【事件の表示】
　平成　８年特許願第３２２９１１号「３−５族化合物半導体の製造方法および発光素子」拒絶査定に対する審判事件［平成１０年　６月１９日出願公開、特開平１０−１６３５２３］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成８年１２月３日の出願であって、平成１３年１１月８日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月１９日付で拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、特許法第１７条の２第１項第３号の規定による手続補正がなされたものである。
　
２．平成１３年１２月１９日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　 平成１３年１２月１９日付の手続補正を却下する。
［理由］
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項２を
「一般式ＧａaＡｌbＮ（式中、０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、ａ＋ｂ＝１）で表される３−５族化合物半導体からなる第１の層を１０００℃を超える温度で成長させた後、一般式ＩｎxＧａyＡｌzＮ（式中、０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体層からなる第２の層を１０００℃以下で成長させる３−５族化合物半導体の成長方法において、第２の層を成長させる前に一般式ＧａvＡｌwＮ（式中、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１、ｖ＋ｗ＝１）で表される３−５族化合物半導体からなる第３の層を１０００℃以下の温度で５Å以上１μｍ以下の膜厚に成長させることを特徴とする３−５族化合物半導体の製造方法（但し、第３の層を第２の層の膜厚以下の膜厚に成長させる場合を除く）。」とする補正を含むものである。
　
  そこで、検討するに、
（イ）本件補正前（拒絶査定時）の請求項２は、平成１３年４月１２日付け手続補正により補正されていないから、平成１３年１月５日付け手続補正により補正された次のとおりのものである。
「【請求項１】
　一般式ＧａaＡｌbＮ（式中、０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、ａ＋ｂ＝１）で表される３−５族化合物半導体からなる第１の層を１０００℃を超える温度で成長させた後、一般式ＩｎxＧａyＡｌzＮ（式中、０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体層からなる第２の層を１０００℃以下で成長させる３−５族化合物半導体の成長方法において、第２の層を成長させる前に一般式ＧａvＡｌwＮ（式中、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１、ｖ＋ｗ＝１）で表される３−５族化合物半導体からなる第３の層を１０００℃以下の温度で５Å以上１μｍ以下の膜厚に成長させることを特徴とする３−５族化合物半導体の製造方法（但し、第３の層におけるｗ＝０であって、その膜厚が３５Åまたは５０Åである場合を除く）。
【請求項２】
　第１の層が一般式ＧａaＡｌbＮ（式中、０．８≦ａ≦１、０≦ｂ≦０．２、ａ＋ｂ＝１）で表される３−５族化合物半導体からなることを特徴とする請求項１記載の３−５族化合物半導体の製造方法。」
　
　すなわち、本件補正後の請求項２は、補正前の請求項２における第１の層のについての「一般式ＧａaＡｌbＮ（式中、
０．８
０．２
　
（ロ）また、本件補正は、補正前の請求項１を限定的に減縮し、請求項２〜６に対応するものを新たな請求項３〜７に繰り下げると共に、記載のなかった事項を新たな請求項２として加え、請求項の数を６から７に増加するものである。
　上記（イ）（ロ）のとおり、本件補正は、いずれにしろ、特許法第１７条の２第４項各号に規定する、請求項の削除、特許請求の範囲の減縮、誤記の訂正、明りょうでない記載の釈明の何れにも該当しない補正事項を含んでいる。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第４項の規定に違反してなされたものであるから、特許法第１５９条第１項の規定により準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願についての当審の判断
（１）本願発明
　平成１３年１２月１９日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１３年１月５日付け及び平成１３年４月１２日付手続補正書により補正された明細書の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される次のとおりのものである。
「【請求項１】
　一般式ＧａaＡｌbＮ（式中、０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、ａ＋ｂ＝１）で表される３−５族化合物半導体からなる第１の層を１０００℃を超える温度で成長させた後、一般式ＩｎxＧａyＡｌzＮ（式中、０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体層からなる第２の層を１０００℃以下で成長させる３−５族化合物半導体の成長方法において、第２の層を成長させる前に一般式ＧａvＡｌwＮ（式中、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１、ｖ＋ｗ＝１）で表される３−５族化合物半導体からなる第３の層を１０００℃以下の温度で５Å以上１μｍ以下の膜厚に成長させることを特徴とする３−５族化合物半導体の製造方法（但し、１１５０℃でシリコンドープＧａＮを２μｍ成長させ、次いで９００℃でＧａＮを約３５Å成長させ、しかる後に７００℃でＩｎ０．４Ｇａ０．６Ｎを約３５Å成長させる場合、１１００℃でシリコンドープｎ-Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎを約２００Å成長させ、次いで８００℃でＧａＮを約５０Å成長させ、しかる後に８００℃でＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎを約５０Å成長させる場合、１１５０℃でシリコンドープＧａＮを約１μｍ成長させ、次いで７５０℃でＧａＮを１ｎｍ成長させ、しかる後に７５０℃でＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｎを５ｎｍ成長させる場合、及び１１００℃でシリコンドープＡｌ0.08Ｇａ0.92Ｎを５．０μｍ成長させ、次いで８５０℃でＧａＮを１０ｎｍ成長させ、しかる後に８５０℃でシリコンドープＩｎ0.07Ｇａ0.93Ｎを１０ｎｍ成長させる場合を除く）。」
　
（２）引用例記載の発明
　原審における拒絶理由に引用された、この出願前公知の刊行物：特開平８−２６４８３１号公報（以下、「引用例」という。）には、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子に関して、次の記載が認められる。
「【００２６】
（第２実施例）
　第１実施例の多層発光層５は、マグネシウム(Ｍｇ)と亜鉛(Ｚｎ)とシリコン(Ｓｉ)とが添加されたＩｎＧａＮ層から成っているが、第２実施例の多層発光層５は、図３に示すように、ＧａＮ層５４、ＩｎＧａＮ層５３の交互の層から成っている。その製法は、前述の高キャリア濃度ｎ＋層３を形成するところまでは同様で、その後、まずサファイア基板１の温度を１０００℃に保持し、・・・シリコンドープのＡｌ０．１Ｇａ０．９Ｎから成る高キャリア濃度ｎ＋層４を形成する。
【００２７】
　続いて、温度を８５０℃に保持し、Ｎ２を２０liter／分、ＮＨ３を１０liter／分、ＴＭＧを１×１０−５モル／分、ＴＭＩを１×１０−４モル／分、ＣＰ２Ｍｇを２×１０−４モル／分、シランを１０×１０−９モル／分、またはＤＥＺを２×１０−４モル／分で導入し、全体の膜厚約０．５μｍのマグネシウム(Ｍｇ)ドープで、交互にシリコン(Ｓｉ)と亜鉛(Ｚｎ)のドープされたＧａＮ／ＩｎＧａＮから成る多層発光層５を形成する。この第２実施例では、発光層の母材を変えて積層するため、アクセプターとドナーを添加する組み合わせがあり、図３(ａ)ではＧａＮ層５４にシリコンを添加して、ＩｎＧａＮ層５３に亜鉛(Ｚｎ)を添加した場合で、それぞれの厚さを１００Åにした場合である。・・・また図３(ｂ)の場合は、不純物を入れ換えて、ＧａＮ層５６に亜鉛(Ｚｎ)を添加し、ＩｎＧａＮ層５５にシリコンを添加した場合で、厚さをＧａＮ層５６を５０Å、ＩｎＧａＮ層５５を１００Åとした場合である。」
　上記によれば、引用例には、
「Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎから成る層を１０００℃に保持して成長させ、続いて、温度を８５０℃に保持し、ＧａＮ層、ＩｎＧａＮ層を成長させる方法において、前記ＧａＮ層を８５０℃の温度で５０Å又は１００Åの厚さに形成した窒化ガリウム系化合物半導体発光素子の製造方法。」の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認める。
　
（３）対比
　本願発明と上記引用発明とを対比する。
　引用発明の「Ａｌ０．１Ｇａ０．９Ｎから成る層」、「ＧａＮ層」、「ＩｎＧａＮ層」、「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」は、
　本願発明の「一般式ＧａaＡｌbＮ（式中、０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、ａ＋ｂ＝１）で表される３−５族化合物半導体からなる第１の層」、「一般式ＧａvＡｌwＮ（式中、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１、ｖ＋ｗ＝１）で表される３−５族化合物半導体からなる第３の層」、「一般式ＩｎxＧａyＡｌzＮ（式中、０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体層からなる第２の層」、「３−５族化合物半導体」に各々相当する。また、引用発明におけるＧａＮ層の層厚、５０Å又は１００Åは、５Å以上１μｍ以下であることは明らかである。
　よって、両者は、
「一般式ＧａaＡｌbＮ（式中、０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、ａ＋ｂ＝１）で表される３−５族化合物半導体からなる第１の層を成長させた後、一般式ＩｎxＧａyＡｌzＮ（式中、０＜ｘ≦１、０≦ｙ＜１、０≦ｚ＜１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）で表される３−５族化合物半導体層からなる第２の層を１０００℃以下で成長させる３−５族化合物半導体の成長方法において、第２の層を成長させる前に一般式ＧａvＡｌwＮ（式中、０≦ｖ≦１、０≦ｗ≦１、ｖ＋ｗ＝１）で表される３−５族化合物半導体からなる第３の層を１０００℃以下の温度で５Å以上１μｍ以下の膜厚に成長させることを特徴とする３−５族化合物半導体の製造方法（但し、１１５０℃でシリコンドープＧａＮを２μｍ成長させ、次いで９００℃でＧａＮを約３５Å成長させ、しかる後に７００℃でＩｎ０．４Ｇａ０．６Ｎを約３５Å成長させる場合、１１００℃でシリコンドープｎ-Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎを約２００Å成長させ、次いで８００℃でＧａＮを約５０Å成長させ、しかる後に８００℃でＩｎ0.2Ｇａ0.8Ｎを約５０Å成長させる場合、１１５０℃でシリコンドープＧａＮを約１μｍ成長させ、次いで７５０℃でＧａＮを１ｎｍ成長させ、しかる後に７５０℃でＧａ０．５Ｉｎ０．５Ｎを５ｎｍ成長させる場合、及び１１００℃でシリコンドープＡｌ0.08Ｇａ0.92Ｎを５．０μｍ成長させ、次いで８５０℃でＧａＮを１０ｎｍ成長させ、しかる後に８５０℃でシリコンドープＩｎ0.07Ｇａ0.93Ｎを１０ｎｍ成長させる場合を除く）。」
で一致し、下記の点で相違する。
（相違点）第１の層を、本願発明は、１０００℃を超える温度で成長させたのに対し、引用発明では、１０００℃に保持した温度で成長させた点。
　
（４）判断
　上記相違点に付き検討するに、第１の層を、１０００℃に保持した温度で成長させた引用発明と、１０００℃を超える温度（例えば、１００１℃）で成長させた本願発明との間に、格別の差異が認められず、また、第１の層である、一般式ＧａaＡｌbＮ（式中、０≦ａ≦１、０≦ｂ≦１、ａ＋ｂ＝１）で表される３−５族化合物半導体層を１０００℃を超える温度で成長させること自体は請求人も認めるように従来周知の事項である。よって、引用発明の「１０００℃に保持した温度」を「１０００℃を超える温度」と規定することに格別困難性はない。
　しかも、第１の層を１０００℃を超える温度（例えば、１００１℃）で成長させた後、第２の層及び第３の層を１０００℃以下（例えば、１０００℃）で成長させるものを含む本願発明が、その全ての範囲において、本願明細書の【０００５】及び【０００７】に記載された従来技術の問題点を解決し、所期の目的を達成するとは考えがたいし、このような本願発明の作用効果は、引用発明が奏する作用効果に比し格別な差異を生じるとはいえない。
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
（なお、原査定の別の拒絶の理由である特許法第２９条の２違反についても一応検討するに、先願明細書（特願平８−２０９２７１号の願書に最初に添付した明細書又は図面、特開平１０−４１５４５号公報参照。）には、本願発明で除外した「１１５０℃でシリコンドープＧａＮを約１μｍ成長させ、次いで７５０℃でＧａＮを１ｎｍ成長させ、しかる後に７５０℃でＧａ0.5Ｉｎ0.5Ｎを５ｎｍ成長させる場合」以外に、７５０℃で成長させたＧａＮからなるバリア層の層厚を０．２〜５ｎｍ（２〜５０Å）にする（明細書の【０００６】及び【００２６】参照。）ことが記載されている。よって、本願発明は、上記先願明細書に記載された発明である。）
　
４．むすび
  以上のとおり、本願発明は、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。