【事件の表示】
　特願２００８−５１８３６４「短波長ＬＥＤとダウンコンバージョン物質で白色光を生成するパッケージ設計」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　１月　４日国際公開、ＷＯ２００７／００２２３４、平成２０年１２月　４日国内公表、特表２００８−５４４５５３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、２００６年６月２０日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００５年６月２３日、２００５年７月１２日　米国）を国際出願日とする出願であって、平成２３年９月２６日付けで拒絶の理由が通知され、平成２４年４月４日に手続補正がなされ、同年９月１０日付けで拒絶の理由（最後）が通知され、平成２５年３月１８日に手続補正がなされたが、同年７月５日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１１月１１日に拒絶査定不服審判が請求されると同時に手続補正がなされ、その後、当審において平成２６年１１月１２日付けで拒絶の理由（以下「当審拒絶理由」という。）が通知され、平成２７年２月１８日に手続補正がなされたものである。　
　            　
第２　本願発明  
　本願の請求項に係る発明は、平成２７年２月１８日付けの手続補正により補正された請求項１ないし１１に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものである。  
          
　「黒体軌跡に近い色度値を有しかつ演色評価数が約８０より大きい可視光を生成する方法であって、該方法は：
　ａ）　短波長固体発光デバイス、蛍光体物質及び量子ドット物質を提供するステップ；
　ｂ）　該短波長固体発光デバイスを用いて第一のピーク波長を含む第一のスペクトルを有する短波長光を発生するステップ、該第一のピーク波長は約５００ｎｍよりも短く、かつ該短波長固体発光デバイスは該量子ドット物質から間隔を空けて配置される；
　ｃ）　該量子ドット物質を該短波長光の少なくとも一部分によって照射し、該短波長光の第一の分画が、該量子ドット物質によって吸収され、第二のピーク波長を含む第二のスペクトルを有する更に長い波長光として再放出されるようにするステップ、該第二のピーク波長は該第一のピーク波長よりも長い；
　ｄ）　該蛍光体物質を該短波長光の少なくとも別の部分によって照射し、該短波長光の第二の分画が、該蛍光体物質によって吸収され、第三のピーク波長を含む第三のスペクトルを有する光として再放出されるようにするステップ、該第三のピーク波長は、該第一のピーク波長と該第二のピーク波長の間にある；及び
　ｅ）　該短波長光の第三の分画を放出し、該短波長光の第三の分画に該第二の波長光の少なくとも一部分及び該第三の波長光の少なくとも一部分を可視光として結合するステップ；
を含む方法。」　
　　　　　　　　             
第３　刊行物の記載　　　　　　　  
（１）当審拒絶理由に引用し、本願の最先の優先日前に頒布された刊行物である特開２００５−１９９８１号公報（以下「引用文献」という。）には、図とともに以下の記載がある（なお、下線は当審で付した。以下同じ。）。　                          　
                      　　
　ア　「【請求項１１】
　白色発光を生じる半導体発光素子であって、
　青色又は紫外発光が可能な発光ダイオードチップと、
　前記発光ダイオードチップからの発光が透過可能な位置に配置された可視光を透過し得る基板及び該基板上に形成された
半導体層よりなる蛍光体
　前記発光ダイオードチップと前記蛍光体とは、１つのパッケージに実装されていることを特徴とする半導体発光素子。
【請求項１２】
　前記蛍光体は、前記基板における前記半導体層が形成されている面とは反対側の面又は前記半導体層における前記基板が形成されている面とは反対側の面の上に形成された
蛍光材料よりなる蛍光層
　   　
　イ　「【００３３】
　本発明に係る第１の半導体発光素子において、蛍光体は、基板における半導体層が形成されている面とは反対側の面又は半導体層における基板が形成されている面とは反対側の面の上に形成された
蛍光材料よりなる蛍光層
【００３４】
　このようにすると、蛍光層を組み合わせることにより、例えば発光ダイオードチップから
青色発光が生じる場合には
黄色発光
発光ダイオードチップから紫外発光が生じる場合には、半導体層から高輝度の赤色発光が可能であると共に蛍光層から緑色発光が可能であるので、演色性に優れた白色発光ダイオード構造を特殊なパッケージを用いることなく実現することが可能となる
　
　ウ　「【０１０１】
　（第１の実施形態）
　以下に、本発明の
第１の実施形態
【０１０２】
　第１に、本発明の第１の実施形態に係る発光体の構造について、図１及び図２を参照しながら説明する。
【０１０３】
　図１は、本発明の第１の実施形態に係る発光体と該発光体を励起するために用いる青色
発光ダイオードとが示された断面図である。
【０１０４】ないし【０１０８】は、省略。  　　　
【０１０９】
　第２に、
図１に示した本発明の第１の実施形態
【０１１０】
　図３（ａ）〜（ｅ）は、本発明の第１の実施形態に係る蛍光体の製造方法と該蛍光体を集積化した半導体発光素子の製造方法とを示す要部工程断面図である。なお、図３（ａ）〜（ｅ）において、図１に示した構成要素と同様の部分には同一の符号を付している。
【０１１１】
　まず、図３（ａ）に示すように、例えＧａＡｓ基板５の上に、有機金属気相成長法（Metal Organic Chemical Vapor Deposition: MOCVD）により、アンドープのＩｎＧａＡｌＰ層１を形成する。ＧａＡｓ基板５として、（１００）面にて（０１１）方向に約１０°オフされた面方位を有する基板を用いている。また、ＩｎＧａＡｌＰ層１はＧａＡｓ基板５に格子整合する組成を有しており、ここでは、ＩｎＧａＡｌＰ層１は、約１μｍの膜厚を有するＩｎ０．４９Ｇａ０．５１Ｐ層よりなる。このようにすると、ＩｎＧａＡｌＰ層１は低欠陥密度を実現できるので、ＩｎＧａＡｌＰ層１から高い発光効率を有する発光を期待できる。
【０１１２】
　次に、図３（ｂ）に示すように、ＩｎＧａＡｌＰ層１上に接着するように、石英基板２をＩｎＧａＡｌＰ層１を有するＧａＡｓ基板５に貼り合わせる。ここで、石英基板２とＩｎＧａＡｌＰ層１とを貼り合わせる方法は、水溶液中で接着させる方法でもよいし、加熱又は加圧によって接着させる方法でもよい。例えばエポキシのような接着剤を用いて貼り合わせてもよい。また、例えばガラスフリットを用いて接着させてもよい。
【０１１３】
　次に、図３（ｃ）に示すように、例えばＨ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２との混合液中に、ＧａＡｓ基板５を浸すことにより、ＧａＡｓ基板５をウエット・エッチングにより除去する。これにより、ＩｎＧａＡｌＰ層１が石英基板２に接着した構造を得る。
【０１１４】
　次に、図３（ｄ）に示すように、
石英基板２におけるＩｎＧａＡｌＰ層１が形成されていない側の面上に、ＹＡＧ蛍光体３を塗布する
【０１１５】
　さらに、
図３（ｅ）に示すように、図３（ｅ）に示した構造を有する蛍光体を例えば１ｍｍ角程度にダイシングした後、このダイシングされた蛍光体を例えば接着剤８などを用いてパッケージ７に接着すると共に、青色発光ダイオードチップ６をパッケージ７内に集積化する
４７０ｎｍの波長を有する青色発光
　
　エ　「【０１１８】
　（第２の実施形態）
　以下に、本発明の第２の実施形態に係る蛍光体について、前述した図３（ａ）〜（ｅ）、図４及び図５を参照しながら説明する。
【０１１９】
　第１に、本発明の第２の実施形態に係る蛍光体の構造について、図４を参照しながら説明する。
【０１２０】
　図４は、本発明の第２の実施形態に係る蛍光体と該蛍光体を励起するために用いる紫外発光ダイオードとが示された断面図である。
【０１２１】
　図４に示すように、石英基板２の主面の一方には、紫外発光ダイオード１１による励起によって赤色発光するアンドープのＩｎＧａＡｌＰ層１が貼り合わせられており、石英基板２の主面の他方には、紫外発光ダイオード１１による励起によって緑色発光する緑色発光蛍光体９及び紫外発光ダイオード１１による励起によって青色発光する青色発光蛍光体１０が順に形成されている。　
【０１２２】ないし【０１２８】は、省略。　　
【０１２９】　
　図４に示した本発明の第２の実施形態に係る蛍光体の製造方法と該蛍光体を集積化した半導体発光素子の製造方法とは、本発明の第１の実施形態に係る蛍光体の製造方法と該蛍光体を集積化した半導体発光素子の製造方法と共通する部分が多いので、前述の図３（ａ）〜（ｅ）を再度参照しながら説明する。
【０１３０】
　まず、前述した図３（ａ）〜（ｃ）を用いた説明と同様にして、ＩｎＧａＡｌＰ層１と石英基板２とが接着された構造を得る。
【０１３１】
　次に、前述した図３（ｄ）に示すように、
石英基板２におけるＩｎＧａＡｌＰ層１が形成されていない側の面上に、緑色発光蛍光体９及び青色発光蛍光体１０を順に形成する
【０１３２】
　さらに、
前述した図３（ｅ）に示すように、同図を用いた説明と同様に、本発明の第２の実施形態に係る蛍光体をダイシングした後、このダイシングされた蛍光体を例えば接着剤８などを用いてパッケージ７に接着すると共に、紫外発光ダイオードチップをパッケージ７内に集積化する
紫外発光ダイオードチップから例えば３４０ｎｍの波長を有する紫外発光
　　  　  　
　オ　第１の実施形態に関する図１は、以下のものである。　
　　　　　
　カ　第１の実施形態における発光スペクトルを示す図２は、以下のものである。
　  　
　キ　第２の実施形態に関する図４は、以下のものである。
  　
　ク　第２の実施形態における発光スペクトルを示す図５は、以下のものである。
　　
　ケ　第１及び第２の実施形態のパッケージは、以下のものである。
　　　　　　　　　　
（２）引用文献に記載された発明
　ア　上記（１）アの記載によれば、
　引用文献には、 
　「白色発光を生じる半導体発光素子であって、
　青色又は紫外発光が可能な発光ダイオードチップと、
　前記発光ダイオードチップからの発光が透過可能な位置に配置された可視光を透過し得る基板及び該基板上に形成された
半導体層よりなる蛍光体
　前記基板における前記半導体層が形成されている面とは反対側の面の上に形成された
蛍光材料よりなる蛍光層
　前記発光ダイオードチップ、前記蛍光体及び蛍光層は、１つのパッケージに実装されている、半導体発光素子。」　
　が記載されているものと認められる。　 　 
 　 
　イ　上記（１）イの記載に照らせば、以下のことが理解できる。
（ア）発光ダイオードチップから
青色発光
黄色発光
　              　
（イ）発光ダイオードチップから
紫外発光
緑色発光
              　
　ウ　上記（１）ウ及びエの記載に照らせば（第１及び第２の実施形態）、以下のことが理解できる。
（ア）上記アの「基板」は、石英基板であってもよいものと認められる。
（イ）上記アの「青色又は紫外発光が可能な発光ダイオードチップ」は、
４７０ｎｍの波長を有する青色光又は３４０ｎｍの波長を有する紫外光を発光可能なものであってもよいものと認められる。　　
  　           　
　エ　また、上記（１）ウ及びエの記載を踏まえて、図３（ｅ）を見ると、
　上記アの「基板」は、発光ダイオードチップから間隔を空けて配置されることが理解できる。　
　          　
　オ　上記アないしオより、
　引用文献には、
　「白色発光を生じる半導体発光素子であって、
　４７０ｎｍの波長を有する青色光を発光可能な発光ダイオードチップと、
　発光ダイオードチップから間隔を空けて配置され、発光ダイオードチップからの発光が透過可能な位置に配置された可視光を透過し得る石英基板と、
　石英基板上に形成された高輝度の赤色発光が可能な半導体層と、
　石英基板における半導体層が形成されている面とは反対側の面の上に形成された黄色発光が可能な蛍光層と、を備え、
　発光ダイオードチップ、半導体層及び蛍光層は、１つのパッケージに実装されている、半導体発光素子。」
　が記載されているものと認められる。　
  　           　
　カ　また、引用文献には、
　上記オの「半導体発光素子」を用いた「演色性に優れた白色発光を生じる方法」が記載されているものと認められる。　　   　
　   　
　キ　上記アないしカより、引用文献には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されているものと認められる。　
　　　
　「半導体発光素子を用いた演色性に優れた白色発光を生じる方法であって、　   　 　
　半導体発光素子は、　
　４７０ｎｍの波長を有する青色光を発光可能な発光ダイオードチップと、
　発光ダイオードチップから間隔を空けて配置され、発光ダイオードチップからの発光が透過可能な位置に配置された可視光を透過し得る石英基板と、
　石英基板上に形成された高輝度の
赤色発光が可能な半導体層
　石英基板における半導体層が形成されている面とは反対側の面の上に形成された
黄色発光が可能な蛍光層
　発光ダイオードチップ、半導体層及び蛍光層は、１つのパッケージに実装されたものである、
　演色性に優れた白色発光を生じる方法。」　
　         　
第４　対比・判断  
１　対比　 
　本願発明と引用発明とを対比する。  
（１）引用発明は、「演色性に優れた白色発光を生じる方法」であることに照らせば、
　引用発明と本願発明とは「黒体軌跡に近い色度値を有しかつ演色評価数が大きい可視光を生成する方法。」
　である点で一致する。　
　
（２）引用発明の「４７０ｎｍの波長を有する青色光を発光可能な発光ダイオードチップ」及び「黄色発光が可能な蛍光層」は、それぞれ、本願発明の「短波長固体発光デバイス」及び「蛍光体物質」に、相当する。　
　  　
（３）また、本願明細書の「量子ドット（QD’s）は、あるスペクトル範囲でエネルギーを吸収して別のスペクトル範囲でエネルギーを放出するナノメートル・サイズの半導体である。」（【０００９】）との記載に照らせば、
　引用発明の「赤色発光が可能な半導体層」と本願発明の「量子ドット物質」とは、
　「半導体材料」
　である点で一致する。　
　  　
（４）引用発明は、「発光ダイオードチップ」、「赤色発光が可能な半導体層」及び「黄色発光が可能な蛍光層」を備えた半導体発光素子を用いるものであることに照らせば、
　引用発明と本願発明とは、
　「ａ）　短波長固体発光デバイス、蛍光体物質及び半導体材料を提供するステップ；」
　を含む点で一致する。　
　
（５）引用発明の「石英基板」は、発光ダイオードチップから間隔を空けて配置されていることに照らせば、
　引用発明と本願発明とは、
　「ｂ）　該短波長固体発光デバイスを用いて第一のピーク波長を含む第一のスペクトルを有する短波長光を発生するステップ、該第一のピーク波長は約５００ｎｍよりも短く、かつ該短波長固体発光デバイスは該半導体材料から間隔を空けて配置される；」
　点で一致する。　
　
（６）引用発明の「赤色発光が可能な半導体層」は、「４７０ｎｍの波長を有する青色光を発光可能な発光ダイオードチップ」からの光により励起されるものであることに照らせば、
　引用発明と本願発明とは、
　「ｃ）　該半導体材料を該短波長光の少なくとも一部分によって照射し、該短波長光の第一の分画が、該半導体材料によって吸収され、第二のピーク波長を含む第二のスペクトルを有する更に長い波長光として再放出されるようにするステップ、該第二のピーク波長は該第一のピーク波長よりも長い；」
　点で一致する。　
　
（７）引用発明の「黄色発光が可能な蛍光層」は、「４７０ｎｍの波長を有する青色光を発光可能な発光ダイオードチップ」からの光により励起されるものであることに照らせば、
　引用発明と本願発明とは、
　「ｄ）　該蛍光体物質を該短波長光の少なくとも別の部分によって照射し、該短波長光の第二の分画が、該蛍光体物質によって吸収され、第三のピーク波長を含む第三のスペクトルを有する光として再放出されるようにするステップ、該第三のピーク波長は、該第一のピーク波長と該第二のピーク波長の間にある；」
　点で一致する。　
　
（８）引用発明は、発光ダイオードチップ、半導体層及び蛍光層からの光を混合することで、演色性に優れた白色発光を生じるものであることが、当業者にとって明らかであることに照らせば、
　引用発明と本願発明とは、
　「ｅ）　該短波長光の第三の分画を放出し、該短波長光の第三の分画に該第二の波長光の少なくとも一部分及び該第三の波長光の少なくとも一部分を可視光として結合するステップ；」　
　を含む点で一致する。　
　　　　     　
（９）以上のことから、本願発明と引用発明とは以下の点で一致する。  
　＜一致点＞  
　「黒体軌跡に近い色度値を有しかつ演色評価数が大きい可視光を生成する方法であって、該方法は：
　ａ）　短波長固体発光デバイス、蛍光体物質及び半導体材料を提供するステップ；
　ｂ）　該短波長固体発光デバイスを用いて第一のピーク波長を含む第一のスペクトルを有する短波長光を発生するステップ、該第一のピーク波長は約５００ｎｍよりも短く、かつ該短波長固体発光デバイスは該半導体材料から間隔を空けて配置される；
　ｃ）　該半導体材料を該短波長光の少なくとも一部分によって照射し、該短波長光の第一の分画が、該半導体材料によって吸収され、第二のピーク波長を含む第二のスペクトルを有する更に長い波長光として再放出されるようにするステップ、該第二のピーク波長は該第一のピーク波長よりも長い；
　ｄ）　該蛍光体物質を該短波長光の少なくとも別の部分によって照射し、該短波長光の第二の分画が、該蛍光体物質によって吸収され、第三のピーク波長を含む第三のスペクトルを有する光として再放出されるようにするステップ、該第三のピーク波長は、該第一のピーク波長と該第二のピーク波長の間にある；及び
　ｅ）　該短波長光の第三の分画を放出し、該短波長光の第三の分画に該第二の波長光の少なくとも一部分及び該第三の波長光の少なくとも一部分を可視光として結合するステップ；
を含む方法。」　
　　　　     　
（１０）一方で、本願発明と引用発明とは、以下の点で相違する。  
　＜相違点１＞ 　　
　演色評価数に関し、   　
　本願発明は、「約８０より大きい」のに対して、
　引用発明は、その数値が不明である点。　
　                   　
　＜相違点２＞ 　
　半導体材料に関して、
　本願発明は、「量子ドット物質」であるのに対して、
　引用発明は、「量子ドット物質」ではない点。　
　　　                                    
２　判断 　  
（１）上記＜相違点１＞について検討する。  
　ア　演色評価数の数値が大きいほど、演色性が良好であることが当業者にとって明らかであるところ（例えば、特開平１０−１４４１２６号公報（【０００４】）及び特開平１０−６９８８４号公報（【００１４】）を参照。）、
　演色評価指数をどの程度にするかは、当業者が引用発明を実施する際に、その目的や用途を勘案して適宜定めるべき事項であって、例えば、演色性が良好であることが求められる美術館などにおいて、演色評価指数を８０より大きくすることは、当業者が適宜なし得たことである。　
　        　
　イ　以上のことから、引用発明において、上記＜相違点１＞に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が適宜なし得たことである。　
　　　　
（２）上記＜相違点２＞について検討する。
　ア　発光ダイオード等からの５００ｎｍ以下の光により「半導体材料からなる量子ドット」を励起して赤色を発光させることが、当審拒絶理由で引用した特開２００４−８３６５３号公報（【００１３】、【００２４】、【００２７】、【００３２】を参照。）、特表２００２−５１０８６６号公報（【０００５】、【００２４】、【００４１】を参照。）及び特開平１１−３４０５１６号公報（【００３１】、【００３４】を参照。）に記載されているように、本願の最先の優先日時点で周知であることに照らせば（以下「周知技術」という。）、
　引用発明の「赤色発光が可能な半導体層」を「半導体材料からなる量子ドット」とし、該量子ドットを「４７０ｎｍの波長を有する青色光を発光可能な発光ダイオードチップ」からの光により励起して赤色を発光させることは、当業者が周知技術に基づいて容易になし得たことである。 
                 　　　    　
　イ　以上のことから、引用発明において、上記＜相違点２＞に係る本願発明の構成を採用することは、当業者が周知技術に基づいて容易になし得たことである。
                                                                   
（３）効果  
　本願発明の奏する効果は、当業者が引用発明及び上記周知技術から予測し得る範囲内のものである。  
   　　　                      
３　まとめ  
　本願発明は、当業者が引用発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものである。　 　  
              　　　
第５　むすび 　 　  
　以上のとおり、本願発明は、当業者が引用文献に記載された発明及び周知技術に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 　　 　 
    
　よって、結論のとおり審決する。