【事件の表示】
　平成　５年特許願第２１２８３５号「赤色発光ダイオード素子」拒絶査定に対する審判事件〔平成　７年　３月１０日出願公開、特開平　７−　６６４５０、請求項の数（１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
 １．本願発明
　本願は平成５年８月２７日に出願されたものであって、その請求項１に係る発明は、補正された明細書および図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のものである。
「【請求項１】
　III−Ｖ族化合物半導体による裏面コンタクト層および表面コンタクト層をアルミニウムを含みアルミニウム砒素混晶比が０．６以下のガリウムアルミニウム砒素エピタキシャル層で形成し、前記表裏両面のコンタクト層間にアルミニウム混晶比が０．６をこえるガリウムアルミニウム砒素エピタキシャル層をクラッド層とするヘテロ接合を形成し、かつ前記表面コンタクト層から裏面コンタクト層に達するメサエッチング面を設け、前記メサエッチング面および表面コンタクト層の露出面に保護膜を形成し、前記クラッド層が直接大気に接しなくしたことを特徴とする赤色発光ダイオード素子。」
　
２．刊行物記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、この出願前公知の刊行物１：特開昭６０−１５３１８６号公報には、
　Ｎ電極の下に、ｎ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓコンタクト層、ｎ−Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ窓層、Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ａｓ活性層、ｐ−Ａｌ０．４Ｇａ０．６Ａｓ閉じ込め層、ｐ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓコンタクト層を、順次、液相成長した発光ダイオードが、第２図とともに記載されている。
　
　同じく、刊行物２：特開昭５９−１１４８８５号公報には、
　ＧａＡｓ層の上に、Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓクラッド層、ＧａＡｓ活性層、Ｇａ０．７Ａｌ０．３Ａｓクラッド層、ＧａＡｓコンタクト層を、順次エピタキシャル成長した半導体発光ダイオードに関する発明が記載されている。
　
　同じく、刊行物３：特開平４−２１２４８０号公報及び刊行物４：特開平３−１２７８７３号公報には、Ａｌ混晶比が０．６を超えるクラッド層でヘテロ接続を形成したＧａＡｌＡｓ系化合物半導体発光素子に関する発明が記載されている。
　
　同じく、刊行物５：特開平１−２２６１８１号公報には、ＡｌＧａＡｓ系化合物半導体ＬＥＤに関し、
（１）従来技術として、「これらヘテロ接合構造ＬＥＤに特徴的なことは、光取り出し側にＡｌＡｓ混晶比Ｘの大きいＡｌＸＧａ１−ＸＡｓが用いられている点である。例えば、赤色発光高輝度ＬＥＤ用基板のエピタキシャル成長の例を示すと、ｐ型ＧａＡｓ基板［（１００）面］上にｐクラッド層として液相成長法等によりＺｎドープＡｌ０．７５Ｇａ０．２５Ａｓ層を２００μｍ（ｐ型）形成した後、ｐアクティブ層としてＺｎドープＡｌ０．３５Ｇａ０．６５Ａｓ層を２〜３μｍ（ｐ型）形成し、次いでｎクラッド層としてＴｅドープＡｌ０．７５Ｇａ０．２５Ａｓ層を５０μｍ程度形成している。そしてＧａＡｓ基板選択制エッチャントを用いて光吸収性ＧａＡｓ基板を除去して高輝度ＬＥＤチップを得ており、チップの表面の混晶比Ｘは０．７５と高い。」（１頁右下欄１０行〜２頁左上欄４行）と記載され、
（２）発明が解決すべき課題として、「このようなＡｌＡｓ混晶比Ｘの大きなＡｌＸＧａ１−ＸＡｓ層は極めて酸化されやすく、そのため、発光特性の劣化を招き、素子寿命を著しく短くしてしまう原因となっており、樹脂封止した素子においても同様であった。」（２頁左上欄６行〜１０行）と記載され、
（３）課題を解決するための手段として、「第１図は本発明によるヘテロ接合高輝度発光ＬＥＤの構造の一例を示す図で、１は裏電極、２はｐクラッド層、３はｐアクティブ層、４はｎクラッド層、５は保護膜、６は表電極である。図に示すように、発光ダイオードの光取り出し側を窒化珪素（ＳｉＮＸ）保護膜５で被覆する。裏電極側の矩形の一辺を、例えば３９０μｍとすると、光取り出し側の幅は２５０μｍ程度であり、これはメサエッチング深さによって変化する。」（２頁右上欄３〜１１行）と記載され、光取り出し側のｎクラッド層４からｐクラッド層２の上部がメサエッチング面とされ、該メサエッチング面（ｎクラッド層、ｐアクティブ層、ｐクラッド層の上部の側面）と、ｎクラッド層２の表電極６が形成された部分を除く露出面とに保護膜５を被覆したものが図示されている。
　
　同じく、刊行物６：特開平４−２７３１７４号公報には、
　ＡｌＧａＡｓ系半導体発光素子において、クラッド層のＡｌ混晶比よりも低いＡｌ混晶比の半導体膜（酸化防止用の保護膜）をメサ状の発光面に形成することが記載されている。
　
３．対比・判断
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）と上記刊行物１〜６記載の発明とを対比する。
　刊行物３，４に記載されたようなアルミニウム混晶比が０．６を超えるクラッド層でヘテロ接続を形成したＧａＡｌＡｓ系化合物半導体発光素子の、メサエッチング面等に保護膜を形成することは、刊行物５に記載されており、刊行物６には、アルミニウム混晶比の規定はないが、刊行物５と類似のものが記載されている。
　また、刊行物１，２には、コンタクト抵抗を低くするために、クラッド層と電極との間にコンタクト層を形成することが記載され、一般に周知の技術である。
　しかし、刊行物１記載のものの、コンタクト層のＡｌ混晶比は、クラッド層（閉じ込め層４，窓層１）のＡｌ混晶比（０．４又は０．５）に比べて小さいもの（０．３）ではあるが、該クラッド層のＡｌ混晶比は、本願発明のように０．６を超えるものではない。しかも、刊行物１記載の前記コンタクト層は、「エッチング除去不要としたが、発光波長λ０によっては、吸収層として働かないよう電極下以外の部分をエッチング除去しても何ら差支えることは無い。」（公報２頁左下欄１６〜１９行）と記載されていることからも明らかなように、エピタキシャルによるクラッド層の表面を完全に覆うことが必ずしも必要でなく、アルミニウム混晶比が０．６を超えるエピタキシャルクラッド層にＡｌ酸化層が形成されるのを防止しようとする考えはどこにも開示されていない。
　また、刊行物２をみても、アルミニウム混晶比が０．６を超えるエピタキシャルによるクラッド層にＡｌ酸化層が形成されるのを防止するために、III−Ｖ族化合物半導体による裏面コンタクト層および表面コンタクト層をアルミニウムを含みアルミニウム砒素混晶比が０．６以下のガリウムアルミニウム砒素エピタキシャル層で形成することが従来周知の事項であるとは認められない。
　したがって、刊行物５或いは６記載のものに、刊行物１のコンタクト層をそのまま適用することは困難であり、結局、アルミニウム混晶比が０．６を超えるクラッド層を前提として、アルミニウム砒素混晶比が０．６以下のコンタクト層を形成することを導き出すことは容易とはいえない。
　そして、本願発明は、「半導体基板の表面第一層と裏面第一層にＡｌＡｓ混晶比が０．６０以下のエピタキシャル層を形成することでＡｌ酸化層の形成を防止し、メサエッチング部にＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜等の保護膜を形成することで側面に露出するＡｌＡｓ混晶比の高いｎ型クラッド層、ｐ型クラッド層に形成されるＡｌ酸化層を防止することができる。」という本願明細書【００１９】に記載された格別の効果を奏するものである。
　
４．むすび
　以上のとおり、本願発明は、刊行物１〜６に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるとすることはできない。　
　又、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　
　よって、結論のとおり審決する。