【事件の表示】
　特願２００７−５３２３８７「インサイチュ嵌込み構造物形成方法」拒絶査定不服審判事件〔平成１８年　３月３０日国際公開、ＷＯ２００６／０３３８７２、平成２０年　５月　１日国内公表、特表２００８−５１３２２９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００５年（平成１７年）９月１２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００４年９月２１日、米国）を国際出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２３年　９月　６日付け　　　　拒絶理由の通知
　平成２４年　３月１３日　　　　　　意見書及び手続補正書の提出
　平成２４年　９月２７日付け　　　　拒絶理由の通知（最後）
　平成２５年　４月　９日　　　　　　意見書及び手続補正書の提出
　平成２５年１０月２１日付け　　　　平成２５年４月９日付け手続補正についての補正の却下の決定及び拒絶査定
　平成２６年　３月　５日　　　　　　本件審判請求書及び手続補正書の提出
　
第２　平成２６年３月５日付け手続補正についての補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２６年３月５日付け手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
　
［理由］
１．　本件補正の内容
　本件補正は、願書に添付された特許請求の範囲及び明細書を補正するもので、特許請求の範囲の請求項１に関する補正を含むところ、本件補正前後の請求項１の記載は、補正箇所に下線を付して示すと、以下のとおりである。
　
（１）　補正前
「【請求項１】
　平面性乱れを有する基板のパターニング方法であって、
　前記基板上に、複数の突起を含む初期パターンを有するパターン層を形成するステップであって、前記突起のサブセットは底面から伸びて頂上面で終わりそれらの間の高さを決める、前記形成するステップと、
　前記パターン層上に、前記複数の突起の前記頂上面から距離をおいた平滑または平らな表面を形成するエッチング差層を配置するステップであって、前記複数の突起にわたる頂上面と前記平滑または平らな表面の間の距離の変化は前記高さの１／２未満の範囲内である、前記配置するステップと、
　前記基板上に、前記初期パターンに対応する記録パターンを転写するステップと
を含むパターニング方法。」
　
（２）　補正後
「【請求項１】
　平面性乱れを有する基板のパターニング方法であって、
　前記基板上に、複数の突起を含む初期パターンを有するパターン層を形成するステップであって、前記突起のサブセットは底面から伸びて頂上面で終わりそれらの間の高さを決める、前記形成するステップと、
　前記パターン層上に、前記複数の突起の前記頂上面から距離をおいた平滑または平らな表面を形成するエッチング差層を配置するステップであって、前記複数の突起にわたる頂上面と前記平滑または平らな表面の間の距離の変化は前記高さの１／２未満の範囲内である、前記配置するステップと、
　前記基板上に、前記初期パターンに対応する記録パターンを転写するステップと
を含み、
　
前記記録パターンの形成中に生ずる歪みは、前記基板の平面性乱れとは無関係であることを特徴とする
　
２．　補正の適否
　本件補正のうち、請求項１に関するものは、本件補正前の「記録パターン」について、「記録パターンの形成中に生じる歪みは、前記基板の平板性乱れとは無関係であること」を付加して限定するものであるから、平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の旧特許法（以下、「平成１８年改正前特許法」という。）第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の請求項１に記載された発明（以下、「補正発明」という。）が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に適合するか）について以下に検討する。
　
（１）　引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に記載された本願優先日前に頒布された刊行物である特開昭６０−２１４５３２号公報（以下、「刊行物」という。）には、それぞれ図面とともに以下の記載がある。なお、下線は理解の便のため当審で付した。
　
ア．　刊行物に記載の事項
　
（ア）
「〔発明の利用分野〕
　本発明は、半導体装置の製作における微細なレジストパターンの形成方法に関するものである。」（１ページ右下欄１２ないし１４行）
　
（イ）
「まず第１点として、
基板表面凹凸の問題がある。
ＬＳＩ回路のように極めて細かく多数の凹凸を有する基板上では場所により膜厚が変化したり膜表面に凹凸を生じたりするため、露光・現像の最適条件が場所により異なってしまい微細パターンを基板全面にわたって均一に高精度に形成するのが困難であるという問題点があった。」（２ページ左上欄５ないし１５行）
　
（ウ）
「〔発明の概要〕
　本発明を概説すれば、
基板上に複数種の材料からなる多層レジストを積層し、そのうち少なくとも一層に露光処理などによって凹凸からなる原パターンを形成したのち、この上にドライエッチング耐性の大きな材料膜を堆積して、その一部、少なくとも原パターンの凸部上の膜をエッチング等の適宜な方法により取り除くことによって原パターンに相補的な反転マスクパターンを形成し、これをマスクに原パターン層以下のレジスト層を選択的に除去して所望の多層レジストパターンを得る
　
（エ）
「実施例１
　第２図（ａ）〜（ｆ）は本発明の第１の実施例における工程図を示すものである。第２図に示した工程（ａ）において、段差を有する基板１上に第１のレジスト膜としてクロロメチル化ポリスチレン（ＣＭＳ）層２を、その表面が平坦となるようやや厚めに回転塗布法により形成した。これを２００℃にて２５分ベークし、さらにＣＦ４プラズマ処理により表面を硬化させた後、第２のレジスト膜としてＦＢＭ−Ｇ層３を約０．７μｍの厚さに回転塗布した。次に工程（ｂ）において、電子ビーム４により所定のパターン部を選択的に露光し、感光領域５を形成した。しかる後、
工程（ｃ）において、所定の現像液を用いてこの感光領域を溶解除去し、露光パターンに対応した凹部５′を形成した。
工程（ｄ）でシリコーン樹脂から成る塗布膜８を、回転塗布法により約０．８μｍの厚さで付着し、平坦な表面を得た。この塗布膜８を十分乾燥させた後、工程（ｅ）においてＣＦ
４
−Ｏ
２
（２０％）の混合ガスプラズマ中で２分エッチングし、ＦＢＭ−Ｇパターン層３の凸部表面９を露出させることにより、原パターンに相補的な反転パターン８を形成した。
工程（ｆ）で、酸素ＲＩＥ法により露出したＦＢＭ−Ｇ／ＣＭＳの二層レジスト膜をエッチング除去することによりパターンを転写し、原パターンの凹部５′と相補的な反転多層レジストパターン１０を形成した。
　本実施例の方法によれば、原パターンを露光する第２のレジスト膜をマスクにして下部の膜をドライエッチングする必要は無いから、エッチング耐性の低いレジスト材料でも第２のレジスト膜として用いることが出来る。従って、微細パターンの形成に適した高解像・高感度レジストを適用出来る。また、反転パターン材料のシリコーン樹脂は通常レジスト膜のエッチングに使われる酸素ＲＩＥやアッシャ−処理では殆どエッチングされないので、これをマスクとして第１のレジスト膜層にドライエッチング法を用いてパターンを転写する際も、十分なエッチング選択性を得ることが容易である。このため、更に、第１のレジスト層として比較的エッチング耐性の高いＣＭＳやＡＺ−１３５０〔シプレー（ｓｈｉｐｌｅｙ）社製〕などを使うことが出来るので、最終的に得られた反転多層レジストパターンをマスクとして下地の基板や素子形成用材料膜の加工をする上でも有利である。
　
以上述べたように本発明の方法によって従来法における問題点を除去される
　
（オ）　第２図
　
ａ．　
　第２図（ｃ）には、「第２レジスト層３」に形成された「凹部５′」以外の箇所が、「第２レジスト層３」の底面から頂上面で終わるように突起状に上下に伸び、それらに対して前記底面から前記頂上面との間の高さを決定することができることが図示されている。
　
ｂ．
　第２図（ｂ）ないし（ｆ）には、「凹部５′」に対応するように、工程（ｆ）で「反転多層レジストパターン１０」が形成されていく推移が図示されている。
　
ｃ．
　第２図の（ｆ）には、「反転多層レジストパターン１０」が、「基板１」の高さに関係なく同じ高さに形成されていることが図示されている。
　
　
　
（カ）
　上記摘記事項（イ）の「基板表面凹凸の問題がある。」との記載、摘記事項（ウ）の「基板上に複数種の材料からなる多層レジストを積層し、そのうち少なくとも一層に露光処理などによって凹凸からなる原パターンを形成したのち、この上にドライエッチング耐性の大きな材料膜を堆積して、その一部、少なくとも原パターンの凸部上の膜をエッチング等の適宜な方法により取り除くことによって原パターンに相補的な反転マスクパターンを形成し、これをマスクに原パターン層以下のレジスト層を選択的に除去して所望の多層レジストパターンを得る」との記載及び摘記事項（エ）の「以上述べたように本発明の方法によって従来法における問題点を除去される」との記載から、刊行物１には、基板表面に凹凸のある基板に対するパターニング方法が記載されている。ここで、平面とは、通常は凹凸がない状態をいうものであるから、凹凸を有することは、平面の状態から逸脱した乱れたものと表現することもできるから、刊行物１に記載されたパターニング方法は、「平面性乱れを有する基板のパターニング方法」であるといえる。
　
（キ）
　上記摘記事項（エ）には、「工程（ｃ）において、所定の現像液を用いてこの感光領域を溶解除去し、露光パターンに対応した凹部５′を形成した。」との記載があり、上記（オ）ａ．の、「第２レジスト層３」に形成された「凹部５′」以外の箇所が、「第２レジスト層３」の底面から頂上面で終わるように突起状に上下に伸び、それらに対して前記底面から前記頂上面との間の高さを決定することができるとの図示事項から、刊行物１には、「基板上に、複数の突起を含むパターンを有する第２レジスト層を形成する工程（ｃ）であって、前記突起のサブセットは底面から伸びて頂上面で終わりそれらの間の高さを決める、前記工程（ｃ）」が記載されているといえる。
　
（ク）
　上記摘記事項（エ）には「工程（ｆ）で、酸素ＲＩＥ法により露出したＦＢＭ−Ｇ／ＣＭＳの二層レジスト膜をエッチング除去することによりパターンを転写し、原パターンの凹部５′と相補的な反転多層レジストパターン１０を形成した。」との記載があり、上記（オ）ｂ．の、「凹部５′」に対応するように、工程（ｆ）で「反転多層レジストパターン１０」が形成されていく推移との図示事項から、「原パターン」と相補的な「パターン」も、「原パターン」の形状に対応して形成されることは明らかであるから、刊行物１に記載されたものは、「基板」上に、「原パターン」に対応する「反転多層レジストパターン１０」を転写するステップが記載されているといえる。
　
イ．　刊行物記載の発明
　上記摘記事項（ア）ないし（エ）、図示事項（オ）ａ．ないしｃ．及び認定事項（カ）ないし（ク）から、技術常識を考慮しながら補正発明に照らして整理すると、刊行物には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
　
「平面性乱れを有する基板のパターニング方法であって、
　前記基板上に、複数の突起を含む原パターンを有する第２レジスト層を形成する工程（ｃ）であって、前記突起のサブセットは底面から伸びて頂上面で終わりそれらの間の高さを決める、前記形成する工程（ｃ）と、
　前記第２レジスト層上に、前記複数の突起の前記頂上面から距離をおいた平坦な表面を形成する塗布膜を配置する工程（ｄ）と、
　前記基板上に、前記原パターンに対応する反転多層レジストパターン１０を転写する工程（ｅ）及び（ｆ）とを含む
　パターニング方法。」
　
（２）　対比
　補正発明と引用発明とを対比する。
　引用発明の「工程」は、補正発明の「ステップ」に対応する。
　引用発明の「原パターン」、「第２レジスト層」、「塗布膜」、「反転多層レジストパターン１０」及び「平坦」は、その機能・構成からみて、補正発明の「初期パターン」、「パターン層」、「エッチング差層」、「記録パターン」及び「平滑または平らな」にそれぞれ相当する。
　そうすると、両者は、以下の点で一致しかつ相違する。
　
＜一致点＞
「平面性乱れを有する基板のパターニング方法であって、
　前記基板上に、複数の突起を含む初期パターンを有するパターン層を形成するステップであって、前記突起のサブセットは底面から伸びて頂上面で終わりそれらの間の高さを決める、前記形成するステップと、
　前記パターン層上に、前記複数の突起の前記頂上面から距離をおいた平滑または平らな表面を形成するエッチング差層を配置するステップと、
　前記基板上に、前記初期パターンに対応する記録パターンを転写するステップと
を含むパターニング方法。」
　
＜相違点＞
　
・相違点１
　補正発明の「エッチング差層を配置するステップ」は、「前記複数の突起にわたる頂上面と前記平滑または平らな表面の間の距離の変化は前記高さの１／２未満の範囲内である」ようにするものであるのに対し、引用発明は、そのようなものであるか明らかではない点。
　
・相違点２
　補正発明は、「前記記録パターンの形成中に生ずる歪みは、前記基板の平面性乱れとは無関係である」のに対し、引用発明がそのようなものであるか明らかではない点。
　
（３）　相違点に対する判断
　
ア．　相違点１について
　上記（１）の摘記事項（エ）の「工程（ｄ）でシリコーン樹脂から成る塗布膜８を、回転塗布法により約０．８μｍの厚さで付着し、平坦な表面を得た。この塗布膜８を十分乾燥させた後、工程（ｅ）においてＣＦ４−Ｏ２（２０％）の混合ガスプラズマ中で２分エッチングし、ＦＢＭ−Ｇパターン層３の凸部表面９を露出させることにより、原パターンに相補的な反転パターン８を形成した。」との記載及び（オ）第２図（ｄ）及び（ｅ）の記載から、工程（ｄ）で形成された「平坦な表面」を有する「塗布膜８」をエッチングによって複数形成された「凸部表面９」を露出させるから、複数の「凸部表面９」のそれぞれから「平坦な表面」までの距離の差が少ない方が、エッチングによって除去しなければならない「塗布膜８」等が薄くなり望ましいことは明らかである。
　そうすると、引用発明において、「複数の凸部表面９と塗布膜８の平坦な表面の間の距離の変化を小さくする」ことは、当業者にとって格別困難なことではない。さらに、上記「距離の変化」を「突起のサブセットは底面から伸びて超上面で終わりそれらの間の高さ」の１／２未満の範囲内とした点は、「塗布膜８」が全ての「凸部表面９」を覆わなくてはならないことに鑑みて、当該「距離の変化」を当該「高さ」との関係として定めようとして採用することができた設計上の事項である。
　
イ．　相違点２について
　基板上に形成させるパターンの歪みは、形成されるパターンの高さが変動し、露光時に光源からの距離が変化することにより生じることは、技術常識である。ここで、上記（２）ア．（オ）ｃ．の図示から、「反転多層レジストパターン１０」表面の高さ方向の形成位置は、直下の「基板１」の高さに関係なく同じであるから、当該表面の上方に位置する光源からの距離も等しいといえ、したがって、引用発明においては「基板１」の高さに関係してパターンの歪みが生じないことは明らかである。引用発明の「反転多層レジストパターン１０」の形成中に生ずる歪みは、「基板１」の平面性乱れとは無関係であるといえるから、相違点２は、実質的なものではない。
　
ウ．　作用・効果について
　補正発明が奏する作用及び効果について、引用発明から当業者が予測し得る以上のものであると認められない。
　
エ．　小括
　以上のとおりであるから、、補正発明は引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　
（４）　補正の却下についてのまとめ
　上記（３）で検討したように、補正発明は、特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　したがって、本件補正は、平成１８年改正前特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　よって、上記［補正の却下の決定の結論］のとおり、決定する。
　
第３　本願発明
　
１．　本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１ないし１０は、平成２４年３月１３日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項により特定されるとおりのものであると認めるところ、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、上記第２の１．（１）に記載された事項により特定されるとおりのものと認める。
　
２．　引用発明
　上記刊行物には、上記第２の２．（１）イの引用発明が記載されている。
　
３．　当審の判断
　上記第２の２．に示したように、本件補正は、本願発明の「記録パターン」について、「記録パターンの形成中に生じる歪みは、前記基板の平面性乱れとは無関係であること」を付加して限定するものである。
　そして、本願発明の構成を全て備えてさらに限定した補正発明が、上記第２の２．（３）に示したとおり、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、引用発明に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
第４　まとめ
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、その他の請求項について検討するまでもなく、本願は拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。