【事件の表示】
　特願２０１０−５３１９７０「発光素子パッケージ及びその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２１年　５月　７日国際公開、ＷＯ２００９／０５７９８３、平成２３年　１月２０日国内公表、特表２０１１−５０２３５６〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯  
　本願は、２００８年１１月３日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００７年１１月１日、大韓民国）を国際出願日とする出願であって、平成２２年４月３０日に手続補正がなされ、平成２４年５月９日付けで拒絶の理由が通知され、同年８月１４日に手続補正がなされたが、平成２５年１月３０日付けで拒絶査定がなされ、これに対して同年６月３日に拒絶査定不服審判が請求されるとともに、これと同時に手続補正がなされ、当審により、平成２６年５月２６日付けで拒絶の理由が通知され、同年８月２６日に手続補正がなされ、同年９月１２日付けで拒絶の理由が通知され、同年１２月１６日に手続補正がなされたものである。  
 　  
第２　本願発明の認定  
　平成２６年１２月１６日に補正された本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、次のとおりのものと認められる。  
 「基板と、
　前記基板の上面に発光ダイオードと、
　前記基板の内に第１導電型のドーパント領域と、前記第１導電型のドーパント領域内の２つの領域に離隔して形成された第２導電型のドーパント領域とを含むツェナーダイオードと、
　前記第２導電型のドーパント領域の前記２つの領域にそれぞれ電気的に連結される第１電極及び第２電極と、
を含み、
　前記基板は、前記第２導電型のドーパント領域と同一導電型であり、前記第２導電型のドーパントが注入されており、
　前記基板は導電性基板であり、
　前記第１導電型のドーパント領域は、前記導電性基板の底面に形成され、
　前記第１導電型のドーパント領域は、前記導電性基板と前記第２導電型のドーパント領域とを分離させ、
　前記第１電極及び前記第２電極は、前記基板の上面から底面に貫通して前記第２導電型のドーパント領域と直接連結され、
　前記第１電極及び前記第２電極は、前記基板から絶縁され、
　前記第１導電型のドーパント領域は、前記第２導電型のドーパント領域を覆い、前記第１電極と前記第２電極との間に配置され、
　前記発光ダイオードと前記ツェナーダイオードとは並列に連結されることを特徴とする発光ダイオードパッケージ。」
　
　なお、「前記２導電型のドーパント領域」は、「前記第２導電型のドーパント領域」の誤記と認め、上記のように認定した。
　
第３　引用例の記載事項及び引用発明の認定  
　平成２６年９月１２日付けの拒絶の理由で引用し、本願の優先権主張の日（２００７年１１月１日、以下「優先日」という。）前に頒布された刊行物である特開２００７−２３５１３７号公報（以下「引用例」という。）には、次の１ないし３の記載がある。  
 １　「【背景技術】
【０００２】
　一般的に、直接遷移型化合物半導体の３〜５族または２〜６族化合物半導体物質を用いた
発光ダイオード
などの発光素子
発光ダイオード
発光ダイオード
　
２　「【００１６】
　また、本発明は、
発光素子と電気的に並列に接続される拡散層
薄型化が可能な発光素子パッケージ
（途中省略）
【００２０】
　本発明に係る発光素子パッケージ及びその製造方法によると、バルクマイクロマシニング技術を用いた
シリコン基板の異方性エッチングによって加工されたパッケージ構造物
薄型化
　
３　「【００２６】  
　図３は、本発明に係る発光素子パッケージの第１実施例を示す断面図である。以下、本発明に係る発光素子パッケージの第１実施例を、図３に基づいて説明する。  
【００２７】  
　図３に示すように、本実施例に係る発光素子パッケージは、パッケージ構造物１００、拡散層１２１、１２２、絶縁膜１３０、第１及び第２電極１４１、１４２、発光素子３００及びモルディング部４５０を含んで構成される。ここで、拡散層１２１、１２２を２個備えることで、バックトゥバック構造またはｎｐｎ（ｐｎｐ）接合構造のツェナダイオード素子と同一の機能がパッケージの内部で具現される。  
【００２８】  
　パッケージ構造物１００は、シリコン、セラミックまたはプラスチックなどからなり、上部に実装用溝１１０が形成され、下部に２個の拡散層１２１、１２２が形成されることを特徴とする。実装用溝１１０は、平らな底面及び傾斜した側面を備えることを特徴とする。そして、２個の拡散層１２１、１２２は、互いに離隔して形成される。ここで、パッケージ構造物１００の下部に、上述したように二つの拡散層１２１、１２２が互いに離隔して形成されることで、バックトゥバック型ツェナダイオード、すなわち、ｎｐｎまたはｐｎｐ接合構造のツェナダイオードと同一の機能が具現される。  
【００２９】  
　上述した機能を具現するために、パッケージ構造物１００において、拡散層１２１、１２２が形成された領域と、拡散層１２１、１２２が形成されていない領域は、異なる電気的極性を有することが好ましく、２個の拡散層１２１、１２２は、互いに同一極性を有することが好ましい。例えば、パッケージ構造物１００の極性がｎ型であれば、拡散層１２１、１２２をｐ型に形成し、
パッケージ構造物１００の極性がｐ型であれば、拡散層１２１、１２２をｎ型に形成
【００３０】  
　そして、パッケージ構造物１００の表面には、絶縁膜１３０が形成される。具体的に説明すると、絶縁膜１３０は、２個の拡散層１２１、１２２領域を除いたパッケージ構造物１００の上下面及び側面全体に形成される。絶縁膜１３０は、パッケージ構造物１００において拡散層１２１、１２２が形成されていない領域と、後述する第１及び第２電極１４１、１４２とが電気的に接続することを防止するために設けられる。そして、絶縁膜１３０の表面には、第１及び第２電極１４１、１４２が形成される。ここで、第１電極１４１は、一方の拡散層１２１領域からパッケージ構造物１００の一側面に形成された絶縁膜表面を経由し、実装用溝１１０の底面に形成された絶縁膜表面の一部まで延長して形成される。一方、第２電極１４２は、第１電極１４１と類似した形態で、他方の拡散層１２２領域からパッケージ構造物１００の他側面に形成された絶縁膜表面を経由し、実装用溝１１０の底面に形成された絶縁膜表面の一部まで延長して形成される。そして、第１電極１４１及び第２電極１４２は、電気的に接続しないように、パッケージ構造物１００の上下部で互いに所定間隔だけ離隔して形成される。  
【００３１】  
　そして、発光素子３００を実装用溝１１０の底面上に接合する。具体的に説明すると、フリップチップボンディングにより、発光素子３００を第１及び第２電極１４１、１４２上に半田４４０を用いて接合する。ここで、第１及び第２電極１４１、１４２は、上述したように、実装用溝１１０の底面領域の絶縁膜表面に形成される。このとき、発光素子３００の一側の電極と一方の拡散層１２１とが第１電極１４１を介して電気的に接続し、発光素子３００の他側の電極と他方の拡散層１２２とが第２電極１４２を介して電気的に接続する。すなわち、発光素子３００と電気的に並列に接続する保護用回路を、拡散層１２１、１２２を用いてパッケージ構造物１００の内部に形成することで、ツェナダイオード素子と同一の機能を行うことができる。」 
 　 　  
４　上記３で言及されている図３は、次のものである。 
 　  
５　上記２及び３の記載における「本発明」が前提とする背景技術についての記載である上記１には、発光素子として発光ダイオードが記載されている。
　また、該「本発明」の発光素子は、並列接続されたツェナダイオード構造で保護されるから、ツェナダイオードの降伏電圧程度の大きさの直流で駆動される発光素子である。
　してみると、上記発光素子３００は、発光ダイオードであるか、少なくとも発光ダイオードであってよいと認められる。
　そして、発光素子３００が発光ダイオードであれば、上記２及び３における「発光素子パッケージ」は、「発光ダイオードパッケージ」といえる。
　
６　上記３には次の記載がある。
「【００２８】パッケージ構造物１００は、シリコン、セラミックまたはプラスチックなどからなり、
上部に実装用溝１１０
下部に２個の拡散層１２１、１２２
　
「【００３１】そして、発光素子３００を実装用溝１１０の底面上に接合する。」
　
　上記記載によれば、発光素子３００は、パッケージ構造物１００の上部の実装用溝１１０の底面上に接合される。
　この発光素子３００の配置は、図３からも見てとれる。
　
７　上記３には「【００２８】パッケージ構造物１００は、シリコン、セラミックまたはプラスチックなどからなり」とあって、パッケージ構造物１００の材料としてシリコンが挙げられており、上記２には、パッケージ構造物を、シリコン基板の異方性エッチングによって加工されたものとすることで、薄型化が可能になることが記載されている。
　また、セラミック及びプラスチックが、拡散層を形成することやｐ型またはｎ型の極性の導電型にすることがし難い材料であることにかんがみると、上記３に、パッケージ構造物１００に拡散層を形成することやパッケージ構造物１００の極性がｐ型またはｎ型であることが記載されていることは、パッケージ構造物１００の材料がシリコンであることを示唆する。
　以上のことから、パッケージ構造物１００は、シリコン基板を異方性エッチングによって加工したものであるか、少なくとも、そのようなものであってよいと認められる。　
　
８　上記３の記載中の【００２８】及び【００２９】の記載によれば、パッケージ構造物１００において、その下部に所定の導電型の２個の拡散層１２１、１２２を互いに離隔して形成し、該拡散層１２１、１２２が形成されていない領域を、前記所定の導電型とは異なる反対極性の導電型とすることで、ｎｐｎ接合構造またはｐｎｐ接合構造のツェナダイオードと同一の機能が具現される。
　上記３の【００２９】には、「パッケージ構造物１００の極性がｐ型であれば、拡散層１２１、１２２をｎ型に形成」とあって、「所定の導電型の拡散層１２１、１２２」を２個のｎ型の拡散層とし、「『パッケージ構造物１００』における『所定の導電型とは異なる反対極性の導電型』の『拡散層１２１、１２２が形成されていない領域』」を、ｐ型のパッケージ構造物の、２個のｎ型の拡散層が形成されていない部分とした例が記載されている。この例の場合は、ツェナダイオードと同一の機能のｎｐｎ接合構造が形成されることになる。
　　 　  
９　上記３における【００３０】及び【００３１】の記載によれば、 発光素子３００の一側の電極と一方の拡散層１２１とが第１電極１４１を介して電気的に接続し、発光素子３００の他側の電極と他方の拡散層１２２とが第２電極１４２を介して電気的に接続し、発光素子３００と、上記３における【００２８】にいう「『バックトゥバック型ツェナダイオードと同一の機能』の『ｎｐｎ接合構造またはｐｎｐ接合構造』」とが、電気的に並列に接続され、第１及び第２電極１４１、１４２は、パッケージ構造物１００と、パッケージ構造物１００の側面に形成された絶縁膜（図３における絶縁膜１３０）により絶縁されている。 
　上記「拡散層１２１」及び「拡散層１２２」を、以下、それぞれ、「第１拡散層」及び「第２拡散層」と呼ぶ。
　
１０　上記１ないし９によれば、引用例には、次の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる  
「シリコン基板を異方性エッチングによって加工したｐ型のパッケージ構造物と、  
　前記パッケージ構造物の上部の実装用溝の底面上に接合された発光ダイオードと、  
　前記パッケージ構造物の下部に互いに離隔して形成される、ｎ型の第１拡散層及びｎ型の第２拡散層と、
　前記第１拡散層と前記発光ダイオードの一側の電極とを電気的に接続する第１電極と、
　前記第２拡散層と前記発光ダイオードの他側の電極とを電気的に接続する第２電極と、  
　を含み、  
　前記第１電極及び前記第２電極は、前記パッケージ構造物から絶縁され、　前記ｐ型のパッケージ構造物における前記ｎ型の第１拡散層及びｎ型の第２拡散層とが形成されていない部分と、前記ｎ型の第１拡散層及びｎ型の第２拡散層とにより、バックトゥバック型ツェナダイオードと同一の機能のｎｐｎ接合構造が形成され、
　前記発光ダイオードと前記ｎｐｎ接合構造とが、電気的に並列に接続される、
　発光ダイオードパッケージ。」  
 　  
第４　対比  
　本願発明と引用発明とを対比する。  
１　引用発明の「シリコン基板を異方性エッチングによって加工したｐ型のパッケージ構造物」は、本願発明の「基板」に相当する。
　また、ｐ型のシリコンは導電性であるから、引用発明の「シリコン基板を異方性エッチングによって加工したｐ型のパッケージ構造物」は、本願発明の「導電性基板」に相当する。
　そして、引用発明の「パッケージ構造物の上部の実装用溝の底面上に接合された発光ダイオード」及び「発光ダイオードパッケージ」は、それぞれ、本願発明の「『基板の上面』の『発光ダイオード』」及び「発光ダイオードパッケージ」に相当する。  
　 　  
２　引用発明の「ｐ型」及び「ｎ型」は、それぞれ、本願発明の「第１導電型」及び「第２導電型」に相当する。
　
３　引用発明の「ｐ型のパッケージ構造物におけるｎ型の第１拡散層及びｎ型の第２拡散層とが形成されていない部分」は、「第１導電型のドーパント領域」である点で、本願発明の「『基板の内』の『第１導電型のドーパント領域』」と共通している。
　　 　  
４　 引用発明の「パッケージ構造物の下部に互いに離隔して形成される、ｎ型の第１拡散層及びｎ型の第２拡散層」は、本願発明の「第１導電型のドーパント領域内の２つの領域に離隔して形成された第２導電型のドーパント領域」に相当する。  
 　  
５　引用発明の「『ｐ型のパッケージ構造物におけるｎ型の第１拡散層及びｎ型の第２拡散層とが形成されていない部分と、前記ｎ型の第１拡散層及びｎ型の第２拡散層とにより』形成された『バックトゥバック型ツェナダイオードと同一の機能のｎｐｎ接合構造』」は、本願発明の「基板の内に第１導電型のドーパント領域と、前記第１導電型のドーパント領域内の２つの領域に離隔して形成された第２導電型のドーパント領域とを含むツェナーダイオード」に相当する。
　
６　引用発明の「『パッケージ構造物から絶縁され』た『第１拡散層と発光ダイオードの一側の電極とを電気的に接続する第１電極と、第２拡散層と前記発光ダイオードの他側の電極とを電気的に接続する第２電極』」は、本願発明の「『基板から絶縁され』た『第２導電型のドーパント領域の２つの領域にそれぞれ電気的に連結される第１電極及び第２電極』」に相当する。
　
７　引用発明の「発光ダイオードとｎｐｎ接合構造とが、電気的に並列に接続される」は、本願発明の「発光ダイオードとツェナーダイオードとは並列に連結される」に相当する。
 　 
８　上記１ないし７によれば、引用発明と本願発明とは、以下の＜一致点＞で一致し、以下の＜相違点１＞及び＜相違点２＞で相違する。  
＜一致点＞ 
「基板と、
　前記基板の上面に発光ダイオードと、
　前記基板の第１導電型のドーパント領域と、前記第１導電型のドーパント領域内の２つの領域に離隔して形成された第２導電型のドーパント領域とを含むツェナーダイオードと、
　前記第２導電型のドーパント領域の前記２つの領域にそれぞれ電気的に連結される第１電極及び第２電極と、
を含み、
　前記基板は導電性基板であり、
　前記第１電極及び前記第２電極は、前記基板から絶縁され、
　前記発光ダイオードと前記ツェナーダイオードとは並列に連結される、
　発光ダイオードパッケージ。」
 　  
 ＜相違点１＞ 
　「基板」について、本願発明は、「基板は、第２導電型のドーパント領域と同一導電型であり、前記第２導電型のドーパントが注入されており・・・第１導電型のドーパント領域は、導電性基板の底面に形成され、前記第１導電型のドーパント領域は、前記導電性基板と前記第２導電型のドーパント領域とを分離させ」及び「第１導電型のドーパント領域は、第２導電型のドーパント領域を覆い」と特定されているのに対して、引用発明は、基板が「第１導電型のドーパント領域」及び「前記第１導電型のドーパント領域内の２つの領域に離隔して形成された第２導電型のドーパント領域」のみからなり、両「ドーパント領域」のさらに外側に「第２導電型のドーパント領域」が存在しないので、「第１導電型のドーパント領域は、第２導電型のドーパント領域を覆い」との構成は備えているものの、「第１導電型のドーパント領域は、導電性基板と第２導電型のドーパント領域とを分離させ」との構成は備えていない点。
 　  
＜相違点２＞  
　「第１電極及び第２電極」について、本願発明は、「第１電極及び第２電極は、基板の上面から底面に貫通して第２導電型のドーパント領域と直接連結され」及び「第１導電型のドーパント領域は・・・第１電極と第２電極との間に配置され」と特定されているのに対して、引用発明は、該特定を有しない点。 
 　  
第５　判断  
　上記＜相違点１＞及び＜相違点２＞について検討する。  
１　＜相違点１＞について  
（１）　はじめに、本願発明における「導電性基板の底面に形成され」「前記導電性基板と第２導電型のドーパント領域とを分離させ」「前記第２導電型のドーパント領域を覆」う「第１導電型のドーパント領域」が有する技術的意義について、本願の発明の詳細な説明の記載を踏まえて検討する。
　本願の発明の詳細な説明には、次の記載がある。
「【００５２】
　本発明に従う発光素子パッケージにおける上記ツェナーダイオード６０は、上記第１導電型のドーパント領域６１がウェル構造を形成し、上記第２導電型のドーパント領域６２が上記ウェル構造の内に形成される。
【００５３】
　したがって、発光素子パッケージに複数の発光素子３０が設けられ、それによって複数のツェナーダイオード６０が形成された場合、隣接したツェナーダイオード６０の間のクロストークの発生が防止できる。」
 
　上記記載によれば、第１導電型のドーパント領域が有する技術的意義は、ウェル構造を構成し、複数のツェナーダイオード６０が形成された場合、隣接したツェナーダイオード６０の間のクロストークの発生を防止することにあるものと解される。
　
（２）　上記（１）の検討を踏まえて、上記相違点１について検討する。
ア　引用例には、次の記載がある。
「【００５０】
　以上説明した内容を通して、当業者であれば、本発明の技術思想から逸脱しない範囲で多様な変更及び修正が可能であることを理解できるだろう。」　
　上記記載によれば、当業者が、引用発明を、優先日時点の技術常識や周知の技術事項の範囲内で、適宜設計変更等できると解される。
　
イ　発光ダイオードパッケージにおいて、基板上に複数の素子を形成すること（例えば、同じ発光ダイオードを複数形成して照度を高めることや、赤青緑、青黄等の色の組み合わせの発光ダイオードを形成して白色光を得ること。）や、基板上に配線を設けることは、優先日時点で一般的に採用されていた構成である。
　しかしながら、該構成を採用した場合、複数の素子の相互干渉や発光ダイオード等の素子と配線の間の基板を介した電流リークが予想されるところ、ある導電型の半導体領域を、複数の素子の相互干渉や基板への電流リークの防止等のために、該半導体領域とは異なる導電型の半導体領域で囲んで周囲から電気的に分離する、いわゆるｐｎ接合分離は、優先日時点での周知の技術事項（以下「周知技術１」という。）である。 
　周知技術１については、例えば、特開平１１−３３８５６４号公報の  
「【０００３】ベース拡散抵抗１００は、ｐ形基板１１０とｎ形拡散層１２０とｐ形ベース拡散層１３０とで構成されている。ｐ形基板１１０とｎ形拡散層１２０との間に電圧Ｖｃｃを印加することで、ｐ形基板１１０に対してｎ形拡散層１２０を常に逆バイアスにしてｐｎ接合分離を行なう。ここでｐｎ接合分離とは、トランジスタや抵抗が半導体基板を通して
他の素子と相互干渉をもたないように、また、半導体基板へのリークが生じないように半導体基板中にｐｎ接合で囲まれた領域をつくる
との記載、  
　特開平１１−５４７９２号公報の  
「【０００４】ところで、高抵抗基板上に形成された半導体層を
複数の素子形成領域に分離
　特開２０００−２９４８８１号公報の  
「【００１０】また、本発明の他の素子分離構造は、半導体層に、
互いに絶縁分離された複数の素子領域を形成
 　 
ウ　上記ア及びイによれば、引用発明において、「発光ダイオード」と「ツェナダイオードと同一の機能のｎｐｎ接合構造」を複数設けることは、当業者が容易に想到し得ることであり、その際、該複数の「ツェナダイオードと同一の機能のｎｐｎ接合構造」の相互干渉（クロストーク）の防止のために、周知のｐｎ接合分離の技術を採用すること、すなわち、「シリコンからなるｐ型のパッケージ構造物」における、該パッケージ構造物の下部にある「ｎ型の第１拡散層及びｎ型の第２拡散層」を覆う部分はｐ型とし、該部分の外側の領域に該部分とは逆極性のｎ型のドーパントを注入してｎ型のドーパント領域として、本願発明の上記相違点１に係る構成を備えることに困難性はない。
　  
２　＜相違点２＞について  
（１）　基板の上面の導体と底面の導体とを、基板の上面から底面に貫通する導体を用いて電気的に接続することは、優先日時点での周知の技術事項（以下「周知技術２」という。）と認められる。
  周知技術２については、例えば、特開２００７−２２７７３７号公報の  「【請求項１】  
 平板状の絶縁基体と、該絶縁基体の表面又は内部のうち少なくとも一方に形成された導体層と、前記絶縁基板を貫通して配置された金属体と、該金属体の端面に形成され、半導体発光層を備えた発光素子の一部を収容する、該発光素子の厚みよりも深さが浅い凹部と、前記絶縁基体の一方の主面に形成され、前記発光素子に形成された接続端子と電気的に接続される接続パッドとを具備することを特徴とする発光素子用配線基板。」との記載、及び  
　特開２００７−２６６６４７号公報の  
「【請求項１】  
 窒化アルミニウム基板の表面に発光ダイオードが搭載された発光装置であり、上記窒化アルミニウム基板の発光ダイオードが搭載される表面が０．３μｍＲａ以下の表面粗さを有すると共に、上記窒化アルミニウム基板の発光ダイオード搭載面側には発光ダイオードからの発光の反射率が９０％以上であるアルミニウムまたは銀から成る反射用金属層を有し、上記発光ダイオードが搭載される窒化アルミニウム基板の表面と裏面とを貫通し発光ダイオードに裏面から導通させるためのビアホールが形成されていることを特徴とする発光装置。」との記載参照。  
 　 
　よって、引用発明において、「第１電極及び第２電極は、パッケージ構造物の上部の実装用溝の底面に貫通してｎ型の第１拡散層及びｎ型の第２拡散層と直接連結され」るようにすること、すなわち、本願発明の上記相違点２に係る構成のうちの「第１電極及び第２電極は、基板の上面から底面に貫通して第２導電型のドーパント領域と直接連結され」るようにする、との構成備えることは、当業者が周知技術２に基づいて適宜なし得たことと認められる。
　
（２）　その際に、第１電極及び第２電極の、パッケージ構造物を貫通してｎ型の第１拡散層及びｎ型の第２拡散層と直接連結される部分の位置をどう定めるかは設計事項である。
　よって、該部分の位置を、ｎ型の第１拡散層及びｎ型の第２拡散層を間に挟む位置とする、すなわち、本願発明の上記相違点２に係る構成のうちの「第１導電型のドーパント領域は・・・第１電極と第２電極との間に配置され」るとの構成を備えることは、当業者が適宜なし得たことと認められる。
　
（３）　上記（１）及び（２）によれば、引用発明において、本願発明の上記相違点２に係る構成を備えることは、当業者が周知技術２に基づいて適宜なし得たことと認められる。
 　   　  
３　まとめ  
　上記１及び２によれば、引用発明において、本願発明の上記相違点１及び相違点２に係る構成を備えることは、当業者が引用例の記載、周知技術１及び周知技術２に基づいて容易に想到し得たことと認められる。  
　また、該構成を備えることによる効果は、当業者が予測し得る程度のものと認められる。  
　よって、本願発明は、当業者が引用発明、引用例の記載、周知技術１及び周知技術２に基づいて容易に発明できたものと認められる。  
  
第６　むすび
　本願発明は、当業者が引用発明、引用例の記載、周知技術１及び周知技術２に基づいて容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。