【事件の表示】
　平成　８年特許願第１２４１５４号「窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　９年１１月２８日出願公開、特開平　９−３０７１９３］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【1】手続の経緯・本願発明 
　本願は平成８年５月２０日に出願されたものであり、本願の請求項１−４に係る発明は、平成１４年１１月１日付けで補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載されたとおりのものと認められるところ、請求項２に係る発明(以下、「本願発明」という。)は以下のものである。
「サファイア基板のＡ面に形成されたストライプ状の突起部の位置に対応して活性層の導波路が形成されている窒化物半導体レーザ素子であって、前記突起部の上にｎ型コンタクト層、ｎ型クラック防止層、ｎ型光閉じ込め層及び光ガイド層を含むｎ型層、活性層及びｐ型光ガイド層、ｐ型光閉じ込め層及びｐ型コンタクト層を含むｐ型層を有し、前記活性層の側面は、ｐ型光ガイド層、ｐ型光閉じ込め層及びｐ型コンタクト層を含むｐ型層で挟まれた構造であり、共振面は劈開面であり、前記突起部のストライプ幅とほぼ同一幅を有するストライプ状の正電極を有することを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。」
　　
【２】刊行物記載の発明            
　当審における平成１４年９月２８日付の拒絶理由において引用した刊行物１及び刊行物３には以下の記載が認められる。
刊行物１　Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３５（１９９６）ｐｐ．Ｌ２１７−Ｌ２２０　Ｐａｒｔ２，Ｎｏ．２Ｂ，１５　Ｆｅｂｒｕａｒｙ　１９９６　「ＩｎＧａＮ　Ｍｕｌｔｉ−Ｑｕａｎｔｕｍ−Ｗｅｌｌ−Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　Ｌａｓｅｒ　Ｄｉｏｄｅｓ　ｗｉｔｈ　Ｃｌｅａｖｅｄ　Ｍｉｒｒｏｒ　Ｃａｖｉｔｙ　Ｆａｃｅｔｓ」
には、ＩｎＧａＮレーザーダイオードに関し、　       
「III−Ｖ族窒化物多層膜はツーフロー有機金属化学気相蒸着（ＭＯＣＶＤ）法により成長した。・・・サファイアＡ面は基板として用いられた。」（Ｌ２１７右欄２−６行） 
「０．１μｍ厚のｎ型Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ層はＡｌＧａＮ薄膜の成長のクラック防止のためのバッファ層の役目をする。２００Å厚のｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層はＩｎＧａＮ層と成長するｐ型層の分離防止のために用いられる。０．１μｍ厚のｎ型とｐ型のＧａＮ層は光ガイド層である。０．４μｍ厚のｎ型とｐ型のＡｌ0.12Ｇａ0.88Ｎ層は、ＩｎＧａＮ　ＭＱＷ構造の活性領域から発振された光の光閉じ込め層である。」（Ｌ２１７右欄２１行−Ｌ２１８左欄４行）  
「サファイア基板をＲ面で劈開するために基板としてサファイアＡ面を使用した。エピタキシャル層と基板の劈開面は第２図に示すようにミラーのようであった。それゆえこのミラー面はレーザキャビティミラーとして使用することができた。」（Ｌ２１８左欄９−１３行）と記載されている。
　又、Ｆｉｇ．１には、サファイア基板の上に、ＧａＮバッファー層、ｎ−ＧａＮ層、ｎ−Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ（クラック防止）層、ｎ−Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎ（光閉じ込め）層、ｎ−ＧａＮ（光ガイド）層、ＩｎＧａＮ　ＭＱＷ（活性層）、ｐ−Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層、ｐ−ＧａＮ（光ガイド）層、ｐ−Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎ（光閉じ込め）層、ｐ−ＧａＮ層が、順に積層され、ｎ−ＧａＮ層上にｎ電極、ｐ−ＧａＮ層上にそれより幅の狭い帯状のｐ電極が各々形成されたＩｎＧａＮレーザーダイオードの断面図が示されている。
　これらの記載によれば、刊行物１には、
「サファイア基板Ａ面上に、ｎ−ＧａＮ層、ｎ−Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ（クラック防止）層、ｎ−Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎ（光閉じ込め）層、ｎ−ＧａＮ（光ガイド）層、ＩｎＧａＮ　ＭＱＷ（活性層）、ｐ−ＧａＮ（光ガイド）層、ｐ−Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎ（光閉じ込め）層、ｐ−ＧａＮ層を順に積層し、ｎ−ＧａＮ層上にｎ電極、ｐ−ＧａＮ層上にそれより幅の狭い帯状のｐ電極が各々形成され、サファイア基板をＲ面で劈開したミラー面を有するＩｎＧａＮレーザダイオード」の発明（以下「引用発明１」という）が記載されている。
　　                         
刊行物３　特開昭６２−２９６５９０号公報
には、半導体レーザとその製造方法に関し、「この実施例は、幅５μｍ、高さ２μｍのストライプ状のメサを有するｎ型ＧａＡｓ（不純物濃度ｎ＝２×１０１８ｃｍ−３、ドーパント：Ｓｉ）からなる半導体基板１上にメサに沿って形成されたｎ型（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（ｎ＝５×１０１７ｃｍ−３、ドーパント：Ｓｅ）からなる厚さ１．２μｍの第１のクラッド層２、第１のクラッド層２より禁制帯幅の小さなアンドープＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｐからなる厚さ０．１μｍの活性層３及びｐ型（Ａｌ0.5Ｇａ0.5）0.5Ｉｎ0.5Ｐ（ｐ＝５×１０１７ｃｍ−３、ドーパント：Ｚｎ）からなる厚さ１．２μｍの第２のクラッド層４からなる二重へテロ接合構造体と、この二重ヘテロ接合構造体の表面に形成され活性層３より小さい禁制帯域のｐ型ＧａＡｓ（ｐ＝７×１０１７ｃｍ−３、ドーパント：Ｚｎ）からなる被覆層５と、メサの上方を除いて形成され活性層３より小さい禁制帯幅のｎ型ＧａＡｓ（ｎ＝１×１０１８ｃｍ−３、ドーパント：Ｔｅ）からなる電流阻止層６を有している。７はｐ型ＧａＡｓからなるキャップ層である。」（３頁左上欄５行−同頁右上欄５行）、「メサ・ストライプ構造により、活性層及びクラッド層が屈曲していることにより、メサ上部に横モード制御を行う光導波部が形成され、メサ側面及び底面のＧａＡｓ層が電流阻止層となり、上述の光導波部にのみ電流が注入される。」（３頁右上欄６−１４行）と記載されており、第１図には、ストライプ状のメサを有する半導体基板１の該ストライプ状のメサの位置に対応する活性層３の側面がｐ型の第２のクラッド層４、及びｐ型の被覆層５で挟まれた構造のレーザ・チップの断面図が図示されている。　
  上記によれば、刊行物３には、「半導体基板上にストライプ状のメサを有し、該メサの位置に対応する活性層の側面がｐ型のクラッド層で挟まれて活性層の光導波路が形成された半導体レーザ」が形成されている。
     
【３】対比判断　
　本願発明と引用発明１とを対比する。
　引用発明１の「ｎ−ＧａＮ層、ｎ−Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ（クラック防止）層、ｎ−Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎ（光閉じ込め）層、ｎ−ＧａＮ（光ガイド）層」、「ＩｎＧａＮ　ＭＱＷ（活性層）」、「ｐ−ＧａＮ（光ガイド）層、ｐ−Ａｌ0.12Ｇａ0.88Ｎ（光閉じ込め）層、ｐ−ＧａＮ層」、「ｐ電極」及び「ＩｎＧａＮレーザーダイオード」は、本願発明の「ｎ型コンタクト層、ｎ型クラック防止層、ｎ型光閉じ込め層、ｎ型光ガイド層を含むｎ型層」、「活性層」、「ｐ型光ガイド層、ｐ型光閉じ込め層及びｐ型コンタクト層を含むｐ型層」、「正電極」及び「窒化物半導体レーザ素子」に相当し、引用発明１の「劈開したミラー面」がレーザーの共振面となることは明らかであるから、両者は「サファイア基板のＡ面に活性層が形成されている窒化物半導体レーザ素子であって、ｎ型コンタクト層、ｎ型クラック防止層、ｎ型光閉じ込め層及び光ガイド層を含むｎ型層、ｐ型光ガイド層、ｐ型光閉じ込め層及びｐ型コンタクト層を含むｐ型層を有し、共振面は劈開面であり、正電極を有する窒化物半導体レーザ素子。」で一致し、下記の点で相違する。
　相違点１：本願発明は、サファイア基板面に形成されたストライプ状の突起部の位置に対応して活性層の導波路が形成され、前記活性層の側面は、ｐ型層で挟まれた構造であるのに対して、引用発明１はこのような構成を有しない点。
　相違点２：本願発明は「突起部のストライプとほぼ同一幅を有するストライプ状の正電極を有する」構成を有するのに対して、引用発明１の正電極はこのような構成を有しない点。      
　そこで上記相違点について検討する。
（１）相違点１について
　刊行物３には「半導体基板上にストライプ状のメサを有し、該メサの位置に対応する活性層の側面がｐ型のクラッド層で挟まれて活性層の光導波路が形成された半導体レーザ」が記載されており、刊行物３記載のものの「ストライプ状のメサ」は、本願発明の「ストライプ状の突起」に相当するから、刊行物３には、本願発明の上記相違点１の構成が全て備わっている。
　しかも、本願明細書の段落番号【００１０】には「このように基板の上部にストライプ状の突起部２００を設けることにより、突起部の上部に成長された活性層１６の側面が、活性層と屈折率の異なるｐ型光ガイド層１７、ｐ型光閉じ込め層１８、ｐ型コンタクト層１９等のｐ型層で挟まれた構造となり、図１のレーザ素子と同様に横モードの光が制御されることにより、屈折率導波型のレーザ素子が作成できるため、閾値が低下する。」と記載されており、また刊行物３には「メサ・ストライプ構造により、活性層及びクラッド層が屈曲していることにより、メサ上部に横モード制御を行う光導波部が形成され、メサ側面及び底面のＧａＡｓ層が電流阻止層となり、上述の光導波部にのみ電流が注入される。」と記載されているから、刊行物３記載のものは、本願発明と同様に横モードの光が制御されるものである。
　そして、上記の横モードの光制御は構造によるものであって、材質に依存しないものであることが明らかであるから、材質の相違によって適用が阻害されることはない。
　してみると、本願発明の相違点１の構成は、引用発明１のレーザーダイオードにおいて、横モードの光を制御するために、刊行物３記載の半導体レーザにおけるストライプ状のメサの上に活性層の導波路を形成する技術を適用することにより当業者が容易に想到しえたものである。　
（２）相違点２について
　請求人は平成１４年１１月１日付意見書において、「補正後の本願請求項２の特徴は、突起部のストライプ幅とほぼ同一幅を有するストライプ状の正電極を有することであり、これにより、導波路のみに電流を注入することができるので、抵抗を低くすることができます。」（５頁１−３行）と主張している。
　しかし、「ストライプ状の正電極」を用いて電流を一部分のみに注入する技術は、従来周知の技術（参考例　特開昭５４−３２２８４号公報（４頁左上欄１９行−同頁右上欄４行，２図），特開平８−１１６０９２号公報（段落【００４８】））である。また、正電極を「突起部のストライプ幅とほぼ同一幅」とすることは電流を集中した部分の幅に対応して当業者が適宜設定し得る設計的事項にすぎない。
　そして、本願発明によってもたらされる効果は、刊行物１，３及び周知の技術から当業者が予想し得る程度のものである。
 
【４】むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項２に係る発明は刊行物１及び３に記載された発明並びに周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。