【事件の表示】
　特願２０１２−　９３３５１「半導体発光素子及びウェーハ」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１２月１０日出願公開、特開２０１２−２４４１６３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯・本願発明
　本願は、平成２３年５月１３日に出願された特願２００１−１０７９７７号（以下「原出願」という。）の一部を平成２４年４月１６日に新たな特許出願としたものであって、平成２５年８月２２日付けで手続補正がなされ、平成２５年１２月２６日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年２月２８日に拒絶査定不服審判請求がなされたものである。
　
　そして、本願の請求項に係る発明は、平成２５年８月２２日付け手続補正後の特許請求の範囲の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし４に記載される事項によって特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明は次のものである。
　
「ｃ面を主面とする窒化物半導体を含むｎ形半導体層と、
　窒化物半導体を含むｐ形半導体層と、
　前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられた発光部であって、
　　Ｉｎｘ１Ｇａ１−ｘ１Ｎ（０＜ｘ１＜１）を含む複数の井戸層と、
　　前記複数の井戸層どうしの間に設けられＧａＮを含む障壁層と、
　を含む発光部と、
　を備え、
　前記複数の井戸層のうちで前記ｐ形半導体層に最も近いｐ側井戸層の厚さは、４ナノメートル以上であり、前記複数の井戸層のうちの前記ｐ側井戸層を除く全ての前記井戸層の厚さは４ナノメートル未満であり、
　前記ｐ側井戸層のＩｎ組成比は、０．１４５未満であり、前記ｐ側井戸層を除く全ての前記井戸層のＩｎ組成比は０．１４５以上であり、
　前記障壁層の厚さは、前記ｐ側井戸層の厚さの２倍以下であり、３ナノメートル以上、８ナノメートル以下であり、
　前記発光部から放出される光は単一ピークを有し、
　前記ｐ側井戸層の前記Ｉｎ組成比は、前記ｐ側井戸層を除く全ての前記井戸層のＩｎ組成比の０．８倍以上０．９５倍以下であることを特徴とする半導体発光素子。」（以下「本願発明」という。）
　
　
２　引用文献の記載事項
（１）引用文献１
　原査定の拒絶の理由に引用された、原出願の出願前に頒布された刊行物である特開２０１１−２３４８２号公報（以下「引用文献１」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　ア　「【００１５】
『半導体発光素子』
  図１は、本発明の半導体発光素子の製造方法を用いて製造された半導体発光素子の一例を示した断面模式図である。
  図１に示す本実施形態の半導体発光素子１は、基板１１と、基板１１上に積層された積層半導体層２０と、積層半導体層２０の上面に積層された透光性電極１５と、透光性電極１５上に積層されたｐ型ボンディングパッド電極１６と、積層半導体層２０の露出面２０ａ上に積層されたｎ型電極１７とを具備している。
【００１６】
  積層半導体層２０は、基板１１側から、ｎ型半導体層１２、発光層１３、ｐ型半導体層１４がこの順に積層されて構成されている。図１に示すように、ｎ型半導体層１２、発光層１３、ｐ型半導体層１４は、その一部がエッチング等の手段によって除去されており、除去された部分からｎ型半導体層１２の一部が露出されている。そして、ｎ型半導体層１２の露出面２０ａには、ｎ型電極１７が積層されている。
  また、ｐ型半導体層１４の上面には、透光性電極１５及びｐ型ボンディングパッド電極１６が積層されている。これら、透光性電極１５及びｐ型ボンディングパッド電極１６によって、ｐ型電極１８が構成されている。
【００１７】
  ｎ型半導体層１２、発光層１３およびｐ型半導体層１４を構成する半導体としては、ＩＩＩ族窒化物半導体を用いることが好ましく、窒化ガリウム系化合物半導体を用いることがより好ましい。本発明におけるｎ型半導体層１２、発光層１３およびｐ型半導体層１４を構成する窒化ガリウム系化合物半導体としては、一般式ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１，０≦ｘ＋ｙ＜１）で表わされる各種組成の半導体を何ら制限なく用いることができる。
【００１８】
  本実施形態の半導体発光素子１は、ｐ型電極１８とｎ型電極１７との間に電流を通じることで、積層半導体層２０を構成する発光層１３から発光を発せられるようになっており、発光層１３からの光を、ｐ型ボンディングパッド電極１６の形成された側から取り出すフェイスアップマウント型の発光素子である。なお、本発明の半導体発光素子は、フリップチップ型の発光素子であってもよい。」
　
　イ　「【００７６】
（実施例１）
  以下に示す方法により、図１に示す半導体発光素子１を製造した。
  実施例１の半導体発光素子１を製造するために、はじめに、サファイアからなる平面視円形の基板１１上に、ＡｌＮからなるバッファ層２１、厚さ５μｍのアンドープＧａＮからなる下地層２２、厚さ３μｍのＳｉドープｎ型ＧａＮからなる第１工程成長層１２ｃと厚さ０.２μｍのＳｉドープｎ型ＧａＮからなる再成長層１２ｄとからなる厚さ３．２μｍのｎコンタクト層１２ａ、ＧａＩｎＮからなる厚さ２ｎｍのｎ側第１層と、ＧａＮからなる厚さ２ｎｍのｎ側第２層とからなる薄膜層を２０層繰り返し成長させてなる厚さ８０ｎｍの超格子構造のｎクラッド層１２ｂ、厚さ５ｎｍのＳｉドープＧａＮ障壁層および厚さ３．５ｎｍのＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ井戸層を６回積層し、最後に障壁層を設けた多重量子井戸構造の発光層１３、厚さ１０ｎｍのＭｇドープ単層Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎからなるｐクラッド層１４ａ、厚さ１５０ｎｍのＭｇドープｐ型ＧａＮからなるｐコンタクト層１４ｂとを順に積層した。」
　
　ウ　上記ア及びイに照らして図１をみると、
　（ア）「ｎ型半導体層１２」は、「（『（厚さ３μｍのＳｉドープｎ型ＧａＮからなる）第１工程成長層１２ｃ』と『（厚さ０.２μｍのＳｉドープｎ型ＧａＮからなる）再成長層１２ｄ』とからなる厚さ３．２μｍの）ｎコンタクト層１２ａ」と、「（ＧａＩｎＮからなる厚さ２ｎｍのｎ側第１層と、ＧａＮからなる厚さ２ｎｍのｎ側第２層とからなる薄膜層を２０層繰り返し成長させてなる厚さ８０ｎｍの）超格子構造のｎクラッド層１２ｂ」とから構成され、また、
　（イ）「ｐ型半導体層１４」は、「（厚さ１０ｎｍのＭｇドープ単層Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎからなる）ｐクラッド層１４ａ及び「（厚さ１５０ｎｍのＭｇドープｐ型ＧａＮからなる）ｐコンタクト層１４ｂ」から構成される、
といえる。
　
　よって、上記ア〜ウの記載を総合すると、引用文献１には、次の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されていると認められる。
　
「基板１１と、基板１１上に積層された積層半導体層２０と、積層半導体層２０の上面に積層された透光性電極１５と、透光性電極１５上に積層されたｐ型ボンディングパッド電極１６と、積層半導体層２０の露出面２０ａ上に積層されたｎ型電極１７とを具備してなる半導体発光素子１であって、
　積層半導体層２０は、基板１１側から、ｎ型半導体層１２、発光層１３、ｐ型半導体層１４がこの順に積層されて構成され、ｎ型半導体層１２、発光層１３、ｐ型半導体層１４は、その一部がエッチング等の手段によって除去されており、除去された部分からｎ型半導体層１２の一部が露出されており、ｎ型半導体層１２の露出面２０ａには、ｎ型電極１７が積層されており、また、ｐ型半導体層１４の上面には、透光性電極１５及びｐ型ボンディングパッド電極１６が積層されており、これら、透光性電極１５及びｐ型ボンディングパッド電極１６によって、ｐ型電極１８が構成されており、
　ｎ型半導体層１２、発光層１３およびｐ型半導体層１４を構成する半導体としては、ＩＩＩ族窒化物半導体を用いることが好ましく、窒化ガリウム系化合物半導体を用いることがより好ましく、ｎ型半導体層１２、発光層１３およびｐ型半導体層１４を構成する窒化ガリウム系化合物半導体としては、一般式ＡｌｘＩｎｙＧａ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１，０≦ｘ＋ｙ＜１）で表わされる各種組成の半導体を何ら制限なく用いることができ、
　実施例の半導体発光素子１を製造するために、はじめに、サファイアからなる平面視円形の基板１１上に、ＡｌＮからなるバッファ層２１、厚さ５μｍのアンドープＧａＮからなる下地層２２、厚さ３μｍのＳｉドープｎ型ＧａＮからなる第１工程成長層１２ｃと厚さ０.２μｍのＳｉドープｎ型ＧａＮからなる再成長層１２ｄとからなる厚さ３．２μｍのｎコンタクト層１２ａ、ＧａＩｎＮからなる厚さ２ｎｍのｎ側第１層と、ＧａＮからなる厚さ２ｎｍのｎ側第２層とからなる薄膜層を２０層繰り返し成長させてなる厚さ８０ｎｍの超格子構造のｎクラッド層１２ｂ、厚さ５ｎｍのＳｉドープＧａＮ障壁層および厚さ３．５ｎｍのＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ井戸層を６回積層し、最後に障壁層を設けた多重量子井戸構造の発光層１３、厚さ１０ｎｍのＭｇドープ単層Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎからなるｐクラッド層１４ａ、厚さ１５０ｎｍのＭｇドープｐ型ＧａＮからなるｐコンタクト層１４ｂとを順に積層し、前記ｎ型半導体層１２は、前記第１工程成長層１２ｃと前記再成長層１２ｄとからなるｎコンタクト層１２ａと、超格子構造の前記ｎクラッド層１２ｂとから構成され、前記ｐ型半導体層１４は、前記ｐクラッド層１４ａ及び前記ｐコンタクト層１４ｂから構成される、半導体発光素子１。」
　
（２）引用文献２
　同じく、特開２００７−１１５７５３号公報（以下「引用文献２」という。）には、図とともに下記の事項が記載されている。
　
　ア　「【特許請求の範囲】
【請求項１】
　…
【請求項２】
  ｎ型窒化ガリウム系半導体領域と、
  ｐ型窒化ガリウム系半導体領域と、
  前記ｎ型窒化ガリウム系半導体領域と前記ｐ型窒化ガリウム系半導体領域との間に設けられた量子井戸構造を有する発光領域と
を備え、
  前記量子井戸構造は、ＩｎＸＧａ１−ＸＮからなる複数の第１の井戸層、ＩｎＹＧａ１−ＹＮからなる一または複数の第２の井戸層、およびＩｎＺＧａ１−ＺＮ（０≦Ｚ＜１、Ｚ＜Ｘ、Ｚ＜Ｙ）からなるバリア層を含み、
  前記バリア層と前記第１および第２の井戸層とは交互に配列されており、
  前記第２の井戸層は、前記第１の井戸層と前記ｐ型窒化ガリウム系半導体領域との間に位置しており、
  前記第２の井戸層のインジウム組成は前記第１の井戸層のインジウム組成より小さく、
  前記第２の井戸層の厚さは前記第１の井戸層の厚さより厚い、ことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
  前記第１の井戸層の厚さは、４ナノメートル未満であり、
  前記第２の井戸層の厚さは、４ナノメートル以上である、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載された窒化物半導体発光素子。」
　
　イ　「【０００７】
  本発明は、…注入される電流の電流密度に対する発光効率の依存性を調整可能にする構造を有する窒化物半導体発光素子を提供することを目的とする。」
　
　ウ　「【００１０】
  本発明の別の側面によれば、窒化物半導体発光素子は、（ｄ）ｎ型窒化ガリウム系半導体領域と、（ｅ）ｐ型窒化ガリウム系半導体領域と、（ｆ）前記ｎ型窒化ガリウム系半導体領域と前記ｐ型窒化ガリウム系半導体領域との間に設けられた量子井戸構造を有する発光領域とを備え、前記量子井戸構造は、ＩｎＸＧａ１−ＸＮからなる複数の第１の井戸層、ＩｎＹＧａ１−ＹＮからなる一または複数の第２の井戸層、およびバリア層を含み、前記バリア層と前記第１および第２の井戸層とは交互に配列されており、前記第２の井戸層は、前記第１の井戸層と前記ｐ型窒化ガリウム系半導体領域との間に位置しており、前記第２の井戸層のインジウム組成は前記第１の井戸層のインジウム組成より小さく、前記第２の井戸層の厚さは前記第１の井戸層の厚さより厚い。
【００１１】
  この窒化物半導体発光素子によれば、薄い第１の井戸層は低い電流密度において効率良く発光し、厚い第２の井戸層は高い電流密度において効率良く発光する。結晶性が悪化しやすい第２の井戸層が第１の井戸層とｐ型窒化ガリウム系半導体領域との間に位置するので、第１の井戸層の結晶性を損ねることはない。また、第１および第２の井戸層の発光波長は、当該窒化物半導体素子へ印加される電流の電流密度に対して互いに異なる依存性を有する。第２の井戸層の厚さを第１の井戸層の厚さより厚くすると共に、第２の井戸層のインジウム組成を前記第１の井戸層のインジウム組成より小さくすることにより、第１の井戸層の発光波長が当該窒化物半導体素子へ印加される電流の第１の電流密度において第２の井戸層の発光波長より大きくなると共に、第１の井戸層の発光波長が当該窒化物半導体素子へ印加される電流の第２の電流密度において第２の井戸層の発光波長より小さくなる。これ故に、互いに異なる発光効率を有する複数の井戸層を用いて、電流密度に対する発光効率の依存性を調整できる。
【００１２】
  本発明に係る窒化物半導体発光素子では、前記第１の井戸層の厚さは、４ナノメートル未満であり、前記第２の井戸層の厚さは、４ナノメートル以上であることが好ましい。
【００１３】
  この窒化物半導体発光素子によれば、薄い井戸層および厚い井戸層の厚みを４ナノメートルを境に作り分けると、電流密度に対する発光効率の依存性に関して薄い井戸層と厚い井戸層との間に差を設けることが容易になる。
【００１４】
  本発明に係る窒化物半導体発光素子では、前記第２の井戸層の数は前記第１の井戸層の数より少ないことが好ましい。」
　
　エ　「【００２４】
  （第１の実施の形態）
図１は、本実施の形態に係る窒化物半導体発光素子の主要部を示す図面である。図２は、窒化物半導体発光素子の構造を示す図面である。窒化物半導体発光素子１１は、ｎ型窒化ガリウム系半導体領域１３と、ｐ型窒化ガリウム系半導体領域１５と、発光領域１７とを含む。発光領域１７は、量子井戸構造１９を有する。量子井戸構造１９は、ｎ型窒化ガリウム系半導体領域１３とｐ型窒化ガリウム系半導体領域１５との間に設けられている。ｎ型窒化ガリウム系半導体領域１３からは、発光領域１７に電子Ｅが供給される。ｐ型窒化ガリウム系半導体領域１５からは、発光領域１７に正孔Ｈが供給される。量子井戸構造１９は、ＩｎＸＧａ１−ＸＮからなる複数の第１の井戸層２１、ＩｎＹＧａ１−ＹＮからなる一または複数の第２の井戸層２３、およびバリア層２５を含む。第１および第２の井戸層２１、２３とバリア層２５とは交互の配列されている。第２の井戸層２３は、第１の井戸層２１とｐ型窒化ガリウム系半導体領域１５との間に位置している。第２の井戸層２３のインジウム組成Ｙは第１の井戸層２１のインジウム組成Ｘより小さく、また第２の井戸層２３の厚さＤＷ２は第１の井戸層２１の厚さＤＷ１より厚い。
【００２５】
  この窒化物半導体発光素子１１によれば、薄い第１の井戸層２１は低い電流密度において効率良く発光し、厚い第２の井戸層２３は高い電流密度において効率良く発光する。結晶性が悪化しやすい第２の井戸層２３が第１の井戸層２１とｐ型窒化ガリウム系半導体領域１５との間に位置するので、第１の井戸層の結晶性を損ねることはない。また、第１および第２の井戸層２１、２３の発光波長は、当該窒化物半導体素子１１へ印加される電流
の電流密度に対して互いに異なる依存性を有する。第２の井戸層２３の厚さＤＷ２を第１の井戸層２１の厚さＤＷ１より厚くすると共に、第２の井戸層２３のインジウム組成Ｙを第１の井戸層２１のインジウム組成Ｘより小さくすることにより、第１の井戸層２１の発光波長が当該窒化物半導体素子１１へ印加される電流の第１の電流密度において第２の井戸層２３の発光波長より大きくなると共に、第１の井戸層２１の発光波長が当該窒化物半導体素子１１へ印加される電流の第２の電流密度において第２の井戸層２３の発光波長より小さくなる。これ故に、所望の波長の光を発する発光素子において、互いに異なる発光効率を有する井戸層２１、２３を用いて、電流密度に対する発光効率の依存性を調整できる。
【００２６】
  また、本実施の形態に係る窒化物半導体発光素子１１では、第１の井戸層２１の発光波長は、当該窒化物半導体素子１１へ印加される電流の電流密度のある値（例えば、図４に示された矢印のＩＤＥＮ１）において第２の井戸層２３の発光波長と略等しい。この窒化物半導体発光素子１１によれば、薄い第１の井戸層２１は低い電流密度において効率良く発光し、厚い第２の井戸層２３は高い電流密度において効率良く発光する。これ故に、互いに異なる発光効率を有する井戸層２１、２３を用いて、電流密度に対する発光効率の依存性が調整できる。第１の井戸層２１の発光波長は、当該窒化物半導体素子１１へ印加される電流の電流密度のある値において第２の井戸層２３の発光波長と略等しくなり、実用的な電流密度の範囲（例えば、０Ａ／ｃｍ２以上２００Ａ／ｃｍ２以下）のいずれかの電流密度の値において等しくなる。
【００２７】
  窒化物半導体発光素子１１では、当該窒化物半導体発光素子１１の発光波長が４００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の範囲にあるように量子井戸構造１９が形成されている。この波長範囲において、特に、注入される電流の電流密度に対する発光効率の依存性が大きい。窒化物半導体発光素子１１からの光のスペクトルは、実質的に単一のピーク波長を有する。このために、第１の井戸層２１からの光の波長が第２の井戸層２３からの光の波長とほぼ一致するように、第１の井戸層２１の組成および厚み並びに第２の井戸層２３の組成および厚みが調整される。低い電流密度においては、一方の井戸層の発光効率が他方の井戸層の発光効率より大きく、高い電流密度においては、他方の井戸層の発光効率が一方の井戸層の発光効率より大きい。当該窒化物半導体素子１１へ印加される電流の電流密度のある値において、他方の井戸層の発光効率は、一方の井戸層の発光効率と略等しくなる。
【００２８】
  窒化物半導体発光素子１１では、ｎ型窒化ガリウム系半導体領域１３の貫通転位密度は、１×１０７ｃｍ−２以下である。この貫通転位密度によれば、厚い井戸層の結晶品質の低下を小さくすることができる。
【００２９】
  図２を参照すると、窒化物半導体発光素子１１は、III族窒化物基板２７を更に含む。III族窒化物基板２７は、第１の面２７ａと該第１の面２７ａの反対側の第２の面２７ｂとを有する。ｎ型窒化ガリウム系半導体領域１３、発光領域１７およびｐ型窒化ガリウム系半導体領域１５は順にIII族窒化物基板２７の第１の面２７ａ上に配列されており、ｎ型窒化ガリウム系半導体領域１３の貫通転位密度が１×１０７ｃｍ−２以下である。この窒化物半導体発光素子１１によれば、ｎ型窒化ガリウム系半導体領域１３の貫通転位密度が１×１０７ｃｍ−２以下であるので、貫通転位に敏感な厚い井戸層２３の結晶性がより良好になる。
【００３０】
  好適には、III族窒化物基板２７は窒化ガリウム基板である。貫通転位密度１×１０７ｃｍ−２以下の窒化ガリウム基板が入手可能であるので、窒化ガリウム基板上に成長された低い貫通転位密度の下地膜を井戸層の成長のために提供できる。…
【００３１】
  また、窒化物半導体発光素子１１は、III族窒化物基板２７の第１の面２７ａ上に設けられたバッファ層３１を更に含む。…
【００３２】
  窒化物半導体発光素子１１は、ｐ型窒化ガリウム系半導体領域１５上に設けられたｐ型窒化ガリウム系コンタクト領域３３と、ｐ型窒化ガリウム系コンタクト領域３３上に設けられたアノード電極３５とを更に含む。アノード電極３５は半透明電極を含むことが好ましい。III族窒化物基板２７の第２の面２７ｂ上には、カソード電極３７が設けられている。
【００３３】
  窒化物半導体発光素子１１では、第１の井戸層２１の厚さＤＷ１は４ナノメートル未満であることが好ましい。井戸層が４ナノメートル以下であると、結晶品質を損ねることなく効果的にＩｎ組成ゆらぎが導入され、低い電流密度における発光効率を向上させることができるからである。第２の井戸層２３の厚さＤＷ２は４ナノメートル以上であることが好ましい。井戸層が４ナノメートル以上であると、所望の発光波長を得るのに必要なＩｎ組成が低くなり均質な井戸層を作製することが可能となり、高い電流密度における発光効率を向上させることができるからである。薄い井戸層２１および厚い井戸層２３の厚みを４ナノメートルを境に作り分けると、薄い井戸層２１と厚い井戸層２３との間で電流密度に対する発光効率の依存性の違いを大きくできる。第１の井戸層２１は、第２の井戸層２３とｎ型窒化ガリウム系半導体領域１３との間に形成される。第２の井戸層２３に先立って第１の井戸層２１を成長できるので、薄い井戸層２１の結晶品質が厚い井戸層の結晶品質に影響されない。また、第２の井戸層２３は、第１の井戸層２１とｐ型窒化ガリウム系半導体領域１５との間に形成される。第１の井戸層２１の成長の後に第２の井戸層２３を成長できるので、良好な結晶品質の薄い井戸層２１上に厚い井戸層を成長でき、厚い井戸層の結晶品質の低下を低減できる。
【００３４】
  窒化物半導体発光素子１１では、第２の井戸層２３の数は第１の井戸層２１の数より少ないことが好ましい。第２の井戸層２３の数が、良好な結晶品質を得やすい第１の井戸層２１の数より小さければ、量子井戸構造１９の全体の結晶品質が良好になる。」
　
　よって、上記の記載を総合すると、引用文献２には、次の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる。
　
「ｎ型窒化ガリウム系半導体領域と、
  ｐ型窒化ガリウム系半導体領域と、
  前記ｎ型窒化ガリウム系半導体領域と前記ｐ型窒化ガリウム系半導体領域との間に設けられた量子井戸構造を有する発光領域と
を備え、
  前記量子井戸構造は、ＩｎＸＧａ１−ＸＮからなる複数の第１の井戸層、ＩｎＹＧａ１−ＹＮからなる一または複数の第２の井戸層、およびＩｎＺＧａ１−ＺＮ（０≦Ｚ＜１、Ｚ＜Ｘ、Ｚ＜Ｙ）からなるバリア層を含み、
  前記バリア層と前記第１および第２の井戸層とは交互に配列されており、
  前記第２の井戸層は、前記第１の井戸層と前記ｐ型窒化ガリウム系半導体領域との間に位置しており、
  前記第２の井戸層のインジウム組成は前記第１の井戸層のインジウム組成より小さく、
  前記第２の井戸層の厚さは前記第１の井戸層の厚さより厚く、
　薄い第１の井戸層は低い電流密度において効率良く発光し、厚い第２の井戸層は高い電流密度において効率良く発光し、結晶性が悪化しやすい第２の井戸層が第１の井戸層とｐ型窒化ガリウム系半導体領域との間に位置するので、第１の井戸層の結晶性を損ねることはなく、また、第１および第２の井戸層の発光波長は、当該窒化物半導体素子へ印加される電流の電流密度に対して互いに異なる依存性を有し、第２の井戸層の厚さを第１の井戸層の厚さより厚くすると共に、第２の井戸層のインジウム組成を前記第１の井戸層のインジウム組成より小さくすることにより、第１の井戸層の発光波長が当該窒化物半導体素子へ印加される電流の第１の電流密度において第２の井戸層の発光波長より大きくなると共に、第１の井戸層の発光波長が当該窒化物半導体素子へ印加される電流の第２の電流密度において第２の井戸層の発光波長より小さくなり、これ故に、互いに異なる発光効率を有する複数の井戸層を用いて、電流密度に対する発光効率の依存性を調整でき、
　光のスペクトルが実質的に単一のピーク波長を有し、
　前記第１の井戸層の厚さは、４ナノメートル未満であり、前記第２の井戸層の厚さは、４ナノメートル以上であることが好ましい、窒化物半導体発光素子。」
　
　
３　対比
　本願発明と引用発明１を対比する。
（１）引用発明１の「ｎ型半導体層１２」は、「（Ｓｉドープｎ型ＧａＮからなる）第１工程成長層１２ｃと（Ｓｉドープｎ型ＧａＮからなる）再成長層１２ｄとからなるｎコンタクト層１２ａと、（ＧａＩｎＮからなるｎ側第１層と、ＧａＮからなるｎ側第２層とからなる薄膜層を２０層繰り返し成長させてなる）超格子構造のｎクラッド層１２ｂとから構成される」ものであるから、本願発明の「ｃ面を主面とする窒化物半導体を含むｎ形半導体層」と、「窒化物半導体を含むｎ形半導体層」である点で共通する。
（２）引用発明１の「ｐ型半導体層１４」は、「（Ｍｇドープ単層Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎからなる）ｐクラッド層１４ａ」及び「（Ｍｇドープｐ型ＧａＮからなる）ｐコンタクト層１４ｂ」から構成されるものであるから、本願発明の「窒化物半導体を含むｐ形半導体層」に相当する。
（３）引用発明１は、「基板１１側から、ｎ型半導体層１２、発光層１３、ｐ型半導体層１４がこの順に積層されて構成され」、「…Ｓｉドープｎ型ＧａＮからなる第１工程成長層１２ｃと…Ｓｉドープｎ型ＧａＮからなる再成長層１２ｄとからなる…ｎコンタクト層１２ａ、ＧａＩｎＮからなる…ｎ側第１層と、ＧａＮからなる…ｎ側第２層とからなる薄膜層を２０層繰り返し成長させてなる…超格子構造のｎクラッド層１２ｂ、厚さ５ｎｍのＳｉドープＧａＮ障壁層および厚さ３．５ｎｍのＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ井戸層を６回積層し、最後に障壁層を設けた多重量子井戸構造の発光層１３、…Ｍｇドープ単層Ａｌ０．０７Ｇａ０．９３Ｎからなるｐクラッド層１４ａ、…Ｍｇドープｐ型ＧａＮからなるｐコンタクト層１４ｂとを順に積層し」たものであるから、引用発明１の「厚さ３．５ｎｍのＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ井戸層」、「厚さ５ｎｍのＳｉドープＧａＮ障壁層」及び「（多重量子井戸構造の）発光層１３」は、それぞれ、本願発明の「（Ｉｎｘ１Ｇａ１−ｘ１Ｎ（０＜ｘ１＜１）を含む複数の）井戸層」、「（前記複数の井戸層どうしの間に設けられＧａＮを含む）障壁層」及び「（前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられ、Ｉｎｘ１Ｇａ１−ｘ１Ｎ（０＜ｘ１＜１）を含む複数の井戸層と、前記複数の井戸層どうしの間に設けられＧａＮを含む障壁層と、を含む）発光部」に相当する。
（４）引用発明１は、「厚さ５ｎｍのＳｉドープＧａＮ障壁層および厚さ３．５ｎｍのＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ井戸層を６回積層し」たものであるから、引用発明１は、本願発明の「前記複数の井戸層のうちで前記ｐ形半導体層に最も近いｐ側井戸層の厚さは、４ナノメートル以上であり、前記複数の井戸層のうちの前記ｐ側井戸層を除く全ての前記井戸層の厚さは４ナノメートル未満であり、前記ｐ側井戸層のＩｎ組成比は、０．１４５未満であり、前記ｐ側井戸層を除く全ての前記井戸層のＩｎ組成比は０．１４５以上であり、前記障壁層の厚さは、前記ｐ側井戸層の厚さの２倍以下であり、３ナノメートル以上、８ナノメートル以下であり」との事項のうち、「前記複数の井戸層のうちで前記ｐ形半導体層に最も近いｐ側井戸層の厚さ・Ｉｎ組成比」の点を除き、「前記複数の井戸層の厚さは４ナノメートル未満であり、前記井戸層のＩｎ組成比は０．１４５以上であり、前記障壁層の厚さは、３ナノメートル以上、８ナノメートル以下であり」との事項を満たす。
　
　よって、本願発明と引用発明１とは、
「窒化物半導体を含むｎ形半導体層と、
　窒化物半導体を含むｐ形半導体層と、
　前記ｎ形半導体層と前記ｐ形半導体層との間に設けられた発光部であって、
　　Ｉｎｘ１Ｇａ１−ｘ１Ｎ（０＜ｘ１＜１）を含む複数の井戸層と、
　　前記複数の井戸層どうしの間に設けられＧａＮを含む障壁層と、
　を含む発光部と、
　を備え、
　前記複数の井戸層の厚さは４ナノメートル未満であり、
　前記井戸層のＩｎ組成比は０．１４５以上であり、
　前記障壁層の厚さは、３ナノメートル以上、８ナノメートル以下である半導体発光素子。」
の点で一致し、以下の点で相違するものと認められる。  
 　  
　ａ　ｎ形半導体層が、本願発明では、ｃ面を主面とするものであるのに対し、引用発明１では、ｃ面を主面とするものであるのか否か明らかでない点（以下「相違点１」という。）。
　ｂ　本願発明は、複数の井戸層のうちでｐ形半導体層に最も近いｐ側井戸層の厚さが４ナノメートル以上であり、前記ｐ側井戸層のＩｎ組成比は、０．１４５未満であり、障壁層の厚さが前記ｐ側井戸層の厚さの２倍以下であり、発光部から放出される光が単一ピークを有し、前記ｐ側井戸層のＩｎ組成比は、前記ｐ側井戸層を除く全ての井戸層のＩｎ組成比の０．８倍以上０．９５倍以下であるのに対し、引用発明１は、ｐ形半導体層に最も近いｐ側井戸層の厚さが４ナノメートル以上ではなく、そのＩｎ組成比も０．１４５未満ではなく、前記ｐ側井戸層のＩｎ組成比がｐ側井戸層を除く全ての井戸層のＩｎ組成比の０．８倍以上０．９５倍以下であるとはいえない点（以下「相違点２」という。）。
　
　
４　判断
　上記相違点につき検討する。
　
（１）相違点１について
　Ｃ面（ｃ面）を主面とするサファイア基板やＧａＮ基板上に窒化物半導体層を成長させる半導体発光素子は原出願の出願時点で周知であるところ、そのようなｃ面を主面とするサファイア基板やＧａＮ基板上に成長された窒化物半導体層がやはりｃ面を主面とするものであることは明らかであるから（例えば、特開２００５−１２９９０５号公報（【００３３】）、特開２００９−８１３７４号公報（【０００３】）参照。）、引用発明１の「（基板１１に積層される）ｎ型半導体層１２」をｃ面を主面とするものとすることは、当業者が容易になし得ることである。
（２）相違点２について
　上記２（２）によれば、引用文献２には、「（第１の井戸層とｐ型窒化ガリウム系半導体領域との間に位置する）第２の井戸層のインジウム組成」を「前記第１の井戸層のインジウム組成より小さく」するとともに、「前記第２の井戸層の厚さ」を「前記第１の井戸層の厚さより厚く」なし、これにより、「互いに異なる発光効率を有する複数の井戸層を用いて、電流密度に対する発光効率の依存性を調整でき」、「光のスペクトルが実質的に単一のピーク波長を有し」、しかも、「前記第１の井戸層の厚さは、４ナノメートル未満であり、前記第２の井戸層の厚さは、４ナノメートル以上であることが好ましい」とする「窒化物半導体発光素子」の発明（引用発明２）が記載されているところ、引用発明１の「半導体発光素子１」においても、電流密度に対する発光効率の依存性を調整できるよう、互いに異なる発光効率を有する複数の井戸層を用い、（６回積層される）厚さ３．５ｎｍのＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ井戸層のうちのｐ型半導体層１４（ｐクラッド層１４ａ及びｐコンタクト層１４ｂ）に最も近い井戸層（以下「井戸層Ａ」という。）のインジウム組成を、これを除く他の（厚さ３．５ｎｍの）Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ井戸層（以下「井戸層Ｂ」という。）のインジウム組成より小さくするとともに、前記井戸層Ａの厚さを、前記（厚さ３．５ｎｍの）井戸層Ｂの厚さより厚くして当該井戸層Ａの厚さを４ｎｍ以上となし、厚さ５ｎｍのＳｉドープＧａＮ障壁層の厚さが前記井戸層Ａの厚さの２倍以下となるようになし、前記「半導体発光素子１」からの光のスペクトルが実質的に単一のピーク波長を有するようになすことは、当業者が容易になし得ることである。そして、その際、前記井戸層Ａのインジウム組成をどの程度とするかは、当業者が適宜に定めるべき設計的事項であるところ、その値を０．１４５未満となし、その結果、前記井戸層Ａのインジウム組成比を、前記井戸層Ｂのインジウム組成比の０．８倍以上０．９５倍以下となすことが当業者において格別困難なこととはいえない。
　
　そして、本願発明の奏する効果が、引用発明１、２及び上記周知の事項から当業者が予測困難な程の格別顕著なものということはできない。
　
　よって、引用発明１において、上記相違点１、２に係る本願発明の構成となすことは、当業者が容易になし得ることである。
　
　
５　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用文献１、２に記載された発明及び周知の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。