【事件の表示】
　特願２００８−２０８３６４「フォーカスリング、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　２月２５日出願公開、特開２０１０−　４５２００〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯
　本願は、平成２０年８月１３日の出願であって、平成２４年６月２８日付けの拒絶理由通知に対して、同年８月２９日に意見書及び手続補正書が提出され、平成２５年４月４日付けの最後の拒絶理由通知に対して、同年６月７日に意見書及び手続補正書が提出されたが、平成２６年２月２８日付けで平成２５年６月７日に提出された手続補正書でした手続補正が却下されるとともに、同日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年５月２８日に拒絶査定を不服とする審判の請求がなされるとともに、同日に手続補正書が提出されたものである。
　
　
第２．平成２６年５月２８日に提出された手続補正書でなされた手続補正について
１．補正の内容
　前記平成２６年５月２８日に提出された手続補正書でなされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、特許請求の範囲及び明細書を補正するものであり、補正前後の特許請求の範囲の記載は以下のとおりである。
　
（補正前）
「　【請求項１】
　被処理基板を収容して所定のプラズマ処理を施すための処理チャンバー内の前記被処理基板が載置される下部電極上に、かつ、前記被処理基板の周囲を囲むように配置される環状のフォーカスリングであって、
　初めてプラズマ処理に使用される時点において、前記被処理基板の縁部下面と、当該被処理基板の縁部下面と対向する部位との間の距離が、０．４ｍｍ以上となるように構成され、
　前記被処理基板の縁部下面と対向する部位の外側には、次第に厚みが厚くなる傾斜部が形成されており、前記被処理基板の縁部下面と対向する部位の表面は、前記傾斜部の表面と接している
　ことを特徴とするフォーカスリング。
　　【請求項２】
　請求項１記載のフォーカスリングであって、
　初めてプラズマ処理に使用される時点において、前記被処理基板の縁部下面と、当該被処理基板の縁部下面と対向する部位との間の距離が、０．６ｍｍ以下となるように構成されたことを特徴とするフォーカスリング。
　　【請求項３】
　請求項１又は２記載のフォーカスリングであって、
　シリコンから構成されたことを特徴とするフォーカスリング。
　　【請求項４】
　被処理基板を収容して所定のプラズマ処理を施すための処理チャンバーと、
　前記処理チャンバー内に設けられ、前記被処理基板が載置される下部電極と、
　前記下部電極に高周波電力を供給してプラズマを発生させるための高周波電源と、
　前記下部電極に対向して設けられた上部電極と、
　前記下部電極に、前記被処理基板の周囲を囲むように載置されるフォーカスリングであって、初めてプラズマ処理に使用される時点において、前記被処理基板の縁部下面と、当該被処理基板の縁部下面と対向する部位との間の距離が、０．４ｍｍ以上となるように構成され、前記被処理基板の縁部下面と対向する部位の外側には、次第に厚みが厚くなる傾斜部が形成されており、前記被処理基板の縁部下面と対向する部位の表面は、前記傾斜部の表面と接しているフォーカスリングと
　を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
　　【請求項５】
　請求項４記載のプラズマ処理装置であって、
　前記フォーカスリングが、初めてプラズマ処理に使用される時点において、前記被処理基板の縁部下面と、当該被処理基板の縁部下面と対向する部位との間の距離が、０．６ｍｍ以下となるように構成されたことを特徴とするプラズマ処理装置。
　　【請求項６】
　請求項４又は５記載のプラズマ処理装置であって、
　前記フォーカスリングがシリコンから構成されたことを特徴とするプラズマ処理装置。
　　【請求項７】
　請求項６記載のプラズマ処理装置であって、
　前記フォーカスリングが、石英製の部材を介して前記下部電極上に配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
　　【請求項８】
　上部電極と下部電極とが対向配置された処理チャンバー内の前記下部電極上に被処理基板を載置し、かつ、前記下部電極上に前記被処理基板の周囲を囲むように環状のフォーカスリングを配置し、前記上部電極と下部電極との間に高周波電力を印加して前記被処理基板に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
　前記フォーカスリングが、初めてプラズマ処理に使用される時点において、前記被処理基板の縁部下面と、当該被処理基板の縁部下面と対向する部位との間の距離が、０．４ｍｍ以上となるように構成され、前記被処理基板の縁部下面と対向する部位の外側には、次第に厚みが厚くなる傾斜部が形成されており、前記被処理基板の縁部下面と対向する部位の表面は、前記傾斜部の表面と接している
ことを特徴とするプラズマ処理方法。
　　【請求項９】
　請求項８記載のプラズマ処理方法であって、
　前記フォーカスリングが、初めてプラズマ処理に使用される時点において、前記被処理基板の縁部下面と、当該被処理基板の縁部下面と対向する部位との間の距離が、０．６ｍｍ以下となるように構成されたことを特徴とするプラズマ処理方法。
　　【請求項１０】
　請求項８又は９記載のプラズマ処理方法であって、
　前記フォーカスリングがシリコンから構成されたことを特徴とするプラズマ処理方法。
　　【請求項１１】
　請求項１０記載のプラズマ処理方法であって、
　前記フォーカスリングが、石英製の部材を介して前記下部電極上に配置されていることを特徴とするプラズマ処理方法。」
　
（補正後）
「　【請求項１】
　被処理基板を収容して所定のプラズマ処理を施すための処理チャンバー内の前記被処理基板が載置される下部電極上に、かつ、前記被処理基板の周囲を囲むように配置される環状のフォーカスリングであって、
　シリコンから構成され、
　初めてプラズマ処理に使用される時点において、前記被処理基板の縁部下面と、当該被処理基板の縁部下面と対向する部位との間の距離が、０．４ｍｍ以上０．６ｍｍ以下となるように構成され、
　前記被処理基板の縁部下面と対向する部位の外側には、外周側に向けて次第に厚みが厚くなる傾斜部が形成されており、前記被処理基板の縁部下面と対向する部位の表面は、前記傾斜部の表面と接している
　ことを特徴とするフォーカスリング。
　　【請求項２】
　被処理基板を収容して所定のプラズマ処理を施すための処理チャンバーと、
　前記処理チャンバー内に設けられ、前記被処理基板が載置される下部電極と、
　前記下部電極に高周波電力を供給してプラズマを発生させるための高周波電源と、
　前記下部電極に対向して設けられた上部電極と、
　前記下部電極に、前記被処理基板の周囲を囲むように載置されるフォーカスリングであって、シリコンから構成され、初めてプラズマ処理に使用される時点において、前記被処理基板の縁部下面と、当該被処理基板の縁部下面と対向する部位との間の距離が、０．４ｍｍ以上０．６ｍｍ以下となるように構成され、前記被処理基板の縁部下面と対向する部位の外側には、外周側に向けて次第に厚みが厚くなる傾斜部が形成されており、前記被処理基板の縁部下面と対向する部位の表面は、前記傾斜部の表面と接しているフォーカスリングと
　を備えたことを特徴とするプラズマ処理装置。
　　【請求項３】
　請求項２記載のプラズマ処理装置であって、
　前記フォーカスリングが、石英製の部材を介して前記下部電極上に配置されていることを特徴とするプラズマ処理装置。
　　【請求項４】
　上部電極と下部電極とが対向配置された処理チャンバー内の前記下部電極上に被処理基板を載置し、かつ、前記下部電極上に前記被処理基板の周囲を囲むように環状のフォーカスリングを配置し、前記上部電極と下部電極との間に高周波電力を印加して前記被処理基板に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理方法であって、
　前記フォーカスリングが、シリコンから構成され、初めてプラズマ処理に使用される時点において、前記被処理基板の縁部下面と、当該被処理基板の縁部下面と対向する部位との間の距離が、０．４ｍｍ以上０．６ｍｍ以下となるように構成され、前記被処理基板の縁部下面と対向する部位の外側には、外周側に向けて次第に厚みが厚くなる傾斜部が形成されており、前記被処理基板の縁部下面と対向する部位の表面は、前記傾斜部の表面と接している
ことを特徴とするプラズマ処理方法。
　　【請求項５】
　請求項４記載のプラズマ処理方法であって、
　前記フォーカスリングが、石英製の部材を介して前記下部電極上に配置されていることを特徴とするプラズマ処理方法。」
　
２．補正の適否
（１）補正後の請求項１について
　　ア．補正後の請求項１についてする補正は、補正前の請求項１及び２と補正前の請求項３の補正前の請求項１を引用する部分とを削除して、補正前の請求項２を引用する補正前の請求項３を補正後の請求項１とする（すなわち、審判請求書の「（２）補正の根拠の明示」の項で主張するように、補正前の請求項１に、補正前の請求項２、３の発明特定事項を付加して補正後の請求項１とする）とともに、補正前の「次第に厚みが厚くなる傾斜部」という記載を、補正後は「外周側に向けて次第に厚みが厚くなる傾斜部」とするものである。
　そして、前記「外周側に向けて次第に厚みが厚くなる傾斜部」とする補正は、平成２５年４月４日付けの最後の拒絶理由通知に係る拒絶の理由２に示す事項についてするものであり、補正前の前記「傾斜部」の記載を明確にする補正であると認められる。
　
　　イ．ここで、前記補正前の請求項２、３は、それぞれ、本願の願書に最初に添付した特許請求の範囲の請求項５、６に対応する。
　また、前記「外周側に向けて次第に厚みが厚くなる傾斜部」とする補正は、本願の願書に最初に添付した図面の図２に基づくものと認められる。
　したがって、補正後の請求項１についてする補正は、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲または図面に記載した事項の範囲内においてなされたものと認められる。
　
（２）補正後の請求項２ないし５について
　　ア．補正後の請求項１についてする補正と同様に、補正後の請求項２についてする補正は、補正前の請求項４及び５と補正前の請求項６の補正前の請求項４を引用する部分とを削除し、補正前の請求項５を引用する補正前の請求項６を補正後の請求項２とするとともに、補正前の「次第に厚みが厚くなる傾斜部」という記載を、補正後は「外周側に向けて次第に厚みが厚くなる傾斜部」とするものである。そして、補正前の請求項１、２、４及び５の削除に伴い、補正前の請求項７を補正後の請求項３とするものである。
　
　　イ．また、補正後の請求項４についてする補正は、補正前の請求項８及び９と補正前の請求項１０の補正前の請求項８を引用する部分とを削除し、補正前の請求項９を引用する補正前の請求項１０を補正後の請求項４にするとともに、補正前の「次第に厚みが厚くなる傾斜部」という記載を、補正後は「外周側に向けて次第に厚みが厚くなる傾斜部」とするものである。そして、補正前の請求項１、２、４、５、８及び９の削除に伴い、補正前の請求項１１を補正後の請求項５とするものである。
　
　　ウ．そして、補正後の請求項２、４についてする補正は、補正後の請求項１についてする補正と同様に、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面に記載した事項の範囲内においてなされたものと認められる。
　
（３）検討のまとめ
　以上のとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第１号に規定する請求項の削除、及び、同法同項第４号に規定する明りようでない記載の釈明（拒絶理由通知に係る拒絶の理由に示す事項についてするものに限る。）を目的とするものに該当する。
　また、本件補正は、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲または図面のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入するものではない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第３項及び第５項の規定に適合する。
　
　
第３．本願発明に対する判断
１．本願発明
　以上のとおり、本件補正は適法になされたものであるから、本願の請求項１〜５に係る発明は、平成２６年５月２８日に提出された手続補正書により補正された特許請求の範囲の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜５に記載されている事項によって特定されるとおりのものであって、そのうちの請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、再掲すると次のとおりのものである。
　
「被処理基板を収容して所定のプラズマ処理を施すための処理チャンバー内の前記被処理基板が載置される下部電極上に、かつ、前記被処理基板の周囲を囲むように配置される環状のフォーカスリングであって、
　シリコンから構成され、
　初めてプラズマ処理に使用される時点において、前記被処理基板の縁部下面と、当該被処理基板の縁部下面と対向する部位との間の距離が、０．４ｍｍ以上０．６ｍｍ以下となるように構成され、
　前記被処理基板の縁部下面と対向する部位の外側には、外周側に向けて次第に厚みが厚くなる傾斜部が形成されており、前記被処理基板の縁部下面と対向する部位の表面は、前記傾斜部の表面と接している
　ことを特徴とするフォーカスリング。」
　
２．引用例の記載事項と引用発明
　ア．本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった最後の拒絶理由通知に引用された刊行物である、特表２００６−５２３３８２号公報（以下「引用例」という。）には、「処理中の基板裏面堆積を減らす方法および装置」（発明の名称）に関して、図１〜２とともに、以下の事項が記載されている（下線は当審において付したもの。以下同様。）。
　
ａ．「【０００２】
　本出願は、処理中の基板裏面の堆積を減らす方法および装置に関するものであり、特には、プラズマ処理システム内で、基板を囲むように使用されるフォーカスリングに関する。」
　
ｂ．「【課題を解決するための手段】
【０００７】
　処理システムの処理にさらされる基板を支持するように構成された基板ホルダに組み合わされるフォーカスリングアセンブリは、基板ホルダに組み合わされるフォーカスリングと、このフォーカスリングに組み合わされて、基板の裏側表面上の、処理からの材料の堆積を減らすように構成された二次的なフォーカスリングとを具備する。
【０００８】
　
処理システムの基板ホルダ上の基板を囲むフォーカスリングアセンブリを使用する方法は、基板ホルダに組み合わされるフォーカスリング
　
ｃ．「【発明を実施するための最良の形態】
【０００９】
　プラズマエッチングにおいて、フォーカスリングは、基板の周辺でプロセス特性に影響を及ぼすために使用され得る。従来システムに対して、フォーカスリングは、後で詳しく記載されるように、単に基板に隣接する基板ホルダの上に載置され、ここで、その内側半径は、わずかに基板の外側半径より大きい。概して、
フォーカスリングは、与えられたプロセスに対して特に選択された材料、例えばシリコン、石英、アルミナ、サファイヤ、炭化珪素、カーボン、などで形成される
【００１０】
　例えば、
プラズマエッチングが可能なようなプラズマ処理システム１は、図１に記載されており、処理チャンバ１０と
基板３５を支持するための基板ホルダ３０
を具備する
チャンバ１０は、基板３５に隣接するプロセス空間１２内の処理プラズマの形成を容易にする
　……（中略）……
【００１６】
　図１に示された実施形態において、
基板ホルダ３０は、ＲＦパワーがプロセス空間１２内の処理プラズマに結合するように通過する電極（図示せず）を含む
　
ｄ．「【００１８】
　図２には、基板ホルダ３０の一部の拡大された断面図が示される。
基板ホルダ３０は、基板３５を支持する
基板ホルダ３０は、フォーカスリング６０を捕えるように、ステップ３４を有し、フォーカスリング６０は、基板３５の周辺での処理に影響を及ぼすために、基板ホルダ３０に組み合わされる
基板３５は、基板３５の裏側表面３８が露出するように、基板ホルダ３０のステップ３４の内側半径を越えて伸びる半径を有する外縁エッジ３６を備えている
基板３５の下側と、フォーカスリング６０の上部表面との間の垂直寸法は、概ね０．５ｍｍであり得る
　
ｅ．図２には、フォーカスリング６０は、基板ホルダ３０に設けられたステップ３４の上に載置され、前記フォーカスリング６０の内側リップ６２の外側に当該内側リップ６２とは段差をもって形成された平坦部分を有することが図示されている。
　
　イ．以上のａ〜ｅの記載、特に下線部の記載を総合すると、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
「基板３５に隣接するプロセス空間１２内の処理プラズマの形成を容易にするための処理チャンバ１０内の、ＲＦパワーがプロセス空間１２内の処理プラズマに結合するように通過する電極を含むとともに前記基板３５を支持する基板ホルダ３０が有するステップ３４に捕らえられ、前記基板ホルダ３０が支持する基板３５を囲んで前記基板３５の周辺での処理に影響を及ぼすフォーカスリング６０であって、
　前記フォーカスリング６０は、シリコン、石英、アルミナ、サファイヤ、炭化珪素、カーボン、などで形成され、
　前記基板３５は、前記基板３５の裏側表面３８が露出するように前記基板ホルダ３０のステップ３４の内側半径を越えて伸びる外縁エッジ３６を備え、前記基板３５の下側の裏側表面３８と前記フォーカスリング６０の上部表面との間の垂直寸法は概ね０．５ｍｍであり、
　前記フォーカスリング６０は、前記基板３５の前記外縁エッジ３６の下にクリアランススペース７０を形成する内側リップ６２と、前記内側リップ６２の外側に前記内側リップ６２とは段差をもって形成された平坦部分を備える、
　ことを特徴とするフォーカスリング６０。」
　
３．対比
（１）本願発明と引用発明との対比
　本願発明と、引用発明とを対比する。
　ア．引用発明の「基板３５」及び「基板３５に隣接するプロセス空間１２内の処理プラズマの形成を容易にするための処理チャンバ１０」は、本願発明の「被処理基板」及び「被処理基板を収容して所定のプラズマ処理を施すための処理チャンバー」に相当する。
　また、引用発明の「ＲＦパワーがプロセス空間１２内の処理プラズマに結合するように通過する電極」は本願発明の「下部電極」に相当するから、引用発明において、前記「ＲＦパワーがプロセス空間１２内の処理プラズマに結合するように通過する電極」を含む「基板ホルダ３０」に「前記基板３５」が「支持」されることは、本願発明において、前記「下部電極」に「前記被処理基板が載置される」ことに相当する。
　そして、引用発明の前記「電極」を含む「基板ホルダ３０が有するステップ３４に捕らえられ、前記基板ホルダ３０が支持する基板３５を囲んで前記基板３５の周辺での処理に影響を及ぼすフォーカスリング６０」は、本願発明の「下部電極上」にあるとともに「前記被処理基板の周囲を囲むように配置される環状のフォーカスリング」に相当する。
　以上から、引用発明の「基板３５に隣接するプロセス空間１２内の処理プラズマの形成を容易にするための処理チャンバ１０内の、ＲＦパワーがプロセス空間１２内の処理プラズマに結合するように通過する電極を含むとともに前記基板３５を支持する基板ホルダ３０が有するステップ３４に捕らえられ、前記基板ホルダ３０が支持する基板３５を囲んで前記基板３５の周辺での処理に影響を及ぼすフォーカスリング６０」は、本願発明の「被処理基板を収容して所定のプラズマ処理を施すための処理チャンバー内の前記被処理基板が載置される下部電極上に、かつ、前記被処理基板の周囲を囲むように配置される環状のフォーカスリング」に相当する。
　
　イ．引用発明において「前記フォーカスリング６０は、シリコン、石英、アルミナ、サファイヤ、炭化珪素、カーボン、などで形成され」ることと、本願発明において「フォーカスリング」が「シリコンから構成され」ることとは、「フォーカスリング」が「シリコンから構成され」る点で一致する。
　
　ウ．引用発明においては、「前記基板３５の下側の裏側表面３８と前記フォーカスリング６０の上部表面との間の垂直寸法は概ね０．５ｍｍ」である。
　この構成は、引用例の段落【００１８】の「図２には、基板ホルダ３０の一部の拡大された断面図が示される。」、「図２に示したように、基板３５は、基板３５の裏側表面３８が露出する」及び「例えば、基板３５の下側と、フォーカスリング６０の上部表面との間の垂直寸法は、概ね０．５ｍｍであり得る」という記載に基づくものであり、当該記載は図２に示される「基板ホルダ３０の一部」の構成を説明するものであるが、当該「基板ホルダ３０の一部」の構成はいつの時点におけるものか特に記載がないから、前記「垂直寸法」はプラズマ処理システムの製造時のものであると解される。
　さらに、同段落には、「さらに、フォーカスリング６０は、基板３５の外縁エッジ３６の下に存在し、それらの間にクリアランススペース７０を形成する内側リップ６２（ｉｎｎｅｒ  ｌｉｐ  ６２）を備えることができる。例えば、基板３５の下側と、フォーカスリング６０の上部表面との間の垂直寸法は、概ね０．５ｍｍであり得る。……基板３５上の材料膜内の形態をエッチングにするとき、クリアランススペース７０の存在は、基板３５の裏側表面３８上のプロセス残渣の堆積を許すことができる。例えば、ｌｏｗ−ｋ誘電体膜、例えばダウケミカルから市販のＳｉＬＫ（シリコンｌｏｗ−ｋ）をエッチングするときに、これらの堆積物が発生することは知られている。」と記載されている。すなわち、前記「前記基板３５の下側の裏側表面３８と前記フォーカスリング６０の上部表面との間」に「概ね０．５ｍｍ」の間隔を設けたのは、「基板３５」に「処理プラズマ」を施したことにより生じる「プロセス残渣」の「堆積」を許容するためである。してみれば、前記「前記基板３５の下側の裏側表面３８と前記フォーカスリング６０の上部表面との間」の間隔が「概ね０．５ｍｍ」であるのは、「基板３５」に「処理プラズマ」を施したことがない初期状態におけるものであることは、明らかである。
　さらに、前記「垂直寸法は、概ね０．５ｍｍであり得る。」という記載における「０．５」は、同段落の「例えば、基板３５の端と、フォーカスリング６０との間の横方向寸法は、概ね２ｍｍであり得る。」との記載を対比して考えれば、前記「垂直寸法」の有効数字が２桁であることを表していることは自明であり、したがって、「垂直寸法は概ね０．５ｍｍ」であるとは、「垂直寸法」の小数点以下２桁目を丸めると「０．５ｍｍ」になることを表していると解される。
　以上から、引用発明において「前記基板３５の下側の裏側表面３８と前記フォーカスリング６０の上部表面との間の垂直寸法は概ね０．５ｍｍ」であることは、本願発明において「初めてプラズマ処理に使用される時点において、前記被処理基板の縁部下面と、当該被処理基板の縁部下面と対向する部位との間の距離が、０．４ｍｍ以上０．６ｍｍ以下となるように構成され」ていることに相当する。
　
　エ．引用発明の「前記フォーカスリング６０」における「前記基板３５の前記外縁エッジ３６の下にクリアランススペース７０を形成する内側リップ６２」は、本願発明の「フォーカスリング」における「前記被処理基板の縁部下面と対向する部位」に相当する。
　したがって、引用発明において「前記フォーカスリング６０は、前記基板３５の前記外縁エッジ３６の下にクリアランススペース７０を形成する内側リップ６２と、前記内側リップ６２の外側に前記内側リップ６２とは段差をもって形成された平坦部分を備える」ことと、本願発明において「前記被処理基板の縁部下面と対向する部位の外側には、外周側に向けて次第に厚みが厚くなる傾斜部が形成されており、前記被処理基板の縁部下面と対向する部位の表面は、前記傾斜部の表面と接している」こととは、「フォーカスリング」が「前記被処理基板の縁部下面と対向する部位」の「外側」の部分を有する点で共通する。
　
（２）一致点及び相違点
　以上から、本願発明と引用発明とは、以下の点で一致するとともに、以下の点で相違する。
（一致点）
「被処理基板を収容して所定のプラズマ処理を施すための処理チャンバー内の前記被処理基板が載置される下部電極上に、かつ、前記被処理基板の周囲を囲むように配置される環状のフォーカスリングであって、
　シリコンから構成され、
　初めてプラズマ処理に使用される時点において、前記被処理基板の縁部下面と、当該被処理基板の縁部下面と対向する部位との間の距離が、０．４ｍｍ以上０．６ｍｍ以下となるように構成され、
　前記被処理基板の縁部下面と対向する部位の外側に部分を有する
　ことを特徴とするフォーカスリング。」
　
（相違点１）
　本願発明の「フォーカスリング」は「シリコンから構成され」るのに対して、引用発明の「前記フォーカスリング６０は、シリコン、石英、アルミナ、サファイヤ、炭化珪素、カーボン、などで形成され」る点。
　
（相違点２）
　本願発明の「フォーカスリング」は、前記被処理基板の縁部下面と対向する部位の外側に「外周側に向けて次第に厚みが厚くなる傾斜部が形成されており、前記被処理基板の縁部下面と対向する部位の表面は、前記傾斜部の表面と接している」いるのに対して、引用発明の「前記フォーカスリング６０」は前記基板３５の前記外縁エッジ３６の下にクリアランススペース７０を形成する内側リップ６２の外側に「前記内側リップ６２とは段差をもって形成された平坦部分を備える」点。
　
　
４．当審の判断
（１）相違点１について
　ア．引用発明の「前記フォーカスリング６０は、シリコン、石英、アルミナ、サファイヤ、炭化珪素、カーボン、などで形成され」ており、引用例には「フォーカスリング６０」の材料として特に「シリコン」を選択するという記載がない点で、本願発明とは一応相違する。
　
　イ．しかしながら、引用発明において、「シリコン」は、「基板３５を囲んで前記基板３５の周辺での処理に影響を及ぼす」ための「フォーカスリング６０」の材料として最初に挙げられている。
　
　ウ．そして、プラズマ処理装置の技術分野において、被処理基板を囲んでプラズマ処理に影響を及ぼすためのフォーカスリングの材料としてシリコンを用いることは、以下の周知例１〜３に記載されるように、周知技術にすぎない。
　
　エ．したがって、引用発明において、「前記フォーカスリング６０」を形成する材料として「シリコン」を選択することは、当業者であれば当然になし得たものと認められる。
　
　オ．周知例１：特開平０５−１１４５８３号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった最後の拒絶理由通知に引用された刊行物である、前記周知例１には、「ドライエッチング装置」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
ａ．「【００２２】上記実施例のドライエッチング装置を動作するには……反応性ガスプラズマは絶縁性材料である扁平リング６の内側のウェーハ４と導電性材料でなる扁平リング５で構成される面内に均一に閉じ込められる。このプラズマの均一な領域は、
扁平リング５が導電性であるため、ウェーハ４より外側の扁平リング５のプラズマに露出している面にまで及び、ウェーハ４は均一なプラズマのもとでエッチング加工が行なわれる
扁平リング５の材質がシリコンであり、被エッチング材料であるシリコン酸化膜の下地を形成しているシリコンと同質の材料であるため、ラジカル性エッチング特有の現象、即ちウェーハの縁部でラジカル供給量が多いため、縁部のシリコンのエッチング速度が速くなり、ウェーハ中央部における選択比とウェーハ縁部における選択比が不均一となるということもない
　
　カ．周知例２：特開２００５−１５０２２３号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった最後の拒絶理由通知に引用された刊行物である、前記周知例２には、「ドライエッチング装置及び半導体装置の製造方法、Ｓｉリング」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
ａ．「【０００３】
　半導体ウェハの処理表面全体に、より
均一に分布するようなプラズマを与えないとエッチングレートに差が生じる
対策として、ウェハ周辺にリング状の部材を配置し、見かけ上ウェハ径を大きくする構成がとられる。いわゆるＳｉリング（シリコンリング）であり
　
　キ．周知例３：特開２００７−３２４１８６号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった最後の拒絶理由通知に引用された刊行物である、前記周知例３には、「プラズマ処理装置」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
ａ．「【０００２】
　
シリコンウエハなどの被加工材（試料）を加工して半導体デバイスを製作する半導体製造装置として、プラズマＣＶＤやプラズマエッチング装置などのプラズマ処理装置が広く使用されている
【０００３】
　例えば、処理ガスとしてフッ素系ガス（ＣｗＨｘＦｙとＳＦｚの混合ガス、但し、w，ｘ，ｙ，ｚは任意の整数））を使用した
Ｐｏｌｙ−Ｓｉのエッチングレートは、外周高の不均一な分布になり易い
　……（中略）……
【０００７】
　このような問題を対処するために、
エッチングレートの均一性の改善に関してはウエハ外周部にＳｉ製のフォーカスリング等が用いられている
　
（２）相違点２について
　ア．引用発明の「前記フォーカスリング６０」は「前記基板３５の前記外縁エッジ３６の下にクリアランススペース７０を形成する内側リップ６２と、前記内側リップ６２の外側に前記内側リップ６２とは段差をもって形成された平坦部分を備える」ものである。
　すなわち、引用発明においては、「前記基板３５の前記外縁エッジ３６の下にクリアランススペース７０を形成する内側リップ６２」と「前記内側リップ６２の外側に前記内側リップ６２とは段差をもって形成された平坦部分」とは、不連続に形成されている。
　
　イ．しかしながら、プラズマ処理装置の技術分野において、「ウェハを載置する際のウェハの位置合わせ余裕」を調整する、または、「仮想的に半導体ウェハの面積が増え、ウェハ面内のプラズマ均一性が向上」させるため（周知例２）、「ウエハが載置される時に、電極上でずれないため」の「サセプタ２３６の内側」の「段差４０１」の「側面」の「若干のずれを補正」するため（周知例３）、「半導体ウェハ面内の処理傾向」に応じる（周知例４）等の種々の目的で、フォーカスリングの被処理基板の縁部下面と対向する部位の外側に、当該部位の表面と接する表面を有する、外周側に向けて次第に厚みが厚くなる傾斜部を形成することは、周知例２〜３及び以下の周知例４に記載されるように、周知技術である。
　そして、上記の種々の目的とする事項は、被処理基板を基板ホルダ上に載置するプラズマ処理装置一般が課題とする事項であると認められる。
　
　ウ．したがって、引用発明において、「前記フォーカスリング６０」の「前記基板３５の前記外縁エッジ３６の下にクリアランススペース７０を形成する内側リップ６２」と「前記内側リップ６２の外側」の「前記内側リップ６２とは段差をもって形成された平坦部分」との間に、前記「内側リップ６２」の表面と接する表面を有する、外周側に向けて次第に厚みが厚くなる傾斜部を形成することは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
　エ．前記周知例２には、以下の事項が記載されている。
ａ．「【０００４】
　図４は、従来のエッチング装置における処理室内のＳｉリング部分を示す拡大断面図である。Ｓｉリング４１は、下部電極となるカソード電極４２の周辺領域上に配備されている。Ｓｉリング４１は、理想的にはウェハＷＦの高さが同じでウェハＷＦの端面に隣接する連続的な上面部を有することが望ましい。しかし、現状では
ウェハを載置する際のウェハの位置合わせ余裕を考慮し、ウェハＷＦの端面からわずかに離間させるため所定の傾斜部４１Ｔを経て最上面領域４１Ｓを有する
ｂ．「【００１０】
　上記それぞれ本発明に係るドライエッチング装置において、好ましくは次のような特徴を少なくとも一つ有する。
　
前記リングは、表裏両面共に前記半導体ウェハの周辺近傍下部に延在する内周平坦領域、前記半導体ウェハの周辺を囲む外周平坦領域、及び前記半導体ウェハの端面に隣り合う前記内周平坦領域と前記外周平坦領域の間の傾斜領域を有する。これにより、仮想的に半導体ウェハの面積が増え、ウェハ面内のプラズマ均一性が向上する
ｃ．「【００２４】
　
Ｓｉリング１６は、好ましくは表裏両面が略対称形状になっている。ここでは、表裏両面共にウェハＷＦの周辺近傍下部に延在する内周平坦領域１６１Ａ（１６１Ｂ）、ウェハＷＦの周辺を囲む外周平坦領域１６３Ａ（１６３Ｂ）、及びウェハＷＦの端面に隣り合う内周平坦領域１６１Ａ（１６１Ｂ）と外周平坦領域１６３Ａ（１６３Ｂ）の間の傾斜領域１６２Ａ（１６２Ｂ）を有する。このようなリングの構成は別段限定されることはない
　
　オ．前記周知例３には、以下の事項が記載されている。
ａ．「【００１６】
　また、図１３に、従来例に基づくサセプタ２３６表面の削れの状況を示す。同図に示すように、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）の焼結体であるサセプタ２３６では、ウエハＷの処理枚数の増加に伴って、図１２中の矢印で示す範囲（ウエハＷ端部の直下）が著しく削られてしまう。すなわち、ウエハＷの端部直下が著しく削れ、その値は表面の他の部分の数倍に達する。削られた表面を詳細に観察すると、反応生成物などは観られず平滑な様相を示す。すなわち、静電吸着電極２３４では高周波が印加されるので、印加した高周波による物理的なスパッタリングや、ハロゲンガスによる化学的なエッチングによってウエハＷ端部直下で削れが生じる。」
ｂ．「【００３４】
　
図３（ａ）のサセプタ２３６
サセプタ２３６は、そのリング状部分の内周側端に設けられた段差部４０１と、この段差部４０１の前記平面部分と連続して外周側に位置してウエハＷの上方側に向かって延在する傾斜部４０２とを備えている
ｃ．「【００３８】
　なお、サセプタの厚さを厚くすることは可能であるが、搬送ユニット１０５によってウエハを搬送するために、搬送ユニット１０５のハンドが接触しない高さにする必要がある。このサセプタ２３６は誘電体膜２３５を保護するためのカバーであり、同時に静電吸着電極２３４も覆っているが、分割することも可能である。また、
ウエハが載置される時に、電極上でずれないためにもサセプタ２３６の内側には段差４０１があり、その段差の側面は若干のずれを補正できるように傾斜４０２が施されている
　
　カ．周知例４：特開２００５−１４２１７９号公報
　本願の出願前に日本国内において頒布され、原査定の根拠となった最後の拒絶理由通知に引用された刊行物である、前記周知例４には、「ドライエッチング装置及び半導体装置の製造方法、Ｓｉリング」（発明の名称）に関して、以下の事項が記載されている。
ａ．「【０００７】
　本発明に係るドライエッチング装置は、処理室内に半導体ウェハが置かれ、導入される反応ガスをプラズマ化して前記半導体ウェハに所望の処理が施されるドライエッチング装置であって、前記処理室内に設けられ前記半導体ウェハの支持部を伴う第１電極と、前記処理室内に設けられ前記第１電極に対向する第２電極と、
前記第１電極の周辺領域上に設けられ、前記半導体ウェハの周辺近傍下部に延在する内周平坦領域、前記半導体ウェハの周辺を囲む外周平坦領域、及び前記半導体ウェハの端面に隣り合う前記内周平坦領域と前記外周平坦領域の間の傾斜領域を有するリング
リングの傾斜領域は、前記半導体ウェハ面内の処理傾向に応じて少なくとも一部の領域の傾斜角度が調節されている
　
（３）小括
　以上のとおりであるから、相違点１〜相違点２は、周知技術を参酌すれば、引用発明から当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものである。
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものと認められる。
　なお、引用発明の「フォーカスリング６０」は、第３．３．（１）ウ．で指摘したように、本願発明の「初めてプラズマ処理に使用される時点において、前記被処理基板の縁部下面と、当該被処理基板の縁部下面と対向する部位との間の距離が、０．４ｍｍ以上０．６ｍｍ以下となる」という「構成」に相当する特徴を有しているから、本願明細書の段落【００４７】の記載を参酌すれば、本願発明の「フォーカスリング」と同等の作用効果を奏するものと認められる。
　
　
第４．結言
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知技術に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　
　よって、結論のとおり審決する。