(57)【要約】【課題】書き換え耐久性に優れた相変化記録型の光情報記録媒体を提供すること。【解決手段】照射する光により相変化記録層１０５に情報を記録および／または再生する光情報記録媒体１において、ディスク基板Ｂ１０上に銀または銀合金を含む反射層１０１と保護層１０２とを備える光学反射体１００を有し、保護層１０２に酸素欠損を有する五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）を含むことにより反射層１０１の腐食を防ぎ、特に波長λ４００ｎｍ程度の記録再生光に対して充分な反射率が得られる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けた銀または銀合金からなる反射層と、
前記反射層の光入射側の面に隣接して設けた保護層と、を備え、
前記保護層は、酸素欠損を有する五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）を含むことを特徴とする光学反射体。
【請求項２】
前記反射層は、銀−銅合金から形成されることを特徴とする請求項１記載の光学反射体。
【請求項３】
照射する光により情報を記録および／または再生する光情報記録媒体であって、
基板上に設けた銀または銀合金からなる反射層と当該反射層の光入射側の面に隣接して設けた保護層とを備える光学反射体を有し、
前記保護層は、酸素欠損を有する五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）を含むことを特徴とする光情報記録媒体。
【請求項４】
前記光学反射体は、少なくとも前記保護層上に、２個の誘電体層に挟まれた相変化記録層を有することを特徴とする請求項３記載の光情報記録媒体。
【請求項５】
前記誘電体層は、硫化亜鉛（ＺｎＳ）−二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を含むことを特徴とする請求項４記載の光情報記録媒体。
【請求項６】
開口数（ＮＡ）０．６５以上の集光用対物レンズによる波長（λ）４１０ｎｍ以下の光を照射する光情報記録媒体であって、
基板上に設けた銀または銀合金からなる反射層と、
酸素欠損を有する五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）を含み、前記反射層の光入射側の面に隣接して設けた保護層と、
照射される前記光により情報が記録および／または再生される相変化記録層とを有することを特徴とする光情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光学反射体等に関し、より詳しくは、耐腐食性に優れた高反射率の光学反射体等に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、マルチメディア化に伴い、大量のデータの配布や長期保存に適した情報記録媒体として、光情報記録媒体（光ディスク）が注目されている。この光ディスクには、製造時にスタンピングされた情報の再生のみ可能な再生専用型ディスク、色素等からなる記録膜を設けて一回だけ記録可能な追記型ディスク、光磁気記録方式や相変化記録方式によりデータの書き換え消去が何度も可能な書き換え型ディスクが知られている。
【０００３】
光ディスクからのデータの再生及び光ディスクへのデータの記録は、いずれもレーザ光を用いて行う。入射レーザ光は、対物レンズを用いて光ディスク上に集光し、光スポットを回折限界にまで絞り込む。このときの光スポットの径は、レーザ光の波長をλ、対物レンズの開口数をＮＡとすると、λ／ＮＡに比例した値となる。近年、光ディスクの大容量化が求められているが、これらの要求に応えるには、この光スポットをさらに小径化し、記録データを高密度化することが必要となる。例えば、ＣＤ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ）のレーザ波長λが７８０ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡが０．４５であるのに対し、ＤＶＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ）では、波長λを６５０ｎｍ或いは６３５ｎｍ、開口数ＮＡを０．６とすることで、高密度化を行っている。さらに、次世代の光ディスクにおいては、光スポットをさらに絞り込んで高密度化を実現するために、波長λを４００ｎｍ程度、開口数ＮＡを０．６超とした光ディスクシステムが提案されている。
【０００４】
光ディスクからデータを再生するためには、レーザ波長λにおいて、光ディスクが十分な反射率を持つことが要求される。そのため、高い反射率を持つ反射層材料として、アルミニウム合金又は銀合金が用いられている。特に、波長λが４００ｎｍ程度の光ディスクにおいては、反射率及びノイズ特性に優れた光ディスクを作製するために、反射層材料として主に銀（Ａｇ）合金が用いられている。銀合金は、主成分である銀単体の反射率がアルミニウムよりも高く、また、銀への添加元素が微量であっても、銀の粒径を抑制することが容易であるために、高い反射率と低ノイズを両立することができる。
【０００５】
尤も、反射材料として銀合金を用いる場合、主成分である銀が、酸化または硫化しやすい性質のため、銀合金の腐食が生じやすいという特徴がある。このため、例えば、銀合金反射層の上に誘電体層を設ける場合、誘電体として酸化物や硫化物を使用すると、銀の一部が酸化或いは硫化を生じてしまう。また、入射レーザ光等によって熱が発生すると、酸化物や硫化物の発生は、さらに顕著となる。このような銀合金反射層の腐食を防ぐために、例えば、銀合金反射層と硫化亜鉛（ＺｎＳ）−二酸化珪素（ＳｉＯ２）誘電体を、それぞれ、Ａｌ  ａｌｌｏｙとＮｂ−ｃｏｍｐｏｕｎｄ  ｏｘｉｄｅ  ｎｉｔｒｉｄｅに変更し、銀合金とＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体を直接接触させない等の対策が報告されている（非特許文献１参照）。
【０００６】
【非特許文献１】細田等（Ｙ．Ｈｏｓｏｄａ  ｅｔ  ａｌ．），「ＩＳＯＭ２００４  テクニカル  ダイジェスト（２００４）」（ＩＳＯＭ２００４  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｄｉｇｅｓｔ（２００４）），Ｔｕ−Ｂ−０５
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、相変化記録方式の光ディスクの場合は、誘電体層として、ＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体が主に使われている。上述したように、相変化記録方式の光ディスクは、データの書き換え消去が何度も行われ、しかも、記録時の高パワーレーザ照射が何度も繰り返されるため、銀合金の腐食が特に促進されやすい。
そのため、銀合金の腐食対策を万全にしない限り、十分な書き換え耐久性が得られないことが問題となっている。
【０００８】
本発明は、このような技術的課題を解決すべくなされたものである。
即ち、本発明の目的は、耐腐食性に優れた高反射率の光学反射体を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、書き換え耐久性に優れた相変化記録型の光情報記録媒体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上述した目的を達成するために、本発明においては、銀又は銀合金からなる反射層に隣接して、酸素欠損を有する五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）から形成される保護層を設けている。
かくして本発明によれば、基板上に設けた銀または銀合金からなる反射層と、反射層の光入射側の面に隣接して設けた保護層と、を備え、この保護層は、酸素欠損を有する五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）を含むことを特徴とする光学反射体が提供される。
ここで、反射層は、銀−銅合金から形成されるものであることが好ましい。
【００１０】
このような反射層の光入射側の面に隣接して設けた保護層に、酸素欠損を有する五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）を含む光学反射体を備え、照射する光により情報を記録及び／または再生する光情報記録媒体においては、反射層に含まれる銀合金の腐食が低減され、高反射率を保つことが可能となる。
さらに、光情報記録媒体が、光学反射体の少なくとも保護層上に、２個の誘電体層に挟まれた相変化記録層を有するものであれば、書き換え耐久性に優れた相変化記録型の光情報記録媒体を提供することが可能である。
ここで、誘電体層は、硫化亜鉛（ＺｎＳ）−二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を含むことが好ましい。
【００１１】
また、このような反射層に隣接して酸素欠損を有する五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）を含む保護層を備える光情報記録媒体は、特に波長λ４００ｎｍ程度の記録再生光に対して充分な反射率が得られるとともに、銀合金の腐食を原因とする反射率の低下を防ぐことが可能である。
即ち、本発明によれば、開口数（ＮＡ）０．６５以上の集光用対物レンズによる波長（λ）４１０ｎｍ以下の光を照射する光情報記録媒体であって、基板上に設けた銀または銀合金からなる反射層と、酸素欠損を有する五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）を含み、反射層の光入射側の面に隣接して設けた保護層と、照射される光により情報が記録及び／または再生される相変化記録層とを有することを特徴とする光情報記録媒体が提供される。
【発明の効果】
【００１２】
本発明の光学反射体によれば、書き換え耐久性に優れた相変化型光情報記録媒体が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明を実施するための最良の形態（以下、実施の形態）について詳述する。尚、本発明は、以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。また、使用する図面は、実施の形態を説明するために用いるものであり実際の大きさを表すものではない。
【００１４】
（光情報記録媒体）
図１は、本実施の形態が適用される光情報記録媒体を説明する図である。図１には、２枚のディスク基板を貼り合せた構造を有する基板入射型の光情報記録媒体１の層構成を示している。図１に示すように、光情報記録媒体１は、記録膜Ｂ１１を有するディスク基板Ｂ１０と、記録膜Ａ２１を有するディスク基板Ａ２０とが、記録膜Ｂ１１と記録膜Ａ２１とが内側になるように、接着層３０を介して貼着された構造を有している。
さらに、記録膜Ｂ１１は、ディスク基板Ｂ１０上に、順番に反射層１０１、保護層１０２、第１誘電体層１０３、第１界面層１０４、相変化記録層１０５、第２界面層１０６、第２誘電体層１０７が７層構造になるように積層されている。また、ディスク基板Ａ２０上には半透明構成の記録膜Ａ２１が設けられている。
光情報記録媒体１は、ディスク基板Ａ２０側から入射するレーザ光４０を記録再生光として、相変化記録層１０５に情報が記録され、また、記録された情報が再生される。
【００１５】
以下、相変化記録方式の光情報記録媒体１を例に挙げて実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
（ディスク基板）
ディスク基板Ａ２０またはディスク基板Ｂ１０は、プラスチック、ガラス、金属等の材料から構成され、本実施の形態においては円盤状に形成されている。材料の具体例としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、非晶質ポリオレフィン、アルミニウム合金等が挙げられる。レーザ光４０が入射する側のディスク基板Ａ２０の材料は、プラスチックやガラス等の透明材料に限られる。
ディスク基板Ｂ１０の反射層１０１を設ける一方の表面には、例えば、射出成型等によって、スパイラル状或いは同心円状のトラッキング案内溝や、トラッキング案内溝のウォブルやプリピットからなるディスク識別情報やアドレス情報等が予め形成されている（図示せず）。ディスク基板Ｂ１０のトラッキング案内溝が形成された面上には、前述した層構成からなる記録膜Ｂが形成されている。尚、記録膜Ａを設けているディスク基板Ａ２０の表面にも、トラッキング案内溝等を形成する。ディスク基板Ａ２０またはディスク基板Ｂ１０の厚さは、通常、０．０７５ｍｍ〜１．１ｍｍである。
【００１６】
（光学反射体）
図１に示すように、光情報記録媒体１は、ディスク基板Ａ２０側から入射するレーザ光４０により相変化記録層１０５に情報を記録し、また、記録した情報を再生するために反射層１０１及び反射層１０１に隣接した保護層１０２を設けている。このため、光情報記録媒体１におけるディスク基板Ｂ１０と反射層１０１及び保護層１０２とは、ディスク基板Ａ２０側から入射するレーザ光４０に対して十分な反射率を確保するための光学反射体１００として捉えることもできる。次に、光学反射体１００の構成について説明する。
【００１７】
（反射層）
反射層１０１は、金属または合金により構成され、厚さ５０ｎｍ〜２００ｎｍのものである。反射層１０１を構成する金属の具体例としては、例えば、Ａｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｐｔ、Ｔａ及びＰｄの金属を単独あるいは合金にして用いることが可能である。さらに、これらを主成分とする以外に、例えば、Ｍｇ、Ｓｅ、Ｈｆ、Ｖ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｗ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｔｅ、Ｐｂ、Ｐｏ、Ｓｎ、Ｂｉ等の金属及び半金属を含むこともできる。これらの中でも、Ａｇ又はＡｇ合金が好ましい。反射層１０１は、ディスク基板Ａ２０側から入射するレーザ光４０の波長λにおいて、高い反射率が得られることが望ましく、また、媒体ノイズを低減するためには、Ａｇの粒径が微小且つ均一に制御されることが望ましい。Ａｇ合金の例としては、Ａｇ−銅（Ｃｕ）等が挙げられる。高い反射率を得るために、Ｃｕ等の添加物は少量（１％程度）とすることが好ましい。
【００１８】
（保護層）
保護層１０２は反射層１０１を構成する金属材料の腐食を防止するために、反射層１０１のレーザ光４０が入射する側の表面に隣接して設けられる。保護層１０２を構成する材料としては高屈折率誘電体が好ましく、特に、ＡｇまたはＡｇ合金からなる反射層１０１を腐食させない材料が用いられる。
本実施の形態においては、ＡｇまたはＡｇ合金からなる反射層１０１に隣接して設ける保護層１０２が、酸素欠損を有する五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）を含むことに特徴を有するものである。
ここで、酸素欠損を有する五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）とは、五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）に還元処理を施すことによって、五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）中の一部の酸素原子が除去され、格子欠陥が形成された五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）のことをいう。
また、五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）の還元処理は、特に限定されないが、例えば、五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）材料を無酸素条件下、且つ、アルゴン、ネオン、ヘリウム、窒素等の不活性ガス及び水素ガスの混合ガス雰囲気下で、必要に応じて還元触媒の存在下で、加熱または紫外線等の光照射を行うことにより行われる。特に、加熱処理及び光照射を併用することにより、酸素欠損の割合が大きい五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）材料を、短時間で得ることが可能である。
【００１９】
保護層１０２が、酸素欠損を有する五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）を含むことにより、隣接するＡｇまたはＡｇ合金からなる反射層１０１の腐食が低減する理由は、次のように考えられる。即ち、酸素欠損を有する五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）は、五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）結晶内で酸素原子の不足が生じているため、反射層１０１側へ酸素原子が移動する可能性が極めて低下する。そのため、酸素欠損を有さない五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）の場合と比べ、隣接する反射層１０１に含まれるＡｇまたはＡｇ合金を酸化する可能性が非常に低く、その結果、隣接するＡｇまたはＡｇ合金からなる反射層１０１の腐食が大幅に低減すると考えられる。
【００２０】
ここで、五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）中の酸素原子が除去されて酸素欠損を有する割合（以下、「酸素欠損率」と記すことがある。）は、特に限定されないが、通常、０．５％〜２０％、好ましくは、１％〜１０％である。
また、保護層１０２の厚さは、通常、０．５ｎｍ〜２０ｎｍである。
【００２１】
（誘電体層）
第１誘電体層１０３及び第２誘電体層１０７は、第１界面層１０４と第２界面層１０６を介して、後述する相変化記録層１０５の両側に設けられる。第１誘電体層１０３及び第２誘電体層１０７を形成する材料は、従来から相変化型光情報記録媒体に用いられている公知の材料を使用することができ、特に限定されないが、例えば、ＺｎＳ・ＳｉＯ２の混合物；ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、ＳｎＯ２、Ｔａ２Ｏ５等の酸化物；ＳｉＮ、ＧｅＮ、ＴａＮ、ＡｌＮ等の窒化物等が挙げられる。なかでも、高屈折率誘電体であり且つ低熱伝導率材料であるＺｎＳ−ＳｉＯ２を用いることが望ましい。
また、第１誘電体層１０３の厚さは、通常、５ｎｍ〜３０ｎｍ、第２誘電体層１０７の厚さは、通常、３０ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００２２】
（界面層）
第１界面層１０４と第２界面層１０６は、それぞれ相変化記録層１０５と第１誘電体層１０３との間、相変化記録層１０５と第２誘電体層１０７との間に設けられる。第１界面層１０４と第２界面層１０６を構成する材料は、従来から相変化型光情報記録媒体に用いられている公知の材料を使用することができ、特に限定されないが、例えば、（Ｇｅ−Ｎ）、（Ｃｒ２Ｏ３）等が挙げられる。また、第１界面層１０４と第２界面層１０６の厚さは、通常、０．５ｎｍ〜１０ｎｍである。
【００２３】
相変化記録層１０５は、相変化型記録材料から構成され、通常、厚さ５ｎｍ〜２０ｎｍである。相変化型記録材料は特に限定されないが、例えば、Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｔｅ系、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、ＭＡ−Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ系（ＭＡは、Ａｕ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｔｌ、Ｓ、Ｓｅ及びＰｔのうちの少なくとも１元素）、Ｓｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｌ系、Ｉｎ−Ｓｅ−Ｔｌ−ＭＢ系（ＭＢはＡｕ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ｔａ、Ｗ、Ｉｒ、Ｓｃ、Ｙ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｒｕ、Ｃｏ、Ｒｈ、Ｎｉ、Ａｇ、Ｔｌ、Ｓ、Ｓｅ及びＰｔのうちの少なくとも１元素）、Ｓｎ−Ｓｂ−Ｓｅ系等の材料が挙げられる。これらの中でも、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅが好ましい。
【実施例】
【００２４】
以下に、実施例に基づき本実施の形態をさらに詳細に説明する。なお、本実施の形態は実施例に限定されるものではない。
（１）五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）薄膜の酸素欠損の検証
酸素濃度が異なる複数の五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）薄膜を作製し、分光エリプソメータによって、消衰係数ｋを測定し、酸素欠損の有無について比較を行った。試料は、シリコン基板上に、厚さ１００ｎｍ〜１５０ｎｍ程度の五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）薄膜を成膜して作製した。成膜は、酸素欠損率４％程度の酸素欠損型導電性五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）ターゲットを用いて、ＤＣスパッタリング成膜法によって行った。ターゲットへの投入パワーは、０．２ｋＷとした。ＤＣスパッタリング成膜時の雰囲気は、アルゴン又はアルゴン酸素混合ガスを用い、導入流量をいずれも１００ｓｃｃｍとした。また、アルゴン酸素の混合比は、Ａｒ＋０．２％Ｏ２、Ａｒ＋０．５％Ｏ２、Ａｒ＋１０％Ｏ２の３種とした。
図２は、分光エリプソメータによって測定した五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）薄膜の消衰係数ｋの測定結果である。
【００２５】
図２の測定結果から、Ｏ２の濃度を増やすにつれて、消衰係数ｋが減少することが分かる。Ａｒ＋１０％Ｏ２のデータに注目すると、波長λが３８０ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で、消衰係数ｋが０となっており、五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）薄膜が十分に酸化されている。すなわち、Ａｒ＋１０％Ｏ２雰囲気中で作製した五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）薄膜は、酸素欠損を有しない五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）となっていることが分かる。
【００２６】
それに対して、Ａｒ、Ａｒ＋０．２％Ｏ２、Ａｒ＋０．５％Ｏ２については、消衰係数ｋが、Ａｒ＋１０％Ｏ２よりも明らかに大きく、完全には酸化されていないことが分かる。すなわち、Ａｒ、Ａｒ＋０．２％Ｏ２、Ａｒ＋０．５％Ｏ２の雰囲気中で成膜した五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）の試料については、酸素欠損が生じていることが確認できた。
【００２７】
（２）光学反射体の反射率測定
厚さ０．１ｍｍのガラス基板上に、Ａｇ−Ｃｕ反射層２０ｎｍ、五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）保護層１０ｎｍを順次成膜してなる光学反射体を作製し、さらに、五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）保護層の酸素濃度が異なる複数の試料を用意し、分光光度計による反射率測定を行った。五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）保護層は、前述の条件により、Ａｒ、Ａｒ＋０．２％Ｏ２、Ａｒ＋０．５％Ｏ２、Ａｒ＋１０％Ｏ２の雰囲気中で成膜した。
分光光度計による反射率測定は、平行光を五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）保護層表面側から垂直に入射し、その反射光量から反射率を算出した。表１は、作製した光学反射体について、入射光波長４０５ｎｍにおける反射率測定結果をまとめたものである。
【００２８】
【表１】
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【００２９】
表１の結果から、五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）の成膜雰囲気がＡｒ＋１０％Ｏ２のときの反射率に対して、雰囲気がＡｒ、Ａｒ＋０．２％Ｏ２、Ａｒ＋０．５％Ｏ２のときは１．７〜２倍の反射率が得られたことが分かる。また、Ａｒ＋１０％Ｏ２の試料についてのみ、反射層の一部が腐食していることが確認された。このことから、高反射率光学反射体の銀合金の保護層としては、酸素欠損の無い五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）よりも、酸素欠損のある五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）が適当であることが検証された。
【００３０】
（実施例１：光ディスク１の製作）
厚さ０．５９ｍｍ、直径１２０ｍｍのポリカーボネート樹脂製のディスク基板２枚を、厚さ２５μｍの接着層を介して貼り合わせた形状で、且つ、両方の基板の接着層側に相変化記録方式の層構成を形成した形態の二層型光情報記録媒体を製作した。光入射側のディスク基板Ａには透過率５０％の半透明の記録膜Ａ（詳細は省略する）、光入射側の反対側のディスク基板Ｂには後述の記録膜Ｂを設けた。
ディスク基板Ａ，Ｂは射出成型により形成し、両方のディスク基板には、溝ピッチ０．４μｍのスパイラル状のトラッキング案内溝を設けた。ディスク基板Ｂ上のトラッキング案内溝を形成した面側には、７層構造の記録膜Ｂとして、Ａｇ−Ｃｕ反射層１００ｎｍ、酸素欠損五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）保護層１．５ｎｍ、ＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層、Ｃｒ２Ｏ３界面層、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ相変化記録層、Ｃｒ２Ｏ３界面層、ＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層を順に形成した。
【００３１】
酸素欠損Ｎｂ２Ｏ５保護層は、前述の条件において、流量１００ｓｃｃｍのＡｒ雰囲気中で、ＤＣスパッタリング成膜法によって形成した。さらに、記録膜Ｂの上に接着剤として紫外線硬化樹脂をスピンコートにより塗布し、同様に記録膜Ａ成膜後に紫外線硬化樹脂を塗布したもう一方のディスク基板Ａと貼りあわせた後に、ディスク基板Ａ側から紫外線を照射して紫外線硬化樹脂を硬化させた。その後、レーザ光照射アニールにより、記録膜Ａ及び記録膜Ｂのそれぞれの相変化記録層について全面を結晶化させ、光情報記録媒体（光ディスク１）を調製した。
【００３２】
（実施例２：光ディスク２の製作）
実施例１と同様の操作を行い、酸素欠損五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）保護層成膜時の雰囲気をＡｒ＋０．２％Ｏ２としたことのみ異なる光情報記録媒体（光ディスク２）を製作した。
【００３３】
（実施例３：光ディスク３の製作）
実施例１と同様の操作を行い、酸素欠損五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）保護層成膜時の雰囲気をＡｒ＋０．５％Ｏ２としたことのみ異なる光情報記録媒体（光ディスク３）を製作した。
【００３４】
（比較例１：光ディスク４の製作）
実施例１と同様の操作を行い、酸素欠損五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）保護層を、酸素欠損なしの五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）に変更したことのみ異なる光情報記録媒体（光ディスク４）を製作した。五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）成膜時の雰囲気は、Ａｒ＋１０％Ｏ２とした。
【００３５】
（比較例２：光ディスク５の製作）
実施例１と同様の操作を行い、酸素欠損五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）保護層を設けなかったことのみ異なる光情報記録媒体（光ディスク５）を製作した。但し、酸素欠損五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）保護層１．５ｎｍを省略した分、Ａｇ−Ｃｕ反射層に隣接するＺｎＳ−ＳｉＯ２誘電体層を１．５ｎｍ厚くした。
【００３６】
（光ディスク記録膜ＢのＣＮＲ特性評価）
光ディスク記録再生装置（シバソクＬＭ１０８Ａ）を用いて、前述した光ディスク１〜光ディスク５の記録膜Ｂについて、ＣＮＲ（Ｃａｒｒｉｅｒ  ｔｏ  Ｎｏｉｓｅ  Ｒａｔｉｏ）を測定し比較した。
光ディスク記録再生装置において、レーザ光源の波長λは４０３ｎｍ、対物レンズの開口数ＮＡは０．６５、クロック周波数は６４．８ＭＨｚ、ディスク回転速度は線速度６．６１ｍ／ｓとした。測定は、ディスク基板のトラッキング案内溝の凹部・凸部のうち光入射側に近いほうに対して行った。すなわち、記録膜Ｂについてはディスク基板Ｂの凸部に対して測定を行った。
【００３７】
ＣＮＲ測定の方法は、まず、測定対象のトラックに２Ｔ〜１１Ｔのランダムパターンを１０回繰り返し記録した後、８Ｔの単一パターンを一回上書きし、スペクトルアナライザによって、測定対象トラックの８Ｔキャリアの値（Ｃ）とノイズの値（Ｎ）とを測定し、これらの比（Ｃ／Ｎ）を算出した。表２は、光ディスク１〜５の記録膜Ｂに対して行ったＣＮＲ測定の結果である。
【００３８】
【表２】
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【００３９】
表２の結果から、光ディスク１〜光ディスク３については、ランダムパターン１０回記録後のＣＮＲは、いずれも５１ｄＢ以上の良好な値が得られることが分かる。
それに対して、光ディスク４及び光ディスク５は、主に、ノイズの増加により、５０ｄＢを下回る低いＣＮＲとなった。
【００４０】
以上詳述したように、本発明の酸素欠損五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）保護層を設けることにより、酸化又は硫化による銀合金反射層の腐食に起因するノイズ上昇を防止できることが実証された。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】本実施の形態が適用される光情報記録媒体を説明する図である。
【図２】分光エリプソメータによって測定した五酸化ニオブ（Ｎｂ２Ｏ５）薄膜の消衰係数ｋの測定結果である。
【符号の説明】
【００４２】
１…光情報記録媒体、１０…ディスク基板Ｂ、２０…ディスク基板Ａ、４０…レーザ光、１００…光学反射体、１０１…反射層、１０２…保護層
【図１】
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【図２】
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