【事件の表示】
　特願２０１０−１６０６８５「有機発光表示装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年１０月２７日出願公開，特開２０１１−２１６８４０〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は，２０１０年７月１５日（パリ条約による優先権主張２０１０年３月３１日，韓国）の出願であって，平成２４年５月１７日付けで拒絶理由が通知され，同年８月１７日に意見書及び手続補正書が提出されたが，平成２５年８月２９日付けで拒絶査定がなされたところ，同年１１月１日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正書が提出され，当審において，平成２６年８月２９日付けで拒絶の理由が通知され，同年１２月２日に意見書及び手続補正書が提出されたものである。
　
　
２　本願発明
　本願の請求項１ないし１６に係る発明は，平成２６年１２月２日提出の手続補正書によって補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１６によって特定されるものであるところ，請求項１に係る発明は次のとおりのものと認められる。
　
「基板本体と，
　前記基板本体上に形成された非晶質シリコン薄膜トランジスタと，
　前記非晶質シリコン薄膜トランジスタと接続して電子を注入する透明電極と前記透明電極上に形成された有機発光層と前記有機発光層上に形成されて正孔を注入する反射電極とを有する有機発光素子と，を含み，
　前記有機発光層は，電子注入用金属層と電子注入層と電子注入用双極子層（ｄｉｐｏｌｅ　ｌａｙｅｒ）とを含み前記透明電極上に形成された電子注入部と，前記電子注入部上に形成された発光部と，を含み，
　前記有機発光層は，正孔注入層及び正孔注入用双極子層を含み，前記発光部と前記反射電極との間に配置された正孔注入部を含み，
　前記正孔注入部と前記発光部との間に配置された正孔輸送層をさらに含み，
　前記正孔注入用双極子層は，前記正孔輸送層と前記正孔注入層との間に配置されたことを特徴とする有機発光表示装置。」（以下，「本願発明」という。）
　
　
３　当審において通知した拒絶の理由の概要
　当審において平成２６年８月２９日付けで通知した拒絶の理由（以下，「当審拒絶理由」という。）の概要は，
「本願の請求項１ないし１７に係る発明は，引用文献１に記載された発明，引用文献２及び引用文献３に記載された事項に基づいて，引用文献１に記載された発明，引用文献２及び引用文献４に記載された事項に基づいて，または，引用文献１ないし引用文献５の記載事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。」
というものである。
　当審拒絶理由で引用した引用文献１ないし５は，次のとおりである。
引用文献１：特開２００６−２６９２２８号公報
引用文献２：特開２００９−１６３３２号公報
引用文献３：特開２００６−１１４９０３号公報
引用文献４：特開２００９−２０６５１２号公報
引用文献５：特開２００８−３４３６７号公報
　
　
４　引用例
（１）特開２００６−２６９２２８号公報
　ア　特開２００６−２６９２２８号公報の記載
　当審拒絶理由で引用した特開２００６−２６９２２８号公報（当審拒絶理由における引用文献１。以下，「引用刊行物１」という。）は，本願の優先権主張の日（以下，「本願優先日」という。）より前に頒布された刊行物であって，当該引用刊行物１には次の記載がある。（下線は，後述する引用発明の認定に特に関係する箇所を示す。）
（ア）「【技術分野】
【０００１】
  本発明は多色表示用の色変換フィルタおよびその製造方法，ならびに該色変換フィルタを用いた多色表示可能な有機ＥＬ（エレクトロルミネセント）ディスプレイパネルに関する。特に，本発明は，各表示色のクロストークの低減に関する。
【背景技術】
【０００２】
  有機ＥＬディスプレイパネルの作製方式としては，電界をかけることにより赤・青・緑にそれぞれ発光する有機ＥＬ素子を配列する「３色発光方式」，および，有機ＥＬ素子の発する白色の発光を，カラーフィルタでカットし，赤・青・緑を表現する「カラーフィルタ方式」，さらに，有機ＥＬ素子の発する近紫外光，青色光，青緑色光または白色光を吸収し，波長分布変換を行って可視光域の光を発光する色変換色素を含む色変換層を用いる「色変換方式」が提案されている。
【０００３】
  これらの方式の内，成膜時にメタルマスクを用いる必要がなく，フォトプロセスを用いて所望の形状および配列を有するカラーフィルタ層および／または色変換層を形成することができるという点において，「カラーフィルタ方式」および「色変換方式」が，ディスプレイの大画面化および高精細化に有利であると考えられている。
【０００４】
  「カラーフィルタ方式」および「色変換方式」のディスプレイにおいては，一般的に，透明基板上に複数種のカラーフィルタ層および／または色変換層を設け，その上に上面を平坦化するための有機層すなわち平坦化層，酸素および／または水分の透過を防止するパッシベーション層，および有機ＥＬ発光体が積層された構造を有する（特許文献１および特許文献２参照）。これらの文献に開示されている構造において，カラーフィルタ層，色変換層，および有機層（平坦化層）は，アクリル系材料を用いて形成されることが多い。
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−２６０５６２号公報
【特許文献２】特開平１１−２６１５６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
  上記の構造において，平坦な上面を提供するための有機層ないし平坦化層は，有機ＥＬ発光体からカラーフィルタ層および／または色変換層への光の透過経路に位置するために高い光透過率を有することが必須の要件となっている。また，前述のようにカラーフィルタ層，色変換層，および平坦化層（有機層）は同種の材料で形成され，したがって同等の屈折率を有することが多い。このような状況においては，有機ＥＬ発光体から発せられる光，および／または色変換層で波長分布変換された光（いずれも，光の放射方向は無指向性である）が横方向に伝播し，別個の色のカラーフィルタ層および／または色変換層を通して外部に放射されることによって，発光色のクロストークが発生し，色再現性が低下するという問題点を有している。
【０００７】
  したがって，本発明の目的は，色変換方式の有機ＥＬディスプレイに用いられる色変換フィルタにおいて，平坦化層における光の横方向の伝播を防止し，発光色のクロストークの発生を抑制し，色再現性を高めることができる色変換フィルタおよびその製造方法を提供することである。また，該色変換フィルタを用いた有機ＥＬディスプレイを提供することもまた，本発明の目的である。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
  本発明の色変換フィルタは，透明基板と，該透明基板上に形成された複数種の色変換フィルタ層と，該複数種の色変換フィルタ層を覆うように形成された平坦化層と，該平坦化層の上に形成されたパッシベーション層とを含み，前記平坦化層は，前記複数種の色変換フィルタ層に対応する位置の高透過率部分と，それ以外の位置の低透過率部分とを有することを特徴とする。ここで，前記高透過率部分は，９０％以上の可視光透過率を有し，および前記低透過率部分は９０％以下の可視光透過率を有することが望ましい。
【０００９】
  本発明の有機ＥＬディスプレイパネルは，前述の色変換フィルタと，前記パッシベーション層の上に形成された，透明電極，有機ＥＬ層および反射電極を含む有機ＥＬ発光体とを含むことを特徴とする。」
　
（イ）「【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
  図１に，本発明の
有機ＥＬディスプレイパネル
有機ＥＬディスプレイは，色変換フィルタ１０と，その上に設けられた有機ＥＬ発光体２０とから構成
色変換フィルタ１０は，透明基板１と，複数種の色変換フィルタ層と，平坦化層６と，パッシベーション層７とを含む
平坦化層６は，低透過率部分６ａと，高透過率部分６ｂとからなり，高透過率部分６ｂは複数種の色変換フィルタ層に対応する位置に配置
赤色変換フィルタ層３，緑色変換フィルタ層４，青色変換フィルタ層５
有機ＥＬ発光体２０は，透明電極２１，有機ＥＬ層２２および反射電極２３が順次積層された構造を有する
【００１４】
  以下に，本発明の有機ＥＬディスプレイパネルの各構成層を説明する。
透明基板１は可視光（波長４００〜７００ｎｍ）に対して透明
・・・（中略）・・・
【００１６】
  色変換フィルタ層３〜５は，色変換層，カラーフィルタ層または色変換層とカラーフィルタ層との積層体からなる群から選択される。本発明の色変換フィルタ層３〜５は，一般的に５〜１５μｍの膜厚を有することが望ましい。カラーフィルタ層は，入射光の一部を透過させて所望の色の出力光を得るための層である。カラーフィルタは，たとえば，液晶表示装置などに用いられる市販のフラットパネルディスプレイ用カラーフィルタ材料（富士フイルムエレクトロニクスマテリアルズ株式会社製カラーモザイクなど）を用いて形成することができる。色変換層は，マトリクス樹脂と，入射光を吸収して波長分布変換を行い，異なる波長の可視光を放射する色変換色素とを含む層である。色変換層は１種または複数種の色変換色素を含んでもよい。
【００１７】
  本発明の有機ＥＬディスプレイパネルにおいて，
赤色変換フィルタ層３および緑色変換フィルタ層４は，
色変換層と，該色変換層の出力側に設けられるカラーフィルタ層との積層体から形成さ
青色変換フィルタ層５
は
カラーフィルタ層のみで構成され
・・・（中略）・・・
【００２５】
  平坦化層６は，色変換フィルタ１０上に設けられる有機ＥＬ発光体２０の透明電極２１と反射電極２３間の短絡の原因となる色変換フィルタ層３〜５の凹凸を平滑化するために設けられる層である。本発明の
平坦化層６は，低透過率部分６ａと高透過率部分６ｂとからなり，高透過率部分６ｂは色変換フィルタ層３〜５に対応する位置
に配置され，低透過率部分６ａはそれ以外の位置である色変換フィルタ層３〜５の間隙および周囲
に配置され
【００２６】
  平坦化層６を形成するための材料として，マトリクス樹脂と１種または複数種の感光剤とを含む感光性樹脂組成物を用いることができる。本発明の有機ＥＬディスプレイパネルの製造工程の要件を考慮すると，ポジ型感光性樹脂組成物（光照射された領域が可溶化する）を用いることがより好ましい。用いられる感光剤は，光照射時にマトリクス樹脂の溶解性を変化（好ましくは増大）させる機能を有し，および光未照射時に可視光吸収性を有し，光照射後に可視光吸収性を失う化合物である。マトリクス樹脂は，アクリル樹脂，ポリオレフィン樹脂，シリコーン樹脂，またはフェノール樹脂（ノボラック樹脂など）などをベースとするポリマー材料である。感光剤がマトリクス樹脂の溶解性を増大させる機構としては，（１）光照射時に感光剤がマトリクス中の官能基と反応する化学種を発生させ，該化学種の反応によってマトリクス樹脂上に水可溶性，アルカリ可溶性または酸可溶性官能基が生成されること，（２）光未照射時に感光剤が溶解阻害剤として機能し，光照射時にその溶解阻害能を失うこと，などの種々の機構を挙げることができる。高透過率部分６ｂは，光照射により含有する感光剤が分解すること（フォトブリーチング）により形成されて可視光吸収性を失う領域であり，一方，低透過率部分６ａは，感光剤が残存して，可視光吸収性が維持される領域である。
【００２７】
  あるいはまた，ポリマー鎖に結合した１種または複数種の感光性官能基を有する感光性樹脂を，平坦化層６を形成するための材料として用いることができる。前述の感光性官能基の少なくとも１種は，光照射時に分解してポリマー鎖に結合した水可溶性，アルカリ可溶性または酸可溶性官能基を生成する基である。他の感光性官能基は，光未照射時に可視光吸収性を有し，光照射後に可視光吸収性を失う基であることができる。本発明の目的においては，感光性官能基が可視光吸収性を有し，かつ光照射時の分解物およびポリマー鎖に残存する官能基のいずれもが可視光吸収性を有さないことが望ましい。
【００２８】
  上記の平坦化層形成材料は，熱硬化性を有することがさらに好ましい。後述するように，低透過率部分６ａと高透過率部分６ｂとの選択的配置の後に熱硬化を行うことによって，それら部分の配置の固定および平坦化層全体としての形状の固定を行うことが可能となるからである。
【００２９】
  平坦化層６は，色変換フィルタ層３〜５に起因する凹凸を平坦化することができ，かつ視野角依存性の観点から可能な限り薄い膜厚を有することが望ましい。通常の場合，色変換フィルタ層上面において０．５〜２μｍの膜厚を有することが望ましい。
【００３０】
  
パッシベーション層７は，酸素，水分およびアルカリに対するバリア性を付加する
ための層である
たとえばＳｉＯ
ｘ
，ＡｌＯ
ｘ
，ＴｉＯ
ｘ
，ＴａＯ
ｘ
またはＺｎＯ
ｘ
のような無機酸化物，ＳｉＮ
ｘ
のような無機窒化物，あるいはＳｉＮ
ｘ
Ｏ
ｙ
のような無機酸窒化物を用いて形成
【００３１】
  透明電極２１は，有機ＥＬ層２２に対して効率よく電子または正孔を注入することとともに，有機ＥＬ層２２の発光波長域において透明であることが求められる。透明電極２１は，波長４００〜８００ｎｍの光に対して５０％以上の透過率を有することが好ましい。
透明電極２１は，透明導電性材料である，ＩＴＯ（インジウム・スズ酸化物），ＩＺＯ（インジウム・亜鉛酸化物），ＳｎＯ
２
，ＺｎＯ
２
などの導電性無機化合物を用いて形成
【００３２】
  
透明電極２１を陰極として用い
有機ＥＬ層２２と接触する部位にバッファ層を設けて電子注入効率を向上させ
リチウム，ナトリウム等のアルカリ金属，カリウム，カルシウム，マグネシウム，ストロンチウムなどのアルカリ土類金属
からなる電子注入性の金属
の極薄膜（１０ｎｍ）を用いる
【００３３】
  
有機ＥＬ層２２は，青色から青緑色領域の光を発する
層構成からなる
【００３４】
    （１）発光層
    （２）正孔注入層／発光層
    （３）発光層／電子注入層
    （４）正孔注入層／発光層／電子注入層
    （５）正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子注入層
    （６）
正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層
陽極は
正孔注入層に接続され，陰極は
電子注入層に接続され
【００３５】
  上記各層の材料としては，公知のものが使用される。青色から青緑色の発光を得るためには，発光層中に，例えばベンゾチアゾール系，ベンゾイミダゾール系，べンゾオキサゾール系などの蛍光増白剤，金属キレート化オキソニウム化合物，スチリルベンゼン系化合物，芳香族ジメチリディン系化合物などが好ましく使用される。有機ＥＬ層２２の各構成層（バッファ層を含む）は，蒸着法を用いて形成することができる。
【００３６】
  
反射電極２３は，
高反射率の金属
を用いて形成
【００３７】
  
反射電極２３を陽極として用い
【００３８】
  一方，反射電極２３を陰極として用いる場合，前述の高反射率金属，アモルファス合金または微結晶性合金に対して，仕事関数が小さい材料であるリチウム，ナトリウム，カリウム等のアルカリ金属，カリウム，カルシウム，マグネシウム，ストロンチウムなどのアルカリ土類金属を添加して合金化し，電子注入効率を向上させることができる。あるいはまた，前述のようなバッファ層を有機ＥＬ層２２との界面に形成してもよい。反射電極２３は，蒸着法，スパッタ法（反応性スパッタ法を含む），またはＣＶＤ法を用いて形成することができる。なお，透明導電性酸化物を用いる場合には，密着性，膜厚の均質性および生産性の観点から，スパッタ法（反応性スパッタ法を含む）を用いて積層することが好ましい。
【００３９】
  本発明において，透明電極２１および反射電極２３をそれぞれストライプ形状を有する複数の部分電極で構成し，透明電極２１のストライプが延びる方向と反射電極２３のストライプが延びる方向とを交差する方向（好ましくは，直交する方向）とすることによって，パッシブマトリクス駆動型有機ＥＬ発光体を形成してもよい。あるいはまた，
透明電極２１または反射電極２３の一方を，ＴＦＴ等のスイッチング素子と１対１に接続される複数の部分電極で構成し，他方を一体として形成される共通電極で構成することによってアクティブマトリクス型有機ＥＬ発光体を形成
　
　イ　引用刊行物１に記載された発明
　引用刊行物１の【００３９】（前記ア（イ））には，駆動方式としてアクティブマトリクス駆動方式を採用した有機ＥＬ発光体２０が記載されており，当該記載を含む前記ア（ア）及び（イ）から，引用刊行物１には，当該アクティブマトリクス駆動方式を採用した有機ＥＬ発光体２０と色変換フィルタとから構成される有機ＥＬディスプレイパネルの発明が記載されていると認められるところ，その構成は次のとおりである。
　
「色変換フィルタ１０と，その上に設けられた有機ＥＬ発光体２０とから構成され，
　前記色変換フィルタ１０は，透明基板１と，複数種の色変換フィルタ層である赤色変換フィルタ層３，緑色変換フィルタ層４及び青色変換フィルタ層５と，平坦化層６と，パッシベーション層７とを含み，
　前記透明基板１は可視光（波長４００〜７００ｎｍ）に対して透明であり，
　前記赤色変換フィルタ層３及び前記緑色変換フィルタ層４は，色変換層と，該色変換層の出力側に設けられるカラーフィルタ層との積層体から形成され，前記青色変換フィルタ層５はカラーフィルタ層のみで構成され，
　前記平坦化層６は，低透過率部分６ａと高透過率部分６ｂとからなり，高透過率部分６ｂは色変換フィルタ層３〜５に対応する位置に配置され，低透過率部分６ａはそれ以外の位置である色変換フィルタ層３〜５の間隙および周囲に配置され，
　前記パッシベーション層７は，例えばＳｉＯｘ，ＡｌＯｘ，ＴｉＯｘ，ＴａＯｘまたはＺｎＯｘのような無機酸化物，ＳｉＮｘのような無機窒化物，あるいはＳｉＮｘＯｙのような無機酸窒化物を用いて形成された，酸素，水分及びアルカリに対するバリア性を付加するための層であり，
　前記有機ＥＬ発光体２０は，透明電極２１，有機ＥＬ層２２及び反射電極２３が順次積層された構造を有し，
　前記透明電極２１は，透明導電性材料であるＩＴＯ，ＩＺＯ，ＳｎＯ２，ＺｎＯ２などの導電性無機化合物を用いて形成され，
　当該透明電極２１を陰極として用いるとともに，電子注入効率を向上させるために，有機ＥＬ層２２と接触する部位に，リチウム，ナトリウム等のアルカリ金属や，カリウム，カルシウム，マグネシウム，ストロンチウムなどのアルカリ土類金属からなる電子注入性の金属の極薄膜であるバッファ層を設け，
　前記反射電極２３は，高反射率の金属を用いて形成され，当該反射電極２３を陽極として用い，
　前記有機ＥＬ層２２は，青色から青緑色領域の光を発するものであって，
正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層
なる層構成からなり，陽極である前記反射電極２３が正孔注入層に接続され，陰極である透明電極２１が電子注入層に接続され，
　前記透明電極２１または前記反射電極２３の一方を，ＴＦＴ等のスイッチング素子と１対１に接続される複数の部分電極で構成し，他方を一体として形成される共通電極で構成することによって，前記有機ＥＬ発光体２０をアクティブマトリクス型有機ＥＬ発光体とした，
　有機ＥＬディスプレイパネル。」（以下，「引用発明」という。）
　
（２）特開２００９−１６３３２号公報
　ア　特開２００９−１６３３２号公報の記載
　当審拒絶理由で引用した特開２００９−１６３３２号公報（当審拒絶理由における引用文献２。以下，「引用刊行物２」という。）は，本願の出願前に頒布された刊行物であって，当該引用刊行物２には次の記載がある。（下線は，後述する引用刊行物２記載の技術の認定に特に関係する箇所を示す。）
（ア）「【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
  本発明は，前述したような問題点を解決するために，画像を形成する光がカソードの方向に発光される場合に，共振構造の必要がない高い発光効率を有するトップエミッション型有機発光素子を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
  本発明の一側面によると，
正孔を注入するアノード物質を含むアノードと，前記アノード上に形成された発光層を備える有機層と，前記有機層上に形成された前記有機層の発光層から発光された光が透過するカソードと，
バッファ層を備える有機発光素子
・・・（中略）・・・
【００１２】
  前記
バッファ層は，有機双極子物質を含む
【００１３】
  前記バッファ層は，フラーレン，金属含有フラーレン系錯体，カーボンナノチューブ，カーボンファイバー，カーボンブラック，グラファイト，カルビン，ＭｇＣ６０，ＳｒＣ６０，ＣａＣ６０，Ｃ６０，Ｃ７０，ＭｇＯ及びＹｂＯからなる群から選択された一つ以上の物質を含む。
・・・（中略）・・・
【００１８】
  前記有機発光素子のバッファ層と金属層との間に電子注入層をさらに備える。このとき，前記電子注入層は，ＢａＦ２，ＬｉＦ，ＮａＦ，ＭｇＦ２，ＡｌＦ３，ＣａＦ２，ＮａＣｌ，ＣｓＦ，Ｌｉ２Ｏ，ＢａＯ及びＬｉｑからなる群から選択された一つ以上を含む。前記電子注入層の厚さは，１０Å以下である。
・・・（中略）・・・
【発明の効果】
【００２４】
  本発明の発光装置によれば，トップエミッション型発光構造において，マイクロキャビティ構造を採用せずとも
光取出効率を増大させ，駆動電圧を低めることができる
　
（イ）「【００３７】
  ところが，前記金属層４１及び前記金属酸化物層４２から形成されたカソード４は，背景技術で述べたように光取出効率が悪くなって，従来はマイクロキャビティ構造を用いた光共鳴が利用されてきた。
【００３８】
  しかし，
電子注入効率は，
バッファ層４３を有機層３と金属層４１との間に介在させて増大させることができる
有機双極子物質から形成された前記バッファ層４３
電子をスムーズに注入することができ
発光効率を高めることができる
【００３９】
  本発明によれば，トップエミッション型発光構造を製作する工程は，バッファ層４３を形成することにより，単純化することができる。
【００４０】
  前記バッファ層４３は，カーボン系化合物を含むことができる。さらに具体的には，前記バッファ層４３は，フラーレン，金属含有フラーレン系錯体，カーボンナノチューブ，カーボンファイバー，カーボンファイバー，カーボンブラック，グラファイト，カルビン，ＭｇＣ６０，ＳｒＣ６０，ＣａＣ６０，Ｃ６０，Ｃ７０，ＭｇＯ及びＹｂＯからなる群から選択された一つ以上を含むことができるが，これに限定されるものではない。
【００４１】
  前記バッファ層４３の厚さは２０Å以下，望ましくは，５Åないし２０Åの範囲とすることができる。前記バッファ層４３がこの範囲の厚さを有する場合，カソード４の光透過率及び抵抗特性が効果的に向上できる。」
　
（ウ）「【００６２】
  図４は，本発明のさらに他の実施形態による概略的断面図を示したものである。
【００６３】
  前述した一実施形態と同様に，基板１上にアノード２が形成され，このアノード２上に正孔注入層３１１及び正孔輸送層３１２を備える正孔注入輸送層３１が形成されている。そして，正孔注入輸送層３１上に発光層３２が形成され，発光層３２上に電子輸送層３３１が形成されている。
【００６４】
  この
電子輸送層３３１上にバッファ層４３が形成され，バッファ層４３上に電子注入層３３２が形成
　
　イ　引用刊行物２に記載された技術的事項
　前記ア（ア）ないし（ウ）から，引用刊行物２には次の技術的事項が記載されていると認められる。
　
「有機発光素子において，有機双極子物質から形成されたバッファ層４３を，電子輸送層３３１と電子注入層３３２の間に形成することによって，電子注入効率を増大させて発光効率を高め，駆動電圧を低くすること。」（以下，「引用刊行物２記載の技術」という。）
　
（３）特開２００６−１１４９０３号公報
　ア　特開２００６−１１４９０３号公報の記載
　当審拒絶理由で引用した特開２００６−１１４９０３号公報（当審拒絶理由における引用文献３。以下，「引用刊行物３」という。）は，本願の出願前に頒布された刊行物であって，当該引用刊行物３には次の記載がある。（下線は，後述する引用刊行物３記載の技術の認定に特に関係する箇所を示す。）
（ア）「【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
  従って，本発明が解決しようとする第一の技術的課題は，前述の問題点を解決しつつ，発光材料の種類に関係なく，駆動電圧降下を介して消費電力が節減され，かつ寿命が向上した有機ＥＬ素子を提供することである。
・・・（中略）・・・
【課題を解決するための手段】
【０００６】
  上記諸目的は下記（１）〜（３２）により達成される。
【０００７】
  （１）
第１電極と，前記第１電極の上部に形成された炭素系化合物を含むバッファ層と，前記バッファ層の上部に形成された発光層と，前記発光層の上部に形成された第２電極とを備えた有機電界発光素子
・・・（中略）・・・
【００１４】
  （８）前記第１電極と前記発光層との間に正孔注入層が形成され，前記正孔注入層と発光層との間に正孔輸送層が備えられ，前記
バッファ層は
正孔注入層と正孔輸送層との間
に備えられる
・・・（中略）・・・
【００２０】
  （１４）前記炭素系化合物が，フラーレン，金属を含むフラーレン系錯化合物，炭素ナノチューブ，炭素ファイバ，カーボンブラック，黒鉛，カルベン，ＭｇＣ６０，ＣａＣ６０，およびＳｒＣ６０からなる群から選択された一種以上であることを特徴とする（１）に記載の有機電界発光素子。
・・・（中略）・・・
【発明の効果】
【００３９】
  本発明の有機ＥＬ素子は，
フラーレンのような炭素系化合物を含むバッファ層を，第１電極と発光層との間に形成させて駆動電圧及び寿命特性を改善
【００４０】
  特に，本発明の有機ＥＬ素子は，ｉ）フラーレンのような炭素系化合物を含むバッファ層を第１電極と正孔注入層との間，正孔注入層と正孔輸送層との間，及び／または第１電極と正孔輸送層との間に形成し，ｉｉ）これと同時に，前記炭素系化合物を正孔注入層及び／または正孔輸送層にドーピングし，ｉｉｉ）電子輸送層の形成時に，炭素系化合物をドーピングし，ｉｖ）電子輸送層の形成時に，炭素系化合物をドーピングした場合には，青色，緑色及び赤色のいずれの場合にも，色座標特性にほとんど影響を与えずに，駆動電圧を降下することができ，寿命特性は向上される。」
　
（イ）「【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
  以下，本発明をさらに詳細に説明する。
【００４２】
  本発明による第１の有機ＥＬ素子は，第１電極と第２電極との間に発光層を備え，前記第１電極と発光層との間に，
炭素系化合物を含むバッファ層
・・・（中略）・・・
【００４５】
  また，前記有機ＥＬ素子は，第１電極と発光層との間に，正孔注入層と正孔輸送層とを順次にさらに備えることができ，かかる場合，前記
バッファ層は，
正孔注入層と正孔輸送層との間
に備えられうる
【００４６】
  前記のように，第１電極と発光層との間に，炭素系化合物を含むバッファ層を備えることにより，薄膜状態でモフォロジの変化がほとんどなく，有機ＥＬ素子の色座標特性には影響を与えずに，同時に，第１電極（アノード）に使われるＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）電極と正孔注入層との間の界面エネルギーバンドギャップを変形し，ＩＴＯ電極から正孔注入層への
正孔注入をさらに容易にし，駆動電圧を下げる
【００４７】
  前記のバッファ層の厚さは，０．１ｎｍから１００ｎｍであり，望ましくは，１ｎｍから１０ｎｍ，最も望ましくは，５ｎｍから８ｎｍである。もし，バッファ層の厚さが０．１ｎｍ未満ならば，有機ＥＬ素子の特性向上効果が微小であり，１００ｎｍを超過すれば寿命，コントラストのような有機ＥＬ素子の特性は向上されるが，駆動電圧の降下幅は，飽和されるか，または電圧利得の幅が減少して望ましくない。
【００４８】
  本発明の有機ＥＬ素子は，前述のように，これを構成する膜の界面特性を調節するために，
フラーレンのような炭素系化合物を含むバッファ層を
正孔注入層と正孔輸送層との間
に形成することが好ましい
【００４９】
  前記
炭素系化合物は
その中でも
フラーレンを使用することが望ましい
【００５０】
  前記
フラーレンは
代表的には
Ｃ６０分子
　
（ウ）「【００５２】
  図１から図５は，本発明の望ましい一実施例による有機ＥＬ素子の積層構造を概略的に表した図面である。ただし，本発明はこれらの図に限定されない。
・・・（中略）・・・
【００５４】
  図２の有機ＥＬ素子は，第１電極１０の上部に正孔注入層１１と正孔輸送層１６とが順次に積層され，前記正孔輸送層１６の上部に発光層１２と第２電極１３とが順次に積層され，前記
正孔注入層１１と正孔輸送層１６との間には，炭素系化合物を含むバッファ層１４が形成
　
　イ　引用刊行物３に記載された技術的事項
　前記ア（ア）ないし（ウ）から，引用刊行物３には次の技術的事項が記載されていると認められる。
　
「有機電界発光素子において，Ｃ６０を含むバッファ層を，正孔注入層と正孔輸送層との間に形成することによって，正孔注入を容易にし，駆動電圧及び寿命特性を改善すること。」（以下，「引用刊行物３記載の技術」という。）
　
（４）特開２００８−３４３６７号公報
　ア　特開２００８−３４３６７号公報の記載
　当審拒絶理由で引用した特開２００８−３４３６７号公報（当審拒絶理由における引用文献５。以下，「引用刊行物４」という。）は，本願の出願前に頒布された刊行物であって，当該引用刊行物４には次の記載がある。（下線は，後述する引用刊行物４記載の技術的事項の認定に特に関係する箇所を示す。）
（ア）「【技術分野】
【０００１】
  本発明は，表示装置における画素部の構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
  近年，従来のブラウン管に比べ，薄型，軽量化を図った表示装置，いわゆるフラットパネルディスプレイについて開発が進められている。フラットパネルディスプレイの代表例としては，液晶表示装置が知られている。また，新たなフラットパネルディスプレイとして，
エレクトロルミネセンス素子（ＥＬ素子）を利用した表示装置
・・・（中略）・・・
【０００４】
  また，
ＥＬ素子は一対の電極間にエレクトロルミネセンス材料を挟んだ構造を備え
ＥＬ素子で画素を形成することで表示装置を構成
　
（イ）「【００３１】
（実施の形態２）
  本実施の形態では，実施の形態１で示した複合材料を，発光装置が有する発光素子の電極として用いた場合について説明する。
【００３２】
  本発明を適用した発光装置の一態様について図１〜図２を用いて説明する。図２は発光装置を示す上面図であり，図１は図２をＡ−Ａ’で切断した断面図である。
【００３３】
  図１において，点線で囲まれているのは，
発光素子１１５を駆動するために設けられているトランジスタ１１４
発光素子１１５は，第１の電極１１１と第２の電極１１３との間にＥＬ層１１２
トランジスタ１１４のソース電極またはドレイン電極の一方と第１の電極１１１とは
電気的に接続
【００３４】
  なお，図１に示されたトランジスタ１１４は，半導体層を中心として基板と逆側にゲート電極が設けられたトップゲート型のものである。但し，トランジスタ１１４の構造については，特に限定はなく，例えばボトムゲート型のものでもよい。またボトムゲートの場合には，チャネルを形成する半導体層の上に保護膜が形成されたもの（チャネル保護型）でもよいし，或いはチャネルを形成する半導体層の一部が凹状になったもの（チャネルエッチ型）でもよい。なお，トランジスタ１１４は，ゲート電極１０５，ゲート絶縁膜１０４，半導体層１０３を有している。
【００３５】
  また，
トランジスタ１１４を構成する半導体層は，結晶性，非結晶性のいずれのものでもよい。また，セミアモルファス等でもよい
【００３６】
  なお，セミアモルファスな半導体とは，次のようなものである。・・・（中略）・・・
【００３７】
  また，半導体層が結晶性のものの具体例としては，単結晶または多結晶性の珪素，或いはシリコンゲルマニウム等から成るものが挙げられる。これらはレーザー結晶化によって形成されたものでもよいし，例えばニッケル等を用いた固相成長法による結晶化によって形成されたものでもよい。
【００３８】
  なお，
半導体層が非晶質の物質，例えばアモルファスシリコンで形成される
　
　イ　引用刊行物４に記載された技術的事項
　前記ア（ア）及び（イ）から，引用刊行物４には次の技術的事項が記載されていると認められる。
　
「一対の電極間にエレクトロルミネセンス材料を挟んだ構造を備えるエレクトロルミネセンス素子を利用した表示装置において，前記一対の電極の一方と接続されて，前記エレクトロルミネセンス素子を駆動するトランジスタには，その半導体層が結晶性，非結晶性，セミアモルファスのいずれのものを用いてもよく，例えば，アモルファスシリコンで形成されたものを用いることができること。」（以下，「引用刊行物４記載の技術的事項」という。）
　
　
５　対比
（１）引用発明の「透明基板１」，「透明電極２１」，「反射電極２３」，「有機ＥＬ発光体２０」，「電子注入性の金属の極薄膜であるバッファ層」，「電子注入層」，「発光層」，「正孔注入層」，「正孔輸送層」及び「有機ＥＬディスプレイパネル」は，本願発明の「基板本体」，「透明電極」，「反射電極」，「有機発光素子」，「電子注入用金属層」，「電子注入層」，「発光部」，「正孔注入層」，「正孔輸送層」及び「有機発光表示装置」にそれぞれ相当する。
　
（２）引用発明は「透明基板１」（基板本体）を有している。
　また，引用発明の「透明電極２１」の有機ＥＬ層２２と接触する部位には，リチウム，ナトリウム等のアルカリ金属や，カリウム，カルシウム，マグネシウム，ストロンチウムなどのアルカリ土類金属からなる「電子注入性の金属の極薄膜であるバッファ層」（電子注入用金属層）が設けられているところ，引用発明における「電子注入性の金属の極薄膜であるバッファ層と有機ＥＬ層２２とから構成される層構成」が，本願発明の「有機発光層」に相当する。
　また，引用発明の透明電極２１は陰極として用いられ，反射電極２３は陽極として用いられるところ，引用発明の「陰極として用い」た「透明電極２１」は，本願発明の「電子を注入する透明電極」に相当し，引用発明の「陽極として用い」た「反射電極２３」は，本願発明の「正孔を注入する反射電極」に相当する。
　また，引用発明の「ＴＦＴ」は，本願発明の「非晶質シリコン薄膜トランジスタ」と薄膜トランジスタである点で一致する。そして，引用発明において，当該「ＴＦＴ」は「透明電極２１」（透明電極）と「反射電極２３」（反射電極）のいずれか一方と接続されるところ，ＴＦＴと接続した「透明電極」は，本願発明の「非晶質シリコン薄膜トランジスタと接続して電子を注入する透明電極」と，「薄膜トランジスタと接続して電子を注入する透明電極」である点で一致する。
　さらに，引用発明の「有機ＥＬ発光体２０」（有機発光素子）は，「陰極として用い」た「透明電極２１」（電子を注入する透明電極），「電子注入性の金属の極薄膜であるバッファ層と有機ＥＬ層２２とから構成される層構成」（有機発光層）及び「陽極として用い」た「反射電極２３」（正孔を注入する反射電極）が順次積層されたものであるから，引用発明は，本願発明の「電子を注入する透明電極と前記透明電極上に形成された有機発光層と前記有機発光層上に形成されて正孔を注入する反射電極とを有する有機発光素子」を含むという発明特定事項に相当する構成を具備している。
　したがって，引用発明と本願発明は，「基板本体と，薄膜トランジスタと，前記薄膜トランジスタと接続して電子を注入する透明電極と前記透明電極上に形成された有機発光層と前記有機発光層上に形成されて正孔を注入する反射電極とを有する有機発光素子と，を含」む点で一致する。
　
（３）引用発明の有機ＥＬ層２２の層構成は，正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層であるから，引用発明の「電子注入性の金属の極薄膜であるバッファ層と有機ＥＬ層２２とから構成される層構成」（有機発光層）は，「電子注入性の金属の極薄膜であるバッファ層」（電子注入用金属層），「電子注入層」（電子注入層），「発光部」（発光部），「正孔注入層」（正孔注入層）及び「正孔輸送層」（正孔輸送層）を含んでいる。
　そして，前記「電子注入性の金属の極薄膜であるバッファ層」（電子注入用金属層）と前記「電子注入層」からなる層構成を「電子注入部」ということができ，前記「正孔注入層」（正孔注入層）を「正孔注入部」ということができるところ，前記「電子注入部」は「透明電極２１」（透明電極）上に形成され，「発光部」（発光部）は前記「電子注入部」上に形成され，前記「正孔注入部」は「発光部」（発光部）と「反射電極２３」（反射電極）との間に配置され，「正孔輸送層」（正孔輸送層）は前記「正孔注入部」と「発光部」（発光部）との間に配置されているから，引用発明の「電子注入性の金属の極薄膜であるバッファ層と有機ＥＬ層２２とから構成される層構成」と本願発明の「有機発光層」は，「電子注入用金属層と電子注入層とを含み前記透明電極上に形成された電子注入部と，前記電子注入部上に形成された発光部と，を含み，前記有機発光層は，正孔注入層を含み，前記発光部と前記反射電極との間に配置された正孔注入部を含み，前記正孔注入部と前記発光部との間に配置された正孔輸送層をさらに含」む点で一致する。
　
（４）前記（１）ないし（３）のとおりであるから，本願発明と引用発明とは，
「基板本体と，
　薄膜トランジスタと，
　前記薄膜トランジスタと接続して電子を注入する透明電極と前記透明電極上に形成された有機発光層と前記有機発光層上に形成されて正孔を注入する反射電極とを有する有機発光素子と，を含み，
　前記有機発光層は，電子注入用金属層と電子注入層とを含み前記透明電極上に形成された電子注入部と，前記電子注入部上に形成された発光部と，を含み，
　前記有機発光層は，正孔注入層を含み，前記発光部と前記反射電極との間に配置された正孔注入部を含み，
　前記正孔注入部と前記発光部との間に配置された正孔輸送層をさらに含む有機発光表示装置。」
である点で一致し，次の点で相違する。
　
相違点１：
　本願発明の電子注入部が，電子注入用双極子層（ｄｉｐｏｌｅ　ｌａｙｅｒ）を有しているのに対して，
　引用発明の電子注入部は，そのような層を有していない点。
　
相違点２
　本願発明の正孔注入部が，正孔輸送層と正孔注入層との間に位置する正孔注入用双極子層を有しているのに対して，
　引用発明の正孔注入部は，そのような層を有していない点。
　
相違点３：
　透明電極と接続される薄膜トランジスタについて，
　本願発明では，非晶質シリコン薄膜トランジスタを用い，その形成位置が基板本体上であるのに対して，
　引用発明では，その具体的構成については特定されておらず，また，その位置も特定されていない点。
　
６　判断
（１）相違点１の容易想到性について
　ア　前記４（２）イで認定した引用刊行物２記載の技術を再掲すると，引用刊行物２には，「有機発光素子において，有機双極子物質から形成されたバッファ層４３を，電子輸送層３３１と電子注入層３３２の間に形成することによって，電子注入効率を増大させて発光効率を高め，駆動電圧を低くすること。」が記載されているところ，引用発明においても，電子注入効率を増大させて発光効率を高め，駆動電圧を低くしたほうが望ましいことは，当業者に自明である。
　しかるに，引用発明の「電子輸送層」は前記引用刊行物２記載の技術における「電子輸送層３３１」に該当し，引用発明の「電子注入層」は前記引用刊行物２記載の技術における「電子注入層３３２」に該当するから，引用発明において，電子注入効率を増大させて発光効率を高め，駆動電圧を低くするために，電子輸送層と電子注入層との間に，引用刊行物２記載の技術の「有機双極子物質から形成されたバッファ層４３」を設けることは，当業者が容易に想到し得たことである。
　
　イ　前記アで述べた「有機双極子物質から形成されたバッファ層４３」は，本願発明の「電子注入用双極子層（ｄｉｐｏｌｅ　ｌａｙｅｒ）」に相当し，引用発明における「電子注入性の金属の極薄膜であるバッファ層」（電子注入用金属層）と「電子注入層」（電子注入層）と「有機双極子物質から形成されたバッファ層４３」（電子注入用双極子層）とを併せて「電子注入部」ということができるから，引用発明において前記アで述べた構成の変更を行うことは，引用発明を相違点１に係る本願発明の発明特定事項に相当する構成を具備したものとすることにほかならない。
　したがって，引用発明を，相違点１に係る本願発明の発明特定事項に相当する構成を具備したものとすることは，当業者が容易に想到し得たことである。
　
（２）相違点２の容易想到性について
　ア　前記４（３）イで認定した引用刊行物３記載の技術を再掲すると，引用刊行物３には，「有機電界発光素子において，Ｃ６０を含むバッファ層を，正孔注入層と正孔輸送層との間に形成することによって，正孔注入を容易にし，駆動電圧及び寿命特性を改善すること。」が記載されているところ，引用発明においても，正孔注入を容易にし，駆動電圧及び寿命特性を改善したほうが望ましいことは，当業者に自明である。
　しかるに，引用発明の「正孔注入層」は前記引用刊行物３記載の技術における「正孔注入層」に該当し，引用発明の「正孔輸送層」は前記引用刊行物３記載の技術における「正孔輸送層」に該当するから，引用発明において，正孔注入を容易にし，駆動電圧及び寿命特性を改善するために，正孔輸送層と正孔注入層との間に，引用刊行物３記載の技術の「Ｃ６０を含むバッファ層」を設けることは，当業者が容易に想到し得たことである。
　
　イ　本願明細書の発明の詳細な説明には，本願発明の実施形態における「正孔注入用双極子層」に関して，
「【００６９】
　
正孔注入用双極子層７２５１は，Ｃ６０（Ｆｕｌｌｅｒｅｎｅ）
，ＮＴＣＤＩ（１，４；５，８−ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−ｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ　ｄｉｉｍｉｄｅ），及びＮＴＣＤＡ（１，４，５，８−Ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−ｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ−ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ）のいずれか一つ以上
を含む
【００７０】
　また，正孔注入用双極子層７２５１は，双極子特性を有する金属酸化膜を含むこともできる。双極子特性を有する金属酸化膜は，酸化モリブデン（ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍ　ｏｘｉｄｅ），酸化タングステン（ｔｕｎｇｓｔｅｎ　ｏｘｉｄｅ），酸化バナジウム（ｖａｎａｄｉｕｍ　ｏｘｉｄｅ），酸化レニウム（ｒｈｅｎｉｕｍ　ｏｘｉｄｅ），及び酸化ルテニウム（ｒｕｔｈｅｎｉｕｍ　ｏｘｉｄｅ）のいずれか一つ以上を含む。」
と記載されているところ，Ｃ６０（Ｆｕｌｌｅｒｅｎｅ）を含む層であって，正孔注入という作用，機能を有する層は，本願発明の「正孔注入用双極子層」に包含されると解される。
　
　ウ　前記アで述べた「Ｃ６０を含むバッファ層」は，Ｃ６０（Ｆｕｌｌｅｒｅｎｅ）を含む層であって，正孔注入を容易にする作用，機能を有しているのだから，前記イからみて，前記アで述べた構成の変更を行った引用発明における「Ｃ６０を含むバッファ層」は，本願発明の「正孔注入用双極子層」に相当し，前記構成の変更を行った引用発明における当該「Ｃ６０を含むバッファ層」が正孔輸送層と正孔注入層との間に設けられたことが，本願発明の「正孔注入用双極子層は，前記正孔輸送層と前記正孔注入層との間に配置された」ことに相当し，前記アで述べた構成の変更を行った引用発明における「正孔注入層」と前記「Ｃ６０を含むバッファ層」とを併せて「正孔注入部」ということができる。
　したがって，引用発明において前記アで述べた構成の変更を行うことは，引用発明を相違点２に係る本願発明の発明特定事項に相当する構成を具備したものとすることにほかならない。
　よって，引用発明を，相違点２に係る本願発明の発明特定事項に相当する構成を具備したものとすることは，当業者が容易に想到し得たことである。
　
（３）相違点３の容易想到性について
　ア　前記４（４）イで認定した引用刊行物４記載の技術的事項を再掲すると，引用刊行物４には，「一対の電極間にエレクトロルミネセンス材料を挟んだ構造を備えるエレクトロルミネセンス素子を利用した表示装置において，前記一対の電極の一方と接続されて，前記エレクトロルミネセンス素子を駆動するトランジスタには，その半導体層が結晶性，非結晶性，セミアモルファスのいずれのものを用いてもよく，例えば，アモルファスシリコンで形成されたものを用いることができること。」が記載されているところ，引用発明の有機ＥＬディスプレイパネルは，透明電極２１，有機ＥＬ層２２及び反射電極２３が順次積層された構造を有する有機ＥＬ発光体２０を利用した表示装置であって，前記引用刊行物４記載の技術的事項における「一対の電極間にエレクトロルミネセンス材料を挟んだ構造を備えるエレクトロルミネセンス素子を利用した表示装置」に該当し，前記透明電極２１または前記反射電極２３の一方が接続された引用発明の「ＴＦＴ」は，前記引用刊行物４記載の技術的事項における「エレクトロルミネセンス素子を駆動するトランジスタ」に該当する。
　そうすると，引用刊行物４記載の技術的事項からみて，引用発明において，スイッチング素子として用いる「ＴＦＴ」として，半導体層が結晶性，非結晶性，セミアモルファスのいずれのタイプのものを用いるのかは，それぞれのタイプのトランジスタを用いることによるメリット，デメリットを総合的に勘案した上で，当業者が適宜決定すれば足りる設計事項にすぎないと認められるから，引用発明の「ＴＦＴ」として，前記引用刊行物４記載の技術的事項において例示された，半導体層がアモルファスシリコンで形成されたＴＦＴ（すなわち「非晶質シリコン薄膜トランジスタ」。なお，半導体層の材質としてシリコンは最も一般的なものである。）を用いることは，当業者が容易になし得たことである。
　なお，前記（１）アで述べた構成の変更及び前記（２）アで述べた構成の変更を行った引用発明においては，発光効率が改善され，駆動電圧が低下し，寿命特性が改善されるのだから，ＴＦＴとして非晶質シリコン薄膜トランジスタを用いることによるデメリットである有機ＥＬ発光体２０の効率及び耐久性の低下が，非晶質シリコン薄膜トランジスタを採用すること（すなわち，引用刊行物４の【００３８】に記載されているように，他のトランジスタも含めて全トランジスタをＮチャネル型トランジスタにすること）の阻害要因とならないことは明らかである。
　
　イ　「ＴＦＴ」が，引用発明における層構成中でどの位置に設けられるのかについて，引用刊行物１に明記はないものの，「透明基板１」上の層構成中のいずれかの位置に設けられることは明らかである。（なお，例えば，特開２００８−５９８２４号公報（特に，【００３０】及び【００３１】の「薄膜トランジスタ６〜１０」に関する記載及び図１を参照。），特開２００６−２０２７０９号公報（特に，【００１８】ないし【００２２】の「薄膜有機トランジスタ４」に関する記載及び図１を参照。），特開２００４−１３９７９８号公報（特に，【０２３８】ないし【０２４３】の「薄膜トランジスタ２２０」に関する記載及び図３を参照。）の記載からみて，色変換層やカラーフィルタ層を用いて３原色の光を出射する有機ＥＬ素子を利用した表示装置においては，色変換層やカラーフィルタ層上あるいは当該色変換層やカラーフィルタ層上に形成したパッシベーション層上にＴＦＴを形成することが，一般的であったと認められるから，技術的観点からは，引用発明においてはＴＦＴをパッシベーション層７上に形成するのが自然であると考えられる。）
　しかるに，本願の請求項１では，「非晶質シリコン薄膜トランジスタ」の形成位置については，「基板本体上に形成された」と規定されているのみであって，基板本体上に
直接
直接
　そうすると，引用発明の「透明基板１」（基板本体）上の層構成中のいずれかの位置に設けられた「ＴＦＴ」は，本願発明の「非晶質シリコン薄膜トランジスタ」に係る「基板本体上に形成された」という発明特定事項に相当する構成を具備していると認められ，相違点３のうちの薄膜トランジスタの形成位置については実質的な相違点とはならない。
　
　ウ　前記ア及びイのとおりであるから，引用発明を，相違点３に係る本願発明の発明特定事項に相当する構成を具備したものとすることは，当業者が容易になし得たことである。
　
（４）効果について
　本願発明の奏する効果は，引用刊行物１ないし４の記載に基づいて，当業者が予測できた程度のものである。
　
（５）まとめ
　以上のとおりであるから，本願発明は，引用発明，引用刊行物２記載の技術，引用刊行物３記載の技術及び引用刊行物４記載の技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　
７　むすび
　本願発明は，引用発明，引用刊行物２記載の技術，引用刊行物３記載の技術及び引用刊行物４記載の技術的事項に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって，本願は，他の請求項について検討するまでもなく，当審拒絶理由によって拒絶すべきものである。
　よって，結論のとおり審決する。