【事件の表示】
　特願２０１２−　１１３４５「半導体発光素子及びウェーハ」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１２月１０日出願公開、特開２０１２−２４４１５４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年５月１３日に出願した特願２０１１−１０８７９４号（以下「原出願」という。）の一部を平成２４年１月２３日に新たな特許出願としたものであって、平成２５年６月２０日付けで拒絶理由が通知され、同年８月２３日に手続補正がなされたが、平成２６年４月７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月４日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同時に手続補正がなされ、平成２７年１月２９日に上申書が提出されたものである（以下、平成２６年７月４日付けでなされた手続補正を「本件補正」という。）。
　
第２　本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容
　本件補正は、補正前（平成２５年８月２３日付け手続補正後のもの）の特許請求の範囲の請求項１に係り、
「サファイアまたはシリコンの基板上で形成された、Ｇａｘ１Ａｌ１−ｘ１Ｎ（０．１≦ｘ１＜０．５）を含むバッファ層と、
　前記バッファ層の上に形成され、転位密度が５×１０８ｃｍ−２以下の窒化物半導体を含む下地層と、
　前記下地層の上に設けられ、窒化物半導体を含み第１導電形の第１半導体層と、
　前記第１半導体層の上に設けられ、交互に積層された複数の障壁層及び複数の井戸層を含み、前記井戸層は、前記障壁層におけるＩｎ組成比よりも高いＩｎ組成比を有し、前記複数の井戸層のそれぞれの厚さは、前記複数の障壁層のそれぞれの厚さよりも厚い、発光部と、
　前記発光部の上に設けられ、窒化物半導体を含み前記第１導電形とは異なる第２導電形の第２半導体層と、
　を備えたことを特徴とする半導体発光素子。」
とあったものを、補正後の特許請求の範囲の請求項１として
「
円柱状または円錐台状の複数の凸部が設けられた
アの
　前記バッファ層の上に形成され、転位密度が
４
　前記下地層の上に設けられ、窒化物半導体を含み第１導電形の第１半導体層と、
　前記第１半導体層の上に設けられ、交互に積層された複数の障壁層及び複数の井戸層を含み、前記井戸層は、前記障壁層におけるＩｎ組成比よりも高いＩｎ組成比を有し、前記複数の井戸層のそれぞれの厚さは、前記複数の障壁層のそれぞれの厚さよりも厚い、発光部と、
　前記発光部の上に設けられ、窒化物半導体を含み前記第１導電形とは異なる第２導電形の第２半導体層と、
　を備えたことを特徴とする半導体発光素子。」
と補正することを含むものである（下線は請求人が付与したとおりである。）。
　
２　補正の目的
　上記補正は、補正前の請求項１の「基板」に係り、「サファイアまたはシリコンの基板」とあったものを、「円柱状または円錐台状の複数の凸部が設けられたサファイアの基板」と補正し、補正前の請求項１の「窒化物半導体を含む下地層」に係り、「転位密度が５×１０８ｃｍ−２以下」とあったものを「転位密度が４×１０８ｃｍ−２以下」と補正するものである。
　よって、本件補正による請求項１についての補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
３　独立特許要件について
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）について以下に検討する。
（１）本願補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、上記１において補正後のものとして記載したとおりのものである。
　
（２）刊行物の記載及び引用発明
ア　原出願の出願前に頒布された、特開２００２−２５２４２２号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の記載がある（下線は当審にて付した。以下同じ。）。
（ア）「【００３３】（第１実施形態）図１〜図３は、本発明の第１実施形態による窒化物系半導体の形成方法を説明するための断面図である。図１〜図３を参照して、第１実施形態による窒化物系半導体の形成方法について説明する。・・・
【００５０】第１実施形態の半導体レーザ素子の構造としては、図３に示した第１実施形態のアンドープＧａＮ層５上に、図４に示すように、約４μｍの膜厚を有する
ｎ型ＧａＮからなるｎ型コンタクト層６
ｎ型ＡｌＧａＩｎＮからなるクラック防止層７
ｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型第２クラッド層８、
ｎ型ＧａＮからなるｎ型第１クラッド層９、
ＧａＩｎＮからなる多重量子井戸（ＭＱＷ）発光層１０
約４ｎｍの厚みを有する５つのアンドープＧａＮ障壁層と、約４ｎｍの厚みを有する４つの圧縮歪みのアンドープＧａＩｎＮ井戸層とが交互に積層された構造を有する
【００５１】ＭＱＷ発光層１０上には、約４０ｎｍ（約０．０４μｍ）の膜厚を有する
ｐ型ＧａＮからなるｐ型第１クラッド層１１
ｐ型ＡｌＧａＮからなるｐ型第２クラッド層１２
ｎ型ＧａＮからなる電流阻止層１３
ｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層１４
【００５２】また、ｐ型コンタクト層１４からｎ型コンタクト層６までの一部領域が除去されている。そのｎ型コンタクト層６の露出した表面の一部と、クラック防止層７、ｎ型第２クラッド層８、ｎ型第１クラッド層９、ＭＱＷ発光層１０、ｐ型第１クラッド層１１、電流阻止層１３およびｐ型コンタクト層１４の露出した側面とを覆うように、
ＳｉＯ
2
またはＳｉＮなどの絶縁膜からなる保護膜１５
　
（イ）「【００８１】（第４実施形態）図１５〜図１９は、本発明の第４実施形態による窒化物系半導体の形成方法を説明するための断面図である。この第４実施形態では、凹凸形状を有するサファイア（０００１）面基板５１（以下、『サファイア基板５１』という）の凸部の上面上に形成した下地層５３を用いて選択横方向成長を行う例を示している。図１５〜図１９を参照して、第４実施形態による窒化物系半導体の形成方法について説明する。
【００８２】まず、この第４実施形態では、図１５に示すように、第１実施形態と同じ形成条件を用いて、
サファイア基板５１上に、
ＡｌＧａＮからなる低温バッファ層５２、
アンドープＧａＮからなる下地層５３を形成
７×１０
8
ｃｍ
-2
以上の密度の刃状転位と、合計５×１０
8
ｃｍ
-2
以下の密度のらせん転位および混合転位とを有する
【００８３】下地層５３上に、マスク層（図示せず）を形成した後、このマスク層をマスクとして、ＲＩＥ法などを用いて、マスク層が形成されていない領域下の部分の下地層５３および低温バッファ層５２をエッチングにより除去するとともに、
サファイア基板５１を
底面に達しない範囲の厚み分だけエッチング
凹凸形状に形成
【００８４】次に、図１７〜図１９に示すように、
アンドープＧａＮからなる下地層５３の露出された上面および側面を種結晶として、
選択横方向成長させ
表面が平坦化された約５μｍの膜厚を有する
形成
表面付近の転位が下地層５３に比べて低減された低転位のアンドープＧａＮ層５４
刃状転位は大幅に低減され
【００８５】第４実施形態による窒化物系半導体の形成方法では、上記のように、低温バッファ層５２と下地層５３とを、上記した第１実施形態の低温バッファ層２および下地層３の成長条件を満たすように形成することによって、第１実施形態と同様、高い密度の刃状転位と、低い密度のらせん転位および混合転位とを有する下地層５３を形成することができる。その結果、下地層５３の歩留まりを向上させることができる。
【００８６】また、第４実施形態による窒化物系半導体の形成方法では、上記のように、高い密度の刃状転位と、低い密度のらせん転位および混合転位とを有する下地層５３を用いたとしても、この下地層５３の露出された上面および側面を用いて選択横方向成長によりアンドープＧａＮ層５４を形成すれば、アンドープＧａＮ層５４の刃状転位を大幅に減少させることができる。これにより、
刃状転位、らせん転位および混合転位のすべての転位密度が低減され
【００８７】また、第４実施形態による窒化物系半導体の形成方法では、サファイア基板５１上に設けた低温バッファ層５２上に、下地層５３を成長させることによって、サファイア基板５１上に直接下地層５３を成長させる場合に比べて、より低転位の下地層５３を成長させることができる。これにより、第１実施形態と同様、低転位の下地層５３を種結晶として、より低転位のアンドープＧａＮ層５４を成長させることができる。
【００８８】図２０は、上記した第４実施形態の窒化物系半導体の形成方法を用いて製造した半導体レーザ素子を示した斜視図である。次に、図２０を参照して、第４実施形態による窒化物系半導体の形成方法を用いて製造した半導体レーザ素子の構造について説明する。
【００８９】第４実施形態の
半導体レーザ素子
アンドープＧａＮ層５４上に、
ｎ型コンタクト層６、クラック防止層７、ｎ型第２クラッド層８、ｎ型第１クラッド層９、ＭＱＷ発光層１０、ｐ型第１クラッド層１１、ｐ型第２クラッド層１２、電流阻止層１３、ｐ型コンタクト層１４
保護膜１５
形成
【００９０】また、ｐ型コンタクト層１４の上面上には、ｐ型電極１６が形成されるとともに、一部領域が除去されて露出されたｎ型コンタクト層６の表面には、ｎ型電極１７が形成されている。
【００９１】第４実施形態の半導体レーザ素子では、上記のように、図１５〜図１９に示した第４実施形態の窒化物系半導体の形成方法を用いて形成された刃状転位、らせん転位および混合転位のすべての転位密度が低減されたアンドープＧａＮ層５４を下地として、その上に各層６〜１４を形成することによって、各層６〜１４において良好な結晶性を実現することができる。その結果、良好な素子特性を有する半導体レーザ素子を容易に得ることができる。」
　
（ウ）「【０１２３】また、上記第３〜第６実施形態では、下地層４３、６３、および、サファイア基板５１、７１の表面の凹部および凸部をストライプ状に形成したが、本発明はこれに限らず、下地層４３、６３、および、
サファイア基板５１
の表面の
凸部の形状を
円形
で形成し
【０１２５】また、上記第１〜第６実施形態では、窒化物系半導体を用いて半導体レーザ素子を作製したが、本発明はこれに限らず、発光ダイオード素子またはトランジスタなどの窒化物系半導体を用いる他の素子にも適用可能である。」
　
（エ）図１５ないし図２０は次のものである。
　
（オ）上記（イ）及び（ウ）の記載を踏まえて、上記（エ）の図１６ないし図２０をみると、サファイア基板５１に形成された凹凸形状は複数であることがみてとれる。
　
（カ）上記（イ）ないし（オ）によれば、引用文献１には、次の発明が記載されていると認められる。
「サファイア基板５１上に、ＡｌＧａＮからなる低温バッファ層５２、及び、７×１０8ｃｍ-2以上の密度の刃状転位と、合計５×１０8ｃｍ-2以下の密度のらせん転位および混合転位とを有する、アンドープＧａＮからなる下地層５３を形成し、前記サファイア基板５１を底面に達しない範囲の厚み分だけエッチングして複数の凹凸形状に形成し、前記アンドープＧａＮからなる下地層５３の露出された上面および側面を種結晶として、選択横方向成長させて、表面が平坦化された約５μｍの膜厚を有する、刃状転位は大幅に低減され、刃状転位、らせん転位および混合転位のすべての転位密度が低減された、表面付近の転位が下地層５３に比べて低減された低転位のアンドープＧａＮ層５４を形成し、前記アンドープＧａＮ層５４上に、ｎ型コンタクト層６、クラック防止層７、ｎ型第２クラッド層８、ｎ型第１クラッド層９、ＭＱＷ発光層１０、ｐ型第１クラッド層１１、ｐ型第２クラッド層１２、電流阻止層１３、ｐ型コンタクト層１４及び保護膜１５を形成したものであって、前記サファイア基板５１の表面の凸部の形状を円形で形成した、半導体レーザ素子。」
　
（キ）上記（イ）によれば、「第４実施形態の半導体レーザ素子の構造としては、図１９に示したアンドープＧａＮ層５４上に、
第１実施形態と同様
「サファイア基板５１上に、ＡｌＧａＮからなる低温バッファ層５２、及び、７×１０8ｃｍ-2以上の密度の刃状転位と、合計５×１０8ｃｍ-2以下の密度のらせん転位および混合転位とを有する、アンドープＧａＮからなる下地層５３を形成し、前記サファイア基板５１を底面に達しない範囲の厚み分だけエッチングして複数の凹凸形状に形成し、前記アンドープＧａＮからなる下地層５３の露出された上面および側面を種結晶として、選択横方向成長させて、表面が平坦化された約５μｍの膜厚を有する、刃状転位は大幅に低減され、刃状転位、らせん転位および混合転位のすべての転位密度が低減された、表面付近の転位が下地層５３に比べて低減された低転位のアンドープＧａＮ層５４を形成し、前記アンドープＧａＮ層５４上に、ｎ型ＧａＮからなるｎ型コンタクト層６、ｎ型ＡｌＧａＩｎＮからなるクラック防止層７、ｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型第２クラッド層８、ｎ型ＧａＮからなるｎ型第１クラッド層９、約４ｎｍの厚みを有する５つのアンドープＧａＮ障壁層と、約４ｎｍの厚みを有する４つの圧縮歪みのアンドープＧａＩｎＮ井戸層とが交互に積層された構造を有するＧａＩｎＮからなる多重量子井戸（ＭＱＷ）発光層１０、ｐ型ＧａＮからなるｐ型第１クラッド層１１、ｐ型ＡｌＧａＮからなるｐ型第２クラッド層１２、ｎ型ＧａＮからなる電流阻止層１３、ｐ型ＧａＮからなるｐ型コンタクト層１４及びＳｉＯ2またはＳｉＮなどの絶縁膜からなる保護膜１５を形成したものであって、前記サファイア基板５１の表面の凸部の形状を円形で形成した、半導体レーザ素子。」
　
イ　同じく、特開２００３−２２９７３号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の記載がある。
（ア）「【００５１】（第２実施形態）図１１〜図１４、図１６、図１７および図１９は、本発明の第２実施形態による窒化物系半導体の形成方法を説明するための断面図である。図１５は、図１４に示した工程における上面図であり、図１８は、図１７に示した工程における斜視図である。この第２実施形態では、サファイア基板２１の表面をＮｉからなるマスク層２２をマスクとしてエッチング加工した例を示している。図１１〜図１９を参照して、第２実施形態による
窒化物系半導体の形成方法
【００５２】まず、図１１に示すように、サファイア（０００１）基板２１（以下、『サファイア基板２１』という）上に、Ｎｉからなるマスク層２２を形成する。そして、図１２に示すように、マスク層２２の上面上の所定領域に、ほぼ同じ直径を有する複数の円柱状のレジスト２３を正六角形配列を有するように形成する。なお、サファイア基板２１は、本発明の「基板」の一例である。
【００５３】次に、図１３に示すように、リン酸、硝酸、過酸化水素および水を１０：１：１：１の割合で混合した混合液（エッチング液）を用いて、約６０℃の温度で、レジスト２３をマスクとして、マスク層２２をウェットエッチングした後、レジスト２３を除去する。これにより、図１４および図１５に示されるような、サファイア基板２１上に、ほぼ同じ直径を有する複数の円柱状のマスク層２２が、正六角形配列を有するように形成される。
【００５４】次に、図１６に示すように、このマスク層２２をマスクとして、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）装置内において、
サファイア基板２１の上面を約１．０μｍの深さ分だけ異方性エッチング
サファイア基板２１の上面に、サファイアからなる複数の円柱状部２１ａが正六角形配列を有するように形成
【００５５】次に、サファイア基板２１および円柱状部２１ａの表面を、フッ酸などの薬品を用いて清浄化した後、ＭＯＣＶＤ法を用いて、サファイア基板２１を約１２００℃に加熱した状態で、Ｈ2雰囲気で約１０分間処理することによって、サファイア基板２１および円柱状部２１ａの表面の自然酸化膜を除去する。次に、サファイア基板２１を約５５０℃に保持した状態で、Ｈ2雰囲気でＮＨ3（アンモニア）、ＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）およびＴＭＧ（トリメチルガリウム）を投入する。これにより、
サファイア基板２１の上面の円柱状部２１ａが形成されていない領域上および円柱状部２１ａの上面上に、
低温ＡｌＧａＮバッファ層２４
成長
【００５６】この後、サファイア基板２１の温度を約１０８０℃に保持した状態で、Ｈ2雰囲気でＮＨ3（アンモニア）、ＴＭＧ（トリメチルガリウム）およびＳｉＨ4（モノシラン）を投入する。これにより、
サファイア基板２１の円柱状部２１ａ上に、低温ＡｌＧａＮバッファ層２４を介して、平坦な上面を有するＧａＮ層２５
形成
【００６５】上記した第２実施形態の窒化物系半導体レーザ素子では、上記のように、図１１〜図１９に示した第２実施形態の窒化物系半導体の形成方法を用いて形成された、
平坦性および結晶性の良好なＧａＮ層２５を下地層として、その上に各層
を形成することによって、各層
において良好な結晶性を実現することができる
　
（イ）図１１ないし図２０は次のものである。
　
（ウ）上記（ア）及び（イ）によれば、引用文献２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
「サファイア基板２１の上面を約１．０μｍの深さ分だけ異方性エッチングし、サファイア基板２１の上面に、サファイアからなる複数の円柱状部２１ａが正六角形配列を有するように形成し、サファイア基板２１の上面の円柱状部２１ａが形成されていない領域上および円柱状部２１ａの上面上に、低温ＡｌＧａＮバッファ層２４を成長し、サファイア基板２１の円柱状部２１ａ上に、低温ＡｌＧａＮバッファ層２４を介して、平坦な上面を有するＧａＮ層２５を形成し、平坦性および結晶性の良好な前記ＧａＮ層２５を下地層として、その上に各層を形成することによって、各層において良好な結晶性を実現することができる窒化物系半導体の形成方法。」
　
ウ　原査定の拒絶の理由に引用された、原出願の出願前に頒布された、特開平１０−４１５４５号公報（以下「引用文献３」という。）には、以下の記載がある。
（ア）「【請求項１】
３族窒化物半導体で形成される半導体発光素子であって
ｎ伝導型の第１の半導体層と
ｐ伝導型の第２の半導体層と
前
記第１と第２の半導体層の間に設けられ、量子井戸層と該量子井戸層より薄いバリア層とを繰り返し積層してなる超格子構造の発光層と、を備えてなる半導体発光素子。
　
（イ）「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】発光層を超格子構造とすることにより発光効率が向上し、かつ目的とする波長の光を発光させることができるようになった。しかしながら、半導体発光素子に要求される発光効率は益々高くなってきている。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明はこのような課題、即ち
発光効率を向上させる
【０００５】
【発明の作用及び効果】バリア層を量子井戸層より薄く形成することにより、超格子構造である発光層へ注入された電子及びホールが発光層内において局在することがなくなり、発光層内の各量子井戸層へ実質的に均一に存在することとなる。これは、薄くされたバリア層に対して電子とホールがトンネルしやすくなるためである。従って、発光層における電子とホールとの再結合の確率が向上し、もって発光効率が向上する。更には、バリア層を薄くすると
バリア層中の結晶欠陥
低下
により素子としての長寿命化が図
　
（ウ）「【００１３】
【発明の実施の形態】この発明の実施の形態を実施例に基づき、図面を参照しながら説明する。実施例の
発光ダイオード１０
シリコンドープトｎ
+
ーＧａＮ層３ａ、
シリコンドープトｎーＧａＮ層３ｂ
超格子構造の発光層４、
マグネシウムドープトｐーＧａＮ層６ｂ及び
マグネシウムドープトｐ
+
ーＧａＮ層６ａ
【００１４】
超格子構造の発光層４は、
膜厚１ｎｍのバリア層４１と膜厚５ｎｍの量子井戸層４２を順に積層した構成であ
バリア層４１はノンドープトＧａＮからなり、量子井戸層４２はノンドープトＧａ
0.5
Ｉｎ
0.5
Ｎからなる
　
（エ）図１及び２は次のものである。
　
（オ）上記（ア）及び（イ）によれば、引用文献３には、次の発明（以下「引用発明３」という。）が記載されていると認められる。
「３族窒化物半導体で形成される半導体発光素子であって、
ｎ伝導型の第１の半導体層と、
ｐ伝導型の第２の半導体層と、
前記第１と第２の半導体層の間に設けられ、量子井戸層と該量子井戸層より薄いバリア層とを繰り返し積層してなる超格子構造の発光層と、を備えてなる、発光効率を向上させる、半導体発光素子。」
　
（３）対比・判断
ア　本願補正発明と引用発明１とを対比する。
ａ　引用発明１の「（底面に達しない範囲の厚み分だけエッチングして表面の凸部の形状を円形の複数凹凸形状に形成した）サファイア基板５１」、「（ＡｌＧａＮからなる）低温バッファ層５２」、「アンドープＧａＮ層５４」、「『ｎ型ＧａＮからなるｎ型コンタクト層６』、『ｎ型ＡｌＧａＮからなるｎ型第２クラッド層８』及び『ｎ型ＧａＮからなるｎ型第１クラッド層９』」、「（約４ｎｍの厚みを有する５つのアンドープＧａＮ障壁層と、約４ｎｍの厚みを有する４つの圧縮歪みのアンドープＧａＩｎＮ井戸層とが交互に積層された構造を有するＧａＩｎＮからなる）多重量子井戸（ＭＱＷ）発光層１０」及び「『ｐ型ＧａＮからなるｐ型第１クラッド層１１』及び『ｐ型ＡｌＧａＮからなるｐ型第２クラッド層１２』」は、本願補正発明の「（円柱状の複数の凸部が設けられた）サファイアの基板」、「（Ｇａｘ１Ａｌ１−ｘ１Ｎ（０．１≦ｘ１＜０．５）を含む）バッファ層」、「（窒化物半導体を含む）下地層」、「（窒化物半導体を含み第１導電形の）第１半導体層」、「（交互に積層された複数の障壁層及び複数の井戸層を含み、前記井戸層は、前記障壁層におけるＩｎ組成比よりも高いＩｎ組成比を有する）発光部」及び「（窒化物半導体を含み前記第１導電形とは異なる第２導電形の）第２半導体層」にそれぞれ相当する。
　
ｂ　また、引用発明１の「半導体レーザ素子」は、本願補正発明の「半導体発光素子」と、「半導体素子」の点で一致する。
　
ｃ　上記ａ及びｂによれば、両者は、
「円柱状の複数の凸部が設けられたサファイアの基板上の、Ｇａｘ１Ａｌ１−ｘ１Ｎ（０．１≦ｘ１＜０．５）を含むバッファ層と、
　前記バッファ層の上に形成され、窒化物半導体を含む下地層と、
　前記下地層の上に設けられ、窒化物半導体を含み第１導電形の第１半導体層と、
　前記第１半導体層の上に設けられ、交互に積層された複数の障壁層及び複数の井戸層を含み、前記井戸層は、前記障壁層におけるＩｎ組成比よりも高いＩｎ組成比を有し、発光部と、
　前記発光部の上に設けられ、窒化物半導体を含み前記第１導電形とは異なる第２導電形の第２半導体層と、
　を備えた半導体素子。」である点で一致し、下記の点で相違する。
　
（ａ）本願補正発明の「バッファ層」は、「円柱状または円錐台状の複数の凸部が設けられたサファイアの基板上で形成された」ものであり、「下地層」は、「転位密度が４×１０８ｃｍ−２以下」であるのに対して、引用発明１の「低温バッファ層５２」は、「サファイア基板５１上に、ＡｌＧａＮからなる低温バッファ層５２、及び、７×１０8ｃｍ-2以上の密度の刃状転位と、合計５×１０8ｃｍ-2以下の密度のらせん転位および混合転位とを有する、アンドープＧａＮからなる下地層５３を形成し、前記サファイア基板５１を底面に達しない範囲の厚み分だけエッチングして複数の凹凸形状に形成し」たものであり、「アンドープＧａＮ層５４」は、「７×１０8ｃｍ-2以上の密度の刃状転位と、合計５×１０8ｃｍ-2以下の密度のらせん転位および混合転位とを有する、アンドープＧａＮからなる下地層５３」の「露出された上面および側面を種結晶として、選択横方向成長させて、表面が平坦化された約５μｍの膜厚を有する、刃状転位は大幅に低減され、刃状転位、らせん転位および混合転位のすべての転位密度が低減された、表面付近の転位が下地層５３に比べて低減された低転位のアンドープＧａＮ層５４」とされるところ、「転位密度が４×１０８ｃｍ−２以下」とは特定されるものではない点（以下「相違点１」という。）。
　
（ｂ）本願補正発明は「半導体発光素子」であるのに対して、引用発明１は「半導体レーザ素子」であり、また、本願補正発明の「発光部」は、「複数の井戸層のそれぞれの厚さは、前記複数の障壁層のそれぞれの厚さよりも厚い」のに対して、引用発明１の「多重量子井戸（ＭＱＷ）発光層１０」は、「約４ｎｍの厚みを有する５つのアンドープＧａＮ障壁層と、約４ｎｍの厚みを有する４つの圧縮歪みのアンドープＧａＩｎＮ井戸層とが交互に積層された構造を有する」ものである点（以下「相違点２」という。）。
　
イ　判断
（ア）相違点１について
ａ　引用発明１は、「サファイア基板５１上に、ＡｌＧａＮからなる低温バッファ層５２、及び、アンドープＧａＮからなる下地層５３を形成」した後に、「前記サファイア基板５１を底面に達しない範囲の厚み分だけエッチングして複数の凹凸形状に形成し」ているものである。
　
ｂ　これに対して、上記３（２）イによれば、引用文献２には、「サファイア基板２１の上面を約１．０μｍの深さ分だけ異方性エッチングし、サファイア基板２１の上面に、サファイアからなる複数の円柱状部２１ａが正六角形配列を有するように形成し、サファイア基板２１の上面の円柱状部２１ａが形成されていない領域上および円柱状部２１ａの上面上に、低温ＡｌＧａＮバッファ層２４を成長し、サファイア基板２１の円柱状部２１ａ上に、低温ＡｌＧａＮバッファ層２４を介して、平坦な上面を有するＧａＮ層２５を形成し、平坦性および結晶性の良好な前記ＧａＮ層２５を下地層として、その上に各層を形成することによって、各層において良好な結晶性を実現することができる窒化物系半導体の形成方法。」（引用発明２）が記載されている。
　
ｃ　そうすると、引用発明１が、「各層６〜１４において良好な結晶性を実現することができる。その結果、良好な素子特性を有する半導体レーザ素子を容易に得ることができる」（上記（２）ア（イ）の段落【００９１】）ものであるところ、「各層において良好な結晶性を実現することができる窒化物系半導体の形成方法」である引用発明２を踏まえて、「サファイア基板５１上に、ＡｌＧａＮからなる低温バッファ層５２、及び、アンドープＧａＮからなる下地層５３を形成」する前に「サファイア基板５１を底面に達しない範囲の厚み分だけエッチングして複数の凹凸形状に形成」するものとなすことに格別の困難はない。
　
ｄ　また、引用発明１の「アンドープＧａＮ層５４」は、「７×１０8ｃｍ-2以上の密度の刃状転位と、合計５×１０8ｃｍ-2以下の密度のらせん転位および混合転位とを有する、アンドープＧａＮからなる下地層５３」に比べて「刃状転位は大幅に低減され、刃状転位、らせん転位および混合転位のすべての転位密度が低減された、表面付近の転位が下地層５３に比べて低減された」ものであるとされる。
　そうすると、「アンドープＧａＮ層５４」は、特に表面付近の転位について、「７×１０8ｃｍ-2以上の密度」の刃状転位が大幅に低減され、「合計５×１０8ｃｍ-2以下の密度」のらせん転位および混合転位も、すべての転位密度が低減されたものであることに照らして、「アンドープＧａＮ層５４」の表面付近の、刃状転位、らせん転位および混合転位のすべての転位密度は、「４×１０８ｃｍ−２以下」であってよいといえる。
　
ｅ　しかして、引用発明１は、「サファイア基板５１上に、ＡｌＧａＮからなる低温バッファ層５２、及び、アンドープＧａＮからなる下地層５３を形成」した後に、「前記サファイア基板５１を底面に達しない範囲の厚み分だけエッチングして複数の凹凸形状に形成し」たものであるところ、上記ａで検討したとおり、凹形状の底は、「アンドープＧａＮ層５４」の成長に何ら寄与しないものであることに照らして、上記ｃで述べたとおり、「サファイア基板５１上に、ＡｌＧａＮからなる低温バッファ層５２、及び、アンドープＧａＮからなる下地層５３を形成」する前に「サファイア基板５１を底面に達しない範囲の厚み分だけエッチングして複数の凹凸形状に形成」しても、「アンドープＧａＮ層５４」は、特に表面付近の転位について、「アンドープＧａＮからなる下地層５３」において「７×１０8ｃｍ-2以上の密度」であった刃状転位が大幅に低減され、「アンドープＧａＮからなる下地層５３」において「合計５×１０8ｃｍ-2以下の密度」であったらせん転位および混合転位も、すべての転位密度が低減されたものとなることは明らかである。
　
ｆ　したがって、引用発明１の、特に表面付近の転位について、「アンドープＧａＮからなる下地層５３」において「７×１０8ｃｍ-2以上の密度」であった刃状転位が大幅に低減され、「アンドープＧａＮからなる下地層５３」において「合計５×１０8ｃｍ-2以下の密度」であったらせん転位および混合転位も、すべての転位密度が低減されたものである「アンドープＧａＮ層５４」の表面付近の、刃状転位、らせん転位および混合転位のすべての転位密度は、「サファイア基板５１上に、ＡｌＧａＮからなる低温バッファ層５２、及び、アンドープＧａＮからなる下地層５３を形成」する前に「サファイア基板５１を底面に達しない範囲の厚み分だけエッチングして複数の凹凸形状に形成」したものにおいても、「４×１０８ｃｍ−２以下」であってよく、また、このような転位密度とすることは当業者が容易に想到し得たことである。
　したがって、引用発明１及び引用発明２に基づいて、上記相違点１に係る本願補正発明の構成とする点に格別の困難はない。
　
（イ）相違点２について
ａ　引用発明１は「半導体レーザ素子」であるところ、上記３（２）ア（ウ）の段落【０１２５】に、「上記第１〜第６実施形態では、窒化物系半導体を用いて半導体レーザ素子を作製したが、本発明はこれに限らず、
発光ダイオード素子
　また、引用発明１の「多重量子井戸（ＭＱＷ）発光層１０」は、「約４ｎｍの厚みを有する５つのアンドープＧａＮ障壁層と、約４ｎｍの厚みを有する４つの圧縮歪みのアンドープＧａＩｎＮ井戸層とが交互に積層された構造を有する」ものであるところ、上記３（２）ウによれば、引用文献３には、「３族窒化物半導体で形成される半導体発光素子であって、ｎ伝導型の第１の半導体層と、ｐ伝導型の第２の半導体層と、前記第１と第２の半導体層の間に設けられ、量子井戸層と該量子井戸層より薄いバリア層とを繰り返し積層してなる超格子構造の発光層と、を備えてなる、発光効率を向上させる、半導体発光素子」（引用発明３）が記載されている。
　そうすると、発光効率を向上させることは引用発明１においても当然考慮すべき課題といえるから、発光効率を向上させるために、引用発明１の、「約４ｎｍの厚みを有する５つのアンドープＧａＮ障壁層と、約４ｎｍの厚みを有する４つの圧縮歪みのアンドープＧａＩｎＮ井戸層とが交互に積層された構造を有する」「多重量子井戸（ＭＱＷ）発光層１０」に、引用発明３の「量子井戸層より薄いバリア層」の構成を適用して、約４ｎｍより薄い厚みを有する５つのアンドープＧａＮ障壁層と、約４ｎｍの厚みを有する４つの圧縮歪みのアンドープＧａＩｎＮ井戸層とが交互に積層された構造を有する「多重量子井戸（ＭＱＷ）発光層１０」となし、上記相違点２に係る本願発補正明の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
（４）まとめ
　したがって、本願補正発明は、引用発明１ないし引用発明３、及び、引用文献１の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
４　本件補正についてのむすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２５年８月２３日付けで補正された明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２　［理由］１において、補正前のものとして示したとおりのものである。
　
２　刊行物の記載及び引用発明
（１）引用文献３の記載事項及び引用発明３は、上記第２、［理由］３（２）ウのとおりである。
　
（２）上記第２、［理由］３（２）ウ（ウ）によれば、引用発明３の「ｎ伝導型の第１の半導体層」、「ｐ伝導型の第２の半導体層」、「量子井戸層」、「バリア層」、及び「発光層」は、それぞれ「『シリコンドープトｎ+ーＧａＮ層３ａ』及び『シリコンドープトｎーＧａＮ層３ｂ』」、「『マグネシウムドープトｐーＧａＮ層６ｂ」及び「マグネシウムドープトｐ+ーＧａＮ層６ａ』」、「（ノンドープトＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｎからなり、膜厚５ｎｍの）量子井戸層４２」、「（ノンドープトＧａＮからなり、膜厚１ｎｍの）バリア層４１」及び「発光層４」であってよいから、引用文献３には以下の発明（以下「引用発明４」という。）が記載されていると認められる。
「３族窒化物半導体で形成される半導体発光素子であって、
シリコンドープトｎ+ーＧａＮ層３ａ及びシリコンドープトｎーＧａＮ層３ｂと、
マグネシウムドープトｐーＧａＮ層６ｂ及びマグネシウムドープトｐ+ーＧａＮ層６ａと、
前記シリコンドープトｎ+ーＧａＮ層３ａ及びシリコンドープトｎーＧａＮ層３ｂとマグネシウムドープトｐーＧａＮ層６ｂ及びマグネシウムドープトｐ+ーＧａＮ層６ａの間に設けられ、ノンドープトＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｎからなり膜厚５ｎｍの量子井戸層４２と該量子井戸層より薄い、ノンドープトＧａＮからなり、膜厚１ｎｍのバリア層４１とを繰り返し積層してなる超格子構造の発光層４と、を備えてなる、発光効率を向上させる、半導体発光素子。」
　
３　対比・判断
（１）本願発明と引用発明４とを対比する。
　引用発明４の「シリコンドープトｎ+ーＧａＮ層３ａ及びシリコンドープトｎーＧａＮ層３ｂ」、「マグネシウムドープトｐーＧａＮ層６ｂ及びマグネシウムドープトｐ+ーＧａＮ層６ａ」、「ノンドープトＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｎからなり膜厚５ｎｍの量子井戸層４２」、「該量子井戸層より薄い、ノンドープトＧａＮからなり、膜厚１ｎｍのバリア層４１」、「繰り返し積層してなる超格子構造の発光層４」及び「半導体発光素子」は、本願発明の「窒化物半導体を含み第１導電形の第１半導体層」、「窒化物半導体を含み前記第１導電形とは異なる第２導電形の第２半導体層」、「（障壁層におけるＩｎ組成比よりも高いＩｎ組成比を有し、それぞれの厚さは、複数の障壁層のそれぞれの厚さよりも厚い複数の）井戸層」、「複数の障壁層」、「交互に積層された複数の障壁層及び複数の井戸層を含む）発光部」及び「半導体発光素子」にそれぞれ相当するから、両者は、
「窒化物半導体を含み第１導電形の第１半導体層と、
　前記第１半導体層の上に設けられ、交互に積層された複数の障壁層及び複数の井戸層を含み、前記井戸層は、前記障壁層におけるＩｎ組成比よりも高いＩｎ組成比を有し、前記複数の井戸層のそれぞれの厚さは、前記複数の障壁層のそれぞれの厚さよりも厚い、発光部と、
　前記発光部の上に設けられ、窒化物半導体を含み前記第１導電形とは異なる第２導電形の第２半導体層と、
　を備えた半導体発光素子。」である点で一致し、下記の点で相違する。
　
・本願発明の「第１半導体層」、「発光部」及び「第２半導体層」からなる構造は、「サファイアまたはシリコンの基板上で形成された、Ｇａｘ１Ａｌ１−ｘ１Ｎ（０．１≦ｘ１＜０．５）を含むバッファ層と、前記バッファ層の上に形成され、転位密度が５×１０８ｃｍ−２以下の窒化物半導体を含む下地層」とからなる「下地層の上に設けられ」るのに対して、引用発明４の「半導体発光素子」の「シリコンドープトｎ+ーＧａＮ層３ａ及びシリコンドープトｎーＧａＮ層３ｂ」、「超格子構造の発光層４」及び「マグネシウムドープトｐーＧａＮ層６ｂ及びマグネシウムドープトｐ+ーＧａＮ層６ａ」からなる構造は、このように特定されるものではない点（以下「相違点３」という。）。
　
（２）判断
・相違点３について
　引用発明４の、「３族窒化物半導体で形成される半導体発光素子であって、ｎ伝導型の第１の半導体層と、ｐ伝導型の第２の半導体層と、前記第１と第２の半導体層の間に設けられ、量子井戸層とバリア層とを繰り返し積層してなる超格子構造の発光層と、を備えてなる」構造（以下「半導体発光素子の構造」という。）は、何らかの基板の上に形成すべきものであるところ、上記第２、［理由］３（２）ウ（ウ）によれば、「発光ダイオード１０」の「シリコンドープトｎ+ーＧａＮ層３ａ及びシリコンドープトｎーＧａＮ層３ｂ」、「超格子構造の発光層４」及び「マグネシウムドープトｐーＧａＮ層６ｂ及びマグネシウムドープトｐ+ーＧａＮ層６ａ」からなる構造は、「サファイア基板１の上にＡｌＮ製のバッファ層２が形成され」、「このバッファ層２の上に」積層されるとされる。
　しかるところ、引用文献３の段落【０００５】（上記第２、［理由］３（２）ウ（イ））によれば、引用発明４は、「バリア層中の結晶欠陥」を低下することにより「素子としての長寿命化」を図るものであるから、「バリア層中の結晶欠陥」を低下するために、「半導体発光素子の構造」を形成する基板も「バリア層中の結晶欠陥」を低下するものであることが好ましく、基板の転位密度が低ければ、「バリア層中の結晶欠陥」を低下される効果があることは当業者において明らかである。そして、「半導体発光素子の構造」を形成する基板として、「サファイアまたはシリコンの基板上で形成された、Ｇａｘ１Ａｌ１−ｘ１Ｎ（０．１≦ｘ１＜０．５）を含むバッファ層と、前記バッファ層の上に形成され、転位密度が５×１０８ｃｍ−２以下の窒化物半導体を含む下地層」からなる基板は、原出願の出願時点で周知の技術である（この点については、例えば、特開２００９−８８２７０号公報　段落【００２６】ないし【００２８】の「ｎ型ＧａＮ基板１の形成プロセスについて説明する。・・・サファイア基板２１上に、約２０ｎｍの厚みを有するＡｌＧａＮバッファ層２２を成長させる。その後、・・・ＡｌＧａＮバッファ層２２上に、約１μｍの厚みを有するＧａＮ層２３を成長させる。・・・次に、・・・ＧａＮ層２３上に、・・・ＳｉＮまたはＳｉＯ２からなるマスク層２４を・・・形成する。次に・・ＧａＮ層２３上に、約１５０μｍの厚みを有する・・・ｎ型ＧａＮ基板１を選択横方向成長させる。・・・マスク層２４上に位置する
ｎ型ＧａＮ基板１
転位密度は、約５×１０
７
ｃｍ
−２
以下
光素子基板であって、表面の転位密度が１×１０
5
ｃｍ
-2
以下
光素子基板（ｎ型ＧａＮ単結晶２０）
　そうすると、引用発明４の「半導体発光素子の構造」を上記周知の基板の上に設けて、上記相違点３に係る本願発明の構成とすることに、格別の困難性はない。
　
（３）請求人の主張について
　請求人は平成２７年１月２９日に提出した上申書において、
「本願発明は、４×１０８ｃｍ−２以下にまで下地層の転位密度を下げることで、井戸層の厚さを障壁層よりも厚くすることの効果（大電流時における発光効率の顕著な向上）が、特別顕著に得られるという相乗効果に基づいています。
　しかしながら、上記の引用文献は、いずれも、下地層の転位密度を下げること、井戸層の厚さを障壁層よりも厚くすること、それぞれ個別の構成によるそれぞれの効果を述べているだけです。相乗効果を示唆する記載はありません。
　そして、上記の引用文献は、どの程度の転位密度であれば、このような相乗効果が得られるか、については示していません。・・・
　しかしながら、本出願人は、異なる引用文献を結びつけることを妨げる事情は、性能の問題であるか、生産性の問題であるか、と問わず、それらの引用文献の開示を見た当業者が常識的に考えて、それらの引用文献を組み合わせる発想に至るかどうかを考慮すべきであり、当業者が常識的ではないと考える組み合わせまでを包含して本願発明に容易に想到できたと論理づけることは、正当な発明を保護するという観点から逸脱するものではないかと思料します。」（同上申書２頁６行ないし３頁１５行）と主張する。
　しかしながら、本願発明において、引用発明４、引用文献３の記載及び上記周知技術から当業者が予測困難な程の格別顕著な効果（相乗効果）が奏されるものとは認められない
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用発明４、引用文献３の記載及び上記周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。