【事件の表示】
　平成　４年特許願第３１８１７０号「固体撮像装置の製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　６年　６月１０日出願公開、特開平　６−１６３９７１］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成４年１１月２７日の出願であって、その請求項１〜５に係る発明は、平成１１年６月４日付け及び平成１３年１１月２８日付けの手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜５に各々記載されたとおりのものであるところ、請求項１に係る発明（以下、本願発明という）は、次のとおりである。
　「１導電型の半導体基板上に前記基板と逆導電型の半導体層を形成する工程と、前記半導体層内に前記半導体層と同じ導電型の複数の第１の拡散層を形成する工程と、前記第１の拡散層表面に前記第１の拡散層と逆の導電型の第２の拡散層を形成する工程と、前記第２の拡散層と隣接し、前記第２の拡散層と逆の導電型の第３の拡散層を形成する工程と、前記第１の拡散層間で第１の拡散層から離れた位置でかつ前記第３の拡散層と少なくとも隣接した位置に前記第１の拡散層と逆の導電型の第４の拡散層を形成する工程と、前記第４の拡散層の表面に前記第４の拡散層と逆の導電型の第５の拡散層を形成する工程と、前記第５の拡散層の表面に前記第５の拡散層と同じ導電型でかつ前記第５の拡散層より高い不純物濃度を有する第６の拡散層を形成する工程とを有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。」
　　　
２．引用刊行物に記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願出願前に頒布された刊行物である特開平３−１８０５９号公報（以下、引用例１という）には、次のように記載されている。
　「第３図（ａ）〜（ｄ）は従来の技術による固体撮像装置の製造方法を示した工程断面図であり、光電変換部（以下、フォトダイオードと記す）と垂直シフトレジスタ部（以下、垂直ＣＣＤ部と記す）とで構成されている。１はｎ型シリコン基板、２はｐウエル、３はフォトダイオード部、４は垂直ＣＣＤ部、５はｎ−型領域（フォトダイオード）、６はｐ＋領域、７はｎ＋領域、８はｐ＋領域、９はｐ＋＋領域、１０はゲート酸化膜、１１はポリシリコン電極、１２はポリシリコン上の酸化膜、１５はｐ＋領域、１６は層間絶縁膜、１７はアルミニウム遮光膜である。
　以上のように構成された固体撮像装置の製造方法について、以下説明する。
　第３図（ａ）のように、ｎ型シリコン基板１上にｐウエル２を形成した後、フォトダイオード領域となるｎ−領域５を形成する。ここで、ｎ−領域５は、光電変換効率を向上させるため完全空乏化するように、その注入条件及び、熱処理条件が最適化されている。
　次に、第３図（ｂ）のようにスミア対策としてｐ＋領域６、垂直ＣＣＤ部としてｎ＋領域７、読みだしポテンシャル制御としてｐ＋領域８、チャネルストッパーとしてｐ＋＋領域９を形成する。
　次いで、第３図（ｃ）のように、ゲート酸化膜１０、ポリシリコン電極１１、ポリシリコン上の酸化膜１２を形成した後、フォトダイオードの界面準位を低減するためにｐ＋領域１５を注入により形成し、埋め込み構造のフォトダイオードとする。
　最後に、第３図（ｄ）のように、垂直ＣＣＤ部、フォトダイオード部の形成後、層間膜１６、アルミニウム遮光膜１７を形成する。」（第１頁右下欄第４行〜第２頁左上欄第１５行）
　「第１図は本発明の一実施例によって形成された固体撮像装置の断面図を示すものである。第１図において、１はｎ型シリコン基板、２はｐウエル、３はフォトダイオード部、４は垂直ＣＣＤ部、５はｎ−型領域（フォトダイオード）、６はｐ＋領域、７はｎ＋領域、８はｐ＋領域、９はｐ＋＋領域、１０はゲート酸化膜、１１はポリシリコン電極、１２はポリシリコン上の酸化膜、１３はｎ＋領域、１４はｎ型領域、１５はｐ＋領域、１６は層間絶縁膜、１７はアルミニウム遮光膜、１８はレジストである。
　以上のように構成された固体撮像装置をその製造方法に沿って、第２図（ａ）〜（ｄ）の工程順断面図を参照して詳しく説明する。
　第２図（ａ）のように、前記従来例と同様にフォトダイオード部及び垂直ＣＣＤ部の形成後、フォトダイオード部にのみ注入を行うため、第２図（ｂ）のように、レジスタ１８によってパターニングを行い、基板面からの角度が約６０°の斜め方向より、読み出しゲート側に斜めイオン注入を行い、ｎ＋領域１３を形成する。次に、第２図（ｃ）のように、上記角度と同角度で、先の斜めイオン注入と法線をはさんで逆方向からチャネルストッパー側に斜めイオン注入を行い、ｎ型領域１４を形成する。そして、最後に第２図（ｄ）のように、垂直方向のイオン注入によりフォトダイオードの基板表面にｐ＋領域１５を形成し、アニールにより活性化する。」（第２頁右下欄第４行第３頁左上欄第１１行）
　以上の記載からすれば、引用例１には、「ｎ型シリコン基板１上にｐウエル２を形成した後、ｐウエル２内にフォトダイオード領域となるｎ−領域５を形成し、ｐウエル２内にｐ＋領域６、垂直ＣＣＤ部としてのｎ＋領域７、読み出しポテンシャル制御としてのｐ＋領域８、チャネルストッパーとしてのｐ＋＋領域９を形成し、ゲート酸化膜１０、ポリシリコン電極１１、ポリシリコン上の酸化膜１２を形成した後、レジスト１８によってパターニングを行い、フォトダイオード部にのみイオン注入を行ってｎ＋型領域１３及びｎ型領域１４を形成した後、さらにその上にイオン注入によりｐ＋領域１５を形成する固体撮像装置の製造方法」が記載されているものと認められる。
　同じく引用された特開平４−２６６０６３号公報（引用例２という）には、次のように記載されている。
  「【請求項１】基体上に形成された読み出しゲートとセルフアラインで第１導電型の不純物がイオン注入され、その不純物によりフォトダイオードの一部が上記基体中に形成される工程と、複数回の第２導電型の不純物のイオン注入のうち、少なくとも１回の第２の導電型の不純物のイオン注入は上記読み出しゲート電極の端部と一定間隔を有したものとされ、上記複数回のイオン注入で導入された第２導電型の不純物の拡散により上記フォトダイオードの一部の表面に正電荷蓄積層が形成される工程とを有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。」（特許請求の範囲請求項１）
　「【００１０】図１は、このようなＣＣＤイメージセンサーの読み出し部付近の断面構造を示す図である。ＣＣＤイメージセンサーは、ｎ型のシリコン基板１１を用いて形成され、このｎ型のシリコン基板１１上にはｐ型のウェル領域１２が形成される。シリコン基板１１の表面１１ａには、図示しない絶縁膜を介して読み出しゲート電極１３が所要のパターンで形成される。この読み出しゲート電極１３は、例えばポリシリコン層やポリシリコン層及びシリサイド層の組合せ等からなる。
【００１１】ｐ型のウェル領域１２には、読み出しゲート電極１３とセルフアラインでｎ型の不純物がイオン注入され、そのイオン注入によって、ｎ＋型の不純物領域１４が形成される。このｎ＋型の不純物領域１４はフォトダイオードの一部として機能し、入射光に応じて発生した信号電荷（電子）が蓄積される。
【００１２】このｎ＋型の不純物領域１４の表面側には、２回のイオン注入によって不純物が打ち込まれ、合わせて正電荷蓄積層１７が形成されている。詳しくは、先ず、読み出しゲート電極１３の端部１３ｓに対してセルフアラインで第１回目のイオン注入が行われ、第１のｐ＋型の不純物領域１５が形成される。次に、読み出しゲート電極１３の端部１３ｓから距離Ａ０だけ間隔を空けた位置にマスク等が形成され、この位置に第２回目イオン注入によって第２のｐ＋型の不純物領域１６が形成される。これら第１のｐ＋型の不純物領域１５と第２のｐ＋型の不純物領域１６の不純物は、それぞれ熱処理等により拡散する。・・・・図１中、斜線で示す領域が第１及び第２のｐ＋型の不純物領域１５，１６の重なり合った領域であり、この重複した領域が正電荷蓄積層１７となる。・・・・」（段落【００１０】〜【００１２】）
　　　
３．対比、判断
　本願発明と、引用例１に記載のものとを対比すると、引用例１に記載のものにおける「ｎ型シリコン基板１」、「ｐウエル２」、「ｐ＋領域６」、「ｎ＋領域７」、「ｐ＋領域８」、「ｎ−領域５」は、導電型及び相互の位置関係において、それぞれ本願発明における「１導電型の半導体基板」、「基板と逆導電型の半導体層」、「半導体層と同じ導電型の第１の拡散層」、「第１の拡散層と逆の導電型の第２の拡散層」、「第２の拡散層と逆の導電型の第３の拡散層」、「第１の拡散層と逆の導電型の第４の拡散層」に相当するものであり、また、引用例１に記載のものにおいて、固体撮像装置としては、ｐ＋領域６が複数形成されるのは当然であるから、本願発明と引用例１に記載のものとは、「１導電型の半導体基板上に前記基板と逆導電型の半導体層を形成する工程と、前記半導体層内に前記半導体層と同じ導電型の複数の第１の拡散層を形成する工程と、前記第１の拡散層表面に前記第１の拡散層と逆の導電型の第２の拡散層を形成する工程と、前記第２の拡散層と隣接し、前記第２の拡散層と逆の導電型の第３の拡散層を形成する工程と、前記第１の拡散層間で第１の拡散層から離れた位置でかつ前記第３の拡散層と少なくとも隣接した位置に前記第１の拡散層と逆の導電型の第４の拡散層を形成する工程と、前記第４の拡散層の表面に前記第４の拡散層と逆の導電型の第５の拡散層を形成する工程とを有する固体撮像装置の製造方法」である点において一致するが、本願発明においては、さらに、第４の拡散層の表面に第４の拡散層と逆の導電型の第５の拡散層を形成する工程と、第５の拡散層の表面に第５の拡散層と同じ導電型でかつ第５の拡散層より高い不純物濃度を有する第６の拡散層を形成する工程を有するのに対し、引用例１に記載のものにおいては、ｎ−領域５にｎ＋型領域及びｎ型領域を形成した後に、イオン注入によりｐ＋領域１５形成しているが、ｐ＋型領域を２層に形成して外側の層の不純物濃度を高くするようにはしていない点において相違する。
　そこで、上記相違点について検討する。
　固体撮像装置のフォトダイオード部において、基板上のウェル領域において形成された不純物領域の表面側に同じ導電型のイオンを２回注入することによって不純物を打ち込み正電荷蓄積層を形成することについて引用例２に記載されており、この場合、１回目のイオン注入により不純物領域１５が、２回目のイオン注入により不純物領域１６が形成され、それぞれの領域の不純物を熱処理等により拡散させており、不純物領域１５，１６の重なり合った領域１７においては、２回のイオン打ち込みの両方の不純物を含有するので、他の領域より不純物濃度が高くなること、すなわち、２層の不純物領域において外側の層がより不純物濃度が高くなることは明らかである。そして、引用例２に記載のものにおいて、２回目に１回目より深くまでイオン打ち込み熱処理等による不純物を拡散させて、不純物領域１５，１６の重なり合った領域１７と２回目のイオン打ち込みによる領域１６との２層になるのに対して、本願発明においては、第５の拡散層を形成し、第５の拡散層の表面により高い濃度の第６の拡散層を形成するというように、２層の形成工程としては相違するが、２回の同じ導電型のイオン注入により２層の不純物領域を形成し、外側の領域の方を不純物濃度が高くなるようにする点では、両方の手法は同様であり、２層のうち外側の層の不純物濃度が高くなるようにする場合に、１回目のイオン注入により不純物濃度の低くなる領域を形成した上で、２回目のイオン注入により外側に不純物濃度の高い層となる領域を形成することは、不純物領域の層を形成する際に通常用いられる工程を適用した程度のことであり、当業者が容易に想到し得るところである。
　そして、外側の領域の方が不純物濃度が高くなることでは何れの工程によっても変わりはない。また、本願発明の製造方法によって形成された固体撮像装置として特に相違が生ずることもない。
　　　　　　
４．むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、引用例１及び引用例２に各々記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定によりに特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。