【事件の表示】
　特願２００８−２３９２３１「光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　１月２８日出願公開、特開２０１０−　２１５０７〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、平成２０年９月１８日（優先権主張平成１９年１０月１１日、平成２０年６月１１日）の出願であって、平成２５年１月３０日付けで拒絶理由が通知され、同年４月８日に特許請求の範囲の補正がなされたが、同年７月２６日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年１０月３０日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に特許請求の範囲の補正がなされたものである（以下、この平成２５年１０月３０日になされた補正を「本件補正」という。）。
　
II．本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、本願特許請求の範囲の請求項１を
「絶縁層と前記絶縁層の上面に形成された複数の配線回路とを備え、前記絶縁層を貫通し前記配線回路に到達する少なくとも１つの外部接続端子形成用開口部を有するベース基板と、
　前記ベース基板の外部接続端子形成用開口部に形成された外部接続端子と、
　前記ベース基板の上面に配置され、光半導体素子搭載領域となる凹部を少なくとも１つ形成する光反射性部材と、
を備え、
　
前記外部接続端子形成用開口部の少なくとも１つが、前記凹部に搭載される光半導体素子の搭載位置に対応して設けられており、
　前記凹部を形成する光反射性部材の少なくとも内周側面が、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）硬化触媒、（Ｄ）無機充填剤、（Ｅ）白色顔料を必須成分とする熱硬化性光反射用樹脂組成物から形成されていることを特徴とする光半導体素子搭載用基板。」
に補正することを含むものであって、特許法第１７条の２第５項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められるので、以下に、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について、独立特許要件の検討を行う。
　
２．引用例
　原査定の拒絶理由に引用された、本願の優先日前に頒布された刊行物である特開２００７−２３５０８５号公報（以下「引用例」という。）には、図とともに次の記載がある（下線は当審による。）。
　
　ア　「【０００１】
  本発明は、光半導体素子と蛍光体などの波長変換手段とを組み合わせた
光半導体装置を製造するのに有用な光半導体素子搭載用パッケージ基板
【背景技術】
【０００２】
  近年、電子機器の小型化、軽量化、高性能化、多機能化に伴い、電子部品を基板上に高密度に実装することが行われている。高密度に実装するための電子部品としては、例えば、
基板上の配線パターンにリフロー半田付け等により接続することが可能なＳＭＤ（Ｓｕｒｆａｃｅ  ｍｏｕｎｔｅｄ  ｄｅｖｉｃｅ）
　
　イ　「【００２３】
  本発明は、
配線基板と、当該配線基板上に形成され、光半導体素子搭載領域となる凹部（貫通孔）が所定位置に２つ以上形成されている光反射用熱硬化性樹脂組成物層とを有する光半導体素子搭載用パッケージ基板
【００２４】
  上記トランスファー成型による形成について、より具体的には、例えば、上記配線基板として、図１（ａ）に示すような、
金属配線４０１を有するプリント配線板４００
光反射用熱硬化性樹脂組成物層（リフレクター）４２１
光半導体素子搭載用パッケージ基板４３０
図１（ｃ）、（ｄ）
【００２５】
  上記
光反射用熱硬化性樹脂組成物
（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填剤、（Ｅ）白色顔料及び（Ｆ）カップリング剤を必須成分として含み
　
　ウ　「【００３６】
  本発明の光半導体装置の製造方法は、上記本発明の光半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法により得られた光半導体素子搭載用パッケージ基板に形成された２つ以上の凹部の各底面に、光半導体素子を搭載する工程、および当該光半導体素子を透明な封止樹脂により覆う工程、を有することをその特徴とするものである。
【００３７】
  より具体的には、例えば、
図１（ｃ）および（ｄ）に示す光半導体素子搭載用パッケージ基板４３０の凹部４２０の各底面の所定位置に、例えば、図２および図３に示すように、光半導体素子１００を搭載し、該光半導体素子１００と金属配線１０５とをボンディングワイヤ１０２、はんだバンプ１０７等の公知の方法で電気的に接続した後、公知の蛍光体１０６を含む透明な封止樹脂１０１により該光半導体素子１００を覆うことで本発明の光半導体装置を製造する
【００３８】
  また、上記樹脂封止工程後に、マトリックス状である上記光半導体装置を、ダイシング、レーザ加工、ウォータージェット加工、金型加工等の公知の方法により分割することで、光半導体素子を１つ有する光半導体装置単体（
ＳＭＤ型光半導体装置
　
　エ　「【００３９】
（実施例１）
＜プリント配線板＞
  基板厚さ０．６ｍｍ及び銅箔厚さ１８μｍの
ガラス布−エポキシ樹脂含浸両面銅張り積層板
穴あけ、無電解めっきを行い、通常のサブトラクト法によって回路を形成し、銅の回路の保護にソルダーレジストを形成し、プリント配線板を作製
　
　オ　「【００５５】
　…
１００  光半導体素子（ＬＥＤ素子）
１０１  封止樹脂
１０２  ボンディングワイヤ
１０３  リフレクター
１０４  Ｎｉ／Ａｇめっき
１０５  金属配線
１０６  蛍光体
１０７  はんだバンプ
１１０  光半導体装置
４００  プリント配線板
４０１  金属配線
４０２  層間接続穴
４１０  樹脂注入口
４１１  金型
４２０  凹部（光半導体素子搭載領域）
４２１  光反射用熱硬化性樹脂硬化物（リフレクター）
４３０  マトリックス状の光半導体素子搭載用パッケージ基板」　
　　
　上記イによれば、引用例には、図１の（ｃ）および（ｄ）に示される光半導体素子搭載用パッケージ基板４３０が記載されているものと認められる。
　そして、図１（ａ）には、金属配線４０１及び層間絶縁穴４０２を有するプリント配線板４００が示されており、上記エには、プリント配線板の作製について、ガラス布−エポキシ樹脂含浸両面銅張り積層板に、穴あけ、無電解めっきを行い、通常のサブトラクト法によって回路を形成した旨記載されている。
　してみると、プリント配線板４００の金属配線４０１は、ガラス布−エポキシ樹脂含浸両面銅張り積層板の上面の銅箔をサブトラクト法によって回路に形成したものであり、また、層間絶縁穴４０２は、絶縁層にあけられた穴の内面に無電界めっきがなされたものであると認められる。
　また、図１（ａ）には、プリント配線板４００の下面の層間絶縁穴４０２の開口部近傍に部材が設けられている様子が示されているところ、上記ウには、図１の（ｃ）および（ｄ）に示される光半導体素子搭載用パッケージ基板４３０を用いて得られる光半導体装置がＳＭＤ（Ｓｕｒｆａｃｅ  ｍｏｕｎｔｅｄ  ｄｅｖｉｃｅ）型光半導体装置である旨記載されていることからすれば、この部材は、層間絶縁穴４０２内面の無電界めっきに電気的に接続された、表面実装のための外部接続端子であると認められる。
　
　以上によれば、引用例には、
「プリント配線板４００と、当該プリント配線板４００上に形成され、光半導体素子搭載領域となる凹部４２０が所定位置に２つ以上形成されている光反射用熱硬化性樹脂組成物層４２１とを有する光半導体素子搭載用パッケージ基板４３０であって、
　前記プリント配線板４００は、上面に金属配線４０１を有するとともに、上面の金属配線４０１と下面を接続する内面が無電界めっきされた層間接続穴４０２を有しており、
　前記プリント配線板４００の下面の層間絶縁穴４０２の開口部近傍には、層間絶縁穴４０２内面の無電界めっきに電気的に接続された部材が設けられており、
　前記光反射用熱硬化性樹脂組成物層４２１は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填剤、（Ｅ）白色顔料及び（Ｆ）カップリング剤を必須成分として含む光反射用熱硬化性樹脂組成物から形成されている光半導体素子搭載用パッケージ基板４３０。」（以下「引用発明」という。）
が記載されているものと認められる。
　
３．対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「金属配線４０１」及び「層間接続穴４０２」が本願補正発明の「絶縁層の上面に形成された複数の配線回路」及び「外部接続端子形成用開口部」にそれぞれ相当するところであり、引用発明の「プリント配線板４００」は、本願補正発明の「絶縁層と前記絶縁層の上面に形成された複数の配線回路とを備え、前記絶縁層を貫通し前記配線回路に到達する少なくとも１つの外部接続端子形成用開口部を有するベース基板」に相当する。
（２）引用発明の「（プリント配線板４００の下面の層間絶縁穴４０２の開口部近傍に設けられた）層間絶縁穴４０２内面の無電界めっきに電気的に接続された部材」は、本願補正発明の「前記ベース基板の外部接続端子形成用開口部に形成された外部接続端子」に相当する。
（３）引用発明の「光半導体素子搭載領域となる凹部４２０」が本願補正発明の「光半導体素子搭載領域となる凹部」に相当するところであり、引用発明の「光反射用熱硬化性樹脂組成物層４２１」は、本願補正発明の「前記ベース基板の上面に配置され、光半導体素子搭載領域となる凹部を少なくとも１つ形成する光反射性部材」に相当する。
（４）引用発明の「光反射用熱硬化性樹脂組成物層４２１」は、「（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填剤、（Ｅ）白色顔料及び（Ｆ）カップリング剤を必須成分として含む光反射用熱硬化性樹脂組成物から形成されている」から、本願補正発明の「光反射性部材」と、「少なくとも内周側面が、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）硬化触媒、（Ｄ）無機充填剤、（Ｅ）白色顔料を必須成分とする熱硬化性光反射用樹脂組成物から形成されている」点で一致する。
（５）引用発明の「光半導体素子搭載用パッケージ基板４３０」は、「光半導体素子搭載用基板」であるといえる。
（６）以上のことから、本願補正発明と引用発明は、　
　「絶縁層と前記絶縁層の上面に形成された複数の配線回路とを備え、前記絶縁層を貫通し前記配線回路に到達する少なくとも１つの外部接続端子形成用開口部を有するベース基板と、
　前記ベース基板の外部接続端子形成用開口部に形成された外部接続端子と、
　前記ベース基板の上面に配置され、光半導体素子搭載領域となる凹部を少なくとも１つ形成する光反射性部材と、
を備え、
　前記凹部を形成する光反射性部材の少なくとも内周側面が、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）硬化触媒、（Ｄ）無機充填剤、（Ｅ）白色顔料を必須成分とする熱硬化性光反射用樹脂組成物から形成されている光半導体素子搭載用基板。」の点で一致する。
（７）一方、両者は、次の点で相違する。
　本願補正発明では、「前記外部接続端子形成用開口部の少なくとも１つが、前記凹部に搭載される光半導体素子の搭載位置に対応して設けられており、」とされているのに対し、引用発明は、そのようなものとはされていない点。　
　
４．判断
　上記相違点について検討する。
　引用例には、引用発明の光半導体素子搭載用パッケージ基板４３０について、上記２．ウのように「図１（ｃ）および（ｄ）に示す光半導体素子搭載用パッケージ基板４３０の凹部４２０の各底面の所定位置に、例えば、図２および図３に示すように、光半導体素子１００を搭載し、該光半導体素子１００と金属配線１０５とをボンディングワイヤ１０２、はんだバンプ１０７等の公知の方法で電気的に接続した後、公知の蛍光体１０６を含む透明な封止樹脂１０１により該光半導体素子１００を覆うことで本発明の光半導体装置を製造する。」と記載されている。
　してみると、引用発明の光半導体素子搭載用パッケージ基板４３０として、引用例の図２（ａ）及び図３にみられるように一方の金属配線上に光半導体素子を搭載し、他方の金属配線との電気的接続をボンディングワイヤにより行うという搭載形態のための構造、すなわち、引用例の図１（ｃ）の凹部４２０内において、光半導体素子が搭載される金属配線４０１上のＮｉ／Ａｇめっき１０４は長く、ボンディングワイヤが接続される金属配線配線４０１上のＮｉ／Ａｇめっき１０４は短い構造のものが当然に想定できるところである。
　そして、このように光半導体素子を１つの金属配線上に搭載する構造とした場合に、光半導体素子の放熱のために、層間接続穴を光半導体素子の搭載位置に対応したものとすることは、例えば、特開２００７−４２７８１号公報（ＬＥＤ素子６Ａの下に貫通電極２が設けられている点。）、特開２００７−２４２８５６号公報（ＬＥＤチップ２の下に放熱用スルーホール４が設けられている点。）、特開２００１−３４５４８５号公報（ＬＥＤ素子３Ｂ、３Ｇの下にスルーホールめっき１０Ｂ、１０Ｇが設けられている点。）、実願昭５４−７３３７９号（実開昭５５−１７２９８２号）のマイクロフィルム（発光ダイオード６の下にスルホールメッキ２が設けられている点。）に記載されるように本願の優先日時点で周知の技術事項であるから、引用発明において、光半導体素子の放熱のために、上記相違点に係る本願補正発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得たものと認められる。
　また、そのようにしたことによる作用効果についても当業者が予測可能なものであって、格別のものとはいえない。
　　
５．むすび
　以上のとおりであって、本願補正発明は、引用発明及び上記周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
III．本願発明について
１．本願発明
　本件補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２５年４月８日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１０に記載された事項によって特定されるものであるところ、その請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりである。　
「絶縁層と前記絶縁層の上面に形成された複数の配線回路とを備え、前記絶縁層を貫通し前記配線回路に到達する少なくとも１つの外部接続端子形成用開口部を有するベース基板と、
　前記ベース基板の外部接続端子形成用開口部に形成された外部接続端子と、
　前記ベース基板の上面に配置され、光半導体素子搭載領域となる凹部を少なくとも１つ形成する光反射性部材と、
を備え、
　前記凹部を形成する光反射性部材の少なくとも内周側面が、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）硬化触媒、（Ｄ）無機充填剤、（Ｅ）白色顔料を必須成分とする熱硬化性光反射用樹脂組成物から形成されていることを特徴とする光半導体素子搭載用基板。」
　
２．判断
　本願発明は、本願補正発明から、「前記外部接続端子形成用開口部の少なくとも１つが、前記凹部に搭載される光半導体素子の搭載位置に対応して設けられており、」との事項を削除したものである。
　してみると、上記II．［理由］２．及び３．における検討から明らかなように、引用発明と本願発明には格別の相違がなく、本願発明は、引用例に記載された発明であるといえる。
　　
３．むすび
　したがって、本願発明は、引用例に記載された発明であるから、特許法第２９条第１項第３号の発明に該当し、特許を受けることができない。
　なお、原査定の理由は、本願発明が引用例に記載された発明であるというものでないが、請求人は、意見書及び審判請求書において引用例に記載された発明との同一性についても検討していることは明らかである。
　よって、結論のとおり審決する。