４…平面、  ３００…電子機器、  ３６１…駆動回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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