【事件の表示】
　平成５年特許願第１１０１０９号「半導体記憶装置の製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成６年１１月２５日出願公開、特開平６−３２６０８６］について、
　次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
【１】手続の経緯および、この出願の発明
　本願は、平成５年５月１２日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という）は、平成１３年１１月２７日付けの手続補正書によりその全文が補正された明細書の、【特許請求の範囲】の請求項１に記載されたとおりの、
「【請求項１】下部電極と上部電極との間に誘電体絶縁膜を備えた半導体記憶素子を複数の半導体ウエアの表面上にそれぞれ形成する半導体記憶装置の製造方法において、
前記複数の半導体ウエハをＣＶＤ装置内に導入し、酸素を含む雰囲気中で放置すると共に放置温度と放置時間を制御することにより、前記各半導体ウエハ上の前記下部電極上に自然酸化膜を形成することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。」である。
　　
【２】拒絶理由の概要
　一方、原審において平成１２年１１月２７日付けで通知された拒絶理由の概要は、請求項１に係る発明は、本願の出願前の平成４年３月３１日に日本国内において頒布された「特開平４−９９０２７号公報」（以下、「引用例」という）に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号に規定する発明に該当し特許を受けることができない、また、引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない、という内容である。
　　
【３】引用例の記載事項およびその開示内容
【３-1】引用例の記載事項
　第１頁左下欄第５〜１１行に、
(引a)「ポリシリコン膜が形成された半導体基板を炉内に挿入したのち、減圧して酸化性ガスを導入し、前記ポリシリコン膜の表面を酸化して酸化シリコン膜を形成する工程と、引き続いて前記炉内において減圧気相成長法により窒化シリコン膜を前記酸化シリコン膜の上に堆積する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。」と記載され、
　第１頁左下欄第１７行〜同頁右下欄第５行に、
(引b)「半導体装置の微細化が進むにつれて、スタック型容量素子がＤＲＡＭなどに適用されるようになってきた。
これは容量素子の一方の電極として第１のポリシリコン膜を形成し、さらに他方の電極として第２のポリシリコン膜を形成する。」と記載され、
　第２頁左上欄第１７行〜同頁右上欄第３行に、
(引c)「本発明の半導体装置の製造方法は、ポリシリコン膜が形成された半導体基板を炉内に挿入したのち、減圧して酸化性ガスを導入しポリシリコン膜の表面を酸化して、酸化シリコン膜を形成する工程と、引き続いて同一炉内において減圧気相成長法により、窒化シリコン膜を酸化シリコン膜の上に堆積する工程とを含んでいる。」と記載され、
　第２頁右上欄第８〜１８行に、
(引d)「まずに第１図(ａ)示すように、シリコン基板１の表面にフィールド酸化膜２、ポリシリコン配線４，層間絶縁膜５を順次形成し、その上に容量素子の一方の電極として第１のポリシリコン膜７を形成する。
つぎに第１図(ｂ)，(ｃ)に示すように、第１のポリシリコン膜７の表面に容量絶縁膜として厚さ１０Åの第１の酸化膜８と厚さ６０Åの窒化シリコン膜９とを順次形成する。
第１の酸化膜８と窒化シリコン膜９とは同一の減圧炉内で連続的に形成する。」と記載され、
　第２頁右上欄第１９行〜同頁左下欄第４行に、
(引e)「ここで用いる炉の断面図を第３図に示す。
ヒーター１３で加熱し、窒素導入口１４およびガス導入口１５から所望のガスを導入しながら、半導体ウェーハ１９を並べた石英ボート１８を炉１２の中央に挿入し、メインバルブ１６を開いて真空ポンプ１７で減圧する。」と記載され、
　第２頁左下欄第９〜１４行に、
(引f)「炉１２内を減圧し、ガス導入口１５から酸素を導入し第１のポリシリコン膜７の表面を酸化して、第１図(ｂ)に示すように第１の酸化膜８を形成する。
ここで純粋な酸素でなくて、窒素やアルゴンなどで希釈した酸素を導入することもできる。」と記載され、
　第２頁左下欄第１５〜１９行に、
(引g)「例えば900℃、0.4Torr、酸素流量0.01ｌ／分の条件でポリシリコン膜の酸化速度は0.4Å／分と従来技術に比べて１／２５と充分に遅く、第１の酸化膜８の膜厚を容易に制御することができる。」と記載され、
　第２頁右下欄第６〜１０行に、
(引h)「このあと第１図(ｄ)に示すように高温酸化炉で窒化シリコン膜９の表面を酸化して第２の酸化膜１０を形成し、さらに容量素子の他の電極となる第２のポリシリコン膜１１を形成することにより、スタック容量素子が完成する。」と記載され、
　第３頁左上欄第９〜１２行に、
(引i)「容量絶縁膜である酸化膜と窒化シリコン膜とを同一の減圧炉内で連続的に形成することにより、膜厚１０Åの薄い酸化膜を容易に制御することが可能になった。」と記載されている。
　　
【３-2】引用例の開示内容
　前記(引a)〜(引h)の記載から、引用例には、
(引z)「一方の電極としての第１のポリシリコン膜7と他方の電極としての第２のポリシリコン膜11との間に容量絶縁膜としての第１の酸化膜8と窒化シリコン膜9および第２の酸化膜10とを備えた半導体ＤＲＡＭ素子を、並べられた複数の半導体ウェーハ19の表面上にそれぞれ形成する半導体ＤＲＡＭ装置の製造方法において、
前記複数の半導体ウェーハ19を減圧気相成長炉12内に挿入し、酸素、もしくは窒素やアルゴンなどで希釈した酸素の雰囲気中で処理すると共に、所定温度例えば900℃の条件で、充分に遅い酸化速度をもって第１の酸化膜8を所定膜厚にすることにより、前記各半導体ウェーハ19上の前記一方の電極としての第１のポリシリコン膜7上に第１の酸化膜8を形成することを特徴とする半導体ＤＲＡＭ装置の製造方法」の発明（以下、「引用発明」という）が開示されている。
　　
【４】当審の判断
【４-1】本願発明と引用発明との対比
　本願発明と引用発明とを対比すると、
　引用発明の「一方の電極としての第１のポリシリコン膜」，「他方の電極としての第２のポリシリコン膜」，「容量絶縁膜としての第１の酸化膜と窒化シリコン膜および第２の酸化膜」，「半導体ＤＲＡＭ素子」，「並べられた複数の半導体ウェーハ」，「半導体ＤＲＡＭ装置」，「減圧気相成長炉内に挿入し」，「酸素、もしくは窒素やアルゴンなどで希釈した酸素の雰囲気中で処理」，「第１の酸化膜」は、
　それぞれ本願発明の「下部電極」，「上部電極」，「誘電体絶縁膜」，「半導体記憶素子」，「複数の半導体ウエア(ウエハ)」，「半導体記憶装置」，「ＣＶＤ装置内に導入し」，「酸素を含む雰囲気中で放置」，「自然酸化膜」に相当し、これらは使用された用語の差異でしかない。
　したがって、両者は「下部電極と上部電極との間に誘電体絶縁膜を備えた半導体記憶素子を複数の半導体ウエハの表面上にそれぞれ形成する半導体記憶装置の製造方法において、
前記複数の半導体ウエハをＣＶＤ装置内に導入し、酸素を含む雰囲気中で放置することにより、前記各半導体ウエハ上の前記下部電極上に自然酸化膜を形成することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法」であることで一致する。
　一方、本願発明では、複数の半導体ウエハをＣＶＤ装置内に導入し、酸素を含む雰囲気中で放置すると共に「放置温度と放置時間を制御する」ことにより、前記各半導体ウエハ上の(前記)下部電極上に自然酸化膜を形成するのに対して、
　引用発明では、複数の半導体ウエハをＣＶＤ装置内に導入し、酸素を含む雰囲気中で放置すると共に「所定温度例えば900℃の条件で、充分に遅い酸化速度をもって自然酸化膜を所定膜厚にする」ことにより、前記各半導体ウエハ上の(前記)下部電極上に自然酸化膜を形成する点(相違点ａ)で相違する。
　　
【４-2】相違点ａの検討
　相違点ａについて考察するに、
　本願明細書には、その段落【0019】〜【0024】に、
　例えば、「下部ＳｉＯ２膜(自然酸化膜に相当)の膜厚を２０Åに制御しようとする」場合には、酸化速度が遅い条件である炉内温度を650℃として約１０分間放置する条件を選択することが、
　また、「下部ＳｉＯ２膜(自然酸化膜に相当)の膜厚を２５Åに制御しようとする」場合には、酸化速度による制御性と製造のスループットとの兼ね合いから、炉内温度を690℃として２０分間放置する条件を選択することが記載されており、
　これらの記載からすれば、本願発明の「放置温度と放置時間を制御する」ということは、所定膜厚の自然酸化膜が形成されるように放置温度と放置時間を設定することに外ならない。
　一方、引用発明において上記(引d)に記載の、１０Åの酸化膜厚を得ようとする場合には、上記(引g)における条件を採用すると、「例えば」炉内温度は900℃で酸化速度が0.4Å／分であるから、一応の計算上(10／0.4＝)２５分間となる。
　してみれば、これは、上記(引g)摘記の「・・・酸化速度は・・・充分に遅く、第１の酸化膜８の膜厚を容易に制御することができる」との記載をも考慮すれば、放置温度を900℃として放置時間を２５分間に制御することにより、所定膜厚(１０Å)の自然酸化膜を形成できることを示唆するものである。
　そしてまた、「ＶＬＳＩのシリコンウェハプロセスにおいて、シリコン酸化膜が、高密度ＭＯＳデバイスのゲート絶縁膜やキャパシタとして応用されており、その膜厚の精密制御が必要であること。および、シリコン酸化膜形成法は、高温に保ったシリコンウェハ上に酸化性のガスを流すことが基本であり、温度、濃度、圧力によって酸化速度が異なること。」が常識(「ＶＬＳＩ プロセス装置ハンドブック」前田和夫 著、株式会社 工業調査会、1990年6月10日発行の233〜235頁参照)である。
　したがって、所定膜厚の酸化膜を得るためには、本願発明でいう「放置温度」を設定・制御する必要のあることも当業者において明らかな事項である。
　よって、相違点ａは、得ようとする自然酸化膜の所望膜厚に応じて、当業者が容易に想到し得た事項であると認められる。
　　
【４-3】本願発明の効果
　本願明細書の段落【0026】には、「半導体素子の電荷蓄積部の誘電体絶縁膜の形成方法において、誘電体絶縁膜であるＯＮＯ膜の下部ＳｉＯ２膜厚を制御可能となり、炉内での下部ＳｉＯ２膜厚の均一化、及び膜厚の制御が行えるため、キャパシタ電極の電気特性の安定化と向上を図ることができる。」という効果が記載されている。
　しかし、引用発明についても、上記(引i)摘記のように「容量絶縁膜である酸化膜と窒化シリコン膜とを同一の減圧炉内で連続的に形成することにより、膜厚１０Åの薄い酸化膜を容易に制御することが可能になった。」とその効果が記載されており、酸化膜の膜厚が精密に制御できれば、容量絶縁膜の膜厚も安定し、結果的にキャパシタとしての電気的特性も安定することは明らかであるから、本願発明の効果が引用発明のそれに比べ格別顕著であるとは認められない。
　　
【５】むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は、上記の引用例に記載された発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。