【事件の表示】
　平成　４年特許願第２３９５１０号「コバルト−鉄−ニッケル磁性めっき膜」拒絶査定に対する審判事件［平成　６年　３月２９日出願公開、特開平　６−　８９４２２］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯、本願発明
　本願は、平成４年９月８日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１３年２月１３日付け、平成１５年１月６日付けの手続補正で補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものである。
　【請求項１】「コバルト,鉄,ニッケルのイオン比が、コバルト : 鉄 : ニッケル＝4〜13 : 1〜4 : 24〜42、であるめっき浴を用いて成膜されたコバルト−鉄−ニッケル磁性めっき膜であって、コバルト含有量が38〜65重量％、鉄含有量が10〜31重量％、であり、ピッティングポテンシャルが0mV以上であることを特徴とするコバルト−鉄−ニッケル磁性めっき膜。」
　
ＩＩ．引用例
　これに対し、当審の拒絶の理由に引用された本願出願前の刊行物である、特開昭６１−７６６４２号公報（以下、「引用例１」という。）、及び「マグローヒル　科学技術用語大辞典第２版」昭和６０年３月２５日、株式会社日刊工業新聞社発行、１３５２頁右欄「ピッチング」及び「ピッチング電圧」の項（以下、「引用例２」という。）には、次のように記載されている。
　引用例１には、
　（1-i）「重量比でＣｏ：６０〜９０％、Ｎｉ：１０〜３０％、Ｆｅ：３〜１０％からなるＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ三元合金の薄膜において、膜の磁歪定数が＋２×１０−６〜−２×１０−６の範囲で一軸異方性を示し、かつ異方性磁界が１０エルステット以下で飽和磁束密度が１．３テスラ以上であることを特徴とするＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ三元合金薄膜。」（第１頁左下欄の請求項１参照）、
　（1-ii）「３〜２０ｇ／ｌのＣｏ++イオン濃度、１０〜３０ｇ／ｌのＮｉ++イオン濃度、０．２〜１．０ｇ／ｌのＦｅ++イオン濃度、２．５〜３．５のｐＨを有し、２０〜３５℃の温度に保持されためっき浴を使用し、６〜２５ｍＡ／ｃｍ２のメッキ電流密度で電気めっきを施し、めっきの間中にめっき面で互いに直交する方向に所定の周波数で外部磁界を交互に印加しながらめっきすることを特徴とするＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ三元合金薄膜の製造方法。」（第１頁左下欄の請求項２参照）、
　（1-iii）「［発明の利用分野］　本発明は、たとえば薄膜磁気ヘッドに代表される磁電磁変換器用の磁気コア材に適した高磁束密度でかつ高透磁率を有するＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅの三元系およびその製造方法に関するものである。」（第１頁右下欄２〜６行参照）こと、
　（1-iv）「本発明の実施に当たっては、主としてめっき法による堆積方法が採用された、Ｃｏの源には水和された硫酸コバルトを２０〜７０ｇ／ｌ、Ｎｉの源には水和された塩化ニッケルあるいは水和された硫酸ニッケル及びそれらの共存で１０〜９０ｇ／ｌ及びＦｅの源には水和された硫酸第一鉄を１〜５ｇ／ｌの濃度のものが使用された。その他、めっき中のｐＨ緩衝剤として適量の硼酸、めっき膜の応力緩和剤として適量のサッカリンナトリウム及び界面活性剤として適量のラウリル硫酸ナトリウムが添加された。」（第３頁右上欄１８行〜同頁左下欄８行参照）こと、
　（1-v）「［実施例−１］　下地膜を施した基板はめっき槽中の治具に取付けられ、槽は次のような組成のＣｏ−Ｎｉ−Ｆｅ電気めっき浴で満され循環、攪拌された。　ＣｏＳＯ４・７Ｈ２Ｏ：４５ｇ／ｌ　　ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏ：６０ｇ／ｌ　　ＮｉＳＯ４・６Ｈ２Ｏ：２５ｇ／ｌ　　ＦｅＳＯ４・７Ｈ２Ｏ：２．０ｇ／ｌ　　硼酸：２５ｇ／ｌ　　サッカリンナトリウム：１．５ｇ／ｌ　　ラウリル硫酸ナトリウム：０．１５ｇ／ｌ　　陽極（Ｎｉ）と陰極（基板）との間に１７ｍＡ／ｃｍ２に制御されためっき電流が流された。浴温は３０℃、ｐＨは３．０に制御された。　めっきの間中繰り返し周波数５Ｈｚ、Ｘ方向（磁化容易軸方向）及びＹ方向（磁化困難軸方向）の印加磁界３０Ｏｅ、Ｘ方向とＹ方向の繰り返しのパルス幅比を６：４の比率の直交スイッチング磁界が印加された。　なお、比較のために・・・（中略）・・・。　このようにして得られた本発明の磁性薄膜及び従来の方法でめっきされた磁性薄膜のＢ−Ｈ曲線を第１図及び第２図に示す。　図において１は磁化容易軸方向のＢ−Ｈ曲線、２は磁化困難軸方向のＢ−Ｈ曲線を示す。　また、その他の磁気特性および膜組成は第１表に示す通りである。」こと、および第１表には、膜組成（重量％）が７８％Ｃｏ−１６％Ｎｉ−６％Ｆｅ、飽和磁束密度が１．５３テスラ、困難軸方向の保磁力が１エルステッド、異方性磁界が６エルステッド、磁歪定数が０．８×１０−６である（第３頁右下欄１９行〜第４頁右上欄下から９行参照）こと、
　（1-vi）「以上の結果から明らかなように、本発明による磁性薄膜は一軸異方性を示すと共に、異方性磁界が小さく、かつ、飽和磁束密度が１．５テスラ以上と高いために高透磁率化が期待できる。」（第５頁左上欄下から３行〜同頁右上欄１行参照）ことが記載されている。
　これら記載から見て、引用例１には、薄膜磁気ヘッドなどに用いられる高飽和磁束密度（１．５ステラ以上、即ち１５ｋＧ以上）で高透磁率の、「コバルト,鉄,ニッケルのめっき浴を用いて成膜されたコバルト−鉄−ニッケル磁性めっき膜であって、コバルト含有量が６０〜９０重量％、ニッケル含有量が１０〜３０重量％、鉄含有量が３〜１０重量％であることを特徴とするコバルト−鉄−ニッケル磁性めっき膜。」の発明が記載されているものと認められる。
　
　引用例２には、
　（2-i）「ピッチング　pitting［冶金］　金属表面に、局所的に円形の穴ができること、腐食によって、まためっきが不均一に行なわれることによって生成する。」（「ピッチング」の項参照）、
　（2-ii）「ピッチング電圧　pitting　potential［冶金］　一定の雰囲気で、ある電圧以上では金属表面でピッチングが進行するが、その電圧以下では進行しない電気化学的に決まる電圧。」（「ピッチング電圧」の項参照）こと、が記載されている。
　
ＩＩＩ．対比、判断
　そこで、本願発明と引用例１記載の発明とを対比する。
　めっき膜のコバルト−鉄−ニッケル組成に関して対比すると、コバルト含有量が６０〜６５重量％、鉄含有量が１０重量％である点で両発明は重複一致している。　なお、本願明細書の図４中の３番目のＣｏＦｅＮｉが順に６１．４ｗｔ％，９．０ｗｔ％，２９．６ｗｔ％のもの（飽和磁束密度Ｂｓが１４．７ｋＧ、ピッティングポテンシャルが８０ｍＶ）は、Ｆｅの割合が本願発明の限定よりも若干少なく、かつ引用例１記載の発明の特定を満たしているものであるところ、本願発明で必要（本願当初明細書段落【００１７】、補正後明細書段落【００１１】参照）とされている飽和磁束密度１４ｋＧを満たし、ピッティングポテンシャル０ｍＶ以上を満たしていることからわかるように、本願発明で特定するＦｅ含有量の下限の１０重量％は臨界的な技術的意義を有していないことが明らかであるから、鉄含有量の一致点が１０重量％の１点であることが問題であるとすることはできない。　そして、引用例１記載の発明でも、飽和磁束密度は１．５テスラ（即ち１５ｋＧ）以上と高いことが示されているから、本願発明で主張している作用効果である飽和磁束密度が１４ｋＧ以上であるとの点は満たされている。　また、実施例に限定解釈すべき理由もないから、引用例１の実施例が本願発明の数値限定を満たさないことがあるとしても、そのことが一致点の判断を左右するものでもない。
　してみると、両発明は、薄膜磁気ヘッドなどに用いられる高飽和磁束密度（１４ｋＧ以上）で高透磁率の、「コバルト,鉄,ニッケルのめっき浴を用いて成膜されたコバルト−鉄−ニッケル磁性めっき膜であって、コバルト含有量が６０〜６５重量％、鉄含有量が１０重量％であることを特徴とするコバルト−鉄−ニッケル磁性めっき膜。」の発明である点で一致し、他方、次の（１）、（２）の点で一応相違している。
　（１）めっき浴のイオン比に関して、本願発明では「コバルト : 鉄 : ニッケル＝4〜13 : 1〜4 : 24〜42、である」と特定しているのに対して、引用例１記載の発明では、めっき浴の元素割合は記載されているものの前記数値が直接に記載されていない点、
　（２）ピッティングポテンシャルに関して、本願発明では「0mV以上」としているのに対して、引用例１記載の発明ではそのような言及がない点。
　
　（１）の点について検討する。
　請求人は平成１５年１月６日付け意見書（第３頁１５〜１６行参照）において、このようなイオン比のめっき浴を用いて成膜されためっき膜は引用した刊行物（引用例１など）に開示されていない旨主張しているけれども、以下に検討するようにこの主張は失当である。
　即ち、引用例１には、請求項２（摘示（1-ii））においてめっき浴のイオン濃度が特定（Ｃｏ++：３〜２０ｇ／ｌ、Ｎｉ++：１０〜３０ｇ／ｌ、Ｆｅ++：０．２〜１．０ｇ／ｌ）されているところ、原子量がＣｏ：５８．９３、Ｎｉ：５８．６９、Ｆｅ：５５．８５であることを考慮して、該めっき浴のイオン比を求める（本願発明と対比し易いように１００リットル当たりのイオン比として計算）と、Ｃｏ：Ｆｅ：Ｎｉ＝（５．１〜３３．９）：（０．４〜１．８）：（１７．０〜５１．１）と算出できる。　このめっき浴のイオン比は、本願発明で特定するＣｏ：Ｆｅ：Ｎｉ＝４〜１３：１〜４：２４〜４２のイオン比と重複一致していることは明らかである。
　また、実施例に当たってとして説明されている摘示（1-iv）の記載（Ｃｏ：水和された硫酸コバルト２０〜７０ｇ／ｌ、Ｎｉ：水和された塩化ニッケルあるいは水和された硫酸ニッケル１０〜９０ｇ／ｌ、Ｆｅ：水和された硫酸第一鉄１〜５ｇ／ｌ）に基づいて、めっき浴のイオン比を計算（実施例１から各水和物は、ＣｏＳＯ４・７Ｈ２Ｏ、ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏ、ＮｉＳＯ４・６Ｈ２Ｏ、ＦｅＳＯ４・７Ｈ２Ｏと認められ、各分子量は順に２８０．９、２３７．７、２６２．７、２７７．８であり、硫酸ニッケル水和物の使用割合は塩化ニッケル水和物よりかなり少なくかつ分子量もあまり相違しないのでＮｉ源としてはすべて塩化ニッケル水和物であるとし、また本願発明と対比し易いように１００リットル当たりのモル数の比（イオン比と同じになる）として計算）すると、Ｃｏ：Ｆｅ：Ｎｉ＝（７．１〜２４．９）：（０．４〜１．８）：（４．２〜３７．９）と算出でき、本願発明で特定するＣｏ：Ｆｅ：Ｎｉ＝４〜１３：１〜４：２４〜４２のイオン比と重複一致していることも明らかである。
　したがって、（１）の点は実質的な相違点ではない。
　
　（２）の点について検討する。
　なるほど、引用例１には、ピッティングポテンシャルについて言及がなく、コバルト−鉄−ニッケル磁性めっき膜のピッティングポテンシャルがどの程度であれば良く、０ｍＶ以上が必要であるのかどうかも言及はない。
　しかしながら、薄膜磁気ヘッドの技術分野において、磁性層が腐蝕（腐食）することによって大かれ少なかれ劣化してしまうことは周知の課題である。　また、金属表面の腐食に関しては、前記引用例２に解説されているように、ピッチングが腐食によって形成されるところ、金属表面で進行するピッチングが進行しない電圧があり、それをピッチングポテンシャルと呼ぶことが知られているから、ピッチングポテンシャル（即ちピッティングポテンシャル）が高いほど耐食性（耐蝕性）が優れていることは自ずと明らかである。
　してみると、ピッティングポテンシャルが高いものを選択する事は、当業者にとって単なる設計事項といっても過言ではない。　本願明細書を検討しても、当初明細書段落【００１７】（補正後段落【００１１】）において、「ピッティングポテンシャルは０ｍＶ以上であれば、耐蝕性は確保できる。」とされ、同書段落【００３２】（補正後該当箇所なし）で「ピッティングポテンシャルは０ｍＶ以上となり、耐食性が大きく向上した。」と説明されているだけで、その０ｍＶが臨界的な数値であることを示す証拠はなにもない。　そうであれば、「ピッティングポテンシャルを０ｍＶ以上とする」ことは、単に腐食のし難さをピッティングポテンシャルで表現したにすぎないものであって、相対的に耐食性の高いものを選んでいるだけで、０ｍＶでなければならない必然性もないから、当業者が格別の創意工夫を要するものとは認められない。
　そればかりか、ピッティングポテンシャル以外の構成であるめっき浴のイオン比やコバルトと鉄の含有量が、本願発明と引用例１記載の発明で一致している以上（本願当初明細書段落【００３２】において、めっき浴のイオン比を前記（１）のようにすることによってピッティングポテンシャルが０ｍＶ以上となると、出願人も説明している。）、その磁性めっき膜の物性であるピッティングポテンシャルに差異が生じる理由すらない。
　
　なお、当審の拒絶理由（記載不備）において、例えば、（イ）本願明細書の図４中の３番目のＣｏＦｅＮｉが順に６１．４ｗｔ％，９．０ｗｔ％，２９．６ｗｔ％のもの（注：このものは引用例１の数値限定と一致している）は、本願特定の範囲を外れるけれども、必要と説明されている飽和磁束密度１４ｋＧ以上、ピッティングポテンシャルが正（８０ｍＶ）であることを満たしていること、及び、（ロ）図４中の１番目と２番目はＣｏ含有量がそれぞれ１１．５ｗｔ％，３０．５ｗｔ％と低く外れているけれども、飽和磁束密度は１３．８ｋＧまたは１３．５ｋＧと１４ｋＧに極めて近い故に本質的な差異とは解し難く、そもそも１４ｋＧを判断基準とする臨界的根拠が不明であること、（ハ）ピッティングポテンシャルを０ｍＶ以上とすべき根拠が不明であることなどから、「コバルト含有量が３８〜６５重量％、鉄含有量が１０〜３１重量％であること」及び「０ｍＶ以上」との数値限定は、単に恣意的に決められたものであって、臨界的意義が不明である旨を指摘したけれども、請求人からは、恣意的であろうとも高い飽和磁束密度と高い耐蝕性を有しているとの主張があるだけで、数値限定の臨界的な技術的意義について格別の釈明はなされていない。　そして、本願明細書の第４図のデータから数値限定の臨界的意義を見出すこともできない。
　
　以上のとおりであるから、本願発明は、周知技術を勘案して引用例１記載の発明に基づいて当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　
ＩＶ．むすび
　したがって、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。