(57)【要約】【課題】表示品質を向上させることのできるアレイ基板とこれを具備する液晶表示パネル、及び液晶表示装置を提供する。【解決手段】ゲート配線とソース配線によって定義された複数の画素領域が構成され、各画素領域が光を透過させるアレイ基板において、ゲート配線とソース配線とに連結され、前記画素領域に形成されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子と電気的に連結される画素電極と、前記スイッチング素子上に形成される第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の下に形成される第２絶縁膜とを有し、前記第２絶縁膜の厚さは、前記光の赤色ピーク波長帯に依存する。【選択図】      図２
2007086782.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート配線とソース配線によって定義された複数の画素領域が構成され、各画素領域が光を透過させるアレイ基板において、
ゲート配線とソース配線とに連結され、前記画素領域に形成されるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子と電気的に連結される画素電極と、
前記スイッチング素子上に形成される第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜の下に形成される第２絶縁膜とを有し、
前記第２絶縁膜の厚さは、前記光の赤色ピーク波長帯に依存する（ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ）ことを特徴とするアレイ基板。
【請求項２】
前記第２絶縁膜は、前記ゲート配線上に形成されるゲート絶縁膜と、
前記ソース配線上に形成される保護絶縁膜とを含むことを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【請求項３】
前記第２絶縁膜は、前記スイッチング素子と画素電極を電気的に連結するコンタクトホールを含むことを特徴とする請求項２記載アレイ基板。
【請求項４】
前記ゲート絶縁膜は、窒化シリコンを含むことを特徴とする請求項２記載のアレイ基板。
【請求項５】
前記保護絶縁膜は、窒化シリコンを含むことを特徴とする請求項２記載のアレイ基板。
【請求項６】
前記保護絶縁膜の厚さは、８００〜１２００Åであることを特徴とする請求項５記載のアレイ基板。
【請求項７】
前記第２絶縁膜の厚さ（Ｄ）と前記赤色ピーク波長帯（Ｗ）との関係は、下記の数式１によって定義されることを特徴とする請求項１記載のアレイ基板。
【数１】
2007086782.tif 000004
ここで、Ｎは第２絶縁膜の屈折率であり、波長（Ｗ）の単位はｎｍであり、第２絶縁膜の厚さの（Ｄ）の単位はÅである。
【請求項８】
前記第２絶縁膜の厚さは、４０００〜５０００Åであることを特徴とする請求項７記載のアレイ基板。
【請求項９】
光を用いて画像を表示する液晶表示パネルにおいて、
ゲート配線とソース配線に連結されるスイッチング素子と、該スイッチング素子上に形成される第１絶縁膜と、前記光の赤色ピーク波長帯に依存した膜厚さで前記第１絶縁膜の下に形成される第２絶縁膜とを含むアレイ基板と、
前記アレイ基板と結合して基板間に液晶層を収容する対向基板とを有することを特徴とする液晶表示パネル。
【請求項１０】
前記第２絶縁膜は、前記ゲート配線上に形成されるゲート絶縁膜と、
前記ソース配線上に形成される保護絶縁膜とを含むことを特徴とする請求項９記載の液晶表示パネル。
【請求項１１】
前記ゲート絶縁膜は、窒化シリコンを含むことを特徴とする請求項１０記載の液晶表示パネル。
【請求項１２】
前記保護絶縁膜は、窒化シリコンを含むことを特徴とする請求項１０記載の液晶表示パネル。
【請求項１３】
前記保護絶縁膜の厚さは、８００〜１２００Åであることを特徴とする請求項１２記載の液晶表示パネル。
【請求項１４】
前記対向基板は、カラーフィルタパターンを含むことを特徴とする請求項９記載の液晶表示パネル。
【請求項１５】
前記第２絶縁膜の厚さ（Ｄ）と前記赤色ピーク波長帯（Ｗ）との関係は、下記の数式２によって定義されることを特徴とする請求項９記載の液晶表示パネル。
【数２】
2007086782.tif 000005
ここで、Ｎは第２絶縁膜の屈折率であり、波長（Ｗ）の単位はｎｍであり、前記第２絶縁膜の厚さの（Ｄ）の単位はÅである。
【請求項１６】
前記第２絶縁膜の厚さは、４０００〜５０００Åであることを特徴とする請求項１５記載の液晶表示パネル。
【請求項１７】
光を発生する光源と、
ゲート配線とソース配線に連結されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子上に形成された第１絶縁膜と前記光の赤色ピーク波長帯に依存した膜厚で前記第１絶縁膜の下に形成される第２絶縁膜とを有するアレイ基板と、
前記アレイ基板と結合して基板間に液晶層を収容する対向基板とを有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１８】
前記第２絶縁膜は、前記ゲート配線上に形成されるゲート絶縁膜と、
前記ソース配線上に形成される保護絶縁膜とを含むことを特徴とする請求項１７記載の液晶表示装置。
【請求項１９】
前記ゲート絶縁膜は、窒化シリコンを含むことを特徴とする請求項１８記載の液晶表示装置。
【請求項２０】
前記保護絶縁膜は、窒化シリコンを含むことを特徴とする請求項１８記載の液晶表示装置。
【請求項２１】
前記保護絶縁膜の厚さは、８００〜１２００Åであることを特徴とする請求項２０記載の液晶表示装置。
【請求項２２】
前記第２絶縁膜の厚さ（Ｄ）と前記赤色ピーク波長帯（Ｗ）との関係は下記の数式３によって定義されることを特徴とする請求項１７記載の液晶表示装置。
【数３】
2007086782.tif 000006
ここで、Ｎは第２絶縁膜の屈折率であり、波長（Ｗ）の単位はｎｍであり、第２絶縁膜の厚さの（Ｄ）の単位はÅである。
【請求項２３】
前記第２絶縁膜の厚さは、４０００〜５０００Åであることを特徴とする請求項２２記載の液晶表示装置。
【請求項２４】
ゲート配線とソース配線によって定義される画素領域が構成され、各画素領域が光を透過させるアレイ基板において、
ゲート配線とソース配線に連結され、前記画素領域に形成されるスイッチング素子と、
前記スイッチイング素子と電気的に連結される画素電極と、
前記スイッチング素子上に形成される第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜の下に形成される第２絶縁膜とを有し、
前記第２絶縁膜の厚さは、前記第１絶縁膜の厚さのバラツキによる透過率の変動を最小化させるように調節されることを特徴とするアレイ基板。
【請求項２５】
前記第２絶縁膜は、前記ゲート配線上に形成されるゲート絶縁膜と、
前記ソース配線上に形成される保護絶縁膜とを含むことを特徴とする請求項２４記載のアレイ基板。
【請求項２６】
前記ゲート絶縁膜は、窒化シリコンを含むことを特徴とする請求項２５記載のアレイ基板。
【請求項２７】
前記保護絶縁膜は、窒化シリコンを含むことを特徴とする請求項２５記載のアレイ基板。
【請求項２８】
前記保護絶縁膜の厚さは、８００〜１２００Åであることを特徴とする請求項２７記載のアレイ基板。
【請求項２９】
前記第２絶縁膜の厚さ（Ｄ）と前記光の赤色ピーク波長帯（Ｗ）との関係は、下記の数式４によって定義されることを特徴とする請求項２４記載のアレイ基板。
【数４】
2007086782.tif 000007
ここで、Ｎは、第２絶縁膜の屈折率であり、波長（Ｗ）の単位はｎｍであり、第２絶縁膜の厚さの（Ｄ）の単位はÅである。
【請求項３０】
前記第２絶縁膜の厚さは、４０００〜５０００Åであることを特徴とする請求項２９記載のアレイ基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アレイ基板とこれを具備する液晶表示パネル、及び液晶表示装置に係り、より詳細には、しみ不良を改善し表示品質を向上させることのできるアレイ基板とこれを具備した液晶表示パネル、及び液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、アレイ基板は、第１方向に配列されたゲート配線と、第１方向と交差する第２方向に配列された複数のソース配線によって定義される複数の画素部を有する。画素部は、ゲート配線と連結されたゲート電極と、ソース配線と連結されたソース電極を有するスイッチング素子と、スイッチング素子のドレイン電極と連結される画素電極を有する。画素電極は、ゲート配線とソース配線によって定義された画素領域に形成される。
【０００３】
近年、高輝度の液晶表示パネルを開発するために高開口率（または高透過率）の画素構造が開発されつつある。高開口率の画素構造は、画素電極がソース配線上にオーバーレイされるように形成して画素電極の形成領域を拡張させることで開口率（または透過率）を向上させる構造である。
【０００４】
高透過率の画素構造を具現するためには、画素電極とソース配線が一定部分オーバーレイされる領域で発生する寄生キャパシタンスを最小化するために画素電極とソース配線との間に厚い有機絶縁膜が形成される。
【０００５】
厚く形成される有機絶縁膜は、工程特性によってアレイ基板に均一な厚さで形成されない。このような有機絶縁膜の厚さのバラツキは液晶表示パネルに表示される画像に赤いしみ及びホワイトしみなどのようなしみ不良を招くという問題があった。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明は上記従来のアレイ基板とこれを具備する液晶表示パネルにおける問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、しみ不良を改善することのできるアレイ基板を提供することにある。
本発明の他の目的は、前記アレイ基板を含む液晶表示パネルを提供することにある。
本発明の更に他の目的は、表示品質を向上させることのできる液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するためになされた本発明によるアレイ基板は、ゲート配線とソース配線によって定義された複数の画素領域が構成され、各画素領域が光を透過させるアレイ基板において、ゲート配線とソース配線とに連結され、前記画素領域に形成されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子と電気的に連結される画素電極と、前記スイッチング素子上に形成される第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の下に形成される第２絶縁膜とを有し、前記第２絶縁膜の厚さは、前記光の赤色ピーク波長帯に依存する（ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ）ことを特徴とする。
【０００８】
上記目的を達成するためになされた本発明による液晶表示パネルは、光を用いて画像を表示する液晶表示パネルにおいて、ゲート配線とソース配線に連結されるスイッチング素子と、該スイッチング素子上に形成される第１絶縁膜と、前記光の赤色ピーク波長帯に依存した膜厚で前記第１絶縁膜の下に形成される第２絶縁膜とを含むアレイ基板と、前記アレイ基板と結合して基板間に液晶層を収容する対向基板とを有することを特徴とする。
【０００９】
上記目的を達成するためになされた本発明による液晶表示装置は、光を発生する光源と、ゲート配線とソース配線に連結されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子上に形成された第１絶縁膜と前記光の赤色ピーク波長帯に依存した膜厚で前記第１絶縁膜の下に形成される第２絶縁膜とを有するアレイ基板と、前記アレイ基板と結合して基板間に液晶層を収容する対向基板とを有することを特徴とする。
【００１０】
また、上記目的を達成するためになされた本発明によるアレイ基板は、ゲート配線とソース配線によって定義される画素領域が構成され、各画素領域が光を透過させるアレイ基板において、ゲート配線とソース配線に連結され、前記画素領域に形成されるスイッチング素子と、前記スイッチイング素子と電気的に連結される画素電極と、前記スイッチング素子上に形成される第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜の下に形成される第２絶縁膜とを有し、前記第２絶縁膜の厚さは、前記第１絶縁膜の厚さのバラツキによる透過率の変動を最小化させるように調節されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係るアレイ基板とこれを具備する液晶表示パネル、及び液晶表示装置によれば、赤色ピーク波長帯に依存した厚さにて下部絶縁膜を形成することで、液晶表示パネルの有機絶縁膜の厚さバラツキによる光の透過率の変動を緩和することができるという効果がある。
したがって、液晶表示パネルの光透過率の変動を緩和させることで液晶表示パネルに表示される画像の表示品質を向上させることができるという効果がある。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
次に、本発明に係るアレイ基板とこれを具備する液晶表示パネル、及び液晶表示装置を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の実施形態によるアレイ基板の平面図である。
図１を参照すると、アレイ基板には複数のゲート配線（ＧＬｎ−１，ＧＬｎ）と、複数のソース配線（ＤＬｍ−１，ＤＬｍ）と、ゲート配線（ＧＬｎ−１，ＧＬｎ）とソース配線（ＤＬｍ−１，ＤＬｍ）によって定義された複数の画素部（Ｐ）が形成される。
【００１３】
ゲート配線（ＧＬｎ−１，ＧＬｎ）は第１方向に配列され、第２方向に延長される。ソース配線（ＤＬｍ−１，ＤＬｍ）は、第２方向に配列され、第１方向に延長される。
画素部（Ｐ）は、ｎ番目のゲート配線（ＧＬｎ）、ｍ番目のソース配線（ＤＬｍ）、スイッチング素子（ＴＦＴ）、ストレージキャパシタ（ＣＳＴ）、及び画素電極（ＰＥ）を含む。
【００１４】
ｎ番目のゲート配線（ＧＬｎ）は、画素部（Ｐ）の駆動を制御する制御信号が伝達され、ｍ番目のソース配線（ＤＬｍ）は、画素部（Ｐ）を駆動させる駆動電圧が伝達される。
スイッチング素子（ＴＦＴ）は、ｎ番目のゲート配線（ＧＬｎ）に連結されたゲート電極１１１と、ｍ番目のソース配線（ＤＬｍ）に連結されたソース電極１１３と、画素電極（ＰＥ）とコンタクトホール１１７を通じて電気的に連結されたドレイン電極１１４を含む。
【００１５】
スイッチング素子（ＴＦＴ）の駆動方式は、ゲート電極１１１に制御信号が入力されることによってソース電極１１３に入力された駆動電圧をドレイン電極１１４に連結された画素電極（ＰＥ）に伝達する。
ストレージキャパシタ（ＣＳＴ）は、ストレージ共通配線１２１と電極パターン１２３を含む。ストレージキャパシタ（ＣＳＴ）は、電極パターン１２３を通じてスイッチング素子（ＴＦＴ）と画素電極（ＰＥ）と電気的に連結される。
【００１６】
画素電極（ＰＥ）は、互いに隣接するゲート配線（ＧＬｎ−１，ＧＬｎ）とソース配線（ＤＬｍ−１，ＤＬｍ）によって定義され、アレイ基板の背面から出射された光（Ｌ）が透過される領域である。ここで、高透過率を実現するために画素電極（ＰＥ）はゲート配線（ＧＬｎ−１，ＧＬｎ）とソース配線（ＤＬｍ−１，ＤＬｍ）の一部分をカバーするように形成される。
【００１７】
高透過率の画素構造では、画素電極（ＰＥ）とソース配線（ＤＬｍ−１，ＤＬｍ）とのカップリングキャパシタンスを最小化させるために、ソース配線（ＤＬｍ−１，ＤＬｍ）と画素電極（ＰＥ）との間に厚い有機絶縁膜を形成する。有機絶縁膜は、アレイ基板上に相対的に厚く形成される工程特性によって均一な厚さで形成されない。
【００１８】
有機絶縁膜の厚さバラツキによる光（Ｌ）の透過率の変動を緩和するために有機絶縁膜の下部に形成される下部絶縁膜の厚さを調節して形成する。
【００１９】
図２は、図１のＩ−Ｉ’線に沿って見た断面図である。
図１及び図２を参照すると、アレイ基板１００はベース基板１０１を含む。
ベース基板１０１上にはゲート金属パターンが形成される。ゲート金属パターンは、ゲート配線（ＧＬ）、ゲート電極１１１、及びストレージ共通配線１２１を含む。
【００２０】
ゲート金属パターンが形成されたベース基板１０１上にゲート絶縁膜１０２を形成する。ゲート絶縁膜１０２は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような絶縁物質で約３２００〜３８００Åの厚さで形成される。ゲート絶縁膜１０２の屈折率（Ｎ）は約１．８５である。
【００２１】
ゲート絶縁膜１０２上には、チャンネル層１１２が形成される。チャンネル層１１２はアモルファスシリコン層１１２ａとｎ＋アモルファスシリコン層１１２ｂを含む。例えば、アモルファスシリコン層１１２ａの上部にインシツ（ｉｎ−ｓｕｔｅ）でｎ＋不純物をドープしてｎ＋アモルファスシリコン層１１２ｂを形成する。チャンネル層１１２は、ゲート電極１１１が形成された領域に対応してパターニングされる。
【００２２】
チャンネル層１１２が形成されたベース基板１０１上には、ソース金属パターンが形成される。ソース金属パターンは、ソース配線（ＤＬｍ）、ソース電極１１３、ドレイン電極１１４、及び電極パターン１２３を含む。
【００２３】
ソース金属パターンが形成されたベース基板１０１上に保護絶縁膜１０３を形成する。
保護絶縁膜１０３は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような絶縁物質で約８００〜１２００Åの厚さで形成される。保護絶縁膜１０３の屈折率（Ｎ）は約１．８５である。
【００２４】
保護絶縁膜１０３が形成されたベース基板１０１上に有機絶縁膜１０５が形成される。
有機絶縁膜１０５は、約２μｍ〜４．３μｍの厚さで形成される。有機絶縁膜１０５の屈折率は約１．５６である。
有機絶縁膜１０５は、ベース基板１０１上に形成された他の層に比べて相対的に厚く形成される。このような工程特性によって有機絶縁膜１０５は、厚さのバラツキを有する。
【００２５】
有機絶縁膜１０５の下に形成された下部絶縁膜１０４、即ち、ゲート絶縁膜１０２と保護絶縁膜１０３の厚さ（Ｄ）を調節して有機絶縁膜１０５の厚さのバラツキによる光透過率を制御する。
【００２６】
保護絶縁膜１０３及び有機絶縁膜１０５には、電極パターン１２３の一部領域を露出させるコンタクトホール１１７が形成され、コンタクトホール１１７を通じて画素電極（ＰＥ）とドレイン電極１１４とを電気的に連結する。
【００２７】
図３は、有機絶縁膜の厚さのバラツキによるアレイ基板の透過率の変動を示したグラフである。
図３を参照すると、アレイ基板を透過させる可視光は、約３８０ｎｍ〜７５０ｎｍの波長帯域を有する。可視光は約４００ｎｍ〜５００ｎｍの波長帯域を有する青色光と、約５３０ｎｍ〜５９０ｎｍの波長帯域を有する緑色光、及び約６００〜６３０ｎｍの波長帯域を有する赤色光を含む。
【００２８】
グラフから分かるように、青色光の波長帯域では、有機絶縁膜の厚さのバラツキによる透過率の曲線の傾斜が滑らか（ｓｍｏｏｔｈ）であることがわかる。これは、青色光の透過率は有機絶縁膜の厚さのバラツキによってほぼ変動がないことを示す。
緑色光の波長帯域では、有機絶縁膜の厚さのバラツキによる透過率の曲線の傾斜が一定角以上の傾斜角を有することがわかる。これは、緑色光の透過率は有機絶縁膜の厚さのバラツキによって変動することを示す。
【００２９】
赤色光の波長帯域では、有機絶縁膜の厚さのバラツキによる透過率の曲線の傾斜が一定角以上の傾斜角を有することがわかる。これは、赤色光の透過率もまた有機絶縁膜の厚さのバラツキによって変動することを示す。
上記のように緑色及び赤色光の透過率が有機絶縁膜の厚さのバラツキによって大きく変動するものの、これらのうち、赤色光の透過率変動はホワイト画面の駆動時に赤いしみ不良を発生させる。
【００３０】
以下では、従来例と本実施形態との比較を通じて本発明によって液晶表示パネルの表示品質が改善することを説明する。
図４は、従来例による第１アレイ基板の断面図である。図５は、図４の第１アレイ基板の赤色光に対する透過率を示したグラフである。
【００３１】
従来例による第１アレイ基板１０は、ベース基板１１上に下部絶縁膜１４、有機絶縁膜１５、画素電極１６、及び配向膜１７が順次形成される。下部絶縁膜１４は、ゲート絶縁膜１２と保護絶縁膜１３を含む。
【００３２】
ベース基板１１の屈折率は１．５３であり、厚さは７×１０６Åであり、下部絶縁膜１４の屈折率は１．８５であり、厚さは５６５０Åであり、有機絶縁膜１５の屈折率は１．５６であり、厚さは３４０００Åであり、画素電極１６の屈折率は２．０であり、厚さは５５０Åであり、配向膜１７の屈折率は１．６であり、厚さは９００〜１１００Åである。
図５のグラフより、第１アレイ基板１０に光を透過させた場合、透過された光のうち、赤色光の透過率は８０％〜９０％の範囲で大きく変動することがわかる。
【００３３】
一方、図６は、本発明の実施形態による第２アレイ基板の断面図である。図７は、図６の第２アレイ基板の赤色光に対する透過率を示したグラフである。
本実施形態による第２アレイ基板２０は、ベース基板２１上に下部絶縁膜１４、有機絶縁膜２５、画素電極２６、及び配向膜２７が順次形成される。下部絶縁膜２４は、ゲート絶縁膜２２と保護絶縁膜２３を含む。
【００３４】
ベース基板２１の屈折率は１．５３であり、厚さは７×１０６Åであり、下部絶縁膜２４の屈折率は１．８５であり、厚さは５２００Åであり、有機絶縁膜２５の屈折率は１．５６であり、厚さは３４０００Åであり、画素電極２６の屈折率は２．０であり、厚さは５５０Åであり、配向膜２７の屈折率は１．６であり、厚さは９００〜１１００Åである。
【００３５】
上記従来例の第１アレイ基板１０と比べた場合、本実施形態による第２アレイ基板２０の下部絶縁膜２４は、第１アレイ基板１０の下部絶縁膜１４の厚さに比べて相対的に薄く形成される。
【００３６】
図７のグラフより、上記のように相対的に薄く形成された下部絶縁膜２４を有する第２アレイ基板２０に光を透過させた場合、透過された光のうち、赤色光の透過率は約８４％を維持し、かつほぼ変動しないことがわかる。
【００３７】
このように、第１アレイ基板１０と第２アレイ基板２０とを比べるとき、有機絶縁膜の厚さのバラツキによる赤色光の透過率の変動幅を有機絶縁膜の下部に形成された下部絶縁膜の厚さで調節することで赤色光の透過率の変動幅を補償（ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅ）することができる。
【００３８】
このような有機絶縁膜の厚さ変動による透過率の変動幅を最小化するために透過される光の赤色ピーク波長帯（Ｗ）に対する下部絶縁膜の厚さ（Ｄ）の関係は、下記の数式５に示される。
【数５】
2007086782.tif 000003
ここで、波長の単位はｎｍであり、厚さの単位はÅであり、Ｎは下部絶縁膜の屈折率である。
【００３９】
図８〜図１１は、図１に示したアレイ基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
まず、図１及び図８を参照すると、ベース基板１０１上にゲート金属層を蒸着及びパターニングしてゲート金属パターンを形成する。
ゲート金属パターンは、ゲート配線（ＧＬｎ−１，ＧＬｎ）、ストレージ共通配線１２１、及びゲート電極１１１を含む。
次に、ゲート金属パターンが形成されたベース基板１０１上にゲート絶縁膜１０２を形成する。ゲート絶縁膜１０２は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような絶縁物質で約３２００〜３８００Åの厚さで形成する。
【００４０】
次に、図１及び図９を参照すると、ゲート絶縁膜１０２上にチャンネル層１１２を形成する。
具体的には、ゲート絶縁膜１０２上にアモルファスシリコン膜１１２ａ及びインシツ（ｉｎ−ｓｕｔｅ）でドープされたｎ＋アモルファスシリコン膜１１２ｂを順次に形成する。
次に、アモルファスシリコン膜１１２ａ及びｎ＋アモルファスシリコン膜１１２ｂをパターニングしてゲート電極１１１に対応してチャンネル層１１２を形成する。
【００４１】
次に、図１及び図１０を参照すると、チャンネル層１１２上にデータ金属層を蒸着及びパターニングしてソース金属パターンを形成する。
ソース金属パターンは、ソース配線（ＤＬｍ−１，ＤＬｍ）、ソース電極１１３、ドレイン電極１１４、ストレージキャパシタ（ＣＳＴ）の電極パターン１２３を含む。
【００４２】
その後、ソース電極１１３及びドレイン電極１１４をマスクとして露出されたチャンネル層１１２のｎ＋アモルファスシリコン膜１１２ｂを除去してスイッチング素子（ＴＦＴ）のチャンネル領域を定義する。
【００４３】
次に、ソース金属パターンが形成されたベース基板１０１上に保護絶縁膜１０３を形成する。保護絶縁膜１０３は、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）のような絶縁物質で約８００〜１２００Åの厚さで形成される。
【００４４】
下部絶縁膜１０４、即ち、ゲート絶縁膜１０２及び保護絶縁膜１０３の厚さは、アレイ基板を透過する光の赤色光のピーク波長帯に依存（ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ）して決定される。
一般的に、ゲート絶縁膜１０２の厚さは、スイッチング素子（ＴＦＴ）の電気的な特性を考慮して最小値が決定される。望ましくは、保護絶縁膜１０３の厚さを赤色光のピーク波長帯に依存して調整する。
したがって、下部絶縁膜１０４の厚さ（Ｄ）を上述した数式５にしたがって赤色光のピーク波長帯（Ｗ）に依存した厚さで形成する。
【００４５】
次に、図１及び図１１を参照すると、保護絶縁膜１０３が形成されたベース基板１０１上に有機絶縁膜１０５を形成する。有機絶縁膜１０５は、約２μｍ〜４．３μｍの厚さで形成される。有機絶縁膜１０５の屈折率は約１．５６である。
有機絶縁膜１０５は、ベース基板１０１上に形成される他の層に比べて相対的に厚く形成される工程の特性によって均一な厚さで形成することができない。このような有機絶縁膜１０５の厚さのバラツキは光の透過率を変動させる。
【００４６】
ここで、光の赤色ピーク波長帯（Ｗ）に依存した厚さ（Ｄ）を有する下部絶縁膜１０４は、有機絶縁膜１０５の厚さのバラツキによって発生した透過率変動を補償する。
次に、有機絶縁膜１０５及び保護絶縁膜１０３にコンタクトホール１１７を形成してドレイン電極１１４の一部分を露出させる。
【００４７】
以後、コンタクトホール１１７が形成されたベース基板１０１上に透明導電性物質を蒸着及びパターニングして画素電極（ＰＥ）を形成する。透明導電性物質は、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、またはインジウムスズ亜鉛酸化物（ＩＴＺＯ）を含む。
【００４８】
画素電極（ＰＥ）は、ソース配線（ＤＬｍ−１，ＤＬｍ）の一部分をカバーするように形成される。これによって画素電極（ＰＥ）の形成面積を最大に拡張することによって画素電極（ＰＥ）を透過する光の透過率を向上させる。
【００４９】
以上のように、有機絶縁膜１０５の下部に形成された下部絶縁膜１０４の厚さ（Ｄ）を赤色光ピーク波長帯（Ｗ）に依存して形成することで有機絶縁膜１０５の厚さの変動による透過率の変動を減少させて表示品質を向上させる。
【００５０】
図１２は、本発明の他の実施形態による液晶表示パネルの断面図である。
図１２を参照すると、本発明の他の実施形態による液晶表示パネルは、アレイ基板１００、対向基板２００、及び液晶層３００を含む。
アレイ基板１００は、図１及び図２で説明したものと同一であるので、詳細な説明は省略する。
アレイ基板１００の有機絶縁膜１０５の下に形成された下部絶縁膜１０４の厚さ（Ｄ）は、前記数式５に示したように、アレイ基板１００の背面から提供される光の赤色光ピーク波長帯（Ｗ）に依存して決定される。
【００５１】
前記数式５による厚さ（Ｄ）を有する下部絶縁膜１０４は、有機絶縁膜１０５の厚さのバラツキによる光の透過率を補償する。これによってホワイト画面の駆動時、赤いしみ現象を改善することができる。
対向基板２００は、ベース基板２０１を含む。ベース基板２０１上（図１２上では下に、以下同様）には、遮光層２１０、カラーフィルタ層２２０、オーバーコーティング層２３０、及び共通電極層２４０が形成される。
【００５２】
遮光層２１０は、ゲート配線（ＧＬｎ−１，ＧＬｎ）、ソース配線（ＤＬｍ−１，ＤＬｍ）、及びスイッチング素子（ＴＦＴ）に対応して形成され、アレイ基板１００及び液晶層３００を透過した光（Ｌ）を遮断する。
カラーフィルタ層２２０は、アレイ基板１００の画素領域に対応して形成されたカラーフィルタパターンを含む。カラーフィルタパターンは、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、及び青色（Ｂ）フィルタパターンを含む。
【００５３】
オーバーコーティング層２３０は、カラーフィルタ層２２０上に形成され、カラーフィルタ層２２０を保護し、更に対向基板２００を平坦化させる。
共通電極層２４０は、アレイ基板１００の画素電極（ＰＥ）に対向する電極であって、画素電極（ＰＥ）及び液晶層３００によって液晶キャパシタが定義される。
【００５４】
液晶層３００は、アレイ基板１００と対向基板２００との間に介在され、画素電極（ＰＥ）と共通電極２４０との電位差によって液晶層３００の配列角を変化させて画像を表示する。
【００５５】
図１３は、本発明の実施形態による液晶表示装置の分解斜視図である。
図１３を参照すると、本発明の実施形態による液晶表示装置は、バックライトアセンブリ４００、及びディスプレイアセンブリ５００を含む。
バックライトアセンブリ４００は、収納容器４１０、反射板４２０、ランプアセンブリ４３０、フレーム部（４４０、４５０、４６０）、及び光学部材４７０を含む。
【００５６】
収納容器４１０には、反射板４２０、ランプアセンブリ４３０と、フレーム部（４４０、４５０、４６０）、及び光学部材４７０が収納される。
ランプアセンブリ４３０は、ランプ４３１、ランプワイヤ４３２、ランプホルダ４３３、及びランプ固定部材４３４を含む。
【００５７】
ランプ４３１は、内部に電極が形成された内部電極蛍光ランプ（ＣＣＦＬ）である。ランプ４３１の内壁には蛍光層が塗布され、内部には放電ガスが充填される。放電ガスは、例えば、水銀（ｍｅｒｃｕｒｙ）、微量のアルゴン（Ａｒ）、ネオン（Ｎｅ）、キセノン（Ｘｅ）、及びクリプトン（Ｋｒ）を含む。
【００５８】
ランプ４３１は、内部電極に駆動電圧が印加されると、放電ガスを放電させて非可視光線である、例えば、紫外線が発生し、紫外線はランプ４３１の内側壁に塗布された赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）蛍光層によって可視光線に変更される。
【００５９】
赤色（Ｒ）蛍光層によって励起された赤色光のピーク波長帯（Ｗ）に依存して（応じて）ディスプレイアセンブリの液晶表示パネルが製造される。
ここで、ディスプレイアセンブリの液晶表示パネルが緑色光または青色光のピーク波長帯に依存して製造することもできる。
具体的には、ランプ４３１から発生した光のうち、赤色光のピーク波長帯（Ｗ）に基づいて前記数式５にしたがって液晶表示パネルのアレイ基板に形成される下部有機膜の厚さ（Ｄ）が決定される。
【００６０】
ランプワイヤ４３２は、ランプ４３１の内部電極と電気的に連結されて駆動電圧を伝達する。
ランプホルダー４３３は、ランプ４３１の一端部をホールディングし、ランプワイヤ４３２を引き出すための引き出しホール（図示せず）とランプホルダー４３３を収納容器４１０に固定するための固定突起（図示せず）が形成される。
【００６１】
ランプ固定部材４３４は、ランプ４３１の他端部を固定し、ランプ４３１の他端部の形状に対応する固定溝４３４ａが形成される。
フレーム部（４４０、４５０、４６０）は、第１サイドモールド４４０、第２サイドモールド４５０、及びランプ支持部材４６０を含む。第１サイドモールド４４０は、ランプホルダー４３３をカバーすることでランプ４３１の一端部をカバーし、光学部材４７０を支持する。第２サイドモールド４５０は、ランプ固定部材４３４をカバーすることでランプ４３１の他端部をカバーし、光学部材４７０を支持する。
【００６２】
光学部材４７０は、拡散板４７１と集光シート（４７２、４７３）を含む。拡散板４７１は、ランプ４３１から出射された光を拡散させて光の輝度均一性をより向上させる。
【００６３】
ディスプレイアセンブリ５００は、ミドルモールド５１０、液晶表示パネル５２０、印刷回路基板５３０、可撓性回路基板５４０、及びトップシャーシ５５０を含む。
ミドルモールド５１０は、光学部材４７０が配置された収納容器４１０上に配置され、第１サイドモールド４４０及び第２サイドモールド４５０の上に装着された光学部材４７０のエッジを押して収納容器４１０から光学部材４７０が離脱することを防止する。
【００６４】
液晶表示パネル５２０は、アレイ基板５２１とアレイ基板５２１に対向する対向基板５２２及びアレイ基板と対向基板（５２１、５２２）との間に介在された液晶層（図示せず）を含む。
【００６５】
アレイ基板５２１の有機絶縁膜の下に形成された下部絶縁膜の厚さ（Ｄ）は、前記数式５に示したように、バックライトアセンブリ４００から発生した光の赤色光ピーク波長帯（Ｗ）に依存して決定される。
前記数式５にしたがう厚さ（Ｄ）を有する下部絶縁膜は、有機絶縁膜の厚さのバラツキによる光の透過率の変動を補償する。これによってホワイト画面の駆動時、赤いしみ現象を改善することができる。
【００６６】
液晶表示パネル５２０は、図１２に示した液晶表示パネルと実質的に同一であるので、詳細な説明は省略する。
印刷回路基板５３０は、画像信号を処理する駆動回路ユニット（図示せず）を含み、駆動回路ユニットは外部から入力された画像信号及び制御信号を信号処理して液晶表示パネル５２０を駆動させるための駆動制御信号及び画像信号を提供する。
【００６７】
可撓性回路基板５４０は、液晶表示パネル５２０と印刷回路基板５３０を電気的に連結して印刷回路基板５３０から提供された駆動制御信号及び画像信号を用いて液晶表示パネル５２０に駆動信号を出力する。
【００６８】
トップシャーシ５５０は、液晶表示パネル５２０のエッジを囲み、収納容器４１０と結合される。トップシャーシ５５０は、外部の衝撃から破損または損傷することを防止し、液晶表示パネル５２０が収納容器４１０から離脱することを防止する。
【００６９】
図１４は、本発明の実施形態による画像表示品質の改善効果を示すグラフである。
図１４に示したグラフは、液晶表示パネルに赤色ピーク波長帯（Ｗ）が６１４ｎｍである光が入射し、液晶表示パネルがホワイトで駆動される場合、液晶表示パネルの下部絶縁膜の厚さ（Ｄ）によって液晶表示パネルに赤いしみが発生する部分と白いしみが発生した部分との色座標差（Ｗｘ，Ｗｙ）を示したものである。
【００７０】
具体的には、液晶表示パネルの下部絶縁膜の厚さ（Ｄ）が約５６００Åである場合、色座標差のＸ座標（Ｗｘ）は約０．００３〜０．００６の範囲に存在する。
反面、下部絶縁膜の厚さ（Ｄ）が５２００Åに薄くなった場合、色座標差のＸ座標（Ｗｘ）は約０．００３以下の範囲に存在する。色座標差のＸ座標（Ｗｘ）が「０」に近くなるほどホワイト均一性が優秀であり、「０」から遠くなるほどホワイト均一性が低下する。
【００７１】
即ち、下部絶縁膜の厚さ（Ｄ）が前記数式５に定義されたように、赤色光のピーク波長帯（Ｗ）が６１４ｎｍである場合、５２００Åの厚さの下部絶縁膜を有する液晶表示パネルは、色座標差（Ｗｘ，Ｗｙ）は０．００３以下になる。結果的に、赤色光のピーク波長帯に依存して（応じて）調節された厚さの下部絶縁膜を有する液晶表示パネルは、しみ不良が改善されることがわかる。
【００７２】
尚、本発明は、上述の実施形態に限られるものではない。本発明の技術的範囲から逸脱しない範囲内で多様に変更実施することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００７３】
【図１】本発明の実施形態によるアレイ基板の平面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ’線に沿って見た断面図である。
【図３】有機絶縁膜の厚さのバラツキによるアレイ基板の透過率の変動を示したグラフである。
【図４】従来例による第１アレイ基板の断面図である。
【図５】図４の第１アレイ基板の赤色光に対する透過率を示したグラフである。
【図６】本発明の実施形態による第２アレイ基板の断面図である。
【図７】図６の第２アレイ基板の赤色光に対する透過率を示したグラフである。
【図８】図１に示したアレイ基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図９】図１に示したアレイ基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図１０】図１に示したアレイ基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図１１】図１に示したアレイ基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図１２】本発明の他の実施形態による液晶表示パネルの断面図である。
【図１３】本発明の実施形態による液晶表示装置の分解斜視図である。
【図１４】本発明の実施形態による表示品質の改善効果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００７４】
１００      アレイ基板
１０１      ベース基板
１０２      ゲート絶縁膜
１０３      保護絶縁膜
１０４      下部絶縁膜
１０５      有機絶縁膜
１１１      ゲート電極
１１２      チャンネル層
１１２ａ    アモルファスシリコン層
１１２ｂ    ｎ＋アモルファスシリコン層
１１３      ソース電極
１１４      ドレイン電極
１１７      コンタクトホール
１２１      ストレージ共通配線
１２３      電極パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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