(57)【要約】【課題】めっき膜に生じる異常析出を、単位時間当たりの基板処理枚数に影響を極端に及ぼさない範囲で、効果的に防止・抑制することができるめっき方法及びめっき装置を提供すること。【解決手段】金属イオンを含んだめっき液Ｑに半導体ウェーハ３とアノード５とを浸漬し、半導体ウェーハ３とアノード５間に電流を流すことで半導体ウェーハ３の被めっき面３ａに金属めっきを行う。半導体ウェーハ３とアノード５間への電流供給をそのめっき膜厚が１〜２０μｍとなるまで連続して行なった後に１秒〜２分間停止する工程を、複数回繰り返し行う。その間、被めっき面３ａ近傍部分のめっき液Ｑをパドル９によって攪拌する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属イオンを含んだめっき液に被めっき部材とアノードとを浸漬し、被めっき部材とアノード間に電流を流すことで被めっき部材の被めっき面に金属めっきを行うめっき方法において、
被めっき面近傍部分のめっき液を攪拌しながら、
被めっき部材とアノード間への電流供給の合間に電流供給を停止する期間を設けることを特徴とするめっき方法。
【請求項２】
金属イオンを含んだめっき液に被めっき部材とアノードとを浸漬し、被めっき部材とアノード間に電流を流すことで被めっき部材の被めっき面に金属めっきを行うめっき方法において、
被めっき面近傍部分のめっき液を攪拌しながら、
被めっき部材とアノード間への電流供給をそのめっき膜厚が１〜２０μｍとなるまで連続して行なった後に１秒〜２分間停止する工程を、複数回繰り返し行うことを特徴とするめっき方法。
【請求項３】
電流供給を停止している間に、被めっき部材をめっき液より取り出して被めっき面を大気にさらすことを特徴とする請求項１又は２に記載のめっき方法。
【請求項４】
金属イオンを含んだめっき液を満たしためっき槽と、
前記めっき液に浸漬される被めっき部材及びアノードと、
被めっき部材の被めっき面近傍部分のめっき液を攪拌するめっき液攪拌手段と、
被めっき部材とアノード間に電流を流す電流供給装置とを具備し、
電流供給装置によって被めっき部材とアノード間に電流を流して被めっき部材の被めっき面に金属めっきを行うめっき装置において、
前記電流供給装置は、被めっき部材とアノード間への電流供給の合間に電流供給を停止させる電流供給条件設定手段を有することを特徴とするめっき装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バンプめっきや配線用埋め込みめっき等に用いて好適なめっき方法及びめっき装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体チップに基板接続用のバンプを形成するような場合がある。そしてこの種のバンプを電気めっきにより形成するには、導電層を有する基材上にレジスト層を設け、レジスト層のない部分（開口部）にきのこ状に盛り上る金属析出（マッシュルームバンプ）を形成させたり、前記レジスト層のない部分（開口部）に柱状の金属析出（ストレートウォールバンプ）を形成させたりする。いずれの場合であっても次の工程から見て、バンプの表面はなるべく平らで、異常検出のないことが求められる。
【０００３】
しかしながらトータルの電解量が増大したり、あるいは経時変化によりめっき液の劣化などが生じると、めっき膜表面に針状又はこぶ状の突起した異常析出が観察されるようになる。この異常析出はめっき膜厚が厚くなればなるほど顕著になる。
【０００４】
特許文献１では、その段落番号「００２３」に、上記異常析出を抑えるため、電流密度を０．１〜３０Ａ／ｄｍ2程度とし、電流の通電時間を０．００１〜１秒程度、通電停止時間を０．００１〜１秒程度としてバンプが形成されるまでの適当な時間これを繰り返せば良好なバンプが得られるとの記載がある。一方特許文献２では、電源周波数１００Ｈｚ〜１０ＫＨｚのパルス電源を用いて微細孔に電気めっきを行うことにより柱状のバンプが得られることを開示している。
【０００５】
しかしながらこれらの方法では、基板１枚当たりのめっき時間が増加し（繰り返される通電時間と通電停止時間とが略同じため）、単位時間当たりの基板処理枚数が減少してしまう。また通電停止時間が微小であるためめっき膜中に除電効果が現れにくく、異常析出を抑える効果は余りない。
【０００６】
また特許文献３では、その段落番号「００２６」に、金属めっきサイクルの最初の１０分間内において０〜５分間のインターバルで電流を中断しその後追加的に金属めっきサイクルの１０〜２０分間毎に０〜５分間のインターバルで電流を中断することを含むとの記載がある。そしてこの電流中断によりめっき膜の均一電着性を増加させ、ノジュールが低減すると開示している。ノジュールの低減については、その段落番号「００２５」に基体上に不完全な抑制剤層が存在する場合に出現し、中断は不完全な抑制剤層を補填するものと思われるとの記載がある。抑制剤としてはその段落番号「００４３」にポリヒドロキシ化合物等が記載されている。これらはイオンではないので電解の影響を受けるものではない。恐らく電流中断により下地近傍の金属イオンの集中が無くなり抑制剤が拡散作用によりめっき開口部へ供給が進むと考えるが、電流の中断だけでは効果が低いと考える。
【特許文献１】特開２０００−１００８５０号公報
【特許文献２】特開平１０−２２３６８９号公報
【特許文献３】特開２００５−３２０６３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は上述の点に鑑みてなされたものでありその目的は、めっき膜に生じる異常析出を、単位時間当たりの基板処理枚数に影響を極端に及ぼさない範囲で、効果的に防止・抑制することができるめっき方法及びめっき装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため本願発明者は、電気めっきの際の電気供給の方法として、めっき液の攪拌を行いながら、電流の連続供給と無供給とを交互に組み合わせることに着目した。電流の連続供給の合間に無供給の時間を挟むことによって析出するめっき膜中の電荷解除による応力緩和が図られ、まためっき液攪拌により被めっき面近傍の核成長物質又は不良抑制剤を除去する。さらに本願発明者は、１回の電気の連続供給によって形成されるめっき膜厚を１〜２０μｍとし、その後の電気の無供給を１秒〜２分間とすることが好ましいことを見出した。
【０００９】
膜内部応力緩和の原理を説明すると、金属イオンがカソードから電子を受けて金属原子になる際に内部エネルギーが増加する。前記金属原子は高エネルギー状態から安定した低エネルギー状態に変化する為に熱発散や歪解消を伴う。しかし析出反応が連続して起こると金属原子のエネルギー解消時間が無く膜内部応力が徐々に増加していく。そこで電解めっき途中で電流オフを設けることで析出反応によって生じた膜内部応力（金属原子の合計内部エネルギー）が解消される。異常析出発生の原因は膜内部応力が局所的に垂直方向に開放されることである。つまり内部応力解消方向を垂直ではなく水平方向へ、又は内部応力が小さい状態で徐々に開放することが対策となる。
【００１０】
即ち、本願請求項１に記載の発明は、金属イオンを含んだめっき液に被めっき部材とアノードとを浸漬し、被めっき部材とアノード間に電流を流すことで被めっき部材の被めっき面に金属めっきを行うめっき方法において、被めっき面近傍部分のめっき液を攪拌しながら、被めっき部材とアノード間への電流供給の合間に電流供給を停止する期間を設けることを特徴とするめっき方法にある。なおめっき液の攪拌には、パドルによる攪拌や液循環による攪拌等がある。
【００１１】
本願請求項２に記載の発明は、金属イオンを含んだめっき液に被めっき部材とアノードとを浸漬し、被めっき部材とアノード間に電流を流すことで被めっき部材の被めっき面に金属めっきを行うめっき方法において、被めっき面近傍部分のめっき液を攪拌しながら、被めっき部材とアノード間への電流供給をそのめっき膜厚が１〜２０μｍとなるまで連続して行なった後に１秒〜２分間停止する工程を、複数回繰り返し行うことを特徴とするめっき方法にある。
【００１２】
本願請求項３に記載の発明は、電流供給を停止している間に、被めっき部材をめっき液より取り出して被めっき面を大気にさらすことを特徴とする請求項１又は２に記載のめっき方法にある。
【００１３】
本願請求項４に記載の発明は、金属イオンを含んだめっき液を満たしためっき槽と、前記めっき液に浸漬される被めっき部材及びアノードと、被めっき部材の被めっき面近傍部分のめっき液を攪拌するめっき液攪拌手段と、被めっき部材とアノード間に電流を流す電流供給装置とを具備し、電流供給装置によって被めっき部材とアノード間に電流を流して被めっき部材の被めっき面に金属めっきを行うめっき装置において、前記電流供給装置は、被めっき部材とアノード間への電流供給の合間に電流供給を停止させる電流供給条件設定手段を有することを特徴とするめっき装置にある。
【発明の効果】
【００１４】
本願請求項１〜４に記載の発明によれば、電気めっき中のめっき膜表面に発生する異常析出が防止・抑制され、めっき不良のないめっき膜を作成でき、めっき装置の信頼性が向上する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。
図１は本発明の一実施形態を適用しためっき装置２０を示す概略構成図である。同図に示すめっき装置２０は、金属イオンを含んだめっき液Ｑを満たしためっき槽（以下「内槽」という）１と、めっき液Ｑに浸漬される被めっき部材（以下「半導体ウェーハ」という）３及びアノード５と、半導体ウェーハ３を保持するウェーハ治具７と、前記半導体ウェーハ３の被めっき面３ａ近傍部分のめっき液Ｑを攪拌するめっき液攪拌手段（以下「パドル」という）９と、半導体ウェーハ３とアノード５間に電流を流す電流供給装置１１と、前記内槽１を収納する外槽１３と、ポンプ１５及びフィルタ１７を接続して外槽１３内のめっき液Ｑを内槽１に循環させる配管１９とを具備して構成されている。以下各構成部品について説明する。
【００１６】
アノード５は金属アノードであり、めっき液Ｑに溶解している金属イオンと同じ溶解性金属（例えば錫（Ｓｎ））か、或いは不溶解性金属で構成されている。不溶解性金属としては、例えば白金、チタンなどを用いる。パドル９は略棒状であり、半導体ウェーハ３の被めっき面３ａの直前に被めっき面３ａに平行で上下方向を向いて設置されており、モータ等によって構成されるパドル駆動機構２１によって、被めっき面３ａと一定の距離を保って左右に移動（この実施形態では平行移動）するように構成されている。
【００１７】
電流供給装置１１は導線によって半導体ウェーハ３とアノード５間に電気的に接続され、これによってめっき液Ｑを通して半導体ウェーハ３とアノード５間に電流を通電するようにしている。また電流供給装置１１は、供給する電流値及び電流供給時間を、複数の組み合わせでプログラムできる電流供給条件設定手段を具備している。例えばこの実施形態では、電流供給条件設定手段によって、供給する電流値を６．０（Ａ）としてこの電流供給を８分間継続する工程（ステップ１）と、供給していた電流を１０秒間停止する工程（ステップ２）とを１セットとして、このステップ１，２を５０セット行うことでめっき処理が完了するように設定している。電流供給条件設定手段は、演算手段や記憶手段などを有する。
【００１８】
また本発明のめっき装置２０に供する半導体ウェーハ３は特に大きさに制限はなく、直径が２００ｍｍ、３００ｍｍ等の径によらない。半導体ウェーハ３にはパターンが形成されていても良く、その場合パターンは、ウェーハ表面にバリア層、シード層を形成した後、フォトレジストをパターンに応じて開口したものである。シード層は主には金、銀、銅、アルミニウム等の金属で、スパッタ、ＣＶＤ、ＡＬＤ等で作成される。また必要に応じてパターン開口後、Ｎｉ等のめっきがさらになされる。開口の径はさまざまであるが、一般的には直径が１０μｍ〜５００μｍ程度であり、下記するように攪拌が、構成要素の一つであり径が大きいものに関しては攪拌の効果がより大きく得られる。
【００１９】
次にめっき装置２０によるめっき方法を説明する。即ち電流供給装置１１によって半導体ウェーハ３とアノード５間に電流を流して半導体ウェーハ３の被めっき面３ａに金属めっきを行う。このときパドル駆動機構２１によってパドル９を駆動し、半導体ウェーハ３の被めっき面３ａの直前のめっき液Ｑを攪拌し、被めっき面３ａに新鮮なめっき液Ｑを供給する。またポンプ１５を駆動することによって外槽１３内のめっき液Ｑを内槽１に供給し、内槽１からオーバーフローしためっき液Ｑを再び外槽１３に戻して循環する。
【００２０】
電流供給装置１１は、上記設定した条件に従い、図２のタイムチャートに示すように、電流６．０（Ａ）による電流供給を８分間（＝ｔ１）継続して行い、次に供給していた電流を１０秒間（＝ｔ２）停止し、これを１セットとして、このセットを５０セット行う。
【００２１】
ここでＳｎめっきの場合、ｔ１は３分〜８分の間で、めっき膜厚が５μｍ〜１５μｍになる。従って例えば１００μｍめっきする場合は、めっき膜厚が１５μｍとなる通電時間の電流供給と１０秒間の電流供給停止とを７セット行う。但し最後の７セット目は電流供給時間をめっき膜厚が１０μｍとなるまでの通電時間とする。Ｓｎめっき液は酸性浴とアルカリ性浴がある。酸には硫酸、ホウ酸、スルホン酸などがあり、アルカリにはナトリウム、カリ浴がある。溶液中の錫はベースとなる酸に酸化錫を溶かしたものである。酸化防止剤としてフェノールスルフォン酸などが含まれる。
【００２２】
連続して電流供給したときに１度に形成される好ましいめっき膜厚は、１μｍ〜２０μｍであり、好ましくは１μｍ〜１５μｍであり、さらに好ましくは１μｍ〜５μｍである。即ち１度に形成されるめっき膜厚は、薄いほどめっき膜中に発生する膜内部応力が低い傾向にあり、従って異常析出も抑えられる。また半導体ウェーハ３の被めっき面３ａの最表面金属とめっき金属との化合物生成量は、初期膜厚が薄いほど少なくなりめっき金属に対する応力も少なくなる。
【００２３】
一方好ましい電流供給停止期間は、１秒〜２分、さらに好ましくは１秒〜１０秒、さらに好ましくは５秒〜１０秒である。電流供給停止期間は、１秒以下になるとめっき膜中の電荷が除去できずに膜内部応力緩和の効果が見られない。また電流供給停止期間が長すぎると、例えばバンプめっきの場合、３分以上では、めっき液Ｑ中に放置中にバンプ開口部の特異的な部位に添加剤であるめっき促進剤が吸着され異常析出が大きくなってしまう。また電流供給停止期間が長いと、当然めっき時間が長くなり、めっき装置２０の単位時間当たりの半導体ウェーハ処理枚数が減少してしまい、好ましくない。
【００２４】
なお電流供給停止中にもパドル９の駆動を継続して行うことで、被めっき面３ａ近傍のめっき液Ｑの攪拌を行う。これによってバンプ開口部において、添加剤成分である抑制剤の枯渇、またはめっき促進剤の特異的な吸着が抑えられる。
【００２５】
ところで前述のように１回のめっきで形成されるめっき膜厚を薄くするほど、めっき膜中に発生する膜内部応力が低くなるのは以下の理由による。即ちめっき液Ｑ中にて電流供給を停止すると、めっき膜表面に極薄の酸化膜が生成する。電流供給停止時の酸化膜形成の仕組みとして考えられるのは、酸性めっき液Ｑ中にて金属が溶出（イオン化）し、その際にめっき液Ｑ中のＯ2と結合してめっき膜表面に酸化膜が形成されることである。そしてめっき膜中の応力が前記酸化膜により防御され、前記応力がその上部に積層されるめっき膜へ伝達されなくなるからである。これによって前述のようにめっき膜表面に異常析出が生じなくなる。さらに前述のように、最下層のめっき膜の膜厚が薄いほど、半導体ウェーハ３の被めっき面３ａの最表面金属（下地）とめっき膜との化合物生成量が少なくなりこの点からも膜内部応力が少なくなる。
【００２６】
めっき膜表面に積極的に酸化膜を形成する方法には以下のような方法がある。
その方法の１つは、めっき中に半導体ウェーハ３をめっき液Ｑより取り出して被めっき面３ａを大気にさらす工程を設ける方法である。大気引き上げ時の電流はめっき膜の電流密度の増加を防ぐため、オフにする。即ち電流供給停止中に半導体ウェーハ３をめっき液Ｑより取り出せばよい。
【００２７】
また別の方法として、アノード５を不溶解性にし、酸素過電圧が低いものを使用する方法がある。例えば酸化ルテニウム、酸化イリジウム等である。これによりめっき液Ｑ中の酸素濃度が増え、めっき液Ｑ中でめっき膜が酸化雰囲気にさらされ、より酸化し易い状況になる。
【００２８】
また別の方法として、めっき液Ｑ中に酸素を積極的に供給する方法がある。この方法によってもめっき膜の酸化が促進され、効果的である。この方法の中の１つとして、本発明で用いられているめっき液Ｑの攪拌がある。この攪拌は大気とめっき液Ｑの接触を促し、大気中の酸素をめっき液Ｑ中に積極的に取り込む効果がある。即ち攪拌は、めっき膜の表面に常に新鮮なめっき液Ｑを供給する作用と、めっき膜の表面に溶存酸素を供給してめっき膜を酸化させる作用とを有する。またこの方法の内の別の１つとして、空気又は酸素のバブリング等もある。バブリングなどによってもめっき液Ｑの攪拌作用とめっき膜表面への酸素供給作用とが生じる。
【００２９】
図３，図４はそれぞれ電流供給装置１１によって供給される他の電流のタイムチャートを示す図であり、何れの場合も多段階矩形波（階段状に電流密度を変化させる矩形波）を示している。即ち電流供給装置１１の電流供給条件設定手段によって、供給する電流を、階段状に増加させる多段階矩形波としている。これらの電流波形を用いることにより、下記するようにバンプめっきのマッシュルーム形状にも対応が可能である。図３の場合は多段階矩形波の電流値が異なる毎に電流供給停止期間ｔ３を設けている。図４の場合は多段階矩形波の電流値が異なる毎、及び同一電流値の中に、それぞれ電流供給停止期間ｔ５，ｔ４を設けている。電流供給停止期間ｔ５，ｔ４は同一時間でも異なる時間でも良い。
【００３０】
これらの実施形態の場合も、１回の矩形波によって、めっき膜厚が５μｍ〜１５μｍになるようにする。なお、１度に形成される好ましいめっき膜厚は上記実施形態と同様に、１μｍ〜２０μｍ、好ましくは１μｍ〜１５μｍ、さらに好ましくは１μｍ〜５μｍである。一方好ましい電流供給停止期間ｔ３，ｔ４，ｔ５も上記実施形態と同様に、１秒〜２分、さらに好ましくは１秒〜３０秒、さらに好ましくは１秒〜１０秒、さらに好ましくは５秒〜１０秒である。なお以上説明した事項以外の事項については、前記実施形態と同じである。
【００３１】
そして例えば図３，図４に示す多段階矩形波を用いて、バンプめっきのマッシュルーム形状を形成する一例を説明する。図５は半導体ウェーハ１００の表面に形成したレジスト層１０１に設けた開口１０３の内部及びその上部に、バンプめっきによってめっき膜１０９Ｉ，１０９II，１０９III，１０９IV，１０９Ｖを形成していく状態を示した要部概略断面図である。なお図中、１０５はバリア層、１０７はシード層である。そして図３，図４に示す最初の一段目の電流値Ｉによって、図５に示すめっき膜１０９Ｉを形成し、開口１０３の内部をめっき金属で埋める。次に図３，図４に示す二段目の電流値IIによって、図５に示すめっき膜１０９IIを形成する。同様にして３，４，５段目の電流値III，IV，Ｖによって、図５に示すめっき膜１０９III，IV，Ｖを形成し、これによってマッシュルーム形状を形成する。図３，図４に示す実施形態において電流値を段階的に増加させる多段階矩形波としたのは、図５に示すようなマッシュルーム形状のバンプめっきにおいては上層のめっき膜ほどそのめっき面積が増加していくので、電流密度を一定に保つために電流値をめっき面積の増加に合せて増加させたからである。特に例えばめっき膜１０９Ｉとめっき膜１０９IIの間ではめっきの成長方向が変わるので、膜内部応力が増加する恐れがあり、膜内部応力を抑えるためにめっき膜１０９Ｉとめっき膜１０９IIの間で電流停止期間を設けることは膜内部応力の伝達減少に効果的である。また図４に示す実施形態のように同一の電流値の中で電流停止期間ｔ４を設けると、一回の連続電解によるめっき膜厚が薄いほど異常析出が減少するので、さらに効果的に異常析出を防止できる。
【００３２】
以上本発明の実施形態を説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲、及び明細書と図面に記載された技術的思想の範囲内において種々の変形が可能である。なお直接明細書及び図面に記載がない何れの形状や構造や材質であっても、本願発明の作用・効果を奏する以上、本願発明の技術的思想の範囲内である。例えば上記実施形態では、めっき液Ｑの攪拌方法としてパドル９を用いたが、その他にも、めっき液Ｑの噴射（パドルに噴射口を設けて噴射することも含む）による攪拌方法でも良いし、めっき液Ｑや内槽（めっき槽）１や半導体ウェーハ３に超音波振動やその他の方法による振動を与えることによる攪拌方法でも良い。また上記実施形態では本発明をバンプめっきに用いた例を説明したが、本発明は、半導体ウェーハの配線用埋め込みめっき等の他のめっきにも適用できる。また上記実施形態ではめっきする金属としてＳｎを用いたが、例えばＳｎ合金、銅、銅合金、ニッケル、金、銀、白金等、他の各種金属を用いてもよい。
【実施例】
【００３３】
図６は、被めっき部材に供給する電流条件を各種変更してめっきした際の異常析出の状態を測定した実験結果を示す図である。この実験においては、上記図１に示すめっき装置２０を用い、被めっき部材３として２００（ｃｍ2）の銅板の表面に錫（Ｓｎ）層を単層で形成したものを用い、試料１〜６について、それぞれに供給する電流の条件を変え、最終的なめっきの合計膜厚（μｍ）と、異常析出（ひげの個数）とを測定した。異常析出とするひげの長さは３ｍｍ以上のものとした。なお供給する電流条件以外は全て同一の条件であり、攪拌も行っている。
【００３４】
図６に示すように、電流停止時間を設けなかった試料１，２については、ひげの数、即ち異常析出が多かった。試料３〜５は、何れも膜厚（逐次膜厚）１５μｍ毎に電流停止時間（１秒〜１０秒）を設けており、何れの場合もひげの数が効果的に抑制された。特に電流停止時間を５秒〜１０秒とした場合は効果的であり、異常析出は全く見られなかった。試料６は、膜厚５０μｍ毎に電流停止時間を設けており、この場合もひげの数が効果的に抑制されたが、電流停止時間が長いため、試料５と同等の合計膜厚を得るのに長時間を要した。
【００３５】
図７は、被めっき部材３に供給する電流条件を試料３と類似した、合計膜厚６４５μｍ、逐次膜厚１５μｍ、電流停止時間１秒にして、被めっき部材３の下方から上方に向けてめっき液Ｑを流してオーバーフローさせながらめっきを行った場合の被めっき部材３表面での異常析出の状態を示す図である。即ちこの実験においても、上記図１に示すめっき装置２０を用い、被めっき部材３として２００（ｃｍ2）の銅板の表面に錫（Ｓｎ）層を単層で形成したものを用い、異常析出の状態を調べた。図７の被めっき部材３の表面に示す黒点が異常析出であるひげを示す。また同図に示す矢印がめっき液の流れ（槽内循環）を示す。
【００３６】
図７において、内槽１の下側はめっき液Ｑの流れが強く、内槽１の上側に近づくにつれその流れは弱くなる。そして被めっき部材３のめっき液Ｑの流れの強く当たるところ（下部）では異常析出が少なく、めっき液Ｑの流れの弱く当たるところ（上部）では異常析出が多く出た。このことからめっき液攪拌が強いところは異常析出が少なくなると言える。従ってこの実験からも分かるように、液の循環による攪拌によってめっき液Ｑを攪拌することでも異常析出が効果的に防止されることが分かる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】めっき装置２０を示す概略構成図である。
【図２】電流供給装置１１によって供給される電流のタイムチャートを示す図である。
【図３】電流供給装置１１によって供給される電流のタイムチャートを示す図である。
【図４】電流供給装置１１によって供給される電流のタイムチャートを示す図である。
【図５】半導体ウェーハ１００の開口１０３の内部及びその上部にバンプめっきを行なっていく状態を示す要部概略断面図である。
【図６】被めっき部材に供給する電流条件を各種変更してめっきした際の異常析出の状態を測定した実験結果を示す図である。
【図７】被めっき部材３の下方から上方に向けてめっき液Ｑを流した場合の被めっき部材３表面での異常析出の状態を示す図である。
【符号の説明】
【００３８】
２０  めっき装置
１  内槽（めっき槽）
Ｑ  めっき液
３  半導体ウェーハ（被めっき部材）
３ａ  被めっき面
５  アノード
７  ウェーハ治具
９  パドル（めっき液攪拌手段）
１１  電流供給装置
１３  外槽
１５  ポンプ
１７  フィルタ
１９  配管
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2007297652.tif 000007
【図６】
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【図７】
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