【事件の表示】
　特願２００８−２６１９７２「半導体封止用フィルム状接着剤、半導体装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年１１月　５日出願公開、特開２００９−２６０２３２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯 
　
　本願は、平成２０年１０月８日（国内優先権主張　平成２０年３月２６日）の出願であって、平成２４年６月５日付けで拒絶理由が通知され、同年８月１０日付けで手続補正がなされ、平成２５年３月２７日付けで拒絶理由が通知され、同年６月３日付けで手続補正がなされ、同年１１月８日に拒絶理由が通知されたが、平成２６年１月１７日付けで意見書のみが提出され、同年２月１４日付けで拒絶査定がなされた。これに対し、平成２６年５月２２日に拒絶査定不服の審判が請求されるとともに、手続補正がなされた。
　
第２　本願発明について 
１．特許請求の範囲の補正について
　
　平成２６年５月２２日付けの特許請求の範囲の補正は、請求項１を削除し、請求項１の従属項であった請求項２を新たな請求項１とし、続く従属項３乃至７を新たな請求項２乃至６としたものである。よって、この補正は、特許法第１７条の２第５項第１号に掲げる請求項の削除を目的としたものに該当する。
　
２．本願発明
　
　本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２６年５月２３日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのものである。 
　
「【請求項１】
　（ａ）１気圧、２５℃で固形であるエポキシ樹脂と、（ｂ）硬化促進剤と、（ｄ）ポリイミド樹脂とを含有しており、
　前記（ｂ）硬化促進剤は、１２０℃以上の融点を有し、活性領域が１２０℃以上であるホスフィン類を含み、かつ、前記ホスフィン類が、下記一般式（１）で表される化合物であり、
　前記（ｄ）ポリイミド樹脂は、３００００以上の重量平均分子量を有し、且つ１００℃以下のガラス転移温度を有する、
フリップチップ接続方式に用いられる半導体封止用フィルム状接着剤。
　　【化１】
［式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を示し、前記フェニル基は、置換基を有していてもよい。］ 」
　
　
３．引用発明 
　
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００２−２４１６１７号公報（以下、「引用例１」という。）には、「熱硬化性樹脂組成物および半導体装置」について、図面とともに以下の事項が記載されている。（なお、下線は当審で付与した。）
　
ア．「【０００５】
【発明の実施の形態】本発明のフラックス活性を有するシート状の熱硬化性樹脂組成物は、フェイスダウン構造の半導体素子の封止に好適に使用されるものである。詳細には、配線回路基板上に、複数の接続用電極部を介してフェイスダウン構造の半導体素子が搭載される半導体装置において、配線回路基板と半導体素子との間の空隙を封止するのに使用される。本発明のフラックス活性を有する
シート状の熱硬化性樹脂組成物を配線回路基板と半導体素子との間に介在させ、熱圧着により半導体素子を配線回路基板上に仮固着させ、その後半田溶融を行うことにより半導体素子と配線回路基板との空隙の封止および金属接合を形成させる
【０００６】これにより、従来技術によるフラックスを用いて半導体素子バンプと配線回路基板電極とを金属接続した後に空隙に封止樹脂を注入するという煩雑な工程と比べて、配線回路基板と半導体素子との樹脂封止および金属接続の工程が簡易となり、製造工程時間の大幅な短縮化が図れる。また、
封止樹脂として液状樹脂を用いずに保存性に優れた固形樹脂を用いるため、空隙内に注入する際に生じる種々の問題を回避することができる。さらに、半導体素子と配線回路基板との電気的接続の安定性に優れ、種々の信頼性試験、例えば冷熱サイクル下等で優れた封止信頼性を発揮する
　
イ．「【００１７】本発明の
熱硬化性樹脂組成物の主材となる樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、フェノキシ樹脂等を挙げることができる。また、耐熱性、加工性、接着性という観点から、エポキシ樹脂が好ましい
【００１８】かかる
エポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、テルペン型エポキシ樹脂など１分子中に２個以上のエポキシ基を有する化合物であれば何ら限定することなく用いることができる。
　
ウ．「【００２５】本発明の
シート状の熱硬化性樹脂組成物には、上記エポキシ樹脂の硬化剤の他に、エポキシ樹脂の硬化促進剤を配合することもできる。
硬化促進剤としては、従来からエポキシ樹脂の硬化促進剤と知られている種々の硬化促進剤が使用可能であり、例えば、トリフェニルホスフィン、２−メチルイミダゾール、ＤＢＵ（１，８−ジアザビシクロ（５．４．０）ウンデセン−７）、ＤＢＮ（１，５−ジアザビシクロ（４．３．０）ノネン−５）、４Ｐ４Ｂ（テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート）等のアミン系、リン系、ホウ素系、リン−ホウ素系等の硬化促進剤が挙げられる
　
エ．「【００３６】まず、図２に示すように、配線回路基板１上に、本発明のシート状の熱硬化性樹脂組成物５を載置する。ついで、
図３に示すようにシート状の熱硬化性樹脂組成物５の上の所定位置に、複数の球状の接続用電極部（ジョイントボール）２が設けられた半導体素子３を載置し
シート状の熱硬化性樹脂組成物５を加熱溶融して溶融状態とし、加圧して半導体素子３の接続用電極部２が溶融状態のシート状の熱硬化性樹脂組成物５を押しのけ、配線回路基板１と接続用電極部２が接触し
かつ半導体素子３と配線回路基板１との間の空隙内に溶融状態の樹脂が充填し、半田リフローによる金属接合を行った後、樹脂を硬化させることにより空隙を封止して封止樹脂層４を形成
　
・引用例１は、上記ア、エによれば、シート状の熱硬化性樹脂組成物を配線回路基板と半導体素子との間に介在させ、熱圧着により半導体素子を配線回路基板上に仮固着させ、その後半田溶融を行うことにより半導体素子と配線回路基板との空隙の封止および電気的接続をするものである。よって、シート状の熱硬化性樹脂組成物は、半導体素子と配線回路基板とを直接接続する、即ちフリップチップ接続方式に用いられるものである。
　
・上記イによれば、熱硬化性樹脂組成物は、エポキシ樹脂を用いることができるものである。
・上記ウによれば、シート状の熱硬化性樹脂組成物は、エポキシ樹脂の他にエポキシ樹脂の硬化促進剤を配合させたものである。
　したがって、引用例１には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。
　
　「エポキシ樹脂と、硬化促進剤とを含有しており、
　フリップチップ接続方式に用いられるシート状の熱硬化性樹脂組成物。」
　
　
４．対比・判断 
　
　本願発明と引用発明とを対比する。 
　
ａ．上記イの段落【００１８】によると、融点が１００℃超のエポキシ樹脂が列記されているから、引用発明の「エポキシ樹脂」は、本願発明の「１気圧、２５℃で固形であるエポキシ樹脂」に相当する。
　
ｂ．上記ウによると、硬化促進剤として「４Ｐ４Ｂ（テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート）」を使用し得ることが記載されており、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートの融点は３００℃を超えるから、引用発明の「硬化促進剤」は、本願発明の「１２０℃以上の融点を有し、ホスフィン類を含み、前記ホスフィン類が一般式（１）で表される化合物」に相当する。但し、本願発明は「活性領域が１２０℃以上である」としているのに対して、引用発明には活性領域の特定がない。
　
ｃ．引用発明の「シート状熱硬化性樹脂組成物」は、加熱溶融して溶融状態となり、半導体素子と配線回路基板との間の空隙内に溶融状態の樹脂が充填し、半田リフローによる金属接合を行った後、樹脂を硬化させることにより空隙を封止して封止樹脂層を形成するものであるから、本願発明の「半導体封止用フィルム状接着剤」に相当する。
　
　したがって、本願発明と引用発明は、以下の点で一致ないし相違している。 
　
（一致点） 
　「（ａ）１気圧、２５℃で固形であるエポキシ樹脂と、（ｂ）硬化促進剤とを含有しており、
　前記（ｂ）硬化促進剤は、１２０℃以上の融点を有するホスフィン類を含み、かつ、前記ホスフィン類が、下記一般式（１）で表される化合物である
フリップチップ接続方式に用いられる半導体封止用フィルム状接着剤。
　　【化１】
  
［式（１）中、Ｒ１及びＲ２は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基又はフェニル基を示し、前記フェニル基は、置換基を有していてもよい。］ 」
　
（相違点１）
　硬化促進剤として、本願発明は「活性領域が１２０℃以上」のものを含んでいるが、引用発明には活性領域の特定がない。
　
（相違点２）
　本願発明は、半導体封止用フィルム状の接着剤に「３００００以上の重量平均分子量を有し、且つ１００℃以下のガラス転移温度を有するポリイミド」を含有させているが、引用発明はポリイミドを含有するものではない点。
　
　そこで、上記相違点について検討する。 
　
＜相違点１について＞
　上記ｂに記載したとおり、引用発明は「テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート」を選択し得るものであり（なお、エポキシ樹脂の硬化促進剤としてテトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレートを含有したフィルム状接着剤は、例えば特開２００４−２１１０５３号公報（段落【００８０】のＴＰＰＫを参照。）、国際公開第２００４／１１１１４８号（３２頁の表１、３４頁のＴＰＰＫを参照。）に記載されているように周知のものである。）、本願発明の実施例（段落【００９２】）の硬化促進剤（テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート；ＴＰＰＫ）と引用発明の硬化促進剤は同じ化合物であるから、引用発明の硬化促進剤も同様に「活性領域が１２０℃以上」といえる。したがって、相違点１は実質的な相違点ではない。
　
＜相違点２について＞
　原査定の拒絶の理由に引用された特開２００７−３０５９４６号公報（以下、「引用例２」という。）の段落【００２３】には、接着フィルムのフィルム形成能を向上するために熱可塑性樹脂を含むのが好ましいこと、その熱可塑性樹脂としてポリイミド樹脂が記載されている。そして、引用例２の段落【００２６】には、熱可塑性樹脂のガラス転移温度は、−２５〜１２０℃であることが好ましく、特に−２０〜６０℃が好ましく、最も−１０〜５０℃が好ましいことが記載されているから、１００℃以下のガラス転移温度を有する樹脂を用いることが記載されているといえる。
　また、原査定の拒絶の理由に引用された特開２００５−３０７０３７号公報（以下、「引用例３」という。）の段落【００２３】には、フィルム状接着剤において、重量平均分子量１０，０００〜１，０００，０００のシート化剤を用いること、具体例としてポリイミド樹脂が記載されている。
　そして、フィルム状接着剤の主材として、３００００以上の重量平均分子量を有し、且つ１００℃以下のガラス転移温度を有する「ポリイミド樹脂」を用いることは周知である。(例えば、上記＜相違点１について＞でも提示した特開２００４−２１１０５３号公報の段落【００２４】、【００２５】、【００７９】を参照。国際公開第２００４／１１１１４８号の１３頁７行〜２１行、２７頁４４行〜３１頁５行を参照。）
　したがって、引用発明の半導体封止用フィルム状接着剤において、引用例２、引用例３、周知技術を組み合わせて、「３００００以上の重量平均分子量を有し、且つ１００℃以下のガラス転移温度を有するポリイミド」を含有させて相違点２とすることは、当業者であれば容易になし得る事項である。
　そして、本願発明の作用効果も、引用例１乃至３及び周知技術から当業者が容易に予測できる範囲のものである。 
　
　
５．むすび 
　
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものであるから、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
　よって、結論のとおり審決する。