【事件の表示】
　特願２０１０−２５３０８８「ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　８月　４日出願公開、特開２０１１−１５１３６２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．　手続の経緯
　本願は、平成２２年１１月１１日（優先権主張平成２１年１２月２４日）の出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２５年　４月　３日付け　　：拒絶理由の通知
　平成２５年　６月１１日　　　　：意見書及び補正書の提出
　平成２５年　８月２８日付け　　：拒絶理由（最後）の通知
　平成２５年１０月２２日　　　　：意見書の提出
　平成２５年１１月２７日付け　　：拒絶査定
　平成２６年　２月２８日　　　　：審判請求書の提出
　
２．　本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１ないし６に係る発明は、平成２５年６月１１日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし６に記載された事項により特定されるとおりのものと認められ、その請求項１には、次のとおり記載されている。（以下、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明を、「本願発明」という。）
　
「【請求項１】
　基材上に粘着剤層を有するダイシングテープと、該粘着剤層上に設けられたフリップチップ型半導体裏面用フィルムとを有するダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルムであって、
　前記ダイシングテープの粘着剤層と熱硬化前の前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムとの剥離力（温度：２３℃、剥離角度：１８０°、引張速度：３００ｍｍ／ｍｉｎ）が、０．０５Ｎ／２０ｍｍ〜１．５Ｎ／２０ｍｍであることを特徴とするダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム。」
　
３．　引用刊行物記載事項及び記載発明
　原審の拒絶の理由に引用され、本件優先日前に頒布された刊行物である、特開２００４−２６０１９０号公報（以下、「刊行物１」という。）及び特開２００８−１２４１４１号公報（以下、「刊行物２」という。）には、それぞれ図面とともに、以下の事項が記載されている。
　
（１）　刊行物１
　
ア．　刊行物１記載の事項
　
（ア）
「本発明は、半導体チップ裏面に効率良く保護膜を形成でき、かつチップの製造効率の向上が可能なチップ用保護膜形成用シートに関し、特にいわゆるフェースダウン（ｆａｃｅ　ｄｏｗｎ）方式で実装される半導体チップの製造に用いられるチップ用保護膜形成用シートに関する。
【背景技術】
　近年、いわゆるフェースダウン（ｆａｃｅ　ｄｏｗｎ）方式と呼ばれる実装法を用いた半導体装置の製造が行われている。フェースダウン方式では、チップの回路面側に導通を確保するためのバンプと呼ばれる凸部が形成されてなるチップを用い、回路面側の凸部が基台に接続する構造となる。」（段落【０００１】ないし【０００２】）
　
（イ）
「本発明に係るチップ体用保護膜形成用シート１０は、剥離シート１の剥離面上に上記成分からなる組成物をロールナイフコーター、グラビアコーター、ダイコーター、リバースコーターなど一般に公知の方法にしたがって直接または転写によって塗工し、乾燥させて保護膜形成層２を形成することによって得ることができる。なお、上記の組成物は、必要に応じ、溶剤に溶解し、若しくは分散させて塗布することができる。」（段落【００５４】）
　
（ウ）
「本発明に係る半導体チップの第１の製造方法においては、
表面に回路が形成された半導体ウエハの裏面に、前記第１または第２のチップ用保護膜形成用シートの保護膜形成層を貼付した後、
以下の工程（１）〜（３）を任意の順で行って、裏面に保護膜を有する半導体チップを得ることを特徴としている。
工程（１）：保護膜形成層と剥離シートとを剥離、
工程（２）：加熱またはエネルギー線照射により保護膜形成層を硬化、
工程（３）：半導体ウエハおよび保護膜形成層を回路毎にダイシング。」（段落【００５９】）
　
（エ）
「次に工程（３）、（１）、（２）の順で行う場合について図６を参照しながらさらに具体的に説明する。
　この製造方法は、
表面に回路が形成された半導体ウエハ３の裏面に、上記チップ用保護膜形成用シート１０の保護膜形成層２を貼付し、
半導体ウエハ３および保護膜形成層２を回路毎にダイシングし、
保護膜形成層２と剥離シート１とを剥離し、
加熱またはエネルギー線照射により保護膜形成層２を硬化し、
裏面に保護膜を有する半導体チップを得ることを特徴としている。
・・・
　また、図６Ｄ〜Ｆに示すように、ウエハ３を保護膜形成層２に保持固定しているチップ用保護膜形成用シート１０を、さらにダイシングシートに固定して、上記の諸工程を行っても良い。」（段落【００７９】ないし【００８２】）
　
（オ）
　上記摘記事項（エ）の「保護膜形成層２と剥離シート１とを剥離し、加熱またはエネルギー線照射により保護膜形成層２を硬化し、」（段落【００８０】）との記載と、【図６】（Ｆ）の記載から、「コレット」が、「ダイサー」で切断した、半導体チップを引き上げる点が看取できることをあわせると、刊行物１に記載された「保護膜形成層２」は、加熱硬化前に「剥離シート１」から剥離され、その際に、「保護膜形成層２」と「剥離シート１」との間には、剥離力が作用するといえる。
　
【図６】
　
　
イ．　刊行物１記載の発明
　刊行物１に記載された、上記ア．の摘記事項（ア）ないし（エ）、【図６】の（Ｄ）ないし（Ｇ）の記載事項及び認定事項（オ）を、技術常識を考慮しながら本願発明に照らして整理すると、刊行物１には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「ダイシングシート上に剥離シート１が設けられたダイシングシートと、該剥離シート１上に設けられた保護膜形成層２とを有するダイシングシートが固定された保護膜形成用シート１０であって、
　前記ダイシングシート上の剥離シート１と熱硬化前の保護膜形成層２との剥離力が生じるダイシングテープが固定された保護膜形成用シート。」
　
（２）　刊行物２
　
ア．　刊行物２記載の事項
　
（ア）
「本発明は、ダイシング・ダイボンド用接着フィルムに関し、特に、半導体装置製造において、切断されたチップの取り出しの際に、ピンの突き上げによる接着剤層へのピンの痕跡の発生がなく、したがって信頼性に優れた半導体装置を提供できるダイシング・ダイボンド用接着フィルムに関する。」（段落【０００１】）
　
（イ）
「また、本発明は、基材層１の少なくとも片面上に積層された粘着剤層２、及び１つの粘着剤層２の上に積層された接着剤層３を備えたダイシング・ダイボンド用接着フィルムを用いて、
１）ウエハーを接着剤層３の上に固定し、
２）ダイシングし、そして
３）突き上げピンを用いて接着剤層３と粘着剤層２との界面で剥離して、接着剤層３が付着したチップをピックアップする
・・・」（段落【０００８】）
　
（ウ）
「本発明のダイシング・ダイボンド用接着フィルムを、図を参照して説明する。図１および２は、本発明のダイシング・ダイボンド用接着フィルムの断面図である。上記図において、１は粘着剤層用の基材層、２は粘着剤層、３は接着剤層、４は接着剤層用の基材層である。図２は、接着剤層３の大きさを、シリコンウエハーの形状や大きさに応じて粘着剤層２よりも小さくしたものである。ダイシング工程では、図３および４に示すように、接着剤層用基材４を剥離し、接着剤層３の上にシリコンウエハー５を熱圧着する。次いで、ダイシング装置に固定し、ダイシング後、切断されたチップをダイボンド装置によりピックアップする。ピックアップの際には、切断されたチップが、ウエハーのある面と反対の側（図３では、粘着剤層用基材１の表面）からの突き上げピンによる突き上げにより、粘着剤層２と接着剤層３との間で剥離され、ウエハーに接着剤層３が付着された状態で取り出される。取り出されたチップは、接着剤層３の面が半導体基板上に熱圧着および加熱硬化されることにより、上記基板上に接着される。なお、本発明のフィルムは任意の形状を有することができ、例えば、連続的に使用できるようなテープ状であっても、所望の形状に切り出して使用できるシート形状であってもよい。」（段落【００１０】）
　
（エ）
「上記基材層１上に積層される粘着剤層２は、ダイシング工程においてチップ飛びが生じないような、ダイシングフレームとの粘着性を備え、且つ、チップの取出し工程において、それ自身が凝集破壊されることなく接着剤層３から剥離されて基材層１上に残るような粘着性を有する。好ましくは、粘着剤層２の端を１８０°に折り返して３００ｍｍ／分の速度で接着剤層３から引き剥がしながら測定される剥離力（１８０度剥離力）が０．０５〜０．７Ｎ／２５ｍｍであるような粘着性を有する。より好ましくは、上記剥離力が０．１〜０．４Ｎ／２５ｍｍである。剥離力が前記下限値より小さいと、ダイシング時にチップが接着剤層３と共に粘着剤層２から剥れてしまい飛ぶ場合がある。一方、剥離力が前記上限値より大きいと、チップ取出し（ピックアップ）が困難となる。・・・」（段落【００１４】）
　
（オ）
「
（１）粘着力（粘着剤層２と接着剤層３との間の１８０度剥離力）
  前記で得られたダイシング・ダイボンド用接着フィルムを巾２５ｍｍのテープ状に切り出し、接着剤層用基材層を剥離した後、接着剤層側をガラス板（厚さ２．０ｍｍ、巾５０ｍｍ）に８０℃、０．０１ＭＰａの条件で１０秒熱圧着した。この試験体を、２５±２℃、５０±５％ＲＨの恒温恒湿下に２４時間放置した後、粘着フィルムの端を接着剤層から剥離して１８０°に折り返し、３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときの剥離力を測定した。」（段落【０１１０】）
　
（カ）
　上記摘記事項（エ）の「上記基材層１上に積層される粘着剤層２」との記載から、「基材層１」とその上に積層される「粘着剤層２」をあわせて、「積層体」ということができる。
　
（キ）
　上記摘記事項（エ）の「好ましくは、粘着剤層２の端を１８０°に折り返して３００ｍｍ／分の速度で接着剤層３から引き剥がしながら測定される剥離力（１８０度剥離力）が０．０５〜０．７Ｎ／２５ｍｍであるような粘着性を有する。より好ましくは、上記剥離力が０．１〜０．４Ｎ／２５ｍｍである。」との記載から、当該記載の「粘着力」の数値は、２５ｍｍあたりのものであり、２０ｍｍあたりに換算した数値を用いて記載すると、当該記載は「剥離力（１８０度剥離力）が０．０４〜０．５６Ｎ／２０ｍｍであるような粘着性を有する。より好ましくは、上記剥離力が０．０８〜０．３２Ｎ／２０ｍｍである。」となる。また、上記摘記事項（ウ）の「取り出されたチップは、接着剤層３の面が半導体基板上に熱圧着および加熱硬化されることにより、上記基板上に接着される。」との記載から、「接着剤層３」が加熱硬化されるのは、「接着剤層３」が「接着剤層２」から剥離した後であるから、上記数値は、「接着剤層３」が熱硬化する前の数値であること、そして、上記摘記事項（オ）の、「この試験体を、２５±２℃、５０±５％ＲＨの恒温恒湿下に２４時間放置した後、粘着フィルムの端を接着剤層から剥離して１８０°に折り返し、３００ｍｍ／分の速度で引き剥がしたときの剥離力を測定した。」との記載から、上記剥離力の数値が、「２５±２℃」のときのものであることも明らかである。
　　
イ．　刊行物２記載事項
　上記認定事項（キ）に示した「剥離力」は、「０．０８〜０．３２Ｎ／２０ｍｍ」が「より好ましい」ものであることを考慮しつつ、上記摘記事項（ア）ないし（オ）及び認定事項（カ）ないし（キ）を、技術常識を考慮しながら本願発明に照らして整理すると、刊行物２には、以下の事項（以下、「刊行物２記載事項」という。）が記載されていると認められる。
　
「基材層１上に粘着剤層２を有する積層体と、該粘着剤層２上に設けられた接着剤層３とを有するダイシング・ダイボンド用接着フィルムであって、
前記積層体の粘着剤層２と熱硬化前の接着剤層３との剥離力（温度：２５±２℃、剥離角度；１８０°、引張速度３００ｍｍ／ｍｉｎ）が、０．０８Ｎ／２０ｍｍ〜０．３２Ｎ／２０ｍｍである積層体一体型ダイシング・ダイボンド用接着フィルム。」
　
４．　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「ダイシングシート」と「剥離シート１」を合わせたものは、本願発明の「ダイシングテープ」に相当する。
　上記３．の（１）のア．の摘記事項（ア）の「特にいわゆるフェースダウン（ｆａｃｅ　ｄｏｗｎ）方式で実装される半導体チップの製造に用いられるチップ用保護膜形成用シートに関する。」との記載から、引用発明が「フェースダウン（ｆａｃｅ　ｄｏｗｎ）方式」で実装される半導体チップであり、「フェースダウン（ｆａｃｅ　ｄｏｗｎ）方式」で実装される半導体チップは、「フリップチップ型」でもあることは技術常識であるから、引用発明の半導体も「フリップチップ型」であるといえる。そうすると、引用発明の「保護膜形成層２」は、本願発明の「フリップチップ型半導体裏面用フィルム」に相当する。
　本願発明の「ダイシングテープ」は、「粘着剤層」を有し、当該「粘着剤層」上に「フリップチップ型半導体フィルム」が設けられているから、本願発明の「フリップチップ型半導体フィルム」は「ダイシングテープ」の上方に設けられているといえる。一方、引用発明の「保護膜形成層２」は、「ダイシングシート」の上に「剥離シート１」を介して設けられているから、引用発明の「保護膜形成層２」は、本願発明の上記「フリップチップ型半導体フィルム」と同様に「ダイシングテープ」の上方に設けられている点で共通する。
　引用発明の「ダイシングシートが固定された保護膜形成用シート１０」は、本願発明の「ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム（半導体裏面用シート）」とは、「ダイシングテープ」が「半導体裏面用フィルム」に積層されている点で共通する。
　引用発明の「剥離シートと熱硬化前の保護膜形成層２との剥離力が生じる」は、本願発明の「ダイシングテープの粘着剤層と熱硬化前の前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムとの剥離力」と、両者とも「ダイシングテープ」と「フリップチップ型半導体裏面用フィルム」との間を離間させようとする力が生じる点で共通する。
　そうすると、本願発明と引用発明とは、以下の点で一致し、かつ、相違する。
　
（１）　一致点
「ダイシングテープと、ダイシングテープ上に設けられたフリップチップ型半導体裏面用フィルムとを有するダイシングテープが積層されている半導体裏面用フィルムであって、
　前記ダイシングテープと熱硬化前の前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムとの間を離間させようとする力が生じるダイシングテープが積層されている半導体裏面用フィルム。」
　
（２）　相違点
　
ア．　相違点１
　本願発明の「ダイシングテープ」と「フリップチップ型半導体裏面用フィルム」は、「ダイシングテープ」を「基材」の上に「粘着剤層」を有するものとし、当該「粘着剤層」上に「フリップチップ型半導体裏面用フィルム」を設けて、「ダイシングテープ一体型半導体裏面用フィルム」としたものであるのに対し、引用発明の「ダイシングシート」と「保護膜形成層２」は、「ダイシングシート」の上に「剥離シート１」を設け、当該「剥離シート１」の上に「保護膜形成層２」を設けて、「ダイシングテープが固定された半導体裏面用シート」としたものである点。
　
イ．　相違点２
　本願発明の「ダイシングテープ」と「フリップチップ型半導体裏面用フィルム」との間を離間させようとする力は、前記ダイシングテープの粘着剤層と熱硬化前の前記フリップチップ型半導体裏面用フィルムとの剥離力（温度：２３℃、剥離角度：１８０°、引張速度：３００ｍｍ／ｍｉｎ）が、０．０５Ｎ／２０ｍｍ〜１．５Ｎ／２０ｍｍであるのに対し、引用発明の「前記ダイシングシート上の剥離シート１と熱硬化前の保護膜形成層２との剥離力」がそのような数値範囲に属するものであるかが不明である点。
　
５．　相違点についての検討
　
（１）　相違点１及び２について
　上記３．の（２）のイ．の刊行物２記載事項を、本願発明と対比すると、その機能及び作用からみて、刊行物２記載事項の「基材層１」、「粘着剤層２」及び「接着剤層３」は、本願発明の「基材」、「粘着剤層」及び「接着フィルム」にそれぞれ相当する。
　刊行物２記載事項の「基材層１上に粘着剤層２を有する積層体」は、上記３．の（２）のア．の摘記事項（エ）の「上記基材層１上に積層される粘着剤層２は、ダイシング工程においてチップ飛びが生じないような、ダイシングフレームとの粘着性を備え、且つ、チップの取出し工程において、それ自身が凝集破壊されることなく接着剤層３から剥離されて基材層１上に残るような粘着性を有する。」との作用を奏するから、本願発明の「ダイシングテープ」に相当する。
　上記３．（２）のア．の摘記事項（ウ）の「なお、本発明のフィルムは任意の形状を有することができ、例えば、連続的に使用できるようなテープ状であっても、所望の形状に切り出して使用できるシート形状であってもよい。」との記載から、刊行物２記載事項の「ダイシング・ダイボンド用接着フィルム」は全体として、一つのフィルムとして取り扱われるものであるから、その一部の層である上記「基材層１上に粘着剤層２を有する積層体」とは一体であるといえる。
　そうすると、刊行物２記載事項は、上記対比を踏まえると、以下のとおり言い換えることができる。
「基材上に粘着剤層を有するダイシングテープと、該粘着剤層上に設けられた接着フィルムとを有するダイシングテープ一体型ダイボンド用接着フィルムであって、
　前記ダイシングテープの粘着剤層と熱硬化前の接着フィルムとの剥離力（温度：２５±２℃、剥離角度：１８０°、引張速度：３００ｍｍ／ｍｉｎ）が、０．０８Ｎ／２０ｍｍ〜０．３２Ｎ／２０ｍｍであるダイシングテープ一体型ダイボンド用接着フィルム。」
　
　引用発明において、「ダイシングシート状の剥離シート１」と「熱硬化前の保護膜形成層２」との間の剥離力は、「ダイサー」等によるダイシング工程時に、形成された半導体チップが散乱しない程度の大きさであることが必要である一方、ダイシング工程後に「コレット」等による剥離を可能とする程度の大きさにとどめる必要があるとの課題があること、そして、剥離力を上記課題へ対応する手段として、引用発明は、「ダイシングテープ」と「保護膜形成層２」との間に、「剥離シート１」を介在させ、当該「保護膜形成層２」と「剥離シート１」との間の剥離力を上記課題を解決する程度の大きさにしたものであることは、当業者にとって明らかである。
　一方、上記３．の（２）のア．の摘記事項（エ）の「剥離力が前記下限値より小さいと、ダイシング時にチップが接着剤層３と共に粘着剤層２から剥れてしまい飛ぶ場合がある。一方、剥離力が前記上限値より大きいと、チップ取出し（ピックアップ）が困難となる。」との記載から、刊行物２記載事項は、上記引用発明と同様な課題に対応しようとして、「剥離シート１」を介在させることなく、「ダイシングテープ」を、「基材上」に「粘着剤層を有する」ものとし、「粘着剤層」の上に直接「熱硬化前の接着フィルム」を積層し、両者の間の剥離力を刊行物２記載事項のものとしたものである。ここで、刊行物２記載事項の剥離力は、「温度：２５±２℃」の条件のものであるから、２３ないし２７℃の範囲で「０．０８Ｎ／２０ｍｍ〜０．３２Ｎ／２０ｍｍ」であればよいから、上記温度範囲である、２３℃のときの剥離力とする点に格別の困難性は認められない。
　そうすると、引用発明において、上記相違点１及び２に係る構成とすることは、同様な課題を解決しようとして、刊行物２記載事項の積層構造と剥離力を適用することで、当業者が容易になし得たものである。
　したがって、本願発明は、引用発明、刊行物２記載事項から当業者が容易に想到し得た事項である。
　
（２）　作用及び効果について
本願発明の奏する作用及び効果についても、引用発明及び刊行物２記載事項から当業者が容易に予測し得る範囲のものであって、格別なものとはいえない。
　
６．　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び刊行物２記載事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、その他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する