(57)【要約】【課題】光ディスク原盤の母型に剥離層またはその一部が転写されることを抑制してスタンパから母型を安定して剥離でき、また、光ディスク原盤の子型に剥離層またはその一部が転写されることを抑制して母型から子型を安定して剥離できる、光ディスク原盤の製造方法を提供する。【解決手段】凹状または凸状の案内溝やピット２が形成されたガラス基板１の表面上に、厚さが２〜３ｎｍの範囲内であり水の接触角θａが８０°〜９０°の範囲内である自己組織化単分子膜１２を剥離層として形成し、この自己組織化単分子膜上に金属からなる母型２０を形成する。また、この母型の表面上に、厚さが２〜３ｎｍの範囲内であり水の接触角θｂが９０°〜１００°の範囲内である自己組織化単分子膜２８を剥離層として形成し、この自己組織化単分子膜上に金属からなる子型３０を形成する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光ディスクを成形するための光ディスク原盤の製造方法において、
凹状または凸状の案内溝やピットが形成されたガラス基板の表面上に、厚さが２〜３ｎｍの範囲内であり水の接触角が８０°〜９０°の範囲内である自己組織化単分子膜を剥離層として形成する剥離層形成工程と、
前記自己組織化単分子膜上に、金属からなる光ディスク原盤である母型を形成する母型形成工程と、
前記母型と前記自己組織化単分子膜との界面で剥離して、前記母型を前記ガラス基板から剥離する剥離工程と、
を有することを特徴とする光ディスク原盤の製造方法。
【請求項２】
光ディスクを成形するための光ディスク原盤の製造方法において、
凸状または凹状の案内溝やピットが形成され金属からなる光ディスク原盤である母型の表面上に、厚さが２〜３ｎｍの範囲内であり水の接触角が９０°〜１００°の範囲内である自己組織化単分子膜を剥離層として形成する剥離層形成工程と、
前記自己組織化単分子膜上に、金属からなる光ディスク原盤である子型を形成する子型形成工程と、
前記子型と前記自己組織化単分子膜との界面で剥離して、前記子型を前記母型から剥離する剥離工程と、
を有することを特徴とする光ディスク原盤の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光記録媒体の一形態である光ディスクの成形に利用される光ディスク原盤の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＤＶＤ（Digital Versatile Disk）やＢＤ（Blu-ray Disk）等の光ディスクは、透明なディスク基板の表面に凹状または凸状の案内溝やピットが形成され、また、この表面に記録層や保護層等が積層されている。
この案内溝やピットは、ガラスや金属からなる光ディスク原盤からの転写によって形成される。
【０００３】
ここで、一般的な光ディスク原盤の製造方法について、図１１〜図１４を用いて説明する。
図１１〜図１４は、一般的な光ディスク原盤の製造方法をＢ１工程〜Ｂ４工程としてそれぞれ説明するための模式的断面図である。
【０００４】
（Ｂ１工程）［図１１参照］
表面に光学研磨を施されたガラス基板１０１を洗浄してガラス基板１０１の表面に付着した異物等を除去して表面を清浄化した後、このガラス基板１０１を乾燥させる。
次に、ガラス基板１０１の表面に、フォトリソ法により、凹状の案内溝やピット１０３を形成する。この案内溝やピット１０３が形成されたガラス基板１０１をスタンパ１０５と称す。
【０００５】
（Ｂ２工程）［図１２参照］
スタンパ１０５の表面に、無電解めっき法や真空成膜法により、ニッケル等の金属薄膜１０７を形成する。
次に、この金属薄膜１０７上に、電鋳により、ニッケル等の金属層１０９を形成する。
そして、この金属層１０９及び金属薄膜１０７を、スタンパ１０５から剥離することによって、光ディスク原盤の母型１１０とする。
この母型１１０の表面Ａ１１０（図１２における下側の面）には、スタンパ１０５の表面に形成された凹状の案内溝やピット１０３に対応して、この案内溝やピット１０３の形状が転写されてなる凸状部１１２が形成されている。
【０００６】
（Ｂ３工程）［図１３参照］
母型１１０の凸状部１１２が形成された表面Ａ１１０に、クロム酸や陽極酸化による酸化処理を施すことにより、この表面及び表面近傍部を酸化させて酸化膜を形成する。この酸化膜は、後述する子型１２０を母型１１０から剥離する際に剥離を容易にするための剥離層１１４として機能する。
次に、この剥離層１１４上（図１３における下側）に、電鋳により、ニッケル等の金属層１１６を形成する。
【０００７】
（Ｂ４工程）［図１４参照］
この金属層１１６を、母型１１０から剥離する。
剥離された金属層１１６は、光ディスクを成形するための光ディスク原盤の子型１２０となる。
この子型１２０の表面Ａ１２０には、母型１１０の凸状部１１２に対応して、この凸状部１１２の形状が転写されてなる凹状部１２２が形成されている。
【０００８】
上述したＢ１工程〜Ｂ４工程により、光ディスクを成形するための光ディスク原盤である母型１１０及び子型１２０を得る。
【０００９】
しかしながら、上述した光ディスク原盤の製造方法では、剥離層を形成せずに、スタンパの表面に母型を直接形成するので、スタンパからこの母型を剥離する際に、スタンパと母型との密着力が強すぎて、スタンパから母型を剥離できなくなったり、母型の一部がスタンパに残ってしまったり、スタンパを破壊するといった問題が発生する場合がある。
また、上述した光ディスク原盤の製造方法では、クロム酸や陽極酸化により剥離層を形成するので、この処理むらによって剥離層内に剥離性のよい領域と悪い領域とが混在して発生することにより、母型から子型を剥離する際に、安定して剥離できなかったり、安定して剥離するためには剥離層上に形成される金属層の材料を限定しなければならず、その改善が望まれる。例えば、金属層の材料として、ニッケルの代わりに銀を用いると、母型と剥離層との密着力が不足して、母型から子型を剥離する際に、子型に剥離層またはその一部が転写されてしまう場合がある。
【００１０】
そこで、上述した問題を解決する手段として、クロム酸の代わりに過酸化水素水とアンモニア水とで処理する方法が特許文献１に、また、剥離層としてＰＴＦＥ粒子分散無電解ニッケルめっき層を形成する方法が特許文献２に、また、剥離層として成膜エネルギーの異なる２層のニッケルスパッタ膜を形成する方法が特許文献３に、また、剥離層として反応性真空成膜法により金属窒化物層を形成する方法が特許文献４に、また、ポリエチレングリコールエーテル系の界面活性剤を含み表面張力が２３〜５０dyne/cmの電鋳液を用いる方法が特許文献５にそれぞれ記載されている。
【特許文献１】特公平７−３３５９９号公報
【特許文献２】特開平６−２４０４８６号公報
【特許文献３】特許第３３４２２３０号公報
【特許文献４】特開平１１−１７０２６５号公報
【特許文献５】特許第３４８１８６３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、特許文献１に記載の方法では、過酸化水素水やアンモニア水は環境負荷の大きい物質であり、また、面内で剥離性にばらつきが生じる場合があるため、母型から子型を剥離する際に剥離層またはその一部が子型に転写されてしまうことが懸念される。
【００１２】
また、特許文献２に記載の方法では、スタンパと母型との剥離性を向上する目的でスタンパと母型との間に剥離層としてＰＴＦＥ粒子分散無電解ニッケルめっき層を形成した場合、このＰＴＦＥ粒子分散無電解ニッケルめっき層と母型との密着力が強すぎて、スタンパから母型を剥離する際に、剥離層またはその一部が母型に転写されてしまうことが懸念される。
同様に、母型と子型との剥離性を向上する目的で母型と子型との間に剥離層としてこのＰＴＦＥ粒子分散無電解ニッケルめっき層を形成した場合、母型から子型を剥離する際に、剥離層またはその一部が子型に転写されてしまうことが懸念される。
【００１３】
また、特許文献３に記載の方法では、スタンパと母型と剥離性を向上する目的でスタンパと母型との間に剥離層として成膜エネルギーの異なる２層のニッケルスパッタ膜を形成した場合、この２層のニッケルスパッタ膜と母型との密着力が強すぎて、スタンパから母型を剥離する際に、剥離層またはその一部が母型に転写されてしまうことが懸念される。
同様に、母型と子型との剥離性を向上する目的で母型と子型との間に剥離層としてこの成膜エネルギーの異なる２層のニッケルスパッタ膜を形成した場合、母型から子型を剥離する際に、剥離層またはその一部が子型に転写されてしまうことが懸念される。
【００１４】
また、特許文献４に記載の方法では、金属窒化物層が電鋳の際の導通抵抗となるので、金属窒化物層上に安定して金属層を形成できないことが懸念される。
【００１５】
また、特許文献５に記載の方法では、スタンパと母型と剥離性を向上する目的で、スタンパの表面に上述した電鋳液を用いて母型を形成した場合、スタンパと母型との密着力が強すぎて、スタンパから母型を剥離する際に、スタンパを破壊してしまうことが懸念される。
【００１６】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、母型に剥離層またはその一部が転写されることを抑制してスタンパから母型を安定して剥離でき、また、子型に剥離層またはその一部が転写されることを抑制して母型から子型を安定して剥離できる、光ディスク原盤の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記の課題を解決するために、本願各発明は次の手段を有する。
１）光ディスクを成形するための光ディスク原盤の製造方法において、凹状または凸状の案内溝やピット（２）が形成されたガラス基板（１）の表面上に、厚さが２〜３ｎｍの範囲内であり水の接触角（θａ）が８０°〜９０°の範囲内である自己組織化単分子膜（１２）を剥離層として形成する剥離層形成工程と、前記自己組織化単分子膜上に、金属からなる光ディスク原盤である母型（２０）を形成する母型形成工程と、前記母型と前記自己組織化単分子膜との界面で剥離して、前記母型を前記ガラス基板から剥離する剥離工程と、を有することを特徴とする光ディスク原盤の製造方法である。
２）光ディスクを成形するための光ディスク原盤の製造方法において、凸状または凹状の案内溝やピット（２５）が形成され金属からなる光ディスク原盤である母型（２０）の表面（Ａ２０）上に、厚さが２〜３ｎｍの範囲内であり水の接触角（θｂ）が９０°〜１００°の範囲内である自己組織化単分子膜（２８）を剥離層として形成する剥離層形成工程と、前記自己組織化単分子膜上に、金属からなる光ディスク原盤である子型（３０）を形成する子型形成工程と、前記子型と前記自己組織化単分子膜との界面で剥離して、前記子型を前記母型から剥離する剥離工程と、を有することを特徴とする光ディスク原盤の製造方法である。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、光ディスクを成形するための光ディスク原盤の製造方法において、案内溝やピットが形成されたガラス基板の表面上に、厚さが２〜３ｎｍの範囲内であり水の接触角が８０°〜９０°の範囲内である自己組織化単分子膜を剥離層として形成し、この自己組織化単分子膜上に金属からなる光ディスク原盤である母型を形成することにより、母型に剥離層またはその一部が転写されることを抑制して、スタンパから母型を安定して剥離できるという効果を奏する。
【００１９】
また、本発明によれば、光ディスクを成形するための光ディスク原盤の製造方法において、案内溝やピットが形成され金属からなる母型の表面上に、厚さが２〜３ｎｍの範囲内であり水の接触角が９０°〜１００°の範囲内である自己組織化単分子膜を剥離層として形成し、この自己組織化単分子膜上に金属からなる光ディスク原盤である子型を形成することにより、子型に剥離層またはその一部が転写されることを抑制して、母型から子型を安定して剥離できるという効果を奏する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
本発明の実施の形態を、好ましい実施例により図１〜図１０を用いて説明する。
図１及び図２は、本発明の光ディスク原盤の製造方法の実施例におけるＡ１工程及びＡ２工程をそれぞれ説明するための模式的断面図である。
図３は、水の接触角の測定方法を説明するための模式的断面図である。
図４及び図５は、本発明の光ディスク原盤の製造方法の実施例におけるＡ３工程を説明するための模式的断面図である。
図６〜図８は、本発明の光ディスク原盤の製造方法の実施例におけるＡ４工程〜Ａ６工程をそれぞれ説明するための模式的断面図である。
【００２１】
＜実施例＞
（Ａ１工程）［図１参照］
表面に光学研磨を施されたガラス基板１を、洗浄してその表面に付着した異物等を除去し清浄化した後、乾燥させる。実施例では、ガラス基板１として、石英ガラス板を用いた。
次に、このガラス基板１の表面に、フォトリソ法により、凹状または凸状の案内溝やピット２を形成する。実施例では凹状の案内溝やピット２を形成する方法について説明する。
【００２２】
まず、図１（ａ）に示すように、上述したガラス基板１の表面に、感光性を有するレジストインクを、塗布した後、乾燥させて、レジスト膜３とする。
次に、図１（ｂ）に示すように、レーザ光Ｌ１をレンズ５で集光させてレジスト膜３の所定位置及び所定範囲に照射し、レーザ光Ｌ１が照射された部分のレジスト膜３を感光させる。
その後、図１（ｃ）に示すように、レジスト膜３の感光された部分を現像して除去することにより、レジスト膜３にガラス基板１の表面が露出した開口部７を形成する。
【００２３】
さらに、図１（ｄ）に示すように、露出したガラス基板１の表面及び表面近傍部をエッチングして、ガラス基板１の表面に、凹状の溝やピット２を形成する。
実施例では、トリフルオロメタン（ＣＨＦ３）やテトラフルオロメタン（ＣＦ４）と水素（Ｈ２）との混合ガス等のフッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、ガラス基板１の表面及び表面近傍部を異方性エッチングして、凹状の案内溝やピット２を形成した。
そして、図１（ｅ）に示すように、レジスト膜３をアッシング等によって除去することにより、表面に凹状の案内溝やピット２が形成されたスタンパ１０を得る。
【００２４】
（Ａ２工程）［図２及び図３参照］
図２に示すように、スタンパ１０の凹状の案内溝やピット２が形成された表面に、厚さが２〜３ｎｍの範囲内であり、水の接触角θａが８０°〜９０°の範囲内である第１の自己組織化単分子膜（self-assembled monolayer）１２を剥離層として形成する。
【００２５】
第１の自己組織化単分子膜１２の材料として、テトラメチルシラン｛（ＣＨ３）４Ｓｉ｝等のシラン系化合物、hexametldisilane、及びhexamethyldisiloxane等を用いることができる。実施例では、テトラメチルシランを用いた。
また、第１の自己組織化単分子膜１２は、スピンコート法や真空成膜法により形成することができ、これらの成膜法における成膜条件を最適化することにより、第１の自己組織化単分子膜１２の厚さを所定の厚さにすることができる。
実施例では、スピンコート法により第１の自己組織化単分子膜１２を形成した。
【００２６】
ここで、第１の自己組織化単分子膜１２における水の接触角θａの測定方法について、図３を用いて説明する。
実施例では、図３に示す“θ／２法”によって、第１の自己組織化単分子膜１２における水の接触角θａを算出した。
“θ／２法”は、水滴１５の量が４μｌ（マイクロリットル）以下のとき、水滴１５の形状は球の一部と見なせるので、水滴１５の形状と接触角θａとの関係を、θａ＝２ｔａｎ−１（ｈ／ｒ）として表すものである。なお、この式において、ｈは試験片の表面（ここではスタンパ１０上に形成された第１の自己組織化単分子膜１２の表面）から滴下された水滴１５の頂点までの高さであり、ｒは水滴１５と試験片とが接する面の半径である。
【００２７】
第１の自己組織化単分子膜１２において、その厚さを２〜３ｎｍの範囲内とし、水の接触角θａを８０°〜９０°の範囲内とした理由については、後述することとする。
【００２８】
（Ａ３工程）［図４及び図５参照］
図４に示すように、まず、第１の自己組織化単分子膜１２上に、無電解めっき法や真空成膜法により、ニッケル等の金属からなる金属薄膜２１を形成する。
次に、この金属薄膜２１上に、例えばスルファミン酸ニッケル浴を用いた電鋳により、ニッケル等の金属からなる金属層２３を形成する。
そして、図５に示すように、金属層２３及び金属薄膜２１を、金属薄膜２１と第１の自己組織化単分子膜１２との界面で、スタンパ１０から剥離することによって、光ディスク原盤の母型２０を得る。
この母型２０の表面Ａ２０（図５における母型２０の下側の面）には、スタンパ１０の表面に形成された凹状の案内溝やピット２に対応して、この凹状の案内溝やピット２の形状が転写されてなる凸状部２５が形成されている。
【００２９】
また、母型２０をスタンパ１０から剥離する際、第１の自己組織化単分子膜１２と母型２０の金属薄膜２１との界面で剥離するが、これは、テトラメチルシランからなる第１の自己組織化単分子膜１２とガラスからなるスタンパ１０とにおけるテトラメチルシランのＳｉ基とガラスのＳｉ基との結合力が、テトラメチルシランからなる第１の自己組織化単分子膜１２とニッケルからなる母型２０とにおけるテトラメチルシランのＳｉ基とニッケルとの結合力よりも大きいことに因る。
【００３０】
（Ａ４工程）［図６参照］
母型２０の凸状部２５が形成された表面Ａ２０（図６における母型２０の下側の面）に、厚さが２〜３ｎｍの範囲内であり、水の接触角θｂが９０°〜１００°の範囲内である第２の自己組織化単分子膜（self-assembled monolayer）２８を剥離層として形成する。
この第２の自己組織化単分子膜２８は、上述したＡ２工程における第１の自己組織化単分子膜１２と同様の方法により形成することができる。また、第２の自己組織化単分子膜２８の水の接触角θｂは、上述した“θ／２法”によって算出した。
第２の自己組織化単分子膜２８において、その厚さを２〜３ｎｍの範囲内とし、水の接触角θｂを９０°〜１００°の範囲内とした理由については、後述することとする。
【００３１】
（Ａ５工程）［図７参照］
母型２０の第２の自己組織化単分子膜２８上（図７における第２の自己組織化単分子膜２８の下側）に、例えばスルファミン酸ニッケル浴を用いた電鋳により、ニッケル等の金属からなる金属層３０を形成する。
【００３２】
（Ａ６工程）［図８参照］
金属層３０を母型２０から剥離することによって、光ディスク原盤の子型３２を得る。
この子型３２の表面Ａ３２（図８における子型３２の上側の面）には、母型２０の表面Ａ２０（図８における母型２０の下側の面）に形成された凸状部２５に対応して、この凸状部２５の形状が転写されてなる凹状部３５が形成されている。
【００３３】
また、子型３２を母型２０から剥離する際、第２の自己組織化単分子膜２８と子型３２との界面で剥離するが、これは、第２の自己組織化単分子膜２８と母型２０との密着力が、第２の自己組織化単分子膜２８と子型３２との密着力よりも大きいことに因る。
【００３４】
以上、詳述した手順であるＡ１工程〜Ａ６工程により、母型に剥離層またはその一部が転写されることを抑制してスタンパから母型を安定して剥離でき、また、子型に剥離層またはその一部が転写されることを抑制して母型から子型を安定して剥離できる。
そして、この光ディスク原盤の母型及び子型を用いて、ＤＶＤ（Digital Versatile Disk）やＢＤ（Blu-ray Disk）等の光ディスクを成形することができる。
【００３５】
ここで、Ａ２工程で、第１の自己組織化単分子膜１２の厚さを２〜３ｎｍの範囲内とし水の接触角θａを８０°〜９０°の範囲内とした理由について説明する。また、Ａ４工程で、第２の自己組織化単分子膜２８の厚さを２〜３ｎｍの範囲内とし水の接触角θｂを９０°〜１００°の範囲内とした理由について説明する。
【００３６】
まず、第１の自己組織化単分子膜１２及び第２の自己組織化単分子膜２８における水の接触角θａ及びθｂについて説明する。
発明者は、まず、スタンパと母型との剥離性、及び、母型と子型との剥離性を向上するための剥離層として、自己組織化単分子膜に着目した。
また、この自己組織化単分子膜の剥離性を定量的に表す手段として、水の接触角に着目した。
そして、発明者が鋭意実験した結果、例えばスピンコート法により自己組織化単分子膜を形成する場合、その乾燥温度によって、自己組織化単分子膜における水の接触角を所定の値にできることを見出した。
【００３７】
自己組織化単分子膜を形成する際の乾燥温度と、その乾燥温度で形成された自己組織化単分子膜における水の接触角との関係を、図９に示す。図９は、自己組織化単分子膜を形成する際の乾燥温度とその乾燥温度で形成された自己組織化単分子膜における水の接触角との関係を示す図である。このときの各自己組織化単分子膜の厚さはそれぞれ３ｎｍである。
図９から、自己組織化単分子膜における水の接触角は、乾燥温度を高くするに従って大きくなり、乾燥温度が約９０℃のときに約１２０°と最も大きくなることを確認した。
【００３８】
次に、発明者は、水の接触角の異なる自己組織化単分子膜を上述のガラスからなるスタンパの表面に形成し、この自己組織化単分子膜の表面に上述のニッケルからなる母型を形成した後、スタンパから母型を剥離して、母型の表面におけるシリコン（Ｓｉ）元素量をＸ線光電子分析装置（ＥＳＣＡ）で調べた。
シラン化合物からなる自己組織化単分子膜またはその一部が剥離せずに母型の表面に付着していた場合、自己組織化単分子膜の構成元素であるシリコン（Ｓｉ）が母型の表面に検出される。そこで、母型の表面にシリコン元素が検出されなかった場合を良好な剥離性が得られたものとした。
同様に、水の接触角の異なる自己組織化単分子膜を母型の表面に形成し、この自己組織化単分子膜の表面に上述のニッケルからなる子型を形成した後、母型から子型を剥離して、子型の表面におけるシリコン（Ｓｉ）元素量を上述のＸ線光電子分析装置で調べた。
シラン化合物からなる自己組織化単分子膜またはその一部が剥離せずに子型の表面に付着していた場合、自己組織化単分子膜の構成元素であるシリコンが子型の表面に検出される。そこで、子型の表面にシリコン元素が検出されなかった場合を良好な剥離性が得られたものとした。
【００３９】
Ｘ線光電子分析の結果を図１０に示す。図１０は、剥離後の母型及び子型のそれぞれの表面におけるシリコン元素量を測定した結果を示す図である。
図１０から、スタンパから母型を良好に剥離するためには、スタンパの表面に形成される自己組織化単分子膜の水の接触角を８０°以上とすればよく、また、母型から子型を良好に剥離するためには、母型の表面に形成される自己組織化単分子膜の水の接触角を９０°以上とすればよい。
【００４０】
また、発明者が鋭意実験した結果、スタンパの表面に形成される自己組織化単分子膜の水の接触角が９０°よりも大きい場合、自己組織化単分子膜とこの自己組織化単分子膜上に形成された母型とが工程途中で剥離してしまう場合があった。
また、母型の表面に形成される自己組織化単分子膜の水の接触角が１００°よりも大きい場合、自己組織化単分子膜とこの自己組織化単分子膜上に形成された子型とが工程途中で剥離してしまう場合があった。
【００４１】
そこで、上述した結果に基づいて、実施例では、第１の自己組織化単分子膜１２の水の接触角θａを８０°〜９０°の範囲内とし、第２の自己組織化単分子膜２８の水の接触角θｂを９０°〜１００°の範囲内とした。
【００４２】
次に、第１の自己組織化単分子膜１２及び第２の自己組織化単分子膜２８の厚さをそれぞれ２〜３ｎｍの範囲内とした理由について説明する。
【００４３】
水の接触角θａを８０°〜９０°の範囲内とした第１の自己組織化単分子膜１２をスタンパの表面に異なる厚さで形成し、これらの第１の自己組織化単分子膜１２の各表面に母型をそれぞれ形成した。
その結果、第１の自己組織化単分子膜１２の厚さが２ｎｍよりも薄い場合、第１の自己組織化単分子膜１２の剥離層としての性能が不十分になり、スタンパから母型を良好に剥離することが困難になった。
また、第１の自己組織化単分子膜１２の厚さが３ｎｍよりも厚い場合、この第１の自己組織化単分子膜１２によって、電鋳する際の導通抵抗が大きくなり、第１の自己組織化単分子膜１２の表面に母型となる金属層を形成することが困難になった。
そこで、実施例では、第１の自己組織化単分子膜１２の厚さを２〜３ｎｍの範囲内とした。
【００４４】
同様に、水の接触角θｂを９０°〜１００°の範囲内とした第２の自己組織化単分子膜２８を母型の表面に異なる厚さで形成し、これらの第２の自己組織化単分子膜２８の表面にそれぞれ母型を形成した。
その結果、第２の自己組織化単分子膜２８の厚さが２ｎｍよりも薄い場合、第２の自己組織化単分子膜２８の剥離層としての性能が不十分になり、母型から子型を良好に剥離することが困難になった。
また、第２の自己組織化単分子膜２８の厚さが３ｎｍよりも厚い場合、この第２の自己組織化単分子膜２８によって、電鋳する際の導通抵抗が大きくなり、第２の自己組織化単分子膜２８の表面に子型となる金属層を形成することが困難になった。
そこで、実施例では、第２の自己組織化単分子膜２８の厚さを２〜３ｎｍの範囲内とした。
【００４５】
本発明の実施例は、上述した構成及び手順に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において変形例としてもよいのは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の光ディスク原盤の製造方法の実施例におけるＡ１工程を説明するための模式的断面図である。
【図２】本発明の光ディスク原盤の製造方法の実施例におけるＡ２工程を説明するための模式的断面図である。
【図３】水の接触角θａ（θｂ）の測定方法を説明するための模式的断面図である。
【図４】本発明の光ディスク原盤の製造方法の実施例におけるＡ３工程を説明するための模式的断面図である。
【図５】本発明の光ディスク原盤の製造方法の実施例におけるＡ３工程を説明するための模式的断面図である。
【図６】本発明の光ディスク原盤の製造方法の実施例におけるＡ４工程を説明するための模式的断面図である。
【図７】本発明の光ディスク原盤の製造方法の実施例におけるＡ５工程を説明するための模式的断面図である。
【図８】本発明の光ディスク原盤の製造方法の実施例におけるＡ６工程を説明するための模式的断面図である。
【図９】自己組織化単分子膜を形成する際の乾燥温度とその乾燥温度で形成された自己組織化単分子膜の水の接触角との関係を示す図である。
【図１０】剥離後の母型及び子型のそれぞれの表面におけるシリコン元素量を測定した結果を示す図である。
【図１１】一般的な光ディスク原盤の製造方法におけるＢ１工程を説明するための模式的断面図である。
【図１２】一般的な光ディスク原盤の製造方法におけるＢ２工程を説明するための模式的断面図である。
【図１３】一般的な光ディスク原盤の製造方法におけるＢ３工程を説明するための模式的断面図である。
【図１４】一般的な光ディスク原盤の製造方法におけるＢ４工程を説明するための模式的断面図である。
【符号の説明】
【００４７】
１  ガラス基板、  ２  溝，ピット、  ３  レジスト膜、  ７  開口部、  １０  スタンパ、  １２，２８  自己組織化単分子膜、  １５  水滴、  ２０  母型、  ２１  金属薄膜、  ２３，３０  金属層、  ２５  凸状部、  ３２  子型、  ３５  凹状部、  Ｌ１  レーザ光、  θａ，θｂ  水の接触角、  Ａ２０，Ａ３２  表面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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