(57)【要約】【目的】  再生エネルギーの薄膜太陽電池と蓄電器および蓄電池等に関するものである。【構成】１）フィルム状薄膜太陽電池の保護フィルムに、断熱性および引張強度を設けたカーボンファイバーを設けた太陽電池。２）電極に、カーボンファイバーまたはグラファイトシートやグラフェンの炭素材料を設け、誘電体には合成ダイヤモンド微粒子または芳香族ポリイミドフィルムを設けた蓄電器。３）カーボンナノチューブなどを均一に混ぜて設けたペースト状やゲル状のイオン液体を、電極カーボンに塗布および含浸を設けた蓄電器。４）ホウ素や珪素と合成ダイヤモンドの粒子や微粒子を設けた半導体。または合成ダイヤモンドの結晶中に窒素やホウ素を設けた不純物半導体。５）炭素材料を設けた電極（グリッド）を単層または多層に設け、鉛や二酸化鉛の粒子または微粒子を電極に設け、電極接合部に合成ダイヤモンドの被覆を設けたシール鉛蓄電池。【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池において、フィルム状薄膜太陽電池の保護フィルムに、断熱性および引張強度を設けたカーボンファイバーを設けた太陽電池と蓄電。
【請求項２】
電極にはクロスまたはペーパー等の形態に設けたカーボンファイバー、またはグラファイトシートやグラフェン等の炭素材料を設け、誘電体に合成ダイヤモンドの微粒子または芳香族ポリイミドフィルムを設けた蓄電器の太陽電池と蓄電。
【請求項３】
カーボンナノチューブなどを均一に混ぜて設けたペースト状やゲル状のイオン液体を、電極カーボンに塗布および含浸を設けた蓄電器の太陽電池と蓄電。
【請求項４】
カーボンを設けた電極に、ホウ素または珪素等の粒子または微粒子および合成ダイヤモンドの微粒子を設けた半導体の太陽電池と蓄電。
【請求項５】
合成ダイヤモンド微粒子の結晶中に、窒素やホウ素等を添加した微粒子の不純物半導体を設けた太陽電池と蓄電。
【請求項６】
網状またはクロス等の形態に設けたカーボンファイバー、または種々の形状に打ち抜かれたグラファイトシートを単層または多層に電極に設け、鉛または二酸化鉛の粒子または微粒子を電極に設けたシール鉛蓄電池の太陽電池と蓄電。
【請求項７】
鉛または二酸化鉛の粒子または微粒子を設けたカーボンファイバーまたはグラファイトシートの電極板接合部に、合成ダイヤモンド微粒子の被覆を設けたシール鉛蓄電池の太陽電池と蓄電。
【発明の詳細な説明】
【発明の詳細な説明】
【産業上の利用分野】
【０００１】  再生可能エネルギーの薄膜太陽電池と蓄電器および蓄電池等に関するものである。
【背景技術】
【０００２】  薄膜太陽電池での断熱性および引張強度は、保護フィルム（バックシート）の樹脂系によるものである。
コンデンサー（蓄電器）の種類には、電解コンデンサー・フィルムコンデンサー・セラミックコンデンサーなどがあり、誘電体には酸化アルミニウム・プラスチックフィルム・セラミックなどである。また、電極にはアルミ箔などを設けるものであり、炭素素材を設けた電極には電気二重層コンデンサーなどがある。
シール鉛蓄電池の電極（グリッド）には、カルシウム合金、またはカルシウム合金の表面に銀合金の薄膜層をコーティングした電極であり、電極に設ける鉛または二酸化鉛は、をペースト状に設けたものである。
【発明が解決しようとする課題点】
【０００３】  保護フィルムによる薄膜太陽電池の断熱性の向上および引張強度の強化が必要となるのであり、蓄電器の電極および誘電体の素材による静電容量などの向上である。また、シール鉛蓄電池の金属使用量の減少および軽量化や急速充電等に必要な開発をしようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】  フィルム状薄膜太陽電池の保護フィルムに、断熱性および引張強度を設けたカーボンファイバーをクロス等の形態に設けた太陽電池。
【０００５】  電極にはクロスまたはペーパー等の形態に設けたカーボンファイバー、またはグラファイトシートやグラフェン等の炭素材料を設け、誘電体に合成ダイヤモンドの微粒子または芳香族ポリイミドフィルムを設けた蓄電器。
【０００６】  カーボンナノチューブなどを均一に混ぜて設けたペースト状やゲル状のイオン液体を、電極カーボンに塗布および含浸の蓄電器。
【０００７】  カーボンを設けた電極に、ホウ素または珪素等の粒子または微粒子および合成ダイヤモンドの微粒子を設けた半導体。
【０００８】  合成ダイヤモンド微粒子の結晶中に、窒素やホウ素を添加した微粒子の不純物半導体。
【０００９】  網状またはクロス等の形態に設けたカーボンファイバー、または種々の形状に打ち抜かれたグラファイトシートを単層または多層に電極（グリッド）に設け、鉛または二酸化鉛の粒子または微粒子を設けたシール鉛蓄電池。
【００１０】  鉛または二酸化鉛の粒子または微粒子を設けたカーボンファイバーまたはグラファイトシートの電極板接合部に、合成ダイヤモンド微粒子の被覆を設けたシール鉛蓄電池。
【作用】
【００１１】  断熱性には活性カーボンファイバーを設けた熱伝導の減少であり、引張強度にはメソフェーズピッチ系カーボンファイバーまたはＰＡＮ系カーボンファイバーを設けるのである。このカーボンファイバーをクロス等の形態に設け、保護フィルム（バックシート）に設けたフィルム状薄膜太陽電池である。
【００１２】  電極には炭素材料を設けるのであり、誘電体には、大きな熱伝導率、高い耐熱性を持つ絶縁体の合成ダイヤモンド微粒子（ナノメートル単位）をプラズマＣＶＤ法により設けるのである。また誘電体には、高い電気絶縁性と耐熱性を持ち、放射線にも比較的安定な芳香族ポリイミドフィルムを設けた蓄電器である。
【００１３】  電極に設ける炭素材料には、電気伝導度に違いがあり、高い電気伝導度を保つためにはカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）または気相成長系カーボンファイバー（ＶＧＣＦ）を設けるのである。ペースト状やゲル状等に設けたイオン液体にカーボンナノチューブまたは気相成長系カーボンファイバーを均一に混ぜて設け、電極のカーボンに塗布による含浸であり、高い電気伝導度や熱伝導率を均一に持つ電極カーボンとなる蓄電器等である。
【００１４】  電極カーボンに、ホウ素または珪素等の粒子または微粒子と合成ダイヤモンド微粒子を設けた半導体である。ホウ素または珪素等はマイクロメートル単位の粒子またはナノメートル単位の微粒子に設けるのであり、合成ダイヤモンドはナノメートル単位の微粒子である。大きな熱伝導率および高い耐熱性を持つ合成ダイヤモンド微粒子を持つＢＬ型などをプラズマＣＶＤ法により設ける半導体である。
【００１５】  メタンガスをプラズマ化したダイヤのナノ微粒子の結晶中に、窒素やホウ素等を導入した微粒子の不純物半導体である。高い硬度および耐熱性を持ち、大きな熱伝導率の合成ダイヤモンドの微粒子の不純物半導体は、プラズマＣＶＤ法により設ける半導体である。
【００１６】  網状またはクロス等の形態に設けたカーボンファイバーまたは種々の形状に打ち抜かれたグラファイトシートの電極（グリッド）に、鉛または二酸化鉛の粒子や微粒子をプラズマＣＶＤ法または吹付けにより設けるのである。また、電極（グリッド）を単層または多層に設け、粒子や微粒子を設けた電極板のシール鉛蓄電池である。
【００１７】  シール鉛蓄電池は電解液の減少により、電極板接合部が断裂、火花発生の恐れがあり抑制が必要となるのである。断裂の防止および火花等の抑制には電極板接合部に合成ダイヤモンド微粒子の被覆を設けるのである。被覆は電気絶縁体および高硬度の合成ダイヤモンドの微粒子であり、プラズマＣＶＤ法により設けるのである。
【実施例１】
【００１８】  請求項１についての説明。
太陽電池において、フィルム状薄膜太陽電池の保護フィルムに、断熱性および引張強度を設けたカーボンファイバーを設けた太陽電池。
フィルム状に設けた薄膜太陽電池にはシリコン系と有機系があり、シリコン系にはアモルファスシリコン薄膜型、有機系には有機薄膜型と色素増感型・量子ドット型がある。アモルファスシリコン薄膜型はすでに実用化されており、有機薄膜型と色素増感型は２０１４年〜２０１５年までの実用化や、太陽光を電気に変える変換効率向上等が計画されている。この折り曲がるフィルム状薄膜型太陽電池の保護フィルム（バックシート）に、断熱性および引張強度を持つカーボンファイバーを設けた太陽電池である。【００１９】  断熱性カーボンファイバーには、１０μｍの径を持った活性カーボンファイバー（ＡＣＦ）をクロス等の形態に設けてフィルム状薄膜型の保護フィルム（バックシート）に設けるのである。
活性カーボンファイバー（ＡＣＦ）は、カーボン表面に細孔が生じており、ミクロ孔が直接ファイバー表面に露出している。この活性カーボンファイバー（ＡＣＦ）を、クロス等の形態に設けてフィルム状薄膜太陽電池の保護フィルム（バックシート）に設けるのである。細孔を持つ活性カーボンファイバー（ＡＣＦ）は断熱性を持っており、保護フィルム裏面に設けることにより熱伝導が減少するのである。【００２０】  断熱性には、細孔を持つ１０μｍの径を持つ活性カーボンファイバー（ＡＣＦ）をクロス等の形態に設けるのであるが、活性カーボンファイバー（ＡＣＦ）に、１０μｍの径を持ち引張強度３，５００（ＭＰａ）／弾性率２００（ＧＰａ）のメソフェーズピッチ系カーボンファイバー、または７μｍの径を持ち引張強度３，３００（ＭＰａ）／弾性率２３０（ＧＰａ）のＰＡＮ系カーボンファイバーを設けることにより、引張強度を持つ断熱性のカーボンファイバーとなるのである。保護フィルム裏面に設けたカーボンファイバーが熱伝導の減少および引張強度の負担である。
すでに、汎用グレード等のカーボンファイバーは、マット状あるいはフエルト状の形態に作られ実用化され、高温でも使用可能な断熱材などとして使われている。
【実施例２】
【００２１】  請求項２についての説明。
電極にはクロスまたはペーパー等の形態に設けたカーボンファイバー、またはグラファイトシートやグラフェン等の炭素材料を設け、誘電体に合成ダイヤモンドの微粒子または芳香族ポリイミドフィルムを設けた蓄電器。
カーボンファイバー製品には、フィラメント、トウ、ステープルヤーン、クロス、ミルド、フエルト、ブレード、ペーパー、などの形態として作られている。このクロスまたはペーパー等の形態に設けたカーボンファイバーまたはグラファイトシートやグラフェン等を電極に設けるのである。【００２２】  低い電気抵抗が特徴である気相成長系カーボンファイバー（ＶＧＣＦ）は、長さ６０ｍｍ以下であり、径は２５μｍ以下の短繊維である。この気相成長系カーボンファイバーは６０ｍｍ以下の蓄電器の電極に設けるのである。
長い繊維である径が６．５〜７μｍのＰＡＮ系カーボンファイバーを、クロスまたはペーパー等の形態に設けるのである。任意の厚さのシートが得られ、シート面に平行方向に電気および熱が圧倒的に流れやすいグラファイトシート、または原子１個分の厚みの電気を良く通し丈夫なグラフェン等の炭素材料を電極に設けるのである。【００２３】  グラフェンは、プラズマ発生装置により、グラフェンの原料であるメタンや水素などの混合ガスを電離させ、プラズマ化し、ガスを４００℃の環境で金属箔に当て、表面にグラフェンを作る。ガスを当てる位置をずらせば、連続して作れるのである。このグラフェンの量産手法等は、産業技術総合研究所の長谷川雅考チーム長らの開発である。【００２４】  誘電体には大きな熱伝導率、高い耐熱性および硬度や電気絶縁体である合成ダイヤモンドの微粒子を設けるのである。ナノメートル（ｎｍ）単位の合成ダイヤモンド微粒子を電極のカーボンファイバーまたはグラファイトシートやグラフェン等の表面に積もらせる（プラズマＣＶＤ）方法でのコーティングであり、反応温度は８０℃〜１００℃程度である。【００２５】  メタンから作るダイヤは１グラムあたり数百円と安く低コストで処理できる。新技術は原料のメタンをプラズマと呼ばれる電気を帯びたガス状物質にし、ダイヤモンドを微粒子にしたのである。この新技術は、独立行政法人・産業技術総合研究所の長谷川雅考チーム長らであり、この微粒子に設けた合成ダイヤモンドを誘電体に設けるのである。【００２６】  合成ダイヤモンド微粒子に、チタン酸バリウムやチタン酸ストロンチウムの微粒子を加えた誘電体は、高誘電率系の蓄電器となるのであり、合成ダイヤモンド微粒子に酸化チタン微粒子を加えた誘電体は、低誘電率系の蓄電器となるのである。
合成ダイヤモンドの微粒子を設けた高誘電率系、または低誘電率系の蓄電器は、ダイヤモンドの大きな熱伝導率、高い耐熱性を持つ蓄電器であり、プラズマＣＶＤ法による微粒子を誘電体に設けた蓄電器である。【００２７】  誘電体には高い電気絶縁性と耐熱性を持ち、放射線にも比較的安定な芳香族ポリイミドフィルムを設けるのである。芳香族ポリイミドは、２５μｍ程度の厚さをフィルムとしたものであり、放射線にも比較的に安定である。また、厚さ２５μｍ程度の薄いポリイミドフィルムを２５００℃以上の高温まで加熱処理することにより、グラファイトフィルムとすることができる。この、芳香族ポリイミドフィルムを誘電体に設けた蓄電器である。
【実施例３】
【００２８】  請求項３についての説明。
カーボンナノチューブなどを均一に混ぜて設けたペースト状やゲル状のイオン液体を、電極カーボンに塗布および含浸を設けた蓄電器。
蓄電器（キャパシタまたはコンデンサー）の電極に設けるカーボンには、活性カーボンファイバー：多孔質カーボン・ＰＡＮ系カーボンファイバー・気相成長系カーボンファイバー・グラファイト・グラフェン等の炭素材料を設けるのである。電極カーボンには、カーボンナノチューブなどを均一に混ぜて設けたペースト状やゲル状のイオン液体を塗布するのであり、塗布によりカーボンに含浸するのである。含浸に設けるイオン液体はゲル状およびポリマー・ゼリー状・ペースト状などである。【００２９】  電極に設けるカーボンには、電気伝導度に違いがあり、高い電気伝導度を保つためにはカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）や気相成長系カーボンファイバー（ＶＧＣＦ）を電極の補強剤として設けるのである。
すでに、樹脂に均一に混ぜたペースト状のカーボンナノチューブの製品が存在しており、均一に混ぜたペースト状やゲル状のカーボンナノチューブまたは気相成長系カーボンファイバーを、電極のカーボンに塗布するのである。このペースト状やゲル状はイオン液体からなるペースト状やゲル状・ゼリー状であり、塗布による電極カーボンの含浸である。塗布によるカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）や気相成長系カーボンファイバー（ＶＧＣＦ）の高い電気伝導度や大きな熱伝導率を持つ電極カーボンとなるのである。
また、イオン液体の注入による電極カーボンの含浸にはリチウムイオン二次電池がある。【００３０】  樹脂に均一に混ぜたペースト状のカーボンナノチューブ（筒状炭素分子）材料は、米ベンチャー企業のシーナノテクノロジー（カリフォルニア州）の開発であり、丸紅子会社の丸紅情報システムズ（東京・渋谷）の国内販売である。
【実施例４】
【００３１】  請求項４についての説明。
カーボンを設けた電極に、ホウ素または珪素等の粒子または微粒子および合成ダイヤモンドの微粒子を設けた半導体。
ホウ素または珪素等はマイクロ（μｍ）メートル単位の粒子、またはナノ（ｎｍ）メートル単位の微粒子に設けるのであり、合成ダイヤモンドはナノ（ｎｍ）メートル単位の微粒子である。この粒子および微粒子をプラズマＣＶＤ法などによりカーボンを設けた電極に設けるのである。
半導体であるホウ素または珪素等を粒子に設け、微粒子の合成ダイヤモンドを設けたＢＬ型の半導体である。【００３２】  マイクロメートルの粒子に設けたホウ素または珪素等が結晶粒子となり、結晶粒子の境目の粒界に、ナノメートルに設けた合成ダイヤモンド微粒子が粒界層（ＢＬ）となるＢＬ型の半導体である。また、合成ダイヤモンドおよびホウ素または珪素等を微粒子に設けた半導体もあり、バリアには合成ダイヤモンドを設けるのである。
大きな熱伝導率を持ち、高い耐熱性および硬度を持つ合成ダイヤモンド微粒子と、ホウ素または珪素等の粒子または微粒子を電極となるカーボンに、プラズマＣＶＤ法などにより設けた半導体である。
また、合成ダイヤモンド微粒子とチタン酸バリウムやチタン酸ストロンチなどの粒子または微粒子を設けた半導体もある。
【実施例５】
【００３３】  請求項５についての説明。
合成ダイヤモンド微粒子の結晶中に、窒素やホウ素等を添加した微粒子の不純物半導体。
メタンガスをプラズマ化したダイヤのナノ微粒子の結晶中に、窒素やホウ素等を添加した微粒子は、不純物半導体となるのである。
安価なメタンガスを専用装置で、大きさがナノ（ｎｍ）メートル単位のダイヤモンド微粒子を作り、材料表面に積もらせる方法は産総研の長谷川雅考チーム長らの成果である。このメタンガスのプラズマ化に窒素やホウ素等を添加もしくは導入すると、窒素やホウ素等を微量に含むナノ微粒子の合成ダイヤモンドが作れるのであり、微粒子の不純物半導体となるのである。したがって、電気絶縁体である微粒子のダイヤモンドと、不純物半導体である微粒子のダイヤモンドの二種類の合成ダイヤモンド微粒子となるのである。
大きな熱伝導率や高い耐熱性および硬度を持つ合成ダイヤモンド微粒子は不純物半導体であり、プラズマＣＶＤ法により作ることができるのである。このように合成ダイヤモンド微粒子による半導体は多用途利用であり、高効率の不純物半導体である。また、絶縁体の合成ダイヤモンド微粒子でもある。
【実施例６】
【００３４】  請求項６についての説明。
網状またはクロス等の形態に設けたカーボンファイバー、または種々の形状に打ち抜かれたグラファイトシートを単層または多層に電極に設け、鉛または二酸化鉛の粒子または微粒子を電極に設けたシール鉛蓄電池。
カーボンファイバー製品には、フィラメント、トウ、ステープルヤーン、クロス、ミルド、フエルト、ブレード、ペーパーなどの形態として作られている。高い強度と弾性率、低い電気比抵抗が特徴である気相成長カーボンファイバーは短繊維であり、電池電極の補強剤としての添加である。また、カーボンナノチューブも同様である。長繊維であり、径が６．５〜７μｍ程度のＰＡＮ系カーボンファイバーを、網状またはクロス等の形態に設けて電極（グリッド）に設けるのである。グラファイトシートは、種々の形状に打ち抜き等を設けて電極（グリッド）に設けるのである。【００３５】  ＰＡＮ系カーボンファイバーまたはグラファイトシートの電極（グリッド）に、粒子または微粒子に設けた鉛または二酸化鉛を設けるのである。網状またはクロス等の形態に設けたＰＡＮ系カーボンファイバー、または種々の形状に打ち抜き等を設けたグラファイトシートを単層または多層に設けた電極（グリッド）に積もらせる（プラズマＣＶＤ）方法で設けるのである。また吹付けによる方法もある。
【実施例７】
【００３６】  請求項７についての説明。
鉛または二酸化鉛の粒子または微粒子を設けたカーボンファイバーまたはグラファイトシートの電極板接合部に、合成ダイヤモンド微粒子の被覆を設けたシール鉛蓄電池。
シール型鉛蓄電池は電解液に希硫酸を用いているのである。電解液の減少により、カーボンファイバーまたはグラファイトシートの電極板接合部が、断裂により火花発生などの恐れがあり、蓄電池内部で発生する火花等の抑制が必要となるのである。【００３７】  断裂による火花発生等の抑制には、ＰＡＮ系カーボンファイバーまたはグラファイトシートの電極板接合部に、絶縁材料の合成ダイヤモンド被覆を設けるのである。この被覆は電極板接合部の強化と、断裂による火花等の抑制である。合成ダイヤモンドの被覆はメタンガスをプラズマ化した方法であり、合成ダイヤモンドをナノ粒子にしたプラズマＣＶＤ法によるものである。したがって、電気絶縁体及び硬度の合成ダイヤモンドの微粒子の被覆により、断裂による火花発生等の抑制や、電極板接合部の強度の向上である。【００３８】  本出願に記述の新技術および開発。
１・炭素素材のグラフェンの量産手法の開発。
独立行政法人・産業技術総合研究所  長谷川雅考チーム。
２・カーボンナノチューブのペースト状の製法。
アメリカ合衆国ベンチャー企業    シーナノテクノロジー（カリフォルニア州）
日本国内販売・丸紅情報システムズ
３・合成ダイヤモンドの微粒子および被膜。
独立行政法人・産業技術総合研究所  長谷川雅考チーム。【００３９】  本出願に関係する出願申請済み特許。
１・出願（申請）番号  特願２００９−２８３４０８号。
２・出願（申請）番号  特願２０１０−  ８７３１１号。【００４０】  本出願の参考文献および新聞。
１・カーボン  古くて新しい材料
著者  稲垣道夫                  発行所  株式会社  工業調査会。
２・電池応用ハンドブック
編集  トランジスタ技術編集部        発行所  ＣＱ出版株式会社。
３・抵抗＆コンデンサ活用ノート
編集  トランジスタ技術ＳＰＥＣＩＡＬ編集部
発行所  ＣＱ出版株式会社。
４・太陽光発電システム構成材料      電気・電子材料研究会  編
監修  杉本  榮一                発行所  株式会社  工業調査会。
５・（日本発）ナノカーボン革命  技術立国ニッポンの逆襲がナノチューブで始まる              著者  武末高裕              発行所  株式会社  日本実業出版社。
６・最先端化学技術のエッセンス
編著者  先端化学技術研究会      発行所  株式会社  工業調査会。
７・不思議な石ころ  電子セラミックス
著者  泉  弘志                発行所  株式会社  誠文堂新光社。
８・太陽電池のしくみ
編著者  瀬川浩司／小関珠音／加藤謙介
発行所  株式会社  新星出版社。
９・世界大百科事典  鉛・二酸化鉛・鉛蓄電池・硼素・珪素・窒素
発行所  平凡社。
１０・２０１０年（平成２２年）  ５月３１日  新聞掲載文
次世代炭素材、量産可能に                        日本経済新聞。
１１・２０１０年（平成２２年）  ５月３１日  新聞掲載文
（カーボンナノチューブ）  ペースト状を販売      日本経済新聞。
１２・２０１０年（平成２２年）  ７月１４日  新聞掲載文
ダイヤ被膜で硬く変身                            日本経済新聞。
【発明の効果】
【００４１】  フィルム状薄膜太陽電池の保護フィルム（バックシート）の断熱性には、活性カーボンファイバー（ＡＣＦ）を設けた熱伝導の減少であり、クロス等の形態に設けた活性カーボンファイバーには、メソフェーズピッチ系やＰＡＮ系カーボンファイバーを設け、引張強度と断熱性を兼ね備えて持つカーボンファイバーを保護フィルムに設けたフィルム状薄膜太陽電池である。
【００４２】  カーボンファイバーまたはグラファイトシートやグラフェンを電極に設け、合成ダイヤモンド微粒子を誘電体に設けた蓄電器は、カーボンの電気伝導度と、合成ダイヤモンドの大きな熱伝導率および高い耐熱性を持つ静電容量が大きい蓄電器であり、高い電気絶縁性と耐熱性を持つ芳香族ポリイミドフィルムを誘電体に設けた蓄電器は、放射線等にも比較的に安定な高性能の蓄電器である。
【００４３】  カーボンナノチューブなどを均一に混ぜて設けたペースト状やゲル状のイオン液体を、電極カーボンに塗布による含浸を設けた蓄電器は、高い電気伝導度を保つために、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）や気相成長系カーボンファイバー（ＶＧＣＦ）を設けるのであり、イオン液体のペースト状やゲル状などと均一に混ぜ、電極カーボンに塗布を設けた含浸である。この蓄電器には、電解コンデンサーや電気二重層キャパシタなどがあり、大きいエネルギー密度を設けた蓄電器となるのである。
【００４４】  カーボンを設けた電極に、ホウ素または珪素等の粒子や微粒子および合成ダイヤモンド微粒子を設けた半導体は、プラズマＣＶＤ法などにより設けた半導体である。大きな熱伝導率および高い耐熱性のダイヤモンド微粒子に、ホウ素または珪素等の粒子や微粒子を設けた半導体は高性能な半導体である。
【００４５】  合成ダイヤモンド微粒子の結晶中に、窒素やホウ素等を添加した微粒子の不純物半導体は、大きな熱伝導率や高い耐熱性および硬度を持つ微粒子の不純物半導体である。この不純物半導体は高効率であり、多用途利用の半導体である。
【００４６】  網状またはクロス等の形態に設けたカーボンファイバー、または打ち抜き等を設けたグラファイトシートの電極（グリッド）に、鉛または二酸化鉛の微粒子を設けたシール鉛蓄電池は、電極板が薄く、軽量、導電性に優れた蓄電池であり、充電回復性能が高いシール鉛蓄電池であり、電極（グリッド）を単層または多層に設けるシール鉛蓄電池でもある。
【００４７】  シール鉛蓄電池の電極板接合部は、電解液の減少よる断裂、および火花発生の恐れがあり、抑制を必要とするのである。この抑制に合成ダイヤモンド微粒子の被覆をプラズマＣＶＤ法により設けるのである。電気絶縁体のダイヤ被覆を電極板接合部に設けた強度向上と火花発生などの抑制である。