(57)【要約】【課題】液晶表示装置の製造方法において、透明電極の形成時のエッチング残りの大部分を除去して表示不良を無くすことができるとともに、透明電極の剥離を防止する。【解決手段】対極基板２０上にＩＴＯ膜２１を成膜する。ＩＴＯ膜２１上の表示領域Ｄに対応する領域に第１のホトレジスト２２を形成する。第１のホトレジスト２２を除去した後に、透明電極２３の全体を覆って第２のホトレジスト２６を形成する。第２のホトレジスト２６をエッチングマスクとして透明電極２３を保護しながら、エッチング残り２４を除去する。そして、透明電極２３を覆ってポリイミド等から成る配向膜２５が形成し、この配向膜２５に対してラビング処理を施す。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の表示画素からなる表示領域が画定され、表示画素毎に駆動素子が形成された第１の基板と、前記第１の基板と液晶を挟んで対向して配置され、前記表示領域に対応して表面に透明電極が形成された第２の基板とを備える液晶表示装置の製造方法において、
前記第２の基板上の全面に透明導電膜を成膜する工程と、
前記透明導電膜上の前記表示領域に対応する領域に第１のホトレジストを形成する第１のホトレジスト工程と、
前記第１のホトレジストをエッチングマスクとして前記透明導電膜をエッチングして前記透明電極を形成する第１のエッチング工程と、
前記透明電極を覆って第２のホトレジストを形成する第２のホトレジスト工程と、
前記第２のホトレジストをエッチングマスクとして前記第２の基板上のエッチング残りをエッチングにより除去する第２のエッチング工程と、
前記透明電極を覆って配向膜を形成する工程と、
前記配向膜に対してラビング処理を施す工程とを備えることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記第２のエッチング工程のエッチング時間は、前記第１のエッチング工程のエッチング時間より長いことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１及び第２のホトレジスト工程では同一のマスクを用いるとともに、前記第２のホトレジスト工程では、前記第２のホトレジストが前記透明電極を覆うように露光量が調整されることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記第２のホトレジスト工程では、前記第２のホトレジストが前記透明電極を覆うように、前記第１のホトレジスト工程で用いる第１のマスクを拡大した第２のマスクを用いることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記透明導電膜はＩＴＯからなることを特徴とする請求項１、２、３、４に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置の製造方法に関し、特に、駆動トランジスタを備えるＴＦＴ基板に液晶を挟んで対向して配置された対極基板側の透明電極の形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、液晶表示装置は、図３に示すように、ガラス等の透明絶縁材料から成るＴＦＴ基板１０と対極基板２０との間に液晶３０を挟んで対向配置したものである。ＴＦＴ基板１０の表面には、複数の表示画素からなる表示領域Ｄが画定され、表示画素毎に駆動素子１１が形成されている。各駆動素子１１はＴＦＴ（Thin Film Transistor）で構成されている。駆動素子１１は画素電極１２に接続されており、駆動素子１１を通して画素電極１２に表示信号に応じた画素電圧が供給される。また、対極基板２０の画素電極１２と対向する側の表面には、表示領域Ｄに対応してＩＴＯ（Indium Tin Oxide）から成る透明電極２３が形成され、この透明電極２３を覆って、液晶３０を配向させるための配向膜２５が形成されている。透明電極２３には共通電圧が供給される。
【０００３】
透明電極２３の形成方法は、図４（ａ）に示すように、対極基板２０上にＩＴＯ膜２１をスパッタ法により成膜し、このＩＴＯ膜２１上の前記表示領域Ｄに対応する領域に、ホトレジスト材料を塗布し、これを露光及び現像によりパターニングしてホトレジスト２２を形成する。その後、このホトレジスト２２をエッチングマスクとしてＩＴＯ膜２１をエッチングすることで透明電極２３を形成していた。
【特許文献１】特開平１０−１１５８２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、図４（ｂ）に示すように、ＩＴＯ膜２１のエッチング時間が短いと対極基板２０上にエッチング残り２４が発生してしまう。その後、図４（ｃ）に示すように、透明電極２３を覆ってポリイミド等から成る配向膜２５が形成され、この配向膜２５に対してラビング処理が施される。すると、ラビング処理によりエッチング残り２４が対極基板２０上の特定箇所に集まり、これが異物となって外観不良や表示不良を起こすという問題があった。
【０００５】
一方、ＩＴＯ膜２１のエッチング時間が長いと、図４（ｄ）に示すように、エッチング残り２４は生じないが、オーバーエッチングにより透明電極２３の断面が逆テーパー形状となり、ラビング処理により剥離するという問題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
そこで本発明は、複数の表示画素からなる表示領域が画定され、表示画素毎に駆動素子が形成された第１の基板と、前記第１の基板と液晶を挟んで対向して配置され、前記表示領域に対応して表面に透明電極が形成された第２の基板とを備える液晶表示装置の製造方法において、前記第２の基板上の全面に透明導電膜を成膜する工程と、前記透明導電膜上の前記表示領域に対応する領域に第１のホトレジストを形成する第１のホトレジスト工程と、前記第１のホトレジストをエッチングマスクとして前記透明導電膜をエッチングして前記透明電極を形成する第１のエッチング工程と、前記透明電極を覆って第２のホトレジストを形成する第２のホトレジスト工程と、前記第２のホトレジストをエッチングマスクとして前記第２の基板上のエッチング残りをエッチングにより除去する第２のエッチング工程と、前記透明電極を覆って配向膜を形成する工程と、前記配向膜に対してラビング処理を施す工程とを備えることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の液晶表示装置の製造方法によれば、透明電極の形成時のエッチング残りの大部分を除去して表示不良を無くすことができるとともに、透明電極の剥離を防止することが可能になる。
【発明を実施するための最良の形態】
【０００８】
次に、本発明の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法について説明する。この液晶表示装置は、図３に示したものと同じであり、本発明は透明電極２３の形成方法に特徴を有するものである。
【０００９】
まず、図１（ａ）に示すように、ガラス等の透明絶縁材料から成る対極基板２０上にＩＴＯ膜２１をスパッタ法により成膜する。ＩＴＯ膜２１の膜厚は１３００Åとした。このＩＴＯ膜２１上の表示領域Ｄに対応する領域に、ホトレジスト材料を塗布し、これを露光及び現像によりパターニングして第１のホトレジスト２２を形成する。
【００１０】
次に、図１（ｂ）に示すように、第１のホトレジスト２２をエッチングマスクとしてＩＴＯ膜２１をエッチングする。このエッチングは、塩酸と硝酸とを混合したエッチング液を用いたウエットエッチングであり、エッチング時間は３０秒である。これにより、順テーパーの断面形状を有する透明電極２３が形成される。このとき、対極基板２０上にはエッチング残り２４が生じる。
【００１１】
そこで、第１のホトレジスト２２を除去した後に、図１（ｃ）に示すように、透明電極２３の全体を覆って第２のホトレジスト２６を形成する。第２のホトレジスト２６は透明電極２３の形成領域からわずかに拡張された領域に形成され、エッチング残り２４が形成された領域の大部分が第２のホトレジスト２６から露出されている。この第２のホトレジスト２６を形成するには、第１のホトレジスト２２のパターニングに用いたマスクと同一のマスクを用い、第２のホトレジスト２６が透明電極２３を覆うように露光量を少なく調整するか、もしくは第２のホトレジスト２６が透明電極２３を覆うように、第１のホトレジスト２２のパターニングに用いたマスクを拡大したマスクを用いてもよい。
【００１２】
その後、図１（ｄ）に示すように、第２のホトレジスト２６をエッチングマスクとして透明電極２３を保護しながら、塩酸と硝酸とを混合したエッチング液を用いてエッチング残り２４を除去する。このときのエッチング時間は透明電極２３の形成時のエッチング時間より長く、３００秒である。そして、図２（ａ）に示すように、第２のホトレジスト２６を除去し、図２（ｂ）に示すように、透明電極２３を覆ってポリイミド等から成る配向膜２５を形成し、この配向膜２５に対してラビング処理を施す。
【００１３】
上記の製造方法によれば、透明電極２３に近い箇所に若干のエッチング残り２４が残存する可能性はあるが、殆どのエッチング残り２４は除去されているので、ラビング処理時に異物が発生することはない。また、透明電極２３のオーバーエッチングが防止され、順テーパー形状が得られるので、ラビング処理時に透明電極２３が剥離することも防止される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る液晶表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【図３】液晶表示装置の断面図である。
【図４】従来例に係る液晶表示装置の製造方法を説明する断面図である。
【符号の説明】
【００１５】
１０  ＴＦＴ基板    １１  駆動素子    １２  画素電極
２０  対極基板      ２１  ＩＴＯ膜    ２２  第１のホトレジスト
２３  透明電極      ２４  エッチング残り    ２５  配向膜
２６  第２のホトレジスト    ３０  液晶
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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