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　特願２００８−５３４８１２「半導体材料の一つ以上の特性を分析する方法およびシステム」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　４月１９日国際公開、ＷＯ２００７／０４１７５８、平成２１年　３月１９日国内公表、特表２００９−５１２１９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
（１）本願は、２００６年１０月１１日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００５年１０月１１日、豪州）を国際出願日とする出願であって、平成２４年　８月１６日付けで拒絶査定がなされ、これを不服として同年１２月２１日に拒絶査定不服審判を請求するとともに同日に手続補正が行なわれたが、平成２５年１０月　９日付けで当審による最初の拒絶理由が通知され、これに対して平成２６年　４月１４日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
（２）本願の請求項１〜４４に係る発明は、上記平成２６年　４月１４日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜４４に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、請求項１及び請求項３に係る発明（以下、それぞれ「本願発明１」、「本願発明３」という。）は、次のとおりのものである。
　
　「【請求項１】
　間接バンドギャップ半導体材料から発生したフォトルミネセンスの空間変動を判断する方法であって、前記方法が、
　所定の照明によって前記間接バンドギャップ半導体材料の少なくとも１平方センチメールの領域を照明し、前記照明に対応して前記間接バンドギャップ半導体材料からフォトルミネセンスを発生させ、前記照明がショートパス濾過され、前記フォトルミネセンスの波長領域内の要素を実質的に除去し、前記照明の光学的総出力は１．０ワットを超える照明ステップと、
　撮像デバイスによって前記フォトルミネセンスの画像を捕捉する捕捉ステップと、
　前記画像を処理し、前記画像内のルミネセンスの空間変動を判断する処理ステップとを含む方法。」
　
　　「【請求項３】
　間接バンドギャップ半導体材料から発生したフォトルミネセンスの空間変動を判断する方法であって、前記方法が、
　所定の照明によって前記間接バンドギャップ半導体材料の領域を照明し、前記照明に対応して前記間接バンドギャップ半導体材料からフォトルミネセンスを発生させると共に前記照明がショートパス濾過され、前記フォトルミネセンスの波長領域内の要素を実質的に除去し、前記照明の光学的総出力は１．０ワットを超える照明ステップと、
　撮像デバイスによって前記フォトルミネセンスの画像を捕捉する捕捉ステップと、
　前記画像を処理し、前記画像内のフォトルミネセンスの空間変動を判断する処理ステップとを含み、
　前記照明ステップと前記捕捉ステップは約１秒以内に行われることを特徴とする方法。」
　
２　当審による平成２５年１０月　９日付けの拒絶理由通知（以下「拒絶理由通知」という。）で、引用された刊行物は以下のとおり。
　刊行物１：特表２００１−５００６１３号公報 
　刊行物２：特開平５−９０３６８号公報 
　刊行物３：特開平１−１８２７３８号公報 
　刊行物４：特開２００３−４６３６号公報 
　刊行物５：特開２００２−３５０７３２号公報 
　刊行物６：国際公開第０２／４０９７３号 
　
３　引用刊行物及びその摘記事項
　上記拒絶理由通知で引用された本願の優先権主張日前に日本国内において頒布された刊行物１〜５及び本願の優先権主張日前に外国において頒布された刊行物６のうち、刊行物１及び３には、次の事項が記載されている。
　
（１）刊行物１には、「半導体ミクロの欠陥検出装置とその方法」（発明の名称）に関して図９と共に次の事項が記載されている。
（刊１ア）「従って、室温で取り組むことができ、並びに工業的使用に適した速さで半導体あるいは
シリコン構造中の欠陥に関する情報を提供
シリコン構造の上部領域の、そしてその表面に特に近い欠陥を見ることを可能にする光ルミネセンス技術を提供する
　前記半導体あるいはシリコン構造の中の欠陥を見え易くするために、そのＰＬ像のコントラストを強化する目的で前記半導体あるいはシリコン構造中の欠陥における正孔対の非放射再結合をし易くすることが、本発明の次の目的である。
　最も広い見方では、本発明は、欠陥がある場所のキャリアの寿命の変化によって観
察されるような選択された励起条件下での、半導体あるいはシリコン構造からのルミネセンスの収集に基づくものである。
　従って本発明の方法においては
高注入レベルレーザーを使用し、欠陥は欠陥部分でのキャリアの寿命の局部的変化によって検出される。これらの欠陥は、一般に欠陥の物理的位置で暗部として観察される
　欠陥部分での再結合は、注入レベルを増加することにより増大され(enhanced)、キャリアが少なくても、それを有効に利用することができる。」（８頁７〜２５行）　
　
（刊１イ）「図９は、本発明による装置をダイアグラム的に図示するものである。
　図面および最初に図９を参照し、本発明による装置をダイアグラム的に図示するものが示されている。
　本装置は本質的に
ＰＬ作像顕微鏡
　図９に示した実施の形態で、６個のレーザーは試料の異なる深さを厳密に調べることができるように配置されている。しかしながら、
唯一つのレーザーを用いるかあるいは実際多数のレーザーを用いるかは本発明の範囲内にある。どのような場合でも、少なくとも一つのレーザーは高強度レーザーであり、理想的には０．１ｍｍと０．５ミクロンの間のスポットの大きさで１０
4
から１０
9
ｗａｔｔ／ｃｍ
2
間の電力密度を持つ
　光ファイバー９のような従来の光学器械構成部品力洸を照準器１０およびレーザービーム拡張器１１に導くために用いられる。アポダイゼーション板１２は、レーザービーム拡張器１１とビーム分割器３１間に置かれている。
ビーム分割器３１は光の一部を前述のレーザーから対物レンズ３４を介して試料２に導く
　自動焦点制御器３０が備えられ、ピエゾ駆動(piezo driven)焦点ステージ３３と結合される。
顕微鏡はそれぞれ３４，３５で表す少なくとも一個のミクロな検査用高開口数（high numerical aperture）対物レンズと一個のマクロ検査用低開口数（low numerical aperture）対物レンズを備えた従来の回転式タレット３６が設けられてい
る。更にタレット３６に結合して光学的移動測定システム３８が備えられている
　ケーブルが自動焦点制御器３０をマイクロプロセッサ４０へおよび顕微鏡対物レンズ表示器３２をマイクロプロセッサ４０へ接続するために備えられている。
　
ビーム分割器３１の下流にレーザーノッチフィルタ用のフィルタホイール１３が備えられており、その下流には揺動折り畳み式鏡１４が備えられ、その機能については後述する。前記鏡１４に配列して波長選択用のフィルタホイール２７が備えられ、その後方に適当なＣＣＤ  ２−Ｄアレイ検出器２９に取りつけられたズームレンズが備えられている
　無限システム補償レンズ(infinity system compensating lens)３７が、別の波長選択用フィルタホイール２３およびＵＶおよび可視光用の検出器２５の最先端にある焦点レンズ２４に向け光を反射するコールドミラー１７の先の光経路に備えられている。検出器２５は、ロックイン増幅器２６に結合されている。これは表面の反射像を得るのに用いられる。
　コールドミラー１７の最後方に再び別の波長選択用フィルタホイール１８が、その最後方には、焦点レンズ２２およびルミネセンス検出用の検出器２１の最先端に備えられたピンホール選択用の別の開口ホイール１９が備えられている。
　ＵＶおよび可視光用の検出器２５および赤外線検出器２１の両方がロックイン増幅器２６に結合されている。
下記に関連してシステムの動作を説明する。
　試料の異なる面を厳密に調べるための波長範囲が数種のレーザー（３〜８）により得られる。レーザーは、試料（２）から放射された信号が、ロックイン増幅器（２６）によるレーザー変調周波数に同期する検出器によってバックグラウンド放射線から離
隔されるように周波数発生器（１６）によって変調される。別の実施の形態では、波長範囲は、同調可能レーザー、および／あるいは光パラメトリック発信器を用いて作り出される。各レーザーは、レーザーの何れかあるいは総てが試料（２）を照射できるように多分岐光ファイバー（９）に接続され、割り当てられている。多分岐光ファイバーの共通端は放射光を照準する光システム（１０）に接続している。この光システムは、試料（２）上にある
顕微鏡対物レンズ（３４，３５）に合致した値にレーザービームの直径を合わせるビーム拡張器（１１）
　
拡張および制御（apodized）されたビームは、ビーム分割器（３１）によって反射され、顕微鏡対物レンズ（３４および３５）に送られる。ビームは顕微鏡対物レンズ（３４あるいは３５）によって試料に焦点を合わせる。マイクロモードではこの対物レンズは回折が限られているスポットの大きさにビームを集中するように選ばれる。表示器機構（３２）で操作される回転ターレット（３６）は、対物レンズを試料のより広い区域が照射されるマクロモードに変更させる
　光学的移動センサ（３８）は試料までの距離を測定し、焦点防止制御器(antifocus controller)（３Ｏ）を通した帰還ループを介してピエゾ駆動焦点ステージ(piezoactuated focusing stage)（３３）により正しい間隔を維持する。
　
試料からの光ルミネセンス信号は、(マイクロモードで)顕微鏡対物レンズ（３４）により集められ、ビーム分割器（３１）およびレーザー波長の範囲に整合するノッチフィルタを持つフィルタホイール（１３）のノッチフィルタを通して戻される。ノッチフィルタは、光ルミネセンス信号のみを通過させ、どんな反射レーザー光も除去する
　折り畳み鏡（１４）はビーム外に揺動し、信号を、使用されるいかなる無限顕微鏡(infinity microscope)対物レンズをも補償するために組み込まれるチューブレンズ（３７）に、そしてコールドミラー（１７）に通過させる。この構成要素は、選択されたカットオフ点（約7００ｎｍ）以下のこれらの波長を信号を、検出器（２５）に焦点を合わせる焦点レンズ（２４）へ反射する。検出器焦点レンズ（２４）の前面にあるフィルタホイール（２３）は選択された波長帯域を離隔するフィルタを持つ。
　カットオフ点を超える波長範囲にある光ルミネセンス信号の部分は、コールドミラー（１７）を涌渦し、レンズ（２２）により同様に検出器（２１）に焦点を合わせる。この信号もまた選択された波長帯域を離隔するフィルタを持つフィルタホイール（１８）を通過する。
　異なる直径の一連のピンホールが、検出器（２１）の前面に置かれた開口ホイール（１９）にある。この開口ホイールは、ピンホールが所定の像平面と焦点を共有して置かれるように、ピエゾ駆動器（２０）により軸方向に動かされる。この方法により、試料（２）中の異なる深さの平面は正確な深さ情報を与えるように作像される。
　検出器（２１，２５）からの電気信号は、ロックイン増幅器（２６）に送られ、そこで周波数発生器（１５）からの参照信号によりレーザー（３〜８）の変調周波数と同期させられる。電気信号はそれから、分析用に中央プロセッサ（４０）に送られる。ＰＬ像はステージを走査するラスタにより得られる。代わりに検流計の鏡を用いた光学的走査も採用される。
　
別のマイクロモード操作では、折り畳み鏡（１４）は光ルミネセンス信号のビームの中へ揺動する。進路を変更された信号は、選択された波長帯域を離隔するフィルタを持つフィルタホイール（２７）を通って、ズームレンズ（２８）に送られる。ズームレンズは、異なる倍率でCCD二方向アレイ（２９）上に試料（２）の照射スポッ
トを作像するのに用いられる。このことにより、試料（２）の照射区域が異なる分解能で作像される。ＣＣＤアレイからの電気信号は、分析のために中央プロセッサに送られる
　本発明の前述の装置を用いて、
半導体の欠陥を可視化する
　本発明により、
欠陥の密度と空間的な分布が決定されるように欠陥を作像できる半導体あるいはシリコン構造中の欠陥作像装置とその方法が提供される
　
（刊１ウ）図９は、ＰＬ作像顕微鏡装置をダイアグラム的に図示するものであり、右手側にレーザーバンク３〜８、レーザービーム拡張器１１、アポダイゼーション板１２を介してビーム分割器３１にてレーザーが反射され、レーザーが下方の対物レンズ３４を介して試料２に向けられていること、試料からの光（励起光及びルミネッセンス光）が、対物レンズ３４を介してビーム分割器３１を通過し、レーザーノッチフィルタ用のフィルタホイール１３のフィルタを介して折り畳み鏡１４により反射された光が、選択された波長帯域を離隔するフィルタを持つフィルタホール２７のフィルタを介してＣＣＤ二方向アレイ２９に向けられていることが看取でき、また、回転ターレット３６には、顕微鏡対物レンズ３４および顕微鏡対物レンズ３５が備えられていることが看取できる。
　
　上記摘記事項（刊１ア）〜（刊１ウ）を総合勘案すると、刊行物１には、次の事項が記載されている。（なお、刊行物１に記載されている番号について、括弧（）付きと括弧無しのものを括弧なしに統一して表記している。）
　
　「シリコン構造中の欠陥に関する情報を提供し、および、シリコン構造の上部領域の表面に特に近い欠陥を見ることを可能にする光ルミネセンス技術を提供するために、高注入レベルレーザーを使用し、欠陥部分でのキャリアの寿命の局部的変化によって、欠陥の物理的位置で暗部として観察する欠陥の密度と空間的な分布が決定されるように欠陥を作像できるシリコン構造中の欠陥作像装置の動作方法において、
　前記欠陥の密度と空間的な分布が決定されるように欠陥を作像できるシリコン構造中の欠陥作像装置は、
　少なくとも一つのレーザーは高強度レーザーであり、理想的には０．１ｍｍと０．５ミクロンの間のスポットの大きさで１０4から１０9ｗａｔｔ／ｃｍ2間の電力密度を持つ唯一つのレーザーあるいは多数のレーザーと、
　光の一部を前述のレーザーから対物レンズ３４を介して試料２に導くビーム分割器３１と、
　少なくとも一個のミクロな検査用高開口数対物レンズ３４と一個のマクロ検査用低開口数対物レンズ３５を備えた回転式タレット３６が設けられ、前記タレット３６に結合して光学的移動測定システム３８が備えられ、
　ビーム分割器３１の下流にレーザーノッチフィルタ用のフィルタホイール１３が備えられ、その下流には揺動折り畳み式鏡１４が備えられ、前記鏡１４に配列して波長選択用のフィルタホイール２７が備えられ、その後方に適当なＣＣＤ　２−Ｄアレイ検出器２９に取りつけられたズームレンズが備えられているＰＬ作像顕微鏡であって、
　その動作は、
　ビーム拡張器１１によって、顕微鏡対物レンズ３４，３５に合致した値にレーザービームの直径を合わせ、
　拡張および制御されたビームは、ビーム分割器３１によって反射され、顕微鏡対物レンズ３４、３５に送られ、顕微鏡対物レンズ３４、３５によって試料に焦点を合わせられ、
　その際、表示器機構３２で操作される回転ターレット３６は、マイクロモードではこの対物レンズは回折が限られているスポットの大きさにビームを集中するように選ばれ、マクロモードでは、対物レンズを試料のより広い区域が照射されるように変更させ、
　試料からの光ルミネセンス信号は、(マイクロモードで)顕微鏡対物レンズ３４により集められ、ビーム分割器３１およびレーザー波長の範囲に整合するノッチフィルタを持つフィルタホイール１３のノッチフィルタを通して戻され、ノッチフィルタは、光ルミネセンス信号のみを通過させ、どんな反射レーザー光も除去し、
　別のマイクロモード操作では、折り畳み鏡１４は光ルミネセンス信号のビームの中へ揺動することで、進路を変更された信号は、選択された波長帯域を離隔するフィルタを持つフィルタホイール２７を通って、ズームレンズ２８に送られ、ズームレンズは、異なる倍率でＣＣＤ二方向アレイ２９上に試料２の照射スポットを作像するのに用いられ、このことにより、試料２の照射区域が異なる分解能で作像され、ＣＣＤアレイからの電気信号は、分析のために中央プロセッサに送られ、
　欠陥の密度と空間的な分布が決定されるように欠陥を作像できるシリコン構造中の欠陥作像装置の動作方法。」（以下、「引用発明」という。））
　
（２）刊行物３には、「化合物半導体結晶の不純物測定方法」（発明の名称）に関して第１図〜第４図と共に次の事項が記載されている。
（刊３ア）「
微小領域でのフォトルミネッセンススペクトル測定による方法では、測定対象が微小領域であるため、結晶基板面上での測定箇所を特定するのが困難であるという問題
　また、
フォトルミネッセンストポグラフィによる方法では、不純物や格子欠陥のおおよその濃度分布を知ることは可能であるが、検出されるルミネッセンスは種々の不純物によるものがすべて含まれるので、それぞれの不純物についての濃度分布やその相対濃度を求めることができないという問題
　
（刊３イ）「第４図は、この発明を説明するためのフォトルミネッセンストポグラフィを示す図である。第４図に示される部分は、
第１の励起光としての第１励起用レーザビームが照射された部分である
フォトルミネッセンススペクトルを得るための第２の励起レーザの照射部分を示しており、その径は１〜２μｍ程度
第１励起用レーザビームが照射される部分の径は、約０．２〜２ｍｍ程度
　
（刊３ウ）「
アルゴンレーザ２８からは、４８８ｎｍまたは５１４．５ｎｍの波長のレーザビームが放射される。このレーザビームは、クラッセンフィルタ２１により、余分な蛍光が除去され
映像増強管２９で検出される
映像増強管２９により
２００μｍ〜２ｍｍ径の試料１４面上でのフォトルミネッセンストポグラフィを得ることができる
　
（刊３エ）第１図は装置を示す概略構成図であり、アルゴンレーザー２８に続いてクラッセンフィルタ２１が配置され、試料１４からの光が映像増強管２９に入射されていることが看取でき、第４図は、第１励起用レーザビームが照射された部分であって、フォトルミネセンストポグラフィを示す図であり、円形のフォトルミネセンストポグラフィ像の中に複数の斜線部分からなる領域を囲む網目状部分である白い線として強発光部１が、斜線部分からなる領域の中に白い点状の強発光部２、３が、及び、円形のフォトルミネセンストポグラフィ像のほぼ中央に黒点で第２励起レーザスポットが、それぞれ示されている。
　　
４　当審の判断
（１）本願発明１と引用発明との対比・判断
　　ア　本願発明１と引用発明との対比
　　（ア）引用発明の「『シリコン』、『試料』」、「『光ルミネセンス』、『光ルミネセンス信号』」、「レーザー」、及び、「『ＣＣＤ  ２−Ｄアレイ検出器２９』、『ＣＣＤ二方向アレイ２９』、『ＣＣＤアレイ』」は、それぞれ本願発明１の「間接バンドギャップ半導体材料」、「フォトルミネセンス」、「所定の照明」、及び、「撮像デバイス」に相当する。
　　（イ）引用発明は、「ＣＣＤ二方向アレイ２９上に試料２の照射スポットを作像」するために「試料からの光ルミネセンス信号」を用いており、これは、ＣＣＤ二方向アレイ２９に対応する二次元空間での「試料からの光ルミネセンス信号」の分布、即ち、「試料からの光ルミネセンス信号」の二次元空間での変動を像として得ていることは明らかであり、また、「ＣＣＤアレイからの電気信号は、分析のために中央プロセッサに送られ」ている。
　したがって、引用発明の「ＣＣＤ二方向アレイ２９上に」「作像」された「照射スポット」の像としての「電気信号」が、「分析」のために「中央プロセッサに送られ」ているものである。
　一方、本願発明１における「間接バンドギャップ半導体材料から発生したフォトルミネセンスの空間変動を判断する」ことであって、「撮像デバイスによって前記フォトルミネセンスの画像を捕捉する捕捉ステップと、前記画像を処理し、前記画像内のルミネセンスの空間変動を判断する処理ステップ」とによって行われている「ルミネセンスの空間変動を判断する」ことについては、その「判断」によって、単に、「ルミネセンスの空間変動」を認識すること以外に、「間接バンドギャップ半導体材料」の何をどの様にして得ようとするのかについて特段の限定がなされているものではない。
　してみると、引用発明の「欠陥の密度と空間的な分布が決定されるように欠陥を作像できるシリコン構造中の欠陥作像装置の動作方法」は、本願発明１の「間接バンドギャップ半導体材料から発生したフォトルミネセンスの空間変動を判断する方法」に相当し、引用発明の「別のマイクロモード操作では、折り畳み鏡１４は光ルミネセンス信号のビームの中へ揺動することで、進路を変更された信号は、選択された波長帯域を離隔するフィルタを持つフィルタホイール２７を通って、ズームレンズ２８に送られ、ズームレンズは、異なる倍率でＣＣＤ二方向アレイ２９上に試料２の照射スポットを作像するのに用いられ、このことにより、試料２の照射区域が異なる分解能で作像され、ＣＣＤアレイからの電気信号は、分析のために中央プロセッサに送られ」ることと、本願発明１の「撮像デバイスによって前記フォトルミネセンスの画像を捕捉する捕捉ステップと、前記画像を処理し、前記画像内のルミネセンスの空間変動を判断する処理ステップ」とは、「撮像デバイスによって前記フォトルミネセンスの画像を捕捉する捕捉ステップと、前記画像を処理し、前記画像内のルミネセンスの空間変動を判断する処理ステップ」を有している点で一致している。
　　（ウ）引用発明の「０．１ｍｍと０．５ミクロンの間のスポットの大きさで１０4から１０9ｗａｔｔ／ｃｍ2間の電力密度を持つ唯一つのレーザーあるいは多数のレーザーと、光の一部を前述のレーザーから対物レンズ３４を介して試料２に導く」及び「マイクロモードではこの対物レンズは回折が限られているスポットの大きさにビームを集中するように選ばれ、マクロモードでは、対物レンズを試料のより広い区域が照射される」と、本願発明１の「所定の照明によって前記間接バンドギャップ半導体材料の少なくとも１平方センチメールの領域を照明し」とは、「所定の照明によって前記間接バンドギャップ半導体材料の所定の領域を照明」している点で一致する。
　　（エ）引用発明の「試料からの光ルミネセンス信号」は、「顕微鏡対物レンズ（３４，３５）に合致した値にレーザービームの直径を合わせ、拡張および制御されたビームは、」「顕微鏡対物レンズ（３４および３５）に送られ、顕微鏡対物レンズ（３４あるいは３５）によって試料に焦点を合わせられ、」た結果生じるものであるから、引用発明の「顕微鏡対物レンズ（３４，３５）に合致した値にレーザービームの直径を合わせ、拡張および制御されたビームは、」「顕微鏡対物レンズ（３４および３５）に送られ、顕微鏡対物レンズ（３４あるいは３５）によって試料に焦点を合わせられ、」は、本願発明１の「前記照明に対応して前記間接バンドギャップ半導体材料からフォトルミネセンスを発生させる照明ステップ」に相当する。
　　（オ）引用発明の「ＣＣＤ二方向アレイ（２９）上に試料（２）の照射スポットを作像」し、「ＣＣＤアレイからの電気信号は、分析のために中央プロセッサに送られ、半導体の欠陥を可視化し、」「欠陥の密度と空間的な分布が決定されるように欠陥を作像」することは、本願発明１の「撮像デバイスによって前記フォトルミネセンスの画像を捕捉する捕捉ステップと、前記画像を処理し、前記画像内のルミネセンスの空間変動を判断する処理ステップ」に相当する。
　　（カ）そうすると、両者は、
「間接バンドギャップ半導体材料から発生したフォトルミネセンスの空間変動を判断する方法であって、前記方法が、
　所定の照明によって前記間接バンドギャップ半導体材料の所定の領域を照明し、前記照明に対応して前記間接バンドギャップ半導体材料からフォトルミネセンスを発生させる照明ステップと、
　撮像デバイスによって前記フォトルミネセンスの画像を捕捉する捕捉ステップと、
　前記画像を処理し、前記画像内のルミネセンスの空間変動を判断する処理ステップとを含む
　方法。」
の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
相違点１：
　照明領域が、本願発明１は、「少なくとも１平方センチメールの領域」であるのに対して、引用発明は、「マイクロモード」では、「０．１ｍｍと０．５ミクロンの間のスポットの大きさ」であり、「マクロモード」では、「対物レンズを試料のより広い区域が照射されるように変更させ」ているもののどの程度に広い区域としているのか特定されていない点。
　
相違点２：
　本願発明１では、「撮像デバイスによって前記フォトルミネセンスの画像を捕捉」しているが、引用発明の「マイクロモード」では、「撮像デバイスによって前記フォトルミネセンスの画像を捕捉」しているものの、「マクロモード」では、どの様な信号をどの様な検出器で検出し、処理を行うのかについて特定されていない点。
　
相違点３：
　照明に関して、本願発明１は、「前記照明がショートパス濾過され、前記フォトルミネセンスの波長領域内の要素を実質的に除去し、前記照明の光学的総出力は１．０ワットを超え」ているのに対して、引用発明は、「前記照明がショートパス濾過され、前記フォトルミネセンスの波長領域内の要素を実質的に除去」していることが特定されておらず、「マクロモード」において、どの程度の総出力としているのかが不明である点。
　
　　イ　相違点についての判断
　　（ア）相違点１及び相違点２について
　　　ａ　一般に顕微鏡等微小な領域を観察する装置においては、複数の対物レンズをターレット、レボルバ等を用いて変えることで、観察したい領域の大小或いは微小領域の特定のために逐次倍率を変え、より詳細に観察したい領域を徐々に特定していく手法が慣用的に行われており、また、蛍光（フォトルミネセンス）を観察する顕微鏡において、対物レンズを変更して倍率を変えることは周知（例えば、特開平９−２３０２４５号公報の【００１６】〜【００１８】の記載、特開２００６−１７８４４０号公報の第３実施形態【００４４】〜【００４９】の記載等）である。
　　　ｂ　そして、引用発明においても「ミクロな検査用高開口数対物レンズ３４と一個のマクロ検査用低開口数対物レンズ３５を備えた回転式タレット３６」を有しており、この「回転ターレット３６」により「マイクロモードではこの対物レンズは回折が限られているスポットの大きさにビームを集中するように選ばれ、マクロモードでは、対物レンズを試料のより広い区域が照射されるように変更させ」るものであり、マイクロモードにおける試料面でのレーザー光スポットの大きさは「０．１ｍｍと０．５ミクロンの間」であるから、マクロモードでの光の照射領域は、「０．１ｍｍと０．５ミクロンの間」よりも大きいことは明らかである。
　　　ｃ　してみると、引用発明のマクロモードにおいてレーザーが照射されるより広い区域として、どの程度の領域とするかは、観察したい全体の領域と必要とする微小領域の詳細分析の領域との関係で考慮されるものであり、その際、上記ａで示した周知技術としての大小の領域を共に蛍光（フォトルミネセンス）を用いて観察することは、当業者が実施に際して適宜設定しうる事項にすぎない。
　即ち、引用発明においては、マイクロモードにおいて  極めて小さな領域に極めて電力密度の高いレーザを照射することで、微小領域のシリコン構造の欠陥を検出しているものであるが、そのような極めて微小な領域を特定するために、マクロモードとして、検出し得るルミネセンス光が微小となり検出精度が落ちたとしてもより大きな領域を一度に分析しようとすることは、顕微鏡或いは蛍光顕微鏡分析における上記ａの周知事項から、当業者ならば容易に想到し得た事項である。
　　　ｄ　また、照明領域の大小の領域の設定については、例えば、フォトルミネッセンスを用いた分析において、刊行物３の上記摘記事項（刊３ア）、（刊３イ）には、詳細な分析を行うため、「１〜２μｍ程度」の径の微小領域に励起レーザーを照射して「フォトルミネッセンススペクトルを得」、おおよその全体像を得るためにより広い領域、例えば、「２００μｍ〜２ｍｍ径」で励起レーザーを照射して、映像増強管２９によりフォトルミネッセンストポグラフィを得ることが、記載されており、これは、概ね、微小径と拡大径とでは、１μｍに対して２００〜２０００倍、２μｍに対して１００〜１０００倍のスポットサイズの比となる。
　そして、引用発明のマイクロモードでのスポットサイズ「０．１ｍｍと０．５ミクロンの間」（以下「０．５μｍ〜０．１ｍｍ」という。）に対するマクロモードのスポットサイズの設定として、上記径の倍率である２００〜２０００倍乃至は１００〜１０００倍を参照すれば、０．５μmに対しては２００〜２０００倍である１００μｍ〜１０００μm、０．１ｍｍに対しては１００〜１０００倍である１０ｍｍ〜１００ｍｍ（１ｃｍ〜１０ｃｍ）となり、面積は７８５０μｍ２（＝３．１４＊（１００／２）２）〜７８．５ｃｍ２ （＝３．１４＊（１０／２）２）程度となる。
　　　ｅ　加えて、本願発明１においては、「少なくとも１平方センチメールの領域」での「フォトルミネセンスの画像を捕捉」して、「前記画像を処理し、前記画像内のルミネセンスの空間変動を判断する処理」における、「空間変動」の内容及びどの様な処理を行うのかについては特段の限定がなされているものでもない。
　　　ｆ　してみると、引用発明の「マクロモードでは、対物レンズを試料のより広い区域が照射されるように変更させ」た際の照射区域として、「少なくとも１平方センチメールの領域」として設定し、「マクロモード」においても、「マイクロモード」と同様のＣＣＤ二方向アレイ２９により試料上の照射スポット作像し、本願発明１との相違点１及び相違点２に係る構成とすることは当業者ならば容易に想到し得た事項である。
　
　　（イ）相違点３について
　　　ａ　「照明がショートパス濾過され、前記フォトルミネセンスの波長領域内の要素を実質的に除去」する点について
　励起光を試料に照射して、試料からの蛍光を観察する方法において、励起光に余分な蛍光程度の波長の光が混在する場合には、試料への照射の前に余分な蛍光程度の波長の光を除去することは周知（例えば、刊行物３の上記摘記事項（刊３ウ）の「アルゴンレーザ２８からは、４８８ｎｍまたは５１４．５ｎｍの波長のレーザビームが放射される。このレーザビームは、クラッセンフィルタ２１により、余分な蛍光が除去され」との記載、特開２００６−１７８４４０号公報の第３実施形態の【００４５】の記載等）であり、また、刊行物１の摘記事項（刊１イ）の「試料からの光ルミネセンス信号は、(マイクロモードで)顕微鏡対物レンズ（３４）により集められ、ビーム分割器（３１）およびレーザー波長の範囲に整合するノッチフィルタを持つフィルタホイール（１３）のノッチフィルタを通して戻される。ノッチフィルタは、
光ルミネセンス信号のみを通過させ、どんな反射レーザー光も除去する。
　　　ｂ　「照明の光学的総出力は１．０ワットを超える」点について
　　　（ａ）引用発明のマイクロモードでは、「１０4から１０9ｗａｔｔ／ｃｍ2間の電力密度」のレーザーを照射している。また、刊行物１の上記摘記事項(刊１ア）には「・・（略）・・欠陥部分での再結合は、注入レベルを増加することにより増大され(enhanced)、キャリアが少なくても、それを有効に利用することができる。」と記載されており、レーザーの注入レベル（電力密度等）を上げれば、少ないキャリアでもこれを利用することができる旨説明されている。
　　　（ｂ）一方、本願発明１においては、照射面積の上限を規定せずに、「照明の光学的総出力は１．０ワットを超える」としており、照射面積の下限が、「少なくとも１平方センチメールの領域を照明」しているのであるから、その、光学的出力密度は、１ｗａｔｔ／ｃｍ2以下の出力を含む状態となっており、そのような低出力密度によって、「少なくとも１平方センチメールの領域」での「フォトルミネセンスの画像を捕捉」して、「前記画像を処理し、前記画像内のルミネセンスの空間変動を判断する処理」における、「空間変動」の内容及びどの様な処理を行うのかについては特段の限定がなされているものでもない。
　また、本願の出願当初明細書の記載には、
　【００１４】、【００２９】、【００４５】、【００６１】に「 光の総光学的出力は１ワットを超えることができる。」、
　【００７９】に「光源１１０は大面積のシリコンサンプル１４０にフォトルミネセンスを同時に誘起するのに適した光を発生させる。発生した光の光学的総出力は１．０ワットを超えることができる。
より高い出力の光源はシリコンサンプル１４０にフォトルミネセンスをより急速かつ強力に誘起することが可能である
　【００８５】、【００８９】、【００９１】に「  再び、光源４１０（２１０）は大面積のシリコンサンプル４４０にフォトルミネセンスを同時に誘起させるのに適した光を発生させる。発生した光の出力は１．０ワットを超える。・・（略）・・」、
との記載があるものの、「照明の光学的総出力は１．０ワットを超える」事による有意な効果の説明はなく、単に「
より高い出力の光源はシリコンサンプル１４０にフォトルミネセンスをより急速かつ強力に誘起することが可能である。
　　　（ｃ）してみると、例えば、引用発明におけるマイクロモードでの「１０4から１０9ｗａｔｔ／ｃｍ2間の電力密度」程度の高出力とはせずとも、引用発明のマクロモードにおいて上記相違点１で検討したようなおおよその状況が把握しうる程度の電力として、「照明の光学的総出力は１．０ワットを超える」程度とすることは、当業者が適宜設定しうる程度の出力であり、当業者ならば容易に想到し得た事項にすぎない。
　　
　　（ウ）相違点１〜３に係る本願発明１の発明特定事項により奏される効果について
　相違点１〜３に係る本願発明１の各発明特定事項により奏される相乗的な効果について、格別顕著な点は見いだせない。
　
　　ウ　本願発明１と引用発明との対比・判断のまとめ
　上記ア、イのとおり本願発明１は、引用発明、刊行物３に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に想到し得たものである。
　
（２）本願発明３と引用発明との対比・判断
　　ア　本願発明３と引用発明との対比
　　（ア）本願発明３は、本願発明１の照明する領域の大きさ「少なくとも１平方センチメールの領域」との限定を削除し、「前記照明ステップと前記捕捉ステップは約１秒以内に行われる」との限定を付加したものである。
　　（イ）そして、文言及び発明特定事項についての対応関係については、上記（１）ア（ア）〜（オ）のとおりである。
　　（ウ）そうすると、本願発明３と引用発明とは、
  「間接バンドギャップ半導体材料から発生したフォトルミネセンスの空間変動を判断する方法であって、前記方法が、
　所定の照明によって前記間接バンドギャップ半導体材料の領域を照明し、前記照明に対応して前記間接バンドギャップ半導体材料からフォトルミネセンスを発生させる照明ステップと、
　撮像デバイスによって前記フォトルミネセンスの画像を捕捉する捕捉ステップと、
　前記画像を処理し、前記画像内のフォトルミネセンスの空間変動を判断する処理ステップとを含む
　方法。」
の点で一致するものの、次の点で相違する。
　
相違点１：
　本願発明１では、「撮像デバイスによって前記フォトルミネセンスの画像を捕捉」しているが、引用発明の「マイクロモード」では、「撮像デバイスによって前記フォトルミネセンスの画像を捕捉」しているものの、「マクロモード」で、どの様な信号をどの様な検出器で検出するのか特定されていない点。
　
相違点２：
　照明に関して、本願発明３は、「前記照明がショートパス濾過され、前記フォトルミネセンスの波長領域内の要素を実質的に除去し、前記照明の光学的総出力は１．０ワットを超え」ているのに対して、引用発明は、「前記照明がショートパス濾過され、前記フォトルミネセンスの波長領域内の要素を実質的に除去」していることが特定されておらず、「マクロモード」において、どの程度の総出力としているのかが不明である点。
　
相違点３：
　本願発明３は、「前記照明ステップと前記捕捉ステップは約１秒以内に行われる」のに対して、引用発明は、そのような特定がなされていない点。
　
　　イ　相違点についての判断
　　（ア）相違点１、２について
　本願発明３と引用発明との相違点１、２は、上記本願発明１と引用発明との相違点２、３と同じであるから、上記（１）イ（ア）、（イ）における判断と同様に、引用発明において、相違点１、２に係る本願発明３の構成とすることは、当業者が適宜設定しうる程度のものであり、当業者ならば容易に想到し得た事項にすぎない。
　
　　（イ）相違点３について
　　　ａ　引用発明は、「ＣＣＤ二方向アレイ２９上に試料２の照射スポットを作像」しているのであり、また、「ＣＣＤ二方向アレイ２９」の前段には、「光ルミネセンス信号のみを通過させ」る「ノッチフィルタを持つフィルタホイール１３」に続けて「選択された波長帯域を離隔するフィルタを持つフィルタホイール２７」を介して入射されるのであるから、照射スポットのサイズの試料２からのルミネッセンス光を２次元方向において同時に受光していることは明らかである。
　また、励起からルミネッセンス発光までの時間は種々あり、瞬時の発光量、発光の時間経過に応じた増減量の変化等、試料の材料の種類、欠陥の種類、ドーパント等の分析したい内容に応じて種々の測定方法が知られていることから、照明からルミネッセンス光の像データの取得までの時間は、分析・測定したい内容に応じて適宜設定しうるものであり、「前記照明ステップと前記捕捉ステップは約１秒以内に行」なうことは、目的とする分析内容に応じて適宜設定しうる設計的事項であり、当業者ならば容易に想到し得た事項にすぎない。
　　
　　（ウ）相違点１〜３に係る本願発明３の発明特定事項により奏される効果について
　相違点１〜３に係る本願発明３の各発明特定事項により奏される相乗的な効果について、格別顕著な点は見いだせない。
　
　　ウ　本願発明３と引用発明との対比・判断のまとめ
　上記ア、イのとおり本願発明３は、引用発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものである。
　
５　むすび
　以上のとおり、本願の請求項１及び３に係る発明は、刊行物１及び刊行物３に記載された発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであり、本願の請求項２及び請求項４〜４４に係る発明については検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。