【事件の表示】
　特願２００８−２７２１０６「多重量子井戸構造の活性領域を有する発光ダイオード」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　７月　９日出願公開、特開２００９−１５２５５２〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯
　本願は、平成２０年１０月２２日の出願（パリ条約による優先権主張２００７年１２月１８日、韓国、２００７年１２月１８日、韓国）であって、平成２４年９月２７日付けで拒絶理由が通知され、平成２５年４月２日付けで手続補正がなされたところ、同年７月２４日付けで拒絶査定がなされ、これに対し、同年１２月５日に拒絶査定不服審判請求がなされると同時に手続補正がなされ、その後、当審において平成２６年１０月２７日付けで拒絶理由が通知され、平成２７年３月２日付けで手続補正がなされたものである。
２　本願発明
　本願の特許請求の範囲の請求項に記載された発明は、平成２７年３月２日付け手続補正による補正後の特許請求の範囲の請求項１〜９に記載された事項によって特定されるものと認められるところ、その請求項１に係る発明は次のものである。
「窒化ガリウム系のＮ型化合物半導体層と、
　窒化ガリウム系のＰ型化合物半導体層と、
　前記Ｎ型及びＰ型化合物半導体層間に介在され、ＩｎＧａＮ井戸層と障壁層が交互に積層された多重量子井戸構造の活性領域とを有し、
　前記活性領域内の障壁層の少なくとも一つが、アンドープＩｎＧａＮ層及びＳｉドープＧａＮ層を有し、
　前記ＳｉドープＧａＮ層が、前記アンドープＩｎＧａＮ層よりも、前記Ｐ型化合物半導体層側に隣接し、
　前記井戸層間に位置する障壁層が、前記井戸層間における最も薄い障壁層の厚さに対して、１．３乃至３倍の範囲内の厚さを有する複数個の相対的に厚い障壁層と、１乃至１．３倍の範囲内の厚さを有する複数個の相対的に薄い障壁層からなり、
　前記アンドープＩｎＧａＮ層による障壁層のバンドギャップが前記Ｎ型化合物半導体層に近いほど狭くなることを特徴とする発光ダイオード。」（以下「本願発明」という。）
３　引用する刊行物と引用発明
（１）刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先権主張日前に頒布された刊行物である特開２００４−０８７９０８号公報（以下「刊行物１」という。）には、図面とともに以下の記載がある（下線は当審が付したものである。以下同じ。）。
ア　「【請求項１】
ｎ型不純物がドープされたｎ型窒化物半導体層と、複数の井戸層と該井戸層よりもバンドギャップエネルギーの高い複数の障壁層とが積層されてなる多重量子井戸構造である発光層と、ｐ型不純物がドープされたｐ型窒化物半導体層とからなり、前記ｎ型窒化物半導体層と前記発光層と前記ｐ型窒化物半導体層とが順に積層された窒化物半導体発光素子において、
前記井戸層は、不純物がドープされていないＩｎＧａＮ層であり、
少なくとも前記井戸層に挟まれた障壁層は、前記井戸層のＩｎ組成比と異なるＩｎＧａＮ層と、ＧａＮ層とを含み、該ＩｎＧａＮ層が一方の前記井戸層に接し、該ＧａＮ層がもう一方の前記井戸層に接することを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
前記障壁層のＩｎＧａＮ層が接する一方の井戸層は、前記ｐ型窒化物半導体側の井戸層であり、
前記障壁層のＧａＮ層が接するもう一方の井戸層は、前記ｎ型窒化物半導体層側の井戸層であることを特徴とする請求項１記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
前記障壁層のＩｎＧａＮ層には不純物がドープされておらず、前記障壁層のＧａＮ層にはｎ型不純物がドープされている
【請求項４】
前記障壁層は、ＩｎＧａＮ層とＧａＮ層とが積層された２層構造である
【請求項５】
前記ＧａＮ層の厚みは、前記障壁層のＩｎＧａＮ層の厚みと等しいかそれよりも薄いことを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項６】
前記障壁層の厚みは、５ｎｍ以上１２ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の窒化物半導体発光素子。」
イ　「【００１８】
【発明の実施の形態】
〈窒化物半導体発光素子の構成〉
図１は、窒化物半導体発光素子の構成を示す概略断面図である。
窒化物半導体発光素子１０は
ｎ型ＧａＮ光ガイド層１４、発光層１５、ｐ型ＡｌＧａＮキャリアブロック層１６
が順に積層されて構成される
ウ　「【００２３】
その後、基板温度を８００℃に下げて発光層１５を形成する。発光層１５は、厚さ４ｎｍのアンドープのＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ井戸層と、厚さ４ｎｍのＳｉがドープされたＧａＮ層（Ｓｉ不純物濃度１×１０１８ｃｍ−３）及び厚さ４ｎｍのアンドープのＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ層からなる障壁層とが交互に３周期積層された多重量子井戸構造を有している。即ち、
障壁層／井戸層／障壁層／井戸層／障壁層／井戸層／障壁層の順で積層
【００２４】
なお、上記の多重量子井戸構造は障壁層を発光層１５の最外層としているが、井戸層／障壁層／井戸層／障壁層／・・・／井戸層のように、発光層１５の最外層を井戸層としてもよい。また、
井戸層は１０層以下
エ　「【００３０】
上記の
窒化物半導体発光素子１０は
発光ダイオード
に適用することができる
オ　「【００３１】
〈従来の窒化物半導体発光素子との比較〉
従来の窒化物半導体発光素子の性能と比較実験するために、
本発明の窒化物半導体発光素子１０の実施例
タイプＡ
【００３２】
図２ではｎ型ＧａＮ光ガイド層１４の上に、障壁層３０ａ／井戸層３１／障壁層３０ｂ／井戸層３１／障壁層３０ｂ／井戸層３１／障壁層３０ｃの順に積層されてなる発光層１５が形成されている。
【００３３】
ここで、井戸層３１はアンドープのＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ層である。また、障壁層３０ａ、３０ｂ、３０ｃはそれぞれ２層構造である。
障壁層３０ａ、３０ｂ、３０ｃのｎ型ＧａＮ光ガイド層１４側にはｎ型ＧａＮ層３２ａ、３２ｂ、３２ｃが形成され、ｐ型ＡｌＧａＮキャリアブロック層１６側にはＩｎ
０．０５
Ｇａ
０．９５
Ｎ層３３ａ、３３ｂ、３３ｃが形成される
【００３４】
次に、２つ目の窒化物半導体レーザ素子（以下、
タイプＢ
【００３５】
図３ではｎ型ＧａＮ光ガイド層１４の上に、障壁層３０ａ／井戸層３１／障壁層３０ｂ／井戸層３１／障壁層３０ｂ／井戸層３１／障壁層３０ｃの順に積層されてなる発光層１５が形成されている。
【００３６】
ここで、井戸層３１はアンドープのＩｎ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ層である。また、障壁層３０ａ、３０ｂ、３０ｃはそれぞれ２層構造である。
障壁層３０ａ、３０ｂ、３０ｃのｎ型ＧａＮ光ガイド層１４側にはＩｎ
０．０５
Ｇａ
０．９５
Ｎ層３３ａ、３３ｂ、３３ｃが形成され、ｐ型ＡｌＧａＮキャリアブロック層１６側にはｎ型ＧａＮ層３２ａ、３２ｂ、３２ｃが形成される
【００３７】
このように、
タイプＡとタイプＢとの違いは、障壁層３０ａ、３０ｂ、３０ｃを構成する２層の積層順序が逆になっていることである
カ　「【００４７】
〈障壁層中のＩｎＧａＮ層とＧａＮ層の不純物のドーピング〉
本発明において、障壁層３０ａ、３０ｂ、３０ｃ中のＩｎＧａＮ層３３ａ、３３ｂ、３３ｃとＧａＮ層３２ａ、３２ｂ、３２ｃには、不純物がドープされていてもよいし、されていなくても構わない。しかしながら、実験結果によれば、障壁層３０ａ、３０ｂ、３０ｃに全く不純物をドープしない場合、ＥＬ発光強度は非常に弱かった。これは、十分なキャリアが井戸層３１に注入されていないためではないかと考えられる。
【００４８】
従って、少なくとも障壁層３０ａ、３０ｂ、３０ｃ中のＩｎＧａＮ層３３ａ、３３ｂ、３３ｃとＧａＮ層３２ａ、３２ｂ、３２ｃのうち何れかの層に不純物をドープすることが好ましい。
更に好ましい障壁層３０ａ、３０ｂ、３０ｃの構成は、不純物を含まないＩｎＧａＮ層３３ａ、３３ｂ、３３ｃとｎ型の不純物であるＳｉがドープされたＧａＮ層３２ａ、３２ｂ、３２ｃである
【００４９】
また、障壁層３０ａ、３０ｂ、３０ｃ中のＧａＮ層３２ａ、３２ｂ、３２ｃは、井戸層３１や障壁層に含まれたＩｎＧａＮ層と近い成長温度帯域（井戸層の成長温度に対して＋１５０℃以内）で成長するため、結晶性が悪化しやすい。ところが、Ｓｉ等の不純物をＧａＮ層３２ａ、３２ｂ、３２ｃにドープすると、井戸層３１へのキャリアの注入のみならず、ＧａＮ層自体の結晶性の改善を行えるので好ましい。なお、Ｓｉの濃度は１×１０１７〜５×１０１８ｃｍ−３が好ましい。」
キ　「【００５３】
具体的に、
障壁層の厚みは５ｎｍ以上１２ｎｍ以下であることが好ましい
ク　「【００７１】
【発明の効果】
本発明によると、井戸層は、不純物がドープされていないＩｎＧａＮ層であり、少なくとも井戸層に挟まれた障壁層は、井戸層のＩｎ組成比と異なるＩｎＧａＮ層と、ＧａＮ層とを含み、ＩｎＧａＮ層が一方の井戸層に接し、ＧａＮ層がもう一方の井戸層に接することにより、発光効率を向上させるとともに、閾値電流密度の低い窒化物半導体発光素子を提供することができる。」
（２）引用発明
ア　上記（１）アの記載によれば、刊行物１には、「ｎ型不純物がドープされたｎ型窒化物半導体層と、複数の井戸層と該井戸層よりもバンドギャップエネルギーの高い複数の障壁層とが積層されてなる多重量子井戸構造である発光層と、ｐ型不純物がドープされたｐ型窒化物半導体層とからなり、前記ｎ型窒化物半導体層と前記発光層と前記ｐ型窒化物半導体層とが順に積層された窒化物半導体発光素子において、
　前記井戸層は、不純物がドープされていないＩｎＧａＮ層であり、
　少なくとも前記井戸層に挟まれた障壁層は、前記井戸層のＩｎ組成比と異なるＩｎＧａＮ層と、ＧａＮ層とを含み、該ＩｎＧａＮ層が一方の前記井戸層に接し、該ＧａＮ層がもう一方の前記井戸層に接し、
　前記障壁層のＩｎＧａＮ層には不純物がドープされておらず、前記障壁層のＧａＮ層にはｎ型不純物がドープされており、
　前記障壁層は、ＩｎＧａＮ層とＧａＮ層とが積層された２層構造である、
窒化物半導体発光素子。」が記載されている。
イ　上記（１）イの記載によれば、発光層とともに順に積層されるｎ型窒化物半導体層及びｐ型窒化物半導体層は、それぞれ、窒化ガリウム系のｎ型窒化物半導体層及び窒化ガリウム系のｐ型窒化物半導体層である。
ウ　上記（１）エの記載によれば、「窒化物半導体発光素子」は「発光ダイオード」に適用できる。
エ　上記（１）オの記載によれば、（タイプＢの）障壁層を構成する２層の積層順序は、障壁層３０ａ、３０ｂ、３０ｃのｎ型ＧａＮ光ガイド層１４側にはＩｎ０．０５Ｇａ０．９５Ｎ層３３ａ、３３ｂ、３３ｃが形成され、ｐ型ＡｌＧａＮキャリアブロック層１６側にはｎ型ＧａＮ層３２ａ、３２ｂ、３２ｃが形成される構成、すなわち、障壁層のＩｎＧａＮ層がｎ型窒化物半導体層（ｎ型ＧａＮ光ガイド層１４）側に形成され、障壁層のＧａＮ層がｐ型窒化物半導体層（ｐ型ＡｌＧａＮキャリアブロック層１６）側に形成される構成とされている。
オ　上記（１）カの記載によれば、好ましい障壁層の構成は、不純物を含まないＩｎＧａＮ層とｎ型の不純物であるＳｉがドープされたＧａＮ層である。
カ　上記ア〜オによれば、刊行物１には、以下の発明が記載されている。
「ｎ型不純物がドープされた窒化ガリウム系のｎ型窒化物半導体層と、複数の井戸層と該井戸層よりもバンドギャップエネルギーの高い複数の障壁層とが積層されてなる多重量子井戸構造である発光層と、ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系のｐ型窒化物半導体層とからなり、前記ｎ型窒化物半導体層と前記発光層と前記ｐ型窒化物半導体層とが順に積層された発光ダイオードにおいて、
　前記井戸層は、不純物がドープされていないＩｎＧａＮ層であり、
　少なくとも前記井戸層に挟まれた障壁層は、前記井戸層のＩｎ組成比と異なるＩｎＧａＮ層と、ＧａＮ層とを含み、該ＩｎＧａＮ層が一方の前記井戸層に接し、該ＧａＮ層がもう一方の前記井戸層に接し、
　前記障壁層のＩｎＧａＮ層には不純物がドープされておらず、前記障壁層のＧａＮ層にはｎ型不純物であるＳｉがドープされており、
　前記障壁層は、ＩｎＧａＮ層とＧａＮ層とが積層された２層構造であり、
　障壁層のＩｎＧａＮ層がｎ型窒化物半導体層側に形成され、障壁層のＧａＮ層がｐ型窒化物半導体層側に形成される、
　発光ダイオード。」（以下「引用発明」という。）
４　対比
　本願発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「ｎ型不純物がドープされた窒化ガリウム系のｎ型窒化物半導体層」は本願発明の「窒化ガリウム系のＮ型化合物半導体層」に相当し、以下同様に、「ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系のｐ型窒化物半導体層」は「窒化ガリウム系のＰ型化合物半導体層」に、「（不純物がドープされていないＩｎＧａＮ層である）井戸層」は「ＩｎＧａＮ井戸層」に、「障壁層」は「障壁層」に、「多重量子井戸構造である発光層」は「多重量子井戸構造の活性領域」に、「発光ダイオード」は「発光ダイオード」に、それぞれ、相当する。
（２）　本願発明の「前記Ｎ型及びＰ型化合物半導体層間に介在され、ＩｎＧａＮ井戸層と障壁層が交互に積層された多重量子井戸構造の活性領域とを有」することと、引用発明の「ｎ型不純物がドープされた窒化ガリウム系のｎ型窒化物半導体層と、複数の井戸層と該井戸層よりもバンドギャップエネルギーの高い複数の障壁層とが積層されてなる多重量子井戸構造である発光層と、ｐ型不純物がドープされた窒化ガリウム系のｐ型窒化物半導体層とからなり、前記ｎ型窒化物半導体層と前記発光層と前記ｐ型窒化物半導体層とが順に積層された発光ダイオードにおいて、前記井戸層は、不純物がドープされていないＩｎＧａＮ層であ」ることを対比する。
ア　引用発明の「多重量子井戸構造である発光層」は、「複数の井戸層と該井戸層よりもバンドギャップエネルギーの高い複数の障壁層とが積層されてなる」ものであり、「前記井戸層は、不純物がドープされていないＩｎＧａＮ層であ」るから、本願発明の「ＩｎＧａＮ井戸層と障壁層が交互に積層された多重量子井戸構造の活性領域」に相当する。
イ　引用発明の「前記ｎ型窒化物半導体層と前記発光層と前記ｐ型窒化物半導体層とが順に積層され」ていることは、本願発明の「多重量子井戸構造である発光層」が「Ｎ型及びＰ型化合物半導体層間に介在され」ていることに相当する。
ウ　上記ア及びイによれば、両者は相当関係にある。
（３）　本願発明の「前記活性領域内の障壁層の少なくとも一つが、アンドープＩｎＧａＮ層及びＳｉドープＧａＮ層を有し、前記ＳｉドープＧａＮ層が、前記アンドープＩｎＧａＮ層よりも、前記Ｐ型化合物半導体層側に隣接」することと、引用発明の「前記障壁層のＩｎＧａＮ層には不純物がドープされておらず、前記障壁層のＧａＮ層にはｎ型不純物であるＳｉがドープされており、前記障壁層は、ＩｎＧａＮ層とＧａＮ層とが積層された２層構造であり、障壁層のＩｎＧａＮ層がｎ型窒化物半導体層側に形成され、障壁層のＧａＮ層がｐ型窒化物半導体層側に形成される」ことを対比する。
ア　引用発明の「障壁層」が「ＩｎＧａＮ層とＧａＮ層とが積層された２層構造であり」、「前記障壁層のＩｎＧａＮ層には不純物がドープされておらず、前記障壁層のＧａＮ層にはｎ型不純物であるＳｉがドープされて」いることは、本願発明の「前記活性領域内の障壁層の少なくとも一つが、アンドープＩｎＧａＮ層及びＳｉドープＧａＮ層を有」することに相当する。
イ　上記（１）に記載したとおり、引用発明の「ｐ型窒化物半導体層」は本願発明の「Ｐ型化合物半導体層」に相当するから、引用発明の「障壁層の（不純物がドープされていない）ＩｎＧａＮ層がｎ型窒化物半導体層側に形成され、障壁層の（ｎ型不純物であるＳｉがドープされている）ＧａＮ層がｐ型窒化物半導体層側に形成される」ことは、本願発明の「前記ＳｉドープＧａＮ層が、前記アンドープＩｎＧａＮ層よりも、前記Ｐ型化合物半導体層側に隣接」することに相当する。
ウ　上記ア及びイによれば、両者は相当関係にある。
（４）以上のことから、本願発明と引用発明は、
「窒化ガリウム系のＮ型化合物半導体層と、
　窒化ガリウム系のＰ型化合物半導体層と、
　前記Ｎ型及びＰ型化合物半導体層間に介在され、ＩｎＧａＮ井戸層と障壁層が交互に積層された多重量子井戸構造の活性領域とを有し、
　前記活性領域内の障壁層の少なくとも一つが、アンドープＩｎＧａＮ層及びＳｉドープＧａＮ層を有し、
　前記ＳｉドープＧａＮ層が、前記アンドープＩｎＧａＮ層よりも、前記Ｐ型化合物半導体層側に隣接する、
　発光ダイオード。」
の点で一致し、以下の点で相違する。
相違点１
　本願発明は、「前記井戸層間に位置する障壁層が、前記井戸層間における最も薄い障壁層の厚さに対して、１．３乃至３倍の範囲内の厚さを有する複数個の相対的に厚い障壁層と、１乃至１．３倍の範囲内の厚さを有する複数個の相対的に薄い障壁層からな」るのに対し、引用発明は、そのような構成を有するものなのか否か明らかでない点。
相違点２
　本願発明は、「前記アンドープＩｎＧａＮ層による障壁層のバンドギャップが前記Ｎ型化合物半導体層に近いほど狭くなる」のに対し、引用発明は、そのような構成を有するものなのか否か明らかでない点。
５　判断
　以下、上記相違点について検討する。
（１）相違点１について
　多重量子井戸構造の活性領域において、キャリア分布を均一として、発光効率を高めるために、障壁層の厚さを異ならせる（徐々に厚くする）ことは、
　例えば、原査定の拒絶の理由に引用された特開２００３−０３１９０２号公報（以下「周知文献１」という。「【０００６】・・・ｎ型クラッド層側の障壁層の厚さを薄くし、徐々に厚くしていくことによって電子がｐ型クラッド層側へ注入され易くしている。この結果、電子のキャリア密度分布の均一性がさらに向上し、その結果より効果的にしきい値電流を低くし、高効率のレーザを得ることができる。」、「【００２７】・・・大電流駆動時においても多重量子井戸活性層内に注入されたキャリアがオーバーフローすることなく大出力の半導体レーザを得ることができる。」、「【００６７】図１２に、本実施形態における大出力半導体レーザの活性層付近のエネルギーバンド図を示す。本実施形態では、第１実施形態と第４実施形態を組み合わせた構成としている。すなわち、ＭＱＷ活性層５において、障壁層８０であるＡｌxＧａ1-xＡｓの厚さｔ３１，ｔ３２，ｔ３３，ｔ３４がｎ−Ａｌ0.4Ｇａ0.6Ａｓクラッド層３から離れるにしたがって順にｔ３１＝３ｎｍ、ｔ３２＝４ｎｍ、ｔ３３＝５ｎｍ、ｔ３４＝６ｎｍと１ｎｍずつ厚く形成している。同時に、Ａｌ組成比ｘがｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層３から離れるにしたがって順にｘ＝０．０４、０．０８、０．１２、０．１６と０．０４ずつ大きくなるように形成しており、障壁層８０のエネルギーバンドギャップＥｇ３１，Ｅｇ３２，Ｅｇ３３，Ｅｇ３４がｎ型クラッド層３から離れるにしたがって順に大きくなっている（Ｅｇ３１＜Ｅｇ３２＜Ｅｇ３３＜Ｅｇ３４）。このように障壁層８０の厚さとＡｌ組成比を同時に変えることで図１２のごとく障壁層８０の厚さｔ３１〜ｔ３４とエネルギーバンドギャップＥｇ３１〜Ｅｇ３４が順に変化するような構成としている。」、「【００６９】したがって、本実施形態ではｎ型クラッド層３に近い側の障壁層８０の膜厚を薄くしかつエネルギーバンドギャップを小さくしているため、電子をよりｐ型クラッド層７側へ注入し易くしている。・・・この結果、・・・活性層内のキャリア密度分布の均一性をさらに向上させることができる。これによって、図１４に示すように図４に比べ電子−正孔間の再結合速度分布の均一性がさらに向上し、しきい値電流がさらに低く、より高効率のレーザを得ることができるようになる。」との記載、図１２を参照。）、
　あるいは、原査定の拒絶の理由に引用された特開平０７−２３５７３２号公報（以下「周知文献２」という。「【０００５】【発明が解決しようとする課題】上述の図１２の構造では、活性層３として用いている多重量子井戸構造のバリヤの組成が全てのバリヤ層で同じであるため、井戸の層数が多い場合にはレーザへの電流注入の際、ｎ側クラッド層に近い井戸層ほどホールが分布しにくく、ホールの非均一注入がおこり、各井戸へのホールの分布が均一とならない。このため活性層での発光効率が低下し、レーザ発振閾値電流が均一に分布した場合に較べ高くなり、外部微分量子効率が低くなるという問題がある。」、「【００１１】・・・該多重量子井戸活性層のバリア層幅がｐ側からｎ側若しくは、ｎ側からｐ側に向かって小さくなっていることを特徴とする。【００１２】【作用】本発明では、多重量子井戸構造からなる活性層のバリヤの組成、量子井戸の組成、歪量、量子井戸幅、またはバリア幅が同じでないことを特徴とする。・・・【００１３】・・・ホールの密度が高い量子井戸層周辺のバリア層を意図的に薄く設定し、トンネリング効果を積極的に利用してホール分布の均一化を図ることも可能である。これらの構造を採用して、ホールをＭＱＷ活性層内に均一に分布させることで、レーザ発振閾値電流値を下げ、外部微分量子効率を高めることができる。」との記載、図９を参照。）
　に記載されるように周知の技術事項である。
　そうすると、引用発明において、多重量子井戸構造の障壁層の厚さを異ならせる（徐々に厚くする）ことに困難性はない。
　またその際、引用発明は、刊行物１の上記３（１）ウ及びキの記載によれば、障壁層を１０層前後まで設けられるものであり、障壁層の厚みは５ｎｍ以上１２ｎｍ以下であることが好ましいものであるところ、障壁層の数を１０層前後とし、障壁層の厚みを５ｎｍから１２ｎｍの範囲で徐々に厚くすることによって、最も薄い障壁層の厚さに対して「１．３乃至３倍の範囲内の厚さ」の複数個の障壁層と「１乃至１．３倍の範囲内の厚さ」の複数個の障壁層とを備えるものとし、もって、上記相違点１に係る構成と為すことは、当業者が適宜なし得たことである。
（２）相違点２について
　多重量子井戸構造の活性領域において、キャリア分布を均一として、発光効率を高めるために、障壁層のバンドギャップをＮ型化合物半導体層に近いほど狭くすることは、
　例えば、上記周知文献１、
　あるいは、原査定の拒絶の理由に引用された特開平０５−１０２６０４号公報（以下「周知文献３」という。「【０００９】【作用】本発明の多重量子井戸構造の価電子帯におけるエネルギーバンドを図１に示す。ｐ側から注入された正孔は量子井戸層５と障壁層６を経て、ｎ側に進むにつれて、ｎ側に近い側で障壁層６のエネルギー障壁の高さが減少する（Ｅｇ1’＞Ｅｇ2’）ため、トンネリングしやすくなり、正孔の分布は均一となる。したがって、各量子井戸層５から同じように利得を得ることができるようになり、レーザ発振に寄与しない無効電流を無くすことができる。なお、導波層４と量子井戸層５の禁制帯間隔をそれぞれＥｇ”、Ｅｇとする。【００１０】また、一般に電子は拡散しやすく、ｎ側から注入された電子はｐ側の導波層４にまで達し無効電流となるが、多重量子井戸活性層中の障壁層６の高さがｐ側で高いため、電子のｐ側への拡散を抑制することができる。」、「【００２０】【発明の効果】本発明によって多重量子井戸の正孔の分布を均一にすることにより、レーザ発振に寄与しない無効電流を減少させ、量子井戸層の数を増加させた時のしきい値が増大しなくなる。」との記載、図１を参照。）
　に記載されるように周知の技術事項である。
　そうすると、引用発明において、多重量子井戸構造の障壁層のバンドギャップをＮ型化合物半導体層に近いほど狭くすることに困難性はない。
　そして、その際、引用発明の障壁層は、ＩｎＧａＮ層とＧａＮ層とが積層された２層構造であるところ、（ＩｎＧａＮ層はＩｎとＧａの組成比を変えることによりバンドギャップを変えられるが、ＧａＮ層は二元系の化合物半導体でバンドギャップを変えられないから、）障壁層を構成する２層のうち、ＩｎＧａＮ層のバンドギャップをＮ型化合物半導体層に近いほど狭くし、上記相違点２に係る構成と為すことは、当業者が適宜なし得たことである。
（３）作用効果について
　本願発明が奏するとされる、キャリアオーバーフロー及び量子閉じ込めシュタルク効果を減少させ、発光効率を向上させ、駆動電圧を減少させる、及び、変わる動作条件下で効率的な発光特性を示すといった作用効果は、刊行物１（【００７１】、【００４７】〜【００４９】を参照。）の発光効率を向上させる旨や障壁層にＳｉをドープすることによって十分なキャリアの注入を行う旨の記載、周知文献１〜３のキャリア分布を均一として発光効率を高める旨の記載から、また、周知文献１（【０００６】、【００２７】を参照。）の、しきい値電流を低くでき、さらに大電流時においても多重量子井戸活性層内に注入されたキャリアがオーバーフローしないようにできる旨の記載からみて、当業者が予測しうる程度のものであって、格別のものとは認められない。
　また、本願発明の、「 １．３乃至３倍の範囲内の厚さ」の「複数個」の相対的に薄い障壁層と、「１乃至１．３倍の範囲内の厚さ」の「複数個」の相対的に厚い障壁層との特定によって、さらなる格別の作用効果を奏するとも認められない。
（４）小括
　したがって、本願発明は、引用発明及び周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
６　むすび
　以上のとおり、本願発明は、引用発明及び周知の技術事項に基づいて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。