【事件の表示】
　平成　５年特許願第１７７３６０号「静電チャックおよびその制御方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　７年　３月３１日出願公開、特開平　７−　８６３８０］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本件発明
　本件出願は、平成５年６月２４日の出願であって、その請求項１〜５に係る発明（以下「本件発明１〜５」という。）は、平成１０年３月３日付け手続補正書により補正された明細書及び願書に添付された図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜５に記載されたとおりのものであると認められるところ、請求項１には以下のとおり記載されている。
「チャックサセプタ上の電極と被処理体との間に絶縁膜を介挿するとともに、その電極に所定電圧を印加することにより前記絶縁膜と前記被処理体との間に生じるジョンセン−ラーベック力により前記被処理体を前記絶縁膜に対して吸着保持させる静電チャックにおいて、
　前記電極には、定電流を前記電極に流すための定電流電源が接続されることを特徴とする、静電チャック。」
　
第２　引用例等に記載の技術的事項
１　引用例１記載の技術的事項
　原査定の拒絶の理由において引用された本件出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開平４−３４８５４３号公報（以下「引用例１」という。）には、以下のとおり記載されている。
（１）項目【０００１】
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマエッチング装置における半導体基板を載置する下部電極の電極表面と半導体基板との接触度合いを向上する静電吸着装置に関する。」
（２）項目【０００３】〜【０００５】
「【０００３】このプラズマエッチング装置に使用して半導体基板３をエッチングする場合は、まず、下部電極４に半導体基板を載置してから、下部電極４に直流電源１１により一定の直流電圧を印加して、半導体基板３を下部電極４に吸着して保持し、その後にプラズマエッチングを行っていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の静電吸着装置は、エッチング処理条件が異なると下部電極の電位も異なることから、半導体基板の吸着の度合いも異なる。このため下部電極の温度を半導体基板に伝える熱伝達効率が一定でないという問題があり、所望のエッチングが得られないという欠点がある。
【０００５】本発明の目的はかかる問題を解消すべく、吸着度合いを安定にし、熱伝達効率を一定とする静電吸着装置を提供することである。」
（３）項目【０００８】〜【０００９】
「【０００８】図１は本発明の一実施例の静電吸着装置を使用したプラズマエッチング装置を示す断面図である。この静電吸着装置は、図１に示すように、下部電極４の電位を測定する電圧計５と、下部電極４の電圧を入力して直流電源１１の印加電圧を制御するＤＣ制御装置６とを設けたことである。それ以外は従来と同じである。
【０００９】このＤＣ制御装置６を設けることによって、エッチング処理条件によって下部電極４の電位が変化しても、ＤＣ制御装置６が印加電圧を補正し、常に一定の電圧に維持することが出来る。従って、半導体基板３を保持する吸着力を一定にすることが出来、温度伝達効率を安定されることが出来る。」
　
２　引用例２記載の技術的事項
　原査定の拒絶の理由において引用された本件出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開平４−３９５６号公報（以下「引用例２」という。）には、以下のとおり記載されている。
（１）特許請求の範囲
「所定数の電極（２、２ａ、２ｂ）と半導体基板（３）との間に絶縁膜（４）を介在させ、所定の電圧（Ｖ）を印加することにより、該絶縁膜（４）に該半導体基板（３）を静電吸引力により吸着させる静電吸引装置において、
　前記絶縁膜（４）を、比抵抗ρ（１０８Ωｃｍ＜ρ＜１０１２Ωｃｍ）の絶縁体で形成する
ことを特徴とする静電吸着装置。」
（２）第２頁左上欄第１０〜１８行
「一方、上記絶縁膜の替わりに半導電性膜を用いたジョンセン・ラーベク効果を利用して吸着する方法も知られている。ここで、ジョンセン・ラーベク効果とは、一般に二つの金属電極間に半導体を挟み、両電極間に電圧を印加すると電極板と半導体間に静電吸引力が生じるという効果である。」
（３）第２頁右上欄第１３行〜左下欄第３行
「一方、電極間に１０４〜１０８Ωｃｍの比抵抗の半導電性膜を用いた場合、吸引力が増し、残留電荷が残らないが、・・・デバイスのダメージを与えるという問題がある。
　そこで、本発明は上記課題に鑑みなされたもので、吸着力を強化しつつ残留電荷による塵の付着を防止する静電吸着装置を提供することを目的とする。」
　
３　周知例記載の技術的事項
　本件出願前に日本国内で頒布された刊行物である特公昭５２−２８９４１号公報（以下「周知例」という。）には、以下のとおり記載されている。
（１）第１頁左欄第２２〜２４行
「本願発明はジョンソン・ラーベック効果として知られている静電型吸引機構に給電される方法の改良に関するものである。
　本願発明の対象とする静電型吸引機構とは対向する２つの電極板の少なくとも一方に半導電性の・・・例えば半導電性平板を張り付け、この半導電性平板の表面と微細な間隙を残して他方の電極板を対向せしめ、それぞれの電極板間に電圧を印加する場合、両電極板間に吸引力が働く機構を言う。」
（２）第１頁右欄第２５〜３５行
「本願発明の対象とする静電型吸引機構とは上述例示した物に限定されず、ジョンソン・ラーベック効果として利用され得るこれら吸引機構すべてを言うのであって、・・・知られている。」
（３）第２頁右欄第４〜７行
「電流ｉは間隙４の接触状態により刻々変化していた。
　所が、本願発明者は静電型吸引機構において吸引力Ｆは上記電流ｉに比例することを発見した。」
（４）第２頁右欄第１７〜２０行
「従って静電型吸引機構に定電圧で給電する従来の方法では電流ｉは主としてゴム板と電極円板の接触状態の変化に応じて電流ｉが変化し、吸引力Ｆも変化するため摩擦力も変化し」
（５）第２頁右欄第２４〜２８行
「本願発明は上述した吸引力が電流ｉに比例する現象に着目し、静電型吸引機構を制御する際、電流ｉが常にほぼ一定な電流となる如き給電方法を採用することにより吸引力を一定にし、安定に動作を制御することを目的とするものである。」
（６）第３頁右欄第１１〜１４行
「１　本文に詳記した如く、静電型吸引機構の対向する電極間を流れる電流をほぼ一定な電流に制御し得る電源装置より給電されることを特徴とする静電型吸引機構の給電方法。」
　
第３　対比、当審の判断
　本件発明１の「おいて」までの構成、即ちチャックサセプタ上の電極と被処理体との間に絶縁膜を介挿するとともに、その電極に所定電圧を印加することにより前記絶縁膜と前記被処理体との間に生じるジョンセン−ラーベック力により前記被処理体を前記絶縁膜に対して吸着保持させる静電チャックは、引用例２に記載されているように本件出願前に周知のものである。
　一方、引用例１には、処理条件により静電吸着装置の下部電極の電位が変化し、半導体基板を吸着する吸着力が変わってしまうこと、及び該吸着力を一定にするために電源に工夫を加えることが記載されている。
　また、ジョンセン−ラーベック力による吸引力が電流に比例すること、及び電流を一定にすることによりジョンセン−ラーベック力による吸引力を一定に保つことができることは、周知例に記載されているように従前から知られていたことである。
　したがって、引用例１記載の吸着力を一定にするために電源に工夫を加えるという技術的事項を、ジョンセン−ラーベック力を利用した周知の静電チャックに適用し、その際に、電極に接続される電源を電流を一定にするような電源とすることは、当業者であれば容易に想到したことである。
　
　そして、本件発明１の効果は、引用例１、引用例２、及び周知例記載のものから当業者が予測することができる程度のものであって格別なものとはいえない。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから、本件発明１は、引用例１、引用例２、及び周知例記載の技術的事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないので、本件発明２〜５について判断するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。