【事件の表示】
　特許第３７８６１１４号に関する訂正審判事件について，次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第３７８６１１４号に係る明細書及び特許請求の範囲を本件審判請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり訂正することを認める。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本件特許第３７８６１１４号は，平成１３年６月８日を出願日とする特願２００１−１７４９０３の一部を，平成１６年１月５日に新たな出願としたものであって，平成１８年３月３１日に設定登録され，平成２７年２月１９日に訂正審判請求（２０１５−３９００１９）がされ，平成２７年６月８日に，当該審判請求書に添付された訂正明細書及び特許請求の範囲のとおり訂正する旨の審決が確定し，平成２７年８月３日に本件訂正審判の請求がされたものである。
第２　請求
１　請求の趣旨
　本件審判請求の趣旨は，特許３７８６１１４号の特許請求の範囲を，本件請求書に添付した訂正特許請求の範囲のとおり，一群の請求項ごとに訂正することを求めるものである。
２　訂正の内容
　本件審判請求に係る訂正の内容は以下のとおりである。
ア　訂正事項１
　特許請求の範囲の請求項１において，
「前記障壁層Ｂ１を含む前記ｎ型窒化物半導体層側の複数の障壁層がｎ型不純物をドープして成長させたものであり，前記障壁層ＢＬを含む前記ｐ型窒化異物半導体層側の複数の障壁層がｎ型不純物をアンドープで成長させたものである，」
とあるのを，
「前記障壁層Ｂ１を含む前記ｎ型窒化物半導体層側の複数の障壁層のｎ型不純物濃度が１×１０１７／ｃｍ３以上２×１０１８／ｃｍ３以下であり，前記障壁層ＢＬを含む前記ｐ型窒化異物半導体層側の複数の障壁層のｎ型不純物濃度が５×１０１６／ｃｍ３未満である，」
と訂正する。
第３　当審の判断
１　訂正事項１について
ア　訂正の目的について
　訂正事項１は，訂正前の「ｎ型不純物をドープして成長させたもの」及び「ｎ型不純物をアンドープで成長させたもの」について，それぞれのｎ型不純物濃度の範囲を特定事項として追加するとともに，前記「ｎ型不純物をドープして成長させたもの」及び「ｎ型不純物をアンドープで成長させたもの」との記載を削除するものである。
　ここで，訂正前の特許請求の範囲の請求項１に係る発明は物の発明であるところ，「ｎ型不純物をドープして成長させたもの」及び「ｎ型不純物をアンドープで成長させたもの」は，製造方法として記載されているから，いわゆるプロダクト・バイ・プロセス・クレームにあたるものである。
　そして，訂正事項１は，プロダクト・バイ・プロセス・クレームにより記載された発明が明確でないとする無効理由を排除するために，本件明細書の記載を参酌して，「ｎ型不純物をドープして成長させたもの」及び「ｎ型不純物をアンドープで成長させたもの」にそれぞれ対応する物の特性であるｎ型不純物濃度により特定するものである。それゆえ，前記「ｎ型不純物をドープして成長させたもの」及び「ｎ型不純物をアンドープで成長させたもの」との特定に代えて，前記各ｎ型不純物濃度の範囲を特定することは，明瞭でない記載を釈明しようとするものといえる。
　この際，「ｎ型不純物をドープして成長させたもの」については，本件明細書においては，「・・・ｎ型不純物がドープされていることである。この時，障壁層中のｎ型不純物濃度としては，少なくとも５×１０16／cm3以上ドープされていることで，上限としては１×１０20／cm3である。」（段落【００４１】）とされ，訂正事項１に係る「ｎ型不純物濃度が１×１０１７／ｃｍ３以上２×１０１８／ｃｍ３以下」よりも広いｎ型不純物濃度範囲が記載されているところ，訂正事項１に係る濃度範囲に特定するものであるから，当該事項を追加することは，特許請求の範囲の減縮を目的とするものでもある。
　したがって，訂正事項１は，特許法第１２６条第１項ただし書第１号に掲げる特許請求の範囲の減縮，及び同第３項に掲げる明瞭でない記載の釈明を目的とするものである。
イ　訂正の根拠（新規事項の有無）
　願書に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下「当初明細書等」という。以下同じ。）においては以下の記載がある。
「【発明を実施するための最良の形態】
　【００３２】
　本発明の窒化物半導体素子に用いる窒化物半導体としては，ＧａＮ，ＡｌＮ，もしくはＩｎＮ，又はこれらの混晶である窒化ガリウム系化合物半導体（ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ，０≦ｘ，０≦ｙ，ｘ＋ｙ≦１）がある。その他に前記窒化ガリウム系化合物半導体の一部を，Ｂ，Ｐで置換した，混晶でもよい。
　【００３３】
　・・・（中略）・・・
　【００４０】
（障壁層）
　本発明において，障壁層の組成としては，特に限定されないが，井戸層よりＩｎ混晶比の低いＩｎを含む窒化物半導体若しくはＧａＮ，Ａｌを含む窒化物半導体などを用いることができる。
　・・・（中略）・・・
　【００４１】
　また，後述する最もｐ型層側の障壁層を除いて，障壁層は，ｎ型不純物がドープされていても，ノンドープであっても良いが，好ましくはｎ型不純物がドープされていることである。この時，障壁層中のｎ型不純物濃度としては，少なくとも５×１０16／cm3以上ドープされていることで，上限としては１×１０20／cm3である。具体的には，例えばＬＥＤである場合には，５×１０16／cm3以上２×１０18／cm3以下の範囲でｎ型不純物を有することであり，また，より高出力のＬＥＤ及び高出力のＬＤでは，５×１０17／cm3以上１×１０20／cm3以下の範囲，好ましくは１×１０18／cm3以上５×１０19／cm3以下の範囲でドープされていることが好ましく，このように高濃度でドープする場合には，井戸層をｎ型不純物を実質的に含まないか，アンドープで成長させることが好ましい。
　・・・（中略）・・・
　【００４４】
（ｎ型不純物ドープ）
　本発明において，活性層には，少なくとも５×１０16以上ｎ型不純物を含有する井戸層，障壁層を有し，好ましくは，活性層中の少なくとも１層以上の井戸層及び／又は障壁層が，アンドープ若しくは実質的にｎ型不純物を含まないことである。これにより，活性層全体としては，平均としてｎ型不純物が含有され，活性層の一部を構成する井戸層及び又は障壁層にｎ型不純物がドープされることで活性層として効率的なキャリア濃度分布を実現する。
　【００４５】
　本発明において，アンドープとは意図的にドープしないことであり，窒化物半導体成長時に，ｎ型若しくはｐ型不純物をドープしないで成長させるものである。この時，不純物濃度は，５×１０16／cm3未満となる。また，本発明におけるｎ型不純物，若しくはｐ型不純物を実質的に含まないとは，５×１０16／cm3未満の濃度領域である。」
「【０１１８】
［実施例１２］
　図９に示す発光素子を以下のようにして，作製する。
　【０１１９】
　・・・（中略）・・・
　【０１２５】
（活性層３０７）
　次に，ＧａＮよりなる障壁層を２５０Åの膜厚で成長させ，続いて温度を８００℃にして，ＴＭＧ，ＴＭＩ，アンモニアを用いアンドープＩｎ0.3Ｇａ0.7Ｎよりなる井戸層を３０Åの膜厚で成長させる。そして障壁層Ｂ1／井戸層／障壁層Ｂ2／井戸層／障壁層Ｂ3／井戸層／障壁層Ｂ4／井戸層／障壁層Ｂ5／井戸層／障壁層Ｂ6／井戸層／障壁層Ｂ7の順で障壁層を７層，井戸層を６層，交互に積層して，総膜厚１９３０Åの多重量子井戸構造よりなる活性層３０７を成長させる。この時，障壁層Ｂ1，Ｂ2には，Ｓｉを１×１０17／ｃｍ3ドープして，残りの障壁層Ｂi（ｉ＝３，４，・・・，７）はアンドープで形成する。
　【０１２６】
　・・・（中略）・・・
　【０１３０】
　・・・（中略）・・・得られる発光素子は，ｎ型層に最も近い障壁層Ｂ1と，その次の障壁層Ｂ2にｎ型不純物がドープされていることで，ｎ型層からのキャリアが，活性層の奥深く（ｐ型層側）まで，効率的に注入され，全ての障壁層をアンドープとした比較例２に比べて，光電変換効率が向上し，Ｖf及びリーク電流が減少し，発光出力が向上する。」
　ここで，上記段落【００４５】の，「アンドープとは意図的にドープしないことであり，窒化物半導体成長時に，ｎ型若しくはｐ型不純物をドープしないで成長させるものである。この時，不純物濃度は，５×１０16／cm3未満となる。」との記載から，「アンドープ」で窒化物半導体成長を行った場合，「不純物濃度は，５×１０16／cm3未満となる」こと，すなわち，ｎ型不純物濃度が５×１０16／cm3未満となることが記載されているといえる。
　次に，上記段落【００４１】の，「障壁層は，ｎ型不純物がドープされていても，ノンドープであっても良いが，好ましくはｎ型不純物がドープされていることである。この時，障壁層中のｎ型不純物濃度としては，少なくとも５×１０16／cm3以上ドープされていることで，上限としては１×１０20／cm3である。具体的には，例えばＬＥＤである場合には，５×１０16／cm3以上２×１０18／cm3以下の範囲でｎ型不純物を有することであり」との記載から，「ｎ型不純物がドープされていること」として，「５×１０16／cm3以上２×１０18／cm3以下の範囲でｎ型不純物を有すること」が例示されている。さらに，上記段落【０１２５】には，「障壁層Ｂ1，Ｂ2には，Ｓｉを１×１０17／ｃｍ3ドープ」することが記載されている。
　そうすると，当初明細書の段落【００４１】には，「ｎ型不純物がドープされている」場合において，「５×１０16／cm3以上２×１０18／cm3以下の範囲でｎ型不純物を有すること」が記載されているところ，同段落【０１２５】の記載と併せ読むことで，下限値を上昇させ，数値範囲を狭くして「１×１０17／ｃｍ3以上２×１０18／cm3以下の範囲でｎ型不純物を有すること」も，当初明細書等に記載されたものといえる。
　以上から，当初明細書等には，「ｎ型不純物をドープして成長させたもの」として「ｎ型不純物濃度が１×１０１７／ｃｍ３以上２×１０１８／ｃｍ３以下であ」るもの，及び「ｎ型不純物をアンドープで成長させたもの」として「ｎ型不純物濃度が５×１０１６／ｃｍ３未満である」ものが記載されているといえる。
　よって，訂正事項１は，当初明細書等に記載した事項の範囲内の訂正であるから，特許法第１２６条第５項に適合するものである。
ウ　訂正により実質上特許請求の範囲を拡張又は変更することの有無
　前記アで検討したとおり，訂正事項１は，プロダクト・バイ・プロセス・クレームにより記載された発明が明確でないとする無効理由を排除するために，「ｎ型不純物をドープして成長させたもの」及び「ｎ型不純物をアンドープで成長させたもの」との特定に代えて，「ｎ型不純物をドープして成長させたもの」及び「ｎ型不純物をアンドープで成長させたもの」にそれぞれ対応する物の特性であるｎ型不純物濃度により特定して，明瞭でない記載を釈明するとともに，「ｎ型不純物をドープして成長させたもの」に対応するｎ型不純物濃度についてはその数値範囲をより狭いものとするものであり，実質上特許請求の範囲を拡張し，又は変更するものには該当しないから，特許法第１２６条第６項に適合するものである。
２　独立特許要件について
　前記１　ア〜ウで検討したとおり，本件訂正後における特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明（以下「本件訂正発明」という。）は，本件訂正前における特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される発明（以下「訂正前発明」という。）について，「ｎ型不純物をドープして成長させたもの」及び「ｎ型不純物をアンドープで成長させたもの」との特定に代えて，それぞれ対応する物の特性であるｎ型不純物濃度により特定して，明瞭でない記載を釈明するとともに，「ｎ型不純物をドープして成長させたもの」に対応するｎ型不純物濃度についてはその数値範囲をより狭いものに限定するものであり，言い換えると，訂正前発明は，本件訂正発明から，ｎ型不純物濃度の数値範囲についての当該限定を除いたものといえる。
　そして，訂正前発明は，過去の手続においては，拒絶の理由が発見されず，特許されていたものである。また，訂正前発明について，明瞭でない記載を釈明するとともに，これをより限定したものである本件訂正発明についても，他に，特許出願の際独立して特許を受けることができないとすべき理由を発見しない。
　したがって，訂正事項１は，特許法第１２６条第７項に規定する要件に適合するものである。
第４　むすび
　以上のとおり，本件訂正は，特許法第１２６条第１項ただし書第１号及び第３号に掲げる事項を目的とするものであり，また，同条第５項ないし第７項の規定に適合するものである。
　
　よって，結論のとおり審決する。