【事件の表示】
　上記当事者間の特許第２７８０６９１号「窒化物半導体発光素子」の特許無効審判事件についてされた平成２５年　７月１８日付け審決に対し，知的財産高等裁判所において審決取消しの判決（平成２５年（行ケ）第１０２３６号、平成２６年　９月２４日）があったので，さらに審理のうえ，次のとおり審決する。
【結論】
　訂正を認める。
　本件審判の請求は，成り立たない。
　審判費用は，請求人の負担とする。
【理由】
第１　事案の概要
　本件は，請求人が，被請求人が特許権者である特許第２７８０６９１号（以下「本件特許」という。）の請求項１，２，５，７ないし１２に係る発明（なお，請求項３，４及び６に係る発明は，後述のとおり，平成２５年３月２１日付け訂正請求による削除が確定した。）についての特許を無効とすることを求める事案である。
第２　手続の経緯
　１　本件特許の登録までの経緯
　平成　７年１２月　１日：特許出願（特願平７−３１４３３９号。優先権主張：平成６年１２月２日，同年１２月９日，平成７年３月１６日，日本）
　平成１０年　５月１５日：設定登録
　２　本件審判の経緯
　平成２３年　９月２８日：審判請求
　平成２３年１２月１９日：審判事件答弁書提出
　平成２３年１２月１９日：訂正請求書提出
　平成２４年　２月２３日：審判事件弁駁書（以下「第１回審判事件弁駁書」という。）提出
　平成２４年　７月　９日：口頭審理陳述要領書提出（被請求人）
　平成２４年　７月　９日：訂正請求取下書提出（被請求人）
　平成２４年　７月　９日：口頭審理陳述要領書提出（請求人）
　平成２４年　７月２３日：口頭審理期日
　平成２４年　８月　８日：上申書提出（被請求人）
　平成２４年　９月１９日：上申書提出（請求人）
　平成２４年１１月１２日：審決（以下「第１次審決」という。）
　平成２４年１２月２２日：審決取消訴訟（平成２４年（行ケ）第１０４４０号）の提起
　平成２５年　２月１９日：訂正審判請求（訂正２０１３−３９００３１号，平成２３年法律第６３号による改正前の特許法（以下「平成２３年改正前特許法」という。）第１２６条第２項）
　平成２５年　３月　４日：第１次審決の取り消しの決定（平成２３年改正前特許法第１８１条第２項）
　平成２５年　３月２１日：訂正請求（平成２３年改正前特許法第１３４条の３第５項）
　平成２５年　６月　６日：審判事件弁駁書（以下「第２回審判事件弁駁書」という。）提出
　平成２５年　７月１８日：審決（以下「第２次審決」という。）
　平成２５年　７月２６日：平成２５年３月２１日付け訂正請求に係る一部訂正事項の確定
　平成２５年　８月２３日：審決取消訴訟（平成２５年（行ケ）第１０２３６号）の提起
　平成２６年　９月２４日：第２次審決の取り消しの判決
　平成２６年１１月　７日：第２次審決の取り消しの判決の確定
第３　本件訂正について
　被請求人が平成２５年３月２１日付け訂正請求により求めた訂正は，本件特許の登録時の明細書の特許請求の範囲及び発明の詳細な説明を，同年２月１９日付け訂正審判請求において提出した訂正明細書の特許請求の範囲及び発明の詳細な説明のとおり訂正することを求めるものであって，その訂正の内容は以下のとおりである。
　なお，上記訂正の内容のうち，訂正事項ｂ（登録時請求項３の削除），訂正事項ｃ（登録時請求項４の削除），訂正事項ｅ（登録時請求項６の削除）及び訂正事項ｍ（登録時の発明の詳細な説明の段落００１０の削除）は，上記訂正の認容の判断を含む第２次審決が平成２５年７月２６日に被請求人に送達されたときに確定しており，以下，上記訂正のうち，確定した上記各訂正事項を除く部分を「本件訂正」といい，上記確定後の明細書の特許請求の範囲及び発明の詳細な説明を「本件明細書」という。
　１　訂正事項ａ
　特許請求の範囲の請求項１を次のとおり訂正する（訂正箇所に下線を付した。以下，「第３　本件訂正について」内において同じ。）。
　「【請求項１】インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１および第２の面を有する活性層を備え，該活性層の第１の面に接して
ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）
該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，
　２　訂正事項ｄ
　特許請求の範囲の請求項５を次のとおり訂正する。
　「【請求項
３
ＩｎｘＧａ１−ｘＮ
該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，
　３　訂正事項ｆ
　特許請求の範囲の請求項７を次のとおり訂正する。
　「【請求項
４
３
　４　訂正事項ｇ
　特許請求の範囲の請求項８を次のとおり訂正する。
　「【請求項
５
３
　５　訂正事項ｈ
　特許請求の範囲の請求項９を次のとおり訂正する。
　「【請求項
６
５
　６　訂正事項ｉ
　特許請求の範囲の請求項１０を次のとおり訂正する。
　「【請求項
７
５
　７　訂正事項ｊ
　特許請求の範囲の請求項１１を次のとおり訂正する。
　「【請求項
８
７
　８　訂正事項ｋ
　特許請求の範囲の請求項１２を次のとおり訂正する。
　「【請求項
９
ｚ
８
　９　訂正事項ｌ
　明細書の段落０００９を次のとおり訂正する。
　「　　　【０００９】
　すなわち，本発明によれば，インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１および第２の面を有する活性層を備え，該活性層の第１の面に接して
ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）
該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，
　１０　訂正事項ｎ
　明細書の段落００１１を次のとおり訂正する。
　「　　　【００１１】
　さらに，本発明によれば，インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなる井戸層を備え，第１および第２の面を有する活性層を具備し，該活性層の第２の面側にＧａＮよりなるｐ型コンタクト層を備え，該活性層の第１の面に接して該活性層を構成するインジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりもバンドギャップエネルギーの大きな
ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）
該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，
　１１　訂正事項ｏ
　明細書の段落００１５を次のとおり訂正する。
　「　　　【００１５】
　【作用】
　本発明の素子は，第１のｎ型クラッド層および第１のｐ型クラッド層よりも熱膨張係数の大きい活性層を形成して，両クラッド層と活性層の界面に平行な方向で引っ張り応力を発生させている。引っ張り応力を活性層に弾性的に作用させるために，活性層を単一量子井戸構造
または
　１２　訂正事項ｐ
　明細書の段落００３４を次のとおり訂正する。
　「　　　【００３４】
　線αで示すＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ活性層は，本来のバンドギャップエネルギーでは３８０ｎｍ付近の紫外発光を示すが，膜厚を薄くすることにより４２０ｎｍ近くまで波長を
長くして
　１３　訂正事項ｑ
　明細書の段落００６２を次のとおり訂正する。
　「　　　【００６２】
　実施例１１
　第１のｎ型クラッド層５としてＳｉドープｎ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．０９Ｎを５００オングストロームの厚さに形成した後，活性層６を形成するために井戸層としてノンドープＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎを２５オングストロームの厚さに形成し，その上に障壁層としてノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎを５０オングストロームの厚さに形成する操作を交互に１３回づつ繰り返し，最後にノンドープＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎを２５オングストロームの厚さに形成して合計膜厚１０００オングストロームの多重量子井戸構造の活性層を形成した。これ以外は実施例１０と同様にして
レーザ
レーザ
レーザ
　１４　訂正事項ｒ
　明細書の段落００６３を次のとおり訂正する。
　「　　　【００６３】
　実施例１２
　活性層６を形成するために井戸層としてノンドープＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎを２５オングストロームの厚さに形成し，その上に障壁層としてノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎを５０オングストロームの厚さに形成する操作を交互に２６回づつ繰り返し，最後にノンドープＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎを２５オングストロームの厚さに形成して合計膜厚１９７５オングストロームの多重量子井戸構造の活性層を形成した以外は実施例１１と同様にして
レーザ
レーザ
レーザ
第４　当事者の主張の概要
　以下，「本件訂正前の請求項１に係る発明」を「本件訂正前発明１」といい，「本件訂正前の請求項２，５，７〜１２に係る発明」も同様に称することにし，これらを総称して「本件訂正前発明」という。
　また，以下，「本件訂正後の請求項１に係る発明」を「本件訂正発明１」といい，「本件訂正後の請求項２〜９に係る発明」も同様に称することにし，これらを総称して「本件訂正発明」という。
　なお，上記第３のとおり，登録時請求項３，４及び６の削除が確定しているので，これらの請求項に係る発明についての無効理由は撤回されたものとして扱う。
　１　請求人の主張の概要
　（１）　本件訂正前の主張の概要
　ア　無効理由１
　本件訂正前発明１，８〜１２は，本件特許に係る出願（以下「本願」という。）の最先の優先日（平成６年１２月２日，以下「本願の優先日」という。）前に頒布された甲１に記載された発明と同一であるから，平成１１年法律第４１号による改正前の特許法第２９条第１項第３号の規定に違反して特許されたものである。
　本件訂正前発明２，７は，甲１に記載された発明と同一又は甲１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，同法第２９条第１項第３号又は第２項の規定に違反して特許されたものである。
　本件訂正前発明５は，甲１に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，同法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
　よって，本件訂正前発明１，２，５，７〜１２についての特許は，同法第１２３条第１項第２号の規定により無効にされるべきである。
（審判請求書３〜６，１４，１９〜３５頁）
　イ　無効理由２
　本件訂正前発明１は，本願の優先日前に頒布された甲３に記載された発明と同一であるから，平成１１年法律第４１号による改正前の特許法第２９条第１項第３号の規定に違反して特許されたものである。
　本件訂正前発明２，５，７〜１２は，甲３に記載された発明と同一又は甲３に記載された発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，同法第２９条第１項第３号又は第２項の規定に違反して特許されたものである。
　よって，本件訂正前発明１，２，５，７〜１２についての特許は，同法第１２３条第１項第２号の規定により無効にされるべきである。
（審判請求書６〜９，１４，３６〜５１頁，第１回審判事件弁駁書１３〜１８頁）
　ウ　無効理由３
　本件訂正前発明１は，本願の優先日前に頒布された甲７に記載された発明と同一であるから，平成１１年法律第４１号による改正前の特許法第２９条第１項第３号の規定に違反して特許されたものである。
　本件訂正前発明２は，本願の優先日前に頒布された甲７に記載された発明と同一又は甲７に記載の発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから，同法第２９条第１項第３号又は第２項の規定に違反して特許されたものである。
　本件訂正前発明５，７〜１２は，本願の優先日前に頒布された甲７に記載された発明及び周知技術に基づいて，当業者が容易に発明をすることができたものであるから，同法第２９条第２項の規定に違反して特許されたものである。
　よって，本件訂正前発明１，２，５，７〜１２についての特許は，同法第１２３条第１項第２号の規定により無効にされるべきである。
（審判請求書９〜１２，１４，５２〜６８頁，第１回審判事件弁駁書４〜１２頁）
　エ　無効理由４
　（ア）　本件特許に係る特許出願は，平成１１年法律第１６０号による改正前の特許法第３６条第４項及び／または第６項に規定する要件を満たしておらず，同法第１２３条第１項第４号の規定により無効にされるべきである。
　独立項である請求項１，４及び５の「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」との要件は，請求項１，４及び５の作用効果を特許請求の範囲に記載したものであるが，本件明細書上，そのような作用効果を奏するための構成が明らかではない。
　すなわち，図２に示された実験例における発光素子の構造は，第２のクラッド層を有するものであり，（第２のクラッド層を有していない）請求項１，４及び５の構成とは異なるから，請求項１，４及び５の構成において，活性層を量子井戸構造とすることにより，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光すること，すなわち，発光波長が長波長側にシフトすることの根拠又は実施例の記載は本件明細書に存在しない。
　かえって，本件明細書の段落【００３６】・【００２１】にかんがみれば，仮に，第２のｎ型クラッド層及び第２のｐ型クラッド層を備えた発光素子による図２の実験例において，活性層の井戸層の厚さを７０オングストローム以下にすることにより，発光波長が長波長にシフトするということはいえたとしても，第２のｎ型クラッド層及び第２のｐ型クラッド層を有していない請求項１，４及び５の構成においても，活性層を量子井戸構造にすることにより発光波長が長波長側にシフトするとの結果が得られるということはできない。
　したがって，本件明細書上，請求項１，４及び５において，「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」との作用効果を実現するための構成が明らかではないから，本件明細書の記載は，同法第３６条第４項及び第６項に反するものである。
（審判請求書１５，６９〜７０頁）
　（イ）　被請求人は，（Ａ）請求項１について，井戸層であるＩｎＧａＮ層の膜厚を薄くして，１００オングストローム以下とすることで，ＧａＮ層とＩｎＧａＮ層は，主にＩｎＧａＮ層が歪んで擬似整合し，結晶内の歪みを弾性的に吸収することができ，この結果，活性層のバンドギャップエネルギーが小さくなるので，通常のバンド間発光よりも発光波長を長くすることができると主張する。また，被請求人は，（Ｂ）乙２には，ＧａＩｎＮ／ＧａＮのＭＱＷにおいて，発光ピーク波長はＧａＩｎＮ層の厚さの減少とともに短波長側にシフトしており量子効果が認められると記載されているのに対し，請求項１では「活性層に量子井戸構造を用いる点では類似するが，活性層（特に井戸層）を弾性的に変化させることにより，発光波長を量子サイズ効果とは逆方向の，長波長側にシフトさせていると主張している。
　（Ａ）によれば，ＩｎＧａＮ井戸層／ＧａＮ障壁層からなるＭＱＷにおいて，ＩｎＧａＮ井戸層の膜厚を１００オングストローム以下とした場合には，結晶内の歪みを弾性的に吸収することができ，発光波長を長くすることができるはずである。しかしながら，（Ｂ）から明らかなように，乙２のＭＱＷにおいても，ＧａＩｎＮ井戸層の膜厚がいずれも１００オングストローム以下であり，ＧａＮ障壁層も形成されているにもかかわらず，発光波長を長くすることができておらず，むしろ短波長化している。
　そうすると，ＩｎＧａＮ／ＧａＮのＭＱＷにおいて，短波長化と長波長化をどのようにコントロールするのか（すなわち，「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」という構成要件をどのように実施するのか。）は不明である。
　被請求人は，請求項１において他の構成要件を満足しても「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」という構成要件を満足しない場合もある旨主張するが，他方で，被請求人は，本件特許に係る発明が，活性層とクラッド層とを互いに格子定数の異なる材料から形成し，また活性層の第２の面（上面）に接するクラッド層としてＡｌＧａＮを用い，一方，活性層の第１の面（下面）に接するクラッド層としてＡｌＧａＮより柔らかいＩｎＧａＮやＧａＮを用いることにより，ＩｎＧａＮ等からなるクラッド層がバッファ層として作用し，活性層はクラックが入ることなく弾性的に変形してバンドギャップエネルギーが小さくなり，発光波長を長くできるものであるとも主張している。後者の主張は，他の構成要件を満足すれば「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」という構成要件を満足するとの主張に他ならないから，被請求人の主張は矛盾している。また，被請求人は，他の構成要件を備えても「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」という構成要件を実現できる場合と実現できない場合の区別の仕方について何ら回答できていない。
　したがって，本件訂正前発明の記載が同法第３６条に違反することは明らかである。
（口頭審理陳述要領書２〜３頁，上申書４〜５頁）
　（２）　本件訂正後の主張の概要
　ア　無効理由１
　甲１の実施例６の構成（以下「甲１発明」という。）において，どこを「量子井戸構造」と理解するのかが問題となる。本願の優先日当時，量子井戸構造のとらえ方としては，次の３とおりがあった。
　（ア）　最外層を井戸層であると理解する場合。多重量子井戸構造では，井戸層の数が障壁層の数よりも１層多く（甲１２の段落【００１７】，甲７の段落【００１１】，甲１３の８２頁図２−２９（ｃ）），単一量子井戸構造では，井戸層のみが活性層と理解される。
　（イ）　最外層を障壁層であると理解する場合。多重量子井戸構造では，障壁層の数が井戸層の数よりも１層多く（甲１３の８２頁図２−２９（ｄ）），単一量子井戸構造では，障壁層＋井戸層＋障壁層という構造で活性層と理解される。
　（ウ）　障壁層と井戸層の数が同じであると理解する場合。多重量子井戸構造では，一方の最外層が井戸層，他方の最外層が障壁層であり（甲６の段落【００１４】，甲１４のサンプルＡ・Ｂ，甲１５のＦＩＧ．１），単一量子井戸構造では，井戸層＋障壁層の２層からなる構成である。
　そうすると，甲１発明における単一量子井戸構造について，井戸層１層及び障壁層１層と理解し，ｎ型Ｉｎ０．２５Ｇａ０．７５Ｎ層とそのすぐ上のｎ型Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ層がそれに当たると理解することが可能である。
　よって，本件訂正発明１は，甲１発明と同一であることが明らかであり，また，少なくとも，甲１発明から容易に想到できるといえる。なお，甲１発明には，「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」との構成要件の明示的な記載はないが，本件明細書が特許法第３６条に関して適法であるとするのであれば，他の構成要件を満足することによって，上記構成要件も実現するものとして特定されていると考えられるから，この点は相違点とはなり得ない。
　本件訂正発明２は，甲１発明と同一であるか，甲１発明から容易に想到できる。
　本件訂正発明３は，甲１発明から容易に想到できる。
　本件訂正発明４〜９は，甲１発明と同一であるか，甲１発明から容易に想到できる。
（第２回審判事件弁駁書１１〜１５頁）
　イ　無効理由４
　（ア）　本件特許とほぼ同時期に出願された被請求人の特許出願に係る特開平８−２２８０２５号公報（甲１２）において，その実施例６（発光波長４５０ｎｍ）と実施例２（発光波長５１０ｎｍ）とをみると，前者はＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ活性層が膜厚２０オングストロームの量子井戸構造であり，後者はＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ活性層の膜厚が４００オングストロームあり量子井戸構造ではないことからすると，実施例６の発光波長は短波長化している。
　しかしながら，当該実施例６は，本件明細書の実施例１〜３，５，８及び９と同様に，下からｎ型ＡｌＧａＮクラッド層４／ｎ型ＩｎＧａＮクラッド層５／ＩｎＧａＮ量子井戸活性層６／ｐ型ＩｎＧａＮクラッド層７／ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層８という積層構造を採っている。そうすると，同じ積層構造であるにもかかわらず，甲１２の実施例６で短波長化し，本件明細書の実施例１〜３，５，８及び９においては長波長化するという矛盾が生じている。
　また，甲１２の段落【００１８】からすると，実施例６の構成から第１のｐ型クラッド層（ｐ型ＩｎＧａＮクラッド層７）を省略することも可能であり，その場合，ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層４／ｎ型ＩｎＧａＮクラッド層５／ＩｎＧａＮ量子井戸活性層６／ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層８という，本件訂正発明１の構成になるが，この場合であっても，実施例６と同様に短波長化すると考えられる。
　したがって，当業者としては，どのように実施すれば長波長化するのか不明であると言わざるを得ず，本件訂正発明は，本件明細書の記載を参酌しても，依然として当業者が実施可能なように記載されているとはいえない。
（第２回審判事件弁駁書１０〜１１頁）
　（イ）　第１次審決が，「本件発明１，本件発明４及び本件発明５は，「活性層に接してＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体を備える」との構成及び「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」との構成を備えた窒化物半導体発光素子，すなわち，本件ＡｌＧａＮクラッド層窒化物半導体発光素子，の発明であった。しかしながら，上記アないしエの検討によれば，本件特許の明細書の発明の詳細な説明は，本件ＡｌＧａＮクラッド層窒化物半導体発光素子の「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」点について，当業者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものとは認められない。」と判断した点についても，依然としてその判断を変えるべき理由はない。
（第２回審判事件弁駁書１１頁３行〜１３行）
　（３）　証拠方法
　ア　審判請求書に添付して提出
　（ア）甲１：特開平６−１７７４２３号公報
　（イ）甲２：東京高裁平成１２年（行ケ）第３１０号判決（最高裁ホームページ）
　（ウ）甲３：特開平６−２６８２５９号公報
　（エ）甲４：「ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ発光ダイオードの現状と性能向上」，光学第２３巻第１１号（１９９４年１１月）
　（オ）甲５：「青色発光ダイオード，ダブルヘテロ構造で１ｃｄ実現」，日経エレクトロニクス１９９４年２月２８日号
　（カ）甲６：特開平６−２１５１１号公報
　（キ）甲７：特開平６−２６８２５７号公報
　イ　第１回審判事件弁駁書に添付して提出
　（ア）甲８：Ｓｈｕｊｉ　Ｎａｋａｍｕｒａ　ｅｔ　ａｌ．“Ｈｉｇｈ−Ｐｏｗｅｒ　ＩｎＧａＮ　ｓｉｎｇｌｅ−ｑｕａｎｔｕｍ−ｗｅｌｌ−ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ　ｂｌｕｅ　ａｎｄ　ｖｉｏｌｅｔ　ｌｉｇｈｔ−ｅｍｉｔｔｉｎｇ　ｄｉｏｄｅｓ”，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６７（１３），２５　Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ　１９９５，ｐｐ．１８６８−１８７０
　（イ）甲９：Ｓｈｕｊｉ　Ｎａｋａｍｕｒａ　ｅｔ　ａｌ．“Ｈｉｇｈ−Ｂｒｉｇｈｔｎｅｓｓ　ＩｎＧａＮ　Ｂｌｕｅ，Ｇｒｅｅｎ　ａｎｄ　Ｙｅｌｌｏｗ　Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ　Ｄｉｏｄｅｓ　ｗｉｔｈ　Ｑｕａｎｔｕｍ　Ｗｅｌｌ　Ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ”，Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．３４（１９９５）ｐｐ．Ｌ７９７−Ｌ７９９　Ｐａｒｔ　２，Ｎｏ．７Ａ，１　Ｊｕｌｙ　１９９５
　（ウ）甲１０：特開平４−６８５７９号公報
　（エ）甲１１：特開平４−３２３８８０号公報
　ウ　第２回審判事件弁駁書に添付して提出
　（ア）甲１２：特開平８−２２８０２５号公報
　（イ）甲１３：よくわかる半導体レーザ
　（ウ）甲１４：Ｓｈｕｊｉ　Ｎａｋａｍｕｒａ　ｅｔ　ａｌ．“ＩｎｘＧａ（１−ｘ）Ｎ／ＩｎｙＧａ（１−ｙ）Ｎ　ｓｕｐｅｒｌａｔｔｉｃｅｓ　ｇｒｏｗｎ　ｏｎ　ＧａＮ　ｆｉｌｍｓ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｖｏｌ．７４（６）ｐｐ．３９１１−３９１５，１５　Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ　１９９３
　（エ）甲１５：特開昭６２−１１５７８６号公報
　２　被請求人の主張の概要
　（１）　本件訂正前の主張の概要
　ア　無効理由１〜無効理由３に対する反論
　本件訂正前発明１，２，５，７〜１２は，甲１，甲３及び甲７に記載の発明と同一ではなく，また，甲１，甲３及び甲７に記載の発明及び周知技術等に基づいて当業者が容易に発明できるものでもない。
　よって，請求人の主張する無効理由１〜３は理由がない。
（口頭審理陳述要領書５〜１３頁，上申書４，８〜１８頁）
　イ　無効理由４に対する反論
　（ア）　本件訂正前発明１，２，５，７〜１２及び本件明細書は，平成１１年法律第１６０号による改正前の特許法第３６条第４項及び／又は第６項に違反するものではない。
　すなわち，上記各発明は，活性層とクラッド層とを互いに格子定数の異なる材料から形成し，また活性層の第２の面（上面）に接するクラッド層としてＡｌＧａＮを用い，一方，活性層の第１の面（下面）に接するクラッド層としてＡｌＧａＮより柔らかいＩｎＧａＮやＧａＮを用いることにより，ＩｎＧａＮ等からなるクラッド層がバッファ層として作用し，活性層はクラックが入ることなく弾性的に変形してバンドギャップエネルギーが小さくなり，発光波長を長くできるものであり（段落【００１８】・【００４０】），本件明細書には，各層の格子定数や熱膨張係数の違いが大きいほど歪みが大きくなること，柔らかい層を用いることによりクラックの発生を抑えながら弾性的変形が可能なことが記載されているので，同法第３６条第６項の規定に違反するものではない。また，どのように組成を変更したら熱膨張係数差を大きくできるか（段落【００３７】等）などの，弾性的変形を得る際に考慮すべき組成設定の指針も示されているので，同法第３６条第４項の規定にも違反するものではない。
　請求人は，活性層及びこれと直接面を接している層についてのみ規定されている（すなわち，第２のクラッド層を有していない）請求項１の構成において，活性層を量子井戸構造とすることにより，発光波長が長波長側にシフトすることの根拠又は実施例の記載が本件明細書に存在しないと主張するが，活性層の弾性的変形は，活性層とその両側のクラッド層との間，特に活性層とＡｌＧａＮ層との間に発生する応力により生じるため（段落【００３９】・【００４０】），請求項１が活性層及びこれと直接面を接している層についてのみ規定することは，実施例に第２のクラッド層を含む構造が記載されていることとは矛盾しない。請求項４，５においても同様である。
（口頭審理陳述要領書１３頁，上申書１８〜２０頁）
　（イ）　請求人は，ＩｎＧａＮ／ＧａＮのＭＱＷにおいて，短波長化と長波長化をどのようにコントロールするのか（すなわち，「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」という構成要件をどのように実施するのか。）は不明である旨主張する。
　しかしながら，これは，請求人が「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」との構成要件が他の構成要件を具備することにより当然に実現されると主張したことにより生じた錯誤である。すなわち，請求項１に係る発明は，「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」との構成要件と他の構成要件とを満足する物を特定するものであり，当然，他の構成要件を満足しても，「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」との構成要件を満足しない場合もあるから，請求人が指摘する内容は何らおかしいものではない。
　また，乙２でＣＬ測定により発光ピーク波長を測定した積層構造が図１３．１０に記載されているが，かかる構造ではＭＱＷが最上層として形成され，本件特許に係る発明のように活性層より硬いＡｌＧａＮが活性層上に形成された構成とは異なっているので，このような構造の違いにより活性層に作用する歪みも当然に異なり，発光波長のシフト方向も異なっていると推測される。
（上申書２０〜２１頁）
　（２）　本件訂正後の主張の概要
　ア　本件訂正発明について
　本件訂正発明は，ＩｎＧａＮを主とする活性層をＡｌＧａＮを主とする２つのクラッド層で挟むとともに，活性層の一方にＩｎＧａＮのクラッド層を設けたダブルヘテロ構造を窒化物半導体発光素子に適用することにより，活性層を弾性的に変形させて，発光波長を長波長側に移行させるもので（段落【０００８】・【００３９】・【００４０】），量子サイズ効果を利用して発光波長を短波長側にシフトさせるもの（乙２）とは全く逆方向に波長をシフトさせるものであり，この結果，緑色光，更には３６０ｎｍ以上の発光波長を有する高輝度，高出力の半導体発光素子の実現を可能とするものである。
（平成２５年２月１９日付け訂正審判請求書（以下「本件訂正請求書」という。）１２〜１３頁）
　イ　無効理由１〜無効理由３に対する反論
　本件訂正により，本件訂正発明１は「活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え」との構成要件と「ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え」との構成要件とを備えるものとなったが，甲１，甲３及び甲７に記載の発明は，これらの構成要件を備えていない。
　また，本件訂正発明１の「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」との構成要件は，そのような機能・特性を有する物を意味していると解釈されるべきであるのに対して，甲１，甲３及び甲７に記載の発明は，この構成要件を備えていない。
　よって，本件訂正発明１は，甲１，甲３及び甲７に記載の発明と同一ではない。また，本件訂正発明１は，甲１，甲３及び甲７に記載の発明に基づいて容易に想到することもできない。
　本件訂正発明２〜９についても同様である。
（本件訂正請求書１８〜３５頁）
　ウ　無効理由４について
　本件訂正発明は，「活性層を単一量子井戸構造または多重量子井戸構造として，この活性層とクラッド層との界面平行方向に，引っ張り応力を加え，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも小さいエネルギーを持つ光を発光させる」ものであり（段落【００１２】），これを実現するために，発明の実施の形態や図１に記載された窒化物半導体発光素子の構造において，「ＩｎＧａＮ，またはＧａＮよりなるｎ型の第１のクラッド層５は，Ａｌを含む窒化物半導体に比べて，結晶が柔らかいので，この第１のクラッド層５がバッフア層のような作用をする。つまりこの第１のクラッド層５がバッフア層として作用しているために，活性層６を量子井戸構造としても活性層６にクラックが入らず，また第１のクラッド層５，７の外側に形成される第２のｎ型クラッド層４，第２のｐ型クラッド層８中にクラックが入るのを防止することができる。」（段落【００１８】）ことを利用するものである。
　そして，本件訂正発明１の構造と図１の構造とを比較すると，活性層６の第２面側の構造（第２のｐ型クラッド層８の有無）において違いがあるが，明細書の記載を参酌すると，本件訂正発明１の構造は，明細書の発明の詳細な説明に図１を参照しつつ記載された構造と同じである。
　その作用効果についても，段落【００２１】に，「第１のｎ型クラッド層５がＩｎＧａＮで形成されている場合は，この第２のｎ型クラッド層４をＧａＮまたはＡｌＧａＮで形成することができる。Ａｌを含む窒化物半導体は熱膨張係数が小さく，また結晶自体が硬いので，第２のｎ型クラッド層４を第１のｎ型クラッド層５に接して形成すると，活性層にさらに大きな引っ張り応力を加えて，発光波長を長波長側にシフトさせることが可能である。」と記載されている。
　更に段落【００２２】には，「第２のｎ型クラッド層４は，ｎ型ＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）により，５０オングストロームないし１μｍの膜厚で形成されることが好ましい。第２のｎ型クラッド層をこの範囲内の膜厚で形成することにより，活性層６に好ましい引っ張り応力を与えることができる。」，「また，一般にＡｌの混晶比（ａ値）が多くなるに従って，活性層６の発光波長が長波長となる傾向にある。」と記載されている。
　このように，本件訂正発明１は，発明の詳細な説明に記載された発明であるから，サポート要件を充足し，また，明細書の発明の詳細な説明及び図１において，発光波長を長波長側にシフトさせるとの作用効果を当業者が実現できるように記載されているから，本件明細書は実施可能要件を充足する。従って，本件訂正発明１及び本件明細書は平成１１年法律第１６０号による改正前の特許法第３６条第４項及び第６項に規定する要件を充足する。
　本件訂正発明２〜９についても，発明の詳細な説明及び図１等に記載されているので，同法第３６条第４項及び第６項に規定する要件を充足する。
（本件訂正請求書１３〜１８頁）
　（３）　被請求人の証拠方法
　答弁書に添付して提出
　（ア）　乙１：白川　二ほか著，（社）日本化学会編，「新産業化学シリーズ　化合物半導体−プロセスと化学」，大日本図書（株），１９９４年６月２０日初版第１刷発行，１２２〜１２７頁
　（イ）　乙２：赤崎勇編，「アドバンスト・エレクトロニクスＩ−２１　ＩＩＩ族窒化物半導体」，培風館，１９９９年１２月８日初版発行，２４６〜２４９頁
　（ウ）　参考資料１：知財高裁平成２１年１月２８日（平成２０年（行ケ）第１００９６号・判例タイムズ１２９９号２７２〜２８２頁）
第５　当審の判断
　１　本件訂正について
　（１）　各訂正事項について
　ア　訂正事項ａについて
　訂正事項ａは，本件訂正前の請求項１において，活性層の第１の面に接するｎ型窒化物半導体層の組成である「ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）」を「ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）」とするとともに，「ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え」との発明特定事項を付加するものであるから，特許請求の範囲の減縮に該当する。
　そして，「ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）」との発明特定事項は，本件明細書の段落【００１８】に「・・・ＩｎＧａＮ，またはＧａＮよりなるｎ型の第１のクラッド層５は，Ａｌを含む窒化物半導体に比べて，結晶が柔らかいので，この第１のクラッド層５がバッファ層のような作用をする。・・・」と記載されているので，本件明細書に記載した事項の範囲内のものである。
　また，上記「ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え」との発明特定事項は，本件明細書の段落【００２１】に「本発明の素子は，前記第１のｎ型クラッド層５に接して，ｎ型の窒化物半導体よりなる第２のｎ型クラッド層４を備えることができる。第２のｎ型クラッド層４は，ＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ≦１）で形成することが望ましい。但し，第１のｎ型クラッド層５がＩｎＧａＮで形成されている場合は，この第２のｎ型クラッド層４をＧａＮまたはＡｌＧａＮで形成することができる。・・・」と記載されているので，本件明細書に記載した事項の範囲内のものである。
　イ　訂正事項ｄについて
　（ア）　訂正事項ｄのうち，請求項の番号を５から３に変更する訂正は，登録時の請求項３及び４を削除する確定した訂正に伴うものであるから，明りょうでない記載の釈明に該当する。
　（イ）　訂正事項ｄのうち，本件訂正前の請求項５において，活性層の第１の面に接するｎ型窒化物半導体層の組成である「ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）」を「ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）」とするとともに，「ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，」との発明特定事項を付加する訂正事項は，特許請求の範囲の減縮に該当する。そして，当該訂正事項に係る構成は，上記アと同様の理由で，本件明細書に記載した事項の範囲内のものである。
　ウ　訂正事項ｆについて
　訂正事項ｆは，請求項の番号を７から４に変更するとともに，引用する請求項を「請求項１ないし６」から「請求項１ないし３」に変更するものであり，登録時の請求項３，４及び６を削除する確定した訂正に伴うものであるから，明りょうでない記載の釈明に該当する。
　エ　訂正事項ｇについて
　訂正事項ｇは，請求項の番号を８から５に変更するとともに，引用する請求項を「請求項１ないし６」から「請求項１ないし３」に変更するものであり，登録時の請求項３，４及び６を削除する確定した訂正に伴うものであるから，明りょうでない記載の釈明に該当する。
　オ　訂正事項ｈについて
　訂正事項ｈは，請求項の番号を９から６に変更するとともに，引用する請求項を「請求項１ないし８」から「請求項１ないし５」に変更するものであり，登録時の請求項３，４及び６を削除する確定した訂正に伴うものであるから，明りょうでない記載の釈明に該当する。
　カ　訂正事項ｉについて
　訂正事項ｉは，請求項の番号を１０から７に変更するとともに，引用する請求項を「請求項１ないし８」から「請求項１ないし５」に変更するものであり，登録時の請求項３，４及び６を削除する確定した訂正に伴うものであるから，明りょうでない記載の釈明に該当する。
　キ　訂正事項ｊについて
　訂正事項ｊは，請求項の番号を１１から８に変更するとともに，引用する請求項を「請求項１ないし１０」から「請求項１ないし７」に変更するものであり，登録時の請求項３，４及び６を削除する確定した訂正に伴うものであるから，明りょうでない記載の釈明に該当する。
　ク　訂正事項ｋについて
　訂正事項ｋのうち，本件訂正前の請求項１２の「ＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｘ＜１）よりなる井戸層と，Ｉｎｚ’Ｇａ１−ｚ’Ｎ（０＜ｚ’＜１，ただし，ｚ’はｚと異なる）もしくはＧａＮよりなる障壁層」を「ＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）よりなる井戸層と，Ｉｎｚ’Ｇａ１−ｚ’Ｎ（０＜ｚ’＜１，ただし，ｚ’はｚと異なる）もしくはＧａＮよりなる障壁層」とする訂正は，誤記の訂正に該当する。
　訂正事項ｋのうち，請求項の番号を１２から９に変更するとともに，引用する請求項を「請求項１ないし１１」から「請求項１ないし８」に変更する訂正は，登録時の請求項３，４及び６を削除する確定した訂正に伴うものであるから，明りょうでない記載の釈明に該当する。
　ケ　訂正事項ｌについて
　訂正事項ｌは，訂正事項ａに合わせて，発明の詳細な説明の対応する記載を訂正するものであるから，明りょうでない記載の釈明に該当する。
　コ　訂正事項ｎについて
　訂正事項ｎは，訂正事項ｄに合わせて，発明の詳細な説明の対応する記載を訂正するものであるから，明りょうでない記載の釈明に該当する。
　サ　訂正事項ｏについて
　訂正事項ｏは，本件明細書の段落【００１５】の「活性層を単一量子井戸構造またはは多重量子井戸構造として」を「活性層を単一量子井戸構造または多重量子井戸構造として」とするものであるから，誤記の訂正に該当する。
　シ　訂正事項ｐについて
　訂正事項ｐは，本件明細書の段落【００３４】の「波長を長して青紫色の発光にできる。」を「波長を長くして青紫色の発光にできる。」とするものであるから，誤記の訂正に該当する。
　ス　訂正事項ｑについて
　訂正事項ｑは，本件明細書の段落【００６２】における「レーザー」を，同【００６１】における「レーザ」と文言を一致させるものであるから，誤記の訂正又は明りょうでない記載の釈明に該当する。
　セ　訂正事項ｒについて
　訂正事項ｒは，本件明細書の段落【００６３】における「レーザー」を，同【００６１】における「レーザ」と文言を一致させるものであるから，誤記の訂正又は明りょうでない記載の釈明に該当する。
　（２）　本件訂正の適否
　上記（１）によれば，本件訂正は，平成２３年改正前特許法第１３４条の２第１項ただし書き第１号に規定する特許請求の範囲の減縮，同第２号に規定する誤記の訂正及び同第３号に規定する明りょうでない記載の釈明を目的とするものである。
　また，本件訂正は，上記（１）に明記した訂正事項以外の訂正事項も含めて，願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものである。
　そして，本件訂正は，実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　そうすると，本件訂正は，同法第１３４条の２第５項で準用する同法第１２６条第３項及び第４項の規定に適合するので，本件訂正を認める。
　２　本件発明の認定
　上記１のとおり，本件訂正は認められるから，本件特許の請求項１〜９に係る発明（以下，それぞれ，「本件発明１」〜「本件発明９」といい，それらを総称して「本件発明」という。）は，本件訂正後の明細書（以下「本件訂正明細書」という。）の請求項１〜９に記載された，次のとおりのものと認められる。
「【請求項１】インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１および第２の面を有する活性層を備え，該活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層を量子井戸構造とし，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光することを特徴とする窒化物半導体発光素子。
　【請求項２】活性層とｎ型窒化物半導体層との総膜厚が３００オングストローム以上であることを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体発光素子。
　【請求項３】インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなる井戸層を備え，第１および第２の面を有する活性層を具備し，該活性層の第２の面側にＧａＮよりなるｐ型コンタクト層を備え，該活性層の第１の面に接して該活性層を構成するインジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりもバンドギャップエネルギーの大きなＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層とｐ型コンタクト層との間に該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａｌ−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層を単一量子井戸構造または多重量子井戸構造とし，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光することを特徴とする窒化物半導体発光素子。
　【請求項４】活性層が，ノンドープのものであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
　【請求項５】活性層にドナー不純物および／またはアクセプター不純物がドープされていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
　【請求項６】活性層が，厚さ１００オングストローム以下の井戸層を有することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項記載の窒化物半導体発光素子。
　【請求項７】活性層が，厚さ７０オングストローム以下の井戸層を有することを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項記載の窒化物半導体発光素子。
　【請求項８】活性層が，ＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）よりなる井戸層を有することを特徴とする請求項１ないし７のいずれか１項記載の窒化物半導体発光素子。
　【請求項９】活性層が，ＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）よりなる井戸層と，Ｉｎｚ’Ｇａ１−ｚ’Ｎ（０＜ｚ’＜１，ただし，ｚ’はｚと異なる）もしくはＧａＮよりなる障壁層との組み合わせからなる多重量子井戸構造を有することを特徴とする請求項１ないし８のいずれか１項記載の窒化物半導体発光素子。」
　３　本件発明の技術的意義
　（１）　本件訂正明細書には以下の記載がある。
　ア　「【発明の属する分野】
　本発明は，発光ダイオード（ＬＥＤ），レーザダイオード（ＬＤ）等の半導体発光素子に係り，特には，窒化物半導体（ＩｎａＡｌｂＧａ１−ａ−ｂＮ，０≦ａ，０≦ｂ，ａ＋ｂ≦１）から構成される半導体積層構造を有する窒化物半導体発光素子に関する。」（段落【０００１】）
　イ　「【従来の技術】
　窒化物半導体（ＩｎａＡｌｂＧａ１−ａ−ｂＮ，０≦ａ，０≦ｂ，ａ＋ｂ≦１）は，紫外ないし赤色に発光するＬＥＤ，ＬＤ等の発光素子の材料として期待されている。事実，本出願人は，この半導体材料を用いて，１９９３年１１月に光度１ｃｄの青色ＬＥＤを発表し，１９９４年４月に光度２ｃｄの青緑色ＬＥＤを発表し，１９９４年１０月には光度２ｃｄの青色ＬＥＤを発表した。これらのＬＥＤは全て製品化されて，現在ディスプレイ，信号等の実用に供されている。」（段落【０００２】）
　「そのような青色，青緑色ＬＥＤの発光チップは，基本的には，サファイア基板の上に，ｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層と，ｎ型ＡｌＧａＮよりなるｎ型クラッド層と，ｎ型ＩｎＧａＮよりなる活性層と，ｐ型ＡｌＧａＮよりなるｐ型クラッド層と，ｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層とが順に積層された構造を有している。サファイア基板１１とｎ型コンタクト層との間には，ＧａＮ，ＡｌＧａＮまたはＡｌＮよりなるバッファ層が形成されている。活性層を形成するｎ型ＩｎＧａＮには，Ｓｉ，Ｇｅ等のドナー不純物および／またはＺｎ，Ｍｇ等のアクセプター不純物がドープされている。このＬＥＤ素子の発光波長は，その活性層のＩｎＧａＮのＩｎ含有量を変えるか，または活性層にドープする不純物の種類を変えることにより，紫外領域から赤色まで変化させることが可能である。」（段落【０００３】）
　ウ　「【発明が解決しようとする課題】
　しかしながら，前記ＬＥＤ素子は発光波長が長くなるに従って，発光出力が大きく低下するという問題がある。図４は従来のＬＥＤ素子のピーク発光波長と発光出力の関係を示す図である。このＬＥＤでは活性層のＩｎＧａＮにＺｎとＳｉとをドープし，Ｚｎの準位を介して発光させることにより発光波長をＩｎＧａＮのバンド間発光よりも発光エネルギーで約０．５ｅＶ小さくして発光波長を長くしている。図４に示すように，従来のＬＥＤは，４５０ｎｍでは３ｍＷ付近の出力を示すのに対し，発光ピークが長波長に移行するに従ってその出力は大きく減少し，５５０ｎｍでは出力が０．１ｍＷ以下にまで低下している。例えば，４５０ｎｍ発光のＬＥＤにおける活性層はＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎであり，５００ｎｍ発光のＬＥＤにおける活性層はＩｎ０．１８Ｇａ０．８２Ｎであり，５５０ｎｍ発光のＬＥＤにおける活性層はＩｎ０．２５Ｇａ０．７５Ｎであり，さらに各活性層にはＺｎがドープされている。このように，不純物がドープされたＩｎＧａＮ活性層，より詳しくは，ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）活性層は，Ｉｎ含有量が増えると結晶性が悪くなり発光出力は大きく低下する。このため実際に使用できるＩｎ含有量すなわちｘ値はおよそ０．１５以下でしか，高出力のＬＥＤができないのが現状であるので，青色ＬＥＤしか高出力のものは実現されていない。しかも，Ｚｎをドープして発光させているので半値幅が約７０ｎｍと広く，青色の色純度に劣る。」（段落【０００４】）
　「ところで，高出力の青色ＬＥＤが実用化された現在，緑色ＬＥＤだけが色調，発光出力とも他のＬＥＤに比べて劣っている。例えばフルカラーＬＥＤディスプレイを赤色ＬＥＤ，緑色ＬＥＤ，青色ＬＥＤ各一個づつで実現する際には，緑色ＬＥＤが最も大きい光度を有していなければならない。しかし，緑色ＬＥＤの光度は未だ低く，青色ＬＥＤ，赤色ＬＥＤと全くバランスがとれないのが実状である。」（段落【０００５】）
　「窒化物半導体はバンドギャップエネルギーが１．９５ｅＶ〜６．０ｅＶまであるので，理論的には赤色から紫外まで広帯域に発光する材料である。窒化物半導体発光素子の長波長域の出力を向上させることができれば，従来のＧａＡｓ，ＡｌＩｎＧａＰ系の材料に代わり，窒化物半導体で全ての可視領域の波長での発光が実現できる可能性がある。」（段落【０００６】）
　「本発明はこのような事情に鑑みてなされてものであって，その目的とするところは，緑色ＬＥＤのみならず３６０ｎｍ以上の発光波長で高輝度，高出力の窒化物半導体発光素子を提供することにある。」（段落【０００７】）
　エ　「【課題を解決するための手段】
　従来のＬＥＤは，活性層を不純物をドープしたＩｎＧａＮにより形成している。前記のようにＩｎＧａＮのＩｎ組成比を大きくするとＩｎＧａＮバンド間発光により，発光波長を長波長側に移行できる。しかし，窒化物半導体はＩｎのモル比を大きくするに従い結晶性が悪くなる傾向にあるので，発光出力が低下する，と推察される。そこで，本発明者らは発光素子の発光波長を長波長側に移行させるに際し，ダブルヘテロ構造の窒化物半導体構造における活性層に引っ張り応力を与えることにより，発光波長を長波長側にシフトさせ，しかも発光出力が高い発光素子を実現できることを新たに見い出した。」（段落【０００８】）
　「すなわち，本発明によれば，インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１および第２の面を有する活性層を備え，該活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層を量子井戸構造とし，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光することを特徴とする窒化物半導体発光素子が提供される。」（段落【０００９】）
　「さらに，本発明によれば，インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなる井戸層を備え，第１および第２の面を有する活性層を具備し，該活性層の第２の面側にＧａＮよりなるｐ型コンタクト層を備え，該活性層の第１の面に接して該活性層を構成するインジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりもバンドギャップエネルギーの大きなＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層とｐ型コンタクト層との間に該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層を単一量子井戸構造または多重量子井戸構造とし，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光することを特徴とする窒化物半導体発光素子が提供される。」（段落【００１１】）
　「すなわち，本発明においては，活性層を単一量子井戸構造または多重量子井戸構造として，この活性層とクラッド層との界面平行方向に，引っ張り応力を加え，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも小さいエネルギーを持つ光を発光させるのである。」（段落【００１２】）
　「ところで，ＩｎＮのバンドギャップエネルギー（１．９６ｅＶ）をＥｇ１で，ＧａＮのバンドギャップエネルギー（３．４０ｅＶ）をＥｇ２で表わすと，窒化物半導体ＩｎｘＧａ１−ｘＮの本来のバンドギャップエネルギーＥｇは，式
　Ｅｇ＝Ｅｇ１・ｘ＋Ｅｇ２・（１−ｘ）−ｘ（１−ｘ）
により算出することができる。活性層の本来の発光波長λは，λ＝１２４０／Ｅｇに相当する。」（段落【００１３】）
　「なお，単一量子井戸構造とは，井戸層が一層よりなる構造を指す。すなわち，単一量子井戸構造の活性層は，単一の井戸層だけで構成される。また，多重量子井戸構造とは，井戸層と障壁層を交互に積層した多層膜構造を指す。この多層膜構造において，両側の２つ最外層は，それぞれ井戸層により構成される。」（段落【００１４】）
　「【作用】
　本発明の素子は，第１のｎ型クラッド層および第１のｐ型クラッド層よりも熱膨張係数の大きい活性層を形成して，両クラッド層と活性層の界面に平行な方向で引っ張り応力を発生させている。引っ張り応力を活性層に弾性的に作用させるために，活性層を単一量子井戸構造または多重量子井戸構造として，活性層のバンドギャップエネルギーを小さくし，活性層の発光波長を長くする。また，活性層の井戸層，障壁層を臨界膜厚まで薄くしたことにより，Ｉｎ組成比が大きいＩｎＧａＮでも結晶性よく成長できる。」（段落【００１５】）
　オ　「【発明の実施の形態】
　図１は，本発明の一態様による窒化物半導体発光素子の構造の一例を示す概略断面図である。図１に示す窒化物半導体素子は，基板１上に，バッファ層２，ｎ型コンタクト層３，第２のｎ型クラッド層４，第１のｎ型クラッド層５，活性層６，第１のｐ型クラッド層７，第２のｐ型クラッド層８，およびｐ型コンタクト層９が順に積層された構造を有する。」（段落【００１６】）
　「活性層６は，Ｉｎを含む窒化物半導体で形成され，単一量子井戸構造または多重量子井戸構造のものである。Ｉｎを含む活性層６は，他のＡｌＧａＮ，ＧａＮ等の窒化物半導体に比べて柔らかく，熱膨張係数も大きいので，例えば単一量子井戸構造の井戸層の膜厚を薄くすることにより発光波長を変化させることができる。量子井戸構造の活性層６はｎ型，ｐ型のいずれでもよいが，特にノンドープ（不純物無添加）とすることによりバンド間発光により発光波長の半値幅が狭くなり，色純度のよい発光が得られるため好ましい。特に活性層６の井戸層の組成をＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）とすると，バンド間発光で波長を紫外から赤色まで発光させることができ，クラッド層との熱膨張係数差の大きい活性層を実現することが可能である。一方，多重量子井戸構造の場合，障壁層は特にＩｎＧａＮで形成せずにＧａＮで形成してもよい。」（段落【００１７】）
　「第１のｎ型クラッド層５は，活性層６よりもバンドギャップエネルギーが大きく，かつ活性層よりも熱膨張係数が小さい窒化物半導体であればどのような組成のもので形成してもよいが，特に好ましくはｎ型ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）により形成する。ＩｎＧａＮ，またはＧａＮよりなるｎ型の第１のクラッド層５は，Ａｌを含む窒化物半導体に比べて，結晶が柔らかいので，この第１のクラッド層５がバッファ層のような作用をする。つまりこの第１のクラッド層５がバッファ層として作用しているために，活性層６を量子井戸構造としても活性層６にクラックが入らず，また第１のクラッド層５，７の外側に形成される第２のｎ型クラッド層４，第２のｐ型クラッド層８中にクラックが入るのを防止することができる。」（段落【００１８】）
　「第１のｐ型クラッド層７は，活性層６を構成する窒化物半導体よりもバンドギャップエネルギーが大きく，かつ活性層６よりも熱膨張係数が小さいｐ型窒化物半導体であればどのような組成のもので形成してもよいが，好ましくはｐ型ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０≦ｙ≦１）で形成する。その中でも，ｐ型ＡｌＧａＮ等のＡｌを含む窒化物半導体は，多重量子井戸構造または単一量子井戸構造よりなる活性層に接して形成することにより，発光出力を向上させる。」（段落【００１９】）
　「また，第１のｎ型クラッド層５，第１のｐ型クラッド層７のいずれかを省略することもできる。第１のｎ型クラッド層５を省略する場合は，第２のｎ型クラッド層４が第１のｎ型クラッド層５となり，また第１のｐ型クラッド層７を省略する場合は第２のｐ型クラッド層が第１のｐ型クラッド層５となる。但し，活性層には，ｎ型ＧａＮもしくはｎ型ＩｎＧａＮよりなる第１のｎ型クラッド層５が接して形成されていることが好ましい。」（段落【００２０】）
　「本発明の素子は，前記第１のｎ型クラッド層５に接して，ｎ型の窒化物半導体よりなる第２のｎ型クラッド層４を備えることができる。第２のｎ型クラッド層４は，ＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ≦１）で形成することが望ましい。但し，第１のｎ型クラッド層５がＩｎＧａＮで形成されている場合は，この第２のｎ型クラッド層４をＧａＮまたはＡｌＧａＮで形成することができる。Ａｌを含む窒化物半導体は熱膨張係数が小さく，また結晶自体が硬いので，第２のｎ型クラッド層４を第１のｎ型クラッド層５に接して形成すると，活性層にさらに大きな引っ張り応力を加えて，発光波長を長波長側にシフトさせることが可能である。但し，活性層６に接してＡｌを含む第２のｎ型クラッド層４を形成する場合には，活性層の反対側の主面には，バッファ層となる第１のｐ型クラッド層７をＩｎＧａＮ，ＧａＮ等で形成することが望ましい。」（段落【００２１】）
　「また，本発明の素子では，第１のｐ型クラッド層７に接して，ｐ型の窒化物半導体よりなる第２のｐ型クラッド層８を備えることもできる。第２のｐ型クラッド層８は，ＡｌｂＧａ１−ｂＮ（０≦ｂ≦１）で形成することが望ましい。但し，第１のｐ型クラッド層７がＡｌＧａＮで形成されている場合は，この第２のｐ型クラッド層８をコンタクト層としてＧａＮで形成することができる。活性層６に接してＡｌを含む第２のｐ型クラッド層８を形成する場合には，活性層６の反対側の主面（ｎ層側）には，バッファ層となるＧａＮ，ＩｎＧａＮ等の第１のｎ型クラッド層５が接して形成されていることが望ましい。」（段落【００２３】）
　「ここで，活性層とクラッド層の好ましい組み合わせを述べる。まず，活性層６と第１のクラッド層５，７の組み合わせは，第１のｎ型クラッド層をＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）で形成し，活性層をＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）を含む量子井戸構造とし，第１のｐ型クラッド層をＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）で形成することである。但し，これらの組み合わせにおいて，バンドギャップエネルギーの関係からｘ＜ｚの条件を満たしていることはいうまでもない。活性層６は，単一量子井戸構造の場合では井戸層を１００オングストローム以下の厚さに形成し，多重量子井戸構造では井戸層を１００オングストローム以下の厚さに，および障壁層を１５０オングストローム以下の厚さに形成する。いずれの量子井戸構造の活性層でも，ｎ型またはノンドープとするとバンド間発光による半値幅の狭い発光が得られるので最も好ましい。」（段落【００２６】）
　「次に，最も好ましい組み合わせは，第２のｎ型クラッド層４をＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ≦１）で形成し，第１のｎ型クラッド層５をＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）で形成し，活性層６をＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）を含む量子井戸構造とし，第１のｐ型クラッド層７をＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０≦ｙ＜１）で形成し，第２のｐ型クラッド層８をＡｌｂＧａ１−ｂＮ（０≦ｂ≦１）で形成することである。この組み合わせの場合は，第１のｎ型クラッド層５，第１のｐ型クラッド層７のいずれか一方または両方を省略してもよい。省略した場合，前記のように，第２のｎ型クラッド層４または第２のｐ型クラッド層８が，それぞれ第１のクラッド層として作用する。この組み合わせによると，第１のクラッド層５，７と活性層６だけでは，活性層６に十分な引っ張り応力が得られない場合に，第１のクラッド層５，７の外側にさらにＡｌを含む第２のクラッド層を形成して，第２のクラッド層４，８の熱膨張係数と活性層６の熱膨張係数の差を大きくすることができる。従って，活性層６を膜厚の薄い井戸層と障壁層との多重量子井戸構造，又は井戸層のみの単一量子井戸構造とすることにより，界面に作用する引っ張り応力により，活性層のバンドギャップが小さくなり，発光波長が長波長側にシフトされ得る。」（段落【００２７】）
　カ　「図２は単一量子井戸構造の活性層の厚さ，つまり井戸層の厚さと，発光素子の発光ピーク波長との関係を示す図である。なお，図２において線αは活性層がノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる発光素子を示し，線βは活性層がノンドープＩｎ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる発光素子を示している。両方とも発光素子の構造は第２のクラッド層と，第１のｎ型クラッド層と，活性層と，第１のｐ型クラッド層と，第２のｐ型クラッド層とを順に積層したダブルヘテロ構造である。第２のｎ型クラッド層は０．１μｍのＳｉドープｎ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなり，第１のｎ型クラッド層は５００オングストロームのＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなり，第１のｐ型クラッド層は２０オングストロームのＭｇドープｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなり，第２のｐ型クラッド層は０．１μｍのＭｇドープｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなるダブルヘテロ構造である。図２では前記活性層の膜厚を変えた際に発光波長が変化することを示している。」（段落【００３３】）
　「線αで示すＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ活性層は，本来のバンドギャップエネルギーでは３８０ｎｍ付近の紫外発光を示すが，膜厚を薄くすることにより４２０ｎｍ近くまで波長を長くして青紫色の発光にできる。また線βで示すＩｎ０．３Ｇａ０．７Ｎ活性層は本来のバンドギャップエネルギーでは４８０ｎｍ付近の青緑色発光であるが，同じく膜厚を薄くすることにより，５２０ｎｍ近くの純緑色発光が得られる。このように第１のｎ型クラッド層と第１のｐ型クラッド層で挟まれた活性層の膜厚を薄くすることにより，発光波長を長波長にすることができる。つまり，通常の膜厚の厚い活性層ではその活性層のバンドギャップエネルギーに相当する発光しか示さないが，本発明の単一量子井戸構造の活性層では，井戸層の膜厚を薄くすることによって，バンドギャップエネルギーが小さくなり，元の井戸層のバンドギャップエネルギーよりも低エネルギーの光，即ち長波長を発光させることが可能となる。しかもノンドープであるので，不純物をドープしたものよりも結晶性がよいので出力が高くなり，さらにバンド間発光で半値幅の狭い色純度に優れた発光が得られる。」（段落【００３４】）
　「従って，本発明において，井戸層の膜厚は１００オングストローム以下，さらに好ましくは７０オングストローム以下となるように形成することが望ましい。図２は本発明の素子による発光素子の一例を示したものであるが，発光波長が長波長側に移行する波長範囲は，活性層に引っ張り応力を与える第２のクラッド層，第１のクラッド層の組成によっても異なり，またそれらの組成によって活性層の好ましい膜厚も多少変化する。」（段落【００３６】）
　キ　「窒化物半導体において，ＡｌＮの熱膨張係数は４．２×１０−６／Ｋであり，ＧａＮの膨張係数は５．５９×１０−６／Ｋであることが知られている。ＩｎＮに関しては，完全な結晶が得られていないため熱膨張係数は不明であるが，仮にＩｎＮの熱膨張係数がいちばん大きいと仮定すると，熱膨張係数の順序はＩｎＮ＞ＧａＮ＞ＡｌＮとなる。一方，窒化物半導体の成長温度を見てみると，通常ＭＢＥ法では５００℃，ＭＯＶＰＥ法では時に９００℃以上の高温で成長させる。例えばＭＯＶＰＥ法によるとＩｎＧａＮで７００℃以上，ＡｌＧａＮであると９００℃以上で成長させる。そこで熱膨張係数の大きい活性層を，活性層よりも熱膨張係数の小さいクラッド層で挟んだ素子を高温で形成した後，室温にまで温度を下げると，熱膨張係数の大きい活性層がクラッド層に引っ張られ，活性層とクラッド層の界面に平行方向に引っ張り応力が活性層に作用する。このため，活性層のバンドギャップエネルギーが小さくなり，発光波長が長波長になるのである。つまり活性層のＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ，Ｉｎ０．３Ｇａ０．７Ｎ等は第１のクラッド層，および第２のクラッド層よりもＩｎが多い分，熱膨張係数が大きい。従って活性層とクラッド層の界面に平行方向に引っ張り応力が作用し，活性層のバンドギャップエネルギーが小さくなるので通常の活性層のバンド間発光よりも，発光波長を長くすることができるのである。特にその引っ張り応力は活性層を薄くするほど大きくなるので，発光波長をより長波長にすることが可能となる。」（段落【００３７】）
　ク　「本発明の素子において好ましい態様は，インジウムを含むｎ型窒化物半導体，またはｎ型ＧａＮを第１のｎ型クラッド層として備え，その第１のｎ型クラッド層に接して，第１のｎ型クラッド層よりも熱膨張係数が大きいインジウムを含む窒化物半導体よりなる活性層を備え，この活性層を単一量子井戸若しくは多重量子井戸構造とすることによって，本来の活性層のバンドギャップエネルギーよりも低エネルギーの光が発光される素子であり，この素子において，前記第１のｎ型クラッド層と前記活性層との総膜厚が３００オングストローム以上あることがさらに好ましい。また他の態様として，インジウムを含む窒化物半導体よりなる単一量子井戸構造若しくは多重量子井戸構造の活性層を備え，その活性層に接して，活性層よりも熱膨張係数が小さいアルミニウムを含むｐ型窒化物半導体を第１のｐ型クラッド層として備え，この活性層を単一量子井戸構造若しくは多重量子井戸構造とすることによって，本来の活性層のバンドギャップエネルギーよりも低エネルギーの光が発光される素子である。」（段落【００３８】）
　「従来の窒化物半導体発光素子は，上にも説明したように，ＩｎＧａＮを主とする活性層をＡｌＧａＮを主とする２つのクラッド層で挟んだ構造を有している。ＩｎＧａＮ活性層をＡｌＧａＮクラッド層を挟んだ従来の構造では，活性層の厚さを薄くするに従って，ＩｎＧａＮ活性層，ＡｌＧａＮクラッド層にクラックが生じる傾向にある。例えば，活性層の厚さを２００オングストローム未満にするとクラックが多数入ってしまうために素子作製が困難となる。これはＡｌを含むクラッド層が結晶の性質上，非常に硬い性質を有しており，薄い膜厚のＩｎＧａＮ活性層のみではＡｌＧａＮクラッド層との界面から生じる格子不整合と，熱膨張係数差から生じる歪をＩｎＧａＮ活性層で弾性的に緩和できないことを示している。このため，従来ではクラッド層，活性層中にクラックが入るために，活性層を薄くしようとしてもできなかったのが実状であった。」（段落【００３９】）
　「一方，本発明では図１に示すように，ＩｎとＧａとを含む活性層６に接する層として，新たに第１のｎ型クラッド層５を形成している。この第１のｎ型クラッド層５は，活性層とＡｌを含む第２のｎ型クラッド層４の間のバッファ層として作用する。つまり第１のｎ型クラッド層５であるＩｎを含む窒化物半導体またはＧａＮは結晶の性質として柔らかい性質を有しているので，Ａｌを含む第２のクラッド層４と活性層６の格子定数不整と熱膨張係数差によって生じる歪を吸収する働きがある。従って活性層を薄くしても活性層６，第２のｎ型クラッド層４にクラックが入りにくいと推察される。第１のクラッド層５によって歪が吸収されるので，活性層は膜厚が２００オングストローム以下になると引っ張り応力が作用して弾性的に変形してバンドギャップエネルギーが小さくなり発光波長が長くなる傾向にある。しかも活性層の結晶欠陥が少なくなる。従って，活性層の膜厚が薄い状態においても，活性層の結晶性が良くなるので発光出力が増大する。このように第１のｎ型クラッド層５をバッファ層として作用させるためには，結晶が柔らかい層である活性層６と第１のｎ型クラッド層５との膜厚の合計が３００オングストローム以上あることが好ましい。」（段落【００４０】）
　「窒化物半導体よりなる本発明の発光素子を製造するには，例えばＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長法），ＭＢＥ（分子線気相成長法），ＨＤＶＰＥ（ハイドライド気相成長法）等の気相成長法を用いて，基板上にＩｎａＡｌｂＧａ１−ａ−ｂＮ（０≦ａ，０≦ｂ，ａ＋ｂ≦１）をｎ型，ｐ型等の導電型でダブルヘテロ構造になるように積層することによって得られる。基板には例えばサファイア（Ｃ面，Ａ面，Ｒ面を含む），ＳｉＣ（６Ｈ−ＳｉＣ，４Ｈ−ＳｉＣも含む），スピネル（ＭｇＡｌ２Ｏ４，特にその（１１１）面），ＺｎＯ，Ｓｉ，ＧａＡｓ，あるいは他の酸化物単結晶基板（ＮＧＯ等）が使用できる。また，ｎ型の窒化物半導体はノンドープの状態でも得られるが，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓ等のドナー不純物を結晶成長中に半導体層中に導入することによって得られる。またｐ型の窒化物半導体層はＭｇ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｃａ，Ｂｅ，Ｃ等のアクセプター不純物を同じく結晶成長中に半導体層中に導入するか，または導入後４００℃以上でアニーリングを行うことにより得られる。」（段落【００４２】）
　ケ　「【実施例】
　以下本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。以下の実施例は，ＭＯＶＰＥ法による窒化物半導体層の成長方法を例示している。
実施例１
本実施例を図１を参照して記述する。」（段落【００４３】）
　「ＴＭＧ（トリメチルガリウム）とＮＨ３とを用い，反応容器にセットしたサファイア基板１のＣ面に５００℃でＧａＮよりなるバッファ層２を５００オングストロームの膜厚で成長させた。」（段落【００４４】）
　「次に温度を１０５０℃まで上げ，ＴＭＧ，ＮＨ３に加えＳｉＨ４ガスを用い，Ｓｉドープｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層３を４μｍの膜厚で成長させた。」（段落【００４５】）
　「続いて原料ガスにＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）を加え，同じく１０５０℃でＳｉドープｎ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎ層よりなる第２のクラッド層４を０．１μｍの膜厚で成長させた。」（段落【００４６】）
　「次に，温度を８００℃に下げ，ＴＭＧ，ＴＭＩ（トリメチルインジウム），ＮＨ３およびＳｉＨ４を用い，Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１のｎ型クラッド層５を５００オングストロームの膜厚で成長させた。」（段落【００４７】）
　「続いてＴＭＧ，ＴＭＩおよびＮＨ３を用い，８００℃でノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる活性層６（単一量子井戸構造）を３０オングストロームの膜厚で成長させた。」（段落【００４８】）
　「さらに，ＴＭＧ，ＴＭＩ，ＮＨ３に加え新たにＣｐ２Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を用い８００℃でＭｇドープｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１のｐ型クラッド層７を５００オングストロームの膜厚で成長させた。」（段落【００４９】）
　「次に温度を１０５０℃に上げ，ＴＭＧ，ＴＭＡ，ＮＨ３，Ｃｐ２Ｍｇを用い，Ｍｇドープｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２のｐ型クラッド層８を０．１μｍの膜厚で成長させた。」（段落【００５０】）
　「続いて，１０５０℃でＴＭＧ，ＮＨ３およびＣｐ２Ｍｇを用い，Ｍｇドープｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層９を０．５μｍの膜厚で成長させた。以上の操作終了後，温度を室温まで下げてウェーハを反応容器から取り出し，７００℃でウェーハのアニーリングを行い，ｐ型層をさらに低抵抗化した。次に，最上層のｐ型コンタクト層９の表面に所定の形状のマスクを形成し，ｎ型コンタクト層３の表面が露出するまでエッチングした。エッチング後，ｎ型コンタクト層３の表面にＴｉとＡｌよりなる負電極，ｐ型コンタクト層９の表面にＮｉとＡｕよりなる正電極を形成した。電極形成後，ウェーハを３５０μｍ角のチップに分離した後，常法に従い半値角１５度の指向特性を持つＬＥＤ素子とした。このＬＥＤ素子はＩｆ（順方向電流）２０ｍＡでＶｆ３．５Ｖ，発光ピーク波長４１０ｎｍの青色発光を示し，発光出力は５ｍＷであった。さらに，発光スペクトルの半値幅は２０ｎｍであり，非常に色純度のよい発光を示した。」（段落【００５１】）
　「実施例４
第１のｐ型クラッド層７を形成しない以外は，実施例１と同様にしてＬＥＤ素子を作製した。このＬＥＤ素子は，Ｉｆ２０ｍＡでＶｆ３．５Ｖ，発光ピーク波長４２５ｎｍの青色発光を示し，同じく発光出力は７ｍＷであった。さらに，発光スペクトルの半値幅は２０ｎｍであった。この発光素子は活性層にＡｌＧａＮよりなる第２のクラッド層８が直接接しているので活性層の引っ張り応力が大きくなりピーク波長が長波長になると共に，発光出力が増大した。」（段落【００５４】）
　コ　「【発明の効果】
　本発明においては，熱膨張係数の小さいクラッド層で熱膨張係数の大きい活性層を挟むことにより，活性層に引っ張り応力がかかるので，活性層のバンドギャップエネルギーが本来のそれより小さくなり，発光波長を長波長にすることができる。しかもＩｎを含む窒化物半導体よりなる活性層に接して，熱膨張係数の小さいＩｎを含む窒化物半導体またはＧａＮよりなる第１のクラッド層をすると，この第１のクラッド層が新たなバッファ層として作用することにより，活性層が弾性的に変形して結晶性が良くなり発光出力が格段に向上する。例えば従来の青色ＬＥＤでは４５０ｎｍにおいて，光度２ｃｄ，発光出力が３ｍＷで半値幅が８０ｎｍ程度であったが，本発明ではその倍近くの発光出力を達成することができ，半値幅は半分以下と非常に色純度が向上した。また従来では，活性層のインジウム組成比を大きくすると結晶性が悪くなって，バンド間発光で５２０ｎｍ付近の緑色発光を得ることは難しかったが，本発明によると活性層の結晶性が良くなるので，従来では困難であった色純度のよい高輝度な緑色ＬＥＤも実現できる。」（段落【００６５】）
　（２）　本件発明１の構成及びその特徴
　前記（１）によれば，本件発明１の構成及びその特徴は以下のとおりであると認められる。
　ア　本件発明１は，発光ダイオード（ＬＥＤ），レーザダイオード（ＬＤ）等の半導体発光素子に係り，特には，窒化物半導体（ＩｎａＡｌｂＧａ１−ａ−ｂＮ，０≦ａ，０≦ｂ，ａ＋ｂ≦１）から構成される半導体積層構造を有する窒化物半導体発光素子に関する。
　窒化物半導体（ＩｎａＡｌｂＧａ１−ａ−ｂＮ，０≦ａ，０≦ｂ，ａ＋ｂ≦１）は，紫外ないし赤色に発光するＬＥＤ，ＬＤ等の発光素子の材料として期待されており，青色ＬＥＤや青緑色ＬＥＤは製品化されて，現在実用に供されている。
　このような青色，青緑色ＬＥＤの発光チップは，基本的には，サファイア基板の上に，ｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層と，ｎ型ＡｌＧａＮよりなるｎ型クラッド層と，ｎ型ＩｎＧａＮよりなる活性層と，ｐ型ＡｌＧａＮよりなるｐ型クラッド層と，ｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層とが順に積層された構造を有している。このＬＥＤ素子の発光波長は，その活性層のＩｎＧａＮのＩｎ含有量を変えるか又は活性層にドープする不純物の種類を変えることにより，紫外領域から赤色まで変化させることが可能である。
　従来のＬＥＤは，不純物をドープしたＩｎＧａＮにより活性層を形成しており，ＩｎＧａＮのＩｎ組成比を大きくするとＩｎＧａＮバンド間発光により，発光波長を長波長側に移行することができる。
　しかしながら，前記ＬＥＤ素子は発光波長が長くなるに従って，発光出力が大きく低下するという問題があり，不純物がドープされたＩｎＧａＮ活性層，より詳しくは，ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）活性層は，Ｉｎ含有量が増えると結晶性が悪くなり発光出力は大きく低下する。
　このため実際に使用できるＩｎ含有量すなわちｘ値はおよそ０．１５以下でしか，高出力のＬＥＤができないのが現状であるので，青色ＬＥＤしか高出力のものは実現されていない。
　窒化物半導体発光素子の長波長域の出力を向上させることができれば，窒化物半導体で全ての可視領域の波長での発光が実現できる可能性がある。
　イ　本件発明１は，このような事情に鑑みてされたものであって，その目的とするところは，緑色ＬＥＤのみならず３６０ｎｍ以上の発光波長で高輝度，高出力の窒化物半導体発光素子を提供することにあり，上記課題を解決するために，「インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１および第２の面を有する活性層を備え，該活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層を量子井戸構造とし，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光することを特徴とする窒化物半導体発光素子」との構成を採用した。
　ウ　本件発明１の窒化物半導体発光素子は，熱膨張係数の小さいクラッド層（ｎ型窒化物半導体層，第２のｎ型窒化物半導体層，ｐ型窒化物半導体層）で熱膨張係数の大きい活性層を挟むことで，両クラッド層と活性層の界面に引っ張り応力を発生させ，かつ，活性層を量子井戸構造とすることで，引っ張り応力を活性層に弾性的に作用させ，これにより活性層のバンドギャップエネルギーを本来のそれより小さくし，活性層の発光波長を長波長化するものである。
　しかも，Ｉｎを含む窒化物半導体よりなる活性層に接して，熱膨張係数の小さいＩｎを含む窒化物半導体よりなる第１のクラッド層を備えることで，この第１のクラッド層が新たなバッファ層として作用することにより，活性層が弾性的に変形して結晶性が良くなり発光出力が格段に向上する。
　（３）　前記（２）の認定からすれば，本件発明１は，ＬＥＤ素子の発光波長は，その活性層のＩｎＧａＮのＩｎの組成比を大きくするか又は活性層にドープする不純物の種類を変えることにより，紫外領域から赤色まで変化させることが可能であるが，ＬＥＤ素子には発光波長が長くなるに従って発光出力が大きく低下するという問題があり，また，不純物がドープされたＩｎＧａＮ活性層には，Ｉｎ含有量が増えると結晶性が悪くなり発光出力が大きく低下するという問題があったことから，本件発明１は，上記課題を解決し，窒化物半導体発光素子の長波長域の出力を向上させることにより，窒化物半導体で全ての可視領域の波長での発光が実現することを目的とし，その解決手段として本件発明１記載のとおりの構成を採用し，熱膨張係数の小さいクラッド層で熱膨張係数の大きい活性層を挟むことで，両クラッド層と活性層の界面に引っ張り応力を発生させ，かつ，活性層を量子井戸構造とすることで，引っ張り応力を活性層に弾性的に作用させ，これにより活性層のバンドギャップエネルギーを本来のそれより小さくして活性層の発光波長を長波長化し，しかも，Ｉｎを含む窒化物半導体よりなる活性層に接して，熱膨張係数の小さいＩｎを含む窒化物半導体よりなる第１のクラッド層を備えることで，この第１のクラッド層が新たなバッファ層として作用することにより，活性層が弾性的に変形して結晶性が良くなり発光出力が格段に向上するという効果を奏するものであると認められる。
　以上の認定に基づき，各無効理由について判断する。
　４　無効理由４について
　（１）　請求人は，本件発明の構成が本件訂正明細書に記載されていないとの趣旨で，平成１１年法律第１６０号による改正前の特許法第３６条第４項及び／又は第６項違反の無効理由を主張する（上記第４の１（１）エ（ア）及び同（２）イ（イ））ので検討する。
　ア　本件発明１について
　（ア）　本件発明１は，窒化物半導体発光素子の長波長域の出力を向上させることにより，窒化物半導体で全ての可視領域の波長での発光が実現することを目的とし，その解決手段として本件発明１記載のとおりの構成を採用し，熱膨張係数の小さいクラッド層で熱膨張係数の大きい活性層を挟むことで，両クラッド層と活性層の界面に引っ張り応力を発生させ，かつ，活性層を量子井戸構造とすることで，引っ張り応力を活性層に弾性的に作用させ，これにより活性層のバンドギャップエネルギーを本来のそれより小さくして活性層の発光波長を長波長化し，しかも，Ｉｎを含む窒化物半導体よりなる活性層に接して，熱膨張係数の小さいＩｎを含む窒化物半導体又はＧａＮよりなる第１のクラッド層を備えることで，この第１のクラッド層が新たなバッファ層として作用することにより，活性層が弾性的に変形して結晶性が良くなり発光出力が格段に向上するという効果を奏するものであることは，前記３（３）の認定のとおりである。
　（イ）　活性層を構成する窒化物半導体の「本来のバンドギャップエネルギー」について
　ａ　本件発明１は，インジウム及びガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１及び第２の面を有する活性層を備え，該活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層を量子井戸構造とすることにより，活性層を構成する窒化物半導体の「本来のバンドギャップエネルギー」よりも低いエネルギーの光を発光することを特徴とする窒化物半導体発光素子である。
　ｂ　そして，本件発明１は，上記（ア）のとおり，熱膨張係数の小さいクラッド層で熱膨張係数の大きい活性層を挟むことで，両クラッド層と活性層の界面に引っ張り応力を発生させ，かつ，活性層を量子井戸構造とすることで，引っ張り応力を活性層に弾性的に作用させ，これにより活性層のバンドギャップエネルギーを本来のそれより小さくして活性層の発光波長を長波長化するものであるから，本件発明１において，活性層を構成する窒化物半導体の「本来のバンドギャップエネルギー」とは，「引っ張り応力の影響を受けない状態の活性層（活性層を構成する窒化物半導体）が有するバンドギャップエネルギー」を意味するものと解される。
　ｃ　本件訂正明細書の段落【００３３】・【００３４】及び図２の記載によれば，本件訂正明細書には以下の事項が記載されているものと認められる。
　（ａ）　図２は，単一量子井戸構造の活性層の厚さと発光素子の発光ピーク波長との関係を示すグラフ図であるが，この実験に用いられた発光素子は，いずれも，下層から「第２のｎ型クラッド層（０．１μｍのＳｉドープｎ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎ）／第１のｎ型クラッド層（５００オングストロームのＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ）／活性層／第１のｐ型クラッド層（２０オングストロームのＭｇドープｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ）／第２のｐ型クラッド層（０．１μｍのＭｇドープｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎ）」が順に積層されたダブルヘテロ構造を有し，単一量子井戸構造の活性層は，線αでは，ノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる半導体が，線βでは，ノンドープＩｎ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる半導体が用いられている。
　（ｂ）　図２のうち，単一量子井戸構造の活性層として，ノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる半導体が用いられた線αを参照すると，活性層の膜厚が厚い領域（２００オングストローム程度以上の領域）では，発光ピーク波長が３８０ｎｍ程度の一定値となる。
　他方，活性層の膜厚が薄い領域（２００オングストローム程度以下の領域）では，発光ピーク波長は，膜厚が薄くなるのに伴って４２０ｎｍ程度まで長くなる。
　（ｃ）　上記実験結果は，活性層の膜厚が厚い領域では，上下のクラッド層と活性層の界面に引っ張り応力が発生しても，活性層の膜厚が厚いため，引っ張り応力が活性層に弾性的に作用せず，活性層が引っ張り応力の影響を実質的には受けないために，発光ピーク波長が一定値となるが，膜厚が薄い領域では，活性層全体が引っ張り応力を受けて弾性的に変形し，その結果，バンドギャップエネルギーが小さくなることによるものと解することができる。
　（ｄ）　活性層を構成する窒化物半導体の「本来のバンドギャップエネルギー」とは，「引っ張り応力の影響を受けない状態の活性層（活性層を構成する窒化物半導体）が有するバンドギャップエネルギー」を意味するものと解されることからすれば，活性層（活性層を構成する窒化物半導体）の「本来のバンドギャップエネルギー」は，図２（単一量子井戸構造の活性層の厚さと発光素子の発光ピーク波長との関係を示すグラフ図）において，活性層の厚さが厚い領域における発光ピーク波長に相当するものであるといえる。
　（ｅ）　したがって，単一量子井戸構造の活性層としてノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる半導体を用いた場合（線α）には，「本来のバンドギャップエネルギー」に相当する発光ピーク波長は，３８０ｎｍ程度である。
　（ウ）　実施例４について
　ａ　実施例１（段落【００４３】〜【００５１】）のＬＥＤ素子は，ＭＯＶＰＥ法による窒化物半導体層の成長方法によって，サファイア基板１の上に，ＧａＮよりなるバッファ層２，ｎ型ＧａＮよりなるコンタクト層３，ｎ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２クラッド層４（０．１μｍ），ｎ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１クラッド層５（５００オングストローム），ノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる活性層６（単一量子井戸構造，３０オングストローム），ｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１クラッド層７（５００オングストローム），ｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２クラッド層８（０．１μｍ）及びｐ型ＧａＮよりなるコンタクト層９を順次形成したものである。
　実施例４（段落【００５４】）のＬＥＤ素子は，「第１のｐ型クラッド層７を形成しない以外は，実施例１と同様にしてＬＥＤ素子を作製した」ものであると記載されているから，当業者であれば，実施例１において，ｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１クラッド層７の成長を省略すれば，実施例４のＬＥＤ素子を作製することができるものと認められる。
　ｂ　実施例４のＬＥＤ素子は，サファイア基板１の上に，ＧａＮよりなるバッファ層２，ｎ型ＧａＮよりなるコンタクト層３，ｎ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２クラッド層４（０．１μｍ），ｎ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１クラッド層５（５００オングストローム），ノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる活性層６（単一量子井戸構造，３０オングストローム），ｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２クラッド層８（０．１μｍ）及びｐ型ＧａＮよりなるコンタクト層９が順次積層されて形成されたものである。
　ここで，実施例４の「ｎ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２クラッド層４」，「ｎ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１クラッド層５」，「ノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる活性層６（単一量子井戸構造）」及び「ｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２クラッド層８」は，それぞれ，本件発明１の「ＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層」，「ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層」，「インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１および第２の面を有する活性層」及び「ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層」に相当するから，実施例４のＬＥＤ素子は，本件発明１の窒化物半導体発光素子と同一の積層構造を有するものであると認められる。
　ｃ　そして，本件訂正明細書には，実施例４のＬＥＤ素子は，「発光ピーク波長４２５ｎｍの青色発光を示し」たことが記載されている（段落【００５４】）。前記（イ）ｃ（ｅ）記載のとおり，単一量子井戸構造の活性層としてノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎを用いた場合の「本来のバンドギャップエネルギー」に相当する発光ピーク波長は，３８０ｎｍ程度であるから，実施例４のＬＥＤ素子では，単一量子井戸構造でノンドープのＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる活性層は，本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光（４２５ｎｍ）を発光したことになる。
　（エ）　前記（ア）ないし（ウ）によれば，本件訂正明細書の発明の詳細な説明における実施例４には，本件発明１と同一の積層構造を有するＬＥＤ素子の製造方法が記載されており，かつ，このＬＥＤ素子の発光ピーク波長（４２５ｎｍ）は，活性層を形成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーに相当する発光ピーク波長（３８０ｎｍ程度）よりも長いこと，すなわち，このＬＥＤ素子が，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光することが記載されているといえる。
　したがって，本件訂正明細書の発明の詳細な説明の記載は，物の発明（特許法２条３項１号）である本件発明１について，当業者がこれを生産することができ，かつ使用することができる程度に明確かつ十分に記載されているというべきである。
　また，本件発明１の「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」との発明特定事項の文言は明確である（上記（イ））し，上記（ア）のとおり，本件訂正明細書から本件発明の課題解決原理が把握できる。さらに，上記のとおり，本件訂正明細書には本件発明１の実施例が記載されている。そうすると，本件発明１の記載が不明確であるということはない。
　そして，本件発明１が，発明の詳細な説明に記載されていないということもない。
　イ　本件発明２について
　本件発明２は，本件発明１に，さらに，「活性層とｎ型窒化物半導体層との層膜厚が３００オングストローム以上である」ことを特定したものであるところ，実施例４のＬＥＤ素子では，「活性層」に相当する「ノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる活性層６（単一量子井戸構造）」の厚さが３０オングストロームであり，「ｎ型窒化物半導体層」に相当する「ｎ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１クラッド層５」の厚さが５００オングストロームであるから，実施例４のＬＥＤ素子は，本件発明２の窒化物半導体発光素子と同一の積層構造を有するものであると認められる。
　したがって，上記アと同様の理由により，本件訂正明細書の発明の詳細な説明の記載は，物の発明である本件発明２について，当業者がこれを生産することができ，かつ使用することができる程度に明確かつ十分に記載されているというべきである。
　また，上記アと同様の理由で，本件発明２の記載は不明確ではないし，発明の詳細な説明に記載されていないということもない。
　ウ　本件発明３について
　本件発明３は独立項ではあるが，実質的には，本件発明１に，さらに，ｐ型窒化物半導体層の上に「ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層を備え」ることを特定したものに相当するところ，実施例４のＬＥＤ素子では，「ｐ型窒化物半導体層」に相当する「ｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２クラッド層８」の上に，ｐ型ＧａＮよりなるコンタクト層９が積層されているから，実施例４のＬＥＤ素子は，本件発明３の窒化物半導体発光素子と同一の積層構造を有するものであると認められる。
　したがって，上記アと同様の理由により，本件訂正明細書の発明の詳細な説明の記載は，物の発明である本件発明３について，当業者がこれを生産することができ，かつ使用することができる程度に明確かつ十分に記載されているというべきである。
　また，上記アと同様の理由で，本件発明３の記載は不明確ではないし，発明の詳細な説明に記載されていないということもない。
　エ　本件発明４について
　本件発明４は，本件発明１〜３のいずれか１つに，「活性層が，ノンドープのものである」ことを特定したものであるところ，実施例４のＬＥＤ素子では，「活性層」に相当する「ノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる活性層６」はノンドープのものであるから，実施例４のＬＥＤ素子は，本件発明４の窒化物半導体発光素子と同一の積層構造を有するものであると認められる。
　したがって，上記アと同様の理由により，本件訂正明細書の発明の詳細な説明の記載は，物の発明である本件発明４について，当業者がこれを生産することができ，かつ使用することができる程度に明確かつ十分に記載されているというべきである。
　また，上記アと同様の理由で，本件発明４の記載は不明確ではないし，発明の詳細な説明に記載されていないということもない。
　オ　本件発明５について
　本件発明５は，本件発明１〜３のいずれか１つに，「活性層にドナー不純物および／またはアクセプター不純物がドープされている」ことを特定したものであるところ，実施例４のＬＥＤ素子では，「活性層」に相当する「ノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる活性層６」はノンドープのものであるから，実施例４のＬＥＤ素子は，本件発明５の窒化物半導体発光素子とは，この点において，同一の積層構造とはいえない。
　しかしながら，当業者であれば，活性層にドナー不純物および／またはアクセプター不純物がドープされている構造を作製することができたものと認められる。また，本件訂正明細書の【００３０】には，「さらにまた，活性層６にドナー不純物および／またはアクセプター不純物をドープしてもよい。不純物をドープした活性層の結晶性がノンドープと同じであれば，
ドナー不純物をドープすると，ノンドープのものに比べてバンド間発光強度をさらに強くすることができる。アクセプター不純物をドープするとバンド間発光のピーク波長よりも約０．５ｅＶ低エネルギー側にピーク波長をシフトさせることができるが，半値幅は広くなる。
　したがって，上記ア記載の理由にも照らせば，本件訂正明細書の発明の詳細な説明の記載は，物の発明である本件発明５について，当業者がこれを生産することができ，かつ使用することができる程度に明確かつ十分に記載されているというべきである。
　また，上記アと同様の理由で，本件発明５の記載は不明確ではないし，発明の詳細な説明に記載されていないということもない。
　カ　本件発明６及び７について
　本件発明６及び７は，本件発明１〜５のいずれか１つに，それぞれ，「活性層が，厚さ１００オングストローム以下の井戸層を有する」こと及び「活性層が，厚さ７０オングストローム以下の井戸層を有する」ことを特定したものであるところ，実施例４のＬＥＤ素子では，「活性層」に相当する「ノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる活性層６」は，「単一量子井戸構造」であるから「井戸層」であると認められ，その厚さは３０オングストロームである。よって，実施例４のＬＥＤ素子は，本件発明６及び７の窒化物半導体発光素子と同一の積層構造を有するものであると認められる。
　したがって，上記アと同様の理由により，本件訂正明細書の発明の詳細な説明の記載は，物の発明である本件発明６及び７について，当業者がこれを生産することができ，かつ使用することができる程度に明確かつ十分に記載されているというべきである。
　また，上記アと同様の理由で，本件発明６及び７の記載は不明確ではないし，発明の詳細な説明に記載されていないということもない。
　キ　本件発明８について
　本件発明８は，本件発明１〜７のいずれか１つに，「活性層が，ＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）よりなる井戸層を有する」ことを特定したものであるところ，実施例４のＬＥＤ素子では，「活性層」に相当する「ノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる活性層６」は「ＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）よりな」り，また，「単一量子井戸構造」であるから「井戸層」であるとも認められ，よって，実施例４のＬＥＤ素子は，本件発明８の窒化物半導体発光素子と同一の積層構造を有するものであると認められる。
　したがって，上記アと同様の理由により，本件訂正明細書の発明の詳細な説明の記載は，物の発明である本件発明８について，当業者がこれを生産することができ，かつ使用することができる程度に明確かつ十分に記載されているというべきである。
　また，上記アと同様の理由で，本件発明８の記載は不明確ではないし，発明の詳細な説明に記載されていないということもない。
　ク　本件発明９について
　本件発明９は，本件発明１〜８のいずれか１つに，「活性層が，ＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）よりなる井戸層と，Ｉｎｚ’Ｇａ１−ｚ’Ｎ（０＜ｚ’＜１，ただし，ｚ’はｚと異なる）もしくはＧａＮよりなる障壁層との組み合わせからなる多重量子井戸構造を有する」ことを特定したものであるところ，実施例４のＬＥＤ素子では，「活性層」に相当する「ノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる活性層６」は単一量子井戸構造であるから，実施例４のＬＥＤ素子は，本件発明９の窒化物半導体発光素子とは，この点において，同一の積層構造とはいえない。
　しかしながら，当業者であれば，本件発明９のような多重量子井戸構造からなる活性層を作製することができたものと認められる。また，上記３（３）のとおり，本件訂正明細書からは本件発明の課題解決原理が把握できるし，同段落【００３１】には，「・・・活性層を多重量子井戸構造とすると，単一量子井戸構造の活性層よりも発光出力が向上する。・・・」と記載されているから，当業者であれば，実施例４の活性層を本件発明９のような多重量子井戸構造からなるものとしたＬＥＤ素子を作製し，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光させることができたものと認められる。
　したがって，上記ア記載の理由にも照らせば，本件訂正明細書の発明の詳細な説明の記載は，物の発明である本件発明９について，当業者がこれを生産することができ，かつ使用することができる程度に明確かつ十分に記載されているというべきである。
　また，上記アと同様の理由で，本件発明９の記載は不明確ではないし，発明の詳細な説明に記載されていないということもない。
　（２）　請求人は，本件訂正明細書の記載をみても，どのように実施すれば長波長化するのか不明であるとの趣旨での平成１１年法律第１６０号による改正前の特許法第３６条第４項違反の無効理由を主張する（上記第４の１（１）エ（イ）及び同（２）イ（ア））ので検討する。
　ア　請求人は，本件訂正明細書では，Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ活性層は，本来のバンドギャップエネルギーでは３８０ｎｍ付近の紫外発光を示すものであるが，量子井戸構造をとる実施例１においては，発光ピーク波長は４１０ｎｍと長波長化している（段落【００３４】・【００５１】）のに対し，甲１２では，Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ活性層は，実施例２にあるとおり，本来のバンドギャップエネルギーでは５１０ｎｍの緑色発光を示すものであるが，量子井戸構造をとる実施例６においては，発光ピーク波長が４５０ｎｍと短波長化している（段落【００４５】）として，本件明細書の実施例４の記載によっても，甲１２の記載との対比でみれば，本件発明１はどのように実施可能であるのか不明である旨主張していると解される。
　（ア）　甲１２には，実施例２として，ＭＯＶＰＥ法による窒化物半導体層の成長方法によって，サファイア基板１の上に，ｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層３（４μｍ），ｎ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２のｎ型クラッド層４（０．１μｍ），ｎ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１のｎ型クラッド層５（５００オングストローム），ノンドープＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなる活性層６（膜厚が４００オングストロームあり，量子井戸構造ではない。），ｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１のｐ型クラッド層７（５００オングストローム），ｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２のｐ型クラッド層８（０．１μｍ），ｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層９（０．５μｍ）を順次積層して形成したＬＥＤ素子の発光ピーク波長が，５１０ｎｍであったこと（段落【００３３】〜【００４１】），実施例６として，ＭＯＶＰＥ法による窒化物半導体層の成長方法によって，サファイア基板１の上に，ｎ型ＧａＮよりなるｎ型コンタクト層３（４μｍ），ｎ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２のｎ型クラッド層４（０．１μｍ），ｎ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１のｎ型クラッド層５（５００オングストローム），ノンドープＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎよりなる活性層６（膜厚が２０オングストロームの，単一量子井戸構造である。），ｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる第１のｐ型クラッド層７（５００オングストローム），ｐ型Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ｎよりなる第２のｐ型クラッド層８（０．１μｍ），ｐ型ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層９（０．５μｍ）を順次積層して形成したＬＥＤ素子の発光ピーク波長が，４５０ｎｍであったこと（段落【００３３】〜【００４０】・【００４５】）が，開示されている。
　（イ）　請求人の上記主張は，本件訂正明細書における，Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ活性層の本来のバンドギャップエネルギー（３８０ｎｍ程度）と実施例１のＬＥＤ素子の発光ピーク波長（４１０ｎｍ）とを比較した結果と，甲１２における，実施例２のＬＥＤ素子の発光ピーク波長（５１０ｎｍ）と実施例６のＬＥＤ素子の発光ピーク波長（４５０ｎｍ）とを比較した結果とが矛盾しているとして，これを問題とするものであり，両者をその結果のみをもって単純に比較することができることを前提とした主張であるといえる。
　しかしながら，本件訂正明細書において，Ｉｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ活性層の本来のバンドギャップエネルギー（３８０ｎｍ程度）は，「単一量子井戸構造の活性層の厚さ，つまり井戸層の厚さと，発光素子の発光ピーク波長との関係を示す図」である図２から求められたものであるから，これと本件訂正明細書の実施例１のＬＥＤ素子との比較は，活性層を単一量子井戸構造としたＬＥＤ素子間における発光ピーク波長の比較であるのに対し，甲１２の実施例２は，活性層が膜厚４００オングストロームの量子井戸構造ではない半導体からなるＬＥＤ素子であり，これと甲１２の実施例６のＬＥＤ素子との比較は，活性層が量子井戸構造ではない半導体からなるＬＥＤ素子（実施例２）と活性層を単一量子井戸構造としたＬＥＤ素子（実施例６）との間において発光ピーク波長を比較しようとするものである。
　（ウ）　甲１２には，「ところで，活性層６を量子井戸構造（単一量子井戸構造または多重量子井戸構造）とすることにより，発光波長の半値幅がより狭くなり，発光出力も向上することがわかった。」（段落【００１６】），「ここで，量子井戸構造とは，ノンドープの活性層構成窒化物半導体（好ましくは，ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１））による量子準位間の発光が得られる活性層の構造をいい，単一量子井戸構造とは，井戸層が単一組成の１層よりなる構造を指す。すなわち，単一量子井戸構造の活性層は，単一の井戸層のみにより構成される。また，多重量子井戸構造とは，井戸層と障壁層を交互に積層した多層膜構造を指す。この多層膜構造において，両側の２つ最外層は，それぞれ井戸層により構成される。すなわち，多重量子井戸構造の活性層は，例えばＩｎＧａＮ／ＧａＮ，ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ（組成が異なる）等の井戸層／障壁層の組み合わせからなり，これら井戸層および障壁層を交互に積層した薄膜積層構造である。このように，活性層６を多重量子井戸構造とする場合，障壁層は，ＩｎＧａＮばかりでなく，ＧａＮで形成することもできる。活性層６を多重量子井戸構造とすると，単一量子井戸構造の活性層よりも発光出力が向上する。」（段落【００１７】）と記載されているように，量子井戸構造は，ノンドープの活性層構成窒化物半導体による量子準位間の発光が得られる活性層の構造であるから，活性層を単一量子井戸構造としたＬＥＤ素子である甲１２の実施例６においては，量子準位間のバンドギャップエネルギーで発光ピーク波長が決まるのに対し，活性層が量子井戸構造ではないＬＥＤ素子である甲１２の実施例２においては，量子準位が形成されないため，量子準位間のバンドギャップエネルギーで発光ピーク波長が決まるものではない。
　したがって，甲１２の実施例２のＬＥＤ素子の活性層は，実施例６の活性層と同じノンドープＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎで形成されていても，その発光ピーク波長は，単一量子井戸からなる活性層の「本来のバンドギャップエネルギー」に相当する発光ピーク波長とは異なるものである。
　（エ）　そうすると，甲１２において，活性層が単一量子井戸構造ではない実施例２のＬＥＤ素子の発光ピーク波長（５１０ｎｍ）と比べて，実施例６のＬＥＤ素子の発光ピーク波長（４５０ｎｍ）が短波長化していても，これが直ちに本件訂正明細書の記載と矛盾するとはいえず，また，その発明の詳細な説明の記載内容の解釈に影響を及ぼすものであるともいえない。
　したがって，請求人の上記主張は理由がない。
　（オ）　請求人は，甲１２の段落【００１８】からすると，甲１２の実施例６の構成から第１のｐ型クラッド層（ｐ型ＩｎＧａＮクラッド層７）を省略することも可能であり，その場合，ｎ型ＡｌＧａＮクラッド層４／ｎ型ＩｎＧａＮクラッド層５／ＩｎＧａＮ量子井戸活性層６／ｐ型ＡｌＧａＮクラッド層８という，本件訂正発明１の構成になるが，この場合であっても，実施例６と同様に短波長化すると考えられるとも主張するが，単なる憶測にすぎず，上記の認定に影響を与えるものではない。
　（カ）　さらに，以下の点も指摘することができる。
　本件訂正明細書の実施例１は，活性層の第２の面に接するｐ型窒化物半導体層がＭｇドープｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる（段落【００４９】）から，当該ｐ型窒化物半導体層がＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）である本件発明１の実施例ではないものである。
　そして，上記３（３）のとおり，本件発明１は，熱膨張係数の小さいクラッド層で熱膨張係数の大きい活性層を挟むことで，両クラッド層と活性層の界面に引っ張り応力を発生させ，かつ，活性層を量子井戸構造とすることで，引っ張り応力を活性層に弾性的に作用させ，これにより活性層のバンドギャップエネルギーを本来のそれより小さくして活性層の発光波長を長波長化するとの技術的意義を含むものである。さらに，上記（１）ア（イ）ｃ（ｃ）のとおり，図２に係る実験結果は，活性層の膜厚が厚い領域では，上下のクラッド層と活性層の界面に引っ張り応力が発生しても，活性層の膜厚が厚いため，引っ張り応力が活性層に弾性的に作用せず，活性層が引っ張り応力の影響を実質的には受けないために，発光ピーク波長が一定値となるが，膜厚が薄い領域では，活性層全体が引っ張り応力を受けて弾性的に変形し，その結果，バンドギャップエネルギーが小さくなることによるものと解することができるから，本件発明１では，膜厚が薄い活性層の方が，膜厚が厚い活性層よりも発光ピーク波長が長波長化することになる。
　他方，本件発明１では活性層が量子井戸構造とされているところ，量子井戸構造においては，量子効果のため，井戸層の厚さの減少とともに発光ピーク波長が短波長側にシフトすることが技術常識（乙２）である。
　そうすると，本件発明１による作用効果と量子井戸構造における量子効果とは，発光ピーク波長について，互いに逆の効果が生じていることになる。
　この点について検討すると，本件訂正明細書の段落【００２７】に「・・・この組み合わせによると，第１のクラッド層５，７と活性層６だけでは，活性層６に
十分な引っ張り応力が得られない
シフトされ得る
　以上によれば，本件発明１で「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光」するかどうかは，十分な引っ張り応力が活性層に弾性的に作用することに伴う長波長化作用と，量子効果による短波長化作用とのバランスにより定まるものと解され，このバランスは，活性層，ｎ型窒化物半導体層，第２のｎ型窒化物半導体層及びｐ型半導体層をはじめとする窒化物半導体発光素子に含まれる各層の組成，厚さ等に依存すると解される。そして，このように解しても，本件訂正明細書からは，上記３（３）のとおり，本件発明の課題解決原理が把握できるし，上記（１）ア（ウ）のとおり，実施例４が存在することから，実施可能要件に違反することはない。
　これを本件発明１と本件訂正明細書の実施例１とについてみると，本件発明１では活性層の第２の面に接するｐ型窒化物半導体層がＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるとされているのに対し，実施例１ではＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎとされている。本件訂正明細書の段落【００３７】に照らすと，ＩｎＧａＮの方がＡｌＧａＮよりも熱膨張係数が大きいと解されるから，本件発明１のようにｐ型窒化物半導体層をＡｌＧａＮとする方が実施例１の場合と比べて長波長作用がより働きやすいものと認められる。
　そうすると，本件発明１と本件訂正明細書の実施例１とは，本件発明１の技術的意義からみても実質的に異なるというべきであり，よって，本件訂正明細書の実施例１と甲１２とを対比することに基づく請求人の主張は，本件発明１の技術的意義に直接影響を与えるものではなく，採用できない。
　（キ）　そして，上記３（３）のとおり，本件訂正明細書から本件発明の課題解決原理が理解でき，また，上記のとおり，本件訂正明細書には本件発明の実施例が記載されている。そうすると，当業者であれば，本件訂正明細書の記載から，どのように実施すれば長波長化するのかを理解できるということができる。
　したがって，請求人が主張する無効理由は成り立たない。
　イ　請求人は，乙２では，ＧａＩｎＮ／ＧａＮのＭＱＷにおいて，発光ピーク波長はＧａＩｎＮ層の厚さの減少とともに短波長側にシフトしていることからすれば，ＩｎＧａＮ／ＧａＮのＭＱＷにおいて，短波長化と長波長化をどのようにコントロールするのか（すなわち，「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」という構成要件をどのように実施するのか。）は不明であると主張する。
　しかしながら，乙２のＭＱＷは，本件発明とは異なり，その上に接してＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層が存在しない。そうすると，上記ア（カ）と同様の理由で，本件発明と乙２の態様とは，本件発明の技術的意義からみても実質的に異なるというべきであり，よって，両者を対比することに基づく請求人の主張は採用できず，請求人が主張する無効理由は成り立たない。
　（３）　無効理由４についてのまとめ
　以上のとおり，本件特許に係る特許出願は，平成１１年法律第１６０号による改正前の特許法第３６条第４項，同条第６項第１号及び同条第６項第２号に規定する要件を満たしていないとはいえないから，同法第１２３条第１項第２号の規定に該当するものではない。
　よって，無効理由４は，理由がない。
　５　無効理由１（本件訂正後に主張されたもの）について
　（１）　甲１発明の認定
　ア　本願の優先日前に公開された甲１（特開平６−１７７４２３号公報）には，図とともに以下の記載がある。
　（ア）　「また，図２に示すように，Ｘ値が０＜Ｘ＜０．５の範囲で，ＩｎＸＧａ１−ＸＮ層４をＸ値の異なる多層膜としてもよい。多層膜とすることにより，このＩｎＸＧａ１−ＸＮ層４が単一量子井戸構造，および多重量子井戸構造となるため，発光出力が格段に向上し，さらにレーザーダイオードにした場合では，しきい値電流を低下させることができる。」（段落【００１３】）
「ｎ型ＩｎＸＧａ１−ＸＮ層４は１０オングストローム〜０．５μｍ，さらに好ましくは０．０１μｍ〜０．１μｍの厚さで形成することが望ましい。また，多層膜とした場合においても，その総膜厚を前記範囲内に調整する方がよい。なぜなら，１０オングストロームより薄いか，または０．５μｍよりも厚いと十分な発光出力が得られないからである。これは，窒化ガリウム系化合物半導体にしか見られない傾向である。図４は，図１に示す構造の発光素子の発光層であるＩｎＧａＮ層４の混晶比をＩｎ０．１Ｇａ０．９Ｎとした場合，そのＩｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ層の膜厚と，発光素子の相対発光強度との関係を示す図である。このように，本発明の青色発光素子において発光層の膜厚を変化させることにより，発光強度が変化する。特にその膜厚が０．５μｍを超えると急激に低下する傾向にある。従って，発光層の膜厚は９０％以上の相対発光強度を有する１０オングストローム〜０．５μｍの範囲が好ましい。なお，ｎ型ＩｎＧａＮ層４を多層膜とした場合においても，同様の結果が得られた。」（段落【００１４】）
　（イ）　「【実施例】以下有機金属気相成長法により，本発明の青色発光素子を製造する方法を述べる。」（段落【００１６】）
「［実施例１］まず，よく洗浄したサファイア基板を反応容器内にセットし，反応容器内を水素で十分置換した後，水素を流しながら，基板の温度を１０５０℃まで上昇させ，２０分間保持しサファイア基板のクリーニングを行う。」（段落【００１７】）
「続いて，温度を５１０℃まで下げ，反応ガスとしてアンモニア（ＮＨ３）４リットル／分と，ＴＭＧ（トリメチルガリウム）を２７×１０ー６モル／分，キャリアガスとして水素を２リットル／分で，基板表面に流しながら，１分間保持して，サファイア基板上にＧａＮバッファー層を約２００オングストロームの膜厚で成長させる。」（段落【００１８】）
「バッファ層成長後，ＴＭＧのみ止めて，温度を１０３０℃まで上昇させる。１０３０℃になったら，同じく水素をキャリアガスとして，ＴＭＧを５４×１０ー６モル／分と，シランガスを２×１０−９モル／分，アンモニアを４リットル／分で流して３０分間成長させ，Ｓｉドープｎ型ＧａＮ層を２μｍ成長させる。」（段落【００１９】）
「ｎ型ＧａＮ層成長後，原料ガスを止め，温度を８００℃にして，キャリアガスを窒素に切り替え，窒素を２リットル／分，原料ガスとしてＴＭＧを２×１０−６モル／分と，ＴＭＩ（トリメチルインジウム）を１×１０−５モル／分，シランガスを２×１０−９モル／分，アンモニアを４リットル／分で１０分間流しながら，Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ層を２００オングストローム成長させる。」（段落【００２０】）
「Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ層成長後，原料ガスを止め，再び温度を１０２０℃まで上昇させ，ＴＭＧを５４×１０−６モル／分，Ｃｐ２Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を３．６×１０−６モル／分，アンモニアを４リットル／分で流しながら，ｐ型ＧａＮ層を０．８μｍ成長させる。」（段落【００２１】）
「ｐ型ＧａＮ層成長後，基板を反応容器から取り出し，アニーリング装置にて窒素雰囲気中，７００℃で２０分間アニーリングを行い，最上層のｐ型ＧａＮ層をさらに低抵抗化する。」（【段落００２２】）
「以上のようにして得られたウエハーのｐ型ＧａＮ層，およびｎ型Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ｎの一部をエッチングにより取り除き，ｎ型ＧａＮ層を露出させ，ｐ型ＧａＮ層，およびｎ型ＧａＮ層にオーミック電極を設け，５００μｍ角のチップにカットした後，常法に従い，発光ダイオードとしたところ，発光出力は２０ｍＡにおいて１２０μＷであり，ピーク波長は４００ｎｍであった。」（段落【００２３】）
　（ウ）　「［実施例２］実施例１において，Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ層を成長させた後，続いてＴＭＩの流量を２×１０−５モル／分に変えて，その上にＳｉドープｎ型Ｉｎ０．２５Ｇａ０．７５Ｎ層を５０オングストローム成長させた。さらに，ｎ型Ｉｎ０．２５Ｇａ０．７５Ｎ層成長後，ＴＭＩの流量を１×１０−５モル／分に変えて，ＳｉドープＩｎ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ層を２００オングストローム成長させた。後は，実施例１と同様にして発光ダイオードとした。つまり，実施例１のＳｉドープｎ型ＩｎＸＧａ１−ＸＮ層を，基板側から順に，Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ層２００オングストローム，Ｉｎ０．２５Ｇａ０．７５Ｎ層５０オングストローム，Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ層２００オングストロームの多層膜構造とした。この発光ダイオードの発光出力は２０ｍＡにおいて２４０μＷであり，ピーク波長は４２０ｎｍであった。」（段落【００２４】）
　（エ）　「［実施例５］実施例１において，バッファ層成長後，ＴＭＧのみ止めて，温度を１０３０℃まで上昇させる。１０３０℃になったら，同じく水素をキャリアガスとして，ＴＭＧを５４×１０ー６モル／分と，ＴＭＡを６×１０−６モル／分と，シランガスを２×１０−９モル／分，アンモニアを４リットル／分で流して３０分間成長させ，Ｓｉドープｎ型Ｇａ０．９Ａｌ０．１Ｎ層を２μｍ成長させる。」（段落【００２８】）
「次にこのＳｉドープｎ型Ｇａ０．９Ａｌ０．１Ｎ層の上に，実施例１と同様にしてＳｉドープｎ型Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ層を２００オングストローム成長させた後，原料ガスを止め，再び温度を１０２０℃まで上昇させ，ＴＭＧを５４×１０−６モル／分と，ＴＭＡを６×１０−６モル／分と，Ｃｐ２Ｍｇ（シクロペンタジエニルマグネシウム）を３．６×１０−６モル／分，アンモニアを４リットル／分で流しながら，ｐ型Ｇａ０．９Ａｌ０．１Ｎ層を０．８μｍ成長させる。」（段落【００２９】）
「以上のようにして，基板の上に，ＧａＮバッファ層と，Ｓｉドープｎ型Ｇａ０．９Ａｌ０．１Ｎ層と，Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ層と，Ｍｇドープｐ型Ｇａ０．９Ａｌ０．１Ｎ層とを順に積層したウエハーを実施例１と同様にしてアニーリングした後，発光ダイオードとしたところ，発光出力は２０ｍＡにおいて１２０μＷであり，ピーク波長は４００ｎｍと実施例１と同一であった。」（段落【００３０】）
　（オ）　「［実施例６］実施例１のバッファ層を成長する際，５１０℃において，反応ガスとしてアンモニア（ＮＨ３）４リットル／分と，ＴＭＧ（トリメチルガリウム）を２７×１０ー６モル／分と，ＴＭＡを３×１０−６モル／分とを流し，
サファイア基板上にＧａ０．９Ａｌ０．１Ｎバッファー層を約２００オングストロームの膜厚で成長させる
「
次にそのバッファ層の上に
Ｓｉドープｎ型Ｇａ０．９Ａｌ０．１Ｎ層を２μｍ成長させる
「
次にＳｉドープｎ型Ｇａ０．９Ａｌ０．１Ｎ層の上に，
Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ層２００オングストロームと，Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．２５Ｇａ０．７５Ｎ層５０オングストロームと，Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ層２００オングストロームを順に積層し多層膜とする
「
さらにその多層膜の上に実施例５と同様にしてｐ型Ｇａ０．９Ａｌ０．１Ｎ層を１μｍの膜厚で成長させる他は，同様にして発光ダイオードとした
　イ　上記アの各記載によれば，甲１には，次の発明（以下「甲１発明」という。）が記載されていると認められる。
　「サファイア基板上にＧａ０．９Ａｌ０．１Ｎバッファ層を約２００オングストロームの膜厚で成長させ，そのバッファ層の上に（Ａ）Ｓｉドープｎ型Ｇａ０．９Ａｌ０．１Ｎ層を２μｍ成長させ，その上に（Ｂ）Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ層２００オングストロームと，（Ｃ）Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．２５Ｇａ０．７５Ｎ層５０オングストロームと，（Ｄ）Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ層２００オングストロームを順に積層し多層膜とし，さらにその多層膜の上に（Ｅ）ｐ型Ｇａ０．９Ａｌ０．１Ｎ層を１μｍの膜厚で成長させた構造を含む発光ダイオード。」
　（２）　本件発明１について
　ア　対比
　（ア）　請求人は，本件発明１の「量子井戸構造」に該当する「単一量子井戸構造」に相当する甲１発明における構造が，「（Ｃ）Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．２５Ｇａ０．７５Ｎ層５０オングストローム」及び「（Ｄ）Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ層２００オングストローム」であることを前提に，本件発明１の新規性欠如及び進歩性欠如を主張する（第２回審判事件弁駁書１３頁）ので，その前提の当否についてまず検討する。
　ａ　本件発明１の「窒化物半導体素子」は「該活性層を量子井戸構造とし，」との特定事項を備えているところ，「活性層」とは，一般に，電子と正孔とが発光再結合する層を意味し，「量子井戸構造」とは，一般に，バンドギャップエネルギーの小さい量子井戸層（井戸層）がバンドギャップエネルギーの大きい障壁層によって挟み込まれた構造を意味すると解される。しかしながら，障壁層では発光再結合がなされているわけではないことに照らせば，上記特定事項からは，井戸層と井戸層との間の障壁層を「活性層」として扱うことが理解されるものの，それ以外の障壁層を「活性層」として解すべきなのか否かは明らかではない。そこで，本件訂正明細書の記載を参酌する。
　ｂ　本件訂正明細書には「該活性層を量子井戸構造とし，」との文言に関し，以下の記載がある。
　（ａ）　「なお，
単一量子井戸構造とは，井戸層が一層よりなる構造を指す。すなわち，単一量子井戸構造の活性層は，単一の井戸層だけで構成される。
多重量子井戸構造とは，井戸層と障壁層を交互に積層した多層膜構造を指す。この多膚膜構造において，両側の２つ最外層は，それぞれ井戸層により構成される。
　（ｂ）　「【作用】本発明の素子は，第１のｎ型クラッド層および第１のｐ型クラッド層よりも熱膨張係数の大きい活性層を形成して，両クラッド層と活性層の界面に平行な方向で引っ張り応力を発生させている。
引っ張り応力を活性層に弾性的に作用させるために，活性層を単一量子井戸構造または多重量子井戸構造として，活性層のバンドギャップエネルギーを小さくし，活性層の発光波長を長くする。
　（ｃ）　「
活性層６は，Ｉｎを含む窒化物半導体で形成され，単一量子井戸構造または多重量子井戸構造のものである
一方，多重量子井戸構造の場合，障壁層は特にＩｎＧａＮで形成せずにＧａＮで形成してもよい
「ここで，活性層とクラッド層の好ましい組み合わせを述べる。まず，活性層６と第１のクラッド層５，７の組み合わせは，第１のｎ型クラッド層をＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）で形成し，
活性層をＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）を含む量子井戸構造とし
活性層６は，単一量子井戸構造の場合では井戸層を１００オングストローム以下の厚さに形成し，多重量子井戸構造では井戸層を１００オングストローム以下の厚さに，および障壁層を１５０オングストローム以下の厚さに形成する。いずれの量子井戸構造の活性層でも
「次に，最も好ましい組み合わせは，第２のｎ型クラッド層４をＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ≦１）で形成し，第１のｎ型クラッド層５をＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０≦ｘ＜１）で形成し，活性層６をＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）を含む量子井戸構造とし，第１のｐ型クラッド層７をＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０≦ｙ＜１）で形成し，第２のｐ型クラッド層８をＡｌｂＧａ１−ｂＮ（０≦ｂ≦１）で形成することである。この組み合わせの場合は，第１のｎ型クラッド層５，第１のｐ型クラッド層７のいずれか一方または両方を省略してもよい。省略した場合，前記のように，第２のｎ型クラッド層４または第２のｐ型クラッド層８が，それぞれ第１のクラッド層として作用する。この組み合わせによると，第１のクラッド層５，７と活性層６だけでは，活性層６に十分な引っ張り応力が得られない場合に，第１のクラッド層５，７の外側にさらにＡｌを含む第２のクラッド層を形成して，第２のクラッド層４，８の熱膨張係数と活性層６の熱膨張係数の差を大きくすることができる。従って，
活性層６を膜厚の薄い井戸層と障壁層との多重量子井戸構造，又は井戸層のみの単一量子井戸構造
「
多重量子井戸構造の活性層は，例えばＩｎＧａＮ／ＧａＮ，ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ（組成が異なる）等の組み合わせで，それぞれの井戸層＋障壁層を積層した薄膜積層構造である
この井戸層の膜厚の範囲は単一量子井戸構造の活性層（単一の井戸層により構成される）
　（ｄ）　「【実施例】以下本発明を具体的な実施例に基づいて説明する。以下の実施例は，ＭＯＶＰＥ法による窒化物半導体層の成長方法を例示している。
実施例１
・・・」（段落【００４３】）
「次に，温度を８００℃に下げ，ＴＭＧ，ＴＭＩ（トリメチルインジウム），ＮＨ３およびＳｉＨ４を用い，Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎよりなる
第１のｎ型クラッド層５
成長させた
「
続いて
ノンドープＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎよりなる活性層６（単一量子井戸構造）
　【００４９】
さらに，
第１のｐ型クラッド層７
成長させた
・・・」（段落【００４８】）
　（ｅ）　「実施例６
実施例１の手法において，
ｎ型コンタクト層３を成長させた後，次に直接膜厚７０オングストロームのＩｎ０．４Ｇａ０．６Ｎからなる単一量子井戸構造の活性層６を成長させた
次に活性層６の上に，第２のｐ型クラッド層８を成長させ
　（ｆ）　「実施例１０
第１のｎ型クラッド層５としてＳｉドープｎ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎを５００オングストロームの膜厚で形成した。次に活性層６を形成するために，井戸層としてノンドープＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎを１０オングストロームの厚さに形成し
最後にノンドープのＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ井戸層を１０オングストローム形成して，総厚９０オングストロームの多重量子井戸構造の活性層を形成
次に，活性層の上に第１のｐ型クラッド層として，Ｍｇドープｐ型Ｉｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎを５００オングストロームの膜厚で形成する
　ｃ　上記ｂによれば，「該活性層を量子井戸構造とし，」との特定事項に関し，本件訂正明細書に基づき，以下の点が指摘できる。
　（ａ）　活性層は，単一量子井戸構造または多重量子井戸構造のものである（上記ｂ（ｃ）の段落【００１７】）。
　「単一量子井戸構造」に別の層を加えたものを併せて「活性層」とする旨の記載や，「多重量子井戸構造」に別の層を加えたものを併せて「活性層」とする旨の記載はなく，そのように把握すべき根拠となる技術常識を示す証拠もない。
　（ｂ）　「単一量子井戸構造」は，単一の井戸層のみからなり，障壁層を含まない構造を意味する（上記ｂ（ａ）の段落【００１４】，上記ｂ（ｃ）の段落【００２６】・【００２７】・【００３１】，上記ｂ（ｄ）の段落【００４８】，上記ｂ（ｅ）の段落【００５６】）。
　（ｃ）　「多重量子井戸構造」は，井戸層と障壁層を交互に積層した多層膜構造のうち，両側の２つ最外層が，それぞれ井戸層により構成されたものを意味する（上記ｂ（ａ）の段落【００１４】，上記ｂ（ｆ）の段落【００５９】）。
　（ｄ）　「量子井戸構造」には，「単一量子井戸構造」と「多重量子井戸構造」とが含まれる（上記ｂ（ａ）の段落【００１４】，上記ｂ（ｂ）の段落【００１５】，上記ｂ（ｃ）の段落【００１７】・【００２６】・【００２７】）が，それ以外の構造が含まれることについての明記はない。
　ｄ　上記ｃ（ｄ）について，本件訂正明細書に，「量子井戸構造」として「単一量子井戸構造」と「多重量子井戸構造」以外の構造が想定されているか否かを更に検討する。
　上記ｃ（ｂ）・（ｃ）からすると，本件訂正明細書では，「単一量子井戸構造」及び「多重量子井戸構造」がともに最外層が井戸層であるとされている点で共通しているところ，本願の出願当時，「量子井戸構造」として最外層が障壁層である態様も技術常識であったことが認められる（甲１３）ことに照らせば，本件訂正明細書は出願人によってあえてそのように記載されたものと解される。そうすると，本件訂正明細書の「量子井戸構造」には，「単一量子井戸構造」と「多重量子井戸構造」のみが含まれると解される。
　ｅ　以上によれば，本件発明１における「該活性層を量子井戸構造とし，」との特定事項は，活性層が一端の井戸層と他端の井戸層（「単一量子井戸構造」の場合は，「一端の井戸層」と「他端の井戸層」とが同一である。）との間に挟まれた構造であることを特定していると解するのが相当である。
　ｆ　そうすると，本件発明１の「量子井戸構造」に該当する「単一量子井戸構造」に相当する甲１発明における構造が，「（Ｃ）Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．２５Ｇａ０．７５Ｎ層５０オングストローム」及び「（Ｄ）Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ層２００オングストローム」であるとの請求人の主張は採用できない。
　ｇ　なお，上記ｄからすると，請求人が主張する甲１発明の「（Ｃ）Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．２５Ｇａ０．７５Ｎ層５０オングストローム」及び「（Ｄ）Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ層２００オングストローム」からなる構造が，「単一量子井戸構造」以外の本件発明１の「量子井戸構造」に相当することもないことになるが，請求人が，「量子井戸構造」に関して障壁層と井戸層の数が同じであると理解する場合について提出した証拠についてみると，以下の点が指摘できる。
　甲６の段落【００１４】は，「・・・８４は膜厚１０ｎｍのアンドープＩｎ０．１Ｇａ０．９Ｎと膜厚１０ｎｍのアンドープＧａＮ層を交互に１０層積層した多重量子井戸層・・・」とされ，甲１４（抄訳）は，「サンプルＡでは，・・・周期数は１０であった。もう一方のサンプルＢでは，・・・周期数は２０であった。」とされ，甲１５のＦＩＧ．１では，井戸層５１と障壁層５３とが２層ずつ積層されていることが見て取れる上，井戸層５１と障壁層５３は超格子領域５を示すものであって，典型的にはさらに多くの層が存在するとされている（第２頁左下欄末行〜右下欄４行）。そうすると，１層の井戸層＋１層の障壁層の２層からなる構造を「量子井戸構造」と称することを示す証拠は提出されていないことになる。
　したがって，請求人の主張は，この点からも採用できない。
　ｈ　以上によれば，請求人が主張する上記構造が，本件発明１の「活性層」及び「量子井戸構造」に相当するとはいえない。
　（イ）　上記（ア）を踏まえて，本件発明１と甲１発明とを対比する。
　ａ　上記（ア）ｅのとおり，本件発明１における「該活性層を量子井戸構造とし，」との特定事項は，活性層が一端の井戸層と他端の井戸層（「単一量子井戸構造」の場合は，「一端の井戸層」と「他端の井戸層」とが同一である。）との間に挟まれた構造であることを特定していると解されるところ，甲１発明では，「（Ｃ）Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．２５Ｇａ０．７５Ｎ層５０オングストローム」の層のみが井戸層であると認められるから，甲１発明の当該層が，本件発明１の「インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１および第２の面を有する活性層」に相当し，甲１発明は，本件発明１の「該活性層を量子井戸構造とし，」との事項を備えていることになる。
　ｂ　甲１発明の「（Ｂ）Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ層２００オングストローム」の層は，本件発明１の「ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層」に相当するとともに，「該活性層の第１の面に接して」いることになる。
　ｃ　甲１発明の「（Ｅ）ｐ型Ｇａ０．９Ａｌ０．１Ｎ層を１μｍの膜厚で成長させた」層は，本件発明１の「ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層」に相当する。
　ｄ　甲１発明の「（Ａ）Ｓｉドープｎ型Ｇａ０．９Ａｌ０．１Ｎ層を２μｍ成長させ」た層は，本件発明１の「ＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層」に相当するとともに，「該ｎ型窒化物半導体層に接して」いることになる。
　ｅ　甲１発明の積層構造からみて，甲１発明の「発光ダイオード」は，本件発明１の「窒化物半導体発光素子」に相当する。
　以上によれば，本件発明１と甲１発明とは，
「インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１および第２の面を有する活性層を備え，該活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，該ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層を量子井戸構造とした窒化物半導体発光素子。」
である点で一致し，以下の点で相違する。
［相違点１−１］
　ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層について，本件発明１では，活性層の第２の面に接しているのに対し，甲１発明では，そうなっていない点。
［相違点１−２］
　本件発明１は，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光するのに対し，甲１発明では，そうであるのか不明である点。
　イ　相違点についての判断
　（ア）　［相違点１−１］について
　甲１発明の「（Ｃ）Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．２５Ｇａ０．７５Ｎ層５０オングストローム」の層（本件発明１の「活性層」に相当。）と「（Ｅ）ｐ型Ｇａ０．９Ａｌ０．１Ｎ層を１μｍの膜厚で成長させた」層（本件発明１の「ｐ型窒化物半導体層」に相当。）との間には，「（Ｄ）Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ層２００オングストローム」の層が存在するから，上記［相違点１−１］を解消するためには，この層を削除することが必要である。
　しかしながら，甲１には，「（Ｄ）Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ層２００オングストローム」の層を削除することについての記載や示唆はなく，かえって，ＩｎＸＧａ１−ＸＮ層４をＸ値の異なる「多層膜とすることにより，このＩｎＸＧａ１−ＸＮ層４が単一量子井戸構造，および多重量子井戸構造となるため，発光出力が格段に向上し，さらにレーザーダイオードにした場合では，しきい値電流を低下させることができる」との記載（上記（１）ア（ア）の段落　【００１３】）があり，甲１発明の「（Ｂ）Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ層２００オングストローム」の層と，「（Ｃ）Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．２５Ｇａ０．７５Ｎ層５０オングストローム」の層と，「（Ｄ）Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ層２００オングストローム」の層とは，順に積層し多層膜とされていることに照らせば，甲１発明において「（Ｄ）Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ層２００オングストローム」の層を削除することは，当業者にとって容易に想到し得たものとはいえない。
　したがって，上記［相違点１−１］は，当業者が容易に想到し得たものではない。
　（イ）　［相違点１−２］について
　請求人は，［相違点１−２］が実質的なものではない旨主張するので検討する。
　上記４（２）ア（カ）のとおり，本件発明１で「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光」するかどうかは，十分な引っ張り応力が活性層に弾性的に作用することに伴う長波長化作用と，量子効果による短波長化作用とのバランスにより定まるものと解され，このバランスは，活性層，ｎ型窒化物半導体層，第２のｎ型窒化物半導体層及びｐ型半導体層をはじめとする窒化物半導体発光素子に含まれる各層の組成，厚さ等に依存すると解される。
　これを甲１発明についてみると，「活性層」に相当する甲１発明の構造は，「（Ｃ）Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．２５Ｇａ０．７５Ｎ層５０オングストローム」の層であるから，本件訂正明細書でいう単一量子井戸構造であって，本件訂正明細書の段落【００３１】に記載された井戸層の膜厚の好適な範囲（１００オングストローム以下）に収まっている。また，この層は（Ａ）〜（Ｅ）の各層の中でＩｎ組成比が最も高いので，本件訂正明細書の段落【００３７】に照らせば，熱膨張係数が最も大きいものと認められる。よって，甲１発明では，引っ張り応力が活性層に弾性的に作用するとは解されるが，この引っ張り応力が「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光」するに十分なものかどうかは明らかではない。さらに，活性層が量子井戸構造である以上，量子効果による短波長化作用も存在すると認められる。
　そうすると，現在の証拠からは，甲１発明が「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光」するものと認定することはできない。
　したがって，［相違点１−２］は実質的なものであり，また，この相違点を当業者が容易に想到できると判断するに足る証拠はない。
　ウ　以上によれば，本件発明１は，甲１に記載された発明ではなく，また，甲１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　（３）　本件発明２について
　ア　本件発明２は，本件発明１に「活性層とｎ型窒化物半導体層との総膜厚が３００オングストローム以上である」との限定を加えたものであるから，本件発明２と甲１発明とは，上記一致点で一致し，上記各相違点のほか，以下の点でも相違する。
［相違点１−３］
　「活性層とｎ型窒化物半導体層との総膜厚」について，本件発明２では３００オングストローム以上であるのに対し，甲１発明では「（Ｃ）Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．２５Ｇａ０．７５Ｎ層５０オングストローム」の層と「（Ｂ）Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ層２００オングストローム」の層の総膜厚である２５０オングストロームである点。
　イ　上記［相違点１−３］について検討する。
　甲１には，発光層であるｎ型ＩｎＸＧａ１−ＸＮ層４は，十分な発光出力を得る観点から，その総膜厚を１０オングストローム〜０．５μｍ，さらに好ましくは０．０１μｍ〜０．１μｍの厚さで形成することが望ましい旨の記載がある（上記（１）ア（ア）の段落【００１４】）から，甲１発明の多層膜を構成する「（Ｂ）Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ層２００オングストローム」の層と，「（Ｃ）Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．２５Ｇａ０．７５Ｎ層５０オングストローム」の層と，「（Ｄ）Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ層２００オングストローム」の層の厚さを調整して，上記［相違点１−３］を満たすようにすることは当業者が適宜なし得たことである。
　ウ　以上によれば，本件発明２は，本件発明１と同様の理由で，甲１に記載された発明ではなく，また，甲１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　（４）　本件発明３について
　ア　本件発明３は独立項ではあるが，実質的には，本件発明１のＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）からなるｐ型窒化物半導体層の上に「ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層を備え」ることを特定したものに相当するから，本件発明３と甲１発明とは，実質的には，上記一致点で一致し，上記［相違点１−１］及び［相違点１−２］のほか，以下の点でも相違する。
［相違点１−４］
　ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）からなるｐ型窒化物半導体層の上の層について，本件発明３では，「ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層を備え」るのに対し，甲１発明ではそうなっているのか不明である点。
　イ　上記［相違点１−４］について検討する。
　ｐ型ＡｌＧａＮ層の上にＧａＮよりなるｐ型コンタクト層を形成することは，本願の優先日前に周知技術である（甲３の図１，甲４のＦｉｇ．４，甲５の図８）。
　そうすると，甲１発明の「（Ｅ）ｐ型Ｇａ０．９Ａｌ０．１Ｎ層を１μｍの膜厚で成長させた」層（本件発明１の「ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層」に相当。）の上にＧａＮよりなるｐ型コンタクト層を形成することは，当業者が容易に想到し得たことである。
　ウ　以上によれば，本件発明３は，本件発明１と同様の理由で，甲１に記載された発明ではなく，また，甲１発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　（５）　本件発明４について
　ア　本件発明４は，本件発明１〜３のいずれか１つに，「活性層が，ノンドープのものである」ことを特定したものであるから，本件発明４と甲１発明とは，上記一致点で一致し，上記［相違点１−１］及び［相違点１−２］のほか，以下の点でも相違する。
［相違点１−５］
　本件発明４では，活性層が，ノンドープのものであるのに対し，甲１発明では，そうなっていない点。
　イ　上記［相違点１−５］について検討する。
　「活性層」に相当する甲１発明の構造は，「（Ｃ）Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．２５Ｇａ０．７５Ｎ層５０オングストローム」の層であるところ，ノンドープのｎ型ＩｎＧａＮ層は本願の優先日前に周知である（甲３の段落【００１１】）。
　そうすると，甲１発明の「（Ｃ）Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．２５Ｇａ０．７５Ｎ層５０オングストローム」の層をノンドープのものとすることは，当業者が適宜なし得たことである。
　ウ　以上によれば，本件発明４は，本件発明１と同様の理由で，甲１に記載された発明ではなく，また，甲１発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　（６）　本件発明５について
　ア　本件発明５は，本件発明１〜３のいずれか１つに，「活性層にドナー不純物および／またはアクセプター不純物がドープされている」ことを特定したものであるところ，「活性層」に相当する甲１発明の構造である「（Ｃ）Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．２５Ｇａ０．７５Ｎ層５０オングストローム」の層には，「Ｓｉ」がドープされており，これは，ｎ型不純物である（甲１の段落【００１１】）から，「ドナー不純物」に相当する。
　そうすると，本件発明５と甲１発明とは，上記一致点及び本件発明５で追加的に特定された点で一致し，上記［相違点１−１］及び［相違点１−２］で相違する。
　イ　以上によれば，本件発明５は，本件発明１と同様の理由で，甲１に記載された発明ではなく，また，甲１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　（７）　本件発明６及び７について
　ア　本件発明６及び７は，本件発明１〜５のいずれか１つに，それぞれ，「活性層が，厚さ１００オングストローム以下の井戸層を有する」こと及び「活性層が，厚さ７０オングストローム以下の井戸層を有する」ことを特定したものであるところ，「活性層」及び「井戸層」に相当する甲１発明の構造である「（Ｃ）Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．２５Ｇａ０．７５Ｎ層５０オングストローム」の層の厚さは５０オングストロームである。
　そうすると，本件発明６及び７と甲１発明とは，それぞれ，上記一致点並びに本件発明６及び７で追加的に特定された点で一致し，上記［相違点１−１］及び［相違点１−２］で相違する。
　イ　以上によれば，本件発明６及び７は，本件発明１と同様の理由で，甲１に記載された発明ではなく，また，甲１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　（８）　本件発明８について
　ア　本件発明８は，本件発明１〜７のいずれか１つに，「活性層が，ＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）よりなる井戸層を有する」ことを特定したものであるところ，「活性層」及び「井戸層」に相当する甲１発明の構造である「（Ｃ）Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．２５Ｇａ０．７５Ｎ層５０オングストローム」の層は，上記特定事項に該当する。
　そうすると，本件発明８と甲１発明とは，それぞれ，上記一致点及び本件発明８で追加的に特定された点で一致し，上記［相違点１−１］及び［相違点１−２］で相違する。
　イ　以上によれば，本件発明８は，本件発明１と同様の理由で，甲１に記載された発明ではなく，また，甲１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　（９）　本件発明９について
　ア　本件発明９は，本件発明１〜８のいずれか１つに，「活性層が，ＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）よりなる井戸層と，Ｉｎｚ’Ｇａ１−ｚ’Ｎ（０＜ｚ’＜１，ただし，ｚ’はｚと異なる）もしくはＧａＮよりなる障壁層との組み合わせからなる多重量子井戸構造を有する」ことを特定したものであるから，本件発明９と甲１発明とは，上記一致点で一致し，上記［相違点１−１］及び［相違点１−２］のほか，以下の点でも相違する。
［相違点１−６］
　本件発明９は，「活性層が，ＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）よりなる井戸層と，Ｉｎｚ’Ｇａ１−ｚ’Ｎ（０＜ｚ’＜１，ただし，ｚ’はｚと異なる）もしくはＧａＮよりなる障壁層との組み合わせからなる多重量子井戸構造を有する」のに対し，甲１発明はそうなっていない点。
　イ　上記［相違点１−６］について検討する。
　上記（２）ア（ア）ｃのとおり，本件発明９の「多重量子井戸構造」は，井戸層と障壁層を交互に積層した多層膜構造のうち，両側の２つ最外層が，それぞれ井戸層により構成されたものを意味すると解されるところ，そのような多重量子井戸構造は本願の優先日前に周知である（甲７の段落【００１１】）。
　そして，甲１には，ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層４を多層膜とすることにより，単一量子井戸構造及び多重量子井戸構造となるため，発光出力が格段に向上するとの記載がある（上記（１）ア（ア）の段落【００１３】）。
　そうすると，甲１発明の「（Ｂ）Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ層２００オングストローム」の層，「（Ｃ）Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．２５Ｇａ０．７５Ｎ層５０オングストローム」の層及び「（Ｄ）Ｓｉドープｎ型Ｉｎ０．１４Ｇａ０．８６Ｎ層２００オングストローム」の層とからなる多層膜（なお，（Ｂ）の層と（Ｄ）の層は同じものである。）に代えて，発光出力を向上させるために，（Ｂ）層−（Ｃ）層−（Ｂ）層−（Ｃ）層−（Ｂ）層などからなる多層膜として，上記［相違点１−６］のようにすることは当業者が容易に想到し得たことである。
　ウ　以上によれば，本件発明９は，本件発明１と同様の理由により，甲１に記載された発明ではなく，また，甲１発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　（１０）　無効理由１（本件訂正後に主張されたもの）についてのまとめ
　以上のとおり，本件特許は，平成１１年法律第４１号による改正前の特許法第２９条第１項第３号，同条第２項の規定に違反してされたものではないから，同法第１２３条第１項第２号の規定に該当するものではない。
　よって，無効理由１（本件訂正後に主張されたもの）は，理由がない。
　６　無効理由１（本件訂正前に主張されたもの）について
　（１）　甲１の２発明の認定
　ア　本願の優先日前に公開された甲１（特開平６−１７７４２３号公報）には，図とともに以下の記載がある。
　（ア）　「
ｎ型Ｇａ１−ａＡｌａＮ（０≦ａ＜１）層と，ｎ型ＩｎＸＧａ１−ＸＮ（但し，Ｘは０＜Ｘ＜０．５の範囲である。）層と，ｐ型Ｇａ１−ｂＡｌｂＮ（０≦ｂ＜１）層とが順に積層された窒化ガリウム系化合物半導体を具備することを特徴とする青色発光素子。
　（イ）　「【従来の技術】青色ダイオード，青色レーザーダイオード等の発光デバイスに使用される実用的な半導体材料として窒化ガリウム（ＧａＮ），窒化インジウムガリウム（ＩｎＧａＮ），窒化ガリウムアルミニウム（ＧａＡｌＮ）等の窒化ガリウム系化合物半導体が注目されている。」（段落【０００２】）
「従来提案されている窒化ガリウム系化合物半導体を用いた発光素子として，図３に示す構造のものがよく知られている。これは，まず基板１上に，ＡｌＮよりなるバッファ層２’，その上にｎ型ＧａＮ層３，その上にｐ型ＧａＮ層５とが順に積層された構造を有している。基板１には通常サファイアが用いられている。バッファ層２’は，特開昭６３−１８８９８３号公報に記載されているように，ＡｌＮを介することにより，その上に積層する窒化ガリウム系化合物半導体の結晶性を良くする作用がある。ｎ型ＧａＮ層には通常，ＳｉまたはＧｅがドープされている。ｐ型ＧａＮ層には通常，ＭｇまたはＺｎがドープされているが，結晶性が悪いためｐ型とはならず高抵抗なｉ型となっている。また，ｉ型を低抵抗なｐ型に変換する手段として，特開平２−４２７７０号公報において，表面に電子線照射を行う技術が開示されている。」（段落【０００３】）
　（ウ）　「【発明が解決しようとする課題】一般に，このようなホモ接合の発光素子は発光出力が低いため，実用的ではない。発光出力を増大させ，実用的な発光素子とするためには，窒化ガリウム系化合物半導体を利用した発光素子を，好ましくはシングルヘテロ，さらに好ましくはダブルヘテロ構造とする必要がある。しかしながら，窒化ガリウム系化合物半導体においては，未だｐ型層を用いたダブルヘテロ構造の実用的な発光素子は報告されていない。」（段落【０００４】）
「従って本発明はこのような事情を鑑みてなされたものであり，窒化ガリウム系化合物半導体を利用した青色発光素子を高発光出力とできる新規な構造を提供するものである。」（段落【０００５】）
　（エ）　「【課題を解決するための手段】我々は，従来のホモ接合ＧａＮではなく，新たに
ＩｎＧａＮ層を発光層とする
「図１に本発明の青色発光素子の一構造を示す。１は基板，２はＧａＮよりなるバッファ層，３はｎ型ＧａＮ層，４はｎ型ＩｎＸＧａ１−ＸＮ層，５はｐ型ＧａＮ層であり，これらが順に積層されたダブルヘテロ構造となっている。この構造の青色発光素子において，
発光層はｎ型ＩｎＸＧａ１−ＸＮ層４
「ｎ型ＩｎＸＧａ１−ＸＮ層４は，例えば，有機金属気相成長法により，Ｇａ，Ｉｎ等の原料ガスのガスのキャリアガスとして窒素を用い，原料ガス中のガリウムに対するインジウムのモル比を１より多くして，さらに成長温度を６００℃より高い温度として，ｎ型不純物としてＳｉ，またはＧｅをドープすることにより成長させることができる。ＳｉまたはＧｅはＩｎＸＧａ１−ＸＮ中に１０１６／ｃｍ３〜１０２２／ｃｍ３，好ましくは１０１８〜１０２０／ｃｍ３の量でドープすることにより発光出力が増大する。」（段落【００１１】）
「また，図２に示すように，Ｘ値が０＜Ｘ＜０．５の範囲で，ＩｎＸＧａ１−ＸＮ層４をＸ値の異なる多層膜としてもよい。多層膜とすることにより，このＩｎＸＧａ１−ＸＮ層４が単一量子井戸構造，および多重量子井戸構造となるため，発光出力が格段に向上し，さらにレーザーダイオードにした場合では，しきい値電流を低下させることができる。」（段落【００１３】）
「
ｎ型ＩｎＸＧａ１−ＸＮ層４は１０オングストローム〜０．５μｍ，さらに好ましくは０．０１μｍ〜０．１μｍの厚さで形成することが望ましい
　（オ）　「【作用】本発明の青色発光素子では，ｎ型ＩｎＸＧａ１−ＸＮ層を発光層としたダブルヘテロ構造としているため，従来のホモ接合ＧａＮに比して，発光出力が格段に向上する。しかも，従来のホモ接合ＧａＮではｐ型ＧａＮ層が発光層であったが，本発明ではｎ型Ｇａ１−ａＡｌａＮ層と，ｐ型Ｇａ１−ｂＡｌｂＮ層とがクラッド層，ＩｎＸＧａ１−ＸＮ層が発光層として作用し，そのＸ値を０＜Ｘ＜０．５の範囲とすることにより，色純度が良く発光出力の高い青色発光素子とすることができる。」（段落【００１５】）
　（カ）　図１及び図２からは，ｎ型ＧａＮ層３とｐ型ＧａＮ層５がともに発光層であるｎ型ＩｎｘＧａ１−ｘＮ層４に接していることが見て取れるから，ｎ型Ｇａ１−ａＡｌａＮ（０≦ａ＜１）層とｐ型Ｇａ１−ｂＡｌｂＮ（０≦ｂ＜１）層がともに発光層であるｎ型ＩｎＸＧａ１−ＸＮ（但し，Ｘは０＜Ｘ＜０．５の範囲である。）層に接していることが把握できる。
　イ　上記アの各記載によれば，甲１には，次の発明（以下「甲１の２発明」という。）が記載されていると認められる。
　「ｎ型Ｇａ１−ａＡｌａＮ（０≦ａ＜１）層と，発光層であるｎ型ＩｎＸＧａ１−ＸＮ（但し，Ｘは０＜Ｘ＜０．５の範囲である。）層と，ｐ型Ｇａ１−ｂＡｌｂＮ（０≦ｂ＜１）層とが順に積層された窒化ガリウム系化合物半導体を具備する青色発光素子であって，
　前記ｎ型Ｇａ１−ａＡｌａＮ（０≦ａ＜１）層と前記ｐ型Ｇａ１−ｂＡｌｂＮ（０≦ｂ＜１）層がともに発光層であるｎ型ＩｎＸＧａ１−ＸＮ（但し，Ｘは０＜Ｘ＜０．５の範囲である。）層に接しており，
　ｎ型ＩｎＸＧａ１−ＸＮ層４は１０オングストローム〜０．５μｍである青色発光素子。」
　（２）　甲６発明の認定
　ア　本願の優先日前に公開された甲６（特開平６−２１５１１号公報）には，図とともに以下の記載がある。
　なお，【化１】・【化２】・【化４】・【化６】の意味するところは，次のとおりである。
　【化１】：Ｉｎ１−ｘ−ｙＧａｘＡｌｙＮ（ｘ＋ｙ＜１，０≦ｘ，ｙ≦１）
　【化２】：Ｇａ１−ｘ’Ａｌｘ’Ｎ（０≦ｘ’≦１）
　【化４】：Ｉｎ１−Ｘ−ＹＧａＸＡｌＹＮ（０≦Ｘ，Ｙ≦１，Ｘ＋Ｙ＜１）
　【化６】：Ｇａ１−ｘＡｌｘＮ（０≦ｘ≦１）
　（ア）　「〔実施例１〕（格子不整合ダブルヘテロ構造及び単一量子井戸構造）
図１は，本発明の第１の実施例の構造を示す図であって，６１はサファイア（０００１）基板，６２は膜厚５μｍ及び電子濃度１０１９ｃｍ−３のＳｉドープｎ型ＧａＮ電流注入層，６３は膜厚０．５μｍのアンドープＩｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ発光層，６４は膜厚２μｍ及びホール濃度１０１８ｃｍ−３のＭｇドープｐ型ＧａＮ電流注入層，６５はｎ側電極，６６はｐ側電極である。電極６５に対して正の電圧を６６に加えることにより，電子及び正孔を発光層６３に注入した。その結果，立ち上がり電圧４Ｖの電流対電圧特性が得られ，波長３８０ｎｍ帯にのみ発光ピークを持つ発光を観測できた。最大光出力は１．６ｍＷであり，外部量子効率は２％であった。また，ＩｎＧａＮ発光層６３の組成を変化することによって，発光波長を６００ｎｍまで長波長化することができた。」（段落【００１０】）
「この構造では，アンドープＩｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ発光層６３をこれよりバンドギャップエネルギが大きいｎ型及びｐ型ＧａＮ電流注入層６２及び６４で挟む構造となっているため，発光層６３に注入された電子及び正孔は電流注入層６２または６４に流出することなく発光層６３内に閉じ込められ，上記のように外部量子効率の高い発光が得られる。このように発光領域と電流注入領域とが明確に分離されているため，ｎ型及びｐ型電流注入層６２及び６４に１０１８〜１０１９ｃｍ−３という高濃度ドーピングを行っても，発光スペクトルの純度に影響を及ぼすことなく電流対電圧特性の良好な素子を作製することができる。また，この構造では発光層としてＩｎＧａＮ層を用いているため，発光波長を３６０〜６００ｎｍの範囲で変化することができる。この構造においてＩｎＧａＮを発光層に用いているにも拘らず，上記のような良好な特性が得られる最大の原因は，ＩｎＧａＮ発光層６３を結晶性の良好なｎ型ＧａＮ電流注入層６２上に成長している点にある。特に図１の構成において，発光層６３の膜厚を１０ｎｍ以下にすると，格子不整合に起因する結晶構造欠陥が発生する臨界膜厚以下となり，発光層６３の結晶性が著しく向上する。この結果，素子特性が向上し，素子寿命も延びる。このように発光層の膜厚が薄い発光素子では，量子閉じ込め効果が現れ，発光波長は３７５ｎｍまでシフトした。ここでは，６２としてＧａＮを用いることを述べたが，【化６】を用いても良い。また，発光層として，ＩｎＧａＮを用いたが，【化４】
でも良いことは明らかである。」（段落【００１１】）
　（イ）　「〔実施例２〕（分離閉じ込め単一量子井戸構造）
図２は，本発明の第２の実施例の構造を示す図であって，図において，７１はサファイア（０００１）基板，
７２は膜厚５μｍ及び電子濃度５×１０１８ｃｍ−３のＳｉドープｎ型ＧａＡｌＮ電流注入及び光閉じ込め層，７３は膜厚２μｍ及び電子濃度１０１９ｃｍ−３のＳｉドープｎ型ＧａＮキャリア閉じ込め層，７４は膜厚１０ｎｍのアンドープＩｎ０．１Ｇａ０．９Ｎ単一量子井戸発光層，７５は膜厚２μｍ及びホール濃度１０１８ｃｍ−３のＭｇドープｐ型ＧａＮキャリア閉じ込め層，７６は膜厚２μｍ及びホール濃度５×１０１７ｃｍ−３のＭｇドープｐ型ＧａＡｌＮ電流注入及び光閉じ込め層
「
この構造は，実施例１の素子構造において，ｎ型ＧａＮ層，ＩｎＧａＮ層及びｐ型ＧａＮ層の上下をｐ型ＧａＡｌＮ層及びｎ型ＧａＡｌＮ層で挟んだ構造となっており，実施例１の構造で得られたと全く同様の効果を期待できる。さらに，実施例１の構造において，ＩｎＧａＮ発光層の膜厚を１０ｎｍと薄くすると光閉じ込めが不十分となるが，図２の構造ではｎ型ＧａＮ層７３，ＩｎＧａＮ層７４及びｐ型ＧａＮ層７５よりも屈折率の小さいｎ型及びｐ型ＧａＡｌＮ層７２及び７６の存在により光閉じ込めの効果が現れ，上記のように大きな光出力及び高い外部量子効率を得ることができる。ここでは，素子を構成する各層にＧａＮ，ＧａｌＮ（当審注：「ＧａｌＮ」は「ＧａＡｌＮ」の誤記と認める。）を用いたが，バンドギャップエネルギが図２において７４＜７３，７５＜７２，７６の関係を保つ限り，【化４】を用いても良いことは明らかである。
　（ウ）　「【発明の効果】以上説明したように，本発明の半導体発光素子用構造では発光層中に【化１】層を用いているため，発光波長を２００〜６００ｎｍの範囲で変化することができる。また，本発明の半導体発光素子用構造では発光層と成長基板の間に【化２】層を有するため，発光層中に用いた【化１】層の結晶性が向上し，従来の【化１】層を発光層に用いた発光素子に比べ，発光特性の優れた発光素子を作製することができる。特に，【化１】層の膜厚が，格子不整合に起因する結晶構造欠陥が発生する臨界膜厚より薄ければ，結晶性はさらに著しく向上し，極めて良好な発光素子を作製できると言う利点を持つ。」（段落【００１６】）
　イ　上記アの各記載によれば，甲６には，次の発明（以下「甲６発明」という。）が記載されていると認められる。
　「ｎＧａＡｌＮ電流注入及び光閉じ込め層７２，ｎＧａＮキャリア閉じ込め層７３，ＩｎＧａＮ発光層７４，ｐＧａＮキャリア閉じ込め層７５，ｐＧａＡｌＮ電流注入及び光閉じ込め層７６を順に積層した素子構造では，ｎ型ＧａＮ層７３，ＩｎＧａＮ層７４及びｐ型ＧａＮ層７５よりも屈折率の小さいｎ型及びｐ型ＧａＡｌＮ層７２及び７６の存在により光閉じ込めの効果が現れるので，ＩｎＧａＮ発光層の膜厚を１０ｎｍと薄くしても，大きな光出力及び高い外部量子効率を得ることができるものであって，バンドギャップエネルギが発光層７４＜ｎキャリア閉じ込め層７３，ｐキャリア閉じ込め層７５＜ｎ電流注入及び光閉じ込め層７２，ｐ電流注入及び光閉じ込め層７６の関係を保つ限り，【化４】Ｉｎ１−Ｘ−ＹＧａＸＡｌＹＮ（０≦Ｘ，Ｙ≦１，Ｘ＋Ｙ＜１）を用いても良いもの。」
　（３）　本件発明１について
　ア　対比
　本件発明１と甲１の２発明とを対比する。
　（ア）　甲１の２発明の「発光層であるｎ型ＩｎＸＧａ１−ＸＮ（但し，Ｘは０＜Ｘ＜０．５の範囲である。）」は，本件発明１の「インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１および第２の面を有する活性層」に相当する。
　（イ）　甲１の２発明の「ｎ型Ｇａ１−ａＡｌａＮ（０≦ａ＜１）層」と本件発明１の「該活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層」とは，「該活性層の第１の面に接」する「ｎ型窒化物半導体層」である点で一致する。
　（ウ）　甲１の２発明の「ｐ型Ｇａ１−ｂＡｌｂＮ（０≦ｂ＜１）層」において，０＜ｂ＜１の態様を把握できることは明らかであり，当該層は，そのような態様において，本件発明１の「該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層」に相当する。
　（エ）　甲１の２発明の積層構造からみて，甲１の２発明の「青色発光素子」は，本件発明１の「窒化物半導体発光素子」に相当する。
　以上によれば，本件発明１と甲１の２発明とは，
　「インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１および第２の面を有する活性層を備え，該活性層の第１の面に接したｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備えた窒化物半導体発光素子。」
である点で一致し，以下の点で相違する。
［相違点１の２−１］
　活性層の第１の面に接したｎ型窒化物半導体層及び該ｎ型窒化物半導体層に接した第２のｎ型窒化物半導体層について，本件発明１は，ｎ型窒化物半導体層がＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなり，第２のｎ型窒化物半導体層がＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなるのに対し，甲１の２発明は，ｎ型窒化物半導体層がｎ型Ｇａ１−ａＡｌａＮ（０≦ａ＜１）層よりなり，また，第２のｎ型窒化物半導体層がない点。
［相違点１の２−２］
　本件発明１は，活性層を量子井戸構造としているのに対し，甲１の２発明は，その厚さが１０オングストローム〜０．５μｍであるが，本件発明１の意味での「量子井戸構造」といえるのかは明らかでない点。
［相違点１の２−３］
　本件発明１は，活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光するのに対し，甲１の２発明は，そうであるのか不明である点。
　イ　相違点についての判断
　（ア）　［相違点１の２−１］について
　ａ　甲１は，ｎ型ＧａＮ層３とｐ型ＧａＮ層５とを順に積層したホモ接合の発光素子を従来の技術と位置づけた上で（上記（１）ア（イ）），ホモ接合の発光素子は発光出力が低いとの課題を有するため，好ましくはダブルヘテロ構造とする必要があるが，窒化ガリウム系化合物半導体においては，未だｐ型層を用いたダブルヘテロ構造の実用的な発光素子は報告されていないとして，窒化ガリウム系化合物半導体を利用した青色発光素子を高発光出力とできる新規な構造を提供することを目的とする（上記（１）ア（ウ））ものであって，新たにＩｎＧａＮ層を発光層とすることによりダブルヘテロ構造の青色発光素子の開発に成功し（上記（１）ア（エ）），ｎ型Ｇａ１−ａＡｌａＮ層と，ｐ型Ｇａ１−ｂＡｌｂＮ層とがクラッド層，ＩｎＸＧａ１−ＸＮ層が発光層として作用し，そのＸ値を０＜Ｘ＜０．５の範囲とすることにより，色純度が良く発光出力の高い青色発光素子とすることができたもの（上記（１）ア（オ））に関すると認められる。そして，甲１には，ＩｎＧａＮ発光層の第１の面に接したｎ型窒化物半導体層をＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）とすることについて記載も示唆もない。
　そうすると，甲１の２発明の本質的特徴は，ｎ型Ｇａ１−ａＡｌａＮ（０≦ａ＜１）層と，発光層であるｎ型ＩｎＸＧａ１−ＸＮ（但し，Ｘは０＜Ｘ＜０．５の範囲である。）層と，ｐ型Ｇａ１−ｂＡｌｂＮ（０≦ｂ＜１）層との積層構造にあると認められる。
　してみれば，甲１の２発明において，活性層の第１の面に接したｎ型窒化物半導体層をＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）とすることが当業者にとって容易に想到し得たということはできない。
　ｂ　請求人は，ｎ型窒化物半導体層に接した第２のｎ型窒化物半導体層がＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる点に関し，甲６に記載された発明により容易想到である旨主張する（審判請求書３０〜３２頁）。
　（ａ）　甲６発明では，バンドギャップエネルギが発光層７４＜ｎキャリア閉じ込め層７３，ｐキャリア閉じ込め層７５＜ｎ電流注入及び光閉じ込め層７２，ｐ電流注入及び光閉じ込め層７６の関係を保つ限り，【化４】Ｉｎ１−Ｘ−ＹＧａＸＡｌＹＮ（０≦Ｘ，Ｙ≦１，Ｘ＋Ｙ＜１）を用いても良いとされているから，形式的には，甲６発明が，ｎ型ＡｌＧａＮよりなる電流注入及び光閉じ込め層７２，ｎ型ＩｎＧａＮよりなるキャリア閉じ込め層７３及びＩｎＧａＮよりなる発光層７４（７３よりもバンドギャップエネルギが小さい。）を含む積層構造を開示しているとみる余地はある。
　しかしながら，上記ａのとおり，甲１の２発明の本質的特徴は，ｎ型Ｇａ１−ａＡｌａＮ（０≦ａ＜１）層と，発光層であるｎ型ＩｎＸＧａ１−ＸＮ（但し，Ｘは０＜Ｘ＜０．５の範囲である。）層と，ｐ型Ｇａ１−ｂＡｌｂＮ（０≦ｂ＜１）層との積層構造にあると認められるから，甲１の２発明に甲６発明を適用して上記［相違点１の２−１］のようにすることが当業者にとって容易に想到し得たものであるとはいえない。
　（ｂ）　また，その点を措くとしても，以下のとおり，上記［相違点１の２−１］のようにすることが当業者にとって容易に想到し得たものであるとはいえない。
　本件発明１は，当該相違点を備えることにより，Ｉｎを含む窒化物半導体よりなる活性層に接して，熱膨張係数の小さいＩｎを含む窒化物半導体よりなる第１のクラッド層（「ｎ型窒化物半導体層」）を備えることで，この第１のクラッド層が新たなバッファ層として作用することにより，活性層が弾性的に変形して結晶性が良くなり発光出力が格段に向上する（上記３（３））とともに，Ａｌを含む窒化物半導体で形成された第２のｎ型クラッド層（「第２のｎ型窒化物半導体層」）を第１のｎ型クラッド層に接して形成すると，活性層にさらに大きな引っ張り応力を加えて，発光波長を長波長側にシフトさせることが可能である（本件訂正明細書の段落【００２１】・【００２７】）との技術的意義を奏するものと認められる。
　そして，本件訂正明細書の段落【００１８】・【００２１】・【００２７】・【００３７】に照らし，上記技術的意義をさらに敷衍して言えば，次のとおりである。本件発明１では，活性層の第１の面に接するｎ型窒化物半導体層がＩｎＧａＮとされているところ，これは，結晶が柔らかいのでバッファ層として作用し，活性層の結晶性向上に貢献させるためであるが，他方で，ＩｎＧａＮの熱膨張係数がＡｌＧａＮよりも小さいので，ｎ型窒化物半導体層としてＩｎＧａＮを採用したときに活性層に加えられる引っ張り応力はＡｌＧａＮを採用したときに比べて小さくなり，よって，活性層に十分な引っ張り応力を加えることができなくなるおそれがある。しかしながら，ｎ型窒化物半導体層としてＡｌＧａＮを採用すると，結晶が柔らかくないので，バッファ層として作用しない。そこで，活性層の第１の面に接するｎ型窒化物半導体層をＩｎＧａＮとするとともに，該ｎ型窒化物半導体層に接する第２のｎ型窒化物半導体層をＡｌＧａＮとすることにより，活性層に十分な引っ張り応力を加えることと活性層の結晶性向上とを両立させている。
　しかしながら，甲１及び甲６には上記技術的意義について記載も示唆もない。そうすると，この点からも，上記［相違点１の２−１］が当業者にとって容易に想到し得たものであるとはいえない。
　ｃ　したがって，［相違点１の２−１］は，当業者が容易に想到し得たものではない。
　（イ）　［相違点１の２−２］について
　上記５（２）ア（ア）ｃ（ｂ）のとおり，本件発明１の「単一量子井戸構造」は，単一の井戸層のみからなり，障壁層を含まない構造を意味すると解される。また，本件訂正明細書の段落【００３１】には，「井戸層は１００オングストローム以下，さらに好ましくは７０オングストローム以下の膜厚が望ましい」と記載されている。
　そして，甲１の２発明の「ｎ型ＩｎＸＧａ１−ＸＮ層４」（本件発明１の「活性層」に相当。）は１０オングストローム〜０．５μｍであるから，上記［相違点１の２−２］のようにすることは，当業者が適宜なし得たことである。
　（ウ）　［相違点１の２−３］について
　請求人は，［相違点１の２−３］が実質的なものではない旨主張するので検討する。
　上記４（２）ア（カ）のとおり，本件発明１で「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光」するかどうかは，十分な引っ張り応力が活性層に弾性的に作用することに伴う長波長化作用と，量子効果による短波長化作用とのバランスにより定まるものと解され，このバランスは，活性層，ｎ型窒化物半導体層，第２のｎ型窒化物半導体層及びｐ型半導体層をはじめとする窒化物半導体発光素子に含まれる各層の組成，厚さ等に依存すると解される
　これを甲１の２発明についてみると，「活性層」に相当する甲１の２発明の構造である「発光層であるｎ型ＩｎＸＧａ１−ＸＮ（但し，Ｘは０＜Ｘ＜０．５の範囲である。）」は，上記（イ）のとおり，本件訂正明細書でいう「単一量子井戸構造」であることがあり得るところ，その場合，本件訂正明細書の段落【００３１】に記載された井戸層の膜厚の好適な範囲（１００オングストローム以下）に収まることもあり得る。また，この層はＩｎ組成比が最も高いので，本件訂正明細書の段落【００３７】に照らせば，熱膨張係数が最も大きいものと認められる。よって，甲１の２発明には，引っ張り応力が活性層に弾性的に作用する態様が含まれると解されるが，この引っ張り応力が「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光」するに十分なものかどうかは明らかではない。さらに，活性層が量子井戸構造である以上，量子効果による短波長化作用も存在すると認められる。
　そうすると，現在の証拠からは，甲１の２発明が「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光」するものと認定することはできない。
　したがって，［相違点１の２−３］は実質的なものであり，また，この相違点を当業者が容易に想到できると判断するに足る証拠はない。
　ウ　以上によれば，本件発明１は，甲１に記載された発明ではなく，また，甲１の２発明及び甲６発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　（４）　本件発明２について
　ア　本件発明２は，本件発明１に「活性層とｎ型窒化物半導体層との総膜厚が３００オングストローム以上である」との限定を加えたものであるから，本件発明２と甲１の２発明とは，上記一致点で一致し，上記各相違点のほか，以下の点でも相違する。
［相違点１の２−４］
　「活性層とｎ型窒化物半導体層との総膜厚」について，本件発明２では３００オングストローム以上であるのに対し，甲１の２発明ではそうであるのか不明である点。
　イ　上記［相違点１の２−４］について検討する。
　甲１には，実施例１として，Ｓｉドープｎ型ＧａＮ層が２μｍであることが記載されており（上記５（１）ア（イ）の段落【００１９】），この層は，甲１の２発明の「ｎ型Ｇａ１−ａＡｌａＮ（０≦ａ＜１）層」に当たる。
　そうすると，「ｎ型窒化物半導体層」に相当する甲１の２発明の構造である「ｎ型Ｇａ１−ａＡｌａＮ（０≦ａ＜１）層」の厚みを，２μｍ程度にして上記［相違点１の２−５］のようにすることは，当業者が適宜なし得たことである。
　ウ　以上によれば，本件発明２は，本件発明１と同様の理由で，甲１に記載された発明ではなく，また，甲１の２発明及び甲６発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　（５）　本件発明３について
　ア　本件発明３は独立項ではあるが，実質的には，本件発明１のＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）からなるｐ型窒化物半導体層の上に「ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層を備え」ることを特定したものに相当するから，本件発明３と甲１の２発明とは，実質的には，上記一致点で一致し，上記［相違点１の２−１］〜［相違点１の２−３］のほか，以下の点でも相違する。
［相違点１の２−５］
　ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）からなるｐ型窒化物半導体層の上の層について，本件発明３では「ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層を備え」るのに対し，甲１の２発明ではそうなっているのか不明である点。
　イ　上記［相違点１の２−５］について検討する。
　ｐ型ＡｌＧａＮ層の上にＧａＮよりなるｐ型コンタクト層を形成することは，本願の優先日前に周知技術である（甲３の図１，甲４のＦｉｇ．４，甲５の図８）。
　そうすると，甲１の２発明の「発光層であるｎ型ＩｎＸＧａ１−ＸＮ（但し，Ｘは０＜Ｘ＜０．５の範囲である。）層」（本件発明１の「ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層」に相当。）の上にＧａＮよりなるｐ型コンタクト層を形成することは，当業者が容易に想到し得たことである。
　ウ　以上によれば，本件発明３は，本件発明１と同様の理由で，甲１に記載された発明ではなく，また，甲１の２発明，甲６発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　（６）　本件発明４について
　ア　本件発明４は，本件発明１〜３のいずれか１つに，「活性層が，ノンドープのものである」ことを特定したものであるから，本件発明４と甲１の２発明とは，上記一致点で一致し，上記［相違点１の２−１］〜［相違点１の２−３］のほか，以下の点でも相違する。
［相違点１の２−６］
　本件発明４では，活性層が，ノンドープのものであるのに対し，甲１の２発明では，そうなっていない点。
　イ　上記［相違点１の２−６］について検討する。
　「活性層」に相当する甲１の２発明の構造は，「発光層であるｎ型ＩｎＸＧａ１−ＸＮ（但し，Ｘは０＜Ｘ＜０．５の範囲である。）層」であるところ，ノンドープのｎ型ＩｎＧａＮ層は本願の優先日前に周知である（甲３の段落【００１１】）。
　そうすると，甲１の２発明の「発光層であるｎ型ＩｎＸＧａ１−ＸＮ（但し，Ｘは０＜Ｘ＜０．５の範囲である。）層」をノンドープのものとすることは，当業者が適宜なし得たことである。
　ウ　以上によれば，本件発明４は，本件発明１と同様の理由で，甲１に記載された発明ではなく，また，甲１の２発明，甲６発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　（７）　本件発明５について
　ア　本件発明５は，本件発明１〜３のいずれか１つに，「活性層にドナー不純物および／またはアクセプター不純物がドープされている」ことを特定したものであるところ，「活性層」に相当する甲１の２発明の構造である「発光層であるｎ型ＩｎＸＧａ１−ＸＮ（但し，Ｘは０＜Ｘ＜０．５の範囲である。）層」に，ｎ型不純物としてＳｉまたはＧｅをドープすることが，甲１（上記（１）ア（エ）の段落【００１１】）に記載されている。
　そうすると，本件発明５と甲１の２発明とは，上記一致点及び本件発明５で追加的に特定された点で一致し，上記［相違点１の２−１］〜［相違点１の２−３］で相違する。
　イ　以上によれば，本件発明５は，本件発明１と同様の理由で，甲１に記載された発明ではなく，また，甲１の２発明及び甲６発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　（８）　本件発明６について
　ア　本件発明６は，本件発明１〜５のいずれか１つに，「活性層が，厚さ１００オングストローム以下の井戸層を有する」ことを特定したものであるところ，「活性層」に相当する甲１の２発明の構造は，「発光層であるｎ型ＩｎＸＧａ１−ＸＮ（但し，Ｘは０＜Ｘ＜０．５の範囲である。）層」であり，厚さは１０オングストローム〜０．５μｍである。
　そうすると，本件発明６と甲１の２発明とは，上記一致点で一致し，上記［相違点１−１−１］〜［相違点１の２−３］のほか，以下の点で相違する。
［相違点１の２−７］
　本件発明６では，活性層が，厚さ１００オングストローム以下の井戸層を有するのに対し，甲１の２発明ではそうであるのか不明である点。
　イ　上記［相違点１の２−７］について検討する。
　甲１の２発明の「活性層」の厚さは１０オングストローム〜０．５μｍであるから，その厚さを１００オングストローム以下の井戸層とすることは当業者が適宜なし得たことである。
　ウ　以上によれば，本件発明６は，本件発明１と同様の理由で，甲１に記載された発明ではなく，また，甲１の２発明及び甲６発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　（９）　本件発明７について
　ア　本件発明７は，本件発明１〜５のいずれか１つに，「活性層が，厚さ７０オングストローム以下の井戸層を有する」ことを特定したものであるところ，「活性層」に相当する甲１の２発明の構造は，「発光層であるｎ型ＩｎＸＧａ１−ＸＮ（但し，Ｘは０＜Ｘ＜０．５の範囲である。）層」であり，厚さは１０オングストローム〜０．５μｍである。
　そうすると，本件発明７と甲１の２発明とは，上記一致点で一致し，上記［相違点１−１−１］〜［相違点１の２−３］のほか，以下の点で相違する。
［相違点１の２−８］
　本件発明７では，活性層が，厚さ７０オングストローム以下の井戸層を有するのに対し，甲１の２発明ではそうであるのか不明である点。
　イ　上記［相違点１の２−８］について検討する。
　甲１の２発明の「活性層」の厚さは１０オングストローム〜０．５μｍであるから，その厚さを７０オングストローム以下の井戸層とすることは当業者が適宜なし得たことである。
　ウ　以上によれば，本件発明７は，本件発明１と同様の理由で，甲１に記載された発明ではなく，また，甲１の２発明及び甲６発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　（１０）　本件発明８について
　ア　本件発明８は，本件発明１〜７のいずれか１つに，「活性層が，ＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）よりなる井戸層を有する」ことを特定したものであるところ，「活性層」に相当する甲１の２発明の構造は「発光層であるｎ型ＩｎＸＧａ１−ＸＮ（但し，Ｘは０＜Ｘ＜０．５の範囲である。）層」であるから，上記（３）イ（ウ）のとおり，活性層を「量子井戸構造」とすることが適宜なし得たことである以上，本件発明８で追加的に特定した事項も適宜なし得たことである。
　イ　以上によれば，本件発明８は，本件発明１と同様の理由で，甲１に記載された発明ではなく，また，甲１の２発明及び甲６発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　（１１）　本件発明９について
　ア　本件発明９は，本件発明１〜８のいずれか１つに，「活性層が，ＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）よりなる井戸層と，Ｉｎｚ’Ｇａ１−ｚ’Ｎ（０＜ｚ’＜１，ただし，ｚ’はｚと異なる）もしくはＧａＮよりなる障壁層との組み合わせからなる多重量子井戸構造を有する」ことを特定したものであるから，本件発明９と甲１の２発明とは，上記一致点で一致し，上記［相違点１の２−１］〜［相違点１の２−３］のほか，以下の点でも相違する。
［相違点１の２−９］
　本件発明９は，「活性層が，ＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）よりなる井戸層と，Ｉｎｚ’Ｇａ１−ｚ’Ｎ（０＜ｚ’＜１，ただし，ｚ’はｚと異なる）もしくはＧａＮよりなる障壁層との組み合わせからなる多重量子井戸構造を有する」のに対し，甲１の２発明はそうなっているのか不明である点。
　イ　上記［相違点１の２−９］について検討する。
　上記５（２）ア（ア）ｃ（ｃ）のとおり，本件発明９の「多重量子井戸構造」は，井戸層と障壁層を交互に積層した多層膜構造のうち，両側の２つ最外層が，それぞれ井戸層により構成されたものを意味すると解されるところ，そのような多重量子井戸構造は本願の優先日前に周知である（甲７の段落【００１１】）。
　そして，甲１の２発明の「発光層であるｎ型ＩｎＸＧａ１−ＸＮ（但し，Ｘは０＜Ｘ＜０．５の範囲である。）層」は，多重量子井戸構造とすると，発光出力が格段に向上し，さらに，レーザーダイオードにした場合では，しきい値電流を低下させることができるとされている（上記（１）ア（エ）の段落【００１３】）。
　そうすると，甲１の２発明の「発光層であるｎ型ＩｎＸＧａ１−ＸＮ（但し，Ｘは０＜Ｘ＜０．５の範囲である。）層」において，甲１の上記記載及び上記周知技術を採用して，上記［相違点１の２−９］のようにすることは，当業者が容易に想到し得たことである。
　ウ　以上によれば，本件発明９は，本件発明１と同様の理由により，甲１に記載された発明ではなく，また，甲１の２発明，甲６発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　（１２）　無効理由１（本件訂正前に主張されたもの）についてのまとめ
　以上のとおり，本件特許は，平成１１年法律第４１号による改正前の特許法第２９条第１項第３号，同条第２項の規定に違反してされたものではないから，同法第１２３条第１項第２号の規定に該当するものではない。
　よって，無効理由１（本件訂正前に主張されたもの）は，理由がない。
　７　無効理由２について
　（１）　甲３発明の認定
　ア　本願の優先日前に公開された甲３（特開平６−２６８２５９号公報）には，図とともに以下の記載がある。
　（ア）　「ｐ−ｎ接合を有するダブルヘテロ構造の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において，Ｍｇがドープされたｐ型Ｇａ１−ＸＡｌＸＮ（但し，Ｘは０＜Ｘ＜０．５）クラッド層の上に，電極が形成されるべき層として，Ｍｇがドープされたｐ型ＧａＮコンタクト層を具備することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」（【請求項１】）
　（イ）　「従って，本発明の第１の目的は，ｐ型結晶とオーミック接触が得られる窒化ガリウム系化合物半導体の構造を提供することによりＶｆを低下させ，発光効率を向上させることにある。また，第２の目的はその窒化ガリウム系化合物半導体を用いて，新規なダブルヘテロ構造の発光素子の構造を提供することにより，発光素子の発光出力を向上させることにある。」（段落【０００６】）
　（ウ）　「前記，窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において，ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層３の種類は特に限定するものなく，ＧａＮ，ＧａＡｌＮ，ＩｎＧａＮ，ＩｎＡｌＧａＮ等，ノンドープ（無添加）の窒化ガリウム系化合物半導体，またはノンドープの窒化ガリウム系化合物半導体に，例えばＳｉ，Ｇｅ，Ｔｅ，Ｓｅ等のｎ型ドーパントをドープしてｎ型特性を示すように成長した層を用いることができる。」（段落【０００９】）
　（エ）　「【実施例】以下有機金属気相成長法により，本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子を製造する方法を述べる。」（段落【００１６】）
「［実施例１］サファイア基板１を反応容器内に配置し，サファイア基板１のクリーニングを行った後，成長温度を５１０℃にセットし，キャリアガスとして水素，原料ガスとしてアンモニアとＴＭＧ（トリメチルガリウム）とを用い，
サファイア基板上にＧａＮバッファ層２を約２００オングストロームの膜厚で成長させる
「
バッファ層２成長後
Ｓｉをドープしたｎ型ＧａＮ層３を４μｍ成長させる
「
ｎ型ＧａＮ層３成長後
ｎ型クラッド層４としてＳｉドープＧａ０．８６Ａｌ０．１４Ｎ層を０．１５μｍ成長させる
「
次に
ｎ型活性層５としてＳｉドープＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ層を１００オングストローム成長させる
「
次に
ｐ型クラッド層６として，Ｍｇをドープしたｐ型Ｇａ０．８６Ａｌ０．１４Ｎ層を０．１５μｍ成長させる
「
次に
ｐ型コンタクト層７として，Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層を０．４μｍ成長させる
「成長後，基板を反応容器から取り出し，アニーリング装置にて窒素雰囲気中，７００℃で２０分間アニーリングを行い，ｐ型Ｇａ０．８６Ａｌ０．１４Ｎ層，ｐ型ＧａＮコンタクト層をさらに低抵抗化する。」（段落【００２３】）
「以上のようにして得られたウエハーを図１に示すようにエッチングして，ｎ型ＧａＮ層３を露出させ，ｐ型ＧａＮコンタクト層７にはＡｕよりなる電極８，ｎ型ＧａＮ層３にはＡｌよりなる電極９を設け，５００℃で再度アニーリングを行い電極と窒化ガリウム系化合物半導体とをなじませる。後は，常法に従い５００μｍ角のチップにカットした後，発光ダイオードとしたところ，順方向電流２０ｍＡにおいて，Ｖｆは５Ｖ，発光波長３７０ｎｍで発光出力は７００μＷ，発光効率０．７％と優れた特性を示した。」（段落【００２４】）
　（オ）　「［実施例４］
実施例１において，ｎ型クラッド層４を成長しない他は実施例１と同様にして発光ダイオードを得た
　イ　上記アの各記載によれば，甲３には，次の発明（以下「甲３発明」という。）が記載されていると認められる。
　「サファイア基板上にＧａＮバッファ層２を約２００オングストロームの膜厚で成長させ，バッファ層２成長後，（Ａ）Ｓｉをドープしたｎ型ＧａＮ層３を４μｍ成長させ，次に，ｎ型活性層５として（Ｂ）ＳｉドープＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ層を１００オングストローム成長させ，次に，ｐ型クラッド層６として，（Ｃ）Ｍｇをドープしたｐ型Ｇａ０．８６Ａｌ０．１４Ｎ層を０．１５μｍ成長させ，次に，ｐ型コンタクト層７として，（Ｄ）Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層を０．４μｍ成長させた構造を含む発光ダイオード。」
　（２）　本件発明１について
　ア　対比
　本件発明１と甲３発明とを対比する。
　（ア）　甲３発明の「ｎ型活性層５として（Ｂ）ＳｉドープＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ層を１００オングストローム成長させ」た層は，本件発明１の「インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体層よりなり，第１および第２の面を有する活性層」に相当する。
　また，上記５（２）ア（ア）ｃ（ｂ）のとおり，本件発明１の「単一量子井戸構造」は，単一の井戸層のみからなり，障壁層を含まない構造を意味すると解される。そして，本件訂正明細書の段落【００２６】には，「・・・活性層６は，単一量子井戸構造の場合では井戸層を１００オングストローム以下の厚さに形成し，・・・」と記載されているから，甲３発明は「該活性層を量子井戸構造とし」たものと認められる。
　（イ）　甲３発明の「（Ａ）Ｓｉをドープしたｎ型ＧａＮ層３を４μｍ成長させ」た層と，本件発明１の「該活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層」とは，「該活性層の第１の面に接したｎ型窒化物半導体層」である点で一致する。
　（ウ）　甲３発明の「ｐ型クラッド層６として，（Ｃ）Ｍｇをドープしたｐ型Ｇａ０．８６Ａｌ０．１４Ｎ層を０．１５μｍ成長させた」層は，本件発明１の「該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層」に相当する。
　（エ）　甲３発明の積層構造からみて，甲３発明の「発光ダイオード」は，「窒化物半導体発光素子」に相当することが明らかである。
　したがって，本件発明１と甲３発明とは，
　「インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１および第２の面を有する活性層を備え，該活性層の第１の面に接したｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，該活性層を量子井戸構造とした窒化物半導体発光素子。」
である点で一致し，以下の点で相違する。
［相違点２−１］
　活性層の第１の面に接したｎ型窒化物半導体層及び該ｎ型窒化物半導体層に接した第２のｎ型窒化物半導体層について，本件発明１は，ｎ型窒化物半導体層がＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなり，第２のｎ型窒化物半導体層がＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなるのに対し，甲３発明は，ｎ型窒化物半導体層がＧａＮよりなり，また，第２のｎ型窒化物半導体層がない点。
［相違点２−２］本件発明１は「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」のに対し，甲３発明はそうであるのか不明である点。
　イ　相違点についての判断
　（ア）　［相違点２−１］について
　甲３には，ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層３の種類は特に限定するものなく，ＧａＮ，ＧａＡｌＮ，
ＩｎＧａＮ
　また，上記６（３）イ（ア）ｂのとおり，形式的には，甲６発明が，ｎ型ＡｌＧａＮよりなる電流注入及び光閉じ込め層７２，ｎ型ＩｎＧａＮよりなるキャリア閉じ込め層７３，ＩｎＧａＮよりなる発光層７４（７３よりもバンドギャップエネルギが小さい。）を含む積層構造を開示しているとみる余地はある。
　しかしながら，上記６（３）イ（ア）ｂのとおり，本件発明１は，当該相違点を備えることにより，活性層に十分な引っ張り応力を加えることと活性層の結晶性向上とを両立させるとの技術的意義を奏するものと認められるところ，甲３及び甲６には上記技術的意義について記載も示唆もない。
　そうすると，上記［相違点２−１］が当業者にとって容易に想到し得たものであるとはいえない。
　（イ）　［相違点２−２］について
　請求人は，［相違点２−２］が実質的なものではない旨主張するので検討する。
　上記４（２）ア（カ）のとおり，本件発明１で「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光」するかどうかは，十分な引っ張り応力が活性層に弾性的に作用することに伴う長波長化作用と，量子効果による短波長化作用とのバランスにより定まるものと解され，このバランスは，活性層，ｎ型窒化物半導体層，第２のｎ型窒化物半導体層及びｐ型半導体層をはじめとする窒化物半導体発光素子に含まれる各層の組成，厚さ等に依存すると解される
　これを甲３発明についてみると，活性層は，「ｎ型活性層５として（Ｂ）ＳｉドープＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ層を１００オングストローム成長させた」層であるから，本件訂正明細書でいう単一量子井戸構造であって，本件訂正明細書の段落【００３１】に記載された井戸層の膜厚の好適な範囲（１００オングストローム以下）に収まっている。また，この層は（Ａ）〜（Ｃ）の各層の中でＩｎ組成比が最も高いので，本件訂正明細書の段落【００３７】に照らせば，熱膨張係数が最も大きいものと認められる。よって，甲３発明では，引っ張り応力が活性層に弾性的に作用するとは解されるが，この引っ張り応力が十分なものかどうかは明らかではない。さらに，活性層が量子井戸構造である以上，量子効果による短波長化作用も存在すると認められる。
　そうすると，現在の証拠からは，甲３発明が「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光」するものと認定することはできない。
　したがって，［相違点２−２］は実質的なものであり，また，この相違点を当業者が容易に想到できると判断するに足る証拠はない。
　ウ　以上によれば，本件発明１は，甲３に記載された発明ではなく，また，甲３発明及び甲６発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　（３）　本件発明２について
　本件発明２は，本件発明１に「活性層とｎ型窒化物半導体層との総膜厚が３００オングストローム以上である」との限定を加えたものであるところ，「活性層」に相当する甲３発明の構造である「ｎ型活性層５として（Ｂ）ＳｉドープＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ層を１００オングストローム成長させた」層と，「ｎ型窒化物半導体層」に相当する甲３発明の構造である「（Ａ）Ｓｉをドープしたｎ型ＧａＮ層３を４μｍ成長させ」た層の層膜厚は，３００オングストローム以上であるから，甲３発明は上記限定を備えている。
　そうすると，本件発明２と甲３発明とは，上記一致点及び本件発明２で追加的に特定された点で一致し，上記各相違点で相違する。
　以上によれば，本件発明２は，本件発明１と同様の理由で，甲３に記載された発明ではなく，また，甲３発明及び甲６発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　（４）　本件発明３について
　ア　本件発明３は独立項ではあるが，実質的には，本件発明１のＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）からなるｐ型窒化物半導体層の上に「ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層を備え」ることを特定したものに相当するところ，甲３発明の「ｐ型コンタクト層７として，（Ｄ）Ｍｇドープｐ型ＧａＮ層を０．４μｍ成長させた」層は，「ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層」に相当し，「（Ｃ）Ｍｇをドープしたｐ型Ｇａ０．８６Ａｌ０．１４Ｎ層を０．１５μｍ成長させ」た層（本件発明３の「ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層」の上に相当。）の上にある。
　そうすると，本件発明３と甲３発明とは，実質的には，上記一致点及び本件発明３で実質的に追加的に特定された点で一致し，上記各相違点で相違する。
　イ　以上によれば，本件発明３は，本件発明１と同様の理由で，甲３に記載された発明ではなく，また，甲３発明及び甲６発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　（５）　本件発明４について
　ア　本件発明４は，本件発明１〜３のいずれか１つに，「活性層が，ノンドープのものである」ことを特定したものであるから，本件発明４と甲３発明とは，上記一致点で一致し，上記各相違点のほか，以下の点でも相違する。
［相違点２−３］
　本件発明４では，活性層が，ノンドープのものであるのに対し，甲３発明では，そうなっていない点。
　イ　上記［相違点２−３］について検討する。
　「活性層」に相当する甲１発明の構造は，「ｎ型活性層５として（Ｂ）ＳｉドープＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ層を１００オングストローム成長させ」た層であるところ，ノンドープのｎ型ＩｎＧａＮ層は本願の優先日前に周知である（甲３の段落【００１１】）。
　そうすると，甲３発明の「ｎ型活性層５として（Ｂ）ＳｉドープＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ層を１００オングストローム成長させ」た層をノンドープのものとすることは，当業者が適宜なし得たことである。
　ウ　以上によれば，本件発明４は，本件発明１と同様の理由で，甲３に記載された発明ではなく，また，甲３発明，甲６発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　（６）　本件発明５について
　ア　本件発明５は，本件発明１〜３のいずれか１つに，「活性層にドナー不純物および／またはアクセプター不純物がドープされている」ことを特定したものであるところ，「活性層」に相当する甲１発明の構造である，「ｎ型活性層５として（Ｂ）ＳｉドープＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ層を１００オングストローム成長させ」た層には，「Ｓｉ」がドープされており，これは，ｎ型ドーパントである（甲３の段落【０００９】）から，「ドナー不純物」に相当する。
　そうすると，本件発明５と甲３発明とは，上記一致点及び本件発明５で追加的に特定された点で一致し，上記［相違点２−１］〜［相違点２−２］で相違する。
　イ　以上によれば，本件発明５は，本件発明１と同様の理由で，甲３に記載された発明ではなく，また，甲３発明及び甲６発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたともいえない。
　（７）　本件発明６について
　本件発明６は，本件発明１〜５のいずれか１つに，「活性層が，厚さ１００オングストローム以下の井戸層を有する」ことを特定したものであるところ，「活性層」及び「井戸層」に相当する甲３発明の構造である「ｎ型活性層５として（Ｂ）ＳｉドープＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ層を１００オングストローム成長させ」た層の厚さは１００オングストロームである。
　そうすると，本件発明６と甲３発明とは，上記一致点及び本件発明６で追加的に特定された点で一致し，上記［相違点２−１］〜［相違点２−２］で相違する。
　イ　以上によれば，本件発明６は，本件発明１と同様の理由で，甲３に記載された発明ではなく，また，甲３発明及び甲６発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたともいえない。
　（８）　本件発明７について
　ア　本件発明７は，本件発明１〜５のいずれか１つに，「活性層が，厚さ７０オングストローム以下の井戸層を有する」ことを特定したものであるところ，「活性層」及び「井戸層」に相当する甲３発明の構造である「ｎ型活性層５として（Ｂ）ＳｉドープＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ層を１００オングストローム成長させ」た層の厚さは１００オングストロームである。
　そうすると，本件発明７と甲３発明とは，上記一致点で一致し，上記［相違点２−１］〜［相違点２−２］のほか，以下の点で相違する。
［相違点２−４］
　井戸層の厚さについて，本件発明７は７０オングストローム以下であるのに対し，甲３発明は１００オングストロームである点。
　イ　上記［相違点２−４］について検討する。
　単一膜からなる活性層の膜厚を１０オングストローム〜０．５μｍとすることは周知（甲１の段落【００１４】）である。
　そうすると，甲３発明の井戸層の厚さについて，上記周知技術を採用し，上記相違点［２−４］のようにすることは当業者が適宜なし得たことである。
　ウ　以上によれば，本件発明７は，本件発明１と同様の理由で，甲３に記載された発明ではなく，また，甲３発明，甲６発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたともいえない。
　（９）　本件発明８について
　本件発明８は，本件発明１〜７のいずれか１つに，「活性層が，ＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）よりなる井戸層を有する」ことを特定したものであるところ，「活性層」に相当する甲３発明の構造である「ｎ型活性層５として（Ｂ）ＳｉドープＩｎ０．０１Ｇａ０．９９Ｎ層を１００オングストローム成長させ」た層は，上記特定事項に相当する。
　そうすると，本件発明８と甲３発明とは，それぞれ，上記一致点及び本件発明８で追加的に特定された点で一致し，上記［相違点２−１］〜［相違点２−２］で相違する。
　以上によれば，本件発明８は，本件発明１と同様の理由で，甲３に記載された発明ではなく，また，甲３発明及び甲６発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたともいえない。
　（１０）　本件発明９について
　ア　本件発明９は，本件発明１〜８のいずれか１つに，「活性層が，ＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）よりなる井戸層と，Ｉｎｚ’Ｇａ１−ｚ’Ｎ（０＜ｚ’＜１，ただし，ｚ’はｚと異なる）もしくはＧａＮよりなる障壁層との組み合わせからなる多重量子井戸構造を有する」ことを特定したものであるから，本件発明９と甲３発明とは，上記一致点で一致し，上記［相違点２−１］〜［相違点２−２］のほか，以下の点でも相違する。
［相違点２−５］
　本件発明９は，「活性層が，ＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）よりなる井戸層と，Ｉｎｚ’Ｇａ１−ｚ’Ｎ（０＜ｚ’＜１，ただし，ｚ’はｚと異なる）もしくはＧａＮよりなる障壁層との組み合わせからなる多重量子井戸構造を有する」のに対し，甲３発明はそうなっていない点。
　イ　上記［相違点２−５］について検討する。
　上記５（２）ア（ア）ｃ（ｃ）のとおり，本件発明９の「多重量子井戸構造」は，井戸層と障壁層を交互に積層した多層膜構造のうち，両側の２つ最外層が，それぞれ井戸層により構成されたものを意味すると解されるところ，そのような前提をおいても，上記［相違点２−６］に係る多重量子井戸構造は周知であり（甲７の段落【００１１】），また，多重量子井戸構造により，発光出力が向上できることも周知である（甲７の段落【０００８】）。
　そして，甲３発明も発光出力の向上を目的としたものである（上記（１）ア（イ）の段落【０００６】）。
　そうすると，甲３発明において，発光出力を向上させるために，上記周知技術を採用し，上記［相違点２−５］のようにすることは当業者が容易に想到し得たことである。
　ウ　以上によれば，本件発明９は，本件発明１と同様の理由により，甲３に記載された発明ではなく，また，甲３発明，甲６発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたともいえない。
　（１１）　無効理由２についてのまとめ
　以上のとおり，本件特許は，平成１１年法律第４１号による改正前の特許法第２９条第１項第３号，同条第２項の規定に違反してされたものではないから，同法第１２３条第１項第２号の規定に該当するものではない。
　よって，無効理由２は，理由がない。
　８　無効理由３について
　（１）　甲７発明の認定
　ア　本願の優先日前に公開された甲７（特開平６−２６８２５７号公報）には，図とともに以下の記載がある。
　（ア）　「
ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層と，ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に，Ｘ値の異なるＩｎＸＧａ１−ＸＮ（但し，Ｘは０＜Ｘ＜１）層が交互に積層された多層膜層を発光層として具備する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって，前記多層膜層を構成するＩｎＸＧａ１−ＸＮ層の各膜厚は５オングストローム〜５０オングストロームの範囲であることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
　（イ）　「【課題を解決するための手段】我々は窒化ガリウム系化合物半導体発光素子をｐ−ｎ接合を用いたダブルヘテロ構造とし，さらに，その発光層を特定の膜厚の窒化ガリウム系化合物半導体を用いた多層膜構造とすることにより上記問題が解決できることを見いだした。即ち，本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子は，ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層と，ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に，Ｘ値の異なるＩｎＸＧａ１−ＸＮ（但し，Ｘは０＜Ｘ＜１）層が交互に積層された多層膜層を発光層として具備する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって，前記多層膜層を構成するＩｎＸＧａ１−ＸＮ層の各膜厚は５オングストローム〜５０オングストロームの範囲であることを特徴とする。」（段落【０００５】）
「本発明の窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において，
ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層には，
ＩｎＧａＮ
「また，ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層には前記したノンドープの窒化ガリウム系化合物半導体に，例えばＺｎ，Ｍｇ，Ｃｄ，Ｂｅ，Ｃａ等のｐ型ドーパントをドープしてｐ型特性を示すように成長した層を用いることができる。
このｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層も，
三元混晶の窒化ガリウムアルミニウムとする方が，結晶性がよく，より低抵抗なｐ型結晶が得られやすくなるため好ましい
「ＩｎＸＧａ１−ＸＮ層は，Ｘ値の異なるＩｎＸＧａ１−ＸＮ（但し，Ｘは０＜Ｘ＜１）層を交互に積層した多層膜層構造とし，その多層膜を構成するＩｎＸＧａ１−ＸＮ層の各膜厚は５オングストローム〜５０オングストロームの範囲に調整する必要がある。Ｘ値の異なるＩｎＸＧａ１−ＸＮ層を交互に積層することにより，
多層膜が量子井戸構造
　（ウ）　「【作用】例えば，ｎ型ＧａＮ層と，膜厚１００オングストロームのＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ層と，ｐ型ＧａＮ層とを順に積層したダブルヘテロ構造の発光素子の場合，ＧａＮの格子定数はおよそ３．１９オングストローム，ＩｎＮの格子定数はおよそ３．５４オングストロームであり，この構造の発光素子では，ＧａＮ層とＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ層との界面の格子定数不整が２．２％近くもある。このため，ＧａＮ層とＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ層との界面でミスフィットによる格子欠陥が発生し，発光層であるＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ層の結晶性が悪くなるため，発光出力が低下する原因となる。」（段落【００１０】）
「しかしここで，本発明のように
Ｉｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ層を，例えば井戸層として膜厚２０オングストロームのＩｎ０．２Ｇａ０．８Ｎ層３層と，障壁層として膜厚２０オングストロームのＩｎ０．０４Ｇａ０．９６Ｎ層２層とを交互に積層し，発光層の総膜厚１００オングストロームの量子井戸構造の多層膜とした場合（つまり，ｎ型ＧａＮ層＋井戸層＋障壁層＋井戸層＋障壁層＋井戸層＋ｐ型ＧａＮ層の発光素子構造）
　（エ）　「バッファ層２成長後，ＴＭＧのみ止めて，温度を１０３０℃まで上昇させる。１０３０℃になったら，同じく原料ガスにＴＭＧとアンモニアガス，ドーパントガスにシランガスを用い，Ｓｉをドープしたｎ型ＧａＮ層４を４μｍ成長させる。」（段落【００１５】）
　（オ）　上記（ウ）の段落【００１１】からみて，甲７には，Ｘ値の異なるＩｎＸＧａ１−ＸＮ（但し，Ｘは０＜Ｘ＜１）層が交互に積層された多層膜層として，その最外層が井戸層である量子井戸構造が開示されていると認められる。
　また，図２をも併せみると，甲７には，ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層と，ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層とが，ともに，Ｘ値の異なるＩｎＸＧａ１−ＸＮ（但し，Ｘは０＜Ｘ＜１）層が交互に積層された多層膜層に接している構造が開示されていると認められる。
　イ　上記アの各記載によれば，甲７には，次の発明（以下「甲７発明」という。）が記載されていると認められる。
　「ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層と，ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層との間に，Ｘ値の異なるＩｎＸＧａ１−ＸＮ（但し，Ｘは０＜Ｘ＜１）層が交互に積層された多層膜層を発光層として具備する窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって，前記多層膜層を構成するＩｎＸＧａ１−ＸＮ層の各膜厚は５オングストローム〜５０オングストロームの範囲である窒化ガリウム系化合物半導体発光素子であって，
　上記多層膜層は，その最外層が井戸層である量子井戸構造であり，
　前記ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層がＩｎＧａＮであり，
　前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層が三元混晶の窒化ガリウムアルミニウムであり，
　前記ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層と前記ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層とが，ともに，前記多層膜層に接している，
　窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。」
　（２）　本件発明１について
　ア　対比
　本件発明１と甲７発明とを対比する。
　（ア）　甲７発明の「Ｘ値の異なるＩｎＸＧａ１−ＸＮ（但し，Ｘは０＜Ｘ＜１）層が交互に積層された多層膜層」からなる発光層は，その最外層が井戸層である量子井戸構造であるから，上記５（２）ア（ア）ｅに照らして，本件発明１の「インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１および第２の面を有する活性層」に相当し，甲７発明は，「該活性層を量子井戸構造とし」ているものといえる。
　（イ）　甲７発明の「ＩｎＧａＮ」からなる「ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層」は，本件発明１の「ＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層」に相当する。
　そして，甲７発明の上記「ｎ型窒化ガリウム系化合物半導体層」は，「該活性層の第１の面に接して」いる。
　（ウ）　甲７発明の「三元混晶の窒化ガリウムアルミニウム」からなる「ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層」は，本件発明１の「ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層」に相当する。
　そして，甲７発明の上記「ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層」は，「該活性層の第２の面に接して」いる。
　（エ）　甲７発明の「窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」は，本件発明１の「窒化物半導体発光素子」に相当する。
　以上によれば，本件発明１と甲７発明とは，
「インジウムおよびガリウムを含む窒化物半導体よりなり，第１および第２の面を有する活性層を備え，該活性層の第１の面に接してＩｎｘＧａ１−ｘＮ（０＜ｘ＜１）よりなるｎ型窒化物半導体層を備え，該活性層の第２の面に接してＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層を備え，該活性層を量子井戸構造とした窒化物半導体発光素子。」
である点で一致し，次の点で相違する。
［相違点３−１］
　本件発明１は，「ｎ型窒化物半導体層に接してＡｌａＧａ１−ａＮ（０≦ａ＜１）よりなる第２のｎ型窒化物半導体層を備え」ているのに対し，甲７発明はそうではない点。
［相違点３−２］
　本件発明１は，「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光する」のに対し，甲７発明はそうであるのか不明である点。
　イ　相違点についての判断
　（ア）［相違点３−１］について
　上記６（３）イ（ア）ｂのとおり，形式的には，甲６発明が，ｎ型ＡｌＧａＮよりなる電流注入及び光閉じ込め層７２，ｎ型ＩｎＧａＮよりなるキャリア閉じ込め層７３及びＩｎＧａＮよりなる発光層７４（７３よりもバンドギャップエネルギが小さい。）を含む積層構造を開示しているとみる余地はある。
　しかしながら，上記６（３）イ（ア）ｂのとおり，本件発明１は，活性層の第１の面に接するＩｎＧａＮよりなるｎ型窒化物半導体層と当該相違点を備えることにより，活性層に十分な引っ張り応力を加えることと活性層の結晶性向上とを両立させるとの技術的意義を有するものである。
　他方，甲７及び甲６には上記技術的意義について記載も示唆もない。
　そうすると，上記［相違点３−１］が当業者にとって容易に想到し得たものであるとはいえない。
　（イ）［相違点３−２］について
　請求人は，［相違点３−２］が実質的なものではない旨主張するので検討する。
　甲７発明では，活性層は，「Ｘ値の異なるＩｎＸＧａ１−ＸＮ（但し，Ｘは０＜Ｘ＜１）層が交互に積層された多層膜層」であって，「上記多層膜層は，その最外層が井戸層である量子井戸構造であり」，「前記多層膜層を構成するＩｎＸＧａ１−ＸＮ層の各膜厚は５オングストローム〜５０オングストロームの範囲である」とされているから，本件訂正明細書でいう多重量子井戸構造であって，本件訂正明細書の段落【００３１】に記載された井戸層の膜厚の好適な範囲（１００オングストローム以下）と障壁層の膜厚の好適な範囲（１５０オングストローム以下）に収まっている。また，甲７発明の井戸層は各窒化ガリウム系化合物半導体層の中でＩｎ組成比が最も高いと解されるので，本件訂正明細書の段落【００３７】に照らせば，熱膨張係数が最も大きいものと認められる。よって，甲７発明では，引っ張り応力が活性層に弾性的に作用するとは解されるが，この引っ張り応力が十分なものかどうかは明らかではない。さらに，活性層が量子井戸構造である以上，量子効果による短波長化作用も存在すると認められる。
　そうすると，現在の証拠からは，甲７発明で「活性層を構成する窒化物半導体の本来のバンドギャップエネルギーよりも低いエネルギーの光を発光」すると認定することはできないというべきである。
　したがって，［相違点３−２］は実質的なものであり，また，この相違点を当業者が容易に想到できると判断するに足る証拠はない。
　ウ　以上によれば，本件発明１が甲７に記載された発明であるということはできず，また，甲７発明及び甲６発明に基づいて容易に発明をすることができたともいえない。
　（３）　本件発明２について
　ア　本件発明２は，本件発明１に「活性層とｎ型窒化物半導体層との総膜厚が３００オングストローム以上である」との限定を加えたものであるから，本件発明２と甲７発明とは，上記一致点で一致し，上記相違点のほか，以下の点でも相違する。
［相違点３−３］
　本件発明２は，活性層とｎ型窒化物半導体層との総膜厚が３００オングストローム以上であるのに対し，甲７発明ではそうであるのか不明である点。
　イ　上記［相違点３−３］について検討する。
　甲７には，「ｎ型窒化物半導体層」がＩｎＧａＮの場合の膜厚の明記はないものの，ＧａＮが「ｎ型窒化物半導体層」の場合の厚さが４μｍである実施例が記載されている（上記（１）ア（エ）の段落【００１５】）。そうすると，甲７発明において，上記［相違点３−３］のようにすることは当業者が適宜設計し得たことである。
　ウ　以上によれば，本件発明２は，本件発明１と同様の理由で，甲７に記載された発明ではなく，また，甲７発明及び甲６発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　（４）　本件発明３について
　ア　本件発明３は独立項ではあるが，実質的には，本件発明１のＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）からなるｐ型窒化物半導体層の上に「ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層を備え」ることを特定したものに相当するから，本件発明３と甲７発明とは，実質的には，上記一致点で一致し，上記［相違点３−１］及び［相違点３−２］のほか，以下の点でも相違する。
［相違点３−４］
　本件発明３では，ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）からなるｐ型窒化物半導体層の上に「ＧａＮよりなるｐ型コンタクト層を備え」るのに対し，甲７発明ではそうなっているのか不明である点。
　イ　上記［相違点３−４］について検討する。
　ｐ型ＡｌＧａＮ層の上にＧａＮよりなるｐ型コンタクト層を形成することは，本願の優先日前に周知技術である（甲３の図１，甲４のＦｉｇ．４，甲５の図８）。
　そうすると，甲７発明の「三元混晶の窒化ガリウムアルミニウム」からなる「ｐ型窒化ガリウム系化合物半導体層」（本件発明１の「ＡｌｙＧａ１−ｙＮ（０＜ｙ＜１）よりなるｐ型窒化物半導体層」に相当。）の上にＧａＮよりなるｐ型コンタクト層を形成することは，当業者が容易に想到し得たことである。
　ウ　以上によれば，本件発明３は，本件発明１と同様の理由で，甲７に記載された発明ではなく，また，甲７発明，甲６発明及び周知技術に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　（５）　本件発明４について
　ア　本件発明４は，本件発明１〜３のいずれか１つに，「活性層が，ノンドープのものである」ことを特定したものであるから，本件発明４と甲７発明とは，上記一致点で一致し，上記［相違点３−１］及び［相違点３−２］のほか，以下の点でも一応相違する。
［相違点３−５］
　本件発明４では，活性層が，ノンドープのものであるのに対し，甲７発明では，そうであるのか明らかでない点。
　イ　上記［相違点３−５］について検討する。
　甲７には，発光層であるＩｎＸＧａ１−ＸＮ層について「さらに，ＩｎＸＧａ１−ＸＮ層にｎ型ドーパント，ｐ型ドーパントをドープして成長させてもよいことはいうまでもない。」（上記（１）ア（イ）の段落【０００８】）との記載があるから，甲７には，発光層であるＩｎＸＧａ１−ＸＮ層がノンドープのものであってよいことも記載されているに等しいと認められる。
　したがって，上記［相違点３−５］は実質的なものではない。
　ウ　以上によれば，本件発明４は，本件発明１と同様の理由で，甲７に記載された発明ではなく，また，甲７発明及び甲６発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　（６）　本件発明５について
　ア　本件発明５は，本件発明１〜３のいずれか１つに，「活性層にドナー不純物および／またはアクセプター不純物がドープされている」ことを特定したものであるところ，甲７には，発光層であるＩｎＸＧａ１−ＸＮ層について「さらに，ＩｎＸＧａ１−ＸＮ層にｎ型ドーパント，ｐ型ドーパントをドープして成長させてもよいことはいうまでもない。」（上記（１）ア（イ）の段落【０００８】）との記載がある。
　そうすると，本件発明５と甲７発明とは，上記一致点及び本件発明５で追加的に特定された点で一致し，上記［相違点３−１］及び［相違点３−２］で相違する。
　イ　以上によれば，本件発明５は，本件発明１と同様の理由で，甲７に記載された発明ではなく，また，甲７発明及び甲６発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　（７）　本件発明６及び７について
　ア　本件発明６及び７は，本件発明１〜５のいずれか１つに，それぞれ，「活性層が，厚さ１００オングストローム以下の井戸層を有する」こと及び「活性層が，厚さ７０オングストローム以下の井戸層を有する」ことを特定したものであるところ，甲７発明において，多層膜層を構成するＩｎＸＧａ１−ＸＮ層の各膜厚は５オングストローム〜５０オングストロームであるから，「井戸層」の厚さも５オングストローム〜５０オングストロームであり，よって，甲７発明は，本件発明６及び７で追加的に特定された事項を備えている。
　そうすると，本件発明６及び７と甲７発明とは，それぞれ，上記一致点並びに本件発明６及び７で追加的に特定された点で一致し，上記［相違点３−１］及び［相違点３−２］で相違する。
　イ　以上によれば，本件発明６及び７は，本件発明１と同様の理由で，甲７に記載された発明ではなく，また，甲７発明及び甲６発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　（８）　本件発明８について
　ア　本件発明８は，本件発明１〜７のいずれか１つに，「活性層が，ＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）よりなる井戸層を有する」ことを特定したものであるところ，「活性層」に相当する甲７発明の構造である「Ｘ値の異なるＩｎＸＧａ１−ＸＮ（但し，Ｘは０＜Ｘ＜１）層が交互に積層された多層膜層」からなる発光層は，上記特定事項に該当する。
　そうすると，本件発明８と甲７発明とは，それぞれ，上記一致点及び本件発明７で追加的に特定された点で一致し，上記［相違点３−１］及び［相違点３−２］で相違する。
　イ　以上によれば，本件発明８は，本件発明１と同様の理由で，甲７に記載された発明ではなく，また，甲７発明及び甲６発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　（９）　本件発明９について
　ア　本件発明９は，本件発明１〜８のいずれか１つに，「活性層が，ＩｎｚＧａ１−ｚＮ（０＜ｚ＜１）よりなる井戸層と，Ｉｎｚ’Ｇａ１−ｚ’Ｎ（０＜ｚ’＜１，ただし，ｚ’はｚと異なる）もしくはＧａＮよりなる障壁層との組み合わせからなる多重量子井戸構造を有する」ことを特定したものであるところ，「活性層」に相当する甲７発明の構造である「Ｘ値の異なるＩｎＸＧａ１−ＸＮ（但し，Ｘは０＜Ｘ＜１）層が交互に積層された多層膜層」からなり，その最外層が井戸層である量子井戸構造である発光層は，上記特定事項に該当する。
　そうすると，本件発明９と甲７発明とは，それぞれ，上記一致点及び本件発明９で追加的に特定された点で一致し，上記［相違点３−１］及び［相違点３−２］で相違する。
　イ　以上によれば，本件発明９は，本件発明１と同様の理由で，甲７に記載された発明ではなく，また，甲７発明及び甲６発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものでもない。
　（１０）　無効理由３についてのまとめ
　以上のとおり，本件特許は，平成１１年法律第４１号による改正前の特許法第２９条第１項第３号，同条第２項の規定に違反してされたものではないから，同法第１２３条第１項第２号の規定に該当するものではない。
　よって，無効理由３は，理由がない。
第６　むすび
　以上のとおりであるから，請求人の主張する理由及び提出した証拠方法によっては，本件特許を無効とすることはできない。
　審判に関する費用については，特許法第１６９条第２項の規定で準用する民事訴訟法第６１条の規定により，請求人が負担すべきものとする。
　よって，結論のとおり審決する。