(57)【要約】      （修正有）【課題】耐湿熱性に優れた近赤外線吸収化合物（ジイモニウム塩化合物）、及びこれを含む近赤外線吸収組成物、並びに近赤外線吸収フィルタ、ディスプレイ用前面板を提供する。【解決手段】下記式（１）で示される構造を有することを特徴とするジイモニウム塩化合物。2007297333.tif 000007【選択図】  なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記式（１）で示される構造を有することを特徴とするジイモニウム塩化合物。
【化１】
2007297333.tif 000006
ただし、式（１）中において、Ｒ1〜Ｒ8のうち少なくとも一つは、イソアミル基であり、Ｘは(ＲfＳＯ2)−Ｎ-−（ＳＯ2Ｒf'）（ＲfおよびＲf'は炭素数１〜４のフルオロアルキル基）で示される陰イオンである。環Ａ及び環Ｂのうち少なくとも一つは置換基を有していてもよい。
【請求項２】
環Ａおよび環Ｂの１，４−位以外は、全て無置換である請求項１に記載のジイモニウム塩化合物。
【請求項３】
前記Ｒfおよび前記Ｒf'が、同一のパーフルオロアルキル基である請求項１に記載のジイモニウム塩化合物。
【請求項４】
環Ａおよび環Ｂの１，４−位以外は、低級アルキル基、低級アルコキシ基、シアノ基、ハロゲン原子およびヒドロキシル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の置換基を有する請求項１に記載のジイモニウム塩化合物。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかの項に記載のジイモニウム塩化合物の少なくとも１種と、樹脂とを含む近赤外線吸収組成物。
【請求項６】
シアニン系色素、フタロシアニン系色素、アゾ系色素、スクアリリウム系色素およびジチオール系色素からなる群から選ばれる少なくとも１種の色素をさらに含む請求項５に記載の近赤外線吸収組成物。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれかの項に記載のジイモニウム塩化合物の少なくとも１種を含む近赤外線吸収フィルタ。
【請求項８】
シアニン色素、フタロシアニン系色素、アゾ系色素、スクアリリウム系色素およびジチオール系色素からなる群から選ばれる少なくとも１種の色素をさらに含む請求項７に記載の近赤外線吸収フィルタ。
【請求項９】
基材と、前記基材の一方の主面側に配置された近赤外線吸収層とを備え、
前記近赤外線吸収層は、請求項１〜４のいずれかの項に記載のジイモニウム塩化合物の少なくとも１種を含む請求項７に記載の近赤外線吸収フィルタ。
【請求項１０】
前記基材の前記近赤外線吸収層側の主面の反対側に配置された反射防止層をさらに備えた請求項９に記載の近赤外線吸収フィルタ。
【請求項１１】
前記基材と前記反射防止層の間に配置されたハードコート層をさらに備えた請求項１０に記載の近赤外線吸収フィルタ。
【請求項１２】
請求項７〜１１のいずれかの項に記載の近赤外線吸収フィルタを含むディスプレイ用前面板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、近赤外線フィルタ等の製造に用いられるジイモニウム塩化合物、及びこれを含む近赤外線吸収組成物、並びに近赤外線吸収フィルタ、ディスプレイ用前面板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、大型ディスプレイとして様々な形式のディスプレイが開発、商品化されており、その一つにプラズマディスプレイがある。プラズマディスプレイを構成する表示パネル（プラズマディスプレイパネルと呼ばれ、以下「ＰＤＰ」と略する。）においては、２枚のガラス板の間にキセノンとネオンとを含む混合ガスが封入されている。この混合ガスに高電圧をかけると紫外線が発生し、紫外線がガラス板に塗布された蛍光体にあたって、蛍光体が発光する。
【０００３】
上記放電の際には、紫外線と同時に波長が８５０ｎｍ〜１１００ｎｍの近赤外線も放射される。この近赤外線の波長領域は、近赤外線通信や家庭用電子機器のリモートコントロールの波長域と重なるため、ＰＤＰから放射される近赤外線は、電子機器の誤作動を引き起こす原因となる。そのため、従来からＰＤＰの前面板に近赤外線吸収能を有するジイモニウム塩化合物を含む近赤外線吸収フィルタを用いて、近赤外線を吸収している（例えば特許文献１参照）。
【特許文献１】特公平６−２６０２８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
従来の近赤外線吸収フィルタでは、ジイモニウム塩化合物として、末端基として直鎖状のアルキル基を有する化合物が用いられることが多い。しかし、これら化合物を用いた近赤外線吸収フィルタは、湿度に対して上記化合物が変質しやすい等の原因から、近赤外線吸収能が低下するという問題を有していた。さらには、変質した上記化合物は可視領域の光に対して吸収を呈するようになり、フィルタ自身の色味が変化するという問題があった。
【０００５】
本発明は、直鎖状アルキル基を有するジイモニウム塩化合物に比較して、より耐湿熱性に優れた近赤外線吸収化合物（ジイモニウム塩化合物）、及びこれを含む近赤外線吸収組成物、並びに近赤外線吸収フィルタ、ディスプレイ用前面板を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のジイモニウム塩化合物は、下記式（１）で示される構造を有することを特徴とする。
【０００７】
【化１】
2007297333.tif 000002
【０００８】
ただし、式（１）中において、Ｒ1〜Ｒ8のうち少なくとも一つは、イソアミル基であり、Ｘは(ＲfＳＯ2)−Ｎ-−（ＳＯ2Ｒf'）（ＲfおよびＲf'は炭素数１〜４のフルオロアルキル基）で示される陰イオンである。環Ａ及び環Ｂのうち少なくとも一つは置換基を有していてもよい。
【０００９】
本発明の近赤外線吸収組成物は、本発明のジイモニウム塩化合物の少なくとも１種と、樹脂とを含むことを特徴とする。
【００１０】
本発明の近赤外線吸収フィルタは、上記（１）で示される構造を有するジイモニウム塩化合物を少なくとも１種含むことを特徴とする。
【００１１】
本発明のディスプレイ用前面板は、本発明の近赤外線吸収フィルタを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、耐湿熱性に優れた近赤外線吸収化合物（ジイモニウム塩化合物）、及びこれを含む近赤外線吸収組成物、並びに近赤外線吸収フィルタ、ディスプレイ用前面板を提供できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下本発明について詳細を説明する。
【００１４】
（実施形態１）
実施形態１では、本発明のジイモニウム塩化合物について説明する。本発明のジイモニウム塩化合物は、上記式（１）で示される構造をしている。
【００１５】
式（１）中において、Ｘは電荷を中和させるのに必要なアニオンであり、(ＲfＳＯ2)−Ｎ-−（ＳＯ2Ｒf'）（ＲfおよびＲf'は炭素数１〜４のフルオロアルキル基）で示される。具体的には、例えば、ビス（トリフルオロメタンスルホン）イミド酸イオン、ビス（ペンタフルオロエタンスルホン）イミド酸イオン、ペンタフルオロエタンスルホントリフルオロメタンスルホンイミド酸イオン、トリフルオロメタンスルホンへプタフルオロプロパンスルホンイミド酸イオン、ノナフルオロブタンスルホントリフルオロメタンスルホンイミド酸イオン等の陰イオンが挙げられる。中でも、ＲfおよびＲf'が同一のパーフルオロアルキル基である、ビス（トリフルオロメタンスルホン）イミド酸イオン、ビス（ペンタフルオロエタンスルホン）イミド酸イオン等が、近赤外線吸収能力が高い点で好ましい。
【００１６】
環Ａおよび環Ｂのうちの少なくとも１つは、１,４−位以外に１〜４個の置換基を有していてもよいし、置換基を有していなくてもよい。上記置換基としては、例えば、低級アルキル基、低級アルコキシ基、シアノ基、ハロゲン原子およびヒドロキシル基からなる群から選ばれる少なくとも１種の置換基が挙げられる。低級アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基等の、炭素数が１〜５個のアルキル基が挙げられる。低級アルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基等の、炭素数が１〜５個のアルコキシ基が挙げられる。ハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、またはヨウ素原子等が挙げられる。
【００１７】
環Ａおよび４つの環Ｂのうちの少なくとも１つが置換基を有する場合、その置換基は、ハロゲン原子（特に塩素原子、臭素原子）、メチル基またはシアノ基であると好ましい。
【００１８】
４つの環Ｂ全てが置換基を有する場合は、全ての置換基は同じであると好ましい。この場合、置換基の位置は、フェニレンジアミン骨格に結合する窒素原子に対してｍ−位であると、合成し易く好ましい。
【００１９】
環Ａおよび４つの環Ｂが１,４−位以外に置換基を有していないと、ジイモニウム塩化合物の合成上よりいっそう好ましい。
【００２０】
Ｒ1〜Ｒ8の全てが、上記イソアミル基であってもよいが、Ｒ1〜Ｒ8のうちの幾つかについては上記イソアミル基であり、残りについては、例えば分岐鎖状又は直鎖状のアルキル基であってもよい。分岐鎖状または直鎖状のアルキル基の炭素数は、１〜２０個が適当である。更に、分岐鎖状または直鎖状のアルキル基は、置換基を有していてもよいし、置換基を有していなくてもよい。
【００２１】
上記分岐鎖状アルキル基としては、例えば、１−メチルエチル基（ｉｓｏ−プロピル基）、１−メチルプロピル基（ｓｅｃ−ブチル）、１，１−ジメチルエチル基（ｔ−ブチル基）、１，１−ジメチルプロピル基、１−メチルブチル基、１，２−ジメチルプロピル基、１，２−ジメチルブチル基、２−メチルプロピル基（ｉｓｏ−ブチル基）、２，２−ジメチルプロピル基、２−メチルブチル基、２−エチルブチル基、３−メチルブチル基（ｉｓｏ−アミル基）、１，１−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、及び３，３−ジメチルブチル基等の炭素数１〜２０の分岐鎖状アルキル基が挙げられる。なかでも、炭素数１〜１０の分岐鎖状アルキル基が好ましい。
【００２２】
上記直鎖状アルキル基としては、例えば、エチル基、ｎ−プロピル基、またはｎ−ブチル基等が挙げられる。
【００２３】
これら分岐鎖状アルキル基または直鎖状アルキル基が置換基を有する場合、当該置換基は、シアノ基、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、炭素数２〜８のアルコキシアルコキシ基、炭素数３〜１５のアルコキシアルコキシアルコキシ基、炭素数６〜１２のアリールオキシ基、炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基、炭素数２〜７のアルキルカルボニルオキシ基、または炭素数２〜７のアルコキシカルボニルオキシ基が挙げられる。
【００２４】
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子等が挙げられる。炭素数２〜８のアルコキシアルコキシ基としては、メトキシメトキシ基、エトキシメトキシ基、メトキシエトキシ基、エトキシエトキシ基、メトキシプロポキシ基、メトキシブトキシ基、エトキシブトキシ基等が挙げられる。
【００２５】
炭素数３〜１５のアルコキシアルコキシアルコキシ基としては、メトキシメトキシメトキシ基、メトキシメトキシエトキシ基、メトキシエトキシエトキシ基、エトキシエトキシエトキシ基等が挙げられる。
【００２６】
炭素数６〜１２のアリールオキシ基としては、フェノキシ基、トリルオキシ基、キシリルオキシ基、ナフチルオキシ基等が挙げられる。
【００２７】
炭素数２〜７のアルコキシカルボニル基としては、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル基、ｎ−プロポキシカルボニル基、イソプロポキシカルボニル基、ｎ−ブトキシカルボニル基等が挙げられる。
【００２８】
炭素数２〜７のアルキルカルボニルオキシ基としては、メチルカルボニルオキシ基、エチルカルボニルオキシ基、ｎ−プロピルカルボニルオキシ基、ｎ−ブチルカルボニルオキシ基等が挙げられる。
【００２９】
炭素数２〜７のアルコキシカルボニルオキシ基としては、メトキシカルボニルオキシ基、エトキシカルボニルオキシ基、ｎ−プロポキシカルボニルオキシ基、ｎ−ブトキシカルボニルオキシ基等が挙げられる。
【００３０】
次に、本発明のジイモニウム塩化合物の具体例を表１に示す。
【００３１】
【表１】
2007297333.tif 000003
【００３２】
表１において、環Ａの１，４−位以外が無置換である場合は「Ｈ」と略記しており、環Ｂについても同様である。Ｒ1〜Ｒ8の全てが、イソアミル基である場合は、８（イソアミル）と略記している。Ｒ1〜Ｒ8のうち、いずれか４つがイソアミル基であり、残りのいずれか４つがｎ−ブチル基である場合は、４（イソアミル）、４（ｎ−ブチル）と略記している。
【００３３】
本発明の式（１）で示されるジイモニウム塩化合物は、例えば、下記の方法により製造できる。
【００３４】
まず、例えば、米国特許明細書第３２５１８８１、米国特許明細書第３５７５８７１、特開昭６１−６９９９１号公報等に記載された方法にて、アミノ体を得る。すなわち、まず、［化２］に記載のとおり、p−フェニレンジアミンと１−クロロ-4-ニトロベンゼンを、ウルマン反応および還元反応させて、アミノ体を得る。尚、［化２］における、環Ａおよび環Ｂは上記で定義された通りである。
【００３５】
【化２】
2007297333.tif 000004
【００３６】
次いで、例えば、上記表１のＮｏ．１の化合物のように、Ｒ1〜Ｒ8の全ての置換基が同一である化合物（全同一置換体）を得る場合は、３０〜１８０℃、より好ましくは５０〜１５０℃の有機溶剤に、上記アミノ体を溶解し、有機溶剤中で、アミノ体１モルに対して８モルのハロゲン化化合物（１−ブロモ−３−メチルブタン）を反応させる。これによ、全同一置換体を得ることができる。有機溶剤には、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の水溶性極性溶媒を用いると好ましい。
【００３７】
全同一置換体以外の化合物を合成する場合、例えば、上記表１のＮｏ．２の化合物を合成する場合は、３０〜１８０℃、より好ましくは５０〜１５０℃の水溶性極性溶媒中に、上記アミノ体を溶解し、この溶剤中で、上記アミノ体１モルに対して４モルの１−ブロモ−３−メチルブタンを反応させる。このようにして、Ｒ1〜Ｒ8のうち４つの置換基として、イソアミル基を導入する。次いで、他の置換基を導入するために、溶剤中で、アミノ体１モルに対して４モルの１−ブロモブタンを反応させて、Ｒ1〜Ｒ8のうちの残りの４つの置換基として、ｎ-ブチルを導入する。以上と同様にして、全同一置換体以外の任意の化合物を得ることができる。
【００３８】
次いで、以上のようにして合成した化合物を、０〜１００℃、より好ましくは２０〜１００℃の有機溶剤に、式（１）のＸに対応する酸化剤（例えば銀塩）とともに添加して、酸化反応を行う。有機溶剤には、テトラヒドロフラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドン等の水溶性極性溶媒を用いると好ましい。酸化剤の当量を２当量にすれば、式（１）で表されるジイモニウム塩化合物が得られる。
【００３９】
上記銀塩と反応させる方法以外に、下記の方法でも、式（１）に示されるジイモニウム塩化合物を得ることができる。
【００４０】
例えば、上記のようにして合成した化合物（全同一置換体、または全同一置換体以外の任意の化合物）を有機溶剤中で、硝酸銀、過塩素酸銀、塩化第二銅、二酸化マンガン等の酸化剤を用いて酸化する。得られた反応液に、所望のアニオンの酸または塩を添加するか、所望のカチオンのアルカリを添加して、塩交換を行う。この方法によっても、ジイモニウム塩化合物を得ることができる。
【００４１】
このようにして得たジイモニウム塩化合物は、極大吸収波長が９００ｎｍ以上にあり、吸光係数も数万から、数十万程度と大きい。この様な化合物は、近赤外線吸収フィルタに含まれる近赤外線吸収化合物としての用途以外に、ＣＤ−Ｒ，ＤＶＤ−Ｒ等の光記録媒体の褪色防止剤（一重項酸素クエンチャー）、断熱フィルム、サングラス等に使用できる。
【００４２】
（実施形態２）
実施形態２では、実施形態１のジイモニウム塩化合物を用いた近赤外線吸収フィルタの一例について説明する。
【００４３】
図１に示すように、本実施形態の近赤外線吸収フィルムは、基材１と、基材１の一方の主面上に配置された近赤外線吸収層２から構成されている。
【００４４】
基材１の材料としては、可視光に対して透光性を有する材料であれば特に制限されない。例えば、飽和ポリエステル系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、ポリアクリル酸エステル系樹脂、脂環式ポリオレフィン系樹脂、ポリスチレン系樹脂、ポリ塩化ビニル系樹脂、ポリ酢酸ビニル系樹脂等の樹脂をフィルム状またはシート状に加工したものを用いることができる。
【００４５】
上記樹脂をフィルム状又はシート状に加工する方法としては、例えば、押し出し成形、カレンダー成形、圧縮成形、射出成形、上記樹脂を溶剤に溶解させてキャスティングする方法等が挙げられる。基材１の厚さは、通常１０μｍ〜５００μｍ程度である。なお、上記樹脂には、酸化防止剤、難燃剤、耐熱防止剤、紫外線吸収剤、表面調整剤、易滑剤、帯電防止剤等の添加剤が添加されていてもよい。
【００４６】
近赤外線吸収層２は、実施形態１の近赤外線吸収化合物と、バインダーとしての樹脂とを含む近赤外線吸収組成物を、溶媒に添加して得た塗料を基材に塗付することにより形成できる。
【００４７】
近赤外線吸収組成物に含まれる近赤外線吸収化合物は、実施形態１の近赤外線吸収化合物（ジイモニウム塩化合物）のみでもよいが、実施形態１の近赤外線吸収化合物とは最大吸収波長の異なる別の近赤外線吸収化合物を含んでいると好ましい。このように、最大吸収波長が相違する２種以上の近赤外線吸収化合物を用いれば、１種の近赤外線吸収化合物を用いる場合によりも、近赤外線波長領域（８５０〜１１００ｎｍ）のうちの、より広い波長域の光を吸収できるからである。近赤外線波長領域（８５０〜１１００ｎｍ）の光をほぼ全て吸収可能なように、近赤外線吸収組成物が、最大吸収波長が相違する２種以上の近赤外線吸収化合物を含んでいると、より好ましい。２種以上の近赤外線吸収化合物の配合割合は、各近赤外線吸収化合物の近赤外線吸収波長領域等に応じて適宜決定すればよい。
【００４８】
実施形態１の近赤外線吸収化合物とは最大吸収波長の異なる別の近赤外線吸収化合物としては、シアニン系色素（イオン結合性化合物）、フタロシアニン系色素（金属錯体化合物）、アゾ系色素、スクアリリウム系色素、およびジチオール系色素からなる群から選ばれる少なくとも1種の色素が挙げられる。
【００４９】
２種以上の近赤外線吸収化合物の組み合わせは、例えば、実施形態１のジイモニウム系化合物/シアニン系色素、実施形態１のジイモニウム塩化合物/フタロシアニン系色素等が挙げられる。
【００５０】
近赤外線吸収組成物に含まれるバインダー樹脂については、可視光に対して、透光性を有していれば特に制限は無いが、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂、エポキシ樹脂、ポリ酢酸ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、セルロース樹脂、ポリブチラール樹脂、ポリエステル樹脂等を用いることが出来る。これらの樹脂のうち１種を用いてもよいし、2種以上がブレンドされたポリマーブレンドを用いてもよい。特に、ガラス転移温度が８０℃以上の樹脂を用いると、近赤外線吸収化合物との相溶性が良好であるので好ましい。
【００５１】
近赤外線吸収組成物に含まれるバインダー樹脂の配合割合について、特に制限は無いが、近赤外線吸収化合物１００重量部に対して、バインダー樹脂が１０００〜２０００重量部程度であると好ましい。
【００５２】
近赤外線吸収組成物には、必要に応じて、酸化防止剤、難燃剤、耐熱防止剤、紫外線吸収剤、表面調整剤、易滑剤、帯電防止剤等の添加剤が添加されていてもよい。
【００５３】
塗料に含まれ、近赤外線吸収化合物およびバインダー樹脂を溶解させる溶媒としては、特に限定はないが、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、プロピオニトリル等の有機溶媒、またはこれらの混合溶媒が挙げられる。
【００５４】
尚、本願において、「近赤外線吸収化合物の溶解」とは、近赤外線吸収化合物が溶媒中に溶け込み、固体の形状に無く、イオン対、又は錯体の状態となることを意味し、イオン対、または錯体をなさないほどに、溶媒に溶け込んだ状態を意味する「解離」とは区別される。
【００５５】
塗料の塗布方法について、特に制限は無いが、例えば、ロールコート、ダイコート、エアナイフコート、ブレードコート、スピンコート、リバースコート、グラビアコート等の塗工法、グラビア印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷等の印刷法を用いることが出来る。
【００５６】
本実施形態の近赤外線吸収フィルタは、Ｈａｚｅ値（ＪＩＳ  Ｋ７１０５に規定）が１％以下であると好ましい。Ｈａｚｅ値が１以下であると、例えば、上記近赤外線吸収フィルタをＰＤＰの前面板の構成部材として使用した場合に、画像の鮮やかさが損なわれないからである。尚、Ｈａｚｅ値は、曇価とも呼ばれ、プラスチックの内部や表面の曇りの度合いを表す値であり、低ければ低いほど好ましい。
【００５７】
近赤外線吸収フィルタの、波長領域８５０ｎｍ〜１１００ｎｍにおける分光透過率は、１５％以下であると好ましく、１０％以下であることがより好ましい。分光透過率がこの範囲であれば、近赤外線吸収フィルタによって電子機器の誤作動を十分に抑制できる。尚、上記分光透過率は低ければ低いほど好ましい。
【００５８】
近赤外線吸収層２の厚さは、２μｍ以上１５μｍ以下であると好ましく、３μｍ以上１０μｍ以下であるとより好ましい。近赤外線吸収層２の厚さが２μｍ未満の場合、波長領域８５０ｎｍ〜１１００ｎｍにおける分光透過率を１５％以下にするためには、バインダー樹脂に対する近赤外線吸収化合物の添加量を増加させる必要がある。この場合、未溶解の近赤外線吸収化合物に起因する光の散乱が生じ、その結果Ｈａｚｅ値が大きくなるという問題が生じる場合がある。また、近赤外線吸収層２の厚さが、１５μｍを超える場合、波長領域８５０ｎｍ〜１１００ｎｍにおける分光透過率を１５％以下に維持できるものの、近赤外線吸収層２中に遊離した溶剤が残る場合がある。この残存溶剤は、近赤外線吸収化合物の再溶解または解離等を引き起こして、近赤外線吸収特性の経時劣化をもたらす。近赤外線吸収層２の厚さが、２μｍ以上１５μｍ以下であれば、これらの問題が生じないため好ましい。
【００５９】
以上、図１に示した近赤外線吸収フィルタを例に挙げて本実施形態の近赤外線吸収フィルタの一例を説明したが、本実施形態の近赤外線吸収フィルタの構造は図１に示した例に限定されない。本実施形態の近赤外線吸収フィルタは、樹脂に近赤外線吸収化合物が分散された単一の層からなるものであってもよい。また、図２に示すように、近赤外線吸収フィルタは、基材１の近赤外線吸収層２側の主面の反対側に配置された反射防止層４を備えていてもよいし、基材1と反射防止層４の間に配置されたハードコート層３を備えていてもよい。ハードコート層３は、例えば、熱硬化性樹脂や無機微粒子等を含む。反射防止層４は、屈折率の異なる３つの膜から構成されていてもよく、この場合、３つの膜は、ハードコート層３側から中屈折率膜４a、高屈折率膜４b、低屈折率膜４cの順に配置される。
【００６０】
（実施形態３）
実施形態３では、本発明のディスプレイ用前面板の一例について説明する。図３に示すように、本実施形態のディスプレイ用前面板１１は、基板１２と、基板１２の一方の主面側に配置された近赤外線吸収フィルタ１３と、基板１２の他方の主面側に配置された電磁波遮蔽層１４と、電極（アース）１５とから形成されている。
【００６１】
基板１２の材料は、可視光に対して、透光性を有する材料であれば特に限定されず、例えば、強化ガラス等を用いることが出来る。近赤外線吸収フィルタ１３としては、例えば、実施形態２の近赤外線吸収フィルタを用いることが出来る。
【００６２】
本実施形態のディスプレイ用前面板は、実施形態２の近赤外線吸収フィルタを用いているので、高温高湿な使用条件下における近赤外線吸収特性の経時劣化が抑制されている。
【００６３】
以下、実施例に基づき本発明をより具体的に説明する。尚、本発明は、以下の実施例に限定されない。
【実施例】
【００６４】
（合成例１）
ｐ−フェニレンジアミン１０．８重量部に対して、１−クロロ−４−ニトロベンゼン９４．５重量部、無水炭酸カリウム３４．５重量部、銅粉２重量部を用意し、これらをジメチルホルムアミド１５０重量部中において、撹拌下還流した。還流は１５時間行った。この反応後、反応混合物をろ過し、ろ過物をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、水、アセトンでよく洗浄した後、乾燥して、赤褐色のＮ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラキス（ｐ−ニトロフェニル）−ｐ−フェニレンジアミンを３０重量部得た。
【００６５】
次にオートクレーブ中において、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラキス（ｐ−ニトロフェニル）−ｐ−フェニレンジアミン２５重量部を、パラジウム−カーボン水添触媒１重量部とともにＤＭＦ１００重量部に加えた。その際、圧力５．０ｋｇ／ｃｍ2の水素ガス圧をかけながら、９０℃〜１００℃下で水素吸収が止まるまで撹拌した。このようにして得た反応液をろ過し、次いで、ろ液を３５０重量部の氷水に入れ、しばらく攪拌した後、沈殿物をろ過した。その後、沈殿物をエタノール−ＤＭＦ混合溶媒（体積比５：７）中で再結晶させて、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラキス（ｐ−アミノフェニル）−ｐ−フェニレンジアミン１４部を得た。液クロ分析によりＮ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラキス（ｐ−アミノフェニル）−ｐ−フェニレンジアミンの純度は９５．８％であった。
【００６６】
Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラキス（ｐ−アミノフェニル）−ｐ−フェニレンジアミンを核磁気共鳴スペクトル（ｄ6−ＤＭＳＯ）分析したところ、ＮＭＲチャートにはδ３．３５ｐｐｍに８Ｈ分のアミノ基の吸収が、δ６．４０〜６．５１ｐｐｍにブロードなダブレットの２０Ｈ分芳香族環の吸収が見られた。
【００６７】
Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラキス（ｐ−アミノフェニル）−ｐ−フェニレンジアミン３．８重量部、ＤＭＦ３０重量部、炭酸カリウム１５重量部、１−ブロモ−３−メチルブタン１４．５重量部を用意し、これらを１００℃〜１３０℃で８時間撹拌した。次いで、得られた反応液を氷水１００重量部に入れ攪拌した後、沈殿物をろ取した。ろ取した沈殿物を乾燥した後、シリカゲルカラムを用いて精製し、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラキス[ｐ−ジ（イソアミル）アミノフェニル]−ｐ−フェニレンジアミン３．４重量部を得た。
【００６８】
Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラキス[ｐ−ジ（イソアミル）アミノフェニル]−ｐ−フェニレンジアミン１重量部を、ＤＭＦ１０重量部に加え、７０℃撹拌下、ＤＭＦ１０重量部に溶解させたビス（トリフルオロメタンスルホン）イミド酸銀を加えた。ビス（トリフルオロメタンスルホン）イミド酸銀のモル数は、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラキス[ｐ−ジ（イソアミル）アミノフェニル]−ｐ−フェニレンジアミンのそれの２倍とした。これらを１時間反応させた後、析出した銀をろ別した。ろ液に水１０重量部を加え、析出した結晶をろ取後乾燥することにより、表１のＮｏ．１の化合物１．０８重量部を得た。Ｎｏ.１の化合物の吸収極大波長は１０８１ｎｍであり、Ｎｏ.１の化合物は、近赤外領域の光に対して大きな吸収を示す化合物であった。
【００６９】
以上のようにして得た化合物Ｎｏ.１を、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）１００重量部に対して７．２５重量部添加し、さらに溶媒としてメチルエチルケトン７３８重量部添加して、近赤外線吸収層形成用の塗料を得た。この塗料を、マイクログラビアコーターを用いて基材に塗布し、塗布された塗料を乾燥して近赤外線吸収フィルタを得た。塗料の塗布は、乾燥後の膜厚が４μｍとなるように行った。基材には、表裏両面に易接着処理が施された厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（東レ株式会社製"Ｕ−３４"）を用いた。
【００７０】
（比較例）
１−ブロモ−３−メチルブタンに代えて、ｎ−ブチルブロマイドを用いたこと以外は、合成例１と同様にして、Ｎ，Ｎ，Ｎ'，Ｎ'−テトラキス［ジ−[ｐ−ジ（ｎ−ブチル）アミノフェニル]アミノフェニル］−ｐ−フェニレンジアミンを得た。この化合物と、６フッ化アンチモン酸銀とを反応させて、直鎖状のアルキル基を有するジイモニウム塩化合物を得た。また、この化合物を用いて実施例と同様にして近赤外線吸収フィルタを得た。
【００７１】
（耐湿熱性試験）
実施例、及び比較例の近赤外線吸収フィルタについて、温度８０℃９５％ＲＨで４８時間保存する試験を行い、この試験前後の分光透過率を分光光度計（日本分光株式会社製"Ｕ―Ｂｅｓｔ  Ｖ−５７０"）を用いて測定した。そして、特定波長（５００ｎｍ, ５５０ｎｍ,６００ｎｍ, ６５０ｎｍ, ８２０ｎｍ，８５０ｎｍ，９５０ｎｍ, １０００ｎｍ）の透過率変化を算出した。それぞれの結果について以下の基準で評価を行い、それらを表２に示した。
【００７２】
〔評価基準〕
◎：試験前後における透過率変化が０．５％未満
○：試験前後における透過率変化が０．５％以上１．５％未満
△：試験前後における透過率変化が１．５％以上３．０％未満
×：試験前後における透過率変化が３．０％以上
【００７３】
【表２】
2007297333.tif 000005
【００７４】
表２に示すように、イソアミル基を有し、Ｘが(ＲfＳＯ2)−Ｎ-−（ＳＯ2Ｒf'）（ＲfおよびＲf'は炭素数１〜４のフルオロアルキル基）で示される陰イオンであるジイモニウム塩化合物を用いた実施例（Ｎｏ．１）の近赤外線吸収フィルタは、直鎖のアルキル基を有するジイモニウム塩化合物を用いた比較例の近赤外線吸収フィルタよりも、特に、波長６５０ｎｍ〜５００ｎｍの光の透過率変化の程度が小さいことが確認できた。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明のジイモニウム塩化合物を用いた近赤外線吸収フィルタは、直鎖状のアルキル基を有するジイモニウム塩化合物を用いた従来の近赤外線吸収フィルタに比べて耐湿性が優れているので、様々な用途に利用することが出来きる。例えば、ＰＤＰ用、自動車ガラス用、建材用近赤外線吸収フィルタ等が上げられるが、特にＰＤＰ用近赤外線吸収フィルタに好適である。更に、本発明のジイモニウム化合物は、ＣＤ−Ｒ,ＤＶＤ−Ｒ等の光記録媒体、又はクエンチャーとしても用いることが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００７６】
【図１】本実施形態の近赤外線吸収フィルタの一例を示す断面図
【図２】本実施形態の近赤外線吸収フィルタの他の例を示す断面図
【図３】本実施形態のディスプレイ用前面板の一例を示す断面図
【符号の説明】
【００７７】
１    基材
２    近赤外線吸収層
３    ハードコート層
４    反射防止層
４ａ  中屈折率膜
４ｂ  高屈折率膜
４ｃ  低屈折率膜
１１  ディスプレイ用前面板
１２  基板
１３  近赤外線吸収フィルタ
１４  電磁波遮蔽層
１５  電極
【図１】
2007297333.tif 000008
【図２】
2007297333.tif 000009
【図３】
2007297333.tif 000010