【事件の表示】
　平成４年特許願第３５０４６２号「薄膜太陽電池の製法」拒絶査定に対する審判事件［平成６年６月２４日出願公開、特開平６−１７７４０６］について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
 
【1】手続の経緯・本願発明
　本願は平成4年12月2日に出願されたものであり、本願の請求項1〜5に係る発明は、平成14年3月5日付け手続補正書にて補正された明細書の特許請求の範囲、請求項1〜5に記載されたとおりのものである。
　そして、その請求項1に係る発明(以下、「本願発明」という。)は以下のとおりである。
　「【請求項1】ガラス基板上に、収集金属電極を形成し、反応ガス中にフッ素原子を含まないプラズマCVD法による成膜と水素プラズマ処理との繰返しによって薄膜多結晶P型シリコン層を形成し、前記薄膜多結晶シリコン層上に250℃以上の基板温度のもとでアモルファスシリコンI層を堆積し、その上にN型アモルファスシリコンもしくはN型微結晶を含むアモルファスシリコン層を堆積し、さらにその上に裏面電極を形成することを特徴とする薄膜太陽電池の製法。」
　
【2】引用例
　これに対して、平成13年12月26日付け拒絶理由通知書において引用した、特開昭56-81981号公報 (以下、「引用例」という。)には、以下の事項が記載されている。
特許請求の範囲
　「(1) 少くとも1つの無定形珪素の層を有する、光を電気エネルギーに変換するための半導体構成要素において、無定形珪素の光源入射面に多結晶性珪素から成る被覆層(11,23,111)を設けたことを特徴とする半導体構成要素。
・・・
　(3) 特許請求の範囲(1)項記載の半導体構成要素において、多結晶性珪素から成る層は次に記載する様に構成されている半導体構成要素 即ち透明硝子層(8)、内部に埋め込まれた金属電極(9)を有する半導電性の反射防止層(10)選択可能な薄さを持つ半透明金属フィルム(7)、ドービンクされた多結晶性珪素から成る層(11)、少量ドーピングされた無定形珪素から成る層(12)、多量ドーピングされた無定形珪素から成る層(13)、金属電極(14)の要素であることを特徴とする半導体構成要素。
・・・」
2頁左上欄13行〜15行
　「本発明は、少くとも1つの無定形珪素の層を有する、光を電気エネルギーに変換するための半導体構成要素に関する。」
2頁右上欄下から3行〜右下欄2行
　「m-i-s構造に対して本質的に良好な耐久性を持つているp-i-n又はp-n構造を持つすべての無定形珪素のセルは、青紫色の光で照射した場合に得られる電気エネルギー量が減少する(第1図参照)。この様に、太陽光線の強度の大なる青色部分の効率の悪い変換を示す事実は、結晶性の珪素セルに対して当時知られていた無定形の珪素セルの小なる効率によって惹起されたものである。
・・・
　本発明の目的は上記した如き欠点、即ち青色光の変換効率の低下を取り除くことである。上記の目的は、無定形珪素の光線入射面に多結晶性珪素から成る被覆層を設けることにより構成される。」
3頁右上欄12行〜4頁右上欄1行
　「層の配置の形成は基本的に相異なる2つの方法によつて行われる。
(A)基礎となる物体として、第3,4図に示されている如き透明な硝子8,18が用いられる。800℃ までの温度に耐えられ特に石英又は商標名バイコールというガラス(・・・)から成り立つている基礎物体上に半導電性の酸化物から成る反射防止層10,110が設けられる。次に該反射防止層上に多結晶性の珪素の層11,111が最大0.15ミクロンメーターの厚さに設けられ、該層は種々異なる方法で形成される。即ち(a) 珪素を気相の状態から分離することにより行われる。例えばSiH4をグロー放電又は熱分解により或いはまた680℃を越える温度になっている熱い硝子基礎物体上にスパッターすることにより行われる。
(b)・・・
(c)・・・
・・・
　更に無定形珪素の厚さ約1ミクロンメーターの層12,112が付着させられる前に、多結晶性の珪素の層が、150°と450℃の間の温度で水素のプラズマに接触させ、変動する条件を安定させるのが一般に有利である。無定形珪素の層12,112は基礎物体の温度が200°と400℃の間で、例えばSiH4をグロー放電で分解すること又は水素中において珪素を反動的にスパッターさせることによつて分離される。多量ドーピンクされた無定形珪素の層13を分離するためにはグロー放電が行われる場合ドーピングガスD、例えば B2H6 又は AsH3又はPH3を体積比D/SiH4=10-4乃至5×10-3でSiH4ガスに混合するのが合目的である。D =B2H6の場合P-形、第2の場合n-形の層が得られる。層13は通常約500オングストロームの厚さを有している。それから層13上には不透明な背後の金属電極14が、通常金属の蒸着によつて形成されている。」
　
【3】対比
　引用発明は、薄膜太陽電池に関するものであり、「m-i-s構造に対して本質的に良好な耐久性を持つているp-i-n又はp-n構造」(引用例、
2頁右上欄下から3行〜右下欄2行
3頁右上欄12行〜4頁右上欄1行
　本願発明と引用例に記載された発明(以下、「引用発明」という。)とを比較すると、引用発明における、以下の技術事項A〜Fは、それぞれ本願発明の技術事項a〜fに相当する。
A:「透明硝子層(8)」、
B:「金属電極(9)」
C:「ドービンクされた多結晶性珪素から成る層(l1)」、
D:「少量ドーピングされた無定形珪素から成る層(12)」、
E:「多量ドーピングされた無定形珪素から成る層(13)」、
F:「金属電極(14)」
　
a:「ガラス基板」、
b:「収集金属電極」、
c:「薄膜多結晶P型シリコン層」、
d:「アモルファスシリコンI層」、
e:「N型アモルファスシリコンもしくはN型微結晶を含むアモルファスシリコン層」、
f:「裏面電極」
　
　よって、両者は、「ガラス基板上に、収集金属電極を形成し、薄膜多結晶P型シリコン層を形成し、前記薄膜多結晶シリコン層上に250℃以上の基板温度のもとでアモルファスシリコンI層を堆積し、その上にN型アモルファスシリコンもしくはN型微結晶を含むアモルファスシリコン層を堆積し、さらにその上に裏面電極を形成することを特徴とする薄膜太陽電池の製法。」の点で一致する。
　そして、本願発明と引用発明とは、薄膜多結晶P型シリコン層を、本願発明では、反応ガス中にフッ素原子を含まないプラズマCVD法による成膜と水素プラズマ処理との繰返しによって形成するのに対して、引用発明は、SiH4をグロー放電又は熱分解により形成する点で相違する。
　
【4】判断
　そこで上記相違点について検討するに、薄膜太陽電池において、珪素を含む反応ガスを用いたプラズマCVD法による成膜と水素プラズマ処理との繰返しによって多結晶シリコン層を形成したり、光劣化を低減させることは、平成12年6月19日付け拒絶理由通知書において指摘したとおり、本願の出願前周知である。例えば、同拒絶理由通知書で引用した特開昭63-14420号公報、特開平3-217014号公報の他に必要であれば、特開平4-65120号公報(2頁右下欄1行〜12行)、特開昭63-283119号公報を参照されたい。
　そして、上記周知の方法においては、反応ガス中にフッ素原子を含むことを必須とはしていない。
　よって、引用発明のSiH4をグロー放電又は熱分解により形成する工程を、周知のように、反応ガス中にフッ素原子を含まないプラズマCVD法による成膜と水素プラズマ処理との繰返しによって形成する工程とすることは当業者が格別困難なく想到できた事項である。
　従って、本願発明は引用発明及び周知の事項に基づいて当業者が容易に発明できたものと認められる。
　
【5】むすび
　以上のとおりであり、本願の請求項1に係る発明は特許法第29条第2項の規定により特許を受けることができないものであるから、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。