(57)【要約】【課題】発光素子を長時間発光すると、発光素子の特性が変化し、同じ電圧を印加しても流れる電流が小さくなり、且つ同じ電流を流しても発光輝度が小さくなっていた。特に、発光素子を搭載した表示装置の場合、焼き付きとして表示画面に現れるという問題があった。【解決手段】画像表示を行う通常駆動期間とは別に、画素毎の発光素子の特性を検出する焼き付き補正期間とを設け、焼き付き補正期間で取得した発光素子の特性に基づいて通常駆動期間に画素毎に入力するビデオ信号を補正することで、発光素子は特性の変化を補償して発光することができる。【選択図】図１
2007086758.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バッテリーと、発光素子を含む画素と、を有する表示装置であって、
前記発光素子の特性を取得する第１の焼き付き補正期間終了時から、画像を表示する
第１の通常駆動期間を経て一定の期間が経過すると、第２の焼き付き補正期間へ移行するための第１の信号を出力するタイマー回路と、
前記バッテリーを充電しているときに前記第２の焼き付き補正期間へ移行するための第２の信号を出力する充電手段検出回路と、
前記第１の信号及び前記第２の信号が入力された場合に前記第１の通常駆動期間から前記第２の焼き付き補正期間へ移行し、前記第１の信号又は前記第２の信号が入力されなくなったとき前記第２の焼き付き補正期間から第２の通常駆動期間へ移行する第３の信号を出力する駆動方法選択回路と
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項２】
発光素子を含む画素を有する表示装置であって、
前記発光素子の特性を取得する第１の焼き付き補正期間終了時から、画像を表示する第１の通常駆動期間を経て一定の期間が経過すると、第２の焼き付き補正期間へ移行するための第１の信号を出力するタイマー回路と、
前記表示装置への電源投入が一定時間行われなかった場合に前記第２の焼き付き補正期間へ移行するための第２の信号を出力する未操作期間検出回路と、
前記第１の信号及び前記第２の信号が入力された場合に前記第１の通常駆動期間から前記第２の焼き付き補正期間へ移行し、前記第１の信号又は前記第２の信号を入力されなくなったとき前記第２の焼き付き補正期間から第２の通常駆動期間へ移行する第３の信号を出力する駆動方法選択回路と
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項３】
バッテリーと、発光素子を含む画素と、を有する表示装置であって、
前記発光素子の特性を取得する第１の焼き付き補正期間終了時から、画像を表示する第１の通常駆動期間を経て一定の期間が経過すると、第２の焼き付き補正期間へ移行するための第１の信号を出力するタイマー回路と、
前記バッテリーを充電しているときに前記第２の焼き付き補正期間へ移行するための第２の信号を出力する充電手段検出回路と、
前記表示装置の画素部の周辺輝度があらかじめ設定された輝度付近の場合に、前記第２の焼き付き補正期間へ移行するための第３の信号を出力する周辺輝度検出回路と、
前記第１の信号、前記第２の信号、及び前記第３の信号が入力された場合に前記第１の通常駆動期間から前記第２の焼き付き補正期間へ移行し、前記第１の信号、前記第２の信号、又は前記第３の信号が入力されなくなったとき前記第２の焼き付き補正期間から第２の通常駆動期間へ移行する第４の信号を出力する駆動方法選択回路と
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項４】
発光素子を含む画素を有する表示装置であって、
前記発光素子の特性を取得する第１の焼き付き補正期間終了時から、画像を表示する第１の通常駆動期間を経て一定の期間が経過すると、第２の焼き付き補正期間へ移行するための第１の信号を出力するタイマー回路と、
前記表示装置への電源投入が一定時間行われなかった場合に前記第２の焼き付き補正期間へ移行するための第２の信号を出力する未操作期間検出回路と、
前記表示装置の画素部の周辺輝度があらかじめ設定された輝度付近の場合に、前記第２の焼き付き補正期間へ移行するための第３の信号を出力する周辺輝度検出回路と、
前記第１の信号、前記第２の信号、及び前記第３の信号が入力された場合に前記第１の通常駆動期間から前記第２の焼き付き補正期間へ移行し、前記第１の信号、前記第２の信号、及び前記第３の信号が入力されなくなったとき前記第２の焼き付き補正期間から第２の通常駆動期間へ移行する第４の信号を出力する駆動方法選択回路と
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項５】
発光素子を含む画素を有する表示装置であって、
前記発光素子の特性を取得する第１の焼き付き補正期間終了時から、画像を表示する第１の通常駆動期間を経て一定の期間が経過すると、第２の焼き付き補正期間へ移行するための第１の信号を出力するタイマー回路と、
前記タイマー回路から出力される前記信号が入力された場合に前記第１の通常駆動期間から前記焼き付き補正期間へ移行し、前記信号が入力されなくなったとき前記焼き付き補正期間から第２の通常駆動期間へ移行する第２の信号を出力する駆動方法選択回路と
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項６】
バッテリーと、発光素子を含む画素と、を有する表示装置であって、
画像を表示する第１の通常駆動期間と、前記発光素子の特性を取得する前記焼き付き補正期間のいずれに移行するかを選択でき、前記焼き付き補正期間への移行を選択する場合は前記焼き付き補正期間へ移行するための第１の信号を出力するスタート回路と、
前記バッテリーを充電しているときに前記焼き付き補正期間へ移行するための第２の信号を出力する充電手段検出回路と、
前記第１の信号及び前記第２の信号が入力された場合に前記第１の通常駆動期間から前記焼き付き補正期間へ移行し、前記第１の信号又は前記第２の信号が入力されなくなったとき前記焼き付き補正期間から第２の通常駆動期間へ移行する第３の信号を出力する駆動方法選択回路と
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項７】
発光素子を含む画素を有する表示装置であって、
画像を表示する第１の通常駆動期間と、前記発光素子の特性を取得する焼き付き補正期間のいずれに移行するかを選択でき、前記焼き付き補正期間への移行を選択する場合は前記焼き付き補正期間へ移行するための第１の信号を出力するスタート回路と、
前記表示装置の画素部の周辺輝度があらかじめ設定された輝度付近の場合に、前記焼き付き補正期間へ移行するための第２の信号を出力する周辺輝度検出回路と、
前記第１の信号及び前記第２の信号が入力された場合に前記第１の通常駆動期間から前記焼き付き補正期間へ移行し、前記第１の信号又は前記第２の信号が入力されなくなったとき前記焼き付き補正期間から第２の通常駆動期間へ移行する第３の信号を出力する駆動方法選択回路と
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項８】
バッテリーと、発光素子を含む画素と、を有する表示装置であって、
画像を表示する第１の通常駆動期間と、前記発光素子の特性を取得する焼き付き補正期間のいずれに移行するかを選択でき、前記焼き付き補正期間への移行を選択する場合は前記焼き付き補正期間へ移行するための第１の信号を出力するスタート回路と、
前記バッテリーを充電しているときに前記焼き付き補正期間へ移行するための第２の信号を出力する充電手段検出回路と、
前記表示装置の画素部の周辺輝度があらかじめ設定された輝度付近の場合に、前記焼き付き補正期間へ移行するための第３の信号を出力する周辺輝度検出回路と、
前記第１の信号、前記第２の信号、及び前記第３の信号を入力した場合に前記第１の通常駆動期間から前記焼き付き補正期間へ移行し、前記第１の信号、前記第２の信号、又は前記第３の信号が入力されなくなったとき前記焼き付き補正期間から第２の通常駆動期間へ移行する第４の信号を出力する駆動方法選択回路と
を有することを特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１の焼き付き補正期間は、前記画素毎に含まれる発光素子の特性を発光素子の対向電極に流れる電流を検出することによって取得することを特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第１の焼き付き補正期間において、前記画素毎に含まれる発光素子の特性を発光素子の電源線に流れる電流を検出することによって取得することを特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記第１の焼き付き補正期間は、
特性の劣化が早いと予想される領域の前記画素に含まれる発光素子の特性を優先的に取得することを特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項９乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記第１の焼き付き補正期間における前記対向電極の電位は、前記第１の通常駆動期間における前記向電極の電位と同じとすることを特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項１０乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記第１の焼き付き補正期間における前記電源線の電位は、前記第１の通常駆動期間における前記電源線の電位と同じとすることを特徴とする表示装置。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１３のいずれか一項において、
前記第１の焼き付き補正期間における駆動周波数は、前記第１の通常駆動期間における駆動周波数と同じとすることを特徴とする表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はトランジスタを含んで構成される表示装置に関する。特に、薄膜トランジスタ（以下、「ＴＦＴ」ともいう）を含んで構成される画素を備えた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶の電気光学特性やエレクトロルミネセンスで発光する素子を用いた薄型のディスプレー（フラットパネルディスプレーとも呼ばれる）が注目を集め、市場の拡大が見込まれている。薄型ディスプレーとして、ガラス基板上に形成したＴＦＴで画素を構成する、所謂アクティブマトリクス型のディスプレーが重要視されている。特に、多結晶シリコン膜でチャネル部を形成するＴＦＴは、従来のアモルファスシリコン膜を用いたＴＦＴよりも電界効果移動度が高いので、高速動作が可能となっている。そのため、画素が形成された基板と同一の基板上にＴＦＴを用いて形成した駆動回路によって、画素の制御を行うことが可能となっている。ガラス基板上に、ＴＦＴを用いた画素やさまざまな機能回路が形成されたディスプレーは、部品点数の削減や製造工程の簡略化による歩留まり向上、生産性の向上など多くの利点が見込まれている。
【０００３】
エレクトロルミネセンス素子（有機ライトエミッティングダイオード（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）とも呼ばれている。以下、本明細書では「ＥＬ素子」若しくは「発光素子」ともいう。）とＴＦＴを組み合わせたアクティブマトリクス型のディスプレーは、薄型で軽量なディスプレーとして注目を集め、内外で研究開発が活発化している。このディスプレーは、有機ＥＬディスプレイ（ＯＥＬＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ  ＥＬ  Ｄｉｓｐｌａｙ）とも呼ばれ、２インチの小型のものから４０インチを超える大型ディスプレーの開発も検討されており、実用化段階での研究開発が盛んに行われてる。
【０００４】
一般的に、ＥＬ素子が劣化すると、ＥＬ素子に印加する電圧に対してのＥＬ素子に流れる電流が小さくなる。ＥＬ素子に流れる電流とＥＬ素子の発光輝度は比例関係にあるため、ＥＬ素子に流れる電流が小さくなるとＥＬ素子の発光輝度も下がることになる。また、ＥＬ素子は電流−発光輝度特性よりも電圧−電流特性のほうが劣化の度合いが大きい。例えば、ＥＬ素子に一定の電流を流し続けたときよりも、一定の電圧を印加し続けたときのほうが、発光輝度の低下が早くなる。つまり、ＥＬ素子は電流で駆動したときよりも、電圧で駆動したときのほうが劣化が早くなる。
【０００５】
ＥＬ素子を表示媒体として用いたアクティブマトリクス型ＥＬディスプレーでは、２本の電源線の間にＥＬ素子とＴＦＴ（以下、「駆動ＴＦＴ」ともいう）を直列に接続した構成において、駆動ＴＦＴを飽和領域で動作させ、駆動ＴＦＴのゲートとソース間の電圧を変化させ、ＥＬ素子に流れる電流値を制御する方法と、駆動ＴＦＴを線形領域で動作させ、ＥＬ素子に電圧を印加し発光する時間を制御する方法が知られている。また、駆動ＴＦＴを飽和領域で動作させる方法でも、所定の時間当たりにＥＬ素子に電流が流れる時間を制御し階調を表現する駆動方法も知られている。
【０００６】
駆動ＴＦＴを線形領域で動作させる方法において、駆動ＴＦＴがオンしているときはＥＬ素子には２本の電源線の電位がほとんどそのまま印加することになる。すなわち、ＥＬ素子は電圧で駆動する。上記のように、ＥＬ素子は電流で駆動するときよりも、電圧で駆動したときのほうが輝度の低下する割合が高くなるため、ＥＬ素子の発光輝度が同じでも、駆動ＴＦＴを飽和領域で動作させるよりも、線形領域で動作させたほうが発光輝度の低下する割合が高い。つまり、駆動ＴＦＴを線形領域で動作させる駆動方法のアクティブマトリクス型ＥＬディスプレーは、駆動ＴＦＴを飽和領域で動作させる駆動方法のアクティブマトリクス型ＥＬディスプレーに比べ焼き付きが起こりやすいことが言える。
【０００７】
駆動ＴＦＴを線形領域で動作させるアクティブマトリクス型ＥＬディスプレーの焼き付きを防止するため、全てのＥＬ素子の劣化状態を調べ、ビデオ信号により駆動する方法が知られている（特許文献１参照）。この方法によれば、１画素毎のＥＬ素子に一定電圧を印加した場合の電流値を調べ、劣化し電流値が小さくなっている画素があれば、劣化している画素へのビデオ信号を補正し、所定の電流値、すなわち所定の発光輝度が出るようにしている。
【特許文献１】特開２００３−１９５８１３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、従来の技術によれば、ＥＬ素子すなわちエレクトロルミネセンス材料を含む発光媒体を用いる発光素子で画素を構成した場合に、一画素毎の発光素子に流れる電流は微小（数μＡ程度）であるため、発光素子の特性を検出する条件が重要になってくる。例えば、同じ発光素子でも、条件が異なることにより、大きく特性が変わり、外部要因のノイズの影響も大きく変わってくる。
【０００９】
本発明は、発光素子の特性を検出する具体的な条件を示し、より正確に発光素子の劣化を補正することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一は、バッテリー、発光素子を含む画素、タイマー回路、充電手段検出回路及び駆動方法選択回路を有する表示装置である。タイマー回路は、発光素子の特性を取得する焼き付き補正期間終了時から、画像を表示する通常駆動期間を経て一定の期間が経過すると、次の焼き付き補正期間へ移行するための信号を出力する動作を行う。充電手段検出回路は、バッテリーを充電しているときに焼き付き補正期間へ移行するための信号を出力する動作を行う。駆動方法選択回路は、タイマー回路、及び充電手段検出回路から出力される焼き付き補正期間へ移行するための信号をすべて入力した場合に通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行し、いずれかの焼き付き補正期間へ移行するための信号が入力されなかったとき焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行するための信号を出力する動作を行う。
【００１１】
本発明の一は、発光素子を含む画素、タイマー回路、未操作期間検出回路及び駆動方法選択回路を有する表示装置である。タイマー回路は、発光素子の特性を取得する焼き付き補正期間終了時から、画像を表示する通常駆動期間を経て一定の期間が経過すると、次の焼き付き補正期間へ移行するための信号を出力する動作を行う。未操作期間検出回路は、表示装置への電源投入が一定時間行われなかった場合に焼き付き補正期間へ移行するための信号を出力する動作を行う。駆動方法選択回路は、タイマー回路、及び未操作期間検出回路から出力される焼き付き補正期間へ移行するための信号をすべて入力した場合に通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行し、いずれかの焼き付き補正期間へ移行するための信号が入力されなかったとき焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行するための信号を出力する動作を行う。
【００１２】
本発明の一は、バッテリー、発光素子を含む画素、タイマー回路、充電手段検出回路、周辺輝度検出回路及び駆動方法選択回路を有する表示装置である。タイマー回路は、発光素子の特性を取得する焼き付き補正期間終了時から、画像を表示する通常駆動期間を経て一定の期間が経過すると、次の焼き付き補正期間へ移行するための信号を出力する動作を行う。充電手段検出回路は、バッテリーを充電しているときに焼き付き補正期間へ移行するための信号を出力する動作を行う。周辺輝度検出回路は、表示装置の表示部の周辺輝度を輝度と設定している輝度付近の場合に焼き付き補正期間へ移行するための信号を出力する。駆動方法選択回路は、タイマー回路、充電手段検出回路、及び周辺輝度検出回路から出力される焼き付き補正期間へ移行するための信号をすべて入力した場合に通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行し、いずれかの焼き付き補正期間へ移行するための信号が入力されなかったとき焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行するための信号を出力する動作を行う。
【００１３】
本発明の一は、発光素子を含む画素、タイマー回路、未操作期間検出回路、周辺輝度検出回路及び駆動方法選択回路を有する表示装置である。タイマー回路は、発光素子の特性を取得する焼き付き補正期間終了時から、画像を表示する通常駆動期間を経て一定の期間が経過すると、次の焼き付き補正期間へ移行するための信号を出力する動作を行う。未操作期間検出回路は、表示装置への電源投入が一定時間行われなかった場合に焼き付き補正期間へ移行するための信号を出力する動作を行う。周辺輝度検出回路は、表示装置の表示部の周辺輝度があらかじめ設定された輝度付近の場合に焼き付き補正期間へ移行するための信号を出力する動作を行う。駆動方法選択回路は、タイマー回路、未操作期間検出回路、及び周辺輝度検出回路から出力される焼き付き補正期間へ移行するための信号をすべて入力した場合に通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行し、いずれかの焼き付き補正期間へ移行するための信号が入力されなかったとき焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行するための信号を出力する動作を行う。
【００１４】
本発明の一は、発光素子を含む画素、タイマー回路及び駆動方法選択回路を有する表示装置である。タイマー回路は、発光素子の特性を取得する焼き付き補正期間終了時から、画像を表示する通常駆動期間を経て一定の期間が経過すると、次の焼き付き補正期間へ移行するための信号を出力する動作を行う。駆動方法選択回路は、スタート回路から出力される焼き付き補正期間へ移行するための信号を入力した場合に通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行し、焼き付き補正期間へ移行するための信号が入力されなかったとき焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行するための信号を出力する動作を行う。
【００１５】
本発明の一は、バッテリー、発光素子を含む画素、スタート回路、充電手段検出回路及び駆動方法選択回路を有する表示装置である。スタート回路は、画像を表示する通常駆動期間と、発光素子の特性を取得する焼き付き補正期間のいずれかを選択でき、焼き付き補正期間を選択する場合は補正期間へ移行するための信号を出力する動作を行う。充電手段検出回路は、バッテリーを充電しているときに焼き付き補正期間へ移行するための信号を出力する動作を行う。駆動方法選択回路は、スタート回路、及び充電手段検出回路から出力される焼き付き補正期間へ移行するための信号をすべて入力した場合に通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行し、いずれかの焼き付き補正期間へ移行するための信号が入力されなかったとき焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行するための信号を出力する動作を行う。
【００１６】
本発明の一は、発光素子を含む画素、スタート回路、周辺輝度検出回路及び駆動方法選択回路を有する表示装置である。スタート回路は、画像を表示する通常駆動期間と、発光素子の特性を取得する焼き付き補正期間のいずれかを選択でき、焼き付き補正期間を選択する場合は補正期間へ移行するための信号を出力する動作を行う。周辺輝度検出回路は、表示装置の表示部の周辺輝度があらかじめ設定された輝度付近の場合に焼き付き補正期間へ移行するための信号を出力する動作を行う。駆動方法選択回路は、スタート回路、及び周辺輝度検出回路から出力される焼き付き補正期間へ移行するための信号をすべて入力した場合に通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行し、いずれかの焼き付き補正期間へ移行するための信号が入力されなかったとき焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行するための信号を出力する動作を行う。
【００１７】
本発明の一は、バッテリー、発光素子を含む画素、スタート回路、充電手段検出回路、周辺輝度検出回路及び駆動方法選択回路を有する表示装置である。スタート回路は、画像を表示する通常駆動期間と、発光素子の特性を取得する焼き付き補正期間のいずれかを選択でき、焼き付き補正期間を選択する場合は補正期間へ移行するための信号を出力する動作を行う。充電手段検出回路は、バッテリーを充電しているときに焼き付き補正期間へ移行するための信号を出力する動作を行う。周辺輝度検出回路は、表示装置の表示部の周辺輝度を輝度と設定している輝度付近の場合に焼き付き補正期間へ移行するための信号を出力する動作を行う。駆動方法選択回路は、スタート回路、充電手段検出回路、及び周辺輝度検出回路から出力される焼き付き補正期間へ移行するための信号をすべて入力した場合に通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行し、いずれかの焼き付き補正期間へ移行するための信号が入力されなかったとき焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行するための信号を出力する動作を行う。
【００１８】
焼き付き補正期間は、画素毎に含まれる発光素子の特性を発光素子の他方の電極である共通電極である対向電極に流れる電流を検出することによって取得する動作、画素毎に含まれる発光素子の特性を発光素子の一方の電極である電源線に流れる電流を検出することによって取得する動作、又は特性の劣化が早いと予想される領域の画素に含まれる発光素子の特性を優先的に取得する動作を行う。
【００１９】
焼き付き補正期間における対向電極の電位は、通常駆動期間における向電極の電位と同じとすることができる。焼き付き補正期間における電源線の電位は、通常駆動期間における電源線の電位と同じとすることができる。焼き付き補正期間における駆動周波数は、通常駆動期間における駆動周波数と同じとすることができる。
【００２０】
なお、本発明に示すスイッチは、様々な形態のものを用いることができ、一例として、電気的スイッチや機械的なスイッチなどがある。つまり、電流の流れを制御できるものであればよく、特定のものに限定されず、様々なものを用いることができる。例えば、トランジスタでもよいし、ダイオード（例えば、ＰＮダイオード、ＰＩＮダイオード、ショットキーダイオード、ダイオード接続のトランジスタなど）でもよいし、サイリスタでもよいし、それらを組み合わせた論理回路でもよい。よって、スイッチとしてトランジスタを用いる場合、そのトランジスタは、単なるスイッチとして動作するため、トランジスタの極性（導電型）は特に限定されない。ただし、オフ電流が少ない方が望ましい場合、オフ電流が少ない方の極性のトランジスタを用いることが望ましい。オフ電流が少ないトランジスタとしては、ＬＤＤ領域を設けているものやマルチゲート構造にしているもの等がある。また、スイッチとして動作させるトランジスタのソース端子の電位が、低電位側電源（Ｖｓｓ、ＧＮＤ、０Ｖなど）に近い状態で動作する場合はＮチャネル型を、反対に、ソース端子の電位が、高電位側電源（Ｖｄｄなど）に近い状態で動作する場合はＰチャネル型を用いることが望ましい。なぜなら、ゲートソース間電圧の絶対値を大きくできるため、スイッチとして、動作しやすいからである。
なお、Ｎチャネル型とＰチャネル型の両方を用いて、ＣＭＯＳ型のスイッチにしてもよい。ＣＭＯＳ型のスイッチにすると、Ｐチャネル型かＮチャネル型かのどちらかのスイッチが導通すれば電流を流すことができるため、スイッチとして機能しやすくなる。例えば、スイッチへの入力信号の電圧が高い場合でも、低い場合でも、適切に電圧を出力させることが出来る。また、スイッチをオン・オフさせるための信号の電圧振幅値を小さくすることが出来るので、消費電力を小さくすることも出来る。
なお、スイッチとしてトランジスタを用いる場合は、入力端子（ソース端子またはドレイン端子の一方）と、出力端子（ソース端子またはドレイン端子の他方）と、導通を制御する端子（ゲート端子）とを有している。一方、スイッチとしてダイオードを用いる場合は、導通を制御する端子を有していない場合がある。そのため、端子を制御するための配線を少なくすることが出来る。
【００２１】
なお、本発明において、接続されているとは、電気的に接続されている場合と機能的に接続されている場合と直接接続されている場合とを含むものとする。したがって、本発明が開示する構成において、所定の接続関係以外のものも含むものとする。例えば、ある部分とある部分との間に、電気的な接続を可能とする素子（例えば、スイッチやトランジスタや容量素子やインダクタや抵抗素子やダイオードなど）が１個以上配置されていてもよい。また、機能的な接続を可能とする回路（例えば、論理回路（インバータやＮＡＮＤ回路やＮＯＲ回路など）や信号変換回路（ＤＡ変換回路やＡＤ変換回路やガンマ補正回路など）や電位レベル変換回路（昇圧回路や降圧回路などの電源回路やＨｉｇｈ信号やＬｏｗ信号の電位レベルを変えるレベルシフタ回路など）や電圧源や電流源や切り替え回路や増幅回路（オペアンプや差動増幅回路やソースフォロワ回路やバッファ回路など、信号振幅や電流量などを大きく出来る回路など）や信号生成回路や記憶回路や制御回路など）が間に１個以上配置されていてもよい。あるいは、間に他の素子や他の回路を挟まずに、直接接続されて、配置されていてもよい。
なお、素子や回路を間に介さずに接続されている場合のみを含む場合は、直接接続されている、と記載するものとする。また、電気的に接続されている、と記載する場合は、電気的に接続されている場合（つまり、間に別の素子を挟んで接続されている場合）と機能的に接続されている場合（つまり、間に別の回路を挟んで接続されている場合）と直接接続されている場合（つまり、間に別の素子や別の回路を挟まずに接続されている場合）とを含むものとする。
【００２２】
なお、表示素子や表示装置や発光素子や発光装置は、様々な形態を用いたり、様々な素子を有したりすることが出来る。例えば、表示素子や表示装置や発光素子や発光装置としては、ＥＬ素子（有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子又は有機物及び無機物を含むＥＬ素子）、電子放出素子、液晶素子、電子インク、グレーティングライトバルブ（ＧＬＶ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）、圧電セラミックディスプレイ、カーボンナノチューブ、など、電気磁気的作用によりコントラストが変化する表示媒体を適用することができる。なお、ＥＬ素子を用いた表示装置としてはＥＬディスプレイ、電子放出素子を用いた表示装置としてはフィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）やＳＥＤ方式平面型ディスプレイ（ＳＥＤ：Ｓｕｒｆａｃｅ−ｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎＥｌｅｃｔｒｏｎ−ｅｍｉｔｔｅｒＤｉｓｐｌｙ）など、液晶素子を用いた表示装置としては液晶ディスプレイ、透過型液晶ディスプレイ、半透過型液晶ディスプレイ、反射型液晶ディスプレイ、電子インクを用いた表示装置としては電子ペーパーがある。
【００２３】
なお、本発明において、トランジスタは、様々な形態のトランジスタを適用させることが出来る。よって、適用可能なトランジスタの種類に限定はない。したがって、例えば、非晶質シリコンや多結晶シリコンに代表される非単結晶半導体膜を有する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などを適用することが出来る。これらにより、製造温度が高くなくても製造できたり、低コストで製造できたり、大型基板上に製造できたり、透明基板上に製造できたり、トランジスタで光を透過させたりすることが出来る。また、半導体基板やＳＯＩ基板を用いて形成されるＭＯＳ型トランジスタ、接合型トランジスタ、バイポーラトランジスタなどを適用することが出来る。これらにより、バラツキの少ないトランジスタを製造できたり、電流供給能力の高いトランジスタを製造できたり、サイズの小さいトランジスタを製造できたり、消費電力の少ない回路を構成したりすることが出来る。また、ＺｎＯ、ａ−ＩｎＧａＺｎＯ、ＳｉＧｅ、ＧａＡｓなどの化合物半導体を有するトランジスタや、さらに、それらを薄膜化した薄膜トランジスタなどを適用することが出来る。これらにより、製造温度が高くなくても製造できたり、室温で製造できたり、耐熱性の低い基板、例えばプラスチック基板やフィルム基板に直接トランジスタを形成したりすることが出来る。また、インクジェットや印刷法を用いて作成したトランジスタなどを適用することが出来る。これらにより、室温で製造したり、真空度の低い状態で製造したり、大型基板で製造したりすることができる。また、マスク（レチクル）を用いなくても製造することが可能となるため、トランジスタのレイアウトを容易に変更することが出来る。また、有機半導体やカーボンナノチューブを有するトランジスタ、その他のトランジスタを適用することができる。これらにより、曲げることが可能な基板上にトランジスタを形成することが出来る。なお、非単結晶半導体膜には水素またはハロゲンが含まれていてもよい。また、トランジスタが配置されている基板の種類は、様々なものを用いることができ、特定のものに限定されることはない。従って例えば、単結晶基板、ＳＯＩ基板、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板、紙基板、セロファン基板、石材基板、ステンレス・スチル基板、ステンレス・スチル・ホイルを有する基板などに配置することが出来る。また、ある基板でトランジスタを形成し、その後、別の基板にトランジスタを移動させて、別の基板上に配置するようにしてもよい。これらの基板を用いることにより、特性のよいトランジスタを形成したり、消費電力の小さいトランジスタを形成したり、壊れにくい装置にしたり、耐熱性を持たせたりすることが出来る。
【００２４】
なお、トランジスタの構成は、様々な形態をとることができる。特定の構成に限定されない。例えば、ゲート電極が２個以上になっているマルチゲート構造を用いてもよい。マルチゲート構造にすると、チャネル領域が直列に接続されるような構成となるため、複数のトランジスタが直列に接続されたような構成となる。マルチゲート構造にすることにより、オフ電流を低減したり、トランジスタの耐圧を向上させて信頼性を良くしたり、飽和領域で動作する時に、ドレイン・ソース間電圧が変化しても、ドレイン・ソース間電流があまり変化せず、フラットな特性にすることなどができる。また、チャネルの上下にゲート電極が配置されている構造でもよい。チャネルの上下にゲート電極が配置されている構造にすることにより、チャネル領域が増えるため、電流値を大きくしたり、空乏層ができやすくなってＳ値をよくしたりすることができる。チャネルの上下にゲート電極が配置されると、複数のトランジスタが並列に接続されたような構成となる。
また、チャネルの上にゲート電極が配置されている構造でもよいし、チャネルの下にゲート電極が配置されている構造でもよいし、正スタガ構造であってもよいし、逆スタガ構造でもよいし、チャネル領域が複数の領域に分かれていてもよいし、並列に接続されていてもよいし、直列に接続されていてもよい。また、チャネル（もしくはその一部）にソース電極やドレイン電極が重なっていてもよい。チャネル（もしくはその一部）にソース電極やドレイン電極が重なってい構造にすることにより、チャネルの一部に電荷がたまって、動作が不安定になることを防ぐことができる。また、ＬＤＤ（Ｌｉｇｈｔｌｙ  Ｄｏｐｅｄ  Ｄｒａｉｎ）領域があってもよい。ＬＤＤ領域を設けることにより、オフ電流を低減したり、トランジスタの耐圧を向上させて信頼性を良くしたり、飽和領域で動作する時に、ドレイン・ソース間電圧が変化しても、ドレイン・ソース間電流があまり変化せず、フラットな特性にすることができる。
【００２５】
なお、本発明におけるトランジスタは、様々なタイプを用いることができ、様々な基板上に形成させることができる。したがって、回路の全てが、ガラス基板上に形成されていてもよいし、プラスチック基板に形成されていてもよいし、単結晶基板に形成されていてもよいし、ＳＯＩ基板上に形成されていてもよいし、どのような基板上に形成されていてもよい。回路の全てが同じ基板上に形成されていることにより、部品点数を減らしてコストを低減したり、回路部品との接続点数を減らして信頼性を向上させたりすることができる。あるいは、回路の一部が、ある基板に形成されており、回路の別の一部が、別の基板に形成されていてもよい。つまり、回路の全てが同じ基板上に形成されていなくてもよい。例えば、回路の一部は、ガラス基板上にトランジスタを用いて形成し、回路の別の一部は、単結晶基板上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（ＣｈｉｐＯｎＧｌａｓｓ）で接続してガラス基板上に配置してもよい。あるいは、そのＩＣチップをＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏｍａｔｅｄｅＢｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いてガラス基板と接続してもよい。このように、回路の一部が同じ基板に形成されていることにより、部品点数を減らしてコストを低減したり、回路部品との接続点数を減らして信頼性を向上させたりすることができる。また、駆動電圧が高い部分や駆動周波数が高い部分は、消費電力が大きくなってしまうので、そのような部分は同じ基板に形成しないようにすれば、消費電力の向上を防ぐことができる。
【００２６】
なお、本発明においては、一画素とは、明るさを制御できる要素一つ分を示すものとする。よって、一例としては、一画素とは、一つの色要素を示すものとし、その色要素一つで明るさを表現する。従って、そのときは、Ｒ（赤）Ｇ（緑）Ｂ（青）の色要素からなるカラー表示装置の場合には、画像の最小単位は、Ｒの画素とＧの画素とＢの画素との三画素から構成されるものとする。なお、色要素は、三色に限定されず、それ以上の数を用いても良いし、ＲＧＢ以外の色を用いても良い。例えば、白色を加えて、ＲＧＢＷ（Ｗは白）としてもよい。また、ＲＧＢに、例えば、イエロー、シアン、マゼンタ、エメラルドグリーン、朱色などを一色以上追加したものでもよい。また、例えばＲＧＢの中の少なくとも一色について、類似した色を追加してもよい。例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂ１、Ｂ２としてもよい。Ｂ１とＢ２とは、どちらも青色であるが、少し周波数が異なっている。このような色要素を用いることにより、より実物に近い表示を行うことができたり、消費電力を低減したりすることが出来る。また、別の例としては、１つの色要素について、複数の領域を用いて明るさを制御する場合は、その領域一つ分を一画素とする。よって、一例としては、面積階調を行う場合、一つの色要素につき、明るさを制御する領域が複数あり、その全体で階調を表現するわけであるが、明るさを制御する領域の一つ分を一画素とする。よって、その場合は、一つの色要素は、複数の画素で構成されることとなる。また、その場合、画素によって、表示に寄与する領域の大きさが異なっている場合がある。また、一つの色要素につき複数ある、明るさを制御する領域において、つまり、一つの色要素を構成する複数の画素において、各々に供給する信号を僅かに異ならせるようにして、視野角を広げるようにしてもよい。
なお、一画素（三色分）と記載する場合は、ＲとＧとＢの三画素分を一画素と考える場合であるとする。一画素（一色分）と記載する場合は、一つの色要素につき、複数の画素がある場合、それらをまとめて一画素と考える場合であるとする。
【００２７】
なお、本発明において、画素は、マトリクス状に配置（配列）されている場合を含んでいる。ここで、画素がマトリクスに配置（配列）されているとは、縦方向もしくは横方向において、直線上に並んで配置されている場合や、ギザギザな線上に並んでいる場合を含んでいる。よって、例えば三色の色要素（例えばＲＧＢ）でフルカラー表示を行う場合に、ストライプ配置されている場合や、三つの色要素のドットがいわゆるデルタ配置されている場合も含むものとする。さらに、ベイヤー配置されている場合も含んでいる。なお、色要素は、三色に限定されず、それ以上でもよく、例えば、ＲＧＢＷ（Ｗは白）や、ＲＧＢに、イエロー、シアン、マゼンタなどを一色以上追加したものなどがある。また、色要素のドット毎にその表示領域の大きさが異なっていてもよい。これにより、消費電力を低下させたり、表示素子の寿命を延ばしたりすることが出来る。
【００２８】
なお、トランジスタとは、それぞれ、ゲートと、ドレインと、ソースとを含む少なくとも三つの端子を有する素子であり、ドレイン領域とソース領域の間にチャネル領域を有しており、ドレイン領域とチャネル領域とソース領域とを介して電流を流すことが出来る。ここで、ソースとドレインとは、トランジスタの構造や動作条件等によって変わるため、いずれがソースまたはドレインであるかを限定することが困難である。そこで、本発明においては、ソース領域又はドレイン領域として機能する領域を、ソース領域もしくはドレイン領域と呼ばない場合がある。その場合、一例としては、それぞれを第１端子、第２端子と表記する場合がある。
なお、トランジスタは、ベースとエミッタとコレクタとを含む少なくとも三つの端子を有する素子であってもよい。この場合も同様に、エミッタとコレクタとを、第１端子、第２端子と表記する場合がある。
【００２９】
なお、ゲートとは、ゲート電極とゲート配線（ゲート線またはゲート信号線等とも言う）とを含んだ全体、もしくは、それらの一部のことを言う。ゲート電極とは、チャネル領域やＬＤＤ（ＬｉｇｈｔｌｙＤｏｐｅｄＤｒａｉｎ）領域などを形成する半導体と、ゲート絶縁膜を介してオーバーラップしている部分の導電膜のことを言う。ゲート配線とは、各画素のゲート電極の間を接続したり、ゲート電極と別の配線とを接続したりするための配線のことを言う。
【００３０】
ただし、ゲート電極としても機能し、ゲート配線としても機能するような部分も存在する。そのような領域は、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。つまり、ゲート電極とゲート配線とが、明確に区別できないような領域も存在する。例えば、延伸して配置されているゲート配線とオーバーラップしてチャネル領域がある場合、その領域はゲート配線として機能しているが、ゲート電極としても機能していることになる。よって、そのような領域は、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。
【００３１】
また、ゲート電極と同じ材料で形成され、ゲート電極とつながっている領域も、ゲート電極と呼んでも良い。同様に、ゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート配線とつながっている領域も、ゲート配線と呼んでも良い。このような領域は、厳密な意味では、チャネル領域とオーバーラップしていなかったり、別のゲート電極と接続させる機能を有してなかったりする場合がある。しかし、製造マージンなどの関係で、ゲート電極やゲート配線と同じ材料で形成され、ゲート電極やゲート配線とつながっている領域がある。よって、そのような領域もゲート電極やゲート配線と呼んでも良い。
【００３２】
また、例えば、マルチゲートのトランジスタにおいて、１つのトランジスタのゲート電極と、別のトランジスタのゲート電極とは、ゲート電極と同じ材料で形成された導電膜で接続される場合が多い。そのような領域は、ゲート電極とゲート電極とを接続させるための領域であるため、ゲート配線と呼んでも良いが、マルチゲートのトランジスタを１つのトランジスタであると見なすことも出来るため、ゲート電極と呼んでも良い。つまり、ゲート電極やゲート配線と同じ材料で形成され、それらとつながって配置されているものは、ゲート電極やゲート配線と呼んでも良い。
また、例えば、ゲート電極とゲート配線とを接続している部分の導電膜も、ゲート電極と呼んでも良いし、ゲート配線と呼んでも良い。
【００３３】
なお、ゲート端子とは、ゲート電極の領域や、ゲート電極と電気的に接続されている領域について、その一部分のことを言う。
【００３４】
なお、ソースとは、ソース領域とソース電極とソース配線（ソース線またはソース信号線等とも言う）とを含んだ全体、もしくは、それらの一部のことを言う。ソース領域とは、Ｐ型不純物（ボロンやガリウムなど）やＮ型不純物（リンやヒ素など）が多く含まれる半導体領域のことを言う。従って、少しだけＰ型不純物やＮ型不純物が含まれる領域、いわゆる、ＬＤＤ領域は、ソース領域には含まれない。ソース電極とは、ソース領域とは別の材料で形成され、ソース領域と電気的に接続されて配置されている部分の導電層のことを言う。ただし、ソース電極は、ソース領域も含んでソース電極と呼ぶこともある。ソース配線とは、各画素のソース電極の間を接続したり、ソース電極と別の配線とを接続したりするための配線のことを言う。
【００３５】
しかしながら、ソース電極としても機能し、ソース配線としても機能するような部分も存在する。そのような領域は、ソース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。つまり、ソース電極とソース配線とが、明確に区別できないような領域も存在する。例えば、延伸して配置されているソース配線とオーバーラップしてソース領域がある場合、その領域はソース配線として機能しているが、ソース電極としても機能していることになる。よって、そのような領域は、ソース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。
【００３６】
また、ソース電極と同じ材料で形成され、ソース電極とつながっている領域や、ソース電極とソース電極とを接続する部分も、ソース電極と呼んでも良い。また、ソース領域とオーバーラップしている部分も、ソース電極と呼んでも良い。同様に、ソース配線と同じ材料で形成され、ソース配線とつながっている領域も、ソース配線と呼んでも良い。このような領域は、厳密な意味では、別のソース電極と接続させる機能を有していたりすることがない場合がある。しかし、製造マージンなどの関係で、ソース電極やソース配線と同じ材料で形成され、ソース電極やソース配線とつながっている領域がある。よって、そのような領域もソース電極やソース配線と呼んでも良い。
【００３７】
また、例えば、ソース電極とソース配線とを接続している部分の導電膜も、ソース電極と呼んでも良いし、ソース配線と呼んでも良い。
【００３８】
なお、ソース端子とは、ソース領域の領域や、ソース電極や、ソース電極と電気的に接続されている領域について、その一部分のことを言う。
【００３９】
なお、ドレインについては、ソースと同様である。
【００４０】
なお、本発明において、半導体装置とは半導体素子（トランジスタやダイオードなど）を含む回路を有する装置をいう。また、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般でもよい。また、表示装置とは、表示素子（液晶素子や発光素子など）を有する装置のことを言う。なお、液晶素子やＥＬ素子などの表示素子を含む複数の画素やそれらの画素を駆動させる周辺駆動回路が同一基板上に形成された表示パネル本体のことでもよい。また、ワイヤボンディングやバンプなどによって基板上に配置された周辺駆動回路、いわゆるチップオングラス（ＣＯＧ）を含んでいても良い。さらに、フレキシブルプリントサーキット（ＦＰＣ）やプリント配線基盤（ＰＷＢ）が取り付けられたもの（ＩＣや抵抗素子や容量素子やインダクタやトランジスタなど）も含んでもよい。さらに、偏光板や位相差板などの光学シートを含んでいても良い。さらに、バックライトユニット（導光板やプリズムシートや拡散シートや反射シートや光源（ＬＥＤや冷陰極管など）を含んでいても良い）を含んでいても良い。
また、発光装置とは、特にＥＬ素子やＦＥＤで用いる素子などの自発光型の表示素子を有している表示装置をいう。液晶表示装置とは、液晶素子を有している表示装置をいう。
【００４１】
なお、本発明において、ある物の上に形成されている、あるいは、〜上に形成されている、というように、〜の上に、あるいは、〜上に、という記載については、ある物の上に直接接していることに限定されない。直接接してはいない場合、つまり、間に別のものが挟まっている場合も含むものとする。従って例えば、層Ａの上に（もしくは層Ａ上に）、層Ｂが形成されている、という場合は、層Ａの上に直接接して層Ｂが形成されている場合と、層Ａの上に直接接して別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）が形成されていて、その上に直接接して層Ｂが形成されている場合とを含むものとする。また、〜の上方に、という記載についても同様であり、ある物の上に直接接していることに限定されず、間に別のものが挟まっている場合も含むものとする。従って例えば、層Ａの上方に、層Ｂが形成されている、という場合は、層Ａの上に直接接して層Ｂが形成されている場合と、層Ａの上に直接接して別の層（例えば層Ｃや層Ｄなど）が形成されていて、その上に直接接して層Ｂが形成されている場合とを含むものとする。なお、〜の下に、あるいは、〜の下方に、の場合についても、同様であり、直接接している場合と、接していない場合とを含むこととする。
【００４２】
本明細書において、「ソース信号線」とは、画素の動作を制御するためのビデオ信号をソースドライバから伝達する手段としてソースドライバの出力に接続されている配線のことを指している。
【００４３】
本明細書において、「ゲート信号線」とは、画素へのビデオ信号の書込みを選択、非選択を制御するための走査信号をゲートドライバから伝達する手段としてゲートドライバの出力に接続されている配線のことを指している。
【発明の効果】
【００４４】
画像表示を行う通常駆動期間とは別に、画素毎の発光素子の特性を検出する焼き付き補正期間とを設け、焼き付き補正期間で取得した発光素子の特性に基づいて通常駆動期間に画素毎に入力するビデオ信号を補正することで、発光素子は特性の変化を補償して発光することができる。
【００４５】
また、焼き付き補正期間の駆動によって利用者が不便に感じず、特性を取得する環境を一定とすることでより正確な発光素子の特性を取得できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４６】
本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細をさまざまに変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００４７】
（第１の実施形態）
本発明に係る表示装置の第１の構成について、図１を参照して説明する。
【００４８】
図１において、ソースドライバ１０１はＳ１−ＲからＳｎ−Ｂで表記されたソース信号線１０３を介して画素１０９にビデオ信号を出力する回路である。また、ソース信号線１０３にはビデオ信号が全列同時に出力されてもよいし、１列ずつ出力されてもよいし、同時に複数列ずつ出力されてもよい。
【００４９】
ゲートドライバ１０２はＧ１からＧｍで表記されたゲート信号線１０４を１行ずつ走査し、画素１０９にビデオ信号を書込み可能か否かを選択する。選択された行の画素１０９にはソースドライバ１０１から出力されるビデオ信号が入力され、選択されていない行の画素１０９にはソースドライバ１０１から出力されるビデオ信号は入力されない。
【００５０】
画素１０９は少なくとも、一対の電極を持つ発光素子と、発光素子の一方の電極と接続された駆動ＴＦＴと、選択されたゲート信号線１０４によってオンとなり、ソース信号線１０３と駆動ＴＦＴのゲートとを電気的に接続するスイッチを含んでいる。
スイッチはゲート信号線１０４が選択されていない場合、オフする。ソース信号線１０３と駆動ＴＦＴのゲートとの間に他のスイッチ、又は他のＴＦＴを接続してもよいし、容量素子を直列に接続してもよい。また、図１では、画素１０９に含む発光素子はＲ（赤）、Ｇ（緑）、及びＢ（青）を発光する場合としているが、Ｗ（白）に発光する発光素子を追加してもよいし、Ｒ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、及びＷ（白）のうちいずれかのみの単色としてもよいし、Ｗ（白）のみとして、カラーフィルターを用いて色を表現してもよい。
【００５１】
電源Ｒ１１０は一方の端子からＲ（赤）に発光する発光素子を含む画素１０９に電源線Ｒ１０５を介して所定の電圧を供給する電源である。電源Ｇ１１１は一方の端子からＧ（緑）に発光する発光素子を含む画素１０９に電源線Ｇ１０６を介して所定の電圧を供給する電源である。電源Ｂ１１２は一方の端子からＢ（青）に発光する発光素子を含む画素１０９に電源線Ｂ１０７を介して所定の電圧を供給する電源である。
【００５２】
電源Ｒ１１０、電源Ｇ１１１、及び電源Ｂ１１２の一方の端子は全ての画素１０９に含まれる発光素子の対向電極１０８に接続され、発光素子に所定の電圧を供給している。
【００５３】
電流値検出回路１１３は対向電極１０８に直列に接続され、コントローラ１１５から出力される電流値検出制御信号により対向電極１０８の電流値を検出するか、否かが制御される。対向電極１０８の電流を検出する場合は検出した電流値データを補正回路１１４へ出力する。
【００５４】
補正回路１１４は電流値検出回路１１３で取得した対向電極１０８の電流値のデータを保存する。そして、対向電極１０８のデータ、すなわち画素１０９に含まれる発光素子の特性に合わせて、コントローラ１１５から入力される映像信号１１５ａから生成されるドライバ制御信号、及びビデオ信号を補正する。補正したドライバ制御信号１１４ａ、ビデオ信号１１４ｂによりソースドライバ１０１、及びゲートドライバ１０２を駆動する。また、ビデオ信号のみを補正してもよい。電流値検出回路１１３で取得した対向電極１０８の電流値のデータを保存する別のメモリ回路を設けてもよい。
【００５５】
コントローラ１１５は補正回路１１４に映像信号１１５ａ、電流値検出回路１１３に電流値検出制御信号１１５ｂを伝達し、制御している。また、映像信号１１５ａ、及び電流値検出制御信号１１５ｂｓによって、後に説明する焼き付き補正期間と通常駆動期間との切り替えをする役割を持つ。
【００５６】
バッテリー１１７（「二次電池」ともいう。）は電源としての役割を持つ電源生成回路１１６へ一定電圧を出力している。また、バッテリー１１７は充電手段１１８備えており、バッテリー１１７の電位が低下した場合は充電手段１１８によって充電することができる。また、充電手段１１８を実行するタイミングは任意のタイミングで行うことができる。
【００５７】
電源生成回路１１６はバッテリー１１７から得られる一定電圧から様々な電圧を生成することができる。そして、生成した電圧を表示装置駆動回路１００へ電源として供給している。
【００５８】
電源生成回路１１６に供給される電源としてバッテリー１１７の例を示したが、単相交流電源でもよいし、三相交流電源でもよい。また、単相交流電源、又は三相交流電源から生成した一定電圧の電源でもよい。単相交流電源、及び三相交流電源を用いた場合、充電手段１１８が必要なくなり、電源の電圧が低下することがないため、後に説明する焼き付き補正期間によるバッテリー１１７の消耗がなくなるため有利である。
【００５９】
本発明に係る表示装置の第１の構成の駆動方法について、図２を参照して説明する。
【００６０】
第１の構成の駆動方法は、通常駆動期間とは別に焼き付き補正期間を設けて、焼き付き補正期間内において、第１の構成の駆動方法を行う。通常駆動期間とは画像表示を行う期間のことをいう。焼き付き補正期間とは画素１０９に含まれる発光素子の特性を取得するための期間のことをいう。
【００６１】
通常駆動期間について説明する。通常駆動期間では、既に補正回路１１４において、画素１０９に含まれる発光素子の特性が保存されている状態とする。補正回路１１４は画素１０９に含まれる発光素子の特性のデータに基づき、コントローラ１１５から入力される映像信号１１５ａから生成されるドライバ制御信号１１４ａ、及びビデオ信号１１４ｂを補正し、ソースドライバ１０１、及びゲートドライバ１０２に補正されたビデオ信号、制御信号１１４ａを出力する。そして、ソースドライバ１０１はビデオ信号をソース信号線１０３に出力し、ゲートドライバ１０２はゲート信号線１０４を走査し、画素１０９を発光させ、映像信号１１５ａに基づいた画像を表示する。このとき補正回路１１４に画素１０９に含まれる発光素子の特性が保存されていない場合は、ドライバ制御信号、及びビデオ信号の補正は行わなくてもよい。このとき、コントローラ１１５から出力される電流値検出制御信号１１５ｂによって電流値検出回路１１３は動作しない。つまり、対向電極１０８の電流は検出せず、電流値データ１１３ａも補正回路１１４に出力しない。
【００６２】
焼き付き補正期間について説明する。焼き付き補正期間では、画素１０９に含まれる発光素子の特性を検出し、補正回路１１４に電流値検出回路１１３にて修得したデータを保存することを目的とする。コントローラ１１５から１画素ずつ発光させるような映像信号１１５ａを補正回路１１４に出力する。このとき、補正回路１１４に保存されている画素１０９に含まれる発光素子の特性のデータによってドライバ制御信号、及びビデオ信号は補正されない。また、電流値検出回路１１３を電流値検出制御信号１１５ｂによって、１画素毎の対向電極１０８の電流の値を取得し、補正回路１１４に出力し、保存するように制御する。こうして、１画素毎の画素１０９に含まれる発光素子の特性を含む対向電極１０８の電流を補正回路１１４に保存することができる。補正回路１１４に保存される電流値のデータは焼き付き補正期間毎に更新される。つまり、データは上書きされるため、焼き付き補正期間毎に新たにデータを保存するメモリは不要である。
【００６３】
本発明に係る表示装置の第１の構成において、対向電極１０８に電流値検出回路１１３を接続していることを特徴とする。対向電極１０８は全ての画素１０９で共通となっているため、電流値検出回路１１３が１つあれば、全ての画素１０９に含まれる発光素子の特性を検出することができる。そうすると、画素１０９に含まれる発光素子の特性を検出するための回路規模を小さくすることができ、省スペース、省電力などを実現することができる。
【００６４】
（第２の実施形態）
本発明に係る表示装置の第２の構成について、図３を参照して説明する。
【００６５】
本実施の形態において、ソースドライバ１０１、ゲートドライバ１０２、ソース信号線１０３、ゲート信号線１０４、電源線Ｒ１０５、電源線Ｇ１０６、電源線Ｂ１０７、対向電極１０８、画素１０９、電源Ｒ１１０、電源Ｇ１１１、電源Ｂ１１２、電流値検出回路１１３、補正回路１１４、コントローラ１１５、電源生成回路１１６、バッテリー１１７、充電手段１１８は実施の形態１と同様の機能を有する。
【００６６】
電流値検出回路１１３は、実施の形態１で説明した電流値検出回路１１３と同様の機能を有するが、電源Ｒ１１０、電源Ｇ１１１、及び電源Ｂ１１２に直列に接続されている。そして、コントローラ１１５から出力される電流値検出制御信号１１５ｂにより電源Ｒ１１０、電源Ｇ１１１、及び電源Ｂ１１２の電流を検出するか、否かが制御される。電源Ｒ１１０、電源Ｇ１１１、及び電源Ｂ１１２の電流を検出する場合は検出した電流値データ１１３ａを補正回路１１４へ出力する。
【００６７】
本発明に係る表示装置の第２の構成の駆動方法について、図４を参照して説明する。
【００６８】
第２の構成の駆動方法は、通常駆動期間とは別に焼き付き補正期間を設けて、焼き付き補正期間内において、第２の構成の駆動方法を行う。通常駆動期間とは画像表示を行う期間のことをいう。焼き付き補正期間とは画素１０９に含まれる発光素子の特性を取得するための期間のことをいう。
【００６９】
通常駆動期間について説明する。通常駆動期間では、既に、補正回路１１４において、画素１０９に含まれる発光素子の特性が保存されている状態とする。補正回路１１４は画素１０９に含まれる発光素子の特性のデータに基づき、コントローラ１１５から入力される映像信号１１５ａから生成されるドライバ制御信号、及びビデオ信号を補正し、ソースドライバ１０１、及びゲートドライバ１０２に補正されたドライバ制御信号１１４ａ、補正されたビデオ信号１１４ｂを出力する。そして、ソースドライバ１０１はビデオ信号をソース信号線１０３に出力し、ゲートドライバ１０２はゲート信号線１０４を走査し、画素１０９を発光させ、映像信号１１５ａに基づいた画像を表示する。
【００７０】
焼き付き補正期間について説明する。焼き付き補正期間では、画素１０９に含まれる発光素子の特性を検出し、補正回路１１４に保存することを目的とする。コントローラ１１５から画素１０９をＲ，Ｇ，及びＢが同時に発光させるような映像信号１１５ａを補正回路１１４に出力する。このとき、補正回路１１４に保存されている画素１０９に含まれる発光素子の特性のデータによってドライバ制御信号、及びビデオ信号は補正されない。また、電流値検出回路１１３を電流値検出制御信号１１５ｂによって、１画素毎の電源線Ｒ１０５、電源線Ｇ１０６、及び電源線Ｂ１０７の電流を同時に取得し、補正回路１１４に出力し、保存するように制御する。こうして、１画素毎の画素１０９に含まれる発光素子の特性を含む電源線Ｒ１０５、電源線Ｇ１０６、及び電源線Ｂ１０７の電流を補正回路１１４に保存することができる。補正回路１１４に保存される電流値のデータ１１３ａは焼き付き補正期間毎に更新される。つまり、データは上書きされるため、焼き付き補正期間毎に新たにデータを保存するメモリは不要である。
【００７１】
本発明に係る表示装置の第２の構成において、電源線Ｒ１０５、電源線Ｇ１０６、及び電源線Ｂ１０７に電流値検出回路１１３を接続していることを特徴とする。電源線Ｒ１０５、電源線Ｇ１０６、及び電源線Ｂ１０７に電流値検出回路１１３を接続することで、Ｒ、Ｇ、及びＢに発光する画素１０９に含まれる発光素子の特性を同時に検出することができる。同時に検出することができるため、焼き付き補正期間を大幅に短くすることができる。
【００７２】
（第３の実施形態）
本発明に係る表示装置の第３の構成について、図５を参照して説明する。
【００７３】
本実施の形態において、ソースドライバ１０１、ゲートドライバ１０２、ソース信号線１０３、ゲート信号線１０４、電源線Ｒ１０５、電源線Ｇ１０６、電源線Ｂ１０７、対向電極１０８、画素１０９、電源Ｒ１１０、電源Ｇ１１１、電源Ｂ１１２、電流値検出回路１１３、補正回路１１４、コントローラ１１５、電源生成回路１１６、バッテリー１１７、充電手段１１８は実施の形態１、及び実施の形態２と同様の機能を有する。
【００７４】
電流値検出セレクト回路５１３は電源線Ｒ１０５、電源線Ｇ１０６、及び電源線Ｂ１０７に直列に接続されている。電源線Ｒ１０５、電源線Ｇ１０６、及び電源線Ｂ１０７のうちいずれか１つの電源線を選択し、電流を検出する回路である。
【００７５】
本発明に係る表示装置の第３の構成の駆動方法について、図６を参照して説明する。
【００７６】
第３の構成の駆動方法は、通常駆動期間とは別に焼き付き補正期間を設けて、焼き付き補正期間内において、第３の構成の駆動方法を行う。通常駆動期間とは画像表示を行う期間のことをいう。焼き付き補正期間とは画素１０９に含まれる発光素子の特性を取得するための期間のことをいう。
【００７７】
通常駆動期間について説明する。通常駆動期間では、既に補正回路１１４において、画素１０９に含まれる発光素子の特性が保存されている状態とする。補正回路１１４は画素１０９に含まれる発光素子の特性のデータに基づき、コントローラ１１５から入力される映像信号１１５ａから生成されるドライバ制御信号、及びビデオ信号を補正し、ソースドライバ１０１、及びゲートドライバ１０２に補正されたビデオ信号及びドライバ制御信号１１４ａを出力する。そして、ソースドライバ１０１はビデオ信号１０１ａをソース信号線１０３に出力し、ゲートドライバ１０２は走査信号１０２ａを出力してゲート信号線１０４を走査し、画素１０９を発光させ、映像信号に基づいた画像を表示する。
【００７８】
焼き付き補正期間について説明する。第３の構成の駆動方法における焼き付き補正期間は、焼き付き補正期間１、及び焼き付き補正期間２で説明する２種類の動作が可能である。
【００７９】
焼き付き補正期間１について説明する。焼き付き補正期間１では、画素１０９に含まれる発光素子の特性を検出し、補正回路１１４に保存することを目的とする。コントローラ１１５から１画素ずつ発光させるような映像信号１１５ａ  を補正回路１１４に出力する。このとき、補正回路１１４に保存されている画素１０９に含まれる発光素子の特性のデータによってドライバ制御信号、及びビデオ信号は補正されない。また、電流値検出セレクト回路５１３を電流値検出制御信号１１５ｂ  によって、１画素毎の電源線Ｒ１０５、電源線Ｇ１０６、又は電源線Ｂ１０７の電流を順に取得し、補正回路１１４に出力し、保存するように制御する。こうして、１画素毎の画素１０９に含まれる発光素子の特性を含む電源線Ｒ１０５、電源線Ｇ１０６、及び電源線Ｂ１０７の電流を補正回路１１４に保存することができる。補正回路１１４に保存される電流値のデータ５１３ａは焼き付き補正期間毎に更新される。つまり、データは上書きされるため、焼き付き補正期間毎に新たにデータを保存するメモリは不要である。
【００８０】
焼き付き補正期間２について説明する。焼き付き補正期間２では、画素１０９に含まれる発光素子の特性を検出し、補正回路１１４に保存することを目的とする。コントローラ１１５から画素１０９をＲ，Ｇ，及びＢが同時に発光させるような映像信号１１５ａを補正回路１１４に出力する。このとき、補正回路１１４に保存されている画素１０９に含まれる発光素子の特性のデータによってドライバ制御信号、及びビデオ信号は補正されない。また、電流値検出セレクト回路５１３を電流値検出制御信号１１５ｂによって、１画素毎の電源線Ｒ１０５、電源線Ｇ１０６、又は電源線Ｂ１０７の電流を順に取得し、補正回路１１４に出力し、保存するように制御する。こうして、１画素毎の画素１０９に含まれる発光素子の特性を含む電源線Ｒ１０５、電源線Ｇ１０６、及び電源線Ｂ１０７の電流を補正回路１１４に保存することができる。補正回路１１４に保存される電流値のデータ５１３ａは焼き付き補正期間毎に更新される。つまり、データは上書きされるため、焼き付き補正期間毎に新たにデータを保存するメモリは不要である。
【００８１】
電流値検出セレクト回路５１３の構成についての一例を図７を参照して説明する。
【００８２】
焼き付き補正期間１、及び焼き付き補正期間２において、セレクトスイッチ７０１は電源線Ｒ１０５、電源線Ｇ１０６、及び電源線Ｂ１０７をそれぞれ、端子ａ、又は端子ｂのどちらに接続するかを選択するスイッチである。また、セレクトスイッチ７０１が端子ａに接続されるのは、電源線Ｒ１０５、電源線Ｇ１０６、及び電源線Ｂ１０７のうちいずれか１つである。端子ａに接続されていない電源線は全て端子ｂに接続される。
【００８３】
電流値検出回路１１３はセレクトスイッチ７０１により、端子ｂに接続された電源線に流れる電流を検出する回路である。通常駆動期間では、セレクトスイッチ７０１は全ての端子で端子ａに接続されている。
【００８４】
本発明に係る表示装置の第３の構成において、電源線Ｒ１０５、電源線Ｇ１０６、及び電源線Ｂ１０７に電流値検出セレクト回路５１３を接続していることを特徴とする。電流値検出セレクト回路５１３を接続することで、電流値検出回路１１３が１つで、電源線Ｒ１０５、電源線Ｇ１０６、及び電源線Ｂ１０７に流れる電流を検出することができる。そうすると、画素１０９に含まれる発光素子の特性を検出するための回路規模を小さくすることができ、省スペース、省電力などを実現することができる。
【００８５】
（第４の実施形態）
第１の実施形態、乃至第３の実施形態を適用する通常駆動時間から焼き付き補正時間に移行するタイミング、及び条件を図８のフローチャートを参照して説明する。長方形の枠が処理であり、ひし形の枠が判断である。
【００８６】
本実施の形態において、「通常駆動期間」とは、第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明したように映像信号に基づいた画像を表示可能な期間のことをいう。
【００８７】
「焼き付き補正期間」とは、第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明したように、発光素子の特性を取得する期間のことをいう。
【００８８】
「一定時間経過」とは、前回の焼き付き補正期間から通常期間に移行して、任意に設定した時間を過ぎているか、否かを判断する。
【００８９】
「充電時間」とは、利用者によって任意に行われる本発明の電子機器等に搭載されているバッテリーの充電行っているか否かを判断する。
【００９０】
判断「全画素終了」とは、焼き付き補正期間において、全画素に含まれる発光素子の特性を取得したか、否かを判断する。
【００９１】
判断「操作開始」とは、利用者が本発明の電子機器等の操作を行っているか、否かを判断する。
【００９２】
図８のフローチャートの流れについて説明する。「一定時間経過」において、前回の「焼き付き補正期間」から「通常駆動期間」に移行した時間が任意に設定した時間よりも短ければ「通常駆動期間」へ移行し、長ければ「充電期間」へ移行する。「充電期間」において、バッテリーの充電を行っていなかった場合は「通常駆動期間」へ移行し、バッテリーの充電を行っている場合は「焼き付き補正期間」に移行する。「焼き付き補正期間」に移行した場合、第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明した焼き付き補正期間における動作を行い、「全画素終了」へ移行する。「全画素終了」において、全画素に含まれる発光素子の特性を取得していれば「通常駆動期間」へ移行し、全画素に含まれる発光素子の特性を取得してなければ、「充電期間」へ移行する。「充電期間」において、バッテリーの充電を行っていなかった場合は「通常駆動期間」へ移行し、バッテリーの充電を行っている場合は「操作開始」へ移行する。「操作開始」において、利用者が操作を開始している場合は「通常駆動期間」へ移行し、利用者が操作を開始していない場合は「焼き付き補正期間」へ移行する。
【００９３】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行する条件として、「一定時間経過」を含ませることで、焼き付き補正期間へ移行する回数を制御することができる。焼き付き補正期間においては、第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明したように画素に含まれる発光素子を発光させる必要がある。そのため、焼き付き補正期間へ移行する頻度を少なくすることで、焼き付き補正期間によって画素に含まれる発光素子が劣化してしまうことを防ぐことができる。
【００９４】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行する条件として、「充電期間」を含ませることで、バッテリーを充電しつつ、焼き付き補正期間へ移行することがきる。焼き付き補正期間においては、第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明したように画素に含まれる発光素子を発光させてその特性を保存するため、消費する電力も大きい。そのため、バッテリーを充電している状態で、焼き付き補正期間へ移行することで、焼き付き補正期間によるバッテリーの電力の低下を防ぐことができる。また、充電するということは、利用者が電子機器等の利用が終わった可能性が高く、通常駆動時間に戻る可能性が低い。
【００９５】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「全画素終了」を含ませることで、全画素に含まれる発光素子の特性を同じ条件で検出することができる。画素に含まれる発光素子の特性を検出する条件、すなわち動作環境を同一とすれば、動作環境の違いによる特性のバラツキを抑制することができる。
【００９６】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「充電期間」を含ませることで、バッテリーの充電をやめると同時に通常駆動期間へ移行することができる。バッテリーの充電をやめると、焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行することで、バッテリーの消費を減らすことができる。また、バッテリーの充電をやめるということは、利用者が電子機器を利用する可能性が高いため、通常駆動期間へ移行する必要がある。
【００９７】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「操作開始」を含ませることで、利用者が電子機器等を利用しようとする場合、速やかに通常駆動期間へ移行することができる。
【００９８】
焼き付き補正期間から、「充電期間」、及び「操作開始」によって、通常駆動期間に移行した場合、全画素に含まれる発光素子の特性を検出する前に、焼き付き補正期間が終了することになる。この場合、次の焼き付き補正期間において、前焼き付き補正期間によって検出した画素に含まれる発光素子の続きから画素に含まれる発光素子の特性を検出すればよい。また、次の焼き付き補正期間に移行する場合には、「一定時間経過」において判断する任意の時間を短くするとよい。望ましくは０秒とし、次の「充電期間」において焼き付き補正期間に移行するとよい。
【００９９】
本実施の形態において説明した図８のフローチャートを実現するためのコントローラ１１５の構成、及び動作について図６１を参照して説明する。
【０１００】
図６１において駆動方法選択回路６１０３は映像信号生成回路６１００、及び電流値検出制御信号生成回路６１０１が第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明した通常駆動期間の動作をするか、又は焼き付き補正期間の動作をするかを判断し、選択する回路である。駆動方法選択回路６１０３に入力される回路から焼き付き補正期間へ移行するための信号を入力した場合に映像信号生成回路６１００、及び電流値検出制御信号生成回路６１０１に焼き付き補正期間の動作をするための信号を出力し、それ以外は通常駆動期間の動作をするための信号を出力する。なお、駆動方法選択回路６１０３は、例えば、判別回路（ＮＯＲ、ＡＮＤからなる）を有する。
【０１０１】
映像信号生成回路６１００は映像信号、及び補正回路制御信号１１５ａを出力する。駆動方法選択回路６１０３によって通常駆動期間の動作が選択されていれば補正回路１１４を第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明した通常駆動期間の動作をするような映像信号、及び補正回路制御信号１１５ａを出力する。焼き付き補正期間の動作が選択されていれば補正回路１１４を第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明した焼き付き補正期間の動作をするような映像信号、及び補正回路制御信号１１５ａを出力する。
【０１０２】
電流値検出制御信号生成回路６１０１は電流値検出制御信号１１５ｂを出力する。駆動方法選択回路６１０３によって通常駆動期間の動作が選択されていれば電流値検出回路１１３を第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明した通常駆動期間の動作をするような電流値検出制御信号１１５ｂを出力する。焼き付き補正期間の動作が選択されていれば電流値検出回路１１３を第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明した焼き付き補正期間の動作をするような電流値検出制御信号１１５ｂを出力する。
【０１０３】
タイマー回路６１０４は焼き付き補正期間終了時からの時間を検出する回路である。焼き付き補正期間が終了し、通常駆動期間へ移行する場合、映像信号生成回路６１００からリセット信号６１００ａが出力され、焼き付き補正期間へ移行するための信号を止める。また、リセット信号６１００ａは焼き付き補正期間終了時にタイマー回路６１０４へ入力されれば、どこから出力されてもよい。タイマー回路６１０４で検出する時間が任意の時間を過ぎれば、駆動方法選択回路６１０３に焼き付き補正期間へ移行するための信号を出力する。タイマー回路６１０４に入力されるリセット信号６１００ａは、焼き付き補正期間において、全画素、又は設定した画素の特性が終了していなければ入力されなくてもよい。なお、タイマー回路６１０４は、例えば、リセット信号生成回路、カウンタ、及びカウント値生成回路、メモリ、又はレジスタ（一定時間に相当するカウント数を保存する）から構成される。
【０１０４】
充電手段検出回路６１０５は充電手段１１８によって、バッテリー１１７が充電されているか、否かを判断する回路である。充電されていれば、駆動方法選択回路６１０３に焼き付き補正期間へ移行するための信号を出力する。なお、充電手段検出回路６１０５は、例えば、端子、高抵抗素子、及び判別回路（１  ｏｒ  ０を判別する）から構成される。
【０１０５】
本実施形態の動作について説明する。タイマー回路６１０４にリセット信号６１００ａが入力されてから任意の時間後、つまり前回の焼き付き補正期間終了から任意の時間が過ぎ、且つ充電手段検出回路６１０５がバッテリー１１７の充電を検出する。この条件を満たした場合は駆動方法選択回路６１０３が映像信号生成回路６１００、及び電流値検出制御信号生成回路６１０１を焼き付き補正期間の動作を行うように制御する。そして、映像信号生成回路６１００は補正回路１１４、電流値検出制御信号生成回路６１０１は電流値検出回路１１３をそれぞれ焼き付き補正期間の動作を行うように制御する。上記の条件を満たさなかった場合は駆動方法選択回路６１０３が映像信号生成回路６１００、及び電流値検出制御信号生成回路６１０１をそれぞれ通常駆動期間の動作を行うように制御する。そして、映像信号生成回路６１００は補正回路１１４、電流値検出制御信号生成回路６１０１は電流値検出回路１１３をそれぞれ通常駆動期間の動作を行うように制御する。そして、全画素の特性の検出が終わるとリセット信号６１００ａがタイマー回路６１０４に入力される。なお、本実施の形態において、通常駆動期間と焼き付き補正期間との間において、判断「一定時間経過」、判断「充電期間」、判断「全画素終了」、判断「操作開始」を行ったが、これらの判断のうちの少なくとも１つを行って実施することも可能である。すなわち、例えば、通常駆動期間と焼き付き補正期間との間において、一定時間経過のみを判断する。なお、このとき、少なくともタイマー回路６１０４と駆動方法選択回路６１０３を用いて実施される。
【０１０６】
（第５の実施形態）
第１の実施形態、乃至第３の実施形態を適用する通常駆動期間から焼き付き補正期間に移行するタイミング、及び条件を図９のフローチャートを参照して説明する。長方形の枠が処理であり、ひし形の枠が判断である。
【０１０７】
本実施の形態において、処理「通常駆動期間」、処理「焼き付き補正期間」、判断「一定時間経過」、判断「充電時間」、判断「操作開始」とは実施の形態４と同様なものとする。また、判断「設定画素終了」、とは、焼き付き補正期間において、あらかじめ設定された画素に含まれる発光素子の特性を取得したか、否かを判断する。あらかじめ設定された画素とは、全画素を複数個に分割した場合の範囲に含まれる画素のことをいう。例えば、２分割の場合は上半分と下半分というように分ける。
【０１０８】
図９のフローチャートの流れについて説明する。通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行する条件として、「一定時間経過」を含ませることで、焼き付き補正期間へ移行する回数を制御することができる。焼き付き補正期間においては、第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明したように画素に含まれる発光素子を発光させる必要がある。そのため、焼き付き補正期間へ移行する頻度を少なくすることで、焼き付き補正期間によって画素に含まれる発光素子が劣化してしまうことを防ぐことができる。
【０１０９】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行する条件として、「充電期間」を含ませることで、バッテリーを充電しつつ、焼き付き補正期間へ移行することがきる。焼き付き補正期間においては、第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明したように画素に含まれる発光素子を発光させてその特性を保存するため、消費する電力も大きい。そのため、バッテリーを充電している状態で、焼き付き補正期間へ移行することで、焼き付き補正期間によるバッテリーの電力の低下を防ぐことができる。また、充電するということは、利用者が電子機器等の利用が終わった可能性が高く、通常駆動時間に戻る可能性が低い。
【０１１０】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「設定画素終了」を含ませることで、焼き付き補正期間を途中で終わらせることなく通常駆動期間へ移行することができる。また、焼き付きが起こりやすいと予想される箇所を重点的に焼き付き補正期間へ移行することも可能である。
【０１１１】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「充電期間」を含ませることで、バッテリーの充電をやめると同時に通常駆動期間へ移行することができる。バッテリーの充電をやめると、焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行することで、バッテリーの消費を減らすことができる。また、バッテリーの充電をやめるということは、利用者が電子機器を利用する可能性が高いため、通常駆動期間へ移行する必要がある。
【０１１２】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「操作開始」を含ませることで、利用者が電子機器等を利用しようとする場合、速やかに通常駆動期間へ移行することができる。
【０１１３】
焼き付き補正期間から、「充電期間」、及び「操作開始」によって、通常駆動期間に移行した場合、あらかじめ設定された画素に含まれる発光素子の特性を検出する前に、焼き付き補正期間が終了することになる。この場合、次の焼き付き補正期間において、前焼き付き補正期間によって検出した画素に含まれる発光素子の続きから画素に含まれる発光素子の特性を検出すればよい。また、次の焼き付き補正期間に移行する場合には、「一定時間経過」において判断する任意の時間を短くするとよい。望ましくは０秒とし、次の「充電期間」において焼き付き補正期間に移行するとよい。
【０１１４】
本実施の形態において説明した図９のフローチャートを実現するためのコントローラ１１５の構成、及び動作について図６２を参照して説明する。
【０１１５】
本実施形態において、映像信号生成回路６１００、電流値検出制御信号生成回路６１０１、駆動方法選択回路６１０３、タイマー回路６１０４、及び充電手段検出回路６１０５は第４の実施形態と同様なものとする。
【０１１６】
検出画素設定回路６１０６は焼き付き補正期間において全画素を複数個に分割した場合の範囲に含まれる画素を指定するための回路である。
【０１１７】
本実施形態の動作について説明する。タイマー回路６１０４にリセット信号６１００ａが入力されてから任意の時間後、つまり前回の焼き付き補正期間終了から任意の時間が過ぎ、且つ充電手段検出回路６１０５がバッテリー１１７の充電を検出する。この条件を満たした場合は駆動方法選択回路６１０３が映像信号生成回路６１００、及び電流値検出制御信号生成回路６１０１を焼き付き補正期間の動作を行うように制御する。そして、映像信号生成回路６１００は補正回路１１４、電流値検出制御信号生成回路６１０１は電流値検出回路１１３をそれぞれ焼き付き補正期間の動作を行うように制御する。上記の条件を満たさなかった場合は駆動方法選択回路６１０３が映像信号生成回路６１００、及び電流値検出制御信号生成回路６１０１をそれぞれ通常駆動期間の動作を行うように制御する。そして、映像信号生成回路６１００は補正回路１１４、電流値検出制御信号生成回路６１０１は電流値検出回路１１３をそれぞれ通常駆動期間の動作を行うように制御する。そして、検出画素設定回路６１０６によって設定された画素の特性の検出が終わるとリセット信号６１００ａがタイマー回路６１０４に入力される。なお、本実施の形態において、通常駆動期間と焼き付き補正期間との間において、判断「一定時間経過」、判断「充電期間」、判断「設定画素終了」、判断「操作開始」を行ったが、これらの判断のうちの少なくとも１つを行って実施することも可能である。すなわち、例えば、通常駆動期間と焼き付き補正期間との間において、充電期間のみを判断する。なお、このとき、少なくとも充電手段検出回路６１０５と駆動方法選択回路６１０３を用いて実施される。
【０１１８】
（第６の実施形態）
第１の実施形態、乃至第３の実施形態を適用する通常駆動時間から焼き付き補正時間に移行するタイミング、及び条件を図１０のフローチャートを参照して説明する。長方形の枠が処理であり、ひし形の枠が判断である。
【０１１９】
図１０において、処理「通常駆動期間」とは、第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明したように映像信号に基づいた画像を表示可能な期間のことをいう。
【０１２０】
本実施の形態において、処理「焼き付き補正期間」、判断「一定時間経過」、判断「全画素終了」、判断「操作開始」とは実施の形態４と同様なものとする。また、判断「未操作期間」とは、任意に設定した時間、利用者が電子機器等の操作をしたか、否かを判断する。
【０１２１】
図１０のフローチャートの流れについて説明する。「一定時間経過」において、前回の「焼き付き補正期間」から「通常駆動期間」に移行した時間が任意に設定した時間よりも短ければ「通常駆動期間」へ移行し、長ければ「未操作期間」へ移行する。「未操作期間」において、任意に設定した時間、利用者が電子機器等の操作をした場合は「通常駆動期間」へ移行し、任意に設定した時間、利用者が電子機器等の操作をしていない場合は「焼き付き補正期間」に移行する。「焼き付き補正期間」に移行した場合、第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明した焼き付き補正期間における動作を行い、「全画素終了」へ移行する。「全画素終了」において、全画素に含まれる発光素子の特性を取得していれば「通常駆動期間」に移行し、全画素に含まれる発光素子の特性を取得してなければ、「操作開始」へ移行する。「操作開始」において、利用者が操作を開始している場合は「通常駆動期間」へ移行し、利用者が操作を開始していない場合は「焼き付き補正期間」へ移行する。
【０１２２】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行する条件として、「一定時間経過」を含ませることで、焼き付き補正期間へ移行する回数を制御することができる。焼き付き補正期間においては、第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明したように画素に含まれる発光素子を発光させる必要がある。そのため、焼き付き補正期間へ移行する頻度を少なくすることで、焼き付き補正期間によって画素に含まれる発光素子が劣化してしまうことを防ぐことができる。
【０１２３】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行する条件として、「未操作期間」を含ませることで、利用者が電子機器等を利用していないときに焼き付き補正期間に移行することができる。任意に設定した時間、利用者が電子機器等を操作していないということは電子機器等は利用されていないと判断できる。
【０１２４】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「全画素終了」を含ませることで、全画素に含まれる発光素子の特性を同じ条件で検出することができる。画素に含まれる発光素子の特性を検出する条件、すなわち動作環境を同一とすれば、動作環境の違いによる特性のバラツキを抑制することができる。
【０１２５】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「操作開始」を含ませることで、利用者が電子機器等を利用しようとする場合、速やかに通常駆動期間へ移行することができる。
【０１２６】
焼き付き補正期間から「操作開始」によって、通常駆動期間に移行した場合、全画素に含まれる発光素子の特性を検出する前に、焼き付き補正期間が終了することになる。この場合、次の焼き付き補正期間において、前焼き付き補正期間によって検出した画素に含まれる発光素子の続きから画素に含まれる発光素子の特性を検出すればよい。また、次の焼き付き補正期間に移行する場合には、「一定時間経過」において判断する任意の時間を短くするとよい。望ましくは０秒とし、次の「未操作期間」において焼き付き補正期間に移行するとよい。
【０１２７】
本実施の形態において説明した図１０のフローチャートを実現するためのコントローラ１１５の構成、及び動作について図６３を参照して説明する。
【０１２８】
本実施形態において、映像信号生成回路６１００、電流値検出制御信号生成回路６１０１、駆動方法選択回路６１０３、及びタイマー回路６１０４、は第４の実施形態と同様なものとする。
【０１２９】
未操作期間検出回路６３０１は任意に設定した時間、利用者が電子機器等の操作をしたか、否かを検出する回路であり、任意に設定した時間を過ぎると駆動方法選択回路６１０３に焼き付き補正期間へ移行するための信号を出力する。なお、未操作期間検出回路６３０１は、例えば、リセット信号生成回路、カウンタ、及びカウント値生成回路、メモリ、又はレジスタ（一定時間に相当するカウント数を保存する）から構成される。
【０１３０】
本実施形態の動作について説明する。タイマー回路６１０４にリセット信号６１００ａが入力されてから任意の時間後、つまり前回の焼き付き補正期間終了から任意の時間が過ぎ、且つ任意に設定した時間、利用者が電子機器等の操作をしない。この条件を満たした場合は駆動方法選択回路６１０３が映像信号生成回路６１００、及び電流値検出制御信号生成回路６１０１を焼き付き補正期間の動作を行うように制御する。そして、映像信号生成回路６１００は補正回路１１４、電流値検出制御信号生成回路６１０１は電流値検出回路１１３をそれぞれ焼き付き補正期間の動作を行うように制御する。上記の条件を満たさなかった場合は駆動方法選択回路６１０３が映像信号生成回路６１００、及び電流値検出制御信号生成回路６１０１をそれぞれ通常駆動期間の動作を行うように制御する。そして、映像信号生成回路６１００は補正回路１１４、電流値検出制御信号生成回路６１０１は電流値検出回路１１３をそれぞれ通常駆動期間の動作を行うように制御する。そして、全画素の特性の検出が終わるとリセット信号６１００ａがタイマー回路６１０４に入力される。なお、本実施の形態において、通常駆動期間と焼き付き補正期間との間において、判断「一定時間経過」、判断「未操作期間」、判断「全画素終了」、判断「操作開始」を行ったが、これらの判断のうちの少なくとも１つを行って実施することも可能である。すなわち、例えば、通常駆動期間と焼き付き補正期間との間において、未操作期間のみを判断する。なお、このとき、少なくとも未操作期間検出回路６３０１と駆動方法選択回路６１０３を用いて実施される。
【０１３１】
（第７の実施形態）
第１の実施形態、乃至第３の実施形態を適用する通常駆動時間から焼き付き補正時間に移行するタイミング、及び条件を図１１のフローチャートを参照して説明する。長方形の枠が処理であり、ひし形の枠が判断である。
【０１３２】
本実施の形態において、「通常駆動期間」、「焼き付き補正期間」、「一定時間経過」、「操作開始」とは実施の形態４と同様なものとする。「未操作期間」、とは実施の形態６と同様なものとする。また、「設定画素終了」とは、焼き付き補正期間において、あらかじめ設定された画素に含まれる発光素子の特性を取得したか、否かを判断する。あらかじめ設定された画素とは、全画素を複数個に分割した場合の範囲に含まれる画素のことをいう。例えば、２分割の場合は上半分と下半分というように分ける。
【０１３３】
図１１のフローチャートの流れについて説明する。「一定時間経過」において、前回の「焼き付き補正期間」から「通常駆動期間」に移行した時間が任意に設定した時間よりも短ければ「通常駆動期間」へ移行し、長ければ「未操作期間」へ移行する。「未操作期間」において、任意に設定した時間、利用者が電子機器等の操作をした場合は「通常駆動期間」へ移行し、任意に設定した時間、利用者が電子機器等の操作をしていない場合は「焼き付き補正期間」に移行する。「焼き付き補正期間」に移行した場合、第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明した焼き付き補正期間における動作を行い、「設定画素終了」へ移行する。「設定画素終了」において、あらかじめ設定された画素に含まれる発光素子の特性を取得していれば「通常駆動期間」に移行し、あらかじめ設定された画素に含まれる発光素子の特性を取得してなければ、「操作開始」へ移行する。「操作開始」において、利用者が操作を開始している場合は「通常駆動期間」へ移行し、利用者が操作を開始していない場合は「焼き付き補正期間」へ移行する。
【０１３４】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行する条件として、「一定時間経過」を含ませることで、焼き付き補正期間へ移行する回数を制御することができる。焼き付き補正期間においては、第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明したように画素に含まれる発光素子を発光させる必要がある。そのため、焼き付き補正期間へ移行する頻度を少なくすることで、焼き付き補正期間によって画素に含まれる発光素子が劣化してしまうことを防ぐことができる。
【０１３５】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行する条件として、「未操作期間」を含ませることで、利用者が電子機器等を利用していないときに焼き付き補正期間に移行することができる。任意に設定した時間、利用者が電子機器等を操作していないということは電子機器等は利用されていないと判断できる。
【０１３６】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「設定画素終了」を含ませることで、焼き付き補正期間を途中で終わらせることなく通常駆動期間へ移行することができる。また、焼き付きが起こりやすいと予想される箇所を重点的に焼き付き補正期間へ移行することも可能である。
【０１３７】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「操作開始」を含ませることで、利用者が電子機器等を利用しようとする場合、速やかに通常駆動期間へ移行することができる。
【０１３８】
焼き付き補正期間から「操作開始」によって、通常駆動期間に移行した場合、あらかじめ設定した画素に含まれる発光素子の特性を検出する前に、焼き付き補正期間が終了することになる。この場合、次の焼き付き補正期間において、前焼き付き補正期間によって検出した画素に含まれる発光素子の続きから画素に含まれる発光素子の特性を検出すればよい。また、次の焼き付き補正期間に移行する場合には、「一定時間経過」において判断する任意の時間を短くするとよい。望ましくは０秒とし、次の「未操作期間」において焼き付き補正期間に移行するとよい。
【０１３９】
本実施の形態において説明した図１１のフローチャートを実現するためのコントローラ１１５の構成、及び動作について図６４を参照して説明する。
【０１４０】
本実施形態において、映像信号生成回路６１００、電流値検出制御信号生成回路６１０１、駆動方法選択回路６１０３、及びタイマー回路６１０４は第４の実施形態と同様なものとする。検出画素設定回路６１０６は第５の実施形態と同様なものとする。未操作期間検出回路６３０１は第６の実施形態と同様なものとする。
【０１４１】
未操作期間検出回路６３０１は任意に設定した時間、利用者が電子機器等の操作をしたか、否かを検出する回路であり、任意に設定した時間を過ぎると駆動方法選択回路６１０３に焼き付き補正期間へ移行するための信号を出力する。
【０１４２】
本実施形態の動作について説明する。タイマー回路６１０４にリセット信号６１００ａが入力されてから任意の時間後、つまり前回の焼き付き補正期間終了から任意の時間が過ぎ、且つ任意に設定した時間、利用者が電子機器等の操作をしない。この条件を満たした場合は駆動方法選択回路６１０３が映像信号生成回路６１００、及び電流値検出制御信号生成回路６１０１を焼き付き補正期間の動作を行うように制御する。そして、映像信号生成回路６１００は補正回路１１４、電流値検出制御信号生成回路６１０１は電流値検出回路１１３をそれぞれ焼き付き補正期間の動作を行うように制御する。上記の条件を満たさなかった場合は駆動方法選択回路６１０３が映像信号生成回路６１００、及び電流値検出制御信号生成回路６１０１をそれぞれ通常駆動期間の動作を行うように制御する。そして、映像信号生成回路６１００は補正回路１１４、電流値検出制御信号生成回路６１０１は電流値検出回路１１３をそれぞれ通常駆動期間の動作を行うように制御する。そして、検出画素設定回路６１０６によって設定された画素の特性の検出が終わるとリセット信号６１００ａがタイマー回路６１０４に入力される。なお、本実施の形態において、通常駆動期間と焼き付き補正期間との間において、判断「一定時間経過」、判断「未操作期間」、判断「設定画素終了」、判断「操作開始」を行ったが、これらの判断のうちの少なくとも１つを行って実施することも可能である。すなわち、例えば、通常駆動期間と焼き付き補正期間との間において、設定画素のみを判断する。なお、このとき、少なくとも検出画素設定回路６１０６と駆動方法選択回路６１０３を用いて実施される。
【０１４３】
（第８の実施形態）
第１の実施形態、乃至第３の実施形態を適用する通常駆動時間から焼き付き補正時間に移行するタイミング、及び条件を図１２のフローチャートを参照して説明する。長方形の枠が処理であり、ひし形の枠が判断である。
【０１４４】
本実施の形態において、「通常駆動期間」、「焼き付き補正期間」、「一定時間経過」、「充電時間」、「全画素終了」、「操作開始」とは実施の形態４と同様なものとする。また、「設定輝度」とは、あらかじめ設定しておいた範囲の周辺輝度となっているか、否かを判断する。
【０１４５】
図１２のフローチャートの流れについて説明する。「一定時間経過」において、前回の「焼き付き補正期間」から「通常駆動期間」に移行した時間が任意に設定した時間よりも短ければ「通常駆動期間」へ移行し、長ければ「充電期間」へ移行する。「充電期間」において、バッテリーの充電を行っていなかった場合は「通常駆動期間」へ移行し、バッテリーの充電を行っている場合は「設定輝度」へ移動する。「設定輝度」において、あらかじめ設定しておいた範囲の周辺輝度ではなかった場合は「通常駆動期間」へ移行し、あらかじめ設定しておいた範囲の周辺輝度の場合は「焼き付き補正期間」に移行する。「焼き付き補正期間」に移行した場合、第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明した焼き付き補正期間における動作を行い、「全画素終了」へ移行する。「全画素終了」において、全画素に含まれる発光素子の特性を取得していれば「通常駆動期間」へ移行し、全画素に含まれる発光素子の特性を取得してなければ、「充電期間」へ移行する。「充電期間」において、バッテリーの充電を行っていなかった場合は「通常駆動期間」へ移行し、バッテリーの充電を行っている場合は「設定輝度」へ移行する。「設定輝度」において、あらかじめ設定しておいた範囲の周辺輝度でなかった場合は「通常駆動期間」へ移行し、あらかじめ設定しておいた周辺輝度の場合は「操作開始」へ移行する。「操作開始」において、利用者が操作を開始している場合は「通常駆動期間」へ移行し、利用者が操作を開始していない場合は「焼き付き補正期間」へ移行する。
【０１４６】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行する条件として、「一定時間経過」を含ませることで、焼き付き補正期間へ移行する回数を制御することができる。焼き付き補正期間においては、第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明したように画素に含まれる発光素子を発光させる必要がある。そのため、焼き付き補正期間へ移行する頻度を少なくすることで、焼き付き補正期間によって画素に含まれる発光素子が劣化してしまうことを防ぐことができる。
【０１４７】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行する条件として、「充電期間」を含ませることで、バッテリーを充電しつつ、焼き付き補正期間へ移行することがきる。焼き付き補正期間においては、第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明したように画素に含まれる発光素子を発光させてその特性を保存するため、消費する電力も大きい。そのため、バッテリーを充電している状態で、焼き付き補正期間へ移行することで、焼き付き補正期間によるバッテリーの電力の低下を防ぐことができる。また、充電するということは、利用者が電子機器等の利用が終わった可能性が高く、通常駆動時間に戻る可能性が低い。
【０１４８】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移動する条件として、「設定輝度」を含ませることで、周辺輝度の影響を受けずに焼き付き補正期間へ移行することができる。第１の実施形態、乃至第３の実施形態において、１画素、又は３画素のみを発光させるため、他の非発光の画素の駆動ＴＦＴは全てオフしていることから、周辺輝度がよって、オフ電流が変化するため、検出する電流値が変化してしまう。そのため、周辺輝度が一定の場合に画素に含まれる発光素子の特性を検出することで、周辺輝度の変化による影響を無くすことができる。また、周辺輝度は、０［ｃｄ／ｍ２］付近であることが望ましい。これは、折りたたみ式の携帯電話の場合は折りたたんでいる状態となり、デジタルカメラの場合はケースに入れている状態となる。
【０１４９】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「全画素終了」を含ませることで、全画素に含まれる発光素子の特性を同じ条件で検出することができる。画素に含まれる発光素子の特性を検出する条件、すなわち動作環境を同一とすれば、動作環境の違いによる特性のバラツキを抑制することができる。
【０１５０】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「充電期間」を含ませることで、バッテリーの充電をやめると同時に通常駆動期間へ移行することができる。バッテリーの充電をやめると、焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行することで、バッテリーの消費を減らすことができる。また、バッテリーの充電をやめるということは、利用者が電子機器を利用する可能性が高いため、通常駆動期間へ移行する必要がある。
【０１５１】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「設定輝度」を含ませることで、焼き付き補正期間中に周辺輝度が変化した場合は速やかに通常駆動期間へ移行することができる。
【０１５２】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「操作開始」を含ませることで、利用者が電子機器等を利用しようとする場合、速やかに通常駆動期間へ移行することができる。
【０１５３】
焼き付き補正期間から、「充電期間」、「設定輝度」、及び「操作開始」によって、通常駆動期間に移行した場合、全画素に含まれる発光素子の特性を検出する前に、焼き付き補正期間が終了することになる。この場合、次の焼き付き補正期間において、前焼き付き補正期間によって検出した画素に含まれる発光素子の続きから画素に含まれる発光素子の特性を検出すればよい。また、次の焼き付き補正期間に移行する場合には、「一定時間経過」において判断する任意の時間を短くするとよい。望ましくは０秒とし、次の「充電期間」、及び「設定輝度」において焼き付き補正期間に移行するとよい。
【０１５４】
本実施の形態において説明した図１２のフローチャートを実現するためのコントローラ１１５の構成、及び動作について図６５を参照して説明する。
【０１５５】
本実施形態において、映像信号生成回路６１００、電流値検出制御信号生成回路６１０１、駆動方法選択回路６１０３、タイマー回路６１０４、及び充電手段検出回路６１０５は第４の実施形態と同様なものとする。
【０１５６】
周辺輝度検出回路６５０１は表示装置の周辺の輝度があらかじめ設定している輝度に近い輝度の場合に駆動方法選択回路６１０３に焼き付き補正期間へ移行するための信号を出力する。また、周辺輝度とは、画素１０９の発光部の付近の輝度のことである。例えば、設定輝度が０［ｃｄ／ｍ２］の場合、電子機器の周辺輝度が設定輝度と違っていても、画素１０９が遮光され、輝度が０［ｃｄ／ｍ２］付近であれば駆動方法選択回路６１０３に焼き付き補正期間へ移行するための信号を出力する。なお、周辺輝度検出回路６５０１は、例えば、フォトセンサ、電流−電圧変換回路、ＡＤ変換器、メモリ１（最大輝度データを保存する）、メモリ２（最小輝度データを保存する）、比較回路１、比較回路２、判別回路（ＡＮＤ、ＮＯＲなど）で構成される。
【０１５７】
本実施形態の動作について説明する。タイマー回路６１０４にリセット信号６１００ａが入力されてから任意の時間後、つまり前回の焼き付き補正期間終了から任意の時間が過ぎ、且つ充電手段検出回路６１０５がバッテリー１１７の充電を検出し、且つ周辺輝度検出回路６５０１が周辺輝度があらかじめ設定していた輝度付近と判断する。この条件を満たした場合は駆動方法選択回路６１０３が映像信号生成回路６１００、及び電流値検出制御信号生成回路６１０１を焼き付き補正期間の動作を行うように制御する。そして、映像信号生成回路６１００は補正回路１１４、電流値検出制御信号生成回路６１０１は電流値検出回路１１３をそれぞれ焼き付き補正期間の動作を行うように制御する。上記の条件を満たさなかった場合は駆動方法選択回路６１０３が映像信号生成回路６１００、及び電流値検出制御信号生成回路６１０１をそれぞれ通常駆動期間の動作を行うように制御する。そして、映像信号生成回路６１００は補正回路１１４、電流値検出制御信号生成回路６１０１は電流値検出回路１１３をそれぞれ通常駆動期間の動作を行うように制御する。そして、全画素の特性の検出が終わるとリセット信号６１００ａがタイマー回路６１０４に入力される。なお、本実施の形態において、通常駆動期間と焼き付き補正期間との間において、判断「一定時間経過」、判断「充電期間」、判断「設定輝度」、判断「全画素終了」、判断「操作開始」を行ったが、これらの判断のうちの少なくとも１つを行って実施することも可能である。すなわち、例えば、通常駆動期間と焼き付き補正期間との間において、設定輝度のみを判断する。なお、このとき、少なくとも周辺輝度検出回路６５０１と駆動方法選択回路６１０３を用いて実施される。
【０１５８】
（第９の実施形態）
第１の実施形態、乃至第３の実施形態を適用する通常駆動時間から焼き付き補正時間に移行するタイミング、及び条件を図１３のフローチャートを参照して説明する。長方形の枠が処理であり、ひし形の枠が判断である。
【０１５９】
本実施の形態において、処理「通常駆動期間」、処理「焼き付き補正期間」、判断「一定時間経過」、判断「充電時間」、判断「操作開始」とは実施の形態４と同様なものとする。判断「設定画素終了」は実施の形態７と同様なものとする。判断「設定輝度」は実施の形態８と同様なものとする。
【０１６０】
図１３のフローチャートの流れについて説明する。「一定時間経過」において、前回の「焼き付き補正期間」から「通常駆動期間」に移行した時間が任意に設定した時間よりも短ければ「通常駆動期間」へ移行し、長ければ「充電期間」へ移行する。「充電期間」において、バッテリーの充電を行っていなかった場合は「通常駆動期間」へ移行し、バッテリーの充電を行っている場合は「設定輝度」へ移動する。「設定輝度」において、あらかじめ設定しておいた範囲の周辺輝度ではなかった場合は「通常駆動期間」へ移行し、あらかじめ設定しておいた範囲の周辺輝度の場合は「焼き付き補正期間」に移行する。「焼き付き補正期間」に移行した場合、第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明した焼き付き補正期間における動作を行い、「設定画素終了」へ移行する。「設定画素終了」において、あらかじめ設定した画素に含まれる発光素子の特性を取得していれば「通常駆動期間」へ移行し、あらかじめ設定した画素に含まれる発光素子の特性を取得してなければ、「充電期間」へ移行する。「充電期間」において、バッテリーの充電を行っていなかった場合は「通常駆動期間」へ移行し、バッテリーの充電を行っている場合は「設定輝度」へ移行する。「設定輝度」において、あらかじめ設定しておいた範囲の周辺輝度でなかった場合は「通常駆動期間」へ移行し、あらかじめ設定しておいた周辺輝度の場合は「操作開始」へ移行する。「操作開始」において、利用者が操作を開始している場合は「通常駆動期間」へ移行し、利用者が操作を開始していない場合は「焼き付き補正期間」へ移行する。
【０１６１】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行する条件として、「一定時間経過」を含ませることで、焼き付き補正期間へ移行する回数を制御することができる。焼き付き補正期間においては、第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明したように画素に含まれる発光素子を発光させる必要がある。そのため、焼き付き補正期間へ移行する頻度を少なくすることで、焼き付き補正期間によって画素に含まれる発光素子が劣化してしまうことを防ぐことができる。
【０１６２】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行する条件として、「充電期間」を含ませることで、バッテリーを充電しつつ、焼き付き補正期間へ移行することがきる。焼き付き補正期間においては、第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明したように画素に含まれる発光素子を発光させてその特性を保存するため、消費する電力も大きい。そのため、バッテリーを充電している状態で、焼き付き補正期間へ移行することで、焼き付き補正期間によるバッテリーの電力の低下を防ぐことができる。また、充電するということは、利用者が電子機器等の利用が終わった可能性が高く、通常駆動時間に戻る可能性が低い。
【０１６３】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移動する条件として、「設定輝度」を含ませることで、周辺輝度の影響を受けずに焼き付き補正期間へ移行することができる。第１の実施形態、乃至第３の実施形態において、１画素、又は３画素のみを発光させるため、他の非発光の画素の駆動ＴＦＴは全てオフしていることから、周辺輝度によって、オフ電流が変化するため、検出する電流値が変化してしまう。そのため、周辺輝度が一定の場合に画素に含まれる発光素子の特性を検出することで、周辺輝度の変化による影響を無くすことができる。また、周辺輝度は、０［ｃｄ／ｍ２］付近であることが望ましい。これは、折りたたみ式の携帯電話の場合は折りたたんでいる状態となり、デジタルカメラの場合はケースに入れている状態となる。
【０１６４】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「設定画素終了」を含ませることで、焼き付き補正期間を途中で終わらせることなく通常駆動期間へ移行することができる。また、焼き付きが起こりやすいと予想される箇所を重点的に焼き付き補正期間へ移行することも可能である。
【０１６５】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「充電期間」を含ませることで、バッテリーの充電をやめると同時に通常駆動期間へ移行することができる。バッテリーの充電をやめると、焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行することで、バッテリーの消費を減らすことができる。また、バッテリーの充電をやめるということは、利用者が電子機器を利用する可能性が高いため、通常駆動期間へ移行する必要がある。
【０１６６】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「設定輝度」を含ませることで、焼き付き補正期間中に周辺輝度が変化した場合は速やかに通常駆動へ移行することができる。
【０１６７】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「操作開始」を含ませることで、利用者が電子機器等を利用しようとする場合、速やかに通常駆動期間へ移行することができる。
【０１６８】
焼き付き補正期間から、「充電期間」、「設定輝度」、及び「操作開始」によって、通常駆動期間に移行した場合、あらかじめ設定した画素に含まれる発光素子の特性を検出する前に、焼き付き補正期間が終了することになる。この場合、次の焼き付き補正期間において、前焼き付き補正期間によって検出した画素に含まれる発光素子の続きから画素に含まれる発光素子の特性を検出すればよい。また、次の焼き付き補正期間に移行する場合には、「一定時間経過」において判断する任意の時間を短くするとよい。望ましくは０秒とし、次の「充電期間」、及び「設定輝度」において焼き付き補正期間に移行するとよい。
【０１６９】
本実施の形態において説明した図１３のフローチャートを実現するためのコントローラ１１５の構成、及び動作について図６６を参照して説明する。
【０１７０】
本実施形態において、映像信号生成回路６１００、電流値検出制御信号生成回路６１０１、駆動方法選択回路６１０３、タイマー回路６１０４、及び充電手段検出回路６１０５は第４の実施形態と同様なものとする。検出画素設定回路６１０６は第５の実施形態と同様なものとする。周辺輝度検出回路６５０１は第８の実施形態と同様なものとする。
【０１７１】
本実施形態の動作について説明する。タイマー回路６１０４にリセット信号６１００ａが入力されてから任意の時間後、つまり前回の焼き付き補正期間終了から任意の時間が過ぎ、且つ充電手段検出回路６１０５がバッテリー１１７の充電を検出し、且つ周辺輝度検出回路６５０１が周辺輝度があらかじめ設定していた輝度付近と判断する。この条件を満たした場合は駆動方法選択回路６１０３が映像信号生成回路６１００、及び電流値検出制御信号生成回路６１０１を焼き付き補正期間の動作を行うように制御する。そして、映像信号生成回路６１００は補正回路１１４、電流値検出制御信号生成回路６１０１は電流値検出回路１１３をそれぞれ焼き付き補正期間の動作を行うように制御する。上記の条件を満たさなかった場合は駆動方法選択回路６１０３が映像信号生成回路６１００、及び電流値検出制御信号生成回路６１０１をそれぞれ通常駆動期間の動作を行うように制御する。そして、映像信号生成回路６１００は補正回路１１４、電流値検出制御信号生成回路６１０１は電流値検出回路１１３をそれぞれ通常駆動期間の動作を行うように制御する。そして、検出画素設定回路６１０６によって設定された画素の特性の検出が終わるとリセット信号６１００ａがタイマー回路６１０４に入力される。なお、本実施の形態において、通常駆動期間と焼き付き補正期間との間において、判断「一定時間経過」、判断「充電期間」、判断「設定輝度」、判断「設定画素終了」、判断「操作開始」を行ったが、これらの判断のうちの少なくとも１つを行って実施することも可能である。すなわち、例えば、通常駆動期間と焼き付き補正期間との間において、設定画素終了のみを判断する。なお、このとき、少なくとも検出画素設定回路６１０６と駆動方法選択回路６１０３を用いて実施される。
【０１７２】
（第１０の実施形態）
第１の実施形態、乃至第３の実施形態を適用する通常駆動時間から焼き付き補正時間に移行するタイミング、及び条件を図１４のフローチャートを参照して説明する。長方形の枠が処理であり、ひし形の枠が判断である。
【０１７３】
本実施の形態において、処理「通常駆動期間」、処理「焼き付き補正期間」、判断「一定時間経過」、判断「全画素終了」、判断「操作開始」とは実施の形態４と同様なものとする。判断「未操作期間」は実施の形態６と同様なものとする。判断「設定輝度」は実施の形態８と同様なものとする。
【０１７４】
図１４のフローチャートの流れについて説明する。「一定時間経過」において、前回の「焼き付き補正期間」から「通常駆動期間」に移行した時間が任意に設定した時間よりも短ければ「通常駆動期間」へ移行し、長ければ「未操作期間」へ移行する。「未操作期間」において、任意に設定した時間、利用者が電子機器等の操作をした場合は「通常駆動期間」へ移行し、任意に設定した時間、利用者が電子機器等の操作をしていない場合は「設定輝度」に移行する。「設定輝度」において、あらかじめ設定しておいた範囲の周辺輝度ではなかった場合は「通常駆動期間」へ移行し、あらかじめ設定しておいた範囲の周辺輝度の場合は「焼き付き補正期間」に移行する。「焼き付き補正期間」に移行した場合、第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明した焼き付き補正期間における動作を行い、「全画素終了」へ移行する。「全画素終了」において、全画素に含まれる発光素子の特性を取得していれば「通常駆動期間」へ移行し、全画素に含まれる発光素子の特性を取得してなければ、「設定輝度」へ移行する。「設定輝度」において、あらかじめ設定しておいた範囲の周辺輝度でなかった場合は「通常駆動期間」へ移行し、あらかじめ設定しておいた周辺輝度の場合は「操作開始」へ移行する。「操作開始」において、利用者が操作を開始している場合は「通常駆動期間」へ移行し、利用者が操作を開始していない場合は「焼き付き補正期間」へ移行する。
【０１７５】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行する条件として、「一定時間経過」を含ませることで、焼き付き補正期間へ移行する回数を制御することができる。焼き付き補正期間においては、第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明したように画素に含まれる発光素子を発光させる必要がある。そのため、焼き付き補正期間へ移行する頻度を少なくすることで、焼き付き補正期間によって画素に含まれる発光素子が劣化してしまうことを防ぐことができる。
【０１７６】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行する条件として、「未操作期間」を含ませることで、利用者が電子機器等を利用していないときに焼き付き補正期間に移行することができる。任意に設定した時間、利用者が電子機器等を操作していないということは電子機器等は利用されていないと判断できる。
【０１７７】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移動する条件として、「設定輝度」を含ませることで、周辺輝度の影響を受けずに焼き付き補正期間へ移行することができる。第１の実施形態、乃至第３の実施形態において、１画素、又は３画素のみを発光させるため、他の非発光の画素の駆動ＴＦＴは全てオフしていることから、周辺輝度によって、オフ電流が変化するため、検出する電流値が変化してしまう。そのため、周辺輝度が一定の場合に画素に含まれる発光素子の特性を検出することで、周辺輝度の変化による影響を無くすことができる。また、周辺輝度は、０［ｃｄ／ｍ２］付近であることが望ましい。これは、折りたたみ式の携帯電話の場合は折りたたんでいる状態となり、デジタルカメラの場合はケースに入れている状態となる。
【０１７８】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「全画素終了」を含ませることで、全画素に含まれる発光素子の特性を同じ条件で検出することができる。画素に含まれる発光素子の特性を検出する条件、すなわち動作環境を同一とすれば、動作環境の違いによる特性のバラツキを抑制することができる。
【０１７９】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「充電期間」を含ませることで、バッテリーの充電をやめると同時に通常駆動期間へ移行することができる。バッテリーの充電をやめると、焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行することで、バッテリーの消費を減らすことができる。また、バッテリーの充電をやめるということは、利用者が電子機器を利用する可能性が高いため、通常駆動期間へ移行する必要がある。
【０１８０】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「設定輝度」を含ませることで、焼き付き補正期間中に周辺輝度が変化した場合は速やかに通常駆動へ移行することができる。
【０１８１】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「操作開始」を含ませることで、利用者が電子機器等を利用しようとする場合、速やかに通常駆動期間へ移行することができる。
【０１８２】
焼き付き補正期間から、「設定輝度」、及び「操作開始」によって、通常駆動期間に移行した場合、全画素に含まれる発光素子の特性を検出する前に、焼き付き補正期間が終了することになる。この場合、次の焼き付き補正期間において、前焼き付き補正期間によって検出した画素に含まれる発光素子の続きから画素に含まれる発光素子の特性を検出すればよい。また、次の焼き付き補正期間に移行する場合には、「一定時間経過」において判断する任意の時間を短くするとよい。望ましくは０秒とし、次の「未操作期間」、及び「設定輝度」において焼き付き補正期間に移行するとよい。
【０１８３】
本実施の形態において説明した図１４のフローチャートを実現するためのコントローラ１１５の構成、及び動作について図６７を参照して説明する。
【０１８４】
本実施形態において、映像信号生成回路６１００、電流値検出制御信号生成回路６１０１、駆動方法選択回路６１０３、及びタイマー回路６１０４は第４の実施形態と同様なものとする。未操作期間検出回路６３０１は第６の実施形態と同様なものとする。周辺輝度検出回路６５０１は第８の実施形態と同様なものとする。
【０１８５】
本実施形態の動作について説明する。タイマー回路６１０４にリセット信号６１００ａが入力されてから任意の時間後、つまり前回の焼き付き補正期間終了から任意の時間が過ぎ、且つ任意に設定した時間、利用者が電子機器等の操作をしておらず、且つ周辺輝度検出回路６５０１が周辺輝度があらかじめ設定していた輝度付近と判断する。この条件を満たした場合は駆動方法選択回路６１０３が映像信号生成回路６１００、及び電流値検出制御信号生成回路６１０１を焼き付き補正期間の動作を行うように制御する。そして、映像信号生成回路６１００は補正回路１１４、電流値検出制御信号生成回路６１０１は電流値検出回路１１３をそれぞれ焼き付き補正期間の動作を行うように制御する。上記の条件を満たさなかった場合は駆動方法選択回路６１０３が映像信号生成回路６１００、及び電流値検出制御信号生成回路６１０１をそれぞれ通常駆動期間の動作を行うように制御する。そして、映像信号生成回路６１００は補正回路１１４、電流値検出制御信号生成回路６１０１は電流値検出回路１１３をそれぞれ通常駆動期間の動作を行うように制御する。そして、全画素の特性の検出が終わるとリセット信号６１００ａがタイマー回路６１０４に入力される。なお、本実施の形態において、通常駆動期間と焼き付き補正期間との間において、判断「一定時間経過」、判断「未操作期間」、判断「設定輝度」、判断「全画素終了」、判断「操作開始」を行ったが、これらの判断のうちの少なくとも１つを行って実施することも可能である。すなわち、例えば、通常駆動期間と焼き付き補正期間との間において、一定時間経過と設定輝度を判断する。なお、このとき、少なくともタイマー回路６１０４、周辺輝度検出回路６５０１、及び駆動方法選択回路６１０３を用いて実施される。
【０１８６】
（第１１の実施形態）
第１の実施形態、乃至第３の実施形態を適用する通常駆動時間から焼き付き補正時間に移行するタイミング、及び条件を図１５のフローチャートを参照して説明する。長方形の枠が処理であり、ひし形の枠が判断である。
【０１８７】
本実施の形態において、処理「通常駆動期間」、処理「焼き付き補正期間」、判断「一定時間経過」、判断「操作開始」とは実施の形態４と同様なものとする。判断「未操作期間」は実施の形態６と同様なものとする。判断「設定画素終了」は実施の形態７と同様なものとする。判断「設定輝度」は実施の形態８と同様なものとする。
【０１８８】
図１５のフローチャートの流れについて説明する。「一定時間経過」において、前回の「焼き付き補正期間」から「通常駆動期間」に移行した時間が任意に設定した時間よりも短ければ「通常駆動期間」へ移行し、長ければ「未操作期間」へ移行する。「未操作期間」において、任意に設定した時間、利用者が電子機器等の操作をした場合は「通常駆動期間」へ移行し、任意に設定した時間、利用者が電子機器等の操作をしていない場合は「設定輝度」に移行する。「設定輝度」において、あらかじめ設定しておいた範囲の周辺輝度ではなかった場合は「通常駆動期間」へ移行し、あらかじめ設定しておいた範囲の周辺輝度の場合は「焼き付き補正期間」に移行する。「焼き付き補正期間」に移行した場合、第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明した焼き付き補正期間における動作を行い、「設定画素終了」へ移行する。「設定画素終了」において、あらかじめ設定した画素に含まれる発光素子の特性を取得していれば「通常駆動期間」へ移行し、あらかじめ設定した画素に含まれる発光素子の特性を取得してなければ、「設定輝度」へ移行する。「設定輝度」において、あらかじめ設定しておいた範囲の周辺輝度でなかった場合は「通常駆動期間」へ移行し、あらかじめ設定しておいた周辺輝度の場合は「操作開始」へ移行する。「操作開始」において、利用者が操作を開始している場合は「通常駆動期間」へ移行し、利用者が操作を開始していない場合は「焼き付き補正期間」へ移行する。
【０１８９】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行する条件として、「一定時間経過」を含ませることで、焼き付き補正期間へ移行する回数を制御することができる。焼き付き補正期間においては、第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明したように画素に含まれる発光素子を発光させる必要がある。そのため、焼き付き補正期間へ移行する頻度を少なくすることで、焼き付き補正期間によって画素に含まれる発光素子が劣化してしまうことを防ぐことができる。
【０１９０】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行する条件として、「未操作期間」を含ませることで、利用者が電子機器等を利用していないときに焼き付き補正期間に移行することができる。任意に設定した時間、利用者が電子機器等を操作していないということは電子機器等は利用されていないと判断できる。
【０１９１】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移動する条件として、「設定輝度」を含ませることで、周辺輝度の影響を受けずに焼き付き補正期間へ移行することができる。第１の実施形態、乃至第３の実施形態において、１画素、又は３画素のみを発光させるため、他の非発光の画素の駆動ＴＦＴは全てオフしていることから、周辺輝度によって、オフ電流が変化するため、検出する電流値が変化してしまう。そのため、周辺輝度が一定の場合に画素に含まれる発光素子の特性を検出することで、周辺輝度の変化による影響を無くすことができる。また、周辺輝度は、０［ｃｄ／ｍ２］付近であることが望ましい。これは、折りたたみ式の携帯電話の場合は折りたたんでいる状態となり、デジタルカメラの場合はケースに入れている状態となる。
【０１９２】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「設定画素終了」を含ませることで、焼き付き補正期間を途中で終わらせることなく通常駆動期間へ移行することができる。また、焼き付きが起こりやすいと予想される箇所を重点的に焼き付き補正期間へ移行することも可能である。
【０１９３】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「充電期間」を含ませることで、バッテリーの充電をやめると同時に通常駆動期間へ移行することができる。バッテリーの充電をやめると、焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行することで、バッテリーの消費を減らすことができる。また、バッテリーの充電をやめるということは、利用者が電子機器を利用する可能性が高いため、通常駆動期間へ移行する必要がある。
【０１９４】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「設定輝度」を含ませることで、焼き付き補正期間中に周辺輝度が変化した場合は速やかに通常駆動へ移行することができる。
【０１９５】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「操作開始」を含ませることで、利用者が電子機器等を利用しようとする場合、速やかに通常駆動期間へ移行することができる。
【０１９６】
焼き付き補正期間から、「設定輝度」、及び「操作開始」によって、通常駆動期間に移行した場合、あらかじめ設定した画素に含まれる発光素子の特性を検出する前に、焼き付き補正期間が終了することになる。この場合、次の焼き付き補正期間において、前焼き付き補正期間によって検出した画素に含まれる発光素子の続きから画素に含まれる発光素子の特性を検出すればよい。また、次の焼き付き補正期間に移行する場合には、「一定時間経過」において判断する任意の時間を短くするとよい。望ましくは０秒とし、次の「未操作期間」、及び「設定輝度」において焼き付き補正期間に移行するとよい。
【０１９７】
本実施の形態において説明した図１５のフローチャートを実現するためのコントローラ１１５の構成、及び動作について図６８を参照して説明する。
【０１９８】
本実施形態において、映像信号生成回路６１００、電流値検出制御信号生成回路６１０１、駆動方法選択回路６１０３、及びタイマー回路６１０４は第４の実施形態と同様なものとする。検出画素設定回路６１０６は第５の実施形態と同様なものとする。未操作期間検出回路６３０１は第６の実施形態と同様なものとする。周辺輝度検出回路６５０１は第８の実施形態と同様なものとする。
【０１９９】
本実施形態の動作について説明する。タイマー回路６１０４にリセット信号６１００ａが入力されてから任意の時間後、つまり前回の焼き付き補正期間終了から任意の時間が過ぎ、且つ任意に設定した時間、利用者が電子機器等の操作をしておらず、且つ周辺輝度検出回路６５０１が周辺輝度があらかじめ設定していた輝度付近と判断する。この条件を満たした場合は駆動方法選択回路６１０３が映像信号生成回路６１００、及び電流値検出制御信号生成回路６１０１を焼き付き補正期間の動作を行うように制御する。そして、映像信号生成回路６１００は補正回路１１４、電流値検出制御信号生成回路６１０１は電流値検出回路１１３をそれぞれ焼き付き補正期間の動作を行うように制御する。上記の条件を満たさなかった場合は駆動方法選択回路６１０３が映像信号生成回路６１００、及び電流値検出制御信号生成回路６１０１をそれぞれ通常駆動期間の動作を行うように制御する。そして、映像信号生成回路６１００は補正回路１１４、電流値検出制御信号生成回路６１０１は電流値検出回路１１３をそれぞれ通常駆動期間の動作を行うように制御する。そして、検出画素設定回路６１０６によって設定された画素の特性の検出が終わるとリセット信号６１００ａがタイマー回路６１０４に入力される。なお、本実施の形態において、通常駆動期間と焼き付き補正期間との間において、判断「一定時間経過」、判断「未操作期間」、判断「設定輝度」、判断「設定画素終了」、判断「操作開始」を行ったが、これらの判断のうちの少なくとも１つを行って実施することも可能である。すなわち、例えば、通常駆動期間と焼き付き補正期間との間において、未操作期間と設定輝度を判断する。なお、このとき、少なくとも未操作期間検出回路６３０１、周辺輝度検出回路６５０１、及び駆動方法選択回路６１０３を用いて実施される。
【０２００】
（第１２の実施形態）
第１の実施形態、乃至第３の実施形態を適用する通常駆動時間から焼き付き補正時間に移行するタイミング、及び条件を図１６のフローチャートを参照して説明する。長方形の枠が処理であり、ひし形の枠が判断である。
【０２０１】
本実施の形態において、処理「通常駆動期間」、処理「焼き付き補正期間」、判断「全画素終了」、判断「操作開始」とは実施の形態４と同様なものとする。また、判断「利用者判断」とは、本発明に関わる電子機器等の利用者自身が判断し、焼き付き補正期間へ移行するか、否かを判断する。
【０２０２】
図１６のフローチャートの流れについて説明する。「利用者判断」において、利用者が「焼き付き補正期間」への移行を選択しなければ「通常駆動期間」へ移行し、利用者が「焼き付き補正期間」への移行を選択すれば「焼き付き補正期間」へ移行する。「焼き付き補正期間」に移行した場合、第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明した焼き付き補正期間における動作を行い、「全画素終了」へ移行する。「全画素終了」において、全画素に含まれる発光素子の特性を取得していれば「通常駆動期間」へ移行し、全画素に含まれる発光素子の特性を取得してなければ、「操作開始」へ移行する。「操作開始」において、利用者が操作を開始している場合は「通常駆動期間」へ移行し、利用者が操作を開始していない場合は「焼き付き補正期間」へ移行する。
【０２０３】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行する条件として、「利用者判断」を含ませることで、焼き付き補正期間へ移行する判断を利用者自身が選択することができる。電子機器等の利用頻度、表示画面などは利用者によって異なってくるため、利用者に合わせて焼き付き補正期間への移行を選択することができる。
【０２０４】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「全画素終了」を含ませることで、全画素に含まれる発光素子の特性を同じ条件で検出することができる。画素に含まれる発光素子の特性を検出する条件、すなわち動作環境を同一とすれば、動作環境の違いによる特性のバラツキを抑制することができる。
【０２０５】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「操作開始」を含ませることで、利用者が電子機器等を利用しようとする場合、速やかに通常駆動期間へ移行することができる。
【０２０６】
焼き付き補正期間から「操作開始」によって、通常駆動期間に移行した場合、全画素に含まれる発光素子の特性を検出する前に、焼き付き補正期間が終了することになる。この場合、次の焼き付き補正期間において、前焼き付き補正期間によって検出した画素に含まれる発光素子の続きから画素に含まれる発光素子の特性を検出すればよい。
【０２０７】
本実施の形態において説明した図１６のフローチャートを実現するためのコントローラ１１５の構成、及び動作について図６９を参照して説明する。
【０２０８】
本実施形態において、映像信号生成回路６１００、電流値検出制御信号生成回路６１０１、及び駆動方法選択回路６１０３は第４の実施形態と同様なものとする。
【０２０９】
スタート回路６９０１は利用者が焼き付き補正期間への移行を判断し、任意の操作をしたときに動作する回路である。焼き付き補正期間が終了し、通常駆動期間へ移行する場合、映像信号生成回路６１００からリセット信号６１００ａが出力され、焼き付き補正期間へ移行するための信号を止める。また、リセット信号６１００ａは焼き付き補正期間終了時にスタート回路６９０１へ入力されれば、どこから出力されてもよい。スタート回路６９０１で利用者が焼き付き補正の移行を判断すれば、駆動方法選択回路６１０３に焼き付き補正期間へ移行するための信号を出力する。また、利用者が通常駆動期間へ移行を判断すれば、焼き付き補正期間へ移行するための信号を止める。スタート回路６９０１に入力されるリセット信号６１００ａは、焼き付き補正期間において、全画素、又は設定した画素の特性が終了していなければ入力されなくてもよい。なお、スタート回路６９０１は、例えば、１ビットカウンタを有する。
【０２１０】
本実施形態の動作について説明する。利用者により焼き付き補正期間への移行が選択される。この条件を満たした場合は駆動方法選択回路６１０３が映像信号生成回路６１００、及び電流値検出制御信号生成回路６１０１を焼き付き補正期間の動作を行うように制御する。そして、映像信号生成回路６１００は補正回路１１４、電流値検出制御信号生成回路６１０１は電流値検出回路１１３をそれぞれ焼き付き補正期間の動作を行うように制御する。上記の条件を満たさなかった場合は駆動方法選択回路６１０３が映像信号生成回路６１００、及び電流値検出制御信号生成回路６１０１をそれぞれ通常駆動期間の動作を行うように制御する。そして、映像信号生成回路６１００は補正回路１１４、電流値検出制御信号生成回路６１０１は電流値検出回路１１３をそれぞれ通常駆動期間の動作を行うように制御する。そして、全画素の特性の検出が終わるとリセット信号６１００ａがスタート回路６９０１に入力される。なお、本実施の形態において、通常駆動期間と焼き付き補正期間との間において、判断「利用者判断」、判断「全画素終了」、判断「操作開始」を行ったが、これらの判断のうちの少なくとも１つを行って実施することも可能である。すなわち、例えば、通常駆動期間と焼き付き補正期間との間において、利用者判断を判断する。なお、このとき、少なくともスタート回路６９０１及び駆動方法選択回路６１０３を用いて実施される。
【０２１１】
（第１３の実施形態）
第１の実施形態、乃至第３の実施形態を適用する通常駆動時間から焼き付き補正時間に移行するタイミング、及び条件を図１７のフローチャートを参照して説明する。長方形の枠が処理であり、ひし形の枠が判断である。
【０２１２】
本実施の形態において、処理「通常駆動期間」、処理「焼き付き補正期間」、判断「操作開始」とは実施の形態４と同様なものとする。判断「設定画素終了」は実施の形態７と同様なものとする。判断「利用者判断」は実施の形態１２と同様なものとする。
【０２１３】
図１７のフローチャートの流れについて説明する。「利用者判断」において、利用者が「焼き付き補正期間」への移行を選択しなければ「通常駆動期間」へ移行し、利用者が「焼き付き補正期間」への移行を選択すれば「焼き付き補正期間」へ移行する。「焼き付き補正期間」に移行した場合、第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明した焼き付き補正期間における動作を行い、「設定画素終了」へ移行する。「設定画素終了」において、あらかじめ設定した画素に含まれる発光素子の特性を取得していれば「通常駆動期間」へ移行し、あらかじめ設定した画素に含まれる発光素子の特性を取得してなければ、「操作開始」へ移行する。「操作開始」おいて、利用者が操作を開始している場合は「通常駆動期間」へ移行し、利用者が操作を開始していない場合は「焼き付き補正期間」へ移行する。
【０２１４】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行する条件として、「利用者判断」を含ませることで、焼き付き補正期間へ移行する判断を利用者自身が選択することができる。電子機器等の利用頻度、表示画面などは利用者によって異なってくるため、利用者に合わせて焼き付き補正期間への移行を選択することができる。
【０２１５】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「設定画素終了」を含ませることで、焼き付き補正期間を途中で終わらせることなく通常駆動期間へ移行することができる。また、焼き付きが起こりやすいと予想される箇所を重点的に焼き付き補正期間へ移行することも可能である。
【０２１６】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「操作開始」を含ませることで、利用者が電子機器等を利用しようとする場合、速やかに通常駆動期間へ移行することができる。
【０２１７】
焼き付き補正期間から「操作開始」によって、通常駆動期間に移行した場合、あらかじめ設定した画素に含まれる発光素子の特性を検出する前に、焼き付き補正期間が終了することになる。この場合、次の焼き付き補正期間において、前焼き付き補正期間によって検出した画素に含まれる発光素子の続きから画素に含まれる発光素子の特性を検出すればよい。
【０２１８】
本実施の形態において説明した図１７のフローチャートを実現するためのコントローラ１１５の構成、及び動作について図７０を参照して説明する。
【０２１９】
本実施形態において、映像信号生成回路６１００、電流値検出制御信号生成回路６１０１、及び駆動方法選択回路６１０３は第４の実施形態と同様なものとする。検出画素設定回路６１０６は第５の実施形態と同様なものとする。スタート回路６９０１は第１２の実施形態と同様なものとする。
【０２２０】
本実施形態の動作について説明する。利用者により焼き付き補正期間への移行が選択される。この条件を満たした場合は駆動方法選択回路６１０３が映像信号生成回路６１００、及び電流値検出制御信号生成回路６１０１を焼き付き補正期間の動作を行うように制御する。そして、映像信号生成回路６１００は補正回路１１４、電流値検出制御信号生成回路６１０１は電流値検出回路１１３をそれぞれ焼き付き補正期間の動作を行うように制御する。上記の条件を満たさなかった場合は駆動方法選択回路６１０３が映像信号生成回路６１００、及び電流値検出制御信号生成回路６１０１をそれぞれ通常駆動期間の動作を行うように制御する。そして、映像信号生成回路６１００は補正回路１１４、電流値検出制御信号生成回路６１０１は電流値検出回路１１３をそれぞれ通常駆動期間の動作を行うように制御する。そして、検出画素設定回路６１０６によって設定された画素の特性の検出が終わるとリセット信号６１００ａがスタート回路６９０１に入力される。なお、本実施の形態において、通常駆動期間と焼き付き補正期間との間において、判断「利用者判断」、判断「設定画素終了」、判断「操作開始」を行ったが、これらの判断のうちの少なくとも１つを行って実施することも可能である。すなわち、例えば、通常駆動期間と焼き付き補正期間との間において、利用者判断を判断する。なお、このとき、少なくともスタート回路６９０１及び駆動方法選択回路６１０３を用いて実施される。
【０２２１】
（第１４の実施形態）
第１の実施形態、乃至第３の実施形態を適用する通常駆動時間から焼き付き補正時間に移行するタイミング、及び条件を図１８のフローチャートを参照して説明する。長方形の枠が処理であり、ひし形の枠が判断である。
【０２２２】
本実施の形態において、処理「通常駆動期間」、処理「焼き付き補正期間」、判断「充電時間」、判断「全画素終了」、判断「操作開始」とは実施の形態４と同様なものとする。判断「利用者判断」は実施の形態１２と同様なものとする。
【０２２３】
図１８のフローチャートの流れについて説明する。「利用者判断」において、利用者が「焼き付き補正期間」への移行を選択しなければ「通常駆動期間」へ移行し、利用者が「焼き付き補正期間」への移行を選択すれば「充電期間」へ移行する。「充電期間」において、バッテリーの充電を行っていなかった場合は「通常駆動期間」へ移行し、バッテリーの充電を行っている場合は「焼き付き補正期間」に移行する。「焼き付き補正期間」に移行した場合、第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明した焼き付き補正期間における動作を行い、「全画素終了」へ移行する。「全画素終了」において、全画素に含まれる発光素子の特性を取得していれば「通常駆動期間」へ移行し、全画素に含まれる発光素子の特性を取得してなければ、「充電期間」へ移行する。「充電期間」において、バッテリーの充電を行っていなかった場合は「通常駆動期間」へ移行し、バッテリーの充電を行っている場合は「操作開始」へ移行する。「操作開始」において、利用者が操作を開始している場合は「通常駆動期間」へ移行し、利用者が操作を開始していない場合は「焼き付き補正期間」へ移行する。
【０２２４】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行する条件として、「利用者判断」を含ませることで、焼き付き補正期間へ移行する判断を利用者自身が選択することができる。電子機器等の利用頻度、表示画面などは利用者によって異なってくるため、利用者に合わせて焼き付き補正期間への移行を選択することができる。
【０２２５】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行する条件として、「充電期間」を含ませることで、バッテリーを充電しつつ、焼き付き補正期間へ移行することがきる。焼き付き補正期間においては、第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明したように画素に含まれる発光素子を発光させてその特性を保存するため、消費する電力も大きい。そのため、バッテリーを充電している状態で、焼き付き補正期間へ移行することで、焼き付き補正期間によるバッテリーの電力の低下を防ぐことができる。また、充電するということは、利用者が電子機器等の利用が終わった可能性が高く、通常駆動時間に戻る可能性が低い。
【０２２６】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「全画素終了」を含ませることで、全画素に含まれる発光素子の特性を同じ条件で検出することができる。画素に含まれる発光素子の特性を検出する条件、すなわち動作環境を同一とすれば、動作環境の違いによる特性のバラツキを抑制することができる。
【０２２７】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「充電期間」を含ませることで、バッテリーの充電をやめると同時に通常駆動期間へ移行することができる。バッテリーの充電をやめると、焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行することで、バッテリーの消費を減らすことができる。また、バッテリーの充電をやめるということは、利用者が電子機器を利用する可能性が高いため、通常駆動期間へ移行する必要がある。
【０２２８】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「操作開始」を含ませることで、利用者が電子機器等を利用しようとする場合、速やかに通常駆動期間へ移行することができる。
【０２２９】
焼き付き補正期間から、「充電期間」、及び「操作開始」によって、通常駆動期間に移行した場合、全画素に含まれる発光素子の特性を検出する前に、焼き付き補正期間が終了することになる。この場合、次の焼き付き補正期間において、前焼き付き補正期間によって検出した画素に含まれる発光素子の続きから画素に含まれる発光素子の特性を検出すればよい。
【０２３０】
本実施の形態において説明した図１８のフローチャートを実現するためのコントローラ１１５の構成、及び動作について図７１を参照して説明する。
【０２３１】
本実施形態において、映像信号生成回路６１００、電流値検出制御信号生成回路６１０１、駆動方法選択回路６１０３、及び充電手段検出回路６１０５は第４の実施形態と同様なものとする。スタート回路６９０１は第１２の実施形態と同様なものとする。
【０２３２】
本実施形態の動作について説明する。利用者により焼き付き補正期間への移行が選択され、且つ充電手段検出回路６１０５がバッテリー１１７の充電を検出する。この条件を満たした場合は駆動方法選択回路６１０３が映像信号生成回路６１００、及び電流値検出制御信号生成回路６１０１を焼き付き補正期間の動作を行うように制御する。そして、映像信号生成回路６１００は補正回路１１４、電流値検出制御信号生成回路６１０１は電流値検出回路１１３をそれぞれ焼き付き補正期間の動作を行うように制御する。上記の条件を満たさなかった場合は駆動方法選択回路６１０３が映像信号生成回路６１００、及び電流値検出制御信号生成回路６１０１をそれぞれ通常駆動期間の動作を行うように制御する。そして、映像信号生成回路６１００は補正回路１１４、電流値検出制御信号生成回路６１０１は電流値検出回路１１３をそれぞれ通常駆動期間の動作を行うように制御する。そして、全画素の特性の検出が終わるとリセット信号６１００ａがスタート回路６９０１に入力される。なお、本実施の形態において、通常駆動期間と焼き付き補正期間との間において、判断「利用者判断」、判断「充電期間」、判断「全画素終了」、判断「操作開始」を行ったが、これらの判断のうちの少なくとも１つを行って実施することも可能である。すなわち、例えば、通常駆動期間と焼き付き補正期間との間において、利用者判断及び充電期間を判断する。なお、このとき、少なくともスタート回路６９０１、充電手段検出回路６１０５及び駆動方法選択回路６１０３を用いて実施される。
【０２３３】
（第１５の実施形態）
第１の実施形態、乃至第３の実施形態を適用する通常駆動時間から焼き付き補正時間に移行するタイミング、及び条件を図１９のフローチャートを参照して説明する。長方形の枠が処理であり、ひし形の枠が判断である。
【０２３４】
本実施の形態において、処理「通常駆動期間」、処理「焼き付き補正期間」、判断「充電時間」、判断「操作開始」とは実施の形態４と同様なものとする。判断「設定画素終了」とは実施の形態７と同様なものとする。判断「利用者判断」とは実施の形態１２と同様なものとする。
【０２３５】
図１９のフローチャートの流れについて説明する。「利用者判断」において、利用者が「焼き付き補正期間」への移行を選択しなければ「通常駆動期間」へ移行し、利用者が「焼き付き補正期間」への移行を選択すれば「充電期間」へ移行する。「充電期間」において、バッテリーの充電を行っていなかった場合は「通常駆動期間」へ移行し、バッテリーの充電を行っている場合は「焼き付き補正期間」に移行する。「焼き付き補正期間」に移行した場合、第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明した焼き付き補正期間における動作を行い、「設定画素終了」へ移行する。「設定画素終了」において、あらかじめ設定した画素に含まれる発光素子の特性を取得していれば「通常駆動期間」へ移行し、あらかじめ設定した画素に含まれる発光素子の特性を取得してなければ、「充電期間」へ移行する。「充電期間」において、バッテリーの充電を行っていなかった場合は「通常駆動期間」へ移行し、バッテリーの充電を行っている場合は「操作開始」へ移行する。「操作開始」において、利用者が操作を開始している場合は「通常駆動期間」へ移行し、利用者が操作を開始していない場合は「焼き付き補正期間」へ移行する。
【０２３６】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行する条件として、「利用者判断」を含ませることで、焼き付き補正期間へ移行する判断を利用者自身が選択することができる。電子機器等の利用頻度、表示画面などは利用者によって異なってくるため、利用者に合わせて焼き付き補正期間への移行を選択することができる。
【０２３７】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行する条件として、「充電期間」を含ませることで、バッテリーを充電しつつ、焼き付き補正期間へ移行することがきる。焼き付き補正期間においては、第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明したように画素に含まれる発光素子を発光させてその特性を保存するため、消費する電力も大きい。そのため、バッテリーを充電している状態で、焼き付き補正期間へ移行することで、焼き付き補正期間によるバッテリーの電力の低下を防ぐことができる。また、充電するということは、利用者が電子機器等の利用が終わった可能性が高く、通常駆動時間に戻る可能性が低い。
【０２３８】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「設定画素終了」を含ませることで、焼き付き補正期間を途中で終わらせることなく通常駆動期間へ移行することができる。また、焼き付きが起こりやすいと予想される箇所を重点的に焼き付き補正期間へ移行することも可能である。
【０２３９】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「充電期間」を含ませることで、バッテリーの充電をやめると同時に通常駆動期間へ移行することができる。バッテリーの充電をやめると、焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行することで、バッテリーの消費を減らすことができる。また、バッテリーの充電をやめるということは、利用者が電子機器を利用する可能性が高いため、通常駆動期間へ移行する必要がある。
【０２４０】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「操作開始」を含ませることで、利用者が電子機器等を利用しようとする場合、速やかに通常駆動期間へ移行することができる。
【０２４１】
焼き付き補正期間から、「充電期間」、及び「操作開始」によって、通常駆動期間に移行した場合、あらかじめ設定した画素に含まれる発光素子の特性を検出する前に、焼き付き補正期間が終了することになる。この場合、次の焼き付き補正期間において、前焼き付き補正期間によって検出した画素に含まれる発光素子の続きから画素に含まれる発光素子の特性を検出すればよい。
【０２４２】
本実施の形態において説明した図１９のフローチャートを実現するためのコントローラ１１５の構成、及び動作について図７２を参照して説明する。
【０２４３】
本実施形態において、映像信号生成回路６１００、電流値検出制御信号生成回路６１０１、駆動方法選択回路６１０３、及び充電手段検出回路６１０５は第４の実施形態と同様なものとする。検出画素設定回路６１０６は第５の実施形態と同様なものとする。スタート回路６９０１は第１２の実施形態と同様なものとする。
【０２４４】
本実施形態の動作について説明する。利用者により焼き付き補正期間への移行が選択され、且つ充電手段検出回路６１０５がバッテリー１１７の充電を検出する。この条件を満たした場合は駆動方法選択回路６１０３が映像信号生成回路６１００、及び電流値検出制御信号生成回路６１０１を焼き付き補正期間の動作を行うように制御する。そして、映像信号生成回路６１００は補正回路１１４、電流値検出制御信号生成回路６１０１は電流値検出回路１１３をそれぞれ焼き付き補正期間の動作を行うように制御する。上記の条件を満たさなかった場合は駆動方法選択回路６１０３が映像信号生成回路６１００、及び電流値検出制御信号生成回路６１０１をそれぞれ通常駆動期間の動作を行うように制御する。そして、映像信号生成回路６１００は補正回路１１４、電流値検出制御信号生成回路６１０１は電流値検出回路１１３をそれぞれ通常駆動期間の動作を行うように制御する。そして、検出画素設定回路６１０６によって設定された画素の特性の検出が終わるとリセット信号６１００ａがスタート回路６９０１に入力される。なお、本実施の形態において、通常駆動期間と焼き付き補正期間との間において、判断「利用者判断」、判断「充電期間」、判断「設定画素終了」、判断「操作開始」を行ったが、これらの判断のうちの少なくとも１つを行って実施することも可能である。すなわち、例えば、通常駆動期間と焼き付き補正期間との間において、利用者判断及び充電期間を判断する。なお、このとき、少なくともスタート回路６９０１、充電手段検出回路６１０５及び駆動方法選択回路６１０３を用いて実施される。
【０２４５】
（第１６の実施形態）
第１の実施形態、乃至第３の実施形態を適用する通常駆動時間から焼き付き補正時間に移行するタイミング、及び条件を図２０のフローチャートを参照して説明する。長方形の枠が処理であり、ひし形の枠が判断である。
【０２４６】
本実施の形態において、処理「通常駆動期間」、処理「焼き付き補正期間」、判断「全画素終了」、判断「操作開始」とは実施の形態４と同様なものとする。判断「設定輝度」とは実施の形態８と同様なものとする。判断「利用者判断」とは実施の形態１２と同様なものとする。
【０２４７】
図２０のフローチャートの流れについて説明する。「利用者判断」において、利用者が「焼き付き補正期間」への移行を選択しなければ「通常駆動期間」へ移行し、利用者が「焼き付き補正期間」への移行を選択すれば「設定輝度」へ移行する。「設定輝度」において、あらかじめ設定しておいた範囲の周辺輝度ではなかった場合は「通常駆動期間」へ移行し、あらかじめ設定しておいた範囲の周辺輝度の場合は「焼き付き補正期間」に移行する。「焼き付き補正期間」に移行した場合、第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明した焼き付き補正期間における動作を行い、「全画素終了」へ移行する。「全画素終了」において、全画素に含まれる発光素子の特性を取得していれば「通常駆動期間」へ移行し、全画素に含まれる発光素子の特性を取得してなければ、「設定輝度」へ移行する。「設定輝度」において、あらかじめ設定しておいた範囲の周辺輝度でなかった場合は「通常駆動期間」へ移行し、あらかじめ設定しておいた周辺輝度の場合は「操作開始」へ移行する。「操作開始」において、利用者が操作を開始している場合は「通常駆動期間」へ移行し、利用者が操作を開始していない場合は「焼き付き補正期間」へ移行する。
【０２４８】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行する条件として、「利用者判断」を含ませることで、焼き付き補正期間へ移行する判断を利用者自身が選択することができる。電子機器等の利用頻度、表示画面などは利用者によって異なってくるため、利用者に合わせて焼き付き補正期間への移行を選択することができる。
【０２４９】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移動する条件として、「設定輝度」を含ませることで、周辺輝度の影響を受けずに焼き付き補正期間へ移行することができる。第１の実施形態、乃至第３の実施形態において、１画素、又は３画素のみを発光させるため、他の非発光の画素の駆動ＴＦＴは全てオフしていることから、周辺輝度によって、オフ電流が変化するため、検出する電流値が変化してしまう。そのため、周辺輝度が一定の場合に画素に含まれる発光素子の特性を検出することで、周辺輝度の変化による影響を無くすことができる。また、周辺輝度は、０［ｃｄ／ｍ２］付近であることが望ましい。これは、折りたたみ式の携帯電話の場合は折りたたんでいる状態となり、デジタルカメラの場合はケースに入れている状態となる。
【０２５０】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「全画素終了」を含ませることで、全画素に含まれる発光素子の特性を同じ条件で検出することができる。画素に含まれる発光素子の特性を検出する条件、すなわち動作環境を同一とすれば、動作環境の違いによる特性のバラツキを抑制することができる。
【０２５１】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「設定輝度」を含ませることで、焼き付き補正期間中に周辺輝度が変化した場合は速やかに通常駆動へ移行することができる。
【０２５２】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「操作開始」を含ませることで、利用者が電子機器等を利用しようとする場合、速やかに通常駆動期間へ移行することができる。
【０２５３】
焼き付き補正期間から、「設定輝度」、及び「操作開始」によって、通常駆動期間に移行した場合、全画素に含まれる発光素子の特性を検出する前に、焼き付き補正期間が終了することになる。この場合、次の焼き付き補正期間において、前焼き付き補正期間によって検出した画素に含まれる発光素子の続きから画素に含まれる発光素子の特性を検出すればよい。
【０２５４】
本実施の形態において説明した図２０のフローチャートを実現するためのコントローラ１１５の構成、及び動作について図７３を参照して説明する。
【０２５５】
本実施形態において、映像信号生成回路６１００、電流値検出制御信号生成回路６１０１、及び駆動方法選択回路６１０３は第４の実施形態と同様なものとする。周辺輝度検出回路６５０１は第８の実施形態の同様なものとする。スタート回路６９０１は第１２の実施形態と同様なものとする。
【０２５６】
本実施形態の動作について説明する。利用者により焼き付き補正期間への移行が選択され、且つ周辺輝度検出回路６５０１が周辺輝度があらかじめ設定していた輝度付近と判断する。この条件を満たした場合は駆動方法選択回路６１０３が映像信号生成回路６１００、及び電流値検出制御信号生成回路６１０１を焼き付き補正期間の動作を行うように制御する。そして、映像信号生成回路６１００は補正回路１１４、電流値検出制御信号生成回路６１０１は電流値検出回路１１３をそれぞれ焼き付き補正期間の動作を行うように制御する。上記の条件を満たさなかった場合は駆動方法選択回路６１０３が映像信号生成回路６１００、及び電流値検出制御信号生成回路６１０１をそれぞれ通常駆動期間の動作を行うように制御する。そして、映像信号生成回路６１００は補正回路１１４、電流値検出制御信号生成回路６１０１は電流値検出回路１１３をそれぞれ通常駆動期間の動作を行うように制御する。そして、全画素の特性の検出が終わるとリセット信号６１００ａがスタート回路６９０１に入力される。なお、本実施の形態において、通常駆動期間と焼き付き補正期間との間において、判断「利用者判断」、判断「設定輝度」、判断「全画素終了」、判断「操作開始」を行ったが、これらの判断のうちの少なくとも１つを行って実施することも可能である。すなわち、例えば、通常駆動期間と焼き付き補正期間との間において、利用者判断及び設定輝度を判断する。なお、このとき、少なくともスタート回路６９０１、周辺輝度検出回路６５０１及び駆動方法選択回路６１０３を用いて実施される。
【０２５７】
（第１７の実施形態）
第１の実施形態、乃至第３の実施形態を適用する通常駆動時間から焼き付き補正時間に移行するタイミング、及び条件を図２１のフローチャートを参照して説明する。長方形の枠が処理であり、ひし形の枠が判断である。
【０２５８】
本実施の形態において、処理「通常駆動期間」、処理「焼き付き補正期間」、判断「操作開始」とは実施の形態４と同様なものとする。判断「設定画素終了」とは実施の形態７と同様なものとする。判断「設定輝度」とは実施の形態８と同様なものとする。判断「利用者判断」とは実施の形態１２と同様なものとする。
【０２５９】
図２１のフローチャートの流れについて説明する。「利用者判断」において、利用者が「焼き付き補正期間」への移行を選択しなければ「通常駆動期間」へ移行し、利用者が「焼き付き補正期間」への移行を選択すれば「設定輝度」へ移行する。「設定輝度」において、あらかじめ設定しておいた範囲の周辺輝度ではなかった場合は「通常駆動期間」へ移行し、あらかじめ設定しておいた範囲の周辺輝度の場合は「焼き付き補正期間」に移行する。「焼き付き補正期間」に移行した場合、第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明した焼き付き補正期間における動作を行い、「設定画素終了」へ移行する。「設定画素終了」において、あらかじめ設定した画素に含まれる発光素子の特性を取得していれば「通常駆動期間」へ移行し、あらかじめ設定した画素に含まれる発光素子の特性を取得してなければ、「設定輝度」へ移行する。「設定輝度」において、あらかじめ設定したておいた範囲の周辺輝度でなかった場合は「通常駆動期間」へ移行し、あらかじめ設定しておいた周辺輝度の場合は「操作開始」へ移行する。「操作開始」において、利用者が操作を開始している場合は「通常駆動期間」へ移行し、利用者が操作を開始していない場合は「焼き付き補正期間」へ移行する。
【０２６０】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行する条件として、「利用者判断」を含ませることで、焼き付き補正期間へ移行する判断を利用者自身が選択することができる。電子機器等の利用頻度、表示画面などは利用者によって異なってくるため、利用者に合わせて焼き付き補正期間への移行を選択することができる。
【０２６１】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移動する条件として、「設定輝度」を含ませることで、周辺輝度の影響を受けずに焼き付き補正期間へ移行することができる。第１の実施形態、乃至第３の実施形態において、１画素、又は３画素のみを発光させるため、他の非発光の画素の駆動ＴＦＴは全てオフしていることから、周辺輝度によって、オフ電流が変化するため、検出する電流値が変化してしまう。そのため、周辺輝度が一定の場合に画素に含まれる発光素子の特性を検出することで、周辺輝度の変化による影響を無くすことができる。また、周辺輝度は、０［ｃｄ／ｍ２］付近であることが望ましい。これは、折りたたみ式の携帯電話の場合は折りたたんでいる状態となり、デジタルカメラの場合はケースに入れている状態となる。
【０２６２】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「設定画素終了」を含ませることで、焼き付き補正期間を途中で終わらせることなく通常駆動期間へ移行することができる。また、焼き付きが起こりやすいと予想される箇所を重点的に焼き付き補正期間へ移行することも可能である。
【０２６３】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「設定輝度」を含ませることで、焼き付き補正期間中に周辺輝度が変化した場合は速やかに通常駆動へ移行することができる。
【０２６４】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「操作開始」を含ませることで、利用者が電子機器等を利用しようとする場合、速やかに通常駆動期間へ移行することができる。
【０２６５】
焼き付き補正期間から、「設定輝度」、及び「操作開始」によって、通常駆動期間に移行した場合、あらかじめ設定した画素に含まれる発光素子の特性を検出する前に、焼き付き補正期間が終了することになる。この場合、次の焼き付き補正期間において、前焼き付き補正期間によって検出した画素に含まれる発光素子の続きから画素に含まれる発光素子の特性を検出すればよい。
【０２６６】
本実施の形態において説明した図２１のフローチャートを実現するためのコントローラ１１５の構成、及び動作について図７４を参照して説明する。
【０２６７】
本実施形態において、映像信号生成回路６１００、電流値検出制御信号生成回路６１０１、及び駆動方法選択回路６１０３は第４の実施形態と同様なものとする。検出画素設定回路６１０６は第５の実施形態と同様なものとする。周辺輝度検出回路６５０１は第８の実施形態の同様なものとする。スタート回路６９０１は第１２の実施形態と同様なものとする。
【０２６８】
本実施形態の動作について説明する。利用者により焼き付き補正期間への移行が選択され、且つ周辺輝度検出回路６５０１が周辺輝度があらかじめ設定していた輝度付近と判断する。この条件を満たした場合は駆動方法選択回路６１０３が映像信号生成回路６１００、及び電流値検出制御信号生成回路６１０１を焼き付き補正期間の動作を行うように制御する。そして、映像信号生成回路６１００は補正回路１１４、電流値検出制御信号生成回路６１０１は電流値検出回路１１３をそれぞれ焼き付き補正期間の動作を行うように制御する。上記の条件を満たさなかった場合は駆動方法選択回路６１０３が映像信号生成回路６１００、及び電流値検出制御信号生成回路６１０１をそれぞれ通常駆動期間の動作を行うように制御する。そして、映像信号生成回路６１００は補正回路１１４、電流値検出制御信号生成回路６１０１は電流値検出回路１１３をそれぞれ通常駆動期間の動作を行うように制御する。そして、検出画素設定回路６１０６によって設定された画素の特性の検出が終わるとリセット信号６１００ａがスタート回路６９０１に入力される。なお、本実施の形態において、通常駆動期間と焼き付き補正期間との間において、判断「利用者判断」、判断「設定輝度」、判断「設定画素終了」、判断「操作開始」を行ったが、これらの判断のうちの少なくとも１つを行って実施することも可能である。すなわち、例えば、通常駆動期間と焼き付き補正期間との間において、利用者判断及び設定輝度を判断する。なお、このとき、少なくともスタート回路６９０１、周辺輝度検出回路６５０１及び駆動方法選択回路６１０３を用いて実施される。
【０２６９】
（第１８の実施形態）
第１の実施形態、乃至第３の実施形態を適用する通常駆動時間から焼き付き補正時間に移行するタイミング、及び条件を図２２のフローチャートを参照して説明する。長方形の枠が処理であり、ひし形の枠が判断である。
【０２７０】
本実施の形態において、処理「通常駆動期間」、処理「焼き付き補正期間」、判断「充電時間」、判断「全画素終了」、判断「操作開始」とは実施の形態４と同様なものとする。判断「設定輝度」とは実施の形態８と同様なものとする。判断「利用者判断」とは実施の形態１２と同様なものとする。
【０２７１】
図２２のフローチャートの流れについて説明する。「利用者判断」において、利用者が「焼き付き補正期間」への移行を選択しなければ「通常駆動期間」へ移行し、利用者が「焼き付き補正期間」への移行を選択すれば「充電期間」へ移行する。「充電期間」において、バッテリーの充電を行っていなかった場合は「通常駆動期間」へ移行し、バッテリーの充電を行っている場合は「設定輝度」へ移動する。「設定輝度」において、あらかじめ設定しておいた範囲の周辺輝度ではなかった場合は「通常駆動期間」へ移行し、あらかじめ設定しておいた範囲の周辺輝度の場合は「焼き付き補正期間」に移行する。「焼き付き補正期間」に移行した場合、第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明した焼き付き補正期間における動作を行い、「全画素終了」へ移行する。「全画素終了」において、全画素に含まれる発光素子の特性を取得していれば「通常駆動期間」へ移行し、全画素に含まれる発光素子の特性を取得してなければ、「充電期間」へ移行する。「充電期間」において、バッテリーの充電を行っていなかった場合は「通常駆動期間」へ移行し、バッテリーの充電を行っている場合は「設定輝度」へ移行する。「設定輝度」において、あらかじめ設定しておいた範囲の周辺輝度でなかった場合は「通常駆動期間」へ移行し、あらかじめ設定しておいた周辺輝度の場合は「操作開始」へ移行する。「操作開始」において、利用者が操作を開始している場合は「通常駆動期間」へ移行し、利用者が操作を開始していない場合は「焼き付き補正期間」へ移行する。
【０２７２】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行する条件として、「利用者判断」を含ませることで、焼き付き補正期間へ移行する判断を利用者自身が選択することができる。電子機器等の利用頻度、表示画面などは利用者によって異なってくるため、利用者に合わせて焼き付き補正期間への移行を選択することができる。
【０２７３】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行する条件として、「充電期間」を含ませることで、バッテリーを充電しつつ、焼き付き補正期間へ移行することがきる。焼き付き補正期間においては、第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明したように画素に含まれる発光素子を発光させてその特性を保存するため、消費する電力も大きい。そのため、バッテリーを充電している状態で、焼き付き補正期間へ移行することで、焼き付き補正期間によるバッテリーの電力の低下を防ぐことができる。また、充電するということは、利用者が電子機器等の利用が終わった可能性が高く、通常駆動時間に戻る可能性が低い。
【０２７４】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移動する条件として、「設定輝度」を含ませることで、周辺輝度の影響を受けずに焼き付き補正期間へ移行することができる。第１の実施形態、乃至第３の実施形態において、１画素、又は３画素のみを発光させるため、他の非発光の画素の駆動ＴＦＴは全てオフしていることから、周辺輝度によって、オフ電流が変化するため、検出する電流値が変化してしまう。そのため、周辺輝度が一定の場合に画素に含まれる発光素子の特性を検出することで、周辺輝度の変化による影響を無くすことができる。また、周辺輝度は、０［ｃｄ／ｍ２］付近であることが望ましい。これは、折りたたみ式の携帯電話の場合は折りたたんでいる状態となり、デジタルカメラの場合はケースに入れている状態となる。
【０２７５】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「全画素終了」を含ませることで、全画素に含まれる発光素子の特性を同じ条件で検出することができる。画素に含まれる発光素子の特性を検出する条件、すなわち動作環境を同一とすれば、動作環境の違いによる特性のバラツキを抑制することができる。
【０２７６】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「設定輝度」を含ませることで、焼き付き補正期間中に周辺輝度が変化した場合は速やかに通常駆動へ移行することができる。
【０２７７】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「操作開始」を含ませることで、利用者が電子機器等を利用しようとする場合、速やかに通常駆動期間へ移行することができる。
【０２７８】
焼き付き補正期間から、「充電期間」、「設定輝度」及び「操作開始」によって、通常駆動期間に移行した場合、全画素に含まれる発光素子の特性を検出する前に、焼き付き補正期間が終了することになる。この場合、次の焼き付き補正期間において、前焼き付き補正期間によって検出した画素に含まれる発光素子の続きから画素に含まれる発光素子の特性を検出すればよい。
【０２７９】
本実施の形態において説明した図２２のフローチャートを実現するためのコントローラ１１５の構成、及び動作について図７５を参照して説明する。
【０２８０】
本実施形態において、映像信号生成回路６１００、電流値検出制御信号生成回路６１０１、駆動方法選択回路６１０３、及び充電手段検出回路６１０５は第４の実施形態と同様なものとする。周辺輝度検出回路６５０１は第８の実施形態の同様なものとする。スタート回路６９０１は第１２の実施形態と同様なものとする。
【０２８１】
本実施形態の動作について説明する。利用者により焼き付き補正期間への移行が選択され、且つスタート回路６９０１にリセット信号６１００ａが入力されてから任意の時間後、つまり前回の焼き付き補正期間終了から任意の時間が過ぎ、且つ周辺輝度検出回路６５０１が周辺輝度があらかじめ設定していた輝度付近と判断する。この条件を満たした場合は駆動方法選択回路６１０３が映像信号生成回路６１００、及び電流値検出制御信号生成回路６１０１を焼き付き補正期間の動作を行うように制御する。そして、映像信号生成回路６１００は補正回路１１４、電流値検出制御信号生成回路６１０１は電流値検出回路１１３をそれぞれ焼き付き補正期間の動作を行うように制御する。上記の条件を満たさなかった場合は駆動方法選択回路６１０３が映像信号生成回路６１００、及び電流値検出制御信号生成回路６１０１をそれぞれ通常駆動期間の動作を行うように制御する。そして、映像信号生成回路６１００は補正回路１１４、電流値検出制御信号生成回路６１０１は電流値検出回路１１３をそれぞれ通常駆動期間の動作を行うように制御する。そして、全画素の特性の検出が終わるとリセット信号６１００ａがスタート回路６９０１に入力される。なお、本実施の形態において、通常駆動期間と焼き付き補正期間との間において、判断「利用者判断」、判断「充電期間」、判断「設定輝度」、判断「全画素終了」、判断「操作開始」を行ったが、これらの判断のうちの少なくとも１つを行って実施することも可能である。すなわち、例えば、通常駆動期間と焼き付き補正期間との間において、利用者判断、充電期間及び設定輝度を判断する。なお、このとき、少なくともスタート回路６９０１、周辺輝度検出回路６５０１、充電手段検出回路６１０５及び駆動方法選択回路６１０３を用いて実施される。
【０２８２】
（第１９の実施形態）
第１の実施形態、乃至第３の実施形態を適用する通常駆動時間から焼き付き補正時間に移行するタイミング、及び条件を図２３のフローチャートを参照して説明する。長方形の枠が処理であり、ひし形の枠が判断である。
【０２８３】
本実施の形態において、処理「通常駆動期間」、処理「焼き付き補正期間」、判断「充電時間」、判断「全画素終了」、判断「操作開始」とは実施の形態４と同様なものとする。判断「設定画素終了」とは実施の形態７と同様なものとする。判断「設定輝度」とは実施の形態８と同様なものとする。判断「利用者判断」とは実施の形態１２と同様なものとする。
【０２８４】
図２３のフローチャートの流れについて説明する。「利用者判断」において、利用者が「焼き付き補正期間」への移行を選択しなければ「通常駆動期間」へ移行し、利用者が「焼き付き補正期間」への移行を選択すれば「充電期間」へ移行する。「充電期間」において、バッテリーの充電を行っていなかった場合は「通常駆動期間」へ移行し、バッテリーの充電を行っている場合は「設定輝度」へ移動する。「設定輝度」において、あらかじめ設定しておいた範囲の周辺輝度ではなかった場合は「通常駆動期間」へ移行し、あらかじめ設定しておいた範囲の周辺輝度の場合は「焼き付き補正期間」に移行する。「焼き付き補正期間」に移行した場合、第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明した焼き付き補正期間における動作を行い、「設定画素終了」へ移行する。「設定画素終了」において、あらかじめ設定した画素に含まれる発光素子の特性を取得していれば「通常駆動期間」へ移行し、あらかじめ設定した画素に含まれる発光素子の特性を取得してなければ、「充電期間」へ移行する。「充電期間」において、バッテリーの充電を行っていなかった場合は「通常駆動期間」へ移行し、バッテリーの充電を行っている場合は、「設定輝度」へ移行する。「設定輝度」において、あらかじめ設定しておいた範囲の周辺輝度でなかった場合は「通常駆動期間」へ移行し、あらかじめ設定しておいた周辺輝度の場合は「操作開始」へ移行する。「操作開始」において、利用者が操作を開始している場合は「通常駆動期間」へ移行し、利用者が操作を開始していない場合は「焼き付き補正期間」へ移行する。
【０２８５】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行する条件として、「利用者判断」を含ませることで、焼き付き補正期間へ移行する判断を利用者自身が選択することができる。電子機器等の利用頻度、表示画面などは利用者によって異なってくるため、利用者に合わせて焼き付き補正期間への移行を選択することができる。
【０２８６】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行する条件として、「充電期間」を含ませることで、バッテリーを充電しつつ、焼き付き補正期間へ移行することがきる。焼き付き補正期間においては、第１の実施形態、乃至第３の実施形態で説明したように画素に含まれる発光素子を発光させてその特性を保存するため、消費する電力も大きい。そのため、バッテリーを充電している状態で、焼き付き補正期間へ移行することで、焼き付き補正期間によるバッテリーの電力の低下を防ぐことができる。また、充電するということは、利用者が電子機器等の利用が終わった可能性が高く、通常駆動時間に戻る可能性が低い。
【０２８７】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移動する条件として、「設定輝度」を含ませることで、周辺輝度の影響を受けずに焼き付き補正期間へ移行することができる。第１の実施形態、乃至第３の実施形態において、１画素、又は３画素のみを発光させるため、他の非発光の画素の駆動ＴＦＴは全てオフしていることから、周辺輝度によって、オフ電流が変化するため、検出する電流値が変化してしまう。そのため、周辺輝度が一定の場合に画素に含まれる発光素子の特性を検出することで、周辺輝度の変化による影響を無くすことができる。また、周辺輝度は、０［ｃｄ／ｍ２］付近であることが望ましい。これは、折りたたみ式の携帯電話の場合は折りたたんでいる状態となり、デジタルカメラの場合はケースに入れている状態となる。
【０２８８】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「設定画素終了」を含ませることで、焼き付き補正期間を途中で終わらせることなく通常駆動期間へ移行することができる。また、焼き付きが起こりやすいと予想される箇所を重点的に焼き付き補正期間へ移行することも可能である。
【０２８９】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「設定輝度」を含ませることで、焼き付き補正期間中に周辺輝度が変化した場合は速やかに通常駆動へ移行することができる。
【０２９０】
焼き付き補正期間から通常駆動期間へ移行する条件として、「操作開始」を含ませることで、利用者が電子機器等を利用しようとする場合、速やかに通常駆動期間へ移行することができる。
【０２９１】
焼き付き補正期間から、「充電期間」、「設定輝度」及び「操作開始」によって、通常駆動期間に移行した場合、あらかじめ設定した画素に含まれる発光素子の特性を検出する前に、焼き付き補正期間が終了することになる。この場合、次の焼き付き補正期間において、前焼き付き補正期間によって検出した画素に含まれる発光素子の続きから画素に含まれる発光素子の特性を検出すればよい。
【０２９２】
本実施の形態において説明した図２２のフローチャートを実現するためのコントローラ１１５の構成、及び動作について図７６を参照して説明する。
【０２９３】
本実施形態において、映像信号生成回路６１００、電流値検出制御信号生成回路６１０１、駆動方法選択回路６１０３、及び充電手段検出回路６１０５は第４の実施形態と同様なものとする。検出画素設定回路６１０６は第５の実施形態と同様なものとする。周辺輝度検出回路６５０１は第８の実施形態の同様なものとする。スタート回路６９０１は第１２の実施形態と同様なものとする。
【０２９４】
本実施形態の動作について説明する。利用者により焼き付き補正期間への移行が選択され、且つスタート回路６９０１にリセット信号６１００ａが入力されてから任意の時間後、つまり前回の焼き付き補正期間終了から任意の時間が過ぎ、且つ周辺輝度検出回路６５０１が周辺輝度があらかじめ設定していた輝度付近と判断する。この条件を満たした場合は駆動方法選択回路６１０３が映像信号生成回路６１００、及び電流値検出制御信号生成回路６１０１を焼き付き補正期間の動作を行うように制御する。そして、映像信号生成回路６１００は補正回路１１４、電流値検出制御信号生成回路６１０１は電流値検出回路１１３をそれぞれ焼き付き補正期間の動作を行うように制御する。上記の条件を満たさなかった場合は駆動方法選択回路６１０３が映像信号生成回路６１００、及び電流値検出制御信号生成回路６１０１をそれぞれ通常駆動期間の動作を行うように制御する。そして、映像信号生成回路６１００は補正回路１１４、電流値検出制御信号生成回路６１０１は電流値検出回路１１３をそれぞれ通常駆動期間の動作を行うように制御する。そして、検出画素設定回路６１０６によって設定された画素の特性の検出が終わるとリセット信号６１００ａがスタート回路６９０１に入力される。なお、本実施の形態において、通常駆動期間と焼き付き補正期間との間において、判断「利用者判断」、判断「充電期間」、判断「設定輝度」、判断「設定画素終了」、判断「操作開始」を行ったが、これらの判断のうちの少なくとも１つを行って実施することも可能である。すなわち、例えば、通常駆動期間と焼き付き補正期間との間において、利用者判断、充電期間及び設定輝度を判断する。なお、このとき、少なくともスタート回路６９０１、周辺輝度検出回路６５０１、充電手段検出回路６１０５及び駆動方法選択回路６１０３を用いて実施される。
【０２９５】
（第２０の実施形態）
第１の実施形態、乃至第３の実施形態における駆動条件についていくつか説明する。つまり、通常駆動期間と焼き付き補正期間における駆動条件の違いについて説明する。
【０２９６】
まず、焼き付き補正期間における電源線Ｒ１０５、電源線Ｇ１０６、電源線Ｂ１０７、及び対向電極１０８の電位の関係について説明する。
【０２９７】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行した場合、電源線Ｒ１０５、電源線Ｇ１０６、電源線Ｂ１０７、及び対向電極１０８の電位は、通常駆動期間と焼き付き補正期間とで同じとする。こうすることで、焼き付き補正期間用の電源を新たに準備することもなくなるため、回路規模を小さくすることができる。
【０２９８】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行した場合、電源線Ｒ１０５、電源線Ｇ１０６、及び電源線Ｂ１０７の電位を下げ、対向電極１０８の電位は同じとする。こうすることで、画素に含まれる発光素子への印加電圧を下げることができるため、焼き付き補正期間による画素に含まれる発光素子の劣化を防ぐことができる。また、焼き付き補正期間の消費電力を小さくすることができる。
【０２９９】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行した場合、電源線Ｒ１０５、電源線Ｇ１０６、及び電源線Ｂ１０７の電位を上げ、対向電極１０８の電位は同じとする。こうすることで、画素に含まれる発光素子への印加電圧を上げることができるため、焼き付き補正期間による画素に含まれる発光素子の特性を取得時の電源線の電流を大きくすることができる。焼き付き補正期間での電源線の電流値は微小でありノイズに埋れてしまうため、電流は大きいほうがノイズに埋れず、正確な電流を検出できる。また、電源線Ｒ１０５、電源線Ｇ１０６、及び電源線Ｂ１０７の電位は同じとし、対向電極１０８の電位を下げても同一の効果が得られる。
【０３００】
次に、焼き付き補正期間における駆動周波数の違いについて説明する。通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行した場合、駆動周波数を通常駆動期間と焼き付き補正期間とで同じとする。こうすることで、焼き付き補正期間用のクロック周期などを新たに準備する必要がないため、回路規模を小さくできる。
【０３０１】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行した場合、駆動周波数を下げる。こうすることで、１画素辺りの電流値を検出するための時間を長く設定でき、画素にビデオ信号をきちんと書き込むことができる。画素に含まれる発光素子は過渡状態から定常状態へなる。そのため、１画素辺りの電流値を正確に検出するためには、画素に含まれる発光素子の特性が定常状態となって電流値を検出するほうが望ましい。駆動周波数を下げれば、十分定常状態となってから、画素に含まれる発光素子の特性を検出できる。
【０３０２】
通常駆動期間から焼き付き補正期間へ移行した場合、駆動周波数を上げる。こうすることで、１画素辺りに必要な電流値検出時間を短くすることができ、焼き付き補正期間を短くすることができる。そうすることで、全画素、又はあらかじめ設定した画素に含まれる発光素子の特性を検出する前に、通常駆動期間へ移行する可能性を小さくすることができる。
【０３０３】
（第２１の実施形態）
第１の実施形態、乃至第３の実施形態で示した画素１０９の構成例について図４７を参照して説明する。また、画素１０９以外の構成は、本実施例で説明する画素構成、及び駆動方法を満たすような構成とすることができる。
【０３０４】
ゲート信号線４７０７を用いて、選択用トラジスタ４７０２のオン、又はオフを制御する。選択用トランジスタ４７０２をオンすると、ソース信号線４７０６から、容量素子４７０３にビデオ信号が入力される。すると、ビデオ信号に応じて、駆動トランジスタ４７０１がオン、又はオフする。駆動トランジスタ４７０１がオンすると、電源線４７０５から駆動トランジスタ４７０１、及び発光素子４７０４を通って対向電極へ電流が流れ、オフすると電流は流れない。また、発光素子４７０４の一方の電極が駆動トラジスタ４７０１のソース電極又はドレイン電極の一方と接続され、発光素子４７０４の他方の電極が対向電極となっている。
【０３０５】
上記の駆動方法は、ビデオ信号を２値とし駆動トランジスタ４７０１をスイッチとして動作させるデジタル駆動である。デジタル駆動の場合、駆動トランジスタ４７０１を線形領域、又は飽和領域で動作させることができる。線形領域で動作させる場合は発光素子４７０４の一方の電極に電源線４７０５の電位がほぼそのまま印加される。飽和領域で動作させる場合は発光素子４７０４には、駆動トランジスタ４７０１のゲートソース間電圧に応じた電流が流れる。
【０３０６】
本実施形態の駆動方法はデジタル駆動ではなく、アナログ駆動も実現可能である。デジタル駆動ではビデオ信号は２値だが、アナログ駆動では、表現する階調数分必要とする。駆動トランジスタ４７０１を飽和領域で動作させ、駆動トランジスタのゲート電圧をビデオ信号によって変化させることで、ビデオ信号に応じた電流を発光素子４７０４へ流すことができる。
【０３０７】
容量素子４７０３は、駆動トランジスタ４７０１のゲート電位を保持する役目をしている。よって、駆動トランジスタ４７０１のゲートと電源線４７０５との間に接続されているが、これに限定されない。駆動トランジスタ４７０１のゲート電位を保持できるように配置されていればよい。また、駆動トランジスタ４７０１のゲート容量などを用いて、駆動トランジスタ４７０１のゲート電位を保持できる場合は、容量素子４７０３を省いてもよい。
【０３０８】
選択用トランジスタ４７０２はソース信号線４７０６と駆動トランジスタ４７０１のゲートとの間に接続されたスイッチとしての役目をしてる。よって、図４７において、Ｎチャネル型トランジスタを用いているが、これに限定されない。ソース信号線４７０６と駆動トランジスタ４７０１のゲートとの接続、非接続を選択できるような機能を持つ素子であればよい。そのため、Ｐチャネル型トランジスタも用いてもよい。その場合、ゲート信号線４７０７の電位を反転すればよい。
【０３０９】
（第２２の実施形態）
第１の実施形態、乃至第３の実施形態で示した画素１０９の構成例について図５０を参照して説明する。また、画素１０９以外の構成は、本実施例で説明する画素構成、及び駆動方法を満たすような構成とすることができる。
【０３１０】
ゲート信号線５００７を用いて、選択用トラジスタ５００２のオン、又はオフを制御する。選択用トランジスタ５００２をオンすると、ソース信号線５００６から、容量素子５００３にビデオ信号が入力される。すると、ビデオ信号に応じて、駆動トランジスタ５００１がオン、又はオフする。駆動トランジスタ５００１がオンすると、電源線５００５から駆動トランジスタ５００１、及び発光素子５００４を通って対向電極へ電流が流れ、オフすると電流は流れない。また、発光素子５００４の一方の電極が駆動トラジスタ５００１のソース電極又はドレイン電極の一方と接続され、発光素子５００４の他方の電極が対向電極となっている。
【０３１１】
上記の駆動方法は、ビデオ信号を２値とし駆動トランジスタ５００１をスイッチとして動作させるデジタル駆動である。デジタル駆動の場合、駆動トランジスタ５００１を線形領域、又は飽和領域で動作させることができる。線形領域で動作させる場合は発光素子５００４の一方の電極に電源線５００５の電位がほぼそのまま印加される。飽和領域で動作させる場合は発光素子５００４には、駆動トランジスタ５００１のゲートソース間電圧に応じた電流が流れる。
【０３１２】
本実施形態の駆動方法はデジタル駆動ではなく、アナログ駆動も実現可能である。デジタル駆動ではビデオ信号は２値だが、アナログ駆動では、表現する階調数分必要とする。駆動トランジスタ５００１を飽和領域で動作させ、駆動トランジスタのゲート電圧をビデオ信号によって変化させることで、ビデオ信号に応じた電流を発光素子５００４へ流すことができる。
【０３１３】
容量素子５００３は、駆動トランジスタ５００１のゲート電位を保持する役目をしている。よって、駆動トランジスタ５００１のゲートと発光素子５００４の一方の電極との間に接続されているが、これに限定されない。駆動トランジスタ５００１のゲートソース間電圧電位を保持できるように配置されていればよい。また、駆動トランジスタ５００１のゲート容量などを用いて、駆動トランジスタ５００１のゲート電位を保持できる場合は、容量素子５００３を省いてもよい。
【０３１４】
本実施形態は、選択用トランジスタ５００２、及び駆動トランジスタ５００１がともにＮチャネル型トランジスタであることを特徴とする。このような構成にすることで、アモルファスシリコンを用いることができるため、低コスト、大画面化が容易である。また、アモルファスシリコンで問題となるトランジスタの劣化、すなわち時間の経過によってトランジスタの特性が変わる（閾値シフト）といった現象がある。このような現象を解決するために、駆動トランジスタの閾値を補正する画素構成にしたり、ビデオ信号を電流で入力する画素構成にしなければならなかった。しかし、駆動トランジスタの閾値を補正する画素構成の場合は、トランジスタ数が増え画素の開口率が低下したり、電源線５００５、又は対向電極の電位を変化させることで、発光素子５００４のｄｕｔｙ比が下がったりしていた。開口率が下がったり、ｄｕｔｙ比が下がったりすると、発光素子５００４のは高輝度を上げる必要があるため、発光素子５００４の劣化はさらに早くなり、表示装置自体の寿命が短くなる。一方で、本発明の第１の実施形態、乃至第３の実施形態の駆動方法を用いれば、発光素子５００４の劣化だけでなく、駆動トランジスタ５００１の特性の変化も同時に補正することができる。なお、ｄｕｔｙ比とは、発光素子の駆動条件を表すものとして、一定期間（発光期間と非発光期間の一方若しくは双方を含む）における発光期間の割合を指していう。
【０３１５】
そのため、本発明の第１の実施形態、乃至第３の実施形態の駆動方法とアモルファスシリコンを用いた画素構成とを組み合わせることで、より大きな効果を得ることができる。また、通常アモルファスシリコンを用いた表示装置は、駆動するためのコントローラは、外付けであることが多く、大型、中型の表示装置である場合が多いため、本発明を実施するためのコストは、携帯電話やデジタルカメラで実施するよりも表示装置全体に占めるコストは小さくなる。
【０３１６】
（第２３の実施形態）
第２１の実施形態、及び第２２の実施形態において、デジタル駆動の場合、このままでは、発光と非発光の２値しか表現できない。そこで、他の方法を組み合わせて、多階調化を図ってもよい。そこで、多階調化を図った場合の画素の駆動方法について述べる。
【０３１７】
多階調化を図る方法として、時間階調方式がある。時間階調方式は、ある期間の中で、発光している時間の長さを変えることにより、階調を表現する方法である。１フレーム期間を複数のサブフレーム期間に分割する。そして、各サブフレーム期間における点灯期間の長さを変えることにより、階調を表現する。
【０３１８】
まず、画素に信号を書き込む期間（書込期間）と点灯する期間（点灯期間）とが分離されている場合のタイミングチャートを図５３に示す。まず、書込期間において、１画面分の信号を全画素に入力する。この間は、画素は点灯しない。書込期間が終了したのち、点灯期間が始まり、画素が点灯する。次に、次のサブフレームが始まり、書込期間において、１画面分の信号を全画素に入力する。この間は、画素は点灯しない。書込期間が終了したのち、点灯期間が始まり、画素が点灯する。
【０３１９】
この場合の画素構成は、図４７、及び図５０の構成を用いればよい。
【０３２０】
また、書込期間においては、発光素子に電荷を供給しないようにするか、逆バイアスを印加しておく必要がある。具体的には電源線４７０５、及び電源線５００５と及び対向電極の電位を制御することにより、発光素子４７０４、及び発光素子５００４には正バイアスが印加されないようにする。または、対向電極に電荷を供給せず、浮遊状態としてもよい。その結果、書込期間において、発光素子４７０４、及び５００４が点灯することを避けることができる。
【０３２１】
次に、画素に信号を書き込む期間と点灯する期間とが分離されていない場合のタイミングチャートを図５４に示す。各行において、信号書き込み動作を行うと、すぐに点灯期間が開始する。
【０３２２】
ある行において、信号を書き込み、所定の点灯期間が終了したのち、次のサブフレームにおける信号の書き込み動作を開始する。これを繰り返すことにより、点灯期間の長さを各々制御することができる。
【０３２３】
このようにすることにより、信号の書き込み動作が遅くても、１フレーム内にたくさんのサブフレームを配置することが可能となる。また、１フレーム期間における点灯期間の割合（いわゆるデューティー比）を大きくできるので、消費電力を低減したり、発光素子の劣化を抑制したり、疑似輪郭を抑制することが可能となる。
【０３２４】
その場合の画素構成は、図４７，図５０の構成を用いればよい。その場合、図５４において、時刻ｔａの場合、同時に３行分の画素に信号を入力する必要がある。通常は、同時に複数行の画素に信号を入力することは出来ない。そこで、図５６に示すように、１ゲート選択期間を複数（図５６では３つ）に分割する。そして、分割された選択期間内で、各々のゲート信号線４７０７、及びゲート信号線５００７を選択し、その時に対応する信号をソース信号線４７０６、及びソース信号線５００６に入力する。例えば、ある１ゲート選択期間において、Ｇ１（ｔａ）ではｉ行目を選択し、Ｇ２（ｔａ）ではｊ行目を選択し、Ｇ３（ｔａ）ではｋ行目を選択する。すると、１ゲート選択期間において、あたかも同時に３行分を選択したかのように動作させることが可能となる。
【０３２５】
なお、図５４、図５６では、同時に３行分の画素に信号を入力する場合について示したが、これに限定されない。さらに多くの行やさらに少ない行に信号を入力してもよい。
【０３２６】
次に、画素の信号を消去する動作を行う場合のタイミングチャートを図５５に示す。各行において、信号書込動作を行い、次の信号書込動作が来る前に、画素の信号を消去する。このようにすることにより、点灯期間の長さを容易に制御できるようになる。
【０３２７】
ある行において、信号を書き込み、所定の点灯期間が終了したのち、次のサブフレームにおける信号の書き込み動作を開始する。もし、点灯期間が短い場合は、信号消去動作を行い、非点灯状態にする。このような動作を繰り返すことにより、点灯期間の長さを制御することが出来る。
【０３２８】
このようにすることにより、信号の書き込み動作が遅くても、１フレーム内にたくさんのサブフレームを配置することが可能となる。また、消去動作を行う場合は、消去用のデータをビデオ信号と同様に取得する必要がないため、ソースドライバの駆動周波数も低減出来る。
【０３２９】
（第２４の実施形態）
第２３の実施形態で述べた図５５のタイミングチャートを実現する画素構成を図４８を参照して説明する。
【０３３０】
ゲート信号線４８０７を用いて、選択用トランジスタ４８０２のオン、又はオフを制御する。選択用トランジスタ４８０２がオンすると、ソース信号線４８０６から、容量素子４８０３にビデオ信号が入力される。すると、ビデオ信号に応じて、駆動トランジスタ４８０１がオン、又はオフする。駆動トランジスタ４８０１がオンすると、電源線４８０５から駆動トランジスタ４８０１、及び発光素子４８０４を通って対向電極へ電流が流れ、オフすると電流は流れない。また、発光素子４８０４の一方の電極が駆動トラジスタ４８０１のソース電極又はドレイン電極の一方と接続され、発光素子４８０４の他方の電極が対向電極となっている。
【０３３１】
消去をしたい場合は、消去用ゲート信号線４８０９を選択して、消去トランジスタ４８０８をオン状態にして、駆動トランジスタ４８０１がオフ状態となるようにする。すると、電源線４８０５から駆動トランジスタ４８０１、及び発光素子４８０４を通って対向電極へ電流が流れないようになる。その結果、非点灯期間を作ることができ、点灯期間の長さを自由に制御できるようになる。
【０３３２】
容量素子４８０３は、駆動トランジスタ４８０１のゲート電位を保持する役目をしている。よって、駆動トランジスタ４８０１のゲートと電源線４８０５との間に接続されているが、これに限定されない。駆動トランジスタ４８０１のゲート電位を保持できるように配置されていればよい。また、駆動トランジスタ４８０１のゲート容量などを用いて、駆動トランジスタ４８０１のゲート電位を保持できる場合は、容量素子４８０３を省いてもよい。
【０３３３】
選択用トランジスタ４８０２はソース信号線４８０６と駆動トランジスタ４８０１のゲートとの間に接続されたスイッチとしての役目をしてる。また、消去トランジスタ４８０８は電源線４８０５と駆動トランジスタ４８０１のゲートとの間に接続されたスイッチとしての役目をしている。よって、図４８において、Ｎチャネル型トランジスタを用いているが、これに限定されない。ソース信号線４８０６と駆動トランジスタ４８０１のゲートとの接続、非接続を選択できるような機能を持つ素子であればよい。そのため、Ｐチャネル型トランジスタも用いてもよい。その場合、ゲート信号線４８０７の電位を反転すればよい。
【０３３４】
図４８では、消去トランジスタ４８０８を用いていたが、別の方法を用いることも出来る。なぜなら、強制的に非点灯期間をつくればよいので、発光素子４８０４に電流が供給されないようにすればよいからである。よって、電源線４８０５から駆動トランジスタ４８０１、及び発光素子４８０４を通って、対向電極へ電流が流れる経路のどこかに、スイッチを配置して、そのスイッチのオンオフを制御して、非点灯期間を作ればよい。あるいは、駆動トランジスタ４８０１のゲート・ソース間電圧を制御して、駆動トランジスタが強制的にオフになるようにすればよい。
【０３３５】
ダイオードを使って駆動トランジスタを強制的にオフにする場合の画素構成の例を図４９を参照して説明する。
【０３３６】
ゲート信号線４９０７を用いて、選択用トランジスタ４９０２のオン、又はオフを制御する。選択用トランジスタ４９０２がオンすると、ソース信号線４９０６から、容量素子４９０３にビデオ信号が入力される。すると、ビデオ信号に応じて、駆動トランジスタ４９０１がオン、又はオフする。駆動トランジスタ４９０１がオンすると、電源線４９０５から駆動トランジスタ４９０１、及び発光素子４９０４を通って対向電極へ電流が流れ、オフすると電流は流れない。また、発光素子４９０４の一方の電極が駆動トラジスタ４９０１のソース電極又はドレイン電極の一方と接続され、発光素子４９０４の他方の電極が対向電極となっている。
【０３３７】
消去したい場合は、消去用ゲート信号線４９０９を選択（ここでは、電源線４９０５の電位以上にする）して、消去用ダイオード４９０８がオンして、消去用ゲート信号線４９０９から駆動トランジスタ４９０１のゲートへ電流が流れるようにする。その結果、駆動トランジスタ４９０１がオフ状態となる。すると、電源線４９０５から、駆動トランジスタ４９０１、及び発光素子４９０４を通って、対向電極には電流が流れないようになる。その結果、非点灯期間を作ることができ、点灯期間の長さを自由に制御できるようになる。
【０３３８】
信号を保持しておきたい場合は、消去用ゲート信号線４９０９を非選択（ここでは、低い電位にする）しておく。すると、消去ダイオード４９０８がオフするので、駆動トランジスタ４９０１のゲート電位は保持される。
【０３３９】
なお、消去ダイオード４９０８は、整流性がある素子であれば、なんでもよい。ＰＮ型ダイオードでもよいし、ＰＩＮ型ダイオードでもよいし、ショットキー型ダイオードでもよいし、ツェナー型ダイオードでもよい。
【０３４０】
また、トランジスタを用いて、ダイオード接続（ゲートとドレインを接続）して、用いても良い。消去ダイオード４９０８として、ダイオード接続したトランジスタを用いている。Ｎチャネル型トランジスタを用いてもよいし、Ｐチャネル型トランジスタを用いてもよい。
【０３４１】
容量素子４９０３は、駆動トランジスタ４９０１のゲート電位を保持する役目をしている。よって、駆動トランジスタ４９０１のゲートと電源線４９０５との間に接続されているが、これに限定されない。駆動トランジスタ４９０１のゲート電位を保持できるように配置されていればよい。また、駆動トランジスタ４９０１のゲート容量などを用いて、駆動トランジスタ４９０１のゲート電位を保持できる場合は、容量素子４９０３を省いてもよい。
【０３４２】
（第２５の実施形態）
第２３の実施形態で述べた図５５のタイミングチャートを実現する画素構成を図５１を参照して説明する。
【０３４３】
ゲート信号線５１０７を用いて、選択用トランジスタ５１０２のオン、又はオフを制御する。選択用トランジスタ５１０２がオンすると、ソース信号線５１０６から、容量素子５１０３にビデオ信号が入力される。すると、ビデオ信号に応じて、駆動トランジスタ５１０１がオン、又はオフする。駆動トランジスタ５１０１がオンすると、電源線５１０５から駆動トランジスタ５１０１、及び発光素子５１０４を通って対向電極へ電流が流れ、オフすると電流は流れない。また、発光素子５１０４の一方の電極が駆動トラジスタ５１０１のソース電極又はドレイン電極の一方と接続され、発光素子５１０４の他方の電極が対向電極となっている。
【０３４４】
消去をしたい場合は、消去用ゲート信号線５１０９を選択して、消去トランジスタ５１０８をオン状態にして、駆動トランジスタ５１０１がオフ状態となるようにする。すると、電源線５１０５から駆動トランジスタ５１０１、及び発光素子５１０４を通って対向電極へ電流が流れないようになる。その結果、非点灯期間を作ることができ、点灯期間の長さを自由に制御できるようになる。
【０３４５】
容量素子５１０３は、駆動トランジスタ５１０１のゲート電位を保持する役目をしている。よって、駆動トランジスタ５１０１のゲートと電源線５１０５との間に接続されているが、これに限定されない。駆動トランジスタ５１０１のゲート電位を保持できるように配置されていればよい。また、駆動トランジスタ５１０１のゲート容量などを用いて、駆動トランジスタ５１０１のゲート電位を保持できる場合は、容量素子５１０３を省いてもよい。
【０３４６】
図５１では、消去トランジスタ５１０８を用いていたが、別の方法を用いることも出来る。なぜなら、強制的に非点灯期間をつくればよいので、発光素子５１０４に電流が供給されないようにすればよいからである。よって、電源線５１０５から駆動トランジスタ５１０１、及び発光素子５１０４を通って、対向電極へ電流が流れる経路のどこかに、スイッチを配置して、そのスイッチのオンオフを制御して、非点灯期間を作ればよい。あるいは、駆動トランジスタ５１０１のゲート・ソース間電圧を制御して、駆動トランジスタが強制的にオフになるようにすればよい。
【０３４７】
ダイオードを使って駆動トランジスタを強制的にオフにする場合の画素構成の例を図５２を参照して説明する。
【０３４８】
ゲート信号線５２０７を用いて、選択用トランジスタ５２０２のオン、又はオフを制御する。選択用トランジスタ５２０２がオンすると、ソース信号線５２０６から、容量素子５２０３にビデオ信号が入力される。すると、ビデオ信号に応じて、駆動トランジスタ５２０１がオン、又はオフする。駆動トランジスタ５２０１がオンすると、電源線５２０５から駆動トランジスタ５２０１、及び発光素子５２０４を通って対向電極へ電流が流れ、オフすると電流は流れない。また、発光素子５２０４の一方の電極が駆動トラジスタ５２０１のソース電極又はドレイン電極の一方と接続され、発光素子５２０４の他方の電極が対向電極となっている。
【０３４９】
消去したい場合は、消去用ゲート信号線５２０９を選択（ここでは、低い電位にする）して、消去用ダイオード５２０８がオンして、駆動トランジスタ５２０１のゲートから消去用ゲート信号線５２０９へ電流が流れるようにする。その結果、駆動トランジスタ５２０１がオフ状態となる。すると、電源線５２０５から、駆動トランジスタ５２０１、及び発光素子５２０４を通って、対向電極には電流が流れないようになる。その結果、非点灯期間を作ることができ、点灯期間の長さを自由に制御できるようになる。
【０３５０】
信号を保持しておきたい場合は、消去用ゲート信号線５２０９を非選択（ここでは、高い電位にする）しておく。すると、消去ダイオード５２０８がオフするので、駆動トランジスタ５２０１のゲート電位は保持される。
【０３５１】
なお、消去ダイオード５２０８は、整流性がある素子であれば、なんでもよい。ＰＮ型ダイオードでもよいし、ＰＩＮ型ダイオードでもよいし、ショットキー型ダイオードでもよいし、ツェナー型ダイオードでもよい。
【０３５２】
また、トランジスタを用いて、ダイオード接続（ゲートとドレインを接続）して、用いても良い。消去ダイオード５２０８として、ダイオード接続したトランジスタを用いている。本実施形態ではＮチャネル型トランジスタを用いることを特徴とする。
【０３５３】
容量素子５２０３は、駆動トランジスタ５２０１のゲート電位を保持する役目をしている。よって、駆動トランジスタ５２０１のゲートと電源線５２０５との間に接続されているが、これに限定されない。駆動トランジスタ５２０１のゲート電位を保持できるように配置されていればよい。また、駆動トランジスタ５２０１のゲート容量などを用いて、駆動トランジスタ５２０１のゲート電位を保持できる場合は、容量素子５２０３を省いてもよい。
【０３５４】
本実施形態は、図５１は選択用トランジスタ５１０２、消去用トランジスタ５１０８、及び駆動トランジスタ５１０１がともにＮチャネル型トランジスタであることを特徴とする。図５２は選択用トランジスタ５２０２、消去用ダイオード５２０８、及び駆動トランジスタ５２０１がともにＮチャネル型トランジスタであることを特徴とする。このような構成にすることで、アモルファスシリコンを用いることができるため、低コスト、大画面化が容易である。また、アモルファスシリコンで問題となるトランジスタの劣化、すなわち時間の経過によってトランジスタの特性が変わる（閾値シフト）といった現象がある。このような現象を解決するために、駆動トランジスタの閾値を補正する画素構成にしたり、ビデオ信号を電流で入力する画素構成にしなければならなかった。しかし、駆動トランジスタの閾値を補正する画素構成の場合は、トランジスタ数が増え画素の開口率が低下したり、電源線５１０５、又は対向電極の電位を変化させることで、発光素子５１０４のｄｕｔｙ比が下がったりしていた。開口率が下がったり、ｄｕｔｙ比が下がったりすると、発光素子５１０４のは高輝度を上げる必要があるため、発光素子５１０４の劣化はさらに早くなり、表示装置自体の寿命が短くなる。
【０３５５】
一方で、本発明の第１の実施形態、乃至第３の実施形態の駆動方法を用いれば、発光素子５１０４、及び発光素子５２０４の劣化だけでなく、駆動トランジスタ５１０１、及び駆動トランジスタ５２０１の特性の変化も同時に補正することができる。
【０３５６】
そのため、本発明の第１の実施形態、乃至第３の実施形態の駆動方法とアモルファスシリコンを用いた画素構成とを組み合わせることで、より大きな効果を得ることができる。また、通常アモルファスシリコンを用いた表示装置は、駆動するためのコントローラは、外付けであることが多く、大型、中型の表示装置である場合が多いため、本発明を実施するためのコストは、携帯電話やデジタルカメラで実施するよりも表示装置全体に占めるコストは小さくなる。
【０３５７】
なお、さらに別の回路として、図４７、図５０の回路を用いて、図５５のような駆動法を実現することも可能である。その場合のタイミングチャートは、図５６と同様にすればよい。図５６では、１ゲート選択期間を３つに分割しているが、１ゲート選択期間をここでは、２つに分割する。そして、分割された選択期間内で、各々のゲート信号線を選択し、その時に対応する信号（ビデオ信号と消去するための信号）をソース信号線４７０６、及びソース信号線５００６に入力する。例えば、ある１ゲート選択期間において、前半はｉ行目を選択し、後半はｊ行目を選択する。そして、ｉ行目が選択されているときは、それようのビデオ信号を入力する。一方、ｊ行目が選択されているときは、駆動トランジスタがオフするような信号を入力する。すると、１ゲート選択期間において、あたかも同時に２行分を選択したかのように動作させることが可能となる。
【０３５８】
なお、本実施の形態において示したタイミングチャートや画素構成や駆動方法は、一例であり、これに限定されない。様々なタイミングチャートや画素構成や駆動方法に適用することが可能である。
【０３５９】
（第２６の実施形態）
本実施形態では、表示装置、および、ソースドライバやゲートドライバなどの構成とその動作について説明する。
【０３６０】
表示装置は、図４５（Ａ）に示すように、画素部３４０１、ゲートドライバ３４０２、ソースドライバ３４０３を有している。
【０３６１】
ゲートドライバ３４０２は、画素部３４０１に選択信号を順次出力する。ゲートドライバ３４０２の構成の一例を図４５（Ｂ）に示す。ゲートドライバは、シフトレジスタ３４０４やバッファ回路３４０５などから構成されている。シフトレジスタ３４０４では、順次選択していくようなパルスを出力する。このほかにも、ゲートドライバ３４０２は、レベルシフタ回路やパルス幅制御回路などが配置されている場合も多い。
【０３６２】
ソースドライバ３４０３は、画素部３４０１にビデオ信号を順次出力する。画素部３４０１では、ビデオ信号に従って、光の状態を制御することにより、画像を表示する。ソースドライバ３４０３から画素部３４０１へ入力するビデオ信号は、電圧である場合が多い。つまり、各画素に配置された表示素子や表示素子を制御する素子は、ソースドライバ３４０３から入力されるビデオ信号（電圧）によって、状態を変化させる。画素に配置する表示素子の例としては、ＥＬ素子やＦＥＤ（フィールドエミッションディスプレイ）で用いる素子や液晶やＤＭＤ（デジタル・マイクロミラー・デバイス）などがあげられる。
【０３６３】
なお、ゲートドライバ３４０２やソースドライバ３４０３は、複数配置されていてもよい。
【０３６４】
特に、実施形態２２で示した、１ゲート選択期間を複数のサブゲート選択期間に分割する駆動法を用いる場合、通常、分割数分のゲートドライバが必要となる。また、たとえばデコーダータイプのゲートドライバのように、順次走査だけではなく、任意のタイミングで任意のゲート信号線を選択できる機能を有するゲートドライバを用いることもできる。
【０３６５】
ここで、分割数分のゲートドライバを用いた場合の表示装置の構成の一例について、図５７を用いて説明する。ただし、回路構成としてはこれに限定されることはなく、これと同様の機能を有する回路であるならば、何でも良い。また、図５７では、例として１ゲート選択期間を３つに分割した場合のゲートドライバを示しているが、１ゲート選択期間の分割数は３つに限定されず、いくつでも良い。たとえば、４つに分割した場合であれば、ゲートドライバのシフトレジスタの総数は４つとなる。
【０３６６】
図５７で示すゲートドライバは、３つのシフトレジスタ５７０１、５７０２、５７０３を、画素部５７００に対して両入れの構成をとった場合の例である。シフトレジスタの出力を、同じゲート信号線に対して両側から入れる場合には、双方の出力が互いに逆になって電源ショートするということにならないように、一方が出力をしているときには、もう一方の出力がゲート信号線に伝わらないようにするためのスイッチ群５７０８および５７０９が必要である。スイッチ群５７０８がオンしている間は、スイッチ群５７０９はオフし、スイッチ群５７０９がオンしている間は、スイッチ群５７０８はオフしている構成となっている。第２のシフトレジスタ５７０２と、第３のシフトレジスタ５７０３は、ＯＲ回路５７０７を用いて、どちらかが選択状態になれば、その先につながるゲート信号線が選択状態となる。この場合、どちらのシフトレジスタも、ＯＲ回路５７０７の入力端子に接続されているので、両入れの場合のような電源ショートの恐れはない。Ｇ＿ＣＰ１、Ｇ＿ＣＰ２、Ｇ＿ＣＰ３はパルス幅コントロール信号である。Ｇ＿ＣＰ１、及び第１のシフトレジスタ５７０１の出力はＡＮＤ回路５７０４の入力に接続され、第１のシフトレジスタ５７０１の出力、及びＧ＿ＣＰ１が選択状態となれば、その先につながるゲート信号線が選択状態となる。Ｇ＿ＣＰ２、及び第１のシフトレジスタ５７０１の出力はＡＮＤ回路５７０５の入力に接続され、第２のシフトレジスタ５７０２の出力、及びＧ＿ＣＰ２が選択状態となれば、その先につながるゲート信号線が選択状態となる。Ｇ＿ＣＰ３、及び第１のシフトレジスタ５７０３の出力はＡＮＤ回路５７０６の入力に接続され、第３のシフトレジスタ５７０３の出力、及びＧ＿ＣＰ３が選択状態となれば、その先につながるゲート信号線が選択状態となる。シフトレジスタの信号幅としては、３つとも１ゲート選択期間と同じ幅にしておいて、パルス幅コントロール信号で実際ゲート信号線に出力するパルス幅（この場合は３分割）に変更することで、１ゲート選択期間を複数のサブゲート選択期間に分割する駆動法が実現できる。
【０３６７】
また、図４４に、片入れの場合で、１ゲート選択期間を３分割する駆動を行うときのゲートドライバを示す。図４４の構成では、画素部両側に電源ショート防止のためのスイッチが必要ないので、両入れのゲートドライバよりも安定した動作が実現できる。なお、この場合も、１ゲート選択期間を分割する数は３つに限定されず、いくつでもよい。
【０３６８】
なお、このような駆動方法の詳細については、例えば、特開２００２−２１５０９２号公報、特開２００２−２９７０９４等に記載されており、その内容を本願と組み合わせて適用することが出来る。
【０３６９】
ここで、ゲートドライバとしてデコーダータイプのものを用いた場合の表示装置の構成の一例について説明する。
【０３７０】
デコーダータイプのゲートドライバ５８００の例を、図５８に示す。画素部は５８０８、ゲートドライバは５８００、ソースドライバは５８０７で示される。ここでは、４ビットのデコーダーを用いて１５本のゲート信号線を駆動する場合を説明する。デコーダーのビット数は、表示装置のゲート信号線本数により適宜決定する。たとえば、ゲート信号線が６０本であるならば、２の６乗＝６４であるので、６ビットのデコーダーを選択するのが効率的である。同様に、２４０本であるならば、２の８乗＝２５６であるので、８ビットのデコーダーを選択するのが効率的である。このように、２のべき乗で、ゲート信号線の本数を初めて上回るビット数のデコーダーを用いるのが効率的だが、これに限定するものではない。
【０３７１】
図５８に挙げたデコーダーの動作としては、次のようなものとなる。まず、ゲート信号線１を選択する場合には、第１入力端子５８０１、第２入力端子５８０２、第３入力端子５８０３、及び第４入力端子５８０４は、それぞれ（１，０，０，０）と入力する。また、ゲート信号線２を選択する場合には、（０，１，０，０）と入力する。また、ゲート信号線３を選択する場合には、（１，１，０，０）と入力する。このように、ひとつのゲート信号線に対し、ひとつのデジタル信号の組み合わせを割り当てることで、任意のタイミングで任意のゲート信号線が選択できる。
【０３７２】
また、ＮＡＮＤ回路の入力端子数が多い場合には、トランジスタの抵抗等で動作に影響が出る場合がある。そのような時は、図５９に示すように、端子数の多いＮＡＮＤ回路のかわりに、同様な機能を有しつつ入力端子が少ないデジタル回路に置き換えても良い。画素部は５９０８、ゲートドライバは５９００、ソースドライバは５９０７で示される。図５９に上げたデコーダタイプのゲートドライバ５９００の動作としては、次のようなものとなる。まず、ゲート信号線１を選択する場合には、第１入力端子５９０１、第２入力端子５９０２、第３入力端子５９０３、及び第４入力端子５９０４は、それぞれ（１，０，０，０）と入力する。また、ゲート信号線２を選択する場合には、（０，１，０，０）と入力する。また、ゲート信号線３を選択する場合には、（１，１，０，０）と入力する。このように、ひとつのゲート信号線に対し、ひとつのデジタル信号の組み合わせを割り当てることで、任意のタイミングで任意のゲート信号線が選択できる。
【０３７３】
また、図５８では、デコーダーの出力部に、レベルシフタ５８０５と、インピーダンスマッチング用バッファ回路５８０６を使用した例、図５９では、デコーダーの出力部に、レベルシフタ５９０５と、インピーダンスマッチング用バッファ回路５９０６を使用した例を挙げている。ただし、同様の機能を有するならば、デコーダーを用いたゲートドライバの構成はこれに限定されるものではない。
【０３７４】
ここで、ソースドライバ３４０３の構成の一例を図４５（Ｃ）に示す。ソースドライバ３４０３は、シフトレジスタ３４０６、第１ラッチ回路（ＬＡＴ１）３４０７、第２ラッチ回路（ＬＡＴ２）３４０８、レベルシフタ３４０９などから構成されている。レベルシフタ３４０９には、デジタル信号をアナログに変換する機能も有していたり、ガンマ補正を行う機能も有していてもよい。
【０３７５】
また、画素は、発光素子などの表示素子を有している。その表示素子に電流（ビデオ信号）を出力する回路、すなわち、電流源回路を有していることもある。
【０３７６】
そこで、ソースドライバ３４０３の動作を簡単に説明する。シフトレジスタ３４０６は、クロック信号（Ｓ−ＣＬＫ）、スタートパルス（Ｓ−ＳＰ）、クロック反転信号（Ｓ−ＣＬＫｂ）が入力され、これらの信号のタイミングに従って、順次サンプリングパルスが出力される。
【０３７７】
シフトレジスタ３４０６より出力されたサンプリングパルスは、第１ラッチ回路（ＬＡＴ１）３４０７に入力される。第１ラッチ回路（ＬＡＴ１）３４０７には、ビデオ信号線３４１０より、ビデオ信号が入力されており、サンプリングパルスが入力されるタイミングに従って、各列でビデオ信号を保持していく。
【０３７８】
第１ラッチ回路（ＬＡＴ１）３４０７において、最終列までビデオ信号の保持が完了すると、水平帰線期間中に、ラッチ制御線３４１１よりラッチパルス（Ｌａｔｃｈ  Ｐｕｌｓｅ）が入力され、第１ラッチ回路（ＬＡＴ１）３４０７に保持されていたビデオ信号は、一斉に第２ラッチ回路（ＬＡＴ２）３４０８に転送される。その後、第２ラッチ回路（ＬＡＴ２）３４０８に保持されたビデオ信号は、１行分が同時に、レベルシフタ３４０９へと入力される。そして、レベルシフタ３４０９から出力される信号は、画素部３４０１へ入力される。
【０３７９】
第２ラッチ回路（ＬＡＴ２）３４０８に保持されたビデオ信号がレベルシフタ３４０９に入力され、そして、画素部３４０１に入力されている間、シフトレジスタ３４０６においては再びサンプリングパルスが出力される。つまり、同時に２つの動作が行われる。これにより、線順次駆動が可能となる。以後、この動作を繰り返す。
【０３８０】
次に、実施の形態２２、及び実施形態２５で記載された、タイミングチャートとしてアドレス期間と点灯期間とが分離されていない場合のソースドライバについて説明する。ここでは、ふたつの例について説明する。一つ目は、図４５に記載されたソースドライバ３４０３の構成のままで、ソースドライバ３４０３の駆動周波数を大きくする方法である。アドレス期間と点灯期間とが分離されていない場合、ソースドライバ３４０３は、図５６における各サブゲート選択期間中に１ライン分の書き込みを行うことになる。すなわち、１ゲート選択期間を２分割した場合は、分割前に比べて、ソースドライバ３４０３の駆動周波数を２倍にすることで、アドレス期間と点灯期間とが分離されていない駆動を実現できる。同様に、３分割した場合は駆動周波数を３倍にし、ｎ分割した場合は駆動周波数をｎ倍にすることで、実現できる。この方法だと、ソースドライバに特別な構成変更を加えなくてすみ、簡便であるという利点がある。
【０３８１】
次に、ふたつ目の例について説明する。この場合のソースドライバの構成を、図６０に示す。画素部は６００１、ゲートドライバは６００２、ソースドライバは６００３で示される。まず、シフトレジスタ６００６の出力を、第１ラッチ回路Ａ６００７と、第１ラッチ回路Ｂ６０１２の両方に入力する。ただし、この例ではふたつの第１ラッチ回路Ａ、Ｂに入力しているが、特に２つに限定しているわけではなく、いくつでもよい。また、回路規模の増大を抑える目的から、ひとつのシフトレジスタから複数の第１ラッチ回路に出力する構成を示しているが、シフトレジスタがひとつである必要はなく、いくつでもよい。
【０３８２】
第１ラッチ回路Ａ６００７と第１ラッチ回路Ｂ６０１２には、それぞれ映像信号としてＶｉｄｅｏＤａｔａ−ＡとＶｉｄｅｏＤａｔａ−Ｂが入力されている。シフトレジスタの出力で映像信号をラッチし、その信号を第２ラッチ回路へ出力する。第２ラッチ回路Ａ６０１２、第２ラッチ回路Ｂ６０１３では、それぞれ１ライン分の映像信号が保持されていて、ＬａｔｃｈＰｕｌｓｅ−Ａ、−Ｂで規定されるタイミングで保持データの更新が行われる。第２ラッチ回路Ａ６０１２、第２ラッチ回路Ｂ６０１３の出力には、切り替えスイッチ６０１４が接続されており、画素部へ出力する信号を第２ラッチ回路Ａ６００８からのものか、第２ラッチ回路Ｂ６０１３からのものかを、選択できるようになっている。つまり、１ゲート選択期間を２分割して映像信号を画素に書き込む場合は、１ゲート選択期間のうちの前半を第２ラッチ回路Ａ６００８、後半を第２ラッチ回路Ｂ６０１３から出力するなどして、１ゲート選択期間を２分割する駆動を実現できる。この場合、分割がなく、第１、第２ラッチ回路をひとつずつ用いる図４５のような構成の場合と比べて、ソースドライバ６００３の駆動周波数はほぼ同じにできる。また、図４５のような構成では、たとえば１ゲート選択期間を４分割する駆動を行う場合、ソースドライバ６００３の駆動周波数は、分割なしのときに比べて４倍となるのに対し、図６０の構成では、ソースドライバ６００３の駆動周波数は２倍で済む。すなわち、図６０のようなソースドライバ６００３の構成は、図４５の構成に比べて、消費電力、歩留まり、信頼性などの点で有利である。
【０３８３】
なお、ソースドライバやその一部（電流源回路やレベルシフタなど）は、画素部３４０１と同一基板上に存在せず、例えば、外付けのＩＣチップを用いて構成されることもある。
【０３８４】
なお、ソースドライバやゲートドライバなどの構成は、図４５および図６０に限定されない。例えば、点順次駆動で画素に信号を供給する場合もある。その場合のソースドライバ３５０３の一例を図４６に示す。ソースドライバ３５０３は、シフトレジスタ３５０４とサンプリング回路３５０５から構成されている。シフトレジスタ３５０４から、サンプリングパルスがサンプリング回路３５０５に出力される。ビデオ信号線３５０６より、ビデオ信号が入力され、サンプリングパルスに応じて、画素部３５０１へビデオ信号が出力される。そして、ゲートドライバ３４０２により選択されている行の画素に次々と信号が入力される。
【０３８５】
なお、すでに述べたように、本発明におけるトランジスタは、どのようなタイプのトランジスタでもよいし、どのような基板上に形成されていてもよい。したがって、図４５や図４６や図６０で示したような回路が、全てガラス基板上に形成されていてもよいし、プラスチック基板に形成されていてもよいし、単結晶基板に形成されていてもよいし、ＳＯＩ基板上に形成されていてもよいし、どのような基板上に形成されていてもよい。あるいは、図４５や図４６や図６０における回路の一部が、ある基板に形成されており、図４５や図４６や図６０における回路の別の一部が、別の基板に形成されていてもよい。つまり、図４５や図４６や図６０における回路の全てが同じ基板上に形成されていなくてもよい。例えば、図４５や図４６や図６０において、画素部３４０１とゲートドライバ３４０２とは、ガラス基板上にＴＦＴを用いて形成し、ソースドライバ３４０３（もしくはその一部）は、単結晶基板上に形成し、そのＩＣチップをＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）で接続してガラス基板上に配置してもよい。あるいは、そのＩＣチップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いてガラス基板と接続してもよい。
【０３８６】
なお、本実施の形態で説明した内容は、実施の形態１、乃至実施の形態３で説明した内容を利用したものに相当する。したがって、実施の形態１、乃至実施の形態３で説明した内容は、本実施の形態にも適用できる。
【実施例１】
【０３８７】
本実施例では、画素の構成例について説明する。図２４（Ａ）及び図２４（Ｂ）は、第２１の実施形態乃至第２５の実施形態で説明したパネルの画素の断面図である。画素に配置されるスイッチング素子としてＴＦＴを用い、画素に配置される表示媒体として発光素子を用いた例を示す。
【０３８８】
本実施例において、発明を実施するための最良の形態において、図４７、乃至図５２で示した構成の画素を有する表示装置について説明する。図１、図３、及び図５に構成例を示す。
【０３８９】
図４７におけるゲート信号線４７０７は図１、図３、及び図５のゲート信号線１０４に相当し、ソース信号線４７０６は図３、及び図５のソース信号線１０３に相当し、電源線４７０５は図３、及び図５の電源線Ｒ１０５、電源線Ｇ１０６、又は電源線Ｂ１０７に相当する。
【０３９０】
図４８におけるゲート信号線４８０７は図１、図３、及び図５のゲート信号線１０４に相当し、ソース信号線４８０６は図３、及び図５のソース信号線１０３に相当し、電源線４８０５は図３、及び図５の電源線Ｒ１０５、電源線Ｇ１０６、又は電源線Ｂ１０７に相当する。
【０３９１】
図４９におけるゲート信号線４９０７は図１、図３、及び図５のゲート信号線１０４に相当し、ソース信号線４９０６は図３、及び図５のソース信号線１０３に相当し、電源線４９０５は図３、及び図５の電源線Ｒ１０５、電源線Ｇ１０６、又は電源線Ｂ１０７に相当する。
【０３９２】
図５０におけるゲート信号線５００７は図１、図３、及び図５のゲート信号線１０４に相当し、ソース信号線５００６は図３、及び図５のソース信号線１０３に相当し、電源線５００５は図３、及び図５の電源線Ｒ１０５、電源線Ｇ１０６、又は電源線Ｂ１０７に相当する。
【０３９３】
図５１におけるゲート信号線５１０７は図１、図３、及び図５のゲート信号線１０４に相当し、ソース信号線５１０６は図３、及び図５のソース信号線１０３に相当し、電源線５１０５は図３、及び図５の電源線Ｒ１０５、電源線Ｇ１０６、又は電源線Ｂ１０７に相当する。
【０３９４】
図５２におけるゲート信号線５２０７は図１、図３、及び図５のゲート信号線１０４に相当し、ソース信号線５２０６は図３、及び図５のソース信号線１０３に相当し、電源線５２０５は図３、及び図５の電源線Ｒ１０５、電源線Ｇ１０６、又は電源線Ｂ１０７に相当する。
【０３９５】
なお、図４７、乃至図５２で示したその他の配線は、図１、乃至図６においては図示していない。
【０３９６】
図２４（Ａ）及び図２４（Ｂ）において、２４００は基板、２４０１は下地膜、２４０２は半導体層、２４１２は半導体層、２４０３は第１の絶縁膜、２４０４はゲート電極、２４１４は電極、２４０５は第２の絶縁膜、２４０６は第１の電極、２４０７は第２の電極、２４０８は第３の絶縁膜、２４０９は発光層、２４１７は第３の電極である。２４１０はＴＦＴ、２４１５は発光素子、２４１１は容量素子である。図２４では、画素を構成する素子として、ＴＦＴ２４１０と、容量素子２４１１とを代表で示した。図２４（Ａ）の構成について説明する。
【０３９７】
基板２４００としては、例えばバリウムホウケイ酸ガラスや、アルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、セラミック基板等を用いることができる。また、ステンレスを含む金属基板または半導体基板の表面に絶縁膜を形成したものを用いても良い。プラスチック等の可撓性を有する合成樹脂からなる基板を用いても良い。基板２４００の表面を、ＣＭＰ法などの研磨により平坦化しておいても良い。
【０３９８】
下地膜２４０１としては、酸化珪素や、窒化珪素または窒化酸化珪素などの絶縁膜を用いることができる。下地膜２４０１によって、基板２４００に含まれるＮａなどのアルカリ金属やアルカリ土類金属が半導体層２４０２に拡散しＴＦＴ２４１０の特性に悪影響をおよぼすのを防ぐことができる。図２４では、下地膜２４０１を単層の構造としているが、２層あるいはそれ以上の複数層で形成してもよい。なお、石英基板など不純物の拡散がさして問題とならない場合は、下地膜２４０１を必ずしも設ける必要はない。
【０３９９】
半導体層２４０２及び半導体層２４１２としては、パターニングされた結晶性半導体膜や非晶質半導体膜を用いることができる。結晶性半導体膜は非晶質半導体膜を結晶化して得ることができる。結晶化方法としては、レーザ結晶化法、ＲＴＡ又はファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法等を用いることができる。半導体層２４０２は、チャネル形成領域と、導電型を付与する不純物元素が添加された一対の不純物領域とを有する。なお、チャネル形成領域と一対の不純物領域との間に、不純物元素が低濃度で添加された不純物領域を有していてもよい。半導体層２４１２には、全体に導電型を付与する不純物元素が添加された構成とすることができる。
【０４００】
第１の絶縁膜２４０３としては、酸化珪素、窒化珪素または窒化酸化珪素等を用い、単層または複数の膜を積層させて形成することができる。
【０４０１】
なお、第１の絶縁膜２４０３として水素を含む膜を用い、半導体層２４０２を水素化してもよい。
【０４０２】
ゲート電極２４０４及び電極２４１４としては、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｃｒ、Ｎｄから選ばれた一種の元素または該元素を複数含む合金若しくは化合物からなる単層または積層構造を用いることができる。
【０４０３】
ＴＦＴ２４１０は、半導体層２４０２と、ゲート電極２４０４と、半導体層２４０２とゲート電極２４０４との間の第１の絶縁膜２４０３とによって構成される。図２４では、画素を構成するＴＦＴとして、発光素子２４１５の第２の電極２４０７に接続されたＴＦＴ２４１０のみを示したが、複数のＴＦＴを有する構成としてもよい。また、本実施例では、ＴＦＴ２４１０をトップゲート型のトランジスタとして示したが、半導体層の下方にゲート電極を有するボトムゲート型のトランジスタであっても良いし、半導体層の上下にゲート電極を有するデュアルゲート型のトランジスタであっても良い。
【０４０４】
容量素子２４１１は、第１の絶縁膜２４０３を誘電体とし、第１の絶縁膜２４０３を挟んで対向する半導体層２４１２と電極２４１４とを一対の電極として構成される。なお、図２４では、画素の有する容量素子として、一対の電極の一方をＴＦＴ２４１０の半導体層２４０２と同時に形成される半導体層２４１２とし、他方の電極をＴＦＴ２４１０のゲート電極２４０４と同時に形成される電極２４１４とした例を示したが、この構成に限定されない。
【０４０５】
第２の絶縁膜２４０５としては、無機絶縁膜や有機絶縁膜の単層または積層を用いることができる。無機絶縁膜としては、ＣＶＤ法により形成された酸化シリコン膜や、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）法により塗布された酸化シリコン膜などを用いることができ、有機絶縁膜としてはポリイミド、ポリアミド、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）、アクリルまたはポジ型感光性有機樹脂、ネガ型感光性有機樹脂等の膜を用いることができる。
【０４０６】
また、第２の絶縁膜２４０５として、シリコン（Ｓｉ）と酸素（Ｏ）との結合で骨格構造が構成される材料を用いることができる。この材料の置換基として、少なくとも水素を含む有機基（例えばアルキル基、芳香族炭化水素）が用いられる。置換基として、フルオロ基を用いてもよい。または置換基として、少なくとも水素を含む有機基と、フルオロ基とを用いてもよい。
【０４０７】
なお、第２の絶縁膜２４０５の表面を高密度プラズマによって処理し、窒化させてもよい。高密度プラズマは、高い周波数のマイクロ波、例えば２．４５ＧＨｚを使うことによって生成される。なお、高密度プラズマとしては電子密度が２４１５ｃｍ−３以上かつ電子温度が０．２ｅＶ以上２．０ｅＶ以下（より好ましくは０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下）であるものを用いる。このように低電子温度が特徴である高密度プラズマは、活性種の運動エネルギーが低いため、従来のプラズマ処理に比べプラズマダメージが少なく欠陥が少ない膜を形成することができる。高密度プラズマ処理の際、基板２４００は３５０℃から４５０℃の温度とする。また、高密度プラズマを発生させる装置において、マイクロ波を発生するアンテナから基板２４００までの距離を２０〜８０ｍｍ（好ましくは２０〜６０ｍｍ）とする。
【０４０８】
窒素（Ｎ）と希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一つを含む）雰囲気下、または窒素と水素（Ｈ）と希ガス雰囲気下、またはＮＨ３と希ガス雰囲気下において、上記高密度プラズマ処理を行い第２の絶縁膜２４０５表面を窒化する。高密度プラズマにより窒化処理により形成された第２の絶縁膜２４０５表面にはＨや、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの元素が混入している。例えば、第２の絶縁膜２４０５として酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜を用い、当該膜の表面を高密度プラズマで処理することによって窒化シリコン膜を形成する。こうして形成した窒化シリコン膜に含まれる水素を用いて、ＴＦＴ２４１０の半導体層２４０２の水素化を行ってもよい。なお当該水素化処理は、前述した第１の絶縁膜２４０３中の水素を用いた水素化処理と組み合わせてもよい。
【０４０９】
なお、上記高密度プラズマ処理によって形成された窒化膜の上に更に絶縁膜を形成して、第２の絶縁膜２４０５としてもよい。
【０４１０】
第１の電極２４０６としては、Ａｌ、Ｎｉ、Ｃ、Ｗ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ｃｕ、Ｔａ、Ａｕ、Ｍｎから選ばれた一種の元素または該元素を複数含む合金からなる単層または積層構造を用いることができる。
【０４１１】
第２の電極２４０７及び第３の電極２４１７の一方もしくは両方を透明電極とすることができる。透明電極としては、酸化タングステンを含むインジウム酸化物（ＩＷＯ）、酸化タングステンと酸化亜鉛を含む酸化インジウム（ＩＷＺＯ）、酸化チタンを含むインジウム酸化物（ＩＴｉＯ）、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物（ＩＴＴｉＯ）などを用いることができる。勿論、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ）、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）なども用いることができる。
【０４１２】
発光層は、正孔注入輸送層、発光層、電子注入輸送層など、機能の異なる複数の層を用いて構成することが好ましい。
【０４１３】
正孔注入輸送層は、ホール輸送性の有機化合物材料と、その有機化合物材料に対して電子受容性を示す無機化合物材料とを含む複合材料で形成することが好ましい。このような構成とすることで、本来内在的なキャリアをほとんど有さない有機化合物に多くのホールキャリアが発生し、極めて優れたホール注入性・輸送性が得られる。この効果により、従来よりも駆動電圧を低くすることができる。また、駆動電圧の上昇を招くことなく正孔注入輸送層を厚くすることができるため、ゴミ等に起因する発光素子の短絡も抑制することができる。
【０４１４】
ホール輸送性の有機化合物材料としては、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、１，３，５−トリス［Ｎ，Ｎ−ジ（ｍ−トリル）アミノ］ベンゼン（略称：ｍ−ＭＴＤＡＢ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−１，１’−ビフェニル−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）などが挙げられるが、これらに限定されることはない。
【０４１５】
電子受容性を示す無機化合物材料としては、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化レニウム、酸化ルテニウム、酸化亜鉛などが挙げられる。特に酸化バナジウム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化レニウムは真空蒸着が可能で扱いやすいため、好適である。
【０４１６】
電子注入輸送層は、電子輸送性の有機化合物材料を用いて形成する。具体的には、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ３）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）などが挙げられるが、これらに限定されることはない。
【０４１７】
発光層は、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）−２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）ビフェニル（略称：ＤＰＶＢｉ）、クマリン３０、クマリン６、クマリン５４５、クマリン５４５Ｔ、ペリレン、ルブレン、ペリフランテン、２，５，８，１１−テトラ（ｔｅｒｔ−ブチル）ペリレン（略称：ＴＢＰ）、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡ）、５，１２−ジフェニルテトラセン、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−［ｐ−（ジメチルアミノ）スチリル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＭ１）、４−（ジシアノメチレン）−２−メチル−６−［２−（ジュロリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＤＣＭ２）、４−（ジシアノメチレン）−２，６−ビス［ｐ−（ジメチルアミノ）スチリル］−４Ｈ−ピラン（略称：ＢｉｓＤＣＭ）等が挙げられる。また、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ピコリナート）（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２−［３’，５’−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’｝イリジウム（ピコリナート）（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（アセチルアセトナート）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（２’−チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（アセチルアセトナート）（略称：Ｉｒ（ｔｈｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（アセチルアセトナート）（略称：Ｉｒ（ｐｑ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（２’−ベンゾチエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（アセチルアセトナート）（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））などの燐光を放出できる化合物用いることもできる。
【０４１８】
その他に、発光層の形成に用いることができる高分子系の電界発光材料は、ポリパラフェニレンビニレン系、ポリパラフェニレン系、ポリチオフェン系、ポリフルオレン系が挙げられる。
【０４１９】
いずれにしても、発光層の層構造は変化しうるものであり、特定の正孔又は電子注入輸送層や発光層を備えていない代わりに、もっぱらこの目的用の電極層を備えたり、発光性の材料を分散させて備えたりする変形は、発光素子としての目的を達成し得る範囲において許容されうるものである。
【０４２０】
第２の電極２４０７及び第３の電極２４１７の他方は、透光性を有さない材料で形成されていてもよい。例えば、ＬｉやＣｓ等のアルカリ金属、およびＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ等のアルカリ土類金属、これらを含む合金（Ｍｇ：Ａｇ、Ａｌ：Ｌｉ、Ｍｇ：Ｉｎなど）、およびこれらの化合物（ＣａＦ２、ＣａＮ）の他、ＹｂやＥｒ等の希土類金属を用いることができる。
【０４２１】
第３の絶縁膜２４０８としては、第２の絶縁膜２４０５と同様の材料を用いて形成することができる。第３の絶縁膜２４０８は、第２の電極２４０７の端部を覆うように第２の電極２４０７の周辺に形成され、隣り合う画素において発光層２４０９を分離する機能を有する。
【０４２２】
発光層２４０９は、単数または複数の層で構成されている。複数の層で構成されている場合、これらの層は、キャリア輸送特性の観点から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層などに分類することができる。なお各層の境目は必ずしも明確である必要はなく、互いの層を構成している材料が一部混合し、界面が不明瞭になっている場合もある。各層には、有機系の材料、無機系の材料を用いることが可能である。有機系の材料として、高分子系、中分子系、低分子系のいずれの材料も用いることが可能である。
【０４２３】
発光素子２４１５は、発光層２４０９と、発光層２４０９を介して重なる第２の電極２４０７及び第３の電極２４１７とによって構成される。第２の電極２４０７及び第３の電極２４１７の一方が陽極に相当し、他方が陰極に相当する。発光素子２４１５は、陽極と陰極の間にしきい値電圧より大きい電圧が順バイアスで印加されると、陽極から陰極に電流が流れて発光する。
【０４２４】
図２４（Ｂ）の構成について説明する。なお、図２４（Ａ）と同じ部分は同じ符号を用いて示し、説明は省略する。
【０４２５】
図２４（Ｂ）は、図２４（Ａ）において、第２の絶縁膜２４０５と第３の絶縁膜２４０８の間に絶縁膜２４１８を有する構成である。第２の電極２４１６と第１の電極２４０６とは、絶縁膜２４１８に設けられたコンタクトホールにおいて接続されている。
【０４２６】
絶縁膜２４１８は、第２の絶縁膜２４０５と同様の構成とすることができる。第２の電極２４１６は、第１の電極２４０６と同様の構成とすることができる。
【実施例２】
【０４２７】
本実施例は、トランジスタの半導体層にアモルファスシリコン膜を用いた場合について説明する。図２８にはトップゲートのトランジスタ、図２９及び図３０にはボトムゲートのトランジスタの場合について示す。
【０４２８】
アモルファスシリコンを半導体層に用いたトップゲート構造のトランジスタの断面を図２８（ａ）に示す。に示すように、基板２８０１上に下地膜２８０２が形成されている。さらに下地膜２８０２上に画素電極２８０３が形成されている。また、画素電極２８０３と同層に同じ材料からなる第１の電極２８０４が形成されている。
【０４２９】
基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板などを用いることができる。また、下地膜２８０２としては、窒化アルミや酸化珪素、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ）などの単層やこれらの積層を用いることができる。
【０４３０】
また、下地膜２８０２上に配線２８０５及び配線２８０６が形成され、画素電極２８０３の端部が配線２８０５で覆われている。配線２８０５及び配線２８０６の上部にＮ型の導電型を有するＮ型半導体層２８０７及びＮ型半導体層２８０８が形成されている。また、配線２８０５と配線２８０６の間であって、下地膜２８０２上に半導体層２８０９が形成されている。そして、半導体層２８０９の一部はＮ型半導体層２８０７及びＮ型半導体層２８０８上にまで延長されている。なお、この半導体層はアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ：Ｈ）、微結晶半導体（μ−Ｓｉ：Ｈ）等の非結晶性を有する半導体膜で形成されている。また、半導体層２８０９上にゲート絶縁膜２８１０が形成されている。また、ゲート絶縁膜２８１０と同層の同じ材料からなる絶縁膜２８１１が第１の電極２８０４上にも形成されている。なお、ゲート絶縁膜２８１０としては酸化珪素膜や窒化珪素膜などが用いられる。
【０４３１】
また、ゲート絶縁膜２８１０上に、ゲート電極２８１２が形成されている。また、ゲート電極と同層に同じ材料でなる第２の電極２８１３が第１の電極２８０４上に絶縁膜２８１１を介して形成されている。第１の電極２８０４及び第２の電極２８１３で絶縁膜２８１１を挟まれた容量素子２８１９が形成されている。また、画素電極２８０３の端部、駆動トランジスタ２８１８及び容量素子２８１９を覆い、層間絶縁膜２８１４が形成されている。
【０４３２】
層間絶縁膜２８１４及びその開口部に位置する画素電極２８０３上に有機化合物を含む層２８１５及び対向電極２８１６が形成され、画素電極２８０３と対向電極２８１６とで有機化合物を含む層２８１５が挟まれた領域では発光素子２８１７が形成されている。
【０４３３】
また、図２８（ａ）に示す第１の電極２８０４を図２８（ｂ）に示すように第１の電極２８２０で形成してもよい。第１の電極２８２０は配線２８０５及び２８０６と同層の同一材料で形成されている。
【０４３４】
また、アモルファスシリコンを半導体層に用いたボトムゲート構造のトランジスタを用いた表示装置のパネルの部分断面を図２９に示す。
【０４３５】
基板２９０１上にゲート電極２９０３が形成されている。また、ゲート電極と同層に同じ材料からなる第１の電極２９０４が形成されている。ゲート電極２９０３の材料にはリンが添加された多結晶シリコンを用いることができる。多結晶シリコンの他に、金属とシリコンの化合物であるシリサイドでもよい。
【０４３６】
また、ゲート電極２９０３及び第１の電極２９０４を覆うようにゲート絶縁膜２９０５が形成されている。ゲート絶縁膜２９０５としては酸化珪素膜や窒化珪素膜などが用いられる。
【０４３７】
また、ゲート絶縁膜２９０５上に、半導体層２９０６が形成されている。また、半導体層２９０６と同層に同じ材料からなる半導体層２９０７が形成されている。基板はガラス基板、石英基板、セラミック基板などを用いることができる。
【０４３８】
半導体層２９０６上にはＮ型の導電性を有するＮ型半導体層２９０８、２９０９が形成され、半導体層２９０７上にはＮ型半導体層２９１０が形成されている。
【０４３９】
Ｎ型半導体層２９０８、２９０９上にはそれぞれ配線２９１１、２９１２が形成され、Ｎ型半導体層２９１０上には配線２９１１及び２９１２と同層の同一材料からなる導電層２９１３が形成されている。
【０４４０】
半導体層２９０７、Ｎ型半導体層２９１０及び導電層２９１３からなる第２の電極が構成される。なお、この第２の電極と第１の電極２９０４でゲート絶縁膜２９０５を挟み込んだ構造の容量素子２９２０が形成されている。
【０４４１】
また、配線２９１１の一方の端部は延在し、その延在した配線２９１１上部に接して画素電極２９１４が形成されている。
【０４４２】
また、画素電極２９１４の端部、駆動トランジスタ２９１９及び容量素子２９２０を覆うように絶縁層２９１５が形成されている。
【０４４３】
画素電極２９１４及び絶縁層２９１５上には有機化合物を含む層２９１６及び対向電極２９１７が形成され、画素電極２９１４と対向電極２９１７とで有機化合物を含む層２９１６が挟まれた領域では発光素子２９１８が形成されている。
【０４４４】
容量素子の第２の電極の一部となる半導体層２９０７及びＮ型半導体層２９１０は設けなくても良い。つまり第２の電極は導電層２９１３とし、第１の電極２９０４と導電層２９１３でゲート絶縁膜が挟まれた構造の容量素子としてもよい。
【０４４５】
なお、図２９（ａ）において、配線２９１１を形成する前に画素電極２９１４を形成することで、図２９（ｂ）に示すような、画素電極２９１４からなる第２の電極２９２１と第１の電極２９０４でゲート絶縁膜２９０５が挟まれた構造の容量素子２９２０を形成することができる。
【０４４６】
なお、図２９では、逆スタガ型のチャネルエッチ構造のトランジスタについて示したが、もちろんチャネル保護構造のトランジスタでも良い。チャネル保護構造のトランジスタの場合について、図３０（ａ）、（ｂ）を用いて説明する。
【０４４７】
図３０（ａ）に示すチャネル保護型構造のトランジスタは図２９（ａ）に示したチャネルエッチ構造の駆動トランジスタ２９１９の半導体層２９０６のチャネルが形成される領域上にエッチングのマスクとなる絶縁層３００１が設けられている点が異なり、他の共通しているところは共通の符号を用いている。
【０４４８】
また、同様に、図３０（ｂ）に示すチャネル保護型構造のトランジスタは図２９（ｂ）に示したチャネルエッチ構造の駆動トランジスタ２９１９の半導体層２９０６のチャネルが形成される領域上にエッチングのマスクとなる絶縁層３００１が設けられている点が異なり、他の共通しているところは共通の符号を用いている。
【０４４９】
本発明の画素を構成するトランジスタの半導体層（チャネル形成領域やソース領域やドレイン領域など）に非晶質半導体膜を用いることで、製造コストを削減することができる。例えば、図６や図７に示す画素構成を用いることで非晶質半導体膜を適用することが可能である。
【０４５０】
なお、本発明の画素構成の適用することができるトランジスタの構造や、容量素子の構造は上述した構成に限られず、さまざまな構成のトランジスタの構造や、容量素子の構造のものを用いることができる。
【０４５１】
なお、本実施例で述べた内容は実施例１で述べた内容と自由に組み合わせて実施することができる。
【実施例３】
【０４５２】
本実施例では、トランジスタを始めとする表示装置を作製する方法として、プラズマ処理を用いて表示装置を作製する方法について説明する。
【０４５３】
図３１は、トランジスタを含む表示装置の構造例を示した図である。なお、図３１において、図３１（Ｂ）は図３１（Ａ）のａ−ｂ間の断面図に相当し、図３１（Ｃ）は図３１（Ａ）のｃ−ｄ間の断面図に相当する。
【０４５４】
図３１に示す表示装置は、基板４６０１上に絶縁膜４６０２を介して設けられた半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂと、当該半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂ上にゲート絶縁膜４６０４を介して設けられたゲート電極４６０５と、ゲート電極を覆って設けられた絶縁膜４６０６、４６０７と、半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂのソース領域またはドレイン領域と電気的に接続し且つ絶縁膜４６０７上に設けられた導電膜４６０８とを有している。なお、図３１においては、半導体膜４６０３ａの一部をチャネル領域として用いたＮチャネル型トランジスタ４６１０ａと半導体膜４６０３ｂの一部をチャネル領域として用いたＰチャネル型トランジスタ４６１０ｂとを設けた場合を示しているが、この構成に限られない。例えば、図３１では、Ｎチャネル型トランジスタ４６１０ａにＬＤＤ領域４６１１を設け、Ｐチャネル型トランジスタ４６１０ｂにはＬＤＤ領域を設けていないが、両方に設けた構成としてもよいし両方に設けない構成とすることも可能である。
【０４５５】
なお、本実施例では、上記基板４６０１、絶縁膜４６０２、半導体膜４６０３ａおよび４６０３ｂ、ゲート絶縁膜４６０４、絶縁膜４６０６または絶縁膜４６０７のうち少なくともいずれか一層に、プラズマ処理を用いて酸化または窒化を行うことにより半導体膜または絶縁膜を酸化または窒化することによって、図３１に示した表示装置を作製する。このように、プラズマ処理を用いて半導体膜または絶縁膜を酸化または窒化することによって、当該半導体膜または絶縁膜の表面を改質し、ＣＶＤ法やスパッタ法により形成した絶縁膜と比較してより緻密な絶縁膜を形成することができるため、ピンホール等の欠陥を抑制し表示装置の特性等を向上させることが可能となる。
【０４５６】
なお、本実施例では、上記図３１における半導体膜４６０３ａおよび４６０３ｂまたはゲート絶縁膜４６０４にプラズマ処理を行い、当該半導体膜４６０３ａおよび４６０３ｂまたはゲート絶縁膜４６０４を酸化または窒化することによって表示装置を作製する方法について図面を参照して説明する。
【０４５７】
はじめに、基板上に設けられた島状の半導体膜において、当該島状の半導体膜の端部を直角に近い形状で設ける場合について示す。
【０４５８】
まず、基板４６０１上に島状の半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂを形成する（図３２（Ａ））。島状の半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂは、基板４６０１上にあらかじめ形成された絶縁膜４６０２上にスパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等を用いてシリコン（Ｓｉ）を主成分とする材料（例えばＳｉｘＧｅ１−ｘ等）等を用いて非晶質半導体膜を形成し、当該非晶質半導体膜を結晶化させ、半導体膜を選択的にエッチングすることにより設けることができる。なお、非晶質半導体膜の結晶化は、レーザ結晶化法、ＲＴＡ又はファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法またはこれら方法を組み合わせた方法等の結晶化法により行うことができる。なお、図３２では、島状の半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂの端部を直角に近い形状（θ＝８５〜１００°）で設ける。
【０４５９】
次に、プラズマ処理を行い半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂを酸化または窒化することによって、当該半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂの表面にそれぞれ酸化膜または絶縁膜４６２１ａ、４６２１ｂ（以下、絶縁膜４６２１ａ、絶縁膜４６２１ｂとも記す）を形成する（図３２（Ｂ））。例えば、半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂとしてＳｉを用いた場合、絶縁膜４６２１ａおよび絶縁膜４６２１ｂとして、酸化珪素または窒化珪素が形成される。また、プラズマ処理により半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂを酸化させた後に、再度プラズマ処理を行うことによって窒化させてもよい。この場合、半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂに接して酸化珪素が形成され、当該酸化珪素の表面に窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ、ｘ＞ｙ）が形成される。なお、プラズマ処理により半導体膜を酸化する場合には、酸素雰囲気下（例えば、酸素（Ｏ２）と希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一つを含む）雰囲気下または酸素と水素（Ｈ２）と希ガス雰囲気下または一酸化二窒素と希ガス雰囲気下）でプラズマ処理を行う。一方、プラズマ処理により半導体膜を窒化する場合には、窒素雰囲気下（例えば、窒素（Ｎ２）と希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一つを含む）雰囲気下または窒素と水素と希ガス雰囲気下またはＮＨ３と希ガス雰囲気下）でプラズマ処理を行う。希ガスとしては、例えばＡｒを用いることができる。また、ＡｒとＫｒを混合したガスを用いてもよい。そのため、絶縁膜４６２１ａ、４６２１ｂは、プラズマ処理に用いた希ガス（Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅの少なくとも一つを含む）を含んでおり、Ａｒを用いた場合には絶縁膜４６２１ａ、４６２１ｂにＡｒが含まれている。
【０４６０】
また、プラズマ処理は、上記ガスの雰囲気中において、電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上１×１０１３ｃｍ−３以下であり、プラズマの電子温度が０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下で行う。プラズマの電子密度が高密度であり、基板４６０１上に形成された被処理物（ここでは、半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂ）付近での電子温度が低いため、被処理物に対するプラズマによる損傷を防止することができる。また、プラズマの電子密度が１×１０１１ｃｍ−３以上と高密度であるため、プラズマ処理を用いて、被照射物を酸化または窒化することよって形成される酸化物または窒化膜は、ＣＶＤ法やスパッタ法等により形成された膜と比較して膜厚等が均一性に優れ、且つ緻密な膜を形成することができる。また、プラズマの電子温度が１ｅＶ以下と低いため、従来のプラズマ処理や熱酸化法と比較して低温度で酸化または窒化処理を行うことができる。たとえば、ガラス基板の歪点温度よりも１００度以上低い温度でプラズマ処理を行っても十分に酸化または窒化処理を行うことができる。なお、プラズマを形成するための周波数としては、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ）等の高周波を用いることができる。なお、以下に特に断らない場合は、プラズマ処理として上記条件を用いて行うものとする。
【０４６１】
次に、絶縁膜４６２１ａ、４６２１ｂを覆うようにゲート絶縁膜４６０４を形成する（図３２（Ｃ））。ゲート絶縁膜４６０４はスパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等を用いて、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ、ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ、ｘ＞ｙ）等の酸素または窒素を有する絶縁膜の単層構造、またはこれらの積層構造で設けることができる。例えば、半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂとしてＳｉを用い、プラズマ処理により当該Ｓｉを酸化させることによって当該半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂ表面に絶縁膜４６２１ａ、４６２１ｂとして酸化珪素を形成した場合、当該絶縁膜４６２１ａ、４６２１ｂ上にゲート絶縁膜として酸化珪素を形成する。また、上記図３２（Ｂ）において、プラズマ処理により半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂを酸化または窒化することによって形成された絶縁膜４６２１ａ、４６２１ｂの膜厚が十分である場合には、当該絶縁膜４６２１ａ、４６２１ｂをゲート絶縁膜として用いることも可能である。
【０４６２】
次に、ゲート絶縁膜４６０４上にゲート電極４６０５等を形成することによって、島状の半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂをチャネル領域として用いたＮチャネル型トランジスタ４６１０ａ、Ｐチャネル型トランジスタ４６１０ｂを有する表示装置を作製することができる（図３２（Ｄ））。
【０４６３】
このように、半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂ上にゲート絶縁膜４６０４を設ける前に、プラズマ処理により半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂの表面を酸化または窒化することによって、チャネル領域の端部４６５１ａ、４６５１ｂ等におけるゲート絶縁膜４６０４の被覆不良に起因するゲート電極と半導体膜のショート等を防止することができる。つまり、島状の半導体膜の端部が直角に近い形状（θ＝８５〜１００°）を有する場合には、ＣＶＤ法やスパッタ法等により半導体膜を覆うようにゲート絶縁膜を形成した際に、半導体膜の端部においてゲート絶縁膜の段切れ等による被覆不良の問題が生じる恐れがあるが、あらかじめ半導体膜の表面にプラズマ処理を用いて酸化または窒化しておくことによって、半導体膜の端部におけるゲート絶縁膜の被覆不良等を防止することが可能となる。
【０４６４】
また、上記図３２において、ゲート絶縁膜４６０４を形成した後にプラズマ処理を行うことによって、ゲート絶縁膜４６０４を酸化または窒化させてもよい。この場合、半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂを覆うように形成されたゲート絶縁膜４６０４（図３３（Ａ））にプラズマ処理を行い、ゲート絶縁膜４６０４を酸化または窒化することによって、ゲート絶縁膜４６０４の表面に酸化膜または窒化膜（以下、絶縁膜４６２３とも記す）を形成する（図３３（Ｂ））。プラズマ処理の条件は、上記図３２（Ｂ）と同様に行うことができる。また、絶縁膜４６２３は、プラズマ処理に用いた希ガスを含んでおり、例えばＡｒを用いた場合には絶縁膜４６２３にＡｒが含まれている。
【０４６５】
また、図３３（Ｂ）において、一旦酸素雰囲気下でプラズマ処理を行うことによりゲート絶縁膜４６０４を酸化させた後に、再度窒素雰囲気下でプラズマ処理を行うことにより窒化させてもよい。この場合、半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂ側に酸化珪素または酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ、ｘ＞ｙ）が形成され、ゲート電極４６０５に接して窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ、ｘ＞ｙ）が形成される。その後、絶縁膜４６２３上にゲート電極４６０５等を形成することによって、島状の半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂをチャネル領域として用いたＮチャネル型トランジスタ４６１０ａ、Ｐチャネル型トランジスタ４６１０ｂを有する表示装置を作製することができる（図３３（Ｃ））。このように、ゲート絶縁膜にプラズマ処理を行うことにより、当該ゲート絶縁膜の表面を酸化または窒化することによって、ゲート絶縁膜の表面を改質し緻密な膜を形成することができる。プラズマ処理を行うことによって得られた絶縁膜は、ＣＶＤ法やスパッタ法で形成された絶縁膜と比較して緻密でピンホール等の欠陥も少ないため、トランジスタの特性を向上させることができる。
【０４６６】
なお、図３３においては、あらかじめ半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂにプラズマ処理を行うことによって、当該半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂの表面を酸化または窒化させた場合を示したが、半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂにプラズマ処理を行わずにゲート絶縁膜４６０４を形成した後にプラズマ処理を行う方法を用いてもよい。このように、ゲート電極を形成する前にプラズマ処理を行うことによって、半導体膜の端部においてゲート絶縁膜の段切れ等による被覆不良が生じた場合であっても、被覆不良により露出した半導体膜を酸化または窒化することができるため、半導体膜の端部におけるゲート絶縁膜の被覆不良に起因するゲート電極と半導体膜のショート等を防止することができる。
【０４６７】
このように、島状の半導体膜の端部を直角に近い形状で設けた場合であっても、半導体膜またはゲート絶縁膜にプラズマ処理を行い、当該半導体膜またはゲート絶縁膜を酸化または窒化することによって、半導体膜の端部におけるゲート絶縁膜の被覆不良に起因するゲート電極と半導体膜のショート等を防止することができる。
【０４６８】
次に、基板上に設けられた島状の半導体膜において、当該島状の半導体膜の端部をテーパー形状（θ＝３０〜８５°）で設ける場合について示す。
【０４６９】
まず、基板４６０１上に島状の半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂを形成する（図３４（Ａ））。島状の半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂは、基板４６０１上にあらかじめ形成された絶縁膜４６０２上にスパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等を用いてシリコンを主成分とする材料（例えばＳｉｘＧｅ１−ｘ等）等を用いて非晶質半導体膜を形成し、当該非晶質半導体膜をレーザ結晶化法、ＲＴＡ又はファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法などの結晶化法により結晶化させ、選択的に半導体膜をエッチングして除去することにより設けることができる。なお、図３４では、島状の半導体膜の端部をテーパー形状（θ＝３０〜８５°）で設ける。
【０４７０】
次に、半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂを覆うようにゲート絶縁膜４６０４を形成する（図３４（Ｂ））。ゲート絶縁膜４６０４はスパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等を用いて、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ、ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ、ｘ＞ｙ）等の酸素または窒素を有する絶縁膜の単層構造、またはこれらの積層構造で設けることができる。
【０４７１】
次に、プラズマ処理を行いゲート絶縁膜４６０４を酸化または窒化することによって、当該ゲート絶縁膜４６０４の表面にそれぞれ酸化膜または窒化膜（以下、絶縁膜４６２４とも記す）を形成する（図３４（Ｃ））。なお、プラズマ処理の条件は上記と同様に行うことができる。例えば、ゲート絶縁膜４６０４として酸化珪素または酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ、ｘ＞ｙ）を用いた場合、酸素雰囲気下でプラズマ処理を行いゲート絶縁膜４６０４を酸化することによって、ゲート絶縁膜の表面にはＣＶＤ法やスパッタ法等により形成されたゲート絶縁膜と比較してピンホール等の欠陥の少ない緻密な膜を形成することができる。一方、窒素雰囲気下でプラズマ処理を行いゲート絶縁膜４６０４を窒化することによって、ゲート絶縁膜４６０４の表面に絶縁膜４６２４として窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ、ｘ＞ｙ）を設けることができる。また、一旦酸素雰囲気下でプラズマ処理を行うことによりゲート絶縁膜４６０４を酸化させた後に、再度窒素雰囲気下でプラズマ処理を行うことにより窒化させてもよい。また、絶縁膜４６２４は、プラズマ処理に用いた希ガスを含んでおり、例えばＡｒを用いた場合には絶縁膜４６２４中にＡｒが含まれている。
【０４７２】
次に、ゲート絶縁膜４６０４上にゲート電極４６０５等を形成することによって、島状の半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂをチャネル領域として用いたＮチャネル型トランジスタ４６１０ａ、Ｐチャネル型トランジスタ４６１０ｂを有する表示装置を作製することができる（図３４（Ｄ））。
【０４７３】
このように、ゲート絶縁膜にプラズマ処理を行うことにより、ゲート絶縁膜の表面に酸化膜または窒化膜からなる絶縁膜を設け、ゲート絶縁膜の表面の改質をすることができる。プラズマ処理を行うことによって酸化または窒化された絶縁膜は、ＣＶＤ方やスパッタ法で形成されたゲート絶縁膜と比較して緻密でピンホール等の欠陥も少ないため、トランジスタの特性を向上させることができる。また、半導体膜の端部をテーパー形状とすることによって、半導体膜の端部におけるゲート絶縁膜の被覆不良に起因するゲート電極と半導体膜のショート等を抑制することができるが、ゲート絶縁膜を形成した後にプラズマ処理を行うことによって、より一層ゲート電極と半導体膜のショート等を防止することができる。
【０４７４】
次に、図３４とは、異なる表示装置の作製方法に関して図面を参照して説明する。具体的には、テーパー形状を有する半導体膜の端部に選択的にプラズマ処理を行う場合に関して示す。
【０４７５】
まず、基板４６０１上に島状の半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂを形成する（図３５（Ａ））。島状の半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂは、基板４６０１上にあらかじめ形成された絶縁膜４６０２上にスパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等を用いてシリコンを主成分とする材料（例えばＳｉｘＧｅ１−ｘ等）等を用いて非晶質半導体膜を形成し、当該非晶質半導体膜を結晶化させ、レジスト４６２５ａ、４６２５ｂをマスクとして半導体膜を選択的にエッチングすることにより設けることができる。なお、非晶質半導体膜の結晶化は、レーザ結晶化法、ＲＴＡ又はファーネスアニール炉を用いる熱結晶化法、結晶化を助長する金属元素を用いる熱結晶化法またはこれら方法を組み合わせた方法等の結晶化法により行うことができる。
【０４７６】
次に、半導体膜のエッチングのために使用したレジスト４６２５ａ、４６２５ｂを除去する前に、プラズマ処理を行い島状の半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂの端部を選択的に酸化または窒化することによって、当該半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂの端部にそれぞれ酸化膜または窒化膜（以下、絶縁膜４６２６とも記す）を形成する（図３５（Ｂ））。プラズマ処理は、上述した条件下で行う。また、絶縁膜４６２６は、プラズマ処理に用いた希ガスを含んでいる。
【０４７７】
次に、半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂを覆うようにゲート絶縁膜４６０４を形成する（図３５（Ｃ））。ゲート絶縁膜４６０４は、上記と同様に設けることができる。
【０４７８】
次に、ゲート絶縁膜４６０４上にゲート電極４６０５等を形成することによって、島状の半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂをチャネル領域として用いたＮチャネル型トランジスタ４６１０ａ、Ｐチャネル型トランジスタ４６１０ｂを有する表示装置を作製することができる（図３５（Ｄ））。
【０４７９】
半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂの端部をテーパー形状に設けた場合、半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂの一部に形成されるチャネル領域の端部４６５２ａ、４６５２ｂもテーパー形状となり半導体膜の膜厚やゲート絶縁膜の膜厚が中央部分と比較して変化するため、トランジスタの特性に影響を及ぼす場合がある。そのため、ここではプラズマ処理によりチャネル領域の端部を選択的に酸化または窒化して、当該チャネル領域の端部となる半導体膜に絶縁膜を形成することによって、チャネル領域の端部に起因するトランジスタへの影響を低減することができる。
【０４８０】
なお、図３５では、半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂの端部に限ってプラズマ処理により酸化または窒化を行った例を示したが、もちろん上記図３４で示したようにゲート絶縁膜４６０４にもプラズマ処理を行って酸化または窒化させることも可能である（図３７（Ａ））。
【０４８１】
次に、上記とは異なる表示装置の作製方法に関して図面を参照して説明する。具体的には、テーパー形状を有する半導体膜にプラズマ処理を行う場合に関して示す。
【０４８２】
まず、基板４６０１上に上記と同様に島状の半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂを形成する（図３６（Ａ））。
【０４８３】
次に、プラズマ処理を行い半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂを酸化または窒化することによって、当該半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂの表面にそれぞれ酸化膜または窒化膜（以下、絶縁膜４６２７ａ、絶縁膜４６２７ｂとも記す）を形成する（図３６（Ｂ））。プラズマ処理は上述した条件下で同様に行うことができる。例えば、半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂとしてＳｉを用いた場合、絶縁膜４６２７ａおよび絶縁膜４６２７ｂとして、酸化珪素または窒化珪素が形成される。また、プラズマ処理により半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂを酸化させた後に、再度プラズマ処理を行うことによって窒化させてもよい。この場合、半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂに接して酸化珪素または酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ、ｘ＞ｙ）が形成され、当該酸化珪素の表面に窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ、ｘ＞ｙ）が形成される。そのため、絶縁膜４６２７ａ、４６２７ｂは、プラズマ処理に用いた希ガスを含んでいる。なお、プラズマ処理を行うことにより半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂの端部も同時に酸化または窒化される。
【０４８４】
次に、絶縁膜４６２７ａ、４６２７ｂを覆うようにゲート絶縁膜４６０４を形成する（図３６（Ｃ））。ゲート絶縁膜４６０４はスパッタ法、ＬＰＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等を用いて、酸化珪素、窒化珪素、酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ、ｘ＞ｙ）、窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ、ｘ＞ｙ）等の酸素または窒素を有する絶縁膜の単層構造、またはこれらの積層構造で設けることができる。例えば、半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂとしてＳｉを用いてプラズマ処理により酸化させることによって、当該半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂ表面に絶縁膜４６２７ａ、４６２７ｂとして酸化珪素を形成した場合、当該絶縁膜４６２７ａ、４６２７ｂ上にゲート絶縁膜として酸化珪素を形成する。
【０４８５】
次に、ゲート絶縁膜４６０４上にゲート電極４６０５等を形成することによって、島状の半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂをチャネル領域として用いたＮチャネル型トランジスタ４６１０ａ、Ｐチャネル型トランジスタ４６１０ｂを有する表示装置を作製することができる（図３６（Ｄ））。
【０４８６】
半導体膜の端部をテーパー形状に設けた場合、半導体膜の一部に形成されるチャネル領域の端部もテーパー形状となるため、半導体素子の特性に影響を及ぼす場合がある。そのため、プラズマ処理により半導体膜を酸化または窒化することによって、結果的にチャネル領域の端部も酸化または窒化されるため半導体素子への影響を低減することができる。
【０４８７】
なお、図３６では、半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂに限ってプラズマ処理により酸化または窒化を行った例を示したが、もちろん上記図３４で示したようにゲート絶縁膜４６０４にプラズマ処理を行って酸化または窒化させることも可能である（図３７（Ｂ））。この場合、一旦酸素雰囲気下でプラズマ処理を行うことによりゲート絶縁膜４６０４を酸化させた後に、再度窒素雰囲気下でプラズマ処理を行うことにより窒化させてもよい。この場合、半導体膜４６０３ａ、４６０３ｂ側に酸化珪素または酸化窒化珪素（ＳｉＯｘＮｙ、ｘ＞ｙ）が形成され、ゲート電極４６０５に接して窒化酸化珪素（ＳｉＮｘＯｙ、ｘ＞ｙ）が形成される。
【０４８８】
また、上述したようにプラズマ処理を行うことによって、半導体膜や絶縁膜に付着したゴミ等の不純物の除去を容易に行うことができる。一般的に、ＣＶＤ法やスパッタ法等により形成された膜にはゴミ（パーティクルともいう）が付着していることがある。例えば、図３８（Ａ）に示すように、絶縁膜または導電膜または半導体膜等の膜４６７１上にＣＶＤ法やスパッタ法等により形成された絶縁膜４６７２上にゴミ４６７３が形成される場合がある。このような場合であっても、プラズマ処理を行い絶縁膜４６７２を酸化または窒化することによって、絶縁膜４６７２の表面に酸化膜または窒化膜（以下、絶縁膜４６７４ともいう）が形成される。絶縁膜４６７４は、ゴミ４６７３が存在しない部分のみならず、ゴミ４６７３の下側の部分にも回り込むように酸化または窒化されることによって、絶縁膜４６７４の体積が増加する。一方、ゴミ４６７３の表面もプラズマ処理によって酸化または窒化され絶縁膜４６７５が形成され、その結果ゴミ４６７３の体積も増加する図３８（Ｂ）。
【０４８９】
このとき、ゴミ４６７３は、ブラシ洗浄等の簡単な洗浄により、絶縁膜４６７４の表面から容易に除去される状態になる。このように、プラズマ処理を行うことによって、当該絶縁膜または半導体膜に付着した微細なゴミであっても当該ゴミの除去が容易になる。なお、これはプラズマ処理を行うことによって得られる効果であり、本実施形態のみならず、他の実施形態においても同様のことがいえる。
【０４９０】
このように、プラズマ処理を行い半導体膜またはゲート絶縁膜を酸化または窒化して表面を改質することにより、緻密で膜質のよい絶縁膜を形成することができる。また、絶縁膜の表面に付着したゴミ等を洗浄によって、容易に除去することが可能となる。その結果、絶縁膜を薄く形成する場合であってもピンホール等の欠陥を防止し、トランジスタ等の半導体素子の微細化および高性能化を実現することが達成できる。
【０４９１】
なお、本実施例では、上記図３１における半導体膜４６０３ａおよび４６０３ｂまたはゲート絶縁膜４６０４にプラズマ処理を行い、当該半導体膜４６０３ａおよび４６０３ｂまたはゲート絶縁膜４６０４を酸化または窒化を行ったが、プラズマ処理を用いて酸化または窒化を行う層は、これに限定されない。例えば、基板４６０１または絶縁膜４６０２にプラズマ処理を行ってもよいし、絶縁膜４６０６または絶縁膜４６０７にプラズマ処理を行ってもよい。
【０４９２】
なお、本実施例で述べた内容は実施例１又は実施例２で述べた内容と自由に組み合わせて実施することができる。
【実施例４】
【０４９３】
本実施例では、トランジスタを始めとする表示装置を作製するプロセスとして、ハーフトーン方式について説明する。
【０４９４】
図３９はトランジスタ、容量素子、抵抗素子を含む表示装置の断面構造を示す図である。図３９は、Ｎチャネル型トランジスタ５４０１、Ｎチャネル型トランジスタ５４０２、容量素子５４０４、抵抗素子５４０５、Ｐチャネル型トランジスタ５４０３が示されている。各トランジスタは半導体層５５０５、絶縁層５５０８、ゲート電極５５０９を備えている。ゲート電極５５０９は、第１導電層５５０３と第２導電層５５０２の積層構造で形成されている。なお、ここで半導体層５５０５とゲート電極５５０９とに挟まれた絶縁層５５０８はゲート絶縁層として機能する。また、図４０（Ａ）〜（Ｅ）は、図３９で示すトランジスタ、容量素子、抵抗素子に対応する上面図であり、合わせて参照することができる。
【０４９５】
図３９において、Ｎチャネル型トランジスタ５４０１は、チャネル長方向（キャリアの流れる方向）において、半導体層５５０５に不純物領域５５０６と、その不純物濃度よりも低濃度にドープされた不純物領域５５０７が形成されている。ここで不純物領域５５０６は、ソース領域又はドレイン領域として機能し、配線５５０４と電気的に接続される。なお、不純物領域５５０７は低濃度ドレイン（ＬＤＤ）とも呼ばれる。不純物領域５５０６と不純物領域５５０７には、Ｎチャネル型トランジスタ５４０１を構成する場合、Ｎ型を付与する不純物としてリンなどが添加されている。ＬＤＤはホットエレクトロン劣化や短チャネル効果を抑制する手段として形成される。
【０４９６】
図４０（Ａ）で示すように、Ｎチャネル型トランジスタ５４０１のゲート電極５５０９において、第１導電層５５０３は、第２導電層５５０２の両側に広がって形成されている。この場合において、第１導電層５５０３の膜厚は、第２導電層の膜厚よりも薄く形成されている。第１導電層５５０３の厚さは、１０〜１００ｋＶの電界で加速されたイオン種を通過させることが可能な厚さに形成されている。不純物領域５５０７はゲート電極５５０９の第１導電層５５０３と重なるように形成されている。すなわち、ゲート電極５５０９とオーバーラップするＬＤＤ領域を形成している。この構造は、ゲート電極５５０９において、第２導電層５５０２をマスクとして、第１導電層５５０３を通して一導電型の不純物を添加することにより、自己整合的に不純物領域５５０７を形成している。すなわち、ゲート電極とオーバーラップするＬＤＤを自己整合的に形成している。
【０４９７】
図３９において、Ｎチャネル型トランジスタ５４０２は、半導体層５５０５にソース領域又はドレイン領域として機能する不純物領域５５０６と、その不純物濃度よりも低濃度にドープされた不純物領域５５０７が形成されている。不純物領域５５０７は、チャネル形成領域の片側に、不純物領域５５０６と接するように設けられている。図４０（Ｂ）で示すように、Ｎチャネル型トランジスタ５４０２のゲート電極５５０９において、第１導電層５５０３は、第２導電層５５０２の片側に広がって形成されている。この場合も同様に、第２導電層５５０２をマスクとして、第１導電層５５０３を通して一導電型の不純物を添加することにより、自己整合的にＬＤＤを形成することができる。
【０４９８】
チャネル形成領域の片側にＬＤＤを有するトランジスタは、ソース電極及びドレイン電極間に正電圧のみ、もしくは負電圧のみが印加されるトランジスタに適用すればよい。具体的には、インバータ回路、ＮＡＮＤ回路、ＮＯＲ回路、ラッチ回路といった論理ゲートを構成するトランジスタや、センスアンプ、定電圧発生回路、ＶＣＯといったアナログ回路を構成するトランジスタに適用すればよい。
【０４９９】
図３９において、容量素子５４０４は、第１導電層５５０３と半導体層５５０５とで絶縁層５５０８を挟んで形成されている。容量素子５４０４を形成する半導体層５５０５には、不純物領域５５１０と不純物領域５５１１を備えている。不純物領域５５１１は、半導体層５５０５において第１導電層５５０３と重なる位置に形成される。また、不純物領域５５１０は配線５５０４とコンタクトを形成する。不純物領域５５１１は、第１導電層５５０３を通して一導電型の不純物を添加することができるので、不純物領域５５１０と不純物領域５５１１に含まれる不純物濃度は同じにすることもできるし、異ならせることも可能である。いずれにしても、容量素子５４０４において、半導体層５５０５は電極として機能させるので、一導電型の不純物を添加して低抵抗化しておくことが好ましい。また、第１導電層５５０３は、図４０（Ｃ）に示すように、第２導電層５５０２を補助的な電極として利用することにより、電極として十分に機能させることができる。このように、第１導電層５５０３と第２導電層５５０２を組み合わせた複合的な電極構造とすることにより、容量素子５４０４を自己整合的に形成することができる。
【０５００】
図３９において、抵抗素子５４０５は、第１導電層５５０３によって形成されている。第１導電層５５０３は３０〜１５０ｎｍ程度の厚さに形成されるので、その幅や長さを適宜設定して抵抗素子を構成することができる。
【０５０１】
抵抗素子は、高濃度に不純物元素を含む半導体層や、膜厚の薄い金属層によって構成すればよい。抵抗値が膜厚、膜質、不純物濃度、活性化率などに依存する半導体層に対して、金属層は、膜厚、膜質で抵抗値が決定するため、ばらつきが小さく好ましい。抵抗素子５４０５の上面図を図４０（Ｅ）に示す。
【０５０２】
図３９において、Ｐチャネル型トランジスタ５４０３は、半導体層５５０５に不純物領域５５１２を備えている。この不純物領域５５１２は、配線５５０４とコンタクトを形成するソース領域又はドレイン領域を形成する。ゲート電極５５０９の構成は第１導電層５５０３と第２導電層５５０２が重畳した構成となっている。Ｐチャネル型トランジスタ５４０３はＬＤＤを設けないシングルドレイン構造のトランジスタである。Ｐチャネル型トランジスタ５４０３を形成する場合、不純物領域５５１２にはＰ型を付与する不純物として硼素などが添加される。一方、不純物領域５５１２にリンを添加すればシングルドレイン構造のＮチャネル型トランジスタとすることもできる。Ｐチャネル型トランジスタ５４０３の上面図を図４０（Ｅ）に示す。
【０５０３】
半導体層５５０５及び絶縁層５５０８の一方若しくは双方に対してマイクロ波で励起され、電子温度が２ｅＶ以下、イオンエネルギーが５ｅＶ以下、電子密度が１０１１〜１０１３ｃｍ−３程度である高密度プラズマ処理によって酸化又は窒化処理してもよい。このとき、基板温度を３００〜４５０℃とし、酸化雰囲気（Ｏ２、Ｎ２Ｏなど）又は窒化雰囲気（Ｎ２、ＮＨ３など）で処理することにより、半導体層５５０５と絶縁層５５０８の界面の欠陥準位を低減することができる。絶縁層５５０８対してこの処理を行うことにより、この絶縁層の緻密化を図ることができる。すなわち、荷電欠陥の生成を抑えトランジスタのしきい値電圧の変動を抑えることができる。また、トランジスタを３Ｖ以下の電圧で駆動させる場合には、このプラズマ処理により酸化若しくは窒化された絶縁層５５０８をゲート絶縁層として適用することができる。また、トランジスタの駆動電圧が３Ｖ以上の場合には、このプラズマ処理で半導体層５５０５の表面に形成した絶縁層とＣＶＤ法（プラズマＣＶＤ法若しくは熱ＣＶＤ法）で堆積した絶縁層とを組み合わせて絶縁層５５０８を形成することができる。また、同様にこの絶縁層は、容量素子５４０４の誘電体層としても利用することができる。この場合、このプラズマ処理で形成された絶縁層は、１〜１０ｎｍの厚さで形成され、緻密な膜であるので、大きな電荷容量を持つ容量素子を形成することができる。
【０５０４】
図３９及び図４０を参照して説明したように、膜厚の異なる導電層を組み合わせることにより、さまざまな構成の素子を形成することができる。第１導電層のみが形成される領域と、第１導電層と第２導電層が積層されている領域は、回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルを用いて形成することができる。すなわち、フォトリソグラフィー工程において、フォトレジストを露光する際に、フォトマスクの透過光量を調節して、現像されるレジストマスクの厚さを異ならせる。この場合、フォトマスクまたはレチクルに解像度限界以下のスリットを設けて上記複雑な形状を有するレジストを形成してもよい。また、現像後に約２００℃のベークを行ってフォトレジスト材料で形成されるマスクパターンを変形させてもよい。
【０５０５】
また、回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルを用いることにより、第１導電層のみが形成される領域と、第１導電層と第２導電層が積層されている領域を連続して形成することができる。図４０（Ａ）に示すように、第１導電層のみが形成される領域を半導体層上に選択的に形成することができる。このような領域は、半導体層上において有効であるが、それ以外の領域（ゲート電極と連続する配線領域）では必要がない。このフォトマスク若しくはレチクルを用いることにより、配線部分は、第１導電層のみの領域を作らないで済むので、配線密度を実質的に高めることができる。
【０５０６】
図３９及び図４０の場合には、第１導電層はタングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタルまたはモリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属、又は高融点金属を主成分とする合金もしくは化合物を３０〜５０ｎｍの厚さで形成する。また、第２導電層はタングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）またはモリブデン（Ｍｏ）などの高融点金属、又は高融点金属を主成分とする合金もしくは化合物で３００〜６００ｎｍの厚さに形成する。例えば、第１導電層と第２導電層をそれぞれ異なる導電材料を用い、後に行うエッチング工程でエッチングレートの差が生じるようにする。一例として、第１導電層をＴａＮを用い、第２導電層としてタングステン膜を用いることができる。
【０５０７】
本実施例では、回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルを用いて、電極構造の異なるトランジスタ、容量素子、抵抗素子を、同じパターニング工程によって作り分けることができることを示している。これにより、回路の特性に応じて、形態の異なる素子を、工程を増やすことなく作り込み、集積化することができる。
【０５０８】
なお、本実施例で述べた内容は、実施例１〜実施例３で述べた内容と自由に組み合わせて実施することができる。
【実施例５】
【０５０９】
本実施例では、トランジスタを始めとする表示装置を作製する際のマスクパターンの例について、図４１〜図４３を参照して説明する。
【０５１０】
図４１（Ａ）で示す半導体層５６１０、５６１１はシリコン若しくはシリコンを成分とする結晶性の半導体で形成することが好ましい。例えば、シリコン膜をレーザアニールなどによって結晶化された多結晶シリコン、単結晶シリコンなどが適用される。その他にも半導体特性を示す、金属酸化物半導体、アモルファスシリコン、有機半導体を適用することも可能である。
【０５１１】
いずれにしても、最初に形成する半導体層は絶縁表面を有する基板の全面若しくは一部（トランジスタの半導体領域として確定されるよりも広い面積を有する領域）に形成する。そして、フォトリソグラフィー技術によって、半導体層上にマスクパターンを形成する。そのマスクパターンを利用して半導体層をエッチング処理することにより、トランジスタのソース領域又はドレイン領域及びチャネル形成領域を含む特定形状の島状の半導体層５６１０、５６１１を形成する。その半導体層５６１０、５６１１はレイアウトの適切さを考慮して決められる。
【０５１２】
図４１（Ａ）で示す半導体層５６１０、５６１１を形成するためのフォトマスクは、図４１（Ｂ）に示すマスクパターン５６３０を備えている。このマスクパターン５６３０は、フォトリソグラフィー工程で用いるレジストがポジ型かネガ型かで異なる。ポジ型レジストを用いる場合には、図４１（Ｂ）で示すマスクパターン５６３０は、遮光部として作製される。マスクパターン５６３０は、多角形の頂部Ａを削除した形状となっている。また、屈曲部Ｂにおいては、その角部が直角とならないように複数段に渡って屈曲する形状となっている。このフォトマスクのパターンは、例えば、パターンの角部であって直角三角形の一辺が１０μｍ以下の大きさに角部を削除している。
【０５１３】
図４１（Ｂ）で示すマスクパターン５６３０は、その形状が、図４１（Ａ）で示す半導体層５６１０、５６１１に反映される。その場合、マスクパターン５６３０と相似の形状が転写されてもよいが、マスクパターン５６３０の角部がさらに丸みを帯びるように転写されていてもよい。すなわち、マスクパターン５６３０よりもさらにパターン形状をなめらかにした、丸め部を設けてもよい。
【０５１４】
半導体層５６１０、５６１１の上には、酸化シリコン若しくは窒化シリコンを少なくとも一部に含む絶縁層が形成される。この絶縁層を形成する目的の一つはゲート絶縁層である。そして、図４２（Ａ）で示すように、半導体層と一部が重なるようにゲート配線５７１２、５７１３、５７１４を形成する。ゲート配線５７１２は半導体層５６１０に対応して形成される。ゲート配線５７１３は半導体層５６１０、５６１１に対応して形成される。また、ゲート配線５７１４は半導体層５６１０、５６１１に対応して形成される。ゲート配線は、金属層又は導電性の高い半導体層を成膜し、フォトリソグラフィー技術によってその形状を絶縁層上に作り込む。
【０５１５】
このゲート配線を形成するためのフォトマスクは、図４２（Ｂ）に示すマスクパターン５７３１を備えている。このマスクパターン５７３１は、Ｌ字形に折れ曲がった各コーナー部（角部）であって、（直角三角形）の一辺が１０μｍ以下、または、配線の線幅の１／２以下で、線幅の１／５以上の長さに角部を削除している。図４２（Ｂ）で示すマスクパターン５７３１は、その形状が、図４２（Ａ）で示すゲート配線５７１２、５７１３、５７１４に反映される。その場合、マスクパターン５７３１と相似の形状が転写されてもよいが、マスクパターン５７３１の角部がさらに丸みを帯びるように転写されていてもよい。すなわち、マスクパターン５７３１よりもさらにパターン形状をなめらかにした、丸め部を設けてもよい。すなわち、ゲート配線５７１２、５７１３、５７１４の角部は、線幅の１／２以下であって１／５以上にコーナー部に丸みをおびさせる。具体的には、コーナー部の外周縁に丸みを帯びさせるため、コーナー部を挟む互いに垂直な２つの第１直線と、これら２つの第１直線と約４５度の角度をなす一つの第２直線と、で形成される直角２等辺三角形の部分に相当するマスクの一部を除去する。除去すると新たに２つの鈍角の部分がマスクに形成されるが、条件を適宜設定することにより、各鈍角部分に第１直線と第２直線との両方に接する曲線が形成されるようにマスクを設計することが好ましい。なお、前記直角２等辺三角形の互いに等しい２辺の長さは、マスクの１／５以上１／２以下とする。またコーナー部の内周についても、コーナー部の外周に沿って内周が丸みを帯びるよう形成する。凸部はプラズマによるドライエッチの際、異常放電による微粉の発生を抑え、凹部では、洗浄のときに、たとえできた微粉であっても、それが角に集まりやすいのを洗い流す結果として歩留まり向上が可能であるという効果を有する。
【０５１６】
層間絶縁層はゲート配線５７１２、５７１３、５７１４の次に形成される層である。層間絶縁層は酸化シリコンなどの無機絶縁材料若しくポリイミドやアクリル樹脂などを使った有機絶材料を使って形成する。この層間絶縁層とゲート配線５７１２、５７１３、５７１４の間には窒化シリコン若しくは窒化酸化シリコンなどの絶縁層を介在させてもよい。また、層間絶縁層上にも窒化シリコン若しくは窒化酸化シリコンなどの絶縁層を設けてもよい。この絶縁層は、外因性の金属イオンや水分などトランジスタにとっては良くない不純物により半導体層やゲート絶縁層を汚染するのを防ぐことができる。
【０５１７】
層間絶縁層には所定の位置に開口が形成されている。例えば、下層にあるゲート配線や半導体層に対応して設けられる。金属若しくは金属化合物の一層若しくは複数層で形成される配線層は、フォトリソグラフィー技術によってマスクパターンが形成され、エッチング加工により所定のパターンに形成される。そして、図４３（Ａ）で示すように、半導体層と一部が重なるように配線５８１５〜５８２０を形成する。配線はある特定の素子間を連結する。配線は特定の素子と素子の間を直線で結ぶのではなく、レイアウトの制約上屈曲部が含まれる。また、コンタクト部やその他の領域において配線幅が変化する。コンタクト部では、コンタクトホールが配線幅と同等若しくは大きい場合には、その部分で配線幅が広がるように変化する。
【０５１８】
この配線５８１５〜５８２０を形成するためのフォトマスクは、図４３（Ｂ）に示すマスクパターン５８３２を備えている。この場合において、配線は、そのコーナー部であって直角三角形の一辺が１０μｍ以下、または、配線の線幅の１／２以下で、線幅の１／５以上の長さに角部を削除し、コーナー部に丸みをおびるパターンを有せしめる。角部は、線幅の１／２以下で、１／５以上にコーナー部に丸みをおびさせる。このような配線は、凸部はプラズマによるドライエッチの際、異常放電による微粉の発生を抑え、凹部では、洗浄のときに、たとえできた微粉であっても、それが角に集まりやすいのを洗い流す結果として歩留まり向上が可能だあるという効果を有する。配線の角部がラウンドをとることにより、電気的にも伝導させることができる。また、多数の平行配線では、ゴミを洗い流すのにはきわめて好都合である。
【０５１９】
図４３（Ａ）には、Ｎチャネル型トランジスタ５８２１〜５８２４、Ｐチャネル型トランジスタ５８２５、５８２６が形成されている。Ｎチャネル型トランジスタ５８２３とＰチャネル型トランジスタ５８２５及びＮチャネル型トランジスタ５８２４とＰチャネル型トランジスタ５８２６はインバータ５８２７、５８２８を構成している。なお、この６つのトランジスタを含む回路はＳＲＡＭを形成している。これらのトランジスタの上層には、窒化シリコンや酸化シリコンなどの絶縁層が形成されていてもよい。
【０５２０】
なお、本実施例で述べた内容は、実施例１〜実施例４で述べた内容と自由に組み合わせて実施することができる。
【実施例６】
【０５２１】
本実施例では、画素の形成された基板の封止を行った構成について、図２５を用いて説明する。図２５（Ａ）は、画素の形成された基板を封止することによって形成されたパネルの上面図であり、図２５（Ｂ）、図２５（Ｃ）はそれぞれ図２５（Ａ）のＡ−Ａ’における断面図である。図２５（Ｂ）と図２５（Ｃ）とは、異なる方法で封止を行った例である。
【０５２２】
図２５（Ａ）乃至図２５（Ｃ）において、基板２５０１上には、複数の画素を有する画素部２５０２が配置され、画素部２５０２を囲むようにしてシール材２５０６が設けられシール材２５０７が貼り付けられている。画素の構造については、上述の発明を実施するための最良の形態や、実施例１で示した構成を用いることができる。
【０５２３】
図２５（Ｂ）の表示パネルでは、図２５（Ａ）のシール材２５０７は、対向基板２５２１に相当する。シール材２５０６を接着層として用いて透明な対向基板２５２１が貼り付けられ、基板２５０１、対向基板２５２１及びシール材２５０６によって密閉空間２５２２が形成される。対向基板２５２１には、カラーフィルタ２５２０と該カラーフィルタを保護する保護膜２５２３が設けられる。画素部２５０２に配置された発光素子から発せられる光は、該カラーフィルタ２５２０を介して外部に放出される。密閉空間２５２２は、不活性な樹脂もしくは液体などで充填される。なお、密閉空間２５２２に充填する樹脂として、吸湿材を分散させた透光性を有する樹脂を用いても良い。また、シール材２５０６と密閉空間２５２２に充填される材料とを同一の材料として、対向基板２５２１の接着と画素部２５０２の封止とを同時に行っても良い。
【０５２４】
図２５（Ｃ）に示した表示パネルでは、図２５（Ａ）のシール材２５０７は、シール材２５２４に相当する。シール材２５０６を接着層として用いてシール材２５２４が貼り付けられ、基板２５０１、シール材２５０６及びシール材２５２４によって密閉空間２５０８が形成される。シール材２５２４には予め凹部の中に吸湿剤２５０９が設けられ、上記密閉空間２５０８の内部において、水分や酸素等を吸着して清浄な雰囲気に保ち、発光素子の劣化を抑制する役割を果たす。この凹部は目の細かいメッシュ状のカバー材２５１０で覆われている。カバー材２５１０は空気や水分は通すが、吸湿剤２５０９は通さない。なお、密閉空間２５０８は、窒素もしくはアルゴン等の希ガスで充填しておけばよく、不活性であれば樹脂もしくは液体で充填することも可能である。
【０５２５】
基板２５０１上には、画素部２５０２等に信号を伝達するための入力端子部２５１１が設けられ、該入力端子部２５１１へはＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）２５１２を介して映像信号等の信号が伝達される。入力端子部２５１１では、基板２５０１上に形成された配線とＦＰＣ２５１２に設けられた配線とを、導電体を分散させた樹脂（異方性導電樹脂：ＡＣＦ）を用いて電気的に接続してある。
【０５２６】
画素部２５０２が形成された基板２５０１上に、画素部２５０２に信号を入力する駆動回路が一体形成されていても良い。画素部２５０２に信号を入力する駆動回路をＩＣチップで形成し、基板２５０１上にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）で接続しても良いし、ＩＣチップをＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）やプリント基板を用いて基板２５０１上に配置しても良い。
【０５２７】
本実施例は、実施例１〜実施例５と自由に組み合わせて実施することができる。
【実施例７】
【０５２８】
本発明は、パネルに、パネルに信号を入力する回路を実装した表示モジュールに適用することができる。
【０５２９】
図２６はパネル２６００と回路基板２６０４を組み合わせた表示モジュールを示している。図２６では、回路基板２６０４上にコントローラ２６０５や信号分割回路２６０６などが形成されている例を示した。回路基板２６０４上に形成される回路はこれに限定されない。パネルを制御する信号を生成する回路であればどのような回路が形成されていてもよい。
【０５３０】
回路基板２６０４上に形成されたこれらの回路から出力された信号は、接続配線２６０７によってパネル２６００に入力される。
【０５３１】
パネル２６００は、画素部２６０１と、ソースドライバ２６０２と、ゲートドライバ２６０３とを有する。パネル２６００の構成は、実施例１や実施例２等で示した構成と同様とすることができる。図２６では、画素部２６０１が形成された基板と同一基板上に、ソースドライバ２６０２及びゲートドライバ２６０３が形成されている例を示した。しかし、本発明の表示モジュールはこれに限定されない。画素部２６０１が形成された基板と同一基板上にゲートドライバ２６０３のみが形成され、ソースドライバは回路基板上に形成されていても良い。ソースドライバ及びゲートドライバの両方が回路基板上に形成されていても良い。
【０５３２】
このような表示モジュールを組み込んで、様々な電子機器の表示部を形成することができる。
【０５３３】
本実施例は、実施例１〜実施例６と自由に組み合わせて実施することができる。
【実施例８】
【０５３４】
本発明は、様々な電子機器に適用することができる。電子機器としては、カメラ（ビデオカメラ、デジタルカメラ等）、プロジェクター、ヘッドマウントディスプレイ（ゴーグル型ディスプレイ）、ナビゲーションシステム、カーステレオ、パーソナルコンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話または電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤｉｇｉｔａｌ  Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ  Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備えた装置）などが挙げられる。電子機器の例を図２７に示す。
【０５３５】
図２７（Ａ）は、ノート型パーソナルコンピュータであり、本体２７１１、筐体２７１２、表示部２７１３、キーボード２７１４、外部接続ポート２７１５、ポインティングマウス２７１６等を含む。本発明は、表示部２７１３に適用される。本発明を用いることによって、表示部の消費電力を低減することができる。
【０５３６】
図２７（Ｂ）は記録媒体を備えた画像再生装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２７２１、筐体２７２２、第１の表示部２７２３、第２の表示部２７２４、記録媒体読み込み部２７２５（ＤＶＤ等）、操作キー２７２６、スピーカー部２７２７等を含む。第１の表示部２７２３は主として画像情報を表示し、第２の表示部２７２４は主として文字情報を表示する。本発明は、第１の表示部２７２３、第２の表示部２７２４に適用される。本発明を用いることによって、表示部の消費電力を低減することができる。
【０５３７】
図２７（Ｃ）は携帯電話であり、本体２７３１、音声出力部２７３２、音声入力部２７３３、表示部２７３４、操作スイッチ２７３５、アンテナ２７３６等を含む。本発明は、表示部２７３４に適用される。本発明を用いることによって、表示部の消費電力を低減することができる。
【０５３８】
図２７（Ｄ）はカメラであり、本体２７４１、表示部２７４２、筐体２７４３、外部接続ポート２７４４、リモコン受信部２７４５、受像部２７４６、バッテリー２７４７、音声入力部２７４８、操作キー２７４９等を含む。本発明は、表示部２７４２に適用される。本発明を用いることによって、表示部の消費電力を低減することができる。
【０５３９】
本実施は、実施例１乃至実施例７と自由に組み合わせて実施することができる。
【実施例９】
【０５４０】
本実施例において、本発明の画素構成を用いた表示装置を表示部に用いた表示パネルを用いた応用例について、応用形態を図示し説明する。本発明の画素構成を用いた表示装置を表示部に用いた表示パネルは、移動体や建造物等と一体に設けられた構成をとることもできる。
【０５４１】
本発明の画素構成を用いた表示装置を表示部に有する表示パネルの例について、表示装置一体型の移動体をその一例として、図７７に示す。図７７（ａ）は、表示装置一体型の移動体の例として電車車両本体９７０１におけるドアのガラス戸のガラスに表示パネル９７０２を用いた例について示す。図７７（ａ）に示す本発明の画素構成を用いた表示装置を表示部に有する表示パネル９７０２は、外部からの信号により表示部で表示される画像の切り替えが容易である。そのため、電車の乗降客の客層が入れ替わる時間帯ごとに表示パネルの画像を切り替え、より効果的な広告効果が実現できる。
【０５４２】
なお、本発明の画素構成を用いた表示装置を表示部に有する表示パネルは、図７７（ａ）で示した電車車両本体におけるドアのガラスにのみ適用可能であることに限定されることなく、その形状を異ならせることにより、ありとあらゆる場所に適用可能である。図７７（ｂ）にその一例について説明する。
【０５４３】
図７７（ｂ）は、電車車両本体における車内の様子について図示したものである。図７７（ｂ）において、図７７（ａ）で示したドアのガラス戸の表示パネル９７０２の他に、ガラス窓に設けられた表示パネル９７０３、及び天井より吊り下げられた表示パネル９７０４を示す。本発明の画素構成を具備する表示パネル９７０３は、自発光型の表示素子を具備するため、混雑時には広告用の画像を表示し、混雑時以外には表示を行わないことで、電車からの外観をも見ることもできる。また、本発明の画素構成を具備する表示パネル９７０４はフィルム状の基板に有機トランジスタなどのスイッチング素子を設け、自発光型の表示素子を駆動することで、表示パネル自体を湾曲させて表示を行うことも可能である。
【０５４４】
また、本発明の画素構成を用いた表示装置を表示部に有する表示パネルを用いた表示装置一体型の移動体の応用例について、別の応用形態を図７８にて説明する。
【０５４５】
本発明の画素構成を用いた表示装置を表示部に有する表示パネルの例について、表示装置一体型の移動体をその一例として、図７８に示す。図７８は、表示装置一体型の移動体の例として自動車の車体９９０１に一体に取り付けられた表示パネル９９０２の例について示す。図７８に示す本発明の画素構成を用いた表示装置を表示部に有する表示パネル９９０２は、自動車の車体と一体に取り付けられており、車体の動作や車体内外から入力される情報をオンデマンドに表示したり、自動車の目的地までのナビゲーション機能をも有する。
【０５４６】
なお、本発明の画素構成を用いた表示装置を表示部に有する表示パネルは、図７８で示した車体のフロント部にのみ適用可能であることに限定されることなく、その形状を異ならせることにより、ガラス窓、ドアなどありとあらゆる場所に適用可能である。
【０５４７】
また、本発明の画素構成を用いた表示装置を表示部に有する表示パネルを用いた表示装置一体型の移動体の応用例について、別の応用形態を図７９にて説明する。
【０５４８】
本発明の画素構成を用いた表示装置を表示部に有する表示パネルの例について、表示装置一体型の移動体をその一例として、図７９に示す。図７９（ａ）は、表示装置一体型の移動体の例として飛行機車体１０１０１内の客席天井部に一体に取り付けられた表示パネル１０１０２の例について示す。図７９（ａ）に示す本発明の画素構成を用いた表示装置を表示部に有する表示パネル１０１０２は、飛行機車体１０１０１とヒンジ部１０１０３を介して一体に取り付けられており、ヒンジ部１０１０３により乗客は表示パネル１０１０２を移動し、視聴することが可能になる。表示パネル１０１０２は乗客が操作することで情報を表示したり、広告や娯楽手段として利用できる機能を有する。また、図７９（ｂ）に示すように、ヒンジ部を折り曲げて飛行機車体１０１０１に格納することにより、離着陸時の安全に配慮することができる。なお、緊急時に表示パネルの表示素子を点灯させることで、飛行機車体１０１０１の誘導灯としても利用可能である。
【０５４９】
なお、本発明の画素構成を用いた表示装置を表示部に有する表示パネルは、図７９で示した飛行機車体１０１０１の天井部にのみ適用可能であることに限定されることなく、その形状を異ならせることにより、座席やドアなどありとあらゆる場所に適用可能である。例えば座席前の座席後方に表示パネルを設け、操作・視聴を行う構成であってもよい。
【０５５０】
なお、本実施例において、移動体としては電車車両本体、自動車車体、飛行機車体について例示したがこれに限定されず、自動二輪車、自動四輪車（自動車、バス等を含む）、電車（モノレール、鉄道等を含む）、船舶等、多岐に渡る。本発明の画素構成を用いた表示部を有する表示パネルを適用することにより、表示パネルの小型化、低消費電力化を達成し、且つ動作が良好である表示媒体を具備する移動体を提供することができる。また特に、外部からの信号により、移動体内における表示パネルの表示を一斉に切り替えることが容易であるため、不特定多数の顧客を対象とした広告表示盤、また緊急災害時の情報表示板としても極めて有用であるといえる。
【０５５１】
また、本発明の画素構成を用いた表示装置を表示部に有する表示パネルを用いた応用例について、建造物に用いた応用形態を図８０にて用いて説明する。
【０５５２】
図８０は本発明の画素構成を用いた表示装置を表示部に有する表示パネルとして、フィルム状の基板に有機トランジスタなどのスイッチング素子を設け、自発光型の表示素子を駆動することにより表示パネル自身を湾曲させて表示可能な表示パネルとし、その応用例について説明する。図８０においては、建造物として電柱等の屋外に設けられた柱状体の有する曲面に表示パネルを具備し、ここでは柱状体として電柱９８０１に表示パネル９８０２を具備する構成について示す。
【０５５３】
図８０に示す表示パネル９８０２は、電柱の高さの真ん中あたりに位置させ、人間の視点より高い位置に設ける。そして移動体９８０３から表示パネルを視認することにより、表示パネル９８０２における画像を認識することができる。電柱のように屋外で繰り返し林立し、林立した電柱に設けた表示パネル９８０２において同じ映像を表示させることにより、視認者は情報表示、広告表示を視認することができる。図８０において電柱９８０１に設けられた表示パネル９８０２は、外部より同じ画像を表示させることが容易であるため、極めて効率的な情報表示、及び広告効果が実現できる。また、本発明の表示パネルには、表示素子として自発光型の表示素子を設けることで、夜間であっても、視認性の高い表示媒体として有用であるといえる。
【０５５４】
また、本発明の画素構成を用いた表示装置を表示部に有する表示パネルを用いた応用例について、図８０とは別の建造物の応用形態を図８１にて説明する。
【０５５５】
本発明の画素構成を用いた表示装置を表示部に有する表示パネルの応用例として、図８１に示す。図８１は、表示装置一体型の例としてユニットバス１０００１内の側壁に一体に取り付けられた表示パネル１０００２の例について示す。図８１に示す本発明の画素構成を用いた表示装置を表示部に有する表示パネル１０００２は、ユニットバス１０００１と一体に取り付けられており、入浴者は表示パネル１０００２の視聴が可能になる。表示パネル１０００２は入浴者が操作することで情報を表示したり、広告や娯楽手段として利用できる機能を有する。
【０５５６】
なお、本発明の画素構成を用いた表示装置を表示部に有する表示パネルは、図８１で示したユニットバス１０００１の側壁にのみ適用可能であることに限定されることなく、その形状を異ならせることにより、鏡面の一部や浴槽自体と一体にするなどありとあらゆる場所に適用可能である。
【０５５７】
また図８２に建造物内に大型の表示部を有するテレビジョン装置を設けた例について示す。図８２は、筐体２０１０、表示部２０１１、操作部であるリモコン装置２０１２、スピーカー部２０１３等を含む。本発明の画素構成を用いた表示装置を表示部に有する表示パネルは、表示部２０１１の作製に適用される。図８２のテレビジョン装置は、壁かけ型として建物と一体となっており、設置するスペースを広く必要とすることなく設置可能である。
【０５５８】
なお、本実施例において、建造物として、柱状体として電柱、ユニットバス等を例としたが、本実施例はこれに限定されず、表示パネルを備えることのできる建造物であれば何でもよい。本発明の画素構成を用いた表示部を有する表示装置を適用することにより、表示装置の小型化、低消費電力化を達成し、且つ動作が良好である表示媒体を具備する移動体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０５５９】
【図１】第１の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図２】第１の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図３】第２の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図４】第２の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図５】第３の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図６】第３の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図７】第３の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図８】第４の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図９】第５の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図１０】第６の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図１１】第７の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図１２】第８の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図１３】第９の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図１４】第１０の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図１５】第１１の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図１６】第１２の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図１７】第１３の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図１８】第１４の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図１９】第１５の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図２０】第１６の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図２１】第１７の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図２２】第１８の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図２３】第１９の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図２４】実施例１に係る表示装置を説明する図。
【図２５】実施例６に係る表示装置を説明する図。
【図２６】実施例７に係る表示装置を説明する図。
【図２７】実施例８に係る表示装置を説明する図。
【図２８】実施例２に係る表示装置を説明する図。
【図２９】実施例２に係る表示装置を説明する図。
【図３０】実施例２に係る表示装置を説明する図。
【図３１】実施例３に係る表示装置を説明する図。
【図３２】実施例３に係る表示装置を説明する図。
【図３３】実施例３に係る表示装置を説明する図。
【図３４】実施例３に係る表示装置を説明する図。
【図３５】実施例３に係る表示装置を説明する図。
【図３６】実施例３に係る表示装置を説明する図。
【図３７】実施例３に係る表示装置を説明する図。
【図３８】実施例３に係る表示装置を説明する図。
【図３９】実施例４に係る表示装置を説明する図。
【図４０】実施例４に係る表示装置を説明する図。
【図４１】実施例５に係る表示装置を説明する図。
【図４２】実施例５に係る表示装置を説明する図。
【図４３】実施例５に係る表示装置を説明する図。
【図４４】第２６の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図４５】第２６の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図４６】第２６の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図４７】第２１の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図４８】第２４の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図４９】第２４の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図５０】第２２の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図５１】第２６の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図５２】第２６の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図５３】第２３の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図５４】第２３の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図５５】第２３の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図５６】第２３の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図５７】第２６の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図５８】第２６の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図５９】第２６の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図６０】第２６の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図６１】第４の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図６２】第５の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図６３】第６の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図６４】第７の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図６５】第８の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図６６】第９の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図６７】第１０の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図６８】第１１の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図６９】第１２の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図７０】第１３の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図７１】第１４の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図７２】第１５の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図７３】第１６の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図７４】第１７の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図７５】第１８の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図７６】第１９の実施形態に係る表示装置を説明する図。
【図７７】本発明の表示装置の応用例を説明する図。
【図７８】本発明の表示装置の応用例を説明する図。
【図７９】本発明の表示装置の応用例を説明する図。
【図８０】本発明の表示装置の応用例を説明する図。
【図８１】本発明の表示装置の応用例を説明する図。
【図８２】本発明の表示装置の応用例を説明する図。
【符号の説明】
【０５６０】
１００    表示装置駆動回路
１０１    ソースドライバ
１０２    ゲートドライバ
１０３    ソース信号線
１０４    ゲート信号線
１０５    電源線Ｒ
１０６    電源線Ｇ
１０７    電源線Ｂ
１０８    対向電極
１０９    画素
１１０    電源Ｒ
１１１    電源Ｇ
１１２    電源Ｂ
１１３    電流値検出回路
１１４    補正回路
１１５    コントローラ
１１６    電源生成回路
１１７    バッテリー
１１８    充電手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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【図４６】
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【図４７】
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【図４８】
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【図４９】
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【図５０】
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【図５１】
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【図５２】
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【図５３】
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【図５４】
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【図５５】
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【図５６】
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【図５７】
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【図５８】
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【図５９】
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【図６０】
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【図６１】
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【図６２】
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【図６３】
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【図６４】
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【図６５】
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【図６６】
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【図６７】
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【図６８】
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【図６９】
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【図７０】
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【図７１】
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【図７２】
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【図７３】
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【図７４】
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【図７５】
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【図７６】
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【図７７】
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【図７８】
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【図７９】
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【図８０】
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【図８１】
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【図８２】
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