【事件の表示】
　平成　６年特許願第２８９２２６号「保護されたメモリを含む集積回路及びその集積回路を使用した保護されたシステム」拒絶査定に対する審判事件［平成　７年　７月２１日出願公開、特開平　７−１８２２４３］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
 １．手続きの経緯・本願発明
　本願は、平成６年１０月２８日（優先権主張１９９３年１０月２８日フランス国）に出願されたものであって、その請求項１ないし１１に係る発明は、明細書および図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１ないし１１に記載されたとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりのものである。
「電気的に変更可能な不揮発性メモリと、組み込まれた制御回路と、電源がオンにされた時に、前記メモリがロックされた状態を決定する状態になるロックを構成する少なくとも１つの揮発性メモリ要素とを備える集積回路であって、上記メモリが、上記ロックによって読出保護することができる第１の領域と、上記ロックによって常に読出保護及び書込み保護され、所定のアドレスに少なくとも１つのパスワードを含む第２の領域とを備え、上記制御回路が、上記メモリがロックされている時に、上記の所定のアドレスによってアドレス指定されるデータ要素を書き込む命令を検出する第１の手段と、上記データ要素の上記パスワードとの互換性を確認する第２の手段を備え、該互換性が同一性とは異なり、互換性が成立すると、上記ロックが解除されることを特徴とする集積回路。」
　
　なお、平成１１年１２月１５日付け手続補正は、同日付けで却下された。
　
２．引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６４−４１０４８号公報（以下、「引用例１」という。）には、以下の記載がある。
　
（１）「ＥＰＲＯＭにパスワードが書き込まれている時は、電源電圧Ｖｃｃ立上り時、データラッチパターン群１３ＩＩには、パスワードのデータがラッチされ、データラッチパターン群１３Ｉには、パスワードのデータがラッチされない。
データラッチ回路群１３Ｉのデータ読込み、データ読出しのタイミングは、ＰＯＣ・ＷまたはＰＯＡ・ＰｒまたはＰＯＣ・Ｗが”Ｈ”の時、つまり、（８０００）Ｈ番地のデータが消去状態での電源電圧Ｖｃｃ立上り時、または（８０００）Ｈ番地のプログラム書込み時、及びパスワード書込済時の”Ｌ”データ読込みタイミングである。データラッチ回路群１３ＩＩのデータ読込み、データ読出しのタイミングは、第１図に示すようにＰＯＣ，ＰＯＡ・Ｐｒ、ＰＯＡ・Ｖｅのオアが”Ｈ”の時、つまり電源電圧Ｖｃｃ立上げ時または、（８０００）Ｈ番地のプログラム書込みまたは、プログラム・ベリファイ時である。」（３頁右上欄１０行〜左下欄７行）
　
（２）「第１図の信号Ｔは、イクスクルーシブオア回路１４、アンド回路１６などで構成され、データラッチ回路群１３Ｉとデータラッチ回路群１３ＩＩのデータが等しい時にのみ“Ｈ”となる。この信号Ｔと、動作モード選択用デコーダ１１の出力ＶｅのアンドをとったＶ’ｅをＥＰＲＯＭのベリファイ信号とする。プログラム・ベリファイＶｅは、データラッチ回路群１３Ｉ、１３ＩＩが一致しないかぎり”Ｈ”にならない。このことよりプログラム・ベリファイのプロテクト化が可能である。」（３頁左下欄１５行〜右下欄４行）
　
（３）「さらに、パスワードが（８０００）Ｈ番地に書込まれている時は、ここに書き込まれているデータを知っている場合に限り、（８０００）Ｈ番地にパスワードをＥＰＲＯＭライターでプログラム書込みを行う操作を行うことにより、データラッチ回路群１３Ｉのデータをデータラッチ回路群１３ＩＩと一致させることができ、プログラム・ベリファイのプロテクトの解除が可能である。」（第３頁右下欄８行〜１６行）
　
（４）「このため、本実施例では、パスワードの書込みが可能なアドレスを複数にするのはもちろん、更にパスワードを書き込むアドレスもＥＰＲＯＭライターによるプログラム書込みで任意に決められるものである。」（５頁左上欄１３行〜１７行）
　
　してみると、引用例１には次の発明が記載されている。
　
　データラッチ回路群Ｉとデータラッチ回路群ＩＩのデータを比較しプログラム・ベリファイのプロテクト化を行うイクスクルーシブオア回路、アンド回路及びラッチ回路であって、電源電圧の立上り時にはデータラッチ回路群Ｉにはパスワードのデータがラッチされないものであって、
　プログラム・ベリファイのプロテクト化される領域（アドレス（００００）Ｈ〜（７ＦＦＦ）Ｈ）と、
　パスワードが格納されるともに常に読出し保護および書込み保護された領域（アドレス（８０００）Ｈ））を備え、
　ライターによってパスワード格納アドレスへ書込みを行う操作を行うことによりパスワード照合を行って、一致が得られた場合にのみ、前記プログラム・ベリファイのプロテクトが解除される紫外線消去型不揮発性半導体装置
　
　また、原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６４−５３２４４号公報（以下、「引用例２」という。）には、以下の記載がある。
　
「第１０図は既に第１図のセキュリティコード記憶回路３５に記憶されたセキュリティコードをライト（変更）する、つまり更新するための入力方式を示すフローチャートである。（中略）ステップ５０においてこの更新モードに入るためには、先ずセキュリティコード入力モードで正しいセキュリティコードが入力されていなければならない。」（８頁左上欄３行〜１３行）
　
３．対比
　本願の請求項１に係る発明（以下、前者という。）と引用例１に記載された発明（以下、後者という。）とを比較する。
　後者においてはメモリにはプログラムが格納されることを前提としており、プログラム・ベリファイのプロテクトとは、プログラムの読出し保護のことであるから、後者の「プログラム・ベリファイのプロテクト化される領域（アドレス（００００）Ｈ〜（７ＦＦＦ）Ｈ）」、「パスワードが格納されるとともに常に読出し保護および書込み保護された領域（アドレス（８０００）Ｈ）」は、それぞれ、前者の「読出保護することができる第１の領域」「常に読出保護及び書込み保護され、所定のアドレスに少なくとも１つのパスワードを含む第２の領域」に相当する。
　後者の「データラッチ回路群Ｉとデータラッチ回路群ＩＩのデータを比較しプログラム・ベリファイのプロテクト化を行うイクスクルーシブオア回路、アンド回路及びラッチ回路であって、電源電圧の立上り時にはデータラッチ回路群Ｉにはパスワードのデータがラッチされないもの」は、電源電圧の立上り時には、データラッチ回路群Ｉには、パスワードのデータはラッチされていないから、比較は一致せずプログラム・ベリファイはプロテクトされた状態となっている。従って、後者の前記構成は前者の「電源がオンにされた時に前記メモリがロックされた状態を決定する状態になる」ことと同等である。なお、ラッチ回路は通常揮発性メモリ要素と考えるのが至当である。
　また、後者の「ライターによってパスワード格納アドレスへ書込みを行う操作を行う」「パスワード照合を行って」は、そのように動作するための手段を有しているから、前者の「所定のアドレスによってアドレス指定されるデータ要素を書き込む命令を検出する第１の手段」、「上記データ要素の上記パスワードとの互換性を確認する第２の手段」と同等である。
さらに、後者の不揮発性半導体メモリは、プログラム・ベリファイのためにパスワード照合を行っているから、前者における「制御回路」に相当する手段を有すると考えるのが至当である。
　
従って、両者は
　電気的にプログラム可能な不揮発性メモリと、制御回路と、ロックを構成する少なくとも１つの揮発性メモリ要素であって、電源がオンにされた時に前記メモリがロックされた状態を決定する状態になる要素とを備える不揮発性半導体装置において、上記メモリが、読出保護することができる第１の領域と、上記ロックによって常に読出保護及び書込み保護され、所定のアドレスに少なくとも１つのパスワードを含む第２の領域とを備え、上記制御回路が、上記メモリがロックされている時に、上記の所定のアドレスによってアドレス指定されるデータ要素を書き込む命令を検出する第１の手段と、上記データ要素の上記パスワードとの互換性を確認する第２の手段を備え、互換性が成立すると、上記ロックが解除されることを特徴とする不揮発性半導体装置
　
である点で一致する。
　
　一方、両者は以下の点で相違する。
（１）電気的にプログラム可能な不揮発性メモリとして、前者は、電気的に消去を行う不揮発性メモリであるのに対し、後者は、紫外線で消去を行う不揮発性メモリである点
（２）前者において、第２の手段が確認に用いるデータ要素とパスワードの互換性とは同一性とは異なるものであるのに対し、後者において、第２の手段が確認に用いる互換性は同一性である点
（３）前者では、ロック解除により、メモリの「第１領域」「第２領域」のいずれもロックが解除された状態になるのに対し、後者では、「第２領域」のロックが解除されるが、「第１領域」のロックは解除されない点
（４）前者では、不揮発性メモリに制御回路が組み込まれて集積回路を構成しているのに対し、後者では制御回路が組み込まれて集積化されているか否かが不明な点
　
４．相違点についての判断
相違点（１）について
　後者のものは紫外線で消去を行う不揮発性半導体メモリ（ＥＰＲＯＭ）のような電気的にプログラム可能な不揮発性半導体メモリに対する保護技術であるが、電気的にプログラム可能な不揮発性半導体メモリとしては、引用例２に見られるような電気的に消去を行う不揮発性半導体メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）も周知のものであり、後者における保護技術を電気的に消去を行うタイプの不揮発性メモリに適用することに何らの阻害要件はなく、必要に応じて適用し得るものである。
　
相違点（２）について
　後者における「データ要素とパスワードとの互換性の確認」はイクスクルーシブオアを用いているので同一性を確認しているが、パスワードの照合手法としてデータ要素とパスワードの間に所定の関係が成り立つかどうかで検証する手法も周知のものであるから、前者のように同一性ではない互換性で確認することも格別のことということはできない。
　
相違点（３）について
　後者のものは紫外線で消去を行う不揮発性半導体メモリ（ＥＰＲＯＭ）を用い、パスワードは変更不能とする仕様のものと作られているが、相違点（１）で述べたように電気的に消去を行う不揮発性半導体メモリ（ＥＥＰＲＯＭ）を用いること、また、パスワードについてもパスワード照合が取れた後で変更可能とするような仕様も必要に応じて採用されているところである（引用例２）。
従って、パスワードが格納される「第１領域」についてもロックが解除されるようにすることは必要に応じて為し得る設計事項にすぎないものである。
　
相違点（４）について
　引用例２のものは、メモリとパスワード照合に関する回路が単一パッケージに集積化されている。従って、後者においてメモリとパスワード照合のための制御回路を集積化することは回路実現時に普通に想定されることにすぎない。そして、集積化すると内部信号線の全てが外部端子には直接接続されるものではないから、バス上を伝送される信号を単純な分析で検出できないことは普通に予測される効果にすぎない。　
　
５．むすび
　以上のとおりであるから、本願の請求項１に係る発明は、上記引用例１、２に記載された発明及び周知事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
  よって、結論のとおり審決する。