【事件の表示】
　特願２０１０−２９２７７３「半導体およびその製造方法」拒絶査定不服審判事件〔平成２３年　４月２１日出願公開、特開２０１１−８２５６３〕について、次のとおり審決する。
【結　論】
　本件審判の請求は、成り立たない。
【理　由】
第１　手続の経緯　
　本願は、平成１１年７月２９日に特許出願された特願平１１−２１４６０２号（パリ条約による優先権主張１９９８年７月３１日、米国）の一部を、平成２２年１２月２８日に新たな特許出願として出願したものであって、その後の経緯は以下のとおりである。
　平成２３年　１月２１日　手続補正書
　平成２４年１２月２１日　拒絶理由通知（平成２５年１月８日発送）　
　平成２５年　３月２７日　意見書・手続補正書　
　平成２５年　７月　５日　拒絶査定（同年７月９日送達）　
　平成２５年１１月　８日　審判請求書　
　平成２６年　３月１８日　拒絶理由通知（同年３月２５日発送、以下「当審拒絶理由」という。）　
　平成２６年６月２０日　意見書・手続補正書　
　
第２　本願発明
　本願の請求項１〜１０に係る発明は、平成２６年６月２０日付け手続補正により補正された請求項１〜１０に記載された事項により特定されるとおりのものであるところ、請求項１は以下のとおりである。　　
 
「基板上に直接形成され、前記基板を均一に覆うアモルファスのＩｎＧａＮを固体エピタキシープロセスで結晶化させたＩｎＧａＮからなる核形成層と、
　前記核形成層上に成長させた厚さ０．５μｍ以上１００μｍ以下のＩｎＧａＮ層と、
　前記ＩｎＧａＮ層上に形成され、Ｉｎの含有量が２０％以上である活性層と、
　を含む半導体構造。」（以下「本願発明」という。）
　
第３　引用発明　
　当審拒絶理由通知で引用した刊行物（特開平９−２８３７９９号公報）には、図面とともに以下の事項が記載されている（当審注：下線は、当審が付加した。）。　
 
　１　「【請求項１】  
ダブルヘテロ接合構造を発光部として有し、前記ダブルヘテロ接合構造を構成するｐ型クラッド層、活性層、ｎ型クラッド層が、全てＩｎＧａＮ系半導体材料によって形成された
半導体発光素子
【請求項４】  
当該半導体発光素子の積層構造が、結晶基板上にバッファ層を介してダブルヘテロ接合構造を成長させてなる積層構造であって、結晶基板の材料が、サファイア、６Ｈ−ＳｉＣ、ＭｇＡｌ
２
 Ｏ
４
 （スピネル）、ＬｉＡｌＯ
２
 、ＬｉＧａＯ
２
 のいずれかであり、バッファ層の材料が、
ＩｎＧａＮ
である
　
　２　「【００１１】【作用】発光素子のダブルヘテロ接合構造において、活性層の材料だけでなく、これを挟むｐ型・ｎ型の両クラッド層の材料としてＩｎＧａＮ系材料を用いることによって、活性層に用いられるＩｎＧａＮ系材料を、高いＩｎの組成比として、かつ、良好な結晶性で成長させることも可能となる。これによって、ＩｎＧａＮ系材料を活性層の材料として用いたものでありながら、赤色（波長約６５３ｎｍ付近）の領域の光を発する発光素子を製造することも可能となる。
【００１２】【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。図１は、本発明の発光素子の構造の一例を示す模式図である。同図に示すように、本発明の発光素子は、ダブルヘテロ接合構造３を発光部として有し、このダブルヘテロ接合構造３を構成するｎ型クラッド層３１、活性層３２、ｐ型クラッド層３３が全てＩｎＧａＮ系材料によって形成されるものである。同図の例は、結晶基板に絶縁体であるサファイア結晶を用いた場合の構造例である。また、ダブルヘテロ接合構造３は結晶基板１上にバッファ層２を介して形成されている。ダブルヘテロ接合構造における伝導型は、ｐ型・ｎ型のいずれを結晶基板側としてもよい。図１の例では、結晶基板側をｎ型として示している。このような構造の発光素子とすることによって、活性層の結晶品質を良好な状態に維持しながら、Ｉｎの組成比を所望の値まで高く設定できる。
【００１３】結晶基板に用いられる材料は、上記サファイア結晶の他に、６Ｈ−ＳｉＣ、ＭｇＡｌ２ Ｏ４ （スピネル）、ＬｉＡｌＯ２ 、ＬｉＧａＯ２ などが挙げられる。サファイア結晶は、α−Ａｌ２ Ｏ３ を結晶構造とするものであればよく、従来よりＧａＮ単結晶などを成長させるための基板として利用されているものを利用してよい。特に（０００１）面が基板の上面となるように形成されたサファイアＣ面基板が、成長層表面の平坦性および成長層の結晶性を向上させる点で好ましく用いられる。 
 【００１４】バッファ層の材料としては、ＡｌＮ、ＧａＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮが好ましいものとして挙げられる。これらの材料のいずれかを結晶基板上に成膜しバッファ層とすることによって、さらにその上には、良好な結晶性でありながら十分に厚いＩｎＧａＮ単結晶からなるクラッド層を成長させることができる。 
 【００１５】バッファ層の膜厚は限定されるものではないが、０．００１μｍ〜５μｍ程度、好ましくは０．００５μｍ〜０．５μｍが適当な厚みである。結晶基板上へのバッファ層の成膜方法は特に限定されず、従来のバッファ層形成に用いられるＭＯＶＰＥ、ＭＢＥ、ＣＢＥ、ＧＳ−ＣＢＥ、スパッタリングなども利用できるが、バッファ層上に結晶成長させるＩｎＧａＮクラッド層の成長方法と同一であることが特に好ましい。 
 【００１６】ダブルヘテロ接合構造に用いられるＩｎＧａＮ系材料は、Ｉｎｘ Ｇａ１−ｘＮ、０≦ｘ≦１、で表される化合物半導体であればよい。また、本発明がＩｎＧａＮ系材料を活性層に用い、さらにＩｎの組成比の高いものまでの利用を可能とすることを目的とする点からは、
活性層に用いられるＩｎＧａＮ系材料は、Ｉｎ
ｘ
Ｇａ
１−ｘ
Ｎにおける組成比を、０＜ｘ≦１とする
【００１７】ダブルヘテロ接合構造の各層の厚みは限定されず、公知の発光素子における厚みのとおりであってもよい。例えば、
ｐ型・ｎ型の両クラッド層の厚みは、０．１μｍ〜５μｍ程度
　
　３　上記２【００１２】段落の記載をふまえて、図１をみると、ＩｎＧａＮからなるバッファ層２は結晶基板１上に直接形成され、前記結晶基板１を均一に覆っていることが見て取れる。　  
　
　４　図１は、次のものである。　　
　
　５　以上によれば、刊行物には、
「ダブルヘテロ接合構造を発光部として有し、前記ダブルヘテロ接合構造を構成するｐ型クラッド層、活性層、ｎ型クラッド層が、全てＩｎＧａＮ系半導体材料によって形成された半導体発光素子において、
　当該半導体発光素子の積層構造が、結晶基板上にバッファ層を介してダブルヘテロ接合構造を成長させてなる積層構造であって、
　結晶基板の材料が、サファイア、６Ｈ−ＳｉＣ、ＭｇＡｌ２Ｏ４ （スピネル）、ＬｉＡｌＯ２ 、ＬｉＧａＯ２ のいずれかであり、バッファ層の材料が、ＩｎＧａＮであり、
　前記ＩｎＧａＮからなるバッファ層は、前記結晶基板上に直接形成され、前記結晶基板を均一に覆うものであり、前記結晶基板上へのバッファ層の成膜方法は特に限定されないものであり、
　ｐ型・ｎ型の両クラッド層の厚みが、０．１μｍ〜５μｍ程度であり、活性層に用いられるＩｎＧａＮ系材料は、ＩｎｘＧａ１−ｘＮにおける組成比を、０＜ｘ≦１とする半導体発光素子。」（以下「引用発明」という）
　が記載されていると認められる。 
　
第４　対比　  
　本願発明と引用発明とを対比する。 
　 
　１　引用発明の「結晶基板」、「ＩｎＧａＮからなるバッファ層」、「結晶基板上にバッファ層を介して」「成長させてなる」「ダブルヘテロ接合構造」の「ＩｎＧａＮ系半導体材料によって形成された」「ｎ型クラッド層」は、それぞれ本願発明の「基板」、「ＩｎＧａＮからなる核形成層」、「核形成層上に成長させた・・・ＩｎＧａＮ層」に相当する。　 
　　  
　２　上記第３、１〜４及び１、２に照らせば、請求項１に係る発明と引用発明とは、
「基板上に直接形成され、前記基板を均一に覆うＩｎＧａＮからなる核形成層と、
　前記核形成層上に成長させたＩｎＧａＮ層と、
　前記ＩｎＧａＮ層上に形成された、活性層と、
　を含む半導体構造。」
　で一致し、以下の点で相違する。
　
　相違点１：「核形成層」が、本願発明では「アモルファスのＩｎＧａＮを固体エピタキシープロセスで結晶化させたＩｎＧａＮからなる」のに対し、引用発明ではそのようなものからなるのか否か不明である点。　 
　
　相違点２：核形成層上に成長させたＩｎＧａＮ層の厚さが、本願発明では「厚さ０．５μｍ以上１００μｍ以下」であるのに対して、引用発明では「０．５μｍ以上５μｍ以下」である点。
　
　相違点３：活性層のＩｎ含有量が、本願発明では「２０％以上」であるのに対し、引用発明では、「活性層に用いられるＩｎＧａＮ系材料は、ＩｎｘＧａ１−ｘＮにおける組成比を、０＜ｘ≦１」である点。
　
第５　判断
　
　１　相違点１について
　以下、上記相違点について検討すると、上記固体エピタキシープロセスは、薄膜結晶を作成する方法として周知の方法［例えば「白川　二、化合物半導体−プロセスと科学、日本、大日本図書（株）、１９９４年６月２０日、１２３−１２７頁」（以下「刊行物２」という。）の１２７頁には、薄膜結晶を作成する方法であるエピタキシーの一つとして固相エピタキシー（本願発明の「固体エピタキシー」に相当する。）が記載されている。］である。
　そして、引用発明は、結晶基板上へのバッファ層の成膜方法が特に限定されないものであるから、上記周知の技術手段を適用し、上記相違点に係る本願発明の発明特定事項と為すことに困難性は無い。　
　
　２　相違点２について
　引用文献には、「【００１１】【作用】発光素子のダブルヘテロ接合構造において、活性層の材料だけでなく、これを挟むｐ型・ｎ型の両クラッド層の材料としてＩｎＧａＮ系材料を用いることによって、活性層に用いられるＩｎＧａＮ系材料を、高いＩｎの組成比として、かつ、良好な結晶性で成長させることも可能となる。・・・
【００１４】・・・良好な結晶性でありながら
十分に厚いＩｎＧａＮ単結晶からなるクラッド層
　他方、クラッド層の厚さを不必要に厚くすることは経済的でないことも当業者にとって自明である。
　よって、引用発明において、「ｎ型クラッド層」の厚さを適宜に定め、その値を０．５μｍ以上１００μｍ以下とすること、すなわち相違点１に係る本願発明の構成とすることは当業者が適宜なしえた程度のことである。
　
　３　相違点３について  　
　本願発明の「含有量」は、その用語が発明の詳細な説明に記載されておらず、組成比における含有量なのかあるいは、質量における含有量なのか必ずしも明確ではない。
　一方、引用発明は、「活性層に用いられるＩｎＧａＮ系材料は、ＩｎｘＧａ１−ｘＮにおける組成比を、０＜ｘ≦１とする」ものである。
　そうすると本願発明の「含有量」をいずれの意味に解しても、引用発明のＩｎの含有量は２０％以上のものを含むと解される。
　また、引用文献には、「【００１６】・・・また、
黄色の波長域付近で十分な輝度を示す発光素子を提供する点では０．７≦ｘ≦１
赤色で十分な輝度を示す発光素子を提供する点では０．９≦ｘ≦１
　よって、引用発明において、活性層のＩｎ含有量を２０％以上とすること、すなわち相違点３に係る本願発明の構成とすることは当業者が適宜なし得ることである。
　　
　４　請求人の主張に対して
　請求人は、平成２６年６月２０日付け意見書において、「固体エピタキシープロセスは、アモルファスを結晶化させる他のプロセスに比べて結晶化に要するエネルギーが少なく、さらに結晶化に掛る時間も短い。すなわち、低い温度において少ないエネルギーで高速にアモルファスのＩｎＧａＮを予め形成し、他の層をエピタキシャル成長させるときに必要な加熱によってアモルファスＩｎＧａＮを固体エピタキシープロセスにより結晶化させることができる。」旨主張するので、以下、検討する。
　請求人が主張する作用効果は、固体（固相）エピタキシープロセスを採用することにより奏するものにすぎない。また、固体（固相）エピタキシープロセスを核形成層の形成法に採用することにより、当業者の予測を超えるような格別の効果があるものとも認められない。
　よって、請求人の上記主張は、採用できない。
　　
　５　小括　
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用文献の記載事項及び周知の技術手段に基いて当業者が容易に発明をすることができたものと認める。　
 
第６　むすび　
　以上のとおり、本願発明は、引用発明、引用文献の記載事項及び周知の技術手段に基いて当業者が容易に発明をすることができたものであるから、特許法第２９条第２項の規定により特許を受けることができないものである。
　よって、結論のとおり審決する。