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　特願２０１１−５２３９０２「異なるターンオンパワーレベルを有するトランジスタ増幅器の並列な組を有する集積回路」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年　２月２５日国際公開、ＷＯ２０１０／０２１９５７、平成２４年　１月　５日国内公表、特表２０１２−５００５８３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本願は、平成２１年８月１７日（パリ条約に基づく優先権主張外国庁受理　平成２０年８月１９日　米国（ＵＳ））を国際出願日とする特許出願であって、平成２３年２月１８日付けで手続補正がなされ、平成２４年５月２日付け拒絶理由通知に対する応答時、同年８月８日付けで手続補正がなされ、平成２５年１月１７日付け最後の拒絶理由通知に対する応答時、同年４月２２日付けで意見書が提出されたが、同年８月２８日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、平成２６年１月６日付けで拒絶査定不服審判の請求がなされたものである。
　
２．本願発明
　本願の請求項１ないし１５に係る発明は、平成２４年８月８日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１５に記載された事項により特定されるとおりのものと認められるところ、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は次のとおりである。
「【請求項１】
　入力信号を複数の成分入力信号に分割するように構成されたパワースプリッタであって、当該パワースプリッタは、前記入力信号を少なくとも２つの第１ステージの成分
出力
出力
１つ
出力
　前記パワースプリッタに接続されており、前記第２ステージの成分
出力
　前記トランジスタ増幅器の前記少なくとも２つの組からの増幅された成分出力信号を受信し、少なくとも１つの出力信号となるようにこれら成分出力信号を合成するように構成された合成器とを備える、パワー増幅回路。」
　
　なお、下線を付した「出力」（４箇所）、「１つ」は、当該請求項１の記載全体からみて、正確にはそれぞれ「入力」、「２つ」の誤記であると認められる。
　
３．引用列
（１）引用例１
　これに対して、原査定の拒絶の理由に引用された特開２００８−１５４０４２号公報（平成２０年７月３日公開。以下、「引用例１」という。）には、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した）。
　ア．「【００１７】
　次に
ＦＥＴをドハティアンプ（高効率増幅器）として動作させる
【００１８】
　ＦＥＴをドハティ動作させると、通常の使用方法より高効率で使用することが可能になることが分かっている。
図３にドハティアンプ（ドハティ方式増幅器４００）の基本的な回路構成図を示す
【００１９】
　
ドハティアンプは、キャリアアンプとピークアンプとから構成されており、キャリアアンプがＡＢ級にバイアス制御されたＦＥＴであり、ピークアンプがＣ級（Ｉｄｑが全く流れない状態）にバイアス制御されている
　
　イ．「【００５７】
　次に、本発明の増幅器電流・電圧調整回路をドハティ方式増幅器に適用した第３実施例のブロック図を図３に示し概略の説明を行う。この実施例は、第１の実施例である増幅器電流調整回路２００と第２の実施例である増幅器電圧調整回路の双方を最低限必要な箇所のみに適用したものである。
【００５８】
　既に説明したように、
高効率増幅を行うドハティアンプは、キャリアアンプとピークアンプで構成されており、キャリアアンプはＡＢ級にバイアス制御され、ピークアンプはＣ級（Ｉｄｑが全く流れない状態）にバイアス制御されているそれぞれのＦＥＴ増幅回路である
　　　　　　　　　・・・・・（中　略）・・・・・
【００６１】
　
図４に、前記ドハティ方式増幅器４００を８合成（Ｑ１〜Ｑ８）し、高効率高増幅を実現された回路例を示す。なお、ドハティ方式増幅器４００（Ｑ１）の具体的な構成は図３に示した通りであり、他の増幅器Ｑ２〜Ｑ８も同じ回路構成である。
  
　ウ．「【００６３】
　本発明は、一例として、
移動通信に用いられる無線通信システムに適用
　
　・上記「ア．」、「イ．」の段落【００５８】の記載事項によれば、ドハティ方式増幅器は、ＡＢ級にバイアス制御されたＦＥＴ増幅回路からなるキャリアアンプと、Ｃ級にバイアス制御されたＦＥＴ増幅回路からなるピークアンプとから構成されてなるものであり、
　図３によれば、入力信号を２つの成分の信号に分配し、一方の成分の信号をキャリアアンプで増幅し、他方の成分の信号をピークアンプで増幅し、キャリアアンプ及びピークアンプからそれぞれ出力される増幅された成分の信号を合成して１つの出力信号として出力する回路構成である。
　・上記「イ．」の段落【００６１】の記載事項によれば、高効率高増幅を実現された回路は、上述のドハティ方式増幅器を８合成してなるものであり、
　図４によれば、ＲＦ入力信号を１つの分配器によって２つの成分の信号に分配し、さらに分配された２つの成分の信号を２つの分配器によってそれぞれ２つの成分の信号に分配し、さらに分配された計４つの成分の信号を４つの分配器によってそれぞれ２つの成分の信号に分配し、さらに分配された計８つの成分の信号を上述の８つのドハティ方式増幅器にそれぞれ入力し、８つのドハティ方式増幅器で増幅されて出力された８つの成分の信号を４つの合成器によって４つの成分の信号に合成し、さらに合成された４つの成分の信号を２つの合成器によって２つの成分の信号に合成し、さらに合成された２つの成分の信号を１つの合成器によって１つのＲＦ出力信号に合成して出力する回路構成である。
　・上記「ウ．」の記載事項によれば、上述の高効率高増幅を実現された回路は、移動通信に用いられる無線通信システムに適用されるものであるといえる。
　
　したがって、特に図４に示される「高効率高増幅を実現された回路」に着目し、上記記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例１には、次の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 
「ＲＦ入力信号を１つの分配器によって２つの成分の信号に分配し、さらに分配された２つの成分の信号を２つの分配器によってそれぞれ２つの成分の信号に分配し、さらに分配された計４つの成分の信号を４つの分配器によってそれぞれ２つの成分の信号に分配し、さらに分配された計８つの成分の信号を８つのドハティ方式増幅器にそれぞれ入力し、８つのドハティ方式増幅器で増幅されて出力された８つの成分の信号を４つの合成器によって４つの成分の信号に合成し、さらに合成された４つの成分の信号を２つの合成器によって２つの成分の信号に合成し、さらに合成された２つの成分の信号を１つの合成器によって１つのＲＦ出力信号に合成して出力する高効率高増幅を実現された回路であって、
　前記８つの各ドハティ方式増幅器は、ＡＢ級にバイアス制御されたＦＥＴ増幅回路からなるキャリアアンプと、Ｃ級にバイアス制御されたＦＥＴ増幅回路からなるピークアンプとからそれぞれ構成され、入力信号を２つの成分の信号に分配し、一方の信号を前記キャリアアンプで増幅し、他方の信号を前記ピークアンプで増幅し、これらキャリアアンプ及びピークアンプからそれぞれ出力される増幅された成分の信号を合成して１つの出力信号として出力する回路構成であり、
　移動通信に用いられる無線通信システムに適用される、高効率高増幅を実現された回路。」
　
（２）引用例２
　同じく原査定の拒絶の理由に引用された特開平９−２３２８２１号公報（以下、「引用例２」という。）には、図面とともに以下の各記載がある（なお、下線は当審で付与した）。
　ア．「請求項１】　
入力信号を複数段の電力分配器により分配して並列に並べた複数の単位電力増幅器により増幅して複数段の電力合成器により合成して高出力を得る高出力電力増幅器において、前記各電力分配量および電力合成器に用いられる伝送線路の誘電体の誘電率を各段ごとに変えることにより、これら各伝送線路の長さを調整し、これら各段の電力分配器および電力合成器の信号の入出力端の位置が一致するように配置したことを特徴とする高出力電力増幅器
　
　イ．「【０００８】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の
電力分配器２および電力合成器３のランゲカップラ（２２，２３，３２，３３）はその物理長が伝送線路の伝搬波長（以下λｇという）の１／４波長の長さが必要である。このλｇは電力分配器２および電力合成器３に使用される基板の誘電率から計算される実効誘電率により決まる
【００１０】この式から
誘電率が低いとλｇは長くなり、逆に誘電率が高いとλｇは短くなり
　
　ウ．「【００１４】
　また、
電力分配器２と電力合成器３の誘電率の高い基板を使用すれば、ランゲカップラの長さは短くなる
　
　エ．「【００１８】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照して説明する。図１は本発明の一実施形態である高出力電力増幅器の構成を示す平面図である。なお、図では、図３で示した構成要素と同じ構成要素には同じ記号を用いている。
本実施形態の高出力電力増幅器は、単位電力増幅器１の入力側に電力分配器５、その前段に電力分配器４を配置している、また単位電力増幅器１の出力側には電力合成器６と電力合成器７を配置している
【００１９】電力分配器５は２個のランゲカップラ５２の各出力端子が隣り合うそれぞれの単位電力増幅器１の入力端子と直線で接続できる間隔になるように、基板の誘電率を前記した式により得られる値に近いものを使用している。
【００２０】
例えば、各単位電力増幅器１の間隔が２０ｍｍで、周波数が１ＧＨｚの場合について説明する。このとき電力分配器５に使用する誘電率が約１７の誘電体（例えばＢａＴｉＯ3 ）を使用すれば、各ランゲカップラ５２の各出力端子の間隔が約２０ｍｍになる。従って、このまま直線的に入出力端子を出せば電力分配器５と単位電力増幅器１の入出力のインターフェイスは同じ位置になる
【００２１】さらに、
電力分配器４はランゲカップラ４２が電力分配器５の入力端子間距離となるように、前と同じく誘電率を計算する。通常単位電力増幅器１は等間隔に並んでいるので、ランゲカップラ４２の出力短距離も２０ｍｍにすればよい。従って本実施形態の場合、電力分配器５と同じ誘電率のものが使用可能である
【００２２】
単位電力増幅器１の出力端の間隔は入力と同じになっているので、電力合成器６に使用する２個のランゲカップラ６２は、入力回路のランゲカップラ５２と同じである。従って、分配器５と同じ誘電率のものを使用すればよい
電力合成器６の出力端は、入力側の電力分配器の入出力端子配置の関係から電力合成器６の両側端側から出力される。従って、電力合成器７の入力端は単位電力増幅器１の３個分の端子間距離がある。本実施形態の場合６０ｍｍである
【００２３】こ
の距離間の長さはほぼランゲカップラ７２の入力端の長さになるように誘電率を決定する。前例に従って計算すると、電力合成器７に使用する誘電率は比誘電率が約２（例えばＳｉＯ2 ）のものを使用すれば、ランゲカップラ７２の入力端距離は約６０ｍｍになる
【００２４】以上説明したように、
各電力分配器および電力合成器に使用する基板の誘電率は、その入力端及び出力端の各間隔が等しくなるように最適な誘電率の基板を使用する。これにより各合成出力器のそれぞれの入力端子と出力端子は最短で直線的に接続可能となる
　
　オ．「【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、並列に並べた複数の単位電力増幅器と複数段からなる分配、合成器を用いて電力を得る高出力電力増幅器において、
各分配、合成器に使用する誘電体の誘電率を各段ごとに変えて最適な値の誘電率を組み合わせることにより、電力分配、合成器の信号の入出力端が直線的に接続することができ
　
　・上記「ア．」の記載事項によれば、この引用例２に記載の「高出力電力増幅器」は、入力信号を複数段の電力分配器により分配して並列に並べた複数の単位電力増幅器により増幅して複数段の電力合成器により合成して高出力を得る高出力電力増幅器に関するものである。
　・上記「イ．」、「ウ．」の記載事項によれば、電力分配器や電力合成器に用いられる伝送線路の長さは、当該電力分配器や電力合成器に使用する基板の誘電率に依存する（例えば誘電率が高いほど伝送線路の長さは短くなる）ものである。
　そして、このことを踏まえ、上記「ア．」、「エ．」、「オ．」の記載事項、及び図１によれば、各電力分配器（電力分配器４と電力分配器５）及び各電力合成器（電力合成器６と電力合成器７）に使用する基板（誘電体）の誘電率を各段ごとに変えて最適な値の誘電率を組み合わせることにより、これら電力分配器や電力合成器の入出力端を直線的に接続することができるようにしたものである。
　
　したがって、上記記載事項及び図面を総合勘案すると、引用例２には、次の技術事項が記載されている。
「電力分配器や電力合成器に用いられる伝送線路の長さは、当該電力分配器や電力合成器に使用する基板の誘電率に依存する（例えば誘電率が高いほど伝送線路の長さは短くなる）こと。」
「入力信号を複数段の電力分配器により分配して並列に並べた複数の単位電力増幅器により増幅して複数段の電力合成器により合成して高出力を得る高出力電力増幅器において、
　各電力分配器及び各電力合成器に使用する基板（誘電体）の誘電率を各段ごとに変えて最適な値の誘電率を組み合わせることにより、これら電力分配器や電力合成器の入出力端を直線的に接続することができるようにしたこと。」
　
４．対比
　そこで、本願発明と引用発明とを対比すると、
（１）引用発明における「ＲＦ入力信号を１つの分配器によって２つの成分の信号に分配し、さらに分配された２つの成分の信号を２つの分配器によってそれぞれ２つの成分の信号に分配し、さらに分配された計４つの成分の信号を４つの分配器によってそれぞれ２つの成分の信号に分配し、さらに分配された計８つの成分の信号を８つのドハティ方式増幅器にそれぞれ入力し、・・・・１つのＲＦ出力信号に合成して出力する高効率高増幅を実現された回路であって、前記８つの各ドハティ方式増幅器は、ＡＢ級にバイアス制御されたＦＥＴ増幅回路からなるキャリアアンプと、Ｃ級にバイアス制御されたＦＥＴ増幅回路からなるピークアンプとからそれぞれ構成され、入力信号を２つの成分の信号に分配し、一方の信号を前記キャリアアンプで増幅し、他方の信号を前記ピークアンプで増幅し、これらキャリアアンプ及びピークアンプからそれぞれ出力される増幅された成分の信号を合成して１つの出力信号として出力する回路構成であり、移動通信に用いられる無線通信システムに適用される、高効率高増幅を実現された回路。」によれば、
　まず、８つの各ドハティ方式増幅器は、各入力信号を２つの成分の信号に分配するための分配器をそれぞれ備えている（つまり、計８つの分配器が設けられている）ことは自明といえることであり、したがって全体としては４段の分配器が設けられ、これによってＲＦ入力信号を計１６の成分の入力信号に分配（分割）しているということができる。
　そして、この４段の「分配器」は、移動通信に用いられる無線通信システムに適用される電力増幅回路に用いられるといえるものであることから、本願発明でいう「パワースプリッタ」に相当し、その中でも、８つの各ドハティ方式増幅器にそれぞれ設けられた計「８つの分配器」、つまり、入力端子側からみて４段目の「８つの分配器」が、本願発明でいう「少なくとも２つの第２ステージのスプリッタ」に相当し、その一つ前の３段目の「４つの分配器」が、本願発明でいう「第１ステージのスプリッタ」に相当するとみることができる。　
　したがって、本願発明と引用発明とは、後述の相違点を除いて「入力信号を複数の成分入力信号に分割するように構成されたパワースプリッタであって、当該パワースプリッタは、前記入力信号を少なくとも２つの第１ステージの成分
入力
入力
２つ
入力
　
（２）引用発明における「ＦＥＴ増幅回路からなるキャリアアンプ」及び「ＦＥＴ増幅回路からなるピークアンプ」は、本願発明における「トランジスタ増幅器」に相当し、
　引用発明における、それぞれがキャリアアンプとピークアンプとから構成される「８つのドハティ方式増幅器」は、本願発明における「トランジスタ増幅器の少なくとも２つの組」に相当し、
　引用発明における「・・分配された計８つの成分の信号を８つのドハティ方式増幅器にそれぞれ入力し、・・・・１つのＲＦ出力信号に合成して出力する高効率高増幅を実現された回路であって、前記８つの各ドハティ方式増幅器は、ＡＢ級にバイアス制御されたＦＥＴ増幅回路からなるキャリアアンプと、Ｃ級にバイアス制御されたＦＥＴ増幅回路からなるピークアンプとからそれぞれ構成され、入力信号を２つの成分の信号に分配し、一方の信号を前記キャリアアンプで増幅し、他方の信号を前記ピークアンプで増幅し、これらキャリアアンプ及びピークアンプからそれぞれ出力される増幅された成分の信号を合成して１つの出力信号として出力する回路構成であり・・」によれば、
　本願発明と引用発明とは、「前記パワースプリッタに接続されており、前記第２ステージの成分
入力
　
（３）引用発明における「・・８つのドハティ方式増幅器で増幅されて出力された８つの成分の信号を４つの合成器によって４つの成分の信号に合成し、さらに合成された４つの成分の信号を２つの合成器によって２つの成分の信号に合成し、さらに合成された２つの成分の信号を１つの合成器によって１つのＲＦ出力信号に合成して出力する高効率高増幅を実現された回路であって、前記８つの各ドハティ方式増幅器は、ＡＢ級にバイアス制御されたＦＥＴ増幅回路からなるキャリアアンプと、Ｃ級にバイアス制御されたＦＥＴ増幅回路からなるピークアンプとからそれぞれ構成され、入力信号を２つの成分の信号に分配し、一方の信号を前記キャリアアンプで増幅し、他方の信号を前記ピークアンプで増幅し、これらキャリアアンプ及びピークアンプからそれぞれ出力される増幅された成分の信号を合成して１つの出力信号として出力する回路構成であり・・」によれば、
　８つの各ドハティ方式増幅器は、キャリアアンプ及びピークアンプからそれぞれ出力される増幅された成分の信号を合成するための合成器をそれぞれ備えている（つまり、計８つの合成器が設けられている）ことは自明であり、したがって全体としては４段の合成器が設けられ、これによって計１６の成分の出力信号を１つのＲＦ出力信号に合成しているといえ、これら「合成器」は、本願発明でいう「合成器」に相当するものである。
　したがって、本願発明と引用発明とは、「前記トランジスタ増幅器の前記少なくとも２つの組からの増幅された成分出力信号を受信し、少なくとも１つの出力信号となるようにこれら成分出力信号を合成するように構成された合成器と」を備える点で一致する。
　
（４）そして、引用発明における「・・移動通信に用いられる無線通信システムに適用される、高効率高増幅を実現された回路。」によれば、「高効率高増幅を実現された回路」は、移動通信に用いられる無線通信システムに適用されるものであることからして、電力増幅回路であるといえ、本願発明における「パワー増幅回路」に相当する。
　
　よって、本願発明と引用発明とは、
「入力信号を複数の成分入力信号に分割するように構成されたパワースプリッタであって、当該パワースプリッタは、前記入力信号を少なくとも２つの第１ステージの成分
入力
入力
２つ
入力
　前記パワースプリッタに接続されており、前記第２ステージの成分
入力
　前記トランジスタ増幅器の前記少なくとも２つの組からの増幅された成分出力信号を受信し、少なくとも１つの出力信号となるようにこれら成分出力信号を合成するように構成された合成器とを備える、パワー増幅回路。」
である点で一致し、次の点で相違する。
　
［相違点］
　パワースプリッタについて、本願発明では「前記第１ステージのスプリッタは、第１の誘電率を有する誘電基板材料上に設けられており、前記２つの第２ステージのスプリッタは前記第１誘電率と異なる第２誘電率を有する別の誘電基板材料上に設けられた」と特定するのに対し、引用発明ではそのような特定を有していない点。
　
５．判断
　上記相違点について検討する。
　例えば引用例２（前記「３．（２）」を参照）に記載のように、伝送線路の長さは、使用する基板の誘電率に依存する（例えば誘電率が高いほど伝送線路の長さは短くなる）ことは周知の技術事項であるといえ、同引用例２には、入力信号を複数段の電力分配器により分配して並列に並べた複数の単位電力増幅器により増幅して複数段の電力合成器により合成して高出力を得る高出力電力増幅器において、各電力分配器及び各電力合成器に使用する基板（誘電体）の誘電率を「各段ごと」に変えて最適な値の誘電率を組み合わせることにより、これら電力分配器や電力合成器の入出力端を直線的に接続することができるようにした技術事項が記載されており、引用発明においても、かかる技術事項を採用し、分配器に使用する基板の誘電率を各段（特に３段目と４段目）ごとに定めるようにすることは当業者であれば容易になし得ることである。なおその際、３段目の分配器に使用する基板の誘電率と４段目の分配器に使用する基板の誘電率とは当然、同じ値か異なる値かのどちらかとなるが、いずれとするかは、各ＦＥＴ増幅回路の並びの間隔や、３段目及び４段目の分配器における入出力端子の配置関係等に応じて決まる各分配器に用いられる伝送線路の長さに基づいて定められるものであり、異なる値とすること、すなわち本願発明と同様、３段目の分配器は第１の誘電率を有する誘電基板材料上に設けられ、４段目の分配器は第１誘電率と異なる第２誘電率を有する別の誘電基板材料上に設けられたものとすることも当業者にとって適宜なし得る設計的な事項にすぎない。
　
　なお、請求人は審判請求書において、引用例２には電力分配器４、５にそれぞれ使用する誘電体の誘電率が「同じ」であることが記載されているに過ぎず、互いに「異なる」ようにすることの明示はない旨主張している。
　確かに引用例２には、電力分配器４、５にそれぞれ使用する誘電体の誘電率を互いに「異なる」ものとすることの明示はなされていない。しかしながら、引用例２には請求項１に「各電力分配量および電力合成器に用いられる伝送線路の誘電体の誘電率を
各段ごと
　
　そして、本願発明における、特に「前記第１ステージのスプリッタは、第１の誘電率を有する誘電基板材料上に設けられており、前記２つの第２ステージのスプリッタは前記第１誘電率と異なる第２誘電率を有する別の誘電基板材料上に設けられた」ことに関して、本願発明においては、第１誘電率と第２誘電率の大小関係（どちらが大きいのか）や、両誘電基板材料の厚さの関係、さらには第１ステージのスプリッタと２つの第２ステージのスプリッタのそれぞれの形状・構造、配置位置の関係といったことについては何ら特定（限定）がなされておらず、単に、第１ステージのスプリッタが設けられる誘電基板材料の誘電率と２つの第２ステージのスプリッタが設けられる誘電基板材料の誘電率とが「異なる」と特定したことに格別の技術的意義は見出せないことを考慮すると、本願発明が奏する効果についてみても、引用発明及び引用例２に記載の技術事項から当業者が十分に予測できた程度のものであって、格別顕著なものがあるとはいえない。 
　
６．むすび
　以上のとおり、本願の請求項１に係る発明は、引用発明及び引用例２に記載の技術事項に基づいて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、本願は、その余の請求項について論及するまでもなく拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。