【事件の表示】
　特願２０１１−５２２８７２「ＬＥＤチップ接合体、ＬＥＤパッケージ、及びＬＥＤパッケージの製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　１月２０日国際公開、ＷＯ２０１１／００７８７４〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
Ｉ．手続の経緯
　本願は、２０１０年７月１６日（優先権主張２００９年７月１７日、日本国）を国際出願日とする出願であって、平成２５年１０月２４日付けで拒絶理由が通知され、平成２６年１月６日に特許請求の範囲の補正がなされたが、同年３月７日付けで拒絶査定がなされ、これに対して、同年６月１１日に拒絶査定不服審判の請求がなされると同時に特許請求の範囲の補正がなされたものである（以下、この平成２６年６月１１日になされた補正を「本件補正」という。）。
　
II．本件補正についての補正却下の決定
［補正却下の決定の結論］
　本件補正を却下する。
　
［理由］
１．本件補正の内容
　本件補正は、本願特許請求の範囲の請求項１につき、本件補正前の
「複合基板（２）に一個又は二個以上のＬＥＤチップ（１）が接合材（図示せず）により直接実装されてなるＬＥＤチップ接合体（１０）であって、上記複合基板が、無機質成形体にアルミニウム、シリコン又はそれらを成分として含有する合金を含浸させてなる、板厚が０．１〜２ｍｍ、表面粗さ（Ｒａ）が０．５μｍ以下、温度２５℃の熱伝導率が１００〜６００Ｗ／（ｍ・Ｋ）、温度２５℃〜１５０℃の線膨張係数が３〜１２×１０−６／Ｋ、３点曲げ強度が５０〜５００ＭＰａであり、しかも複合基板のＬＥＤチップ実装面の面積が、ＬＥＤチップとの接触面積に対し、２〜１００倍であることを特徴とするＬＥＤチップ接合体であって、
　複合基板が、表面にＮｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ及びＳｎから選ばれた少なくとも１種の金属による厚み０．５〜２０μｍの金属層を有していることを特徴とするＬＥＤチップ接合体。」
を
「複合基板（２）に一個又は二個以上のＬＥＤチップ（１）が
半田又はろう材
　複合基板が、表面にＮｉ、Ｃｏ
、Ａｇ及
からなる層とＡｕからなる層とからなり、
に補正することを含むものであって、特許法第１７条の２第５項第２号に規定する特許請求の範囲の減縮を目的とするものと認められるので、以下に、本件補正後の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）について、独立特許要件の検討を行う。
　
２．引用例
（１）引用例の記載
　原査定の拒絶理由に引用された特開２００７−１４２４７９号公報（以下「引用例」という。）には、図とともに次の記載がある。（下線は、当審による。）
　
　ア　「【０００１】
  この発明は、半導体装置に関し、特に、
半導体レーザまたは発光ダイオードなどの半導体発光素子を備えた半導体装置
　
　イ　「【０００８】
　（実施の形態１）
　
図１は、この発明の実施の形態１に従った半導体装置の例を表す断面図である。図２は、図１で示される半導体素子の一形態例を表す斜視図である。図１の半導体装置１００において、１は主面１ａを有する半導体素子、２は、同素子が搭載される枠部２Ｃと一体化された基板である
半導体素子１の主面１ａは、この場合は矩形であり、その長辺方向の長さＬは、長辺１１のそれに、短辺方向の長さは、短辺１２のそれにそれぞれ対応する
【０００９】
　本発明の他の実施の形態も同様であるが、図４は熱の放散を模式的に説明するために示す半導体装置の断面図である。半導体発光素子１から熱Ｑが発生すると、熱はおおよそ矢印５０で示すように基板２内で広がりながら基板２の底面２ｂに伝わる。距離Ｚを大きくすることで、基板２の底面２ｂの放熱に寄与する面積を大きくすることができる。すなわち、半導体発光素子１から発生した熱を効率よく放熱することができる。距離Ｚを大きくするためには、距離Ｈを大きくすることが必要となる。そのため、本発明では、距離Ｈを大きくして、底面２ｂからの放熱量を大きくしている。また、この放熱効果を確実なものとするために
距離Ｙは第１の辺１１の長さＬの２倍以上であることが好ましい
【００１０】
　本発明の他の実施の形態も同様であるが、基板２は、放熱部材でもあり、その材料は、半導体装置に求められる要求特性に応じたそのパッケージデザインにも左右される。また半導体装置への実装も含め、その製造が容易であり安価であること、軽量であること、実用寿命が長いことなどが望まれる。しかし第一に要求される特性は、前述のように、その熱膨張係数が半導体素子のそれに近いことと、熱伝導率が高いことである。本発明の
基板の熱伝導率は、１７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上、さらには２００Ｗ／ｍ・Ｋ以上
【００１１】
　
基板の材料は、（１）無機・有機の各種材料とそれらの化合物、（２）これらが化合せずお互いに微視的に混ざり合って複合された物（本発明では、これを複合材、Composite Materialと言う。）および（３）それらが巨視的に組み合せられ合体された物（本発明では、これを複合体、Combined Materialと言う。）とに分けられる。
【００１２】
　（１）の無機材料では、Ｃ（例えば黒鉛、ダイヤモンド）、Ｓｉなどの半金属、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕおよび長周期律表の４ａないし７ａ族、８ａ族の遷移金属の元素を主成分とする金属材料、ＴｉＣ、ＺｒＮなどの金属と半金属の化合物、ＳｉＣやＢ4Ｃなどの半金属同士の化合物、Ｓｉ3Ｎ4やＢＮなどの半金属と非金属の化合物、ＡｌＮのような金属と半金属の化合物がある。また有機材料では、生体内や自然界に存在するかまたは合成された化合物があり、ＤＮＡ、酵素、天然または合成のゴム・繊維・樹脂、有機金属化合物などが挙げられる。
【００１３】
　
（２）は、（１）の各種材料を微視的に混合分散または配置させたものである。例えば
Ａｌ−ＳｉＣ
Ｓｉ−ＳｉＣなど各種の複合材がある
【００１４】
　例えば、上述のＣｕ−ＷやＣｕ−Ｍｏ複合材の場合、Ｃｕの含有量が５ないし４０質量％の範囲では、熱膨張係数は、通常５ないし１２×１０−６／Ｋとなる。また、
Ａｌ−ＳｉＣを主成分とする複合材を基板２として用いた場合、ＳｉＣの含有量が１０ないし７０質量の範囲、熱膨張係数は８ないし２０×１０
−６
／Ｋの範囲となる
基板の熱膨張係数もそれに近づけることが望ましい
基板にＡｌ−ＳｉＣ複合材が使われる場合、そのＡｌの含有率を２５ないし３５質量％の範囲にすることが好ましい。この材料は、例えば
ＳｉＣを主成分とした多孔体の空孔内にＡｌを溶浸させる含浸法、
によって製造することができる
【００１５】
　また図示しないが、半導体素子１への電気接続のために基板２との間に適宜ボンディングワイヤ、フリップチップ、ビアホールなどの接続手段が設けられる。
【００１６】
　本発明の他の実施の形態も同様であるが、
基板２の素子搭載面２ａには、半導体素子の接続や同素子への通電のために金属層１３が形成される場合がある。その場合、この金属層を十分な接合強度で形成するためには、面２ａの表面粗さは、ＪＩＳ規定（ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１）における最大粗さＲｍａｘで０．１ないし２０μｍの範囲にコントロールされていることが好ましい
　
　ウ　「【００３０】
　
実施例では、図１、図７および図８で示す半導体装置１００を用いて、半導体発光素子１を発光させた場合の半導体発光素子１の温度を測定した
（実施例１）
　まず、銅を１５質量％含みタングステンを８５質量％含む複合材で構成される基板と、ＧａＮ系の化合物半導体発光ダイオードからなる半導体発光素子１とを有する図７の構造の半導体装置１００を用意した。この半導体装置１００の底面２ｂを銅のフレーム上に搭載した。上述のような材質からなり、基板２の寸法Ｙ、素子寸法Ｌ（長辺長さＬ）、基板厚みＨ（素子搭載面２ａから底面２ｂまでの距離Ｈ）がさまざまに設定された、
表１で示すサンプルを用意した
【００３１】
　これらのサンプル１から１０の半導体発光素子１に１Ａの電流を流して発光させ、発光後１分経過したときの温度Ｔ１を、放射温度計（非接触）を用いて測定した。さらに発光を続け、発光後３分経過したときの温度Ｔ３をそれぞれのサンプル１から９について測定した。温度上昇率（（Ｔ３−Ｔ１）／Ｔ１）をそれぞれのサンプル１から１０について測定した。その結果も表１に示す。表１の温度上昇率において「◎」は、温度上昇率が１０％未満であったことを示す。「○」は温度上昇率が２０％未満であったことを示す。「Ｘ」は温度上昇率が２０％以上であったことを示す。表１より、本発明外のサンプル２では温度上昇率が大きいため、放熱性が低くなっていることが分かる。それ以外のサンプルでは、本発明の範囲内であるため温度上昇率を適切に制御できていることがわかる。特に表には示さないが、５から７のサンプルでは、特に温度上昇率が、５％以下であった。
【００３２】
【００３３】
　また、
上記基板とほぼ同じサイズのＡｌを３０質量％含みＳｉＣを７０質量％含む複合材の基板と、上記発光素子とほぼ同じサイズのＳｉ半導体素子を使い、上記とほぼ同じようなＨ／Ｌ域の図１と同じ基本構造の試料を用意した。上記と同じ手順にてほぼ同じＨ／Ｌの領域において実動させて、素子表面の温度上昇率を確認したところ、上記と同じ傾向の結果が得られた。
　　　　
（２）引用発明
　ア　引用例の【０００８】には、基板に半導体素子が搭載された半導体装置が記載されている。ここで、【０００１】によれば、半導体素子は、発光ダイオードなどの半導体発光素子とされている。
　イ　引用例の【００１４】には、基板に、ＳｉＣを主成分とした多孔体の空孔内にＡｌを溶浸させる含浸法によって製造することができるＡｌ−ＳｉＣ複合材が使われるとの記載がある。
　ウ　引用例の【００３２】の【表１】及び【００３３】によれば、基板の厚みは、０．２〜２ｍｍである。
　エ　引用例の【００１６】には、基板の表面粗さは、最大粗さＲｍａｘで０．１ないし２０μｍの範囲にコントロールされていることが好ましいと記載されている。
　オ　引用例の【００１０】には、基板の熱伝導率は、１７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であるのが好ましいと記載されている。
　カ　引用例の【００１４】には、基板の熱膨張係数は、半導体素子の熱膨張係数である３ないし７×１０−６／Ｋに近いのが望ましいところ、Ａｌ−ＳｉＣを主成分とする複合材の基板の熱膨張係数は８ないし２０×１０−６／Ｋの範囲となると記載されている。
　キ　引用例の【００３２】の【表１】及び【００３３】並びに【０００８】及び【０００９】によれば、半導体素子１辺の長さＬは１ｍｍであり、基板の長さＹは２ｍｍ又は３ｍｍである。
　ク　引用例の【００１６】には、基板の素子搭載面に、半導体素子の接続や同素子への通電のために金属層が形成される場合があると記載されている。
　
　ケ　以上によれば、引用例には、
「基板に発光ダイオードの半導体素子が搭載された半導体装置であって、
　基板がＳｉＣを主成分とした多孔体の空孔内にＡｌを溶浸させる含浸法によって製造することができるＡｌ−ＳｉＣ複合材であり、基板の厚みが０．２〜２ｍｍであり、基板の表面粗さが最大粗さＲｍａｘで０．１ないし２０μｍであり、基板の熱伝導率が１７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上であり、基板の熱膨張係数が８ないし２０×１０-6／Ｋであり、半導体素子１辺の長さＬが１ｍｍであり、基板の長さＹが２ｍｍ又は３ｍｍであり、
　基板の素子搭載面に金属層が形成されている半導体装置。」（以下「引用発明」という。）
が記載されているものと認められる。
　
３．対比
　本願補正発明と引用発明を対比する。
（１）引用発明の「基板」は、「Ａｌ−ＳｉＣ複合材」であるから、本願補正発明の「複合基板（２）」に相当し、また、引用発明の「発光ダイオードの半導体素子」が本願補正発明の「ＬＥＤチップ（１）」に相当するところであり、引用発明の「半導体装置」は、本願補正発明と、「複合基板（２）に一個又は二個以上のＬＥＤチップ（１）が実装されてなるＬＥＤチップ接合体（１０）」の点で一致する。
（２）引用発明の「基板」は、「ＳｉＣを主成分とした多孔体の空孔内にＡｌを溶浸させる含浸法によって製造」したものであるから、本願補正発明と同様に「無機質成形体にアルミニウム、シリコン又はそれらを成分として含有する合金を含浸させてなる」ものといえる。
（３）引用発明は、「基板の厚みが０．２〜２ｍｍ」であるから、本願補正発明と同様に「板厚が０．１〜２ｍｍ」といえる。
（４）引用発明は、「基板の表面粗さが最大粗さＲｍａｘで０．１ないし２０μｍ」であるから、「基板の表面粗さが最大粗さＲｍａｘで０．１〜０．５μｍ」のものについてみれば、本願補正発明と同様に「表面粗さ（Ｒａ）が０．５μｍ以下」のものといえる。
（５）引用発明は、「基板の熱伝導率が１７０Ｗ／ｍ・Ｋ以上」であるから、本願補正発明が規定する「温度２５℃の熱伝導率が１００〜６００Ｗ／（ｍ・Ｋ）」を満たすものを含んでいることは明らかである。
（６）引用発明は、「基板の熱膨張係数が８ないし２０×１０−６／Ｋ」であるから、「基板の熱膨張係数が８〜１２×１０−６／Ｋ」のものについてみれば、本願補正発明の「温度２５℃〜１５０℃の線膨張係数が３〜１２×１０−６／Ｋ」の要件を満たすものと認められる。
（７）引用発明は、「半導体素子１辺の長さＬが１ｍｍであり、基板の長さＹが２ｍｍ又は３ｍｍ」であるから、本願補正発明と同様に「複合基板のＬＥＤチップ実装面の面積が、ＬＥＤチップとの接触面積に対し、２〜１００倍である」と認めることができる。
（８）引用発明は、「基板の素子搭載面に金属層が形成されている」から、本願補正発明と同様に「複合基板が、表面に金属層を有している」といえる。
　
（９）以上のことから、両者は
「複合基板（２）に一個又は二個以上のＬＥＤチップ（１）が実装されてなるＬＥＤチップ接合体（１０）であって、上記複合基板が、無機質成形体にアルミニウム、シリコン又はそれらを成分として含有する合金を含浸させてなる、板厚が０．１〜２ｍｍ、表面粗さ（Ｒａ）が０．５μｍ以下、温度２５℃の熱伝導率が１００〜６００Ｗ／（ｍ・Ｋ）、温度２５℃〜１５０℃の線膨張係数が３〜１２×１０−６／Ｋであり、しかも複合基板のＬＥＤチップ実装面の面積が、ＬＥＤチップとの接触面積に対し、２〜１００倍であるＬＥＤチップ接合体であって、
　複合基板が、表面に金属層を有しているＬＥＤチップ接合体。」の点で一致する。
　
（１０）一方、両者は、次の点で相違する。
　ア　本願補正発明は、基板の３点曲げ強度が５０〜５００ＭＰａであるのに対し、引用発明の基板の３点曲げ強度が不明な点（以下「相違点ア」という。）。
　イ　本願補正発明は、基板が表面に有する金属層が「Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇ及びＳｎから選ばれた少なくとも１種の金属からなる層とＡｕからなる層とからなり、厚み０．５〜２０μｍ」であり、ＬＥＤチップが基板に「半田又はろう材により直接」実装されるのに対し、引用発明がこのようなものであるか不明な点（以下「相違点イ」という。）。
　
４．判断
（１）上記相違点アについて検討する。
　引用発明において、基板の３点曲げ強度をどの程度のものとするかは、当業者が適宜決定すべき設計的事項である。
　そして、本願明細書には、基板の３点曲げ強度に関し、【００２４】に「複合基板に求められる他の特性は、（い）ＬＥＤチップを接合材で実装する際に耐え得る強度を有すること、（ろ）接合面にボイドや異物等の介在物がなく接合面が平坦であることである。（い）を満たすには複合基板の３点曲げ強度を５０ＭＰａ以上にする。５００ＭＰａをこえる複合基板を製造するには、無機質成形体を緻密な焼結体にする必要があり、アルミニウム、シリコン又はそれらを成分として含有する合金との複合化が困難になるので、上限は５００ＭＰａであることが好ましい。」と記載されているところであり、引用発明においても、その基板が半導体素子の搭載に耐えうる強度を必要とすることは明らかであるから、基板として３点曲げ強度が５０〜５００ＭＰａのものを採用することに格別の困難性は認められない。
（２）上記相違点イについて検討する。
　半導体発光素子の実装において、Ｎｉ層とＡｕ層の積層膜を形成し、半田又はろう材により実装することは、例えば、特開２００８−２８８５３６号公報（【００４１】の「Ｎｉ層とＡｕ層との積層膜がめっきなどにより形成されている。」の記載、【００４４】の「ＡｕＳｎ半田や導電性ペーストなどにより接合する」の記載参照。）、特開平５−３０４２３３号公報（【０００３】のＮｉメッキに続いてＡｕメッキを施した部分にレーザ素子をろう材としてＩｎを用いて取り付ける旨の記載参照。）、国際公開第２００５／２０３３８号（８頁３５〜３７行の「この２つの電極層４１、４２はそれぞれ、半導体発光素子ＬＥ１の２つの極に対応しており、図７に示すように、半導体発光素子ＬＥ１の両極と、ＡｕバンプＢＰを介して接合される。」、１１頁３６〜３７行の「電極層４１〜５３や接続層６は単層構造に形成してもよいが、例えばＣｕやＮｉからなる１層または２層の下地層の上に、Ａｇ、Ａｕなどの導電性に優れた金属からなる、厚み０．１〜１０μｍの導電層を積層した多層構造に形成してもよい。」の記載参照。）に記載されているように本願の優先日時点で周知であり、また、その厚みについても、前記国際公開第２００５／２０３３８号の「厚み０．１〜１０μｍ」の記載からみて格別のものとはいえないから、引用発明において、上記相違点イに係る本願補正発明の発明特定事項とすることに格別の困難性は認められない。
　
５．むすび
　以上のとおりであって、本願補正発明は、引用発明及び上記周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものと認められ、特許法第２９条第２項の規定により、特許出願の際独立して特許を受けることができない。
　よって、本件補正は、特許法第１７条の２第６項において準用する同法第１２６条第７項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項において読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。　
　
III．本願発明について
１．本願発明
　本件補正は、上記のとおり却下されたので、本願の請求項に係る発明は、平成２６年１月６日に補正された特許請求の範囲の請求項１ないし９に記載された事項により特定されるものであるところ、請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）については、上記II．［理由］１．に本件補正前の請求項１として記載したとおりである。　
　
２．判断
　本願発明の「接合材（図示せず）」及び「Ｎｉ、Ｃｏ、Ｐｄ、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ及びＳｎから選ばれた少なくとも１種の金属による」を、それぞれ、「半田又はろう材」及び「Ｎｉ、Ｃｏ、Ａｇ及びＳｎから選ばれた少なくとも１種の金属からなる層とＡｕからなる層とからなり、」としたものが本願補正発明であるところ、上記II．［理由］２．ないし４．において検討したように、本願補正発明が引用発明及び上記周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものであることに照らせば、本願発明が引用発明及び上記周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものであることは明らかである。
　　　　
３．むすび
　したがって、本願発明は、引用発明及び上記周知の技術事項に基づいて当業者が容易に発明できたものであるので、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　よって、結論のとおり審決する。