【事件の表示】
　特願２０１０−　９４７２１「レーザ加工方法及びレーザ加工装置」拒絶査定不服審判事件〔平成２２年１２月　９日出願公開、特開２０１０−２７４３２８〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１．手続の経緯
　本件出願は、平成２２年４月１６日（特許法４１条に基づく優先権主張　平成２１年４月３０日　日本国）を出願日とする出願であって、その手続の経緯は以下のとおりである。
　平成２４年　２月　２日　　：手続補正書の提出
　平成２５年　５月　７日付け：拒絶理由の通知
　平成２５年　６月２６日　　：意見書及び手続補正書の提出
　平成２５年１０月１５日付け：拒絶査定
　平成２６年　１月１５日　　：審判請求書の提出
　
２．本願発明
　本願の請求項１〜６に係る発明は、平成２５年６月２６日付け手続補正書により補正された特許請求の範囲の請求項１〜６に記載された事項により特定されるとおりのものと認められ、その請求項１には、次のとおり記載されている。
　「ガラス基板表面のスクライブ予定ラインに沿ってレーザ光を照射し、スクライブ溝を形成するレーザ加工方法であって、
　パルスレーザ光を集光してガラス基板表面に照射するレーザ光照射工程と、
　前記レーザ光をスクライブ予定ラインに沿って走査するレーザ光走査工程と、
を含み、
　前記パルスレーザ光のレーザ強度は１．０×１０８以上１．０×１０１０W/cm2以下であり、
　入熱量（J/cm2）×ガラス基板材料の線膨張係数（10−７/K）の値が３０００以上１０００００以下の範囲であり、
　前記パルスレーザ光の集光径に外接する正方形内のパルス数が２パルス以上である、
レーザ加工方法。」　（以下「本願発明」という）
　
３．引用例およびその記載事項
　本願優先日前に頒布され、原査定の拒絶の理由に引用された特開２００４−９１３９号公報（以下「引用例１」という）には、「ダイを製造する方法及びシステム」について、図面とともに、次の記載がある。
（ア）特許請求の範囲の請求項１
「サファイア基板からダイを製造する方法であって、
前記サファイア基板をステージ上に装着するステップと、
固体レーザを使用して前記サファイア基板の表面にレーザエネルギのパルスであって、５６０ナノメートル未満の波長、サファイアのアブレーションを誘発するのに充分なエネルギ密度、スポットサイズ、繰返し率、およびパルス持続時間を有するパルスを指し向けるステップと、
前記パルスを前記サファイア基板にスクライブパターンで衝突させて前記サファイア基板にスクライブ線を形成するステップと
を含む方法。」
　
（イ）
「【０００２】
さらに詳しくは、本発明は、固体ＵＶレーザを使用したサファイア基板のスクライビングおよびスクライブしたサファイア基板のダイへの分離を実行する方法、システムに関する。」
　
（ウ）
「【０００９】
従って、本発明の目的は、ダイの製造において、現行の技術を使用して得られるより高速であり、より使い易く、消耗部品の数を最小化し、より高い密度を可能にし、かつより高い歩留まりを達成する、サファイア基板のスクライビングのためのシステムおよび方法を提供することにある。そのようなシステムは小型であり、操作が安全であり、かつ低コストであることが望ましい。」
　
（エ）
「【００１５】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の方法において、請求項６に記載されているように、前記エネルギ密度が１０から１００ジュール／平方センチメートルの間であり、前記パルス持続時間が１０から３０ナノ秒の間であり、スポットサイズが５から２５ミクロンの間であることが好ましい。」
　
（オ）
「【００９６】
本発明においては、集積デバイスの配列を支持するサファイア基板を、真空チャックを含む可動Ｘ−Ｙステージなどのステージ上に装着する。次に固体レーザを使用して、レーザエネルギのパルスをサファイア基板の表面に指し向ける。レーザエネルギのパルスは約５６０ナノメートル未満、好ましくは約１５０から５６０ナノメートルの間の波長を有する。加えて、エネルギ密度、スポットサイズ、およびパルス持続時間としては、サファイアのアブレーションを誘発するのに充分なレベルに設定する。パルスの静止ビーム経路でステージを動かすことによる等のシステムの制御により、サファイア基板にスクラブ線を形成するのに充分な連続パルスの重なりを生じる運動速度で、パルスをサファイア基板にスクライブパターンで接触させる。
【００９７】
本発明の実施形態は、１平方センチメートル当たり約１０から１００ジュールの間のエネルギ密度、約１０から３０ナノ秒の間のパルス持続時間、および約５から２５ミクロンの間のスポットサイズを有するレーザパルスを発生する。パルスの繰返し率は５ｋＨｚより高く、約１０ｋＨｚから５０ｋＨｚまでの範囲またはそれ以上であることが好ましい。ステージは、５０ないし９９パーセントの量のパルスの重なりを生じる運動速度で移動させる。パルス繰返し率、ステージの運動速度、およびエネルギ密度を制御することによって、スクライブ線の深さを正確に制御することができる。」
　
（カ）
「【０１１２】
図１は、本発明に係るサファイアスクライビングシステムの簡易ブロック図である。図示した実施形態では、ダイオード励起固体レーザ１０が紫外および近紫外レーザ光のパルスをｋＨｚ範囲の繰返し率で発生する。
【０１１３】
好適なシステムでは、レーザは約４０ナノ秒のパルス持続時間で１０ｋＨｚより高い繰返し率のレーザのストリームとして第３高調波を送り出すＱスイッチ付きＮｄ：ＹＶＯ４媒体を有する。パルスは、光学送出システム１１および回転ミラー１２を使用して紫外対物レンズ１３に送られ、それがパルスをサファイア基板１４上に集束される。基板１４は真空チャックおよびＸ／Ｙステージ１５上に支持される。」
　
（キ）
「【０１４６】
この場合、直径１０ミクロンの単一スポットに（１０ミクロン／（２．５ｍｍ／秒））＝４．０×１０−３秒の重複がある。スポットに重複するパルスの数（ショット密度）は、（１００００パルス／秒）×（４×１０−３秒）＝４０となる。４０のショット密度は９７．２５％の重複に等しい。」
　
（ク）
「【０１６３】
図９ないし１６から、２．５ｍｍ／秒から５ｍｍ／秒の間のステージ速度で、切込み深さがウェハの厚さの半分を超えていることが分かる。Ｎｄ：ＹＶＯ４媒体を使用するサファイアスクライビングシステムは、２０ないし５０ｋＨｚで容易に作動し、最大エネルギ密度は４５〜５０Ｊ／ｃｍ２とすることができる。同一切込み深さを維持し、スループットを高めるために、このシステムの場合、ステージ速度を８〜１０ｍｍ／秒に増加することができる。」
　
４．当審の判断
（１）引用発明
（ケ）
　上記記載事項（ア）に、「固体レーザを使用して前記サファイア基板の表面にレーザエネルギのパルスであって、５６０ナノメートル未満の波長、サファイアのアブレーションを誘発するのに充分なエネルギ密度、スポットサイズ、繰返し率、およびパルス持続時間を有するパルスを指し向けるステップと、前記パルスを前記サファイア基板にスクライブパターンで衝突させて前記サファイア基板にスクライブ線を形成するステップと」とあることから、基板表面のスクライブパターンに沿ってレーザ光を照射し、スクライブ溝を形成するレーザ加工方法であることが開示されているといえる。
  　
（コ）
　上記記載事項（カ）によれば、「パルスは、光学送出システム１１および回転ミラー１２を使用して紫外対物レンズ１３に送られ」ることから、パルスレーザ光を集光して基板表面に照射するレーザ光照射工程が開示されているといえる。
  　
（サ）
　上記記載事項（キ）及び図５によれば、スポットに重複するパルスの数は、２パルス以上であることが認められる。
  　
（シ）
　上記記載事項（エ）及び（オ）のパルス持続時間が約１０から３０ナノ秒の間であること及び上記記載事項（ク）の「最大エネルギ密度は４５〜５０Ｊ／ｃｍ２とすることができる」ことから、たとえば、パルス持続時間を１０から３０ナノ秒の中間点である２０ナノ秒とした場合、パルスレーザ光のレーザ強度は２．２５×１０９〜２．５×１０９W/cm2であることが開示されているといえる。
　
（ス）
　上記記載事項（ク）の「最大エネルギ密度は４５〜５０Ｊ／ｃｍ２とすることができる」こと及び原審の拒絶査定において示した特開２００４−２４７７１１号公報の段落【００６９】にあるように、サファイアの線膨張係数は７．５×１０−６／Ｋであることから、入熱量（J/cm2）×サファイア基板材料の線膨張係数（10−７/K）の値が３３７５〜３７５０であることが開示されているといえる。
　
　上記記載事項（ア）〜（ク）及び上記認定事項（ケ）〜（ス）並びに当業者の技術常識によれば、上記引用例１には、　
「サファイア基板表面のスクライブパターンに沿ってレーザ光を照射し、スクライブ溝を形成するレーザ加工方法であって、
　パルスレーザ光を集光してサファイア基板表面に照射するレーザ光照射工程と、
　前記レーザ光をスクライブパターンに沿って走査するレーザ光走査工程と、
を含み、
　前記パルスレーザ光のレーザ強度は２．２５×１０９〜２．５×１０９W/cm2であり、
　入熱量（J/cm2）×サファイア基板材料の線膨張係数（10−７/K）の値が３３７５〜３７５０であり、
　前記パルスレーザ光の集光径に外接する正方形内のパルス数が２パルス以上である、
レーザ加工方法。」の発明（以下「引用例１発明」という）が記載されていると認められる。
　
（２）対比
　本願発明と引用例１発明とを比較すると、引用例１発明の「スクライブパターン」は、本願発明の「スクライブ予定ライン」に相当する。
　そして、引用例１発明の「サファイア」と、本願発明の「ガラス」とは、脆性材料である限りにおいて共通する。
　引用例１発明は、パルスレーザ光のレーザ強度が２．２５×１０９〜２．５×１０９W/cm2であるから、１．０×１０８以上１．０×１０１０W/cm2以下であることにおいて、共通する。
　また、引用例１発明は、入熱量（J/cm2）×サファイア基板材料の線膨張係数（10−７/K）の値が３３７５〜３７５０であるから、入熱量（J/cm2）×脆性材料の線膨張係数（10−７/K）の値が３０００以上１００００以下の範囲であることにおいて、共通する。
　そうすると、両者は、
「脆性材料基板表面のスクライブ予定ラインに沿ってレーザ光を照射し、スクライブ溝を形成するレーザ加工方法であって、
  パルスレーザ光を集光して脆性材料基板表面に照射するレーザ光照射工程と、
  前記レーザ光をスクライブ予定ラインに沿って走査するレーザ光走査工程と、
を含み、
  前記パルスレーザ光のレーザ強度は２．２５×１０９〜２．５×１０９W/cm2であり、
  入熱量（J/cm2）×脆性材料の線膨張係数（10−７/K）の値が３３７５〜３７５０の範囲であり、
  前記パルスレーザ光の集光径に外接する正方形内のパルス数が２パルス以上である、
レーザ加工方法置。」である点で一致し、以下の点で相違している。
［相違点］　脆性材料が、本願発明は、ガラスであるのに対し、引用例１発明ではサファイアである点。
　
（３）判断
　ガラス基板において、サファイア基板と同程度の線膨張係数を持つものがあることは、従来周知の事項である（例えば、原審の拒絶査定において示した国際公開第２００７／０５２４００号の段落［００３２］、特開２００７−０６５６４４号公報の段落【００５３】を参照）。
　上記のように、ガラス基板の中には、サファイア基板と同程度の線膨張係数を持つものもあることから物理的な物性値が共通しているうえ、レーザによるスクライビング加工の対象材料として、ガラス及びサファイアの両者を挙げることは、従来周知の事項である（たとえば、国際公開２００９／０４７９９０号の段落【０００１】及び【０００２】、特開２００７−２１５４８号公報の段落【０００３】及び【０００４】、特開２００６−２４９１４号公報の段落【００２２】及び【００２５】、国際公開第２００２／０８１１４２号の第６ページ、特開２０００−２６３２５８号公報の段落【００３３】、特開２０００−１５６３５８号公報の段落【０００２】【００１８】【００２８】【００３４】を参照）。
　してみると、引用例１発明のレーザ加工方法において、基板の材料をサファイアからガラスに換えて本願発明に想到することは、当業者が容易になし得たことである。
　そして、本願発明の効果も、引用例１発明及び従来周知の事項から予測しうる範囲のものであって、格別なものとはいえない。
　なお、パルスレーザによるスクライブを行うレーザ加工において、ガラス基板に対しても、引用例１発明と同様のエネルギー密度（入熱量に相当。約２０〜１５０Ｊ／ｃｍ２）とすることは、従来周知の事項である（たとえば、特開２００７−３３１９８３号公報の段落【００１６】、国際公開２００５／１０５６８１号の段落［００２６］、特開２００５−１３２６９４号公報の【００２６】及び特開２００７−２１５４８号公報の【００１１】を参照）。
　また、パルスレーザによるスクライブを行うレーザ加工において、ガラス基板に対して、レーザ強度を１×１０８Ｗ／ｃｍ２程度とすることも、従来周知の事項である（たとえば、特開２００３−３３４６７５号公報の【００１６】、特開２００９−３９７５５号公報の【００３０】、特開２００６−１４０３５５号公報の【００２９】を参照）。
　してみると、サファイア基板である引用例１発明に限らず、ガラス基板においても、パルスレーザ光のレーザ強度は１．０×１０８以上１．０×１０１０W/cm2以下であり、入熱量（J/cm2）×脆性材料の線膨張係数（10−７/K）の値が３０００以上１００００以下の範囲であることは、従来周知の事項にすぎない。
　したがって、本願発明は、引用例１発明及び従来周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができないものである。
　
５．むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用例１発明及び従来周知の事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法２９条２項の規定により特許を受けることができない。したがって、本願の他の請求項に係る発明を検討するまでもなく、本願は、拒絶をすべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。