【事件の表示】
　平成１１年特許願第１５０７０５号「電子線露光用マスクとそれを用いた半導体装置製造方法」拒絶査定に対する審判事件［平成１２年１２月　８日出願公開、特開２０００−３４０４９２］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成１１年５月２８日の出願であって、平成１４年８月２０日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月２６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１０月２８日付で手続補正がなされたものである。
　
２．平成１４年１０月２８日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１４年１０月２８日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）　補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「半導体装置製造の一工程である、電子ビーム転写方式による露光工程で用いられる電子線露光用マスクにおいて、
　この電子線露光用マスクに格子状に設けられたグリレージと、
　これらのグリレージ間に設けられ、これらのグリレージより厚さ方向の寸法が小さい薄膜領域と、
　これらの各薄膜領域内に設けられた分割マスクとを有し、
　前記分割マスクは、チップパターンを、電子ビームの照射領域より小さい領域に均等分割することによって作成され、
　前記分割マスクは、隣り合うグリレージ間の中心に配置されていることを特徴とする電子線露光用マスク。」
と補正された。
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「分割マスク」を「分割マスクは、隣り合うグリレージ間の中心に配置されている」と限定するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平１１−３０８５０号公報（以下、引用例１という。）の【０００１】段落には、
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、投影露光装置用マスクおよびそのマスクを用いて露光を行う投影露光方法、投影露光装置に関する。」
と記載されている。
　引用例１の【０００７】〜【０００８】段落には、
「【０００７】
【発明の実施の形態】以下、図１〜図５を参照して本発明の実施の形態を説明する。図１は本発明によるマスクの一実施の形態を示す図であり、（ａ）はマスク５の斜視図で、（ｂ）はマスク５を−ｚ方向から見た図である。図１に示したマスク５は電子ビーム投影露光装置に用いられるものであり、複数のサブフィールド５４が形成される。マスクパターンは複数に分割され、その分割パターンはマスク５の対応するサブフィールド５４にそれぞれ形成される。各サブフィールド５４は、グリレージと呼ばれる非パターン領域５２によって分離されている。格子状に形成されたグリレージ５２はある程度の厚さ（図１のｚ方向寸法）を有しており、非常に薄いメンブレンから成るサブフィールド５４部分を支持する機能を備えている。
【０００８】サブフィールド５４に形成されたパターンをマスク５より−ｚ側に設けられた感応基板（不図示）に投影露光する際には、サブフィールド５４の面積よりやや大きな面積を有する矩形断面形状の電子ビームＥＢをｚ方向から照射する。５３はアライメントマークであり、グリレージ５２の感応基板側の面に形成されている。図１に示すマスク５では、サブフィールド５４の四隅位置にアライメントマーク５３が形成される。なお、アライメントマーク５４は、グリレージ５２の感応基板側の面をエッチングして形成される凹凸パターンや重金属パターンから成る。」
と記載されている。
（３）対比
　そこで、本願補正発明と引用例１に記載された発明とを比較する。
　引用例１に記載された発明の、「電子ビーム投影露光」、「マスク」、「メンブレン」、「サブフィルード」及び「マスクパターン」は、それぞれ、本願補正発明の、「電子ビーム転写方式による露光」、「電子線露光用マスク」、「薄膜領域」、「分割パターン」及び「チップパターン」に相当し、引用例１記載の「マスクパターンは複数に分割され」ること及び「サブフィールド５４に形成されたパターンをマスク５より−ｚ側に設けられた感応基板（不図示）に投影露光する際には、サブフィールド５４の面積よりやや大きな面積を有する矩形断面形状の電子ビームＥＢをｚ方向から照射する」ことは、本願補正発明の、チップパターンを、電子ビームの照射領域より小さい領域に分割することに相当するから、両者は、「半導体装置製造の一工程である、電子ビーム転写方式による露光工程で用いられる電子線露光用マスクにおいて、
　この電子線露光用マスクに格子状に設けられたグリレージと、
　これらのグリレージ間に設けられ、これらのグリレージより厚さ方向の寸法が小さい薄膜領域と、
　これらの各薄膜領域内に設けられた分割マスクとを有し、
　前記分割マスクは、チップパターンを、電子ビームの照射領域より小さい領域に分割することによって作成されている電子線露光用マスク。」において一致し、本願補正発明は、分割マスクは、チップパターンを均等分割することにより作成されるのに対し、引用例１に記載された発明は、その旨の記載がない点で相違（以下、「相違点１」という。）し、また、本願補正発明は、分割マスクは、隣り合うグリレージ間の中心に配置されているのに対し、引用例１に記載された発明は、その旨の記載がない点で相違（以下、「相違点２」という。）する。
（４）判断
　相違点１について検討する。
　引用例１において、サブフィールドがマスクパターンを均等に分割したものでなければ、サブフィールドに付属するアライメントマークの位置が、不揃いになり、したがって、アライメントが行いにくくなり、スループットが低下することは明らかであり、また、サブフィールドがマスクパターンを均等に分割したものでなければ、ウエハのステップ移動が不揃いになり、したがって、露光のスループットが低下することは明らかであるから、引用例１においては、サブフィールドがマスクパターンを均等に分割したものであることは当然であり、引用例１記載の図面からみても明らかである。
　したがって、相違点１についてについては、チップパターンを均等分割することにより分割マスクを作成することは、当業者が引用例１に基づいて適宜採用することができたものである。
　相違点２について検討する。
　引用例１において、サブフィールドは、隣り合うグリレージ間の中心に配置されていなければ、アライメントが行いにくくなること、ウエハのステップ移動が不揃いになり、したがって、露光のスループットが低下することは明らかであるから、引用例１においては、サブフィールドが隣り合うグリレージ間の中心に配置されているものであることは当然であり、引用例１記載の図面からみても明らかである。
　したがって、相違点２についてについても、引用例１に基づいて適宜採用することができたものである。
　そして、本願補正発明の作用効果も、引用例１記載の発明から当業者が予測できる範囲のものである。
　したがって、本願補正発明は、引用例１記載の発明に基づいて当業者が容易に想到しえたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について平成１４年１０月２８日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成１１年５月２８日付当初明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「半導体装置製造の一工程である、電子ビーム転写方式による露光工程で用いられる電子線露光用マスクにおいて、
　この電子線露光用マスクに格子状に設けられたグリレージと、
　これらのグリレージ間に設けられ、これらのグリレージより厚さ方向の寸法が小さい薄膜領域と、
　これらの各薄膜領域内に設けられた分割マスクとを有し、
　前記分割マスクは、チップパターンを、電子ビームの照射領域より小さい領域に均等分割することによって作成される
ことを特徴とする電子線露光用マスク。」
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１及びその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
（２）対比・判断                
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から、分割マスクの限定事項である「分割マスクは、隣り合うグリレージ間の中心に配置されている」との構成を省くものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、引用例１記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１記載の発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
よって、結論のとおり審決する。