【事件の表示】
　平成５年特許願第２２７４０４号「エッチング方法及び半導体装置の製造方法」拒絶査定に対する審判事件〔平成７年３月３１日出願公開、特開平７−８６２４５、請求項の数（７）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯及び本願発明
　本願は平成５年９月１３日の出願であって、平成１３年２月１５日付けで拒絶理由の通知がなされ、平成１３年５月１日に請求人（出願人）より意見書及び手続補正書が提出されたところ、平成１３年６月１４日付けで先の拒絶の理由により拒絶査定され（以下、これを「原査定」という。）、その後、平成１３年７月２６日に審判請求されたものである。
　そして、その請求項１〜７に係る発明（以下、「本願発明１」〜「本願発明７」ということがある。）は、上記手続補正書により補正された明細書の特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された、次のものである。
　　
「【請求項１】構成元素にＣｌを含むガスと、Ｃ、Ｈ及びＦの３元素から構成されるガスとを含む混合ガスに高周波電力を印加し、前記混合ガス中に発生させたプラズマ中に、ＧａＡｓより成る基板の表面を晒し、前記基板の表面をエッチングし、エッチングした後の基板を有機アルカリ水溶液で洗浄することを特徴とするエッチング方法。
【請求項２】構成元素にＣｌを含むガスと、Ｃ、Ｈ及びＦの３元素から構成されるガスとを含む混合ガスに高周波電力を印加し、前記混合ガス中に発生させたプラズマ中に、半絶縁性基板上にＡｌＧａＡｓ層及びＧａＡｓ層を順に成長させて成る基板の表面を晒し、該基板のＧａＡｓ層のみを選択的にエッチングし、エッチングした後の基板を有機アルカリ水溶液で洗浄することを特徴とするエッチング方法。
【請求項３】構成元素にＣｌを含むガスと、Ｃ、Ｈ及びＦの３元素から構成されるガスとを含む混合ガスに高周波電力を印加し、前記混合ガス中に発生させたプラズマ中に、ＧａＡｓより成るＧａＡｓＭＥＳＦＥＴの基板の表面を晒し、前記基板の表面をエッチングし、その後、前記基板を400℃以上で600℃以下の温度でアニールすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】構成元素にＣｌを含むガスと、Ｃ、Ｈ及びＦの３元素から構成されるガスとを含む混合ガスに高周波電力を印加し、前記混合ガス中に発生させたプラズマ中に、半絶縁性基板上にＡｌＧａＡｓ層及びＧａＡｓ層を順に成長させて成るＧａＡｓＭＯＤＦＥＴの基板の表面を晒し、前記基板のＧａＡｓ層のみをエッチングし、その後、前記基板を400℃以上で600℃以下の温度でアニールすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】請求項３又は４記載の半導体装置の製造方法において、混合ガスは、ＢＣｌ3とＣＨＦ3とを含むガスより構成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】請求項５記載の半導体装置の製造方法において、ＣＨＦ3ガスの分圧比は、10％以上でかつ60％以下であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】請求項３〜６の何れか１記載の半導体装置の製造方法において、エッチングした後の基板を有機アルカリ水溶液で洗浄することを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　　
II．原査定の理由
　これに対して、原査定では、「この出願については、平成１３年２月１５日付け拒絶理由通知書に記載した理由によって、拒絶査定する。」とするとともに、その備考欄において、「請求項１、２、６、７に係る発明については平成１３年２月１５日付拒絶理由通知書に掲げた拒絶理由を解消していると認められる。」として、これ以外の請求項３〜５に係る発明について、特許法第２９条第２項の規定に基づき、拒絶の査定をしたものである。
　　
III．引用例の記載事実
　上記の拒絶理由通知書で、証拠として示された引用例１（特開平３−２９３２３号公報）、引用例２（特開平４−１０５３１９号公報）、引用例３（特開昭５４−４０７３号公報）、及び引用例４（特開昭６１−９１９３０号公報）には、下記の事項が記載されている。
引用例１（特開平３−２９３２３号公報）
(1-1)「（１）半導体基板上にAlまたはInの少なくとも一方を含む第１の化合物半導体層を形成し、その上にAlもInも含まない第２の化合物半導体層を積層する工程と、塩素または臭素のうち少なくともいずれか一方と弗素とを主な構成元素とするハロゲンガスと、少なくとも水素を含むガスとを混合した反応性ガスを用いて反応性イオンエッチング法により前記第２の化合物半導体層を選択的にエッチングする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（２）半導体基板上にAlまたはInの少なくとも一方を含む第１の化合物半導体層を形成し、その上にAlもInも含まない第２の化合物半導体層を積層する工程と、塩素または臭素のうち少なくともいずれか一方を構成元素とするハロゲンガスと、水素および弗素を少なくとも含むガスとを混合した反応性ガスを用いて反応性イオンエッチング法により前記第２の化合物半導体層を選択的にエッチングする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」（第６頁右上欄第２行〜左下欄第２行「特許請求の範囲」）
(1-2)「本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特にヘテロ構造を有する半導体装置の製造方法に関する。」（第１頁左下欄第８〜１０行）
(1-3)「第３図に従来技術と本発明におけるGaAsのエッチング深さのエッチング時間依存性を示す。使用した反応性ガスは、従来技術がCCl２F２とHe、本発明がCCl２F２とH２である。エッチングの高周波エネルギーは、0.1W/cm２であり、ガス圧力は10Paである。本発明の半導体装置の製造方法によれば、例えば、塩素または臭素のうち少なくともいずれか一方と弗素とを主な構成元素とするハロゲンガスと、少なくとも水素を含むガスとを混合した反応性ガスを用いて反応性イオンエッチング法により前記第２の化合物半導体層を選択的にエッチングする水素の反応子を添加することにより、エッチングされる結晶基板の表面に生成された自然酸化膜のエッチング速度が高くなる特徴を有している。そのために、従来生じていたエッチングの開始時間の遅れを短縮でき、短時間で所望のエッチングが可能となる。また、本発明はエッチングの開始時間のばらつきもないため、均一なエッチングができる。また、選択的にエッチングを行うための弗素の反応子の供給量は従来技術と同程度であるため、制御性は、基板面に対して垂直方向はもとより、基板面に対して水平方向のエッチング制御性も向上する。特に基板面に対して水平方向のエッチング制御性が向上し、微細加工、高制御で且つ、低損傷な微細加工技術を提供でき、信頼性の高い半導体装置が再現性よく高歩留りで実現できる。」（第２頁左下欄第４行〜右下欄第１０行）
(1-4)「（実施例１）　第１図(a)及至第１図(d)は、本発明の半導体装置の製造方法の一実施例を説明するために示した半導体装置の工程ごとの要部構造断面図である。
　まず、第１図(a)に示すように半絶縁性GaAs基板１上に第１のGaAs層２を５０００Å、Siを２×１０１８cm−３ドーピングしたN型GaAs層３を１００Å、第１のAlGaAsの層４を２００Å、Siを２×１０１８cm−３ドーピングした第２のN型GaAs層１２を５００Åを連続的にエピタキシャル成長する。次に、第１図(b)に示すように第１の電界効果とトランジスタのゲート領域の前記第２のN型GaAs層１２をCCl２F２とH２の反応性ガスを用いて反応性イオンエッチング法により、選択的にエッチングする。この場合、ガスの分圧の比率は、CCl２F２に対してH２の流量を低くし、ガス圧は、１０Paである。
　次に第１図(c)に示すようにAlを蒸着し、リフトオフ法によりゲート電極８を形成する。次に第１図(d)に示すようにAuGe/Niを用いたオーミック電極１０を形成することにより電界効果トランジスタが形成される。・・・・また、前記ハロゲンガスとしてCCl２F２の他には、CCl３F、CClF３、CBrF３、などのガスを使用することが可能である。」（第３頁左上欄第１行〜右上欄第７行）
(1-5)「（実施例３）　第１図(a)乃至第１図(d)に示す一実施例において、第１図(b)に示すゲート領域の前記第２のN型GaAs層１２を選択的にエッチングする工程で、HClとHFの反応性ガスを用いて反応性イオンエッチング法により、選択的にエッチングする。他の工程は、実施例１と同様とする。この場合、ガス分圧が0.01Pa乃至15Paの範囲において、同様な結果が得られた。また、前記ハロゲンガスとしては、HClの他には、実施例１に記載したハロゲンガス、CH３Cl、CH３Br、CCl４、SiCl４、BCl３、などのガスを使用することが可能である。また、HFの他に、CHF３、CH３Fなどのガスを使用することが可能である。この場合、それぞれのガスの分圧比は上記と同様である。」（第３頁右下欄第８行〜第４頁左上欄第２行）
(1-6)「（実施例４）　第２図(a)乃至第２図(e)に示す実施例において、第２図(b)に示す用に、一部の領域の前記第３のGaAs層７をSiCl4とHFの反応性ガスを用いて反応性イオンエッチング法により、選択的にエッチングする。・・・・また、前記ハロゲンガスとしては、SiCl４の他には、実施例１で記載したハロゲンガス、Cl２、HCl、CH３Cl、CH３Br、CCl４、BCl３などのガスを使用することが可能である。また、HFの他に、CHF３、CH３Fなどのガスを使用することが可能である。この場合、それぞれのガスの分圧比は上記と同様である。」（第４頁左上欄第３行〜右上欄第２行）
　　
引用例２（特開平４−１０５３１９号公報）
(2-1)「CとFとを構成元素として含むガスと、SiとClとを構成元素として含むガスと、希ガスとを含む混合ガスを用いてAlGaAs層上のGaAs層を選択的にエッチングすることを特徴とする選択エッチング方法。」（特許請求の範囲）
(2-2)「本発明は選択エッチング方法に関し、特にAlGaAs層上のGaAs層をフロン系ガスを使用せずに高選択比を持ってエッチングする方法に関する。」（第１頁左下欄第１２〜１５行）
(2-3)「[従来の技術]　GaAs/AlGaAs系におけるGaAs層の選択エッチングは、エンハンスメント・モードのHEMT（高電子移動トランジスタ）において、ゲート電極の形成部位となるリセス（凹部）を形成する場合等に必要とされる技術である。」（第１頁右下欄第９〜１４行）
(2-4)「[実施例]
　以下、本発明の好適な実施例について、実験結果にもとづいて説明する。
　以下の一連の実験では、CF４ガス、SiCl４ガスおよびHeガスからなる混合ガスを用いたGaAs層のエッチング、およびGaAs/AlGaAs系の選択エッチングについて検討した。・・・・平行平板型エッチング装置にGaAs基板をセットし、CF４ガスとSiCl４ガスの合計流量を20SCCM、Heガス流量を29SCCMとしてエッチング室内に混合ガスを供給し、ガス圧を30mTorrとした。ここで、高周波パワー密度を0.05W/cm２、0.10W/cm２、0.20W/cm２の３段階に変化させ、CF４ガスとSiCl４ガスの合計流量中におけるSiCl４ガス流量を0.15〜0.61の範囲で変化させながらそれぞれ５分間エッチングを行った場合のエッチング深さを測定した。」（第２頁左下欄第１４行〜右下欄第１５行）
(2-5)「なお、本発明は上述の実施例に何ら限定されるものではない。たとえば、CとFとを構成元素として含むガスとしては、上述のCF４以外にCHF２、C２F６，C３F８，CH２F２，CH３F，CBrF３等の各種フルオロカーボン系ガスを使用することができる。また、SiとClとを構成元素として含むガスとしては、上述のSiCl４以外にSiH２Cl２、SiHCl３等のシラン系ガスを使用してもよい。さらに希ガスとしては、上述の実施例ではスパッタ効果と共に冷却効果も有するHeを使用したが、Ne、Ar、Kr、Xe、Rnを使用しても良い。」（第３頁右下欄第７〜18行）
　　
引用例３（特開昭５４−４０７３号公報）
(3-1)「（１）半導体表面をプラズマ照射することにより上記半導体表面上の汚染物質をプラズマエッチングすることを特徴とする半導体表面の洗浄方法。
（２）半導体がGaAsで、プラズマガスがCF４を主とするガスであることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体表面の洗浄方法。」（特許請求の範囲）
(3-2)「本発明は、半導体表面を洗浄する方法に関し、特に半導体表面をエッチングすることなく洗浄しようとするものである。」（第１頁左下欄第１２〜１４行）
(3-3)「従来より半導体へ金属を被着することはほとんどの素子に対して行われているが、半導体表面の汚染によりその特性が劣化するため半導体表面の清浄化は必要不可欠なことである。一般に半導体表面の清浄化にはトリクロルエチレン、アセトン、アルコール等の有機溶剤により超音波で洗浄する方法あるいは半導体表面をエッチングして表面を洗浄する方法等がある。」（第１頁左下欄第１５行〜右下欄第２行）
(3-4)「本発明は上記欠点にかんがみなされたもので、目的とするところは半導体自身はエッチングせず汚染物質のみを除去し、半導体素子としての特性をそこなうことなく半導体表面を洗浄しようとするものである。」（第１頁右下欄第１４〜１８行）
(3-5)「上記例ではn型GaAs層厚が2μである10μ厚のGaAs基体3の表面をCF４ガスでプラズマ洗浄した本発明による例と、アセトン、トリクロルエチレン等の有機溶剤でGaAs基体3表面を超音波洗浄したのみの従来例とを示す。」（第２頁左下欄下から第１３〜９行）
　　
引用例４（特開昭６１−９１９３０号公報）
(4-1)「（１）イオン、中性ラジカルまたはこれらの混在雰囲気中で半導体基板のエッチングを行い、次いで同一真空装置内で基板の清浄処理を行うことを特徴とする半導体基板の清浄方法。
（２）基板の清浄処理は基板を２５０℃以上の温度で加熱することから成る特許請求の範囲第１項記載の半導体基板の清浄方法。」（特許請求の範囲）
(4-2)「この発明はドライエッチング処理を行った半導体基板の清浄方法に関するものである。」（第１頁左下欄第１４〜１５行）
(4-3)「現在のドライエッチング技術の問題点の一つに、エッチングガスまたは残留ガスによる加工表面の汚染がある。・・・・例えばGaAs基板をCl2ガスによりエッチングすると、加工表面にClを主成分とする吸着層が形成され」（第２頁左上欄第６行〜右上欄第２行）
(4-4)「基板の加熱温度はエッチングガス粒子が基板表面から効果的に離脱する温度であって、通常のエッチングガスの場合、２５０℃以上であり、２５０℃以下であると、吸着したガス粒子の脱離が有効に行われない。」（第３頁右上欄第１０〜１４行）
(4-5)「プラズマ放電の停止と共に半導体基板の加熱を開始すると、次第に基板周面のエッチングガスは表面吸着よりも、形成しているエッチングガス堆積層から離脱する勢力の方が次第に強くなり、表面の汚染は除去され、高清浄な表面を維持する。」（第３頁左下欄第４〜９行）
(4-6)「実施例１」において、「エッチング完了時に試料が３５０℃に加熱されるように設定し、エッチング放電遮断後、３５０℃を維持し、その間Cl2ガスの排気を行った。20分経過後、エッチング室内の残留ガス圧は10-7トールとなったので、加熱を停止した。・・・エッチングガスであるClの汚染が２桁以上も少なかった。」（第３頁右下欄第１６行〜第４頁左上欄第６行）
(4-7)「実施例２」において、「試料はエッチングが完了した時点で３５０℃となるようにエッチング完了時点の3分前より加熱を開始した。エッチング放電遮断後、CF4ガスの排気を残留ガス圧が１０-7トールとなるまで行い、その間加熱は継続して行った。」（第４頁左上欄末行〜右上欄第５行）
　　
IV．対比・判断
　以下、原査定に係る拒絶の対象となった請求項３〜５に係る本願発明３〜５について、順次判断する。
（１）本願発明３について
　本願発明３と、引用例１に記載されたものとを対比すると、引用例１には、半導体基板上にAlまたはInの少なくとも一方を含む第１の化合物半導体層を形成し、その上にAlもInも含まない第２の化合物半導体層を積層する工程と、塩素または臭素のうち少なくともいずれか一方と弗素とを主な構成元素とするハロゲンガスと、少なくとも水素を含むガスとを混合した反応性ガスを用いて反応性イオンエッチング法により前記第２の化合物半導体層を選択的にエッチングする工程とを含む半導体装置の製造方法（摘記1-1）の発明が記載され、併せて、従来技術と本発明の対比において、使用した反応性ガスは、従来技術がCCl２F２とHe、本発明がCCl２F２とH２であり、エッチングの高周波エネルギーは0.1W/cm２であったこと（摘記1-3）、半絶縁性GaAs基板上に第１のGaAs層、N型GaAs層、第１のAlGaAsの層、第２のN型GaAs層を連続的にエピタキシャル成長し、第２のN型GaAs層を反応性イオンエッチング法により選択的にエッチングし、Alを蒸着し、ゲート電極を形成し、オーミック電極を形成することにより電界効果トランジスタを形成したこと、（摘記1-4）、「実施例３」において、N型GaAs層を選択的にエッチングする工程で、HClとHFの反応性ガスを用いて反応性イオンエッチング法により選択的にエッチングしまた、ハロゲンガスとしては、HClの他には、CH３Cl、CCl４、SiCl４、BCl３、などのガスを使用することが可能であり、また、HFの他に、CHF３、CH３Fなどのガスを使用することが可能であること（摘記1-5）、及び、「実施例４」において、GaAs層をSiCl4とHFの反応性ガスを用いて反応性イオンエッチング法により、選択的にエッチングし、ハロゲンガスとしては、SiCl４の他には、Cl２、HCl、CH３Cl、CCl４、BCl３などのガスを使用することが可能であり、また、HFの他に、CHF３、CH３Fなどのガスを使用することが可能であること（摘記1-6）が記載されている。そして、引用例１に記載された上記HCl、CH３Cl、CCl４、SiCl４、BCl３、SiCl4、Cl２ガス（摘記1-5、1-6）は、本願発明３における「構成元素にＣｌを含むガス」に相当し、一方、引用例１に記載された上記CHF３、CH３Fガス（摘記1-5、1-6）は、本願発明３における「Ｃ、Ｈ及びＦの３元素から構成されるガス」に相当する。
　してみれば、本願発明３は、引用例１に記載された発明と、構成元素にＣｌを含むガスと、Ｃ、Ｈ及びＦの３元素から構成されるガスとを含む混合ガスに高周波電力を印加し、前記混合ガス中に発生させたプラズマ中に、ＧａＡｓより成るＧａＡｓＭＥＳＦＥＴの基板の表面を晒し、前記基板の表面をエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法、の点で一致しているといえ、そして、
（イ）：本願発明３では、エッチングの後、「基板を400℃以上で600℃以下の温度でアニールする」ものであるのに対して、引用例１にはその記載が見あたらない点で、本願発明３は、引用例１に記載された発明と相違している。
　　
そこで、上記相違点（イ）について、以下、検討する。
　上記のアニールについて、明細書の記載を見ると、GaAs層及びAlGaAs層を積層したヘテロ接合を持つGaAsMODFETにおいて、GaAs層とAlGaAs層との界面の２次元電子ガスを損なうことなく、エッチング時に発生した損傷を回復させて、素子特性の劣化を防ぐことができる（段落【0015】、【0021】）とその目的・作用について記載され、そして、その結果、具体例においては、相互コンダクタンス(gm)は、摂氏400 度から摂氏600 度までの間で、ウエットエッチングで形成したGaAsMODFETの95％以上に回復した（段落【0020】、図６）として、その効果が説明されている。
　一方、原査定で、「塩素またはＣＦ4を含んだガスでプラズマエッチングした後、３５０℃または５５０℃でＧａＡｓ基板を加熱して残留するエッチングガスを除去することが記載されており・・・５５０℃程度の温度でアニールすることは当業者が適宜なし得た事項であると認められる」として、上記相違点（イ）に係る構成の容易性の根拠とした引用例４（特開昭６１−９１９３０号公報）の記載を精査すると、当該引用例４には、原査定で指摘された３５０℃加熱の記載はあるものの（摘記4-6、4-7）、５５０℃に加熱する旨の記載は見あたらない。
　さらに検討するに、引用例４における加熱は、加工表面に吸着したガス成分を離脱させてその表面を清浄化するものであって（摘記4-1〜4-6）、本願発明３のようにエッチング時に発生した損傷の回復及び素子特性の劣化の防止を課題としたものではない。そして、引用例４に、基板の清浄処理の温度について、「２５０℃以上の温度」（摘記4-1、4-4）と、その下限値温度が示され、また、具体例で、減圧排気下、３５０℃に加熱して清浄化を行った（摘記4-6、4-7）ことが記載されているとしても、そのことが、「４００℃以上で６００℃以下」の特定の温度でアニールすることにより、エッチング時に発生した損傷を回復し、素子特性の劣化を防止するという技術課題が解決されることを、開示するということはできない。
　また、これ以外の証拠について検討すると、引用例２には、CとFとを構成元素として含むガスと、SiとClとを構成元素として含むガスと、希ガスとを含む混合ガスを用いてAlGaAs層上のGaAs層を選択的にエッチングする選択エッチング方法（摘記2-1）に係る発明が記載され、また、引用例３には、半導体表面をプラズマ照射することにより上記半導体表面上の汚染物質をプラズマエッチングする半導体表面の洗浄方法（摘記3-1）に係る発明が記載されているが、これら引用例２及び３のいずれにも、上記相違点（イ）に係る特定のアニールについて開示する記載は見あたらない。
　そして本願発明３は、当該相違点（イ）のアニールに係る構成要件を含む、前記認定のとおりの構成を有することにより、エッチング時のデッドタイムの発生を防止することができ、アンダーカットやオーバーハングを防止することができ、AlGaAs層上のGaAs層のみを選択的にエッチングすることができ、GaAsMESFET又はGaAsMODFETのゲート電極を設ける配置部分のリセス構造におけるエッチング深さの面内均一性を良好なものとすることができ、リセス幅を正確に制御することができ、この結果、微細な電極構造をもったGaAsMESFETやGaAsMODFETを高い精度で形成することができるとともに、上記アニールにより、GaAs層とAlGaAs層との界面の２次元電子ガスを損なうことなく、エッチング時に発生した損傷を回復させて、素子特性の劣化を防ぐことができる（段落【0021】）という、明細書記載の作用・効果を奏したものと認めることができる。
　以上のとおりであるから、本願発明３は、引用例１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明とすることができない。
　　
（２）本願発明４について
　本願発明４は、本願発明３と同じく、構成元素にＣｌを含むガスと、Ｃ、Ｈ及びＦの３元素から構成されるガスとを含む混合ガスに高周波電力を印加し、前記混合ガス中に発生させたプラズマ中に基板の表面を晒してエッチングする点を含む半導体装置の製造方法に係る発明であるところ、やはり本願発明３と同じく、上記「相違点（イ）」と同様に、エッチングの後に「基板を４００℃以上で６００℃以下の温度でアニールする」構成を具備するものであるので、上記「（１）本願発明３について」の欄に記載したと同様、本願発明４は、引用例１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明とすることはできない。
　　
（３）本願発明５について
　本願発明５は、請求項３又は４の請求項を引用しつつ、ガス組成を特定して、本願発明３又は４を更に限定したものであるから、上記「（１）本願発明３について」及び「（２）本願発明４について」の欄に記載したと同様、本願発明５は、引用例１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明とすることはできない。
　　
Ｖ．むすび
　以上のとおり、原査定の拒絶の対象となった請求項３〜５に係る本願発明３〜５は、引用例１〜４に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができた発明ということはできず、したがって、原査定の拒絶の理由により本願を拒絶することはできない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。