(57)【要約】【課題】半導体装置用の基板における組立時の搬送などに際して、他物に引っ掛かることを防ぎ、半導体装置を容易かつ安定して生産することができるようにする。【解決手段】上面に半導体素子を搭載する半導体素子搭載領域５を有する有機基板１において、有機基板１の角部を１／４円状の凹部２とし、かつ該凹部２の側部に金属めっき層３を形成し、該金属めっき層３にて基板内のガラス繊維などがはみ出ることを防ぎ、半導体装置の組立装置内において、基板角部が搬送系に引っ掛かったり、半導体装置の取扱い時に引っ掛かることを防止する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に設けられた半導体素子装着部と、該半導体装着部に搭載された半導体素子と電気的に導通させるための金属電極と、底面に設けられて前記金属電極と電気的に接続したパッド電極とを有する半導体装置用基板において、
角部における少なくとも一箇所を１／４円状に除去し、該除去部分の側面に金属めっき膜を形成したことを特徴とする半導体装置用基板。
【請求項２】
上面に設けられた半導体素子装着部と、該半導体装着部に搭載された半導体素子と電気的に導通させるための金属電極と、底面に設けられて前記金属電極と電気的に接続したパッド電極とを有する半導体装置用基板において、
角部における少なくとも一箇所を１／４円状に除去し、該除去部分の側面に金属めっき膜を形成し、かつ当該基板における個々の半導体装置の角部となる部分に、内部に金属めっき層を有する貫通孔を設けたことを特徴とする半導体装置用基板。
【請求項３】
上面に設けられた半導体素子装着部と、該半導体装着部に搭載された半導体素子と電気的に導通させるための金属電極と、底面に設けられて前記金属電極と電気的に接続したパッド電極とを有する半導体装置用基板において、
角部における少なくとも一箇所を１／４円状に除去し、該除去部分の側面と当該基板の底面部に金属めっき膜を形成したことを特徴とする半導体装置用基板。
【請求項４】
請求項１〜３いずれか１項記載の半導体装置用基板を用いたことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項１〜３いずれか１項記載の半導体装置用基板の構成のマザー基板から個々の半導体基板を切り出し、該半導体基板を用いて半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子装着部と、該半導体装着部に搭載された半導体素子と電気的に導通させるための金属電極と、該金属電極と電気的に接続したパッド電極とを有する半導体装置用基板に係り、さらに、その基板を用いた半導体装置、その半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、有機基板を用いた半導体装置は、多ピンでありながら実装面積を小さくすることが可能なため、ＢＧＡやＬＧＡと呼ばれる部品形状として、携帯機器あるいはデジタル機器に多く使用されている。
【０００３】
近年、半導体装置を小型軽量化するために、有機基板自体も０．５mm程度の薄い基板が使用されており、非常に折り曲げには弱い形状となっている。
【０００４】
このため、ダイスボンド工程あるいはワイヤボンド工程といった半導体装置の組立工程における組立装置内で、基板搬送時に引っ掛かりが発生すると、薄い基板が折れ曲がって不良となる。
【０００５】
このことは、半導体装置の組立完了後の部品としての搬送時あるいは組立時にも同様に起こり得る。
【０００６】
これに対応するため、特許文献１に示すような有機基板の構造が提案されている。図１６（ａ）の特許文献１に記載されている有機基板の概略を示す平面図、図１６（ｂ）は図１６（ａ）におけるＡ−Ａ’断面図であって、図に示すように、有機基板２１を用いた半導体装置２２の四隅に凹部形状２３を設けて角をなくすことにより、基板実装時の応力あるいは搬送時の引っ掛かりによる破損を防止するようにした構造が提案されている。
【０００７】
なお、図１６（ａ），（ｂ）において、２４は半導体素子、２５は樹脂封止部、２６は金属ボールである。
【特許文献１】特開２００２−１００７０３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、前記のような従来技術において、有機基板はガラス繊維が補強剤として使用されているため、基板端面からガラス繊維がはみ出すこともあり、それが搬送時に引っ掛かる原因となる。
【０００９】
また、基板角部をなくしても、その稜線部付近において引っ掛かりを起こしやすく、それにより基板内部のガラス繊維が有機基板よりはみ出して、そのガラス繊維が搬送時に引っ掛かる原因ともなるという課題もある。
【００１０】
本発明の目的は、前記従来の課題を解決し、半導体装置用の基板における組立時の搬送などに際して、他物に引っ掛かることを防ぎ、半導体装置を容易かつ安定して生産することができるようにした半導体装置用基板、およびその基板を用いた半導体装置、その半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、上面に設けられた半導体素子装着部と、該半導体装着部に搭載された半導体素子と電気的に導通させるための金属電極と、底面に設けられて前記金属電極と電気的に接続したパッド電極とを有する半導体装置用基板において、角部における少なくとも一箇所を１／４円状に除去し、該除去部分の側面に金属めっき膜を形成したことを特徴とする。
【００１２】
請求項２に記載の発明は、上面に設けられた半導体素子装着部と、該半導体装着部に搭載された半導体素子と電気的に導通させるための金属電極と、底面に設けられて前記金属電極と電気的に接続したパッド電極とを有する半導体装置用基板において、角部における少なくとも一箇所を１／４円状に除去し、該除去部分の側面に金属めっき膜を形成し、かつ当該基板における個々の半導体装置の角部となる部分に、内部に金属めっき層を有する貫通孔を設けたことを特徴とする。
【００１３】
請求項３に記載の発明は、上面に設けられた半導体素子装着部と、該半導体装着部に搭載された半導体素子と電気的に導通させるための金属電極と、底面に設けられて前記金属電極と電気的に接続したパッド電極とを有する半導体装置用基板において、角部における少なくとも一箇所を１／４円状に除去し、該除去部分の側面と当該基板の底面部に金属めっき膜を形成したことを特徴とする。
【００１４】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜３いずれか１項記載の半導体装置用基板を用いたことを特徴とする半導体装置である。
【００１５】
請求項５に記載の発明は、請求項１〜３いずれか１項記載の半導体装置用基板の構成のマザー基板から個々の半導体基板を切り出し、該半導体基板を用いて半導体装置を製造することを特徴とする半導体装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、半導体装置用基板あるいは半導体装置において、角部となる部分を１／４円状に除去し、該除去部分の側面に金属めっきをしたり、内部に金属めっきした貫通孔を設けたりすることにより、有機基板からのガラス繊維などのはみ出しをなくすことができ、引っ掛かりやすい部位がなくなり、半導体装置の組立工程および半導体装置取り扱いにおける搬送時などの不具合の発生を低減することができる。
【００１７】
これにより、半導体装置の組立が容易となる有機基板や取り扱いが容易な半導体装置が実現する。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００１９】
（実施形態１）
本発明における実施形態１を図１〜図９を参照しながら説明する。
【００２０】
図１（ａ）は実施形態１であるエリアタイプの表面実装型半導体装置用の有機基板を示す平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）の有機基板の正面図であって、１は有機基板、２は基板角部を１／４円状に除去したドリル孔による凹部、３は凹部２の側部に形成された金属めっき層、４は基板送り用孔、５は半導体素子搭載領域、６はワイヤボンド用パッド領域、７は樹脂封止領域、８はスリットである。
【００２１】
このように、実施形態１は、上面に半導体素子を搭載する半導体素子装着部である半導体素子搭載領域５を有し、有機基板１の角部において側部に金属めっき層３が形成された１／４円状の凹部２を具備する構成になっている。
【００２２】
実施形態１の有機基板は以下の工程を経て製造される。
【００２３】
図２は半導体装置用の有機基板１の製造工程での状態を示すものであって、半導体装置用の有機基板１は、マザー基板９と呼ばれる大きな基板に同じパターンを縦横に繰り返し配置した状態で製作される。
【００２４】
図３は各半導体装置用の有機基板１の角部となる部分にドリルにより凹部２となるドリル孔２’を穿設した状態を示しており、これらのドリル孔２’は有機基板１の角部以外にも、基板表裏面あるいは積層された基板各層を電気的に導通させる貫通孔であるスルーホールを作成する部分にも穿設される。
【００２５】
図４は各有機基板１における角部となるドリル孔２’を基板内のスルーホールと同様に金属めっきした状態を示しており、ドリル孔２’は電気的導通を取るというスルーホールとして機能を果たすために金属めっきが施される。
【００２６】
既述した図１（ａ），（ｂ）に示す状態は、前記の状態からマザー基板９を個々の半導体装置用の有機基板１に切り出した状態を示しており、角部に設けられた内部に金属めっきされたドリル孔２’は、基板分割されることによって１／４円形状になり、有機基板１のコーナーを除去した形状となる。このような形状にすることによって、金属メッキ層３の存在により、有機基板１からのガラス繊維などのはみ出しをなくすことができる。よって、その後の半導体装置の組立工程における搬送時に、基板が他物に引っ掛かることなどの不具合の発生を防ぐことができる。
【００２７】
以上の製造工程で製造された半導体装置用有機基板は、以下の工程を経て半導体装置として組み立てられる。
【００２８】
図５は有機基板２に半導体素子１０を搭載するダイスボンド工程後の状態を示し、その後、図６に示すように、有機基板１と半導体素子１０間における電気的導通を得るために金属電極である金属細線１１をワイヤボンディングする。
【００２９】
図７は前記ワイヤボンディングが終了した有機基板１に樹脂封止１２を成形した状態を示し、図８は前記樹脂封止１２が終了した有機基板１の裏面に金属ボール１３を接合した状態を示す。この金属ボール１３は半導体装置を使用する際に電気的端子（パッド電極）として用いられる。
【００３０】
図９（ａ），（ｂ）はボール付けした基板を個々の半導体装置に分割した状態を示し、図９（ａ）は平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）におけるＡ−Ａ’断面図を示し、形状的には半導体装置として完成した状態である。
【００３１】
このように実施形態１によれば、半導体装置となる有機基板１の角部をマザー基板９の状態でドリル加工することにより基板角部が除去され、基板分割後の組み立て工程であるダイスボンド工程、ワイヤボンド工程、封止工程、ボール付け工程、分割工程における有機基板搬送時における引っ掛かりが防止される。
【００３２】
さらに、角部除去の内部面に金属めっき層３が形成されているため、有機基板１に使用されているガラス繊維などが角部除去部からはみ出て、それによる引っ掛かりをも防止することができ、しかも、金属めっき層３が存在するために強度的にも保護される。
（実施形態２）
本発明における実施形態２を図２および図１０〜図１３を参照して説明する。なお、以下の説明にて図１〜図９にて説明した部材に対応する部材には同一符号を付して詳しい説明は省略する。
【００３３】
実施形態２では、図１０に示すように、有機基板１の角部において側部に金属めっき層３が形成された１／４円状の凹部２と、内部に金属めっき層３が形成されたスルーホール１４とを具備している。
【００３４】
実施形態２の有機基板は以下の工程を経て製造される。
【００３５】
図２にて説明した同様に、半導体装置用の有機基板１はマザー基板９と呼ばれる大きな基板に同じパターンを縦横に繰り返し配置した状態で製作される。
【００３６】
図１１は各半導体装置用の有機基板１の角部となる部分と半導体装置となる部分の角部にドリルで孔を穿設する。すなわち、有機基板１の角部となる部分にドリルにより凹部２となる部分２’、および基板表裏面あるいは積層された基板各層を電気的に導通させるスルーホール１４を作成する部分１４’にドリル孔が穿設される。
【００３７】
図１２は各有機基板１におけるドリル孔２’，１４’に内部に金属めっきして、金属めっき層３を形成した状態を示す。
【００３８】
既述した図１０に示す状態はマザー基板９を個々の半導体装置用の有機基板１に切り出した状態を示しており、有機基板１の角部に設けられた内部に金属めっきされたドリル孔２’が基板分割されることに１／４円形状になり、有機基板１の角部を除去した形状となる。
【００３９】
次に実施形態１と同様に、ダイスボンド、ワイヤボンド、樹脂封止、ボール付けの各工程を経て、基板を個々の半導体装置に分割する。
【００４０】
その状態を図１３に示しており、形状的には半導体装置として完成した状態である。
【００４１】
実施形態２においても実施形態１と同様に、半導体装置となる有機基板１の角部をマザー基板９の状態でドリル加工することにより基板角部が除去され、基板分割後の組み立て工程であるダイスボンド工程、ワイヤボンド工程、封止工程、ボール付け工程、分割工程の有機基板搬送時における引っ掛かりが防止される。
【００４２】
さらに、角部除去の内部面に金属めっき層３が形成されているため、有機基板１に使用されているガラス繊維などが角部除去部からはみ出て、それによる引っ掛かりをも防止することができ、しかも、金属めっき層３が存在するために強度的にも保護される。
【００４３】
（実施形態３）
本発明における実施形態３であるエリアタイプの表面実装型半導体装置用の有機基板を図１４および図１５を参照して説明する。なお、以下の説明にて図１〜図９にて説明した部材に対応する部材には同一符号を付して詳しい説明は省略する。
【００４４】
図１４（ａ）はマザー基板９における各有機基板１の角部となるドリル孔２’を基板内のスルーホールと同様に金属めっきした状態を示す平面図、図１４（ｂ）は図１４（ａ）におけるＡ−Ａ’断面図、図１５（ａ）は製造された有機基板の平面図、図１５（ｂ）は図１５（ａ）の有機基板の正面図である。
【００４５】
実施形態３が実施形態１と異なる点は、金属めっき層３が有機基板１の角部側部に形成された１／４円状の凹部２において、その金属めっき層３を凹部２から有機基板１の上面，底面の一部３ａ，３ｂにまで延在させた構成である。
【００４６】
このように実施形態３によれば、実施形態１，２に比べて金属めっき層３にて覆われる部位が拡大されるため、有機基板搬送時における引っ掛かりが、より確実に防止され、さらに、強度補強がより効果的にされることになる。
【００４７】
しかも、有機基板１の底面部まで金属めっき層３を延在させたことにより、搬送時に搬送系における基板を受けて接する部位に金属めっき層３を介在させることによって、滑り性を向上させ、搬送を円滑に行わせることが可能になる。
【産業上の利用可能性】
【００４８】
本発明に係る半導体装置用の基板は、エリアタイプの表面実装型半導体装置用の有機基板に適用され、特に、当該基板を利用して組み立てる際の取扱いを容易にすることが可能であり、半導体装置組立部材用の基板として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】（ａ）は本発明の実施形態１であるエリアタイプの表面実装型半導体装置用の有機基板の平面図、（ｂ）は（ａ）の有機基板の正面図
【図２】実施形態１における半導体装置用の有機基板の製造工程でのマザー基板状態の基板を示す平面図
【図３】実施形態１におけるマザー基板状態の基板の角部となる部分にドリル孔を設けた状態を示す平面図
【図４】実施形態１におけるマザー基板状態の基板の角部となる部分のドリル孔に金属めっきをした状態を示す平面図
【図５】実施形態１における半導体素子を搭載した状態の半導体装置用基板を示す平面図
【図６】実施形態１におけるワイヤボンドした状態の半導体装置用基板を示す平面図
【図７】実施形態１における樹脂封止した状態の半導体装置用基板を示す平面図
【図８】実施形態１におけるボール付けした状態の半導体装置用基板を示す平面図
【図９】実施形態１における半導体装置の完成状態を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ’断面図
【図１０】本発明の実施形態２である半導体装置用基板を示す平面図
【図１１】実施形態２におけるマザー基板状態の基板の角部と半導体装置角部となる部分へのドリル孔加工後のマザー基板状態の基板を示す平面図
【図１２】実施形態２におけるマザー基板状態の基板の角部と半導体装置角部となる部分のドリル孔に金属めっきをした状態を示す平面図
【図１３】実施形態２における半導体装置の完成状態を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ’断面図
【図１４】本発明の実施形態３であるマザー基板状態の基板の角部となる部分のドリル孔に金属めっきをした状態を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ’断面図
【図１５】実施形態３における半導体装置用基板を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ’断面図
【図１６】従来の半導体装置を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ’断面図図
【符号の説明】
【００５０】
１  有機基板
２  凹部
２’，１４’  ドリル孔
３  金属めっき層
３ａ，３ｂ  金属めっき層の一部
４  基板送り用孔
５  半導体素子搭載領域
６  ワイヤボンド用パッド領域
７  樹脂封止領域
８  スリット
９  マザー基板
１０  半導体素子
１１  金属細線
１２  樹脂封止
１３  金属ボール
１４  スルーホール
【図１】
2007165444.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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