【事件の表示】
　特願２０１２−１６７１１４「光半導体装置用リードフレーム，樹脂付き光半導体装置用リードフレーム，光半導体装置，および，光半導体装置用リードフレームの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年　３月２８日出願公開，特開２０１３−　５８７３９〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２４年７月２７日（優先権主張平成２３年８月１７日）の出願であって，平成２５年１２月２６日付けで拒絶理由が通知され，平成２６年３月１０日に手続補正がされ，同年４月１８日付けで拒絶査定がされ，これに対して，同年８月６日に審判請求がされると同時に手続補正がされたものである。
　
第２　補正の却下の決定
　平成２６年８月６日にされた手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１　本件補正の内容
　本件補正は，明細書及び特許請求の範囲を補正するものであり，本件補正の前後で特許請求の範囲は以下のとおりである。
　
〈補正前〉
「【請求項１】
　樹脂封止型の光半導体装置に用いられる光半導体装置用リードフレームにおいて，
　表面側に光半導体と電気的に接続される内部端子と，その裏面側が外部基板と電気的に接続される外部端子とを含む複数の端子部を備え，
　前記複数の端子部の表面側には，開口を有する凹部が形成されており，
　平面視上，前記凹部の内部の幅が，前記開口の幅よりも広く，
　前記凹部は，上方が開口するＣ字状断面をもち，
　前記凹部は，前記凹部の開口の縁部が前記凹部の内部よりも内側にせり出したオーバーハング形状を有することを特徴とする光半導体装置用リードフレーム。
　　【請求項２】
　前記凹部の内部表面，および前記凹部の開口縁部にめっき層が形成されており，
　前記凹部の開口縁部に形成された前記めっき層が，
　前記凹部の内部表面に形成された前記めっき層よりも厚く形成されていることを特徴とする請求項１に記載の光半導体装置用リードフレーム。
　　【請求項３】
　前記凹部は，前記端子部の外周の少なくとも一部に沿って形成され，前記凹部は，端子部のコーナー部において平面視円弧状に形成されていることを特徴とする請求項１〜２のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレーム。
　　【請求項４】
　前記凹部の深さは，前記凹部の前記開口の幅より大きいことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレーム。
　　【請求項５】
　前記凹部の深さは，前記光半導体装置用リードフレームを構成する金属基板の厚さの１／２〜３／４であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレーム。
　　【請求項６】
　前記端子部の表面側の前記凹部の外側近傍に，裏面側から薄肉化された連結部が設けられていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレーム。
　　【請求項７】
　請求項１〜６のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレームと，光半導体素子が発する光を反射する光反射性樹脂と，を備えたことを特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレーム。
　　【請求項８】
　前記凹部の少なくとも一部の上に，前記光反射性樹脂が形成されていることを特徴とする請求項７に記載の樹脂付き光半導体装置用リードフレーム。
　　【請求項９】
　請求項１〜６のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレームと，前記光半導体装置用リードフレームの表面に載置された光半導体素子と，前記光半導体素子を封止し，少なくとも前記光半導体素子が発する光の一部を透過する透光性樹脂と，を備えたことを特徴とする光半導体装置。
　　【請求項１０】
　前記光半導体素子が発する光を反射する光反射性樹脂が，平面視上，前記透光性樹脂を取り囲むように備えられていることを特徴とする請求項９に記載の光半導体装置。
　　【請求項１１】
　前記凹部の少なくとも一部の上に，前記透光性樹脂が形成されていることを特徴とする請求項９〜１０のいずれか一項に記載の光半導体装置。
　　【請求項１２】
　前記凹部の少なくとも一部の上に，前記光反射性樹脂が形成されていることを特徴とする請求項１０〜１１のいずれか一項に記載の光半導体装置。
　　【請求項１３】
　樹脂封止型の光半導体装置に用いられ，表面側に光半導体と電気的に接続される内部端子と，その裏面側が外部基板と電気的に接続される外部端子とを含む複数の端子部を備えた光半導体装置用リードフレームの製造方法であって，
　金属基板を準備する工程と，
　前記金属基板の表面および裏面に，それぞれレジストパターンを形成する工程と，
　前記レジストパターンを耐エッチング膜として前記金属基板の表裏にエッチングを施す工程と，
　前記金属基板の表面の少なくとも一部に電解めっき層を形成する工程と，を備え，
　前記エッチングを施す工程において，前記金属基板の表面側および裏面側からの貫通エッチングにより，
　前記端子部の外形を形成し，
　前記金属基板の表面側からのハーフエッチングにより，
　前記複数の端子部の表面側に，
　平面視上，内部の幅が開口の幅よりも広く，かつ上方が開口するＣ字状断面をもつ凹部を形成し，
　前記凹部は，前記凹部の開口の縁部が前記凹部の内部よりも内側にせり出したオーバーハング形状を有することを特徴とする光半導体装置用リードフレームの製造方法。
　　【請求項１４】
　前記エッチングを施す工程において，前記端子部の表面側の前記凹部の外側近傍に，裏面側からのハーフエッチングにより薄肉化された連結部を形成することを特徴とする請求項１３に記載の光半導体装置用リードフレームの製造方法。
　　【請求項１５】
　前記電解めっき層を形成する工程において，
　前記端子部の表面に対し，アノード電極を略平行に配置することにより，
　前記凹部の開口縁部に形成された前記電解めっき層を，
　前記凹部の内部表面に形成された前記電解めっき層よりも厚く形成することを特徴とする請求項１３〜１４のいずれか一項に記載の光半導体装置用リードフレームの製造方法。」
　
〈補正後〉
「【請求項１】
　樹脂封止型の光半導体装置に用いられる光半導体装置用リードフレームと，光半導体素子が発する光を反射する光反射性樹脂と，を備えた，樹脂付き光半導体装置用リードフレームにおいて，
　前記光半導体装置用リードフレームは，表面側に光半導体と電気的に接続される内部端子と，その裏面側が外部基板と電気的に接続される外部端子とを含む複数の端子部を備え，
　前記複数の端子部は，光半導体素子が載置されるダイパッドと，前記ダイパッドに隣接する隣接端子部とを有し，
　前記複数の端子部の表面側には，開口を有する凹部が形成されており，
　平面視上，前記凹部の内部の幅が，前記開口の幅よりも広く，
　前記凹部は，上方が開口するＣ字状断面をもち，
　前記凹部は，前記凹部の開口の縁部が前記凹部の内部よりも内側にせり出したオーバーハング形状を有し，
　前記Ｃ字状断面をもつ凹部は，前記ダイパッドと前記隣接端子部の双方に設けられ，前記光半導体装置用リードフレーム外周に沿って形成され，
　前記凹部は，前記光反射性樹脂に対して垂直方向の剥離力が働いた際，前記光反射性樹脂が前記リードフレームから脱離することを抑制することを特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレーム。
　　【請求項２】
　前記凹部の内部表面，および前記凹部の開口縁部にめっき層が形成されており，
　前記凹部の開口縁部に形成された前記めっき層が，
　前記凹部の内部表面に形成された前記めっき層よりも厚く形成されていることを特徴とする請求項１に記載の樹脂付き光半導体装置用リードフレーム。
　　【請求項３】
　前記凹部は，前記端子部の外周の少なくとも一部に沿って形成され，前記凹部は，端子部のコーナー部において平面視円弧状に形成されていることを特徴とする請求項１〜２のいずれか一項に記載の樹脂付き光半導体装置用リードフレーム。
　　【請求項４】
　前記凹部の深さは，前記凹部の前記開口の幅より大きいことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の樹脂付き光半導体装置用リードフレーム。
　　【請求項５】
　前記凹部の深さは，前記光半導体装置用リードフレームを構成する金属基板の厚さの１／２〜３／４であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の樹脂付き光半導体装置用リードフレーム。
　　【請求項６】
　前記端子部の表面側の前記凹部の外側近傍に，裏面側から薄肉化された連結部が設けられていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の樹脂付き光半導体装置用リードフレーム。
　　【請求項７】
　光半導体装置用リードフレームと，前記光半導体装置用リードフレームの表面に載置された光半導体素子と，前記光半導体素子を封止し，少なくとも前記光半導体素子が発する光の一部を透過する透光性樹脂と，を備え，
　前記光半導体素子が発する光を反射する光反射性樹脂が，平面視上，前記透光性樹脂を取り囲むように備えられ，
　前記光半導体装置用リードフレームは，表面側に光半導体と電気的に接続される内部端子と，その裏面側が外部基板と電気的に接続される外部端子とを含む複数の端子部を備え，
　前記複数の端子部は，光半導体素子が載置されるダイパッドと，前記ダイパッドに隣接する隣接端子部とを有し，
　前記複数の端子部の表面側には，開口を有する凹部が形成されており，
　平面視上，前記凹部の内部の幅が，前記開口の幅よりも広く，
　前記凹部は，上方が開口するＣ字状断面をもち，
　前記凹部は，前記凹部の開口の縁部が前記凹部の内部よりも内側にせり出したオーバーハング形状を有し，
　前記Ｃ字状断面をもつ凹部は，前記ダイパッドと前記隣接端子部の双方に設けられ，前記光半導体装置用リードフレーム外周に沿って形成され，
　前記凹部は，前記光反射性樹脂に対して垂直方向の剥離力が働いた際，前記光反射性樹脂が前記リードフレームから脱離することを抑制することを特徴とする光半導体装置。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正を整理すると以下のとおりとなる。
（１）補正事項１
　補正前の請求項１〜請求項６及び請求項８を削除すること。
　
（２）補正事項２
　補正前の請求項７のうち，補正前の請求項１を引用する部分を独立形式に書き替えて補正後の請求項１とし，補正前の請求項２〜６を引用する部分を補正後の請求項２〜６とするとともに，前記補正後の請求項１について更に以下のア〜ウの補正を行うこと。
　
ア　補正前の「表面側に光半導体と電気的に接続される内部端子と，その裏面側が外部基板と電気的に接続される外部端子とを含む複数の端子部を備え」を，補正後の「前記光半導体装置用リードフレームは，表面側に光半導体と電気的に接続される内部端子と，その裏面側が外部基板と電気的に接続される外部端子とを含む複数の端子部を備え」と補正すること。
　
イ　「前記複数の端子部は，光半導体素子が載置されるダイパッドと，前記ダイパッドに隣接する隣接端子部とを有し，」を加入すること。
　
ウ　補正前の「前記凹部は，前記凹部の開口の縁部が前記凹部の内部よりも内側にせり出したオーバーハング形状を有すること」を，補正後の「前記凹部は，前記凹部の開口の縁部が前記凹部の内部よりも内側にせり出したオーバーハング形状を有し，
　前記Ｃ字状断面をもつ凹部は，前記ダイパッドと前記隣接端子部の双方に設けられ，前記光半導体装置用リードフレーム外周に沿って形成され，
　前記凹部は，前記光反射性樹脂に対して垂直方向の剥離力が働いた際，前記光反射性樹脂が前記リードフレームから脱離することを抑制すること」と補正すること。
　
（３）補正事項３
　補正前の請求項９を削除すること。
　
（４）補正事項４
　補正前の請求項１０のうち，補正前の請求項１０が引用する補正前の請求項９が，補正前の請求項１を引用していた部分を独立形式に書き替えて補正後の請求項７とするとともに，当該補正後の請求項７について更に前記（２）ア〜ウの補正を行うこと。
　
（５）補正事項５
　補正前の請求項１１〜請求項１５を削除すること。
　
３　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討
（１）補正事項１，３及び５について
　補正前の請求項１〜６，８，９，１１〜１５を削除することは，特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものである。また，当該補正事項が特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　
（２）補正事項２について
　補正前の請求項７のうち，補正前の請求項１を引用する部分を独立形式に書き替えて補正後の請求項１とし，補正前の請求項２〜６を引用する部分を補正後の請求項２〜６とすることは，補正前の請求項１〜６を削除することに伴うものであるから，特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものといえる。
　また，補正事項２のうち，前記２（２）アについては，補正前の「表面側に光半導体と電気的に接続される内部端子と，その裏面側が外部基板と電気的に接続される外部端子とを含む複数の端子部を備え」るとの発明特定事項が，「光半導体装置用リードフレーム」に関する事項であることを明らかにするものであるから，特許法第１７条の２第５項第３号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。そして，当該補正事項が特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかである。
　また，補正事項２のうち，前記２（２）イについては，補正前の発明特定事項である「複数の端子部」について，「光半導体素子が載置されるダイパッドと，前記ダイパッドに隣接する隣接端子部とを有」することとして，技術的に限定するものであるから，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そして，「複数の端子部は，光半導体素子が載置されるダイパッドと，前記ダイパッドに隣接する隣接端子部とを有」することは，本願の願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。）の段落【００４０】及び図１３（ａ）に記載されているから，補正事項２のうち，前記２（２）イは，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　また，補正事項２のうち，前記２（２）ウについては，補正前の発明特定事項である「Ｃ字状断面をも」つ「凹部」について，「前記ダイパッドと前記隣接端子部の双方に設けられ，前記光半導体装置用リードフレーム外周に沿って形成され，前記凹部は，前記光反射性樹脂に対して垂直方向の剥離力が働いた際，前記光反射性樹脂が前記リードフレームから脱離することを抑制する」こととして，技術的に限定するものであるから，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。そして，「複数の端子部は，光半導体素子が載置されるダイパッドと，前記ダイパッドに隣接する隣接端子部とを有」することは，当初明細書等の段落【００４９】に記載されているから，補正事項２のうち，前記２（２）ウは，特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
（３）補正事項４について
　補正前の請求項１０のうち，補正前の請求項１０が引用する補正前の請求項９が補正前の請求項１を引用していた部分を独立形式に書き替えて補正後の請求項７とすることは，補正前の請求項１を削除することに伴うものであるから，特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる請求項の削除を目的とするものといえる。
　また，前記３（２）において検討したとおり，補正事項４のうち，前記２（２）アに係る事項は，特許法第１７条の２第５項第３号に掲げる明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって，当該補正事項は特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすことは明らかであり，補正事項４のうち，前記２（２）イ及びウに係る事項については，特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものであって，当該各補正事項は特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たすものである。
　
　上記のとおり，本件補正は，特許請求の範囲の減縮を目的とするものを含むから，以下においては，本件補正後の特許請求の範囲に記載された発明が，特許出願の際独立して特許を受けることができるものか（特許法１７条の２第６項において準用する同法１２６条７項に規定する独立特許要件を満たすか）どうかについて検討する。
　
４　独立特許要件についての検討
（１）本願補正発明
　本件補正後の請求項１に係る発明は，本件補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載から見て，その請求項１に記載された事項により特定される以下のとおりのものである。（再掲。以下「本願補正発明」という。）
「【請求項１】
　樹脂封止型の光半導体装置に用いられる光半導体装置用リードフレームと，光半導体素子が発する光を反射する光反射性樹脂と，を備えた，樹脂付き光半導体装置用リードフレームにおいて，
　前記光半導体装置用リードフレームは，表面側に光半導体と電気的に接続される内部端子と，その裏面側が外部基板と電気的に接続される外部端子とを含む複数の端子部を備え，
　前記複数の端子部は，光半導体素子が載置されるダイパッドと，前記ダイパッドに隣接する隣接端子部とを有し，
　前記複数の端子部の表面側には，開口を有する凹部が形成されており，
　平面視上，前記凹部の内部の幅が，前記開口の幅よりも広く，
　前記凹部は，上方が開口するＣ字状断面をもち，
　前記凹部は，前記凹部の開口の縁部が前記凹部の内部よりも内側にせり出したオーバーハング形状を有し，
　前記Ｃ字状断面をもつ凹部は，前記ダイパッドと前記隣接端子部の双方に設けられ，前記光半導体装置用リードフレーム外周に沿って形成され，
　前記凹部は，前記光反射性樹脂に対して垂直方向の剥離力が働いた際，前記光反射性樹脂が前記リードフレームから脱離することを抑制することを特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレーム。」
　
（２）刊行物等に記載された発明
《特開２０１１−１４６５２４号公報》
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２０１１−１４６５２４号公報（以下「引用例」という。）には，図１〜５とともに，以下の記載がある。（下線は当審においても付加。以下同様。）
　
ア　技術分野
「【０００１】
　本発明は，ＬＥＤ素子等の半導体素子を載置するために用いられるリードフレームおよびその製造方法，ならびにこのようなリードフレームを含む半導体装置およびその製造方法に関する。」
　
イ　課題・課題を解決するための手段
「【０００２】
　一般に半導体装置としては，リードフレームにＩＣチップ，ＬＳＩチップなどの半導体素子を搭載し，これを絶縁性樹脂で封止した構造をもつ半導体装置が存在する。このような半導体装置においては，高集積化および小型化が進むに従ってパッケージの構造が，ＳＯＪ（Small Outline J-Leaded Package）やＱＦＰ（Quad Flat Package）のような，樹脂パッケージの側壁から外部リードが外側に突出したタイプを経て，外部リードが外側に突出せず，樹脂パッケージの裏面に外部リードが露出するように埋設された薄型で実装面積の小さいパッケージタイプに進展している。
【０００３】
　このような薄型の半導体装置（半導体パッケージ）としては，例えばＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded Package）タイプのものや，ＳＯＮ（Small Outline Non-leaded Package）タイプのもの等が知られている（例えば特許文献１参照）。また，このような薄型の半導体装置の中には下面実装型のものが存在し，下面実装型の半導体装置は，半導体素子を搭載する下面実装型のリードフレームを有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１３５４０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
　ところで近年，下面実装型の半導体装置を更に薄型化することが求められている。半導体装置の薄型化を図る場合，例えばリードフレームの厚みを更に薄くすることが考えられる。しかしながら，リードフレーム全体の厚みを大幅に薄くした場合，リードフレームの製造工程または半導体装置の製造工程において，リードフレームをハンドリングすることが困難になるという問題が生じる。この結果，リードフレームの製造および半導体装置の製造に支障を来すおそれがある。
【０００６】
　本発明はこのような点を考慮してなされたものであり，リードフレームのうち半導体素子を載置する部分のみを選択的に薄くすることにより，リードフレームのハンドリング性を損なうことなく半導体装置の厚みを薄くすることが可能なリードフレームおよびその製造方法，ならびに半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
　本発明は，半導体素子を載置するリードフレームにおいて，半導体素子を載置する載置面を有するダイパッドと，ダイパッド周囲に設けられたリード部とを備え，ダイパッドの載置面に，深さが浅い第１凹部と，第１凹部中央に位置するとともに深さが深い第２凹部とからなる載置凹部を形成したことを特徴とするリードフレームである。」
　
ウ　リードフレームの構成
「【００１９】
　（第１の実施の形態）
　以下，本発明の第１の実施の形態について，図１乃至図１０を参照して説明する。
【００２０】
　
リードフレームの構成
　まず，図１および図２により，本実施の形態によるリードフレームの概略について説明する。図１（ａ）は，本実施の形態によるリードフレームを示す平面図，図１（ｂ）は図１（ａ）中のＡＡ’線に沿った断面図であり，図２は，ダイパッドの載置凹部を示す部分拡大断面図である。図３は，本実施の形態によるリードフレームの変形例を示す断面図である。
【００２１】
　
図１（ａ）（ｂ）に示すように，リードフレーム１０は，半導体素子２１（後述）を載置するために用いられるものである。このようなリードフレーム１０は，ダイパッド１１と，ダイパッド１１の周囲に空間１３を介して設けられたリード部１２とを備えている
【００２２】
　ダイパッド１１およびリード部１２は，１枚の金属基板をエッチング加工することにより形成されたものである。ダイパッド１１およびリード部１２の材料としては，例えば銅，銅合金，４２合金（Ｎｉ４１％のＦｅ合金）等を挙げることができる。このダイパッド１１およびリード部１２の厚みは，半導体装置の構成にもよるが，０．０５ｍｍ〜０．５ｍｍとすることが好ましい。
【００２３】
　
ダイパッド１１の表面（図１（ｂ）の上面）には，後述する半導体素子２１を載置する載置面１１ａが形成されている。他方，ダイパッド１１の裏面（図１（ｂ）の下面）には，図示しない外部の電極に接続される第１アウターリード部２７が形成されている
【００２４】
　
またリード部１２の表面（図１（ｂ）の上面）には，後述するボンディングワイヤ２２が接続されるボンディング面１２ａが形成されている。他方，リード部１２の裏面（図１（ｂ）の下面）には，図示しない外部の電極に接続される第２アウターリード部２８が形成されている
【００２５】
　本実施の形態において，
ダイパッド１１の載置面１１ａには，半導体素子２１を収容する載置凹部１４が形成されている。この載置凹部１４は，深さが相対的に浅い第１凹部１５と，第１凹部１５中央に位置するとともに，深さが相対的に深い第２凹部１６とからなっている
【００２６】
　すなわち図２に示すように，載置凹部１４において，第１凹部１５の深さｄ１より第２凹部１６の深さｄ２の方が深くなっている（ｄ１＜ｄ２）。ここで，第１凹部１５および第２凹部１６の深さとは，載置面１１ａのうち載置凹部１４が形成されていない表面１１ｂからの深さをいう。なお第１凹部１５の深さｄ１は，例えば０．０３ｍｍ〜０．３ｍｍとすることができ，第２凹部１６の深さｄ２は，例えば０．０４ｍｍ〜０．４ｍｍとすることができる。
【００２７】
　第１凹部１５は，その全周にわたって形成された側壁１５ａを有している。この第１凹部１５の側壁１５ａは，ダイパッド１１のうち載置凹部１４が形成されていない表面１１ｂ側から第２凹部１６側に向かう湾曲面を形成している。半導体素子２１としてＬＥＤ素子を用いる場合，第１凹部１５の側壁１５ａである湾曲面を，ＬＥＤ素子からの光を反射する反射面として機能させることができる。
【００２８】
　一方，第２凹部１６は，底面１６ａと，底面１６ａ外周に形成された側壁１６ｂとを有している。このうち側壁１６ｂは，その上端が第１凹部１５の側壁１５ａに連接している。また底面１６ａは，プレスにより平坦に形成されている。なお底面１６ａの平面形状は限定されないが，例えば円形，楕円形または多角形（たとえば角丸の矩形）等とすることができる。
【００２９】
　なお，例えば半導体素子２１がＬＥＤ素子からなる場合，図３に示すように，リードフレーム１０の表面にめっき層２５を形成することが好ましい。このめっき層２５は，半導体素子２１からの光を反射するための反射層として機能するものである。めっき層２５は，ダイパッド１１の載置面１１ａ上，載置凹部１４内，およびリード部１２のボンディング面１２ａ上に形成することが好ましいが，とりわけ，半導体素子２１からの光を効果的に反射させるため，第１凹部１５の側壁１５ａに形成することが好ましい。めっき層２５の構成は反射層として機能するものであれば問わないが，例えば下地層としての銅めっき層と，銅めっき層上の反射用銀めっき層とからなっていても良い。あるいは，めっき層２５が，下地層としての銅めっき層と，銅めっき層上の反射用金めっき層とからなっていても良い。なおめっき層２５の厚みは，例えば１μｍ〜５μｍとすることが好ましい。
【００３０】
　なおリードフレーム１０において，このようなめっき層２５を設けない構成も可能であることは勿論である。
【００３１】
　
また図１（ａ）に示すように，ダイパッド１１の載置面１１ａおよびリード部１２のボンディング面１２ａには，（空間１３を除き）平面角丸矩形状のアンカー溝１７が形成されている。このアンカー溝１７は，後述するように，外側樹脂部２３がダイパッド１１およびリード部１２から脱落することを防止する役割を果たす
　
エ　樹脂付リードフレームの構成　
「【００３３】
　
樹脂付リードフレームの構成
　次に図４により，本実施の形態による樹脂付リードフレームの概略について説明する。図４は，本実施の形態による樹脂付リードフレームを示す断面図である。
【００３４】
　図４に示すように，
樹脂付リードフレーム３０は，図１（ａ）（ｂ）に示すリードフレーム１０と，リードフレーム１０に設けられた外側樹脂部２３とを備えている。これらリードフレーム１０と外側樹脂部２３とは，互いに一体に結合されている
【００３５】
　このうち外側樹脂部２３は，その一部分がダイパッド１１とリード部１２との間の空間１３に埋設されるとともに，他の一部分がリードフレーム１０の上方に突設している。また外側樹脂部２３は，ダイパッド１１の載置面１１ａおよびリード部１２のボンディング面１２ａを外側樹脂部２３の側壁面で取り囲む凹部２３ｃを有している。ここで，リードフレーム１０と外側樹脂部２３とは，互いに一体に結合されている。
リードフレーム１０の外側樹脂部２３と接する面には，上述したようにアンカー溝１７が形成されており，外側樹脂部２３の樹脂がアンカー溝１７を満たすことで外側樹脂部２３の脱落を防止している
【００３６】
　なおリードフレーム１０の構成については，図１（ａ）（ｂ）を用いて既に説明したので，同一部分には同一の符号を付して，ここでは詳細な説明は省略する。」
　
オ　半導体装置の構成
「【００３７】
　
半導体装置の構成
　次に，図５により，本実施の形態による半導体装置について説明する。図５は，本実施の形態による半導体装置（ＳＯＮタイプ）を示す断面図である。以下において，半導体素子２１がＬＥＤ素子からなる場合について説明するが，半導体素子２１としてＬＥＤ素子以外の半導体素子を用いることも可能である。
【００３８】
　図５に示す半導体装置２０は，図１（ａ）（ｂ）に示すリードフレーム１０を用いることにより作製されたものである。このような半導体装置２０は，ダイパッド１１と，ダイパッド１１周囲に設けられたリード部１２とを有するリードフレーム１０と，リードフレーム１０のダイパッド１１に載置された半導体素子２１とを備えている。またリード部１２と半導体素子２１とが，ボンディングワイヤ（導電部）２２により電気的に接続されている。
【００３９】
　ダイパッド１１とリード部１２との間の空間１３には，外側樹脂部２３が充填されている。また外側樹脂部２３は，半導体素子２１およびボンディングワイヤ２２を取り囲むように形成された凹部２３ｃを有している。なお凹部２３ｃの深さは，０．１ｍｍ〜０．５ｍｍとすることが可能である。
【００４０】
　またダイパッド１１の載置面１１ａに，載置凹部１４が形成されている。この載置凹部１４は，深さが浅い第１凹部１５と，第１凹部１５の中央に位置するとともに，深さが深い第２凹部１６とからなっている。そして上述した半導体素子２１は，載置面１１ａの載置凹部１４内であって，第２凹部１６の平坦な底面１６ａ上に載置されている。
【００４１】
　さらに
半導体素子２１とボンディングワイヤ２２とは，透光性の封止樹脂部２４によって封止されている。この封止樹脂部２４は，外側樹脂部２３の凹部２３ｃ内に充填されている
【００４２】
　以下，このような半導体装置２０を構成する各構成部材について，順次説明する。
【００４３】
　本実施の形態において，
半導体素子２１はＬＥＤ素子からなっている
【００４４】
　・・・（中略）・・・
【００４７】
　外側樹脂部２３に使用される熱可塑性樹脂については，特に耐熱性，耐候性および機械的強度に優れたものを選ぶことが望ましい。熱可塑性樹脂の種類としては，ポリアミド，ポリフタルアミド，ポリフェニレンサルファイド，液晶ポリマー，ポリエーテルサルホン，シリコーン，エポキシ，ポリエーテルイミドおよびポリブチレンテレフタレート等を使用することができる。さらにまた，これらの樹脂中に光反射剤として，二酸化チタン，二酸化ジルコニウム，チタン酸カリウム，窒化アルミニウムおよび窒化ホウ素のうちいずれかを添加することによって，
凹部２３ｃの底面及び側面において，半導体素子２１からの光の反射率を増大させ，半導体装置２０全体の光取り出し効率を増大させることが可能となる
　
カ　図
　図１及び図４は以下のものである。
【図１】
　
【図４】
　
キ　ここで，上記オの記載から，上記エに記載された「樹脂付リードフレーム３０」は，半導体装置のために用いられ，その際，半導体素子２１はＬＥＤ素子からなり，当該ＬＥＤ素子は，透光性の封止樹脂部２４によって封止され，また，外側樹脂部２３は，その凹部２３ｃの底面及び側面において，前記ＬＥＤ素子からの光を反射することがわかる。
　また，上記ウ及びエの記載とともに図１を参照すると，アンカー溝１７は，ダイパッド１１の載置面１１ａ及びリード部１２のボンディング面１２ａの各々の，空間１３側を除いた外周に沿って設けられていることがわかる。
　
ク　以上を総合すると，引用例には以下の発明が記載されているものと認められる。（以下「引用発明」という。）
「リードフレーム１０と，リードフレーム１０に設けられた外側樹脂部２３とを備える樹脂付リードフレーム３０であって，
　樹脂付リードフレーム３０は，半導体装置のために用いられ，その際，ＬＥＤ素子２１は，透光性の封止樹脂部２４によって封止され，また，外側樹脂部２３は，その凹部２３ｃの底面及び側面において，ＬＥＤ素子２１からの光を反射するものであり，
　リードフレーム１０は，ダイパッド１１と，ダイパッド１１の周囲に空間１３を介して設けられたリード部１２とを備えており，
　ダイパッド１１の表面には，ＬＥＤ素子２１を載置する載置面１１ａが形成され，ダイパッド１１の裏面には，外部の電極に接続される第１アウターリード部２７が形成され，
　リード部１２の表面には，ボンディングワイヤ２２が接続されるボンディング面１２ａが形成され，リード部１２の裏面には，外部の電極に接続される第２アウターリード部２８が形成され，
　ダイパッド１１の載置面１１ａには，半導体素子２１を収容する載置凹部１４が形成され，載置凹部１４は，深さが相対的に浅い第１凹部１５と，第１凹部１５中央に位置するとともに，深さが相対的に深い第２凹部１６とからなり，
　ダイパッド１１の載置面１１ａ及びリード部１２のボンディング面１２ａの各々の，空間１３側を除いた外周に沿って，平面角丸矩形状のアンカー溝１７が形成されており，アンカー溝１７は，外側樹脂部２３がダイパッド１１およびリード部１２から脱落することを防止する役割を果たすものである，
　樹脂付リードフレーム３０。」
　
（３）対比
　本願補正発明と引用発明とを比較する。
　
ア　引用発明に係る「樹脂付リードフレーム３０」は，「半導体装置のために用いられ，その際，ＬＥＤ素子２１は，透光性の封止樹脂部２４によって封止され」るものである。ここで，「ＬＥＤ素子２１」は本願補正発明の「光半導体素子」に相当する。さらに，引用発明においては「ＬＥＤ素子２１は，透光性の封止樹脂部２４によって封止され」るから，引用発明の「半導体装置」は，本願補正発明の「樹脂封止型の光半導体装置」に相当するといえる。それゆえ，引用発明の「リードフレーム１０」及び「樹脂付リードフレーム３０」は，それぞれ本願補正発明の「光半導体装置用リードフレーム」及び「樹脂付き光半導体装置用リードフレーム」に相当する。
　また，引用発明においては「外側樹脂部２３は，その凹部２３ｃの底面及び側面において，ＬＥＤ素子２１からの光を反射するもの」であるから，当該「外側樹脂部２３」は，本願補正発明の「光半導体素子が発する光を反射する光反射性樹脂」に相当する。
　よって，引用発明の「リードフレーム１０と，リードフレーム１０に設けられた外側樹脂部２３とを備える樹脂付リードフレーム３０であって，樹脂付リードフレーム３０は，半導体装置のために用いられ，その際，ＬＥＤ素子２１は，透光性の封止樹脂部２４によって封止され，また，外側樹脂部２３は，その凹部２３ｃの底面及び側面において，ＬＥＤ素子２１からの光を反射するものであ」るものは，本願補正発明の「樹脂封止型の光半導体装置に用いられる光半導体装置用リードフレームと，光半導体素子が発する光を反射する光反射性樹脂と，を備えた，樹脂付き光半導体装置用リードフレーム」に相当する。
　
イ　引用発明において「リードフレーム１０」が備える，「ダイパッド１１」及び「リード部１２」は，それぞれ本願補正発明の「光半導体素子が載置されるダイパッド」及び「前記ダイパッドに隣接する隣接端子部」に相当する。そして，引用発明においては「ダイパッド１１の表面には，ＬＥＤ素子２１を載置する載置面１１ａが形成され，ダイパッド１１の裏面には，外部の電極に接続される第１アウターリード部２７が形成され，リード部１２の表面には，ボンディングワイヤ２２が接続されるボンディング面１２ａが形成され，リード部１２の裏面には，外部の電極に接続される第２アウターリード部２８が形成され」るものであるから，引用発明の「リードフレーム１０」が「ダイパッド１１」及び「リード部１２」を備えることは，本願補正発明に係る「前記光半導体装置用リードフレームは，表面側に光半導体と電気的に接続される内部端子と，その裏面側が外部基板と電気的に接続される外部端子とを含む複数の端子部を備え」ることに相当する。
　
ウ　引用発明の「ダイパッド１１の載置面１１ａ及びリード部１２のボンディング面１２ａの各々の，空間１３側を除いた外周に沿って，平面角丸矩形状のアンカー溝１７が形成されて」いることにおいて，「ダイパッド１１の載置面１１ａ及びリード部１２のボンディング面１２ａの各々の，空間１３側」は，リードフレーム１０の外周部にあたらないから，「ダイパッド１１の載置面１１ａ及びリード部１２のボンディング面１２ａの各々」に，リードフレーム１０の「外周に沿って，平面角丸矩形状のアンカー溝１７が形成されて」いるといえる。
　そうすると，引用発明における「ダイパッド１１の載置面１１ａ及びリード部１２のボンディング面１２ａの各々の，空間１３側を除いた外周に沿って，平面角丸矩形状のアンカー溝１７が形成されて」いることと，本願補正発明の「前記複数の端子部の表面側には，開口を有する凹部が形成されており，平面視上，前記凹部の内部の幅が，前記開口の幅よりも広く，前記凹部は，上方が開口するＣ字状断面をもち，前記凹部は，前記凹部の開口の縁部が前記凹部の内部よりも内側にせり出したオーバーハング形状を有し，前記Ｃ字状断面をもつ凹部は，前記ダイパッドと前記隣接端子部の双方に設けられ，前記光半導体装置用リードフレーム外周に沿って形成され」ていることとは，「前記複数の端子部の表面側には，開口を有する凹部が形成されており，前記凹部は，前記ダイパッドと前記隣接端子部の双方に設けられ，前記光半導体装置用リードフレーム外周に沿って形成され」ている点で一致する。
　
エ　引用発明の「アンカー溝１７は，外側樹脂部２３がダイパッド１１およびリード部１２から脱落することを防止する役割を果たすものである」ことと，本願補正発明の「前記凹部は，前記光反射性樹脂に対して垂直方向の剥離力が働いた際，前記光反射性樹脂が前記リードフレームから脱離することを抑制すること」とは，「前記凹部は，前記光反射性樹脂が前記リードフレームから脱離することを抑制すること」である点で一致する。
　
オ　したがって，引用発明と本願補正発明とは，
「樹脂封止型の光半導体装置に用いられる光半導体装置用リードフレームと，光半導体素子が発する光を反射する光反射性樹脂と，を備えた，樹脂付き光半導体装置用リードフレームにおいて，
　前記光半導体装置用リードフレームは，表面側に光半導体と電気的に接続される内部端子と，その裏面側が外部基板と電気的に接続される外部端子とを含む複数の端子部を備え，
　前記複数の端子部は，光半導体素子が載置されるダイパッドと，前記ダイパッドに隣接する隣接端子部とを有し，
　前記複数の端子部の表面側には，開口を有する凹部が形成されており，
　前記凹部は，前記ダイパッドと前記隣接端子部の双方に設けられ，前記光半導体装置用リードフレーム外周に沿って形成され，
　前記凹部は，前記光反射性樹脂が前記リードフレームから脱離することを抑制する樹脂付き光半導体装置用リードフレーム。」
である点で一致する。
　
カ　一方両者は，以下の各点で相違する。
《相違点１》
　本願補正発明においては，「開口を有する凹部」について，「平面視上，前記凹部の内部の幅が，前記開口の幅よりも広く，前記凹部は，上方が開口するＣ字状断面をもち，前記凹部は，前記凹部の開口の縁部が前記凹部の内部よりも内側にせり出したオーバーハング形状を有し，」また，「前記Ｃ字状断面をもつ凹部は，前記ダイパッドと前記隣接端子部の双方に設けられ」る構成を備えるのに対して，引用発明においては，「開口を有する凹部が形成されて」ことに対応する構成を備え，また，「前記凹部は，前記ダイパッドと前記隣接端子部の双方に設けられ」ることに対応する構成を備えるものの，本願補正発明に係る上記構成は備えない点。
　
《相違点２》
　本願補正発明においては，「開口を有する凹部」について，「前記光反射性樹脂に対して垂直方向の剥離力が働いた際，前記光反射性樹脂が前記リードフレームから脱離することを抑制する」とされているのに対して，引用発明は「前記凹部は，前記光反射性樹脂が前記リードフレームから脱離することを抑制すること」ことに対応する構成を備えるものの，「前記光反射性樹脂が前記リードフレームから脱離することを抑制する」ことが，「垂直方向の剥離力が働いた際」であることまで特定されていない点。
　
（４）判断
　上記各相違点１及び相違点２について，両者を併せて検討する。
　
　一般に，リードフレーム上に半導体素子を搭載し，樹脂によりモールドする半導体素子において，前記リードフレーム表面に凹部を設けて前記リードフレームと樹脂の密着性を向上させるにあたり，当該凹部が開口部の幅よりも内部における幅の方が大きいものとすることは，例えば以下の周知例１〜３にも示されているように，従来より周知の技術である。
　
周知例１：特開平７−２７３２７０号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開平７−２７３２７０号公報（以下「周知例１」という。）には，図１２及び図１３とともに，以下の記載がある。
「【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はリードフレーム及びその製造方法及びそれを用いた半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１２は従来の半導体装置を示す側断面図である。電子機器の小型化，薄形化に伴いＩＣパッケージの薄形化要求が高まっており，半導体のプラスチックパッケージにおいて，モールド樹脂２の厚みは薄くなる傾向にある。このため，
リードフレーム１とモールド樹脂２との密着性を向上させモールド樹脂２のクラック発生を防止するため，リードフレーム１のダイパッド３のＩＣチップ４が搭載されていない面にディンプル５の加工が行われている。このディンプル５は図１３に示すように開口部が内部より小さい逆テーパ形状が要求されており
　
　図１２及び図１３は以下のものである。
【図１２】
　
【図１３】
　
　ここで，図１３を参照すると，「開口部が内部より小さい逆テーパ形状」の「ディンプル５」は，内部の幅が，前記開口の幅よりも広く，上方が開口するＣ字状断面をもち，開口の縁部が内部よりも内側にせり出したオーバーハング形状を有していることが見て取れる。
　
周知例２：特開２００９−３０２２０９号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００９−３０２２０９号公報（以下「周知例２」という。）には，図６（ｄ）及び図１０（ｂ）とともに，以下の記載がある。
「【０００１】
　本発明は，リードフレーム，半導体装置，リードフレームの製造方法および半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　近年の半導体装置用のパッケージには，小型・低抵抗化および低価格化が求められている。このような要請に応えるため，近年，リードフレーム上に半導体チップを配置し，封止樹脂で半導体チップを封止したパッケージが用いられている。しかし，リードフレームを構成する金属と封止樹脂の材料とでは，熱膨張係数に大きな相違がある。そのため，両者の密着性が不充分な場合，界面剥離や封止樹脂のクラックが発生し，製品の信頼性を低下させる要因となっている。そのため，双方の密着性を高めるべく，リードフレームの表面積を広くする技術が提案されている。」
「【００３６】
　図１０（ｂ）は，リードフレーム２００に凹部および貫通孔を形成するためのハーフエッチング工程を一度だけ行って凹部２１０および貫通孔２１２を形成した場合の例を示す断面図である。すなわち，図６（ｄ）で凹部２３８，凹部２４０ａおよび凹部２４０ｂを形成した段階でリードフレーム２００のエッチングを終了した場合の例である。このようにしても，
凹部２１０および貫通孔２１２には凸部２３９，凸部２４１ａ，凸部２４１ｂ，および凸部２４１ｃ等の凸部が形成されるので，封止樹脂１２０とリードフレーム２００との密着性を良好にすることができる
　
　図６及び図１０は以下のものである。
　
【図６】
　
【図１０】
　
　ここで，図６（ｄ）及び図１０（ｂ）を参照すると，凹部２１０には凸部２３９が形成されて，内部の幅が，開口部分の幅よりも広く，上方が開口するＣ字状断面をもち，開口部の縁部が内部よりも内側にせり出したオーバーハング形状を有していることが見て取れる。
　
周知例３：特開２００４−３４９３９７号公報
　原査定の拒絶の理由に引用され，本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２００４−３４９３９７号公報（以下「周知例３」という。）には，図１とともに，以下の記載がある。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，樹脂封止型の半導体装置およびそれに用いられるリードフレームに関し，より詳細には，アイランドおよび各リードの裏面を露出させて，プリント基板に直接その裏面をハンダ付けなどにより実装することができる，いわゆるＱＦＮ（Ｑｕａｄ　Ｆｌａｔ　Ｎｏｎ　Ｌｅａｄ）タイプの樹脂封止型の半導体装置およびそれに用いられるリードフレームに関するものである。」
「【００１４】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体装置は，上記課題を解決するために，リードフレームと，該リードフレームにおけるアイランド部の表面に設けられた半導体チップとを備え，該半導体チップがリードフレームの端子とワイヤでボンディングされているとともに樹脂により封止されている半導体装置において，上記アイランド部の表面には，アイランド部の裏面に達していない溝が少なくとも１つ設けられており，
該溝におけるアイランド部の厚さ方向の断面形状は，アイランド部の表面の幅よりもアイランド部の内部側の幅の方が広いオーバーハングした形状であることを特徴としている
【００１５】
上記の構成によれば，
樹脂が溝に入り込んでいるため，溝に入り込んだ樹脂が該溝におけるアイランド部の表面側がオーバーハングした形状により，リードフレーム（アイランド部）と封止した樹脂全体とを繋ぐアンカーの役目を果たす。これにより，樹脂が，リードフレーム（アイランド部）から容易に剥離することを防止することができ，樹脂とリードフレームとの密着性を向上させることができる
「【００２７】
【発明の実施の形態】
〔実施の形態１〕
本発明の実施の一形態にかかる半導体装置ついて，図１に基づいて説明すれば，以下の通りである。
【００２８】
　・・・（中略）・・・
【００３３】
さらに，上記アイランド部２の表面には，エッチングすることにより，少なくとも１つのエッチング部３が形成されている。このエッチング部（溝）３は，上記ワイヤ５ａ・５ｂのレイアウト上の障害とならないアイランド部２の表面の領域に形成されている。このエッチング部３は，アイランド部２の裏面まで貫通していない。また，
このエッチング部３におけるアイランド部２の厚さ方向における断面形状は，アイランド部２の表面側がオーバーハングした形状となっている。言い換えれば，上記エッチング部３の断面形状は，アイランド部２の表面側の幅よりもアイランド部２の厚み方向側（アイランド部２の内部）の幅が広くなっている
【００３４】
　・・・（中略）・・・
【００３５】
この
モールド樹脂パッケージ７を形成する時，エッチング部３にモールド樹脂が入り込む。そして，完成した半導体装置では，エッチング部３に入り込んだモールド樹脂が，そのエッチング部３の形状によりリードフレーム１０とモールド樹脂パッケージ７とを繋ぐアンカーの役目を果たす
　
　図１は以下のものである。
【図１】
　
　ここで，図１を参照すると，「エッチング部３」は，内部の幅が，開口部分の幅よりも広く，上方が開口するＣ字状断面をもち，開口部の縁部が内部よりも内側にせり出したオーバーハング形状を有していることが見て取れる。
　
　ところで，上記周知技術に比して，引用発明と同様に半球状の凹部（メクラ穴）を設けた構造が，確実に剥離を防止するものでないことは，以下の周知例４にも示されているように，当業者に明らかなことである。
　
周知例４：特開２０００−３１３７１号公報
　本願の優先権主張の日前に日本国内において頒布された刊行物である，特開２０００−３１３７１号公報（以下「周知例４」という。）には，図３及び図４（ａ）〜図４（ｅ）とともに，以下の記載がある。
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，半導体素子をリードフレームのダイパッドに接着し，半導体素子とリードを金属線で結線し，モールド樹脂で成形するタイプの半導体装置パッケージの構造に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子をプラスチックパッケージに組立てた状態の半導体装置は，図３に示すように，半導体素子３をリードフレームのダイパット６に接着し金属線４で半導体３とリード２を結線し，モールド樹脂５で成形したものである。
【０００３】この構造でダイパッド１の形状で従来知られているものとしては，図４（ａ）から図４（ｅ）に示すような例がある。
【０００４】図４（ａ）は特に何もしないで平な板状のもの，図４（ｂ）は半導体素子を接着する面の反対側に半球状のメクラ穴８を多数設けたもの，図４（ｃ）は，十字スリットの貫通穴９を設けたもの，図４（ｄ）は多数の貫通穴１０を設けたもの，図４（ｅ）は貫通穴の径を表裏で変えたものである。
【０００５】この半導体装置を基板実装する時は，実装基板２１のパターン上にハンダクリーム２２を塗り，半導体装置をのせてリフロー炉でハンダ付けを行なう。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし，前述の従来技術の図３で示す半導体装置パッケージの構造では，モ−ルド樹脂５が吸湿性があるため通常の室内放置でも吸湿が進行し，基板実装する際のリフロー炉の熱によりモールド樹脂５の中の水分が急激に気化し，ダイパッドとダイパッド下面のモールド樹脂５との界面に水蒸気６が発生して，剥離が発生し，ひどい場合にはモールド樹脂５にクラックが発生する。
【０００７】ダイパッド１とダイパッド下面のモールド樹脂５の界面の剥離は，クラックに至らないまでもふくれとなって実装基板２１に接触するため，リード２の先端が浮き上がってハンダ２２と隙間２３ができるため，ハンダ付け不良となることがある。この剥離現象はダイパッド１のサイズが大きい程発生しやすくダイパッドサイズ１のサイズが約５ｍｍを超えると発生しやすくなる。
【０００８】また，この剥離現象は，モールド樹脂５の厚さが薄い程発生しやすく，モールド樹脂５の厚さが約１．５ｍｍ以下になると発生しやすくなる。
【０００９】近年半導体装置パッケージの多リード化，大型化，薄型化によりこの剥離現象の問題がクローズアップされてきている。
【００１０】従来この現象の対策として種々のダイパッド形状が提案されている。
【００１１】図４（ａ）は，特に対策をとっていないものであり，ダイパッド裏面は平面状になっている。
【００１２】
図４（ｂ）はダイパッド１の半導体素子を接着する面の反対側に半球状のメクラ穴８を多数設けたものであるが，半球上のメクラ穴のためモールド樹脂５をホールドする力が弱い
　
　図３及び図４は以下のものである。
【図３】
　
【図４】
　
　それゆえ，引用発明において，「アンカー溝１７」が「外側樹脂部２３がダイパッド１１およびリード部１２から脱落することを防止する」ことをより確実にできるように，前記周知技術を適用して，相違点１に係る，「平面視上，前記凹部の内部の幅が，前記開口の幅よりも広く，前記凹部は，上方が開口するＣ字状断面をもち，前記凹部は，前記凹部の開口の縁部が前記凹部の内部よりも内側にせり出したオーバーハング形状を有し，」また，「前記Ｃ字状断面をもつ凹部は，前記ダイパッドと前記隣接端子部の双方に設けられ」る構成を備えるようにすることは，当業者が適宜になし得たことである。
　また，上記相違点１に係る構成を備えることに伴い，引用発明の「アンカー溝１７」が，相違点２に係る，「前記光反射性樹脂に対して垂直方向の剥離力が働いた際，前記光反射性樹脂が前記リードフレームから脱離することを抑制すること」は当業者に自明な効果である。
　
（５）小括
　よって，本願補正発明は，引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条第２項の規定により，特許を受けることができない。
　従って，本願補正発明は，特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
５　まとめ
　以上のとおりであるから，本件補正は，特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２６年８月６日にされた手続補正は，上記のとおり却下されたので，本願の請求項７に係る発明は，平成２６年３月１０日にされた手続補正により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載から見て，その請求項７に記載された事項により特定されるものであり，請求項１を引用する部分を独立形式に書き替えると以下のとおりとなる。（以下「本願発明」という。）
　
「【請求項７】
　樹脂封止型の光半導体装置に用いられる光半導体装置用リードフレームであって，表面側に光半導体と電気的に接続される内部端子と，その裏面側が外部基板と電気的に接続される外部端子とを含む複数の端子部を備え，前記複数の端子部の表面側には，開口を有する凹部が形成されており，平面視上，前記凹部の内部の幅が，前記開口の幅よりも広く，前記凹部は，上方が開口するＣ字状断面をもち，前記凹部は，前記凹部の開口の縁部が前記凹部の内部よりも内側にせり出したオーバーハング形状を有する光半導体装置用リードフレームと，
　光半導体素子が発する光を反射する光反射性樹脂と，を備えたことを特徴とする樹脂付き光半導体装置用リードフレーム。」
　
２　引用発明
　引用発明は，前記第２の４「（２）刊行物等に記載された発明」に記載したとおりのものである。
　
３　対比・判断
　前記第２「１　本件補正の内容」〜第２「３　補正の目的の適否及び新規事項の追加の有無についての検討」において記したように，本願補正発明は，補正前の請求項７における発明特定事項である「複数の端子部」について「光半導体素子が載置されるダイパッドと，前記ダイパッドに隣接する隣接端子部とを有」することとしてより限定し，また，補正前の請求項７における発明特定事項である「Ｃ字状断面をも」つ「凹部」について「前記ダイパッドと前記隣接端子部の双方に設けられ，前記光半導体装置用リードフレーム外周に沿って形成され，前記凹部は，前記光反射性樹脂に対して垂直方向の剥離力が働いた際，前記光反射性樹脂が前記リードフレームから脱離することを抑制する」こととして，より限定するものである。言い換えると，本願発明は，本願補正発明から前記各限定及び加入事項を除いたものである。
　そうすると，本願発明の構成要件をすべて含み，これをより限定し前記加入事項を追加したものである本願補正発明が，前記第２　５「（３）対比」〜第２　５「（５）小括」において検討したとおり，引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，本願発明も同様の理由により，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　よって，本願発明は，特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
第４　むすび
　以上のとおりであるから，本願は，他の請求項に係る発明について検討するまでもなく，拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。