(57)【要約】【課題】複数の半導体チップを厚さ方向に積層したＳｉＰ（システムインパッケージ）において、密なピッチで配置した上下層の半導体チップ等の端子同士を経済的にかつ安定に接続し得る接触機構を提供する。【解決手段】複数の半導体チップを含むＳｉＰおいて、積層した上下の半導体チップ間、半導体チップとパッケージ直材との間及び／又は半導体チップをセットした直材間の電気的接続を、接続すべき上層と下層との間に、耐熱絶縁フィルム等からなる絶縁層に設けた貫通孔に導電性金属細線で成形された接触部材（リング）を貫挿してなるコンタクト層を介在させ、該コンタクト層に貫挿した前記接触部材によって、積層した上下層の端子同士を電気的に接続する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の半導体チップを垂直方向に積層したスタック型のシステムインパッケージ（ＳｉＰ）及び／又は半導体チップをパッケージ直材上に水平に並置したシステムインパッケージ（ＳｉＰ）において、積層した上下の半導体チップ同士の間、半導体チップとパッケージ直材との間及び／又はパッケージ直材同士の間の電気的接続を、接続すべき上層と下層との間に、巻回した導電性金属細線を上下方向に長い形状に成形した接触部材を設けたコンタクト層を介在させ、該コンタクト層の前記接触部材によって、該コンタクト層の上下に配置した半導体チップ又は直材の端子同士を電気的に接続するようにしたことを特徴とするシステムインパッケージ（ＳｉＰ）用接触機構。
【請求項２】
前記接触部材が、上下層からの荷重により上下方向の寸法が変化し得る可撓性の部材であることを特徴とする請求項１に記載のシステムインパッケージ（ＳｉＰ）用接触機構。
【請求項３】
前記コンタクト層が、合成樹脂フィルム又は合成樹脂シートからなる絶縁層と、該絶縁層に設けた複数の貫通孔のそれぞれに貫挿した接触部材とからなることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のシステムインパッケージ（ＳｉＰ）用接触機構。
【請求項４】
前記接触部材が、巻回した導電性金属細線をコンタクト層の厚さ方向に長径を有する楕円形リングに成形したものであることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載のシステムインパッケージ（ＳｉＰ）用接触機構。
【請求項５】
前記接触部材が、巻回した導電性金属細線を前記コンタクト層の厚さ方向に伸びた長方形、菱形又はきのこ形等の形状に成形したものであることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載のシステムインパッケージ（ＳｉＰ）用接触機構。
【請求項６】
前記接触部材が、その外周の一部が前記絶縁層に穿設した貫通孔の内壁に圧接するよう該貫通孔内に貫挿され、かつ該接触部材の上端及び下端がそれぞれ前記絶縁層の上面及び下面から突出して上下層の端子と接触するようにしたことを特徴とする請求項１〜請求項５のいずれかに記載のシステムインパッケージ（ＳｉＰ）用接触機構。
【請求項７】
接続すべき上層と下層との間に、前記絶縁層に設けた貫通孔に導電性金属細線からなる前記接触部材を貫挿してなるコンタクト層を介在させ、該コンタクト層に貫挿した前記接触部材によって、積層した上下層の端子同士を電気的に接続するとともに、該コンタクト層を含む上下層間の空間を絶縁性の伝熱性材料で充填したことを特徴する請求項１〜請求項６のいずれかに記載のシステムインパッケージ（ＳｉＰ）用接触機構。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の半導体チップを実装したシステム・イン・パッケージ（以下、単に「ＳｉＰ」という）における半導体チップの接触機構に関する。さらに詳しくは、複数の半導体チップを垂直方向に積層したスタック型のＳｉＰ（半導体チップを基板上にセットしたものを基板ごと積層したものも含む、以下同じ）あるいは、半導体チップをパッケージ直材上に水平に並置したＳｉＰにおいて、積層した上下の半導体チップ間、半導体チップとパッケージ直材との間及び／又は半導体チップをセットした直材間等の電気的接続を行うための新規な接触機構に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体パッケージの小型化を図るために、ＳｉＰと称される技術が注目されつつある（例えば、非特許文献１参照）。
かかるＳｉＰ技術は、複数のメモリやＣＰＵ等の半導体チップを一体のパッケージとして小型化する手段として有効であり、複数の半導体チップを直接厚み方向に重ねて積層しスタック化したタイプあるいは一つの直材（基板）上に複数の半導体チップを並置したタイプ、直材（基板）上にセットした半導体チップを該直材ごと重ね合わせたタイプ等がある。
いずれの場合も、重ね合わせた半導体チップ同士あるいは半導体チップと直材との接続が問題であり、現状ではハンダにより金属細線（ワイヤー）で接続することが行われている。
【０００３】
しかしながら、ハンダにより接続するのは、隣接する接続点の間隔が制約され、また一旦接続した後に、該パッケージを構成する一部の半導体チップを取り替えることが困難なため、一部の半導体チップに不具合があるとパッケージ全体を不良品とせざるを得ないという問題があった。
【０００４】
また、複数の半導体チップを積層したＳｉＰにおいて、上下の半導体チップにおける入出力パッド同士を互いに対向させて接触するように積層することも知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００５】
しかしながら、このような接触機構は、積層する上下の半導体チップの入出力パッドの位置が正確に接触するように半導体チップを作成する必要があり、製造工程が煩雑である。
【非特許文献１】‘Ｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｊｏｕｒｎａｌ’  ２００３年９月号、第９８〜１０１頁
【特許文献１】特開２００５−１０９２３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の主たる目的は、従来のＳｉＰの接触機構における前述のような問題を解消し、より狭い間隔で配置された端子同士の接続が可能であり、かつ該パッケージを構成する半導体チップの一部に不具合が見られたときに、そのチップを交換可能なＳｉＰの接触機構を提供しようとすることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、従来のＳｉＰの接触機構における諸問題を解消すべく鋭意研究の結果、複数の半導体チップを垂直方向に積層したスタック型のシＳｉＰ及び／又は半導体チップをパッケージ直材上に水平に並置したＳｉＰにおいて、積層した上下の半導体チップ同士の間、半導体チップとパッケージ直材との間及び／又はパッケージ直材同士の間の電気的接続を、接続すべき上層と下層との間に、特定のコンタクト層を介在させ、該コンタクト層によって、積層した上下層の端子同士を電気的に接続することに着想し、本発明に到達した。
【０００８】
すなわち、本発明のうち請求項１に係る発明は、複数の半導体チップを垂直方向に積層したスタック型のシステムインパッケージ（ＳｉＰ）及び／又は半導体チップをパッケージ直材上に水平に並置したシステムインパッケージ（ＳｉＰ）において、積層した上下の半導体チップ同士の間、半導体チップとパッケージ直材との間及び／又はパッケージ直材同士の間の電気的接続を、接続すべき上層と下層との間に、巻回した導電性金属細線を上下方向に長い形状に成形した接触部材を設けたコンタクト層を介在させ、該コンタクト層の前記接触部材によって、該コンタクト層の上下に配置した半導体チップ又は直材の端子同士を電気的に接続するようにしたことを特徴とするシステムインパッケージ（ＳｉＰ）用接触機構、に係るものである。
なお、本発明で言う「パッケージ直材」とは半導体パッケージを構成する各部材のうち半導体チップ（ＩＣチップ）以外の部材を総称し、例えば「パッケージ基板」、「リードフレーム」等を含む広範囲な部材を意味する。
【０００９】
請求項２の発明は、前記システムＳｉＰ用接触機構において、前記接触部材が、上下層からの荷重により上下方向の寸法が変化し得る可撓性の部材であることを特徴とするものであり、前記接触部材が上下層の端子と確実かつ安定的に接触するようにしたものである。
【００１０】
請求項３の発明は、前記ＳｉＰ用接触機構において、前記コンタクト層が、合成樹脂フィルム又は合成樹脂シートからなる絶縁層と、該絶縁層の複数の貫通孔のそれぞれに貫挿した接触部材とからなることを特徴とするものである。そして、請求項４の発明は、前記接触部材が、巻回した導電性金属細線をコンタクト層の厚さ方向に長径を有する楕円形に成形したリングであることを特徴とし、また、請求項５の発明は、前記接触部材が、巻回した導電性金属細線をコンタクト層の厚さ方向に伸びた、長方形、菱形又はきのこ形等の形状に成形したものであることを特徴とするものであって、かかる接触部材を備えることによって、より実用性の高い接触機構としたものである。
【００１１】
請求項６の発明は、前記ＳｉＰ用接触機構において、前記接触部材が、その外周の一部が前記絶縁層に穿設した貫通孔の内壁に圧接するように該貫通孔内に貫挿され、かつ該接触部材の上端及び下端がそれぞれ前記絶縁層の上面及び下面から突出して上下層の端子と接触するようにしたことを特徴とするもので、低コストで実用性の高い接触機構を提供するものである。
【００１２】
さらに、請求項７の発明は、前記ＳｉＰ用接触機構において、接続すべき上層と下層との間に、前記絶縁層に設けた貫通孔に導電性金属細線からなる前記接触部材を貫挿してなるコンタクト層を介在させ、該コンタクト層に貫挿した前記接触部材によって、積層した上下層の端子同士を電気的に接続するとともに、該コンタクト層を含む上下層間の空間を絶縁性の伝熱性材料で充填したことを特徴するものであって、システムインパッケージ（ＳｉＰ）中で発生・蓄積する熱を効果的に外部へ放散させるようにしたものである。
【００１３】
本発明は、複数の半導体チップを垂直方向に積層したスタック型のＳｉＰ及び／又は半導体チップをパッケージ直材上に水平に並置したＳｉＰのいずれにも適用され、本発明の接触機構は、これらのＳｉＰにおいて、積層した上下の半導体チップ同士の間、半導体チップとパッケージ直材との間及び／又はパッケージ直材同士（例えば、半導体チップをセットした基板同士）の間の電気的接続を電気的接続を行うため、接続すべき上層と下層との間に以下に詳述する特定のコンタクト層を介在させ、該コンタクト層に設けた接触部材によって、積層した上下層の端子同士を電気的に接続するものである。
【００１４】
本発明において、前記コンタクト層は、好ましくは、合成樹脂フィルム又は合成樹脂シートからなる絶縁層と、該絶縁層に穿設した複数の貫通孔のそれぞれに貫挿した、導電性金属細線から成形してなる接触部材とで構成される。
【００１５】
前記絶縁層の一具体例としては、厚さ２５〜２００μｍ程度の合成樹脂製のフィルム又はシートを挙げることが出来る。このフィルム又はシートは耐熱性の合成樹脂からなるものが好適である。ここで言う「耐熱性」とは、約１８０℃以上の熱変形温度を有することを意味し、かかる合成樹脂としては、例えば、ポリイミド、ポリアミドイミド、アラミド（全芳香族ポリアミド）等を挙げることが出来る。なかでも、ポリイミドのフィルム又はシートは、種々の点で本発明の接触機構を構成する絶縁層として実用性に優れており好適である。ただし、本発明では、絶縁層として耐熱性合成樹脂製のフィルム又はシートを使用するのが好ましいが、絶縁機能を有する他の素材で構成しても差し支えない。
既に述べたように、前記絶縁層には、その厚さ方向に貫通する複数の小孔が穿設されている。この絶縁層における貫通孔の数、位置・レイアウト等は、接続する半導体チップ等の接続端子の数や位置に応じて適宜選定される。本発明の接触機構におけるコンタクト層は、これらの貫通孔に、後述する接触部材が各１個ずつ貫挿されて構成されている。
【００１６】
該接触部材は、巻回した導電性金属細線を所定の形状に成形したものであり、その具体例としては、導電性金属細線を１回又は複数回のループに巻回してなる環状体を楕円形、長方形、菱形、きのこ形等の形状に成形した部材を挙げることができる。これらの接触部材は、あたかも平面上に金属細線で楕円形、長方形、菱形、きのこ形等を描き、それらをほぼ垂直方向に立ち上げたような形態を有する。これらは、前記絶縁層の貫通孔に貫挿されその位置に保持される。前記接触部材として、導電性金属細線を１回又は複数回のループに巻回した楕円形のリングを使用するときは、長径６０〜１５０μｍの楕円形リングとするのが好適である。また、前記金属細線の環状体を、長方形、菱形又はその他の所定形状に成形したものでは、長さ方向の寸法が６０〜１５０μｍのものが好適である。楕円形リングの場合、該楕円形の短径を前記絶縁層の貫通孔の内径とほぼ等しくするのがよく、その他の形状の場合、中央部付近で長さ方向と直交する部分の寸法を前記貫通孔の内径とほぼ等しくするのがよい。これらの部材は、いずれも導電性金属細線を巻回した環状体から所定の形状に成形しているため、上下からの荷重に対して可撓性を有し、荷重によって部材が弾性的に変形してその上下方向の寸法が適度に変化するため、該接触部材の上下に位置する端子と確実に接触する。
【００１７】
ただし、本発明の接触機構を構成する接触部材は、導電性金属細線を巻回した環状体を成形したものであって、絶縁層の貫通孔に貫挿された状態で荷重に応じて上下方向に寸法変化する可撓性部材であれば、上記の形状に成形したものに限定されず、例えば、該部材の上端又は下端を拡大させかつ他方の先端を尖らせた矢印形や一本の棒状等に成形したものでもよい。また、１つの絶縁層に２種以上の異なる形状の接触部材を配置してもよい。
【００１８】
この接触部材を形成する導電性金属細線の材料は、特に限定されないが、一般に低硬度の金属であるアルミニウム、銅、銀、金、鉄あるいはこれらを含む合金等が適当である。鉄類からなる細線としてはステンレス線、ピアノ線等が有用である。
【００１９】
前記接触部材は、いずれの形状に成形する場合も、導電性金属細線を複数回、特に２〜１０回、に巻回して環状したものを所定の形状に成形するのが好ましい。このように導電性細線を複数回巻回した環状体で接触部材を構成することによって、該接触部材と上下の接続端子との接触面積が大きくなり、導電安定性が飛躍的に向上する。すなわち、複数回巻回した環状の前記金属細線を所定形状（例えば、楕円形リング等）に成形した接触部材は、接続すべき上下の端子との接触面積が大きく、かつ適度な可撓性を有するため、上下から荷重が加わったとき、わずかに押しつぶされ若干扁平化するように変形して、上下方向の寸法を変えつつ、上下の端子と確実に密接し、安定して電気的な接続を行うことができる。
【００２０】
本発明では、前記接触部材は、通常、前記絶縁層に穿設した貫通孔に貫挿されるが、該貫通孔の断面は円形、楕円形、方形、多角形、スリット形等の適宜な形状に形成されており、該貫通孔に貫挿入した導電性金属細線からなる接触部材の外周の一部が該貫通形孔の内壁に圧接して接触部材をその位置を把持し、かつ該接触部材の上端部及び下端部がそれぞれ前記絶縁層の上下面から上方及び下方に突出するように配置されている。各接触部材は絶縁層の貫通孔内に把持されておればよく、場合によっては該貫通孔内を上下に移動（滑動）可能に設けてもよい。
【００２１】
本発明の接触構造では、前述のごとく、ＳｉＰで電気的に接続すべき上層と下層との間に、絶縁層に設けた貫通孔に導電性金属細線からなる上下可動可に成形された接触部材を貫挿してなるコンタクト層を介在させ、該コンタクト層に貫挿した前記に上下可動可に成形された接触部材よって、積層した上下層の端子同士を電気的に接続するが、この際、上下層の間の該コンタクト層を含む区間を、絶縁性の伝熱性材料で充填することが好適である。このように伝電性材料を充填することによって、半導体チップの発熱を伝熱性材料によって効率的に外部に放出することができる。
【００２２】
このような絶縁性の伝熱材料としては、例えば、放熱シリコーングリース、放熱シリコーン接着剤、エポキシ系高熱伝導性接着材等の有機材料、酸化ケイ素や酸化アルミニウム等の絶縁性無機熱伝導フィラーを挙げることが出来る。
【００２３】
本発明の接触構造は、前述の如く、複数の半導体チップを重ね合わせてパッケージとしたスタック型ＳｉＰ、複数の半導体チップをパッケージ直材の上に並列させて配置したＳｉＰ、あるいは、半導体チップを基板の上にセットしたものを基板ごと積層したＳｉＰにおいて、積層した上下の半導体チップ間、半導体チップとパッケージ直材との間及び／又は半導体チップをセットした直材間の電気的接続を行う手段として、有効に活用することができる。すなわち、本発明に接触構造による接続の対象となる端子は、例えば、複数の半導体チップを垂直方向に積層したスタック型のＳｉＰ（半導体チップを直接積層したもの、直材上にセットした半導体チップを直材ごと積層したものを含む）、及び／又は、半導体チップをパッケージ直材上に水平に並置したＳｉＰにおける上下の端子である。すなわち、半導体チップにおける上下で相対する電極パット又はバンプ等の端子同士であってもよく、半導体チップ下面の端子とそれをセットした基板上面の端子との接続であってもよい。また、絶縁性の合成樹脂、ガラス、セラミックス等からなる直材（基板）上にセットした半導体チップを該直材ごと積層したタイプの半導体パッケージでは、上側の直材底部の端子と下側の半導体チップの上面に設けた端子との接続であってもよい。
【００２４】
なお、前述のような本発明の接続構造を有するＳｉＰは、その全体又は一部を絶縁性の樹脂で封止してもよい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の接触構造は、前述の如く、ＳｉＰにおいて、各層を電気的に接続する手段として、絶縁層に設けた導電性金属細線からなる上下に寸法変化し得る可撓性接触部材の上下端を該絶縁層の上下面から突出させているので、該接触部材によって上下に積層した半導体チップ等の電極端子と良好な接触状態を保ち、安定的に導通させることができる。しかも、導電性金属細線からなる接触部材が、半導体チップ等端子の間に介在させて上方から加圧したときに半導体チップ等の平面度を吸収しつつ端子同士を接触させるのに十分な変形を起こすとともに、該接触部材が直立性を維持したままで端子同士を接続することができる。この結果、複雑な形状の半導体チップの端子同士でも電気的に確実に接続することができる。
【００２６】
また、導電性金属細線を前記の形状に成形した接触部材を、その長手方向が絶縁フィルム又はシートの厚さ方向に沿うように配置すれば、ハンダボールのような球形の導電部材に比べて場所をとらず、絶縁フィルムに狭い間隔（ファインピッチ）で設置することができる上に、例えば楕円形ループ等に形成にしたリングは上下からの荷重に対して適度なバネ弾性を有するので、半導体チップ等の端子が損傷するのを防止することができる。
【００２７】
しかも、本発明の接触構造は、製造コストが安く、経済性にも優れている。この点は、工業上に適用する場合に特に重要な利点である。
【００２８】
本発明のさらなる効果及び利点については、後述する好適な実施形態の説明によって明らかとなろう。この実施形態では、主に、前記接触部材が、合成樹脂フィルムからなる絶縁層の貫通孔に貫挿した導電性金属細線からなる楕円形リングである場合について説明しているが、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２９】
以下、本発明の好適な実施形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係るスタック型半導体パッケージの構造を示す簡略化した断面図である。図２は、コンタクト層の一例を示す簡略化した断面図であって複数の貫通孔にそれぞれ導電性金属細線を楕円形リングに成形した接触部材を貫挿した耐熱性絶縁フィルムの例を示すものである。また、図３は、導電性金属細線を成形してなる種々の接触部材を例示する側面図である。
【００３０】
図１は、本発明に係る接触構造を有する半導体チップのＳｉＰ（システムインパッケージ）の全体構成の一例を示す。図１において、それぞれ機能の異なる半導体チップ（具体的には、メモリ２とＣＰＵ３）を積層し、それらをセラミックス基板１の上にセットしたＳｉＰの簡略化した断面図である。図１において、ＣＰＵ３の上にメモリ２が積層され、これの積層体がセラミックス基板１の上に載置されて、樹脂（図示せず）で全体を封止してなるＳｉＰを構成している。
【００３１】
すなわち、このＳｉＰにあっては、メモリ２の下部の電極パッド（端子）２１とＣＰＵ３の上部の電極パッド（端子）３１の位置が対向して配置されている。また、ＣＰＵ３の下部の電極パッド（端子）３１と基板１の端子１１の位置も相互に対向している。図１のＳｉＰでは、これらの電極バッド又は端子同士を、メモリ２とＣＰＵ３との間に配置したコンタクト層４と、ＣＰＵ３と基板との間に配置した別のコンタクト層４とによって電気的に接続されている。
【００３２】
ここで使用されるコンタクト層４は、いずれも、耐熱性絶縁フィルムからなる絶縁層４１をベースとして、これに穿設した複数の貫通孔４３にそれぞれ導電性金属細線からなる接触部材４２を貫挿したもので構成されている。すなわち、かかるコンタクト層４は、図２に示すように、ポリイミド等の耐熱絶縁性合成樹脂フィルムからなる絶縁層４１に多数の貫通孔４３を穿設し、各貫通孔に導電性金属細線を楕円形リングに成形した接触部材４２を差し込んで、該接触部材４２の上下端をフィルムからなる絶縁層４１の上下面より突出させたものである。
【００３３】
図１及び図２では、接触部材４２として、導電性金属細線を巻回して成形した楕円形リングを使用しているが、本発明では、これ以外の各種形状に成形したものも使用可能である。例えば、図３に示すように、楕円形リング（Ａ）以外に、長方形のリング（Ｂ）、菱形のリング（Ｃ）あるいは、きのこ型のリング（Ｄ）であってもよい。これらは図示したものよりも細長い形状にしてもよく、上下端の一方又は両方を尖った形状にしてもよい。本発明では、いずれも、図２及び図３に示すように、導電性金属細線を複数回（２〜１０回程度）巻回して環状体（ループ）としたものを所定の形状に成形したものが好ましい。また、複数の導電性金属細線を引き揃えて同様の環状体を成形したものでもよい。
【００３４】
図１及び図２に示すように、これらの接続部材４２は、その長手方向が合成樹脂フィルム等からなる絶縁層４１の表面と直交する方向に沿って、すなわち、貫通孔４３中へ縦方向に挿入され、該部材４２の上端部及び下端部が貫通孔４３の上下の開口部から突出するように存在している。各接続部材４２は、その両外側で貫通孔４３の内壁に圧接し、各通孔内に安定的に把持される。
【００３５】
本発明に係る接触構造のコンタクト層４にあっては、導電性金属細線を所定形状に成形してなる接触部材４２を、その長手方向を絶縁層４１の厚さ方向に沿って設置しているので、従来のハンダボール等に比べて単位面積あたりの設置数を増大させることができ、その結果、端子がファインピッチで設けられた半導体チップの接続を可能にすることができる上に、金属細線からなる接触部材全体として適度な可撓性と弾性を有するので、安定的に上下端子の電気的接続を行うことができる。
【００３６】
本発明の接触構造では、さらに、コンタクト層４を含む、上下の半導体チップ間、あるいは半導体チップと直材との間、例えば、図１のメモリ２とＣＰＵ３との間や基板１とＣＰＵ３との間、を絶縁性の伝熱材料（図示せず）で充填してもよい。このような伝熱材料で充填することによって半導体チップで発生した熱を外部に放散させることができる。また、ＳｉＰの全体又は一部を絶縁性樹脂等で封止してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３７】
本発明の接触構造を有するＳｉＰは、小型で高性能の半導体パッケージとなるので、従来、スタック型半導体パッケージ（スタックＭＰＣ）が使用されている携帯電話端末機のみならず、ＳｉＰのあらゆる分野で広く利用することができ、電子機器の小型化を実現する上で有用である。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１】本発明の一実施形態に係るＳｉＰを例示するスタック型半導体パッケージの簡略化した断面図。
【図２】絶縁層として耐熱性絶縁フィルムを用い、その貫通孔に断熱導電性金属細線を巻回して楕円形のループに形成したリングを貫挿して形成したコンタクト層を例示する簡略化した断面図。
【図３】楕円形リング以外の形状に導電性金属細線を成形してなる接触部材を例示する側面図であり、（Ａ）は楕円形、（Ｂ）は長方形、（Ｃ）は菱形、（Ｄ）はきのこ形に成形した例を示す。
【符号の説明】
【００３９】
１    基板
１１  基板の端子
２    メモリ（半導体チップ）
２１  メモリの電極バッド
３    ＣＰＵ（半導体チップ）
３１  ＣＰＵの電極パッド
４    コンタクト層
４１  耐熱性絶縁フィルムからなる絶縁層
４２  導電性金属細線を成形した接続部材
４３  絶縁層に設けた貫通孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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