【事件の表示】
　特許第３２１７６９６号に関する訂正審判事件について、次のとおり審決する。
【結　論】
　特許第３２１７６９６号に係る明細書を本件審判請求書に添付された訂正明細書のとおり訂正することを認める。
【理　由】
１
　特許出願：平成８年４月２６日
　設定登録（特許第３２１７６９６号）：平成１３年８月３日
　特許異議の申立て(２００２年異議第７０９２５号)：平成１４年４月９日
　特許異議の決定（取消）：平成１４年１２月１８日
　高裁出訴[ 平成１５年（行ケ）第４８号] ：平成１５年２月１１日
　審判請求(訂正２００３年審判第３９０６８号)：平成１５年４月７日
　
２
　本件審判の請求の趣旨は、特許第３２１７６９６号発明の明細書を審判請求書に添付した訂正明細書のとおり、すなわち、下記訂正事項ａないしｍのとおりに訂正することを求めるものである。
　　　　（特許請求の範囲）
　ａ　「【請求項１】互いに摺動する２枚の弁体のうち少なくとも一方の弁体をセラミックスにより形成し、その表面にＴｉ膜、Ｓｉ膜の順序で積層した中間層を介してダイヤモンド状硬質炭素膜を被着することにより摺接面を形成したディスクバルブであって、上記Ｔｉ膜及びＳｉ膜の各膜厚みをぞれぞれ０．１５μｍ以上とするとともに、上記中間層全体の膜厚みを０．８μｍ以下とし、かつ上記中間層及びダイヤモンド状硬質炭素膜の全体の膜厚みを３μｍ以下としたことを特徴とするディスクバルブ。」を、
「【請求項１】互いに摺動する２枚の弁体のうち少なくとも一方の弁体をアルミナセラミックスにより形成し、その表面にＴｉ膜、Ｓｉ膜の順序で積層した中間層を介してダイヤモンド状硬質炭素膜を被着することにより摺接面を形成したディスクバルブであって、上記一方の弁体の中心線平均粗さ（Ｒ ａ）を０．１２μｍ以下とし、上記Ｔｉ膜及びＳｉ膜の各膜厚みをぞれぞれ０．１５μｍ以上とするとともに、上記中間層全体の膜厚みを０．８μｍ以下とし、かつ上記中間層及びダイヤモンド状硬質炭素膜の全体の膜厚みを３μｍ以下とし、更に前記ダイヤモンド状硬質炭素膜中にＴｉ及びＳｉが含まれていることを特徴とするディスクバルブ。」と訂正するものであり、
　すなわち、
　ａ―１　「セラミックス」を「アルミナセラミックス」に訂正し、
　ａ―２　「上記一方の弁体の中心線平均粗さ（Ｒａ）を０．１２μｍ以下とし、」の記載を加え
　ａ―３　「ダイヤモンド状硬質炭素膜」を「ダイヤモンド状硬質炭素膜中にＴｉ及びＳｉが含まれる」とするものである。
　
　　　　（発明の詳細な説明）
　ｂ　【０００８】「そこで、本発明は《中略》を特徴とする。」とあるのを「そこで、本発明は上記課題に鑑み、互いに摺動する２枚の弁体のうち少なくとも一方の弁体をアルミナセラミックスにより形成し、その表面にＴｉ膜、Ｓｉ膜の順序で積層した中間層を介してダイヤモンド状硬質炭素膜を被着することにより摺接面を形成したディスクバルブであって、上記一方の弁体の中心線平均粗さ（Ｒａ）を０．１２μｍ以下とし、《中略》かつ上記中間層及びダイヤモンド状硬質炭素膜の全体の膜厚みを３μｍ以下とし、更に前記ダイヤモンド状硬質炭素膜中にＴｉ及びＳｉが含まれていることを特徴とする」に訂正する。
　ｃ　【０００９】の「固定弁体３０は可動弁体２０と《中略》セラミックスより形成してなり、」を「固定弁体３０は可動弁体２０と同様に上下面を貫通する流体通路３２を備え、外径が上記可動弁体２０より若干大きな円盤状をしたものでアルミナセラミックスにより形成してなり、」に訂正する。
　ｄ　【００１４】の「即ち、固定弁体３０の《中略》セラミックスとの熱膨張差が小さく、」とあるのを「即ち、固定弁体３０の表面３５に被着するＴｉ膜３３ａは熱膨張係数が８．４×１０‐６／℃程度と固定弁体３０を構成するアルミナセラミックスとの熱膨張差が小さく、」に訂正する。
　ｅ　【００２２】の「また、本発明に係るダイヤモンド状硬質炭素膜３４は膜中にジルコニウム、タングステン、チタンのうち少なくとも１種以上の金属と珪素を含有したものであっても構わない。このようにジルコニウム、タングステン、チタンのうち少なくとも１種以上の金属と珪素を含有させることにより膜内部における残留応力を低減して結合力を高めることができる。その為、固定弁体３０との密着力をより強固なものとすることができるとともに、ビッカース硬度で５５００ｋｇ／ｍｍ２以上の高硬度を持った膜とすることができる。」とあるのを「また、本発明に係るダイヤモンド状硬質炭素膜３４は膜中にチタン及び珪素が含まれており、これによって膜内部における残留応力を低減して結合力を高めることができる。その為、固定弁体３０との密着力をより強固なものとすることができる。このダイヤモンド状硬質炭素膜３ ４中にはジルコニウム、タングステンのうち少なくとも１種以上の金属を含有させても良い。」に訂正する。
　ｆ　【００２７】の「一方、前述したように、ダイヤモンド状硬質炭素膜３４《中略》ダイヤモンド状硬質炭素膜３４を破損させてしまう恐れがあるからである。」を「一方、前述したように、ダイヤモンド状硬質炭素膜３４および中間層３３を被着する固定弁体３０はアルミナセラミックスにより形成することが必要である。即ち、固定弁体３０を樹脂で形成したものではダイヤモンド状硬質炭素膜３４を被着することができず、また、金属で形成したものではアルミナセラミックスに比べ硬度が小さいことから、可動弁体２０との押圧力により変形し、その表面３５に被着するダイヤモンド状硬質炭素膜３４を破損させてしまう恐れがあるからである。」に訂正する。
　ｇ　【００２８】の「これに対し、セラミックスは《中略》変形することがないため、」を「これに対し、アルミナセラミックスは高硬度を有することから可動弁体２０との押圧力により変形することがないため、」に訂正する。
　ｈ　【００２９】の「なお、固定弁体３０を形成するセラミックスとしては、アルミナ、《中略》長期間にわたって使用可能なフオーセットバルブとすることができる。」を「なお、固定弁体３０を形成するアルミナセラミックスは可動弁体２０との押圧力を大きくしても摺接面３１を変形させることがなく、また、耐薬品性にも優れることから長期間にわたって使用可能なフオーセットバルブとすることができる。」に訂正する。
　ｉ　【００３０】の「これらのセラミックスを製作するには、《中略》強固でかつ靭性および耐摩耗性に優れたセラミックスを得ることができる。」を「アルミナセラミックスを製作するには、主原料のＡｌ２Ｏ３に対しＳｉＯ２、ＭｇＯ、ＣａＯ等のうち１種以上の焼結助剤を添加して１６００〜１７５０℃の温度で焼成することにより、強固でかつ靭性および耐摩耗性に優れたセラミックスを得ることができる。」に訂正する。
　ｊ　【００４６】の「固定弁体３０の表面３５に被着するＴｉ膜３３ａ、Ｓｉ膜３３ｂ、ダイヤモンド状硬質炭素膜３４の膜厚みｔ１、ｔ２、ｔ３は順に、０．２μｍ、０．２μｍ、０．８μｍとした。」を「固定弁体３０の表面３５に被着するＴｉ膜３３ａ、Ｓｉ膜３３ｂ、ダイヤモンド状硬質炭素膜３４の膜厚みｔ２、ｔ３、ｔ１は順に、０．２μｍ、０．２μｍ、０．８μｍとした。」に訂正する。
　ｋ　【００５８】の「互いに摺動する２枚の弁体のうち少なくとも一方の弁体をセラミックスにより形成し、」を「互いに摺動する２枚の弁体のうち少なくとも一方の弁体をアルミナセラミックスにより形成し、」に訂正する。
　ｌ　【００５８】の「水栓や湯水混合栓等のように洗浄器を設置したとしても水漏れを生じることのない信頼性の高いディスクバルブを提供することができる。」を「水栓や湯水混合栓等のように浄水器を設置したとしても水漏れを生じることのない信頼性の高いディスクバルブを提供することができる。」に訂正する。
　ｍ　【００５８】の最終行の後に、「また本発明によれば、ダイヤモンド状硬質炭素膜３４中にチタン及び珪素が含まれていることから、膜内部における残留応力を低減して結合力を高めることができる。その為、固定弁体３０との密着力をより強固なものとすることができる。」と付け加えた訂正を行う。
　
３
 (
1
　訂正事項ａ―１について
　上記訂正事項ａ―１は、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１の、「セラミックス」を下位概念である「アルミナセラミックス」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮にあたり、かかる訂正事項は明細書段落番号【００２９】、【００３０】、【００３４】、【００３５】、【００３９】〜【００４１】、【００４７】に記載されており、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内での訂正である。
　更に、上記訂正事項ａ―１は、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
　訂正事項ａ―２について、
　上記訂正事項ａ―２は、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１に、「上記一方の弁体の中心線平均粗さ（Ｒａ）を０．１２μｍ以下とし、」の記載を付け加えたものであるから、特許請求の範囲の減縮にあたり、かかる訂正事項は明細書段落番号【００１０】、【００５０】〜【００５３】に記載されており、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内での訂正である。
　更に、上記訂正事項ａ―２は、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
　訂正事項ａ―３について、
　上記訂正事項ａ―３は、特許明細書の特許請求の範囲の請求項１の、「ダイヤモンド状硬質炭素膜」を「ダイヤモンド状硬質炭素膜中にＴｉ及びＳｉが含まれる」と訂正するものであるから、特許請求の範囲の減縮にあたり、かかる訂正事項は明細書段落番号【００２２】、【００２６】に記載されており、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内での訂正である。
　更に、上記訂正事項ａ―３は、実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
　訂正事項ｂないしｉ，ｋ，ｍについて
　訂正事項ｂないしｉ，ｋ，ｍは、それぞれ、訂正事項ａ―１ないしａ―３の訂正に伴い、発明の詳細な説明の記載を特許請求の範囲の記載に整合するように訂正するものであるから、明りょうでない記載の釈明に該当し、また、訂正事項ｂないしｉ，ｋ，ｍは、願書に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
　訂正事項ｊ及びｌについては、明細書段落番号【００１７】及び図１の記載及び【０００７】の記載から誤記の訂正であることは明確であるから、訂正事項ｊ及びｌは誤記又は誤訳の訂正に該当するものであり、また、願書に最初に添付した明細書又は図面に記載した事項の範囲内のものであり、かつ実質上特許請求の範囲を拡張し又は変更するものでもない。
　
 (
2
　本件特許第第３２１７６９６号については、件外２００２年異議第７０９２５号として特許異議の申立てがなされ、平成１４年１２月１８日付けで特許異議の決定（特許取消）がなされている［高裁出訴中、平成１５年（行ケ）第４８号］ので、以下において該特許異議の決定で特許法第２９条第２項の規定に違反するとして引用した刊行物１，刊行物２及び周知例について検討する。
　
　ア　本件訂正発明
　本件審判請求書に添付された訂正明細書の特許請求の範囲の請求項１の記載は下記のとおりである。
請求項１
「互いに摺動する２枚の弁体のうち少なくとも一方の弁体をアルミナセラミックスにより形成し、その表面にＴｉ膜、Ｓｉ膜の順序で積層した中間層を介してダイヤモンド状硬質炭素膜を被着することにより摺接面を形成したディスクバルブであって、上記一方の弁体の中心線平均粗さ（Ｒ ａ）を０．１２μｍ以下とし、上記Ｔｉ膜及びＳｉ膜の各膜厚みをぞれぞれ０．１５μｍ以上とするとともに、上記中間層全体の膜厚みを０．８μｍ以下とし、かつ上記中間層及びダイヤモンド状硬質炭素膜の全体の膜厚みを３μｍ以下とし、更に前記ダイヤモンド状硬質炭素膜中にＴｉ及びＳｉが含まれていることを特徴とするディスクバルブ。」
　
　イ　引用例した刊行物等の内容
［
］
　【請求項１】には、
「湯または水あるいは両者の水栓を構成するセラミックス製又は金属製のバルブの摺動面に於いて、摺動面を構成する２面のうちのいずれか一方または両方の面に、ダイヤモンド状炭素膜（別名ｉ−Ｃａｒｂｏｎ）の薄膜を、金属またはその炭化物，窒化物，炭窒化物から選ばれる少なくとも１種類以上の薄膜を介在して設けてなることを特徴とする水栓バルブ部材。」と記載され、
　【０００８】には、
「【課題を解決するための手段】本発明は優れた潤滑性，優れた耐摩耗性を有するｉ−Ｃをセラミックスバルブ表面により強固に密着させるようにした水栓バルブ部材の発明とその製造方法の発明に関するものである。」と、
　【００１０】には、
「一般に、セラミックスバルブ表面に、目的とする薄膜を気相蒸着させるにあたり、蒸着温度が高く、セラミックスバルブと薄膜との熱膨張差、薄膜がそれ故にうける内部歪が主要な原因となって密着が阻害される。本発明は、これらの薄膜とセラミックスバルブの間に歪の吸収材としての傾斜膜を設けることで、上記の欠点を解決するものである。」と、
　【実施例】中【００１２】【００１３】【００１５】【００１６】には、
「【００１２】
【実施例】以下、本発明を実施例により、詳しく説明する。図１，及び図２に示した水栓のセラミックバルブ１，２をアルミナ含有量９２％，残部がＳｉＯ2，ＭｇＯ，ＴｉＯ2で構成をされた材料で作製した。（以後、図１の（Ａ）の形状のセラミックバルブ１を「固定側」、図１の（Ｂ）の形状のセラミックバルブ２を「可動側」と呼ぶ）作製後、摺動面をダイヤモンド砥粒を用いて、ラップ盤にて研磨仕上げを行い、鏡面に研磨した。
【００１３】このアルミナ製バルブの摺動面に、ダイヤモンド状炭素膜を生成させるが生成法としては、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)法とＰＶＤ（Physical VaporDeposition)法に大別されるが、今回は、ＰＶＤ法の１種であるマグネトロンスパッタ法により、実施した。
【００１５】次に、マグネトロンカソードを直流電源に接続し、直流放電をさせ、カソード表面に取り付けたチタンターゲットをスパッタさせた。放電ガスとしては、アルゴンガスを５×１０-3mbarの圧力になるよう導入し、反応性ガスとして窒素とアセチレンを使用した。処理品をイオンでボンハードしながら、膜を堆積するためにこの間には、２５０〜３５０Ｗ高周波を、処理品にかけておいた。反応性ガスの窒素とアセチレンは、膜構成が処理品基材側から、金属チタン〜ＴｉＮ〜ＴｉＣＮ〜ＴｉＣの、いわゆる傾斜膜となるように流量を調整変化させた。
【００１６】最後に窒素流量をゼロとし、アセチレンの流量を増大させ、圧力７．５×１０-3mbarの状態にするとチタンターゲットの表面は、グラファイトやダイヤモンド状炭素膜で完全に覆われた状態となり、この状態を維持することによって、処理品上にダイヤモンド状炭素膜を堆積させた。膜厚みは全厚み１．５μｍであり、傾斜膜が０．５μｍダイヤモンド状炭素膜が１．０μｍであり、堆積時間は３５分であった。」と記載されている。
　
　上記の記載から、刊行物１には、以下のとおりの発明が記載されていると認められる。（以下、〈〉内には、表現上本件訂正発明にて相当している事項の用語を示す。）
「
」
　
［
］
　【請求項１】には、
「タングステンカ−バイド、タンタルカ−バイド等の超硬材である基材上に、乾式メッキによるチタン、またはクロムの第１層と、該第１層の表面に、乾式メッキによるシリコン、またはゲルマニウムの第２層とよりなる中間層と、該中間層の表面に、乾式メッキによる硬質カ−ボン膜の第３層とよりなることを特徴とする超硬基材上の硬質カ−ボン膜。」と、
　【０００４】【課題を解決するための手段】には、
「超硬基材上にＰＶＤ法（ｐｈｙｓｉｃａｌ　ｖａｐｏｕｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法）によりチタン膜、またはクロム膜を形成して第１層とし、該第１層の表面にゲルマニウム膜、またはシリコン膜をＰＶＤ法により形成して第２層とし、該第１層と第２層とより成る中間層の表面に、硬質カ−ボン膜をプラズマＣＶＤ法（ｃｈｅｍｉｃａｌ　ｖａｐｏｕｒ　ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ法）により形成する事を特徴とする。」と、
　【０００５】【作用】には、
「本発明における超硬基材上の硬質カ−ボン膜は、超硬基材と硬質カ−ボン膜との間に前記の中間層を設ける事により、硬質カ−ボン膜の持つ１０10ｄｙｎという高い内部応力を緩和し、硬質カ−ボン膜の超硬基材に対する密着力を向上させ、耐スクラッチ性の向上、およびチッピングによる剥がれを防ぐ事が可能となる。」と、
　【０００６】【実施例】には、
「チタンより成る第１層２を０．２μｍ形成し、次に該第１層の表面にＰＶＤ法を用い、シリコンより成る第２層３を０．５μｍ形成する。」（２欄３３行ないし３５行）と、
　【０００７】末尾には、
「生産性と経済性をを考えれば、第３層５の硬質カ−ボン膜は、０．５〜３μｍの厚さであることが好ましい。」と、
記載されている。
　
［
］
　カーボン硬質膜を被覆した部材に関する発明で、第２頁左上欄１８行ないし右上蘭９行には、
「〔課題を解決するための手段〕
　このため本発明は、ステンレス板をはじめとする各種金属部材や超硬部材、および絶縁部材上へ低温度でのＰ−ＣＶＤ法によって形成されるカーボン硬質膜を密着性良く強固に形成する手段として、部材とカーボン硬質膜との間に、両者の密着性を著しく改善するチタニウム、アルミニウム、あるいは鉄の少なくとも１種からなる第１中間層、第１中間層と第２中間層の固溶体層、シリコンからなる第２中間層を順次、積層構造とすることによってカーボン硬質膜のコーティングを可能にするものである。」と記載されている。
　
［
］
　【０００１】には、
「【産業上の利用分野】本発明は、特に水栓、或いは湯水混合栓に使用される可動弁体と固定弁体とからなるディスクバルブに関するものである。」と記載され、
　【００２２】には、
「ところで、図２に示す可動弁体２０の摺接面２１は、表面粗さ（Ｒａ）０．２μｍ以下の面に形成する。これは、表面粗さが０．２μｍより大きいと、摺動時に固定弁体３０の摺接面３１を磨耗させてしまうからであり、好ましくは表面粗さ（Ｒａ）０．１μｍ以下の滑らかな面とすることが望ましい。」と記載され、
　【００３９】には、
「又、他方を固定弁体３０とし、基体３４の表面を中心線平均粗さで０．１５〜０．４μｍ、且つ平坦度１μｍ以下となるようにそれぞれ研摩加工を施し、さらに、ベンゼン（Ｃ6 Ｈ6 ）ガスをフィラメントでイオン化した炭素イオンをイオン加速器により基体３４の表面に蒸着させ、０．４〜１．０μｍの厚み幅ｈを有する非晶質硬質炭素膜３３を形成する。そして、上記可動弁体２０及び固定弁体３０の互いの摺接面２１，３１を摺接させれば本発明に係るフォーセットバルブを得ることができる。」と記載されている。
　
［
］
　【０００１】には、
「【産業上の利用分野】本発明は、例えば湯水混合栓に用いられる可動弁体と固定弁体からなるセラミック製ディスクバルブに関するものである。」と記載され、
　【００２０】には、
「また、その摺動面２１は、中心線平均粗さ（Ｒａ）０．５μｍ以下の滑らかな面となっている。これは、摺動時に固定弁体３０側の摺動面３１を摩耗させないようにするためであり、好ましくは表面粗さ（Ｒａ）０．１μｍ以下、さらには表面粗さ（Ｒａ）０．０２μｍ以下の極めて滑らかな鏡面とすることが好ましい。」と記載されている。
　
［
］
　【０００１】には、
「【産業上の利用分野】本発明は、湯水混合栓に用いるに好適な、グリース等の潤滑剤不要のセラミックバルブ用部材及びその製造方法に関する。」と記載され、
　【００２０】には、
「本発明に基づく実施例を更に詳細に説明する。
実施例１
　純度９７％のアルミナ基体１２上に、８００℃の温度条件で、プラズマＣＶＤ法により非晶質の炭化ケイ素製中間層１３を１μｍ厚に形成した。そして、この中間層１３の上に、非晶質カーボン製の表層１４を同じくプラズマＣＶＤ法によって形成し、セラミックバルブ用部材とした。上記アルミナ基体１２のＲａは０．１μｍ、表層１４のＲａは０．２５μｍであった」と記載されている。
　
［
］
　【要約】には、
「【目的】　摺接面からの水漏れを防ぎ、かつ固定ディスクに対する可動ディスクの摺動移動が良好なものとなる水栓用セラミックディスクの提供を目的とする。
　【構成】　固定ディスク３の摺接面Ｐ３は表面粗さ０．１５μｍＲａ以下に仕上げられており、一方、可動ディスク４の摺接面Ｐ４は表面粗さ０．２〜０．４μｍＲａの範囲で、かつ０．０５μｍＲａ以下の部分が２０〜４０％程度存在するように仕上げられている。」と記載されている。
　
　ウ　対比・判断
　本件訂正発明と刊行物１に記載された発明とを比較すると、
「
」
　しかし、本件訂正発明においては、Ｔｉ膜とダイヤモンド状硬質炭素膜の間にＳｉ膜を介しているに対して、刊行物１には、金属チタン傾斜膜のみでＳｉ膜がない点と、ダイヤモンド状硬質炭素膜中にＴｉ及びＳｉが含まれている点とが記載されていない。
　刊行物２には、プラズマＣＶＤ法による硬質カ−ボン膜〈ダイヤモンド状硬質炭素膜〉を形成する際の中間層としてチタン膜を第１層、シリコン膜を第２層とする技術が示されているが、硬質カ−ボン膜〈ダイヤモンド状硬質炭素膜〉中にＴｉ及びＳｉが含まれている点は記載されていない。
　また周知例１ないし５については、ダイヤモンド状硬質炭素膜についての具体的な組成が示されたものはなく、周知例２にベンゼン（Ｃ6 Ｈ6 ）ガスを用いた例が示されているだけである。
　してみると、上記刊行物１，刊行物２，及び各周知例のいずれにも、「ダイヤモンド状硬質炭素膜中にＴｉ及びＳｉが含まれている」点の記載及び当該記載を示唆する記載がない。
　そして、「ダイヤモンド状硬質炭素膜中にＴｉ及びＳｉが含まれている」点の構成を採用することにより、ダイヤモンド状硬質炭素膜中の残留応力を効果的に低減することができ、Ｔｉ膜及びＳｉ膜とで構成される中間層との馴染みが良好となり、一方弁体との密着力を高くすることができるという格別な効果を奏するものであるから、本件訂正発明は上記刊行物１，刊行物２及び各周知例に基づいて、当業者が、容易に想到することができたということはできない。
　したがって、本件訂正発明は特許出願の際独立して特許を受けることができるものである。
　
４
　以上のとおりであるから、本件審判の請求は、特許法１２６条１項ただし書き１号ないし３号に掲げる事項を目的とし、かつ、同条２項ないし４項の規定に適合する。
　よって結論のとおり審決する。