【事件の表示】
　特願２０１０−２１１７５９「マスクブランク及びその製造方法、並びに転写マスクの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　２月２４日出願公開、特開２０１１−　４０７７０〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
１　手続の経緯 
　本願は、平成１６年９月２８日（優先権主張平成１５年９月２９日）に出願した特願２００４−２８１６７２号（以下「原出願」という。）の一部を平成２２年９月２２日に新たな特許出願としたものであって、平成２５年９月２７日付けで拒絶査定がなされた。
　本件は、これを不服として、平成２６年１月６日に請求された拒絶査定不服審判であって、当審において、平成２７年１月１５日付けで拒絶の理由が通知され、これに対して、同年３月２３日付けで意見書が提出されるとともに、手続補正がなされたものである。
 　 
２　本願発明 
　本願の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、平成２７年３月２３日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）によって補正された特許請求の範囲の請求項１に記載された次のとおりのものと認める。 
「【請求項１】
　基板サイズが６インチ×６インチである四角形状の基板上に、レジスト材料及び溶剤を含むレジスト液を滴下し、前記基板を回転させ、滴下されたレジスト液を前記基板上に広げるとともに、前記基板上のレジスト液を乾燥させて、前記基板上に前記レジスト材料からなるレジスト塗布膜を形成する工程を有するマスクブランクの製造方法であって、
　前記基板上に前記レジスト液を滴下した後に、前記基板の回転を開始し、
　前記レジスト塗布膜を形成する工程において前記基板が回転している間、前記基板の上面に沿って基板の中央側から外周方向に気流の速度が、０．５ｍ／秒以上５ｍ／秒以下の気流を発生させ、基板の回転により基板周縁部に形成されるレジスト液の液溜まりが、前記気流により基板中央方向へ移動するのを抑制し、
　前記レジスト液を塗布する際のレジスト液の粘度が１０ｍＰａ・ｓ以下であり、
　前記レジスト塗布膜を形成する工程における基板の回転を途中で変更し、その前段と後段とで基板の回転を異ならしめ、
　前記前段の基板回転数を１２００〜１９００ｒｐｍ、前記前段の基板回転時間を１〜５秒とし、
　前記後段の基板回転数を１００〜４５０ｒｐｍとし、
　前記レジスト塗布膜を形成する工程において、基板中央部の１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域である実パターン形成領域内でのレジスト塗布膜の平均膜厚を基準にして、
　前記基板中央部の実パターン形成領域の周辺部にある領域であって、実パターン形成領域の外側から１５０ｍｍ×１５０ｍｍまでの領域である補助パターン形成領域におけるレジスト塗布膜の最大膜厚と前記平均膜厚との差が、前記平均膜厚の１／２以下であることを特徴とするマスクブランクの製造方法。」 
　 
３　引用刊行物 
（１）引用刊行物１
　これに対して、当審における平成２７年１月１５日付けの拒絶の理由に引用され、原出願の優先日前に頒布された、特開昭６０−１２３０３１号公報（以下「引用例１」という。）には、次の事項が記載されている。（下線は当審で付した。） 
ａ　発明の詳細な説明の記載
「本発明は、レティクル及びフォトマスクの製造に用いられる
フォトマスク基板
レジストの膜厚を均一にするためのレジスト塗布方法
「しかしながら、従来の塗布方法では、下記のような欠点があった。
第２図に基づき説明する。同図（ａ）はレジスト側から見た基板の平面図、同図（ｂ）は、同図（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
　本発明者は、前記の欠点を除去するために鋭意研究した結果、従来の塗布方法では、乾燥まで同一の回転数で塗布するために、乾燥が進行するに従ってレジスト膜厚を不均一にしてしまうことを発見した。すなわち、本発明では、回転塗布方法において、レジスト膜厚を実質的に均一化する工程（以下、「均一化工程」という。）と、レジストを乾燥する工程（以下、「乾燥工程」という。）とを分離し、前記均一化工程では、レジスト中の溶媒の揮発性を考慮して、基板の回転数及び回転時間を適宜決定することによりレジスト膜厚を均一にすることを目的とするものである。さらに、本発明は、前記乾燥工程において、前記均一化工程に使用するスピンコータ上でレジストを前記均一化工程の回転数よりも低回転数で乾燥することを目的とするものである。
　以下、本発明を実施例に基づき詳細に第１図を参照して説明する。
（実施例１）　本実施例では、ポジ型電子ビームレジストであるポリブテン−１−スルホンの塗布方法を示す。
　先ず、均一化工程を示す。
ガラス板上にクロム膜を一主表面（１２７ｍｍ×１２７ｍｍ）に被着したクロムマスク基板
回転数Ｒ（単位、ｒｐｍ）
回転時間Ｔ（単位、秒）
測定部は、前記１２７ｍｍ×１２７ｍｍ面のそれぞれの辺から１０ｍｍ内側に設定した現在所望されている範囲１０７ｍｍ×１０７ｍｍとする
「（実施例２）　本実施例では、ネガ型電子ビームレジストであるポリグリシジルメタアクリレートの塗布方法を示す。
　
先ず、均一化工程を示す。基板及び塗布装置は、前記実施例１と同一であり
基板のクロム膜上に、粘度１５ｃｐに
調整され
レジストを滴下し、Ｒが１，１６０ｒｐｍ、Ｔが６秒
回転し、
レジストの膜厚（６，０００Å）を均一に得る。次に、乾燥工程は、前記実施例１と同様に、Ｒを５０ｒｐｍ、Ｔを１６０秒の設定で行う。
レジスト膜厚の平均値、最大値及び最小値
を表２に示す
　上表のとおり、本実施例では最大値と最小値との差が５０Åであり、一方、比較例では２，６９０Åであり、本実施例の方が数段均一性に優れている。
　以上、均一化工程での本発明の回転数Ｒ、回転時間Ｔ及び回転数Ｒ×回転時間Ｔの設定は、下記の理由である。まず、Ｒが１００ｒｐｍ未満であると、パターンを形成する薄膜上に滴下したレジストが均一に拡がらず、一方Ｒが６，０００ｒｐｍを越えると、装置の安全上問題が出てくる。次に、Ｔが基板が回転し始めて設定した回転数に到達する前の時間であると、所望するレジスト膜厚を形成することができず、一方設定した回転数に到達した時から２０秒を越えると、パターンを形成する薄膜表面の中心に向かってレジスト膜厚の不均一な部分が進行していく。さらに、Ｒ×Ｔが２４，０００を越えると、前記回転時間Ｔが２０秒を越えたのと同様の結果となる。すなわち、本発明によれば、回転数Ｒを１００〜６，０００ｒｐｍ、回転時間Ｔを基板が回転し始めて、設定した回転数に到達した時から最高２０（秒）及び回転数Ｒ×回転時間Ｔを２４，０００ｒｐｍ・秒以下の条件内で、前記実施例１，２のレジスト以外の電子ビームレジスト、フォトレジストなどの感光性材料に適した回転数、回転時間及び回転数×回転時間を決定すれば均一なレジスト膜厚が得られる。次に、
前記実施例１，２では、レジストを基板上に滴下するとき、前記基板を停止して滴下した
　次に、乾燥工程は、前記実施例１，２では均一化工程で使用したスピンコータを使用したが、何らこれに限定されることなく、均一化工程修了後、回転を停止し、チャックより基板を取り外し、プリベークの工程で乾燥させてもよい。しかしながら、乾燥工程を前記のような工程で行うと、作業性、基板の清浄性が悪化するので、前記実施例１，２の工程がよい。また、乾燥工程の回転数は、より完全にレジスト膜厚の均一性を保持するために、望ましくは１３０ｒｐｍ以下がよい。」（第３頁左上欄第９行〜右下欄第１６行）
　
ｂ　図面の記載
「
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
　
ｃ　上記ａ及びｂの記載事項の考察
（ア）上記ａの記載事項より、第２「図（ｂ）は、同図（ａ）のＡ−Ａ断面図である」から、上記ｂの記載事項の第２図（ａ）及び（ｂ）より、基板１が矩形であることが読み取れる。
　そして、上記ａの記載事項には、第２図（ａ）及び（ｂ）記載の矩形である基板１は従来のものであることが記載されているものの、上記ａの記載事項の実施例１には、基板が「１２７ｍｍ×１２７ｍｍ」であることが記載されており、また、基板１が従来技術と実施例とで相違する記載も示唆も存在しないことから、実施例１及び２の「基板１」も矩形であると認められる。
（イ）上記ｂの記載事項の第２図（ａ）によると、「基板１上のパターンを形成する矩形の部分Ｓ３」の外側に所定部分が存在することが読み取れる。
　
ｄ　引用例１記載の発明 
　上記ａ及びｂの記載事項並びに上記ｃの考察によると、引用例１には、以下の発明（以下「引用発明」という。）が記載されていると認められる。
「均一化工程にて、１２７ｍｍ×１２７ｍｍの矩形の基板上に、基板を停止して、溶剤メチルセロソルグアセテートで調整されたポリグリシジルメタアクリレートのレジストを滴下し、基板を回転し、レジストの膜厚を均一に得て、次に乾燥工程を行うフォトマスク基板のレジスト塗布方法であって、
レジストは粘度１５ｃｐに調整され、
均一化工程は、回転数1,160rpm、回転時間6秒であり、
乾燥工程は、回転数50rpm、回転時間160秒の設定であり、
基板上のパターンを形成する矩形の部分Ｓ３の外側に所定部分が存在し、
基板の１２７ｍｍ×１２７ｍｍ面のそれぞれの辺から１０ｍｍ内側に設定した現在所望されている範囲１０７ｍｍ×１０７ｍｍでは、レジスト膜厚の平均値、最大値及び最小値が、6,160Å、6,190Å及び6,140Åである、
フォトマスク基板のレジスト塗布方法。」
　
（２）引用刊行物２
　また、当審における平成２７年１月１５日付けの拒絶の理由に引用され、原出願の優先日前に頒布された、特開２００１−１７９１６０号公報（以下「引用例２」という。）には、次の事項が記載されている。（下線は当審で付した。）
ａ　発明の詳細な説明の記載
「【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、
ホトレジスト
薬液
「【０００６】
【発明の解決課題】本発明の解決課題は、
角形基板でもその角部分の先端までほぼ均一な薬液層を形成する事の出来る薬液塗布方法
【０００７】
【課題を解決するための手段】「請求項1」は本発明の薬液塗布方法に関し「
角形基板(1)を回転させてその表面に薬液(2)を塗布する薬液塗布方法であって、薬液塗布表面(3)に沿って、角形基板(1)の中心(P)側から周縁方向(S)に気流(4)を流す
【０００８】前述のように角形基板(1)を回転させるとその遠心力で薬液(2)はその表面を周縁部分(S)に向かって流れていくが、角部分(5)では遠心力と表面張力の協働作用によって盛り上がろうとする。これに対して気流(4)が薬液塗布表面(3)に沿って角形基板(1)の中心(P)側から周縁方向(S)に向かって流れているので、薬液(2)が気流(4)によって後押しされ、角部分(5)まで急速に広がると同時に前記気流(4)が角部分(5)の薬液(2)を上から押え込むようになり、表面張力及び過剰供給による角部分(5)での薬液(2)の盛り上がりが抑制される。この状態で薬液層(2a)が乾燥或いは反応によって固化すると、角部分(5)まで略均一な薬液層(2a)を持つ角形基板(1)が得られる事になる。」
ｂ　図面の記載
「【図４】
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　」
ｃ　引用例２記載の発明 
　上記ａ及びｂの記載事項によると、引用例２には、以下の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されていると認められる
「角形基板(1)を回転させてその表面にホトレジストの薬液(2)を塗布する薬液塗布方法であって、薬液塗布表面(3)に沿って、角形基板(1)の中心(P)側から周縁方向(S)に気流(4)を流すことにより、角形基板でもその角部分の先端までほぼ均一な薬液層を形成する事の出来る薬液塗布方法。」
 　 
４　対比 
　ここで、本願発明と引用発明とを対比する。 
（１）引用発明の「基板」、「ポリグリシジルメタアクリレート」、「溶剤メチルセロソルグアセテート」、「レジスト」及び「フォトマスク基板」は、本願発明の「基板」、「レジスト材料」、「溶剤」、「レジスト液」及び「マスクブランク」にそれぞれ相当する。
　引用発明の「１２７ｍｍ×１２７ｍｍの矩形の基板上に、基板を停止して、溶剤メチルセロソルグアセテートで調整されたポリグリシジルメタアクリレートのレジストを滴下」する構成と、本願発明の「基板サイズが６インチ×６インチである四角形状の基板上に、レジスト材料及び溶剤を含むレジスト液を滴下」する構成とは、「四角形状の基板上に、レジスト材料及び溶剤を含むレジスト液を滴下」する構成で共通する。
　また、引用発明の「基板を回転し、レジストの膜厚を均一に得」る構成は、本願発明の「基板を回転させ、滴下されたレジスト液を前記基板上に広げる」構成に相当する。
　さらに、引用発明は、「均一化工程にて、１２７ｍｍ×１２７ｍｍの矩形の基板上に、基板を停止して、溶剤メチルセロソルグアセテートで調整されたポリグリシジルメタアクリレートのレジストを滴下し、基板を回転し、レジストの膜厚を均一に得て、次に乾燥工程を行うフォトマスク基板のレジスト塗布方法」であるから、本願発明の「基板上のレジスト液を乾燥させて、前記基板上に前記レジスト材料からなるレジスト塗布膜を形成する工程」に相当する構成を有するものである。
　また、引用発明の「フォトマスク基板のレジスト塗布方法」は、本願発明の「マスクブランクの製造方法」に相当する。
　そうすると、引用発明の「均一化工程にて、１２７ｍｍ×１２７ｍｍの矩形の基板上に、基板を停止して、溶剤メチルセロソルグアセテートで調整されたポリグリシジルメタアクリレートのレジストを滴下し、基板を回転し、レジストの膜厚を均一に得て、次に乾燥工程を行うフォトマスク基板のレジスト塗布方法」と、本願発明の「基板サイズが６インチ×６インチである四角形状の基板上に、レジスト材料及び溶剤を含むレジスト液を滴下し、前記基板を回転させ、滴下されたレジスト液を前記基板上に広げるとともに、前記基板上のレジスト液を乾燥させて、前記基板上に前記レジスト材料からなるレジスト塗布膜を形成する工程を有するマスクブランクの製造方法」とは、「四角形状の基板上に、レジスト材料及び溶剤を含むレジスト液を滴下し、前記基板を回転させ、滴下されたレジスト液を前記基板上に広げるとともに、前記基板上のレジスト液を乾燥させて、前記基板上に前記レジスト材料からなるレジスト塗布膜を形成する工程を有するマスクブランクの製造方法」で共通する。
　
（２）引用発明は、「基板を停止して、溶剤メチルセロソルグアセテートで調整されたポリグリシジルメタアクリレートのレジストを滴下し、基板を回転」するものであるから、本願発明の「基板上に前記レジスト液を滴下した後に、前記基板の回転を開始」する構成に相当する構成を有するものである。
　
（３）引用発明は、「均一化工程」の「次に、乾燥工程を行う」ものであるから、引用発明の「均一化工程は、回転数1,160rpm、回転時間6秒であり、乾燥工程は、回転数50rpm、回転時間160秒の設定であ」る構成と、本願発明の「レジスト塗布膜を形成する工程における基板の回転を途中で変更し、その前段と後段とで基板の回転を異ならしめ、前記前段の基板回転数を１２００〜１９００ｒｐｍ、前記前段の基板回転時間を１〜５秒とし、前記後段の基板回転数を１００〜４５０ｒｐｍと」する構成とは、「レジスト塗布膜を形成する工程における基板の回転を途中で変更し、その前段と後段とで基板の回転を異ならしめ」る構成で共通する。
　
（４）引用発明の「基板上のパターンを形成する矩形の部分Ｓ３」は、本願発明の「基板中央部の実パターン形成領域」に相当する。
　また、本願発明の「基板中央部の実パターン形成領域の周辺部にある領域であ」る「補助パターン形成領域」は、「マスクブランク」としてはパターンは形成されていない、単にレジスト液が塗布された領域であるから、引用発明の「基板上のパターンを形成する矩形の部分Ｓ３の外側」の「所定部分」は、本願発明の「基板中央部の実パターン形成領域の周辺部にある領域であ」る「補助パターン形成領域」に相当する。
　そうすると、引用発明の「基板上のパターンを形成する矩形の部分Ｓ３の外側に所定部分が存在」する構成と、本願発明の「基板の１２７ｍｍ×１２７ｍｍ面のそれぞれの辺から１０ｍｍ内側に設定した現在所望されている範囲１０７ｍｍ×１０７ｍｍでは、レジスト膜厚の平均値、最大値及び最小値が、6,160Å、6,190Å及び6,140Åである」構成とは、「基板中央部の実パターン形成領域の周辺部にある領域であって、実パターン形成領域の外側の領域である補助パターン形成領域を有する」構成で共通する。
　
　上記（１）ないし（４）から、本願発明と引用発明は、
「四角形状の基板上に、レジスト材料及び溶剤を含むレジスト液を滴下し、前記基板を回転させ、滴下されたレジスト液を前記基板上に広げるとともに、前記基板上のレジスト液を乾燥させて、前記基板上に前記レジスト材料からなるレジスト塗布膜を形成する工程を有するマスクブランクの製造方法であって、
　前記基板上に前記レジスト液を滴下した後に、前記基板の回転を開始し、
　前記レジスト塗布膜を形成する工程における基板の回転を途中で変更し、その前段と後段とで基板の回転を異ならしめ、
　前記基板中央部の実パターン形成領域の周辺部にある領域であって、実パターン形成領域の外側の領域である補助パターン形成領域を有する、
マスクブランクの製造方法。」
で一致し、以下ａ及びｂの点で相違する。
 　 
（相違点） 
ａ　本願発明は、（１）「基板サイズが６インチ×６インチであ」り、「実パターン形成領域」が「基板中央部の１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域であ」り、（２）「レジスト液を塗布する際のレジスト液の粘度が１０ｍＰａ・ｓ以下であり、」（３）「前記前段の基板回転数を１２００〜１９００ｒｐｍ、前記前段の基板回転時間を１〜５秒とし、前記後段の基板回転数を１００〜４５０ｒｐｍとし」ているのに対し、引用発明は、（１）基板が「１２７ｍｍ×１２７ｍｍ」であって、「パターンを形成する矩形の部分Ｓ３」の大きさは不明であり、（２）「レジストは粘度１５ｃｐに調整され、」（３）「均一化工程は、回転数1,160rpm、回転時間6秒であり、乾燥工程は、回転数50rpm、回転時間160秒の設定であ」る点。
　
ｂ　本願発明は、「レジスト塗布膜を形成する工程において前記基板が回転している間、前記基板の上面に沿って基板の中央側から外周方向に気流の速度が、０．５ｍ／秒以上５ｍ／秒以下の気流を発生させ、基板の回転により基板周縁部に形成されるレジスト液の液溜まりが、前記気流により基板中央方向へ移動するのを抑制し、」「前記レジスト塗布膜を形成する工程において、」「実パターン形成領域内でのレジスト塗布膜の平均膜厚を基準にして、実パターン形成領域の外側から１５０ｍｍ×１５０ｍｍまでの領域である補助パターン形成領域におけるレジスト塗布膜の最大膜厚と前記平均膜厚との差が、前記平均膜厚の１／２以下である」のに対し、引用発明は、気流を発生させておらず、「基板の１２７ｍｍ×１２７ｍｍ面のそれぞれの辺から１０ｍｍ内側に設定した現在所望されている範囲１０７ｍｍ×１０７ｍｍでは、レジスト膜厚の平均値、最大値及び最小値が、6,160Å、6,190Å及び6,140Åである」点。
 　 
５　当審の判断 
　以下、上記ａ及びｂの相違点について検討する。
（ａの相違点について）
（１）フォトマスク基板を６インチ×６インチとして、実パターン形成領域を基板中央部の１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域とすることは、周知技術であり、引用発明の基板として、６インチ×６インチのものを用い、引用発明の「パターンを形成する矩形の部分Ｓ３」を「基板中央部の１３２ｍｍ×１３２ｍｍの領域」とすることに格別の困難性はない。
（２）粘度が１０ｍＰａ・ｓ以下のレジストは広く用いられている周知のものであり、引用発明のレジストの粘度を１０ｍＰａ・ｓ以下に調整することに、格別の困難性はない。
（３）引用発明は、「均一化工程は、回転数1,160rpm、回転時間6秒であり、乾燥工程は、回転数50rpm、回転時間160秒の設定であ」るが、引用例１には、「先ず、均一化工程を示す。・・・（略）・・・回転数Ｒ（単位、ｒｐｍ）が１００〜６，０００、回転時間Ｔ（単位、秒）が基板を回転し始めて、設定した回転数に到達した時から最高２０秒までの時間・・・（略）・・・で基板を回転し、・・・（略）・・・次に、乾燥工程は、前記均一化工程で１４秒前記基板を回転した後、Ｒを５００ｒｐｍ以下及び前記均一化工程でのＲよりも小さい・・・（略）・・・回転し、前記溶媒を揮発させる」（上記引用例１の摘記事項参照。）と記載されている。
　そして、引用発明の「レジスト塗布方法」において、レジストの均一化なる課題を達成するためには、基板の回転数及び回転時間は、基板の大きさ及びレジストの粘度等の変化によりその最適な値が変化することは、当業者であれば容易に想到できたことであるから、引用発明を基板サイズが６インチ×６インチで、レジストの粘度が１０ｍＰａ・ｓ以下のものに適用するに際して、基板の大きさ及びレジストの粘度に合わせて最適な値を選択することは、当業者が容易になし得た事項であり、基板の回転数及び回転時間を、均一化工程として、「基板回転数を１２００〜１９００ｒｐｍ」、「基板回転時間を１〜５秒」、乾燥工程として、「基板回転数を１００〜４５０ｒｐｍ」程度のものが格別であることを示す根拠もない。
　してみると、引用発明において、基板の回転数及び回転時間を、均一化工程として、「基板回転数を１２００〜１９００ｒｐｍ」、「基板回転時間を１〜５秒」、乾燥工程として、「基板回転数を１００〜４５０ｒｐｍ」とすることは、当業者が容易になし得たことである。
　したがって、上記ａの相違点に係る本願発明の発明特定事項を得ることは、当業者が容易になし得たことである。
（ｂの相違点について）
　まず、上記ｂの相違点に係る本願発明の発明特定事項（以下「相違点ｂ事項」という。）と引用発明２とを対比する。
　引用発明２の「角形基板(1)」、「ホトレジストの薬液(2)」、「気流(4)」及び「薬液層」は、相違点ｂ事項の「基板」、「レジスト液」、「気流」及び「レジスト塗布膜」に相当する。
　また、引用発明２は、「薬液塗布表面(3)に沿って、角形基板(1)の中心(P)側から周縁方向(S)に気流(4)を流す」構成を有するものであるから、相違点ｂ事項の「基板の回転により基板周縁部に形成されるレジスト液の液溜まりが、前記気流により基板中央方向へ移動するのを抑制」する構成に相当する構成を有するものであるといえる。
　そうすると、引用発明２の「薬液塗布表面(3)に沿って、角形基板(1)の中心(P)側から周縁方向(S)に気流(4)を流すことにより、角形基板でもその角部分の先端までほぼ均一な薬液層を形成する事の出来る」構成と、相違点ｂ事項の「基板の上面に沿って基板の中央側から外周方向に気流の速度が、０．５ｍ／秒以上５ｍ／秒以下の気流を発生させ、基板の回転により基板周縁部に形成されるレジスト液の液溜まりが、前記気流により基板中央方向へ移動するのを抑制」する構成とは、「基板の上面に沿って基板の中央側から外周方向に気流を発生させ、基板の回転により基板周縁部に形成されるレジスト液の液溜まりが、前記気流により基板中央方向へ移動するのを抑制」する構成で共通する。
　次に、上記ｂの相違点について検討する。
　引用発明は、「矩形の基板上に」「レジストの膜厚を均一に得」る「レジスト塗布方法」を含むのに対し、引用発明２は「角形基板でもその角部分の先端までほぼ均一な」「ホトレジストの」「薬液層を形成する事の出来る薬液塗布方法」を含み、両者は、矩形の基板上にレジストの膜厚を均一に得るレジスト塗布方法を含む点で共通するから、引用発明の「レジスト塗布方法」において、引用発明２を適用することに阻害要因も困難性もない。
　そして、その際の「気流(4)」の速度は、引用発明の「レジスト塗布方法」において、レジストの均一化なる課題、特に、「角形基板でもその角部分の先端までほぼ均一な薬液層を形成する」課題を達成するために、基板の大きさ及びレジストの粘度等の変化によりその最適な値が変化することは、当業者であれば容易に想到できたことであるから、引用発明において、基板の大きさ及びレジストの粘度に合わせて最適な値を選択することは、当業者が適宜なし得た事項であり、「気流(4)」の速度を「０．５ｍ／秒以上５ｍ／秒以下」のものが格別であることを示す根拠もない。
　また、引用発明において、レジストの均一化なる課題を達成するために、「パターンを形成する矩形の部分Ｓ３」の外側から１５０ｍｍ×１５０ｍｍまでの領域のレジストを均一化することは、当業者が容易に想到できたことであるし、「パターンを形成する矩形の部分Ｓ３」内でのレジストの平均膜厚を基準にして、「パターンを形成する矩形の部分Ｓ３」の外側から１５０ｍｍ×１５０ｍｍまでの領域である領域におけるレジストの最大膜厚と前記平均膜厚との差が、前記平均膜厚の１／２以下である」ことが格別であることを示す根拠もない。
　してみると、引用発明に引用発明２を適用し、その際に、「気流(4)」の速度を「０．５ｍ／秒以上５ｍ／秒以下」とし、さらに、「パターンを形成する矩形の部分Ｓ３」内でのレジストの平均膜厚を基準にして、「パターンを形成する矩形の部分Ｓ３」の外側から１５０ｍｍ×１５０ｍｍまでの領域である領域におけるレジストの最大膜厚と前記平均膜厚との差が、前記平均膜厚の１／２以下である」ようにして、相違点ｂ事項を得ることは、当業者が容易になし得たことである。
　
　上記ａ及びｂの相違点については以上のとおりであり、本願発明によってもたらされる効果は、引用発明、引用発明２及び周知技術から当業者が予測できる範囲内のものと認められる。
　よって、本願発明は、引用発明、引用発明２及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものである。
　 
６　むすび 
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用発明２及び周知技術に基いて、当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　したがって、その余の請求項に係る発明について論及するまでもなく、本願は拒絶すべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。