【事件の表示】
　特願２０１０−　３９４３９「太陽電池モジュールの製造方法およびそれを用いて得られた太陽電池モジュール」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　９月　８日出願公開、特開２０１１−１７６１４８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、平成２２年２月２４日の出願であって、平成２５年１０月１日付けで拒絶理由が通知され、同年１２月３日付けで意見書及び補正書が提出され、平成２６年２月３日付けで拒絶査定がされ、これに対し、平成２６年５月９日付けで拒絶査定不服審判の請求がされるとともに手続補正がされ、同年６月１９日付け及び同年７月４日付けで上申書が提出されたものである。
　
第２　平成２６年５月９日付けの手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成２６年５月９日付けの手続補正（以下、「本件補正」という。）を却下する。
［理由］
１．本件補正について
　本件補正は、本件補正により補正される前の特許請求の範囲の請求項１及び２について、下記（ａ）を、下記（ｂ）と補正するものである。
（ａ）本件補正前の特許請求の範囲の請求項１及び２
「【請求項１】
　複数の太陽電池セルを備える太陽電池モジュールの製造方法であって、ロールに巻回された幅１０〜８０ｍｍの長尺の帯状電極基板上に、ロール・トゥ・ロールで、連続蒸着法により化合物半導体層を形成して帯状太陽電池セルを得る下記の工程Ａと、
上記帯状太陽電池セルをその帯の長さ方向に所定の寸法間隔で切断して、上記帯の長さ方向が長辺でかつ上記切断方向が短辺のストリップ状太陽電池セルを得る工程Ｂと、
複数のストリップ状太陽電池セルを、互いの長辺側部どうしを上下に重ね合わせながら短辺方向に沿って並べ、当接する一方のセルの表面電極と他方のセルの裏面電極とを電気的に接続して、太陽電池モジュールを得る工程Ｃと、を含むことを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。
工程Ａ：蒸着室と、この蒸着室内に配置される蒸着源と、上記帯状電極基板を繰り出す繰出し機と、この帯状電極基板を巻き取る巻取り機とを備え、上記帯状電極基板を、繰出し機から、減圧された蒸着室内の所定位置に繰り出し、蒸発源内の化合物半導体を加熱蒸発させながら、上記帯状電極基板を、この基板と上記蒸着源との距離Ｌが１０〜１００ｍｍになる位置を通過させ、帯状電極基板の表面に化合物半導体層を連続的に成膜して、長尺の帯状太陽電池セルを作製し、この帯状太陽電池セルを巻取り機に巻き取る工程。
【請求項２】
　上記工程Ｂが、上記帯状太陽電池セルまたは上記ストリップ状太陽電池セルを検査して、見つかったセルの欠陥部位のみを切断により取り除く工程を含む請求項１記載の太陽電池モジュールの製造方法。」
　 
（ｂ）本件補正前の特許請求の範囲の請求項１
「【請求項１】
　複数の太陽電池セルを備える太陽電池モジュールの製造方法であって、
　蒸着室と、この蒸着室内に配置される蒸着源と、帯状の電極基板を繰り出す繰出し機と、この帯状電極基板を巻き取る巻取り機とを備え、ロール・トゥ・ロールによる連続蒸着法を用いて、ロールに巻回された幅１０〜８０ｍｍの長尺の帯状電極基板を、繰出し機から、減圧された蒸着室内の所定位置に繰り出し、蒸発源内の化合物半導体を加熱蒸発させながら、上記帯状電極基板を、この基板と上記蒸着源との距離Ｌが５０〜１００ｍｍになる位置を通過させ、帯状電極基板の表面に化合物半導体層を連続的に成膜して、長尺の帯状太陽電池セルを作製し、この帯状太陽電池セルをロールに巻き取る工程Ａと、
　ロールに巻回された上記帯状太陽電池セルを送り出しながら検査する検査工程と、検査工程で発見された欠陥部位の基板流れ方向両側を、基板幅方向に切断して欠陥部位のみを取り除く欠陥切除工程とを備え、欠陥のない正常な太陽電池部位を、その帯の長さ方向に所定の寸法間隔で切断し、上記帯の長さ方向が長辺でかつ上記切断方向が短辺のストリップ状太陽電池セルを得る工程Ｂと、
　複数のストリップ状太陽電池セルを、互いの長辺側部どうしを上下に重ね合わせながら短辺方向に沿って並べ、当接する一方のセルの表面電極と他方のセルの裏面電極とを電気的に接続して、太陽電池モジュールを得る工程Ｃと、
を含むことを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。」 
　
２．新規事項の有無及び補正の目的要件　
　本件補正は、本件補正前の請求項１を引用する形式で記載されていた特許請求の範囲の請求項２の当該引用部分を具体的に記載することにより、引用形式でない独立の請求項１とし、さらに、本件補正前の請求項２に記載された「帯状電極基板の表面に化合物半導体層を連続的に成膜」する際の「この基板と上記蒸着源との距離Ｌ」について、「１０〜１００ｍｍ」を「５０〜１００ｍｍ」と限定するものを含むものであり、願書に最初に添付した明細書の【００５７】等の記載からみて、当初明細書に記載した事項の範囲内においてするものである。 
　そして、本件補正前の請求項２に記載された発明と補正後の請求項１に記載された発明（以下、「本件補正発明」という。）の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であって、本件補正前の請求項２の補正という観点から見れば、上記補正は、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的としたものに該当する。
　
　そこで、本件補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に適合するか）、進歩性（特許法第２９条第２項）について検討する。
　
３．本件補正発明の進歩性について
（１）引用刊行物の記載
　ア　引用刊行物１について
　原査定の拒絶理由に引用された、本願の出願日前に頒布された刊行物である特開２００５−１２６７５７号公報（以下、「引用刊行物１」という。）には、「化合物薄膜の製造装置および方法」（発明の名称）について、次の記載がある（下線は当審が付与した。）。
（引１ア）「【０００１】
　
本発明は、
太陽電池に利用される
化合物薄膜の製造
方法に関する
（引１イ）「【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
　本発明は上記従来の問題に鑑み、製膜室全体を大気開放することなくＶＩｂ族元素を補充することができ、かつ、基板の製膜面以外へのＶＩｂ族元素の付着を低減できる化合物薄膜の製造装置および方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
　上記課題を解決するために
本発明は、真空排気可能な製膜室内に設置した基板の製膜面にＶＩｂ族元素を含んだ化合物薄膜を蒸着形成する化合物薄膜の製造装置を、前記製膜室に対して弁手段を介して連通する真空室を設け、この真空室内にＶＩｂ族元素の蒸着源の一部を設置した
【００１５】
　詳細には、
製膜室と真空室とを弁手段を介装した配管で連通させ、この配管の内壁を管内のＶＩｂ族元素が蒸気状態に維持される温度に加熱する加熱機構を設け
　好ましくは、
配管に、一端が弁手段に連通し、他端が基板の製膜面の近傍で開口するＶＩｂ族元素吹き出し管を設け
より好ましくは、
ＶＩｂ族元素吹き出し管の開口部と基板の製膜面との距離を５０ｍｍ以内とする
【００１６】
　
ＶＩｂ族元素は、
Ｓｅ
（引１ウ）「【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
　以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
　図１は本発明の一実施形態における化合物薄膜の製造装置の概略構成を示す断面図、図２は同装置を別方向から示す断面図である。
【００２１】
　図１および図２において
、１は真空容器、２は真空容器１内を排気する排気装置としてのターボ分子ポンプである。３，４はそれぞれ真空容器１外に配置された送り出しローラ，巻き取りローラ、５，６は真空容器１内の上部であって真空容器１に開口するスリット（図示せず）の近傍に配置された中間ローラ
【００２２】
　
基板７は、
送り出しローラ３に巻回され、巻き取りローラ４に取り付けられていて
中間ローラ５，６間に撓むことなく展張される
【００２３】
　
８，９，１０はそれぞれ、真空容器１内、基板７の展張位置の下方に基板７の走行方向に沿って配列されたＣｕ蒸着源，Ｉｎ蒸着源，Ｇａ蒸着源
１２はＳｅ蒸着源であり、第１配管系１３，第２配管系１４を通じて真空容器１内に連通した第２の真空容器１５内に配置されている
【００２４】
　
第１配管系１３は、
吹き出し管２１（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ・・）を有している
・・・（略）・・・
【００２８】
　上記構成における化合物薄膜の
製造方法
　
まず、真空容器１内をターボ分子ポンプ２により５×１０
−４
Ｐａ以下の圧力まで排気
【００２９】
　その後に、基板７を基板加熱ヒータ８により５５０℃に加熱する。また基板７の下方の
Ｃｕ蒸着源９、Ｉｎ蒸着源１０、Ｇａ蒸着源１１、真空容器１５内のＳｅ蒸着源１２を
加熱し
真空容器１内のＣｕ蒸着源９、Ｉｎ蒸着源１０、Ｇａ蒸着源１１よりＣｕ、Ｉｎ，Ｇａ蒸気を放出させ
真空容器１５内のＳｅ蒸着源１２からＳｅ蒸気を放出させ、第１配管系１３を通じて真空容器１内へ供給
・・・（略）・・・
【００３１】
　この状態において、
基板７を送り出しローラ３から０．１ｍ／分の速度で送り出し、巻き取りローラ１０に巻き取
　このことにより、真空容器１内を
中間ローラ５から中間ローラ６へ向かう方向に走行する基板７の製膜面に連続的にＣｕ、Ｉｎ，Ｇａ，Ｓｅの蒸気（蒸着粒子）が供給され、それにより製膜面上でＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ
２
が形成され
製膜面上にＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ
２
薄膜が形成されていく
・・・（略）・・・
【００３６】
　なお、Ｃｕ蒸着源９、Ｉｎ蒸着源１０、Ｇａ蒸着源１１の配列順序は上記した配列順序に限定されない。上記においてはＳｅ蒸着源１２は真空容器１５内にのみ設置したが、Ｓｅ蒸着源の一部を真空容器１５内に設置し、
残りのＳｅ蒸着源を真空容器１内に設置するようにしてもよい
（引１エ）図１
（引１オ）図２
　
　イ　引用刊行物２について　
　原査定の拒絶理由に引用された、本願の出願日前に頒布された刊行物である特開２００９−１３０１９３号公報（以下、「引用刊行物２」という。）には、「太陽電池モジュール」（発明の名称）について、次の記載がある（下線は当審が付与した。）。
（引２ア）「【０００１】
　本発明は、
複数の太陽電池が直列接続された太陽電池モジュール
（引２イ）「【００１６】
　図２は、セルストリングス４の拡大断面図である。同図において、セルストリングス４は、複数の太陽電池層２と、これらの太陽電池層２の端部２ａ，２ｂ同士を積層・結合させるオーバーラップ層３とから構成される。太陽電池層２は、金属箔９と、この金属箔９上に形成された太陽電池素子１０とからなっている。金属箔９としては、ＳＵＳ（ステンレス鋼）、銅等が用いられる。また、太陽電池素子１０としては、アモルファスシリコン系、多結晶薄膜シリコン系、ＣＩＧＳ系、ＧａＡｓ系、ＩｎＰ系等が用いられる。
【００１７】
　オーバーラップ層３は、半田接合部１２、及び絶縁保護部１３から形成されている。半田接合部１２は、太陽電池層２の太陽電池素子１０と他の太陽電池層２の金属箔９とを半田ペーストにより接合する。半田ペーストとしては、銀、銅を含む錫系の合金が用いられる。絶縁保護部１３は、半田接合部１２を挟むように半田接合部１２の両側に設けられている。絶縁保護部１３は、耐熱性及び弾力性を有するポリイミドで形成された絶縁シールである。
【００１８】
　続いて、
太陽電池層２が複数直列に接続されたセルストリングス４を形成する工程について
金属箔９上に太陽電池素子１０が形成されてなるロール状の太陽電池シート１５を繰り出し、セルカッター１６によって太陽電池シート１５を短冊状に所定の寸法で切断することにより、太陽電池層２を形成する。
【００１９】
　半田接合部１２及び絶縁保護部１３が形成された後、
短冊状の太陽電池層２の端部同士を積層し、オーバーラップ層３を形成
太陽電池層２同士がオーバーラップ層３を介して接合され
【００２０】
　このように
太陽電池層２同士が接合されると、太陽電池層２が複数直列に接続されたセルストリングス４が得られ
（引２ウ）図１
（引２エ）図２
（引２オ）図３
　
（２）引用刊行物記載の発明について
　ア　引用刊行物１記載の発明
　（引１ア）及び（引１イ）から、引用刊行物１には、太陽電池のＣｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅ化合物薄膜などの化合物薄膜を蒸着形成する化合物薄膜の製造方法について記載され、該製造方法に用いられる製造装置では、製膜室に対して弁手段を介して連通する真空室を設け、この真空室内にＳｅ等のＶＩｂ族元素の蒸着源の一部を設置し、製膜室と真空室とを弁手段を介装した配管で連通させ、この配管の内壁を管内のＶＩｂ族元素が蒸気状態に維持される温度に加熱する加熱機構を設け、該配管に、一端が弁手段に連通し、他端が基板の製膜面の近傍で開口するＶＩｂ族元素吹き出し管を設け、ＶＩｂ族元素吹き出し管の開口部と基板の製膜面との距離を５０ｍｍ以内としたことが記載されている。
　
　また、（引１ウ）には、該製造方法の具体例である「実施の形態」について、次の事項が記載されている。
　該製造装置は、真空容器１、真空容器１内を排気する排気装置としてのターボ分子ポンプ２、真空容器１外に配置された送り出しローラ３、巻き取りローラ４、真空容器１内の上部であって真空容器１に開口するスリットの近傍に配置された中間ローラ５、６を備えている。
　そして、該真空容器１内に、Ｃｕ蒸着源８，Ｉｎ蒸着源９，Ｇａ蒸着源１０が配置され、該真空容器１内と第１配管系１３，第２配管系１４を通じて連通した第２の真空容器１５内には、Ｓｅ蒸着源１２が配置されている。
　第１配管系１３は、開閉バルブ１６を介装した主管１７と、主管１７の開閉バルブ１６の下流側から分岐した複数の供給管１８（１８ａ，１８ｂ，１８ｃ・・）とを有していて、各供給管１８（１８ａ，１８ｂ，１８ｃ・・）は、開閉バルブ１９（１９ａ，１９ｂ，１９ｃ・・），流量制御装置２０（２０ａ，２０ｂ，２０ｃ・・）を介装し、真空容器１の壁部を上下方向に貫通する１対の吹き出し管２１（２１ａ，２１ｂ，２１ｃ・・）を有している。
　また、ステンレス材などからなるフレキシブル性の金属箔である基板７は、送り出しローラ３に巻回され、巻き取りローラ４に取り付けられていて、送り出しローラ３、巻き取りローラ４の動力によりテンションがかけられることで、中間ローラ５，６間に撓むことなく展張される。
　
　そして、該製造方法は、
　まず、真空容器１内をターボ分子ポンプ２により５×１０−４Ｐａ以下の圧力まで排気し、
　基板７を基板加熱ヒータ８により５５０℃に加熱し、
　真空容器１５内のＳｅ蒸着源１２を加熱して、２２０℃に保持して、真空容器１５内のＳｅ蒸着源１２からＳｅ蒸気を放出させ、第１配管系１３を通じて真空容器１内へ供給し、
　基板７を送り出しローラ３から０．１ｍ／分の速度で送り出し、巻き取りローラ１０に巻き取り、
　真空容器１内を中間ローラ５から中間ローラ６へ向かう方向に走行する基板７の製膜面に連続的にＣｕ、Ｉｎ，Ｇａ，Ｓｅの蒸気（蒸着粒子）が供給され、それにより製膜面上でＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２が形成され、その結晶成長が基板加熱ヒータ８による加熱で促進される結果、製膜面上にＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２薄膜が形成されるものである。
　
　そうすると、（引１ア）及び（引１イ）の「Ｓｅ等のＶＩｂ族」は（引１ウ）の「Ｓｅ」に相当し、（引１ア）及び（引１イ）の「ＶＩｂ族元素吹き出し管」は（引１ウ）の「吹き出し管２１」に相当するから、引用文献１には、
「太陽電池のＣｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅ化合物薄膜の製造方法であって、
　真空容器１と、
　該真空容器１内に配置された、Ｃｕ蒸着源８，Ｉｎ蒸着源９，Ｇａ蒸着源１０と、
　該真空容器１内と、第１配管系１３，第２配管系１４を通じて連通した第２の真空容器１５内に配置されたＳｅ蒸着源１２と、
　第１配管系１３は、開閉バルブ１６を介装した主管１７と、主管１７の開閉バルブ１６の下流側から分岐した複数の供給管１８とを有していて、各供給管１８は、開閉バルブ１９，流量制御装置２０を介装し、真空容器１の壁部を上下方向に貫通する１対の吹き出し管２１を有しており、
　送り出しローラ３に巻回された基板７と、
　基板７を巻き取りローラ４に送り出す送り出しローラ３と、中間ローラ５、６とを備え、
　真空容器１内をターボ分子ポンプ２により５×１０−４Ｐａ以下の圧力まで排気し、
　基板７を、送り出しローラ３から送り出し、
　真空容器１内の中間ローラ５から中間ローラ６の間の基板７の製膜面に、
　Ｓｅの蒸気吹き出し管２１の開口部と基板の成膜面との距離を５０ｍｍ以内として、
　Ｃｕ蒸着源９、Ｉｎ蒸着源１０、Ｇａ蒸着源１１、真空容器１５内のＳｅ蒸着源１２をそれぞれ加熱して、真空容器１内のＣｕ蒸着源９、Ｉｎ蒸着源１０、Ｇａ蒸着源１１よりＣｕ、Ｉｎ，Ｇａ蒸気を放出させ、真空容器１５内のＳｅ蒸着源１２からＳｅ蒸気を放出させ、連続的にＣｕ、Ｉｎ，Ｇａ，Ｓｅの蒸気（蒸着粒子）を真空容器１内に供給して、製膜面上でＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２薄膜を蒸着形成し、
　Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２薄膜が形成された基板１を巻き取りローラ１０に巻き取る太陽電池のＣｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｓｅ化合物薄膜の製造方法。」（以下、「引用発明１」という。）が記載されているということができる。
　
（３）対比・判断
　本件補正発明と引用発明１とを対比する。
　引用発明において、「真空容器１」内と「第２の真空容器１５」とは、「第１配管系１３，第２配管系１４を通じて連通」していることから、該「真空容器１」、「第２の真空容器１５」、「第１配管系１３」、及び「第２配管系１４」を合わせたものは、本件補正発明の「蒸着室」に相当する。
　また、引用発明１の「Ｓｅ蒸着源」に着目すると、該「Ｓｅ蒸着源」は、「第２の真空容器１５」内に配置され、該「第２の真空容器１５」に連通する「第１配管系１３」は、「開閉バルブ１６を介装した主管１７と、主管１７の開閉バルブ１６の下流側から分岐した複数の供給管１８とを有していて、各供給管１８は、開閉バルブ１９，流量制御装置２０を介装し、真空容器１の壁部を上下方向に貫通する１対の吹き出し管２１を有して」いることから、「Ｓｅ蒸着源」、「第２の真空容器１５」及び「開閉バルブ１６を介装した主管１７と、主管１７の開閉バルブ１６の下流側から分岐した複数の供給管１８とを有していて、各供給管１８は、開閉バルブ１９，流量制御装置２０を介装し、真空容器１の壁部を上下方向に貫通する１対の吹き出し管２１を有して」いる「第１配管系１３」を合わせたものは、本件補正発明の「蒸着源」に相当する。
　そして、引用発明１の「送り出しローラ３に巻回された基板７」は、太陽電池の基板であって、技術常識に照らして、長尺の帯状電極であることは明らかであるから、本件補正発明の「ロールに巻回された」「長尺の帯状電極基板」に相当する。
　また、引用発明１の「送り出しローラ３」及び「巻き取りローラ４」は、本件補正発明の「帯状の電極基板を繰り出す繰出し機」及び「この帯状電極基板を巻き取る巻取り機」に、それぞれ相当する。
　そして、引用発明１の「太陽電池」、「真空容器１内をターボ分子ポンプ２により５×１０−４Ｐａ以下の圧力まで排気」すること、「真空容器１５内のＳｅ蒸着源１２を加熱して、真空容器１５内のＳｅ蒸着源１２からＳｅ蒸気を放出させ」ること、「真空容器１内の中間ローラ５から中間ローラ６の間の基板７の製膜面」及び「Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２薄膜が形成された基板１」は、本件補正発明の「太陽電池モジュール」、「減圧」、「加熱蒸発」、「所定位置」及び「帯状太陽電池セル」に、それぞれ相当する。
　また、引用発明１は、「送り出しローラ３」及び「巻き取りローラ４」を用いて、連続的に蒸着して成膜することから、「ロール・トゥ・ロールによる連続蒸着法」を用いているということができる。
　そして、引用発明１では、「Ｓｅの蒸気吹き出し管２１の開口部と基板の成膜面との距離を５０ｍｍ以内」としていることから、引用発明１の該構成は、本件補正発明の「基板と蒸着源との距離Ｌが５０〜１００ｍｍ」の範囲と重複する。
　
　そうすると、本件補正発明と引用発明１とは、
「太陽電池モジュールの製造方法であって、
　蒸着室と、この蒸着室内に配置される蒸着源と、帯状の電極基板を繰り出す繰出し機と、この帯状電極基板を巻き取る巻取り機とを備え、ロール・トゥ・ロールによる連続蒸着法を用いて、ロールに巻回された長尺の帯状電極基板を、繰出し機から、減圧された蒸着室内の所定位置に繰り出し、蒸発源内の化合物半導体を加熱蒸発させながら、上記帯状電極基板を、この基板と上記蒸着源との距離Ｌが５０〜１００ｍｍになる位置を通過させ、帯状電極基板の表面に化合物半導体層を連続的に成膜して、長尺の帯状太陽電池セルを作製し、この帯状太陽電池セルをロールに巻き取る工程Ａを含むことを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。」である点で一致し、次の相違点１及び２で相違する。
　
（相違点１）
　本件補正発明は、「複数の太陽電池セルを備え太陽電池モジュールの製造方法であって、
　ロールに巻回された上記帯状太陽電池セルを送り出しながら検査する検査工程と、検査工程で発見された欠陥部位の基板流れ方向両側を、基板幅方向に切断して欠陥部位のみを取り除く欠陥切除工程とを備え、欠陥のない正常な太陽電池部位を、その帯の長さ方向に所定の寸法間隔で切断し、上記帯の長さ方向が長辺でかつ上記切断方向が短辺のストリップ状太陽電池セルを得る工程Ｂ（以下、単に「工程Ｂ」という。）と、
　複数のストリップ状太陽電池セルを、互いの長辺側部どうしを上下に重ね合わせながら短辺方向に沿って並べ、当接する一方のセルの表面電極と他方のセルの裏面電極とを電気的に接続して、太陽電池モジュールを得る工程Ｃ（以下、単に「工程Ｃ」という。）と含む」のに対し、引用発明１の「太陽電池の製造方法」は、複数の太陽電池セルを備えるかどうかは明らかではなく、上記工程Ｂ及び工程Ｃのような工程は備えていない点。
　
（相違点２）
　本件補正発明の帯状の電極基板は、「幅１０〜８０ｍｍ」であるの対し、引用発明１の「基板」の幅は不明な点。
　
　以下、相違点について検討する。
（相違点１について）
　引用発明１のような、太陽電池用の基板に薄膜層を蒸着によって形成する場合、薄膜層に欠陥が生じる場合があることは当該技術分野における技術常識であり、基板の欠陥がある部分を検査によって特定し、欠陥がある部分を切除して良好な基板のみを用いるようにして、高い歩留りとすることも、ロール・トゥ・ロールの分野における技術常識である。
　
　そして、引用刊行物２には、「複数の太陽電池層２が複数直列に接続されたセルストリングス４を形成する工程について、金属箔９上に太陽電池素子１０が形成されてなるロール状の太陽電池シート１５を繰り出し、セルカッター１６によって太陽電池シート１５を短冊状に所定の寸法で切断することにより、太陽電池層２を形成し、短冊状の太陽電池層２の端部同士を積層し、オーバーラップ層３を形成」し、太陽電池層２同士がオーバーラップ層３を介して接合されて、太陽電池層２が複数直列に接続されたセルストリングス４を形成する工程を備える「複数の太陽電池が直列接続された太陽電池モジュールの製造方法」（以下、「引用発明２」という。）が記載されている。
　そうすると、本件補正発明の上記「工程Ｃ」は、引用発明２として、本願出願前に開示されていた技術思想であるということができる。
　
　ここで、本件補正発明に関して、「工程Ａ」、「工程Ｂ」及び「工程Ｃ」による「発明の効果」として、本願の明細書の発明の詳細な説明には、それぞれ次のような記載がある。
「本発明は、…（工程Ａ）を備える。このため、基板の幅方向にも流れ方向にも電気的特性の揃った一定品質の帯状太陽電池セルを、安定して高収率で作製することができる。　また、…（工程Ｂ）を備えているため、カットロスが発生せず、モジュールの材料となるストリップ状太陽電池セルを、無駄なく高歩留りで作製することができる。
　さらに、…（工程Ｃ）を備えている。そのため、太陽電池モジュールを容易に大面積化することができ、これにより、品質が良好な太陽電池モジュールを低コストで製造することができる。」（【００１３】〜【００１５】）
　そうすると、「工程Ａ」、「工程Ｂ」及び「工程Ｃ」は、それらの工程が相互に有機的に結合しているものではなく、それぞれの工程による効果は、公知の個々の技術について当然予測される効果の単なる集合の域を出ないものであって、本件補正発明に特有の顕著な作用効果とみることはできない。
　
　そうすると、引用発明１に、その発明の実施にあたって、必要に応じて適宜採用される技術常識及び引用発明２を寄せ集めて、本件補正発明の上記相違点１に係る発明特定事項を備えることは、当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　
（相違点２について）
　ロール・トゥ・ロールを用いる太陽電池の製造方法において、幅１０〜８０ｍｍの基板を用いることが、格別のことであることを示す根拠はない。
　そして、引用発明１における「基板」の幅は、必要とされる太陽電池の大きさ等、必要に応じて、当業者が適宜、決定する事項にすぎない。
　また、引用発明１において、「基板」の幅を「幅１０〜８０ｍｍ」とすることについての阻害要因は特段見出すことができない。
　したがって、引用発明１において、「基板」の幅を「幅１０〜８０ｍｍ」とすることは、当業者が容易に想到し得たことと認められる。
　
（４）むすび
　以上のとおり、本件補正発明は、引用発明１、技術常識及び引用発明２に基いて、当業者が容易に発明することができたものであって、特許法第２９条第２項の規定により、特許を受けることができない。
　したがって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
第３　本願発明について
（１）本願発明
　平成２６年５月９日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成２５年１２月３日付け手続補正書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「複数の太陽電池セルを備える太陽電池モジュールの製造方法であって、ロールに巻回された幅１０〜８０ｍｍの長尺の帯状電極基板上に、ロール・トゥ・ロールで、連続蒸着法により化合物半導体層を形成して帯状太陽電池セルを得る下記の工程Ａと、
上記帯状太陽電池セルをその帯の長さ方向に所定の寸法間隔で切断して、上記帯の長さ方向が長辺でかつ上記切断方向が短辺のストリップ状太陽電池セルを得る工程Ｂと、
複数のストリップ状太陽電池セルを、互いの長辺側部どうしを上下に重ね合わせながら短辺方向に沿って並べ、当接する一方のセルの表面電極と他方のセルの裏面電極とを電気的に接続して、太陽電池モジュールを得る工程Ｃと、を含むことを特徴とする太陽電池モジュールの製造方法。
工程Ａ：蒸着室と、この蒸着室内に配置される蒸着源と、上記帯状電極基板を繰り出す繰出し機と、この帯状電極基板を巻き取る巻取り機とを備え、上記帯状電極基板を、繰出し機から、減圧された蒸着室内の所定位置に繰り出し、蒸発源内の化合物半導体を加熱蒸発させながら、上記帯状電極基板を、この基板と上記蒸着源との距離Ｌが１０〜１００ｍｍになる位置を通過させ、帯状電極基板の表面に化合物半導体層を連続的に成膜して、長尺の帯状太陽電池セルを作製し、この帯状太陽電池セルを巻取り機に巻き取る工程。」　
（２）引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用された引用刊行物、及びその記載事項は、前記「第２　３（１）」に記載したとおりである。　
　
（３）対比・判断
　本願発明は、前記「第２　１．」で検討した本件補正発明から請求項２に係る発明特定事項である「工程Ｂ」を省き、「この基板と上記蒸着源との距離Ｌ」について、「５０〜１００ｍｍ」を「１０〜１００ｍｍ」と拡張したものである。
　そうすると、本願発明の発明特定事項をすべて含み、さらに他の発明特定事項を付加したものに相当する本件補正発明が、前記「第２　３．」に記載したとおり、引用発明１、技術常識及び引用発明２に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も同様の理由により、引用発明１、技術常識及び引用発明２に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。　
　
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明１、技術常識及び引用発明２に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから，特許法第２９条２項の規定により特許を受けることができない。
　
　したがって、その余の請求項について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。　
　よって結論のとおり審決する。