【事件の表示】
　平成８年特許願第３３８７０１号「エッチング剤」拒絶査定に対する審判事件〔平成１０年６月３０日出願公開、特開平１０−１７７９９８、請求項の数（２）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯及び本願発明
　本願は平成８年１２月１８日の出願であって、平成１３年３月２９日付けで、その請求項１〜４のうち、請求項３を除く、請求項１、２及び４に係る発明に対して拒絶理由の通知がなされ、これに対し、平成１３年６月１１日に請求人（出願人）より意見書及び手続補正書が提出されたところ、平成１３年６月２６日付けで先の拒絶の理由により拒絶査定され（以下、これを「原査定」という。）、その後、平成１３年８月９日に審判請求されるとともに、平成１３年８月１０日に手続補正書が提出されて、上記拒絶理由通知の対象外であった、もとの請求項３及びその下位の請求項４に相当する請求項に減縮して、新たに請求項１〜２とする補正がなされたものである。
　そして、その請求項１〜２に係る発明（以下、「本願発明１」〜「本願発明２」という。）は、上記平成１３年８月１０日提出の補正書により補正された明細書の、特許請求の範囲の請求項１〜２に記載されたとおりの、次のものである。
　　
「【請求項１】レジストをマスクとして基板上に形成されたシリコン酸化膜をエッチング処理するためのエッチング剤であって、前記シリコン酸化膜のエッチング速度が２００ｎｍ／分以上で、かつ、前記レジストの膜減り量が５０ｎｍ／分以下であることを特徴とするエッチング剤。
【請求項２】界面活性剤を０．００１〜１重量％含むことを特徴とする請求項１に記載のエッチング剤。」
　　
II．原査定の理由
　これに対して、原査定では、「この出願については、平成１３年３月２９日付け拒絶理由通知書に記載した理由によって、拒絶査定する。」として、特許法第２９条第２項の規定に基づき、拒絶の査定をしたものである。
　　
III．引用例の記載事実
　上記の拒絶理由通知書で、証拠として示された引用例１（特開昭６２−９６３８号公報）、引用例２（特開昭６３−２８３０２８号公報）、及び引用例３（特開昭６１−２６６５８１号公報）には、下記の事項が記載されている。
引用例１（特開昭６２−９６３８号公報）
(1-1)「１）被エッチング体上にパターン形成されたレジストをマスクとして、これら被エッチング体及びレジストを有機溶剤に浸す処理を行ってから、前記被エッチング体のケミカルエッチングを行う事を特徴とする選択エッチング方法。」（特許請求の範囲）
(1-2)「本発明は、半導体装置の製造工程におけるエッチング方法に関し、特にＳｉＯ２膜をテーパ状にエッチングする方法に関するものである。」（第１頁左下欄第１１〜１３行）
(1-3)「ｐＨ＝４．０乃至４．５のＮＨ４ＦとＨＦの混合物からなるバッファードエッチャントで前記ＳｉＯ２ 膜（２）のエッチングを行う（第１図Ｂ）。」（第２頁右上欄第７〜９行）
(1-4)「本発明は以上の説明から明らかな如く、有機溶剤に浸す事に依りＳｉＯ２ 膜とホトレジストの密着性が弱まるので、エッチングを行うとＳｉＯ２膜のテーパエッチングが容易に得られる。」（第２頁左下欄第４〜７行）
　　
引用例２（特開昭６３−２８３０２８号公報）
(2-1)「（１）フッ化水素酸、フッ化アンモニウム溶液及び水からなる混合液に、脂肪酸カルボン酸、脂肪族カルボン酸の塩、脂肪族アミンおよび脂肪族アルコールからなる界面活性剤の群から選ばれた少なくとも１種を含有せしめて成る微細加工表面処理剤。」（特許請求の範囲(1)）
(2-2)「本発明は微細加工表面処理剤に関し、更に詳しくは半導体素子製造時にエッチング面を微細加工するため湿式でエッチングする目的に使用される微細加工表面処理剤に関する。」（第１頁右下欄第１８行〜第２頁左上欄第１行）
(2-3)「従来半導体素子を製造する際には、通常シリコン上の酸化膜が湿式でエッチングされる。このエッチング用エッチング剤として、フッ化水素酸とフッ化アンモニウム溶液を混合した溶液いわゆるバッファードフッ酸溶液が使用されている。」（第２頁左上欄第３〜７行）
(2-4)「一方バファードフッ酸溶液は・・・・。そのためエッチングするシリコン酸化膜やレジスト膜への濡れ性が悪くなるという問題が生じてくる。」（第２頁左上欄第２０行〜右上欄第８行）
(2-5)「バッファードフッ酸中のＨＦ濃度は０．１〜１０重量％、ＮＨ４Ｆ濃度は１５〜４０重量％であり、例えば５０重量％フッ化水素酸１部に、４０重量％フッ化アンモニウム溶液９部を混合すると、ＨＦ５．０重量％とＮＨ４Ｆ３６．０重量％含有するバッファードフッ酸溶液が得られる。」（第３頁左下欄第１２〜１８行）
　　
引用例３（特開昭６１−２６６５８１号公報）
(3-1)「（１）フッ化アンモニウム（ＮＨ４Ｆ）１３．５〜４５重量％および次式・・・（式略）・・・のフッ素化シクロアルカンスルホネートおよび／またはフッ素化シクロアルケンスルホネートならびにそれらの混合物２５〜２０,０００ppmを含有し、残部が水である、フッ化アンモニウムおよび界面活性剤の水性混合物からなる、界面活性剤の沈澱に対して安定な界面活性剤含有エッチング液。
（２）フッ化水素１１重量％までを含有する、特許請求の範囲第１項に記載のエッチング液。」（特許請求の範囲(1)、(2)）
(3-2)「この混合物はＨＦ約１〜約１２％およびＮＨ４Ｆ約１３．５〜４０．５％を含み、残部が水である混合物を与える。」（第４頁右上欄第３〜５行）
　　
IV．対比・判断
（１）本願発明１について
　本願発明１と、引用例２に記載されたものとを対比すると、引用例２には、フッ化水素酸、フッ化アンモニウム溶液及び水からなる混合液に、界面活性剤を含有せしめてなる微細加工表面処理剤（摘記2-1）の発明が記載され、併せて、シリコン上の酸化膜用エッチング剤として、フッ化水素酸とフッ化アンモニウム溶液を混合したバッファードフッ酸溶液が使用されること（摘記2-3）、バファードフッ酸溶液が、レジスト膜を有するシリコン酸化膜のエッチングに用いられること（摘記2-4）、バッファードフッ酸中のＨＦ濃度は０．１〜１０重量％、ＮＨ４Ｆ濃度は１５〜４０重量％であること（摘記2-5）が記載されている。
　以上のことからすると、本願発明１は、引用例２に記載された発明と、レジストをマスクとして基板上に形成されたシリコン酸化膜をエッチング処理するためのエッチング剤、の点で一致し、そして、（イ）：本願発明１では、シリコン酸化膜のエッチング速度が２００ｎｍ／分以上としているのに対して、引用例２にはその記載が見あたらない点、及び、（ロ）：本願発明１では、レジストの膜減り量が５０ｎｍ／分以下、としているのに対して、引用例２にはその記載が見あたらない点、の各点で、本願発明１は、引用例２に記載された発明と相違している。
　　
そこで、上記相違点（イ）〜（ロ）について、以下、検討する。
　引用例１には、被エッチング体上にパターン形成されたレジストをマスクとして、これら被エッチング体及びレジストを有機溶剤に浸す処理を行ってから、前記被エッチング体のケミカルエッチングを行う選択エッチング方法（摘記2-1）の発明が記載され、併せて、ｐＨ＝４．０乃至４．５のＮＨ４ＦとＨＦの混合物からなるバッファードエッチャントで前記ＳｉＯ２ 膜（２）のエッチングを行うこと（摘記1-3）、及び、上記の有機溶剤に浸す事によりＳｉＯ２ 膜とホトレジストの密着性が弱まること（摘記1-4）が記載され、一方、引用例３には、フッ化アンモニウム１３．５〜４５重量％、界面活性剤、及び、フッ化水素１１重量％までを含有するエッチング液（摘記3-1）の発明が記載され、併せて、ＨＦ約１〜約１２％およびＮＨ４Ｆ約１３．５〜４０．５％を含み、残部が水である混合物を与えること（摘記3-2）が記載されている。
　しかし、これら引用例１及び３には、シリコン酸化膜をエッチング処理するためのエッチング剤において、上記相違点（イ）に係るエッチング速度、及び上記相違点（ロ）に係るレジストの膜減り量を満たすエッチング剤を開示する記載は見あたらない。
　そして本願発明１は、当該相違点（イ）及び（ロ）の点を含む、前記認定のとおりの構成に係る特定事項を達成、具備することにより、従来のエッチング液では、エッチング速度が速いものは、同時にレジストを溶解・剥離させ、絶縁膜の微細パターンの高速処理は困難であり、微細パターンを高速でエッチング処理可能なエッチング液は存在しなかった（段落【0011】）という課題のもとに、明細書、特にその実施例、比較例（段落【0033】〜【0045】）に示されるとおり、上記の課題を解決して、レジストパターンに与える影響を抑制しつつ、シリコン酸化膜を高速でエッチング可能なエッチング処理剤を提供する（段落【0001】、【0012】）と認めることができる。
　してみれば、本願発明１は、引用例１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明とすることができない。
　　
（２）本願発明２について
　本願発明２は、請求項１を引用して、本願発明１を更に限定したものであるから、上記の「（１）本願発明１について」の欄に記載したと同様、本願発明２は、引用例１〜３に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明とすることはできない。
  　　
Ｖ．むすび
　以上のとおり、本願発明１及び２は、特許法第５０条の規定に係る拒絶の理由を通知した請求項に係る発明とは言えないので、原査定の拒絶の理由により本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。