【事件の表示】
　特願２０１０−２９０００２「発光素子、発光素子パッケージ」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　７月１４日出願公開、特開２０１１−１３９０６３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本願は、平成２２年１２月２７日（パリ条約による優先権主張２００９年１２月２９日、韓国）の出願であって、平成２５年１月２１日付けで拒絶理由通知がなされ、同年５月２８日付けで手続補正がなされ、同年７月８日付けで最後の拒絶理由通知がなされ、同年１０月１５日付けで手続補正がなされたが、同年１２月５日付けで前記平成２５年１０月１５日付け手続補正が却下されるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２６年４月１０日に拒絶査定不服審判請求がなされると同時に手続補正がなされたものである。
　
第２　平成２６年４月１０日付けの手続補正についての補正却下の決定
　
［補正却下の決定の結論］
　
　平成２６年４月１０日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
　
１　補正の内容
　平成２６年４月１０日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前（平成２５年５月２８日付け手続補正後のもの）の請求項１として、
　
「第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、及び前記第１導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層の間に介された活性層を含む発光構造物と、
　前記発光構造物の上にバッファ層と、
　前記バッファ層の上にフィルタ層と、
　前記フィルタ層と前記発光構造物との間に支持層と、を含み、
　前記フィルタ層は、
　第１屈折率を有する第１誘電体層と、
　前記第１屈折率と異なる第２屈折率を有し、前記第１誘電体層の上に形成された第２誘電体層と、を含み、
　前記支持層は、Ｃｕ、Ａｕのうち、いずれか１つ以上であり、
　前記バッファ層は、空気層からなり、その空気層の水平幅は前記活性層の水平幅の１／２以上である、
　ことを特徴とする、発光素子。」
　
とあったものを、
　
「第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、及び前記第１導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層の間に介された活性層を含む発光構造物と、
　前記発光構造物の上にバッファ層と、
　前記バッファ層の上にフィルタ層と、
　前記フィルタ層と前記発光構造物との間に支持層と、を含み、
　前記フィルタ層は、
　第１屈折率を有する第１誘電体層と、
　前記第１屈折率と異なる第２屈折率を有し、前記第１誘電体層の上に形成された第２誘電体層と、を含み、
　前記支持層は、Ｃｕ、Ａｕのうち、いずれか１つ以上であり、
　前記バッファ層は、空気層からなり、その空気層の水平幅は前記活性層の水平幅の１／２以上であ
り
　
前記支持層の上面は、前記フィルタ層の底面と同じ高さに配置される
　
と補正して新たに補正後の請求項１とすることを含むものである（当審注：下線は、請求人が補正箇所に付したものである。）。
　
　そして、本件補正は、「支持層」につき、その「上面は、前記フィルタ層の底面と同じ高さに配置される」ことを限定するものである。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
２　独立特許要件
　
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（１）　引用刊行物の記載事項
　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である国際公開第２００９／０１６５２９号（以下「引用刊行物」という。）には、図とともに以下の事項が記載されている（訳文をかっこ書きで付した。）。
　
　ア　「[0008] In accordance with embodiments of the invention, a semiconductor structure including a light emitting layer disposed between an n-type region and a p-type region and a photonic crystal formed within or on a surface of the semiconductor structure is combined with a ceramic layer which is disposed in a path of light emitted by the light emitting layer. The ceramic layer is composed of or includes a wavelength converting material such as a phosphor.」
　
（［０００８］本発明の実施例によると、
ｎ型領域とｐ型領域との間に配される光放射層と
光結晶とを含む半導体構造
　
　イ　「[0064] In some embodiments of the invention, a photonic crystal is formed in an n-type layer of a III -nitride device attached to a host substrate and from which the growth substrate has been  removed. Such devices may emit light between about 280 and about 650 nm and usually emit light between about 420 and about 550 nm. Fig. 9 is a cross sectional view of an embodiment of the invention. Fig. 10 is a plan view of the device of Fig. 9. As illustrated in Fig. 9, the photonic crystal 122 is formed in n-type region 108, rather than p-type region 116. N-contact 60 is formed on a region of n-type region 108 that is not textured with the photonic crystal, though in other embodiments n-contact 60 may be formed on the photonic crystal area of n-type region 108. Since the photonic crystal is formed in an n-type region, the n-type material is able to laterally inject current from contact 60 to photonic crystal 122. Light is extracted from the device through photonic crystal 122, thus the arrangement of n-contact 60 is selected to maximize the area of the photonic crystal. For example, as illustrated in Fig. 10, n-contact 60 may surround photonic crystal region 122-i. N-contact 10 is not limited to a ring contact but could also be a grid or other structure that facilitates proper current spreading. To avoid light being absorbed by the n-contact 60, implantation or a dielectric can be used on the epitaxial material under n-contact 60, preventing current flow and light generation in that area. A reflective p-contact 62 is formed on p-type region 116. The device of Fig. 9 has the p- and n-contacts formed on opposite sides of the device. P-contact 62 connects the epitaxial layers 70 to a host substrate 66 either directly or via optional bonding layers 64. An optional contact 68 may be formed on the surface of host substrate 66 opposite the device layers 70.
　
[0065] Figs. 11 and 12A-12D illustrate an alternative embodiment of the present invention. Figs. 12A, 12B, 12C, and 12D are cut away plan views along axes 90, 91, 92, and 93, respectively, illustrated in the cross sectional view of Fig. 11. In the device of Fig. 11, both p and n-contacts 62 and 60 are on the host substrate side of the device, eliminating absorption of light by a top side n-contact, as in the device of Figs. 9 and 10. One or more vias are etched down to n-type region 108 through p-type region 116 and active region 112 to make n-contact 60. Host substrate structure 49 is fabricated in a layered structure to electrically isolate the p- and n- contacts. An example of the layer structure is illustrated by Figs. 12A-12D, which show plan view slices of the host substrate along axes 90, 91, 92, and 93 of Fig. 13. N-metal 301 and p- metal 303 are routed such that at the bottom of the host substrate the positive and negative contacts are separate and can be easily soldered to another structure. N-metal 301 and p-metal 303 may be electrically isolated by dielectric 305. Depending on the area of the LED one or  more n-contact vias may be necessary to provide sufficient current spreading. Bonding the patterned LED to the patterned host can be accomplished using a flip-chip bonder.」
　
（［００６４］本発明の幾つかの実施例において、光結晶は、ホスト基板に付着される
ＩＩＩ価の窒化物デバイスのｎ型層
図９
ｐ型領域１１６
ｎ型領域１０８
［００６５］図１１及び図１２Ａ―１２Ｄは、本発明の別の実施例を例示する。図１２Ａ、１２Ｂ、１２Ｃ、及び１２Ｄは、それぞれ、図１１の断面図に図示される軸９０、９１、９２、及び９３に沿って切り離された平面図である。図１１のデバイスにおいて、ｐ及びｎコンタクト６２及び６０は、図９及び１０のデバイスのようなデバイスのホスト基板側にあり、一番上側のｎコンタクトによる光の吸収を排除する。一つ以上のバイア孔は、ｎコンタクト６０を作るために、ｐ型領域１１６及び
活性領域１１２
　
　ウ　「[0089] Figs. 24, 25, 26, 27, 28, and 29 illustrate devices including semiconductor structures with a photonic crystal, a luminescent ceramic, and a light valve 406. Light value 406 is often a dielectric stack, such as a distributed Bragg reflector (DBR) or a dichroic filter; a two- dimensional photonic crystal; or a three-dimensional photonic crystal. The light valve transmits photons emitted by the active region (photons 600A and 600 B in Fig. 24) and reflects photons that have been converted by the luminescent ceramic (photons 60 IA and 601B), directing the converted photons away from the semiconductor structure and forcing them out of the device (photons 602A, 601B, and 602B). The light valve thus prevents absorption of the converted photons by the semiconductor structure, potentially increasing the conversion efficiency of the system.
 
[0090] Photons emitted by the active region of the semiconductor structure striking the  interface of a light valve at angles near normal to the surface (0°) of the light valve are transmitted (photons 600A and 600B); photons striking the interface of the light valve at higher angles relative to the surface of the light valve are reflected (photons 605A and 605B). The reflection and transmission characteristics of the light valve thus depend on the incident angle of each photon striking the light valve. When disposed between the light emitting layers and the luminescent ceramic, a light valve may also reflect light converted by the luminescent ceramic and traveling toward the semiconductor structure.
　
[0091] As described above, a common light valve is a dielectric stack, which typically includes multiple layers of alternating materials with varying refractive index. One example of a suitable dielectric stack includes six pairs Of SiO2 and TiO2. In one preferred embodiment, a suitable dielectric stack transmits greater than 90% of blue light emitted by the semiconductor structure and reflects greater than 90% of yellow light emitted by the luminescent ceramic, for as wide an angular range as possible.」
　
（［００８９］ 図２４、２５、２６、２７、２８、及び２９は、光結晶、発光セラミック及び光バルブ４０６を持つ半導体構造を含むデバイスを例示する。光バルブ４０６は、しばしば、分散されたブラッグ反射体（ＤＢＲ）又はダイクロイックフィルタのような誘電スタック、２次元の光結晶、又は３次元の光結晶である。
光バルブは活性領域
により放射される光子を透過し、発光セラミックにより変換された光子
を反射
デバイスからこれら（光子６０２Ａ、６０１Ｂ及び６０２Ｂ）を出させる
［００９０］光バルブの面（０°）に対する法線の近くの角度で、光バルブのインタフェースにぶつかる
半導体構造の活性領域により放射される光子
［００９１］上述のように、一般の
光バルブは、典型的には、屈折率が変わる交互の物質の複数の層を含む誘電スタックである。適切な誘電スタックの１つの例は、ＳｉＯ
２
及びＴｉＯ
２
の６つの対を含む
　
　エ　「[0096] In each of the devices illustrated in Figs 24-29, the semiconductor structure may be connected to the host substrate with the first contact on a top surface of the semiconductor structure and the second contact disposed between the host substrate and the semiconductor  structure, as illustrated in Fig. 9, or with both contacts disposed between the semiconductor structure and the host substrate, as illustrated in Fig. 11.」
　
（［００９６］
図２４
半導体構造
図９に図示される
半導体構造の上面上の第１のコンタクト
ホスト基板と半導体構造との間に配される第２のコンタクト
　
　オ　「[0097] In the device illustrated in Fig. 24, a semiconductor structure 402 including a photonic crystal 404 formed in the surface is connected to a host 400. A light valve 406 is connected to a luminescent ceramic 408, for example by depositing dielectric stack layers on the luminescent ceramic. The combination of light valve 406 and luminescent ceramic 408 is disposed in the path of light emitted from the light emitting layers of semiconductor structure 402 such that light strikes light valve 406 prior to luminescent ceramic 408. Light valve 406 may be separated from the surface of the semiconductor structure 402 including photonic crystal 404 by, for example, an air gap 410. For example, a structure may be disposed between light valve 406 and semiconductor structure 402 to maintain gap 410. Alternatively, light valve 406 and luminescent ceramic 408 may be connected to a first package element, for example a cover or lens, and semiconductor structure 402 and host 400 may be connected to a second package element, for example a mount, such that when the two package elements are connected together, gap 410 is maintained between light valve 406 and semiconductor structure 402. Light scattered back toward semiconductor structure 402 by luminescent ceramic 408 may be reflected by light valve 406, as illustrated by the photons 601A and 601B shown in Fig. 24.」
　
（［００９７］
図２４
デバイス
半導体構造４０２
光バルブ４０６
発光セラミック４０８
半導体構造４０２の光放射層
光バルブ４０６は、例えば、エアギャップ４１０により、光結晶４０４を含む半導体構造４０２の面から離隔されてもよい。例えば、ギャップ４１０を維持するための構造が、光バルブ４０６と半導体構造４０２との間に配されてもよい。
　
　カ　図９及び図２４は、次のものである。
　
　
（２）　引用発明
　
　ア　上記（１）ウ及びオの記載によれば、引用刊行物には、
「活性領域（光放射層）を備え、光結晶４０４を含む半導体構造４０２と、
　発光セラミック４０８と、
　活性領域により放射される光子を透過し、発光セラミックにより変換された光子を反射する光バルブ４０６と、
　光バルブ４０６を光結晶４０４を含む半導体構造４０２の面から離隔するエアギャップ４１０と、
　光バルブ４０６と半導体構造４０２との間に配され、エアギャップ４１０を維持するための構造と、を含み、
　光子を出すデバイス」
が記載されている。
　
　イ　上記（１）ウ及びオの記載とともに図２４をみると、半導体構造４０２の上にエアギャップ４１０が配され、エアギャップ４１０の上に光バルブ４０６が配されていることがみてとれる。
　
　ウ　上記（１）ア、イ、エの記載、及び図９によれば、半導体構造は、ｐ型領域（１１６）、ｎ型領域（１０８）、及びｐ型領域（１１６）とｎ型領域（１０８）との間に配される活性領域（光放射層）（１１２）を備えると認められる。
　
　エ　上記（１）ウの記載によれば、光バルブは、屈折率が変わる交互の物質の複数の層を含む誘電スタックである。
　
　よって、上記ア〜エによれば、引用刊行物には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「ｐ型領域、ｎ型領域、及びｐ型領域とｎ型領域との間に配される活性領域を備え、光結晶４０４を含む半導体構造４０２と、
　発光セラミック４０８と、
　活性領域により放射される光子を透過し、発光セラミックにより変換された光子を反射する光バルブ４０６と、
　光バルブ４０６を光結晶４０４を含む半導体構造４０２の面から離隔するエアギャップ４１０と、
　光バルブ４０６と半導体構造４０２との間に配され、エアギャップ４１０を維持するための構造と、を含み、
　半導体構造４０２の上にエアギャップ４１０が配され、
　エアギャップ４１０の上に光バルブ４０６が配され、
　光バルブ４０６は、屈折率が変わる交互の物質の複数の層を含む誘電スタックである、
　光子を出すデバイス。」
　
（３）　対比
　
　本願補正発明と引用発明を対比する。
　
　ア　引用発明の「光子を出すデバイス」は、本願補正発明の「発光素子」に相当する。
　
　イ　引用発明の「ｐ型領域」、「ｎ型領域」、「（ｐ型領域とｎ型領域との間に配される）活性領域」は、それぞれ、本願補正発明の「第１導電型半導体層」、「第２導電型半導体層」、及び「（前記第１導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層の間に介された）活性層」に相当し、引用発明の「半導体構造４０２」は、本願補正発明の「発光構造物」に相当する。
　
　ウ　引用発明の「（半導体構造４０２の上の）エアギャップ４１０」は、本願補正発明の「（発光構造物の上の）バッファ層」に相当する。
　
　エ　引用発明の「（エアギャップ４１０の上の）光バルブ４０６」は、「活性領域により放射される光子を透過し、発光セラミックにより変換された光子を反射する」ものであり、「屈折率が変わる交互の物質の複数の層を含む誘電スタックである」から、本願補正発明の「前記フィルタ層は、第１屈折率を有する第１誘電体層と、前記第１屈折率と異なる第２屈折率を有し、前記第１誘電体層の上に形成された第２誘電体層と、を含」む「（バッファ層の上の）フィルタ層」に相当する。
　
　オ　本願補正発明の「前記フィルタ層と前記発光構造物との間に支持層」を含むことと、引用発明の「光バルブ４０６と半導体構造４０２との間に配され、エアギャップ４１０を維持するための構造」を含むことを対比する。
　上記イ、エのとおり、引用発明の「光バルブ４０６」及び「半導体構造４０２」は、それぞれ、本願補正発明の「フィルタ層」及び「発光構造物」に相当する。
　よって、引用発明の「光バルブ４０６と半導体構造４０２との間に配され」る「エアギャップ４１０を維持するための構造」は、本願補正発明の「前記フィルタ層と前記発光構造物との間」の「支持」手段に相当する。
　してみると、両者は、「前記フィルタ層と前記発光構造物との間に支持」手段を含む点で一致する。
　
　したがって、本願補正発明と引用発明とは、
「第１導電型半導体層、第２導電型半導体層、及び前記第１導電型半導体層及び前記第２導電型半導体層の間に介された活性層を含む発光構造物と、
　前記発光構造物の上にバッファ層と、
　前記バッファ層の上にフィルタ層と、
　前記フィルタ層と前記発光構造物との間に支持手段と、を含み、
　前記フィルタ層は、
　第１屈折率を有する第１誘電体層と、
　前記第１屈折率と異なる第２屈折率を有し、前記第１誘電体層の上に形成された第２誘電体層と、を含む、
　発光素子。」
　
である点で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点１：本願補正発明では、支持手段が、「Ｃｕ、Ａｕのうち、いずれか１つ以上であ」る「支持層」であり、その「上面は、前記フィルタ層の底面と同じ高さに配置される」ものであるのに対し、引用発明の「光バルブ４０６と半導体構造４０２との間に配され、エアギャップ４１０を維持するための構造」が、そのようなものか否か明らかではない点
　
　相違点２：本願補正発明では、「バッファ層は、空気層からなり、その空気層の水平幅は前記活性層の水平幅の１／２以上であ」るのに対し、引用発明が、そのようなものか否か明らかではない点
　
（４）　判断
　
　以下、上記相違点１〜２について検討する。
　
　ア　相違点１について
　
　引用発明の「エアギャップ４１０を維持するための構造」は、「光バルブ４０６と半導体構造４０２との間」の空隙に配されて、「エアギャップ４１０を維持する」ものであるから、当該「構造」を、上面が「光バルブ４０６」の底面と同じ高さに配置される（すなわち、上面が「光バルブ４０６」の底面に接する）層状のものとすることは、当業者が容易になし得たことである。
　また、当該構造を、如何なる材料で構成するかは、当業者が当該引用発明を実施する上で設計上適宜に定めるべき事項である。そして、本願明細書の記載をみても、本願補正発明において、支持層を、Ｃｕ、Ａｕのうち、いずれか１つ以上であるとした点に、格別の技術的意義があるものとは認められない。したがって、この点については、当業者が適宜に定めた程度のことである。
　
　イ　相違点２について
　
　引用発明における「エアギャップ４１０を維持するための構造」は、「光バルブ４０６を光結晶４０４を含む半導体構造４０２の面から離隔するエアギャップ４１０」を維持するためのものであるところ、「光バルブ４０６」と、「活性領域」を備える「半導体構造４０２」との間に、「エアギャップ４１０」となる領域（水平幅）が広く確保できるように、「エアギャップ４１０を維持するための構造」の大きさを、「活性領域」を備える「半導体構造４０２」の水平幅と比して、十分小さい（幅狭の）ものとし、もって、上記相違点２に係る本願補正発明の発明特定事項とすることは、当業者にとって格別困難なことではない。
　
　よって、本願補正発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（５）　むすび
　
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
　
１　本願発明
　
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２５年５月２８日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし１６に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記第２の１において補正前の請求項１として示したとおりのものである。
　
２　引用刊行物記載の発明
　
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された引用刊行物及び引用発明は、上記第２の２（１）及び（２）のとおりである。
　
３　判断
 
　本願発明は、上記第２の２（３）及び（４）で検討した本願補正発明において、「前記支持層の上面は、前記フィルタ層の底面と同じ高さに配置される」、との限定を省いたものである。そうすると、本願発明を減縮したものである本願補正発明が、上記第２の２（３）及び（４）で検討したとおり、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明することができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
 
　以上のとおり、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。