【事件の表示】
　特願２０１１−１０８５４４「裏面オーミックコンタクトを備えた縦型の半導体デバイス」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　８月　４日出願公開、特開２０１１−１５１４２８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、１９９９年９月１６日（パリ条約による優先権主張外国庁受理１９９８年９月１６日、アメリカ合衆国）に国際出願した特願２０００−５７０８２３号の一部を平成２３年５月１３日に新たな特許出願としたものであって、平成２５年３月２７日付けの拒絶理由通知に対して、同年６月２８日に意見書及び手続補正書が提出されたが、同年８月７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月１１日に拒絶査定不服審判が請求がされるとともに手続補正書が提出された。
　その後当審において、平成２６年１０月１５日付けで拒絶理由が通知され、平成２７年２月１３日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
２　当審の拒絶理由
　当審において平成２６年１０月１５日付けで通知した拒絶の理由の概要は、本願の請求項１〜６に係る発明は、本願の優先権主張の日前に日本国内または外国において頒布された下記の刊行物である、「国際公開ＷＯ９８／３７５８４」（以下「引用例１」という。）、「特開平８−８２１０号公報」（以下「引用例２」という。）及び「特開平８−１３９０５３号公報」（以下「引用例３」という。）に記載された発明に基づいて、本願の優先権主張の日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというもの、さらに、本件出願は、発明の詳細な説明の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないというもの、本件出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第１号に規定する要件を満たしていないというもの、並びに、本件出願は、特許請求の範囲の記載が下記の点で不備のため、特許法第３６条第６項第２号に規定する要件を満たしていないというものである。
　
３　本願発明
　本願の請求項１〜６に係る発明は、平成２７年２月１３日に提出された手続補正書により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜６に記載されている事項により特定されるとおりのものであり、そのうちの請求項５に係る発明（以下「本願発明」という。）は、その請求項５に記載されている事項により特定される次のとおりのものである。
　
「【請求項５】
半導体デバイス（１０）であって、
　第１表面及び第２表面を有し、１×１０１５cm−３〜１×１０１９cm−３のドーパントの初期キャリヤー濃度を有し、該ドーパントの初期キャリヤー濃度が初期導電型を付与する炭化珪素基板（１２）と、
　該炭化珪素基板の第１表面上にある少なくとも１つのエピタキシャル層（１４）と、
　炭化珪素基板の第２表面から第１表面に向かって伸びており炭化珪素基板の領域の一部を占める漸増キャリヤー濃度帯であって、第２表面から第１表面に向かってドーパント濃度が漸次低下しており、漸増キャリヤー濃度帯におけるキャリヤー濃度が１×１０１８cm−３〜１×１０２０cm−３であり、初期キャリヤー濃度に比べて高い漸増キャリヤー濃度帯（１６）と、
　炭化珪素基板の第２表面上のニッケルからなるオーミックコンタクト（１８）と
を備えることを特徴とする半導体デバイス。」
　
４　引用例の記載と引用発明
（１）引用例１の記載
　引用例１には、「SOLID STATE POWER-CONTROL DEVICE USING GROUP III NITRIDES」（Title）に関して、FIG.1〜18とともに、以下の事項が記載されている（下線は当審で付加した。以下同じ。）。
　
ア　「
Field of the Invention
  The field of the invention relates to semiconductors and, more particularly, to power-control transistors.」
（「
発明の技術分野
　発明の技術分野は半導体に関し、さらには、電力制御トランジスタに関する。」）（審決注：合議体にて翻訳。以下同じ。）
　
イ　「FIG. 2 shows a diode 20 under another embodiment of the invention. Under the embodiment, a substrate 34 of silicon- carbide is provided to further enhance the performance of the diode 30. The SiC substrate 34 may be created using known techniques. The GaN drift region 32 may then be epitaxially deposited on the substrate 34 either directly or through the use of interfacial layers as described above. Other interfacial layers such as SiTe may also be worked to obtain an improved lattice match.」
（「図２は、本発明の別の実施形態のダイオード２０を示す。本実施形態では、ダイオード３０のパフォーマンスをより強化するために、炭化ケイ素基板３４が提供されている。ＳｉＣ基板３４は、公知技術を用いて形成されてよい。ＧａＮドリフト領域３２は、上述のように、直接または界面層の使用を通して、基板３４上に次にエピタキシャル堆積されてよい。ＳｉＴｅのような他の界面層も、改良された格子整合を得るために機能させうる。」）
　
ウ　「
FIG. 13 depicts a metal insulated semiconductor field effect transistor (MISFET) 50 
n-type drift region 52 are fabricated using an epitaxial process
…（略）… 
  Following the trench refill, the device must again be masked and exposed to reveal a somewhat larger area around the gate 62. A dielectric 64 (e.g., AlN) may be laid down over the area again using an epitaxial process. The process may be completed by laying down 
a metal layer
68 to create the
drain connections
 
  In another embodiment, 
a n+ type SiC substrate 74
 is used as shown in FIG. 14
 
  The n+ type SiC substrate 74（「78」は誤記と認定した。） would be expected to have a doping level of lel9 cm -3 . The n-type GaN drift region 72 would have a doping level of lel6 cm -3 . The p-type GaN channel region 76 would have a doping level of lel7 cm -3 . The n+ type GaN region 88 would have a doping level of lel9 cm -3 .」
（「
図１３は
金属絶縁半導体電界効果トランジスタ（ＭＩＳＦＥＴ）５０を示す
ｎ型ドリフト領域５２が
エピタキシャルプロセスを用いて形成
　…（略）…
　トレンチの充填に続き、デバイスは再びマスクされゲート６２付近のより大きな領域を曝露するように露出される。誘電体６４（例えば、ＡｌＮ）が、エピタキシャルプロセスを用いて再び該領域の上方に形成されてもよい。プロセスは、ソース及び
ドレイン接続を形成するための金属層
６８
　
　別の実施形態では、注入効率の制御と熱移動の改善のために、
図１４に示されるようにｎ＋型ＳｉＣ基板７４が用いられる
　
　ｎ＋型ＳｉＣ基板７４は、ドーピングレベル１ｅ１９ｃｍ−３を有すると予想されるであろう。ｎ型ＧａＮドリフト領域７２はドーピングレベル１ｅ１６ｃｍ−３を有するであろう。ｐ型ＧａＮチャネル領域７６は、ドーピングレベル１ｅ１７ｃｍ−３を有するであろう。ｎ＋型ＧａＮ領域８８は、ドーピングレベル１ｅ１９ｃｍ−３を有するであろう。」）
　
ウ　引用例１のＦＩＧ．１３についての記載を勘案するとともに、ＦＩＧ．１４を参照すると、金属絶縁半導体電界効果トランジスタ（ＭＩＳＦＥＴ）７０は、ｎ＋型ＳｉＣ基板７８と、ｎ＋型ＳｉＣ基板７４の上面にあるｎ型ＧａＮ層７２と、ｎ＋型ＳｉＣ基板７８の裏面にあるドレイン接続を形成するための金属層７８を備えることが見てとれる。
　
（２）引用発明
ア　引用例１のＦＩＧ．２及びＦＩＧ．１３についての記載を勘案すると、ＦＩＧ．１４のｎ型ＧａＮ層７２はエピタキシャルプロセスを用いて形成された層であることは明らかである。
　
イ　そうすると、ＦＩＧ．１３を参酌してまとめると、引用例１には、「ＦＩＧ．１４」に示される「別の実施形態」として、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「金属絶縁半導体電界効果トランジスタ７０であって、
　上面及び裏面を有するｎ＋型ＳｉＣ基板７４と、
　該ｎ＋型ＳｉＣ基板７４の上面上にあるエピタキシャルプロセスを用いて形成されたｎ型ＧａＮ層７２と、
　ＳｉＣ基板７４の裏面上のドレイン接続を形成するための金属層７８とを備える金属絶縁半導体電界効果トランジスタ７０。」
　
（３）引用例２：特開平８−８２１０号公報
　引用例２には、「炭化けい素半導体素子の製造方法」（発明の名称）に関して、図１〜６とともに以下の事項が記載されている。
　
ア　「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、炭化けい素 (以下ＳｉＣと記す) からなる半導体基体にオーム性接触する電極を備えたＳｉＣ半導体素子の製造方法に関する。」
　
イ　「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】大きい電流が流れる
電力用半導体素子では、金属・半導体界面のオーム性接触が重要
ＳｉＣは、キャリア濃度が高いほど金属の半導体界面の接触抵抗が低いという報告
キャリア濃度が2.９×１０
19
／ｃｍ
3 
のときにＲｃが1.５×１０
-5
Ω・ｃｍ
2 
キャリア濃度が１０
15
〜１０
17
／ｃｍ
3 
程度と低い良質のＳｉＣ
【０００４】
  本発明の目的は、上述の問題を解決し、良質の低キャリア濃度のＳｉＣ結晶に低いＲｃをもつ電極を形成するＳｉＣ半導体素子の製造方法を提供することにある。」
　
ウ　「【０００６】
【作用】イオン注入により半導体基体に入射したイオン種は、ジグザグの径路を通って停止する。入射点より停止点までを直線で結び、これを入射点よりの垂線に投影した値、つまり基体表面よりの深さを射影飛程と呼ぶ。射影飛程は統計的な変動幅をもって分布する結果、
打ち込まれたイオン種は半導体基体中でピーク濃度を中心とするガウス形の分布をする
ＳｉＣ基体と同一導電形のドーパントをイオン注入し、表面からそのピーク濃度の位置までＳｉＣ基体を熱酸化し、その酸化層を除去すれば、打ち込まれたドーパントの最も濃度の高い、低抵抗の部分が露出するので、基体自体は低キャリア濃度でも低い接触抵抗をもつオーム性接触電極をＳｉＣ基体上に形成することができる
　
エ　「【０００７】
【実施例】以下、図を引用して本発明の実施例について述べる。図１に示すように
ｎ形６Ｈ−ＳｉＣよりなる基板１に、イオン種２としてｎ形のドーパントである窒素を用いてイオン注入した
注入された窒素がほとんど拡散せずに、その場で低抵抗の高濃度層を形成している
表面から射影飛程分布のピーク値Ｒｏの深さまで酸化
酸化膜を除去
低抵抗の高濃度ドープ層３が露出
電極材料としてＮｉを用いて金属電極５を高濃度ドープ層３に接触させた
　
オ　「【０００９】
【発明の効果】
  本発明によれば、ＳｉＣ基体の表面から基体と同一導電形のドーパントをイオン種としてイオン注入したのち、そのピーク濃度の深さまでを熱酸化とエッチングの組み合わせで除去して
高キャリア濃度の層を表面に露出させる
この表面に金属電極を形成すれば、基体自体は低キャリア濃度でもオーム性接触となり
　
５　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
ア　引用発明の「金属絶縁半導体電界効果トランジスタ７０」、「上面」、「裏面」、「ＳｉＣ基板７４」、「エピタキシャルプロセスを用いて形成されたｎ型ＧａＮ層７２」、及び「ドレイン接続を形成するための金属層７８」は、それぞれ本願発明の「半導体デバイス」、「第１表面」、「第２表面」、「炭化珪素基板」、「エピタキシャル層」、及び「『炭化珪素基板の第２表面上』の『コンタクト』」に相当する。
　
イ　引用発明の「Ｓｉ基板７４」は、「ｎ＋型」であるから、「『ドーパント」の『キャリヤー濃度を有し』、『該ドーパント』の『キャリヤー濃度』が『導電型を付与する』」ものであることは、明らかである。
ウ　引用発明の「金属層７８」は、「金属絶縁半導体電界効果トランジスタ７０」の備える「ドレイン接続を形成するための金属層７８」であるから、技術常識（後述の周知例１を参照のこと。）を勘案すると、「『オーミック』コンタクト」であるといえる。
　
エ　したがって、本願発明と引用発明との一致点及び相違点は次のとおりである。
＜一致点＞
　「半導体デバイスであって、
　第１表面及び第２表面を有し、ドーパントのキャリヤー濃度を有し、該ドーパントのキャリヤー濃度が導電型を付与する炭化珪素基板と、
　該炭化珪素基板の第１表面上にあるエピタキシャル層と、
　炭化珪素基板の第２表面上のオーミックコンタクトと
を備える半導体デバイス。」
　
＜相違点１＞
　「炭化珪素基板」について、本願発明では、「１×１０１５cm−３〜１×１０１９cm−３のドーパントの初期キャリヤー濃度を有し、該ドーパントの初期キャリヤー濃度が初期導電型を付与する」ものであるのに対し、引用発明では、「ｎ＋型ＳｉＣ基板７４」の「初期導電型を付与する」「ドーパントの初期キャリヤー濃度」は特定されていない点。
　
＜相違点２＞
　本願発明は、「炭化珪素基板の第２表面から第１表面に向かって伸びており炭化珪素基板の領域の一部を占める漸増キャリヤー濃度帯であって、第２表面から第１表面に向かってドーパント濃度が漸次低下しており、漸増キャリヤー濃度帯におけるキャリヤー濃度が１×１０１８cm−３〜１×１０２０cm−３であり、初期キャリヤー濃度に比べて高い漸増キャリヤー濃度帯（１６）」を備えるのに対し、引用発明では、「ＳｉＣ基板７４の裏面から上面に向かって伸びておりＳｉＣ基板の一部を占める漸増キャリヤー濃度帯」については特定されていない点。
　
＜相違点３＞
　「オーミックコンタクト」が、本願発明では、「ニッケルからなる」のに対し、引用発明では、「金属層７８」の金属材料については具体的に特定されていない点。
　
６　当審の判断
　以下、上記相違点１〜相違点３について検討する。
（１）相違点１及び２について
　相違点１及び２は関連するので、まとめて検討する。
　
ア　引用例２には、
ｎ形６Ｈ−ＳｉＣ基板１
オーム性接触する、低抵抗の金属電極５
　したがって、引用例２に記載の上記技術において、６Ｈ−ＳｉＣ基板１は、「『ｎ形』ＳｉＣ基板」であるから、「『初期キャリア（キャリヤー）濃度を有し、該ドーパントの初期キャリア（キャリヤー）濃度が初期導電型』であるｎ形を『付与する炭化珪素基板』」であるといえる。
　
　また、引用例２には、打ち込まれたイオン種は半導体基体中でピーク濃度を中心とするガウス形の分布をしていることも記載されている。
　したがって、引用例２に記載の上記技術において、ＳｉＣ基板１の露出面からＳｉＣ基板内部に向かってキャリア濃度が減少していることは明らかである。
　
　引用発明においても、ドレイン接続を形成するための金属層７８（オーミックコンタクト）を、低抵抗とすべきことは当業者であれば当然認識している事項であるから、引用発明において、引用例２に記載された技術を用いることは、当業者が容易になし得たことである。 
　
イ　一方、引用例２の「実施例」として記載された技術は、「ｎ＋型ＳｉＣ基板７４」のキャリア濃度の明示はないものの、引用例２の段落【０００３】〜【０００４】の記載を参照するならば、「実施例」として記載された技術においても、「ＳｉＣ基板１」のキャリア濃度、すなわち「ＳｉＣ基板１」の「ドーパントの初期キャリア（キャリヤー）濃度」を、「１０１５〜１０１７／ｃｍ３程度」としたり、「高濃度ドープ層３」のキャリア（キャリヤー）濃度を「２.９×１０19／ｃｍ3」程度としたりすることは、当然想定の範囲内であるといえる。
　
ウ　「ＳｉＣ基板１」の「ドーパントの初期キャリア濃度」の数値範囲、及び「高濃度ドープ層３」のキャリア濃度の数値範囲について、さらに検討する。
　下記の周知例１及び２に記載のように、炭化珪素基板を備えるＭＯＳＦＥＴにおいて、Ｎｉからなるドレイン電極やソース電極が形成される炭化珪素からなるドレイン領域またはソース領域の不純物濃度を、１０１９ｃｍ−３以上とすることは、周知技術である。
　
（ア）周知例１：特開平８−２１３６０６号公報
・「【０００７】
【作用】…（略）…またソース領域とドレイン領域の表面層に形成する高濃度の第一導電形層はその表面に形成されるソース電極およびドレイン電極との接続がオーミック性を確保する働きがある。」
　
・「【０００８】
【実施例】図１はこの発明の一実施例を示す横形高耐圧ＭＯＳＦＥＴの断面構造図である。炭化ケイ素半導体基板１上にエピタキシャル成長でｎ層２とｐ層３を積層し、積層基板とする。ｐ層３の表面層にｎ+ ソース領域４を選択的に形成し、つぎにｎ+ ソース領域４を有するｐ層３を部分的に除去し、
ｎ層２を露出させ、露出したｎ層２の表面層にｎ
+ 
ドレイン領域６を形成
【０００９】図２はこの発明の製造工程の一実施例を示し、同図（ａ）ないし同図（ｄ）は先行の工程を順番に示している。同図（ａ）は不純物濃度が１０18ｃｍ-3程度のｎ形ないしｐ形の炭化ケイ素半導体基板１に
１０
15
ｃｍ
-3
ないし１０
16
ｃｍ
-3
のｎ形エピタキシャル層（ｎ層２）
ｎ層２の表面層に不純物濃度が１０
19
ｃｍ
-3
以上
のｎ
+ 
ドレイン領域６を形成
【００１０】図３は図２に引き続く後工程を順番に同図（ａ）ないし同図（ｂ）に示す。同図（ａ）はゲート電極９下のゲート酸化膜８以外の酸化膜８１を除去し、ｎ+ ソース領域４上および
ｎ
+ 
ドレイン領域６上に
ドレイン電極１１をオーミックコンタクトするようにそれぞれ形成
ｎ
+
 ドレイン領域６上にオーミックコンタクトする
ドレイン電極１１の材質はＮｉ
　
（イ）周知例２：特開平１１−１２１７４４号公報
・「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、炭化珪素（ＳｉＣ）を用いた半導体装置の電極取り出し部におけるコンタクト抵抗を低減した半導体装置及びその製造方法に関し、特にＭＯＳトランジスタ等に適用すると好適である。」
　
・「【００２８】これにより、ｎ+ 型炭化珪素半導体基板１上に形成されたｎ- 型炭化珪素半導体層２とｐ- 型炭化珪素半導体層３とからなるダブルエピ上に、さらに３Ｃの炭化珪素からなるｎ- 型炭化珪素半導体層２０を備えたウェハが形成される。
〔図３（ｂ）に示す工程〕ウェハ上に積層形成したＬＴＯからなるマスク材２１を形成し、７００℃の温度下で、窒素（Ｎ2 ）イオンをドーズ量８×１０15ｃｍ-2で注入する。これにより、ｎ- 型炭化珪素半導体層２０及びｐ- 型炭化珪素半導体層３の表層部の所定領域にｎ+ 型ソース領域５が形成される。このため、ｎ+ 型ソース領域５の上部は３Ｃの炭化珪素で、下部は六方晶の炭化珪素で形成される。この後、１３００℃、１０秒間のアニーリング処理を施す。
【００２９】〔図３（ｃ）に示す工程〕マスク材２１を除去したのち、再びｎ+ 型ソース領域５の表面をマスク材２２で覆い、７００℃の温度下で、アルミニウムイオンをドーズ量２×１０16ｃｍ-2で注入する。すなわち、上述したように、アルミニウムイオンを注入するときの表面層が３Ｃの炭化珪素からなるｎ+ 型炭化珪素半導体層２０であるため、
アルミニウムイオンのドーズ量を多くでき、この場合、不純物濃度を１×１０
21
ｃｍ
-3
という非常に高いものにすることができる
このため、取り出し部におけるコンタクト抵抗を低減することができる
【００３０】このようにして、ｎ+ 型ソース領域５の周囲におけるｎ- 型炭化珪素半導体層２０及びｐ- 型炭化珪素半導体層３の表層部に
ｐ
+ 
型炭化珪素半導体領域４が形成
【００３４】〔図５（ｂ）に示す工程〕ゲート電極層１０上面に気相成長法（例えば化学蒸着法）等によりＬＴＯからなる絶縁膜１１を形成する。
〔図５（ｃ）に示す工程〕フォト・エッチングによって絶縁膜１１及び熱酸化膜９の所定領域に、ｎ+ 型ソース領域５及びｐ+ 型炭化珪素半導体領域４に連通するコンタクトホールを選択的に形成する。この後、絶縁膜１１上を含むｎ+ 型ソース領域５と
ｐ
+ 
型炭化珪素半導体層４の表面に、
Ｎｉからなるソース電極１２を形成
　
・「【００４３】…（略）…なお、上記実施形態では、
縦型パワーＭＯＳＦＥＴのソース領域５について述べたが、上記ソース領域５に限らず炭化珪素半導体領域と金属電極とのコンタクトをとる部分に本発明を適用することができる
　
エ　そして、引用発明に引用例２に記載された技術を適用するにあたり、上記「当然想定の範囲内」の数値範囲を勘案するとともに、上記周知例１、２に接した当業者であるならば、「ＳｉＣ基板１」の「ドーパントの初期キャリア濃度」の数値範囲、及び「高濃度ドープ層３」のキャリア濃度の数値範囲を、それぞれ、「１×１０１５cm−３〜１×１０１９cm−３」、「『ＳｉＣ基板の裏面から上面に向かってドーパント濃度が漸次低下しており』、該高濃度ドープ層における『キャリア（キャリヤー）濃度が１×１０１８cm−３〜１×１０２０cm−３であり、初期キャリア（キャリヤー）濃度に比べて高い』」ものとすることは、容易になし得たことである。
　
オ　したがって、引用発明に引用例２に記載された技術を適用するにあたり、各構成要素のキャリア濃度を設定することにより、本願発明の上記相違点１及び２に係る構成を備えたものとすることは、当業者であれば適宜なし得る程度のことである。 
　
　よって、相違点１及び２は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（２）相違点３について
　引用例２の段落【０００７】には、高濃度ドープ層３に接触させる金属電極５の電極材料としてＮｉを用いることが記載されている。
　したがって、上記（１）で検討したように、引用発明に引用例２に記載された技術を適用するにあたり、金属層７８（オーミックコンタクト）を、「ニッケルからなる」コンタクトとすることは当業者であれば適宜なし得たことである。
　
　よって、相違点３は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（３）判断についてのまとめ
　以上検討したとおり、相違点１ないし相違点３は、いずれも当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　したがって、本願発明は、周知技術を勘案することにより、引用発明及び引用例２に記載された技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　
７　むすび
　以上のとおり、本願発明は、周知技術を勘案することにより、引用発明及び引用例２に記載された技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、請求項１〜４、６〜８に係る発明について検討するまでもなく、当審で通知した上記拒絶の理由によって拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。