【事件の表示】
　平成　６年特許願第　３６０６１号「隆起型ストラップ構造ＭＯＳトランジスタ及びその製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成　６年１０月２８日出願公開、特開平　６−３０２８２１］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成６年３月７日（パリ条約による優先権主張１９９３年３月２２日、米国）の出願であって、平成１２年９月２７日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月２２日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、平成１３年１月２２日付で手続き補正がなされたものである。
　
２．平成１３年１月２２日付の手続補正（以下「本件補正」という。）について
［補正却下の決定の結論］
　平成１３年１月２２日付の手続補正を却下する。
［理由］
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「半導体材料からなる基板と、
　該基板に形成されたゲート酸化物層と、
　該ゲート酸化物層上に形成されたゲート電極と、
　該ゲート電極の各側部にそれぞれ形成された保護サイドウォールと、
　該基板上に該ゲート酸化物層に対して適当な間隔をあけてそれぞれ配置される、トレンチ分離技術により形成される第１の酸化物層とゲート酸化物層形成時の第２の酸化物層とを積層することにより形成されている酸化物層と、　
　該酸化物層の上部に積層されるとともに、該保護サイドウォールと各酸化物層との間に、該基板とそれぞれ接するドレイン接続手段およびソース接続手段がそれぞれ設けられたドレイン領域およびソース領域と、
　を備えている隆起型ストラップ構造ＭＯＳトランジスタ。」　
  と補正された。
　
　上記補正は、平成１２年５月１７日付で補正された特許請求の範囲の請求項１（以下「補正前の請求項」という。）に記載された
「半導体材料からなる基板と、
　該基板上に形成されたゲート酸化物層と、
　該ゲート酸化物層上に形成されたゲート電極と、
　該ゲート電極の側部に形成された保護サイドウォールと、
　該基板上に該ゲート酸化物層に対してそれぞれ適当な間隔をあけて配置される、ほぼ一定の厚さで素子分離機能を有するドレイン酸化物層およびソース酸化物層と、
　該ドレイン酸化物層およびソース酸化物層の上部に積層されるとともに、該保護サイドウォールとドレイン酸化物層およびソース酸化物層との間に、該基板とそれぞれ接するドレイン接続手段およびソース接続手段がそれぞれ設けられたドレイン領域およびソース領域と、
　を備えている隆起型ストラップ構造ＭＯＳトランジスタ。」
を補正するものであるところ、
　補正前の請求項の、
（１）「該基板上に形成されたゲート酸化物層」と、
（２）「該ゲート電極の側部に形成された保護サイドウォール」と、
（３）「該基板上に該ゲート酸化物層に対してそれぞれ適当な間隔をあけて配置される、ほぼ一定の厚さで素子分離機能を有するドレイン酸化物層およびソース酸化物層」、及び、
（４）「該ドレイン酸化物層およびソース酸化物層の上部に積層されるとともに、該保護サイドウォールとドレイン酸化物層およびソース酸化物層との間に、該基板とそれぞれ接するドレイン接続手段およびソース接続手段がそれぞれ設けられたドレイン領域およびソース領域」とについて、それぞれ、
（１）「該基板に形成されたゲート酸化物層」と、
（２）「該ゲート電極の各側部にそれぞれ形成された保護サイドウォール」と、
（３）「該基板上に該ゲート酸化物層に対して適当な間隔をあけてそれぞれ配置される、トレンチ分離技術により形成される第１の酸化物層とゲート酸化物層形成時の第２の酸化物層とを積層することにより形成されている酸化物層」、及び、
（４）「該酸化物層の上部に積層されるとともに、該保護サイドウォールと各酸化物層との間に、該基板とそれぞれ接するドレイン接続手段およびソース接続手段がそれぞれ設けられたドレイン領域およびソース領域」
と補正している。
　
　しかしながら、上記補正の（３）及び（４）について検討するに、発明を特定するために必要な事項である、補正後の前記請求項１に記載される「第１の酸化物層」、「第２の酸化物層」及び「トレンチ分離技術により形成される第１の酸化物層とゲート酸化物層形成時の第２の酸化物層とを積層することにより形成されている酸化物層」は、補正前の請求項における発明を特定するために必要な事項である、「ドレイン酸化物層」又は「ソース酸化物層」のいずれとも対応しておらず、結果として、補正前の請求項における、発明を特定するために必要な事項である「ドレイン酸化物層」及び「ソース酸化物層」を削除する補正であるので、上記補正の（１）及び（２）については検討するまでもなく、本件補正は、特許法第１７条の２第３項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当しない。
　さらに、本件補正は、請求項を削除するものでなく、誤記の訂正にも当たらず、明りょうでない記載の釈明にも該当しないので、特許法第１７条の２第３項第１号、第２号又は第４号のいずれにも該当しない。
　
　よって、本件補正は、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について
　平成１３年１月２２日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成１２年５月１７日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「半導体材料からなる基板と、
　該基板上に形成されたゲート酸化物層と、
　該ゲート酸化物層上に形成されたゲート電極と、
　該ゲート電極の側部に形成された保護サイドウォールと、
　該基板上に該ゲート酸化物層に対してそれぞれ適当な間隔をあけて配置される、ほぼ一定の厚さで素子分離機能を有するドレイン酸化物層およびソース酸化物層と、
　該ドレイン酸化物層およびソース酸化物層の上部に積層されるとともに、該保護サイドウォールとドレイン酸化物層およびソース酸化物層との間に、該基板とそれぞれ接するドレイン接続手段およびソース接続手段がそれぞれ設けられたドレイン領域およびソース領域と、
　を備えている隆起型ストラップ構造ＭＯＳトランジスタ。」
　
（１）先願明細書記載の発明
　原査定の拒絶の理由に引用された、本願の優先権主張の日前の他の出願であって、その出願後に出願公開された特願平４−２０３１１６号（特開平６−２１４４９号公報参照）の願書に最初に添付された明細書及び図面（以下「先願明細書」という。）には、「短チャネルＭＯＳ型トランジスタおよびその製造方法」（発明の名称）が図面とともに記載されており、以下の記載がなされている。
　
　・「第２の実施例を、図３の概略構成断面図により説明する。・・・図に示すように、・・・ＭＯＳ型トランジスタ２では・・・ゲート１５の両側に形成した絶縁部１８に対してゲート１５とは反対側の半導体基板１１の上層に浅い拡散層領域１６，１７が形成されている。また浅い拡散層領域１６，１７に対してゲート１５とは反対側の半導体基板１１の上層には絶縁層３１，３２が形成されている。さらにソース・ドレイン領域１９、２０は、絶縁部１８側で上記浅い拡散層領域１６，１７に接続した状態にして上記絶縁層３１，３２上に形成されている。」（明細書（００２４））
　・「図４の（１）に示す第１の工程では、・・・半導体基板１１の上層の一部分に、およそ４００ｎｍの厚さの素子分離領域１２，１３を形成する。その後通常のプロセス技術によって、半導体基板１１の上面に、およそ１０ｎｍの厚さのゲート絶縁膜１４を形成する。さらにゲート絶縁膜１４の上面に、およそ２００ｎｍの厚さのゲート１５を形成する。」（明細書（００２７））
　・「図４の（２）に示す第２の工程・・・では、例えば熱酸化法によって、半導体基板１１の露出している部分に、酸化シリコン（ＳｉＯ２）よりなる絶縁膜３１，３２を形成する。この絶縁層３１，３２は、例えばおよそ１００ｎｍの厚さに形成される。」（明細書（００２９））
　
　よって、先願明細書には、
　「半導体基板と、前記半導体基板の上面に形成されたゲート絶縁膜と、
　前記ゲート絶縁膜の上面に形成されたゲートと、
　前記ゲートの両側に形成した絶縁部と、
　前記絶縁部の前記ゲートとは反対側の前記半導体基板の上層に形成された、１対の浅い拡散領域１６，１７と、　
　前記１対の浅い拡散領域に対して前記ゲートとは反対側の前記半導体基板の上層に形成された１対の絶縁層３１，３２と、
　前記絶縁部側で前記浅い拡散層領域に接続した状態で、前記１対の絶縁層３１，３２上に形成された１対のソース・ドレイン領域と
　を備えたＭＯＳ型トランジスタ」
　が記載されている。　
　
（２）対比・判断
　本願発明と先願明細書に記載された発明（以下「先願発明」という。）とを比較すると、
　
　先願発明の、「半導体基板」、「ゲート絶縁膜」、「ゲート」、及び「絶縁部」は、
　それぞれ、本願発明の、「半導体材料からなる基板」、「ゲート酸化物層」、「ゲート電極」、及び「保護サイドウォール」に相当し、
　　
　また、先願発明の、前記１対の浅い拡散領域に対して前記ゲートとは反対側の前記半導体基板の上層に形成された１対の絶縁層３１，３２は、それぞれ、ソース側又はドレイン側に形成されることは明らかであるので、先願明細書の「１対の絶縁層」は、本願発明の「ドレイン酸化物層」及び「ソース酸化物層」に相当する。
　
　さらに、上記のとおり、先願発明の「１対の絶縁層」のそれぞれが、「ドレイン酸化物層」又は「ソース酸化物層」に相当することより、先願発明の、１対の絶縁層上に形成された「１対のソース・ドレイン領域」は、本願発明の「ドレイン酸化物層およびソース酸化物層の上部に積層され」た「ドレイン領域およびソース領域」に相当する。
　
　よって、両者は、
　「半導体材料からなる基板と、
　該基板上に形成されたゲート酸化物層と、
　該ゲート酸化物層上に形成されたゲート電極と、
　該ゲート電極の側部に形成された保護サイドウォールと、
　該基板上に形成されたドレイン酸化物層およびソース酸化物層と、
　該ドレイン酸化物層およびソース酸化物層の上部に積層されたドレイン領域およびソース領域と、を備えているＭＯＳトランジスタ。」
である点で一致し、
以下の点で相違する。
　
　相違点１
　本願発明において、ドレイン酸化物層及びソース酸化物層が、該基板上に該ゲート酸化物層に対してそれぞれ適当な間隔をあけて配置されるとともに、ほぼ一定の厚さで素子分離機能を有しているのに対して、
　先願発明においては、１対の絶縁層は、前記１対の浅い拡散領域に対して前記ゲートとは反対側の前記半導体基板の上層に形成されているが、素子分離機能については記載がない点。
　
　相違点２
　本願発明においては、保護サイドウォールとドレイン酸化物層及びソース酸化物層との間に、基板とそれぞれ接するドレイン接続手段及びソース接続手段がそれぞれ設けられたソース領域及びドレイン領域を備えているのに対して、
　先願発明においては、絶縁部側で浅い拡散層領域に接続した状態で形成された１対のソース・ドレイン領域を備えているが、本願発明の「ドレイン接続手段」及び「ソース接続手段」について明確には記載されていない点。
　
　相違点３
　本願発明においては、隆起型ストラップ構造ＭＯＳトランジスタであるのに対して、
　先願発明においては、ＭＯＳ型トランジスタである点。
　
上記相違点について以下で検討する。
　相違点１について
　先願発明において、ゲート絶縁膜は浅い拡散領域のゲート側に形成されているので、１対の浅い拡散領域に対し、ゲートとは反対側の半導体基板の上層に形成されている１対の絶縁層が、ゲート絶縁膜からある程度の距離をおいて配置されていることは明らかである。
　また、先願発明において、１対のソース・ドレイン領域は１対の絶縁層上に形成されるとともに、１対のソース・ドレイン領域が半導体基板と接続する部分の広がりと比較して、１対の絶縁層が半導体基板と接触する部分は十分に広く、その程度は、本願発明における、ソース領域及びドレイン領域が基板と接続する部分と、ソース酸化物層及びドレイン酸化物層が基板と接触する部分の広がりとの関係とほぼ同等であるので、先願発明の一対の絶縁層は、本願発明におけるドレイン酸化物層又はソース酸化物層と同程度の素子分離機能を有するものであり、さらに、先願発明において、１対の絶縁層は半導体基板上に二酸化シリコン層として形成されているので、厚さがほぼ一定であることは明らかである。
　よって、相違点１は、本願発明と先願発明とにおける、実質的な相違点ではない。
　　
　相違点２について
　先願発明において、１対のソース・ドレイン領域は、半導体基板の表面に形成された浅い拡散層領域に接続した状態で、１対の絶縁層上に形成されており、１対のソース・ドレイン領域が、それぞれ基板に接続されているのであるから、本願発明における、基板とそれぞれ接するドレイン接続手段及びソース接続手段に相当する部分を含んでいることは明らかであり、また、先願発明における、前記「基板とそれぞれ接するドレイン接続手段及びソース接続手段に相当する部分」が、ゲートの両側に形成した絶縁部と、１対の絶縁層との間に位置するものであることも明らかである。
　よって、相違点２は、本願発明と先願発明とにおける、実質的な相違点ではない。
　　
　相違点３について
　本願発明と先願発明との、特許請求の範囲の請求項に記載される文言は、本願発明の「隆起型ストラップ構造ＭＯＳトランジスタ」と、先願発明の「ＭＯＳ型トランジスタ」とにおいて相違するものの、ＭＯＳトランジスタの構成そのものにおいて、これまで検討したとおり、実質的に何ら相違しないので、ＭＯＳトランジスタの種類について表現上の相違はあるものの、実質的な相違点とは認められない。
　　
　よって、本願発明と先願発明とは、実質的に何ら相違しておらず、本願発明は、先願発明と実質的に同一である。
　
（３）むすび    
　以上のとおり、本願発明は、その出願の日前の特許出願であって、その出願後に出願公開された特許出願の願書に最初に添付された明細書又は図面に記載された発明と同一であり、しかも、本出願の発明者がその出願前の特許出願に係る上記の発明をした者と同一ではなく、また本出願の時において、その出願人が上記特許出願の出願人と同一でもないので、特許法第２９条の２の規定により、特許を受けることができない。
　
　よって、結論のとおり審決する。