【事件の表示】
　特願２００９−５１４８２４「反射防止被膜用の無機−有機混成重合体組成物」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年１２月２１日国際公開、ＷＯ２００７／１４４４５２、平成２１年１１月１９日国内公表、特表２００９−５４００８４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本願は、平成１９年６月１３日（パリ条約による優先権主張　２００６年６月１３日　アメリカ合衆国（ＵＳ））を国際出願日とする特許出願であって、平成２４年１０月１６日付けで拒絶理由が通知され、平成２５年４月２３日に意見書とともに手続補正書が提出されたが、同年５月１４日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年９月２４日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正書が提出され、同年１１月７日に審判請求書の手続補正書（方式）が提出され、同年１２月２日付けで前置報告がなされ、それに基づいて当審で同年１２月１８日付けで審尋がなされ、平成２６年６月２４日に回答書が提出されたものである。
　
　
　
第２　平成２５年９月２４日付けの手続補正に係る補正の却下の決定
　
　［補正の却下の結論］
　平成２５年９月２４日付けの手続補正を却下する。
　
　［理由］
１．補正の内容
　平成２５年９月２４日付けの手続補正（以下、「当審補正」という。）は、平成２５年４月２３日提出の手続補正書によって補正された特許請求の範囲の、
　「【請求項１】
　-Ｓｉ-Ｏ-単位を含有する骨格を有し、そのケイ素原子の少なくとも一部に発色団が直接結合し、-Ｓｉ(Ｒ12)-Ｏ-Ｓｉ(Ｒ22)-Ｏ-［式中、各Ｒ1は独立して水素、ヒドロキシ基、線状又は枝分れのアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、エポキシ基、ビニル基、アリル基、トリル基、アニシル基、アクリル基、アクリレート基、アルキル（アルカ）アクリレート基及びアリール基の群から選択され、該Ｒ1の少なくとも一つが発色団であり、そして、各Ｒ2は独立して水素、ヒドロキシ基、アルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、エポキシ基、ビニル基、トリル基、アクリル基、アクリレート基、アルキル（アルカ）アクリレート基及びアリール基の群から選択される］の繰り返し骨格を有することを特徴とする組成物。
　　【請求項２】
　少なくとも部分的に架橋され、置換基Ｒ1及びＲ2の少なくとも一つを、一つ又は複数の隣接シロキサン鎖の反応基と架橋反応させることから誘導される架橋基を含むことを特徴とする請求項１に記載の組成物。
　　【請求項３】
　前記発色団が、共役不飽和結合を含有する環状基を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の組成物。
　　【請求項４】
　前記発色団が、任意に置換される１〜６個の芳香環を有する芳香族基から選択されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の組成物。
　　【請求項５】
　前記発色団が、１個の芳香環を有する芳香族基によって構成される化合物、及び２〜５個の縮合した芳香環によって構成される化合物の群から選択され、該芳香環がそれぞれ任意に置換されることを特徴とする請求項４に記載の組成物。
　　【請求項６】
　前記置換基が、ハロゲン原子、並びに１〜２０個の炭素原子を有する線状又は枝分れのアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、エポキシ基、ビニル基、アリル基、トリル基、アニシル基、アクリル基、アクリレート基、アルキル（アルカ）アクリレート基及びアリール基の群から選択されることを特徴とする請求項４又は５に記載の組成物。
　　【請求項７】
　前記発色団が、０〜３個の置換基を有した、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン及びペンタセンから選択される多環式芳香族基を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の組成物。
　　【請求項８】
　式I：
　　　　　Ｒ1aＳｉＸ4-a　　　　　I
及び式II：
　　　　　Ｒ2bＳｉＸ4-b　　　　　II
［式I及びIIにおいて、Ｒ1は発色団を表し；Ｒ2は水素、線状及び枝分れのアルキル及びシクロアルキル、アルケニル、アルキニル、（アルカ）アクリレート、アルコキシ並びに１〜６個の環を有するアリールよりなる群から選択され、各Ｘは独立して加水分解性基又はヒドロキシル又は炭化水素残基を表し；ａ及びｂは１〜３の整数である］の群のうち一方又は双方に従う単量体から誘導される残基を含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の組成物。
　　【請求項９】
　式III：
　　　　　Ｒ3cＳｉＸ4-c　　　　　III
［式IIIにおいて、Ｒ3は水素、任意に一つ若しくは複数の置換基を持つアルキル若しくはシクロアルキル、又はアルコキシを表し；各Ｘは独立して加水分解性基又はヒドロキシル又は炭化水素残基を表し；ｃは１〜３の整数である］に対応する少なくとも一つの単量体からの残基を含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の組成物。
　　【請求項１０】
　式IV：
　　　　　ＳｉＸ4　　　　　IV
［式IVにおいて、各Ｘは、独立して加水分解性基又はヒドロキシル又は炭化水素残基を表す］に対応する少なくとも一つの単量体からの残基を含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の組成物。
　　【請求項１１】
　前記炭化水素残基が、線状又は枝分れのアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、エポキシ基、ビニル基、アリル基、トリル基、アニシル基、アクリル基、アクリレート基、アルキル（アルカ）アクリレート基及びアリール基の群から選択されることを特徴とする請求項８〜１０のいずれかに記載の組成物。
　　【請求項１２】
　トリエトキシラン、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ｎ-ブチルトリエトキシシラン、メチルジエトキシビニルシラン、ジメチルジエトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、及びメタクリルオキシプロピルトリメトキシシランから誘導される残基を含むことを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載の組成物。
　　【請求項１３】
　前記加水分解性基がアルコキシ基又はハロゲン原子であることを特徴とする請求項８〜１２のいずれかに記載の組成物。
　　【請求項１４】
　Ｒ1及びＲ2及びＲ3が、フルオロ基、ブロモ基、Ｃ1-10アルキル基、Ｃ1-10アルコキシ基、Ｃ1-10アルケニル基、Ｃ6-18アリール基、アクリル基、エポキシ基、カルボキシル基及びカルボニル基から選択される一つ又は複数の置換基によって任意に独立して置換されることを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の組成物。
　　【請求項１５】
　液体からなることを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の組成物。
　　【請求項１６】
　膜からなることを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の組成物。
　　【請求項１７】
　請求項１〜１６のいずれかに記載の組成物の製造方法であって、
　溶媒及び触媒の存在下において、式I:
　　　　　Ｒ1aＳｉＸ4-a　　　　　I
を有する単量体を、式II、III及び／又はIV：
　　　　　Ｒ2bＳｉＸ4-b　　　　　II
　　　　　Ｒ3cＳｉＸ4-c　　　　　III
　　　　　ＳｉＸ4　　　　　　　IV
［式I、II、III及びIVにおいて、Ｒ1は発色団を表し；Ｒ2は水素、線状及び枝分れのアルキル及びシクロアルキル、アルケニル、アルキニル、（アルカ）アクリレート、アルコキシ並びに１〜６個の環を有するアリールよりなる群から選択され、Ｒ3は水素、任意に一つ若しくは複数の置換基を持つアルキル若しくはシクロアルキル又はアルコキシを表し；各Ｘは独立して加水分解性基又は炭化水素残基を表し；ａ及びｂ及びｃはそれぞれ独立して１〜３の整数である］のうち少なくとも一種の単量体と任意に反応させる工程と、
　反応生成物を回収する工程と
　を含むことを特徴とする方法。
　　【請求項１８】
　異なる２〜８種類の単量体を反応させることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
　　【請求項１９】
　前記単量体と、第一溶媒又は溶媒混合物との反応混合物を形成させる工程と、
　触媒及び前記第一溶媒又は溶媒混合物の存在下において、前記単量体が加水分解を受けて第一生成物を形成する工程と、
　前記反応混合物から前記第一溶媒又は溶媒混合物を除去し、第二溶媒又は溶媒混合物を加える工程と、
　前記第二溶媒又は溶媒混合物中、前記第一生成物が縮合重合を受けて、該第一生成物より高い分子量を有する縮合生成物を得る工程と
　を含むことを特徴とする請求項１７又は１８に記載の方法。
　　【請求項２０】
　前記第二溶媒が前記第一溶媒より高い沸点を有しており、前記縮合重合が第一溶媒より高い温度の第二溶媒中にて行われることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
　　【請求項２１】
　前記溶媒の一つ又は複数が、アセトン、ＴＨＦ、トルエン、２-プロパノール、メタノール、エタノール、メチル-tert-ブチルエーテル（ＭＴＢＥ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）及びそれらの混合物の群から選択されることを特徴とする請求項１７〜２０のいずれかに記載の方法。
　　【請求項２２】
　前記生成物が、合成時に架橋を受けることを特徴とする請求項１７〜２１のいずれかに記載の方法。
　　【請求項２３】
　前記縮合生成物が、ビニル基、アリル基、アクリレート基、メタクリレート基又はエポキシ基を介して部分的な架橋を受けることを特徴とする請求項１７〜２２のいずれかに記載の方法。
　　【請求項２４】
　合成した最終生成物が、基板上にある材料膜の加工及び硬化中、更に反応させるのに十分な反応性を示す架橋部位を有するのに適した形態を有することを特徴とする請求項１７〜２３のいずれかに記載の方法。
　　【請求項２５】
　半導体素子を反射防止被膜で被覆する方法であって、
　請求項１〜１５のいずれかに記載の組成物で半導体素子の表面を被覆し、薄層を形成する工程と、
　反射防止被膜を形成するため、被覆された層を硬化する工程と、
　任意に、前記反射防止被膜層に、リソグラフィー法で必要とされる少なくとも一枚の更なる層を用意する工程と
　を含むことを特徴とする方法。
　　【請求項２６】
　前記反射防止被膜が、リソグラフィー法で成形されることを特徴とする請求項２５に記載の方法。
　　【請求項２７】
　基板上に反射防止被膜を具える半導体部品であって、
　前記被膜が、請求項１〜１６のいずれかに記載の組成物の硬化薄層からなることを特徴とする半導体部品。」
を、
　「【請求項１】
　-Ｓｉ-Ｏ-単位を含有する骨格を有し、そのケイ素原子の少なくとも一部に発色団が直接結合し、-Ｓｉ(Ｒ12)-Ｏ-Ｓｉ(Ｒ22)-Ｏ-［式中、各Ｒ1は独立して水素、ヒドロキシ基、線状又は枝分れのアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、エポキシ基、ビニル基、アリル基、トリル基、アニシル基、アクリル基、アクリレート基、アルキル（アルカ）アクリレート基及びアリール基の群から選択され、該Ｒ1の少なくとも一つが発色団であり、そして、各Ｒ2は独立して水素、ヒドロキシ基、アルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、エポキシ基、ビニル基、トリル基、アクリル基、アクリレート基、アルキル（アルカ）アクリレート基及びアリール基の群から選択される］の繰り返し骨格を有することを特徴とする請求項１に記載の組成物。
　　【請求項２】
　少なくとも部分的に架橋され、置換基Ｒ1及びＲ2の少なくとも一つを、一つ又は複数の隣接シロキサン鎖の反応基と架橋反応させることから誘導される架橋基を含むことを特徴とする請求項１に記載の組成物。
　　【請求項３】
　前記発色団が、共役不飽和結合を含有する環状基を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の組成物。
　　【請求項４】
　前記発色団が、任意に置換される２〜６個の芳香環を有する芳香族基から選択されることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の組成物。
　　【請求項５】
　前記発色団が、２〜５個の縮合した芳香環によって構成される化合物の群から選択され、該芳香環がそれぞれ任意に置換されることを特徴とする請求項４に記載の組成物。
　　【請求項６】
　前記置換基が、ハロゲン原子、並びに１〜２０個の炭素原子を有する線状又は枝分れのアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、エポキシ基、ビニル基、アリル基、トリル基、アニシル基、アクリル基、アクリレート基、アルキル（アルカ）アクリレート基及びアリール基の群から選択されることを特徴とする請求項４又は５に記載の組成物。
　　【請求項７】
　前記発色団が、０〜３個の置換基を有した、ナフタレン、アントラセン、フェナントレン及びペンタセンから選択される多環式芳香族基を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の組成物。
　　【請求項８】
　式I：
　　　　　Ｒ1aＳｉＸ4-a　　　　　I
及び式II：
　　　　　Ｒ2bＳｉＸ4-b　　　　　II
［式I及びIIにおいて、Ｒ1は発色団を表し；Ｒ2は水素、線状及び枝分れのアルキル及びシクロアルキル、アルケニル、アルキニル、（アルカ）アクリレート、アルコキシ並びに１〜６個の環を有するアリールよりなる群から選択され、各Ｘは独立して加水分解性基又はヒドロキシル又は炭化水素残基を表し；ａ及びｂは１〜３の整数である］の群のうち一方又は双方に従う単量体から誘導される残基を含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の組成物。
　　【請求項９】
　式III：
　　　　　Ｒ3cＳｉＸ4-c　　　　　III
［式IIIにおいて、Ｒ3は水素、任意に一つ若しくは複数の置換基を持つアルキル若しくはシクロアルキル、又はアルコキシを表し；各Ｘは独立して加水分解性基又はヒドロキシル又は炭化水素残基を表し；ｃは１〜３の整数である］に対応する少なくとも一つの単量体からの残基を含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の組成物。
　　【請求項１０】
　式IV：
　　　　　ＳｉＸ4　　　　　IV
［式IVにおいて、各Ｘは、独立して加水分解性基又はヒドロキシル又は炭化水素残基を表す］に対応する少なくとも一つの単量体からの残基を含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の組成物。
　　【請求項１１】
　前記炭化水素残基が、線状又は枝分れのアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、エポキシ基、ビニル基、アリル基、トリル基、アニシル基、アクリル基、アクリレート基、アルキル（アルカ）アクリレート基及びアリール基の群から選択されることを特徴とする請求項８〜１０のいずれかに記載の組成物。
　　【請求項１２】
　グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、及びメタクリルオキシプロピルトリメトキシシランから誘導される残基を含むことを特徴とする請求項９〜１１のいずれかに記載の組成物。
　　【請求項１３】
　前記加水分解性基がアルコキシ基又はハロゲン原子であることを特徴とする請求項８〜１２のいずれかに記載の組成物。
　　【請求項１４】
　Ｒ1及びＲ2及びＲ3が、フルオロ基、ブロモ基、Ｃ1-10アルキル基、Ｃ1-10アルコキシ基、Ｃ1-10アルケニル基、Ｃ6-18アリール基、アクリル基、エポキシ基、カルボキシル基及びカルボニル基から選択される一つ又は複数の置換基によって任意に独立して置換されることを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の組成物。
　　【請求項１５】
　液体からなることを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の組成物。
　　【請求項１６】
　膜からなることを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の組成物。
　　【請求項１７】
　請求項１〜１６のいずれかに記載の組成物の製造方法であって、
　溶媒及び触媒の存在下において、式I:
　　　　　Ｒ1aＳｉＸ4-a　　　　　I
を有する単量体を、式II、III及び／又はIV：
　　　　　Ｒ2bＳｉＸ4-b　　　　　II
　　　　　Ｒ3cＳｉＸ4-c　　　　　III
　　　　　ＳｉＸ4　　　　　　　IV
［式I、II、III及びIVにおいて、Ｒ1は発色団を表し；Ｒ2は水素、線状及び枝分れのアルキル及びシクロアルキル、アルケニル、アルキニル、（アルカ）アクリレート、アルコキシ並びに１〜６個の環を有するアリールよりなる群から選択され、Ｒ3は水素、任意に一つ若しくは複数の置換基を持つアルキル若しくはシクロアルキル又はアルコキシを表し；各Ｘは独立して加水分解性基又は炭化水素残基を表し；ａ及びｂ及びｃはそれぞれ独立して１〜３の整数である］のうち少なくとも一種の単量体と任意に反応させる工程と、
　反応生成物を回収する工程と
　を含むことを特徴とする方法。
　　【請求項１８】
　異なる２〜８種類の単量体を反応させることを特徴とする請求項１７に記載の方法。
　　【請求項１９】
　前記単量体と、第一溶媒又は溶媒混合物との反応混合物を形成させる工程と、
　触媒及び前記第一溶媒又は溶媒混合物の存在下において、前記単量体が加水分解を受けて第一生成物を形成する工程と、
　前記反応混合物から前記第一溶媒又は溶媒混合物を除去し、第二溶媒又は溶媒混合物を加える工程と、
　前記第二溶媒又は溶媒混合物中、前記第一生成物が縮合重合を受けて、該第一生成物より高い分子量を有する縮合生成物を得る工程と
　を含むことを特徴とする請求項１７又は１８に記載の方法。
　　【請求項２０】
　前記第二溶媒が前記第一溶媒より高い沸点を有しており、前記縮合重合が第一溶媒より高い温度の第二溶媒中にて行われることを特徴とする請求項１９に記載の方法。
　　【請求項２１】
　前記溶媒の一つ又は複数が、アセトン、ＴＨＦ、トルエン、２-プロパノール、メタノール、エタノール、メチル-tert-ブチルエーテル（ＭＴＢＥ）、プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）及びそれらの混合物の群から選択されることを特徴とする請求項１７〜２０のいずれかに記載の方法。
　　【請求項２２】
　前記生成物が、合成時に架橋を受けることを特徴とする請求項１７〜２１のいずれかに記載の方法。
　　【請求項２３】
　前記縮合生成物が、ビニル基、アリル基、アクリレート基、メタクリレート基又はエポキシ基を介して部分的な架橋を受けることを特徴とする請求項１７〜２２のいずれかに記載の方法。
　　【請求項２４】
　合成した最終生成物が、基板上にある材料膜の加工及び硬化中、更に反応させるのに十分な反応性を示す架橋部位を有するのに適した形態を有することを特徴とする請求項１７〜２３のいずれかに記載の方法。
　　【請求項２５】
　半導体素子を反射防止被膜で被覆する方法であって、
　請求項１〜１５のいずれかに記載の組成物で半導体素子の表面を被覆し、薄層を形成する工程と、
　反射防止被膜を形成するため、被覆された層を硬化する工程と、
　任意に、前記反射防止被膜層に、リソグラフィー法で必要とされる少なくとも一枚の更なる層を用意する工程と
　を含むことを特徴とする方法。
　　【請求項２６】
　前記反射防止被膜が、リソグラフィー法で成形されることを特徴とする請求項２５に記載の方法。
　　【請求項２７】
　基板上に反射防止被膜を具える半導体部品であって、
　前記被膜が、請求項１〜１６のいずれかに記載の組成物の硬化薄層からなることを特徴とする半導体部品。」
とするものである。
　
２．補正の目的について
　当審補正は、下記補正事項１の補正をするものを含むものである。
　
＜補正事項１＞
　当審補正前の旧請求項１に記載の、
　「-Ｓｉ-Ｏ-単位を含有する骨格を有し、そのケイ素原子の少なくとも一部に発色団が直接結合し、-Ｓｉ(Ｒ12)-Ｏ-Ｓｉ(Ｒ22)-Ｏ-［式中、各Ｒ1は独立して水素、ヒドロキシ基、線状又は枝分れのアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、エポキシ基、ビニル基、アリル基、トリル基、アニシル基、アクリル基、アクリレート基、アルキル（アルカ）アクリレート基及びアリール基の群から選択され、該Ｒ1の少なくとも一つが発色団であり、そして、各Ｒ2は独立して水素、ヒドロキシ基、アルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、エポキシ基、ビニル基、トリル基、アクリル基、アクリレート基、アルキル（アルカ）アクリレート基及びアリール基の群から選択される］の繰り返し骨格を有することを特徴とする組成物。」
を、
　「-Ｓｉ-Ｏ-単位を含有する骨格を有し、そのケイ素原子の少なくとも一部に発色団が直接結合し、-Ｓｉ(Ｒ12)-Ｏ-Ｓｉ(Ｒ22)-Ｏ-［式中、各Ｒ1は独立して水素、ヒドロキシ基、線状又は枝分れのアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、エポキシ基、ビニル基、アリル基、トリル基、アニシル基、アクリル基、アクリレート基、アルキル（アルカ）アクリレート基及びアリール基の群から選択され、該Ｒ1の少なくとも一つが発色団であり、そして、各Ｒ2は独立して水素、ヒドロキシ基、アルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、エポキシ基、ビニル基、トリル基、アクリル基、アクリレート基、アルキル（アルカ）アクリレート基及びアリール基の群から選択される］の繰り返し骨格を有することを特徴とする請求項１に記載の組成物。」
と補正する。
　
　上記補正事項１は、当審補正前の旧請求項１において、「請求項１に記載の」との記載を追加するものであって、これは当審補正前の旧請求項１を減縮するものとはいえない。
　また、補正事項１は、誤記の訂正又は明りょうでない記載の釈明を目的とするものでもない。
　してみると、補正事項１を含む当審補正は、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正又は明りょうでない記載の釈明のいずれかを目的とするものに該当するものではない。
　
３．むすび
　以上のとおりであるから、補正事項１を含む当審補正は、特許法第１７条の２第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
　
第３　原査定の妥当性についての判断
　
１．本願発明
　上記のとおり、当審補正は却下されたので、本願の請求項１〜２７に係る発明は、平成２５年４月２３日提出の手続補正書によって補正された特許請求の範囲並びに明細書及び図面（以下、併せて「本願明細書等」という。）の記載からみて、前記特許請求の範囲の請求項１〜２７に記載された事項により特定されるとおりのものであり、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、以下のとおりのものである。
　
　「-Ｓｉ-Ｏ-単位を含有する骨格を有し、そのケイ素原子の少なくとも一部に発色団が直接結合し、-Ｓｉ(Ｒ12)-Ｏ-Ｓｉ(Ｒ22)-Ｏ-［式中、各Ｒ1は独立して水素、ヒドロキシ基、線状又は枝分れのアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、エポキシ基、ビニル基、アリル基、トリル基、アニシル基、アクリル基、アクリレート基、アルキル（アルカ）アクリレート基及びアリール基の群から選択され、該Ｒ1の少なくとも一つが発色団であり、そして、各Ｒ2は独立して水素、ヒドロキシ基、アルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、エポキシ基、ビニル基、トリル基、アクリル基、アクリレート基、アルキル（アルカ）アクリレート基及びアリール基の群から選択される］の繰り返し骨格を有することを特徴とする組成物。」
　
２．原査定の拒絶の理由の概要
　原査定の拒絶の理由の概要は、本願の請求項１に係る発明は、引用文献１（特開２００５−３５２１０４号公報）に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができないというもの、また、引用文献１に記載された発明に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないというものを含むものである。
　
３．引用刊行物
　刊行物：特開２００５−３５２１０４号公報（平成２４年１０月１６日付け拒絶理由通知書における引用文献１。以下、「引用例」という。）
　
４．引用例の記載事項
摘示ア　「【請求項１】
下記一般式（１）で表される共重合による繰り返し単位Ｕａ、Ｕｂ、Ｕｃを含んでなる高分子化合物
　　【化１】
（式中、Ｒ1aは架橋性の１価の有機基であり、Ｒ2は光吸収基を有する架橋性または非架橋性の１価の有機基であり、Ｒ5は非架橋性の１価の有機基であり、Ｒ3はヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、又はＲ2若しくはＲ5と同じ定義で表される基であり、Ｒ4はＲ1a、Ｒ3、又はＲ5と同じ定義で表される基であり、Ｒ6は、Ｒ1a、Ｒ3、又はＲ2と同じで同じ定義で表される基あり、ｐは０＜ｐ＜１の範囲の数であり、ｑは０＜ｑ＜１の範囲の数であり、ｐ＋ｑはｐ＋ｑ＜１の範囲であり、ｌ、ｍ、ｎは各々独立して、０以上１以下の範囲の数である）と、有機溶剤と、酸発生剤とを含有する反射防止膜形成用組成物。」（特許請求の範囲、請求項１）
　
摘示イ　「本発明は、半導体素子などの製造工程における微細加工に用いられる多層レジスト工程において有効な中間層膜形成材料及びこれを用いた遠紫外線、ＫｒＦエキシマレーザー光、ＡｒＦエキシマレーザー光（１９３ｎｍ）、Ｆ2レーザー光（１５７ｎｍ）、Ｋｒ2レーザー光（１４６ｎｍ）、Ａｒ2レーザー光（１２６ｎｍ）、軟Ｘ線、電子ビーム、イオンビーム、Ｘ線露光に好適なレジストパターン形成、ならびに基板、特に低誘電率絶縁膜の加工時のマスク層に関するものである。」（段落0001）
　
摘示ウ　「Ｒ2は、光吸収基を有する１価の有機基であり、波長１５０〜３００ｎｍの範囲で吸収を有する基である。光吸収基は、架橋性であっても非架橋性であってもよい。好ましくは、アントラセン環、ナフタレン環、ベンゼン環、又はこれらの環に１個以上の置換基を有するものである。この置換基としては、炭素数１〜６のアルコキシ基、アシロキシ基、又はアセタール基などが挙げられ、より好ましくは、メトキシ基、ｔ−ブトキシ基、ｔ−アミロキシ基、アセトキシ基、又は１−エトキシ基等である。Ｒ2としては以下の珪素含有化合物を原料とした際に得られる高分子化合物のＳｉに直接結合する炭素を含有する１価の有機基が挙げられる。
　　【化７】
」（段落0038〜0039）
　
５．引用例に記載された発明
　引用例には、次のとおりの発明（以下、「引用例発明」という。）が記載されている（摘示ア）。
　
　「下記一般式（１）で表される共重合による繰り返し単位Ｕａ、Ｕｂ、Ｕｃを含んでなる高分子化合物
　　【化１】
（式中、Ｒ1aは架橋性の１価の有機基であり、Ｒ2は光吸収基を有する架橋性または非架橋性の１価の有機基であり、Ｒ5は非架橋性の１価の有機基であり、Ｒ3はヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、又はＲ2若しくはＲ5と同じ定義で表される基であり、Ｒ4はＲ1a、Ｒ3、又はＲ5と同じ定義で表される基であり、Ｒ6は、Ｒ1a、Ｒ3、又はＲ2と同じで同じ定義で表される基あり、ｐは０＜ｐ＜１の範囲の数であり、ｑは０＜ｑ＜１の範囲の数であり、ｐ＋ｑはｐ＋ｑ＜１の範囲であり、ｌ、ｍ、ｎは各々独立して、０以上１以下の範囲の数である）と、有機溶剤と、酸発生剤とを含有する反射防止膜形成用組成物。」
　
６．対比
　本願発明と引用例発明とを対比する。
　
（ａ）引用例発明における高分子化合物の一般式（１）（以下、構造式及び式の説明を省略する。）からみて、これが-Ｓｉ-Ｏ-単位を含有する骨格を有することは明らかである。
　そして、引用例発明における高分子化合物の一般式（１）では、「ｌ、ｍ、ｎは各々独立して、０以上１以下の範囲の数である」ことから、ｌ＝ｍ＝ｎ＝１の場合、当該一般式（１）は、
「-［Ｓｉ(Ｒ1aＲ3)-Ｏ］p-［Ｓｉ(Ｒ2Ｒ4)-Ｏ］q-［Ｓｉ(Ｒ5Ｒ6)-Ｏ］1-p-q-」（以下、一般式（１’）という。）と表されることとなる。
　そこで、引用例発明における高分子化合物にかかる一般式（１’）と本願発明における式「-Ｓｉ(Ｒ12)-Ｏ-Ｓｉ(Ｒ22)-Ｏ-」（以下、「式Ａ」といい、式の説明を省略する。）とを比較する。
　
（ｂ）まず、一般式（１’）における「Ｒ2」について検討すると、引用例発明では、「Ｒ2は光吸収基を有する架橋性または非架橋性の１価の有機基」でありと規定されており、引用例において「Ｒ2は、光吸収基を有する１価の有機基であり、波長１５０〜３００ｎｍの範囲で吸収を有する基である。光吸収基は、架橋性であっても非架橋性であってもよい。好ましくは、アントラセン環、ナフタレン環、ベンゼン環、又はこれらの環に１個以上の置換基を有するものである。・・・Ｒ2としては以下の珪素含有化合物を原料とした際に得られる高分子化合物のＳｉに直接結合する炭素を含有する１価の有機基が挙げられる。」（摘示ウ）と記載されており、一方、本願明細書等では、「フェナントレン基、ナフタレン基、フェニル基等の発色団を使用するのが有利である。」（段落0063）と記載されており、光吸収基と発色団とは共通するものを有することから、一般式（１’）における「Ｒ2」は、式Ａにおける「発色団」に相当し、それゆえ式Ａにおける「Ｒ1が発色団であるＲ1」に相当するといえる。
（ｃ）そして、一般式（１’）における「Ｒ4」は、「Ｒ1a、Ｒ3、又はＲ5と同じ定義で表される基」であり、「Ｒ1aは架橋性の１価の有機基であり」、「Ｒ5は非架橋性の１価の有機基であり、Ｒ3はヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、又はＲ2若しくはＲ5と同じ定義で表される基であ」るから、式Ａにおける「Ｒ1」に相当する。
　また、一般式（１’）における「Ｒ1a」は、「架橋性の１価の有機基であり」、引用例の請求項４には「エポキシ基及び／または水酸基を有する」と記載されているから、式Ａにおける「Ｒ1」または「Ｒ2」に相当する。
　さらに、一般式（１’）における「Ｒ3」は、「ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルキル基、炭素数１〜４のアルコキシ基、又はＲ2若しくはＲ5と同じ定義で表される基であり」、「Ｒ5は非架橋性の１価の有機基であ」るから、式Ａにおける「Ｒ1」または「Ｒ2」に相当する。
　同様に、一般式（１’）における「Ｒ5」は、「非架橋性の１価の有機基であ」るから、式Ａにおける「Ｒ1」または「Ｒ2」に相当する。
　同じく、一般式（１’）における「Ｒ6」は、「Ｒ1a、Ｒ3、又はＲ2と同じで同じ定義で表される基」であるから、式Ａにおける「Ｒ1」または「Ｒ2」に相当する。
（ｄ）また、繰り返し単位の数について検討すると、一般式（１’）は、３つの繰り返し単位Ｕａ、Ｕｂ、Ｕｃを含んでなるものであるところ、本願発明においても「-Ｓｉ(Ｒ12)-Ｏ-Ｓｉ(Ｒ22)-Ｏ-［式中、各Ｒ1は独立して・・・の群から選択され、・・・そして、各Ｒ2は独立して・・・の群から選択される］の繰り返し骨格を有する」と規定されていることからみて、Ｒ1、Ｒ2共に異なるものを独立して選択可能なのであるから、例えば、本願発明の「-Ｓｉ(Ｒ12)-Ｏ-Ｓｉ(Ｒ22)-Ｏ-」において、「-Ｓｉ(Ｒ12)-Ｏ-」の一部の繰り返し単位が、１つのＲ1が発色団であり、他のＲ1がアルキル基である繰り返し単位（以下、「単位Ｘ」という。）である場合には、この単位Ｘは一般式（１’）の繰り返し単位Ｕｂに相当し、「-Ｓｉ(Ｒ12)-Ｏ-」の他の繰り返し単位が、１つのＲ1がヒドロキシ基またはエポキシ基であり、他のＲ1がアルキル基である繰り返し単位（以下、「単位Ｙ」という。）である場合には、この単位Ｙは一般式（１’）の繰り返し単位Ｕａに相当することから、結局のところ、本願発明においても３つの繰り返し骨格を有することとなり、本願発明が３つの繰り返し単位を含んでなるものを除外するものではない。
　そもそも、一般式（１’）において、Ｒ3がＲ2であって、Ｒ4がＲ1aである場合にはＵａ＝Ｕｂとなり、Ｒ3がＲ5であって、Ｒ6がＲ1aである場合にはＵａ＝Ｕｃとなり、２つの繰り返し単位を有するものとなることから、引用例発明は２つの繰り返し単位を有するものをも包含するものである。
　そうすると、繰り返し単位の数について、一般式（１’）と式Ａとで差異はない。
　
（ｅ）次に、引用例発明が「有機溶剤と、酸発生剤とを含有する」ことを備える点について以下検討する。
　本願発明に鑑みると、本願明細書等には、有機溶剤を含有する点について、「合成時に特定の安定剤の溶媒又は添加剤を使用することができ、又は合成の最後で合成された最終材料にそれらを加えて材料の保存寿命を改善することができる。次いで、望ましい膜厚をもたらすのに適した溶媒又は溶媒の組み合わせを用いて、合成材料を希釈する。・・・例えば、上記した合成工程の一つ又は両方で合成溶媒としてＰＧＭＥＡ（又はＰＧＭＥ）を使用した場合、ＰＧＭＥＡ（又はＰＧＭＥ）が半導体業界の処理液としても通常使用されるため、我々は必ずしも溶媒を最終材料用に変更する必要がない。これは、材料の合成手順をより容易にし、必要とする時間を低減させる。」（段落0069）と記載されており、酸発生剤を含有する点についても、「半導体素子の製造に使用するリソグラフィー方法又は該素子構造を詳細に検討せずに、反射防止被膜として本発明に記載のシロキサン重合体組成物を使用する一般的な説明は、図１に記載されている。リソグラフィー方法に関して、基板及び使用されるフォトレジスト材料との適合性を向上させ、リソグラフィー処理の結果を改善するには、示された反射防止被膜に、界面活性剤（例えば、Ｂｙｋ−３０６又は類似物）、光酸発生剤（例えば、Ｉｒｇａｃｕｒｅ ＰＡＧ１０３、ＣＧＩ−１９０６等のチバ・スペシャリティ・ケミカルズＰＡＧ）等の添加剤を用いることが好ましい場合がある。」（段落0077）と記載されている。
　そうすると、引用例発明が「有機溶剤と、酸発生剤とを含有する」ことを備える点は、本願発明と引用例発明との相違点とはいえない。
　
（ｆ）また、引用例発明が「反射防止膜形成用」であることを備える点について以下検討する。
　本願発明に鑑みると、本願明細書等には、反射防止膜用である点について、「本発明の目的は、反射防止被膜を製造するための新規な組成物を提供することにある。」（段落0005）等と記載されており、その具体的な用途についても、引用例の摘示イの記載と本願明細書等の請求項２５や段落0001等を対比しても両者は共通するものである。
　そうすると、引用例発明が「反射防止膜形成用」であることを備える点は、本願発明と引用例発明との相違点とはいえない。
　
（ｇ）してみると、本願発明と引用例発明との一致点及び相違点は、次のとおりのものであるといえる。
　
　＜一致点＞
　-Ｓｉ-Ｏ-単位を含有する骨格を有し、-Ｓｉ(Ｒ12)-Ｏ-Ｓｉ(Ｒ22)-Ｏ-［式中、各Ｒ1は独立して水素、ヒドロキシ基、線状又は枝分れのアルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、エポキシ基、ビニル基、アリル基、トリル基、アニシル基、アクリル基、アクリレート基、アルキル（アルカ）アクリレート基及びアリール基の群から選択され、該Ｒ1の少なくとも一つが発色団であり、そして、各Ｒ2は独立して水素、ヒドロキシ基、アルキル基、アルコキシ基、アルケニル基、アルキニル基、エポキシ基、ビニル基、トリル基、アクリル基、アクリレート基、アルキル（アルカ）アクリレート基及びアリール基の群から選択される］の繰り返し骨格を有する組成物
である点。
　
　＜相違点＞
　-Ｓｉ-Ｏ-単位を含有する骨格に関し、本願発明では、「そのケイ素原子の少なくとも一部に発色団が直接結合し」ていることを発明特定事項として備えるものであるのに対して、引用例発明では、このような特定事項を有していない点。
　
７．相違点の判断
　引用例には、「Ｒ2」として、「Ｒ2は、光吸収基を有する１価の有機基であり、波長１５０〜３００ｎｍの範囲で吸収を有する基である。光吸収基は、架橋性であっても非架橋性であってもよい。好ましくは、アントラセン環、ナフタレン環、ベンゼン環、又はこれらの環に１個以上の置換基を有するものである。・・・Ｒ2としては以下の珪素含有化合物を原料とした際に得られる高分子化合物のＳｉに直接結合する炭素を含有する１価の有機基が挙げられる。」（摘示ウ）と記載されており、その具体的な化合物として【化７】が例示されており、その中には「４−メチルフェニルトリメトキシシラン」、「１−ナフチルトリメトキシシラン」または「１−アントラセニルトリメトキシシラン」といった「ケイ素原子の少なくとも一部に発色団が直接結合」してなるものが記載されている。
　そうすると、引用例発明は、その態様として「Ｒ2」が「ケイ素原子の少なくとも一部に発色団が直接結合」してなるものを包含するものである。
　してみると、相違点は、本願発明と引用例発明との実質的な相違点ではない。
　仮にそうでないとしても、引用例発明において、Ｒ2として、具体的に引用例の段落0039に例示された化合物の中から特に「４−メチルフェニルトリメトキシシラン」、「１−ナフチルトリメトキシシラン」または「１−アントラセニルトリメトキシシラン」を採用することは、当業者にとって、容易になし得ることであり、本願発明が、そのことにより予期し得ない格別顕著な作用・効果を奏するともいえない。
　
　したがって、本願発明は引用例に記載された発明であるか、あるいは、引用例に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
　
第４　むすび
　
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し特許を受けることができないか、または、引用例に記載された発明に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　原査定の理由は妥当なものである。
　
　したがって、他の請求項に係る発明についてさらに検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。