(57)【要約】【課題】薄膜トランジスタの特性が向上した表示装置を提供する。【解決手段】本発明は、表示装置とその製造方法に関し、本発明による表示装置は、絶縁基板上に形成されているゲート電極を含むゲート配線と；ゲート電極上に形成されているゲート絶縁膜と；ゲート絶縁膜上にゲート電極を中心に相互離隔して形成されてチャネル領域を定義するソース電極及びドレイン電極とを含み、多重層からなる導電層；及びチャネル領域に形成されている有機半導体層を含むことを特徴とする。【選択図】図１
2007165889.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に形成されているゲート電極を含むゲート配線と；
前記ゲート電極上に形成されているゲート絶縁膜と；
前記ゲート絶縁膜上に前記ゲート電極を中心に相互離隔して形成されてチャネル領域を定義するソース電極及びドレイン電極とを含み、
複数の層からなる導電層；及び
前記チャネル領域に形成されている有機半導体層を含むことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記導電層は、金属層と透明電極層を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記金属層上に透明電極層が位置することを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記金属層は、材料としてＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、ＡｌＮｄのうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記透明電極層は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）のうちのいずれか一つを含むことを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記金属層と前記透明電極層とは電気的に接続されていることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記透明電極層は、多結晶であることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項８】
前記絶縁基板と前記ゲート配線の間に位置するデータ配線と、前記データ配線を覆っている層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜上に前記ゲート電極を露出させる第１開口を有する第１隔壁とをさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項９】
前記ゲート絶縁膜は、前記第１開口の内部に位置することを特徴とする請求項８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記導電層上には、前記チャネル領域と、前記ソース電極の一部と、前記ドレイン電極の一部を露出させる第２開口を有する第２隔壁とをさらに含むことを特徴とする請求項２または８に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記有機半導体層は、前記第２開口の内部に位置することを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記有機半導体層上には保護層がさらに形成されていることを特徴とする請求項１１に表示装置。
【請求項１３】
絶縁基板上にゲート電極を含むゲート配線を形成する段階と；
前記ゲート配線上に金属物質を加えて金属層を形成する段階と；
前記金属層上に透明電極物質を加えて透明電極層を形成する段階と；
前記ゲート電極を中心に相互離隔するように前記透明電極層をパターニングする段階と；
前記透明電極層をアニーリングする段階と；
前記ゲート電極を中心に相互離隔しているチャネル領域を有するように前記金属層をパターニングする段階と；
前記チャネル領域に有機半導体層を形成する段階とを含むことを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記透明電極物質は、アモルファス層からなるＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）のうちのいずれか一つを含むことを特徴とする請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記透明電極層のパターニングは、クロムエッチング液を用いることを特徴とする請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記アニーリングによって前記透明電極層は多結晶に変化することを特徴とする請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記金属物質は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、ＡｌＮｄのうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１３または１６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記金属層のパターニングは、前記透明電極層を遮断膜として利用することを特徴とする請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記金属層のパターニングは、クロムエッチング液を用いることを特徴とする請求項１８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記金属層はアルミニウムを含んでなり、
前記金属層のパターニングは、アルミニウムエッチング液を用いることを特徴とする請求項１８に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２１】
前記ゲート配線の形成の前に、前記絶縁基板上にデータ配線物質を加えてデータ配線を形成する段階と、前記データ配線上に層間絶縁物質を加えて層間絶縁膜を形成する段階とを含むことを特徴とする請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２２】
前記層間絶縁膜上に前記ゲート電極を露出させる第１開口を有するように第１隔壁を形成する段階と、前記第１開口に前記ゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜を形成する段階とをさらに含むことを特徴とする請求項２１に記載の表示装置の製造方法
【請求項２３】
前記ゲート絶縁膜は、インクジェット工程によって前記第１開口の内部に形成されることを特徴とする請求項２２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２４】
前記アニーリングの後、前記金属層のパターニングの前に、前記透明電極層上に前記チャネル領域を露出させる第２開口を有するように第２隔壁を形成する段階と、前記第２隔壁の表面を表面処理する段階とをさらに含むことを特徴とする請求項１３または２２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２５】
前記有機半導体層は、インクジェット法によって前記第２開口の内部に形成されることを特徴とする請求項２４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２６】
前記表面処理は、Ｏ２プラズマ処理と、ＣＦ４プラズマ処理と、自己組織化単分子膜（ｓｅｌｆａｓｓｅｍｂｌｅｄ  ｍｏｎｏｌａｙｅｒ；ＳＡＭ）処理のうちの少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項２４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２７】
前記有機半導体層上に保護膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置とその製造方法に関し、より詳しくは、有機薄膜トランジスタを含む表示装置とその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、表示装置の中で小型、軽量化の長所を持つ平板表示装置（ｆｌａｔ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｄｅｖｉｃｅ）が脚光を浴びている。このような平板表示装置としては液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｄｉｓｐｌａｙ）と有機電界発光装置（ＯＬＥＤ：Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）などがあり、画像を実現するために少なくとも一つの薄膜トランジスタを含む。薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＴＦＴ）は、各ピクセルの動作を制御及び駆動するスイッチング及び駆動素子として、ゲート電極と、ゲート電極を覆うゲート絶縁膜と、及びゲート絶縁膜上に位置する半導体層とを含む。ここで、半導体層は非晶質シリコンやポリシリコンが用いられるが、最近、有機半導体の適用が進められている。
【０００３】
有機半導体（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ；ＯＳＣ）は、常温、常圧で形成できるため、工程単価を低めることができ、熱に弱いプラスチック基板に適用できるという長所がある。そのため、有機半導体が適用された薄膜トランジスタは大面積と大量生産が可能な次世代表示装置の駆動素子として評価を受けている。このような有機半導体は、コーティング、露光、及び現像などの複雑な工程を経ずに簡単なインクジェット方式によって形成されることができる。有機半導体をインクジェット方式によって形成するために、有機半導体が位置する領域（チャネル領域）を露出させる開口を有する隔壁を形成し、前記開口で有機半導体溶液をジェッティングした後、溶剤除去過程を経て有機半導体層を形成する。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、有機半導体層を含む薄膜トランジスタは、非常に小さい素子なので有機半導体溶液が開口に正確にジェッティングされるように制御することは難しい。そのためにジェッティングされる有機半導体溶液は隔壁上に位置するように形成される場合がある。この場合、有機半導体層の厚さが各画素ごとに異なるようになってしまうため、各有機薄膜トランジスタ（ＯＲＧＡＮＩＣ  ＴＨＩＮ  ＦＩＬＭ  ＴＲＡＮＳＩＳＴＯＲ；ＯＴＦＴ）の特性が互いに異なって現われる問題点がある。このような問題点を解決するために、隔壁上に位置する有機半導体溶液が前記開口に流入するように隔壁の表面を表面処理する。表面処理によって隔壁の表面は撥水性及び撥油性を有するようになり、隔壁上の有機半導体溶液は開口の内部に流入するようになる。
【０００５】
しかし、このような表面処理によって、有機半導体層の下部に位置するゲート絶縁膜の特性が変わり、これによって有機薄膜トランジスタの特性が低下する問題点がある。
そこで、本発明の目的は、薄膜トランジスタの特性が向上した表示装置を提供することにある。
また、製造工程が簡単であり、薄膜トランジスタの特性を向上させることができる表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明１は、絶縁基板上に形成されているゲート電極を含むゲート配線と；ゲート電極上に形成されているゲート絶縁膜と；ゲート絶縁膜上にゲート電極を中心に相互離隔して形成されてチャネル領域を定義するソース電極及びドレイン電極とを含み、複数の層からなる導電層；及びチャネル領域に形成されている有機半導体層を含むことを特徴とする表示装置を提供する。
【０００７】
ここで、導電層が複数層からなることで、導電層の上層はチャネル領域に対応する部分に開口を有するように形成する一方、導電層の下層はチャネル領域を覆うように形成するというように、導電層の上層と下層とでパターンを異ならせることができる。ここで、チャネル領域に対応する開口に表面処理を行うことで、有機半導体層をチャネル領域に適切に形成することができる。また、導電層の下層がチャネル領域を覆っているので、表面処理の際に用いられるプラズマ及び化学物質がゲート絶縁膜に流入せず、有機薄膜トランジスタの特性が向上する。
【０００８】
発明２は、発明１において、導電層は、金属層と透明電極層を含むことができる。
発明３は、発明２において、金属層上に透明電極層が位置することができる。
発明４は、発明２において、金属層は、材料としてＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、ＡｌＮｄのうちの少なくとも一つを含むことができる。
発明５は、発明４において、透明電極層は、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）及びＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）のうちのいずれか一つを含むことができる。
【０００９】
発明６は、発明５において、金属層と前記透明電極層は電気的に接続されることができる。金属層と透明電極層とが電気的に接続されることで、多重層により導電性を形成することができる。
発明７は、発明５において、透明電極層は、多結晶であることができる。透明電極層が安定な多結晶であると、金属層のエッチングに用いるクロムエッチング液やアルミニウムエッチング液等に反応せず、透明電極層を遮断膜（マスク）として利用して下部の金属物質層をパターニングを容易に行うことができる。
【００１０】
発明８は、発明２において、絶縁基板とゲート配線の間に位置するデータ配線と、データ配線を覆っている層間絶縁膜と、層間絶縁膜上にゲート電極を露出させる第１開口を有する第１隔壁とをさらに含むことができる。
発明９は、発明８において、ゲート絶縁膜は、第１開口の内部に位置することができる。
【００１１】
発明１０は、発明２又は８において、導電層上には、チャネル領域と、ソース電極の一部と、ドレイン電極の一部を露出させる第２開口を有する第２隔壁とをさらに含むことができる。
発明１１は、発明１０において、有機半導体層は、第２開口の内部に位置することができる。
【００１２】
発明１２は、発明１１において、有機半導体層上には保護層がさらに形成されることができる。
本発明１３は、絶縁基板上にゲート電極を含むゲート配線を形成する段階と；ゲート配線上に金属物質を加えて金属層を形成する段階と；金属層上に透明電極物質を加えて透明電極層を形成する段階と；ゲート電極を中心に相互離隔するように透明電極層をパターニングする段階と；透明電極層をアニーリングする段階と；ゲート電極を中心に相互離隔しているチャネル領域を有するように前記金属層をパターニングする段階と；チャネル領域に有機半導体層を形成する段階とを含むことを特徴とする表示装置の製造方法によって達成される。
【００１３】
ここで、導電層が複数層からなることで、導電層の上層はチャネル領域に対応する部分に開口を有するように形成する一方、導電層の下層はチャネル領域を覆うように形成するというように、導電層の上層と下層とでパターンを異ならせることができる。ここで、チャネル領域に対応する開口に表面処理を行うことで、有機半導体層をチャネル領域に適切に形成することができる。また、導電層の下層がチャネル領域を覆っているので、表面処理の際に用いられるプラズマ及び化学物質がゲート絶縁膜に流入せず、有機薄膜トランジスタの特性が向上する。
【００１４】
発明１４は、発明１３において、透明電極物質は、アモルファス層からなるＩＴＯ及びＩＺＯのうちのいずれか一つを含むことができる。
発明１５は、発明１４において、透明電極層のパターニングは、クロムエッチング液を用いることができる。
発明１６は、発明１４において、アニーリングによって透明電極層は多結晶に変化することができる。
【００１５】
透明電極層が安定な多結晶であると、金属層のエッチングに用いるクロムエッチング液やアルミニウムエッチング液等に反応せず、透明電極層を遮断膜（マスク）として利用して下部の金属物質層をパターニングを容易に行うことができる。
発明１７は、発明１３又は１６において、金属物質は、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、ＡｌＮｄのうちの少なくとも一つを含むことができる。
【００１６】
発明１８は、発明１７において、金属層のパターニングは、透明電極層を遮断膜として利用することができる。透明電極層を遮断膜（マスク）として利用して下部の金属層をパターニングすることで、別途の感光膜を利用して金属層をパターニングする必要が無い。
発明１９は、発明１８において、金属層のパターニングは、クロムエッチング液を用いることができる。
【００１７】
発明２０は、発明１８において、金属層はアルミニウムを含んでなり、金属層のパターニングは、アルミニウムエッチング液を用いることができる。
感光膜または隔壁の形成の際に用いられる塩基性成分がチャネル領域Ｃに残存し、塩基性成分によって有機薄膜トランジスタの特性が低下し得る。しかし、本発明においては、弱酸性のクロムエッチング液やアルミニウムエッチング液を用いて各層をパターニングすることによってチャネル領域に残存する塩基性成分が中和及び除去されるので、オン電流（ｏｎ−ｃｕｒｒｅｎｔ）及び電荷移動度（ｍｏｂｉｌｉｔｙ）が改善されて有機薄膜トランジスタの特性が向上する。
【００１８】
発明２１は、発明１３において、ゲート配線の形成の前に、絶縁基板上にデータ配線物質を加えてデータ配線を形成する段階と、データ配線上に層間絶縁物質を加えて層間絶縁膜を形成する段階とを含むことができる。
ゲート絶縁膜を形成する前にデータ配線を先に形成し、データ配線上に層間絶縁膜を形成する。よって、データ配線の形成過程で用いられる化学物質またはプラズマからゲート絶縁膜を保護して有機半導体層の特性が劣化することを防止することができる。
【００１９】
発明２２は、発明２１において、層間絶縁膜上にゲート電極を露出させる第１開口を有するように第１隔壁を形成する段階と、第１開口にゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜を形成する段階とをさらに含むことができる。
発明２３は、発明２２において、ゲート絶縁膜は、インクジェット工程によって第１開口の内部に形成されることができる。
【００２０】
インクジェット方式を採用することで、コーティング、露光、及び現像などの複雑な工程を経ずに簡単にパターン層を形成することができる。また、インクジェット方式は、従来の写真蝕刻工程によるパターニング工程なしにパターン形成が可能であるため、写真蝕刻工程に用いられる化学物質から有機半導体層を保護することができ、有機薄膜トランジスタの特性の損傷を減少させることができる。
【００２１】
発明２４は、発明１３又は２２において、アニーリングの後、前記金属層のパターニングの前に、透明電極層上にチャネル領域を露出させる第２開口を有するように第２隔壁を形成する段階と、第２隔壁の表面を表面処理する段階とをさらに含むことができる。
下部の金属層がチャネル領域を覆っている状態で、第２隔壁の表面が撥水性及び撥油性を有するように表面処理を行う。つまり、金属層がチャネル領域を覆っているので、表面処理の際に用いられるプラズマ及び化学物質がゲート絶縁膜に流入できず、有機薄膜トランジスタの特性が向上する。
【００２２】
発明２５は、発明２４において、有機半導体層は、インクジェット法を通じて第２開口の内部に形成されることができる。
インクジェット方式を採用することで、コーティング、露光、及び現像などの複雑な工程を経ずに簡単にパターン層を形成することができる。また、インクジェット方式は、従来の写真蝕刻工程によるパターニング工程なしに有機半導体物質のパターン形成が可能であるため、写真蝕刻工程に用いられる化学物質から有機半導体層を保護することができ、有機薄膜トランジスタの特性の損傷を減少させることができる。
【００２３】
発明２６は、発明２４において、表面処理は、Ｏ２プラズマ処理と、ＣＦ４プラズマ処理と、自己組織化単分子膜（ｓｅｌｆ  ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  ｍｏｎｏｌａｙｅｒ；ＳＡＭ）処理のうちの少なくとも一つを含むことができる。
Ｏ２プラズマ処理とＣＦ４プラズマ処理は、第２隔壁の表面に撥水性及び撥油性を持たせるための表面処理である。自己組織化単分子膜の処理は、チャネル領域Ｃにジェッティングされる有機半導体層とソース電極及びドレインとの間の接触抵抗を減少させ、電荷の移動をさらに容易にすることによって、有機薄膜トランジスタの特性を向上させる。
【００２４】
発明２７は、発明１３において、有機半導体層上に保護膜を形成する段階をさらに含むことができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、薄膜トランジスタの特性が向上した表示装置が提供される。
また、本発明によれば、製造工程が簡単であり、薄膜トランジスタの特性を向上させることができる表示装置の製造方法が提供される。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２６】
以下、添付された図面を参照しながら本発明についてさらに詳細に説明する。以下において、ある膜（層）が他の膜（層）の‘上に’形成されて（位置して）いるということは、二つの膜（層）が接している場合だけでなく、二つの膜（層）の間に他の膜（層）が存在する場合も含む。
図１は本発明の第１実施形態による薄膜トランジスタ基板の配置図を概略的に示したものであり、図２は図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。
【００２７】
本発明による薄膜トランジスタ基板１００は、絶縁基板１１０と、絶縁基板１１０上に形成されているデータ配線１２１、１２３と、データ配線１２１、１２３上に形成されている層間絶縁膜１３０と、層間絶縁膜１３０上に形成されているゲート配線１４１、１４３、１４５と、ゲート配線１４１、１４３、１４５の少なくとも一部を露出させる第１開口１５１を有する第１隔壁１５０と、第１開口１５１の内部に形成されているゲート絶縁膜１５５と、ゲート電極１４３を中心に相互離隔してチャネル領域Ｃを定義するソース電極１６１、１７１及びドレイン電極１６３、１７３とを含み、複数の層からなる導電層１６１、１６３、１７１、１７３、１７５、１７７、１７９と、導電層１６１、１６３、１７１、１７３、１７５、１７７、１７９上にチャネル領域Ｃと、ソース電極１６１、１７１の一部及びドレイン電極１６３、１７３の一部を露出させる第２開口１８１を有する第２隔壁１８０と、第２開口１８１の内部に形成されている有機半導体層１９０とを含む。
【００２８】
絶縁基板１１０は、ガラスまたはプラスチックで作ることができる。絶縁基板１１０がプラスチックで作られる場合、薄膜トランジスタ基板１００に柔軟性を付与することができる長所があるが、絶縁基板１１０が熱に弱い短所がある。本発明のように有機半導体層１８５を用いれば、半導体層の形成を常温、常圧で行うことができるので、プラスチック素材の絶縁基板１１０を用いることが容易である長所がある。ここで、プラスチックの種類としては、ポリカーボン（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎ）、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリエーテルサルホン(ＰＥＳ)、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などが可能である。
【００２９】
データ配線１２１、１２３は前記絶縁基板１１０上に形成されている。データ配線１２１、１２３は、絶縁基板１１０上に一方向に延長されているデータ線１２１と、前記データ線１２１の端部に備えられて外部から駆動または制御信号を受けるデータパッド１２３とを含む。データパッド１２３は、外部から駆動及び制御信号を受けてデータ線１２１に駆動及び制御信号を印加する。データ配線１２０の材料としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、ＡｌＮｄのうちの少なくともいずれか一つを含むことができる。そして、データ配線１２１、１２３は、前記材料のうちの少なくともいずれか一つを含む単一層または複数層で備えられることができる。
【００３０】
本発明においては、データ配線１２１、１２３の形成過程で用いられる化学物質またはプラズマからゲート絶縁膜１５０を保護して有機半導体層１８５の特性が劣化することを防止するために、データ配線１２１、１２３を先に形成し、データ配線１２１、１２３上に層間絶縁膜１３０を形成する構造を採用している。
絶縁基板１１０上には層間絶縁膜１３０がデータ配線１２１、１２３を覆っている。層間絶縁膜１３０はデータ配線１２１、１２３とゲート配線１４１、１４３、１４５との間の電気的絶縁のための層であって、耐久性の優れた有機物質を含む有機膜または工程性が卓越な無機膜であり得る。他の実施形態として、層間絶縁膜１３０は複数の層からなることができ、下部には隣接する膜との接触性に優れる窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などのような無機物質からなる無機膜が位置し、上部には有機膜が位置することができる。つまり、有機膜の接触性によって無機膜は省略可能である。層間絶縁膜１３０には、データ線１２１の一部を露出させる絶縁膜接触孔１３１と、データパッド１２３を露出させる接触孔（図示せず）とが形成されている。このような層間絶縁膜１３０は、データ配線１２１、１２３の形成の際に用いられる化学物質またはプラズマが残存し、絶縁膜接触孔１３１、隔壁接触孔１５３、及び第１開口１５１の隙間または界面の間に流入して、耐化学性及び耐プラズマ性に脆弱な後述する有機半導体層１９０の特性の損傷を減少させるために備えられる。
【００３１】
層間絶縁膜１３０上にはゲート配線１４１、１４３、１４５が形成されている。ゲート配線１４１、１４３、１４５は、上述したデータ線１２１と絶縁交差して画素領域を定義するゲート線１４１と、前記ゲート線１４１の端部に備えられて外部から駆動または制御信号の印加を受けるゲートパッド１４５と、ゲート線１４１の分岐であって、後述する有機半導体層１９０と対応する所に形成されているゲート電極１４３とを含む。ゲートパッド１４５は、外部から薄膜トランジスタをオン／オフさせるための駆動及び制御信号の印加を受けてゲート線１４１を通じてゲート電極１４３に伝達する。ゲート配線１４１、１４３、１４５もデータ配線１２１、１２３と同様にＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、ＡｌＮｄのうちの少なくともいずれか一つを含むことができ、単一層または複数層で備えられることができる。
【００３２】
層間絶縁膜１３０上には、隔壁接触孔１５３と、ゲート配線１４１、１４３、１４５の少なくとも一部を露出させる第１開口１５１と、を有する第１隔壁１５０が備えられている。より具体的には、第１隔壁１５０は、ゲート電極１４３を露出させる第１開口１５１と、上述した絶縁膜接触孔１３１に対応してデータ線１２１の一部を露出させる隔壁接触孔１５３と、データパッド１２３とゲートパッド１４５をそれぞれ露出させる接触孔１５２、１５４とを含む。第１隔壁１５０は、インクジェット方法を通じてゲート絶縁膜１５５を形成するためのものであって、有機物質を含む感光性有機膜であり得る。
【００３３】
第１開口１５１は大きく形成することが好ましく、これはゲート電極１４３上のゲート絶縁膜１５５の表面が平坦に維持されるようにするためである。ゲート絶縁膜物質が、第１開口１５１にジェッティングされ、溶剤の除去過程を経てゲート絶縁膜１５５として形成される。溶剤が除去される過程で、ゲート絶縁膜１５５は、皿状のように縁領域の厚さが高く、中央領域の厚さが低く、中央領域のみが平坦な状態で乾燥される。これをコーヒーステイン（ｃｏｆｆｅｅ  ｓｔａｉｎ）現象と言う。コーヒーステイン現象によって、ゲート電極１４３上でゲート絶縁膜１５５の厚さが互いに異なる状態で乾燥されてしまい、薄膜トランジスタの特性が低下し得る。そのために、第１開口１５１を大きくして厚さの高い縁領域がゲート電極１４３と重なる領域を最小化することによって、つまり平坦な中央領域がゲート電極１４３に重なるようにすることで、薄膜トランジスタの特性が低下することを最小化する。
【００３４】
第１開口１５１にはゲート絶縁膜１５５が形成されている。ゲート絶縁膜１５５は、データ配線１２１、１２３とゲート配線１４１、１４３、１４５を相互絶縁させる役割を果たすと同時に、耐化学性及び耐プラズマ性が脆弱な有機半導体層１９０に不純物が流入することを防止する。ゲート絶縁膜１５５は、低誘電率のアクリル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、及びベンゾシクロブテンのうちの少なくともいずれか一つを含んでなる厚い膜であり得る。本発明によるゲート絶縁膜１５５は、耐久性が優れて誘電率の低い物質を用いることが好ましい。これは、後述するソース及びドレイン電極１６１、１７１、１６３、１７３とゲート電極１４３の間の容量ＣｇｄまたはＣｇｓを減少させ、有機薄膜トランジスタ（Ｏ−ＴＦＴ）の特性を向上させるためのことであって、１．０〜３．０の誘電率を有することが好ましい。
【００３５】
第１隔壁１５０とゲート絶縁膜１５５上には導電層１６１、１６３、１７１、１７３、１７５、１７７、１７９が形成されている。導電層１６１、１６３、１７１、１７３、１７５、１７７、１７９は複数層であり、下部に位置する金属層１６１、１６３と上部に位置する透明電極層１７１、１７３、１７５、１７７、１７９とを含む。金属層１６１、１６３と透明電極層１７１、１７３、１７５、１７７、１７９とは相互電気的に接続されており、金属層１６１、１６３はＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、ＡｌＮｄのうちの少なくとも一つを含むことができ、透明電極層１７１、１７３、１７５、１７７、１７９はＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明な導電物質を含んでなる。一実施形態として、金属層１６１、１６３はクロム（Ｃｒ）とモリブデン（Ｍｏ）を含むことができ、アルミニウム（Ａｌ）を含むこともできる。そして、透明電極層１７１、１７３、１７５、１７７、１７９はアモルファス（ａｍｏｒｐｈｏｕｓ）層からなるＩＴＯであり得る。
【００３６】
導電層１６１、１６３、１７１、１７３、１７５、１７７、１７９は、絶縁膜接触孔１３１と隔壁接触孔１５３を通じてデータ線１２１と接続されており、有機半導体層１９０と少なくとも一部が接するソース電極１６１、１７１と、ゲート電極１４３を間にしてソース電極１６１、１７１と分離されているドレイン電極１６３、１７３と、ドレイン電極１６３、１７３と接続されて画素に形成されている画素電極１７５とを含む。そして、データパッド１２３と接続されているデータパッド接触部材１７７と、ゲートパッド１４５と接続されているゲートパッド接触部材１７９とをさらに含む。ソース電極１６１、１７１は、接触孔１３１、１５３を通じてデータ線１２１と物理的・電気的に接続されて画像信号を受ける。そして、ゲート電極１４３を間にしてソース電極１６１、１７１と離隔してチャネル領域Ｃを定義するドレイン電極１６３、１７３は、ソース電極１６１、１７１と共に薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ；ＴＦＴ）を形成し、各画素電極１７５の動作を制御及び駆動するスイチング及び駆動素子として作動する。
【００３７】
ソース電極１６１、１７１及びドレイン電極１６３、１７３上には、第２隔壁１８０が形成されている。第２隔壁１８０には、チャネル領域Ｃを取り囲みながらソース電極１６１、１７１及びドレイン電極１６３、１７３それぞれの一部分を露出させている第２開口１８１が形成されている。第２隔壁１８０は有機半導体層１９０を形成するためのフレームの役割を果たす。
【００３８】
第２開口１８１には有機半導体層（ｏｒｇａｎｉｃ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｌａｙｅｒ）１９０が形成されている。有機半導体層１９０はチャネル領域Ｃを覆っており、ソース電極１６１、１７１及びドレイン電極１７１、１７３と少なくとも一部が接している。このような有機半導体層１９０としては、テトラセンまたはペンタセンの置換基を含む誘導体；チオフェンリングの２、５位置を通じて４〜８個が連結されたオリゴチオフェン；ペリレンテトラカルボキシリックジアンハイドライドまたはそれのイミド誘導体；ナフタレンテトラカルボキシリックジアンハイドライドまたはそれのイミド誘導体；金属化フタロシアニンまたはそれのハロゲン化誘導体、ペリレンまたはコロレンとそれの置換基を含む誘導体；チエニレン及びビニレンのコオリゴマーまたはコポリマー；チオフェン；ペリレンまたはコロレンとそれの置換基を含む誘導体；または前記物質のアロマティックまたはヘテロアロマチックリングに炭素数１〜３０個のハイドロカーボンチェーンを一つ以上含む誘導体；のうちから選択されたいずれか一つであることができる。この外にも一般的に用いられる公知の有機半導体物質を用いてもよい。
【００３９】
一方、他の実施形態として、有機半導体層１９０は蒸発法（Ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）またはコーティング法（ｃｏａｔｉｎｇ）によって形成されることもでき、この場合には第２隔壁１８０の形成は不要である。
有機半導体層１９０上には保護膜１９５が形成されている。ここで、保護膜１９５は単一層で備えられることができ、図示したものとは異なって、二重の複層構造で形成されることもできる。保護膜１９５は有機半導体層１９０の特性が劣化することを防止するための層であって、フッ素系高分子またはＰＶＡ（ポリビニールアルコール）などのような物質を用いることができる。保護膜１９５の二重層からなる場合には、下部層にはフッ素系高分子を含むことができ、上部層にはＩＴＯ及びＩＺＯのうちのいずれか一つを含んでなることができる。
【００４０】
以下、図３a〜図３lを参照して、本発明の第１実施形態による平板表示装置の製造方法について説明する。
先に、図３ａに示したように、ガラス、石英、セラミックスまたはプラスチックなどの絶縁性材質を含んで作られた絶縁基板１１０を備える。可撓性（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）表示装置の製作にはプラスチック基板を用いることが好ましい。次いで、絶縁基板１１０上にデータ配線物質をスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）などの方法によって蒸着した後、写真蝕刻（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）工程を通じてデータ線１２１とデータパッド（図示せず）を形成する。
【００４１】
そして、図３ｂに示したように、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）などの無機物質からなる層間絶縁物質を絶縁基板１１０とデータ配線１２０上に加えて層間絶縁膜１３０を形成する。層間絶縁物質が無機物質の場合には、化学気相蒸着法などによって形成することができる。他の実施形態として、層間絶縁膜１３０は有機膜であり得、この場合にはスピンコーティング法またはスクリーンプリンティング法などによって層間絶縁物質を絶縁基板１１０上に形成することができる。層間絶縁膜１３０としては有機膜と無機膜とも適用でき、感光性有機膜などを遮断壁（マスク）として利用し、エッチング工程によってデータ線１２１の一部を露出させる絶縁膜接触孔１３１を形成する。
【００４２】
次に、図３ｃに示したように、層間絶縁膜１３０上にＡｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、ＡｌＮｄのうちの少なくともいずれか一つを含むゲート配線物質をスパッタリングなどの方法によって蒸着した後、写真蝕刻工程によってゲート線（図示せず）、ゲート電極１４３、及びゲートパッド（図示せず）を形成する。
その後、図３ｄに示したように、ゲート電極１４３を露出させる第１開口１５１と、データ線１２１の一部を露出させて絶縁膜接触孔１３１に対応する隔壁接触孔１５３を有するように第１隔壁１５０を形成する。第１隔壁１５０は感光性有機膜であり得、第１隔壁１５０の形成方法は次の通りである。先に、層間絶縁膜１３０上にスピンコーティング法またはスクリーンプリンティング法などによって所定の厚さを有するように有機膜を形成する。そして、所定パターンの開口部を有するマスクを前記有機膜上に整列配置した後、前記有機膜を露光する。最後に、有機膜を現像して第１開口１５１と隔壁接触孔１５３を形成することによって、図３ｄに示した第１隔壁１５０が製造される。
【００４３】
次に、図３ｅに示したように、第１開口１５１に低誘電率のアクリル系樹脂、ポリスチレン系樹脂、及びベンゾクシロブテンのうちの少なくともいずれか一つを含んでなるゲート絶縁物質１５６をノズル２００を利用してジェッティングする。ここで、１．０〜３．０の誘電率を有するゲート絶縁物質１６５を用いることが好ましい。これはソース及びドレイン電極１６１、１６３、１７１、１７３（図２参照）とゲート電極１４３の間の容量ＣｇｄまたはＣｇｓを減少させ、有機薄膜トランジスタ（Ｏ−ＴＦＴ）の特性を向上させるためのことである。
【００４４】
第１開口１５１にジェッティングされたゲート絶縁物質１５６は溶剤除去過程を経て、図３ｆに示したように、ゲート絶縁膜１５５として形成される。ここで、コーヒーステイン現象による薄膜トランジスタの特性の低下を最小化するために、第１開口１５１は大きく形成することが好ましい。
次に、図３ｆに示したように、Ａｌ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｃｕ、ＡｌＮｄのうちの少なくともいずれか一つを含む金属物質を第１隔壁１５０とゲート絶縁膜１５５上に加えて金属物質層１６０を形成する。金属物質層１６０はスパッタリング法によって形成されることができる。金属物質層１６０は、隔壁接触孔１５３と絶縁膜接触孔１３１を通じてデータ線１２１と接続されている。ここで、金属物質層１６０はアルミニウム（Ａｌ）を含むことが好ましい。これは、金属物質層１６０のエッチング液に対する選択性を利用して金属物質層１６０を容易にパターニングするためである。
【００４５】
次いで、図３ｇに示したように、金属物質層１６０上に透明電極物質層１７０を形成する。透明電極物質層１７０はＩＴＯまたはＩＺＯであり得、アモルファス層からなるＩＴＯであることが好ましい。これは、金属物質層１６０または透明電極物質層１７０のパターニングに用いられるエッチング液に対する選択性を利用して金属物質層１６０を容易にパターニングするためである。
【００４６】
その後、図示していないが、透明電極物質層１７０上にゲート電極１４３を中心に離隔している感光膜（図示せず）を形成し、前記感光膜（図示せず）を遮断膜（マスク）として利用して図３ｈに示したような透明電極層１７１、１７３、１７５、１７７、１７９を形成する。ここで、データパッド接触部材１７７とゲートパッド接触部材１７９は図示していない。
【００４７】
透明電極層１７１、１７３、１７５、１７７、１７９のパターニングにはクロムエッチング液（Ｃｒ  ｅｔｃｈａｎｔ）を用いることができ、下部の金属物質層１６０もクロムエッチング液によって除去することができる。このとき、エッチング速度の観察（ｅｔｃｈｉｎｇ  ｒａｔｅ  ｍｏｎｉｔｏｒｉｎｇ）を通じて所望のアモルファス層からなるＩＴＯを含む透明電極物質層１７０を選択的に除去することができる。つまり、透明電極層１７１、１７３、１７５、１７７、１７９と、金属物質層１６０とのエッチング速度の違いを観察することによって、透明電極層１７１、１７３、１７５、１７７、１７９のエッチング終了点を見分け、透明電極物質層１７０を選択的に除去することができる。
【００４８】
一方、最も好ましい実施形態として、金属物質層１６０はアルミニウムを含む。アルミニウムはクロムエッチング液に対してまったく溶けないので、透明電極物質層１７０のパターニング過程で所望のアモルファス層からなるＩＴＯを含む透明電極物質層１７０を除去するためのエッチング速度の観察が不要である。つまり、オーバエッチング（ｏｖｅｒ−ｅｔｃｈｉｎｇ）を通じて所望の透明電極物質層１７０のみを除去することができるので簡便である。
【００４９】
次いで、図３ｉに示したように、アニーリング（Ａｎｎｅａｌｉｎｇ）工程を行う。アニーリング工程は、材料を安定的な状態に作るための処理工程であって、材料を充分に加熱した後にゆっくり冷却する工程である。アニーリング工程によってアモルファス層からなる透明電極層１７１、１７３、１７５、１７７、１７９は安定な多結晶（ｐｏｌｙ）のＩＴＯに性質が変わる。
【００５０】
次に、図３ｊに示したように、チャネル領域Ｃを取り囲みながらソース電極１７１及びドレイン電極１７３それぞれの一部分を露出させている第２開口１８１を有するように第２隔壁１８０を形成する。第２隔壁１８０は有機半導体層１９０を形成するためのフレームの役割を果たす。第２隔壁１８０は感光性有機膜であり得、第２隔壁１８０の形成方法は次の通りである。先に、ソース電極１７１とドレイン電極１７３、及び画素電極１７５の一部上にスピンコーティング法またはスクリーンプリンティング法などによって所定の厚さを有する有機膜を形成する。そして、所定のパターンの開口部を有するマスクを前記有機膜上に整列配置した後、前記有機膜を露光する。最後に、有機膜を現像して第２開口１８１を形成することによって、図３ｊに示したような第２隔壁１８０を製造する。
【００５１】
次に、第２隔壁１８０の表面にジェッティングされる有機半導体溶液１９３（図３ｌ参照）が第２開口１８１の内部に自然に流入するようにするために、第２隔壁１８０の表面を表面処理する。
ここで、従来は、このような表面処理が、チャネル領域Ｃがオープンされている状態で行われるため、例えば金属物質層１６０にチャネル領域Ｃの開口が形成されていたため、表面処理に用いられるプラズマによってゲート絶縁膜１５５の性質が変化して有機薄膜トランジスタの特性を低下し得る恐れがある。さらには、金属物質層１６０の開口を介した表面処理によって、ゲート絶縁膜１５５の表面も有機半導体溶液１９３（図３ｌ参照）に対して撥水性と撥油性を有するようになってしまう。そのため、ジェッティングされる有機半導体溶液１９３（図３ｌ参照）がチャネル領域Ｃ上に均一に広がることができず、ソース電極１６１、１７１とドレイン電極１７１、１７３の周りで凝集する現象が発生する。これによって、ゲート絶縁膜１５５と有機半導体層１９０（図２参照）間の界面特性が悪くなり、有機半導体層１９０（図２参照）の厚さが不均一となり、有機薄膜トランジスタの特性が低下する問題点がある。
【００５２】
そのために、本発明においては、図３ｊに示したように、下部の金属物質層１６０がチャネル領域Ｃを覆っている状態で第２隔壁１８０の表面が撥水性及び撥油性を有するように表面処理を行う。つまり、金属物質層１６０がチャネル領域Ｃを覆っているので、表面処理の際に用いられるプラズマ及び化学物質がゲート絶縁膜１５５に流入できなくて有機薄膜トランジスタの特性が向上する。
【００５３】
表面処理は、Ｏ２プラズマ処理と、ＣＦ４プラズマ処理と、自己組織化単分子膜（ｓｅｌｆ  ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  ｍｏｎｏｌａｙｅｒ；ＳＡＭ）処理のうちの少なくとも一つを含む。ここで、Ｏ２プラズマ処理とＣＦ４プラズマ処理は、第２隔壁１８０の表面に撥水性及び撥油性を持たせるための表面処理である。自己組織化単分子膜の処理は、チャネル領域Ｃにジェッティングされる有機半導体層１９０（図２参照）とソース電極１７１及びドレイン電極１７３との間の接触抵抗を減少させ、電荷の移動をさらに容易にすることによって、有機薄膜トランジスタの特性を向上させる。
【００５４】
その後、図３ｋに示したように、金属物質層１６０をパターニングしてゲート電極１４３を中心に相互離隔している金属層１６１、１６３を形成する。金属物質層１６０のパターニングにはクロムエッチング液を用いることができる。特に、アニーリングによって多結晶に性質が変化したＩＴＯを含む透明電極層１７１、１７３、１７５、１７７、１７９はクロムエッチング液によって除去されないので、別途の感光膜を利用して金属物質層１６０をパターニングする必要がなく、透明電極層１７１、１７３、１７５、１７７、１７９を遮断膜（マスク）として利用して下部の金属物質層１６０をパターニングすることができる。
【００５５】
一方、金属物質層１６０がアルミニウムを含む場合には、アルミニウムエッチング液（Ａｌ ｅｔｃｈａｎｔ）を利用して金属物質層１６０をパターニングすることが好ましい。アニーリングによって多結晶に性質が変化したＩＴＯを含む透明電極層１７１、１７３、１７５、１７７、１７９はアルミニウムエッチング液によって反応しないので、エッチング液への浸漬（ｄｉｐｐｉｎｇ）またはエッチング液による洗浄（ｗａｓｈｉｎｇ）によって容易に金属物質層１６０を金属層１６１、１６３にパターニングすることができる。
【００５６】
そして、感光膜または隔壁の形成の際に用いられる塩基性成分がチャネル領域Ｃに残存し、塩基性成分によって有機薄膜トランジスタの特性が低下し得る。しかし、本発明においては、弱酸性のエッチング液を用いてパターニングすることによってチャネル領域Ｃに残存する塩基性成分が中和及び除去されるので、オン電流（ｏｎ−ｃｕｒｒｅｎｔ）及び電荷移動度（ｍｏｂｉｌｉｔｙ）が改善されて有機薄膜トランジスタの特性が向上する。
【００５７】
その後、図３ｌに示したように、チャネル領域Ｃにノズル２００を通じて有機半導体溶液１９３をジェッティング（ｊｅｔｔｉｎｇ）する。有機半導体溶液１９３は溶剤によって水性または油性であり得、有機半導体物質は溶剤除去過程を経て有機半導体層１９０（図２参照）が形成される。インクジェット方式は、従来の写真蝕刻工程によるパターニング工程なしに有機半導体物質のパターン形成が可能であるため、写真蝕刻工程に用いられる化学物質から有機半導体層１９０（図２参照）を保護することができ、有機薄膜トランジスタの特性の損傷を減少させることができる。
【００５８】
一方、他の実施形態として、有機半導体層１９０は蒸発法またはコーティング法によって形成されることもでき、この場合には第２隔壁１８０の形成は不要である。
そして、図示していないが、有機半導体層１９０の形成方法と同様に、保護膜の溶液を完成された有機半導体層１９０上にジェッティングして保護膜１９５を形成することができる。保護膜の溶液も溶剤によって水性または油性であり得、保護膜の溶液は溶剤の除去過程を経て保護膜１９５として形成され、保護膜１９５の表面は平坦である。
【００５９】
以下、図４を参照して本発明の第２実施形態による平板表示装置とその製造方法について説明する。第２実施形態においては、第１実施形態と区別される特徴的な部分だけを抜粹して説明し、説明が省略された部分は第１実施形態または公知の技術による。
図４に示したように、第２実施形態による表示装置は、第１実施形態と同様に複数の層からなるソース電極２６１、２７１とドレイン電極２６３、２７３とを含む。その製造工程も第１実施形態と同様であり、これによって上述の通りに有機薄膜トランジスタの特性が向上する。一方、第２実施形態においては、データ配線１６５が金属層２６１、２６３と同一層に形成されている。つまり、図示していないが、金属物質層（図示せず）を形成した後、金属物質層（図示せず）をパターニングしてデータ配線２６５を先に形成する。なお、このときチャネル領域Ｃに対応する部分の金属物質層はまだパターニングしない。
【００６０】
その後、上述した方法の通りに透明電極物質を加えて透明電極物質層（図示せず）を形成し、透明電極物質層（図示せず）をパターニングして透明電極層２７１、２７３、２７５、２７７、２７９を形成する。次に、第２隔壁２８０を形成して表面処理を行った後、透明電極層２７１、２７３、２７５、２７７、２７９を遮断壁（マスク）として利用してゲート電極２４３を中心に相互離隔して配置されている金属層２６１、２６３を形成する。これによって、上述した第１実施形態と比べ、下部のデータ配線をパターニングする工程、層間絶縁膜の形成工程及び絶縁膜接触孔の形成工程を省略することができる長所がある。また、下部の金属物質層（図示せず）がチャネル領域Ｃを覆っている状態で第２隔壁２８０の表面が撥水性及び撥油性を持つように表面処理を行うため、表面処理の際に用いられるプラズマ及び化学物質がゲート絶縁膜２５５に流入できず、有機薄膜トランジスタの特性が向上する。
【００６１】
本発明による隔壁は、液晶表示装置または有機電気発光装置（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）、電気泳動表示装置（ｅｌｅｃｔｒｏ  ｐｈｏｒｅｔｉｃ  ｉｎｄｉｃａｔｉｏｎ  ｄｉｓｐｌａｙ）などの表示装置に用いられることができる。
有機電気発光装置は、電気的な信号を受けて発光する有機物を利用した自発光型素子である。有機電気発光装置には、負極層（画素電極）、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、及び両極層（対向電極）が積層されている。本発明による薄膜トランジスタ基板のドレイン電極は、負極層と電気的に接続されてデータ信号を印加することができる。
【００６２】
電気泳動表示装置は、電子ブックに用いられている平板表示装置のうちの一つであって、第１電極及び薄膜トランジスタが形成されている第１基板と、第２電極が形成されている第２基板と、両基板の間に位置する流体と、流体に分散している荷電粒子とを含む。荷電粒子は正極（ｐｏｓｉｔｉｖｅ）または負極（ｎｅｇａｔｉｖｅ）を帯びており、黒色と白色のうちのいずれか一つの色相を持っている。このような電気永動表示装置の対向する両電極に電圧を印加して、第１及び第２電極の両端に電位差（＋、−）を形成すれば、荷電粒子は反対極性の電極に上下移動する。これによって、観察者は、外部から入射して荷電粒子で反射した光を認識するようになる。荷電粒子が観察者に近く上部に移動すれば、観察者は荷電粒子の色相を強く認識し、荷電粒子が下部に移動すれば、観察者は荷電粒子の色相を弱く認識する原理を利用して画像を表示する。
【００６３】
たとえ本発明のいくつかの実施形態が図示され説明されたが、本発明が属する技術分野の通常の知識を有する当業者であれば、本発明の原則や精神から逸脱せずに本実施形態を変形できることが分かる。本発明の範囲は添付された請求項とその均等物によって決められなければならない。
【産業上の利用可能性】
【００６４】
本発明は、液晶表示装置または有機電気発光装置（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｏｄｅ）、電気泳動表示装置（ｅｌｅｃｔｒｏ  ｐｈｏｒｅｔｉｃ  ｉｎｄｉｃａｔｉｏｎ  ｄｉｓｐｌａｙ）などの表示装置に用いられることができる。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の第１実施形態による薄膜トランジスタ基板の配置図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿った断面図である。
【図３ａ】本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面（１）である。
【図３ｂ】本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面（２）である。
【図３ｃ】本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面（３）である。
【図３ｄ】本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面（４）である。
【図３ｅ】本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面（５）である。
【図３ｆ】本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面（６）である。
【図３ｇ】本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面（７）である。
【図３ｈ】本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面（８）である。
【図３ｉ】本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面（９）である。
【図３ｊ】本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面（１０）である。
【図３ｋ】本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面（１１）である。
【図３ｌ】本発明の第１実施形態による表示装置の製造方法を説明するための図面（１２）である。
【図４】本発明の第２実施形態による表示装置を説明するための断面図である。
【符号の説明】
【００６６】
１００  薄膜トランジスタ基板
１１０  絶縁基板
１３０  層間絶縁膜
１５０、１８０  隔壁
１５１、１８１  開口
１５５  ゲート絶縁膜
１６１、１７１  ソース電極
１６３、１７３  ドレイン電極
１６１、１６３、１７１、１７３、１７５、１７７、１７９  導電層
１９０  有機半導体層
２７１、２７３、２７５、２７７、２７９  透明電極層
Ｃ  チャネル領域
【図１】
2007165889.tif 000003
【図２】
2007165889.tif 000004
【図３ａ】
2007165889.tif 000005
【図３ｂ】
2007165889.tif 000006
【図３ｃ】
2007165889.tif 000007
【図３ｄ】
2007165889.tif 000008
【図３ｅ】
2007165889.tif 000009
【図３ｆ】
2007165889.tif 000010
【図３ｇ】
2007165889.tif 000011
【図３ｈ】
2007165889.tif 000012
【図３ｉ】
2007165889.tif 000013
【図３ｊ】
2007165889.tif 000014
【図３ｋ】
2007165889.tif 000015
【図３ｌ】
2007165889.tif 000016
【図４】
2007165889.tif 000017