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　特願２００８−３１５８０５「半導体装置用基板」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　７月２３日出願公開、特開２００９−１６４５９４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　
　本願は、平成２０年１２月１１日（優先権主張　平成１９年１２月１１日）の特許出願であって、平成２４年５月２９日付けで拒絶理由が通知され、同年７月２６日付けで手続補正がなされ、平成２５年４月３０日付けで拒絶理由が通知され、同年７月３日付けで手続補正がなされたが、平成２６年４月１１日付けで拒絶査定がなされた。
　これに対し、同年７月１０日付けで拒絶査定不服の審判請求および手続補正がなされ、平成２７年３月３１日付けで拒絶理由が通知され、同年６月１日付けで手続補正がなされた
　
第２　本願発明について 
１．本願発明
　
　本願の請求項１ないし４に係る発明のうち、請求項１（以下、「本願発明」という。）は、平成２７年６月１日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。 
　
「【請求項１】
　金属製の基板と、
　基板上に平面状に配置され、基板側の端部が外部端子面を有する外部接続用めっき層からなる複数の外部端子部と、
　基板上に平面状に配置され、基板に対して反対側の端部が内部端子面を有する内部接続用めっき層からなる複数の内部端子部と、
　内部端子部と外部端子部とを基板上で平面状に接続する配線部と、を備え、
　前記外部端子部及び前記内部端子部の各々は柱形状であり、
　内部端子部、外部端子部および配線部の基板と接する部分はＮｉ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕのいずれかの金属であり、
　外部端子部のうち外部接続用めっき層を除く部分の側面は、基板の法線方向に沿って直線状で延在するとともに、外部接続用めっき層が形成されておらず、
　内部端子部のうち内部接続用めっき層を除く部分の側面は、基板の法線方向に沿って直線状で延在するとともに、内部接続用めっき層が形成されておらず、
　一部の外部端子部は、基板上であって、半導体素子が配置される配置予定領域内に配置され、
　配置予定領域内に配置されている前記一部の外部端子部は、内部端子部に対して平面方向内方にマトリックス状に配置され、
　内部端子部は、基板上であって、半導体素子が配置される配置予定領域外に一列かつ平面矩形状に全て配置され、
　前記一部の外部端子部以外の外部端子部は、内部端子部に対して平面方向外方に複数列で配置され、
　配置予定領域と前記平面矩形状に配置された内部端子部との間には、外部端子部が存在せず、
　配置予定領域内に配置された外部端子部に接続された配線部は、前記内部端子部の当該外部端子部側の端部に接続され、
　内部端子部に対して平面方向外方に配置された外部端子部に接続された配線部は、前記内部端子部の当該外部端子部側の端部に接続され、
　配置予定領域内に配置された外部端子部に配線部を介して接続された内部端子部と、内部端子部に対して平面方向外方に配置された外部端子部に配線部を介して接続された内部端子部とは、複数の内部端子部が整列することで形成された辺の一部において交互に配置されていることを特徴とする半導体装置用基板。」
２．引用例 
　
　平成２７年３月３１日付け拒絶理由通知で引用した特開２００４−２８２０９８号公報（以下、「引用例１」という。）には、「半導体パッケージの製造方法」について、図面とともに以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。
　
ア．「【００２９】
  本発明では、
半導体素子はＬＳＩチップ、ＩＣチップ等通常の素子
　　　　　　　 ・・・（中略）・・・
 【００３５】
  本発明の半導体パッケージにおいては、配線は１層の配線において
その配線の片面が半導体チップと接続する第１の接続機能を持ち、その配線の反対面が外部の配線と接続する第２の接続機能をもつように構成
 【００３６】
  外部の配線と接続する外部接続端子は、例えばはんだバンプ、金バンプ等が好的に使用できる。
 【００３７】
  
外部接続端子は、半導体素子端子が配線とワイヤボンディング等で導通される位置より内側に設けるようにするのが高密度化の上で好ましい（ファンインタイプ）。このように外部接続端子の位置は、半導体素子が搭載された下面に格子状に配置するのが高密度化の上で好ましい。
　
イ．「【００８０】
  図１９、２０、２１により本発明の第十七の実施例について説明する。
 【００８１】
  
支持体５１上に複数組の所定の配線パターン５２を形成する（図１９ａ）。支持体としては、電解銅箔などの金属箔
を適用できる。
 【００８２】
  一方、
金属箔を適用する場合には、まずフォトレジストなどによりレジストパターンを形成後、金属箔をカソードとして電気めっき法で配線パターンを形成する。
 【００８３】
  次に、ダイボンド材５３で
半導体素子５４を搭載後、半導体素子端子と配線パターンとを電気的に接続し（図１９ｂ）、
 【００８４】
  更に、図２０や図２１に示したように後工程でパッケージを分割しやすいようにしておくことは有効である。このうち、図２０は複数個ある各パッケージ部分の境界部分に溝５９を形成するものである。溝の幅や深さ等は、トランスファーモールド用金型の加工寸法により制御可能である。また、図２１は、あらかじめ各パッケージ部に対応した部分をくり抜いた格子状中間板６０を使用してトランスファーモールドを行なうものである。次に、
支持体が金属箔の場合、化学エッチング法などにより支持体を除去し、所定の位置に外部接続用端子５７を形成する（図１９ｄ）。
 【００８５】
  第十七の実施例を具体的に説明する。
 【００８６】
  具体例３
  厚さ35μｍ、外形250ｍｍ角の
電解銅箔のシャイニー面に、
電気めっき法により、厚さ0.2μｍのニッケル、30μｍの銅、5μｍのニッケル及び1μｍのソフト金で構成される同一の配線パターンを300個（4ブロック/250mm角、75個/ブロック）形成した。
半導体素子の外部端子と金めっき端子部（第２の接続部）をワイヤボンドにより電気的に接続した後、
次に、
電解銅箔の所望する部分をエッチング除去した。
外部接続端子部にはんだパターンを形成し、
はんだを溶融させて外部接続用バンプを形成した。
各パッケージ部に分離して所望するパッケージを得た。
・上記アによれば、引用例１の半導体素子はＬＳＩチップやＩＣチップであるから、半導体素子に備える端子は複数あり、その結果、半導体素子と接続される端子および外部接続端子も「複数」備えられるものである。そして、外部接続端子の位置は、半導体素子と接続される接続部よりも内方に配置されており、半導体素子が搭載された下面に格子状に配置されているものである。
・上記イ、図１９によれば、所定厚（35μｍ）の銅箔上に、４つのめっき層（ニッケルめっき層−銅めっき層−ニッケルめっき層−金めっき層）からなる配線パターンを形成したものである。そして、この配線パターンは銅箔上に「平面状に配置」されているものといえる。
・上記ア、上記イ、図１９によれば、配線パターンは、その片面（金めっき層の側）に半導体素子と接続する金めっき端子部、反対の面（最下層のニッケルめっき層の側）に外部の配線と接続する外部接続端子部を備えているものである。そして、配線パターンは、配線パターンの一部に備える金めっき端子部と外部接続端子部とを接続する配線機能も当然に含んでいるといえる。更に、配線パターンのうち、金めっき端子部における接続用めっき層は金めっき層であり、その他のめっき層（ニッケルめっき層、銅めっき層、ニッケルめっき層）は接続用めっき層ではなく、同様に、外部接続端子部における接続用めっき層は最下層のニッケルめっき層であり、その他のめっき層（銅めっき層、金めっき層と銅めっき層の間のニッケルめっき層、金めっき層）は接続用めっき層ではない。
　そうすると、引用例１には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 
　
「銅箔と、
　銅箔上に平面状に配置され、配線パターンの（最下層の）ニッケルめっき層に端子部を有する複数の外部接続端子部と、
　銅箔上に平面状に配置され、配線パターンの金めっき層に端子部を有する複数の金めっき端子部と、
　金めっき端子部と外部接続端子部とを銅箔上で平面状に接続する配線パターンと、を備え、
　金めっき端子部及び外部接続端子部の各々は４つのめっき層であり、
　金めっき端子部、外部接続端子部および配線パターンの銅箔と接する部分は（最下層の）ニッケルめっき層であり、
　外部接続端子部のうち接続用めっき層を除くめっき層には、接続用めっき層が形成されておらず、
　金めっき端子部のうち接続用めっき層を除くめっき層には、接続用めっき層が形成されておらず、
　外部接続端子部は、銅箔上であって、半導体素子が搭載された下面に配置され、
　配置されている外部接続端子部は、金めっき端子部に対して平面方向内方に格子状に配置されていることを特徴とする銅箔。」
　また、平成２７年３月３１日付け拒絶理由通知で引用した特開平１１−１６３２０１号公報（以下、「引用例２」という。）には、「半導体装置」について、図面とともに以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。
ウ．「【００６８】〔第７実施例〕図１５は本発明の
第７実施例
 【００６９】図において、絶縁性テープ１５の半導体素子固着面１５ａには導電性配線と絶縁膜３が形成されており、導電性配線は表面配線２とボンディングパッド２ａとランド２ｄとから構成されている。絶縁膜３にはボンディングパッド２ａを露出させる開口部３ａが設けられている。方形の半導体素子１は絶縁性テープ１５の半導体素子固着面１５ａに接着部材５によって固着されている。半導体素子１と導電性配線は金属細線６によって電気的に接続されており、
金属細線６は半導体素子１の面外に位置するボンディングパッド２ａに接合されている。
表面配線２はボンディングパッド２ａから半導体素子１の面内に配置されているランド２ｄまで半導体素子１の外形線と交差して端部１ａを横切るように形成されている。
エ．「【００８０】〔第９実施例〕
図２１は本発明の第９実施例による半導体装置
【００８１】
半導体装置としての基本構成は第７実施例と共通している
　引用例２の図２１の記載事項を認定するにあたり、上記エに記載されているように、上記ウの記載を参酌すると、引用例２の図２１には、以下の事項（以下、「技術事項１」という。）が記載されている。
「半導体素子１の面外に一列かつ矩形状に配置されたボンディングパッド２ａ、半導体素子１の外形線よりも内側（面内）に形成された３×３（マトリクス状）のランド２ｄ、ボンディングパッド２ａの外方に配置されたランド２ｄを備えた半導体装置の基板において、該内側に形成されたランド２ｄはボンディングパッド２ａの該内側に形成されたランド２ｄ側と接続され、該外方に配置されたランド２ｄはボンディングパッド２ａの該外方に配置されたランド２ｄ側と接続され、該内側に形成されたランド２ｄとボンディングパッド２ａとの接続と該外方に配置されたランド２ｄとボンディングパッド２ａとの接続とがボンディングパッド２ａを整列させた辺の一部で交互に配置されていること。」
　また、平成２７年３月３１日付け拒絶理由通知で引用した特開２０００−１２４３５３号公報（以下、「引用例３」という。）には、「配線基板及びこれを用いた半導体装置並びに電子装置」について、図面とともに以下の事項が記載されている。なお、下線は当審で付与した。
オ．「【００１４】
【発明の実施の形態】（実施の形態１）図１は、本発明の一実施の形態である配線基板を示す平面図であり、図２はその縦断面図である。図中、１はビスマレイドトリアジン等の絶縁性樹脂を板状に成形した基体であり、
基体１の一方の面の略中央に破線にて示すごとく半導体チップを搭載する半導体チップ搭載領域２が設けられ、この半導体チップ搭載領域２の周囲にボンディングリード３が配置されており、このボンディングリード３と半導体チップ９（破線にて示す）の外部電極であるボンディングパッドとがボンディングワイヤ１０によって接続される。
 【００１５】
ボンディングリード３には、基体１の一方の面に形成された配線４の一端が接続されており、この配線４の他端が基体１に対して垂直方向に形成されたビア配線５に接続されている。
　引用例３の図１、図３の記載事項を認定するにあたり、上記オの記載を参酌すると、引用例３の図１、図３には、以下の事項（以下、「技術事項２」という。）が記載されている。
「半導体チップ搭載領域の周囲（外側）に一列かつ矩形状に配置されたボンディングリード３、半導体チップ搭載領域内に形成されたビア配線５、ボンディングリード３の外方に一部が複数列に配置されたビア配線５を備えた半導体装置の基板において、半導体チップ搭載領域とボンディングリード３との間にはビア配線５は形成されておらず、該半導体チップ搭載領域内に形成されたビア配線５はボンディングリード３の該半導体チップ搭載領域内に形成されたビア配線５側と接続され、該外方に配置されたビア配線５はボンディングリード３の該外方に配置されたビア配線５側と接続され、該半導体チップ搭載領域内に形成されたビア配線５とボンディングリード３との接続と該外方に配置されたビア配線５とボンディングリード３との接続とがボンディングリード３を整列させた辺の一部で交互に配置されていること。」
３．対比・判断 
　
　本願発明と引用発明とを対比する。 
　
ａ．引用発明の「銅箔」は、所定の厚みを有し、この銅箔上に複数の金属めっき層の配線を形成するものであるから、本願発明の「金属製の基板」に相当する。また、引用発明の「銅箔」は、半導体素子と外部配線とを接続するための端子部を形成するものであるから、本願発明の「半導体装置用基板」に相当する。
ｂ．引用発明の「外部接続端子部」は、本願発明の「外部端子部」に相当する。そして、引用発明の外部接続端子部は、配線パターンの最下層のニッケルめっき層、即ち銅箔側に設けられているから、引用発明の「銅箔上に平面状に配置され、配線パターンの最下層のニッケルめっき層に端子部を有する複数の外部接続端子部」は、本願発明の「基板上に平面状に配置され、基板側の端部が外部端子面を有する外部接続用めっき層からなる複数の外部端子部」に相当する。
ｃ．引用発明の「金めっき端子部」は、半導体素子とワイヤボンドにより電気的に接続されるものであるから、本願発明の「内部端子部」に相当する。そして、引用発明の金めっき端子部は、配線パターンの金めっき層、即ち銅箔と反対側に設けられているから、引用発明の「銅箔上に平面状に配置され、配線パターンの金めっき層に端子部を有する複数の金めっき端子部」は、本願発明の「基板上に平面状に配置され、基板に対して反対側の端部が内部端子面を有する内部接続用めっき層からなる複数の内部端子部」に相当する。
ｄ．引用発明の「配線パターン」は、金めっき端子部、外部接続端子部、及びそれらの端子部を接続する配線部分とで構成されるから、引用発明の「金めっき端子部と外部接続端子部とを銅箔上で平面状に接続する配線パターン」は、本願発明の「内部端子部と外部端子部とを基板上で平面状に接続する配線部」に相当する。
ｅ．引用発明の金めっき端子部と外部接続端子部に対応する（配線パターンの）部分は、共に４つのめっき層が積層されており、その断面は柱形状といえるので、引用発明の「金めっき端子部及び外部接続端子部の各々は４つのめっき層であり」は、本願発明の「前記外部端子部及び前記内部端子部の各々は柱形状であり」に相当する。また、引用発明の４つのめっき層のうち、接続部に使用されていないめっき層（銅めっき層、金めっき層と銅めっき層の間のニッケルめっき層）が含まれているから、引用発明の「外部接続端子部のうち接続用めっき層を除くめっき層には、接続用めっき層が形成されておらず」及び「金めっき端子部のうち接続用めっき層を除くめっき層には、接続用めっき層が形成されておらず」は、本願発明の「外部端子部のうち外部接続用めっき層を除く部分の側面は、基板の法線方向に沿って直線状で延在するとともに、外部接続用めっき層が形成されておらず」及び「内部端子部のうち内部接続用めっき層を除く部分の側面は、基板の法線方向に沿って直線状で延在するとともに、内部接続用めっき層が形成されておらず」に相当する。
ｆ．引用発明の「金めっき端子部、外部接続端子部および配線パターンの銅箔と接する部分はニッケルめっき層であり」は、本願発明の「内部端子部、外部端子部および配線部の基板と接する部分はＮｉ金属であり」に相当する。
ｇ．引用発明の「外部接続端子部は、銅箔上であって、半導体素子が搭載された下面に配置され」は、本願発明の「外部端子部は、基板上であって、半導体素子が配置される配置予定領域内に配置され」に相当し、引用発明の「配置されている外部端子部は、金めっき端子部に対して平面方向内方に格子状に配置」は、本願発明の「配置予定領域内に配置されている前記外部端子部は、内部端子部に対して平面方向内方にマトリックス状に配置」に相当する。しかしながら、引用発明の外部接続端子部は、本願発明のように金めっき端子部（本願発明の内部端子部に相当。）の外方にも配置されている構成とはなっていない。
　したがって、本願発明と引用発明は、以下の点で一致ないし相違している。 
　
（一致点） 
　「金属製の基板と、
　基板上に平面状に配置され、基板側の端部が外部端子面を有する外部接続用めっき層からなる複数の外部端子部と、
　基板上に平面状に配置され、基板に対して反対側の端部が内部端子面を有する内部接続用めっき層からなる複数の内部端子部と、
　内部端子部と外部端子部とを基板上で平面状に接続する配線部と、を備え、
　前記外部端子部及び前記内部端子部の各々は柱形状であり、
　内部端子部、外部端子部および配線部の基板と接する部分はＮｉ金属であり、
　外部端子部のうち外部接続用めっき層を除く部分の側面は、基板の法線方向に沿って直線状で延在するとともに、外部接続用めっき層が形成されておらず、
　内部端子部のうち内部接続用めっき層を除く部分の側面は、基板の法線方向に沿って直線状で延在するとともに、内部接続用めっき層が形成されておらず、
　外部端子部は、基板上であって、半導体素子が配置される配置予定領域内に配置され、
　配置予定領域内に配置されている前記外部端子部は、内部端子部に対して平面方向内方にマトリックス状に配置していることを特徴とする半導体装置用基板。」
（相違点１）
　内部端子部について、本願発明は「基板上であって、半導体素子が配置される配置領域外に一列かつ平面矩形状に全て配置」されているのに対して、引用発明は具体的な構成が開示されていない点。
（相違点２）
　外部端子部について、本願発明は「一部の外部端子部以外の外部端子部は、内部端子部に対して平面方向外方に複数列で配置」されているのに対して、引用発明は内部端子の外方に外部端子が配置されていない点。また、本願発明は「配置予定領域と前記平面矩形状に配置された内部端子部との間には、外部端子部が存在しない」のに対して、引用発明はそのような特定がされていない点。
（相違点３）
　内部端子部と外部端子部との接続について、本願発明は「配置予定領域内に配置された外部端子部に接続された配線部は、内部端子部の当該外部端子部側の端部に接続」されているのに対して、引用発明にはそのような特定がされていない点。また、本願発明は「内部端子部に対して平面方向外方に配置された外部端子部に接続された配線部は、前記内部端子部の当該外部端子部側の端部に接続され、配置予定領域内に配置された外部端子部に配線部を介して接続された内部端子部と、内部端子部に対して平面方向外方に配置された外部端子部に配線部を介して接続された内部端子部とは、複数の内部端子部が整列することで形成された辺の一部において交互に配置」されているのに対して、引用発明は内部端子の外方に外部端子が配置されていないので、このような構成が記載されていない点。
　そこで、上記相違点について検討する。
　
＜相違点１について＞
　内部端子を一列かつ平面矩形状に配置することは、例えば引用例２（上記技術事項１、図２１を参照。）、引用例３（上記技術事項２、図１、図３を参照。）に記載されているように周知の技術である。したがって、引用発明の金めっき端子部（本願発明の内部端子部に相当。）の配置として周知技術を採用して相違点１の構成とすることは、当業者であれば容易に発明できたことである。
　なお、審判請求人は意見書において、引用例２および引用例３の内部端子部は半導体配置予定領域の角部付近には設けられていないので、内部端子部が全体として矩形状に配置されていない旨を主張している。しかしながら、本願発明でいう「矩形状」とは本願明細書で説明されている事項ではなく、そのような用語は記載されておらず、単なる概略図である図面を基に記載した程度のものであり、内部端子部を半導体配置予定領域の角部には設けない旨の記載がない引用例２や引用例３との差別化はできない。なお、図面の記載をもって内部端子部が全体として矩形状に配置されているとするのであれば、そのような図面を備えた文献は多々あり、例えば特開２００７−２６６４９２号公報（図１、図４、図１０、図１３等）に記載されているように周知であると認められる。よって、出願人の主張を採用することはできない。
　
＜相違点２について＞
　半導体装置において、外部端子部を半導体配置予定領域内のみに配置すること（ファンインタイプ）、外部端子部を半導体配置予定領域内および領域外に配置すること（ファンイン・ファンアウトタイプ）は、共に周知の配置手段であり、外部端子の数に応じて適宜設計し得ることである。よって、引用発明（ファンインタイプ）の外部接続端子部（本願発明の外部端子部に相当。）を、半導体配置予定領域内だけでなく領域外にも配置することは、当業者であれば容易になし得ることである。そしてその場合に、半導体配置予定領域外の外部端子部を複数列に配置すること、及び、半導体配置予定領域と内部端子部との間に外部端子部が存在しないよう構成することも、引用例３（上記技術事項２、図１、図３を参照。）、特開２００７−２６６４９２号公報（図１０、図１３、及び明細書の説明を参照。）に記載されているように周知である。
　したがって、引用発明の外部接続端子部（本願発明の外部端子部に相当。）の配置として周知技術を採用して相違点２の構成とすることは、当業者であれば容易に発明できたことである。
　
＜相違点３について＞
　上記＜相違点２について＞で記載したように、引用発明の外部接続端子部（本願発明の外部端子部に相当。）を、半導体配置予定領域内だけでなく領域外にも配置することは、当業者であれば容易になし得ることであるところ、本願発明の「配置予定領域内に配置された外部端子部に接続された配線部は、内部端子部の当該外部端子部側の端部に接続され、内部端子部に対して平面方向外方に配置された外部端子部に接続された配線部は、前記内部端子部の当該外部端子部側の端部に接続され」ることは、周知技術である引用例２（上記技術事項１、図２１を参照。）、引用例３（上記技術事項２、図１、図３を参照。但し、一部の配線は除く。）、特開２００７−２６６４９２号公報（図１０、図１３、及び明細書の説明を参照。）に記載されているように、外部端子部を半導体配置予定領域内および領域外に配置する場合において通常採用される接続である。また、本願発明の「配置予定領域内に配置された外部端子部に配線部を介して接続された内部端子部と、内部端子部に対して平面方向外方に配置された外部端子部に配線部を介して接続された内部端子部とは、複数の内部端子部が整列することで形成された辺の一部において交互に配置」ことも、周知技術である引用例２（上記技術事項１、図２１を参照。）、引用例３（上記技術事項２、図１、図３を参照。）、特開２００７−２６６４９２号公報（図１０、図１３、及び明細書の説明を参照。）のそれぞれ一部にその配置が認められるように、外部端子部を半導体配置予定領域内および領域外に配置する場合において通常採用される接続である。
　したがって、引用発明の金めっき端子部（本願発明の内部端子部に相当。）と外部接続端子部（本願発明の外部端子部に相当。）の接続として周知技術を採用して相違点３の構成とすることは、当業者であれば容易に発明できたことである。
　そして、本願発明の作用効果も、引用発明及び周知技術から当業者が容易に予測できる範囲のものである。
　
　
４．むすび 
　
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　
　よって、結論のとおり審決する。