【事件の表示】
　特願２０１１−１０４５９１「太陽電池」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年１１月２９日出願公開、特開２０１２−２３５０７１〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２３年５月９日の出願であって、平成２５年３月１１日付けで拒絶理由が通知され、同年５月１５日付けで意見書が提出されたが、同年７月１８日付けで拒絶査定がなされた。本件は、これに対して、平成２５年１０月１６日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、平成２５年１２月６日付けで、審判請求人に前置報告の内容を示し意見を求めるための審尋を行ったところ、平成２６年２月３日付けで回答書が提出された。
　さらに、当審において、平成２６年７月２３日付けで拒絶理由が通知され、同年９月２５日付けで意見書が提出された。
　
　
第２　特許法第３６条第４項第１号（実施可能要件）について
１．当審で通知した拒絶理由
　当審が平成２６年７月２３日付けで通知した拒絶理由において、以下のとおり、拒絶理由を通知している。
　
「この出願は、発明の詳細な説明の記載が下記の点で、特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 記
　
　本願の特許請求の範囲の請求項１には、「前記超格子半導体層の厚さ方向と前記超格子半導体層の厚さ方向に直交する方向との両方に中間バンドが形成されるように積層された積層構造」との記載があり、本願の特許請求の範囲の請求項１及び該請求項１を引用する請求項２に係る発明は、「前記超格子半導体層の厚さ方向と前記超格子半導体層の厚さ方向に直交する方向との両方に中間バンドが形成されるように積層された積層構造」という発明特定事項を有する。
　この発明特定事項のうち、「超格子半導体層の厚さ方向に直交する方向」「に中間バンドが形成されるように積層された積層構造」という発明特定事項（以下「発明特定事項１」という。）について、当業者が、本願の出願時に、本願の発明の詳細な説明の記載に基づいて、発明特定事項１を実施することができるか否かついて、以下に検討する。
　
　まず、本願の明細書及び図面の全記載を参照すると、超格子半導体層の厚さ方向に直交する方向に中間バンドが形成されるためには、障壁層がＧａＡｓから、量子ドットがＩｎｘＧａ１−ｘＡｓからなる積層構造においては、3.2 ln(ｒａ)＋ｒｂ≦８．９（ｒａ：超格子半導体層の厚さ方向に直交する方向の量子ドットの直径、ｒｂ：超格子半導体層の厚さ方向に直交する方向の隣接する２つの量子ドットの間隔）を満たす量子ドット層が必要であると認められる。
　
　これに対して、本願の明細書及び図面の全記載を検討すると、発明特定事項１を実施する方法が記載されているのは、段落【００３７】〜【００４０】（特に、【００３７】〜【００３８】）のみであって、以下のように記載されている。
・・・（中略）・・・
　この記載によると、「量子ドット層１０」は、Ｓｔｒａｎｓｋｉ―Ｋｒａｓｔａｎｏｖ（Ｓ―Ｋ）成長と呼ばれる方法（以下、単に「Ｓ―Ｋ成長法」という。）、あるいは、フェリチンと中性粒子ビームを用いたバイオナノプロセス法（以下、単に「バイオナノプロセス法」という。）で形成することができるとされている。
　しかし、本願の明細書及び図面には、Ｓ―Ｋ成長法、バイオナノプロセス法の具体的な内容については、一切記載されていない。
　また、本願の出願時に、Ｓ―Ｋ成長法やバイオナノプロセス法で、3.2 ln(ｒａ)＋ｒｂ≦８．９を満たす量子ドット層を作成する方法が、当業者の技術常識であったとも認められない。
　逆に、特開２０１２−８９７５６号公報（出願日：平成２２年１０月２１日）の「超格子半導体層１０に含まれる超格子構造は、例えば、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法や有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）等を用いて形成することができるが、これらの方法を用いた現状の量子ドット作製技術では、ｘｙ方向の量子ドット間で電子的結合が起きる密度を形成することはできていない。」（段落【００２５】）、特開２０１２−４９１８６号公報（出願日：平成２２年８月２４日）の「このようなＳＫモードによって量子ドットを生成する場合には，結晶成長中の自己組織化現象を利用するので，量子ドットが生成される位置を制御することは非常に難しいという問題があった。」（段落【０００４】）等という記載を参照すれば、本願の出願時、当業者には、Ｓ―Ｋ成長法により、3.2 ln(ｒａ)＋ｒｂ≦８．９を満たす量子ドット層を作成することはできないという認識であったといえる。
　
　すると、本願の明細書及び図面の記載に加え、本願の出願時の技術常識を考慮しても、本願の出願時に、当業者が、本願の発明の詳細な説明の記載に基づいて、発明特定事項１を実施することができたとは認められない。
　
　よって、この出願の発明の詳細な説明は、当業者が請求項１、２に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでない。」
　
２．本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２５年１０月１６日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「ｐ型半導体層と、ｎ型半導体層と、前記ｐ型半導体層と前記ｎ型半導体層とに挟まれた超格子半導体層とを備え、
前記超格子半導体層は、障壁層と、前記障壁層を構成する半導体材料に囲まれた量子ドットからなる量子ドット層とが複数回交互に積層され、かつ、前記超格子半導体層の厚さ方向と前記超格子半導体層の厚さ方向に直交する方向との両方に中間バンドが形成されるように積層された積層構造を有し、
前記障壁層は、ＧａＡｓからなり、
前記量子ドット層は、ＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．４≦ｘ≦１．０）からなり、
前記ｐ型半導体層は、ｐ−ＧａＡｓからなり、
前記ｎ型半導体層は、ｎ−ＧａＡｓからなり、
前記量子ドット層は、前記超格子半導体層の厚さ方向に直交する方向の前記量子ドットの直径をｒａとし、前記超格子半導体層の厚さ方向に直交する方向の隣接する２つの前記量子ドット間の距離をｒｂとしたとき、3.2 ln(ｒａ)＋ｒｂが８．９以下であることを特徴とする太陽電池。」
　
　上記のとおり、本願発明は「前記超格子半導体層の厚さ方向と前記超格子半導体層の厚さ方向に直交する方向との両方に中間バンドが形成されるように積層された積層構造を有し、」という発明特定事項を有する。
　この発明特定事項について、本願の明細書及び図面の全記載を参照すると、超格子半導体層の厚さ方向に直交する方向に中間バンドが形成されるためには、障壁層がＧａＡｓから、量子ドットがＩｎｘＧａ１−ｘＡｓ（０．４≦ｘ≦１．０）からなる積層構造においては、本願発明の発明特定事項である「前記量子ドット層は、前記超格子半導体層の厚さ方向に直交する方向の前記量子ドットの直径をｒａとし、前記超格子半導体層の厚さ方向に直交する方向の隣接する２つの前記量子ドット間の距離をｒｂとしたとき、3.2 ln(ｒａ)＋ｒｂが８．９以下である」構成が必要であると認められる。
　そこで、本願発明の「前記超格子半導体層の厚さ方向と前記超格子半導体層の厚さ方向に直交する方向との両方に中間バンドが形成されるように積層された積層構造を有し、前記量子ドット層は、前記超格子半導体層の厚さ方向に直交する方向の前記量子ドットの直径をｒａとし、前記超格子半導体層の厚さ方向に直交する方向の隣接する２つの前記量子ドット間の距離をｒｂとしたとき、3.2 ln(ｒａ)＋ｒｂが８．９以下である」という発明特定事項（以下、単に「発明特定事項１」という。）について、本願の発明の詳細な説明に、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるか否かを、以下に、検討する。
　
３．本願の発明の詳細な説明
　本願の発明の詳細な説明には、量子ドット層を作成する方法についての記載は、
「【００３７】
　超格子半導体層８に含まれる超格子構造は、例えば、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）法や有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）等を用いて形成することができる。一般的には、Ｓｔｒａｎｓｋｉ―Ｋｒａｓｔａｎｏｖ（Ｓ―Ｋ）成長と呼ばれる方法で量子ドットを成長させることができる。上記手法の材料構成比を変えることで量子ドットの混晶比を調整することができ、原材料・成長温度・圧力・堆積時間等を変えることによって量子ドットのサイズを調整することができる。また、量子ドット層１０は、フェリチンと中性粒子ビームを用いたバイオナノプロセス法などにより形成することもできる。
　【００３８】
太陽電池の製造方法
　以下、図３に示した本実施形態の太陽電池３０の製造方法を具体的に説明する。
　まず、ｐ型半導体層２であるｐ−ＧａＡｓ基板を有機系洗浄液で洗浄した後、硫酸系エッチング液によってエッチングし、さらに１０分間流水洗浄を施した後、ＭＯＣＶＤ装置内に支持する。このｐ型半導体層２であるｐ−ＧａＡｓ基板の上にバッファー層２３として３００ｎｍのｐ+−ＧａＡｓ層を形成する。バッファー層２３は、その上に形成すべき光吸収層の結晶性を向上させるための層である。続いてｐ+−ＧａＡｓバッファー層２３上に３００ｎｍのｐ−ＧａＡｓベース層２４および障壁層６となる１ｎｍのＧａＡｓ層を結晶成長させた後、ＳＫ成長法などの自己組織化機構を用いてＩｎＡｓ（ｘ＝１）の量子ドット５を含む量子ドット層１０を形成する。」
という記載のみである。
　この記載によると、量子ドット層の作成方法として、Ｓｔｒａｎｓｋｉ―Ｋｒａｓｔａｎｏｖ（Ｓ―Ｋ）成長と呼ばれる方法（以下、単に「Ｓ―Ｋ成長法」という。）、あるいは、フェリチンと中性粒子ビームを用いたバイオナノプロセス法（以下、単に「バイオナノプロセス法」という。）の２つの方法が記載されている。
　しかし、この記載には、3.2 ln(ｒａ)＋ｒｂ≦８．９を満たす量子ドット層を作成するために、「Ｓ―Ｋ成長法」あるいは「バイオナノプロセス法」を具体的にどのように用いればよいかは全く示されていないことは明らかである。
　また、本願の出願時に、Ｓ―Ｋ成長法やバイオナノプロセス法で、3.2 ln(ｒａ)＋ｒｂ≦８．９を満たす量子ドット層を作成する方法が、当業者の技術常識であったとも認められない。
　
４．審判請求人の主張
　審判請求人は、平成２６年９月２５日付け意見書において、
「「超格子半導体層の厚さ方向に直交する方向に中間バンドが形成されるように積層された積層構造」という発明特定事項１は、本願の明細書及び図面の記載に加え本願の出願時の技術常識を考慮して、本願の出願時に当業者が本願の発明の詳細な説明の記載に基づいて実施することができたものです。」と主張し、出願時の技術常識を立証するための資料として、参考資料１〜６及び補足資料１を提示している。
　審判請求人は、これらの資料に基づき、Ｓ―Ｋ成長法、バイオナノプロセス法について、概ね、以下のように主張している。
　
（ａ）Ｓ―Ｋ成長法、バイオナノプロセス法について
「Ｓ−Ｋ成長法やバイオナノプロセス法は例えば参考資料１に示されるように、ごく一般的な量子ドット層の作製手法であり、その方法を特別な形ではなく普通に実行することで、本願の量子ドット層を作製することができます。」
　
（ｂ）バイオナノプロセス法について
「また、参考資料２にフェリチンと中性粒子ビームを用いたバイオナノプロセスによって、２次元的に高度に整列した（例えば参考資料２のp4左段7行目に記載）量子ドット層を作製した例が示されています。
　参考資料２中の、量子ドット直径が6.4nm、ドット中心間距離が12.2nmとの記述から、この例ではra=6.4nm, rb=5.8nmであり3.2 ln(ｒａ)＋ｒｂ≦８．９を満たすことができません。
　しかし、出願後の2012年に公知となった参考資料４では、フェリチンよりもサイズの小さなリステリアフェリチン（参考資料３参照 (資料中ではLiDpsと記載）)と中性粒子ビームを用いたバイオナノプロセスによって、高密度量子ドット層が作製されており、この量子ドット層は本願の関係式を満たしています。フェリチンとリステリアフェリチンはサイズが異なる点以外に大きな違いはありません。
　
　従って、本願出願時の技術常識を考慮して、当業者は、本願の発明の詳細な説明の記載に基づいて、フェリチンを用いたナノバイオプロセスを用いて発明特定事項１を実施することができたと考えられます。」
　
（ｃ）Ｓ―Ｋ成長法について
「また、補足資料１に示されたように、Ｓ−Ｋ成長については年を経るにつれて量子ドット層密度の増大および量子ドットサイズの微細化の傾向が知られており、出願当時には3.2 ln(ｒａ)＋ｒｂ≦８．９の領域に近接するra=15, rb=1nmの領域に到達しています。参考までに、本願の出願後の2013年に公知となった参考資料６では、実際に3.2 ln(ｒａ)＋ｒｂ≦８．９を満たすような量子ドット層を作製することができています。」
　
　以下、上記主張（ａ）〜（ｃ）について、検討する。
（ａ）について
　参考資料１にも示されるように、Ｓ―Ｋ成長法及びバイオナノプロセス法自体は、本願の出願時において、当業者には周知の技術であったが、Ｓ―Ｋ成長法及びバイオナノプロセス法により、3.2 ln(ｒａ)＋ｒｂ≦８．９を満たす量子ドット層を作成する方法が、当業者の技術常識であったとは認められない。
　
（ｂ）について
　参考資料２に記載されるように、バイオナノプロセス法により、3.2 ln(ｒａ)＋ｒｂ≦８．９を満たさない量子ドット層を作成する方法は知られていたが、3.2 ln(ｒａ)＋ｒｂ≦８．９を満たす量子ドット層を作成する方法が、本願出願時に当業者の技術常識であったとは認められない。なお、参考資料４は、本願出願後に、フェリチンよりもサイズの小さなリステリアフェリチンと中性粒子ビームを用いたバイオナノプロセスにより、3.2 ln(ｒａ)＋ｒｂ≦８．９を満たす量子ドット層を作成する方法が報告されたことを示すものにすぎない。
　
（ｃ）について
　参考資料５において、3.2 ln(ｒａ)＋ｒｂ≦８．９に近接するra=15, rb=1nmの量子ドット層が作成されたことが報告されているが、Ｓ−Ｋ成長法により、3.2 ln(ｒａ)＋ｒｂ≦８．９を満たす量子ドット層を作成する方法が、本願出願時に当業者の技術常識であったとは認められない。なお、参考資料６は、本願出願後に公開された文献であり、さらに、参考資料６には「ｒａ」、「ｒｂ」の数値や該数値が算出できるような数値は記載されていないから、参考資料６は、Ｓ−Ｋ成長法により、3.2 ln(ｒａ)＋ｒｂ≦８．９を満たす量子ドット層を作成する方法を開示するものではない。また、捕捉資料１は、Ｓ−Ｋ成長法により作成される量子ドット層の量子ドット密度（「ＱＤ　Ｄｅｎｓｉｔｙ）が年々大きく、量子ドット径が年々小さくなることを示すのみであって、本願出願時に、3.2 ln(ｒａ)＋ｒｂ≦８．９を満たす量子ドット層を作成する方法が、当業者の技術常識であったことを示すものではない。
　
　してみると、請求人が提示した参考資料１〜６及び補足資料１は、いずれも、Ｓ―Ｋ成長法及びバイオナノプロセス法により、3.2 ln(ｒａ)＋ｒｂ≦８．９を満たす量子ドット層を作成する方法が、本願の出願時に当業者の技術常識であったことを示すものではないから、上記主張（ａ）〜（ｃ）は採用できない。
　
５．結論
　以上のとおり、発明特定事項１について、本願の発明の詳細な説明が、その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるとは認められないから、本願の発明の詳細な説明は、当業者が本願発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものではない。
　したがって、本願は、その発明の詳細な説明の記載が特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　
　
第３　むすび
　よって、本願は、その発明の詳細な説明の記載が特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないから、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。