【事件の表示】
　平成１１年特許願第　４１３２２号「半導体ウェハ用クランプリング」拒絶査定に対する審判事件［平成１２年　９月　８日出願公開、特開２０００−２４３８１２］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯・本件発明
　本件出願は、平成１１年２月１９日の出願であって、その請求項１〜３に係る発明（以下「本件発明１〜３」という。）は、平成１２年１１月６日付け手続補正書、及び平成１４年１０月３０日付け手続補正書により補正された明細書並びに願書に添付された図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１〜３に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、請求項１には以下のとおり記載されている。
「セラミックス焼結体からなり、ステージ上に載置された半導体ウェハの周縁部を上方から荷重をかけて保持する半導体ウェハ用クランプリングであって、
　リング状をなす本体と、本体の内周部に設けられ半導体ウェハの周縁部を保持する保持部とを有し、
　前記保持部の少なくとも半導体ウェハと接触する部分の表面粗さがＲａで１０μｍ以下（Ｒａで１μｍ以下は除く）であることを特徴とする半導体ウェハ用クランプリング。」
　
第２　引用例記載の発明乃至技術的事項
　当審において、平成１４年８月１２日付けで通知した拒絶の理由に引用した本件出願の出願前に日本国内で頒布された刊行物である特開平１０−２３６８７１号公報（以下「引用例」という。）には、以下のとおり記載されている。
（１）特許請求の範囲の請求項１
「【請求項１】フッ素系や塩素系などのハロゲン系腐食性ガス雰囲気下でプラズマに曝される表面を、気孔率が３％以下のイットリウム・アルミニウム・ガーネット焼結体により形成するとともに、その表面を中心線平均粗さ（Ｒａ）１μｍ以下としたことを特徴とする耐プラズマ部材。」
（２）項目【００１１】
「【００１１】また、本発明は上記イットリウム・アルミニウム・ガーネット焼結体中に含まれている周期律表２ａ族元素の酸化物及び酸化珪素の含有量を１５００ｐｐｍ以下とすることにより、ハロゲン系腐食性ガスに対する耐プラズマ性をさらに高めたものであり、特にこの耐プラズマ部材は半導体製造装置の監視窓、マイクロ波導入窓、静電チャック、サセプタ、クランプ部材、処理室の内壁材を構成するのに好適なものである。」
（３）項目【００３２】〜【００３５】
「【００３２】図２は本発明の耐プラズマ部材の他の例であるサセプタ１１とクランプ部材１４を示す図で、（ａ）は斜視図、（ｂ）はそのＹ−Ｙ線断面図である。
【００３３】サセプタ１１は円板状をした板状体１２で、気孔率が３％以下のＹＡＧ焼結体により形成してあり、上記板状体１２の上面を中心線平均粗さ（Ｒａ）０．８μｍ以下に研摩して支持面１３を形成してある。
【００３４】また、このサセプタ１１の支持面１３には半導体ウエハ５０の周縁を保持するクランプ部材１４を配置してあり、該クランプ部材１４は気孔率が３％以下のＹＡＧ焼結体からなるリング体１５をしたもので、該リング体１５の内外表面を中心線平均粗さ（Ｒａ）１μｍ以下としてある。
【００３５】これらのサセプタ１１及びクランプ部材１４は、気孔率が３％以下のＹＡＧ焼結体からなり、表面を中心線平均粗さ（Ｒａ）１μｍ以下としてあることから、塩素系やフッ素系のハロゲン系腐食性雰囲気下でプラズマに曝したとしても腐食が少なく、ウエハ５０へのパーティクル汚染を低減することができる。」
　また、項目【００５５】の表２には、ＹＡＧ焼結体を使用し、面粗さ（Ｒａ）が、０．０３、０．０８、０．３０、１．００、０．２５（μｍ）のものが発明の実施例として、また、面粗さ（Ｒａ）が、１．１０、１．４１、１．５０、１．２０（μｍ）のものが発明の範囲外のものとして記載されている。
　上記記載及び図面の記載からすると、引用例１には、以下の発明が記載されていると認める。
　イットリウム・アルミニウム・ガーネット焼結体からなり、サセプタ１１上に載置された半導体ウエハ５０の周縁部を上方から保持するクランプ部材１４であって、内外表面の中心線平均粗さ（Ｒａ）が１μｍ以下であるクランプ部材１４。
　
第３　対比
　本件発明１と引用例記載の発明を対比するに、引用例記載の発明における「サセプタ１１」、「クランプ部材１４」は、本件発明１における「ステージ」、「半導体ウェハ用クランプリング」に相当し、引用例記載の発明における「イットリウム・アルミニウム・ガーネット焼結体」は、セラミック焼結体の一種であること、「クランプ部材１４」が上方から荷重をかけて半導体ウェハを保持するものであることは、当業者に明らかである。
　また、引用例記載の発明における「クランプ部材１４」も、本件発明１と同様の「リング状の本体」と、その内周部に設けられた「保持部」を有していることは、図面の記載からみて明らかである。
　さらに、該「クランプ部材１４」の内外表面の平均粗さは１μｍ以下であるから、「保持部」の表面の平均粗さも１μｍ以下であり、本件発明１と同じ「１０μｍ以下」である。
　よって、両者は、以下の点で一致する。
　セラミックス焼結体からなり、ステージ上に載置された半導体ウェハの周縁部を上方から荷重をかけて保持する半導体ウェハ用クランプリングであって、
　リング状をなす本体と、本体の内周部に設けられ半導体ウェハの周縁部を保持する保持部とを有し、
　前記保持部の少なくとも半導体ウェハと接触する部分の表面粗さがＲａで１０μｍ以下である半導体ウェハ用クランプリング。
　そして、以下の点で相違する。
相違点：保持部の少なくとも半導体ウェハと接触する部分の表面粗さが、本件発明１では、Ｒａで１０μｍ以下であるものの、Ｒａで１μｍ以下が除かれているのに対し、引用例記載の発明では、Ｒａで１μｍ以下である点。
　
第４　当審の判断　
　以下、上記相違点について検討する。
　引用例記載の発明は、ハロゲン系腐食性雰囲気下でプラズマに曝したと場合に腐食を少なくし、半導体ウエハへのパーティクル汚染を低減するために、保持部の表面粗さをＲａで１μｍ以下としたものであるが、引用例の項目【００５５】の表２の記載からみて、表面粗さをＲａで１μｍより僅かに大きい値とした場合に、その効果を全く失うとは考えられないから、引用例記載の発明において、保持部の少なくとも半導体ウェハと接触する部分の表面粗さをＲａで１μｍより僅かに大きいものとすることは、当業者に格別困難なことであったとはいえず、当業者であれば容易に想到したことである。
　そして、半導体ウェハが削られにくくなるという本件発明１の効果は、保持部の少なくとも半導体ウェハと接触する部分の表面粗さをＲａで１０μｍ以下としたことによるものであるから、引用例記載の発明、及び引用例記載の発明から想到容易な発明も必然的に奏する効果である。
　
　なお、審判請求人は、本件発明１は、クランプリングでクランプする際に保持部により半導体ウェハが削られにくくするために、保持部の少なくとも半導体ウェハと接触する部分の表面粗さをＲａで１０μｍ以下（Ｒａで１μｍ以下は除く）としたものであり、目的が引用例記載の発明の目的と全く異なっている旨主張しているが、上記したとおり、本件発明１の発明特定事項が、引用例記載の発明に基づいて、想到容易なものであり、その効果もその構成から必然的に生じるものである以上、目的が異なるとしても、本件発明１が引用例記載の発明から容易に発明をすることができないものであるという理由にはならない。
　
第５　むすび
　したがって、本件発明１は、引用例記載の発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであり、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができないので、本件発明２、３について判断するまでもなく、本件出願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。