【事件の表示】
　特願２０１０−５１５２９３「ＭＥＭＳ慣性感知及び内蔵デジタルエレクトロニクスを備えた統合運動処理ユニット（ＭＰＵ）」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　１月１５日国際公開、ＷＯ２００９／００９８０３、平成２３年　１月２７日国内公表、特表２０１１−５０３５２２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　特許出願：　平成２０年８月６日（国際出願日）　  
　拒絶査定：　平成２５年７月１２日（送達日：同年同月２３日）  
　拒絶査定不服審判の請求：　平成２５年１１月２０日  
　手続補正：　平成２５年１１月２０日
　拒絶理由通知：　平成２６年１０月３１日
　（以下、「当審拒絶理由」という。発送日：同年１１月１１日）
　手続補正：　平成２７年３月９日（以下、「本件補正」という。）
　意見書：　　平成２７年３月９日（以下、「本件意見書」という。）
　　
  　
２　本願発明
　本願の請求項１ないし１７に係る発明は、本件補正によって補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１ないし１７に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明は次のとおりである。 
　　
「基板の表面上に実装することができるモジュールであって、前記モジュールは、
　３つの加速度計のそれぞれが一つの軸の測定直線加速度に対応する第１の測定出力を与えることができ、各加速度計の受感軸が他の加速度計の受感軸に直角で、前記３つの加速度計が第１のシリコン基板上に形成されている３つの直線加速度計と、
　３つの回転センサーのそれぞれが静電作動及び静電検出による振動ジャイロスコープで、一つの軸の周りの回転の測定に対応する第２の測定出力を与えることができ、各振動ジャイロスコープの受感軸が他の振動ジャイロスコープの受感軸に直角で、前記３つの振動ジャイロスコープが第１のシリコン基板上に形成されている３つの回転センサーと、
　前記３つの直線加速度計からの前記第１の測定出力と前記３つの振動ジャイロスコープからの前記第２の測定出力の双方を受信するための特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）とを備え、
　前記ＡＳＩＣは、計算ユニット及び前記計算ユニットに接続しているメモリを含み、前記計算ユニットは前記３つの加速度計及び前記３つの振動ジャイロスコープから運動を追尾するようにデータを受信し、処理し、前記ＡＳＩＣは第２のシリコン基板に実装されており、
　前記第１のシリコン基板が前記第２のシリコン基板に垂直に積層されて接合され、かつ実質的に前記第２のシリコン基板に平行で、前記第１のシリコン基板は前記第２のシリコン基板に電気的に接続されて、単一の半導体チップをもたらすことを特徴とするモジュール。」（以下、「本願発明」という。）
　
　
３　当審拒絶理由
　これに対し、当審拒絶理由における理由１の概要は、本願の請求項１ないし１７に係る発明は、本願の国際出願日前に頒布された刊行物である特開２００６−２７５６６０号公報（発明の名称：半導体センサおよびその製造方法、出願人：松下電工株式会社、公開日：平成１８年１０月１２日、以下、「引用例１」という。）に記載された発明、及び周知技術に基づいて、その国際出願日前にその発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、というものである。
　
　
４　引用例記載の事項・引用発明
（１）引用例１の記載事項・引用発明
　引用例１には、次の事項（ａ）ないし（ｅ）が図面とともに記載されている。なお、下線は当審が付した。
　
（ａ）
「【０００２】
  従来から、
マイクロマシンニング技術を利用して形成された半導体センサとして、例えば、加速度センサやジャイロセンサなどが知られている。
　
（ｂ）
「【０００８】
  図８に示した加速度センサでは、センサチップ１００とＩＣチップ２００とを対向配置するとともに、センサチップ１００およびガラス基板３００それぞれに貫通配線１０４，３０１を設けてあるので、ボンディングワイヤを用いることなくバンプ４０３を介して実装基板４００の導体パターン４０２と電気的に接続することができるが、センサチップ１００の可動部（重り部１０２および撓み部１０３）が外気に曝されてしまうので、センサチップ１００の信頼性および動作安定性を向上させるためにセラミックパッケージやカンパッケージなどのパッケージに実装して気密封止する必要があり、コストが高くなるとともに、パッケージを含めたセンサ全体のサイズが大きくなってしまうという不具合があった。」
　
（ｃ）
「【００３１】
  （実施形態１）
  本実施形態では半導体センサの一例として、
図１および図２に示す構成の加速度センサを例示する。
半導体基板を用いて形成されたセンサチップ１
第１のパッケージ用基板２の一表面側（図１における下面側）に設けた外部接続用電極２６がバンプ２７を介して図示しない実装基板の導体パターンと電気的に接続される。
上述の半導体基板として微細加工が容易で耐衝撃性に優れたシリコン基板を採用している
　
　・・・
　
【００３４】
  本実施形態の加速度センサはピエゾ抵抗形加速度センサであり、上述のセンサチップ１は、図３の右側に示したように、当該センサチップ１の厚み方向に直交する平面において矩形枠状のフレーム部１１の一辺に沿った方向をｘ軸方向、この一辺に直交する辺に沿った方向をｙ軸方向、センサチップ１の厚み方向をｚ軸方向と規定すれば、重り部１２は、ｘ軸方向に延長されてコア部１２ａを挟む２つ１組の撓み部１３，１３と、ｙ軸方向に延長されてコア部１２ａを挟む２つ１組の撓み部１３，１３とを介してフレーム部１１に支持されていることになる。ここで、センサチップ１には、ｘ軸方向を長手方向とする２つの撓み部１３，１３におけるコア部１２ａ近傍にｘ軸方向の加速度を検出するためのピエゾ抵抗Ｒが２つずつ形成され、ｙ軸方向を長手方向とする２つの撓み部１３，１３におけるコア部１２ａ近傍にｙ軸方向の加速度を検出するためのピエゾ抵抗Ｒが２つずつ形成されている。センサチップ１の上記一表面側には、シリコン酸化膜からなる絶縁膜１６が形成されており、ピエゾ抵抗Ｒに金属配線１７（図３参照）を介して電気的に接続されたパッド１５がフレーム部１１に対応する部位でセンサチップ１の上記一表面側に設けられている。ｘ軸方向の加速度を検出するための４つのピエゾ抵抗Ｒは、金属配線１７、パッド１５、第１のパッケージ用基板２の厚み方向に貫設された貫通配線２３、外部接続用電極２６、実装基板（図示せず）に設けられた導体パターンなどを介してブリッジ回路を構成するように接続され、同様に、ｙ軸方向の加速度を検出するための４つのピエゾ抵抗Ｒもブリッジ回路を構成するように接続されているが、センサチップ１上のみでブリッジ回路を構成するように接続するようにしてもよいし、第１のパッケージ用基板２に適宜配線を設けてブリッジ回路を構成するように接続してもよい。
【００３５】
  本実施形態の加速度センサでは、センサチップ１に加速度が作用すると、加速度の方向および大きさに応じて重り部１２がフレーム部１１に対して相対的に変位し、結果的に撓み部１３が撓んでピエゾ抵抗Ｒの抵抗値が変化することになる。つまり、
ピエゾ抵抗Ｒの抵抗値の変化を検出することにより加速度センサチップ１に作用したｘ軸方向、ｙ軸方向それぞれの加速度を検出することができる。
信号処理回路により適宜の補正を加えれば、重り部１２に作用するｘ軸方向、ｙ軸方向それぞれの加速度に比例する電圧を検出値として得ることができる。
上述の信号処理回路は、上記各ブリッジ回路それぞれの出力信号を増幅する２つの増幅回路、感度およびオフセット電圧の温度特性を補正する温度補償回路、ノイズを除去するノイズ除去回路などを含んでいる。
【００３６】
  
第１のパッケージ用基板２および第２のパッケージ用基板３は、それぞれシリコン基板を用いて形成されている。
【００３７】
  上述の
第１のパッケージ用基板２は、図４に示すように上述の凹部２５がセンサチップ１との対向面においてフレーム部１１の周部と接合される周部を除いた部位に形成されており
センサチップ１のパッド１５と外部接続用電極２６とを電気的に接続する複数の貫通配線２３が貫設され、第１のパッケージ用基板２におけるフレーム部１１との対向面の周部が全周に亘ってフレーム部１１と接合されている。
気密性を確保するため
第２のパッケージ用基板３は、フレーム部１１の全周に亘って接合されており、第１のパッケージ用基板２とフレーム部１１と第２のパッケージ用基板３とでパッケージとしての気密容器を構成している。
　
（ｄ）
「【００４０】
  また、
第１のパッケージ用基板２を上述のようにシリコン基板を用いて形成する場合、当該第１のパッケージ用基板２を、上述の信号処理回路が形成されたＩＣチップにより構成し、
　
（ｅ）
「【００５４】
  また、上記各実施形態では、半導体センサとしてピエゾ抵抗形加速度センサを例示したが、
本発明の技術思想は、ピエゾ抵抗形加速度センサに限らず、例えば、容量形加速度センサやジャイロセンサなどにも適用でき
  　
　前記記載（ｃ）から、
「実装基板の導体パターンと下面のバンプを介して電気的に接続される加速度センサ」
　が読み取れる。また、
　　
　前記記載（ａ）及び（ｃ）の段落【００３１】，【００３５】から、
「ｘ軸方向、ｙ軸方向それぞれの加速度を検出することができ、シリコン基板のセンサチップ１に形成されている複数の加速度検出手段」
　が読み取れる。また、
　
　前記記載（ｃ）の段落【００３５】から、
「前記加速度検出手段からの出力信号を信号処理する信号処理回路」
　が読み取れる。また、
　
　前記記載（ｄ）から、
「前記信号処理回路は、シリコン基板を用いて形成された第１のパッケージ用基板２にＩＣチップとして構成されて」
　いることが読み取れる。また、
　
　前記記載（ｃ）の段落【００３７】から、
「前記シリコン基板のセンサチップ１が前記シリコン基板を用いて形成された第１のパッケージ用基板２に接合され、電気的に接続するための配線が設けられてパッケージを構成する」
　ことが読み取れる。
　
　以上を総合勘案すると、引用例１には次の発明が記載されているものと認められる。
　
「実装基板の導体パターンと下面のバンプを介して電気的に接続される加速度センサであって、前記センサは、
　ｘ軸方向、ｙ軸方向それぞれの加速度を検出することができ、シリコン基板のセンサチップ１に形成されている複数の加速度検出手段と、
　前記加速度検出手段からの出力信号を信号処理する信号処理回路とを備え、
　前記信号処理回路は、シリコン基板を用いて形成された第１のパッケージ用基板２にＩＣチップとして構成されており、
　前記シリコン基板のセンサチップ１が前記シリコン基板を用いて形成された第１のパッケージ用基板２に接合され、電気的に接続するための配線が設けられてパッケージを構成する加速度センサ。」（以下、「引用発明」という。）
　
（２）引用例２ないし７に記載の事項　
　当審拒絶理由において引用文献２ないし７として例示された、本願の国際出願日前に頒布された刊行物には、それぞれ下記のように記載されている。なお、下線は当審が付した。
　
・特開２００５−２８３４２８号公報（以下、「引用例２」という。）  
「【０００２】
  従来より、
車両の姿勢制御等に角速度センサや加速度センサが用いられている。
　・・・」
「【０００３】
  ところで、
車両の姿勢制御
・特表平１１−５０２６１４号公報（以下、「引用例３」という。）  
「【発明の詳細な説明】
              単結晶材料における角速度を測定するための装置
  ・・・この代わりに、シリコンベースのジャイロの既存の問題に対する通常の解決策は、重り付きのビームまたは傾斜プレートの両面に導体プレートを作製することにより、基板表面に垂直な
静電励起
  今日までに、金属、
シリコン
それ以上の軸を測定したい場合には、複数の単軸ジャイロを組み合わせて１つの多軸ジャイロを構成した。
  本発明は、独立請求項１および６の特徴部に記載された特徴により、同一の製造技術に基づいて、半導体基板から設計された振動ジャイロのための技術を拡張することによって、
互いに垂直な３次元軸のまわりの回転を同時に測定するために、同一基板内に振動ジャイロを製造することを可能とする。必要に応じて、本発明は同一基板上で幾つかの構造とし、かつ、加速度計とともに集積化することができる。
加速度の測定と組み合わせて、幾つかの軸の回りの回転を同時に測定することが可能となる。
　・・・
  タイプＩおよびIIによる構成は、閉ループおよび開ループのいずれの実施例にも充分適合する。両構成は、スウェーデン特許文書ＳＥ９２０３６４８−２に開示の単軸または多軸加速度計とともに集積化によく適合する。
本発明のタイプＩまたはIIによる２組の装置、タイプIIの１組の装置、およびスウェーデン特許文書ＳＥ９２０３６４８−２に開示の１個の３軸加速度計を集積化することにより、空間内の自由体の動きを完全に記述するために必要な６つの自由度のすべてを同時に測定することが可能となる。
  
単結晶材料のデバイスは、例えば、フォトリソグラフによるパターン化、異方性エッチングを含む半導体の周知の製造法による製造に利用できる。
　
・特開２００５−２３３７０１号公報（以下、「引用例４」という。）
「【０００２】
  最近、自動車の車体回転速度フィードバック式の車両制御方法に用いる
回転速度センサーに、振動型ジャイロスコープを使用することが検討されている。
「【００１９】
  支持基板の種類は特に限定されないが、パッケージ用基板であることが好ましく、あるいは、
半導体集積回路チップを支持した回路基板であることが好ましい。後者の場合には、ＡＳＩＣ（Application SpecifiedIntegrated Circuit：特定用途向け集積回路）が特に好ましい。
　
・特開２００５−３４５４７３号公報（以下、「引用例５」という。）
「【０００６】
  図１Ｂは図１Ａのジャイロセンサに対する断面図である。図１Ｂによれば、ＭＥＭＳ構造物１１及びアナログＡＳＩＣ１２は導電物質１４を通じて電気的に連結される。
  また、
図２はＭＥＭＳ構造物２１、アナログＡＳＩＣ２２、ディジタルＡＳＩＣ２３などが積層された構造で形成された従来のジャイロセンサの構成を示す模式図である。
　
・特表２００４−５１７３０６号公報（以下、「引用例６」という。）  
「【００４４】
図２において、プロセッサ３２、メモリモジュール３６（当審注：「メモリモジュール３８」の誤記。）、サーミスタ４０、バンドギャップ４２、オシレータ４４及びＡＤＣ３４は、単一マイクロチップ、具体的には、破線内の構成要素を含む特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）４６の一部として形成される。
　
・特開２００８−３１８２号公報（以下、「引用例７」という。）
「【０００１】
  
本発明は、撮像装置における像ブレ補正装置のブレ量検出装置に関し、特に３軸方向のブレ量検出センサを１枚の基板上に実装可能なブレ量検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
  従来、
カメラなどの撮像装置において撮像中に生じた手ブレ量
ンズまたは撮像素子を光軸と垂直な平面上を移動させることにより結像面上での像ブレを抑制する像ブレ補正装置が提案されている。」
「【００３２】
  ピッチング角度信号Ｐｙｈは、
第１方向ｘ軸周りの回転運動（ピッチング）による手ブレ量
第３方向ｚ軸周りの回転運動（ローリング）による像ブレ量
第２方向ｙ軸周りの回転運動（ヨーイング）による像ブレ量
【００３３】
  次に、制御演算部１３について説明する（図３参照）。なお、ＣＰＵで制御する場合は、積分回路、誤差増幅回路、ＰＩＤ演算回路、ＰＷＭドライバの動作はソフトウエアによっても実現可能である。」
　
　
５　対比
　本願発明と引用発明とを対比する。
　まず、引用発明の「実装基板の導体パターンと下面のバンプを介して電気的に接続される加速度センサ」は、本願発明の「基板の表面上に実装することができるモジュール」に相当する。
　次に、本願発明は振動ジャイロスコープを含む回転センサーと共に、加速度計も備えているものであるから、引用発明の「ｘ軸方向、ｙ軸方向それぞれの加速度を検出することができ、シリコン基板のセンサチップ１に形成されている複数の加速度検出手段」と、本願発明の「３つの加速度計のそれぞれが一つの軸の測定直線加速度に対応する第１の測定出力を与えることができ、各加速度計の受感軸が他の加速度計の受感軸に直角で、前記３つの加速度計が第１のシリコン基板上に形成されている３つの直線加速度計と、３つの回転センサーのそれぞれが静電作動及び静電検出による振動ジャイロスコープで、一つの軸の周りの回転の測定に対応する第２の測定出力を与えることができ、各振動ジャイロスコープの受感軸が他の振動ジャイロスコープの受感軸に直角で、前記３つの振動ジャイロスコープが第１のシリコン基板上に形成されている３つの回転センサー」とは、共に「第１のシリコン基板上に形成されている複数の加速度計」である点で共通する。
　また、引用発明の「信号処理回路」は、「加速度検出手段からの出力信号を信号処理する」ものであるから、これが複数の加速度検出手段から「データを受信し、処理し」ていることは明らかである。したがって、引用発明の「前記加速度検出手段からの出力信号を信号処理する信号処理回路を備え、前記信号処理回路は、シリコン基板を用いて形成された第１のパッケージ用基板２にＩＣチップとして構成されて」いる点と、本願発明の「前記３つの直線加速度計からの前記第１の測定出力と前記３つの振動ジャイロスコープからの前記第２の測定出力の双方を受信するための特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）とを備え、前記ＡＳＩＣは、計算ユニット及び前記計算ユニットに接続しているメモリを含み、前記計算ユニットは前記３つの加速度計及び前記３つの振動ジャイロスコープから運動を追尾するようにデータを受信し、処理し、前記ＡＳＩＣは第２のシリコン基板に実装されて」いる点とは、共に「複数の加速度計からの測定出力を受信するための信号処理回路とを備え、前記信号処理回路は前記複数の加速度計からデータを受信し、処理し、前記信号処理回路は第２のシリコン基板に実装されて」いる点で共通する。
　さらに、引用文献１の図１，２及びその説明の記載からみて、引用発明のセンサチップ１及び第１のパッケージ用基板２が、垂直に積層されて接合されかつ実質的に互いに平行であることは明らかであるから、引用発明における「前記シリコン基板のセンサチップ１が前記シリコン基板を用いて形成された第１のパッケージ用基板２に接合され、電気的に接続するための配線が設けられてパッケージを構成する加速度センサ」は、本願発明における「前記第１のシリコン基板が前記第２のシリコン基板に垂直に積層されて接合され、かつ実質的に前記第２のシリコン基板に平行で、前記第１のシリコン基板は前記第２のシリコン基板に電気的に接続されて、単一の半導体チップをもたらすことを特徴とするモジュール」に相当するといえる。
　
　してみると、両者の一致点、相違点は次のとおりである。
　
（一致点）
「基板の表面上に実装することができるモジュールであって、前記モジュールは、
　複数の加速度計が第１のシリコン基板上に形成されている複数の加速度計と、
　前記複数の加速度計からの測定出力を受信するための信号処理回路とを備え、
　前記信号処理回路は前記複数の加速度計からデータを受信し、処理し、前記信号処理回路は第２のシリコン基板に実装されており、
　前記第１のシリコン基板が前記第２のシリコン基板に垂直に積層されて接合され、かつ実質的に前記第２のシリコン基板に平行で、前記第１のシリコン基板は前記第２のシリコン基板に電気的に接続されて、単一の半導体チップをもたらすことを特徴とするモジュール。」
　
（相違点）
相違点１：本願発明においては、「３つの加速度計のそれぞれが一つの軸の測定直線加速度に対応する第１の測定出力を与えることができ、各加速度計の受感軸が他の加速度計の受感軸に直角」で、前記３つの加速度計が第１のシリコン基板上に形成されている「３つの直線」加速度計と、「３つの回転センサーのそれぞれが静電作動及び静電検出による振動ジャイロスコープで、一つの軸の周りの回転の測定に対応する第２の測定出力を与えることができ、各振動ジャイロスコープの受感軸が他の振動ジャイロスコープの受感軸に直角」で、「前記３つの振動ジャイロスコープ」が第１のシリコン基板上に形成されている「３つの回転センサー」とを有しているのに対し、引用発明においてはセンサがｘ軸方向、ｙ軸方向それぞれの加速度を検出する加速度検出手段とされている点。
　
相違点２：信号処理回路について、本願発明は「前記３つの直線加速度計からの前記第１の測定出力と前記３つの振動ジャイロスコープからの前記第２の測定出力の双方を受信するため」の「特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）」であり、前記ＡＳＩＣは、「計算ユニット及び前記計算ユニットに接続しているメモリ」を含み、また「前記計算ユニットは前記３つの加速度計及び前記３つの振動ジャイロスコープから運動を追尾するように」データを受信、処理するとされているのに対し、引用発明においては単に「信号処理回路」とされている点。
　
　
６　判断
　上記相違点１ないし２についてそれぞれ検討する。
　
　相違点１について
　マイクロマシンニング技術を利用して形成された半導体センサとして、受感軸が互いに直角となるよう配置された３つの直線加速度計と、同様に配置された３つの回転センサーのそれぞれが静電作動及び静電検出による振動ジャイロスコープである３つの回転センサーとがシリコン基板上に形成されたものは周知（必要であれば、引用例３を参照。以下、「周知技術１」という。）であり、また振動ジャイロスコープは「一つの軸の周りの回転の測定に対応する」測定出力を与えるものである。
　引用例１において、「【００５４】また、・・・本発明の技術思想は、ピエゾ抵抗形加速度センサに限らず、例えば、容量形加速度センサやジャイロセンサなどにも適用でき・・・」と記載されていることからみても、引用発明がセンサをほかのタイプのものに置き換えることも想定されていることは明らかであり、引用発明のセンサチップ１を上記周知な、加速度計と振動ジャイロスコープとを組み合わせたタイプの半導体センサに置き換える程度のことは、当業者が容易になし得たものといえる。
　
　相違点２について
　一般に、センサの出力信号を受ける信号処理回路をＡＳＩＣで構成することは周知（必要であれば、引用例４，５を参照。以下、「周知技術２」という。）であり、また複数のセンサの測定出力を一の信号処理回路で処理することも常とう手段であるから、引用発明のセンサチップ１が加速度計と振動ジャイロスコープとを組み合わせたタイプの半導体センサである場合、引用発明の信号処理回路を「前記３つの直線加速度計からの前記第１の測定出力と前記３つの振動ジャイロスコープからの前記第２の測定出力の双方を受信するため」の「特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）」とすることに困難性を有しない。
　また、計算ユニットとこれに接続されたメモリは、信号処理用のＡＳＩＣを構成するに際して通常選択される極めて一般的な構成要素にすぎない（必要であれば、引用例６を参照。以下、「周知技術３」という。）ものであるし、ジャイロセンサ等を用いた運動の追尾も、例えば車両の姿勢制御（必要であれば、引用例２を参照。）や、カメラの手ブレ補正（必要であれば、引用例７を参照。）のように周知（以下、「周知技術４」という。）といえる。
　
　そして、本願発明の作用効果も、引用発明及び周知技術１ないし４から当業者が予測可能なものであって、格別のものではない。
　
　したがって、本願発明は引用発明及び周知技術１ないし４に基づいて当業者が容易に発明し得たものである。
　
　
７　請求人の主張について
　審判請求人は、本件意見書において、概略、以下のように主張しているので、検討する。
（１）請求人の主張の概要
「引用文献１のセンサチップ１は、その図１、２に図示されているように第１、第２のパッケージ基板間に封止されており、本願請求項１記載のようにシリコン基板上に形成されているものではありません。
　したがって、引用文献１は、それ単独でも又は他の引用文献との組み合わせてみても、前記３つの加速度計が第１のシリコン基板上に形成されていること、前記３つの振動ジャイロスコープが第１のシリコン基板上に形成されていること、前記ＡＳＩＣは第２のシリコン基板に実装されていること、前記第１のシリコン基板が前記第２のシリコン基板に垂直に積層されて接合され本願請求項１記載の他の構成要素と協同することは開示しておらず、示唆すらしておりません。」
　
（２）検討
　請求人は、引用文献１（引用例１）の発明においてセンサチップ１が第１、第２のパッケージ基板間に封止されており、シリコン基板上に形成されている本願発明の構成とは異なると主張している。しかしながら、上記「４　引用例記載の事項・引用発明」において既に検討したように、引用文献１（引用例１）においては、
「【００３１】
  （実施形態１）
  本実施形態では半導体センサの一例として、
図１および図２に示す構成の加速度センサを例示する。
半導体基板を用いて形成されたセンサチップ１
上述の半導体基板として微細加工が容易で耐衝撃性に優れたシリコン基板を採用している
　とあり、センサチップ１がシリコン基板を用いて形成されていることが明記されている。
　したがって、審判請求人の主張は根拠が無く、採用することができない。                    
　なお、請求人は、平成２７年３月２７日付けで当審へ送信したファクシミリにおいて以下のように主張し、また特許請求の範囲の補正案を示しているので、念のためこれらに関しても検討しておく。
　
（補正案）
「基板の表面上に実装することができるモジュールであって、前記モジュールは、
　３軸直線加速度計３軸の測定直線加速度に対応する複数の第１の測定出力を与えることができ、１つの受感軸が他の２つの受感軸に直角で、前記３軸直線加速度計が第１のシリコン基板上に形成されている３軸直線加速度計と、
　３軸回転センサーが静電作動及び静電検出による振動ジャイロスコープで、３軸の周りの回転の測定に対応する複数の第２の測定出力を与えることができ、１つの受感軸が他の２つの受感軸に直角で、前記３軸回転センサーが前記第１のシリコン基板上に形成されている３軸回転センサーと、
　前記第１の測定出力及び前記第２の測定出力の双方を受信するための特定用途向け集積回路（ＡＳＩＣ）とを備え、
　前記ＡＳＩＣは、計算ユニット及び前記計算ユニットに接続しているメモリを含み、前記計算ユニットは前記３軸直線加速度計及び前記３軸回転センサーから運動を追尾するようにデータを受信し、処理し、前記ＡＳＩＣは第２のシリコン基板に実装されており、
　前記第１のシリコン基板が前記第２のシリコン基板に垂直に積層されて接合され、かつ実質的に前記第２のシリコン基板に平行で、シールリングを使用して前記３軸直線加速度計及び前記３軸回転センサの気密エンクローシャを大気圧未満で形成し、前記第１のシリコン基板は前記第２のシリコン基板に電気的に接続されて、単一の半導体チップをもたらすことを特徴とするモジュール。」
　
（請求人の主張）
「・・・引用文献は、同一基板上に１軸回転センサー及び１軸直線加速度計を開示しておりませんが、・・・さらに、引用文献は、「シールリングを使用して前記３軸直線加速度計及び前記３軸回転センサの気密エンクローシャを大気圧未満で形成し、」（段落［００７２］）については開示しておらず、示唆もしておりません。・・・」
　
（検討・判断）
　同一基板上に回転センサー及び直線加速度計を設ける点については、上記「６．判断」の「相違点１について」において述べた通りである。
　また、加速度センサや角速度センサにおいて、感知部を気密収納して減圧（真空）状態に置くことは、例えば
　
・特開平５−３３３０３８号公報
「【００３７】また、上述した本実施例の角速度センサにおいてさらに特性向上を計ることもできる。図３（ｈ）において、二つのセンサを貼り合わせる際に減圧下で行うと、
センサ内部を減圧状態にすることができる。
【００３８】また、二つのセンサを貼り合わせる際にテフロンシートの替わりに所望の形状にエッチング加工したスガラス基板を用い、常温中で接着部のみに炭素レーザーを照射しながらシリコン基板側を正電位として約４００Ｖの電圧をガラス基板との間に印加することによっても接着が可能である。この場合には、基板端面側から炭素レーザーを照射して接着を行った。この方法においてはシリコンとガラス部の緻密な接着が可能であり、特に、
センサ内部を減圧状態とする場合に生産上の歩留まり向上、センサの信頼性向上が計られた。
　
・特開２００８−５８００５号公報
「【０００２】
  
従来より、加速度センサや角速度センサ等の力学量センサにおいて、センサ部（検出部）の検出感度を向上させるために、センサ部を収容する密閉室の真空度を向上させる様々な工夫が行われてきている。
　
　にも開示されているように周知慣用なものである。またシールリングの採用にも何ら困難性は認められない。
　したがって、上記補正案に係る発明も、引用発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。                    
  　
　
８　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術１ないし４に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項に係る発明について審理するまでもなく、本願は当審拒絶理由によって拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。