(57)【要約】【課題】  本発明は、金属層と光ファイバとの接着性が高く、金属層の剥離を回避することができ、光信号伝送性において信頼性に優れる光ピンを提供すること。【解決手段】  光ピン１０は、軸方向に延在するコア１１ａ、及び該コア１１ａを包囲するクラッド１１ｂを有する光ファイバ１１の端部に位置する第１の光入出力面１２、光ファイバ１１の他端部に位置する光反射面１３、該光反射面１３を被覆すると共に、該光反射面１３の外縁部と接して、中心部のコア１１ａを実質的に覆い長さＬ０に亘って光ファイバの片側面をも被覆する金属層１４、光ファイバ１１の他端部に隣接し、光ファイバ１１を露出させた第２の光入出力面１５、を備える。【選択図】    図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
軸方向に延在するコア及び該コアを包囲するクラッドを有する光ファイバの端部に位置する第１の光入出力面、前記光ファイバの他端部に位置する光反射面、該光反射面を被覆すると共に、該光反射面の外縁部と接して前記光ファイバの片側面をも被覆する金属層、並びに、前記光ファイバの他端部に隣接し、前記光ファイバを露出させた第２の光入出力面、を備えることを特徴とする光ピン。
【請求項２】
軸方向に延在するコア及び該コアを包囲するクラッドを有し、光信号を伝送する光ファイバ、前記光ファイバの端部に位置し、光信号を入出力する第１の光入出力面、前記第１の光入出力面に対向する前記光ファイバの他端部に位置し、光信号の光路角度を９０度に変更する光反射面、前記光反射面を被覆すると共に、該光反射面の外縁部と接して前記光ファイバの片側面をも被覆する金属層、並びに、前記光ファイバの他端部に隣接し、露出させた前記光ファイバの側面から光信号を入出力する第２の光入出力面、を備えることを特徴とする光ピン。
【請求項３】
軸方向に延在するコア及び該コアを包囲するクラッドを有する光ファイバの端部に位置する第１の光入出力面、前記光ファイバの他端部に位置する光反射面、該光反射面を被覆すると共に、該光反射面の外縁部と接して前記光ファイバの片側面をも被覆する金属層、並びに、前記光ファイバの他端部に隣接し、前記光ファイバを露出させた第２の光入出力面、を有する光ピンと、
前記軸方向が並列に配置される複数の前記光ピンに対応する複数の貫通孔及び該貫通孔を前記軸方向に対して垂直方向に横断するスリット部を有し、前記光ピンを前記貫通孔に挿入するコネクタ本体と、
前記スリット部に充填され、前記光ピンを前記コネクタ本体に固定する接着剤と、
を備えることを特徴とする光ピンコネクタ。
【請求項４】
軸方向に延在するコア及び該コアを包囲するクラッドを有する光ファイバの端部に位置する第１の光入出力面、前記光ファイバの他端部に位置する光反射面、該光反射面を被覆すると共に、該光反射面の外縁部と接して前記光ファイバの片側面をも被覆する金属層、並びに、前記光ファイバの他端部に隣接し、前記光ファイバを露出させた第２の光入出力面、を有する光ピンと、
前記光ピンに対する光信号を発光又は受光する光学素子と、
前記光学素子に電気的に接続され、該光学素子を駆動する駆動集積回路と、
前記軸方向が並列に配置される複数の前記光ピンに対応する複数の貫通孔、該貫通孔を前記軸方向に対して垂直方向に横断するスリット部、前記光ピンを前記貫通孔に挿入するコネクタ本体及び前記貫通孔の列に隣接し前記コネクタ本体から突設する複数のガイドピンを有し、前記スリット部に接着剤を充填し、前記光ピンを前記コネクタ本体に固定する光ピンコネクタと、
前記複数のガイドピンに夫々対応して設けられたガイド孔を有し、前記光学素子及び駆動集積回路を実装し、前記ガイド孔に前記ガイドピンを挿通させて前記光学素子と前記光ピンとの間に光信号の伝送位置決めをする回路基板と、
を備えることを特徴とする光路変換用モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ピン、光ピンコネクタ及び光路変換用モジュールに関する
【背景技術】
【０００２】
光ファイバに金属ミラーを形成する技術として、光ファイバの表面をＳｎＦ２で増感し、ＰｄＣｌ２／ＨＣｌで活性化した後、光ファイバの端部表面に、光ファイバへの金の接着性を強化するには充分であるが、金の薄膜層の照射透過に対する障害として作用するには、不充分な厚さのＮｉ−Ｐの接着剤層を鍍着し、その後、この接着剤層を介して金層（金属ミラー）を形成する技術が開示されている（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開平８−２７１７０７号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかしながら、特許文献１に開示された技術により、光ファイバの端面に金属ミラーを形成する場合、光ファイバと金属層との間に接着剤層を形成する必要があるため、金属ミラーの形成に煩雑な工程を要し、さらに、形成した金属ミラーの接着性も充分とはいえず、剥離が発生することがあった。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本願発明者は、上記課題を解決するために鋭意検討し、光ファイバの端面及び側面の一部に金属層を形成することより、光ファイバとの接着性に優れた金属ミラーを有する光ピンとなることを見出し、本発明の光ピンを完成した。
さらに、上記光ピンを用いた本発明の光ピンコネクタ及び光路変換用モジュールも併せて完成した。
【０００５】
本発明に係る光ピンは、軸方向に延在するコア及び該コアを包囲するクラッドを有する光ファイバの端部に位置する第１の光入出力面、光ファイバの他端部に位置する光反射面、該光反射面を被覆すると共に、該光反射面の外縁部と接して光ファイバの片側面をも被覆する金属層、並びに、光ファイバの他端部に隣接し、光ファイバを露出させた第２の光入出力面、を備えることを要旨とする。
【０００６】
本発明に係る光ピンコネクタは、軸方向に延在するコア及び該コアを包囲するクラッドを有する光ファイバの端部に位置する第１の光入出力面、光ファイバの他端部に位置する光反射面、該光反射面を被覆すると共に、該光反射面の外縁部と接して光ファイバの片側面をも被覆する金属層、並びに、光ファイバの他端部に隣接し、光ファイバを露出させた第２の光入出力面、を有する光ピンと、軸方向が並列に配置される複数の光ピンに対応する複数の貫通孔及び該貫通孔を軸方向に対して垂直方向に横断するスリット部を有し、光ピンを貫通孔に挿入するコネクタ本体と、スリット部に充填され、光ピンをコネクタ本体に固定する接着剤と、を備えることを要旨とする。
【０００７】
本発明に係る光路変換用モジュールは、軸方向に延在するコア及び該コアを包囲するクラッドを有する光ファイバの端部に位置する第１の光入出力面、光ファイバの他端部に位置する光反射面、該光反射面を被覆すると共に、該光反射面の外縁部と接して光ファイバの片側面をも被覆する金属層、並びに、光ファイバの他端部に隣接し、光ファイバを露出させた第２の光入出力面、を有する光ピンと、光ピンに対する光信号を発光又は受光する光学素子と、光学素子に電気的に接続され、該光学素子を駆動する駆動集積回路と、軸方向が並列に配置される複数の光ピンに対応する複数の貫通孔、該貫通孔を軸方向に対して垂直方向に横断するスリット部、光ピンを貫通孔に挿入するコネクタ本体及び貫通孔の列に隣接しコネクタ本体から突設する複数のガイドピンを有し、スリット部に接着剤を充填し、光ピンをコネクタ本体に固定する光ピンコネクタと、複数のガイドピンに夫々対応して設けられたガイド孔を有し、光学素子及び駆動集積回路を実装し、ガイド孔にガイドピンを挿通させて光学素子と光ピンとの間に光信号の伝送位置決めをする回路基板と、を備えることを要旨とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の光ピンは、光反射面に金属層が形成されているため、光反射面において、確実に光路を変換することができ、加えて、光反射面と光ファイバの側面の一部とを覆う金属層を備えているため、金属層と光ファイバとの接着性が高く、金属層の剥離を回避することができる。従って、本発明の光ピンは、光信号伝送性において信頼性に優れるものである。
【０００９】
また、本発明の光ピンコネクタでは、複数本の光ピンがコネクタ本体に接着剤により固定されており、所定の位置に光ピンを配設することができると共に、光ピンを介して、光路を変換しつつ、確実に光信号を伝送することができる。
【００１０】
また、本発明の光路変換用モジュールでは、光学素子と光ピンコネクタ（光ピン）との間で確実に光信号の伝送を行うことができる。
また、光学素子と光ピンコネクタ（光ピン）との位置合わせをパッシブアライメントで行うことができるため、製造が容易であり、また、光ピンコネクタ等の交換作業も容易である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
本発明の第１の実施形態に係る光ピンについて、図面を参照しながら説明する。
例えば、図１に示すように、光ピン１０は、軸方向に延在するコア１１ａ及び該コア１１ａを包囲するクラッド１１ｂを有する光ファイバ１１の端部に位置する第１の光入出力面１２、光ファイバ１１の他端部に位置する光反射面１３、該光反射面１３を被覆すると共に、該光反射面１３の外縁部と接して、中心部のコア１１ａを実質的に覆い長さＬ０に亘って光ファイバの片側面をも被覆する金属層１４、光ファイバ１１の他端部に隣接し、光ファイバ１１を露出させた第２の光入出力面１５、を備える。
図１（ａ）は、本発明の実施形態に係る光ピンの側面図であり、（ｂ）は（ａ）に示した光ピンの正面図であり、（ｃ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【００１２】
このような光ピン１０は、光信号を伝送することができると共に、その光路の角度を９０°変換することができる。
具体的には、ＬＤ等の光源（図示せず）から照射した光信号を、第１の光入出力面１２から入射した場合、光信号は光ファイバ１１のコア１１ａを介して光反射面１３に向かって伝送された後、光反射面１３で反射により光路が９０°変換され、第２の光入出力面１５から出射されることとなり、光信号をＰＤ等の光学部品（図示せず）に伝送することができる。
なお、ここでは、第１の光入出力面１２から入射した光が、第２の光入出力面１５から出射する光路を説明したが、光ピン１０では、これとは逆の光路、すなわち、第２の光入出力面１５から入射した光が、第１の光入出力面１２から出射する光路でも、光信号を伝送することができると共に、その光路の角度を９０°変換することができる。
また、光ピン１０では、光反射面１３がコア１１ａと４５°の角度を成しているため、光路は９０°変換されることとなるが、本発明の実施形態の光ピンにおいて、光反射面とコアとの成す角は４５°に限定されず、この角を任意に設定することにより、所望の角度で光路を変換することが可能となる。
【００１３】
光ピン１０は、光反射面１３及び光ファイバ１１の側面の一部を覆う金属層１４を備えている。光反射面１３を覆うように、金属層１４を形成することにより、光反射面１３で光が透過することがなく、確実に光路を変換することができる。
また、光ピン１０では、光反射面１３と共に、光ファイバ１１の側面の一部にも金属層１４が形成されている。このように、光反射面１３のみならず、光ファイバ１１の一部にも一体的に金属層１４を形成することにより、金属層１４と光ファイバ１１との接着性が向上することとなり、金属層１４の剥離を回避することが可能となる。
【００１４】
金属層１４の材質としては、特に限定されず、種々の金属を使用することが可能であるが、反射率が高く、安定した特性の金属層を作製しやすい点からＡｕが望ましい。
金属層１４の形成位置は、光反射面１３及び光ファイバ１１の側面の一部であるが、光ファイバ１１の側面における金属層１４の形成位置は、第２の光入出力面１５以外の領域であればよく、第２の光入出力面１５と重ならない領域であれば、光ファイバの側面のどのような範囲に形成されていてもよい。
なお、第２の光入出力面１５とは、光反射面１３を構成するコア１１ａ端面の下方投影面であって、光ファイバの側面における投影面のことをいう。
【００１５】
また、光ファイバ１１の側面における金属層１４の形成位置は、光ピン１０のＡ−Ａ線断面において、円周の１／２以上を占める円弧となるような位置に形成されていることが望ましく、図１（ｂ）に示すように、コアの中心を通る仮想水平線より、金属層１４の両端部が下に位置するように形成されていることがより望ましい。
このような位置に形成することにより、光ファイバとの接着性がより向上することとなり、金属層の剥離をより確実に回避することができるからである。
【００１６】
また、光ファイバ１１の側面部分の金属層１４の長さは、光反射面１３の最も長い部分の長さよりも長いことが望ましい。
金属層１４をこのように形成することにより、光ファイバとの接着性がより向上することとなり、金属層の剥離をより確実に回避することができるからである。
なお、光ファイバ１１の側面部分の金属層１４の長さとは、光ファイバ１１の側面において光ファイバの軸方向に最も短い部分の長さをいい、図１（ａ）では、Ｌ０の部分の長さをいう。
【００１７】
また、金属層１４の厚さは特に限定されないが、通常、０．１〜１．０μｍの範囲である。望ましくは、０．３〜０．５μｍの範囲が好ましい。
金属層の厚さが薄すぎると、金属層にピンホールが形成され、確実にミラーとして機能しない場合があり、一方、厚さを厚くしても、コストが増加すると共に、形成に時間を要するだけで、光ファイバとの接着性等の向上は望むことが難しいからである。
金属層１４の形成方法は後に詳述するが、金属層１４の材質がＡｕである場合、スパッタリング等により形成することができる。
【００１８】
光ファイバ１１としては特に限定されず、その具体例としては、例えば、石英ガラス（ＳｉＯ２）を主成分とする石英系光ファイバ、ソーダ石灰、ガラス、ホウ硅ガラス等を主成分とする多成分系光ファイバ、シリコーン樹脂やアクリル樹脂等のプラスチックを主成分とするプラスチック系光ファイバ等が挙げられる。
【００１９】
ここまで説明した本発明の実施形態の光ピンは、単芯の光ピンであるが、本発明の実施形態の光ピンは、複数本の光ピンを並列させて多芯の光ピンとしても使用することができる。
【００２０】
次に、本発明の実施形態の光ピンを製造する方法について、図面を参照しながら説明する。
ここでは、光ファイバリボンを出発材料に、多芯の光ピンを製造する場合を例に製造方法を説明する。
図２（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施形態に係る光ピンを製造する工程を示した模式図である。
【００２１】
（１）まず、図２（ａ）に示したような、一方の端部付近の被覆を除去した光ファイバリボン２０（多芯光ファイバ）を準備する。
そして、この光ファイバリボン２０をＶ溝が形成されたガラス基板２１に載置し、さらに、光ファイバリボン２０上に蓋基板２２を載置した後、接着剤２３を充填し、ガラス基板２１と蓋基板２２とで挟んで、接着剤２３で光ファイバリボン２０を固定する（図２（ｂ−１）参照）。
【００２２】
（２）次に、光ファイバリボン２０の一方（被覆を除去した側）の端部に研磨処理を施し、光反射面を形成する（図２（ｂ−２）参照）。この研磨処理では、例えば、粗い研磨と仕上げ研磨とをこの順で行えばよい。
なお、ガラス基板２１及び蓋基板２２は、その端面の一つに底面とのなす角が４５°の傾斜となるように研磨される。
このような４５°の傾斜のガラス基板２１及び蓋基板２２に挟まれた光ファイバリボン２０には、４５°の光反射面を形成することができる。
ガラス基板２１及び蓋基板２２の傾斜は、４５°に限定されるわけではなく、任意の角度であればよい。
【００２３】
（３）次に、光ファイバリボン２０をガラス基板２１、蓋基板２２及び接着剤２３から取り外し、必要に応じて、光ファイバに付着した不純物（例えば、接着剤等）を超音波洗浄（例えば、５分間）等により除去する。
このような研磨及び洗浄の処理を行うことにより、光反射面を表面粗さ１０ｎｍ程度の平坦な面とすることができる。
【００２４】
（４）次に、光ファイバリボン２０の光反射面を被覆すると共に、光ファイバリボン２０側面の一部であって光反射面の外縁部と接して形成される帯状金属層を形成する。
図２（ｃ）に示すように、光ファイバリボン２０をＶ溝付ガラス基板２４に搭載し、さらに、光ファイバの光反射面と帯状金属層形成領域を露出させるように、光ファイバリボン２０上面に難燃性の固定テープ２５を貼着し、光ファイバリボン２０をＶ溝付ガラス基板２４に固定する。
【００２５】
なお、光ファイバリボン２０の端部をＶ溝付ガラス基板２４の端部傾斜面に合致させて固定した状態を図示したが、本工程は、端部傾斜面に光ファイバリボン２０の端部を合致させる工程に限定されず、例えば、光ファイバリボン２０の端部をＶ溝付ガラス基板２４の長手方向に延在するＶ溝の中間領域に位置させ、固定テープ２５により光ファイバリボン２０をＶ溝付ガラス基板２４に固定してもよい。
【００２６】
引き続き、逆スパッタリング工程を実施する。本発明の実施の形態では、逆スパッタリング工程は、真空チャンバ内にＶ溝付ガラス基板２４に固定された光ピンとしての光ファイバリボン２０を導入し、光ファイバリボン２０に付着した水分及び／又は不純物を除去する工程に該当する。
【００２７】
逆スパッタリング工程では、例えば、大気圧の状態で真空チャンバ内を１３０℃で１０分程度の高温状態に保ち真空チャンバ内の水分などを除去した後に昇温工程を解除する。その後、真空チャンバ内が高温状態から常温に変化した段階で、不図示の真空ポンプで真空チャンバ内を真空状態に変化させる。
【００２８】
真空チャンバ内は、約８時間連続して真空ポンプを稼動させた場合、真空度が８．９８×１０−４Ｐａに変化する。
この状態で外部から真空チャンバ内にアルゴン（Ａｒ）ガスを導入し、真空チャンバ内でプラズマを発生させＡｒガス雰囲気中に晒された光ファイバリボン２０に活性化されたＡｒ＋イオンを衝突させる。プラズマの発生期間を約１０分間に設定し光ファイバリボン２０から水分及び／又は不純物を除去する。この場合、真空チャンバ内は常温に設定されているが、光ファイバリボン２０表面がプラズマ照射期間において約３０℃〜４０℃の範囲で温度が上昇する。
【００２９】
このような逆スパッタリングを行うことにより、Ａｕ膜を形成する領域の水分及び／又は不純物をより確実に除去することができ、さらに、Ａｕ膜を形成する領域の表面粗さが大きくなり、その結果、アンカー効果によりＡｕ膜の接着性がより向上することとなる。
【００３０】
その後、Ａｕスパッタリングを行うことにより、光ファイバリボン２０の光反射面と側面の一部とに金属層（Ａｕ膜）を形成する。
上記Ａｕスパッタリングの条件としては特に限定されず、形成するＡｕ膜の厚さ等を考慮して適宜設定すればよいが、例えば、Ａｕ膜の厚さを０．５μｍとする場合、ガス：Ａｒ、時間：１５分間、真空度：８．９８×１０−４Ｐａで処理することによりＡｕ膜を形成することができる。
このようなＡｕスパッタリングを行うことにより、光ファイバ１１の光反射面１３を含む光ファイバ１１の端部近傍を覆うようにＡｕ膜を形成することができ、このようなＡｕ膜は、光ファイバと優れた接着性を有することとなる。
【００３１】
光ファイバリボン２０を用い、逆スパッタリング工程及びＡｕスパッタリング工程を経ることにより、実施の形態に係る光ピンを製造することができる。
また、ここでは、光ファイバリボンを用いて、多芯の光ピンを製造する方法について説明したが、単芯の光ファイバを出発材料とすれば、単芯の光ピンも同様の方法で製造することができる。
【００３２】
次に、本発明の第２の実施形態に係る光ピンコネクタについて説明する。
光ピンコネクタ３０は、軸方向に延在するコア１１ａ及び該コア１１ａを包囲するクラッド１１ｂを有する光ファイバ１１の端部に位置する第１の光入出力面１２、光ファイバ１１の他端部に位置する光反射面１３、該光反射面１３を被覆すると共に、該光反射面１３の外縁部と接して光ファイバ１１の片側面をも被覆する金属層１４、光ファイバ１１の他端部に隣接し、光ファイバ１１を露出させた第２の光入出力面１５、を有する光ピン１０と、軸方向が並列に配置される複数の光ピン１０ａ〜１０ｄに対応する複数の貫通孔３３ａ〜３３ｄ、及び、該貫通孔３３ａ〜３３ｄを軸方向に対して垂直方向に横断するスリット部３４を有し、光ピン１０を貫通孔に挿入するコネクタ本体３１と、スリット部３４に充填され、光ピン１０をコネクタ本体３１に固定する接着剤３２と、を備える。
【００３３】
図３−１（ａ）は、本発明の実施形態に係る光ピンコネクタの一例を示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）に示した光ピンコネクタの正面図であり、（ｃ）は、（ａ）に示した光ピンコネクタの平面図である。
図３−２（ｄ）は、図３−１（ａ）のＢ−Ｂ線断面図であり、（ｅ）は、（ａ）に示した光ピンコネクタを構成するコネクタ本体のみを示す斜視図である。
【００３４】
図３−１、２に示すように、光ピンコネクタ３０は、複数本の第１の実施形態に係る光ピン（多芯の光ピン）１０（１０ａ〜１０ｄ）と、その内部を貫通する複数の貫通孔３３と、貫通孔３３の少なくとも一部を横断するように設けられたスリット部３４とを有し、光ピン１０が、貫通孔３３内に挿通されて並列に配設されたコネクタ本体３１と、スリット部３４に充填され、光ピン１０をコネクタ本体３１に固定する接着剤３２とを備えている。
なお、光ピンコネクタ３０が備える光ピンの本数は４本であるが、本発明の実施形態の光ピンコネクタが備える光ピンの本数は４本に限定されず、何本であってもよい。
【００３５】
コネクタ本体３１には、図３−２（ｅ）に示すように、光ピン１０を保持するための貫通孔３３（３３ａ〜３３ｄ）が形成されており、この貫通孔３３内に光ピン１０が挿通されることとなる。また、コネクタ本体３１には、貫通孔３３を横断するようにスリット部３４が設けられている。そしてこのスリット部３４には、光ピンを固定するための接着剤３２が充填されている。
【００３６】
ここに示したコネクタ本体３１では、貫通孔３３全体を横断するようにスリット部３４が形成されているが、本発明の実施形態の光ピンコネクタにおいて、スリット部は、貫通孔の一部のみを横断するように形成されていてもよい。
すなわち、光ピンコネクタ３０では、スリット部の３４の底面が、貫通孔３３よりも下側に位置するように形成されているが、スリット部の底面は、貫通孔内に位置するように形成されていてもよい。
また、スリット部３４の幅（図中、Ｌ１）は、接着剤３２をスリット部３４内に確実に充填することができる大きさであれば特に限定されず、通常、１５０〜４００μｍ程度である。
【００３７】
また、コネクタ本体３１としては、例えば、ＭＴコネクタ（Mechanically Transferable Connector）を利用することができ、ＭＴコネクタにスリット部を切削加工で形成することにより、コネクタ本体３１とすることができる。
上記ＭＴコネクタは、例えば、２本のガイドピンを備えており、このようなガイドピンを備えたＭＴコネクタの一部を、コネクタ本体として利用することは、後述する光路変換用モジュールに用いる光ピンコネクタとする点で有用である。
【００３８】
また、ＭＴコネクタのなかには、光ファイバを挿通する貫通孔と共に、光ファイバを固定するための接着剤を充填するための接着剤充填部を備えるものもあり、この接着剤充填部は、本発明の実施形態の光ピンコネクタを構成するスリット部として機能しうる。
しかしながら、このＭＴコネクタでは、光ピンの光反射面が突出することとなる面と、接着材充填部との距離が長くなっている（概ね、２〜３ｍｍ）。
一方、光ピンコネクタ等の各種光学部品は、装置の小型化に対応すべく、小型であることが望まれている。そして、本発明の実施形態の光ピンコネクタでは、その機能や構成、取り扱い性等を考慮した場合、コネクタ本体の長さ（貫通孔形成方向の長さ）を２〜３ｍｍ程度に小型化することが望ましい。従って、本発明の実施形態の光ピンコネクタを構成するコネクタ本体として、ＭＴコネクタを利用する場合には、その一部のみを利用し、上記光スリット部を別途形成することが望ましい。
【００３９】
接着剤３２としては、例えば、熱硬化性樹脂、熱硬化性樹脂の一部が感光化された樹脂、感光性樹脂等からなるものが挙げられる。
具体的には、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂等の熱硬化性樹脂や、紫外線硬化型樹脂等を用いることができる。
【００４０】
貫通孔３３のサイズ（直径）は特に限定されず、挿入する光ピンを構成する光ファイバのサイズを考慮して適宜選択すればよい。
具体的には、例えば、光ピンを構成する光ファイバの直径が１２５μｍである場合には、
それよりも少し大きい１２６μｍ程度の直径を有する貫通孔を形成すればよい。なお、金属層の厚さに対応させて、光ファイバと貫通孔３３とのクリアランスを０．３〜０．５μｍの範囲で設定すればよい。
貫通孔３３のサイズが光ファイバのサイズに比べて大きすぎると、貫通孔３３で光ピン１０が位置ずれを起こしてしまうおそれがあるからである。
【００４１】
光ピンコネクタ３０において、光ピン１０の光反射面側のコネクタ本体からの突出長さは特に限定されず、設計に応じて適宜選択すればよい。
また、光ピンコネクタ３０において、光ピン１０の第１の光入出力面側のコネクタ本体からの突出長さは特に限定されず、上記第１の光入出力面とコネクタ本体側面とが同一面を構成（突出せず長さが０）していてもよいし、所定の長さ突出していてもよい。
【００４２】
光ピンコネクタ３０において、各光ピン１０ａ〜１０ｄで変換される光路は、変換角度が９０度で、かつ、変換方向も同一（第１の光入出力面から入力された場合、全て下方向に変換される。）であるが、本発明の実施形態の光ピンコネクタでは、光ピン毎に、変換角度や変換方向が異なっていてもよい。
【００４３】
また、本発明の実施形態の光ピンコネクタでは、並列に配設された複数本の光ピンが、２段以上に積み重ねられていてもよい。
図３−３（ａ）は、本発明の実施形態に係る光ピンコネクタの別の一例を模式的に示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。
【００４４】
図３−３に示すように、光ピンコネクタ４０では、複数本の第１の実施形態に係る光ピン（多芯の光ピン）１０（１０ａ〜１０ｈ）と、光ピン１０を並列に配設した状態で保持するコネクタ本体４１と、光ピン１０をコネクタ本体４１に固定する接着剤４２と、コネクタ本体４１を貫通するように設けられ、その内部に光ピン１０を保持する貫通孔と、貫通孔の少なくとも一部を横断するように設けられ、内部に接着剤４２が充填されたスリット部とを備えている。
ここで、光ピン１０は、光ピン１０ａ〜１０ｄが一組として並列に配設されており、光ピン１０ｅ〜１０ｈが別の一組として並列に配設されている。そして、光ピン１０ａ〜１０ｄが上段に、光ピン１０ｅ〜１０ｈが下段に固定されている。
このように、本発明の実施形態の光ピンコネクタは、並列に配設された光ピンが複数段に積み重ねられていてもよい。
【００４５】
また、光ピンコネクタ４０では、光ピン１０ａ〜１０ｄの光反射面側のコネクタ本体４１からの突出長さが、光ピン１０ｅ〜１０ｈの光反射面側のコネクタ本体４１からの突出長さよりも長くなるように構成されている。このような構成とすることにより、各光ピンで光路を変換した光信号が、他の光ピンにより伝送を阻害されることを防止することができる。
なお、光ピンコネクタ４０の構成は並列に配設された光ピンが複数段に積み重ねられている以外は、図３−１、２に示した光ピンコネクタ３０と同一であるため、その他の構成部材の説明を省略する。
このような構成の光ピンコネクタにおいても、上述した本発明の光ピンコネクタの機能及び効果を享受することができる。
【００４６】
また、光ピンコネクタ４０のような、並列に配設された光ピンが複数段に積み重ねられている構成においても、各光ピンの変換角度や変換方向は、全て同一であってもよいし、各光ピン毎に異なっていてもよい。
例えば、第１の光入出力面から入力された場合に、上段の光ピンでは上方向に光路が変換され、下段の光ピンでは下方向に光路が変換されるような構成としてもよい。そして、この場合は、上下段の光ピンの光反射面側のコネクタ本体からの突出長さが同一であってもよい。
【００４７】
次に、本発明の実施形態の光ピンコネクタを製造する方法について説明する。
ここでは、ＭＴコネクタを利用する方法を例に、光ピンコネクタの製造方法について説明する。
多芯の光ピンと、光ピンを挿通することが可能なＭＴコネクタとを用意する。
まず、ＭＴコネクタを所定の大きさに切断し、さらに切削加工によりスリット部を形成する。上述したように、スリット部は、貫通孔全体を横断するように形成してもよいし、貫通孔の一部のみを横断するように形成してもよい。
【００４８】
次に、この多芯の光ピンを構成する各光ピンをＭＴコネクタの貫通孔内に挿入する。
上述した方法で製造した多芯の光ピンは、各光ピン間のピッチの不整合や、長さのバラツキが生じている場合があるが、ＭＴコネクタを用いることにより、各光ピン間のピッチを揃えることができる。
なお、各ピン間の長さのバラツキの調整（位置精度の調整）については、自動調芯機を用いて行うことができる。ここで、自動調芯機としては、１μｍ程度の調芯精度を有するものを用いることが望ましい。
【００４９】
その後、スリット部に未硬化の接着剤を充填し、加熱、紫外線照射等の所定の条件で、未硬化の接着剤を硬化させることにより、多芯の光ピンをコネクタ本体に固定する。
このような工程を経ることにより、本発明の実施形態の光ピンコネクタを製造することができる。
【００５０】
次に、本発明の第３の実施形態に係る光路変換用モジュールについて説明する。
光路変換用モジュール１００は、軸方向に延在するコア１１ａ及び該コア１１ａを包囲するクラッド１１ｂを有する光ファイバ１１の端部に位置する第１の光入出力面１２、光ファイバ１１の他端部に位置する光反射面１３、該光反射面１３を被覆すると共に、該光反射面１３の外縁部と接して光ファイバ１１の片側面をも被覆する金属層１４、並びに、光ファイバ１１の他端部に隣接し、光ファイバ１１を露出させた第２の光入出力面１５、を有する光ピン１０と、光ピン１０に対する光信号を発光又は受光する光学素子１０２と、光学素子１０２に電気的に接続され、該光学素子１０２を駆動する駆動集積回路１０３と、軸方向が並列に配置される複数の光ピン１０に対応する複数の貫通孔３３、該貫通孔３３を軸方向に対して垂直方向に横断するスリット部３４、光ピン１０を貫通孔に挿入するコネクタ本体３１、及び、貫通孔３３の列に隣接しコネクタ本体３１から突設する複数のガイドピン３９を有し、スリット部３４に接着剤３２を充填し、光ピン１０をコネクタ本体３１に固定する光ピンコネクタ３０と、複数のガイドピン３９に夫々対応して設けられたガイド孔１１２ｃを有し、光学素子１０２及び駆動集積回路１０３を実装し、ガイド孔１１２ｃにガイドピン３９を挿通させて光学素子１０２と光ピン１０との間に光信号の伝送位置決めをする回路基板１０１と、を備える。
【００５１】
図４−１（ａ）は、本発明の実施形態に係る光路変換用モジュールの一例を模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＤ−Ｄ線断面図である。
図４−２（ｃ）は、図４−１（ａ）に示した光路変換用モジュールを構成するインターポーザーの部分斜視図であり、（ｄ）は、図４−１（ａ）に示した光路変換用モジュールを構成するレンズアレイの斜視図である。
【００５２】
図４−１、２に示すように、光路変換用モジュール１００は、光学素子１０２及び駆動集積回路１０３と、上述した第２の実施形態に係る光ピンコネクタ３０と、導体回路１０１ｂと絶縁層１０１ａとが積層されてなる回路基板１０１とを備えている。
回路基板１０１の一方の表面には、半田バンプ１０４により光学素子１０２が、ワイヤボンディング１０５により駆動集積回路１０３が実装されている。また、回路基板１０１の他方の面には、ソルダーレジスト層１０８と半田バンプ１０９とが形成されている。なお、図中１０３ａは、ダイパッドである。
【００５３】
回路基板１０１の光学素子１０２等を実装した側には、回路基板１０１全体を覆うように、インターポーザー１１０が取り付けられており、インターポーザー１１０の内側（回路基板１０１と対向する側）には、レンズアレイ１１１が固定されている。さらにインターポーザー１１０には、光ピンコネクタ３０が取り付けられている。
ここで、光ピンコネクタ３０は、２本のガイドピン３９を備えており、また、回路基板１０１、レンズアレイ１１１及びインターポーザー１１０は、それぞれ２箇所ずつガイド孔１１２ａ〜１１２ｃを備えており、ガイドピン３９は、インターポーザー１１０、レンズアレイ１１１及び回路基板１０１のそれぞれが備えるガイド孔１１２ａ〜１１２ｃにこの順で挿通されている。従って、ガイドピン３９により、インターポーザー１１０、レンズアレイ１１１及び回路基板１０１は位置合わせがなされており、回路基板１０１に実装された光学素子１０２は、レンズ１１１ａを介して、光ピンコネクタ３０を構成する光ピン１０との間で、光信号の伝送を行うことができる。
【００５４】
そして、光路変換用モジュール１００では、インターポーザー１１０、レンズアレイ１１１及び回路基板１０１の所定の位置にガイド孔１１２ａ〜１１２ｃを形成すると共に、回路基板１０１の所定の位置に光学素子を実装しておくことにより、光ピンコネクタ３０に取り付けたガイドピン３９を、ガイド孔１１２ａ〜１１２ｃに差し込むだけで、光学素子と光ピンコネクタ（光ピン）との位置合わせを行うことができる。
すなわち、光路変換用モジュール１００では、光学素子１０２と光ピンコネクタ３０（光ピン１０）との位置合わせをパッシブアライメントで行うことができるのである。
従って、本発明の実施形態の光路変換用モジュールは、アクティブアライメントによる位置合わせを必要としないためその製造が容易であり、また、光ピンコネクタ等の交換作業も容易となる。
さらに、本発明の実施形態の光路変換用モジュールでは、光ピンコネクタの着脱が容易であり、複数の回路基板に対して、光ピンコネクタを適宜差し替えることも可能である。
【００５５】
光路変換用モジュール１００を構成する光ピンコネクタ３０は、上述した第２の実施形態に係る光ピンコネクタである。
そして、この光ピンコネクタ３０には、２本のガイドピン３９が取り付けられている。ここで、ガイドピンの本数は特に限定されるわけではなく、２本以上であればよい。
上記ガイドピンの取り付け態様は特に限定されないが、光ピンを構成するコネクタ本体に挟み込まれて固定されている態様が望ましい。確実にガイドピンが固定されることとなるからである。
従って、本発明の実施形態の光路変換用モジュールを構成する光ピンコネクタのコネクタ本体は、既に説明したように、ＭＴコネクタの一部を利用したものであることが望ましい。
【００５６】
また、上記光路変換用モジュールを構成する光ピンコネクタにおいて、各光ピンの第１の光入出力面は、コネクタ本体の側面と同一平面を形成していてもよいし、コネクタ本体の側面から突出していてもよい。どちらを選択するかは光路変換用モジュールの光路変換用モジュールの設計に応じて選択すればよい。
また、上記第１の光入出力面が、コネクタ本体の側面から突出している場合、その長さは任意であり、例えば、図４−１、２に示した光路変換用モジュール１００では、インターポーザー１１０の光ピンコネクタ３０を取り付ける領域（図４−２（ｃ）中、１１０ａ参照）の厚さと同一である。
【００５７】
光路変換用モジュール１００を構成する回路基板１０１は、その両面に導体回路１０１ｂが形成された絶縁層１０１ａの両側に、さらに絶縁層１０１ａと導体回路１０１ｂとが積層形成され、加えて、一方の最外層にソルダーレジスト層１０８と半田バンプ１０９とが
形成されたものである。また、階層の異なる導体回路１０１ｂ間は、スルーホール１０１ｃを介して電気的に接続されている。
本発明の実施形態の光路変換用モジュールを構成する回路基板は、ガイド孔が形成されていれば、このような構造に限定されるものではなく、例えば、パッケージ基板にガイド孔を形成したものを使用することができる。従って、導体回路や絶縁層の総数は任意であり、また、ソルダーレジスト層の有無も任意である。
【００５８】
光路変換用モジュール１００には、光学素子１０２及び駆動集積回路１０３が実装されている。
上記光学素子としては、受光素子や発光素子等を用いることができる。
上記受光素子としては、例えば、ＰＤ（フォトダイオード）、ＡＰＤ（アバランシェフォトダイオード）等が挙げられる。
これらは、上記光路変換用モジュールの構成や、要求特性等を考慮して適宜使い分ければよい。
上記受光素子の材料としては、Ｓｉ、Ｇｅ、ＩｎＧａＡｓ等が挙げられる。
これらのなかでは、受光感度に優れる点からＩｎＧａＡｓが望ましい。
【００５９】
上記発光素子としては、例えば、ＬＤ（半導体レーザ）、ＤＦＢ−ＬＤ（分布帰還型−半導体レーザ）、ＬＥＤ（発光ダイオード）、インフラ型または酸化狭窄型のＶＣＳＥＬ（面発光半導体レーザ）等が挙げられる。
これらは、上記光路変換用モジュールの構成や要求特性等を考慮して適宜使い分ければよい。
【００６０】
上記発光素子の材料としては、ガリウム、砒素およびリンの化合物（ＧａＡｓＰ）、ガリウム、アルミニウムおよび砒素の化合物（ＧａＡｌＡｓ）、ガリウムおよび砒素の化合物（ＧａＡｓ）、インジウム、ガリウムおよび砒素の化合物（ＩｎＧａＡｓ）、インジウム、ガリウム、砒素およびリンの化合物（ＩｎＧａＡｓＰ）等が挙げられる。
これらは、通信波長を考慮して使い分ければよく、例えば、通信波長が０．８５μｍ帯の場合にはＧａＡｌＡｓを使用することができ、通信波長が１．３μｍ帯や１．５５μｍ帯の場合には、ＩｎＧａＡｓやＩｎＧａＡｓＰを使用することができる。
【００６１】
また、これらの発光素子および受光素子のそれぞれは、シングルチャンネルの素子であってもよいし、マルチチャンネルのアレイ素子であってもよく、どちらを選択するかは、光ピンコネクタが有する光ピンの本数等を考慮して適宜選択すればよい。勿論、シングルチャンネルの素子やマルチチャンネルのアレイ素子が、それぞれ複数個実装されていてもよい。
また、上記駆動集積回路としては、上記光学素子（受光素子や発光素子）を駆動するのに適したものを用いればよい。
【００６２】
図４−１、２に示した光路変換用モジュール１００では、光学素子及び駆動集積回路がそれぞれ１つずつ実装されているだけであるが、本発明の実施形態の光路変換用モジュールにおいて、回路基板に実装される光学素子及び駆動集積回路の個数は特に限定されるわけではなく、一の回路基板に複数の光学素子が実装されていてもよい。
例えば、一の回路基板に受光素子と発光素子とが実装されている場合には、光路変換用モジュールを介して、光信号の送信と受信とを行うことができる。
【００６３】
また、このように受光素子と発光素子とが実装されている場合には、それぞれに対応した光ピンコネクタを備えた構成を有していてもよいし、多芯の光ピンを備えた光ピンコネクタを１つ備えており、上記光ピンのうち一部の光ピンが受光素子に対応し、残りの光ピンが発光素子に対応する構成を有していてもよい。
後者の具体例としては、例えば、光ピンコネクタとして、図３−３に示したような、並列に配設された複数本の光ピン１０が２段に積み重ねられた光ピンコネクタ４０を用い、下段に属する光ピン１０ｅ〜１０ｈで受光素子に対応し、上段に属する光ピン１０ａ〜１０ｄで発光素子に対応する構成等が挙げられる。
【００６４】
光路変換用モジュール１００を構成するインターポーザー１１０は、必ず備える必要はなく、必要に応じて備えればよいものであるが、例えば、インターポーザー１１０のような箱状のインターポーザー（図４−１、４−２（ａ）参照）を配設することにより、光学素子及び駆動集積回路を樹脂封止することなく保護することができ、光ピンコネクタを取り付ける際に光学素子等と接触するおそれを回避することができる。従って、インターポーザーを介して光ピンコネクタを取り付けることにより、光ピンコネクタの取り付け、取り外しが容易になる。
【００６５】
また、光路変換用モジュール１００では、インターポーザー１１０の内側に空隙が構成されているが、この部分は、空隙のままであってもよいし、例えば、光信号の伝送を阻害しない、通信波長に対して透明な樹脂等で充填されていてもよい。
また、光路変換用モジュール１００では、インターポーザー１１０には、特に導体回路等は形成されていないが、上記インターポーザーには、必要に応じて、導体回路やパッドが形成されていてもよい。これにより、インターポーザー側で他の回路基板や、光学部品、電子部品と接続可能になるからである。
上記インターポーザーの材質としては特に限定されず、例えば、樹脂やセラミック等が挙げられる。
【００６６】
光路変換用モジュールを構成するレンズアレイ１１１は必ず配設する必要はなく、必要に応じて備えればよいが、レンズアレイ１１１を配設することにより、伝送光の広がりを抑えたり、伝送光を集光させたりすることができるため、より確実に光信号を伝送することができる。
【００６７】
上記レンズアレイの材質としては特に限定されず、通常、光学レンズに使用されているもの等が挙げられ、その具体例としては、例えば、光学ガラス、光学レンズ用樹脂等が挙げられる。
また、上記光学レンズ用樹脂としては、通信波長帯での吸収が少ないものであれば特に限定されず、例えば、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、感光性樹脂、熱硬化性樹脂の一部が感光化された樹脂等が挙げられる。
具体的には、例えば、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）、重水素化ＰＭＭＡ、重水素フッ素化ＰＭＭＡ等のアクリル樹脂；フッ素化ポリイミド等のポリイミド樹脂；エポキシ樹脂；ＵＶ硬化性エポキシ樹脂；重水素化シリコーン樹脂等のシリコーン樹脂；ベンゾシクロブテンから製造されるポリマー等が挙げられる。
【００６８】
また、上記レンズアレイには、樹脂粒子、無機粒子、金属粒子等の粒子が含まれていてもよい。
粒子を含ませることにより、レンズアレイの強度が向上し、形状がより確実に維持されることとなると共に、上記インターポーザーや光ピンコネクタを構成するコネクタ本体等との間で熱膨張係数を整合させることができ、熱膨張係数の差に起因した位置ズレ等が発生しにくくなるからである。
【００６９】
上記レンズアレイに粒子が含まれている場合、該レンズアレイの本体の屈折率と、上記粒子の屈折率とは同程度であることが望ましい。そのため、上記レンズアレイに含まれる粒子は、屈折率の異なる２種類以上の粒子を混ぜ合わせて、粒子の屈折率が樹脂成分の屈折率と同程度になるようにしたものであることが望ましい。
具体的には、例えば、該レンズアレイの本体が屈折率１．５３のエポキシ樹脂である場合、上記粒子は、屈折率が１．４６のシリカ粒子と屈折率が２．６５のチタニア粒子とを混ぜ合わせて、溶解して粒子としたもの等が望ましい。
なお、粒子を混ぜ合わせる方法としては、混練する方法、２種類以上の粒子を溶かして混ぜ合わせた後、粒子状にする方法等が挙げられる。
【００７０】
上記レンズアレイの屈折率は特に限定されず、光路変換用モジュールの設計を考慮して適宜選択すればよい。具体的には、例えば、レンズアレイの屈折率と、光ピンコネクタを構成する光ファイバのコアの屈折率とを同一にした場合には、両者の界面での光の反射を回避することができる。
【００７１】
上記レンズアレイを作製する方法としては、上記レンズの材質がガラスや石英の場合には、例えば、異方性エッチングやフォトリソグラフィ等を用いることができ、上記レンズの材質が樹脂の場合には、金型に材料樹脂を流し込み、熱と荷重とを加えて作製する方法等を用いることができる。
その他、ガラスや石英、樹脂等からなる板状体に、ディスペンサー等で未硬化の樹脂を滴下、その後、滴下した樹脂を硬化させることによりレンズを形成してもよい。
また、上記レンズアレイには、ガイド孔を形成する必要があるが、上記ガイド孔は、レンズの形成と同時に形成してもよいし、レンズを形成した後に形成してもよい。
【００７２】
図５は、本発明の実施形態に係る光路変換用モジュールの別の一例を模式的に示す断面図である。
図５に示す光路変換用モジュール２００の形態は、レンズアレイが配設されておらず、光ピンコネクタ３０を構成する光ピン１０の第１の光入出力面１２が、光学素子２０２に向かって延設されている以外は、図４−１、２に示した光路変換用モジュール１００の構成と同様である。ここでは、他の構成部材の説明は省略する。
なお、図５において、符号の下二桁、又は、符号の下二桁とアルファベットとが図４−１、２と同一のものは、同一の部材を指す。
このような光路変換用モジュール２００においても、本発明の光路変換用モジュールとしての機能（光信号の送受信を行うと共に、光信号の光路を変換する機能）を有すると共に、上述した本発明の光路変換用モジュールの効果を享受することができる。
【００７３】
本発明の実施形態の光路変換用モジュールは、図４−１、２や図５に示したものに限定されるわけではなく、例えば、以下に説明する構成を有するものであってもよい。
図６は、本発明の実施形態に係る光路変換用モジュールの別の一例を模式的に示す断面図である。
図６に示すように、光路変換用モジュール３００は、光学素子３０２及び駆動集積回路３０３と、上述した第２の実施形態に係る光ピンコネクタ３０と、導体回路３０１ｂと絶縁層３０１ａとが積層されてなる回路基板３０１とを備えている。
回路基板３０１は、その中央部が凹部形状を有する回路基板３０１であり、この凹部内に、半田バンプ３０４により光学素子３０２が、ワイヤボンディング３０５により駆動集積回路３０３が実装されている。なお、図中３０３ａは、ダイパッドである。
【００７４】
回路基板３０１の中央部には、上記凹部を塞ぐようにインターポーザー３１０が取り付けられており、インターポーザー３１０の内側（凹部側）には、レンズアレイ３１１が固定されている。さらにインターポーザー３１０には、光ピンコネクタ３０が取り付けられている。
ここで、光ピンコネクタ３０は、図４（ａ）に示した光路変換用モジュール１００と同様、２本のガイドピン（図示せず）を備えており、また、回路基板３０１、レンズアレイ３１１及びインターポーザー３１０は、それぞれ２箇所ずつガイド孔（図示せず）を備えており、上記ガイドピンは、インターポーザー３１０、レンズアレイ３１１及び回路基板３０１のそれぞれが備えるガイド孔（図示せず）にこの順で挿通されている。従って、上記ガイドピンにより、インターポーザー３１０、レンズアレイ３１１及び回路基板３０１は位置合わせがなされており、回路基板３０１に実装された光学素子は、レンズ３１１ａを介して、光ピンコネクタ３０を構成する光ピン１０との間で、光信号の伝送を行うことができる。
【００７５】
さらに、光路変換用モジュール３００では、回路基板３０１のインターポーザー３１０を備えた側の外周近傍部にソルダーレジスト層３０８と半田バンプ３０９とが形成されている。
従って、光路変換用モジュール３００では、光ピンコネクタを取り付けた側で、マザーボード用基板等の外部基板と接続することができる（下記図７参照）。
このような構成を有する光路変換用モジュール３００においても、上述した本発明の光路変換用モジュールの機能及び効果を享受することができる。
【００７６】
図７は、本発明の実施形態に係る光路変換用モジュールをマザーボード用基板に実装した態様の一例を示す断面図である。
図７に示す態様では、光路変換用モジュール３００が、光導波路が内部に形成されたマザーボード用基板５００に半田バンプ５０９を介して実装されている。
マザーボード用基板５００は、絶縁層５０１ａと導体回路５０１ｂとが積層形成されて回路基板５０１を成すと共に、その内部にコア部５２０ａとクラッド部５２０ｂとからなる光導波路５２０が形成され、一方の最外層にソルダーレジスト層５０８と半田バンプ５０９とが形成されている。なお、図中５０１ｃは、スルーホールである。
また、マザーボード用基板５００には、光導波路５２０の内側の端部が露出するように、光路用有底孔５３０が形成されている。
【００７７】
そして、このようなマザーボード用基板５００に光路変換用モジュール３００を実装するに際して、光路用有底孔５３０内に、光路変換用モジュール３００を構成する光ピンコネクタ３０の光ピン１０が挿入されるように、光路変換用モジュールが実装されている。
ここで、光ピン１０の第２の光出力面１５と、光導波路５２０のコア５２０ａとが対向するように光ピン１０を挿入することにより、光路変換用モジュール３００を構成する光学素子３０２とマザーボード用基板５００に形成された光導波路５２０との間で、光ピンコネクタ３０（光ピン１０）を介して光信号の伝送を行うことができる。
この際、光路用有底孔５３０内には、マッチングオイルが充填されていてもよい。マッチングオイルを充填することにより、光ピンと光導波路との間の伝送損失をより軽減することができるからである。
また、マザーボード用基板には、光路用有底孔に代えて、マザーボード用基板全体を貫通する光路用貫通孔を形成してもよい。
また、マザーボード用基板５００では、光導波路は、内側の階層の一部にのみ形成されているが、内側の一の階層全体が光導波路から構成されていてもよい。
【００７８】
また、このような態様で光路変換用モジュール３００を実装する場合、光路変換用モジュールが備えるガイドピン３９を、光ピンコネクタ３０のコネクタ本体３１を貫通するように（コネクタ本体３１の回路基板３０１側のみならず、外部基板と対向する側にも突出するように）配設しておき、マザーボード用基板にガイド孔を形成しておけば、ガイドピンをガイド孔に挿入することにより、光路変換用モジュールとマザーボード用基板との位置合わせを行うことができる。
なお、当然のことではあるが、本発明の実施の態様は、図７に示した態様に限定されるわけではなく、その他、種々の態様で実装することができる。
【００７９】
図８は、本発明の実施形態に係る光路変換用モジュールの別の一例を模式的に示す断面図である。
図８に示した光路変換用モジュール４００は、図６に示した光路変換用モジュール３００と比べて、外部基板等との接続端子が異なる以外、その他の構成は同様である。
すなわち、光路変換用モジュール３００では、回路基板３０１に半田バンプ３０９が形成されている（ＢＧＡ構造）のに対し、光路変換用モジュール４００では、回路基板４０１に半田バンプに代えて電気ピン４０９が形成されている（ＰＧＡ構造）。
このような構造の光路変換用モジュール４００でも、本発明の光路変換用モジュールの機能と効果を享受することができる。
なお、光路変換用モジュール４００は、外部接続端子以外の構成部材は、光路変換用モジュール３００と同様であるため、その説明を省略する。図８において、符号の下二桁、又は、符号の下二桁とアルファベットとが図６と同一のものは、同一の部材を指す。
【００８０】
次に、本発明の実施形態の光路変換用モジュールの製造方法について簡単に説明しておく。
まず、サブトラクティブ法、フルアディティブ法、セミアディティブ法、一括形成法、コンフォーマル法等の方法を利用して回路基板を作製する。
その後、回路基板に形成された認識マークを基準に、ドリル加工やレーザ加工により所定の位置にガイド孔を形成する。
次に、上記回路基板に光学素子と駆動集積回路とを実装する。ここで、実装方法としては、ワイヤボンディングやフリップチップボンディング等の実装方法を用いることができる。
【００８１】
次に、所定の位置にガイド孔が形成されたインターポーザーを用意し、このインターポーザーを、回路基板に形成された認識マークを基準にして上記回路基板に取り付ける。
また、レンズアレイを備えた光路変換用モジュールを作製する場合には、上記インターポーザーを回路基板に取り付ける前に、ガイド孔が形成されたレンズアレイをインターポーザーに固定しておく。なお、この場合、インターポーザーのガイド孔とレンズアレイのガイド孔とが丁度連通するように、レンズアレイを取り付ける。
【００８２】
最後に、ガイドピンが取り付けられた光ピンコネクタを、上記ガイドピンが、インターポーザー、レンズアレイ及び回路基板のガイド孔内に挿通されるように取り付けて本発明の実施形態の光路変換用モジュールを完成する。
本発明の光路変換用モジュールでは、ガイドピンを挿入して光ピンコネクタを取り付けることにより、光ピンコネクタを構成する光ピンと、回路基板に実装された光学素子との位置合わせがなされることとなる。
【産業上の利用可能性】
【００８３】
本発明の光ピン、光ピンコネクタ及び光路変換用モジュールは、光通信分野で好適に使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【００８４】
【図１】（ａ）は、本発明の実施形態に係る光ピンの側面図であり、（ｂ）は（ａ）に示した光ピンの正面図であり、（ｃ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施形態に係る光ピンを製造する工程を示した模式図である。
【図３−１】（ａ）は、本発明の実施形態に係る光ピンコネクタの一例を示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）に示した光ピンコネクタの正面図であり、（ｃ）は、（ａ）に示した光ピンコネクタの平面図である。
【図３−２】（ｄ）は、図３−１（ａ）のＢ−Ｂ線断面図であり、（ｅ）は、（ａ）に示した光ピンコネクタを構成するコネクタ本体のみを示す斜視図である。
【図３−３】（ａ）は、本発明の実施形態に係る光ピンコネクタの別の一例を模式的に示す斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。
【図４−１】（ａ）は、本発明の実施形態に係る光路変換用モジュールの一例を模式的に示す断面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＤ−Ｄ線断面図である。
【図４−２】（ｃ）は、図４−１（ａ）に示した光路変換用モジュールを構成するインターポーザーの部分斜視図であり、（ｄ）は、図４−１（ａ）に示した光路変換用モジュールを構成するレンズアレイの斜視図である。
【図５】本発明の実施形態に係る光路変換用モジュールの別の一例を模式的に示す断面図である。
【図６】本発明の実施形態に係る光路変換用モジュールの別の一例を模式的に示す断面図である。
【図７】本発明の実施形態に係る光路変換用モジュールをマザーボード用基板に実装した態様の一例を示す断面図である。
【図８】本発明の実施形態に係る光路変換用モジュールの別の一例を模式的に示す断面図である。
【符号の説明】
【００８５】
１０  光ピン
１１  光ファイバ
１２  第１の光入出力面
１３  光反射面
１４  金属層
１５  第２の光入出力面
３０、４０  光ピンコネクタ
３１、４１  コネクタ本体
３２、４２  接着剤
３３、４３  貫通孔
３４、４４  スリット部
１００、２００、３００、４００  光路変換用モジュール
１０１、２０１、３０１、４０１  回路基板
１０２、２０２、３０２、４０２  光学素子
１０３、２０３、３０３、４０３  駆動集積回路
１１０、２１０、３１０、４１０  インターポーザー
１１１、３１１、４１１  レンズアレイ
【図１】
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【図２】
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【図３−１】
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【図３−２】
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【図３−３】
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【図４−１】
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【図４−２】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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