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　特願２００７−３００６８７「半導体装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　６月１１日出願公開、特開２００９−１２９９７５〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　
　本願は、平成１９年１１月２０日の出願であって、平成２４年４月２３日付け拒絶理由通知に対して同年８月１６日付けで手続補正がなされ、平成２５年３月２２日付け拒絶理由通知に対して同年６月２６日付けで手続補正がなされたが、平成２６年２月２８日付けで補正却下の決定及び拒絶査定がなされ、これに対し、同年７月３日付けで拒絶査定不服審判が請求されるとともに手続補正がなされたものである。
　
　
第２　平成２６年７月３日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２６年７月３日付けの手続補正を却下する。
［理由］
１.補正後の本願発明
　平成２６年７月３日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲を補正するものであって、請求項１について、
　本件補正の前（平成２４年８月１６日付けの手続補正）に、
「【請求項１】
　上面に凹部を有する第１の中継基板と、
　前記第１の中継基板の前記凹部内に搭載された半導体チップと、
　前記半導体チップ上方に、前記第１の中継基板と接続端子を介し搭載された第２の中継基板とを具備し、
　前記第２の中継基板上には、内蔵半導体装置が設けられ、
　前記第１の中継基板と前記第２の中継基板との間に充填され前記半導体チップを封止する第１樹脂部と、
　前記第１樹脂部および前記内蔵半導体装置を封止する第２樹脂部とを具備し、
　前記第１樹脂部と前記第２樹脂部とは同じ樹脂からなり、
　前記内蔵半導体装置の上面は、前記第２樹脂部の上面から露出していることを特徴とする半導体装置。」
とあったところを、
「【請求項１】
　上面に凹部を有する第１の中継基板と、
　前記第１の中継基板の前記凹部内に搭載された半導体チップ
であって、その上面と前記第１の中継基板の前記凹部が形成されていない部分の上面が電気的に接続されている半導体チップ
　前記半導体チップ上方に、前記第１の中継基板と接続端子を介し搭載された第２の中継基板とを具備し、
　前記第２の中継基板上には、内蔵半導体装置が設けられ、
前記第１の中継基板の前記凹部の底部の厚さが前記第２の中継基板の厚さより薄く、
　前記第１の中継基板と前記第２の中継基板との間に充填され前記半導体チップ
、及び前記半導体チップと前記第２の中継基板との間隙
　前記第１樹脂部および前記内蔵半導体装置を封止する第２樹脂部とを具備し、
　前記第１樹脂部と前記第２樹脂部とは同じ樹脂からなり、
　前記内蔵半導体装置の上面は、前記第２樹脂部の上面から露出していることを特徴とする半導体装置。」
とするものである。
２．新規事項の検討
　
　本件補正は、「前記第１の中継基板の前記凹部の底部の厚さが前記第２の中継基板の厚さより薄く」の補正事項を含むものである。
　この補正事項について、審判請求人は、審判請求書において「かかる補正は、出願当初の明細書段落００２０、００２６の記載及び図１−９などに基づいてなされた」旨を主張している。
　以下、当該補正事項について検討する。
　本願明細書の段落【００２０】には「図１は実施例１に係る半導体装置の断面図である。図１を参照に、ガラスエポキシ等の絶縁体からなる中継基板１０の上面に凹部１２が設けられている。
中継基板１０の厚さ
凹部１２の深さ
半導体チップ２０と内蔵半導体装置５０との間隔ｔ２を、凹部１２の深さｔ１分大きくする
中継基板１０と内蔵半導体装置５０との間隔ｔ３を小さくする
　以上によれば、段落【００２０】の記載から「中継基板１０の厚さ」及び「凹部１２の深さ」について、段落【００２６】の記載から「半導体チップ２０と内蔵半導体装置５０との間隔を凹部１２の深さ分大きくする」こと及び「中継基板１０と内蔵半導体装置５０との間隔を小さくする」こと、については記載されているものの、「第１の中継基板１０の前記凹部１２の底部の厚さが前記第２の中継基板３０の厚さより薄くする」ことについては、直接的な記載もこれを示唆する記載もない。また、概略図である図１乃至９から「第２の中継基板の厚さ」を特定できるものでもない。
　そして、本願明細書のその他の記載を参酌しても、第２の中継基板の厚さについての記載はない。
  
　したがって、本件補正は、本願の願書に最初に添付された明細書または図面に記載した事項の範囲内においてしたものでなく、特許法第１７条の２第３項の規定に違反してなされたものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
３．独立特許要件の予備的判断
　
（１）本件補正の目的
　上記「２．新規事項の検討」で示したように、本件補正は新規事項が追加されたと判断されるものの、仮に各中継基板の凹部を設けない部分の厚さが同じことが自明であり、「前記第１の中継基板の前記凹部の底部の厚さが前記第２の中継基板の厚さより薄く」が新規事項でないと仮定し、本件補正は特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当するとして、補正後の請求項１に係る発明（以下、「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるかどうかについても判断を示す。
　そうすると、本件補正は、「半導体チップ」について「その上面と前記第１の中継基板の前記凹部が形成されていない部分の上面が電気的に接続されている半導体チップ」と限定し、「中継基板の厚さ」について「前記第１の中継基板の前記凹部の底部の厚さが前記第２の中継基板の厚さより薄く」と限定し、「第１樹脂部」について「及び前記半導体チップと前記第２の中継基板との間隙」を封止すると限定するものであるから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的にするものといえる。
　
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否かについて以下予備的に検討する。
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された国際公開第２００６／０９５８５２号（２００６年９月１４日国際公開、以下「引用例１」という。）には、「電子部品モジュール及びその製造方法」に関し、図面とともに以下の記載がある。なお、下線は当審で付与した。
ア．「［００１８］　図３は電子部品モジュールの上面図、図４は図３に示す電子部品モジュールのＡ−Ａ線断面図、図５は図３に示す電子部品モジュールのＢ−Ｂ線断面図、図６は電子部品モジュールをＣ方向から見た側面図である。
　
電子部品モジュールは
配線基板１と
第１の半導体素子１０及び第２の半導体素子１１と
樹脂材４とから
構成されている
［００１９］　
配線基板１は
上面
にキャビティ２が形成されている
イ．「［００２１］　また、
配線基板１の下面には外部端子３が形成され
メインボード１８と接続される
配線基板１の上面に
電極パッド５
が形成されている
　これらの内部配線導体や外部端子３、電極パッド５等は、Ａｇ、Ｃｕ、Ｗ及びＭｏ等の金属を主成分とする材料からなるものであり、例えばＡｇ系粉末、ホウ珪酸系低融点ガラスフリット、エチルセルロース等の有機バインダー、有機溶剤等を含有してなる導体ペーストを、従来周知のスクリーン印刷等によって配線基板１の各絶縁体層に対応したセラミックグリーンシート上に塗布し、焼成することによって形成される。
［００２２］　配線基板１に設けられた
キャビティ２は
凹部で
第１の半導体素子１０を収容する
　キャビティ２の開口面から底面までの深さは、例えば、収容される第１の半導体素子１０の上面が、配線基板１の上面よりも上に突出しない深さに設定される。
　キャビティ２に収容される第１の半導体素子１０は、例えば、ＳｉやＧａＡｓ等の半導体素子基板の表面に、Ａｌ等の回路配線が形成されたものである。この回路配線により、増幅回路や発振回路を構成している。」
ウ．「［００３１］　これら
第２の半導体素子１１
を被覆する
樹脂材４が、配線基板１の上面側に形成されて
　樹脂材４は、例えば、エポキシ等の樹脂材料が用いられ、第２の半導体素子１１、ＳＡＷフィルタ１２、水晶発振器１３、チップ状電子部品１４の接合強度を補強している。
　なお、本発明において樹脂材４は、必ずしも配線基板上の第２の半導体素子１１、ＳＡＷフィルタ１２、水晶発振器１３、チップ状電子部品１４等、搭載部品の全体を、完全に覆う必要はない。
［００３２］　樹脂材４は、これらの搭載部品の少なくとも一部を被覆していればよい。例えば、本実施形態においては、図４、図５に示すように、
樹脂材４は、第２の半導体素子１１の
上面を被覆していない
　また、本発明の実施形態において、
樹脂材４は
第１の半導体素子１０を被覆している
［００３３］　これによって、第１の半導体素子１０の配線基板１に対する接合強度を補強することができる。
　さらに、
第１の半導体素子１０の上面と第２の半導体素子１１の下面との間に存在する空間にも樹脂材４が充填されている
エ．「［００４９］　以上の製造法により、電子装置の組み立て工程が大幅に簡素化されるようになり、電子部品モジュールの生産性向上に供することが可能となる。
　なお、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良が可能である。
　例えば、上述した本発明に係る電子部品モジュールの実施形態において、第１、第２の半導体素子の下面に設けられる接続端子６とキャビティ底面あるいは
配線基板１の上面に設けられた電極パッド５
第１
の半導体素子の上面に設けた接続端子と電極パッド５とをワイヤボンディングにより接続するようにしてもよい
　
・上記アによれば、電子部品モジュールは、配線基板、第１の半導体素子、第２の半導体素子、及び樹脂材とから構成されている。
　
・上記ア、図４によれば、第１の半導体素子及び第２の半導体素子は配線基板に搭載され、第２の半導体素子は第１の半導体素子の上方に設けられている。
　
・上記アによれば、配線基板には上面にキャビティが形成され、上記イによれば、キャビティとは凹部であることから、配線基板は上面に凹部が形成されている。また、上記イによれば、配線基板の凹部に第１の半導体素子が収容される。
　
・上記ウによれば、樹脂材は、第１の半導体素子を被覆し、第１の半導体素子と第２の半導体素子の間に充填され、配線基板の上面側に形成されて第２の半導体素子を被覆している。但し、樹脂材は、第２の半導体素子の上面は被覆していない。
　したがって、上記摘示事項及び図面を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認める。
「上面に凹部を形成した配線基板と、
　前記配線基板の前記凹部に収容され搭載された第１の半導体素子と、
　前記配線基板に搭載され、前記第１の半導体素子の上方に設けられた第２の半導体素子と、
　前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子の間に充填され前記第１の半導体素子を被覆する樹脂材と、
　前記配線基板の上面側に形成されて第２の半導体素子を被覆する樹脂材とから構成され、
　前記樹脂材は、前記第２の半導体素子の上面を被覆していない電子部品モジュール。」
　
　
　また、原査定の拒絶の理由に引用された特開２００５−３４０４５１号公報（平成１７年１２月８日公開、以下「引用例２」という。）には、「半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器」に関し、図面とともに以下の記載がある。
オ.「【背景技術】
【０００２】
　スタックドタイプの半導体装置が開発されている。
スタックドタイプの半導体装置は
三次元的に
半導体チップの組み合わせで対応することができ
それぞれの半導体チップをインターポーザによって支持した
カ．「【００１０】
　半導体装置は、複数の第２のパッケージ３０を有する。それぞれの第２のパッケージ３０は、第２のインターポーザ３２を有する。第２のインターポーザ３２には、第１のインターポーザ１２についての説明が該当する。さらに、
第２のインターポーザ３２は、第１のインターポーザ１２と
同じ厚みで形成してもよい
キ．「【００１６】
　
第１及び第２のパッケージ１０，３０（第１及び第２のインターポーザ１２，３２）の間には
コンタクト部４８が設けられている
ク．「【００１７】
　第１及び第２のパッケージ１０，３０の間（詳しくは、
第１及び第２のインターポーザ１２，３２の間と、第１の半導体チップ１６と第２のインターポーザ３２との間）には、樹脂５０が設けられている
樹脂５０は、第１及び第２のパッケージ１０，３０の間に隙間なく充填されていてもよい
樹脂５０は、第２のインターポーザ３２の端面３３及び封止部４４の端面４６を被覆していてもよい
　
　
（３）対比・判断
　そこで、本願補正発明と引用発明とを対比する。
　
ａ．引用発明の「配線基板」及びその「凹部」は、本願補正発明の「第１の中継基板」及びその「凹部」に相当する。よって、引用発明の「上面に凹部を形成した配線基板」は、本願補正発明の「上面に凹部を有する第１の中継基板」に相当する。
　
ｂ．引用発明の凹部に収容された「第１の半導体素子」は、本願補正発明の「半導体チップ」に相当する。よって、引用発明の「前記配線基板の前記凹部に収容され搭載された第１の半導体素子」は、本願補正発明の「前記第１の中継基板の前記凹部内に搭載された半導体チップ」に相当する。
　
ｃ．引用発明の「前記配線基板に搭載され、前記第１の半導体素子の上方に設けられた第２の半導体素子」は、本願補正発明の「内蔵半導体装置」に相当し、第１の半導体素子（本願発明の半導体チップに相当。）の上方に設けられたものである点で共通する。但し、本願補正発明の内蔵半導体装置は「第２の中継基板」上に設けられているが、引用発明には「第２の中継基板」に相当する構成の記載はない。
　
ｄ．引用発明の「前記第１の半導体素子と前記第２の半導体素子の間に充填され前記第１の半導体素子を被覆する樹脂材」は、本願補正発明の「半導体チップを封止する第１樹脂部」に相当する。
　
ｅ．引用発明の「前記配線基板の上面側に形成されて第２の半導体素子を被覆する樹脂材」は、引用例１の図４や図５を参照すると上記ｄの樹脂材（本願補正発明の第１樹脂部に相当。）と繋がっており、また、第２の半導体素子（本願補正発明の内蔵半導体装置に相当。）を封止しているものといえるから、本願補正発明の「前記第１樹脂部および前記内蔵半導体装置を封止する第２樹脂部」に相当する。
　また、引用発明の「前記樹脂材は、前記第２の半導体素子の上面を被覆していない」点は、本願補正発明の「前記内蔵半導体装置の上面は、前記第２樹脂部の上面から露出している」点に相当する。
　
ｆ．「上記ｄの樹脂材」（本願補正発明の第１樹脂部に相当。）と「上記ｅの樹脂材」（本願補正発明の第２樹脂部に相当。）は、引用例１の記載を全体的に参酌しても別の樹脂材とはなっておらず（引用例１において、全ての樹脂材は「樹脂材４」として説明されている。）、同じ樹脂材であると解せるから、引用発明の「樹脂材」は、本願補正発明の「前記第１樹脂部と前記第２樹脂部とは同じ樹脂からなり」に相当する。
ｇ．引用発明の「電子部品モジュール」は、本願補正発明の「半導体装置」に相当する。
　よって、本願補正発明と引用発明とは、
「上面に凹部を有する第１の中継基板と、
　前記第１の中継基板の前記凹部内に搭載された半導体チップと、
　前記半導体チップ上方に、内蔵半導体装置が設けられ、
　前記半導体チップを封止する第１樹脂部と、
　前記第１樹脂部および前記内蔵半導体装置を封止する第２樹脂部とを具備し、
　前記第１樹脂部と前記第２樹脂部とは同じ樹脂からなり、
　前記内蔵半導体装置の上面は、前記第２樹脂部の上面から露出していることを特徴とする半導体装置。」
である点で一致し、以下の点で相違する。
（相違点１）
　半導体チップの接続について、本願補正発明は「その上面と前記第１の中継基板の前記凹部が形成されていない部分の上面が電気的に接続されている」のに対し、引用発明にはそのような特定がなされていない点。
（相違点２）
　第２の中継基板について、本願補正発明は「前記半導体チップ上方に、前記第１の中継基板と接続端子を介し搭載された第２の中継基板とを具備し」ているのに対し、引用発明には「第２の中継基板」の構成が特定されていない点。
（相違点３）
　中継基板の厚さについて、本願補正発明は「前記第１の中継基板の前記凹部の底部の厚さが前記第２の中継基板の厚さより薄」いのに対し、引用発明にはそのような特定がなされていない点。
（相違点４）
　第１樹脂部について、本願補正発明は、「前記第１の中継基板と前記第２の中継基板との間に充填され前記半導体チップ、及び前記半導体チップと前記第２の中継基板との間隙を封止」するのに対し、引用発明は「第１の半導体素子と第２の半導体素子の間に充填され前記第１の半導体素子を被覆」しているものの「第２の中継基板」の構成が特定されていない点。
　上記相違点について検討する。
＜相違点１について＞
　引用例１には、配線基板１の上面に電極パット５が形成されていること、また、第１の半導体素子の上面に設けられた接続端子と電極パット５とをワイヤボンディングにより接続するようにしてもよいこと（上記エを参照。）が記載されている。
　したがって、引用発明において、第１の半導体素子と配線基板との接続形態を相違点１の構成とすることは当業者が適宜なし得た事項である。
＜相違点２について＞
　インターポーザに半導体チップを搭載したものを複数組積層することは、例えば引用例２に記載されているようにスタックドタイプの半導体装置として周知である。ここで、上記引用例２には、それぞれの半導体チップをインターポーザによって支持すること（上記オを参照。）、第１インターポーザ及び第２のインターポーザの間にコンタクト部が設けられていること（上記キを参照。）が記載されており、「第１のインターポーザ」、「第２のインターポーザ」、「コンタクト部」は、本願補正発明の「第１の中継基板」、「第２の中継基板」、「接続端子」にそれぞれ相当する。
　したがって、引用発明において、第２の半導体素子に代えて引用例２に記載された周知のインターポーザによって支持された半導体素子構造とし、相違点２の構成とすることは当業者が容易に想到できたものである。
＜相違点３について＞
　スタックドタイプの半導体装置において、積層される複数のインターポーザを同じ厚みで形成することは、例えば引用例２の上記カに記載されているように適宜設計し得る事項である。
　そして、本願補正は、各中継基板（凹部を設けない部分）の厚さが同じことが自明であることを前提として「前記第１の中継基板の前記凹部の底部の厚さが前記第２の中継基板の厚さより薄く」が新規事項でないと仮定したのであるから、＜上記相違点２について＞で検討したように、引用発明において、第２の半導体素子をインターポーザによって支持された半導体素子構造とした際に、配線基板（第１の半導体素子のインターポーザ）を第２の半導体素子のインターポーザと同じ厚さにすることは容易になし得るところ、当該配線基板には凹部が設けられているから、当該凹部の厚さは第２のインターポーザの厚さより薄くなるようにすること（相違点３の構成）は当業者が適宜なし得たものである。
＜相違点４について＞
　引用例２の上記クによれば、第１及び第２のインターポーザの間、及び、第１の半導体チップと第２のインターポーザとの間に樹脂を設ける技術が記載されている。ここで、引用例２に記載された「第１の半導体チップ」「樹脂」は、本願補正発明の「半導体チップ」「第１樹脂部」にそれぞれ相当している。
　したがって、＜上記相違点２について＞で検討したように、引用発明の「第２の半導体素子」（本願補正発明の内蔵半導体装置に相当。）に代えてインターポーザによって支持された半導体素子構造とし、その際、相違点４の構成とすることは当業者が容易に想到できたものである。
　
　なお、審判請求人は、審判請求書において「平成２５年６月２６日付け意見書でも述べたように、引用例１における配線基板１は本願発明１、２の中継基板に対応するものではありません。引用例１における配線基板１は複数の電気部品、たとえば、ＲＦＩＣ１０、制御用ＩＣ１１、ＳＡＷフィルタ１２、水晶発振器１３、チップ状電気部品１４などが所定の位置に搭載される回路基板（明細書段落００３０を参考）であり、引用例２の段落００３９及び図１８に記載された回路基板１０００に対応するものと考えます」と主張している。
　しかしながら、引用例１の上記イ（段落［００２１］）には、「また、配線基板１の下面には外部端子３が形成され、これらの外部端子３を通じて、メインボード１８と接続される。」と記載され、配線基板１は、メインボードに搭載されるものであり、本願補正発明の「第１の中継基板」に対応しているといえるから、請求人の上記主張は採用することができない。
　そして、本願補正発明が奏する効果は、引用例１及び２から当業者が十分に予測できたものであって、格別顕著なものとはいえない。
（４）むすび
　以上のとおり、本願補正発明は、引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するものであるから、同法第１５９条第１項で読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明
　
１．本願発明の認定
　平成２６年７月３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１乃至６に係る発明は、平成２４年８月１６日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１乃至６に記載された事項により特定されたものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、上記「第２　１．」に本件補正の前の請求項１として記載したとおりのものである。
２．引用例
　原査定の拒絶の理由で引用された引用例１及び２の記載事項は、前記「第２　３.（２）」に記載したとおりである。
３．対比・判断
　本願発明は、本願補正発明における上記（相違点１）及び（相違点３）に係る限定（構成）を削除したものである。
　そうすると、本願発明の構成要素を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「第２　３．（３）」に記載したとおり、引用例１及び２に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１及び２に記載された発明により当業者が容易に発明をすることができたものである。
４．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。したがって、本願は、その余の請求項について言及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。