【事件の表示】
　特願２００９−２９８９３２「面実装部品のはんだ付け方法および面実装部品」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年７月１４日出願公開、特開２０１１−１３８９６８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、平成２１年１２月２８日の出願であって、平成２５年９月２５日付けで拒絶査定がなされ（発送日：同年１０月１日）、これに対し、同年１２月２７日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、その審判の請求と同時に手続補正がされたものである。  
    
第２　平成２５年１２月２７日の手続補正についての補正却下の決定  
〔補正却下の決定の結論〕  
　平成２５年１２月２７日の手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。　 　  
      
〔理由〕  
　１　本願補正発明  
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項２について、補正前（平成２５年９月９日の手続補正書）の請求項２に、  
    
「【請求項２】
　Ｎｉメッキ層が形成された電極面を有する回路素子が、Ｎｉメッキ層が形成されたリードフレームのダイパット電極面に、Ｓｂが１０〜１３質量％、Ｃｕの含有量が０．０１質量％以下のＳｎを主成分とする（Ｓｎ−Ｓｂ）系はんだ材料を用いて、はんだ付けされた面実装部品を、回路基板の基板端子部に塗布されたＡｇが２．８〜３．３質量％、Ｃｕが０．５〜１．０質量％、Ｂｉが２〜５質量％、Ｉｎが３〜５質量％、残部がＳｎである（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ−Ｉｎ）系はんだ材料を実装用はんだ材料として用いてはんだ付けする
　ことを特徴とする面実装部品のはんだ付け方法。」
　とあったものを、  
      
「【請求項２】
　Ｎｉメッキ層が形成された電極面を有する回路素子が、Ｎｉメッキ層が形成されたリードフレームのダイパット電極面に、Ｓｂが１０〜
１１
　ことを特徴とする面実装部品のはんだ付け方法。」  
　と補正（下線は補正箇所を示すために請求人が付したものである。）することを含むものである。
　
　上記補正は、発明を特定するために必要な事項である「（Ｓｎ−Ｓｂ）系はんだ材料」について「Ｓｂが１０〜１１質量％」とその数値範囲を限定するものであり、かつ、補正前の請求項２に記載された発明と補正後の請求項２に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるので、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。  
      
　そこで、本件補正後の請求項２に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）否かについて検討する。  
      
　２　刊行物  
（１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された特開２００１−２８４７９２号公報（以下「刊行物１」という。なお、刊行物１は、本願明細書に記載された特許文献である。）には、「半田材料及びそれを用いた半導体装置の製造方法」に関して、図面と共に次の事項が記載されている。 
      
　ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣチップをリードフレームアイランド部にダイボンディングするに用いる半田材料及びダイボンディングした後、樹脂封止して用いる半導体装置の製造方法に関し、詳しくはダイボンディングして製造した半導体装置を回路基板等に２番目の半田付けを行って使用するに好適な無鉛半田材料及び半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般にＩＣ等の半導体のパッケージングにはＩＣチップをリードフレームアイランド部に接着する、いわゆるダイボンディングして用いられている。この中で熱発生の大きい半導体製品の場合、ダイボンディングにはろう材として半田が用いられている。
【０００３】ここでダイボンディング用ろう材として半田を用いてパッケージングされた半導体装置断面の一例を図１に示す。ＩＣチップ１は半田材料２をろう材としてリードフレームアイランド部３にダイボンディングされる。次いでＩＣチップの電極４とインナーリード５をダイボンディングワイヤ６で配線する。次いで樹脂７で成形してアウターリード８が樹脂の外側になるようにしてアウターリードを外部端子として使用するものである。
【０００４】ここで前記半田材料として従来からＳｎ−Ｐｂを基本とした半田材料が用いられている。この中でもＰｂ−５質量％Ｓｎ近傍で融点が３００℃前後と比較的高温である半田が使用されている。この理由は図１のようにして製造された半導体装置をプリント基板に半田実装する際の加熱条件が２４０〜２６０℃で数〜１０秒間であるため、ダイボンディングに用いた半田材料が溶け出さないようにするため前記３００℃前後の融点を持つ半田材料が使用されている。
【０００５】一方半田接合部は半導体装置の動作状態における温度上昇と非動作状態における常温との繰り返し温度変化を受け、特にＩＣチップとリードフレームの熱膨張係数の違いに起因する繰り返し歪みによる疲労から半田接合部に亀裂が発生進展して接合部の電気的接続の信頼性を低下させている。（省略）
【０００６】更に、最近ではＰｂ−Ｓｎ系半田材料に含まれているＰｂの人体への影響に関心が集まり、Ｐｂを含む製品を廃棄することによる地球環境の汚染、生物への影響を低減することが課題になっている。このように、環境汚染を低減するために、無鉛半田材料が求められている。」
　
　イ　「【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前述のように、半導体装置のダイボンディングに於いて、ダイボンディング用半田材料として無鉛半田材料を用いながら熱サイクル性能を向上させた半導体装置が求められている。更に、ダイボンディング用無鉛半田材料としてＳｎ基合金を用いて、前述したプリント基板に半田実装する際の加熱条件である２４０〜２６０で数秒〜１０秒間加熱した場合、Ｓｎ基合金の固相線温度が２６０℃より低い為に、通常は半田材料の一部が溶融したりして半田材料中のボイド生成量が増加するようになる。該ボイドの生成量が大きいと発熱したＩＣチップからの熱伝導率が低下するため好ましくない。
【０００８】そこで、本発明は半導体装置の製造に於いて環境汚染を低減するために無鉛半田材料を用いながら、熱サイクル寿命を向上させると共に、半導体装置をプリント基板に半田実装する際の温度に晒してもダイボンドした半田材料中のボイド生成量を抑制出来る半田材料及びそれを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発明は下記にある。
（省略）
【００１０】（３）ＩＣチップをリードフレームアイランド部に半田材料を用いてダイボンディングした後、電極部接合、樹脂成形する半導体装置の製造方法において、半田材料がＳｂを１１．０〜２０．０質量％、Ｐを０．０１〜０．２質量％及び残部がＳｎ及び不可避不純物からなり、前記ＩＣチップとリードフレームアイランド部の接合面がＣｕ，Ｎｉ又はＡｕ面であり、前記樹脂成形後１５０〜２５０℃で熱処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【００１１】（４）半田材料がＳｂを１１．０〜２０．０質量％、Ｐを０．０１〜０．２質量％、Ｃｕ及びＮｉの少なくとも１種を０．００５〜５．０質量％及び残部がＳｎ及び不可避不純物からなることを特徴とする（３）記載の半導体装置の製造方法。」
　
　ウ　「【００１２】
【発明の実施の形態】（１）半導体装置の製造方法を図１を用いて再度説明する。
ＩＣチップ１は半田材料２をろう剤としてリードフレームアイランド部３にダイボンディングされる。次いでＩＣチップの電極４とインナーリードをボンディングワイヤ６で配線する。次いで樹脂７で成形してアウターリード８が樹脂の外側になるようにして、アウターリードを外部端子として使用する。
【００１３】（２）半田材料
１　組成
本発明に用いる半田材料はＳｎをベース金属とする。半田材料としてはＳｎ−Ｐｂ系が知られているが、Ｐｂは環境問題に対して好ましくない為、環境に許容される範囲に抑制された量においては含有しても良いが、Ｐｂは含まないことが好ましい。そこで本発明はＳｎをベースとし、添加元素には次のものを用いる。
【００１４】（ａ）Ｓｂ
本発明では、Ｓｎ合金中で、所定量のＰとの共存において、Ｓｂを１１．０〜２０．０質量％含有する。Ｓｂ含有量を該範囲にすることにより、本発明の課題である半導体装置の熱サイクル寿命が向上すると共に半田実装する際の温度に晒してもダイボンドした半田材料中のボイド生成量を抑制出来るようになってくる。
【００１５】この中でも、Ｓｂ含有量が１１．０〜１５．０質量％になると半田材料のぬれ性が向上する為好ましく用いられる。（省略）」（なお、丸付き数字は算用数字で表記した。）
　
　エ　「【００１７】（ｃ）Ｃｕ，Ｎｉ
本発明では、Ｓｎ合金中で所定量のＳｂ及びＰとの共存においてＣｕ及びＮｉの少なくとも１種を０．００５〜５．０質量％含有することが好ましい。Ｃｕ及びＮｉの少なくとも１種の含有量を該範囲にすることにより、本発明の課題である半導体装置の熱サイクル寿命が更に向上すると共に半田実装する際の温度に晒してもダイボンドした半田材料中のボイド生成量を抑制する効果を維持できる。好ましくは０．１〜３．０質量％である。」
　
　オ　「【００２１】（３）接合面
図１において、ダイボンディング用半田材料２と接触するＩＣチップ１の面とリードフレームアイランド部３の表面、即ち接合面は、Ｎｉ，Ａｕ又はＣｕから選ばれる金属面である事が好ましい。接合面としてＡｇからなる金属面を用いるよりも本発明の課題である半導体装置の熱サイクル寿命が向上すると共に半田実装する際の温度に晒してもダイボンドした半田材料中のボイド生成量を更に抑制出来るようになってくる。
【００２２】この理由として接合面がＡｇであると、半田材料の主成分であるＳｎと反応してＳｎ−Ａｇ共晶が接合部近傍に形成され、Ｓｎ−Ａｇ共晶は固相線温度が２２１℃と低いことから、半田接合部の耐熱性を劣化させるものと考えられる。ここでＮｉ，Ａｕ又はＣｕから選ばれる金属面とはＩＣチップ接合面はＮｉめっき、Ｎｉ下地Ａｕめっき、リードフレームアイランド部接合面は銅製リードフレームの地肌又はＮｉめっき、Ｎｉ下地Ａｕめっきして用いることが例示出来る。」
　
　カ　「【００３７】（試験結果）
（１）ＳｎにＳｂを１１．０〜２０．０質量％、Ｐを０．０１〜０．２質量％含有した実施例１〜実施例１９のものは、高温処理後のボイド発生率が６〜１３％、熱サイクル数が８００〜１３００サイクル及び伸線における断線回数が３回以下と優れた硬化を示した。
【００３８】（２）ＩＣチップとリードフレームの接合面がＮｉ，Ａｕ又はＣｕであり、樹脂封止後の熱処理温度が１５５〜２５０℃である実施例１〜１６のものは、高温処理後のボイド発生率が６〜８％、熱サイクル数が１０００〜１３００サイクルと優れた効果を示した。
（３）Ｓｎに所定量のＳｂと所定量のＰに加えてＣｕ及びＮｉの少なくとも１種を０．００５〜５．０質量％含有した実施例７〜１３のものは熱サイクル寿命が１３００と更に優れた効果を示した。
【００３９】（４）Ｓｎに所定量のＰを含有しながらＳｂの含有量が１０．０質量％以下である比較例１，２のものは、高温処理後のボイド発生率が２０〜６０％、熱サイクル数が２５０〜５００サイクルと不充分なものであった。
（５）Ｓｎに所定量のＰを含有しながらＳｂの含有量が２０．０質量％を超える比較例３のものは、高温処理後のボイド発生率が３０％、熱サイクル数が５００サイクル伸線時の断線回数が１０回と不充分なものであった。」
　
　キ　表１には、実施例１として、組成（質量％）をＳｂ１１，Ｐ０．０５，Ｓｎ残部とすること、実施例７として、組成（質量％）をＳｂ１３，Ｐ０．０５，Ｃｕ０．００５，Ｓｎ残部とすることがそれぞれ記載されている。
　
　ク　上記アの「ダイボンディングして製造した半導体装置を回路基板等に２番目の半田付けを行って使用する」（段落【０００１】）に際して、「ＩＣチップをリードフレームアイランド部にダイボンディングするに用いる半田材料」（同）と異なる別の半田材料が用いられることは、自明である。
    
　上記記載事項及び図示内容を総合し、本願補正発明の記載ぶりに則って整理すると、刊行物１には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。  
      
「Ｎｉめっきされた接合面を有するＩＣチップ１が、Ｎｉめっきされたリードフレームアイランド部３の接合面に、Ｓｂが１１．０〜２０．０質量％、Ｃｕの含有量が０．００５〜５．０質量％のＳｎをベース金属とする半田材料を用いて、ダイボンディングして製造された半導体装置を、プリント基板に別の半田材料を実装用はんだ材料として用いて半田実装する
　半導体装置の半田実装方法。」
　
（２）また、原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願前に頒布された特開２００１−３５９７８号公報（以下「刊行物２」という。）には、「鉛フリーはんだ接続構造体」に関して、図面（特に、図８、図１０参照。）と共に次の事項が記載されている。  
      
　ア　「【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記目的に対し、鉛を使用しないはんだの製品開発が盛んに行われているものの、未だ開発途上で、絞り込まれていない段階である。これらの要求に対応できるはんだの候補に上っているSn系の鉛フリーはんだとしては、高温系はこれまで使用されてきたSn-Sb(融点：236〜240℃)が知られている。
【０００４】このはんだと温度階層をつけられる、即ちSn-Sbを溶かさないで230℃以下ではんだ付けできる、Sn-Pb共晶代替の優れたものは見いだされていない。温度特性、機械的特性、経済性に優れた材料としてSn-9Zn(融点：199℃)が知られているが、Znの酸化が顕著であるため、ぬれ性に劣り、強いフラックスを使う必要性から絶縁特性、ペーストの場合にはポットライフの問題、洗浄の問題等のため容易には使えず限定された使い方が求められている。このためSn-3.5Ag(融点：221℃)にCu,Biを入れた系が本命になっている。」
　
　イ　「【０００６】本案ははんだ付け時に継手が剥離を起こしにくいはんだ組成にして、かつ、素子、メタライズ等にダメッジを与えることなく、高信頼で接合可能なはんだを提案することにある。そして、-55〜125℃、-65〜150℃等の信頼性評価条件としては最も厳しい部類に入る条件に対しても保証できる継手を提案するものである。更には、高温系のSn-Sbとの温度階層をつけられるはんだを提案するものである。」
　
　ウ　「【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題をクリアするため、Sn-Ag-Cuをベースとするはんだが正常にぬれるためには、継手温度として最低220℃を確保する必要がある。炉の温度ばらつきは中央の部品の継手と端部の部品の継手で約10℃以内である。部品の熱容量が大きいと温度ばらつきもつきやすい。従って、220〜230℃の範囲内で接合でき、しかも高信頼性を確保できるはんだである必要がある。
【０００８】この域の有力候補としてはSn-Ag-Cu系にはんだ付け温度を下げるために、Biを添加した系が知られている。Biが少ないとSn-Ag-Cu系と変わらなく、はんだ付け時に継手の温度が235℃以上になるので、Sn-Sbとの温度階層接続には使えない。Biが5％前後のSn-(2〜3.5)Ag-(0.2〜0.8)Cu (4〜6)BiならばほぼSn-Pb共晶代替の温度であり、その代表例がSn-3Ag-0.7Cu5Bi(融点：195〜215℃)である。この範囲であれば炉内の温度ばらつき、継手部のばらつきを含めて220〜230℃での接続が可能である。しかし、この範囲のBi量では接合界面の強度が小さいため、剛性の強い構造では、冷却時に熱膨張差による熱応力に耐えきれず、剥離破壊を起こすことがある。更には、-55〜125℃、-65〜150℃の温度サイクル条件では目標寿命を満たすことが出来ない場合がある。
【０００９】そこで、はんだ付け温度を下げられて、かつ、高信頼性を確保する必要性から、BiとInの添加量の制御と、信頼性と、プロセスコンパチビリテーとの関係が重要である。Biは添加量を増やすと融点は下がるが(図１)、機械的特性も顕著に低下する(図２)。従って、継手の機械的な信頼性はBi量で決まり、Inの添加は機械的特性をほとんど損ねないで、融点を下げる役目をすることが明らかになった(図３)（図４）。BiのSn-Ag-CuはんだのSn晶への固溶限が約1.5％であるため、それ以上入れると温度は下げられるものの、固溶できないBiが析出して機械的特性、特に重要な伸びの低下をもたらし、かつ、接合界面の強度低下を起こすことになる（図５）。」
　
　エ　「【００１８】パワーデバイスにおいて、図８に示すように、アルミナ基板3を挟むようにMo板2(低熱膨張の熱拡散板、Niめっき5)と、Cu板ヒートシンク9(Niめっき)を0.15mmtのSn-7Sb(融点：235〜244℃)はんだ箔8を用いて、不活性雰囲気でmax270℃ではんだ付けをした。その後、接合されたMoの裏面(Niめっき)に、Sn-3Ag-0.7Cu-3In-3Biはんだ箔7(0.15mmt)を用いてSiチップ1(W/Ni等でメタライズ4された)を載せてmax230℃で、同様に不活性雰囲気ではんだ付けを行った。このとき、当然のことながらSn-7Sbは溶けないので、階層接続を実現できる。6はW-Niめっきである。」
　
　オ　上記アの「高温系はこれまで使用されてきたSn-Sb(融点：236〜240℃)が知られている。このはんだと温度階層をつけられる、即ちSn-Sbを溶かさないで230℃以下ではんだ付けできる、Sn-Pb共晶代替の優れたものは見いだされていない。」（段落【０００３】及び段落【０００４】）との記載及び上記エの「当然のことながらSn-7Sbは溶けないので、階層接続を実現できる」との記載を踏まえると、刊行物２には、次の技術的事項（以下「刊行物２に記載された事項」という。）が記載されているといえる。
　
「Sn-7Sbはんだ箔8と温度階層をつけられる、即ちSn-7Sbはんだ箔8を溶かさないではんだ付けできるSn-3Ag-0.7Cu-3In-3Biはんだ箔7。」
　
　３　対比  
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、後者の「Ｎｉめっきされた接合面を有するＩＣチップ１」は前者の「Ｎｉメッキ層が形成された電極面を有する回路素子」に相当し、以下同様に、「Ｎｉめっきされたリードフレームアイランド部３の接合面」は「Ｎｉメッキ層が形成されたリードフレームのダイパット電極面」に、「Ｓｎをベース金属とする半田材料」はＳｂを含有するから「Ｓｎを主成分とする（Ｓｎ−Ｓｂ）系はんだ材料」に、「ダイボンディング」は「はんだ付け」に、「プリント基板」は「回路基板」にそれぞれ相当する。
　
　また、前者の「面実装部品」についての本願明細書の「面実装部品（ＩＣパッケージ）」（段落【００１２】）との記載を参酌すると、後者の「ダイボンディングして製造された半導体装置」は前者の「はんだ付けされた面実装部品」に相当する。
　
　後者の「Ｓｂが１１．０〜２０．０質量％、Ｃｕの含有量が０．００５〜５．０質量％」であることと前者の「Ｓｂが１０〜１１質量％、Ｃｕの含有量が０．０１質量％」であることとは、「Ｓｂが所定の質量％、Ｃｕの含有量が所定の質量％」であるという限りで共通する。
　
　また、後者の「プリント基板に別の半田材料を用いて半田実装する半導体装置の半田実装方法」と前者の「回路基板の基板端子部に塗布されたＡｇが２．８〜３．３質量％、Ｃｕが０．５〜１．０質量％、Ｂｉが２〜５質量％、Ｉｎが３〜５質量％、残部がＳｎである（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ−Ｉｎ）系はんだ材料を実装用はんだ材料として用いてはんだ付けする」「面実装部品のはんだ付け方法」とは、「回路基板に別のはんだ材料を実装用はんだ材料として用いてはんだ付けする面実装部品のはんだ付け方法」という限りで共通する。
　
　したがって、両者は、  
「Ｎｉメッキ層が形成された電極面を有する回路素子が、Ｎｉメッキ層が形成されたリードフレームのダイパット電極面に、Ｓｂが所定の質量％、Ｃｕの含有量が所定の質量％のＳｎを主成分とする（Ｓｎ−Ｓｂ）系はんだ材料を用いて、はんだ付けされた面実装部品を、回路基板に別のはんだ材料を実装用はんだ材料として用いてはんだ付けする
　面実装部品のはんだ付け方法。」
　である点で一致し、以下の点で相違している。  
      
〔相違点〕  
　本願補正発明は、（Ｓｎ−Ｓｂ）系はんだ材料のＳｂが「１０〜１１質量％」、Ｃｕの含有量が「０．０１質量％以下」であって、面実装部品のはんだ付けにおいて、回路基板「の基板端子部」に「塗布されたＡｇが２．８〜３．３質量％、Ｃｕが０．５〜１．０質量％、Ｂｉが２〜５質量％、Ｉｎが３〜５質量％、残部がＳｎである（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ−Ｉｎ）系はんだ材料」を用いるのに対し、
　引用発明は、Ｓｎをベース金属とする半田材料のＳｂが１１．０〜２０．０質量％、Ｃｕの含有量が０．００５〜５．０質量％であって、半導体装置を半田実装する別の半田材料の成分が不明であり、その適用の仕方も不明である点。
     
　４　当審の判断  
　そこで、相違点を検討する。
　刊行物２に記載された事項は、「Sn-7Sbはんだ箔8と温度階層をつけられる、即ちSn-7Sbはんだ箔8を溶かさないではんだ付けできるSn-3Ag-0.7Cu-3In-3Biはんだ箔7。」である。
　
　本願発明と刊行物２に記載された事項とを対比すると、後者の「Sn-3Ag-0.7Cu-3In-3Biはんだ箔7」は、前者の「Ａｇが２．８〜３．３質量％、Ｃｕが０．５〜１．０質量％、Ｂｉが２〜５質量％、Ｉｎが３〜５質量％、残部がＳｎである（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ−Ｉｎ）系はんだ材料」に相当する。
　
　ところで、刊行物１の「プリント基板に半田実装する際の加熱条件である２４０〜２６０で数秒〜１０秒間加熱した場合、Ｓｎ基合金の固相線温度が２６０℃より低い為に、通常は半田材料の一部が溶融したりして半田材料中のボイド生成量が増加するようになる」（段落【０００７】）との記載及び「本発明は・・・半導体装置をプリント基板に半田実装する際の温度に晒してもダイボンドした半田材料中のボイド生成量を抑制出来る半田材料・・・を提供することを目的とする。」（段落【０００８】）との記載からみて、引用発明の「Ｓｎをベース金属とする半田材料」は、半導体装置をプリント基板に半田実装する際の温度に晒しても溶融が抑制されるものである。他方、刊行物２に記載された事項は、Sn-7Sbはんだ箔8を溶かさないでSn-3Ag-0.7Cu-3In-3Biはんだ箔7のはんだ付けができるものである。
　
　そうすると、引用発明と刊行物２に記載された事項とは、Ｓｎをベース金属とする半田材料の溶融を抑制して別の半田付けするという点で軌を一にする。
　
　また、刊行物１の「プリント基板に半田実装する際の加熱条件である２４０〜２６０で数秒〜１０秒間加熱した場合、Ｓｎ基合金の固相線温度が２６０℃より低い為に、通常は半田材料の一部が溶融したりして半田材料中のボイド生成量が増加するようになる」（段落【０００７】）との記載によれば、半田実装する際の温度に対してＳｎ基合金の半田材料の固相線温度が低いと半田材料中のボイド生成量が増加することが分かる。そして、刊行物１には「Ｓｎ合金中で、・・・Ｓｂを１１．０〜２０．０質量％含有する。Ｓｂ含有量を該範囲にすることにより、本発明の課題である半導体装置の熱サイクル寿命が向上すると共に半田実装する際の温度に晒してもダイボンドした半田材料中のボイド生成量を抑制出来るようになってくる。」（段落【００１４】）との記載があり、この記載と合わせみると、Ｓｎ基合金の半田材料のＳｂが１１．０〜２０．０質量％であれば、固相線温度が半田実装する際の温度に対して低くないといえ、また、これとは逆に、刊行物１の「Ｓｂの含有量が１０．０質量％以下である比較例１，２のものは、高温処理後のボイド発生率が２０〜６０％・・・と不充分なものであった。」（段落【００３９】）との記載によれば、Ｓｂが１０．０質量％以下となると、固相線温度が半田実装する際の温度に対して低いことが分かる。
　これを、Ｓｎ基合金の半田材料の固相線温度に着目してみれば、刊行物１には、Ｓｂが１１．０〜２０．０質量％であるときの固相線温度が、Ｓｂが１０．０質量％以下であるときの固相線温度より高いことが示唆されているといえる。
　
　そうすると、刊行物１及び２に接した当業者であれば、刊行物２に記載された事項の「Sn-7Sb」のＳｂが１０．０質量％以下であるから、刊行物１の上記示唆に照らせば、引用発明の「Ｓｎをベース金属とする半田材料」の固相線温度が刊行物２に記載された事項の「Sn-7Sb」の固相線温度より高くなるであろうことは把握できることである。
　
　そうしてみると、引用発明に刊行物２に記載された事項を適用して、引用発明の半導体装置の半田実装において、別の半田材料として「Ａｇが２．８〜３．３質量％、Ｃｕが０．５〜１．０質量％、Ｂｉが２〜５質量％、Ｉｎが３〜５質量％、残部がＳｎである（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ−Ｂｉ−Ｉｎ）系はんだ材料」を用いることで、引用発明の「Ｓｎをベース金属とする半田材料」を溶かさないで半田実装できることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　
　また、刊行物１には、引用発明の「Ｃｕの含有量が０．００５〜５．０質量％」とすることについて「Ｃｕ及びＮｉの少なくとも１種を０．００５〜５．０質量％含有することが好ましい。Ｃｕ及びＮｉの少なくとも１種の含有量を該範囲にすることにより、本発明の課題である半導体装置の熱サイクル寿命が更に向上すると共に半田実装する際の温度に晒してもダイボンドした半田材料中のボイド生成量を抑制する効果を維持できる。」（段落【００１７】）と記載されており、この記載からみて、引用発明の「Ｃｕの含有量が０．００５〜５．０質量％」は、前述の「Ｓｂが１１．０〜２０．０質量％」と同様、半田材料の固相線温度を半田実装する際の温度に対して低下させないで、引用発明の「Ｓｎをベース金属とする半田材料」の溶融を抑制するためのものである。
　
　そうすると、引用発明に刊行物２に記載された事項を適用するに際して、引用発明の「Ｓｎをベース金属とする半田材料」の溶融を抑制するように、Ｓｂ及びＣｕの質量％を最適化又は好適化することは、当業者の通常の創作能力の発揮にすぎない。
　
　また、本願補正発明が「Ｓｂが１０〜１１質量％、Ｃｕの含有量が０．０１質量％以下」とすることについて、本願明細書からは、臨界的効果を奏することを確認できない。
　
　そうしてみると、引用発明に刊行物２に記載された事項を適用するにあたって、「Ｓｂが１０〜１１質量％、Ｃｕの含有量が０．０１質量％以下」とすることに格別の困難性はない。
　
　また、本願の出願前に、回路基板の基板端子部に実装用はんだ材料を塗布して用いることは、周知技術（例えば、特開２００４−３４１３４号公報の段落【００４０】及び図３の第４工程参照。）である。　
　
　以上を総合すると、引用発明において、刊行物２に記載された事項及び上記周知技術を適用して、相違点に係る本願補正発明の構成とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　また、本願補正発明が奏する効果は、全体としてみても、引用発明、刊行物２に記載された事項及び上記周知技術から、当業者が予測できる範囲内のものであって、格別なものでない。
  
　したがって、本願補正発明は、引用発明、刊行物２に記載された事項及び前記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
　５　むすび  
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。  
      
第３　本願発明について  
　１　本願発明  
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１０に係る発明は、平成２５年９月９日の手続補正書の請求項１ないし１０に記載された事項により特定されたとおりのものであると認められるところ、請求項２に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記「第２〔理由〕１」に補正前の請求項２として記載したとおりのものである。  
      
　２　刊行物  
　原査定の拒絶の理由に引用した刊行物１及び２、その記載事項、引用発明及び刊行物２に記載された事項は、前記「第２〔理由〕２」に記載したとおりである。
      
　３　対比及び当審の判断  
　本願発明は、前記「第２〔理由〕」で検討した本願補正発明における「（Ｓｎ−Ｓｂ）系はんだ材料」についての「Ｓｂが１０〜１１質量％」との限定を「Ｓｂが１０〜１３質量％」と拡張したものである。  
      
　そうしてみると、本願発明の発明特定事項をすべて含んだものに実質的に相当する本願補正発明が、前記「第２〔理由〕３及び４」に記載したとおり、引用発明、刊行物２に記載された事項及び前記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、実質的に同様の理由により、引用発明、刊行物２に記載された事項及び前記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。  
          
　４　まとめ
　したがって、本願発明は、引用発明、刊行物２に記載された事項及び前記周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　
第４　むすび  
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。  
　よって、結論のとおり審決する。