【事件の表示】
　平成１０年特許願第２４１９１５号「半導体光ゲートアンプスイッチ」拒絶査定に対する審判事件［平成１２年　３月１４日出願公開、特開２０００−　７５３２７］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件は、平成１０年８月２７日を出願日とする特許出願であって、平成１３年８月２１日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月２８日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１０月２９日付で手続補正がなされたものである。
　　
２．平成１３年１０月２９日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１３年１０月２９日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「１×Ｎ分岐導波路と、前記１×Ｎ分岐導波路の分岐部にそれぞれ接続されたＮ個の半導体光アンプゲートと、を有し、前記Ｎ個の半導体光アンプゲートが曲線導波路を含むとともに、前記１×Ｎ分岐導波路および前記Ｎ個の半導体光アンプゲートが能動領域とされ、前記１×Ｎ分岐導波路が光アンプとして動作することを特徴とする半導体光ゲートアンプスイッチ。」
と補正された。
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項について限定をするものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について、以下に検討する。
　　
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開平６−３１３８２１号公報（以下、「引用例１」という。）には、図面とともに、
「【００１４】
【実施例】
　以下、図１・・・により本発明による集積回路を説明する。
【００１５】図１には、光入射／出射面Ｂの側から見た表面の斜視図で二重に曲げられた導波路Ｗを有する本発明による集積回路が示されている。導波路Ｗには、エネルギーの供給のために設けられている領域Ａ、Ｍが配設されている。この目的でこれらの領域内にｐｎ接合またはｐｉｎ接合が導波路に配設されている。・・・・エネルギーは電気的エネルギーの形でこれらの領域の上に設けられた接触部を介して供給され得る。図面中にはこれらの領域は、例として増幅器Ａおよび変調器Ｍとして示されている。図１の導波路では中央に増幅器Ａが、また両弧のなかに各１つの変調器Ｍが位置している。しかしまた増幅器（スイッチ）の代わりにそれぞれ変調器または方向性結合器を配設することもできる。」（段落００１４〜００１５）、
「【００１７】導波路Ｗの曲げられた領域（弧）は好ましくは埋設型ヘテロ構造（ＢＨ）として構成されている。曲げられた導波路領域に光を案内するのに特に適しているのは光学的変調器（図面中に示されているような）またはＢＨ構造を有する電気的にポンプされる光学的増幅器である。なぜならば、それらの導波路コアは周囲の半導体材料に比較して特に高い屈折率を有するからである。その結果としての比較的強い波案内は、さもなければ湾曲のゆえに生じ得るであろう放射損失を特にわずかにする。図３はこの導波路の厚みＤに関係して半円状の導波路弧の半径Ｒの計算結果がダイアグラムで示されており、その際に曲線群に対してパラメータとして幅ｄおよび材料組成（バンドエッジの波長）が選ばれている。その際に、インジウム‐リン化物のなかに埋設されているインジウム‐ガリウム‐ヒ化物‐リン化物から成る導波路コアが基礎とされた。このダイアグラムから明らかなように、０．１ｃｍ-1の最大見込まれる放射損失に対して１ｍｍ以下の半径Ｒが可能である。インジウム‐ガリウム‐ヒ化物／インジウム‐‐リン化物‐ＢＨ構造の代わりに、本発明による装置は、量子‐ウェル層を含みリッジ導波路を有し、またはアルミニウム‐ガリウム‐ヒ化物、インジウム‐ガリウム‐ヒ化物またはガリウム‐ヒ化物から成る材料組成を含んでいてもよい。」（段落００１７）、
「本発明による別の利点は、埋設されたヘテロ構造内での強い波案内により可能にされる導波路に対する特に小さい湾曲半径により集積回路の占有面積が減ぜられることにある。」（段落００１９）、
との記載が認められ、
　また、図１を参酌すれば、上記集積回路が、１×２分岐導波路の手前の導波路に増幅器Ａが位置し、各分岐導波路にはそれぞれ半円状に湾曲した曲線導波路が接続されたものであることが明らかである。
　これらの記載によれば、引用例１には、
「１×２分岐導波路の手前の導波路と、１×２分岐導波路、及び１×２分岐導波路の各分岐導波路にそれぞれ接続された半円状に湾曲した曲線導波路からなる導波路Ｗを有する集積回路であって、導波路Ｗにはｐｎ接合またはｐｉｎ接合が形成された領域Ａ（１×２分岐導波路の手前）、及び領域Ｍ（曲線導波路部）が配設されており、電気的エネルギーがこれらの領域の上に設けられた接触部を介して供給され、領域Ａは増幅器（スイッチ）として、さらに、上記曲線導波路部は、好ましくは埋設型ヘテロ構造（ＢＨ）として構成され、電気的にポンプされる光学的変調器または増幅器（スイッチ）として機能し、その結果として埋設されたヘテロ構造内での強い波案内により、湾曲のゆえに生じる放射損失を減じ、特に小さい湾曲半径を可能にして占有面積が減ぜられる集積回路。」
との発明（以下「引用例１発明」という。）が開示されていると認めることができる。
　　　
　また、平成１２年１０月３１日付の拒絶の理由に引用された特開昭６３−４８５３４号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに、
「本発明は挿入損失を減らして入出力数の多い光分岐結合器を提供するものであり、光結合部にＰＮ接合を有する半導体材料を用い、順方向電流を注入して使用することを最も主要な特徴とする。従来の技術とは能動形にした点が大きく異なっている。」（２頁左上欄７〜１２行）、
「第２図は本発明の第二の実施例を説明する構造図で、第２図（ａ）は平面図、第２図（ｂ）はその断面図を示す。８はＰ型の半導体材料でできたクラッディング、９は活性層（Ｐ型でもアンドープでもよい）、１０はＮ型の半導体材料でできたクラッディング、１１はＰＮ接合を持った半導体結合導波路部である。この場合には１対４の分岐結合器が構成でき、原理的な分岐損６ｄｂは利得で十分補償できる。またゲート作用も同時に行うことができる。」（２頁右上欄１９行〜同頁左下欄７行）、
と記載されていることが認められる。
　　
（３）対比
　そこで、本願補正発明と引用例１発明とを比較すると、
　本願補正発明の「１×Ｎ分岐導波路」は、引用例１発明の「１×２分岐導波路」に相当し、以下同様に「曲線導波路を含むＮ個の半導体光アンプゲート」は、「１×２分岐導波路の各分岐導波路にそれぞれ接続された半円状に湾曲した曲線導波路」に相当し、また、本願補正発明の「Ｎ個の半導体光アンプゲートが能動領域とされ」た点は、引用例１発明の「曲線導波路」が、埋設型ヘテロ構造のｐｎ接合などで形成され、電気的にポンプされる光学的増幅器として機能する領域であることから、上記「曲線導波路」が能動領域であることは明らかであり、さらに引用例１発明の「増幅器」がスイッチとして機能することも記載されているから、
　両者は、
「１×Ｎ分岐導波路と、前記１×Ｎ分岐導波路の分岐部にそれぞれ接続されたＮ個の半導体光アンプゲートと、を有し、前記Ｎ個の半導体光アンプゲートが曲線導波路を含むとともに、前記Ｎ個の半導体光アンプゲートが能動領域とされることを特徴とする半導体光ゲートアンプスイッチ。」
の点で一致し、以下の点で相違している。
　　
［相違点］本願補正発明は、「１×Ｎ分岐導波路が能動領域であって、光アンプとして動作する」ものであるのに対して、引用例１発明の「１×Ｎ分岐導波路」には、その手前に能動領域であって、増幅器と解される「領域Ａ」があるものの、分岐部自体が能動領域であって、光アンプとして動作する領域とはいえない点。
　　
（４）判断
　引用例２には、「１対４の分岐結合器であって、その光結合部はＰＮ接合を有する半導体材料を用いた半導体結合導波路部であり、順方向電流を注入して使用することにより分岐損を利得で十分補償し、またゲート作用も同時に行うことができる。」旨が記載されているから、このものが本願補正発明の「１×Ｎ分岐導波路が能動領域であって、光アンプとして動作する」ものに相当することは明らかである。
　そして、引用例１及び引用例２に記載された発明は、いずれも光集積回路の分岐導波路に関し、技術分野が同一であるから、引用例１発明の「１×Ｎ分岐導波路」に代えて上記引用例２に記載された「能動領域であって、光アンプとして動作する１×Ｎ分岐導波路」を採用することに特段の困難性があるとはいえない。
　そして、本願補正発明の作用効果も、引用例１、引用例２から当業者が予測できる範囲のものである。
　したがって、本願補正発明は、引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
　　
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　　
３．本願発明について
　平成１３年１０月２９日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、平成１３年６月１１日付手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「１×Ｎ分岐導波路と、前記１×Ｎ分岐導波路の分岐部にそれぞれ接続されたＮ個の半導体光アンプゲートと、を有し、前記Ｎ個の半導体光アンプゲートが曲線導波路を含むとともに、前記１×Ｎ分岐導波路および前記Ｎ個の半導体光アンプゲートが能動領域とされることを特徴とする半導体光ゲートアンプスイッチ。」
　　
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例１、平成１２年１０月３１日付の拒絶理由に引用された引用例２及びそれらの記載事項は、上記「２．（２）」に記載したとおりである。
　　
（２）対比・判断
　本願発明は、上記２．で検討した本願補正発明から「１×Ｎ分岐導波路」の限定事項である「１×Ｎ分岐導波路が光アンプとして動作すること」との構成を省いたものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、上記「２．（４）」に記載したとおり、引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１及び引用例２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　
　なお、上記引用例２は、平成１２年１０月３１日付の拒絶理由で引用された特許文献であって、拒絶査定の基礎となった平成１３年４月３日付の拒絶理由にて引用されたものではないが、請求人は上記引用例２に関し、平成１３年１月１５日付意見書で本願発明との相違点について言及しているのであるから、上記引用例２は通知済のものとして上記のとおり判断した。
　　
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１に記載された発明及び引用例２に記載された発明に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。