【事件の表示】
　平成　６年特許願第２８００９５号「表示装置」拒絶査定に対する審判事件［平成　８年　５月１７日出願公開、特開平　８−１２２７６８］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は平成６年１０月１９日の出願であって、平成１３年９月１０日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年１０月１８日付で拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１３年１１月１９日付けで、特許法第１７条の２第１項第３号の規定による手続補正がなされたものである。
　
２．平成１３年１１月１９日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　 平成１３年１１月１９日付の手続補正を却下する。
［理由］
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「【請求項１】　マトリクス状に配置した画素電極を有する駆動基板と、対向電極を有し所定の間隙を介して該駆動基板に接合した対向基板と、該間隙に保持された電気光学物質とを備えた表示装置であって、
　前記駆動基板は、該画素電極を個々にスイッチング駆動する複数の薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタを被覆する第１層間絶縁膜と、その上にパタニング形成され且つ該薄膜トランジスタに接続する配線電極と、該配線電極を被覆する第２層間絶縁膜と、その上にパタニング形成され下方の薄膜トランジスタを遮光するブラックマトリクスとを有し、さらに
　前記駆動基板は該画素電極及びそのスイッチング駆動用の薄膜トランジスタを包含する画素アレイ部と、該画素アレイ部を動作させる駆動回路を包含する周辺部とに区分されており、
　前記対向基板は該周辺部に整合するブラックマスクを備え、
　前記駆動基板側に設けられたブラックマトリクスは該画素アレイ部に含まれる薄膜トランジスタの領域に加えて、該駆動回路を除く周辺部の領域にも延在する一方、前記対向基板側に設けられたブラックマスクは該駆動回路の領域のみを選択的に遮光する事を特徴とする表示装置。」
と補正された。
　上記補正は、補正前の請求項１（平成１３年７月１６日付手続補正書）に記載した駆動基板側に設けられたブラックマトリクス及び対向基板側に設けられたブラックマスクをさらに限定するものであって、特許法第１７条の２第３項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とし、願書に添付した明細書に記載された事項の範囲内においてするものであり、実質上特許請求の範囲を拡張又は変更するものではない。　
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本件補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて検討する。
　
（１）引用例記載の発明
　原審における拒絶理由に引用された、この出願前公知の刊行物である特開平５−２５７１６４号公報（以下、「引用例１」という。）には、
「【０００２】
　【従来の技術】近年、液晶等を表示媒体として用いたアクティブマトリクス表示装置が、活発に研究されている。中でも、液晶を用いたアクティブマトリクス型の表示装置は平面ディスプレイとして研究され、その成果も着実に上がっている。このようなアクティブマトリクス型液晶表示装置は、絵素電極、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等が形成されたアクティブマトリクス基板と、対向電極が形成された対向基板と、これらを対向させた間に封入された液晶層とによって構成されている。・・・
【００２５】
　【実施例】
　図３にアクティブマトリクス表示装置の平面模式図を示す。
【００２６】
　この表示装置は、ガラス等の絶縁膜基板１１上にゲート駆動回路５４、ソース駆動回路５５及びＴＦＴアレイ部５３が形成されている。　
【００２８】
　図１は本実施例のアクティブマトリクス基板における絵素１個分の平面図を示す。図２は図１におけるＡ−Ａ’に沿った断面図である。このアクティブマトリクス基板の構成を、製造工程に従って説明する。
【００２９】
　まず、絶縁性基板１１上に、例えばＣＶＤ法によって多結晶Ｓｉからなる半導体層３０をパターン形成した後、基板１１上の全面にゲート絶縁膜１３となる絶縁膜を形成した。・・・
【００３０】
　次に、低抵抗の多結晶Ｓｉを付着し・・・次いで、上記ゲート電極３ａ及び３ｂをマスクとし、かつフォトリソグラフィー法によって形成されたマスクを用いて半導体層３０のゲート電極の下方以外の部分にイオン注入を行う。これにより、半導体層３０にチャネル層１２ａ、１２ｂが形成される。
【００３１】
　その後、この基板上の全面に第１層間絶縁膜１４を、例えば７００ｎｍの厚さに形成した。次に、第１層間絶縁膜１４の所定箇所にコンタクトホール７ａ、７ｂ及びコンタクトホール７ｃを形成した。各コンタクトホール７ａ、７ｂ、７ｃは、それぞれソース電極２３、ドレイン電極２４、付加容量共通配線８の上に配設されている。
【００３２】
　次に、ソースバス配線２及び、金属層１０ａ、１０ｂ、１０ｃ等をＡｌ等の低抵抗の金属を用いて同時に形成した。このとき、金属層１０ａ、１０ｂ、１０ｃは、それぞれコンタクトホール７ａ、７ｂ、７ｃを埋めるように形成され、ソース電極２３、ドレイン電極２４、付加容量共通配線８と接続される。第１層間絶縁膜１４の上に飛び出している金属層１０ａ、１０ｂ、１０ｃの層厚は、例えば６００ｎｍである。なお、金属層１０ａはソースバス配線２から分岐させた部分であり、ソースバス配線２は金属層１０ａ及びコンタクトホール７ａを介してソース電極２３に接続される。
【００３３】
　次に、この基板上の全面に第２層間絶縁膜１７を、例えばＣＶＤ法によって６００ｎｍの厚さに形成した。次に、第２層間絶縁膜１７にコンタクトホール９ｂ、９ｃを形成した。コンタクトホール９ｂはドレイン電極を接続するためのものであり、コンタクトホール９ｃは遮光膜１５と付加容量共通配線８を電気的に接続するためのものである。
【００３４】
　次に、遮光膜１５を、ＴＦＴ２５の上部の他、コンタクトホール９ｂ、９ｃを埋めるようにパターン形成した。・・・なお、遮光膜１５は、上述のＴｉ−Ｗ合金の他に、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏなどの金属を使用できる。・・・
【００３５】
　その後、第３の層間絶縁膜１８を２００ｎｍ形成し、コンタクトホール１６ｂをあけて絵素電極４を形成した。」
と記載されている。
　また、上記記載事項並びに図２及び図３から、
「アクティブマトリクス型液晶表示装置において、絶縁性基板１１上に形成されたＴＦＴ２５を被覆する第１層間絶縁膜１４と、その上にパタニング形成され且つ該ＴＦＴ２５に接続する金属層１０ａ、１０ｂ、１０ｃと、該金属層１０ａ、１０ｂ、１０ｃを被覆する第２層間絶縁膜１７と、その上にパタニング形成され下方のＴＦＴ２５を遮光する遮光膜１５と、さらにその上に被覆された第３層間絶縁膜１８を介して絵素電極４が形成されていること、及び前記絶縁性基板１１は、マトリクス状に配置した絵素電極を個々にスイッチング駆動するＴＦＴ２５を含むＴＦＴアレイ部５３と、ゲート駆動回路５４、ソース駆動回路５５を含む周辺部とに区分されていること」（以下、「引用発明」という。）がみてとれる。
　
　同じく、特開平６−１７５１５７号公報（以下、「引用例２」という。）には、
「【請求項１】
  透明絶縁性基板上に、薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴと称す）素子を有する画素をマトリックス状に構成するアクティブ・マトリックス型液晶表示装置に於いて、ＴＦＴ基板上に遮光層を形成することにより、画像表示領域外周部に見切りを有することを特徴とするアクティブ・マトリックス型液晶表示装置。
【０００７】
  ・・・前記第２層間絶縁膜上に金属あるいは金属化合物をスパッタ法等により堆積し、フォトリソグラフィ法によりパターニングして遮光層１を形成する。前記遮光層は、画像表示領域外周部の見切りだけでなく、図３（ｃ）のように画像表示領域中のデータ線やゲート線上を遮光することも可能である。前記遮光層としては、Ａｌ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ等の金属薄膜や、ＭｏＳｉX，ＷＳｉX等の金属化合物薄膜の他に、黒色系の有機薄膜を用いても良い。・・・」
と記載されている。
　また、図１には、アクティブマトリックス型液晶表示装置の平面構成が示され、画像表示領域外周部に遮光層１が設けられ、ゲート線駆動用ドライバ、データ線駆動用ドライバ上には遮光層が設けられていないものが示されており、図３（ｃ）には、透明絶縁性基板９上に形成したＴＦＴの上に第１及び第２層間絶縁膜１６、１８を介して遮光層１がパターニングされたものが図示されている。
　
（２）対比
　本件補正発明と上記引用発明とを対比する。
　引用発明の「絵素電極」、「絶縁膜基板１１」、「ゲート駆動回路５４、ソース駆動回路５５」、「ＴＦＴ」、「遮光膜１５」、「アクティブマトリックス型液晶表示装置」は、
　本件補正発明の「画素電極」、「駆動基板」、「駆動回路」、「薄膜トランジスタ」、「ブラックマトリクス」、「表示装置」に各々相当する。
　また、引用発明の「金属層１０ａ、１０ｂ、１０ｃ」の内、金属層１０ａは、ソースバス配線２から分岐させた部分である（前掲【００３２】参照。）ことからみても、本件補正発明の「配線電極」に相当する。
　さらに、引用発明の「ＴＦＴアレイ部５３」が、本件補正発明の「画素アレイ部」に対応するものであること、及び、引用発明の液晶表示装置が、その従来技術に示されているように、駆動基板と接合した対向基板との間隙に保持した電気光学物質（液晶）を備えたものであることは、当業者に明らかである。
　よって、両者は、
「マトリクス状に配置した画素電極を有する駆動基板と、対向電極を有し所定の間隙を介して該駆動基板に接合した対向基板と、該間隙に保持された電気光学物質とを備えた表示装置であって、前記駆動基板は、該画素電極を個々にスイッチング駆動する複数の薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタを被覆する第１層間絶縁膜と、その上にパタニング形成され且つ該薄膜トランジスタに接続する配線電極と、該配線電極を被覆する第２層間絶縁膜と、その上にパタニング形成され下方の薄膜トランジスタを遮光するブラックマトリクスとを有し、さらに前記駆動基板は該画素電極及びそのスイッチング駆動用の薄膜トランジスタを包含する画素アレイ部と、該画素アレイ部を動作させる駆動回路を包含する周辺部とに区分されている表示装置。」で一致し、下記の点で相違する。
（相違点）　本件補正発明は、前記対向基板が該周辺部に整合するブラックマスクを備え、前記駆動基板側に設けられたブラックマトリクスは該画素アレイ部に含まれる薄膜トランジスタの領域に加えて、該駆動回路を除く周辺部の領域にも延在する一方、前記対向基板側に設けられたブラックマスクは該駆動回路の領域のみを選択的に遮光するのに対して、引用発明は、この構成を有しない点。
　
（３）判断
　上記相違点に付き検討する。
　先ず、駆動基板側に設けられたブラックマトリクス（遮光層）が、画素アレイ部に含まれる薄膜トランジスタの領域に加えて、該駆動回路を除く周辺部の領域（画像表示領域外周部）にも延在することは、引用例２に記載されているから、これを引用発明に適用することになんら困難性はない。
　また、駆動回路に光が当たって誤動作することを防ぐことを目的とし、対向基板側に、駆動回路に対向する領域に遮光層（ブラックマスク）を設けることは、従来周知の事項（例えば、実願平２−４５０８５号（実開平４−６０３０号）のマイクロフィルム及び特開平６−２８９４１３号公報参照。）である。そして、その遮光層は、上記目的を達成するに必要十分な大きさであればよいことは明らかであるから、本件補正発明のように、駆動回路の領域のみを選択的に遮光することは、当業者が適宜なしうる設計変更に過ぎない。　
　なお、請求人は、審判請求の理由において、本発明は、額縁状の周辺領域を駆動基板側のブラックマトリクスと対向基板側のブラックマスクとの組合せで遮蔽している点で引用例のものとは相違している旨主張する。しかし、液晶表示装置における遮光層を駆動基板側と対向基板側に分離し、補完的に遮光することは、原査定の拒絶理由に引用した刊行物である、国際公開第９３／１１４５５号パンフレットの第１２図及び第１７図等に記載されているから、これを周辺領域の遮光に適用することに格別困難性はない。
　そして、本件補正発明の効果は、引用例１，２及び従来周知の事項から当業者が予測し得る程度のもので、格別とはいえない。
　したがって、本件補正発明は、引用発明のＴＦＴアレイ部（画素アレイ部または表示領域）の外周部（周辺部）に引用例２に記載の遮光層を設けるとともに、駆動回路の遮光については、上記従来周知の事項を適用することにより、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反してなされたものであるから、特許法第１５９条第１項の規定により準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願についての当審の判断
　ア）本願発明
　平成１３年１１月１９日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成１３年７月１６日付手続補正書により補正された明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜７に記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明は以下のとおりのものである。
「【請求項１】　マトリクス状に配置した画素電極を有する駆動基板と、対向電極を有し所定の間隙を介して該駆動基板に接合した対向基板と、該間隙に保持された電気光学物質とを備えた表示装置であって、
　前記駆動基板は、該画素電極を個々にスイッチング駆動する複数の薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタを被覆する第１層間絶縁膜と、その上にパタニング形成され且つ該薄膜トランジスタに接続する配線電極と、該配線電極を被覆する第２層間絶縁膜と、その上にパタニング形成され下方の薄膜トランジスタを遮光するブラックマトリクスとを有し、さらに
　前記駆動基板は該画素電極及びそのスイッチング駆動用の薄膜トランジスタを包含する画素アレイ部と、該画素アレイ部を動作させる駆動回路を包含する周辺部とに区分されており、
　前記対向基板は該周辺部に整合するブラックマスクを備えている事を特徴とする表示装置。」
　
　イ）刊行物記載の発明
　原査定の拒絶理由に引用された、本願出願前公知の刊行物である特開平５−２５７１６４号公報（以下、「引用例１」という。）には、上記２．（１）引用例記載の発明に記載した事項が記載されている。
　　
　ウ）対比・判断
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記本件補正発明に比べて、「前記駆動基板側に設けられたブラックマトリクスは該画素アレイ部に含まれる薄膜トランジスタの領域に加えて、該駆動回路を除く周辺部の領域にも延在する一方、前記対向基板側に設けられたブラックマスクは該駆動回路の領域のみを選択的に遮光する事」という構成要件を欠くもので、その他の構成を全て備えている。
　したがって、本願発明は、上記構成要件に関する事項（引用例２の記載事項に相当する。）を除き、本件補正発明に対すると同様の理由により、引用例１に記載された発明及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
４．むすび
  以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明及び従来周知の事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。