【事件の表示】
　特許第２６５８００９号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第２６５８００９号に係る明細書及び図面を本件審判請求書に添付された訂正明細書及び図面のとおり訂正することを認める。
【理　由】
１．手続の経緯
　特許第２６５８００９号の請求項１ないし３に係る発明についての出願は、平成４年７月２３日に出願（国内優先権主張日平成３年７月２３日）され、願書に添付した明細書についての平成８年２月１日付け手続補正を経て、平成９年６月６日に設定登録がされた。その後、本件特許に対する特許異議の申立てがされ、同申立ては、平成１０年異議第７１４５０号事件として審理され、平成９年９月７日に訂正請求がなされ、次いで平成１１年４月２８日に訂正請求書の補正がなされた。そして、平成１１年１０月１日に、「特許第２６５８００９号の請求項１ないし３に係る特許を取り消す。」との決定がなされたところ、該決定を取り消す旨の訴え（平成１１年（行ヶ）第３９８号）が東京高裁に提起され、その後平成１４年４月２４日に「原告らの請求を棄却する。」との判決がなされ、平成１４年５月１５日に上告及び上告受理申立がなされたものであるが、その間の平成１４年４月２６日に訂正審判２００２−３９１０３が請求され、その後の平成１４年７月１１日に本件訂正審判が請求されるとともに、平成１４年７月１９日に上記訂正審判２００２−３９１０３が取り下げられたものである。
　
２．訂正の適否についての判断
２−１．訂正事項
１）訂正事項１
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項１において、「ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）から成る第１層と、ｐ型不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）から成る第２層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、
　前記第１層の電極はＡｌ，Ｔｉ又はそれを含む合金から成り、前記第２層の電極はＮｉ又はＮｉを含む合金から成ることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」とあるのを、
「ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｎ層と、ｐ型不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｉ層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、
　前記ｎ層の電極はＡｌから成り、前記ｉ層の電極はＮｉ及びその上に形成されたＡｌから成ることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」と訂正する。
２）訂正事項２
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項２において、「サファイア基板と、そのサファイア基板上に形成されたバッファ層を有し、そのバッファ層上に、前記第１層、前記第２層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」とあるのを、
「サファイア基板と、そのサファイア基板上に形成されたバッファ層を有し、そのバッファ層上に、前記ｎ層、前記ｉ層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」と訂正する。
３）訂正事項３
　特許明細書の特許請求の範囲の請求項３を削除する。
４）訂正事項４
　段落０００３において、「化合物半導体から成る第１層を成長させ、その第１層の上に」とあるのを、「化合物半導体から成るｎ層を成長させ、そのｎ層の上に」と訂正する。
５）訂正事項５
　段落０００３において、「化合物半導体から成る第２層を成長させた構造をとっている」とあるのを、「化合物半導体から成るｉ層を成長させた構造をとっている」と訂正する。
６）訂正事項６
　段落０００４において、「発光ダイオードの発光強度を向上させるには、第２層の電極」とあるのを、「発光ダイオードの発光強度を向上させるには、ｉ層の電極」と訂正する。
７）訂正事項７
　段落０００５において、「図８は、上記公報における第２層の電極の層構造を示す縦断面図である。発光ダイオード６０の第２層の電極６７は第２層上に直接、又、第１層の電極６８は第２層の一部に設けられた孔内を利用してそれぞれＡｌを蒸着した後、それらＡｌから成る下地金属上にＮｉをそれぞれ蒸着して形成されている。」とあるのを、「図８は、上記公報におけるｉ層の電極の層構造を示す縦断面図である。発光ダイオード６０のｉ層の電極６７はｉ層上に直接、又、ｎ層の電極６８はｉ層の一部に設けられた孔内を利用してそれぞれＡｌを蒸着した後、それらＡｌから成る下地金属上にＮｉをそれぞれ蒸着して形成されている。」と訂正する。
８）訂正事項８
　段落０００６において、「上述のような第２層上に」とあるのを、「上述のようなｉ層上に」と訂正する。
９）訂正事項９
　段落０００８において、「ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）から成る第１層と、ｐ型不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）から成る第２層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、第１層の電極はＡｌ，Ｔｉ又はそれを含む合金から成り、第２層の電極はＮｉ又はＮｉを含む合金から成ることを特徴とする。」とあるのを、「ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｎ層と、ｐ型不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｉ層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、ｎ層の電極はＡｌから成り、ｉ層の電極はＮｉ及びその上に形成されたＡｌから成ることを特徴とする。」と訂正する。
１０）訂正事項１０
　段落０００９において、「そのバッファ層上に、第１層、第２層が」とあるのを、「そのバッファ層上に、ｎ層、ｉ層が」と訂正する。
１１）訂正事項１１
　段落００１０において、「又、請求項３の発明は、第２層の電極は、Ｎｉの上に他の金属層を形成した複層構造であることを特徴とする。」との記載を、削除する。
１２）訂正事項１２
　段落００１１において、「第１層の電極はＡｌ，Ｔｉ又はそれを含む合金とし、第２層の電極はＮｉ又はＮｉを含む合金としたので、」とあるのを、「ｎ層の電極はＡｌとし、ｉ層の電極はＮｉ及びその上に形成されたＡｌとしたので、」と訂正する。
１３）訂正事項１３
　段落００１２において、「又、第２層の電極として、Ｎｉの上に他の金属層を形成した複層構造とした場合には、上記の効果の他、熱的緩和により、熱膨張、熱収縮によるＮｉの剥離を防止することができると共に、ハンダ接続が可能になった。」を、
　「又、ｉ層の電極として、Ｎｉの上にＡｌの金属層を形成した２層構造としたので、上記の効果の他、熱的緩和により、熱膨張、熱収縮によるＮｉの剥離を防止することができると共に、ハンダ接続が可能になった。」と訂正する。
１４）訂正事項１４
　段落００１３において、「順に、第１層である膜厚２．２μｍのＧａＮから成る高キャリヤ濃度ｎ＋層３と膜厚１．５μｍのＧａＮから成る低キャリヤ濃度ｎ層４が形成されており、更に、低キャリヤ濃度ｎ層４の上に膜厚０．１μｍのＧａＮから成る第２層である発光層５が形成されている。そして、発光層５に接続するアルミニウムで形成された電極７と高キャリヤ濃度ｎ＋層３に接続するアルミニウムで形成された電極８とが形成されている。」とあるのを、「順に、膜厚２．２μｍのＧａＮから成る高キャリヤ濃度ｎ＋層３と膜厚１．５μｍのＧａＮから成る低キャリヤ濃度ｎ層４が形成されており、更に、低キャリヤ濃度ｎ層４の上に膜厚０．１μｍのＧａＮから成る発光層としてのｉ層５が形成されている。そして、ｉ層５に接続するアルミニウムで形成された電極７と高キャリヤ濃度ｎ＋層３に接続するアルミニウムで形成された電極８とが形成されている。」と訂正する。
１５）訂正事項１５
　段落００１７において、「発光層５」とあるのを、「ｉ層５」と訂正する。
１６）訂正事項１６
　段落００１８において、「発光層５」とあるのを、「ｉ層５」と訂正する。
１７）訂正事項１７
　段落００１９の３行、７行、及び１３行の３箇所に記載された「発光層５」を、「ｉ層５」と訂正する。
１８）訂正事項１８
　段落００２０の４行及び１１行の２箇所に記載された「発光層５」を、「ｉ層５」と訂正する。
１９）訂正事項１９
　段落００２１の４−５行、７行、及び１０行の３箇所に記載された「発光層５」を、「ｉ層５」と訂正する。
２０）訂正事項２０
　段落００２２の３行及び７行の２箇所に記載された「発光層５」を、「ｉ層５」と訂正する。
２１）訂正事項２１
　段落００２３において、「第１層であるＧａＮ」とあるのを、「ＧａＮ」と訂正する。
２２）訂正事項２２
　段落００２３において、「第２層である高不純物濃度ＩＨ層」とあるのを、「高不純物濃度ＩＨ層」と訂正する。
２３）訂正事項２３
　図面の簡単な説明の欄の図５の説明において、「発光層」とあるのを、「ｉ層」と訂正する。
２４）訂正事項２４
　符号の説明の欄において、「５…発光層」とあるのを、「５…ｉ層」に訂正する。
　
２−２．訂正の目的の適否、新規事項の有無及び拡張・変更の存否
ａ）訂正事項１について
　上記訂正事項１は、請求項１において、「ｎ型の・・・第１層」を「ｎ型の・・・ｎ層」と、また「ｐ型不純物を添加した・・・第２層」を「ｐ型不純物を添加した・・・ｉ層」と訂正するとともに、「前記ｎ層の電極はＡｌから成り」、「前記ｉ層の電極はＮｉ及びその上に形成されたＡｌから成る」と訂正するものである。
　ｉ層に関しては、特許時の図面の図１には、層５が「ｉ−ＧａＮ」と記載されており、特許明細書の段落００１７には「ＤＥＺを・・・供給して、膜厚０．１μｍのＧａＮから成る発光層５を形成した。」と記載されており、特許明細書の段落００２３には「Ｚｎ濃度・・・の第２層である高不純物濃度ｉＨ層５２が形成されている。」と記載されており、また、特許時の図面の図１には層５の上にＮｉ電極が、同様に図６には層５２の上にＮｉ電極が形成されている。そして、Ｚｎがｐ型不純物であること並びに発光層５及び高不純物濃度ｉＨ層５２が同じＺｎ不純物を含むことから、訂正前に第２層として示された層は、層５２と同様の「ｉ層」であることが明らかである。
　ｎ層に関しては、特許明細書の段落００１３には、「そのバッファ層２の上には、順に、第１層である膜厚２．２μｍのＧａＮから成る高キャリヤ濃度ｎ＋層３と膜厚１．５μｍのＧａＮから成る低キャリヤ濃度ｎ層４が形成されており」と記載されている。また、特許明細書の段落００２１には、「高キャリヤ濃度ｎ＋層３の電極８・・・の金属材料としては、Ａｌ・・・などのオーミック接続が可能な金属物質」と記載されている。さらに、特許時の図面の図１には、電極８が層３に対する電極であることがみてとれる。よって、訂正前に第１層として記載されたｎ型の層は、「ｎ層」であることが明らかである。
　また、電極については、特許明細書に、「【００１９】・・・次に、図３（ｆ）に示すように、・・・試料の上全面に、蒸着によりＮｉ層１３を・・・形成した。・・・【００２０】次に、図４（ｇ）に示すように、・・・発光層５の電極部となる部分だけにＮｉ層１３を残して形成した。次に、図４（ｈ）に示すように、・・・試料の上全面に、蒸着によりＡｌ層１５を・・・形成した。・・・そのフォトレジスト１６が高キャリヤ濃度ｎ＋層３及び発光層５に対する電極部が残るように、所定形状にパターン形成した。【００２１】・・・高キャリヤ濃度ｎ＋層３の電極８、発光層５の電極７を形成した。・・・尚、発光層５上に形成する下地金属１３の金属材料としては、上述のＮｉ・・・から成る金属物質を選択しても良い。又、高キャリヤ濃度ｎ＋層３の電極８及び発光層５の上層の電極７の金属材料としては、Ａｌ・・・などのオーミック接続が可能な金属物質であれば良い。」と図面とともに記載されていることから、「前記ｎ層の電極はＡｌから成り」、「前記ｉ層の電極はＮｉ及びその上に形成されたＡｌから成る」との事項は特許明細書に記載されたものである。
　よって、上記訂正は、層の種類を明確にするとともに電極を限定したものであるから、明りょうでない記載の釈明及び特許請求の範囲の減縮を目的とした明細書の訂正に該当し、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内の訂正であって、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものではない。
ｂ）訂正事項２について
　上記訂正事項２は、請求項２の「第１層」を「ｎ層」に、「第２層」を「ｉ層」に訂正することにより、請求項１と同様に層の種類を明確にするものであるから、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書及び図面の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡大し又は変更するものでもない。
ｃ）訂正事項３について
　上記訂正事項３は、請求項３を削除するものであるから、特許請求の範囲を減縮を目的とした明細書の訂正に該当する。
ｄ）訂正事項４ないし２４について
　上記訂正事項４ないし２４は、上記特許請求の範囲の訂正に伴って発明の詳細な説明を訂正するものであり、明りょうでない記載の釈明を目的とするものであって、願書に添付した明細書及び図面の範囲内の訂正であり、実質上特許請求の範囲を拡大し又は変更するものでもない。
　
２−３．独立特許要件の判断
２−３−１．訂正発明
　訂正請求された請求項に係る発明は、訂正明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１及び２に記載された次のものである。
「【請求項１】ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｎ層と、ｐ型不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｉ層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、
　前記ｎ層の電極はＡｌから成り、前記ｉ層の電極はＮｉ及びその上に形成されたＡｌから成ることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。
【請求項２】サファイア基板と、そのサファイア基板上に形成されたバッファ層を有し、そのバッファ層上に、前記ｎ層、前記ｉ層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」（以下、「訂正発明１」及び「訂正発明２」という。）
　
２−３−２．引用例
　独立特許要件を判断するに当たり、本件特許に対する特許異議申立て事件である平成１０年異議第７１４５０号において提出された甲号証である以下の文献を引用例として検討する。
引用例１：特開昭５７−１５３４７９号公報（特許異議申立人増成孔也の提出した甲第１号証。）
引用例２：特開昭５６−８７３８３号公報（特許異議申立人高木栄の提出した甲第３号証。）
引用例３：特開昭５７−６２５７９号公報（特許異議申立人増成孔也の提出した甲第２号証。）
引用例４：米国特許第５００６９０８号明細書（特許異議申立人シャープ株式会社の提出した甲第１号証。）
引用例５：特開昭６３−１８８９７７号公報（特許異議申立人高木栄の提出した甲第４号証。）
引用例６：特開平３−１０８７７９号公報（特許異議申立人高木栄の提出した甲第１号証。）
引用例７：応用物理６０［２］（１９９１．２）ｐ．１６３−１６６（特許異議申立人シャープ株式会社の提出した甲第１号証。）
　
　上記引用例には、次のことが記載されている。
　引用例１（特開昭５７−１５３４７９号公報）には、次の事項が図面とともに記載されている。
「本発明は窒化ガリウム発光素子に関するものである。窒化ガリウム（ＧａＮ）は半導体としてのエネルギーギャップが大きく青色領域での発光が可能な材料であるが、ｐ型導電性を示す結晶は得られていない。発光ダイオードとしては通常第１図に示すような金属−絶縁層−ｎ型半導体層（いわゆるｍ−ｉ−ｓ　metal−insulator−semiconductor）構造が用いられている。ここで１は結晶成長を行う基板材料で例えばサファイア単結晶などが用いられる。２はｎ型ＧａＮエピタキシャル層、３はＺｎなどのアクセプタを多量にドープしてｎ型を補償した絶縁性ＧａＮ層（ｉ層）、４は金属電極である。この４−３−２の３層でｍ−ｉ−ｓ構造を構成する。電極４とｎ−ＧａＮ層２の間に電圧を印加するとｎＧａＮ層２とｉ−ＧａＮ層３の間の接合部から発光する。このときの発光はｉ−ＧａＮ層３が絶縁性であることから、電極４の下部の接合領域に限られる。」（１頁右下欄５行〜２頁左上欄２行）、
「以下その一実施例を説明すると、第３図に示すように、ｉ電極４４を少くとも二層からなる金属層とし、第１の層４’は半田とのぬれが悪く、かつ結晶表面との密着性のよい金属で形成する。この第１の層４’の面積は、ＧａＮ発光ダイオードの発光領域として必要な面積とする。この上に第２の金属層４”を半田とのぬれの良い金属で形成する。・・・ｎ電極については、第１層５’と第２層５”は・・・特に２層間で大きさを変えなくても良い。」（２頁右上欄１４行〜同頁左下欄６行）、
「第３図において、金属第一層４’，５’としてＴｉを３０００Å蒸着したものを用い、第二層４”，５”としてＮｉ３５００Åを蒸着したものを用いた。」（２頁左下欄１５行〜１７行）、
「＜実施例２＞
　実施例１において第一層４’，５’の下に密着性を高めるためにＡｌをおいた三層構造を作った。この場合にも実施例１と同様な効果がみられた。」（２頁右下欄８行〜９行）
　
　引用例２（特開昭５６−８７３８３号公報）には、次の事項が図面とともに記載されている。
「本発明は窒化ガリウム（ＧａＮ）発光素子の製造方法に関するものであって・・・ＧａＮはｐ型結晶の作成が困難であってこれまで成功した例はない。そのため発光素子としては、通常の発光ダイオードと異ってｍ−ｉ−ｎ構造となっている。」（１頁左下欄１５行〜同頁右下欄１行）、
「このようにして作られる発光素子は、例えば策１図のような構成となっている。サファイア等の基板１上にｎ型ＧａＮ層２、絶縁性ＧａＮ層３があり、さらに金属電極４が形成されている。この４，３，２の構成がｍ−ｉ−ｎ接合部である。このチップが例えば半田５などでへツタ８の片側の電極８ａにボンディングされ、またチップの側面のｎ型層が露出した部分は、例えばインジウムドット６などで金属線７によってへツダ８の他の電極８ｂに接続されている。必要に応じて樹脂９などをかぶせて発光素子が完成する。この素子の電極８ａを正に、８ｂを負になるように適当な電圧を外部から加えると、ｎ型ＧａＮ層２と絶縁性ＧａＮ層３の境界付近から発光し、基板１を通して外に見える」（１頁右下欄１７行〜２頁左上欄１０行）、
「第２図において、・・・除去部を覆ってＮｉ／Ａｌ電極４２及び６２を形成した。これをあらかじめ半田バンプを形成しておいた電極リードをもつ基体に熱圧着して素子を作成した。この素子でｉ層電極４２側が正に、ｎ側電極６２が負になるように電圧を印加したところ青色発光が得られた。」（２頁右下欄４行〜１９行）
　
　引用例３（特開昭５７−６２５７９号公報）には、ＭＩＳ型の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子のｐ型不純物を添加したｉ層であるＺｎドープＧａＮの電極としてＮｉを用いることが記載されており、また引用例４（米国特許第５００６９０８号明細書）には、ダブルヘテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子のｐ型不純物を添加したｐ層であるＩｎｘＧａｙＡｌ１−ｘ−ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の電極としてＮｉを含む合金を用いることが記載されている。
　
　引用例５（特開昭６３−１８８９７７号公報）及び引用例６（特開平３−１０８７７９号公報）には、ＭＩＳ型の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、サファイア基板とｎ層の間にバッファ層を設けることが記載されており、また引用例７（応用物理６０［２］（１９９１．２）ｐ．１６３−１６６）には、ｐｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、サファイア基板とｎ層の間にバッファ層を設けることが記載されている。また、引用例５ないし７には、ｎ層上の電極をＡｌで形成することが記載されている。
　
２−３−３．対比・判断
＜訂正発明１について＞
　訂正発明１と引用例１を対比する。
（１）引用例１には、「本発明は窒化ガリウム発光素子に関するものである。・・・発光ダイオードとしては・・・金属−絶縁層−ｎ型半導体層（いわゆるｍ−ｉ−ｓ・・・）構造が用いられている。・・・２はｎ型ＧａＮエピタキシャル層、３はＺｎなどのアクセプタを多量にドープしてｎ型を補償した絶縁性ＧａＮ層（ｉ層）、４は金属電極である。この４−３−２の３層でｍ−ｉ−ｓ構造を構成する。」と記載されていることから、引用例１の「窒化ガリウム発光素子」は訂正発明１の「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」に相当する。
（２）引用例１の「ｎ型ＧａＮエピタキシャル層２」「Ｚｎなどのアクセプタを多量にドープしてｎ型を補償した絶縁性ＧａＮ層（ｉ層）３」が、それぞれ訂正発明１の「ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｎ層」「ｐ型不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｉ層」に相当することは明らかである。
（３）引用例１には、「ｉ電極４４を少くとも二層からなる金属層とし、第１の層４’は半田とのぬれが悪く、かつ結晶表面との密着性のよい金属で形成する。この第１の層４’の面積は、ＧａＮ発光ダイオードの発光領域として必要な面積とする。この上に第２の金属層４”を半田とのぬれの良い金属で形成する。・・・ｎ電極については、第１層５’と第２層５”は・・・特に２層間で大きさを変えなくても良い。」「第３図において、金属第一層４’，５’としてＴｉを３０００Å蒸着したものを用い、第二層４”，５”としてＮｉ３５００Åを蒸着したものを用いた。」「実施例１において第一層４’，５’の下に・・・Ａｌをおいた三層構造を作った。」と記載されており、これから引用例１においてｎ層に接する金属電極がＡｌで構成されることが明らかである。
　上記（１）〜（３）の考察から、両者は、「ｎ型の窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｎ層と、ｐ型不純物を添加した窒化ガリウム系化合物半導体（ＡｌＸＧａ１−ＸＮ；Ｘ＝０を含む）から成るｉ層とを有する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記ｎ層の電極はＡｌから成る窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」である点で一致し、以下の点で相違する。
　
相違点：
　訂正発明１では、「前記ｉ層の電極はＮｉ及びその上に形成されたＡｌから成る」のに対し、引用例１には、ｉ層の電極を、第１層としてＴｉ、第２層としてＮｉの構造、あるいは第１層としてＡｌ、第２層としてＴｉ、第３層としてＮｉの構造とすることは記載されているが、Ｎｉが第１層のものは記載されておらず、またその上にＡｌを設けることについても記載がない点。
　
　上記相違点について検討する。
　引用例１には、ｉ電極４４を二層からなる金属層で形成することは記載されているが、該金属層の選択にあたっては「第１の層４’は半田とのぬれが悪く、かつ結晶表面との密着性のよい金属で形成する」こと、及び「第２の金属層４”を半田とのぬれの良い金属で形成する」ことが記載されており、その結果、第１層として、Ｔｉ、第二層としてＮｉが選択されたものであるから、半田のぬれの良いＮｉを第１層として使用することは引用例１からは導くことはできず、また第２層としてＡｌを設けることについても導けるものではない。
　引用例２には、ｉ電極４２，６２をＮｉ／Ａｌで形成することが記載されているが、該引用例からは、記載されたＮｉ／Ａｌ電極が２層構造なのか合金の意味なのかについての明記はない。もし仮に２層構造であったとしても、どちらがｉ電極に接する層かは明確でなく、Ｎｉが第１層としても、引用例２のものは、ｉ層電極４２とｎ層電極６２を同じ材料で形成することを示すものであるから、引用例１，２から訂正発明１を導けるものではない。なお、従来技術の説明として、ｉ層電極をインジウムドット６で形成する旨の記載もあるが、この場合にｎ層電極が何かは記載されていないから、これからｉ層電極とｎ層電極とを違う材料で形成するとの事項を把握することはできない。
　そして、引用例２ないし４から、窒化ガリウム系化合物半導体発光素子のｐ型不純物を添加した層（ｉ層あるいはｐ層）上の電極をＮｉで形成することが周知であり、また、引用例５ないし７から、ｎ層電極をＡｌで形成することが周知であるとしても、上記引用例にはそれぞれを組み合わせて本件訂正発明１を構成する旨の示唆がないばかりでなく、上記事項により訂正発明１は、明細書記載の「ＧａＮ系の化合物半導体の発光ダイオードの青色の発光領域における発光パターンを点発光から面発光に近づけてその発光強度を向上させると共に駆動電圧を低下させる」との格別の作用効果を奏するものであるから、結局、訂正発明１は引用例及び周知技術から容易になし得るものとはいえない。
　
＜訂正発明２について＞
　訂正発明２は、訂正発明１に「サファイア基板と、そのサファイア基板上に形成されたバッファ層を有し、そのバッファ層上に、前記ｎ層、前記ｉ層が形成されている」との事項を追加し限定するものであるから、バッファ層を設けることが、例えば引用例５ないし７に示されるように、周知であるとしても、上記訂正発明１が上記判断のように容易といえない以上、訂正発明２は引用例１ないし７から容易になし得るものではない。
　
２−３−４．まとめ
　上記のとおり、訂正発明１及び２は、引用例１ないし７から容易になし得るものではない。
　
３．むすび
　以上のとおりであるから、上記訂正請求は、特許法等の一部を改正する法律（平成６年法律第１１６号）附則第６条第１項の規定により「なお従前の例による」とされる、改正前の特許法第１２６条第１ないし３項の規定に適合する。
　よって、結論のとおり審決する。