【事件の表示】
　特願２００９−１９８４２４「成膜装置のクリーニング方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年１２月２４日出願公開、特開２００９−３０２５５５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　この出願は、平成１５年８月２９日に出願した特願２００３−２０９６９２号の一部を平成２１年８月２８日に新たな特許出願としたものであって、同年８月２８日に上申書が提出され、平成２４年５月３０日付けで拒絶理由が通知され、同年９月５日に意見書及び手続補正書が提出され、平成２５年３月２９日に拒絶査定がされ、これに対し、同年７月２６日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、手続補正書が提出され、同年１０月１０日付けで審尋がされ、これに対し同年１２月２６日に回答書が提出されたものである。
　
第２　平成２５年７月２６日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　　平成２５年７月２６日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１　補正の内容
　平成２５年７月２６日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）は、平成２４年９月５日付けの手続補正後の特許請求の範囲の請求項１である
「【請求項１】
　石英製構成部材を有する成膜装置を６００〜８００℃の温度での化学気相成長によるシリコン系薄膜の形成に使用した後にその構成部材に堆積したシリコン系堆積物を除去するための成膜装置のクリーニング方法であって、前記成膜装置内に、フッ素ガスとフッ化水素ガスを含むクリーニングガスを供給しながら、前記構成部材を加熱することによって前記シリコン系堆積物をクリーニング除去し、前記シリコン系堆積物をクリーニング除去した後、前記クリーニングガスの供給を停止してクリーニングを終了させ、該クリーニング終了時に前記構成部材は３００℃を超える温度にあり、しかる後、前記石英製構成部材を少なくとも１０分間３００℃を超える温度に維持する脱ガス処理に供することを特徴とする成膜装置のクリーニング方法。」
を、
「【請求項１】
　石英製構成部材を有する成膜装置を６００〜８００℃の成膜温度での化学気相成長によるシリコン系薄膜の形成に使用した後にその構成部材に堆積したシリコン系堆積物を除去するための成膜装置のクリーニング方法であって、前記成膜装置内に、フッ素ガスとフッ化水素ガスを含むクリーニングガスを供給しながら、前記構成部材を加熱することによって前記シリコン系堆積物をクリーニング除去し、前記シリコン系堆積物をクリーニング除去した後、前記クリーニングガスの供給を停止してクリーニングを終了させ、該クリーニング終了時に前記構成部材は３００℃を超える温度にあり、しかる後、前記石英製構成部材を少なくとも１０分間３００℃を超えて前記成膜より低い温度に維持する脱ガス処理に供することを特徴とする成膜装置のクリーニング方法。」
とする補正を含むものである。
　
２　補正の適否
（１）目的要件・新規事項
　上記補正は、補正前の請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項（以下、「発明特定事項」という。）である「６００〜８００℃の温度」を「６００〜８００℃の成膜温度」と限定し、「しかる後、前記石英製構成部材を少なくとも１０分間３００℃を超える温度に維持する脱ガス処理」を「しかる後、前記石英製構成部材を少なくとも１０分間３００℃を超えて前記成膜より低い温度に維持する脱ガス処理」と限定するものであって、その補正前の請求項１に記載された発明と本件補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下、「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号に掲げる「特許請求の範囲の減縮」を目的とするものに該当し、また、上記補正は、願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてしたものである。
　
（２）独立特許要件
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
ア　刊行物及び刊行物に記載された事項
（ア）刊行物
　特開２００３−５９９１５号公報
（平成２４年５月３０日付けの拒絶理由における引用文献１である。以下、同様に「引用文献１」という。）
　
（イ）引用文献１に記載された事項
1a　「【請求項５】薄膜形成装置の反応室内に処理ガスを供給して被処理体に薄膜を形成した後、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
前記反応室内を所定の温度に加熱する加熱工程と、
前記加熱工程により所定の温度に加熱された反応室内に、フッ素ガスとフッ化水素ガスとを含むクリーニングガスを供給することにより、前記付着物を除去して薄膜形成装置の内部を洗浄する洗浄工程と、を備える、ことを特徴とする薄膜形成装置の洗浄方法。
・・・
【請求項１４】前記薄膜形成装置の内部の材料は、石英及び炭化珪素の少なくとも一方を含む、ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
・・・
【請求項１６】前記加熱工程では、前記反応室内を２５０℃〜３８０℃に加熱する、ことを特徴とする請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。
・・・
【請求項１９】前記被処理体に形成される薄膜はシリコン窒化膜であり、
前記洗浄工程では、前記被処理体にシリコン窒化膜を形成することにより薄膜形成装置の内部に付着した窒化珪素を、前記クリーニングガスで除去する、ことを特徴とする請求項１乃至１８のいずれか１項に記載の薄膜形成装置の洗浄方法。」　
1b　「【００４６】まず、成膜処理について説明する。ボートエレベータ８により蓋体７が下げられた状態で、半導体ウエハ１０が収容されたウエハボート９を蓋体７上に載置する。次に、パージガス供給管１６から反応管２内に所定量の窒素ガスを供給し、ボートエレベータ８により蓋体７を上昇させ、ウエハボート９を反応管２内にロードする。これにより、半導体ウエハ１０を反応管２の内管３内に収容するとともに、反応管２を密閉する（ロード工程）。
【００４７】反応管２を密閉した後、パージガス供給管１６から反応管２内に所定量の窒素ガスを供給するとともに、バルブ１８の開度を制御しつつ、真空ポンプ１９を駆動させて反応管２内のガスを排出し、反応管２内の減圧を開始する。反応管２内のガスの排出は、反応管２内の圧力を所定の圧力、例えば、６５．５Ｐａ（０．５Ｔｏｒｒ）になるまで行う。また、昇温用ヒータ１２により、反応管２内を所定の温度、例えば、６００℃に加熱する。そして、この減圧及び加熱操作を、反応管２が所定の圧力及び温度で安定するまで行う（安定化工程）。
【００４８】反応管２内が所定の圧力及び温度で安定すると、パージガス供給管１６からの窒素ガスの供給を停止する。そして、処理ガス導入管１３から処理ガスとしてのヘキサクロロジシラン（Ｓｉ２Ｃｌ６）を所定量、例えば、０．１リットル／ｍｉｎ、アンモニア（ＮＨ３）を所定量、例えば、１リットル／ｍｉｎを内管３内に導入する。
【００４９】内管３内に導入されたヘキサクロロジシラン及びアンモニアは、反応管２内の熱により熱分解反応が起こり、半導体ウエハ１０の表面に窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）が堆積される。これにより、半導体ウエハ１０の表面にシリコン窒化膜（Ｓｉ３Ｎ４膜）が形成される（成膜工程）。」
1c　「【００５５】熱処理装置１の内部に付着した窒化珪素が除去されると、クリーニングガス導入管１４からのクリーニングガスの供給を停止する。そして、バルブ１８の開度を制御しつつ、真空ポンプ１９を駆動させて、反応管２内のガスを排出するとともに、パージガス供給管１６から所定量の窒素ガスを供給して、反応管２内のガスを排気管１７に排出する（パージ工程）。なお、反応管２内のクリーニングガスを確実に排出するために、反応管２内のガスの排出及び窒素ガスの供給を複数回繰り返すことが好ましい。」
　
イ　引用文献１に記載された発明
　引用文献１には、請求項５を引用する同１４を引用する同１６を引用する同１９として「内部の材料は、石英及び炭化珪素の少なくとも一方を含む薄膜形成装置の反応室内に処理ガスを供給して被処理体にシリコン窒化膜である薄膜を形成した後、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
前記反応室内を２５０℃〜３８０℃に加熱する加熱工程と、
前記加熱工程により所定の温度に加熱された反応室内に、フッ素ガスとフッ化水素ガスとを含むクリーニングガスを供給することにより、前記付着物を除去して薄膜形成装置の内部を洗浄する洗浄工程と、を備える、ことを特徴とする薄膜形成装置の洗浄方法。」（摘示1a）が記載されている。そして、「成膜処理」において「反応管２内を所定の温度、例えば、６００℃に加熱する」（摘示1b）こと及び「付着した窒化珪素が除去されると、・・・クリーニングガスの供給を停止」し、「パージガス供給管１６から所定量の窒素ガスを供給して、反応管２内のガスを排気管１７に排出する（パージ工程）。なお、反応管２内のクリーニングガスを確実に排出するために、反応管２内のガスの排出及び窒素ガスの供給を複数回繰り返すことが好ましい」（摘示1c）ことが記載されている。
　そうすると、引用文献１には、
「内部の材料は、石英及び炭化珪素の少なくとも一方を含む薄膜形成装置の６００℃に加熱された反応室内に処理ガスを供給して被処理体にシリコン窒化膜である薄膜を形成した後、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法であって、
前記反応室内を２５０℃〜３８０℃に加熱する加熱工程と、
前記加熱工程により所定の温度に加熱された反応室内に、フッ素ガスとフッ化水素ガスとを含むクリーニングガスを供給することにより、前記付着物を除去して薄膜形成装置の内部を洗浄する洗浄工程と、
付着した窒化珪素が除去されると、クリーニングガスの供給を停止し、パージガス供給管１６から所定量の窒素ガスを供給して、反応管２内のガスを排気管１７に排出するパージ工程、
を備える、ことを特徴とする薄膜形成装置の洗浄方法。」
の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
ウ　本件補正発明と引用発明との対比
　本件補正発明と引用発明とを対比する。
　引用発明における、「内部の材料は、石英及び炭化珪素の少なくとも一方を含む薄膜形成装置」は、本件補正発明における「石英製構成部材を有する成膜装置」に相当する。
　そして、引用発明における「６００℃に加熱された反応室内に処理ガスを供給して被処理体にシリコン窒化膜である薄膜を形成した後、装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法」は、記載事項1b段落【００４９】の記載から成膜方法がＣＶＤであることは明らかであり、「シリコン窒化膜である薄膜」は、「シリコン系薄膜」であるから、本件補正発明における「６００〜８００℃の温度での化学気相成長によるシリコン系薄膜の形成に使用した後」と「６００℃の成膜温度での化学気相成長によるシリコン系薄膜の形成に使用した後」である点で共通する。
　また、引用発明における「装置内部に付着した付着物を除去する薄膜形成装置の洗浄方法」は、付着物が薄膜であることは明らかであるから、本件補正発明における「その構成部材に堆積したシリコン系堆積物を除去するための成膜装置のクリーニング方法」に相当する。
　さらに、引用発明における「前記反応室内を２５０℃〜３８０℃に加熱する加熱工程と、
前記加熱工程により所定の温度に加熱された反応室内に、フッ素ガスとフッ化水素ガスとを含むクリーニングガスを供給することにより、前記付着物を除去して薄膜形成装置の内部を洗浄する洗浄工程」は、反応室内を３００℃以上で加熱していれば洗浄終了時点で反応室内が３００℃であること明らかであるので、本件補正発明における「前記成膜装置内に、フッ素ガスとフッ化水素ガスを含むクリーニングガスを供給しながら、前記構成部材を加熱することによって前記シリコン系堆積物をクリーニング除去し、前記シリコン系堆積物をクリーニング除去した後、前記クリーニングガスの供給を停止してクリーニングを終了させ、該クリーニング終了時に前記構成部材は３００℃を超える温度にあり」に相当する。
　そうすると、本件補正発明と引用発明とは、
　「石英製構成部材を有する成膜装置を６００℃の成膜温度での化学気相成長によるシリコン系薄膜の形成に使用した後にその構成部材に堆積したシリコン系堆積物を除去するための成膜装置のクリーニング方法であって、前記成膜装置内に、フッ素ガスとフッ化水素ガスを含むクリーニングガスを供給しながら、前記構成部材を加熱することによって前記シリコン系堆積物をクリーニング除去し、前記シリコン系堆積物をクリーニング除去した後、前記クリーニングガスの供給を停止してクリーニングを終了させ、該クリーニング終了時に前記構成部材は３００℃を超える温度にある、ことを特徴とする成膜装置のクリーニング方法。」
の点において一致し、以下の点Ａにおいて相違すると認められる。
　
Ａ　クリーニング終了後に関して、本件補正発明は、「少なくとも１０分間３００℃を超えて前記成膜より低い温度に維持する脱ガス処理に供する」のに対して、引用発明は、「クリーニングガスの供給を停止し、パージガス供給管１６から所定量の窒素ガスを供給して、反応管２内のガスを排気管１７に排出するパージ工程、を備える」点（以下、「相違点Ａ」という。）
　
エ　相違点についての判断
（ア）相違点Ａについて
　例えば、特開平７−５０２６６号公報（平成２４年５月３０日付けの拒絶理由における引用文献２である。以下、同様に「引用文献２」という。）には、
「【００３２】このようにして、反応室11内に付着している不必要な水素化アモルファスシリコン膜はエッチングにより除去されるが、反応室11内の前述した各部にはエッチング過程での生成物、たとえばフッ化水素（ＨＦ）、フッ素（Ｆ）等の付着が生じ、このままでは後続する成膜工程において良好な特性を有する水素化アモルファスシリコン膜を得ることができない。そこで、このような生成物の影響を取り除くために、ケイ素系薄膜形成温度以上の温度による温度処理を施す。すなわち３３０〜３５０℃、約１時間の熱処理する（ステップ２）。この処理により、エッチング生成物を取り除くことができ、反応室11内を清浄な状態とすることができる。
【００３３】なお、このとき、エッチング生成物であるフッ化水素（ＨＦ）、フッ素（Ｆ）や、フッ素系ガスの成分である炭素（Ｃ）、硫黄（Ｓ）、窒素（Ｎ）あるいはこれらの化合物が反応室内で生成され滞留する。しかし、これらは、高温温度処理工程で高温真空排気されることにより、反応室内に付着した不純物は再放出されて排気されるので、エッチング生成物等のプラズマ処理ガスによる影響を取り除くことができる。」
との記載がある。即ち、引用文献２には、「エッチング過程での生成物、たとえばフッ化水素（ＨＦ）、フッ素（Ｆ）等の付着が生じ、このままでは後続する成膜工程において良好な特性を有する水素化アモルファスシリコン膜を得ることができない。そこで、このような生成物の影響を取り除くために、ケイ素系薄膜形成温度以上の温度による温度処理を施す。すなわち３３０〜３５０℃、約１時間の熱処理する（ステップ２）。この処理により、エッチング生成物を取り除くことができ、反応室11内を清浄な状態とすることができる。」こと（以下、「引用文献２に記載された公知技術」という。）が記載されている。
　また、当審決において引用する特開２０００-３０９８９０号公報（以下、「周知例」という。）には、
「【０００２】
【従来の技術】吸着性の強い腐食性ガスは、エッチングガスやクリーニングガスとして使用されている。この腐食性ガスは水分の存在下で腐食性が激増することは知られている。このため従来は、配管内や機器内が大気に開放された際の空気中水分で配管内や機器内が腐食しないようにするため、開放前に不活性ガスで加圧した後にブローし、さらに真空引きするサイクルパージや不活性ガスによる流通パージを常温状態で行って、腐食性ガスを配管内や機器内から排除していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、従来の常温パージ方式で配管内のパージを行った配管機材を、パージ後純水に浸漬させると顕著な腐食がみられる。これは、腐食性ガス成分が配管や機器の壁面に数分子層レベルで吸着したままになっているためと考えられ、従来のパージ方式では腐食性ガス成分を高効率に除去することはできない問い得問題があった。」
「【０００８】
【発明の実施の形態】本発明は、塩化水素ガス、フッ化水素ガス、塩素ガス、臭化水素ガス等の吸着性の強い腐食性ガスを流通させるガス流路やこれらのガスを使用するＣＶＤチャンバー等の機器類を大気開放させるにあたり、ガス流路を構成する配管や、流路内に装着したフィッティング類、あるいは、ガスを使用する機器等のガス供給系の機材類を８０〜３００℃の温度範囲内でベーキングしながら不活性ガスを流通させてパージを行う。」が記載されており、「フッ化水素ガス等の吸着性の強い腐食性ガスを流通させるガス流路やこれらのガスを使用するＣＶＤチャンバー等の機器類を大気開放させるにあたり、ガスを使用する機器等をベーキングしながら不活性ガスを流通させてパージを行う」ことが周知（以下、「周知技術」という。）である以上、引用文献２に記載された公知技術におけるクリーニングの対象となる腐食性ガス成分はクリーニング終了後に機器壁面に吸着されたままとなっていて、ケイ素系薄膜形成温度とは独立してエッチング生成物であるフッ化水素（ＨＦ）、フッ素（Ｆ）をガスを使用する機器等をベーキングして取り除くことができるとの知見を得るから、この周知技術を参考にすれば、「３３０〜３５０℃、約１時間の熱処理により、エッチング生成物を取り除くことができ」る前記引用文献２に記載された公知技術を引用発明に適用することは当業者であれば容易に想到し得るというべきである。
　そうすると、引用発明に係る相違点Ａの「パージ工程」を「少なくとも１０分間３００℃を超えて前記成膜より低い温度に維持する脱ガス処理に供する」ことは、当業者であれば適宜なし得る周知技術の特定にすぎないものというべきである。
　そして、相違点Ａに係る特定事項を採用したことにより、本件補正発明が予測し得ない顕著な作用効果を奏するとも認められない。
　
オ　まとめ
　以上によれば、本件補正発明は、分割に係る原出願の出願前に頒布された引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された公知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができるものではない。
　よって、請求項１についての補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するものとはいえない。
　　
３　むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、その補正前の特許請求の範囲は、平成２４年９月５日付けの手続補正により補正されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明は、上記「第２」の「１」の項に示したとおりのものである（以下、「本願発明」という。）。
　
第４　原審において通知した拒絶の理由
　拒絶査定における拒絶の理由は、請求項１に係る発明は、引用文献１、すなわち、特開２００３−５９９１５号公報に記載された発明及び引用文献２に記載された公知技術に基づいて、その出願前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者（当業者）が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、という理由を含むものである。
　
第５　当審の判断
　当審は、上記の拒絶の理由のとおり、本願発明は引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された公知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、と判断する。
　
１　刊行物、刊行物に記載された事項及び刊行物に記載された発明
　上記の拒絶の理由に引用された「特開２００３−５９９１５号公報」は、「第２」の「２」項の「ア」における「引用文献１」である。
　引用文献１に記載された事項は、同項の「ア」の（イ）に記載したとおりである。
　そして、引用文献１に記載された発明は、同項の「イ」に記載したとおりのもの（以下、同様に「引用発明」という。）である。
　　
２　対比・相違点についての判断
　本願発明は、「第２」の「２」項の（１）において示したとおり、本件補正発明における「６００〜８００℃の成膜温度」を「６００〜８００℃の温度」と限定を省き「しかる後、前記石英製構成部材を少なくとも１０分間３００℃を超えて前記成膜温度より低い温度に維持する脱ガス処理」との発明特定事項が「しかる後、前記石英製構成部材を少なくとも１０分間３００℃を超える温度に維持する脱ガス処理」と限定を省いたものである。
　そうすると、本願発明と引用発明とを対比すると、両者の一致点は、
　「石英製構成部材を有する成膜装置を６００℃の成膜温度での化学気相成長によるシリコン系薄膜の形成に使用した後にその構成部材に堆積したシリコン系堆積物を除去するための成膜装置のクリーニング方法であって、前記成膜装置内に、フッ素ガスとフッ化水素ガスを含むクリーニングガスを供給しながら、前記構成部材を加熱することによって前記シリコン系堆積物をクリーニング除去し、前記シリコン系堆積物をクリーニング除去した後、前記クリーニングガスの供給を停止してクリーニングを終了させ、該クリーニング終了時に前記構成部材は３００℃を超える温度にある、ことを特徴とする成膜装置のクリーニング方法。」
となり、相違点は次のとおりとなる。
Ａ’クリーニング終了後に関して、本願発明は、「少なくとも１０分間３００℃を超える温度に維持する脱ガス処理に供する」のに対して、引用発明は、「クリーニングガスの供給を停止し、パージガス供給管１６から所定量の窒素ガスを供給して、反応管２内のガスを排気管１７に排出するパージ工程、を備える」点（以下、「相違点Ａ’」という。）
　
　この相違点Ａ’は、「前記成膜より低い温度」という限定を省いたものであるから、「第２」の「２」の項（２）ウに示した、本件補正発明と引用発明との相違点Ａに包含されるものである。
　そうすると、この相違点Ａ’についても、同項（２）エ（ア）に記載したのと同様の判断ができる。
　
３　まとめ
　したがって、本願発明は、分割に係る原出願の出願前頒布された引用文献１に記載された発明及び引用文献２に記載された公知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　
第６　むすび
　以上のとおり、本願発明は特許を受けることができないものであるから、その余の請求項について検討するまでもなく、本願は、拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。