【事件の表示】
　特願２０１１−２７９３５６「ウェーハレベルの燐光体被覆方法およびその方法を利用して製作される装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　３月２２日出願公開、特開２０１２−　６０１８１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、２００７年１１月２０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００７年１月２２日、米国、２００７年９月７日、米国）を国際出願日とする特願２００９−５４７２１８号の一部を平成２３年１２月２１日に新たな特許出願としたものであって、平成２５年１月２３日付けで拒絶理由が通知され、同年４月２５日に特許請求の範囲の補正がなされたが、同年７月３１日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月９日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に特許請求の範囲の補正がなされたものである（以下、この平成２５年１２月９日になされた補正を「本件補正」という。）。
　
２　本件補正についての却下の決定
（１）結論
　本件補正を却下する。
　
（２）理由
　ア　補正の内容
　本件補正は、特許請求範囲の請求項１を
「発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージであって、
　サブマウントに取り付けられたＬＥＤチップと、
　前記ＬＥＤを覆って取り付けられたレンズとを含み、したがって前記ＬＥＤチップからの光は前記パッケージから前記レンズを通って発せられ、各ＬＥＤチップは、
　ＬＥＤと、
　前記ＬＥＤを少なくとも部分的に覆いかつ前記サブマウントを覆わない一体化した被覆とを含み、
　前記ＬＥＤの表面は、テキスチャ付きであ
り、
　
前記一体化した被覆は、前記ＬＥＤから発せられる光の少なくとも一部をより長い波長に変換するように配置され、
　
前記ＬＥＤパッケージは、前記ＬＥＤの活性層に電気的に接触する複数の脚柱であって、該複数の脚柱のうち少なくとも２つの脚柱が同じ活性層に電気的に接触する、複数の脚注をさらに含み、前記複数の脚柱は、電気的接触のために前記被覆を貫通しかつ露出する
に補正する内容を含むものである。　
　                                               
　イ　補正の適否についての判断
　本件補正により、脚柱が活性層に電気的に接触するとの記載が導入されたが、本願の願書に最初に添付した明細書又は特許請求の範囲には、脚柱に関して、「ＬＥＤに電気的に接触する」とか「コンタクトに電気的に接触する」の記載はあるものの、「活性層に電気的に接触する」ことの記載はない。
　また、本願の願書に最初に添付された図面を参照しても、脚柱が活性層に電気的に接触することが記載されていると認めることはできない。
　したがって、本件補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものとはいえない。　
　
　ウ　小括
　よって、上記アの補正内容を含む本件補正は、特許法第１７条の２第３項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
（３）付言
　なお、仮に、「脚柱が活性層に電気的に接触する」との事項が意味するところについて、本件補正後の請求項１に係る発明が、請求人が審判請求書にて補正の根拠とする本願図１５に示されるような、活性領域１４を間に挟むｎ型エピタキシャル層１６とｐ型エピタキシャル層１８のそれぞれに脚柱２８、３０が電気的に接触するものである（明細書【０１０１】参照）として取り扱っても、また、審判請求書にて補正の根拠として示してはいないが、本願図２０に示されるような、ＬＥＤの表面の２つのコンタクト７５８に電気的に接触する２つ脚柱を有するものである（明細書【０１２０】、【０１２１】参照）として取り扱っても、以下に検討するとおり、いずれも特許を受けることができないものであるから、本件補正を認める余地はない（以下、本件補正後の請求項１に係る発明に関し、前者を「本願補正発明１」、後者を「本願補正発明２」といい、どちらにも共通する部分については単に「本願補正発明」という。）。
　
　ア　引用例１
　原査定の拒絶理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００２−１１８２９３号公報（以下「引用例１」という。）には、図とともに以下の記載があり、図１において、蛍光物質含有の透光性モールド部材９は、基板１の上部のみにあることがみてとれる。
　
（ア）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶のバックライト、照明光源、各種インジケータや交通信号灯などに利用可能な発光装置に係わり、半導体発光素子とそれよりも長波長の光が発光可能な蛍光物質とを有する長波長変換型発光装置及びその形成方法に関する。」　
　
（イ）「【０００７】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明に係る発光装置は、基板上に半導体層を有する発光素子と、該発光素子からの光の一部を吸収してそれよりも長波長の光が発光可能な蛍光物質と、該蛍光物質を有し前記発光素子の表面を包囲する透光性モールド部材とを有する発光装置であって、前記発光素子の電極上に少なくとも１つのバンプを有し、該バンプの上面は前記透光性モールド部材の上面と略同一平面であることを特徴とする。これによって、信頼性が高く、且つ所望の混色光を均一に発光することが可能な発光装置が得られる。」
　
（ウ）「【００１２】また、本発明に係る発光装置の形成方法は、基板上に半導体層を有する発光素子と、該発光素子からの光の一部を吸収してそれよりも長波長の光が発光可能な蛍光物質と、該蛍光物質を有し前記発光素子の表面を包囲する透光性モールド部材とを有する発光装置の形成方法であって、ウエハーの状態で前記発光素子の電極上にバンプを形成する第１の工程と、前記発光素子の半導体層側に前記バンプを覆うように前記透光性モールド部材となる材料を被覆させる第２の工程と、前記透光性モールド部材となる材料を硬化させた後、研磨により半導体層側から前記ウエハー底面と平行にバンプの上面を露出させる第３の工程と、前記ウエハーをダイシング且つスクライブすることにより切断する第４の工程とを有する。これによって量産性よく発光装置を形成することができる。」
　
（エ）「【００２４】以下、図を参照にして本発明に係る実施の形態について説明する。図１は本発明の一実施の形態に係る発光ダイオードの模式的断面図である。絶縁性基板上１に、少なくともｎ型窒化物半導体層２、活性層（図示されていない）、及びｐ型窒化物半導体層３が順に積層形成され、ｐ型窒化物半導体層３のほぼ全面に形成された透明な第１正電極４と、第１正電極４上の一部に形成されたボンディング用の第２正電極５と、ｐ型窒化物半導体層３側からエッチング等により露出されたｎ型窒化物半導体層２上に負電極６とを有し、各電極のボンディング面を除いて絶縁性保護膜７が形成されてなる発光素子を用いている。このような発光素子の各電極のボンディング面上にそれぞれバンプ８が設けられ、これらのバンプの上面を露出させて発光素子の半導体層側上面及び側面に蛍光物質含有の透光性モールド部材９を設けている。」
　　
　イ　引用例２
　同じく、国際公開第２００６／１３５４９６号（以下「引用例２」という。）には、図とともに以下の記載がある（日本語訳は当審による。）。
　
（ア）「This invention relates to semiconductor device die packages, and more particularly to light emitting diode (LED) die packages.」（第１頁第７〜９行）
「本発明は、半導体デバイスダイのパッケージに関し、より詳細には、発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイのパッケージに関する。」
　
（イ）「Referring now to the drawings and particularly to FIGs. 1 and 2, there is shown one embodiment of a semiconductor device die package 10 according to the invention. The die package 10 includes a substrate 12, a semiconductor light emitting device assembly 14 mounted on the substrate and a reflector cup assembly (reflector cup) 16 also mounted on the substrate 12. FIGs. 3 and 4 show the substrate 12 and reflector cup 16, respectively.
　As used herein, the term semiconductor light emitting device may include a light emitting diode (LED) , laser diode and/or other semiconductor device which includes one or more semiconductor layers, which may include silicon, silicon carbide, gallium nitride and/or other semiconductor materials, a substrate which may include sapphire, silicon, silicon carbide and/or other microelectronic substrates, and one or more contact layers which may include metal and/or other conductive layers. The design and fabrication of semiconductor light emitting devices is well known to those having skill in the art and need not be described in detail herein. For example, the semiconductor light emitting device may be gallium nitride-based LEDs or lasers fabricated on a silicon carbide substrate such as those devices manufactured and sold by Cree, Inc. of Durham, North Carolina, although other emitting devices from other material systems may also be used. The light emitting device assembly 14 shown in FIGs. 1 and 2 (and the figures that follow) preferably comprises an LED 17 mounted to a submount 18. The LED/subtnount assembly is then mounted . to the substrate 12 and electrical connection is made to the LED using methods known in the art. The LED 17 and submount 18 are generally referred to herein as LED 17.」（第８頁第３行〜第９頁第２行）
「ここで図面、特に図１および２を参照すると、本発明に従った半導体デバイスダイのパッケージ１０の一実施形態が示されている。ダイパッケージ１０は、基板１２と、この基板に取り付けられた半導体発光デバイス組立品（ａｓｓｅｍｂｌｙ）１４と、同じく基板１２に取り付けられた反射カップ組立品（「反射カップ」）１６とを備える。図３および４は、基板１２および反射カップ１６をそれぞれ示す。
　本明細書で使用されるとき、半導体発光デバイスという用語には、シリコン、炭化珪素、窒化ガリウムおよび／または他の半導体材料を含んでもよい１つまたは複数の半導体層と、サファイア、シリコン、炭化珪素および／または他のマイクロエレクトロニクス用基板を含んでもよい基板と、金属および／または他の導電層を含んでもよい１つまたは複数のコンタクト層とを備える発光ダイオード（ＬＥＤ）、レーザダイオードおよび／または他の半導体デバイスを含むことができる。半導体発光デバイスの設計および作製は、当業者によく知られているので、本明細書で詳細に説明する必要はない。例えば、半導体発光デバイスは、ノースカロライナ州ダラムのＣｒｅｅ  Ｉｎｃ．によって製造販売されているデバイスのような、炭化珪素基板に作製された窒化ガリウムベースのＬＥＤまたはレーザであってもよいが、また、他の材料系による他の発光デバイスが使用されてもよい。図１および２（およびその後に続く図）に示された発光デバイス組立品１４は、好ましくは、サブマウント１８に取り付けられたＬＥＤ１７を備える。ＬＥＤ／サブマウント組立品は次に、基板１２に取り付けられ、当技術分野で知られている方法を使用してＬＥＤに対して電気接続が行われる。ＬＥＤ１７およびサブマウント１８は、一般に、本明細書でＬＥＤ１７と呼ばれる。」
　
（ウ）「Referring now to FIGs. 16 and 17 and as mentioned above, after the LED assembly 14 and reflector cup 16 are mounted to the substrate 12, an encapsulating material, such as liquid silicone gel, can be injected into the cavity 90 of the reflector cup, filling the cavity 90 and covering the LED assembly 14, the substrate's exposed surfaces within the cavity 90, and surfaces of the reflector cup 16 in the cavity, depending on how much encapsulating material is used. As shown in FIGs. 16 and 17, after injection of the encapsulating material (not shown) , secondary optics, such as a lens 92 can be placed over the cavity 90 of the reflector cup 16 and in contact with the encapsulating material . The die package 10 is typically heat-cured, which causes the encapsulating material to solidify and adhere to the lens 92, holding lens 92 in place over the reflector cup cavity 90. Many different lenses and encapsulating materials can be used in die packages according to the present invention to provide different output characteristics. 」（第１８頁第１〜１９行）
「ここで図１６および１７を参照して、上で言及したように、ＬＥＤ組立品１４および反射カップ１６が基板１２に取り付けられた後で、液体シリコーンのゲルなどの封入材料を反射カップの空洞９０に注入して空洞９０を満たすことができ、どの程度の封入材料が使用されるかに応じて、ＬＥＤ組立品１４、空洞９０内の基板の露出表面、および空洞内の反射カップ１６の表面を覆う。図１６および１７に示されるように、封入材料の注入後に（図示せず）、レンズ９２などの２次光学部品が、反射カップ１６の空洞９０の上に、封入材料と接触して配置されてもよい。ダイパッケージ１０は一般に、加熱硬化され、それによって封入材料は凝固し、レンズ９２に付着して、反射カップの空洞９０の上の適所にレンズ９２を保持するようになる。異なる出力特性を実現するために、多くの異なるレンズおよび封入材料が本発明に従ったダイパッケージに使用されてもよい。」　
　
　上記（ウ）によれば、引用例２には、ＬＥＤ組立品１４および反射カップ１６が取り付けられた基板１２の上部にレンズ９２が配置された発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイのパッケージ１０が記載され、ここで、ＬＥＤ組立品１４は、上記（イ）に記載されるようにサブマウント１８に取り付けられたＬＥＤ１７を備えるものである。
　したがって、引用例２には
「サブマウント１８に取り付けられたＬＥＤ１７を備えるＬＥＤ組立品１４が取り付けられた基板１２の上部にレンズ９２が配置された発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイのパッケージ１０。」（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　ウ　対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。　
　引用発明の「サブマウント１８」、「ＬＥＤ１７」、「レンズ９２」及び「発光ダイオード（ＬＥＤ）ダイのパッケージ１０」がそれぞれ、本願補正発明の「サブマウント」、「ＬＥＤチップ」、「レンズ」及び「発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージ」に相当するところであり、両者はともに、
「発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージであって、
　サブマウントに取り付けられたＬＥＤチップと、
　前記ＬＥＤを覆って取り付けられたレンズとを含み、したがって前記ＬＥＤチップからの光は前記パッケージから前記レンズを通って発せられるＬＥＤパッケージ。」の点で一致する。
　
　一方、本願補正発明では、
「各ＬＥＤチップは、
　ＬＥＤと、
　前記ＬＥＤを少なくとも部分的に覆いかつ前記サブマウントを覆わない一体化した被覆とを含み、
　前記ＬＥＤの表面は、テキスチャ付きであり、
　前記一体化した被覆は、前記ＬＥＤから発せられる光の少なくとも一部をより長い波長に変換するように配置され、
　前記ＬＥＤパッケージは、前記ＬＥＤの活性層に電気的に接触する複数の脚柱であって、該複数の脚柱のうち少なくとも２つの脚柱が同じ活性層に電気的に接触する、複数の脚注をさらに含み、前記複数の脚柱は、電気的接触のために前記被覆を貫通しかつ露出する」とされているのに対し、引用発明がこのようなものであるか不明な点で相違する。　
　
　エ　判断
　上記相違点について検討するに、
　引用例２には、上記イ（イ）に記載されるように半導体発光デバイスとして各種の半導体発光デバイスが用いられる旨記載されているから、引用発明におけるＬＥＤ１７として、引用例１に記載される発光装置を採用することに何らの困難性も認められない。
　そして、引用例１に記載される発光装置の「発光素子」、「蛍光物質含有の透光性モールド部材」及び「バンプ」がそれぞれ本願補正発明の「ＬＥＤ」、「被覆」及び「脚柱」に相当するところであり、ここで、引用例１の「透光性モールド部材」は基板の上部のみに存在するものであり、また、「透光性モールド部材」に含有される「蛍光物質」が「発光素子からの光の一部を吸収してそれよりも長波長の光が発光可能な蛍光物質」であることに照らせば、引用発明のＬＥＤ１７として引用例１の発光装置を採用したものにおいては、本願補正発明と同様に
「各ＬＥＤチップは、
　ＬＥＤと、
　前記ＬＥＤを少なくとも部分的に覆いかつ前記サブマウントを覆わない一体化した被覆とを含み、　
　前記一体化した被覆は、前記ＬＥＤから発せられる光の少なくとも一部をより長い波長に変換するように配置され、
　前記ＬＥＤパッケージは、前記ＬＥＤに電気的に接触する複数の脚柱であって、該複数の脚柱のうち少なくとも２つの脚柱が前記ＬＥＤに電気的に接触する、複数の脚柱をさらに含み、前記複数の脚柱は、電気的接触のために前記被覆を貫通しかつ露出する」ものとなるのであって、ここで、本願補正発明では、「前記ＬＥＤの表面は、テキスチャ付きであり、」とされているのに対し、引用例１の発光素子の表面はテクスチャ付きでないが、例えば、原査定の理由に引用された特開２００５−６４１１３号公報の半導体発光素子における凹凸１０や特開２００４−２６６２４０号公報の段落【００５８】の「ｎ型窒化物半導体層５の露出面をＲＩＥにより凹凸（ディンプル加工）を形成しても良い。凹凸（ディンプル加工）形成部は、窒化物半導体の光取り出し側となる。この表面の凹凸形成により光の全反射で出てこない光りを凹凸面で光の角度が変わることで取り出すことができる。即ち、発光した光を凹凸部で乱反射させることにより、従来は全反射していた光を上方へ導き、素子外部に取出すことができる。この凹凸形成は凹凸無しに比べて１．５倍以上の出力向上が期待できる」との記載にみられるように、光取り出しのために半導体発光素子の表面をテクスチャ付きとすることは周知の慣用手段であるから、引用例１の発光素子の表面をテクスチャ付きとすることに格別の困難性は認められない。
　ここで、本願補正発明１について検討するに、引用例１の発光装置において、その「バンプ」は、（図示されていない）活性層を挟むｎ型窒化物半導体層２及びｐ型窒化物半導体層３にそれぞれ負電極６及び正電極５を介して電気的に接触しているから、本願補正発明１に係る構成は、引用例１に記載されているものにすぎない。
　本願補正発明２について検討するに、例えば、特開２０００−１６４９３０号公報の図１３、特開２００１−３４５４８０号公報の図２１、特開２００２−３１９７０４号公報の図２３にみられるように、活性層での電流広がりを助けることができるように電極の数を複数とすることが周知であるから、引用例１の発光装置において、本願補正発明２のごとく構成することに格別の困難性は認められない。
　
　オ　小括
　以上のとおりであって、本件補正後の請求項１に係る発明について、上記本願補正発明１として取り扱っても、上記本願補正発明２として取り扱っても、いずれも引用例１及び２に記載された発明並びに上記周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。　
　
３　本願発明について
（１）本願発明
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２５年４月２５日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし請求項９に記載された事項によって特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。
「発光ダイオード（ＬＥＤ）パッケージであって、
　サブマウントに取り付けられたＬＥＤチップと、
　前記ＬＥＤを覆って取り付けられたレンズとを含み、したがって前記ＬＥＤチップからの光は前記パッケージから前記レンズを通って発せられ、各ＬＥＤチップは、
　ＬＥＤと、
　前記ＬＥＤを少なくとも部分的に覆いかつ前記サブマウントを覆わない一体化した被覆とを含み、
　前記ＬＥＤの表面は、テキスチャ付きであることを特徴とするＬＥＤパッケージ。」
　
（２）判断
　本願発明は、本件補正後の請求項１に係る発明から「前記一体化した被覆は、前記ＬＥＤから発せられる光の少なくとも一部をより長い波長に変換するように配置され、
　前記ＬＥＤパッケージは、前記ＬＥＤの活性層に電気的に接触する複数の脚柱であって、該複数の脚柱のうち少なくとも２つの脚柱が同じ活性層に電気的に接触する、複数の脚注をさらに含み、前記複数の脚柱は、電気的接触のために前記被覆を貫通しかつ露出する」との事項を除くものであるから、前記２（３）において本願補正発明について検討したのと同様の理由により、引用例１及び２に記載された発明並びに周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものと認められる。
　
４　むすび
　したがって、本願発明は、引用例１及び２に記載された発明並びに周知の技術事項に基づいて基づいて当業者が容易に発明できたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。