【事件の表示】
　特願２００９−１８２９３１「サブストレート型太陽電池用の複合膜及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　４月１５日出願公開、特開２０１０−　８７４７９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　本願は、特許法第４１条に基づく優先権主張を伴う平成２１年８月６日（優先日：平成２０年８月８日、出願番号：特願２００８−２０５８６７号及び優先日：平成２０年９月２日、出願番号：特願２００８−２２４５０８号）の出願であって、平成２５年９月３０日に手続補正がなされたが、同年１２月２日付けで拒絶査定がなされた。
　これに対し、平成２６年２月２８日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、平成２７年１月２６日に上申書が提出され、同年２月１６日に当合議体により面接がなされた。
 　
第２　平成２６年２月２８日付けの手続補正についての補正の却下の決定 
［補正の却下の決定の結論］ 
　　平成２６年２月２８日付けの手続補正を却下する。 
　
［理由］ 
１．補正後の請求項１に記載された発明
　平成２６年２月２８日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、本願の特許請求の範囲の請求項１は、特許請求の範囲の減縮を目的として、以下のように補正された。
　「基材上に導電性反射膜が形成され、前記導電性反射膜上に透明導電膜が形成された２層からなる複合膜において、
　前記導電性反射膜が金属ナノ粒子として銀ナノ粒子を含む導電性反射膜用組成物を焼成後の厚さが０．０５〜２．０μｍになるように湿式塗工法を用いて塗布し、温度２０〜１２０℃で乾燥した後、１３０〜４００℃の温度で焼成することにより形成され、
　前記透明導電膜が導電性酸化物微粒子を含む透明導電膜用組成物を焼成後の厚さが０．０１〜０．５μｍになるように湿式塗工法を用いて塗布し、温度２０〜１２０℃で乾燥した後、１３０〜４００℃の温度で焼成することにより形成され、
　前記導電性反射膜の前記透明導電膜側の接触面に出現する気孔の平均直径が１００ｎｍ以下、前記気孔が位置する平均深さが１００ｎｍ以下、前記気孔の数密度が３０個／μｍ2以下であることを特徴とするサブストレート型太陽電池用の複合膜。」
　
　そこで、本件補正後の上記請求項１に記載された発明（以下「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて、以下に検討する。
　
２．引用文献
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開平１０−３２６９０３号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。
（１）「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、太陽電池、光センサーまたは表示素子等に適用され、複数種類の微粒子とバインダーとを混合させた混合液を基体上に塗布することにより成膜される微粒子塗布膜に関する。」
（２）「【００２２】図１は、本発明の一実施形態にかかる微粒子塗布膜が適用された薄膜太陽電池の概略断面を示す図である。この薄膜太陽電池は、ガラス基体１、微粒子塗布膜２、透明導電膜３、非晶質半導体層４であるｐ層５、ｉ層６、ｎ層７、裏面電極８および金属薄膜裏面電極９が積層されて構成されている。
【００２３】微粒子塗布膜２は、複数種類（図１では２種類）の微粒子Ａ，ＢとバインダーＣとを混合させた混合液をガラス基体１上に塗布されて形成されたものである。バインダーＣの形成分子成分の１つにはシリコンのアルコキシドを原料とするＳiＯ2（酸化ケイ素）が用いられ、複数種類の微粒子のうち１種類の微粒子ＡにバインダーＣの形成分子成分と同じ原料であるＳiＯ2が用いられている。このように、微粒子ＡにＳiＯ2を用いることにより、低コストでかつ比較的低温での薄膜形成が可能となる。ここで、バインダーの組成構成を表１に示す。
【００２４】
【表１】（省略）
また、微粒子塗布膜２では、他の微粒子ＢにＴiＯ2（酸化チタン）が用いられている。なお、他の微粒子ＢにはＴiＯ2の代わりに、Ａl2Ｏ3（酸化アルミニウム）、ＺrＯ2（酸化ジルコニウム）、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）、ＳnＯ2（酸化錫）またはＭgＦ2（フッ化マグネシウム）等のうちのいずれか１つあるいは複数種類が用いられてもよい。上記他の微粒子Ｂを用いることにより、透光性の高い微粒子塗布膜２を得ることができる。」
（３）「【００２７】次に、微粒子塗布膜２の作製方法について説明する。ここでは、まず、微粒子Ａ，Ｂを分散媒中に分散させて微粒子分散液を作製する。この場合、２種類の微粒子Ａ，Ｂをそれぞれの分散液中に分散させ作製した後、それぞれの分散液を混合してもよいし、１つの分散液中に２種類の微粒子Ａ，Ｂを分散させてもよい。
【００２８】ここで、分散に必要な溶媒としては、水、アルコール類またはエタノール類等の有機溶媒を使用する。微粒子Ａ，Ｂを分散液中に分散させる方法としては、ボールミル、ビーズミル、超音波振動またはスターラー等を用いる。
【００２９】また、分散液中で微粒子Ａ，Ｂが凝集して２次粒子の粒径が大きくなったり、巨大化して沈殿したりするのを防ぐために、カップリング剤を使用してもよい。カップリング剤としては、シラン系、チタン系、アルミニウム系、ジルコニウム系またはマグネシウム系等を用いることができる。あるいは、界面活性剤等を使用してもよい。
【００３０】次に、このようにして作製したＳiＯ2の微粒子分散液（微粒子の平均粒径２０ｎｍ、固形分１０質量％、分散媒エチルアルコール）、およびＴiＯ2の微粒子分散液（微粒子の平均粒径１５ｎｍ、固形分１０質量％、分散媒エチルアルコール）とバインダーＣとを混合させる。
【００３１】混合液中のそれぞれの微粒子分散液とバインダーＣとの質量比は、ＳiＯ2の微粒子分散液：ＴiＯ2の微粒子分散液：バインダーＣ＝１：１：２である。すなわち、混合液中の２種類の微粒子Ａ，Ｂの合計質量とバインダーＣの質量との比は、微粒子分散液中の固形分：バインダーＣ＝１：１の割合で一定とされている。なお、微粒子Ａ，Ｂの合計質量とバインダーＣの質量との比としては、１：１〜１０：１程度の割合であることがより望ましい。なぜなら、微粒子分散液中の固形分の質量比が１：１より小さいと、塗布膜表面の凹凸が形成されにくく、１０：１より大きいとガラス基体１に混合液が密着しにくくなるからである。
【００３２】なお、２種類の微粒子Ａ，ＢとバインダーＣとを混合させる場合、微粒子Ａ，Ｂに対してそれぞれの分散液を作製して混合させる代わりに、２種類の微粒子Ａ，Ｂを直接バインダーＣ中に分散させるという方法でもよい。混合させた後は、スターラー等を使用して撹拌すると微粒子Ａ，Ｂが混合液全体に均一に分散する。」
（４）「【００４１】次に、図１に示した微粒子塗布膜２が適用された薄膜太陽電池の作製手順を説明する。ガラス基体１上に、凹凸を有する微粒子塗布膜２を作製し、次いで、例えば、スパッタリング法により透明導電膜３を形成する。上記スパッタリング法に代えて蒸着法やＣＶＤ法を用いてもよい。また、透明導電膜３の原料としては、ＩＴＯ、ＳnＯ2またはＺnＯ（酸化亜鉛）等を用いることができる。
【００４２】その後、プラズマＣＶＤ装置等で非晶質半導体層４のｐ層５、ｉ層６、ｎ層７を形成する。この場合、ｐ層５は１５０ｎｍ、ｉ層６は５００ｎｍ、ｎ層７は３５０ｎｍの膜厚に形成する。各層の形成条件の一例を表２に示す。
【００４３】
【表２】（省略）
次いで、裏面電極８としてスパッタリング法によりＺnＯを膜厚約５０ｎｍ、金属薄膜裏面電極９としてＡg（銀）を膜厚約５００ｎｍで製膜した。」
（５）「【００５０】また、上記薄膜太陽電池に適用された微粒子塗布膜２の形成位置は上記に限らず、例えば図４に示すように、非晶質半導体層４と裏面電極８との間に形成してもよい。この構成においても上記薄膜太陽電池と同様の光拡散効果を得ることができる。なお、図中、１０は保護層である。」
（６）「【００５２】また、バインダーには、その形成分子成分の１つにＴiＯ2、Ａl2Ｏ3、ＺrＯ2、ＩＴＯ、ＳnＯ2またはＭgＦ2等が用いられてもよい。」
（７）【図１】
（８）【図４】
（９）図４からは、光がガラス基体１と反対方向から入射していることが見てとれるから、図４に記載された太陽電池がサブストレート型であることがわかる。
　
　これらの記載事項を含む引用文献１全体の記載及び当業者の技術常識を総合すれば、引用文献１には、以下の発明が記載されている。
　「ガラス基体（１）上に、裏面電極（８）としてスパッタリング法によりＺnＯを膜厚約５０ｎｍ製膜し、その上に微粒子としてＩＴＯ（酸化インジウム錫）を含み凹凸を有する微粒子塗布膜（２）を湿式塗布工法を用いて作製した、
サブストレート型太陽電池用の膜構造。」（以下「引用発明」という。）
　
３．対比 
　補正発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「ガラス基体」は補正発明の「基材」に相当する。引用発明がサブストレート型太陽電池用の膜構造であることから、引用発明の「微粒子塗布膜」が導電性を有することは明らかである。また、該微粒子塗布膜は光拡散効果を得るためのもの（上記摘記事項（５）参照）であるから、透明であることを排除しない（上記摘記事項（２）参照）。
　これらのことから、引用発明の、ガラス基体上の「裏面電極」及びその上の「微粒子塗布膜」と補正発明の「前記導電性反射膜上に透明導電膜が形成された２層からなる複合膜」は、ともに「導電性膜上に透明導電膜が形成された２層からなる複合膜」である点で共通する。
（２）引用発明の「微粒子としてＩＴＯ（酸化インジウム錫）を含」む構成は補正発明の「透明導電膜が導電性酸化物微粒子を含む」構成に相当するから、引用発明の「微粒子塗布膜」と補正発明の「透明導電膜」は、ともに「透明導電膜が導電性酸化物微粒子を含む透明導電膜用組成物を湿式塗工法を用いて塗布することにより形成され」る点で共通する。
（３）引用発明の「サブストレート型太陽電池用の膜構造」は補正発明の「サブストレート型太陽電池用の複合膜」に相当する。
　
　してみると、両者は、 
　「基材上に導電性膜が形成され、前記導電性膜上に透明導電膜が形成された２層からなる複合膜において、
　前記透明導電膜が導電性酸化物微粒子を含む透明導電膜用組成物を湿式塗工法を用いて塗布することにより形成された、
サブストレート型太陽電池用の複合膜。」
の点で一致し、次の各点で相違している。
　
（相違点１）
　導電性膜が、補正発明では「金属ナノ粒子として銀ナノ粒子を含む導電性反射膜用組成物を焼成後の厚さが０．０５〜２．０μｍになるように湿式塗工法を用いて塗布し、温度２０〜１２０℃で乾燥した後、１３０〜４００℃の温度で焼成することにより形成され」た反射膜であるのに対して、引用発明では「スパッタリング法によりＺnＯを膜厚約５０ｎｍ製膜し」た「裏面電極」である点。
（相違点２）
　透明導電膜が、補正発明では「透明導電膜用組成物を焼成後の厚さが０．０１〜０．５μｍになるように塗布し、温度２０〜１２０℃で乾燥した後、１３０〜４００℃の温度で焼成することにより形成され」るのに対して、引用発明ではその焼成後の厚さ、乾燥温度及び焼成温度が不明な点。
（相違点３）
　補正発明では「導電性反射膜の前記透明導電膜側の接触面に出現する気孔の平均直径が１００ｎｍ以下、前記気孔が位置する平均深さが１００ｎｍ以下、前記気孔の数密度が３０個／μｍ2以下である」のに対して、引用発明がそのような構成を有するかどうか不明な点。
　
４．判断 
　上記各相違点について検討する。
（相違点１について）
　サブストレート型太陽電池において、効率の向上のために裏面電極を反射膜とすることも、光の散乱や閉じ込め効果を高めるために銀ナノ粒子を含ませ、その表面にテクスチャ構造を形成する目的で、導電性反射膜用組成物を湿式塗工法を用いて形成することも、ともに、周知技術（原査定の拒絶の理由に引用された、国際公開第２００８／０４７６４１号参照）である。
　引用発明の裏面電極を上記の目的で、そのような反射膜で構成することに、格別の阻害要因はない。
　実際、導電性反射膜上に透明導電膜が形成された２層からなる複合膜を有する太陽電池の両層をともに湿式塗工法を用いて形成することは、普通に行われている（原査定時に周知技術として示された特開２００３−１７９２４１号公報参照）。
　また、上記相違点１に係る焼成後の厚さ、乾燥温度、及び焼成温度も、湿式塗工法における従来の技術に比べて格別のものではない。
　してみると、引用発明に上記相違点１に係る構成を採用することは当業者が容易になしうることである。
（相違点２について）
　上記相違点２に係る焼成後の厚さ、乾燥温度、及び焼成温度も、湿式塗工法における従来の技術に比べて格別のものではない。
　そして、引用発明に上記相違点２に係る焼成後の厚さ、乾燥温度、及び焼成温度を適用することに、格別の阻害要因はない。
　してみると、引用発明に上記相違点２に係る構成を採用することは当業者が容易になしうることである。
（相違点３について）
　導電性反射膜の透明導電膜側の接触面に出現する気孔は、反射膜の反射率を考慮すれば、その大きさ（平均直径）及び数（数密度）が小さいほど良く、当該気孔がなるべく表面から離れて存在した方が良いのは、当業者にとって自明である。そして、上記相違点３に係るそれらの値が、湿式塗工法を用いた従来の技術に比べて格別のものであることを示す証拠はない。
　してみると、引用発明に上記相違点３に係る構成を採用することは当業者が容易になしうることである。
　
　そして、補正発明全体の効果も、引用発明及び周知技術から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
　したがって、補正発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
５．むすび 
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記［補正の却下の決定の結論］のとおり、決定する。
　
第３　本願発明について 
１．本願発明
　平成２６年２月２８日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は、平成２５年９月３０日付けの手続補正で補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「基材上に導電性反射膜が形成され、前記導電性反射膜上に透明導電膜が形成された２層からなる複合膜において、
　前記導電性反射膜が金属ナノ粒子として銀ナノ粒子を含む導電性反射膜用組成物を湿式塗工法を用いて塗布することにより形成され、
　前記透明導電膜が導電性酸化物微粒子を含む透明導電膜用組成物を湿式塗工法を用いて塗布することにより形成され、
　前記導電性反射膜の前記透明導電膜側の接触面に出現する気孔の平均直径が１００ｎｍ以下、前記気孔が位置する平均深さが１００ｎｍ以下、前記気孔の数密度が３０個／μｍ2以下であることを特徴とするサブストレート型太陽電池用の複合膜。」（以下「本願発明」という。）
　
２．引用刊行物
　引用文献１、その記載事項及び引用発明は、前記「第２」の「２．」に記載したとおりである。
　
３．対比・判断
　本願発明は、前記「第２」で検討した補正発明の、少なくとも「導電性反射膜用組成物を焼成後の厚さが０．０５〜２．０μｍになるように」という事項を省いたものである。
　そうすると、本願発明の特定事項を全て含み、さらに他の特定事項を付加したものに相当する補正発明が、前記「第２」の「４．」に記載したとおり、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。