【事件の表示】
　平成１１年特許願第１４９３８４号「マスク形成方法」拒絶査定に対する審判事件［平成１２年１２月　８日出願公開、特開２０００−３４０４８７］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続きの経緯
　本願は、平成１１年５月２８日の出願であって、平成１４年８月１９日付で拒絶査定がなされ、これに対し、同年９月２６日に拒絶査定に対する審判請求がなされるとともに、同年１０月２８日付で手続補正がなされたものである。
　
２．平成１４年１０月２８日付の手続補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　平成１４年１０月２８日付の手続補正を却下する。
［理由］
（１）　補正後の本願発明
　本件補正により、特許請求の範囲の請求項１は、
「所定の処理を施される被処理膜が有する段差を埋め、平らな表面を有する平坦化膜を、前記被処理膜上に形成する平坦化工程と、前記平坦化膜上に光の反射を防止する有機物からなる反射防止膜を形成する反射防止膜形成工程と、前記反射防止膜上にフォトレジストを形成するレジスト形成工程と、前記被処理膜の所定領域に所定の処理を施す際のマスクとなるように、前記フォトレジストをパターニングするパターニング工程と、パターニングされた前記フォトレジストをマスクとして、前記反射防止膜及び前記平坦化膜をエッチングするエッチング工程を備えることを特徴とするマスク形成方法。
」と補正された。
　上記補正は、請求項１に記載した発明を特定するために必要な事項である「反射防止膜」を「有機物からなる反射防止膜」と限定し、マスク形成方法について、「パターニングされた前記フォトレジストをマスクとして、前記反射防止膜及び前記平坦化膜をエッチングするエッチング工程を備える」との限定を付加するものであって、特許法第１７条の２第４項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。
　そこで、本件補正後の前記請求項１に記載された発明（以下、「本願補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか（特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第４項の規定に適合するか）について以下に検討する。
（２）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された特開昭６０−９１２４号公報（以下、引用例１という。）の第１頁右欄第３行〜同欄第１４行には、
「基板に凹凸があるとその段差部からの反射光がパターンを劣化させるハレーションとよばれる現象や、段差部でのレジスト膜厚違いと反射光の作用によりパターン寸法が変動するレジスト膜内干渉とよばれる現象により、パターン寸法精度が劣化する。
　多層レジストは基板の凹凸を吸光性の高い流動性有機物で平坦化した後、その上に通常の方法、すなわちホトレジスト膚を形成し露光・現象を行なってパターンを形成し、ここで形成したパターンを順次下地層に反応性プラズマエッチ、スパッタエッチなどにより転写するものである。」
と記載されている。
　引用例１の第２頁左上欄第１１行〜同頁左下欄第１８行には、
「〔発明の目的〕
　本発明の目的は、多層レジスト法の寸法精度向上を計るために、光学的に理想的な中間層材料を提供することにある。
〔発明の概要〕
　ホトリソグラフイにおける微細パターン形成において、反射光低減は寸法精度を向上させる上で重要である。多層レジストにおいては基板からの反射光を十分に低減できるが、多層膜各層界面での反射光とパターン寸法精度の関係を調べたところ、ホトレジスト層／中間層および中間層／第１層有機物層各界面からの反射光がパターン寸法精度を劣化させることがわかつた。
　これは、現在用いられている第２層中間層材料の屈折率に起因している。
…本発明によれば中間層の屈折率は約１．６８であり、ホトレジスト層／中間層界面、中間層／第１層有機物層界面での反射率はほぼ無視できる値となり、従来のような反射光の影響による寸法変動は起こらない。
〔発明の実施例〕
…Ａｌ膜２上に第１層有機物層３を…形成した。
…しかる後…無機物中間層４を…形成した。ここで、無機物中間層４の屈折率を約１．６８とするように…塗布ケイ素化合物を用いた。その後、…ホトレジスト層にパターン５を形成した。
　しかる後、…ホトレジストパターン５を中間層に転写しパターン４′を形成した。しかる後、…パターン４′をマスクとして第１層有機物層３にパターンを転写しパターン３′を形成した。」
と記載されている。
　引用例１に記載された１図（ａ）には、段差のある基板１の上にＡｌ膜を介して第１層有機物層３が、その表面を平坦にして設けることが図示されている。
　引用例１に記載された１図（ｂ）には、無機物中間層４を介して、ホトレジストパターン５が設けることが図示されている。
（３）対比
　そこで、本願補正発明と引用例１に記載された発明とを比較する。
　引用例１の上記記載及び１図（ａ）、（ｂ）を参照すると、引用例１に記載された発明の、「基板」、「段差」、「第１層有機物層」、「無機物中間層」及び「ホトレジスト」は、それぞれ、本願補正発明の、「被処理膜」、「段差部」、「平坦化膜」、「反射防止膜」及び「フォトレジスト」に相当するから、両者は、「所定の処理を施される被処理膜が有する段差を埋め、平らな表面を有する平坦化膜を、前記被処理膜上に形成する平坦化工程と、前記平坦化膜上に光の反射を防止する反射防止膜を形成する反射防止膜形成工程と、前記反射防止膜上にフォトレジストを形成するレジスト形成工程と、前記被処理膜の所定領域に所定の処理を施す際のマスクとなるように、前記フォトレジストをパターニングするパターニング工程と、を有するマスク形成方法。」において一致し、本願補正発明の反射防止膜が、「有機物からなる反射防止膜」であるのに対し、引用例１に記載された発明は、反射防止膜が無機物中間層４である点で相違（以下、「相違点１」という。）し、本願補正発明が、「パターニングされた前記フォトレジストをマスクとして、前記反射防止膜及び前記平坦化膜をエッチングするエッチング工程を備える」構成であるのに対し、引用例１に記載された発明は、フォトレジストをマスクとして、平坦化膜をエッチングしていない点で相違（以下、「相違点２」という。）する。
（４）判断
　相違点について検討する。
　有機物からなる反射防止膜は、当該技術分野において周知手段（要すれば、特開平９−３０６８９３号公報参照）であるから、相違点１については、当業者が容易に想到できたものである。
　また、パターニングされたフォトレジストをマスクとして、反射防止膜及び平坦化膜をエッチングすることも、当該技術分野において周知手段（要すれば、特開平４−２０６８１７号公報参照）であるから、相違点２についても、当業者が容易に想到できたものである。
　そして、本願補正発明の作用効果についても、引用例１の発明及び周知手段から当業者が予測できる範囲のものにすぎない。
　したがって、本願補正発明は、引用例１の発明に周知手段を単に付加することにより、当業者が容易に想到しえたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際独立して特許を受けることができないものである。
（５）むすび
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項で準用する同法第１２６条第４項の規定に違反するものであり、特許法第１５９条第１項で準用する特許法第５３条第１項の規定により却下されるべきものである。
　
３．本願発明について平成１４年１０月２８日付の手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の請求項１に係る発明（以下、同項記載の発明を「本願発明」という。）は、当初明細書の特許請求の範囲の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
「所定の処理を施される被処理膜が有する段差を埋め、平らな表面を有する平坦化膜を、前記被処理膜上に形成する平坦化工程と、前記平坦化膜上に光の反射を防止する反射防止膜を形成する反射防止膜形成工程と、前記反射防止膜上にフォトレジストを形成するレジスト形成工程と、前記被処理膜の所定領域に所定の処理を施す際のマスクとなるように、前記フォトレジストをパターニングするパターニング工程と、を備えることを特徴とするマスク形成方法。」
（１）引用例
　原査定の拒絶の理由に引用された引用例及びその記載事項は、前記「２．（２）」に記載したとおりである。
（２）対比・判断                
　本願発明は、前記２．で検討した本願補正発明から、反射防止膜の限定事項である「有機物からなる」との構成を省き、マスク形成方法についての限定事項である「パターニングされた前記フォトレジストをマスクとして、前記反射防止膜及び前記平坦化膜をエッチングするエッチング工程を備える」との構成を省くものである。
　そうすると、本願発明の構成要件を全て含み、さらに他の構成要件を付加したものに相当する本願補正発明が、前記「２．（４）」に記載したとおり、引用例１の発明及び周知手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、本願発明も、同様の理由により、引用例１の発明及び周知手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
（３）むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１の発明及び周知手段に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
よって、結論のとおり審決する。