【事件の表示】
　特願２０１２−１５５２０８「発光素子」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１０月１１日出願公開、特開２０１２−１９５６１６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成１７年（２００５年）１２月５日（パリ条約による優先権主張　外国庁受理　２００４年１２月２３日　韓国）を国際出願日とする出願である特願２００７−５４８０５７号（以下「親出願」という。）の一部を、平成２４年（２０１２年）７月１１日に新たな特許出願としたものであって、平成２５年８月８日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月３日に手続補正がなされたが、平成２６年１月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年５月１９日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同時に手続補正がなされたものである（以下、平成２６年５月１９日になされた手続補正を「本件補正」という。）。
　
第２　本件補正についての却下の決定
１　結論
　本件補正を却下する。
　
２　理由
（１）補正の内容
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１につき、補正前（平成２５年１２月３日の手続補正後のもの。）の
「【請求項１】
　ｎ型ドーパントを有する第１導電型半導体層と、
　前記第１導電型半導体層上に活性層と、
　前記活性層上にｐ型ドーパントを有する第２導電型半導体層と、
　を含み、
　前記第１導電型半導体層は、少なくとも２つの半導体層を含み、
　前記第２導電型半導体層は、ｐ型ドーパントのドーピングプロファイルを有し、
　前記ｐ型ドーパントのドーピングプロファイルは、複数のピークを含み、
　前記第２導電型半導体層は、複数の半導体層を含み、
　前記複数の半導体層は、第１ｐ−ドーピングされた半導体層と第２ｐ−ドーピングされた半導体層を含み、
　前記第１ｐ−ドーピングされた半導体層は、ＡｌＧａＮを含み、前記活性層の上面と接触し、
　前記第２ｐ−ドーピングされた半導体層は、ＧａＮを含み、前記第１ｐ−ドーピングされた半導体層上に配置され、
　前記複数のピーク中の少なくとも１つのピークは、前記第２ｐ−ドーピングされた半導体層に形成され、
　前記第１ｐ−ドーピングされた半導体層の厚さは、１０Åより大きく２００Åより小さく、
　前記第２ｐ−ドーピングされた半導体層は、前記第１ｐ−ドーピングされた半導体層よりも前記ｐ型ドーパントのドーピング濃度が大きい領域を有し、
　前記活性層は、ＩｎＧａＮを含み、青色光を発光する、
　発光素子。」
であったものを
「【請求項１】
　ｎ型ドーパントを有する第１導電型半導体層と、
　前記第１導電型半導体層上に活性層と、
　前記活性層上にｐ型ドーパントを有する第２導電型半導体層と、
　を含み、
　前記第１導電型半導体層は、少なくとも２つの半導体層を含み、
　前記第２導電型半導体層は、ｐ型ドーパントのドーピングプロファイルを有し、
　前記ｐ型ドーパントのドーピングプロファイルは、複数のピークを含み、
　前記第２導電型半導体層は、複数の
ｐ型
であり
　前記複数の
ｐ型
　前記第１ｐ−ドーピングされた半導体層は、ＡｌＧａＮを含み、前記活性層の上面と接触し、
　前記第２ｐ−ドーピングされた半導体層は、ＧａＮを含み、前記第１ｐ−ドーピングされた半導体層上に配置され、
　前記複数のピーク中の少なくとも１つのピークは、前記第２ｐ−ドーピングされた半導体層に形成され、
　前記第１ｐ−ドーピングされた半導体層の厚さは、１０Åより大きく２００Åより小さく、
　前記第２ｐ−ドーピングされた半導体層は、前記第１ｐ−ドーピングされた半導体層よりも前記ｐ型ドーパントのドーピング濃度が大きい領域を有し、
　前記活性層は、ＩｎＧａＮを含み、青色光を発光する、
　発光素子。」
に補正することを含むものである（下線は、請求人付与のとおり。）。
　
（２）補正の目的
　本件補正は、補正前の請求項１に関して、第２導電型半導体層が、「複数の半導体層を含み、前記複数の半導体層は、第１ｐ−ドーピングされた半導体層と第２ｐ−ドーピングされた半導体層を含」むものであったものを、第２導電型半導体層が、「複数のｐ型半導体層であり、前記複数のｐ型半導体層は、第１ｐ−ドーピングされた半導体層と第２ｐ−ドーピングされた半導体層を含」むものと補正して、第２導電型半導体層に係る、「複数の半導体層」が「複数のｐ型半導体層」であると限定するものである。
　よって、本件補正による請求項１についての補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　
（３）独立特許要件について
　そこで、本件補正後の請求項１に係る発明が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）について以下に検討する。
ア　本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、上記（１）において補正後のものとして記載したとおりのものと認める。
　
イ　刊行物の記載及び引用発明
（ア）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された特開平１１−５４７９６号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の記載がある（下線は当審にて付した。以下同じ。）。
ａ　「【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、
青色発光ダイオード、青色レーザダイオードなどの青色の色の発光デバイスに用いて好適な
【０００２】
【従来の技術】窒化インジウムガリウム（ＩｎxＧａ1-xＮ）化合物半導体膜は、そのＩｎ組成（ｘ）を変化させることにより、可視全域の波長の発光を得る材料として注目されており、この材料を用いた青色及び緑色発光ダイオードが実用化されている。・・・
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記したようにｐ型ＧａＮ層の比抵抗は大きく正電極をμｍオーダーに形成すると、そのコンタクト抵抗が極めて大きくなり、１０Ｖ以上の動作電圧が必要になるなどの問題があった。
【００１０】この発明は、上記した従来の問題点を解消するためになされたものにして、ｐ型ＧａＮ層のコンタクト抵抗を低減させ、動作電圧の低い窒化ガリウム系半導体装置を提供することを目的とする。」
　
ｂ　「【００４１】図４は、この発明の窒化ガリウム系化合物半導体装置の第２の実施の形態を示し、
Ｉｎ
y
Ｇａ
1-y
Ｎ化合物半導体膜を発光層として用いた発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ
【００４２】このＬＥＤチップは、
サファイア基板１上にｎ型窒化物系化合物半導体としての膜厚５ｎｍ程度のＡｌＮバッファ層２が形成され
ＡｌＮバッファ層２上に膜厚０．４μｍ程度のｎ型窒化ガリウム（ＧａＮ）膜３と、青色の発光層としての膜厚２．５ｎｍ程度のＩｎ
0.2
Ｇａ
0.8
Ｎ層４が形成され
Ｉｎ
0.2
Ｇａ
0.8
Ｎ層４上にＭｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｂｅ等のｐ型ドーパントをデルタドーピングした膜厚５ｎｍ程度のＡｌ
0.3
Ｇａ
0.7
Ｎの障壁層５０ａと膜厚１０ｎｍ程度のアンドープのＧａＮの井戸層５０ｂを交互に積層した多重量子井戸構造（ＭＱＷ）からなる変調ドーピング層５０を介して膜厚０．５μｍ程度のｐ型ＧａＮ層６が積層形成され
前記ｎ型ＧａＮ層３におけるメサエッチングされた表面上にｎ電極７が形成され、ｐ型ＧａＮ層６上にｐ電極８が形成され
【００４３】さて、この実施の形態における変調ドーピング層５０は、図５に示すように、膜厚５ｎｍ程度のＭｇを１×１０13ｃｍ-2のドーズ量でデルタドープしたＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎ層からなる障壁層５０ａと膜厚１０ｎｍ程度のアンドープのＧａＮ層からなる井戸層５０ｂとで構成されている。尚、この実施の形態においては、障壁層５０ａは１０１層、井戸層５０ｂは１００層である。
【００４４】また、上記障壁層５０ａは、Ｍｇをドーズ量１×１０13ｃｍ-2でデルタ（ｄｅｌｔａ）ドープを行っている。この
デルタドープは、まず、アンドープのＡｌＧａＮ層を２．５ｎｍの膜厚で成長させ、次いで、ＮＨ
3
およびＣｐ
2
Ｍｇガスのみを供給してＭｇのドーズ量が１×１０
13
ｃｍ
-2
となるようにデルタドープ
その後、さらにアンドープのＡｌＧａＮ層を２．５ｎｍの膜厚で成長させ、最終的に膜厚５ｎｍのデルタドープＡｌＧａＮ層からなる障壁層５０ａが形成される
　
ｃ　図４及び５は、次のものである。
　
ｄ　上記ｂの記載によれば、「青色の発光層としての膜厚２．５ｎｍ程度のＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層４」は、「Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層４上にＭｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｂｅ等のｐ型ドーパントをデルタドーピングした膜厚５ｎｍ程度のＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎの障壁層５０ａと膜厚１０ｎｍ程度のアンドープのＧａＮの井戸層５０ｂを交互に積層した多重量子井戸構造（ＭＱＷ）からなる変調ドーピング層５０」を介して「膜厚０．５μｍ程度のｐ型ＧａＮ層６」が積層形成され、「このデルタドープは、まず、アンドープのＡｌＧａＮ層を２．５ｎｍの膜厚で成長させ、次いで、ＮＨ3およびＣｐ2Ｍｇガスのみを供給してＭｇのドーズ量が１×１０13ｃｍ-2となるようにデルタドープ」し、「その後、さらにアンドープのＡｌＧａＮ層を２．５ｎｍの膜厚で成長させ、最終的に膜厚５ｎｍのデルタドープＡｌＧａＮ層からなる障壁層５０ａが形成される」ものであるところ、「Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層４」と「Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｂｅ等のｐ型ドーパントをデルタドーピングした膜厚５ｎｍ程度のＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎの障壁層５０ａ」の間に、他の層が形成されると特定されるものではない。
　また、上記ｂの記載を踏まえてｃの図４及び５をみても、「Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層４」上に接して「Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｂｅ等のｐ型ドーパントをデルタドーピングした膜厚５ｎｍ程度のＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎの障壁層５０ａ」が積層形成されていることがみてとれる。
　
ｅ　引用発明
　上記ａないしｄによれば、引用文献１には、次の発明が記載されているものと認められる（以下「引用発明」という。）。
「サファイア基板１上にｎ型窒化物系化合物半導体としての膜厚５ｎｍ程度のＡｌＮバッファ層２が形成され、
　前記ＡｌＮバッファ層２上に膜厚０．４μｍ程度のｎ型窒化ガリウム（ＧａＮ）膜３と、青色の発光層としての膜厚２．５ｎｍ程度のＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層４が形成され、
　前記Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層４上に接してＭｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｂｅ等のｐ型ドーパントをデルタドーピングした膜厚５ｎｍ程度のＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎの障壁層５０ａと膜厚１０ｎｍ程度のアンドープのＧａＮの井戸層５０ｂを交互に積層した多重量子井戸構造（ＭＱＷ）からなる変調ドーピング層５０を介して膜厚０．５μｍ程度のｐ型ＧａＮ層６が積層形成され、
　前記ｎ型ＧａＮ層３におけるメサエッチングされた表面上にｎ電極７が形成され、ｐ型ＧａＮ層６上にｐ電極８が形成され、
　前記デルタドープは、まず、アンドープのＡｌＧａＮ層を２．５ｎｍの膜厚で成長させ、次いで、ＮＨ3およびＣｐ2Ｍｇガスのみを供給してＭｇのドーズ量が１×１０13ｃｍ-2となるようにデルタドープし、その後、さらにアンドープのＡｌＧａＮ層を２．５ｎｍの膜厚で成長させ、最終的に膜厚５ｎｍのデルタドープＡｌＧａＮ層からなる障壁層５０ａが形成されるものである、
  青色発光ダイオード、青色レーザダイオードなどの青色の色の発光デバイスに用いて好適なＩｎyＧａ1-yＮ化合物半導体膜を発光層として用いた発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ。」
（イ）原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前に頒布された、K. H. Kim et al., “III-nitride ultraviolet light-emitting diodes with delta doping”,Applied Physics Letters,American Institute of Physics, 2003.07.21, Vol.83, No.3, pp.566〜568（以下「引用文献２」という。）には、以下の記載がある（訳は当審にて付した。）。
ａ　「However, the attainment of highly conductive p-type GaN and AlGaN remains one of the biggest obstacles for the III-nitride research. Recently, we have investigated Mg-δ-doping in GaN and AlGaN epilayers by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). It was demonstrated through electrical, optical, and structural studies that Mg-δ-doping improves not only the p-type conduction, but also significantly suppresses the dislocation densities in p-type GaN and AlGaN epilayers. It was argued that the observed dislocation density reduction (of about one order of magnitude) is due to the growth interruption during δ doping that partially terminates the dislocation propagation in the growth direction. Furthermore, δdoping also reduces impurity self-compensation and enhances free carrier concentrations in δ -doped GaN or AlGaN.」（５６６頁左欄１１ないし２６行）  
（しかしながら、高い伝導性の
ｐ型のＧａＮ
III族窒化物
ＧａＮ
エピ層へのＭｇ−δ−ドーピング
ｐタイプの伝導を促進するだけではなく、
転位密度を際立って押えること
　
ｂ　引用文献２に記載の事項
　上記ａによれば、引用文献２には、次の事項が記載されているものと認められる（以下「引用文献２に記載の事項」という。）。 
「III族窒化物であるｐ型のＧａＮエピ層にＭｇ−δ−ドーピングを行うと、ｐタイプの伝導を促進するだけではなく、転位密度を際立って押えること。」
　
ウ　対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
（ア）引用発明の「ｎ型窒化ガリウム（ＧａＮ）膜３」、「（青色の発光層としての）Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層４」、「（Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層４上に接してＭｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｂｅ等のｐ型ドーパントをデルタドーピングした膜厚５ｎｍ程度のＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎの）障壁層５０ａ」、「（障壁層５０ａと井戸層５０ｂからなる変調ドーピング層５０を介して積層形成される）ｐ型ＧａＮ層６」、「『（Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層４上に接してＭｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｂｅ等のｐ型ドーパントをデルタドーピングした膜厚５ｎｍ程度のＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎの）障壁層５０ａ』及び『（障壁層５０ａと井戸層５０ｂからなる変調ドーピング層５０を介して積層形成される）ｐ型ＧａＮ層６』」及び「発光ダイオード（ＬＥＤ）チップ」は、本願補正発明の「（ｎ型ドーパントを有する）第１導電型半導体層」、「（ＩｎＧａＮを含み、青色光を発光する前記第１導電型半導体層上の）活性層」、「（ＡｌＧａＮを含み、前記活性層の上面と接触する）第１ｐ−ドーピングされた半導体層」、「（ＧａＮを含み、前記第１ｐ−ドーピングされた半導体層上に配置される）第２ｐ−ドーピングされた半導体層」、「（複数のｐ型半導体層であり、前記複数のｐ型半導体層は、第１ｐ−ドーピングされた半導体層と第２ｐ−ドーピングされた半導体層を含み、前記活性層上に形成されるｐ型ドーパントを有する）第２導電型半導体層」及び「発光素子」にそれぞれ相当する。
　
（イ）引用発明の「変調ドーピング層５０」の「障壁層５０ａ」は、「Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層４上に接してＭｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｂｅ等のｐ型ドーパントをデルタドーピングした膜厚５ｎｍ程度のＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎ」であって、「前記デルタドープは、まず、アンドープのＡｌＧａＮ層を２．５ｎｍの膜厚で成長させ、次いで、ＮＨ3およびＣｐ2Ｍｇガスのみを供給してＭｇのドーズ量が１×１０13ｃｍ-2となるようにデルタドープし、その後、さらにアンドープのＡｌＧａＮ層を２．５ｎｍの膜厚で成長させ、最終的に膜厚５ｎｍのデルタドープＡｌＧａＮ層からなる障壁層５０ａが形成されるものである」ことに照らして、ｐ型ドーパントによるデルタドープした「（Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層４上に接する）障壁層５０ａ」は、デルタドープした層をピークとするドーピングプロファイルを有し、ｐ型ドーパントのドーピングプロファイルがピークを含むものであるといえる。
　そうすると、引用発明のｐ型ドーパントのドーピングプロファイルがピークを含む「『（Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層４上に接する）障壁層５０ａ』及び『ｐ型ＧａＮ層６』」は、本願補正発明の「第２導電型半導体層」の「ｐ型ドーパントのドーピングプロファイルを有し、前記ｐ型ドーパントのドーピングプロファイルは、複数のピークを含み」と、「ｐ型ドーパントのドーピングプロファイルを有し、前記ｐ型ドーパントのドーピングプロファイルは、ピークを含み」の点で一致する。
　
（ウ）引用発明の「（Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層４上に接する）障壁層５０ａ」は、「膜厚５ｎｍ程度のＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎ」であるところ、５ｎｍ（５０Å）は、１０Åより大きく２００Åより小さいものである。
　そうすると、引用発明の「膜厚５ｎｍ程度」である「（Ｉｎ0.2Ｇａ0.8Ｎ層４上に接する）障壁層５０ａ」は、本願補正発明の「第１ｐ−ドーピングされた半導体層」と、「厚さは、１０Åより大きく２００Åより小さ」い点で一致する。
　
（エ）以上によれば両者は、
「ｎ型ドーパントを有する第１導電型半導体層と、
　前記第１導電型半導体層上に活性層と、
　前記活性層上にｐ型ドーパントを有する第２導電型半導体層と、
　を含み、
　前記第２導電型半導体層は、ｐ型ドーパントのドーピングプロファイルを有し、
　前記ｐ型ドーパントのドーピングプロファイルは、ピークを含み、
　前記第２導電型半導体層は、複数のｐ型半導体層であり、
　前記複数のｐ型半導体層は、第１ｐ−ドーピングされた半導体層と第２ｐ−ドーピングされた半導体層を含み、
　前記第１ｐ−ドーピングされた半導体層は、ＡｌＧａＮを含み、前記活性層の上面と接触し、
　前記第２ｐ−ドーピングされた半導体層は、ＧａＮを含み、前記第１ｐ−ドーピングされた半導体層上に配置され、
　前記第１ｐ−ドーピングされた半導体層の厚さは、１０Åより大きく２００Åより小さく、
　前記活性層は、ＩｎＧａＮを含み、青色光を発光する、
　発光素子。」
で一致し、下記ａ及びｂの点で相違するものと認められる。
　
ａ　本願補正発明の「第１導電型半導体層」は、「少なくとも２つの半導体層を含」むのに対して、引用発明の「ｎ型窒化ガリウム（ＧａＮ）膜３」は、このように特定されるものではない点（以下「相違点１」という。）。
　
ｂ　本願補正発明の「第２導電型半導体層」の「ｐ型ドーパントのドーピングプロファイルは、複数ピークを含み」、「第２ｐ−ドーピングされた半導体層」は、「前記複数のピーク中の少なくとも１つのピーク」が形成され、「第１ｐ−ドーピングされた半導体層よりも前記ｐ型ドーパントのドーピング濃度が大きい領域を有し」ているのに対して、引用発明の「ｐ型窒化ガリウム系半導体層」は、このように特定されるものではない点（以下「相違点２」という。）。
　
エ　判断
（ア）相違点１について
ａ　引用発明の「ｎ型窒化ガリウム（ＧａＮ）膜３」に係り、引用文献１の記載をみると、膜厚が特定されるほかは、具体的な機能・構成の特定はない。
　
ｂ　しかるに、本願補正発明と同様の、ｎ型半導体層、ＩｎＧａＮを含む活性層及びＧａＮを含むｐ型半導体層とからなる青色光を発光する発光素子において、ｎ型半導体層をｎ型コンタクト層とｎ型クラッド層から構成するものは周知の事項である（例えば、特開２００５−２５２３０９号公報の「窒化ガリウム系半導体発光素子を用いた青色から緑色までのＬＥＤは、実用化されている。・・・従来の窒化ガリウム系半導体発光素子は、サファイア基板２１上にバッファ層２２、ｎ−ＧａＮコンタクト層２３、ＩｎＧａＮ活性層２４、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層２５、ｐ−ＧａＮコンタクト層２６を順次形成している。そしてｐ−ＧａＮコンタクト層２６上にｐ−側電極２７を有し、ｎ−ＧａＮコンタクト層２３上の一部にｎ−側電極２８を有している。」（段落【０００２】）、特開２００５−２２９１３２号公報の「サファイア基板１１上に、ＧａＮバッファ層３、ｎ型ＧａＮ成長層４、ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層５、ＩｎＧａＮ発光層６、ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層７さらにｐ型ＧａＮコンタクト層８を順次膜成長させる。・・・以上により、ＧａＮ系化合物半導体を用いた青色ＬＥＤが構成される。」（段落【０００８】）、及び、特開２００５−２７７４０３号公報の「近年、ＡｌxＩｎyＧａ1-x-yＮ（０≦ｘ＜１，０≦ｙ＜１，ｘ＋ｙ＜１）で表わされる窒化ガリウム系化合物半導体が紫外光領域から青色あるいは緑色発光ダイオード（ＬＥＤ）の材料として注目されている。」（段落【０００２】）及び「サファイア基板１上にＡｌＮ層からなるバッファ層２を積層し、その上にｎ型ＧａＮ層からなるコンタクト層３ａ、ｎ型ＧａＮ層からなる下部クラッド層３ｂ、ＩｎＧａＮ層からなる発光層４、ｐ型ＡｌＧａＮ層からなる上部クラッド層５ｂ、およびｐ型ＧａＮ層からなるコンタクト層５ａを順次積層したものを用いることができる。」（段落【００３０】）との記載参照）。
　
ｃ　そうすると、上記ａのとおり、引用発明の「ｎ型窒化ガリウム（ＧａＮ）膜３」は、具体的機能・構成が特定されないため、発明を実施するに際して適宜のものとなすべきところ、上記ｂのとおり、ｎ型半導体層、ＩｎＧａＮを含む活性層及びＧａＮを含むｐ型半導体層とからなる青色光を発光する発光素子において、ｎ型半導体層をｎ型コンタクト層とｎ型クラッド層から構成することが周知の事項であることに照らして、引用発明の「ｎ型窒化ガリウム（ＧａＮ）膜３」をｎ型コンタクト層とｎ型クラッド層から構成するものとなすことに格別の困難はない。
　
ｄ　さらに、本願の発明の詳細な説明の記載をみても、本願補正発明において、「第１導電型半導体層」が「少なくとも２つの半導体層を含」むことを発明特定事項とすることの技術的意義はみあたらない。
　したがって、引用発明において、上記周知の事項に基づいて、本願補正発明に係る相違点２の構成とすることは、当業者が適宜なし得たことである。
　
（イ）相違点２について
　引用発明の「ｐ型ＧａＮ層６」に係り、引用文献１の上記イ（ア）ｂによれば、引用発明の「【発明が解決しようとする課題】」は、「ｐ型ＧａＮ層のコンタクト抵抗を低減させ、動作電圧の低い窒化ガリウム系半導体装置を提供することを目的とする」ものであるところ、引用文献２には「III族窒化物であるｐ型のＧａＮエピ層にＭｇ−δ−ドーピングを行うと、ｐタイプの伝導を促進するだけではなく、転位密度を際立って押える」との事項（引用文献２に記載の事項）が記載されているから、引用発明の「ｐ型ＧａＮ層６」において、さらに、「ｐ型ＧａＮ層のコンタクト抵抗を低減させ、動作電圧の低い窒化ガリウム系半導体装置を提供することを目的と」して、引用文献２に記載の事項を適用して、引用発明の「ｐ型ＧａＮ層６」にＭｇ−δ−ドーピングを行うことは当業者が容易に想到し得たことである。
　そして、引用発明の「ｐ型窒化ガリウム系半導体層」にＭｇ−δ−ドーピングを行うに際して、ドーピング濃度をどの程度とするかは、発明を実施するに際して適宜定めるべき事項であるところ、本願の発明の詳細な説明の記載をみても、「ｐ型ドーパントのドーピング濃度」に係り、「第２ｐ−ドーピングされた半導体層」と「第１ｐ−ドーピングされた半導体層」の相対関係で規定することの技術的意義はみあたらないから、第２の電極側である「ｐ型窒化ガリウム系半導体層」のドーピング濃度を「（アンドープのＧａＮ化合物半導体層とｐ型ドーパントをドープしたＡｌxＧａ1-xＮ化合物半導体層で構成される）変調ドーピング（ドープ）層」のドープ濃度より高くすることは、当業者であれば格別の困難はない。
　したがって、引用発明の「ｐ型ＧａＮ層６」に適宜のドーピング濃度のＭｇ−δ−ドーピングを行い、本願補正発明に係る相違点２の構成とすることは当業者が容易になし得ることである。
　
オ　小括
　以上の検討によれば、本願補正発明は、引用発明、引用文献２に記載の事項及び上記周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
３　むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　上記のとおり、本件補正は却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２５年１２月３日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１ないし７に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記第２、２（１）において、補正前のものとして示したとおりのものである。
　
２　刊行物の記載及び引用発明
　前記第２、２（３）イのとおりである。
　
３　対比・判断
　上記「第２、２（２）補正の目的」のとおり、本願補正発明は、本願発明に限定を付加したものである。
　そして、本願発明の構成要件をすべて含み、さらに限定を付加した本願補正発明が、当業者が引用発明、引用文献２に記載の事項及び上記周知の事項に基づいて容易に発明をすることができたものである以上、上記第２、２（３）での検討と同様の理由により、本願発明は引用発明、引用文献２及び３に記載の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用発明、引用文献２に記載の事項及び上記周知の事項に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。