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　特願２０１２−１３２５９５「可変容量コンデンサ素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１２月２６日出願公開、特開２０１３−２５８２２４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成２４年　６月１２日に出願したものであって、平成２６年　１月１４日付け拒絶理由通知に対して同年　３月１４日付けで意見書を提出するとともに手続補正がなされたが、同年　３月２８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年　６月２６日付けで拒絶査定不服審判が請求されたものである。
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２６年　３月１４日付け手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし５に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。
「【請求項１】
　支持基板と、
　当該支持基板上に設けられた第１電極層と、
　前記第１電極層と対向するように設けられた第２電極層と、
　前記第１電極層と前記第２電極層との間に配置された第１薄膜誘電体層と、
　を備え、
　前記第１薄膜誘電体層の主成分が、組成式Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３（ただし、０．５＜ｘ≦０．８）で表され、
　かつ前記第１薄膜誘電体層の膜厚が３０ｎｍ〜１５０ｎｍである、
　可変容量コンデンサ素子。」
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された国際公開２００８／１４９６２２号「キャパシタ、共振器、フィルタ装置、通信装置、並びに電気回路」（以下、以下「引用例１」という。）には、図面と共に、以下の事項が記載されている（なお、下線は当審で付与した。）。
ア．「【０００２】
　常誘電体であるチタン酸ストロンチウム（ＳｒＴｉＯ３、以下ＳＴＯ）薄膜や、強誘電体である
チタン酸バリウムストロンチウム（（Ｂａ、Ｓｒ）ＴｉＯ
３
、以下ＢＳＴ）薄膜といったペロブスカイト型酸化物誘電体は、ＩＣ用誘電体薄膜キャパシタとして従来より使われている酸化珪素（ＳｉＯ
２
）薄膜、窒化珪素（Ｓｉ
３
Ｎ
４
）薄膜、酸化タリウム（Ｔａ
２
Ｏ
５
）薄膜に比べ誘電率が高く、ＩＣ用誘電体薄膜キャパシタの小面積化に好適な誘電体材料として期待されている。
イ．「【００１７】
　また上記の
キャパシタは、前記誘電体層が、前記直流電圧の印加により誘電率が変化する材料からなる
ウ．「【００３５】
　誘電体３は、酸化物誘電体であれば特に限定はなく、ＳｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５等を用いることができるが、ペロブスカイト型酸化物結晶誘電体は高誘電率を有し、ある所望の容量のキャパシタを形成する場合に、ＳｉＯ２やＴａ２Ｏ５を用いる場合と比較して、容量形成部の面積を小さくできるので好ましい。中でも、
チタン酸バリウムストロンチウム（ＢＳＴ）を用いることにより、誘電損失が小さく、かつバリウムとストロンチウムの比により、誘電体の温度特性を制御や、電圧の印加による誘電率の変化率を制御できる
  【００３６】
　この誘電体３は、下部電極２の表面（上面）に形成されている。例えば、
ペロブスカイト型酸化物結晶材料をターゲットとして、スパッタリング法による成膜を所望の厚みになる時間まで行う
高温スパッタリングを行うことにより、高誘電率の誘電体３を得ることができる。また、誘電体３は、一度に成膜せず、成膜条件を変えて複数回に分けて成膜してもよい
誘電体３の細かな特性調整が可能となる
エ．「【００６２】
　
図１に示す構成を有するキャパシタＣを共振回路の容量素子として使用する
【００６３】
　さらに、図３の等価回路図において、
キャパシタＣを構成する誘電体が直流電圧の印加に応じて誘電率が変化する材料を用いている場合には、印加電圧に応じて容量値を変化させることができる
、印加電圧によりキャパシタＣの容量値を調整するだ
オ．「【００７９】
　次に、本発明をより具体化した実施例について説明する。実施例として、図１に示すキャパシタを、図３に示す共振回路に配置した例について説明する。
【００８０】
　まず、表面に厚み３００ｎｍのＳｉＯ２膜が熱酸化により形成されているシリコン基板からなる
支持基板１上に、
【００８１】
　次に、
下部電極２としてＰｔを、基板温度４００℃でスパッタリング法にて成膜
【００８２】
　引き続き、Ａｒガスをチャンバー内に導入し、基板温度を７５０℃として、
Ａｒガスのみの成膜ガスにて、ＢＳＴを５ｎｍ成膜
ＢＳＴを９５ｎｍ成膜し
誘電体３を作製した
【００８３】
　次に、誘電体３上に酸化イリジウムからなる第１部位４１及びイリジウムからなる第２部位４２から成る
上部電極４をスパッタリング法にて以下のように成膜した。
カ．「【００８９】
　
図６から明らかなように、リーク電流値は時間が経過してもほとんど変化なく、リーク電流値の増大は見られない。つまり、信頼性の高いキャパシタが形成されている
【００９０】
　さらに、本実施例のキャパシタについて、バイアス無印加時の容量値は１．９ｎＦであり、バイアス３Ｖ印加時の容量値１．４ｎＦであった。つまり
バイアス印加により容量値は約２６％変化しており、電圧を印加することにより、容量値を調整することが可能である
・上記ア．によれば、チタン酸バリウムストロンチウム（（Ｂａ、Ｓｒ）ＴｉＯ３、以下ＢＳＴ）薄膜といったペロブスカイト型酸化物誘電体は、従来より薄膜キャパシタに使われていた。
・上記ウ．によれば、誘電体は、チタン酸バリウムストロンチウム（（Ｂａ、Ｓｒ）ＴｉＯ３）のバリウムとストロンチウムの比により、誘電体の温度特性の制御、電圧の印加による誘電率の変化率が制御され、ペロブスカイト型酸化物結晶材料をターゲットとして、スパッタリング法により成膜するときに、成膜条件を変えて複数回に分けて成膜することにより、誘電体の細かな特性調整が可能である。
・上記イ．エ．によれば、キャパシタは共振回路の容量素子として使用され、キャパシタを構成する誘電体は直流電圧の印加に応じて、誘電率が変化する材料からなり、印加電圧によりキャパシタの容量値を調整できるものである。
・上記オ．には、図１に示されたキャパシタが、支持基板上に、下部電極、誘電体、上部電極の順に積層されて成膜され、誘電体は（Ｂａ０．５Ｓｒ０．５）ＴｉＯ３からなるターゲットを用いて５ｎｍと９５ｎｍに分けて成膜され、１００ｎｍの膜厚に形成されている。
　上記ア．〜オ．の記載及び関連する図面並びにこの分野における技術常識を考慮すると、引用例１には次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「支持基板上に順に積層された、
　下部電極と、
　誘電体と、
　上部電極と、
を備え、
　前記誘電体は（Ｂａ０．５Ｓｒ０．５）ＴｉＯ３からなるターゲットを用いて１００ｎｍに成膜され、
　印加電圧により容量値を調整できるキャパシタ。」
３．対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
ａ．引用発明と本願発明の「支持基板」は共通する。
　引用発明の「下部電極」、「誘電体」、「上部電極」は、「支持基板」に上に順に積層されて成膜されており、本願発明の「支持基板」に設けられた「第１電極層」、「第１薄膜誘電体層」、「第２電極層」にあたる。
　よって、引用発明の「支持基板上に、下部電極と、誘電体と、上部電極と、を備え」たことは、本願発明の「支持基板と、当該支持基板上に設けられた第１電極層と、前記第１電極層と対向するように設けられた第２電極層と、前記第１電極層と前記第２電極層との間に配置された第１薄膜誘電体層と、を備え」たことに相当する。
　
ｂ．引用発明の「印加電圧により容量値を調整できるキャパシタ」は、上記エ．の段落【００６２】、上記カ．の段落【００９０】にも記載されているように、共振回路の容量素子として使用され、所定電圧を印加することにより容量値が変化するものである。よって、引用発明の「印加電圧により容量値を調整できるキャパシタ」は、本願発明の「可変容量コンデンサ素子」にあたる。
　引用発明の「キャパシタ」の「誘電体」は、（Ｂａ０．５Ｓｒ０．５）ＴｉＯ３からなるターゲットを用いて成膜されており、本願発明の第１薄膜誘電体層の主成分が「組成式Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３（ただし、０．５＜ｘ≦０．８）で表され」るものとは、後述の相違点はあるものの、組成式（ＢａＳｒ）ＴｉＯ3で表されることでは共通する。
　また、誘電体が１００ｎｍに成膜されていることは、「第１薄膜誘電体層の膜厚が３０ｎｍ〜１５０ｎｍである」ことにあたる。
　したがって、本願発明と引用発明とは、次の〈一致点〉と〈相違点〉を有する。
〈一致点〉
「支持基板と、
　当該支持基板上に設けられた第１電極層と、
　前記第１電極層と対向するように設けられた第２電極層と、
　前記第１電極層と前記第２電極層との間に配置された第１薄膜誘電体層と、
　を備え、
　前記第１薄膜誘電体層の主成分が、組成式（ＢａＳｒ）ＴｉＯ3で表され、
　かつ前記第１薄膜誘電体層の膜厚が３０ｎｍ〜１５０ｎｍである、
　可変容量コンデンサ素子。」
〈相違点〉 
　第１誘電体層の主成分の組成式（ＢａＳｒ）ＴｉＯ3について、本願発明では「組成式Ｂａ１−ｘＳｒｘＴｉＯ３（ただし、０．５＜ｘ≦０．８）」と特定されているのに対し、引用発明では、（Ｂａ０．５Ｓｒ０．５）ＴｉＯ３からなるターゲットを用いて成膜されたものであり、本願発明で特定された組成式のｘの範囲（０．５＜ｘ≦０．８）とは異なる点。
４．判断
　上記相違点について検討する。
　引用例１には、上記ウ．のとおり、チタン酸バリウムストロンチウム（（Ｂａ、Ｓｒ）ＴｉＯ３）のバリウムとストロンチウムの比により、誘電体の温度特性の制御、電圧の印加による誘電率の変化率が制御されることが記載されているから、引用発明の（Ｂａ０．５Ｓｒ０．５）ＴｉＯ３からなるターゲットを用いて成膜された「誘電体」について、バリウムとストロンチウムの比、即ち、（Ｂａ１−ｘＳｒｘ）ＴｉＯ３（０＜ｘ＜１）のｘについて、ｘを０．５を中心に組成を変えながら、実験的に数値範囲を好適化させて、０．５＜ｘ≦０．８を満たす値とすることは当業者が容易になし得るものである。
　そして、発明の詳細な説明（特に段落【００３５】〜【００３９】）を参照すると、０．５≦ｘ≦０．８とすることで、「ＤＣバイアス電圧の印加によって静電容量が大きく変化するとともにＤＣバイアス電圧を継続して印加した場合でも容量値の時間変動が小さな可変容量コンデンサ素子５０を提供することができる」（段落【００３８】）と記載されているものの、ｘ＝０．５を除く範囲とすることについては、何ら具体的な記載は認められないから、本願発明において、ｘ＝０．５を除いて、ｘの範囲を０．５＜ｘ≦０．８と特定したことに格別の技術的意義（臨界的意義）は見出せない。
　また、本願発明が奏する効果についてみても、引用発明から当業者が予測できたものであって、格別顕著なものがあるとはいえない。
５．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用例１に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。