【事件の表示】
　特願２００９−２４８７１２「半導体装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　５月１２日出願公開、特開２０１１−　９６８１８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２１年１０月２９日の出願であって、平成２５年１０月２１日付けの拒絶理由通知に対して、平成２６年１月６日に手続補正がなされるとともに意見書が提出されたが、同年２月２８日付けで拒絶査定がなされ、それに対して、同年６月２日に拒絶査定不服審判請求がなされるとともに、同日に手続補正がなされたものである。
　
２．補正の却下の決定
【補正の却下の決定の結論】
　平成２６年６月２日になされた手続補正を却下する。
　
【理由】
（１）補正の内容
　平成２６年６月２日になされた手続補正（以下「本件補正」という。）は、補正前の特許請求の範囲の請求項１ないし１０を、補正後の特許請求の範囲の請求項１ないし１０に補正するものであり、補正前後の請求項は、以下のとおりである。
　
（補正前）
「　【請求項１】
　半導体基板の上方に形成された導電層と前記導電層上に形成された貴金属酸化物を含む下部電極と；前記下部電極上に直接形成され、Ｌａが添加されたチタン酸ジルコン酸鉛の第１の強誘電体膜と、前記第１の強誘電体膜上に直接形成され、前記第１の強誘電体膜より膜厚が薄く、ＬａとＣａとＳｒとが添加されたチタン酸ジルコン酸鉛の第２の強誘電体膜とを有するキャパシタ誘電体膜と；前記キャパシタ誘電体膜上に形成された上部電極とを有するキャパシタ
　を有することを特徴とする半導体装置。
　　【請求項２】
　請求項１記載の半導体装置において、
　前記第１の強誘電体膜におけるＬａの含有量は、０．１ｍｏｌ％〜４．０ｍｏｌ％である
　ことを特徴とする半導体装置。
　　【請求項３】
　請求項１又は２記載の半導体装置において、
　前記第２の強誘電体膜におけるＬａの含有量は、０．１ｍｏｌ％〜４．０ｍｏｌ％であり、
　前記第２の強誘電体膜におけるＣａの含有量は、０．１ｍｏｌ％〜６．０ｍｏｌ％であり、
　前記第２の強誘電体膜におけるＳｒの含有量は、０．１ｍｏｌ％〜３．０ｍｏｌ％である
　ことを特徴とする半導体装置。
　　【請求項４】
　請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置において、
　前記第１の強誘電体膜の膜厚は、３０ｎｍ〜１５０ｎｍであり、
　前記第２の強誘電体膜の膜厚は、５ｎｍ〜２０ｎｍである
　ことを特徴とする半導体装置。
　　【請求項５】
　半導体基板の上方に下部電極を形成する工程と、
　Ｌａが添加されたチタン酸ジルコン酸鉛の第１の強誘電体膜を、前記下部電極上に直接形成する工程と、
　前記第１の強誘電体膜より膜厚が薄く、ＬａとＣａとＳｒとが添加されたチタン酸ジルコン酸鉛の第２の強誘電体膜を、前記第１の強誘電体膜上に直接形成する工程と、
　前記第２の強誘電体膜上に上部電極を形成する工程と、
　前記上部電極、前記第２の強誘電体膜、前記第１の強誘電体膜及び前記下部電極をパターニングし、前記下部電極と、前記第１の強誘電体膜と前記第２の強誘電体膜とを有するキャパシタ誘電体膜と、前記上部電極とを有するキャパシタを形成する工程とを有し、
　前記下部電極を形成する工程は、導電層を形成する工程と、前記導電層上に非晶質の貴金属酸化物を形成する工程とを有する
　ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
　　【請求項６】
　請求項５記載の半導体装置の製造方法において、
　前記上部電極を形成する工程は、成膜の時点で結晶化している第１の導電性酸化物膜を前記キャパシタ誘電体膜上に直接形成する工程を有する
　ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
　　【請求項７】
　請求項６記載の半導体装置の製造方法において、
　前記上部電極を形成する工程は、酸素の組成比が前記第１の導電性酸化物膜より高い非晶質の第２の導電性酸化物膜を前記第１の導電性酸化物膜上に形成する工程を更に有する
　ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
　　【請求項８】
　請求項６又は７記載の半導体装置の製造方法において、
　前記第１の導電性酸化物膜は、酸化イリジウム膜であり、
　前記第２の導電性酸化物膜は、他の酸化イリジウム膜である
　ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
　　【請求項９】
　請求項６乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
　前記第１の強誘電体膜を形成する工程では、スパッタリング法により前記第１の強誘電体膜を形成する
　ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
　　【請求項１０】
　請求項６乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
　前記第２の強誘電体膜を形成する工程では、スパッタリング法により前記第２の強誘電体膜を形成する
　ことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（補正後）
「　【請求項１】
　半導体基板の上方に形成されたプラチナ膜と前記プラチナ膜上に形成された１ｎｍ〜５ｎｍの膜厚を有するＳｒＲｕＯ３膜またはＬａＳｒＣｏＯ３膜のいずれかを含む下部電極と；前記下部電極上に直接形成され、Ｌａが添加されたチタン酸ジルコン酸鉛の第１の強誘電体膜と、前記第１の強誘電体膜上に直接形成され、前記第１の強誘電体膜より膜厚が薄く、ＬａとＣａとＳｒとが添加されたチタン酸ジルコン酸鉛の第２の強誘電体膜とを有するキャパシタ誘電体膜と；前記キャパシタ誘電体膜上に形成された上部電極とを有するキャパシタ
　を有することを特徴とする半導体装置。
　　【請求項２】
　請求項１記載の半導体装置において、
　前記第１の強誘電体膜におけるＬａの含有量は、０．１ｍｏｌ％〜４．０ｍｏｌ％である
　ことを特徴とする半導体装置。
　　【請求項３】
　請求項１又は２記載の半導体装置において、
　前記第２の強誘電体膜におけるＬａの含有量は、０．１ｍｏｌ％〜４．０ｍｏｌ％であり、
　前記第２の強誘電体膜におけるＣａの含有量は、０．１ｍｏｌ％〜６．０ｍｏｌ％であり、
　前記第２の強誘電体膜におけるＳｒの含有量は、０．１ｍｏｌ％〜３．０ｍｏｌ％である
　ことを特徴とする半導体装置。
　　【請求項４】
　請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置において、
　前記第１の強誘電体膜の膜厚は、３０ｎｍ〜１５０ｎｍであり、
　前記第２の強誘電体膜の膜厚は、５ｎｍ〜２０ｎｍである
　ことを特徴とする半導体装置。
　　【請求項５】
　半導体基板の上方に下部電極を形成する工程と、
　Ｌａが添加されたチタン酸ジルコン酸鉛の第１の強誘電体膜を、前記下部電極上に直接形成する工程と、
　前記第１の強誘電体膜より膜厚が薄く、ＬａとＣａとＳｒとが添加されたチタン酸ジルコン酸鉛の第２の強誘電体膜を、前記第１の強誘電体膜上に直接形成する工程と、
　前記第２の強誘電体膜上に上部電極を形成する工程と、
　前記上部電極、前記第２の強誘電体膜、前記第１の強誘電体膜及び前記下部電極をパターニングし、前記下部電極と、前記第１の強誘電体膜と前記第２の強誘電体膜とを有するキャパシタ誘電体膜と、前記上部電極とを有するキャパシタを形成する工程とを有し、
　前記下部電極を形成する工程は、プラチナ膜を形成する工程と、前記プラチナ膜上に非晶質の１ｎｍ〜５ｎｍの膜厚を有するＳｒＲｕＯ３膜またはＬａＳｒＣｏＯ３膜のいずれかをスパッタリング法により形成する工程とを有する
　ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
　　【請求項６】
　請求項５記載の半導体装置の製造方法において、
　前記上部電極を形成する工程は、成膜の時点で結晶化している第１の導電性酸化物膜を前記キャパシタ誘電体膜上に直接形成する工程を有する
　ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
　　【請求項７】
　請求項６記載の半導体装置の製造方法において、
　前記上部電極を形成する工程は、酸素の組成比が前記第１の導電性酸化物膜より高い非晶質の第２の導電性酸化物膜を前記第１の導電性酸化物膜上に形成する工程を更に有する
　ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
　　【請求項８】
　請求項６又は７記載の半導体装置の製造方法において、
　前記第１の導電性酸化物膜は、酸化イリジウム膜であり、
　前記第２の導電性酸化物膜は、他の酸化イリジウム膜である
　ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
　　【請求項９】
　請求項６乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
　前記第１の強誘電体膜を形成する工程では、スパッタリング法により前記第１の強誘電体膜を形成する
　ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
　　【請求項１０】
　請求項６乃至９のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法において、
　前記第２の強誘電体膜を形成する工程では、スパッタリング法により前記第２の強誘電体膜を形成する
　ことを特徴とする半導体装置の製造方法。」
　
（２）補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると、以下のとおりである。
　
（補正事項ａ）
（補正事項ａ−１）
　補正前の請求項１の「導電層」を、補正後の請求項１の「プラチナ膜」と補正すること。
（補正事項ａ−２）　
　補正前の請求項１の「貴金属酸化物」を、補正後の請求項１の「１ｎｍ〜５ｎｍの膜厚を有するＳｒＲｕＯ３膜またはＬａＳｒＣｏＯ３膜のいずれか」と補正すること。
　
（補正事項ｂ）
（補正事項ｂ−１）
　補正前の請求項５の「導電層」を、補正後の請求項５の「プラチナ膜」と補正すること。
（補正事項ｂ−２）
　補正前の請求項５の「貴金属酸化物を形成する工程」を、補正後の請求項５の「１ｎｍ〜５ｎｍの膜厚を有するＳｒＲｕＯ３膜またはＬａＳｒＣｏＯ３膜のいずれかをスパッタリング法により形成する工程」と補正すること。
　
（３）新規事項追加の有無及び補正の目的の適否についての検討
（３−１）補正事項ａについて
（３−１−１）補正事項ａ−１について
　補正事項ａ−１は、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項である「導電層」を、「プラチナ膜」と限定的に減縮する補正である。
　そして、この補正は、本願の願書に最初に添付した明細書（以下「当初明細書」という。また、本願の願書に最初に添付した明細書、特許請求の範囲又は図面を「当初明細書等」という。）の【００３７】段落の記載に基づく補正である。
　したがって、補正事項ａ−１は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしており、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
（３−１−２）補正事項ａ−２について
　補正事項ａ−２は、補正前の請求項１の発明特定事項である「貴金属酸化物」を、「１ｎｍ〜５ｎｍの膜厚を有するＳｒＲｕＯ３膜またはＬａＳｒＣｏＯ３膜のいずれか」と補正するものであるが、「ＬａＳｒＣｏＯ３膜」は「貴金属酸化物」ではないので、補正前の請求項１に係る発明の発明特定事項を限定するものでないから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げられた特許請求の範囲の減縮を目的とするものには該当しない。また、前記「貴金属酸化物」を、「１ｎｍ〜５ｎｍの膜厚を有するＳｒＲｕＯ３膜またはＬａＳｒＣｏＯ３膜のいずれか」とする補正が、特許法第１７条の２第５項のその他のいずれの号に掲げられた事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　したがって、補正事項ａ−２は、特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たしていない。
　
（３−２）補正事項ｂについて
（３−２−１）補正事項ｂ−１について
　補正事項ｂ−１は、補正前の請求項５に係る発明の発明特定事項である「導電層」を、「プラチナ膜」と限定的に減縮する補正である。
　そして、この補正は、当初明細書の【００３７】段落の記載に基づく補正である。
　したがって、補正事項ｂ−１は、当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において、新たな技術的事項を導入しないものであり、特許法第１７条の２第３項に規定された新規事項の追加禁止の要件を満たしており、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするものである。
　
（３−２−２）補正事項ｂ−２について
　補正事項ｂ−２は、補正前の請求項５に係る発明の発明特定事項である「貴金属酸化物を形成する工程」を、「１ｎｍ〜５ｎｍの膜厚を有するＳｒＲｕＯ３膜またはＬａＳｒＣｏＯ３膜のいずれかをスパッタリング法により形成する工程」と補正するものであるが、「ＬａＳｒＣｏＯ３膜」は「貴金属酸化物」ではないので、補正前の請求項５に係る発明の発明特定事項を限定するものでないから、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げられた特許請求の範囲の減縮を目的とするものには該当しない。
　また、前記「貴金属酸化物を形成する工程」を、「１ｎｍ〜５ｎｍの膜厚を有するＳｒＲｕＯ３膜またはＬａＳｒＣｏＯ３膜のいずれかをスパッタリング法により形成する工程」とする補正が、特許法第１７条の２第５項のその他のいずれの号に掲げられた事項を目的とするものにも該当しないことは明らかである。
　したがって、補正事項ｂ−２は、特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たしていない。
　
（３−４）新規事項追加の有無及び補正の目的の適否についてのまとめ
　以上、検討したとおりであるから、本件補正は、特許法第１７条の２第３項に規定する要件を満たす。
　しかしながら、本件補正のうちの補正事項ａ−２及びｂ−２は、特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たしていないから、本件補正は、同法同条同項に規定する要件を満たしていない。
　
（４）独立特許要件について
（４−１）はじめに
　上記（３）において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項に規定する要件を満たしていないが、仮に、補正事項ａ−２、補正事項ｂ−２が、特許請求の範囲の減縮を目的とするものであり、本件補正が当該要件を満たすものであるとした場合には、上記（３）において検討したとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とする補正であるから、本件補正が、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか否かについて、一応検討する。
　
（４−２）補正後の請求項１に係る発明
　本件補正による補正後の請求項１に係る発明（以下「補正後の発明」という。）は、平成２６年６月２日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正後の請求項１として記載したとおりのものである。
　
（４−３）刊行物に記載された事項及び発明
（４−３−１）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の出願日前に日本国内において頒布された特開２００８−１２４３３１号公報（以下「引用刊行物」という。）には、図１〜６とともに、以下の事項が記載されている。なお、下線は、当審において付与したものである（以下、同じ。）。
　
「【技術分野】
【０００１】
　本発明は半導体装置とその製造方法に関する。」
「【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００２２】
　本発明の目的は、強誘電体キャパシタが備えるキャパシタ誘電体膜の特性を向上させる
ことが可能な半導体装置とその製造方法を提供することにある。」
「【発明を実施するための最良の形態】
【００３２】
　（１）第１実施形態
　図１〜図６は、本発明の第１実施形態に係る半導体装置の製造途中の断面図である。」
「【００４４】
　
次に、図１（ｂ）に示すように、シリコン基板１０の上側全面に、プラズマCVD法で酸窒化シリコン(SiON)膜を厚さ約２００nmに形成し、それをカバー絶縁膜１０とする。
【００４５】
　
更に、TEOS(tetra ethoxy silane)ガスを使用するプラズマCVD法により、このカバー絶縁膜１０の上に第１層間絶縁膜１１として酸化シリコン(SiO
2
)膜を厚さ約６００nmに形成する。
【００４６】
　その後、CMP(Chemical Mechanical Polishing)法で第１層間絶縁膜１１を約２００nm程度研磨し、第１層間絶縁膜１１の上面を平坦化する。
【００４７】
　次いで、基板温度を６５０℃とするアニールを第１層間絶縁膜１１に対して３０分間行うことにより第１層間絶縁膜１１の脱ガスを行う。
【００４８】
　
更に、第１層間絶縁膜１１の上に、下部電極密着膜１２としてスパッタ法によりアルミナ（Al
2
O
3
）膜を２０nm程度の厚さに形成する。
【００４９】
　
続いて、図１（ｃ）に示すように、下部電極密着膜１２の上に、スパッタ法により第１導電膜２３としてプラチナ膜を形成する。この第１導電膜２３は、後でパターニングされてキャパシタ下部電極になり、１００℃又は３５０℃の成膜温度で約１５０nmの厚さに形成される。
【００５０】
　なお、下部電極密着膜１２として厚さが約２０nmのチタン膜を形成する場合は、プラチナよりなる第１導電膜２３の厚さは約１８０nmとされる。
【００５１】
　また、第１導電膜２３を形成する前に下部電極密着膜１２を形成したので、第１導電膜２３と第１層間絶縁膜１１との密着力が高められる。
【００５２】
　
次に、図２（ａ）に示すように、ゾル・ゲル法を用いて、PZT膜にLaをドープしてなるPLZT膜を第１導電膜２３上に第１強誘電体膜２４ｂとして形成する。
【００５３】
　そのゾル・ゲル法は次のようにして行われる。
【００５４】
　まず、湿度が４０％の大気中において、回転数を５０００rpmとするスピンコート法により第１導電膜２３上にPLZT溶液（強誘電体溶液）を３０秒間塗布し、PLZT塗膜を形成する。
【００５５】
　そのPLZT溶液は特に限定されないが、本実施形態ではPb、La、Zr、及びTiの各前駆体を１０重量％の濃度でブタノール溶媒に溶解してなる溶液を使用する。そのような溶液は材料メーカから購入することができ、例えば、成膜後の組成比がPb:La:Zr:Ti=110:2:40:60になるように調節された三菱マテリアル製のものを使用すればよい。
【００５６】
　次いで、そのPLZT塗膜に対し、常圧（大気圧）の酸素雰囲気中において基板温度を２００〜４５０℃、例えば２４０℃とするアニールを約５分間行う。
【００５７】
　これにより、PLZT塗膜中のブタノール溶媒が蒸発し、PLZT塗膜の堆積が収縮して強誘電体を構成する分子も含めたゲルの密度が上がり、PLZT塗膜が後で結晶化しやすくなる。このように溶媒を蒸発させるために行われるアニールはベークとも呼ばれる。
【００５８】
　そして、このようなPLZT塗膜の形成とベークとを所定回数、例えば３回繰り返すことにより、
PLZTよりなる強誘電体膜２４が１００nmの厚さに形成される。
「【００６２】
　
なお、この第１強誘電体膜２４ｂの結晶性を向上させるには、第１強誘電体膜２４ｂを構成するPLZTと格子定数が近い材料で第１導電膜２３を構成するのが好ましい。そのような材料としては、上記のプラチナの他に、パラジウムや、PLZTと同じペロプスカイト構造を持つSrRuO
3
及びLaSrCoO
3
がある。
【００６３】
　更に、
第１導電膜２３は単層膜に限定されず、上記のプラチナ、パラジウム、SrRuO
3
、及びLaSrCoO
3
のいずれかが上面に表出する積層膜であってもよい。
「【００７４】
　
次いで、図２（ｂ）に示すように、第１強誘電体膜２４ｂの上にPZT膜をスパッタ法で１〜５０nm、より好ましくは１０〜３０nm程度の厚さに形成し、そのPZT膜を第２強誘電体膜２４ｃとする。
【００７５】
　ここで、スパッタ法には、第２強誘電体膜２４ｃに添加元素を微量にドープするのが容易であるという利点もある。
【００７６】
　この利点を活かし、第２強誘電体膜２４ｃの成膜時に、ストロンチウム、カルシウム、ニオブ、イリジウム、及びランタンのいずれかを添加元素として０．１〜５mol%の濃度でPZTに添加するのが好ましい。これらの元素がドープされた第２強誘電体膜２４ｃを後述のキャパシタに適用することで、キャパシタの耐疲労特性やインプリント特性の向上、リーク電流の低減、及び動作電圧の低電圧化等の効果を得ることができる。
【００７７】
　
本実施形態では、カルシウム、ランタン、及びストロンチウムをそれぞれ５mol%、２mol%、及び２mol%の濃度でPZTにドープすることで、第２強誘電体膜２４ｃのスイッチング電荷量を高める。なお、このようにカルシウム、ランタン、及びストロンチウムが添加されたPZTはCSPLZTと書かれることもある。
「【００８０】
　
以上により、第１強誘電体膜２４ｂと第２強誘電体膜２４ｃとで構成される強誘電体膜２４が第１導電膜２３の上に形成されたことになる。
「【００８３】
　次に、図２（ｃ）に示す断面構造を得るまでの工程について説明する。
【００８４】
　
まず、酸素とアルゴンとの混合ガスをスパッタガスとし、且つイリジウムターゲットを使用するスパッタ法により、上記の強誘電体膜２４の上に成膜の時点で既に結晶化している酸化イリジウム膜を厚さ約２５nmに形成し、この酸化イリジウム膜を第１導電性酸化金属膜２５ｄとする。
「【００９４】
　
その後に、第１導電性酸化金属膜２５ｄの上に第２導電性酸化金属膜２５ｅとしてスパッタ法で酸化イリジウム膜を約２００nmの厚さに形成する。
【００９５】
　第１導電性酸化金属膜２５ｄと異なり、第２導電性酸化金属膜２５ｅを構成する酸化イリジウム膜は成膜の時点で結晶化している必要はない。本実施形態では、第２導電性酸化金属膜２５ｅを形成する際の基板温度を室温（２０℃）にし、アモルファス状態の酸化イリジウム膜を形成するようにする。」
「【０１０１】
　
以上により、第１導電性酸化金属膜２５ｄと第２導電性酸化金属膜２５ｅとで構成される第２導電膜２５が強誘電体膜２４上に形成されたことになる。
「【０１０３】
　
次いで、図３（ａ）に示すように、シリコン基板１の裏面を洗浄した後、フォトリソグラフィとエッチングにより上部電極用導電膜２５をパターニングして上部電極２５ａを形成する。
【０１０４】
　
続いて、図３（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィとエッチングにより強誘電体膜２４をパターニングし、PLZT等の強誘電体材料で構成されるキャパシタ誘電体膜２４ａを形成する。
【０１０５】
　
次に、図３（ｃ）に示すように、シリコン基板１の上側全面に、水素や水分等の還元性物質からキャパシタ誘電体膜２４ａを保護するための第１アルミナ膜３１をスパッタ法で厚さ約５０nmに形成する。
「【０１０８】
　
次いで、図４（ａ）に示すように、フォトリソグラフィとエッチングにより、第１導電膜２３と第１アルミナ膜３１とをパターニングし、キャパシタ誘電体膜２４ａの下の下部第１導電膜２３を下部電極２３ａにすると共に、この下部電極２３ａを覆うように第１アルミナ膜３１を残す。
「【０１１１】
　
ここまでの工程により、シリコン基板１のセル領域には、下部電極２３ａ、キャパシタ誘電体膜２４ａ、及び上部電極２５ａをこの順に積層してなるキャパシタQが形成されたことになる。
　
（４−３−２）そうすると、引用刊行物には、以下の発明（以下「刊行物発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
「シリコン基板１０の上側全面にカバー絶縁膜１０として形成された酸窒化シリコン(SiON)膜と、
　前記カバー絶縁膜１０の上に第１層間絶縁膜１１として形成された酸化シリコン(SiO2)膜と、
　前記第１層間絶縁膜１１の上に下部電極密着膜１２として形成されたアルミナ（Al2O3）膜と、
　前記下部電極密着膜１２の上に第１導電膜２３として形成されたプラチナ膜をパターニングすることにより形成された下部電極２３ａと、
 前記第１導電膜２３上に第１強誘電体膜２４ｂとして１００nmの厚さに形成されたPZT膜にLaをドープしてなるPLZT膜と、前記第１強誘電体膜２４ｂの上に第２強誘電体膜２４ｃとして１０〜３０nmの厚さに形成されたカルシウム、ランタン、及びストロンチウムが添加されたPZTとで構成される強誘電体膜２４をパターニングして形成されたキャパシタ誘電体膜２４ａと、
　前記強誘電体膜２４の上に第１導電性酸化金属膜２５ｄとして形成された酸化イリジウム膜と、
　前記第１導電性酸化金属膜２５ｄの上に第２導電性酸化金属膜２５ｅとして形成された酸化イリジウム膜とで構成される第２導電膜２５をパターニングして形成された上部電極２５ａと、
を含み、
　前記下部電極２３ａ、前記キャパシタ誘電体膜２４ａ及び前記上部電極２５ａをこの順に積層してなるキャパシタを有する半導体装置。」
　
（４−４）対比
（４−４−１）刊行物発明において、「第１導電膜２３として形成されたプラチナ膜をパターニングすることにより形成された下部電極２３ａ」が、「シリコン基板１０」の上方に形成されていることは明らかである。そうすると、刊行物発明の「第１導電膜２３として形成されたプラチナ膜をパターニングすることにより形成された下部電極２３ａ」と、補正後の発明の「半導体基板の上方に形成されたプラチナ膜と前記プラチナ膜上に形成された１ｎｍ〜５ｎｍの膜厚を有するＳｒＲｕＯ３膜またはＬａＳｒＣｏＯ３膜のいずれかを含む下部電極」とは、「半導体基板の上方に形成されたプラチナ膜」「を含む下部電極」という点で一致する。
　
（４−４−２）刊行物発明の「前記第１導電膜２３上に第１強誘電体膜２４ｂとして１００nmの厚さに形成されたPZT膜にLaをドープしてなるPLZT膜と、前記第１強誘電体膜２４ｂの上に第２強誘電体膜２４ｃとして１０〜３０nmの厚さに形成されたカルシウム、ランタン、及びストロンチウムが添加されたPZTとで構成される強誘電体膜２４をパターニングして形成されたキャパシタ誘電体膜２４ａ」において、「前記第１導電膜２３上に第１強誘電体膜２４ｂとして１００nmの厚さに形成されたPZT膜にLaをドープしてなるPLZT膜」で構成される部分は、補正後の発明の「前記下部電極上に直接形成され、Ｌａが添加されたチタン酸ジルコン酸鉛の第１の強誘電体膜」に相当する。
　
（４−４−３）刊行物発明の「前記第１導電膜２３上に第１強誘電体膜２４ｂとして１００nmの厚さに形成されたPZT膜にLaをドープしてなるPLZT膜と、前記第１強誘電体膜２４ｂの上に第２強誘電体膜２４ｃとして１０〜３０nmの厚さに形成されたカルシウム、ランタン、及びストロンチウムが添加されたPZTとで構成される強誘電体膜２４をパターニングして形成されたキャパシタ誘電体膜２４ａ」において、「前記第１強誘電体膜２４ｂの上に第２強誘電体膜２４ｃとして１０〜３０nmの厚さに形成されたカルシウム、ランタン、及びストロンチウムが添加されたPZT」で構成される部分は、補正後の発明の「前記第１の強誘電体膜上に直接形成され、前記第１の強誘電体膜より膜厚が薄く、ＬａとＣａとＳｒとが添加されたチタン酸ジルコン酸鉛の第２の強誘電体膜」に相当する。
　
（４−４−４）刊行物発明の「キャパシタ誘電体膜２４ａ」は、補正後の発明の「キャパシタ誘電体膜」に相当する。
　
（４−４−５）刊行物発明の「前記強誘電体膜２４の上に第１導電性酸化金属膜２５ｄとして形成された酸化イリジウム膜と、前記第１導電性酸化金属膜２５ｄの上に第２導電性酸化金属膜２５ｅとして形成された酸化イリジウム膜とで構成される第２導電膜２５をパターニングして形成された上部電極２５ａ」は、補正後の発明の「前記キャパシタ誘電体膜上に形成された上部電極」に相当する。
　
（４−４−６）そうすると、補正後の発明と刊行物発明とは、
「半導体基板の上方に形成されたプラチナ膜を含む下部電極と；前記下部電極上に直接形成され、Ｌａが添加されたチタン酸ジルコン酸鉛の第１の強誘電体膜と、前記第１の強誘電体膜上に直接形成され、前記第１の強誘電体膜より膜厚が薄く、ＬａとＣａとＳｒとが添加されたチタン酸ジルコン酸鉛の第２の強誘電体膜とを有するキャパシタ誘電体膜と；前記キャパシタ誘電体膜上に形成された上部電極とを有するキャパシタ
　を有することを特徴とする半導体装置。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点１）補正後の発明の「下部電極」は、「前記プラチナ膜上に形成された１ｎｍ〜５ｎｍの膜厚を有するＳｒＲｕＯ３膜またはＬａＳｒＣｏＯ３膜のいずれかを含む」のに対し、刊行物発明では、そのような特定がなされていない点。
　
（４−５）判断
　以下、上記相違点１について検討する。
　引用刊行物には、
「【００６２】
　なお、こ
の第１強誘電体膜２４ｂの結晶性を向上させるには、第１強誘電体膜２４ｂを構成するPLZTと格子定数が近い材料で第１導電膜２３を構成するのが好ましい。
PLZTと同じペロプスカイト構造を持つSrRuO
3
及びLaSrCoO
3
【００６３】
　更に、第１導電膜２３は単層膜に限定されず、上記のプラチナ、パラジウム、
SrRuO
3
、及びLaSrCoO
3
のいずれかが上面に表出する積層膜であってもよい。
と記載されていることから、刊行物発明における「プラチナ膜」からなる「下部電極２３ａ」の表面に「SrRuO3、及びLaSrCoO3のいずれか」を形成することにより、引用刊行物の段落【００６３】に記載された「SrRuO3、及びLaSrCoO3のいずれかが上面に表出する積層膜」とすることは、引用刊行物の上記記載に接した当業者であれば、容易に想到し得ることである。その際に、SrRuO3あるいはLaSrCoO3の膜厚を、どのように設定するかは、当業者が必要に応じて適宜設定しうる単なる設計的事項に過ぎない。
　そうすると、刊行物発明において、「第１導電膜２３として形成されたプラチナ膜をパターニングすることにより形成された下部電極２３ａ」の表面に「SrRuO3、及びLaSrCoO3のいずれか」を形成することにより、補正後の発明のように、「半導体基板の上方に形成されたプラチナ膜と前記プラチナ膜上に形成された１ｎｍ〜５ｎｍの膜厚を有するＳｒＲｕＯ３膜またはＬａＳｒＣｏＯ３膜のいずれかを含む下部電極」とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　よって、相違点１は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　
（４−６）独立特許要件についてのまとめ
　以上検討したとおり、補正後の発明と刊行物発明との相違点は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、補正後の発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際、独立して特許を受けることができない。
　
（５）補正の却下についてのむすび
　本件補正は、特許法第１７条の２第５項第２号に規定する要件を満たさないものであり、仮に、そのような違反がなく、本件補正が、特許法第１７条の２第５項第２号に掲げる特許請求の範囲の減縮を目的とするとした場合においても、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合しないものである。
　したがって、本件補正は、特許法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
３．本願発明
　平成２６年６月２日になされた手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２６年１月６日になされた手続補正により補正された明細書、特許請求の範囲及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載されている事項により特定される上記２．（１）の補正前の請求項１として記載したとおりのものである。
　
４．刊行物に記載された発明
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された刊行物には、上記２．（４−３−１）及び（４−３−２）に記載したとおりの事項及び発明が記載されているものと認められる。
　
５．対比
（１）刊行物発明において、「第１導電膜２３として形成されたプラチナ膜をパターニングすることにより形成された下部電極２３ａ」が、「シリコン基板１０」の上方に形成されていることは明らかである。そして、刊行物発明の「第１導電膜２３として形成されたプラチナ膜をパターニングすることにより形成された下部電極２３ａ」は、補正後の発明の「導電層」に相当する。そうすると、刊行物発明の「第１導電膜２３として形成されたプラチナ膜をパターニングすることにより形成された下部電極２３ａ」と、補正後の発明の「半導体基板の上方に形成された導電層と前記導電層上に形成された貴金属酸化物を含む下部電極」とは、「半導体基板の上方に形成された導電層」「を含む下部電極」という点で一致する。
　
（２）刊行物発明の「前記第１導電膜２３上に第１強誘電体膜２４ｂとして１００nmの厚さに形成されたPZT膜にLaをドープしてなるPLZT膜と、前記第１強誘電体膜２４ｂの上に第２強誘電体膜２４ｃとして１０〜３０nmの厚さに形成されたカルシウム、ランタン、及びストロンチウムが添加されたPZTとで構成される強誘電体膜２４をパターニングして形成されたキャパシタ誘電体膜２４ａ」において、「前記第１導電膜２３上に第１強誘電体膜２４ｂとして１００nmの厚さに形成されたPZT膜にLaをドープしてなるPLZT膜」で構成される部分は、補正後の発明の「前記下部電極上に直接形成され、Ｌａが添加されたチタン酸ジルコン酸鉛の第１の強誘電体膜」に相当する。
　
（３）刊行物発明の「前記第１導電膜２３上に第１強誘電体膜２４ｂとして１００nmの厚さに形成されたPZT膜にLaをドープしてなるPLZT膜と、前記第１強誘電体膜２４ｂの上に第２強誘電体膜２４ｃとして１０〜３０nmの厚さに形成されたカルシウム、ランタン、及びストロンチウムが添加されたPZTとで構成される強誘電体膜２４をパターニングして形成されたキャパシタ誘電体膜２４ａ」において、「前記第１強誘電体膜２４ｂの上に第２強誘電体膜２４ｃとして１０〜３０nmの厚さに形成されたカルシウム、ランタン、及びストロンチウムが添加されたPZT」で構成される部分は、補正後の発明の「前記第１の強誘電体膜上に直接形成され、前記第１の強誘電体膜より膜厚が薄く、ＬａとＣａとＳｒとが添加されたチタン酸ジルコン酸鉛の第２の強誘電体膜」に相当する。
　
（４）刊行物発明の「キャパシタ誘電体膜２４ａ」は、補正後の発明の「キャパシタ誘電体膜」に相当する。
　
（５）刊行物発明の「前記強誘電体膜２４の上に第１導電性酸化金属膜２５ｄとして形成された酸化イリジウム膜と、前記第１導電性酸化金属膜２５ｄの上に第２導電性酸化金属膜２５ｅとして形成された酸化イリジウム膜とで構成される第２導電膜２５をパターニングして形成された上部電極２５ａ」は、補正後の発明の「前記キャパシタ誘電体膜上に形成された上部電極」に相当する。
　
（６）そうすると、補正後の発明と刊行物発明とは、
「半導体基板の上方に形成された導電層を含む下部電極と；前記下部電極上に直接形成され、Ｌａが添加されたチタン酸ジルコン酸鉛の第１の強誘電体膜と、前記第１の強誘電体膜上に直接形成され、前記第１の強誘電体膜より膜厚が薄く、ＬａとＣａとＳｒとが添加されたチタン酸ジルコン酸鉛の第２の強誘電体膜とを有するキャパシタ誘電体膜と；前記キャパシタ誘電体膜上に形成された上部電極とを有するキャパシタ
　を有することを特徴とする半導体装置。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
（相違点２）補正後の発明の「下部電極」は、「前記導電層上に形成された貴金属酸化物を含む」のに対し、刊行物発明では、そのような特定がなされていない点。
　
６．判断
  以下、上記相違点２について検討する。
　引用刊行物には、
「【００６２】
　なお、こ
の第１強誘電体膜２４ｂの結晶性を向上させるには、第１強誘電体膜２４ｂを構成するPLZTと格子定数が近い材料で第１導電膜２３を構成するのが好ましい。
PLZTと同じペロプスカイト構造を持つSrRuO
3
【００６３】
　更に、第１導電膜２３は単層膜に限定されず、上記のプラチナ、パラジウム、
SrRuO
3
が上面に表出する積層膜であってもよい。
と記載されていることから、刊行物発明における「プラチナ膜」からなる「下部電極２３ａ」の表面に「SrRuO3」を形成することにより、引用刊行物の段落【００６３】に記載された「SrRuO3」「が上面に表出する積層膜」とすることは、引用刊行物の上記記載に接した当業者であれば、容易に想到し得ることである。
　そうすると、刊行物発明において、「第１導電膜２３として形成されたプラチナ膜をパターニングすることにより形成された下部電極２３ａ」の表面に「SrRuO3」を形成することにより、補正後の発明のように、「半導体基板の上方に形成された導電層と前記導電層上に形成された貴金属酸化物を含む下部電極」とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　よって、相違点２は、当業者が容易になし得た範囲に含まれる程度のものである。
　以上検討したとおり、本願発明と刊行物発明との相違点は、当業者が容易に想到し得た範囲に含まれる程度のものにすぎず、本願発明は、引用刊行物に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
６．むすび
　以上のとおりであるから、本願は、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。