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　特願２０１２−１４２８３４「プリント回路基板の無電解表面処理めっき層及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２５年１月１７日出願公開、特開２０１３−１２７４０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、平成２４年６月２６日（パリ条約による優先権主張　２０１１年６月２８日、大韓民国）の出願であって、平成２６年３月１７日付けで拒絶査定がなされ（発送日：同年３月２５日）、これに対し、同年７月２４日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、その審判の請求と同時に手続補正がされたものである。    
    
第２　平成２６年７月２４日の手続補正についての補正却下の決定  
〔補正却下の決定の結論〕  
　平成２６年７月２４日の手続補正（以下「本件補正」という。）を却下する。　 　  
      
〔理由〕  
　１　本願補正発明  
　本件補正は、特許請求の範囲の請求項１について、補正前（願書に最初に添付された特許請求の範囲）の請求項１に、  
    
「【請求項１】
　無電解ニッケル（Ｎｉ）めっき被膜／パラジウム（Ｐｄ）めっき被膜／金（Ａｕ）めっき被膜からなり、
　前記無電解ニッケル、パラジウム、及び金めっき被膜は、その厚さがそれぞれ０．０２〜１μｍ、０．０１〜０．３μｍ、及び０．０１〜０．５μｍであるプリント回路基板の無電解表面処理めっき層。」
　とあったものを、  
      
「【請求項１】
　無電解ニッケル（Ｎｉ）めっき被膜／パラジウム（Ｐｄ）めっき被膜／金（Ａｕ）めっき被膜からなり、
　前記無電解ニッケル、パラジウム、及び金めっき被膜は、その厚さがそれぞれ０．０２〜
０．
り、
　
前記無電解ニッケルめっき被膜内には８ｗｔ％以上のリン（Ｐ）が含有され
　と補正（下線は補正箇所を示すために請求人が付したものである。）することを含むものである。
　
　上記補正は、発明を特定するために必要な事項である「無電解ニッケル（Ｎｉ）めっき被膜」について「前記無電解ニッケルめっき被膜内には８ｗｔ％以上のリン（Ｐ）が含有される」との限定を付するとともに、その厚さの数値範囲を「０．０２〜１μｍ」から「０．０２〜０．１μｍ」と上限を縮めるものであり、かつ、補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。  
      
　そこで、本件補正後の請求項１に記載される発明（以下「本願補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）否かについて検討する。  
      
　２　刊行物  
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に頒布された特開２００７−３１８２６号公報（以下「刊行物」という。）には、「接続用端子」に関して、図面（特に、図１参照）と共に次の事項が記載されている。 
      
（１）「【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
　近年の電子部品は小型化が急速に進行し、それに伴い、半導体搭載用基板の微細配線化も著しく進行している。例えば、基板上のワイヤボンディング用端子においては、端子間のスペースが２５μｍ以下となっている。しかしながら、従来のニッケル皮膜の厚さは３μｍから１０μｍ程度であり、この狭スペースの配線パターンにニッケルめっき皮膜を形成した場合、端子間の短絡が生じる可能性が大きくなってしまう。このことから、基板を高密度化した場合であっても、端子間の短絡の発生を十分に抑制することができる、基板の高密度化に有利な接続用端子の提供が強く望まれる。また、はんだ接続信頼性にも優れた接続用端子、およびそれを有する半導体搭載用基板を提供する必要がある。さらには、加熱処理によってもワイヤボンディングの成功が妨げられない接続用端子、およびそれを有する半導体搭載用基板を提供する必要がある。
【００１１】
　上記の問題を鑑みて、本発明は、はんだ接続信頼性に優れるとともに、加熱処理によってもワイヤボンディングの成功が妨げられない接続用端子、及び、それを有する半導体搭載用基板を提供することを目的とする。」
　
（２）「【００２５】
　本発明の接続用端子１は、配線板等の基材１１上に形成された導体端子２上に、無電解ニッケルめっき皮膜３、無電解パラジウムめっき皮膜４および無電解金めっき皮膜５が順次形成された構造を有しており、上記無電解ニッケルめっき皮膜の厚さが０．１〜０．５μｍの範囲であることを特徴としている。また、上記無電解ニッケルめっき皮膜３、上記無電解パラジウムめっき皮膜４、及び、上記無電解金めっき皮膜５の合計の厚さが０．２〜２．０μｍの範囲であることが好ましい。これにより、上記接続用端子１をはんだ接続用端子として用いた場合、はんだ接続時に上記無電解ニッケルめっき皮膜３、上記無電解パラジウムめっき皮膜４、及び、上記無電解金めっき皮膜５がすべてはんだに溶解し、はんだと接続用端子の素材とが接触することにより、はんだ接続信頼性を向上させることができる。また、無電解ニッケルめっき皮膜の厚さが上記範囲であることにより、例えば２５μｍ以下のスペースの微細パターンを有する配線上に無電解ニッケルめっき皮膜３を形成した場合、端子間又は配線間の短絡の可能性を著しく小さくすることができる。無電解ニッケルめっき皮膜３の厚さを制御する因子としては、めっき液中のニッケルイオン濃度、めっき液温度、浸漬時間等が挙げられるが、無電解ニッケルめっき皮膜３を薄く形成するには、浸漬時間を短くするのが最も容易である。」
　
（３）「【００２８】
　本発明における無電解ニッケルめっき皮膜３は、ニッケル単独、又は、コバルト、タングステン、銅、モリブデン、リン、ホウ素、窒素等の他の一種類以上の元素を含むニッケル合金の無電解めっき皮膜であることが好ましい。この無電解ニッケルめっき皮膜３において、ニッケルの純度は８０質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上であることが特に好ましい。無電解ニッケルめっき皮膜３の形成方法としては、ニッケルイオンとホスフィン酸塩等の還元剤との化学反応で、導体端子２上にニッケル皮膜を析出させる方法が挙げられる。無電解ニッケルめっき皮膜３を形成するために使用する無電解ニッケルめっき液中のニッケルイオン濃度は１ｇ／Ｌから１０ｇ／Ｌの間が好ましく、還元剤濃度は０．５ｇ／Ｌから１０ｇ／Ｌの間が好ましい。また、めっき時の条件として、液温は６０℃から９０℃の間が好ましく、浸漬時間は０．５分から３分の間が好ましい。また、無電解ニッケルめっき皮膜３の厚さは０．１〜０．５μｍであるが、すべての無電解ニッケルめっき皮膜３がより十分にはんだに溶解するために、無電解ニッケルめっき皮膜３の厚さは、０．１〜０．２μｍの範囲であることが好ましい。厚さが０．１μｍ未満では、銅や銅合金等の導体端子２の素材が表面に露出し、表面が熱酸化して、接続性不良が発生する可能性が大きくなるため好ましくない。また、厚さが０．５μｍを超えると、無電解ニッケルめっき皮膜３のすべてがはんだに溶融しない場合が生じうるため、好ましくない。特に、無電解ニッケルめっき皮膜３の厚さが０．１〜０．２μｍの範囲であると、接続用端子１のはんだ接続を、はんだの融点から４０℃程度高い温度で行った場合（例えば、６３質量％の錫と３７質量％の鉛の組成であるはんだの場合には２２０℃程度、９６．５質量％の錫と３．０質量％の銀と０．５質量％の銅の組成であるはんだの場合は２６０℃程度）であっても、すべての無電解ニッケルめっき皮膜３がはんだに十分に溶解し、優れたはんだ接続信頼性を得ることができる。
【００２９】
　本発明における無電解パラジウムめっき皮膜４は、パラジウム単独、又は、ニッケル、コバルト、タングステン、銅、モリブデン、リン、ホウ素、窒素等の他の一種類以上の元素を含むパラジウム合金の無電解めっき皮膜であることが好ましい。この無電解パラジウムめっき皮膜４において、パラジウムの純度は９０質量％以上であることが好ましい。無電解パラジウムめっき皮膜４の形成方法としては、化学反応で無電解ニッケルめっき皮膜３上にパラジウム皮膜を析出させる方法が挙げられる。また、無電解パラジウムめっき皮膜４の厚さは、０．０１μｍから０．５μｍの範囲であることが好ましい。」
　
（４）「【００３１】
　本発明における無電解金めっき皮膜５は、金単独、又は、コバルト、ニッケル、銀等の他の一種類以上の元素を含む金合金の無電解めっき皮膜であることが好ましい。無電解金めっき皮膜５において、金の純度は９９質量％以上であることが好ましい。この純度が９９質量％未満であると、接続の信頼性が低下する場合がある。さらに、この無電解金めっき皮膜５における金の純度は、９９．５質量％以上であることが特に好ましい。無電解金めっき皮膜５の形成方法としては、化学反応で無電解パラジウムめっき皮膜４上に金皮膜を析出させる方法が挙げられる。また、金めっき皮膜の厚さは０．０１μｍから１μｍの範囲であることが好ましい。」
　
（５）「【００３７】
（実施例１）
　厚さ１８μｍの銅箔を両面に貼り合わせた、厚さ０．５ｍｍの銅張りエポキシ積層板であるＭＣＬ−Ｅ−６７９（日立化成工業株式会社製、商品名）の銅箔の不要な箇所をエッチング除去し、エッチングレジストを剥離した後、はんだレジストを形成して、銅からなる導体パターンが露出した導体端子を有する半導体搭載用基板を作製した。ここで、導体端子間のスペース幅は、１５μｍとした。
【００３８】
　その半導体搭載用基板を、脱脂液であるＺ−２００（株式会社ワールドメタル製、商品名）に、液温５０℃で１分間浸漬し、室温（２５℃）で２分間水洗した。次いで、基板を１００ｇ／Ｌの過硫酸アンモニウム液に室温（２５℃）で１分間浸漬してソフトエッチングし、室温（２５℃）で２分間水洗した後、１０質量％の硫酸に室温（２５℃）で１分間浸漬して酸洗し、更に室温（２５℃）で２分間水洗した。その後、基板をＳＡ−１００（日立化成工業株式会社製、商品名）に室温（２５℃）で５分間浸漬して無電解めっきのための活性化処理を行い、室温（２５℃）で２分間水洗した。次に、基板を無電解ニッケルめっき液であるＮＩＰＳ−１００（日立化成工業株式会社製、商品名）に液温８５℃で１分間浸漬して、導体端子上に無電解ニッケルめっき皮膜（ニッケル−リン合金めっき皮膜、ニッケルの純度９３質量％）を形成した。次いで、基板を室温（２５℃）で２分間水洗した後、無電解パラジウムめっき液であるパラテクト（アトテックジャパン株式会社製、商品名）に液温６５℃で２分間浸漬して、無電解ニッケルめっき皮膜上に無電解パラジウムめっき皮膜（純度９９質量％）を形成した。続いて、基板を室温（２５℃）で２分間水洗した後、非シアン系の置換型無電解金めっき液であるＨＧＳ−１００（日立化成工業株式会社製、商品名）に、液温８５℃で１０分間浸漬して、無電解パラジウムめっき皮膜上に純金（純度９９．９質量％）の無電解金めっき皮膜を形成した。これにより、接続用端子を有する半導体搭載用基板を作製した。ここで、形成した無電解ニッケルめっき皮膜の厚さは０．１４μｍであり、無電解パラジウムめっき皮膜の厚さは０．２４μｍであり、無電解金めっき皮膜の厚さは０．０２μｍであった。」
　
（６）「【００４０】
（実施例３）
　無電解ニッケルめっき液であるＮＩＰＳ−１００（日立化成工業株式会社製、商品名）への基板の浸漬時間を０．５分間としたこと以外は実施例１と同様にして、接続用端子を有する半導体搭載用基板を作製した。ここで、形成した無電解ニッケルめっき皮膜の厚さは０．１０μｍであり、無電解パラジウムめっき皮膜の厚さは０．２４μｍであり、無電解金めっき皮膜の厚さは０．０２μｍであった。」
　
（７）上記（５）の「基板を無電解ニッケルめっき液であるＮＩＰＳ−１００（日立化成工業株式会社製、商品名）に液温８５℃で１分間浸漬して、導体端子上に無電解ニッケルめっき皮膜（ニッケル−リン合金めっき皮膜、ニッケルの純度９３質量％）を形成した。」との記載からみて、実施例１の無電解ニッケルめっき皮膜は、リンを約７質量％含有しているといえる。
　そして、上記（６）の「（実施例３）無電解ニッケルめっき液であるＮＩＰＳ−１００（日立化成工業株式会社製、商品名）への基板の浸漬時間を０．５分間としたこと以外は実施例１と同様にして、接続用端子を有する半導体搭載用基板を作製した。」との記載からみて、実施例３の無電解ニッケルめっき皮膜も、リンを約７質量％含有しているといえる。
　
（８）実施例３の無電解ニッケルめっき皮膜、無電解パラジウムめっき皮膜及び無電解金めっき皮膜は、図１からみて、半導体搭載用基板の接続用端子に無電解めっき層を形成するといえる。
　
　上記記載事項、認定事項及び図示内容を総合し、本願補正発明の記載ぶりに則って整理すると、刊行物には、実施例３に関して、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されている。
      
「無電解ニッケルめっき皮膜／無電解パラジウムめっき皮膜／無電解金めっき皮膜からなり、
　前記無電解ニッケルめっき皮膜、前記無電解パラジウムめっき皮膜、及び前記無電解金めっき皮膜は、その厚さがそれぞれ０．１０μｍ、０．２４μｍ、及び０．０２μｍであり、
　前記無電解ニッケルめっき皮膜には約７質量％のリンが含有される半導体搭載用基板の無電解めっき層。」
　
　３　対比  
　本願補正発明と引用発明とを対比すると、後者の「無電解ニッケルめっき皮膜」は前者の「無電解ニッケル（Ｎｉ）めっき被膜」に相当し、以下同様に、「無電解パラジウムめっき皮膜」は「パラジウム（Ｐｄ）めっき被膜」に、「金（Ａｕ）めっき被膜」は「無電解金めっき皮膜」に、「半導体搭載用基板の無電解めっき層」は「プリント回路基板の無電解表面処理めっき層」にそれぞれ相当する。
　
　また、前者の無電解ニッケル（Ｎｉ）めっき被膜の厚さが「０．０２〜０．１μｍ」であることに関して、本願明細書の「[実施例１]　１）無電解Ｎｉめっき　前処理工程を経た基板を、めっき被膜内に１０ｗｔ％のリンが含まれるようにする無電解Ｎｉめっき液（ｐＨ４．２〜４．４、ＮＰＲ-４：上村工業社製）に６５℃で１分間浸漬した後、２分間洗浄して、厚さ０．１μｍの無電解ニッケルめっき被膜を得た。」（段落【００５１】）との記載からみて、「０．１μｍ」が前者の「０．０２〜０．１μｍ」に含まれるから、後者の無電解ニッケルめっき皮膜の厚さが「０．１０μｍ」であることは前者の無電解ニッケル（Ｎｉ）めっき被膜の厚さが「０．０２〜０．１μｍ」に相当する。同じく、後者の無電解パラジウムめっき皮膜の厚さが「０．２４μｍ」であることは前者のパラジウムの厚さ「０．０１〜０．３μｍ」に相当し、後者の前記無電解金めっき皮膜の厚さが「０．０２μｍ」であることは前者の金めっき被膜の厚さが「０．０１〜０．５μｍ」に相当する。
　
　したがって、両者は、  
「無電解ニッケル（Ｎｉ）めっき被膜／パラジウム（Ｐｄ）めっき被膜／金（Ａｕ）めっき被膜からなり、
　前記無電解ニッケル、パラジウム、及び金めっき被膜は、その厚さがそれぞれ０．０２〜０．１μｍ、０．０１〜０．３μｍ、及び０．０１〜０．５μｍであるプリント回路基板の無電解表面処理めっき層。」
　である点で一致し、以下の点で相違している。  
      
〔相違点〕  
　本願補正発明は、「前記無電解ニッケルめっき被膜内には８ｗｔ％以上のリン（Ｐ）が含有される」のに対し、
　引用発明は、「前記無電解ニッケルめっき皮膜には約７質量％のリンが含有される」点。
　
　４　当審の判断  
　そこで、相違点を検討する。
　引用発明の「前記無電解ニッケルめっき皮膜には約７質量％のリンが含有される」と本願補正発明の「前記無電解ニッケルめっき被膜内には８ｗｔ％以上のリン（Ｐ）が含有される」とは、「無電解ニッケルめっき被膜内にはリン（Ｐ）が含有される」という限りで共通するから、両者は、リン（Ｐ）の含有率で実質的に相違している。
　
　そして、本願補正発明の「８ｗｔ％以上のリン（Ｐ）が含有される」ことに関して、本願明細書には、「前記無電解ニッケルめっき被膜１３１内にはリン（Ｐ）が８ｗｔ％以上含有されることが好ましく、また、９〜１１ｗｔ％含有されることがさらに好ましい。前記リン（Ｐ）は、前記無電解ニッケルめっき被膜の酸化を防止するためのものであって、比較的高いｗｔ％のリンが無電解ニッケルめっき被膜に含まれるとき、無電解ニッケルめっき被膜の酸化を効果的に防止することができる。」（段落【００３９】）ことが記載されている。
　
　一方、刊行物には、「本発明における無電解ニッケルめっき皮膜３は、ニッケル単独、又は、コバルト、タングステン、銅、モリブデン、リン、ホウ素、窒素等の他の一種類以上の元素を含むニッケル合金の無電解めっき皮膜であることが好ましい。この無電解ニッケルめっき皮膜３において、ニッケルの純度は８０質量％以上であることが好ましく、９０質量％以上であることが特に好ましい。」（段落【００２８】）との記載があり、この記載からみて、刊行物には、無電解ニッケルめっき皮膜３における「他の一種類以上の元素」の含有率を約２０質量％以下、特に約１０質量％以下にすることが好ましいことが示唆されている。
　
　そうすると、引用発明において、刊行物の上記示唆に基いて、無電解ニッケルめっき皮膜のリンの含有率を約２０質量％以下の範囲で変更することは、当業者が容易に想到することである。
　
　そして、「質量％」と「重量％」とが、厳密には異なるものの概ね等しいことは、技術常識である。
　
　また、本願補正発明の「８ｗｔ％以上」について、本願明細書及び図面から、臨界的意義を有することは確認できない。
　
　なお、原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張の日前に頒布された特開２００８−１７７２６１号公報には、「リン含有量１０〜１３重量％というリン含有量が多く、耐食性に優れた無電解ニッケルめっき皮膜を形成しているので、パラジウムめっき皮膜によって完全に被覆されずニッケルめっき皮膜が一部露出している場合であっても、置換型金めっきを行う際に、ニッケルめっき皮膜の浸食を抑制することができる。」（段落【０００８】）との記載があるように、リン含有率を多くして、ニッケルめっき皮膜の浸食を抑制することも知られている。
　
　そうしてみると、引用発明において、無電解ニッケルめっき皮膜に「８ｗｔ％以上のリン（Ｐ）が含有される」ようにすることは、当業者が容易になし得た設計変更である。
　
　また、本願補正発明が奏する効果は、引用発明に比して、格別なものでない。
　
　以上のとおりであるから、本願補正発明は、引用発明及び刊行物に記載された事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　
　５　むすび  
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。  
      
第３　本願発明について  
　１　本願発明  
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１ないし１２に係る発明は、願書に最初に添付された特許請求の範囲の請求項１ないし１２に記載された事項により特定されたとおりのものであると認められるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、前記「第２〔理由〕１」に補正前の請求項１として記載したとおりのものである。  
      
　２　刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用した刊行物、その記載事項、及び引用発明は、前記「第２〔理由〕２」に記載したとおりである。
      
　３　対比及び当審の判断  
　本願発明は、前記「第２〔理由〕」で検討した本願補正発明における「無電解ニッケル（Ｎｉ）めっき被膜」について「前記無電解ニッケルめっき被膜内には８ｗｔ％以上のリン（Ｐ）が含有される」との限定を省き、その厚さの数値範囲を「０．０２〜０．１μｍ」から「０．０２〜１μｍ」と拡張したものである。  
      
　そうすると、前記「第２〔理由〕３」に記載したとおり、本願発明の発明特定事項をすべて含んだものに実質的に相当する本願補正発明と引用発明とは、上記「前記無電解ニッケルめっき被膜内には８ｗｔ％以上のリン（Ｐ）が含有される」ことにおいて相違するのであるから、当該相違点についての限定のない本願発明と引用発明とを対比すると、両者には相違するところがない。
          
　４　まとめ
　したがって、本願発明は、引用発明と同一であるから、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができない。 
　
第４　むすび  
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第１項第３号に該当し、特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。  
　よって、結論のとおり審決する。