【事件の表示】
　特願２００８−５４１７７６「微小電気機械部品を作製する方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　５月３１日国際公開、ＷＯ２００７／０６０２９０、平成２１年　４月２３日国内公表、特表２００９−５１６５９８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、２００６年１１月２１日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理２００５年１１月２３日（ＦＩ）フィンランド国、２００６年５月９日（ＵＳ）アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年１１月９日付けで拒絶の理由が通知され、それに対して平成２４年５月１４日に意見書及び手続補正書が提出され、平成２４年１０月２６日付けで拒絶の理由が通知され、それに対して平成２５年５月７日に意見書及び手続補正書が提出され、平成２５年９月１８日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、平成２６年１月１６日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に手続補正書が提出された。平成２６年１月１６日に提出された手続補正書のうち、特許請求の範囲についてするものは、特許請求の範囲の請求項２〜８０を削除するものであり、特許法１７条の２第５項１号の請求項の削除を目的とするものに該当する。明細書についてするものは、補正後の唯一の請求項に係る発明のカテゴリーと明細書の発明の名称を整合させるためのものである。当該補正が願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものであることは明らかである。
２．本願発明
　本願の請求項１に係る発明は、平成２６年１月１６日付けの手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定されるとおりのものであると認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。 
　
「微小電気機械チップ部（４６）と電子回路部（６４，７４）から構成される微小電気機械部品を作製するための方法であって、
　微小電気機械チップ部（４６）は、カバー部（２４）、（２８）、（３３）、（４１）、（４７）、（４８）によって密封され、前記カバー部には電気接続部を設けるための導電構造体が貫通しており、
　前記カバー部によって密封された前記微小電気機械チップ部（４６）と前記電子回路部（６４，７４）は幅に差があり、
　前記カバー部によって密封された前記微小電気機械チップ部（４６）と前記電子回路部（６４，７４）のうち、幅の小さい方を第１部分、幅の大きい方を第２部分としたとき、　前記第１部分は、前記第１部分の表面上に形成された第１接合部材（６１−６３）、（７５−７９）によって、前記第２部分の表面に接合されるとともに、電気的に前記第２部分に接続され、
　前記第１部分に近接しているが前記第１部分とは重なっていない前記第２部分の表面上に、前記微小電気機械部品を外部接続するための第２接合部材（６９−７０）、（８４−８５）が形成され、
　前記第２部分の前記第２接合部材（６９−７０）、（８４−８５）にバンプが形成され、
　前記バンプの高さが、前記第１部分と前記第１接合部材（６１−６３）、（７５−７９）を合わせた高さ以上であることを特徴とする方法。」
　
３．引用文献の記載事項
　原査定の拒絶の理由で引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００５−１２９８８８号公報（以下、「引用文献１」という。）には、図面とともに次の事項が記載されている。
（ア）「【０００１】
　本発明は、センサ装置、センサシステム、センサ装置の製造方法及びセンサシステムの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　半導体プロセスを基盤としたマイクロマシン技術を用いたマイクロサイズのセンサ、アクチュエータ等、及びそれらの駆動回路（制御回路を含む）を集積化した微細システムは、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）と称される。図１２は、ＭＥＭＳとして形成された従来のセンサシステムの側面断面図である。このセンサシステム１５０は、セラミクス基板７０、センサ装置７４、集積回路７５、実装用外部電極７７、及び封止材７８を備えている。セラミクス基板７０は配線パターン７６を有している。」
　
（イ）「【０００５】
　本発明は上記の問題点に鑑みてなされたもので、センサ特性における温度ドリフトを低減したセンサ装置及びセンサシステム、並びにそれらの製造方法を提供することを目的とする。更に、小型化を図ることのできるセンサシステム及びその製造方法を提供することを目的とする。」
（ウ）「【００２５】（第１の実施形態）
　図１は、本発明の第１の実施形態によるセンサシステムの構成を示す断面図である。図１（ａ）は、同センサシステムの縦断面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ切断線に沿った断面図である。このセンサシステム１０１は、ＭＥＭＳとして形成されており、センサ装置１０、集積回路２０、ＭＩＤ（Molded Interconnect Device）基板３０、実装用外部電極３１、及び封止材３２を備えている。センサ装置１０は、例えば角速度センサであり、シリコンを基材とするセンサ本体部１、同じくシリコンを基材とする上部封止体２、及び同じくシリコンを基材とする下部封止体３を備えている。『シリコンを基材とする』とは、不純物がドープされたシリコンをも含める趣旨である。
【００２６】
　上部封止体２と下部封止体３とは、互いに接合されることにより、その内部に形成する空洞にセンサ本体部１を気密に収納している。上部封止体２と下部封止体３とは、周知のシリコン基板の貼り合わせ技術を用いて接合することができる。上部封止体２の外側表面には、センサ装置１０を実装するための実装用電極５が設けられている。実装用電極５は、例えばバンプ電極であり、上部封止体２を貫通する導電体である貫通電路４によって、センサ本体部１に電気的に接続されている。
【００２７】
　下部封止体３は、基板状部材３５とこれに接合した枠状部材３６とを含んでいる。基板状部材３５を一つのウェハから形成し、センサ本体部１と枠状部材３６とを別のウェハから形成し、上部封止体２を更に別のウェハから形成することができる。各ウェハに貫通電路４を形成するための処理等を行った後に、３枚のウェハを例えば貼り合わせにより接合し、その後に個々のチップに切り出すことにより、センサ装置１０を得ることができる。図１以下の各図では、枠状部材３６は下部封止体３に含めているが、上部封止体２に含めても良い。
【００２８】
　集積回路２０は、センサ装置１０を駆動（制御を含む）する駆動回路であり、ベアチップの形態で、実装用電極５を通じてセンサ装置１０と接続されて２層の積層体を形成している。集積回路２０は、集積回路基板であるチップ本体１１と、その一主面に形成された配線パターン１２とを有しており、実装用電極５は配線パターン１２に接続されている。センサ装置１０と集積回路２０との積層体は、ＭＩＤ基板３０に設けられた凹部に挿入された状態で、ＭＩＤ基板３０に支持されている。更に、積層体は樹脂等の封止材３２で封止されている。
【００２９】
　ＭＩＤ基板（立体回路形成用基板）３０は、樹脂等を成型することにより形成された絶縁体を材料とする基板本体部２１と、その表面に配設された配線パターン２２とを有している。配線パターン２２には、センサシステム１０１を外部の回路基板に実装するための実装用外部電極３１が接続されている。集積回路２０の配線パターン１２は、集積回路２０を実装するための実装用電極２３を通じて配線パターン２２に接続されている。それにより、積層体と実装用外部電極３１とが電気的に接続されている。実装用電極２３は、例えばバンプ電極である。このように、センサシステム１０１は、あたかも一つの集積回路と同様に取り扱うことが可能となっている。
【００３０】
　以上のようにセンサシステム１０１は、センサ本体部１が、自身と材料を同一にする上部封止体２及び下部封止体３によって収納され且つ固定されているので、それらの部材の間に熱膨張係数の差違がない。このため、センサ装置１０の構成部材の間での熱膨張係数の差違に起因するセンサ特性の温度ドリフトが解消される。センサ本体部１とＭＩＤ基板３０との間には集積回路２０及び上部封止体２が介在するので、ＭＩＤ基板３０とセンサ装置１０との間の熱膨張係数の相違に起因する温度ドリフトも低く抑えられる。それにより、高精度のセンサ特性が得られる。
【００３１】
　また、上部封止体２を貫通する貫通電路４によりセンサ本体部１と実装用電極５とが接続されることにより、センサ装置１０について、集積回路のフリップチップと同様の形態を実現するので、センサ装置１０が横に広がらず小型化される。上部封止体２がシリコンを基材とすることから、センサ本体部１と同様に微細加工が可能であり、そのことが貫通電路４の形成を容易にしている。更に、センサ装置１０と集積回路２０とが積層体を形成するので、センサシステム１０１を小型に形成することができる。また、集積回路２０は、フリップチップの形態でＭＩＤ基板３０に実装されており、このこともセンサシステム１０１の小型化に寄与している。」
（エ）また、【図１】から、集積回路２０の幅をセンサ本体部１の幅より大きくしたことが看手できるから、以下の事項が開示されていると認められる。
　「集積回路２０とセンサ本体部１は幅に差があり、集積回路２０の幅がセンサ本体部１の幅より大きい」
       
　上記記載事項（ア）〜（ウ）、上記認定事項（エ）及び図面の記載から、引用文献１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「センサ本体部１と集積回路２０から構成されるセンサシステム１０１の製造方法であって、
　センサ本体部１は、上部封止体２によって密封され、前記上部封止体２には電気接続部を設けるための貫通電路４が貫通しており、
　前記上部封止体２によって密封された前記センサ本体部１と前記集積回路２０は幅に差があり、
　集積回路２０の幅がセンサ本体部１の幅より大きく、
　前記センサ本体部１は、前記センサ本体部１の表面上に形成された実装用電極５によって、前記集積回路２０の表面に接合されるとともに、電気的に前記集積回路２０に接続され、
　前記センサ本体部１に近接しているが前記センサ本体部１とは重なっていない前記集積回路２０の表面上に、前記センサシステム１０１を外部接続するための実装用電極２３が形成され、
　前記集積回路２０の前記実装用電極２３にバンプが形成された方法。」
４．対比・判断
　そこで、本願発明と引用発明とを対比すると、その機能・構造からみて、引用発明の「センサ本体部１」は、本願発明の「微小電気機械チップ部（４６）」に相当する。以下同様に、「集積回路２０」は「電子回路部（６４，７４）」に、「センサシステム１０１」は「微小電気機械部品」に、「製造方法」は「作製するための方法」に、「上部封止体２」は「カバー部（２４）、（２８）、（３３）、（４１）、（４７）、（４８）」に、「導通電路４」は「導電構造体」に、「実装用電極５」は「第１接合部材（６１−６３）、（７５−７９）」に、「実装用電極２３」は「第２接合部材（６９−７０）、（８４−８５）」に、それぞれ相当する。
　また、引用発明の集積回路２０の幅がセンサ本体部１の幅より大きいことから、引用発明の「センサ本体部１」、「集積回路２０」は、本願発明の「第１部分」、「第２部分」にそれぞれ相当する
　したがって、両者は次の点で一致する。
（一致点）
「微小電気機械チップ部と電子回路部から構成される微小電気機械部品を作製するための方法であって、
　微小電気機械チップ部は、カバー部によって密封され、前記カバー部には電気接続部を設けるための導電構造体が貫通しており、
　前記カバー部によって密封された前記微小電気機械チップ部と前記電子回路部は幅に差があり、
　前記カバー部によって密封された前記微小電気機械チップ部と前記電子回路部のうち、幅の小さい方を第１部分、幅の大きい方を第２部分としたとき、
　前記第１部分は、前記第１部分の表面上に形成された第１接合部材によって、前記第２部分の表面に接合されるとともに、電気的に前記第２部分に接続され、
　前記第１部分に近接しているが前記第１部分とは重なっていない前記第２部分の表面上に、前記微小電気機械部品を外部接続するための第２接合部材が形成され、
　前記第２部分の前記第２接合部材にバンプが形成された方法。」
　
そして、両者は次の点で相違する。
（相違点）
　本願発明は、「前記バンプの高さが、前記第１部分と前記第１接合部材を合わせた高さ以上である」のに対して、引用発明は、そのような構成を備えるのか否か不明な点。
　
　以下、上記相違点について検討する。
　半導体を利用した装置を製造する場合において、高密度化、小型化、製造工程の簡略化を達成するために、幅の大きい基板にバンプを設ける際にその高さを、幅の小さい基板の厚みと幅の小さい基板に設けられた接合部材の厚みを合わせた高さ以上とすることは、従来周知の技術事項である（例えば、特開２００２−１７０９１８号公報（【００１２】、【００２３】〜【００３３】、図１）、特開２００１−３５７３７４号公報（【００２８】〜【００３６】、図１）等参照）。そして、引用発明は、上記３．（イ）に「・・・小型化を図ることのできるセンサシステム及びその製造方法を提供することを目的とする。」と記載の通り、小型化を課題とするものであるので、引用発明において、小型化、高密度化を図るため上記従来周知の技術事項を適用して上記相違点に係る本願発明の発明特定事項のようにすることは当業者が容易に想到し得たことである。
　
　そして、本願発明による効果も、引用発明及び従来周知の技術事項から当業者が予測し得る範囲のものであって、格別のものとはいえない。  
　したがって、本願発明は、引用発明及び従来周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び従来周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないから、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。