【事件の表示】
　特願２０１０−　８６１０５「多探針ＡＦＭナノプローバを用いた測定方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年１０月２７日出願公開、特開２０１１−２１５１１２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　
　本願は、平成２２年４月２日の出願であって、平成２５年７月２日付けで拒絶理由が通知され、同年９月９日付けで意見書が提出されるとともに、同日付けで手続補正がなされたが、同月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１２月２日に拒絶査定不服審判の請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。　
　
　
第２　平成２５年１２月２日付けの手続補正についての補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　
　平成２５年１２月２日付けの手続補正を却下する。
　
　
［理由］　
　
１　補正後の発明　
　
　平成２５年１２月２日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、平成２５年９月９日付けの手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載の、　
　
「　可動ステージ上の被測定物の電気的測定を行うための複数の探針を備え外部からの制御で前記探針位置を変えることが可能な多探針ＡＦＭナノプローバであって、
それぞれの探針によるＡＦＭイメージを同時に取得する手段と、
取得した上記ＡＦＭイメージの相対位置を探索するイメージ探索手段と、
上記相対位置から、それぞれの探針位置を導出する位置導出手段と、
導出されたそれぞれの上記探針位置から、所定の位置関係になるようにそれぞれの上記探針位置を設定する位置設定手段と、
を備え、上記被測定物に上記探針を圧接して電気的測定を行うものであって、上記可動ステージをスキャンするための掃引手段を備える多探針ＡＦＭナノプローバを用いて上記被測定物の電気的測定を行う方法であって、
１）　探針を所定の距離に離間するステップと、
２）　上記可動ステージをラスタスキャンまたはスパイラルスキャンして、重なり領域のあるそれぞれのＡＦＭイメージを取得するステップと、
３）　取得したイメージにおける上記重なり領域を見出して、上記探針のそれぞれの位置を読み取るステップと、
４）　上記探針のそれぞれを所定の位置に設定するステップと、
５）　探針全体を測定したいデバイスの位置まで平行移動し、再度全探針でＡＦＭイメージをとり、そのイメージをもとに目的の電極にそれぞれコンタクトするステップと、
６）　上記被測定物の測定を行うステップと、
を順に含むことを特徴とする多探針ＡＦＭナノプローバを用いた測定方法。」
が、
　
「　可動ステージ上の被測定物の電気的測定を行うための複数の探針を備え外部からの制御で前記探針位置を変えることが可能な多探針ＡＦＭナノプローバであって、
それぞれの探針によるＡＦＭイメージを同時に取得する手段と、
取得した上記ＡＦＭイメージの相対位置を探索するイメージ探索手段と、
上記相対位置から、それぞれの探針位置を導出する位置導出手段と、
導出されたそれぞれの上記探針位置から、所定の位置関係になるようにそれぞれの上記探針位置を設定する位置設定手段と、
を備え、上記被測定物に上記探針を圧接して電気的測定を行うものであって、上記可動ステージをスキャンするための掃引手段を備える多探針ＡＦＭナノプローバを用いて上記被測定物の電気的測定を行う方法であって、
１）　探針を所定の距離に離間するステップと、
２）　上記可動ステージをラスタスキャンまたはスパイラルスキャンして、重なり領域のあるそれぞれのＡＦＭイメージを取得するステップと、
３）　取得したイメージにおける上記重なり領域を見出して、上記探針のそれぞれの位置を読み取るステップと、
４）　上記探針のそれぞれを所定の位置に設定するステップと、
５）　探針全体を測定したいデバイスの位置まで
上記可動ステージで
位置の補正を行って
圧接して
電気的に
６）　上記被測定物の電気的測定を行うステップと、
を順に含むことを特徴とする多探針ＡＦＭナノプローバを用いた測定方法。」
（以下「補正発明」という。）と補正された。（下線は補正箇所を示す。）　
２　特定事項
　補正発明は、「４）　上記探針のそれぞれを所定の位置に設定するステップ」と「６）　上記被測定物の電気的測定を行うステップ」との間に特定される「５）　探針全体を測定したいデバイスの位置まで平行移動し、再度全探針でＡＦＭイメージをとり、そのイメージをもとに目的の電極にそれぞれコンタクトするステップ」を、「５）　探針全体を測定したいデバイスの位置まで
上記可動ステージで
位置の補正を行って
圧接して
電気的に
 
　請求人は、補正発明に係る補正は明細書の段落【０００８】、【００１５】、【００２１】、【００３７】の記載に基づくものである（審判請求書参照）と主張している。
３　本願明細書等の記載
　
　本願の願書に最初に添付した特許請求の範囲、明細書又は図面（以下「当初明細書等」という。）には、以下の事項が記載されている（当審注：下線は当審で付与したものである。）。
（１）「【背景技術】
・・・
【０００７】
　探針の相互位置を確認には、より具体的には、例えば、
アライメントマークなどの特徴的なパターンについてそれぞれの探針でＡＦＭ像をとり、相互位置を確認する。
相互位置を記憶しておき、探針全体を測定したいデバイスの位置まで平行移動し、再度全探針でＡＦＭイメージをとり、そのイメージをもとに目的の電極にそれぞれコンタクトする
【０００８】
　しかし、
一回のアプローチで電気的接触が充分に取れることは少なく、再度、ＡＦＭイメージをとって位置の補正を行う必要がある場合がある。
（２）「【課題を解決するための手段】
【００１５】
・・・
　上記相対位置から、それぞれの探針位置を導出する位置導出手段を備える。具体的には、位置導出手段としては、位置導出プログラムと上記のコンピュータを使用すればよい。
　また、導出されたそれぞれの上記探針位置から、所定の位置関係になるようにそれぞれの上記探針位置を設定する位置設定手段を備える。通常のＡＦＭイメージング装置では探針位置を所定の範囲で自由に設定することができ、また、プロービング装置では試料を乗せるステージ位置を所定の範囲で自由に設定することができる。
電気的測定に際しては、上記被測定物に上記探針を圧接して電気的測定を行う。
（３）「【００２１】
　上記多探針ＡＦＭナノプローバを用いた上記被測定物の電気的測定は、次のように行う。
１）　探針を所定の距離に離間する。
２）　上記可動ステージをラスタスキャンして、重なり領域のあるそれぞれのＡＦＭイメージを取得する。
３）　取得したイメージにおける上記重なり領域を見出して、上記探針のそれぞれの位置を読み取る。
４）　上記探針のそれぞれを所定の位置に設定する。
５）　上記被測定物の測定を行う。
以上を順に行って測定する。」
（４）「【実施例３】
【００３７】
　上記多探針ＡＦＭナノプローバを用いた上記被測定物３の電気的測定は、次のように行う。
１）　探針を所定の距離に離間する。この際、例えば図２（ａ）の所定のスキャン領域１６に入るようにする。これは、アラインメントマークまたはその代用品のＡＦＭイメージをとることで容易に行うことができる。また、比較的大きなサイズの場合、光学顕微鏡のもとでも行うことができる。探針間は、後に述べる理由からできるだけ接近して配置することが望ましい。
２）　上記可動ステージをラスタスキャンして、重なり領域のあるそれぞれのＡＦＭイメージを取得する。ここで、ラスタスキャンの領域サイズは、迅速な測定を行うためにはできるだけ小さい領域であることが望ましいことは明らかであるが、重なり領域を見出せるサイズであることが必要である。例えば、探針４ａ、４ｂを用いて、ＡＦＭイメージである図４（ａ）のマップＡ、マップＢをそれぞれ取得する。ラスタスキャンの場合、探針４ａ、４ｂのスキャン最後の位置が、それぞれのマップＡ、Ｂの端にくるので、それぞれのマップの中心付近に戻しておくことが望ましい。また、外側から内側に向かうスパイラルスキャンを行うと、スキャン最後の位置がスキャン領域のほぼ中央になる。
３）　取得したイメージにおける上記重なり領域を見出して、上記探針のそれぞれの位置を読み取る。これは、例えば図４（ａ）の重複部分である。重複部分を見出すことは、マップＡとマップＢの相対位置を少しずつ変えて相関係数を評価し、最大となるところを見出すことで行うことができる。また、この重複部分で連結することによって、図４（ｂ）に示す合成したマップを得ることができる。これは、当然のことながら、スキャン領域よりも広い面積をカバーしている。
４）　上記探針のそれぞれを所定の位置に設定する。
５）　上記被測定物の測定を行う。
被測定物のコンタクトホールやスルーホールに埋め込まれた導電性プラグ１８に圧接して電気的導通をとる
４　判断
（１）当初明細書等の記載事項
ア　上記３（３）及び（４）に摘記したように、当初明細書等には、課題を解決するための手段及び実施例として明記された被測定物の電気的測定を行う方法においては、探針のそれぞれを所定の位置に設定する工程と、被測定物の電気的測定を行う工程との間に、別工程としての他の工程は記載されていない。
イ　上記摘記事項３（２）の「電気的測定に際しては、上記被測定物に上記探針を圧接して電気的測定を行う。」及び摘記事項３（４）の「５）　上記被測定物の測定を行う。この際、図２（ｂ）に示すように、例えば探針４ａ、４ｂが、点線像から実線像の方にずれることが度々起こる。例えば、被測定物のコンタクトホールやスルーホールに埋め込まれた導電性プラグ１８に圧接して電気的導通をとる場合に、圧接する際に探針が被測定物の表面を滑って、その位置がずれることが度々起こる。」の記載において、電気的測定を行う際に被測定物に探針を圧接することは、上記「５）　上記被測定物の測定」の工程に付随して、電気的測定を行う前に行う操作として記載されているが、これを一つの工程であると解釈することもできる。
ウ　上記摘記事項３（４）に記載された被測定物の電気的測定を行う方法において、導電性プラグ１８の位置を把握する必要があることは明らかであり、上記摘記事項３（１）に記載された背景技術と同様に「探針全体を測定したいデバイスの位置まで平行移動し、再度全探針でＡＦＭイメージをとり、そのイメージをもとに目的の電極にそれぞれコンタクトする」ことを意図していると解釈することができる。そして、探針全体を測定したいデバイスの位置まで平行移動する際に可動ステージを移動させること、ＡＦＭイメージをもとに各探針を移動させることは、いずれも自明といえる事項である。
エ　上記アないしウを踏まえ、当初明細書等の記載を総合的に勘案すれば、以下の事項は、当初明細書等の記載から自明の事項と認められる。
　「多探針ＡＦＭナノプローバを用いて被測定物の電気的測定を行う方法において、「４）　上記探針のそれぞれを所定の位置に設定するステップ」と「６）　上記被測定物の電気的測定を行うステップ」との間に、「５）　探針全体を測定したいデバイスの位置まで
上記可動ステージで
圧接して
電気的に
（２）特定事項１と当初明細書等の記載事項との対応関係
ア　上記特定事項１は、「探針を目的の電極に圧接する際に、ＡＦＭイメージをもとに探針の位置を補正する」という事項を含むと解される。
　ここで、「補正」とは、「おぎないただすこと」（[株式会社岩波書店 広辞苑第六版]）であることから、「探針を目的の電極に圧接する際に、ＡＦＭイメージをもとに探針の位置を補正する」ことは、「探針を目的の電極に圧接する際に、一度電極の位置に合わせた探針の位置を、ＡＦＭイメージをもとに再度移動させて探針と電極との位置ずれを減少させる」ことを意味するものと認められる。
イ　上記（１）エで認定したように、当初明細書等には「探針を目的の電極に圧接する際に、ＡＦＭイメージをもとに探針の位置を移動させて位置合わせを行う」ことは記載されていると認められるものの、当該「位置合わせ」の前に探針を電極の位置に合わせておくことは記載されていないし、当該「位置合わせ」の後に同じイメージを用いて再度位置合わせを行うことも記載されていない。すなわち、上記アの「再度移動させて探針と電極との位置ずれを減少させる」ことは、当初明細書等に記載された事項でなく、また、当初明細書等の記載から自明の事項でもない。
ウ　請求人は、審判請求書において、「『そのイメージをもとに位置の補正を行って』なる補正は、０００８欄の「しかし、一回のアプローチで電気的接触が充分に取れることは少なく、再度、ＡＦＭイメージをとって位置の補正を行う必要がある場合がある」なる記載に基づくものです。」と主張している。
エ　たしかに、段落【０００８】の記載からは、一度ＡＦＭイメージをとり、そのイメージをもとに探針と目的の電極とのコンタクトを試み、電気的接触が充分に取れなかった場合に、再度、ＡＦＭイメージをとって位置の補正を行い、探針と目的の電極とのコンタクトを試みることは読み取れる。
　しかしながら、最初に目的の電極のＡＦＭイメージをとる前に探針全体を目的の電極を含む測定したいデバイスの位置に移動させておく必要があり、電気的接触が充分に取れなかった場合に、再度、ＡＦＭイメージをとる場合には、探針は既に目的の電極を含む測定したいデバイスの位置にあり、改めて探針全体を目的の電極を含む測定したいデバイスの位置に移動させる必要がないことは明らかであるから、電気的接触が充分に取れなかった探針と目的の電極とのコンタクトの試みの際に行っていた探針と目的の電極との位置合わせが、「探針全体を測定したいデバイスの位置まで上記可動ステージで移動」する前に、既に探針と電極との位置合わせを行っていることを意味するものではない。
　また、段落【０００８】に記載の「位置の補正」を行う際に用いるＡＦＭイメージは、電気的接触が充分に取れなかった場合に、再度取得したものであるから、「探針全体を測定したいデバイスの位置まで上記可動ステージで移動」した後、最初に探針と目的の電極とのコンタクトを試みる前に取得したＡＦＭイメージとは、異なるイメージである。
　したがって、段落【０００８】の記載からは、探針全体を測定したいデバイスの位置まで可動ステージで移動することと、再度全探針でＡＦＭイメージをとることと、そのイメージをもとに位置の補正を行って目的の電極に圧接してそれぞれ電気的にコンタクトすることとを、一連の工程として行うことは読み取れない。
オ　してみると、特定事項１が当初明細書等に記載されているということはできない。
（３）補正の却下の決定のむすび
 
　したがって、本件補正は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものでない。
 
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
第３　本願発明について　
　
１　本願発明　
　
　平成２５年１２月２日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２５年９月９日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものである。（上記第２［理由］１の記載参照。）　
　
２　引用例　
　
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である再公表特許第２００８／０１３２６８号（以下「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている（下線は当審において付加したものである。）。　
　
ア　「【０００１】
　本発明は、走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）に関し、特に複数のプローブ（探針）を備えたいわゆる走査型マルチプローブ顕微鏡（ＭＰＳＰＭ）の探針間の相対位置測定及び相対位置制御に関するものである。」
イ　「【０００３】
　また、近時では複数の探針を有する走査型トンネル顕微鏡が用いられるようになっている。この顕微鏡を用いることにより、試料の表面形状の観測だけでなく、測定試料の特性、例えば電気抵抗等を計測することが可能となっている。」
ウ　「【００１４】
　
本実施形態に係る走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）１は、検出対象である物理量がトンネル電流である走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）であり、
試料Ｗに対向して設けられ、当該試料Ｗの表面に平行なＸＹ方向及び垂直なＺ方向に移動可能である複数の探針２１、２２、２３、２４と、試料Ｗが載置され、ＸＹ方向に移動可能であるステージ３と、前記探針２１、２２、２３、２４を試料Ｗの表面に平行なＸＹ方向及び垂直なＺ方向に移動させる探針移動機構４と、前記ステージ３をＸＹ方向に移動させるステージ移動機構５と、前記探針２１、２２、２３、２４の流れるトンネル電流を検出する電流検出部６と、電流検出部６からの電流信号を受け付けて、その電流信号に基づいて前記各移動機構４、５を制御するとともに試料Ｗの表面画像であるＳＴＭ像を生成等する情報処理装置７とを備えている。
エ　「【００１７】
　
探針移動機構４は、
ＸＹ方向制御部７１により制御されて探針２１、２２、２３、２４をＸＹ方向に走査させる
【００１８】
　ステージ移動機構５は、後述するステージ位置制御部７４により制御されるものであり、ステージ３をＸＹ方向及びＺ方向に移動させるものである。その構成はピエゾ微動素子を用いたものであり、ステージ位置制御部７４により印加される電圧が制御されることによりステージ３を移動させる。」
オ　「【００２１】
　そして、ＣＰＵ７０１及びその周辺機器が、前記メモリ７０２の所定領域に格納されたプログラムに従って協働動作することにより、この
情報処理装置７は、
ＸＹ方向制御部７１、
画像生成部７３等として機能する。
情報処理装置７は、物理的に一体である必要はなく、有線又は無線により複数の機器に分割されていても構わない。
カ　「【００２６】
　そして、本実施形態における
情報処理装置７は、ステージ位置制御部７４及び相対位置算出部７５をさらに備えている。
キ　「【００２８】
　本実施形態では、
物理的特性等の計測の前段階において、初期位置（ステージ３を動かす前の位置）からＸＹ方向に所定範囲内でラスタースキャン方式で走査する。
所定範囲の走査が終了したら、ステージ３を初期位置に戻すように制御する。これにより、生成された各ＳＴＭ像の中心に各探針２１、２２、２３、２４の先端部分が位置していることになる。
【００２９】
　
相対位置算出部７５は、各探針２１、２２、２３、２４間のＸＹ方向の相対位置を変化させずにステージ３をＸＹ方向に移動させたときに、画像生成部７３により得られた各探針２１、２２、２３、２４に基づくＳＴＭ像を取得し、それら各画像を照合して、各探針２１、２２、２３、２４間の相対位置を算出するものである。
【００３０】
　具体的に
相対位置算出部７５は、
各探針２１、２２、２３、２４のＳＴＭ像を画像生成部７３から取得し、その４つのＳＴＭ像をパターンマッチング判定にかける。
【００３１】
　パターンマッチング判定の目的は、
それぞれのＳＴＭ像中に共通して現れる部分を認識してその部分が重なるように４枚のＳＴＭ像を重ね合わせる。
【００３２】
　より詳細には、図４に示すように、各ＳＴＭ像中に共通して現れる特徴的な共通部分Ａ、Ｂ、Ｃの輪郭を例えばエッジ検出により抽出する。そして図５に示すように、各表面画像のＡ、Ｂ、Ｃが一致するように各ＳＴＭ像を重ね合わせる。
各ＳＴＭ像の中心部分には各探針２１、２２、２３、２４が位置しているので、これにより各探針２１、２２、２３、２４の相対距離を認識することができる。
ク　「【００３３】
　次に、本実施形態における
走査型プローブ顕微鏡を用いた物理的特性等の計測までの手順を図６のフローチャートを参照して説明する。
【００３４】
　まずオペレータが試料Ｗをステージ３上に設置する（ステップＳ１）。
【００３５】
　そして、オペレータは図示しない
光学顕微鏡で視認しながら
粗動機構を用いて、ミリメートルからマイクロメートルスケールの範囲で各探針２１、２２、２３、２４をそれぞれ位置調節して、各探針２１、２２、２３、２４同士をＸＹ方向に近づける。
【００３６】
　次に、オペレータがキーボード等の入力手段７０４により情報処理装置７に入力信号を入力することにより、
ＸＹ方向制御部７１が各探針２１、２２、２３、２４のＸＹ方向の位置を変化させずに、ステージ位置制御部７４がステージ３を移動させることにより試料Ｗが走査され（ステップＳ３）、画像生成部７３が４探針２１、２２、２３、２４同時にＳＴＭ像を生成する（ステップＳ４）。
【００３７】
　そして、
相対位置算出部７５が画像生成部７３から前記ＳＴＭ像を示す画像データを取得する（ステップＳ５）。そして、相対位置算出部７５はそれらのＳＴＭ像を照合して共通する部分を見つけ、その共通部分が一致するように各ＳＴＭ像を重ね合わせて（ステップＳ６）、各探針２１、２２、２３、２４間の相対位置を算出する（ステップＳ７）。
【００３８】
　その後、オペレータが入力した測定目的に応じて、
ＸＹ方向制御部７１が、試料Ｗの所定位置に各探針２１、２２、２３、２４を移動させる（ステップＳ８）。
【００３９】
　そして、上記のステップの後、
物理的
特性等の計測を開始する（ステップＳ９）。
ケ　「【００４０】
　このように構成した本実施形態に係る走査型プローブ顕微鏡１によれば、各探針間のＸＹ方向の相対位置を変化させないので各探針が衝突する心配を全く無くすことができる。また、各探針間のＸＹ方向の相対位置を変化させずに得た表面画像を用いて探針間の相対位置を算出しているので、複数の探針間の相対位置を正確かつ安全に認識することができる。さらに、実際の試料を用いて各探針間の相対位置を算出しているので、探針を測定試料へ正確に移動させることができ、試料の物理的、化学的又は機械的特性を正確に測定することができるようになる。
【００４１】
　また、相対位置を算出するためのＳＴＭ像を４探針２１、２２、２３、２４をＸＹ方向に変化させずに、試料ＷをＸＹ方向に移動することにより得ているので、各探針２１、２２、２３、２４を独立してＸＹ方向に動かすことによる他の探針２１、２２、２３、２４との衝突を防ぐことができ、探針２１、２２、２３、２４の損傷を防ぐことができる。
【００４２】
　さらに、各探針２１、２２、２３、２４間のＸＹ方向の相対位置を変化させずに得た原子レベルの分解能を有するＳＴＭ像を用いて、探針２１、２２、２３、２４間の相対位置を算出しているので、複数の探針２１、２２、２３、２４間の相対位置を正確かつ安全に認識することができる。
【００４３】
　その上、位置補正も４つの探針２１、２２、２３、２４毎に行うのではなく、１つのステージ３のみについて行えば良いのでＳＴＭ像の精度を高めることができる。
【００４４】
　加えて、実際の試料Ｗを用いて各探針２１、２２、２３、２４間の相対位置を算出しているので、正確に探針２１、２２、２３、２４を移動させることができ、試料Ｗの物理的又は化学的特性を正確に測定することができるようになる。特に、探針２１、２２、２３、２４の正確な位置調節が要求されるカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）、ナノワイヤ又は単分子膜等の物理的特性等の計測に好適に用いることができる。また、大気中に設置して用いるものであるので真空装置等が必要なく装置の小型化などを実現することができる。」
コ　「【００４６】
　例えば前記各実施形態における走査型プローブ顕微鏡（ＳＰＭ）は、検出対象となる物理量がトンネル電流である走査型トンネル電流顕微鏡（ＳＴＭ）であったが、その他にも、原子間力を検出する原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）、近接場光を検出する近接場光学顕微鏡（ＮＳＯＭ）、磁力を検出する磁気力顕微鏡（ＭＦＭ）、摩擦力を検出する摩擦力顕微鏡（ＦＦＭ）、超音波を検出する走査型近接場超音波顕微鏡（ＳＮＡＭ）、イオン伝導を検出する走査型イオン顕微鏡（ＳＩＣＭ）等であっても良い。」
サ　【図１】
「　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」　
　
シ　【図６】
「　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」　
ス　上記摘記事項キの段落【００２８】における「物理的特性等の計測の前段階において、初期位置（ステージ３を動かす前の位置）からＸＹ方向に所定範囲内でラスタースキャン方式で走査する。」と、上記摘記事項クの段落【００３６】における「
ＸＹ方向制御部７１が各探針２１、２２、２３、２４のＸＹ方向の位置を変化させずに、ステージ位置制御部７４がステージ３を移動させることにより試料Ｗが走査され（ステップＳ３）
　
（２）　引用例１に記載された発明の認定　
　
　よって、上記記載から、引用例１には、以下の発明が記載されている。　
　
「　走査型プローブ顕微鏡１は、検出対象である物理量がトンネル電流である走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）であって、
　試料Ｗに対向して設けられ、当該試料Ｗの表面に平行なＸＹ方向及び垂直なＺ方向に移動可能である複数の探針２１、２２、２３、２４と、試料Ｗが載置され、ＸＹ方向に移動可能であるステージ３と、前記探針２１、２２、２３、２４を試料Ｗの表面に平行なＸＹ方向及び垂直なＺ方向に移動させる探針移動機構４と、前記ステージ３をＸＹ方向に移動させるステージ移動機構５と、前記探針２１、２２、２３、２４の流れるトンネル電流を検出する電流検出部６と、電流検出部６からの電流信号を受け付けて、その電流信号に基づいて前記各移動機構４、５を制御するとともに試料Ｗの表面画像であるＳＴＭ像を生成等する情報処理装置７とを備えており、
　情報処理装置７は、ＸＹ方向制御部７１、画像生成部７３、ステージ位置制御部７４及び相対位置算出部７５等として機能し、
　探針移動機構４は、ＸＹ方向制御部７１により制御されて探針２１、２２、２３、２４をＸＹ方向に走査させ、
　相対位置算出部７５は、各探針２１、２２、２３、２４間のＸＹ方向の相対位置を変化させずにステージ３をＸＹ方向に移動させたときに、画像生成部７３により得られた各探針２１、２２、２３、２４に基づくＳＴＭ像を取得し、それら各画像を照合して、各探針２１、２２、２３、２４間の相対位置を算出するものであり、各探針２１、２２、２３、２４のＳＴＭ像を画像生成部７３から取得し、その４つのＳＴＭ像をパターンマッチング判定にかけ、それぞれのＳＴＭ像中に共通して現れる部分を認識してその部分が重なるように４枚のＳＴＭ像を重ね合わせ、各ＳＴＭ像の中心部分には各探針２１、２２、２３、２４が位置しているので、これにより各探針２１、２２、２３、２４の相対距離を認識するものであり、
　上記走査型プローブ顕微鏡１を用いた物理的特性の計測までの手順は、
　光学顕微鏡で視認しながら粗動機構を用いて、ミリメートルからマイクロメートルスケールの範囲で各探針２１、２２、２３、２４をそれぞれ位置調節して、各探針２１、２２、２３、２４同士をＸＹ方向に近づけるステップと、
　ステージ位置制御部７４がステージ３をラスタースキャン方式で移動させることにより試料Ｗが走査され、画像生成部７３が４探針２１、２２、２３、２４同時にＳＴＭ像を生成するステップと、
　相対位置算出部７５が画像生成部７３から前記ＳＴＭ像を示す画像データを取得してそれらのＳＴＭ像を照合して共通する部分を見つけ、その共通部分が一致するように各ＳＴＭ像を重ね合わせて、各探針２１、２２、２３、２４間の相対位置を算出するステップと、
　ＸＹ方向制御部７１が、試料Ｗの所定位置に各探針２１、２２、２３、２４を移動させるステップと、
　物理的特性の計測を開始するステップと、
を順に含む方法。」（以下「引用発明」という。）　
　
（３）　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された刊行物である特開２００９−５３０１７号公報（以下「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。　
　
ア　「【０００４】
  半導体装置の局所的電気特性を測定する方法としてＡＦＭ（Atomic Force Microscope：原子間力顕微鏡）等のプローブ（探針）を用いた測定方法がある。この方法は、ＡＦＭのプローブを試料に接触または接近させて走査しながら、プローブと試料との間に所定の電圧を印加することにより試料の電気的特性を局所的に測定することができる（例えば特許文献１）。また、自然酸化膜等の絶縁膜が形成された試料についての局所的電気特性の測定には、プローブの走査の途中で、プローブの先端を試料中に押し込むことにより、試料表面の自然酸化膜を突き破ってプローブと試料内部とを電気的に接触させて電気的特性を測定する方法がある。」　
　
３　本願発明と引用発明との対比　
　
（１）対比　
　
　本願発明と引用発明とを対比する。　
　
ア　引用発明の「ＸＹ方向に移動可能であるステージ３」、「試料Ｗ」及び「複数の探針２１、２２、２３、２４」が、それぞれ本願発明の「可動ステージ」、「被測定物」及び「複数の探針」に相当する。　
　
イ　引用発明において「検出対象である物理量がトンネル電流である」とは、トンネル電流を測定するためのものであることを意味するものであるから、本願発明の「電気的測定を行うための」に相当する。
　
ウ　引用発明において「探針移動機構４」が「ＸＹ方向制御部７１により制御されて探針２１、２２、２３、２４をＸＹ方向に走査させ」ることにより「探針２１、２２、２３、２４」の位置が変わることは明らかであるから、引用発明において「ＸＹ方向制御部７１」の制御により「探針２１、２２、２３、２４をＸＹ方向に走査させ」ることと、本願発明の「外部からの制御で前記探針位置を変えることが可能」であることとは、「制御により前記探針位置を変えることが可能」である点において共通する。
　
エ　走査型トンネル顕微鏡によりナノレベルの計測が可能であることは技術常識であるから、引用発明の「走査型プローブ顕微鏡１」である「複数の探針２１、２２、２３、２４」を備えた「走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）」と、本願発明の「多探針ＡＦＭナノプローバ」とは、「多探針ナノプローバ」である点において共通する。
　
オ　上記アないしエから、引用発明の「ＸＹ方向に移動可能であるステージ３」に「載置され」た「試料Ｗ」の「トンネル電流」を測定する「複数の探針２１、２２、２３、２４」を備え「ＸＹ方向制御部７１」の制御により「探針２１、２２、２３、２４をＸＹ方向に走査させ」る「走査型プローブ顕微鏡１」である「複数の探針２１、２２、２３、２４」を備えた「走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）」と、本願発明の「可動ステージ上の被測定物の電気的測定を行うための複数の探針を備え外部からの制御で前記探針位置を変えることが可能な多探針ＡＦＭナノプローバ」とは、「可動ステージ上の被測定物の電気的測定を行うための複数の探針を備え制御により前記探針位置を変えることが可能な多探針ナノプローバ」である点において共通する。
　
カ　引用発明の「４探針２１、２２、２３、２４同時にＳＴＭ像を生成する」「画像生成部７３」と、本願発明の「それぞれの探針によるＡＦＭイメージを同時に取得する手段」とは、「それぞれの探針によるイメージを同時に取得する手段」である点において共通する。
キ　引用発明の「相対位置算出部７５」が「４つのＳＴＭ像をパターンマッチング判定にかけ、それぞれのＳＴＭ像中に共通して現れる部分を認識してその部分が重なるように４枚のＳＴＭ像を重ね合わせ」ることは、「４枚のＳＴＭ像」の相対位置を探索することといえるから、引用発明の「相対位置算出部７５」における「４つのＳＴＭ像をパターンマッチング判定にかけ、それぞれのＳＴＭ像中に共通して現れる部分を認識してその部分が重なるように４枚のＳＴＭ像を重ね合わせ」る手段と本願発明の「取得した上記ＡＦＭイメージの相対位置を探索するイメージ探索手段」とは、「取得した上記イメージの相対位置を探索するイメージ探索手段」である点において共通する。
ク　引用発明の「相対位置算出部７５」が「各ＳＴＭ像の中心部分には各探針２１、２２、２３、２４が位置しているので、各探針２１、２２、２３、２４の相対距離を認識する」ことは、「各ＳＴＭ像」の相対位置から「各探針２１、２２、２３、２４」の位置を導出することといえるから、引用発明の「相対位置算出部７５」における「各ＳＴＭ像の中心部分には各探針２１、２２、２３、２４が位置しているので、各探針２１、２２、２３、２４の相対距離を認識する」手段が、本願発明の「上記相対位置から、それぞれの探針位置を導出する位置導出手段」に相当する。
ケ　引用発明の「試料Ｗの所定位置に各探針２１、２２、２３、２４を移動させる」「ＸＹ方向制御部７１」は、「相対位置算出部７５」が導出した「各探針２１、２２、２３、２４」の位置から「各探針２１、２２、２３、２４を移動させる」ものであるから、本願発明の「導出されたそれぞれの上記探針位置から、所定の位置関係になるようにそれぞれの上記探針位置を設定する位置設定手段」に相当する。
コ　引用発明の「前記ステージ３をＸＹ方向に移動させるステージ移動機構５」が、本願発明の「上記可動ステージをスキャンするための掃引手段」に相当する。
サ　上記イを踏まえると、引用発明の「物理的特性の計測までの手順」が、本願発明の「上記被測定物の電気的測定を行う方法」に相当する。
シ　引用発明の「光学顕微鏡で視認しながら粗動機構を用いて、ミリメートルからマイクロメートルスケールの範囲で各探針２１、２２、２３、２４をそれぞれ位置調節して、各探針２１、２２、２３、２４同士をＸＹ方向に近づけるステップ」は、各探針２１、２２、２３、２４間の距離を所定の値に設定しているといえるから、本願発明の「探針を所定の距離に離間するステップ」に相当する。
ス　引用発明の「ステージ３をラスタースキャン方式で移動させることにより試料Ｗが走査され」ることは、本願発明の「上記可動ステージをラスタスキャンまたはスパイラルスキャン」することに相当する。
セ　引用発明において、「４探針２１、２２、２３、２４同時にＳＴＭ像を生成する」際、「４探針２１、２２、２３、２４」によるＳＴＭ像が重なり領域を有するようにステージ３を移動させることは明らかであるから、引用発明の「４探針２１、２２、２３、２４同時にＳＴＭ像を生成する」ことと、本願発明の「重なり領域のあるそれぞれのＡＦＭイメージを取得する」こととは、「重なり領域のあるそれぞれのイメージを取得する」点において共通する。
ソ　上記ス及びセから、引用発明の「ステージ位置制御部７４がステージ３を移動させることにより試料Ｗが走査され、画像生成部７３が４探針２１、２２、２３、２４同時にＳＴＭ像を生成するステップ」と、本願発明の「上記可動ステージをラスタスキャンまたはスパイラルスキャンして、重なり領域のあるそれぞれのＡＦＭイメージを取得するステップ」とは、「上記可動ステージをスキャンして、重なり領域のあるそれぞれのイメージを取得するステップ」である点において共通する。
タ　引用発明において「ＳＴＭ像を照合して共通する部分を見つけ」ることは、「ＳＴＭ像」の重なり領域を見出すことといえ、「その共通部分が一致するように各ＳＴＭ像を重ね合わせて、各探針２１、２２、２３、２４間の相対位置を算出する」ことは、「各探針２１、２２、２３、２４」のそれぞれの位置を読み取ることといえるから、引用発明の「相対位置算出部７５が画像生成部７３から前記ＳＴＭ像を示す画像データを取得してそれらのＳＴＭ像を照合して共通する部分を見つけ、その共通部分が一致するように各ＳＴＭ像を重ね合わせて、各探針２１、２２、２３、２４間の相対位置を算出するステップ」が、本願発明の「取得したイメージにおける上記重なり領域を見出して、上記探針のそれぞれの位置を読み取るステップ」に相当する。
チ　引用発明の「ＸＹ方向制御部７１が、試料Ｗの所定位置に各探針２１、２２、２３、２４を移動させるステップ」が、本願発明の「上記探針のそれぞれを所定の位置に設定するステップ」に相当する。
ツ　引用発明の「物理的特性の計測を開始するステップ」が、本願発明の「上記被測定物の測定を行うステップ」に相当する。
（２）一致点及び相違点　
　
　よって、本願発明と引用発明とは、　
　
「　可動ステージ上の被測定物の電気的測定を行うための複数の探針を備え制御により前記探針位置を変えることが可能な多探針ナノプローバであって、
それぞれの探針によるイメージを同時に取得する手段と、
取得した上記イメージの相対位置を探索するイメージ探索手段と、
上記相対位置から、それぞれの探針位置を導出する位置導出手段と、
導出されたそれぞれの上記探針位置から、所定の位置関係になるようにそれぞれの上記探針位置を設定する位置設定手段と、
を備え、上記被測定物の電気的測定を行うものであって、上記可動ステージをスキャンするための掃引手段を備える多探針ナノプローバを用いて上記被測定物の電気的測定を行う方法であって、
１）　探針を所定の距離に離間するステップと、
２）　上記可動ステージをラスタスキャンして、重なり領域のあるそれぞれのイメージを取得するステップと、
３）　取得したイメージにおける上記重なり領域を見出して、上記探針のそれぞれの位置を読み取るステップと、
４）　上記探針のそれぞれを所定の位置に設定するステップと、
６）　上記被測定物の測定を行うステップと、
を含む多探針ナノプローバを用いた測定方法。」
の発明である点で一致し、次の点で相違する。　
　
（相違点１）
　多探針ナノプローバが、本願発明においては、「多探針ＡＦＭナノプローバ」であって、取得するイメージがＡＦＭイメージであり、電気的測定を行う際に被測定物に探針を圧接するものであるのに対し、引用発明においては、「走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）」であって、取得するイメージがＳＴＭ像であり、トンネル電流の検出（電気的測定）を行う際に被測定物に探針を圧接するものであるか不明である点。
（相違点２）
　本願発明は、多探針ナノプローバとしての多探針ＡＦＭナノプローバの「外部からの制御で前記探針位置を変えることが可能」であるのに対し、引用発明は、多探針ナノプローバとしての走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）が備える「ＸＹ方向制御部７１」により前記探針位置を変えることが可能であるものの、外部からの制御で前記探針位置を変えることが可能であるか不明である点。
（相違点３）
　本願発明は、「４）　上記探針のそれぞれを所定の位置に設定するステップ」と「６）　上記被測定物の測定を行うステップ」との間に「５）　探針全体を測定したいデバイスの位置まで平行移動し、再度全探針でＡＦＭイメージをとり、そのイメージをもとに目的の電極にそれぞれコンタクトするステップ」を有しているのに対し、引用発明は、そのようなステップについて特定されていない点。
４　当審の判断　
　
（１）上記各相違点について検討する。　
　
ア　相違点１について
（ア）上記２（１）コに摘記したように、引用例１の段落【００４６】には、走査型プローブ顕微鏡は、走査型トンネル電流顕微鏡（ＳＴＭ）ではなく、原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）でもよいことが記載されている。
（イ）また、上記２（３）アに摘記したように、引用例２には、原子間力顕微鏡のプローブを用いて半導体装置の局所的電気特性を測定すること、プローブの先端を試料中に押し込むことにより、プローブと試料内部とを電気的に接触させて電気的特性を測定することが記載されている。
（ウ）引用例２においてプローブの先端を試料中に押し込むことは、本願発明における「上記被測定物に上記探針を圧接」することに相当する。
（エ）引用例１及び２は、いずれも走査型プローブ顕微鏡を用いた測定方法に関するものであるから、引用例１及び２に接した当業者であれば、引用発明の走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）に代えて原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を採用してＡＦＭイメージを取得するようにするとともに、被測定物に探針を圧接して電気的測定を行うようにし、上記相違点１における本願発明の発明特定事項のように構成することは、当業者が容易に想到し得ることである。
イ　相違点２について
（ア）上記２（１）オに摘記したように、引用例１の【００２１】には、ＸＹ方向制御部７１を含む情報処理装置７が、物理的に一体である必要はなく、有線又は無線により複数の機器に分割されていても構わないことが記載されている。
（イ）引用例１の上記記載は、ＸＹ方向制御部７１を含む情報処理装置７の配置構成は自由度が高く、ＸＹ方向制御部７１を走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）から分離して配置することを示唆するものといえる。
（ウ）してみると、引用発明においてＸＹ方向制御部７１を走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）から分離して配置して走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）の外部の構成要素となし、走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）の外部からの制御で前記探針位置を変えることが可能なものとして、上記相違点２における本願発明の発明特定事項のように構成することは、当業者が容易に想到し得ることである。
ウ　相違点３について
（ア）多探針ナノプローバを用いた測定において、各探針の位置関係を把握した上で各探針を測定位置へ移動させ、その場でイメージを取得し、そのイメージを基に測定対象物の位置を判定することは、従来周知である。
（イ）引用例２のように、原子間力顕微鏡を用いて半導体装置の局所的電気特性を測定する際には、プローブの先端（探針）を測定対象となる電極に電気的に接触させる（コンタクトする）ために、当該電極の位置を正確に把握する必要があり、そのために原子間力顕微鏡で取得したＡＦＭイメージを用いることは、技術常識である。
（ウ）引用発明においても、測定位置を正確に把握して各探針２１、２２、２３、２４を目的の測定位置に位置合わせする必要があることは、自明な課題である。
（エ）そして、引用発明において、ＸＹ方向制御部７１が、試料Ｗの所定位置に各探針２１、２２、２３、２４を移動させるステップの後に、ステージ３を移動させて再度全探針でイメージをとり、そのイメージを基に各探針２１、２２、２３、２４を目的の測定位置に位置合わせするステップを追加することに、格別の技術的困難性も特段の阻害要因もない。
（オ）してみると、引用発明において走査型トンネル顕微鏡（ＳＴＭ）に代えて原子間力顕微鏡（ＡＦＭ）を採用する際、被測定物を引用例２のように半導体装置として具体的な測定対象を半導体装置を構成するデバイスの電極とし、ＸＹ方向制御部７１が、試料Ｗの所定位置に各探針２１、２２、２３、２４を移動させるステップの後に、ステージ３を移動させて探針全体を測定したいデバイスの位置まで平行移動し、再度全探針でＡＦＭイメージをとり、そのイメージをもとに目的の電極にそれぞれコンタクトするステップを追加して、上記相違点３における本願発明の発明特定事項のように構成することは、設計変更にすぎない。
（２）本願発明の奏する作用効果　
　
　本願発明によってもたらされる効果は、引用発明、引用例１及び２に記載された技術、並びに周知技術から当業者が予測し得る程度のものである。　
　
（３）まとめ　
　
　したがって、本願発明は、引用発明、引用例１及び２に記載された技術、並びに周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　
　
第４　むすび　
　
　以上のとおりであるから、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。　
　
　よって、結論のとおり審決する。