(57)【要約】 【課題】液浸法を用いて基板を露光（例えば、多重露光）する場合にも、基板を良好に露光して、所望のパターンを形成することができる露光方法を提供する。【解決手段】基板上の所定領域を露光する露光方法は、基板上に第１液体の液浸領域を形成して所定領域に対する第１露光を実行する動作と、第１露光が実行された基板上に第１液体とは異なる第２液体の液浸領域を形成して所定領域に対する第２露光を実行する動作と、第１露光と第２露光とで基板の表面状態を異ならせることを含む。液浸法を用いて基板の第１及び第２露光を行う場合にも、各露光において基板上に液体の液浸領域を良好に形成し、基板を良好に露光することができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上の所定領域を露光する露光方法であって、
前記基板上に第１液体の液浸領域を形成して前記所定領域に対する第１露光を実行し、
前記第１露光が実行された前記基板上に前記第１液体とは異なる第２液体の液浸領域を形成して前記所定領域に対する第２露光を実行し、
前記第１露光と前記第２露光とで前記基板の表面状態を異ならせる露光方法。
【請求項２】
前記基板の表面は、該基板の基材上に形成された膜の表面を含み、
前記第１露光と前記第２露光とで前記膜を異ならせる請求項１記載の露光方法。
【請求項３】
前記基材は半導体ウエハを含む請求項２記載の露光方法。
【請求項４】
前記膜は、感光材の膜、及び前記感光材の膜を覆う所定膜の少なくとも一方を含む請求項２又は３記載の露光方法。
【請求項５】
前記第１露光で使用される前記所定膜は第１所定膜であり、
前記第２露光で使用される前記所定膜は第２所定膜である請求項４記載の露光方法。
【請求項６】
前記第２露光の完了後に前記基板を現像液を使って現像する動作を更に含み、
前記第２所定膜は前記現像液可溶である請求項５記載の露光方法。
【請求項７】
前記第１所定膜は前記第１液体に応じて決定され、
前記第２所定膜は前記第２液体に応じて決定される請求項５又は６記載の露光方法。
【請求項８】
前記第１露光及び前記第２露光の少なくとも一方で前記所定膜が使用される請求項５〜７のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項９】
前記第１露光と前記第２露光との間で、前記基材上の感光材の膜上に前記所定膜を形成する動作、及び前記基材上の感光材の膜上の前記所定膜を除去する動作の少なくとも一方を実行する請求項５〜８のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項１０】
前記第１露光と前記第２露光との間で行われる前記所定膜を除去する動作は、前記第１露光で使用された前記第１所定膜を除去する動作を含む請求項９記載の露光方法。
【請求項１１】
前記第１露光で使用された前記第１所定膜は、前記感光材の膜上に形成されている請求項１０記載の露光方法。
【請求項１２】
前記第１露光と前記第２露光との間で行われる前記所定膜を形成する動作は、前記第１所定膜を除去した後に、前記感光材の膜上に前記第２所定膜を形成する動作を含み、
前記第２所定膜を使って前記第２露光を実行する請求項１１記載の露光方法。
【請求項１３】
前記第１所定膜を除去した後に、前記第２所定膜を使用せずに前記第２露光を実行する請求項１１記載の露光方法。
【請求項１４】
前記第１所定膜の除去は、前記第２液体を使って行われる請求項１３記載の露光方法。
【請求項１５】
前記第１露光で使用された前記第１所定膜は、前記感光材の膜を覆う前記第２所定膜上に形成され、前記第１所定膜を除去した後に、前記第２所定膜を使って前記第２露光を実行する請求項１０記載の露光方法。
【請求項１６】
前記第１所定膜の除去は、前記第２液体を使って行われる請求項１５記載の露光方法。
【請求項１７】
前記第１露光と前記第２露光との間で行われる前記所定膜を形成する動作は、前記第１露光で使用された前記第１所定膜上に前記第２所定膜を形成する動作を含む請求項９記載の露光方法。
【請求項１８】
前記第１露光は前記所定膜を使用せずに実行され、
前記第１露光と前記第２露光との間で行われる前記所定膜を形成する動作は、前記感光材の膜上に前記第２所定膜を形成する動作を含む請求項９記載の露光方法。
【請求項１９】
前記第１露光と前記第２露光との間に、前記第１露光が行われた基板を現像しない請求項１〜１８のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項２０】
前記第１露光が第１ステーションで行われ、前記第２露光が第１ステーションとは異なる第２ステーションで行われる請求項１〜１９のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項２１】
前記第１ステーション及び前記第２ステーションの両方が同一のチャンバ内に存在する請求項２０記載の露光方法。
【請求項２２】
前記第１露光と前記第２露光の両方が、前記基板を保持して移動可能な同一の基板ステージ上で行われる請求項２１記載の露光方法。
【請求項２３】
基板の所定領域を露光する方法であって、
第１露光において基板上に供給される第１液体と、基板上に形成され且つ第１露光において第１液体と接触する第１膜を選択し、
第２露光において基板上に供給され且つ第１液体とは異なる第２液体と、基板上に形成され且つ第２露光において第２液体と接触する第１膜とは異なる第２膜を選択し、
前記基板上に第１液体の液浸領域を形成して前記所定領域に第１露光を実行し、
第１露光が実行された前記基板上に第２液体の液浸領域を形成して前記所定領域に第２露光を実行する露光方法。
【請求項２４】
前記第２膜を、前記第１露光前に形成する請求項２３記載の露光方法。
【請求項２５】
前記第２膜を、前記第１露光後に形成する請求項２３記載の露光方法。
【請求項２６】
前記第２露光時に、前記第１膜が前記第２液体により除去されて、前記第２膜が前記第２液体と接触する請求項２３記載の露光方法。
【請求項２７】
前記第１露光が第１ステーションで行われ、前記第２露光が第１ステーションとは異なる第２ステーションで行われる請求項２３記載の露光方法。
【請求項２８】
前記第１露光と前記第２露光の両方が、前記基板を保持して移動可能な同一の基板ステージ上で行われる請求項２３記載の露光方法。
【請求項２９】
前記基板上の所定領域は、前記第１及び第２露光を含む多重露光が行われる請求項１〜２８のいずれか一項記載の露光方法。
【請求項３０】
請求項１〜２８のいずれか一項に記載の露光方法により基板を露光し、
露光した基板を現像し、
現像した基板を加工するデバイス製造方法。
【請求項３１】
前記基板は、前記第１及び第２露光を含む多重露光が行われる請求項３０記載のデバイス製造方法。
【請求項３２】
基板上の所定領域を露光する露光装置であって、
第１膜が形成された前記基板に、第１膜に対応した第１液体が供給されて前記所定領域に第１露光が実行される第１ステーションと；
前記第１露光が実行されており且つ前記第１膜とは異なる第２膜が形成された前記基板に、前記第１液体とは異なり且つ第２膜に対応した第２液体が供給されて前記所定領域に第２露光が実行される第２ステーションとを含む露光装置。
【請求項３３】
前記第１及び第２ステーションは、それぞれ、前記基板が対向して配置される下面を有するノズル部材と、前記ノズル部材の下面と前記基板との間に液体を供給する液体供給系を備える請求項３２記載の露光装置。
【請求項３４】
さらに、前記第１ステーションと前記第２ステーションで移動可能な第１及び第２基板ステージを備える請求項３２記載の露光装置。
【請求項３５】
さらに、前記第１ステーションと前記第２ステーションに、それぞれ、所定パターンの像を投影する投影光学系を備える請求項３２記載の露光装置。
【請求項３６】
前記第１露光が行われるときに、前記第１膜が基板の外面に存在している請求項３２記載の露光装置。
【請求項３７】
前記第２露光が行われるときに、前記第２膜が基板の外面に存在している請求項３６記載の露光装置。
【請求項３８】
前記第２露光が行われるときに、前記第１膜が前記第２液体により除去される請求項３７記載の露光装置。
【請求項３９】
前記基板上の所定領域は、前記第１及び第２露光を含む多重露光が行われる請求項３２〜３８のいずれか一項記載の露光装置。
【請求項４０】
第１露光と第２露光とが行われる基板の基材上に膜を形成する基板処理装置であって、
第１液体を介して第１露光が行われる前に第１液体と接触する第１膜を基材上に形成するとともに、第２液体を介して第２露光が行われる前に第１液体とは異なる第２液体と接触する、第１膜と異なる第２膜を基材上に形成する膜形成部を含む基板処理装置。
【請求項４１】
前記基材は半導体ウエハを含む請求項４０記載の基板処理装置。
【請求項４２】
前記第１及び第２膜はそれぞれ前記第１及び第２液体に応じて決定される請求項４０又は４１記載の基板処理装置。
【請求項４３】
前記第１及び第２膜はそれぞれ感光材の膜、又は感光材の膜を覆う所定膜である請求項４０〜４２のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項４４】
前記第２露光が行われた基板を現像する現像部を更に備える請求項４０〜４３のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項４５】
前記第２膜は前記現像部の現像液に可溶である請求項４４記載の基板処理装置。
【請求項４６】
前記第１及び第２露光の間における前記基材上の第１膜の除去、及び／又は前記第２露光後における前記基材上の第２膜の除去を行う膜除去部を更に請求項４０〜４５のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項４７】
前記第１膜は前記基材上の感光材の膜を覆う所定膜であり、前記第１及び第２露光の間に前記第１膜の除去が行われる請求項４６記載の基板処理装置。
【請求項４８】
前記第１膜の除去後に前記感光材の膜上への前記第２膜の形成が行われる請求項４７記載の基板処理装置。
【請求項４９】
前記第１膜は前記第２膜上に形成される請求項４７記載の基板処理装置。
【請求項５０】
前記第２膜は前記感光材の膜上に形成される請求項４９記載の基板処理装置。
【請求項５１】
前記第２膜は前記感光材の膜である請求項４７記載の基板処理装置。
【請求項５２】
前記第２膜は前記第１及び第２露光の間に前記第１膜上に形成される請求項４０〜４６のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項５３】
前記第１膜は前記基材上に形成される感光材の膜である請求項５２記載の基板処理装置。
【請求項５４】
前記基板は、前記第１及び第２露光を含む多重露光が行われる請求項４０〜５３のいずれか一項記載の基板処理装置。
【請求項５５】
第１露光と第２露光とが行われる基板の基材上に膜を形成する基板処理方法であって、
第１液体を介して第１露光が行われる前に第１液体と接触する第１膜を基材上に形成し、
第２液体を介して第２露光が行われる前に第１液体とは異なる第２液体と接触する、第１膜と異なる第２膜を基材上に形成する基板処理方法。
【請求項５６】
前記基材は半導体ウエハを含む請求項５５記載の基板処理方法。
【請求項５７】
前記第１及び第２膜はそれぞれ前記第１及び第２液体に応じて決定される請求項５５又は５６記載の基板処理方法。
【請求項５８】
前記第１及び第２膜はそれぞれ感光材の膜、又は感光材の膜を覆う所定膜である請求項５５〜５７のいずれか一項記載の基板処理方法。
【請求項５９】
前記第１露光後に基板の現像を行うことなく前記第２露光後に基板を現像する請求項５５〜５８のいずれか一項記載の基板処理方法。
【請求項６０】
前記第２膜は現像液に可溶である請求項５５〜５９のいずれか一項記載の基板処理方法。
【請求項６１】
前記第１及び第２露光の間における前記基材上の第１膜の除去、及び／又は前記第２露光後における前記基材上の第２膜の除去を行う請求項５５〜６０のいずれか一項記載の基板処理方法。
【請求項６２】
前記第１膜は前記基材上の感光材の膜を覆う所定膜であり、前記第１及び第２露光の間にその所定膜の除去が行われる請求項６１記載の基板処理方法。
【請求項６３】
前記第１膜の除去後に前記感光材の膜上への前記第２膜の形成が行われる請求項６２記載の基板処理方法。
【請求項６４】
前記第１膜は前記第２膜上に形成される請求項６２記載の基板処理方法。
【請求項６５】
前記第２膜は前記感光材の膜上に形成される請求項６４記載の基板処理方法。
【請求項６６】
前記第２膜は前記感光材の膜である請求項６２記載の基板処理方法。
【請求項６７】
前記第２膜は前記第１及び第２露光の間に前記第１膜上に形成される請求項５５〜６１のいずれか一項記載の基板処理方法。
【請求項６８】
前記第１膜は前記基材上に形成される感光材の膜である請求項６７記載の基板処理方法。
【請求項６９】
前記第１膜は前記基材上の感光材の膜を覆う所定膜であり、前記第２液体を使ってその所定膜の除去が行われる請求項５５〜５９のいずれか一項記載の基板処理方法。
【請求項７０】
前記基板は、前記第１及び第２露光を含む多重露光が行われる請求項５５〜６９のいずれか一項記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を露光する露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法、露光装置、並びに基板処理方法及び装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ工程で用いられる技術において、例えば下記特許文献１に開示されているような、液浸法を用いて基板を多重露光する技術が知られている。この文献では、基板の所定領域を、液体を介さずに露光を行った後に、液体を介して露光を行うことによって、光路媒質の屈折率の違いを利用して露光波長を実質的に変更して多重露光を行うことを開示している。
【特許文献１】国際公開第２００５／０８１２９５号パンフレット
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
この文献には、液浸法を用いて基板を多重露光する場合、各露光において異なる液体が用いられてもよいことが開示されている。多重露光の各露光において、異なる液体が用いられる場合、基板の表面状態によっては、基板の表面に液体が残留したり、露光不良が生じたりする可能性がある。
【０００４】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、液浸法を用いて基板を露光（例えば、多重露光）する場合にも、基板を良好に露光して、所望のパターンを形成することができる露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法、露光装置、並びに基板処理方法及び装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記の課題を解決するため、本発明は実施の形態に示す各図に対応付けした以下の構成を採用している。但し、各要素に付した括弧付き符号はその要素の例示に過ぎず、各要素を限定するものではない。
【０００６】
本発明の第１の態様に従えば、基板（Ｐ）上の所定領域を露光する露光方法であって、基板（Ｐ）上に第１液体（ＬＱ１）の液浸領域（ＬＲ１）を形成して所定領域に対する第１露光を実行し、第１露光が実行された基板（Ｐ）上に第１液体（ＬＱ１）とは異なる第２液体（ＬＱ２）の液浸領域（ＬＲ２）を形成して所定領域に対する第２露光を実行し、第１露光と第２露光とで基板（Ｐ）の表面状態を異ならせる露光方法が提供される。
【０００７】
本発明の第１に態様によれば、液浸法を用いて基板の第１及び第２露光を行う場合にも、各露光において基板を良好に露光することができる。なお、基板は第１及び第２露光を含む多重露光が行われるものとしてもよい。
【０００８】
本発明の第２の態様に従えば、基板（Ｐ）の所定領域を露光する方法であって：第１露光において基板（Ｐ）上に供給される第１液体（ＬＱ１）と、基板（Ｐ）上に形成され且つ第１露光において第１液体（ＬＱ１）と接触する第１膜を選択し、第２露光において基板（Ｐ）上に供給され且つ第１液体（ＬＱ１）とは異なる第２液体（ＬＱ２）と、基板（Ｐ）上に形成され且つ第２露光において第２液体（ＬＱ２）と接触する第１膜とは異なる第２膜を選択し、基板（Ｐ）上に第１液体（ＬＱ１）の液浸領域（ＬＲ１）を形成して所定領域に第１露光を実行し、第１露光が実行された基板（Ｐ）上に第２液体（ＬＱ２）の液浸領域（ＬＲ２）を形成して所定領域に第２露光を実行する露光方法が提供される。
【０００９】
本発明の第２の態様に従う露光方法によれば、第１及び第２露光に使用される液体及びそれらの液体と接触する膜が最適に選定されているので、良好な液浸露光が実現される。なお、基板は第１及び第２露光を含む多重露光が行われるものとしてもよい。
【００１０】
本発明の第３の態様に従えば、第１または第２の態様に従う露光方法により基板を露光し（２０４）、露光した基板を現像し（ＳＤ７、２０４）、現像した基板を加工する(２０５)デバイス製造方法が提供される。
【００１１】
本発明の第３に態様によれば、基板を良好に露光することができる露光方法を用いてデバイスを製造することができる。
【００１２】
本発明の第４の態様に従えば、基板（Ｐ）上の所定領域を露光する露光装置であって、第１膜（Ｔｃ１）が形成された基板（Ｐ）に、第１膜に対応した第１液体（ＬＱ１）が供給されて所定領域に第１露光が実行される第１ステーション（ＥＸ１）と；第１露光が実行されており且つ第１膜（Ｔｃ１）とは異なる第２膜（Ｔｃ２、Ｒｇ）を有する基板（Ｐ）に、第１液体（ＬＱ１）とは異なり且つ第２膜に対応した第２液体（ＬＱ２）が供給されて所定領域に第２露光が実行される第２ステーション（ＥＸ２）とを含む露光装置（ＥＸ）が提供される。
【００１３】
本発明の第４の態様に従う露光装置では、液浸法を用いて基板の第１及び第２露光を行う場合に、それぞれの露光において基板の異なる膜に対応する液体が第１及び第２ステーションに提供されるので基板を良好に露光することができる。なお、基板は第１及び第２露光を含む多重露光が行われるものとしてもよい。
【００１４】
本発明の第５の態様に従えば、第１露光と第２露光とが行われる基板の基材上に膜を形成する基板処理装置（ＣＤ）であって、第１液体（ＬＱ１）を介して第１露光が行われる前に第１液体（ＬＱ１）と接触する第１膜（Ｔｃ１）を基材上に形成するとともに、第２液体（ＬＱ２）を介して第２露光が行われる前に第１液体とは異なる第２液体（ＬＱ２）と接触する、第１膜（Ｔｃ１）と異なる第２膜（Ｔｃ２、Ｒｇ）を基材上に形成する膜形成部（Ｃ）を含む基板処理装置が提供される。
【００１５】
本発明の第５の態様に従う基板処理装置では、第１及び第２露光に使用される液体とそれぞれ接触する異なる膜が基材上に形成されるので、良好な液浸露光が実現される。なお、基板は第１及び第２露光を含む多重露光が行われるものとしてもよい。
【００１６】
本発明の第６の態様に従えば、第１露光と第２露光とが行われる基板（Ｐ）の基材上に膜を形成する基板処理方法であって、第１液体（ＬＱ１）を介して第１露光が行われる前に第１液体と接触する第１膜を基材上に形成し；第２液体（ＬＱ２）を介して第２露光が行われる前に第１液体とは異なる第２液体と接触する、第１膜と異なる第２膜を基材上に形成する基板処理方法が提供される。
【００１７】
本発明の第６の態様に従う基板処理方法では、第１及び第２露光に使用される液体とそれぞれ接触する異なる膜が基材上に形成されるので、良好な液浸露光が実現される。なお、基板は第１及び第２露光を含む多重露光が行われるものとしてもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、液浸法を用いて基板を露光（例えば、多重露光）する場合にも、基板を良好に露光することができる。したがって、所望の性能を有するデバイスを製造することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明するが、本発明はこれに限定されない。なお、以下の説明においては、ＸＹＺ直交座標系を設定し、このＸＹＺ直交座標系を参照しつつ各部材の位置関係について説明する。そして、水平面内における所定方向をＸ軸方向、水平面内においてＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向、Ｘ軸方向及びＹ軸方向のそれぞれに直交する方向（すなわち鉛直方向）をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸まわりの回転（傾斜）方向をそれぞれ、θＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。
【００２０】
＜第１実施形態＞
第１実施形態について説明する。図１は第１実施形態に係る露光装置ＥＸを備えたデバイス製造システムＳＹＳの一実施形態を示す図である。図１において、デバイス製造システムＳＹＳは、基板Ｐを露光する露光装置ＥＸと、コータ・デベロッパ装置ＣＤと、基板Ｐを搬送する搬送系Ｈとを備えている。
【００２１】
本実施形態の露光装置ＥＸは、基板Ｐを多重露光するものであり、基板Ｐを露光する第１ステーションＥＸ１と、第１ステーションＥＸ１で露光された基板Ｐを露光する第２ステーションＥＸ２と、露光装置ＥＸ全体の動作を制御する制御装置７とを備えている。なお、本実施形態では制御装置７がコータ・デベロッパ装置ＣＤの動作も制御するが、制御装置７とは別にコータ・デベロッパ装置ＣＤの制御装置を設けてもよい。この場合、デバイス製造システムＳＹＳの全体（あるいは、少なくとも露光装置ＥＸ及びコータ・デベロッパ装置ＣＤ）を統括制御する上位の制御装置（ホストコンピュータなど）を設けてもよい。
【００２２】
第１ステーションＥＸ１は、第１マスクＭ１を保持して移動可能な第１マスクステージＭＴ１と、第１マスクステージＭＴ１に保持されている第１マスクＭ１を露光光ＥＬで照明する第１照明系ＩＬ１と、露光光ＥＬで照明された第１マスクＭ１のパターン像を基板Ｐ上に投影する第１投影光学系ＰＬ１とを備えている。第２ステーションＥＸ２は、第２マスクＭ２を保持して移動可能な第２マスクステージＭＴ２と、第２マスクステージＭＴ２に保持されている第２マスクＭ２を露光光ＥＬで照明する第２照明系ＩＬ２と、露光光ＥＬで照明された第２マスクＭ２のパターン像を基板Ｐ上に投影する第２投影光学系ＰＬ２とを備えている。
【００２３】
なお、ここでいう基板は半導体ウエハ等の基材上に感光材（フォトレジスト）、その感光材を覆うトップコート膜と呼ばれる保護膜のような各種膜を塗布したものを含み、マスクは基板上に縮小投影されるデバイスパターンが形成されたレチクルを含む。また、本実施形態においては、マスクとして透過型のマスクを用いるが、反射型のマスクを用いてもよい。
【００２４】
第１、第２ステーションＥＸ１、ＥＸ２は、照明系の全部又は一部（例えば、ＡｒＦエキシマレーザ（光源）を除く照明光学系）、マスクステージ、投影光学系、及び基板ステージ等を収容する第１、第２チャンバ装置ＣＨ１、ＣＨ２をそれぞれ備えている。第１ステーションＥＸ１と第２ステーションＥＸ２とは離れて設けられており、本実施形態においては、第１ステーションＥＸ１と第２ステーションＥＸ２との間にコータ・デベロッパ装置ＣＤが配置されている。第１ステーションＥＸ１は第１インターフェースＩＦ１を介してコータ・デベロッパ装置ＣＤと接続されている。第２ステーションＥＸ２は第２インターフェースＩＦ２を介してコータ・デベロッパ装置ＣＤと接続されている。
【００２５】
コータ・デベロッパ装置ＣＤは、露光される前の基板Ｐの基材上に所定の材料を塗布することによってその基材上に所定の膜を形成するコーティング装置Ｃと、露光された後の基板Ｐを現像液を使って現像するデベロッパ装置Ｄとを備えている。また、コータ・デベロッパ装置ＣＤは、基板Ｐの基材上に形成された所定の膜を除去する除去装置Ｊも備えている。また、コータ・デベロッパ装置ＣＤは、基板Ｐを熱処理するベーク装置（不図示）も備えている。
【００２６】
搬送系Ｈは、第１インターフェースＩＦ１と第１ステーションＥＸ１との間で基板Ｐを搬送する第１搬送系Ｈ１と、第２インターフェースＩＦ２と第２ステーションＥＸ２との間で基板Ｐを搬送する第２搬送系Ｈ２とを備えている。第１搬送系Ｈ１は、第１ステーションＥＸ１によって露光される前の基板Ｐを、第１ステーションＥＸ１の第１基板ステージＰＴ１に搬入（ロード）するとともに、第１ステーションＥＸ１によって露光された後の基板Ｐを第１基板ステージＰＴ１から搬出（アンロード）する機能を有する。第２搬送系Ｈ２は、第１ステーションＥＸ１によって露光された後、第２ステーションＥＸ２によって露光される前の基板Ｐを、第２ステーションＥＸ２の第２基板ステージＰＴ２に搬入（ロード）するとともに、露光された後の基板Ｐを第２基板ステージＰＴ２から搬出（アンロード）する機能を有する。また、不図示ではあるが、搬送系Ｈは、第１インターフェースＩＦ１とコータ・デベロッパ装置ＣＤとの間で基板Ｐを搬送する第３搬送系、及び第２インターフェースＩＦ２とコータ・デベロッパ装置ＣＤとの間で基板Ｐを搬送する第４搬送系も備えている。すなわち、搬送系Ｈは、第１ステーションＥＸ１とコータ・デベロッパ装置ＣＤと第２ステーションＥＸ２との間で基板Ｐを搬送可能である。
【００２７】
本実施形態においては、第１ステーションＥＸ１及び第２ステーションＥＸ２のそれぞれは、液体を介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する液浸露光を実行する。第１ステーションＥＸ１は、基板Ｐ上に第１液体ＬＱ１の液浸領域ＬＲ１を形成して、基板Ｐ上の所定領域に対する第１露光を実行する。第２ステーションＥＸ２は、第１ステーションＥＸ１において第１露光が実行された基板Ｐを現像することなく受け取るとともに、基板Ｐ上に第１液体ＬＱ１とは異なる第２液体ＬＱ２の液浸領域ＬＲ２を形成して、基板Ｐ上の所定領域に対する第２露光を実行する。
【００２８】
第１投影光学系ＰＬ１は複数の光学素子を有し、第１液体ＬＱ１は、第１投影光学系ＰＬ１の複数の光学素子のうち、第１投影光学系ＰＬ１の像面に最も近い最終光学素子と、基板Ｐとの間に満たされる。第１液体ＬＱ１は、基板Ｐの表面と第１投影光学系ＰＬ１の最終光学素子との間の露光光ＥＬの光路を満たすように、基板Ｐ上に第１液体ＬＱ１の液浸領域ＬＲ１を形成する。また、本実施形態においては、第１投影光学系ＰＬ１の最終光学素子と基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路に満たされた液体ＬＱが、第１投影光学系ＰＬ１の投影領域を含む基板Ｐ上の一部の領域に、投影領域よりも大きく且つ基板Ｐよりも小さい液浸領域ＬＲ１を局所的に形成する。
【００２９】
同様に、第２投影光学系ＰＬ２は複数の光学素子を有し、第２液体ＬＱ２は、第２投影光学系ＰＬ２の複数の光学素子のうち、第２投影光学系ＰＬ２の像面に最も近い最終光学素子と、基板Ｐとの間の露光光ＥＬの光路を満たすように、基板Ｐ上に第２液体ＬＱ２の液浸領域ＬＲ２を局所的に形成する。
【００３０】
第１、第２照明系ＩＬ１、ＩＬ２のそれぞれは、第１、第２マスクステージＭＴ１、ＭＴ２のそれぞれに保持された第１、第２マスクＭ１、Ｍ２上の所定の照明領域を均一な照度分布の露光光ＥＬで照明するものである。第１、第２照明系ＩＬ１、ＩＬ２から射出される露光光ＥＬとしては、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）などが用いられる。本実施形態においてはＡｒＦエキシマレーザ光が用いられる。
【００３１】
第１、第２マスクステージＭＴ１、ＭＴ２のそれぞれは、リニアモータ等のアクチュエータを含むマスクステージ駆動装置の駆動により、マスクＭを保持した状態で、少なくともＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に移動可能である。第１、第２マスクステージＭＴ１、ＭＴ２（ひいてはマスクＭ１、Ｍ２）の位置情報（回転情報を含む）は、不図示のレーザ干渉計システムによって計測される。レーザ干渉計システムは、第１、第２マスクステージＭＴ１、ＭＴ２上に固設された移動鏡（反射鏡、あるいはその側面に形成される反射面）を用いて、第１、第２マスクステージＭＴ１、ＭＴ２のそれぞれの位置情報を計測する。制御装置７は、レーザ干渉計システムの計測結果に基づいてマスクステージ駆動装置を駆動し、第１、第２マスクステージＭＴ１、ＭＴ２のそれぞれに保持されているマスクＭ１、Ｍ２の位置制御を行う。
【００３２】
第１、第２投影光学系ＰＬ１、ＰＬ２のそれぞれは、マスクＭのパターン像を所定の投影倍率で基板Ｐに投影するものである。本実施形態の第１、第２投影光学系ＰＬ１、ＰＬ２は、その投影倍率が例えば１／４、１／５、１／８等の縮小系である。なお、第１、第２投影光学系ＰＬ１、ＰＬ２は等倍系及び拡大系のいずれでもよい。また、第１、第２投影光学系ＰＬ１、ＰＬ２は、反射光学素子を含まない屈折系、屈折光学素子を含まない反射系、反射光学素子と屈折光学素子とを含む反射屈折系のいずれであってもよい。また、第１、第２投影光学系ＰＬ１、ＰＬ２は、倒立像と正立像とのいずれを形成してもよい。もちろん、第１投影光学系ＰＬ１と第２投影光学系ＰＬ２とで光学特性（光学性能）が異なっていてもよい。
【００３３】
第１、第２基板ステージＰＴ１、ＰＴ２のそれぞれは、基板Ｐを保持する基板ホルダ（不図示）を有しており、リニアモータ等のアクチュエータを含む基板ステージ駆動装置の駆動により、ベース部材ＢＰ１、ＢＰ２上で、基板ホルダに基板Ｐを保持した状態で、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸、θＸ、θＹ、及びθＺ方向の６自由度の方向に移動可能である。第１、第２基板ステージＰＴ１、ＰＴ２（ひいては基板Ｐ）の位置情報（回転情報を含む）は、不図示のレーザ干渉計システムによって計測される。レーザ干渉計システムは、第１、第２基板ステージＰＴ１、ＰＴ２に設けられた移動鏡（あるいは、その側面に形成される反射面）を用いて、第１、第２基板ステージＰＴ１、ＰＴ２のＸ軸、Ｙ軸、及びθＺ方向に関する位置情報を計測する。また、第１、第２基板ステージＰＴ１、ＰＴ２に保持されている基板Ｐの表面の面位置情報（Ｚ軸、θＸ、及びθＹ方向に関する位置情報）は、不図示のフォーカス・レベリング検出系によって検出される。制御装置７は、レーザ干渉計システムの計測結果及びフォーカス・レベリング検出系の検出結果に基づいて基板ステージ駆動装置を駆動し、第１、第２基板ステージＰＴ１、ＰＴ２に保持されている基板Ｐの位置制御を行う。なお、基板Ｐを保持するための基板ホルダは、第１、第２基板ステージＰＴ１、ＰＴ２上に設けられた凹部に配置されており、第１、第２基板ステージＰＴ１、ＰＴ２のうち凹部以外の上面は、基板ホルダに保持された基板Ｐの表面とほぼ同じ高さ（面一）になるような平坦面となっている。なお、基板ホルダに保持された基板Ｐの表面と第１、第２基板ステージＰＴ１、ＰＴ２の上面との間に段差があってもよい。また、レーザ干渉計システムは基板ステージＰＴ１、ＰＴ２のＺ軸、θＸ及びθＹ方向に関する位置情報も計測可能としてよく、その詳細は、例えば特表２００１−５１０５７７号公報（対応国際公開第１９９９／２８７９０号パンフレット）に開示されている。
【００３４】
次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸを含むデバイス製造システムＳＹＳを用いて、基板Ｐを処理する動作について図２のフローチャート図、及び図３の模式図を参照して説明する。
【００３５】
本実施形態においては、露光装置ＥＸは、第１、第２ステーションＥＸ１、ＥＸ２を用いて、基板Ｐ上の所定領域（例えば複数のショット領域のそれぞれ）を多重露光する。本実施形態においては、第１ステーションＥＸ１において、基板Ｐ上に第１液体ＬＱ１の液浸領域ＬＲ１を形成して基板Ｐ上の所定領域に対する第１露光が実行され、現像処理工程を介さずに、第２ステーションＥＸ２に基板Ｐが移動され、第２ステーションＥＸ２にて、第１露光が実行された基板Ｐ上に第１液体ＬＱ１とは異なる第２液体ＬＱ２の液浸領域ＬＲ２を形成して基板Ｐ上の所定領域に対する第２露光が実行される。第１ステーションＳＴ１と第２ステーションＳＴ２とでは、基板Ｐの表面状態を異ならせて第１露光と第２露光とが実行される。
【００３６】
基板Ｐは、基材と、その基材上に形成された所定の膜とを含む。基材は、例えばシリコンウエハ等の半導体ウエハを含む。基材上に形成される膜としては、感光材（フォトレジスト）の膜、及びその感光材の膜を覆うトップコート膜と呼ばれる保護膜等が挙げられる。基板Ｐの表面は、その基板Ｐの基材上に形成された膜の表面を含み、本実施形態においては、第１ステーションＥＸ１における第１露光と第２ステーションＥＸ２における第２露光とで、基板Ｐの表面を形成する膜を異ならせる。
【００３７】
トップコート膜は、液体から感光材や基材を保護する機能を有しており、液体に対して所定の接触角（後退接触角を含む）、例えば９０°以上を有する。また、トップコート膜が液体に対して撥液性を有する場合、基板Ｐ上の液体の回収性を高めることができる。
【００３８】
基板Ｐの表面を形成する膜、すなわち最上層（最表層）の膜（感光材の膜、あるいはトップコート膜）は、基板Ｐ上に形成される液浸領域の液体と接触する。基板Ｐ上に液体の液浸領域を良好に形成したり、投影光学系と基板との間を液体で満たした状態で基板Ｐを移動したときの液体の流出を抑えたり、基板Ｐ上に液体が残留するのを抑えたり、液体から感光材や基材を良好に保護するためには、使用する液体に応じて、その液体に接触する膜の種類（物性）を最適化すること望ましい。あるいはそのような用途に使用可能な膜の種類には制限があるために、選択された膜材料に好適な液体を選択する必要がある。さらに、厳密には露光光は膜を透過するので、膜の屈折率や透過率は解像度や露光強度に影響する。それゆえ、基板上に形成する膜と基板上に供給する液体をそれぞれ吟味すると共にそれらの対応関係を最適化する必要がある。多重露光では各露光で照明条件などが変更されることがあるが、液浸露光を用いた多重露光では、少なくとも２回の露光において液体の種類（及び膜）を変更することで露光光の波長を実質的に変更することが可能となる。ここで、第１露光と第２露光とで使用する液体の種類（物性）が異なる場合には、第１露光と第２露光とで使用する液体に応じて、基板Ｐの表面を形成する膜を最適化することが望ましい。そこで、本実施形態においては、第１液体ＬＱ１が使用される第１露光と、第２液体ＬＱ２が使用される第２露光とで、基板Ｐの表面を形成する膜（液体に接触する膜）を異ならせる。別の見方をすれば、第１露光と第２露光において、使用される液体と基板Ｐの表面を形成する膜（液体に接触する膜）の組み合わせを異ならせる（それぞれ最適化する）。
【００３９】
まず、図３（Ａ）に示すように、コータ・デベロッパ装置ＣＤのコーティング装置Ｃにおいて、基板Ｐの基材Ｗ上に感光材の膜（以下、感光材膜、と称する）Ｒｇが形成される（ステップＳＡ１）。コーティング装置Ｃは、例えばスピンコート法またはスキャンコート等の所定の塗布方法で基材Ｗ上に感光材膜Ｒｇを形成する。
【００４０】
次に、図３（Ｂ）に示すように、コータ・デベロッパ装置ＣＤのコーティング装置Ｃにおいて、基材Ｗ上の感光材膜Ｒｇ上に、第１トップコート膜Ｔｃ１が形成される（ステップＳＡ２）。コーティング装置Ｃは、例えばスピンコート法またはスキャンコート等の所定の塗布方法で感光材膜Ｒｇ上に第１トップコート膜Ｔｃ１を形成する。
【００４１】
第１トップコート膜Ｔｃ１は、第１液体ＬＱ１に応じてあるいは第１液体ＬＱ１とともに決定される。第１トップコート膜Ｔｃ１は、第１ステーションＥＸ１において使用される第１液体ＬＱ１に適した膜である。
【００４２】
次に、制御装置７は、第１トップコート膜Ｔｃ１が形成された基板Ｐを、搬送系Ｈによって第１ステーションＥＸ１に搬送する。搬送系Ｈの第１搬送系Ｈ１は、その基板Ｐを第１基板ステージＰＴ１にロードする。そして、図３（Ｃ）に示すように、制御装置７は、基板Ｐの第１トップコート膜Ｔｃ１上に第１液体ＬＱ１の液浸領域ＬＲ１を形成して、基板Ｐ上の所定領域に対する第１露光を実行する（ステップＳＡ３）。第１露光で使用される第１トップコート膜Ｔｃ１は、第１液体ＬＱ１に応じた膜であり、第１ステーションＥＸ１は、第１トップコート膜Ｔｃ１を使用して、第１露光を実行する。
【００４３】
第１ステーションＥＸ１における基板Ｐに対する第１露光が完了した後、搬送系Ｈは、その第１露光が完了した基板Ｐをコータ・デベロッパ装置ＣＤに搬送する。図３（Ｄ）に示すように、コータ・デベロッパ装置ＣＤに搬送された基板Ｐは、除去装置Ｊによって、第１トップコート膜Ｔｃ１が除去される。すなわち、除去装置Ｊは、第１露光が完了した後、第２露光が行われる前の基材Ｗ上の感光材膜Ｒｇ上の第１トップコート膜Ｔｃ１を除去（剥離）する。除去装置Ｊは、例えば第１トップコート膜Ｔｃ１に応じた除去用液体（溶剤、剥離液）を用いて、第１露光で使用された第１トップコート膜Ｔｃ１を化学的に除去する。
【００４４】
第１トップコート膜Ｔｃ１を除去した後、図３（Ｅ）に示すように、コータ・デベロッパ装置ＣＤのコーティング装置Ｃにおいて、基材Ｗ上の感光材膜Ｒｇ上に第２トップコート膜Ｔｃ２が形成される（ステップＳＡ５）。コーティング装置Ｃは、例えばスピンコート法またはスキャンコート等の所定の塗布方法で感光材膜Ｒｇ上に第２トップコート膜Ｔｃ２を形成する。
【００４５】
第２トップコート膜Ｔｃ２は、第２液体ＬＱ２に応じてあるいは第２液体ＬＱ２とともに決定される。なお、多重露光の目的からすれば、第２トップコート膜Ｔｃ２及び第２液体ＬＱ２は第１トップコート膜Ｔｃ１及び第１液体ＬＱ１との関係でも決定されている。第２トップコート膜Ｔｃ２は、第２ステーションＥＸ２において使用される第２液体ＬＱ２に適した膜である。
【００４６】
次に、制御装置７は、第２トップコート膜Ｔｃ２が形成された基板Ｐを、搬送系Ｈによって、第２ステーションＥＸ２に搬送する。搬送系Ｈの第２搬送系Ｈ２は、その基板Ｐを第２基板ステージＰＴ２にロードする。そして、図３（Ｆ）に示すように、制御装置７は、基板Ｐの第２トップコート膜Ｔｃ２上に第２液体ＬＱ２の液浸領域ＬＲ２を形成して、基板Ｐ上の所定領域に対する第２露光を実行する（ステップＳＡ６）。このように、第１ステーションＥＸ１において第１露光が実行された基板Ｐ上の所定領域に対して、第２ステーションＥＸ２において第２露光が実行されることにより、基板Ｐ上の所定領域は多重露光（本例では二重露光）される。第２露光で使用される第２トップコート膜Ｔｃ２は、第２液体ＬＱ２に応じた膜であり、第２ステーションＥＸ２は、第２トップコート膜Ｔｃ２と第２液体ＬＱ２を使用して、第２露光を実行する。
【００４７】
第２ステーションＥＸ２における基板Ｐに対する第２露光が完了した後、搬送系Ｈは、その第２露光が完了した基板Ｐをコータ・デベロッパ装置ＣＤに搬送する。搬送系Ｈは、第２露光が完了した基板Ｐをデベロッパ装置Ｄで現像液を使って現像するために、その第２露光が完了した基板Ｐをデベロッパ装置Ｄに搬送する。
【００４８】
基板Ｐを現像する前に、第２トップコート膜Ｔｃ２が現像液に可溶かどうかが、例えば予め制御装置７などに記憶された情報などに基づいて判別される（ステップＳＡ７）。ステップＳＡ７において、第２トップコート膜Ｔｃ２が現像液可溶であると判断された場合、コータ・デベロッパ装置ＣＤのベーク装置（不図示）は、その第２露光が完了した基板Ｐに対して、ＰＥＢ（Post Exposure Bake）と呼ばれる熱処理（ポストベーク）を実行する（ステップＳＡ８）。
【００４９】
ＰＥＢが完了した後、コータ・デベロッパ装置ＣＤのデベロッパ装置Ｄは、現像液を使って基板Ｐを現像する（ステップＳＡ９）。第２トップコート膜Ｔｃ２は現像液可溶なので、現像液により基板Ｐ上から除去されるとともに、露光光ＥＬが照射された領域に応じて感光材膜Ｒｇが除去される。
【００５０】
ステップＳＡ７において、第２トップコート膜Ｔｃ２が現像液可溶でないと判断された場合、第２トップコート膜Ｔｃ２がＰＥＢに耐えられるかどうかが判別される（ステップＳＡ１０）。ここで、トップコート膜がＰＥＢに耐えられるとは、例えば、ＰＥＢ（熱処理）によってトップコート膜が劣化したり、そのトップコート膜が感光材膜Ｒｇやその下層の基材Ｗ（デバイスパターン）に影響を与えることが無い（少ない）場合も含む。
【００５１】
ステップＳＡ１０において、第２トップコート膜Ｔｃ２がＰＥＢに耐えられると判断された場合、基板Ｐに対するＰＥＢが実行される（ステップＳＡ１１）。
【００５２】
ＰＥＢが完了した後、コータ・デベロッパ装置ＣＤの除去装置Ｊは、除去装置Ｊを用いて、第２トップコート膜Ｔｃ２を除去（剥離）する（ステップＳＡ１２）。除去装置Ｊは、現像を行う前に、現像液に可溶でない基板Ｐ上の第２トップコート膜Ｔｃ２を、例えば第２トップコート膜Ｔｃ２に応じた除去用液体（溶剤、剥離液）を用いて化学的に除去する。そして、コータ・デベロッパ装置ＣＤのデベロッパ装置Ｄは、現像液を使って基板Ｐを現像する（ステップＳＡ９）。
【００５３】
一方、ステップＳＡ１０において、第２トップコート膜Ｔｃ２がＰＥＢに耐えられない判断された場合、第２トップコート膜Ｔｃ２が除去装置Ｊによって除去される（ステップＳＡ１３）。第２トップコート膜Ｔｃ２が除去された後、コータ・デベロッパ装置ＣＤのベーク装置は、基板Ｐに対するＰＥＢを行う（ステップＳＡ１４）。ＰＥＢが行われた後、コータ・デベロッパ装置ＣＤのデベロッパ装置Ｄは、現像液を使って基板Ｐを現像する（ステップＳＡ９）。
【００５４】
以上説明したように、液浸法を用いて基板Ｐを多重露光する場合にも、第１、第２露光のそれぞれにおいて、基板Ｐの表面状態を第１、第２液体ＬＱ１、ＬＱ２に応じて異ならせることにより、基板Ｐ上に第１、第２液体ＬＱ１、ＬＱ２の液浸領域ＬＲ１、ＬＲ２を良好に形成し、基板Ｐを良好に露光することができる。第１トップコート膜Ｔｃ１及び第２トップコート膜Ｔｃ２のそれぞれは、液浸領域の液体と接触する膜であり、第１、第２トップコート膜Ｔｃ１、Ｔｃ２を、第１、第２液体ＬＱ１、ＬＱ２に応じてあるいは第１、第２液体ＬＱ１、ＬＱ２と共に決定することにより、基板Ｐ上に液体の液浸領域を良好に形成したり、投影光学系と基板との間を液体で満たした状態で基板Ｐを移動したときの液体の流出を抑えたり、基板Ｐ上の液体を良好に回収して基板Ｐ上に液体が残留するのを抑えたり、トップコート膜が液体によって劣化するのを抑えたり、液体が感光材膜や基材に浸透するのを抑えて感光材膜や基材を良好に保護することができる。
【００５５】
すなわち、第１、第２液体ＬＱ１、ＬＱ２との親和性（接触角含む）、第１、第２液体ＬＱ１、ＬＱ２に対する耐性、及びブロック性等を考慮して第１、第２トップコート膜Ｔｃ１、Ｔｃ２を決定することで、基板Ｐを良好に露光することができる。なお、必ずしもこれらを全て考慮する必要はなく、これらの一部のみを考慮して、第１、第２トップコート膜Ｔｃ１、Ｔｃ２、及び第１、第２液体ＬＱ１、ＬＱ２並びにそれらの組み合わせを決定してもよい。すなわち、本発明は、第１露光と第２露光を含む多重露光により基板の所定領域を露光する際に、予め、第１露光において基板上に供給される第１液体と、基板上に形成され且つ第１露光において第１液体と接触する第１膜を選択することと；第２露光において基板上に供給され且つ第１液体とは異なる第２液体と、基板上に形成され且つ第２露光において第２液体と接触する第１膜とは異なる第２膜を選択することと；を含む。そして、そのように選択された第１及び第２液体並びに第１膜及び第２膜を用いて、第１露光と第２露光が行なわれる。
【００５６】
また、本実施形態においては、複数のステーション（露光装置）を用いて基板Ｐを多重露光するので、各ステーション（露光装置）は、最適な露光条件で露光することができ、基板Ｐを効率良く多重露光することができる。
【００５７】
なお、上述の第１実施形態においては、第１ステーションＥＸ１での第１露光完了後に、感光材膜Ｒｇ上の第１トップコート膜Ｔｃ１を除去した後に、感光材膜Ｒｇ上に第２トップコート膜Ｔｃ２を形成しているが、第１露光と第２露光との間で、第１露光で使用された第１トップコート膜Ｔｃ１上に第２トップコート膜Ｔｃ２を形成してもよい。例えば、図１に示したデバイス製造システムＳＹＳを用いて基板Ｐを処理する場合において、まず、コーティング装置Ｃによって基材Ｗ上に感光材膜Ｒｇを形成した後、その感光材膜Ｒｇ上に第１トップコート膜Ｔｃ１を形成する。そして、その第１トップコート膜Ｔｃ１が形成された基板Ｐを第１ステーションＥＸ１に搬送し、第１トップコート膜Ｔｃ１上に第１液体ＬＱ１の液浸領域ＬＲ１を形成して基板Ｐに対する第１露光を実行する。次いで、第１露光が完了した基板Ｐをコーティング装置Ｃに搬送し、第１トップコート膜Ｔｃ１を除去することなく、第１露光で使用された第１トップコート膜Ｔｃ１上に第２トップコート膜Ｔｃ２を形成する。そして、その第１、第２トップコート膜Ｔｃ１、ＴＣ２が形成された基板Ｐを第２ステーションＥＸ２に搬送し、第２トップコート膜Ｔｃ２上に第２液体ＬＱ２の液浸領域ＬＲ２を形成して基板Ｐに対する第２露光を実行する。この場合、第１露光と第２露光との間の第１トップコート膜Ｔｃ１を除去する工程を省くことができるので、基板Ｐ上の所定領域を多重露光する処理時間を短縮することができる。また、第１露光と第２露光との間も、感光材膜Ｒｇを露出させることなく、第１トップコート膜Ｔｃ１で、又は第１トップコート膜Ｔｃ１及び第２トップコート膜Ｔｃ２の両方で、感光材膜Ｒｇを保護することができる。
【００５８】
また、上述の第１実施形態においては、第１ステーションＥＸ１での第１露光では第１トップコート膜Ｔｃ１が使用され、第２ステーションＥＸ２での第２露光では第２トップコート膜Ｔｃ２が使用されているが、液体（ＬＱ１又はＬＱ２）の特性（物性）によっては、トップコート膜Ｔｃ１、Ｔｃ２のいずれか一方を使わなくてもよい。すなわち、液体（ＬＱ１又はＬＱ２）との親和性及び／又は液体に対する耐性を考慮すると、感光材膜Ｒｇが基板Ｐの表面を形成している方が望ましい場合もある。例えば、第１ステーションＥＸ１での第１露光を第１液体ＬＱ１と感光材膜Ｒｇとを接触させた状態で実行することができる。この場合、第１露光実行前の第１トップコート膜Ｔｃ１を形成する工程と、第１露光完了後の第１トップコート膜Ｔｃ１を除去する工程とを省くことができる。また、基板Ｐの多重露光の処理時間を短縮することができる。あるいは、第２ステーションＥＸ２での第２露光を第２液体ＬＱ２と感光材膜Ｒｇとを接触させた状態で実行することができる。この場合は、第１露光と第２露光との間の第２トップコート膜Ｔｃ２を形成する工程と、第２露光完了後の第２トップコート膜Ｔｃ２を除去する工程（第２トップコート膜Ｔｃ２が現像液可溶でない場合）とを省くことができる。
【００５９】
さらに、上述の第１実施形態においては、第２トップコート膜Ｔｃ２が、現像液可溶か否か（ステップＳＡ７）、及びＰＥＢに耐えられるか否か（ステップＳＡ１０）を判断するものとしたが、例えばそれら情報に対応する、第２露光（ステップＳＡ６）に引き続いて実行すべき次の処理（図２ではステップＳＡ８、ＳＡ１１、ＳＡ１３のいずれか１つ）を事前に決めて、コータ・デベロッパ装置ＣＤの制御装置またはその上位装置などに記憶させておき、コータ・デベロッパ装置ＣＤにてその判断（ＳＡ７、ＳＡ１０）を行うことなく基板Ｐを処理してもよい。
【００６０】
＜第２実施形態＞
次に、第２実施形態について図４のフローチャート図、及び図５の模式図を参照して説明する。第２実施形態においても、図１を参照して説明したデバイス製造システムＳＹＳが使用される。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略若しくは省略する。
【００６１】
まず、図５（Ａ）に示すように、コータ・デベロッパ装置ＣＤのコーティング装置Ｃにおいて、基板Ｐの基材Ｗ上に感光材膜Ｒｇが形成される（ステップＳＢ１）。
【００６２】
次に、図５（Ｂ）に示すように、コータ・デベロッパ装置ＣＤのコーティング装置Ｃにおいて、基材Ｗ上の感光材膜Ｒｇ上に、第２トップコート膜Ｔｃ２が形成される（ステップＳＢ２）。
【００６３】
次に、図５（Ｃ）に示すように、コータ・デベロッパ装置ＣＤのコーティング装置Ｃにおいて、基材Ｗ上の感光材膜Ｒｇ上の第２トップコート膜Ｔｃ２上に、第１トップコート膜Ｔｃ１が形成される（ステップＳＢ３）。
【００６４】
次に、制御装置７は、第１、第２トップコート膜Ｔｃ１、Ｔｃ２が形成された基板Ｐを、搬送系Ｈによって、第１ステーションＥＸ１に搬送する。そして、図５（Ｄ）に示すように、制御装置７は、基板Ｐの第１トップコート膜Ｔｃ１上に第１液体ＬＱ１の液浸領域ＬＲ１を形成して、基板Ｐ上の所定領域に対する第１露光を実行する（ステップＳＢ４）。第１露光で使用される第１トップコート膜Ｔｃ１は、第１液体ＬＱ１に応じた膜であり、第１ステーションＥＸ１は、第１トップコート膜Ｔｃ１を使用して、第１露光を実行する。第１ステーションＥＸ１は、感光材膜Ｒｇを覆う第２トップコート膜Ｔｃ２上に形成された第１トップコート膜Ｔｃ１を使用して、第１露光を実行する。
【００６５】
第１ステーションＥＸ１における基板Ｐに対する第１露光が完了した後、搬送系Ｈは、その第１露光が完了した基板Ｐをコータ・デベロッパ装置ＣＤに搬送する。図３（Ｅ）に示すように、コータ・デベロッパ装置ＣＤに搬送された基板Ｐは、除去装置Ｊによって、第１トップコート膜Ｔｃを除去される。すなわち、除去装置Ｊは、第１露光が完了した後、第２露光が行われる前の基材Ｗ上の感光材膜Ｒｇ上の第１トップコート膜Ｔｃを除去（剥離）する。ここで、第２トップコート膜Ｔｃ２は除去されず、基材Ｗ上の感光材膜Ｒｇ上には、第２トップコート膜Ｔｃ２が形成されている。
【００６６】
第１トップコート膜Ｔｃ１が除去された後、制御装置７は、感光材膜Ｒｇ上に第２トップコート膜Ｔｃ２が形成されている基板Ｐを、搬送系Ｈによって、第２ステーションＥＸ２に搬送する。そして、図３（Ｆ）に示すように、制御装置７は、基板Ｐ上に第２液体ＬＱ２の液浸領域ＬＲ２を形成して、基板Ｐ上の所定領域に対する第２露光を実行する（ステップＳＢ６）。このように、第１ステーションＥＸ１において第１露光が実行された基板Ｐ上の所定領域に対して、第２ステーションＥＸ２において第２露光が実行されることにより、基板Ｐ上の所定領域は多重露光（本例では二重露光）される。第２露光で使用される第２トップコート膜Ｔｃ２は、第２液体ＬＱ２に応じた膜であり、第２ステーションＥＸ２は、第２トップコート膜Ｔｃ２を使用して、第２露光を実行する。
【００６７】
第２ステーションＥＸ２における基板Ｐに対する第２露光が完了した後、搬送系Ｈは、その第２露光が完了した基板Ｐをコータ・デベロッパ装置ＣＤに搬送する。搬送系Ｈは、第２露光が完了した基板Ｐをデベロッパ装置Ｄで現像液を使って現像するために、その第２露光が完了した基板Ｐをデベロッパ装置Ｄに搬送する。
【００６８】
第２露光が完了した基板Ｐがデベロッパ装置Ｄに搬送され、第２トップコート膜Ｔｃ２が現像液に可溶かどうかが、例えば予め制御装置７などに記憶されていた情報などに基づいて判別される（ステップＳＢ７）。なお、図４のフローチャートのステップＳＢ７〜ＳＢ１４に関しては、図２のフローチャートのステップＳＡ７〜ＳＡ１４と同様であるため、説明を省略する。また、上述の第１実施形態と同様に、本実施形態の処理フローでもステップＳＢ７、ＳＢ１０を行わなくてもよい。
【００６９】
第２実施形態においては、第１、第２液体ＬＱ１、ＬＱ２に応じた第１、第２トップコート膜Ｔｃ１、Ｔｃ２が用いられるだけでなく、第１露光と第２露光との間も、感光材膜Ｒｇが露出することなく、感光材膜Ｒｇの表面を、第１、第２トップコート膜Ｔｃ１、Ｔｃ２の両方で、あるいは第２トップコート膜Ｔｃ２で保護することができる。
【００７０】
なお、上述の第１、第２実施形態においては、第１ステーションＥＸ１と第２ステーションＥＸ２とに共通のコータ・デベロッパ装置ＣＤが使用されているが、第１ステーションＥＸ１と第２ステーションＥＸ２とのそれぞれにコータ・デベロッパ装置ＣＤを配置してもよい。この場合には、上述の第１、第２実施形態において共通のコータ・デベロッパ装置ＣＤが行っていた作業を適宜振り分ければよい。
【００７１】
＜第３実施形態＞
次に、第３実施形態について説明する。図６は第３実施形態に係る露光装置ＥＸを備えたデバイス製造システムＳＹＳの一実施形態を示す図である。図６において、デバイス製造システムＳＹＳは、基板Ｐを露光する露光装置ＥＸと、基板Ｐ上に所定の膜を形成するためのコーティング装置Ｃと、基板Ｐを現像するデベロッパ装置Ｄと、基板Ｐを搬送する搬送系Ｈとを備えている。以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略もしくは省略する。
【００７２】
露光装置ＥＸは、基板Ｐを多重露光する露光装置であり、基板Ｐを露光する第１ステーションＥＸ１と、第１ステーションＥＸ１で露光された基板Ｐを、現像処理工程を介さずに露光する第２ステーションＥＸ２とを備えている。
【００７３】
第１ステーションＥＸ１は、第１マスクＭ１を保持して移動可能な第１マスクステージＭＴ１と、第１マスクステージＭＴ１に保持されている第１マスクＭ１を露光光ＥＬで照明する第１照明系ＩＬ１と、露光光ＥＬで照明された第１マスクＭ１のパターン像を基板Ｐ上に投影する第１投影光学系ＰＬ１とを備えている。第２ステーションＥＸ２は、第２マスクＭ２を保持して移動可能な第２マスクステージＭＴ２と、第２マスクステージＭＴ２に保持されている第２マスクＭ２を露光光ＥＬで照明する第２照明系ＩＬ２と、露光光ＥＬで照明された第２マスクＭ２のパターン像を基板Ｐ上に投影する第２投影光学系ＰＬ２とを備えている。
【００７４】
第１ステーションＥＸ１と第２ステーションＥＸ２とは隣接して設けられており、第１基板ステージＰＴ１と第２基板ステージＰＴ２とは、第１ステーションＥＸ１において露光光ＥＬを基板Ｐに照射可能な第１領域と、第２ステーションＥＸ２において露光光ＥＬを基板Ｐに照射可能な第２領域とを含む所定領域内で、基板Ｐを保持して互いに独立して移動可能である。すなわち、第１基板ステージＰＴ１は、基板Ｐを保持した状態で、第１投影光学系ＰＬ１の最終光学素子と対向する位置（第１露光位置）と、第２投影光学系ＰＬ２の最終光学素子と対向する位置（第２露光位置）との間をベース部材ＢＰ上で移動可能であり、第２基板ステージＰＴ２は、基板Ｐを保持した状態で、第２投影光学系ＰＬ２の最終光学素子と対向する第２露光位置と、第１投影光学系ＰＬ１の最終光学素子と対向する第１露光位置との間をベース部材ＢＰ上で移動可能である。図６には、第１基板ステージＰＴ１が第１ステーションＥＸ１の第１領域に配置され、第２基板ステージＰＴ２が第２ステーションＥＸ２の第２領域に配置されている状態が示されている。
【００７５】
また、第１、第２ステーションＥＸ１、ＥＸ２の照明系の少なくとも一部、マスクステージ、投影光学系、及び基板ステージ等は、チャンバ装置ＣＨに収容されている。
【００７６】
本実施形態においては、コーティング装置Ｃとデベロッパ装置Ｄとは離れて設けられており、コーティング装置Ｃは、第１ステーションＥＸ１に近い位置に配置され、デベロッパ装置Ｄは、第２ステーションＥＸ２に近い位置に配置されている。露光装置ＥＸは第１インターフェースＩＦ１を介してコーティング装置Ｃと接続され、第２インターフェースＩＦ２を介してデベロッパ装置Ｄと接続されている。
【００７７】
また、デベロッパ装置Ｄは、基板Ｐの基材上に形成された所定の膜を除去する除去装置Ｊを備えている。また、デベロッパ装置Ｄは、基板Ｐを熱処理するベーク装置（不図示）も備えている。
【００７８】
搬送系Ｈは、第１インターフェースＩＦ１と第１ステーションＥＸ１との間で基板Ｐを搬送する第１搬送系Ｈ１と、第２インターフェースＩＦ２と第２ステーションＥＸ２との間で基板Ｐを搬送する第２搬送系Ｈ２とを備えている。第１搬送系Ｈ１は、露光される前の基板Ｐを第１ステーションＥＸ１に配置される基板ステージに搬入（ロード）する機能を有する。第２搬送系Ｈ２は、第２ステーションＥＸ２で露光された後の基板Ｐを基板ステージから搬出（アンロード）する機能を有する。また、不図示ではあるが、搬送系Ｈは、第１インターフェースＩＦ１とコーティング装置Ｃとの間で基板Ｐを搬送する第３搬送系、及び第２インターフェースＩＦ２とデベロッパ装置Ｄとの間で基板Ｐを搬送する第４搬送系も備えている。すなわち、搬送系Ｈは、コーティング装置Ｃと、第１、第２ステーションＥＸ１、ＥＸ２と、デベロッパ装置Ｄとの間で基板Ｐを搬送可能である。
【００７９】
第１ステーションＥＸ１及び第２ステーションＥＸ２のそれぞれは、液体を介して基板Ｐに露光光ＥＬを照射する液浸露光を実行する。第１ステーションＥＸ１は、基板Ｐ上に第１液体ＬＱ１の液浸領域ＬＲ１を形成して、基板Ｐ上の所定領域に対する第１露光を実行する。第２ステーションＥＸ２は、第１ステーションＥＸ１において第１露光が実行された基板Ｐ上に第１液体ＬＱ１とは異なる第２液体ＬＱ２の液浸領域ＬＲ２を形成して、基板Ｐ上の所定領域に対する第２露光を実行する。
【００８０】
本実施形態においては、コーティング装置Ｃで所定の膜が形成された基板Ｐは、例えば第１ステーションＥＸ１の第１基板ステージＰＴ１にロードされる。制御装置７は、第１ステーションＥＸ１において、第１基板ステージＰＴ１に保持された基板Ｐに対する第１露光を実行した後、その第１基板ステージＰＴ１を第２ステーションＥＸ２に移動し、第２ステーションＥＸ２において、第１基板ステージＰＴ１に保持された基板Ｐに対する第２露光を実行する。第２露光が完了した基板Ｐは、第１基板ステージＰＴ１からアンロードされた後、現像のためにデベロッパ装置Ｄに搬送される。第１基板ステージＰＴ１は、基板Ｐのアンロード後、第１ステーションＥＸ１に移動し、コーティング装置Ｃから新たな（露光される前の）基板Ｐを受け取る。また、第１ステーションＥＸ１において第１基板ステージＰＴ１上の基板Ｐに対する第１露光が実行されている間、第２ステーションＥＸ２において第２基板ステージＰＴ２上の基板Ｐに対する第２露光が実行される。第２基板ステージＰＴ２上の基板Ｐは、第１ステーションＥＸ１において第１露光が既に実行されている。第２基板ステージＰＴ２は、第１基板ステージＰＴ１と同様、第２露光を完了した基板Ｐをデベロッパ装置Ｄ（第２搬送系Ｈ２）に渡した後、コーティング装置Ｃから新たな（露光される前の）基板Ｐを受けるために、第１ステーションＥＸ１に移動する。
【００８１】
次に、上述の構成を有する露光装置ＥＸを含むデバイス製造システムＳＹＳを用いて、基板Ｐを処理する動作について図７のフローチャート図、及び図８の模式図を参照して説明する。
【００８２】
本実施形態においては、第１トップコート膜Ｔｃ１として、第２液体ＬＱ２に可溶なものが使用される。第２液体ＬＱ２は、基板Ｐ上の第１トップコート膜Ｔｃ１を溶かすことで、その第１トップコート膜Ｔｃ１を基板Ｐ上から除去可能である。
【００８３】
まず、図８（Ａ）に示すように、コーティング装置Ｃにおいて、基板Ｐの基材Ｗ上に感光材膜Ｒｇが形成される（ステップＳＣ１）。
【００８４】
次に、図８（Ｂ）に示すように、コーティング装置Ｃにおいて、基材Ｗ上の感光材膜Ｒｇ上に、第２トップコート膜Ｔｃ２が形成される（ステップＳＣ２）。
【００８５】
次に、図８（Ｃ）に示すように、コーティング装置Ｃにおいて、基材Ｗ上の感光材膜Ｒｇ上の第２トップコート膜Ｔｃ２上に、第１トップコート膜Ｔｃ１が形成される（ステップＳＣ３）。
【００８６】
次に、制御装置７は、感光材膜Ｒｇ、第１、第２トップコート膜Ｔｃ１、Ｔｃ２が形成された基板Ｐを、搬送系Ｈによって、第１ステーションＥＸ１の第１基板ステージＰＴ１（又は第２基板ステージＰＴ２）にロードする。そして、図８（Ｄ）に示すように、制御装置７は、基板Ｐの第１トップコート膜Ｔｃ１上に第１液体ＬＱ１の液浸領域ＬＲ１を形成して、基板Ｐ上の所定領域に対する第１露光を実行する（ステップＳＣ４）。
【００８７】
第１ステーションＥＸ１における基板Ｐに対する第１露光が完了した後、制御装置７は、その基板Ｐを保持した第１基板ステージＰＴ１（又は第２基板ステージＰＴ２）を、第２ステーションＥＸ２の第２投影光学系ＰＬ２の最終光学素子と対向する位置に配置する。そして、図８（Ｅ）に示すように、制御装置７は、基板Ｐ上に第２液体ＬＱ２の液浸領域ＬＲ２を形成し、第２液体ＬＱ２を使って、第１トップコート膜Ｔｃ１を除去する。上述のように、本実施形態においては、第１トップコート膜Ｔｃ１として、第２液体ＬＱ２に可溶なものが使用されており、第２液体ＬＱ２は、第１トップコート膜Ｔｃ１を除去可能である。第１トップコート膜Ｔｃ１を除去するために、制御装置７は、第２液体ＬＱ２の液浸領域ＬＲ２に対して第１基板ステージＰＴ１（又は第２基板ステージＰＴ２）をＸＹ方向に移動し、第１トップコート膜Ｔｃ１の全領域と第２液体ＬＱ２とを接触させる。このように、本実施形態においては、第１露光が完了した後、第２露光が行われる前の基材Ｗ上の感光材膜Ｒｇ上の第１トップコート膜Ｔｃが、第２液体ＬＱ２を用いて除去される。ここで、第２トップコート膜Ｔｃ２は第２液体ＬＱ２によって除去されず、基材Ｗ上の感光材膜Ｒｇ上には、第２トップコート膜Ｔｃ２が形成されている。
【００８８】
第２液体ＬＱ２を使って第１トップコート膜Ｔｃ１を除去し、第１トップコート膜Ｔｃ１の除去に使われた第２液体ＬＱ２を回収した後、制御装置７は、図８（Ｆ）に示すように、基板Ｐ上に第２液体ＬＱ２の液浸領域ＬＲ２を形成した状態で、基板Ｐ上の所定領域に対する第２露光を実行する（ステップＳＣ６）。このように、第１ステーションＥＸ１において第１露光が実行された基板Ｐ上の所定領域に対して、第２ステーションＥＸ２において第２露光が実行されることにより、基板Ｐ上の所定領域は多重露光（本例では二重露光）される。
【００８９】
第２ステーションＥＸ２における基板Ｐに対する第２露光が完了した後、搬送系Ｈは、その第２露光が完了した基板Ｐをデベロッパ装置Ｄに搬送する。搬送系Ｈは、第２露光が完了した基板Ｐをデベロッパ装置Ｄで現像液を使って現像するために、その第２露光が完了した基板Ｐをデベロッパ装置Ｄに搬送する。
【００９０】
第２露光が完了した基板Ｐがデベロッパ装置Ｄに搬送され、第２トップコート膜Ｔｃ２が現像液に可溶かどうかが、例えば予め制御装置７などに記憶されていた情報などに基づいて判別される（ステップＳＣ７）。なお、図７のフローチャートのステップＳＣ７〜ＳＣ１４に関しては、図２のフローチャートのステップＳＡ７〜ＳＡ１４、及び図４のフローチャートのステップＳＢ７〜ＳＢ１４とほぼ同様であるため、説明を省略する。また、上述の第１、第２実施形態と同様に、本実施形態の処理フローでもステップＳＣ７、ＳＣ１０を行わなくてもよい。
【００９１】
第３実施形態においても、第１、第２液体ＬＱ１、ＬＱ２に適したトップコート膜Ｔｃ１、Ｔｃ２が使用されるだけでなく、第１露光と第２露光との間も感光材膜Ｒｇが露出することなく、感光材膜Ｒｇの表面を、第１、第２トップコート膜Ｔｃ１、Ｔｃ２の両方で、又は第２トップコート膜Ｔｃ２で保護することができる。また、第３実施形態においては、第１露光と第２露光との間で、基板Ｐをコータ・デベロッパ装置等の周辺装置に搬送する必要が無いため、異なる液体を用いた基板Ｐの多重露光処理を高スループットで実行することができる。
【００９２】
なお、本実施形態においては、第２液体ＬＱ２を用いて、第１トップコート膜Ｔｃ１を除去した後（ステップＳＣ５）、第２液体ＬＱ２を用いた第２露光を実行している（ステップＳＣ６）が、第２液体ＬＱ２で第１トップコート膜Ｔｃ１を除去しつつ、第２露光を実行してもよい。すなわち、ステップＳＣ５の動作とステップＳＣ６の少なくとも一部の動作とを並行して行ってもよい。例えば、第１トップコート膜Ｔｃ１が第２液体ＬＱ２に極めて容易に溶解する場合には、第２液体ＬＱ２の液浸領域ＬＲ２の外周付近で第１トップコート膜Ｔｃ１が第２液体ＬＱ２によって溶解・除去されるので、露光光ＥＬが照射される液浸領域ＬＲ２の中央付近には、基板Ｐの表面の第１トップコート膜Ｔｃ１が除去された部分を到達させることができる。
【００９３】
＜第４実施形態＞
次に、第４実施形態について図９のフローチャート図、及び図１０の模式図を参照して説明する。第４実施形態においても、図６を参照して説明したデバイス製造システムＳＹＳが使用される。また、本実施形態においても、第１トップコート膜Ｔｃ１として、第２液体ＬＱ２に可溶なものが使用される。すなわち、第２液体ＬＱ２は、基板Ｐ上の第１トップコート膜Ｔｃ１を基板Ｐ上から除去可能である。なお、以下の説明において、上述の実施形態と同一又は同等の構成部分については同一の符号を付し、その説明を簡略もしくは省略する。
【００９４】
まず、図１０（Ａ）に示すように、コーティング装置Ｃにおいて、基板Ｐの基材Ｗ上に感光材膜Ｒｇが形成される（ステップＳＤ１）。
【００９５】
次に、図１０（Ｂ）に示すように、コーティング装置Ｃにおいて、基材Ｗ上の感光材膜Ｒｇ上に、第１トップコート膜Ｔｃ１が形成される（ステップＳＤ２）。
【００９６】
次に、制御装置７は、感光材膜Ｒｇ、及び第１トップコート膜Ｔｃ１が形成された基板Ｐを、搬送系Ｈによって、第１ステーションＥＸ１の第１基板ステージＰＴ１（又は第２基板ステージＰＴ２）にロードする。そして、図１０（Ｃ）に示すように、制御装置７は、基板Ｐの第１トップコート膜Ｔｃ１上に第１液体ＬＱ１の液浸領域ＬＲ１を形成して、基板Ｐ上の所定領域に対する第１露光を実行する（ステップＳＤ３）。
【００９７】
第１ステーションＥＸ１における基板Ｐに対する第１露光が完了した後、制御装置７は、その基板Ｐを保持した第１基板ステージＰＴ１（又は第２基板ステージＰＴ２）を、第２ステーションＥＸ２の第２投影光学系ＰＬ２の最終光学素子と対向する位置に配置する。そして、図１０（Ｄ）に示すように、制御装置７は、基板Ｐ上に第２液体ＬＱ２の液浸領域ＬＲ２を形成し、第２液体ＬＱ２を使って、第１トップコート膜Ｔｃ１を除去する。このように、本実施形態においては、第１露光が完了した後、第２露光が行われる前の基材Ｗ上の感光材膜Ｒｇ上の第１トップコート膜Ｔｃが、第２液体ＬＱ２を用いて除去される。本実施形態においては、感光材膜Ｒｇ上には第２トップコート膜Ｔｃ２は形成されておらず、第１トップコート膜Ｔｃ１を除去することにより、基材Ｗ上の感光材膜Ｒｇが露出する。
【００９８】
第２液体ＬＱ２を使って第１トップコート膜Ｔｃ１を除去した後、制御装置７は、図１０（Ｅ）に示すように、第２トップコート膜Ｔｃ２を使用せずに、基板Ｐの感光材膜Ｒｇ上に第２液体ＬＱ２の液浸領域ＬＲ２を形成して、基板Ｐ上の所定領域に対する第２露光を実行する（ステップＳＤ５）。このように、第１ステーションＥＸ１において第１露光が実行された基板Ｐ上の所定領域に対して、第２ステーションＥＸ２において第２露光が実行されることにより、基板Ｐ上の所定領域は多重露光（本例では二重露光）される。
【００９９】
第２ステーションＥＸ２における基板Ｐに対する第２露光が完了した後、搬送系Ｈは、その第２露光が完了した基板Ｐをデベロッパ装置Ｄに搬送する。搬送系Ｈは、第２露光が完了した基板Ｐをデベロッパ装置Ｄで現像液を使って現像するために、その第２露光が完了した基板Ｐをデベロッパ装置Ｄに搬送する。
【０１００】
第２露光が完了し、デベロッパ装置Ｄに搬送された基板Ｐは、前述したＰＥＢ等の所定の処理を施された後（ステップＳＤ６）、現像液を使って現像される（ステップＳＤ７）。
【０１０１】
上述したように、液体（ＬＱ１又はＬＱ２）の特性（物性）によっては、トップコート膜Ｔｃ１、Ｔｃ２のいずれか一方を使わなくてもよい場合がある。すなわち、第４実施形態は、第２液体ＬＱ２との親和性及び／又は第２液体ＬＱ２に対する耐性を考慮すると、第２露光においては感光材膜Ｒｇが基板Ｐの表面を形成している方が望ましい場合に好適である。換言すれば、第２液体ＬＱ２と感光材膜Ｒｇの組合せが最適化していると見ることができる。この場合、第１トップコート膜Ｔｃ１の下に第２トップコート膜Ｔｃ２を形成する工程を省くことができるので、第３実施形態に比べて基板Ｐの処理時間を短縮することができる。また、第４実施形態においても、第１露光と第２露光との間で、第１トップコート膜Ｔｃ１を除去するために、基板Ｐをコータ・デベロッパ装置等の周辺装置に搬送する必要が無いため、異なる液体を用いた基板Ｐの多重露光処理を高スループットで実行できる。
【０１０２】
なお、本実施形態においては、第２液体ＬＱ２を用いて、第１トップコートＴｃ１を除去した後（ステップＳＤ４）、第２液体ＬＱ２を用いた第２露光を実行している（ステップＳＤ５）が、第２液体ＬＱ２で第１トップコート膜Ｔｃ１を除去しつつ、第２露光を実行してもよい。すなわち、ステップＳＤ４の動作とステップＳＤ５の少なくとも一部の動作とを並行して行ってもよい。例えば、第１トップコート膜Ｔｃ１が第２液体ＬＱ２に極めて容易に溶解する場合には、第２液体ＬＱ２の液浸領域ＬＲ２の外周付近で第１トップコート膜Ｔｃ１が第２液体ＬＱ２によって溶解・除去されるので、露光光ＥＬが照射される液浸領域ＬＲ２の中央付近には、基板Ｐの表面の第１トップコート膜Ｔｃ１が除去された部分を到達させることができる。
【０１０３】
また、本実施形態では第２露光において第２トップコート膜Ｔｃ２を用いないものとしたが、第１液体ＬＱ１との親和性及び／又は第１液体ＬＱ１に対する耐性などによっては、第１露光において第１トップコートＴｃ１を用いないで感光材膜Ｒｇで基板Ｐの表面を形成してもよい。この場合、感光材膜Ｒｇが形成された基板に対して第１露光を行った後、例えばコーティング装置Ｃにて感光材膜Ｒｇ上に第２トップコート膜Ｔｃ２が形成された基板を第２ステーションＥＸ２の第２基板ステージＰＴ２にローディングすればよい。
【０１０４】
なお、上述の第３、第４実施形態においては、第１基板ステージ（又は第２基板ステージ）上の基板Ｐの第１露光を行った後、その基板Ｐを保持した状態で第１基板ステージ（又は第２基板ステージ）を第２ステーションＥＸ２に移動して第２露光を行っているが、例えば、第１ステーションＥＸ１と第２ステーションＥＸ２との間で基板Ｐを搬送可能な搬送装置を設け、例えば第１ステーションＥＸ１において第１基板ステージＰＴ１上の基板Ｐに対する第１露光を実行した後、前記搬送装置を用いて第１露光が実行された後の基板Ｐを第１基板ステージＰＴ１からアンロードし、第２ステーションＥＸ２に配置されている第２基板ステージＰＴ２にロードし、その第２基板ステージＰＴ２に保持された基板Ｐの第２露光を第２ステーションＥＸ２において実行するようにしてもよい。
【０１０５】
以下、上述の各実施形態で使用可能な液体（ＬＱ１、ＬＱ２）について説明する。第１、第２液体ＬＱ１、ＬＱ２としては、例えば露光光ＥＬ（ＡｒＦエキシマレーザ光：波長１９３ｎｍ）に対する屈折率が互いに異なるものであってもよいし、露光光ＥＬに対する透過率が互いに異なるものであってもよいし、粘度が互いに異なるものであってもよいし、温度が互いに異なるものであってもよい。
【０１０６】
また、液体（ＬＱ１、ＬＱ２）としては、水（純水）を用いることができるし、例えば投影光学系（ＰＬ１、ＰＬ２）の最終光学素子の露光光ＥＬに対する屈折率よりも高い屈折率を有するものを用いることもできる。
【０１０７】
以下の説明においては、簡単のため、液体ＬＱ１、ＬＱ２の露光光ＥＬに対する屈折率を、液体の屈折率、と適宜称し、投影光学系ＰＬ１、ＰＬ２の最終光学素子の露光光ＥＬに屈折率を、最終光学素子の屈折率、と適宜称する。また、最終光学素子の屈折率（あるいは、純水の露光光ＥＬに対する屈折率（約１．４４））よりも高い屈折率を有する液体を、高屈折率液体、と適宜称する。
【０１０８】
上述の各実施形態においては、第１、第２液体ＬＱ１、ＬＱ２の少なくとも一方に、高屈折率液体を用いることができる。例えば、最終光学素子が石英で形成される場合には、石英の屈折率は約１．５なので、高屈折率液体としては、その屈折率が石英の屈折率よりも高い、例えば１．６〜２．０程度のものが使用される。すなわち、第１液体に純水を用い、第２液体に高屈折率液体を用い得る。
【０１０９】
液体（高屈折率液体）としては、例えば、屈折率が約１．５０のイソプロパノール、屈折率が約１．６１のグリセロール（グリセリン）といったＣ−Ｈ結合、またはＯ−Ｈ結合を持つ所定液体、ヘキサン、ヘプタン、デカン等の所定液体（有機溶剤）が挙げられる。あるいは、これら所定液体のうち任意の２種類以上の液体が混合されたものであってもよいし、純水に上記所定液体が添加（混合）されたものであってもよい。あるいは、液体としては、純水に、Ｈ＋、Ｃｓ＋、Ｋ＋、Ｃｌ−、ＳＯ４２−、ＰＯ４２−等の塩基又は酸を添加（混合）したものであってもよい。更には、純水にＡｌ酸化物等の微粒子を添加（混合）したものであってもよい。これら液体は、ＡｒＦエキシマレーザ光を透過可能である。また、液体としては、光の吸収係数が小さく、温度依存性が少なく、投影光学系や基板Ｐの表面に塗布されている感光材に対して安定なものであることが好ましい。
【０１１０】
また、最終光学素子は、例えば石英（シリカ）で形成することができる。あるいは、フッ化カルシウム（蛍石）、フッ化バリウム、フッ化ストロンチウム、フッ化リチウム、及びフッ化ナトリウム等のフッ化化合物の単結晶材料で形成されてもよい。また、投影光学系のうち、最終光学素子以外の光学素子を、上述の材料で形成することができる。また、例えば最終光学素子以外の光学素子を蛍石で形成し、最終光学素子を石英で形成してもよいし、最終光学素子以外の光学素子を石英で形成し、最終光学素子を蛍石で形成してもよいし、投影光学系の光学素子の全てを石英（あるいは蛍石）で形成してもよい。
【０１１１】
また、最終光学素子を含む投影光学系の光学素子として、石英や蛍石よりも屈折率が高い（例えば１．６以上）材料で最終光学素子を形成してもよい。例えば、国際公開第２００５／０５９６１７号パンフレットに開示されているような、サファイア、二酸化ゲルマニウム等を用いて投影光学系の光学素子を形成することができる。あるいは、国際公開第２００５／０５９６１８号パンフレットに開示されているような、塩化カリウム（屈折率約１．７５）等を用いて、投影光学系の光学素子を形成することができる。
【０１１２】
また、液体の屈折率が、最終光学素子の屈折率よりも高く、投影光学系の開口数ＮＡが、最終光学素子の屈折率よりも高くてもよい。
【０１１３】
上述の各実施形態においては、例えば第１露光に用いる第１液体ＬＱ１として純水を用い、第２露光に用いる第２液体ＬＱ２として高屈折率液体を用いてもよい。あるいは、第１露光に用いる第１液体ＬＱ１として高屈折率液体を用い、第２露光に用いる第２液体ＬＱ２として純水を用いてもよい。また、第１露光に用いる第１液体ＬＱ１として第１の高屈折率液体を用い、第２露光に用いる第２液体ＬＱ２として第２の高屈折率液体を用いてもよい。そして、第１露光に使用する第１トップコート膜Ｔｃ１を第１液体ＬＱ１に応じて決定し、第２露光に使用する第２トップコート膜Ｔｃ２を第２液体ＬＱ２に応じて決定すればよい。もちろん、上述したように、いずれかのトップコート膜を使用しなくてもよい。
【０１１４】
なお、第１投影光学系ＰＬ１が第１の開口数を有し、第２投影光学系ＰＬ２が第２の開口数を有する場合において、第１の開口数が第２の開口数よりも大きい場合、使用する感光材（フォトレジスト）としては、第１の開口数よりも大きい屈折率を有するものを用いることが望ましい。すなわち、複数の投影光学系を用いて感光材に露光光を照射する場合、その複数の投影光学系の最大の開口数よりも高い屈折率を有する感光材を用いることが望ましい。例えば、投影光学系の開口数が１．６の場合には、感光材としてはその屈折率が１．６よりも大きいものを使用することが望ましい。こうすることにより、投影光学系を介して露光光を感光材に良好に照射することができる。
【０１１５】
図１１は、ステーションＥＸ１（又はＥＸ２）の一例を示す図である。図１１に示すステーションＥＸ１（ＥＸ２）は、投影光学系ＰＬ１（ＰＬ２）の像面側の露光光ＥＬの光路を液体ＬＱ１（ＬＱ２）で満たす液浸システム１を備えている。液浸システム１は、投影光学系ＰＬ１（ＰＬ２）の像面側の露光光ＥＬの光路の近傍に設けられ、その光路に対して液体ＬＱ１（ＬＱ２）を供給する供給口１２及び液体ＬＱ１（ＬＱ２）を回収する回収口２２を有するノズル部材６と、供給管１３、及びノズル部材６の供給口１２を介して液体ＬＱを供給する液体供給装置１１と、ノズル部材６の回収口２２、及び回収管２３を介して液体ＬＱを回収する液体回収装置２１とを備えている。ノズル部材６は、投影光学系ＰＬ１（ＰＬ２）の最終光学素子ＬＳ１を囲むように設けられた環状の部材である。本実施形態においては、液体ＬＱ１（ＬＱ２）を供給する供給口１２は、ノズル部材６のうち、光路を向く内側面に形成され、液体ＬＱ１（ＬＱ２）を回収する回収口２２は、ノズル部材６のうち、基板Ｐの表面が対向して配置される下面に形成されている。また、ノズル部材６の内部には、供給口１２と供給管１３とを接続する流路（供給流路）、及び回収口２２と回収管２３とを接続する流路（回収流路）が形成されている。なお、本実施形態においては、回収口２２または回収流路の途中には、例えばチタン製のメッシュ部材、あるいはセラミックス製の多孔部材が配置されている。液体供給装置１１及び液体回収装置２１の動作は制御装置７に制御される。液体供給装置１１は清浄で温度調整された液体ＬＱを送出可能であり、真空系等を含む液体回収装置２１は液体ＬＱを回収可能である。なお、ノズル部材７０等の液浸機構１の構造は、上述の構造に限られず、例えば、欧州特許公開第１４２０２９８号公報、国際公開第２００４／０５５８０３号公報、国際公開第２００４／０５７５９０号公報、国際公開第２００５／０２９５５９号公報に記載されているものを用いることができる。また、露光装置ＥＸ１（ＥＸ２）は液浸システム１の全てを備えていなくてもよく、その一部（例えば、液体供給装置１１及び液体回収装置２１）をデバイス製造工場（クリーンルーム）の設備で代用してもよい。
【０１１６】
ステーションＥＸ１（ＥＸ２）は、少なくともマスクＭのパターン像を基板Ｐに投影している間、液浸システム１を用いて、露光光ＥＬの光路を液体ＬＱ１（ＬＱ２）で満たすように、基板Ｐ上に液浸領域ＬＲ１（ＬＲ２）を形成する。ステーションＥＸ１（ＥＸ２）は、投影光学系ＰＬ１（ＰＬ２）と基板Ｐ上に形成された液浸領域ＬＲ１（ＬＲ２）の液体ＬＱ１（ＬＱ２）とを介してマスクＭを通過した露光光ＥＬを基板Ｐ上に照射することによって、マスクＭのパターン像を基板Ｐに投影する。
【０１１７】
図１２は、ステーションＥＸ１（又はＥＸ２）の別の例を示す図である。図１２に示すステーションＥＸ１（ＥＸ２）は、複数の光学素子ＬＳ１〜ＬＳ７を有する投影光学系ＰＬ１（ＰＬ２）を備えている。本実施形態においては、最終光学素子ＬＳ１は、露光光ＥＬが射出される凹面２を有している。液体ＬＱ１（ＬＱ２）は、投影光学系ＰＬ１（ＰＬ２）の複数の光学素子ＬＳ１〜ＬＳ７のうち、投影光学系ＰＬ１（ＰＬ２）の像面に最も近い最終光学素子ＬＳ１と、基板Ｐとの間に満たされる。
【０１１８】
なお、上述の各実施形態において、最終光学素子ＬＳ１と、投影光学系の複数の光学素子のうち最終光学素子ＬＳ１に次いで像面に近い第２光学素子ＬＳ２との間の光路を液体で満たすようにしてもよい。この場合、光学素子ＬＳ１と光学素子ＬＳ２との間の空間を満たす液体は、光学素子ＬＳ１と基板Ｐとの間を満たす液体と同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【０１１９】
また、上記各実施形態では第１及び第２トップコート膜Ｔｃ１、Ｔｃ２が感光材膜Ｒｇ及び／又は基材の保護機能のみならず他の機能、例えば反射防止機能などを備えていてもよい。
【０１２０】
なお、上記各実施形態ではコーティング装置Ｃが感光材膜Ｒｇ、第１及び第２トップコート膜Ｔｃ１、Ｔｃ２にそれぞれ対応するノズルを有し、同一チャンバ内でスピンコート方式またはスキャンコート方式などで、その３つのノズルを使い分けて所定の膜を基材上に形成してもよい。あるいは、例えば基材上に形成する膜の種類などに応じて、複数台のコーティング装置を設けてもよい。同様に、上述の各実施形態ではデバイス製造システムＳＹＳが、例えば基板上の処理対象の膜の種類（特性）などに応じて、複数台のデベロッパ装置Ｄ及び／又は除去装置Ｊを備えていてもよい。
【０１２１】
なお、上述の各実施形態のように、複数のステーション（露光装置）設けることなく、例えば１つの露光ステーションを有する露光装置で基板Ｐを多重露光する場合にも、本発明を適用することができる。この場合においても、異なる液体が用いられる多重露光の各露光（第１、第２露光）で、基板Ｐの表面状態を異ならせることで、基板Ｐを露光することができる。
また、上記各実施形態では現像処理を介することなく同一の感光材膜Ｒｇに複数のパターンを形成する多重露光を行うものとしたが、その複数のパターンをそれぞれ異なる感光材膜に形成する複数回露光でも本発明を適用することができる。この場合、複数回露光の間に現像処理などの基板処理を行わなくてもよいし、あるいは、少なくとも現像処理を行って基板上にレジストパターンを形成した後、その上に感光材膜を形成して次の露光を行ってもよい。
【０１２２】
さらに、上記各実施形態では、ステーションＥＸ１（ＥＸ２）から基板ステージＰＴ１（ＰＴ２）が退出するときに、その基板ステージ上に形成されている液浸領域を別の部材に移動しておき、次に基板ステージが配置されるときにその別の部材上の液浸領域を基板ステージに移動してもよい。この場合、露光装置のスループットを向上させることが可能となる。その別の部材は、例えば基板ステージとは独立に移動可能な可動体（後述の計測ステージなど）、あるいは基板ステージに着脱可能で、基板ステージの退出時にノズル部材などに保持される蓋部材（キャップ）などを含む。
【０１２３】
なお、上述の各実施形態においては、露光光ＥＬとしてＡｒＦエキシマレーザを用いているが、上述したように、Ｆ２レーザなどの各種露光光（露光ビーム）を採用することができ、液体は、露光光（露光ビーム）ＥＬ、投影光学系ＰＬの開口数、最終光学素子の露光光ＥＬに対する屈折率などに応じて最適なものを適宜使用することができる。例えば、露光光ＥＬがＦ２レーザ光である場合、このＦ２レーザ光は水を透過しないので、液体としてはＦ２レーザ光を透過可能な、例えば過フッ化ポリエーテル（ＰＦＰＥ）やフッ素系オイル等のフッ素系流体であってもよい。液体ＬＱとして、種々の流体、例えば、超臨界流体を用いることも可能である。
【０１２４】
なお、上記各実施形態の基板Ｐとしては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）、またはフィルム部材等が適用される。また、基板Ｐの形状は円形のみならず、矩形など他の形状でもよい。
【０１２５】
露光装置ＥＸとしては、マスクＭと基板Ｐとを同期移動してマスクＭのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクＭと基板Ｐとを静止した状態でマスクＭのパターンを一括露光し、基板Ｐを順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。この場合、投影光学系として、例えば、１／８縮小倍率で反射素子を含まない屈折型投影光学系を用いてもよい。
【０１２６】
さらに、ステップ・アンド・リピート方式の露光において、第１パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第１パターンの縮小像を基板Ｐ上に転写した後、第２パターンと基板Ｐとをほぼ静止した状態で、投影光学系を用いて第２パターンの縮小像を第１パターンと部分的に重ねて基板Ｐ上に一括露光してもよい（スティッチ方式の一括露光装置）。また、スティッチ方式の露光装置としては、基板Ｐ上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写し、基板Ｐを順次移動させるステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。なお、スティッチ方式でも複数のパターンをそれぞれ走査露光で基板に露光してもよい。
【０１２７】
また、本発明は、例えば特開平１０−１６３０９９号公報、特開平１０−２１４７８３号公報（対応米国特許６，３４１，００７、６，４００，４４１、６，５４９，２６９及び６，５９０,６３４）、特表２０００−５０５９５８号公報（対応米国特許５，９６９，４４１）などに開示されているような複数の基板ステージを備えたマルチステージ型（ツインステージ）の露光装置にも適用できる。上述の各実施形態では、第１及び第２ステーションＥＸ１、ＥＸ２がそれぞれ複数の基板ステージを備えていてもよい。また、上述の第３、第４実施形態では第１、第２基板ステージＰＴ１、ＰＴ２に加えて第３基板ステージを設け、第１、第２基板ステージＰＴ１、ＰＴ２がそれぞれ第１、第２ステーションＥＸ１、ＥＸ２に配置されて異なる基板に第１、第２露光が行われている間、第３基板ステージでは露光以外の動作、例えば基板のロード及び／又は位置検出（アライメントマーク、段差などの検出）、あるいは基板のアンロードなどを行ってもよい。この場合、第１、第２、第３基板ステージはそれぞれ基板のロード位置、第１露光位置、第２露光位置、及びアンロード位置に順番に移動される。
【０１２８】
さらに、本発明は、例えば特開平１１−１３５４００号公報（対応国際公開１９９９／２３６９２号パンフレット）、特開２０００−１６４５０４号公報（対応米国特許６,８９７,９６３号）などに開示されるように、計測部材（基準マーク、センサなど）を有する計測ステージを備える露光装置などにも本発明を適用することができる。
【０１２９】
上記各実施形態では投影光学系ＰＬを備えた露光装置を例に挙げて説明してきたが、投影光学系ＰＬを用いない露光装置及び露光方法に本発明を適用することができる。このように投影光学系ＰＬを用いない場合であっても、露光光はレンズなどの光学部材を介して基板に照射され、そのような光学部材と基板との間の所定空間に液浸領域が形成される。
【０１３０】
露光装置ＥＸの種類としては、基板Ｐに半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン、ＭＥＭＳ，ＤＮＡチップ、撮像素子（ＣＣＤ）あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【０１３１】
なお、上述の実施形態においては、光透過性の基板上に所定の遮光パターン（又は位相パターン・減光パターン）を形成した光透過型マスクを用いたが、このマスクに代えて、例えば米国特許第６，７７８，２５７号公報に開示されているように、露光すべきパターンの電子データに基づいて透過パターン又は反射パターン、あるいは発光パターンを形成する電子マスク（可変成形マスクとも呼ばれ、例えば非発光型画像表示素子（空間光変調器）の一種であるＤＭＤ（Digital Micro-mirror Device）などを含む）を用いてもよい。
【０１３２】
また、例えば国際公開第２００１／０３５１６８号パンフレットに開示されているように、干渉縞を基板Ｐ上に形成することによって、基板Ｐ上にライン・アンド・スペースパターンを露光する露光装置（リソグラフィシステム）にも本発明を適用することができる。さらに、例えば特表２００４−５１９８５０号公報（対応米国特許第６，６１１，３１６号）に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置にも本発明を適用することができる。
【０１３３】
また、上述の実施形態においては、基板Ｐ上の一部を局所的に液浸した状態で基板の露光を行う液浸露光装置を採用しているが、本発明は、例えば特開平６−１２４８７３号公報、特開平１０−３０３１１４号公報、米国特許第５，８２５，０４３号などに開示されているような、基板表面全体を液浸した状態で基板の露光を行う液浸露光装置にも適用可能である。この場合、第１露光及び第２露光の一方に基板上の一部を局所的に液浸状態にする方式を採用し、他方に基板表面全体を液浸状態にする方式を採用してもよい。
【０１３４】
なお、以上の説明において、基板Ｐの多重露光として、基板Ｐの二重露光を例に挙げて説明したが、本発明は二重露光に限られないことは言うまでもない。
【０１３５】
なお、本国際出願の指定国及び選択国）の国内法令が許す限りにおいて、上記引用した全ての公報（国際公開パンフレット、米国特許及び米国特許出願公開など）における開示を援用して本明細書の記載の一部とする。
【０１３６】
以上のように、本願実施形態の露光装置ＥＸは、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【０１３７】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１３に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ２０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ２０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ２０３、前述した実施形態の露光装置ＥＸによりマスクのパターンを基板に露光する基板処理ステップ２０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工工程を含む）２０５、検査ステップ２０６等を経て製造される。本発明に従う多重露光すること及び多重露光された基板を現像することは基板処理ステップ２０４に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１３８】
本発明によれば、液浸法を用いて第１及び第２露光（例えば、多重露光）を良好に行うことができ、解像度の高いパターンを基板上に形成することができる。特に、異なる液体を介して基板を多重露光する液浸露光プロセスを実現して、集積度のより高い半導体回路を有するデバイスを高い歩留まりで生産することができる。このため、本発明は、ＩＣなどの半導体装置、通信機器などハイテク機器の開発に著しく貢献する。
【図面の簡単な説明】
【０１３９】
【図１】第１実施形態に係る露光装置を備えたデバイス製造システムを示す概略構成図である。
【図２】第１実施形態に係る処理手順を示すフローチャート図である。
【図３】（Ａ）〜（Ｆ）は第１実施形態に係る処理手順を説明するための模式図である。
【図４】第２実施形態に係る処理手順を示すフローチャート図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｆ）は第２実施形態に係る処理手順を説明するための模式図である。
【図６】第３実施形態に係る露光装置を備えたデバイス製造システム示す概略構成図である。
【図７】第３実施形態に係る処理手順を示すフローチャート図である。
【図８】（Ａ）〜（Ｆ）は第３実施形態に係る処理手順を説明するための模式図である。
【図９】第４実施形態に係る処理手順を示すフローチャート図である。
【図１０】（Ａ）〜（Ｅ）は第４実施形態に係る処理手順を説明するための模式図である。
【図１１】露光装置の一例を示す概略構成図である。
【図１２】露光装置の一例を示す概略構成図である。
【図１３】マイクロデバイスの製造工程の一例を説明するためのフローチャート図である。
【符号の説明】
【０１４０】
１…液浸システム、７…制御装置、ＥＸ…露光装置、ＥＸ１…第１ステーション、ＥＸ２…第２ステーション、ＬＱ１…第１液体、ＬＱ２…第２液体、ＬＲ１、ＬＲ２…液浸領域、Ｐ…基板、Ｒｇ…感光材膜、ＳＹＳ…デバイス製造システム、Ｔｃ１…第１トップコート膜、Ｔｃ２…第２トップコート膜、Ｗ…基材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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