【事件の表示】
　特願２０１３−５４１０７７「フィーチャのめっきのための選択的なシード層の処理」拒絶査定不服審判事件〔平成２４年　６月　７日国際公開、ＷＯ２０１２／０７５４５０、平成２６年　２月１３日国内公表、特表２０１４−５０３９９９〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１．手続の経緯 
　本件出願は、２０１１年１２月２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２０１０年１２月２日、アメリカ合衆国）を国際出願日とする出願であって、平成２６年１月３０日付けで拒絶理由が通知され、平成２６年５月１日に意見書並びに明細書及び特許請求の範囲を補正する手続補正書が提出されたが、平成２６年５月３０付け（発送日：同年６月９日）で拒絶の査定がなされ、これに対し、平成２６年１０月３日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に、手続補正書が提出されて特許請求の範囲を補正する手続補正がなされ、その後、平成２６年１２月１６日及び平成２７年３月１３日に上申書が提出されたものである。
第２．平成２６年１０月３日付けの手続補正についての補正却下の決定 
［補正却下の決定の結論］ 
　平成２６年１０月３日付けの手続補正を却下する。 
［理由］ 
１．本件補正の内容 
　平成２６年１０月３日付けの手続補正書による手続補正（以下、「本件補正」という。）は、特許請求の範囲の請求項１に関して、本件補正により補正される前の（すなわち、平成２６年５月１日付けの手続補正書により補正された）下記Ａに示す記載を、下記Ｂに示す記載へと補正することを含むものである。　 
Ａ　本件補正前の特許請求の範囲の請求項１ 
「【請求項１】
　基板の表面の上の誘電体層の中に複数のフィーチャを形成するステップと、
　前記誘電体層の上と、前記複数のフィーチャの中とにシード層を堆積させるステップと、
　前記複数のフィーチャのそれぞれの水平面の上に堆積させた前記シード層の一部だけを選択的に処理するステップと、
　処理されていないシード層部分を除去するステップと、
　前記複数のフィーチャを導電材料で選択的に充填するために、処理されたシード層部分にめっきするステップと
　を含み、
　処理されたシード層が、硬化した触媒インクを含む方法。」 
Ｂ　本件補正後の特許請求の範囲の請求項１ 
「　【請求項１】
　基板の表面の上の誘電体層の中に複数のフィーチャを形成するステップと、
　前記誘電体層の上と、前記複数のフィーチャの中とにシード層を堆積させるステップと、
　前記複数のフィーチャのそれぞれの水平面の上に堆積させた前記シード層の一部だけを選択的に処理するステップと、
　処理されていないシード層部分を除去するステップと、
　前記複数のフィーチャを導電材料で選択的に充填するために、処理されたシード層部分にめっきするステップと
　を含み、
　処理されたシード層が、硬化した触媒インクを含
み、
　前記誘電体層が、シリコン、ゲルマニウム、砒化ガリウム、酸化マグネシウム、二酸化アルミニウム、および二酸化シリコンの少なくとも１つを含む基板の上にある
２．本件補正の目的 
　本件補正は、発明を特定するために必要な事項である「誘電体層」について「誘電体層が、シリコン、ゲルマニウム、砒化ガリウム、酸化マグネシウム、二酸化アルミニウム、および二酸化シリコンの少なくとも１つを含む基板の上にある」と限定するものであり、しかも、その補正前の請求項１に記載された発明と補正後の請求項１に記載される発明の産業上の利用分野及び解決しようとする課題が同一であるから、本件補正後の請求項１に関する補正は、特許法第１７条の２第５項第２号の特許請求の範囲の減縮を目的とするものに該当する。 
３．独立特許要件 
　そこで、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下 、「本件補正発明」という。）が、特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるかについて、以下に検討する。  
３−１．引用刊行物とその記載事項 
３−１−１．刊行物１
　原査定の拒絶の理由に引用された、本件出願の優先日前に頒布された特開平８−２２２８３４号公報（以下、「刊行物１」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
    
 ア．「【請求項５】下記の一連の工程からなる配線回路の形成方法。
（ａ）表面が絶縁性の基板表面に、絶縁性樹脂層を形成する工程。
（ｂ）前記樹脂層より、配線部となるパターン状に樹脂を除去し、基板表面が露出するように凹部を形成する工程。
（ｃ）前記樹脂層を含む基板の表面に、粗面化処理を施す工程。
（ｄ）粗面化処理が施された基板の表面に、無電解めっきの前処理である触媒付与を行う工程。
（ｅ）配線部を除く前記樹脂層の上面に付与された触媒を、除去する工程。
（ｆ）基板を無電解めっき液に浸漬することにより、前記凹部にめっき層を形成し、周囲の絶縁性樹脂層の上面とめっき部分の上面とが略同一平面となるように、配線回路パターンを形成する工程。」
  イ．「【００１２】（２）（審決注：刊行物１では丸付き文字の２であるが、本審決では（２）と表記した。）下部導電性パターンが微細化した場合に、導体の間隙（下部導電性パターンの施されていない部分）にだけ第１絶縁層を形成することは、通常のスクリーン印刷では不可能である。平坦な基板表面にでさえ、スクリーン印刷で線幅 100μｍ以下のパターンを形成することは困難であり、昨今では、スクリーン印刷を利用して微細なパターンを形成する際には、一度微細パターンを包含するパターンを印刷形成してから、フォトリソグラフィ方式により、不要な部分を除去するという方式を採用している。」
ウ．「【００３６】＜実施例２＞表面が絶縁性の基板10として、厚さが約４００μｍの板（ＣＣＬ−ＥＬ１７０（商品名）；三菱ガス化学（株）製）を使用する。（図２(a) 参照）
【００３７】基板10の洗浄ならびに乾燥を行った後、表面に感光性樹脂13（ＰＳＲ−４０００（商品名）；太陽インキ製造（株）製）をスクリーン印刷により、約15μｍの厚さでコーティングする。（図２(b) 参照）
【００３８】次いで、感光性樹脂13をプリベークした後、露光・現像を行い、配線部となるパターン状に前記樹脂13を除去し、基板表面が露出するように凹部を形成する。その後、ホストベークを行い、基板表面に残った前記樹脂13を完全に硬化させる。（図２(c) 参照）
【００３９】前記基板の表面への粗面化処理として、過マンガン酸処理（過マンガン酸カリウム50ｇ／ｌ＋水酸化ナトリウム40ｇ／ｌに浸漬，処理温度70℃，処理時間１分）を行い、水洗・乾燥を行う。（図２(d) 参照）
【００４０】粗面化処理を行った基板の表面11への触媒12の付与として、プレディップ（ＰＥＤ−１０４（商品名）；上村工業（株）製），アクチベータ（ＡＴ−１０５（商品名）；上村工業（株）製），アクセレータ（ＡＬ−２０６（商品名）；上村工業（株）製）を用い、常温で各10分ずつの浸漬により、触媒付与を行う。（図２(e) 参照）触媒12の付与後、基板にＮ2 ブローを行って基板を乾燥させる。
【００４１】次いで、基板表面を＃２５００程度の荒さで研磨し、前記凹部を除く前記樹脂層の上面に付与された触媒を除去した後、洗浄する。（図２(f) 参照）
【００４２】前記基板を無電解銅めっき液（ＥＬＣ−ＵＭ（商品名）；上村工業（株）製）に浸漬することにより、前記凹部（基板表面と前記樹脂層の壁面には、触媒12が残存している）にめっき層を形成し、周囲の絶縁性樹脂層の上面とめっき部分の上面とが略同一平面となるように、配線回路パターン14を形成する。（図２(g)参照）　 」
エ．記載事項ア、ウの段落【００３７】、図２（ｂ）−（ｇ）の記載内容から、基板の表面の絶縁性樹脂層の位置は 、基板の表面の上であることが分かる。
オ．記載事項ア、ウの段落【００３８】、図２（ｃ）−（ｇ）の記載内容から、凹部の位置は 、絶縁性樹脂層の中であることが分かる。
カ． 記載事項イ、ウの段落【００４２】の記載から、「配線回路パターン」は、相互に「間隔」を持つ複数の導体を持つと考えられるので、「配線回路パターン」となる「凹部」は複数であると解される。
キ．上記ア−カまでの記載事項、認定事項及び図示内容を総合して、本件補正発明に則って整理すると、刊行物１には、以下の発明（以下、「引用発明」という。）が記載されている。 
「基板の表面の上の絶縁性樹脂層の中に複数の凹部を形成する工程と、
絶縁性樹脂層の上と、複数の凹部の中とに触媒を付与する工程と、
凹部を除く樹脂層の上面に付与された触媒を研磨して除去する工程と、
触媒が残存している複数の凹部にめっき層を形成し、周囲の絶縁性樹脂層の上面とめっき部分の上面とが略同一平面となるように、銅の配線回路パターンを形成する工程をもつ配線回路の形成方法。」
３−１−２．刊行物２
　原査定の拒絶の理由に引用された、本件出願の優先日前に頒布された米国特許公開第２００３／０１８０４４８号明細書（以下、「刊行物２」という。）には、図面とともに、次の事項が記載されている。
ク．「[0042] A metal salt containing solution, e.g. copper hypophosphite (0.2-0.4 M Cu(H2PO2)2) is applied, for example by spraying, dipping or spin coating, on one or both sides of the substrate patterned with vias and grooves, so as to form, upon drying, a thin (0.5 to 10 micron), uniform, metal salt-based layer 22, as indicated in FIG. 2B. The layer 22 is formed on the surface of the substrate and the inner surfaces of the vias and the grooves.  」
 
当審仮訳
[0042]溶液を含有する金属塩、例えば、次亜リン酸銅（0.2-0.4 MのCu（H 2 PO 2）2）が、ビアと溝のパターンが形成された基板の片面又は両面に、例えば、噴霧、浸漬またはスピンコート法により、適用され、乾燥すると、図２Ｂに示すように、薄く（0.5から10ミクロン）、均一な金属塩を主成分とする層２２を形成する。層２２は、基板の表面とビア及び溝の内面に形成されている。
ケ．「 [0043] Following selective irradiation with a laser beam only in the regions that correspond to the vias and the grooves, the layer 22 is washed-out from the non-irradiated portions of the substrate, while it remains attached to the substrate in the irradiated portions that correspond to the subsequent conductors and plated vias. 
　This selective removal of the layer 22 brings to the formation of a pattern as indicated in FIG. 2C.
 The layer 22 may remain on the bottom of the grooves and also on the walls (although not specifically showed in FIG. 2C).   」   
当審仮訳
 [0043]　ビアと溝に対応する領域のみにレーザ光を選択的に照射した後、層２２は、非照射部分が基板から洗浄−除去され、その後の導体及びめっきされたビアに対応する部分が、照射された部分として基板に付着したままとなる。この層２２の選択的な除去は、図２Ｃに示すようにパターンの形成をもたらす。層２２は、溝の底部に残り、また壁にも残すことができる（図２Ｃに明確には示していないが）。
コ．「[0044] In the next step, a conductive layer 24, e.g. copper or nickel is chemically deposited as showed in FIG. 2D, in the regions corresponding to the subsequent conductive tracks, and plated vias including the vias pads. The conductive material is deposited using either electroless chemical deposition or galvanic metal deposition techniques.  」
当審仮訳
 [0044] 次のステップでは、その後の導電性トラック、およびビアパッドを含むめっきビアに対応する領域で、導電層２４が、図２Ｄに示したように、例えば銅やニッケルとして化学的に堆積される。導電性材料は、無電解化学析出またはガルバニック金属堆積技術のいずれかを使用して堆積される。
サ．記載事項ケ及び図２Ｃの左半分の記載から、「レーザ光を選択的に照射するステップ」として、溝の水平な底部にレーザ光を選択的に照射することが開示されていると解される。
シ．記載事項ケ−コ、図２Ｃの左半分及び図２Ｄの左半分の記載から、溝の水平な底部に残った金属塩を主成分とする層２２に、導電層２４を化学的に堆積させた後の基板の表面は、平らであることが分かる。
ス．上記ク−シの記載事項、認定事項及び図示内容を総合して、本件補正発明に則って整理すると、刊行物２には、以下の技術（以下、「刊行物２に記載された技術」という。）が記載されている。
 「基板の表面と溝の内面とに金属塩を主成分とする層２２を形成するステップと、溝の水平な底部にレーザ光を選択的に照射するステップと、レーザ光を照射しない部分を洗浄−除去することで溝の水平な底部に金属塩を主成分とする層２２を残すステップと、金属塩を主成分とする層２２に導電層２４を化学的に堆積させて表面が平らな基板とするステップとを持つ方法。」
３−２．対比
　本件補正発明と引用発明とを対比すると、引用発明における「絶縁性樹脂層」は、その技術的意義及び機能からみて、本件補正発明における「誘電体層導体」に相当し、以下同様に、それぞれの技術的意義及び機能からみて、引用発明における「凹部」は「フィーチャ」に、「工程」は「ステップ」に、「触媒」は「シード層」に、「付与」は「堆積］に、「銅」は「導体材料」に、それぞれ相当する。
　また、引用発明の「周囲の絶縁性樹脂層の上面とめっき部分の上面とが略同一平面となる」という状況は、本件補正発明における「選択的に充填」に相当する。
  したがって、本件補正発明と引用発明は、 
「基板の表面の上の誘電体層の中に複数のフィーチャを形成するステップと、
　前記誘電体層の上と、前記複数のフィーチャの中とにシード層を堆積させるステップと、
　前記複数のフィーチャを導電材料で選択的に充填するために、シード層部分にめっきするステップと
　を含む方法。」 
　の点で一致し、以下の点で相違している。 
［相違点１］ 
　本件補正発明においては、「前記複数のフィーチャのそれぞれの水平面の上に堆積させた前記シード層の一部だけを選択的に処理するステップ」により「硬化した触媒インク」となった「シード層」を作り、「処理されていないシード層部分を除去する」ことによりフィーチャの水平面にシード層を残すのに対し、引用発明においては、研磨されないフィーチャの水平面と壁面の両方に、シード層が残る点（以下、「相違点１」という。）。 
［相違点２］ 
　本件補正発明においては、誘電体層の下の基板が「シリコン、ゲルマニウム、砒化ガリウム、酸化マグネシウム、二酸化アルミニウム、および二酸化シリコンの少なくとも１つを含む」のに対して、引用発明においては、基板が「シリコン、ゲルマニウム、砒化ガリウム、酸化マグネシウム、二酸化アルミニウム、および二酸化シリコンの少なくとも１つを含む」のか不明である点（以下、「相違点２」という。）。
３−３．当審の判断 
　上記相違点１について検討する。
 
　上記３−１．ア．において「（ｆ）基板を無電解めっき液に浸漬することにより、前記凹部にめっき層を形成し、周囲の絶縁性樹脂層の上面とめっき部分の上面とが略同一平面となるように、配線回路パターンを形成する工程。」と摘記したように、引用発明においては、誘電体層の上面とめっきの上面とが略同一平面となる仕上がりとする課題を内在していることは明らかである。
　
　また、めっきのためのシード層として、レーザー照射により硬化可能な触媒インクを採用することは、拒絶査定に示された、特開２００６−８９７７７号公報（以下、周知文献１という。）の請求項１、５、特表２００６−５２６８８９号公報の請求項１、１２、特開２００３−１９３２４４号公報の請求項１、特開２００２−２７０９９５号公報の請求項３、特開２０００−１５１０７７号公報（以下、周知文献５という。）の請求項１、特開平７−３３６０１８号公報（以下、周知文献６という。）の請求項１等に見られるように、周知の技術（以下、周知技術１という。）であると言える。
　そうすると、フィーチャの壁面のシード層は、誘電体層の上面とめっきの上面とを略同一平面とすることを阻むことは明らかであるから、引用発明において、より平面に近い表面の仕上がりを獲得するために、シード層を研磨して除去する工程を、刊行物２に記載された技術に置き換えるとともに、シード層として周知技術１であるレーザー照射により硬化可能な触媒インクを採用することで、フィーチャの水平面のシード層にレーザーを照射して硬化した触媒インクとするステップと、レーザー照射の処理をしていないシード層を洗浄−除去するステップとを経るようにして、上記相違点１に係る本件補正発明の発明特定事項とすることは、当業者が容易に想到し得たことである。
　上記相違点２について検討する。
  誘電体層の下の基板の素材として、シリコンを採用することは周知文献１の段落【００３１】や、周知文献６の段落【００５４】に見られるように、周知の技術（以下、周知技術２という。）である。
　そうすると、引用発明において、上記周知技術２を参酌することにより、誘電体層の下の基板をシリコンとすることで、上記相違点３に係る本件補正発明の発明特定事項とすることは当業者が容易に想到し得たことである。
　また、本件補正発明は、全体としてみても、引用発明、刊行物２に記載された技術、周知技術１及び周知技術２から予測できる作用効果以上の顕著な作用効果を奏するとも認められない。 
　したがって、本件補正発明は、引用発明、刊行物２に記載された技術、周知技術１及び周知技術２に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許出願の際に独立して特許を受けることができないものである。 
　なお、出願人は、平成２７年３月１３日付け上申書において、請求項１及び１１に係る発明について、硬化した触媒インクのシード層部分にめっきするステップを「電着するステップ」とする補正案を提示しているものの、本願の出願当初の特許請求の範囲、明細書または図面には、硬化した「触媒インク」のシード層部分に「電着」することを自明ならしめる記載は存在しない。
　また、請求項７に係る発明について、導電材料が「電着された銅、および、電着されたニッケルの少なくとも１つを含む」構造を付加する補正案を提示しているものの、そのような構造は、周知文献５の段落【００２６】にも見られるように、無電解メッキによる導電パターンを補強する手法とし、広く慣用されている構造にすぎない。
３−４．むすび 
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである 。 
第３．本願発明について 
１．本願発明の内容 
　平成２６年１０月３日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本件出願の請求項１ないし１５に係る発明は、平成２６年５月１日付けの手続補正により補正された特許請求の範囲の請求項１ないし１５に記載された事項により特定されるとおりのものと認められ、そのうち、請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、前記第２．［理由］１．Ａに記載したとおりである。 
２．引用文献 
　原査定の拒絶の理由に引用された刊行物１（特開平８−２２２８３４号公報）及び刊行物２（米国特許公開第２００３／０１８０４４８号明細書）の記載事項は、前記第２．［理由］３−１．に記載したとおりである。 
 
３．対比・判断 
　本件補正発明は、前記第２．［理由］２．で検討したように、本願発明の発明特定事項を限定したものに相当する。 
　そして、本願発明の発明特定事項を全て含む本件補正発明が、前記第２．［理由］３−３．に記載したとおり、引用発明、刊行物２に記載された技術、周知技術１及び周知技術２に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるところ、本願発明と引用発明とを対比すると、両者は実質的に、前記第２．［理由］３−３．で示した相違点１で相違するのであるから、本願発明は、引用発明、刊行物２に記載された技術及び周知技術１に基いて当業者が容易に発明をすることができたものである。
４．むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、刊行物２に記載された技術及び周知技術１に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。 
　したがって、他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。 
 
　よって、結論のとおり審決する。