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　平成　８年特許願第　９９３７０号「シリコンウエーハおよびその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　９年１０月　７日出願公開、特開平　９−２６６２１２］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯・本願の請求項により特定される発明
　本願は、平成８年３月２８日の出願であって、その請求項により特定される発明は、平成９年１０月３０日付け、平成１２年４月１４日付け、及び、平成１２年１０月１８日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１乃至４に記載された、「エピタキシャル成長用シリコンウエーハ」或いは、「シリコンウエーハの製造方法」であるものと認められるところ、請求項２により特定される発明（以下、「本願第２発明」という）は下記のとおりである。
 「一主面に非晶質シリコン層を有し、他方の一主面が鏡面であるシリコンウエーハの製造方法において、シリコンウエーハの一主面に非晶質シリコン層をプラズマ化学気相成長法により形成し、他方の一主面を鏡面研磨することを特徴とする、シリコンウエーハの製造方法。」
     　
２．引用文献
　これに対して、原査定の拒絶の理由で引用された、本願出願前に頒布された刊行物である、特開昭５６−７３４２６号公報（以下、「引用文献１」という。）には、半導体装置の製造方法（発明の名称）が第１、２図とともに開示されており、また、下記の事項が記載されている。
 「一方の主面にアモルファス・シリコン層を形成せしめて熱処理したシリコン基板の他方の主面に能動素子及びまたは受動素子を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。」（特許請求の範囲）、
「この様な結晶欠陥であるが、半導体装置の安定と維持のために、これは出来るだけ少ない方が望ましいことは当然で、・・・・・・・。
　本発明はシリコンウェーハに内在するこの様な結晶欠陥を効果的に減少させることを目的として、裏面にアモルファス・シリコン層を形成せしめて、熱処理したシリコンウェーハを基板とすることを特徴としている。
　ところで、アモルファス・シリコンとは非晶質で無定形のガラス状シリコンであり、光学的性質や抵抗率をシリコン単結晶や多結晶シリコンとは異にしており、これを形成するには高周波放電中でモノシラン（ＳｉＨ４）を化学分解させるいわゆるプラズマ・ＣＶＤ法を用いることができる・・・・・・・・・・」（第１頁右下欄第１６行〜第２頁左上欄第１３行）、
「本発明は、この結晶化現象に件なう体積の変化で熱応力−歪特性が変化することに着目し、それによってシリコンウェ−ハ内に存在する結晶欠陥を応力の場に誘導してゲッタリング（吸収）せしめるものである。次にその実施例を説明する。
　第１図はシリコン基板（ウェ−ハ）１の裏面にアモルファス・シリコン層２を５０００〔Å〕ないし１〔μｍ〕の膜厚に被着形成せしめた断面図を示しており、これを形成するには例えば第２図に示す様なプラズマ装置が使用される。
　第２図において、３は反応容器、４，５は電極で、吸引口６より真空吸引しながら、土部（この「土部」という記載は「上部」の誤記と判断される）の電極４に設けられた流入口７よりモノシラン（ＳｉＨ４）ガスを流入し、電極間に噴射させる。そして両電極４，５間に高周波電力８を印加すると、下部電極５上に載置されたシリコンウェ−ハ１の一方の主面にアモルファス・シリコン層が被着する。
　この様にして被着形成したシリコンウェ−ハを窒素ガス中の１１００〔℃〕の高温度で１〜２時間熱処理すれば、シリコンウェ−ハ１の他の主面に存在したエッチピットは１／１０ないし１／１００に減少する。
　これは明らかにアモルファス・シリコン層２がゲッタリング・シンク（吸収源）となっているためである。」（第２頁右上欄第４行〜同頁左下欄第８行）、
「以上の説明から判る様に、本発明は簡単に裏面にアモルファス・シリコン層を被着させるのみで、結晶欠陥を顕著に減少させて半導体装置の歩留並びに信頼性を向上させるもので、その実用価値は非常に大きいものである。
４．図面の簡単な説明
　・・・・・・・・・、第２図はプラズマＣＶＤ装置を示し、１はシリコンウェ−ハ、２はアモルファス・シリコン層である。」（第２頁左下欄第１９行〜同頁右下欄第７行）。
　
　以上をまとめると、引用文献１には、
 「シリコン基板の一方の主面（裏面）にアモルファス・シリコン層を有するシリコンウェ−ハ（シリコン基板）を製造するのに、アモルファス・シリコン層をプラズマＣＶＤ装置を用いたプラズマ・ＣＶＤ法により形成することを特徴とする、シリコンウエーハの製造方法。」
が記載されているものと認められる。
　
　また、同じく原査定の拒絶の理由で引用された、本願出願前に頒布された刊行物である、特開平６−１０４２２９号公報（以下、「引用文献２」という。）には、ウェーハの製造方法（発明の名称）が図面とともに開示されており、また、下記の事項が記載されている。
「単結晶インゴットから切り出したウェーハの両面を、研削加工またはラッピング加工したうえエッチングし、このウェーハの裏面にのみポリシリコン層を形成し、このポリシリコン層に対してメカノケミカル研磨を行い、ポリシリコン層を平坦化した後、このポリシリコン層を研磨盤のキャリアプレートに接着し、ウェーハの表面を鏡面研磨することを特徴とするウェーハの製造方法。」 （特許請求の範囲の請求項１）、
「【０００４】ところで最近では、シリコンウェーハのゲッタリング能力を向上するため、ウェーハの裏面にポリシリコン層を形成する技術が提案されている。」（第２頁左欄第３６行〜同欄第３８行）、
「【０００８】ポリシリコン層によるゲッタリング効果は、熱膨張係数の異なる単結晶ウェーハとポリシリコン層との間に歪み場が形成され、ポリシリコン粒界に不純物元素が吸着するためとされている。」（第２頁右欄第２４行〜同欄第２７行）、
「【００１３】
【課題を解決するための手段】以下、本発明に係るウェーハの製造方法の具体例を説明する。
（請求項１に係わるウェーハ製造方法）図１は本発明の請求項１に係るウェーハ製造方法の一例を示す工程図である。この方法ではまず、円柱状のシリコン単結晶インゴットをスライス加工し、薄い円板状のウェーハを作成した後、ウェーハ周縁を面取加工する。
【００１４】ウェーハをラッピング盤にセットし、遊離砥粒を用いてウェーハ両面をラッピングするかまたは研削砥石により研削し、さらにウェーハをエッチング液に浸漬して、その両面のラッピングまたは研削によって生じたダメージの除去を除去する。・・・・・・・・・・・・・・・・・。
【００１５】ウェーハに、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）により、ゲッタリング効果を得るためのポリシリコン層を形成する。」（第３頁左欄第１１行〜同欄第３０行）、
「【００２２】次に、ライトポリッシングにより平坦化されたポリシリコン層を、ワックス等の接着剤により研磨盤のキャリアプレート上に接着する。そして、キャリアプレートを研磨盤にセットして、従来法と同様にウェーハ表面の粗研磨および仕上研磨で鏡面加工を行う。具体的には、キャリアプレートに固定されたウェーハの表面を、他方の定盤に固定された研磨布に当接させ、ＳｉＯ２等の微細な研磨粒子を含有するアルカリ性研磨液を供給しつつ、各定盤を相対回転させ、メカノケミカル研磨を行なえばよい。」（第３頁右欄第４０行〜同欄第４９行）。
　
　以上をまとめると、引用文献２には、
 「シリコンウェーハのウェーハの裏面にゲッタリング効果を得るためのポリシリコン層を形成した後でシリコンウェーハを研磨盤にセットしてウェーハ表面を鏡面研磨する」ことが記載されている。
     　
３．対比、判断
　引用文献１記載の発明と本願第２発明とを対比する。
　引用文献１記載の発明における「一方の主面（裏面）」、「プラズマ・ＣＶＤ法」は、それぞれ本願第２発明の「一主面」、「プラズマ化学気相成長法」に相当する。
　また、引用文献１には、 「アモルファス・シリコンとは非晶質で無定形のガラス状シリコンであり、・・・・・」と記載されていることからみて、引用文献１記載の発明における「アモルファス・シリコン層」は、本願第２発明の「非晶質シリコン層」に相当するものと認められるので、
両者は、
 「一主面に非晶質シリコン層を有するシリコンウエーハの製造方法において、シリコンウエーハの一主面に非晶質シリコン層をプラズマ化学気相成長法により形成することを特徴とする、シリコンウエーハの製造方法。」の点で一致し、
本願第２発明では、「他方の一主面を鏡面研磨することにより他方の一主面が鏡面である」ようにしているのに対し、引用文献１記載の発明では、他方の一主面に対してそのような鏡面研磨を施すことが記載されていない点で相違している。
　
　以下、上記相違点について検討する。
　引用文献２には、シリコンウェーハの裏面にゲッタリング効果を得るためのポリシリコン層を形成した後でシリコンウェーハ表面を鏡面研磨する点が記載されており、引用文献１においてシリコンウェーハの裏面に形成した非晶質シリコン層（アモルファス・シリコン層）と、引用文献２においてシリコンウェーハのウェーハの裏面に形成したポリシリコン層の両者が、いずれもゲッタリングを考慮したものであるという点で共通していることを参酌すると、引用文献２に記載の、シリコンウェーハ表面を鏡面研磨する旨の技術事項を引用文献１の発明に適用し、本願第２発明のように「他方の一主面を鏡面研磨することにより他方の一主面が鏡面である」ようになすことは、当業者であれば格別の創意工夫を要することなくなし得たものと認められる。
　そして、本願第２発明によりもたらされる効果も、刊行物１、２に記載の発明から当業者であれば当然に予測できた程度のものである。
　　
４．結論
　以上のとおりであるから、本願第２発明は、引用文献１，２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることはできない。
　したがって、本願の他の請求項に係る発明について判断するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。