【事件の表示】
　平成４年特許願第２７４４１号「ヒーターを備えたＣＶＤ装置」拒絶査定に対する審判事件〔平成５年８月６日出願公開、特開平５−１９８５１６、請求項の数（１）〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　原査定を取り消す。
　本願の発明は、特許すべきものとする。
【理　由】
［１］手続の経緯・本願発明
　本願は、平成４年１月２０日の出願であって、その請求項１に係る発明（以下、「本願発明」という。）は、平成１２年１０月１８日付け手続補正書により補正された明細書及び図面の記載からみて、その特許請求の範囲に記載された次のとおりのものである。
　「同心円状に配設されたＮ本の加熱用導体線から成るヒーターであって、
　（Ａ）最内周及び最外周の加熱用導体線の各々は１カ所で切断され、２つの切断端部を有し、それらの加熱用導体線の一方は、更に１カ所で切断され、２つの外部接続端部を有し、
　（Ｂ）それ以外の加熱用導体線の各々は２カ所で切断され、４つの切断端部を有し、
　（Ｃ）ｎ番目（但し、２≦ｎ≦Ｎ−１）の加熱用導体線の相対する２つの切断端部は、（ｎ−１）番目の加熱用導体線の概ね半径方向に対向する２つの切断端部と接続され、ｎ番目の加熱用導体線の相対する他の２つの切断端部は、（ｎ＋１）番目の加熱用導体線の概ね半径方向に対向する２つの切断端部と接続され、
　（Ｄ）３≦ｍ≦Ｎ−１とした場合，（ｍ−２）番目及び（ｍ−１）番目の加熱用導体線の切断端部とを接続する接続部分と、ｍ番目及び（ｍ＋１）番目の加熱用導体線の切断端部とを接続する接続部分とは、同一半径方向に隣接することがないヒーターと、
　該ヒーターによって加熱されるウエハステージを備えていることを特徴とするＣＶＤ装置。」
　
［２］引用例
　これに対し、原審における拒絶の理由で引用した、本願出願の日前の特許出願であって、本願出願後に出願公開された特願平２−１９２５９１（特開平４−７９１８２号公報参照）の願書に最初に添付した明細書又は図面（以下、「先願明細書」という。）には、分子線薄膜成長装置の基板加熱用等に使用される無誘導型パターンを有する真空用ヒーターに関する発明が第１図とともに開示され、さらに以下の事項が記載されている。
　作用として、「ヒーター面における熱出力密度は、中心部が小さくなるが、基板面に伝播される熱エネルギーの総和が均一になるとともに、ヒーターの折返し部が分散配置されるため、該折返し部の熱出力密度の低下も他の部分からの熱エネルギーで十分に補うことができ、基板全面を均一に加熱することができる。」（２頁右上欄１３〜１９行）
　第１図の説明として、「ヒーター線の折返し部１６は、該折返し部１６が一つの直線状に並ばないように、ヒーター１１の中心に対して約９０度の位相差を持つように配置し、ヒーター面の全体に分散するように配置している。この折返し部１６の位相角は、該折返し部１６の熱出力低下を、他の部分の熱出力で十分に補充できる程度に設定されるもので、折返し数や加工性を考慮して適宜決定することができる。」（３頁左上欄４〜１２行）
　「そして、ステンレススチール製真空容器内に上記ヒーターと基板とを、その中心線を一致させて、・・・対向配置するとともに、該容器内を、ヒーターから基板への熱伝達のほとんどが熱放射となる程度の圧力・・・まで減圧した。」（３頁右上欄２〜６行）
　発明の効果として、「ヒーターの折返し部を、該ヒーターの中心に対して位相差を持つように配置したから、真空中で基板を加熱すると、該ヒーターから放射により基板を伝播される熱エネルギーが均一になり、さらに、ヒーターの折返し部が分散配置されているため、該折返し部の熱出力程度の低下も他の部分からの熱エネルギーで十分に補うことができ、基板全面を均一に加熱することができる。」（３頁左下欄１〜９行）
　
［３］対比・判断
　先願明細書の第１図の記載からみて、１番目（最内周）のヒーター線は１カ所で切断され、２〜９番目のヒーター線は２カ所で切断され、２〜８番目のヒーター線の切断された２カ所の内の１カ所で相対する２つの切断端部は１〜７番目のヒーター線の切断された１カ所で相対する２つの切断端部と接続し、他の１カ所で相対する２つの切断端部は３〜９番目のヒーター線の切断された他の１カ所で相対する２つの切断端部と接続している。　
　しかしながら、１１番目（最外周）のヒーター線の切断された２カ所の内の１カ所で相対する２つの切断端部の内の、１つの切断端部は１０番目のヒーター線の切断された１カ所で相対する２つの切断端部の１つの切断端部と、他の１つの切断端部は９番目のヒーター線の切断された２カ所の内の１カ所の相対する２つの切断端部の内の１つと接続し、他の１カ所で相対する２つの切断端部はそれぞれ給電部に接続している。また１０番目のヒーター線の他の１つの切断端部は９番目の他の１つの切断端部と接続している。
　してみると、本願発明と先願明細書に記載の発明とを対比すると、両者は、「同心円状に配設されたＮ本の加熱用導体線から成るヒーターであって、
　（Ａ）最内周及び最外周の加熱用導体線の各々は１カ所で切断され、２つの切断端部を有し、それらの加熱用導体線の一方は、更に１カ所で切断され、２つの外部接続端部を有し、
　（Ｂ）それ以外（但し，Ｎ−１番目の加熱用導体線を除く。）の加熱用導体線の各々は２カ所で切断され、４つの切断部を有し、
　（Ｃ）ｎ番目（但し、２≦ｎ≦Ｎ−３）の加熱用導体線の相対する２つの切断端部は、（ｎ−１）番目の加熱用導体線の概ね半径方向に対向する２つの切断端部と接続され、ｎ番目の加熱用導体線の相対する他の２つの切断端部は、（ｎ＋１）番目の加熱用導体線の概ね半径方向に対向する２つの切断端部と接続され、
　（Ｄ）３≦ｍ≦Ｎ−３とした場合，（ｍ−２）番目及び（ｍ−１）番目の加熱用導体線の切断端部とを接続する接続部分と、ｍ番目及び（ｍ＋１）番目の加熱用導体線の切断端部とを接続する接続部分とは、同一半径方向に隣接することがないヒーターと、
　を備えている装置。」の点で一致するものの、以下の点（１）、（２）で相違する。
（１）本願発明が、「Ｎ本の加熱用導体線から成るヒーターであって、（Ｂ）（最内周及び最外周の加熱用導体線）以外の加熱用導体線の各々は２カ所で切断され、４つの切断端部を有し、（Ｃ）ｎ番目（但し、２≦ｎ≦Ｎ−１）の加熱用導体線の相対する２つの切断端部は、（ｎ−１）番目の加熱用導体線の概ね半径方向に対向する２つの切断端部と接続され、ｎ番目の加熱用導体線の相対する他の２つの切断端部は、（ｎ＋１）番目の加熱用導体線の概ね半径方向に対向する２つの切断端部と接続され、（Ｄ）３≦ｍ≦Ｎ−１とした場合，（ｍ−２）番目及び（ｍ−１）番目の加熱用導体線の切断端部と接続する接続部分と、ｍ番目及び（ｍ＋１）番目の加熱用導体線の切断端部と接続する接続部分とは、同一半径方向に隣接することがないヒーター」を備えているのに対し、引用例に記載のヒーター線は１１本のヒーター線からなるヒーターの内、１０番目のヒーター線は（Ｂ）の構成を有していないとともに、９、１０番目のヒーター線は上記（Ｃ）、（Ｄ）の構成を有していない点。
（２）本願発明が、「ヒーターによって加熱されるウエハステージを備えているＣＶＤ装置。」であるのに対し、引用例に記載の発明はそのようなものではない点。
　そこで、上記相違点（１）、（２）について検討すると、相違点（１）については、引用例に記載の１０番目のヒーター線に上記（Ｂ）の構成を採用することは単なる設計的事項にすぎないとすることはできないし、しかも、上記（Ｃ）、（Ｄ）の構成が周知慣用技術であるとする根拠はないから、引用例に記載の９、１０番目のヒーター線に上記（Ｃ）、（Ｄ）の構成を採用することは単なる設計的事項にすぎないとすることもできない。
　相違点（２）については、分子線薄膜成長装置に使用するヒーターとＣＶＤ装置に使用するヒーターがいずれも周知のものであるとしても、引用例に記載の発明は分子線薄膜成長装置の基板加熱用等に使用される真空用ヒーターであって、引用例に記載の分子線薄膜成長装置等に使用する真空用ヒーターをウエハステージを備えたＣＶＤ装置のヒーターに使用することは単なる転用にすぎないとすることはできない。
　したがって、本願発明は引用例に記載の発明と同一であるとすることはできない。
　
［４］むすび
　以上のとおりであるから、本願発明は特許法第２９条の２の規定により特許を受けることができないとした原査定の判断は妥当ではない。
　また、他に本願を拒絶すべき理由を発見しない。
　よって、結論のとおり審決する。