(57)【要約】【課題】異種基板上に窒化物半導体結晶を気相成長させる工程を利用して得られる窒化物半導体結晶基板に生じる結晶軸の湾曲を低減することができる窒化物半導体結晶基板の製造方法を提供する。【解決手段】異種基板上に窒化物半導体結晶を気相成長させる工程と、窒化物半導体結晶を異種基板から切り離す工程と、互いに向かい合う凹状の曲面を有する雌型と凸状の曲面を有する雄型との間に異種基板から切り離された窒化物半導体結晶を窒化物半導体結晶の切り離された側の表面が雄型側を向くように設置する工程と、雌型と雄型とによって窒化物半導体結晶の結晶軸の湾曲が低減するように窒化物半導体結晶をプレスする工程と、プレス後の窒化物半導体結晶をスライスする工程と、を含む、窒化物半導体結晶基板の製造方法である。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
異種基板上に窒化物半導体結晶を気相成長させる工程と、
前記窒化物半導体結晶を前記異種基板から切り離す工程と、
互いに向かい合う凹状の曲面を有する雌型と凸状の曲面を有する雄型との間に前記異種基板から切り離された前記窒化物半導体結晶を前記窒化物半導体結晶の切り離された側の表面が前記雄型側を向くように設置する工程と、
前記雌型と前記雄型とによって前記窒化物半導体結晶の結晶軸の湾曲が低減するように前記窒化物半導体結晶をプレスする工程と、
前記プレス後の前記窒化物半導体結晶をスライスする工程と、
を含む、窒化物半導体結晶基板の製造方法。
【請求項２】
前記雌型および前記雄型が同一の容器内に設置されており、前記プレス時における前記容器内の圧力が１０ＭＰａ以上１０００ＭＰａ以下であることを特徴とする、請求項１に記載の窒化物半導体結晶基板の製造方法。
【請求項３】
前記雌型および前記雄型が同一の容器内に設置されており、前記プレス時における前記容器内の温度が９００℃以上１５００℃以下であることを特徴とする、請求項１または２に記載の窒化物半導体結晶基板の製造方法。
【請求項４】
前記プレス時において、窒化物半導体結晶は、１００Ｐａ以上の圧力でプレスされることを特徴とする、請求項１から３のいずれかに記載の窒化物半導体結晶基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物半導体結晶基板の製造方法に関し、特に、異種基板上に窒化物半導体結晶を気相成長させる工程を利用して得られる窒化物半導体結晶基板に生じる結晶軸の湾曲を低減することができる窒化物半導体結晶基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化物半導体結晶の中でも特に窒化ガリウム（ＧａＮ）結晶は、発光デバイスや電子デバイスの材料として注目されている。ＧａＮ結晶はバルク成長させるのが非常に難しいため、現在では、ＧａＡｓ（ガリウムヒ素）基板やサファイア基板などの異種基板上にハイドライド気相成長法（ＨＶＰＥ法）などによりＧａＮ結晶を気相成長させる方法が一般的に用いられている。
【０００３】
しかしながら、ＧａＡｓ基板やサファイア基板などの異種基板上にＧａＮ結晶を気相成長させた場合には、ＧａＮ結晶の成長後に室温まで温度を下げたときに、異種基板とＧａＮ結晶との間の格子定数差および熱膨張係数差によって、ＧａＮ結晶に反りが生じるという問題があった。
【０００４】
そこで、特許文献１においては、サファイア基板上にＧａＮ結晶を気相成長させた積層体をＧａＮ結晶の成長温度近傍まで加熱するとともに反りを矯正するため平行平面の間に挟み、そのまま室温まで冷却することによって、ＧａＮ結晶の反りを解消する方法が開示されている。
【０００５】
しかしながら、この方法においては、サファイア基板とＧａＮ結晶との積層体の状態では反りは解消されているものの、自立基板を得るためにＧａＮ結晶をサファイア基板から切り離した場合には、ＧａＮ結晶に反りが生じるという問題があった。
【０００６】
そこで、特許文献２においては、凹状に反りが生じているＧａＮ結晶の凹型に反った方の表面を研削して加工変質層を形成することにより、ＧａＮ結晶の反りを低減する方法が開示されている。
【０００７】
しかしながら、この方法においては、加工変質層が形成されている状態ではＧａＮ結晶の反りは低減されているが、デバイスなどの作製時においてＧａＮ結晶から加工変質層を除去した場合には、ＧａＮ結晶は再び反るとともに、ＧａＮ結晶の結晶軸が湾曲するという問題があった。
【０００８】
すなわち、異種基板上にＧａＮ結晶を気相成長させた後、ＧａＮ結晶を異種基板から切り離すと、たとえば図１０の模式的側面図に示すように、ＧａＮ結晶１自体が凹状に反るとともに、ＧａＮ結晶１の結晶軸２も凹状に湾曲する。
【０００９】
そして、図１０に示すＧａＮ結晶１に特許文献２に記載の方法を適用した場合には、ＧａＮ結晶１の反りとともに結晶軸２の湾曲も低減することができるが、デバイスの作製時などにおいてＧａＮ結晶から加工変質層を除去した場合には、図１０に示す形状にＧａＮ結晶１は再び反るとともに結晶軸２も湾曲する。
【００１０】
このような結晶軸が湾曲しているＧａＮ結晶を種基板として、この種基板上にＧａＮ結晶を成長させた場合には、成長させたＧａＮ結晶にも結晶軸の湾曲が引き継がれてしまい、成長させたＧａＮ結晶をスライスして得られるＧａＮ結晶基板についても結晶軸が湾曲することになる。
【００１１】
したがって、このような結晶軸が湾曲しているＧａＮ結晶基板を用いて光デバイスや電子デバイスなどのデバイスを作製した場合には、デバイスの特性が悪くなることがあった。
【特許文献１】特開２００３−１２８４９９号公報
【特許文献２】特開２００５−１３６１６７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明の目的は、異種基板上に窒化物半導体結晶を気相成長させる工程を利用して得られる窒化物半導体結晶基板に生じる結晶軸の湾曲を低減することができる窒化物半導体結晶基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、異種基板上に窒化物半導体結晶を気相成長させる工程と、窒化物半導体結晶を異種基板から切り離す工程と、互いに向かい合う凹状の曲面を有する雌型と凸状の曲面を有する雄型との間に異種基板から切り離された窒化物半導体結晶を窒化物半導体結晶の切り離された側の表面が雄型側を向くように設置する工程と、雌型と雄型とによって窒化物半導体結晶の結晶軸の湾曲が低減するように窒化物半導体結晶をプレスする工程と、プレス後の窒化物半導体結晶をスライスする工程と、を含む、窒化物半導体結晶基板の製造方法である。
【００１４】
ここで、本発明の窒化物半導体結晶基板の製造方法においては、雌型および雄型が同一の容器内に設置されており、プレス時における容器内の圧力が１０ＭＰａ以上１０００ＭＰａ以下であることが好ましい。
【００１５】
また、本発明の窒化物半導体結晶基板の製造方法においては、雌型および雄型が同一の容器内に設置されており、プレス時における容器内の温度が９００℃以上１５００℃以下であることが好ましい。
【００１６】
また、本発明の窒化物半導体結晶基板の製造方法においては、プレス時において、窒化物半導体結晶は１００Ｐａ以上の圧力でプレスされることが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、異種基板上に窒化物半導体結晶を気相成長させる工程を利用して得られる窒化物半導体結晶基板に生じる結晶軸の湾曲を低減することができる窒化物半導体結晶基板の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の窒化物半導体結晶基板の製造方法の一例について説明する。ここでは、異種基板としてＧａＡｓ基板を用い、窒化物半導体結晶としてＧａＮ結晶を気相成長させる場合について説明する。なお、本発明の図面において、同一の参照符号は、同一部分または相当部分を表わすものとする。
【００１９】
まず、図１の模式的側面図に示すように、ＧａＡｓ基板からなる異種基板３上にＧａＮ結晶からなる窒化物半導体結晶４を気相成長させる。すると、異種基板３と窒化物半導体結晶４とは格子定数および熱膨張係数が異なることなどから、窒化物半導体結晶４の成長後、室温まで異種基板３の表面温度を下げた場合には、図２の模式的側面図に示すように、異種基板３と窒化物半導体結晶４とを含む積層体は、窒化物半導体結晶４側に凸状に反りが生じることになる。
【００２０】
ここで、窒化物半導体結晶４の異種基板３側の表面は窒素面５となり、異種基板３側と反対側の表面はガリウム面６となる。また、本発明において、気相成長は、たとえばＨＶＰＥ法などの従来から公知の気相成長法によって行なうことができる。また、本発明においては、異種基板３上にＡｌＮ（窒化アルミニウム）またはＧａＮなどからなる低温バッファ層を形成した後、その低温バッファ層上に窒化物半導体結晶４を気相成長させてもよい。なお、本発明において、「低温バッファ層」とは、窒化物半導体結晶の気相成長時の異種基板の表面温度よりも低い異種基板の表面温度で窒化物半導体結晶の気相成長前に形成される層のことをいう。
【００２１】
次に、図３の模式的側面図に示すように、異種基板３から窒化物半導体結晶４を切り離す。ここで、窒化物半導体結晶４は、異種基板３から受けていた応力が緩和されるため、窒化物半導体結晶４のガリウム面６側に凹状に反りが生じるとともに、その結晶軸２もガリウム面６側に凹状に湾曲することになる。なお、異種基板３から窒化物半導体結晶４を切り離す方法は特に限定されず、異種基板３をエッチングにより除去することなどの従来から公知の方法を用いることができる。
【００２２】
また、異種基板３から窒化物半導体結晶４を切り離した後には、図４の模式的側面図に示すように、切り離した窒化物半導体結晶４をたとえば図４に示す破線の箇所でスライスすることによって、凹状の反りを低減した窒化物半導体結晶４を得る。ただし、この場合には、窒化物半導体結晶４の凹状の反りは低減されているが、結晶軸２の湾曲は低減されていない。また、ここでは凹状の反りを低減するために窒化物半導体結晶４をスライスしているが、本発明においては、ここで窒化物半導体結晶４をスライスしなくてもよい。
【００２３】
次いで、図５の模式的断面図に示す装置にスライス後の窒化物半導体結晶４を設置する。図５に示す装置は、容器７と、この容器７内に設置されたプレス型としての雌型８および雄型９と、ヒータ１０と、を含んでいる。ここで、雌型８と雄型９とは互いに向かい合っており、雌型８の表面は凹状の曲面となっており、雄型９の表面は凸状の曲面となっている。
【００２４】
そして、これらの雌型８と雄型９との間に上記のスライス後の窒化物半導体結晶４を挟むようにして設置した後、雌型８上に重り１１を設置する。ここで、窒化物半導体結晶４は、異種基板から切り離された側の表面である窒素面５が雄型９側を向くようにして設置される。
【００２５】
そして、容器７内には窒素などのガスを導入して容器７内の圧力を上昇させるとともにヒータ１０により容器７内を加熱する。これにより、図６の模式的断面図に示すように、雌型８と雄型９とにより窒化物半導体結晶４がプレスされ、窒化物半導体結晶４の結晶軸２の湾曲が低減される。ここで、窒化物半導体結晶４は、容器７内の温度に対する降伏圧力以上の圧力でプレスされることにより塑性変形することになる。図７の模式的側面図に示すように、プレス後の窒化物半導体結晶４には、ガリウム面６側に凸状の反りが生じることになるが、窒化物半導体結晶４の結晶軸２の湾曲は低減される。
【００２６】
ここで、上記のプレス時における容器７内の圧力は１０ＭＰａ以上１０００ＭＰａ以下であることが好ましく、１００ＭＰａ以上９８０ＭＰａ以下であることがより好ましい。上記のプレス時における容器７内の圧力が１０ＭＰａ未満である場合には容器７内の温度が高温となるように容器７内を加熱した際に、窒化物半導体結晶４を構成する窒素が分解して結晶性が悪化する傾向にあり、１０００ＭＰａよりも大きい場合にはそのようなプレスを可能とする装置を構成するのが非常に困難であり、実用的な大きさの窒化物半導体結晶４をプレスすることが難しくなる傾向にある。
【００２７】
また、上記のプレス時における容器７内の圧力が１００ＭＰａ以上９８０ＭＰａ以下である場合には、一般的なＨＩＰ（Hot Isostatic Pressing）で用いられている装置を使用することができ、２インチ以上の直径の表面を有する窒化物半導体結晶４をプレスしやすくなる傾向にある。
【００２８】
また、上記のプレス時における容器７内の温度は９００℃以上１５００℃以下であることが好ましく、１２００℃以上１４００℃以下であることがより好ましい。上記のプレス時における容器７内の温度が９００℃未満である場合には窒化物半導体結晶４が塑性変形を起こしにくく、プレスにより窒化物半導体結晶４の結晶軸の湾曲を解消しにくい傾向にあり、１５００℃よりも高い場合には窒化物半導体結晶４を構成する窒素の分解を抑制するために必要な容器７内の窒素圧力が１０００ＭＰａを超えてしまうため、そのようなプレスを可能とする装置を構成するのが非常に困難であり、実用的な大きさの窒化物半導体結晶４をプレスすることが難しくなる傾向にある。
【００２９】
また、上記のプレス時における容器７内の温度が１２００℃以上１４００℃以下である場合には一般的なＨＩＰで用いられている装置を使用することができ、２インチ以上の直径の表面を有する窒化物半導体結晶４をプレスしやすくなる傾向にある。
【００３０】
また、上記のプレス時において窒化物半導体結晶４は１００Ｐａ以上の圧力でプレスされることが好ましく、１ＫＰａ以上の圧力でプレスされることがより好ましい。上記のプレス時において窒化物半導体結晶４が１００Ｐａ未満の圧力でプレスされた場合には、窒化物半導体結晶４が塑性変形を起こしにくく、プレスにより窒化物半導体結晶４の結晶軸の湾曲を解消しにくい傾向にある。また、上記のプレス時において窒化物半導体結晶４が１０００ＫＰａ以上の圧力でプレスされた場合には、窒化物半導体結晶４に必要以上の力が加わり、窒化物半導体結晶４のプレス中に欠陥が導入されて結晶性が悪くなる傾向にある。
【００３１】
また、上記のプレス時において窒化物半導体結晶４が１００ＫＰａ以下の圧力でプレスされた場合には、窒化物半導体結晶４のプレス中に欠陥が導入されにくく、比較的容易に窒化物半導体結晶４が塑性変形を起こすために、プレスの時間が短くなる傾向にあるため、上記のプレス時において窒化物半導体結晶４は１００ＫＰａ以下の圧力でプレスされることが好ましい。したがって、上記のプレス時において窒化物半導体結晶４が１００Ｐａ以上１０００ＫＰａ以下の圧力でプレスされることが好ましく、１ＫＰａ以上１００ＫＰａ以下の圧力でプレスされることがより好ましい。
【００３２】
このようにして結晶軸２の湾曲が低減された窒化物半導体結晶４について、図７に示す破線でスライスする。これにより、図８の模式的側面図に示すように、結晶軸２がほとんど湾曲していないＧａＮ結晶からなる窒化物半導体結晶基板１２を取り出すことができる。このようにして得られた窒化物半導体結晶基板１２を用いて光デバイスや電子デバイスなどのデバイスを作製した場合には、窒化物半導体結晶基板１２の結晶軸２はほとんど湾曲していないため、デバイスの特性の悪化を低減することができる。
【００３３】
なお、上記においては、異種基板としてＧａＡｓ基板を用いた場合について説明したが、本発明においては、異種基板としてＧａＡｓ基板以外にもたとえばＳｉＣ（炭化ケイ素）基板またはサファイア基板などを用いることもできる。なお、本発明において、「異種基板」とは、本発明において気相成長する窒化物半導体結晶とは異なる材料からなる基板のことをいう。
【００３４】
また、上記においては、窒化物半導体結晶および窒化物半導体結晶基板がそれぞれＧａＮ結晶からなる場合について説明したが、本発明においては、窒化物半導体結晶および窒化物半導体結晶基板がそれぞれたとえばＡｌＮ結晶、ＩｎＧａＮ（窒化インジウムガリウム）結晶またはＧａＡｌＮ（窒化ガリウムアルミニウム）結晶などのＧａＮ結晶以外の窒化物半導体結晶からなっていてもよい。
【実施例】
【００３５】
異種基板として口径が２インチのＧａＡｓ基板をＨＶＰＥ炉にセットした後に、塩化ガリウムとアンモニアとを原料にして、ＧａＡｓ基板の表面温度が５００℃の条件で、ＧａＡｓ基板上に低温バッファ層として５０ｎｍの厚みのＧａＮ層を形成した。
【００３６】
続いて、ＧａＡｓ基板の表面温度を１０５０℃に上げて、低温バッファ層としてのＧａＮ層上に、窒化物半導体結晶として３ｍｍの厚みのＧａＮ結晶をＨＶＰＥ法により気相成長させた。
【００３７】
そして、窒化物半導体結晶としてのＧａＮ結晶の成長後は、王水を用いたエッチングによりＧａＡｓ基板を除去して、凹状の反りを有する３ｍｍの厚みの自立したＧａＮ結晶を得た。この自立したＧａＮ結晶の凹状の反りを低減するため、表面が平坦になるように自立したＧａＮ結晶をスライスすることによって、一方の表面にガリウム面を有し、他方の表面に窒素面を有する表面が平坦な０．６ｍｍの厚みのＧａＮ結晶ウエハを得た。
【００３８】
このＧａＮ結晶ウエハの結晶軸の湾曲状態を調査するために、図９の模式的平面図に示すように、ＧａＮ結晶ウエハ１３の任意の直線上に並ぶＡ〜Ｇの７点の（００４）面のＸ線回折ピーク角度をＸ線回折法によりそれぞれ測定した。このＡ〜Ｇの７点におけるＸ線回折ピーク角度のばらつきは、ＧａＮ結晶ウエハ１３の結晶軸の湾曲状態を反映するものとなる。すなわち、ＧａＮ結晶ウエハ１３の結晶軸が全く湾曲していない場合には、Ｘ線の入射角が同一であれば、上記のＡ〜Ｇのいずれの点においてもＸ線回折ピーク角度は同一になる。一方、ＧａＮ結晶ウエハ１３の結晶軸が湾曲している場合には、Ｘ線の入射角が同一であれば、上記のＡ〜Ｇの点におけるＸ線回折ピーク角度にばらつきが生じ、ＧａＮ結晶ウエハ１３の結晶軸の湾曲が大きくなるにつれてＸ線回折ピーク角度のばらつきも大きくなっていく。なお、ここでは、Ｘ線の光源としてＣｕ−Ｋα１が用いられた。
【００３９】
上記のＧａＮ結晶ウエハのＡ〜Ｇの７点におけるＸ線回折ピーク角度は、結晶軸が全く湾曲していないときのＸ線回折ピーク角度±０．７°の範囲でばらついており、その結果から、ＧａＮ結晶ウエハの湾曲している結晶軸の曲率半径は約２ｍと推定された。
【００４０】
そして、カーボンによって、凹状の曲面の表面を有する雌型と凸状の曲面の表面を有する雄型のプレス型を形成し、雌型の凹状の曲面と雄型の凸状の曲面との間にＧａＮ結晶ウエハをＧａＮ結晶ウエハの窒素面が雄型側を向くように設置した後に、雌型上に１ｋｇの重りを設置した。その後、雌型、雄型、ＧａＮ結晶ウエハおよび重りがずれないように、これらの外周を筒で包み込んだ。
【００４１】
そして、筒で包み込まれた雌型、雄型、ＧａＮ結晶ウエハおよび重りのセットを高圧高温アニール装置内に設置し、高圧高温アニール装置内の圧力を９８０ＭＰａ、温度を１３５０℃とした状態で６時間保持することにより、雌型と雄型とによるＧａＮ結晶ウエハのプレスを行なった。
【００４２】
その後、上記のプレス後のＧａＮ結晶ウエハを高圧高温アニール装置から取り出した。高圧高温アニール装置から取り出されたＧａＮ結晶ウエハは、ガリウム面側に凸状に反りが生じており、その反り量は１５０μｍで、その反りを曲率半径に換算すると約２ｍであった。
【００４３】
また、このプレス後のＧａＮ結晶ウエハの結晶軸の湾曲状態を、上記のプレス前のＧａＮ結晶ウエハの場合と同様の方法で調査した。その結果、このプレス後のＧａＮ結晶ウエハのＸ線回折ピーク角度は、結晶軸が全く湾曲していないときのＸ線回折ピーク角度±０．１°の範囲でばらついており、結晶軸の湾曲が低減されたことが確認された。また、この結果から、このプレス後のＧａＮ結晶ウエハの結晶軸の曲率半径は約１５ｍ以上と推定された。
【００４４】
その後、このプレス後のＧａＮ結晶ウエハをスライスすることによって、反りおよび結晶軸の湾曲が解消された窒化物半導体結晶基板としてのＧａＮ結晶基板を作製した。
【００４５】
そして、この窒化物半導体結晶基板としてのＧａＮ結晶基板上に、ＭＯＣＶＤ法（有機金属化学気相成長法）によって、ＧａＮ結晶をエピタキシャル成長させた。その結果、結晶軸の湾曲が解消されていないＧａＮ結晶基板を用いた場合と比べて、エピタキシャル成長したＧａＮ結晶の結晶軸の湾曲が低減できていることが確認された。したがって、結晶軸の湾曲が解消されたＧａＮ結晶基板を用いた場合には、結晶軸の湾曲が解消されていないＧａＮ結晶基板を用いた場合と比べて、ＭＯＣＶＤ法によって良好なＧａＮ結晶をエピタキシャル成長することができる。
【００４６】
また、上記の窒化物半導体結晶基板としてのＧａＮ結晶基板上に、ＨＶＰＥ法により、ＧａＮ結晶を５ｍｍの厚さまで気相成長させた後、成長したＧａＮ結晶について、ＧａＮ結晶の成長方向に対して略垂直にスライスすることによって６枚のＧａＮ結晶を得た。
【００４７】
この６枚のＧａＮ結晶について、上記と同様にして、結晶軸の湾曲状態をそれぞれ調査したところ、６枚のＧａＮ結晶のＸ線回折ピーク角度のすべてが結晶軸が全く湾曲していないときのＸ線回折ピーク角度±０．１°の範囲でばらついており、上記の窒化物半導体結晶基板としてのＧａＮ結晶基板と同様の結晶軸の湾曲状態となっていることが確認された。
【００４８】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明によって製造される窒化物半導体結晶基板は、発光素子（発光ダイオード、レーザダイオードなど）、電子デバイス（整流器、バイポーラトランジスタ、電界効果トランジスタまたはＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor；高電子移動度トランジスタ）など）、半導体センサ（温度センサ、圧力センサ、放射センサまたは可視−紫外光検出器など）、ＳＡＷデバイス（Surface Acoustic Wave Device；表面弾性波素子）、加速度センサ、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）部品、圧電振動子、共振器または圧電アクチュエータなどに利用できる可能性がある。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】本発明において、異種基板上に窒化物半導体結晶を気相成長させた後の状態の一例の模式的な側面図である。
【図２】本発明において、窒化物半導体結晶の成長後に室温まで異種基板の表面温度を下げた後の状態の一例の模式的な側面図である。
【図３】本発明において、異種基板から切り離された後の窒化物半導体結晶の一例の模式的な側面図である。
【図４】本発明において、異種基板から切り離した窒化物半導体結晶をスライスする方法の一例を図解する模式的な側面図である。
【図５】本発明において、窒化物半導体結晶をプレスするための装置の一例の模式的な断面図である。
【図６】図５に示す装置を用いて、窒化物半導体結晶をプレスする時の一例を図解する模式的な断面図である。
【図７】本発明において、プレス後の窒化物半導体結晶をスライスする方法の一例を図解する模式的な側面図である。
【図８】本発明において、プレス後の窒化物半導体結晶をスライスして得られた窒化物半導体結晶基板の一例の模式的な側面図である。
【図９】本発明の実施例において、ＧａＮ結晶ウエハの表面のＸ線回折ピーク角度が測定された箇所を示す模式的な平面図である。
【図１０】従来において、異種基板上にＧａＮ結晶を気相成長させた後に異種基板から切り離されたＧａＮ結晶の一例の模式的な側面図である。
【符号の説明】
【００５１】
１  ＧａＮ結晶、２  結晶軸、３  異種基板、４  窒化物半導体結晶、５  窒素面、６  ガリウム面、７  容器、８  雌型、９  雄型、１０  ヒータ、１１  重り、１２  窒化物半導体結晶基板、１３  ＧａＮ結晶ウエハ。
【図１】
2007161534.tif 000003
【図２】
2007161534.tif 000004
【図３】
2007161534.tif 000005
【図４】
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【図５】
2007161534.tif 000007
【図６】
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【図７】
2007161534.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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