【事件の表示】
　平成　４年特許願第３１２６３９号「磁気記録媒体」拒絶査定に対する審判事件［平成　６年　５月２０日出願公開、特開平　６−１３９５５９］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成４年１０月２９日の出願であって、その請求項１乃至請求項２に係る発明は、平成５年１月８日付け、平成１１年１０月２８日付け及び平成１３年９月３日付けの手続補正で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至請求項２に記載されたとおりのもであると認められるところ、その内請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりのものである。
　【請求項１】「非磁性基体の表面に強磁性金属膜を形成した磁気記録媒体において、前記強磁性金属膜の表面に炭素が６０〜７０ａｔ％と水素が３０〜４０ａｔ％のダイヤモンド状保護膜を形成し、その上に潤滑層を設け、前記ダイヤモンド状保護膜が、低分子量炭化水素と水素の混合ガスを約１００ｋＨｚ近傍のＡＦ周波数でプラズマ化し、前記強磁性金属膜の上に成膜したものであることを特徴とする、磁気記録媒体。」
　
ＩＩ．引用例
　これに対し、原査定の拒絶の理由に引用された本願出願前の刊行物である、特開昭６４−２１７１８号公報（以下、「引用例」という。）には、次のように記載されている。
　（1-i）「非浮上型の磁気記録装置に用いられる硬質の基体を用いた磁気記録媒体において、該磁気記録媒体の表面を水素対炭素のモル比が３０：７０以上の水素を架橋させた炭素質プラズマ重合体で被覆し、水に対する接触角を６５°以上にしたことを特徴とする磁気記録媒体。」（特許請求の範囲参照）、
　（1-ii）「基体の表面あるいは基体上の硬化膜の表面に磁性層を形成する。磁性層はＣｏ−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｐ、Ｃｏ−Ｐｔ等のＣｏ合金による連続薄膜が望ましい。これらの磁性層はスパッタリング法またはめっき法で形成する。」（第２頁右上欄１５〜１９行参照）こと、
　（1-iii）「つぎに磁性層の表面を炭素質プラズマ重合体で被覆する。プラズマ重合時の反応ガスは、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ６、Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ２等の炭化水素ガスのうち少なくとも一種のガスを用いる。　また、これらのガスを単独で用いてもよいが、Ｈ２、Ｎ２またはＡｒの少なくとも１種のガスと混合して用いてもよい。　ここで重要な点は炭素質プラズマ重合体は水素対炭素のモル比が３０：７０以上の水素を架橋させたものであり、水に対する接触が６５°以上でなければならないことである。水素対炭素のモル比が３０：７０未満では耐摩耗性が悪く、水に対する接触角が６５°未満では耐食性が劣る。　プラズマ重合体の水素のモル比および水に対する接触角はプラズマ重合時の印加電圧および炭化水素ガスの割合により調節することができる。一般には、印加電圧の絶対値を高くするとプラズマ重合体の水素のモル比が低下し、また、炭化水素ガスの割合を低くすると水に対する接触角が低下する傾向がある。」（第２頁右上欄１９行〜同頁左下欄１７行参照）こと、
　（1-iv）「プラズマ重合体の水素のモル比の測定および前記接触角の測定はそれぞれ通常の元素分析法および液滴測定法で行なうことができる。なお、プラズマ重合体の被覆の上にフッ素樹脂系の潤滑剤を薄く塗布してもよい。」（第２頁左下欄１８行〜同頁右下欄２行参照）こと、
　（1-v）実施例として、ポリカーボネート樹脂製の円筒状基体乃至はポリエーテルイミド樹脂製の円盤状基体に、Ｃｏ−Ｐｔ磁性層を形成し、「ガス導入口４から表に示すガスを導入して圧力を０．１Torrにした。直流電源５により基体に電圧を印加してグロー放電を起こさせ、磁性層の表面に厚さ４００Åのプラズマ重合体の被覆を形成させた。」こと、炭素質プラズマ重合体中の水素と炭素のモル比はＣＨＮ分析装置で測定し、耐摩耗性の試験は荷重１ｇで摺動面積５０μｍ×５０μｍの非浮上型の磁気ヘッドを用い、磁気記録媒体を３６００ｒｐｍで回転させ、再生出力が試験開始時の８０％になるまでの時間を評価し、測定時間は１００時間までとし、さらに磁気記録媒体を温度６０℃、相対湿度９０％の環境に９６時間放置した後にも耐摩耗性試験を行い、また、前記９６時間放置後の媒体表面を１００倍の顕微鏡でくまなく観察し腐食発生の有無を調べ、これらの結果は表に示すとおりである旨、
（第２頁右下欄３行〜第４頁の表参照）、
　（1-vi）「［発明の効果］　本発明の磁気記録媒体はとくに耐摩耗性および耐食性に優れており、非浮上型の磁気記録装置用媒体として適している。」（第４頁左下欄１〜４行参照）こと、が記載されている。
　
　これらの記載から、引用例には、耐摩耗性および耐食性に優れた、「ポリカーボネート樹脂製やポリエーテルイミド樹脂製の基体の表面にＣｏ合金磁性層を形成した磁気記録媒体において、前記磁性層の表面に、ＣＨ４などの炭化水素ガス（更にＨ２やＡｒなどを混合しても良い）をプラズマ重合して水素対炭素のモル比が３０：７０以上の水素を架橋させた炭素質プラズマ重合体を形成し、その上に更にフッ素樹脂系の潤滑剤を薄く塗布したことを特徴とする、磁気記録媒体。」の発明が記載されているものと認められる。
　
ＩＩＩ．対比、判断
　そこで、本願発明と引用例記載の発明とを対比する。
　（ａ）引用例記載の発明の「ポリカーボネート樹脂製やポリエーテルイミド樹脂製の基体」と「Ｃｏ合金磁性層」は、それぞれ本願発明の「非磁性基体」と「強磁性金属膜」（本願発明の実施例でＣｏ−Ｎｉを使用）に相当することは明らかである。
　（ｂ）本願発明の「ダイヤモンド状保護膜」は、メタン（ＣＨ４）などのプラズマ重合により製造している（本願明細書段落【０００５】、実施例の説明の【０００９】など参照）ことからみて、炭素質プラズマ重合体（膜）の保護膜に相当する。
　（ｃ）引用例記載の発明における炭素質プラズマ重合体は、保護膜として設けられていることが明らかであり、その組成に関しては、「水素対炭素のモル比が３０：７０以上の水素」と記載されているところ、その測定が元素分析法（ＣＨＮ分析装置）によること及び実施例の表中に「（Ｈ／Ｃ）」と記載され、実施例１〜４としてＨ／Ｃが、４０／６０，３２／６８，３８／６２，４０／６０の数値が記載されていることから、炭素が６０〜６８ａｔ％で水素が４０〜３２ａｔ％の組成を有する炭素質プラズマ重合体の保護膜と認められる。
　なお、この点に関しては、審判請求理由（平成１４年１１月２１日付け手続補正書第４頁参照）において、「請求項１発明と引用刊行物１に記載された発明とでは、保護膜の炭素：水素の組成範囲が一部重複している」（注：請求項１発明は本願発明に相当し、引用刊行物１は引用例に相当する。）と、請求人自らが認めている。
　（ｄ）　上記（ｂ）と（ｃ）の認定を勘案すると、引用例記載の発明の「水素対炭素のモル比が３０：７０以上の水素を架橋させた炭素質プラズマ重合体」と、本願発明の「炭素が６０〜７０ａｔ％と水素が３０〜４０ａｔ％の組成を有するダイヤモンド状保護膜」とは、いずれも「炭素が６０〜６８ａｔ％と水素が３２〜４０ａｔ％の組成を有する炭素質プラズマ重合体の保護膜」といえる点で一致している。
　（ｅ）引用例記載の発明のＣＨ４（メタン）などの炭化水素ガスは、本願発明の「低分子量炭化水素」ガスに相当する。
　
　そうであるから、両発明は、「非磁性基体の表面に強磁性金属膜を形成した磁気記録媒体において、前記強磁性金属膜の表面に炭素が６０〜６８ａｔ％と水素が３２〜４０ａｔ％の組成を有する炭素質プラズマ重合体保護膜を形成し、その上に更に潤滑層を設け、前記炭素質プラズマ重合体保護膜が、低分子量炭化水素をプラズマ化し、前記強磁性金属膜の上に成膜しものであることを特徴とする、磁気記録媒体。」の発明である点で一致し、他方、次の（１）〜（２）の点で一応相違している。
　（１）保護膜に関して、本願発明では、「ダイヤモンド状保護膜」としているのに対して、引用例記載の発明ではそのことに言及していない点
　（２）保護膜の成膜に関して、本願発明では、（ｉ）「低分子量炭化水素と水素の混合ガス」を（ｉｉ）「約１００ｋＨｚ近傍のＡＦ周波数でプラズマ化し」と特定しているのに対して、引用例記載の発明ではそのような製造条件が特定されていない点。
　
　（１）の点について
　引用例記載の発明の「架橋させた炭素質プラズマ重合体」保護膜は、組成の水素と炭素の割合が本願発明の「ダイヤモンド状保護膜」と同一で、メタンを原料とする点でも同じでありかつ本願発明で説明するように架橋させているのであるから、（１）の点は、表現上の相違があるだけで、実質的な相違があるとは認められない。
　
　（２）の点について
　（ｉ）プラズマ重合に用いるガスに関して
　　引用例記載の発明の実施例ではメタン単独乃至はメタンとアルゴンの混合ガスが用いられていて、水素を混合した実施例は示されていないものの、その発明の詳細な説明（摘示（1-iii）参照）には、「プラズマ重合時の反応ガスは、ＣＨ４、Ｃ２Ｈ６、Ｃ２Ｈ４、Ｃ２Ｈ２等の炭化水素ガスのうち少なくとも一種のガスを用いる。　また、これらのガスを単独で用いてもよいが、Ｈ２、Ｎ２またはＡｒの少なくとも１種のガスと混合して用いてもよい。」と記載されていることからみて、引用例記載の発明においても、「低分子量炭化水素と水素の混合ガス」を用いることは明確に意図され適宜採用される態様と認められるから、プラズマ重合に用いるガスの点に関して、本願発明と引用例記載の発明とに実質的な相違はないと言うべきである。
　なお、本願明細書記載の比較例２ではＣＨ４：Ｈ２ ＝１：０と記載され、保護膜中の水素含有率は２０ａｔ％と記載されているけれども、引用例記載の発明において、ＣＨ４単独の使用でも保護膜中の水素の量が３２〜４０ａｔ％（前記（ｃ）の認定を参照）と示されているから、ＣＨ４とＨ２の混合ガスを用いることによる選択的な意義は見いだせない。
　
　（ｉｉ）「約１００ｋＨｚ近傍のＡＦ周波数でプラズマ化」する点について
　　請求人は、審判請求理由（平成１４年１１月２１日付け手続補正書第４頁参照）において、「請求項１発明が保護膜を約１００ｋＨｚ近傍のＡＦ周波数でプラズマ化して成膜しているのに対し、引用刊行物１では、直流電流によりプラズマ化して成膜している点で両者は相違し、引用刊行物１には、約１００ｋＨｚ近傍のＡＦ周波数については、記載も示唆もされていない。」こと、及び「上記相違点から、引用刊行物１では、放電が安定せず、成膜レートが低くなり、保護膜の膜質が硬くなって磁気ヘッド等を損傷させる可能性が高くなり、更に、成膜時に強磁性金属膜が受けるダメージが大きくなる。　なお、引用刊行物１には、磁気記録媒体側の耐摩耗性については記載されているが、磁気ヘッド側の摩耗については記載が無く、この点が考慮されていない。　これに対し請求項１発明では、以上のような欠点のない最適硬度の保護膜を高い成膜レートで形成することができる。このような請求項１発明の効果は、引用刊行物１に対する請求項１発明の進歩性を肯定的に推認するために十分なものである。」（注：請求項１発明は本願発明に相当し、引用刊行物１は引用例に相当する。）ことを主張している。
　なるほど、引用例には約１００ｋＨｚ近傍のＡＦ周波数でプラズマ化して成膜することは言及されていないし、そのためその作用効果も言及されていない。
　しかしながら、本願当初明細書には、ダイヤモンド状保護膜はグラファイトのグロー放電によるスパッタリング法でも、低分子量炭化水素のプラズマ蒸着（重合と訂正あり）とか、グロー放電でのイオン化蒸着法などの「従来公知の任意の方法を用い、条件を適正に制御することにより製造できる。」とされていたもので、実施例においてのみたまたま「ＡＦ周波数：１００ｋＨｚ」と記載されていたにすぎず、そのＡＦ周波数を採用する技術的意義の説明は無い。　更に、請求人の主張する前記の如き作用効果に関しても、当初明細書には（現明細書にも）何ら具体的な説明もこの周波数条件に基づく格別の作用効果を奏し得ることを示唆する記載もない。　また、本願明細書には、「比較例２では硬度が高すぎてヘッドに傷が入る。」（段落【００１６】）との記載はあるものの、あくまで保護膜中の水素の割合に基づくものであって、同じ１００ｋＨｚのＡＦ周波数で行われていることから見ても、ＡＦ周波数と何ら関係のないものというしかない。　加えて、主張する放電の安定性や高い成膜レートに関しても、明細書には全く記載もその主張の根拠も見い出せないばかりか、そもそも本願発明は製造方法の発明ではなく記録媒体（もの）の発明であるから製造する際の利点が有るか否かにかかわらず考慮すべき理由はない。
　従って、前記請求人の作用効果に関する主張は、全く根拠を欠き到底採用できるものではない。
　そして、引用例記載の発明における製造条件として、直流電源を用いる場合に限定解釈すべき理由を見いだせないないばかりか、プラズマ重合膜の形成を約１００ｋＨｚ近傍のＡＦ周波数の条件下でも行い得ることは知られている［一例として、特開平３−２２４１３２号公報（ダイヤモンド状炭素膜を８０Ｈｚから２００ｋＨｚの周波数でプラズマ成膜する点）、特開平３−２５７０９９号公報（プラズマ分解を利用したダイヤモンド薄膜形成手段として、周波数５０Ｈｚ〜５００ＫＨｚの交流電界または周期パルスを用いる点）など参照。］ことに鑑みれば、引用例記載の発明において約１００ｋＨｚ近傍のＡＦ周波数のプラズマ化条件を採用することに格別の困難性は見い出せず、当業者が容易に採用しえる手段というしかない。
　
　よって、本願発明は、周知技術を勘案し引用例記載の発明に基づいて当業者が容易に発明し得る。
　
ＩＶ．むすび
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。