【事件の表示】
　特願２００８−５５７４２５「非感光領域に対して高い割合の感光領域を有するフォトダイオード」拒絶査定不服審判事件〔平成１９年　９月１３日国際公開、ＷＯ２００７／１０３２５５、平成２１年　８月　６日国内公表、特表２００９−５２８７０３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯
　本願は、２００７年３月２日（パリ条約による優先権主張外国庁受理２００６年３月２日、米国）を国際出願日とする出願であって、平成２４年７月１９日付けで拒絶理由が通知され、平成２５年１月２３日付けで意見書が提出されたが、同年４月１０日付けで拒絶査定がなされた。本件は、これに対して、同年８月１９日に拒絶査定に対する審判請求がなされ、同時に手続補正がなされたものである。
　その後、平成２５年１０月９日付けで、審判請求人に前置報告の内容を示し意見を求めるための審尋を行ったが、回答書は提出されなかった。
　
　
第２　平成２５年８月１９日付けの手続補正についての補正の却下の決定
［補正の却下の決定の結論］
　平成２５年８月１９日付けの手続補正を却下する。
　
［理由］
１．補正後の請求項に記載された発明
　平成２５年８月１９日付けの手続補正（以下「本件補正」という。）により、本願の特許請求の範囲の請求項１は、特許請求の範囲の減縮を目的として補正された。
　よって、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願補正発明」という。）は、本件補正後の特許請求の範囲の請求項１に記載された、次のとおりのものである。
　
「非感光領域に対して高い割合の感光領域を有するフォトダイオードであって、
　第１導電性を有する第１活性層と、前記第１導電性に対して逆の第２導電性を有する第２活性層と、前記第１活性層及び第２活性層を互いに分離する真性層とを有し、裏面と感光性表面とを備える半導体と、
　前記フォトダイオードを複数のセルに分割するように配設されている複数の分離トレンチと、を備え、
　各セルが、光に対して感度を有するセル活性表面領域と光に対して感度を有さないセル不活性表面領域とを含む総表面領域を有し、
　各セルは、前記セル不活性表面領域の一部を形成する電気コンタクト表面領域を有する表面電気コンタクトと、前記セル不活性表面領域の一部を形成するビア表面領域を有するとともに、前記表面電気コンタクトと前記裏面に形成された裏面電気コンタクトとを電気的に接続するビアと、を有し、
　前記セル活性表面領域が、セルの前記総表面領域の少なくとも９５％を形成しているフォトダイオード。」
　
　そこで、上記本願補正発明が特許出願の際独立して特許を受けることができるものであるか否か（平成１８年法律第５５号改正附則第３条第１項によりなお従前の例によるとされる同法による改正前の特許法（以下、単に「特許法」という。）第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するか否か）について、以下に検討する。
　
２．引用刊行物
（１）本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００４−２７３８３３号公報（以下「引用文献１」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は、当審が付した。）
　
（ａ）「【００１３】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。
図１は、本発明の実施形態に係るホトダイオードアレイ１を模式的に示す断面図である。なお、以下の説明においては、
光Ｌの入射面を表面とし、その反対側の面を裏面する。
ホトダイオードアレイ１は、ｐｎ接合による複数のホトダイオード４が縦横に規則正しいアレイ状に２次元配列されて、その一つ一つのホトダイオード４がホトダイオードアレイ１の一画素としての機能を有し、全体で一つの光検出部を構成している。
【００１４】
ホトダイオードアレイ１は
不純物濃度が１×１０
１２
〜１０
１５
／ｃｍ
３
程度のｎ型（第１導電型）シリコン基板３を有している。
ホトダイオードアレイ１はその表面側において、凹部６がホトダイオード４毎に分けて複数形成されている。
各凹部６は、
それぞれの底部には、不純物濃度が１×１０
１５
〜１０
２０
／ｃｍ
３
程度で、
ｐ型（第２導電型）不純物拡散層５が１つづつ配置されている。このｐ型不純物拡散層５とｎ型シリコン基板３とによるｐｎ接合が縦横の規則正しいアレイ状に配列され、そのそれぞれがホトダイオード４を構成している。
【００１５】
そして、各ｐ型不純物拡散層５の存在する領域がホトダイオード４の形成されている領域（形成領域）で、それ以外の領域がホトダイオードの形成されない非形成領域となっていて、両者の段差、すなわち、凹部６の深さｄは後述する電極配線９の膜厚よりも大きく（例えば０．０５〜３０μｍ、好ましくは１０μｍ程度）設定されている。
また、
ホトダイオードアレイ１は、ホトダイオード４それぞれについて、貫通配線８を有している。各貫通配線８はｎ型シリコン基板３の表面側と裏面側を貫通して直径１０μｍ〜１００μｍ程度（好ましくは５０μｍ程度）に形成されていて、リンの濃度が１×１０
１５
〜１０
２０
／ｃｍ
３
程度のポリシリコンからなり、その表面側はアルミニウムからなる電極配線９（膜厚は１μｍ程度）を介してｐ型不純物拡散層５に電気的に接続され、裏面側は同じくアルミニウムからなる電極パッド１０（膜厚は０．０５μｍ〜５μｍ、好ましくは１μｍ程度）が電気的に接続されている。
各貫通配線８はホトダイオード４の形成されない非形成領域に設けているが、それ以外の部分に設けてもよい。
【００１６】
さらに、
図示したホトダイオードアレイ１は、ｐ型不純物拡散層５同士の間、すなわち、隣接するホトダイオード４，４の間に、ｎ
＋
型不純物領域（分離層）７を深さ０．５〜６μｍ程度で設けている。
【００１７】
図２は、ホトダイオードアレイ１を構成する半導体チップ３０の側面図およびその要部を拡大して示す断面図である。図２に示すように、半導体チップ３０は幅Ｗ１が２２．４ｍｍ程度で、厚さＤが約０．３ｍｍの極めて薄い板状であり、上述のホトダイオード４を多数有し（例えば１６×１６個の２次元配置）、隣接する画素間のピッチＷ２が１．４ｍｍ程度の大面積（例えば、２２．４ｍｍ×２２．４ｍｍ程度）のチップである。
そして、以上のように構成されたホトダイオードアレイ１は表面側から光Ｌが入射すると、その被検出光Ｌが各ｐ型不純物拡散層５に入射し、その入射光に応じたキャリアを各ホトダイオード４が生成する。生成されたキャリアによる光電流は各ｐ型不純物拡散層５に接続された電極配線９および貫通配線８を介して、更に裏面側の各電極パッド１０とＵＢＭ１１を介してバンプ電極１２から取り出される。このバンプ電極１２からの出力によって、入射光の検出が行われる。
【００１８】
上述のとおり、ホトダイオードアレイ１は、ホトダイオード４それぞれが各凹部６の底部に配置されているため、各ホトダイオード４の形成領域よりも、その周囲の領域（非形成領域）が最大で深さｄに対応する大きさで突出している。そのため、ホトダイオードアレイ１は、半導体チップ３０を平コレットに吸着してフリップチップボンディングを行う場合は、その非形成領域が平コレットに接触して、光検出部を構成するホトダイオード４の形成領域と平コレットとの間に隙間を確保するように機能するため、その形成領域は非形成領域により保護され、平コレットに直接接触することはない。したがって、ホトダイオードアレイ１は光検出部が加圧によるストレスや加熱によるストレスを直接受けないので、光検出部自体が物理的なダメージ（損傷）を受けることもなく、そのようなダメージに起因するノイズや暗電流などの発生を抑制することができる。よって、ホトダイオードアレイ１は高精度な（Ｓ／Ｎ比が高い）光検出を行うことができる。
【００１９】
また、後述するように、フリップチップボンディング以外、例えばホトダイオードアレイ１をシンチレータに一体化してＣＴ用センサとする場合にも、シンチレータが直接光検出部に接触することがないから、シンチレータの取り付け時におけるダメージも回避することができる。
上述の凹部６は、ホトダイオード４毎に分けて形成されているが、このようにするためには、ｎ型シリコン基板３の表面において、例えば、図１６（ａ）に示すように、ホトダイオードの非形成領域を、形成領域に対して段差を有する連続した壁部１３ａが縦横に複数配置され、かつ十字状に交差するようにして形成すればよい。また、同図（ｂ）に示すように非形成領域をその辻部１３ｂ以外の部分に壁部１３ｃを断続的に配置して形成してもよく、同図（ｃ）に示すように、辻部１３ｂに十字状壁部１３ｄを配置して形成してもよい。さらに、図示はしないが、凹部６は大きく左右２つに分ける等して、複数の領域に分けて形成し、それぞれの凹部にホトダイオード４を１または２以上形成してもよい。
【００２０】
このようにして凹部６を複数形成する場合、隣接する各凹部６は互いに非形成領域により完全に仕切られることなく連通しているとよい。そのためには、例えば非形成領域を、上述の壁部１３ｃ，十字状壁部１３ｄを断続的に配置して形成すればよい。
また、隣接する各凹部６を連通させる代わりに、ｎ型シリコン基板３の表面側に、例えば、図１７（ａ）に示すように、ホトダイオード４の形成領域全体を取り囲める位置に縁取りした枠状壁部１３ｅを設けて、その内側全体が凹部６となるようにしてもよい。この枠状壁部１３ｅの代わりに、同図（ｂ）に示す一部欠落した枠状壁部１３ｆを設けてもよい。これらの場合は、凹部６が互いに非形成領域により仕切られることなく形成される。
【００２１】
一方、非形成領域は必ずしもそのすべてが凹部６よりも膜厚の厚い部分に設けられていることを要せず、その一部が、図１７（ａ），（ｂ）に示すように、凹部６に設けられていてもよい（枠状壁部１３ｅ、１３ｆのみが表面からみた高さの高い部分に形成され、その他は凹部６に形成されている）。しかし、ホトダイオード４は、そのすべてが凹部６に設けられていなければならない。
上述のように、壁部を断続的に配置して非形成領域を形成し、隣接する凹部６が互いに仕切られることなく連通するようにすると、隣接する壁部同士の隙間が樹脂（例えば、後述のシンチレータパネル３１を接着して放射線検出器４０を設ける際の光学樹脂３５）の逃げ道として機能する。したがって、ｎ型シリコン基板３の表面側に樹脂を塗布したときに、凹部６内にボイド（気泡）が発生し難くなり（ボイドが少なくなる）、その塗布した樹脂を各凹部６に偏りなく行き渡らせて均一に充填することができる。
【００２２】
なお、図１７（ｃ）に示すように、壁部１３ａと枠状壁部１３ｅをともに設けることもできるが、この場合は、各凹部６が非形成領域により完全に仕切られることとなる。
ところで、上述したホトダイオードアレイ１は次のように構成されていてもよい。例えば、図１２に示すように孔部１５の側壁にもリンを拡散させ、ｎ＋型不純物領域７を貫通配線８の周囲に設けてもよい。こうすると、穴部１４を形成した際のダメージ層からの不要なキャリアをトラップすることができ、暗電流を抑制することができる。
この場合の添加するリンの濃度は、１×１０
１５
〜１０
２０
／ｃｍ
３
程度、
【００２３】
また図１３に示すように、孔部１５内のシリコン酸化膜２０の上に膜厚が０．１〜２μｍ程度のシリコン窒化膜２４を設けてもよい。こうすると、ｎ型シリコン基板３と貫通配線８との絶縁を確実にして動作不良を低減することができる。
さらに、
裏面側にもリンをドープして拡散させ、図１４に示すように、ｎ
＋
型不純物領域７を設けてもよい。
【００２４】
次に、本実施形態に係るホトダイオードアレイ１の製造方法について、図３〜図１１に基づいて説明する。
まず、厚さ１５０〜５００μｍ（好ましくは４００μｍ）程度のｎ型シリコン基板３を準備する。続いて、図３に示すように、ＩＣＰ−ＲＩＥにより、ｎ型シリコン基板３の片面（以下この面が表面で、反対側の面が裏面となる）側に、直径１０μｍ〜１００μｍ（好ましくは５０μｍ）程度の貫通していない穴部１４を、ｎ型シリコン基板３の厚さに応じた深さ（例えば１００〜３５０μｍ程度）でホトダイオード４に対応して複数形成した上で、基板の表面および裏面に熱酸化を施し、シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）２０を形成する。各穴部１４には、後に貫通配線８が形成される。シリコン酸化膜（ＳｉＯ２）２０は後述の貫通配線８とｎ型シリコン基板３との電気的絶縁を実現するものとなる。
【００２５】
次に、図４に示すように、不純物としてリンを添加した導電性被膜として、ポリシリコン膜２１を基板の表面と裏面あるいは表面のみに形成すると同時に、穴部１４をその不純物を添加して低抵抗化したポリシリコンにより穴埋めする。続いて、図５に示すように、基板の表面および裏面を研磨して、表面と裏面に形成されたポリシリコン膜２１を除去するとともに、表面と裏面から穴部１４に埋めたポリシリコンを露出させ、両側表面を貫通する孔部１５とした上で前述の埋めたポリシリコンを貫通配線８となし、再度、基板の表面および裏面に熱酸化を施し、シリコン酸化膜２２を形成する。このシリコン酸化膜２２は後続の工程においてｎ＋熱拡散のマスクとして利用される。
【００２６】
そして、ｎ型シリコン基板３の表面側のシリコン酸化膜２２について、所定のホトマスクを用いたパターニングを行い、ｎ＋型不純物領域７を設けようとする領域のみ開口し、その開口された部分（開口部）からリンを拡散させてｎ＋型不純物領域７を設ける（ｎ＋型不純物領域７を設けない場合はこの工程（不純物領域形成工程）を省略してもよい）。その後再び基板の表面および裏面に熱酸化を施してシリコン酸化膜２３を形成する（図６参照）。このシリコン酸化膜２３は後続の工程において、ｐ型不純物拡散層５を形成する際のマスクとして利用される。
【００２７】
続いて、ｎ型シリコン基板３の表面および裏面に、ＬＰ−ＣＶＤ（またはプラズマＣＶＤ）によりシリコン窒化膜（ＳｉＮ）２４を形成した上で、図７に示すように、所定のホトマスクを用いたパターニングを行い、各凹部６に対応する部分からシリコン窒化膜２４とシリコン酸化膜２３を除去して、各凹部６を形成しない部分にのみシリコン窒化膜２４とシリコン酸化膜２３を残す。この工程で、シリコン窒化膜２４とシリコン酸化膜２３の残される領域を適宜変更することにより、非形成領域を上述した種々のパターンで形成することができる。
【００２８】
そして、水酸化カリウム溶液（ＫＯＨ）やＴＭＡＨ等のシリコンエッチング液を用い、残されたシリコン窒化膜（ＳｉＮ）２４とシリコン酸化膜２３をマスクに用いて、ｎ型シリコン基板３を対象とする異方性エッチングを行い、熱酸化を施した後に残されたシリコン窒化膜（ＳｉＮ）２４を除去する。この工程を経ることにより、シリコン窒化膜（ＳｉＮ）２４（およびシリコン酸化膜２３）に被覆されていなかった部分が周囲の領域よりも窪んで上述の凹部６が形成される。前述の熱酸化によりシリコン酸化膜２３と凹部６に形成されたシリコン酸化膜はつながり、シリコン酸化膜２５を形成する（図８参照）。なお、このパッシベーション膜２は、各ｐ型不純物拡散層５の上において反射防止膜の効果もあり、厚みを変えることにより所望の波長に対して高い光検出感度を得ることができる。
【００２９】
次に、シリコン酸化膜２５について、所定のホトマスクを用いたパターニングを行い、各凹部６の底部の、各ｐ型不純物拡散層５を形成しようとする領域のみ開口する。そして、その開口部からボロンを拡散させ、ｐ型不純物拡散層５を縦横のアレイ状に２次元配列で形成する。その後再び基板の表面および裏面に熱酸化を施してシリコン酸化膜２６を形成する（図９参照）。このシリコン酸化膜２６がパッシベーション膜２となる。なお、このパッシベーション膜２は、各ｐ型不純物拡散層５の上において反射防止膜の効果もあり、厚みを変えることにより所望の波長に対して高い光検出感度を得ることができる。これにより、各ｐ型不純物拡散層５とｎ型シリコン基板３のｐｎ接合によるホトダイオード４が凹部６の底部に縦横のアレイ状に２次元配列で形成され、このホトダイオード４が画素に対応する部分となる。
【００３０】
さらに、ホトエッチング技術により、各貫通配線８が形成されている領域にコンタクトホールを形成する。続いて、表面および裏面それぞれについてアルミニウム金属膜を全面に形成した上で、所定のホトマスクを用いてパターニングを行い、ホトエッチング技術により、その金属膜の不要な部分を除去し、表面側に電極配線９、裏面側に電極パッド１０をそれぞれ形成する（図１０参照）。
続いて各電極パッド１０にバンプ電極１２を設けるが、そのバンプ電極１２として半田を用いる場合、半田はアルミニウムに対する濡れ性が悪いので、各電極パッド１０とバンプ電極１２を仲介するためのＵＢＭ１１を各電極パッド１０に形成し、そのＵＢＭ１１に重ねてバンプ電極１２を形成する。以上の工程を経ることにより、実装時におけるダメージに起因するノイズが発生せず、高精度な光検出を行えるホトダイオードアレイ１を製造することができる。
【００３１】
この場合、ＵＢＭ１１は、無電解メッキにより、Ｎｉ−Ａｕを用いて形成するが、リフトオフ法により、Ｔｉ−Ｐｔ−ＡｕやＣｒ−Ａｕを用いて形成してもよい。無電解メッキによりＵＢＭ１１を形成する場合は、ＵＢＭ１１を形成したい部分、すなわち各電極パッド１０のみが露出するように絶縁膜で表面と裏面を保護してメッキを行う必要がある。実施例では、表面に電極配線９が露出しているため、メッキの際に表面にレジストやプラズマＣＶＤなどによるＳｉＯ２やＳｉＮを形成すれば良い。ＳｉＯ２やＳｉＮを用いる場合には、ホトダイオードの光学特性に影響がないと判断されるならば除去せずに残しても構わない。これにより表面にある電極配線９を保護するとともに、更にホトダイオードを保護することにより信頼性が向上する。また、バンプ電極１２は半田ボール搭載法や印刷法で所定のＵＢＭ１１に半田を形成し、リフロすることによって得られる。なお、バンプ電極１２は半田に限られるものではなく、金バンプ、ニッケルバンプ、銅バンプでもよく、導電性フィラー等の金属を含む導電性樹脂バンプでもよい。」
　
（ｂ）「【図１】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
（ｃ）「【図２】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
（ｄ）「【図１２】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
（ｅ）「【図１４】
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　
　すると、上記引用文献１の記載事項から、引用文献１には、以下の発明（以下「引用発明１」という。）が記載されている。
　
「光Ｌの入射面を表面とし、その反対側の面を裏面とするホトダイオードアレイ１であって、
　不純物濃度が１×１０１２〜１０１５／ｃｍ３程度のｎ型（第１導電型）シリコン基板３を有しており、また、表面側において凹部６がホトダイオード４毎に分けて複数形成されていて、各凹部６は、その底部に、不純物濃度が１×１０１５〜１０２０／ｃｍ３程度のｐ型（第２導電型）不純物拡散層５が１つづつ配置されて、このｐ型不純物拡散層５とｎ型シリコン基板３とによるｐｎ接合が縦横の規則正しいアレイ状に配列され、そのそれぞれがホトダイオード４を構成しており、
　ホトダイオード４それぞれは、ホトダイオード４の形成されない非形成領域に、貫通配線８を有しており、各貫通配線８はｎ型シリコン基板３の表面側と裏面側を貫通して直径１０μｍ〜１００μｍ程度（好ましくは５０μｍ程度）に形成されていて、リンの濃度が１×１０１５〜１０２０／ｃｍ３程度のポリシリコンからなり、その表面側はアルミニウムからなる電極配線９（膜厚は１μｍ程度）を介してｐ型不純物拡散層５に電気的に接続され、裏面側は同じくアルミニウムからなる電極パッド１０（膜厚は０．０５μｍ〜５μｍ、好ましくは１μｍ程度）が電気的に接続されており、
　ｐ型不純物拡散層５同士の間、すなわち、隣接するホトダイオード４，４の間に、ｎ＋型不純物領域（分離層）７が深さ０．５〜６μｍ程度で設けられており、
　裏面側にもリンをドープして拡散させて、ｎ＋型不純物領域７が設けられており、
　ｎ＋型不純物領域のリンの濃度は、１×１０１５〜１０２０／ｃｍ３程度であるホトダイオードアレイ１。」
　
（２）原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開昭６１−１３３６５９号公報（以下「引用文献２」という。）には、以下の事項が記載されている。（下線は、当審が付した。）
　
（ａ）「３．発明の詳細な説明
　［発明の技術分野］
　本発明は、光検出素子を含む複数または多数の素子を半導体基板（ウェハ）上に集積化する際、各素子を電気的に分離する方法で、特にＵ字型溝切りおよび溝充填法を用いる分離帯形成方法に関するものである。
　［先行技術の説明］
　従来、ＰＮ接合などから成る光電変換部を有する光検出素子を含む半導体装置、例えば、半導体撮像装置では、各光検出素子つまり各画素間の光により生成される電荷（キャリア）の分離を良くし、解像度特性を向上させるため、接合分離法を用いていた。第７図に示す例では、
ＰＩＮ構造を有する光電変換部から成る画素１，１′、光電変換により電荷を発生させる主たる領域２、基板３、および、分離領域４より構成される光半導体装置を示す。
　しかし、この方法では、例えば分離領域の不純物濃度を約１０２０ｃｍ−３以上に大きくし、かつ、集積化のため画素部（Ｐ＋シリコン）と分離領域（Ｎ＋シリコン）との距離を小さくとった場合、両者が重なったり微小な結晶欠陥の影響を受けやすくなり、接合リーク電流の増加や耐圧の低下を招き特性や歩留りを悪くする。一方逆に、耐圧やリークを軽減するため分離部の不純物濃度を１０１７〜１０１８ｃｍ−３程度に下げた場合、光キャリアを隣接する画素に移る前に再結合させるために分離帯の幅を極めて大きくとる必要があり、集積化が困難であった。
　従って、
従来はある程度集積化した素子においては、この画素間のクロストーク即ち隣接画素への信号電荷のもれが約１０％程度にも達する不具合があった。
　［発明の目的］
　本発明は、上記従来技術の欠点を克服し、半導体撮像装置などの光検出素子を含む複数の素子を半導体基板上に形成した半導体装置において、素子間分離特性を格段に向上させ、しかも高集積化が可能な素子分離帯を形成する方法を提供することを目的とする。
　［発明の概要］
本発明の第１の特徴は、
所望の分離個所に１〜３μｍ幅のＵ字型溝切りおよび充填法により分離帯を形成する際、
光入射により過剰に発生したキャリアを当該素子以外の部分に拡散する前に再結合により消し去ることにより、素子間の分離特性を向上させるものである。
　本発明の第２の特徴は、溝切り部底部に更に高濃度に不純物を添加してやり、キャリアの拡散長をより短かくすることにより、その効果を一層高めることにある。
　本発明の第３の特徴は、溝切り部底部に更にアルゴン、酸素、窒素などのイオンを打込んでやり、結晶欠陥をつくることによりキャリアの拡散長をより短かくすることで、その効果を一層高めようとするものである。
　本発明の第４の特徴は、素子領域を連続的に形成後に、分離帯を形成することにより、マスク合せ部分をなくすことで、集積度を一層高めようとするものである。
　本発明の第５の特徴は、フォトダイオードまたはイメージセンサ用受光素子の分離に適用することにより高集積度、高分離特性の光半導体装置を得るようにするものである。
　［発明の実施例］
　本発明の一実施例に係るＵ字型分離帯の形成方法をＰＩＮフォトダイオードを含む半導体装置に適用した例につき、第１図（Ａ）〜（Ｅ）の工程図を参照して説明する。
　（Ａ） 
Ｎ
＋
シリコン基板１１にＮ
−
層１２をエピタキシャル成長により設ける。
　（Ｂ） 
ＣＶＤＳｉＯ
２
膜を形成し、フォトエッチングにより１〜３μｍ幅に溝切り用マスクを形成し、ＣＣｌ
４
やＣＣｌ
２
Ｆ
２
ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、溝切り部１３を所望の深さまでエッチングする。
　（Ｃ） 
洗浄，熱酸化し表面にＳｉＯ
２
膜１５を付けた後に、ＬＰＣＶＤなどによりポリシリコン１６にて充填した後、表面についたポリシリコンのみＣＦ
４
ガスを用いてプラズマエッチングにより除去する。
　（Ｄ） 
表面を再び熱酸化し、Ｐ
＋
領域形成用のフォトエッチングを行ない、Ｂ
＋
のイオン注入、ドライブイン酸化し、Ｐ
＋
領域１７を形成する。
　（Ｅ） 
所要のコンタクトホールを形成し、Ａｌ等により配線１８を形成する。裏面電極１９もＡｕ等により形成する。
　
ＰＩＮ構造の光検出部を有するフォトダイオードアレイに、上記の如きＵ字型分離帯を形成することにより、第７図に示した従来構造に比べて集積度および素子分離特性が格段に優れたフォトダイオードアレイが得られる。
　即ち、第７図に示した従来構造の場合、クロストクやブルーミングを防止するには、Ｐ＋領域から漏れ出す光キャリアが隣接する画素間に移動する間に消滅させる必要があり、キャリアのＮ＋領域中の行程をキャリアの拡散長ａ以上にする必要がある。従って、この場合の分離幅は、Ｎ＋の横方向拡散により、Ｎ−層の厚さをｉとして約２ｉ＋ａとなる。
　これに対して、本発明によるＵ字型分離帯の場合は、第２図の要部断面図で示す如く、キャリアは溝の下部を通って隣接画素に流れ込むので、拡散長ａ＝２ｂ＋ｃを満足するように溝幅および溝の深さを決めれば良く、溝をある程度深くすることにより溝幅即ち分離幅は１〜３μｍと極めて狭くすることができる。」
　
（ｂ）「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　
（ｃ）「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　
（ｄ）「
　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 」
　
３．対比
（１）本願補正発明と引用発明１との対比
（ａ）引用発明１の「ホトダイオードアレイ１」、「光Ｌの入射面」である「表面」、「その反対側の面」である「裏面」及び「ホトダイオード４」が、それぞれ、本願補正発明の「フォトダイオード」、「感光性表面」、「裏面」及び「セル」に相当する。
　
（ｂ）引用発明１において、「ｎ型シリコン基板３」の「表面側」に「ｐ型不純物拡散層５」が形成され、かつ、「裏面側にもリンをドープして拡散させて、ｎ＋型不純物領域７が設けられて」いることから、「ｎ型シリコン基板３」は、「ｐ型不純物拡散層５」と「裏面側にもリンをドープして拡散させて」設けられた「ｎ＋型不純物領域７」とを互いに分離する層であるといえる。
　また、引用発明１において、「ｐ型不純物拡散層５」の「不純物濃度が１×１０１５〜１０２０／ｃｍ３程度」であること、「ｎ型シリコン基板３」の「不純物濃度が１×１０１２〜１０１５／ｃｍ３程度」であること及び「裏面側にもリンをドープして拡散させて」設けられた「ｎ＋型不純物領域７」の「リンの濃度は、１×１０１５〜１０２０／ｃｍ３程度である」こと、並びに、
　本願補正発明の「真性層」について、本願の明細書段落【００１１】の
「
第２半導体層４０が
更に処理されて真性層５０
形成する。
前記第２層４０は、第２の導電性を有し、好ましくは、この第２層４０は予めｎ型不純物が弱く注入されている。
前記真性層５０を形成するべくこの第２層４０の下部を残した状態で
　すると、引用発明１の「不純物濃度が１×１０１２〜１０１５／ｃｍ３程度のｎ型（第１導電型）シリコン基板３を有しており、また、表面側において凹部６がホトダイオード４毎に分けて複数形成されていて、各凹部６は、その底部に、不純物濃度が１×１０１５〜１０２０／ｃｍ３程度のｐ型（第２導電型）不純物拡散層５が１つづつ配置されて、」「裏面側にもリンをドープして拡散させて、ｎ＋型不純物領域７が設けられており、ｎ＋型不純物領域のリンの濃度は、１×１０１５〜１０２０／ｃｍ３程度である」構成は、本願補正発明の「第１導電性を有する第１活性層と、前記第１導電性に対して逆の第２導電性を有する第２活性層と、前記第１活性層及び第２活性層を互いに分離する真性層とを有し、裏面と感光性表面とを備える半導体」に相当する。
　
（ｃ）引用発明１の「ｐ型不純物拡散層５同士の間、すなわち、隣接するホトダイオード４，４の間に、ｎ＋型不純物領域（分離層）７が深さ０．５〜６μｍ程度で設けられて」いる構成と、本願補正発明の「前記フォトダイオードを複数のセルに分割するように配設されている複数の分離トレンチと、を備え」る構成は、「前記フォトダイオードを複数のセルに分割するように配設されている複数の分離部と、を備え」る構成で一致する。
　
（ｄ）引用発明１の「電極配線９」は「アルミニウムからなる」ものであって、光を遮るから、「ホトダイオード４」の「電極配線９」が配置された領域では、光に対して感度を有さないことは明らかであるから、「ホトダイオード４」の「電極配線９」が配置された領域は、本願補正発明の「光に対して感度を有さないセル不活性表面領域」に相当する。
　また、引用発明１の「ホトダイオード４」の全領域が本願補正発明の「総表面領域」に相当することは明らかであるから、「ホトダイオード４」の全領域から、「ホトダイオード４」の「電極配線９」が配置された領域を除いた領域が、本願補正発明の「光に対して感度を有するセル活性表面領域」に相当するといえる。
　したがって、引用発明１は、本願補正発明の「各セルが、光に対して感度を有するセル活性表面領域と光に対して感度を有さないセル不活性表面領域とを含む総表面領域を有」する構成に相当する構成を有すると認められる。
　
（ｅ）引用発明１の「電極配線９」、「電極パッド１０」及び「貫通配線８」が、それぞれ、本願補正発明の「表面電気コンタクト」、「裏面電気コンタクト」及び「ビア」に相当することは明らかである。
　また、上述のとおり、引用発明１における、「ホトダイオード４」の「電極配線９」が配置された領域は、本願補正発明の「光に対して感度を有さないセル不活性表面領域」に相当するから、引用発明の「電極配線９」は、本願補正発明の「セル不活性表面領域の一部を形成する電気コンタクト表面領域」に相当する領域を形成するものであるといえる。
　したがって、引用発明１の「ホトダイオード４それぞれは、ホトダイオード４の形成されない非形成領域に、貫通配線８を有しており、各貫通配線８はｎ型シリコン基板３の表面側と裏面側を貫通して直径１０μｍ〜１００μｍ程度（好ましくは５０μｍ程度）に形成されていて、リンの濃度が１×１０１５〜１０２０／ｃｍ３程度のポリシリコンからなり、その表面側はアルミニウムからなる電極配線９（膜厚は１μｍ程度）を介してｐ型不純物拡散層５に電気的に接続され、裏面側は同じくアルミニウムからなる電極パッド１０（膜厚は０．０５μｍ〜５μｍ、好ましくは１μｍ程度）が電気的に接続されて」いることと、本願補正発明の「各セルは、前記セル不活性表面領域の一部を形成する電気コンタクト表面領域を有する表面電気コンタクトと、前記セル不活性表面領域の一部を形成するビア表面領域を有するとともに、前記表面電気コンタクトと前記裏面に形成された裏面電気コンタクトとを電気的に接続するビアと、を有」することは、「各セルは、前記セル不活性表面領域の一部を形成する電気コンタクト表面領域を有する表面電気コンタクトと、前記表面電気コンタクトと前記裏面に形成された裏面電気コンタクトとを電気的に接続するビアと、を有」することで一致する。
　
（２）一致点
　してみると、両者は、
「フォトダイオードであって、
　第１導電性を有する第１活性層と、前記第１導電性に対して逆の第２導電性を有する第２活性層と、前記第１活性層及び第２活性層を互いに分離する真性層とを有し、裏面と感光性表面とを備える半導体と、
　前記フォトダイオードを複数のセルに分割するように配設されている複数の分離部と、を備え、
　各セルが、光に対して感度を有するセル活性表面領域と光に対して感度を有さないセル不活性表面領域とを含む総表面領域を有し、
　各セルは、前記セル不活性表面領域の一部を形成する電気コンタクト表面領域を有する表面電気コンタクトと、前記表面電気コンタクトと前記裏面に形成された裏面電気コンタクトとを電気的に接続するビアと、を有するフォトダイオード。」
で一致し、次の各点で相違する。
　
（３）相違点
（イ）フォトダイオードを複数のセルに分割するように配設されている複数の分離部が、本願補正発明では、「分離トレンチ」であるのに対して、引用発明１では、「ｎ＋型不純物領域（分離層）７」である点。
　
（ロ）ビアが、本願補正発明では、「前記セル不活性表面領域の一部を形成するビア表面領域を有する」、すなわち、ビアが「総表面領域」内に設けられているのに対して、引用発明１では、「ホトダイオード４の形成されない非形成領域」、すなわち、本願補正発明の「総表面領域」に相当する領域外に設けられている点。
　
（ハ）本願補正発明では、「フォトダイオード」が、「非感光領域に対して高い割合の感光領域を有するフォトダイオードであって、」「前記セル活性表面領域が、セルの前記総表面領域の少なくとも９５％を形成している」のに対して、引用発明１では、「セル活性表面領域」の「総表面領域」に対する割合が不明であって、「非感光領域に対して高い割合の感光領域を有する」か否かが不明である点。
　
４．判断
（１）相違点（イ）について
　引用文献２には、従来のＰＩＮ構造を有する光電変換部から成る画素１，１′、光電変換により電荷を発生させる主たる領域２、基板３、および、分離領域４より構成される光半導体装置の分離領域４では、ある程度集積化した素子においては、この画素間のクロストーク即ち隣接画素への信号電荷のもれが約１０％程度にも達する不具合があったが、Ｕ字型溝切りおよび充填法によりＵ字型分離帯を形成することにより、従来構造に比べて集積度および素子分離特性が格段に優れたフォトダイオードアレイが得られるという技術事項が記載されている。
　そして、該「Ｕ字型分離帯」は、「素子」を分離するものであることは当業者には明らかであり、また、溝切りによって形成するものであってトレンチであるといえるから、引用文献２に記載された「Ｕ字型分離帯」は、本願補正発明の「分離トレンチ」に相当する。
　すると、引用発明１の「ｎ＋型不純物領域（分離層）７」（引用文献２に記載された「分離領域４」に相当する。）に換えて、引用文献２に記載された「Ｕ字型分離帯」を採用して、上記相違点（イ）に係る本願補正発明の発明特定事項を得ることは当業者が容易に想到し得ることである。
　
（２）相違点（ロ）について
　引用文献１の段落【００１５】には、「各貫通配線８はホトダイオード４の形成されない非形成領域に設けているが、それ以外の部分に設けてもよい。」との記載があり、「ホトダイオード４の形成されない非形成領域」「以外の部分」、すなわち、「ホトダイオード４」が形成された領域に、「貫通配線８」を設けることが示唆されており、また、原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である、特開２００２−３１１１４６号公報（以下「引用文献３」という。）には、「検出器ＰＤ１」（本願補正発明の「総領域」、引用発明の「ホトダイオード４」の全領域に相当する。）内に「導電体ＣＤＴ」（本願補正発明の「ビア」、引用発明の「貫通配線８」に相当する。）を設けることが記載されていることも参照すれば、引用発明の「貫通配線８」を、「ホトダイオード４の形成されない非形成領域」に換えて、「ホトダイオード４」内に設けて、上記相違点（ロ）に係る本願補正発明の発明特定事項を得ることは当業者が容易に想到し得ることである。
　
（３）相違点（ハ）について
　一般に、フォトダイオードにおいて、表面領域には光に対して感度を有する領域と光に対して感度を有さない領域があることは技術常識であって、より多くの光を受光するためには、全表面領域に対する光に対して感度を有する領域の割合（以下、単に「割合」という。）が多い方が好ましいことは、当業者には周知の技術事項である。
　また、光に対して感度を有さない領域を形成するものとして、表面に金属で形成された配線や表面から裏面に或いは裏面から表面に導電するための導電体が、光に対して感度を有さない領域を形成するものとして、当業者には普通に知られているところ、該配線や導電体の面積を大きくすれば、割合は減少するという欠点があるが、電気抵抗が減少することにより、高速な応答が実現できる等と行った利点がある、逆に、該配線や導電体の面積を小さくすれば、割合は増加するという利点があるが、電気抵抗が増加することにより、高速な応答が実現できない等と行った欠点がある、すなわち、該配線や導電体の面積の大小は、割合と電気抵抗に関してトレードオフの関係にあることが、当業者には周知の技術事項である。（例えば、引用文献３の段落【００６０】には、「なお、図５は、格子状のパターンを有するＮ型半導体層１ｎの平面図である。Ｎ型半導体層１ｎの１つの格子の幅は２０μｍであり、補助電極１ｃ’により被覆される。これにより直列抵抗を更に下げることができ、より高速な応答が実現できる。」と記載され、配線の面積を大きくすると、電気抵抗が減少することが示唆されている。）
　そして、該配線や導電体の面積は、上述のような周知の技術事項を勘案して適宜設計し得ることであって、割合を多くすることを重視して、該配線や導電体の面積が小さくなるように設計することも当然に可能である。
　さらに、本願補正発明の「９５％」という数値に格別な技術的意味（特に、臨界的意味）はなく、かつ、「少なくとも９５％」という数値を達成するために、本願補正発明において、「各セルは、前記セル不活性表面領域の一部を形成する電気コンタクト表面領域を有する表面電気コンタクトと、前記セル不活性表面領域の一部を形成するビア表面領域を有するとともに、前記表面電気コンタクトと前記裏面に形成された裏面電気コンタクトとを電気的に接続するビアと、を有」する構成以外の特別な構成を採用したものでもないことを考慮すると、引用発明１において、「電極配線９」や「貫通配線８」の面積を小さくして、セル活性表面領域が総表面領域の少なくとも９５％を形成するようにして、上記相違点（ハ）に係る本願補正発明の発明特定事項を得ることは当業者が容易に想到し得ることである。
　
（４）効果について
　本願補正発明が奏し得る効果は、引用発明１、引用文献１〜３に記載された技術事項及び周知の技術事項から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
（５）結論
　したがって、本願補正発明は、引用発明１、引用文献１〜３に記載された技術事項及び周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
５．小括
　以上のとおり、本件補正は、特許法第１７条の２第５項において準用する同法第１２６条第５項の規定に違反するので、同法第１５９条第１項の規定により読み替えて準用する同法第５３条第１項の規定により却下すべきものである。
　
　
第３　本願発明について
１．本願発明
　平成２５年８月１９日付けの手続補正は上記のとおり却下されたので、本願の特許請求の範囲の請求項１に係る発明（以下「本願発明」という。）は、外国語特許出願に係る国際出願日における請求の範囲の翻訳文の請求項１に記載された事項により特定される、以下のとおりのものである。
　
「非感光領域に対して高い割合の感光領域を有するフォトダイオードであって、
　第１導電性を有する第１活性層と、前記第１導電性に対して逆の第２導電性を有する第２活性層と、前記第１活性層及び第２活性層を互いに分離する真性層とを有し、裏面と感光性表面とを備える半導体と、
　前記フォトダイオードを複数のセルに分割するように配設されている複数の分離トレンチと、を備え、
　各セルが、光に対して感度を有するセル活性表面領域と光に対して感度を有さないセル不活性表面領域とを含む総表面領域を有し、
　前記セル活性表面領域が、セルの前記総表面領域の少なくとも９５％を形成しているフォトダイオード。」
　
２．引用刊行物
　原査定の拒絶の理由に引用され、本願の優先日前に頒布された刊行物である引用文献２の記載内容は、前記「第２」「［理由］」「２．」「（２）」に記載したとおりであって、引用文献２の前記記載事項から、引用文献２には、以下の発明（以下「引用発明２」という。）が記載されている。
　
「ＰＩＮ構造の光検出部を有するフォトダイオードアレイであって、
　Ｎ＋シリコン基板１１にＮ−層１２をエピタキシャル成長により設け、ＣＶＤＳｉＯ２膜を形成し、フォトエッチングにより１〜３μｍ幅に溝切り用マスクを形成し、ＣＣｌ４やＣＣｌ２Ｆ２ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、溝切り部１３を所望の深さまでエッチングし、洗浄，熱酸化し表面にＳｉＯ２膜１５を付けた後に、ＬＰＣＶＤなどによりポリシリコン１６にて充填した後、表面についたポリシリコンのみＣＦ４ガスを用いてプラズマエッチングにより除去し、表面を再び熱酸化し、Ｐ＋領域形成用のフォトエッチングを行ない、Ｂ＋のイオン注入、ドライブイン酸化し、Ｐ＋領域１７を形成し、所要のコンタクトホールを形成し、Ａｌ等により配線１８を形成し、裏面電極１９もＡｕ等により形成して、Ｕ字型分離帯を形成することにより得られる、
　従来構造に比べて集積度および素子分離特性が格段に優れたフォトダイオードアレイ。」
　
３．対比
（１）本願発明と引用発明２との対比
（ａ）引用発明２の「フォトダイオードアレイ」、「表面」及び「素子」が、それぞれ、本願発明の「フォトダイオード」、「感光性表面」及び「セル」に相当する。
　
（ｂ）引用発明２において、「Ｎ＋シリコン基板１１にＮ−層１２をエピタキシャル成長により設け、」「表面を再び熱酸化し、Ｐ＋領域形成用のフォトエッチングを行ない、Ｂ＋のイオン注入、ドライブイン酸化し、Ｐ＋領域１７を形成」することから、「Ｎ−層１２」は、「Ｎ＋シリコン基板１１」と「Ｐ＋領域１７」とを互いに分離する層であるといえる。
　また、本願発明の「真性層」について、本願の明細書段落【００１１】の
「
第２半導体層４０が
更に処理されて真性層５０
形成する。
前記第２層４０は、第２の導電性を有し、好ましくは、この第２層４０は予めｎ型不純物が弱く注入されている。
前記真性層５０を形成するべくこの第２層４０の下部を残した状態で
　すると、引用発明２の「Ｎ＋シリコン基板１１にＮ−層１２をエピタキシャル成長により設け、」「表面を再び熱酸化し、Ｐ＋領域形成用のフォトエッチングを行ない、Ｂ＋のイオン注入、ドライブイン酸化し、Ｐ＋領域１７を形成し」た構成は、本願発明の「第１導電性を有する第１活性層と、前記第１導電性に対して逆の第２導電性を有する第２活性層と、前記第１活性層及び第２活性層を互いに分離する真性層とを有し、裏面と感光性表面とを備える半導体と、」「を備え」た構成に相当する。
　
（ｃ）引用発明２の「フォトエッチングにより１〜３μｍ幅に溝切り用マスクを形成し、ＣＣｌ４やＣＣｌ２Ｆ２ガスを用いた反応性イオンエッチングにより、溝切り部１３を所望の深さまでエッチングし、洗浄，熱酸化し表面にＳｉＯ２膜１５を付けた後に、ＬＰＣＶＤなどによりポリシリコン１６にて充填した後、表面についたポリシリコンのみＣＦ４ガスを用いてプラズマエッチングにより除去し」て形成された「Ｕ字型分離帯」は、「素子」を分離するものであることは当業者には明らかであり、また、溝切りによって形成するものであってトレンチであるといえるから、引用発明２の「Ｕ字型分離帯」は、本願発明の「前記フォトダイオードを複数のセルに分割するように配設されている複数の分離トレンチ」に相当する。
　
（ｄ）引用発明２の「配線１８」は「Ａｌ等により」「形成」されたものであって、光を遮るから、「素子」の「配線１８」が配置された領域では、光に対して感度を有さないことは明らかであるから、「素子」の「配線１８」が配置された領域は、本願発明の「光に対して感度を有さないセル不活性表面領域」に相当する。
　また、引用発明２の「素子」の全領域が本願発明の「総表面領域」に相当することは明らかであるから、「素子」の全領域から、「素子」の「配線１８」が配置された領域を除いた領域が、本願発明の「光に対して感度を有するセル活性表面領域」に相当するといえる。
　したがって、引用発明２は、本願発明の「各セルが、光に対して感度を有するセル活性表面領域と光に対して感度を有さないセル不活性表面領域とを含む総表面領域を有」する構成に相当する構成を有すると認められる。
　
（２）一致点
　してみると、両者は、
「フォトダイオードであって、
　第１導電性を有する第１活性層と、前記第１導電性に対して逆の第２導電性を有する第２活性層と、前記第１活性層及び第２活性層を互いに分離する真性層とを有し、裏面と感光性表面とを備える半導体と、
　前記フォトダイオードを複数のセルに分割するように配設されている複数の分離トレンチと、を備え、
　各セルが、光に対して感度を有するセル活性表面領域と光に対して感度を有さないセル不活性表面領域とを含む総表面領域を有するフォトダイオード。」
で一致し、次の点で相違する。
　
（３）相違点
（ニ）本願発明では、「フォトダイオード」が、「非感光領域に対して高い割合の感光領域を有するフォトダイオードであって、」「前記セル活性表面領域が、セルの前記総表面領域の少なくとも９５％を形成している」のに対して、引用発明２では、「セル活性表面領域」の「総表面領域」に対する割合が不明であって、非感光領域に対して高い割合の感光領域を有するか否かが不明である点。
　
４．判断
　相違点（ニ）は、前記「第２」「［理由］」「３．」「（３）」に記載した相違点（ハ）と同様のものであり、前記「第２」「［理由］」「４．」「（３）」での説示と同様、さらに、本願発明の「９５％」という数値に格別な技術的意味（特に、臨界的意味）はなく、かつ、「少なくとも９５％」という数値を達成するために、本願発明において、特別な構成を採用したものでもないことを考慮すると、引用発明２において、「配線１８」の面積を小さくして、セル活性表面領域が総表面領域の少なくとも９５％を形成するようにして、上記相違点（ニ）に係る本願発明の発明特定事項を得ることは当業者が容易に想到し得ることである。
　
　また、本願発明が奏し得る効果は、引用発明２及び周知の技術事項から当業者が予測し得る範囲のものであって格別なものではない。
　
（５）結論
　したがって、本願発明は、引用発明２及び周知の技術事項に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができない。
　
　
第４　むすび
　以上のとおり、本願発明は、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないから、本願の他の請求項に係る発明について検討するまでもなく、本願は拒絶されるべきものである。
　よって、結論のとおり審決する。