【事件の表示】
　特願２００８−３０９２８３「半導体ウエハの洗浄方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　６月１７日出願公開，特開２０１０−１３５５２５〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２０年１２月４日の出願であって，平成２４年５月３１日付けで拒絶の理由が通知され，同年１０月４日に意見書と手続補正書が提出され，同年１１月１日に拒絶査定がされたものである。
　その後，平成２５年３月１２日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出され，同年８月８日付けで審尋を行い，同年１１月１９日に回答書が提出された。
　
第２　補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２５年３月１２日に提出された手続補正書による補正を却下する。
　
［理　由］
１　補正の内容
　平成２５年３月１２日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は，補正前の特許請求の範囲の請求項１−３を補正して，補正後の請求項１−３とするものであって，補正前後の請求項１−３は各々次のとおりである。
　
＜補正前＞
「【請求項１】
　洗浄液を用いて半導体ウエハ表面に付着するワックスを除去する洗浄方法において，当該洗浄液がアルカリ成分および界面活性剤を含有する水系液体であり，マイクロバブルを含む，洗浄方法。
【請求項２】
前記アルカリ成分が第４級アンモニウム水酸化物である，請求項１記載の洗浄方法。
【請求項３】
前記半導体ウエハがシリコンウエハである，請求項１または２に記載の洗浄方法。」
　
＜補正後＞
「【請求項１】
　洗浄液を用いて半導体ウエハ表面に付着するワックスを除去する洗浄方法において，当該洗浄液がアルカリ成分と，前記洗浄液の全重量の３０％以下の界面活性剤を含有する水系液体であり，マイクロバブルを含む，洗浄方法。
【請求項２】
前記アルカリ成分が第４級アンモニウム水酸化物である，請求項１記載の洗浄方法。
【請求項３】
前記半導体ウエハがシリコンウエハである，請求項１または２に記載の洗浄方法。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１の「洗浄液がアルカリ成分および界面活性剤を含有する」を補正して，補正後の請求項１の「洗浄液がアルカリ成分と，前記洗浄液の全重量の３０％以下の界面活性剤を含有する」にすること。
　
３　新規事項追加の有無，及び，補正の目的の適否についての検討
（１）補正事項１について
　補正事項１により補正された部分は，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。また，本願の願書に最初に添付した明細書を「当初明細書」という。）に記載されているものと認められるから，補正事項１は，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において新たな技術的事項を導入するものではない。
　したがって，補正事項１は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてなされたものであるから，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　また，補正事項１が，特許法第１７条の２第４項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　さらに，補正事項１は，「界面活性剤」の含有の程度を限定するものであるから，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる，特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　したがって，補正事項１は，特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たす。
　
（２）新規事項追加の有無，及び，補正の目的の適否についてのまとめ
　以上検討したとおりであるから，本件補正は，特許法第１７条の２第３項，第４項及び第５項に規定する要件を満たす。
　
４　独立特許要件についての検討
　本件補正は，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正を含むものであるから，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定によって，本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものであることを要する。
　そこで，本件補正による補正後の特許請求の範囲に記載されている事項により特定される発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か，すなわち，本件補正がいわゆる独立特許要件を満たすものであるか否かについて，補正後の請求項１−３のうち，請求項１，及び，請求項１を引用する請求項２に係る発明について，更に検討を行う。
　
（１）補正後の発明
　本件補正による補正後の請求項１，及び，請求項１を引用する請求項２に係る発明（以下「本願補正発明１」及び「本願補正発明２」という。）は，本件補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１及び請求項２に記載されている事項により特定されるとおりのものである。
　以下，再掲する。
　
「【請求項１】
　洗浄液を用いて半導体ウエハ表面に付着するワックスを除去する洗浄方法において，当該洗浄液がアルカリ成分と，前記洗浄液の全重量の３０％以下の界面活性剤を含有する水系液体であり，マイクロバブルを含む，洗浄方法。
【請求項２】
前記アルカリ成分が第４級アンモニウム水酸化物である，請求項１記載の洗浄方法。」
　
（２）引用例とその記載事項，及び，引用発明
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に日本国内において頒布された刊行物である下記の引用例１−２には，次の事項が記載されている。（なお，下線は，当合議体において付したものである。以下同じ。）
　
ア　引用例１：特開２００８−１０３７０１号公報
（１ａ）「【請求項１】
　
シリコンウェハをウェット処理する方法
マイクロバブルの存在下で行う
　
（１ｂ）「【請求項５】
　前記
ウェット処理がラッピング処理後の残渣の除去洗浄処理
　
（１ｃ）「【技術分野】
【０００１】
　本発明は，シリコンウェハのウェット処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　最近シリコンウェハを用いた半導体ＬＳＩの製造技術においては，より大口径のウェハの使用やより微細な加工技術が必要となってきている。さらに工程の複雑化に伴う製品の品質の維持向上，
生産コストの低減等の問題の解決もまた必要
【０００３】
　特にシリコンウェハを用いた半導体ＬＳＩの製造技術の多くの分野において，種々の溶液による処理を含むいわゆるウェット処理工程が必須の工程となっている。かかるウェット処理工程のうち特に重要な工程は洗浄工程，エッチング工程等である。従来これらのウェット処理工程においては主に溶液の種類，濃度，又は処理温度，時間等の選択の点において改良が重ねられてきている（例えば，服部毅編著「新版シリコンウェハ表面のクリーン化技術」リアライズ社（２０００））。しかしながら近年のさらなる微細な加工技術の必要性，工程の複雑化，高清浄化，低コスト化に伴う要求を満たすにはこれら従来技術では十分ではなかった。さらに近年では，環境保護対策の厳格化，廃液処理の低コスト化の要求により，希薄薬液洗浄，薬液レス洗浄などが望まれてきている。」
　
（１ｄ）「【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
　
本発明は，シリコンウェハのウェット処理全般に適用可能
【課題を解決するための手段】
【０００５】
　本発明者らは，
シリコンウェハのウェット処理に関する最近の強い要求を満たすことができる新たな処理方法を鋭意研究開発した
従来のシリコンウェット処理工程を，マイクロバブルの存在下で実施することにより解決できる
【０００６】
　すなわち，本発明は，シリコンウェハをウェット処理する方法において，マイクロバブルの存在下で行うことを特徴とする，シリコンウェハのウェット処理方法に関する。
【０００７】
　また，本発明のシリコンウェハのウェット処理方法は，特に前記ウェット処理がスライス後洗浄処理であることを特徴とする。
【０００８】
　また，本発明のシリコンウェハのウェット処理方法は，特に前記ウェット処理がシリコンウェハのＡＰＭ（アンモニア＋過酸化水素）によるパーティクル除去洗浄処理であることを特徴とする。
【０００９】
　また，本発明のシリコンウェハのウェット処理方法は，特に前記ウェット処理がシリコンウェハの水素水によるパーティクル除去洗浄処理であることを特徴とする。
【００１０】
　また，本発明のシリコンウェハのウェット処理方法は，特に前記ウェット処理がラッピング処理後の残渣の除去洗浄処理であることを特徴とする。」
　
（１ｅ）「【発明の効果】
【００１３】
　
本発明の方法で，マイクロバブル存在下でシリコンウェハをウェット処理することにより，ウェハ表面の有機物成分，パーティクル成分等を効率的に洗浄除去することが可能となる
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
　（シリコンウェット処理）
　
本発明の処理方法の特徴は，シリコンウェハウェット処理において，マイクロバブルの存在下で行うことが特徴
本発明の処理方法を適用可能なシリコンウェハウェット処理の種類については何ら制限はなく，シリコンウェハをウェット処理するための従来公知の種々の処理工程が含まれる
具体的には種々の段階での洗浄工程
が含まれる
またこれらの工程の条件は，特に変更する必要はない
【００１５】
　
洗浄工程には
ラッピング処理した後の洗浄工程
粗研磨処理の後の洗浄工程
仕上げ研磨処理後の洗浄工程
その他各種工程間の洗浄工程が挙げられる
　
（１ｆ）「【００１８】
　（マイクロバブル）
　本発明の処理方法の特徴は，従来のシリコンウェハウェット処理をマイクロバブルの存在下で行うことが特徴である。ここでマイクロバブルとは一般的に，直径がマイクロメータのオーダーである微細な泡を意味し，公知である（例えば上山智嗣，宮本誠著，「マイクロバブルの世界」，工業調査会出版（２００６）参照）。特に直径のサイズで１０〜数百μｍの範囲である。特に，直径６０μｍ以下の気泡は液中での浮上速度が遅く長時間存在する。またこのサイズの気泡では膨張力よりも表面張力のほうが強いため徐々に収縮することが知られており，最終的には液中に溶解してしまうものもある。また，収縮の最終段階では内部が高温高圧になり特殊な化学種が生じたり破裂時に衝撃波が発生したりする可能性も指摘されている。また，本発明は泡のサイズの分布の程度には特に限定されない。ほぼ単一の分布を有する微細な泡，種々のサイズの複数の分布を有する微細な泡をも含む。また処理工程の間に泡のサイズが変動する場合も含む。またマイクロバブル中の気体についても特に限定されない。マイクロバブルの気体は単一の成分でも混合成分の気体でもよい。マイクロバブル発生装置により適宜選択することができる。具体的な気体には，溶液の成分気体，空気，水素，酸素，窒素，二酸化炭素，オゾン，フッ素，塩素，臭素，ヨウ素，アルゴン，ヘリウムが挙げられる。
【００１９】
　本発明の処理方法で好ましく使用できるマイクロバブルの発生方法，装置についても特に限定はない。上で説明した性質を有するマイクロバブルを発生可能な方法，装置であれば使用可能である。具体的には再公表００−６９５５０に記載された方法及び装置を使用することができる。」
　
（１ｇ）「【００２１】
　（処理方法）
　本発明の処理方法は，通常公知のシリコンウェハのウェット処理工程において，マイクロバブル存在下であればよい。マイクロバブルの存在態様については制限はなく，ウェット処理工程の溶液にあらかじめマイクロバブルを存在させておく方法，ウェット処理工程中に溶液中にマイクロバブルを連続的（又は断続的に）導入する方法，ウェット処理工程の溶液にあらかじめマイクロバブルを存在させておくとともにウェット処理工程中にも溶液中にマイクロバブルを連続的（又は断続的に）導入する方法，が可能である。また，洗浄槽とは別にマイクロバブル発生槽を設け，マイクロバブル発生槽で作製したマイクロバブルを含有する洗浄液を配管等により洗浄槽に導入することも可能である。
【００２２】
　また，洗浄方法については，洗浄槽に洗浄対象のシリコンウェハを浸漬する方法だけでなく，マイクロバブルを含む処理液をスプレーやシャワーにより吹き付けて枚葉処理する方法も可能である。
【００２３】
　また存在するマイクロバブルの種類，量についても特に制限はなく，処理工程の種類により適宜選択して最適化することができる。具体的には，好ましい種類の気体を含むマイクロバブルを，好ましい時間，好ましい量で存在させることが可能である。
【００２４】
　また，ウェット処理工程において使用される装置の形状に応じて，マイクロバブルの導入場所を適宜選択することが可能である。装置の形状により，装置内の特定の場所において好ましい種類，量のマイクロバブルが存在するようにすることができる。具体的には，マイクロバブル発生部を装置内の好ましい箇所に，好ましい数設けることが可能である。」
　
（１ｈ）「【００２６】
　
以下本発明の処理方法を，具体的な実施例に基づいてさらに詳しく説明するが，本発明がこれらの例に限定されるものではない
【実施例】
【００２７】
　以下で用いたマイクロバブル装置はナノプラネット研究所社製Ｍ２−ＭＳ型を使用した。またマイクロバブル発生量及びガスの種類は，マイクロバブル装置に供給する気体の種類及び流量により制御した。また，以下の実施例で発生した気泡のサイズは，９０％以上が直径６０μｍ以下であり，直径約３０μｍに頻度ピークを持つものであった。
【００２８】
　（実施例１）スライス後洗浄
　試料：ＣＺ法により製造したシリコンインゴッドを円筒研削して直径２００ｍｍにしたものをマルチワイヤーソーを用いてスライスして厚さ約８００μｍのシリコンウェハを得た。試料表面には汚れとして，シリコンの切り屑（粉），グリコール，研磨剤（ＳＩＣ粉末）の混合物がスラリー状で付着していた。
【００２９】
　洗浄薬液：カストロールＮｏ．２００（０．１〜１ｗｔ％―ＫＯＨ＋界面活性剤（２〜５ｗｔ％−ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル）を，
超純水にて２０倍希釈，および２００倍希釈の２水準の濃度で使用した
【００３０】
　洗浄方法：洗浄槽内に薬液を６Ｌ入れ，マイクロバブル装置（ナノプラネット研究所製Ｍ２−ＭＳ／ＳＵＳ型）のマイクロバブル発生部を洗浄槽の底の位置に１個設け，１Ｌ／分マイクロバブルを発生させた。バブル用気体は空気を用いた。
【００３１】
　ウェハを洗浄槽に導入する前に５分間マイクロバブルを発生させ，洗浄中もマイクロバブルを発生させ続けた。
【００３２】
　ここへ試料を液温２０℃にて１分間浸漬した。後試料を取り出し，超純水槽に入れて液温２０℃で１分間リンスした。その後試料をドライエアー吹付けで乾燥した。
薬液槽，薬液組成，薬液量，洗浄時間，リンス時間，乾燥方法等を実施例と同様にし，マイクロバブルを発生させない条件を比較例として実施した。
結果：試料表面の汚れの程度を目視若しくは写真により判断した。結果を表１にまとめた。」
　
（１ｉ）「【００４８】
　（実施例４）ラッピング処理後の残渣の除去
　試料：
ラッピング処理して調製した直径２００ｍｍシリコンウェハを用いた
【００４９】
　
洗浄薬液：カストロールＮｏ．２００（０．１〜１ｗｔ％の水酸化カリウム＋界面活性剤（２〜５ｗｔ％−ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル）を２０〜２００倍に希釈して使用
【００５０】
　
洗浄方法：洗浄槽内に薬液を４Ｌ入れ，マイクロバブル装置（ナノプラネット研究所製Ｍ２−ＭＳ／ＰＴＦＥ型）のノズル部を洗浄槽の底の位置に１個設け，１Ｌ／分のマイクロバブルを発生させた。バブル用気体は空気を用いた。ウェハを洗浄槽に導入する前に５分間マイクロバブルを発生させ，洗浄中もマイクロバブルを発生させ続けた
【００５１】
　
ここへ試料を液温２０℃にて５分間浸漬した
薬液槽，薬液組成，薬液量，洗浄時間，リンス時間，乾燥方法等を実施例と同様にし，マイクロバブルを発生させない条件を比較例として実施した。
結果：ラップオイル残渣の除去を目視，写真により評価した。その結果マイクロバブルの洗浄に対する効果があることが分かった
　
（１ｊ）「【産業上の利用可能性】
【００６４】
　
本発明に係るシリコンウェハのウェット処理方法は
これまでのシリコンウェハのウェット処理全般に適用することができる処理方法である
洗浄処理において優れた効果を奏する
　
イ　引用発明
　引用例１の上記摘記（１ａ）−（１ｊ）の記載から，引用例１には，以下に示す発明（以下「引用発明」という。）が開示されていると認められる。
　
「シリコンウェハをウェット処理する方法において，マイクロバブルの存在下で行うことを特徴とする，シリコンウェハのウェット処理方法であって，
　前記処理方法を適用可能なシリコンウェハウェット処理の種類については何ら制限はなく，シリコンウェハをウェット処理するための従来公知の種々の処理工程が含まれ，
　前記従来公知の種々の処理工程としては，シリコンインゴットからウェハを切り出した後の洗浄工程，ラッピング処理した後の洗浄工程，粗研磨処理の後の洗浄工程，エッジポリッシュ処理後の洗浄工程，エッチング処理工程の後の洗浄工程，仕上げ研磨処理後の洗浄工程，各種アニール処理前後の洗浄工程，エピタキシャル層堆積前後の洗浄工程，出荷前最終洗浄工程，その他各種工程間の洗浄工程を挙げることができ，
　これらの工程の条件を，特に変更する必要なく，マイクロバブル存在下でシリコンウェハをウェット処理することにより，ウェハ表面の有機物成分，パーティクル成分等を効率的に洗浄除去することが可能となるものであり，
　ラッピング処理後の残渣の除去においては，
　ラッピング処理して調製した直径２００ｍｍシリコンウェハを用い，
　カストロールＮｏ．２００（０．１〜１ｗｔ％の水酸化カリウム＋界面活性剤（２〜５ｗｔ％−ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル）を超純水にて２０〜２００倍に希釈したものを洗浄薬液として使用し，
　洗浄槽内に前記洗浄薬液を４Ｌ入れ，マイクロバブル装置（ナノプラネット研究所製Ｍ２−ＭＳ／ＰＴＦＥ型）のノズル部を洗浄槽の底の位置に１個設け，１Ｌ／分のマイクロバブルを発生させ，バブル用気体は空気を用い，ウェハを洗浄槽に導入する前に５分間マイクロバブルを発生させ，洗浄中もマイクロバブルを発生させ続け，ここへ前記シリコンウェハを液温２０℃にて５分間浸漬して洗浄する，
　シリコンウェハのウェット処理方法。」
　
ウ　引用例２：特開昭６３−２７４１４９号公報
（２ａ）「・・・第四級アンモニウム水酸化物　たとえば，コリンあるいはテトラメチル・アンモニウムハイドロオキシド・・・」（第２頁右上欄第４−６行）
　
（２ｂ）「〔発明の効果〕
　本発明の処理剤は，
比較的短時間に半導体表面上の脱脂，無機質物質による汚染の除去，洗浄が速やかに行われるとともに
ポリッシング，ラッピング後の洗浄液等としても有効であり優れた効果を示し
　以下に本発明の実施例ならびに比較例を示す。
実施例　１
　シリコンウェハーのスライス切断，あるいは
ラッピング，ポリッシング時の接着剤として使用されている
ワックス
について
溶解度試験を行った
　
（２ｃ）「実施例　３
　実施例１の混合水溶液のコリン液に換え
ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液）を使用
非イオン性界面活性剤は和光純薬（株）製ＮＣＷ−６０１−Ａを使用
　
（２ｄ）引用例３の第４頁右上欄の「表−３」には，実施例として，
ＴＭＡＨ液濃度（ｗｔ％）　：０．７３
界面活性剤濃度（ｗｔ％）　：０．２９
過酸化水素濃度（ｗｔ％）　：１．５
溶解量（ｍｇ／１００ｍｌ）：１４９０
が，示されている。
　
（２ｅ）「上記の実施例および比較例から明らかな様に，本発明に係る処理剤は食刻が充分に抑制されると共に，
ワックスの洗浄力を高く
　
（３）本願補正発明１の進歩性についての検討
ア　本願補正発明１と引用発明との対比
（ア）引用発明の「シリコンウェハ」は，本願補正発明１の「半導体ウエハ」に相当する。また，引用発明の「ラッピング処理後の残渣」と，本願補正発明１の「ワックス」とは，半導体ウエハ表面に付着する「洗浄対象物質」である点で一致する。　
　
（イ）引用発明の「洗浄薬液」は，本願補正発明１の「洗浄液」に相当する。
　また，引用発明の「水酸化カリウム」は「アルカリ成分」であり，引用発明で「洗浄薬液」として使用される「カストロールＮｏ．２００（０．１〜１ｗｔ％の水酸化カリウム＋界面活性剤（２〜５ｗｔ％−ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル）を超純水にて２０〜２００倍に希釈したもの」は，「水系液体」と解される。
　さらに，引用発明の「洗浄薬液」として使用される「カストロールＮｏ．２００（０．１〜１ｗｔ％の水酸化カリウム＋界面活性剤（２〜５ｗｔ％−ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル）を超純水にて２０〜２００倍に希釈したもの」における「界面活性剤」の含有量は，せいぜい５ｗｔ％／２０倍＝０．２５ｗｔ％程度以下であると認められるから，引用発明の「界面活性剤」の含有量が「洗浄液の全重量の３０％以下」であることは明らかである。
　そうすると，本願補正発明１の「洗浄液がアルカリ成分と，前記洗浄液の全重量の３０％以下の界面活性剤を含有する水系液体であり，マイクロバブルを含む，洗浄方法」と，引用発明の「洗浄槽内に前記洗浄薬液を４Ｌ入れ，マイクロバブル装置（ナノプラネット研究所製Ｍ２−ＭＳ／ＰＴＦＥ型）のノズル部を洗浄槽の底の位置に１個設け，１Ｌ／分のマイクロバブルを発生させ，バブル用気体は空気を用い，ウェハを洗浄槽に導入する前に５分間マイクロバブルを発生させ，洗浄中もマイクロバブルを発生させ続け，ここへ前記シリコンウェハを液温２０℃にて５分間浸漬して洗浄する」方法とは，「洗浄液がアルカリ成分と，前記洗浄液の全重量の３０％以下の界面活性剤を含有する水系液体であり，マイクロバブルを含む，洗浄方法」である点で一致する。
　
（ウ）したがって，上記（ア）−（イ）の対応関係から，本願補正発明１と引用発明との一致点及び相違点は，次のとおりである。
　
＜一致点＞
「洗浄液を用いて半導体ウエハ表面に付着する洗浄対象物質を除去する洗浄方法において，当該洗浄液がアルカリ成分と，前記洗浄液の全重量の３０％以下の界面活性剤を含有する水系液体であり，マイクロバブルを含む，洗浄方法。」
　
＜相違点＞
・相違点１：本願補正発明１では，洗浄対象物質が，「ワックス」であるのに対して，引用発明では，「ラッピング処理後の残渣」である点。
　
イ　本願補正発明１と引用発明との相違点についての判断
・相違点１について
　引用例２の上記摘記（２ｂ）の「シリコンウェハーのスライス切断，あるいはラッピング，ポリッシング時の接着剤として使用されているマルトー社製のワックス“アドフィックス”（商品名）について，コリン−界面活性剤−過酸化水素混合水溶液による溶解度試験を行った。」等の記載からも明らかなように，ラッピング時にワックスを接着剤として使用すること，及び，前記ワックスをラッピング後の洗浄において溶解除去することは周知の事項であると認められる。
　一方，引用発明は「前記処理方法を適用可能なシリコンウェハウェット処理の種類については何ら制限はなく，シリコンウェハをウェット処理するための従来公知の種々の処理工程が含まれ，
　前記従来公知の種々の処理工程としては，シリコンインゴットからウェハを切り出した後の洗浄工程，ラッピング処理した後の洗浄工程，粗研磨処理の後の洗浄工程，エッジポリッシュ処理後の洗浄工程，エッチング処理工程の後の洗浄工程，仕上げ研磨処理後の洗浄工程，各種アニール処理前後の洗浄工程，エピタキシャル層堆積前後の洗浄工程，出荷前最終洗浄工程，その他各種工程間の洗浄工程を挙げることができ，
　これらの工程の条件を，特に変更する必要なく，マイクロバブル存在下でシリコンウェハをウェット処理することにより，ウェハ表面の有機物成分，パーティクル成分等を効率的に洗浄除去することが可能となるもの」であるから，引用発明における「ラッピング処理後の残渣」は，洗浄対象となる物質のうちの一つとして例示されているものと理解することが自然といえる。
　そうすると，引用発明において「前記従来公知の種々の処理工程」として「ラッピング処理した後の洗浄工程」が明示されており，また，引用例２の記載等から，ラッピング時に接着剤として使用したワックスをラッピング後の洗浄において溶解除去することは周知の事項と認められるから，引用発明の「ラッピング処理後の残渣」を除去する洗浄において，前記残渣とともに，前記ラッピング処理時に使用されたワックスの洗浄をも併せて行うようにすること，すなわち，引用発明において上記相違点１について本願補正発明１の構成となすことは，当業者が容易になし得たことである。また，このような構成としたことによる効果も当業者が予測する範囲内のものと認められる。
　
ウ　小括
　相違点１については，以上のとおりであるから，本願補正発明１は，上記引用例１に記載された発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（４）本願補正発明２の進歩性についての検討
ア　本願補正発明２と引用発明との対比
（ア）引用発明の「シリコンウェハ」は，本願補正発明２の「半導体ウエハ」に相当する。また，引用発明の「ラッピング処理後の残渣」と，本願補正発明２の「ワックス」とは，半導体ウエハ表面に付着する「洗浄対象物質」である点で一致する。　
　
（イ）引用発明の「洗浄薬液」は，本願補正発明２の「洗浄液」に相当する。
　そうすると，本願補正発明２の「洗浄液がアルカリ成分と，前記洗浄液の全重量の３０％以下の界面活性剤を含有する水系液体であり，マイクロバブルを含む，洗浄方法」と，引用発明の「洗浄槽内に前記洗浄薬液を４Ｌ入れ，マイクロバブル装置（ナノプラネット研究所製Ｍ２−ＭＳ／ＰＴＦＥ型）のノズル部を洗浄槽の底の位置に１個設け，１Ｌ／分のマイクロバブルを発生させ，バブル用気体は空気を用い，ウェハを洗浄槽に導入する前に５分間マイクロバブルを発生させ，洗浄中もマイクロバブルを発生させ続け，ここへ前記シリコンウェハを液温２０℃にて５分間浸漬して洗浄する」方法とは，「洗浄液が，マイクロバブルを含む，洗浄方法」である点で一致する。
　
（ウ）したがって，上記（ア）−（イ）の対応関係から，本願補正発明２と引用発明との一致点及び相違点は，次のとおりである。
　
＜一致点＞
「洗浄液を用いて半導体ウエハ表面に付着する洗浄対象物質を除去する洗浄方法において，当該洗浄液が，マイクロバブルを含む，洗浄方法。」
　
＜相違点＞
・相違点２：本願補正発明２では，洗浄対象物質が，「ワックス」であり，洗浄液が，「『アルカリ成分と，前記洗浄液の全重量の３０％以下の界面活性剤を含有する水系液体であり』『前記アルカリ成分が第４級アンモニウム水酸化物である』」のに対して，引用発明では，洗浄対象物質が，「ラッピング処理後の残渣」であり，洗浄液が，「カストロールＮｏ．２００（０．１〜１ｗｔ％の水酸化カリウム＋界面活性剤（２〜５ｗｔ％−ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル）を超純水にて２０〜２００倍に希釈したもの」である点。
　
イ　本願補正発明２と引用発明との相違点についての判断
・相違点２について
（ア）引用例２の上記摘記（２ａ）−（２ｅ）から，
　第四級アンモニウム水酸化物の一つであるＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液）：０．７３ｗｔ％，界面活性剤：０．２９ｗｔ％，過酸化水素：１．５ｗｔ％からなる混合水溶液を，ラッピング後の洗浄液として使用して，ラッピング時の接着剤として使用されているマルトー社製のワックス“アドフィックス”（商品名）の溶解度試験を行ったところ，ワックスの洗浄力が高く，また洗浄処理後の表面状態も極めて良好なものであることから，当該洗浄液が，比較的短時間に半導体表面上の脱脂，無機質物質による汚染の除去，洗浄を速やかに行い，さらにはポリッシング，ラッピング後の洗浄液等としても有効であり優れた効果を示し，その波及的効果は絶大であり工業的に有用であることを理解することができる。
　
（イ）一方，引用発明が「シリコンウェハをウェット処理する方法において，マイクロバブルの存在下で行うことを特徴とする，シリコンウェハのウェット処理方法であって，
　前記処理方法を適用可能なシリコンウェハウェット処理の種類については何ら制限はなく，シリコンウェハをウェット処理するための従来公知の種々の処理工程が含まれ，
　前記従来公知の種々の処理工程としては，シリコンインゴットからウェハを切り出した後の洗浄工程，ラッピング処理した後の洗浄工程，粗研磨処理の後の洗浄工程，エッジポリッシュ処理後の洗浄工程，エッチング処理工程の後の洗浄工程，仕上げ研磨処理後の洗浄工程，各種アニール処理前後の洗浄工程，エピタキシャル層堆積前後の洗浄工程，出荷前最終洗浄工程，その他各種工程間の洗浄工程を挙げることができ，
　これらの工程の条件を，特に変更する必要なく，マイクロバブル存在下でシリコンウェハをウェット処理することにより，ウェハ表面の有機物成分，パーティクル成分等を効率的に洗浄除去することが可能となるもの」であることから，引用発明における「シリコンウェハをウェット処理する方法において，マイクロバブルの存在下で行うことを特徴とする，シリコンウェハのウェット処理方法」というシリコンウェハのウェット処理方法の適用可能な種類については何ら制限はなく，しかも，「ラッピング処理した後の洗浄工程」については，「前記従来公知の種々の処理工程」のうちの一つとして明示的に例示されており，さらに，これらの工程の条件は，特に変更する必要なく，マイクロバブル存在下でシリコンウェハをウェット処理することにより，ウェハ表面の有機物成分，パーティクル成分等を効率的に洗浄除去することが可能となるものであることを理解することできる。
　
（ウ）そうすると，上記（ア）及び（イ）から，引用発明における「シリコンウェハをウェット処理する方法において，マイクロバブルの存在下で行うことを特徴とする，シリコンウェハのウェット処理方法」は，適用可能な種類について何ら制限はなく，しかも「ラッピング処理した後の洗浄工程」に適用することについては明示的に例示しており，さらに，これらの工程の条件は，特に変更する必要なく，マイクロバブル存在下でシリコンウェハをウェット処理することにより，ウェハ表面の有機物成分，パーティクル成分等を効率的に洗浄除去することが可能となることが理解でき，他方，引用例２には，ラッピング時の接着剤として使用されているワックスを所定の洗浄液で洗浄することが記載されているのであるから，引用発明と引用例２に接した当業者であれば，適用可能な種類について何ら制限はない引用発明における「シリコンウェハをウェット処理する方法において，マイクロバブルの存在下で行うことを特徴とする，シリコンウェハのウェット処理方法」を，引用発明において明示的に例示する「ラッピング処理した後の洗浄工程」の一つの具体例である引用例２に記載された所定の洗浄液を用いたワックスの洗浄方法に適用して，ウェハ表面の有機物成分，パーティクル成分等を効率的に洗浄除去することを可能ならしめること，すなわち，引用例２に記載された，第四級アンモニウム水酸化物の一つであるＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液）：０．７３ｗｔ％，界面活性剤：０．２９ｗｔ％，過酸化水素：１．５ｗｔ％からなる混合水溶液を，ラッピング後の洗浄液として使用して，ラッピング時の接着剤として使用されているワックスを溶解して洗浄除去することは，当業者が容易になし得たことである。
　そして，前記「ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液）」が，本願補正発明２の「『第４級アンモニウム水酸化物である』『アルカリ成分』」であり，かつ，「界面活性剤：０．２９ｗｔ％」が「洗浄液の全重量の３０％以下の界面活性剤」に相当し，また，引用例２の「混合水溶液」が，本願補正発明２の「水系液体」であることは明らかといえる。
　そうすると，引用発明において，上記相違点２について本願補正発明２の構成となすことは，当業者が容易になし得たことである。また，このような構成としたことによる効果も当業者が予測する範囲内のものと認められる。
　
ウ　小括
　相違点２については，以上のとおりであるから，本願補正発明２は，上記引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
（５）むすび
　本願補正発明１及び本願補正発明２は，特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５　補正の却下の決定のむすび
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２５年３月１２日に提出された手続補正書による補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項１−３に係る発明は，平成２４年１０月４日に提出された手続補正書によって補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１−３に記載されている事項により特定されるとおりのものであるところ，そのうち請求項１及び請求項２に係る発明（以下「本願発明１」及び「本願発明２」という。）は，次のとおりである。
　
「【請求項１】
　洗浄液を用いて半導体ウエハ表面に付着するワックスを除去する洗浄方法において，当該洗浄液がアルカリ成分および界面活性剤を含有する水系液体であり，マイクロバブルを含む，洗浄方法。
【請求項２】
前記アルカリ成分が第４級アンモニウム水酸化物である，請求項１記載の洗浄方法。」
　
２　進歩性について
（１）引用例及びその記載事項
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の出願前に頒布された刊行物である引用例１及び２に記載されている事項は，上記「第２　４　（２）引用例とその記載事項，及び，引用発明」の項で指摘したとおりである。
　
（２）当審の判断
　本願発明１及び本願発明２を限定したものである本願補正発明１及び本願補正発明２が，前記「第２　４　（３）本願補正発明１の進歩性についての検討」及び「第２　４　（４）本願補正発明２の進歩性についての検討」で判断したとおり，引用例１に記載された発明及び周知技術並びに引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明１及び本願発明２も同様に，引用例１に記載された発明及び周知技術並びに引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。 
　
第４　むすび 
　以上のとおり，本願の請求項１及び２に係る発明は，引用例１に記載された発明及び周知技術並びに引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。したがって，他の請求項について検討するまでもなく，本願は拒絶をすべきものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。