【事件の表示】
　特願２０１３−　　３５８８「キャパシタおよびその製造方法並びにキャパシタユニット」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　４月１１日出願公開、特開２０１３−　６５９０２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　
　本願は、平成２０年６月１３日（パリ条約による優先権主張　平成１９年６月２６日米国（ＵＳ））に出願した特願２００８−１５５９３２号の一部を平成２５年１月１１日に新たな特許出願としたものであって、平成２５年１０月１５日付け拒絶理由通知に対して平成２６年１月２１日付けで手続補正がなされたが、同年３月２７日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年８月１日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正がなされたものである。
　
　
２．本願発明
　
　本願の請求項１ないし１６に係る発明は、平成２６年８月１日付けで手続補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１６に記載された事項により特定されるものであるところ、そのうち請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
　なお、前記手続補正は、拒絶査定における付記「なお、本願の請求項１，７，１１に係る発明に記載の「第１凸部の厚さ」は、発明の詳細な説明には「肉厚」と記載されているように用語が不統一であり、その結果、両者の対応関係が不明確である。」に対応するためのものと認められ、明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
　
「【請求項１】
　第１の電極層と、
　前記第１の電極層の表面上にめっき法により積層された導電性の第１の凸部と、
　前記第１の凸部の表面及び前記第１の電極層の表面に成膜された第１の誘電体層と、
　前記第１の誘電体層を介して前記第１の凸部及び前記第１の電極層に重なるように、めっき法により設けられた第２の電極層と、を備え、
　前記第１の凸部の
肉厚
　
　
３．引用例
　
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平６−２２４０７０号公報（以下「引用例」という。）には、「ＭＩＭ型コンデンサおよびその製造方法」に関し、図面とともに以下の技術事項が記載されている。（下線は、当審で付与した。）
ア.「【００１３】【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて説明する。
　【００１４】図１には、一実施例にかかるＭＩＭ型コンデンサの断面構造を示す。図１に示すように、半導体基板１１上に
順次設けられた下部電極膜１２、絶縁膜１３および上部電極膜１４によりＭＩＭ型コンデンサが構成されている。
下部電極膜１２の表面は、交互に形成された凸条部１２ａと溝部１２ｂとにより凹凸形状になっており
単位面積あたりの下部電極膜１２の表面積を増大させている
絶縁膜１３および上部電極膜１４は下部電極膜１２の表面の凹凸形状に沿って形成され
　【００１５】このような構成のＭＩＭ型コンデンサでは、
下部電極膜１２の凸条部１２ａの上面の他、側面に沿っても、絶縁膜１３を介して下部電極膜１２と上部電極膜１４とが相対向しているので、半導体基板１１の単位面積あたりの容量が従来のものに比べて大きい。
　【００１６】ここで、
下部電極膜１２および上部電極膜１４を形成する材料としては、従来から公知の電極材料
絶縁膜１３を形成する材料としては、従来から公知の誘電体
　【００１７】次に、図２を参照しながら、本発明にかかるＭＩＭ型コンデンサの製造方法の一実施例を説明する。
　【００１８】図２に示すように、まず，例えばＧａＡｓのような半導体基板１１上に、下部電極膜１２の下層となる、例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる金属膜１２ｃを、例えば電子ビーム蒸着法あるいはスパッタ法により形成する（工程(a) ）。続いて、リフトオフ法あるいはミリング法等により、幅３μｍで厚さ２μｍの、例えばＴｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる凸条部１２ａを６μｍ間隔で金属膜１２ｃ上に形成し、
金属膜１２ｃおよび凸条部１２ａにより下部電極１２を形成する
絶縁膜形成法
絶縁膜１３を下部電極１２上に形成する
つまり、この絶縁膜１３を、凸条部１２ａおよびこれら凸条部１２ａの間の金属膜１２ｃを覆うように形成する。
上部電極膜１４を
絶縁膜１３上に形成
イ.「【００２６】次に、図５を参照しながら、上述した実施例（図１参照）に係るＭＩＭ型コンデンサと、従来のＭＩＭ型コンデンサとの容量の測定例について説明する。
　【００２７】図５（Ａ）および（Ｂ）に示すように、
下部電極膜１２の凸条部１２ａの幅が３μｍ、厚さが２μｍ
　【００３０】なお、このような凸条部により表面凹凸を形成したくし型形状の下部電極の場合には単位面積あたりの凸条部の本数を増やすことにより、あるいは
凸条部の厚みを大きくすることにより、単位面積あたりの容量をさらに増大できる
　
・上記ア、図２によれば、下部電極膜１２は、金属膜１２ｃとその表面上に形成された凸条部１２ａとから成るものである。そして、凸条部１２ａは、下部電極膜１２の一部であり同じ材料で形成されているから、導電性のものである。
・上記ア、図１及び図２によれば、誘電体からなる絶縁層１３と、該絶縁層１３上に形成された上部電極膜１４とは、金属膜１２ｃと凸条部１２ａ（下部電極膜１２）の表面の凹凸形状に沿って順次形成されているものである。
　よって、引用例には以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「金属膜１２ｃと、
前記金属膜１２ｃの表面上に形成された導電性の凸条部１２ａと、
前記金属膜１２ｃと前記凸条部１２ａの表面の凹凸形状に沿って形成された誘電体からなる絶縁層１３と、
前記絶縁層１３上に前記金属膜１２ｃと前記凸条部１２ａの表面の凹凸形状に沿って形成された上部電極膜１４と、
を備えたコンデンサ。」
４．対比・判断
　本願発明と引用発明とを対比する。
ａ．引用発明の「金属膜１２ｃ」は、下部電極膜１２の一部であるから、本願発明の「第１の電極層」に相当する。そして、引用発明の「導電性の凸条部１２ａ」は、金属膜１２ｃの上に凸条部を積層したものであるから、本願発明の「第１の電極層の表面上に積層された導電性の第１の凸部」に相当する。
ｂ．引用発明の「誘電体からなる絶縁層１３」は、ＣＶＤ法により成膜されたものであり、金属膜１２ｃと凸条部１２ａ（下部電極膜１２）の表面の凹凸形状に沿って形成されたものであるから、本願発明の「第１の凸部の表面及び第１の電極層の表面に成膜された第１の誘電体層」に相当する。
ｃ．引用発明の「上部電極膜１４」は、絶縁層１３（本願発明の「第１の誘電体層」に相当。）上に形成されたものであり、金属膜１２ｃと凸条部１２ａ（下部電極膜１２）の表面の凹凸形状に沿って形成されたものであるから、本願発明の「前記第１の誘電体層を介して前記第１の凸部及び前記第１の電極層に重なるように・・・設けられた第２の電極層」に相当する。
ｄ．引用発明の「コンデンサ」は、本願発明の「キャパシタ」に相当する。
　そうすると、本願発明と引用発明とは、
「第１の電極層と、
　前記第１の電極層の表面上に積層された導電性の第１の凸部と、
　前記第１の凸部の表面及び前記第１の電極層の表面に成膜された第１の誘電体層と、
　前記第１の誘電体層を介して前記第１の凸部及び前記第１の電極層に重なるように、設けられた第２の電極層と、
　を備えたキャパシタ。」
である点で一致し、次の点で相違する。
（相違点１）
　「第１の凸部」及び「第２の電極層」について、本願発明は「めっき法」により積層し設けられたものであるのに対し、引用発明は「めっき法」によって形成されていない点。
（相違点２）
　本願発明は「前記第１の凸部の肉厚に比べて前記第１の凸部の高さが高い」ものであるのに対し、引用発明は特定されていない点。
　そこで、相違点１，２について検討する。
＜相違点１について＞
　そもそもキャパシタの電極形成をめっき法で行うことは普通に行われているところ、凹凸表面を有する第１の電極と該第１の電極に接する誘電体膜と該誘電体膜に接して第１の電極と対向している第２の電極とからなるキャパシタにおいて、該第１の電極及び該第２の電極をめっき法により形成することは、例えば特開平４−２６２５１４号公報（段落【００１６】を参照。）に記載されているように周知である。
　よって、引用発明においても、凸条部及び上部電極膜の形成に際し、周知技術を適用し、相違点１の構成とすることは当業者であれば容易に想到できたものである。
＜相違点２について＞
　引用例には、「下部電極膜１２の凸条部１２ａの幅が３μｍ、厚さが２μｍ」（上記イの段落【００２７】）、及び「凸条部の厚みを大きくすることにより、単位面積あたりの容量をさらに増大できる」（上記イの段落【００３０】）と記載されているが、ここでいう「幅」及び「厚さ」とは本願発明の「肉厚」及び「高さ」に相当することを勘案すると、キャパシタの容量を大きくするために「凸条部の高さを高くする」ことは引用例に記載されているのであるから、相違点２のように「肉厚に比べて凸部の高さを高く」構成することは当業者であれば容易に想到できたものである。
　そして、上記相違点を総合的に判断しても、本願発明が奏する効果は引用発明及び周知技術から当業者が十分に予測できたものであって格別なものとはいえない。
　
　
５．むすび
　
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の請求項に論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。