【事件の表示】
　特願２０１１−５２７２２７「反射光学素子とその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　３月２５日国際公開、ＷＯ２０１０／０３１４８３、平成２４年　２月　２日国内公表、特表２０１２−５０３３１８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
 　本願は、２００９年８月２２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００８年９月１９日、独国、２００８年９月１９日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２５年９月４日付けで拒絶査定がなされた。
 　本件は、これを不服として、平成２６年１月９日に請求された拒絶査定不服審判であって、請求と同時に手続補正がなされたものである。
　
２　本願発明
　平成２６年１月９日付けの手続補正は、願書に添付された特許請求の範囲の請求項２６ないし４５を削除するものであるから、特許法第１７条の２第５項第１号の請求項の削除を目的とするものである。
　そうすると、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２６年１月９日付けの手続補正によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。
「【請求項１】
　特にＥＵＶリソグラフィ装置において使用するための、軟Ｘ線領域及び極紫外線領域を作動波長域とする反射光学素子の製造方法であって、前記反射光学素子は前記作動波長域における屈折率の実部が異なる少なくとも二種類の交互に繰り返される材料で構成されて基材に応力を及ぼす多層系を前記基材上に有し、前記多層系と前記基材との間には材料の層が配置され、前記材料の層の厚みは前記多層系の応力を補償するような寸法とされ、前記応力補償のための層の蒸着は少なくとも４０ｅＶのエネルギーを有する層形成粒子によって行われることにより特徴付けられる、反射光学素子の製造方法。」
　
３　引用刊行物
（１）引用刊行物１
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前である平成１６年４月２日に頒布された特開２００４−１０４１１８号公報（以下「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。（下線は当審で付した。）
ａ　発明の詳細な説明の記載
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は、半導体のパターン転写などに用いられる露光用反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
　近年、半導体産業において、半導体デバイスの微細化に伴い、極端紫外（Extreme Ultra Violet）光（以下、ＥＵＶ光と称す）を用いた
露光技術であるEUVリソグラフィー
EUV光とは、軟Ｘ線領域又は真空紫外線領域の波長帯の光
「【０００８】
　本発明の反射型マスクブランクの製造方法について上記バッファ層を有する場合を例にとり説明する。
　まず基板を準備し、
基板上に順次、所定の膜応力を有する応力補正膜、多層反射膜を形成する。この応力補正膜及び多層反射膜を形成した基板を加熱処理することにより、多層反射膜の有する膜応力と、応力補正膜の有する膜応力の大きさが互いに向きが逆向きで大きさが等しくなるようにする。
　加熱処理後、多層反射膜上に、順次バッファ層及び吸収体層を形成して
　次に、各製造工程について説明する。
【０００９】
　まず、基板の準備について説明する。
　本発明に用いる基板としては、露光時の熱によるパターンの歪みを防止するため、０±１．０×１０−７／℃の範囲内、より好ましくは０±０．３×１０−７／℃の範囲内の低熱膨張係数を有するものが好ましい。この範囲の低熱膨張係数を有する素材としては、アモルファスガラス、セラミック、金属の何れでも使用できる。例えばアモルファスガラスであればＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラス、石英ガラス、結晶化ガラスであればβ石英固溶体を析出した結晶化ガラス、などを用いることができる。金属としては、インバー合金（Fe-Ｎi系合金）等を用いることができる。
　又、基板は、高い反射率及び転写精度を得るために、高い平滑性と平坦性を備えた基板が好ましい。特に、０．２ｎｍＲｍｓ以下の平滑性（１０μｍ角エリアでの平滑性）、１００ｎｍ以下の平坦度（１４２ｍｍ角エリアでの平坦度）を有していることが好ましい。
　又、基板は、その上に形成される膜の膜応力による変形を防止するために、高い剛性を有しているものが好ましい。特に、65GPa以上の高いヤング率を有しているものが好ましい。以上のような点を考慮して、基板を選択し、準備する。
【００１０】
　次に、基板上への応力補正膜の形成について説明する。
　本発明における応力補正膜は、形成される多層反射膜の有する応力と逆向きの応力を有するものから選択される。一般に多層反射膜は緻密に形成され、圧縮応力を有するので、応力補正膜は、引っ張り応力を有する膜から選択されることになる。
そして例えば、加熱処理により応力補正膜の応力の大きさ（絶対値）が大きくなるものを選択する。具体的には、応力がより引っ張り応力側にシフトするものである。
更に、
応力補正膜は、平滑な膜である事が好ましいため、アモルファス材料であることが好ましい。
又、応力制御が容易な膜を用いると、応力補正膜に与える初期応力の値が容易に調整出来るため好ましい。このような応力補正膜としては、タンタル（Ｔａ）を主成分とした材料が好ましい。
　Ｔａを主成分とした材料としては、例えば、Ｔａ合金等が挙げられる。更には、Ｔａを主成分としたアモルファス材料が好ましい。このような材料としては、タンタルとホウ素を含む合金、例えば、タンタルホウ素合金（ＴａＢ）、タンタルホウ素合金の窒化物（ＴａＢＮ）等が挙げられる。
【００１１】
　例えば、タンタルホウ素合金の場合、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて、室温、Ａｒガス雰囲気で基板上に形成することが好ましい。この場合、ガス圧を上げるに伴い、圧縮応力側から引っ張り応力側へ応力が変化するため、投入パワー一定の下でスパッタガス圧を変化させることにより、応力制御を微調整することが可能である。
　ＴａとＢを含む合金膜は、良好なアモルファス状態を得るために、Ｂの含有量が１０〜３０ａｔ％であるのが好ましい。ＴａとＢとＮを含む合金膜の場合、Ｎが５〜３０ａｔ％であり、Ｎ以外の成分を１００ａｔ％とした時、Ｂが１０〜３０ａｔ％であるのが好ましい。
　応力補正膜としては、その他にＳｉを主成分とした材料を用いることも出来る。具体的には、Ｓｉ単体や、Ｓｉに添加物をドープしたものである。この場合の添加物としては、窒素や酸素が挙げられる。このＳｉを主成分とする材料もアモルファス状態のものが好ましく用いられる。
　更には、応力補正膜としてＣｒを含む材料を用いることも出来る。例えば、クロムと窒素を含む材料、これに更に酸素及び／又は炭素を含む材料が挙げられる。これらのＣｒを含む材料は、平滑性、耐洗浄性に優れており、応力の制御性も良好である。ＣｒＮ膜の場合、Ｎは１０〜５０ａｔ％、好ましくは２０〜５０ａｔ％が望ましい。
　その他の応力補正膜としては、ＴａとＧｅの合金，ＴａとＧｅの合金の窒化物，ＴａとＳｉの合金、ＴａとＳｉの合金の窒化物，ＷとＮの合金等も挙げられる。
【００１２】
　これらの
応力補正膜は
ＤＣマグネトロンスパッタリング法等を用いて基板上に形成
　ところで、本発明の目的を達成するため、基板上への応力補正膜の形成は、次のような点を考慮して行うことが肝要である。即ち、後工程で行われる加熱処理後において、応力補正膜の有する膜応力と、多層反射膜が有する膜応力とが、向きが反対で大きさが同等となる必要がある。従って、多層反射膜及び応力補正膜の加熱処理による膜応力の変化分を考慮して、加熱処理前の応力補正膜に与える初期応力及び膜厚を決定する。
　例えば、多層反射膜の構成が予め決定している場合、まず、加熱処理温度と加熱処理後の多層反射膜の膜応力の変化との関係を求める。更に、所定の応力補正膜材料において、加熱処理温度と膜厚と加熱処理後の膜応力の変化との関係を求める。これらの情報を参照して、加熱処理後の多層反射膜の膜応力と、加熱処理後の応力補正膜の膜応力が互いに逆向きで大きさがほぼ等しくなるように、両方の膜応力の変化分を見込んで、加熱処理温度、応力補正膜に最初に与える応力及び応力補正膜の膜厚を決定すればよい。
　但し、前述のように、応力補正膜に与える初期の応力が非常に高いと、表面粗さが大きくなるため、応力補正膜に与える膜応力は、０〜＋３００ＭＰａ程度（多層反射膜と同じ膜厚に換算した値）とするのがよい。
【００１３】
　又、応力補正膜の膜厚は、表面粗さを増大させないために、必要な膜応力が得られる範囲で小さい方がよい。好ましくは、１０〜３００ｎｍ程度の厚さである。
　本実施の形態では、後工程で行う加熱処理により、応力補正膜と多層反射膜の膜応力が相殺しあうので、応力補正膜として最初から高い応力の膜を形成する必要がなく、表面粗さが小さくてすむ。
　なお、加熱処理後の多層反射膜を形成した基板の好ましい平坦度は、１００ｎｍ以下である。本発明においては、加熱処理後、応力補正膜と多層反射膜の膜応力の絶対値が全く等しくはならなくとも、所定の平坦度を得るのに十分となる程度に、応力補正膜と多層反射膜の膜応力が相殺しあうようにすればよい。
又、本実施の形態のように、応力補正膜は、基板と多層反射膜の間に形成されてもよいが、多層反射膜上に形成してもよい。この場合も、材料及び成膜、応力補正膜の設計の考え方は、上述した実施形態の場合と同様である。
【００１４】
　次に、多層反射膜の形成について説明する。
　本発明における
多層反射膜は、屈折率の異なる物質を周期的に積層させた構造をしており、特定の波長の光を反射するように構成されている。例えば、約１３ｎｍの波長の露光光（ＥＵＶ光）に対しては、ＭｏとＳｉを交互に４０周期程度積層した多層反射膜が通常用いられる。
　多層反射膜は、基板上、或いは、応力補正膜上に例えば、ＤＣマグネトロンスパッタ法により形成できる。Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の場合、Arガス雰囲気下で、SiターゲットとMoターゲットを交互に用いて、３０〜６０周期、好ましくは４０周期程度積層し、最後にSi膜を成膜すればよい。他の成膜方法としては、ＩＢＤ（イオン・ビーム・デポディション）法等が使用できる。
【００１５】
　前述したように、多層反射膜及び応力補正膜の設計において、加熱処理後の多層反射膜の膜応力の変化分を予め考慮しておく必要がある。
　次に、加熱処理について説明する。
　本実施の形態における、基板上に形成された応力補正膜及び多層反射膜の加熱処理は、応力補正膜の有する膜応力と、多層反射膜の有する膜応力とを互いに逆向きで大きさ（絶対値）を略等しくし、膜応力が相殺し合うようにする作用を有する。
　膜の有する力は、単位膜厚当たりの膜応力と、膜厚との積で表される力であるから、加熱処理により、多層反射膜の有する力と、応力補正膜の有する力がつりあうようにすればよい。このためには、前述の多層反射膜の膜厚換算で示される応力補正膜の膜応力と、多層反射膜の単位膜厚あたりの膜応力が互いに逆向きで大きさ（絶対値）がほぼ等しくなるようにすればよい。
　一般に、大きな圧縮応力を有する多層反射膜は、加熱処理により、その応力が緩和される（引っ張り応力方向に変化し、ゼロに近づく方向になる）傾向にある。従って、加熱処理により、多層反射膜の有する膜応力の大きさの絶対値は小さくなる。
【００１６】
　一方、本実施の形態では、応力補正膜は、加熱処理することにより、その応力の絶対値が大きくなる材料を用いることができる。即ち、応力補正膜には、ゼロ応力あるいは多層反射膜と逆向きの応力である引っ張り応力を有する膜を使用し、加熱処理をすることにより、応力補正膜の応力は更に、引っ張り応力が増大する方向に変化する。
　従って、加熱処理前には、多層反射膜の有する膜応力（圧縮応力）の大きさ（絶対値）は、応力補正膜の有する膜応力（引っ張り応力）の大きさ（絶対値）より大きく、これらは互いにつりあっていないが、加熱処理することにより、多層反射膜の膜応力（圧縮応力）の大きさ（絶対値）が小さくなると共に、応力補正膜の膜応力（引っ張り応力）の大きさ（絶対値）が大きくなり、これらがつりあい、相殺されるようになる。
　このように、多層反射膜の膜応力を相殺するためには、前述したように、予め加熱処理による多層反射膜及び応力補正膜の膜応力のそれぞれの変化分を考慮して、加熱処理温度、多層反射膜の初期応力や膜厚、応力補正膜の初期応力や膜厚を設計すればよい。
　高温で加熱処理を行うと、多層反射膜の反射率低下を招くため、加熱処理は、応力補正膜の成膜時の温度よりも高く２００℃以下の基板加熱温度、更には、１５０℃以下で行うのが好ましい。また、十分な応力変化を得るためには、９０℃以上の温度が好ましい。また、加熱処理時間は、加熱処理による応力補正膜と多層反射膜の膜応力の変化が達成されるのに十分な時間であればよく、通常は１時間程度である。
【００１７】
　加熱処理は、応力補正膜及び多層反射膜を同時に加熱処理する場合は、基板上に応力補正膜及び多層反射膜が形成された後に行うのであれば、製造工程中のどの工程で行ってもよい。他の層への影響等が少ない点から、基板上に応力補正膜と多層反射膜を形成後、バッファ層や吸収体層等の他層の形成の前に行うのが好ましい。
　以上の実施形態では、基板上に応力補正膜及び多層反射膜を形成後、これらを同時に加熱処理する形態を説明したが、基板と多層反射膜の間に応力補正膜を形成する場合には、まず基板上に応力補正膜を形成し、多層反射膜を形成する前に、応力補正膜の加熱処理を行って、応力補正膜の応力を引っ張り応力側に変化させた後、多層反射膜を形成し、多層反射膜の加熱処理を行ってもよい。このようにすると、加熱工程は二工程で行うことになるが、多層反射膜形成前に応力補正膜の加熱処理による応力変化を行うことで、多層反射膜の特性に影響を及ぼすような比較的高温での加熱処理が可能であるため、応力補正膜の応力の変化量を大きくとることが出来るようになる。
　本発明では、加熱処理による多層反射膜及び応力補正膜の膜応力の相殺を利用しているため、成膜時において、応力補正膜に多層反射膜の有する膜応力を相殺するための大きな応力を与える必要がない。従って、応力補正膜の表面粗さが大きくなることがない。又、本発明では、多層反射膜の加熱処理による応力緩和と、応力補正膜による多層反射膜の膜応力の相殺を同時に利用しているため、多層反射膜自身の有する膜応力を加熱処理だけでゼロに近づける必要がないため、高温での加熱処理は必要なく、多層反射膜の反射率低下を招くことがない。
　なお、加熱処理による応力補正膜の応力の変化量は、応力補正膜の成膜条件（成膜温度等）によっても変化する。従って、応力補正膜の応力の変化量は、成膜条件を調整することでコントロールすることが可能である。
　上述の実施の形態では、加熱処理により応力の絶対値が増大するような材料を用いた応力補正膜を例に説明したが、本発明はこれに限られない。必要な表面粗さ（平滑性）が得られ、且つ、多層反射膜の反射率に影響しない程度の加熱処理によって多層反射膜との応力の釣り合いがとれるのであれば、加熱処理によりその応力が変化しない、或いは僅かに減少するような材料を用いた応力補正膜であってもよい。応力補正膜が加熱処理によって、その応力が変化しない或いは僅かに減少するものであっても、加熱処理後に多層反射膜の応力と相殺しあうことで、上述の応力補正膜の表面粗さと多層反射膜の反射率低下を解決できる。
【００１８】
　次に、バッファ層の形成について説明する。
　バッファ層は、吸収体層に転写パターンを形成する際に、エッチング停止層として下層の多層反射膜を保護する機能を有し、通常は多層反射膜と吸収体層との間に形成される。なお、バッファ層は必要に応じて設ければよい。
　バッファ層の材料としては、吸収体層とのエッチング選択比が大きい材料が選択される。バッファ層と吸収体層のエッチング選択比は5以上、好ましくは10以上、さらに好ましくは20以上である。更に、低応力で、平滑性に優れた材料が好ましく、とくに0.3nmRms以下の平滑性を有していることが好ましい。このような観点から、バッファ層を形成する材料は、微結晶あるいはアモルファス構造であることが好ましい。
　一般に、吸収体層の材料には、ＴａやＴａ合金等が良く用いられている。吸収体層の材料にＴａ系の材料を用いた場合、バッファ層としては、Ｃｒを含む材料を用いるのが好ましい。例えば、Ｃｒ単体や、Ｃｒに窒素、酸素、炭素の少なくとも１つの元素が添加された材料が挙げられる。具体的には、窒化クロム（ＣｒＮ）等である。
一方、吸収体層として、Ｃｒ単体や、Ｃｒを主成分とする材料を用いる場合には、バッファ層には、Ｔａを主成分とする材料、例えば、ＴａとＢを含む材料や、ＴａとＢとＮを含む材料等を用いることができる。
【００１９】
　このバッファ層は、反射型マスク形成時には、マスクの反射率低下を防止するために、通常、吸収体層に形成されたパターンに従って、パターン状に除去される。しかし、バッファ層に露光光であるＥＵＶ光の透過率の大きい材料を用い、膜厚を十分薄くすることが出来れば、パターン状に除去せずに、多層反射膜を覆うように残しておいてもよい。
バッファ層は、例えば、DCスパッタ、RFスパッタ、イオンビームスパッタ等のスパッタ法で形成することができる。
　バッファ層の有する膜応力はゼロであることが好ましいが、このバッファ層の膜応力がゼロ又はそれに近い値ではなく、かつ反射型マスクとして用いられる際に、バッファ層にパターンが形成されない場合には、バッファ層の有する膜応力も考慮して、バッファ層、多層反射膜、応力補正膜の応力がつりあうように設計すればよい。
　バッファ層以外のパターンが形成されない層を更に有する場合にも同様な考え方で設計を行えばよい。
【００２０】
　次に、吸収体層の形成について説明する。
　本発明における吸収体層の材料としては、露光光の吸収率が高く、吸収体層の下側に位置する層（通常バッファ層或いは多層反射膜）とのエッチング選択比が十分大きいものが選択される。例えば、Taを主要な金属成分とする材料が好ましい。この場合、バッファ層にＣｒを主成分とする材料を用いれば、エッチング選択比を大きく（10以上）取ることができる。ここで、Taを主要な金属元素とする材料とは、成分中の金属元素のうち、もっとも組成比の大きい金属がTaであるという意味である。この吸収体層に用いられるTaを主要な金属元素とする材料は、通常金属または合金である。また、平滑性、平坦性の点から、アモルファス状または微結晶の構造を有しているものが好ましい。Taを主要な金属元素とする材料としては、ＴａとＢを含む材料、TaとＮを含む材料、TaとBとＯを含む材料、TaとBとＮを含む材料、TaとSiを含む材料、TaとSiとＮを含む材料、TaとGeを含む材料、TaとGeとＮを含む材料等を用いることができる。TaにBやSi,Ge等を加えることにより、アモルファス状の材料が容易に得られ、平滑性を向上させることができる。また、TaにＮやＯを加えれば、酸化に対する耐性が向上するため、経時的な安定性を向上させることができるという効果が得られる。
【００２１】
　他の吸収体層の材料としては、Ｃｒを主成分とする材料（クロム、窒化クロム等）、タングステンを主成分とする材料（窒化タングステン等）、チタンを主成分とする材料（チタン、窒化チタン）等を用いることができる。
　これらの吸収体層は、通常のスパッタ法で形成する事が出来る。なお、パターン形成後のパターンの形状精度、位置精度を高く保つために、吸収体層は応力が小さくなるように形成するのが好ましい。
　以上のようにして、本実施の形態の反射型マスクブランクが得られる。
　なお、本実施の形態の反射型マスクブランクは必要に応じて更に別の層を有していてもよい。
【００２２】
　次に、
反射型マスクの製造方法
　反射型マスクは、上述した反射型マスクブランクの吸収体層にパターンを形成することで製造できる。
　吸収体層へのパターン形成は次のようにして行う。上記反射型マスクブランク上に電子線描画用レジスト層を形成し、電子線描画及び現像によりレジストパターンを形成する。次いで、このレジストパターンをマスクとして、
吸収体層をドライエッチングなどの方法でエッチングする
ドライエッチングでバッファ層を除去する
以上のようにして、反射型マスクが得られる。
【００２３】
　以上のように、本発明の反射型マスクブランク及び反射型マスクの製造方法においては、加熱処理による多層反射膜の膜応力と応力補正膜の膜応力の相殺を利用して多層反射膜の膜応力の影響を低減するようにしたため、応力補正膜の表面荒れを抑え、平坦性に優れた高精度なパターン転写が可能な反射型マスクブランク及び反射型マスクが得られる。又、比較的低温での加熱処理で良いため、多層反射膜の反射率の低下を招かずに、平坦性に優れた反射型マスクブランク及び反射型マスクが得られる。
　次に、本発明の実施例により本発明を更に具体的に説明する。」
ｂ　図面の記載
「【図１】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
ｃ　引用例１記載の発明
　上記ａ及びｂの記載事項によると、引用例１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「軟Ｘ線領域又は真空紫外線領域の波長帯の光を用いた露光技術であるEUVリソグラフィー用の反射型マスクの製造方法であって、
反射型マスクは、基板上に順次、所定の膜応力を有する応力補正膜、多層反射膜を形成し、この応力補正膜及び多層反射膜を形成した基板を加熱処理することにより、多層反射膜の有する膜応力と、応力補正膜の有する膜応力の大きさが互いに向きが逆向きで大きさが等しくなるようにし、加熱処理後、多層反射膜上に、順次バッファ層及び吸収体層を形成し、ドライエッチングによりバッファ層及び吸収体層を除去して得るものであって、
多層反射膜は、屈折率の異なる物質を周期的に積層させた構造をしており、特定の波長の光を反射するように構成されており、例えば、約１３ｎｍの波長の露光光（ＥＵＶ光）に対しては、ＭｏとＳｉを交互に４０周期程度積層した多層反射膜が通常用いられ、
応力補正膜は、ＤＣマグネトロンスパッタリング法を用いて形成され、平滑な膜である事が好ましいため、アモルファス材料であることが好ましい反射型マスクの製造方法。」
　
（２）引用刊行物２
　また、原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先日前である２００８年２月２１日に頒布された国際公開第２００８／０２０９６５号（以下「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。（ここでは、翻訳文として引用例２のファミリーである特表２０１０−５００７７６号公報の記載を採用する。また、下線は当審で付した。）
ａ　明細書の記載
「背景技術
　
ＥＵＶ光
フォトリソグラフィ処理
「図２は、図１及び３に示す楕円ミラー３０のような比較的大きなＥＵＶ光源ミラーを製作する処理段階／段を示す流れ図を示している。図示の製作工程は、必ずしも垂直入射ミラー、集光ミラー、又はあらゆる特定の形態、例えば、楕円体を有するミラーに限定されず、代わりに、２０度を超える入射角で反射するように設計されたミラー、球面ミラー、非球面光学器械などを含むグレージング入射ミラーのような他の大きなＥＵＶ光学器械を生成するためにも使用することができることは認められるものとする。
　図２に示すように、ＥＵＶ光源ミラーを製作する方法は、複数の個別の基体を準備する（ボックス１００）ことにより始めることができる。次に、図２に示すように、その後、光学器械の最終の望ましい面形状精度に近似した構成に基体を位置決めする（ボックス１０２）。例えば、楕円集光ミラーに対しては、各被覆基体は、第１の楕円焦点（例えば、図１の２８）、第２の楕円焦点（例えば、図１の４０）、又は両方を確立するように位置決め及び試験することができる。適切な構成になった時に基体を互いに固定する（ボックス１０４）。固定する段／段階は、接合及び／又はろう付けにより達成することができる。接合及び／又はろう付けの代わりに、更に、他の締結技術、例えば、機械式留め具を使用して被覆基体を互いに固定することができる。組み付け後、基体を研磨して（アセンブリとして）光学器械としての精巧な面形状精度及び表面仕上げにすることができる（ボックス１０６）。研磨したら、アセンブリ内の各基体をＭｏ／Ｓｉ誘電体コーティングのような多層コーティングで被覆することができる（ボックス１０８）。
　図１及び３を相互に参照すると、中央楕円状基体１１０及び８つの周辺基体１１２ａ〜ｈを含む９つの基体１１０、１１２ａ〜ｈは、単一の比較的大きな楕円ミラー３０として配置することができ、一部の場合には、５００ｍｍを超える直径ｄを有する楕円が可能であるということが見出されている。９つの基体１１０、１１２ａ〜ｈを有する実施形態が示されているが、本明細書で説明する手順を使用して９つを超える基体及び僅か２つの基体を接合することができることは認められるものとする。一部の用途に対しては、上述の技術を用いると、単一の結晶シリコンの使用により、使用しない場合では技術的及び／又は経済的に実行不可能なミラーサイズを作り出すことを可能にすることができるが、本明細書のいかなる内容も製作方法をあらゆる特定形式の基体材料又はサイズに限定しないと解釈すべきである。
　図４及び図５は、図１に示す
集光ミラー３０のような光学要素基体のコーティングを示している。
　図４から始めると、１３ｎｍ光との使用に向けて、基体１１８ａは、単結晶材料及び多結晶材料、グリッドコップ、フロートガラス、ＵＬＥガラス（超低膨張ガラス）、Ｚｅｒｏｄｕｒ、石英ガラス、アルミニウム、ベリリウム、モリブデン、銅、ニッケル又はニッケル合金、高密度ＳｉＣ及び他の密度を含む炭化珪素、「ＣＶＤ  ＳｉＣ」、「ＣＶＣ  ＳｉＣ」のような様々な技術により生成されるＳｉＣ、反応接合ＳｉＣ、及びＳｉＣを含む他の複合材料、又は当業技術で公知の又は明らかである他の適切な基体材料を含むシリコンで製造することができる。
コーティングは、図示のように、基体の表面を覆いかつ接触するように基体１１８ａ上に堆積されるいわゆる平滑化層とすることができる層１３０を含むことができる。図４は、コーティングが層１３０を覆う多層システム１３２を更に含むことができることを示している。
　特に、平滑化層の使用は、研磨しにくい場合がある光学器械、例えば、非球面光学器械に対して適切とすることができるが、他の光学器械、例えば、平坦な光学器械及び球面光学器械に対しても用途があると考えられる。平滑化層は、多層コーティングを再付加する前に、使用済みＥＵＶ光学器械（浸食、デブリ堆積、汚濁などが発生している場合がある）の表面状態を滑らかにして改善するために付加することができる。
　一実施例では、層１３０は、高エネルギ堆積条件を用いて堆積させたＳｉ、Ｃ、Ｓｉ3Ｎ4、Ｂ4Ｃ、ＳｉＣ、Ｃｒ、ＣｒＳｉ2、ＭｏＣ2、又はＭｏＳｉ2のような平滑化層材料を含むことができる。高エネルギ堆積条件として、標準的な堆積技術と比較して、基体加熱及び／又は粒子エネルギ増大による材料堆積を含むことができる。本明細書で使用する時、用語「粒子」及びその派生語は、特定の化学元素又は分子のイオン及びニュートラルを含むがこれらに限定されるものではない。
例えば、基体は、約１００〜２００度Ｃの範囲の温度に加熱することができる。
　
堆積中に供給される高エネルギ（基体加熱により、又は堆積中にイオン及びニュートラルのエネルギを増大させることにより）は、堆積中に表面での原子移動度を増大させ、これは、平滑化をもたらすことができる。一般的なイオンエネルギは、数１００ｅＶ〜数１０００ｅＶの範囲とすることができる。
　図４が単一の平滑化層１３０を示すが、本明細書で示す開示内容は、単一の連続的堆積処理中に堆積される単一の平滑化層に限定されるものではない。代替的に、複数の平滑化層は、平滑化材料及び／又は堆積の時間を変えて付加することができ、例えば、堆積間で他の処理段階、例えば、研磨を実行することができる。例えば、平滑化層を付加し、次に、イオン衝撃研磨を与え、かつその後に別の平滑化層を付加することができる。各層は、異なる持続時間で付加することができる。また、アルゴンイオン又は他のスパッタイオンによるイオン衝撃の異なるエネルギを堆積期間中に又はその間に使用することができる。
　層３０は、
熱源又は電子ビーム又はイオン補助堆積による物理堆積などであるがこれらに限定されない当業技術で公知の堆積技術を使用して堆積させることができる。
　一部の場合には、十分なエネルギを有する堆積条件中に表面原子との多価化学結合を通じて開始されるアモルファス層成長により高度な基体平滑化行うことができる。従って、炭素（Ｃ）及びシリコン（Ｓｉ）に加えて、ＳｉＣ、Ｂ4Ｃ、Ｓｉ3Ｎ4のような化合物を含む炭素又はシリコンの薄膜層を適切とすることができる。クロミウム又はＣｒＳｉ2は、成長特性により良好な平滑化層を形成することができ、例えば、広範囲にわたる堆積パラメータに対して、クロミウムの２０ｎｍ〜４０ｎｍ厚のアモルファス層を成長させることができる。」（第１１頁第３行〜第１４頁第２２行）
ｂ　図面の記載
「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
４　対比
　以下、本願発明と引用発明とを対比する。
（１）引用発明の「反射型マスク」は、本願発明の「反射光学素子」に相当する。
　そうすると、引用発明の「軟Ｘ線領域又は真空紫外線領域の波長帯の光を用いた露光技術であるEUVリソグラフィー用の反射型マスクの製造方法」は、本願発明の「特にＥＵＶリソグラフィ装置において使用するための、軟Ｘ線領域及び極紫外線領域を作動波長域とする反射光学素子の製造方法」に相当する。
（２）引用発明の「基板」、「多層反射膜」は、本願発明の「基材」、「多層系」に相当する。
　また、引用発明の「反射型マスクは、基板上に」、「膜応力」を「有する」「多層反射膜を形成」するものであるから、引用発明の「多層反射膜は、屈折率の異なる物質を周期的に積層させた構造をしており、特定の波長の光を反射するように構成されており、例えば、約１３ｎｍの波長の露光光（ＥＵＶ光）に対しては、ＭｏとＳｉを交互に４０周期程度積層した多層反射膜が通常用いられ」る構成は、本願発明の「反射光学素子は前記作動波長域における屈折率の実部が異なる少なくとも二種類の交互に繰り返される材料で構成されて基材に応力を及ぼす多層系を前記基材上に有」する構成に相当する。
（３）引用発明の「応力補正膜」は、本願発明の「材料の層」及び「応力補償のための層」に相当する。
　そうすると、引用発明の「基板上に順次、所定の膜応力を有する応力補正膜、多層反射膜を形成」する構成は、本願発明の「多層系と前記基材との間には材料の層が配置され」る構成に相当する。
（４）引用発明の「多層反射膜の有する膜応力と、応力補正膜の有する膜応力の大きさが互いに向きが逆向きで大きさが等しくなるように」する構成と、本願発明の「材料の層の厚みは前記多層系の応力を補償するような寸法とされ」る構成とは、「材料の層は前記多層系の応力を補償する」構成で共通する。
　
　上記（１）乃至（４）から、本願発明と引用発明は、
「特にＥＵＶリソグラフィ装置において使用するための、軟Ｘ線領域及び極紫外線領域を作動波長域とする反射光学素子の製造方法であって、前記反射光学素子は前記作動波長域における屈折率の実部が異なる少なくとも二種類の交互に繰り返される材料で構成されて基材に応力を及ぼす多層系を前記基材上に有し、前記多層系と前記基材との間には材料の層が配置され、前記材料の層は前記多層系の応力を補償する反射光学素子の製造方法。」
で一致し、以下ａ及びｂの点で相違する。
　
（相違点）
ａ　本願発明は、「材料の層の厚み」が「多層系の応力を補償するような寸法」であるのに対し、引用発明は、「応力補正膜」の厚みが不明であって、単に、「多層反射膜の有する膜応力と、応力補正膜の有する膜応力の大きさが互いに向きが逆向きで大きさが等し」い点。
　
ｂ　「応力補償のための層」の形成が、本願発明は、「蒸着」であって、「少なくとも４０ｅＶのエネルギーを有する層形成粒子によって行われる」のに対し、引用発明は、「ＤＣマグネトロンスパッタリング法」が「用い」られる点。
　　
５　当審の判断
　以下、上記ａ及びｂの相違点について検討する。
（ａの相違点について）
　一般的に、応力を有する薄膜が膜厚によって応力が変化することは技術常識であって、引用発明の「応力補正膜」においても、膜厚によって応力が変化することは自明である。
　そして、引用発明は、「応力補正膜」の厚みが不明ではあるが、「多層反射膜の有する膜応力と、応力補正膜の有する膜応力の大きさが互いに向きが逆向きで大きさが等し」いものであるから、引用発明の「応力補正膜」の厚みは「多層反射膜」の応力を補償するような寸法であるといえる。
　よって、引用発明は、本願発明の「材料の層の厚みは前記多層系の応力を補償するような寸法とされ」る構成に相当する構成を有するものであるといえるから、上記ａの相違点は実質的な相違点ではない。
（ｂの相違点について）
　ＥＵＶフォトリソグラフィ処理に用いられるミラー３０（本願発明の「反射光学素子」、引用発明の「反射型マスク」に相当。）において、基体１１８ａ（本願発明の「基材」、引用発明の「基板」に相当。）上に堆積され、多層システム１３２（本願発明の「多層系」、引用発明の「多層反射膜」に相当。）に覆われる平滑化層１３０（本願発明の「材料の層」、引用発明の「応力補正膜」に相当。）を、熱源又は電子ビーム又はイオン補助堆積による物理堆積などで堆積するにあたり、堆積中に供給される数１００ｅＶ〜数１０００ｅＶの範囲の高エネルギは、堆積中に表面での原子移動度を増大させ、平滑化をもたらすようにすること（以下「引用例２記載の事項」という。）が、引用例２（上記「３」「（２）」の摘記事項の下線部参照。）に記載されている。
　そして、引用発明の応力補正膜は、引用例２記載の「平滑化層１３０」と同様に「基体１１８ａ」と「多層システム１３２」の間に形成され、かつ、「平滑な膜である事が好ましい」点で共通するものであるから、引用発明の応力補正膜を形成する方法において、引用例２記載の事項を適用して、堆積中に供給されるエネルギーを数１００ｅＶ〜数１０００ｅＶの範囲の高エネルギとすることにより、本願発明の上記ｂの相違点に係る発明特定事項を構成することは、当業者が容易になし得たことである。
　
　上記ａ及びｂの相違点については以上のとおりである。また、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明、及び、引用例２記載の事項から当業者が予測できる範囲内のものである。
　よって、本願発明は、引用発明、及び、引用例２記載の事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
６　審判請求人の主張
（１）審判請求人は、審判請求書において、「引用文献２は、「高エネルギー堆積条件」を用いて平滑化層を堆積する方法について記載している。しかし、引用文献２には、平滑化層によって生じる応力について如何なる記載もされていない。したがって、引用文献１に記載の応力補正膜に、引用文献２の平滑化方法を採用した場合、応力補正膜にどのような応力が発生するか予測することはできない。したがって、引用文献１において、応力補正膜を平滑にするために、引用文献２に記載された平滑化方法を採用しても、本願発明とはならない」と主張している。
　しかしながら、引用文献１には、「本発明の目的を達成するため、基板上への応力補正膜の形成は、次のような点を考慮して行うことが肝要である。即ち、後工程で行われる加熱処理後において、応力補正膜の有する膜応力と、多層反射膜が有する膜応力とが、向きが反対で大きさが同等となる必要がある。従って、多層反射膜及び応力補正膜の加熱処理による膜応力の変化分を考慮して、加熱処理前の応力補正膜に与える初期応力及び膜厚を決定する」（上記「３」「（１）」の摘記事項【００１２】参照。）と記載されており、引用発明は、多層反射膜及び応力補正膜の加熱処理後の応力を考慮しながら初期応力及び膜厚を決定するものである。
　そして、引用発明の応力補正膜に引用例２記載の事項を採用した場合、応力補正膜の膜厚を様々な値に変化させたときの応力は実験等により容易に知ることができることは明らかである。
　したがって、「引用文献１に記載の応力補正膜に、引用文献２の平滑化方法を採用した場合、応力補正膜にどのような応力が発生するか予測することはできない」とする主張は当を得ないものである。
（２）また、審判請求人は、審判請求書において、「引用文献１では、応力補正膜の生成には、成膜方法や成膜条件を適宜制御することが必要である旨が記載されている（段落［００１２］）。ここで、応力補正膜の生成に関して、「例えば、タンタルホウ素合金の場合、ＤＣマグネトロンスパッタ法を用いて、室温、Ａｒガス雰囲気で基板上に形成することが好ましい」（段落［００１１］）や、「加熱処理は、応力補正膜の生成時の温度よりも高く、２００°Ｃ以下の基板加熱温度、更には、１５０°Ｃ以下で行うのが好ましい。また十分な応力変化を得るためには、９０°Ｃ以上の温度が好ましい」（段落［００１６］）等の記載から、引用文献１の応力補正膜の生成は、少なくとも９０°Ｃ未満、好ましくは、室温で行われることが理解できる。また、応力補正膜の製膜時の温度が９０°Ｃ以上となれば、製膜時に応力変化が生じてしまい、引用文献１の発明の効果が達成されなくなると理解できる。 
　一方、引用文献２では、平滑化層を「高エネルギー堆積条件」で堆積させるとし、「例えば、基体は、約１００〜２００度Ｃの範囲の温度に加熱することができる」（段落［００３２］）と記載している。このように基板を加熱する場合は、引用文献１の応力補正膜の生成には適用できないことは明らかである。また、仮に、基板を加熱しないとしても、イオンエネルギーが数１００ｅＶ〜数１０００ｅＶの高エネルギーにより堆積された引用文献２の平滑化層が、そのまま、引用文献１の応力補正膜の製膜方法や製膜条件を満たすとは考えられない。よって、引用文献２の平滑化方法は、引用文献１の応力補正膜に容易に適用することができないものである」と主張している。
　しかしながら、引用文献２に、「例えば、基体は、約１００〜２００度Ｃの範囲の温度に加熱することができる」と、「堆積中に供給される高エネルギ（基体加熱により、又は堆積中にイオン及びニュートラルのエネルギを増大させることにより）は、堆積中に表面での原子移動度を増大させ、これは、平滑化をもたらすことができる」（いずれも上記「３」「（２）」の摘記事項の下線部参照。）と記載されているように、「引用例２記載の事項」において、基体を加熱することは必須のことではない。
　さらに、引用文献２には、「堆積中に供給される高エネルギ（基体加熱により、又は堆積中にイオン及びニュートラルのエネルギを増大させることにより）は、・・・（略）・・・平滑化をもたらすことができる」こと、及び、「熱源又は電子ビーム又はイオン補助堆積による物理堆積などで・・・（略）・・・堆積させること」（いずれも上記「３」「（２）」の摘記事項の下線部参照。）が記載されており、これらの記載からみて、引用文献２記載の「平滑化層」の堆積は、堆積中に高エネルギーを供給するものであるものの、具体的な堆積方法は「熱源又は電子ビーム又はイオン補助堆積による物理堆積」としか特定していない。
　そして、引用発明の「応力補正膜は、ＤＣマグネトロンスパッタリング法を用いて形成され」るものであるから、引用発明の「応力補正膜」をＤＣマグネトロンスパッタリング法で形成するにあたり、引用文献２記載の事項を適用して、堆積中に供給されるエネルギーを数１００ｅＶ〜数１０００ｅＶの範囲の高エネルギとして、本願発明の上記相違点に係る発明特定事項を構成することに、特段の困難性はない。
　
７　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、及び、引用例２記載の事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。