【事件の表示】
　特願２００９−　６１８７８「磁壁移動素子、及び、磁気ランダムアクセスメモリ」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　９月３０日出願公開、特開２０１０−２１９１５６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯 
　本願は、平成２１年３月１３日の出願であって、平成２５年８月７日付けで拒絶理由の通知がなされ、同年１０月３日付けで意見書及び手続補正書の提出がなされ、同年１０月２５日付けで拒絶理由の通知がなされ、同年１２月２５日付けで意見書の提出がなされ、平成２６年１月１６日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年４月１７日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
　　　　　
２．本願発明 
　本願の請求項１に係る発明は、平成２５年１０月３日付け手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである（以下「本願発明」という。）。
　　　　  
「第１領域と第２領域との間において移動可能な磁壁を有する磁性体層である磁壁移動層と、
　前記磁壁移動層の前記第１領域の磁化方向を第１方向に固定する第１磁化固定層と、
　前記磁壁移動層の前記第２領域の磁化方向を前記第１方向と逆の第２方向に固定する第２磁化固定層とを備える磁壁移動素子であって、
　前記磁壁移動素子は、前記磁壁の位置によってデータを記憶し、
　前記第１磁化固定層は、Ｎ１層の磁性体層とＮ１−１層の非磁性体層とが交互に積層された積層構造を含み、
　Ｎ１は、３以上の奇数であり、
　前記Ｎ１層の磁性体層のうち第１番目の磁性体層は、前記第１領域に接触し、且つ、前記第１方向の磁化を有し、
　前記Ｎ１層の磁性体層のうち第ｉ番目（ｉ＝１〜Ｎ１−１）の磁性体層と第ｉ＋１番目の磁性体層とは、前記Ｎ１−１層の非磁性体層のうち第ｉ番目の非磁性体層を介して反強磁性結合しており、
　前記第２磁化固定層は、Ｎ２層の磁性体層とＮ２−１層の非磁性体層とが交互に積層された積層構造を含み、
　Ｎ２は、２以上の偶数であり、
　前記Ｎ２層の磁性体層のうち第１番目の磁性体層は、前記第２領域に接触し、且つ、前記第２方向の磁化を有し、
　前記Ｎ２層の磁性体層のうち第ｊ番目（ｊ＝１〜Ｎ２−１）の磁性体層と第ｊ＋１番目の磁性体層とは、前記Ｎ２−１層の非磁性体層のうち第ｊ番目の非磁性体層を介して反強磁性結合し、
　前記Ｎ１層の磁性体層のうち第Ｎ１番目の磁性体層に対する反転磁界は、前記Ｎ１層の磁性体層のうち他の磁性体層に対する反転磁界よりも大きく、
　前記Ｎ２層の磁性体層のうち第Ｎ２番目の磁性体層に対する反転磁界は、前記Ｎ２層の磁性体層のうち他の磁性体層に対する反転磁界よりも大きい
　磁壁移動素子。」
　　　　
　　　　　 　　　
３．引用文献 
（１）引用文献１について
　原査定の拒絶の理由に引用された国際公開第２００７／０２０８２３号（以下、「引用文献１」という。）には、下記の事項が記載されている。
　
Ａ　「本発明は、磁気メモリセルが集積された磁気ランダムアクセスメモリ、及びその磁気ランダムアクセスメモリへのデータの読み書き方法に関する。
背景技術
　磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）は、高集積・高速動作の観点から有望な不揮発性メモリである。」（段落［０００１］〜［０００２］）
Ｂ　「（構造例３）
　第１磁化固定領域１１、第２磁化固定領域１２、及び磁化反転領域１３の配置は、上述の配置に限られない。ＸＹ面における磁気記録層１０の形状の他の例が、図６に示されている。図６において、第１、第２磁化固定領域１１、１２、及び磁化反転領域１３は、“直線状”に形成されている。つまり、第１磁化固定領域１１と第２磁化固定領域１２は、Ｘ方向に沿って互いに略平行となるように形成されている。磁化反転領域１３は、第１磁化固定領域１１と第２磁化固定領域１２との間をつなぐように、Ｘ方向に沿って形成されている。
　第１磁化固定領域１１の磁化の向きは、−Ｘ方向に固定されている。その向きは、第１境界Ｂ１から離れる（Ａｗａｙ）方向である。また、第２磁化固定領域１２の磁化の向きは、＋Ｘ方向に固定されている。その向きは、第２境界Ｂ２から離れる（Ａｗａｙ）方向である。つまり、第１磁化固定領域１１の磁化と第２磁化固定領域１２の磁化は、共に磁化反転領域１３から離れる方向に固定されており、逆方向を向いている。尚、“磁化の固定”に関しては後述される（第１−３節）。磁化反転領域１３の磁化の向きは反転可能であり、＋Ｘ方向あるいは−Ｘ方向である。ピン層３０の磁化の向きは、−Ｘ方向に固定されている。
　図６に示された構造に対するデータの書き込み原理が、図７に示されている。磁化反転領域１３とピン層３０の磁化の向きが平行である状態が、データ「０」に対応付けられている。データ「０」状態において、磁化反転領域１３の磁化の向きは−Ｘ方向であり、磁壁ＤＷは第２境界Ｂ２に存在する。一方、磁化反転領域１３とピン層３０の磁化の向きが反平行である状態が、データ「１」に対応付けられている。データ「１」状態において、磁化反転領域１３の磁化の向きは＋Ｘ方向であり、磁壁ＤＷは第１境界Ｂ１に存在する。
　データ「１」の書き込み時（第１書き込み）、第１書き込み電流ＩＷ１が、第１磁化固定領域１１から磁化反転領域１３を通って第２磁化固定領域１２に流れる。この場合、磁化反転領域１３には、第２磁化固定領域１２から電子が注入される。その結果、磁化反転領域１３の磁化が反転し、その磁化の向きが＋Ｘ方向に変わる。電子の移動方向に一致して、磁壁ＤＷは、第２境界Ｂ２から第１境界Ｂ１へ移動する。一方、データ「０」の書き込み時（第２書き込み）、第２書き込み電流ＩＷ２が、第２磁化固定領域１２から磁化反転領域１３を通って第１磁化固定領域１１に流れる。この場合、磁化反転領域１３には、第１磁化固定領域１１から電子が注入される。その結果、磁化反転領域１３の磁化が反転し、その磁化の向きが−Ｘ方向に変わる。電子の移動方向に一致して、磁壁ＤＷは、第１境界Ｂ１から第２境界Ｂ２へ移動する。」（段落［００５６］〜［００５９］）
Ｃ　「１−３．磁化の固定
　次に、第１磁化固定領域１１及び第２磁化固定領域１２の磁化を固定するための方法を説明する。磁化固定の方法としては、交換結合、静磁結合、磁気異方性を用いる方法の３パターンが考えられる。
　（交換結合）
　図６に示された「構造例３」を例にとって説明する。図１３は、磁化固定手段を備えた磁気メモリセル１を概略的に示す側面図である。この磁気メモリセル１は、第１磁性体６１と第２磁性体６２を磁化固定手段として備えている。第１磁性体６１は、第１磁化固定領域１１に−Ｘ方向のバイアス磁界を印加する。一方、第２磁性体６２は、第２磁化固定領域１２に＋Ｘ方向のバイアス磁界を印加する。
　具体的には、第１磁性体６１は、−Ｘ方向の磁化を有する強磁性体層を含んでおり、その強磁性体層は、第１磁化固定領域１１に密着するように形成されている。この第１磁性体６１は、「交換結合（exchange coupling）」によって、第１磁化固定領域１１の磁化の向きを−Ｘ方向に固定している。一方、第２磁性体６２は、＋Ｘ方向の磁化を有する強磁性体層を含んでおり、その強磁性体層は、第２磁化固定領域１２に密着するように形成されている。この第２磁性体６２は、交換結合によって、第２磁化固定領域１２の磁化の向きを＋Ｘ方向に固定している。
　図１３に示されるように、第１磁性体６１は、例えばＣｏＦｅ／ＰｔＭｎの積層膜である。この積層膜構成は、ピン層で用いられているような構成である。ピン層の磁化の向きが固定されているように、第１磁化固定領域１１の磁化の向きを固定するための源として、ＣｏＦｅ層の磁化の向きは−Ｘ方向にしっかり固定されている。また、第２磁性体６２は、例えばＣｏＦｅ／Ｒｕ／ＣｏＦｅ／ＰｔＭｎの積層膜である。その上半分の構成は第１磁性体６１の構成と同様であり、ＣｏＦｅ層の磁化の向きは−Ｘ方向に固定されている。下部のＣｏＦｅ層は、Ｒｕ層を介して上部のＣｏＦｅ層と反強磁性的に結合しており、その磁化の向きは＋Ｘ方向に固定されている。この＋Ｘ方向の磁化を有するＣｏＦｅ層が、第２磁化固定領域１２に密着している。
　このように、図１３において、第１磁性体６１と第２磁性体６２の膜構成は異なる。それは、第１磁化固定領域１１と第２磁化固定領域１２に対して、逆方向のバイアス磁界を印加する必要があるからである。また、異なる膜構成の代わりに、異なる材料から第１磁性体６１と第２磁性体６２が形成されてもよい。「構造例４」や「構造例５」に関しても、同様の第１磁性体６１及び第２磁性体６２が適用され得る。
　交換結合による磁化固定は、図３に示された構造例１にも適用され得る。この場合、第１磁化固定領域１１と第２磁化固定領域１２の磁化は、同じ＋Ｙ方向に固定されればよい。従って、第１磁性体６１と第２磁性体６２の膜構成は同じで構わない。例えば、第１磁性体６１と第２磁性体６２は、ＣｏＦｅ／ＰｔＭｎの積層膜である。」（段落［００８２］〜［００８７］）
　
Ｄ　図１３には、磁気メモリセル１が、磁気記録層１０、第１磁性体６１、第２磁性体６２を備え、前記磁気記録層１０は第１磁化固定領域１１と第２磁化固定領域１２との間に磁化反転領域１３を有し、前記第１磁性体６１は前記第１磁化固定領域１１上にＣｏＦｅ層／ＰｔＭｎ層の順に複数の層が積層され、前記第２磁性体６２は前記第２磁化固定領域１２上に下部のＣｏＦｅ層／Ｒｕ層／上部のＣｏＦｅ層／ＰｔＭｎ層の順に複数の層が積層され、前記第１磁化固定領域１１の磁化の向きと前記第１磁化固定領域１１に接する前記第１磁性体６１内のＣｏＦｅ層の磁化の向きとは−Ｘ方向とされ、前記第２磁化固定領域１２の磁化の向きと前記第２磁化固定領域１２に接する前記第２磁性体６２内の下部のＣｏＦｅ層の磁化の向きとは＋Ｘ方向とされた構成が記載されている。
　
　ここで、上記引用文献１の記載事項について検討する。
Ｅ　磁気メモリセル１の構成について
　磁気メモリセル１については、上記Ａに「本発明は、磁気メモリセルが集積された磁気ランダムアクセスメモリ」に関するものであり、「磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）は、高集積・高速動作の観点から有望な不揮発性メモリ」であること、上記Ｄに「磁気メモリセル１が、磁気記録層１０、第１磁性体６１、第２磁性体６２を備え」たものであり、上記Ｃに「磁気メモリセル１は、第１磁性体６１と第２磁性体６２を磁化固定手段」としたものであることが記載されている。
　よって、引用文献１には、「磁気記録層１０、第１磁性体６１、第２磁性体６２を備え、前記第１磁性体６１と前記第２磁性体６２を磁化固定手段としたＭＲＡＭの磁気メモリセル１」が記載されている。
Ｆ　磁気記録層１０の構成について
　磁気記録層１０については、上記Ｄに「前記磁気記録層１０は第１磁化固定領域１１と第２磁化固定領域１２との間に磁化反転領域１３を有」することが記載されている。
Ｇ　第１磁性体６１の構成について
　第１磁性体６１については、上記Ｄに「第１磁性体６１は前記第１磁化固定領域１１上にＣｏＦｅ層／ＰｔＭｎ層の順に複数の層が積層」されたものであること、上記Ｃに「第１磁性体６１は、−Ｘ方向の磁化を有する強磁性体層を含んでおり、その強磁性体層は、第１磁化固定領域１１に密着するように形成されている。この第１磁性体６１は、「交換結合（exchange coupling）」によって、第１磁化固定領域１１の磁化の向きを−Ｘ方向に固定している」ことが記載されている。
　そして、ＣｏＦｅ層は強磁性層であることを踏まえると、引用文献１には、「第１磁性体６１は、第１磁化固定領域１１上にＣｏＦｅ層／ＰｔＭｎ層の順に複数の層が積層され、−Ｘ方向の磁化を有する強磁性体層である前記ＣｏＦｅ層は、前記第１磁化固定領域１１に密着するように形成され、交換結合によって、前記第１磁化固定領域１１の磁化の向きを−Ｘ方向に固定」していることが記載されている。
Ｈ　第２磁性体６２の構成について
　第２磁性体６２については、上記Ｄに「第２磁性体６２は前記第２磁化固定領域１２上に下部のＣｏＦｅ層／Ｒｕ層／上部のＣｏＦｅ層／ＰｔＭｎ層の順に複数の層が積層」されたものであること、上記Ｃに「第２磁性体６２は、＋Ｘ方向の磁化を有する強磁性体層を含んでおり、その強磁性体層は、第２磁化固定領域１２に密着するように形成されている。この第２磁性体６２は、交換結合によって、第２磁化固定領域１２の磁化の向きを＋Ｘ方向に固定している」こと、「下部のＣｏＦｅ層は、Ｒｕ層を介して上部のＣｏＦｅ層と反強磁性的に結合」することが記載されている。
　そして、下部のＣｏＦｅ層は強磁性層であることを踏まえると、引用文献１には、「第２磁性体６２は、第２磁化固定領域１２上に下部のＣｏＦｅ層／Ｒｕ層／上部のＣｏＦｅ層／ＰｔＭｎ層の順に複数の層が積層され、＋Ｘ方向の磁化を有する強磁性体層である前記下部のＣｏＦｅ層は、前記第２磁化固定領域１２に密着するように形成され、交換結合によって、前記第２磁化固定領域１２の磁化の向きを＋Ｘ方向に固定し、また前記下部のＣｏＦｅ層は、前記Ｒｕ層を介して前記上部のＣｏＦｅ層と反強磁性的に結合」していることが記載されている。
Ｉ　磁壁の位置とデータとの関係について
　磁壁の位置とデータとの関係については、上記Ｂに、「データ『０』状態において、磁化反転領域１３の磁化の向きは−Ｘ方向であり、磁壁ＤＷは第２境界Ｂ２に存在」し、「データ『１』状態において、磁化反転領域１３の磁化の向きは＋Ｘ方向であり、磁壁ＤＷは第１境界Ｂ１に存在」することが記載されている。
　よって、引用文献１には、「磁壁ＤＷの位置がデータの内容と対応つけられ」ていることが記載されているといえる。
Ｊ　データの書き込みについて
　磁気メモリセル１へのデータの書き込みについては、上記Ｂに、「データ『１』の書き込み時（第１書き込み）」、「磁化反転領域１３の磁化が反転し、その磁化の向きが＋Ｘ方向に変」わり、「磁壁ＤＷは、第２境界Ｂ２から第１境界Ｂ１へ移動」し、「データ『０』の書き込み時（第２書き込み）」、「磁化反転領域１３の磁化が反転し、その磁化の向きが−Ｘ方向に変」わり、「磁壁ＤＷは、第１境界Ｂ１から第２境界Ｂ２へ移動する」ことが記載されている。
　よって、引用文献１には、「磁化反転領域１３の磁化の向きを反転させることで磁壁を移動させてデータの書き込みを行う」ことが記載されている。
　よって、Ａ乃至Ｊ及び関連図面の記載から、引用文献１には、実質的に下記の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　　
「磁気記録層１０、第１磁性体６１、第２磁性体６２を備え、前記第１磁性体６１と前記第２磁性体６２を磁化固定手段としたＭＲＡＭの磁気メモリセル１であって、
　前記磁気記録層１０は、第１磁化固定領域１１と第２磁化固定領域１２との間に磁化反転領域１３を有し、
　前記第１磁性体６１は、前記第１磁化固定領域１１上にＣｏＦｅ層／ＰｔＭｎ層の順に複数の層が積層され、−Ｘ方向の磁化を有する強磁性体層である前記ＣｏＦｅ層は、前記第１磁化固定領域１１に密着するように形成され、交換結合によって、前記第１磁化固定領域１１の磁化の向きを−Ｘ方向に固定し、
　前記第２磁性体６２は、前記第２磁化固定領域１２上に下部のＣｏＦｅ層／Ｒｕ層／上部のＣｏＦｅ層／ＰｔＭｎ層の順に複数の層が積層され、＋Ｘ方向の磁化を有する強磁性体層である前記下部のＣｏＦｅ層は、前記第２磁化固定領域１２に密着するように形成され、交換結合によって、前記第２磁化固定領域１２の磁化の向きを＋Ｘ方向に固定し、また前記下部のＣｏＦｅ層は、前記Ｒｕ層を介して前記上部のＣｏＦｅ層と反強磁性的に結合し、
　磁壁ＤＷの位置がデータの内容と対応つけられ、前記磁化反転領域１３の磁化の向きを反転させることで前記磁壁ＤＷを移動させてデータの書き込みを行う、
　前記磁気メモリセル１。」
　　　　
（２）引用文献２について
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００６−２６９８８５号公報（以下、「引用文献２」という。）には、下記の事項が記載されている。
　
Ｋ「【００２７】
  実施例１は、本発明のスピン注入型磁気抵抗効果素子に関し、より具体的には、本発明のスピン注入型磁気抵抗効果素子をＭＲＡＭに適用する。」
Ｌ「【００４６】
　磁化参照層３２，４２の長さＬ２は、実施例１にあっては、５０〜７０ｎｍであり、磁化反転層２０の両端に収まるよう加工されている。磁化参照層３２，４２の加工時、その下に形成されている第１の反強磁性層３３及び第２の反強磁性層４３（以下、第１の反強磁性層３３及び第２の反強磁性層４３を総称して、反強磁性層３３，４３と呼ぶ場合がある）にまで加工が及んでも（図４のスピン注入型磁気抵抗効果素子の概念図における、矢印「Ｘ」で示す領域を参照）、問題はない。第１の磁化参照層３２と第１の反強磁性層３３との界面、及び、第２の磁化参照層４２と第２の反強磁性層４３との界面における交換結合により、磁化参照層３２，４２の磁化は一方向に固定されている。」
Ｍ「【００６２】
　実施例２のスピン注入型磁気抵抗効果素子の変形例における第２の磁化参照層１４２等の拡大された概念図を図７に示す。この変形例にあっては、第２の磁化参照層１４２も積層フェリ構造を有する。ここで、第１の磁化参照層１３２は、第１強磁性材料層１３２Ａ／非磁性スペーサ層１３２Ｂ／第２強磁性材料層１３２Ｃの３層構成であるが、第２の磁化参照層１４２は、第１強磁性材料層１４２Ａ／第１非磁性スペーサ層１４２Ｂ／第２強磁性材料層１４２Ｃ／第２非磁性スペーサ層１４２Ｄ／第３強磁性材料層１４２Ｅの５層構成である。このような構成にすることで、第１の磁化参照層１３２を構成する第１強磁性材料層１３２Ａの磁化の方向と、第２の磁化参照層１４２を構成する第１強磁性材料層１４２Ａの磁化の方向とを、１回の磁場中熱処理により容易に反平行とすることができる。即ち、第１の磁化参照層１３２を構成する第２強磁性材料層１３２Ｃの磁化の方向と、第２の磁化参照層１４２を構成する第３強磁性材料層１４２Ｅの磁化の方向とを平行に保ちつつ、第１強磁性材料層１４２Ａと第１強磁性材料層１３２Ａの磁化方向を互いに逆向きにできる。第１の磁化参照層及び第２の磁化参照層において、磁化反転層２０と第１の非磁性膜あるいは第２の非磁性膜を介して対向する強磁性材料層の磁化の方向が反平行であり、反強磁性層と接する強磁性材料層の磁化の方向が平行であるといった条件を満足する限り、第１の磁化参照層１３２を構成する層数、第２の磁化参照層１４２を構成する層数は、３層及び５層に限定されるものではない。」
　
　ここで、上記引用文献２の記載事項について検討する。
Ｎ　ＭＲＡＭの磁化参照層について
　上記Ｋには、「スピン注入型磁気抵抗効果素子」が適用された「ＭＲＡＭ」であること、上記Ｍには、「スピン注入型磁気抵抗効果素子」が、「第１の磁化参照層１３２」と「第２の磁化参照層１４２」を有すること、「第１の磁化参照層１３２は、第１強磁性材料層１３２Ａ／非磁性スペーサ層１３２Ｂ／第２強磁性材料層１３２Ｃ」の積層構成であること、「第２の磁化参照層１４２は、第１強磁性材料層１４２Ａ／第１非磁性スペーサ層１４２Ｂ／第２強磁性材料層１４２Ｃ／第２非磁性スペーサ層１４２Ｄ／第３強磁性材料層１４２Ｅ」の積層構成であって「積層フェリ構造を有する」ことが記載されている。
Ｏ　磁化参照層の磁化方向の設定について
　磁化参照層の構成と磁化方向の設定について、上記Ｍに「このような構成にすることで、第１の磁化参照層１３２を構成する第１強磁性材料層１３２Ａの磁化の方向と、第２の磁化参照層１４２を構成する第１強磁性材料層１４２Ａの磁化の方向とを、１回の磁場中熱処理により容易に反平行とすることができる。即ち、第１の磁化参照層１３２を構成する第２強磁性材料層１３２Ｃの磁化の方向と、第２の磁化参照層１４２を構成する第３強磁性材料層１４２Ｅの磁化の方向とを平行に保ちつつ、第１強磁性材料層１４２Ａと第１強磁性材料層１３２Ａの磁化方向を互いに逆向きにできる」ことが記載されている。
Ｐ　磁化参照層と反強磁性層の交換結合について
　磁化参照層と反強磁性層の交換結合については、上記Ｌに「第１の磁化参照層３２と第１の反強磁性層３３との界面、及び、第２の磁化参照層４２と第２の反強磁性層４３との界面における交換結合により、磁化参照層３２，４２の磁化は一方向に固定されている」ことが記載されている。
　よって、上記Ｋ乃至Ｐの記載から、引用文献２には、下記の事項が記載されていると認められる。
（引用文献２の記載事項１）
　「スピン注入型磁気抵抗効果素子が適用されたＭＲＡＭにおいて、前記スピン注入型磁気抵抗効果素子は、第１の磁化参照層１３２と第２の磁化参照層１４２を有し、前記第１の磁化参照層１３２は、第１強磁性材料層１３２Ａ／非磁性スペーサ層１３２Ｂ／第２強磁性材料層１３２Ｃの積層構成であり、前記第２の磁化参照層１４２は、第１強磁性材料層１４２Ａ／第１非磁性スペーサ層１４２Ｂ／第２強磁性材料層１４２Ｃ／第２非磁性スペーサ層１４２Ｄ／第３強磁性材料層１４２Ｅの積層構成であって積層フェリ構造を有すること。」
（引用文献２の記載事項２）
　「１回の磁場中熱処理により、第１の磁化参照層１３２を構成する第２強磁性材料層１３２Ｃの磁化の方向と、第２の磁化参照層１４２を構成する第３強磁性材料層１４２Ｅの磁化の方向とを平行に保ちつつ、第１強磁性材料層１４２Ａと第１強磁性材料層１３２Ａの磁化方向を互いに逆向きにできること。」
（引用文献２の記載事項３）
　「第１の磁化参照層３２と第１の反強磁性層３３との界面、及び、第２の磁化参照層４２と第２の反強磁性層４３との界面における交換結合により、磁化参照層３２，４２の磁化は一方向に固定されること。」
　　　
　　　　　　　　　　  
４．対比 
（１）本願発明と引用発明との対応関係について
ア　引用発明の「磁気記録層１０」と本願発明の「磁壁移動層」との対応関係について
　引用発明の「第１磁化固定領域１１」、「第２磁化固定領域１２」は、本願発明の「第１領域」、「第２領域」に相当している。また、引用発明では、「磁壁ＤＷの位置がデータの内容と対応つけられ、磁化反転領域１３の磁化の向きを反転させることで磁壁を移動させてデータの書き込み」が行われるところ、該磁化反転領域１３は「磁気記録層１０」内の領域であるから、引用発明の「磁気記録層１０」は、本願発明の「移動可能な磁壁を有する磁性体層である磁壁移動層」に相当している。
　
イ　引用発明と本願発明の磁化の固定構成の対応関係について
　引用発明では、「第１磁性体６１」の「−Ｘ方向の磁化を有する強磁性体層である前記ＣｏＦｅ層は」、「交換結合によって、前記第１磁化固定領域１１の磁化の向きを−Ｘ方向に固定」するものであるから、引用発明の「−Ｘ方向」は本願発明の「第１方向」に相当し、引用発明の「第１磁性体６１」は、下記の相違点１及び２を除いて、本願発明の「前記磁壁移動層の前記第１領域の磁化方向を第１方向に固定する第１磁化固定層」に相当している。
　また、引用発明では、「第２磁性体６２」の「＋Ｘ方向の磁化を有する強磁性体層である前記下部のＣｏＦｅ層は」、「交換結合によって、前記第２磁化固定領域１２の磁化の向きを＋Ｘ方向に固定」するものであるから、引用発明の「＋Ｘ方向」は本願発明の「第１方向と逆の第２方向」に相当し、引用発明の「第２磁性体６２」は、下記の相違点３を除いて、本願発明の「前記磁壁移動層の前記第２領域の磁化方向を前記第１方向と逆の第２方向に固定する第２磁化固定層」に相当している。
ウ　引用発明の「磁気メモリセル１」と本願発明の「磁壁移動素子」との対応関係について
　引用発明の「磁気メモリセル１」は、「磁壁ＤＷの位置がデータの内容と対応つけられ、磁化反転領域１３の磁化の向きを反転させることで磁壁を移動させてデータの書き込みを行う」ものであるから、「磁壁移動素子」と呼び得るものである。
エ　引用発明の「第１磁性体６１」と本願発明の「第１磁化固定層」との対応関係について
　引用発明の「第１磁性体６１」は、「前記第１磁化固定領域１１上にＣｏＦｅ層／ＰｔＭｎ層の順に複数の層が積層され、−Ｘ方向の磁化を有する強磁性体層である前記ＣｏＦｅ層は、前記第１磁化固定領域１１に密着するように形成され、交換結合によって、前記第１磁化固定領域１１の磁化の向きを−Ｘ方向に固定」している。
　よって、本願発明と引用発明とは、「前記第１磁化固定層は、磁性体層を有する積層構造を含み、前記磁性体層は、前記第１領域に接触し、且つ、前記第１方向の磁化を有し」ている点で共通している。
オ　引用発明の「第２磁性体６２」と本願発明の「第２磁化固定層」との対応関係について
　引用発明の「第２磁性体６２」は、「前記第２磁化固定領域１２上に下部のＣｏＦｅ層／Ｒｕ層／上部のＣｏＦｅ層／ＰｔＭｎ層の順に複数の層が積層され、＋Ｘ方向の磁化を有する強磁性体層である前記下部のＣｏＦｅ層は、前記第２磁化固定領域１２に密着するように形成され、交換結合によって、前記第２磁化固定領域１２の磁化の向きを＋Ｘ方向に固定し、また前記下部のＣｏＦｅ層は、前記Ｒｕ層を介して前記上部のＣｏＦｅ層と反強磁性的に結合」されているので、「下部のＣｏＦｅ層／Ｒｕ層／上部のＣｏＦｅ層／ＰｔＭｎ層の順に複数の層が積層」の構造は、本願発明のＮ２＝２の場合（「下部のＣｏＦｅ層」と「上部のＣｏＦｅ層」が２層の磁性体層になり、Ｒｕ層が１層の非磁性体層になっている）の「積層構造」に相当し、引用発明の「下部のＣｏＦｅ層は、前記Ｒｕ層を介して前記上部のＣｏＦｅ層と反強磁性的に結合」は、本願発明のＮ２＝２の場合の「反強磁性結合」に相当している。
　
（２）本願発明と引用発明の一致点について
　上記の対応関係から、本願発明と引用発明は、
　
「第１領域と第２領域との間において移動可能な磁壁を有する磁性体層である磁壁移動層と、
　前記磁壁移動層の前記第１領域の磁化方向を第１方向に固定する第１磁化固定層と、
　前記磁壁移動層の前記第２領域の磁化方向を前記第１方向と逆の第２方向に固定する第２磁化固定層とを備える磁壁移動素子であって、
　前記磁壁移動素子は、前記磁壁の位置によってデータを記憶し、
　前記第１磁化固定層は、磁性体層を有する積層構造を含み、
　第１番目の磁性体層は、前記第１領域に接触し、且つ、前記第１方向の磁化を有し、
　前記第２磁化固定層は、Ｎ２層の磁性体層とＮ２−１層の非磁性体層とが交互に積層された積層構造を含み、
　Ｎ２は、２以上の偶数であり、
　前記Ｎ２層の磁性体層のうち第１番目の磁性体層は、前記第２領域に接触し、且つ、前記第２方向の磁化を有し、
　前記Ｎ２層の磁性体層のうち第ｊ番目（ｊ＝１〜Ｎ２−１）の磁性体層と第ｊ＋１番目の磁性体層とは、前記Ｎ２−１層の非磁性体層のうち第ｊ番目の非磁性体層を介して反強磁性結合した、
　磁壁移動素子。」
　　
の点で一致している。
　　
（３）本願発明と引用発明の相違点について
　本願発明と引用発明とは、下記の点で相違する。
（相違点１）
　第１磁化固定層について、本願発明は「前記第１磁化固定層は、Ｎ１層の磁性体層とＮ１−１層の非磁性体層とが交互に積層された積層構造を含み、Ｎ１は、３以上の奇数であり、前記Ｎ１層の磁性体層のうち第１番目の磁性体層は、前記第１領域に接触し、且つ、前記第１方向の磁化を有し、前記Ｎ１層の磁性体層のうち第ｉ番目（ｉ＝１〜Ｎ１−１）の磁性体層と第ｉ＋１番目の磁性体層とは、前記Ｎ１−１層の非磁性体層のうち第ｉ番目の非磁性体層を介して反強磁性結合」した構成であるのに対し、引用発明はそのような構成とはなっていない点。
　　
（相違点２）
　本願発明は、「前記Ｎ１層の磁性体層のうち第Ｎ１番目の磁性体層に対する反転磁界は、前記Ｎ１層の磁性体層のうち他の磁性体層に対する反転磁界よりも大きく」した構成であるのに対し、引用発明はそのような構成とはなっていない点。
　　
（相違点３）
　本願発明は、「前記Ｎ２層の磁性体層のうち第Ｎ２番目の磁性体層に対する反転磁界は、前記Ｎ２層の磁性体層のうち他の磁性体層に対する反転磁界よりも大きい」構成であるのに対し、引用発明はそのような構成であるか定かではない点。
　
　　
５．当審の判断 
　ＭＲＡＭにおいて、磁性方向を固定する磁化参照層を設けることは引用文献２に記載されているので、最初に引用文献２の磁化参照層の構成について検討し、次に、引用文献２に記載された磁化参照層の構成を引用発明に適用して、相違点１乃至３を構成することが容易であるかについて検討する。
（１）引用文献２に記載された磁化参照層の構成について
　磁化参照層の構成については、
「スピン注入型磁気抵抗効果素子が適用されたＭＲＡＭにおいて、前記スピン注入型磁気抵抗効果素子は、第１の磁化参照層１３２と第２の磁化参照層１４２を有し、前記第１の磁化参照層１３２は、第１強磁性材料層１３２Ａ／非磁性スペーサ層１３２Ｂ／第２強磁性材料層１３２Ｃの積層構成であり、前記第２の磁化参照層１４２は、第１強磁性材料層１４２Ａ／第１非磁性スペーサ層１４２Ｂ／第２強磁性材料層１４２Ｃ／第２非磁性スペーサ層１４２Ｄ／第３強磁性材料層１４２Ｅの積層構成であって積層フェリ構造を有すること。」（「引用文献２の記載事項１」）
が記載されていることから、引用文献２の「第１の磁化参照層１３２」は、２層の磁性体層（第１強磁性材料層１３２Ａ，第２強磁性材料層１３２Ｃ）と１層の非磁性体層（非磁性スペーサ層１３２Ｂ）とが交互に積層された積層構造であり、また、「第２の磁化参照層１４２」は、３層の磁性体層（第１強磁性材料層１４２Ａ，第２強磁性材料層１４２Ｃ，第３強磁性材料層１４２Ｅ）と２層の非磁性体層（第１非磁性スペーサ層１４２Ｂ，第２非磁性スペーサ層１４２Ｄ）とが交互に積層された積層構造であり、積層フェリ構造を有することから、磁性体層は非磁性体層を介して反強磁性結合されたものとなっている。
　また、磁化参照層の磁化方向の設定については、
「１回の磁場中熱処理により、第１の磁化参照層１３２を構成する第２強磁性材料層１３２Ｃの磁化の方向と、第２の磁化参照層１４２を構成する第３強磁性材料層１４２Ｅの磁化の方向とを平行に保ちつつ、第１強磁性材料層１４２Ａと第１強磁性材料層１３２Ａの磁化方向を互いに逆向きにできること。」（「引用文献２の記載事項２」）
及び、
「第１の磁化参照層３２と第１の反強磁性層３３との界面、及び、第２の磁化参照層４２と第２の反強磁性層４３との界面における交換結合により、磁化参照層３２，４２の磁化は一方向に固定されること。」（引用文献２の記載事項３）
が記載されている。
　これらのことから、引用文献２では、１回の磁場中熱処理により、第１の磁化参照層１３２及び第２の磁化参照層１４２を構成する各層の磁化の方向が一方向を向くことになるが、磁場中熱処理後は、第１の磁化参照層１３２内の一端側の第２強磁性材料層１３２Ｃは第１の反強磁性層３３と交換結合されているため、第２強磁性材料層１３２Ｃの反転磁界は第１の磁化参照層１３２内の他の強磁性材料層の反転磁界より大きくなり磁場中熱処理時の磁化の方向が保持され、同様に、第２の磁化参照層１４２内の一端側の第３強磁性材料層１４２Ｅは第２の反強磁性層４３と交換結合されているため、第３強磁性材料層１４２Ｅの反転磁界は第２の磁化参照層１４２内の他の強磁性材料層の反転磁界より大きくなり磁場中熱処理時の磁化の方向が保持されることで、「第１の磁化参照層１３２を構成する第２強磁性材料層１３２Ｃの磁化の方向と、第２の磁化参照層１４２を構成する第３強磁性材料層１４２Ｅの磁化の方向とを平行に保」つものになると認められる。
　また、各磁化参照層は積層フェリ構造になっていると認められるので、各磁化参照層内の強磁性材料層の磁化方向は、磁場中熱処理後は、非磁性スペーサ層を介して必然的に逆向きになるところ、前述したように第２強磁性材料層１３２Ｃと第３強磁性材料層１４２Ｅの磁化の方向は平行に保たれているので、それら以外の強磁性材料層の磁化の方向が非磁性スペーサ層を介して相互に逆向きになる。そして、第１の磁化参照層１３２の磁性体層は２層であり、第２の磁化参照層１４２の磁性体層は３層であるため、第１の磁化参照層１３２内の他端側の第１強磁性材料層１３２Ａの磁化方向と、第２の磁化参照層１４２内の他端側の第１強磁性材料層１４２Ａの磁化方向は、磁場中熱処理後に「互いに逆向きにできる」ものと認められる。
　よって、引用文献２に記載された２つの磁化参照層は、一方の磁化参照層が、２層の磁性体層と１層の非磁性体層とが交互に積層して反強磁性結合されるとともに一端側の磁性体層の反転磁化が他の磁性体層の反転磁界より大きくされており、他方の磁化参照層が、３層の磁性体層と２層の非磁性体層とが交互に積層して反強磁性結合されるとともに一端側の磁性体層の反転磁化が他の磁性体層の反転磁界より大きくされていることで、１回の磁場中熱処理により、一方の磁化参照層の他端側の磁性体層と他方の磁化参照層の他端側の磁性体層の磁化方向を互いに逆向きにできるものである。
　
（２）相違点１〜３について
　メモリデバイスのようなデバイスの製造では、製造コストの削減が望まれており、製造処理時間を短縮することは製造コスト削減のために一般に検討されていることである。
　引用発明では、第１磁性体６１及び第２磁性体６２は互いに逆方向に磁化の向きが固定されるため、そのような磁化の固定を１回の磁場中熱処理だけで実施できることが有用であることは当業者に明らかであるところ、上記（１）で検討したように、１回の磁場中熱処理だけで２つの磁性体層の磁化方向を互いに逆向きに設定するための２つの磁性体層の構成は、引用文献２において、一方の磁化参照層が、２層の磁性体層と１層の非磁性体層とが交互に積層して反強磁性結合されるとともに一端側の磁性体層の反転磁化が他の磁性体層の反転磁界より大きくされており、他方の磁化参照層が、３層の磁性体層と２層の非磁性体層とが交互に積層して反強磁性結合されるとともに一端側の磁性体層の反転磁化が他の磁性体層の反転磁界より大きくされていることで、１回の磁場中熱処理により、一方の磁化参照層の他端側の磁性体層と他方の磁化参照層の他端側の磁性体層の磁化方向を互いに逆向きにできるものとして記載されているものと認められる。
　そして、引用文献２に接した当業者であれば、引用発明の「第１磁性体６１」及び「第２磁性体６２」と、引用文献２の「第１の磁化参照層」及び「第２の磁化参照層」は、磁化の向きが固定された層である点で共通し、さらに、引用発明の「第２磁性体６２」と引用文献２の「第１の磁化参照層」とは、２層の磁性体層と１層の非磁性体層が交互に積層され反強磁性結合した構成である点で同じものになっていることは明らかである。
　してみると、引用発明において製造コストを削減するために、引用発明２に記載された事項を適用し、引用発明の「第１磁性体６１」及び「第２磁性体６２」を引用文献２の「第２の磁化参照層」及び「第１の磁化参照層」に対応した構成とすること、具体的には、引用発明の「第１磁性体６１」を「３層の磁性体層と２層の非磁性体層とが交互に積層して反強磁性結合されるとともに一端側の磁性体層の反転磁化が他の磁性体層の反転磁界より大きく」されたものとすることで相違点１及び２の構成とし、「第２磁性体６２」を「２層の磁性体層と１層の非磁性体層とが交互に積層して反強磁性結合されるとともに一端側の磁性体層の反転磁化が他の磁性体層の反転磁界より大きく」されたものとすることで相違点３の構成とすることは、当業者が容易に想到し得たものである。
（３）本願発明の作用効果について　　　
　審判請求人は、平成２６年４月１７日付け審判請求書において、
「引用文献２に記載の技術は、３端子型のスピン注入型ＭＲＡＭを実現することを目的としています。そのための構成として、互いに反対方向に磁化を付与された第１の磁化参照層３２（本願のＮ１層の磁性体層に相当）と、第２の磁化参照層４２（本願のＮ２層の磁性体層に相当）がスピンフィルターとして設けられます（［００３０］、［００５７］）。一方、本発明において、磁壁移動層の両端に磁化が逆向きの積層構造を設けるのは、磁壁移動層の両端に磁化が逆向きの第１・第２磁化固定領域Ｒ１、Ｒ２を形成するためです。 
　更に、引用文献２の構成においては、第１の磁化参照層３２が磁化反転層２０（機能は異なりますが、審査官殿の認定においては本願の磁気記録層１０に相当します）に接触せず、間に非磁性膜３１が介設されています。そして非磁性膜３１を挟んで、磁化が固定された第１磁化参照層３２と磁化反転層２０が設けられていることにより、ＭＴＪが形成されます。 
　仮に引用文献２の構成を引用文献１に適用することで本願発明の構成とした場合、引用文献２における「第１の非磁性体層３１」及び「第２の非磁性体層４１」の構成を削除する必要があります。しかしながら、そのようにすると、引用文献２におけるＭＴＪが形成されず、ＭＲＡＭとして機能しなくなってしまいます。その結果、引用文献２におけるスピンフィルターである第１の磁化参照層３２と第２の磁化参照層４２も機能を失ってしまいます。 
　これは、引用文献２に記載の技術がスピン注入式のＭＲＡＭであるのに対し、引用文献１が磁壁移動型のＭＲＡＭであるという相違があることにより、組み合わせに矛盾が生じた事によるものと思料します。従って、引用文献２に記載の技術を引用文献１に適用することによって本願発明を容易に想到することは出来ないものと思料します。」
と主張している。
　しかしながら、平成２６年１月１６日付け拒絶査定に、「先の拒絶理由通知において説示しているように、文献２から引用しているのは１回の磁場中熱処理で２つの磁性体の磁化の向きを逆にするために、磁性体とその間の非磁性層による３層、５層の積層構造を引用しているのであって、記録層と非磁性層とを含めたＭＴＪ構造を引用しているわけではない」と記載され、当審決においても、引用文献２からは「第１の磁化参照層」及び「第２の磁化参照層」を引用し、引用発明への適用性の検討が行われている。そして、「引用文献２に記載の技術がスピン注入式のＭＲＡＭであるのに対し、引用文献１が磁壁移動型のＭＲＡＭ」であったとしても、引用文献１の「第１磁性体６１」及び「第２磁性体６２」と、引用文献２の「第１の磁化参照層」及び「第２の磁化参照層」とは、磁化の向きが固定された層である点で共通しているものであるから、上記５に記載したように、引用文献１に記載された引用発明に引用文献２を組み合わせることに矛盾が生じるものではないので、上記請求人の主張を採用することはできない。
　また、本願発明の作用効果も、引用発明、引用文献２に記載された事項から当業者が予測できる範囲のものである。　　　　
　
　　　
６．むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び引用文献２に記載された事項に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、本願は、他の請求項について検討するまでもなく、拒絶されるべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。