【事件の表示】
　上記当事者間の特許第４０３３６４４号「窒化ガリウム系発光素子」の特許無効審判事件についてされた平成２４年１１月１４日付け審決に対し、東京高等裁判所において審決取消の判決（平成２４年（行ケ）第１０４３５号平成２５年　９月１９日判決言渡）があったので、さらに審理のうえ、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
　審判費用は、請求人の負担とする。
【理　由】
第１　本件特許第４０３３６４４号に係る手続の概要 
　本件特許第４０３３６４４号に係る手続の経緯は、概略以下のとおりである。 　 
 　　　　 　 
平成１３年　７月　３日　特願２００１−２０２７２６号出願（優先権主張平成１２年７月１８日。以下「優先日」という。）
平成１５年１１月１９日　拒絶理由通知（起案日） 　 
平成１７年　４月２６日　拒絶査定（起案日）
平成１７年　６月　６日　拒絶査定に対する審判事件 　 
平成１９年１０月　９日　審決（原査定を取り消す。本願の発明は特許すべきものとする。 ）　 　  
平成１９年１１月　２日　本件特許第４０３３６４４号の設定登録（請求項１ないし７） 　 
 　 　 
第２　本件無効２０１２−８０００３８号に係る手続の概要 
　本件無効２０１２−８０００３８号に係る手続の経緯は、概略以下のとおりである。 
 　 
平成２４年　３月３０日　無効審判請求（「特許第４０３３６４４号の特許請求の範囲の第１項及び第３項ないし第７項に係る発明についての特許を無効とする。審判費用は被請求人の負担とする。」との審決を求める。）
平成２４年　６月２２日　審判事件答弁書（被請求人） 
平成２４年　７月１９日　審理事項通知（起案日。請求人及び被請求人へ）
平成２４年　９月１４日　口頭審理陳述要領書（請求人） 
平成２４年　９月１４日　口頭審理陳述要領書（被請求人） 
平成２４年　９月２８日　口頭審理（調書） 
平成２４年１０月１２日　上申書（被請求人） 
平成２４年１１月１４日　審決（審決日。請求不成立。以下「前審決」という。） 
平成２４年１２月２０日　知的財産高等裁判所出訴（平成２４年（行ケ）第１０４３５号） 
平成２５年　９月１９日　審決取消の判決言渡（以下「前判決」という。）
　
第３　本件発明 　 
　本件無効審判の対象である本件特許第４０３３６４４号の請求項１、３ないし７に係る発明は、本件特許明細書及び本件図面の記載からみて、特許請求の範囲の請求項１、３ないし７にそれぞれ記載された事項により特定されるとおりの次のものである。 
 　 
「【請求項１】 
　ストライプ状の発光層の両端面に、光出射側鏡面と光反射側鏡面を持つ共振器構造を有する窒化ガリウム系発光素子において、 
　光出射側鏡面には、窒化ガリウムより低い屈折率を有する低反射膜が、該光出射側鏡面から屈折率が順に低くなるように２層以上積層され、該光出射側鏡面に接した第１の低反射膜が、ＺｒＯ２，ＭｇＯ，Ａｌ２Ｏ３，Ｓｉ３Ｎ４，ＡｌＮ及びＭｇＦ２から選ばれたいずれか１種から成り、 
　光反射側鏡面には、ＺｒＯ２，ＭｇＯ，Ｓｉ３Ｎ４，ＡｌＮ及びＭｇＦ２から選ばれたいずれか１種からなる単一層の保護膜が接して形成され、かつ、該保護膜に接して、低屈折率層と高屈折率層とを低屈折率層から積層して終端が高屈折率層となるように交互に積層してなる高反射膜が形成されてなる窒化ガリウム系発光素子。 　 
【請求項３】 
　前記低反射膜が、前記第１の低反射膜に接しており、かつＳｉＯ２からなる第２の低反射膜を有する請求項１に記載の窒化ガリウム系発光素子。 
【請求項４】 
　前記低屈折率層がＳｉＯ２からなり、前記高屈折率層がＺｒＯ２又はＴｉＯ２からなる請求項１乃至３のいずれか１つに記載の窒化ガリウム系発光素子。　 
【請求項５】 
　前記高反射膜は、前記低屈折率層と前記高屈折率層とを交互に繰り返して２ペア以上５ペア以下の積層膜とする請求項１乃至４のいずれか１つに記載の窒化ガリウム系発光素子。 
【請求項６】 
　前記低反射膜の膜厚は、λ／４ｎ（λは発振波長、ｎは低反射膜の屈折率）とする請求項１乃至５のいずれか１つに記載の窒化ガリウム系発光素子。
【請求項７】 
　前記低反射膜を２層以上とした第１の低反射膜の膜厚は、λ／２ｎ（λは発振波長、ｎは低反射膜の屈折率）とする請求項１乃至５のいずれか１つに記載の窒化ガリウム系発光素子。」（以下、請求項１、３ないし７に係る発明を、「本件発明１」、「本件発明３」ないし「本件発明７」という。）　
 　 　　 
第４　請求人の主張の概要及び証拠方法  
１　審判請求書　 
　請求人が主張する無効理由は、要するに、次のものである。 
　「本件発明１及び本件発明３ないし本件発明７は、甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、 
　本件発明４及び本件発明５は、甲第１号証に記載された発明及び甲第２号証に記載された発明並びに甲第５号証及び甲第６号証に記載された周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、
　したがって、本件発明１及び本件発明３ないし本件発明７は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、本件発明１及び本件発明３ないし本件発明７に係る特許は、特許法１２３条１項２号の規定により無効とされるべきである。」  
 　
２　口頭審理陳述要領書（第８及び９頁）
本件発明１に係る相違点の容易想到性
　本件発明１と被請求人の主張する「引用発明１」とに、被請求人の主張するような相違点１及び相違点２が存在したとしても、甲第２号証には、審判請求書の「７．３．２．２（２）（ｉ）」のアないしエに摘記した、次の記載がある。 
「本発明は半導体レーザ素子に関し、・・・端面が劣化することのない信頼性の高い半導体レーザ素子に関する。」 
「上記の従来技術を改良したものに、保護膜として、熱伝導性に優れた結晶質ＡｌＮ膜を用いた半導体レーザ素子がある。」 
「・・・半導体レーザ素子の共振器端面に形成されたＡｌＮ保護膜は、大気雰囲気中の水分と反応することにより、分解し、変質してしまうことがある。・・・本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、・・・端面劣化が生じにくい信頼性の高い半導体レーザ素子を提供することにある。」 
「半導体レーザ素子の一対の共振器端面３０、４０のうちの一方の共振器端面（低反射率側端面）３０に於いては、端面３０上に放熱用誘電体膜として熱伝導率２．０Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇの結晶質ＡｌＮ膜（膜厚１９５０Å）１０が形成されている。このＡｌＮ膜１０上にはパッシベーション膜として熱伝導率０．２１Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇのＡｌ２Ｏ３膜（膜厚１２２０Å）１１が形成されている。他方の共振器端面（高反射率側端面）４０上には、ＡｌＮ膜（膜厚１９５０Å）２０、Ａｌ２Ｏ３膜（膜厚１２２０Å）２１１非晶質Ｓｉ膜（膜厚５５０Å、熱伝導率０．０２６／ｃｍ・ｄｅｇ）２２、Ａｌ２Ｏ３膜（膜厚１２２０Å〉２３、Ｓｉ膜（膜厚５５０Å）２４及びＡｌ２Ｏ３膜（膜厚２４４０Å）２５がこの順番で半導体レーザ素子側から積層されている。」（３頁左上欄１６行〜右上欄１０行）　 
 　　 
　これらの記載によれば、半導体レーザ素子の端面の保護膜としてＡｌＮ保護膜は従来技術としてよく知られていたが、甲第２号証は、ＡｌＮ保護膜の信頼性をさらに高めるために、ＡｌＮ保護膜の上に、Ａｌ２Ｏ３パッシベーション膜を形成するものである。これに対し、甲第１号証は、窒化物半導体レーザ装置において、共振器端面に形成される、端面劣化の防止のための保護層として、Ａｌ１−ｘ−ｙ−ｚＧａｘＩｎｙＢｚＮ（０≦ｘ、ｙ、ｚ≦１、且つ、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）からなる膜を形成することを記載するものである。したがって、甲第１号証において、窒化物系半導体レーザ素子の共振器端面の保護層の組成がＡｌＮを含む一般式で記載されていても、よく知られていたＡｌＮ保護膜を開示する甲第２号証の記載に基づいて、甲第１号証の共振器端面の保護層の組成として、ＡｌＮを選択することは容易に想到し得ることである。 
 　　　　　 
３　証拠方法 
（１）　請求人は、審判請求書に添付して甲第１号証ないし甲第６号証を提出している。　 
 　　 
甲第１号証：特開２０００−４９４１０号公報　 
甲第２号証：特開平３−１４２８９２号公報　 
甲第３号証：小沼稔他編著、「よくわかる半導体レーザ」、平成７年４月１０日、工学図書株式会社、１４１頁ないし１４９頁
甲第４号証：特開２０００−２２２６９号公報　 
甲第５号証：特開平８−１９１１７１号公報 
甲第６号証：特開平９−１２９９８３号公報　 
 　　　　 
（２）　請求人は、平成２４年９月１４日付け口頭審理陳述要領書において、甲第７号証を提出した。 
甲第７号証：特開平９−１９４２０４号公報 
　 　　 
第５　被請求人の反論の概要及び証拠方法  
　請求人が主張する上記無効理由に対して、被請求人は、以下のように反論している。　 
１　審判事件答弁書  
（１）　引用発明１の認定（同答弁書第３ないし８頁）  
 　Ａｌ１−ｘ−ｙ−ｚＧａｘＩｎｙＢｚＮ（０≦ｘ、ｙ、ｚ≦１、且つ、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）をｘ＝ｙ＝ｚ＝０という特定の組成比で用いることは甲第１号証において記載されておらず、甲第１号証にはＡｌＮからなる保護層２０ａ、２０ｂが開示されていない。  
 　 　 
（２）　本件発明１に係る相違点の容易想到性（同答弁書第８及び９頁）  
ア　甲第１号証にＡｌＮからなる保護層が記載されているとする請求人の引用発明１の認定は誤りであって、これと甲第２号証とを組み合わせても、本件発明１の構成自体が得られない。したがって、請求人の主張には理由がない。 
　
イ　甲第１号証の発明は、保護層の形成を、従来技術におけるスパッタリング法や電子ビーム蒸着法ではなく、ダメージを与えない「ＭＯ−ＣＶＤ法あるいはＭＢＥ法」で行うものである（段落【００１４】、【００２３】、【００２９】、【００８５】参照）から、 スパッタリング法により保護層を形成する甲第２号証の技術と組み合わせることには阻害要因がある。　　　　 　　 
２　証拠方法 　　 
　被請求人は、審判事件答弁書に添付して乙第１号証ないし乙第３号証を提出している。　 
 　 
乙第１号証：甲第１号証（特開２０００−４９４１０号公報）の審査過程で提出された手続補正書（平成２０年４月１６日付け提出） 
乙第２号証：甲第１号証（特開２０００−４９４１０号公報）の審査過程で通知された拒絶理由通知書（平成２０年５月９日付け起案） 
乙第３号証：甲第１号証（特開２０００−４９４１０号公報）に対して下された拒絶査定（平成２０年９月１１日付け起案） 
 　　　　
３　平成２４年１０月１２日付け上申書
（１）　甲第１号証に、
「【００２４】本発明の窒化物半導体レーザ装置の窒化物半導体レーザダイオードのレーザ端面に設けられた保護層は、窒化物レーザダイオードが発振する光に対して透明であるＡｌ１−ｘ−ｙ−ｚＧａｘＩｎｙＢｚＮからなっているので、
窒化物半導体レーザダイオードと十分な格子整合をとることが可能である
　
「【００４０】上述したように、保護層２０ａおよび２０ｂの材料としては、半導体レーザダイオードを構成する窒化物半導体の結晶層との格子整合をとるために、窒化物半導体材料を用いることが好ましい。しかしながら、
半導体レーザダイオードを構成する窒化物半導体の結晶層との格子整合がとれ、且つレーザが発振する光に対する透明性を有していれば
　
　と記載されているとおり、甲第１号証の発明は、「
従来のよりも寿命が長い高信頼性を有する
窒化物半導体レーザダイオードと十分に格子整合し熱膨張係数も整合する透明な保護層
　そして、甲第１号証の発明の実施例では、ＧａＮ保護膜あるいはＩｎＧａＮ（Ｉｎ０．０２Ｇａ０．９８Ｎ）保護膜が選択されているのであるが、これはＧａＮやＩｎ０．０２Ｇａ０．９８Ｎがレーザの発振光に対して透明であるばかりでなく、ＩｎＧａＮからなるＭＱＷ（多重量子井戸層）に対して格子整合や熱膨張係数の整合性にも優れているためである（段落【００３３】や【００４０】の記載などを参照。）。
　したがって、ＡｌＮが
単に透明である
　
（２）　上記（１）のとおり、甲第１号証の発明の共振器端面の保護層としてどのような材料を選択するかは、窒化物半導体レーザダイオードと十分に格子整合するかどうか、窒化物半導体レーザダイオードと熱膨張係数が整合するかどうか、及びレーザの発振光に対して透明であるかどうか、という観点を総合的に判断されるものである。
　しかるところ、甲第２号証には、このような格子整合や熱膨張係数の整合に関する知見が何ら開示されておらず、甲第１号証記載の発明で選択されているＧａＮあるいはＩｎＧａＮに代えて、甲第２号証に開示されたＡｌＮを採用する動機がない。（同上申書第６頁下から７行ないし第７頁４行）
　
（３）　甲第２号証の発明は、窒化物半導体レーザダイオードではなくＡｌＧａＡｓ、ＩｎＧａＰ、ＩｎＧａＡｓＰ系の半導体レーザに関する発明であるから、その保護膜の材料にＡｌＮを使用することが知られているからといって、これを直ちに、窒化物半導体レーザダイオードに関する甲第１号証記載の発明に適用できない。（同上申書第７頁５ないし１０行）
　 　 
（４）　甲第２号証の発明は、ＡｌＮ保護膜の上にＡｌ２Ｏ３パッシベーション膜を形成するものであるから、甲第１号証の発明に甲第２号証の発明を適用するのであれば、光出射側鏡面と同様に、光反射側鏡面にＡｌＮ保護膜が形成されたその上にＡｌ２Ｏ３パッシベーション膜が形成されるべきである。
　そして、甲第１号証記載の発明の光反射側鏡面にＡｌＮ保護膜とＡｌ２Ｏ３パッシベーション膜が形成されると、「ＡｌＮ保護膜」と「低屈折率層と高屈折率層とを低屈折率層から積層して終端が高屈折率層となるように交互に積層してなる高反射膜」との間に「Ａｌ２Ｏ３パッシベーション膜」が形成されることになるため、保護層に接して上記高反射膜が形成される本件発明１とは別個の発明が想起されることになる。
　したがって、甲第１号証の発明と甲第２号証の発明とを組み合わせても、本件発明１は想起されない。（同上申書第７頁１１ないし２６行）
　
第６　前判決の説示
１　前判決は、前審決の理由の要点について、次のとおり説示した。
「イ　以上によれば，刊行物１には，次の発明（引用発明）が記載されていることが認められる。
『窒化物半導体レーザダイオードと，窒化物半導体レーザダイオードのレーザ端面に設けられた保護層とを有し，
　保護層は，
　窒化物半導体レーザダイオードが発振する光に対して透明であるＡｌ１−ｘ−ｙ−ｚＧａｘＩｎｙＢｚＮ（０≦ｘ，ｙ，ｚ≦１，且つ，０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）からなり，
　窒化物半導体レーザダイオードは，
　ＩｎｕＧａ１−ｕＮ／ＩｎｖＧａ１−ｖＮ（０≦ｕ，ｖ≦１）からなる多重量子井戸活性層を有し，
　保護層に接して，窒化物半導体レーザダイオードが発振する光を反射する反射層を更に有し，
　反射層は，屈折率が互いに異なる第１および第２層が交互に積層された積層構造を有し，
　保護層がＧａＮであり、第１層および第２層は，それぞれ．ＳｉＯ２およびＴｉＯ２，または窒化物半導体レーザダイオードが発振する光に対して透明であり，且つ屈折率が互いに異なる２種類のＡｌ１−ｘ−ｙ−ｚＧａｘＩｎｙＢｚＮ（０≦ｘ，ｙ，ｚ≦１，且つ，０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）からなる，窒化物半導体レーザ装置であって，
　窒化物半導体レーザダイオードが，
　アンドープのＩｎ０．０２Ｇａ０．９８Ｎ／Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎからなる多重量子井戸活性層を有し，
　多重量子井戸活性層の前面及び後面にＧａＮ層が形成され，
　後面に設けられたＧａＮ層の上に，ＳｉＯ２層及びＴｉＯ２層が交互に５対積層された反射層が形成された，窒化物半導体レーザ装置。』
（２）　刊行物２によれば，以下の刊行物２発明が記載されているものと認められる。
『一対の対向する共振器端面のうち少なくとも一方の共振器端面が，該共振器端面上に形成された放熱用誘電体膜と，該放熱用誘電体膜上に形成されたバッジペーション膜とを備えており，
　該放熱用誘電体膜は，該バッジペーション膜の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有し，
　該バッジペーション膜は，該放熱用誘電体膜よりも高い耐水性を有した半導体レ一ザ素子（請求項１を参照）であって，
　放熱用誘電体膜がＡｌＮ膜である（請求項２を参照），
　半導体レーザ素子。』
（３）本件発明１と引用発明とのー致点及び相違点は次のとおりである。
【一致点】
『「発光層の両端面に，光出射側鏡面と光反射側鏡面を持つ共振器構造を有する窒化ガリウム系発光素子において，光出射側鏡面に，膜が積層され，光反射側鏡面には，単一層の保護膜が接して形成され，かつ，該膜に接して，低屈折率層と高屈折率層とを低屈折率層から積層して終端が高屈折率層となるように交互に積層してなる高反射膜が形成されてなる窒化ガリウム系発光素子。』
【相違点１】
　発光層の形状に関し，本件発明１は，『ストライプ状』であるのに対して，引用発明は，ストライプ状であるか否か不明である点。
【相違点２】
　光出射側鏡面の膜に関し，本件発明１は，『窒化ガリウムより低い屈折率を有する低反射膜が，該光出射側鏡面から屈折率が順に低くなるように２層以上積層され，該光出射側鏡面に接した第１の低反射膜が，ＺｒＯ２，ＭｇＯ，Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＮ４，ＡｌＮ及びＭｇＦ２から選ばれたいずれか１種から成』るのに対して，引用発明は，窒化ガリウムより低い屈折率を有する膜が，光出射側鏡面から屈折率が順に低くなるように２層以上積層されてはおらず，ＧａＮ層である点。
【相違点３】
　光反射側鏡面の単一層の保護膜の材料に関し，本件発明は，『ＺｒＯ２，ＭｇＯ，Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＮ４，ＡｌＮ及びＭｇＦ２から選ばれたいずれか１種』であるのに対して，引用発明は，ＧａＮである点。
（４）　相違点に関する審決の判断は以下のとおりである。
ア　相違点２について
　刊行物２発明は，半導体レーザ素子の共振器端面にＡｌＮ膜を形成することを前提に，ＡｌＮ膜の欠点を，パッシベーション膜を形成することで克服したものと解される。しかしながら，引用発明は，保護層として『ＡｌＮ』を用いたものではなく，刊行物１にも，保護層の具体的な材料として『ＡｌＮ』は記載されておらず，『ＩｎｕＧａ１−ｕＮ／ＩｎｖＧａ１−ｖＮ（０≦ｕ，ｖ≦１）からなるＭＱＷ活性層』を有する『窒化物半導体レーザ装置』の保護層として『ＡｌＮ』の選択を示唆する記載もないことから，引用発明の保護層の上に，刊行物２発明の『パッシベーション膜』を形成する動機付けが見当たらない。
　また，刊行物１には，光出射側鏡面（前面）に保護層を２層以上積層することを示唆する記載のないことに照らせば，引用発明の保護層は，ひとまず，単一層と解されるところ，引用発明において，刊行物２の記載に基づいて『ＡｌＮ』を選択することを想定すると，あわせて，パッシベーション膜を形成する手間が生じるものと考えられるから，当業者が引用発明において，あえて『ＡｌＮ』を選択すべき理由が見出せない。
　したがって，刊行物２の記載に基づいて，引用発明の保護層の材料として『ＡｌＮ』を選択することは容易に想到し得たとはいえない。
　さらに，文献（『よくわかる半導体レーザ』小沼稔他編著，平成７年４月１０日，１４１頁ないし１４９頁（甲３），特開２０００−２２２６９号公報（甲４），特開平８−１９１１７１号公報（甲５），特開平９−１２９９８３号（甲６））の各記載を参酌しても，引用発明において，保護層の材料として『ＡｌＮ』を選択すべき理由が見あたらない。
　したがって，引用発明において，相違点２に係る本件発明１の構成を採用することは当業者が容易に想到しえたとはいえない。
　よって，相違点１及び３を検討するまでもなく，本件発明１は，当業者が刊行物１及び２並びに上記の文献に記載された発明に基づいて容易に発明をすることができたものとはいえない。
イ　本件発明３ないし７について
　本件発明３ないし７と引用発明とは，少なくとも相違点１ないし３において相違するから，上記と同様の理由で容易に発明することができたものではない。」（前判決５頁１２行ないし８頁２０行）
　  
　なお、上記の「刊行物１」及び「刊行物２」は、それぞれ、甲第１号証及び甲第２号証を指す。 
　
２　前判決は、前審決における引用発明の認定について、次のとおり説示した。
「以上によれば，刊行物１において，保護層の材料として『ＡｌＮ』が除外されているとはいえず，刊行物１には，レーザ光に対して透明であり，かつ，ＡｌＮを含む一般式からなる材料が開示されていると認められる。したがって，審決が，『甲１に，保護層の材料としてＡｌＮが開示されていると認めることはできない』としたのは，誤りである。」（前判決１９頁９行ないし１３行）
　   
３ 　前判決は、引用発明と本件発明１との一致点・相違点について、次のとおり説示した。
「３　以上を前提として，上記に認定した引用発明と本件発明１との一致点・相違点について見ると，一致点及び相違点１については審決が認定したものと同一であるが，相違点２及び３については以下のとおり認定すべきこととなる。
【相違点２”】
　光出射側鏡面の膜に関し，本件発明１は，『窒化ガリウムより低い屈折率を有する低反射膜が，該光出射側鏡面から屈折率が順に低くなるように２層以上積層され，該光出射側鏡面に接した第１の低反射膜が，ＺｒＯ２，ＭｇＯ，Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＮ４，ＡｌＮ及びＭｇＦ２から選ばれたいずれか１種から成』るのに対して，引用発明は，窒化ガリウムより低い屈折率を有する膜が，光出射側鏡面から屈折率が順に低くなるように２層以上積層されてはおらず，
ＡｌＮを含むＡｌ
１−ｘ−ｙ−ｚ
Ｇａ
ｘ
Ｉｎ
ｙ
Ｂ
ｚ
Ｎ（０≦ｘ，ｙ，ｚ≦１，且つ，０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）からなる
（下線部が，審決認定の相違点２との相違部分）
【相違点３”】
　光反射側鏡面の単一層の保護膜の材料に関し，本件発明１は，『ＺｒＯ２，ＭｇＯ，Ａｌ２Ｏ３，ＳｉＮ４，ＡｌＮ及びＭｇＦ２から選ばれたいずれか１種』であるのに対して，引用発明は，
ＡｌＮを含むＡｌ
１−ｘ−ｙ−ｚ
Ｇａ
ｘ
Ｉｎ
ｙ
Ｂ
ｚ
Ｎ（０≦ｘ，ｙ，ｚ≦１，且つ，０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）
（下線部が，審決認定の相違点３との相違部分）
・・・前記のとおりの引用発明の認定誤りが審決にあったことをもって，少なくとも審決の結論に影響を及ぼす可能性があるとして，ここでまず審決を取り消し，続いて検討すべき争点については審判の審理で行うべきものとするのが相当と考える。・・・
　なお，本件発明３〜７の容易想到性判断も，本件発明１についてのそれを前提とするものであり，これについても本件発明１に関する判断と同様である。」（前判決２０頁９行ないし２２頁６行）
　
第７　当審の判断 
１　甲第１号証ないし甲第４号証の記載事項
（１）　甲第１号証の記載事項
　優先日前に頒布された刊行物と認められる甲第１号証には、以下のアないしシの記載がある。 
ア　「【特許請求の範囲】 
【請求項１】 窒化物半導体レーザダイオードと、前記窒化物半導体レーザダイオードのレーザ端面に設けられた保護層とを有し、 
　前記保護層は、前記窒化物レーザダイオードが発振する光に対して透明であるＡｌ１−ｘ−ｙ−ｚＧａｘＩｎｙＢｚＮ（０≦ｘ、ｙ、ｚ≦１、且つ、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）からなる窒化物半導体レーザ装置。 
【請求項２】 前記保護層の屈折率をｎ、前記窒化物レーザダイオードが発振する光の波長をλとするとき、前記保護層の厚さが、λ／２ｎの整数倍である請求項１記載の窒化物半導体レーザ装置。 　　 
【請求項３】 前記窒化物半導体レーザダイオードは、ＩｎｕＧａ１−ｕＮ／ＩｎｖＧａ１−ｖＮ（０≦ｕ、ｖ≦１）からなる多重量子井戸活性層を有する請求項１に記載の窒化物半導体レーザ装置。 
【請求項４】　前記保護層はＭＯ−ＣＶＤ法あるいはＭＢＥ法で形成されて
いる請求項１に記載の窒化物半導体レーザ装置。
【請求項５】 前記保護層に接して、前記窒化物レーザダイオードが発振する光を反射する反射層を更に有する請求項１に記載の窒化物半導体レーザ装置。 
【請求項６】 前記反射層は、屈折率が互いに異なる第１および第２層が交互に積層された積層構造を有する請求項５に記載の窒化物半導体レーザ装置。 　　 
【請求項７】 前記第１層の屈折率をｎ１、前記第２層の屈折率をｎ２、前記窒化物レーザダイオードが発振する光の波長をλとすると、前記第１層および第２層の厚さは、それぞれλ／４ｎ１およびλ／４ｎ２の関係を満足する請求項６記載の窒化物半導体レーザ装置。 
【請求項８】 前記保護層の厚さは、前記保護層の屈折率をｎ、前記窒化物レーザダイオードが発振する光の波長をλとしたとき、λ／２ｎの整数倍の厚さである請求項５に記載の窒化物半導体レーザ装置。 
【請求項９】 前記保護層の厚さが、前記保護層の屈折率をｎ、前記窒化物レーザダイオードが発振する光の波長をλとしたとき、λ／４ｎの厚さである請求項５に記載の窒化物半導体レーザ装置。 
【請求項１０】 前記保護層がＧａＮであり、前記第１層および第２層は、それぞれ、ＳｉＯ２およびＴｉＯ２、または前記窒化物レーザダイオードが発振する光に対して透明であり、且つ屈折率が互いに異なる２種類のＡｌ１−ｘ−ｙ−ｚＧａｘＩｎｙＢｚＮ（０≦ｘ、ｙ、ｚ≦１、且つ、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）からなる請求項６に記載の窒化物半導体レーザ装置。」　 
 　 
イ　「【０００１】 
【発明の属する技術分野】本発明は、窒化物半導体レーザ装置に関するものである。 
【０００２】 
【従来の技術】ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ等の窒化物半導体を用いた半導体レーザ装置は、緑色から青色までの光の発振が可能であり、高密度光ディスク装置の光源として期待されている。ここでは青色の窒化物半導体レーザ装置を例にあげて従来技術について述べる。
【０００３】図１１に従来の窒化物半導体レーザ装置６００を示す。窒化物半導体レーザ装置６００において、サファイア基板６１の上にｎ型ＧａＮからなる電極形成層６２（下部６２ａおよび上部６２ｂを含む）、ｎ型ＧａＡｌＮからなるクラッド層６３、ＩｎＧａＮ／ＧａＮからなる多重量子井戸活性層（以下、ＭＱＷ活性層という）６４、ｐ型ＧａＡｌＮからなるクラッド層６５、ｐ型ＧａＮからなる電極形成層６６が順次設けられている。下部電極形成層６２ａの上にはＴｉ／Ａｌの積層体からなるｎ型側の電極（以下ｎ型電極という）６７が、電極形成層６６の上にはＮｉ／Ａｕの積層体からなるｐ型側の電極（以下ｐ型電極という）６８がそれぞれ形成され、レーザダイオード（レーザ素子またはキャビティとも称される）６０が得られる。レーザ光を放射または反射するレーザダイオード６０の端面（以下、レーザ端面という）双方に、ＳｉＯ２またはＳｉＮからなる保護層６９が設けられている。この保護層６９を設けることにより、両側のレーザ端面の劣化を防いでいる。ここで、ＳｉＯ２またはＳｉＮは正確にこの化学量論比の化合物である必要は無く、ＳｉＯ２またはＳｉＮと実質的に等しい比抵抗（絶縁性と屈折率を有していればよい。
【０００４】従来の窒化物半導体レーザ装置６００は以下の様な製造方法で製造される。まず、サファイア基板６１の上に電極形成層６２、クラッド層６３、ＭＱＷ活性層６４、クラッド層６５、電極形成層６６を順次結晶成長させる。その後、電極形成層６６の一部より電極形成層６２の途中までエッチングして下部電極形成層６２ａを露出させる。露出した電極形成層６２ａの上にｎ型電極６７を、電極形成層６６の上にｐ型電極６８をそれぞれ蒸着により形成する。その後、レーザ端面双方に、保護層６９をスパッタリング法や電子ビーム（ＥＢ）蒸着法で形成する。」　 
 　　　 
ウ　「【０００７】 
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の従来の窒化物半導体レーザ装置６００および７００は、寿命、特に高出力時の寿命が短いという問題があった。本願発明者は、上述の窒化物半導体レーザ装置の寿命が短い原因が下記の点にあることを見い出した。 
【０００８】（１）レーザダイオード６０および７０は複数の結晶層から構成されているのに対し、レーザダイオード６０および７０の端面に形成される保護層６９、８０および反射層９０はＳｉＯ２あるいはＴｉＯ２で形成されているので、アモルファス層であり、且つアモルファス層を構成する材料の結合手（例えばＳｉ−Ｏ）の長さがレーザダイオードを構成している結晶層と格子定数と異なるので、これらの界面において格子不整合が起こり、結晶層中（特にＭＱＷ活性層中）に格子欠陥が生じる。また、レーザ端面に保護層６９、８０および反射層９０をスパッタリング法や電子ビーム蒸着法で形成すると、ターゲットから飛散した材料粒子が比較的高エネルギーでレーザ端面に衝突するので、この粒子の衝突エネルギーによってレーザ端面が損傷を受け、その結果、レーザダイオード６０および７０を構成する結晶層に格子欠陥が生じるという現象も起こっていると考えられる。 
【０００９】（２）レーザダイオード６０および７０を構成する複数の結晶層の熱膨張係数、保護層６９、８０および反射層９０の熱膨張係数が異なるために、保護層６９、８０および反射層９０を形成後室温まで冷却する過程や、動作中（特に高出力動作中）に、結晶層（特にＭＱＷ活性層）に歪みが発生し、結晶欠陥が発生または増加する。例えば、上述のＭＱＷ活性層６４の熱膨張係数（３．１５×１０−６Ｋ−１）と保護層６９の熱膨張係数（１．６×１０−７Ｋ−１）とは大きく異なる。 
 【００１０】本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、従来のよりも寿命が長い高信頼性を有する窒化物半導体レーザ装置を提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の窒化物半導体レーザ装置は、窒化物半導体レーザダイオードと、前記窒化物半導体レーザダイオードのレーザ端面に設けられた保護層とを有し、前記保護層は、前記窒化物レーザダイオードが発振する光に対して透明であるＡｌ1-x-y-zＧａxＩｎyＢzＮ（０≦ｘ、ｙ、ｚ≦１、且つ、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）からなり、そのことによって上記目的が達成される。」　 　 
 　 　 
エ　「【００２４】本発明の窒化物半導体レーザ装置の窒化物半導体レーザダイオードのレーザ端面に設けられた保護層は、窒化物レーザダイオードが発振する光に対して透明であるＡｌ１−ｘ−ｙ−ｚＧａｘＩｎｙＢｚＮからなっているので、窒化物半導体レーザダイオードと十分な格子整合をとることが可能である。従って、窒化物半導体レーザダイオード、特に活性層内の欠陥発生を抑制することが可能で、窒化物半導体レーザ装置の長寿命化できる。さらに、保護層と窒化物半導体レーザダイオードとの熱膨張係数の整合をとることができるので、熱応力による欠陥発生を抑制することができる。さらに、ＭＯ−ＣＶＤ法やＭＢＥ法を用いて保護層を窒化物半導体レーザダイオード端面に堆積すると、保護層の堆積工程においてレーザダイオード端面が損傷を受けることを抑制することができる。保護層上に反射層を設けることによって、反射率を高めることができる。」　 
 　　 
オ　「【００２５】 
【発明の実施の形態】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態にかかる青色の窒化物半導体レーザ装置１００の斜視図である。 
【００２６】窒化物半導体レーザ装置１００は、窒化物半導体レーザダイオード１０と、両側のレーザ端面に形成されたＧａＮからなる保護層２０ａおよび２０ｂを有している。ＧａＮからなる保護層２０ａおよび２０ｂは、窒化物半導体レーザダイオード１０の発振する光に対して透明である。すなわち、保護層２０ａおよび２０ｂを形成するＧａＮは、窒化物半導体レーザダイオード１０が発振する光の光エネルギーよりも大きなバンドギャップを有している。保護層２０ａおよび２０ｂを形成する半導体材料は、ＧａＮに限られず、窒化物半導体レーザダイオード１０の発振する光に対して透明であればよい。 
【００２７】窒化物半導体レーザダイオード１０は以下の構造を有している。ｎ型ＧａＮからなる基板１２の下には、Ｔｉ／Ａｌ積層体からなるｎ型電極１１が設けられている。基板１２の上には、Ｓｉドープのｎ型Ｇａ０．９Ａｌ０．１Ｎからなるクラッド層１３、アンドープのＩｎ０．０２Ｇａ０．９８Ｎ／Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎの積層体からなるＭＱＷ活性層１４、Ｍｇドープのｐ型Ｇａ０．９Ａｌ０．１Ｎからなるクラッド層１５、Ｍｇドープのｐ型ＧａＮからなる電極形成層１６およびＮｉ／Ａｕ積層体からなるｐ型電極１７が順次設けられている。さらに、窒化物半導体レーザダイオード１０の両側の端面にはＧａＮからなる保護層２０ａおよび２０ｂが設けられている。  
 　　　・・・（略）・・・ 　 
【００３３】また、保護層２０ａおよび２０ｂを形成するＧａＮの熱膨張係数は３．１７×１０-6Ｋ-1であり、ＭＱＷ活性層１４の熱膨張係数（３．１５×１０-6Ｋ-1）と非常に近いので、室温に冷却したときや動作中にＭＱＷ活性層１４と保護層２０ａおよび２０ｂとの間には熱応力による歪みがほとんど生じない。
【００３４】なお、保護層２０ａおよび２０ｂの厚さは、ＧａＮの屈折率ｎ＝２．６、レーザ発振波長λ＝４２０ｎｍとしてλ／２ｎ＝０．０８μｍの２倍、すなわち０．１６μｍに設定しているが、λ／２ｎの整数倍に設定しておけばよい。保護層２０ａおよび２０ｂの厚さをλ／２ｎの整数倍に設定することにより、保護層２０ａおよび２０ｂを形成していない場合と同じようにレーザの発振特性が変わらないようにすることができる。生産性の観点から、保護層２０ａおよび２０ｂの厚さはλ／２ｎまたはλ／ｎであることが好ましい。」
　
カ　「【００３９】なお、上記実施形態１では保護層２０ａおよび２０ｂの材料としてＧａＮを用いたが、この保護層２０ａおよび２０ｂの材料としては、Ａｌ１−ｘ−ｙ−ｚＧａｘＩｎｙＢｚＮ（０≦ｘ、ｙ、ｚ≦１、且つ、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）を好適に使用することができ、これらの層がレーザの発振光に対して透明になるようにｘ、ｙおよびｚを選べばよい。保護層２０ａおよび２０ｂの材料として、Ａｌ、Ｉｎ、Ｂを含有した窒化物半導体材料を用いることによって、良好な格子整合が得られる材料の組み合わせが広がる。
【００４０】上述したように、保護層２０ａおよび２０ｂの材料としては、半導体レーザダイオードを構成する窒化物半導体の結晶層との格子整合をとるために、窒化物半導体材料を用いることが好ましい。しかしながら、半導体レーザダイオードを構成する窒化物半導体の結晶層との格子整合がとれ、且つレーザが発振する光に対する透明性を有していれば、他の材料を用いても良い。もちろん、上述したように、熱膨張係数の整合および高い電気抵抗を有している材料を用いることが好ましい。さらに、保護層２０ａおよび２０ｂは、ＭＯ−ＣＶＤ法やＭＢＥ法で形成されることが好ましい。
 　　　・・・（略）・・・　　　 
【００４２】保護層２０ａおよび２０ｂの組成およびＭＱＷ活性層１４の組成は、上述したように、レーザの発振光に対して透明であるように選択するとともに、保護層２０ａおよび２０ｂの格子定数とＭＱＷ活性層１４の格子定数との差が、ＭＱＷ活性層１４の格子定数の約３％以下となるように、選択することが好ましい。上記格子定数の差が約３％を超えると、保護層２０ａおよび２０ｂとＭＱＷ活性層１４との界面に格子不整合が生じ、ＭＱＷ活性層１４中に格子欠陥が生じ、窒化物半導体レーザ装置の寿命が低下することがある。なお、保護層２０ａおよび２０ｂの厚さが十分に厚い場合には、保護層２０ａおよび２０ｂが応力を吸収できるので、約３％を超える格子不整合があっても、寿命が低下しない場合がある。 
【００４３】また、保護層２０ａおよび２０ｂの熱膨張係数とＭＱＷ活性層１４の熱膨張係数との差がＭＱＷ活性層１４の熱膨張係数の約２０％以下となるように、選択することが好ましい。」
  　　　 　 
キ　「【００４７】（実施形態２）本発明による実施形態２の窒化物半導体レーザ装置２００を図４Ａおよび図４Ｂを参照して説明する。図４Ａは実施形態２の窒化物半導体レーザ装置２００の斜視図であり、図４Ｂは図４Ａの４Ｂ−４Ｂ’線に沿った断面図である。 
【００４８】実施形態２の窒化物半導体レーザ装置２００は、実施形態１の半導体レーザダイオード１０の後面に形成された保護層２０ｂの外側に、さらに反射層３０ａを有している点、および、半導体レーザダイオード１０の前面（出射面）側に設けた保護層２０ａの厚さが約０．０８μｍであり、後面側に設けられた保護層２０ｂの厚さ約０．１６μｍである点において、実施形態１の窒化物半導体レーザ１００と異なる。窒化物半導体レーザ装置２００のその他の構成は、窒化物半導体レーザ１００の構成と実質的に同じであるので、実質的に同じ機能を有する構成要素は同じ参照符号で示し、その詳細な説明は省略する。 
【００４９】窒化物半導体レーザ装置２００の反射層３０ａは、図４Ｂに示したように、ＡｌＮ層３１（厚さ：約０．０５μｍ）／ＧａＮ層３２（厚さ：約０．０４μｍ）の屈折率が互いに異なる２種類の窒化物半導体層が交互に８対積層された構造を有している。これらの窒化物半導体層３１および３２の厚さは、それぞれ、レーザの発振光（例えばλ＝４２０ｎｍ）に対してλ／４ｎ（ｎ：それぞれの層の屈折率）の厚さになっており、これにより後面の反射率は約９３％となっている。また、これらの窒化物半導体層３１および３２はアンドープの半導体層なのでその比抵抗は１０９Ω・ｃｍ以上あり、これらの窒化物半導体層３１および３２を通してリーク電流が流れる心配は無い。　 
 　　　・・・（略）・・・　 
【００５３】次に、保護層２０ｂ上にＡｌＮ層３１（厚さ：約０．０５μｍ）／ＧａＮ層３２（厚さ：約０．０４μｍ）の２種類の窒化物半導体層を交互に８対堆積し、反射層３０ａを形成する。ＡｌＮ層３１およびＧａＮ層３２の厚さは、それぞれの屈折率をｎ（ＡｌＮの屈折率２．０、ＧａＮの屈折率２．６）として、それぞれ発振波長λ＝４２０ｎｍに対してλ／４ｎの厚さになっている。この反射層３０ａを設けることにより、半導体レーザダイオード１０’の後面での反射率は約９３％になる。また、ＡｌＮ層３１およびＧａＮ層３２はアンドープ状態で成長しているので、それぞれの比抵抗は１０９Ω・ｃｍ以上あり、ＡｌＮ層３１およびＧａＮ層３２層を通してリーク電流が流れる心配は無い。」　 
 　 
ク　「【００５８】（実施形態３）本発明による実施形態３の窒化物半導体レーザ装置３００の断面図を図５に示す。窒化物半導体レーザ装置３００は、反射層３０ｂの構成が実施形態２の窒化物半導体レーザ装置２００と異なる。窒化物半導体レーザ装置３００のその他の構成は、窒化物半導体レーザ装置２００と同様なので、実質的に同じ機能を有する構成要素は同じ参照符号で示し、その詳細な説明は省略する。 
 【００５９】窒化物半導体レーザ装置３００は、半導体レーザダイオード１０の後面に設けられた保護層（ＧａＮ）２０ｂ上に、厚さがλ／４ｎ（ｎ：各層の屈折率、λ：レーザ発振波長）のＳｉＯ２層３３およびＴｉＯ２層３４の２種類の絶縁層が交互に５対積層されて反射層３０ｂが形成されている。半導体レーザダイオード１０の前面には、厚さがλ／２ｎの保護層２０ａが形成されている。 
【００６０】この窒化物半導体レーザ装置３００の製造方法について説明する。図２Ｃに示すように、半導体レーザダイオード１０’の後面に保護層２０ｂを０．１６μｍの厚さに形成するまでは、実施形態２と同様である。 
【００６１】次に、保護層２０ｂ上にＳｉＯ２層３３（厚さ：０．０７μｍ）／ＴｉＯ２層３４（厚さ：０．０４μｍ）の互いに屈折率が異なる２種類の絶縁層を交互に５対形成する。これらの層厚は各々発振波長λ＝４２０ｎｍに対してλ／４ｎの厚さになっており、これにより裏面の反射率は約９８％になる。これらのＳｉＯ２層３３／ＴｉＯ２層３４は、保護層２０ｂ上に形成されるため、堆積工程において半導体レーザダイオード１０’の活性層１４の端面に直接の影響は与えないので、スパッター法や電子線蒸着法を用いて形成してもよい。しかしながら、半導体レーザダイオード１０’の結晶層へのダメージを最小にするために、ＭＢＥ法で成長する方が好ましい。 
【００６２】その後、λ／２ｎの厚さの保護層（ＧａＮ）２０ａ（厚さ：０．０８μｍ）を半導体レーザダイオード１０’の前面に形成する。以下、先の実施形態と同様にして窒化物半導体レーザ装置３００が得られる。 
【００６３】実施形態３では、実施形態１と同様に半導体レーザ装置の寿命が延びる効果が得られるとともに、さらに高い反射率が得られる。」　 
 　 
ケ　「【００６４】（実施形態４）本発明による実施形態４の窒化物半導体レーザ装置４００の断面図を図６に示す。窒化物半導体レーザ装置４００は、半導体レーザダイオード１０の後面に形成されている保護層２０ｃの構成が実施形態２の窒化物半導体レーザ装置２００と異なる。窒化物半導体レーザ装置４００のその他の構成は、窒化物半導体レーザ装置２００と同様なので、実質的に同じ機能を有する構成要素は同じ参照符号で示し、その詳細な説明は省略する。
【００６５】半導体レーザダイオード１０の後面に形成された保護層（ＧａＮ）２０ｃは、λ／４ｎ（ｎ：保護層の屈折率、λ：レーザ発振波長）の厚さを有している。・・・」　
　
コ　「【００７０】（実施形態５）本発明による実施形態５の窒化物半導体レーザ装置５００の断面図を図８に示す。窒化物半導体レーザ装置５００は、半導体レーザダイオード１０の後面に形成されている反射層４０の構成が実施形態２の窒化物半導体レーザ装置２００と異なる。窒化物半導体レーザ装置５００のその他の構成は、窒化物半導体レーザ装置２００と同様なので、実質的に同じ機能を有する構成要素は同じ参照符号で示し、その詳細な説明は省略する。
【００７１】窒化物半導体レーザ装置５００は、半導体レーザダイオード１０の後面に設けられた保護層（ＧａＮ）２０ｂ上に、Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ｎ層４１（０．０１μｍ）／ＡｌＮ層４２（０．０３μｍ）／Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ｎ層４１（０．０１μｍ）/ＧａＮ層４３（０．０４μｍ）の４層積層体を１６対堆積されている。半導体レーザダイオード１０の前面には、厚さがλ／２ｎの保護層（ＧａＮ）２０ａが形成されている。」
　
サ　「【００７９】（実施形態６）本発明の実施形態６は、実施形態５の窒化物半導体レーザ装置５００において、半導体レーザダイオード１０の後面に設けられた保護層（ＧａＮ）２０ｂを省略し、半導体レーザダイオード１０の後面にＡｌ0.5Ｇａ0.5Ｎ層４１（０．０１μｍ）／ＡｌＮ層４２（０．０３μｍ）／Ａｌ0.5Ｇａ0.5Ｎ層４１（０．０１μｍ）/ＧａＮ層４３（０．０４μｍ）の４層積層体を１６対堆積する。この構成によっても、高い反射率を有する反射層を得ることができる。
【００８０】なお、半導体レーザダイオード１０の後面に直接形成される保護層として、Ｉｎ0.02Ｇａ0.98Ｎ層を用いてもよい。」
　
シ　「【００８７】【発明の効果】本発明によれば、低出力時は勿論のこと、歪みや欠陥の影響が大きい高出力発振時においても高信頼性の長寿命の窒化物半導体レーザ装置を得ることが出来る。本発明の窒化物半導体レーザ装置は、高密度光ディスク装置等の光源に好適に利用される。」
　
ス　上記イで言及されている図１１は、以下のものである。
セ　上記クで言及されている図５は、以下のものである。
　
(２)　甲第２号証の記載事項
　優先日前に頒布された刊行物と認められる甲第２号証には、以下のアないしキの記載がある。 
ア　「２．特許請求の範囲
１．一対の対向する共振器端面のうち少なくとも一方の共振器端面が、該共振器端面上に形成された放熱用誘電体膜と、該放熱用誘電体膜上に形成されたパッシベーション膜とを備えており、 
　該放熱用誘電体膜は、該パッシベーション膜の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有し、 
　該パッシベーション膜は、該放熱用誘電体膜よりも高い耐水性を有している半導体レーザ素子。 
２．前記放熱用誘電体膜がＡｌＮ膜である請求項１に記載の半導体レーザ素子。」（第１頁左下欄第４行ないし１４行）　 
 　 
イ　「（産業上の利用分野） 
　本発明は半導体レーザ素子に関し、特に、高出力動作時でも端面が劣化することのない信頼性の高い半導体レーザ素子に関する。」 （第１頁左下欄第１６行ないし１９行）
 　 
ウ　「（発明が解決しようとする課題） 
　しかしながら、上述の従来技術においては、以下に述べる問題点があった。 
　保護膜によって、レーザ光放射中の端面酸化膜の成長は抑制されるが、保護膜形成直後に於いても、保護膜と端面との界面には、薄い酸化膜がどうしても存在している。従って、端面近傍での発熱自体を抑制することはできない。また、従来の保護膜は、熱伝導性が悪いという欠点を有している。このため、端面近傍でレーザ光の吸収による温度上昇が生じると、発生した熱を発熱部分から外部へ充分に放出することができない。このように、放熱効果の低い従来の誘電体保護膜では、半導体レーザ素子の端面劣化を充分に防止することができない。 
　上記の従来技術を改良したものに、保護膜として、熱伝導性に優れた結晶質ＡｌＮ膜を用いた半導体レーザ素子がある（特願平０１−１１０２６９号）。この半導体レーザ素子に於いては、熱伝導性に優れた結晶質ＡｌＮ膜によって端面が保護されているために、端面は酸化されにくく、しかも端面近傍の発熱部分から外部への放熱が充分に行われる。なお、ここでいう結晶質とは、単結晶であることに限定されず、多結晶を含むものものである。熱伝導性に優れた結晶質ＡｌＮ膜は、３００℃程度以下の比較的低温で形成することができるという利点を有している。しかし、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２、ＳｉＮ等からなる従来の保護膜は、３００°Ｃ程度以下の温度では、熱伝導性の良い結晶質の膜として形成することができない。これらの膜を結晶質の膜として形成するためには、３００℃程度以上の高温で行うプロセスが必要となる。このような高温プロセスは、半導体レーザ素子に対して熱による損傷を与え、その特性を劣化させてしまう。このため、従来の保護膜材料を用いて放熱効果に優れた保護膜を形成することはできない。 
　ＡｌＮには、半導体レーザ素子に損傷を与えることのない比較的低温のプロセスで、熱伝導性に優れた結晶質の膜になるという利点がある。しかし、ＡｌＮには、例えば、次式に示すように、水と反応してアンモニア等に分解するという欠点がある。 
 　 
　　２ＡｌＮ＋３Ｈ２Ｏ　→　Ａｌ２Ｏ３＋２ＮＨ３↑ 
 　 
　このため、
半導体レーザ素子の共振器端面に形成されたＡｌＮ保護膜は、大気雰囲気中の水分と反応することにより、分解し、変質してしまうことがある。分解し、変質してしまったＡｌＮ膜は、もはや充分に半導体レーザ素子の端面を保護することができない
　本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、
大気雰囲気中で高出力動作を行っても端面劣化が生じにくい信頼性の高い半導体レーザ素子を提供する
 　 
エ　「（課題を解決するための手段） 
　本発明の半導体レーザ素子は、一対の対向する共振器端面のうち少なくとも一方の共振器端面が、該共振器端面上に形成された放熱用誘電体膜と、該放熱用誘電体膜上に形成されたパッシベーション膜とを備えており、該放熱用誘電体膜は、該パッシベーション膜の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有し、該パッシベーション膜は、該放熱用誘電体膜よりも高い耐水性を有しており、そのことにより上記目的が達成される。 
　また、前記放熱用誘電体膜がＡｌＮ膜であっても良い。」 （第３頁左下欄第１４行ないし１６行）
 　 
オ　「（実施例） 
　以下に本発明を実施例について説明する。 
　第１図に、本発明半導体レーザ素子の実施例の共振器方向に垂直な断面図を示す。また、第２図に、第１図のＡ−Ａ線断面図を示す。・・・（略）・・・半導体レーザ素子の一対の共振器端面３０、４０のうちの一方の共振器端面（低反射率側端面）３０に於いては、端面３０上に放熱用誘電体膜として熱伝導率２．０ｗ／ｃｍ・ｄｅｇの結晶質ＡｌＮ膜（膜厚１９５０Å）１０が形成されている。このＡｌＮ１０上にはパッシベーション膜として熱伝導率０．２１Ｗ／ｃｍ・ｄｅｇのＡｌ２Ｏ３膜（膜厚１２２０Å）１１が形成されている。他方の共振器端面（高反射率側端面）４０上には、ＡｌＮ膜（膜厚１９５０Å）２０　Ａｌ２Ｏ３膜（膜厚１２２０Å）２１、非晶質Ｓｉ膜（膜厚５５０Å、熱伝導率０．０２６ｗ／ｃｍ・ｄｅｇ）２２、Ａｌ２Ｏ３膜（膜厚１２２０Å〉２３、Ｓｉ膜（膜厚５５０Å）２４及びＡｌ２Ｏ３膜（膜厚２４４０Å）２５がこの順番で半導体レーザ素子側から積層されている。　このように本実施例では、共振器端面３０、４０に放熱用誘電体膜として熱伝導率の比較的高い結晶質ＡｌＮ層１０、２０が設けられている。このため、端面近傍で発生した熱は速やかに発熱部から発熱部外へ放熱される。従って、端面近傍での温度上昇が抑制され、温度上昇による端面劣化が防止される。また、
低反射率側端面３０に於いて、放熱用誘電体膜であるＡｌＮ膜上にパッシベーション膜として、耐水性に優れているＡｌ
２
Ｏ
３
膜１１が設けられている
 　  
カ　「レーザの発振波長を７８００Å、Ａｌ２Ｏ３膜１１の膜厚を１２２０Å、Ａｌ２Ｏ３膜１１の屈折率を１．６０、ＡｌＮ膜１０の屈折率を２．０とした。」（第３頁左下欄第１４行ないし１６行）
　
キ　「また、低反射率側端面３０に於いては、パッシベーション膜としてＡｌ２Ｏ３膜１１を用いたが、これ以外に
、ＳｉＯ
２
、ＴｉＯ
２
、ＺｒＯ
２
、Ｓｉ
３
Ｎ
４
等の耐水性の比較的高い材料
　
（３）　甲第３号証の記載事項
　優先日前に頒布された刊行物と認められる甲第３号証には、以下のアないしエの記載がある。
ア　「第６章　半導体レーザとフォトダイオードの構造
　半導体レーザは、すでに理解したように、半導体のＰＮ接合に順方向に電圧を印加し、電流つまりキャリアを注入することにより反転分布を形成し、電子−正孔の再結合エネルギーを光として取り出す部品です。この機能を得るために様々な工夫がこらされています。」（１４１頁１ないし５行）
　
イ　図6-2(b)（１４３頁）には、ストライプ状のｐ電極を有する端面発光型の半導体レーザが示されている。図6-2 (b)は次のものである。
　
ウ　「6-1-2　光の横モード制御のためのストライプ構造
　光の進行方向に垂直な面内の光強度分布のモードを横モードといい、ＰＮ接合に平行方向の分布を水平横モード、垂直方向の分布を垂直横モードといいます。本節では水平横モード制御の基本であるストライプ構造について説明します。
　水平横モードを制御するためには、活性層の一部のみにレーザ光を閉じ込める必要があり、そのためにレーザにはストライプ構造が形成されています。ストライプ構造の基本は図6-3に示すように、電流路以外の領域を高抵抗にしたり、電極をストライプ状にすることにより、活性層の一部のみに電流を注入し、その部分のみで利得を得るというものです（後述する利得導波構造）。
　このように活性層に部分的に電流注入することで、水平横モードの制御が可能になるとともに、しきい値電流の低減も実現されます。」(１４５頁５ないし１６行）
　
エ　「以上説明しましたダブルヘテロ（ＤＨ）接合構造とストライプ構造の併用で、しきい値電流が低減し、安定したレーザ発振が可能になってきました。
　6-1-3　ストライプ構造の種類
　これまで非常に多くのストライプ構造の半導体レーザが提案されてきましたが、大別すると、（i）利得導波型と(ii)屈折率導波型になります。」（１４６頁６ないし１０行）
　
(４）　甲第４号証の記載事項
　優先日前に頒布された刊行物と認められる甲第４号証には、以下のアないしウの記載がある。
ア　「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光情報処理用光源として有用な半導体レーザ素子、特にＧａＮ系青色半導体レーザ素子に関するものである。」
　
イ　「【００２０】図１及び図２は、それぞれ本発明の一実施例の基本構造を模式的に示している。発光ストライプ領域４を有するＧａＮ系半導体レーザに、へき開により共振器端面を形成した後、両端面に、高い標準生成エンタルピー（△Ｈｏ）を有するＳｃ２Ｏ３等の誘電体膜１、２を形成する。薄膜の形成法には、高周波スパッタ法、イオンビームスパッタ法、又は電子ビーム蒸着法を用いることができる。」
　
ウ　「【００３０】次に、本発明の具体的な実施例について図３及び図４を用いて説明する。まず、Ａ面（（11-20）面）サファイア基板６上のＧａＮバッファ層７、層厚３μｍのｎ型ＧａＮコンタクト層８、層厚０．１μｍのｎ型Ｉｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ層９、層厚０．４μｍのｎ型Ａｌ０．１４Ｇａ０.８６Ｎ／ＧａＮ変調ドープ超格子クラッド層（各層の層厚はそれぞれ２．５ｎｍ）１０、層厚０．１μｍのｎ型ＧａＮ層１１、Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ量子井戸層（層厚３．５ｎｍ)とＩｎ０．０２Ｇａ０．９８Ｎバリア層（層厚１０．５ｎｍ）を交互に積層した多重量子井戸活性層１２、層厚０．０２μｍのｐ型Ａｌ０．２Ｇａ０．８Ｎ層１３、層厚０．１μｍのｐ型ＧａＮ層１４、層厚０．４μｍの型Ａｌ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ／ＧａＮ変調ドープ超格子クラッド層（各層の層厚はそれぞれ２．５ｎｍ)１５、層厚０．０５μｍのｐ型ＧａＮコンタクト層１６を順次積層したダブルヘテロ構造結晶を形成する。結晶成長は、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）を用いて行なうことができる。
【００３１】次に、このダブルヘテロ構造結晶の一部を、前記ｐ型Ａｌ０．１２Ｇａ０．８８Ｎ層１５の途中までエッチングして、発光ストライプリッジ２０を形成する。」
　
２　引用発明の認定
　上記１（１）によれば、甲第１号証には、次の発明（前判決に倣って「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
「窒化物半導体レーザダイオードと，窒化物半導体レーザダイオードのレーザ端面に設けられた保護層とを有し，
　保護層は，
　窒化物半導体レーザダイオードが発振する光に対して透明であるＡｌ１−ｘ−ｙ−ｚＧａｘＩｎｙＢｚＮ（０≦ｘ，ｙ，ｚ≦１，且つ，０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）からなり，
　窒化物半導体レーザダイオードは，
　ＩｎｕＧａ１−ｕＮ／ＩｎｖＧａ１−ｖＮ（０≦ｕ，ｖ≦１）からなる多重量子井戸活性層を有し，
　保護層に接して，窒化物半導体レーザダイオードが発振する光を反射する反射層を更に有し，
　反射層は，屈折率が互いに異なる第１および第２層が交互に積層された積層構造を有し，
　第１層および第２層は，それぞれ．ＳｉＯ２およびＴｉＯ２，または窒化物半導体レーザダイオードが発振する光に対して透明であり，且つ屈折率が互いに異なる２種類のＡｌ１−ｘ−ｙ−ｚＧａｘＩｎｙＢｚＮ（０≦ｘ，ｙ，ｚ≦１，且つ，０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）からなる，窒化物半導体レーザ装置であって，
　窒化物半導体レーザダイオードが，
　アンドープのＩｎ０．０２Ｇａ０．９８Ｎ／Ｉｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎからなる多重量子井戸活性層を有し，
　多重量子井戸活性層の前面及び後面に保護層が形成され，
　後面に設けられた保護層の上に，ＳｉＯ２層及びＴｉＯ２層が交互に５対積層された反射層が形成された，窒化物半導体レーザ装置。」    
　　
３　本件発明１と引用発明との対比・判断
（１）　対比
　上記「第６　３」の前判決の説示と同様に、引用発明と本件発明１との一致点・相違点は、次のものである。 
＜一致点＞ 　 
「発光層の両端面に、光出射側鏡面と光反射側鏡面を持つ共振器構造を有する窒化ガリウム系発光素子において、光出射側鏡面に、膜が形成され、光反射側鏡面には、単一層の保護膜が接して形成され、かつ、該保護膜に接して、低屈折率層と高屈折率層とを低屈折率層から積層して終端が高屈折率層となるように交互に積層してなる高反射膜が形成されてなる窒化ガリウム系発光素子。」
　
＜相違点１＞ 
　発光層の形状に関し、本件発明１は、「ストライプ状」であるのに対して、 引用発明は、ストライプ状であるか否か不明である点。 
 　 　 
＜相違点２＞ 
　光出射側鏡面の膜に関し、 本件発明１は、「窒化ガリウムより低い屈折率を有する低反射膜が、該光出射側鏡面から屈折率が順に低くなるように２層以上積層され、該光出射側鏡面に接した第１の低反射膜が、ＺｒＯ２，ＭｇＯ，Ａｌ２Ｏ３，Ｓｉ３Ｎ４，ＡｌＮ及びＭｇＦ２から選ばれたいずれか１種から成」るのに対して、 引用発明は、窒化ガリウムより低い屈折率を有する低反射膜が、光出射側鏡面から屈折率が順に低くなるように２層以上積層されてはおらず、ＡｌＮを含むＡｌ１−ｘ−ｙ−ｚＧａｘＩｎｙＢｚＮ（０≦ｘ、ｙ、ｚ≦１、且つ、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）からなる層である点。　 
 　 　 
＜相違点３＞ 
　光反射側鏡面の単一層の保護膜の材料に関し、 本件発明１は、「ＺｒＯ２，ＭｇＯ，Ｓｉ３Ｎ４，ＡｌＮ及びＭｇＦ２から選ばれたいずれか１種」であるのに対して、引用発明は、ＡｌＮを含むＡｌ１−ｘ−ｙ−ｚＧａｘＩｎｙＢｚＮ（０≦ｘ、ｙ、ｚ≦１、且つ、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）である点。　 
 　　　 
（２）　判断 
ア　＜相違点１＞について
　上記１（３）及び１（４）によれば、活性層の一部分に電流を集中させ、発光層をストライプ状とすることは、端面発光型の半導体レーザ素子の基本構造であり、窒化物半導体レーザ素子にも適用される、優先日時点で周知の技術と認められる。
　引用発明も端面から光を出射する半導体レーザダイオードすなわち端面発光型の半導体レーザ素子であるから、引用発明において、「アンドープＩｎＧａＮのＭＱＷ活性層」の一部分に電流を集中させ、該活性層をストライプ状とすること、すなわち、本件発明１の上記＜相違点１＞に係る構成を備えることは、当業者が周知技術に基づいて、適宜なし得たことと認められる。
　
イ　＜相違点２＞について
（ア）　光出射側鏡面の膜の材料について
　引用発明の出射面側保護層の材料は一般式「Ａｌ１−ｘ−ｙ−ｚＧａｘＩｎｙＢｚＮ（０≦ｘ、ｙ、ｚ≦１、且つ、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）」で表され、ｘ＝ｙ＝ｚ＝０を代入した際にはＡｌＮとなる。
　そして、請求人は、「甲第１号証において、窒化物系半導体レーザ素子の共振器端面の保護層の組成がＡｌＮを含む一般式で記載されていても、よく知られていたＡｌＮ保護膜を開示する甲第２号証の記載に基づいて、甲第１号証の共振器端面の保護層の組成として、ＡｌＮを選択することは容易に想到し得ることである。 」（上記「第４　２」参照。）と主張する。
　しかしながら、上記１（２）ウ及びオによれば、甲第２号証に記載された半導体レーザ素子のＡｌＮ保護層は、熱伝導性が良いという観点から選択されたものである。これに対して、上記１（１）エによれば、引用発明の保護層の材料は、熱伝導性が良いという観点ではなく、従来の保護層（ＳｉＯ２またはＴｉＯ２）に比べ、窒化物半導体レーザダイオードと格子定数及び熱膨張係数が整合するという観点から選択されたものであって、かかる観点からＡｌＮ保護層が選択されるとは直ちにいえない。
　加えて、上記１（２）ウないしオによれば、ＡｌＮ保護層は熱伝導性は良いものの、大気雰囲気中の水分と反応して分解、変質することを防ぐためのパッシベーション膜を必要とするところ、上記一般式で表される保護層の材料はＡｌＮに限られないから、引用発明において、パッシベーション膜という付加的な構成要素を必要とするＡｌＮを選択する動機は見当たらない。
　してみると、引用発明において、本件発明１の＜相違点２＞に係る構成のうち、「光出射側鏡面に接する第１の低反射膜を、窒化ガリウムより低い屈折率を有し、、ＺｒＯ２，ＭｇＯ，Ａｌ２Ｏ３，Ｓｉ３Ｎ４，ＡｌＮ及びＭｇＦ２から選ばれたいずれか１種から成るものとする。」との構成を備えることは、当業者が甲第２号証の記載に基づいて容易に想到し得たこととは認め難い。　
　
（イ）　 光出射側鏡面に接する膜に、該膜より屈折率の低い膜を積層する点について
　さらに、上記１（２）によれば、引用発明において、光出射側鏡面に接する膜の材料としてＡｌＮを選択する場合には、該膜の上にパッシベーション膜を備えるものとすることが想定されるが、パッシベーション膜の材料は、ＡｌＮ層の水分からの保護の観点で選択されるのであって、屈折率は考慮されていない。
　そして、上記１（２）キによれば、該パッシベーション膜は、Ａｌ２Ｏ３膜以外に、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、ＺｒＯ２、Ｓｉ３Ｎ４でもよいものと認められる。
　しかるに、上記１（１）キに摘記した甲第１号証の【００５３】及び上記１（２）カの記載によれば、ＡｌＮ層の屈折率は２．０であるところ、
　上記１（２）カの記載によればＡｌ２Ｏ３の屈折率は１．６であり、
　甲第６号証の「【００３１】・・・ＳｉＯ２の屈折率は１．４６であるから」との記載によればＳｉＯ２の屈折率は約１．５であり、
　また、技術常識に照らし、Ｓｉ３Ｎ４の屈折率は２．０、ＴｉＯ２の屈折率は２．２〜２．７、ＺｒＯ２の屈折率は２．１程度であると解される（例えば、特開２０００−１９６１５２号公報段落【００７７】「また、光取り出し層２０の材料としては、窒化シリコン（ＳｉＮx）を挙げることができる。すなわち、
窒化シリコンの屈折率は、約２．０
ＺｒＯ
2
（屈折率は約２．１
ＴｉＯ
2
（屈折率は約２．２〜２．７
　すなわち、パッシベーション膜の材料として例示された５種類のうち、２種類の屈折率はＡｌＮの屈折率より低く、１種類の屈折率はＡｌＮの屈折率と同程度であり、２種類の屈折率はＡｌＮの屈折率より高いものと推認される。
　してみると、引用発明において、光出射側鏡面に接する膜の材料としてＡｌＮを選択したとして、該膜の上にパッシベーション膜を備えるものとすることを想定しても、光出射側鏡面に接する膜（ＡｌＮ層）に、該膜より屈折率の低い膜を積層することを、必ずしも導けない。
　　
（ウ）　上記（ア）及び（イ）によれば、引用発明において、本件発明１の上記＜相違点２＞に係る構成を備えることを、当業者が甲第２号証の記載に基づいて容易に想到し得たとは認められない。
　
ウ　＜相違点３＞について
　請求人は、「保護層２０ａ及び２０ｂは、Ａｌ１−ｘ−ｙ−ｚＧａｘＩｎｙＢｚＮ（０≦ｘ、ｙ、ｚ≦１、且つ、０≦ｘ＋ｙ＋ｚ≦１）からなり、ｘ＝ｙ＝ｚ＝０とした場合には、保護層２０ａ及び２０ｂは、ＡｌＮからなる層となる。」（審判請求書８頁２４行ないし２７行）と主張する。
　しかしながら、引用発明において、出射側保護層をＡｌＮとすることを、当業者が甲第２号証の記載に基づいて容易に想到し得たとは認め難いことは、上記イ（ア）のとおりである。
　よって、引用発明において、本件発明１の上記＜相違点３＞に係る構成を備えることを、当業者が甲第２号証の記載に基づいて容易に想到し得たとは認め難い。
　
エ　上記アないしウによれば、引用発明において、本件発明１の上記＜相違点２＞及び＜相違点３＞に係る構成を備えることは、当業者が甲第１号証の記載及び甲第２号証の記載に基づいて容易に想到し得たこととは認められない。
　よって、本件発明１は、当業者が引用発明、甲第１号証の記載及び甲第２号証の記載に基づいて容易に発明をすることができたものとは認められない。
　
４　本件発明３ないし本件発明７について
　上記第３によれば、本件発明３ないし本件発明７は、本件発明１の特定事項をすべて含むものであるから、本件発明１が、引用発明、甲第１号証の記載及び甲第２号証の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものといえない以上、本件発明３ないし本件発明７が、引用発明、甲第１号証の記載及び甲第２号証の記載に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものといえないことは明らかである。  
 　  
５　まとめ  
　以上のとおりであるから、本件発明１及び本件発明３ないし本件発明７についての特許は、特許法第２９条第２項の規定に違反してなされたものではなく、同法第１２３条第１項第２号に該当しないから、無効とすることはできない。  
 　  
第８　むすび  
　以上のとおり、請求人が主張する無効理由によっては、本件発明１及び本件発明３ないし本件発明７についての特許を無効とすることはできない。  
 　 
　審判に関する費用については、特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により、請求人が負担すべきものとする。 
 　 
　よって、結論のとおり審決する。