【事件の表示】
　特願２００９−１９６４３１「プラズマエッチング方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　３月１０日出願公開，特開２０１１−　４９３６０〕について，次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は，成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は，平成２１年８月２７日の出願であって，平成２５年５月２８日付けで拒絶の理由が通知され，同年７月２６日に意見書と手続補正書が提出され，同年１１月２１日付けで拒絶査定がされ，その後，平成２６年２月２６日に，前記拒絶査定に対する不服審判が請求されるとともに手続補正書が提出されたものである。
　
第２　平成２６年２月２６日に提出された手続補正書による手続補正の却下の決定
　
［補正の却下の決定の結論］
　平成２６年２月２６日に提出された手続補正書による手続補正を却下する。
　
［理　由］
１　本件手続補正の内容
　平成２６年２月２６日に提出された手続補正書による補正（以下「本件補正」という。）は，特許請求の範囲，明細書，及び，図面についてするものであって，補正前後の請求項１の記載は，各々次のとおりである。
　
（補正前）
「【請求項１】
　アモルファスカーボン膜を有する被処理基板を処理容器内に設置し，無機膜をマスクとして前記アモルファスカーボン膜をプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって，
　エッチングガスとしてＯ２ガスを用い，Ｏ２ガスの前記処理容器におけるレジデンスタイムが０．３７ｍｓｅｃ以下となるようにＯ２ガスを流してアモルファスカーボン膜をプラズマエッチングすることを特徴とするプラズマエッチング方法。」
　
（補正後）
「【請求項１】
　アモルファスカーボン膜を有する被処理基板を処理容器内に設置し，無機膜をマスクとして前記アモルファスカーボン膜をプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって，
　エッチングガスとしてＯ２ガスを用い，Ｏ２ガスの前記処理容器におけるレジデンスタイムが３．０５ｍｓｅｃ以下となるようにＯ２ガスを流してアモルファスカーボン膜をプラズマエッチングすることを特徴とするプラズマエッチング方法。」
　
２　補正事項の整理
　本件補正の補正事項を整理すると次のとおりである。
　
（１）補正事項１
　補正前の請求項１，【０００７】，【０００９】，【００１０】，【００３９】，【００５１】，【００５４】，【００５８】，図４−図７の「０．３７ｍｓｅｃ」を補正して，補正後の請求項１，【０００７】，【０００９】，【００１０】，【００３９】，【００５１】，【００５４】，【００５８】，図４−図７の「３．０５ｍｓｅｃ」にすること。
　
（２）補正事項２
　補正前の【００３８】の「Ｒｔ［ｓｅｃ］＝９.４２×１０７((Ｐｒ・Ｔｓ)／(Ｐｓ・Ｔｒ))Ｒｗ２・(ｄ／Ｆ)」を補正して，補正後の【００３８】の「Ｒｔ［ｓｅｃ］＝(９.４２×１０７((Ｐｒ・Ｔｓ)／(Ｐｓ・Ｔｒ))(Ｒｗ２・ｄ))／Ｆ」にすること。
　
（３）補正事項３
　補正前の【００３９】の「チャンバ内のガス温度Ｔｒは標準温度（２５℃）と同等であり」を補正して，補正後の【００３９】の「チャンバ内のガス温度Ｔｒは約６０℃であり」にすること。
　
（４）補正事項４
　補正前の【００５１】，【００５８】，【００５９】，【００６０】及び図４−図７の「１．２９」，「０．１９」及び「０．１２」を補正して，補正後の【００５１】，【００５８】，【００５９】，【００６０】及び図４−図７の「１０．５５」，「１．５２」及び「１．０２」にすること。
　
（５）補正事項５
　補正前の【００５１】の「エッチングの際のチャンバ内の温度は，約６０℃であった」を補正して，補正後の【００５１】の「エッチングの際のチャンバ内のガス温度は，約６０℃であった」にすること。
　
３　新規事項の追加の有無についての検討
（１）特許法第１７条の２第３項は，拒絶査定不服審判を請求する場合において，その審判の請求と同時にする補正の要件を定めるものであり，明細書，特許請求の範囲又は図面について補正をするときは，誤訳訂正書を提出してする場合を除き，願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面（以下，願書に最初に添付した明細書を「当初明細書」と，また，願書に最初に添付した明細書，特許請求の範囲又は図面を合わせて「当初明細書等」という。）に記載した事項の範囲内においてしなければならないことを規定する。
　本件補正は，誤訳訂正書を提出してする場合には該当しないので，事案にかんがみ，最初に，上記補正事項５が，当初明細書等に記載した事項の範囲内においてしたものであるかについて検討する。
　
（２）上記補正事項５は，補正前の「エッチングの際のチャンバ内の温度は，約６０℃であった」という技術的事項を，「エッチングの際のチャンバ内のガス温度は，約６０℃であった」と補正するものである。
　
　そこで，当初明細書等に，「エッチングの際のチャンバ内のガス温度は，約６０℃であった」という技術的事項が記載されていたかを検討する。
　
ア　当初明細書等には，次の記載がある。
（当ａ）「【００１４】
　このプラズマエッチング装置は，容量結合型平行平板プラズマエッチング装置として構成されており，例えば表面が陽極酸化処理された
アルミニウムからなる略円筒状のチャンバ（処理容器）１０
【００１５】
　
チャンバ１０の底部には，セラミックス等からなる絶縁板１２を介して円柱状のサセプタ支持台１４が配置され，このサセプタ支持台１４の上に例えばアルミニウムからなるサセプタ１６が設けられている
　
（当ｂ）「【００１８】
　
サセプタ支持台１４の内部には，例えば円周上に冷媒室２８が設けられている。この冷媒室には，外部に設けられた図示しないチラーユニットより配管３０ａ，３０ｂを介して所定温度の冷媒，例えば冷却水が循環供給され，冷媒の温度によってサセプタ上の半導体ウエハＷの処理温度を制御することができる
　
（当ｃ）「【００２１】
　
この上部電極３４は，絶縁性遮蔽部材４２を介して，チャンバ１０の上部に支持されており，サセプタ１６との対向面を構成しかつ多数の吐出孔３７を有する電極板３６と，この電極板３６を着脱自在に支持し，導電性材料，例えばアルミニウムからなる水冷構造の電極支持体３８とによって構成されている
　
（当ｄ）「【００３８】
　レジデンスタイムＲｔ［ｓｅｃ］は以下の（１）式で表すことができる。
Ｒｔ［ｓｅｃ］＝９．４２×１０７（Ｐｒ・Ｔｓ／Ｐｓ・Ｔｒ）Ｒｗ２・ｄ／Ｆ　……（１）
　ここで，Ｐｒ：チャンバ内の圧力［Ｐａ］，Ｔｒ：チャンバ内のガス温度［Ｋ］，Ｐｓ：標準気圧［Ｐａ］，Ｔｓ：標準温度［Ｋ］，Ｒｗ：ウエハ半径［ｍ］，ｄ：上下電極間距離［ｍ］，Ｆ：ガス流量［ｓｃｃｍ］である。
　【００３９】
　上記（１）式のうち，
チャンバ内のガス温度Ｔｒは標準温度（２５℃）と同等であり
　
（当ｅ）「【００５１】
　アモルファスカーボン膜のエッチングにおいては，以下の条件を共通条件にして，Ｏ２ガス流量を１３０，４５０，９００，１３５０［ｓｃｃｍ（ｍＬ／ｍｉｎ）］と変化させて，
レジデンスタイムを１．２９，０．３７，０．１９，０．１２［ｍｓｅｃ］
エッチングの際のチャンバ内の温度は，約６０℃であった
　【００５２】
　＜アモルファスカーボン膜のエッチング条件（共通条件）＞
　　　・
チャンバ内圧力：２．６６Ｐａ
　　　・
第１の高周波電源（４０ＭＨｚ）のパワー：８００Ｗ
　　　・第２の高周波電源（１３ＭＨｚ）のパワー：０Ｗ」
　
イ　そうすると，当初明細書等には，上記摘記（当ｄ）の「チャンバ内のガス温度Ｔｒは標準温度（２５℃）と同等であり」との記載から，チャンバ内のガス温度Ｔｒは，２５℃と同等であることが明記されていたことが認められる。
　これに対して，エッチングの際のチャンバ内のガス温度が約６０℃であったことを明記する記載は，当初明細書等に見いだすことはできない。
　
ウ　そこで，当初明細書の上記摘記（当ｅ）の，「また，エッチングの際のチャンバ内の温度は，約６０℃であった。」との記載について検討する。
　上記摘記（当ａ）−（当ｃ）の記載から，アルミニウムからなる略円筒状のチャンバ内には，サセプタ，上部電極等が配置され，しかも，上部電極は，電極板と水冷構造の電極支持体とによって構成されて温度調節を行うものであり，前記サセプタも，サセプタ支持台の内部に設けられた冷媒室に循環供給される所定温度の冷媒により，前記サセプタ上の半導体ウエハの処理温度を制御するものであることが理解できる。
　さらに，エッチングする際の条件を記載するにあたり，チャンバ内圧力等の条件に加えて，上部電極の温度，チャンバ側壁の温度，サセプタの温度等についても明記する場合があることは，下記の周知例１にも記載されているように周知の事項といえる。
　
・周知例１：特開２００７−１８０３５８号公報（平成２５年５月２８日付けの拒絶理由通知書で引用した文献１）
（周１ａ）「【００７８】
　有機膜または
アモルファスカーボン膜をシリコンを含むマスクを用いてエッチングする際の典型的な条件は以下の通りである
　チャンバ内圧力＝１Ｐａ
　高周波電力（第１／第２）＝４００Ｗ／４００Ｗ
　処理ガス流量　Ｏ２＝１５０ｓｃｃｍ
　処理時間＝１００ｓｅｃ
　バックプレッシャー（ヘリウムガス：センター部／エッジ部）＝２０００Ｐａ／４０００Ｐａ
　
上部電極３４の温度＝１２０℃
　
チャンバ１０側壁の温度＝１２０℃
　
サセプタ１６の温度＝２０℃
　上部電極３４への直流電圧値＝−２５０Ｖ」
　
エ　そうすると，本願の明細書に記載されたエッチング装置は，冷却機構によって温度調節を行う上部電極，サセプタ等をチャンバ内に配置したものであり，また，前記チャンバが内側に側壁を有することは自明であるところ，上記周知例１から明らかなように，エッチング条件を記載する際に，上部電極の温度，チャンバ側壁の温度，サセプタの温度等を明記する場合があることが知られているのであるから，当初明細書の上記摘記（当ｅ）に記載された，「また，エッチングの際のチャンバ内の温度は，約６０℃であった。」における「チャンバ内の温度」が，チャンバ内のチャンバ側壁，上部電極あるいはサセプタ等の部材の温度を計測した値を記載したものであると理解する余地もあるといえる。
　そして，本願の当初明細書等には，前記「チャンバ内の温度」が，チャンバ内のガス温度を計測した値であることを明らかとする記載，あるいは，前記「チャンバ内の温度」が，チャンバ内のガス温度を計測した値であることを示唆する記載を認めることはできない。
　
オ　してみれば，「チャンバ内のガス温度Ｔｒは標準温度（２５℃）と同等」であることが明記されている本願の当初明細書等において，測定対象が明記されていない「また，エッチングの際のチャンバ内の温度は，約６０℃であった。」との記載から，前記記載における「チャンバ内の温度は，約６０℃」が，他に想定され得る，チャンバ内のチャンバ側壁，上部電極あるいはサセプタ等の部材の温度が約６０℃であったことを示すのではなく，当初明細書の他の箇所において明記されている「チャンバ内のガス温度Ｔｒは標準温度（２５℃）と同等」との記載とは整合しない，「チャンバ内のガス温度は，約６０℃」という技術的事項を示していたものであることを，当業者において自明な事項であるとして認めることはできない。
　
カ　すなわち，補正事項５は，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入しないものということはできない。
　
（３）上記補正事項３は，補正前の「チャンバ内のガス温度Ｔｒは標準温度（２５℃）と同等であり」という技術的事項を，「チャンバ内のガス温度Ｔｒは約６０℃であり」と補正するものである。
　
　そこで，当初明細書等に，「チャンバ内のガス温度Ｔｒは約６０℃であり」という技術的事項が記載されていたかを検討する。
　
ア　審判請求人は，審判請求書において，上記補正の根拠として「誤記である根拠は，出願当初の明細書の段落００５１の記載にある。」と主張する。
　しかしながら，上記（２）で検討したように，【００５１】の「チャンバ内の温度」は，「チャンバ内のガス温度」とは認められないから，前記【００５１】の記載を根拠とした補正は，補正の根拠を欠くものといえる。
　また，「チャンバ内のガス温度Ｔｒは約６０℃であり」とする技術的事項が，当初明細書等に記載されている事項，あるいは，記載されているに等しい事項であるとは，上記（２）で検討したように認めることはできない。
　
イ　したがって，補正事項３は，当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入しないものということはできない。
　
（４）上記補正事項１及び補正事項４は，レジデンスタイムの値を，補正前の「０．３７ｍｓｅｃ」及び「１．２９，０．１９，０．１２」から，補正後の「３．０５ｍｓｅｃ」及び「１０．５５，１．５２，１．０２」に補正するものである。
　
　そこで，当初明細書等に，「３．０５ｍｓｅｃ」及び「１０．５５，１．５２，１．０２」という，レジデンスタイムに係る技術的事項が記載されていたかを検討する。
　
ア　当初明細書等に，「３．０５ｍｓｅｃ」及び「１０．５５，１．５２，１．０２」という，レジデンスタイムが記載されていないことは，当初明細書等の記載から明らかである。
　
イ　審判請求人は，審判請求書において，上記補正の根拠として
「(ニ)　出願当初の明細書の段落００３９に「上記（１）式のうち，チャンバ内のガス温度Ｔｒは“標準温度（２５℃）と同等であり”，…」との記載は， 
 「上記（１）式のうち，
チャンバ内のガス温度Ｔｒは“約６０℃であり”
が正当であった
 　(ホ)　
算出されたレジデンスタイム［ｓｅｃ］を［ｍｓｅｃ］に変換する際に，×１００としていた誤りがあった
 　上記(ニ)，(ホ)については，正しい記載となるようにその誤記を補正した。」
　
「これは，貴審査官殿のご認識の通り，流量Ｆの単位[ｓｃｃｍ]は，
標準温度（Ｔｓ＝０℃＝２７３Ｋ）
　
「改めて，出願当初の明細書の段落００３８に記載された式(１)に，正しい値となるようにチャンバ内のガス温度Ｔｒは「６０℃（３３３Ｋ）」とし，また，正しくｍｓｅｃに変換されるように「×１０００」をすると，以下のような正しい値が導き出される。 
 　　(誤)１．２９ｍｓｅｃ　→　(正)１０．５５ｍｓｅｃ 
 　　(誤)０．３７ｍｓｅｃ　→　(正)　３．０５ｍｓｅｃ 
 　　(誤)０．１９ｍｓｅｃ　→　(正)　１．５２ｍｓｅｃ 
 　　(誤)０．１２ｍｓｅｃ　→　(正)　１．０２ｍｓｅｃ 」
　
「以上，本願発明はその拒絶の理由を「釈明」並びに「誤記の補正」によって解消した。」
と主張する。
　
ウ　しかしながら，上記（２），（３）で検討したように，チャンバ内のガス温度Ｔｒが「６０℃（３３３Ｋ）」であることは，当初明細書等に記載されている事項，あるいは，記載されているに等しい事項であるとは認められない。
　
エ　また，審判請求人は，「算出されたレジデンスタイム［ｓｅｃ］を［ｍｓｅｃ］に変換する際に，×１００としていた誤りがあった。［ｓｅｃ］を［ｍｓｅｃ］に変換する際には，×１０００としなければいけなかった。これがご指摘の“レジデンスタイムが過小な値”との原因である。」と主張するが，“レジデンスタイムが過小な値”となる理由としては，［ｓｅｃ］を［ｍｓｅｃ］に変換する際に，×１００とする誤りの他に，レジデンスタイムの（１）式が誤っている場合，明細書に記載されたチャンバ内の圧力等の数値が誤っている場合等の種々の原因を想定することができるから，当初明細書において，［ｓｅｃ］を［ｍｓｅｃ］に変換する際に，×１００とする誤りがあったことが，当初明細書等の記載から自明な事項であるとは認められない。
　
オ　さらに，審判請求人が，改めて，出願当初の明細書の段落００３８に記載された式(１)を用いて，正しいと主張する値となるように計算をした際には，「標準温度（Ｔｓ＝０℃＝２７３Ｋ）」という条件を用いているものと解されるが，本願の当初明細書の【００３９】では，「標準温度（２５℃）」と明記されているから，当初明細書に記載された「標準温度（２５℃）」を，「標準温度（Ｔｓ＝０℃＝２７３Ｋ）」に変更したことは，当初明細書等の記載から自明な事項であるとは認められない。
　すなわち，単位[ｓｃｃｍ]は，標準温度，標準圧力下での流量を示すものであるところ，前記標準温度は，メーカー等によって，０℃あるいは２５℃などの異なる値が定義される場合があることは当業者において周知の事項であるから，前記標準温度を，２５℃から０℃に変更したことは，当初明細書等の記載から自明な事項であるとは認められない。
　
カ　そうすると，審判請求人の審判請求書における計算は，当初明細書等の記載から自明でない事項を前提としたものであるから，当該計算によって導かれた値もまた当初明細書等の記載から自明な事項であるとは認められない。
　
キ　したがって，補正事項１及び補正事項４は，いずれも当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入しないものということはできない。
　
（５）以上検討したように，補正事項１，３−５は，いずれも当初明細書等のすべての記載を総合することにより導かれる技術的事項との関係において，新たな技術的事項を導入しないものということはできないから，他の補正事項については検討するまでもなく，本件補正は，当初明細書等に記載された事項の範囲内においてしたものということはできない。
　
４　むすび
　したがって，本件補正は，特許法第１７条の２第３項の規定に違反するので，同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。 
　
第３　本願発明について
１　本願発明
　平成２６年２月２６日に提出された手続補正書でした補正は上記のとおり却下されたので，本願の請求項１−７に係る発明は，平成２５年７月２６日に提出された手続補正書により補正された明細書，特許請求の範囲及び図面の記載からみて，その特許請求の範囲の請求項１−７に記載されている事項により特定されるとおりのものであるところ，そのうち請求項１に係る発明（以下「本願発明１」という。）は，次のとおりである。
　
「【請求項１】
　アモルファスカーボン膜を有する被処理基板を処理容器内に設置し，無機膜をマスクとして前記アモルファスカーボン膜をプラズマエッチングするプラズマエッチング方法であって，
　エッチングガスとしてＯ２ガスを用い，Ｏ２ガスの前記処理容器におけるレジデンスタイムが０．３７ｍｓｅｃ以下となるようにＯ２ガスを流してアモルファスカーボン膜をプラズマエッチングすることを特徴とするプラズマエッチング方法。」
　
２　原査定の理由
　一方，原査定の理由の概要は，次のとおりである。
「この出願は，発明の詳細な説明の記載が下記の点で，特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていない。
　　　　　　　記
　請求項１及び発明の詳細な説明【0007】〜【0011】，【0039】及び【0051】〜【0058】には，「レジデンスタイムが０．３７ｍｓｅｃ」と記載されているが，例えば，【0038】，【0052】に記載の事項を基に実施例の計算すると，レジデンスタイムＲｔは，６．０８ｍｓｅｃにしかならず，上述の記載を裏付けるものにはなっていないので，当業者がこれをレジデンスタイムが０．３７ｍｓｅｃ以下が臨界的な意味があることを理解することができない。
　よって，この出願の発明の詳細な説明は，当業者が請求項１〜７に係る発明を実施することができる程度に明確かつ十分に記載されたものでない。」
　
３　当審の判断
　平成２５年７月２６日に提出された手続補正書により補正された明細書には，次の記載がある。
　
（本ア）「【００３８】
　レジデンスタイムＲｔ［ｓｅｃ］は以下の（１）式で表すことができる。
Ｒｔ［ｓｅｃ］＝９.４２×１０７((Ｐｒ・Ｔｓ)／(Ｐｓ・Ｔｒ))Ｒｗ２・(ｄ／Ｆ)
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　……（１）
　ここで，Ｐｒ：チャンバ内の圧力［Ｐａ］，Ｔｒ：チャンバ内のガス温度［Ｋ］，Ｐｓ：標準気圧［Ｐａ］，Ｔｓ：標準温度［Ｋ］，Ｒｗ：ウエハ半径［ｍ］，ｄ：上下電極間距離［ｍ］，Ｆ：ガス流量［ｓｃｃｍ］である。」
　
（本イ）「【００３９】
　上記（１）式のうち，
チャンバ内のガス温度Ｔｒ
標準温度（２５℃）
同等
ウエハ半径Ｒｗは０．１５ｍ
　
（本ウ）「【００５１】
　アモルファスカーボン膜のエッチングにおいては，以下の条件を共通条件にして，
Ｏ
２
ガス流量
４５０
ｓｃｃｍ
０．３７
ｍｓｅｃ
装置の上下電極間の距離を３０ｍｍに設定
　【００５２】
　＜アモルファスカーボン膜のエッチング条件（共通条件）＞
　　　・チャンバ内圧力：２．６６Ｐａ」
　
　そうすると，上記摘記（本イ）−（本ウ）から，
Ｐｒ：チャンバ内の圧力［Ｐａ］：２．６６Ｐａ
Ｔｒ：チャンバ内のガス温度［Ｋ］：標準温度（２５℃）と同等＝２５＋２７３＝２９８Ｋ
Ｔｓ：標準温度［Ｋ］：標準温度（２５℃）＝２５＋２７３＝２９８Ｋ
Ｒｗ：ウエハ半径［ｍ］：０．１５ｍ
ｄ：上下電極間距離［ｍ］：３０ｍｍ＝０．０３ｍ
　であることを読み取ることができる。
　また，Ｐｓ：標準気圧［Ｐａ］は，Ｐｓ＝１気圧＝１０１３２５Ｐａである。
　
　そこで，上記のそれぞれの値を，レジデンスタイムを表す上記摘記（本ア）の（１）式に代入すると，次の値が算出される。
　
・ガス流量４５０ｓｃｃｍの場合のレジデンスタイム
　９.４２×１０７((Ｐｒ・Ｔｓ)／(Ｐｓ・Ｔｒ))Ｒｗ２・(ｄ／Ｆ)＝３．７０９ｍｓｅｃ
　
　一方，本願の明細書の発明の詳細な説明には，上記摘記（本ウ）に記載されているように，Ｏ２ガス流量が，４５０ｓｃｃｍであるときの，レジデンスタイムは，０．３７ｍｓｅｃであると記載されている。
　
　そうすると，発明の詳細な説明において定義された，レジデンスタイムを表す（１）式によっては，本願の特許請求の範囲に記載された発明において特定される「レジデンスタイムが０．３７ｍｓｅｃ以下」という発明特定事項の技術的意義を理解することができない。
　すなわち，発明の詳細な説明の記載は，チャンバ内の圧力等のエッチングパラメータと，レジデンスタイムを表す（１）式によって，レジデンスタイムを正しく導くことができないものである。そして，前記レジデンスタイムを正しく導くことができない理由としては，レジデンスタイムを表す（１）式が誤っている場合等の種々の原因を想定することができるものである。
　したがって，本願の請求項１に記載された発明を実施するにあたり，当業者は，本願の明細書の発明の詳細な説明の記載によっては，ガス流量等のエッチング条件から，「レジデンスタイムが０．３７ｍｓｅｃ以下」というレジデンスタイムを正しく算出することができないから，本願の明細書の発明の詳細な説明の記載は，経済産業省令で定めるところにより，その発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者がその実施をすることができる程度に明確かつ十分に記載したものであるとは認められない。
　
４　むすび
　したがって，本願は特許法第３６条第４項第１号に規定する要件を満たしていないから，特許を受けることができない。