(57)【要約】【課題】生産歩留及び生産性が高いスプレーフラクサー装置を提供することを目的とする。【解決手段】液状フラックスを噴霧して半導体基板上に液状フラックスを塗布するスプレーフラクサー装置であって、半導体基板が格納された容器を設置するためのローダー／アンローダー部５１と、容器から半導体基板を取り出し、かつ半導体基板を基板保持治具に搭載するための移載装置５４と、半導体基板に対して液状フラックスを塗布するための1つあるいは複数のスプレーノズルユニットと前記基板保持治具とで構成されるフラックス塗布部５３と、半導体基板を加熱処理するための加熱部５４と、を備えた。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液状フラックスを噴霧して半導体基板上に前記液状フラックスを塗布するスプレーフラクサー装置であって、
前記半導体基板が格納された容器を設置するためのローダー／アンローダー部と、
前記容器から前記半導体基板を取り出し、かつ前記半導体基板を基板保持治具に搭載するための移載装置と、
前記半導体基板に対して前記液状フラックスを塗布するための1つあるいは複数のスプレーノズルユニットと前記基板保持治具とで構成されるフラックス塗布部と、
前記半導体基板を加熱処理するための加熱部と、を備えたことを特徴とするスプレーフラクサー装置。
【請求項２】
前記移載装置により前記容器から取り出された前記半導体基板は、フラックス塗布面が下側に向くように前記基板保持治具上に搭載されることを特徴とする請求項１に記載のスプレーフラクサー装置。
【請求項３】
前記フラックス塗布部において、前記半導体基板の裏面に向けられたノズルが１つあるいは複数個配置されたガス噴射装置を、前記スプレーノズルユニットに対向して備えたことを特徴とする請求項２に記載のスプレーフラクサー装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウェハ等の半導体基板に対して、スプレーノズルユニットから液状フラックスを噴霧して塗布するスプレーフラクサー装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯型情報機器や携帯ビデオカメラ等の普及に伴い、小型の半導体パッケージが求められている。ＬＳＩの高性能化に伴い電極数も増加傾向にある。このような小型でかつ多端子の実装を実現する方法としては、狭ピッチの基板電極に直接チップを搭載するフリップチップがある。
【０００３】
上記において、はんだ等の低融点合金あるいは金属よりなる接続端子(バンプ)をシリコンウェハ等の基板上の電極に形成する必要がある。このバンプの形成に関して、はんだ等の低融点合金あるいは金属よりなる導電性ボールを用いた所謂ボールバンピング法は、バンプの高さばらつきが小さくかつ狭ピッチ電極にも対応できると言う点から有力な方法である。
【０００４】
以下、特許文献１に記載のボールバンピング法を用いたバンプ形成方法の一例について、図１を用いて説明する。
【０００５】
このバンプ形成方法では、例えば、フリップチップボンディングに用いられるバンプの形成を対象としており、半導体パッケージの小型化及び高密度実装化の観点から、近年では、直径１５０μｍ以下の微小なはんだボールが用いられている。はんだボールは、融点が低く、各種バンプ下地金属(Ｕｎｄｅｒ Ｂｕｍｐ Ｍｅｔａｌ、以下「ＵＢＭ」と記載)との接合性が高いことから、好適である。一方、基板として例えば、直径３インチ(約７５ｍｍ)以上のサイズの各種半導体ウェハ等を対象としている。
【０００６】
図１に示すように、基板を受け取ったならば(ステップＳ１０１)、検査を行い(ステップＳ１０２)、必要であれば洗浄する(ステップＳ１０３)。その後、基板上の電極のうち、バンプ形成するものの位置に、スパッタ法や無電解めっき法あるいは電解めっき法等によりＵＢＭを形成する(ステップＳ１０４)。
【０００７】
ＵＢＭの形成後、検査を行ってから(ステップＳ１０５)、スタンプ転写法、スクリーン印刷法、スピンコート法あるいは噴霧法等により、フラックスを各ＵＢＭ上に塗布する(ステップＳ１０６)。なお、ここで塗布されたフラックスは、バンプ形成工程において、はんだボールの搭載工程(後述するステップＳ１０７)からはんだボールがリフロー工程(後述するステップＳ１１１)によってバンプとなるまでの間、ＵＢＭ上にはんだボールを固定する役割を担う。
【０００８】
続いて、基板上の電極位置に対応した配列板にはんだボールを吸着し、各ＵＢＭ上にはんだボールを一括転写搭載する(ステップＳ１０７)。
【０００９】
次に、はんだボールの欠落、余剰はんだボール及びはんだボールの位置ずれ等、はんだボールの搭載ミスの有無について検査を行う(ステップＳ１０８)。この検査方法として、例えば、カメラにより基板の上面を撮像し、得られた画像情報からはんだボールの搭載ミスの有無を検査すれば良い。仮に、はんだボールの搭載ミスがあれば、欠落位置へのはんだボールの供給、余剰はんだボールの除去及びはんだボール搭載位置の修正を行う(ステップＳ１０９)。
【００１０】
次に、はんだボールの搭載ミスがなければ、フラックスを基板の上方から噴霧する等の方法を用いて、はんだボールの表面をフラックスで被覆する(ステップＳ１１０)。なお、ここで噴霧されたフラックスは、続くリフロー工程での予熱操作において、ＵＢＭ及びはんだボール表面の酸化膜除去を行う役割を担う。
【００１１】
ステップＳ１１０により、はんだボール表面がフラックスで被覆されることにより、リフローの際に、はんだボール表面から酸化物が除去され、はんだボールが溶融し、ＵＢＭと反応し固定される。その結果、理想的には表面が平滑で光沢を持つ良好な表面性状のバンプが得られる。
【００１２】
次いで、はんだボールをリフローして溶融させ、冷却固化させてバンプを形成する(ステップＳ１１１)。なお、リフロー工程は、電極及びはんだボール表面の酸化膜除去を行う役割と、はんだボールを溶融して電極と金属接合せしめる役割を担う。
【００１３】
バンプ形成後、フラックス残渣除去のための洗浄を行い(ステップＳ１１２)、不良バンプの有無について検査を行い(ステップＳ１１３)、一連の工程を終了する。
【００１４】
次に、この方法のステップＳ１１０において使用された、特許文献1に記載のフラックス塗布装置について、図２を用いて説明する。この装置は、液状フラックスをはんだボールに直接噴霧する方式である(以下、本装置を「スプレーフラクサー装置」と称する)。
【００１５】
ＵＢＭ２１上にはんだボール２２が配列された基板２３は、移動可能なステージ２４上に搭載される。ステージ２４としては、例えば、ボールネジでステージを移動させるＸ−Ｙステージ等を使用することができる。ステージ２４の上方には、フラックス噴霧用ノズル２５が装着されている。
【００１６】
フラックス噴霧用ノズル２５には、配管を介してフラックスタンク２６がつながっている。フラックスタンク２６には、液状フラックス２７が入っており、液状フラックス２７がフラックス噴霧用ノズル２５に供給される。さらに、フラックス噴霧用ノズル２５には、圧縮空気供給配管を通じて圧縮空気２８が供給される。
【００１７】
フラックス噴霧用ノズル２５から液状フラックス２７の液滴が吐出される。一方、基板２３はステージ２４と共に移動するために、液状フラックス２７ははんだボール２２に均一に付着する。
【００１８】
液状フラックス２７がはんだボール２２に衝突付着する反動ではんだボールが移動しないこと、また、全てのはんだボール２２を均一に液状フラックス２７で被覆するために、フラックスの液滴径は、はんだボール２２の径と比較して十分に小さくする必要がある。例えば液滴径は、はんだボール径の１／２以下とすることが好ましい。噴霧される液状フラックス２７の量及び液滴の粒径は、供給されるフラックス量と圧縮空気量、空気圧を調節することで制御する。
【００１９】
さらに、特許文献1に記載の別種のスプレーフラクサー装置について、図３を用いて説明する。この装置は、液状フラックスの液滴を浮遊させ、導電性ボールに堆積させる方式である。
【００２０】
チャンバー３１は、密閉性の高い容器である。基板３３の設置ステージ３２は、固定式である。基板３３上にはＵＢＭ３４があり、ＵＢＭ３４上に導電性ボール３５が配列されている。フラックス噴霧用ノズル３６と基板３３が設置されたステージ３２とは隔壁３７で分けられ、それぞれ別の区画に装着されている。
【００２１】
フラックス噴霧用ノズル３６には、配管を介してフラックスタンク３８が接続されている。フラックスタンク３８には液状フラックス３９が入っており、液状フラックス３９がフラックス噴霧用ノズル３６に供給される。さらに、フラックス噴霧用ノズル３６には、圧縮空気供給配管を通じて圧縮空気４０が供給される。噴霧される液状フラックスの量と噴霧液滴の粒径については、フラックス量と圧縮空気量、空気圧を調節することで制御される。フラックス噴霧用ノズル３６から噴霧される液滴は、衝突壁４１に当たる。比較的大粒径の液滴は、衝突壁４１に衝突して付着する。一方、小粒径の液滴は、衝突壁４１を迂回する気流に乗って、衝突壁４１上方の空間を浮遊する。浮遊したフラックス液滴は、隔壁３７上の空間を移動して、基板３３上の空間を満たしつつ、徐々に沈降して基板３３上に堆積する。この装置を用いることで、はんだボール３５表面に徐々にフラックス３９を被覆することができ、はんだボール３５は移動することなく、均一に液状フラックス３９で被覆される。
【００２２】
【特許文献１】特開２００５−４４９８２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２３】
上述した従来のスプレーフラクサー装置において、第一の例では、基板４２上に仮固定されたボール４４上に付着したフラックス４３’の濡れが不十分であることに起因して、リフロー工程でバンプ表面の酸化膜除去不良による異形バンプ４５が発生すると言う問題があった（図４（ａ））。導電性ボール表面全体にフラックスを被覆させるためには、一定量以上のフラックス塗布量が必要であるが、第一の例に関しては、塗布量が大きくなると、導電性ボール間に存在するフラックス４３”の表面張力により導電性ボールが位置ずれを引き起こし、ついには隣接する導電性ボールに接触してしまうと言う問題もあった。この接触は、続くリフロー工程で図４（ｂ）に示すようなバンプブリッジ４６を引き起こす要因となるものである。
【００２４】
一方、第二の例では、少ない塗布量で導電性ボール表面全体にフラックスを被覆できるものの、基板上に間接的にフラックスを塗布する方式を用いているため、塗布速度が小さいと言う問題があった。
【００２５】
そこで、本発明は、少ないフラックス塗布量で導電性ボール表面全体を被覆し、さらに塗布速度が大きいスプレーフラクサー装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
本発明のスプレーフラクサー装置は、液状フラックスを噴霧して半導体基板上に前記液状フラックスを塗布するスプレーフラクサー装置であって、前記半導体基板が格納された容器を設置するためのローダー／アンローダー部と、前記容器から前記半導体基板を取り出し、かつ前記半導体基板を基板保持治具に搭載するための移載装置と、前記半導体基板に対して前記液状フラックスを塗布するための1つあるいは複数のスプレーノズルユニットと前記基板保持治具とで構成されるフラックス塗布部と、前記半導体基板を加熱処理するための加熱部と、を備えたことを特徴とする。
また、本発明のスプレーフラクサー装置は、前記移載装置により前記容器から取り出された前記半導体基板は、フラックス塗布面が下側に向くように前記基板保持治具上に搭載されることを特徴とする。
また、本発明のスプレーフラクサー装置は、前記フラックス塗布部において、前記半導体基板の裏面に向けられたノズルが１つあるいは複数個配置されたガス噴射装置を、前記スプレーノズルユニットに対向して備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によるスプレーフラクサー装置は、フラックス塗布後の半導体基板を加熱部により加熱処理を行うことによって、バンプ表面でのフラックスの濡れを促進し、リフロー工程での異形バンプの発生を低減できる。
また、基板に対して下側からフラックスを直接塗布することにより、処理速度の低下を招くことなく、基板上への大粒径フラックスの付着を防止することができるので、リフロー工程でのバンプブリッジの発生を低減できる。
さらに、半導体基板の裏面に対してガス噴射を行うことにより、フラックス噴霧による圧力による半導体基板の破損あるいは飛散を防止し、半導体基板を安定に基板保持治具内に保持できる。
これらの効果により、本発明のスプレーフラクサー装置は、バンプ形成工程における生産歩留及び生産性の向上に多大な寄与をすることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２８】
本発明の装置は、図１に示されるフラックス噴霧工程(Ｓ１１０)で用いられるものである。フラックス噴霧工程(Ｓ１１０)は、導電性ボールの搭載検査工程(Ｓ１０８)及びリペア工程(Ｓ１０９)を経た半導体基板に対してフラックスを塗布する工程であり、その処理後、リフロー工程(Ｓ１１１)へ送られる。
【００２９】
本実施形態におけるスプレーフラクサー装置について、図５、図６を用いて説明する。図５は、本発明の構成を示した図である。本発明は、ローダー／アンローダー部５１、移載装置５２、フラックス塗布部５３及び加熱部５４、そして、図示されない制御部により構成される。制御部は、ローダー／アンローダー部５１、移載装置５２、フラックス塗布部５３及び加熱部５４に関する全ての動作を制御し、別々の半導体基板をフラックス塗布部５３、加熱部５４において同時に処理することができる。
【００３０】
ローダー／アンローダー部５１には、１枚あるいは複数の基板が格納された容器を設置する。ここでの基板は、既に、基板の各電極上にＵＢＭ、フラックスを介して導電性ボールが仮固定状態で搭載されているものである。移載装置５２は、ローダー／アンローダー部５１、フラックス塗布部５３及び加熱部５４との間で半導体基板の搬送を行うものであり、ローダー／アンローダー部５１から取り出した半導体基板に関しては、その塗布面を上下反転できる機能を有することが好ましい。
【００３１】
フラックス塗布部５３は、半導体基板上に液状フラックスを塗布する装置であり、その構造の詳細については後述する。加熱部５４は、ホットプレートあるいは赤外ランプ等で半導体基板を所定温度で所定時間加熱することができる装置であり、導電性ボール表面に付着したフラックスの濡れ性を向上させることにより、導電性ボール表面の一部に付着したフラックスを導電性ボール表面全体に流動させる役割を担うものである。加熱装置５４における加熱温度は、フラックスの流動開始温度からフラックスの沸点温度までの範囲内に設定される。一方、加熱時間は、半導体基板面においてフラックスが平坦に分散するまでに要する時間に設定される。
【００３２】
本発明においては、各々の半導体基板の処理において、フラックス塗布部５３及び加熱部５４での処理を、任意の順序でかつ任意の回数だけ行うことができる。
【００３３】
図６は、好適なフラックス塗布部の断面構造を示した概略図である。導電性ボール６２が仮固定状態で搭載された半導体基板６１は、図示されない移載装置によって、基板保持治具６３上に置かれる。
【００３４】
１つあるいは複数のフラックス噴霧用ノズル６８が、半導体基板６１のフラックス塗布面に向けられて配置されている。フラックス噴霧用ノズル６８には、配管を介してフラックスタンク６５に接続され、さらに圧縮空気６６が供給されている。
【００３５】
フラックス噴霧に際しては、フラックスタンク６５とフラックス噴霧用ノズル６８との間に接続されている送液ポンプ６７によって、一定量のフラックス６４がフラックス噴霧用ノズル６８に供給され、さらに一定流量の圧縮空気６６と混合され、霧化されたフラックス液滴がフラックス噴霧用ノズル６８から吐出する。この際、フラックス噴霧用ノズル６８から吐出されたフラックス液滴の大きさは一定の分布をなしているが、半導体基板に到達するフラックス液滴の大きさに関しては、導電性ボール径の二分の一以下であることが好ましい。この理由は、フラックス液滴が大きくなると、フラックス液滴の衝突によって導電性ボールの位置ずれが生じてしまうからである。
【００３６】
フラックス液滴のサイズ分布については、圧縮空気６６の圧力により制御されるが、突発的に数百μｍから１ｍｍ程度の大きさのフラックス液滴が吐出する場合がある。本図で示された、フラックス塗布面を下側にして、フラックスが上方向に噴霧される構造では、ノズル−基板間を適当な距離に設定することで、重力の効果により半導体基板上への大きなフラックス液滴の付着を抑制することができる。例えば、本構造において、噴霧圧力１Ｍｐａ、フラックス流量２ｍｌ／分、ノズル−基板間距離１５ｃｍの条件で噴霧することにより、大きさが５μｍ〜５０μｍの範囲のフラックス液滴を選択的に基板上に付着させることが可能となる。この範囲のフラックス液滴サイズは、特に、微小な力により移動し易い５００μｍ以下の大きさの導電性ボールが搭載された半導体基板に対して好適である。
【００３７】
本発明におけるフラックスの塗布方法に関しては、基板保持治具６３が水平方向に一定速度で移動し、かつ同時にフラックス噴霧用ノズル６８が基板保持治具６３の移動方向と垂直方向に往復運動する方式も適用可能である。本方式による半導体基板上のフラックス塗布量は、送液ポンプ６７での送液量及び基板保持治具６３の移動速度により制御され、フラックス噴霧用ノズル６８の往復幅と往復速度を調節ことにより、任意のサイズの半導体基板に対して無駄のないフラックス噴霧を行うことができる。
【００３８】
また、本図のように、基板の塗布面が下側に向けられて基板保持治具上に配置される場合、厚さが極めて薄かったり強度が脆弱な半導体基板では、フラックス噴霧時の圧縮空気の圧力によって、半導体基板が飛散したり破損したりする不具合が生じる場合がある。このような半導体基板に対しては、半導体基板の裏面に向けられたノズルが１つあるいは複数個配置されたガス噴射装置６９を、フラックス噴霧用ノズル６８に対向して配置することが有効である。ガス噴射装置６９により、半導体基板の表裏両面に加わる圧力がバランスされ、半導体基板の飛散や破損が防止される。ガス噴射装置６９からのガスの圧力は、フラックス噴霧用ノズル６８からの圧力よりもさらに５パーセント〜１００パーセント程度大きな値に設定しておくと良い。
【実施例】
【００３９】
以下、本発明を用いた実施例について述べる。
(実施例１)
直径：８インチ（２００ｍｍ）、厚さ：７２５μｍ、ＵＢＭ直径：１００μｍ、ＵＢＭ配列ピッチ：２００μｍ、基板上のＵＢＭ数：１０００００個のシリコンウェハに形成された各々のＵＢＭ上に１００μｍ径の共晶はんだボール（６３質量％Ｓｎ−３７質量％Ｐｂ）を搭載したものを基板として用いる。当該基板に対して、ロジン５０質量％−イソプロピルアルコール５０質量％の組成の液状フラックスを適用した、フラックス噴霧工程に関する実施例について説明する。
【００４０】
２５枚の上記基板を、ローダー／アンローダー部→フラックス塗布部→基板加熱部→ローダー／アンローダー部の順で連続処理し、全処理時間から基板１枚当りの処理時間を算出した。フラックス塗布部の条件は、基板におけるフラックス塗布面の向きが上側、フラックス噴霧用ノズル数を４個、ノズルと基板間の距離を１２ｃｍ、フラックス噴霧用の圧縮空気圧を１．０Ｍｐａ、基板上のフラックス塗布量を２０ｍｌ／ｍ2とした。フラックス塗布中における、基板裏面に対するガス噴射は用いなかった。また、加熱部はホットプレート構造とし、加熱条件は、加熱温度９０℃、加熱時間６０ｓｅｃとした。フラックス噴霧工程の後、リフロー工程によりはんだボールを溶融することでＵＢＭ上にバンプを形成し、さらに、続く洗浄工程にてフラックス残渣を除去し、最後に、外観検査装置にてリフロー後の異形バンプ数及びバンプブリッジ数を測定した。結果を表1に示す。
【００４１】
(実施例２)
上記実施例1と同じ基板、同じ基板枚数、同じはんだボール、同じ液状フラックスを用い、基板におけるフラックス塗布面を下側に向け、基板の下方から上側に向けてフラックス噴霧を行った。塗布面の向き、及び基板とノズルの位置関係以外の条件は、実施例1と同一とした。また、フラックス噴霧工程前後の処理は上記実施例1と同一とし、外観検査後の異形バンプ数及びバンプブリッジ数を測定した。結果を表1に示す。
【００４２】
(比較例1)
上記実施例1と同じ基板、同じ基板枚数、同じはんだボール、同じ液状フラックスを用い、図２に示したスプレーフラクサーを用い、実施例1と同じ量のフラックスを噴霧した。噴霧処理シーケンスは、ローダー/アンローダー部→フラックス塗布部→ローダー/アンローダー部の順とし、実施例１と同様、基板1枚当りの処理時間を計測した。なお、図２におけるシーケンス間の基板搬送系については、上記実施例1と同一のものを用いた。さらに、フラックス塗布部の条件は、上記実施例1と同一とした。フラックス噴霧工程前後の処理及び検査内容は、上記実施例1と同一とした。結果を表1に示す。
【００４３】
(比較例２)
上記実施例１と同じ基板、同じ基板枚数、同じはんだボール、同じ液状フラックスを用い、図３に示したスプレーフラクサーを用い、実施例１と同じ量のフラックスを噴霧した。噴霧処理シーケンスは、ローダー／アンローダー部→フラックス塗布部→ローダー／アンローダー部の順とし、実施例１と同様、基板１枚当りの処理時間を計測した。なお、図３における、シーケンス間の基板搬送系については、上記実施例１と同一のものを用いた。フラックス塗布部のチャンバーサイズは、幅３０ｃｍ×奥行３０ｃｍ×高さ３０ｃｍとした。フラクサー噴霧用ノズル側における、隔壁とチャンバー壁間の距離は１０ｃｍに設定した。隔壁とチャンバー上部内壁間の隙間の大きさは、奥行３０ｃｍ×高さ１０ｃｍに設定した。フラックス噴霧用ノズルの先端は、チャンバー底部から１０ｃｍの高さに位置しており、さらに、フラックス噴霧用ノズルの先端から５ｃｍ上部に、衝突壁を配置した。衝突壁のサイズは幅６ｃｍ×奥行１０ｃｍ×厚さ０．５ｃｍとしており、フラックス噴霧用ノズルより吐出されたフラックスが、直接チャンバー上部内壁に当たらないように、フラックス噴霧用ノズル上部に配置した。フラックス噴霧用ノズル数を４個、フラックス噴霧用の圧縮空気圧を１．０Ｍｐａに設定した。基板はフラックス塗布面が上側になるようチャンバー内に搬送される。フラックス噴霧工程前後の処理及び検査内容は、上記実施例１と同一とした。結果を表１に示す。
【００４４】
【表１】
2007253101.tif 000003
【００４５】
本発明による実施例１では、基板１枚当りの処理時間が比較的短く、かつ、異形バンプ数がゼロと言う結果が得られた。一方、比較例１では、加熱処理が省略さていることにより、実施例１よりも若干処理時間が短くなったものの、フラックスの濡れ性が不十分なことに起因して異形バンプが多発した。比較例２では異形バンプ数、バンプブリッジ数が共にゼロであったものの、ウェハ１枚当りの処理時間が実施例１の１０倍と非常に長く、実用に供し難いことが確認された。また、本発明による実施例２では、フラックスを上側に向けて噴霧しているため、重力の作用により、大きなサイズのフラックス液滴が基板塗布面に到達せず、その結果として、ボール位置ずれに起因するバンプブリッジの数がゼロになった。
【００４６】
(実施例３)
直径：８インチ（２００ｍｍ）、厚さ：３００μｍ、ＵＢＭ直径：１００μｍ、ＵＢＭ配列ピッチ：２００μｍ、基板上のＵＢＭ数：１０００００個の、バックグラインド処理が施されたシリコンウェハに形成された各々のＵＢＭ上に１００μｍ径の共晶はんだボール（６３質量％Ｓｎ−３７質量％Ｐｂ）を搭載したものを基板として用いた。はんだボール及び液状フラックスは、実施例１と同一のものとした。処理基板枚数は１枚とした。フラックス塗布条件は全て実施例２と同一とし、フラックス塗布時における基板保持治具内での基板の安定性の確認を行った。
【００４７】
(実施例４)
上記実施例３と同じ基板、同じはんだボール、同じ液状フラックスを用いた。処理基板枚数は１枚とした。フラックス噴霧中において、基板裏面へのガス噴射を行った。ガス噴射に使用したガスは圧縮空気で、噴射圧力は１．２Ｍｐａに設定した。ガス噴射用のノズル数は９とし、格子状に８０ｍｍ間隔で配置した。ガス噴射条件以外のフラックス塗布条件は全て実施例３と同一とし、１枚当たりの処理時間、外観検査後の異形バンプ数及びバンプブリッジ数、フラックス塗布時における基板保持治具内での基板の安定性の確認を行った。
【００４８】
上述した実施例３と実施例４の結果を表２に示す。本発明による実施例３では、軽量の基板を使用したため、フラックス噴霧からの圧縮空気の圧力で基板が飛散してしまったため、各項目の測定は不可であった。一方、実施例４では、基板にフラックス噴霧から加わる圧力が、ガス噴射装置から吐出された圧縮空気との圧力と相殺されることで、基板保持治具内に安定保持される結果が得られた。
【００４９】
【表２】
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【００５０】
なお、上記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化のほんの一例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。即ち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施できる。
【図面の簡単な説明】
【００５１】
【図１】ボールバンピング法を用いたバンプ形成方法の一例を説明するための図である。
【図２】従来技術を説明するための図である。
【図３】従来技術を説明するための図である。
【図４】種々のバンプ欠陥を説明するための図である。
【図５】本発明の構成を説明するための図である。
【図６】本発明のフラックス塗布部の概略図である。
【符号の説明】
【００５２】
２１  バンプ下地金属（ＵＢＭ）
２２  はんだボール
２３  基板
２４  ステージ
２５  フラックス噴射用ノズル
２６  フラックスタンク
２７  液状フラックス
２８  圧縮空気
３１  チャンバー
３２  ステージ
３３  基板
３４  バンプ下地金属（ＵＢＭ）
３５  導電性ボール
３６  フラックス噴射用ノズル
３７  隔壁
３８  フラックスタンク
３９  液状フラックス
４０  圧縮空気
４１  衝突壁
４２  基板
４３'  フラックス
４３”  フラックス
４４  ボール
４５  異形バンプ
４６  バンプブリッジ
５１  ローダー／アンローダー部
５２  移載装置
５３  フラックス塗布部
５４  加熱部
６１  基板
６２  導電性ボール
６３  基板保持具
６４  フラックス
６５  フラックスタンク
６６  圧縮空気
６７  送液ポンプ
６８  フラックス噴射用ノズル
６９  ガス噴射装置
【図１】
2007253101.tif 000005
【図２】
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【図３】
2007253101.tif 000007
【図４】
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【図５】
2007253101.tif 000009
【図６】
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